(57)【要約】【課題】十分優れた強度を有するガラスセラミックス基板を提供すること。【解決手段】ガラス成分と該ガラス成分の中に分散された板状アルミナフィラーとを含有し、板状アルミナフィラーが、０．１〜２０μｍの平均板径と５０〜８０の平均アスペクト比とを有し、板状アルミナフィラーの含有量が、ガラス成分及び板状アルミナフィラーの合計量に対して２２〜３５体積％であるガラスセラミックス基板１１ａ〜１１ｄを提供する。【選択図】図１
2010100517.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス成分と該ガラス成分の中に分散された板状アルミナフィラーとを含有し、
前記板状アルミナフィラーが、０．１〜２０μｍの平均板径と５０〜８０の平均アスペクト比とを有し、
前記板状アルミナフィラーの含有量が、前記ガラス成分及び前記板状アルミナフィラーの合計量に対して２２〜３５体積％である、ガラスセラミックス基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラスセラミックス基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器に使用される配線基板として、ガラス成分とフィラー成分とを含む組成物を焼成することによって得られる低温焼成磁器を用いた配線基板が知られている。このような配線基板においては、フィラー成分としてアルミナを用いることによって比誘電率を低くするとともに機械的強度を向上させることが試みられている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２５６３４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載されているような従来の配線基板も、未だ強度が十分ではなく、更なる改善が求められている。
【０００５】
そこで、本発明では、十分に優れた強度を有するガラスセラミックス基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明では、ガラス成分と該ガラス成分の中に分散された板状アルミナフィラーとを含有し、板状アルミナフィラーが、０．１〜２０μｍの平均板径と５０〜８０の平均アスペクト比とを有し、板状アルミナフィラーの含有量が、ガラス成分及び板状アルミナフィラーの合計量に対して２２〜３５体積％であるガラスセラミックス基板を提供する。
【０００７】
本発明のガラスセラミックス基板は、上述の構成を備えることにより、従来のガラスセラミックス基板と比べて優れた強度を有する。このような効果が得られる理由を本発明者らは以下のように推測する。本発明のガラスセラミックス基板は、０．１〜２０μｍの平均板径及び５０〜８０の平均アスペクト比を有する板状アルミナフィラーを、ガラス成分及び板状アルミナフィラーの合計量に対して２２〜３５体積％含有する。このような形状の板状アルミナフィラーは分散性や配向性に優れており、また、他の形状のアルミナフィラーと比較して応力の局所的な集中を抑制することができる。したがって、ガラスセラミックス基板にこのような形状の板状アルミナフィラーを特定量含有させることにより、ガラスセラミックス基板の強度を向上させることができる。ただし、上述の効果が得られる理由はこれに限定されるものではない。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、十分優れた強度を有するガラスセラミックス基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明のガラスセラミックス基板を備えるガラスセラミックス多層基板の好適な実施形態を示す断面図である。
【図２】図１に示すガラスセラミックス多層基板１０の製造方法を説明するための工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、場合により図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。なお、図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。
【００１１】
図１は本発明のガラスセラミックス基板を備えるガラスセラミックス多層基板の好適な実施形態を示す断面図である。図１に示すガラスセラミックス多層基板１０は、ガラスセラミックス基板１１ａ，１１ｂ，１１ｃ及び１１ｄがこの順に積層された積層構造を有する。さらに、ガラスセラミックス多層基板１０は、隣り合うガラスセラミックス基板の間に設けられた内部導体１３と、最外層であるガラスセラミックス層１１ａ及び１１ｄの最外面に設けられた表面導体１４と、内部導体１３及び表面導体１４を電気的に導通するビア導体１２とを備える。
【００１２】
ガラスセラミックス基板１１ａ〜１１ｄは、それぞれ、ガラス成分と該ガラス成分の中に分散された板状アルミナフィラーとを含有する。なお、板状アルミナフィラーの含有量は、ガラス成分と板状アルミナフィラーの合計量に対して、２２〜３５体積％である。以下、各成分について詳細に説明する。
【００１３】
＜ガラス成分＞
ガラス成分としては、例えば、（１）非晶質ガラス系材料及び（２）結晶化ガラス系材料の２種が挙げられる。（２）結晶化ガラス系材料は、加熱焼成時に多数の微細な結晶がガラス成分中に析出した材料であり、ガラスセラミックスともいう。
【００１４】
本実施形態のガラス成分としては、上記（１）非晶質ガラス系材料及び（２）結晶化ガラス系材料のうち（２）結晶化ガラス系材料が好ましい。（２）結晶化ガラス系材料としては、例えば、（ｉ）ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３及びアルカリ土類金属酸化物を含有するガラス成分並びに（ｉｉ）ＳｉＯ２、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３及びＣｕＯを含有するディオプサイド結晶ガラス成分を用いることができる。
【００１５】
（ｉ）ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３及びアルカリ土類金属酸化物を含有するガラス成分において、ＳｉＯ２の含有量は、ガラス成分全量を基準として４６〜６０質量％であることが好ましく、４７〜５５質量％であることがより好ましい。この含有量が４６質量％未満であるとガラス化が困難になる傾向にあり、６０質量％を超えると融点が高くなり低温焼結が困難になる傾向にある。
【００１６】
Ｂ２Ｏ３の含有量は、ガラス成分全量を基準として０．５〜５質量％であることが好ましく、１〜３質量％であることがより好ましい。この含有量が５質量％を超えると耐湿性が低下する傾向にあり、０．５質量％未満であるとガラス化温度が高くなるとともに密度が低くなる傾向にある。
【００１７】
Ａｌ２Ｏ３の含有量は、ガラス成分全量を基準として６〜１７．５質量％であることが好ましく、７〜１６．５質量％であることがより好ましい。この含有量が６質量％未満であると強度が若干低下する傾向にあり、１７．５質量％を超えるとガラス化が困難になる傾向にある。アルカリ土類金属酸化物の含有量は、ガラス成分全量を基準として２５〜４５質量％であることが好ましく、３０〜４０質量％であることがより好ましい。
【００１８】
上記アルカリ土類金属酸化物としては、例えば、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＢａＯ及びＳｒＯが挙げられる。これらのアルカリ土類金属酸化物は一種を単独で又は二種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、ＳｒＯとその他のアルカリ土類金属酸化物とを組み合わせて用いることが好ましい。ＣａＯ、ＭｇＯ及びＢａＯからなる群より選ばれる少なくとも一種と、ＳｒＯとを組み合わせて用いることにより溶解ガラスの粘性を低下させ、焼結温度幅を拡大することができることから、製造を容易にすることができる。
【００１９】
アルカリ土類金属酸化物の全量に対するＳｒＯの含有量は６０質量％以上であることが好ましく、８０質量％以上であることがより好ましい。この含有量が６０質量％未満であると、ガラス成分と板状アルミナフィラーとの熱膨張係数の差が大きくなりガラスセラミックス基板の強度が低下する傾向にある。
【００２０】
なお、アルカリ土類金属酸化物の全量に対して、ＣａＯ、ＭｇＯ及びＢａＯの合計量は１質量％以上であることが好ましい。また、アルカリ土類金属酸化物の全量に対してＣａＯ及びＭｇＯを、それぞれ０．２質量％以上含有することが好ましく、０．５質量％以上含有することがより好ましい。さらに、アルカリ土類金属酸化物の全量に対して、ＣａＯの含有量は１０質量％未満であることが好ましく、ＭｇＯの含有量は４質量％以下であることが好ましい。ＣａＯ及びＭｇＯの含有量がこれよりも多くなると熱膨張係数が小さくなりすぎて、ガラスセラミックス基板の強度が低下する傾向にあるうえ、ガラスの結晶化度の制御が困難になる傾向にある。製造の容易性とガラスセラミックス基板の強度とを両立させる観点からは、アルカリ土類金属酸化物全量に対するＣａＯとＭｇＯとの合計量は１０質量％未満であることが好ましく、ＣａＯの含有量は５質量％以下であることがより好ましい。
【００２１】
また、アルカリ土類金属酸化物全量に対するＢａＯの含有量は５質量％以下であることが好ましい。この含有量が５質量％を超えると誘電率が高くなる傾向にある。
【００２２】
（ｉｉ）ＳｉＯ２、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３及びＣｕＯを含有するディオプサイド結晶ガラス成分は主結晶としてディオプサイドを析出するものである。
【００２３】
ディオプサイド結晶ガラス成分において、ＳｉＯ２はガラスのネットワークフォーマーであるとともに、ディオプサイド結晶の構成成分である。ディオプサイド結晶ガラス成分全量に対する、ＳｉＯ２の含有量は４０〜６５質量％であることが好ましく、４５〜６５質量％であることがより好ましい。この含有量が４０質量％より少ないとガラス化が困難になる傾向にあり、６５質量％より多いと密度が低くなる傾向にある。
【００２４】
ディオプサイド結晶ガラス成分において、ＣａＯはディオプサイド結晶の構成成分である。ＣａＯの含有量は、ディオプサイド結晶ガラス成分全量に対して２０〜３５質量％であることが好ましく、２５〜３０質量％であることがより好ましい。この含有量が２０質量％より少ないと誘電損失が高くなる傾向にあり、３５質量％より多いとガラス化が困難になる傾向にある。
【００２５】
ディオプサイド結晶ガラス成分においては、ＭｇＯもディオプサイド結晶の構成成分である。ＭｇＯの含有量は、ディオプサイド結晶ガラス成分全量に対して１１〜３０質量％であることが好ましく、１２〜２５質量％であることがより好ましい。この含有量が１１質量％より少ないと結晶が析出し難くなる傾向にあり、３０質量％より多いとガラス化が困難になる傾向にある。
【００２６】
ディオプサイド結晶ガラス成分において、Ａｌ２Ｏ３はガラス成分の結晶性を調節する成分である。Ａｌ２Ｏ３の含有量は、ディオプサイド結晶ガラス成分全量に対して０．５〜１０質量％であることが好ましく、１〜５質量％であることがより好ましい。この含有量が０．５質量％より少ないと結晶性が強くなりすぎてガラス成形が困難になる傾向にあり、１０質量％より多くなるとディオプサイド結晶が析出し難くなる傾向にある。
【００２７】
ディオプサイド結晶ガラス成分において、ＣｕＯはＡｇに電子を与え、ガラスセラミックス中への拡散を抑える成分である。ＣｕＯの含有量は、ディオプサイド結晶ガラス成分全量に対して、０．０１〜１．０質量％であることが好ましい。この含有量が０．０１質量％より少ないと上述の効果が十分に発揮されない傾向にあり、１．０質量％よりも多いと誘電損失が大きくなりすぎる傾向にある。
【００２８】
ディオプサイド結晶ガラス成分において、ＳｒＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２はガラス化を容易にするために添加する成分である。ディオプサイド結晶ガラス成分全量に対する含有量は、各成分とも０〜１０質量％であることが好ましく、０〜５％であることがより好ましい。これらの成分が各々１０質量％より多くなると結晶性が弱くなり、ディオプサイドの析出量が少なくなることで誘電損失が大きくなる傾向にある。
【００２９】
また、ディオプサイド結晶ガラス成分としては、誘電損失等の特性を損なわない範囲で上記成分以外の成分を含んでいてもよい。
【００３０】
（ｉ）及び（ｉｉ）のガラス成分のうち、一層優れた強度を得る観点から、（ｉｉ）のガラス成分が好ましい。
【００３１】
＜アルミナフィラー＞
本実施形態において、ガラスセラミックス基板１１ａ〜１１ｄが含有する板状アルミナフィラーとしては、０．１〜２０μｍの平均板径及び５０〜８０の平均アスペクト比を有する板状のアルミナを用いることができる。ガラスセラミックス基板１１ａ〜１１ｄが、ガラス成分に加え、このような材料を含有することによってガラスセラミックス基板１１ａ〜１１ｄの強度が向上する。
【００３２】
ここで、板径とは、板状アルミナフィラーの板面における最大長さであり、厚みとは、板面に垂直な方向の最大長さである。平均板径、平均厚みは、それぞれ、電子顕微鏡画像において無作為に抽出した５００個の板状アルミナフィラーの板径、厚みの平均値として求めることができる。平均アスペクト比は、（平均板径）／（平均厚み）によって計算される。
【００３３】
なお、板状アルミナフィラーは、その平面形状が円形、楕円形又は円形若しくは楕円形に近似する多角形等、異方性の小さなものが好ましい。ガラスセラミックス基板１１ａ〜１１ｄの強度向上の観点からは、板状アルミナフィラーの平面形状は正六角形である（六角板状）であることがより好ましい。
【００３４】
ガラスセラミックス基板の強度をより一層向上させる観点からは、板状アルミナフィラーの平均板径は、１〜１０μｍであることが好ましく、２〜７μｍであることがより好ましい。また、同様の観点から、板状アルミナフィラーの平均アスペクト比は、５０〜７５であることが好ましく、７０〜７５であることがより好ましい。
【００３５】
以上、各成分の詳細について説明したが、ガラスセラミックス基板１１ａ〜１１ｄは、板状アルミナフィラー以外のセラミックスフィラーを更に含有してもよい。板状アルミナフィラー以外のセラミックスフィラーとしては、例えば、マグネシア、スピネル、シリカ、ムライト、フォルステライト、ステアタイト、コージェライト、ストロンチウム長石、石英、ケイ酸亜鉛、ジルコニア及びチタニアからなる群より選ばれる少なくとも一種の材料によって形成された球状又は板状のフィラーが挙げられる。ガラスセラミックス基板の強度の観点からは、板状アルミナフィラーの割合を全フィラーの８０体積％以上とすることが好ましい。
【００３６】
なお、ガラスセラミックス基板１１ａ〜１１ｄにおいては、板状アルミナフィラーの板面がガラスセラミックスの主面と平行（水平方向）になるように板状アルミナフィラーが配向していることが好ましい。板状アルミナフィラーがこのような方向に配向されていることによりガラスセラミックス基板の強度をより一層向上させることができる。
【００３７】
以上、本発明のガラスセラミックス基板を備えるガラスセラミックス多層基板の好適な実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、ガラスセラミックス基板１１ａ〜１１ｄのいずれか一つを本発明のガラスセラミックス基板としてもよい。また、図１に示すガラスセラミックス多層基板１０は、４枚のガラスセラミックス基板１１ａ〜１１ｄを備えるが、積層されるガラスセラミックス基板の枚数はこれに限られない。
【００３８】
次に、図２を参照しながら図１に示すガラスセラミックス多層基板１０の製造方法を説明する。図２は、図１に示すガラスセラミックス多層基板１０の製造方法を説明するための工程断面図である。
【００３９】
まず、図２（ａ）に示すように、ビア導体パターン２、内部導体パターン３及び表面導体パターン４が形成された基板用グリーンシート１ａ〜１ｄを用意する。ここでは、４枚の基板用グリーンシート１ａ〜１ｄを準備しているが、積層する基板用グリーンシートの枚数はこれに限らず、積層数に応じて用意する基板用グリーンシートの数を決めればよい。
【００４０】
基板用グリーンシート１ａ〜１ｄは、平均板径０．１〜２０μｍ、平均アスペクト比５０〜８０の板状アルミナフィラーを含有する。基板用グリーンシート１ａ〜１ｄは、以下のとおりにして形成することができる。
【００４１】
上記板状アルミナフィラーは、例えば、アルミン酸塩と酸性アルミニウム塩とを水を含んだ状態で反応させる反応工程と、アルミナ及び／又はアルミナ水和物と中和金属塩を含む混合物を製造し、この混合物を１０００〜１６００℃で焼成する焼成工程とによって得ることができる。
【００４２】
反応工程では、まず、水酸化ナトリウムを水に溶解させて水酸化ナトリウム溶液を調製する。この水酸化ナトリウム溶液に、金属アルミニウム及びリン酸水素二ナトリウムを混合し攪拌して、金属アルミニウム及びリン酸水素二ナトリウムが溶解した混合溶液を調製する。当該混合溶液に、ｐＨが６〜８となるまで硫酸アルミニウム水溶液を攪拌しながら投入し、白濁状のゲル状混合物を得る。その後、当該混合物を蒸発乾燥させる。
【００４３】
焼成工程では、蒸発乾燥させた混合物を、１０００〜１６００℃で２〜８時間焼成する。さらに、焼成によって得られた焼成物に水を加えて洗浄、濾過し、得られた固形分を乾燥する。これにより、平均板径０．１〜２０μｍ、平均アスペクト比５０〜８０の板状アルミナフィラーを得ることができる。
【００４４】
このようにして得られた板状アルミナフィラーを、例えば、ガラス粉末並びに結合剤、溶剤、可塑剤及び分散剤等を含む有機ビヒクルに混合し、スラリー状の誘電体ペーストを調製する。
【００４５】
なお、結合剤としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、メタアクリル酸樹脂等が挙げられ、可塑剤としては、例えば、フタル酸ジブチル等が挙げられる。また、溶剤としては、例えば、トルエン、メチルエチルケトン等が挙げられる。
【００４６】
調製した誘電体ペーストを、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）シート等の支持体上にドクターブレード法等によって成膜することにより、基板用グリーンシート１ａ〜１ｄを形成することができる。ドクターブレード法によって成膜を行うことで、板状アルミナフィラーの板面を基板用グリーンシートの主面と平行（水平方向）になるように配向させることができ、強度に一層優れるガラスセラミックス基板を形成させることができる。
【００４７】
次に、基板用グリーンシート１ａ〜１ｄに、所望の回路に応じて、導体パターン（配線パターンや電極パッド、ビアホール等）を形成する。具体的には、基板用グリーンシート１ａ〜１ｄの所定の位置に貫通孔（ビアホール）を形成し、ここに導体ペーストを充填することによりビア導体パターン２を形成する。また、内層となる基板用グリーンシート１ｂ及び１ｃの表面に所定のパターンで導体ペーストを印刷し、内部導体パターン３を形成する。さらに、最も外側に配置される基板用グリーンシート１ａ及び１ｄには、表面導体パターン４を形成する。なお、基板用グリーンシート１ａ〜１ｄには、必要に応じて電子素子（インダクタやキャパシタ等）を形成してもよい。
【００４８】
導体パターンの形成に用いる導電ペーストは、例えば、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金、Ｃｕ、Ｎｉ等の各種導電性金属や合金からなる導電材料と有機ビヒクルとを混練することにより調製される。導電ペーストに用いられる有機ビヒクルは、バインダと溶剤とを主たる成分とするものである。バインダ及び溶剤と導電材料との配合比等は任意であるが、通常は、導電材料に対して、バインダが１〜１５質量％、溶剤が１０〜５０質量％となるように配合する。導電ペーストには、必要に応じて各種分散剤や可塑剤等から選択される添加物を添加してもよい。
【００４９】
以上の方法により、ビア導体パターン２、内部導体パターン３及び表面導体パターン４が形成された基板用グリーンシート１ａ〜１ｄを形成することができる。
【００５０】
次に、図２（ｂ）に示すように、ビア導体パターン２、内部導体パターン３及び表面導体パターン４が形成された基板用グリーンシート１ａ，１ｂ，１ｃ及び１ｄをこの順で積層して積層体を得る。この積層体を積層方向に挟むようにして拘束層となる一対の収縮抑制用グリーンシート５を配置する。基板用グリーンシート１ａ〜１ｄからなる積層体を、収縮抑制用グリーンシート５により挟み込むことで、後述の焼成時における積層体の面内方向（積層方向に垂直な方向）の収縮を抑制することができる。
【００５１】
また、このように積層体の面内方向の収縮を抑制することにより、収縮ばらつきによって生じる板状アルミナフィラーの配向性の乱れを低減することができる。すなわち、焼成前に配向した板状アルミナフィラーの配向性を維持することが可能となる。したがって、配向度の高い焼結体を得ることが可能となり、強度に一層優れるガラスセラミックス基板を形成させることができる。
【００５２】
拘束層となる収縮抑制用グリーンシート５に用いられる材料（以下、「収縮抑制材」という）としては、例えば、トリジマイト、クリストバライト、石英、溶融石英、アルミナ、ムライト、ジルコニア、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、炭化ケイ素及び炭酸カルシウムが挙げられる。
【００５３】
収縮抑制材としては、基板用グリーンシート１ａ〜１ｄの焼成温度で収縮しない材料を用いることが好ましい。これらの材料のうち、拘束層としての機能を有し、剥離も容易である点でトリジマイトが好ましい。さらに、薄いガラスセラミックス基板にてより剥離性を高める観点で炭酸カルシウムをトリジマイトの上にさらに積層してもよい。
【００５４】
次に、図２（ｃ）に示すように、収縮抑制用グリーンシート５が両側に配置された積層体（仮スタック）をプレスする。プレス後に、焼成を行うことにより、図２（ｄ）に示すように、基板用グリーンシート１ａ〜１ｄはセラミックス基板１１ａ〜１１ｄとなり、ビアホール内のビア導体パターン２はビア導体１２となる。また、内部導体パターン３は内部導体１３となり、表面導体パターン４は表面導体１４となる。次に、図２（ｅ）に示すように、収縮抑制用グリーンシート５を剥離することによって、ガラスセラミックス多層基板１０を得ることができる。ここで、必要に応じて、焼成後に残渣を除去する残渣除去工程（例えばブラスト処理や超音波洗浄処理等）を追加してもよい。
【００５５】
なお、収縮抑制材としてトリジマイトを使用した場合、焼成後に、熱膨張の差により収縮抑制用グリーンシート５は自然剥離される。
【００５６】
以上、図１に示すガラスセラミックス多層基板１０の製造方法の一例を説明したが、ガラスセラミックス多層基板１０の製造方法は上述の方法に限られるものではない。例えば、板状アルミナフィラーは、基板用グリーンシート１ａ〜１ｄのうち少なくとも一つのシートに含有させればよい。但し、基板用グリーンシート１ａ〜１ｄのうち、貫通孔を形成するとともに当該貫通孔に導電ペーストを充填するものが、板状アルミナフィラーを含有することが好ましい。
【００５７】
また、上述の製造方法では、収縮抑制用グリーンシート５を配置して、積層体の焼成を行ったが、収縮抑制用グリーンシート５を配置せずに積層体を焼成して、ガラスセラミックス多層基板１０を作製してもよい。
【実施例】
【００５８】
以下、実施例及び比較例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
【００５９】
（実施例１）
ガラス粉末（ＳｉＯ２、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ａｌ２Ｏ３及びＣｕＯを主成分とする、ディオプサイドを析出する結晶化ガラス粉末）と、板状アルミナフィラーとを準備した。なお、板状アルミナフィラーの平均板径、平均厚み及び平均アスペクト比を表１に示す。
【００６０】
準備したガラス粉末（６４．５ｇ）、板状アルミナフィラー（３５．５ｇ）及び有機ビヒクル（６１ｇ）を混合して誘電体ペーストを作製した。
【００６１】
なお、有機ビヒクルの組成は、アクリル系樹脂１９．４ｇ、トルエン５９．１ｇ、エタノール３ｇ、可塑剤（ＢＰＢＧ）６．５ｇとした。
【００６２】
作製した誘電体ペーストをポリエチレンテレフタレートフィルム上にドクターブレード法により成膜して基板用グリーンシートを複数形成した。
【００６３】
次に、複数枚の基板用グリーンシートを積層して、７４ＭＰａでプレスした後、大気中、９００℃で１時間焼成し、ガラスセラミックス多層基板を得た。なお、焼成後のガラスセラミックス多層基板の厚さは０．２ｍｍであり、ガラスセラミックス多層基板における板状アルミナフィラーの含有量は、ガラス成分と板状アルミナフィラーの合計量に対して、３０体積％であった。
【００６４】
以上のようにして作製したガラスセラミックス多層基板について、ＪＩＳ  Ｃ２１４１に準拠する３点曲げ強さ試験を行った。すなわち、ガラスセラミックス多層基板の一辺を２点で支持し、これと対向する辺における上記２点の中間位置に徐々に加重を加えて、ガラスセラミックス多層基板に切断が生じたときの荷重を測定し、これに基づいて３点曲げ強度（ＭＰａ）を算出した。当該曲げ強度を３０点測定して平均値（平均曲げ強度）を求めた。その結果を表１に示す。
【００６５】
（実施例２、３及び比較例１〜４）
板状アルミナフィラーの平均板径、平均厚み及び平均アスペクト比を表１に示すとおりに変更したこと以外は、実施例１と同様の方法によりガラスセラミックス多層基板を作製した。なお、焼成後のガラスセラミックス多層基板の厚さはいずれも０．２ｍｍであり、ガラスセラミックス多層基板における板状アルミナフィラーの含有量は、いずれも、ガラス成分と板状アルミナフィラーの合計量に対して、３０体積％であった。
【００６６】
作製したガラスセラミックス多層基板の曲げ強度を、実施例１と同様の方法により測定した。平均曲げ強度の測定結果を表１に示す。
【００６７】
【表１】
2010100517.tif 000003
【００６８】
（実施例４）
積層した基板用グリーンシートの両側を、トリジマイトを含む収縮抑制用グリーンシートで挟み込んで焼成を行ったこと以外は、実施例１と同様にしてガラスセラミックス多層基板を作製し、曲げ強度を測定した。板状アルミナフィラーの平均板径、平均厚み、平均アスペクト比及び平均曲げ強度の測定結果を表２に示す。なお、焼成後のガラスセラミックス多層基板の厚さは０．２ｍｍであり、ガラスセラミックス多層基板における板状アルミナフィラーの含有量は、ガラス成分と板状アルミナフィラーの合計量に対して、３０体積％であった。
【００６９】
（実施例５、６及び比較例５〜８）
積層した基板用グリーンシートの両側を、トリジマイトを含む収縮抑制用グリーンシートで挟み込んで焼成を行ったこと以外は、それぞれ、実施例２、３及び比較例１〜４と同様にしてガラスセラミックス多層基板を作製し、曲げ強度を測定した。板状アルミナフィラーの平均板径、平均厚み、平均アスペクト比及び平均曲げ強度の測定結果を表２に示す。なお、焼成後のガラスセラミックス多層基板の厚さはいずれも０．２ｍｍであり、ガラスセラミックス多層基板における板状アルミナフィラーの含有量は、いずれも、ガラス成分と板状アルミナフィラーの合計量に対して、３０体積％であった。
【００７０】
（実施例７）
ガラス粉末として、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３及びＳｒＯを含有する材料を用いたこと以外は、実施例５と同様にしてガラスセラミックス多層基板を作製し、曲げ強度を測定した。
【００７１】
板状アルミナフィラーの平均板径、平均厚み、平均アスペクト比及び平均曲げ強度の測定結果を表２に示す。なお、焼成後のガラスセラミックス多層基板の厚さは０．２ｍｍであり、ガラスセラミックス多層基板における板状アルミナフィラーの含有量は、ガラス成分と板状アルミナフィラーの合計量に対して、３０体積％であった。
【００７２】
【表２】
2010100517.tif 000004
【００７３】
（実施例８、９及び比較例９、１０）
ガラスセラミックス多層基板における板状アルミナフィラーの含有量を変更したこと以外は、実施例３と同様にしてガラスセラミックス多層基板を作製し、曲げ強度を測定した。ガラス成分及び板状アルミナフィラーの合計量に対する板状アルミナフィラーの含有量と、板状アルミナフィラーの平均板径、平均厚み、平均アスペクト比及び平均曲げ強度の測定結果とを表３に示す。なお、焼成後のガラスセラミックス多層基板の厚さはいずれも０．２ｍｍであった。
【００７４】
【表３】
2010100517.tif 000005
【００７５】
表１〜３の結果より、実施例１〜９のガラスセラミックス多層基板は、比較例１〜１０のガラスセラミックス多層基板と比較し３点曲げ強度に優れることが確認された。
【符号の説明】
【００７６】
１ａ〜１ｄ…基板用グリーンシート、２…ビア導体パターン、３…内部導体パターン、４…表面導体パターン、５…収縮抑制グリーンシート、１０…ガラスセラミックス多層基板、１１ａ〜１１ｄ…ガラスセラミックス基板、１２…ビア導体、１３…内部導体、１４…表面導体。
【図１】
2010100517.tif 000006
【図２】
2010100517.tif 000007