【手続補正書】
【提出日】令和2年11月27日(2020.11.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体処理のためのシステムであって、
アクチュエータ制御部と、
ガスラインと、
前記ガスラインおよび前記アクチュエータ制御部に接続されたプラズマリアクタと、
を備え、
前記プラズマリアクタは、
チャックアセンブリと、
前記チャックアセンブリの上方に配置されたアクティブシャワーヘッドと、
を備え、
前記アクティブシャワーヘッドは、
複数の基板層であって、前記基板層は、前記アクチュエータ制御部に接続されたアクチュエータ／移送構成要素を備え、前記アクチュエータ／移送構成要素は、ガスチャネルを介して前記ガスラインに接続されている、複数の基板層と、
前記基板層の下方に配置された電極層であって、前記電極層および前記アクチュエータ／移送構成要素は、前記チャックアセンブリと前記アクティブシャワーヘッドとの間のギャップにつながる開口部を共有する、電極層と、
を備え、
前記アクチュエータ制御部は、前記ガスラインおよび前記ガスチャネルから受け入れられた１または複数の処理ガスが前記開口部を通して前記ギャップ内に通過することを可能にするように、前記アクチュエータ／移送構成要素を制御するよう構成されている、システム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、前記ガスラインは、前記アクティブシャワーヘッドの上面に取り付けられており、ガスシリンダと前記アクティブシャワーヘッドとの間のガスボックスに接続されることなしに、前記ガスシリンダに接続されている、システム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムであって、前記アクチュエータ／移送構成要素は、アクチュエータを備え、前記アクチュエータは、前記基板層の内の１つの中に配置され、前記アクチュエータ制御部に接続され、前記アクチュエータ制御部は、伸長または収縮するように前記アクチュエータを制御するよう構成されている、システム。
【請求項４】
請求項１に記載のシステムであって、前記アクティブシャワーヘッドは、前記電極層の下方に絶縁体コーティングを備え、前記開口部は、前記絶縁体コーティングを通して伸びている、システム。
【請求項５】
請求項１に記載のシステムであって、前記電極層は、容量電極プレート、または、少なくとも高周波（ＲＦ）コイルを備える、システム。
【請求項６】
請求項１に記載のシステムであって、前記基板層は、
前記アクティブシャワーヘッドの構成要素を上に支持するための支持基板層と、
前記支持基板層の下方に配置されたアクチュエータ層であって、前記アクチュエータ層は、前記アクチュエータ制御部に接続されたアクチュエータを有する、アクチュエータ層と、
前記アクチュエータ層の下方に配置されたダイヤフラム層であって、前記ダイヤフラム層の底面は、複数のダイヤフラムとして機能する、ダイヤフラム層と、
前記ダイヤフラム層の下方に配置されたバルブシート層であって、前記バルブシート層は、移送チャネルおよびガス通路を備える、バルブシート層と、
前記バルブシート層の下方に配置されたガス分配層であって、前記ガス分配層は、移送チャネル、ガス受け入れチャンバ、および、通路チャネルを備える、ガス分配層と、
を備え、
前記アクチュエータ制御部は、前記通路チャネルから受け入れられた前記１または複数の処理ガスが、前記ガス受け入れチャンバ、前記ガス通路、前記バルブシート層の前記移送チャネル、および、前記ガス分配層の前記移送チャネルを介して、前記ギャップ内に通過することを可能にするように、前記アクチュエータを制御するよう構成されている、システム。
【請求項７】
請求項１に記載のシステムであって、前記基板層は、
前記アクティブシャワーヘッドの構成要素を上に支持するための支持基板層と、
前記支持基板層の下方に配置されたダイヤフラム層であって、前記ダイヤフラム層の底面は、複数のダイヤフラムとして機能し、前記ダイヤフラム層は、アクチュエータを備える、ダイヤフラム層と、
前記ダイヤフラム層の下方に配置されたバルブシート層であって、前記バルブシート層は、移送チャネルおよびガス通路を備える、バルブシート層と、
前記バルブシート層の下方に配置されたガス分配層であって、前記ガス分配層は、移送チャネル、ガス受け入れチャンバ、および、通路チャネルを備える、ガス分配層と、
を備え、
前記アクチュエータ制御部は、前記通路チャネルから受け入れられた前記１または複数の処理ガスが、前記ガス受け入れチャンバ、前記ガス通路、前記バルブシート層の前記移送チャネル、および、前記ガス分配層の前記移送チャネルを介して、前記ギャップ内に通過することを可能にするように、前記アクチュエータを制御するよう構成されている、システム。
【請求項８】
請求項１に記載のシステムであって、前記アクチュエータ／移送構成要素は、前記１または複数の処理ガスを前記ギャップ内の第１ゾーンに移送するよう構成され、前記アクティブシャワーヘッドは、さらなるアクチュエータ／移送構成要素を備え、前記さらなるアクチュエータ／移送構成要素は、１または複数の処理ガスを前記ギャップ内の第２ゾーンに移送するよう構成されている、システム。
【請求項９】
請求項１に記載のシステムであって、前記アクティブシャワーヘッドは、前記１または複数の処理ガスに関連するパラメータを測定するための測定ツールを備えるよう構成された測定層を備える、システム。
【請求項１０】
請求項１に記載のシステムであって、前記アクティブシャワーヘッドは、前記１または複数の処理ガスを貯留するためのガスリザーバ層を備える、システム。
【請求項１１】
請求項１に記載のシステムであって、前記アクチュエータ制御部は、
光を発するよう構成された光源と、
或る波長の光を提供するように前記光を分離するために前記光源に接続された光分波器と、
前記波長の前記光を受け入れて電気信号を生成するために前記光分波器に接続されたマイクロアクチュエータ回路であって、前記アクチュエータ／移送構成要素は、前記マイクロアクチュエータ回路に接続されたアクチュエータを備え、前記アクチュエータは、前記電気信号によって生成された電磁場の影響下で伸縮するよう構成されている、マイクロアクチュエータ回路と、
を備える、システム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のシステムであって、前記マイクロアクチュエータ回路は、
前記波長の前記光を検出するよう構成されたフォトダイオードと、
前記電気信号のインピーダンスを変えるためにフォトダイオードと直列に接続されたインダクタと、
を備える、システム。
【請求項１３】
半導体処理のためのシステムであって、
アクチュエータ制御部と、
ガスラインと、
前記ガスラインおよび前記アクチュエータ制御部に接続されたプラズマリアクタと、
を備え、
前記プラズマリアクタは、
チャックアセンブリと、
前記チャックアセンブリの上方のアクティブシャワーヘッドと、を備え、
前記アクティブシャワーヘッドは、
複数の基板層であって、前記基板層は、前記アクチュエータ制御部に接続されたアクチュエータ／移送構成要素を備え、前記アクチュエータ／移送構成要素は、ガスチャネルを介して前記ガスラインに接続されている、複数の基板層と、
前記基板層の下方に配置された電極層と、
前記電極層の下方に配置された混合チャンバと、
前記混合チャンバの下方に配置され、複数の開口部を有するシャワーヘッドプレートであって、前記電極層および前記アクチュエータ／移送構成要素は、前記混合チャンバにつながる開口部を共有する、シャワーヘッドプレートと、
を備え、
前記アクチュエータ制御部は、ガス混合物を生成するために、前記ガスラインおよび前記ガスチャネルから受け入れられた１または複数の処理ガスが、前記電極層および前記アクチュエータ／移送構成要素によって共有された前記開口部を通して前記混合チャンバ内に移動することを可能にするように、前記アクチュエータ／移送構成要素を制御するよう構成され、前記ガス混合物は、前記シャワーヘッドプレートの前記複数の開口部を介してギャップ内に流れるよう構成されている、システム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のシステムであって、前記ガスラインは、前記アクティブシャワーヘッドの上面に取り付けられており、ガスシリンダと前記アクティブシャワーヘッドとの間のガスボックスに接続されることなしに、前記ガスシリンダに接続されている、システム。
【請求項１５】
請求項１３に記載のシステムであって、前記アクチュエータ／移送構成要素は、アクチュエータを備え、前記アクチュエータは、前記基板層の内の１つの中に配置され、前記アクチュエータ制御部に接続され、前記アクチュエータ制御部は、伸長または収縮するように前記アクチュエータを制御するよう構成されている、システム。
【請求項１６】
請求項１３に記載のシステムであって、前記アクチュエータ／移送構成要素は、前記１または複数の処理ガスを前記混合チャンバ内のゾーンに移送するよう構成され、前記アクティブシャワーヘッドは、さらなるアクチュエータ／移送構成要素を備え、前記さらなるアクチュエータ／移送構成要素は、１または複数の処理ガスを前記混合チャンバ内の別のゾーンに移送するよう構成されている、システム。
【請求項１７】
半導体処理のためのアクティブシャワーヘッドであって、
複数の基板層であって、前記基板層は、アクチュエータ／移送構成要素を備え、前記アクチュエータ／移送構成要素は、ガスチャネルを介してガスラインに接続されている、複数の基板層と、
前記基板層の下方に配置された電極層であって、前記電極層および前記アクチュエータ／移送構成要素は、開口部を共有する、電極層と、
を備え、
前記アクチュエータ／移送構成要素は、前記ガスラインおよび前記ガスチャネルから受け入れられた１または複数の処理ガスが前記開口部内に移動することを可能にするよう構成されている、アクティブシャワーヘッド。
【請求項１８】
請求項１７に記載のアクティブシャワーヘッドであって、前記基板層は、
アクチュエータを有するアクチュエータ層と、
前記アクチュエータ層の下方に配置されたダイヤフラム層であって、前記ダイヤフラム層の底面は、複数のダイヤフラムとして機能する、ダイヤフラム層と、
前記ダイヤフラム層の下方に配置されたバルブシート層であって、前記バルブシート層は、移送チャネルおよびガス通路を備える、バルブシート層と、
前記バルブシート層の下方に配置されたガス分配層であって、前記ガス分配層は、移送チャネル、ガス受け入れチャンバ、および、通路チャネルを備える、ガス分配層と、
を備え、
前記アクチュエータは、前記通路チャネルから受け入れられた前記１または複数の処理ガスが、前記ガス受け入れチャンバ、前記ガス通路、および、前記バルブシート層の前記移送チャネルを介して、前記ガス分配層の前記移送チャネルに通過することを可能にするように動くよう構成されている、アクティブシャワーヘッド。
【請求項１９】
請求項１７に記載のアクティブシャワーヘッドであって、前記基板層は、
底面を有するダイヤフラム層であって、前記ダイヤフラム層の底面は、複数のダイヤフラムであり、前記ダイヤフラム層は、アクチュエータを備える、ダイヤフラム層と、
前記ダイヤフラム層の下方に配置されたバルブシート層であって、前記バルブシート層は、移送チャネルおよびガス通路を備える、バルブシート層と、
前記バルブシート層の下方に配置されたガス分配層であって、前記ガス分配層は、移送チャネル、ガス受け入れチャンバ、および、通路チャネルを備える、ガス分配層と、
を備え、
前記アクチュエータは、前記通路チャネルから受け入れられた前記１または複数の処理ガスが、前記ガス受け入れチャンバ、前記ガス通路、および、前記バルブシート層の前記移送チャネルを介して、前記ガス分配層の前記移送チャネルに通過することを可能にするように動くよう構成されている、アクティブシャワーヘッド。
【請求項２０】
請求項１７に記載のアクティブシャワーヘッドであって、上面を有し、前記ガスラインは、前記アクティブシャワーヘッドの前記上面に取り付けられており、ガスシリンダと前記アクティブシャワーヘッドとの間のガスボックスに接続されることなしに、前記ガスシリンダに接続されている、アクティブシャワーヘッド。
【請求項２１】
アクティブシャワーヘッドであって、
複数の部分を有するダイヤフラム層と、
前記ダイヤフラム層の下方に配置されたバルブシート層であって、前記バルブシート層は、移送チャネルおよびガス通路を備える、バルブシート層と、
前記バルブシート層の下方に配置されたガス分配層であって、前記ガス分配層は、移送チャネル、ガス受け入れチャンバ、および、通路チャネルを備える、ガス分配層と、
を備え、
前記ダイヤフラム層の前記複数の部分は、前記通路チャネルから受け入れられた１または複数の処理ガスが、前記ガス受け入れチャンバ、前記ガス通路、および、前記バルブシート層の前記移送チャネルを介して、前記ガス分配層の前記移送チャネルに通過することを可能にするように動くよう構成されている、アクティブシャワーヘッド。
【請求項２２】
請求項２１に記載のアクティブシャワーヘッドであって、前記ダイヤフラム層は、上面および底面を有し、前記上面は、複数のひずみセンサに取り付けられており、前記ひずみセンサの各々は、前記複数の部分の内の対応する一部分のひずみの量を測定するよう構成されている、アクティブシャワーヘッド。
【請求項２３】
請求項２１に記載のアクティブシャワーヘッドであって、前記ダイヤフラム層の前記複数の部分は、第１部分、第２部分、および第３部分を含み、前記ダイヤフラム層は、第１ひずみセンサおよび第２ひずみセンサを備え、前記第２部分は、前記第１部分と第３部分との間に位置し、前記第１ひずみセンサは、前記第１部分の上方に配置され、前記第２ひずみセンサは、前記第２部分の上方に配置されている、アクティブシャワーヘッド。
【請求項２４】
請求項２１に記載のアクティブシャワーヘッドであって、前記バルブシート層は、第１部分、第２部分、第３部分を備え、前記バルブシート層の前記移送チャネルは、前記第１部分と前記第２部分との間に位置し、前記第２部分は、前記バルブシート層の前記移送チャネルと前記ガス通路との間に位置し、前記ガス通路は、前記第２部分と前記第３部分との間に位置する、アクティブシャワーヘッド。
【請求項２５】
請求項２４に記載のアクティブシャワーヘッドであって、前記バルブシート層の前記移送チャネルは、フィルタを備える、アクティブシャワーヘッド。
【請求項２６】
請求項２１に記載のアクティブシャワーヘッドであって、前記ガス分配層は、第１部分および第２部分を備え、前記ガス分配層の前記移送チャネルは、前記第１部分と前記第２部分との間に位置し、前記ガス受け入れチャンバは、前記第２部分内に形成された空間である、アクティブシャワーヘッド。
【請求項２７】
請求項２６に記載のアクティブシャワーヘッドであって、前記バルブシート層は底面を有し、前記第２部分は上面を有し、前記通路チャネルは、前記ガス分配層の前記第２部分の前記上面と、前記バルブシート層の前記底面との間に位置する、アクティブシャワーヘッド。
【請求項２８】
請求項２１に記載のアクティブシャワーヘッドであって、さらに、前記ダイヤフラム層の上方に配置された測定層を備え、前記測定層は、前記１または複数の処理ガスに関連するパラメータを測定するよう構成された一体型測定ツールを備える、アクティブシャワーヘッド。
【請求項２９】
請求項２８に記載のアクティブシャワーヘッドであって、前記パラメータは、前記１または複数の処理ガスの流量を含む、アクティブシャワーヘッド。
【請求項３０】
請求項２１に記載のアクティブシャワーヘッドであって、さらに、前記ダイヤフラム層の上方に配置された基板支持層を備える、アクティブシャワーヘッド。
【請求項３１】
請求項３０に記載のアクティブシャワーヘッドであって、さらに、
前記基板支持層の上方に配置されたガスリザーバ層と、
前記ガスリザーバ層の上方に配置された測定層であって、前記測定層は、前記１または複数の処理ガスに関連するパラメータを測定するよう構成された一体型測定ツールを備える、測定層と、
を備える、アクティブシャワーヘッド。
【請求項３２】
請求項２１に記載のアクティブシャワーヘッドであって、さらに、前記ダイヤフラム層の上方に配置されたアクチュエータ層を備え、前記アクチュエータ層は、アクチュエータに取り付けられ、前記アクチュエータは、前記ガス通路から前記バルブシート層の前記移送チャネルへの前記１または複数の処理ガスの通過をさらに制御するために、前記ダイヤフラム層の前記複数の部分の内の一部分の動きを制御するように動くよう構成されている、アクティブシャワーヘッド。
【請求項３３】
プラズマリアクタであって、
チャックと、
前記チャックとの間にギャップを形成するために前記チャックの上方に配置されたアクティブシャワーヘッドであって、前記アクティブシャワーヘッドは、
複数の部分を有するダイヤフラム層と、
前記ダイヤフラム層の下方に配置されたバルブシート層であって、前記バルブシート層は、移送チャネルおよびガス通路を備える、バルブシート層と、
前記バルブシート層の下方に配置されたガス分配層であって、前記ガス分配層は、移送チャネル、ガス受け入れチャンバ、および、通路チャネルを備える、ガス分配層と、を備え、
前記ダイヤフラム層の前記複数の部分は、前記通路チャネルから受け入れられた１または複数の処理ガスが、前記ガス受け入れチャンバ、前記ガス通路、および、前記バルブシート層の前記移送チャネルを介して、前記ガス分配層の前記移送チャネルに通過することを可能にするように動くよう構成されている、アクティブシャワーヘッドと、
前記ガス分配層の下方に配置された上側電極であって、前記上側電極は、前記ガス分配層の前記移送チャネルから受け入れられた前記１または複数の処理ガスの前記ギャップへの移送を容易にするために、１または複数の開口部を備える、上側電極と、
を備える、プラズマリアクタ。
【請求項３４】
請求項３３に記載のプラズマリアクタであって、前記ダイヤフラム層は、上面および底面を有し、前記上面は、複数のひずみセンサに取り付けられており、前記複数のひずみセンサの各々は、前記複数の部分の内の対応する一部分のひずみの量を測定するよう構成されている、プラズマリアクタ。
【請求項３５】
請求項３３に記載のプラズマリアクタであって、前記ダイヤフラム層の前記複数の部分は、第１部分、第２部分、および第３部分を含み、前記ダイヤフラム層は、第１ひずみセンサおよび第２ひずみセンサを備え、前記第２部分は、前記第１部分と第３部分との間に位置し、前記第１ひずみセンサは、前記第１部分の上方に配置され、前記第２ひずみセンサは、前記第３部分の上方に配置されている、プラズマリアクタ。
【請求項３６】
請求項３３に記載のプラズマリアクタであって、前記バルブシート層は、第１部分、第２部分、第３部分を備え、前記バルブシート層の前記移送チャネルは、前記第１部分と前記第２部分との間に位置し、前記第２部分は、前記バルブシート層の前記移送チャネルと前記ガス通路との間に位置し、前記ガス通路は、前記第２部分と前記第３部分との間に位置する、プラズマリアクタ。
【請求項３７】
請求項３６に記載のプラズマリアクタであって、前記バルブシート層の前記移送チャネルは、フィルタを備える、プラズマリアクタ。
【請求項３８】
請求項３３に記載のプラズマリアクタであって、前記ガス分配層は、第１部分および第２部分を備え、前記ガス分配層の前記移送チャネルは、前記第１部分と前記第２部分との間に位置し、前記ガス受け入れチャンバは、前記第２部分内に形成された空間である、プラズマリアクタ。
【請求項３９】
請求項３８に記載のプラズマリアクタであって、前記バルブシート層は底面を有し、前記第２部分は上面を有し、前記通路チャネルは、前記ガス分配層の前記第２部分の前記上面と、前記バルブシート層の前記底面との間に位置する、プラズマリアクタ。
【請求項４０】
請求項３３に記載のプラズマリアクタであって、前記アクティブシャワーヘッドは、前記ダイヤフラム層の上方に配置されたアクチュエータ層を備え、前記アクチュエータ層は、アクチュエータに取り付けられ、前記アクチュエータは、前記ガス通路から前記バルブシート層の前記移送チャネルへの前記１または複数の処理ガスの通過をさらに制御するために、前記ダイヤフラム層の前記複数の部分の内の一部分の動きを制御するように動くよう構成されている、プラズマリアクタ。
【請求項４１】
プラズマシステムであって、
高周波（ＲＦ）信号を生成するよう構成されたＲＦ発生器と、
前記ＲＦ発生器に接続され、変調ＲＦ信号を出力するように前記ＲＦ信号を変調するよう構成された整合器と、
前記整合器に接続されたチャックであって、前記変調ＲＦ信号を受信するよう構成されたチャックと、
前記チャックとの間にギャップを形成するために前記チャックの上方に配置されたアクティブシャワーヘッドであって、前記アクティブシャワーヘッドは、
複数の複数の部分を有するダイヤフラム層と、
前記ダイヤフラム層の下方に配置されたバルブシート層であって、前記バルブシート層は、移送チャネルおよびガス通路を備える、バルブシート層と、
前記バルブシート層の下方に配置されたガス分配層であって、前記ガス分配層は、移送チャネル、ガス受け入れチャンバ、および、通路チャネルを備える、ガス分配層と、を備え、
前記ダイヤフラム層の前記複数の部分は、前記通路チャネルから受け入れられた１または複数の処理ガスが、前記ガス受け入れチャンバ、前記ガス通路、および、前記バルブシート層の前記移送チャネルを介して、前記ガス分配層の前記移送チャネルに通過することを可能にするように動くよう構成されている、アクティブシャワーヘッドと、
前記ガス分配層の下方に配置された上側電極であって、前記上側電極は、前記ガス分配層の前記移送チャネルから受け入れられた前記１または複数の処理ガスの前記ギャップへの移送を容易にするために、１または複数の開口部を備える、上側電極と、
を備える、プラズマシステム。
【請求項４２】
請求項４１に記載のプラズマシステムであって、前記ダイヤフラム層は、上面および底面を有し、前記上面は、複数のひずみセンサに取り付けられており、前記複数のひずみセンサの各々は、前記複数の部分の内の対応する一部分のひずみの量を測定するよう構成されている、プラズマシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図１Ａは、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）リアクタであるプラズマリアクタ１０２へガスを注入するためのシステム１００の一実施形態を示すブロック図である。システム１００は、プラズマリアクタ１０２と、１または複数の高周波（ＲＦ）発生器１０４と、インピーダンス整合回路（ＩＭＣ）である整合器１０６と、を備える。いくつかの実施形態において、１または複数のＲＦ発生器１０４は、ｘメガヘルツ（ＭＨｚ）ＲＦ発生器、ｙＭＨｚＲＦ発生器、および、ｚＭＨｚＲＦ発生器を含み、ここで、ｘは２、ｙは２７、ｚは６０である。様々な実施形態において、ｘは、４００キロヘルツ（ｋＨｚ）である。いくつかの実施形態において、ｘは４００ｋＨｚ、ｙは２ＭＨｚ、ｚは２７ＭＨｚである。様々な実施形態において、ｙは、２７ＭＨｚではなく、１３．５６ＭＨｚである。いくつかの実施形態において、任意の他の数のＲＦ発生器が、システム１００で用いられる。例えば、ｘおよびｙＭＨｚＲＦ発生器が用いられ、ｚＭＨｚＲＦ発生器は用いられない。別の例として、ｙおよびｚＭＨｚＲＦ発生器が用いられ、ｘＭＨｚＲＦ発生器は用いられない。さらに別の例として、ｘおよびｚＭＨｚＲＦ発生器が用いられ、ｙＭＨｚＲＦ発生器は用いられない。別の例として、１または複数のＲＦ発生器１０４は、ｘＭＨｚＲＦ発生器、もしくは、ｙＭＨｚＲＦ発生器、もしくは、ｚＭＨｚＲＦ発生器、もしくは、ｘ、ｙ、および、ｚＭＨｚＲＦ発生器の内の２以上の組み合わせ、を含む。１または複数のＲＦ発生器１０４の各々は、ＲＦ信号を生成するＲＦオシレータなど、ＲＦ電源を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
プラズマリアクタ１０８は、アクティブシャワーヘッド１１２およびチャックアセンブリ１１４を備えており、チャックアセンブリ１１４は、チャック１３０（静電チャック（ＥＳＣ）など）を備える。チャックアセンブリ１１４は、アクティブシャワーヘッド１１２と対向する。アクティブシャワーヘッド１１２は、熱プレート層１１６と、断熱層１１８と、基板支持層１２０と、基板層１２２と、上側電極１２４（例えば、電極プレート、容量電極プレートなど）と、を備える。熱プレート層１１６の一例は、熱エネルギの伝導体である１または複数の金属プレートを含む。熱プレート層１１６の別の例は、熱を生成するために電流を供給される１または複数の抵抗器を備えた層を含む。断熱層１１８の一例は、窒化アルミニウム、セラミック、または、それらの組み合わせを有する層である。断熱層１１８は、熱層１１６から基板支持層１２０への断熱を提供する。上側電極１２４は、金属（例えば、アルミニウム、アルミニウム合金など）で形成され、接地電位に接続されている。いくつかの実施形態において、アクティブシャワーヘッド１１２は、他の構成要素（図示せず）、例えば、上側電極１２４を囲む上側誘電体リング、上側誘電体リングを囲む上側電極延長部、上側電極延長部を囲むＣ−シュラウド１１７、などを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
バルブシート層４０６は、フィルタ４３２（任意選択的である）が中にはめ込まれた移送チャネル４３６（例えば、オリフィス）を有する。移送チャネル４３６は、バルブシート層４０６の垂直層４３５Ａによって形成されている。移送チャネル４３６は、垂直層４３５Ａによって囲まれている。移送チャネル４３６は、ダイヤフラム層４０４の部分Ｂと、ガス分配層４０８の移送チャネル４３７との間に形成されている。バルブシート層４０６は、さらに、ガス通路４３４を備えており、ガス通路４３４は、バルブシート層４０６内に形成された空間である。例えば、ガス通路４３４は、バルブシート層４０６の垂直層４３１によって部分的に囲まれ、形成されている。ガス通路４３４は、バルブシート層４０６の部分Ｂとバルブシート層４０６の部分Ｃとの間に形成されている。ガス通路４３４は、ダイヤフラム層４０４の部分Ｃと、ガス分配層４０８内に形成されたガス受け入れチャンバ４４２との間に形成されている。バルブシート層４０６内に形成された移送チャネル４３６は、バルブシート層４０６の部分Ａおよびバルブシート層４０６の部分Ｂによって部分的に囲まれている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
ガス分配層４０８は、ガス分配層４０８の縁部に通路チャネル４３８を備える。通路チャネル４３８は、ガス分配層４２４の上面４２４よりも低い高さになるようにガス分配層４０８の上面４４０を加工することによって形成される。通路チャネル４３８は、ガス分配層４０８の部分Ｂ内にエッチングされたガス受け入れチャンバ４４２内へ１または複数の処理ガスが通過することを可能にする。ガス受け入れチャンバ４４２は、ガス分配層４０８の部分Ｂ内に形成された空間である。例えば、ガス受け入れチャンバ４４２は、ガス分配層４０８内にエッチングされ、ガス分配層４０８の垂直層４３３Ａおよびガス分配層４０８の水平層４３３Ｂによって部分的に囲まれている。ガス受け入れチャンバ４４２は、垂直層４３３Ａ、水平層４３３Ｂ、ガス通路４３４、および、バルブシート層４０６の部分Ｃの底面４２２の間に形成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
移送チャネル４３６内の１または複数の処理ガス中の不純物は、フィルタ４３２によってフィルタリングされ、１または複数の処理ガス（フィルタリング済み）が、移送チャネル４３７へ流れ込み、移送チャネル４３７は、開口部Ｏ１、Ｏ２、Ｏ３、Ｏ４、Ｏ５、Ｏ６、Ｏ７、Ｏ８、Ｏ９、Ｏ１０、Ｏ１１、または、Ｏ１２（図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図２Ａ、および、図２Ｂ）の一部である開口部５０２を有する。例えば、開口部５０２は、アクチュエータ／移送構成要素ＡＴ１、ＡＴ２、ＡＴ３、ＡＴ４、ＡＴ５、または、ＡＴ６の開口部であり、プラズマリアクタ１０２、１５２、１６６、２０２、または、２５４（図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図２Ａ、および、図２Ｂ）のいずれかのギャップ１２８へ向かう。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
伸長位置にあるアクチュエータ４２７は、１または複数の処理ガスが通過するための上面４２０とダイヤフラム層４０４の部分Ｂとの間のギャップがなくなるように、ダイヤフラム層４０４を圧迫して、バルブシート層４０６の上面４２０に向かってダイヤフラム層４０４の部分Ｂを押しつける。１または複数の処理ガスが通路チャネル４３８を介してガス受け入れチャンバ４４２内に受け入れられると、１または複数の処理ガスは、ガス受け入れチャンバ４４２からガス通路４３４へ流れる。しかしながら、１または複数の処理ガスは、バルブシート層４０６の上面４２０とダイヤフラム層４０４の部分Ｂとの間のギャップがないため、ガス通路４３４から移送チャネル４３６へ、さらに、移送チャネル４３７を介して開口部５０２へ流れることはできない。ギャップ５０１がない時にダイヤフラム層４０４の部分Ｂが載っているバルブシート層４０６の上面４２０の一部は、本明細書では、バルブシート層４０６のバルブシートとも呼ばれることに注意されたい。１または複数の処理ガスの力は、バルブシート層４０６の上面４２０とダイヤフラム層４０４の部分Ｂとの間にギャップを生成するように上方向にダイヤフラム層４０４の部分Ｃを押し上げるほどではない。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
一例として、ゾーンＡの内の第１ゾーンＡは、アクチュエータ層４０３（図５Ａ、図５Ｂ、図６Ａ、および、図６Ｂ）の第１アクチュエータ、ダイヤフラム層４０４の部分（例えば、部分Ａ、Ｂ、および、Ｃ）の第１セット、バルブシート層４０６の第１移送チャネル（例えば、移送チャネル４３６）、ならびに、ガス分配層４０８（図４、図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、および、図５Ｄ）の第１移送チャネル（例えば、移送チャネル４３７）の動作の結果として、１または複数の処理ガスを受ける出力Ｏ１（図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、および、図２Ｂ）または出力Ｏ７（図２Ａ）にある第１領域である。ゾーンＡの内の第２ゾーンＡは、アクチュエータ層４０３の第２アクチュエータ、ダイヤフラム層４０４の部分の第２セット、バルブシート層４０６の第２移送チャネル、ならびに、ガス分配層４０８（図４、図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ、および、図５Ｄ）の第２移送チャネルの動作の結果として、１または複数の処理ガスを受ける出力Ｏ２（図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、および、図２Ｂ）または出力Ｏ８（図２Ａ）にある第２領域である。アクチュエータ４２７（図４）は、アクチュエータ層４２６の第１および第２アクチュエータの各々の例である。さらに、ダイヤフラム層４０４の部分Ａ、Ｂ、および、Ｃ（図４）は、部分の第１セットまたは部分の第２セットの例である。また、移送チャネル４３６（図４）は、バルブシート層４０６の第１移送チャネルおよびバルブシート層４０６の第２移送チャネルの各々の例である。移送チャネル４３７（図４）は、ガス分配層４０８の第１移送チャネルおよびガス分配層４０８の第２移送チャネルの各々の例である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
層８５４は、測定層８５２の下方かつガスリザーバ層８５６の上方に配置される。基板支持層１２０は、ガスリザーバ層８５６の下方かつ基板層１２２の上方に配置される。コネクタ８５９（例えば、金属プレート、金属コネクタなど）が、ガスラインＧＬ１をチャネルＣ１と接続するために用いられる。例えば、コネクタ８５９は、アクティブシャワーヘッド８００の上面８６２に取り付けられている（例えば、ネジ留め、ボルト留め、などされている）。上面１１９（図１Ｃおよび図２Ｂ）は、上面８６２の一例である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６０】
ドーズ制御モードにおいて、アクチュエータ８７０の各々は、予め指定されたレベルまで開閉するように正確に制御される。例えば、アクチュエータ８７０の内の１または複数は、完全に開閉せずに、予め指定されたレベルを達成するように閉じられる。例えば、アクチュエータ４２７は、ダイヤフラム層４０４（図５Ａ）の上面４３０（図４）からバルブシート層４０６（図５Ａ）の上面４２０に向かって途中まで伸長される。別の例として、プロセッサ１００４は、予め指定された量の電流を有する電流信号を生成するために、命令をドライバＤＲ３およびＤＲ４に送信する。電流信号が、ドライバＤＲ３およびＤＲ４によって生成され、対応する流量制御メカニズムＦＣＭ３およびＦＣＭ４へ供給される。流量制御メカニズムＦＣＭ３およびＦＣＭ４は、対応するアクチュエータ／移送構成要素ＡＴ３およびＡＴ４の対応するアクチュエータ８７０の動きを制御することで、対応するギャップ５０１を介して所定の流量で１または複数の処理ガスが通過することを可能にするように、対応するアクチュエータ／移送構成要素ＡＴ３およびＡＴ４のギャップ５０１の量を制御するために、対応するインダクタＩ３およびＩ４のインダクタンスを予め指定された電流量に基づいた予め指定されたレベルまで変化させるよう動作する。さらに、命令送信後の所定の期間の後、プロセッサ１００４は、電流信号の生成を停止させるために、ドライバＤＲ３およびＤＲ４に別の命令を送信する。ドライバＤＲ３およびＤＲ４が電流信号を生成しない時、ＦＣＭ３およびＦＣＭ４は、ギャップ５０１が完全に開くように、対応するインダクタＩ３およびＩ４のインダクタンスを変更するよう動作する。さらに別の例として、プロセッサ１００４は、電流信号を生成するために、命令をドライバＤＲ３およびＤＲ４に送信する。電流信号が、ドライバＤＲ３およびＤＲ４によって生成され、対応する流量制御メカニズムＦＣＭ３およびＦＣＭ４へ供給される。ＦＣＭ３およびＦＣＭ４は、対応するアクチュエータ／移送構成要素ＡＴ３およびＡＴ４の対応するアクチュエータ８７０の動きを制御することで、対応するアクチュエータ／移送構成要素ＡＴ３およびＡＴ４のギャップ５０１を通した１または複数の処理ガスの通過を遮断するようにギャップ５０１を閉じるために、インダクタＩ３およびＩ４のインダクタンスを変更するよう動作する。さらに、命令送信後の所定の期間の後、プロセッサ１００４は、予め指定された量を有する電流信号を生成するために別の命令をドライバＤＲ３およびＤＲ４に送信する。ドライバＤＲ３およびＤＲ４が、予め指定された量を有する電流信号を生成すると、ＦＣＭ３およびＦＣＭ４は、予め指定されたレベルだけアクチュエータ／移送構成要素ＡＴ３およびＡＴ４のギャップ５０１を開くように、対応するアクチュエータ／移送構成要素ＡＴ３およびＡＴ４の対応するアクチュエータ８７０の動きを制御するために、対応するインダクタＩ３およびＩ４のインダクタンスを変更するよう動作する。予め指定されたレベルでギャップ５０１を開くことで、１または複数の処理ガスが所定の流量でギャップ５０１を通過することが可能になる。アクチュエータ／移送構成要素ＡＴ３およびＡＴ４のギャップ５０１のかかる開閉は、いくつかの実施形態において、ドーズ制御モードで複数回繰り返される。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８０】
理解を深めるために、本実施形態について、ある程度詳しく説明したが、添付の特許請求の範囲内でいくらかの変更および変形を行ってもよいことは明らかである。したがって、本実施形態は、例示的なものであって、限定的なものではないとみなされ、実施形態は、本明細書に示した詳細に限定されない。本開示は以下の適用例としても実現できる。
［適用例１］
半導体処理のためのシステムであって、
アクチュエータ制御部と、
ガスラインと、
前記ガスラインおよび前記アクチュエータ制御部に接続されたプラズマリアクタと、
を備え、
前記プラズマリアクタは、
チャックアセンブリと、
前記チャックアセンブリの上方に配置されたアクティブシャワーヘッドと、
を備え、
前記アクティブシャワーヘッドは、
複数の基板層であって、前記基板層は、前記アクチュエータ制御部に接続されたアクチュエータ／移送構成要素を備え、前記アクチュエータ／移送構成要素は、ガスチャネルを介して前記ガスラインに接続されている、複数の基板層と、
前記基板層の下方に配置された電極層であって、前記電極層および前記アクチュエータ／移送構成要素は、前記チャックアセンブリと前記アクティブシャワーヘッドとの間のギャップにつながる開口部を共有する、電極層と、
を備え、
前記アクチュエータ制御部は、前記ガスラインおよび前記ガスチャネルから受け入れられた１または複数の処理ガスが前記開口部を通して前記ギャップ内に通過することを可能にするように、前記アクチュエータ／移送構成要素を制御するよう構成されている、システム。
［適用例２］
適用例１に記載のシステムであって、前記ガスラインは、前記アクティブシャワーヘッドの上面に取り付けられており、ガスシリンダと前記アクティブシャワーヘッドとの間のガスボックスに接続されることなしに、前記ガスシリンダに接続されている、システム。
［適用例３］
適用例１に記載のシステムであって、前記アクチュエータ／移送構成要素は、アクチュエータを備え、前記アクチュエータは、前記基板層の内の１つの中に配置され、前記アクチュエータ制御部に接続され、前記アクチュエータ制御部は、伸長または収縮するように前記アクチュエータを制御するよう構成されている、システム。
［適用例４］
適用例１に記載のシステムであって、前記アクティブシャワーヘッドは、前記電極層の下方に絶縁体コーティングを備え、前記開口部は、前記絶縁体コーティングを通して伸びている、システム。
［適用例５］
適用例１に記載のシステムであって、前記電極層は、容量電極プレート、または、少なくとも高周波（ＲＦ）コイルを備える、システム。
［適用例６］
適用例１に記載のシステムであって、前記基板層は、
前記アクティブシャワーヘッドの構成要素を上に支持するための支持基板層と、
前記支持基板層の下方に配置されたアクチュエータ層であって、前記アクチュエータ層は、前記アクチュエータ制御部に接続されたアクチュエータを有する、アクチュエータ層と、
前記アクチュエータ層の下方に配置されたダイヤフラム層であって、前記ダイヤフラム層の底面は、複数のダイヤフラムとして機能する、ダイヤフラム層と、
前記ダイヤフラム層の下方に配置されたバルブシート層であって、前記バルブシート層は、移送チャネルおよびガス通路を備える、バルブシート層と、
前記バルブシート層の下方に配置されたガス分配層であって、前記ガス分配層は、移送チャネル、ガス受け入れチャンバ、および、通路チャネルを備える、ガス分配層と、
を備え、
前記アクチュエータ制御部は、前記通路チャネルから受け入れられた前記１または複数の処理ガスが、前記ガス受け入れチャンバ、前記ガス通路、前記バルブシート層の前記移送チャネル、および、前記ガス分配層の前記移送チャネルを介して、前記ギャップ内に通過することを可能にするように、前記アクチュエータを制御するよう構成されている、システム。
［適用例７］
適用例１に記載のシステムであって、前記基板層は、
前記アクティブシャワーヘッドの構成要素を上に支持するための支持基板層と、
前記支持基板層の下方に配置されたダイヤフラム層であって、前記ダイヤフラム層の底面は、複数のダイヤフラムとして機能し、前記ダイヤフラム層は、アクチュエータを備える、ダイヤフラム層と、
前記ダイヤフラム層の下方に配置されたバルブシート層であって、前記バルブシート層は、移送チャネルおよびガス通路を備える、バルブシート層と、
前記バルブシート層の下方に配置されたガス分配層であって、前記ガス分配層は、移送チャネル、ガス受け入れチャンバ、および、通路チャネルを備える、ガス分配層と、
を備え、
前記アクチュエータ制御部は、前記通路チャネルから受け入れられた前記１または複数の処理ガスが、前記ガス受け入れチャンバ、前記ガス通路、前記バルブシート層の前記移送チャネル、および、前記ガス分配層の前記移送チャネルを介して、前記ギャップ内に通過することを可能にするように、前記アクチュエータを制御するよう構成されている、システム。
［適用例８］
適用例１に記載のシステムであって、前記アクチュエータ／移送構成要素は、前記１または複数の処理ガスを前記ギャップ内の第１ゾーンに移送するよう構成され、前記アクティブシャワーヘッドは、さらなるアクチュエータ／移送構成要素を備え、前記さらなるアクティブ／移送構成要素は、１または複数の処理ガスを前記ギャップ内の第２ゾーンに移送するよう構成されている、システム。
［適用例９］
適用例１に記載のシステムであって、前記アクティブシャワーヘッドは、前記１または複数の処理ガスに関連するパラメータを測定するための測定ツールを備えるよう構成された測定層を備える、システム。
［適用例１０］
適用例１に記載のシステムであって、前記アクティブシャワーヘッドは、前記１または複数の処理ガスを貯留するためのガスリザーバ層を備える、システム。
［適用例１１］
適用例１に記載のシステムであって、前記アクチュエータ制御部は、
光を発するよう構成された光源と、
或る波長の光を提供するように前記光を分離するために前記光源に接続された光分波器と、
前記波長の前記光を受け入れて電気信号を生成するために前記光分波器に接続されたマイクロアクチュエータ回路であって、前記アクチュエータ／移送構成要素は、前記マイクロアクチュエータ回路に接続されたアクチュエータを備え、前記アクチュエータは、前記電気信号によって生成された電磁場の影響下で伸縮するよう構成されている、マイクロアクチュエータ回路と、
を備える、システム。
［適用例１２］
適用例１１に記載のシステムであって、前記マイクロアクチュエータ回路は、
前記波長の前記光を検出するよう構成されたフォトダイオードと、
前記電気信号のインピーダンスを変えるためにフォトダイオードと直列に接続されたインダクタと、
を備える、システム。
［適用例１３］
半導体処理のためのシステムであって、
アクチュエータ制御部と、
ガスラインと、
前記ガスラインおよび前記アクチュエータ制御部に接続されたプラズマリアクタと、
を備え、
前記プラズマリアクタは、
チャックアセンブリと、
前記チャックアセンブリの上方のアクティブシャワーヘッドと、を備え、
前記アクティブシャワーヘッドは、
複数の基板層であって、前記基板層は、前記アクチュエータ制御部に接続されたアクチュエータ／移送構成要素を備え、前記アクチュエータ／移送構成要素は、ガスチャネルを介して前記ガスラインに接続されている、複数の基板層と、
前記基板層の下方に配置された電極層と、
前記電極層の下方に配置された混合チャンバと、
前記混合チャンバの下方に配置され、複数の開口部を有するシャワーヘッドプレートであって、前記電極層および前記アクチュエータ／移送構成要素は、前記混合チャンバにつながる開口部を共有する、シャワーヘッドプレートと、
を備え、
前記アクチュエータ制御部は、ガス混合物を生成するために、前記ガスラインおよび前記ガスチャネルから受け入れられた１または複数の処理ガスが、前記電極層および前記アクチュエータ／移送構成要素によって共有された前記開口部を通して前記混合チャンバ内に移動することを可能にするように、前記アクチュエータ／移送構成要素を制御するよう構成され、前記ガス混合物は、前記シャワーヘッドプレートの前記複数の開口部を介して前記ギャップ内に流れるよう構成されている、システム。
［適用例１４］
適用例１３に記載のシステムであって、前記ガスラインは、前記アクティブシャワーヘッドの上面に取り付けられており、ガスシリンダと前記アクティブシャワーヘッドとの間のガスボックスに接続されることなしに、前記ガスシリンダに接続されている、システム。
［適用例１５］
適用例１３に記載のシステムであって、前記アクチュエータ／移送構成要素は、アクチュエータを備え、前記アクチュエータは、前記基板層の内の１つの中に配置され、前記アクチュエータ制御部に接続され、前記アクチュエータ制御部は、伸長または収縮するように前記アクチュエータを制御するよう構成されている、システム。
［適用例１６］
適用例１３に記載のシステムであって、前記アクチュエータ／移送構成要素は、前記１または複数の処理ガスを前記混合チャンバ内のゾーンに移送するよう構成され、前記アクティブシャワーヘッドは、さらなるアクチュエータ／移送構成要素を備え、前記さらなるアクティブ／移送構成要素は、１または複数の処理ガスを前記混合チャンバ内の別のゾーンに移送するよう構成されている、システム。
［適用例１７］
半導体処理のためのアクティブシャワーヘッドであって、
複数の基板層であって、前記基板層は、アクチュエータ／移送構成要素を備え、前記アクチュエータ／移送構成要素は、ガスチャネルを介してガスラインに接続されている、複数の基板層と、
前記基板層の下方に配置された電極層であって、前記電極層および前記アクチュエータ／移送構成要素は、開口部を共有する、電極層と、
を備え、
前記アクチュエータ／移送構成要素は、前記ガスラインおよび前記ガスチャネルから受け入れられた１または複数の処理ガスが前記開口部内に移動することを可能にするよう構成されている、アクティブシャワーヘッド。
［適用例１８］
適用例１７に記載のアクティブシャワーヘッドであって、前記基板層は、
アクチュエータを有するアクチュエータ層と、
前記アクチュエータ層の下方に配置されたダイヤフラム層であって、前記ダイヤフラム層の底面は、複数のダイヤフラムとして機能する、ダイヤフラム層と、
前記ダイヤフラム層の下方に配置されたバルブシート層であって、前記バルブシート層は、移送チャネルおよびガス通路を備える、バルブシート層と、
前記バルブシート層の下方に配置されたガス分配層であって、前記ガス分配層は、移送チャネル、ガス受け入れチャンバ、および、通路チャネルを備える、ガス分配層と、
を備え、
前記アクチュエータは、前記通路チャネルから受け入れられた前記１または複数の処理ガスが、前記ガス受け入れチャンバ、前記ガス通路、および、前記バルブシート層の前記移送チャネルを介して、前記ガス分配層の前記移送チャネルに通過することを可能にするように動くよう構成されている、アクティブシャワーヘッド。
［適用例１９］
適用例１７に記載のアクティブシャワーヘッドであって、前記基板層は、
底面を有するダイヤフラム層であって、前記ダイヤフラム層の底面は、複数のダイヤフラムであり、前記ダイヤフラム層は、アクチュエータを備える、ダイヤフラム層と、
前記ダイヤフラム層の下方に配置されたバルブシート層であって、前記バルブシート層は、移送チャネルおよびガス通路を備える、バルブシート層と、
前記バルブシート層の下方に配置されたガス分配層であって、前記ガス分配層は、移送チャネル、ガス受け入れチャンバ、および、通路チャネルを備える、ガス分配層と、
を備え、
前記アクチュエータは、前記通路チャネルから受け入れられた前記１または複数の処理ガスが、前記ガス受け入れチャンバ、前記ガス通路、および、前記バルブシート層の前記移送チャネルを介して、前記ガス分配層の前記移送チャネルに通過することを可能にするように動くよう構成されている、アクティブシャワーヘッド。
［適用例２０］
適用例１７に記載のアクティブシャワーヘッドであって、上面を有し、前記ガスラインは、前記アクティブシャワーヘッドの前記上面に取り付けられており、ガスシリンダと前記アクティブシャワーヘッドとの間のガスボックスに接続されることなしに、前記ガスシリンダに接続されている、アクティブシャワーヘッド。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８Ｅ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８Ｅ】
2019536268.tif 000001