(57)【要約】【課題】ＧＨｚ帯域でも充分な透磁率を有し充分な電磁波抑制効果を発揮することができる電磁波抑制シートを提供する。【解決手段】金属磁性粒子１が樹脂２中に混合されてシート状に成型され、面内方向における１ｋＯｅの外部磁界を印加した際の飽和磁化が０．３５［Ｗｂ／ｍ２］以上であり、かつ、保磁力が３２０［Ａ／ｍ］以上である電磁波抑制シート１０を構成する。【選択図】図１
2010135701.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属磁性粒子が樹脂中に混合されてシート状に成型された電磁波抑制シートであって、
面内方向における１ｋＯｅの外部磁界を印加した際の飽和磁化が０．３５［Ｗｂ／ｍ２］以上であり、かつ、保磁力が３２０［Ａ／ｍ］以上である
電磁波抑制シート。
【請求項２】
（前記外部磁界を印加した際の飽和磁化）／（前記保磁力）の値が、０．０００６〜０．００１６［（Ｗｂ／ｍ２）／（Ａ／ｍ）］の範囲内である、請求項１に記載の電磁波抑制シート。
【請求項３】
前記金属磁性粒子が扁平状又は球状である、請求項１に記載の電磁波抑制シート。
【請求項４】
前記金属磁性粒子は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｒ系合金から選ばれる１種以上の金属磁性材料から成る、請求項１に記載の電磁波抑制シート。
【請求項５】
比透磁率の虚部が５ＧＨｚにおいて３以上である請求項１に記載の電磁波抑制シート。
【請求項６】
前記樹脂中に、前記金属磁性粒子に加えて、さらに導電性材料の粒子が混合されている請求項１に記載の電磁波抑制シート。
【請求項７】
前記金属磁性粒子が前記樹脂に混合されている層と、導電性材料が樹脂に混合されている層とが、積層されて成る、請求項１に記載の電磁波抑制シート。
【請求項８】
集積回路素子のパッケージと、
金属磁性粒子が樹脂中に混合されてシート状に成型され、面内方向における１ｋＯｅの外部磁界を印加した際の飽和磁化が０．３５［Ｗｂ／ｍ２］以上であり、かつ、保磁力が３２０［Ａ／ｍ］以上であり、前記集積回路素子のパッケージに貼り付けられている電磁波抑制シートとを含む
デバイス。
【請求項９】
集積回路素子と、
配線と、
金属磁性粒子が樹脂中に混合されてシート状に成型され、面内方向における１ｋＯｅの外部磁界を印加した際の飽和磁化が０．３５［Ｗｂ／ｍ２］以上であり、かつ、保磁力が３２０［Ａ／ｍ］以上であり、前記集積回路素子又は前記配線の近傍に設けられている電磁波抑制シートとを含む
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器から発生する不要輻射対策に用いられる電磁波抑制材料を有する電磁波抑制シート、その電磁波抑制シートを含むデバイス、電磁波抑制シートが設けられている電子機器に関する。本発明は、特にＧＨｚ帯域の電磁波抑制に好適である。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子情報通信機器の急速な普及に伴い、携帯電話（１．５，２．０ＧＨｚ）やＰＨＳ（１．９ＧＨｚ）、無線ＬＡＮ（２．４５ＧＨｚ，５．０ＧＨｚ）等のＧＨｚ帯域の電磁波の利用が急増している。
また、ＬＳＩの駆動周波数はＧＨｚを上回る機器も増え、その高調波はさらに高い周波数成分を有している。
このように、潜在的な電磁波発生源及び干渉被害側の双方の数と多様性が指数関数的に増えているため、ＧＨｚ帯域における電磁干渉（ＥＭＩ：Electromagnetic Interference）の起こるリスクは天文学的に増加している。
【０００３】
電磁干渉の問題に対処するためには、個々の機器が他の機器の正常な作動を妨害するような不要な電磁波を放射せず（エミッションの抑制）、かつ外部から侵入する電磁波に対して何ら影響を受けない十分な耐力をもつこと（イミュニティの向上）が要求される。
このような考え方は、電磁両立性（ＥＭＣ：Electromagnetic Compatibility）と称され、電磁環境下で電子機器が電磁両立性を確立するために様々な規格が定められている。
【０００４】
現在、電磁干渉の問題の解決策の一つとして、電磁波抑制シート（電磁波吸収シート）が利用されている。一般的な電磁波抑制シートは、磁性材料粉末や導電材料粉末等を樹脂と複合化させた構造である（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
ここで、熱エネルギーへの変換のメカニズムは、主に、導電損失、誘電損失、磁性損失の３種に分類される。このときの単位体積当たりの電磁波吸収エネルギーＰ［Ｗ／ｍ３］は、電界Ｅ、磁界Ｈ及び電磁波の周波数ｆを用いて、下記式（１）のように表される。
【０００６】
【数１】
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導電率：σ
複素誘電率：ε＝ε’−jε’’
複素透磁率：μ＝μ’−jμ’’
【０００７】
式（１）は、その第１項が導電損失を表し、第２項が誘電損失を表し、第３項が磁性損失を表している。
【０００８】
電流変化の大きな箇所への対策として用いられる電磁波抑制シートは、磁性材料が主流である。
磁性材料を用いた電磁波抑制シートは、電磁波の磁界成分を抑制、吸収するために、上述の式（１）の磁性損失である第３項の透磁率の虚部μ’’が高くなるように設計されている。
【０００９】
これらの電磁波抑制シートは、ＬＳＩパッケージ上や、プリント回路基板上、さらにはＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）やハーネス、金属部品等に貼付して実装されている。
さらには、ＲＦＩＤのアンテナ効率ＵＰを目的として、アンテナと金属部品との間の干渉抑制のためにも、電磁波抑制シートが利用されている。
【００１０】
【特許文献１】特開２００３−１７４２７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、既存の電磁波抑制シートは、主にＭＨｚ帯域における利用をターゲットとしており、その周波数帯域では大きな透磁率の虚部μ’’を有するものの、１ＧＨｚを超えるとその特性は減少してしまう（スネークの限界）。
【００１２】
ここで、市販されている数種の電磁波抑制シートについて、透磁率（比透磁率の虚部μr’’）を測定した。測定結果を、図１１に示す。
【００１３】
ちなみに、［比透磁率：μｒ］＝［透磁率：μ］／［真空の透磁率：μ０］である。
図１１より、比透磁率の虚部μｒ’’は、ＭＨｚ帯域では非常に大きな値を有しているものの、ＧＨｚ帯域では極度に低下しており、５ＧＨｚでは３未満という値になってしまうことが分かる。
【００１４】
上述した問題の解決のために、本発明においては、ＧＨｚ帯域でも充分な透磁率を有し充分な電磁波抑制効果を発揮することができる電磁波抑制シートを提供する。また、この電磁波抑制シートを有するデバイス、並びに、電子機器を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の電磁波抑制シートは、金属磁性粒子が樹脂中に混合されてシート状に成型され、面内方向における１ｋＯｅの外部磁界を印加した際の飽和磁化が０．３５［Ｗｂ／ｍ２］以上であり、かつ、保磁力が３２０［Ａ／ｍ］以上であるものである。
本発明のデバイスは、集積回路素子のパッケージと、このパッケージに貼り付けられている電磁波抑制シートとを含み、電磁波抑制シートが上記本発明の電磁波抑制シートの構成である。
本発明の電子機器は、集積回路素子と、配線と、集積回路素子又は配線の近傍に設けられている電磁波抑制シートとを含み、電磁波抑制シートが上記本発明の電磁波抑制シートの構成である。
【００１６】
上述の本発明の電磁波抑制シートの構成によれば、面内方向における１ｋＯｅの外部磁界を印加した際の飽和磁化が０．３５［Ｗｂ／ｍ２］以上であり、かつ、保磁力が３２０［Ａ／ｍ］以上である。これにより、電磁波抑制シートの５ＧＨｚにおける比透磁率の虚部の値を、３以上と大きくすることができる。
上述の本発明のデバイス及び本発明の電子機器の各構成によれば、上記本発明の電磁波抑制シートを含むことにより、電磁波抑制シートの５ＧＨｚにおける比透磁率の虚部の値が３以上と大きくなる。
【発明の効果】
【００１７】
上述の本発明によれば、電磁波抑制シートの５ＧＨｚにおける比透磁率の虚部の値を、３以上と大きくすることができるので、ＧＨｚ帯においても充分な電磁波抑制効果を発揮させることが可能になる。
従って、本発明により、電子機器において、ＧＨｚ帯域の高い駆動周波数と、電磁干渉の抑制とを、共に実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、発明を実施するための最良の形態（以下、実施の形態とする）について説明する。
なお、説明は以下の順序で行う。
１．本発明の概要
２．電磁波抑制シートの第１の実施の形態
３．電磁波抑制シートの第２の実施の形態
４．電磁波抑制シートの第３の実施の形態
５．デバイスの実施の形態
６．電子機器の実施の形態
【００１９】
＜１．本発明の概要＞
まず、本発明の具体的な実施の形態の説明に先立ち、本発明の概要について説明する。
【００２０】
強磁性共鳴の周波数：ｆｒは、次式で与えられることが知られている。
【００２１】
【数２】
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【００２２】
ここで、γはジャイロ磁気比、Ｈｒはｚ方向の外部直流共鳴磁界、Ｎｘ，Ｎｙ，Ｎｚは回転楕円体の主軸方向の反磁界係数、Ｈａｘ，Ｈａｙ，Ｈａｚは異方性磁界、Ｉは磁化である。
式（２）より、異方性磁界及び磁化が増加するに伴い、共鳴周波数も増加傾向を示す関係にあることがわかる。
【００２３】
電磁波抑制シートにおける異方性磁界としては、結晶磁気異方性と形状異方性とが考えられる。
本発明の発明者らは、これらの異方性磁界を左右する、磁性粒子の保磁力と形状とに着目して、ＧＨｚ帯域において高い透磁率が得られる最適な材料設計を検討した。
【００２４】
また、どんなに磁気特性の良い磁性粒子を用いたとしても、磁性粒子の粉末と樹脂とを混合してシート化した際には、その混合状態によってもシートの磁気特性は大きく変化してしまう。即ち、電磁波抑制シートとして設計・開発・評価する際には、磁性粒子の磁気特性だけの考慮では不足しており、シート状態におけるデバイスそのものの磁気特性を考慮しなければならない。
そこで、本発明の発明者らは、材料設計に加えて、シート状態における保磁力や飽和磁化等の磁気特性の最適化も検討した。
【００２５】
前記特許文献１では、磁性粒子の磁気特性に着目して、磁気特性の良好な磁性粒子を樹脂と混合したシートを構成している。
しかしながら、磁気特性の良い磁性粒子を用いたとしても、樹脂と混合してシート状態にする際に、樹脂と磁性粒子との混合比や樹脂中における磁性粒子の分散状態によって、シートデバイスとしての磁気特性は大きく変化してしまう。そのため、上述したように、磁性粒子の磁気特性だけの考慮では、電磁波抑制シートの詳細な磁気特性の設計は不可能であり、シート状態での磁気特性にも着目して設計することが必要である。
【００２６】
本発明の発明者らは、これらの着目点に留意して、ＧＨｚ帯域に対応した本発明の電磁波抑制シートを発明するに至った。
本発明の電磁波抑制シートは、金属磁性粒子が樹脂中に混合されてシート状に成型されたものである。そして、シート面内方向における１ｋＯｅの外部磁界を印加した際の飽和磁化が０．３５［Ｗｂ／ｍ２］以上であり、かつ、保磁力が３２０［Ａ／ｍ］以上の磁気特性を有する。
【００２７】
電磁波抑制シートの金属磁性粒子の材料としては、例えば、下記の金属磁性材料が挙げられる。
Ｆｅ、Ｃｏ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｒ系合金
これらの金属磁性材料から、１種以上の材料を選んで、金属磁性粒子を構成することができる。
そして、金属磁性粒子としては、より好ましくは、扁平形状又は球状の金属磁性粒子を使用する。扁平形状や球状の金属磁性粒子を使用することにより、所望の磁気特性を得やすくなる。
【００２８】
電磁波抑制シートの樹脂としては、従来の電磁波抑制シートと同様の樹脂を使用することができる。
例えば、アクリル樹脂、シリコーン系樹脂等を使用することができる。
【００２９】
ここで、金属磁性粒子を樹脂と混合した電磁波抑制シートにおける、比透磁率の虚部μr’’の周波数分散特性を、図２に示す。
なお、図２に示す電磁波抑制シートの５種類のサンプル（Ｎｏ．１〜Ｎｏ．５）においては、共に、金属磁性粒子としてＦｅ−Ｓｉ−Ｃｒ合金粉末を用いている。
図２より、ＭＨｚ帯域において最も透磁率特性の大きなサンプルは、Ｎｏ．１のサンプルであるが、ＧＨｚ帯域ではその特性は減少し、５ＧＨｚではμｒ’’は３程度となってしまっていることが分かる。
一方、Ｎｏ．４のサンプルでは、ＭＨｚ帯域におけるμｒ’’はＮｏ．１サンプルと比較すると小さいものの、ＧＨｚ帯域においてもμｒ’’の値を維持しており、５ＧＨｚにおけるμｒ’’は３以上の値（５．５程度）が得られている。
市販の高透磁率特性の電磁波抑制シートは、このＮｏ．１のサンプルよりもＭＨｚ帯域において透磁率が大きなものであり、ＧＨｚ帯域におけるμｒ’’はＮｏ．１のサンプルよりも大きく減衰する。これは、先に説明した図１１からも明らかである。
【００３０】
次に、シート状態にて種々の磁気特性（保磁力、飽和磁化）になるように設計して、電磁波抑制シートのサンプルを作製した。
そして、シートの面内方向における１ｋＯｅの外部磁界を印加した際の飽和磁化Ｍｓ[Ｗｂ／ｍ２]、保磁力Ｈｃ[Ａ／ｍ]を測定した。飽和磁化Ｍｓの測定には東英工業株式会社製の振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を用いて、保磁力Ｈｃの測定には東北特殊鋼株式会社製の自動計測保磁力計を用いた。
また、５ＧＨｚにおける、透磁率の虚部μｒ’’の値を求めた。
シート状態にて測定した、これら保磁力、飽和磁化、μｒ’’の関係を、図３に示す。
図３では、透磁率μｒ’’については、次のように区別して示している。
０≦μｒ’’＜３  ・・・△
３≦μｒ’’＜５  ・・・□
５≦μｒ’’      ・・・○
【００３１】
図３より、シートの飽和磁化及び保磁力が共に大きくなるに伴い、５ＧＨｚにおけるμｒ’’は、大きな値を有することがわかる。
【００３２】
また、同じサンプルの測定値について、積Ｍｓ×Ｈｃ[（Ｗｂ／ｍ２）／（Ａ／ｍ）]の値と５ＧＨｚにおけるμｒ’’との関係を、図４に示す。
図４より、両者の関係は、ほぼ比例関係にあり、積Ｍｓ×Ｈｃの値の増加に伴い、５ＧＨｚにおけるμｒ’’も増加傾向を示すことがわかる。
【００３３】
また、同じサンプルの測定値について、比Ｍｓ／Ｈｃ[（Ｗｂ／ｍ２）／（Ａ／ｍ）]の値と５ＧＨｚにおけるμｒ’’との関係を、図５に示す。
図５より、５ＧＨｚにおけるμｒ’’には、最適なＭｓ／Ｈｃ値が存在することがわかる。これにより、シートにおける飽和磁化Ｍｓ及び保磁力Ｈｃのうちのどちらか一方のみが大きくても、５ＧＨｚにおけるμｒ’’を高めることは難しいことがわかる。即ち、μｒ’’を高めるためには、シート状態における飽和磁化Ｍｓ及び保磁力Ｈｃの両者を考慮しながらの最適設計が必要である。
図５より、比Ｍｓ／Ｈｃの値が０．０００６〜０．０１６[（Ｗｂ／ｍ２）／（Ａ／ｍ）]の範囲内であれば、５ＧＨｚにおけるμｒ’’が３以上と高くなることがわかる。
【００３４】
以上の結果から、本発明の電磁波抑制シートの構成により、５ＧＨｚ帯域において比透磁率の虚部μr’’が３以上を有するＧＨｚ帯域対応した電磁波抑制シートが提供可能であることが分かる。
【００３５】
続いて、図面を参照して、本発明の具体的な実施の形態を説明する。
【００３６】
＜２．電磁波抑制シートの第１の実施の形態＞
本発明の電磁波抑制シートの第１の実施の形態の概略構成図（断面図）を、図１に示す。
本実施の形態では、図１に示すように、金属磁性粒子１を、樹脂２中に混合して、電磁波抑制シート１０を構成している。
【００３７】
金属磁性粒子１を構成する金属磁性材料としては、前述した金属磁性材料を使用することができる。
即ち、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ系合金、Ｆｅ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｒ系合金から選ばれる、１種以上の金属磁性材料を使用することができる。
【００３８】
樹脂２としては、従来の電磁波抑制シートと同様の樹脂を使用することができる。
即ち、例えば、前述した、アクリル樹脂、シリコーン系樹脂等を使用することができる。
【００３９】
図１に示すように、本実施の形態では、扁平形状の金属磁性粒子１を使用している。
なお、扁平形状の金属磁性粒子１の代わりに、その他の形状の金属磁性粒子、例えば、球状の金属磁性粒子を使用することも可能である。
扁平形状の金属磁性粒子１を使用することにより、樹脂２中の金属磁性粒子１の充填率を高めることができる。
【００４０】
そして、本実施の形態の電磁波抑制シート１０では、シート面内方向における１ｋＯｅの外部磁界を印加した際の飽和磁化が０．３５［Ｗｂ／ｍ２］以上であり、かつ、保磁力が３２０［Ａ／ｍ］以上の磁気特性を有する構成とする。
電磁波抑制シート１０がこのような磁気特性を有するように、金属磁性粒子１の材料や形状、金属磁性粒子１の樹脂２への混合量を選定する。
【００４１】
図１に示す電磁波抑制シート１０は、例えば、以下のようにして、製造することができる。
金属磁性粒子１として、例えば、粒子の厚みが約１μｍであり、粒子の面径サイズが約２４μｍである、扁平形状のＦｅ−Ｃｒ−Ｓｉ合金粉末を使用する。
また、樹脂２として、例えば、アクリル樹脂を使用して、硬化剤を添加する。
さらに、これらに加えて、金属磁性粒子１の混合分散性を向上させるために、追加溶媒として、例えばトルエンを用いる。
そして、例えば、金属磁性粒子１、樹脂２、硬化剤、追加溶媒を、それぞれ、４８．１ｗｔ％、４４．８ｗｔ％、０．６ｗｔ％、６．４ｗｔ％の割合で混合し、攪拌する。
次に、これらの混合物を、シート形状に塗布する。
続いて、８０℃での予備乾燥処理を経て、１２０℃で熱硬化処理を施す。
最後に、シートにプレス処理（例えば、１７０℃、０．０１６ＭＰａ／ｃｍ２）を与えることにより、所望の厚みの電磁波抑制シート１０を製造することができる。
【００４２】
上述した製造方法は、電磁波抑制シートの製造方法の一例であり、本発明の電磁波抑制シートを得る製造方法は、この方法に限定されるものではない。
例えば、金属磁性粒子１のサイズや、金属磁性粒子１、樹脂２、硬化剤、追加溶媒の混合割合は、本発明の電磁波抑制シートの特性を満たす範囲であれば、特に限定されるものではない。
【００４３】
上述の本実施の形態の電磁波抑制シート１０の構成によれば、シート面内方向における１ｋＯｅの外部磁界を印加した際の飽和磁化が０．３５［Ｗｂ／ｍ２］以上であり、かつ、保磁力が３２０［Ａ／ｍ］以上の磁気特性を有する。これにより、図２〜図３を参照して説明したように、電磁波抑制シート１０の５ＧＨｚにおける比透磁率の虚部の値を、３以上と大きくすることができる。
従って、ＧＨｚ帯においても充分な電磁波抑制効果を発揮させることが可能になる。
【００４４】
上述した第１の実施の形態では、金属磁性粒子１と樹脂２とから、電磁波抑制シート１０を構成したが、本発明の電磁波抑制シートにおいては、樹脂中に非磁性の導電性粒子等、その他の粒子を混合しても構わない。この場合の実施の形態を、以下に示す。
【００４５】
＜３．電磁波抑制シートの第２の実施の形態＞
本発明の電磁波抑制シートの第２の実施の形態の概略構成図（断面図）を、図６に示す。
本実施の形態では、図６に示すように、金属磁性粒子１と、非磁性の導電性材料から成る導電性粒子３とを、樹脂２中に混合して、電磁波抑制シート２０を構成している。
導電性粒子３を構成する導電性材料としては、例えば、カーボンや、導電性高分子等を使用することができる。
【００４６】
本実施の形態では、導電性粒子３も、扁平形状の粒子を使用している。
なお、扁平形状の導電性粒子３の代わりに、その他の形状の導電性粒子、例えば、球状の導電性粒子を使用することも可能である。
扁平形状の導電性粒子３を使用することにより、樹脂２中の導電性粒子３の充填率を高めることができる。
【００４７】
そして、本実施の形態の電磁波抑制シート２０では、シート面内方向における１ｋＯｅの外部磁界を印加した際の飽和磁化が０．３５［Ｗｂ／ｍ２］以上であり、かつ、保磁力が３２０［Ａ／ｍ］以上の磁気特性を有する構成とする。
電磁波抑制シート２０がこのような磁気特性を有するように、金属磁性粒子１の材料や形状、金属磁性粒子１の樹脂２への混合量を選定する。
【００４８】
その他の構成は、第１の実施の形態の電磁波抑制シート１０と同様であるので、重複説明を省略する。
【００４９】
上述の本実施の形態の電磁波抑制シート２０の構成によれば、シート面内方向における１ｋＯｅの外部磁界を印加した際の飽和磁化が０．３５［Ｗｂ／ｍ２］以上であり、かつ、保磁力が３２０［Ａ／ｍ］以上の磁気特性を有する。これにより、第１の実施の形態の電磁波抑制シート１０と同様に、電磁波抑制シート２０の５ＧＨｚにおける比透磁率の虚部の値を、３以上と大きくすることができる。
【００５０】
また、本実施の形態の電磁波抑制シート２０では、特に、導電性粒子３を樹脂２に混合していることによって、前記式（１）からもわかるように、誘電率の虚部ε’’が増大する。
これにより、電磁波の電界成分も抑制することが可能となり、より優れた電磁波抑制シートを提供することができる。
【００５１】
＜４．電磁波抑制シートの第３の実施の形態＞
本発明の電磁波抑制シートの第３の実施の形態の概略構成図（断面図）を、図７に示す。
本実施の形態では、図７に示すように、金属磁性粒子１を樹脂２に混合した第１の層２１と、導電性粒子３を樹脂２に混合した第２の層２２と、金属磁性粒子１を樹脂２に混合した第３の層２３とを積層した構造の電磁波抑制シート３０を構成している。
導電性粒子３の導電性材料としては、先の第２の実施の形態と同様に、例えば、カーボンや、導電性高分子等を使用することができる。
【００５２】
そして、本実施の形態の電磁波抑制シート３０では、シート３０全体において、シート面内方向における１ｋＯｅの外部磁界を印加した際の飽和磁化が０．３５［Ｗｂ／ｍ２］以上であり、かつ、保磁力が３２０［Ａ／ｍ］以上の磁気特性を有する構成とする。
電磁波抑制シート３０全体がこのような磁気特性を有するように、金属磁性粒子１の材料や形状、金属磁性粒子１の樹脂２への混合量を選定する。
【００５３】
上述の本実施の形態の電磁波抑制シート３０の構成によれば、金属磁性粒子１を樹脂２中に混合した第１の層２１及び第３の層２３によって、電磁波抑制効果が得られる。そして、シート３０全体のシート面内方向における１ｋＯｅの外部磁界を印加した際の飽和磁化が０．３５［Ｗｂ／ｍ２］以上であり、かつ、保磁力が３２０［Ａ／ｍ］以上の磁気特性を有する。これにより、先の各実施の形態の電磁波抑制シート１０，２０と同様に、電磁波抑制シート２０の５ＧＨｚにおける比透磁率の虚部の値を、３以上と大きくすることができる。
【００５４】
また、導電性粒子３を樹脂２に混合した第２の層２２によって、第２の実施の形態の電磁波抑制シート２０と同様に、誘電率の虚部ε’’が増大するため、電磁波の電界成分も抑制することが可能となる。
従って、より優れた電磁波抑制シートを提供することができる。
【００５５】
＜５．デバイスの実施の形態＞
本発明のデバイスの実施の形態の概略構成図を、図８Ａ〜図８Ｃに示す。
図８Ａ〜図８Ｃに示すいずれの場合も、ＩＣチップ等の集積回路素子のパッケージ４１の上面に、図１に示した本発明の電磁波抑制シート１０を貼り付けて、一体化したデバイスを構成している。
図８Ａでは、集積回路素子のパッケージ４１の上面の一部に電磁波抑制シート１０を貼り付けて、デバイスを構成している。
図８Ｂでは、集積回路素子のパッケージ４１の上面全体に電磁波抑制シート１０を貼り付けて、デバイスを構成している。
図８Ｃでは、集積回路素子のパッケージ４１の上面よりも広い面積を有する電磁波抑制シート１０を貼り付けて、デバイスを構成している。
【００５６】
集積回路素子のパッケージ４１の上面に電磁波抑制シート１０を貼り付けて、一体化したデバイスを構成しているので、この一体化したデバイスの状態で流通させることも可能である。そして、集積回路素子を使用して電子機器を製造するメーカーに、部品として、このデバイスを販売することも可能である。
このデバイスは、電磁波抑制シート１０がＧＨｚ帯域における充分な電磁波抑制効果を有するので、特に集積回路素子の駆動周波数がＧＨｚ帯域である場合に、好適である。
【００５７】
なお、図８に示した実施の形態では、いずれもパッケージ４１の上面に電磁波抑制シート１０を貼り付けていた。
この他にも、例えば、電磁波抑制シートを、パッケージの下面に貼り付けたり、パッケージの上面及び下面にそれぞれ貼り付けたりして、デバイスを構成することも可能である。
【００５８】
＜６．電子機器の実施の形態＞
本発明の電子機器の実施の形態として、ビデオカメラの概略斜視図を、図９に示す。
図９に示すように、このビデオカメラ５０は、電子部品が実装されたＡ基板（プリント配線基板）５１Ａと、電子部品が実装されたＢ基板（プリント配線基板）５１Ｂとを内蔵し、更にモニタ画面５２を具備している。
【００５９】
このビデオカメラ５０の要部の斜視図を、図１０に示す。
図１０に示すように、図１に示した本発明の電磁波抑制シート１０を、Ａ基板５１ＡとＢ基板５１Ｂとを電気的に接続する配線を形成したフレキシブル配線基板５３を挟持する状態で配置している。また、電磁波抑制シート１０を、Ｂ基板５１Ｂ上に実装されたＩＣチップ（集積回路素子）５５の上面に貼り付けて配置している。
なお、図１０に示すＡ基板５１ＡのＩＣチップ５５の上面や、Ｂ基板５１Ｂ上の配線５４の近傍にも、さらに、本発明の電磁波抑制シートを配置することが可能である。
【００６０】
本実施の形態のように、ＩＣチップ（集積回路素子）５５や配線５３，５４の近傍に、電磁波抑制シート１０を配置することにより、ＩＣチップ５５や配線５３，５４から発生する電磁波の放射を抑制することができる。
電磁波抑制シート１０がＧＨｚ帯域における充分な電磁波抑制効果を有するので、特にＩＣチップ５５の駆動周波数がＧＨｚ帯域である場合に、好適である。
【００６１】
このように、本発明の電磁波抑制シート１０を、内的な電磁波の発生部位と、外的な電磁波の作用部位との少なくとも一方に設けることにより、電子機器に対する電磁波の影響、或いは、電子機器からの電磁波の影響を、最小限に抑制することができる。
これにより、電磁気的両立性を有し、安定して動作する信頼性の高い電子機器を実現することができる。
【００６２】
上述のデバイスの実施の形態及び電子機器の実施の形態では、図１に示した電磁波抑制シート１０を使用していた。
図１に示した電磁波抑制シート１０の代わりに、図６及び図７に示した電磁波抑制シート２０，３０や、本発明の電磁波抑制シートのその他の構成を使用しても、同様に、本発明のデバイスや本発明の電子機器を構成することができる。
【００６３】
本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
【図面の簡単な説明】
【００６４】
【図１】本発明の電磁波抑制シートの第１の実施の形態の概略構成図（断面図）である。
【図２】電磁波抑制シートの比透磁率の虚部μr’’の周波数分散特性を示す図である。
【図３】電磁波抑制シートのサンプルの保磁力、飽和磁化、μｒ’’の関係を示す図である。
【図４】図３と同じサンプルの積Ｍｓ×Ｈｃの値と５ＧＨｚにおけるμｒ’’との関係を示す図である。
【図５】図３と同じサンプルの比Ｍｓ／Ｈｃの値と５ＧＨｚにおけるμｒ’’との関係を示す図である。
【図６】本発明の電磁波抑制シートの第２の実施の形態の概略構成図（断面図）である。
【図７】本発明の電磁波抑制シートの第３の実施の形態の概略構成図（断面図）である。
【図８】Ａ〜Ｃ  本発明のデバイスの実施の形態の概略構成図である。
【図９】本発明の電子機器の実施の形態のビデオカメラの概略斜視図である。
【図１０】図９のビデオカメラの要部の斜視図である。
【図１１】市販の電磁波抑制シートの透磁率測定結果を示す図である。
【符号の説明】
【００６５】
１  磁性粒子、２  樹脂、３  導電性粒子、１０，２０，３０  電磁波抑制シート、２１  第１の層、２２  第２の層、３３  第３の層、４１  集積回路素子のパッケージ、５０  ビデオカメラ、５２  モニタ画面、５３  フレキシブル配線基板、５５  ＩＣチップ（集積回路素子）
【図１】
2010135701.tif 000005
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2010135701.tif 000009
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【手続補正書】
【提出日】平成22年1月22日(2010.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、同じサンプルの測定値について、積Ｍｓ×Ｈｃ[（Ｗｂ／ｍ２）×（Ａ／ｍ）]の値と５ＧＨｚにおけるμｒ’’との関係を、図４に示す。
図４より、両者の関係は、ほぼ比例関係にあり、積Ｍｓ×Ｈｃの値の増加に伴い、５ＧＨｚにおけるμｒ’’も増加傾向を示すことがわかる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
また、同じサンプルの測定値について、比Ｍｓ／Ｈｃ[（Ｗｂ／ｍ２）／（Ａ／ｍ）]の値と５ＧＨｚにおけるμｒ’’との関係を、図５に示す。
図５より、５ＧＨｚにおけるμｒ’’には、最適なＭｓ／Ｈｃ値が存在することがわかる。これにより、シートにおける飽和磁化Ｍｓ及び保磁力Ｈｃのうちのどちらか一方のみが大きくても、５ＧＨｚにおけるμｒ’’を高めることは難しいことがわかる。即ち、μｒ’’を高めるためには、シート状態における飽和磁化Ｍｓ及び保磁力Ｈｃの両者を考慮しながらの最適設計が必要である。
図５より、比Ｍｓ／Ｈｃの値が０．０００６〜０．０１６[（Ｗｂ／ｍ２）／（Ａ／ｍ）]の範囲内であれば、５ＧＨｚにおけるμｒ’’が３以上と高くなることがわかる。