【手続補正書】
【提出日】平成16年12月24日(2004.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
（Ｌａｍｂｅｒｔの法則）により求められる。ただしα（ν）＝（ＩA−ＩO）／Ｉaは観測される光吸収率である。スペクトル線は種々の原因で広がりを持つが、赤外〜紫外の波長領域のスペルトル線を低圧力（＜１３３Ｐａ（１  Ｔｏｒｒ））で観測する場合には、分子の熱運動に起因するドップラー広がりの寄与が最も大きい。このとき、吸収スペクトルは次のガウス型のプロファイルを有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
（実験結果）
図８にチャンバ内圧力のアブレーション時間依存性を示す。レーザー光を照射してから３０  ｓｅｃまで、圧力は増加しなかった。これは、ターゲットが充分に加熱されていないためと考えられる。圧力はアブレーション時間２  ｍｉｎで０．７  Ｐａまで上昇し、飽和した。その後、圧力はアブレーション時間５  ｍｉｎまでほぼ一定であった。これより、ラジカルの安定供給が可能であることがわかる。ラジカル流量は、チャンバ内圧力および排気速度から計算した。排気速度は、Ａｒガス  ３．３３×１０−７ｍ３／ｓ（２０ｓｃｃｍ）、圧力０．４  Ｐａの条件で見積もった。図９にラジカル流量のＣＯ2レーザーパワーおよびターゲット回転速度依存性を示す。レーザーパワー２０  Ｗ以下では、アブレーションされないことが分かった。その後、レーザーパワーの増加に伴い、ラジカル流量は増加した。また、ターゲット回転速度が速いほどラジカル流量は低下することが判明した。これより、ラジカル流量は、ＣＯ2レーザーパワーおよびターゲット回転速度により制御可能であるといえる。図１０にＱＭＳスペクトルを示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
本ラジカル供給源を用いたＥＣＲプラズマにより、Ｓｉ０2／Ｓｉ選択エッチングを試みた。図１２にエッチング特性のマイクロ波パワー依存性を示す。マイクロ波パワーの増加に伴い、ＳｉＯ2およびＳｉのエッチング速度は増加した。選択比（ＳｉＯ2／Ｓｉ）は、３であった。同じ条件で、従来のＥＣＲ  Ｃ4Ｆ8プラズマを用いたときのエッチング特性も調べた。その結果、本ラジカル供給源を用いた場合のエッチング特性は、従来のＥＣＲ  Ｃ4Ｆ8プラズマを用いたときと同等以上の特性が得られることが判明した。図１３に本システムを用いて加工したコンタクトホールのＳＥＭ像を示す。これより、異方性エッチングが実現されていることが判明した。図１４にエッチング特性のＨ2流量依存性を示す。Ｈ2流量の増加に伴い、ＳｉＯ2およびＳｉのエッチング速度は減少した。Ｈ2流量  ８．３３×１０−７ｍ３／ｓ（５０ｓｃｃｍ）の時、ＳｉＯ2のみエッチングされ、Ｓｉはエッチングされず高選択比が得られた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９５】
そこで、ＰＶＤＦアブレーションを利用したＥＣＲプラズマを用いて、ＳｉＯ2／Ｓｉ選択エッチングを試みた。その結果、ＳｉＯ2、Ｓｉともにエッチングされず、フルオロカーボン膜が堆積した。そこで、膜堆積を抑制するため、Ａｒ希釈によりエッチング特性を調べた。図２０にエッチング特性のＡｒ流量依存性を示す。低希釈率（Ａｒ流量  ２．８３×１０−７ｍ３／ｓ（１７ｓｃｃｍ））の時、ＳｉＯ2、Ｓｉともにエッチングされず、フルオロカーボン膜が堆積した。Ａｒ流量  ６．６７×１０−７ｍ３／ｓ（４０ｓｃｃｍ）の条件では、ＳｉＯ2、Ｓｉともにエッチングされ、エッチング速度はそれぞれ９０  ｎｍ／ｍｉｎ、５０  ｎｍ／ｍｉｎであった。しかしながら選択比としては、＜２と低い結果が得られた。さらにＡｒ流量を増加させると、Ｓｉのエッチング速度はほぼ一定（５０  ｎｍ／ｍｉｎ）であった。一方、ＳｉＯ2のエッチング速度は、２００  ｎｍ／ｍｉｎまで増加し、Ａｒ流量  １．３３×１０−６ｍ３／ｓ（８０ｓｃｃｍ）のとき選択比５が得られた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
（実験結果）
図２９にアブレーション速度のＹＡＧレーザーのエネルギー密度依存性を示す。ＰＴＦＥはエネルギー密度７  Ｊ／ｃｍ2以上でアブレーションされることが判明した。アブレーション速度は、ＹＡＧレーザーのエネルギー密度の増加に伴い増加した。そして、ＹＡＧレーザーのエネルギー密度が４０  Ｊ／ｃｍ2以上では飽和傾向示した。その時のアブレーション速度は、１４０ｍｍ／ｍｉｎであった。さらにＰＴＦＥアブレーションにより生成されたＣＦx（ｘ＝１〜３）ラジカル密度をＩＲＬＡＳを用いて測定した。図３０にＣＦ2ラジカル密度およびチャンバ内圧力のＹＡＧレーザーのエネルギー密度依存性を示す。エネルギー密度５０  Ｊ／ｃｍ2、圧力０．３３  Ｐａで、ＣＦ２ラジカル密度は、１．１×１０13ｃｍ-3であった。一方、ＣＦ、ＣＦ３ラジカル密度は、１×１０11ｃｍ-3以下であった。従って、ＣＦ２ラジカルが効率よく生成されていることが判明した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2003260334.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2003260334.tif 000002
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2003260334.tif 000003
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2003260334.tif 000004
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
2003260334.tif 000005
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１９】
2003260334.tif 000006
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２０】
2003260334.tif 000007
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２３】
2003260334.tif 000008
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２５】
2003260334.tif 000009
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２６】
2003260334.tif 000010
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２７】
2003260334.tif 000011
【手続補正１７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３１】
2003260334.tif 000012
【手続補正１８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３２】
2003260334.tif 000013
【手続補正１９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３３】
2003260334.tif 000014
【手続補正２０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３４】
2003260334.tif 000015
【手続補正２１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３５】
2003260334.tif 000016
【手続補正２２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３６】
2003260334.tif 000017