【手続補正書】
【提出日】平成17年9月12日(2005.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】窒化物半導体基板およびその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成長基板に窒化物半導体よりなる種結晶層を備えた窒化物半導体基板であって、
前記種結晶層に縞状の開口部が設けられていると共に、前記縞状の開口部が、所定の幅を有する第１の開口と、この第１の開口よりも広い幅を有する第２の開口とにより構成されている
ことを特徴とする窒化物半導体基板。
【請求項２】
更に、前記種結晶層を基礎として成長させた窒化物半導体よりなる結晶層を備えた
ことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体基板。
【請求項３】
前記結晶層は、前記第２の開口に対応して空間部を有し、かつ表面が平坦である
ことを特徴とする請求項２記載の窒化物半導体基板。
【請求項４】
素子の形成に用いられ、
前記素子の横方向における側面位置が前記第２の開口に対応するように、前記第１の開口および前記第２の開口が配列されている
ことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体基板。
【請求項５】
前記第２の開口の幅は５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体基板。
【請求項６】
更に、前記種結晶層に、前記縞状の開口部を囲むように、前記第１の開口よりも広い幅を有する環状の開口部が設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体基板。
【請求項７】
成長基板に窒化物半導体よりなる種結晶層を備えた窒化物半導体基板であって、
前記種結晶層に、縞状の開口部が設けられていると共に、この縞状の開口部を囲むように環状の開口部が設けられており、
前記環状の開口部の幅が、前記縞状の開口部を構成している開口の幅よりも広い
ことを特徴とする窒化物半導体基板。
【請求項８】
更に、前記種結晶層を基礎として成長させた窒化物半導体よりなる結晶層を備えた
ことを特徴とする請求項７記載の窒化物半導体基板。
【請求項９】
前記結晶層は、前記環状の開口部に対応して空間部を有し、かつ表面が平坦である
ことを特徴とする請求項８記載の窒化物半導体基板。
【請求項１０】
前記環状の開口部の幅は５０μｍ以下であることを特徴とする請求項７記載の窒化物半導体基板。
【請求項１１】
前記縞状の開口部は、所定の幅を有する第１の開口と、この第１の開口よりも広い幅を有する第２の開口とにより構成されており、
前記環状の開口部の幅は、前記第１の開口の幅よりも広い
ことを特徴とする請求項７記載の窒化物半導体基板。
【請求項１２】
成長基板に窒化物半導体よりなる種結晶層を備えた窒化物半導体基板の製造方法であって、
前記種結晶層に、所定の幅を有する第１の開口と、この第１の開口よりも広い幅を有する第２の開口とにより構成された縞状の開口部を形成する工程を含む
ことを特徴とする窒化物半導基板の製造方法。
【請求項１３】
更に、前記種結晶層を基礎として窒化物半導体よりなる結晶層を成長させる工程を含む  ことを特徴とする請求項１２記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項１４】
前記第２の開口に対応して空間部が設けられ、かつ表面が平坦となるように、前記結晶層を形成する
ことを特徴とする請求項１３記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項１５】
素子の形成に用いられ、
前記素子の横方向における側面位置が前記第２の開口に対応するように、前記第１の開口および前記第２の開口を配列させることにより、前記縞状の開口部を形成する
ことを特徴とする請求項１２記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項１６】
前記第２の開口の幅を５０μｍ以下とする
ことを特徴とする請求項１２記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項１７】
更に、前記縞状の開口部を囲むように、前記第１の開口よりも広い幅を有する環状の開口部を形成する工程を含む
ことを特徴とする請求項１２記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項１８】
成長基板に窒化物半導体よりなる種結晶層を備えた窒化物半導体基板の製造方法であって、
前記種結晶層に、縞状の開口部を形成すると共に、前記縞状の開口部を囲むように、前記縞状の開口部を構成する開口よりも広い幅を有する環状の開口部を形成する工程を含む  ことを特徴とする窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項１９】
更に、前記種結晶層を基礎として窒化物半導体よりなる結晶層を成長させる工程を含む  ことを特徴とする請求項１８記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項２０】
前記環状の開口部に対応して空間部が設けられ、かつ表面が平坦となるように、前記結晶層を形成する
ことを特徴とする請求項１９記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項２１】
前記環状の開口部の幅を５０μｍ以下とすることを特徴とする請求項１８記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項２２】
前記縞状の開口部を、所定の幅を有する第１の開口と、この第１の開口よりも広い幅を有する第２の開口とにより構成し、かつ前記環状の開口部の幅が前記第１の開口の幅よりも広くなるようにする
ことを特徴とする請求項１８記載の窒化物半導体基板の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、成長基板に窒化物半導体よりなる種結晶層を備えた窒化物半導体基板およびその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、クラックの発生を抑制することができ、歩留りの向上を図ることが可能な窒化物半導体基板およびその製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明による第１の窒化物半導体基板の製造方法では、種結晶層に、所定の幅を有する第１の開口と、この第１の開口よりも広い幅を有する第２の開口とにより構成される縞状の開口部が形成される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明による第２の窒化物半導体基板の製造方法では、種結晶層に、縞状の開口部と、この縞状の開口部を囲むように、この縞状の開口部を構成する開口よりも広い幅を有する環状の開口部が形成される。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
【発明の効果】
以上説明したように請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板、または請求項１２ないし請求項１７のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板の製造方法によれば、種結晶層に、所定の幅を有する第１の開口よりも広い幅を有する第２の開口を設けるようにしたので、第２の開口によって、種結晶層上に形成される結晶層の内部応力が分散される。従って、結晶層にクラックが発生することを抑制することができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
特に、請求項３記載の窒化物半導体基板、または請求項１４記載の窒化物半導体基板の製造方法によれば、結晶層に第２の開口に対応して空間部を設けるようにしたので、例えばクラックが発生したとしても、空間部においてクラックの伝播を抑止することができる。よって、クラックが少なく、素子寿命および信頼性に優れた窒化物半導体素子を効率よく製造することができ、歩留まりを向上させることができる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
また特に、請求項４記載の窒化物半導体基板、または請求項１５記載の窒化物半導体基板の製造方法によれば、素子の横方向における側面が第２の開口に対応するように、第１の開口および第２の開口を配列させるようにしたので、結晶層を第２の開口に対応した領域で会合しないように成長させて空間部を形成するようにすれば、素子は空間部において自発的に分離される。よって、その空間部で劈開（ペレタイズ）すれば、従来のように基板上に形成された各層を劈開する必要がなく、基板のみを劈開すればよいので、作業性、更には生産性を向上させることができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
また、請求項７ないし請求項１１のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板、または請求項１８ないし請求項２２のいずれか１項に記載の窒化物半導体基板の製造方法によれば、縞状の開口部を囲むように、縞状の開口部を構成する開口よりも広い幅を有する環状の開口部を設けるようにしたので、環状の開口部により種結晶層上に形成される結晶層の内部応力が分散され、結晶層にクラックが発生することを抑制することができる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
特に、請求項９記載の窒化物半導体基板、または請求項２０記載の窒化物半導体基板の製造方法によれば、結晶層に、環状の開口部に対応した空間部を設けるようにしたので、例えば外周部でクラックが発生したとしても、空間部において、空間部の内側にクラックが伝播することを抑止することができる。よって、空間部の内側に対応した領域に素子を形成すれば、クラックが少なく、素子寿命および信頼性に優れた窒化物半導体素子を効率よく製造することができ、歩留まりを向上させることができる。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】削除
【補正の内容】