【手続補正書】
【提出日】平成17年1月20日(2005.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１クラッド層と、前記第１クラッド層上に設けられ、電流を注入するための除去部を有する第２導電型の電流阻止層と、前記除去部を覆うように設けられた第１導電型の第２クラッド層とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、
前記第１クラッド層の前記除去部に面した部分の不純物密度が、前記電流阻止層の不純物密度より大きく設定されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項２】
第１導電型の第１クラッド層と、前記第１クラッド層上に設けられ、電流を注入するための除去部を有する第２導電型の電流阻止層と、前記除去部を覆うように設けられた第１導電型の第２クラッド層とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、
前記除去部を除いた前記電流阻止層の表面層が、第１導電型を示す不純物を含んでなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項３】
前記第１クラッド層がＡｌxＩｎyＧａzＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ｘ≦０．１，０≦ｙ＜１，ｚ≠０）からなることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項４】
前記第１クラッド層が、前記第２クラッド層の結晶成長前処理温度での蒸発量が前記電流阻止層より多くなるように選択された材料であることを特徴とする請求項３に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項５】
前記電流阻止層が、ＡｌwＧａ1-wＮ（０≦ｗ≦０．２）からなり、ｗは前記第１クラッド層のＡｌの組成より大きいことを特徴とする請求項４に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項６】
前記第２クラッド層の不純物密度が、前記第１クラッド層の不純物密度と同等である、またはより大きいことを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項７】
前記除去部を除いた前記電流阻止層の表面層が、Ｉｎを含んでなることを特徴とする請求項２に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項８】
第１導電型の第１クラッド層と、前記第１クラッド層上に設けられ、電流を注入するための除去部を有する第２導電型の電流阻止層と、前記除去部を覆うように設けられた第１導電型の第２クラッド層とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、
前記第１クラッド層の前記除去部に面した部分が、ＩｎpＡｌqＧａ1-p-qＮ（０≦ｐ，０≦ｑ≦０．１，ｐ＋ｑ＜１）であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項９】
前記電流阻止層が、ＡｌwＧａ1-wＮ（０≦ｗ≦０．２）からなり、ｗは前記第１クラッド層のＡｌの組成より大きいことを特徴とする請求項８に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項１０】
基板上に第１導電型の第１クラッド層と第２導電型の電流阻止層とを積層する工程と、
前記電流阻止層の一部領域を除去して前記第１クラッド層を露出すると共に除去部を形成する工程と、
前記電流阻止層の表面から脱離して再び前記除去部の前記第１クラッド層に再堆積する量より前記除去部の前記第１クラッド層から脱離する量が多くなるように基板温度と前記除去部の前記第１クラッド層と前記電流阻止層とを設定する工程と、
前記除去部を覆うように第１導電型の第２クラッド層を形成する工程と、を含むことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第１導電型の第１クラッド層と、この第１クラッド層上に設けられ、電流を注入するための除去部を有する第２導電型の電流阻止層と、上記除去部を覆うように設けられた第１導電型の第２クラッド層とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、上記第１クラッド層の不純物密度が、上記電流阻止層の不純物密度より大きく設定されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明は、第１導電型の第１クラッド層と、この第１クラッド層上に設けられ、電流を注入するための除去部を有する第２導電型の電流阻止層と、上記除去部を覆うように設けられた第１導電型の第２クラッド層とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、上記除去部を除いた上記電流阻止層の表面層が、第１導電型を示す不純物を含んでなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明にかかる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、上記第１クラッド層をＡｌxＩｎyＧａzＮ（ｘ＋ｙ＋ｚ＝１，０≦ｘ≦０．１，０≦ｙ＜１，ｚ≠０）からなるものとすることができる。さらに、上記第１クラッド層を、上記第２クラッド層の結晶成長前処理温度での蒸発量が上記電流阻止層より多くなるように選択された材料とすることができる。さらに、上記電流阻止層を、ＡｌwＧａ1-wＮ（０≦ｗ≦０．２）からなり、ｗは第１クラッド層のＡｌの組成より大きくすることができる。また、上記第２クラッド層の不純物密度を、上記第１クラッド層の不純物密度と同等、またはより大きくすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明にかかる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、上記除去部を除いた上記電流阻止層の表面層を、Ｉｎを含んでなるものとすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、第１導電型の第１クラッド層と、この第１クラッド層上に設けられ、電流を注入するための除去部を有する第２導電型の電流阻止層と、上記除去部を覆うように設けられた第１導電型の第２クラッド層とを備えた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、上記第１クラッド層の上記除去部に面した部分がＩｎpＡｌqＧａ1-p-qＮ（０≦ｐ，０≦ｑ≦０．１，ｐ＋ｑ＜１）であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明にかかる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、上記電流阻止層を、ＡｌwＧａ1-wＮ（０≦ｗ≦０．２）からなり、ｗは上記第１クラッド層のＡｌの組成より大きくすることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明は、基板上に第１導電型の第１クラッド層と第２導電型の電流阻止層とを積層する工程と、この電流阻止層の一部領域を除去して第１クラッド層を露出すると共に除去部を形成する工程と、上記電流阻止層の表面から脱離して再び上記除去部の第１クラッド層に再堆積する量より上記除去部の第１クラッド層から脱離する量が多くなるように基板温度と上記除去部の第１クラッド層と上記電流阻止層とを設定する工程と、上記除去部を覆うように第１導電型の第２クラッド層を形成する工程と、を含むことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
最後に、通常のフォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術によりウェハーの一部にエッチングを施し、下部クラッド層２０３を露出させ、その上にｎ型電極２１１を形成し、コンタクト層２１０上にｐ型電極２１２を形成する。レーザ用共振器ミラーは下部クラッド層２０３を露出させる際のエッチングにより同時に垂直面を形成し、レーザ素子とした（図５（２））。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本実施の形態においては、再成長前にアンモニア分子線中で８５０℃で１０分間ウェハーを保持した。この時、ウェハー表面を構成する電流阻止表面層２０８、ストライプ溝２２０底面の上部第１クラッド表面層２０６、側面を露出している電流阻止層２０７が再蒸発し、その一部がストライプ溝２２０底面に再堆積して再堆積層２２１を形成する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
（実施の形態５）
図７は、本実施の形態の半導体レーザ素子の断面構造の模式図である。本実施の形態の素子は、実施の形態２の素子と同様の構造であるが、電流阻止層２０７の電流阻止表面層２０８の主たる不純物を上部第１クラッド表面層２０６と同一導電型の不純物密度を大きくするための手法のみが異なっている。なお、図７では、図２と同一部材には同一符号を付しており、特にことわらない限り不純物濃度も同じである。