Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月8日(2004.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アッシング方法及びアッシング装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板の表面のアッシングを行うダウンフローアッシング装置を用いたアッシング方法であって、
その表面にポリイミド膜及びレジストが順次形成された前記被処理基板を前記ダウンフローアッシング装置の処理室に導入する工程と、
前記ダウンフローアッシング装置のプラズマ発生部にＯ2とＦ原子を含むガスとにより構成される反応ガスを導入してこれをプラズマ化し、前記プラズマ化したガスを前記被処理基板上にダウンフローして、前記レジストをマスクにして前記ポリイミド膜をアッシングする工程とを有し、
前記反応ガスにおいて、前記Ｆ原子を含むガスの割合を０．１ｖｏｌ％以上２．５ｖｏｌ％以下とすることを特徴とするアッシング方法。
【請求項２】
前記Ｆ原子を含むガスは、ＣＦ4であることを特徴とする請求項１記載のアッシング方法。
【請求項３】
前記Ｆ原子を含むガスは、ＮＦ3であることを特徴とする請求項１記載のアッシング方法。
【請求項４】
反応ガスをプラズマ化するプラズマ発生部と、
前記プラズマ発生部と分離されているとともに、前記プラズマ発生部で生成されたプラズマをその表面にポリイミド膜及びレジストが順次形成された被処理基板の表面にダウンフローしてアッシング処理する処理室とを備えたダウンフローアッシング装置において、
Ｏ2とＦ原子を含むガスとにより構成される反応ガスであって該Ｆ原子を含むガスの割合を０．１ｖｏｌ％以上２．５ｖｏｌ％以下とする反応ガスに基づいてプラズマ化されたガスを前記被処理基板にダウンフローして、前記レジストをマスクにして前記ポリイミド膜をアッシングすることを特徴とするダウンフローアッシング装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記した課題は、被処理基板の表面のアッシングを行うダウンフローアッシング装置を用いたアッシング方法であって、その表面にポリイミド膜及びレジストが順次形成された前記被処理基板を前記ダウンフローアッシング装置の処理室に導入する工程と、前記ダウンフローアッシング装置のプラズマ発生部にＯ2とＦ原子を含むガスとにより構成される反応ガスを導入してこれをプラズマ化し、前記プラズマ化したガスを前記被処理基板上にダウンフローして、前記レジストをマスクにして前記ポリイミド膜をアッシングする工程と有し、前記反応ガスにおいて、前記Ｆ原子を含むガスの割合を０．１ｖｏｌ％以上２．５ｖｏｌ％以下とすることを特徴とするアッシング方法により解決する。
また、上記した課題は、反応ガスをプラズマ化するプラズマ発生部と、前記プラズマ発生部と分離されているとともに、前記プラズマ発生部で生成されたプラズマをその表面にポリイミド膜及びレジストが順次形成された被処理基板の表面にダウンフローしてアッシング処理する処理室とを備えたダウンフローアッシング装置において、Ｏ2とＦ原子を含むガスとにより構成される反応ガスであって該Ｆ原子を含むガスの割合を０．１ｖｏｌ％以上２．５ｖｏｌ％以下とする反応ガスに基づいてプラズマ化されたガスを前記被処理基板にダウンフローして、前記レジストをマスクにして前記ポリイミド膜をアッシングすることを特徴とするダウンフローアッシング装置により解決する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月30日(2004.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空用チャンバーと、
この真空用チャンバーの内部の空気を排気する真空排気手段と、
凸状に湾曲した表面を有する電極と、
前記電極上に載置された被処理基板を、その外周端部を押圧して前記電極の表面に押し付けるクランプリングと、
前記被処理基板と前記電極との間にガスを充満させるガス供給手段とを有し、
前記クランプリングの内周面がテーパー面に形成され、このテーパー面はクランプリングで被処理基板を前記電極の表面に押し付けて変形させる全過程において、被処理基板の外周端の角部に線接触するだけの形状となっていることを特徴とするガス伝熱形プラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明のガス伝熱形プラズマ処理装置は、真空用チャンバーと、この真空用チャンバーの内部の空気を排気する真空排気手段と、凸状に湾曲した表面を有する電極と、前記電極上に載置された被処理基板を、その外周端部を押圧して前記電極の表面に押し付けるクランプリングと、前記被処理基板と前記電極との間にガスを充満させるガス供給手段とを有し、前記クランプリングの内周面がテーパー面に形成され、このテーパー面はクランプリングで被処理基板を前記電極の表面に押し付けて変形させる全過程において、被処理基板の外周端の角部に線接触するだけの形状となっていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記ガス伝熱形プラズマ処理装置は、一方の電極の凸状なった表面に被処理基板をクランプリングにより押し付けることにより、被処理基板を一方の電極の表面に沿った湾曲形状に予め変形させて一方の電極の表面に密着させる。この被処理基板と一方の電極との密着状態をクランプリングにより保持しながら、被処理基板と一方の電極との間にガスを充満させ、高周波電力を供給して一対の電極によりプラズマを発生させ、被処理基板に対しエッチングなどの処理を行う。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
このガス伝熱形プラズマ処理装置では、クランプリングの内周面がテーパー面に形成され、このテーパー面はクランプリングで被処理基板を前記電極の表面に押し付けて変形させる全過程において、被処理基板の外周端の角部に線接触するだけの形状となっているから、被処理基板の表面の薄膜は、テーパー面に面接触しないことからテーパー面に付着することが極めて少なく、従来装置のような剥離した薄膜の飛散に起因するダストが殆ど発生せず、エッチング不良などのプラズマ処理不良も生じることがない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
つぎに、本発明の要旨であるクランプリング１９について、その一部を拡大して示した図２および図３を参照しながら説明する。図３において、下部電極２の外周端部には、ヘリウムガスＧ２をシールするためのシールリング２７が設けられている。下部電極２の外周端部の接線角度αは、直径が150 ｍｍの被処理基板１の全体に1000パスカルの圧力を均等にかけたときの被処理基板１の撓み曲線を想定して、約0.5 度に設定されている。これに対し、円環状のクランプリング１９は、被処理基板１に対し接触する内周面部分がテーパー面１９ａに形成されており、このテーパー面１９ａの水平面に対する角度であるテーパー角度θは、下部電極２の外周端部の接線の水平面に対する角度である接線角度αの角度よりも大きく設定されている。この実施の形態では、テーパー角度θが３度に形成されている。なお、図２および図３における接線角度αおよびテーパー角度θは、理解を容易にするために模式的に表してあり、それぞれ0.5 度および３度よりも格段に大きな角度に図示してある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
上述の被処理基板１が変形されていく過程において、図２に実線で示すクランプリング１９が被処理基板１に接触した時点、図２に２点鎖線で示すクランプリング１９が下降していく過程および図３に示すクランプリング１９が下限位置まで下降し終えた時点の何れにおいても、クランプリング１９のテーパー面１９ａが下部電極２の外周端部の接線角度αの角度よりも大きなテーパー角度θに設定されていることから、テーパー面１９ａが被処理基板１の外周端の角部に線接触するだけである。したがって、被処理基板１の表面の薄膜は、テーパー面１９ａに面接触しないことから、テーパー面１９ａに付着したり、削れ取られたりすることがほとんどなく、薄膜に起因するダストが殆ど発生せず、エッチング不良も生じることがない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【発明の効果】
本発明のガス伝熱形プラズマ処理装置によれば、被処理基板の表面の薄膜が剥離することによるダストが殆ど発生せず、エッチング不良も生じることがない。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月28日(2004.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第一導電型のクラッド層、活性層及び第二導電型のクラッド層を順次積層して構成され、該第一導電型のクラッド層及び該第二導電型のクラッド層の内の少なくとも一つのクラッド層が主たる構成要素としてＰを含み、かつ該活性層が主たる構成要素としてＡｓを含む半導体レーザ素子において、
Ｐを含むクラッド層と、該活性層との間に、禁制帯幅が該活性層より大きく、かつ該クラッド層より小さいＡｓを主たる構成要素として含むバッファ層を形成した半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記活性層がＩｎ1-x1-y1Ｇａx1Ａｌy1Ａｓ（０≦ｘ１≦１，０≦ｙ１≦１，２．１３２ｙ１＋０．９６４ｘ１−０．０４６ｘ１ｙ１＜１．４４）で構成され、かつ、前記バッファ層がＩｎ1-x2-y2Ｇａx2Ａｌy2Ａｓ（０≦ｘ２≦１，０≦ｙ２≦１）で構成され、該活性層と、主たる構成要素としてＡｓを含む前記バッファ層との組成比率が、下記（１）式及び下記（２）式の条件を満たす
０．３６＋２．５ｙ１＋１．０６４ｘ１−０．１８９ｘ１ｙ１＜０．３６＋２．５ｙ２＋１．０６４ｘ２−０．１８９ｘ２ｙ２  …（１）
０．３６＋２．５ｙ１＋１．０６４ｘ１−０．１８９ｘ１ｙ１＜１．８＋０．３６８ｙ２＋０．１ｘ２−０．１４３ｘ２ｙ２  …（２）
請求項１記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
主たる構成要素としてＰを含む前記クラッド層がＩｎ1-x4-y4Ｇａx4Ａｌy4Ｐ（０≦ｘ４≦１，０≦ｙ４≦１）で構成され、かつ前記バッファ層がＩｎ1-x3-y3Ｇａx3Ａｌy3Ａｓ（０≦ｘ３≦１，０≦ｙ３≦１）で構成され、該クラッド層に接して該バッファ層が形成され、両者の組成比率が、下記（３）式及び下記（４）式の条件を満たす
1999026862.tif 000001
請求項１記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記バッファ層の層厚ｄが、下記（５）式の条件を満たす
０．００１μｍ≦ｄ≦０．１２μｍ  …（５）
請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記第一導電型のクラッド層及び前記第二導電型のクラッド層がいずれも主たる構成要素としてＰを含み、該第一導電型のクラッド層と該活性層との間及び該第二導電型のクラッド層と該活性層との間に、禁制帯幅が該活性層よりも大きく、Ａｓを主たる構成要素として含むバッファ層をそれぞれ形成し、ｐ導電型のクラッド層に接するバッファ層の層厚ｄ１と、ｎ導電型のクラッド層に接するバッファ層の層厚ｄ２の関係が、
下記（６）式の条件を満たす
ｄ１＜ｄ２  …（６）
請求項１〜請求項３のいずれかに記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】
請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体レーザ素子の製造方法であって、
気相成長方法によりＰを主たる構成要素として含む前記第一導電型のクラッド層の成長後にＡｓを主たる構成要素として含む前記バッファ層を積層する工程を包含し、該工程において、該第一導電型のクラッド層の成長温度Ｔ１と、該バッファ層の成長温度Ｔ２の関係が、下記（７）式の条件を満たす
Ｔ１＞Ｔ２  …（７）
半導体レーザ素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
好ましくは、前記活性層がＩｎ1-x1-y1Ｇａx1Ａｌy1Ａｓ（０≦ｘ１≦１，０≦ｙ１≦１，２．１３２ｙ１＋０．９６４ｘ１−０．０４６ｘ１ｙ１＜１．４４）で構成され、かつ、前記バッファ層がＩｎ1-x2-y2Ｇａx2Ａｌy2Ａｓ（０≦ｘ２≦１，０≦ｙ２≦１）で構成され、該活性層と、主たる構成要素としてＡｓを含む前記バッファ層との組成比率が、下記（１）式及び下記（２）式の条件を満たす
０．３６＋２．５ｙ１＋１．０６４ｘ１−０．１８９ｘ１ｙ１＜０．３６＋２．５ｙ２＋１．０６４ｘ２−０．１８９ｘ２ｙ２  …（１）
０．３６＋２．５ｙ１＋１．０６４ｘ１−０．１８９ｘ１ｙ１＜１．８＋０．３６８ｙ２＋０．１ｘ２−０．１４３ｘ２ｙ２  …（２）
構成とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月16日(2004.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
上記絶縁膜を形成する工程の後に、該絶縁膜の表面を支持基板の表面に貼り合わせる工程をさらに含むことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月7日(2004.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層上の単結晶半導体薄膜に形成されたソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域と、前記ソース領域、前記ドレイン領域、及び前記チャネル形成領域を囲むフィールド酸化膜と、前記チャネル形成領域上に形成されたゲイト絶縁膜及びゲイト電極と、を有する半導体装置であって、
前記チャネル形成領域は、前記フィールド酸化膜と接する端部のみに当該チャネル形成領域のエネルギーバンドをシフトさせてなる不純物領域が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁層上の単結晶半導体薄膜に形成されたソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域と、前記ソース領域、前記ドレイン領域、及び前記チャネル形成領域を囲むフィールド酸化膜と、前記チャネル形成領域上に形成されたゲイト絶縁膜及びゲイト電極と、を有する半導体装置であって、
前記チャネル形成領域は、前記フィールド酸化膜と接する端部のみに当該チャネル形成領域のエネルギーバンドをシフトさせてなる不純物領域が設けられ、当該不純物領域は前記ソース領域及び前記ドレイン領域内に達していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記不純物領域には前記ソース領域または前記ドレイン領域の導電型とは逆の導電型を呈する不純物元素が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または２において、前記ソース領域及び前記ドレイン領域には１５族から選ばれた元素が添加され、前記不純物領域には１３族から選ばれた元素が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１または２において、前記ソース領域及び前記ドレイン領域には１３族から選ばれた元素が添加され、前記不純物領域には１５族から選ばれた元素が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４または５において、前記１５族から選ばれた元素はリン、砒素またはアンチモンであり、前記１３族から選ばれた元素はボロンまたはインジウムであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記チャネル形成領域は多数キャリアの移動経路となり、前記不純物領域は少数キャリアの移動経路となることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記絶縁層の表面近傍に、前記不純物領域と同一の不純物元素が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記絶縁層の全体に、前記不純物領域と同一の不純物元素が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
絶縁層上の単結晶半導体薄膜に形成されたソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域と、前記ソース領域、前記ドレイン領域、及び前記チャネル形成領域を囲むフィールド酸化膜と、前記チャネル形成領域上に形成されたゲイト絶縁膜及びゲイト電極と、を有する半導体装置であって、
前記チャネル形成領域は、前記フィールド酸化膜と接する端部のみに当該チャネル形成領域のエネルギーバンドをシフトさせてなる第１の不純物領域が設けられ、
前記チャネル形成領域内において、前記ソース領域及び前記ドレイン領域並びに前記第１の不純物領域と接しないように、前記第１の不純物領域とは逆の導電型を呈する第２の不純物領域が局部的に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
絶縁層上の単結晶半導体薄膜に形成されたソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域と、前記ソース領域、前記ドレイン領域、及び前記チャネル形成領域を囲むフィールド酸化膜と、前記チャネル形成領域上に形成されたゲイト絶縁膜及びゲイト電極と、を有する半導体装置であって、
前記チャネル形成領域は、前記フィールド酸化膜と接する端部のみに当該チャネル形成領域のエネルギーバンドをシフトさせてなる第１の不純物領域が設けられ、
前記チャネル形成領域内において、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の一方と接し、且つ、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の他方並びに前記第１の不純物領域と接しないように、前記第１の不純物領域とは逆の導電型を呈する第２の不純物領域が局部的に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１０または１１において、前記第１の不純物領域には前記ソース領域及び前記ドレイン領域の導電型とは逆の導電型を呈する不純物元素が添加され、前記第２の不純物領域には前記ソース領域及び前記ドレイン領域の導電型と同一の導電型を呈する不純物元素が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１０または１１において、前記ソース領域及び前記ドレイン領域並びに前記第２の不純物領域には１３族から選ばれた元素が添加され、前記第１の不純物領域には１５族から選ばれた元素が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１０または１１において、前記ソース領域及び前記ドレイン領域並びに前記第２の不純物領域には１５族から選ばれた元素が添加され、前記第１の不純物領域には１３族から選ばれた元素が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１３または１４において、前記１５族から選ばれた元素はリンまたは砒素またはアンチモンであり、前記１３族から選ばれた元素はボロンまたはインジウムであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１０乃至１５のいずれか一において、前記チャネル形成領域及び前記第２の不純物領域は多数キャリアの移動経路となり、前記第１の不純物領域は少数キャリアの移動経路となることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一において、前記半導体装置は、ソース電極及びドレイン電極を有し、前記不純物領域と、前記ソース電極または前記ドレイン電極とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれか一において、前記チャネル形成領域は真性または実質的に真性な領域であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１８のいずれか一において、前記チャネル形成領域の長さは３０〜５００ｎｍであり、前記チャネル形成領域の幅は３０〜５００ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のいずれか一において、前記半導体装置は、マイクロプロセッサであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項１乃至１９のいずれか一において、前記半導体装置は、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、半導体回路、イメージセンサのいずれか一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
請求項１乃至１９のいずれか一において、前記半導体装置は、マイクロプロセッサ、ビデオカメラ、スチルカメラ、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末のいずれか一であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月21日(2004.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に素子分離膜を形成する素子分離膜形成工程と、
前記半導体基板を熱処理して前記素子分離膜の応力を緩和する素子分離膜アニール工程と、
前記半導体基板上に、ゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、
前記ゲート絶縁膜下の前記半導体基板にチャネル不純物を導入するチャネル不純物導入工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記ゲート絶縁膜形成工程の後に、前記ゲート絶縁膜を窒化するゲート絶縁膜窒化工程を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体基板上に素子分離膜を形成する素子分離膜形成工程と、
前記素子分離膜により画定された前記半導体基板の領域にチャネル不純物を導入するチャネル不純物導入工程と、
前記チャネル不純物が導入された前記半導体基板を、毎秒５０℃以上のレートで所定の温度まで昇温する熱処理方法により熱処理を行う熱処理工程と、
前記半導体基板上にゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成するゲート電極形成工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
前記熱処理工程では、不活性ガス雰囲気で前記半導体基板を熱処理する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、
前記熱処理工程では、前記半導体基板を窒化する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ゲート絶縁膜形成工程では、毎秒３０℃以上のレートで所定の温度まで昇温する酸化方法により前記半導体基板を酸化して前記ゲート絶縁膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項３乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ゲート絶縁膜形成工程は、毎秒３０℃以上のレートで所定の温度まで昇温する酸化方法により前記半導体基板を酸化する第１の酸化工程と、炉酸化により前記半導体基板を酸化する第２の酸化工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項３乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記素子分離膜形成工程の後に、前記素子分離膜の応力を緩和するための素子分離膜アニール工程を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月4日(2004.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と負極の間に発光を司る物質が存在し、電気エネルギーにより発光する素子であって、該素子が下記一般式（Ｉ）で表されるイミノスチルベン骨格を有する化合物を含むことを特徴とする発光素子。
【化１】
1999026163.tif 000001
（ここでＲ１〜Ｒ１１はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく水素原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、シクロアルキル基、フルオロアルキル基、アミノ基、ハロゲン、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アルコキシ基およびアリールエーテル基から選ばれる少なくとも１種類の置換基を表わす。なお、Ｒ９に用いられるアリール基としては、無置換またはアルキル基、アミノ基、ヒドロキシル基、あるいはアルコキシ基で置換された芳香族炭化水素基である。）
【請求項２】
正極と負極の間に発光を司る物質が存在し、電気エネルギーにより発光する素子であって、該素子が下記一般式（ＩＩ）で表されるイミノスチルベン骨格を有する化合物を含むことを特徴とする発光素子。
【化２】
1999026163.tif 000002
（ここでｎは自然数を表し、Ｒ１〜Ｒ１１はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく水素原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、シクロアルキル基、フルオロアルキル基、アミノ基、ハロゲン、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アルコキシ基およびアリールエーテル基から選ばれる少なくとも１種類の置換基を表わす。）
【請求項３】
イミノスチルベン骨格を有する化合物が下記一般式（ＩＩＩ）で表されることを特徴とする請求項２記載の発光素子。
【化３】
1999026163.tif 000003
（ここでＲ１〜Ｒ３０はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく水素原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、シクロアルキル基、フルオロアルキル基、アミノ基、ハロゲン、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アルコキシ基およびアリールエーテル基から選ばれる少なくとも１種類の置換基を表わす。）
【請求項４】
正極と負極の間に発光を司る物質が存在し、電気エネルギーにより発光する素子であって、該素子が下記一般式（ＩＶ）で表されるイミノスチルベン骨格を有する化合物を含むことを特徴とする発光素子。
【化４】
1999026163.tif 000004
（ここでＸは単結合、アルキル鎖、アルキレン鎖、シクロアルキル鎖、アリール鎖、アラルキル鎖、アルキルエーテル鎖、あるいはアリールエーテル鎖を表す。Ｒ１〜Ｒ４０はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく水素原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、シクロアルキル基、フルオロアルキル基、アミノ基、ハロゲン、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アルコキシ基およびアリールエーテル基から選ばれる少なくとも１種類の置換基を表わす。）
【請求項５】
イミノスチルベン骨格を有する化合物が下記一般式（Ｖ）で表されることを特徴とする請求項４記載の発光素子。
【化５】
1999026163.tif 000005
（ここでＲ１〜Ｒ４８はそれぞれ同一であっても異なっていてもよく水素原子、アルキル基、アラルキル基、アリール基、シクロアルキル基、フルオロアルキル基、アミノ基、ハロゲン、ニトロ基、シアノ基、ヒドロキシル基、アルコキシ基およびアリールエーテル基から選ばれる少なくとも１種類の置換基を表わす。）
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月22日(2005.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波からなる信号（Ｔ２）を受信して制御信号（Ｔ３）を出力する受信装置（７）と、車両（８）の目標となる所定の走行速度に対応する基準値（ｔ）を設定する基準値設定手段（８３）と、車両（８）の走行速度を検出し、車速信号（Ｔ４）を出力する車速検出手段（８１）とを車両（８）に有し、
車両（８）の安全性を向上させるために、受信装置（７）の制御信号（Ｔ３）に基づいて、車両（８）に設定する基準値（ｔ）と車速信号（Ｔ４）とを比較し、
車両（８）の走行速度が目標となる走行速度よりも大きいときは作動信号（Ｔ１３，Ｔ２３，Ｔ３３）を出力し、かつ、該基準値（ｔ）と車速信号（Ｔ４）とを繰返し比較することができると共に、車両（８）の走行速度が目標となる走行速度よりも小さいときは該基準値（ｔ）と車速信号（Ｔ４）とを比較する制御を終了することができることを特徴とする車両の作動装置。
【請求項２】
電磁波からなる信号（Ｔ２）を発信する発信装置（４）を走行路（２）に設けると共に、電磁波からなる信号（Ｔ２）を受信して制御信号（Ｔ３）を出力する受信装置（７）と、車両（８）の目標となる所定の走行速度に対応する基準値（ｔ）を設定する基準値設定手段（８３）と、車両（８）の走行速度を検出し、車速信号（Ｔ４）を出力する車速検出手段（８１）とを車両（８）に有し、
車両（８）の安全性を向上させるために、発信装置（４）からの電磁波からなる信号（Ｔ２）を受信して出力される受信装置（７）の制御信号（Ｔ３）に基づいて、車両（８）に設定する基準値（ｔ）と車速信号（Ｔ４）とを比較し、車両（８）の走行速度が目標となる走行速度よりも大きいときは作動信号（Ｔ１３，Ｔ２３，Ｔ３３）を出力し、かつ、該基準値（ｔ）と車速信号（Ｔ４）とを繰返し比較することができると共に、車両（８）の走行速度が目標となる走行速度よりも小さいときは該基準値（ｔ）と車速信号（Ｔ４）とを比較する制御を終了することができることを特徴とする車両の作動装置。
【請求項３】
受信装置（７）の制御信号（Ｔ３）に基づいて、火災が生じたことを車両（８）内に警報させると共に、
作動信号（Ｔ１３，Ｔ２３，Ｔ３３）により、少なくとも１つのホイールブレーキ（５３，５３’）にブレーキを掛けることができる車両（８）の自動ブレーキ装置（６）を作動させることを特徴とする請求項１又は２の車両の作動装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、このような従来の技術的課題に鑑みてなされたものであり、その構成は、次の通りである。
請求項１に係る発明は、電磁波からなる信号（Ｔ２）を受信して制御信号（Ｔ３）を出力する受信装置（７）と、車両（８）の目標となる所定の走行速度に対応する基準値（ｔ）を設定する基準値設定手段（８３）と、車両（８）の走行速度を検出し、車速信号（Ｔ４）を出力する車速検出手段（８１）とを車両（８）に有し、
車両（８）の安全性を向上させるために、受信装置（７）の制御信号（Ｔ３）に基づいて、車両（８）に設定する基準値（ｔ）と車速信号（Ｔ４）とを比較し、
車両（８）の走行速度が目標となる走行速度よりも大きいときは作動信号（Ｔ１３，Ｔ２３，Ｔ３３）を出力し、かつ、該基準値（ｔ）と車速信号（Ｔ４）とを繰返し比較することができると共に、車両（８）の走行速度が目標となる走行速度よりも小さいときは該基準値（ｔ）と車速信号（Ｔ４）とを比較する制御を終了することができることを特徴とする車両の作動装置である。
請求項２に係る発明は、電磁波からなる信号（Ｔ２）を発信する発信装置（４）を走行路（２）に設けると共に、電磁波からなる信号（Ｔ２）を受信して制御信号（Ｔ３）を出力する受信装置（７）と、車両（８）の目標となる所定の走行速度に対応する基準値（ｔ）を設定する基準値設定手段（８３）と、車両（８）の走行速度を検出し、車速信号（Ｔ４）を出力する車速検出手段（８１）とを車両（８）に有し、
車両（８）の安全性を向上させるために、発信装置（４）からの電磁波からなる信号（Ｔ２）を受信して出力される受信装置（７）の制御信号（Ｔ３）に基づいて、車両（８）に設定する基準値（ｔ）と車速信号（Ｔ４）とを比較し、車両（８）の走行速度が目標となる走行速度よりも大きいときは作動信号（Ｔ１３，Ｔ２３，Ｔ３３）を出力し、かつ、該基準値（ｔ）と車速信号（Ｔ４）とを繰返し比較することができると共に、車両（８）の走行速度が目標となる走行速度よりも小さいときは該基準値（ｔ）と車速信号（Ｔ４）とを比較する制御を終了することができることを特徴とする車両の作動装置である。
請求項３に係る発明は、受信装置（７）の制御信号（Ｔ３）に基づいて、火災が生じたことを車両（８）内に警報させると共に、
作動信号（Ｔ１３，Ｔ２３，Ｔ３３）により、少なくとも１つのホイールブレーキ（５３，５３’）にブレーキを掛けることができる車両（８）の自動ブレーキ装置（６）を作動させることを特徴とする請求項１又は２の車両の作動装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
ホイールブレーキ５３によつて得られるブレーキ力は、図３に示すフローチャートに従い、車速信号Ｔ４が基準値ｔよりも小さくなるまで得られる。すなわち、受信装置７から出力される制御信号Ｔ３が発生することによりスタートし、車速検出手段８１から出力される車速信号Ｔ４が読み込まれる（ステップ（１））。また、基準値設定手段８３の基準値ｔが読み込まれる（ステップ（２））。次に、比較手段８２において、基準値ｔと車速信号Ｔ４とが比較される（ステップ（３））。車速信号Ｔ４が基準値ｔよりも小さいときは、基準値ｔと車速信号Ｔ４とを比較して作動信号Ｔ１３，Ｔ２３及びＴ３３を出力するマイクロコンピュータ８０による制御が終了するので、自動ブレーキ装置６は作動しない。車速信号Ｔ４が基準値ｔを越えるときはステップ（４）に移行して作動信号Ｔ１３，Ｔ２３及びＴ３３を出力し、ステップ（１）に戻る。ステップ（１）〜（４）を繰り返すうちに車速信号Ｔ４が基準値ｔ以下に小さくなるので、作動信号Ｔ１３，Ｔ２３及びＴ３３が出力されなくなり、自動ブレーキ装置６の制御が終了する。基準値ｔが速度零に対応する値であれば、車両８が停止するまで作動信号Ｔ１３，Ｔ２３及びＴ３３が出力され、自動ブレーキ装置６が作動する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月31日(2004.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式〔１〕
【化１】
2004152776.tif 000001
（ｎは１〜６の整数）で示されるスルホアルキル基が結合した芳香族ポリエーテルエーテルスルホンを電解質として用いたことを特徴とする固体高分子電解質。
【請求項２】
式〔２〕
【化２】
2004152776.tif 000002
（ｎは１〜６の整数、ｍ，ａ，ｂは０〜４の整数で全てが０にはならない。ｘは１〜３の整数、ｙは１〜５の整数。Ａｒは芳香族残基を表す）で示されるアルキレン基を介してスルホン酸基が結合したポリエーテルエーテルスルホンを電解質として用いたことを特徴とする固体高分子電解質。
【請求項３】
式〔３〕
【化３】
2004152776.tif 000003
（ｎは１〜６の整数、ａ，ｂ，ｃ，ｄは０〜４の整数で全てが０にはならない）で示されるアルキレン基を介してスルホン酸基が結合したポリエーテルエーテルスルホンを電解質として用いることを特徴とする固体高分子電解質。
【請求項４】
式〔４〕
【化４】
2004152776.tif 000004
（ａ，ｂ，ｃ，ｄは０〜４の整数で全てが０にはならない）で示されるアルキレン基を介してスルホン酸基が結合したポリエーテルエーテルスルホンを電解質として用いることを特徴とする固体高分子電解質。
【請求項５】
式〔５〕
【化５】
2004152776.tif 000005
（ａ，ｂ，ｃ，ｄは０〜４の整数で全てが０にはならない）で示されるアルキレン基を介してスルホン酸基が結合したポリエーテルエーテルスルホンを電解質として用いることを特徴とする固体高分子電解質。
【請求項６】
式〔６〕
【化６】
2004152776.tif 000006
（ｎは１〜６の整数、ａ，ｂ，ｃは０〜４の整数で全てが０にはならない）で示されるアルキレン基を介してスルホン酸基が結合したポリエーテルエーテルスルホンを電解質として用いることを特徴とする固体高分子電解質。
【請求項７】
式〔７〕
【化７】
2004152776.tif 000007
（ａ，ｂ，ｃは０〜４の整数で全てが０にはならない）で示されるアルキレン基を介してスルホン酸基が結合したポリエーテルエーテルスルホンを電解質として用いることを特徴とする固体高分子電解質。
【請求項８】
式〔８〕
【化８】
2004152776.tif 000008
（ａ，ｂ，ｃは０〜４の整数で全てが０にはならない）で示されるアルキレン基を介してスルホン酸基が結合したポリエーテルエーテルスルホンを電解質として用いることを特徴とする固体高分子電解質。
【請求項９】
式〔９〕
【化９】
2004152776.tif 000009
（ａ，ｂ，ｃ，ｄは０〜４の整数で全てが０にはならない）で示されるアルキレン基を介してスルホン酸基が結合したポリエーテルエーテルスルホンを電解質として用いることを特徴とする固体高分子電解質。
【請求項１０】
前記スルホン酸基当量重量が５３０〜９７０ｇ／当量である請求項１〜９のいずれかに記載の固体高分子電解質。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の固体高分子電解質を用いたことを特徴とする固体高分子電解質膜。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれかに記載の固体高分子電解質を含むことを特徴とする電極触媒被覆用溶液。
【請求項１３】
固体高分子電解質膜とこの固体高分子電解質膜の両側に酸
素極および水素極からなる一対の電極が配置された膜電極接合体において、前記
固体高分子電解質膜が請求項１１の固体高分子電解質膜であることを特徴とする膜電極接合体。
【請求項１４】
固体高分子電解質膜とこの固体高分子電解質膜の両側に電極触媒被覆用溶液で被覆された酸素極および水素極からなる一対の電極が配置された膜電極接合体において、前記固体高分子電解質膜が前記式〔１〕〜式〔９〕のいずれかで表されるアルキレン基を介してスルホン酸基が結合したポリエーテルエーテルスルホンを用いた固体高分子電解質膜で、電極触媒被覆用溶液が請求項１２に記載の電極触媒被覆用溶液であることを特徴とする膜電極接合体。
【請求項１５】
電極触媒被覆用溶液が、パーフルオロスルホン酸固体高分子電解質溶液である請求項１４に記載の膜電極接合体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月23日(2005.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、該第１の電極と電気的に接続されたナノチューブと、ナノチューブを埋設した半導体層と、該半導体層と電気的に接続され、かつ、前記ナノチューブと接していない第２の電極から構成され、前記ナノチューブは第１の電極と接するナノチューブの支持層に植設されていることを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
半導体層が、電子供与性材料と電子受容性材料の両方の材料から構成されることを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
【請求項３】
半導体層がナノチューブに対してショットキー接合を形成することを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
【請求項４】
半導体層が該半導体層とショットキー接合を形成する材料を介してナノチューブと接していることを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
【請求項５】
第１の電極と、該第１の電極と電気的に接続された第１ナノチューブと、第２の電極と、該第２の電極と電気的に接続された第２ナノチューブと、前記第１ナノチューブおよび第２ナノチューブを埋設した半導体層とからなる半導体素子であって、前記第１ナノチューブと、前記第２ナノチューブとは接触していないことを特徴とする半導体素子。
【請求項６】
第１ナノチューブを植設し、かつ、第１の電極と接する第１の支持層、又は、第２ナノチューブを植設し、かつ、第２の電極と接する第２の支持層を備えたことを特徴とする請求項５記載の半導体素子。
【請求項７】
半導体層が、電子供与性材料と電子受容性材料の両方の材料から構成されることを特徴とする請求項５または６記載の半導体素子。
【請求項８】
半導体層がナノチューブに対してショットキー接合を形成することを特徴とする請求項５または６記載の半導体素子。
【請求項９】
半導体層が該半導体層とはショットキー接合を形成する材料を介してナノチューブと接していることを特徴とする請求項５または６記載の半導体素子。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の半導体素子の製造方法においてナノチューブが電気泳動法を用いて電極又は支持層に植設される工程を含むことを特徴とする前記半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれかに記載の半導体素子の製造方法において半導体層がモノマーからの重合により形成される工程を含むことを特徴とする前記半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜９のいずれかに記載の半導体素子の製造方法において半導体層が微粒子を出発材料として形成される工程を含むことを特徴とする前記半導体素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月21日(2005.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  クライアント装置とサーバ装置とがネットワークを介して通信可能な印刷システムにおいて、
前記クライアント装置は、
印刷データを作成する印刷データ作成手段と、
前記作成された印刷データをサーバ装置へ送信する印刷データ送信手段と、
を備え、
前記ジョブサーバ装置は、
前記印刷データを保管する保管手段と、
前記印刷データから印刷属性を取得する取得手段と、
前記取得された印刷属性に基づき、印刷制限を示すジョブチケットを作成するジョブチケット作成手段と、
前記保管された印刷データ及び前記作成されたジョブチケットを前記プリントサーバ装置へ送信する印刷ジョブ送信手段と、
を備え、
前記プリントサーバ装置は、
前記印刷データ及び前記ジョブチケットに基づき、印刷処理を実行する印刷処理手段を備え、
前記ジョブチケット作成手段は、前記印刷処理手段による印刷処理結果に基づき、前記ジョブチケットを更新して新たなジョブチケットを作成することを特徴とする印刷システム。
【請求項２】  前記印刷制限は、印刷可能開始日時、印刷有効期限、印刷可能最大部数、印刷可能回数、一回の印刷操作で指定可能な部数、今まで出力した累計部数、使用可能なプリンタ及び使用可能な用紙のうち少なくとも１つであることを特徴とする請求項１に記載の印刷システム。
【請求項３】  前記印刷ジョブ送信手段は、印刷要求に応答して、前記送信を実行することを特徴とする請求項１又は２に記載の印刷システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、互いにクライアントコンピュータ、プリントサーバ及びジョブを管理するジョブサーバが接続されて構成されたネットワークに好適な印刷システムに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る印刷システムは、クライアント装置とサーバ装置とがネットワークを介して通信可能な印刷システムにおいて、前記クライアント装置は、印刷データを作成する印刷データ作成手段と、前記作成された印刷データをサーバ装置へ送信する印刷データ送信手段と、を備え、前記ジョブサーバ装置は、前記印刷データを保管する保管手段と、前記印刷データから印刷属性を取得する取得手段と、前記取得された印刷属性に基づき、印刷制限を示すジョブチケットを作成するジョブチケット作成手段と、前記保管された印刷データ及び前記作成されたジョブチケットを前記プリントサーバ装置へ送信する印刷ジョブ送信手段と、を備え、前記プリントサーバ装置は、前記印刷データ及び前記ジョブチケットに基づき、印刷処理を実行する印刷処理手段を備え、前記ジョブチケット作成手段は、前記印刷処理手段による印刷処理結果に基づき、前記ジョブチケットを更新して新たなジョブチケットを作成することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月9日(2005.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】マシンコントローラおよびそのフィルタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルタを備えたマシンコントローラにおいて、フィルタ時定数が異なる２個の独立したフィルタと、指令入力を前記２個のフィルタのいずれかに入力できるように切り換える切換スイッチと、前記２個のフィルタの出力を加算する加算器と、からなることを特徴とするマシンコントローラのフィルタ。
【請求項２】
フィルタを備えたマシンコントローラにおいて、フィルタ時定数が異なる２個の独立したフィルタと、指令入力を前記２個のフィルタのいずれかに入力できるように切り換える切換スイッチと、前記２個のフィルタの出力を加算する加算器と、からなることを特徴とするマシンコントローラ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、位置決め装置などに使用されるマシンコントローラのフィルタ機能に関しており、特にフィルタ時定数変更に伴うタクトタイム短縮ができるマシンコントローラとそのフィルタに関する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月27日(2004.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体スイッチング素子を並列接続してなる半導体装置において、前記複数の半導体スイッチング素子毎にスナバ接続端子を設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
単一のチップをいくつかのセル単位で分割し、分割したそれぞれに対してスナバ接続端子を設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
上記スナバ接続端子個々にコンデンサのみによるＣスナバ回路を接続する請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
浮遊容量をスナバ回路のコンデンサとして用いた請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
ベース板上に半導体スイッチング素子を搭載した半導体装置において、
前記ベース板の主面上に第１の配線パターン９を形成し、該第１の配線パターン９上に絶縁層８を、該絶縁層８上に第２の回路パターンを形成し、前記第２の回路パターン上に主電極の一つが接着された半導体スイッチング素子を配設し、前記第１の配線パターン９と、前記絶縁層８と、前記第２の回路パターンとで、スナバ回路のコンデンサを構成したことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月18日(2005.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の生産システム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に成膜された半導体膜にマーカーを形成する手段と、
前記半導体膜に形成するパターン情報を記憶する手段と、
前記マーカーを基準とし、前記パターン情報を用いて前記半導体膜における島状半導体膜形成領域を特定し、少なくとも前記島状半導体膜形成領域を含むように、前記半導体膜に対しレーザー光の照射領域を定める手段と、
レーザー発振装置と、
前記レーザー発振装置から発振されたレーザー光を集光する光学系と、
前記光学系を通過したされたレーザー光が、前記照射領域に対して走査されるように、前記半導体膜における前記レーザー光のビームスポットの位置を制御する手段と、
前記パターン情報に従って前記レーザー光が照射された半導体膜をエッチングして前記島状半導体膜を形成する手段と、
を備えることを特徴とする半導体装置の生産システム。
【請求項２】
絶縁表面上に成膜された半導体膜にマーカーを形成する手段と、
前記半導体膜に形成するパターン情報を記憶する手段と、
前記マーカーを基準とし、前記パターン情報を用いて前記半導体膜における島状半導体膜形成領域を特定し、少なくとも前記島状半導体膜形成領域を含むように、前記半導体膜に対しレーザー光の照射領域を定める手段と、
レーザー発振装置と、
前記レーザー発振装置から発振されたレーザー光を集光する光学系と、
前記光学系を通過したレーザー光が、前記照射領域に対して走査されるように、前記半導体膜における前記レーザー光のビームスポットの位置を制御する手段と、
前記パターン情報に従って前記レーザー光が照射された半導体膜をエッチングして前記島状半導体膜を形成する手段と、
を備え、
前記レーザー光を照射する際に、前記レーザー光のビームスポットの、走査する方向における幅を変えることを特徴とする半導体装置の生産システム。
【請求項３】
絶縁表面上に成膜された半導体膜に第１のレーザー光でマーカーを形成する手段と、
前記半導体膜に形成するパターン情報を記憶する手段と、
前記マーカーを基準とし、前記パターン情報を用いて前記半導体膜における島状半導体膜形成領域を特定し、少なくとも前記島状半導体膜形成領域を含むように、前記半導体膜の第２のレーザー光の照射領域を定める手段と、
レーザー発振装置と、
前記レーザー発振装置から発振された第２のレーザー光を集光する光学系と、
前記光学系を通過した第２のレーザー光が、前記照射領域に対して走査されるように、前記半導体膜における前記第２のレーザー光のビームスポットの位置を制御する手段と、
前記パターン情報に従って前記第２のレーザー光が照射された半導体膜をエッチングして前記島状の半導体膜を形成する手段と、
を備えていることを特徴とする半導体装置の生産システム。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記レーザー光は第２高調波であることを特徴とする半導体装置の生産システム。
【請求項５】
請求項３において、
前記第２のレーザー光は第２高調波であることを特徴とする半導体装置の生産システム。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記レーザー発振装置は、連続発振の固体レーザーであることを特徴とする半導体装置の生産システム。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記レーザー発振装置は、連続発振のＹＡＧレーザー、ＹＶＯ４レーザー、ＹＬＦレーザー、ＹＡｌＯ３レーザー、ガラスレーザー、ルビーレーザー、アレキサンドライドレーザー、Ｙ２Ｏ３レーザーまたはＴｉ：サファイアレーザーから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の生産システム。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記レーザー発振装置は、連続発振のエキシマレーザー、ＡｒレーザーまたはＫｒレーザーから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の生産システム。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
前記レーザー発振装置から発振されたレーザー光は、前記光学系により照射面において、楕円形状、矩形状、円状になるように加工されることを特徴とする半導体装置の生産システム。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、
前記レーザー発振装置は複数設けられており、
前記複数のレーザー発振装置から発振されたレーザー光のそれぞれは、前記光学系により照射面において、楕円形状になるように加工され、
前記楕円状のレーザ光は、それぞれ楕円の長軸が一致しており、なおかつ互いにレーザー光のビームスポットの一部を重ね合わせて、１つのビームスポットが形成されることを特徴とする半導体装置の生産システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月2日(2004.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、この図１においては、２本の放射用導波管３の間の壁６に、切り込み７を設けて、該２本の放射用導波管３に対して、１つの窓４で給電する方式（「π分岐」と称される場合もある）を採用している（「π分岐」方式の詳細については、例えば高橋、広川、安藤、および後藤の文献を参照することができる）。このような給電方式の採用により、各放射用導波管３に同相で給電することが容易となる。