(57)【要約】【課題】磁気記憶媒体における異なるサーボライト方式によるサーボパターンに対して共通のファームウェアを用いて起動時間を短縮することができる磁気記憶装置、磁気記憶プログラム、磁気記憶方法を提供する。【解決手段】  記憶媒体（磁気ディスク１１）においてサーボライト方式が異なるサーボパターンが混在する記憶装置（磁気ディスク装置１）であって、記憶媒体のサーボパターンを読み込む読込部（磁気ヘッド１５）と、読込部により読み込まれたサーボパターンに基づいて、サーボライト方式の特定を行う識別部（ＭＣＵ２１）と、識別部により特定されたサーボライト方式の情報を格納する格納部（バッファ２４）と、サーボライト方式の情報に基づき、最適なサーボ制御方式を設定する設定部（ＭＣＵ２１）とを備えた。【選択図】図１
2010086593.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶媒体においてサーボライト方式が異なるサーボパターンが混在する記憶装置であって、
前記記憶媒体のサーボパターンを読み込む読込部と、
前記読込部により読み込まれたサーボパターンに基づいて、サーボライト方式の特定を行う識別部と、
前記識別部により特定されたサーボライト方式の情報を格納する格納部と、
前記サーボライト方式の情報に基づき、最適なサーボ制御方式を設定する設定部と、
を備えることを特徴とする記憶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の記憶装置であって、
前記設定部は、前記識別部により特定されたサーボライト方式に基づいてプリアンプゲインの調整範囲を設定することを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の記憶装置であって、
前記設定部は、前記識別部により特定されたサーボライト方式に基づいてＤＣオフセットのキャンセル量を設定することを特徴とする記憶装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の記憶装置であって、
前記設定部は、前記識別部により特定されたサーボライト方式に基づいてデジタルフィルタの値を設定することを特徴とする記憶装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の記憶装置であって、
前記識別部は、前記読込部により得られるサーボパターンのサーボＡＧＣ値に基づく所定の関数により、サーボライト方式を特定することを特徴とする記憶装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の記憶装置であって、
前記記憶媒体は、サーボ領域に、前記識別部に読み込ませるサーボライト方式を識別する基準となる識別基準が設けられ、
前記識別部は、前記記憶媒体における前記識別基準に基づいて、サーボライト方式を特定することを特徴とする記憶装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の記憶装置であって、
前記記憶媒体は、前記サーボ領域に識別基準が設けられ、
前記識別部は、前記記憶媒体における前記識別基準の位相の差異により、サーボライト方式を特定することを特徴とする記憶装置。
【請求項８】
サーボ領域を有する記憶媒体であって、
前記記憶媒体のサーボ領域に、サーボライト方式を識別する基準である識別基準が設けられていることを特徴とする記憶媒体。
【請求項９】
記憶媒体においてサーボライト方式が異なるサーボパターンが混在する記憶装置の記憶プログラムであって、
前記記憶媒体のサーボパターンを読み込む読込ステップと、
前記読込ステップにより読み込まれたサーボパターンに基づいて、サーボライト方式の特定を行う識別ステップと、
前記識別ステップにより特定されたサーボライト方式の情報を格納する格納ステップと、
前記サーボライト方式の情報に基づき、最適なサーボ制御方式を設定する設定ステップと、
をコンピュータに実行させる記憶プログラム。
【請求項１０】
記憶媒体においてサーボライト方式が異なるサーボパターンが混在する記憶装置の記憶方法であって、
前記記憶媒体のサーボパターンを読み込む読込ステップと、
前記読込ステップにより読み込まれたサーボパターンに基づいて、サーボライト方式の特定を行う識別ステップと、
前記識別ステップにより特定されたサーボライト方式の情報を格納する格納ステップと、
前記サーボライト方式の情報に基づき、最適なサーボ制御方式を設定する設定ステップと、
を実行する記憶方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記憶媒体のリードを行う磁気記憶装置、磁気記憶プログラム及び磁気記憶方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、サーボ情報の書き込み方式であるサーボライト方式（サーボパターン作成方法）が異なる磁気ディスク媒体が混在するＨＤＤ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｄｒｉｖｅ）等の磁気ディスク装置に対して、共通のプリント板、ファームウェアを搭載し、出荷前試験を行っている。なお、サーボ情報とは、磁気ヘッドを位置付ける位置決め制御を行うために使用される情報である。また、出荷前試験では、サーボライト方式を識別後、識別したサーボライト方式の結果を磁気ディスク媒体にあるシステム領域に格納する。このサーボライト方式の識別結果を使用することで共通化したファームウェアでサーボライト方式ごとに最適なパラメータを設定し共通化を行っており、その後、出荷の運びとなる。このような磁気ディスク装置において、起動直後は、サーボライト方式が未知であるため、システム領域を読み取るよりも前にサーボライト方式を識別し，最適なパラメータに設定することが必要である。従って従来では、システム領域を読み取るよりも前にサーボライト方式を識別する方法として、磁気ディスク媒体ロード時に、リトライ方式による総当り法を採用し、復調を正常に行えるまで、繰り返しサーボライト方式の識別を行っている。
【０００３】
図２０は、従来技術における、磁気ディスク装置の構成の一例を示すブロック図である。図２０に示すように、磁気ディスク装置１００は、磁気ディスク１１１と、ＳＰＭ（ＳＰｉｎｄｌｅ  Ｍｏｔｏｒ）１１２と、ヘッドアクチュエータ１１３と、ＶＣＭ（Ｖｏｉｃｅ  Ｃｏｉｌ  Ｍｏｔｏｒ）１１４と、磁気ヘッド１１５と、ランプ１１６と、ＳＰＭ駆動回路１１７と、ＶＣＭ駆動回路１１８と、プリアンプ１１９と、ＲＤＣ（Ｒｅａｄ  Ｗｒｉｔｅ  Ｃｈａｎｎｅｌ）１２０と、ＭＣＵ（Ｍｉｃｒｏ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ  Ｕｎｉｔ）１２１と、不揮発領域１２２と、ＨＤＣ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）１２３と、バッファ１２４とを備える。なお、バッファ１２４には、後述するＭＣＵ１２１の動作により、サーボパターン識別のための変数であるサーボパターン識別値１２５が格納される。また、図２０に示されているホスト２００は、例えばＡＴＡ（Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ）ホスト等の、磁気ディスク装置１００へ所望の動作を行わせるコマンドを発行するものである。
【０００４】
磁気ディスク１１１は、円盤状のアルミニウムやガラス基板等の物体に磁性層が形成されている記憶媒体であり、ＳＰＭ１１２は、磁気ディスク１１１を回転駆動させるものである。ヘッドアクチュエータ１１３は、ＶＣＭ１１４に設置され、先端に保持している磁気ヘッド１１５を支持するアームであり、ＶＣＭ１１４は、このヘッドアクチュエータ１１３を駆動させるものである。また、磁気ヘッド１１５は、磁気ディスク１１１に格納されているデータの読み出し、書き込みを行うものであり、ランプ１１６は、磁気ディスク装置１００が停止する際に、磁気ヘッド１１５が乗り上げて磁気ディスク１１１面上から退避するスロープを持つものである。
【０００５】
また、ＳＰＭ駆動回路１１７は、ＳＰＭ１１２を回転駆動させるものであり、ＶＣＭ駆動回路１１８は、ＶＣＭ１１４を駆動させるものである。また、プリアンプ１１９は、磁気ヘッド１１５によって磁気ディスク１１１から読み出された信号及び磁気ディスク１１１へ書き込まれる信号を増幅するものである。また、ＲＤＣ１２０は、磁気ディスク１１１に書き込まれる情報をエンコードし、磁気ディスク１１１から読み取られる信号をデコードするものである。
【０００６】
また、ＭＣＵ１２１は、装置内全てのデバイスの動作を制御するものであり、不揮発領域１２２はプログラムやデータ等が格納されている書き換え可能な不揮発性の記憶媒体である。ＨＤＣ１２３は、磁気ディスク装置１００とホスト２００との間で送受信されるデータの誤りを訂正するものであり、バッファ１２４は、ＨＤＣ１２３、ホスト２００間で行われるデータ送受信時に生じるデータ入出力処理のタイミングのずれを補うため、 データを一時的に保持する揮発性の記憶領域である。
【０００７】
次に、従来技術における磁気ディスク装置の動作について説明する。
【０００８】
図２１は、従来技術における、磁気ディスク装置の起動処理の一例を示すフローチャートである。
【０００９】
まず、ユーザにより磁気ディスク装置１００の電源が投入されると（Ｓ３０１）、ＭＣＵ１２１は、ＳＰＭ駆動回路１１７によりＳＰＭ１１２を回転駆動させ（Ｓ３０２）、磁気ディスク１１１を回転させる。ＳＰＭ１１２回転後、ＭＣＵ１２１は、不揮発領域１２２に格納されているサーボパターン識別値１２５をデフォルトでバッファ１２４にセットし（Ｓ３０３）、ロードを行うためのデフォルトのサーボライト方式のパラメータをセットする（Ｓ３０４）。デフォルトのパラメータセット後、ＭＣＵ１２１は、磁気ディスク１１１のロードを開始し（Ｓ３０５）、ロードが正常に終了したかの判断を行う（Ｓ３０６）。なお、ロードが正常に終了したかの判断基準は、復調が行えたか否かである。
【００１０】
ロードが正常に終了した場合（Ｓ３０６，ＹＥＳ）、ＭＣＵ１２１は、磁気ディスク１１１上にあるシステム領域へ、磁気ヘッド１１５をシークし（Ｓ３０７）、システム領域のリードを行い（Ｓ３０８）、リードが成功したか否かの判断を行う（Ｓ３０９）。リードが成功した場合（Ｓ３０９，ＹＥＳ）、ＭＣＵ１２１は、磁気ディスク１１１内のシステム領域にある正式なサーボパターン識別値をバッファにセットし（Ｓ３１０）、本フローは終了となる。
【００１１】
一方、磁気ディスク１１１のロードが正常に終了しなかった場合（Ｓ３０６，ＮＯ）、ＭＣＵ１２１は、アンロードを行い（Ｓ３１１）、別のサーボライト方式のパラメータをセットし（Ｓ３１２）、再度ロードを行う（Ｓ３０５）。なお、ロードが可能となるまで総当り法にて上述した処理を繰り返し行う。また、ステップＳ３０９において、システム領域のリードができない場合（Ｓ３０９，ＮＯ）、ＭＣＵ１２１は、リトライ用のパラメータをセットし（Ｓ３１３）、再度システム領域のリードを行う（Ｓ３０８）。このように、システム領域のリードが成功するまで上述した処理が繰り返される。
【００１２】
なお、サーボライト方式の従来技術として、サーボライト専用の装置で、複数枚の媒体を同時にサーボライトする方式である単板ＳＴＷ（Ｓｅｒｖｏ  Ｔｒａｃｋ  Ｗｒｉｔｅｒ）が知られている（例えば、特許文献１参照）。また、マスタと呼ばれるサーボ情報のサーボパターンの雛型をスレーブ媒体に接触させて磁界を印加し、サーボパターンを形成する方式である磁気転写方式が知られている（例えば、特許文献２参照）。なお、磁気転写では、サーボパターン境界にダミーパターンを設けることで、サーボ部におけるマスタとスレーブ媒体との密着性を高める技術が知られている（例えば、特許文献３参照）。また、サーボパターンを識別する従来技術として、同一媒体に形成された複数のサーボパターンから、ヘッド特性に都合のよいパターンを選択する技術が知られている（例えば、特許文献４参照）。また、ＳＴＷされた装置を識別する従来技術として、特定のエリアを設ける技術が知られている（例えば、特許文献５参照）。
【特許文献１】特開２０００−２１１０４号公報
【特許文献２】特開昭５７−２４０３２号公報
【特許文献３】特開２００５−０３８５８０号公報
【特許文献４】特開２００６−１４７１０４号公報
【特許文献５】特開２００６−２２１７７１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、上述したような、システム領域を読み取る前にサーボライト方式を識別する方法である総当り法は、サーボライト方式を特定せずパラメータ設定によりロードを可能とする方式のため、オントラック品質に影響が出るという問題や、起動時間が増大するという問題がある。また、サーボ振幅とデータ部の振幅の差が生じるため、磁気転写のようなサーボ振幅が小さめのサーボライト方式では、プリアンプゲインを高めに設定するためにデータ部で入力過大となり、システム領域のリードができないという不都合が生じる。なお、システム領域を媒体上へ格納する方法に対し、システム領域をフラッシュＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）等の記憶装置に格納する方法の場合、総当り法を用いずにサーボライト方式を識別できるが、その分、コストがかかるという問題がある。また、出荷前試験において、ファームウェアを共通化せず、サーボライト方式ごとに個別のファームウェアおよび検査用テストプログラムを使用して試験を行う方法は、サーボライト方式ごとに磁気ディスク装置の制御プログラムを別々に用意しなければならず、コストがかかるという問題がある。
【００１４】
本発明は上述した問題点を解決するためになされたものであり、磁気記憶媒体における異なるサーボライト方式によるサーボパターンに対して共通のファームウェアを用いて起動時間を短縮することができる磁気記憶装置、磁気記憶プログラム及び方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上述した課題を解決するため、磁気記憶装置は、記憶媒体においてサーボライト方式が異なるサーボパターンが混在する記憶装置であって、前記記憶媒体のサーボパターンを読み込む読込部と、前記読込部により読み込まれたサーボパターンに基づいて、サーボライト方式の特定を行う識別部と、前記識別部により特定されたサーボライト方式の情報を格納する格納部と、前記サーボライト方式の情報に基づき、最適なサーボ制御方式を設定する設定部とを備える。
【００１６】
また、磁気記憶プログラムは、記憶媒体においてサーボライト方式が異なるサーボパターンが混在する記憶装置のプログラムであって、前記記憶媒体のサーボパターンを読み込む読込ステップと、前記読込ステップにより読み込まれたサーボパターンに基づいて、サーボライト方式の特定を行う識別ステップと、前記識別ステップにより特定されたサーボライト方式の情報を格納する格納ステップと、前記サーボライト方式の情報に基づき、最適なサーボ制御方式を設定する設定ステップとをコンピュータに実行させる。
【００１７】
また、磁気記憶方法は、記憶媒体においてサーボライト方式が異なるサーボパターンが混在する記憶装置の方法であって、前記記憶媒体のサーボパターンを読み込む読込ステップと、前記読込ステップにより読み込まれたサーボパターンに基づいて、サーボライト方式の特定を行う識別ステップと、前記識別ステップにより特定されたサーボライト方式の情報を格納する格納ステップと、前記サーボライト方式の情報に基づき、最適なサーボ制御方式を設定する設定ステップとを備える。
【発明の効果】
【００１８】
開示の磁気記憶装置、磁気記憶プログラム及び方法によれば、磁気記憶媒体における異なるサーボライト方式によるサーボパターンに対して共通のファームウェアを用いて起動時間の短縮が可能となるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
【００２０】
（前提技術）
まず、実施の形態の一例を説明する前に、実施の形態の一例の前提である、磁気ディスク装置に対する出荷前試験について説明する。
【００２１】
磁気ディスク装置を組み立て後、試験設備において磁気ディスク装置のファームウェアのダウンロードと、テストプログラムによる出荷前試験とが行われる。なお、ここでダウンロードとは、磁気ディスク装置上のＭＣＵで動作するプログラムを磁気ディスク装置上の不揮発領域（Ｆｌａｓｈメモリ、媒体のシステム領域等）に書き込みを行うことを示す。また、テストプログラムは、磁気ディスク装置のキャリブレーションおよびライト、リード試験等を行うものである。
【００２２】
上述したテストプログラムによる出荷前試験は、ＡＴＡ等のホストから装置に対して、コマンドを発行し、所望の動作を行う試験である。磁気ディスク媒体がどのサーボライト方式であるかは試験設備により管理されており、所定のキャリブレーションの実施後、磁気ディスク媒体上のシステム領域にサーボライト方式の識別値が格納されるものとする。なお、同一の磁気ディスク装置内で、単板ＳＴＷと磁気転写が混在していても問題がないよう、磁気ディスク媒体ごとにサーボライト方式の識別値を格納することが望ましい。また、サーボライト方式の識別を装置自身が行っても構わないが、その際は誤判定を避けるため、媒体両面で同じ識別結果が得られない場合は不良とすることが望ましい。
【００２３】
実施の形態１．
次に、本実施の形態に係る磁気記憶装置の構成について説明する。図１は、実施の形態１に係る磁気ディスク装置の構成の一例を示すブロック図である。
【００２４】
図１に示すように、磁気ディスク装置１は、磁気ディスク１１と、ＳＰＭ１２と、ヘッドアクチュエータ１３と、ＶＣＭ１４と、磁気ヘッド１５（読込部，システム領域読込部）と、ランプ１６と、ＳＰＭ駆動回路１７と、ＶＣＭ駆動回路１８と、プリアンプ１９と、ＲＤＣ２０と、ＭＣＵ２１（識別部，設定部，
書換部）と、不揮発領域２２と、ＨＤＣ２３と、バッファ２４（格納部）とを備える。なお、バッファ２４には、後述するＭＣＵ２１の動作により、サーボパターン識別のための変数であるサーボパターン識別値２５が格納される。また、図１に示されているホスト２は、例えばＡＴＡホスト等の、磁気ディスク装置１へ所望の動作を行わせるコマンドを発行するものである。
【００２５】
磁気ディスク１１は、円盤状のアルミニウムやガラス基板等の物体に磁性層が形成されている記憶媒体であり、ＳＰＭ１２は、磁気ディスク１１を回転駆動させるものである。ヘッドアクチュエータ１３は、ＶＣＭ１４に設置され、先端に保持している磁気ヘッド１５を支持するアームであり、ＶＣＭ１４は、このヘッドアクチュエータ１３を駆動させるものである。また、磁気ヘッド１５は、磁気ディスク１１に格納されているデータの読み出し、書き込みを行うものであり、ランプ１６は、磁気ディスク装置１が停止する際に、磁気ヘッド１５が乗り上げて磁気ディスク１１面上から退避するスロープを持つものである。
【００２６】
また、ＳＰＭ駆動回路１７は、ＳＰＭ１２を回転駆動させるものであり、ＶＣＭ駆動回路１８は、ＶＣＭ１４を駆動させるものである。また、プリアンプ１９は、磁気ヘッド１５によって磁気ディスク１１から読み出された信号及び磁気ディスク１１への書き込まれる信号を増幅するものである。また、ＲＤＣ２０は、磁気ディスク１１に書き込まれる情報をエンコードし、磁気ディスク１１から読み取られた信号をデコードするものである。
【００２７】
また、ＭＣＵ２１は、装置内全てのデバイスの動作を制御するものであり、不揮発領域２２はプログラムやデータ等が格納されている書き換え可能な不揮発性の記憶媒体である。また、ＨＤＣ２３は、磁気ディスク装置１とホスト２との間で送受信されるデータの誤りを訂正するものであり、バッファ２４は、ＨＤＣ２３、ホスト２間で行われるデータ送受信時に生じるデータ入出力処理のタイミングのずれを補うため、データを一時的に保持する記憶領域である。
【００２８】
なお、本実施の形態における磁気ディスク装置１は、サーボライト方式によらず、共通のファームウェアを搭載し、磁気ディスク１１のサーボマーク及び基準トラック番号は同一であるものとする。
【００２９】
次に、本実施の形態に係る磁気ディスク装置の動作について説明する。図２は、実施の形態１に係る磁気ディスク装置の起動処理の一例を示すフローチャートである。
【００３０】
まず、ユーザにより磁気ディスク装置１の電源が投入されると（Ｓ１０１）、ＭＣＵ２１は、ＳＰＭ駆動回路１７によりＳＰＭ１２を回転駆動させ（Ｓ１０２）、磁気ディスク１１を回転させる。ＳＰＭ１２回転後、ＭＣＵ２１は、不揮発領域２２に格納されているサーボパターン識別値２５をデフォルトでバッファ２４にセットし（Ｓ１０３）、ロードを行うためのデフォルトのサーボライト方式のパラメータをセットする（Ｓ１０４）。デフォルトのパラメータセット後、ＭＣＵ２１は、磁気ディスク１１のロードを開始し（Ｓ１０５）、サーボライト方式の仮識別処理を行う（Ｓ１０６，読込ステップ，識別ステップ）。
【００３１】
ここで、仮識別処理について説明する。仮識別処理は、ＭＣＵ２１が、磁気ディスク１１のロード中に一定区間の各サンプルにおけるサーボＡＧＣ（Ａｕｔｏｍａｔｉｃ  Ｇａｉｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）の値を収集し、その平均値及び分散値を算出し、算出したサーボＡＧＣの平均値と分散値に基づいて算出した指標ｘと閾値ｘ０との対比により、サーボライト方式の判定を行うものである。なお、指標は、次式により算出する。
【００３２】
ｘ＝σ2／μ
なお、この式において、σ2は、サーボＡＧＣの分散値、μはサーボＡＧＣをそれぞれ示す。
【００３３】
ＭＣＵ２１は、上述した式により算出された指標ｘが、閾値ｘ０を上回る場合を単板ＳＴＷと判定し，それ以外を磁気転写と判定する。なお、磁気転写において、プリアンブルの磁化パターンは半径方向で連続であるため、どの位置でもサーボ振幅に大差はなく、サーボＡＧＣ値もばらつかない。しかしながら、単板ＳＴＷでは、サイドイレーズにより、書き継ぎ位置においてはサーボ振幅は小さくなるが、非書き継ぎ位置においては大きくなるため、ロード中のサーボＡＧＣ値はばらつく。よって、指標ｘの値により、単板ＳＴＷか磁気転写かの判定ができる。また、ｘ０の範囲は、概ね０．５〜０．１０とすることが望ましい。なお、上述した判定方法以外に、サーボＡＧＣの平均値及び最大値、最小値でサーボライト方式を判定しても構わない。
【００３４】
上述したような、サーボパターンの仮識別処理後、ＭＣＵ２１は、サーボパターン識別値２５に仮識別処理（Ｓ１０６）にて判断されたサーボライト方式の結果を示す値をサーボライト識別値２５にセットし（Ｓ１０７，格納ステップ）、この識別値に応じた最適なパラメータ（サーボ制御方式）をセットする（Ｓ１０８，設定ステップ）。なお、セットするパラメータについては、後述にて詳細を説明する。
【００３５】
パラメータ設定後、ＭＣＵ２１は、ロードが正常に終了したかの判断を行う（Ｓ１０９）。なお、ロードが正常に終了したかの判断基準は、復調が行えたか否かである。下記に上述した仮識別処理のタイミングをチャートにて説明する。
【００３６】
図３は、本実施の形態に係る、仮識別処理の一例を示すタイミングチャートである。図３に示すように、ＭＣＵ２１は、ロード開始と共に磁気ヘッド１５をランプ１６から離すために振り出し電流を印加する。次に、ＭＣＵ２１は、ＶＣＭ電流を安定させ、サーボ検出を行う。なお、サーボ検出のタイミングは、磁気ヘッド１５がランプ端を過ぎてからとなる。ＭＣＵ２１は、サーボ検出と同時に仮識別処理としてサーボＡＧＣを取得し、取得したサーボＡＧＣよりサーボライト方式を仮識別し、仮識別後にパラメータ設定、復調を行い、復調の成功によりロードを完了する。なお、ＭＣＵ２１は、ＶＣＭ１４のロード開始からサーボ検出開始までの駆動においては逆起電力による等速制御を行い、サーボ検出から仮識別完了までの駆動においてはサーボ位置による等速制御を行う。また、ＶＣＭ電流はパラメータ設定中に低下するものである。
【００３７】
ロードが正常に終了した場合（Ｓ１０９，ＹＥＳ）、ＭＣＵ２１は、磁気ディスク１１上にあるシステム領域へ、磁気ヘッド１５をシークし（Ｓ１１０）、システム領域のリードを行い（Ｓ１１１，システム領域読込ステップ）、リードが成功したか否かの判断を行う（Ｓ１１２）。リードが成功した場合（Ｓ１１２，ＹＥＳ）、ＭＣＵ２１は、磁気ディスク１１上のシステム領域にある正式なサーボパターン識別値を、バッファ２４に格納されているサーボパターン識別値２５へ上書きし（Ｓ１１３，書換ステップ）、本フローは終了となる。なお、上書きは、仮識別にて誤検出した場合、装置動作に支障をきたすことを防止するために行われる。
【００３８】
一方、ステップＳ１０９において、磁気ディスク１１のロードが外的要因等により正常に終了しなかった場合（Ｓ１０９，ＮＯ）、ＭＣＵ２１は、磁気ディスク１１からアンロードを行い（Ｓ１１４）、再度ロードを行う（Ｓ１０５）。なお、磁気ディスク１１のロードが正常に終了するまで上述した処理を繰り返す。また、ステップＳ１１２において、システム領域のリードができない場合（Ｓ１１２，ＮＯ）、ＭＣＵ２１は、リトライ用のパラメータをセットし（Ｓ１１５）、再度システム領域のリードを行い（Ｓ１１１）、システム領域のリードが成功するまで上述した処理を繰り返す。
【００３９】
次に、上述にて説明したステップＳ１０８において、サーボパターン識別値２５へセットするパラメータの例として、偏心補正フィードフォワード、ヘッドチェンジシーク方式、リードチャネルの対称性補正を、図を用いて説明する。
【００４０】
まず、図４〜図６を参照し、サーボライト方式ごとに、トラック追従時の補正方法について説明する。図４は、実施の形態１に係る、各サーボライト方式の偏心補正ゾーン（Ｚｏｎｅ）とトラック（Ｔｒａｃｋ）番号の相関図である。図５は、本実施の形態に係る、各サーボライト方式のサーボ制御の特徴を表わした図である。単板ＳＴＷ及び磁気転写は偏心が大きいため、１次偏心を補正する必要があり、さらに、１次以外の偏心成分を繰り返し補正によって圧縮する必要がある。その際、半径位置ごとに偏心成分が異なるため、図４に示すように、単板ＳＴＷは、トラック（Ｔｒａｃｋ）番号が内周にいくにつれ細かくなることから、内周で細かくゾーン（Ｚｏｎｅ）幅を設定し、磁気転写は、内外周で細かくゾーン幅を設定する必要がある。よって図５に示すようなサーボ制御が必要となる。また、隣接トラックに共通した偏心成分を、ＲＤＣ２０によるフィードフォワード（Ｆｅｅｄ  Ｆｏｒｗａｒｄ）制御により、取り除くことが必要である。
【００４１】
次に、偏心補正フィードフォワードについて説明する。図６は，本実施の形態に係る、偏心補正を行うリードチャネルの一例を示すサーボブロックの図である。図６に示すように、ＲＤＣ２０は、差分器２０ａと、フィードバック制御を行うＣｏｎｔｒｏｌｌｅｒ２０ｂと、ＦｅｅｄＦｏｒｗａｒｄ２０ｃと、加算器２０ｄと、Ｐｌａｎｔ２０ｅと、加算器２０ｆと、磁気転写用の偏心補正テーブル２０ｇと、単板ＳＴＷ用の偏心補正テーブル２０ｈとを有する。なお、偏心補正テーブル２０ｇ及び２０ｈは、可変の偏心補正量を記憶するものである。
【００４２】
差分器２０ａは、目標トラックｘと、Ｐｌａｎｔ２０ｅから出力された現在の復調位置に加算器２０ｆにてＲＲＯを加算した結果の復調位置ｙとの入力を受け付け、復調位置ｙの符号を反転させた値をｘに加算し、この加算結果ｚをＣｏｎｔｏｒｌｌｅｒ２０ｂへ受け渡すものである。すなわち、加算結果ｚは、目標トラックｘと加算器２０ｆから出力された復調位置ｙとの差分である。なお、ＲＲＯについては後述にて説明する。
【００４３】
上述の加算結果ｚを受け付けたＣｏｎｔｒｏｌｌｅｒ２０ｂは、加算結果ｚに基づいて、目標トラックｘと加算器２０ｆから出力された復調位置ｙとの差分を補正するフィードバック制御信号Ｕを、加算器２０ｄへ入力する。さらに、ＦｅｅｄＦｏｒｗａｒｄ２０ｃは、仮識別にて識別されたサーボライト方式に基づく偏心補正テーブル（磁気転写用偏心補正テーブル２０ｇまたは単板ＳＴＷ用偏心補正テーブル２０ｈ）から偏心補正量ΔＵを読み取り、加算器２０ｄへ入力する。加算器２０ｄは、Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ２０ｂからの出力Ｕと、ＦｅｅｄＦｏｒｗａｒｄ２０ｃからの出力ΔＵとを加算し、加算結果（Ｕ＋ΔＵ）を、Ｐｌａｎｔ２０ｅへ入力する。
【００４４】
Ｐｌａｎｔ２０ｅは、フィードバック制御信号（Ｕ＋ΔＵ）の入力を受け、ヘッドアクチュエータ１３およびその先端に取り付けられている磁気ヘッド１５をフィードバック制御信号（Ｕ＋ΔＵ）に基づいて移動制御する。また、Ｐｌａｎｔ２０ｅは、上述したフィードバック制御において、磁気ヘッド１５を介して読み出され、復調された復調位置にＲＲＯの影響を加味した復調位置ｙを差分器２０ａへ入力する。上述したフィードバック制御による偏心補正である偏心補正フィードフォワードが行われることにより、磁気ヘッド１５を目標位置に位置付けることが可能となる。
【００４５】
次に、図７及び図８を参照し、ヘッドチェンジシーク方式について説明する。図７は、サーボライト方式ごとに異なるヘッドチェンジシークの選択内容を示す図である。図７に示すように、シーク前の磁気ディスク媒体と、シーク後の磁気ディスク媒体の偏心が同一である場合（単板ＳＴＷの同一媒体シークに相当）以外は、高速なヘッドシーク制御ではエラーが発生する可能性が高くなるため、通常速度のヘッドシーク制御が行われる。なお、一般に、磁気ディスク装置は、複数の磁気ディスクを、一定間隔をおいて積み重ねて構成されるものである。以降、異なる媒体へのヘッドチェンジシークを「異媒体シーク」、同一媒体へのヘッドチェンジシークを「同一媒体シーク」と呼称する。
【００４６】
次に、シーク方式選択処理について説明する。図８は、シーク方式選択処理手順の一例を示すフローチャートである。図８に示すように、先ず、ＭＣＵ２１は、サーボパターン識別値２５に基づいてサーボライト方式識別結果を取得し（Ｓ２０１）、位置付け目標とする磁気ヘッドが、現在位置付けられている磁気ヘッドと同一の磁気ヘッドであるか否かを判定する（Ｓ２０２）。位置付け目標とする磁気ヘッドが、現在位置付けられている磁気ヘッドと同一の磁気ヘッドであると判定された場合（Ｓ２０２，ＹＥＳ）、ヘッドチェンジシーク方式として、高速シークを選択し（Ｓ２０３）、本フローは終了となる。
【００４７】
一方、位置付け目標とする磁気ヘッドが、現在位置付けられている磁気ヘッドと同一の磁気ヘッドでないと判定された場合（Ｓ２０２，ＮＯ）、ＭＣＵ２１は、目標とする磁気ディスクが、現在磁気ヘッドが位置付けられている磁気ディスクと同一の磁気ディスクであるか否かを判定する（Ｓ２０４）。目標とする磁気ディスクは、現在磁気ヘッドが位置付けられている磁気ディスクと同一の磁気ディスクであると判定された場合（Ｓ２０４，ＹＥＳ）、ＭＣＵ２１は、サーボライト方式識別結果に基づき、サーボライト方式は『磁気転写』方式であるか否かを判定する（Ｓ２０５）。サーボライト方式が磁気転写でなかった場合（Ｓ２０５，ＮＯ）、Ｓ２０３へ移行する。サーボライト方式が磁気転写であった場合（Ｓ２０５，ＹＥＳ）、ＭＣＵ２１は、ヘッドチェンジシーク方式として、通常シークを選択し（Ｓ２０６）、本フローは終了となる。
【００４８】
また、ステップＳ２０４において、目標とする磁気ディスクは、現在磁気ヘッドが位置付けられている磁気ディスクと同一の磁気ディスクでないと判定された場合（Ｓ２０４，ＮＯ）、ＭＣＵ２１は、サーボライト方式識別結果に基づき、サーボライト方式は、単板ＳＴＷであるか否かを判定する（Ｓ２０７）。サーボライト方式が、単板ＳＴＷであると判定された場合（Ｓ２０７，ＹＥＳ）、ステップＳ２０６へ移行し、本フローは終了となる。また、サーボライト方式が、単板ＳＴＷでないと判定された場合（Ｓ２０７，ＮＯ）、ＭＣＵ２１は、サーボライト方式が判定できないため、ＨＤＣ２３を介して、ホスト２へ、エラー通知を出力し（Ｓ２０８）、本フローは終了となる。
【００４９】
次に、図９〜図１２を参照し、サーボパターン読み取り信号の補正について説明する。図９は、磁気ディスクからの読み取り信号が対称である場合の波形の一例を示す図である。また、図１０は、磁気ディスクからの読み取り信号が非対称である場合の波形の一例を示す図である。図９に示すように、単板ＳＴＷにみられる磁気ディスクからの読み取り信号の出力変動は、横軸に関して上下に対称であり、これは読み取り信号が良好な状態を示している。しかしながら、図１０に示すように、磁気転写にみられる磁気ディスクからの読み取り信号の出力変動は、横軸に関して上下いずれかに偏っているために非対称であり、読み取り信号が良好でない。これは、初期化方向の磁化の磁力が、飽和記録に対して転写方向に不足している場合に散見される。
【００５０】
次に、読み取り信号の非対称性を補正するリードチャネルの構成を説明する。図１１は、読み取り信号から直流成分を除去するＲＤＣの構成の一例を示すブロック図である。図１１に示す通り、ＲＤＣ２０は、加算器２０ｊと、ＤＣ Ｏｆｆｓｅｔ部２０ｋと、ＶＧＡ（Ｖａｒｉａｂｌｅ  Ｇａｉｎ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）部２０ｌと、可変ＥＱ（Ｅｑｕａｌｉｚｅｒ）２０ｍと、ＡＤＣ（Ａｎａｌｏｇ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）２０ｎと、ＡＧＣ  Ｇａｉｎを記憶するＲｅｇｉｓｔｅｒ（レジスタ）部２０ｏと、ＦＩＲ（Ｆｉｎｉｔｅ  Ｉｍｐｕｌｓｅ  Ｒｅｓｐｏｎｓｅ）２０ｐと、復調部２０ｑと、ＰＥＳ演算部２０ｒと、ＤＦＴ回路２０ｓと、対称性測定部２０ｔとを有する。
【００５１】
図１０に示すように、磁気ディスクからの読み取り信号の出力変動が、横軸に関して非対称である場合には、磁気ディスクからの読み取り信号をＶＧＡ部２０ｌに入力する前に、ＤＣオフセットをフィードフォワードで入力しておくことで、復調エラーの発生確率を低減することが可能である。例えば、サーボライト方式が磁気転写の場合、ＭＣＵ２１は、ＡＧＣ振幅を１とした場合は、ＤＣオフセットキャンセル量を０．１と設定する。これは、磁気転写波形の立ち上がりと立下りの傾きが異なることに起因し、微分した後にＤＣオフセットキャンセル量を注入することで、最適化するためである。なお、ＤＣ Ｏｆｆｓｅｔ部２０ｋによるＤＣオフセットのフィードフォワード処理を、対称性補正ＦＦ（Ｆｅｅｄ  Ｆｏｒｗａｒｄ）と呼ぶ。
【００５２】
また、可変ＥＱ２０ｍの調整も、単板ＳＴＷ、磁気転写では、装置自身の磁気ヘッドでサーボライトされた波形ではないことに起因する周波数特性の違いが生ずるため、各々最適値に調整する必要がある。以降、この可変ＥＱ２０ｍの調整を、可変ＥＱ調整と呼称する。また、ＦＩＲ２０ｐにおいて、ＭＣＵ２１が２タップのデジタルフィルタ（トランスバーサルフィルタ）係数を調整することで、波形を最適に調整することができる。例えば、サーボライト方式が単板ＳＴＷの場合，ＭＣＵ２１は、２タップのデジタルフィルタ係数を（１，０．２）、磁気転写の場合、（１，−０．２）のように変更する。
【００５３】
図１２は、対称性補正ＦＦおよび可変ＥＱ調整の必要性の有無を、サーボライト方式ごとに示す図である。図１２に示すように、単板ＳＴＷでは、対称性補正ＦＦは不要であるのに対し、磁気転写では、対称性補正ＦＦは必要であり、可変ＥＱ調整は何れも必要である。
【００５４】
また、上述したパラメータ設定に伴い、ＭＣＵ２１は、プリアンプ１９の仮ゲイン調整のためのサーボＡＧＣ値のスライスもサーボライト方式ごとに設定する。なお、プリアンプ１９の仮ゲイン調整とは、出荷試験時に決定したゲインをリードする前の段階でオントラックし、システム領域をリードするために行うゲイン調整である。磁気ディスク１１のサーボ部とデータ部では、振幅差が生じるため、どちらかが過大または過小にならないようなプリアンプゲインを設定する必要があり、そのため、ＭＣＵ２１は、サーボＡＧＣ値がある範囲に収まるように調整を行う。また、その範囲をサーボライト方式ごとに設定することが重要である。
【００５５】
ここで、上述した処理により起動した磁気ディスク装置１の制御の一例として、ＲＲＯ（Ｒｅｐｅａｔａｂｌｅ  Ｒｕｎ  Ｏｕｔ）非追従制御を説明する。なお、ＲＲＯ非追従制御とは、サーボ帯域を超えたＲＲＯ成分にあえて追従させないことで、ＲＰＥおよびＮＲＰＥ（Ｎｏｎ−Ｒｅｐｅａｔａｂｌｅ  Ｐｏｓｉｔｉｏｎ  Ｅｒｒｏｒ）を低減する方式である。また、ＲＲＯ成分とは、ＳＰＭ１２の回転の振動により発生する位置外乱である偏心の回転同期成分である。このようなＲＲＯ非追従制御においては、出荷前試験時に、個々のトラックにおいてＲＲＯを測定し、磁気ディスク１１の記憶媒体上の一部に書き込んでおき、オントラックさせるときに読み出して使用する方式が一般的である。なお、ＲＰＥは、位置決め制御をおこなったときの位置誤差に含まれる磁気ディスク１１の回転に同期した成分であり、ＮＲＰＥは、位置決め制御を行ったときの位置誤差に含まれる磁気ディスク１１の回転に同期しない（非同期）成分である。また、ＲＲＯと、ＲＰＥとは異なるサーボライト方式で書き込まれたサーボパターンごとに異なる値を示す。
【００５６】
上述したＲＲＯ非追従制御について詳細を説明する。図１３は、ＲＲＯ非追従制御を行うリードチャネルの一例を示すサーボブロックの図である。図１３に示すように、ＲＤＣ２０は、差分器２０ａと、フィードバック制御を行うＣｏｎｔｒｏｌｌｅｒ２０ｂと、Ｐｌａｎｔ２０ｅと、加算器２０ｆと、磁気ディスク１１上に記録したＲＲＯのテーブルであるＲＲＯテーブル２０ｉとを有する。
【００５７】
差分器２０ａは、目標トラックｘと、ＲＲＯテーブル２０ｈからのＲＲＯ値ｓと、Ｐｌａｎｔ２０ｅから出力された現在の復調位置に加算器２０ｆにてＲＲＯを加算した結果の復調位置ｙ’との入力を受け付け、復調位置ｙ’の符号を反転させた値をｘに加算し、これらの加算結果ｚ’をＣｏｎｔｏｒｌｌｅｒ２０ｂへ受け渡す。すなわち、加算結果ｚ’は、目標トラックｘと、ＲＲＯ値ｓと、加算器２０ｆから出力された復調位置ｙ’との差分である。なお、差分器２０ａにおいて、あらかじめＲＲＯ値ｓを足し込むことにより、ＲＲＯ値ｓの影響を加算器２０ｆの出力である復調位置ｙ’から取り除き、ＲＲＯ非追従を実現する。
【００５８】
上述の加算結果を受け付けたＣｏｎｔｒｏｌｌｅｒ２０ｂは、加算結果ｚ’に基づいて、目標トラックｘと加算器２０ｆから出力された復調位置ｙ’との差分を補正するフィードバック制御信号Ｕ’をＰｌａｎｔ２０ｅへ入力する。フィードバック制御信号Ｕ’の入力を受けたＰｌａｎｔ２０ｅは、ヘッドアクチュエータ１３およびその先端に取り付けられている磁気ヘッド１５をフィードバック制御信号Ｕ’に基づいて移動制御する。移動制御後、Ｐｌａｎｔ２０ｅは、フィードバック制御中において、磁気ヘッド１５を介して読み出されて復調された復調位置にＲＲＯの影響を加味した復調位置ｙ’を差分器２０ａへ出力する。上述したＲＲＯ非追従制御により、磁気ヘッド１５を目標位置に位置付けることが可能となる。
【００５９】
本実施の形態において、磁気ディスク装置を例にとり説明を行ったが、磁気記憶装置として、光ディスク媒体及び光ディスク装置、もしくは光磁気ディスク媒体及び光磁気ディスク装置等の記憶媒体及び記憶装置でも同様の効果を奏することは言うまでもない。
【００６０】
本実施の形態によれば、磁気ヘッド１５が磁気ディスク１１にロードするタイミングでサーボライト方式の仮識別処理を行い、最適なパラメータを設定することにより、各サーボライト方式で共通のファームウェアを用いて、基準トラック番号を共通としても、起動時間の短縮及びリード品質の改善ができる。
【００６１】
実施の形態２．
上述した実施の形態１では、サーボライト方式の仮識別処理をサーボＡＧＣ値に基づき算出した値により行ったが、磁気ディスク１１のサーボ情報にあるバースト部（磁気転写におけるダミーバーストまたは単板ＳＴＷにおける位置決め情報の後の信号部分）の代わりにサーボライト方式識別用の識別バーストを設けることで仮識別処理を行っても良い。以下、本実施の形態における実施の形態１とは異なる点について説明する。
【００６２】
図１４は、本実施の形態に係る、磁気ディスク媒体の表面にパターンニングされるサーボ情報の一例を示す概念図である。図１４に示すように、磁気ディスク媒体３には、回転中心から半径方向に延びるサーボ情報が、複数のサーボパターンとして記録されている。このようなサーボパターンで記録されるサーボ情報は、複数のフレームを含み、１フレームは、サーボ部３１とデータ部３２とを含む。サーボ部３１は、プリアンブル３３、サーボマーク３４、トラック番号３５、位置決め情報３６、識別バースト３７（識別基準）を含む。なお、サーボマーク３４は、例えば、二桁の１６進数で表現され、当該フレームがサーボ情報のフレームであることを示す識別情報である。
【００６３】
図１５は、磁気ディスク媒体のデータ領域、識別領域の一例を示す概念図である。図１５に示すように、磁気ディスク媒体３はデータ領域３８と、識別領域３９とで構成されており、識別領域３９はロードアンロード領域であるためキズがつく恐れがあり、データ領域３８として使用されない領域である。しかしながら、識別領域３９におけるサーボが全滅する可能性は低いため、識別には使用可能である。
【００６４】
図１４、図１５に示すように、本実施の形態では、サーボ部３１に識別バースト３７を設け、ロード中の識別領域３９の識別バースト３７を利用することにより、仮識別を行うものである。なお、識別バースト３７は、データ領域３８に作成しても構わないが、データフォーマット効率が低くなるため、データ領域３８ではデータ部３２として使用するのが望ましい。
【００６５】
図１６は、実施の形態２に係る、サーボデータの再生波形の一例を示す図である。磁気転写は、サーボ部３１におけるマスタとスレーブ媒体の密着性を向上させるためにダミーバースト領域を設けるサーボライト方式であるため、このダミーバーストであるバースト部を識別バースト３７として利用する。それに対し、単板ＳＴＷは、識別バースト３７は設けず、バースト部をＡＣイレーズしておく。これにより、図１６に示すように、磁気転写は識別バースト３７があり、単板ＳＴＷは、識別バースト３７がない。よって識別バースト３７の有無により、ＭＣＵ２１は、磁気転写と単板ＳＴＷの仮識別を行う。この仮識別処理によれば、磁気ディスク媒体３のロード後、識別領域３９において識別バースト３７の有無をＲＤＣ２０でモニターすることにより、ファームウェアでの仮識別を可能とする。
【００６６】
以下、本実施の形態における、仮識別処理の動作について説明する。
【００６７】
図１７は、実施の形態２に係る、仮識別処理の一例を示すタイミングチャートである。図１７に示すように、ＭＣＵ２１は、ロード開始と共に磁気ヘッド１５をランプ１６から離すために振り出し電流を印加する。次に、ＭＣＵ２１は、ＶＣＭ電流を安定させ、サーボ検出を行う。なお、サーボ検出のタイミングは、磁気ヘッド１５がランプ端を過ぎてからとなる。ＭＣＵ２１は、サーボ検出と同時に仮識別処理として識別バースト３７のサンプリングを行い、サンプリング結果からサーボライト方式を仮識別し、仮識別後にパラメータ設定、復調を行い、復調の成功によりロードを完了する。なお、ＭＣＵ２１は、ＶＣＭ１４の、ロード開始からサーボ検出開始までの駆動においては逆起電力による等速制御を行い、サーボ検出から仮識別完了までの駆動においてはサーボ位置による等速制御を行う。また、ＶＣＭ電流はパラメータ設定中に低下するものである。また、本実施の形態における仮識別処理以外の動作については、図２に示されているフローと同様となるため、説明を省略する。
【００６８】
本実施の形態によれば、磁気転写により作製された磁気ディスク媒体３のダミーバーストを識別バースト３７として利用し、単板ＳＴＷにより作製された磁気ディスクの位置決め情報３６の後の信号部分をＡＣイレーズすることによって、識別バースト３７の有無により仮識別を行うことができる。
【００６９】
実施の形態３．
上述した実施の形態２では、磁気ディスク３のサーボ部にあるバースト部を識別用の識別バースト３７として使用するため、単板ＳＴＷは、バースト部をＡＣイレーズし、磁気転写は、バースト部をそのままとしたが、磁気転写及び単板ＳＴＷのバースト部の位相を違えることにより、仮識別を行っても良い。
【００７０】
図１８は、実施の形態３に係る、サーボデータの再生波形の一例を示す図である。図１８に示すように、本実施の形態は、磁気転写と単板ＳＴＷとで、バースト部の基準位置からの位相を違えた、識別バースト４０（識別基準）を設けることにより、仮識別を行うものである。例えば、磁気転写では９０度、単板ＳＴＷでは−９０度とする。なお、磁気転写は０度、単板ＳＴＷは１８０度としてもよい。また、この仮識別処理によれば、ＲＤＣ２０において識別バースト４０のサンプリング値をＤＦＴし、位相量を取得しすることにより、ファームウェアで仮識別が可能となる。また、本実施の形態における仮識別処理の動作については、図１７に示されているタイミングチャートと同様であり、仮識別処理以外の動作については図２に示されているフローと同様となるため、説明は省略する。
【００７１】
本実施の形態によれば、磁気ディスク媒体３のバースト部にサーボライト方式ごとに位相の違う識別バースト４０を設けることにより、仮識別を行うことができる。
【００７２】
更に、磁気ディスク装置１において上述した各ステップを実行させるプログラムを、磁気ディスクプログラムとして提供することができる。上述したプログラムは、ＭＣＵ２１により読み取り可能な記録媒体に記憶させることによって、磁気ディスク装置１に実行させることが可能となる。また、図１９に示すように、磁気ディスク装置１と接続された設定用端末４に記憶媒体５を読み込ませ、磁気ディスクプログラムを磁気ディスク装置１へ送信しても良い。ここで、      ＭＣＵ２１及び設定用端末４により読み取り可能な記録媒体としては、ＲＯＭやＲＡＭ等のコンピュータに内部実装される内部記憶装置、ＣＤ−ＲＯＭやフレキシブルディスク、ＤＶＤディスク、光磁気ディスク、ＩＣカード等の可搬型記憶媒体や、コンピュータプログラムを保持するデータベース、或いは、他のコンピュータ並びにそのデータベースや、更に回線上の伝送媒体をも含むものである。
【００７３】
本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他の様々な形で実施することができる。そのため、前述の実施の形態は、あらゆる点で単なる例示に過ぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、何ら拘束されない。更に、特許請求の範囲の均等範囲に属する全ての変形、様々な改良、代替および改質は、全て本発明の範囲内のものである。
【００７４】
以上の実施の形態１〜３に関し、更に以下の付記を開示する。
【００７５】
（付記１）
記憶媒体においてサーボライト方式が異なるサーボパターンが混在する記憶装置であって、
前記記憶媒体のサーボパターンを読み込む読込部と、
前記読込部により読み込まれたサーボパターンに基づいて、サーボライト方式の特定を行う識別部と、
前記識別部により特定されたサーボライト方式の情報を格納する格納部と、
前記サーボライト方式の情報に基づき、最適なサーボ制御方式を設定する設定部と、
を備えることを特徴とする記憶装置。
（付記２）
付記１に記載の記憶装置であって、
前記設定部は、前記識別部により特定されたサーボライト方式に基づいてプリアンプゲインの調整範囲を設定することを特徴とする記憶装置。
（付記３）
付記１に記載の記憶装置であって、
前記設定部は、前記識別部により特定されたサーボライト方式に基づいてＤＣオフセットのキャンセル量を設定することを特徴とする記憶装置。
（付記４）
付記１に記載の記憶装置であって、
前記設定部は、前記識別部により特定されたサーボライト方式に基づいてデジタルフィルタの値を設定することを特徴とする記憶装置。
（付記５）
付記１に記載の記憶装置であって、
前記識別部は、前記読込部により得られるサーボパターンのサーボＡＧＣ値に基づく所定の関数により、サーボライト方式を特定することを特徴とする記憶装置。
（付記６）
付記１に記載の記憶装置であって、
前記記憶媒体は、サーボ領域に、前記識別部に読み込ませるサーボライト方式を識別する基準となる識別基準が設けられ、
前記識別部は、前記記憶媒体における前記識別基準に基づいて、サーボライト方式を特定することを特徴とする記憶装置。
（付記７）
付記１に記載の記憶装置であって、
前記記憶媒体は、前記サーボ領域に識別基準が設けられ、
前記識別部は、前記記憶媒体における前記識別基準の位相の差異により、サーボライト方式を特定することを特徴とする記憶装置。
（付記８）
付記１に記載の記憶装置であって、
さらに、前記設定部により設定されたサーボ制御方式に基づき、前記記憶媒体のシステム領域に格納されているサーボライト方式の情報を読み込むシステム領域読込部と、
前記格納部に格納されているサーボライト方式の情報を前記システム領域読込部により読み込まれたサーボライト方式の情報に書き換える書換部と、
を備えることを特徴とする記憶装置。
（付記９）
サーボ領域を有する記憶媒体であって、
前記記憶媒体のサーボ領域に、サーボライト方式を識別する基準である識別基準が設けられていることを特徴とする記憶媒体。
（付記１０）
記憶媒体においてサーボライト方式が異なるサーボパターンが混在する記憶装置の記憶プログラムであって、
前記記憶媒体のサーボパターンを読み込む読込ステップと、
前記読込ステップにより読み込まれたサーボパターンに基づいて、サーボライト方式の特定を行う識別ステップと、
前記識別ステップにより特定されたサーボライト方式の情報を格納する格納ステップと、
前記サーボライト方式の情報に基づき、最適なサーボ制御方式を設定する設定ステップと、
をコンピュータに実行させる記憶プログラム。
（付記１１）
付記１０に記載の記憶プログラムであって、
前記設定ステップは、前記識別ステップにより特定されたサーボライト方式に基づいてプリアンプゲインの調整範囲を設定することをコンピュータに実行させる記憶プログラム。
（付記１２）
付記１０に記載の記憶プログラムであって、
前記設定ステップは、前記識別ステップにより特定されたサーボライト方式に基づいてＤＣオフセットのキャンセル量を設定することをコンピュータに実行させる記憶プログラム。
（付記１３）
付記１０に記載の記憶プログラムであって、
前記識別ステップは、前記読込ステップにより得られるサーボパターンのサーボＡＧＣ値に基づく所定の関数により、サーボライト方式を特定することをコンピュータに実行させる記憶プログラム。
（付記１４）
付記１０に記載の記憶プログラムであって、
前記記憶媒体は、サーボ領域に、前記識別ステップに読み込ませるサーボライト方式を識別する基準となる識別基準が設けられ、
前記識別ステップは、前記記憶媒体における前記識別基準に基づいて、サーボライト方式を特定することをコンピュータに実行させる記憶プログラム。
（付記１５）
付記１０に記載の記憶プログラムであって、
前記記憶媒体は、前記サーボ領域に識別基準が設けられ、
前記識別ステップは、前記記憶媒体における前記識別基準の位相の差異により、サーボライト方式を特定することをコンピュータに実行させる記憶プログラム。
（付記１６）
記憶媒体においてサーボライト方式が異なるサーボパターンが混在する記憶装置の記憶方法であって、
前記記憶媒体のサーボパターンを読み込む読込ステップと、
前記読込ステップにより読み込まれたサーボパターンに基づいて、サーボライト方式の特定を行う識別ステップと、
前記識別ステップにより特定されたサーボライト方式の情報を格納する格納ステップと、
前記サーボライト方式の情報に基づき、最適なサーボ制御方式を設定する設定ステップと、
を実行する記憶方法。
（付記１７）
付記１６に記載の記憶方法であって、
前記設定ステップは、前記識別ステップにより特定されたサーボライト方式に基づいてプリアンプゲインの調整範囲を設定することを特徴とする記憶方法。
（付記１８）
付記１６に記載の記憶方法であって、
前記設定ステップは、前記識別ステップにより特定されたサーボライト方式に基づいてＤＣオフセットのキャンセル量を設定することを特徴とする記憶方法。
（付記１９）
付記１６に記載の記憶方法であって、
前記識別ステップは、前記読込ステップにより得られるサーボパターンのサーボＡＧＣ値に基づく所定の関数により、サーボライト方式を特定することを特徴とする記憶方法。
（付記２０）
付記１６に記載の記憶方法であって、
前記記憶媒体は、サーボ領域に、前記識別ステップに読み込ませるサーボライト方式を識別する基準となる識別基準が設けられ、
前記識別ステップは、前記記憶媒体における前記識別基準に基づいて、サーボライト方式を特定することを特徴とする記憶方法。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】実施の形態１に係る、磁気ディスク装置の構成の一例を示すブロック図である。
【図２】実施の形態１に係る、磁気ディスク装置の起動処理の一例を示すフローチャートである。
【図３】実施の形態１に係る、仮識別処理の一例を示すタイミングチャートである。
【図４】実施の形態１に係る、各サーボライト方式の偏心補正ゾーン（Ｚｏｎｅ）とトラック（Ｔｒａｃｋ）番号の相関図である。
【図５】実施の形態１に係る、各サーボライト方式のサーボ制御の特徴を表わした図である。
【図６】実施の形態１に係る、偏心補正を行うリードチャネルの一例を示すサーボブロックの図である。
【図７】サーボライト方式ごとに異なるヘッドチェンジシークの選択内容を示す図である。
【図８】シーク方式選択処理手順の一例を示すフローチャートである。
【図９】磁気ディスクからの読み取り信号が対称である場合の波形の一例を示す図である。
【図１０】磁気ディスクからの読み取り信号が非対称である場合の波形の一例を示す図である。
【図１１】読み取り信号から直流成分を除去するＲＤＣの構成の一例を示すブロック図である。
【図１２】対称性補正ＦＦおよび可変ＥＱ調整の必要性の有無を、サーボライト方式ごとに示す図である。
【図１３】ＲＲＯ非追従制御を行うリードチャネルの一例を示すサーボブロックの図である。
【図１４】実施の形態２に係る、磁気ディスク媒体の表面にパターンニングされるサーボ情報の一例を示す概念図である。
【図１５】磁気ディスク媒体のデータ領域、識別領域の一例を示す概念図である。
【図１６】実施の形態２に係る、サーボデータの再生波形の一例を示す図である。
【図１７】実施の形態２に係る、仮識別処理の一例を示すタイミングチャートである。
【図１８】実施の形態３に係る、サーボデータの再生波形の一例を示す図である。
【図１９】設定用端末により、記憶媒体の磁気ディスクプログラムを磁気ディスク装置へ送信する概念図である。
【図２０】従来技術における、磁気ディスク装置の構成の一例を示すブロック図である。
【図２１】従来技術における、磁気ディスク装置の起動処理の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
【００７７】
１  磁気ディスク装置、１１  磁気ディスク、１２  ＳＰＭ、１３  ヘッドアクチュエータ、１４  ＶＣＭ、１５  磁気ヘッド、１６  ランプ、１７  ＳＰＭ駆動回路、１８  ＶＣＭ駆動回路、１９  プリアンプ、２０  ＲＤＣ、２１  ＭＣＵ、２２  不揮発領域、２３  ＨＤＣ、２４  バッファ、２５  サーボパターン識別値２５、２  ホスト。
【図１】
2010086593.tif 000003
【図２】
2010086593.tif 000004
【図３】
2010086593.tif 000005
【図４】
2010086593.tif 000006
【図５】
2010086593.tif 000007
【図６】
2010086593.tif 000008
【図７】
2010086593.tif 000009
【図８】
2010086593.tif 000010
【図９】
2010086593.tif 000011
【図１０】
2010086593.tif 000012
【図１１】
2010086593.tif 000013
【図１２】
2010086593.tif 000014
【図１３】
2010086593.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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