(57)【要約】【課題】  低温状態での輸送や長時間の保管後においても、粘着剤層と接着剤層の界面における両者の剥離や、いわゆるフィルム浮き現象の発生を防止することが可能な半導体装置製造用フィルム、及びその製造方法を提供する。【解決手段】  本発明に係る半導体装置製造用フィルムは、積層フィルム上にカバーフィルムが貼り合わされた半導体装置製造用フィルムであって、前記カバーフィルムを剥離し、温度２３±２℃で２４時間放置した後の積層フィルムにおける長手方向及び幅方向の収縮率が、前記カバーフィルムの貼り合わせ前の積層フィルムに対して０〜２％の範囲内であることを特徴とする。【選択図】  図１
2010135400.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層フィルム上にカバーフィルムが貼り合わされた半導体装置製造用フィルムであって、
前記カバーフィルムを剥離し、温度２３±２℃で２４時間放置した後の積層フィルムにおける長手方向及び幅方向の収縮率が、前記カバーフィルムの貼り合わせ前の積層フィルムに対して０〜２％の範囲内である半導体装置製造用フィルム。
【請求項２】
前記積層フィルムは、基材上に粘着剤層が設けられたダイシングフィルムに対し、その粘着剤層上に接着剤層が設けられたものである請求項１に記載の半導体装置製造用フィルム。
【請求項３】
前記接着剤層における高分子樹脂成分のガラス転移温度が−２０〜５０℃の範囲内であり、硬化前の２３℃における引張貯蔵弾性率が５０〜２０００ＭＰａの範囲内である請求項２に記載の半導体装置製造用フィルム。
【請求項４】
前記ダイシングフィルムの粘着剤層が紫外線硬化型であり、前記粘着剤層を紫外線硬化させた後の２３℃におけるダイシングフィルムの引張弾性率が１〜１７０ＭＰａの範囲内である請求項２又は３に記載の半導体装置製造用フィルム。
【請求項５】
積層フィルム上にカバーフィルムが積層された半導体装置製造用フィルムの製造方法であって、
前記カバーフィルムに対し、その長手方向に引張張力を加え、延伸させた状態で前記積層フィルムに貼り合わせることにより、
前記カバーフィルムを剥離し、温度２３±２℃で２４時間放置した後の積層フィルムにおける長手方向及び幅方向の収縮率を、前記カバーフィルムの貼り合わせ前の積層フィルムに対して０〜２％の範囲内に調節する半導体装置製造用フィルムの製造方法。
【請求項６】
前記積層フィルムは、基材上に粘着剤層が積層されたダイシングフィルムと、基材セパレータ上に接着剤層が積層されたダイボンドフィルムとを、前記粘着剤層と接着剤層とが貼り合わせ面となる様に貼り合わせ、
更に、前記接着剤層から前記基材セパレータを剥離することにより作製されたものである請求項５に記載の半導体装置製造用フィルムの製造方法。
【請求項７】
前記カバーフィルムをその初期状態に対し長手方向に１．００１〜１．１倍に延伸させて、前記積層フィルムに貼り合わせる請求項５又は６に記載の半導体装置製造用フィルムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造に使用される半導体装置製造用フィルム及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路パターンを形成した半導体ウェハは、必要に応じて裏面研磨により厚さを調整した後、半導体チップにダイシングされる（ダイシング工程）。次いで、前記半導体チップを接着剤にてリードフレーム等の被着体に固着（ダイアタッチ工程）した後、ボンディング工程に移される。前記ダイアタッチ工程に於いては、接着剤をリードフレームや半導体チップに塗布して行っていた。しかし、この方法では接着剤層の均一化が困難であり、また接着剤の塗布に特殊装置や長時間を必要とする。このため、ダイシング工程で半導体ウェハを接着保持するとともに、マウント工程に必要なチップ固着用の接着剤層をも付与するダイシング・ダイボンドフィルムが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に記載のダイシング・ダイボンドフィルムは、基材上に粘着剤層及び接着剤層が順次積層され、当該接着剤層を剥離可能に設けてなるものである。即ち、接着剤層による保持下に半導体ウェハをダイシングしたのち、基材を延伸して半導体チップを接着剤層とともに剥離し、これを個々に回収してその接着剤層を介してリードフレーム等の被着体に固着させるようにしたものである。
【０００４】
この種のダイシング・ダイボンドフィルムは、高温・高湿の環境下に置かれたり、荷重が加えられた状態で長期間保存されると硬化する場合がある。その結果、接着剤層の流動性や、半導体ウェハに対する保持力の低下、ダイシング後の剥離性の低下を招来する。このため、ダイシング・ダイボンドフィルムは−３０〜−１０℃の冷凍、又は−５〜１０℃の冷蔵状態で保存しながら輸送されることが多く、これによりフィルム特性の長期間の保存を可能にしている。
【０００５】
しかしながら、従来のダイシング・ダイボンドフィルムは、製造工程上の制約から、ダイシングフィルムとダイボンドフィルムをそれぞれ個別に作製した上で、両者を貼り合わせて作製している。このため、各々フィルム作製工程において弛みや巻ズレ、位置ズレ、シワ等が発生するのを防止する観点から、ロールによる搬送の際に各フィルムに引張張力を加えながらその作製が行われる。その結果、作製されたダイシング・ダイボンドフィルムには残留応力が残存しており、これにより前述の低温状態での輸送や長時間の保管後において、粘着剤層と接着剤層の界面で両者の剥離を生じるという問題がある。また、ダイシング・ダイボンドフィルムの収縮により、フィルム浮き現象が発生する問題もある。
【０００６】
【特許文献１】特開昭６０−５７６４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は前記の問題を解決するためになされたものであり、その目的は、低温状態での輸送や長時間の保管後においても、粘着剤層と接着剤層の界面における両者の剥離や、いわゆるフィルム浮き現象の発生を防止することが可能な半導体装置製造用フィルム、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願発明者等は、前記従来の問題点を解決すべく、半導体装置製造用フィルム及びその製造方法について検討した。その結果、積層フィルムにカバーフィルムを貼り合わせる際に、当該カバーフィルムを延伸した状態で行うことにより、低温状態での輸送や長時間の保管後においても、粘着剤層と接着剤層の界面での剥離や、いわゆるフィルム浮き現象の発生を防止できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
即ち、本発明に係る半導体装置製造用フィルムは、前記の課題を解決する為に、積層フィルム上にカバーフィルムが貼り合わされた半導体装置製造用フィルムであって、前記カバーフィルムを剥離し、温度２３±２℃で２４時間放置した後の積層フィルムにおける長手方向及び幅方向の収縮率が、前記カバーフィルムの貼り合わせ前の積層フィルムに対して０〜２％の範囲内であることを特徴とする。
【００１０】
積層フィルムが、例えばロールによる搬送中に延伸されたことにより、残留応力が残存した状態でカバーフィルムが貼り合わされると、−３０〜−１０℃の冷凍、又は−５〜１０℃の低温状態で輸送したり、長時間保管した後において、積層されたフィルム間で当該残留応力に起因した界面剥離を生じる場合がある。また、積層フィルムが収縮することにより、カバーフィルムのフィルム浮き現象が生じる場合がある。しかし前記構成のように、カバーフィルムを剥離し、温度２３±２℃で２４時間放置した後の積層フィルムにおける長手方向及び幅方向の収縮率を、カバーフィルムの貼り合わせ前の積層フィルムに対して０〜２％の範囲内にすることにより、残留応力に起因するフィルム間の界面剥離やフィルム浮きの発生を防止することができる。尚、本発明における「積層フィルム」とは、少なくとも２層のフィルムが積層されたものをいう。
【００１１】
前記構成に於いて、前記積層フィルムは、基材上に粘着剤層が設けられたダイシングフィルムに対し、その粘着剤層上に接着剤層が設けられたものであることが好ましい。積層フィルムがダイシング・ダイボンドフィルムであると、残存する残留応力に起因して粘着剤層と接着剤層の界面で両者が剥離したり、フィルム浮き現象が生じるのを防止することができる。
【００１２】
前記構成に於いては、前記接着剤層における高分子樹脂成分のガラス転移温度が−２０〜５０℃の範囲内であり、硬化前の２３℃における引張貯蔵弾性率が５０〜２０００ＭＰａの範囲内であることが好ましい。高分子樹脂成分のガラス転移温度を−２０℃以上にすることにより、Ｂステージ状態での接着剤層のタック性が大きくなるのを抑制し、良好な取り扱い性を維持することができる。また、ダイシングの際に、粘着剤層の一部が溶融して粘着剤が半導体チップに付着するのを防止することができる。その結果、半導体チップの良好なピックアップ性を維持することができる。その一方、５０℃以下にすることにより、接着剤層の流動性の低下を防止することができる。また、半導体ウェハとの良好な接着性も維持することができる。更に、前記引張貯蔵弾性率を５０ＭＰａ以上にすることにより、ダイシングの際に、粘着剤層の一部が溶融して粘着剤が半導体チップに付着するのを防止することができる。その一方、引張貯蔵弾性率を２０００ＭＰａ以下にすることにより、半導体ウェハや基板との良好な接着性も維持することができる。
【００１３】
また、前記構成に於いては、前記ダイシングフィルムの粘着剤層が紫外線硬化型であり、前記粘着剤層を紫外線硬化させた後の２３℃におけるダイシングフィルムの引張弾性率が１〜１７０ＭＰａの範囲内であることが好ましい。ダイシングフィルムの引張弾性率を１ＭＰａ以上にすることにより、良好なピックアップ性を維持することができる。その一方、引張弾性率を１７０ＭＰａ以下にすることにより、ダイシングの際のチップ飛びの発生を防止することができる。
【００１４】
本発明に係る半導体装置製造用フィルムの製造方法は、前記の課題を解決する為に、積層フィルム上にカバーフィルムが積層された半導体装置製造用フィルムの製造方法であって、前記カバーフィルムに対し、その長手方向に引張張力を加え、延伸させた状態で前記積層フィルムに貼り合わせることにより、前記カバーフィルムを剥離し、温度２３±２℃で２４時間放置した後の積層フィルムにおける長手方向及び幅方向の収縮率を、前記カバーフィルムの貼り合わせ前の積層フィルムに対して０〜２％の範囲内に調節することを特徴とする。
【００１５】
前記方法であると、カバーフィルムに対しその長手方向に引張張力を加え延伸させた状態で、当該カバーフィルムを積層フィルムに貼り合わせるので、積層フィルムに存在する残留応力の影響を低減することができる。これにより、−３０〜−１０℃の冷凍、又は−５〜１０℃の低温状態で輸送したり、長時間保管をした後においても、積層されたフィルム間で当該残留応力に起因した界面剥離やフィルム浮きのない半導体装置製造用フィルムを製造することができる。
【００１６】
前記の方法に於いて、前記積層フィルムは、基材上に粘着剤層が積層されたダイシングフィルムと、基材セパレータ上に接着剤層が積層されたダイボンドフィルムとを、前記粘着剤層と接着剤層とが貼り合わせ面となる様に貼り合わせ、更に、前記接着剤層から前記基材セパレータを剥離することにより作製されたものであることが好ましい。積層フィルムとして前記ダイボンドフィルム上に接着剤層が積層されたものを採用することにより、半導体装置製造用フィルムとしてダイシング・ダイボンドフィルムの製造が可能になる。ここで、前記構成の積層フィルムであると、接着剤層から基材セパレータが剥離されたとき、基材のみが支持体としてフィルムの形状及び積層構造を維持することになる。このため、積層フィルムの搬送中に延伸され易くなり、その結果、積層フィルムに残留応力が生じ易い。しかし、前記方法であると、その様なダイシング・ダイボンドフィルムの製造においても、カバーフィルムを延伸された状態で貼り合わせることにより、前記残留応力に起因した粘着剤層と接着剤層の界面での剥離、及びカバーフィルムのフィルム浮き現象を防止して製造することができる。
【００１７】
また、前記の方法に於いては、前記カバーフィルムをその初期状態に対し長手方向に１．００１〜１．１倍に延伸させて、前記積層フィルムに貼り合わせることが好ましい。当該数値範囲内でカバーフィルムに対しその長手方向に引張張力を加えることにより、積層フィルムにおけるフィルム間の剥離やカバーフィルムのフィルム浮き現象を防止することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明は、前記に説明した手段により、以下に述べるような効果を奏する。
即ち、本発明の半導体装置製造用フィルムによれば、カバーフィルムを剥離し、温度２３±２℃で２４時間放置した後の積層フィルムにおける長手方向及び幅方向の収縮率を、カバーフィルムの貼り合わせ前の積層フィルムに対して０〜２％の範囲内にすることにより、−３０〜−１０℃の冷凍、又は−５〜１０℃の低温状態で輸送したり、長時間の保管した後においても、残留応力に起因したフィルム間の界面剥離、フィルム浮き現象の発生を防止することができる。その結果、歩留まりを向上させて半導体装置を製造することが可能な半導体装置製造用フィルムを提供することができる。
【００１９】
また、本発明の半導体装置製造用フィルムの製造方法によれば、カバーフィルムに対しその長手方向に引張張力を加え延伸した状態で、当該カバーフィルムを積層フィルムに貼り合わせるので、積層フィルムに存在する残留応力の影響を低減することができる。その結果、前記低温状態での輸送や長時間の保管の後においても、積層されたフィルム間で残留応力に起因した界面の剥離や、カバーフィルムのフィルム浮き現象の無い半導体装置製造用フィルムを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本実施の形態に係る半導体装置製造用フィルムについて、ダイシング・ダイボンドフィルムを例にして以下に説明する。図１は、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムの概略を表す断面図である。図２は、前記ダイシング・ダイボンドフィルムの製造過程を説明するための概略図である。図３は、積層フィルムとカバーフィルムとの貼り合わせ工程を説明するための説明図である。図４は、前記カバーフィルムに引張潮力を加える様子を示す説明図である。
【００２１】
図１に示すように、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０は、ダイシングフィルム１１上に接着剤層１２及びカバーフィルム２が順次積層された構造である。また、ダイシングフィルム１１は基材１３上に粘着剤層１４が積層された構造である（図２（ａ）参照）。
【００２２】
ダイシングフィルム１１は、例えば、次の通りにして作製される。先ず、基材１３は、従来公知の製膜方法により製膜することができる。当該製膜方法としては、例えばカレンダー製膜法、有機溶媒中でのキャスティング法、密閉系でのインフレーション押出法、Ｔダイ押出法、共押出し法、ドライラミネート法等が例示できる。
【００２３】
次に、基材１３上に粘着剤組成物溶液を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、粘着剤層１４を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては塗布膜の厚さや材料等に応じて適宜設定され得る。具体的には、例えば乾燥温度８０〜１５０℃、乾燥時間０．５〜５分間の範囲内で行われる。また、第１セパレータ２１上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層１４を形成してもよい。その後、基材１３上に粘着剤層１４を第１セパレータ２１と共に貼り合わせる。これにより、第１セパレータ２１で粘着剤層１４が保護されたダイシングフィルム１１が作製される（図２（ａ）参照）。
【００２４】
粘着剤層１４として、紫外線硬化型粘着剤からなり、かつ、予め紫外線硬化されたものを採用する場合は、次の通りにして形成する。即ち、基材１３上に紫外線硬化型の粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ（必要に応じて加熱架橋させて）、粘着剤層前駆体を形成する。塗布方法、塗布条件、及び乾燥条件は前記と同様に行うことができる。また、第１セパレータ２１上に紫外線硬化型の粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて粘着剤層前駆体を形成してもよい。その後、基材１３上に粘着剤層前駆体を転写する。この様にして形成された粘着剤層前駆体は所定条件下で紫外線照射され、これにより粘着剤層１４が形成される。紫外線の照射条件としては、その積算光量が３０〜１０００ｍＪ／ｃｍ２となる範囲内であることが好ましく、１００〜５００ｍＪ／ｃｍ２となる範囲内であることがより好ましい。紫外線の照射が３０ｍＪ／ｃｍ２未満であると、粘着剤層１４の硬化が不十分になる場合がある。その結果、ダイボンドフィルムとの密着性が増大し、ピックアップ性の低下を招来する。またピックアップ後、ダイボンドフィルムに糊残りが発生する場合がある。その一方、積算光量が１０００ｍＪ／ｃｍ２を超えると、基材１３に対し熱的ダメージを与える場合がある。また、粘着剤層１４の硬化が過度に進行して引張弾性率が大きくなりすぎ、エキスパンド性が低下する。更に、粘着力が過度に低下し、これにより半導体ウェハのダイシングの際に、チップ飛びが発生する場合がある。
【００２５】
前記接着剤層１２は、先ず図２（ｂ）に示すダイボンドフィルム２４が作製された後、ダイシングフィルム１１の粘着剤層上に転写された積層される。ダイボンドフィルム２４は、例えば、基材セパレータ２２上に接着剤層１２及び第２セパレータ２３が順次積層された構造を有する。
【００２６】
前記ダイボンドフィルム２４は、例えば、次の通りにして作製される。
即ち、接着剤層１２を形成するための接着剤組成物溶液を基材セパレータ２２上に所定厚みとなる様に塗布して塗布膜を形成した後、該塗布膜を所定条件下で乾燥させ、接着剤層１２を形成する。塗布方法としては特に限定されず、例えば、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工等が挙げられる。また、乾燥条件としては塗布膜の厚さや材料等に応じて適宜設定され得る。具体的には、例えば乾燥温度７０〜１６０℃、乾燥時間１〜５分間の範囲内で行われる。また、第２セパレータ２３上に粘着剤組成物を塗布して塗布膜を形成した後、前記乾燥条件で塗布膜を乾燥させて接着剤層１２を形成してもよい。その後、基材セパレータ２２上に接着剤層１２を第２セパレータ２３と共に貼り合わせる。これにより、基材セパレータ２２上に接着剤層１２及び第２セパレータ２３が順次積層されたダイボンドフィルム２４が作製される（図２（ｂ）参照）。
【００２７】
本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０は、ダイシングフィルム１１とダイボンドフィルム２４とを貼り合わせて作製される。具体的には、次の通りである。
即ち、ダイシングフィルム１１から第１セパレータ２１を剥離すると共に、ダイボンドフィルム２４から第２セパレータ２３を剥離し、接着剤層１２と粘着剤層１４とが貼り合わせ面となる様にして両者を貼り合わせる（図２（ｃ）参照）。接着剤層１２と粘着剤層１４の貼り合わせは、例えば圧着により行うことができる。このとき、ラミネート温度は特に限定されず、例えば３０〜５０℃が好ましく、３５〜４５℃がより好ましい。また、線圧は特に限定されず、例えば０．１〜２０ｋｇｆ／ｃｍが好ましく、１〜１０ｋｇｆ／ｃｍがより好ましい。
【００２８】
次に、接着剤層１２上の基材セパレータ２２を剥離し、これにより基材１３上に粘着剤層１４及び接着剤層１２が順次積層された積層フィルム１が得られる。続いて、この積層フィルム１の接着剤層１２上に、カバーフィルム２を貼り合わせる（図３参照）。ここで、積層フィルム１は、その長手方向において極力引張張力が加えられない状態で搬送されるのが好ましい。基材１３のみが支持体としてダイシング・ダイボンドフィルムのフィルム形状及び積層構造を維持した構造となっており、その結果、容易に延伸され易い状態にあるからである。前記引張張力は、具体的には１０〜２５Ｎの範囲内であることが好ましい。
【００２９】
前記カバーフィルム２は、当該カバーフィルム２がロール状に巻回された巻出しロール３１から送り出され、ガイドロール３２、３３により曲折されながら搬送される。前記ガイドロール３２、３３は、回転自在のロール形状をしている。但し、本発明におけるガイドロール３２、３３はロール状のものに限定されず、例えば非回転の固定式であってもよい。更に、ガイドロール３２、３３の形状は特に限定されるものではなく、カバーフィルム２と接触する面が少なくとも曲面であればよい。従って、例えば、横断面半円形、楕円形、扇形等の形状とすることも可能である。これらの形状とすることにより、カバーフィルム２とガイドロール３２、３３との接触面での摩擦抵抗が過度に大きくなり過ぎるのを防止し、カバーフィルム２の搬送を容易にする。
【００３０】
カバーフィルム２の積層フィルム１への貼り合わせは、予めその長手方向に所定の引張張力を加え、延伸させた状態で行われる。また、貼り合わせは、例えば圧着により行うことが好ましい。カバーフィルム２に引張張力を加える方法としては特に限定されず、例えば、図４に示すダンサーロール３６を用いた方法が挙げられる。ダンサーロール３６は、一対の固定ロール３７間に配置され、かつ、上下方向に可動することにより、カバーフィルム２の長手方向に引張張力を加えることを可能にする。カバーフィルム２の延伸は、その初期状態に対し１．００１〜１．１倍、好ましくは１．００１〜１．０１倍の範囲内となる様に行うのが好ましい。延伸の倍率が１．００１倍未満であると、本発明の効果が得られない場合がある。その一方、１．１倍を超えると、延伸によりカバーフィルム２が変形し、シワやカールが発生する場合がある。尚、前記「長手方向」とは、フィルムのＭＤ（machine direction）方向を意味し、後述の「幅方向」とはそれと直行するＴＤ（transverse direction）方向を意味する。
【００３１】
また、カバーフィルム２の積層フィルム１への貼り合わせは、例えば、ニップロール３４により行うことができる。前記ニップロール３４は回転自在のロール形状をしている。ラミネート温度は特に限定されず、例えば１８〜２８℃が好ましく、２０〜２５℃がより好ましい。また、貼り合わせ圧力（ニップ圧）は特に限定されず、例えば０．１〜０．５ＭＰａが好ましく、０．１〜０．４ＭＰａがより好ましい。これにより、本実施の形態に係るダイシング・ダイボンドフィルム１０が作製される。
【００３２】
その後、前記ダイシング・ダイボンドフィルム１０はガイドロール３５を経て搬送され、巻き取りロール３８によりロール状に巻き取られる。この様にして作製されたダイシング・ダイボンドフィルム１０は、カバーフィルム２の貼り合わせ前後において収縮が抑制されており、その収縮率は長手方向及び幅方向のそれぞれにおいて、０〜２％の範囲内に収められている。即ち、本実施の形態に係る製造方法であると、ダイシング・ダイボンドフィルムの形状安定性に優れている。長手方向又は幅方向の収縮率が０％未満、即ちダイシング・ダイボンドフィルム１０が伸びていると、半導体ウェハをマウントする際にダイシング・ダイボンドフィルム１０の弛みや位置ズレが発生する。その一方、前記収縮率が２％より大きいと、接着剤層１２と粘着剤層１４との界面で両者の剥離が生じる。その結果、例えば、半導体ウェハのダイシングの際に、作製された半導体チップを十分に接着固定することができず、チップ飛びやチッピングによる半導体チップの破損が発生し、歩留まりが低下する。尚、長手方向及び幅方向の収縮率は、０〜１％がより好ましく、０〜０．５％が特に好ましい。
【００３３】
尚、前記収縮率は、次の様にして算出される。カバーフィルム２貼り合わせ前の積層フィルムにおいて、ＭＤ方向の長さ及びＴＤ方向の幅をそれぞれ測定し、かつ、基材１３の裏面側（粘着剤層１４の形成面とは反対側の面）にマーキングを施す。次に、温度２３±２℃、相対湿度５５±５％の環境下でダイシング・ダイボンドフィルム１０からカバーフィルム２を剥離し、２４時間放置をする。その後、ダイシング・ダイボンドフィルム１０のＭＤ方向の長さ及びＴＤ方向の幅をそれぞれ測定する。得られた測定値から次式により、ＭＤ方向及びＴＤ方向の収縮率をそれぞれ算出する。
収縮率（％）＝［（貼り合わせ前のＭＤ方向又はＴＤ方向の距離）−（貼り合わせ後のＭＤ方向又はＴＤ方向の距離）／（貼り合わせ前のＭＤ方向又はＴＤ方向の距離）］×１００
【００３４】
次に、ダイシング・ダイボンドフィルム１０を構成する各部材の説明をする。
前記基材１３は、ダイシング・ダイボンドフィルム１０やダイシングフィルム１１の強度母体となるものである。より具体的には、例えば、低密度ポリエチレン、直鎖状ポリエチレン、中密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、ランダム共重合ポリプロピレン、ブロック共重合ポリプロピレン、ホモポリプロレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、金属（箔）、紙等が挙げられる。尚、粘着剤層１４が紫外線硬化型の場合、基材１３としては前記に例示したもののうち紫外線透過性を有するものが好ましい。
【００３５】
また基材１３の材料としては、前記樹脂の架橋体等のポリマーが挙げられる。前記プラスチックフィルムは、無延伸で用いてもよく、必要に応じて一軸又は二軸の延伸処理を施したものを用いてもよい。延伸処理等により熱収縮性を付与した樹脂シートによれば、ダイシング後にその基材１３を熱収縮させることにより粘着剤層１４と接着剤層１２との接着面積を低下させて、半導体チップの回収の容易化を図ることができる。
【００３６】
基材１３の表面は、隣接する層との密着性、保持性等を高める為、慣用の表面処理、例えば、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、イオン化放射線処理等の化学的又は物理的処理、下塗剤（例えば、後述する粘着物質）によるコーティング処理を施すことができる。
【００３７】
前記基材１３は、同種又は異種のものを適宜に選択して使用することができ、必要に応じて数種をブレンドしたものを用いることができる。また、基材１３には、帯電防止能を付与する為、前記の基材１３上に金属、合金、これらの酸化物等からなる厚さが３０〜５００Å程度の導電性物質の蒸着層を設けることができる。基材１３は単層あるいは２種以上の複層でもよい。
【００３８】
前記基材１３の厚さは特に制限されず適宜に設定できるが、例えば５〜２００μｍ程度である。前記熱収縮によって接着剤層１２による張力に耐えられる厚さで有れば、特に制限されるものではない。
【００３９】
前記粘着剤層１４の形成に用いる粘着剤としては特に制限されず、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤を用いることができる。前記感圧性粘着剤としては、半導体ウェハやガラス等の汚染をきらう電子部品の超純水やアルコール等の有機溶剤による清浄洗浄性等の点から、アクリル系ポリマーをベースポリマーとするアクリル系粘着剤が好ましい。
【００４０】
前記アクリル系ポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸アルキルエステル（例えば、メチルエステル、エチルエステル、プロピルエステル、イソプロピルエステル、ブチルエステル、イソブチルエステル、ｓ−ブチルエステル、ｔ−ブチルエステル、ペンチルエステル、イソペンチルエステル、ヘキシルエステル、ヘプチルエステル、オクチルエステル、２−エチルヘキシルエステル、イソオクチルエステル、ノニルエステル、デシルエステル、イソデシルエステル、ウンデシルエステル、ドデシルエステル、トリデシルエステル、テトラデシルエステル、ヘキサデシルエステル、オクタデシルエステル、エイコシルエステル等のアルキル基の炭素数１〜３０、特に炭素数４〜１８の直鎖状又は分岐鎖状のアルキルエステル等）及び（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル（例えば、シクロペンチルエステル、シクロヘキシルエステル等）の１種又は２種以上を単量体成分として用いたアクリル系ポリマー等が挙げられる。尚、（メタ）アクリル酸エステルとはアクリル酸エステル及び／又はメタクリル酸エステルをいい、本発明の（メタ）とは全て同様の意味である。
【００４１】
前記アクリル系ポリマーは、凝集力、耐熱性等の改質を目的として、必要に応じ、前記（メタ）アクリル酸アルキルエステル又はシクロアルキルエステルと共重合可能な他のモノマー成分に対応する単位を含んでいてもよい。この様なモノマー成分として、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチル（メタ）アクリレート、カルボキシペンチル（メタ）アクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸等のカルボキシル基含有モノマー；無水マレイン酸、無水イタコン酸等の酸無水物モノマー；（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル、（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）メチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシル基含有モノマー；スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等のスルホン酸基含有モノマー；２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等のリン酸基含有モノマー；アクリルアミド、アクリロニトリル等が挙げられる。これら共重合可能なモノマー成分は、１種又は２種以上使用できる。これら共重合可能なモノマーの使用量は、全モノマー成分の４０重量％以下が好ましい。
【００４２】
更に、前記アクリル系ポリマーは、架橋させる為、多官能性モノマー等も、必要に応じて共重合用モノマー成分として含むことができる。この様な多官能性モノマーとして、例えば、ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、（ポリ）プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ネオペンチルグリコールジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらの多官能性モノマーも１種又は２種以上用いることができる。多官能性モノマーの使用量は、粘着特性等の点から、全モノマー成分の３０重量％以下が好ましい。
【００４３】
前記アクリル系ポリマーは、単一モノマー又は２種以上のモノマー混合物を重合に付すことにより得られる。重合は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合等の何れの方式で行うこともできる。清浄な被着体への汚染防止等の点から、低分子量物質の含有量が小さいのが好ましい。この点から、アクリル系ポリマーの数平均分子量は、好ましくは３０万以上、更に好ましくは４０万〜３００万程度である。
【００４４】
また、前記粘着剤には、ベースポリマーであるアクリル系ポリマー等の数平均分子量を高める為、外部架橋剤を適宜に採用することもできる。外部架橋方法の具体的手段としては、ポリイソシアネート化合物、エポキシ化合物、アジリジン化合物、メラミン系架橋剤等のいわゆる架橋剤を添加し反応させる方法が挙げられる。外部架橋剤を使用する場合、その使用量は、架橋すべきベースポリマーとのバランスにより、更には、粘着剤としての使用用途によって適宜決定される。一般的には、前記ベースポリマー１００重量部に対して、５重量部程度以下、更には０．１〜５重量部配合するのが好ましい。更に、粘着剤には、必要により、前記成分のほかに、従来公知の各種の粘着付与剤、老化防止剤等の添加剤を用いてもよい。
【００４５】
粘着剤層１４は紫外線硬化型粘着剤により形成することができる。紫外線硬化型粘着剤は、紫外線の照射により架橋度を増大させてその粘着力を容易に低下させることができ、粘着剤層１４の半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分のみを紫外線照射することにより他の部分との粘着力の差を設けることができる。
【００４６】
前記粘着剤層１４を紫外線硬化させた後の２３℃におけるダイシングフィルム１１の引張弾性率は、１〜１７０ＭＰａの範囲内であることが好ましい。引張弾性率を１ＭＰａ以上にすることにより、良好なピックアップ性を維持することができる。その一方、引張弾性率を１７０ＭＰａ以下にすることにより、ダイシングの際のチップ飛びの発生を防止することができる。尚、前記紫外線の照射は、例えば３０〜１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射積算光量で行われることが好ましい。紫外線照射積算光量が３０ｍＪ／ｃｍ２以上にすることにより、粘着剤層１４を不足なく硬化させることができ、接着剤層１２との過度な密着を防止できる。その結果、半導体チップのピックアップの際に、良好なピックアップ性を示すことができる。また、ピックアップ後に接着剤層１２に粘着剤層１４の粘着剤が付着（いわゆる糊残り）するのを防止できる。その一方、紫外線照射積算光量を１０００ｍＪ／ｃｍ２以下にすることにより、粘着剤層１４の粘着力の極度の低下を防止し、これにより接着剤層１２との間で剥離が生じて、マウントされた半導体ウェハの脱落が生じるのを防止する。また、半導体ウェハのダイシングの際に、形成された半導体チップのチップ飛びが発生するのを防止することができる。
【００４７】
前記引張弾性率の値は、次の測定方法によるものである。即ち、ダイシングフィルム１１から長さ１０．０ｍｍ、幅２ｍｍ、断面積０．１〜０．５ｍｍ２のサンプルを切り出す。このサンプルに対し、測定温度２３℃、チャック間距離５０ｍｍ、引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎでＭＤ方向に引張試験を行い、当該サンプルが伸長したことによるその変化量（ｍｍ）を測定した。これにより、得られたＳ−Ｓ（Strain-Strength）曲線において、その初期の立ち上がりの部分に接線を引き、その接線が１００％の伸びに相当するときの引張強度をダイシングフィルム１１の断面積で除し、得られた値を引張弾性率としている。
【００４８】
ここで、接着剤層１２は、半導体ウェハの平面視における形状に応じて、その貼り付け部分にのみ形成した構成であってもよい。この場合、接着剤層１２の形状に合わせて紫外線硬化型の粘着剤層１４を硬化させることにより、半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分の粘着力を容易に低下させることができる。粘着力の低下した前記部分に接着剤層１２が貼付けられる為、粘着剤層１４の前記部分と接着剤層１２との界面は、ピックアップ時に容易に剥がれる性質を有する。一方、紫外線を照射していない部分は十分な粘着力を有している。
【００４９】
前述の通り、ダイシング・ダイボンドフィルム１０の粘着剤層１４に於いて、未硬化の紫外線硬化型粘着剤により形成されている前記部分は接着剤層１２と粘着し、ダイシングする際の保持力を確保できる。この様に紫外線硬化型粘着剤は、チップ状半導体ウェハ（半導体チップ等）を基板等の被着体に固着する為の接着剤層１２を、接着・剥離のバランスよく支持することができる。半導体ウェハの貼り付け部分にのみ接着剤層１２が積層される場合は、接着剤層１２が積層されていない領域において、ウェハリングが固定される。
【００５０】
紫外線硬化型粘着剤は、炭素−炭素二重結合等の紫外線硬化性の官能基を有し、かつ粘着性を示すものを特に制限なく使用することができる。紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、前記アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等の一般的な感圧性粘着剤に、紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合した添加型の紫外線硬化型粘着剤を例示できる。
【００５１】
配合する紫外線硬化性のモノマー成分としては、例えば、ウレタンオリゴマー、ウレタン（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリストールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリストールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオールジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また紫外線硬化性のオリゴマー成分はウレタン系、ポリエーテル系、ポリエステル系、ポリカーボネート系、ポリブタジエン系等種々のオリゴマーがあげられ、その分子量が１００〜３００００程度の範囲のものが適当である。紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分の配合量は、前記粘着剤層の種類に応じて、粘着剤層の粘着力を低下できる量を、適宜に決定することができる。一般的には、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば５〜５００重量部、好ましくは４０〜１５０重量部程度である。
【００５２】
また、紫外線硬化型粘着剤としては、前記説明した添加型の紫外線硬化型粘着剤のほかに、ベースポリマーとして、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖又は主鎖中もしくは主鎖末端に有するものを用いた内在型の紫外線硬化型粘着剤が挙げられる。内在型の紫外線硬化型粘着剤は、低分子量成分であるオリゴマー成分等を含有する必要がなく、又は多くは含まない為、経時的にオリゴマー成分等が粘着剤在中を移動することなく、安定した層構造の粘着剤層を形成することができる為好ましい。
【００５３】
前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマーは、炭素−炭素二重結合を有し、かつ粘着性を有するものを特に制限なく使用できる。この様なベースポリマーとしては、アクリル系ポリマーを基本骨格とするものが好ましい。アクリル系ポリマーの基本骨格としては、前記例示したアクリル系ポリマーが挙げられる。
【００５４】
前記アクリル系ポリマーへの炭素−炭素二重結合の導入法は特に制限されず、様々な方法を採用できるが、炭素−炭素二重結合はポリマー側鎖に導入するのが分子設計が容易である。例えば、予め、アクリル系ポリマーに官能基を有するモノマーを共重合した後、この官能基と反応しうる官能基及び炭素−炭素二重結合を有する化合物を、炭素−炭素二重結合の紫外線硬化性を維持したまま縮合又は付加反応させる方法が挙げられる。
【００５５】
これら官能基の組合せの例としては、カルボン酸基とエポキシ基、カルボン酸基とアジリジル基、ヒドロキシル基とイソシアネート基等が挙げられる。これら官能基の組合せのなかでも反応追跡の容易さから、ヒドロキシル基とイソシアネート基との組合せが好適である。また、これら官能基の組み合わせにより、前記炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーを生成するような組合せであれば、官能基はアクリル系ポリマーと前記化合物のいずれの側にあってもよいが、前記の好ましい組み合わせでは、アクリル系ポリマーがヒドロキシル基を有し、前記化合物がイソシアネート基を有する場合が好適である。この場合、炭素−炭素二重結合を有するイソシアネート化合物としては、例えば、メタクリロイルイソシアネート、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、ｍ−イソプロペニル−α，α−ジメチルベンジルイソシアネート等が挙げられる。また、アクリル系ポリマーとしては、前記例示のヒドロキシ基含有モノマーや２−ヒドロキシエチルビニルエーテル、４−ヒドロキシブチルビニルエーテル、ジエチレングルコールモノビニルエーテルのエーテル系化合物等を共重合したものが用いられる。
【００５６】
前記内在型の紫外線硬化型粘着剤は、前記炭素−炭素二重結合を有するベースポリマー（特にアクリル系ポリマー）を単独で使用することができるが、特性を悪化させない程度に前記紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分を配合することもできる。紫外線硬化性のオリゴマー成分等は、通常ベースポリマー１００重量部に対して３０重量部の範囲内であり、好ましくは０〜１０重量部の範囲である。
【００５７】
前記紫外線硬化型粘着剤には、紫外線等により硬化させる場合には光重合開始剤を含有させる。光重合開始剤としては、例えば、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα−ケトール系化合物；メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフエノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物；ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、アニソインメチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール等のケタール系化合物；２−ナフタレンスルホニルクロリド等の芳香族スルホニルクロリド系化合物；１−フェノン−１，１―プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等の光活性オキシム系化合物；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系化合物；チオキサンソン、２−クロロチオキサンソン、２−メチルチオキサンソン、２，４−ジメチルチオキサンソン、イソプロピルチオキサンソン、２，４−ジクロロチオキサンソン、２，４−ジエチルチオキサンソン、２，４−ジイソプロピルチオキサンソン等のチオキサンソン系化合物；カンファーキノン；ハロゲン化ケトン；アシルホスフィノキシド；アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤の配合量は、粘着剤を構成するアクリル系ポリマー等のベースポリマー１００重量部に対して、例えば０．０５〜２０重量部程度である。
【００５８】
また紫外線硬化型粘着剤としては、例えば、特開昭６０−１９６９５６号公報に開示されている、不飽和結合を２個以上有する付加重合性化合物、エポキシ基を有するアルコキシシラン等の光重合性化合物と、カルボニル化合物、有機硫黄化合物、過酸化物、アミン、オニウム塩系化合物等の光重合開始剤とを含有するゴム系粘着剤やアクリル系粘着剤等が挙げられる。
【００５９】
前記紫外線硬化型の粘着剤層１４中には、必要に応じて、紫外線照射により着色する化合物を含有させることもできる。紫外線照射により、着色する化合物を粘着剤層１４に含ませることによって、紫外線照射された部分のみを着色することができる。これにより、粘着剤層１４に紫外線が照射されたか否かが目視により直ちに判明することができ、半導体ウェハ貼り付け部分を認識し易く、半導体ウェハの貼り合せが容易である。また光センサー等によって半導体チップを検出する際に、その検出精度が高まり、半導体チップのピックアップ時に誤動作が生ずることがない。
【００６０】
紫外線照射により着色する化合物は、紫外線照射前には無色又は淡色であるが、紫外線照射により有色となる化合物である。かかる化合物の好ましい具体例としてはロイコ染料が挙げられる。ロイコ染料としては、慣用のトリフェニルメタン系、フルオラン系、フェノチアジン系、オーラミン系、スピロピラン系のものが好ましく用いられる。具体的には３−［Ｎ−（ｐ−トリルアミノ）］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−メチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−［Ｎ−（ｐ−トリル）−Ｎ−エチルアミノ］−７−アニリノフルオラン、３−ジエチルアミノ−６−メチル−７−アニリノフルオラン、クリスタルバイオレットラクトン、４，４’，４”−トリスジメチルアミノトリフエニルメタノール、４，４’，４”−トリスジメチルアミノトリフェニルメタン等が挙げられる。
【００６１】
これらロイコ染料とともに好ましく用いられる顕色剤としては、従来から用いられているフェノールホルマリン樹脂の初期重合体、芳香族カルボン酸誘導体、活性白土等の電子受容体があげられ、更に、色調を変化させる場合は種々公知の発色剤を組合せて用いることもできる。
【００６２】
この様な紫外線照射によって着色する化合物は、一旦有機溶媒等に溶解された後に紫外線硬化型接着剤中に含ませてもよく、また微粉末状にして当該粘着剤中に含ませてもよい。この化合物の使用割合は、粘着剤層１４中に１０重量％以下、好ましくは０．０１〜１０重量％、更に好ましくは０．５〜５重量％であるのが望ましい。該化合物の割合が１０重量％を超えると、粘着剤層１４に照射される紫外線がこの化合物に吸収されすぎてしまう為、粘着剤層１４における半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分の硬化が不十分となり、十分に粘着力が低下しないことがある。一方、充分に着色させるには、該化合物の割合を０．０１重量％以上とするのが好ましい。
【００６３】
また、粘着剤層１４を紫外線硬化型粘着剤により形成する場合には、基材１３の少なくとも片面の、半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分以外の部分の全部又は一部が遮光されたものを用い、これに紫外線硬化型の粘着剤層１４を形成した後に紫外線照射して、半導体ウェハ貼り付け部分に対応する部分を硬化させ、粘着力を低下させた前記部分を形成することができる。遮光材料としては、支持フィルム上でフォトマスクになりえるものを印刷や蒸着等で作成することができる。かかる製造方法によれば、効率よく本発明のダイシング・ダイボンドフィルム１０を製造可能である。
【００６４】
尚、紫外線照射の際に、酸素による硬化阻害が起こる場合は、紫外線硬化型の粘着剤層１４の表面よりなんらかの方法で酸素（空気）を遮断するのが望ましい。例えば、前記粘着剤層１４の表面をセパレータで被覆する方法や、窒素ガス雰囲気中で紫外線の照射を行う方法等が挙げられる。
【００６５】
粘着剤層１４の厚さは、特に限定されないが、チップ切断面の欠け防止や接着層の固定保持の両立性等の点よりは、１〜５０μｍ程度であるのが好ましい。好ましくは２〜３０μｍ、更には５〜２５μｍが好ましい。
【００６６】
前記接着剤層１２は接着機能を有する層であり、その構成材料としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂を併用してもよく、熱可塑性樹脂を単独で使用してもよい。
【００６７】
接着剤層１２のガラス転移温度は、−２０〜５０℃の範囲内であることが好ましい。ガラス転移温度が−２０℃以上であると、Ｂステージ状態での接着剤層１２のタック性が大きくなってその取り扱い性が低下するのを防止できる。また、半導体ウェハのダイシングの際に、ダイシング刃との摩擦により熱溶融した接着剤が半導体チップに付着し、これによりピックアップ不良の原因となるのを防止できる。その一方、ガラス転移温度を５０℃以下にすることにより、流動性や半導体ウェハとの密着性が低下するのを防止することができる。
【００６８】
接着剤層１２の硬化前の２３℃における引張貯蔵弾性率は５０〜２０００ＭＰａの範囲内であることが好ましい。引張貯蔵弾性率を５０ＭＰａ以上にすることにより、半導体ウェハのダイシングの際に、ダイシング刃との摩擦により熱溶融した接着剤が半導体チップに付着し、これによりピックアップ不良の原因となるのを防止できる。その一方、引張貯蔵弾性率を２０００ＭＰａ以下にすることにより、マウントされる半導体ウェハやダイボンドする基板等との密着性を良好できる。
【００６９】
前記引張貯蔵弾性率の値は、次の測定方法によるものである。即ち、離型処理を施した剥離ライナー上に接着剤組成物の溶液を塗布して乾燥し、厚さ１００μｍの接着剤層１２を形成する。この接着剤層１２を１５０℃で１時間オーブン中に放置した後、粘弾性測定装置（レオメトリックス社製：形式：ＲＳＡ−ＩＩ）を用いて、接着剤層１２の硬化後に於ける２００℃での引張貯蔵弾性率を測定する。より詳細には、サンプルサイズを長さ３０．０×幅５．０×厚さ０．１ｍｍとし、測定試料をフィルム引っ張り測定用治具にセットし、５０℃〜２５０℃の温度域で周波数１．０Ｈｚ、歪み０．０２５％、昇温速度１０℃／分の条件下で測定する。
【００７０】
前記熱可塑性樹脂としては、天然ゴム、ブチルゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリブタジエン樹脂、ポリカーボネート樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、６−ナイロンや６，６−ナイロン等のポリアミド樹脂、フェノキシ樹脂、アクリル樹脂、ＰＥＴやＰＢＴ等の飽和ポリエステル樹脂、ポリアミドイミド樹脂又はフッ素樹脂等が挙げられる。これらの熱可塑性樹脂は単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらの熱可塑性樹脂のうち、イオン性不純物が少なく耐熱性が高く、半導体装置の信頼性を確保できるアクリル樹脂が特に好ましい。
【００７１】
前記アクリル樹脂としては、特に限定されるものではなく、炭素数３０以下、特に炭素数４〜１８の直鎖若しくは分岐のアルキル基を有するアクリル酸又はメタクリル酸のエステルの１種又は２種以上を成分とする重合体等が挙げられる。前記アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、ヘプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、又はドデシル基等が挙げられる。
【００７２】
また、前記重合体を形成する他のモノマーとしては、特に限定されるものではなく、例えばアクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸若しくはクロトン酸等の様なカルボキシル基含有モノマー、無水マレイン酸若しくは無水イタコン酸等の様な酸無水物モノマー、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリル若しくは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレート等の様なヒドロキシル基含有モノマー、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート若しくは（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸等の様なスルホン酸基含有モノマー、又は２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェート等の様な燐酸基含有モノマーが挙げられる。
【００７３】
前記熱硬化性樹脂としては、フェノール樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂、又は熱硬化性ポリイミド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、単独で又は２種以上併用して用いることができる。特に、半導体チップを腐食させるイオン性不純物等含有が少ないエポキシ樹脂が好ましい。また、エポキシ樹脂の硬化剤としてはフェノール樹脂が好ましい。
【００７４】
前記エポキシ樹脂は、接着剤組成物として一般に用いられるものであれば特に限定は無く、例えばビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ビスフェノールＳ型、臭素化ビスフェノールＡ型、水添ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＡＦ型，ビフェニル型、ナフタレン型、フルオンレン型、フェノールノボラック型、オルソクレゾールノボラック型、トリスヒドロキシフェニルメタン型、テトラフェニロールエタン型等の二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂、又はヒダントイン型、トリスグリシジルイソシアヌレート型若しくはグリシジルアミン型等のエポキシ樹脂が用いられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのエポキシ樹脂のうちノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂又はテトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が特に好ましい。これらのエポキシ樹脂は、硬化剤としてのフェノール樹脂との反応性に富み、耐熱性等に優れるからである。
【００７５】
更に、前記フェノール樹脂は、前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂等のノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂、ポリパラオキシスチレン等のポリオキシスチレン等が挙げられる。これらは単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。これらのフェノール樹脂のうちフェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂が特に好ましい。半導体装置の接続信頼性を向上させることができるからである。
【００７６】
前記エポキシ樹脂とフェノール樹脂の配合割合は、例えば、前記エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１当量当たりフェノール樹脂中の水酸基が０．５〜２．０当量になるように配合することが好適である。より好適なのは０．８〜１．２当量である。即ち、両者の配合割合が前記範囲を外れると、十分な硬化反応が進まず、エポキシ樹脂硬化物の特性が劣化し易くなるからである。
【００７７】
尚、本実施の形態に於いては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂及びアクリル樹脂を含む接着剤層１２が特に好ましい。これらの樹脂は、イオン性不純物が少なく耐熱性が高いので、半導体チップの信頼性を確保できる。この場合の配合比は、アクリル樹脂成分１００重量部に対して、エポキシ樹脂とフェノール樹脂の混合量が１０〜２００重量部である。
【００７８】
本実施の形態に係る接着剤層１２は、予めある程度架橋をさせておくために、作製に際し、重合体の分子鎖末端の官能基等と反応する多官能性化合物を架橋剤として添加させてもよい。これにより、高温下での接着特性を向上させ、耐熱性の改善を図る。
【００７９】
前記架橋剤としては、従来公知のものを採用することができる。特に、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物等のポリイソシアネート化合物がより好ましい。架橋剤の添加量としては、前記の重合体１００重量部に対し、通常０．０５〜７重量部とするのが好ましい。架橋剤の量が７重量部より多いと、接着力が低下するので好ましくない。その一方、０．０５重量部より少ないと、凝集力が不足するので好ましくない。また、この様なポリイソシアネート化合物と共に、必要に応じて、エポキシ樹脂等の他の多官能性化合物を一緒に含ませるようにしてもよい。
【００８０】
また、接着剤層１２には、その用途に応じて無機充填剤を適宜配合することができる。無機充填剤の配合は、導電性の付与や熱伝導性の向上、弾性率の調節等を可能とする。前記無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素等のセラミック類、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鈴、錫、亜鉛、パラジウム、半田等の金属、又は合金類、その他カーボン等からなる種々の無機粉末が挙げられる。これらは単独で又は２種以上を併用して用いることができる。なかでも、シリカ、特に溶融シリ力が好適に用いられる。また、無機充填剤の平均粒径は０．１〜８０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００８１】
前記無機充填剤の配合量は、有機樹脂成分１００重量部に対し０〜８０重量部に設定することが好ましく、０〜７０重量部に設定することがより好ましい。
【００８２】
尚、接着剤層１２には、必要に応じて他の添加剤を適宜に配合することができる。他の添加剤としては、例えば難燃剤、シランカップリング剤又はイオントラップ剤等が挙げられる。前記難燃剤としては、例えば、三酸化アンチモン、五酸化アンチモン、臭素化エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で、又は２種以上を併用して用いることができる。前記シランカップリング剤としては、例えば、β−（３、４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン等が挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。前記イオントラップ剤としては、例えばハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス等が挙げられる。これらは、単独で又は２種以上を併用して用いることができる。
【００８３】
接着剤層１２の厚さは特に限定されないが、例えば、５〜１００μｍ程度、好ましくは５〜５０μｍ程度である。
【００８４】
ダイシング・ダイボンドフィルム１０には、帯電防止能を持たせることができる。これにより、その接着時及び剥離時等に於ける静電気の発生やそれによる半導体ウェハ等の帯電で回路が破壊されること等を防止することができる。帯電防止能の付与は、基材１３、粘着剤層１４又は接着剤層１２に帯電防止剤や導電性物質を添加する方法、基材１３への電荷移動錯体や金属膜等からなる導電層の付設等、適宜な方式で行うことができる。これらの方式としては、半導体ウェハを変質させるおそれのある不純物イオンが発生しにくい方式が好ましい。導電性の付与、熱伝導性の向上等を目的として配合される導電性物質（導電フィラー）としては、銀、アルミニウム、金、銅、ニッケル、導電性合金等の球状、針状、フレーク状の金属粉、アルミナ等の金属酸化物、アモルファスカーボンブラック、グラファイト等が挙げられる。ただし、前記接着剤層１２は、非導電性であることが、電気的にリークしないようにできる点から好ましい。
【００８５】
前記ダイシング・ダイボンドフィルムの接着剤層１２は、カバーフィルム２により保護されている。カバーフィルム２は、実用に供するまで接着剤層１２を保護する保護材としての機能を有している。カバーフィルム２はダイシング・ダイボンドフィルムの接着剤層１２上に半導体ウェハを貼着する際に剥がされる。カバーフィルム２としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等も使用可能である。
【００８６】
カバーフィルム２の厚さは特に限定されず、例えば、０．０１〜２ｍｍの範囲内であることが好ましく、０．０１〜１ｍｍの範囲内であることがより好ましい。
【００８７】
ダイシングフィルム１１の粘着剤層１４上に貼り合わされる第１セパレータ２１、ダイボンドフィルム２４の基材セパレータ２２、及びその接着剤層１２上に貼り合わされる第２セパレータ２３としては特に限定されず、従来公知の離型処理されたフィルムを用いることができる。第１セパレータ２１及び第２セパレータ２３は、それぞれ保護材としての機能を有している。また、基材セパレータ２２は、接着剤層１２をダイシングフィルム１１の粘着剤層１４上に転写する際の基材としての機能を有している。これらの各フィルムを構成する材料としては特に限定されず、従来公知のものを採用することができる。具体的には、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン、ポリプロピレンや、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等の剥離剤により表面コートされたプラスチックフィルムや紙等が挙げられる。
【００８８】
尚、本実施の形態に於いては、半導体装置製造用フィルムとしてダイシング・ダイボンドフィルムを例にして説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、半導体装置製造用フィルムは、基材上に粘着剤層及び第１セパレータが少なくとも積層されたダイシングフィルムであってもよい。また、基材セパレータ上に接着剤層及び第２セパレータが少なくとも積層されたダイボンドフィルムであってもよい。
【実施例】
【００８９】
以下に、この発明の好適な実施例を例示的に詳しく説明する。但し、この実施例に記載されている材料や配合量等は、特に限定的な記載がない限りは、この発明の範囲をそれらのみに限定する趣旨のものではない。また、各例中、部は特記がない限りいずれも重量基準である。
【００９０】
（実施例１）
＜ダイシングフィルムの作製＞
冷却管、窒素導入管、温度計および撹拌装置を備えた反応容器に、アクリル酸２−エチルヘキシル（以下、「２ＥＨＡ」という。）８８．８部、アクリル酸−２−ヒドロキシエチル（以下、「ＨＥＡ」という。）１１．２部、過酸化ベンゾイル０．２部及びトルエン６５部を入れ、窒素気流中で６１℃にて６時間重合処理をし、重量平均分子量８５万のアクリル系ポリマーＡを得た。２ＥＨＡとＨＥＡとのモル比は、１００ｍｏｌ対２０ｍｏｌとした。重量平均分子量の測定は後述の通りである。
【００９１】
このアクリル系ポリマーＡに２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（以下、「ＭＯＩ」という。）１２部（ＨＥＡに対し８０ｍｏｌ％）を加え、空気気流中で５０℃にて４８時間、付加反応処理をし、アクリル系ポリマーＡ’を得た。
【００９２】
次に、アクリル系ポリマーＡ’１００部に対し、イソシアネート系架橋剤（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン（株）製）８部、及び光重合開始剤（商品名「イルガキュア６５１」、チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）５部を加えて、粘着剤溶液を作製した。
【００９３】
前記で調製した粘着剤溶液を、ＰＥＴ剥離ライナー（第１セパレータ）のシリコーン処理を施した面上に塗布し、１２０℃で２分間加熱架橋して、厚さ１０μｍの粘着剤層前駆体を形成した。次いで、当該粘着剤層前駆体面に、厚さ１００μｍのポリオレフィンフィルム（基材）を貼り合せた。その後、５０℃にて２４時間保存をした。尚、ポリオレフィンフィルムには、その裏面側（粘着剤層の転写面とは反対側の面）において、ＭＤ方向の長さ、及びＴＤ方向の幅をそれぞれ測定し、マーキングを施した。測定した結果、ＭＤ方向の長さは２２０ｍｍであり、ＴＤ方向の幅は３００ｍｍであった。
【００９４】
更に、前記ＰＥＴ剥離ライナーを剥離し、粘着剤層前駆体の半導体ウェハ貼り付け部分（直径２００ｍｍの円形状）に相当する部分（直径２００ｍｍの円形状）にのみ紫外線を直接照射し、粘着剤層を形成した。これにより、本実施例に係るダイシングフィルムを作製した。尚、照射条件は下記の通りである。また、後述の方法により粘着剤層の引張弾性率を測定したところ、引張弾性率は２０ＭＰａであった。
【００９５】
＜重量平均分子量Ｍｗの測定＞
重量平均分子量Ｍｗの測定は、ＧＰＣ（ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー）により行った。測定条件は下記の通りである。尚、重量平均分子量はポリスチレン換算により算出した。
測定装置：ＨＬＣ−８１２０ＧＰＣ（製品名、東ソー社製）
カラム：ＴＳＫｇｅｌ  ＧＭＨ−Ｈ（Ｓ）×２（品番、東ソー社製）
流量：０．５ｍｌ／ｍｉｎ
注入量：１００μｌ
カラム温度：４０℃
溶離液：ＴＨＦ
注入試料濃度：０．１重量％
検出器：示差屈折計
【００９６】
＜紫外線の照射条件＞
紫外線（ＵＶ）照射装置：高圧水銀灯
紫外線照射積算光量：５００ｍＪ／ｃｍ２
出力：１２０Ｗ
照射強度：２００ｍＷ／ｃｍ２
【００９７】
＜ダイボンドフィルムの作製＞
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業（株）製、商品名；パラクロンＷ−１９７ＣＭ、Ｔｇ：１８℃）１００部に対して、イソシアネート系架橋剤（日本ポリウレタン（株）製、商品名；コロネートＨＸ）３部、エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、エピコート１００１）２５部、フェノール樹脂（三井化学（株）製、商品名：ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）２６部、無機充填剤として球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−２５Ｒ、平均粒径０．５μｍ）６０部をメチルエチルケトンに溶解して、濃度２１．４重量％となる様に調製した。
【００９８】
この接着剤組成物の溶液を、離型処理フィルム（基材セパレータ）上にファウンテンコーターで塗布して塗布層を形成し、この塗布層に対し１５０℃、１０ｍ／ｓの熱風を２分間、直接噴射して乾燥させた。これにより、離型処理フィルム上に、厚さ２５μｍの接着剤層が積層されたダイボンドフィルムを作製した。尚、離型処理フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ５０μｍ）にシリコーン離型処理したものを用いた。
【００９９】
＜ダイシング・ダイボンドフィルムの作製＞
次に、前記ダイシングフィルムとダイボンドフィルムを、粘着剤層と接着剤層とが貼り合わせ面となる様にして貼り合わせた。貼り合わせはニップロールを用い、貼り合わせ条件はラミネート温度４０℃、線圧３ｋｇｆ／ｃｍとした。更に、接着剤層上の基材セパレータを剥離して積層フィルムを作製した。
【０１００】
この積層フィルムに対し、ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３８μｍ）からなるカバーフィルムを前記接着剤層上に貼り合わせた。貼り合わせはニップロールを用いて、ラミネート温度２５℃、ニップ圧０．３ＭＰａで行った。また、カバーフィルムには、ダンサーロールを用いて引張張力１７Ｎを加え、初期状態から１．００３倍に延伸した状態で行った。これにより、本実施例に係るダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。尚、ダイシング・ダイボンドフィルムはロール状に巻き取り、このときの巻き取り張力はカバーフィルムを貼り合わせる前の積層フィルムが延伸しない程度、具体的には１３Ｎとした。
【０１０１】
（実施例２）
＜ダイシングフィルムの作製＞
本実施例に係るダイシングフィルムは、前記実施例１と同様のものを使用した。
【０１０２】
＜ダイボンドフィルムの作製＞
アクリル酸エチル−メチルメタクリレートを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業（株）製、商品名；パラクロンＷ−１９７ＣＭ、Ｔｇ：１８℃）１００部に対して、イソシアネート系架橋剤（日本ポリウレタン（株）製、商品名；コロネートＨＸ）２部、エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、エピコート１００１）３５部、フェノール樹脂（三井化学（株）製、商品名：ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）３７部、無機充填剤として球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−２５Ｒ、平均粒径０．５μｍ）３０部をメチルエチルケトンに溶解して、濃度２１．４重量％となる様に調製した。
【０１０３】
この接着剤組成物の溶液を、離型処理フィルム（基材セパレータ）上にファウンテンコーターで塗布して塗布層を形成し、この塗布層に対し１５０℃、１０ｍ／ｓの熱風を２分間、直接噴射して乾燥させた。これにより、離型処理フィルム上に、厚さ２５μｍの接着剤層が積層されたダイボンドフィルムを作製した。尚、離型処理フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ５０μｍ）にシリコーン離型処理したものを用いた。
【０１０４】
＜ダイシング・ダイボンドフィルムの作製＞
ダイシング・ダイボンドフィルムは、前記ダイシングフィルムとダイボンドフィルムを、粘着剤層と接着剤層とが貼り合わせ面となる様にして貼り合わせた。貼り合わせ条件は、ラミネート温度４０℃、線圧３ｋｇｆ／ｃｍとした。次に、接着剤層上の基材セパレータを剥離すると共に、ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３８μｍ）からなるカバーフィルムを前記接着剤層上に貼り合わせた。貼り合わせはニップロールを用いて、ラミネート温度２５℃、ニップ圧０．３ＭＰａで行った。また、カバーフィルムには、ダンサーロールを用いて引張張力１７Ｎを加え、初期状態から１．０１倍に延伸した状態で行った。これにより、本実施例に係るダイシング・ダイボンドフィルムを作製した。尚、ダイシング・ダイボンドフィルムはロール状に巻き取り、このときの巻き取り張力はカバーフィルムを貼り合わせる前の積層フィルムが延伸しない程度、このときの巻き取り張力は２３Ｎとした。
【０１０５】
（比較例１）
＜ダイシングフィルムの作製＞
本比較例に係るダイシングフィルムは、前記実施例１と同様のものを使用した。
【０１０６】
＜ダイボンドフィルムの作製＞
本比較例に係るダイボンドフィルムは、前記実施例２と同様のものを使用した。
【０１０７】
＜ダイシング・ダイボンドフィルムの作製＞
本比較例に係るダイシング・ダイボンドフィルムは、カバーフィルムに対する引張張力を１２Ｎとし、その初期状態とほぼ同様の状態で接着剤層上に貼り合わせたこと、得られたダイシング・ダイボンドフィルムをロール状に巻き取る際の巻き取り張力を２８Ｎとしたこと以外は、前記実施例２と同様にして作製した。
【０１０８】
（比較例２）
＜ダイシングフィルムの作製＞
本比較例に係るダイシングフィルムは、前記実施例１と同様のものを使用した。
【０１０９】
＜ダイボンドフィルムの作製＞
ブチルアクリレートを主成分とするポリマー（根上工業（株）製、商品名；パラクロンＡＳ−３０００、Ｔｇ：−３６℃）１００部に対して、イソシアネート系架橋剤（日本ポリウレタン（株）製、商品名；コロネートＨＸ）５部、エポキシ樹脂（ＪＥＲ（株）製、エピコート１００１）４５部、フェノール樹脂（三井化学（株）製、商品名：ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）４７部、無機充填剤として球状シリカ（アドマテックス（株）製、商品名；ＳＯ−２５Ｒ、平均粒径０．５μｍ）２０部をメチルエチルケトンに溶解して、濃度２１．４重量％となる様に調製した。
【０１１０】
この接着剤組成物の溶液を、離型処理フィルム（基材セパレータ）上にファウンテンコーターで塗布して塗布層を形成し、この塗布層に対し１５０℃、１０ｍ／ｓの熱風を２分間、直接噴射して乾燥させた。これにより、離型処理フィルム上に、厚さ２５μｍの接着剤層が積層されたダイボンドフィルムを作製した。尚、離型処理フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ５０μｍ）にシリコーン離型処理したものを用いた。
【０１１１】
＜ダイシング・ダイボンドフィルムの作製＞
本比較例に係るダイシング・ダイボンドフィルムは、前記比較例１と同様にして作製した。
【０１１２】
（参考例１）
＜ダイシングフィルムの作製＞
本参考例に係るダイシングフィルムは、前記実施例１と同様のものを使用した。
【０１１３】
＜ダイボンドフィルムの作製＞
本参考例に係るダイシングフィルムは、無機充填剤の添加量を９５部に変更したこと以外は、前記実施例１と同様にして作製した。
【０１１４】
＜ダイシング・ダイボンドフィルムの作製＞
本参考例に係るダイシング・ダイボンドフィルムは、前記実施例１と同様にして作製した。
【０１１５】
（粘着剤層の引張弾性率の測定方法）
各実施例及び比較例におけるダイシングフィルムから、長さ１０．０ｍｍ、幅２ｍｍ、断面積０．１〜０．５ｍｍ２のサンプルを切り出した。このサンプルに対し、測定温度２３℃、チャック間距離５０ｍｍ、引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎでＭＤ方向に引張試験を行い、当該サンプルが伸長したことによるその変化量（ｍｍ）を測定した。これにより、得られたＳ−Ｓ（Strain-Strength）曲線において、その初期の立ち上がりの部分に接線を引き、その接線が１００％の伸びに相当するときの引張強度を各ダイシングフィルムの断面積で除し、得られた値を引張弾性率とした。
【０１１６】
（接着剤層の引張弾性率の測定方法）
各実施例及び比較例におけるダイボンドフィルムを１５０℃で１時間オーブン中に放置した後、粘弾性測定装置（レオメトリックス社製：形式：ＲＳＡ−ＩＩ）を用いて、接着剤層の硬化後に於ける２００℃での引張弾性率を測定した。より詳細には、サンプルサイズを長さ３０．０×幅５．０×厚さ０．１ｍｍとし、測定試料をフィルム引っ張り測定用治具にセットし、５０℃〜２５０℃の温度域で周波数１．０Ｈｚ、歪み０．０２５％、昇温速度１０℃／分の条件下で測定した。
【０１１７】
（収縮率）
各実施例及び比較例で得られたダイシング・ダイボンドフィルムのＭＤ方向及びＴＤ方向の収縮率は、次の通りにして求めた。即ち、温度２３±２℃、相対湿度５５±５％の環境下で、各ダイシング・ダイボンドフィルムからそれぞれカバーフィルムを剥離し、２４時間放置した。続いて、カバーフィルム剥離後のダイシング・ダイボンドフィルムにおけるＭＤ方向の長さ、及びＴＤ方向の幅をそれぞれ測定した。更に、得られた測定値から次式により、ＭＤ方向及びＴＤ方向の収縮率をそれぞれ算出した。結果を下記表１に示す。
収縮率（％）＝［（貼り合わせ前のＭＤ方向又はＴＤ方向の距離）−（貼り合わせ後のＭＤ方向又はＴＤ方向の距離）／（貼り合わせ前のＭＤ方向又はＴＤ方向の距離）］×１００
【０１１８】
（フィルム浮き）
各実施例及び比較例で得られたダイシング・ダイボンドフィルムのフィルム浮きの確認は、次の通りにして行った。即ち、各ダイシング・ダイボンドフィルムを、温度２３±２℃、相対湿度５５±５％の環境下で１２０時間放置した。その後、粘着剤層と接着剤層の界面において両者の剥離の有無を確認した。フィルム浮きの評価基準は、目視でフィルムの浮きが観察されなかった場合を○とし、観察された場合を×とした。
【０１１９】
（ボイドの有無）
各実施例及び比較例で得られたダイシング・ダイボンドフィルムのボイドの有無は、次の通りにして確認した。即ち、各ダイシング・ダイボンドフィルムからカバーフィルムをそれぞれ剥離し、接着剤層上に半導体ウェハのマウントを行った。半導体ウェハとしては大きさが８インチ、厚さ７５μｍのものを使用した。半導体ウェハのマウント条件は、下記の通りとした。
【０１２０】
＜貼り合わせ条件＞
貼り付け装置：ＡＣＣ（株）製、商品名；ＲＭ−３００
貼り付け速度計：５０ｍｍ／ｓｅｃ
貼り付け圧力：０．２ＭＰａ
貼り付け温度：５０℃
【０１２１】
続いて、ダイシング・ダイボンドフィルムと半導体ウェハとの貼り合わせ面にボイド（気泡）の有無を、顕微鏡により確認した。結果を下記表１に示す。
【０１２２】
（ピックアップ性の評価）
各ダイシング・ダイボンドフィルムからカバーフィルムをそれぞれ剥離し、接着剤層上に半導体ウェハのマウントを行った。半導体ウェハとしては大きさが８インチ、厚さ７５μｍのものを使用した。半導体ウェハのマウント条件は、前記と同様にした。
【０１２３】
次に、半導体ウェハのダイシングを行った後、形成された半導体チップを接着剤層と共にピックアップした。ピックアップは３０個の半導体チップ（縦５ｍｍ×横５ｍｍ）に対し行い、破損なく半導体チップのピックアップが成功した場合をカウントして成功率を算出した。ダイシング条件及びピックアップ条件は下記の通りである。
【０１２４】
＜ダイシング条件＞
ダイシング方法：シングルカット
ダイシング装置：ＤＩＳＣＯ  ＤＦＤ６５１（商品名、株式会社ディスコ製）
ダイシング速度：３０ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシングブレード：２０５０−ＨＥＣＣ
ダイシングブレード回転数：４０，０００ｒｐｍ
ダイシングテープ切り込み深さ：２０μｍ
ウェハチップサイズ：５ｍｍ×５ｍｍ
【０１２５】
＜ピックアップ条件＞
ピックアップ装置：ＣＰＳ−１００（ＮＥＳマシナリー社製）
ニードル数：９本
突き上げ量  ：３００μｍ
突き上げ速度：１０ｍｍ／秒
引き落とし量：３ｍｍ
【０１２６】
（結果）
下記表１から明らかな通り、実施例１及び２のダイシング・ダイボンドフィルムであると、粘着剤層と接着剤層の界面での剥離がなくフィルム浮きの現象は確認されなかった。また、ＭＤ方向及びＴＤ方向の収縮率が抑制できたことから、半導体ウェハのマウント後にボイドやシワの発生もなかった。更に、半導体ウェハのダイシングの際に半導体チップのチップ飛びが発生することもなく、かつ、ピックアップ性も良好であった。これに対し、比較例１及び２のダイシング・ダイボンドフィルムであると、粘着剤層と接着剤層の界面で剥離が発生し、フィルム浮きの現象が確認された。また、ＭＤ方向及びＴＤ方向の収縮率が何れも２％を超えており、半導体ウェハのマウント後にボイドやシワの発生が見られた。更に、半導体チップに割れや欠けなどの破損が発生し、ピックアップ成功率は何れも低かった。また、ダイシングの際には半導体チップのチップ飛びもみられた。
【０１２７】
【表１】
2010135400.tif 000003
【図面の簡単な説明】
【０１２８】
【図１】本発明の実施の一形態に係るダイシング・ダイボンドフィルムの概略を表す断面図である。
【図２】前記ダイシング・ダイボンドフィルムの製造過程を説明するための概略図である。
【図３】積層フィルムとカバーフィルムとの貼り合わせ工程を説明するための説明図である。
【図４】前記カバーフィルムに引張潮力を加える様子を示す説明図である。
【符号の説明】
【０１２９】
１    積層フィルム
２    カバーフィルム
１０    ダイシング・ダイボンドフィルム（半導体装置製造用フィルム）
１１    ダイシングフィルム
１２    接着剤層
１３    基材
１４    粘着剤層
２１    第１セパレータ
２２    基材セパレータ
２３    第２セパレータ
２４    ダイボンドフィルム
３１    巻出しロール
３２、３３    ガイドロール
３４    ニップロール
３５    ガイドロール
３６    ダンサーロール
３７    固定ロール
３８    巻き取りロール
【図１】
2010135400.tif 000004
【図２】
2010135400.tif 000005
【図３】
2010135400.tif 000006
【図４】
2010135400.tif 000007