Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月2日(2004.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テスト装置をプロービングするプローブステーションにおいて、
（ａ）テスト装置をプロービングしている間、このテスト装置を支持するため側方に延びる支持面を有するチャック装置と、
（ｂ）前記支持面をほぼ包囲する包囲体であって、この包囲体に対して前記チャック装置が相対的に側方に移動することを可能にした環境制御包囲体と、
（ｃ）前記チャック装置に相互連結するよう前記環境制御包囲体に設けた可能性の壁組立体と
を具え、この壁組立体は、前記チャック組立体に対して側方にオフセットさせて側方に延在する複数の可撓性のひだを有し、可撓的に伸長、収縮できるひだ付き材料により構成し、前記ひだが互いに異なる横方向に側方に延在し、前記壁組立体が前記チャック装置の互いに直交する複数の横方向への可撓的な移動を許容する構成とした
ことを特徴とするプローブステーション。
【請求項２】
前記ひだは前記チャック装置の側方をほぼ全体的に包囲するものとした請求項１に記載のプローブステーション。
【請求項３】
前記ひだの少なくとも若干は、互いに直交する異なる横方向に沿ってほぼ直線的に延在するものとした請求項１に記載のプローブステーション。
【請求項４】
前記ひだの少なくとも若干は、前記チャック装置の側方を少なくとも部分的に湾曲した経路に沿って延在するものとした請求項１に記載のプローブステーション。
【請求項５】
前記可撓性の壁組立体の少なくとも所要部を導電要材料からなるものとした請求項１に記載のプローブステーション。
【請求項６】
前記可撓性の壁組立体の少なくとも所要部を流体不透過材料からなるものとした請求項１に記載のプローブステーション。
【請求項７】
前記可撓性の壁組立体の少なくとも主要部を不透明材料からなるものとした請求項１に記載のプローブステーション。
【請求項８】
テスト装置をプロービングするプローブステーションにおいて、
（ａ）テスト装置をプロービングしている間、このテスト装置を支持するため側方に延びる支持面を有するチャック装置と、
（ｂ）前記支持面をほぼ包囲する包囲体であって、
この包囲体に対して前記チャック装置が相対的に側方に移動することを可能にした環境制御包囲体と、
（ｃ）前記チャック装置に相互連結するよう前記環境制御包囲体に設けた可曲性壁組立体と
を具え、この壁組立体は、可曲的に伸長、収縮できる材料により構成し、前記チャック装置の互いに角度をなす複数の横方向への可曲的な移動を許容し、前記テスト装置をプロービングするための位置決めをすることができるようにし、前記可曲性壁組立体の少なくとも主要部を導電材料からなるものとした
ことを特徴とするプローブステーション。
【請求項９】
前記可曲性壁組立体の少なくとも主要部を流体不透過材料からなるものとした請求項８に記載のプローブステーション。
【請求項１０】
前記可曲性壁組立体の少なくとも主要部を不透明材料からなるものとした請求項８に記載のプローブステーション。
【請求項１１】
前記可曲性伸長、収縮する材料により、前記壁組立体は、前記チャック装置の互いに直交する複数の横方向への可曲的移動を許容する構成とした請求項８に記載のプローブステーション。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月15日(2004.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】二次電池
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極板と負極板とをセパレータを間に挟んだ状態で巻き取ってなる二次電池であって、前記セパレータは、少なくとも、細長い微細孔を有する樹脂フィルムを備え、その樹脂フィルムの前記微細孔の長軸方向が前記巻き取り方向に対して交差するように設定されていることを特徴とする二次電池。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電極板間にセパレータを挟んで巻き取って製造される二次電池に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、電極間の短絡防止を一層確実に行うことができる二次電池を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１の二次電池は、正極板と負極板とをセパレータを間に挟んだ状態で巻き取ってなるものであって、セパレータは、少なくとも、細長い微細孔を有する樹脂フィルムを備え、その樹脂フィルムの前記微細孔の長軸方向が前記巻き取り方向に対して交差するように設定されているところに特徴を有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【発明の作用・効果】
請求項１の二次電池では、製造時にセパレータをカッターによって切断したときに樹脂フィルムの微細孔の一部が切り開かれたとしても、その微細孔をきっかけにしてセパレータに裂け目が発生することを極力防止することができる。これにて、電極間の短絡防止を一層確実化することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
なお、電極体を円筒状をなすように巻回すると、製造が容易であり、充放電の進行に伴う電極体の膨張が少ないという利点がある。
また、正極板及び負極板をセパレータと共に扁平となるように巻回すると、角形容器への収納時にデッドスペースが生じにくく、容積効率が向上するという利点がある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月23日(2004.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の対向表裏面のうち一方の面もしくは対向して配置された基板の一方に設けられ、微小電流出力部からその出力を処理する回路までの接続線である第１の信号線パターンと、
基板の対向表裏面のうち他方の面もしくは対向して配置された基板の他方に設けられ、デジタル的又はパルス的に変動する信号線である第２の信号線パターンと、
上記第１の信号線パターンのある領域に対向する部分を避けて、上記第２の信号線パターンを配置する信号線パターン配置手段と、
上記第１の信号線パターンのある領域に対向する部分に設けられ、上記第１の信号線パターンよりも幅の広い第１パターンと、上記第２の信号線パターンのある領域に対向する部分に設けられ、上記第２の信号線パターンよりも幅の広い第２パターンとからなるシールド手段と、
を具備したことを特徴とする電気回路基板。
【請求項２】
微小電流出力部からその出力を処理する回路までの微小電流接続線である第１の信号線パターンと、
上記第１の信号線パターンに近接して位置し、デジタル的又はパルス的に変動する電圧変動信号線である第２の信号線パターンと、
上記第１の信号線パターンと上記第２の信号線パターンとの間の少なくとも一部に設けられ、上記第１の信号線パターン側と上記第２の信号線パターン側との基板面の繋がりを遮断するスリット部と、
を具備したことを特徴とする電気回路基板。
【請求項３】
微小電流出力部からその出力を処理する回路までの微小電流用の第１の信号線パターンと、デジタル的又はパルス的に変動する電圧変動用の第２の信号線パターンとを隣接して配置させた電気回路基板において、
上記基板の表面に設けられ、上記第１の信号線パターン及び上記第２の信号線パターンを含むパターンを保護カバーするカバー層と、
上記基板表面と上記第１の信号線パターン及び上記第２の信号線パターンとの間の静電容量を小さくするために、上記基板全体の厚さとして上記カバー層の部分よりも厚く形成するように上記第１の信号線パターン及び上記第２の信号線パターンの少なくとも一部をさらに覆うカバー部材と、
を具備したことを特徴とする電気回路基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために本発明の第１の電気回路基板は、基板の対向表裏面のうち一方の面もしくは対向して配置された基板の一方に設けられ、微小電流出力部からその出力を処理する回路までの接続線である第１の信号線パターンと、基板の対向表裏面のうち他方の面もしくは対向して配置された基板の他方に設けられ、デジタル的又はパルス的に変動する信号線である第２の信号線パターンと、上記第１の信号線パターンのある領域に対向する部分を避けて、上記第２の信号線パターンを配置する信号線パターン配置手段と、上記第１の信号線パターンのある領域に対向する部分に設けられ、上記第１の信号線パターンよりも幅の広い第１パターンと、上記第２の信号線パターンのある領域に対向する部分に設けられ、上記第２の信号線パターンよりも幅の広い第２パターンとからなるシールド手段と、を具備したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
上記の目的を達成するために本発明の第２の電気回路基板は、微小電流出力部からその出力を処理する回路までの微小電流接続線である第１の信号線パターンと、上記第１の信号線パターンに近接して位置し、デジタル的又はパルス的に変動する電圧変動信号線である第２の信号線パターンと、上記第１の信号線パターンと上記第２の信号線パターンとの間の少なくとも一部に設けられ、上記第１の信号線パターン側と上記第２の信号線パターン側との基板面の繋がりを遮断するスリット部と、を具備したことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
上記の目的を達成するために本発明の第３の電気回路基板は、微小電流出力部からその出力を処理する回路までの微小電流用の第１の信号線パターンと、デジタル的又はパルス的に変動する電圧変動用の第２の信号線パターンとを隣接して配置させた電気回路基板において、上記基板の表面に設けられ、上記第１の信号線パターン及び上記第２の信号線パターンを含むパターンを保護カバーするカバー層と、上記基板表面と上記第１の信号線パターン及び上記第２の信号線パターンとの間の静電容量を小さくするために、上記基板全体の厚さとして上記カバー層の部分よりも厚く形成するように上記第１の信号線パターン及び上記第２の信号線パターンの少なくとも一部をさらに覆うカバー部材と、を具備したことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
このカメラは、赤外線投射式の、いわゆるアクティブタイプのオートフォーカスを搭載したカメラである。すなわち、このカメラは、測距用の赤外発光ダイオード（以下、ＩＲＥＤと記す）３と、該ＩＲＥＤ３からの測距用光を被写体１６に向けて投射する投光レンズ１と、被写体１６からの反射信号光を受光する受光レンズ２と、入射した光の位置に依存した１対の光電流を出力する光位置検出装置（以下、ＰＳＤと記す）４と、このＰＳＤ４の出力より信号光以外の成分を除去する定常光除去回路１２と、上記信号光電流成分を増幅するプリアンプ１１ａ，１１ｂと、このプリアンプ１１ａ，１１ｂで増幅した反射信号光より被写体の位置を検出する光位置検出回路１３と、で主要部が構成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
すなわち、このカメラは、ＩＲＥＤ３からの測距用光が投光レンズ１を介して、被写体１６に対して集光投光される。被写体１６からの反射信号光は受光レンズ２を介してＰＳＤ４に入射し、このＰＳＤ４は入射した光の位置に依存した１対の光電流を出力する。このＰＳＤ４の出力は、定常光除去回路１２によって信号光以外の成分が除去される。そして、この信号光電流成分のみがプリアンプ１１ａ，１１ｂによって増幅され、光位置検出回路１３に入力される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
この第４の実施形態のフレキシブルプリント基板６０は、図２において上記第１の実施形態のフレキシブルプリント基板２０の代わりに配設され得るものであり、第１電気信号パターン２２と第２電気信号パターン２３との表面に絶縁保護テープ６６を被着したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月18日(2004.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロデバイスを製造するリソグラフィ工程で用いられる複数台の製造装置と、前記複数台の製造装置を統括管理する上位コンピュータとを有し、
前記複数台の製造装置はそれぞれ、前記上位コンピュータによって統括管理される管理情報を変更するための変更情報が入力される入力部を備え、
前記複数台の製造装置のうちの前記１つの製造装置の入力部から入力された前記１つの製造装置のための管理情報の変更情報に基づいて、前記複数台の製造装置のうち前記１つの製造装置と同種の製造装置に関する管理情報をも変更することを特徴とするリソグラフィシステム。
【請求項２】
前記複数台の製造装置は、所定波長域の光を感光基板に照射する露光装置、及び感光基板に対する感光剤の塗布及び現像を行うコータ・ディベロッパの少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１記載のリソグラフィシステム。
【請求項３】
マイクロデバイスを製造するリソグラフィ工程で用いられる複数台の製造装置と、前記複数台の製造装置を統括管理する上位コンピュータと、前記複数台の製造装置と前記上位コンピュータとを接続する通信手段とを備え、
前記複数台の製造装置はそれぞれ入力部を備え、
前記通信手段は、前記複数台の製造装置のうちの１つの製造装置からの入力を前記上位コンピュータへ送信し、前記通信手段を介して前記１つの製造装置からの入力を受信した前記上位コンピュータが、前記複数台の製造装置のうちの前記１つの製造装置に関する情報を、前記１つの製造装置と同種の製造装置へ送信することを特徴とするリソグラフィシステム。
【請求項４】
マイクロデバイスを製造するリソグラフィ工程で用いられる複数台の製造装置と、前記複数台の製造装置を統括管理する上位コンピュータとを有するリソグラフィシステムで使用される情報管理方法であって、
前記複数台の製造装置はそれぞれに設けられた情報入力部から、前記上位コンピュータによって統括管理される管理情報を変更するための変更情報を入力し、
前記複数台の製造装置のうちの前記１つの製造装置の入力部から入力された前記１つの製造装置のための管理情報の変更情報に基づいて、前記複数台の製造装置のうち前記１つの製造装置と同種の製造装置に関する管理情報をも変更することを特徴とする情報管理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】  上記の不都合を解決するために、第１の発明（請求項１）のリソグラフィシステムは、マイクロデバイスを製造するリソグラフィ工程で用いられる複数台の製造装置と、前記複数台の製造装置を統括管理する上位コンピュータとを有し、前記複数台の製造装置はそれぞれ、前記上位コンピュータによって統括管理される管理情報を変更するための変更情報が入力される入力部を備え、前記複数台の製造装置のうちの前記１つの製造装置の入力部から入力された前記１つの製造装置のための管理情報の変更情報に基づいて、前記複数台の製造装置のうち前記１つの製造装置と同種の製造装置に関する管理情報をも変更する構成とした。また、第４の発明（請求項４）の情報管理方法は、マイクロデバイスを製造するリソグラフィ工程で用いられる複数台の製造装置と、前記複数台の製造装置を統括管理する上位コンピュータとを有するリソグラフィシステムで使用される情報管理方法であって、前記複数台の製造装置はそれぞれに設けられた情報入力部から、前記上位コンピュータによって統括管理される管理情報を変更するための変更情報を入力し、前記複数台の製造装置のうちの前記１つの製造装置の入力部から入力された前記１つの製造装置のための管理情報の変更情報に基づいて、前記複数台の製造装置のうち前記１つの製造装置と同種の製造装置に関する管理情報をも変更するように構成した。これらの発明によれば、装置毎に独立して管理情報の変更情報を入力する手間が削減される。第２の発明（請求項２）のリソグラフィシステムは、複数台の製造装置が、所定波長域の光を感光基板に照射する露光装置、及び感光基板に対する感光剤の塗布及び現像を行うコータ・ディベロッパの少なくとも一方を含む構成とする。この発明によれば、基板に対して感光剤を塗布、露光そして現像を行う製造装置を含むデバイスの製造ラインにおいても同様に各々の製造装置毎に独立して管理情報の変更情報を入力する手間が削減される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
第３の発明（請求項３）のリソグラフィシステムは、マイクロデバイスを製造するリソグラフィ工程で用いられる複数台の製造装置と、前記複数台の製造装置を統括管理する上位コンピュータと、前記複数台の製造装置と前記上位コンピュータとを接続する通信手段とを備え、前記複数台の製造装置はそれぞれ入力部を備え、前記通信手段は、前記複数台の製造装置のうちの１つの製造装置からの入力を前記上位コンピュータへ送信し、前記通信手段を介して前記１つの製造装置からの入力を受信した前記上位コンピュータが、前記複数台の製造装置のうちの前記１つの製造装置に関する情報を、前記１つの製造装置へ送信する構成とした。この発明によれば、複数台の製造装置ごとの管理情報を管理するために各製造装置毎に管理手段を設ける必要はなく、装置構成を簡略化でき、装置の製造コストを削減できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明の効果】以上のように、本発明は複数の製造装置毎に情報を管理する必要があるリソグラフィシステムにおいて、上位コンピュータで複数台の製造装置毎の管理情報を管理するために、各製造装置ごとに管理手段を設ける必要がなく、装置構成を簡略化できて、装置の製造コストを削減できる。また、複数の製造装置のうちの１つの製造装置の入力手段から変更情報を入力することによって、同種の製造装置に関する管理情報をも変更するため、複数の製造装置ごとに独立して管理上方の変更情報を入力する手間が削減される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月6日(2004.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の反射型Ｘ線マスクを保管したローダーから露光に使用するマスクを取り出して露光用ステージに載置し、該ステージ上のマスクにＸ線を照射してＸ線光学系によって投影することにより、パターン露光を行うＸ線投影露光装置において、
前記マスクを収納する清浄な容器と、
露光に使用するマスクを前記容器から取り出して前記ステージ上に載置し、
前記ステージ上の露光が終了したマスクを前記容器に収納する機構と、を設け、
前記マスクは前記清浄な容器に収納された状態で、かつ、前記マスクのパターン表面が下方を向くように前記ローダーに保管され、
前記マスクは前記ステージ上に前記マスクのパターン表面が下方を向くように配置されることを特徴とするＸ線投影露光装置。
【請求項２】
複数の反射型Ｘ線マスクを保管したローダーから露光に使用するマスクを取り出して露光用ステージに載置し、該ステージ上のマスクにＸ線を照射してＸ線光学系によって投影することにより、パターン露光を行うＸ線投影露光装置において、
前記マスクを収納する清浄な容器と、
露光に使用するマスクを前記容器ごと前記ステージ上に載置し、前記容器の蓋を開けてマスクのパターン表面を露出させる機構であり、露光が終了したマスクの容器の蓋を閉じると共に、該容器をステージから除去する機構と、を設け、
前記マスクは前記清浄な容器に収納された状態で、かつ、前記マスクのパターン表面が下方を向くように前記ローダーに保管され、
前記マスクは前記ステージ上に前記マスクのパターン表面が下方を向くように前記容器ごと配置されることを特徴とするＸ線投影露光装置
【請求項３】
前記ローダーを配置する真空容器と、前記露光を行う真空容器が分離されていることを特徴とする請求項１または２に記載のＸ線露光装置。
【請求項４】
前記ローダーからマスクを取り出す搬送系が前記露光を行う真空容器に配置されていることを特徴とする請求項３に記載のＸ線露光装置。
【請求項５】
反射型Ｘ線マスクにＸ線を照射し、Ｘ線光学系によって投影することによりパターン露光を行うＸ線投影露光方法において、
１）複数のマスクの各々に対して、マスクのパターン面を覆うことによってゴミの付着を防止する行程と、
２）前記パターン面が覆われた状態で、各々のマスクのパターン表面が下方を向くようにローダーにマスクを保管する行程と、
３）前記ローダーから取り出したマスクのパターン面を露出させる行程と、
４）前記パターン面が露出されたマスクを、マスクのパターン表面が下方を向くようにマスクステージに載置する行程と、
５）前記マスクのパターン面にＸ線を照射することによって、前記マスクのパターンを投影露光する行程と、
６）前記マスクステージからマスクを除去する行程と、
７）前記マスクステージから除去されたマスクのパターン面を再度覆うことによってゴミの付着を防止する行程と、
を有することを特徴とするＸ線投影露光方法。
【請求項６】
反射型Ｘ線マスクにＸ線を照射し、Ｘ線光学系によって投影することによりパターン露光を行うＸ線投影露光方法において、
１）複数のマスクの各々に対して、マスクのパターン面を覆うことによってゴミの付着を防止する行程と、
２）前記パターン面が覆われた状態で、各々のマスクのパターン表面が下方を向くようにローダーにマスクを保管する行程と、
３）前記パターン面が覆われた状態のマスクを、マスクのパターン表面が下方を向くようにマスクステージに載置する行程と、
４）前記マスクステージに載置されたマスクのパターン面を露出させることによって露光準備を行う行程と、
５）前記マスクのパターン面にＸ線を照射することによって、前記マスクのパターンを投影露光する行程と、
６）前記投影露光が行われたマスクのパターン面を再度覆うことによってゴミの付着を防止する行程と、
７）前記マスクステージから前記マスクを除去する行程と、
を有することを特徴とするＸ線投影露光方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】Ｘ線縮小露光装置及びＸ線投影露光方法
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月28日(2004.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質珪素膜上に絶縁膜を選択的に形成し、
前記絶縁膜をマスクとして前記非晶質珪素膜に前記非晶質珪素膜中の珪素の結晶化を助長する触媒元素を選択的に添加し、
前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、
前記絶縁膜をマスクとして前記結晶性珪素膜中に１５族元素を選択的に添加し、
加熱処理により前記１５族元素を添加した領域に、前記１５族元素を添加した領域と隣接する領域から前記触媒元素をゲッタリングし、
前記１５族元素を添加した領域を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
非晶質珪素膜上に絶縁膜を選択的に形成し、
前記絶縁膜をマスクとして前記非晶質珪素膜に前記非晶質珪素膜中の珪素の結晶化を助長する触媒元素を選択的に添加し、
加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、
前記絶縁膜をマスクとして前記結晶性珪素膜中に１５族元素を選択的に添加し、
加熱処理により前記１５族元素を添加した領域に、前記１５族元素を添加した領域と隣接する領域から前記触媒元素をゲッタリングし、
ハロゲン元素を含む雰囲気中で加熱処理を行い、前記１５族元素を添加した領域を除去すると同時に、前記結晶性珪素膜中に存在する前記触媒元素及び前記１５族元素を減少させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、前記ハロゲン元素を含む雰囲気は、ＨＣｌ、ＨＦ、ＨＢｒ、Ｃｌ2、Ｆ2、Ｂｒ2から選ばれた一種または複数種類のガスを含んでいることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
非晶質珪素膜上に絶縁膜を選択的に形成し、
前記絶縁膜をマスクとして前記非晶質珪素膜に前記非晶質珪素膜中の珪素の結晶化を助長する触媒元素を選択的に添加し、
加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、
前記絶縁膜をマスクとして前記結晶性珪素膜中に１５族元素を選択的に添加し、
加熱処理により前記１５族元素を添加した領域に、前記１５族元素を添加した領域と隣接する領域から前記触媒元素をゲッタリングし、
前記１５族元素を添加した領域を除去し、
ハロゲン元素を含む酸化性雰囲気中で加熱処理を行い、前記結晶性珪素膜中に存在する前記触媒元素及び前記１５族元素を除去または減少させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、前記ハロゲン元素を含む酸化性雰囲気は、ＨＣｌ、ＨＦ、ＨＢｒ、Ｃｌ2、Ｆ2、Ｂｒ2から選ばれた一種または複数種類のガスを含んでいることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記絶縁膜をマスクに用いて、前記触媒元素を添加する領域と、前記１５族元素を添加する領域と、前記１５族元素を添加した領域を除去した領域とをそれぞれ形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
非晶質珪素膜上に第一の絶縁膜を選択的に形成し、
前記第一の絶縁膜をマスクとして前記非晶質珪素膜に前記非晶質珪素膜中の珪素の結晶化を助長する触媒元素を選択的に添加し、
加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶化して結晶性珪素膜を形成し、
前記第一の絶縁膜をマスクとして前記結晶性珪素膜中に１５族元素を選択的に添加し、
加熱処理により前記１５族元素を添加した領域に、前記１５族元素の添加領域と隣接する領域から前記触媒元素をゲッタリングし、
前記第一の絶縁膜をマスクとして前記１５族元素の添加領域を除去し、
前記第一の絶縁膜を除去し、
前記結晶性珪素膜をパターニングして島領域を形成し、
前記島領域を覆って第二の絶縁膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
非晶質珪素膜上に第一の絶縁膜を選択的に形成し、
前記第一の絶縁膜をマスクとして前記非晶質珪素膜に前記非晶質珪素膜中の珪素の結晶化を助長する触媒元素を選択的に添加し、
加熱処理により前記非晶質珪素膜を結晶化し、
前記第一の絶縁膜をマスクとして前記結晶化することで得られた結晶性珪素膜中に１５族元素を選択的に添加し、
加熱処理により前記１５族元素を添加した領域に、前記１５族元素の添加領域と隣接する領域から前記触媒元素をゲッタリングし、
前記第一の絶縁膜をマスクとして前記１５族元素の添加領域を除去し、
前記第一の絶縁膜を除去し、
前記結晶性珪素膜をパターニングして島領域を形成し、
前記島領域を覆って、第二の絶縁膜を形成し、
前記第二の絶縁膜上にゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、前記触媒元素としてＮｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた少なくとも一つの元素が含まれているものを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、前記１５族元素としてＰ、Ｎ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉから選ばれた少なくとも一つの元素が含まれているものを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、前記１５族元素の添加は、イオンプランテーション法またはプラズマドーピング法で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、前記１５族元素は５×１０19〜２×１０21ａｔｏｍｓ／ｃｍ3の濃度で添加されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項において、前記触媒元素のゲッタリングは５００〜７００℃の温度範囲で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項において、前記半導体装置として、液晶表示装置、ＥＬ表示装置又はＥＣ表示装置のいずれかを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１３のいずれか一項において、前記半導体装置として、モバイルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーションシステム、携帯電話又はビデオカメラのいずれかを作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月14日(2004.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極および／または負極と、高分子電解質とが、接着剤で接着されている非水電解質電池において、前記高分子電解質が、有孔性リチウムイオン導電性高分子であることを特徴とする非水電解質電池。
【請求項２】
前記高分子電解質と前記接着剤とが、同一材料であることを特徴とする請求項１記載の非水電解質電池。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月24日(2004.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応管に接続されたフランジより供給された反応ガスを上記反応管内の基板上に供給するようにした半導体製造装置において、上記フランジ内に高温油または低温油を切替えて供給することを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月16日(2004.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体製造装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板をホルダ付きボートに水平姿勢で多段に保持して縦型炉に装入し、前記被処理基板を加熱処理する半導体製造装置であって、前記ホルダは円環状のホルダプレートを有し、該ホルダプレートの上面にはツィザが進入可能な凹部を設けたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
被処理基板を水平姿勢で多段に保持するホルダ付きボートであって、前記ホルダは円環状のホルダプレートを有し、該ホルダプレートの上面にはツィザが進入可能な凹部を設けたことを特徴とするホルダ付きボート。
【請求項３】
被処理基板を水平姿勢で多段に保持するホルダ付きボートであって、前記ホルダは円環状のホルダプレートを有し、該ホルダプレートの上面にはツィザが進入可能な凹部を設けたホルダ付きボートに対して、被処理基板を受載した前記ツィザが前記凹部に進入するよう下降して前記被処理基板を前記ホルダに載置する工程と、前記ツィザを前記凹部から引出す工程と、前記ホルダ付きボートを縦型炉に装入して前記被処理基板を加熱処理する工程と、前記ホルダ付きボートを前記縦型炉から引出す工程とを有することを特徴とする半導体製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月13日(2004.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明はこれらの諸問題を解消するためになされたものである。内部電源を必要とせず、表示作動後に簡単な操作で容易にリセットして繰り返し使用でき、また検知センサであるコイルに安定した出力電流が得られるようにするとともに、出力電流を簡単な操作で変更できるようにし、保守やメンテナンスが容易な閃絡表示器を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月13日(2004.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の主表面上に、第１の接続孔を介して上下に接続される２つの導電層と、前記２つの導電層の内上方の導電層に接続された第２の接続孔を備え、前記第１の接続孔と前記下方の導電層とが接する面における接続孔の前記主表面に対する内壁傾斜角が、前記第２の接続孔が下層と接する面における接続孔の前記主表面に対する内壁傾斜角よりも小さいことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記下方の導電層は、誘電体膜を介して互いに対向するように形
成されているキャパシタ電極のうちの一方として機能することを特徴とする前記請求項１記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
半導体基板の主表面上に、キャパシタ蓄積電極と、前記キャパシ
タ蓄積電極上にキャパシタ誘電体膜を介して設けられたキャパシタ上部電極と、
前記キャパシタ上部電極と第１の接続孔を介して接続される第１の配線層と、前記第１の配線層より下方に位置し、前記第１の配線層と第２の接続孔を介して接続する第２の配線層を備え、前記キャパシタ上部電極と接する面における第１の接続孔の前記主表面に対する内壁傾斜角が、前記第２の配線層と接する面における第２の接続孔の前記主表面に対する内壁傾斜角よりも小さいことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項４】
半導体基板の主表面上に、キャパシタ蓄積電極と、前記キャパシタ蓄積電極上にキャパシタ誘電体膜を介して設けられたキャパシタ上部電極と、
前記キャパシタ上部電極と第１の接続孔を介して接続される第１の配線層と、前記第１の配線層と第２の接続孔を介して半導体基板が接続される構造を備え、前記キャパシタ上部電極と接する面における第１の接続孔の前記主表面に対する内壁傾斜角が、前記半導体基板と接する面における第２の接続孔の前記主表面に対する内壁傾斜角よりも小さいことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項５】
前記上方の導電層を前記半導体基板と電気的に接続する機能を備えていることを特徴とする前記請求項１乃至２記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記キャパシタ上部電極を前記半導体基板と電気的に接続する機能を備えていることを特徴とする前記請求項３乃至４記載の半導体記憶装置。
【請求項７】
前記の電気的に接続する機能は保護ダイオードから構成されていることを特徴とする、前記請求項６記載の半導体記憶装置。
【請求項８】
前記第１の接続孔の内部に埋め込まれた導電層と、前記第２の接続孔の内部に埋め込まれた導電層とが異なる材質であることを特徴とする前記請求項１乃至７記載の半導体記憶装置。
【請求項９】
第２導伝型の領域を有する半導体基板上の主表面に、少なくともゲート電極を形成する工程と、前記ゲート電極をマスクとして前記第２導伝型の領域に第１導伝型からなるソース／ドレイン領域を形成する工程と、前記ゲート電極に絶縁膜を形成する工程と、前記ソース／ドレイン領域の一方と接続するビット線を形成する工程と、前記ソース／ドレイン領域の一方と接続するキャパシタ蓄積電極を形成する工程と、前記キャパシタ蓄積電極上にキャパシタ誘電体膜を介してキャパシタ上部電極を形成する工程と、前記キャパシタ上部電極上に層間絶縁膜を形成する工程を含み、前記層間絶縁膜の少なくとも下部付近をキャパシタ上部電極が電気的変位を伴わないエッチングにより接続孔を形成し、少なくとも前記層間絶縁膜を含む少なくとも１つ以上の接続孔形成工程であって前記接続孔とは異なる接続孔における層間絶縁膜の下部付近を、異方性のエッチングにより開口することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１０】
トランジスタの一方の不純物領域に接続されているキャパシタ上部電極上の層間絶縁膜の少なくとも下部付近をキャパシタ上部電極が電気的変位を伴わないエッチングにより開口し、前記層間絶縁膜の少なくとも一部を異方性のエッチングにより開口することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１１】
前記電気的変位を伴わないエッチングとして等方性のエッチングを用いることを特徴とする前記請求項９乃至１０記載の半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１２】
前記キャパシタ上部電極を前記半導体基板と電気的に接続する
工程を含むことを特徴とする前記請求項１１記載の半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１３】
前記の電気的に接続する工程は保護ダイオードの形成工程を含むことを特徴とする、前記請求項１２記載の半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１の接続孔の内部と前記第２の接続孔の内部に異なる材質の導電層を埋め込む工程を含むことを特徴とする前記請求項９乃至１３記載の半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１５】
半導体基板上に第１の導電層を形成する工程と、第２の導電層を、上部に第１の絶縁膜を伴って、形成する工程と、第１、第２の導電層の上方に、第２の絶縁膜を形成する工程と、第１、第２の導電層に向かって、それぞれ第１、第２の接続孔を同時にエッチングする工程と、前記第１の絶縁膜をエッチングする工程と、
を具備し、前記第１、第２の接続孔を同時にエッチングする工程において、前記第１の接続孔は、その孔底が前記第１の導電層に達するようにし、前記第２の接続孔は、その孔底が前記第２の導電層に達せず、上部に配置された第１の絶縁膜に達して止まっていることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜とが、エッチング特性の異なる絶縁膜の組み合わせであることを特徴とする、請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１の絶縁膜をエッチングする工程が、電気的ダメージを与えない方法によることを特徴とする、請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１の絶縁膜をエッチングする工程が、ウェットエッチング法またはＣＤＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｄｒｙ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）法であることを特徴とする、
請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第２の導電層が、前記半導体基板上に形成されたキャパシタの、一方の電極として機能することを特徴とする、請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月9日(2004.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光センサ、リニアイメージセンサ及びエリアセンサ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にゲート電極が設けられ、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して多結晶シリコン層が設けられ、前記多結晶シリコン層はソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域を有し、
少なくとも前記チャネル形成領域および前記ドレイン領域に接して、非晶質シリコン層が設けられていることを特徴とする光センサ。
【請求項２】
基板上にゲート電極が設けられ、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して多結晶シリコン層が設けられ、前記多結晶シリコンに接して、非晶質シリコン層が設けられ、前記非晶質シリコン層上に可視光に対して透光性を有する導電層が設けられていることを特徴とする光センサ。
【請求項３】
基板上にゲート電極が設けられ、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して多結晶シリコン層が設けられ、前記多結晶シリコンに接して、非晶質シリコン層が設けられ、前記非晶質シリコン層上に可視光に対して透光性を有する絶縁層が設けられていることを特徴とする光センサ。
【請求項４】
基板上にゲート電極が設けられ、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して多結晶シリコン層が設けられ、前記多結晶シリコン層はソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域を有し、
少なくとも前記チャネル形成領域および前記ドレイン領域に接して、非晶質シリコン層が設けられ、前記非晶質シリコン層上に可視光に対して透光性を有する導電層が設けられていることを特徴とする光センサ。
【請求項５】
基板上にゲート電極が設けられ、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して多結晶シリコン層が設けられ、前記多結晶シリコン層はソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域を有し、
少なくとも前記チャネル形成領域および前記ドレイン領域に接して、非晶質シリコン層が設けられ、前記非晶質シリコン層上に可視光に対して透光性を有する絶縁層が設けられていることを特徴とする光センサ。
【請求項６】
前記チャネル形成領域に接して設けられている非晶質シリコン層が、前記チャネル領域を全て覆っていることを特徴とする請求項１、４又は５記載の光センサ。
【請求項７】
前記チャネル形成領域に接して設けられている非晶質シリコン層が、前記チャネル領域の一部を覆っていないことを特徴とする請求項１、４又は５記載の光センサ。
【請求項８】
前記導電層が、前記ドレイン領域と電気的に接続されていることを特徴とする請求項２又は４記載の光センサ。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において前記非晶質シリコン層にかえて非晶質シリコンゲルマニウム層が設けられることを特徴とする光センサ。
【請求項１０】
請求項1乃至９記載の光センサを用いたことを特徴とするリニアイメージセンサ。
【請求項１１】
請求項1乃至９記載の光センサを用いたことを特徴とするエリアセンサ。
【請求項１２】
基板上にゲート電極が設けられ、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して多結晶シリコン層が設けられ、前記多結晶シリコン層に接して、非晶質シリコン層が設けられている光センサと、
前記光センサと直列に接続された薄膜トランジスタと、
第１の端子と第２の端子を備え、前記第１の端子が前記光センサ及び前記薄膜トランジスタに接続された容量素子と、を有することを特徴とするリニアイメージセンサ。
【請求項１３】
基板上にゲート電極が設けられ、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して多結晶シリコン層が設けられ、前記多結晶シリコン層に接して、非晶質シリコン層が設けられている光センサと、
前記光センサと直列に接続された薄膜トランジスタと、
第１の端子と第２の端子を備え、前記第１の端子が前記光センサ及び前記薄膜トランジスタに接続された容量素子と、
前記薄膜トランジスタに直列に接続されたアンプと、を有することを特徴とするリニアイメージセンサ。
【請求項１４】
基板上にゲート電極が設けられ、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して多結晶シリコン層が設けられ、前記多結晶シリコン層に接して、非晶質シリコン層が設けられている光センサと、
前記光センサと直列に接続された薄膜トランジスタと、
前記光センサと並列に接続された容量素子と、
、を有することを特徴とするエリアセンサ。
【請求項１５】
基板上にゲート電極が設けられ、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して多結晶シリコン層が設けられ、前記多結晶シリコン層に接して、非晶質シリコン層が設けられている光センサと、
前記光センサと直列に接続された薄膜トランジスタと、
前記光センサと並列に接続された容量素子と、
、を有し、
前記薄膜トランジスタのゲート端子は垂直シフトレジスタと接続されていることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項１６】
基板上にゲート電極が設けられ、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して多結晶シリコン層が設けられ、前記多結晶シリコン層に接して、非晶質シリコン層が設けられている光センサと、
前記光センサと直列に接続された薄膜トランジスタと、
前記光センサと並列に接続された容量素子と、
、を有し、
前記薄膜トランジスタのゲート端子は垂直シフトレジスタと接続され、前記薄膜トランジスタのソース端子又はドレイン端子はアナログスイッチを通じて水平シフトレジスタに接続されていることを特徴とするエリアセンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月17日(2004.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上の結晶性半導体膜と、
前記結晶性半導体膜中に形成されたソース領域、ドレイン領域および活性領域と、
ゲイト絶縁膜およびゲイト電極と、
を有し、
前記活性領域は、チャネル形成領域と、前記結晶性半導体膜のエネルギーバンドをシフトさせてなる不純物領域とを有し、
前記不純物領域は、局部的に設けられており、前記ドレイン領域より前記ソース領域に向かって広がる空乏層を抑止し、
前記不純物領域の深さ方向の長さは、前記活性領域の膜厚以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板と、
前記基板上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上の結晶性半導体膜と、
前記結晶性半導体膜中に形成されたソース領域、ドレイン領域および活性領域と、
ゲイト絶縁膜およびゲイト電極と、
を有し、
前記活性領域は、チャネル形成領域と、前記結晶性半導体膜のエネルギーバンドをシフトさせてなる不純物領域とを有し、
前記不純物領域は、局部的に設けられており、しきい値電圧を制御し、
前記不純物領域の深さ方向の長さは、前記活性領域の膜厚以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板と、
前記基板上の絶縁膜と、
前記絶縁膜上の結晶性半導体膜と、
前記結晶性半導体膜中に形成されたソース領域、ドレイン領域および活性領域と、
ゲイト絶縁膜およびゲイト電極と、
を有し、
前記活性領域は、チャネル形成領域と、前記結晶性半導体薄膜のエネルギーバンドをシフトさせてなる不純物領域とを有し、
前記不純物領域は、局部的に設けられ、前記ドレイン領域より前記ソース領域に向かって広がる空乏層を抑止し、且つ、しきい値電圧が制御し、
前記不純物領域の深さ方向の長さは、前記活性領域の膜厚以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記不純物領域は、前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれと逆の導電型を呈する不純物を含んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記活性領域は、前記不純物領域およびチャネル形成領域が互いに概略平行に、且つ、交互に並んで構成され、
前記不純物領域は、前記ソース領域から前記ドレイン領域にかけて形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記不純物領域によって、多数キャリアの移動経路が規定されることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記チャネル形成領域は多数キャリアの移動経路となり、且つ、前記不純物領域は少数キャリアを前記活性領域の外部へ引き出すための移動経路となることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、
前記チャネル形成領域は、真性または実質的に真性であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
前記結晶性半導体膜は、多結晶構造または実質的な単結晶と見なせる構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、
前記結晶性半導体膜の主たる配向面は｛１１０｝面であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項において、
前記結晶性半導体膜は、非晶質半導体膜を結晶化させて得られることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項において、
前記半導体装置はＮチャネル型薄膜トランジスタであり、
前記不純物領域には、１３族から選ばれた元素が １×１０17〜 １×１０20atoms/cm3 の濃度で添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記１３族から選ばれた元素とは、ボロンまたはインジウムであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項において、
前記半導体装置はＰチャネル型薄膜トランジスタであり、
前記不純物領域には、１５族から選ばれた元素が １×１０17〜 １×１０20atoms/cm3 の濃度で添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記１５族から選ばれた元素と、はリン、砒素またはアンチモンであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか１項において、
前記不純物領域は、チャネル形成領域とドレイン領域との接合部において不連続であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか１項において、
前記活性領域は、前記不純物領域によって複数のチャネル形成領域に分断されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月19日(2004.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホストコンピュータより受信したコントロールＩ／Ｏコマンドを記憶するメモリと、
前記メモリに記憶されたコントロールＩ／Ｏコマンドを所定周期で読み出し、読み出したコントロールＩ／Ｏコマンドを実行することにより、印字ユニットのプリントを制御するコントローラとを有し、
前記コントロールＩ／Ｏコマンドは、Ｉ／Ｏレジスタのアドレスを指示するアドレスとＩ／Ｏレジスタに書き込むデータとを含むことを特徴とするプリンタ。
【請求項２】
前記コントロールＩ／Ｏコマンドは、コントロールＩ／Ｏコマンドの実行を所定時間ウエイトするウエイトコマンドを含むことを特徴とする請求項１記載のプリンタ。
【請求項３】
前記メモリを制御するメモリコントローラを有し、
前記メモリコントローラは、前記コントロールＩ／Ｏコマンドの実行を第１優先度とし、リフレッシュの実行を第２優先度とし、ホストコンピュータからのメモリのアクセスを第３優先度とすることを特徴とする請求項１記載のプリンタ。
【請求項４】
前記プリンタは、インクジェットプリンタを含むことを特徴とする請求項１記載のプリンタ。
【請求項５】
前記印字ユニットは、印字ヘッド、印字ヘッドを搭載したキャリッジを駆動するモータ、および、紙送りモータを含むことを特徴とする請求項１記載のプリンタ。
【請求項６】
ホストコンピュータより受信したコントロールＩ／Ｏコマンドを記憶するメモリと、
前記メモリに記憶されたコントロールＩ／Ｏコマンドを所定周期で読み出し、読み出したコントロールＩ／Ｏコマンドを実行することにより、スキャンユニットのスキャンを制御するコントローラとを有し、
前記コントロールＩ／Ｏコマンドは、Ｉ／Ｏレジスタのアドレスを指示するアドレスとＩ／Ｏレジスタに書き込むデータとを含むことを特徴とするスキャナ。
【請求項７】
ホストコンピュータより受信したコントロールＩ／Ｏコマンドをメモリに記憶するステップと、
前記メモリに記憶されたコントロールＩ／Ｏコマンドを所定周期で読み出し、読み出したコントロールＩ／Ｏコマンドを実行することにより、印字ユニットのプリントを制御する制御ステップとを有し、
前記コントロールＩ／Ｏコマンドは、Ｉ／Ｏレジスタのアドレスを指示するアドレスとＩ／Ｏレジスタに書き込むデータとを含むことを特徴とするプリント方法。
【請求項８】
ホストコンピュータより受信したコントロールＩ／Ｏコマンドをメモリに記憶するステップと、
前記メモリに記憶されたコントロールＩ／Ｏコマンドを所定周期で読み出し、読み出したコントロールＩ／Ｏコマンドを実行することにより、スキャンユニットのスキャンを制御する制御ステップとを有し、
前記コントロールＩ／Ｏコマンドは、Ｉ／Ｏレジスタのアドレスを指示するアドレスとＩ／Ｏレジスタに書き込むデータとを含むことを特徴とするスキャン方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明のプリンタは、
ホストコンピュータより受信したコントロールＩ／Ｏコマンドを記憶するメモリと、
前記メモリに記憶されたコントロールＩ／Ｏコマンドを所定周期で読み出し、読み出したコントロールＩ／Ｏコマンドを実行することにより、印字ユニットのプリントを制御するコントローラとを有し、
前記コントロールＩ／Ｏコマンドは、Ｉ／Ｏレジスタのアドレスを指示するアドレスとＩ／Ｏレジスタに書き込むデータとを含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明のスキャナは、
ホストコンピュータより受信したコントロールＩ／Ｏコマンドを記憶するメモリと、
前記メモリに記憶されたコントロールＩ／Ｏコマンドを所定周期で読み出し、読み出したコントロールＩ／Ｏコマンドを実行することにより、スキャンユニットのスキャンを制御するコントローラとを有し、
前記コントロールＩ／Ｏコマンドは、Ｉ／Ｏレジスタのアドレスを指示するアドレスとＩ／Ｏレジスタに書き込むデータとを含むことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明のプリント方法は、
ホストコンピュータより受信したコントロールＩ／Ｏコマンドをメモリに記憶するステップと、
前記メモリに記憶されたコントロールＩ／Ｏコマンドを所定周期で読み出し、読み出したコントロールＩ／Ｏコマンドを実行することにより、印字ユニットのプリントを制御する制御ステップとを有し、
前記コントロールＩ／Ｏコマンドは、Ｉ／Ｏレジスタのアドレスを指示するアドレスとＩ／Ｏレジスタに書き込むデータとを含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、本発明のスキャン方法は、
ホストコンピュータより受信したコントロールＩ／Ｏコマンドをメモリに記憶するステップと、
前記メモリに記憶されたコントロールＩ／Ｏコマンドを所定周期で読み出し、読み出したコントロールＩ／Ｏコマンドを実行することにより、スキャンユニットのスキャンを制御する制御ステップとを有し、
前記コントロールＩ／Ｏコマンドは、Ｉ／Ｏレジスタのアドレスを指示するアドレスとＩ／Ｏレジスタに書き込むデータとを含むことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】