【手続補正書】
【提出日】令和3年9月9日(2021.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって、
基板上に半導体構造を形成することであり、前記半導体構造がシリコン（Ｓｉ）含有層またはシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）層を含む、半導体構造を形成することと、
ライナ堆積プロセスを実行して前記半導体構造の上にライナ層を形成することと、
流動層堆積プロセスを実行して前記ライナ層の上に流動性誘電体層を堆積させることと、
前記流動性誘電体層の表面を高圧蒸気に露出させることによってアニーリングプロセスを実行することとを含み、前記ライナ層の少なくとも一部分が、前記アニーリングプロセス中の酸化によって徐々に低減される、方法。
【請求項２】
前記ライナ層の厚さが、前記アニーリングプロセスが完了した後に残っている前記ライナ層の厚さに基づいて判定される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ライナ層の厚さが、前記流動性誘電体層のアニーリング時間、アニーリング温度、および厚さのうちの少なくとも１つに基づいて判定され、前記ライナ層の前記厚さが実質上ゼロになる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ライナ層が、窒化ケイ素または酸窒化ケイ素から形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記流動層堆積プロセスが、摂氏０度〜摂氏約１００度の温度で約１トル〜約１０トルのチャンバ圧力において、シリコン含有前駆体および酸素系ラジカル前駆体を反応させることを含み、前記シリコン含有前駆体がトリシリルアミンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記アニーリングプロセスが、約１バール〜約６０バールの圧力で摂氏約２００度〜摂氏約６００度の温度のアニーリングチャンバ内で、約５分〜約１２０分の時間にわたって、前記流動性誘電体層を高圧蒸気に露出させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記アニーリングプロセスが、高圧乾燥蒸気アニーリングプロセスである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
基板を処理する方法であって、
基板上に半導体構造を形成することであり、前記半導体構造がシリコン（Ｓｉ）含有層またはシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）層を含む、半導体構造を形成することと、
ライナ堆積プロセスを実行して前記半導体構造の上にライナ層を形成することと、
流動層堆積プロセスを実行して前記ライナ層の上に流動性誘電体層を堆積させることと、
前記流動性誘電体層の表面を高圧蒸気に露出させることによってアニーリングプロセスを実行することとを含み、前記ライナ層が、前記アニーリングプロセス中の前記Ｓｉ含有層またはＳｉＧｅ層の酸化を防止し、前記ライナ層の少なくとも一部分が、前記アニーリングプロセス中の酸化によって徐々に低減される、方法。
【請求項９】
前記ライナ層の厚さが、前記アニーリングプロセスが完了した後に残っている前記ライナ層の厚さに基づいて判定される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ライナ層の厚さが、前記流動性誘電体層のアニーリング時間、アニーリング温度、および厚さのうちの少なくとも１つに基づいて判定される、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記ライナ層の厚さが、前記アニーリングプロセス後に残っている前記ライナ層の厚さが実質上ゼロに等しくなるように判定され、前記ライナ層が、窒化ケイ素または酸窒化ケイ素から形成される、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記流動層堆積プロセスが、摂氏約０度〜摂氏約１００度の温度で約１トル〜約１０トルのチャンバ圧力において、シリコン含有前駆体および酸素系ラジカル前駆体を反応させることを含み、前記シリコン含有前駆体がトリシリルアミンを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記アニーリングプロセスが、約１バール〜約６０バールの圧力で摂氏約２００度〜摂氏約６００度の温度のアニーリングチャンバ内で、約５分〜約１２０分の時間にわたって、前記流動性誘電体層を高圧蒸気に露出させることを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記アニーリングプロセスが、高圧乾燥蒸気アニーリングプロセスである、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
基板を処理するように構成されたクラスタシステムであって、
中央真空移送チャンバと、
前記中央真空移送チャンバに結合され、基板を処理するように構成された第１の堆積チャンバと、
前記中央真空移送チャンバに結合され、基板を処理するように構成された第２の堆積チャンバと、
前記中央真空移送チャンバに結合され、基板を処理するように構成された第３の堆積チャンバと、
前記中央真空移送チャンバに結合され、基板を処理するように構成されたアニーリングチャンバと、
前記中央真空移送チャンバ内に配置されたロボットであり、前記第１の堆積チャンバ、前記第２の堆積チャンバ、前記第３の堆積チャンバ、前記アニーリングチャンバ、および前記中央真空移送チャンバのそれぞれの間で前記基板を移送するように構成されたロボットと、
前記ロボット、前記第１の堆積チャンバ、前記第２の堆積チャンバ、前記第３の堆積チャンバ、前記アニーリングチャンバ、および前記中央真空移送チャンバに電気的に結合されたコントローラとを備え、前記コントローラが、クラスタシステムに、
前記第１の堆積チャンバ内で前記基板上に半導体構造を形成するためにシリコン（Ｓｉ）含有層またはシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）層を堆積させ、
前記ロボットを介して前記第１の堆積チャンバから前記第２の堆積チャンバへ前記基板を移送させ、
前記第２の堆積チャンバ内で前記シリコン（Ｓｉ）含有層または前記シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）層の上にライナ層を堆積させ、
前記ロボットを介して前記第２の堆積チャンバから前記第３の堆積チャンバへ前記基板を移送させ、
前記第３の堆積チャンバ内で前記ライナ層の上に流動性誘電体層を形成させ、
前記ロボットを介して前記第３の堆積チャンバから前記アニーリングチャンバへ前記基板を移送させ、
前記アニーリングチャンバ内で前記流動性誘電体層を高圧蒸気に露出させることによって前記アニーリングチャンバ内でアニーリングプロセスを実行させるように構成される、クラスタシステム。
【請求項１６】
前記第２の堆積チャンバは、前記ライナ層の最大部分が前記アニーリングプロセスの終了まで残る厚さで前記ライナ層を堆積させるように構成される、請求項１５に記載のクラスタシステム。
【請求項１７】
前記第２の堆積チャンバは、厚さを有する前記ライナ層を堆積させるように構成されており、前記ライナ層の前記厚さは、前記アニーリングプロセスの終了時に残っているライナ層の厚さに基づいて判定される、請求項１５に記載のクラスタシステム。
【請求項１８】
前記第２の堆積チャンバは、厚さを有する前記ライナ層を堆積させるように構成されており、前記ライナ層の前記厚さは、前記流動性誘電体層のアニーリング時間、アニーリング温度、および厚さのうちの少なくとも１つに基づいて更に判定される、請求項１５に記載のクラスタシステム。
【請求項１９】
前記第２の堆積チャンバは、厚さを有する前記ライナ層を堆積させるように構成されており、前記ライナ層の前記厚さは、前記アニーリングプロセスの終了時に残っているライナ層の厚さが実質上ゼロに等しくなるように判定される、請求項１５に記載のクラスタシステム。
【請求項２０】
前記ライナ層が、窒化ケイ素または酸窒化ケイ素から形成される、請求項１５に記載のクラスタシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【図１】本開示の一実施形態による半導体構造の上に流動性誘電体層を形成する製造プロセスを示す流れ図である。
【図２Ａ−２Ｆ】本開示の一実施形態による図１の各製造動作が実行された後の半導体構造の一部分の概略断面図である。
【図３】本開示の一実施形態によるアニーリングプロセスが実行された後の様々な組合せの層が堆積した半導体構造の概略断面図である。
【図４】本開示の一実施形態による図１に関して説明した製造プロセスを実行するために使用することができる処理システムの概略上面図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図２Ａ〜図２Ｆは、本開示の一実施形態による各製造動作が実行された後の半導体構造の一部分の概略断面図を示す。