【手続補正書】
【提出日】平成17年6月10日(2005.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）少なくとも１種のコオレフィンおよび下記一般式 I、II、III または IV で示される化合物からなる群から選択される少なくとも１種の化合物の存在下で、ニトリルゴムを反応させ：
【化１】
2004300444.tif 000001
〔式中、
Ｍは、ＯｓまたはＲｕであり、
ＲおよびＲ1は、独立に、水素、またはＣ2〜Ｃ20アルケニル、Ｃ2〜Ｃ20アルキニル、Ｃ1〜Ｃ20アルキル、アリール、Ｃ1〜Ｃ20カルボキシレート、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ、Ｃ2〜Ｃ20アルケニルオキシ、Ｃ2〜Ｃ20アルキニルオキシ、アリールオキシ、Ｃ2〜Ｃ20アルコキシカルボニル、Ｃ1〜Ｃ20アルキルチオ、Ｃ1〜Ｃ20アルキルスルホニルおよびＣ1〜Ｃ20アルキルスルフィニルからなる群から選ばれる炭化水素であり、
ＸおよびＸ1は、独立に、アニオン配位子であり、
ＬおよびＬ1は、独立に、電気中性配位子であり、任意にＬおよびＬ1は、相互に連結して、電気中性の二座配位子を形成し得る。〕；
【化２】
2004300444.tif 000002
〔式中、
Ｍ1は、ＯｓまたはＲｕであり、
Ｒ2およびＲ3は、独立に、水素、またはＣ2〜Ｃ20アルケニル、Ｃ2〜Ｃ20アルキニル、Ｃ1〜Ｃ20アルキル、アリール、Ｃ1〜Ｃ20カルボキシレート、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ、Ｃ2〜Ｃ20アルケニルオキシ、Ｃ2〜Ｃ20アルキニルオキシ、アリールオキシ、Ｃ2〜Ｃ20アルコキシカルボニル、Ｃ1〜Ｃ20アルキルチオ、Ｃ1〜Ｃ20アルキルスルホニルおよびＣ1〜Ｃ20アルキルスルフィニルからなる群から選ばれる炭化水素であり、
Ｘ2は、アニオン配位子であり、
Ｌ2は、電気中性単環または多環π結合配位子であり、
Ｌ3は、ホスフィン、スルホン化ホスフィン、フッ素化ホスフィン、３つまでのアミノアルキル基、アンモニウムアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、ヒドロキシカルボニルアルキル基、ヒドロキシアルキル基またはケトアルキル基を有する官能化ホスフィン、ホスファイト、ホスフィナイト、ホスホナイト、ホスフィンアミン、アルシン、スチベン、エーテル、アミン、アミド、イミン、スルホキシド、チオエーテルおよびピリジンからなる群から選ばれる配位子であり、
Ｙ-は、非配位アニオンであり、
ｎは、０〜５の範囲の整数である。〕；
【化３】
2004300444.tif 000003
〔式中、
Ｍ2は、ＭｏまたはＷであり、
Ｒ4およびＲ5は、独立に、水素、またはＣ2〜Ｃ20アルケニル、Ｃ2〜Ｃ20アルキニル、Ｃ1〜Ｃ20アルキル、アリール、Ｃ1〜Ｃ20カルボキシレート、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ、Ｃ2〜Ｃ20アルケニルオキシ、Ｃ2〜Ｃ20アルキニルオキシ、アリールオキシ、Ｃ2〜Ｃ20アルコキシカルボニル、Ｃ1〜Ｃ20アルキルチオ、Ｃ1〜Ｃ20アルキルスルホニルおよびＣ1〜Ｃ20アルキルスルフィニルからなる群から選ばれる炭化水素であり、
Ｒ6およびＲ7は、独立に、未置換またはハロ置換のアルキル、アリール、アラルキル基またはそのケイ素含有類似体から選ばれる。〕；
【化４】
2004300444.tif 000004
〔式中、
Ｍは、ＯｓまたはＲｕであり、
ＲおよびＲ1は、独立に、水素、置換または未置換アルキル、および置換または未置換アルキルからなる群から選ばれ、
ＸおよびＸ1は、独立に、アニオン配位子であり、
ＬおよびＬ1は、独立に、電気中性配位子であり、任意にＬおよびＬ1は、相互に連結して、電気中性の二座配位子を形成し得る。〕、
ｂ）工程ａ）の生成物を水素化する
ことを含んでなる、水素化ニトリルゴムの製造方法。
【請求項２】
水素化を均一触媒条件で行う請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
均一接触還元をその場（in situ）で行う請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
工程ｂ）の前または工程ｂ）中に付加的な水素化触媒を添加しない請求項１に記載の製造方法。
【請求項５】
メタセシス触媒は式Ｉで示される化合物である請求項１に記載の製造方法。
【請求項６】
ＬおよびＬ1はトリアルキルホスフィンであり、ＸおよびＸ1は塩素イオンであり、Ｍはルテニウムである請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
該化合物対ニトリルゴムの比は０．００５〜５の範囲にある請求項１に記載の製造方法。
【請求項８】
コオレフィンはＣ2〜Ｃ16直鎖または分枝オレフィンである請求項１に記載の製造方法。
【請求項９】
コオレフィンは液体であり、使用されるコオレフィンの量は１〜２００質量％の範囲である請求項１に記載の製造方法。
【請求項１０】
コオレフィンは気体であり、使用されるコオレフィンの量は、１×１０5Ｐａ〜１×１０7Ｐａの範囲の反応容器圧力が生ずるような量である請求項１に記載の製造方法。
【請求項１１】
モノクロロベンゼン、ジクロロメタン、ベンゼン、トルエン、テトラヒドロフランおよびシクロヘキサンからなる群から選択される不活性溶媒中で行う請求項１に記載の製造方法。
【請求項１２】
水素化を、(ＰＰｈ3)3ＲｈＣｌの存在下に行う請求項１に記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【化２】
2004300444.tif 000005
〔式中、
Ｍ1は、ＯｓまたはＲｕであり、
Ｒ2およびＲ3は、独立に、水素、またはＣ2〜Ｃ20アルケニル、Ｃ2〜Ｃ20アルキニル、Ｃ1〜Ｃ20アルキル、アリール、Ｃ1〜Ｃ20カルボキシレート、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ、Ｃ2〜Ｃ20アルケニルオキシ、Ｃ2〜Ｃ20アルキニルオキシ、アリールオキシ、Ｃ2〜Ｃ20アルコキシカルボニル、Ｃ1〜Ｃ20アルキルチオ、Ｃ1〜Ｃ20アルキルスルホニルおよびＣ1〜Ｃ20アルキルスルフィニルからなる群から選ばれる炭化水素であり、
Ｘ2は、アニオン配位子であり、
Ｌ2は、電気中性単環または多環π結合配位子であり、
Ｌ3は、ホスフィン、スルホン化ホスフィン、フッ素化ホスフィン、３つまでのアミノアルキル基、アンモニウムアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、ヒドロキシカルボニルアルキル基、ヒドロキシアルキル基またはケトアルキル基を有する官能化ホスフィン、ホスファイト、ホスフィナイト、ホスホナイト、ホスフィンアミン、アルシン、スチベン、エーテル、アミン、アミド、イミン、スルホキシド、チオエーテルおよびピリジンからなる群から選ばれる配位子であり、
Ｙ-は、非配位アニオンであり、
ｎは、０〜５の範囲の整数である。〕；
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【化６】
2004300444.tif 000006
〔式中、
Ｍ1は、ＯｓまたはＲｕであり、
Ｒ2およびＲ3は、独立に、水素、またはＣ2〜Ｃ20アルケニル、Ｃ2〜Ｃ20アルキニル、Ｃ1〜Ｃ20アルキル、アリール、Ｃ1〜Ｃ20カルボキシレート、Ｃ1〜Ｃ20アルコキシ、Ｃ2〜Ｃ20アルケニルオキシ、Ｃ2〜Ｃ20アルキニルオキシ、アリールオキシ、Ｃ2〜Ｃ20アルコキシカルボニル、Ｃ1〜Ｃ20アルキルチオ、Ｃ1〜Ｃ20アルキルスルホニルおよびＣ1〜Ｃ20アルキルスルフィニルからなる群から選ばれる炭化水素であり、
Ｘ2は、アニオン配位子であり、
Ｌ2は、単環または多環であるかどうかに関わらず、電気中性π結合配位子であり、
Ｌ3は、ホスフィン、スルホン化ホスフィン、フッ素化ホスフィン、３つまでのアミノアルキル基、アンモニウムアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、ヒドロキシカルボニルアルキル基、ヒドロキシアルキル基またはケトアルキル基を有する官能化ホスフィン、ホスファイト、ホスフィナイト、ホスホナイト、ホスフィンアミン、アルシン、スチベン、エーテル、アミン、アミド、イミン、スルホキシド、チオエーテルおよびピリジンからなる群から選ばれる配位子であり、
Ｙ-は、非配位アニオンであり、
ｎは、０〜５の範囲の整数である。〕；
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
典型的な生成物ではＭnは２７ｋｇ／ｍｏｌであり（これと比べて出発ポリマーは８５ｋｇ／ｍｏｌである）、一方、Ｍwは５４ｋｇ／ｍｏｌである（これと比べて出発ポリマーは２９６ｋｇ／ｍｏｌである）。期待されるように分子量分布は、出発基材原料の３.４からメタセシス化生成物の２.０に低下する。これは、ポリマー鎖長および分子量のより均一な範囲と一致する。
選択試料のポリマー性質の一覧を、表Ｉに示す。ＧＰＣの結果は、Ｍwの５分の１までの縮小および最小１.９０への多分散性指数（ＰＤＩ）の減縮を示す。