【手続補正書】
【提出日】平成17年6月13日(2005.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超臨界状態の媒体を含む第１の処理媒体を被処理基板上に供給して被処理基板表面の金属を含む膜をクリーニングする第１の工程と、
前記被処理基板上に前記超臨界状態の媒体を含む第２の処理媒体を供給してＣｕ膜を成膜する第２の工程を含むことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記金属を含む膜は、Ｃｕ拡散防止膜であることを特徴とする請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記金属はＴｉ，ＴａおよびＷのいずれかであることを特徴とする請求項２記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記第１の処理媒体は、前記超臨界状態の媒体にエッチング剤を添加したものであることを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか１項記載の基板処理方法。
【請求項５】
前記エッチング剤はキレート剤、ハロゲン化合物および酸のいずれかであることを特徴とする請求項４記載の基板処理方法。
【請求項６】
前記エッチング剤は、Ｈ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）であることを特徴とする請求項５記載の基板処理方法。
【請求項７】
前記エッチング剤は、ＣｌＦ3であることを特徴とする請求項５記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記エッチング剤は、ＨＣｌであることを特徴とする請求項５記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記第１の工程は、前記第１の処理媒体による前記クリーニングを行った後で、前記超臨界状態の媒体によって前記被処理基板表面の前記第１の処理媒体および副生成物を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜８のうち、いずれか１項記載の基板処理方法。
【請求項１０】
前記第２の処理媒体は、前記超臨界状態の媒体に銅を含む前駆体化合物を添加したものであることを特徴とする請求項１〜９のうち、いずれか１項記載の基板処理方法。
【請求項１１】
前記銅を含む前駆体化合物は、Ｃｕ+2（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）2、Ｃｕ+2（アセチルアセトネート）2、およびＣｕ+2（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン）2のいずれかであることを特徴とする請求項１０記載の基板処理方法。
【請求項１２】
前記銅を含む前駆体化合物は、Ｃｕ+1（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）とシリロレフィンリガンドを含み、前記シリロレフィンリガンドは、トリメチルビニルシラン（ｔｍｖｓ）、アリルオキシトリメチルシリル（ａｏｔｍｓ）、ジメチルアセチレン（２−ブチン）、２−メチル−１−ヘキシン−３−イン（ＭＨＹ）、３−ヘキシン−２，５−ジメトキシ（ＨＤＭ）、１，５−シクロオクタジエン（１，５−ＣＯＤ）、およびビニルトリメトキシレン（ＶＴＭＯＳ）からなる群から選択されることを特徴とする請求項１０記載の基板処理方法。
【請求項１３】
前記第２の工程は、前記Ｃｕ膜を形成した後で、前記超臨界状態の媒体によって前記被処理基板表面の第２の処理媒体および副生成物を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜１２のうち、いずれか１項記載の基板処理方法。
【請求項１４】
前記超臨界状態の媒体は、超臨界状態であるＣＯ2であることを特徴とする請求項１〜１３のうち、いずれか１項記載の基板処理方法。
【請求項１５】
被処理基板を処理する処理容器において、前記第１の工程および前記第２の工程が行われることを特徴とする請求項１〜１４のうち、いずれか１項記載の基板処理方法。
【請求項１６】
前記第１の工程が前記被処理基板を処理する処理容器で行われ、前記第２の工程が別の処理容器で行われることを特徴とする請求項１〜１４のうち、いずれか１項記載の基板処理方法。
【請求項１７】
請求項１〜１６のうち、いずれか１項記載の基板処理方法を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
被処理基板を保持する保持台と、
前記保持台を内部に備えた処理容器と、
前記処理容器に供給される処理媒体が形成される混合容器と、を有し、
前記混合容器には、超臨界状態の媒体が供給される第１の供給ラインと、エッチング剤が供給される第２の供給ラインとが接続され、前記混合容器で前記超臨界状態の媒体と前記エッチング剤を含む前記処理媒体が形成されるよう構成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項１９】
前記混合容器には、銅を含む前躯体化合物が供給される第３の供給ラインが接続されていることを特徴とする請求項１８記載の基板処理装置。
【請求項２０】
前記第１の供給ラインには加圧ポンプが設置されていることを特徴とする請求項１８または１９記載の基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記の課題を解決するために、
請求項１に記載したように、
超臨界状態の媒体を含む第１の処理媒体を被処理基板上に供給して被処理基板表面の金属を含む膜をクリーニングする第１の工程と、
前記被処理基板上に前記超臨界状態の媒体を含む第２の処理媒体を供給してＣｕ膜を成膜する第２の工程を含むことを特徴とする基板処理方法により、また、
請求項２に記載したように、
前記金属を含む膜は、Ｃｕ拡散防止膜であることを特徴とする請求項１記載の基板処理方法により、また、
請求項３に記載したように、
前記金属はＴｉ，ＴａおよびＷのいずれかであることを特徴とする請求項２記載の基板処理方法により、また、
請求項４に記載したように、
前記第１の処理媒体は、前記超臨界状態の媒体にエッチング剤を添加したものであることを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項５に記載したように、
前記エッチング剤はキレート剤、ハロゲン化合物および酸のいずれかであることを特徴とする請求項４記載の基板処理方法により、また、
請求項６に記載したように、
前記エッチング剤は、Ｈ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）であることを特徴とする請求項５記載の基板処理方法により、また、
請求項７に記載したように、
前記エッチング剤は、ＣｌＦ3であることを特徴とする請求項５記載の基板処理方法により、また、
請求項８に記載したように、
前記エッチング剤は、ＨＣｌであることを特徴とする請求項５記載の基板処理方法により、また、
請求項９に記載したように、
前記第１の工程は、前記第１の処理媒体による前記クリーニングを行った後で、前記超臨界状態の媒体によって前記被処理基板表面の前記第１の処理媒体および副生成物を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜８のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項１０に記載したように、
前記第２の処理媒体は、前記超臨界状態の媒体に銅を含む前駆体化合物を添加したものであることを特徴とする請求項１〜９のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項１１に記載したように、
前記銅を含む前駆体化合物は、Ｃｕ+2（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）2、Ｃｕ+2（アセチルアセトネート）2、およびＣｕ+2（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン）2のいずれかであることを特徴とする請求項１０記載の基板処理方法により、また、
請求項１２に記載したように、
前記銅を含む前駆体化合物は、Ｃｕ+1（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）とシリロレフィンリガンドを含み、前記シリロレフィンリガンドは、トリメチルビニルシラン（ｔｍｖｓ）、アリルオキシトリメチルシリル（ａｏｔｍｓ）、ジメチルアセチレン（２−ブチン）、２−メチル−１−ヘキシン−３−イン（ＭＨＹ）、３−ヘキシン−２，５−ジメトキシ（ＨＤＭ）、１，５−シクロオクタジエン（１，５−ＣＯＤ）、およびビニルトリメトキシレン（ＶＴＭＯＳ）からなる群から選択されることを特徴とする請求項１０記載の基板処理方法により、また、
請求項１３に記載したように、
前記第２の工程は、前記Ｃｕ膜を形成した後で、前記超臨界状態の媒体によって前記被処理基板表面の第２の処理媒体および副生成物を除去する工程をさらに含むことを特徴とする請求項１〜１２のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項１４に記載したように、
前記超臨界状態の媒体は、超臨界状態であるＣＯ2であることを特徴とする請求項１〜１３のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項１５に記載したように、
被処理基板を処理する処理容器において、前記第１の工程および前記第２の工程が行われることを特徴とする請求項１〜１４のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項１６に記載したように、
前記第１の工程が前記被処理基板を処理する処理容器で行われ、前記第２の工程が別の処理容器で行われることを特徴とする請求項１〜１４のうち、いずれか１項記載の基板処理方法により、また、
請求項１７に記載したように、
請求項１〜１６のうち、いずれか１項記載の基板処理方法を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法により、また、
請求項１８に記載したように、
被処理基板を保持する保持台と、
前記保持台を内部に備えた処理容器と、
前記処理容器に供給される処理媒体が形成される混合容器と、を有し、
前記混合容器には、超臨界状態の媒体が供給される第１の供給ラインと、エッチング剤が供給される第２の供給ラインとが接続され、前記混合容器で前記超臨界状態の媒体と前記エッチング剤を含む前記処理媒体が形成されるよう構成されていることを特徴とする基板処理装置により、また、
請求項１９に記載したように、
前記混合容器には、銅を含む前躯体化合物が供給される第３の供給ラインが接続されていることを特徴とする請求項１８記載の基板処理装置により、また、
請求項２０に記載したように、
前記第１の供給ラインには加圧ポンプが設置されていることを特徴とする請求項１８または１９記載の基板処理装置により、解決する。
［作用］
本発明によれば、Ｃｕ拡散防止膜が成膜された微細パターンへのＣｕ膜の形成の場合において、超臨界状態の媒体を用いたクリーニング方法で被処理基板の表面の当該Ｃｕ拡散防止膜をクリーニングし、さらに超臨界状態の媒体を用いたＣｕの成膜を行うことで、当該微細パターンに密着性良く、ボイドフリーでカバレッジ良くＣｕ膜の成膜をおこなうことが可能となる。