Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月9日(2005.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を移送するための装置であって、
前記基板を支持するための基板支持部を有する１つのエンドエフェクターと、
前記エンドエフェクターの前記基板支持部に設けられたモータと、前記モータは、固定部分と回転部分を有し、前記固定部分は、前基板支持部に結合され、
前記モータの回転部分に結合された、前記基板をディスク上に支持するためのディスクとを有し、前記ディスクは、前記モータによって前記エンドエフェクターに対して回転されることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記ディスクは、更に、ディスクに設けられた真空ポートを有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
更に、前記ディスクの半径方向外方にエンドエフェクター上に設けられた複数の基板支持シートを有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
各々のシートは、更に、前記エンドエフェクター上に設けられたベースと、
前記ベースから延びるリップと、
を有することを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
少なくとも１つのシートがディスクに対して半径方向に移動可能であることを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項６】
更に、基板を支持するようにされた３つのシートを有することを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項７】
更に、前記エンドエフェクターに結合された１つ以上のセンサーを有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項８】
更に、前記エンドエフェクターから離れて設けられ、且つ基板が前記ディスク上で回転したとき基板の向きのしるしを検出するために配置され１つ以上のセンサーを有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記１つ以上のセンサーの少なくとも１つが前記ディスク上で回転する基板の向きを示すしるしを検出するようにされていることを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項１０】
前記１つ以上のセンサーの少なくとも１つが伸張されていることを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項１１】
前記伸張されたセンサーは、前記ディスクの中心に対して半径方向に向けられていることを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記エンドエフェクターは、更に、
前記ディスクを支持する中央部と、
前記中央部から伸びる２つ以上の、前記基板を支持するようにされたタブと、
を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記２つ以上のタブは、
第１のタブと、
その上に設けられたセンサーを有する第２のタブと、
を有し、前記センサーは前記第１と第２のタブ間の物体を検知するようにされていることを特徴とする請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
前記タブの少なくとも１つは、更に、その上に配置されたセンサーを有し、前記センサーは、前記エンドエフェクター上に設けられた基板の向きのしるしを検出するようにされていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
更に、前記エンドエフェクターから離れてディスクを動かすエンドエフェクターに配置されたアクチュエータを有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１６】
前記エンドエフェクターは、更に、モータを受けるようにされた環状ポケットによって囲まれたハブを有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１７】
更に、前記ディスクの角度の向きを与えるようにされたエンコーダを有することを特徴とする請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
更に、１つ以上のアームを有するロボットを有し、少なくとも１つのアームはエンドエフェクターに結合されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項１９】
前記ロボットは、更に、前記アームの少なくとも１つと前記エンドエフェクターとの間に結合されたリストを有し、前記リストは回転アクチュエータを有することを特徴とする請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記ロボットは、更に、
本体と、
前記エンドエフェクターを前記本体に結合するリンケージとを有し、
前記リンケージは、前記本体の周りで半径方向に且つ回転方向に前記エンドエフェクターの位置を定めることを特徴とする請求項１８に記載の装置。
【請求項２１】
前記ロボットは、フロッグ・レッグ構造を有することを特徴とする請求項１８に記載の装置。
【請求項２２】
前記モータは、更に、
前記エンドエフェクターに結合された複数の、制御可能に励磁することができるアーマチュアと、
前記ディスクに結合された複数の永久磁石と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項２３】
基板を移送するための装置であって、
エンドエフェクターと、
前記エンドエフェクターに結合されたモータと、
前記モータの回転部分に同心円状に結合され、前記基板を支持するようにされたディスクと、
前記エンドエフェクターに設けられ、前記基板の向きのしるしを検出するようにされた少なくとも１つのセンサーと、
前記ディスクに結合され、前記エンドエフェクターに垂直に前記ディスクを動かすためのアクチュエータと、
を有することを特徴とする装置。
【請求項２４】
更に、前記ディスクの半径方向外方へ前記エンドエフェクターに設けられた複数の基板支持シートを有することを特徴とする請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
少なくとも１つのシートは、ディスクに対して半径方向に移動可能であることを特徴とする請求項２３に記載の装置。
【請求項２６】
前記モータは、更に、
前記エンドエフェクターに結合された複数の制御可能に励磁することができるアーマチュアと、
前記ディスクに結合された複数の永久磁石と、
を有することを特徴とする請求項２３に記載の装置。
【請求項２７】
更に、１つ以上のアームを有するロボットを有し、少なくとも１つのアームは前記エンドエフェクターに結合されていることを特徴とする請求項２３に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月10日(2005.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動可能な第１部材と、
前記第１部材に接続し用力を伝達する用力伝達装置と、
一端を前記第１部材に接続するとともに他端を前記第１部材と異なる第２部材に接続し、前記用力伝達装置を保持して前記第１部材の移動方向に沿って移動する保持装置とを備え、
前記第１部材と前記第２部材との少なくとも一方と前記保持装置との間に弾性体を介在させることを特徴とするステージ装置。
【請求項２】
前記弾性体は、その弾性変形方向を前記第１部材の移動方向に沿って配置されるとともに、前記移動方向と交わる方向に並列に複数設けられていることを特徴とする請求項１記載のステージ装置。
【請求項３】
前記弾性体は弾性領域内で所定量圧縮されていることを特徴とする請求項１又は２記載のステージ装置。
【請求項４】
前記保持装置に連結し凹部を有する第１連結部材と、
前記第１部材又は前記第２部材に連結し凹部を有する第２連結部材と、
前記第１連結部材と前記第２連結部材とを接続するばね部材とを有し、
前記弾性体は、前記第１連結部材及び前記第２連結部材のそれぞれの凹部の間に配置される弾性体であることを特徴とする請求項１記載のステージ装置。
【請求項５】
前記弾性体は、板ばねであることを特徴とする請求項１記載のステージ装置。
【請求項６】
前記保持装置と前記第１部材とを接続するロータリダンパを備えることを特徴とする請求項１記載のステージ装置。
【請求項７】
前記用力伝達装置は用力伝達ケーブルを有するとともに、前記ケーブルは前記保持装置と前記第１部材との間で少なくとも２つの固定部材で固定されており、
前記２つの固定部材どうしの間に配設される前記ケーブルの長さは、該２つの固定部材どうしの間の距離より長く設定されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のステージ装置。
【請求項８】
前記２つの固定部材どうしの間に配設される前記ケーブルは、所定の力を作用した際、前記２つの固定部材どうしの間に配設される前記ケーブル以外の部分より撓み量が大きく設定されたケーブルであることを特徴とする請求項７記載のステージ装置。
【請求項９】
前記保持装置は、複数の単位部材を回転軸によって回動自在に連結したものであることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載のステージ装置。
【請求項１０】
相対的に移動可能な第１部材と第２部材とを連結して、前記第１部材と前記第２部材とを接続している線状部材を保持する保持装置において、
前記第１部材と前記第２部材との少なくとも一方と、前記保持装置との連結部に弾性体を有することを特徴とする保持装置。
【請求項１１】
マスクステージに保持されたマスクのパターンを基板ステージに保持された基板に露光する露光装置において、
前記マスクステージと前記基板ステージとの少なくとも一方には、請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載されたステージ装置が用いられていることを特徴とする露光装置。
【請求項１２】
マスクステージに保持されたマスクのパターンを基板ステージに保持された基板に露光する露光装置において、
前記基板ステージは、前記基板として大型基板を保持するとともに、請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載されたステージ装置が用いられていることを特徴とする露光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月8日(2005.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた１つ以上の半導体デバイスと、その上に設けられ、少なくとも１つの貫通する接触バイアを有するトランジスタ絶縁構造とを備えるトランジスタレベルと、
前記トランジスタ絶縁構造上に設けられた強誘電体デバイスレベルであって、電気接触領域を有する上部電極と、底部電極と、前記上部および底部電極間に設けられた強誘電体材料とを備える少なくとも１つの強誘電体キャパシタ構造を含み、前記少なくとも１つの強誘電体キャパシタ構造の前記上部電極の少なくとも一部上に設けられ、かつ前記少なくとも１つの強誘電体キャパシタ構造の非電気接触領域を、その上に設けられた隣接する電気構造から電気的に絶縁する強誘電体絶縁構造をさらに含み、前記強誘電体絶縁構造は、そこを貫通して延びかつ前記トランジスタ絶縁構造の対応する接触バイアと整列する少なくとも１つのバイアを有し、前記強誘電体絶縁構造を貫通して延びる前記少なくとも１つのバイアは、それと整列する前記トランジスタ絶縁構造の前記対応する接触バイアよりも水平方向に大きいサイズを有している強誘電体デバイスレベルと、
前記強誘電体デバイスレベル上に設けられた第一の金属レベルと、
前記第一の金属レベル上に設けられたレベル間誘電体レベルと、
前記レベル間誘電体レベル上に設けられた第二の金属レベルと、
を備えることを特徴とする集積回路。
【請求項２】
前記各接触バイアがそれぞれのタングステン接触プラグで充填されたことを特徴とする請求項１に記載の集積回路。
【請求項３】
前記各強誘電体キャパシタ構造がそれぞれのタングステン接触プラグ上に形成されたことを特徴とする請求項２に記載の集積回路。
【請求項４】
前記強誘電体デバイスレベルと前記トランジスタ絶縁構造間に配線レベルが全く介在しないことを特徴とする請求項１に記載の集積回路。
【請求項５】
前記強誘電体絶縁構造を通って延びる前記少なくとも１つの貫通するバイアは、前記トランジスタ絶縁構造の前記対応する接触バイアよりも水平方向に大きいサイズを有していることを特徴とする請求項１に記載の集積回路。
【請求項６】
基板上に設けられた１つ以上の半導体デバイスと、その上に設けられ、少なくとも１つの貫通する接触バイアを有するトランジスタ絶縁構造とを備えるトランジスタレベルを形成するステップと、
前記トランジスタ絶縁構造上に設けられた強誘電体デバイスレベルであって、電気接触領域を有する上部電極と、底部電極と、前記上部および底部電極間に設けられた強誘電体材料とを備える少なくとも１つの強誘電体キャパシタ構造を含み、前記少なくとも１つの強誘電体キャパシタ構造の前記上部電極の少なくとも一部上に設けられ、かつ前記少なくとも１つの強誘電体キャパシタ構造の非電気接触領域を、その上に設けられた隣接する電気構造から電気的に絶縁する強誘電体絶縁構造をさらに含み、前記強誘電体絶縁構造は、そこを貫通して延びかつ前記トランジスタ絶縁構造の対応する接触バイアと整列する少なくとも１つのバイアを有し、前記強誘電体絶縁構造を貫通して延びる前記少なくとも１つのバイアは、それと整列する前記トランジスタ絶縁構造の前記対応する接触バイアよりも水平方向に大きいサイズを有している強誘電体デバイスレベルを形成するステップと、
前記強誘電体デバイスレベル上に設けられた第一の金属レベルを形成するステップと、
前記第一の金属レベル上に設けられたレベル間誘電体レベルを形成するステップと、
前記レベル間誘電体レベル上に設けられた第二の金属レベルを形成するステップと、
を含むことを特徴とする集積回路を形成するための方法。
【請求項７】
前記各接触バイアがそれぞれのタングステン接触プラグで充填されたことを特徴とする請求項６に記載の集積回路を形成するための方法。
【請求項８】
前記各強誘電体キャパシタ構造がそれぞれのタングステン接触プラグ上に形成されたことを特徴とする請求項７に記載の集積回路を形成するための方法。
【請求項９】
前記強誘電体デバイスレベルと前記トランジスタ絶縁構造間に配線レベルが全く介在しないことを特徴とする請求項６に記載の集積回路を形成するための方法。
【請求項１０】
前記強誘電体絶縁構造を通って延びる前記少なくとも１つの貫通するバイアは、前記トランジスタ絶縁構造の前記対応する接触バイアよりも水平方向に大きいサイズを有していることを特徴とする請求項６に記載の集積回路を形成するための方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月11日(2004.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルであって、
Ｐ−領域と、
前記Ｐ−領域を包囲するＮ＋領域であって、前記Ｐ−領域および前記Ｎ＋領域が柱状体を形成する、Ｎ＋領域と、および
二値状態を格納することができる部分を含み、前記柱状体の一端に配置されたゲート酸化物とからなる、メモリセル。
【請求項２】
前記ゲート酸化物が、トンネルゲート酸化物を含む、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項３】
前記二値状態を格納することができる前記ゲート酸化物の部分がトンネル接合であり、そのトンネル接合が前記柱状体のＰ−領域に接触する、請求項２に記載のメモリセル。
【請求項４】
書込み電圧に応じて、前記トンネル接合にわたる抵抗が変化することができ、その抵抗の変化が、前記トンネル接合の前記二値状態の変化として読み取ることができる、請求項３に記載のメモリセル。
【請求項５】
前記ゲート酸化物が不均一な厚みを有する、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項６】
前記ゲート酸化物の中央部分が、二値状態を格納することができる部分である、請求項５に記載のメモリセル。
【請求項７】
前記ゲート酸化物が環状の断面を有し、その環状の断面が、環体の外側エッジに向かって大きくなる、請求項５に記載のメモリセル。
【請求項８】
前記ゲート酸化物が、ＮＭＯＳトランジスタ制御ゲートとして機能する、請求項５に記載のメモリセル。
【請求項９】
前記Ｐ−領域と前記Ｎ＋領域との間のＰＮ接合が、前記柱状体の中を通って延びる、請求項５に記載のメモリセル。
【請求項１０】
前記柱状体が、オフ状態のＪＦＥＴとして機能する、請求項９に記載のメモリセル。
【請求項１１】
メモリアレイであって、
基板と、
前記基板上に配置された複数の第１の導体であって、それぞれの第１の導体がその第１の導体上に形成された絶縁体を含む、複数の第１の導体と、
複数の交点において前記第１の導体と交差する複数の第２の導体と、および
それぞれが交点において第１の導体と第２の導体との間に配置された、複数のメモリセルとを含み、そのメモリセルが、
第１の導体上に配置されたＰ−領域と、
前記Ｐ−領域を包囲するＮ＋領域であって、前記Ｐ−領域および前記Ｎ＋領域が柱状体を形成する、Ｎ＋領域と、および
二値状態を格納することができる部分を含み、前記柱状体の一端と第２の導体との間に配置されたゲート酸化物とからなる、メモリアレイ。
【請求項１２】
前記ゲート酸化物が、トンネルゲート酸化物を含む、請求項１１に記載のメモリアレイ。
【請求項１３】
前記二値状態を格納することができる前記ゲート酸化物の部分がトンネル接合であり、そのトンネル接合が前記柱状体のＰ−領域に接触する、請求項１２に記載のメモリアレイ。
【請求項１４】
書込み電圧に応じて、前記トンネル接合にわたる抵抗が変化することができ、その抵抗の変化が、前記トンネル接合の前記二値状態の変化として読み取ることができる、請求項１３に記載のメモリアレイ。
【請求項１５】
前記ゲート酸化物が、前記柱状体と前記第２の導体との間に酸化物の領域を含み、その酸化物の領域が、隣接する絶縁体とつながっている、請求項１３に記載のメモリアレイ。
【請求項１６】
前記酸化物の領域が、不均一な環状の形状を有する、請求項１５に記載のメモリアレイ。
【請求項１７】
前記ゲート酸化物が環状の断面を有し、その環状の断面が、環体の外側エッジに向かって大きくなる、請求項１４に記載のメモリアレイ。
【請求項１８】
前記ゲート酸化物が、ＮＭＯＳトランジスタとして機能する、請求項１４に記載のメモリアレイ。
【請求項１９】
前記Ｐ−領域と前記Ｎ＋領域との間のＰＮ接合が、前記柱状体の中を通って延びる、請求項１４に記載のメモリアレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月25日(2005.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体集積回路チップが積層された積層型半導体装置であって、
前記各半導体集積回路チップは、
自己の識別情報が電気的に書き込まれて保持される保持回路と、
各半導体集積回路チップが積層された状態で自己の保持回路に自己の識別情報を設定する識別情報設定回路と、
自己の保持回路に自己の識別情報を設定するために用いる少なくとも一つの設定端子と、
を備え、
各半導体集積回路チップの前記少なくとも一つの設定端子は、他の半導体集積回路チップの対応する前記少なくとも一つの設定端子に接続されている
ことを特徴とする積層型半導体装置。
【請求項２】
前記各半導体集積回路チップ内の回路構成は互いに実質的に同一である
ことを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体装置。
【請求項３】
前記各半導体集積回路チップはチップセレクトのための信号が入力される複数の端子を有し、各半導体集積回路チップの対応する前記複数の端子どうしは全て共通に接続されている
ことを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体装置。
【請求項４】
前記保持回路は、保持される情報を電気的に書き換え可能な構造を有する
ことを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体装置。
【請求項５】
前記保持回路は、不揮発性メモリセルを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体装置。
【請求項６】
前記識別情報設定回路は、所定の動作に費やされる時間の各半導体集積回路チップ間での相違に基づいて自己の保持回路に自己の識別情報を設定する
ことを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月17日(2004.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】携帯型情報機器、回線切替え方法、及び回線切替えのプログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線電話回線への接続を可能とする無線電話回線接続手段と、
無線ＬＡＮ回線への接続を可能とする無線ＬＡＮ回線接続手段と、
前記無線電話回線及び前記無線ＬＡＮ回線のうちの一方が選択的に使用されるように切替えを行う切替え手段と、
前記無線電話回線を通じて送られてくるデータの受信を禁止する手段とを具備することを特徴とする携帯型情報機器。
【請求項２】
無線電話回線への接続を可能とする無線電話回線接続手段と、
無線ＬＡＮ回線への接続を可能とする無線ＬＡＮ回線接続手段と、
前記無線電話回線及び前記無線ＬＡＮ回線のうちの一方が選択的に使用されるように切替えを行う切替え手段と、
データ送信の際に前記無線ＬＡＮ回線を優先的に使用する手段とを具備することを特徴とする携帯型情報機器。
【請求項３】
前記無線ＬＡＮ回線への接続が不可能な場合に前記無線電話回線を使用することを特徴とする請求項１又は２記載の携帯型情報機器。
【請求項４】
前記切替え手段は、送信するコンテンツの種類に応じて前記切替えを行うことを特徴とする請求項１又は２記載の携帯型情報機器。
【請求項５】
前記切替え手段は、送信するコンテンツの量に応じて前記切替えを行うことを特徴とする請求項１又は２記載の携帯型情報機器。
【請求項６】
無線電話回線への接続を可能とする無線電話回線接続手段と、
無線ＬＡＮ回線への接続を可能とする無線ＬＡＮ回線接続手段と、
前記無線電話回線及び前記無線ＬＡＮ回線のうちの一方が選択的に使用されるように切替えを行う切替え手段とを備え、
前記切替え手段は、前記無線ＬＡＮ回線への接続が不可能な場合に前記無線電話回線に自動的に切り替えることを特徴とする携帯型情報機器。
【請求項７】
無線電話回線への接続が可能な携帯型情報機器に適用される回線切替え方法であって、
前記携帯型情報機器から無線ＬＡＮ回線への接続も行えるようにし、
前記無線電話回線及び前記無線ＬＡＮ回線のうちの一方を選択的に使用し、
前記無線電話回線を通じて送られてくるデータの受信を禁止することを特徴とする回線切替え方法。
【請求項８】
無線電話回線への接続が可能な携帯型情報機器に適用される回線切替え方法であって、
前記携帯型情報機器から無線ＬＡＮ回線への接続も行えるようにし、
前記無線電話回線及び前記無線ＬＡＮ回線のうちの一方を選択的に使用し、
データ送信の際に前記無線ＬＡＮ回線を優先的に使用することを特徴とする回線切替え方法。
【請求項９】
無線電話回線への接続が可能な携帯型情報機器に適用される回線切替え方法であって、
前記携帯型情報機器から無線ＬＡＮ回線への接続も行えるようにし、
前記無線電話回線及び前記無線ＬＡＮ回線のうちの一方を選択的に使用し、
前記無線ＬＡＮ回線への接続が不可能な場合に前記無線電話回線に自動的に切り替えることを特徴とする回線切替え方法。
【請求項１０】
無線電話回線への接続が可能な携帯型情報機器に適用される回線切替えのプログラムであって、コンピュータに、
前記携帯型情報機器から無線ＬＡＮ回線への接続を行う機能と、
前記無線電話回線及び前記無線ＬＡＮ回線のうちの一方が選択的に使用されるように切替えを行う機能と、
前記無線電話回線を通じて送られてくるデータの受信を禁止する機能とを実現させることを特徴とするプログラム。
【請求項１１】
無線電話回線への接続が可能な携帯型情報機器に適用される回線切替えのプログラムであって、コンピュータに、
前記携帯型情報機器から無線ＬＡＮ回線への接続を行う機能と、
前記無線電話回線及び前記無線ＬＡＮ回線のうちの一方を選択的に使用する機能と、
データ送信の際に前記無線ＬＡＮ回線を優先的に使用する機能とを実現させることを特徴とするプログラム。
【請求項１２】
無線電話回線への接続が可能な携帯型情報機器に適用される回線切替えのプログラムであって、コンピュータに、
前記携帯型情報機器から無線ＬＡＮ回線への接続を行う機能と、
前記無線電話回線及び前記無線ＬＡＮ回線のうちの一方を選択的に使用する機能と、
前記無線ＬＡＮ回線への接続が不可能な場合に前記無線電話回線に自動的に切り替える機能とを実現させることを特徴とするプログラム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、無線電話回線への接続が可能な携帯型情報機器、回線切替え方法、及び回線切替えのプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は上記実状に鑑みてなされたものであり、無線電話機能を有すると共に低コストで高速転送の無線通信を実現する携帯型情報機器、回線切替え方法、及び回線切替えのプログラムを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る携帯型情報機器は、無線電話回線への接続を可能とする無線電話回線接続手段と、無線ＬＡＮ回線への接続を可能とする無線ＬＡＮ回線接続手段と、前記無線電話回線及び前記無線ＬＡＮ回線のうちの一方が選択的に使用されるように切替えを行う切替え手段と、前記無線電話回線を通じて送られてくるデータの受信を禁止する手段とを具備することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明に係る携帯型情報機器は、無線電話回線への接続を可能とする無線電話回線接続手段と、無線ＬＡＮ回線への接続を可能とする無線ＬＡＮ回線接続手段と、前記無線電話回線及び前記無線ＬＡＮ回線のうちの一方が選択的に使用されるように切替えを行う切替え手段と、データ送信の際に前記無線ＬＡＮ回線を優先的に使用する手段とを具備することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明に係る携帯型情報機器は、無線電話回線への接続を可能とする無線電話回線接続手段と、無線ＬＡＮ回線への接続を可能とする無線ＬＡＮ回線接続手段と、前記無線電話回線及び前記無線ＬＡＮ回線のうちの一方が選択的に使用されるように切替えを行う切替え手段とを備え、前記切替え手段は、前記無線ＬＡＮ回線への接続が不可能な場合に前記無線電話回線に自動的に切り替えることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月30日(2004.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線基板が間隙をもって相互に電気的に接続されて積層化された実装構造体であって、
前記配線基板の上層基板および下層基板から選ばれる少なくとも一つの配線基板には、各基板表面に形成された両配線基板の接続用の導電端子と同一面でかつ前記導電端子以外の領域に実装された電子部品と、
前記上層の配線基板と下層の配線基板の対向する導電端子を接続する導電部材と、
前記導電端子と前記導電部材品とを電気的に接続するための接続材料とを含むことを特徴とする実装構造体。
【請求項２】
複数の配線基板が間隙をもって相互に電気的に接続されて積層化された実装構造体であって、前記配線基板の上層基板および下層基板から選ばれる少なくとも一つの配線基板には、各基板表面に形成された両配線基板の接続用の導電端子と同一面でかつ前記導電端子以外の領域に実装された第１の電子部品と、前記上層の配線基板と下層の配線基板の対向する導電端子を接続する第２の電子部品と、前記導電端子と前記第２の電子部品とを電気的に接続するための接続材料とを含み、前記上層と下層の配線基板の対向する導電端子が第２の電子部品の端子電極を介して接続されていることを特徴とする実装構造体。
【請求項３】
電子部品はチップ部品である請求項２に記載の実装構造体。
【請求項４】
導電部材が上下方向に外部接続端子を有するチップ部品である請求項２に記載の実装構造体。
【請求項５】
導電部材がセラミック素体表面に端子電極のみを形成したチップ部品である請求項２に記載の実装構造体。
【請求項６】
前記導電部材が、表裏に外部接続端子を有する半導体部品である請求項２に記載の実装構造体。
【請求項７】
前記接続材料がはんだである請求項１から６のいずれかに記載の実装構造体。
【請求項８】
導電部材と第１の配線基板との接続材料、または導電部材と第２の配線基板との接続材料のいずれか一方に用いられるはんだの融点が、他方に用いられるはんだの融点より高い請求項７に記載の実装構造体。
【請求項９】
前記接続材料が導電性接着剤である請求項１から６のいずれかに記載の実装構造体。
【請求項１０】
導電部材と上層の配線基板との接続材料、または導電部材と下層の配線基板との接続材料のいずれか一方が導電性接着剤であり、他方がはんだである請求項１から６のいずれかに記載の実装構造体。
【請求項１１】
複数の配線基板が厚み方向に電気的に接続されて積層化されたカード型電子機器に用いられる実装構造体であって、
前記配線基板の上層基板および下層基板から選ばれる少なくとも一つの配線基板には、各基板表面に形成された導電端子と同一面でかつ前記導電端子以外の領域に実装された電子部品と、
前記上層の配線基板と下層の配線基板の対向する導電端子を接続する導電部材と、
前記導電端子と前記導電部材品とを電気的に接続するための接続材料とを含むことを特徴とするカード型電子機器用実装構造体。
【請求項１２】
導電部材はチップ部品である請求項１１に記載のカード型電子機器用実装構造体。
【請求項１３】
前記導電部材が、セラミック素体表面に端子電極のみを形成したチップ部品である請求項１１に記載のカード型電子機器用実装構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
次に本発明の第２番目の実装構造体は、複数の配線基板が間隙をもって相互に電気的に接続されて積層化された実装構造体であって、前記配線基板の上層基板および下層基板から選ばれる少なくとも一つの配線基板には、各基板表面に形成された両配線基板の接続用の導電端子と同一面でかつ前記導電端子以外の領域に実装された第１の電子部品と、前記上層の配線基板と下層の配線基板の対向する導電端子を接続する第２の電子部品と、前記導電端子と前記第２の電子部品とを電気的に接続するための接続材料とを含み、前記上層と下層の配線基板の対向する導電端子が第２の電子部品の端子電極を介して接続されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
なお、本発明の実施例、比較例においては、実装構造体の例として、簡単のために、配線基板を２層積層した構成のみを説明したが、それ以上を積層しても良い。また、メモリーカードの基板間実装だけでなく、パッケージ部品、電解コンデンサ、ダイオード、スイッチ類などのチップ部品やリード部品、またＩＣのベア実装など、あらゆる部品の実装に用いることができる。また、導電性接着剤のバインダ樹脂、導電性粒子の種類、電極金属の種類についても、前記実施例に記載したものに限定されない。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月23日(2004.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
従来の無反射終端器では帯域は先端開放線路の特性インピーダンスZ1に依存する。これは誘電体基板の誘電率、厚さおよび先端開放線路の幅により決まり、実現上、１０Ω程度が限界である。この場合、比帯域は１００％となる。このように、この種の無反射終端器では比帯域が比較的狭いため、通常、コンポーネントの周波数に応じて無反射終端器を設計する必要があり、設計時間がかかるとともに、品種も増えてしまう問題点があった。また、ある種のレーダ装置においては２〜３オクターブの超広帯域化が要求される場合があり、このような装置には使用できない問題点もあった。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図２（a）はこの発明の無反射終端器の等価回路を表すものである。この図から明らかなように従来の無反射終端器を構成する第１の抵抗４と先端開放線路５との直列回路に、並列に、第２の抵抗６と先端短絡線路７との直列回路が接続されたものと見なすことができる。
ここで先端短絡線路７の長さは先端開放線路５の長さとほぼ同じく所望の周波数ｆ０で１／４波長に選ばれている。このような長さに選ぶことにより、ｆ０の奇数倍の周波数に対して、図２（a）は図２（ｂ）の等価回路となる。即ち、伝送線路３の先端には第１の抵抗４のみが接続されたものと見なすことができる。また、直流およびｆ０の偶数倍の周波数に対しては図２（ｃ）の等価回路となり、伝送線路３の先端には第２の抵抗６のみが接続されたものと見なすことができる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
次に動作原理について説明する。図１おいて、アイソレータあるいはカップラ等のコンポーネントから漏洩した不要なマイクロ波は入力端子２から入力され、伝送線路３を通って第１の抵抗４と第２の抵抗６に到達する。ここでｆ０の奇数倍の周波数成分のマイクロ波は第１の抵抗４で、偶数倍の周波数成分のマイクロ波は第２の抵抗６で吸収され、それ以外のマイクロ波は両者で大部分吸収される。従って、広帯域にわたって入力端子２における不要なマイクロ波の反射波を無くすことができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
実施の形態２．
実施の形態２の無反射終端器は実施の形態１と基本構成は同じであるが、実施の形態１では先端開放線路５と先端短絡線路７の長さをそれぞれ所望の周波数で１／４波長に選んだ場合について示したが、実施の形態２ではこれらの長さに限定するものではない。
ここで第１の抵抗４の抵抗値をR１,先端開放線路５の特性インピーダンス、長さをそれぞれZ1,Θ１とし、第２の抵抗６の抵抗値をR2,先端短絡線路７の特性インピーダンス、長さをそれぞれZ2、Θ２とすると、実施の形態２の無反射終端器の等価回路は図４で表せる。この等価回路において、伝送線路３の先端から第１の抵抗４側を見たインピーダンスZLは数４で表すことができる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【数４】
2003110308.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月12日(2004.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直線状の２つのアンテナ素子が、中央部で交差するように配置して構成された直交偏波素子アンテナにおいて、
前記２つのアンテナ素子にそれぞれ接続される２本の伝送線路は、互いに基板の反対面に形成されて交差した配線パターンを介して前記２つのアンテナ素子にそれぞれ接続されるように構成されたことを特徴とする直交偏波素子アンテナ。
【請求項２】
直線状の２つのアンテナ素子が、中央部で交差するように配置して構成された直交偏波素子アンテナにおいて、
前記２つのアンテナ素子にそれぞれ接続される２本の伝送線路は、絶縁板を間に上下面で交差させて前記２つのアンテナ素子にそれぞれ接続されるように構成されたことを特徴とする直交偏波素子アンテナ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
第１の本発明は、直線状の２つのアンテナ素子が、中央部で交差するように配置して構成された直交偏波素子アンテナにおいて、前記２つのアンテナ素子にそれぞれ接続される２本の伝送線路は、互いに基板の反対面に形成されて交差した配線パターンを介して前記２つのアンテナ素子にそれぞれ接続されるように構成されたことを特徴とする。
第２の本発明は、直線状の２つのアンテナ素子が、中央部で交差するように配置して構成された直交偏波素子アンテナにおいて、前記２つのアンテナ素子にそれぞれ接続される２本の伝送線路は、絶縁板を間に上下面で交差させて前記２つのアンテナ素子にそれぞれ接続されるように構成されたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
いずれにしても、本発明の直交偏波素子アンテナは、基板あるいは絶縁板を間に上下面で立体交差させて各アンテナ素子と伝送線路とを接続配線するものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
なお、ダイポールアンテナ３１，３２は、不図示のビスにより、基板５を介して支柱２１ａ，２１ｂ，２２ａ，２２ｂに組み込み固定される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月13日(2005.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の位置に載置された原稿を読み取る画像読取装置において、画像撮像素子が一体に取り付けられた、移動可能な画像撮像用プリント配線板と、該画像撮像素子の動作を制御する固定配置された制御用プリント配線板とを有し、該画像撮像用プリント配線板と該制御用プリント配線板には、お互いを電気的に接続する事で信号の送受信を行うコネクタが設けられており、あらかじめ定められた位置でのみ該コネクタは接続することを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
前記画像撮像用プリント配線板には、少なくとも画像撮像素子と、該画像撮像素子を駆動するための駆動信号発生回路と、画像撮像素子で読み取った画像情報に対応した電気信号をデジタル信号に変換する回路と、前記画像撮像素子の駆動信号と前記デジタル信号とを蓄えるメモリ部とが搭載されていることを特徴とする請求項第１項に記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記画像撮像用プリント配線板には発光素子が一体に取り付けられており、前記制御用プリント配線板は該発光素子の動作も制御することを特徴とする請求項第１項に記載の画像読取装置。
【請求項４】
前記画像撮像用プリント配線板には、少なくとも画像撮像素子と、該画像撮像素子を駆動するための画像撮像素子駆動信号発生回路と、画像撮像素子で読み取った画像情報に対応した電気信号をデジタル信号に変換する回路と、発光素子と、該発光素子を駆動するための発光素子駆動信号発生回路と、該画像撮像素子の駆動信号と該発光素子の駆動信号と前記デジタル信号とを蓄えるメモリ部とが搭載されていることを特徴とする請求項第３項に記載の画像読取装置。
【請求項５】
前記画像撮像用プリント配線板には、前記メモリ部のデータを制御するメモリ制御部が搭載されていることを特徴とする請求項第２項または第４項のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項６】
前記画像撮像用プリント配線板には少なくとも１つの蓄電手段と蓄電用コネクタが搭載され、前記制御用プリント配線板には少なくとも１つの充電手段と充電用コネクタが搭載され、該蓄電用コネクタと該蓄電用コネクタとは、前記あらかじめ定められた位置でのみ電気的に接続する事で、該充電手段から該蓄電手段に電力を供給することを特徴とする請求項第１項に記載の画像読取装置。
【請求項７】
前記画像撮像用プリント配線板には、少なくとも画像撮像素子と、該画像撮像素子を駆動するための駆動信号発生回路と、画像撮像素子で読み取った画像情報に対応した電気信号をデジタル信号に変換する回路と、前記画像撮像素子の駆動信号と前記デジタル信号とを蓄えるメモリ部と、電力を蓄電する蓄電手段と、蓄電した電力を一定電圧に変換する定電圧回路部とが搭載されていることを特徴とする請求項第６項に記載の画像読取装置。
【請求項８】
前記あらかじめ定められた位置は、前記画像撮像用プリント配線板が移動する前に待機している初期位置であることを特徴とする請求項第１項または第６項のいずれか１項に記載の画像読取装置。
【請求項９】
所定の位置に載置された原稿を読み取る画像読取装置において、画像撮像素子が一体に取り付けられ、移動可能な画像撮像用プリント配線板と、画像撮像素子の駆動を制御する固定配置された制御用プリント配線板とを有し、該画像撮像用プリント配線板と該制御用プリント配線板には、お互いが特定の間隔に近接する事で信号の送受信を行うアンテナ部が設けられていることを特徴とする画像読取装置。
【請求項１０】
前記アンテナ部は、プリント配線板の配線パターンで形成されていることを特徴とする請求項第９項記載の画像読取装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記の課題を解決するため、所定の位置に載置された原稿を読み取る画像読取装置において、画像撮像素子と一体に取り付けられた、移動可能な画像撮像用プリント配線板と、該画像撮像素子の動作を制御する固定配置された制御用プリント配線板とを有し、該画像撮像用プリント配線板と該制御用プリント配線板には、お互いを電気的に接続する事で信号の送受信を行うコネクタが設けられており、あらかじめ定められた位置でのみ該コネクタは接続する画像読取装置を提案している。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月31日(2004.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記マークが、前記枠上に所定間隔で設けられた所定長さの空白部分であることを特徴とする請求項１２に記載の画像処理装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月6日(2005.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データにより表わされる、光源により照らされたシーンの画像から偽画像を除去または減少する方法であって、フリッカ関数を割り出すステップと、前記フリッカ関数を用いて前記画像データを処理し、前記画像から偽画像を除去または減少するステップを含む方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、前記画像データは複数行の画像データからなる画像データアレイからなり、前記処理ステップが行単位ベースで前記画像データを前記フリッカ関数により除算するステップを含む方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の方法であって、前記フリッカ関数は、前記光源のフリッカ周波数とフリッカ振幅とフリッカ位相の関数である方法。
【請求項４】
請求項３記載の方法であって、前記フリッカ関数の割り出しステップが、フレーム周期と画像フレームごとの交流線の繰り返し周波数との積からフリッカ周波数を割り出すことを含む方法。
【請求項５】
請求項４記載の方法であって、前記フリッカ関数の割り出しステップはさらに、前記画像データアレイの各行沿いに前記画像データアレイの画素を寄せ集めて列ベクトルを生成するステップを含み、さらに前記補正列ベクトルのフリッカエネルギを最小化することで前記フリッカ位相と前記フリッカ振幅を割り出すステップを含む方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法であって、補正列ベクトルのフリッカエネルギの前記最小化ステップが、フリッカの振幅及び位相の推定ステップと、割り出されたフリッカ周波数と推定されたフリッカの振幅及び位相とを用いて計算したフリッカ関数により生成列ベクトルを除算することで補正列ベクトルを計算するステップと、補正列ベクトルのフリッカエネルギを計算するステップと、フリッカエネルギがさらに低減できるかどうか判定するステップと、フリッカエネルギがさらに低減できない場合は、推定されたフリッカの振幅及び位相を用いてフリッカ関数を割り出し、フリッカエネルギがさらに低減できる場合は、フリッカエネルギがこれ以上低減できなくなるまで、フリッカの振幅及び位相を推定し、補正列ベクトルを計算し、フリッカエネルギを計算するステップを繰り返すステップを含む方法。
【請求項７】
前記光源は、周期的に変動する光源からなる請求項１から６のいずれか記載の方法。
【請求項８】
前記周期的に変動する光源は、蛍光源からなる請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記画像データアレイの行の行番号で表わされる前記フリッカ関数が、
ｆ（ｊ）＝１＋αｓｉｎ２（ｊωＴｆ／Ｎ＋Φ）
であり、αがフリッカ振幅、ωがフリッカ周波数、Φがフリッカ位相、Ｔｆがフレーム周期、Ｎが画像フレームごとの行数を表わす請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記画像データは回転シャッタを用いてＣＭＯＳ画像センサから収集され、露光制御をもたらす請求項１から９のいずれか記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月13日(2004.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理システム、プロジェクタ、プログラム、情報記憶媒体および白黒伸張処理方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像信号を処理する画像処理システムにおいて、
１フレーム中の画素の最大輝度および最小輝度に基づき、各画素の輝度値の伸張度を設定する倍率設定手段と、
前記伸張度に基づき、処理対象となる画素の輝度値が、所定のしきい値以上の場合には当該輝度値を黒側または白側に伸張し、所定のしきい値未満の場合には当該輝度値を白側または黒側に伸張する伸張手段と、
を含むことを特徴とする画像処理システム。
【請求項２】
請求項１において、
１フレーム中の画素の最大輝度値および最小輝度値に基づき、前記倍率設定手段に前記伸張度を更新させるための要求情報を生成する制御手段を含み、
前記倍率設定手段は、前記要求情報を受信した場合には、新たな伸張度を適用し、前記要求情報を受信しなかった場合には、元の伸張度を適用することを特徴とする画像処理システム。
【請求項３】
請求項２において、
前記制御手段は、連続する複数フレームの輝度値の変化を把握し、当該変化が所定値以上の場合、前記要求情報を前記倍率設定手段に伝達することを特徴とする画像処理システム。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかにおいて、
前記倍率設定手段は、最大輝度値に近い輝度値および最小輝度値に近い輝度値の伸張率を、中間輝度値に近い輝度値の伸張率と比べ小さい値に設定することを特徴とする画像処理システム。
【請求項５】
請求項１において、
異なる２フレームのＡＰＬの差異が所定値以上の場合に、前記倍率設定手段に前記伸張度を更新させるための要求情報を生成する制御手段を含み、
前記倍率設定手段は、前記要求情報を受信した場合には、新たな伸張度を適用し、前記要求情報を受信しなかった場合には、元の伸張度を適用することを特徴とする画像処理システム。
【請求項６】
請求項１において、
所定フレームに連続する複数フレームの１フレーム当たりのＡＰＬの平均値と、当該所定フレームとは異なるフレームに連続する複数フレームの１フレーム当たりのＡＰＬの平均値との差異が所定値以上の場合に、前記倍率設定手段に前記伸張度を更新させるための要求情報を生成する制御手段を含み、
前記倍率設定手段は、前記要求情報を受信した場合には、新たな伸張度を適用し、前記要求情報を受信しなかった場合には、元の伸張度を適用することを特徴とする画像処理システム。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかにおいて、
前記伸張手段は、伸張前の輝度値と伸張後の輝度値との関係を示す輝度値変換特性直線において、輝度が伸張される範囲外では、低輝度側は、伸張される部分の変換特性を表す直線の下側の端点と、原点とを結ぶ直線となり、高輝度側は、伸張される部分の変換特性を表す直線の上側の端点と、最大点とを結ぶ直線となるように輝度値を伸張することを特徴とする画像処理システム。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかにおいて、
前記映像信号は、Ｒ信号と、Ｇ信号と、Ｂ信号とを含み、
前記倍率設定手段は、Ｒ信号の信号値と、Ｇ信号の信号値と、Ｂ信号の信号値とを加算した値を３で割った値を前記輝度値として適用することを特徴とする画像処理システム。
【請求項９】
映像信号を処理するプロジェクタにおいて、
１フレーム中の画素の最大輝度および最小輝度に基づき、各画素の輝度値の伸張度を設定する倍率設定手段と、
前記伸張度に基づき、処理対象となる画素の輝度値が、所定のしきい値以上の場合には当該輝度値を黒側または白側に伸張し、所定のしきい値未満の場合には当該輝度値を白側または黒側に伸張する伸張手段と、
を含むことを特徴とするプロジェクタ。
【請求項１０】
映像信号を処理するコンピュータにより読み取り可能なプログラムであって、
１フレーム中の画素の最大輝度および最小輝度に基づき、各画素の輝度値の伸張度を設定する倍率設定手段と、
前記伸張度に基づき、処理対象となる画素の輝度値が、所定のしきい値以上の場合には当該輝度値を黒側または白側に伸張し、所定のしきい値未満の場合には当該輝度値を白側または黒側に伸張する伸張手段としてコンピュータを機能させることを特徴とするプログラム。
【請求項１１】
コンピュータにより読み取り可能な情報記憶媒体であって、請求項１０に記載のプログラムを記憶したことを特徴とする情報記憶媒体。
【請求項１２】
映像信号の輝度値に対して白黒伸張処理を行う白黒伸張処理方法において、
入力された映像信号の輝度値を演算し、
１フレームにおける当該輝度値の最大輝度値および最小輝度値を把握し、
把握された最大輝度値および最小輝度値に基づき、所定のしきい値を演算し、
当該しきい値以上の輝度値を黒側または白側に伸張し、当該しきい値未満の輝度値を白側または黒側に伸張することを特徴とする白黒伸張処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、映像信号に対して白伸張および黒伸張の少なくとも一方を行う画像処理システム、プロジェクタ、プログラム、情報記憶媒体および白黒伸張処理方法に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、その目的は、映像信号に対して白伸張および黒伸張の少なくとも一方（白黒伸張）を行う場合の画質を向上させること、特に、白黒伸張処理を行う場合の画像のちらつきを低減することのできる画像処理システム、プロジェクタ、プログラム、情報記憶媒体および白黒伸張処理方法を提供することにある。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
最大輝度変換部４６は、最大輝度検出部４２で検出された最大輝度をどの程度伸張するか決定する。また、最小輝度変換部４８は、最小輝度検出部４４で検出された最小輝度をどの程度伸張するか決定する。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３８】
さらに、本実施形態では、輝度演算部１０は、ＲＧＢの各信号の信号値を均等に割った値を輝度値として求めている。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５６】
本実施の形態では、伸張中間輝度値Ｌｍｉｄとして、制御部２０からの複数フレーム分のＡＰＬの１フレーム当たりの平均値を適用する。そして、Ｌｍｉｄよりも大きな輝度値を有する画素の輝度値を白側に伸張し、Ｌｍｉｄ以下の輝度値を有する画素の輝度値を黒側に伸張する。