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【手続補正書】
【提出日】平成17年8月30日(2005.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶を含む半導体膜を形成する第１工程と、
前記結晶を含む半導体膜に対してレーザー照射を行う第２工程と、
前記第２工程後の結晶を含む半導体膜に対してファーネスアニール処理を行う第３工程と、
前記第３工程後の結晶を含む半導体膜を酸化してその膜厚を減じる第４工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
結晶を含む半導体膜を形成する第１工程と、
前記結晶を含む半導体膜に対してレーザー照射を行う第２工程と、
前記第２工程後の結晶を含む半導体膜を酸化してその膜厚を減じる第３工程と、
前記第３工程後の結晶を含む半導体膜に対してファーネスアニール処理を行う第４工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
結晶を含む半導体膜を形成する第１工程と、
前記結晶を含む半導体膜に対してレーザー照射を行う第２工程と、
前記第２工程後の結晶を含む半導体膜に対してファーネスアニール処理を行う第３工程と、
前記第３工程後の結晶を含む半導体膜をプラズマ酸化してその膜厚を減じる第４工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
結晶を含む半導体膜を形成する第１工程と、
前記結晶を含む半導体膜に対してレーザー照射を行う第２工程と、
前記第２工程後の結晶を含む半導体膜をプラズマ酸化してその膜厚を減じる第３工程と、
前記第３工程後の結晶を含む半導体膜に対してファーネスアニール処理を行う第４工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３又は請求項４のいずれか一項において、前記プラズマ酸化はＨｅを含む酸素雰囲気から酸素ラジカルを発生させて行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１又は請求項２において、前記酸化により前記結晶を含む半導体膜上に熱酸化膜が形成され、前記酸化と前記熱酸化膜の除去を交互に繰り返すことによって前記結晶を含む半導体膜の膜厚を減じることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、非晶質を含む半導体膜にニッケル、コバルト、鉄、パラジウム、白金、銅、又は金を添加し、加熱処理して前記結晶を含む半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記ファーネスアニール処理は還元雰囲気で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、前記還元雰囲気とは水素雰囲気、アンモニア雰囲気、水素と窒素の混合雰囲気又は水素とアルゴンの混合雰囲気であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月29日(2005.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリシリコン膜を活性層とする薄膜トランジスタで形成された回路を有する半導体装置であって、
前記ポリシリコン膜のラマンピーク値は５１８〜５１９ｃｍ-1であり、半値半幅は２．４〜２．６ｃｍ-1であり、
前記ラマンピーク値は、波長５１４．５ｃｍ-1のＡｒレーザーを１．０×１０5〜１．３×１０5Ｗ／ｃｍ2の光強度で前記ポリシリコン膜に照射した際に得られるラマンスペクトルに対して、ローレンツ分布によるフィッティングを行った際に得られるピーク値で、
前記半値半幅は、波長５１４．５ｃｍ-1のＡｒレーザーを１．０×１０5〜１．３×１０5Ｗ／ｃｍ2の光強度で前記ポリシリコン膜に照射した際に得られるラマンスペクトルに対して、ローレンツ分布によるフィッティングを行った際に得られる半値幅の半分の値であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ポリシリコン膜を活性層とする薄膜トランジスタで形成された回路を有する半導体装置であって、
前記ポリシリコン膜のラマンピーク値と半値半幅との比（ラマンピーク値／半値半幅）が１９０〜２２０であり、
前記ラマンピーク値は、波長５１４．５ｃｍ-1のＡｒレーザーを１．０×１０5〜１．３×１０5Ｗ／ｃｍ2の光強度で前記ポリシリコン膜に照射した際に得られるラマンスペクトルに対して、ローレンツ分布によるフィッティングを行った際に得られるピーク値で、
前記半値半幅は、波長５１４．５ｃｍ-1のＡｒレーザーを１．０×１０5〜１．３×１０5Ｗ／ｃｍ2の光強度で前記ポリシリコン膜に照射した際に得られるラマンスペクトルに対して、ローレンツ分布によるフィッティングを行った際に得られる半値幅の半分の値であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記半導体装置は液晶表示装置又はエレクトロルミネッセンス表示装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記半導体装置はマイクロプロセッサ、信号処理回路又は高周波回路であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３に記載の液晶表示装置又はエレクトロルミネッセンス表示装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、リア型プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ又は携帯情報端末であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
ポリシリコン膜を形成し、
前記ポリシリコン膜を酸化してその膜厚を減じ、
前記ポリシリコン膜に対して２５０〜５０００ｍＪ／ｃｍ2のエネルギー密度でレーザー照射を行い、
前記ポリシリコン膜に対してファーネスアニール処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
ポリシリコン膜を形成し、
前記ポリシリコン膜を酸化してその膜厚を減じ、
前記ポリシリコン膜に対して２５０〜５０００ｍＪ／ｃｍ2のエネルギー密度でレーザー照射を行い、
前記ポリシリコン膜に対してファーネスアニール処理を行い、
前記ポリシリコン膜をパターニングし所定のパターンに形成し、
前記所定のパターンに形成されたポリシリコン膜の表面にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート配線を形成し、
Ｎ型導電性又はＰ型導電性を付与する不純物を前記所定のパターンに形成されたポリシリコン膜の前記ゲート配線に覆われていない領域に添加して不純物領域を形成し、
前記ゲート配線の側部及び前記不純物領域の一部上にサイドウォールを形成し、
前記不純物と同一導電型の不純物を前記不純物領域の前記サイドウォールに覆われていない領域に添加してソース領域及びドレイン領域を形成すると共に、前記サイドウォールの下部の前記不純物領域にＬＤＤ領域が形成され、
少なくとも前記ソース領域及び前記ドレイン領域の表面を露出させ、
露出した前記ソース領域及び前記ドレイン領域それぞれにシリサイド層を形成し、
少なくとも前記ソース領域、前記ドレイン領域、前記サイドウォール、前記ゲート配線を覆うように１層又は積層でなる層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜に前記シリサイド層を露出するコンタクトホールを形成し、前記層間絶縁膜上及び前記コンタクトホールにソース配線及びドレイン配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７において、非晶質を含む半導体膜にニッケル、コバルト、鉄、パラジウム、白金、銅、又は金を添加し、加熱処理して前記ポリシリコン膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一項において、前記酸化により前記ポリシリコン膜上に熱酸化膜が形成され、前記酸化と前記熱酸化膜の除去を交互に繰り返すことによって前記ポリシリコン膜の膜厚を減じることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一項において、前記エネルギー密度（Ｅ）はレーザー発振器から発振されたレーザー光の光強度（Ｅ0）、アッテネーターの透過率（ａ）、光学系の透過率（ｂ）、レーザー照射面積（Ａ）を用いてＥ＝（Ｅ0×ａ×ｂ）／Ａで表されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項６乃至請求項１０のいずれか一項において、前記ファーネスアニール処理を行う前に前記レーザー照射後のポリシリコン膜の表面をフッ酸系エッチャントによって洗浄することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項６乃至請求項１１のいずれか一項において、前記ファーネスアニール処理は還元雰囲気で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月25日(2005.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
III−Ｖ族窒化物系の少なくとも１種類の化合物半導体材料からなる複数の単結晶半導体成長層が、該III−Ｖ族窒化物系以外の構成材料からなる基板の上に積層されて構成されている積層構造体を備えたIII−Ｖ族窒化物系半導体発光素子であって、
該基板の熱膨張係数が、該積層構造体のうちで該基板に最も近く位置している第１成長層の熱膨張係数及び該積層構造体のうちで最も大きな厚さを有する第２成長層の熱膨張係数よりも大きく、
該積層構造体の該第１成長層のバルク格子定数ａ1と該第２成長層のバルク格子定数ａ2とが、ａ2＜ａ1≦１．００５ａ2なる関係を満たす、III−Ｖ族窒化物系半導体発光素子。
【請求項２】
III−Ｖ族窒化物系の少なくとも１種類の化合物半導体材料からなる複数の単結晶半導体成長層が、該III−Ｖ族窒化物系以外の構成材料からなる基板の上に積層されて構成されている積層構造体を備えたIII−Ｖ族窒化物系半導体発光素子であって、
該基板の熱膨張係数が、該積層構造体のうちで該基板に最も近く位置している第１成長層の熱膨張係数及び該積層構造体のうちで最も大きな厚さを有する第２成長層の熱膨張係数よりも小さく、
該積層構造体の該第１成長層のバルク格子定数ａ1と該第２成長層のバルク格子定数ａ2とが、０．９９５ａ2≦ａ1＜ａ2なる関係を満たす、III−Ｖ族窒化物系半導体発光素子。
【請求項３】
前記基板と前記積層構造体との間に形成された非単結晶のバッファ層を更に有する、請求項１或いは２に記載のIII−Ｖ族窒化物系単結晶半導体発光素子。
【請求項４】
前記第２成長層が前記第１成長層にコヒーレント成長している、請求項1或いは２に記載のＩＩＩ−Ｖ族窒化物系単結晶半導体発光素子。
【請求項５】
活性層が前記第２成長層上にコヒーレント成長をしている、請求項１或いは２に記載のＩＩＩ−Ｖ族窒化物系単結晶半導体発光素子。
【請求項６】
前記第２成長層の厚みが１μｍ以上である、請求項１或いは２に記載のＩＩＩ−Ｖ族窒化物系単結晶半導体発光素子。
【請求項７】
前記バッファ層が、前記第１成長層と同一の組成である、請求項３に記載のＩＩＩ−Ｖ族窒化物系単結晶半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月5日(2005.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体基板と、
前記半導体基板の表面に設けられ、チャネル領域が形成されるフィールドを他のフィールドから分離するフィールド酸化膜と、
前記フィールド上に設けられ、その端部に、前記フィールド酸化膜上に設けられたコンタクト下敷きのための矩型領域部を、有するゲート電極と、を備え、
前記フィールドと前記フィールド酸化膜との境界付近における前記ゲート電極の幅は、前記チャネル領域の上における前記ゲート電極の幅よりも広くされている、ＳＯＩ半導体デバイス。
【請求項２】  前記ゲート電極は、前記フィールド上に複数個設けられてゲートアレイを構成している、請求項１に記載のＳＯＩ半導体デバイス。
【請求項３】  前記ゲート電極は複数設けられ、フルカスタム設計における直列トランジスタを形成している、請求項１に記載のＳＯＩ半導体デバイス。
【請求項４】  前記複数のゲート電極の前記幅が広くされてなる幅広部分は、前記ゲート電極の、幅方向の、片側にのみ形成されている、請求項３に記載のＳＯＩ半導体デバイス。
【請求項５】  前記ゲート電極の前記幅広部分は、前記チャネルの、複数のエッジの、一方側にのみ形成されている、請求項４に記載のＳＯＩ半導体デバイス。
【請求項６】  前記複数のゲート電極の間に、幅広部分を有しないゲート電極が設けられ、フルカスタム設計における直列トランジスタが形成されている、請求項５に記載のＳＯＩ半導体デバイス。
【請求項７】  幅広部分を有する前記ゲート電極は、クロックが入力されるトランジスタのみに使用されている、請求項１に記載のＳＯＩ半導体デバイス。
【請求項８】  前記ゲート電極の幅広部分は、ポリ配線の一部で形成されている、請求項１に記載のＳＯＩ半導体デバイス。
【請求項９】  ＳＲＡＭを構成するドライバトランジスタとアクセストランジスタとを備え、
前記ドライバトランジスタは、幅広部分を有する前記ゲート電極で形成されており、
アクセストランジスタのゲート電極は幅広部分を有しない、請求項１に記載のＳＯＩ半導体デバイス。
【請求項１０】  ＳＲＡＭを構成するＰＭＯＳトランジスタをさらに備え、
前記ＰＭＯＳトランジスタのゲート電極は幅広部分を有しない、請求項１に記載のＳＯＩ半導体デバイス。
【請求項１１】  前記ゲート電極はＳＲＡＭの一部を形成しており、
前記ゲート電極の幅広部分は、平面形状でＬ字形型に形成されたポリ配線の一部を利用して形成されている、請求項１に記載のＳＯＩ半導体デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項３に係るＳＯＩ半導体デバイスにおいては、上記ゲート電極は複数設けられ、フルカスタム設計における直列トランジスタを形成している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項４に係るＳＯＩ半導体デバイスにおいては、上記複数のゲート電極の上記幅が広くされてなる幅広部分は、上記ゲート電極の、幅方向の、片側にのみ形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項５に係るＳＯＩ半導体デバイスにおいては、上記ゲート電極の上記幅広部分は、上記チャネルの、複数のエッジの、一方側にのみ形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項６に係るＳＯＩ半導体デバイスにおいては、上記複数のゲート電極の間に、幅広部分を有しないゲート電極が設けられ、フルカスタム設計における直列トランジスタが形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月8日(2005.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）  第１の基板の表面上に所望の厚さおよびドーパントプロファイルのドープ層を生じるステップを含み、前記表面は所望の平坦性を有し、さらに、
（ｂ）  前記ドープ層上の大きいパターン化構造部上の十分に隆起した部分をエッチングするステップを含み、前記ドープ層の残りはエッチングして除去され、さらに、
（ｃ）  第２の基板に前記十分に隆起した部分を結合するステップと、
（ｄ）  前記ドープ層または前記第２の基板を溶解させないプロセスで前記第１の基板を溶解させるステップとを含み、
前記大きいパターン化構造部はそれによって所望の厚さおよびドーパントプロファイルのパターン化層を形成し、前記大きいパターン化構造部はそれによって前記十分に隆起した部分によって前記第２の構造に結合され、前記大きいパターン化構造部は所望の平坦性の表面を有する、溶解ウェハミクロ機械加工プロセス。
【請求項２】
前記エッチングするステップは、
（ａ）  前記ドープ層の選択された部分を十分にエッチングするステップを含み、エッチングされない部分はそれによって前記大きいパターン化構造部を規定し、さらに、
（ｂ）  前記大きいパターン化構造部の選択された部分を部分的にエッチングするステップを含み、エッチングされない部分はそれによって前記十分に隆起した部分を規定する、請求項１に記載の溶解ウェハミクロ機械加工プロセス。
【請求項３】
前記エッチングするステップは、
（ａ）  前記ドープ層の選択された部分を部分的にエッチングするステップを含み、エッチングされない部分はそれによって前記十分に隆起した部分を規定し、さらに、
（ｂ）  前記十分に隆起した部分を除く、前記ドープ層の選択された部分を十分にエッチングするステップを含み、エッチングされない部分はそれによって前記大きいパターン化構造部を規定する、請求項１に記載の溶解ウェハミクロ機械加工プロセス。
【請求項４】
ミクロ電気機械装置内に前記大きいパターン化構造部、前記第２の基板、および前記十分に隆起した部分を含めるステップをさらに含む、請求項１に記載の溶解ウェハミクロ機械加工プロセス。
【請求項５】
前記ミクロ電気機械装置は赤外線センサ、加速度計または角速度センサである、請求項４に記載の溶解ウェハミクロ機械加工プロセス。
【請求項６】
ミクロ電気機械装置内に前記大きいパターン化構造部、前記第２の基板、および前記十分に隆起した部分を含めるステップをさらに含む、請求項２に記載の溶
解ウェハミクロ機械加工プロセス。
【請求項７】
前記ミクロ電気機械装置は赤外線センサ、加速度計または角速度センサである、請求項６に記載の溶解ウェハミクロ機械加工プロセス。
【請求項８】
ミクロ電気機械装置内に前記大きいパターン化構造部、前記第２の基板、および前記十分に隆起した部分を含めるステップをさらに含む、請求項３に記載の溶解ウェハミクロ機械加工プロセス。
【請求項９】
前記ミクロ電気機械装置は赤外線センサ、加速度計または角速度センサである、請求項８に記載の溶解ウェハミクロ機械加工プロセス。
【請求項１０】
前記ドープ層を生じるステップは前記ドープ層をエピタキシャルに成長させるステップを含む、請求項１〜９のいずれかに記載の溶解ウェハミクロ機械加工プロセス。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月7日(2005.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、第１の電極と、光電変換層と、第２の電極とを積層して成るユニットセルを、少なくとも一つ有する光電変換装置において、
前記第１の電極は、
前記絶縁表面を有する基板に密接して設けられた金属膜と、
該金属膜に密接して設けられた光透過性酸化物導電膜と、を有し、
前記光電変換層は、
前記光透過性酸化物導電膜に密接して形成された、価電子制御元素が添加されていない第１の微結晶半導体膜と、
該第１の微結晶半導体膜に密接して形成された非晶質半導体膜と、
該非晶質半導体膜に密接して形成され、ｐ型の価電子制御元素が添加された第２の微結晶半導体膜と、から成ることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に、第１の電極と、光電変換層と、第２の電極とを積層して成るユニットセルを、少なくとも一つ有する光電変換装置において、
前記第１の電極は、
前記絶縁表面を有する基板に密接して設けられた金属膜と、
該金属膜に密接して設けられた光透過性酸化物導電膜と、を有し、
前記光電変換層は、
前記光透過性酸化物導電膜に密接して形成された、価電子制御元素が添加されていない第１の微結晶半導体膜と、
該第１の微結晶半導体膜に密接して形成された非晶質半導体膜と、
該非晶質半導体膜に密接して形成された第２の微結晶半導体膜と、を有し、
前記第２の微結晶半導体膜と、前記非晶質半導体膜であって前記第２の微結晶半導体膜との界面近傍とに、ｐ型の価電子制御元素が存在することを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に、第１の電極と、光電変換層と、第２の電極とを積層して成るユニットセルを、複数有する光電変換装置において、
前記第１の電極は、
前記絶縁表面を有する基板に密接して設けられた金属膜と、
該金属膜に密接して設けられた光透過性酸化物導電膜と、を有し、
前記光電変換層は、
前記光透過性酸化物導電膜に密接して形成された、価電子制御元素が添加されていない第１の微結晶半導体膜と、
該第１の微結晶半導体膜に密接して形成された非晶質半導体膜と、
該非晶質半導体膜に密接して形成され、p型の価電子制御元素が添加された第２の微結晶半導体膜と、を有し、
前記ユニットセルは絶縁樹脂により隣接するユニットセルと絶縁され、
前記ユニットセルは前記隣接するユニットセルと直列に接続されていることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に、第１の電極と、光電変換層と、第２の電極とを積層して成るユニットセルを、複数有する光電変換装置において、
前記第１の電極は、
前記絶縁表面を有する基板に密接して設けられた金属膜と、
該金属膜に密接して設けられた光透過性酸化物導電膜と、を有し、
前記光電変換層は、
前記光透過性酸化物導電膜に密接して形成された、価電子制御元素が添加されていない第１の微結晶半導体膜と、
該第１の微結晶半導体膜に密接して形成された非晶質半導体膜と、
該非晶質半導体膜に密接して形成された第２の微結晶半導体膜と、を有し、
前記ユニットセルは絶縁樹脂により隣接するユニットセルと絶縁され、
前記ユニットセルは前記隣接するユニットセルと直列に接続されており、
前記第２の微結晶半導体膜と、前記非晶質半導体膜であって前記第２の微結晶半導体膜との界面近傍とに、p型の価電子制御元素が存在することを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一つにおいて、
光透過性酸化物導電膜は、２０〜５００ｎｍの厚さを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一つにおいて、
第１の微結晶半導体膜は、１〜３０ｎｍの厚さを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一つにおいて、
第２の微結晶半導体膜は、１〜３０ｎｍの厚さを有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一つにおいて、
金属膜は、Ａｌ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｍｏ、Ｔａ、から選ばれた一種または複数種の材料から成り、
光透過性酸化物導電膜は、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＺｎＯ、から選ばれた一種または複数種の材料から成ることを特徴とする光電変換装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一つにおいて、
第１の微結晶半導体膜及び第２の微結晶半導体膜が、微結晶シリコン膜であり、
非晶質半導体膜が、非晶質シリコン膜であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一つにおいて、
第１の微結晶半導体膜及び第２の微結晶半導体膜が、微結晶シリコン膜であり、
非晶質半導体膜が、非晶質シリコンカーボン膜、または非晶質シリコンゲルマニウム膜、または非晶質シリコンスズ膜のいずれかであることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一つにおいて、
ｐ型の価電子制御元素が、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、から選ばれた元素であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一つにおいて、
前記第２の微結晶半導体膜において、前記ｐ型の価電子制御元素の濃度は、１．０×１０19／ｃｍ3以上、1．０×１０21／ｃｍ3以下であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一つにおいて、
前記第１の微結晶半導体膜に含まれる酸素、窒素の合計量は、１．０×１０18／ｃｍ3以上、２．０×１０21／ｃｍ3以下であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一つにおいて、
前記絶縁表面を有する基板は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリエーテルサルフォン、ポリイミド、アラミドから選択された有機樹脂基板であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか１つにおいて、
前記第１の微結晶半導体の電気伝導度が、５.０×１０-3Ｓ／ｃｍ3以上、５.０×１０-2Ｓ／ｃｍ3以下であり、
前記第２の微結晶半導体の電気伝導度が、５.０×１０-3Ｓ／ｃｍ3以上、５.０×１０1Ｓ／ｃｍ3以下であることを特徴とする光電変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月19日(2005.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質を含む半導体膜に対してゲルマニウムを添加する第１工程と、
前記第１工程の後、前記非晶質を含む半導体膜を、結晶を含む半導体膜に変化させる第２工程と、
前記結晶を含む半導体膜を酸化して膜厚を減じる第３工程と、
前記第３工程後の結晶を含む半導体膜に対して２５０〜５０００ｍJ/ｃｍ2のエネルギー密度のレーザー照射を行う第４工程と、
前記第４工程後の結晶を含む半導体膜に対してファーネスアニール処理を行う第５工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
非晶質を含む半導体膜に対してゲルマニウムを添加する第１工程と、
前記第１工程の後、前記非晶質を含む半導体膜を、結晶を含む半導体膜に変化させる第２工程と、
前記結晶を含む半導体膜を酸化して膜厚を減じる第３工程と、
前記第３工程後の結晶を含む半導体膜に対して２５０〜５０００ｍJ/ｃｍ2のエネルギー密度のレーザー照射を行う第４工程と、
前記第４工程後の結晶を含む半導体膜に対して還元雰囲気中において９００〜１２００℃のファーネスアニール処理を行う第５工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項２において、前記還元雰囲気とは水素雰囲気、アンモニア雰囲気、水素と窒素の混合雰囲気又は水素とアルゴンの混合雰囲気であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記半導体膜を酸化して膜厚を減じる第３工程は、前記酸化と、該酸化して形成された酸化膜の除去を交互に繰り返す工程であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記レーザー照射を行う第４工程の前に、前記酸化して形成された酸化膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記ファーネスアニール処理を行う第５工程の前に、前記酸化して形成された酸化膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、前記酸化膜はフッ酸によって除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記第２工程は前記非晶質を含む半導体膜を熱処理によって結晶化させる工程であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記ゲルマニウムは前記非晶質を含む半導体膜中にイオンインプランテーション法、プラズマドーピング法又はレーザードーピング法によって添加されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、前記エネルギー密度（Ｅ）はレーザー発振器から発振されたレーザー光の光強度（Ｅ0）、アッテネーターの透過率（ａ）、光学系の透過率（ｂ）、レーザー照射面積（Ａ）を用いてＥ＝（Ｅ0×ａ×ｂ）／Ａで表されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月8日(2004.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶基板上に互いに０度を越える角度をなす複数の細線状の露出部を有する絶縁物薄膜または高融点金属薄膜からなるマスクを具備し、該複数の露出部を起点としてＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させ、該マスク上で接合一体化させたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル成長層を有することを特徴とする半導体基板。
【請求項２】
単結晶基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長層からなる基底層を備え、該基底層上に互いに０度を越える角度をなす複数の細線状の露出部を有する絶縁物薄膜または高融点金属薄膜からなるマスクを具備し、該複数の露出部を起点としてＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をエピタキシャル成長させ、該マスク上で接合一体化させたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル成長層を有することを特徴とする半導体基板。
【請求項３】
細線状の露出部がＶ字型をなすことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体基板。
【請求項４】
単結晶基板上に、単一閉曲線からなる複数の露出部を有する絶縁物薄膜または高融点金属薄膜からなるマスクを具備し、隣接した該露出部を起点として該露出部間のマスク上に成長させ該マスク上で接合一体化したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル成長層を有する半導体基板であって、該隣接露出部間のマスク部と各露出部とがなす２つの境界線が作る角度が０度を越える角度であることを特徴とする半導体基板。
【請求項５】
単結晶基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長層からなる基底層を備え、該基底層上に単一閉曲線からなる複数の露出部を有する絶縁物薄膜または高融点金属薄膜からなるマスクを具備し、隣接した該露出部を起点として該露出部間のマスク上に成長させ該マスク上で接合一体化したＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル成長層を有する半導体基板であって、隣接露出部間のマスク部と各露出部とがなす２つの境界線が作る角度が０度を越える角度であることを特徴とする半導体基板。
【請求項６】
単結晶基板上に少なくとも１対の隣接する直線状の２辺を有し、この２辺のなす角度が２５０度以上３５８度以下である単一閉直線からなる露出部を有する絶縁物薄膜または高融点金属薄膜からなるマスクを具備し、該マスク上の前記２辺を三角形の２辺とするマスク部上で接合一体化させたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル成長層を有することを特徴とする半導体基板。
【請求項７】
単結晶基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長層からなる基底層を備え、該基底層上に少なくとも１対の隣接する直線状の２辺を有し、この２辺のなす内角が２５０度以上、３５８度以下である単一閉曲線からなる露出部を有する絶縁物薄膜または高融点金属薄膜からなるマスクを具備し、該マスク上の前記２辺を三角形の２辺とするマスク部上で接合一体化させたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル成長層を有することを特徴とする半導体基板。
【請求項８】
単結晶基板上に、少なくとも一対の２つの直角三角形よりなる露出部を有し、この２つの直角三角形は互いに線対称に配置され、この２つの直角三角形の内の１つの直角三角形の直交する２辺は他の直角三角形の直交する２辺と互いに一つの直線上に有るかまたは並行である様に配置され、この一対の２つの直角三角形の２つの斜辺のなす内角が２５０度以上、３５８度以下である絶縁物薄膜または高融点金属薄膜からなるマスクを具備し、該マスク上の前記２辺を三角形の２辺とするマスク部上で接合一体化させたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル成長層を有することを特徴とする半導体基板。
【請求項９】
単結晶基板上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長層からなる基底層を備え、該基底層上に少なくとも一対の２つの直角三角形よりなる露出部を有し、この２つの直角三角形は互いに線対称に配置され、この２つの直角三角形の内の１つの直角三角形の直交する２辺は他の直角三角形の直交する２辺と互いに一つの直線上に有るかまたは並行である様に配置され、この一対の２つの直角三角形の２つの斜辺のなす内角が２５０度以上、３５８度以下である絶縁物薄膜または高融点金属薄膜からなるマスクを具備し、該マスク上の前記２辺を三角形の２辺とするマスク部上で接合一体化させたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル成長層を有することを特徴とする半導体基板。
【請求項１０】
単結晶基板がサファイア基板であることを特徴とする請求項１から請求項９に記載の半導体基板。
【請求項１１】
単結晶基板がシリコン基板であることを特徴とする請求項１から請求項９に記載の半導体基板。
【請求項１２】
基底層及び基底層上のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル成長層がIII族窒化物結晶であることを特徴とする請求項１から請求項９に記載の半導体基板。
【請求項１３】
単結晶基板上に互いに０度を越える角度をなす複数の細線状の露出部を有する絶縁物薄膜または高融点金属薄膜からなるマスクを形成し、該複数の露出部を起点としてＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を成長させ、該マスク上で接合一体化させることを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル成長層を有する半導体基板の製造方法。
【請求項１４】
単結晶基板上にＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体成長層からなる基底層を形成し、該基底層上に互いに０度を越える角度をなす複数の細線状の露出部を有する絶縁物薄膜または高融点金属薄膜からなるマスクを形成し、該複数の露出部を起点としてＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体をエピタキシャル成長させ、該マスク上で接合一体化させることを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体エピタキシャル成長層を有する半導体基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月30日(2004.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザをマウントし、該半導体レーザから出射されたレーザ光の光路を屈曲させるマイクロミラーを併せ持つレーザサブマウントを有する半導体レーザ装置において、該レーザサブマウントが結晶からなり、ミラー面には結晶面を用いることを特徴とする半導体レーザ装置であって、該レーザサブマウントを搭載半導体レーザのストライプ軸方向とベースユニットが平行にならないように該ベースユニットに固定したサブマウントミラー方式面型レーザ。
【請求項２】
請求項１において、マイクロミラーが立方晶あるいはＺｉｎｃ  ｂｌｅｎｄｅタイプの（１００）基板であって、しかも＜１１０＞方向にｘ°オフした基板からなり、基板表面に対して５４＋ｘ°傾いた（１１１）結晶面をミラー面に用いたレーザサブマウントを搭載半導体レーザの軸方向から（９＋ｘ）×２°傾けてベースユニットに固定することにより垂直方向に光を取り出すサブマウントミラー方式面型レーザ。
【請求項３】
請求項１において、マイクロミラーおよび搭載半導体レーザが同一基板上に形成された一体型のサブマウントミラー方式面型レーザ。
【請求項４】
第一の表面およびこの第一の表面に対して傾斜したマウント面を有する第一のユニットと、第一のユニットのマウント面上に配置された半導体基板より成り、第二の表面およびこの第二の表面に対して傾斜した半導体基板の（１１１）面に一致する反射表面とを持つ第二のユニットと、前記第二の表面上に配置され、第二の表面に平行な方向に沿って前記反射表面にレーザビームを照射するレーザダイオードとより成り、前記第二の表面は前記マウント面と平行であり、前記反射表面と前記第一の表面との間の角度は実質的に４５°であることを特徴とするサブマウントミラー方式面型レーザ。
【請求項５】
前記第二のユニットがシリコンより成ることを特徴とする請求項４記載のサブマウントミラー方式面型レーザ。
【請求項６】
前記第二の表面がシリコンの（１００）面と一致することを特徴とする請求項５記載のサブマウントミラー方式面型レーザ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月4日(2005.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】光源の放射する光により感光体上に画像データを書込み可視像化する手段を備え、前記可視画像より被転写紙上に画像形成する画像形成装置において、
前記光源の放射する光量を検出して光量検出値を出力する光量検出手段と、
前記光量検出値をサンプルホルドするサンプルホルド手段と、
前記光源が光を放射していて且つ前記サンプルホルド手段がサンプル状態である制御期間に前記光量検出値と光量基準値との差に応じて前記光量を負帰還制御する光量制御手段と、
前記制御期間に、前記光量検出値と最大許容光量とを比較して、第１の有効比較出力を出力する第１の比較手段と、
前記光源に流れる電流を検出して電流検出値を出力する電流検出手段と、
前記制御期間の前記電流検出値の割増値を保持する電流検出値保持手段と、
前記制御期間以外の時に、前記割増値と現在の前記電流検出値とを比較して、第２の有効比較出力を出力する第２の比較手段と、
前記第１又は第２の有効比較出力に応じて前記光源に流れる電流を遮断する電流遮断手段とを備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】  前記光源と、前記サンプルホルド手段、前記光量制御手段、前記第１の比較手段、前記電流検出手段、前記電流検出値保持手段、前記第２の比較手段、前記電流遮断手段が複数組あり、前記光量検出手段の個数が該組数よりも少なく、前記光量検出手段が時分割で利用されることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】  光源の放射する光により感光体上に画像データを書き込み可視像化する手段を備え、前記可視画像より被転写紙上に画像形成する画像形成装置において、
前記光源の放射する光量を検出する光量検出手段と、
前記光源の放射する光量を前記光量検出手段の出力に応じて自動制御期間に自動制御する光量調整手段と、
前記自動制御期間に光量が設定光量を上回った場合に光源の電流源回路を働かせなくする第１の保護手段と、
前記自動制御期間外に光源を流れる電流が前記自動制御期間に定まった電流を一定割合以上上回った場合に電流源回路を働かせなくする第２の保護手段とを備えることを特徴とする画像形成装置。
【請求項４】  前記光源と、前記光量調整手段、前記第１の保護手段、前記第２の保護手段が複数組あり、前記光量検出手段の個数が該組数より少なく、前記光量検出手段が時分割で利用されることを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】  請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像形成装置を備えることを特徴とする複写機。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月6日(2005.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体内に除湿手段を内蔵し、前記本体に形成した吸気口から排気口に向かい通風する室内空気を除湿手段により除湿させて吐出送風する除湿機において、
前記本体を細長く構成し、前記吸気口を、この細長い方向を前後とするように使用時に設置される前記本体の前面上部に設けるとともに、前記排気口を前記本体上面部に設け、本体下部の前方には前後に引き出し可能な除湿水貯留タンクを設けたことを特徴とする除湿機。
【請求項２】
前記吸気口を、前記本体の後面部に設けたことを特徴とする請求項１記載の除湿機。
【請求項３】
前記後方の吸気口が設けられている本体後面部には、本体後面部と設置場所奥壁との間に吸気用空間を確保させるための突出部を設けたことを特徴とする請求項２記載の除湿機。
【請求項４】
前記吸気口が、本体のケース外面より凹んだ状態に形成されていることを特徴とする請求項１記載の除湿機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明（請求項１）の除湿機は、本体内に除湿手段を内蔵し、前記本体に形成した吸気口から排気口に向かい通風する室内空気を除湿手段により除湿させて吐出送風する除湿機において、前記本体を細長く構成し、前記吸気口を、この細長い方向を前後とするように使用時に設置される前記本体の前面上部に設けるとともに、前記排気口を前記本体上面部に設け、本体下部の前方には前後に引き出し可能な除湿水貯留タンクを設けたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明（請求項２）において、吸気口を、前記本体の後面部に設けたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
以上のように、本発明（請求項１）によれば、前後に細長い構成の除湿機本体の前面に吸気口を設けたので、押入や家具と家具との隙間などに設置しても、吸気口が布団屋か愚答でふさがれる心配が無くなり、順調に通気が行われて除湿がなされるという、狭いスペースでも使用できる除湿機となる。また、除湿水貯留用タンクを前方から容易に引き出しての除湿水処理が行え、従来のように、除湿機全体を一旦引き出してのタンク取り出しとはならないので、水処理の手間が省け、使用勝手性が改善される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、本発明（請求項２）によれば、前後に保科外向性の除湿機本体の前面と後面に吸気口を設けたので、前後から吸気され通気量も十分となり、押入や家具と家具との隙間などに設置しても、吸気口がふとんや家具等で塞がれる心配がなくなり、順調に通気が行われて除湿がなされるという、狭いスペースでも使用できる除湿機となる。
本発明の第１の手段によれば、掃除機本体組立後、入力電力及び吸込特性等を測定し、その値があらかじめ設定した範囲に入っていない場合、治具挿入用開口から治具を挿入し、制御部品を調整して入力電力及び吸込特性等を設定値の範囲に調整し、治具挿入用開口を表示パネルにて被い、治具挿入用開口から収納室内にゴミ等が侵入するのを防止する。治具挿入用開口は、前車輪と後車輪とを結ぶ空間内に位置させているので、治具挿入用開口を介して制御部品を調整する際、掃除機本体ががたつくことなく、安定した状態で調整作業を行える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【発明の効果】
本発明の請求項１の構成によれば、制御基板に装着した制御部品や電動送風機等の品質のばらつきによる不良を、製品を分解することなく容易に調整することができ、制御部品や電動送風機の品質のばらつきに係わりなく、安定した品質の製品を提供することができると共に、制御回路を調整するための治具挿入用開口を、表示パネルを兼用して閉塞することができ、簡単な構成で、部品点数を増大させることなく、制御回路へのゴミ等の付着を防止することができる。また、治具挿入用開口を、前車輪と後車輪とを結ぶ空間内に位置させているので、調整作業時、掃除機本体ががたつくことなく、安定した状態で調整作業を行うことができ、作業性を向上することができる等の効果を奏する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月28日(2005.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
尚、図示の例の様に、シールドリング９ａ〜９ｄを外輪３側に係止するか、或は逆に内輪５ａ側に係止するかは任意である。又、シールドリング９ａ〜９ｄを軸方向一端側にのみ設けるか、或は両端に設けるかも、任意である。又、本発明は、図示の様な玉溝型の玉軸受としてだけではなく、アンギュラ型の玉軸受としても、更には円筒ころ軸受等のころ軸受としても、実施可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月28日(2005.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ハウジングに内嵌され、内周面に外輪軌道を有する外輪と、このハウジングの内側に配置した軸に外嵌され、外周面に内輪軌道を有する内輪と、この内輪軌道と上記外輪軌道との間に転動自在に設けた複数の転動体とを備え、
上記ハウジングと外輪とが互いに熱膨張係数が異なる材料から成り、
上記ハウジングと軸とのうちの少なくとも一方が、互いに別体である複数の部材を軸方向に亙り直列に配置して成るものであり、
上記外輪の一部外周面に全周に亙り形成された凹溝と、この凹溝内に装着されて、この凹溝の底面と上記ハウジングの内周面との間でラジアル方向に亙り弾性的に圧縮されたＯリングとによりクリープ防止装置を構成した
転がり軸受のクリープ防止装置付回転機械装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
一方、回転機械装置を、ハウジング及び回転軸のうちの少なくとも一方が、互いに別体である複数の部材を軸方向に亙り互いに直列に配置して成るものとした場合には、製造上不可避な組み付け誤差や加工上の誤差等に基づき、これら複数の部材の中心軸同士が互いに偏心した状態になり易い。この様に偏心した状態では、転がり軸受を構成する外輪とハウジングとの間に加わるラジアル荷重が、円周方向の一部で大きくなり、上記外輪がハウジングに対して転がり接触状態となる。この為、上記クリープを生じ易くなる。従って、この様な回転機械装置には、特に、クリープを有効に防止する装置を設ける必要がある。
本発明の転がり軸受のクリープ防止装置付回転機械装置は、上述の様な事情に鑑みて発明したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
特に、本発明の回転機械装置の場合、上記ハウジングと外輪とが互いに熱膨張係数が異なる材料から成り、しかも、上記ハウジングと軸とのうちの少なくとも一方が、互いに別体である複数の部材を互いに軸方向に亙り直列に配置して成る。この様な回転機械装置に組み込む転がり軸受は、特にクリープを生じ易いが、本発明の場合には、クリープ防止装置をこの様な回転機械装置に設ける事で、有害なクリープの発生を有効に防止できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
次に、図４は、本発明の実施の形態の第２例を示している。本例の場合には、回転軸２だけでなく、ハウジング１ａも、互いに別体である部材を、軸方向に亙り互いに直列に配置して成る。即ち、ハウジング１ａは、互いに別体である、第一のハウジング部材２３と、第二のハウジング部材２４とから成り、これら第一、第二のハウジング部材２３、２４は、軸方向に亙り互いに離隔した状態で配置している。従って、本例の場合には、これら第一、第二のハウジング部材２３、２４の中心軸同士の間での偏心を生じ易く、上述した第１例の場合よりも、更に上記ハウジング１ａと回転軸２との間に設ける各玉軸受３、３はクリープを生じ易い。従って、本例の場合には、この様にクリープを生じ易い回転機械装置にクリープ防止装置を設ける事で、有害なクリープの発生を防止する事の効果を、より有効に得られる。
その他の構成及び作用に就いては、上述した第１例の場合と同様である為、同等部分には同一符号を付して重複する図示並びに説明を省略する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月21日(2005.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
又、上記各トラニオン７、７毎に１個ずつ設けた（トラニオン７、７と同数の）油圧式のアクチュエータ１７ａ、１７ｂ（図２）により、上記各トラニオン７、７を、これら各トラニオン７、７の両端部に設けた各枢軸６、６（図３、４、６、９参照）の軸方向に亙り変位させる様にしている。上記入力軸１１ａと出力軸２８との間の変速比を変える場合には、制御弁１９の切り換えに基づいて上記各アクチュエータ１７ａ、１７ｂに、互いに同期して圧油を給排し、これら各アクチュエータ１７ａ、１７ｂにより、総てのトラニオン７、７を、上記各枢軸６、６の軸方向に亙り、互いに同期して変位させる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月21日(2005.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
上述の様に、上記フィードバック機構を設けていないトラニオンの変位の遅れが大きくなった場合でも、その遅れの程度は限られたものとなり、しかも、同期機構により円滑にこの遅れの修正を行なえる。言い換えれば、フィードバック機構を付設したトラニオンの変位開始よりも、このフィードバック機構を設けていないトラニオンの変位開始が早くなった場合の様に、両トラニオンの変位のずれが、アクチュエータの動作に基づいて歯止めなく大きくなる事を防止できる。この為、素早い変速動作を行なった場合にも、動作を安定させ、各ディスクの内側面と各ローラの周面との当接部であるトラクション部で著しい滑りが発生する事を防止できて、効率の確保を図ると同時に、上記各ディスク及びパワーローラの耐久性の確保を図れる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2001027297.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月8日(2005.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、これら下部建物躯体と上部建物躯体との間に介設されているアイソレータやダンパーを取り替える場合、免震部材本体における下端部のベースプレートのボルト孔と下部建物躯体における下部定着板のボルト孔とを一致させて固定ボルトを螺合する必要があるが、地震により引き起こされた下部建物躯体と上部建物躯体との間の僅かなずれ、あるいは新しい免震部材の製造誤差等に起因して前記両者のボルト孔にずれが生じている場合には、これらのボルト孔を一致させるために下部建物躯体と上部建物躯体との間を大掛かりなジャッキ装置によって相対移動させたり、免震部材であるアイソレータやダンパーを個々に在来のレバーホイスト等の引張り治具を用いて心合せする等、作業が大掛かりで多大の労力を要し、きわめて非効率かつ不経済であった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月1日(2005.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
逆に下の引出し２１を引出したときは、図１０（ｂ）に示すように、フック２４が上記の場合と逆方向に回動し、上の引出し２１は引出せなくなる。
必要に応じて一の引出し２１を全部引き抜いたとき、フック２４の回動は拘束から解かれ、他の引出し２１も引出し可能となる。
同様に、３個以上の引出し２１を備えた引出し家具２０においても、上下又は左右に隣接する各引出し２１，２１に係止部２３をそれぞれ対向する位置に設け、その間にフック２４を設けることにより、隣接する引出し２１，２１は一方が引出されているときに他方は引出せない。
このため、隣接する引出し２１，２１は同時に引くことが不可能となり、同時に引いたときの重心の移動による引出し家具２０の傾倒等を防止することが出来る。特に引出し収納式の書類ケース等は、引出しが非常に重くなるためこの機能は有効である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の係止装置３０は、図１１(ａ)に示すようにそれぞれ係止部３２ａ，３２ｂを有し、相対的にスライドする構造体３１ａ，３１ｂの間に、２個の係止腕３３ａ，３３ｂをもつフックＨを備えている。フックＨは構造体３１ａ，３１ｂから独立した系に回動自在に枢支される。図１１(ｂ)，(ｃ)に示すように構造体３１ａ，３１ｂとフックＨの位置関係により、フックＨの係止位置が切替る。
フックＨの軸支される系が、一の構造体３１ａに固定したバネを介して付勢されていれば構造体３１ａ，３１ｂの位置関係によりフックＨの係止位置が切替えられ、構造体３１ａ，３１ｂの間に働く付勢力を加えたり、開放したり出来る。
フックＨの枢支される系が、第三の構造体に固定されていれば構造体３１ａ，３１ｂの位置関係によりフックＨの係止位置が切替えられ、第三の構造体に対して構造体３１ａ，３１ｂを従属させたり、独立させたり出来る。