Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月26日(2005.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
このように、第２基板２に対する電源電圧の供給は、コネクタケーブル５による接続状態が正常であると検出された後に行われる。換言すれば、コネクタケーブル５のコネクタ３２（またはコネクタ３３）が逆挿入されたときには第２基板２に電源電圧を供給しない。そのため、第２基板２の損傷を未然に防止することができ、上記損傷によるコストの増大を抑えることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
第２信号検出部１５においてパルス信号を検出できた場合（Ｓ１１：ＹＥＳ）、コネクタケーブル５が逆挿入に接続されたと認識する（Ｓ１２）。すなわち、第１信号発信部１３のパルス信号は、第１信号検出部１４では検出できなかったが、第２信号発信部１６のパルス信号は、第２信号検出部１５で検出できたので、この場合、スイッチングダイオードＤ１が逆接続されている場合に相当し、つまりコネクタケーブル５が逆挿入に接続されていると認識される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
さらに、ステップＳ１１において、第２信号検出部１５がパルス信号を検出できなかった場合（Ｓ１１：ＮＯ）、コネクタケーブル５による接続が不完全であると認識する（Ｓ１３）。この場合、第１信号発信部１３および第２信号発信部１６からのパルス出力が第１信号検出部１４および第２信号検出部１５によっていずれも検出されなかったため、コネクタケーブル５による接続が不完全、たとえば、コネクタケーブル５の斜め差しや片差し等でループ回路Ｌが形成されなかったと認識される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
ここで、上記したループ回路Ｌは、第１接合部１２の最も外側の端子、および第２接合部２２の最も外側の端子がそれぞれ利用されて形成されているため、上記のようにコネクタケーブル５が斜め差しや片差し等となっている場合には、即座にその状態を検出することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
また、第２接続検出部４のスイッチングダイオードＤ１が接続されていなくても、ループ回路Ｌを利用した上記検出方法により、コネクタケーブル５の斜め差しや片差し等を検出することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
もちろん、この発明の範囲は上述した実施の形態に限定されるものではない。たとえば、上記した接続検出装置は、基板同士を接続する場合について説明したが、これに代えて、機器同士を接続する場合、あるいは基板と機器とを接続する場合等に適用されてもよい。また、第１接続検出部３、および第２接続検出部４によって構成される接続検出装置は、これらの部分を種々の電子機器に適用されてもよい。また、上記実施形態では、スイッチングダイオードＤ１は、第２接続検出部４に設けられていたが、これに限らず、たとえば第１接続検出部３のループ回路Ｌ上に設けられていてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１  第１基板
２  第２基板
３  第１接続検出部
４  第２接続検出部
５  コネクタケーブル
１１  マスタＣＰＵ
１３  第１信号発信部
１４  第１信号検出部
１５  第２信号検出部
１６  第２信号発信部
２１  スレーブＣＰＵ
Ｔ１，Ｔ２  スイッチングトランジスタ
Ｄ１        スイッチングダイオード
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月19日(2005.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
チャンバー内に複数の細管を配置し、
各細管の一方の端部を加熱することで封着し、
チャンバーを密閉して、チャンバー内の圧力を所定の圧力以下に減圧することにより、各細管内の排気を行い、
その後、チャンバー内に所定の圧力までガスを供給することにより、各細管内に放電ガスを導入し、
各細管の他方の端部を加熱することで封着することからなる細管内へのガス封入方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
複数の細管を内部に配置することが可能なチャンバーと、
チャンバーに設けられ、複数の細管の出し入れが可能で、複数の細管が内部に配置された後、チャンバーを密閉することが可能な開口部と、
チャンバー内の圧力を所定の圧力以下に減圧することが可能なポンプと、
チャンバー内に所定の圧力までガスを供給することが可能なガス供給部と、
各細管の一方と他方の端部を、それぞれ加熱溶融させて封着することが可能な加熱部とを備えてなる細管内へのガス封入装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、チャンバー内に複数の細管を配置し、各細管の一方の端部を加熱することで封着し、チャンバーを密閉して、チャンバー内の圧力を所定の圧力以下に減圧することにより、各細管内の排気を行い、その後、チャンバー内に所定の圧力までガスを供給することにより、各細管内に放電ガスを導入し、各細管の他方の端部を加熱することで封着することからなる細管内へのガス封入方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、また、複数の細管を内部に配置することが可能なチャンバーと、チャンバーに設けられ、複数の細管の出し入れが可能で、複数の細管が内部に配置された後、チャンバーを密閉することが可能な開口部と、チャンバー内の圧力を所定の圧力以下に減圧することが可能なポンプと、チャンバー内に所定の圧力までガスを供給することが可能なガス供給部と、各細管の一方と他方の端部を、それぞれ加熱溶融させて封着することが可能な加熱部とを備えてなる細管内へのガス封入装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月20日(2004.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モジュラージャックに嵌合し、ツイストペア線を結線させるためのモジュラープラグであって、
ハウジングと、
該ハウジング内に嵌設され、複数組の前記ツイストペア線を各組毎に分離させるガイドプレートと、
前記各ツイストペア線の先端部の撚りを解かれた電線にそれぞれ接続される端子と、
を備え、前記各組毎に分離されたツイストペア線が前記ハウジングの内面と前記ガイドプレートとの間に収容されるように構成されていることを特徴とするモジュラープラグ。
【請求項２】
モジュラージャックに嵌合し、ツイストペア線を結線させるためのモジュラープラグであって、
ハウジングと、
該ハウジング内に嵌設され、第１から第４の４組のツイストペア線の先端部の撚りを解かれた８本の電線を上下複数段に整列保持する貫通孔を有する整列部材と、
前記各ツイストペア線の先端部の撚りを解かれた電線にそれぞれ接続される８個の端子と、
を備え、前記貫通孔は、それぞれ隣接する第１ツイストペア線の内側の電線と第２ツイストペア線の電線、及び第３ツイストペア線の電線と第４ツイストペア線の内側の電線が異なる段に配置され、前記第２及び第３ツイストペア線の各電線がそれぞれ同一の段に並んで配置されるように形成されていることを特徴とするモジュラープラグ。
【請求項３】
モジュラージャックに嵌合し、ツイストペア線を結線させるためのモジュラープラグであって、
ハウジングと、
該ハウジング内に嵌設され、第１から第４の４組のツイストペア線の先端部の撚りを解かれた８本の電線を上下複数段に整列保持する貫通孔を有する整列部材と、
前記ハウジング内の前記整列部材より基端側に嵌設され、前記４組のツイストペア線を各組毎に分離させるガイドプレートと、
前記各ツイストペア線の先端部の撚りを解かれた８本の電線にそれぞれ接続される８個の端子と、
を備え、前記貫通孔は、それぞれ隣接する第１ツイストペア線の内側の電線と第２ツイストペア線の電線、及び第３ツイストペア線の電線と第４ツイストペア線の内側の電線が異なる段に配置され、前記第２及び第３ツイストペア線の各電線がそれぞれ同一の段に並んで配置されるように形成され、
前記４組のツイストペア線がそれぞれ前記ハウジングの内面と前記ガイドプレートとの間に収容されるように構成されていることを特徴とするモジュラープラグ。
【請求項４】
前記ガイドプレートには、上下左右に溝部が形成され、該各溝部はそれぞれ隔壁により分離されている請求項１又は３に記載のモジュラープラグ。
【請求項５】
前記隔壁は前記各ツイストペア線を前記ハウジングの内面側に押し広げるように形成されている請求項４に記載のモジュラープラグ。
【請求項６】
前記隔壁は、その先端側角部により前記各ツイストペア線を前記ハウジングの内面側に押し広げるように形成されている請求項５に記載のモジュラープラグ。
【請求項７】
前記貫通孔の基端側には、前記ツイストペア線を前記貫通孔の直近まで撚りを解かずに保持可能な拡幅部が形成されている請求項２〜６のいずれか１の請求項に記載のモジュラープラグ。
【請求項８】
モジュラージャックに嵌合し、ツイストペア線を結線させるためのモジュラープラグであって、
ハウジングと、
該ハウジング内に嵌設され、複数組の前記ツイストペア線を各組毎に分離させるガイドプレートと、
前記各ツイストペア線の先端部の撚りを解かれた電線にそれぞれ接続される端子と、
を備え、前記ツイストペア線が前記ハウジングの内面と前記ガイドプレートとの間に収容されるように構成されており、前記ガイドプレートには隔壁によって分離された溝部が形成されており、前記隔壁には前記ツイストペア線を前記ハウジングの内面側に押し広げるように角部が形成されていることを特徴とするモジュラープラグ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、モジュラージャックに嵌合し、ツイストペア線を結線させるためのモジュラープラグであって、ハウジングと、該ハウジング内に嵌設され、複数組の前記ツイストペア線を各組毎に分離させるガイドプレートと、前記各ツイストペア線の先端部の撚りを解かれた電線にそれぞれ接続される端子とを備え、前記各組毎に分離されたツイストペア線が前記ハウジングの内面と前記ガイドプレートとの間に収容されるように構成されていることを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、前記貫通孔の基端側には、前記ツイストペア線を前記貫通孔の直近まで撚りを解かずに保持可能な拡幅部が形成されている。
また、本発明は、モジュラージャックに嵌合し、ツイストペア線を結線させるためのモジュラープラグであって、ハウジングと、該ハウジング内に嵌設され、複数組の前記ツイストペア線を各組毎に分離させるガイドプレートと、前記各ツイストペア線の先端部の撚りを解かれた電線にそれぞれ接続される端子と、を備え、前記ツイストペア線が前記ハウジングの内面と前記ガイドプレートとの間に収容されるように構成されており、前記ガイドプレートには隔壁によって分離された溝部が形成されており、前記隔壁には前記ツイストペア線を前記ハウジングの内面側に押し広げるように角部が形成されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月23日(2005.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正・負極板をセパレータを介して巻回した極板群を有し、前記正・負極板が複数個の耳部を備えた円筒型蓄電池において、前記耳部の少なくとも最外周部の耳部にスリットを設けたことを特徴とする円筒型蓄電池。
【請求項２】
正・負極板をセパレータを介して巻回した極板群を有し、前記正・負極板が複数個の耳部を備えた円筒型蓄電池の製造方法において、前記耳部の少なくとも最外周部の耳部にスリットを設けた正・負極板の耳部をそれぞれ一体に溶接することを特徴とする円筒型蓄電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
課題を解決するための手段は、請求項１によれば、正・負極板をセパレータを介して巻回した極板群を有し、前記正・負極板が複数個の耳部を備えた円筒型蓄電池において、前記耳部の少なくとも最外周部の耳部にスリットを設けたことを特徴とする円筒型蓄電池である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
上述したように、複数個の耳部を有する円筒状エレメントをＣＯＳ法によりストラップを形成する場合に、鋳型内の外周部の耳部に溶融鉛が十分に回り難く、特に、耳部の幅を外周部に行く程広くした場合、その傾向がより強くなるのに対して、本発明では少なくとも最外周部の耳部にスリットを設けることによって耳寄せが容易になると共に耳部を鋳型に挿入した際に、該スリットの存在により、溶融鉛が外周部の耳部の中央部分まで均一に行き渡り、溶融鉛の不足による溶接不良問題が解決できる。
請求項２によれば、正・負極板をセパレータを介して巻回した極板群を有し、前記正・負極板が複数個の耳部を備えた円筒型蓄電池の製造方法において、前記耳部の少なくとも最外周部の耳部にスリットを設けた正・負極板の耳部をそれぞれ一体に溶接することを特徴とする円筒型蓄電池の製造方法である。これにより、前記蓄電池を好適に得ることが出来る。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月24日(2005.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ＤＶＤプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、薄膜トランジスタと接続された第１の電極と、
第１の電極の端部を覆う隔壁と、
該第１の電極上に接する有機化合物を含む層と、該層上に接する第２の電極とを有する発光素子であって、
前記隔壁は、有機樹脂膜と、光を吸収する多層膜との積層からなることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、前記隔壁は、前記第１の電極と有機化合物を含む層とが接して積層されている発光領域以外の領域を覆っていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記多層膜は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｓｃ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＩＴＯ、または、ＺｎＯからなる層を少なくとも一層含むことを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記多層膜は、透光性を有する窒化絶縁膜を少なくとも一層含むことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記多層膜は、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔａ、インコネル、またはニクロムからなる層を少なくとも一層含むことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記多層膜は、反射性を有する金属膜と、透光性を有する窒化絶縁膜と、窒化金属膜と、透光性を有する窒化絶縁膜との積層であることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記多層膜は、アルミニウムを主成分とする金属膜と窒化珪素膜と窒化チタン膜と窒化珪素膜との積層であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記第２の電極は光を透過する導電膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記第１の電極は、凹部形状であり、前記隔壁をマスクとして自己整合的に形成されたことを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記第１の電極は陽極であり、前記第２の電極は陰極であることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記第１の電極は陰極であり、前記第２の電極は陽極であることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記有機化合物を含む層は、赤色発光する材料、緑色発光する材料、もしくは青色発光する材料であることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記有機化合物を含む層は白色発光する材料であり、封止材に設けられたカラーフィルタと組み合わせたことを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一において、前記有機化合物を含む層は単色発光する材料であり、封止材に設けられた色変換層または着色層と組み合わせたことを特徴とする発光装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一の発光装置を有することを特徴とするビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、ＤＶＤプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末。
【請求項１６】
陽極と、該陽極に接する有機化合物を含む層と、該有機化合物を含む層に接する陰極とを有する発光素子を有する発光装置の作製方法であって、
金属膜からなる第１の電極上に、絶縁膜と光を吸収する多層膜との積層を形成する工程と、
前記絶縁膜と光を吸収する多層膜との積層を選択的にエッチングして前記第１の電極の端部を覆う隔壁を形成する工程と、
有機化合物を含む膜を形成する工程と、
該有機化合物を含む膜上に、光を透過する金属薄膜からなる第２の電極を形成する工程とを有することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１６において、前記絶縁膜は、無機絶縁膜または有機樹脂膜からなることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１６または請求項１７において、前記第１の電極は陽極であり、前記第２の電極よりも仕事関数が大きい金属層からなることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１６乃至１８のいずれか一において、前記光を吸収する多層膜は、反射性を有する金属膜を少なくとも一層含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１６乃至１９のいずれか一において、前記光を吸収する多層膜は、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、Ｓｃ2Ｏ3、ＴｉＯ2、ＩＴＯ、または、ＺｎＯからなる層を少なくとも一層含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１６乃至２０のいずれか一において、前記光を吸収する多層膜は、透光性を有する窒化絶縁膜を少なくとも一層含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１６乃至２１のいずれか一において、前記光を吸収する多層膜は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ａｇ、Ｗ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｔａ、インコネル、またはニクロムからなる層を少なくとも一層含むことを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月3日(2005.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光領域において内側面が曲面である開口部を有する絶縁膜と、
前記絶縁膜の前記開口部に設けられた、前記曲面に沿った形状を有する画素電極とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
複数の画素を有し、該複数の画素のそれぞれにトランジスタ及び該トランジスタに電気的に接続された画素電極を有する発光装置において、
前記画素電極の下に設けられた絶縁膜は、発光領域において内側面が曲面である開口部を有すると共に、前記画素電極は、前記内側面を被覆していることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
複数の画素を有し、該複数の画素のそれぞれにトランジスタ及び該トランジスタに電気的に接続された画素電極を有する発光装置において、
前記画素電極の下に設けられた絶縁膜は、発光領域において内側面が曲面である開口部を有すると共に、前記画素電極の表面は、前記曲面に沿った形状を有することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記画素電極上に設けられた発光体を有することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項４において、前記発光体は、発光層、キャリア注入層、キャリア輸送層、及びキャリア阻止層を有する積層体であることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記画素電極は、酸化物導電膜からなることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記絶縁膜は、感光性樹脂膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記開口部は、溝形、円形、又は格子形の開口部であることを特徴とする発光装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、図３（Ｂ）において、１１８は駆動用ＴＦＴ１５のドレイン領域であり、ドレイン電極１１９に接続される。そして、ドレイン電極１１９は、画素電極１８に接続されて画素を構成する。本実施の形態では、画素電極１８として可視光に対して透明な酸化物導電膜（代表的には、ＩＴＯ膜）を用いるが、これに限定されない。また、ドレイン電極１１９の形成後に画素電極１８を形成することにより画素電極１８がドレイン電極１１９の上面に接して接続される構成となる。このとき、図３（Ｂ）に示すように、平坦化膜１１２には開口部１９が確認される。開口部１９は、内側面が曲面であり、それに沿って画素電極１８の表面も曲面となっている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
また、図１０（Ｂ）の場合、絶縁膜１００６が開口部の底面を隠すように設けられ、かつ、内側面の一部のみを露出させている。このような構成とすると、図中点線で囲まれた領域１００７における発光が起こらないことになる。これは平坦化膜１００１の端部（膜厚が厚くなっていく部分）で発光体の乗り越えが良好でない場合にこの部分から劣化が進行することが懸念されるため、当該領域を発光領域として用いない構成としたのである。実際、平坦化膜１００１に設けられる開口部の内側面の曲率が大きければ特に問題とならないが、小さい場合に信頼性を高める構成として有効である。勿論、図１０（Ａ）と同様に発光領域の外側へ進行する光も抑制することができるため、高精細な画質が得られるという利点もある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月29日(2004.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の入出力端子中に複数の同種の入出力端子が配置されたＩＣを備え、当該ＩＣ上に絶縁層を介して再配線層が形成され、当該再配線層を介して前記入出力端子とバンプとが電気的に接続された半導体チップにおいて、前記再配線層を用いて前記同種の入出力端子を電気的に接続したことを特徴とする半導体チップ。
【請求項２】
回路形成面の外周領域に複数の入出力端子が配列され、かつこれら複数の入出力端子中に複数の同種の入出力端子が配置されたＩＣを備え、当該ＩＣの前記回路成形面上に絶縁層を介して再配線層が形成され、当該再配線層を介して前記回路成形面の外周部に配置された入出力端子と前記回路成形面の内周部に配置されたバンプとが電気的に接続された半導体チップにおいて、前記再配線層を用いて前記同種の入出力端子を電気的に接続したことを特徴とする半導体チップ。
【請求項３】
前記絶縁層が厚膜プロセスで形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体チップ。
【請求項４】
前記再配線層が厚膜プロセスで形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体チップ。
【請求項５】
前記再配線層が銅で形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体チップ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記の目的を達成するため、複数の入出力端子中に複数の同種の入出力端子が配置されたＩＣを備え、当該ＩＣ上に絶縁層を介して再配線層が形成され、当該再配線層を介して前記入出力端子とバンプとが電気的に接続された半導体チップにおいて、前記再配線層を用いて前記同種の入出力端子を電気的に接続するという構成にした。
また、回路形成面の外周領域に複数の入出力端子が配列され、かつこれら複数の入出力端子中に複数の同種の入出力端子が配置されたＩＣを備え、当該ＩＣの前記回路成形面上に絶縁層を介して再配線層が形成され、当該再配線層を介して前記回路成形面の外周部に配置された入出力端子と前記回路成形面の内周部に配置されたバンプとが電気的に接続された半導体チップにおいて、前記再配線層を用いて前記同種の入出力端子を電気的に接続するという構成にした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
再配線層は、絶縁層上に自由に形成することができるので、回路成形面に形成された回路ブロックによって配線の自由度が制限されるＩＣの内部配線に比べて導体抵抗や配線間容量を低減することができる。したがって、再配線層を用いて同種の入出力端子間を電気的に接続すると、同種の入出力端子間における電圧降下や信号波形のなまりを防止することができるので、半導体チップの動作特性を向上させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によると、ＩＣの内部配線に比べて導体抵抗や配線間容量が小さい再配線層を用いて、ＩＣ上に配列された同種の入出力端子間を電気的に接続したので、同種の入出力端子間における電圧降下や信号波形のなまりを防止することができ、半導体チップの動作特性を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月20日(2005.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型不純物がドープされたｎ型窒化物半導体層と、キャリアをトラップする複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層されて成る多重量子井戸構造である活性層と、ｐ型不純物がドープされたｐ型窒化物半導体層とから成り、前記ｎ型窒化物半導体層と前記活性層と前記ｐ型窒化物半導体層とが順に積層された窒化物半導体発光素子において、
前記障壁層が、ｎ型不純物がドープされたドープ層と、ｎ型不純物がドープされていないアンドープ層とを有し、
前記障壁層の前記ドープ層が前記井戸層と接することを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
前記ドープ層がＧａＮドープ層であり、
前記アンドープ層がＩｎｘＧａｙＮアンドープ層（但し、ｘ＋ｙ＝１，ｘ＞０，ｙ＞０）であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記障壁層を構成する前記ドープ層及び前記アンドープ層の総数が３層以上であるとともに、前記アンドープ層が前記井戸層と接していないことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記ドープ層の膜厚ｄａが、０．３ｎｍ≦ｄａ≦３ｎｍであることを特徴とする請求項３に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
前記障壁層が、１つの前記ドープ層と１つの前記アンドープ層の２層で構成されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
前記ドープ層の膜厚ｄａが、０．３ｎｍ≦ｄａ≦４ｎｍであることを特徴とする請求項５に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
前記障壁層の膜厚ｄｂが、７ｎｍ≦ｄｂ≦１２ｎｍであることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項８】
前記ドープ層にドープされたｎ型不純物の濃度Ｘが、５×１０15ｃｍ-3≦Ｘ≦１×１０20ｃｍ-3であることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項９】
前記井戸層の膜厚ｄｃが、２ｎｍ≦ｄｃ≦７ｎｍであることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１０】
前記障壁層がＧａＮ層であることを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１１】
前記アンドープ層の組成にＩｎが含まれることを特徴とする請求項１０に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１２】
前記ドープ層の組成にＩｎが含まれることを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１３】
前記井戸層がＩｎＧａＮ層であるとともに、ｎ型不純物がドープされていないことを特徴とする請求項１〜請求項１２のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月17日(2004.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
なお、圧延アンバー板１２を上面１３側から見た場合、上面１３側に設けられた溝部１８と、下面１４側に設けられた溝部１９とが重なり合わないように、これらを基板面方向にずらした状態で配置している。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月17日(2004.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
（２）また、本実施形態の製造方法では、積層された金属箔８３，８４のエッチング（即ちサブトラクティブ法）により、配線層３１，３２，５１，５２のパターン形成を行うようにしている。よって、アディティブ法によりパターン形成を行う場合に比べて、短時間かつ低コストで上記構成の積層樹脂配線基板１１を製造することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月2日(2005.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ形Ｓｉコレクタ層と、
前記ｎ形Ｓｉコレクタ層上に形成された、Ｂでドープされたｐ型ＳｉＧｅＣ混晶層よりなるベース層と、
前記ベース層上に形成されたｎ型Ｓｉエミッタ層とよりなり、
前記エミッタ層は、Ｂを７×１０１７ｃｍ−３を超える濃度で含み、
前記ベース層のうち、少なくとも前記エミッタ層側の境界を含む領域において、Ｂ濃度がＣ濃度以上である
ことを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタ。
【請求項２】
請求項１記載のヘテロバイポーラトランジスタにおいて、
前記ベース層と前記エミッタ層との間に形成された、ＢでドープされたＳｉより成るキャップ層を更に有し、
前記キャップ層は、ｎ型のドーパント不純物を、Ｂの濃度を超える濃度で含む
ことを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタ。
【請求項３】
請求項１又は２記載のヘテロバイポーラトランジスタにおいて、
前記コレクタ層は、前記ベース層との境界を含む領域におけるＣの濃度が、Ｂの濃度以上である
ことを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のヘテロバイポーラトランジスタにおいて、
前記エミッタ層はＧｅを実質的に含まない
ことを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のヘテロバイポーラトランジスタにおいて、
前記ベース層は、前記エミッタ層側の領域に、前記コレクタ層側から前記エミッタ層側に向かってＧｅ濃度が徐々に低くなるようなＧｅの濃度勾配が存在している第１の領域を有する
ことを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタ。
【請求項６】
請求項５記載のヘテロバイポーラトランジスタにおいて、
前記第１の領域におけるＧｅの濃度勾配は、ほぼ直線的である
ことを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタ。
【請求項７】
請求項５又は６記載のヘテロバイポーラトランジスタにおいて、
前記ベース層の前記エミッタ層側の境界におけるＧｅ濃度は、５％以下である
ことを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタ。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載のヘテロバイポーラトランジスタにおいて、
前記ベース層は、前記コレクタ層側の領域に、前記コレクタ層側から前記エミッタ層側に向かってＧｅ濃度が徐々に高くなるようなＧｅの濃度勾配が存在している第２の領域を有する
ことを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタ。
【請求項９】
基板上に第１のｎ型Ｓｉ層を形成することにより、ｎ型コレクタ層を形成する工程と、
前記ｎ型コレクタ層上に、Ｂを含むＳｉＧｅＣ混晶層を、Ｃ濃度がＢ濃度を上回るように堆積し、次にＢ濃度がＣ濃度を上回るように堆積することにより、ｐ型ベース層を形成する工程と、
前記ｐ型ベース層上に、第２のｎ型Ｓｉ層を堆積することにより、エミッタ層を形成する工程と
よりなることを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタの製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載のヘテロバイポーラトランジスタの製造方法において、
前記ｐ型ベース層を形成する工程は、前記ＳｉＧｅＣ混晶層を、前記Ｂ濃度がＣ濃度を上回るように堆積した後、さらにＳｉＧｅ混晶層を堆積する工程を含む
ことを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の課題を、ｎ型Ｓｉコレクタ層と、前記ｎ型Ｓｉコレクタ層上に形成された、Ｂでドープされたｐ型ＳｉＧｅＣ混晶層よりなるベース層と、前記ベース層上に形成されたｎ型Ｓｉエミッタ層とよりなり、前記エミッタ層は、Ｂを７×１０１７ｃｍ−３を超える濃度で含み、前記ベース層のうち、少なくとも前記エミッタ層側の境界を含む領域において、Ｂ濃度がＣ濃度以上であることを特徴とするヘテロバイポーラトランジスタにより、解決する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月2日(2004.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少量の液体材料を分配する材料分配装置であって、該材料分配装置は、
内部に延在する第一流路およびその中に配置される往復動バルブを有するバルブ組立体と、
環状形状部材とバルブ座と複数の細長いガイドとを有する環状受座組立体であって、該環状形状部材は該第一流路と出口端部と該環状形状部材を通って延在する第二流路とに流体的に連通する入口端部を有し、該バルブ座は出口端部の近傍に配置され、前記複数の細長いガイドはバルブが該第二流路内で往復する際に該バルブを支持するために該第二流路内に配置されるガイドである環状受座組立体と、
薄肉円筒チューブノズルを有し、該第二流路の出口端に接続される入口および出口オリフィスを有するノズル組立体であって、該薄肉円筒チューブノズルは該薄肉円筒チューブノズルを通って延在する第三流路を有するノズル組立体とを備え、
前記往復動バルブは可動であって、前記バルブを前記バルブ座に対して急速に閉鎖し、それによって、前記第三流路を通過する前記液体材料の流れを止め、前記薄肉円筒チューブノズルから分配される前記液体材料の流れを前記出口オリフィスで分断して小滴にすることを特徴とする材料分配装置。
【請求項２】
請求項１に記載の材料分配装置であって、
該第二流路は第一の径を有する上部内孔壁と該第一の径より小さい第二の径を有する下部内孔壁とを備える段付き軸方向内孔であって、
該バルブ座は上部内孔壁と下部内孔壁との接合部に配置されていることを特徴とする材料分配装置。
【請求項３】
請求項１に記載の材料分配装置であって、
該出口オリフィスは約０．００５０８ｍｍ（約０．００２インチ）から約０．４０６４ｍｍ（約０．０１６インチ）の範囲の径を有することを特徴とする材料分配装置。
【請求項４】
請求項３に記載の材料分配装置であって、
該出口オリフィスの長さ対直径の比は少なくとも約２５対１であることを特徴とする材料分配装置。
【請求項５】
請求項４に記載の材料分配装置であって、
該薄肉円筒チューブノズルの外径は約０．３０４８ｍｍ（約０．０１２インチ）から約１．２７０ｍｍ（約０．０５０インチ）の範囲であることを特徴とする材料分配装置。
【請求項６】
少量の液体材料を分配する材料分配装置であって、該材料分配装置は、
出口端および該液体材料を受ける入口端を有する第一流路と、該第一流路の該出口端の近傍に配置されるバルブ座と、往復動バルブと、を有するバルブ組立体と、
該第一流路の該出口端に接続される入口部分と液体材料の流れを分配するオリフィスを有する出口部分とを備えるノズル組立体と、
該往復動バルブは、第一位置から該バルブ座の側に近い第二位置にまで急速に移動可能であって、これにより該第一流路における液体材料の大部分を該第一流路の該入り口端方向に流す一方、該第一流路における液体材料のいくらかを該出口端から該第二流路に流し込み、
該往復動バルブは、該第二位置から該バルブ座に着座する第三位置まで急速に移動可能であって、これにより該第二流路を通しての液体材料の流れが分断され、該オリフィスから分配される液体材料の流れが該第二流路の該出口部分から離れて液体材料の小滴を形成することを特徴とする材料分配装置。
【請求項７】
請求項６に記載の材料分配装置であって、該オリフィスの直径は、ほぼ０．０７６２ミリメートル（０．００３インチ）からほぼ０．４０６４ミリメートル（０．０１６インチ）の間であることを特徴とする材料分配装置。
【請求項８】
請求項７に記載の材料分配装置であって、該オリフィスの長さ対直径の比は、少なくとも３対１であることを特徴とする材料分配装置。
【請求項９】
請求項８に記載の材料分配装置であって、該オリフィスの長さ対直径の比は、少なくとも２５対１であることを特徴とする材料分配装置。
【請求項１０】
請求項６に記載の材料分配装置であって、該ノズル組立体は、さらに、ほぼ０．３０４８ミリメートル（０．０１２０インチ）から１．２７０ミリメートル（０．０５０インチ）の間の外径の端部を有する細長いノズルを備えることを特徴とする材料分配装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月22日(2005.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つのフォトダイオード（１, ２）および光導波路（３）を有する光結合素子であって、
当該２つのフォトダイオード（１, ２）のうち一方は光送信ダイオード（１）として設けられており、他方は受光ダイオード（２）として設けられており、
前記光送信ダイオード（１）から送出された光は前記光導波路（３）によって前記受光ダイオード（２）上に導かれる形式のものにおいて、
前記光送信ダイオード（１）および受光ダイオード（２）は相互に間隔をおいて導体プレート（４）上に配置されており、
前記光導波路（３）として、同じように導体プレート上に配置されたプラスチック体またはガラス体が設けられている、
ことを特徴とする光結合素子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月11日(2005.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも、フリップチップのチップ部品と、基板とを含む電子部品であって、
前記チップ部品は、電極を含み、前記電極が前記基板に設けられた電極に、周囲を半田で覆ったコアボールからなる半田バンプで接続されており、
前記半田バンプは、前記コアボールを中心にして、前記基板の電極及び前記チップ部品の前記電極に向かって拡がっている、
電子部品。
【請求項２】
少なくとも、フリップチップのチップ部品と、基板とを含む電子部品であって、
前記チップ部品は、電極を含み、前記電極が前記基板に設けられた電極に、周囲を半田で覆ったコアボールからなる半田バンプで接続されており、
前記半田バンプは、前記コアボールを中心にして、前記基板の電極及び前記チップ部品の前記電極に向かって拡がる鼓状である、
電子部品。
【請求項３】
コアボールの周囲に、半田による導電膜を有する半田ボールを用いてチップ部品を基板に接続させた電子部品であって、
前記基板は、前記チップ部品と接続するための電極を有しており、前記電極上に前記半田ボールを搭載した後、熱処理により半田バンプを形成し、
前記チップ部品上の前記半田バンプと接続する電極に、予め半田を付着し、前記チップ部品を前記基板に搭載し、半田付けして得られた、
電子部品。
【請求項４】
コアボールの周囲に、半田による導電膜を有する半田ボールを用いてチップ部品を基板に接続させた電子部品であって、
前記基板の電極上に、前記半田ボールを搭載した後、熱処理により半田バンプを形成し、前記基板上の前記電極には予め半田が付着されており、
前記基板に前記チップ部品を搭載し、半田付けして得られた、
電子部品。
【請求項５】
前記コアボールに、銅を用いた請求項１乃至３の何れかに記載の電子部品。
【請求項６】
前記チップ部品上又は基板上のいずれか一方の電極に予め付着する半田は、半田ペーストである請求項１乃至４の何れかに記載の電子部品。
【請求項７】
前記チップ部品上又は基板上いずれか一方の電極に予め付着する半田は、湿式又は乾式メッキ法を用いた又は半田ペーストを塗布後、熱処理した半田プリコートである請求項１乃至６の何れかに記載の電子部品。
【請求項８】
コアボールの周囲に、半田による導電膜を有する半田ボールを用いてチップ部品を基板に接続させた電子部品の製造方法であって、
前記基板は、前記チップ部品と接続するための電極を有しており、前記電極上に前記半田ボールを搭載した後、熱処理により半田バンプを形成し、
前記チップ部品上の前記半田バンプと接続する電極に、予め半田を付着し、前記チップ部品を前記基板に搭載し、半田付けする、
工程を含む電子部品の製造方法。
【請求項９】
コアボールの周囲に、半田による導電膜を有する半田ボールを用いてチップ部品を基板に接続させた電子部品の製造方法であって、
前記基板の電極上に、前記半田ボールを搭載した後、熱処理により半田バンプを形成し、前記基板上の前記電極には予め半田が付着されており、
前記基板に前記チップ部品を搭載し、半田付けする、
工程を含む電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記コアボールに、銅を用いた請求項８又は９に記載の電子部品の製造方法。
【請求項１１】
前記チップ部品上又は基板上のいずれか一方の電極に予め付着する半田は、半田ペーストである請求項８乃至１０の何れかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１２】
前記チップ部品上又は基板上いずれか一方の電極に予め付着する半田は、湿式又は乾式メッキ法を用いた又は半田ペーストを塗布後、熱処理した半田プリコートである請求項８乃至１１の何れかに記載の電子部品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月21日(2005.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基板と、
上面に電極パッドを有する第１の半導体チップと、
上面に電極パッドを有する第２の半導体チップと、
上面に電極パッドを有する第３の半導体チップと、を有し、
前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップが、それぞれの下面を前記実装基板に対向させ、互いに接着テープ上の導体パターンを介して電気的に接続され、かつ、互いの側面同士を近接させて、前記実装基板上に搭載されており、
前記第３の半導体チップが、前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップの上面上に、前記互いに近接された側面の上に位置するように搭載され、
前記第３の半導体チップの電極パッドが、前記実装基板とボンディングワイヤを介して電気的に接続され、
前記第１の半導体チップの電極パッドのいくつかと、前記第２の半導体チップの電極パッドのいくつかが、前記実装基板とボンディングワイヤを介して電気的に接続され、
前記接着テープ及び前記接着テープ上の導体パターンが、前記互いに近接された側面の上を跨っており、
前記第３の半導体チップが、前記接着テープ上に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明の半導体装置は、実装基板と、上面に電極パッドを有する第１の半導体チップと、上面に電極パッドを有する第２の半導体チップと、上面に電極パッドを有する第３の半導体チップと、を有し、前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップが、それぞれの下面を前記実装基板に対向させ、互いに接着テープ上の導体パターンを介して電気的に接続され、かつ、互いの側面同士を近接させて、前記実装基板上に搭載されており、前記第３の半導体チップが、前記第１の半導体チップ及び前記第２の半導体チップの上面上に、前記互いに近接された側面の上に位置するように搭載され、前記第３の半導体チップの電極パッドが、前記実装基板とボンディングワイヤを介して電気的に接続され、前記第１の半導体チップの電極パッドのいくつかと、前記第２の半導体チップの電極パッドのいくつかが、前記実装基板とボンディングワイヤを介して電気的に接続され、前記接着テープ及び前記接着テープ上の導体パターンが、前記互いに近接された側面の上を跨っており、前記第３の半導体チップが、前記接着テープ上に配置されているものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月20日(2005.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッドに装着された半導体チップ、この半導体チップと外部回路とを接続するリード端子、上記半導体チップのパッドにボール部が接続され、他端が上記リード端子に接続されると共に、上記パッドよりも、反リード端子側で折り返され、上記折り返された部分と、上記他端との間で、上記ボール部の上に固定されたワイヤ及び上記半導体チップ、パッド、リード端子の一部並びにワイヤを封止する封止樹脂を備えた半導体装置。
【請求項２】
上記半導体チップは、複数個の半導体チップの積層体であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
ダイパッドに半導体チップを装着する工程と、リード端子を配設する工程と、キャピラリーによってワイヤの一端を上記半導体チップのパッドに接続した後、上記キャピラリーを上方に移動させ、リード端子側にリバース動作させると共に、上記キャピラリーを更に上方に移動させ、反リード端子側にリバース動作させた後、ルーピングを行なって上記ワイヤの他端を上記リード端子に接続する工程と、上記半導体チップ、パッド、リード端子の一部及びワイヤを樹脂封止する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
ダイパッドに半導体チップを装着する工程と、上記半導体チップのパッドにバンプを形成する工程と、リード端子を配設する工程と、キャピラリーによってワイヤの一端を上記バンプに接続した後、上記キャピラリーを上方に移動させ、リード端子側にリバース動作させると共に、上記キャピラリーを更に上方に移動させ、反リード端子側にリバース動作させた後、ルーピングを行なって上記ワイヤの他端を上記リード端子に接続する工程と、上記半導体チップ、バンプ、リード端子の一部及びワイヤを樹脂封止する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
ダイパッドに半導体チップを装着する工程と、リード端子を配設する工程と、キャピラリーによってワイヤの一端を上記半導体チップのパッドに接続した後、上記キャピラリーを上方に移動させ、リード端子側にリバース動作させると共に、上記キャピラリーを更に上方に移動させ、再度リード端子側にリバース動作させた後、ルーピングを行なって上記ワイヤの他端を上記リード端子に接続する工程と、上記半導体チップ、パッド、リード端子の一部及びワイヤを樹脂封止する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
ダイパッドに半導体チップを装着する工程と、上記半導体チップのパッドにバンプを形成する工程と、リード端子を配設する工程と、キャピラリーによってワイヤの一端を上記バンプに接続した後、上記キャピラリーを上方に移動させ、リード端子側にリバース動作させると共に、上記キャピラリーを更に上方に移動させ、再度リード端子側にリバース動作させた後、ルーピングを行なって上記ワイヤの他端を上記リード端子に接続する工程と、上記半導体チップ、バンプ、リード端子の一部及びワイヤを樹脂封止する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
ダイパッドに半導体チップを装着する工程と、リード端子を配設する工程と、キャピラリーによってワイヤの一端を上記半導体チップのパッドに接続した後、上記キャピラリーを反リード端子側にリバース動作させ、その後、ルーピングを行なって上記ワイヤの他端を上記リード端子に接続する工程と、上記半導体チップ、パッド、リード端子の一部及びワイヤを樹脂封止する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
ダイパッドに半導体チップを装着する工程と、上記半導体チップのパッドにバンプを形成する工程と、リード端子を配設する工程と、キャピラリーによってワイヤの一端を上記バンプに接続した後、上記キャピラリーを反リード端子側にリバース動作させ、その後、ルーピングを行なって上記ワイヤの他端を上記リード端子に接続する工程と、上記半導体チップ、バンプ、リード端子の一部及びワイヤを樹脂封止する工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項９】
上記ルーピングを行なった後、上記パッドあるいはバンプ上にバンプボンドを行ない、ワイヤを固定するようにしたことを特徴とする請求項７または請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
上記ダイパッドに半導体チップを装着する工程により、複数個の半導体チップを積層して装着することを特徴とする請求項３〜請求項９のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
上記ワイヤは上記半導体チップと上記リード端子との間に屈曲部を有することを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体装置は、ダイパッドに装着された半導体チップ、この半導体チップと外部回路とを接続するリード端子、上記半導体チップのパッドにボール部が接続され、他端が上記リード端子に接続されると共に、上記パッドよりも、反リード端子側で折り返され、上記折り返された部分と、上記他端との間で、上記ボール部の上に固定されたワイヤ及び上記半導体チップ、パッド、リード端子の一部並びにワイヤを封止する封止樹脂を備えたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
この発明に係る半導体装置は、また、上記半導体チップが、複数個の半導体チップの積層体とされるものである。更に、上記ワイヤは上記半導体チップと上記リード端子との間に屈曲部を有するものである。