Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月2日(2005.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に有機樹脂膜を形成し、
前記有機樹脂膜表面にＮ2、Ｏ2、またはＡｒガスを用いた第１のプラズマ処理を行い、
前記有機樹脂膜上にレジスト膜をパターン形成し、
前記レジスト膜に覆われた部分を残して前記有機樹脂膜をエッチングし、
前記エッチングにより露出した前記有機樹脂膜の膜表面にＮ2、Ｏ2、またはＡｒガスを用いた第２のプラズマ処理を行い、
前記レジスト膜を除去することを特徴とする半導体素子基板の作製方法。
【請求項２】
基板上に有機樹脂膜を形成し、
前記有機樹脂膜の膜表面における水に対する接触角が４０°以下となるように前記有機樹脂膜の膜表面にＮ2、Ｏ2、またはＡｒガスを用いた第１のプラズマ処理を行い、
前記有機樹脂膜上にレジスト膜をパターン形成し、
前記レジスト膜に覆われた部分を残して前記有機樹脂膜をエッチングし、
前記エッチングにより露出した前記有機樹脂膜の膜表面における水に対する接触角が４０°以下となるように前記有機樹脂膜の膜表面にＮ2、Ｏ2、またはＡｒガスを用いた第２のプラズマ処理を行い、
前記レジスト膜を除去することを特徴とする半導体素子基板の作製方法。
【請求項３】
基板上にアクリル樹脂膜を形成し、
前記アクリル樹脂膜表面にＮ2、Ｏ2、またはＡｒガスを用いた第１のプラズマ処理を行い、
前記アクリル樹脂膜上にレジスト膜をパターン形成し、
前記レジスト膜に覆われた部分を残して前記アクリル樹脂膜をエッチングし、
前記エッチングにより露出した前記アクリル樹脂膜の膜表面にＮ2、Ｏ2、またはＡｒガスを用いた第２のプラズマ処理を行い、
前記レジスト膜を除去することを特徴とする半導体素子基板の作製方法。
【請求項４】
基板上にアクリル樹脂膜を形成し、
前記アクリル樹脂膜の膜表面における水に対する接触角が４０°以下となるように前記アクリル樹脂膜の膜表面にＮ2、Ｏ2、またはＡｒガスを用いた第１のプラズマ処理を行い、
前記アクリル樹脂膜上にレジスト膜をパターン形成し、
前記レジスト膜に覆われた部分を残して前記アクリル樹脂膜をエッチングし、
前記エッチングにより露出した前記アクリル樹脂膜の膜表面における水に対する接触角が４０°以下となるように前記アクリル樹脂膜の膜表面にＮ2、Ｏ2、またはＡｒガスを用いた第２のプラズマ処理を行い、
前記レジスト膜を除去することを特徴とする半導体素子基板の作製方法。
【請求項５】
基板上に有機樹脂膜を形成し、
前記有機樹脂膜上に酸化珪素、窒化珪素、または酸化窒化珪素からなる絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にレジスト膜をパターン形成し、
前記レジスト膜に覆われた部分を残して前記絶縁膜および前記有機樹脂膜をエッチングし、
前記エッチングにより露出した前記有機樹脂膜の膜表面にＮ2、Ｏ2、またはＡｒガスを用いたプラズマ処理を行い、
前記レジスト膜を除去することを特徴とする半導体素子基板の作製方法。
【請求項６】
基板上に有機樹脂膜を形成し、
前記有機樹脂膜上に酸化珪素、窒化珪素、または酸化窒化珪素からなる絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にレジスト膜をパターン形成し、
前記レジスト膜に覆われた部分を残して前記絶縁膜および前記有機樹脂膜をエッチングし、
前記エッチングにより露出した前記有機樹脂膜の膜表面における水に対する接触角が４０°以下となるように前記有機樹脂膜の膜表面にＮ2、Ｏ2、またはＡｒガスを用いたプラズマ処理を行い、
前記レジスト膜を除去することを特徴とする半導体素子基板の作製方法。
【請求項７】
基板上にソース、ドレイン、チャネル領域、および前記チャネル領域と重なる位置にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極を含む半導体素子を形成し、
前記半導体素子を覆って有機樹脂膜をパターン形成し、
パターン形成された前記有機樹脂膜の膜表面にＮ2、Ｏ2、またはＡｒガスを用いたプラズマ処理を行い、
前記有機樹脂膜上であって前記ソースおよび前記ドレインと接して導電膜を形成し、
前記導電膜上にレジスト膜をパターン形成し、
前記レジスト膜に覆われた部分を残して前記導電膜をエッチングし、
前記レジスト膜を除去することを特徴とする半導体素子基板の作製方法。
【請求項８】
基板上にソース、ドレイン、チャネル領域、および前記チャネル領域と重なる位置にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極を含む半導体素子を形成し、
前記半導体素子を覆って有機樹脂膜をパターン形成し、
パターン形成された前記有機樹脂膜の膜表面における水に対する接触角が４０°以下となるように前記有機樹脂膜の膜表面にＮ2、Ｏ2、またはＡｒガスを用いたプラズマ処理を行い、
前記有機樹脂膜上であって前記ソースおよび前記ドレインと接して導電膜を形成し、
前記導電膜上にレジスト膜をパターン形成し、
前記レジスト膜に覆われた部分を残して前記導電膜をエッチングし、
前記レジスト膜を除去することを特徴とする半導体素子基板の作製方法。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、
前記有機樹脂膜は、感光性アクリル、感光性ポリイミド、感光性ポリアミドのいずれか一であることを特徴とする半導体素子基板の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月8日(2004.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ成分を含む基板上に裏面電極を形成し、その裏面電極上にプリカーサ膜を形成して、Ｓｅ雰囲気中で熱処理することによってＣＩＧＳ系の光吸収層を作製し、その光吸収層上にバッファ層を介して透明電極を形成するようにした薄膜太陽電池の製造方法にあって、Ｉａ族元素を含む化合物による水和物を水溶液に裏面電極を浸漬したのち乾燥させて裏面電極上にアルカリ層を形成して、Ｓｅ雰囲気中で熱処理することによってＣＩＧＳ系の光吸収層を作製するに際して基板およびアルカリ層からそれぞれアルカリ元素を光吸収層に拡散させるようにしたことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項２】
Ｉａ族元素がＮａであり、アルカリ層がＮａ２ＳまたはＮａ２Ｓｅであることを特徴とする請求項１の記載による薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項３】
基板と裏面電極との間に、ＳｉＯ２，Ａｌ２Ｏ３，ＴｉＮ，Ｓｉ３Ｎ４，ＺｒＯ２またはＴｉＯ２によって形成された拡散制御層を形成して、基板のアルカリ元素が光吸収層に拡散するのを制御するようにしたことを特徴とする請求項１の記載による薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項４】
拡散制御層の膜厚が１００Å〜１５００Åの範囲になるようにしたことを特徴とする請求項３の記載による薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項５】
光吸収層に拡散させるＩａ族元素の濃度が単位面積１ｃｍ２当り１０Ｅ＋１０〜１０Ｅ＋１６の原子数の範囲になるようにしたことを特徴とする請求項１の記載による薄膜太陽電池の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月8日(2004.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
請求項１又は２に記載のパケット網における品質状態監視方法において、相互相関関数を求めた後にパケット送信時刻系列の自己相関関数を求め、パケットもしくはパケット群の発生周期を判定し、１周期範囲の時刻系列を取り出し、その時刻系列内における相互相関関数の積分値と自己相関関数の積分値を求め、相互相関関数の積分値を自己相関関数の積分値で割った値を用いて品質を評価する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
請求項１から１５までのいずれか１項に記載のパケット網における品質状態監視方法を用いて、優先転送されたネットワークの優先度誤りを監視することを特徴とするネットワークの監視方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（品質監視装置）
ネットワークの品質を監視する品質監視装置２０は、合成関数作成機能２１、相互相関演算機能２２、品質低下判定機能２３により実現される。以下では、これらの装置の処理フローに従って動作内容の説明を行う。
「合成関数作成機能」
本装置では、上述の送信側及び受信側データ系列ｘs c n 及びｘcpn （０≦ｃ≦Ｃ，１≦ｐ≦Ｎ）に対して、あらかじめ用意されている関数ｇ、例えば、
［外１］
2003318985.tif 000001
といった関数との合成関数である新たな系列ｈs c n , ｈcpn を得る。実際には、関数ｇを周波数ｆでサンプリングした系列ｇn を作成し、ｘs c n , ｘcpn とｇn の合成関数であるｈs c n , ｈcpn を、高速フーリェ変換（ＦＦＴ）を用いて算出する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
「相互相関演算機能」
本装置では、合成関数作成機能２１により合成された系列ｈs c n , ｈcpn （０≦ｃ≦Ｃ，１≦ｐ≦Ｎ）を受け取り、送信側データ系列ｈs c n と一つの受信側データ系列ｈcpn を対にして相互相関をＦＦＴによって求め、新たな系列ｒcpn を得る。ここでは、Ｃ×Ｎ回の計算が行われる。なお、品質低下判定機能２３で必要となる場合には、ｈs c n の自己相関をＦＦＴにより求め、新たな系列ｒs c n を求める。なお、トラフィックを受動的にプローブしている際に、△Ｔが求められていない場合には、本機能においてｈs c n を算出して△Ｔを求める。ここで、ｒs c n , ｒcpn に対して
［外２］
2003318985.tif 000002
といった指数的なウェイトをかけた結果を新たなｒs c n , ｒcpn とする方法も考えられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
「品質低下判定機能」
本装置では、相互相関演算機能２２より全てのデータ列ｒs c n , ｒcpn （０≦ｃ≦Ｃ，１≦ｐ≦Ｎ）を受け取り、０から△Ｔの範囲、もしくは、最初のピークが現れるラグをｔcpとし、ｔcpからｔcp＋△Ｔの範囲となるデータを抜き出し、これを新たなｒs c n , ｒcpn とする。データ点数は、ｍ＝△Ｔ／ｆとなる。
また、これらを用いて、以下のいずれかの方法により品質評価を行う。
・ｒcpn の最大値と最小値を求め、その差の絶対値をＥcpとする。
・ｒcpn の最大値を求め、その値をＥcpとする。
・
［外３］
2003318985.tif 000003
となるＥを求め、
［外４］
2003318985.tif 000004
となるＦcpを求める。次に、ＥcpをＦcpで割ることによりＥcpを正規化する。
・０から△Ｔの範囲において、バスタブカーブとなる関数を周波数ｆでサンプリングした系列ｗm を用意し、
［外５］
2003318985.tif 000005
となるＥを求め、
［外６］
2003318985.tif 000006
となるＦcpを求める。次に、ＥcpをＦcpで割ることによりＥcpを正規化する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
または、データ系列の範囲を抜き出さずに、以下のようにしてＥを求める。
ｒcpn のパワースペクトルを求め、△Ｔの周期となる周波数成分のスペクトル密度をＥcpとする。なおｒs c n のパワースペクトルを求め、△Ｔの周期となる周波数成分のスペクトル密度でＥcpを正規化する。
次に、Ｅcpが１に近いスレショルド値を超えない場合には、１cp＝０とし、スレショルドを超えた場合には１cp＝１とする。優先度誤りを監視する場合には、受信側パケットプローブ番号において、Ｅ0P＜Ｅ1P＜Ｅ2P＜・・・＜ＥNPであることを確認する。この関係が保たれている場合には、品質低下判定結果１ついて、１P ＝１とする。これはクラス間での品質低下が発生していないことを示す。上記関係が保たれていない場合には、１P ＝０とする。これは、クラス間での優先度誤りが発生していることを示す。なお、以降では、ある特定のクラスにおける１cpについても１P と表記する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月5日(2005.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パケットを入力し、該パケットについて複数または単数の処理を行い、パケットを出力するネットワーク中継装置において、入力されたパケットに関する統計情報データを収集する統計情報収集方法であって、入力されたパケットに関して収集した統計情報データを記録または更新する際に、複数パケット単位で記録または更新処理することにより、複数回にわたる可能性のある同一内容の処理を一括処理で実行することを特徴とするネットワーク中継装置の統計情報収集方法。
【請求項２】
入力されたパケットに関して収集した統計情報データを記録または更新する際に、第１のパケットと第２のパケットが、同一種類の統計情報項目の更新処理に係わる場合、同一の読み出し処理、加算処理、および、書き込み処理で記録または更新を実行し、第１のパケットと第２のパケットが、異なる種類の統計情報項目の更新処理に係わる場合、別々の読み出し処理、加算処理、および、書き込み処理で記録または更新を実行することを特徴とする請求項1記載のネットワーク中継装置の統計情報収集方法。
【請求項３】
入力されたパケットを処理し処理結果を出力するパケット処理部と、該パケット処理部の処理結果に関する統計情報データを保持及び更新する統計情報保持部と、前記統計情報保持部において更新されるべき統計情報データのアドレスを決定して前記統計情報保持部に出力する統計情報制御部を具備するネットワーク中継装置において、前記統計情報保持部は、前記統計情報制御部が出力するアドレスを記憶するデータバッファ部と、該データバッファ部の制御をおこなうデータバッファ制御部と、前記統計情報データの更新において加算を行うデータ加算部と、前記統計情報データを保持する記憶装置と、前記データバッファ部に記憶されたアドレスに従い前記記憶装置の統計情報データの読み込み及び書き込み制御を行う記憶装置制御部を有することを特徴とするネットワーク中継装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月21日(2005.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザ照射装置およびレーザ照射方法ならびに位相シフトマスク
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
位相シフトマスクを用いて位相シフト部において逆ピークパターンを発生し、
この逆ピークパターンを有するレーザ光を多結晶または非晶質半導体膜に照射するレーザ照射装置において、
前記位相シフト部に遮光領域を設けることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
前記遮光領域を設けた位相シフトマスクと半導体膜の間に結像光学系を配置し、
この結像光学系の焦点位置から所定の距離だけ離れたデフォーカス位置に前記半導体膜を保持した状態で前記半導体膜を結晶化することを特徴とする請求項１記載のレーザ照射装置。
【請求項３】
前記遮光領域の幅をＤ、
前記位相シフトマスクと半導体膜の間の距離をＺ、
前記位相シフトマスクに対する照射光束の入射角の幅を２θ、
とした場合、
Ｄ≧２Ｚｔａｎθ
を満たすものであることを特徴とする請求項１記載のレーザ照射装置。
【請求項４】
前記遮光領域の結像パターン上での幅をＤ、
前記結像光学系の焦点位置と半導体膜の間の距離をＺ、
前記位相シフトマスクの結像面における光束の入射角の幅を２θ、
とした場合、
Ｄ≧２Ｚｔａｎθ
を満たすものであることを特徴とする請求項２記載のレーザ照射装置。
【請求項５】
前記遮光領域は光吸収材料を設けたものである請求項１記載のレーザ照射装置。
【請求項６】
前記遮光領域は光反射層を設けたものである請求項１記載のレーザ照射装置。
【請求項７】
前記遮光領域は大部分の光が前記半導体膜に達しないように散乱する光散乱領域を設けたものである請求項１記載のレーザ照射装置。
【請求項８】
前記遮光領域は光を前記半導体膜に達しない方向に回折する回折域を設けたものである請求項１記載のレーザ照射装置。
【請求項９】
前記位相シフトマスクのマスクパターンは、位相０とπの位相シフト領域を交互に配列したものである請求項１記載のレーザ照射装置。
【請求項１０】
前記位相シフトマスクのマスクパターンは、少なくとも３以上の位相シフト線からなる交点を有し、この交点を中心とする円形領域の複素透過率の積分値が略０であることを特徴とする請求項１記載のレーザ照射装置。
【請求項１１】
前記３以上の位相シフト線は、その位相差がいずれも１８０度（π）未満であることを特徴とする請求項１０記載のレーザ照射装置。
【請求項１２】
位相シフトマスクを用いて位相シフト部において逆ピークパターンを発生し、
この逆ピークパターンを有するレーザ光を多結晶または非晶質半導体膜に照射して結晶化半導体膜を生成する工程であって、
前記位相シフト部に遮光領域を設けることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１３】
前記遮光領域を設けた位相シフトマスクと半導体膜の間に結像光学系を配置し、
この結像光学系の焦点位置から所定の距離だけ離れたデフォーカス位置に前記半導体膜を保持した状態で前記半導体膜を結晶化することを特徴とする請求項１２記載のレーザ照射方法。
【請求項１４】
位相シフトマスクを用いて位相シフト部において逆ピークパターンを発生し、
この逆ピークパターンを有するレーザ光を多結晶または非晶質半導体膜に照射する装置であって、
前記位相シフト部に遮光領域を設けることを特徴とする位相シフトマスク。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、本発明の結晶化半導体膜の製造装置は、位相シフト部において逆ピークパターンを発生する位相シフトマスクの位相シフト部に遮光領域を設けることにより上記目的が達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月14日(2005.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に非晶質シリコン膜を形成し、該非晶質シリコン膜の一部の上に金属膜を形成し、該金属膜をマスクとして該非晶質シリコン膜の上方から１回目のレーザー光照射を行って前記非晶質シリコン膜の一部以外の部分を結晶化し、前記金属膜を除去した後、前記非晶質シリコン膜の上方から２回目のレーザー光照射を行って前記非晶質シリコン膜の一部を結晶化し、該２回目のレーザー光照射により結晶化された結晶質シリコン膜をチャネル形成領域に用いることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
基体上に非晶質シリコン膜を形成し、該非晶質シリコン膜の上に絶縁膜を形成し、該絶縁膜を介して前記非晶質シリコン膜の一部の上に金属膜を形成し、該金属膜をマスクとして該非晶質シリコン膜の上方から１回目のレーザー光照射を行って前記非晶質シリコン膜の一部以外の部分を結晶化し、前記金属膜を除去した後、前記非晶質シリコン膜の上方から２回目のレーザー光照射を行って前記非晶質シリコン膜の一部を結晶化し、該２回目のレーザー光照射により結晶化された結晶質シリコン膜をチャネル形成領域に用いることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
基体上に非晶質シリコン膜を形成し、該非晶質シリコン膜の上にゲート絶縁膜を形成し、該ゲート絶縁膜を介して前記非晶質シリコン膜の一部の上に金属膜を形成し、該金属膜をマスクとして該非晶質シリコン膜の上方から１回目のレーザー光照射を行って前記非晶質シリコン膜の一部以外の部分を結晶化した後、該非晶質シリコン膜の下方から２回目のレーザー光照射を行って該非晶質シリコン膜の一部を結晶化し、前記金属膜をエッチングして前記２回目のレーザー光照射により結晶化された結晶質シリコン膜上にゲート電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記金属膜は、熱伝導率が２．０Ｗ／Ｋｃｍ以下の金属膜であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、前記金属膜は、チタン、タンタルもしくはこれらの窒化物からなる金属膜、またはタングステン、モリブデンもしくはタングステン−モリブデン合金からなる金属膜、またはクロムもしくは白金からなる金属膜であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項６】
基体上に非晶質シリコン膜を形成し、該非晶質シリコン膜の上にゲート絶縁膜を形成し、該ゲート絶縁膜を介して前記非晶質シリコン膜の一部の上にゲート電極を形成し、該ゲート電極をマスクとして該非晶質シリコン膜の上方から１回目のレーザー光照射を行って前記非晶質シリコン膜の一部以外の部分を結晶化した後、該非晶質シリコン膜の下方から２回目のレーザー光照射を行って該非晶質シリコン膜の一部を結晶化することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項７】
基体上にゲート電極を形成し、該ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、非晶質シリコン膜を該非晶質シリコン膜の一部が前記ゲート絶縁膜を介して前記ゲート電極に重畳するように形成し、前記ゲート電極をマスクとして前記非晶質シリコン膜の下方から１回目のレーザー光照射を行って前記非晶質シリコン膜の一部以外の部分を結晶化した後、該非晶質シリコン膜の上方から２回目のレーザー光照射を行って該非晶質シリコン膜の一部を結晶化することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、前記ゲート電極は、熱伝導率が２．０Ｗ／Ｋｃｍ以下の金属膜であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項９】
請求項６または請求項７において、前記ゲート電極は、チタン、タンタルもしくはこれらの窒化物からなる金属膜、またはタングステン、モリブデンもしくはタングステン−モリブデン合金からなる金属膜、またはクロムもしくは白金からなる金属膜であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、前記２回目のレーザー光照射は、波長４００〜６００ｎｍのレーザー光の照射であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記非晶質シリコン膜に代えて非晶質シリコンゲルマニウム膜を用いることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一に記載の方法を用いて作製することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一に記載の方法を用いて作製されたことを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一に記載の方法を用いて作製されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載された半導体装置とは、発光装置、液晶表示装置、又は半導体集積回路であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月18日(2005.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
該平均粒径４２０ｎｍ以下の無機粒子の平均粒径が１００ｎｍ以下である感光性セラミックス組成物を用いることを特徴とする請求項１記載のセラミックス基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
さらに、前記側鎖にカルボキシル基を有する共重合体が、側鎖にエチレン性不飽和基を有することも好ましく、該エチレン性不飽和基としては、ビニル基、アリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基などがあげられる。このようなエチレン性不飽和基側鎖をポリマーに付加させる方法は、ポリマー中の活性水素含有基であるメルカプト基、アミノ基、水酸基やカルボキシル基に対して、グルシジル基やイソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物やアクリル酸クロライド、メタクリル酸クロライドまたはアリルクロライドを付加反応させる。グリシジル基を有するエチレン性不飽和化合物としては、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル、アリルグリシジルエーテル、エチルアクリル酸グリシジル、クロトン酸グリシジル、イソクロトン酸グリシジルなどがある。イソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物としては、（メタ）アクリロイルイソシアネート（前記の「（メタ）アクリロイル」は「アクリロイル及び／又はメタアクリロイル」の意、他も同様）、（メタ）アクリロイルエチルイソシアネートなどがある。また、グリシジル基やイソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物やアクリル酸クロライド、メタクリル酸クロライドまたはアリルクロライドは、ポリマー中のメルカプト基、アミノ基、水酸基やカルボキシル基に対して０．０５〜０．９５モル当量付加させることが好ましい。活性水素含有基がメルカプト基、アミノ基、水酸基の場合にはその全量を側鎖基の導入に利用することもできるが、カルボキシル基の場合には、ポリマーの酸価が好ましい範囲に保持される範囲で付加することが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明の感光性セラミックス組成物は、スラリーあるいはペーストを称せられる状態を経てグリーンシートもしくは塗布膜として形成され、組成物の有する感光性の機能を活用して高精細な加工（ビアホール形成など）を施した後、無収縮焼成し基板材料などとしてそれぞれの用途に提供される。またグリーンシートは多層セラミックス基板の作製に用いられるシート状物で、このシート上に導電ペーストと絶縁ペーストを交互に印刷積層して多層化、一回で焼成を完了するグリーンシート印刷法や、導体を印刷して熱圧着後、焼成して多層化するグリーンシート積層法に用いられるものである。塗布膜は基板などの機能性材料の上に塗布形成された膜を示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
本発明の感光性セラミックス組成物は次のようにして調製することができる。まず感光性有機成分である側鎖にカルボキシル基を有する重合体、光反応性化合物および光重合開始剤に、必要に応じて溶媒や各種添加剤を混合した後、濾過し、有機ビヒクルを作製する。これに、必要に応じて前処理された無機粒子とフィラー成分からなる無機成分を添加し、ボールミルなどの混練機で均質に混合・分散して感光性セラミックス組成物のスラリーまたはペーストを作製する。このスラリーまたはペーストの粘度は無機粒子と有機成分の配合比、有機溶媒の量、可塑剤その他の添加剤の添加割合によって適宜調製されるが、その範囲は１〜５Ｐａ・ｓが好ましい。スラリーもしくはペーストを構成する際に用いる溶媒は、感光性有機成分を溶解し得るものであればよい。例えば、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、ブチルセルソルブ、メチルエチルケトン、ジオキサン、アセトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、イソブチルアルコール、イソプロピルアルコール、テトラヒドロフラン、ジメチルスルフォキシド、γ−ブチロラクトン、トルエン、トリクロロエチレン、メチルイソブチルケトン、イソフォロンなどや、これのうち１種以上を含有する有機溶媒混合物が用いられる。なお、前記溶媒がペーストに含まれる量は目的用途に応じて様々であり、前記粘度範囲となるならば、何等制限されるものではないが、例えば、塗布段階においては、ペースト（無機粉末を除く）中に１０〜３０重量％含まれていることが好ましい。なお、現像段階においては溶媒含量は実質上０であることが好適である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
【表１】
2003318313.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に光電変換部が形成されているとともに前記光電変換部に蓄積された信号電荷を転送する電荷転送部を有し、かつ前記光電変換部の受光用表面に正孔蓄積層を形成してなる固体撮像素子であって、
前記正孔蓄積層は、前記受光用表面に該受光用表面の全域に亘り所定の深さに形成された第１正孔蓄積層と、前記第１正孔蓄積層の表面領域を周囲から中央に向け縮小した所定面積の表面領域に前記第１正孔蓄積層を通して前記光電変換部の内部に達する深さに形成された前記第１正孔蓄積層より厚い層の第２正孔蓄積層とから構成される、
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記光電変換部は、第１導電型の前記半導体基板上に形成された第２導電型の信号電荷蓄積領域を有し、前記第１及び第２正孔蓄積層は前記信号電荷蓄積領域の表面に形成され、かつ第１及び第２正孔蓄積層は第１導電型であることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記電荷転送部の転送電極は前記受光表面の周囲を取り囲むように配置され、この転送電極の内側壁部には、前記第１正孔蓄積層の表面領域を周囲から中央に向け縮小した所定の表面領域を設定する側壁絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１記載の固体撮像素子。
【請求項４】
半導体基板上に光電変換部を形成するとともに前記光電変換部に蓄積された信号電荷を転送する電荷転送部を形成してなる固体撮像素子の製造方法であって、
前記受光用表面に不純物をドーピングして第１正孔蓄積層を該受光用表面の全域に亘り所定の厚さに形成する第１の工程と、
前記第１正孔蓄積層の表面領域に該表面領域を周囲から中央に向け縮小した所定面積の不純物ドーピング領域を形成する第２の工程と、
前記不純物ドーピング領域に前記第１正孔蓄積層を通して不純物をドーピングすることにより前記光電変換部の内部に達する第２正孔蓄積層を形成する第３の工程とを備える、
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項５】
前記第１の工程において、前記受光用表面の受光領域を除くように設けられた前記電荷転送部の転送電極をマスクとして、不純物がドーピングされるようにしたことを特徴とする請求項４記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項６】
前記半導体基板の表面全域に絶縁膜を形成し、この絶縁膜をエッチングにより、前記受光用表面の周囲を囲むように設けられた前記電荷転送部の転送電極の側壁部のみを残して側壁絶縁膜を形成し、この側壁絶縁膜をマスクとして前記第２正孔蓄積層を形成するための不純物ドーピング領域を形成するようにしたことを特徴とする請求項４記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項７】
前記光電変換部の信号電荷蓄積領域が第２導電型のとき、前記第１及び第２正孔蓄積層は第１導電型であることを特徴とする請求項４記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項８】
前記側壁絶縁膜は、シリコン窒化物、ポリシリコンまたはシリコン酸化物であることを特徴とする請求項４記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項９】
複数の画素を含む撮像領域を有し、
前記画素の受光部は、Ｎ型半導体層の表面に形成された第１のＰ型半導体層と、前記第１のＰ型半導体層の内側に、前記第１のＰ型半導体層の底より深い位置に達するように形成された第２のＰ型半導体層とを有することを特徴とする固体撮像素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するため、半導体基板上に光電変換部が形成されているとともに前記光電変換部に蓄積された信号電荷を転送する電荷転送部を有し、かつ前記光電変換部の受光用表面に正孔蓄積層を形成してなる固体撮像素子であって、前記正孔蓄積層は、前記受光用表面に該受光用表面の全域に亘り所定の深さに形成された第１正孔蓄積層と、前記第１正孔蓄積層の表面領域を周囲から中央に向け縮小した所定面積の表面領域に前記第１正孔蓄積層を通して前記光電変換部の内部に達する深さに形成された前記第１正孔蓄積層より厚い層の第２正孔蓄積層とから構成されることを特徴とする。
また、本発明の固体撮像素子は、複数の画素を含む撮像領域を有し、
前記画素の受光部は、Ｎ型半導体層の表面に形成された第１のＰ型半導体層と、前記第１のＰ型半導体層の内側に、前記第１のＰ型半導体層の底より深い位置に達するように形成された第２のＰ型半導体層とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
シリコン基板８の深部には、オーバフローバリアを形成するＰ−型ウエル層１０が形成されており、光電変換部４は、Ｐ−型ウエル層１０上に形成されたＮ型の信号電荷蓄積領域１４および、この信号電荷蓄積領域１４の受光用表面に形成されたＰ＋型の正孔蓄積層１６によって構成されている。この正孔蓄積層１６は、信号電荷蓄積領域１４の表面近くで発生し、雑音源となる暗電流を抑制するもので、信号電荷蓄積領域１４の受光用表面に対して形成される表面積およびドーピング深さの異なるＰ＋型の第１正孔蓄積層１６１(請求項９の第１のＰ型半導体層に相当する)とＰ＋型の第２正孔蓄積層１６２(請求項９の第２のＰ型半導体層に相当する)との２段構造で構成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月15日(2005.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性樹脂からなる封止体と、半導体チップが搭載されるタブと、前記封止体の実装面に一面を露出する複数のリードと、前記封止体内に位置し、回路形成面である第１の面およびその反対側の第２の面を有し、前記タブの一面に接着剤を介して第２の面で支持される第１の半導体チップと、前記第１の半導体チップの前記第１の面の周縁部に形成された複数の電極パッドと、前記電極パッドと前記リードとを電気的に接続する導電性のワイヤと、回路形成面である第１の面およびその反対側の第２の面を有し前記第１の半導体チップの第１の面に第２の面を向けて積層搭載された第２の半導体チップと、前記第２の半導体チップの前記第１の面に形成された複数の電極パッドと、前記第２の半導体チップの電極パッドと前記リードとを電気的に接続する導電性のワイヤと、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置であって、前記第２の半導体チップは、前記第１の半導体チップの電極よりも内側に配置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置であって、前記第２の半導体チップの電極パッドにはバンプが形成され、前記ワイヤの一方は前記リードまたは前記第１の半導体チップの電極パッドと接続され、他方は前記バンプを介して接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置であって、前記第１の半導体チップの複数の電極パッドのうちのいくつかは、前記ワイヤにより前記タブと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置であって、前記タブは前記封止体の実装面に一面を露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１記載の半導体装置であって、前記タブは前記第１の半導体チップの周囲よりも内側に配置されており、前記タブの周囲より外側で前記第１の半導体チップの第２の面が前記絶縁性樹脂と密着していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
絶縁性樹脂からなる封止体と、半導体チップを支持するタブと、前記封止体の実装面に一面を露出する複数のリードと、前記封止体内に位置し回路形成面である第１の面およびその反対側の第２の面を有し、前記タブの一面に接着剤を介して支持される第１の半導体チップと、前記第１の半導体チップの前記第１の面の周縁部に形成された複数の電極パッドと、前記電極パッドと前記リードとを電気的に接続する導電性のワイヤと、回路形成面である第１の面およびその反対側の第２の面を有し前記第１の半導体チップの第１の面に積層搭載された第２の半導体チップと、前記第２の半導体チップの第１の面に形成された複数の電極パッドと前記リードとを電気的に接続する導電性のワイヤとを有する半導体装置であって、前記タブは枠状に形成されており、前記第１の半導体チップは，その第１の面の電極パッドよりも内側で枠状のタブの一面と接着しており、前記第２の半導体チップは前記枠状のタブの開口部の内側で前記第１の半導体チップの第１の面に位置し、前記枠状のタブと前記第２の半導体チップは同一平面上に接着されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置であって、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップは、それぞれの第１の面に形成された電極パッドのいくつかが前記導電性のワイヤにより互いに接続、または前記枠状のタブに前記導電性のワイヤにより接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７記載の半導体装置であって、前記第１の半導体チップの第２の面は前記封止体の実装面に露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項７記載の半導体装置であって、前記第１の半導体チップの第２の面は前記絶縁性樹脂で封止されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
絶縁性樹脂からなる封止体と、半導体チップを支持するタブと、前記封止体の実装面に一面を露出する複数のリードと、前記封止体内に位置し回路形成面である第１の面およびその反対側の第２の面を有し、前記タブの一面に接着剤を介して支持される第１の半導体チップと、前記第１の半導体チップの前記第１の面の周縁部に形成された複数の電極パッドと、前記電極パッドと前記リードとを電気的に接続する導電性のワイヤとを有する半導体装置であって、回路形成面である第１の面およびその反対側の第２の面を有する第２の半導体チップを有し、前記第２の半導体チップの前記第２の面は前記タブの一方の面に接着されており、前記第２の半導体チップの前記第１の面に形成された複数の電極パッドと前記電極パッドと前記リードとが導電性のワイヤにより電気的に接続され、前記第１の半導体チップの前記第１の面は前記タブの他方の面と接着しており、前記タブおよび前記第２の半導体チップは前記第１の半導体チップの前記第１の面の前記電極パッドよりも内側にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置であって、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップは、それぞれの第１の面に形成された前記電極パッドのいくつかが前記導電性のワイヤにより互いに接続、または前記タブに前記導電性のワイヤにより接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１１記載の半導体装置であって、前記第１の半導体チップの前記第２の面は前記封止体の実装面に露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１１記載の半導体装置であって、前記第１の半導体チップの前記第２の面は前記絶縁性樹脂で封止されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（３）絶縁性樹脂からなる封止体と、第１の面およびその反対側の第２の面を有し半導体チップを支持するタブと、前記封止体の実装面に一面を露出する複数のリードと、前記封止体内に位置し、回路形成面である第１の面およびその反対側の第２の面を有し、前記タブの一面に接着剤を介して支持される第１の半導体チップと、前記第１の半導体チップの第１の面の周縁部に形成された複数の電極パッドと前記リードとを電気的に接続する導電性のワイヤとを有する半導体装置であって、回路形成面である第１の面およびその反対側の第２の面を有する第２の半導体チップを有し、前記第２の半導体チップの第２の面は前記タブの第１の面に接着されており、前記第２の半導体チップの第１の面に形成された複数の電極パッドと前記リードとが導電性のワイヤにより電気的に接続され、前記第１の半導体チップは、前記タブの第２の面と接着しており、前記タブおよび前記第２の半導体チップは第１の半導体チップの第１の面の電極パッドよりも内側にあるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月21日(2005.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信相手と時間情報を共有することが可能な無線通信装置であって、無線通信を行なう高周波部及び前記無線通信用のデータ処理を行なうベースバンド部を有し、
前記高周波部は無線通信に第１クロック信号を利用し、
前記ベースバンド部は、前記第１クロック信号を利用してデータ処理と前記時間情報を共有するための計時動作を行ない、前記第１クロック信号を停止した状態において第２クロック信号を利用してタイマ動作と前記時間情報を共有するための計時動作を行ない、前記タイマ動作によって第１クロック信号の生成開始タイミングを形成することを特徴とする無線通信装置。
【請求項２】
前記第１クロック信号を生成するための温度補償されたクロック信号発振源と、前記第１クロック信号のクロック発振源より低い精度で前記第２クロック信号を生成するクロック発振源とを別々に有することを特徴とする請求項１記載の無線通信装置。
【請求項３】
前記計時動作によって共有する時間情報は、ネットワークに参加するマスタ通信装置とスレーブ通信装置が共有する仮想時計による時間情報であることを特徴とする請求項１記載の無線通信装置。
【請求項４】
前記第１クロック信号を利用して前記計時動作を行なうためのカウンタと、前記第２クロック信号を利用して前記計時動作を行なうためのカウンタとを別々に有することを特徴とする請求項３記載の無線通信装置。
【請求項５】
前記ネットワークはブルートゥースシステムのピコネットであることを特徴とする請求項３記載の無線通信装置。
【請求項６】
前記ベースバンド部は前記データ処理を行なう中央処理装置を有し、前記中央処理装置は前記第１クロック信号に基づいて形成された動作クロック信号に同期動作することを特徴とする請求項１記載の無線通信装置。
【請求項７】
前記高周波部は前記中央処理装置によってアクセスされる無線通信号動作の有限状態遷移制御レジスタを複数個有し、所定の有限状態遷移制御レジスタは、高周波部の内部回路に前記第１クロック信号を供給するのを停止することを指示する制御情報が選択的に格納可能であること特徴とする請求項６記載の無線通信装置。
【請求項８】
前記ベースバンド部は前記タイマ動作を行なうタイマを有し、前記タイマによる前記第１クロック信号の生成開始タイミングを可変可能とするレジスタを有し、前記レジスタは前記中央処理装置がアクセス可能であることを特徴とする請求項６又は７記載の無線通信装置。
【請求項９】
前記高周波部はリセット端子に入力されるリセット信号によるリセット解除に同期して第１クロック信号の生成動作を開始し、
前記ベースバンド部は、前記リセット信号が供給され、リセット信号によるリセットの指示を保持手段に保持し、保持したリセット指示を、第１クロック信号のクロック生成状態が所定の状態に達した後に解除することを特徴とする請求項１記載の無線通信装置。
【請求項１０】
前記保持手段は、カウンタであり、リセット信号によるリセットの指示で初期化され、第１クロック信号のクロック変化を計数し、計数値が所定値達したとき、内部リセット信号にリセット解除を指示させることを特徴とする請求項９記載の無線通信装置。
【請求項１１】
外部から第１クロック信号を入力し、無線通信用のベースバンド処理を行なう半導体集積回路化されたマイクロコンピュータであって、中央処理装置、高周波部に接続されるベースバンド処理回路、クロック発生回路、クロック制御回路及びタイマを有し、
前記中央処理装置は第１クロック信号に基づいて生成されるクロック信号を動作基準クロック信号として動作し、
前記クロック発生回路は第２クロック信号を生成し、
前記クロック制御回路は前記第１クロック信号の生成開始と停止を制御する制御信号を出力し、
前記ベースバンド処理回路は前記無線通信の相手と共有するための時間情報を生成可能であり、前記時間情報の生成には前記第１クロック信号を用いた計時動作又は前記第１クロック信号の停止時に前記第２クロック信号を用いた計時動作を利用し、
前記タイマは前記第１クロック信号を停止したとき前記第２クロック信号を利用して前記第１クロック信号の生成開始タイミングを形成して前記クロック制御回路に与えることを特徴とするマイクロコンピュータ。
【請求項１２】
前記時間情報は、ネットワークに参加するマスタ通信装置とスレーブ通信装置が共有する仮想時計による時間情報であることを特徴とする請求項１１記載のマイクロコンピュータ。
【請求項１３】
前記第１クロック信号を用いた計時動作を行なうためのカウンタと、前記第２クロック信号を用いた計時動作を行なうためのカウンタとを別々に有することを特徴とする請求項１２記載のマイクロコンピュータ。
【請求項１４】
前記ネットワークはブルートゥースのピコネットであることを特徴とする請求項１２記載のマイクロコンピュータ。
【請求項１５】
前記タイマによる前記第１クロック信号の生成開始タイミングを可変可能とするレジスタを有し、前記レジスタは前記中央処理装置がアクセス可能であることを特徴とする請求項１１記載のマイクロコンピュータ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月1日(2005.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記中間周波同調回路と前記中間周波増幅回路との間を結合するための第一のスイッチダイオードを設け、前記テレビジョン信号の受信時には前記第一のスイッチダイオードをオンとし、前記ＦＭ放送信号の受信時には前記第一のスイッチダイオードをオフとしたことを特徴とする請求項２に記載のテレビジョンチューナの中間周波回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、前記中間周波同調回路と前記中間周波増幅回路との間を結合するための
第一のスイッチダイオードを設け、前記テレビジョン信号の受信時には前記第一
のスイッチダイオードをオンとし、前記ＦＭ放送信号の受信時には前記第一のス
イッチダイオードをオフとした。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月25日(2005.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信信号を周波数変換して得られた信号の周波数よりも低い周波数で前記信号をサンプリングするアンダーサンプリング方式を用いた受信装置であって、
高周波信号に対して所定の周波数帯域で帯域制限を行う高周波帯域制限手段と、
前記高周波帯域制限手段で帯域制限された高周波信号を中間周波数の信号（以下「中間周波信号」という。）に変換する周波数変換手段と、
カスコード接続された複数の帯域制限フィルタを有し、前記中間周波信号に対して帯域制限を行う中間周波帯域制限手段と、
を備えたことを特徴とするアンダーサンプリング方式を用いた受信装置。
【請求項２】
前記中間周波帯域制限手段は、
第１の帯域制限フィルタ、前記第１の帯域制限フィルタよりも狭い通過帯域の第２の帯域制限フィルタ、および前記第１の帯域制限フィルタよりも狭い通過帯域の第３の帯域制限フィルタを有し、
前記第１の帯域制限フィルタと前記第２の帯域制限フィルタ、並びに、前記第１の帯域制限フィルタと前記第３の帯域制限フィルタはそれぞれカスコード接続されていることを特徴とする請求項１記載のアンダーサンプリング方式を用いた受信装置。
【請求項３】
前記第２の帯域制限フィルタの通過帯域は第１の無線システムに適した通過帯域であり、
前記第３の帯域制限フィルタの通過帯域は第２の無線システムに適した通過帯域であり、
前記第１の帯域制限フィルタの通過帯域は前記第１の無線システムおよび前記第２の無線システムに共通の通過帯域であることを特徴とする請求項２記載のアンダーサンプリング方式を用いた受信装置。
【請求項４】
受信信号を周波数変換して得られた信号の周波数よりも低い周波数で前記信号をサンプリングするアンダーサンプリング方式を用いた受信装置であって、
高周波信号に対して所定の周波数帯域で帯域制限を行う高周波帯域制限手段と、
前記高周波帯域制限手段で帯域制限された高周波信号を中間周波数の信号（以下「中間周波信号」という。）に変換する周波数変換手段と、
複数の帯域制限フィルタを有し、前記中間周波信号に対して帯域制限を行う中間周波帯域制限手段と、
を備えたことを特徴とするアンダーサンプリング方式を用いた受信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月23日(2005.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
前記画像入力工程が、媒体上に形成された画像を読み取って画像データを入力する画像読み取り装置を用いて入力することを特徴とする請求項９から１１までのいずれか１項に記載の電子署名方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記署名データ作成工程が、複数の署名データを作成し、
前記署名ファイル作成工程が、複数の署名データを含む署名ファイルを作成する
ことを特徴とする請求項９から１２までのいずれか１項に記載の電子署名方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月22日(2004.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の機器と回線で構成されるネットワークの構成情報を管理するサーバ及びユーザが利用する端末が設けられ、前記サーバがＲＤＢ管理部と、ＤＤＢ管理部とを備えるネットワーク構成情報管理システムにおいて、
前記ＲＤＢ管理部に格納された第１データを変換して前記ＤＤＢ管理部に格納するステップと、
前記ＤＤＢ管理部に格納された第２データを変換してユーザ情報管理部に格納し、ユーザ情報を作成するステップと、
前記作成するステップにより作成された前記ユーザ情報を取得し、前記端末を介して前記ユーザに前記ユーザ情報を提供するステップと、を含む
ことを特徴とするシステム構成情報取得方法。
【請求項２】
複数の機器と回線で構成されるネットワークの構成情報を管理するＲＤＢ管理部及びデータをディレクトリ形式にて保存したＤＤＢ管理部を備えたサーバ及びユーザ端末を備えたネットワーク構成情報管理システムにおいて、
前記サーバは、さらにデータ変換部、ユーザ情報作成部及びユーザ情報管理部を備え、
前記データ変換部は、前記ＲＤＢ管理部に格納された表形式のデータを変換して前記ＤＤＢ管理部に前記ディレクトリ形式にて格納し、
前記ユーザ情報作成部は、前記ＤＤＢ管理部に格納されたデータからユーザ情報を作成し、前記ユーザ情報管理部に格納し、
前記ユーザ端末は、前記ユーザ情報管理部から前記ユーザ情報を取得し、前記ユーザ端末を介して前記ユーザ情報を前記ユーザに提供する構成情報取得部を備える
ことを特徴とするネットワーク構成情報管理システム。
【請求項３】
請求項２記載のネットワーク構成情報管理システムにおいて、
前記構成情報取得部は、さらに前記ＲＤＢ管理部に格納された前記表形式のデータ、前記ＤＤＢ管理部に格納された前記ディレクトリ形式のデータ及び前記ユーザ情報の何れかを取得し、前記ユーザ端末を介し前記ユーザに提供する
ことを特徴とするネットワーク構成情報管理システム。
【請求項４】
請求項２記載のネットワーク構成情報管理システムにおいて、
前記ＲＤＢ管理部は、前記ネットワークを構成するオブジェクトである拠点、機器、ポートの管理情報、及びオブジェクト同士の接続情報を含み、
前記データ変換部は、前記ＲＤＢ管理部に格納されたデータから前記オブジェクト同士の接続関係を作成し、従属関係を拠点、機器、ポートの順に作成する
ことを特徴とするネットワーク構成情報管理システム。
【請求項５】
請求項４記載のネットワーク構成情報管理システムにおいて、
前記データ変換部は、上記拠点、機器、ポートの従属関係に基づいて前記オブジェクトのデータを前記ＤＤＢ管理部に格納する
ことを特徴とするネットワーク構成情報管理システム。
【請求項６】
請求項５記載のネットワーク構成情報管理システムにおいて、
前記ユーザ情報作成部は、前記ＤＤＢ管理部に格納されたデータを取得して前記オブジェクトの表示座標を算出し、前記オブジェクトの従属関係、接続関係、前記表示座標を含む前記ユーザ情報を作成する
ことを特徴とするネットワーク構成情報管理システム。
【請求項７】
請求項３記載のネットワーク構成情報管理システムにおいて、
前記構成情報取得部は、さらに前記ＲＤＢ管理部からオブジェクトの一覧を検索表示し、上記ユーザ情報を取得して構成図をアイコン表示し、前記アイコン表示された前記オブジェクトを選択すると、前記ＤＤＢ管理部から前記オブジェクトの管理情報を検索表示する
ことを特徴とするネットワーク構成情報管理システム。
【請求項８】
請求項７記載のネットワーク構成情報管理システムにおいて、
前記ユーザ端末にて前記オブジェクトに関する情報を変更し、当該変更箇所を該当する前記ユーザ情報に反映する
ことを特徴とするネットワーク構成情報管理システム。
【請求項９】
複数の機器と回線で構成されるネットワークの構成情報を管理するＲＤＢ管理部及びデータをディレクトリ形式にて保存したＤＤＢ管理部を備えたサーバから前記構成情報をユーザ情報として取得し、ユーザに対し提供するネットワーク構成情報表示装置において、
前記表示装置は、入力部、一覧表示部、構成図表示部、管理情報表示部、及び稼動情報表示部を有し、
前記入力部は、前記ユーザにより入力される入力条件を受け付け、
前記一覧表示部は、前記入力条件に基づき、前記ＲＤＢ管理部から前記入力条件に該当する前記機器の稼動情報一覧を取得後表示し、
前記構成図表示部は、前記サーバが有するユーザ情報管理部から前記入力条件に該当するユーザ情報を取得後、オブジェクト間接続構成図を表示し、
前記管理情報表示部は、前記ＤＤＢ管理部から前記入力条件に該当する前記機器の管理情報を取得後、該管理情報を表示する
ことを特徴とするネットワーク構成情報表示装置。
【請求項１０】
請求項９記載のネットワーク構成情報表示装置において、
前記オブジェクト間接続構成図は、前記ネットワークにおける各拠点、該各拠点に設けられている機器、及び該機器のポート間の接続関係を示した図である
ことを特徴とするネットワーク構成情報表示装置。
【請求項１１】
請求項９記載のネットワーク構成情報表示装置において、
前記ユーザ情報管理部は、前記構成図表示部を介し、前記ユーザによる前記入力条件を操作ログ情報として取得し、前記操作ログ情報を解析後、該当するユーザ情報を更新し、
前記稼動情報表示部は、前記構成図表示部により表示された前記接続構成図を通して前記ユーザにより入力された前記入力条件に従い、接続機器の利用率を一覧にて表示する
ことを特徴とするネットワーク構成情報表示装置。