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【手続補正書】
【提出日】平成16年4月23日(2004.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置およびその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、誘電体膜と、第２の電極とからなるキャパシタを有する半導体装置であって、該誘電体膜は、五酸化ニオブ膜又は、五酸化タンタルと五酸化ニオブとの混合物からなる膜のいずれかによる第１の膜と、五酸化タンタル膜又は、五酸化ニオブ膜又は、五酸化タンタルと五酸化ニオブの混合物からなる膜のいずれかによる第２の膜との積層膜とを含み、該第１の膜は該第１の電極側にあり、前記第１の膜と前記第２の膜の結晶粒界は前記第１の膜と前記第２の膜の界面において分断されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の電極と、誘電体膜と、第２の電極とからなるキャパシタを有する半導体装置であって、該誘電体膜は、五酸化ニオブ膜からなる第１の膜と該第１の膜上に形成された五酸化タンタル膜からなる第２の膜との積層膜とを含み、該第１の膜は該第１の電極側にあり、前記第１の膜と前記第２の膜の結晶粒界は前記第１の膜と前記第２の膜の界面において分断されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
第１の電極と、誘電体膜と、第２の電極とからなるキャパシタを有する半導体装置であって、該誘電体膜は、五酸化ニオブ膜からなる第１の膜と該第１の膜上に形成された五酸化ニオブ膜からなる第２の膜との積層膜とを含み、該第１の膜は該第１の電極側にあり、前記第１の膜と前記第２の膜の結晶粒界は前記第１の膜と前記第２の膜の界面において分断されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の電極と、誘電体膜と、第２の電極とからなるキャパシタを有する半導体装置であって、該誘電体膜は、五酸化タンタルと五酸化ニオブとの混合物からなる第１の膜と該第１の膜上に形成された五酸化タンタルと五酸化ニオブの混合物からなる第２の膜との積層膜とを含み、該第１の膜は該第１の電極側にあり、前記第１の膜と前記第２の膜の結晶粒界は前記第１の膜と前記第２の膜の界面において分断されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記第１の膜と前記第２の膜は、ほぼ同じ五酸化タンタルと五酸化ニオブの組成比で構成されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の膜は、前記第１の電極上に形成された後に熱処理された膜であり、前記第２の膜は、該熱処理された第１の膜の上に形成された後に熱処理された膜であることを特徴とする請求項１から請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記誘電体膜を構成する前記第１又は前記第２の膜のうち、いずれかは、その膜厚が５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１から請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２の電極は窒化チタンからなることを特徴とする請求項１から請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１の電極は多結晶シリコンからなることを特徴とする請求項１から請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１の膜におけるニオブに対するタンタルの組成比は４０原子パーセント以下であることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第１の電極表面には、粒状のシリコン結晶による凹凸が形成されていることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第１の電極はルテニウム、白金、銅のいずれかからなることを特徴とする請求項１から請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第１の膜におけるニオブに対するタンタルの組成比は９０原子パーセント以下であることを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記キャパシタは、ルテニウムからなる前記第１の電極と多結晶シリコンからなるプラグを、窒化チタン、アルミを添加した窒化チタン、窒化タンタル、シリコンを添加した窒化タンタルのいずれかからなるバリアメタルを介して電気的に接続していることを特徴とする請求項１から請求項８または請求項１３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記半導体装置は、メモリ、ロジック回路、アナログ回路の何れかを含むことを特徴とする請求項１から請求項１４に記載の半導体装置。
【請求項１６】
半導体基板上にキャパシタの第１の電極を形成する工程と、
前記第１の電極上に五酸化ニオブ膜又は、五酸化タンタルと五酸化ニオブとの混合物からなる膜のいずれかによる第１の膜を形成する工程と、
前記第１の膜上に五酸化タンタル膜又は、五酸化ニオブ膜又は、五酸化タンタルと五酸化ニオブの混合物からなる膜のいずれかによる第２の膜を形成する工程と、
前記第２の膜上に第２の電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第１の膜は、前記第１の電極上に形成された後に熱処理により結晶化され、前記第２の膜は、該結晶化された第１の膜の上に形成された後に熱処理されることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
誘電体膜を構成する前記第１又は前記第２の膜のうち、いずれかは、その膜厚が５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１６または請求項１７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第２の電極は窒化チタンからなることを特徴とする請求項１６から請求項１８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記第１の電極は多結晶シリコンからなることを特徴とする請求項１６から請求項１９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記第１の膜におけるニオブに対するタンタルの組成比は４０原子パーセント以下であることを特徴とする請求項１６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記第１の電極はルテニウム、白金、銅のいずれかからなることを特徴とする請求項１６、請求項１７、請求項１８、請求項１９、請求項２１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月10日(2004.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
この場合に、析出層形成膜の厚さが、約１ｎｍ以上且つ約２０ｎｍ以下であることが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
次に、図５（ｅ）に示すように、ＣＶＤ法を用いて、層間絶縁膜１２の上に、チタンからなる析出層１４ａが形成された下部電極１５Ｂを覆うように、膜厚が約２０ｎｍのＢＳＴからなる容量絶縁膜１６Ａを成膜する。このとき、第２の実施形態の特徴として、ＢＳＴの原料には第１の実施形態と同様にＢａ（ＴＨＤ）2 、Ｓｒ（ＴＨＤ）2 、及びＴｉ（ＴＨＤ)2（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）2 をＴＨＦに溶解して用いるが、ＢＳＴの成膜開始から最初の３ｎｍ程度は、チタン源であるＴｉ（ＴＨＤ)2（Ｏ−ｉ−Ｐｒ）2 の供給量を低減して成膜する。これにより、チタンからなる析出層１４ａを設けていても、下部電極１５Ｂとの界面の近傍におけるチタンの組成が他の領域と同等となる容量絶縁膜１６Ａが成膜される。続いて、スパッタ法又はＣＶＤ法により、容量絶縁膜１６Ａの上に、膜厚が約１００ｎｍの白金（Ｐｔ）からなる上部電極形成膜１７を成膜する。これにより、それぞれが下部電極１５Ｂ、容量絶縁膜１６Ａ及び上部電極形成膜１７により構成される複数のキャパシタを得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月11日(2004.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【実施例２】
Ｃｕ同士を接続する工程が要求されている。現在はボードやパッケージの銅配線基板に鉛を主成分とするバンプを介してチップを接続する工程が一般的である。今後は鉛バンプを介さずにＣｕ金属同士を接続する工程が増えると予想する。これが安定になると、インターポーザーに直接にＣｕバンプをぶつけて接続できるし、太いＣｕを用いた高速配線が形成されたチップを高速トランジスタが形成されたＣｕ配線チップに直接に接続することができる。Ｃｕ金属同士はきれいな金属表面ができていれば押し付けて接続できることが分かっていて、問題はきれいな金属表面を露出させて安定に接続する装置技術である。蟻酸で安定に清浄表面を形成させる装置技術を実現した。装置の構成を図５に示す。ステンレスの反応室に図3の供給器で蟻酸を導く。上部のヒーターには全面にＣｕをスパッタしたＳｉウエハが貼り付けてあり、上から一定の圧力で押すことができる。下部のセラミクスヒーターにはＣｕバンプを形成した試料を複数個載せる。バンプはＴｉＮをスパッタリングで成長させたシリコンウエハにレジストで直径０．１ｍｍの孔を形成してそれに電解めっきでＣｕを成長させて、レジスト除去をして作製した。それを一定の大きさに切断してバンプチップを作製し、それを毎回１０個置いて下部の試料とした。窒素５００ＳＣＣＭでバブリングして蟻酸を排気しながら導入した。導入は試料の表面をよくなぞるように、水平に分散させた流れがヒーター同士の隙間を通過するように構造を工夫した。ヒーター温度を１００℃とし６のコールドトラップまで排気管を含めて１００℃に過熱した。この処理のあと速やかに上部ヒーターを５ｋｇの重さで押し付けて1分経過させてＣｕ金属同士を接続した。よく接続できたものと接続しなかったチップの数で歩留まりの相対評価をおこなった。このときテープをバンプチップ裏面に貼り、Ｃｕ同士が接続して剥がれないものを良品という判断基準にした。その結果を表２に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月6日(2005.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のマイクロチャネルを有するダイと、
前記マイクロチャネルと流体結合された凝縮器と、を備え、前記ダイが、前記ダイによる加熱によって流体を蒸発させ、前記流体を前記凝縮器に向かって移動させる、ことを特徴とする半導体ダイを冷却する冷却装置。
【請求項２】
さらに、前記ダイと結合して、前記マイクロチャネルを密封し、前記マイクロチャネルによって、前記流体の複数の流体導管を形成するプレートを備えることを特徴とする、請求項１に記載の冷却装置。
【請求項３】
さらに、前記凝縮器から前記マイクロチャネルに冷流体を連絡させる第１の流体導管を備えることを特徴とする、請求項１に記載の冷却装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月27日(2004.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号処理を行う集積回路の形成された半導体片と、この半導体片に形成され前記集積回路の信号線に接続された信号用電極と、前記半導体片に形成され前記集積回路の基準電圧線に接続された基準用電極と、前記半導体片を囲むパッケージと、前記信号用電極とその隣の電極との距離よりも広い間隔で前記パッケージに列設された外部接続用端子と、前記パッケージ内に複数設けられそのうち何れかが前記外部接続用端子の何れかと前記信号用電極とを接続し何れか他のものが前記外部接続用端子の何れか他のものと前記基準用電極とを接続する金属細線とを備えた半導体装置において、前記基準用電極を複数にして前記半導体片上で前記信号用電極の両側に配置するとともに短絡させたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記信号用電極が前記基準用電極の並びからずれていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記基準用電極またはそれらを短絡しているところから前記信号用電極の両脇に導電体が延びていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体片から離してテーパ状導電体が設けられ、その基端側が前記基準用電極に対して間接的に接続され、その先端側が前記金属細線のうち前記信号用電極に接続されているものの近くに置かれていることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載された半導体装置。
【請求項５】
前記信号用電極とそれに前記金属細線にて接続された前記外部接続用端子との間を埋めるパッケージ材は、前記金属細線の向きに沿って連続的に又は段階的に誘電率の異なるものであることを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載された半導体装置。
【請求項６】
信号処理を行う集積回路の形成された半導体チップであって、この半導体片に形成され前記集積回路の信号線に接続された信号用電極と、前記集積回路の基準電圧線に接続された基準用電極と、前記基準用電極を複数にして前記信号用電極の両側に配置するとともに短絡させ、前記基準用電極を接続する導体層に対し立体交差するよう設けられた信号線を有すること特徴とする半導体チップ。
【請求項７】
前記信号用電極が前記基準用電極の並びからずれていることを特徴とする請求項６記載の半導体チップ。
【請求項８】
前記基準用電極またはそれらを短絡しているところから前記信号用電極の両脇に導電体が延びていることを特徴とする請求項７記載の半導体チップ。
【請求項９】
前記信号線で伝達される信号は、高周波信号であることを特徴とする請求項６、請求項７乃至請求項８に記載の半導体チップ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】このような第５の解決手段の半導体装置にあっては、信号用電極から外部接続用端子に至る金属細線と基準用電極から外部接続用端子に至る金属細線との距離が狭いところでは、パッケージ材の誘電率が小さくされ、金属細線間の距離が広いところでは、誘電率が大きくされる。これにより、金属細線の間に分布する寄生容量の分布変化は、金属細線間の距離の変化に比べて、緩やかになる。したがって、この発明によれば、電極の列設ピッチが外部接続用端子の列設ピッチより狭いままでも高周波信号をより適切に処理しうる半導体装置を実現することができる。また上記の解決手段にあたっては、信号処理を行う集積回路の形成された半導体チップであって、この半導体片に形成され前記集積回路の信号線に接続された信号用電極と、前記集積回路の基準電圧線に接続された基準用電極と、前記基準用電極を複数にして前記信号用電極の両側に配置するとともに短絡させ、前記基準用電極を接続する導体層に対し立体交差するよう設けられた信号線を有すること特徴とする。さらに前記信号用電極が前記基準用電極の並びからずれていることを特徴とする半導体チップ用いることで実現できる。また、前記半導体チップは、基準用電極またはそれらを短絡しているところから前記信号用電極の両脇に導電体が延びていることを特徴し、前記信号線で伝達される信号は、高周波信号であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月27日(2004.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、入力信号の立上り、立下りのエッジに呼応してそれぞれ１つづつパルス信号を出力するワンショットパルス発生回路に関するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
図１は従来のワンショットパルス発生回路である。この回路は、１つの入力信号を、インバータ１よりなる経路Ａと、インバータ２、３およびコンデンサ４よりなる経路Ｂとに導き、それらの経路通過後の信号をＡＮＤゲート５に入力し、また、経路Ａの出力信号を、インバータ６よりなる経路Ｃと、インバータ７、８およびコンデンサ９よりなる経路Ｄとに導き、それらの経路通過後の信号をＡＮＤゲート１０に入力している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
これは例えばＡＮＤゲート５にてオフパルスを出力するには、前段階として、入力がＨレベル時に経路Ｂでの反応が完了して経路ＢのＡＮＤ入力(Ｃ点)がＨレベルになっている必要がある。(このとき、Ｄ点はＬレベルでこの状態で入力がＨレベルからＬレベルに切替わると、Ｄ点はＬレベルからＨレベルへ直ちに切替わるが、Ｃ点はコンデンサ４により、Ｈレベルへ上昇している途中でＬレベルへ変化し始めてしまい、ＡＮＤゲート５ではＨレベルと認識されない(しきい値に達しない)ために端子Ｅにワンショットパルスは出力されない。)
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
実施形態４
図８は本発明の第４実施形態を示したワンショットパルス発生回路であり、回路構成は図１におけるインバータ２、３、７、８に替えて、Ｐ型およびＮ型のトランジスタの対２３、２４、２５、２６を採用しており、それらのトランジスタ対にＶp、Ｖnを設定(バックゲート効果：ＭＯＳトランジスタでは通常、バックグランドとソースをショートとして用いるが、ソース端子が基板電位と電位差を持つと、トランジスタのしきい値Ｖthが定数分上乗せされてくる現象)してしきい値を設定する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
Ｖp、Ｖnに回路内部電圧を利用することが可能で、又、抵抗素子などを介して電源(ＧＮＤ)へ接続することも可能である。バックゲート効果を利用することで、レイアウト面積はほぼ従来のままで上述した実施形態と同じ効果を得ることが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月8日(2004.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
請求項１に記載の増幅器において、
前記第２の増幅段の電圧増幅率をＡ２、出力インピーダンスをＲ２とし、前記直列抵抗をＲ４とし、前記第２の容量をＣ２とするとき、該Ｒ４の値を、
Ｒ４＞＞Ｒ２／Ａ２
の関係に設定したことを特徴とする増幅器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２にかかる発明は、請求項１に記載の増幅器において、前記第２の増幅段の電圧増幅率をＡ２、出力インピーダンスをＲ２とし、前記直列抵抗をＲ４とし、前記第２の容量をＣ２とするとき、該Ｒ４の値を、
Ｒ４＞＞Ｒ２／Ａ２
の関係に設定したことを特徴とする増幅器とした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の実施の形態の増幅器を示すブロック図である。１，２，３はそれぞれ増幅率がＡ１，Ａ２，Ａ３で、出力インピーダンスがＲ１，Ｒ２，Ｒ３の増幅段である。なお、増幅段２は正転（非反転）型、増幅段３は反転型である。増幅段１は正転、反転いずれでもよい。Ｃｐ，Ｃｄ，Ｃｆは各増幅段１，２，３の出力側と接地との間の寄生容量（値もＣｐ，Ｃｄ，Ｃｆ）、Ｃ１，Ｃ２は位相補償用の容量（値もＣ１，Ｃ２）である。さらに、本実施形態では、容量Ｃ２に直列に抵抗Ｒ４（値もＲ４）を接続している。なお、（Ｃ１，Ｃ２）＞＞（Ｃｐ，Ｃｄ，Ｃｆ）である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月7日(2004.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
なお、本実施形態では、負帰還用スイッチ５ｐ・５ｍが特許請求の範囲に記載の第１スイッチに対応し、負帰還用キャパシタ６ｐ・６ｍが第１キャパシタに対応している。同様に、正帰還用スイッチ１１ｐ・１１ｍが第２スイッチに対応し、正帰還用キャパシタ１２ｐ・１２ｍが第２キャパシタに対応している。また、演算増幅器２および上記各スイッチが制御手段に対応する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月24日(2005.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】封止用基板及びその製造方法、有機ＥＬパネル並びに電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板に、１つ又はそれ以上の凹部とそれぞれの前記凹部の隣に位置するマークと、を同時に形成し、
（ｂ）１つの前記凹部及び前記マークを有する領域の外側で、前記基板を切断することを含む封止用基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の封止用基板の製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記基板に複数の開口を有するマスクを設け、前記基板における前記マスクの前記開口から露出した部分を削って、前記凹部と前記マークを同時に形成する封止用基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の封止用基板の製造方法において、
前記（ｂ）工程で、前記基板から、それぞれが１つの前記凹部と前記マークを有する複数のチップ基板を得る封止用基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の封止用基板の製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記基板に、それぞれの前記凹部の隣に複数の前記マークを形成し、
前記（ｂ）工程で、前記基板から、それぞれが１つの前記凹部と前記複数のマークを有する複数のチップ基板を得る封止用基板の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の封止用基板の製造方法において、
前記（ａ）工程で、それぞれの前記凹部を多角形の開口形状を有するように形成し、１つの前記マークを前記多角形の１つの角部の隣に形成する封止用基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の封止用基板の製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記複数のマークのうち、前記多角形の対向する一対の角部の隣に位置する一対のマークを、異なる形状で形成する封止用基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の封止用基板の製造方法において、
前記凹部を、マトリクス状に配列されるように形成する封止用基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の封止用基板の製造方法において、
前記マークを、前記基板の表裏面とは異なる粗さの底面を有するように形成する封止用基板の製造方法。
【請求項９】
請求項８記載の封止用基板の製造方法において、
前記基板は、光透過性を有し、
前記マークを、前記基板を透過する光によって認識できるように形成する封止用基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の封止用基板の製造方法において、
前記（ｂ）工程で、前記マークによって切断ラインの位置を決めて、前記基板を切断する封止用基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれかに記載の方法によって製造されてなる封止用基板。
【請求項１２】
請求項１１記載の封止用基板と、
前記封止用基板によって封止された表示部と、
を含む有機ＥＬパネル。
【請求項１３】
前記マークにより前記表示部と前記封止用基板との位置合わせを行ったことを特徴とする請求項１２記載の有機ＥＬパネル。
【請求項１４】
請求項１２又は１３記載の有機ＥＬパネルを含む電子機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、封止用基板及びその製造方法、有機ＥＬパネル並びに電子機器に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
（１２）本発明に係る有機ＥＬパネルは、上記封止用基板と、
前記封止用基板によって封止された表示部と、
を含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（１３）本発明に係る電子機器は、上記有機ＥＬパネルを含む。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月21日(2004.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
ベルト５はその内側にあるヒータ３および断熱ステイホルダ４に摺擦しなが
ら回転するためヒータ３および断熱ステイホルダ４とベルト５との間の摩擦抵抗
を小さく抑える必要がある。このためヒータ３および断熱ステイホルダ４の表面
に耐熱性グリース等の潤滑材を少量介在させてある。これによりベルト５はスム
ーズに回転することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月9日(2005.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
搬送テープに実装された素子に樹脂を塗布して上記素子を封止するポッティング装置において、
上記樹脂の塗布状態を検査する検査装置を有し、
この検査装置は、上記搬送テープの表側と裏側に対向配置された発光手段および受光手段と、
上記発光手段と上記受光手段との間に配置され、開口部が上記搬送テープの被検査部位に対応して設けられたマスク部材と、を有することを特徴とするポッティング装置。
【請求項２】
前記発光手段および前記受光手段を一体的に移動させる駆動部を設け、この駆動部によって前記発光手段および前記受光手段を移動させ、前記受光手段の受光量によって前記塗布状態の良否を検出することを特徴とする請求項１記載のポッティング装置。
【請求項３】
前記搬送テープの停止状態時に、前記塗布状態を前記検査装置により検査することを特徴とする請求項１または２記載のポッティング装置。
【請求項４】
搬送テープの表側と裏側に対向配置された発光手段および受光手段と、上記発光手段と上記受光手段との間に配置され、開口部が上記搬送テープの被検査部位に対応して設けられたマスク部材と、を有することを特徴とする封止状態検査装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上述の目的を達成するため、本発明のポッティング装置は、搬送テープに実装された素子に樹脂を塗布して素子を封止するポッティング装置において、樹脂の塗布状態を検査する検査装置を有し、この検査装置は、搬送テープの表側と裏側に対向配置された発光手段および受光手段と、発光手段と受光手段との間に配置され、開口部が搬送テープの被検査部位に対応して設けられたマスク部材と、を有している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上述の発明によれば、被検査部位に対応して設置された開口部を有し、被検査部位以外の部分を遮光するマスク部材が設けられている。このように、被検査部位以外を通過する光を遮断し、受光手段側へ光を漏らさない構成としたため、受光手段に必要な光以外の光（ノイズ）が入射せず、被検査部位の状態を容易に、しかも確実に検査することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、他の発明は、上述のポッティング装置において、発光手段および受光手段を一体的にスライド移動させる駆動部を設け、この駆動部によって発光手段および受光手段を移動させ、受光手段の受光量によって、塗布状態の良否を検出するようにしている。そのため、それほど大きな断面積の光路を有する光を発する必要が無く、検査を効率的に行うことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、他の発明は、上述の各ポッティング装置において、搬送テープの停止状態時に、塗布状態を検査装置により検査している。そのため、他工程となるポッティング動作とこのポッティングの後工程となる検査とを同期させて同時に行うことが可能となり、検査を効率的に行うことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の封止状態検査装置は、搬送テープの表側と裏側に対向配置された発光手段および受光手段と、発光手段と受光手段との間に配置され、開口部が搬送テープの被検査部位に対応して設けられたマスク部材と、を有している。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
そのため、被検査部位以外を通過する光を遮断し、受光手段側へ光を漏らさない構成としたため、受光手段に必要な光以外の光（ノイズ）が入射せず、被検査部位の状態を容易に、しかも確実に検査することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
なお、発光手段９１と搬送テープ３との間には、発光手段９１から発せられる光が、被検査部位となる素子封止部位以外の部分を通過して受光手段９２側へ漏れてしまうのを防止するマスク部材９３が設けられている。このマスク部材９３は、厚さ０．１ｍｍ程度の長方形の薄板部材で構成されている。そして、その両端が、支持板７２の幅方向両端に取り付けられたマスク部材取り付け枠９５，９５にネジ止め固定されている。マスク部材９３は、搬送テープ３と面対向配置され、良部材３，９３の面同士の隙間は約１０ｍｍ程度となっている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
また、マスク部材９３は、被検査部位となる樹脂充填部位に対応する位置にのみ発光手段９１から発せられるレーザー光を透過するための開口部９３ａが設けられると共に、その周囲が光の漏れを防止するマスク部９３ｂが設けられている。このため、マスク部材９３は、発光手段９１から受光手段９２に向かう検査用のレーザー光のみを開口部９３ａを透過させ、検査においてノイズとなる被検査部位以外の部分を通過する不要な光に関しては受光手段９２への透過をマスク部９３ｂが防止するものとなっている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月1日(2005.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハステージを備え、半導体ウエハを当該ウエハステージに載置して処理を施す方式のウエハ処理方法において、
前記ウエハステージに断熱層を備え、該断熱層の内側及び外側にそれぞれ設けられた温調溝に熱媒体を供給し、
前記ウエハ温度またはウエハステージ温度をモニタし、前記半導体ウエハ処理が制御されることを特徴とするウエハ処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載された発明において、
前記モニタは、モニタ結果にもとづいて熱媒体温度、または熱媒体流量を調節しながら、ウエハ処理が制御されることを特徴とするウエハ処理方法。
【請求項３】
ウエハステージを備え、半導体ウエハを当該ウエハステージに載置して処理を施す方式のウエハ処理方法において、
前記ウエハステージの保持機構を複数のウエハステージ間で共通化し、
前記ウエハステージを異なった機能のウエハステージに交換して前記半導体ウエハの処理を行うことを特徴とするウエハ処理方法。
【請求項４】
半導体ウエハにプラズマ処理を施すための処理室と、該処理室内にプラズマを発生させるための手段と、前記半導体ウエハを積載し当該半導体ウエハに前記プラズマによる処理を施すためのウエハステージを備えたウエハ処理方法において、
前記ウエハステージの保持機構を複数のウエハステージ間で共通化し、
前記ウエハステージを異なった機能のウエハステージに交換して前記半導体ウエハの処理を行うものであり、
当該ウエハステージには、前記半導体ウエハにバイアス電圧を印加するための高周波電圧と、前記半導体ウエハと前記ウエハステージ間に電位差を与えるための直流電圧が印加されることを特徴とするウエハ処理方法。
【請求項５】
半導体ウエハにプラズマ処理を施すための処理室と、該処理室内にプラズマを発生させるための手段と、前記半導体ウエハを積載し当該半導体ウエハに前記プラズマによる処理を施すためのウエハステージを備えたウエハ処理方法において、
前記ウエハステージの保持機構を複数のウエハステージ間で共通化し、
前記ウエハステージを異なった機能のウエハステージに交換して前記半導体ウエハの処理を行うものであり、
当該ウエハステージには、前記半導体ウエハにバイアス電圧を印加するための高周波電圧と、前記半導体ウエハと前記ウエハステージ間に電位差を与えるための直流電圧が印加され、
前記ウエハステージに設けた温調溝には、温調材が循環されて温度制御されることを特徴とするウエハ処理方法。
【請求項６】
請求項５に記載された発明において、
前記半導体ウエハの温度と前記温調材の温度、それに前記ウエハステージの温度の何れかを監視し、ウエハ処理が制御されることを特徴とするウエハ処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月6日(2005.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
収容棚に並べて配置される光通信用パッケージにおいて、
基板の端面に取り付けられたフロントパネルと、
このフロントパネルに、回動可能に取り付けられたトレイと、
このトレイに取り付けられ、外部光コネクタと接続可能な光アダプタとを備え、
前記外部光コネクタと光アダプタとの接続時は、前記トレイを回転して外部光コネクタを光アダプタに水平方向から挿入可能にし、設置時は、前記光アダプタのコネクタ差込口が垂直方向を向くようにした光通信用パッケージ。
【請求項２】
収容棚に並べて配置される光通信用パッケージにおいて、
基板の端面に取り付けられたフロントパネルと、
このフロントパネルに、回動可能に取り付けられたトレイと、
このトレイに取り付けられ、外部光コネクタと接続可能な光アダプタと、
前記フロントパネルに対する前記トレイの回転範囲を規制する部材とを備え、
前記外部光コネクタと光アダプタとの接続時は、前記トレイを所定角度回転して外部光コネクタを光アダプタに挿入し、設置時は、前記光アダプタのコネクタ差込口が垂直方向を向くようにした光通信用パッケージ。
【請求項３】
光アダプタのコネクタ差込口が、垂直方向を向いた状態から所定の角度回転した時に、前記光アダプタと接続された光コネクタに流れる光信号を切るスイッチを備えた請求項１又は請求項２記載の光通信用パッケージ。
【請求項４】
トレイに取り付けられた光アダプタを覆うケースを備えた請求項１乃至請求項３記載のいずれかの光通信用パッケージ。
【請求項５】
光アダプタを覆うケースと、フロントパネルが面一になるようフロントパネルに凹部を設け、この凹部にトレイ及び光アダプタを収容したことを特徴とする請求項４記載の光通信用パッケージ。
【請求項６】
基板と光アダプタとを接続する光ケーブルを貫通させるフロントパネルの窓が、電磁波吸収部材で覆われていることを特徴とする、請求項１乃至請求項５記載のいずれかの光通信用パッケージ。
【請求項７】
光アダプタを多段に有することを特徴とする前記請求項１乃至請求項６記載のいずれかの光通信用パッケージ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明は、収容棚に並べて配置される光通信用パッケージにおいて、基板の端面に取り付けられたフロントパネルと、このフロントパネルに、回動可能に取り付けられたトレイと、このトレイに取り付けられ、外部光コネクタと接続可能な光アダプタとを備え、前記外部光コネクタと光アダプタとの接続時は、前記トレイを回転して外部光コネクタを光アダプタに水平方向から挿入可能にし、設置時は、前記光アダプタのコネクタ差込口が垂直方向を向くようにしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この発明は、収容棚に並べて配置される光通信用パッケージにおいて、基板の端面に取り付けられたフロントパネルと、このフロントパネルに、回動可能に取り付けられたトレイと、このトレイに取り付けられ、外部光コネクタと接続可能な光アダプタと、前記フロントパネルに対する前記トレイの回転範囲を規制する部材とを備え、前記外部光コネクタと光アダプタとの接続時は、前記トレイを所定角度回転して外部光コネクタを光アダプ
タに挿入し、設置時は、前記光アダプタのコネクタ差込口が垂直方向を向くようにしたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この発明は、光アダプタのコネクタ差込口が、垂直方向を向いた状態から所定の角度回転した時に、前記光アダプタと接続された光コネクタに流れる光信号を切るスイッチを備えたものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
【発明の効果】
この発明は、光アダプタの差込口が回転するので、外部光コネクタを光アダプタへ容易に接続することが可能であり、且つ、設置時は光アダプタの差込口が垂直方向に取り付けられているので、外部光ケーブルが占有するフロントパネルの前面の領域を削減することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
この発明は、光アダプタの差込口が所定の角度回転するので、外部光コネクタを光アダプタへ容易に接続できるとともに、光アダプタのコネクタ差込口を作業者の目に向けることを防止できる。さらに、設置時は光アダプタの差込口が垂直方向に取り付けられているので、外部光ケーブルが占有するフロントパネルの前面の領域を削減することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
この発明は、光アダプタのコネクタ差込口が垂直方向を向いた状態から所定の角度回転すると、光アダプタと接続された光コネクタに流れる光信号を切断するスイッチを備えているので、光アダプタのコネクタ差込口を作業者の目に向けたときに、作業者の目に光信号が照射されることを防止できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月17日(2005.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
電子部品を取り付ける支持部材に段部を設け、前記電子部品として高さの異なるものが複数設けられ、各電子部品の接続面の高さが同一となるように、前記段部の高さが設定されることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子機器及び電子部品の放熱方法に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、前記従来の問題に鑑みてなされたものであって、その第１の目的は放熱を必要とする電子部品の冷却効率を高めることができる電子機器及び電子部品の放熱方法を提供することにある。また、第２の目的は電子部品同士の接続構造を簡単にできる電子機器を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項３に記載の発明では、請求項２に記載の発明において、前記冷却流体は水である。この発明では、冷却流体の取り扱いが容易となる。
第２の目的を達成するため、請求項４に記載の発明では、電子部品を取り付ける支持部材に段部を設け、前記電子部品として高さの異なるものが複数設けられ、各電子部品の接続面の高さが同一となるように、前記段部の高さが設定されている。従って、この発明では、高さの異なる複数の電子部品を支持部材上に取り付ける際、電子部品を接続するために必要な銅バー等の接続部品の数を従来のものに比較して少なくできる。また、銅バーに段部を設ける必要がなく、その形状が単純になって接続構造を簡単にできる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
【発明の効果】
以上、詳述したように、請求項１〜請求項３、請求項６、請求項７及び請求項８に記載の発明によれば、放熱を必要とする電子部品の冷却効率を高めることができる。また、請求項４及び請求項５に記載の発明によれば、電子部品同士の接続構造を簡単にできる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月14日(2005.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部に立設された軸部材に回転可能に取付けられたガイドローラが、本体部に設けられたガイド溝内を移動することにより前記表示部の前記本体部に対する角度が変化可能に構成された電子機器におけるガイドローラであって、
前記軸部材に回転可能に軸支され前記ガイド溝と当接するガイド側部材と、
前記軸部材に回転可能に軸止され前記表示部と当接する表示部側部材と、
前記ガイド側部材と前記表示部側部材間に設けられ、該ガイド側部材を前記ガイド溝方向に弾性押圧し、該表示部側部材を前記表示部側に弾性押圧する弾性部材とを備えたことを特徴とするガイドローラ。
【請求項２】
前記ガイド側部材と表示部側部材には、相互に係合して該ガイド側部材と該表示部側部材とが共に回転するように作用するガイド側係合部と表示部側係合部が設けられていることを特徴とする請求項１記載のガイドローラ。
【請求項３】
前記弾性部材はコイルバネであるであることを特徴とする請求項１または請求項２記載のガイドローラ。
【請求項４】
前記ガイド側部材と表示部側部材には、各々前記コイルバネが係合するガイド側係合部と表示部側係合部が設けられていることを特徴とする請求項３記載のガイドローラ。
【請求項５】
前記ガイド部側部材と表示部側部材には、各々内側にガイド側凹所と表示部側凹所が設けられ、
前記コイルバネは、前記ガイド側凹所と表示部側凹所に挿入状態にあることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載のガイドローラ。
【請求項６】
前記弾性部材は、筒状のゴム部材であることを特徴とする  請求項１または請求項２記載のガイドローラ。
【請求項７】
前記表示部側部材の前記表示部との当接面が前記弾性部材の直径より小さい直径の当接面よりなることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載のガイドローラ。
【請求項８】
表示部に立設された軸部材に回転可能に取付けられたガイドローラが、本体部に設けられたガイド溝内を移動することにより前記表示部の前記本体部に対する角度が変化可能に構成された電子機器であって、
上記ガイドローラは、
前記軸部材に回転可能に軸支され前記ガイド溝と当接するガイド側部材と、
前記軸部材に回転可能に軸支され前記表示部と当接する表示部側部材と、
前記ガイド側部材と前記表示部側部材間に設けられ、該ガイド側部材を前記ガイド溝方向に弾性押圧し、該表示部側部材を前記表示部側に弾性押圧する弾性部材と、を備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、前記表示部が輪部材の前記表示部との当接面が前記弾性部材の直径より小さい直径の当接面よりなることを特徴とするものである。
また、表示部に立設された軸部材に回転可能に取付けられたガイドローラが、本体部に設けられたガイド溝内を移動することにより前記表示部の前記本体部に対する角度が変化可能に構成された電子機器であって、上記ガイドローラは、  前記軸部材に回転可能に軸支され前記ガイド溝と当接するガイド側部材と、前記軸部材に回転可能に軸支され前記表示部と当接する表示部側部材と、前記ガイド側部材と前記表示部側部材間に設けられ、該ガイド側部材を前記ガイド溝方向に弾性押圧し、該表示部側部材を前記表示部側に弾性押圧する弾性部材と、を備えたことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月19日(2005.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ側クラッド層とｐ側クラッド層との間に活性層がはさまれた構造および選択成長により形成されたリッジ構造を有する、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、
上記ｐ側クラッド層が上記活性層側から順にアンドープまたはｎ型の第１の層とｐ型不純物がドープされたｐ型の第２の層とからなり、かつ、上記第２の層がこの第２の層よりバンドギャップが大きい第３の層を有し、
上記リッジと下地層との成長界面が上記第１の層または上記第１の層と上記第２の層との間に上記第１の層と接してアンドープまたはｎ型の他の層が設けられる場合には上記第１の層もしくはこの他の層に含まれる
ことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
ｎ側クラッド層とｐ側クラッド層との間に活性層がはさまれた構造および選択成長により形成されたリッジ構造を有する、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体発光素子において、
上記ｐ側クラッド層が上記活性層側から順にアンドープまたはｎ型の第１の層とｐ型不純物がドープされたｐ型の第２の層とからなり、
上記リッジと下地層との成長界面が上記第１の層または上記第１の層と上記第２の層との間に上記第１の層と接してアンドープまたはｎ型の他の層が設けられる場合には上記第１の層もしくはこの他の層に含まれる
ことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項３】
ｎ側クラッド層とｐ側クラッド層との間に活性層がはさまれた構造および選択成長により形成されたリッジ構造を有する半導体発光素子において、
上記ｐ側クラッド層が上記活性層側から順にアンドープまたはｎ型の第１の層とｐ型不純物がドープされたｐ型の第２の層とからなり、
上記リッジと下地層との成長界面が上記第１の層または上記第１の層と上記第２の層との間に上記第１の層と接してアンドープまたはｎ型の他の層が設けられる場合には上記第１の層もしくはこの他の層に含まれる
ことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項４】
上記ｎ側クラッド層と上記活性層との間にｎ側光導波層が設けられ、上記ｐ側クラッド層と上記活性層との間にｐ側光導波層が設けられている
ことを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子。
【請求項５】
上記ｐ側クラッド層の上記第２の層の厚さが０ｎｍより大きく、５５０ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子。
【請求項６】
上記ｐ側クラッド層の上記第２の層の厚さが０ｎｍより大きく、４５０ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子。
【請求項７】
上記ｐ側クラッド層の上記第２の層の厚さが３９０ｎｍ以上５５０ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子。
【請求項８】
上記ｐ側クラッド層の上記第２の層の厚さが４００ｎｍ以上５３０ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子。
【請求項９】
上記第１の層の厚さが５０ｎｍ以上である
ことを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
上記ｎ側光導波層および上記ｐ側光導波層の厚さが０ｎｍより大きく、５０ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
上記ｐ側クラッド層の上記第１の層が超格子構造を有する
ことを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
上記ｐ側クラッド層が超格子構造を有する
ことを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子。
【請求項１３】
上記ｐ側クラッド層の上記第２の層がこの第２の層よりバンドギャップが大きい第３の層を有する
ことを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子。
【請求項１４】
上記活性層と上記ｐ側クラッド層の上記第２の層との間の距離が２０ｎｍ以上である
ことを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子。
【請求項１５】
上記活性層と上記ｐ側クラッド層の上記第２の層との間にバンドギャップまたは格子定数が互いに異なる層の組み合わせが少なくとも１組以上存在する
ことを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子。
【請求項１６】
上記活性層と上記ｐ側クラッド層の上記第２の層との間に互いに原子組成比が異なる層からなる超格子構造が少なくとも１層以上存在する
ことを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子。
【請求項１７】
上記下地層上に成長マスクが形成され、この成長マスクの開口部における上記下地層上に上記リッジが選択成長されている
ことを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子。
【請求項１８】
上記成長マスクは絶縁膜である
ことを特徴とする請求項１７記載の半導体発光素子。
【請求項１９】
上記下地層が上記第１の層である
ことを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子。
【請求項２０】
上記リッジが上記第１の層の上層部および上記第２の層を含む
ことを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子。
【請求項２１】
上記リッジが上記第１の層の上層部、上記第２の層およびｐ型コンタクト層からなる
ことを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子。
【請求項２２】
上記リッジが上記第２の層およびｐ型コンタクト層からなる
ことを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月17日(2005.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】配線基板及びそれを用いた電子装置、フラッシュカード
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基体の両面に金属膜の配線を形成した配線基板において、前記夫々の面に形成される配線の合計面積を近似させたことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
絶縁性基体の一方の面に銅箔を用いた信号パターンを形成し、他方の面に銅箔を用いた電源パターンを形成した配線基板において、前記電源パターンの残銅率と信号パターンの残銅率との相違を１０％以内としたことを特徴とする配線基板。
【請求項３】
絶縁性基体の両面に配線を形成し、一方の面にコネクタを取り付けるコネクタ接続領域が設けられている配線基板において、前記コネクタ接続領域に対応する他方の面にレジストを形成しないことを特徴とする配線基板。
【請求項４】
絶縁性基体の一方の面に銅箔を用いた信号パターンを形成し、他方の面に銅箔を用いた電源パターンを形成した配線基板を用いた電子装置において、前記電源パターンの残銅率と信号パターンの残銅率との相違を１０％以内とすることを特徴とする電子装置。
【請求項５】
絶縁性基体の両面に配線を形成した配線基板の一方の面に設けられているコネクタ接続領域にコネクタが取り付けられる電子装置において、前記コネクタ接続領域に対応する配線基板の他方の面にレジストが形成されていないことを特徴とする電子装置。
【請求項６】
ガラスエポキシを用いた絶縁性の板状基板と、
前記板状基板の一面に形成された、銅箔で構成された信号線用の信号パターン、前記信号線に接続されるコネクタ、及び前記コネクタは露出し、前記信号パターンは覆うように形成されたレジストパターンと、
前記板状基板の他面に形成された、前記信号パターンの残銅率との相違が１０％以内である残銅率を有する電源線用の電源パターン、及び前記コネクタに対応する領域は除き前記電源パターンを覆うように形成されたレジストパターンと、
前記板状基板上に搭載されたメモリチップとを有するフラッシュカード。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月14日(2005.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明は、かかる問題点に鑑み、フィード・フォワード制御のみによっても出力レベルを一定に制御することが可能な光増幅器及び該光増幅器を使用した光受信装置を提供することを目的とする。
【特許文献１】特開平４−２９８７２５号公報