【手続補正書】
【提出日】平成17年1月12日(2005.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上にシリコンを含む半導体膜を成膜し、
前記半導体膜の表面にケミカル酸化膜を成膜し、
前記半導体膜に対して不純物イオンをドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁性基板上にシリコンを含む半導体膜を成膜し、
前記半導体膜をオゾン含有水で処理することによって前記半導体膜の表面に酸化膜を成膜し、
前記半導体膜に対して不純物イオンをドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁性基板上にシリコンを含む半導体膜を成膜し、
前記半導体膜を過酸化水素水で処理することによって前記半導体膜の表面に酸化膜を成膜し、
前記半導体膜に対して不純物イオンをドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁性基板上にシリコンを含む半導体膜を成膜し、
前記半導体膜に酸素を含む雰囲気中で紫外線を照射することによって前記半導体膜の表面に酸化膜を成膜し、
前記半導体膜に対して不純物イオンをドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁性基板上にシリコンを含む半導体膜を成膜し、
前記半導体膜の表面のダングリングボンドをＳｉ−Ｈ結合より結合エネルギーの大きい元素で終端し、
前記半導体膜に対して不純物イオンをドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁性基板上にシリコンを含む半導体膜を成膜し、
前記半導体膜の表面のダングリングボンドを酸素で終端し、
前記半導体膜に対して不純物イオンをドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記シリコンを含む半導体膜として、非晶質半導体膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記シリコンを含む半導体膜として、非晶質半導体膜を成膜し、前記非晶質半導体膜を熱処理して多結晶半導体膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記シリコンを含む半導体膜として、非晶質半導体膜を成膜し、前記非晶質半導体膜に結晶化の助長作用を有する触媒元素を添加し、前記非晶質半導体膜を熱処理して結晶質半導体膜を成膜することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記触媒元素として、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選択された少なくとも一つの元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記不純物イオンとして、イオン源に水素を含む材料を使用することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記不純物イオンをドーピングすることによりチャネルドープを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
絶縁性基板上にシリコンを含む非晶質半導体膜を成膜し、
前記非晶質半導体膜の表面にケミカル酸化膜を成膜し、
前記非晶質半導体膜に対して不純物イオンをドーピングし、
前記非晶質半導体膜を熱処理して多結晶半導体膜を形成し、
前記多結晶半導体膜をパターニングすることによってＴＦＴのチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域となる半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記半導体層に不純物イオンをドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
絶縁性基板上にシリコンを含む非晶質半導体膜を成膜し、
前記非晶質半導体膜を熱処理して多結晶半導体膜を形成し、
前記多結晶半導体膜の表面にケミカル酸化膜を成膜し、
前記多結晶半導体膜に対して不純物イオンをドーピングし、
前記多結晶半導体膜をパターニングすることによってＴＦＴのチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域となる半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記半導体層に不純物イオンをドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
絶縁性基板上にシリコンを含む非晶質半導体膜を成膜し、
前記非晶質半導体膜の表面にケミカル酸化膜を成膜し、
前記非晶質半導体膜に対して不純物イオンをドーピングし、
前記非晶質半導体膜に結晶化の助長作用を有する触媒元素を添加し、熱処理により結晶質半導体膜形成し、
前記多結晶半導体膜をパターニングすることによってＴＦＴのチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域となる半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記半導体層に不純物イオンをドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
絶縁性基板上にシリコンを含む非晶質半導体膜を成膜し、
前記非晶質半導体膜に結晶化の助長作用を有する触媒元素を添加し、熱処理により結晶質半導体膜形成し、
前記結晶質半導体膜の表面にケミカル酸化膜を成膜し、
前記結晶質半導体膜に対して不純物イオンをドーピングし、
前記多結晶半導体膜をパターニングすることによってＴＦＴのチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域となる半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記半導体層に不純物イオンをドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１５または請求項１６において、
前記触媒元素として、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選択された少なくとも一つの元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１３乃至請求項１７のいずれか一項において、
前記ケミカル酸化膜は、前記半導体膜をオゾン含有水で処理することによって成膜されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１３乃至請求項１７のいずれか一項において、
前記ケミカル酸化膜は、前記半導体膜を過酸化水素水で処理することによって成膜されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１３乃至請求項１７のいずれか一項において、
前記ケミカル酸化膜は、前記半導体膜に酸素を含む雰囲気中で紫外線を照射することによって成膜されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
絶縁性基板上にシリコンを含む非晶質半導体膜を成膜し、
前記非晶質半導体膜の表面のダングリングボンドをＳｉ−Ｈ結合より結合エネルギーの大きい元素で終端し、
前記非晶質半導体膜に対して不純物イオンをドーピングし、
前記非晶質半導体膜を熱処理して多結晶半導体膜を形成し、
前記多結晶半導体膜をパターニングすることによってＴＦＴのチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域となる半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記半導体層に不純物イオンをドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
絶縁性基板上にシリコンを含む非晶質半導体膜を成膜し、
前記非晶質半導体膜を熱処理して多結晶半導体膜を形成し、
前記多結晶半導体膜の表面のダングリングボンドをＳｉ−Ｈ結合より結合エネルギーの大きい元素で終端し、
前記多結晶半導体膜に対して不純物イオンをドーピングし、
前記多結晶半導体膜をパターニングすることによってＴＦＴのチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域となる半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記半導体層に不純物イオンをドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
絶縁性基板上にシリコンを含む非晶質半導体膜を成膜し、
前記非晶質半導体膜の表面のダングリングボンドをＳｉ−Ｈ結合より結合エネルギーの大きい元素で終端し、
前記非晶質半導体膜に対して不純物イオンをドーピングし、
前記非晶質半導体膜に結晶化の助長作用を有する触媒元素を添加し、熱処理により結晶質半導体膜形成し、
前記多結晶半導体膜をパターニングすることによってＴＦＴのチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域となる半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記半導体層に不純物イオンをドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
絶縁性基板上にシリコンを含む非晶質半導体膜を成膜し、
前記非晶質半導体膜に結晶化の助長作用を有する触媒元素を添加し、熱処理により結晶質半導体膜形成し、
前記結晶質半導体膜の表面のダングリングボンドをＳｉ−Ｈ結合より結合エネルギーの大きい元素で終端し、
前記結晶質半導体膜に対して不純物イオンをドーピングし、
前記多結晶半導体膜をパターニングすることによってＴＦＴのチャネル領域、ソース領域及びドレイン領域となる半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を介してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして、前記半導体層に不純物イオンをドーピングすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項２１乃至請求項２４のいずれか一項において、
前記Ｓｉ−Ｈ結合より結合エネルギーの大きい元素として、酸素を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。