【手続補正書】
【提出日】令和3年5月28日(2021.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理システムであって、
基板を支持するための基板支持体を備えた処理チャンバと、
前記処理チャンバの周りに配置されたコイルと、
第１振幅および第１周波数の第１ＲＦ電力を供給するための第１ＲＦ源と、
デューティサイクルを前記第１ＲＦ源に適用するための第１パルス化回路と、
前記第１パルス化回路の出力を受信するための同調回路であって、第１可変キャパシタを備え、前記処理チャンバ内でプラズマを生成するために前記コイルと通信する出力を有する、同調回路と、
コントローラと、
を備え、
前記コントローラは、
フィードバックを生成するためのデータ取得モジュールと、
前記フィードバックおよびゲイン値に基づいて前記第１周波数および前記第１可変キャパシタの少なくとも一方を制御するためのフィードバック制御モジュールと、
を備え、
前記コントローラは、前記第１周波数および前記デューティサイクルの少なくとも一方に基づいて前記ゲイン値を選択する、システム。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理システムであって、さらに、
前記プラズマの電流および電圧を検知するためのＶＩプローブと、
前記プラズマの位相および振幅を検出するための位相／振幅検出器と、
を備え、
前記データ取得モジュールは、前記ＶＩプローブおよび前記位相／振幅検出器の出力に基づいて、前記フィードバックを生成する、システム。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理システムであって、前記コントローラは、前記デューティサイクルおよび前記第１周波数の少なくとも一方でインデックス付けされたゲインルックアップテーブルを備え、前記ゲインルックアップテーブルから前記ゲイン値を選択する、システム。
【請求項４】
請求項１に記載の基板処理システムであって、前記コントローラは、前記第１周波数および前記デューティサイクルの少なくとも一方でインデックス付けされたマスク期間ルックアップテーブルを備え、前記データ取得モジュールへ出力するために前記マスク期間ルックアップテーブルからマスク期間を選択する、システム。
【請求項５】
請求項１に記載の基板処理システムであって、前記コントローラは、前記第１周波数および前記デューティサイクルの少なくとも一方でインデックス付けされたデータ取得ルックアップテーブルを備え、前記データ取得モジュールへ出力するために前記データ取得ルックアップテーブルからデータ取得期間を選択する、システム。
【請求項６】
請求項１に記載の基板処理システムであって、前記コントローラは、前記第１周波数および前記デューティサイクルに基づいて、前記フィードバックに対して前記データ取得モジュールによって実行される平均化のためのサンプル数を調整する、システム。
【請求項７】
請求項１に記載の基板処理システムであって、前記コントローラは、前記第１可変キャパシタの可変静電容量と前記第１周波数との粗同調を決定するためのフィードフォワードコントローラを備える、システム。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理システムであって、前記フィードフォワードコントローラは、チャンバ圧、ガス混合物、ガス流量、パルス化周波数、ＲＦ電力、および、ＲＦバイアス電力、の内の少なくとも３つでインデックス付けされた学習済みルックアップテーブルを備える、システム。
【請求項９】
請求項７に記載の基板処理システムであって、前記フィードフォワードコントローラは、チャンバ圧、ガス混合物、ガス流量、パルス化周波数、ＲＦ電力、および、ＲＦバイアス電力、の内の少なくとも３つを含む入力を有するニューラルネットワークを備える、システム。
【請求項１０】
請求項１に記載の基板処理システムであって、
前記第１ＲＦ源は、第２振幅および第２周波数の第２ＲＦ電力を供給し、
前記第１パルス化回路は、前記第１周波数および前記第１振幅で前記デューティサイクルの第１部分を出力し、前記第２周波数および前記第２振幅で前記デューティサイクルの第２部分を出力する、システム。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板処理システムであって、前記フィードバック制御モジュールは、さらに、前記第２周波数を制御する、システム。
【請求項１２】
請求項１０に記載の基板処理システムであって、さらに、
第３振幅および第３周波数の第３ＲＦ電力と、第４振幅および第４周波数の第４ＲＦ電力とを出力するための第２ＲＦ源と、
前記デューティサイクルを前記第２ＲＦ源に適用するための第２パルス化回路であって、前記基板支持体と通信する出力を有する、第２パルス化回路と、
を備える、システム。
【請求項１３】
請求項１２に記載の基板処理システムであって、前記フィードバック制御モジュールは、さらに、前記第３周波数および前記第４周波数を制御する、システム。
【請求項１４】
請求項１２に記載の基板処理システムであって、前記第２パルス化回路は、前記第３周波数および前記第３振幅で前記デューティサイクルの第１部分を出力し、前記第４周波数および前記第４振幅で前記デューティサイクルの第２部分を出力する、システム。
【請求項１５】
請求項１に記載の基板処理システムであって、前記コイルは、第１および第２コイルを含み、
前記同調回路は、
前記第１可変キャパシタおよび第２可変キャパシタを備えた整合回路と、
前記第１および第２コイルの間で電力を分割するための電力分割器であって、第３可変キャパシタおよび第４可変キャパシタを備える、電力分割器と、
を備える、システム。
【請求項１６】
請求項１５に記載の基板処理システムであって、前記フィードバック制御モジュールは、前記フィードバックおよび前記ゲイン値の少なくとも一方に基づいて、前記第１周波数と、前記第１可変キャパシタ、前記第２可変キャパシタ、前記第３可変キャパシタ、および、前記第４可変キャパシタの静電容量値とを制御する、システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
上述のように、ツールによって実行される１または複数の処理工程に応じて、コントローラは、他のツール回路またはモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近くのツール、工場の至る所に配置されるツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、もしくは、半導体製造工場内のツール位置および／またはロードポートに向かってまたはそこからウエハのコンテナを運ぶ材料輸送に用いられるツール、の内の１または複数と通信してもよい。
本発明は、たとえば、以下のような態様で実現することもできる。
適用例１：
基板処理システムであって、
基板を支持するための基板支持体を備えた処理チャンバと、
前記処理チャンバの周りに配置されたコイルと、
第１振幅および第１周波数の第１ＲＦ電力を供給するための第１ＲＦ源と、
デューティサイクルを前記第１ＲＦ源に適用するための第１パルス化回路と、
前記第１パルス化回路の出力を受信するための同調回路であって、第１可変キャパシタを備え、前記処理チャンバ内でプラズマを生成するために前記コイルと通信する出力を有する、同調回路と、
コントローラと、
を備え、
前記コントローラは、
フィードバックを生成するためのデータ取得モジュールと、
前記フィードバックおよびゲイン値に基づいて前記第１周波数および前記第１可変キャパシタの少なくとも一方を制御するためのフィードバック制御モジュールと、
を備え、
前記コントローラは、前記第１周波数および前記デューティサイクルの少なくとも一方に基づいて前記ゲイン値を選択する、システム。
適用例２：
適用例１の基板処理システムであって、さらに、
前記プラズマの電流および電圧を検知するためのＶＩプローブと、
前記プラズマの位相および振幅を検出するための位相／振幅検出器と、
を備え、
前記データ取得モジュールは、前記ＶＩプローブおよび前記位相／振幅検出器の出力に基づいて、前記フィードバックを生成する、システム。
適用例３：
適用例１の基板処理システムであって、前記コントローラは、前記デューティサイクルおよび前記第１周波数の少なくとも一方でインデックス付けされたゲインルックアップテーブルを備え、前記ゲインルックアップテーブルから前記ゲイン値を選択する、システム。
適用例４：
適用例１の基板処理システムであって、前記コントローラは、前記第１周波数および前記デューティサイクルの少なくとも一方でインデックス付けされたマスク期間ルックアップテーブルを備え、前記データ取得モジュールへ出力するために前記マスク期間ルックアップテーブルからマスク期間を選択する、システム。
適用例５：
適用例１の基板処理システムであって、前記コントローラは、前記第１周波数および前記デューティサイクルの少なくとも一方でインデックス付けされたデータ取得ルックアップテーブルを備え、前記データ取得モジュールへ出力するために前記データ取得ルックアップテーブルからデータ取得期間を選択する、システム。
適用例６：
適用例１の基板処理システムであって、前記コントローラは、前記第１周波数および前記デューティサイクルに基づいて、前記フィードバックに対して前記データ取得モジュールによって実行される平均化のためのサンプル数を調整する、システム。
適用例７：
適用例１の基板処理システムであって、前記コントローラは、前記第１可変キャパシタの可変静電容量と前記第１周波数との粗同調を決定するためのフィードフォワードコントローラを備える、システム。
適用例８：
適用例８の基板処理システムであって、前記フィードフォワードコントローラは、チャンバ圧、ガス混合物、ガス流量、パルス化周波数、ＲＦ電力、および、ＲＦバイアス電力、の内の少なくとも３つでインデックス付けされた学習済みルックアップテーブルを備える、システム。
適用例９：
適用例８の基板処理システムであって、前記フィードフォワードコントローラは、チャンバ圧、ガス混合物、ガス流量、パルス化周波数、ＲＦ電力、および、ＲＦバイアス電力、の内の少なくとも３つを含む入力を有するニューラルネットワークを備える、システム。
適用例１０：
適用例１の基板処理システムであって、
前記第１ＲＦ源は、第２振幅および第２周波数の第２ＲＦ電力を供給し、
前記第１パルス化回路は、前記第１周波数および前記第１振幅で前記デューティサイクルの第１部分を出力し、前記第２周波数および前記第２振幅で前記デューティサイクルの第２部分を出力する、システム。
適用例１１：
適用例１０の基板処理システムであって、前記フィードバック制御モジュールは、さらに、前記第２周波数を制御する、システム。
適用例１２：
適用例１０の基板処理システムであって、さらに、
第３振幅および第３周波数の第３ＲＦ電力と、第４振幅および第４周波数の第４ＲＦ電力とを出力するための第２ＲＦ源と、
前記デューティサイクルを前記第２ＲＦ源に適用するための第２パルス化回路であって、前記基板支持体と通信する出力を有する、第２パルス化回路と、
を備える、システム。
適用例１３：
適用例１２の基板処理システムであって、前記フィードバック制御モジュールは、さらに、前記第３周波数および前記第４周波数を制御する、システム。
適用例１４：
適用例１２の基板処理システムであって、前記第２パルス化回路は、前記第３周波数および前記第３振幅で前記デューティサイクルの第１部分を出力し、前記第４周波数および前記第４振幅で前記デューティサイクルの第２部分を出力する、システム。
適用例１５：
適用例１の基板処理システムであって、前記コイルは、第１および第２コイルを含み、
前記同調回路は、
前記第１可変キャパシタおよび第２可変キャパシタを備えた整合回路と、
前記第１および第２コイルの間で電力を分割するための電力分割器であって、第３可変キャパシタおよび第４可変キャパシタを備える、電力分割器と、
を備える、システム。
適用例１６：
適用例１５の基板処理システムであって、前記フィードバック制御モジュールは、前記フィードバックおよび前記ゲイン値の少なくとも一方に基づいて、前記第１周波数と、前記第１可変キャパシタ、前記第２可変キャパシタ、前記第３可変キャパシタ、および、前記第４可変キャパシタの静電容量値とを制御する、システム。