【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基体上に少なくとも振動板、下部電極、圧電体および上部電極の積層構造を有し、前記下部電極および前記圧電体が、それぞれ単一配向結晶または単結晶の薄膜であって、前記基体と前記振動板との少なくとも一方がＳｉであり、前記下部電極の面内方向の格子定数が前記圧電体の面内方向の格子定数より大きい組み合わせであることを特徴とするアクチュエータ。
【請求項２】  下部電極が、圧電体の面内方向の格子定数より０．１〜２０％だけ大である格子定数を有するペロブスカイト型の酸化物導電薄膜であることを特徴とする請求項１記載のアクチュエータ。
【請求項３】  下部電極が、ＢａおよびＰｂを含む単一配向結晶または単結晶の酸化物導電薄膜であることを特徴とする請求項１または２記載のアクチュエータ。
【請求項４】  下部電極の膜厚が２０ｎｍから５０００ｎｍの範囲であることを特徴とする請求項１ないし３いずれか１項記載のアクチュエータ。
【請求項５】  下部電極の結晶方位が（０１０）、（１０１）、（１１０）（１１１）のうちのいずれかであることを特徴とする請求項１ないし４いずれか１項記載のアクチュエータ。
【請求項６】  下部電極の結晶配向率が９５％以上であることを特徴とする請求項１ないし５いずれか１項記載のアクチュエータ。
【請求項７】  圧電体が、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｎｂ、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｓｃのうちの少なくとも１つと、Ｐｂを含む単一配向結晶または単結晶の酸化物圧電電歪薄膜であることを特徴とする請求項１ないし６いずれか１項記載のアクチュエータ。
【請求項８】  単一配向結晶または単結晶の酸化物圧電電歪薄膜の結晶配向率が９０％以上であることを特徴とする請求項７記載のアクチュエータ。
【請求項９】  単一配向結晶または単結晶の酸化物圧電電歪薄膜の結晶系が、菱面体晶または正方晶であることを特徴とする請求項７または８記載のアクチュエータ。
【請求項１０】  単一配向結晶または単結晶の酸化物圧電電歪薄膜の膜厚が、１００ｎｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする請求項７ないし９いずれか１項記載のアクチュエータ。
【請求項１１】  前記振動板は、ＹＳＺ層を含むことを特徴とする、請求項７ないし１０いずれか１項記載のアクチュエータ。
【請求項１２】  液吐出口に連通され一部に開口部が形成された圧力室を有する本体基板部と、前記開口部をふさぐように前記本体基板部に接合されたアクチュエータを有する液体噴射ヘッドにおいて、前記アクチュエータは、前記本体基板部に少なくとも振動板、下部電極、圧電体および上部電極の積層構造を有し、前記下部電極および前記圧電体が、それぞれ単一配向結晶または単結晶の薄膜であって、前記下部電極の面内方向の格子定数が前記圧電体の面内方向の格子定数より大きい組み合わせであることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明のアクチュエータは、基体上に少なくとも振動板、下部電極、圧電体および上部電極の積層構造を有し、前記下部電極および前記圧電体が、それぞれ単一配向結晶または単結晶の薄膜であって、前記基体と前記振動板との少なくとも一方がＳｉであり、前記下部電極の面内方向の格子定数が前記圧電体の面内方向の格子定数より大きい組み合わせであることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
単一配向結晶または単結晶の酸化物圧電電歪薄膜の膜厚が、１００ｎｍ以上１０μｍ以下であるとよい。さらに、前記振動板は、ＹＳＺ層を含むものでもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
次に本発明による、上記の単一配向結晶または単結晶の酸化物導電薄膜を下部電極として用いたアクチュエータの具体的な層構成を列挙する。層構成の表示は、[上部電極]／／[圧電電歪膜]／／[下部電極]／／[振動板]／／[基体]となっている。
例１  Pt/Ti[上部電極]//PZT(001)[圧電電歪膜]//BaPbO3(100)[下部電極]//YSZ(111)[振動板]//Si(111)[基体]
例２  Au[上部電極]//PZT(001)[圧電電歪膜]//BaPbO3(100)[下部電極]//YSZ(111)[振動板]//Si(111))[基体]
例３  BaPbO3(100)[上部電極]//PZT(001)[圧電電歪膜]//BaPbO3(100)[下部電極]//YSZ(111)[振動板]//Si(111)[基体]
例４  Pt/Ti[上部電極]//PZT(001)[圧電電歪膜]//BaPbO3(100)[下部電極]//Si(111)[振動板兼基体]
例５  Au[上部電極]//PZT(001)[圧電電歪膜]//BaPbO3(100)[下部電極]//Si(111)[振動板兼基体]
例６  BaPbO3(100)[上部電極]//PZT(001)[圧電電歪膜]//BaPbO3(100)[下部電極]//Si(111)[振動板兼基体]
例７  Pt/Ti[上部電極]//PZT(111)[圧電電歪膜]//BaPbO3(111)[下部電極]//YSZ(100)[振動板]//Si(100)[基体]
例８  Au[上部電極]//PZT(111)[圧電電歪膜]//BaPbO3(111))[下部電極]//YSZ(100)[振動板]//Si(100)[基体]
例９  BaPbO3(111)[上部電極]//PZT(111)[圧電電歪膜]//BaPbO3(111)[下部電極]//YSZ(100)[振動板]//Si(100)[基体]
例１０  Pt/Ti[上部電極]//PZT(111)[圧電電歪膜]//BaPbO3(111)[下部電極]//Si(100)[振動板兼基体]
例１１  Au[上部電極]//PZT(111)[圧電電歪膜]//BaPbO3(111)[下部電極]//Si(100)[振動板兼基体]
例１２  BaPbO3(111)[上部電極]//PZT(111)[圧電電歪膜]//BaPbO3(111)[下部電極]//Si(100)[振動板兼基体]
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
例えば、Pt/Ti[上部電極]//PMN(001)[圧電電歪膜]//BaPbO3(100)[下部電極]//YSZ(111)[振動板]//Si(111)[基体]、
Au[上部電極]//PMN-PT(001)[圧電電歪膜]//BaPbO3(100)[下部電極]//YSZ(111)[振動板]//Si(111)[基体]、
BaPbO3(100)[上部電極]//PMN-Pt(001))/PT(001)[圧電電歪膜]//BaPbO3(100)[下部電極]//YSZ(111)[振動板]//Si(111)[基体]等のようにである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
図３において、本体基板部上に積層された振動板、下部電極、圧電電歪膜、上部電極の各膜の膜厚は、前述のように、上部電極[０．３μｍ]／圧電電歪膜[３μｍ]／下部電極[０．５μｍ]／振動板[２μｍ]／基板[６００μｍ]である。また、１８０ｄｐｉを実現するために圧力室の幅は９０μｍ、圧力室壁の厚さは５０μｍとした。