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【手続補正書】
【提出日】平成16年7月7日(2004.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
申込用紙の記載に基づいて、発行すべき定期券の発行条件を示す購入情報を入力する入力手段と、
この入力手段により入力された購入情報を上記定期券に印刷して発行する発行手段とからなる定期券発行装置において、
上記申込用紙の所定の文字記入欄の文字を読取る読取手段と、
この読取手段により読取った上記申込用紙の所定の文字記入欄の文字を１文字ずつ認識する認識手段と、
この認識手段による認識文字数に基づいた種々の訂正処理条件が記憶されている記憶手段と、
上記認識手段による認識文字数に基づいて上記記憶手段に記憶されている訂正処理条件の一つを判断する判断手段と、
この判断手段により判断された訂正処理条件に基づいて、訂正処理を実行する実行手段と、
を具備したことを特徴とする定期券発行装置。
【請求項２】
申込用紙の記載に基づいて、発行すべき定期券の発行条件を示す購入情報を入力する入力手段と、
この入力手段により入力された購入情報を上記定期券に印刷して発行する発行手段とからなる定期券発行装置において、
上記申込用紙の所定の文字記入欄の文字を読取る読取手段と、
この読取手段により読取った上記申込用紙の所定の文字記入欄の文字を１文字ずつ認識する認識手段と、
この認識手段により一意に認識された文字数、一意に認識できなかった文字数、および一意に認識できなかった文字の位置の連続性に基づいた種々の訂正処理条件が記憶されている記憶手段と、
上記認識手段による一意に認識された文字数、一意に認識できなかった文字数、および一意に認識できなかった文字の位置の連続性に基づいて上記記憶手段に記憶されている訂正処理条件の一つを判断する判断手段と、
この判断手段により判断された訂正処理条件に基づいて、訂正処理を実行する実行手段と、
を具備したことを特徴とする定期券発行装置。
【請求項３】
申込用紙の記載に基づいて、発行すべき定期券の発行条件を示す購入情報を入力する入力手段と、
この入力手段により入力された購入情報を上記定期券に印刷して発行する発行手段とからなる定期券発行装置において、
上記申込用紙の所定の文字記入欄の文字を読取る読取手段と、
この読取手段により読取った上記申込用紙の所定の文字記入欄の文字を１文字ずつ認識する認識手段と、
この認識手段により一意に認識された正常認識文字数、一意に認識されなかった誤認識文字数、および誤認識文字の位置の連続性に基づいて第１、第２、第３の訂正処理条件が記憶されている記憶手段と、
上記認識手段による一意に認識された正常認識文字数、一意に認識されなかった誤認識文字数、および誤認識文字の位置の連続性を判断し、この判断の結果、正常認識文字数が第１の基準値以上かつ誤認識文字数がなしの際、上記記憶手段に記憶されている訂正処理のなしを判断し、正常認識文字数が第１の基準値未満で第２の基準値以上かつ誤認識文字数が第３の基準値以下で誤認識文字の位置が１カ所で連続していないか、あるいは認識文字数が第１の基準値未満で第２の基準値以上かつ誤認識文字数が第４の基準値以下で誤認識文字の位置が１カ所で連続している際、上記記憶手段により記憶されている第１の訂正処理を判断し、正常認識文字数が第１の基準値未満で第２の基準値以上かつ誤認識文字数が第４の基準値以下で誤認識文字の位置が２カ所以上に分散している際、上記記憶手段により記憶されている第２の訂正処理を判断し、正常認識文字数が第２の基準値未満かつ誤認識文字数が第４の基準値未満の際、上記記憶手段により記憶されている第３の訂正処理を判断する判断手段と、
この判断手段により第１の訂正処理が判断された際、誤認識文字の訂正入力を案内する第１の案内手段と、
この判断手段により第２の訂正処理が判断された際、上記読取手段により上記申込用紙の所定の文字記入欄の再読取りを行い、上記認識手段により文字認識処理を実行する処理手段と、
この判断手段により第３の訂正処理が判断された際、認識不能を案内する第２の案内手段と、
を具備したことを特徴とする定期券発行装置。
【請求項４】
上記申込用紙の所定の文字記入欄の文字が、電話番号欄の電話番号であることを特徴とする請求項１及至３記載の定期券発行装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この発明の定期券発行装置は、さらに、上記申込用紙の所定の文字記入欄の文字が電話番号欄の電話番号であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月7日(2004.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報データを複数の記録層を有する記録媒体に記録する記録方法であって、
前記情報データを複数のデータブロックに分割し、
分割された前記複数のデータブロックを前記記録媒体の異なる記録層に分散して記録し、
前記異なる記録層の一つに記録された前記複数のデータブロックの少なくとも最初のデータブロックは、前記異なる記録層の他の一つの次の読み取り先を指定するためのジャンプ指令を含むことを特徴とする情報データの記録方法。
【請求項２】
前記記録媒体の記録層は第１記録層及び第２記録層からなり、前記複数のデータブロックの内の奇数番目のデータブロック群を前記第１記録層に記録すると共に前記データブロックの内の偶数番目のデータブロック群を前記第２記録層に記録することを特徴とする請求項１記載の情報データの記録方法。
【請求項３】
情報データを第１記録層及び第２記録層からなる２層の記録層を有する記録媒体に記録する記録装置であって、
前記情報データを複数のデータブロックに分割し、分割された前記複数のデータブロック内から前記第１記録層に記録されてなるデータブロック群を第１層記録用情報データとして得、また前記複数のデータブロック内から前記第２記録層に記録されてなるデータブロック群を第２層記録用情報データとして得るデータ分離回路と、
前記第１層記録用情報データを前記第１記録層に記録し、前記第２層記録用情報データを前記第２記録層に記録する記録手段と、
からなり、
前記データ分離回路は、前記第１記録層及び前記第２記録層の一方に記録されてなる前記第１層記録用情報データの最初のデータブロックにジャンプ指令を付加し、
前記ジャンプ指令は、前記第１記録層及び前記第２記録層の他方に記録される次のデータブロックを指定することを特徴とする記録装置。
【請求項４】
前記第１層記録用情報データは、前記複数のデータブロックの奇数番目のデータブロックからなり、
前記第２層記録用情報データは、前記複数のデータブロックの奇数番目のデータブロックからなることを特徴とする請求項３記載の記録装置。
【請求項５】
第１記録層及び第２記録層を有する記録媒体であって、
情報データを担う複数のデータブロックが前記第１記録層及び前記第２記録層に夫々分散して記録され、
次の読み取り先を指定するジャンプ指令が前記第１記録層及び前記第２記録層の一方にあり、
前記ジャンプ指令は、前記第１記録層及び前記第２記録層の他方に記録された前記複数のデータブロックの少なくとも一つに記録されていることを特徴とする記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明による情報データの記録方法は、情報データを複数の記録層を有する記録媒体に記録する記録方法であって、前記情報データを複数のデータブロックに分割し、分割された前記複数のデータブロックを前記記録媒体の異なる記録層に分散して記録し、前記異なる記録層の一つに記録された前記複数のデータブロックの少なくとも最初のデータブロックは、前記異なる記録層の他の一つの次の読み取り先を指定するためのジャンプ指令を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月24日(2004.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダミー用ウェーハをプロセス用のウェーハとともにボートにセットした状態でプロセス用ウェーハに成膜し、上記ウェーハ以外に堆積する反応生成物をクリーニングで除去するようにした半導体製造装置において、
上記ダミー用ウェーハに代えて、ダミー用ウェーハと同等の機能を有し、かつ上記クリーニングによるダメージの小さな材質からなるダミー板を設けて、
上記ダミー板に堆積する反応生成物を上記クリーニングで除去できるようにしたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
反応室に搬入されたウェーハを加熱して、ウェーハに所望の膜を堆積させる半導体製造装置であって、
上記反応室のクリーニングを行う際、先行した加熱処理により膜が堆積されたダミー用ウェーハを上記反応室に搬入し、上記反応室内にクリーニングガスを供給して、上記反応室の内壁に堆積した膜と共に、ダミー用ウェーハに堆積された膜を除去することを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月31日(2004.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
診断レポート情報を入力する入力手段と、医用画像と前記診断レポート情報を記憶する記憶手段と、前記医用画像と前記診断レポート情報を表示する表示手段とを備えた診断レポート作成システムにおいて、
前記入力手段は、所定の診断レポートフォーマットを走査して画像として入力するスキャナ入力手段と、文字又は図形を手書き入力できる手書き入力手段を備え、
前記表示手段は、前記診断レポートフォーマット画像上に前記手書き入力された情報を重ね合わせて表示し、
前記記憶手段は、前記医用画像と前記診断レポートフォーマット情報と前記診断レポート情報とを対応付けて記憶することを特徴とする診断レポート作成システム。
【請求項２】
前記手書き入力手段は、前記手書き入力された文字を文字コード情報に変換し、
前記記憶手段は、前記診断レポート情報に前記文字コード情報を含めて記憶することを特徴とする請求項１に記載の診断レポート作成システム。
【請求項３】
診断レポートフォーマット情報と前記文字コード情報は、前記医用画像の付帯情報エリアに記録されることを特徴とする請求項２に記載の診断レポート作成システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明による診断レポート作成システムは、診断レポート情報を入力する入力手段と、医用画像と前記診断レポート情報を記憶する記憶手段と、前記医用画像と前記診断レポート情報を表示する表示手段とを備えた診断レポート作成システムにおいて、前記入力手段は、所定の診断レポートフォーマットを走査して画像として入力するスキャナ入力手段と、文字又は図形を手書き入力できる手書き入力手段を備え、前記表示手段は、前記診断レポートフォーマット画像上に前記手書き入力された情報を重ね合わせて表示し、前記記憶手段は、前記医用画像と前記診断レポートフォーマット情報と前記診断レポート情報とを対応付けて記憶する。また、前記手書き入力手段は、前記手書き入力された文字を文字コード情報に変換し、前記記憶手段は、前記診断レポート情報に前記文字コード情報を含めて記憶する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月24日(2004.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力した編集対象の映像素材に関する素材ビットレートと、出力すべき出力ビットレートとを比較することによりビットレート判定を行うビットレート判定手段と、
上記ビットレート判定手段によって上記出力ビットレートが上記素材ビットレートよりも大きいと判定した場合、意味の無いデータを上記映像素材の素材データに付加することにより上記素材ビットレートを上記出力ビットレートに変換するビットレート制御手段と
を具えることを特徴とする編集装置。
【請求項２】
上記ビットレート制御手段は、上記意味のないデータとして「０」データを付加する
ことを特徴とする請求項１に記載の編集装置。
【請求項３】
上記ビットレート制御手段は、上記出力ビットレートと上記素材ビットレートとが同じであると判定した場合、上記素材ビットレートのまま変換せずに出力し、上記素材ビットレートが上記出力ビットレートよりも大きいと判定した場合、上記映像素材を一旦デコードした後に上記出力ビットレートに合わせるように再度エンコードする
ことを特徴とする請求項１に記載の編集装置。
【請求項４】
入力した編集対象の映像素材に関する素材ビットレートと、出力すべき出力ビットレートとを比較することによりビットレート判定を行うビットレート判定ステップと、
上記ビットレート判定ステップで上記出力ビットレートが上記素材ビットレートよりも大きいと判定した場合、意味の無いデータを上記映像素材の素材データに付加することにより上記素材ビットレートを上記出力ビットレートに変換するビットレート制御ステップと
を具えることを特徴とするビットレート制御方法。
【請求項５】
上記ビットレート制御ステップでは、上記意味のないデータとして「０」データを付加する
ことを特徴とする請求項４に記載のビットレート制御方法。
【請求項６】
上記ビットレート制御ステップでは、上記出力ビットレートと上記素材ビットレートとが同じであると判定した場合、上記素材ビットレートのまま変換せずに出力し、上記素材ビットレートが上記出力ビットレートよりも大きいと判定した場合、上記映像素材を一旦デコードした後に上記出力ビットレートに合わせるように再度エンコードする
ことを特徴とする請求項４に記載のビットレート制御方法。
【請求項７】
編集装置に対して、
入力した編集対象の映像素材に関する素材ビットレートと、出力すべき出力ビットレートとを比較することによりビットレート判定を行うビットレート判定ステップと、
上記ビットレート判定ステップで上記出力ビットレートが上記素材ビットレートよりも大きいと判定した場合、意味の無いデータを上記映像素材の素材データに付加することにより上記素材ビットレートを上記出力ビットレートに変換するビットレート制御ステップと
を実行させるためのビットレート制御プログラム。
【請求項８】
上記ビットレート制御ステップでは、上記意味のないデータとして「０」データを付加する
ことを特徴とする請求項７に記載のビットレート制御プログラム。
【請求項９】
上記ビットレート制御ステップでは、上記出力ビットレートと上記素材ビットレートとが同じであると判定した場合、上記素材ビットレートのまま変換せずに出力し、上記素材ビットレートが上記出力ビットレートよりも大きいと判定した場合、上記映像素材を一旦デコードした後に上記出力ビットレートに合わせるように再度エンコードする
ことを特徴とする請求項７に記載のビットレート制御プログラム。
【請求項１０】
入力した編集対象の映像素材に関する素材ビットレートと、出力すべき出力ビットレートとを比較することによりビットレート判定を行うビットレート判定ステップと、
上記ビットレート判定ステップで上記出力ビットレートが上記素材ビットレートよりも大きいと判定した場合、意味の無いデータを上記映像素材の素材データに付加することにより上記素材ビットレートを上記出力ビットレートに変換するビットレート制御ステップと
を具えることを特徴とするビットレート制御プログラムを情報処理装置に実行させるビットレート制御プログラム格納媒体。
【請求項１１】
上記ビットレート制御ステップでは、上記意味のないデータとして「０」データを付加する
ことを特徴とする請求項１０に記載のビットレート制御プログラム格納媒体。
【請求項１２】
上記ビットレート制御ステップでは、上記出力ビットレートと上記素材ビットレートとが同じであると判定した場合、上記素材ビットレートのまま変換せずに出力し、上記素材ビットレートが上記出力ビットレートよりも大きいと判定した場合、上記映像素材を一旦デコードした後に上記出力ビットレートに合わせるように再度エンコードする
ことを特徴とする請求項１０に記載のビットレート制御プログラム格納媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】編集装置、ビットレート制御方法、ビットレート制御プログラム及びその格納媒体
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月17日(2005.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかにおいて、
前記スピーカボックスはアルミニウムから形成され、その内面及び外面にアルマイト処理を施したことを特徴とする１２面体スピーカシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
なお、前記スピーカボックスはアルミニウムから形成され、その内面及び外面にアルマイト処理を施してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月5日(2005.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）集積回路を有する半導体基板の第１の面からの凹部内に導電部を形成すること、
（ｂ）前記半導体基板を第２の面からの一部を除去して薄くして、前記導電部を前記第１の面から前記第２の面に貫通させること、
（ｃ）前記半導体基板を切断して、複数の個片を得ること、
を含み、
前記（ａ）工程終了後、前記導電部を介して、前記半導体基板の電気的特性を検査する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記導電部を、最表部にロウ材層を有するように形成する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程で、前記導電部を、最表部に金層を有するように形成する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程前に、前記検査工程を行う半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程は、
（ｃ１）前記半導体基板に補強部材を設けること、
（ｃ２）前記検査工程を行うこと、
（ｃ３）前記半導体基板を切断すること、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
前記補強部材は、前記半導体基板の前記第１及び第２の面のいずれか一方の面側に貼り付けられるテープと、前記テープの支持体と、を有する半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の方法によって製造されてなる複数の半導体装置をスタックすることをさらに含む半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月29日(2005.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下方向に互いに離れた位置に取り付けられた第１スピーカ及び第２スピーカと、該第１スピーカから第１音を出力させ、該第２スピーカから第２音を出力させる駆動制御部とを有するスピーカ装置において、
前記駆動制御部は、聴取者との距離が短い方の前記第１スピーカ又は前記第２スピーカから出力される前記第１音又は前記第２音について、所定の時間遅延を行うことを特徴とするスピーカ装置。
【請求項２】
前記駆動制御部は、前記第１スピーカ又は前記第２スピーカが前記聴取者に対して前記第２スピーカ又は第１スピーカの反対側に位置している場合に、前記第２音又は前記第１音に対する時間遅延を、前記所定の時間遅延より所定長さだけ長くすることを特徴とする請求項１に記載のスピーカ装置。
【請求項３】
前記駆動制御部は、複数の聴取者が前記第１音及び前記第２音を聴取する場合に、前記所定の遅延時間について、前記聴取者の各々における前記第１音と前記第２音の到達時間差のうちで、最も長い到達時間差に基づいて設定されることを特徴とする請求項１又は２に記載のスピーカ装置。
【請求項４】
前記第１スピーカ及び前記第２スピーカの各々は、夫々ステレオ構成された複数のスピーカを含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のスピーカ装置。
【請求項５】
前記第１スピーカが、車両の室に係るフロントドアの各々の下部に取り付けられ、前記第２スピーカが、前記車両の天井部に取り付けられていることを特徴とする請求項４に記載のスピーカ装置。
【請求項６】
前記第１スピーカは、前記室内におけるリア部に取り付けられたスピーカを含むことを特徴とする請求項４又は５に記載のスピーカ装置。
【請求項７】
前記第２スピーカを構成する前記スピーカの各々は、ステレオ信号が供給される振動装置を有し、
前記振動装置の各々が、前記天井部の天井板における平坦部に互いに所定間隔を置いて直接取り付けられ、該天井板の一部をスピーカの振動板とすることを特徴とする請求項５又は６に記載のスピーカ装置。
【請求項８】
前記駆動制御部は、前記車室内の複数の座席に対応した前記第１音及び前記第２音に係る到達時間差情報を保持しており、選択された該音到達時間差に基づいて、前記所定の遅延時間が設定されることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載のスピーカ装置。
【請求項９】
前記駆動制御部は、前記車室内の複数の座席に対応した前記第１音及び前記第２音に係る到達時間差のうちで、最も長い到達時間差に基づいて前記所定の時間遅延が設定され、前記第２スピーカから該所定の時間遅延が行われた前記第２音を出力することを特徴とする請求項５乃至７に記載のスピーカ装置。
【請求項１０】
前記駆動制御部は、前記第２音に対する時間遅延が、前記所定の時間遅延より所定長さだけ長く設定され、前記第２スピーカから当該時間遅延が行われた前記第２音を出力することを特徴とする請求項９に記載のスピーカ装置。
【請求項１１】
第１スピーカを駆動する第１音信号と、該第１スピーカと互いに上下に離れた第２スピーカを駆動する第２音信号とを出力する出力部と、
前記第１音信号及び第２音信号を出力制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記第１スピーカ又は前記第２スピーカと聴取者との各距離が短い方のスピーカに出力する前記第１音信号と前記第２音信号のいずれかを、他方の音信号に対して、所定時間だけ遅延させることを特徴とするオーディオ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月22日(2004.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２００ＭＨｚを超える周波数での円偏波放射用で、誘電基体上に配置された複数の実質的にらせん状の導電性放射トラックを有するクワドリファイラアンテナを製造する方法であって、前記アンテナの少なくとも１つの電気パラメータを監視する段階と、前記トラックのインダクタンスを増加させるために前記複数のトラックの少なくとも１つから導電物質を除去し、それによって前記監視されるパラメータを所定値に近づける段階とを備える方法。
【請求項２】
前記トラックに開口をレーザエッチングすることによって前記トラックから導電物質を除去し、前記トラックの縁部を開口の両側で無傷のままにしておく請求項１記載の方法。
【請求項３】
基材は実質的に円筒形であり、前記トラックは、該基材の円筒形表面上および該基材の平坦面、たとえば円筒軸線にほぼ直交する端面上の部分を含み、導電物質は平坦面上に位置するトラック部分から除去される、アンテナを製造する請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記監視段階は、前記アンテナを高周波源に結合する段階と、複数のプローブを前記トラックの所定位置に並置する段階と、該高周波源が作動した時、異なったそれぞれのトラックに対応した該プローブによって捕捉された信号の少なくとも相対位相を測定する段階とを含む請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記プローブは、前記それぞれのトラックに容量結合され、かつ前記高周波源を前記アンテナの目標動作周波数に合わせる時、前記プローブは、電圧最小値の位置に対応したトラック位置と整合した位置に配置される請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記プローブは、らせん状トラックの端部分と整合した位置に配置される請求項４または５記載の方法。
【請求項７】
各トラックが、給電位置に隣接した第１端部分と、該給電位置から離れた反対の第２端部分とを有するアンテナを製造するために、前記物質除去段階は、前記第１端部分に切り欠きを形成する段階を含み、前記監視段階は、前記プローブを前記第２端部分に並置する段階を含む請求項４〜６のいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
対応の各被影響トラックに矩形の開口を形成することによって物質をトラックから除去し、該開口は、トラックの方向に直交する方向に、前記監視段階の結果に応じて自動的に計算された所定幅を有する請求項１〜７のいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記監視段階は、前記アンテナの目標動作周波数を含む周波数範囲全体の掃引周波数信号をアンテナに送る段階と、放射トラックでの信号の相対位相および振幅を監視する段階と、トラックの少なくとも２つから導電物質を除去することによって、実質的位相直交性が生じる周波数を目標動作周波数に近づける段階とを含む請求項１〜８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
２００ＭＨｚを超える周波数での円偏波放射用で、誘電基体上に配置された複数の実質的にらせん状の導電性トラックを有するクワドリファイラアンテナであって、前記複数のトラックの少なくとも１つはトラックのインダクタンスを増加させるための所定寸法の切り欠きを有する、アンテナ。
【請求項１１】
前記切り欠きは、トラックの両縁部間に位置する開口を含む請求項１０記載のアンテナ。
【請求項１２】
相対誘電率が１０を超える中実誘電物質で形成されたほぼ円筒形のコアを含み、該コアは、アンテナの軸線を定め、実質的に円筒形の外表面と、１対の端面とを有しており、前記トラックは、実質的に円筒形の表面上の軸方向同軸外側部分と、前記端面の一方に接して前記外側部分その端面上の軸方向給電点に接続する接続部分とを含み、前記アンテナはさらに、前記コア内を前記一方の端面から他端面まで通る軸方向給電線構造体と、前記コアを包囲して、前記他端面にある前記給電線構造体から、端面間の軸方向位置にあって前記外側トラック部分に接続されたリムまで延在した導電性バランスリーブとを含み、前記各切り欠きは、それぞれのトラックの接続部分またはそれぞれのトラックの外側部分の、それと前記スリーブリムとの接続位置に近接した位置に設けられている請求項１０記載のアンテナ。
【請求項１３】
前記外側トラック部分は、２対のらせんを有し、一方対のらせんは他方対のらせんと異なった電気的長さを有しており、少なくとも一方対のトラックの各々に切り欠きを設け、各切り欠きは、それぞれのトラックの接続部分内の所定寸法の開口である請求項１２記載のアンテナ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月27日(2005.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】弾性表面波デバイスの製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電性を有する基板と、前記基板上に設けられた第１の櫛歯状電極と、前記基板上に設けられた第２の櫛歯状電極とを有し、前記前記第１および第２の櫛歯状電極の表面に絶縁層が形成されている弾性表面波デバイスの製造方法であって、
（ａ）前記圧電性を有する基板上に、前記第１の櫛歯状電極と前記第２の櫛歯状電極とを対向するように形成する工程と、
（ｂ）前記（ａ）の工程の前または後に、前記第１の櫛歯状電極と前記第２の櫛歯状電極との間の前記基板の表面に、原子、分子およびクラスターから選ばれる少なくとも１つの形態の物質をドーピングすることによって、前記基板の表面にドーピング領域を形成する工程とを含む弾性表面波デバイスの製造方法であって、
前記（ａ）の工程ののちに、
（ｃ）前記第１および第２の櫛歯状電極の表面に不純物をドーピングすることによって、前記第１および第２の櫛歯状電極の表面に前記絶縁層を形成する工程をさらに含み、
前記工程（ｂ）と前記工程（ｃ）とが同時に行われる、弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記物質が、前記基板の表面から５０ｎｍ以内の領域にドーピングされる請求項１に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記ドーピング領域が、前記基板の内部よりも低抵抗である請求項１に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記ドーピング領域のシート抵抗が、１０8Ω／□〜１０15Ω／□の範囲内である請求項３に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記物質が、イオン化された状態でドーピングされる請求項１に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記物質のドーズ量が、１×１０13ｉｏｎｓ／ｃｍ2〜１×１０17ｉｏｎｓ／ｃｍ2の範囲内である請求項５に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記物質が、０．０１ｋｅＶ〜１０ｋｅＶの範囲内のエネルギーでドーピングされる請求項５に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記物質が、還元性ガス、シラン、窒素、酸素、アルゴン、シリコン、砒素、ホウ素、リン、錫、インジウム、クロム、タンタル、モリブデン、ゲルマニウム、およびニッケルから選ばれる少なくとも１つをイオン化したものである請求項５に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記物質が、イオン注入法、イオンドーピング法、プラズマドーピング法、レーザードーピング法、および気相ドーピング法から選ばれる少なくとも１つの方法でドーピングされる請求項１に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記不純物が前記物質と等しい、請求項１に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記不純物が酸素または窒素である請求項１に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記絶縁層の平均層厚が、２ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内であり、前記絶縁層の抵抗率が１０6Ωｃｍ以上である請求項１に記載の弾性表面波デバイスの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
第３の方法として、基板をあらかじめグリーン・ガスなどの還元性ガス中で熱処理し、その表面抵抗を減少させたのちＩＤＴ電極を形成する方法が提案されている（特開平１１−９２１４７号公報参照）。その他、国際公開第９８／５７４２６（特に明細書第５頁第７〜１０行目）も参照。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
上記課題を解決する本発明の弾性表面波デバイスの製造方法は、圧電性を有する基板と、前記基板上に設けられた第１の櫛歯状電極と、前記基板上に設けられた第２の櫛歯状電極とを有し、前記前記第１および第２の櫛歯状電極の表面に絶縁層が形成されている弾性表面波デバイスの製造方法であって、（ａ）前記圧電性を有する基板上に、前記第１の櫛歯状電極と前記第２の櫛歯状電極とを対向するように形成する工程と、（ｂ）前記（ａ）の工程の前または後に、前記第１の櫛歯状電極と前記第２の櫛歯状電極との間の前記基板の表面に、原子、分子およびクラスターから選ばれる少なくとも１つの形態の物質をドーピングすることによって、前記基板の表面にドーピング領域を形成する工程とを含む弾性表面波デバイスの製造方法であって、前記（ａ）の工程ののちに、（ｃ）前記第１および第２の櫛歯状電極の表面に不純物をドーピングすることによって、前記第１および第２の櫛歯状電極の表面に前記絶縁層を形成する工程をさらに含み、前記工程（ｂ）と前記工程（ｃ）とが同時に行われる、弾性表面波デバイスの製造方法である。上記製造方法によれば、ＩＤＴ電極間の放電が発生しにくく、弾性表面波の伝搬特性が良好な弾性表面波デバイスを製造できる。さらに、上記構成によれば、導電性粒子による電極間の短絡を防止できる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明のＳＡＷデバイスの製造方法によれば、ＩＤＴ電極間の放電が発生しにくく、ＳＡＷ伝搬特性が良好な弾性表面波デバイスを容易に得られる。本発明は、ラダー型や進行波型などのＳＡＷフィルタやＳＡＷ共振子など、様々なＳＡＷデバイスに有用である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月29日(2004.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を格納するためのパッケージ本体と、
このパッケージ本体に蓋をするためのパッケージ蓋と、を有する電子部品用パッケージを収容するための収容部と、
この収容部内に収容された前記パッケージ蓋を前記パッケージ本体側に押圧するための透明基板と、
この透明基板に対してレーザ光を照射するためのレーザ部とを、備えることを特徴とする電子部品用パッケージの封止装置。
【請求項２】
前記透明基板がガラス板で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品用パッケージの封止装置。
【請求項３】
前記透明基板の上面と下面の少なくとも一方には、レーザ光の反射防止膜が形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の電子部品用パッケージの封止装置。
【請求項４】
前記透明基板には、前記パッケージ蓋を押圧するための突起部が設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電子部品用パッケージの封止装置。
【請求項５】
前記突起部が前記パッケージ蓋の一部を押圧するようになっていることを特徴とする請求項４に記載の電子部品用パッケージの封止装置。
【請求項６】
前記突起部の形状は前記パッケージ蓋の形状よりも小さく、前記突起部が前記パッケージ蓋の範囲内で前記パッケージ蓋を押圧するようになっていることを特徴とする請求項５に記載の電子部品用パッケージの封止装置。
【請求項７】
前記収容部には、前記パッケージ本体を前記透明基板に向かって押圧するための付勢手段が設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の電子部品用パッケージの封止装置。
【請求項８】
前記レーザ部が、前記透明基板に対して複数に分岐して配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の電子部品用パッケージの封止装置。
【請求項９】
前記電子部品が圧電振動素子及びＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）であることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の電子部品用パッケージの封止装置。
【請求項１０】
電子部品を格納するためのパッケージ本体に、パッケージ蓋が載置された状態の電子部品用パッケージを、収容部に収容し、
このパッケージ蓋に当接させると共に、このパッケージ蓋が前記パッケージ本体に押圧されるように透明基板を配置し、
レーザ部から発振されるレーザ光が、前記透明基板を透過して、前記パッケージ蓋及び／又は前記パッケージ本体に照射されることにより前記パッケージ蓋が前記パッケージ本体に固定されることを特徴とする電子部品用パッケージの封止方法。
【請求項１１】
前記パッケージ蓋と、このパッケージ蓋と当接する前記パッケージ本体にメッキ部が設けられており、前記レーザ光により、これらメッキ部が溶融することにより、前記パッケージ蓋と前記パッケージ本体とが固定されることを特徴とする請求項１０に記載の電子部品用パッケージの封止方法。
【請求項１２】
前記パッケージ蓋と前記パッケージ本体との間に溶融金属を配置し、前記レーザ光で、この溶融金属を溶融することにより、前記パッケージ蓋と前記パッケージ本体とが固定されることを特徴とする請求項１０に記載の電子部品用パッケージの封止方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月18日(2005.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣカード情報を無線通信手段によって読み取るＲＦＩＤ変換素子を有するＩＣカード・リーダライタ部と、凡ての構成要素を統轄制御するＣＰＵと、フラッシュ・メモリと、ＬＡＮコントロール・ボードとを備えたターミナルと、ＩＣカードとによって構成したＬＡＮに接続する情報システムにおいて、
前記ＩＣカードにアクセス管理番号とＩＰアドレスを格納しておき、
前記アダプタに接近したＩＣカードから読み取ったアクセス管理番号が予めフラッシュ・メモリに格納してあるデータと一致したときは、読み取ったＩＰアドレスをフラッシュ・メモリに保存したうえでＬＡＮコントロール・ボードに転送させるようにしたことを特徴とするＩＰアドレスの設定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月15日(2005.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
この半導体基板の素子形成領域を分離する素子分離絶縁膜であって、上面の高さが前記半導体基板の上面より高い素子分離絶縁膜と、
前記素子形成領域に第１のゲート絶縁膜を介して形成された第１のゲート電極材料膜であって、上面の高さが前記素子分離絶縁膜の上面の高さより低い第１のゲート電極材料膜と、
前記第１のゲート電極材料膜上に形成された第２のゲート電極材料膜であって、上面の高さが前記素子分離絶縁膜の上面の高さより高い第２のゲート電極材料膜と、
この第２のゲート電極材料膜上に形成されて素子分離絶縁膜上で分離された第２のゲート絶縁膜と、
この第２のゲート絶縁膜を介して前記第２のゲート電極材料膜および前記素子分離絶縁膜上に形成された第３のゲート電極材料膜と
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
半導体基板と、
この半導体基板の素子形成領域を分離する素子分離絶縁膜であって、上端部の高さが前記半導体基板の上面より高く、上端部に凹部を有する素子分離絶縁膜と、
前記素子形成領域にそれぞれ第１のゲート絶縁膜を介して形成された第１のゲート電極材料膜であって、上面の高さが前記素子分離絶縁膜の上端部と前記凹部の底部の間に位置するよう形成された第１のゲート電極材料膜と、
前記第１のゲート電極材料膜上に形成された第２のゲート電極材料膜であって、上面の高さが前記素子分離絶縁膜の上端部の高さより高く、前記素子分離絶縁膜上で隣接する第２のゲート電極材料膜と分離された第２のゲート電極材料膜と、
この第２のゲート電極材料膜上から前記凹部の内面にわたり形成された第２のゲート絶縁膜と、
この第２のゲート絶縁膜上に形成された第３のゲート電極材料膜と
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
半導体基板と、
この半導体基板の素子形成領域を分離する素子分離絶縁膜であって、上端部の高さが前記半導体基板の上面より高く、側面上部に傾斜面を有し、かつ底部の高さが前記傾斜面の下端より低い凹部が上端部に形成された素子分離絶縁膜と、
前記素子形成領域にそれぞれ第１のゲート絶縁膜を介して形成された浮遊ゲートであって、上面の高さが前記素子分離絶縁膜の上端部の高さより高く、前記素子分離絶縁膜上で隣接する浮遊ゲートと分離された浮遊ゲートと、
この浮遊ゲート上から前記凹部の内面にわたり形成された第２のゲート絶縁膜と、
この第２のゲート絶縁膜上に形成された制御ゲートと
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
半導体基板と、
この半導体基板の素子形成領域を分離する素子分離絶縁膜であって、上端部の高さが前記半導体基板の上面より高い素子分離絶縁膜と、
前記素子形成領域にそれぞれ第１のゲート絶縁膜を介して形成された浮遊ゲートであって、上面の高さが前記素子分離絶縁膜の上端部の高さより高く、前記素子分離絶縁膜上で隣接する浮遊ゲートと分離された浮遊ゲートと、
底部の高さが前記浮遊ゲートの下面と同じ高さになるように前記素子分離絶縁膜の前記上端部に形成された凹部と、
この浮遊ゲート上から前記凹部の内面にわたり形成された第２のゲート絶縁膜と、
この第２のゲート絶縁膜上に形成された制御ゲートと
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
半導体基板上に第１の絶縁膜および第１のゲート電極材料膜を順次堆積する工程と、
前記第１のゲート電極材料膜、前記第１の絶縁膜、前記半導体基板を順次エッチングして素子分離溝を形成する工程と、
前記素子分離溝に、上面の高さが前記第１のゲート電極材料膜の上面の高さより高くなるように、素子分離絶縁膜を形成する工程と、
前記第１のゲート電極材料膜上に第２のゲート電極材料膜および第２の絶縁膜を順次堆積する工程と、
前記第２の絶縁膜および前記第２のゲート電極膜をエッチングして前記素子分離絶縁膜まで達するスリットを形成し、前記第２のゲート電極材料膜を前記素子分離絶縁膜上で分離する工程と、
前記スリットの側面に露出した前記第２のゲート電極材料膜の表面に第３の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜上および前記スリット内に第３のゲート電極材料膜を堆積する工程と
前記第３のゲート電極材料膜、第２のゲート絶縁膜、第２のゲート電極材料膜、第１のゲート電極材料膜を順次エッチングして、前記第１および第２のゲート電極材料膜からなる浮遊ゲートと前記第３のゲート電極材料膜からなる制御ゲートをパターン形成する工程と、
前記制御ゲートに自己整合されたソース、ドレイン拡散層を形成する工程と、
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板上に第１の絶縁膜および第１のゲート電極材料膜を順次堆積する工程と、
前記第１のゲート電極材料膜、前記第１の絶縁膜、前記半導体基板を順次エッチングして素子分離溝を形成する工程と、
前記素子分離溝に、上面の高さが前記第１のゲート電極材料膜の上面の高さより高くなるように、素子分離絶縁膜を形成する工程と、
前記第１のゲート電極材料膜上に第２のゲート電極材料膜を堆積する工程と、
前記第２のゲート電極膜をエッチングして前記素子分離絶縁膜まで達するスリットを形成し、前記第２のゲート電極材料膜を前記素子分離絶縁膜上で分離する工程と、
前記第２のゲート電極材料膜上および前記スリットの内面に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記スリットの底面に形成された前記第２の絶縁膜を除去する工程と、
前記第２の絶縁膜上および前記スリット内に第３のゲート電極材料膜を堆積する工程と
前記第３のゲート電極材料膜、第２のゲート絶縁膜、第２のゲート電極材料膜、第１のゲート電極材料膜を順次エッチングして、前記第１および第２のゲート電極材料膜からなる浮遊ゲートと前記第３のゲート電極材料膜からなる制御ゲートをパターン形成する工程と、
前記制御ゲートに自己整合されたソース、ドレイン拡散層を形成する工程と、
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項７】
半導体基板上に第１の絶縁膜および第１のゲート電極材料膜を順次堆積する工程と、
前記第１のゲート電極材料膜、前記第１の絶縁膜、前記半導体基板を順次エッチングして素子分離溝を形成する工程と、
前記素子分離溝に、上面の高さが前記第１のゲート電極材料膜の上面の高さより高くなるように、素子分離絶縁膜を形成する工程と、
前記第１のゲート電極材料膜上および前記素子分離絶縁膜上に第２のゲート電極材料膜を堆積する工程と、
前記第２のゲート電極材料膜を前記素子分離絶縁膜上で分離すると共に、底部が前記第１のゲート電極材料の上面より低い凹部を前記素子分離絶縁膜に形成する工程と、
前記第２のゲート電極材料膜上および前記凹部の内面に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜上に第３のゲート電極材料膜を堆積する工程と
前記第３のゲート電極材料膜、第２のゲート絶縁膜、第２のゲート電極材料膜、第１のゲート電極材料膜を順次エッチングして、前記第１および第２のゲート電極材料膜からなる浮遊ゲートと前記第３のゲート電極材料膜からなる制御ゲートをパターン形成する工程と、
前記制御ゲートに自己整合されたソース、ドレイン拡散層を形成する工程と、
を有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月12日(2004.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
診断ユニット（６；１０６）が測定系（１；１００）側に配置されていて、この診断ユニット（６；１０６）は、測定系に関連する情報を生成する、走査ユニット（３；１０３）及び少なくとも１本の電源導線（９，１０；１０９，１１０；２０９，２１０）に接続されている評価ユニットと電源ユニット（２，１０２）を有する測定系（１００）を備えた位置測定装置において、
信号評価ユニット（８；１０８）が測定系（１；１００）に配置されていて、
測定系に関連する情報を一定に符号化して電源導線（９，１０；１０９，１１０；２０９，２１０）を通じて走査ユニットと評価ユニットと測定系に電圧を供給する電源ユニット（２；１０２）との間で伝送可能であるように、この信号評価ユニット（８；１０８）は測定系に関連する情報を評価することを特徴とする位置測定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
更に、上記の課題は、この発明により、  信号評価ユニット（８；１０８）が測定系（１；１００）に配置されていて、
測定系に関連する情報を一定に符号化して電源導線（９，１０；１０９，１１０；２０９，２１０）を通じて走査ユニットと評価ユニットと測定系に電圧を供給する電源ユニット（２；１０２）との間で伝送可能であるように、この信号評価ユニット（８；１０８）は測定系に関連する情報を評価することによって解決されている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月16日(2004.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
建設機械用の油圧駆動装置であって、
流体リザーバからの流体を圧力のもとで供給するポンプと、
加圧流体により選択的駆動される少なくとも１つの油圧アクチュエータと、
前記ポンプに並列に接続され、流体の流れを遮断する「オフ」位置と前記油圧アクチュエータへの流体の流れを制御する少なくとも１つの「オン」位置とを有する少なくとも１つのクローズドセンター型方向性制御バルブと、
前記油圧アクチュエータのための信号を発生する少なくとも１つの制御装置と、
前記制御装置からの信号に応答して前記制御バルブを作動させる制御ユニットと、を備え、該制御ユニットは、前記制御装置の位置に対するポンプ圧力を定める圧力マップと、検知した負荷圧力に対して前記ポンプ圧力を修正する第２圧力マップと、該修正したポンプ圧力を選択する手段とを含んでおり、
前記ポンプから前記リザーバに戻るバイパスラインと、
前記バイパスラインに配置された無段階位置を持つバイパスバルブと、
前記油圧アクチュエータの負荷圧力を検知して該負荷圧力に応答して制御信号を修正するハイブリッド制御装置と、
を備えることを特徴とする油圧駆動装置。
【請求項２】
請求項１に記載した油圧駆動装置であって、
前記ハイブリッド制御装置が前記アクチュエータ内の圧力を検知して前記ポンプ圧力をアクチュエータ圧力より高い値にまで高めることを特徴とする油圧駆動装置。
【請求項３】
請求項２に記載した油圧駆動装置であって、
前記ハイブリッド制御装置は、前記アクチュエータ圧力が変調マップ圧力より高いとき、前記ポンプ圧力信号を前記第１圧力マップと前記選択手段との間で修正することを特徴とする油圧駆動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月3日(2005.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
また、上記の実施形態は筒状壁９５の先端部に抜け止め用のリブ９３を設け、別体の大気ポート形成部品をケーシング２０の本体部に取付ける前に、筒状壁９５の基部側の開口から吸着材成形体９０を装填するものであるが、図１６に示す第９の実施形態のように、大気ポート２３と筒状壁４９５をケーシング２０と一体に成形すると共に、筒状壁４９５の先端側のリブを無くし、吸着材成形体９０を含む吸着材カートリッジを筒状壁４９５の先端側から装填するようにしても良い。この場合、筒状壁４９５の内側底面とガス案内部材４７４の内側端面にリブ９９ａ，９９ｂを夫々形成し、これらのリブ９９ａ，９９ｂによって吸着材成形体９０の抜けやガタ付きを防止するようにしても良い。この場合にも、吸着材として粒状活性炭を直接、または別ケース内に入れたものを筒状壁４９５内に配置するようにしても良い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
さらに、上記の実施形態では、ケーシング２０内に突設した筒状壁４９５に吸着材成形体９０を装填し、筒状壁４９５の外周側にガス案内部材４７４を配置することによって第２充填室２５内に吸着材成形体９０の配置空間を確保するようにしたが、図１７に示す第１０の実施形態のように第２充填室２５内（ケーシング２０の通路内）にフィルター４３を配置し、そのフィルター４３によって第２活性炭層３１Ｂを隔成すると共に、フィルター４３と、ケーシング２０の大気ポート２３側の端部壁との間にパッキン４１，４１を介して吸着材成形体９０を配置するようにしても良い。この場合、吸着材成形体９０、パッキン４１，４１及びフィルター４３で吸着材カートリッジを構成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004100691.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2004100691.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2004100691.tif 000003
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2004100691.tif 000004
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2004100691.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月3日(2004.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケースにて密閉されたエンジン制御用の電子回路と、
前記ケースの外部と内部との間で空気のやり取りを可能にした空気取入口と、
前記ケースの内部の気圧状態を検知する大気圧センサと、
前記ケースの内部への液体の進入を防止して空気の通過は可能にするフィルタとを有するエンジン制御装置。
【請求項２】
請求項１記載のエンジン制御装置において、
前記大気圧センサは、前記空気取入口と前記電子回路との間に配置されていることを特徴とするエンジン制御装置。
【請求項３】
空気導入孔を有するケースと、
エンジンを制御する電子回路が配置された回路基板と、
空気圧変動状態を検知する大気圧センサと、
空気を通過させ、水及び油を通過させないフィルタとを有するエンジン制御装置であって、
前記回路基板，前記大気圧センサ、及び、前記フィルタは、前記ケースの内部に配置されており、
前記エンジン制御装置は、前記空気導入孔を通じて、前記ケースの外部から内部に空気を通過させるように構成され、水及び油を通過させないように構成されていることを特徴とするエンジン制御装置。
【請求項４】
請求項３記載のエンジン制御装置において、
前記空気導入孔は、複数個存在することを特徴とするエンジン制御装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月24日(2004.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図中、２は、前記必要に応じて清水によって希釈された余剰泥土１を、配管３を通して希釈混練装置４へ供給するスクイーズポンプである。なお、前記余剰泥土１の前記清水による希釈が十分に行われない場合には、図３に示すように、パワーショベル等５１により前記余剰泥土１を解泥羽根５２を有する解泥装置５３に投入して解泥を行い、前記スクイーズポンプ２によって前記希釈混練装置４へ供給すればよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
前記循環槽１４内には、循環ポンプ１５が設けられ、該循環ポンプ１５によって前記循環槽１４内に供給された泥水が、配管１６を介してサイクロン１７，１８に導かれ、該サイクロン１７，１８における遠心分離によって、泥土粒子が除去されたセメント分等の余剰液は、配管１９を通って再利用液槽２０へ供給され、ポンプ２１によって、その後のソイル柱列造成時のセメント等との混練材として再利用される。なお、図４に示すように、前記再利用液槽２０内に攪拌機５４を設け、該攪拌機５４の攪拌羽根５５により前記セメント分等の余剰液を十分に攪拌することにより、一定比重に粒度調整された再利用水を得ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の余剰泥土のリサイクル装置のフロー図である。
【図２】本発明の余剰泥土のリサイクル装置の概略側面図である。
【図３】 泥土搬送装置の他の実施の一形態を示す概略図である。
【図４】 再利用液槽の他の実施の一形態を示す概略図である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図３】
2004100248.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図４】
2004100248.tif 000002