(57)【要約】【課題】導体線からのカバー絶縁層の剥離がさらに抑制された配線回路基板を提供すること。【解決手段】ベース基板１の上面に複数の導体線２を並べて設け、ポリイミドからなるカバー絶縁層３にて該導体線を覆い、配線回路基板とする。ここで、導体線２の上面からのカバー絶縁層の厚さをｔ１とし、導体線間のスペースの中央におけるベース基板の上面からのカバー絶縁層の厚さをｔ２とし、ベース基板の上面からの導体線の厚さをｔｃとして、ベース基板の上面から〔（ｔ２＋ｔｃ）／２〕の高さにおける、導体線の側面から横方向へのカバー絶縁層の厚さをｔ３とするとき、ｔ１≧ｔ２、かつ、ｔ１＞ｔ３を満たすように該カバー絶縁層を形成することで、カバー絶縁層の熱収縮に伴う応力を小さくする。【選択図】図１
2010135514.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも表面が絶縁性であるベース基板の上面に複数の導体線が並べて設けられ、それら導体線を覆いポリイミドからなるカバー絶縁層が形成された部分を有する配線回路基板であって、
導体線の上面からのカバー絶縁層の厚さをｔ１とし、
隣り合った導体線同士の間のスペースの中央におけるベース基板の上面からのカバー絶縁層の厚さをｔ２とし、
ベース基板の上面からの導体線の厚さをｔｃとして、ベース基板の上面から〔（ｔ２＋ｔｃ）／２〕の高さにおける、導体線の側面から横方向へのカバー絶縁層の厚さをｔ３とするとき、
カバー絶縁層の前記厚さｔ１、ｔ２、ｔ３が、ｔ１≧ｔ２、かつ、ｔ１＞ｔ３を満たしていることを特徴とする、配線回路基板。
【請求項２】
導体線の一部を露出部として露出させかつ残部を被覆部として覆うように、カバー絶縁層が形成されており、少なくとも、前記露出部と前記被覆部との境界に隣接する領域において、カバー絶縁層の上記厚さｔ１、ｔ２、ｔ３が、ｔ１≧ｔ２、かつ、ｔ１＞ｔ３を満たしている、請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
隣り合った導体線同士の間のスペースの幅が、２５μｍ以下である、請求項１または２記載の配線回路基板。
【請求項４】
ｔ１＞ｔ２であって、ｔ１とｔ２との差が０．０５μｍ〜２μｍであり、かつ、ｔ１とｔ３との差が０．０１μｍ〜２μｍである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線回路基板。
【請求項５】
ｔ１が２μｍ〜７μｍである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の配線回路基板。
【請求項６】
当該配線回路基板が、回路付きサスペンション基板である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板に関し、特に、ベース基板上に形成された導体パターンがポリイミドからなるカバー絶縁層によって覆われた構造を有するものに関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブの磁気ヘッド部分に用いられる回路付サスペンション基板や、種々の半導体素子を実装するための一般的な配線回路基板においては、図１１（ａ）に示すように、基板１００上に形成された導体線（通常、導体層をエッチングにてパターン化したもの）１０１を、ポリイミドからなるカバー絶縁層１０２によって覆った構造が知られている。カバー絶縁層（ポリイミド層）の形成は、通常、ポリアミド酸溶液を塗布、乾燥してポリアミド酸層を形成し、該ポリアミド酸層を加熱してイミド化することによって行われている。
また、図１１（ｂ）に基板面を上方から見た状態を示すように、導体線１０１をカバー絶縁層１０２で全面的に覆ってしまわず、該導体線１０１の一部を露出させて、その露出した部分を端子として用いることが行われている。
【０００３】
上記のような配線回路基板に関して、特許文献１の発明では、カバー絶縁層の形成プロセス（ポリアミド酸層の加熱硬化（イミド化））で該層に生じる収縮応力によって、該カバー絶縁層が導体線から剥離しやすいことを問題として取り上げている。
この問題を解決すべく、特許文献１の発明では、図１１（ｃ）に示すように、導体線の露出部の近傍において、隣り合う導体線間の略中点に位置する部分のカバー絶縁層の厚さＴ１を、導体線上におけるカバー絶縁層の厚さＴ２よりも小さくしている。このような構造によって、ポリイミド層（カバー絶縁層）内に発生する収縮応力が緩和され、結果、カバー絶縁層が導体線から剥離することが抑制される。
【０００４】
しかしながら、本発明者等が、図１１（ｃ）に示すようなカバー絶縁層を持った配線回路基板の使用状況をさらに詳細に検討したところ、配線が微細化・高密度化し、導体線の線間スペースの幅が小さくなるにつれて、〔線間スペースに占める、導体線の側面を覆うカバー絶縁層の割合〕が高くなり、該カバー絶縁層に発生するポリイミドの収縮の影響も大きくなって、導体線からカバー絶縁層が剥離し易くなることを見出し、これを改善すべき問題として取り上げた。
【特許文献１】特開２００５−１８３８３１号公報
【特許文献２】特開平７−１７９６０４号公報
【特許文献３】特開２００６−１２０２８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の課題は、導体線からのカバー絶縁層の剥離がさらに抑制された配線回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
即ち、本発明は、次の特徴を有するものである。
（１）少なくとも表面が絶縁性であるベース基板の上面に複数の導体線が並べて設けられ、それら導体線を覆いポリイミドからなるカバー絶縁層が形成された部分を有する配線回路基板であって、
導体線の上面からのカバー絶縁層の厚さをｔ１とし、
隣り合った導体線同士の間のスペースの中央におけるベース基板の上面からのカバー絶縁層の厚さをｔ２とし、
ベース基板の上面からの導体線の厚さをｔｃとして、ベース基板の上面から〔（ｔ２＋ｔｃ）／２〕の高さにおける、導体線の側面から横方向へのカバー絶縁層の厚さをｔ３とするとき、
カバー絶縁層の前記厚さｔ１、ｔ２、ｔ３が、ｔ１≧ｔ２、かつ、ｔ１＞ｔ３を満たしていることを特徴とする、配線回路基板。
（２）導体線の一部を露出部として露出させかつ残部を被覆部として覆うように、カバー絶縁層が形成されており、少なくとも、前記露出部と前記被覆部との境界に隣接する領域において、カバー絶縁層の上記厚さｔ１、ｔ２、ｔ３が、ｔ１≧ｔ２、かつ、ｔ１＞ｔ３を満たしている、上記（１）記載の配線回路基板。
（３）隣り合った導体線同士の間のスペースの幅が、２５μｍ以下である、上記（１）または（２）記載の配線回路基板。
（４）ｔ１＞ｔ２であって、ｔ１とｔ２との差が０．０５μｍ〜２μｍであり、かつ、ｔ１とｔ３との差が０．０１μｍ〜２μｍである、上記（１）〜（３）のいずれかに記載の配線回路基板。
（５）ｔ１が２μｍ〜７μｍである、上記（１）〜（４）のいずれかに記載の配線回路基板。
（６）当該配線回路基板が、回路付きサスペンション基板である、上記（１）〜（５）のいずれかに記載の配線回路基板。
【発明の効果】
【０００７】
本発明では、導体線同士の間における基板面からのカバー絶縁層の厚さ（図１のｔ２）を小さくするだけでなく、特定した高さ〔導体線の厚さをｔｃとしてベース基板の上面から〔（ｔ２＋ｔｃ）／２〕の高さ〕における個々の導体線（パターン化された導体層）の側面からのカバー絶縁層の厚さ（図１のｔ３）をも小さくし、導体線上のカバー絶縁層の厚さｔ１に対して、ｔ１≧ｔ２、かつ、ｔ１＞ｔ３を満たすように、該カバー絶縁層を形成している。
この厚さ関係を満たすことによって、とりわけ、特定高さ〔（ｔ２＋ｔｃ）／２〕における導体線の側面のカバー絶縁層の厚さｔ３を制限したことによって、線間スペースにおいてカバー絶縁層内に発生する収縮応力は十分に小さくなり、結果、導体線からのカバー絶縁層の剥離が十分に抑制される。
【０００８】
〔（ｔ２＋ｔｃ）／２〕は、厚さｔ２となっている部分のカバー絶縁層の上面から、導体線との段差（ｔｃ−ｔ２）の半分の高さにある位置を意味する。ｔ２はｔｃよりも小さい。図１では、高さ〔（ｔ２＋ｔｃ）／２〕の意味を視覚的に分かりやすく示すために、厚さｔ２となっている部分のカバー絶縁層の上面から高さｔ３までの段差寸法ｍと、高さｔ３から導体線の高さｔｃまでの段差寸法ｍとを書き入れて、互いに等しいことを示している。
導体線の側面のカバー絶縁層の厚さｔ３を測定するに際して、高さ〔（ｔ２＋ｔｃ）／２〕の所でｔ３を測定することとした理由は、この高さが、導体線の肩の高さと、カバー絶縁層の底の高さとの間の中間の位置であり、カバー絶縁層の厚さｔ３が中間値として安定しており、厚さｔ３を制御し管理するのに最も適切な高さと考えられるからである。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、本発明による配線回路基板の構造およびその製造方法を具体的に説明する。
図１は、当該配線回路基板の構造を模式的に示した図である。同図に示すように、当該配線回路基板は、少なくとも表面が絶縁性であるベース基板１の上面に、複数の導体線が並べて設けられ、それら導体線を覆うように、ポリイミドからなるカバー絶縁層が形成された部分を有する。
ここで、本発明では、図１に示すように、導体線２の上面からのカバー絶縁層の厚さをｔ１とし、隣り合った導体線同士の間のスペースの中央におけるベース基板の上面からのカバー絶縁層の厚さをｔ２とし、導体線の厚さ高さをｔｃとしてベース基板の上面から〔（ｔ２＋ｔｃ）／２〕の高さにおける導体線の側面から横方向へのカバー絶縁層の厚さをｔ３として、ｔ１＞ｔ２、かつ、ｔ１＞ｔ３を満たすようにカバー絶縁層を形成している。この構成によって、本発明では、上記効果の説明で述べたとおり、カバー絶縁層が剥離することを抑制している。
【００１０】
当該配線回路基板は、背景技術の説明で述べたような、回路付サスペンション基板や、種々の半導体素子を実装するための一般的な配線回路基板であってもよい。当該配線回路基板は、微細な配線パターンを有するものに有用となり、特に、線間スペース（図１のｗ２）が２５μｍ以下の微細な配線パターンとなる場合、従来のままでは、カバー絶縁体層が剥離し易くなるので、本発明の有用性が顕著となる。
【００１１】
図２は、当該配線回路基板の板面を見た図（平面図）であって、同図に示すように、露出領域にて導体線の一部を露出させ、かつ被覆領域にて導体線の残部をカバー絶縁層で覆う場合には、その露出領域と被覆領域との境界において、カバー絶縁層の剥離が発生し易くなる。
よって、本発明では、図２のような態様では、少なくとも、露出領域と被覆領域との境界線Ｘ１に隣接する領域（即ち、図２のハッチングを施した領域）において、カバー絶縁層を、〔ｔ１≧ｔ２、かつ、ｔ１＞ｔ３〕を満たすように形成することを推奨する。
カバー絶縁層が〔ｔ１≧ｔ２、かつ、ｔ１＞ｔ３〕を満たす領域は、導体線の長手方向に沿ってより長い区間にわたって形成されていることが好ましい。
【００１２】
ベース基板は、少なくともその表面が絶縁性であればよく、基板全体が絶縁性材料だけからなる単一層の基板であっても、金属などからなる導体層上に絶縁体層を形成した２層または多層の積層構造体であってもよい。
例えば、上記特許文献３に記載された回路付サスペンション基板では、ベース基板は、弾性を有する金属基板上に絶縁体層が形成された２層構造とされる。この場合、金属基板は、ステンレス板、銅−ベリリウム板、りん青銅板などの板バネが好ましいものとして挙げられ、その厚さは、ステンレス板であれば、１０〜７０μｍ程度である。また、金属基板上に形成される絶縁体層の材料としては、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂が例示される。この場合の絶縁体層の厚さは、例えば、２〜７μｍ程度である。
絶縁体層の材料として、感光性ポリイミドを用いる場合には、その材料の詳細、製造方法、その感光性を利用したパターン形成技術などは、従来公知の技術を利用してよく、上記特許文献２、３にも詳細に記載されている。
また、金属基板を持たず、ベース基板全体が上記の絶縁体層の材料からなるような場合には、該ベース基板の厚さは総じて２０〜１５００μｍ程度であり、薄いフレキシブルプリント基板やチップ実装用のフィルムキャリアなどの場合には、ベース基板の厚さは２０〜１００μｍ程度である。
【００１３】
ベース基板上に形成される導体線の材料は、特に限定はされないが、銅、銅−ベリリウム、リン青銅、４２アロイ等が好ましい材料として挙げられる。
導体線を任意の回路パターンとして形成する方法は、従来公知のパターニング技術を利用してもよい。導体線を形成する方法は、通常、導体層にエッチングを施し導体線を残して形成する方法が主であるため、各導体線の断面形状は、図１に示すように、概して長方形または正方形を呈する。
【００１４】
ベース基板面を規準面とした導体線の厚さ（図１の寸法ｔｃ）は、総じては５〜２０μｍ程度であり、その中でも、回路付サスペンション基板では９〜１５μｍ程度が好ましい厚さである。
導体線の幅（図１の寸法ｗ１）は、回路パターンの用途や部位によって異なるが、帯状の導体線を平行に並べて配置された単純なストライプ状の回路パターンでは、総じては１０〜２００μｍ程度であり、その中でも、回路付サスペンション基板では１０〜１５０μｍ程度が好ましい幅である。
隣り合った導体線同士の間のスペース（線間スペース）の幅（図１の寸法ｗ２）も、回路パターンの用途や部位によって異なり、上記のように単純なストライプ状の回路パターンでは、総じては１０〜２００μｍ程度であるが、回路付サスペンション基板では１０〜１５０μｍ程度が好ましい幅である。
尚、上記で述べたとおり、線間スペースの幅が２５μｍ以下では、従来の態様のままでは、線間スペースに占める導体線側面上のカバー絶縁層の割合（残膜率）が上昇し、ポリイミドの収縮の影響が大きくなり、カバー絶縁層が導体線から剥離しやすくなる。よって、線間スペースの幅が２５μｍ以下は、本発明の有用性がより顕著になる幅である。
【００１５】
カバー絶縁層は、ポリイミドからなる。
カバー絶縁層を、上記厚さの条件（ｔ１≧ｔ２、ｔ１＞ｔ３）を満たすように形成する方法としては、ベース基板面からの厚さが均一となるよう、感光性ポリイミドで形成し、これに後述の階調露光を施して、線間スペース部分など凹状に除去すべき部分へ照射される光量だけを少なくし、現像液によってその部分だけを除去し、イミド化するという方法が挙げられる。
感光性ポリイミドは、ポリイミドの前駆体であるポリアミド酸に感光剤（感光性機能を有する化合物）を結合または相互作用させたものであり、一般的には、露光、現像の後、加熱することによりイミド化し、目的のポリイミドとするものが主である。
【００１６】
感光性ポリイミドには、酸二無水物とジアミンから得られるポリアミド酸に公知の感光剤を添加した公知の感光性ポリアミド酸（感光性ポリイミド前駆体）が使用できるが、上記特許文献２に記載された、ジヒドロピリジン誘導体を感光剤として含有する感光性ポリアミド酸が配線回路基板の反りを抑制するの点で好ましい。
【００１７】
上記特許文献２の感光性ポリイミド酸は、(a)ｐ−フェニレンジアミンと、(b)２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニルとを含む芳香族ジアミンと、３，４，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物との反応によって得られるポリアミド酸の溶液にジヒドロピリジン誘導体からなる感光剤を配合してなる感光性ポリイミド前駆体である。
該感光性ポリイミド前駆体は、上記の芳香族ジアミンとテトラカルボン酸二無水物とを実質的に等モル比にて適宜の有機溶剤、例えば、Ｎ−メチル−２−ピロリドンやジメチルアセトアミド等の中で反応させて、ポリアミド酸（ポリアミック酸）を生成させ、これに感光剤を配合してなる液状の組成物である。
【００１８】
上記芳香族ジアミンは、(a)成分であるｐ−フェニレンジアミンの割合は３０〜７０モ
ル％、好ましくは４５〜５５モル％の範囲であり、(b)成分である２，２’−ビス（トリ
フルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニルの割合は７０〜３０モル％、好ましくは５５〜４５モル％の範囲である。
かかる組成の芳香族ジアミンを３，４，３’，４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と共に用いることによって、得られるポリイミドとベース基板との線膨張係数を一致させることにより、配線回路基板の反りを抑制できる。
【００１９】
芳香族ジアミンのうちｐ−フェニレンジアミンは、得られるポリイミド樹脂を紫外線に対して透明とし、かつ、感光剤を含む感光性ポリイミド前駆体を紫外線に対して高感度とする作用を有し、他方、２，２’−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニルは、感光性ポリイミド前駆体に露光を加え、現像する際に、露光部と未露光部の現像剤への溶解速度差を大きくする作用を有する。
よって、上記感光性ポリイミド前駆体を使用することで、精密なパターニング加工を行なうことができ、上記厚さの条件（ｔ１＞ｔ２、ｔ１＞ｔ３）を持たせたカバー絶縁層を精度良く形成することができる。
【００２０】
上記感光剤としての、ジヒドロピリジン誘導体は、下記の一般式（化１）で表される化合物である。
【００２１】
【化１】
2010135514.tif 000003
【００２２】
上式中、Ｒ1 およびＲ2 は水素原子または炭素数１〜３のアルキル基であり、Ｒ3 およびＲ4は炭素数１〜４のアルキル基もしくはアルコキシル基、アニリノ基、トルイジノ基、ベンジルオキシ基、アミノ基、ジアルキルアミノ基から選ばれる一種であり、Ｒ５は水素原子または炭素数１〜３のアルキル基であり、Ｘ1〜Ｘ4 はそれぞれ水素原子、フッ素原子、ニトロ基、メトキシ基、ジアルキルアミノ基、アミノ基、シアノ基、フッ素化アルキル基から選ばれる一種である。なお、Ｒ1とＲ3 、もしくはＲ2 とＲ4 はケト基を含む５員環、６員環、もしくは複素環の形成可能な環員となることができる。
【００２３】
具体例としては、例えば、４−ｏ−ニトロフェニル−３，５−ジメトキシカルボニル−２，６−ジメチル−１，４−ジヒドロピリジン、４−ｏ−ニトロフェニル−３，５−ジメトキシカルボニル−２，６−ジメチル−１−メチル−４−ヒドロピリジン（以下、Ｎ−メチル体という。）、４−ｏ−ニトロフェニル−３，５−ジアセチル−１，４−ジヒドロピリジン等を挙げることができる。これらは単独で、又は２種以上の混合物として用いられる。必要に応じて、現像剤に対する溶解助剤としてイミダゾールが適当配合されてもよい。
【００２４】
上記ジヒドロピリジン誘導体は、芳香族ジアミンと芳香族テトラカルボン酸二無水物の合計量１モル部に対して、通常、０．０５〜０．５モル部の範囲で用いられる。イミダゾールも、必要に応じて、芳香族ジアミンを含むジアミンと芳香族テトラカルボン酸二無水物の合計量１モル部に対して、通常、０．０５〜０．５モル部の範囲で用いられる。
【００２５】
以下に、階調露光によって、上記厚さの条件（ｔ１＞ｔ２、ｔ１＞ｔ３）を満たすカバー絶縁層を形成する手法を例示する。
先ず、上記の感光性ポリアミド酸（感光性ポリイミド前駆体）の液状物を、並設された導体線の上にロールコーターによって塗布し、乾燥させて被膜とする。
このとき、ロールコーターの条件を次の（ａ）〜（ｃ）のように設定することによって、本発明が規定するカバー絶縁層の各部の厚さｔ１、ｔ２、ｔ３と、ｔ１≧ｔ２、ｔ１＞ｔ３なる関係が得られる。
（ａ）ロールコーターの塗布回数を１回とする。従来の塗布では、導体線間にボイドが発生するという理由から塗布回数は２回である。塗布回数を１回とすることによって、乾燥時間が短く、イミド化の進行を抑制できる。
（ｂ）ロールコーターの塗布用ロール面と、導体線の上面との間の距離（ギャップ）を７０μｍ〜９０μｍとする。従来の塗布では、１２０μｍ程度である。ギャップを７０μｍ〜９０μｍへと限定することによって、導体線間のボイドを抑制でき、かつ、イミド化の進行を抑制できる。
（ｃ）塗布用ロールに対する配線回路基板の送り速度（塗工速度）を０．４ｍ／分〜０．６ｍ／分とする。従来の塗布では、通常、１．０ｍ／分程度である。送り速度を０．４ｍ／分〜０．６ｍ／分とすることによって、溶剤が乾燥し易く、イミド化の進行を抑制できる。
尚、塗布用ロールの直径、回転数は、従来の加工で用いられる値と同様であってよい。
【００２６】
次に、乾燥後の被膜（感光性ポリアミド酸膜）に階調露光マスクを介して露光し、隣り合った導体線間に位置する部分への照射光量を、導体上の部分への照射光量よりも少なくなるようにパターン露光を行う。
このとき、露光量を、２００〜６００ｍＪ／ｃｍ2 、好ましくは、３００〜４００ｍＪ／ｃｍ2 とする。従来の露光量は、通常、７００ｍＪ／ｃｍ2程度である。露光量を２００〜６００ｍＪ／ｃｍ2 とすることによって、該露光量が最適化され、これに伴い、従来の条件よりも、さらにイミド化を抑制することができる。
【００２７】
階調露光マスクとは、露光用の照射光を透過させ得る透過部と、透過させない遮光部とが、所定のパターンにて形成された部分を有するマスクである。このようなマスクは、例えば、石英ガラス板上に、クロム薄膜を遮光部として蒸着することによって得られる。光透過部の光透過率は約１００％であり、クロム薄膜を有する遮光部の光透過率は約０％であるので、１つの領域内に両者をハッチングやアミガケのごとく細分化して配置し、両者の面積比率を調整することによって、１つの領域全体としてのトータルの光透過率を０％〜１００％の間で細かく調整することができる。
【００２８】
感光性ポリアミド酸膜（層）への階調露光の後、感光性ポリアミド酸膜（層）を１２０〜１８０℃の温度で約２〜１０分程度加熱し、次いで、現像を行うと、現像液により、非露光部（線間の凹状とすべき部分）は除去され、露光部（導体線上の部分）は残り、上記厚さの条件（ｔ１＞ｔ２、ｔ１＞ｔ３）を満たす凹凸状の膜となる。そして、こうして得られた感光性ポリアミド酸膜のパターンを加熱（硬化加熱）すると、ポリイミド層からなるカバー絶縁層３が形成される。換言すると、線間の凹状とすべき部分（塗工膜から除去すべき部分）には光が当たらないように、マスクパターンを設定する。
上記に記載した塗工速度、塗工回数、塗工ギャップ、露光量を調整することにより、導体線間のカバー絶縁層（ポリイミド層）の厚さｔ３のみを薄くすることが可能となる。
【００２９】
なお、上記の現像液には、通常、水酸化テトラメチルアンモニウム等のような有機アルカリの水溶液や、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリの水溶液が用いられる。アルカリ濃度は、通常、２〜５重量％の範囲が適当である。また、必要に応じて、アルカリ水溶液には、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール等の低級脂肪族アルコールを加えてもよい。アルコールの添加量は、通常、５０重量％以下である。また、現像の温度は、２５〜５０℃の範囲が適当である。
【００３０】
図１に示すカバー絶縁層の各部の厚さのうち、導体線上の厚さｔ１は、導体線の厚さｔｃの半分以下の値（即ち、ｔ１≦ｔｃ／２）とすることが好ましい。この理由は、現行の導体線の厚さｔｃが１０μｍ未満となることはなく、かつ、安定しており、ｔ１を定義するのに適当な規準となるためである。
カバー絶縁層の各部の厚さｔ１〜ｔ３の実際の値は、導体線２の厚さｔｃ、隣り合う導体線間の隙間（図１中のｗ２）の大きさによっても異なるが、例えば、導体線２の厚さｔｃが５〜２０μｍ程度、隣り合う導体線間のスペースの幅ｗ２が１５μｍ〜２００μｍ程度である場合、ｔ１、ｔ２、ｔ３のそれぞれの好ましい値、そのときの（ｔ１−ｔ２）、（ｔ１−ｔ３）のそれぞれの好ましい値は、ｔ１が３〜５μｍ、ｔ２が１〜３μｍ、（ｔ１−ｔ２）が０．０５〜２μｍ、（ｔ１−ｔ３）が０．０１〜２μｍであり、より好ましい値は、ｔ１が２〜４μｍ、ｔ２が１．５〜２．５μｍ、（ｔ１−ｔ２）が０．５〜１．５μｍである。
特に、スペースの幅ｗ２が２５μｍ以下である場合（その場合のｗ２の下限は、特に限定はされないが、通常、前記のとおり１５μｍ程度である）、ｔ１が３〜４μｍ、ｔ２が１〜３μｍ、（ｔ１−ｔ２）が０．０５〜２μｍ、（ｔ１−ｔ３）が０．０１〜２μｍであり、より好ましい値は、ｔ１が３．５〜４μｍ、ｔ２が１．５〜２．５μｍ、（ｔ１−ｔ２）が０．５〜１．５μｍである。
カバー絶縁層をこのような厚さとすることによって、カバー絶縁層の形成プロセスにおける収縮応力が十分に緩和され、導体線に対してより高い密着力で追従したものとなる。厚さの差（ｔ１−ｔ２）、（ｔ１−ｔ３）が上記範囲よりも小さいと、線間に厚い部分が存在し、収縮応力は十分に緩和されない。
【実施例】
【００３１】
以下に、液状の感光性ポリアミド酸をロールコーターによって実際に塗工し、階調露光を施して、カバー絶縁層を実際に形成した加工例を示す。
【００３２】
〔ベース基板の形成〕
ベース基板は、金属基板上に絶縁体層が形成された２層構造である。厚さ４０μｍの金属基板上に絶縁体層を形成し、ベース基板とした。
【００３３】
〔配線回路パターンの形成〕
絶縁体層上に、サブトラクティブ法により、帯状の導体線を平行ストライプ状に並ぶように形成した。各導体線の厚さｔｃは、平均１２μｍであり、各導体線の幅ｗ１は平均２０μｍ、線間距離ｗ２は平均２０μｍである。
【００３４】
上記のようにして絶縁体層に導体線を形成した試料を複数用意し、それらに対して、ロールコーターによって塗工条件を変えて、カバー絶縁層を種々形成し、その断面形状の寸法を測定した。
試料の総数は４であり、各試料では、４つの導体線について、ｔ１〜ｔ３を測定した。
ロールコーターとしては、ヒラノテクシード社製、コンマコーターを用いた。塗布用ロールの直径は１２０ｍｍ、回転数は０．４〜２ｒｐｍである。
ロールコーターの塗布回数は１回とし、塗布用ロール面と導体線の上面との間の距離（ギャップ）を７０μｍ〜９０μｍの間で変化させ、塗布用ロールに対する配線回路基板の送り速度を０．４ｍ／分または０．６ｍ／分とし、露光量はいずれも４００ｍＪ／ｃｍ2 とした。
【００３５】
各試料の加工において設定したギャップの値、配線回路基板の送り速度は、次のとおりである。
（ｉ）試料１：ギャップ７０μｍ、送り速度０．４ｍ／分。断面の様子を示す顕微鏡写真を、図３、図４に示す。各図の写真中には、測定箇所を示す番号１〜６を記入しており、これら番号（１、２、３）と（４、５、６）とが、それぞれに、図１の符号（ｔ１、ｔ３、ｔ２）に対応している。以下の試料を示す図でも、同様である。
（ii）試料２：ギャップ８０μｍ、送り速度０．４ｍ／分。断面の様子と測定箇所を示す顕微鏡写真を、図５、図６に示す。
（iii）試料３：ギャップ８０μｍ、送り速度０．６ｍ／分。断面の様子と測定箇所を示す顕微鏡写真を、図７、図８に示す。
（iv）試料４：ギャップ９０μｍ、送り速度０．４ｍ／分。断面の様子と測定箇所を示す顕微鏡写真を、図９、図１０に示す。
上記試料１〜４の各測定箇所の測定結果を、下記表１に示す。ｔ３の測定は、ベース基板の上面から〔（ｔ２＋ｔｃ）／２〕の高さにおいて行った。表中の測定値の単位は、全て〔μｍ〕である。
【００３６】
【表１】
2010135514.tif 000004
【００３７】
上記表１から明らかなとおり、いずれの試料も、厚さｔ１、ｔ２、ｔ３が、ｔ１≧ｔ２、かつ、ｔ１＞ｔ３を満たしている。
【００３８】
〔評価〕
上記の試料をＦＩＢ、ＣＰ法により断面切断し、ＳＥＭ、ＦＥ−ＳＥＭにて、カバー絶縁層が導体線から剥離しているかどうかを確かめたところ、いずれの試料でも、カバー絶縁層は導体線に密着しており、剥離は見られなかった。
これに対して、ｔ１＜ｔ２とした従来品（ｔ１＞ｔ３は満たしている）では、導体線間の部分において、カバー絶縁層が導体線から剥離している試料があった。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明によって、導体線をポリイミドからなるカバー絶縁層で覆った配線回路基板において、該カバー絶縁層が導体線から剥離するのを、さらに抑制することが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明による配線回路基板の構造を示す断面図である。同図は、ベース基板上に形成されたストライプ状の導体線の長手方向に対して、垂直に切断したときの断面のようすを部分的に拡大して示している。
【図２】本発明による配線回路基板の板面を見た図（平面図）であって、板面に平行に配置された導体線とそれを部分的に覆うカバー絶縁層とが見えている。
【図３】本発明の実施例において実際に製作した当該配線回路基板の試料１の断面の顕微鏡写真である。各写真には、カバー絶縁層の各部の厚さｔ１〜ｔ３を測定するための測定箇所を示す番号１〜６を記入している。以下の図４〜１０も同様である。
【図４】本発明の実施例において実際に製作した当該配線回路基板の試料１の断面の顕微鏡写真である。
【図５】本発明の実施例において実際に製作した当該配線回路基板の試料２の断面の顕微鏡写真である。
【図６】本発明の実施例において実際に製作した当該配線回路基板の試料２の断面の顕微鏡写真である。
【図７】本発明の実施例において実際に製作した当該配線回路基板の試料３の断面の顕微鏡写真である。
【図８】本発明の実施例において実際に製作した当該配線回路基板の試料３の断面の顕微鏡写真である。
【図９】本発明の実施例において実際に製作した当該配線回路基板の試料４の断面の顕微鏡写真である。
【図１０】本発明の実施例において実際に製作した当該配線回路基板の試料４の断面の顕微鏡写真である。
【図１１】従来の配線回路基板の構造を示す図である。
【符号の説明】
【００４１】
１    ベース基板
２    導体線
３    カバー絶縁層
【図１】
2010135514.tif 000005
【図２】
2010135514.tif 000006
【図３】
2010135514.tif 000007
【図４】
2010135514.tif 000008
【図５】
2010135514.tif 000009
【図６】
2010135514.tif 000010
【図７】
2010135514.tif 000011
【図８】
2010135514.tif 000012
【図９】
2010135514.tif 000013
【図１０】
2010135514.tif 000014
【図１１】
2010135514.tif 000015