【手続補正書】
【提出日】平成16年6月4日(2004.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質珪素膜上の一部にマスクを設け、
前記マスクを利用して、前記非晶質珪素膜に対して珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入し、
第１の加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜において、前記金属元素が導入された領域から前記マスク下に向かって結晶成長を行わせ、
前記マスクを利用して、前記珪素膜中に１５族の元素を選択的に導入し、
第２の加熱処理を施し、前記１５族の元素を導入した領域に前記マスク下の金属元素を移動させ、
前記マスクを利用して、前記１５族の元素を導入した領域を除去することにより、薄膜トランジスタの活性層を形成すること、
を特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
【請求項２】
ガラス基板上に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜上の一部にマスクを設け、
前記マスクを利用して、前記非晶質珪素膜に対して珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入し、
第１の加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜において、前記金属元素が導入された領域から前記マスク下に向かって結晶成長を行わせ、
前記マスクを利用して、前記珪素膜中に１５族の元素を選択的に導入し、
第２の加熱処理を施し、前記１５族の元素を導入した領域に前記マスク下の金属元素を移動させ、
前記マスクを利用して、前記１５族の元素を導入した領域を除去することにより、薄膜トランジスタの活性層を形成すること、
を特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
【請求項３】
非晶質珪素膜上の一部にマスクを設け、
前記マスクを利用して、前記非晶質珪素膜に対して珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入し、
第１の加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜において、前記金属元素が導入された領域から前記マスク下に向かって結晶成長を行わせ、
前記マスクを利用して、前記珪素膜中に１５族の元素を選択的に導入し、
第２の加熱処理を施し、前記１５族の元素を導入した領域に前記マスク下の金属元素を移動させ、
前記マスクを利用して、前記１５族の元素を導入した領域を除去することにより、薄膜トランジスタの活性層を形成し、
前記活性層にはソース領域、ドレイン領域、及び前記ソース領域とドレイン領域の間に一つの結晶粒界を有するチャネル形成領域が形成されていること、
を特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
【請求項４】
ガラス基板上に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜上の一部にマスクを設け、
前記マスクを利用して、前記非晶質珪素膜に対して珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入し、
第１の加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜において、前記金属元素が導入された領域から前記マスク下に向かって結晶成長を行わせ、
前記マスクを利用して、前記珪素膜中に１５族の元素を選択的に導入し、
第２の加熱処理を施し、前記１５族の元素を導入した領域に前記マスク下の金属元素を移動させ、
前記マスクを利用して、前記１５族の元素を導入した領域を除去することにより、薄膜トランジスタの活性層を形成し、
前記活性層にはソース領域、ドレイン領域、及び前記ソース領域とドレイン領域の間に一つの結晶粒界を有するチャネル形成領域が形成されていること、
を特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
【請求項５】
非晶質珪素膜上の一部にマスクを設け、
前記マスクを利用して、前記非晶質珪素膜に対して珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入し、
第１の加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜の前記金属元素が導入された領域から前記金属元素を前記マスク下に向かう経路で移動させることで、前記非晶質珪素膜の結晶成長を行わせ、
前記マスクを利用して、前記珪素膜中に１５族の元素を選択的に導入し、
第２の加熱処理を施し、前記第１の加熱処理で前記マスク下に移動した前記金属元素を前記１５族の元素を導入した領域に前記経路とは逆の経路で移動させ、
前記マスクを利用して、前記１５族の元素を導入した領域を除去することにより、薄膜トランジスタの活性層を形成すること、
を特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
【請求項６】
ガラス基板上に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜上の一部にマスクを設け、
前記マスクを利用して、前記非晶質珪素膜に対して珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入し、
第１の加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜の前記金属元素が導入された領域から前記金属元素を前記マスク下に向かう経路で移動させることで、前記非晶質珪素膜の結晶成長を行わせ、
前記マスクを利用して、前記珪素膜中に１５族の元素を選択的に導入し、
第２の加熱処理を施し、前記第１の加熱処理で前記マスク下に移動した前記金属元素を前記１５族の元素を導入した領域に前記経路とは逆の経路で移動させ、
前記マスクを利用して、前記１５族の元素を導入した領域を除去することにより、薄膜トランジスタの活性層を形成すること、
を特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
【請求項７】
非晶質珪素膜上の一部にマスクを設け、
前記マスクを利用して、前記非晶質珪素膜に対して珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入し、
第１の加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜の前記金属元素が導入された領域から前記金属元素を前記マスク下に向かう経路で移動させることで、前記非晶質珪素膜の結晶成長を行わせ、
前記マスクを利用して、前記珪素膜中に１５族の元素を選択的に導入し、
第２の加熱処理を施し、前記第１の加熱処理で前記マスク下に移動した前記金属元素を前記１５族の元素を導入した領域に前記経路とは逆の経路で移動させ、
前記マスクを利用して、前記１５族の元素を導入した領域を除去することにより、薄膜トランジスタの活性層を形成し、
前記活性層にはソース領域、ドレイン領域、及び前記ソース領域とドレイン領域の間に一つの結晶粒界を有するチャネル形成領域が形成されていること、
を特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
【請求項８】
ガラス基板上に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜上の一部にマスクを設け、
前記マスクを利用して、前記非晶質珪素膜に対して珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入し、
第１の加熱処理を施し、前記非晶質珪素膜の前記金属元素が導入された領域から前記金属元素を前記マスク下に向かう経路で移動させることで、前記非晶質珪素膜の結晶成長を行わせ、
前記マスクを利用して、前記珪素膜中に１５族の元素を選択的に導入し、
第２の加熱処理を施し、前記第１の加熱処理で前記マスク下に移動した前記金属元素を前記１５族の元素を導入した領域に前記経路とは逆の経路で移動させ、
前記マスクを利用して、前記１５族の元素を導入した領域を除去することにより、薄膜トランジスタの活性層を形成し、
前記活性層にはソース領域、ドレイン領域、及び前記ソース領域とドレイン領域の間に一つの結晶粒界を有するチャネル形成領域が形成されていること、
を特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項において、前記非晶質珪素膜の代わりにＳｉXＧｅ1-x（０．５＜Ｘ＜１）で示される膜を用いることを特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項において、前記珪素の結晶化を助長する金属元素は、Ｎｉであることを特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項において、前記１５族の元素は、リンであることを特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項において、前記第１の加熱処理は５００〜６６７℃の範囲で行われ、前記第２の加熱処理は４５０〜７５０℃の範囲で行われることを特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか１項において、前記フラットパネルディスプレイはビデオカメラ、携帯型の情報処理端末、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーションシステム、または携帯電話に組み込まれていることを特徴とする前記薄膜トランジスタを備えたフラットパネルディスプレイの作製方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
この加熱処理は、５００℃〜ガラス基板の歪点（本実施例では６６７℃）の範囲において行うことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
〔実施例３〕
本実施例は、ＴＦＴを利用した各種装置の例を示す。図４に示すのは、ＴＦＴを利用した集積回路の例である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
以下において各種装置の具体的な構成の例を示す。図５に各種半導体装置の例を示す。これらの半導体装置は、ＴＦＴを少なくとも一部に用いている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
図５（Ａ）に示すのは、携帯型の情報処理端末である。この情報処理端末は、本体２００１にアクティブマトリクス型の液晶ディスプレイまたはアクティブマトリクス型のＥＬディスプレイを備え、さらに外部から情報を取り込むためのカメラ部２００２を備えている。また内部に集積回路２００６を備えている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０９】
最近は、図５（Ａ）に示す携帯型情報処理端末と図５（Ｄ）に示す携帯電話とを組み合わせたような構成も商品化されている。