【手続補正書】
【提出日】平成17年10月11日(2005.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された半導体膜にレーザー光を照射するチャンバーと、
ロードロック室と、
前記チャンバー及び前記ロードロック室とそれぞれ弁によって隔てられ、搬送する手段を有する搬送室と、
レーザー光を集光する光学系と、
コンピューターと、
が備えられたマルチチャンバー方式の半導体製造装置であって、
前記チャンバーは前記基板の位置を制御する位置制御手段を有し、
前記コンピューターは、前記基板の置かれている位置情報からマーカーの位置を定めて前記レーザー光によりマーカーを形成させ、なおかつ前記基板上に形成される素子群のパターン情報から、前記素子群の活性層となる領域を特定し、前記マーカーを基準として前記活性層となる領域を含むように前記半導体膜に対してレーザー光を照射する特定の領域を定め、前記レーザー光の発振と前記位置制御手段とを同期させることで、前記チャンバーにおいて前記レーザー光を前記特定の領域に照射させることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
基板上に形成された半導体膜にレーザー光を照射するチャンバーと、
ロードロック室と、
前記チャンバー及び前記ロードロック室とそれぞれ弁によって隔てられ、搬送する手段を有する搬送室と、
少なくとも一つのレーザー発振装置と、
当該レーザー発振装置からのレーザー光を集光する光学系と、
コンピューターと、
が備えられたマルチチャンバー方式の半導体製造装置であって、
前記チャンバーは前記基板の位置を制御する位置制御手段を有し、
前記コンピューターは、前記基板の置かれている位置情報からマーカーの位置を定めて前記レーザー光によりマーカーを形成させ、なおかつ前記基板上に形成される素子群のパターン情報から、前記素子群の活性層となる領域を特定し、前記マーカーを基準として前記活性層となる領域を含むように前記半導体膜に対してレーザー光を照射する特定の領域を定め、前記レーザー発振装置と前記位置制御手段とを同期させることで、前記チャンバーにおいて前記レーザー光を前記特定の領域に照射させることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記チャンバーは、前記基板を互いに交差している第１の方向または第２の方向に移動させる前記位置制御手段を有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項４】
基板上に半導体膜を成膜する第１チャンバーと、
前記半導体膜にレーザー光を照射する第２チャンバーと、
前記第１及び第２チャンバーとそれぞれ弁によって隔てられ、搬送する手段を有する搬送室と、
レーザー光を集光する光学系と、
コンピューターと、
が備えられた半導体製造装置であって、
前記第２チャンバーは前記基板の位置を制御する位置制御手段を有し、
前記コンピューターは、前記基板の置かれている位置情報からマーカーの位置を定めて前記レーザー光によりマーカーを形成させ、なおかつ前記基板上に形成される素子群のパターン情報から、前記素子群の活性層となる領域を特定し、前記マーカーを基準として前記活性層となる領域を含むように前記半導体膜に対してレーザー光を照射する特定の領域を定め、前記レーザー光の発振と前記位置制御手段とを同期させることで、前記第２チャンバーにおいて前記レーザー光を前記特定の領域に照射させることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】
基板上に半導体膜を成膜する第１チャンバーと、
前記半導体膜にレーザー光を照射する第２チャンバーと、
前記第１及び第２チャンバーとそれぞれ弁によって隔てられ、搬送する手段を有する搬送室と、
少なくとも一つのレーザー発振装置と、
当該レーザー発振装置からのレーザー光を集光する光学系と、
コンピューターと、
が備えられた半導体製造装置であって、
前記第２チャンバーは前記基板の位置を制御する位置制御手段を有し、
前記コンピューターは、前記基板の置かれている位置情報からマーカーの位置を定めて前記レーザー光によりマーカーを形成させ、なおかつ前記基板上に形成される素子群のパターン情報から、前記素子群の活性層となる領域を特定し、前記マーカーを基準として前記活性層となる領域を含むように前記半導体膜に対してレーザー光を照射する特定の領域を定め、前記レーザー発振装置と前記位置制御手段とを同期させることで、前記第２チャンバーにおいて前記レーザー光を前記特定の領域に照射させることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、前記第２チャンバーは、前記基板を互いに交差している第１の方向または第２の方向に移動させる前記位置制御手段を有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項７】
基板上に形成された半導体膜にレーザー光を照射するチャンバーと、
ロードロック室と、
前記チャンバー及び前記ロードロック室とそれぞれ弁によって隔てられ、搬送する手段を有する搬送室と、
レーザー光を集光する光学系と、
コンピューターと、
が備えられたマルチチャンバー方式の半導体製造装置であって、
前記光学系は前記基板に対する前記集光されたレーザー光の照射位置を制御する位置制御手段を有し、
前記コンピューターは、前記基板の置かれている位置情報からマーカーの位置を定めて前記レーザー光によりマーカーを形成させ、なおかつ前記基板上に形成される素子群のパターン情報から、前記素子群の活性層となる領域を特定し、前記マーカーを基準として前記活性層となる領域を含むように前記半導体膜に対してレーザー光を照射する特定の領域を定め、前記レーザー光の発振と前記位置制御手段とを同期させることで、前記チャンバーにおいて前記レーザー光を前記特定の領域に照射させることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項８】
基板上に形成された半導体膜にレーザー光を照射するチャンバーと、
ロードロック室と、
前記チャンバー及び前記ロードロック室とそれぞれ弁によって隔てられ、搬送する手段を有する搬送室と、
少なくとも一つのレーザー発振装置と、
当該レーザー発振装置からのレーザー光を集光する光学系と、
コンピューターと、
が備えられたマルチチャンバー方式の半導体製造装置であって、
前記光学系は前記基板に対する前記集光されたレーザー光の照射位置を制御する位置制御手段を有し、
前記コンピューターは、前記基板の置かれている位置情報からマーカーの位置を定めて前記レーザー光によりマーカーを形成させ、なおかつ前記基板上に形成される素子群のパターン情報から、前記素子群の活性層となる領域を特定し、前記マーカーを基準として前記活性層となる領域を含むように前記半導体膜に対してレーザー光を照射する特定の領域を定め、前記レーザー発振装置と前記位置制御手段とを同期させることで、前記チャンバーにおいて前記レーザー光を前記特定の領域に照射させることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項９】
基板上に半導体膜を成膜する第１チャンバーと、
前記半導体膜にレーザー光を照射する第２チャンバーと、
前記第１及び第２チャンバーとそれぞれ弁によって隔てられ、搬送する手段を有する搬送室と、
レーザー光を集光する光学系と、
コンピューターと、
が備えられた半導体製造装置であって、
前記光学系は前記基板に対する前記集光されたレーザー光の照射位置を制御する位置制御手段を有し、
前記コンピューターは、前記基板の置かれている位置情報からマーカーの位置を定めて前記レーザー光によりマーカーを形成させ、なおかつ前記基板上に形成される素子群のパターン情報から、前記素子群の活性層となる領域を特定し、前記マーカーを基準として前記活性層となる領域を含むように前記半導体膜に対してレーザー光を照射する特定の領域を定め、前記レーザー光の発振と前記位置制御手段とを同期させることで、前記第２チャンバーにおいて前記レーザー光を前記特定の領域に照射させることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１０】
基板上に半導体膜を成膜する第１チャンバーと、
前記半導体膜にレーザー光を照射する第２チャンバーと、
前記第１及び第２チャンバーとそれぞれ弁によって隔てられ、搬送する手段を有する搬送室と、
少なくとも一つのレーザー発振装置と、
当該レーザー発振装置からのレーザー光を集光する光学系と、
コンピューターと、
が備えられた半導体製造装置であって、
前記光学系は前記基板に対する前記集光されたレーザー光の照射位置を制御する位置制御手段を有し、
前記コンピューターは、前記基板の置かれている位置情報からマーカーの位置を定めて前記レーザー光によりマーカーを形成させ、なおかつ前記基板上に形成される素子群のパターン情報から、前記素子群の活性層となる領域を特定し、前記マーカーを基準として前記活性層となる領域を含むように前記半導体膜に対してレーザー光を照射する特定の領域を定め、前記レーザー発振装置と前記位置制御手段とを同期させることで、前記第２チャンバーにおいて前記レーザー光を前記特定の領域に照射させることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれか１項において、前記光学系は、前記基板に対する前記集光されたレーザー光の照射位置を、互いに交差している第１の方向または第２の方向に移動させる前記位置制御手段を有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項において、
前記基板上に形成される素子群のパターン情報を記憶する記憶手段を有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項３、７、８、１１、１２のいずれか１項において、
前記チャンバーは減圧雰囲気下または不活性ガス雰囲気下に保たれていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１４】
請求項４乃至請求項６、９、１０、１１、１２のいずれか１項において、
前記第１及び前記第２チャンバーは減圧雰囲気下または不活性ガス雰囲気下に保たれていることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか１項において、前記レーザー光を前記特定の領域への照射は、ＳＬＳ法を用いて行われることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか１項において、前記レーザー光は連続発振であることを特徴とする半導体製造装置。