Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月5日(2004.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶半導体を利用して形成されたソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域と、
前記ソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域を囲むフィールド酸化膜と、
前記チャネル形成領域上に形成されたゲイト絶縁膜およびゲイト電極と、
を有し、
前記チャネル形成領域の内、前記フィールド酸化膜と接する端部に設けられた不純物領域には前記ソース領域および前記ドレイン領域の導電型とは逆の導電型を呈する不純物が添加され、
前記チャネル形成領域の内、中央部に設けられた不純物領域には前記ソース領域および前記ドレイン領域の導電型と同一の導電型を呈する不純物が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
単結晶半導体を利用して形成されたソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域と、
前記ソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域を囲むフィールド酸化膜と、
前記チャネル形成領域上に形成されたゲイト絶縁膜およびゲイト電極と、
を有し、
前記チャネル形成領域の内、前記フィールド酸化膜と接する端部に設けられた不純物領域によって前記ドレイン領域から前記ソース領域に向かって広がる空乏層が抑止され、
前記チャネル形成領域の内、中央部に設けられた不純物領域によってしきい値電圧の制御が行われることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
単結晶半導体を利用して形成されたソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域と、
前記ソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域を囲むフィールド酸化膜と、
前記チャネル形成領域上に形成されたゲイト絶縁膜およびゲイト電極と、
を有し、
前記チャネル形成領域の内、前記フィールド酸化膜と接する端部に設けられた不純物領域によって前記ドレイン領域から前記ソース領域に向かって広がる空乏層が抑止される共に、当該不純物領域によって前記ドレイン領域近傍における衝突電離で発生した少数キャリアが前記チャネル形成領域の外部へと引き出され、
前記チャネル形成領域の内、中央部に設けられた不純物領域によってしきい値電圧の制御が行われることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、前記端部に設けられた不純物領域には前記ソース領域または前記ドレイン領域の導電型とは逆の導電型を呈する不純物が添加され、前記中央部に設けられた不純物領域には前記ソース領域またはドレイン領域の導電型と同一の導電型を呈する不純物元素が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記ソース領域および前記ドレイン領域並びに前記中央部に設けられた不純物領域には１３族から選ばれた元素が添加され、
前記端部に設けられた不純物領域には１５族から選ばれた元素が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、前記１５族から選ばれた元素とはリン、砒素またはアンチモンであり、前記１３族から選ばれた元素とはボロンまたはインジウムであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記チャネル形成領域および前記中央部に設けられた不純物領域は多数キャリアの移動経路となり、前記端部に設けられた不純物領域は少数キャリアの移動経路となることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記チャネル形成領域は真性または実質的に真性な領域であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記チャネル形成領域の長さ（チャネル長）は30〜500nmであり、且つ、当該チャネル形成領域の幅（チャネル幅）は30〜500nmであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、前記中央部に設けられた不純物領域は、ソース／ドレイン間に形成される電界方向に対して概略平行の線状領域であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記不純物領域は前記ドレイン領域の接合深さよりも深いことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月16日(2004.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の送信出力設定のうち１つの送信出力設定を択一的に選択する切替部を有する送信出力電力の制御回路において、
送信信号の電力を増幅する電力増幅器と該電力増幅器にバイアス電圧を供給するバイアス電圧発生器とを含む電力増幅部と、
該電力増幅部から送出される電力の一部を取り出すための結合部と、
該結合部より取り出された信号を検波する検波部と、
該検波部より出力される検波電圧を分圧する分圧部と、
該分圧部からの電圧と基準電圧を比較し誤差信号を増幅する誤差増幅部と、
該誤差増幅部の出力に従って前記電力増幅部の出力電力を制御する制御部と、
前記バイアス電圧発生器から電力増幅器へ供給するバイアス電圧を前記切替部による送信出力設定の切り替えに連動して切り替える切換手段を具備することを特徴とする送信出力電力の制御回路。
【請求項２】
請求項１記載の送信出力電力の制御回路において、
並列に接続された抵抗とスイッチを前記電力増幅器のバイアス入力部とバイアス電圧発生器の間に配置し、前記スイッチを開閉制御することにより前記バイアス電圧発生器から電力増幅器へ供給するバイアス電圧の切り替えを行うことを特徴とする送信出力電力の制御回路。
【請求項３】
請求項１記載の送信出力電力の制御回路において、
並列に接続されたダイオードとスイッチを前記電力増幅器のバイアス入力部とバイアス電圧発生器の間に配置し、前記スイッチを開閉制御することにより前記バイアス電圧発生器から電力増幅器へ供給するバイアス電圧の切り替えを行うことを特徴とする送信出力電力の制御回路。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３の何れかに記載の送信出力電力の制御回路において、
前記検波部の検波特性あるいは分圧部の分圧比を可変制御する信号で、前記バイアス電圧発生器から電力増幅器に入力するバイアス電圧を切り替えることにより送信出力制御範囲を拡大することを特徴とする送信出力電力の制御回路。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４の何れかに記載の送信出力電力の制御回路において、適用される機器が無線機であることを特徴とする送信出力電力の制御回路。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  無線信号の送受信を行う送受信部と、音声を出力するスピーカと、音声を入力するマイクと、指示等を入力する入力部と、データを表示する表示部とを有し、当該表示部に表示される複数のアイコンから機能を選択する携帯電話機であって、
入力部から機能を選択するためのアイコンを設定する指示が入力されると、表示部にアイコン一覧が表示され、当該表示されているアイコン一覧からアイコンが選択されて、確定指示がなされると、機能を選択するためのアイコンをアイコン一覧から選択されたアイコンに変更することを特徴とする携帯電話機。
【請求項２】  無線信号の送受信を行う送受信部と、音声を出力するスピーカと、音声を入力するマイクと、指示等を入力する入力部と、データを表示する表示部とを有し、当該表示部に表示される複数のアイコンから機能を選択する携帯電話機であって、
機能を選択するための複数のアイコンから変更したいアイコンが選択され、アイコンの一覧を表示する指示が入力されると、表示部にアイコン一覧が表示され、当該表示されているアイコン一覧からアイコンが選択されて、確定指示がなされると、変更したいアイコンをアイコン一覧から選択されたアイコンに変更することを特徴とする携帯電話機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記従来例の問題点を解決するための本発明は、無線信号の送受信を行う送受信部と、音声を出力するスピーカと、音声を入力するマイクと、指示等を入力する入力部と、データを表示する表示部とを有し、当該表示部に表示される複数のアイコンから機能を選択する携帯電話機であって、入力部から機能を選択するためのアイコンを設定する指示が入力されると、表示部にアイコン一覧が表示され、当該表示されているアイコン一覧からアイコンが選択されて、確定指示がなされると、機能を選択するためのアイコンをアイコン一覧から選択されたアイコンに変更することを特徴としており、用意されたアイコンの中から自分の好みに合わせたアイコンを任意に選択することかでき、機能選択を容易にし、使い勝手を向上させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記従来例の問題点を解決するための本発明は、無線信号の送受信を行う送受信部と、音声を出力するスピーカと、音声を入力するマイクと、指示等を入力する入力部と、データを表示する表示部とを有し、当該表示部に表示される複数のアイコンから機能を選択する携帯電話機であって、機能を選択するための複数のアイコンから変更したいアイコンが選択され、アイコンの一覧を表示する指示が入力されると、表示部にアイコン一覧が表示され、当該表示されているアイコン一覧からアイコンが選択されて、確定指示がなされると、変更したいアイコンをアイコン一覧から選択されたアイコンに変更することを特徴としており、用意されたアイコンの中から自分の好みに合わせたアイコンを任意に選択することかでき、機能選択を容易にして、使い勝手を向上させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
【発明の効果】
本発明によれば、無線信号の送受信を行う送受信部と、音声を出力するスピーカと、音声を入力するマイクと、指示等を入力する入力部と、データを表示する表示部とを有し、当該表示部に表示される複数のアイコンから機能を選択する携帯電話機であって、入力部から機能を選択するためのアイコンを設定する指示が入力されると、表示部にアイコン一覧が表示され、当該表示されているアイコン一覧からアイコンが選択されて、確定指示がなされると、機能を選択するためのアイコンをアイコン一覧から選択されたアイコンに変更する携帯電話機としているので、用意されたアイコンの中から自分の好みに合わせたアイコンを任意に選択することかでき、機能選択を容易にし、使い勝手を向上させることができ、また、多様な利用者のニーズに柔軟に対応することができる効果がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
本発明によれば、無線信号の送受信を行う送受信部と、音声を出力するスピーカと、音声を入力するマイクと、指示等を入力する入力部と、データを表示する表示部とを有し、当該表示部に表示される複数のアイコンから機能を選択する携帯電話機であって、機能を選択するための複数のアイコンから変更したいアイコンが選択され、アイコンの一覧を表示する指示が入力されると、表示部にアイコン一覧が表示され、当該表示されているアイコン一覧からアイコンが選択されて、確定指示がなされると、変更したいアイコンをアイコン一覧から選択されたアイコンに変更する携帯電話機としているので、用意されたアイコンの中から自分の好みに合わせたアイコンを任意に選択することかでき、機能選択を容易にして、使い勝手を向上させることができ、また、多様な利用者のニーズに柔軟に対応することができる効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月27日(2004.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータネットワークのデータ伝送媒体を通して効果的な通信を行なう方法であって、コンピュータネットワークは複数の端末局を含み、複数の端末局の一部には媒体のためのオペレーティングシステムサポートが欠如しており、前記方法は、
複数の端末局のその一部の１つの端末局からカプセル化されたパケットを与えるステップと、
カプセル化されたパケット内のカプセル化のインジケータとしてタグを利用するステップと、
カプセル化されたパケットにおいて媒体のヘッダと既知の媒体のヘッダとの間にタグを与えるステップとを含む、コンピュータネットワークのデータ伝送媒体を通して効果的な通信を行なう方法。
【請求項２】
媒体のヘッダはさらに無線媒体ヘッダを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
無線媒体ヘッダは８０２．１１標準に従う、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
受取ったパケットがタグを含むときパケットをカプセル化されたものとして識別するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
既知の媒体のヘッダはイーサネットヘッダを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
新規媒体標準に従うコンピュータネットワーク化のためのシステムであって、
カプセル化されたデータパケットは新規媒体標準のためのヘッダの後かつ既知の媒体標準のためのヘッダの前にタグを含み、既知の媒体標準のプロトコルに基づきカプセル化されたデータパケットを生成できる少なくとも１つの第１のシステムを含み、
純粋なデータパケットを生成できる少なくとも１つの第２のシステムを含み、少なくとも１つの第１の局と少なくとも１つの第２の局との間の通信は、伝達されたパケットにタグが存在するかどうかに基づいて少なくとも１つの第１のシステムにおけるパケットタイプを認識することにより生じる、新規媒体標準に従うコンピュータネットワーク化のためのシステム。
【請求項７】
純粋なデータパケットは新規媒体標準に従うプロトコルに従う、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
新規媒体標準は８０２．１１標準の無線媒体を含む、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
既知の媒体標準はイーサネット媒体標準を含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項１０】
少なくとも１つのアクセスポイントステーションをさらに含み、少なくとも１つのアクセスポイントステーションにより少なくとも１つの第１のシステムから既知の媒体ネットワークバックボーンへの接続が可能となる、請求項６に記載のシステム。
【請求項１１】
無線ローカルエリアネットワークにおける通信方法であって、無線ローカルエリアネットワークは複数の端末局を含み、複数の端末局の一部には無線媒体標準のオペレーティングシステムサポートが欠如しており、前記方法は、
複数の端末局のその一部において既知の媒体標準に従うデータパケットを形成するステップと、
無線媒体標準に従いデータパケットをカプセル化するステップと、
既知の媒体標準のためのヘッダと無線媒体標準のためのヘッダとの間にタグを設け、データパケットにタグ付けを行ないカプセル化を示すステップと含む、無線ローカルエリアネットワークにおける通信方法。
【請求項１２】
タグ付けステップはさらに、予め定められたビットを形成されたデータパケットに追加するステップを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
独立したハードウェアベンダ媒体アクセスコントローラ層がデータパケットのカプセル化およびタグ付けをもたらす、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
オペレーティングシステムが既知の媒体標準に従いデータパケットを形成する、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月19日(2004.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレーアンテナを構成する複数の素子アンテナから第１の地点に送出される電波が、全て同一の距離を伝搬して減衰するとして上記アレーアンテナの上記第１の地点における利得を算出する第１の利得算出ステップと、
上記複数の素子アンテナから上記第１の地点よりも上記アレーアンテナに近い位置にある第２の地点に送出される電波が、それぞれ当該素子アンテナから上記第２の地点までの距離を伝搬して減衰するとして上記アレーアンテナの上記第２の地点における利得を算出する第２の利得算出ステップと、
上記第１の利得算出ステップにおいて算出された上記第１の地点における利得と所定の利得との差及び上記第２の利得算出ステップにおいて算出された上記第２の地点における利得をもとに上記複数の素子アンテナの励振位相を決定する励振位相決定ステップを備えたアンテナ励振方法。
【請求項２】
アレーアンテナを構成する複数の素子アンテナから第１の地点に送出される電波が、全て同一の距離を伝搬して減衰するとして上記アレーアンテナの上記第１の地点における利得を算出する第１の利得算出ステップと、
上記複数の素子アンテナから上記第１の地点よりも上記アレーアンテナに近い位置にある第２の地点に送出されるそれぞれの電波の上記第２の地点における電界強度を測定する電界強度測定ステップと、
上記電界強度測定ステップにおいて測定された電界強度をもとに上記アレーアンテナの上記第２の地点における利得を算出する第２の利得算出ステップと、
上記第１の利得算出ステップにおいて算出された上記第１の地点における利得と所定の利得との差及び上記第２の利得算出ステップにおいて算出された上記第２の地点における利得をもとに上記複数の素子アンテナの励振位相を決定する励振位相決定ステップを備えたアンテナ励振方法。
【請求項３】
アレーアンテナを構成する複数の素子アンテナから第１の地点に送出される電波が、全て同一の距離を伝搬して減衰するとして上記アレーアンテナの上記第１の地点における利得を算出する第１の利得算出ステップと、
上記複数の素子アンテナから上記第１の地点よりも上記アレーアンテナに近い位置にある第２の地点に送出される電波が、それぞれ当該素子アンテナから上記第２の地点までの距離を伝搬して減衰するとして上記アレーアンテナの上記第２の地点における利得を算出する第２の利得算出ステップと、
上記複数の素子アンテナから上記第１の地点よりも上記アレーアンテナに近い位置にある第３の地点に送出される電波が、それぞれ当該素子アンテナから上記第３の地点までの距離を伝搬して減衰するとして上記アレーアンテナの上記第３の地点における利得を算出する第３の利得算出ステップと、
上記第２の利得算出ステップにおいて算出された上記第２の地点における利得と上記第３の利得算出ステップにおいて算出された上記第３の地点における利得の和を算出する利得和算出ステップと、
上記第１の利得算出ステップにおいて算出された上記第１の地点における利得と所定の利得との差及び上記利得和算出ステップにおいて算出された利得の和をもとに上記複数の素子アンテナの励振位相を決定する励振位相決定ステップを備えたアンテナ励振方法。
【請求項４】
上記第１の利得算出ステップと上記第２の利得算出ステップを複数の周波数設定値について実行することにより、上記複数の周波数設定値に対応する複数の上記第１の地点における利得及び上記第２の地点における利得を算出し、
上記励振位相決定ステップは、上記複数の周波数設定値に対応する複数の上記第１の地点における利得と所定の利得との差及び上記複数の周波数設定値に対応する複数の上記第２の地点における利得をもとに上記複数の素子アンテナの励振位相を決定することを特徴とする請求項１記載のアンテナ励振方法。
【請求項５】
上記アレーアンテナを構成する複数の素子アンテナに代えて、上記アレーアンテナを構成する複数の素子アンテナのうちの一部の素子アンテナとしたことを特徴とする請求項１記載のアンテナ励振方法。
【請求項６】
アレーアンテナを構成する複数の素子アンテナから第１の地点に送出される電波が、全て同一の距離を伝搬して減衰するとして上記アレーアンテナの上記第１の地点における利得を算出する第１の利得算出ステップと、
上記複数の素子アンテナから上記第１の地点よりも上記アレーアンテナに近い位置にある第２の地点に送出されるそれぞれの電波の上記第２の地点における電界強度を算出して、素子電界メモリに格納する素子電界格納ステップと、
上記素子電界格納ステップにおいて上記素子電界メモリに格納された電界強度をもとに上記アレーアンテナの上記第２の地点における利得を算出する第２の利得算出ステップと、
上記第１の利得算出ステップにおいて算出された上記第１の地点における利得と所定の利得との差及び上記第２の利得算出ステップにおいて算出された上記第２の地点における利得をもとに上記複数の素子アンテナの励振位相を決定する励振位相決定ステップを備えたアンテナ励振方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
式（１）において、ｋは波数、ｒm は素子アンテナ２ｍの位置ベクトル、ｄ0 は素子ア
ンテナ２ｍの主ビーム方向の単位ベクトル、ｄ1 は素子アンテナ２ｍから零点形成方向の
単位方向ベクトルである。Ｅ0mは素子アンテナ２ｍの単位方向ベクトルｄ0 方向の遠方界
素子放射電界強度、Ｅ1mは素子アンテナ２ｍの単位方向ベクトルｄ1 の遠方界素子放射電
界強度、Ｇ0 は主ビーム方向の所望利得である。
具体的には、式（１）で示す評価関数Ｆを最小にする励振位相φm （ｍ＝１〜Ｍ）は、
最急降下法や共役勾配法などによって算出することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
【数２】
1997036636.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
【数３】
1997036636.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
【数４】
1997036636.tif 000003
ここで、Ｅ0mlは周波数ポイントｌ（ｌ＝１〜Ｌ）における素子アンテナ２ｍ（ｍ＝１
〜Ｍ）の主ビームの単位方向ベクトルｄ0 の遠方界素子放射電界強度、Ｇ 0lは周波数ポ
イントｌ（ｌ＝１〜Ｌ）における主ビーム方向の所望利得、ｅlmｌは周波数ポイントｌ（
ｌ＝１〜Ｌ）における素子アンテナ２ｍ（ｍ＝１〜Ｍ）から近傍界における零点を形成すべき地点を見た方向についての素子放射電界強度である。ｋｌは、周波数ポイントｌ（ｌ＝１〜Ｌ）における波数である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月25日(2004.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（Ｉ）と（II）との２つの異なる化合物
【化１】
1997324131.tif 000001
［式中、ＡとＢとは互いに異なるものでなければならず、それぞれ下記式のいずれかの基である：
【化２】
1997324131.tif 000002
（式中、
R1とR2とは互いに独立的に水素、ハロゲン、Ｃ1-Ｃ18アルキル、Ｃ1-Ｃ18アルコキシ、
Ｃ1-Ｃ18アルキルメルカプト、Ｃ1-Ｃ18アルキルアミノ、Ｃ1-Ｃ18アルコキシカルボニル、Ｃ1-Ｃ18アルキルアミノカルボニル、−ＣＮ、−ＣＯＮＨ2 ，−ＮＯ2 、トリフルオロメチル、Ｃ5-Ｃ6-シクロアルキル、−Ｃ＝Ｎ−（Ｃ1-Ｃ18アルキル）、
【化３】
1997324131.tif 000003
フェニル、イミダゾリル、ピラゾリル、トリアゾリル、ピペラジニル、ピロリル、オキサゾリル、ベンゾオキサゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾイミダゾリル、モルホリニル、ピペリジニルまたはピロリジニルであり、
Ｇは -ＣＨ2-、-ＣＨ（ＣＨ3）-、-Ｃ（ＣＨ3）2 - 、 -ＣＨ＝Ｎ-、-Ｎ＝Ｎ- 、 -Ｏ-、
-Ｓ- 、 -ＳＯ- 、 -ＳＯ2-、 -ＣＯＮＨ- または -ＮR7- であり、
R3とR4とは互いに独立的に水素、ハロゲン、Ｃ1-Ｃ6-アルキル、Ｃ1-Ｃ18アルコキシまたは−ＣＮであり、
R5とR6とは互いに独立的に水素、ハロゲンまたはＣ1-Ｃ6-アルキルであり、そして
R7は水素またはＣ1-Ｃ6-アルキルである）、ただし、ＡとＢとの一方がフェニルである場合、他方はｐ−クロロフェニルではあり得ない］、
および
下記式のキナクリドンである第三の成分
【化４】
1997324131.tif 000004
（式中、Ｒは水素、ハロゲン、Ｃ1-Ｃ6 アルキルまたはＣ1-Ｃ6 アルコキシである）、または
上記式（Ｉ）および（II) とは異なる下記式の１、４−ジケトピロロ［３，４−ｃ］ピロールである第三の成分
【化５】
1997324131.tif 000005
［式中、ＸとＹとは互いに独立的に式
【化６】
1997324131.tif 000006
（式中、R1とR2とは上記したと同じ意味を有する）の基である］とからなる単相三成分系固溶体であって、該固溶体は等モル量の（Ｉ）と（II）とからなる混晶が示すＸ線回折図と実質的に同じＸ線回折図を有する；ただし、成分（Ｉ）と(II)とが１、４−−ジケト−３、６−ジフェニルピロロ［３，４−ｃ］ピロールと１、４−ジケト−３、６−ジ（４−クロロフェニル）ピロロ［３，４−ｃ］ピロールとである場合には第三成分はジ置換キナクリドンではない。
【請求項２】
第三成分の過剰と共に請求項１記載の三成分系固溶体を含有している顔料組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月7日(2004.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
合成樹脂にて相対する一対の側板及び該側板の下部を連結する支持板を合成樹脂にて一体形成すると共に一方の側板上端部に軸支部及び他方の側板上端部に被係合部を夫々設けたガイド部材と、該ガイド部材における各側板の上部間に、該ガイド部材に対して非融着特性を有した合成樹脂にて、軸支部に回動可能に支持される軸受部及び被係合部に係合する係合部を有するように一体成形されたカバー部材とからチェーン単位部材を構成し、各チェーン単位部材相互を屈曲可能に連結してなるケーブルチェーン。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
このため本発明は、合成樹脂にて相対する一対の側板及び該側板の下部を連結する支持板を合成樹脂にて一体形成すると共に一方の側板上端部に軸支部及び他方の側板上端部に被係合部を夫々設けたガイド部材と、該ガイド部材における各側板の上部間に、該ガイド部材に対して非融着特性を有した合成樹脂にて、軸支部に回動可能に支持される軸受部及び被係合部に係合する係合部を有するように一体成形されたカバー部材とからチェーン単位部材を構成し、各チェーン単位部材相互を屈曲可能に連結してなることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月4日(2004.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気加熱ケーブル（２０）を備えた蒸発器（１０）であって、前記電気加熱ケーブルが当該蒸発器を除霜するためのものであり、当該蒸発器が管状要素（１２）を具備し、該管状要素を通って冷却剤が流され、該管状要素（１２）の壁に沿って前記電気加熱ケーブル（２０）が延在し、該管状要素に表面拡大手段（１４）が配設されている蒸発器において、前記管状要素（１２）が内側パイプ（１６）と該内側パイプを包囲する外側パイプ（２２）とによって構成され、これらパイプ間に前記電気加熱ケーブル（２０）が配設されていることを特徴とする蒸発器。
【請求項２】
前記電気加熱ケーブル（２０）を前記内側パイプ（１６）の溝（１８）内に配置したことを特徴とする請求項１に記載の蒸発器。
【請求項３】
前記電気加熱ケーブル（２０）が前記溝（１８）の壁面に押しつけられた状態を前記外側パイプ（２２）によって維持することを特徴とする請求項２に記載の蒸発器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月27日(2005.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
図５はセグメントリングＡを１つ用いた例、図６はセグメントリングＡ’と円周方向のカット部に隙間を設け、軸Ｊの外周と常に接触するリングＲとを用いた例を示す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005172086.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2005172086.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2005172086.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月25日(2005.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクチュエータの駆動を介して切り替えられる第一変速装置（ｄ，ｇ）と、
この第一変速装置（ｄ，ｇ）の変速位置を手動設定する変速設定部（８）と、
この変速設定部（８）の設定に応じて切替指令を出力し前記第一変速装置（ｄ，ｇ）の変速位置を切り替える制御部と、
手動操作用のシフトレバー（７）を介して変速位置の切替えが可能な第二変速装置（ｅ）と、
走行方向を前後に切り替える前後進切替装置（ｆ）とを備えた作業車両において、
前記シフトレバー（７）は、第二変速装置（ｅ）のいずれかの変速位置で作業用ポジションと路上用ポジションを選択可能に形成し、
前記制御部は、前記シフトレバー（７）の変速位置が路上用ポジションに切り替えられ、かつ、前記前後進切替装置（ｆ）が前進状態の場合に限り、アクセルペダル操作に応じて前記第一変速装置（ｄ，ｇ）の変速位置を切り替え可能に構成したことを特徴とする作業車両の変速制御装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記シフトレバー（７）の変速位置が路上用ポジションに切り替えられた場合に、前記作業車両の前輪または後輪のいずれか一方のみを走行駆動するように伝動切替えすることを特徴とする請求項１記載の作業車両の変速制御装置。
【請求項３】
アクチュエータの駆動を介して切り替えられる第一変速装置（ｄ，ｇ）と、
この第一変速装置（ｄ，ｇ）の変速位置を手動設定する変速設定部（８）と、
この変速設定部（８）の設定に応じて切替指令を出力し前記第一変速装置（ｄ，ｇ）の変速位置を切り替える制御部と、
手動操作用のシフトレバー（７）を介して変速位置の切替えが可能な第二変速装置（ｅ）と、
走行方向を前後に切り替える前後進切替装置（ｆ）とを備えた作業車両において、
前記制御部は、スイッチ操作で第一変速装置（ｄ，ｇ）の変速位置を限定し、この限定された変速位置間で、かつ、前記前後進切替装置（ｆ）が前進状態の場合に限り、アクセルペダル操作に応じて前記第一変速装置（ｄ，ｇ）の変速位置を切り替え可能に構成したことを特徴とする作業車両の変速制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
請求項１に係る発明は、アクチュエータの駆動を介して切り替えられる第一変速装置（ｄ，ｇ）と、この第一変速装置（ｄ，ｇ）の変速位置を手動設定する変速設定部（８）と、この変速設定部（８）の設定に応じて切替指令を出力し前記第一変速装置（ｄ，ｇ）の変速位置を切り替える制御部と、手動操作用のシフトレバー（７）を介して変速位置の切替えが可能な第二変速装置（ｅ）と、走行方向を前後に切り替える前後進切替装置（ｆ）とを備えた作業車両において、前記シフトレバー（７）は、第二変速装置（ｅ）のいずれかの変速位置で作業用ポジションと路上用ポジションを選択可能に形成し、前記制御部は、前記シフトレバー（７）の変速位置が路上用ポジションに切り替えられ、かつ、前記前後進切替装置（ｆ）が前進状態の場合に限り、アクセルペダル操作に応じて前記第一変速装置（ｄ，ｇ）の変速位置を切り替え可能に構成したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項２に係る発明は、請求項１の構成において、前記制御部は、前記シフトレバーの変速位置が路上用ポジションに切り替えられた場合に、前記作業車両の前輪または後輪のいずれか一方のみを走行駆動することを特徴とする。
また請求項３に係る発明は、アクチュエータの駆動を介して切り替えられる第一変速装置（ｄ，ｇ）と、
この第一変速装置（ｄ，ｇ）の変速位置を手動設定する変速設定部（８）と、
この変速設定部（８）の設定に応じて切替指令を出力し前記第一変速装置（ｄ，ｇ）の変速位置を切り替える制御部と、
手動操作用のシフトレバー（７）を介して変速位置の切替えが可能な第二変速装置（ｅ）と、
走行方向を前後に切り替える前後進切替装置（ｆ）とを備えた作業車両において、
前記制御部は、スイッチ操作で第一変速装置（ｄ，ｇ）の変速位置を限定し、この限定された変速位置間で、かつ、前記前後進切替装置（ｆ）が前進状態の場合に限り、アクセルペダル操作に応じて前記第一変速装置（ｄ，ｇ）の変速位置を切り替え可能に構成したことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記制御部により、路上用ポジションで走行する場合に４輪駆動から前輪または後輪のいずれか一方のみが走行駆動される２輪駆動に切替えられることから、路上面との摩擦を少なくして効率良く路上走行することができる（請求項２）。
またスイッチ操作で第一変速装置（ｄ，ｇ）の変速位置が限定され、この限定された変速位置間で、かつ、前記前後進切替装置（ｆ）が前進状態の場合に限り、アクセルペダル操作に応じて前記第一変速装置（ｄ，ｇ）の変速位置を切り替え可能となる。したがって、特に複数の変速装置を備えた作業車両の走行に適した変速が可能となり、操作性を向上することができる（請求項３）
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月27日(2005.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このような空気調和機本体１の設置例として、図３に示すように地袋に設置した場合を説明する。
本体１は、地袋内の台木１５上に設置される。地袋設置の場合は、設置場所の点検口は、本体１の上方の建物の仕切部に設置場所の点検口１６を設ける。部屋の空気を吸い込む吸込グリル２は、据付枠１７を介して建物壁面に設置され、また、本体１からの空気を部屋に吹出す吹出グリル７は吹出口６に連接し（図２では上下に設置しているが、左右にスペースがある場合は左右に並置してもよい）、据付枠１８を介して本体１の吹出口６に接続し、同じく建物壁面に設置されている。なお、空気調和機本体１は、いわゆる室内機であり、別に設置（室外等に設置）された圧縮機を有する室外機と冷媒配管で接続され、空気調和機を構成する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月15日(2005.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バーナへ燃焼用空気を供給する給気装置と、バーナへ燃料油を供給する低燃焼用燃料供給ライン及び高燃焼用燃料供給ラインを持ち、燃焼用空気供給量と燃料供給量を調節することにより、低燃焼と高燃焼で燃焼量の変更を可能としている油噴霧式燃焼装置において、高燃焼用燃料供給ラインの途中に並列部を設け、並列部の一方に高燃焼用燃料弁、並列部の他方側には移行時用燃料弁と流量制限手段を設けておき、燃焼量を低燃焼と高燃焼の間で変更する場合、燃焼量変更の途中で、高燃焼用燃料弁は閉じ、移行時用燃料弁は開いている移行時用燃料供給量の状態を挟む制御を行うことを特徴とする段階的な燃焼量変更を行う燃焼装置。
【請求項２】
請求項１に記載の段階的な燃焼量変更を行う燃焼装置において、燃焼量を低燃焼から高燃焼へ変更する場合、まず空気供給量の変更を開始し、次に移行時用燃料弁を開くことで移行時用燃料供給量とし、その後に高燃焼用燃料弁を開く制御を行うことを特徴とする段階的な燃焼量変更を行う燃焼装置。
【請求項３】
請求項１に記載の段階的な燃焼量変更を行う燃焼装置において、燃焼量を高燃焼から低燃焼へ変更する場合、まず空気供給量の変更を開始し、次に高燃焼用燃料弁を閉じることで移行時用燃料供給量とし、その後に移行時用燃料弁を閉じる制御を行うことを特徴とする段階的な燃焼量変更を行う燃焼装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の段階的な燃焼量変更を行う燃焼装置において、給気装置は電源の周波数を変更することで回転速度の変更を可能とした送風機であり、燃焼量を変更する場合には送風機の周波数を検出しておき、周波数の値が所定の値となると移行時用燃料供給量とし、周波数が所定の値となった時から所定の時間遅延後に移行後の燃料供給量とする制御を行うことを特徴とする段階的な燃焼量変更を行う燃焼装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項１に記載の発明は、
バーナへ燃焼用空気を供給する給気装置と、バーナへ燃料油を供給する低燃焼用燃料供給ライン及び高燃焼用燃料供給ラインを持ち、燃焼用空気供給量と燃料供給量を調節することにより、低燃焼と高燃焼で燃焼量の変更を可能としている油噴霧式燃焼装置において、高燃焼用燃料供給ラインの途中に並列部を設け、並列部の一方に高燃焼用燃料弁、並列部の他方側には移行時用燃料弁と流量制限手段を設けておき、燃焼量を低燃焼と高燃焼の間で変更する場合、燃焼量変更の途中で、高燃焼用燃料弁は閉じ、移行時用燃料弁は開いている移行時用燃料供給量の状態を挟む制御を行うことを特徴とする段階的な燃焼量変更を行う燃焼装置である。
請求項２に記載の発明は、前記の段階的な燃焼量変更を行う燃焼装置において、燃焼量を低燃焼から高燃焼へ変更する場合、まず空気供給量の変更を開始し、次に移行時用燃料弁を開くことで移行時用燃料供給量とし、その後に高燃焼用燃料弁を開く制御を行うことを特徴とする段階的な燃焼量変更を行う燃焼装置である。
請求項３に記載の発明は、前記の段階的な燃焼量変更を行う燃焼装置において、燃焼量を高燃焼から低燃焼へ変更する場合、まず空気供給量の変更を開始し、次に高燃焼用燃料弁を閉じることで移行時用燃料供給量とし、その後に移行時用燃料弁を閉じる制御を行うことを特徴とする段階的な燃焼量変更を行う燃焼装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項３に記載の発明は、前記の段階的な燃焼量変更を行う燃焼装置において、給気装置は電源の周波数を変更することで回転速度の変更を可能とした送風機であり、燃焼量を変更する場合には送風機の周波数を検出しておき、周波数の値が所定の値となると移行時用燃料供給量とし、周波数が所定の値となった時から所定の時間遅延後に移行後の燃料供給量とする制御を行うことを特徴とする段階的な燃焼量変更を行う燃焼装置である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月9日(2005.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気誘導式流量測定装置であって、
測定管（４）を通流する媒体の容積流量を測定するために使用され、
流動方向に対して垂直に延在する磁界成分を有し測定管（４）を貫通する磁界を生成するための磁石と、該媒体にて誘導された電圧を取り出すための第１の測定電極（２）および第２の測定電極（３）と、基準電極（１）と、プリアンプ（５）とが設けられており、
前記プリアンプ（５）へ、両測定電極（２，３）にて取り出された電位が供給され、
該プリアンプ（５）のコモンモード入力電圧または／および該プリアンプの出力制御領域の電位領域を調整して、前記プリアンプ（５）のコモンモード入力電圧を該プリアンプ（５）の最大出力制御電圧の半分に近似させるための制御回路が設けられている形式のものにおいて、
前記制御回路は前記基準電極（１）に接続されており、該基準電極（１）の電位を制御するために構成されていることを特徴とする磁気誘導式流量測定装置。
【請求項２】
磁気誘導式流量測定装置のための測定方法であって、
測定管（４）を通流する媒体の容積流量を測定するための方法であり、
該磁気誘導式流量測定装置は、磁石と、第１の測定電極（２）と、第２の測定電極（３）と、基準電極（１）と、プリアンプ（５）とを有しており、
前記磁石によって、流動方向に対して垂直に延在する磁界成分を有し該測定管（４）を貫通する磁界を生成し、
前記第１の測定電極（２）および第２の測定電極（３）によって、該媒体にて誘導された電圧を取り出し、
前記プリアンプ（５）へ、両測定電極（２，３）にて取り出された電位を供給し、
前記プリアンプ（５）のコモンモード入力電圧または／および該プリアンプ（５）の出力制御領域の電位領域を制御回路によって調整し、該プリアンプ（５）のコモンモード入力電圧を該プリアンプ（５）の最大出力電圧の半分に近似させる形式の方法において、
前記基準電極（１）の電位を前記制御回路によって制御することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面指数が（１００）であるＩｎＰ基板にＩｎＰと屈折率を異にする三族−五族化合物半導体からなる回折格子用半導体層を堆積する工程と、
次いで、該回折格子用半導体層の局所に回折格子を切って複数条の回折格子部を形成する工程と、
次いで、該複数条の回折格子部を埋め込むと共に該回折格子用半導体層を被覆するＩｎＰからなる第一の層を堆積する工程と、
次いで、該第一の層を堆積した際に比較し基板温度を高くして該第一の層上にＩｎＰからなる第二の層を堆積する工程とが含まれ、
該第一の層を堆積する工程は、
Ｉｎの原料を有機金属、Ｐの原料をＰＨ3 或いは有機Ｐ、キャリヤ・ガスをＨ2 とする有機金属気相成長法を適用し、且つ、該回折格子用半導体層の回折格子部以外の面指数が（１００）の平坦部に於ける成長速度をＤＲ1 〔μｍ／ｈ〕、キャリヤ・ガスＨ2 の総流量に対するＰ原料の流量比をＦＲ〔％〕としたとき、
ｌｏｇ10ＦＲ≧４．４Ａ・ＤＲ1 −１．３（Ａ＝２〜３）
の条件を満たして実施されること
を特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項２】
成長速度ＤＲ1 を０．１〔μｍ／ｈ〕以下とすること
を特徴とする請求項１記載の光半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】  前記したところから、本発明に依る光半導体装置の製造方法に於いては、（１） 面指数が（１００）であるＩｎＰ基板にＩｎＰと屈折率を異にする三族−五族化合物半導体からなる回折格子用半導体層を堆積する工程と、次いで、該回折格子用半導体層の局所に回折格子を切って複数条の回折格子部を形成する工程と、次いで、該複数条の回折格子部を埋め込むと共に該回折格子用半導体層を被覆するＩｎＰからなる第一の層を堆積する工程と、次いで、該第一の層を堆積した際に比較し基板温度を高くして該第一の層上にＩｎＰからなる第二の層を堆積する工程とが含まれ、該第一の層を堆積する工程は、Ｉｎの原料を有機金属、Ｐの原料をＰＨ3 或いは有機Ｐ、キャリヤ・ガスをＨ2 とする有機金属気相成長法を適用し、且つ、該回折格子用半導体層の回折格子部以外の面指数が（１００）の平坦部に於ける成長速度をＤＲ1 〔μｍ／ｈ〕、キャリヤ・ガスＨ2 の総流量に対するＰ原料の流量比をＦＲ〔％〕としたとき、ｌｏｇ10ＦＲ≧４．４Ａ・ＤＲ1 −１．３（Ａ＝２〜３）の条件を満たして実施されることを特徴とするか、又は、
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
（２）
前記（１）に於いて、成長速度ＤＲ1 を０．１〔μｍ／ｈ〕以下とすることを特徴とす
る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
【発明の効果】
本発明に依る光半導体装置の製造方法に於いては、面指数が（１００）であるＩｎＰ基
板にＩｎＰと屈折率を異にする三族−五族化合物半導体からなる回折格子用半導体層を堆
積する工程と、次いで、該回折格子用半導体層の局所に回折格子を切って複数条の回折格
子部を形成する工程と、次いで、該複数条の回折格子部を埋め込むと共に該回折格子用半
導体層を被覆するＩｎＰからなる第一の層を堆積する工程と、次いで、該第一の層を堆積
した際に比較し基板温度を高くして該第一の層上にＩｎＰからなる第二の層を堆積する工
程とが含まれ、該第一の層を堆積する工程は、Ｉｎの原料を有機金属、Ｐの原料をＰＨ3 
或いは有機Ｐ、キャリヤ・ガスをＨ2 とする有機金属気相成長法を適用し、且つ、該回折
格子用半導体層の回折格子部以外の面指数が（１００）の平坦部に於ける成長速度をＤＲ
1 〔μｍ／ｈ〕、キャリヤ・ガスＨ2 の総流量に対するＰ原料の流量比をＦＲ〔％〕とし
たとき、ｌｏｇ10ＦＲ≧４．４Ａ・ＤＲ1 −１．３（Ａ＝２〜３）の条件を満たして実施
される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月10日(2004.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
この従来例の場合、半導体レーザ、ビームスプリッタ、コリメートレンズ、光量検出用受光素子を個別の部品として装置を構成しているが、例えば反射型ホログラムを用いて上記の機能を一体化してレーザ光源ユニットを実現すると、小型化／低コスト化できる。しかし、搭載する半導体レーザの個体差による発振波長の違いや、温度や電流の変動による波長の変化が原因で、反射型ホログラムから回折される光検出用受光素子の受光面上のビーム径の変化および集光位置とＰＤ（光量検出用受光素子の受光面）中心とのずれが発生して、これに対応するためには受光面形状を大きくする必要があった。このため装置の小型化が困難であり、またカットオフ周波数の低下が発生する問題があった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
以下、反射型ホログラムの種々の形状について、集光特性について詳しく説明するが、まず基準となる原点や座標軸などについて説明する。ここでは、見掛けの発光点Ｐ（実際の発光点が立ち上げプリズムミラー３により反射されて、見掛け上存在する発光点）を座標の原点とし、Ｐから出射する発散光の中心軸（光軸）をｚ軸とし、ｚ軸に対して垂直で基準となる平面を考える。原点である発光点Ｐを含む平面内にｘ軸とｙ軸を設定する。この平面（Ｈ）はｘ−ｙ平面であり、ｘ軸、ｙ軸の正は、原点Ｐに対してｘ、ｙの文字のある側とする。そして光量検出用受光素子１１の受光面の中心点の投影点がｘ−ｙ平面内のｙ軸上にあるとする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
以下、反射型ホログラム１０は図４〜図７の４種類の形状に対してそれぞれ次のように称して、それらの有する集光特性ついて詳しく説明する。すなわち、リング状（図４）、１／２ｙリング状（図５）：ｙの領域が負のみ、１／２ｘリング状（図６）：ｘの領域が正のみ、および１／４リング状（図７）である。発光点Ｐからの拡散光の周辺部が、これら反射型ホログラムによって回折され、光量検出用受光素子１１の受光面の中心に集光される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
なお反射ホログラムの設計波長は７８０ｎｍとした。実線は波長７８０ｎｍ、破線は７６０ｎｍおよび一点鎖線は波長８００ｎｍの場合の様子を示す。ここでは、設計波長である７８０ｎｍを中心として±２０ｎｍまでの変動を予想している。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月1日(2004.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】分析方法，分析システム及び分析装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハ上の欠陥を検査する検査工程を含む分析方法であって、
該半導体ウェハのチップの電気的特性を検査する電気特性検査工程と、
該電気的検査工程の検査結果を用いて、夫々のチップの良否を決定する決定工程と、
該決定工程の結果を用いて欠陥のない欠陥無チップの歩留まりを計算して検査工程間の歩留まり影響度を計算する検査工程と、
該計算工程で得られた結果を出力する工程と
を備え、
該欠陥無チツプの歩留まりは、検査工程で検出された累積欠陥のないチップの歩留まりであって、
該歩留まり影響度は、
【数１】
2000223385.tif 000001
但し、ｋ＝１，２，３，……，ｎ
欠陥検査（０）までの欠陥無チップの歩留まり＝前記半導体ウェハの全チ ップに対する歩留まり
で計算されたものであることを特徴とする分析方法。
【請求項２】
半導体ウェハ上の欠陥を検査する検査手段と、
該半導体ウェハのチップの電気的特性を検査する１以上の検査手段と、
該半導体ウェハのチップの電気的特性を検査する電気検査装置と、
該電気検査装置の検査結果を用いて夫々のチップの良否を決定し、夫々のチップの良否の決定結果を用いて欠陥のない欠陥無チップの歩留まりを計算して検査工程間の歩留まり影響度を計算し、計算結果を出力する分析装置と
を備え、
該欠陥無チツプの歩留まりは、検査工程で検出された累積欠陥のないチップの歩留まりであって、
該歩留まり影響度は、
【数１】
2000223385.tif 000002
但し、ｋ＝１，２，３，……，ｎ
欠陥検査（０）までの欠陥無チップの歩留まり＝前記半導体ウェハの全チ ップに対する歩留まり
で計算されたものであることを特徴とする分析システム。
【請求項３】
１以上の検査手段によって検出された半導体ウェハ上の欠陥を表わす検査結果を蓄積する第１の記憶手段と、
電気検査装置によって得られた半導体ウェハのチップの電気的特性を表わす検査結果を蓄積する第２のメモリ手段と、
該電気検査装置の検査結果を用いて各チップの良否を決定し、この決定結果を用いて欠陥のない欠陥３チップの歩留まりを計算して検査工程間の歩留まり影響度を計算し、その計算結果を出力する処理手段と
を備え、
該歩留まり影響度は、
【数１】
2000223385.tif 000003
但し、ｋ＝１，２，３，……，ｎ
欠陥検査（０）までの欠陥無チップの歩留まり＝前記半導体ウェハの全チ ップに対する歩留まり
で計算されることを特徴とする分析装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記処理手段は、検査結果を歩留まり影響度の大きい順に示すリストを作成することを特徴とする分析装置。
【請求項５】
請求項３において、
前記第１のメモリ手段と前記第２のメモリ手段とは同じメモリ手段であることを特徴とする分析装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体などの多層回路パターンを形成する電子デバイスでの歩留り低下の原因となる異物や欠陥の発生工程を特定する分析方法，分析システム及び分析装置に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の目的は、かかる問題を解消し、歩留り影響度を従来の手法よりも高精度に定量化することができ、特に、クラスタ欠陥やウェーハ面内での欠陥分布の偏り，検査装置の虚報，プロセスマージン不良の影響を受けず、正味異物や正味欠陥の抽出を必要としないで歩留り影響度を高精度に定量化することができるようにした分析方法，分析システム及び分析装置を提供することにある。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面により説明する。
図１は本発明による分析方法の一実施形態を示す図であって、ここでは、半導体ウェーハの異物発生工程の絞込みに適用した場合を示すものである。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、図２はかかる実施形態を実行する本発明による分析システム及び分析装置の一実施形態を示すブロック図であって、３１は異物検査装置、３２は外観検査装置、３３は電気検査（プローブ）検査装置（テスタ）、４１は異物／外観検査データベース、４２は電気検査データベース、５１は異物／外観データ収集ステーション、５２は電気検査データ収集ステーション、６１はデータ解析部、６２は解析ステーションである。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
また、上記実施形態を実行する分析システムや分析装置としては、生産量の多い製造ラインでは、図２で示したように構成することになるが、生産量がさほど多くない製造ラインでは、図３に示すように、データ収集と解析を同一ステーション６０で実現し、また、検査データベース４０も、異物検査，外観検査及び電気検査の各検査データを同一データベースで実現することが可能である。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】本発明による分析方法の一実施形態を示す図である。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】図１に示した実施形態を実行する本発明による分析システム及び分析装置の一実施形態を示すブロック図である。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】図１に示した実施形態を実行する本発明による分析システム及び分析装置の他の実施形態を示すブロック図である。