【手続補正書】
【提出日】平成16年9月15日(2004.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メインフィールド内の複数のサブフィールド毎のパターンデータを有するパターンデータから前記サブフィールド毎の露光パターンデータを有する露光データを求め、該露光データに従って資料を露光する荷電粒子ビーム露光方法において、
（ａ）前記サブフィールド内に複数のエリアを発生する工程と、
（ｂ）該エリア内のパターン密度を求め、該エリアの周囲のエリアのパターン密度及びエリア間の距離に従って当該パターン密度を見直す工程と、
（ｃ）前記エリアの前記見直されたパターン密度が所定の露光基準密度より低い場合に、当該エリア内に補助露光パターンを発生する工程と、
（ｄ）前記パターンが存在するパターン存在領域間の距離が所定の基準距離より大きい場合は、前記パターン存在領域間であって前記露光基準密度より高いパターン密度を有するエリアに、更に補助露光パターンを発生する工程と、
（ｅ）前記パターンデータに前記補助露光パターンデータを追加した露光データに従って、前記資料を露光する工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記工程（ｂ）において、前記エリア内のパターン存在領域データを生成し、前記工程（ｄ）において、前記生成されている各エリアのパターン存在領域データに従って、前記パターン存在領域間の距離を求めることを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項３】
メインフィールド内の複数のサブフィールド毎のパターンデータを有するパターンデータから前記サブフィールド毎の露光パターンデータを有する露光データを求め、該露光データに従って資料を露光する荷電粒子ビーム露光方法において、
（ａ）前記サブフィールド内に複数のエリアを発生する工程と、
（ｂ）該エリア内のパターン密度を求め、該エリアの周囲のエリアのパターン密度及びエリア間の距離に従って当該パターン密度を見直す工程と、
（ｃ）前記エリアの前記見直されたパターン密度が所定の露光基準密度より低い場合に、当該エリア内に補助露光パターンを発生し、前記補助露光パターンは、前記資料上のレジスト材料に応じて所望の露光量分布を有する工程と、
（ｄ）前記パターンデータに前記補助露光パターンデータを追加した露光データに従って、前記資料を露光する工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記補助露光パターンの露光量分布は、前記レジスト材料における露光エネルギーの拡がりの程度に応じた最適値が選択可能であることを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項５】
メインフィールド内の複数のサブフィールド毎のパターンデータを有するパターンデータから前記サブフィールド毎の露光パターンデータを有する露光データを求め、該露光データに従って資料を露光する荷電粒子ビーム露光方法において、
（ａ）前記サブフィールド内のパターンの存在領域の中心から点対称に、所定の範囲の周囲に、複数のエリアを発生する工程と、
（ｂ）該エリア内のパターン密度を求め、該エリアの周囲のエリアのパターン密度及びエリア間の距離に従って当該パターン密度を見直す工程と、
（ｃ）前記エリアの前記見直されたパターン密度が所定の露光基準密度より低い場合に、当該エリア内に補助露光パターンを発生する工程と、
（ｄ）前記パターンデータに前記補助露光パターンデータを追加した露光データに従って、前記資料を露光する工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項６】
メインフィールド内の複数のサブフィールド毎のパターンデータを有するパターンデータから前記サブフィールド毎の露光パターンデータを有する露光データを求め、該露光データに従って資料を露光する荷電粒子ビーム露光方法において、
（ａ）前記サブフィールド内に複数のエリアを発生する工程と、
（ｂ）該エリア内のパターン密度を求め、該エリアの周囲のエリアのパターン密度及び該エリア内のパターン存在領域間の距離に従って当該パターン密度を見直す工程と、
（ｃ）前記エリアの前記見直されたパターン密度が所定の露光基準密度より低い場合に、当該エリア内に補助露光パターンを発生する工程と、
（ｄ）前記パターンデータに前記補助露光パターンデータを追加した露光データに従って、前記資料を露光する工程とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記エリア内のパターン存在領域間の距離は、前記パターン存在領域の重心間の距離であることを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項８】
メインフィールド内の複数のサブフィールド毎のパターンデータを有するパターンデータから前記サブフィールド毎の露光パターンデータを有する露光データを求め、該露光データに従って資料を露光する荷電粒子ビーム露光方法において、
（ａ）前記サブフィールド内に複数のエリアを発生する工程と、
（ｂ）該エリア内のパターン密度を求め、該エリアの周囲のエリアのパターン密度及びエリア間の距離に従って当該パターン密度を見直す工程と、
（ｃ）前記エリアの前記見直されたパターン密度が所定の露光基準密度より低い場合に、当該エリア内に補助露光パターンを発生する工程と、
（ｄ）前記パターンデータに前記補助露光パターンデータを追加した露光データに従って、前記資料を露光する工程とを有し、
同一のパターンデータを有するサブフィールドが複数繰り返し配置される場合に、当該繰り返し配置されるサブフィールドの最初のサブフィールドに対して前記工程（ａ）〜（ｃ）行い、該最初のサブフィールド内に補助露光パターンが発生しない場合は、残りのサブフィールドに対して少なくとも一部の領域を除いて前記工程（ａ）〜（ｃ）を省略することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記繰り返し配置されるサブフィールドの境界領域については、前記工程（ａ）〜（ｃ）を行うことを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項１０】
メインフィールド内の複数のサブフィールド毎のパターンデータを有するパターンデータから前記サブフィールド毎の露光パターンデータを有する露光データを求め、該露光データに従って資料を露光する荷電粒子ビーム露光装置において、
前記サブフィールド内に複数のエリアを発生し、該エリア内のパターン密度を求め、該エリアの周囲のエリアのパターン密度及びエリア間の距離に従って当該パターン密度を見直し、前記エリアの前記見直されたパターン密度が所定の露光基準密度より低い場合に、当該エリア内に補助露光パターンを発生し、前記パターンが存在するパターン存在領域間の距離が所定の基準距離より大きい場合は、前記パターン存在領域間であって前記露光基準密度より高いパターン密度を有するエリアに、更に補助露光パターンを発生し、前記パターンデータに前記補助露光パターンデータを追加した露光データを生成する露光データ生成部と、
前記露光データに従って、前記資料に荷電粒子ビームを照射して露光する露光部とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項１１】
メインフィールド内の複数のサブフィールド毎のパターンデータを有するパターンデータから前記サブフィールド毎の露光パターンデータを有する露光データを求め、該露光データに従って資料を露光する荷電粒子ビーム露光装置において、
前記サブフィールド内のパターンの存在領域の中心から点対称に、所定の範囲の周囲に、複数のエリアを発生し、該エリア内のパターン密度を求め、該エリアの周囲のエリアのパターン密度及びエリア間の距離に従って当該パターン密度を見直し、前記エリアの前記見直されたパターン密度が所定の露光基準密度より低い場合に、当該エリア内に補助露光パターンを発生し、前記パターンデータに前記補助露光パターンデータを追加した露光データを生成する露光データ生成部と、
前記露光データに従って、前記資料に荷電粒子ビームを照射して露光する露光部とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項１２】
メインフィールド内の複数のサブフィールド毎のパターンデータを有するパターンデータから前記サブフィールド毎の露光パターンデータを有する露光データを求め、該露光データに従って資料を露光する荷電粒子ビーム露光装置において、
前記サブフィールド内に複数のエリアを発生し、該エリア内のパターン密度を求め、該エリアの周囲のエリアのパターン密度及び該エリア内のパターン存在領域間の距離に従って当該パターン密度を見直し、前記エリアの前記見直されたパターン密度が所定の露光基準密度より低い場合に、当該エリア内に補助露光パターンを発生し、前記パターンデータに前記補助露光パターンデータを追加した露光データを生成する露光データ生成部と、
前記露光データに従って、前記資料に荷電粒子ビームを照射して露光する露光部とを有することを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。
【請求項１３】
メインフィールド内の複数のサブフィールド毎のパターンデータを有するパターンデータから前記サブフィールド毎の露光パターンデータを有する露光データを求め、該露光データに従って資料を露光する荷電粒子ビーム露光装置において、
前記サブフィールド内に複数のエリアを発生し、該エリア内のパターン密度を求め、該エリアの周囲のエリアのパターン密度及びエリア間の距離に従って当該パターン密度を見直し、前記エリアの前記見直されたパターン密度が所定の露光基準密度より低い場合に、当該エリア内に補助露光パターンを発生し、前記パターンデータに前記補助露光パターンデータを追加した露光データを生成する露光データ生成部と、
前記露光データに従って、前記資料に荷電粒子ビームを照射して露光する露光部とを有し、
前記露光データ生成部は、同一のパターンデータを有するサブフィールドが複数繰り返し配置される場合に、当該繰り返し配置されるサブフィールドの最初のサブフィールドに対して前記補助露光パターンの発生までの演算を行い、該最初のサブフィールド内に補助露光パターンが発生しない場合は、残りのサブフィールドに対して少なくとも境界領域を除いて前記演算を省略することを特徴とする荷電粒子ビーム露光装置。