(57)【要約】【課題】ディスプレイの狭額縁化を実現することが可能な有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供する。【解決手段】基板１１と、基板１１上に設けられる複数の有機ＥＬ素子からなる表示部と、基板１１上であって該表示部の外縁に設けられるコンタクト部１３と、から構成され、前記有機ＥＬ素子が、下部電極２と、有機ＥＬ層と、上部電極６と、をこの順に備えており、上部電極６が前記複数の有機ＥＬ素子に共通して形成され、かつコンタクト部１３に電気接続されている有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、下記に示す工程（１）〜（４）が含まれることを特徴とする、有機ＥＬディスプレイの製造方法。  （１）下部電極の形成工程  （２）有機ＥＬ層の形成工程  （３）コンタクト部上に形成された有機ＥＬ層を除去する工程  （４）上部電極の形成工程【選択図】図２
2010146731.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に設けられる複数の有機ＥＬ素子からなる表示部と、
該基板上であって該表示部の外縁に設けられるコンタクト部と、から構成され、
前記有機ＥＬ素子が、下部電極と、有機ＥＬ層と、上部電極と、をこの順に備えており、
前記上部電極が前記複数の有機ＥＬ素子部に共通して形成され、かつ前記コンタクト部に電気接続されている有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、
下記に示す工程（１）〜（４）が含まれることを特徴とする、有機ＥＬディスプレイの製造方法。
（１）下部電極の形成工程
（２）有機ＥＬ層の形成工程
（３）コンタクト部上に形成された有機ＥＬ層を除去する工程
（４）上部電極の形成工程
【請求項２】
前記工程（３）をレーザーアブレーションで行うことを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
【請求項３】
前記工程（３）において、前記基板の外縁部であってシール剤を塗布する位置に形成されている有機ＥＬ層も除去し、
前記工程（４）の後、下記に示す工程（５）及び（６）を行うことを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
（５）シール剤を塗布する位置にシール剤を塗布する工程
（６）ディスプレイに貼り合せ基板を対向させ、前記工程（５）で塗布したシール剤で接着する工程
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬディスプレイの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ等の薄型ディスプレイの需要が高まっている。特に携帯端末（例えば、携帯電話、デジタルカメラ等）向けのディスプレイとしては液晶ディスプレイが主流となっており、高精細化も進んでいる。
【０００３】
しかしながら液晶ディスプレイはバックライトと呼ばれる光源を備える構造となっており、光を取り出す方法としてはバックライトから放出された白色光をカラーフィルターに透過させる方法を採用している。このため消費電力の大半はバックライトに費やされる。またカラーフィルターにより光の取出し効率が極端に減少する。さらに液晶ディスプレイにおいては、視野角により色味が変わる課題も抱えている。携帯端末においては、これからも低消費電力化、広視野角及び薄型化の実現が求められる。
【０００４】
そこで液晶ディスプレイの課題である消費電力及び視野角依存性を解決する次世代ディスプレイとして、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、有機ＥＬディスプレイという。）の開発が進められている。有機ＥＬディスプレイは、自発光性であるために液晶ディスプレイでは必須のバックライトが不要となるため消費電力を抑えることができる。また、液晶ディスプレイに比べて応答速度が速く、視野角も優れているという利点がある。尚、白色を発する有機ＥＬ装置をバックライトとして用いたディスプレイも開発されているが、その場合はカラーフィルターが必要となり光の取出し効率が著しく悪化する。
【０００５】
一方、フルカラー塗り分け方式の有機ＥＬディスプレイはカラーフィルターが不要となり、光の取出し効率が非常に優れているという利点を有している。ここでフルカラー塗り分け方式を実現する発光層の塗り分け方法として、具体的には、ドライプロセスに含まれるマスク蒸着法やレーザー転写法、ウェットプロセスに含まれるインクジェット法が挙げられる。ただ有機ＥＬディスプレイの構成部材である有機ＥＬ素子は水分に弱いとされており、現状ではドライプロセスによる成膜の方が発光効率のよい有機ＥＬ素子ができると考えられている。
【０００６】
近年では小型ディスプレイの高精細化が進み、有機ＥＬディスプレイにおいても高精細化や狭額縁化の要求が高まっている。ここで低分子系の有機材料を使用して有機ＥＬディスプレイを製造するときは、通常、ドライプロセスが利用される。ドライプロセスを利用する場合は、上述したようにマスクを用いた蒸着法を採用するのが一般的である。しかしマスクを用いた蒸着法では、マスクの精度により有機ＥＬディスプレイの精細度が決まってしまうという問題がある。また、マスクを用いた蒸着法では、蒸着物のけられや回り込みが発生することでマスクの精度が低下し、これによりディスプレイの精細度が低下するという問題も生じていた。この問題を解決する方法として、特許文献１では、複数の画素からなる表示部を作製するときに、マスク蒸着法を採用せずに製造する有機ＥＬディスプレイの製造方法が提案されている。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−３２４６７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで有機ＥＬディスプレイは、通常、上部電極と基板に内蔵されている画素回路とを電気接続する必要がある。そこで基板上であって画素が設けられている表示領域の外縁部分にはコンタクト部が設けられている。このコンタクト部は基板に内蔵されている画素回路と電気接続されているので、ディスプレイに設けられた端子より電力を上部電極へ供給するのを補助する役割を果たす。
【０００９】
ただしこの役割を果たすためには、コンタクト部に有機ＥＬ層の薄膜を堆積させないようにする必要がある。このためファインマスクによる成膜は必要ではないが、エリアマスクによる成膜は必要となる。ここでエリアマスクは、一般的に機械加工やエッチングにより開口部の加工が行われており、開口部の精度がよくないという問題を抱えている。一方、アディティブ法により開口部の精度のよいエリアマスクを製作することは可能である。しかしこの場合、製作されたエリアマスクの開口部の面積が大きくなり、マスクを保持する際にその精度を保てないという問題がある。
【００１０】
また上記の問題に加えて、ディスプレイ周辺部においてエリアマスクによる蒸着物のけられや回り込みが発生するため、ディスプレイ周辺部において精度のよいパターニングが困難であるという課題も抱えている。従って、従来では図１１に示すように、コンタクト部１１３を設ける際に、コンタクト部１１３上に有機ＥＬ層の薄膜を堆積させないようにするために、数百μｍ程度の間隔ｄをコンタクト部１１３と表示部の端部との間に確保する必要があった。このため、結果としてディスプレイの外形寸法、特に、額縁寸法の増大につながっていた。
【００１１】
本発明は、上記課題を解決すべくなされたもであり、その目的は、ディスプレイの狭額縁化を実現することが可能な有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、基板と、
該基板上に設けられる複数の有機ＥＬ素子からなる表示部と、
該基板上であって該表示部の外縁に設けられるコンタクト部と、から構成され、
前記有機ＥＬ素子が、下部電極と、有機ＥＬ層と、上部電極と、をこの順に備えており、
前記上部電極が前記複数の有機ＥＬ素子部に共通して形成され、かつ前記コンタクト部に電気接続されている有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、
下記に示す工程（１）〜（４）が含まれることを特徴とする。
（１）下部電極の形成工程
（２）有機ＥＬ層の形成工程
（３）コンタクト部上に形成された有機ＥＬ層を除去する工程
（４）上部電極の形成工程
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ディスプレイの狭額縁化を実現することが可能な有機ＥＬディスプレイの製造方法を提供することができる。即ち、本発明の製造方法で製造された有機ＥＬディスプレイは、有機ＥＬ層が形成されていない領域の規定精度が高いものである。このためディスプレイの外縁部の寸法公差を小さくできるので、有機ＥＬディスプレイの狭額縁化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための最良の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００１５】
本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬディスプレイは、基板と、該基板上に設けられる複数の有機ＥＬ素子からなる表示部と、該基板持上であって該表示部の外縁に設けられるコンタクト部と、から構成される。
【００１６】
この有機ＥＬディスプレイにおいて、有機ＥＬ素子部は、下部電極と、有機ＥＬ層と、上部電極と、をこの順に備えている。ここで有機ＥＬ素子部の構成部材である上部電極は、複数の有機ＥＬ素子部に共通して形成される電極である。また上部電極は、コンタクト部に電気接続されている。
【００１７】
以下、図面を参照しながら本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬディスプレイについて詳細に説明する。
【００１８】
図１は、有機ＥＬディスプレイがマトリックス状に設けられているパネルを示す模式図であり、（ａ）は当該パネル全体を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示される丸囲み部分を示す部分拡大図である。
【００１９】
図１のパネル１は、基板１１と、基板１１上に設けられマトリックス上に複数配置されている表示部１２と、から構成される。本発明の有機ＥＬディスプレイは、表示部１２が設けられている領域（中央部）と、表示部１２が設けられていない領域（外縁部）と、からなるものである。ここで表示部１２の外縁には、コンタクト部１３が一定の幅を持って設けられている。
【００２０】
表示部１２は、複数の有機ＥＬ素子を備えている。より具体的には、図１（ｂ）に示されるように、Ｒ副画素１４に相当する有機ＥＬ素子と、Ｇ副画素１５に相当する有機ＥＬ素子と、Ｂ副画素６に相当する有機ＥＬ素子とからなる画素をマトリックス状に配列することによって、表示部１２が形成されている。
【００２１】
ところで図１には図示していないが、有機ＥＬディスプレイには、表示部１２を大気中の水分や酸素から保護するための封止部材を有する。この封止部材は、シール剤等の接着剤によって基板１１と接着している。またこのとき使用する接着剤は基板の外縁部に塗布される。
【００２２】
図２は、図１（ｂ）の有機ＥＬディスプレイにおけるＸ−Ｘ’の断面構造を示す模式図である。図１（ｂ）で示されているＲ副画素１４は、基板１１上に、下部電極２、正孔輸送層３、Ｒ発光層４ａ、電子輸送層５及び上部電極６がこの順に積層されている。Ｇ副画素１５は、基板１１上に、下部電極２、正孔輸送層３、Ｇ発光層４ｂ、電子輸送層５及び上部電極６がこの順に積層されている。Ｂ副画素１６は、基板１１上に、下部電極２、正孔輸送層３、Ｂ発光層４ｃ、電子輸送層５及び上部電極６がこの順に積層されている。
【００２３】
また図２に示される実施形態において、下部電極２及び発光層（４ａ，４ｂ，４ｃ）は、各副画素の位置及び形状に合わせて所定の形状にパターン形成されている。一方、正孔輸送層３、電子輸送層５及び上部電極６は、各副画素に共通して形成されている。さらに本実施形態において、上部電極６は、表示部の外延に設けられているコンタクト部１３と電気接続されている。
【００２４】
次に、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法について説明する。本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、製造工程として以下に示す工程（１）〜（４）が含まれる。
【００２５】
（１）下部電極の形成工程
（２）有機ＥＬ層の形成工程
（３）コンタクト部上に形成された有機ＥＬ層を除去する工程
（４）上部電極の形成工程
【００２６】
特に、工程（３）を行うことにより、コンタクト部１３と画素との間隔を狭めることが可能となり、ディスプレイの狭額縁化が可能となる。
【００２７】
また工程（３）は、好ましくは、レーザーアブレーションで行う。
【００２８】
さらにディスプレイのさらなる狭額縁化を実現するために、工程（３）において、基板の外縁部であってシール剤を塗布する位置に形成されている有機ＥＬ層も除去するのが好ましい。そして工程（４）を行った後、下記に示す工程（５）及び（６）を行うのが好ましい。
【００２９】
（５）シール剤を塗布する位置にシール剤を塗布する工程
（６）ディスプレイに貼り合せ基板を対向させ、工程（５）で塗布したシール剤で接着する工程
【００３０】
図３は、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法を実施する際に使用される製造装置の一例を示す概略図である。本発明の有機ＥＬディスプレイは、基板投入室３０に基板を投入した後、合計３室ある搬送室（３１ａ，３１ｂ，３１ｃ）を経由し、取出室３９で完成した有機ＥＬディスプレイを取り出す構成となっている。尚、基板を投入した後完成した有機ＥＬディスプレイを取り出すまでの間に、図３に示す装置内で上記工程（１）〜（６）が行われるが、どの工程がどの部屋で行われるかについては、後述する実施例において詳細に説明する。
【実施例１】
【００３１】
以下、実施例１、即ち、本発明の第一の実施形態について詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３２】
図４は、実施例１で製造されるパネルを示す平面模式図である。このパネルからは合計６４基の有機ＥＬディスプレイを製造することができる。またこの有機ＥＬディスプレイは、図２に示される断面構造を有している。
【００３３】
本実施例で製造される有機ＥＬディスプレイで使用される基板１１は、ガラス基板にＴＦＴ回路がパターニングされたものであって寸法が縦５５０ｍｍ、横６５０ｍｍ、厚さ０．７ｍｍである。また製造される有機ＥＬディスプレイには、３．５インチＱＶＧＡの表示部１２が８行×８列の６４面配置されている。尚、図４には図示していないが、表示部１２の外縁には上部電極６と電気接続するコンタクト部１３が配置されている。
【００３４】
［下部電極の形成工程］
図４に示されるパネルを製造する際には、まず下部電極２を形成する。下部電極２を形成する際には、スパッタ法等の公知の方法により、下部電極２の構成材料を成膜することにより下部電極２となる薄膜を形成した後、公知の方法によりパターニングを行う。これにより、画素に対応する位置にパターン形成されている下部電極２を形成することができる。下部電極２を形成した後、基板１１の前処理を行う。具体的には、基板１１を洗浄する等の方法により、パーティクルや下部電極２の表面にわずかに存在する有機物を除去する。
【００３５】
［有機ＥＬ層の形成工程］
基板１１の前処理を行った後、図３中の基板投入室３０に基板１１を投入する。このとき、洗浄後の基板１１の再汚染を防ぐために、基板１１の前処理を行ってから基板１１を投入までの時間を極力短くする必要がある。基板１１を基板投入室３０に投入した後、基板投入室３０を真空排気する。
【００３６】
基板投入室３０内が所望の圧力になったところで、基板１１を、搬送室３１ａに備えられた搬送機構により、蒸着室３２ａへと搬送する。そして蒸着室３２ａ内において、正孔輸送層３を形成する。具体的には、真空蒸着法により所望の膜厚にて正孔輸送層を成膜する。正孔輸送層３を成膜する際には、３．５インチの表示部１２の全面を一括して成膜することが可能な開口部が設けられているエリアマスクを使用する。このエリアマスクはエッチング法により作製し、開口精度が設計値に対して１００μｍ以内である。
【００３７】
正孔輸送層３を形成した後、基板１１を、搬送室３１ａに備えられた搬送機構により蒸着室３２ｂへと搬送する。そして蒸着室３２ｂ内において、Ｒ発光層４ａを形成する。具体的には、真空蒸着法により所望の膜厚にてＲ発光層４ａを成膜する。Ｒ発光層４ａを成膜する際には、Ｒ副画素を設ける位置に対応して開口部が設けられているファインマスクを使用する。このファインマスクはアディティブ法によって作製し、開口精度が設計値に対して１０μｍ以内である。
【００３８】
Ｒ発光層４ａを形成した後、基板１１を搬送室３１ａに備えられた搬送機構により蒸着室３２ｃへと搬送する。そして蒸着室３２ｃ内において、Ｇ発光層４ｂを形成する。具体的には、真空蒸着法により所望の膜厚にてＧ発光層４ｂを成膜する。Ｇ発光層４ｂを成膜する際には、Ｇ画素を設ける位置に対応して開口部が設けられているファインマスクを使用する。このファインマスクはアディティブ法によって作製し、開口精度が設計値に対して１０μｍ以内である。
【００３９】
Ｇ発光層４ｂを形成した後、基板１１を搬送室３１ａに備えられた搬送機構により受渡室３４へと搬送する。次に、基板１１を搬送室３１ｂに備えられた搬送機構により、蒸着室３２ｄへと搬送する。そして蒸着室３２ｄ内において、Ｂ発光層４ｃを形成する。具体的には、真空蒸着法により所望の膜厚にてＢ発光層４ｃを成膜する。Ｂ発光層４ｃを成膜する際には、Ｂ画素を設ける位置に対応して開口部が設けられているファインマスクを使用する。このファインマスクはアディティブ法によって作製し、開口精度が設計値に対して１０μｍ以内である。
【００４０】
Ｂ発光層４ｃを形成した後、基板１１を搬送室３１ｂに備えられた搬送機構により蒸着室３２ｅへと搬送する。そして蒸着室３２ｅ内において、電子輸送層５を形成する。具体的には、真空蒸着法により所望の膜厚にて電子輸送層５を成膜する。電子輸送層５を成膜する際には、３．５インチの表示部１２の全面を一括して成膜することが可能な開口部が設けられているエリアマスクを使用する。このエリアマスクはエッチング法により作製し、開口精度が設計値に対して１００μｍ以内である。
【００４１】
以上の作業工程により基板１上に有機ＥＬ層が形成される。電子輸送層５を形成した後、基板１を搬送室３１ｂに備えられた搬送機構によりレーザー加工室３５へと搬送する。
【００４２】
［有機ＥＬ層の加工工程］
次に、レーザー加工室３５内において有機ＥＬ層の加工を行う。本実施例においては、レーザー光を所望の位置に照射することにより有機ＥＬ層の加工を行う。
【００４３】
ここでレーザー加工室３５内には、コンタクト部１３が設けられている表示部１２の外縁に選択的にレーザー光を照射することができるように調整されている。本実施例においては、石英上にクロム膜がパターニングされたシャドウマスクを用いてレーザー光の照射エリアを調整する。ここでシャドウマスク及び基板の照射エリアの調整の際には、使用するレーザー光の波長により異なるが、可視光外の波長域の場合、試し照射を行い実際の照射域を確認しながら調整することが必要である。また有機ＥＬ層の加工の際に使用されるレーザー光の波長は、有機ＥＬ層の構成材料の吸収波長と重なるように適宜調整する必要があるが、好ましくは、４００ｎｍ以下又は８００ｎｍ以上である。即ち、レーザー光を発生させるレーザー発信機が出力するレーザー光の波長は、好ましくは、４００ｎｍ以下又は８００ｎｍ以上である。
【００４４】
次に、有機ＥＬ層の加工の具体的な方法について、図面を参照しながら説明する。
【００４５】
図５は、実施例１における有機ＥＬ層の加工の具体的な方法を示す断面該略図である。
【００４６】
図５（ａ）に示すように、レーザー光による加工を行う前では、有機ＥＬ層の一部の層（正孔輸送層３、電子輸送層５）がコンタクト部１３上にも堆積している。
【００４７】
次に、図５（ｂ）に示すように、コンタクト部１３に対応する位置からレーザー光１７を照射する。本実施例では、波長３５１ｎｍのレーザー光を使用している。またレーザー光１７の照射エネルギーは、除去する有機ＥＬ層を構成する各層の構成材料及び膜厚により異なるが、１０ｍＪ／ｃｍ2程度のエネルギーであれば有機ＥＬ層を全て除去することが可能である。尚、本実施例において、レーザー光による加工を行う際にその加工精度は、アライメント精度を含めて５μｍ以内である。
【００４８】
上記のレーザー光の照射により、図５（ｃ）に示されるようにコンタクト部１３上に堆積している有機ＥＬ層が除去される。
【００４９】
上記の方法でコンタクト部１３上の有機ＥＬ層は除去される。これにより、有機ＥＬディスプレイの、特に、コンタクト部１３が設けられている表示部１２の外縁においてはエリアマスク及びファインマスクのみを用いた方法よりも精度の高いパターニングが可能となる。また、レーザー光を用いた場合、その加工精度は光学精度とアライメント精度の積み重ねであるため、アライメント精度を１μｍ以内とすれば数ミクロン以下での加工精度を実現することが可能である。このため有機ＥＬディスプレイの狭額縁化が可能となる。また、基板１１からの有機ＥＬディスプレイの省スペース化がはかれるなど優れた効果を得ることができる。
【００５０】
［上部電極の形成工程］
有機ＥＬ層の加工を行った後、基板１１を搬送室３１ｂに備えられた搬送機構により電極形成室３６へと搬送する。そして電極形成室３６にて上部電極６を形成する。本実施例で製造される有機ＥＬディスプレイは、トップエミッション型の有機ＥＬディスプレイであるため、透明導電膜を上部電極６として形成する。上部電極の形成方法として、具体的には、エリアマスクを用いたスパッタリングにより行う。図６は、上部電極まで形成された基板を示す断面概略図である。
【００５１】
［有機ＥＬディスプレイの封止工程］
上部電極６を形成した後、基板１１を搬送室３１ｃの搬送機構により貼り合せ室３８へと搬送する。また、封止ガラス２０を封止ガラス投入室３７より搬送室３１ｃの搬送機構を用いて貼り合せ室３８へと搬送する。そして貼り合せ室３８にて、基板の外縁部にシール材を塗布する工程、基板と封止ガラスとを貼り合せる工程、及びシール材を固化する工程を順次行い有機ＥＬディスプレイの封止を行う。図７は、封止された有機ＥＬディスプレイを示す断面概略図である。これにより大気中の水分や酸素が有機ＥＬ素子へ進入するのを防止することができる。
【００５２】
有機ＥＬディスプレイの封止工程を終えた後、基板１１を搬送室３１ｃの搬送機構により取出室３９へと搬送する。そして取出室３９より取り出された基板１１は、ディスプレイごとに切り出すことで有機ＥＬディスプレイが得られる。
【００５３】
尚、本実施例で示される製造工程で使用されるエリアマスク及びファインマスクはマスク収納室３３ａ又は３３ｂに収納され、搬送室３１ａ又は３１ｂの搬送機構を用いて適宜各蒸着室（３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ，３２ｅ）へ搬送している。
【実施例２】
【００５４】
次に、実施例２、即ち、本発明の第二の実施形態について詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。尚、本実施例では基本的な構成が実施例１と同様のパネルを製造するものである。また本実施例においては、実施例１との相違点を中心に説明する。
【００５５】
［下部電極の形成工程］
まず実施例１と同様の方法で基板上に下部電極２を形成した後、実施例１と同様に基板１１の前処理を行う。
【００５６】
［有機ＥＬ層の形成工程］
本実施例では、正孔輸送層３及び電子輸送層５を成膜する際にエリアマスクを用いていない。これ以外は実施例１と同様の方法で有機ＥＬ層を形成する。こうすることで、正孔輸送層３及び電子輸送層５を成膜する際に、エリアマスクの交換及び洗浄を行う必要がなくなり作業工程を短縮・簡略化する等の相乗効果をも得ることができる。この方法で有機ＥＬ層を形成することで、正孔輸送層３及び電子輸送層５が基板全体に形成される。
【００５７】
［有機ＥＬ層の加工工程］
次に、実施例１と同様に、レーザー光を用いた有機ＥＬ層の加工を行う。以下、図面を参照しながらその具体的な方法について説明する。
【００５８】
図８は、実施例２における有機ＥＬ層の加工の具体的な方法を示す断面該略図である。
【００５９】
図８（ａ）に示すように、形成工程により形成された有機ＥＬ層は、正孔輸送層及び電子輸送層が表示部やコンタクト部だけでなく基板の外縁上にも堆積している。
【００６０】
次に、図８（ｂ）に示すように、コンタクト部１３及び基板１１の外縁部に対応する位置にレーザー光１７を照射する。またレーザー光１７を照射する際には、石英上にクロム膜がパターニングされたシャドウマスクを用いてレーザー光の照射エリアを調整する必要がある。
【００６１】
上記のレーザー光の照射により、図８（ｃ）に示されるようにコンタクト部１３及び基板１１の外縁部上に堆積している有機ＥＬ層が除去される。
【００６２】
このようにして有機ＥＬ層を加工すると、基板の外縁部に堆積し得る有機ＥＬ層に影響されずにシール剤を塗布することが可能になる。
【００６３】
［上部電極の形成工程］
有機ＥＬ層を加工した後、実施例１と同様の方法で上部電極６を形成する。図９は、上部電極まで形成された基板を示す断面概略図である。
【００６４】
［有機ＥＬディスプレイの封止工程］
最後に、実施例１と同様の方法で有機ＥＬディスプレイの封止を行う。図１０は、封止された有機ＥＬディスプレイを示す断面概略図である。
【００６５】
以上、実施例を示したが、本発明は本実施例に限られるものではない。例えば、ボトムエミッション型の有機ＥＬディスプレイにおいても同様の効果を発揮する。また、スパッタリング後に同様のレーザー加工処理を行うことで、さらに狭額縁の有機ＥＬディスプレイを製造することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】有機ＥＬディスプレイがマトリックス状に設けられているパネルを示す模式図であり、（ａ）は当該パネル全体を示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示される丸囲み部分を示す部分拡大図である。
【図２】図１（ｂ）の有機ＥＬディスプレイにおけるＸ−Ｘ’の断面構造を示す模式図である。
【図３】本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法を実施する際に使用される製造装置の一例を示す概略図である。
【図４】実施例１で製造されるパネルを示す平面模式図である。
【図５】実施例１における有機ＥＬ層の加工の具体的な方法を示す断面該略図である。
【図６】実施例１の製造工程により上部電極まで形成された基板を示す断面概略図である。
【図７】実施例１の製造工程により封止された有機ＥＬディスプレイを示す断面概略図である。
【図８】実施例２における有機ＥＬ層の加工の具体的な方法を示す断面該略図である。
【図９】実施例２の製造工程により上部電極まで形成された基板を示す断面概略図である。
【図１０】実施例２の製造工程により封止された有機ＥＬディスプレイを示す断面概略図である。
【図１１】従来の有機ＥＬディスプレイを示す断面模式図である。
【符号の説明】
【００６７】
１  パネル
２  下部電極
３  正孔輸送層
４ａ  Ｒ発光層
４ｂ  Ｇ発光層
４ｃ  Ｂ発光層
５  電子輸送層
６  上部電極
１１  基板
１２  表示部
１３  コンタクト部
１４  Ｒ副画素
１５  Ｇ副画素
１６  Ｂ副画素
１７  レーザー光
２０  封止ガラス
３０  基板等入室
３１ａ，３１ｂ，３１ｃ  搬送室
３２ａ，３２ｂ，３２ｃ，３２ｄ，３２ｅ  蒸着室
３３ａ，３３ｂ  マスク収納室
３４  受渡室
３５  レーザー加工室
３６  電極形成室
３７  封止ガラス投入室
３８  貼り合せ室
３９  取り出し室
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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