Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月3日(2004.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、従来のラチェット式テンショナ３１は、ハウジング本体３２にストッパーピン３９を挿入するための穴あけ加工やラチェット爪体３４を強制的に揺動させるための外部プレート３７を必要とするばかりでなく、外部プレート３７を軸３４Ａに固着する工程を必要とするため、製造負担や製造コストが嵩むという問題があった。
また、ストッパーピン３９を外部プレート３７のピン挿入孔３７Ａに差し込んでハウジング本体３２からのプランジャ３３の飛び出しを回避する場合、ハウジング本体３２とエンジンブロック側との間隙が少ないとストッパーピン３９がエンジンブロック側に接触干渉してストッパーピン３９の抜き差しが困難になるので、エンジンブロックへのテンショナ取り付け作業や、チェーンを取り外したり、取り付けたりする作業などを簡単に行うことができないという問題があった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
以上のようにして得られた本実施例のプランジャ制止具１０は、従来のようなハウジング本体３２にストッパーピン３９を挿入するための穴あけ加工やラチェット爪体３４を強制的に揺動させるための外部プレート３７を必要としないばかりでなく、外部プレート３７を軸３４Ａに固着する工程を必要とすることなく、プランジャ２３の飛び出しを簡便に制止することができるため、エンジンブロックへのテンショナ取り付け作業やチェーン取り付け、取り外し作業などを簡便に達成できるとともに、テンショナ自体の製造負担と製造コストを大幅に軽減でき、特に、従来のようなハウジング本体３２とエンジンブロック側との間隙が少なくストッパーピン３９がエンジンブロック側に接触干渉してストッパーピン３９の抜き差しが困難なテンショナ設置環境であっても、制止片１１を簡便に抜き差しできるなど、その効果は甚大である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、本請求項１に係るラチェット式テンショナのプランジャ制止具は、人手などによる摘まみ片から延びた制止片の簡単な差し込み操作によって、従来のような外部プレート３７をハウジング本体３２に固着するための穴あけ加工や軸３４Ａを必要とすることなく、プランジャの飛び出しを簡便に制止することができるため、テンショナ自体の製造負担と製造コストを大幅に軽減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月3日(2004.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
そこで、図１３に示すように、ハウジング本体３２内でプランジャ用ばね３６により付勢されて外部に出没自在に突出するプランジャ３３と、ハウジング本体３２に設けられたラチェット爪体の軸３４Ａにより揺動自在に軸支されてラチェット爪体用ばね３８で付勢されたラチェット爪体３４とを有する従来のラチェット式テンショナは、ハウジング本体３２の外側に突出したラチェット爪体の軸３４Ａの端部に固着された外部プレート３７を備えており、このラチェット式テンショナ３１を出荷したり、エンジンブロックに取り付ける場合には、ラチェット歯３３Ａとラチェット爪３４Ｂとを係合させた状態で、図１３に示すように、ストッパーピン３９を外部プレート３７のピン挿入孔３７Ａに差し込むと同時に、ストッパーピン３９をハウジング本体３２の外壁端面３２Ａに当接させたり、図１５に示すように、ストッパーピン３９をハウジング本体３２に穿孔したストッパー孔周壁３２Ｂに当接させて、プランジャ３３がハウジング本体３２から飛び出さないように保持してエンジンブロックに取り付けた後、ストッパーピン３９を取り外すようになっている（例えば、特許文献１参照。）。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月22日(2005.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送りねじに螺合された送りナットと移動部材とを連結する送り装置の継手において、
該継手は、前記送りナットを挟んで前記移動部材の移動方向両側に配置され、  前記送りナットに一端部が連結されるとともに、他端部が中間部材に連結され、前記送りねじに対し垂直な方向の送りナットの振れのうち、一方向側の振れを弾性変形して吸収する第１の板ばね部材と、
前記中間部材に一端部が連結されるとともに、他端部が前記移動部材に連結され、前記送りねじに対し垂直な方向の送りナットの振れのうち、前記一方向側に直交する他方向側の振れを弾性変形して吸収する第２の板ばね部材と、
を有することを特徴とする送り装置の継手。
【請求項２】
前記第２の板ばね部材が連結される前記中間部材の連結部は、前記送りナットに向けて突出されるとともに、前記第１の板ばね部材が連結される送りナット側の連結部と前記送りねじの軸線に直交する面に対し略同一面上に位置されていることを特徴とする請求項１に記載の送り装置の継手。
【請求項３】
前記第１の板ばね部材及び前記第２の板ばね部材は、前記送りねじを挟んで送りねじと平行に並設され、第１の板ばね部材及び前記第２の板ばね部材の面の延長線が送りねじの中心に向くように配置されたことを特徴とする請求項１又は２に記載の送り装置の継手。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
このような精密送り装置として、送りねじやボールねじ等の送りねじを有する送り装置を適用した場合には、触針が設けられた移動キャリッジ（移動部材）に、送りねじに螺合された送りナットを直接固定するのが一般的である。しかし、送りねじの振れにより、送り真直度に送りねじの一回転毎の変動が生じる問題がある。高い真直度精度を要求する場合は、この影響を除去する必要があるため、送りナットをオルダム継手やワイヤーを介して移動キャリッジに連結し、オルダム継手やワイヤーによって、送りねじに起因する送りナットの振れを吸収していた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項２に記載の発明によれば、前記第２の板ばね部材が連結される前記中間部材の連結部は、前記送りナットに向けて突出されるとともに、前記第１の板ばね部材が連結される送りナット側の連結部と前記送りねじの軸線に直交する面に対し略同一面上に位置されていることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図２に示すように、Ｘ軸送りステージ固定案内面１が形成されたガイド１Ｂには、送りねじ２と継手部が移動できる逃げ溝（不図示）が形成され、図３の移動キャリッジ２５は、位置調整テーブル１２４及び不図示の軸受を介してＸ軸送りステージ固定案内面１（図２参照）に滑動自在に支持される。送りねじ２に螺合された、図４に示す送りナット３は、送りナットハウジング４に固定される。送りナットハウジング４を挟んで、送りナットハウジング４の右方向と左方向に、すなわち、送りナットの移動方向両側に４枚の水平帯板ばね（第１の板ばね部材）５、６、３５、３６が４枚の水平帯板ばね押さえ７、８、３７、３８によって固定される。水平帯板ばね５、６は、送りねじ２を挟んで送りねじ２と平行に配設され、また、水平帯板ばね３５、３６も同様に配設されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、左右の水平帯板ばね５、６、３５、３６の移動キャリッジ２５側の揺動中心送り方向について略同一位置に配置することで、送りナット３にピッチング変化が生じても、それによって、移動キャリッジ２５にピッチング方向の偶力が働かないようになっている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月8日(2005.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、被覆材１０で全体を覆うのは、ピエゾ素子８と補強板９とを一体として形成して保護するとともに、もしピエゾ素子８が破損した場合であっても、潤滑剤中に破損片が混入して設備異常を発生させることのないように配慮したものである。尚、被覆材１０は、ピエゾ素子８に対する防湿、電気的絶縁を強化する働きも有しているため、検出部６の構成要素として用いることが望ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
ここで、図８の波形において山形の歪量波形が連続しているのは補強板９の弾性力により元の状態に復元するまでに時間を要するためであり、補強板９をより弾性力の高い材料に選定すればこの現象は生じない。もっとも、数時間毎に潤滑剤を供給する自動集中潤滑装置に適用する場合にはこの現象は問題とはならない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月24日(2005.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーダアンテナを回転駆動するアンテナモータの回転数センサ出力をパルス列として生成するアンテナ回転パルス信号発生部と、
前記パルス列を鋸歯状の電圧に変換するＦ−Ｖコンバータと、
該Ｆ−Ｖコンバータの出力結果に応じたＰＷＭ制御を前記アンテナモータに対して行う駆動信号を作成するモータドライブ部と、を備えてなる、レーダアンテナモータの回転数制御回路。
【請求項２】
レーダアンテナを回転駆動するアンテナモータの回転数センサ出力をパルス列として生成するアンテナ回転パルス信号発生部と、
前記パルス列を鋸歯状の電圧に変換するＦ−Ｖコンバータと、
アンテナ回転数の設定値に対応した電圧を出力するアンテナ回転数切替回路と、
アンテナ回転数切替回路の出力をしきい値としてＦ−Ｖコンバータの出力との比較結果を出力するコンパレータと、
前記比較結果に応じたアンテナモータの駆動信号を作成するモータドライブ部と、を備えてなる、レーダアンテナモータの回転数制御回路。
【請求項３】
前記パルス列の周波数は１ＫＨｚ以下である、請求項１または請求項２に記載のレーダアンテナモータの回転数制御回路。
【請求項４】
前記モータドライブは、前記コンパレータの出力を平滑する平滑回路と、１０ｋＨｚ以上の周波数の鋸歯状波を生成する鋸歯状波発生回路と、平滑回路の出力をしきい値として鋸歯状波発生回路の出力との比較結果をアンテナモータの駆動信号として出力するコンパレータと、を備える、請求項３に記載のレーダアンテナモータの回転数制御回路。
【請求項５】
前記アンテナ回転パルス信号発生部が生成するパルス列は、レーダ信号を直交座標信号に変換する座標変換部へのアンテナ方位信号として兼用される、請求項１〜４のいずれかに記載のレーダアンテナのモータ回転数制御回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、レーダアンテナを回転駆動するアンテナモータの回転数センサ出力をパルス列として生成するアンテナ回転パルス信号発生部と、
前記パルス列を鋸歯状の電圧に変換するＦ−Ｖコンバータと、
該Ｆ−Ｖコンバータの出力結果に応じたＰＷＭ制御を前記アンテナモータに対して行う駆動信号を作成するモータドライブ部と、を備えてなるものである。
特に、レーダアンテナを回転駆動するアンテナモータの回転数センサ出力をパルス列として生成するアンテナ回転パルス信号発生部と、
前記パルス列を鋸歯状の電圧に変換するＦ−Ｖコンバータと、
アンテナ回転数の設定値に対応した電圧を出力するアンテナ回転数切替回路と、
アンテナ回転数切替回路の出力をしきい値としてＦ−Ｖコンバータの出力との比較結果を出力するコンパレータと、
前記比較結果に応じたアンテナモータの駆動信号を作成するモータドライブ部と、を備えてなるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月8日(2004.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
ピストン１４の遠位端は１９の個所で広げられ、相応して、孔１１の直径もその遠位端の個所で広げられて、ピストン１４の広がり部分１９を収容できるようになっている。開口２０が孔１１とこの開口２０の近位端における孔端部の広がり部分の壁の中に形成されている。このようにして、ピストン１４は、孔１１の遠位端から出てくることができるまで孔１１の遠位端へ向かって動く。これ以上の動きはしかしながらストップ１８によって限定されている。他方の近位方向において、ピストンは、孔１１に沿って上方に動いて、図面に示されている位置にまで到達でき、この位置で、ピストン１９の広がり部分は孔１１の上部のより厚い壁に遭遇する。常に、ピストン１９は、孔１１のより狭い部分２２の中で動作する壁２１により案内され、したがって、ピストン１９の広がり部分は、孔１１に沿う上方へのピストン１９の運動を制限し、管状切断リム１３から開口２０の近位端に隣接する位置へ向かうピストン１９の運動を制限する。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図６
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図６】
図３の正面立面図の横断面図の部分を拡大して示す図である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2000139932.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図６】
2000139932.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月7日(2004.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
黄精は伝統的な中国医薬として用いられている。
この黄精は慢性肝炎患者の症状や肝機能の改善に有効であることが見出された。さらに黄精のアルコール抽出物がマウスの四塩化炭素誘発肝障害に対し、予防効果を示すことがわかった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月26日(2005.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  単離ランゲルハンス島内分泌細胞を移植に適切なようにインビトロ培養及び増殖させる方法であって、
インスリン生産細胞に分化し得る細胞を包含する生存可能なランゲルハンス島内分泌細胞を供給し、
血清、ニコチンアミド、マンニトールまたはスーパーオキシドジスムターゼからなる群から選択される少なくとも１種のラジカルスカベンジャー、インスリントランスフェリンセレナイト（ＩＴＳ）、表皮増殖因子（ＥＧＦ）、血小板由来増殖因子（ＰＤＧＦ）、トロンビン、リノール酸−ＢＳＡ、ヒドロコルチゾン及びプロゲステロンからなる群から選択される少なくとも１種の増殖因子及びインスリン様増殖因子−Ｉ（ＩＧＦ１）及び−II（ＩＧＦ２）、血管性内皮増殖因子（ＶｅＧＦ）からなる群から選択される少なくとも１種の抗壊死または抗アポトーシス因子を補足された基本培地を含む第１培地を供給し、
インスリン生産細胞に分化し得る細胞を包含するランゲルハンス島内分泌細胞を前記第１培地中で約１日の期間培養して、第１培養増殖を生成させ、
前記第１培養増殖を捕集し、抗−インテグリンβ１抗体を有する、新鮮なダルベッコ改変イーグル培地（ＤＭＥＭ）または血清不含基本培地中で室温で４５〜１２０分インキュベートして、第２培養増殖を生成させ、
前記第２培養増殖をマトリックス材料中に懸濁させて、３次元培養増殖環境を供給し、前記補足された基本培地を含みさらに少なくとも他の増殖因子を包含する第２培地を加え、次いで、１または２日培養して前記マトリックス材料中に分散した第３培養増殖を供給し、
前記マトリックス材料中で第３培養増殖を培養するための第３培地を供給し、前記第３培地はＶｅＧＦを含まない補足された基本培地を含み、もし、前記第３培養増殖の前記島が厚く見え、かつ前記島の中心が暗く見えるなら、前記第３培地に任意に神経増殖因子（ＮＧＦ）及び肝細胞増殖因子を加え、または、前記島が拡がりすぎるように見えるなら、前記第３培地に任意にＮＧＦ及び抗−インテグリンβ１抗体を加え、約１または２日の期間培養させて第４培養増殖を生成させ
マトリックス材料から前記島を捕集し、前記捕集した島及び任意の接着性ゲルに酵素を加え、約１０分間インキュベートして、インキュベート生成物を供給し、そして、
前記インキュベート生成物を前後に多数回吸引して、酵素を作用されたゲルを前記島から除去するようにし、それにより、前記繊維芽細胞を前後への吸引の間に創造された力にさらして、繊維芽細胞が前記島の表面から分離するようにさせて繊維芽細胞のない島を製造することを含む方法。
【請求項２】  血清、インスリン−トランスフェリン−ナトリウムセレナイト（ＩＴＳ）、リノール酸−ＢＳＡ、トロンビン、ＥＧＦ、ニコチンアミド、ＶｅＧＦ，ＩＧＦ−１，ＩＧＦ−２、スーパーオキシドジスムターゼ及びマンニトールで補足した基本培地を含む第４培地を更に供給し、
前記繊維芽細胞不含の島を約８〜１２時間培養して第５培養増殖を供給し、
抗−インテグリンβ１抗体を有するＤＭＥＭを含む第５培地を供給し、前記第５培地を室温で４５〜１２０分間培養して、第６培養増殖を生成させ、
マトリックス材料中に第６培養増殖を懸濁させて、３次元培養増殖環境を供給し、前記補足された基本培地及び更に少なくとも他の増殖因子を包含する第６培地を加え、次いで１または２日培養させて、前記マトリックス材料中に分散された第７培養増殖を供給し、
前記マトリックス材料中に分散した第７培養増殖を培養するために第７培地を供給し、前記第７培地は、ＶｅＧＦ不含の補足された基本培地を含み、もし前記第３培養増殖が厚く見え、前記島の中心が暗く見えたなら、任意に第３培地にＮＧＦ及びＨＧＦを加えるか、またはもし前記島が拡がりすぎるように見えたら、任意に第３培地にＮＧＦ及び抗−インテグリンβ１抗体を加え、約１または２日の期間培養させて第８培養増殖を生成させ、
マトリックス材料から前記島を捕集し、前記捕集した島及び任意の接着性ゲルに酵素を加え、約１０分間インキュベートさせて、インキュベート生成物を供給し、そして、
前記インキュベート生成物を前後に多数回吸引して、酵素を作用されたゲルを前記島から除去するようにし、それにより前記繊維芽細胞を前後への吸引の間に創造された力にさらして、繊維芽細胞が前記島の表面から分離するようにさせて、増加した数の繊維芽細胞不含の島を製造することを含む請求項１の方法。
【請求項３】  前記血清がランゲルハンス島と同じ種から得られるものである請求項１の方法。
【請求項４】  前記ランゲルハンス島がラットからのもので、かつ、前記用いられる血清が約１０％のラット血清であるか、または前記ランゲルハンス島がヒトからのもので、前記用いられる血清が約１０％のヒト血清であるかのいずれかである請求項１の方法。
【請求項５】  前記第２培地に加える増殖因子が下垂体抽出物である請求項１の方法。
【請求項６】  前記第６培地に加える増殖因子が下垂体抽出物である請求項２の方法。
【請求項７】  増殖のためのインスリン生産細胞に分化し得る細胞を包含する生存可能なランゲルハンス島内分泌細胞が自己移植のための患者に由来する請求項１または２の方法。
【請求項８】  インビトロ増殖ランゲルハンス島の表面から生ずる繊維芽細胞を除去する方法であって、
ゲル増殖マトリックス中の多数の増殖した島であって、当該島と共に増殖している繊維芽細胞を有する島を供給し、そして、ゲル増殖マトリックスから前記島を捕集し、
前記捕集された島及び前記捕集された島の表面に接着する任意のゲルに酵素を加え、インキュベートして、インキュベート生成物を供給し、
前記インキュベート生成物の前後を多数回吸引して、ジアパーゼを作用されたゲルを前記島から除去するようにし、それにより前記繊維芽細胞を前後への吸引の間に創造された力にさらして、繊維芽細胞が前記島の表面から分離するようにさせて、繊維芽細胞不含の島を製造することを含む方法。
【請求項９】  前記酵素がジアパーゼである請求項８の方法。
【請求項１０】  請求項１または２の方法により生産された増殖した繊維芽細胞不含の島の培養産物。
【請求項１１】  請求項１または２の方法により生産した増殖した繊維芽細胞不含の島の、真正糖尿病にかかっている患者に増殖ランゲルハンス島内分泌細胞を移植することによる、真正糖尿病の治療における使用。
【請求項１２】  請求項７の方法により生産した増殖した繊維芽細胞不含の島の、真正糖尿病にかかっている患者に前記増殖したランゲルハンス島内分泌細胞を自己移植することによる、真正糖尿病の治療のため及び島を再生するための使用。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月21日(2005.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
[相溶化度]
採血管を構成するポリエステルの相溶化度（相溶化度＝ＰNT＋ＰTN）は次式で定義される。
相溶化度＝ＰNT＋ＰTN
ＰNT；ＱＡ単位に隣接するＴＡ単位の存在確率
ＰNT＝(ＩTEN／２)／(ＩNEN＋(ＩTEN／２))
ＰTN；ＴＡ単位に隣接するＱＡ単位の存在確率
ＰTN＝(ＩTEN／２)／(ＩTET＋(ＩTEN／２))
ＩTET；ＴＡ−ＥＧ−ＴＡにおけるＥＧ上の水素の積分強度（ＮＭＲにて測定）
ＩNEN；ＱＡ−ＥＧ−ＱＡにおけるＥＧ上の水素の積分強度（ＮＭＲにて測定）
ＩTEN；ＱＡ−ＥＧ−ＴＡにおけるＥＧ上の水素の積分強度（ＮＭＲにて測定）
ここで、ＱＡはナフタレンジカルボン酸単位、ＴＡはテレフタル酸単位、ＥＧはエチレングリコール単位である。
採血管を構成するポリエステルの相溶化度は０．１５〜０．５０、好ましくは０．２〜０．４０である。相溶化度が０．１５未満であるとポリエチレンナフタレンジカルボキシレート（い）とポリエチレンテレフタレート（ろ）の相溶化が不十分であり、透明性が損なわれ、０．５０を超えると非晶性が強くなり機械強度が低下する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
［共重合成分］
ポリエチレンナフタレンジカルボキシレート（い）には、エチレンテレフタレート単位（以下、ＥＴ単位と称することがある）以外の共重合成分を共重合することができる。このような共重合成分が存在する場合、共重合成分の量は全ジカルボン酸成分あたり０〜１４モル％である。この範囲で共重合成分を１種類または２種類以上共重合することができる。
共重合できるジカルボン酸成分として例えば、２,７−、１,５−、１,７−その他のナフタレンジカルボン酸の異性体；イソフタル酸、ジフェニルジカルボン酸、ジフェノキシエタンジカルボン酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸、ジフェニルスルホンジカルボン酸等の如き芳香族ジカルボン酸；ヘキサヒドロテレフタル酸、ヘキサヒドロイソフタル酸等の如き脂環族ジカルボン酸；アジピン酸、セバチン酸、アゼライン酸等の如き脂肪族ジカルボン酸を例示することができる。
共重合できるグリコール成分として例えば、トリメチレングリコール、テトラメチレングリコール、ヘキサメチレングリコール、デカメチレングリコール、ネオペンチルグリコール、ジエチレングリコール、１,１−シクロヘキサンジメタノール、１,４−シクロヘキサンジメタノール、２,２−ビス（４’−β−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（４’−β−ヒドロキシエトキシフェニル）スルホン酸を例示することができる。
共重合できる多官能化合物成分として例えば、ｐ−β−ヒドロキシエトキシ安息香酸、ε−オキシカプロン酸等の如きオキシ酸を例示することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
［共重合成分］
ポリエチレンテレフタレート（ろ）には、エチレンテレフタレート単位（以下、ＥＴ単位と称することがある）以外の共重合成分を共重合することができる。このような共重合成分が存在する場合、共重合成分の量は全ジカルボン酸成分あたり０〜２０モル％である。この範囲で共重合成分を１種類または２種類以上共重合することができる。
共重合できるジカルボン酸成分として例えば、２,６−ナフタレンジカルボン酸、２,７−、１,５−、１,７−その他のナフタレンジカルボン酸の異性体；フタル酸、イソフタル酸、ジフェニルジカルボン酸、ジフェノキシエタンジカルボン酸、ジフェニルエーテルジカルボン酸、ジフェニルスルホンジカルボン酸等の如き芳香族ジカルボン酸；ヘキサヒドロテレフタル酸、ヘキサヒドロイソフタル酸等の如き脂環族ジカルボン酸；アジピン酸、セバチン酸、アゼライン酸等の如き脂肪族ジカルボン酸を例示することができる。
共重合できるグリコール成分として例えば、トリメチレングリコール、テトラメチレングリコール、ヘキサメチレングリコール、デカメチレングリコール、ネオペンチルグリコール、１,１−シクロヘキサンジメタノール、１,４−シクロヘキサンジメタノール、２,２−ビス（４’−β−ヒドロキシフェニル）プロパン、ビス（４’−β−ヒドロキシエトキシフェニル）スルホン酸を例示することができる。
共重合できる多官能化合物成分として例えば、ｐ−β−ヒドロキシエトキシ安息香酸、ε−オキシカプロン酸等の如きオキシ酸例示することができる。
さらに、トリメリット酸、ピロメリット酸、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン、トリメチロールメタン、ペンタエリスリトール等の多官能化合物を全ジカルボン酸成分あたり２モル％以下共重合することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
（７）相溶化度：
６００ＭＨｚのＮＭＲにて、エチレングリコールを構成する各水素の積分強度を測定し、次式にて計算した。
相溶化度＝ＰNT＋ＰTN
ＰNT；ＱＡ単位に隣接するＴＡ単位の存在確率
ＰNT＝(ＩTEN／２)／(ＩNEN＋(ＩTEN／２))
ＰTN；ＴＡ単位に隣接するＱＡ単位の存在確率
ＰTN＝(ＩTEN／２)／(ＩTET＋(ＩTEN／２))
ＩTET；ＴＡ−ＥＧ−ＴＡにおけるＥＧ上の水素の積分強度（ＮＭＲにて測定）
ＩNEN；ＱＡ−ＥＧ−ＱＡにおけるＥＧ上の水素の積分強度（ＮＭＲにて測定）
ＩTEN；ＱＡ−ＥＧ−ＴＡにおけるＥＧ上の水素の積分強度（ＮＭＲにて測定）
ここで、ＱＡはナフタレンジカルボン酸単位、ＴＡはテレフタル酸単位、ＥＧはエチレングリコール単位である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
[参考例２〜７]（ＰＥＮ２〜７の製造）
同様にして、チップ状のＰＥＮポリマー（ＰＥＮ２〜７）を得た。詳細は表１のとおりであった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月1日(2005.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被写体像を結像させる対物レンズを先端部に設けた挿入部と、この挿入部内に配設され、前記対物レンズによって結像した被写体像を伝達する光学繊維で構成したイメージガイドファイバとを具備する内視鏡において、
前記イメージガイドファイバの基端面に対峙し、前記イメージガイドファイバによって伝達された被写体像をとらえる、少なくとも接眼レンズを有する接眼部を備え、
前記接眼部は、内視鏡における外装の水密レベルより密封度の高い密封構造の接眼レンズユニットと、
この接眼レンズユニットの接眼レンズの焦点位置を変更する焦点位置変更手段とを有することを特徴とする内視鏡。
【請求項２】  前記挿入部の少なくとも一部に、柔軟な高分子材料で形成した外装部材を配置した軟性部を有し、その挿入部の内部に前記イメージガイドファイバを配設したことを特徴とする請求項１記載の内視鏡。
【請求項３】  前記接眼レンズユニットの密封構造は、接眼レンズを配置固定した接眼レンズ枠及び先端側カバーガラス枠に両端部を気密に接合させたベローズを用いて構成し、前記焦点位置変更手段は光軸方向に伸縮自在として、前記接眼レンズに配置固定した接眼レンズを光軸方向に移動させる前記ベローズであることを特徴とする請求項１に記載の内視鏡。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月2日(2004.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スライス厚さ、画像再構成フィルタ、表示視野、写真撮影上の要求条件、及び画像保存上の要求条件のうちの少なくとも１つに関する指定を含むことを特徴とする、イメージング装置によって実行される操作を規定するためのプロトコル。
【請求項２】
前記プロトコルが、ＣＴ神経イメージング、ＣＴ血管造影、腎臓提供者検査、肺塞栓、ＣＴ外傷イメージング、全身ＣＴ検査及び肺疾患スクリーニングのうちの少なくとも１つを指定する請求項１記載のプロトコル。
【請求項３】
前記プロトコルが、ＣＴ血管造影を指定すると共に、ヘリカル走査データの集合を取得するための命令、生の走査データを前処理するための命令、画像の集合を将来的に再構成するための命令、及び画像を表示するための命令を含んでいる請求項１記載のプロトコル。
【請求項４】
前記プロトコルが、頭部外傷検査を指定すると共に、軸方向走査データの集合を収集するための命令、生の走査データを前処理するための命令、頭部の相異なる部分に関して相異なるスライス厚さを持った横断面画像の集合を再構成するための命令、及び前記画像の集合を同時に表示するための命令を含んでいる請求項１記載のプロトコル。
【請求項５】
前記プロトコルが軸方向画像表示モード、多数の超薄スライス横断面画像の重み付け、及び所望のスライス厚さを持った画像の作成を指定する請求項１記載のプロトコル。
【請求項６】
前記画像が次の式に従って作成され、
Ｉ（ｘ，ｙ）s ＝ΣＷi ＊Ｉ（ｘ，ｙ）i
式中、Ｉ（ｘ，ｙ）s は得られた画像の位置ｘ及びｙにおけるピクセル値、Ｗiは最終画像のスライス厚さ及びサブスライス画像の厚さによって決定される重み係数、そしてＩ（ｘ，ｙ）i はサブスライス画像のｘ及びｙにおけるピクセル値である請求項５記載のプロトコル。
【請求項７】
プロトコルに従って走査を実行するようにプログラムされたマルチスライス・イメージング装置において、前記プロトコルがスライス厚さ、画像再構成フィルタ、表示視野、写真撮影上の要求条件、及び画像保存上の要求条件のうちの少なくとも１つに関する指定を含むことを特徴とす装置。
【請求項８】
前記プロトコルがＣＴ神経イメージング、ＣＴ血管造影、腎臓提供者検査、肺塞栓、ＣＴ外傷イメージング、全身ＣＴ検査及び肺疾患スクリーニングのうちの少なくとも１つを指定する請求項７記載の装置。
【請求項９】
前記プロトコルが、ＣＴ血管造影を指定すると共に、ヘリカル走査データの集合を取得するための命令、生の走査データを前処理するための命令、画像の集合を将来的に再構成するための命令、及び画像を表示するための命令を含んでいる請求項７記載の装置。
【請求項１０】
前記プロトコルが、頭部外傷検査を指定すると共に、軸方向走査データの集合を取得するための命令、生の走査データを前処理するための命令、頭部の相異なる部分に関して相異なるスライス厚さを持った横断面画像の集合を再構成するための命令、及び前記画像の集合を同時に表示するための命令を含んでいる請求項７記載の装置。
【請求項１１】
前記プロトコルが軸方向画像表示モード、多数の超薄スライス横断面画像の重み付け、及び所望のスライス厚さを持った画像の作成を指定する請求項７記載の装置。
【請求項１２】
前記画像が次の式に従って作成され、
Ｉ（ｘ，ｙ）s ＝ΣＷi ＊Ｉ（ｘ，ｙ）i
式中、Ｉ（ｘ，ｙ）s は得られた画像の位置ｘ及びｙにおけるピクセル値、Ｗiは最終画像のスライス厚さ及びサブスライス画像の厚さによって決定される重み係数、そしてＩ（ｘ，ｙ）i はサブスライス画像のｘ及びｙにおけるピクセル値である請求項１１記載の装置。
【請求項１３】
Ｉ（ｘ，ｙ）sを得られた画像の位置ｘ及びｙにおけるピクセル値、Ｗ１iを最終画像のスライス厚さ及びサブスライス画像の厚さによって決定される重み係数、そしてＩ（ｘ，ｙ）i をサブスライス画像のｘ及びｙにおけるピクセル値として、
Ｉ（ｘ，ｙ）s ＝ΣＷi ＊Ｉ（ｘ，ｙ）i
に従って画像を作成するようにプログラムされたマルチスライス・イメージング装置。
【請求項１４】
スライス厚さ、画像再構成フィルタ、表示視野、写真撮影上の要求条件、及び画像保存上の要求条件のうちの少なくとも１つを指定する予め規定されたプロトコルに従って走査を実行するように更にプログラムされている請求項１３記載の装置。
【請求項１５】
前記プロトコルがＣＴ神経イメージング、ＣＴ血管造影、腎臓提供者検査、肺塞栓、ＣＴ外傷イメージング、全身ＣＴ検査及び肺疾患スクリーニングのうちの少なくとも１つを指定する請求項１４記載の装置。
【請求項１６】
前記プロトコルが、ＣＴ血管造影を指定すると共に、ヘリカル走査データの集合を取得するための命令、生の走査データを前処理するための命令、画像の集合を将来的に再構成するための命令、及び画像を表示するための命令を含む請求項１４記載の装置。
【請求項１７】
前記プロトコルが、頭部外傷検査を指定すると共に、軸方向走査データの集合を取得するための命令、生の走査データを前処理するための命令、頭部の相異なる部分に関して相異なるスライス厚さを持った横断面画像の集合を再構成するための命令、及び前記画像の集合を同時に表示するための命令を含む請求項１４記載の装置。
【請求項１８】
前記プロトコルが軸方向画像表示モード、多数の超薄スライス横断面画像の重み付け、及び所望のスライス厚さを持った画像の作成を指定する請求項１４記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月27日(2005.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チョッパから突出したミンチ押出口の直下に始端部を臨ませて、ミンチの押し出し方向に沿って、ベルトコンベア装置を設け、前記始端部から後記カッタへ到る間、ベルト上のミンチを両側から挟んで案内する一対のガイド板を設けるとともに、このガイド板の終端部には、上下動してミンチを切断する平板状のカッタを備えたチョッパにおけるミンチの分割取出装置において、前記ガイド板と、カッタおよびカッタの駆動装置を取り付けた機枠を、前記コンベヤ装置を跨いで横断するアーチ状に形成し、この機枠を構成する左右脚の基部とコンベア装置の左右側板とを一体的に連結固定するとともに、この機枠の左右いずれかの脚から延設した連結機枠をチョッパに連結し、かつ、前記始端部に装着されたコンベアの駆動ローラの反連結機枠側から軸端を突出させ、この軸端とチョッパに備えた動力取出装置の出力軸端とをカップリングで結合すると同時に、前記コンベア装置と、チョッパにそれぞれ設けられた嵌合部が嵌合されることにより、コンベア装置とチョッパとが一体的に連結保持される構成としたことを特徴とするチョッパにおけるミンチの分割取出装置。
【請求項２】
チョッパから突出したミンチ押出口の直下に始端部を臨ませて、ミンチの押し出し方向に沿って、ベルトコンベア装置を設け、前記始端部から後記カッタへ到る間、ベルト上のミンチを両側から挟んで案内する一対のガイド板を設けるとともに、このガイド板の終端部には、上下動してミンチを切断する平板状のカッタを備えたチョッパにおけるミンチの分割取出装置において、前記ガイド板とカッタとを取り付けた機枠を、カッタの切断作用位置と前記コンベア装置の外側の退避位置とに振替移動できるように回動可能に機体に取着したことを特徴とするチョッパにおけるミンチの分割取出装置。
【請求項３】
チョッパから突出したミンチ押出口の直下に始端部を臨ませて、ミンチの押し出し方向に沿って、ベルトコンベア装置を設け、前記始端部から後記カッタへ到る間、ベルト上のミンチを両側から挟んで案内する一対のガイド板を設けるとともに、このガイド板の終端部には、上下動してミンチを切断する平板状のカッタを備えたチョッパにおけるミンチの分割取出装置において、前記カッタとカッタの駆動装置を取り付けた機枠を、前記コンベヤ装置を跨いで横断するアーチ状に形成し、この機枠を構成する左右脚の基部とコンベア装置の左右側板とが一体的に連結固定される状態と、切り離される状態とに切り替え自在な連結器具を設けたことを特徴とするチョッパにおけるミンチの分割取出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため、本発明は、チョッパから突出したミンチ押出口の直下に始端部を臨ませて、ミンチの押し出し方向に沿って、ベルトコンベア装置を設け、前記始端部から後記カッタへ到る間、ベルト上のミンチを両側から挟んで案内する一対のガイド板を設けるとともに、このガイド板の終端部には、上下動してミンチを切断する平板状のカッタを備えたチョッパにおけるミンチの分割取出装置において、前記ガイド板と、カッタおよびカッタの駆動装置を取り付けた機枠を、前記コンベヤ装置を跨いで横断するアーチ状に形成し、この機枠を構成する左右脚の基部とコンベア装置の左右側板とを一体的に連結固定するとともに、この機枠の左右いずれかの脚から延設した連結機枠をチョッパに連結し、かつ、前記始端部に装着されたコンベアの駆動ローラの反連結機枠側から軸端を突出させ、この軸端とチョッパに備えた動力取出装置の出力軸端とをカップリングで結合すると同時に、前記コンベア装置と、チョッパにそれぞれ設けられた嵌合部が嵌合されることにより、コンベア装置とチョッパとが一体的に連結保持される構成としたことを特徴としたミンチの分割取出装置の構成としている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】また、請求項２の発明においては、チョッパから突出したミンチ押出口の直下に始端部を臨ませて、ミンチの押し出し方向に沿って、ベルトコンベア装置を設け、前記始端部から後記カッタへ到る間、ベルト上のミンチを両側から挟んで案内する一対のガイド板を設けるとともに、このガイド板の終端部には、上下動してミンチを切断する平板状のカッタを備えたチョッパにおけるミンチの分割取出装置において、前記ガイド板とカッタとを取り付けた機枠を、カッタの切断作用位置と前記コンベア装置の外側の退避位置とに振替移動できるように回動可能に機体に取着したことを特徴とするミンチの分割取出装置の構成としている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】さらに、請求項３の発明は、チョッパから突出したミンチ押出口の直下に始端部を臨ませて、ミンチの押し出し方向に沿って、ベルトコンベア装置を設け、前記始端部から後記カッタへ到る間、ベルト上のミンチを両側から挟んで案内する一対のガイド板を設けるとともに、このガイド板の終端部には、上下動してミンチを切断する平板状のカッタを備えたチョッパにおけるミンチの分割取出装置において、前記カッタとカッタの駆動装置を取り付けた機枠を、前記コンベヤ装置を跨いで横断するアーチ状に形成し、この機枠を構成する左右脚の基部とコンベア装置の左右側板とが一体的に連結固定される状態と、切り離される状態とに切り替え自在な連結器具を設けたことを特徴とするミンチの分割取出装置の構成としている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月11日(2005.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を有する回路がそれぞれ設けられた複数のガラス基板と、
前記複数の各ガラス基板に設けられた、発光素子又は受光素子と、を有し、
前記発光素子は、一対の電極間に設けられた電界発光層を有し、
前記電界発光層は電流を流すことによりレーザ光が発振されるように、接して設けられた発光可能な複数の層からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体素子を有する回路がそれぞれ設けられた複数のガラス基板と、
前記複数の各ガラス基板に設けられた、発光素子又は受光素子と、を有し、
前記発光素子は、一対の電極間に設けられた電界発光層を有し、
前記電界発光層は電流を流すことによりレーザ光が発振されるように、接して設けられた発光可能な複数の層からなり、
前記レーザ光を受光した前記受光素子から、得られた電気信号を増幅するための増幅回路と、
前記電気信号の波形を整形するための波形整形回路と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体素子を有する回路がそれぞれ設けられた複数のガラス基板と、
前記複数の各ガラス基板に設けられた、発光素子又は受光素子と、を有し、
前記発光素子は、一対の電極間に設けられた電界発光層を有し、
前記電界発光層は電流を流すことによりレーザ光が発振されるように、接して設けられた発光可能な複数の層からなり、
前記レーザ光を受光した前記受光素子から、得られた電気信号を増幅するための増幅回路と、
前記電気信号の波形を整形するための波形整形回路と、
前記電気信号により前記電界発光層に前記電流を流すための駆動部と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体素子を有する回路がそれぞれ設けられた複数のガラス基板と、
前記複数の各ガラス基板に設けられた、発光素子又は受光素子と、を有し、
前記発光素子は、一対の電極間に設けられた電界発光層を有し、前記電界発光層は電流を流すことによりレーザ光が発振されるように、接して設けられた発光可能な複数の層からなり、
前記発光素子から発振された前記レーザ光を用いて光信号を生成し、前記光信号を前記受光素子において電気信号に変換することで、前記複数のガラス基板に設けられた前記各回路間の信号の伝送が行なわれることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
半導体素子を有する回路がそれぞれ設けられた複数のガラス基板と、
前記複数の各ガラス基板に設けられた、発光素子又は受光素子と、を有し、
前記発光素子は、一対の電極間に設けられた電界発光層を有し、
前記電界発光層は電流を流すことによりレーザ光が発振されるように、接して設けられた発光可能な複数の層からなり、
前記複数のガラス基板のうち、いずれか１つのガラス基板において、前記回路から出力された第１の電気信号が前記発光素子によって前記レーザ光を用いた光信号に変換され、
前記複数のガラス基板のうち、前記１つのガラス基板以外の１つまたは複数のガラス基板において、前記光信号が前記受光素子において第２の電気信号に変換され、前記第２の電気信号が波形整形されて前記回路に入力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
半導体素子を有する回路がそれぞれ設けられた複数のガラス基板と、
前記複数の各ガラス基板に設けられた、発光素子又は受光素子と、を有し、
前記発光素子は、一対の電極間に設けられた電界発光層を有し、
前記電界発光層は電流を流すことによりレーザ光が発振されるように、接して設けられた発光可能な複数の層からなり、
前記受光素子は、前記発光素子から発振された前記レーザ光を用いて生成された光信号を受信する機能と、前記光信号を電気信号に変換する機能と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
半導体素子を有する回路がそれぞれ設けられた複数のガラス基板と、
前記複数の各ガラス基板に設けられた、発光素子又は受光素子と、を有し、
前記発光素子は、一対の電極間に設けられた電界発光層を有し、
前記電界発光層は電流を流すことによりレーザ光が発振されるように、接して設けられた発光可能な複数の層からなり、
前記受光素子は、前記発光素子から発振された前記レーザ光を用いて生成された光信号を受信する機能と、前記光信号を電気信号に変換する機能と、を有し、
前記電気信号又は前記光信号を用いて前記複数のガラス基板に設けられた前記各回路間の信号の伝送が行なわれることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記一対の電極は金属を含み、なおかつ前記発光素子からの光を反射し、
前記一対の電極のいずれか一方に設けられた開口部から放射される前記光を用いて、前記光信号が生成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記電界発光層は発光層を有しており、前記発光層にドーパントとして金属錯体が含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、前記電界発光層は発光層と、ホール輸送層とを有しており、前記発光層のホスト材料がＣＢＰであり、前記ホール輸送層の材料がα−ＮＰＤであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記電界発光層には複数の回折格子が設けられており、前記回折格子間の間隔が、前記電界発光層において生じる光の波長の半分、または前記波長の半分の整数倍であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１１において、前記レーザ光が、前記電界発光層の端面より発振することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１１において、前記レーザ光が、電流注入方向とは交差する方向から発振することを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、
前記電界発光層の厚さは、前記電界発光層において生じる光の波長の半分、または前記波長の半分の整数倍であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一において、
電流励起によって前記一対の電極間に設けられた電界発光層よりレーザ光が発振されることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月26日(2005.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】不揮発性半導体記憶装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的にデータの書換えが可能な不揮発性の複数のメモリセルがアレイ状に配置されていると共に複数のブロックに分割されているメモリセルアレイと、
前記複数のブロックの各々に配置されていると共に同一行のメモリセルにそれぞれ共通接続された複数のワード線と、
前記複数のワード線に対応して設けられていると共に対応するワード線に電圧を供給する複数の駆動線と、
前記複数のワード線および前記複数の駆動線のうち対応するワード線と駆動線を接続するスイッチとなる複数の転送トランジスタと、
を備え、
前記複数のワード線を、任意に決められた任意ワード線と、前記任意ワード線の両隣のワード線のそれぞれ隣に位置する二つ隣ワード線と、前記任意ワード線および前記二つ隣ワード線以外の残りのワード線と、に分けた際に、
前記複数の転送トランジスタのうち、前記任意ワード線の転送トランジスタの両隣および向かいに前記残りのワード線の転送トランジスタが配置されている、
ことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
前記不揮発性半導体記憶装置は、前記複数の転送トランジスタのゲート線が延びる方向に沿って形成された第１素子分離絶縁膜を備え、
前記複数の転送トランジスタの各々は、前記複数のワード線のうち対応するワード線が接続される第１不純物領域および前記複数の駆動線のうち対応する駆動線が接続される第２不純物領域を含み、
前記複数の転送トランジスタは、前記第１不純物領域が前記第１素子分離絶縁膜に沿って形成された転送トランジスタで構成される第１グループ、および前記第１グループの前記第１不純物領域と前記第１素子分離絶縁膜を挟んで向かい合うように形成された前記第１不純物領域を有する転送トランジスタで構成される第２グループに分けられており、
前記任意ワード線の転送トランジスタの前記第１不純物領域の両隣および向かいに前記残りのワード線の転送トランジスタの前記第１不純物領域が配置されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
前記複数のワード線の各々は、前記複数のメモリセルのうち対応するメモリセルの制御ゲートと、前記複数の転送トランジスタのうち対応する転送トランジスタの前記第１不純物領域から引き出されて前記制御ゲートの上層に配置されている引出配線と、を含み、
前記制御ゲートの並ぶ順番と前記引出配線の並ぶ順番とが同じである、
ことを特徴とする請求項２に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
前記複数のワード線の各々は、前記複数のメモリセルのうち対応するメモリセルの制御ゲートと、前記複数の転送トランジスタのうち対応する転送トランジスタの前記第１不純物領域から引き出されて前記制御ゲートの上層に配置されている引出配線と、を含み、
前記制御ゲートの並ぶ順番と前記引出配線の並ぶ順番とが異なっている、
ことを特徴とする請求項２に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
前記不揮発性半導体記憶装置は、間に絶縁膜が形成された複数の導電層の多層構造を備え、
前記引出配線は、前記複数の導電層のうち前記制御ゲートより１層上の導電層である、
ことを特徴とする請求項３または４に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月25日(2005.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ＨｆＯ２，ＨｆＳｉＯ２，ＨｆＳｉｘＮｙ，ＨｆＳｉＯＮ，ＨｆＡｌｘＯｙ，ＺｒＯ２，Ｌａ２Ｏ３，（Ａｌ，Ｈｆ）Ｏｘ，Ｙ２Ｏ３のいずれかからなる高誘電率ゲート絶縁膜を用いたトランジスタモジュールを形成する試料を電極に静電吸着してプラズマ処理するプラズマ処理方法において、
前記高誘電率ゲート絶縁膜のエッチング処理に、不活性ガスとＣＨ基を含むガスの混合ガスを用いたプラズマ処理を行うことを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】  請求項１記載のプラズマ処理方法において、前記不活性ガスが、ＡｒガスまたはＨｅガスもしくはＡｒガスとＨｅガスの混合ガスであることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項３】  請求項１記載のプラズマ処理方法において、前記ＣＨ基を含むガスが、ＣＨ４であることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項４】  請求項１記載のプラズマ処理方法において、試料若しくは試料を保持する電極温度を４０℃以上に温調することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項５】  請求項１記載のプラズマ処理方法において、前記不活性ガスが、ＡｒガスまたはＨｅガスもしくはＡｒガスとＨｅガスの混合ガスであり、試料若しくは試料を保持する電極温度を４０℃以上に温調することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項６】  請求項１記載のプラズマ処理方法において、前記ＣＨ基を含むガスが、ＣＨ４であり、試料若しくは試料を保持する電極温度を４０℃以上に温調することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項７】  請求項１記載のプラズマ処理方法において、前記試料が、Ｓｉ基盤上に導電性ゲート電極および高誘電率ゲート絶縁膜が積層された構造であることを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項８】  請求項７記載のプラズマ処理方法において、不活性ガスとＦを含まないＣＨ基を含むガスの混合ガスを用いて、高誘電率ゲート絶縁膜を下地Ｓｉ膜への高選択比状態下においてエッチング処理するプラズマ処理方法。
【請求項９】  不活性ガスとＣＨ基を含むガスとの混合ガスを真空容器内に導入する手段と、試料を静電吸着する電極と、前記電極に静電吸着した試料のＨｆＯ２，ＨｆＳｉＯ２，ＨｆＳｉｘＮｙ，ＨｆＳｉＯＮ，ＨｆＡｌｘＯｙ，ＺｒＯ２，Ｌａ２Ｏ３，（Ａｌ，Ｈｆ）Ｏｘ，Ｙ２Ｏ３のいずれかからなる高誘電率ゲート絶縁膜を前記ガスのプラズマでプラズマ処理する手段と、プラズマ処理する時間を管理する手段とを具備したことを特徴とするプラズマエッチング処理装置。
【請求項１０】  請求項９記載のプラズマエッチング処理装置において、前記不活性ガスが、ＡｒガスまたはＨｅガスもしくはこれらの混合ガスであり、ＣＨ基を含むガスがＣＨ４であることを特徴とするプラズマエッチング処理装置。
【請求項１１】  請求項１０記載のプラズマエッチング処理装置において、前記絶縁膜が、基板に形成された高誘電率ゲート絶縁膜を少なくとも１層含む２層以上の積層膜であり、この積層膜をエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング処理装置。
【請求項１２】  大気ローダと、真空搬送ロボットをその中に有する真空搬送室と、前記大気ローダと前記真空搬送室とを連結する２つのロック室と、不活性ガスとＣＨ基を含むガスとの混合ガスを真空容器内に導入する手段、試料を静電吸着する電極、前記電極に静電吸着した試料のＨｆＯ２，ＨｆＳｉＯ２，ＨｆＳｉｘＮｙ，ＨｆＳｉＯＮ，ＨｆＡｌｘＯｙ，ＺｒＯ２，Ｌａ２Ｏ３，（Ａｌ，Ｈｆ）Ｏｘ，Ｙ２Ｏ３のいずれかからなる高誘電率ゲート絶縁膜を前記ガスのプラズマでプラズマ処理する手段、プラズマ処理する時間を管理する手段とを具備したプラズマエッチング処理装置が複数個前記真空搬送室に接続されていることを特徴とするプラズマエッチング処理装置。