【手続補正書】
【提出日】令和3年11月5日(2021.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのナノ発電機部に対して固定された少なくとも１つのシム部を備える感知システム。
【請求項２】
前記ナノ発電機部は、圧電ナノ発電機を備える、請求項１に記載の感知システム。
【請求項３】
前記圧電ナノ発電機は、以下の要素、すなわち
（ａ）基材
（ｂ）電気絶縁バッファ層
（ｃ）第１の電極要素
（ｄ）機械的および／または熱エネルギーを電気エネルギーに変換するように構成された圧電要素、および
（ｅ）第２の電極要素
を有する積層構造を備え、
前記圧電ナノ発電機は、前記積層構造をカプセル封入するカプセル封入要素をさらに備える、請求項２に記載の感知システム。
【請求項４】
前記基材は、クロムで被覆されている、請求項３に記載の感知システム。
【請求項５】
前記第１の電極要素は、光透過性の第１の電極を備える、請求項３または４に記載の感知システム。
【請求項６】
前記第１の電極要素は、アルミニウムドープの酸化亜鉛（ＡＺＯ）、たとえば、２重量％のＡｌ２Ｏ３＋９８重量％のＺｎＯの層を備える、請求項３または４に記載の感知システム。
【請求項７】
前記第１の電極要素は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）層を備える、請求項３または４に記載の感知システム。
【請求項８】
前記第２の電極要素は、光透過性の第２の電極を備える、請求項３〜７のいずれか一項に記載の感知システム。
【請求項９】
前記電気絶縁バッファ層および前記第１の電極要素の両方が、物理堆積法を使用して前記基材上に堆積される、請求項３〜８のいずれか一項に記載の感知システム。
【請求項１０】
前記ナノ発電機部は、摩擦電気ナノ発電機を備える、請求項１に記載の感知システム。
【請求項１１】
前記少なくとも１つのナノ発電機部は、
（ａ）ひずみ感知部と、
（ｂ）エネルギーハーベスティング部と、
（ｃ）データ管理部と
を備える、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の感知システム。
【請求項１２】
前記エネルギーハーベスティング部は、ハーベスティングされたエネルギーを貯蔵するように構成されたエネルギー貯蔵部を備える、請求項１１に記載の感知システム。
【請求項１３】
前記エネルギー貯蔵部は、前記感知システムに給電するように構成される、請求項１２に記載の感知システム。
【請求項１４】
前記データ管理部は、測定データを前記ひずみ感知部から遠隔の場所に送信するように構成される、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の感知システム。
【請求項１５】
前記データ管理部は、測定データを前記ひずみ感知部から遠隔の場所にワイヤレスで送信するように構成される、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の感知システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
[0049]本発明について、例示的な実施形態および例を参照して述べたが、この説明は、限定的な意味で解釈されることは意図されていない。したがって、この説明を読めば、本発明のこれらの例示的な実施形態、ならびに他の実施形態の様々な修正形態が、当業者には明らかになろう。したがって、添付の特許請求の範囲は、任意のそのような修正形態または実施形態を包含することが企図されている。
以下に、出願当初の特許請求の範囲に記載の事項を、そのまま、付記しておく。
［１］  少なくとも１つのナノ発電機部に対して固定された少なくとも１つのシム部を備える感知システム。
［２］  前記ナノ発電機部は、圧電ナノ発電機を備える、［１］に記載の感知システム。
［３］  前記圧電ナノ発電機は、ＩｎＮナノワイヤベースのナノ発電機を備える、［２］に記載の感知システム。
［４］  前記圧電ナノ発電機は、ＺｎＯナノワイヤベースのナノ発電機を備える、［２］に記載の感知システム。
［５］  前記圧電ナノ発電機は、以下の要素、すなわち
（ａ）基材
（ｂ）電気絶縁バッファ層
（ｃ）第１の電極要素
（ｄ）機械的および／または熱エネルギーを電気エネルギーに変換するように構成された圧電要素、および
（ｅ）第２の電極要素
を有する積層構造を備え、
前記圧電ナノ発電機は、前記積層構造をカプセル封入するカプセル封入要素をさらに備える、［２］に記載の感知システム。
［６］  前記基材は、ポリマーである、［５］に記載の感知システム。
［７］  前記基材は、非ポリマー材料である、［５］に記載の感知システム。
［８］  前記基材は、可撓性材料を含む、［５］〜［７］のいずれか一項に記載の感知システム。
［９］  前記基材は、剛性材料を含む、［５］〜［７］のいずれか一項に記載の感知システム。
［１０］  前記基材は、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）を含む、［５］〜［７］のいずれか一項に記載の感知システム。
［１１］  前記基材は、アルミニウムをふくむ、［５］〜［７］のいずれか一項に記載の感知システム。
［１２］  前記基材は、シリコンウェハを含む、［５］〜［７］のいずれか一項に記載の感知システム。
［１３］  前記基材は、クロムで被覆されている、［５］〜［１２］のいずれか一項に記載の感知システム。
［１４］  前記電気絶縁バッファ層は、ポリマーである、［５］〜［１３］のいずれか一項に記載の感知システム。
［１５］  前記電気絶縁バッファ層は、非ポリマー材料である、［５］〜［１３］のいずれか一項に記載の感知システム。
［１６］  前記電気絶縁バッファ層は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）を含む、［５］〜［１３］のいずれか一項に記載の感知システム。
［１７］  前記電気絶縁バッファ層は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）を含む、［５］〜［１３］のいずれか一項に記載の感知システム。
［１８］  前記電気絶縁バッファ層は、酸化アルミニウムを含む、［５］〜［１３］のいずれか一項に記載の感知システム。
［１９］  前記第１の電極要素は、光透過性の第１の電極を備える、［５］〜［１８］のいずれか一項に記載の感知システム。
［２０］  前記第１の電極要素は、アルミニウムドープの酸化亜鉛（ＡＺＯ）、たとえば、２重量％のＡｌ2Ｏ3＋９８重量％のＺｎＯの層を備える、［５］〜［１８］のいずれか一項に記載の感知システム。
［２１］  前記第１の電極要素は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）層を備える、［５］〜［１８］のいずれか一項に記載の感知システム。
［２２］  前記圧電要素は、ｎ−ｐホモ接合ＺｎＯ圧電ナノ発電機要素を備える、［５］〜［２１］のいずれか一項に記載の感知システム。
［２３］  前記圧電要素は、ＩｎＮナノワイヤベースの圧電ナノ発電機要素を備える、［５］〜［２１］のいずれか一項に記載の感知システム。
［２４］  前記圧電要素は、ポリマーの複数の層を備える、［５］〜［２３］のいずれか一項に記載の感知システム。
［２５］  前記圧電要素は、非ポリマー材料の複数の層を備える、［５］〜［２３］のいずれか一項に記載の感知システム。
［２６］  前記圧電要素は、有機および／または無機材料の単一または複数の層を備える、［５］〜［２３］のいずれか一項に記載の感知システム。
［２７］  前記第２の電極要素は、光透過性の第２の電極を備える、［５］〜［２６］のいずれか一項に記載の感知システム。
［２８］  前記第２の電極要素は、アルミニウムドープの酸化亜鉛（ＡＺＯ）、たとえば、２重量％Ａｌ2Ｏ3＋９８重量％ＺｎＯの層を備える、［５］〜［２６］のいずれか一項に記載の感知システム。
［２９］  前記第２の電極要素は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）層を備える、［５］〜［２６］のいずれか一項に記載の感知システム。
［３０］  前記第１の電極要素と前記第２の電極要素は同じである、［５］〜［２９］のいずれか一項に記載の感知システム。
［３１］  前記第１の電極要素と前記第２の電極要素は異なる、［５］〜［２９］のいずれか一項に記載の感知システム。
［３２］  前記カプセル封入要素は、ポリマーである、［５］〜［３１］のいずれか一項に記載の感知システム。
［３３］  前記カプセル封入要素は、非ポリマー材料である、［５］〜［３１］のいずれか一項に記載の感知システム。
［３４］  前記カプセル封入要素は、ポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）を含む、［５］〜［３１］のいずれか一項に記載の感知システム。
［３５］  前記電気絶縁バッファ層および前記第１の電極要素の一方または両方が、物理堆積法を使用して前記基材上に堆積される、［５］〜［３４］のいずれか一項に記載の感知システム。
［３６］  前記電気絶縁バッファ層および前記第１の電極要素の両方が、物理堆積法を使用して前記基材上に堆積される、［５］〜［３４］のいずれか一項に記載の感知システム。
［３７］  前記物理堆積法は、１５０℃での無線周波数（ＲＦ）マグネトロンスパッタリングである、［３５］または［３６］に記載の感知システム。
［３８］  前記圧電要素は、物理堆積法によって前記第１の電極要素上で成長される、［５］〜［３７］のいずれか一項に記載の感知システム。
［３９］  前記圧電要素は、化学堆積法によって前記第１の電極要素上で成長される、［５］〜［３７］のいずれか一項に記載の感知システム。
［４０］  前記圧電要素は、熱水法を使用して成長されるＺｎＯホモ接合ナノワイヤを備えるｎ−ｐホモ接合ＺｎＯ圧電ナノ発電機要素を備える、［５］〜［３７］のいずれか一項に記載の感知システム。
［４１］  前記熱水法は：
ｎ型ＺｎＯナノワイヤを成長させるための水溶液を提供することと、ここで、前記水溶液は、硝酸亜鉛（Ｚｎ）六水和物（２５ｍＭ）、ヘキサメチレンテトラミン（２５ｍＭ）、および硝酸アルミニウム（Ａｌ）九水和物の混合物を備え、混合溶液内の（Ａｌ＋Ｚｎ）に対するＡｌの原子比は、３重量％で制御されるものであり；
ドーピング剤（硝酸リチウム（Ｌｉ）（７５ｍＭ）など）を前記水溶液（高濃度ｐ型）に追加することと；
前記ｎ型ＺｎＯナノワイヤの成長中、８８℃の実質的に一定の温度で前記水溶液を維持することと；
成長時間（約５００ｎｍ／時）によって前記ｎ型ＺｎＯナノワイヤの長さを制御することと、ここで、ｎ型セクションのための１時間と、その直後に、Ｌｉドープのｐ型セクションのための追加の３０分が続くものであり、
を備える、［４０］に記載の感知システム。
［４２］  前記ナノ発電機部は、摩擦電気ナノ発電機を備える、［１］に記載の感知システム。
［４３］  前記摩擦電気ナノ発電機は、ＰＥＴベースのナノ発電機である、［４２］に記載の感知システム。
［４４］  前記摩擦電気ナノ発電機は、ＰＤＭＳベースのナノ発電機である、［４２］に記載の感知システム。
［４５］  前記摩擦電気ナノ発電機は、ＰＥＴ／ＰＤＭＳベースのナノ発電機である、［４２］に記載の感知システム。
［４６］  前記少なくとも１つのナノ発電機部は、
（ａ）ひずみ感知部と、
（ｂ）エネルギーハーベスティング部と、
（ｃ）データ管理部と
を備える、［１］〜［４５］のいずれか一項に記載の感知システム。
［４７］  前記エネルギーハーベスティング部は、ハーベスティングされたエネルギーを貯蔵するように構成されたエネルギー貯蔵部を備える、［４６］に記載の感知システム。
［４８］  前記エネルギー貯蔵部は、前記感知システムに給電するように構成される、［４７］に記載の感知システム。
［４９］  前記データ管理部は、測定データを前記ひずみ感知部から遠隔の場所に送信するように構成される、［４６］〜［４８］のいずれか一項に記載の感知システム。
［５０］  前記データ管理部は、測定データを前記ひずみ感知部から遠隔の場所にワイヤレスで送信するように構成される、［４６］〜［４８］のいずれか一項に記載の感知システム。
［５１］  前記少なくとも１つのシム部は、金属を備える、［１］〜［５０］のいずれか一項に記載の感知システム。
［５２］  前記金属は、アルミニウム、鋼、ステンレス鋼、チタン、真鍮、銅、それらの複合物、およびそれらの合金からなる群から選択される、［５１］に記載の感知システム。
［５３］  前記少なくとも１つのシム部は、オーステナイトニッケル・クロム系合金を備える、［１］〜［５１］のいずれか一項に記載の感知システム。
［５４］  前記少なくとも１つのシム部は、リチウム・アルミニウム合金を備える、［１］〜［５１］のいずれか一項に記載の感知システム。
［５５］  前記少なくとも１つのシム部は、プラスチックを備える、［１］〜［５１］のいずれか一項に記載の感知システム。
［５６］  前記少なくとも１つのシム部は、ポリマーを備える、［１］〜［５１］のいずれか一項に記載の感知システム。
［５７］  前記少なくとも１つのシム部は、炭素繊維材料を備える、［１］〜［５１］のいずれか一項に記載の感知システム。
［５８］  前記少なくとも１つのシム部は、ガラス繊維を備える、［１］〜［５１］のいずれか一項に記載の感知システム。