Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月25日(2004.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくとも第１透明導電層、非晶質又は結晶質光電変換層、第２透明導電層及び結晶質光電変換層がこの順に積層され、
前記第１透明導電層の非晶質又は結晶質光電変換層側の表面及び前記第２透明導電層の結晶質光電変換層側の表面に、それぞれ、複数の穴が形成されており、該穴の表面に凹凸が形成されていることを特徴とする多接合型薄膜太陽電池。
【請求項２】
基板の表面に形成される穴の密度が、０．１〜５個／μｍ2である請求項１に記載の多接合型薄膜太陽電池。
【請求項３】
基板の表面に、複数の穴が形成されており、該穴の表面に凹凸が形成されている請求項１又は２に記載の多接合型薄膜太陽電池。
【請求項４】
第２透明導電層表面に形成された穴表面の凹凸の高低差が、第１透明導電層表面に形成された穴表面の凹凸高低差よりも小さい請求項１〜３のいずれか１つに記載の多接合型薄膜太陽電池。
【請求項５】
第１及び／又は第２透明導電層表面に形成された穴の直径が２００ｎｍ以上、２０００ｎｍ以下の範囲にあり、該穴の深さが５０ｎｍ以上、１２００ｎｍ以下の範囲にあり、該穴の表面にある凹凸の高低差が１０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下の範囲にある請求項１〜４のいずれか１つに記載の多接合型薄膜太陽電池。
【請求項６】
穴が形成された第１及び／又は２透明導電層表面の前記穴以外の表面に凹凸が形成されており、該凹凸の高低差が１０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下の範囲にある請求項１〜５のいずれか１つに記載の多接合型薄膜太陽電池。
【請求項７】
第１及び／又は第２透明導電層が、酸化亜鉛を主体として形成されてなる請求項１〜６のいずれか１つに記載の多接合型薄膜太陽電池。
【請求項８】
第１透明導電層に隣接する光電変換層が、第１透明導電層の穴表面の凹凸の平均高低差の１倍以上、４倍以下の膜厚で形成されてなる請求項１〜７のいずれか１つに記載の多接合型薄膜太陽電池。
【請求項９】
結晶質光電変換層がｐｉｎ接合からなり、ｉ層の（２２０）Ｘ線回折ピークの積分強度Ｉ220と（１１１）Ｘ線回折ピークの積分強度Ｉ111の比Ｉ220／Ｉ111が５以上である請求項１〜８のいずれか１つに記載の多接合型薄膜太陽電池。
【請求項１０】
第１透明導電層が、基板面に対して配向している請求項１〜９のいずれか１つに記載の多接合型薄膜太陽電池。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１つに記載の薄膜太陽電池を製造するに際し、基板及び／又は第１透明導電層及び／又は第２透明導電層の表面をエッチングすることにより、第１透明導電層及び第２透明導電層の表面に複数の穴を形成することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれか１つに記載の薄膜太陽電池を製造するに際し、第１透明導電層及び／又は第２透明導電層を、その表面に穴が形成されるように成膜することにより、第１透明導電層及び第２透明導電層の表面に複数の穴を形成することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
【表１】
2002280590.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月21日(2004.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
近年、この種のアルカリ蓄電池の高容量化に伴い、ニッケル焼結基板の高多孔度化が進んでいる。ところで、この種のニッケル焼結基板を製造するに際して、スラリー塗膜を乾燥させるときには、水分の蒸発による塗膜体積の収縮と、スラリー塗膜の温度上昇が同時に起こっている。この場合、増粘剤としてメチルセルロースなどを使用すると、スラリー塗膜温度が熱ゲル化点に達した時点で塗膜の厚みが固定され、体積収縮が停止する。このため、スラリー塗膜の乾燥時に起こるスラリー塗膜の体積収縮が抑制されて、この塗膜中のニッケル密度が低くなって高多孔度のニッケル焼結基板が得られるようになる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
（７）比較例４
上述のように作製したスラリー２０（ｙ）を用いる以外は上述した実施例１と同様に、導電性芯材１０の両面に所定の厚さに調整された塗膜を形成してスラリー塗着基板とした後、上述した実施例１と同様に、温度が２００℃に維持された乾燥機２４内で２０分間だけ乾燥させて乾燥基板とした。ついで、焼結炉２５内で水素を含む還元性雰囲気中で約１０００℃の加熱温度で１５分間焼結した。このようにして作製されたニッケル焼結基板を基板Yとした。この場合、スラリー塗着基板が乾燥機２４内に入ってスラリー塗着基板の温度が５５℃になると、スラリー２０（ｙ）はゲル化して固化するとともに厚みが固定されるが、スラリー２０（ｙ）は比較的高温でゲル化することに加えて水分蒸発量も多いために、スラリー塗着基板の体積収縮はさらに促進される。なお、上記実施例１，２，３および比較例１，２，３において、焼結炉２５での焼結時に起こる体積収縮率が全て同一になるように焼結温度の微調整を行った。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月9日(2005.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに近接しかつ絶縁され、受信した光信号に対応する電気信号を発生する第１の受光素子および第２の受光素子と、
前記第１の受光素子からの電気信号を増幅して、前記第１の受光素子に受信された所定の光信号を検出するための検出用電気信号を出力する信号検出回路と、
前記信号検出回路からの前記検出用電気信号を受けて、電力の供給を開始する電源回路と、
前記電源回路から電力の供給を受けることによって、前記第２の受光素子からの電気信号を増幅して出力用電気信号を出力する信号出力回路とを備えた光受信半導体装置。
【請求項２】
前記信号検出回路は前記第１の受光素子からの電気信号を増幅するための第１の増幅回路を有し、前記信号出力回路は前記第２の受光素子からの電気信号を増幅するための第２の増幅回路を有し、
前記第１の増幅回路の消費電力は前記第２の増幅回路の消費電力よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の光受信半導体装置。
【請求項３】
前記信号検出回路は、前記第１の受光素子に受信された光信号が所定の光信号であるかを判別しかつ所定の光信号である場合に前記検出用電気信号を前記電源回路へ出力する判別回路をさらに有し、
前記信号出力回路は、前記第２の増幅回路からの増幅された電気信号の波形を整形して前記出力用電気信号を出力する整形出力回路をさらに有することを特徴とする請求項２に記載の光受信半導体装置。
【請求項４】
前記第１の受光素子は前記第２の受光素子の周囲に配置されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の光受信半導体装置。
【請求項５】
前記第１の受光素子は前記第２の受光素子の中心部に配置されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の光受信半導体装置。
【請求項６】
前記第１の受光素子の面積と前記第２の受光素子の面積との比率は前記第１の受光素子および前記第２の受光素子の中心からの距離によって不変であることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の光受信半導体装置。
【請求項７】
前記第１の受光素子の面積は前記第２の受光素子の面積に比較して小さいことを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の光受信半導体装置。
【請求項８】
前記第１の受光素子、前記第２の受光素子、前記信号検出回路、前記電源回路および前記信号出力回路は１つの半導体チップに一体的に形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれかに記載の光受信半導体装置。
【請求項９】
互いに近接しかつ絶縁され、受信した光信号に対応する電気信号を発生する第１の受光素子および第２の受光素子と、
前記第１の受光素子からの電気信号を増幅して、前記第１の受光素子に受信された所定の光信号を検出するための検出用電気信号を出力する信号検出回路と、
前記信号検出回路からの前記検出用電気信号を受けることによって、電力の供給を開始する電源回路と、
前記電源回路から電力の供給を受けることによって、前記第２の受光素子からの電気信号を増幅して出力用電気信号を出力する信号出力回路とを有する光受信半導体装置を備え、
前記光受信半導体装置からの前記検出用電気信号または前記出力用電気信号を受けて動作を開始することを特徴とする電気機器。
【請求項１０】
前記信号検出回路は、前記第１の受光素子からの電気信号を増幅するための第１の増幅回路と、前記第１の受光素子に受信された光信号が所定の光信号であるかを判別しかつ所定の光信号である場合に前記検出用電気信号を前記電源回路へ出力する判別回路とを有し、
前記信号出力回路は、前記第２の受光素子からの電気信号を増幅するための第２の増幅回路と、前記第２の増幅回路からの増幅された電気信号の波形を整形して前記出力用電気信号を出力する整形出力回路とを有し、
前記第１の増幅回路の消費電力は前記第２の増幅回路の消費電力よりも小さいことを特徴とする請求項９に記載の電気機器。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月15日(2004.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信環境中での逆方向リンク電力制御オーバーシュートを最小化する方法であって、
第１の出力電力レベルで移動体局からの送信を受信するステップと、
通信環境に基づいて、前記移動体局がその出力電力レベルを調節すべきかどうかを決定するステップと、
出力電力レベル調節が必要とされるときには、前記移動体局に対し、移動体局の出力電力レベルレンジに基づいて第２の出力電力レベルを計算するよう指示するステップと、
出力電力レベル調節が必要とされるときには、前記移動体局に対し、前記第２の出力電力レベルで送信するよう指示するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記第１の出力電力レベルが前記出力電力レベルレンジの下限より小さいときには、前記移動体局に対し、その出力電力レベルを第１の量だけ増大させるよう指示することにより、前記第２の出力電力レベルが得られ、そして前記第１の出力電力レベルが前記出力電力レベルレンジの上限より大きいときには、前記移動体局に対し、その出力電力を第２の量だけ減少させるよう指示することにより、前記第２の出力電力レベルが得られることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第１の量および第２の量は等しいことを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
出力電力レベル調節の完了により、移動体局との通信リンクを確立するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
逆方向リンク電力制御オーバーシュートを最小化する方法であって、
移動体局の現在の出力電力が移動体局出力電力レベルのダイナミックレンジの外にあるかどうかを検出するステップと、
前記検出された出力電力がダイナミックレンジの外にあるときには、調節された出力電力を得るために、前記移動体局に対し、その出力電力を前記ダイナミックレンジに向かって調節するよう指示するステップと、
前記検出された出力電力が前記ダイナミックレンジの外にあるときには、前記移動体局に対し、前記調節された出力電力で送信するよう指示するステップとを有することを特徴とする逆方向リンク電力制御オーバーシュートを最小化する方法。
【請求項６】
前記検出された現在の出力電力が前記ダイナミックレンジの下限より小さいときには、前記移動体局に対し、その出力電力を第１の量だけ増大させるよう指示することにより、前記調節された出力電力が得られ、そして前記検出された現在の出力電力が前記ダイナミックレンジの上限より大きいときには、前記移動体局に対し、その出力電力を第２の量だけ減少させるよう指示することにより、前記調節された出力電力が得られることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
通信環境中で逆方向リンク電力制御オーバーシュートを最小化する方法であって、
第１の出力電力レベルで送信するステップと、
出力電力レベル調節が必要とされるときには、前記第１の出力電力レベルを調節するためのインストラクションを受信するステップと、
前記受信されたインストラクションに従って、出力電力レベルレンジに基づいて第２の出力電力レベルを計算するステップと、
前記第２の出力電力レベルで送信するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項８】
前記第１の出力電力レベルが前記出力電力レベルレンジの下限より小さいときには、第１の出力電力レベルを第１の量だけ増大させることによって前記第２の出力電力レベルが得られ、そして前記第１の出力電力レベルが前記出力電力レベルレンジの上限より大きいときには、前記第１の出力電力レベルを第２の量だけ減少させることによって前記第２の出力電力レベルが得られることを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
逆方向リンク電力制御オーバーシュートを最小化する方法であって、
第１の出力電力で送信するステップと、
前記第１の出力電力がダイナミックレンジの外にあるときには、第２の出力電力を得るために、前記第１の出力電力を移動体局出力電力レベルのダイナミックレンジに向かって調節するためのインストラクションを受信するステップと、
前記第１の出力電力がダイナミックレンジの外にあるときには、前記第２の出力電力で送信するステップとを有することを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記第１の出力電力が前記ダイナミックレンジの下限より小さいときには、前記第１の出力電力を第１の量だけ増大させることによって前記第２の出力電力が得られ、そして前記第１の出力電力が前記ダイナミックレンジの上限より大きいときには、前記第１の出力電力を第２の量だけ減少させることによって前記第２の出力電力が得られることを特徴とする請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月31日(2004.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ層とそれを挟み込む第１の電極と第２の電極を有するＥＬ表示パネルにおいて、
前記第１電極と前記第２電極とに挟み込まれた領域内に互いに離間する複数の発光部を有することを特徴とする有機ＥＬ表示パネル。
【請求項２】
請求項１記載の有機ＥＬ表示パネルにおいて、
前記有機ＥＬ層を形成する発光材料としては、前記発光部毎に、発光を開始する発光条件が異なりかつ異なった色を発光する複数の発光材料から、いずれか一の材料を選択可能であり、
前記各発光部の有機ＥＬ層を前記選択された発光材料により形成する
ことを特徴とする有機ＥＬ表示パネル。
【請求項３】
請求項１記載の有機ＥＬ表示パネルにおいて、
前記有機ＥＬ層を形成する発光材料は、前記各発光部毎に発光を開始する発光条件が異なりかつ異なった色を発光する複数の発光材料から、少なくとも２以上の材料を選択可能であり、
前記各発光部の有機ＥＬ層を前記選択された２以上の発光材料を積層して形成することを特徴とする有機ＥＬ表示パネル。
【請求項４】
請求項１記載の有機ＥＬ表示パネルにおいて、
前記各発光部の境界部には、前記第１電極および前記第２電極のいずれか一方の電極に前記有機ＥＬ層への電流供給を補完するための補助電極を形成したことを特徴とする有機ＥＬ表示パネル。
【請求項５】
請求項２または３記載の有機ＥＬ表示パネルにおいて、
前記発光条件は、前記第１，第２電極間に印加される電圧の電圧値であることを特徴とする有機ＥＬ表示パネル。
【請求項６】
第１電極と第２電極との間に挟みこまれた領域内に互いに離間する複数の発光部を有する有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
パターニングにより、透明基板上に形成された第１電極上に、複数の有機ＥＬ収容穴を形成する工程と、
インクジェット方式により、前記有機ＥＬ収容穴の底部に有機ＥＬを形成する発光材料を堆積させて有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層上に第２電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項７】
第１電極と第２電極との間に挟みこまれた領域内に互いに離間する複数の発光部を有する有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
パターニングにより、透明基板上に形成された第１電極上に、複数の有機ＥＬ収容穴を形成する工程と、
発光を開始する発光条件が異なりかつ異なった色を発光する複数の発光材料から、一の材料をそれぞれ選択し、インクジェット方式により、前記各有機ＥＬ収容穴の底部に個々に選択した発光材料を堆積させて有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層上に第２電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【請求項８】
第１電極と第２電極との間に挟みこまれた領域内に互いに離間する複数の発光部を有する有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、
パターニングにより、透明基板上に形成された第１電極上に、有機ＥＬ収容穴を形成する工程と、
発光を開始する発光条件が異なりかつ異なった色を発光する複数の発光材料から、少なくとも２以上の発光材料を選択し、インクジェット方式により、前記有機ＥＬ収容穴の底部に選択された２以上の発光材料を積層させて有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層上に第２電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明による有機ＥＬ表示パネルは、有機ＥＬ層とそれを挟み込む第１の電極と第２の電極を有するＥＬ表示パネルにおいて、前記第１電極と前記第２電極とに挟み込まれた領域内に互いに離間する複数の発光部を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このように、前記第１電極と前記第2電極とに挟み込まれた領域内に互いに離間する複数の発光部を有することにより、第１電極と第2電極とに挟み込まれた領域の表示の色むらや濃淡を低減することができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明による有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、第１電極と第２電極との間に挟みこまれた領域内に互いに離間する複数の発光部を有する有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、パターニングにより、透明基板上に形成された第１電極上に、複数の有機ＥＬ収容穴を形成する工程と、発光を開始する発光条件が異なりかつ異なった色を発光する複数の発光材料から、一の材料をそれぞれ選択し、インクジェット方式により、前記各有機ＥＬ収容穴の底部に個々に選択した発光材料を堆積させて有機ＥＬ層を形成する工程と、前記有機ＥＬ層上に第２電極を形成する工程と、を備えたことにある。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明による別の有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、第１電極と第２電極との間に挟みこまれた領域内に互いに離間する複数の発光部を有する有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、パターニングにより、透明基板上に形成された第１電極上に、複数の有機ＥＬ収容穴を形成する工程と、発光を開始する発光条件が異なりかつ異なった色を発光する複数の発光材料から、一の材料をそれぞれ選択し、インクジェット方式により、前記各有機ＥＬ収容穴の底部に個々に選択した発光材料を堆積させて有機ＥＬ層を形成する工程と、前記有機ＥＬ層上に第２電極を形成する工程と、を備えたことにある。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明による他の有機ＥＬ表示パネルの製造方法は、第１電極と第２電極との間に挟みこまれた領域内に互いに離間する複数の発光部を有する有機ＥＬ表示パネルの製造方法であって、パターニングにより、透明基板上に形成された第１電極上に、有機ＥＬ収容穴を形成する工程と、発光を開始する発光条件が異なりかつ異なった色を発光する複数の発光材料から、少なくとも２以上の発光材料を選択し、インクジェット方式により、前記有機ＥＬ収容穴の底部に選択された２以上の発光材料を積層させて有機ＥＬ層を形成する工程と、前記有機ＥＬ層上に第２電極を形成する工程と、を備えたことにある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月6日(2004.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基材内へ電子部品を埋設し、該埋設された電子部品の電極及び上記第１基材と電気的に接続する回路パターンを上記第１基材の回路パターン形成面に形成して上記電極及び上記第１基材と上記回路パターンとの電気的接続を図った第１実装済部品を作製し、
上記第１実装済部品と同様に作製された一又は複数の第２実装済部品、及び上記第１実装済部品について、上記第１実装済部品及び上記第２実装済部品の一方における上記回路パターンと、他方における上記第１基材とを電気的に接続させて互いの厚み方向に沿って重ね合わせる、
ことを特徴とする積層型電子部品実装済部品の製造方法。
【請求項２】
上記第１実装済部品及び上記第２実装済部品について、上記第１基材内への上記電子部品の埋設後、上記回路パターン形成前に、埋設された上記電子部品の上記電極を上記回路パターン形成面に露出させ、該露出後に上記回路パターンを形成する、請求項１記載の積層型電子部品実装済部品の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の積層型電子部品実装済部品の製造方法を用いて積層型電子部品実装済部品を製造した後、
上記積層型電子部品実装済部品の厚み方向から第２基材及び第３基材にて上記積層型電子部品実装済部品のラミネート処理を行なうことを特徴とする電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項４】
上記ラミネート処理前に、上記第２基材及び上記第３基材の少なくとも一方に、上記積層型電子部品実装済部品内の上記回路パターンと電気的に接続される外部通信用電極を設け、上記ラミネート処理の際には上記外部通信用電極と上記回路パターンとを電気的に接続して上記ラミネート処理を行なう、請求項３記載の電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項５】
上記ラミネート処理後、上記外部通信用電極を露出させる、請求項４記載の電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項６】
請求項３から５のいずれかに記載の電子部品実装済完成品の製造方法にて製造されたことを特徴とする電子部品実装済完成品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は以下のように構成する。
即ち、本発明の第１態様の積層型電子部品実装済部品の製造方法は、第１基材内へ電子部品を埋設し、該埋設された電子部品の電極及び上記第１基材と電気的に接続する回路パターンを上記第１基材の回路パターン形成面に形成して上記電極及び上記第１基材と上記回路パターンとの電気的接続を図った第１実装済部品を作製し、
上記第１実装済部品と同様に作製された一又は複数の第２実装済部品、及び上記第１実装済部品について、上記第１実装済部品及び上記第２実装済部品の一方における上記回路パターンと、他方における上記第１基材とを電気的に接続させて互いの厚み方向に沿って重ね合わせる、
ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月17日(2005.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
酸化セリウム粒子と、アクリル酸エステル誘導体及びポリアクリル酸からなる分散剤とを水中に分散してなることを特徴とする酸化セリウム研磨剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記分散剤中のアクリル酸エステル誘導体がメタクリル酸２−ヒドロキシエチルを含むことを特徴とする請求項１〜４記載の酸化セリウム研磨剤。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月30日(2004.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
減圧可能な容器内に被加工物を載置する処理台と、該被加工物と対面する電磁波導入のための誘電体窓と、該減圧容器内に導入する所定のガスをプラズマ化するための電磁波を発生する周波数 f の高周波電源と、該誘電体窓の周辺部に近接し、真空または空気または誘電率eの誘電体で満たされ、その入口以外が導体で囲まれ、その深さが d=l/4＋l/2×(n−1)±l/8：(n=正の整数, l=c(光速)/f/√e)の特性長の範囲内にある定在波制御部を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
請求項１において、該容器の内径と同じ半径位置において、該誘電体窓内部に形成される定在波電界の強度が、極大値となることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１において、該容器の内径と同じ半径位置において、該誘電体窓直下のプラズマ側に形成される定在波電界の強度が、極小値となることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１において、該誘電体窓の側方に該定在波制御部を具備した場合と電磁波の特性長で等価となる寸法だけ該誘電体窓の半径を大きくすることを含み、該誘電体窓とそれに近接した該定在波制御部を一体化したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１において、該定在波制御部を該誘電体窓の周辺部の上方または下方に具備し、その形状寸法が該定在波制御部を該誘電体窓の側方に具備した場合と電磁波の特性長で等価となるようにしたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項６】
請求項１において、該定在波制御部を該誘電体窓の周辺部の上方または側方または下方に具備し、電磁波の特性長を等価に保ったまま、それをさらに折り曲げた形状もしくは幅や曲率を変更した形状としたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項７】
請求項１において、該定在波制御部を該誘電体窓の上方または下方に具備し、電磁波の特性長を等価に保ったまま、それを該誘電体窓の端部よりも内側に配置したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項８】
請求項１において、該誘電体窓の大気側または真空側に導体または半導体よりなる電磁波放射素子を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項９】
請求項１において、該定在波制御部の寸法を可変する機構を具備したことを特
徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１０】
請求項１において、該誘電体窓ならびに該定在波制御部内に用いる誘電体は、アルミナ（Al2O3）、石英（SiO2）のいずれか、もしくは、これらの複合による構成を用いたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１１】
ベースフレーム上に複数のリアクタを有し、それぞれのリアクタは、減圧可能な容器内に被加工物を載置する処理台と、該被加工物と対面する電磁波導入のための誘電体窓と、該減圧容器内に導入する所定のガスをプラズマ化するための電磁波を発生する周波数 f の高周波電源と、該誘電体窓の周辺部に近接し、真空または空気または誘電率eの誘電体で満たされ、その入口以外が導体で囲まれ、その深さが d=l/4＋l/2×(n−1)±l/8：(n=正の整数, l=c(光速)/f/√e)の特性長の範囲内にある定在波制御部を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置
【請求項１２】
減圧可能な容器、該容器内に位置された被加工物を載置するための処理台、該被加工物と対面する位置に設けられた電磁波放射素子および誘電体窓、該容器内に導入する所定のガスをプラズマ化するための電磁波を発生する周波数fの高周波電源、および該誘電体窓の周辺部に近接して設けられた定在波電界分布を適正化するための定在波制御部とから成ることを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１３】
請求項１２において、該定在波制御部は該誘電体窓の周辺部にリング状に設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月21日(2005.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルス発振型のレーザと、光学系と、を有するレーザ照射装置であって、
前記光学系は、照射面において前記パルス発振型のレーザを光源とする第１のレーザ光を一方向において周期的なエネルギー分布を有する第２のレーザ光に成形することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
パルス発振型のレーザと、光学系と、照射面と、を有するレーザ照射装置であって、
前記光学系は、前記照射面において前記パルス発振型のレーザを光源とする第１のレーザ光を一方向において周期的なエネルギー分布を有する第２のレーザ光に成形し、
前記照射面は、前記第２のレーザ光に対して相対的に一方向に移動することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３】
パルス発振型のレーザと、光学系と、を有するレーザ照射装置であって、
前記光学系は、照射面において前記パルス発振型のレーザを光源とするレーザ光をー方向に周期的なエネルギー分布を有する線状ビームに成形することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
パルス発振型のレーザと、光学系と、照射面と、を有するレーザ照射装置であって、
前記光学系は、前記照射面において前記パルス発振型のレーザを光源とするレーザ光を一方向に周期的なエネルギー分布を有する線状ビームに成形し、
前記照射面は、前記線状ビームに対して相対的に前記線状ビームの一方向に移動することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
パルス発振型のレーザと、光学系と、を有するレーザ照射装置であって、
前記光学系は、照射面において前記パルス発振型のレーザを光源とするレーザ光を短軸方向に周期的なエネルギー分布を有する線状ビームに成形することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
パルス発振型のレーザと、光学系と、照射面と、を有するレーザ照射装置であって、
前記光学系は、前記照射面において前記パルス発振型のレーザを光源とするレーザ光を短軸方向に周期的なエネルギー分布を有する線状ビームに成形し、
前記照射面は、前記線状ビームに対して相対的に前記線状ビームの短軸方向に移動することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】
パルス発振型のレーザと、光学系と、を有するレーザ照射装置であって、
前記光学系は、照射面において前記パルス発振型のレーザを光源とするレーザ光を長軸方向に周期的なエネルギー分布を有する線状ビームに成形することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項８】
パルス発振型のレーザと、光学系と、照射面と、を有するレーザ照射装置であって、
前記光学系は、前記照射面において前記パルス発振型のレーザを光源とするレーザ光を長軸方向に周期的なエネルギー分布を有する線状ビームに成形し、
前記照射面は、前記線状ビームに対して相対的に前記線状ビームの長軸方向に移動することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項９】
請求項１または請求項２において、前記第２のレーザ光における周期的なエネルギー分布は、前記光学系により前記第１のレーザ光が干渉して形成されたものであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１０】
請求項３乃至８のいずれか一項において、前記線状ビームにおける周期的なエネルギー分布は、前記光学系により前記レーザ光が干渉して形成されたものであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、
前記光学系は、ビームエキスパンダーを含むことを特徴とするレーザー照射装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、前記光学系は、シリンドリカルアレイレンズおよびシリンドリカルレンズを含むことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一項において、前記光学系は、ハーフミラーを含むことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項において、前記光学系は、ミラーを含むことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一項において、前記光学系は、スリットを含むことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一項において、前記パルス発振型のレーザはＮｄ：ＹＡＧレーザ、Ｎｄ：ＹＬＦレーザ、Ｎｄ：ＹＶＯ4レーザ、もしくはＮｄ：ＹＡｌＯ3レーザから選ばれた一種であることを特徴とするレーザ照射装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月2日(2005.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信設備内に、受信アンテナの次に配置される少なくとも１つの第１の低ノイズ増幅ステージと、少なくとも１つの可変利得装置とを含む無線周波数信号受信装置における利得を自動制御する方法であって、
上記受信アンテナによって受信される信号を中和する段階と、
上記受信信号の上記中和の際に、上記受信設備の終わりにおいて所定のノイズレベルが得られるまで上記利得を調整する段階と、
上記受信設備の終わりにおいてノイズ電力を求める段階と、
上記利得を、所定のノイズレベルが得られるまで調整する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
上記受信信号の上記中和は、上記少なくとも１つの第１の低ノイズ増幅ステージへの供給を遮断することによって行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
上記受信設備の終わりにおいて上記ノイズ電力を求める段階は、
上記受信設備の終わりにおいて、上記信号をサンプリングする及びデジタル化する段階と、
上記デジタル化された信号をデジタル復調する段階と、
上記復調された信号を変調する段階と、
上記変調された信号及び上記デジタル化された信号から上記ノイズ電力を計算する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
受信設備内に、受信アンテナの次に配置される少なくとも１つの第１の低ノイズ増幅ステージと、少なくとも１つの可変利得装置とを含む無線周波数信号受信装置であって、
上記受信アンテナによって受信される信号を中和する手段と、
上記可変利得装置を、上記受信設備の終わりにおけるノイズレベルの関数として調整する手段と、
上記信号の受信の際にノイズ電力を求める手段と、
上記可変利得装置を、上記求めたノイズレベルの関数として調整する手段と、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項５】
上記受信信号を中和する手段は、上記少なくとも１つの第１の低ノイズ増幅ステージの供給を切替える切替え手段であることを特徴とする請求項４記載の装置。
【請求項６】
上記信号の受信の際に上記ノイズ電力を求める手段は、
上記受信設備の終わりにおいて上記信号をサンプリングする手段及び上記信号をデジタル信号に変換する手段と、
上記信号のデジタル復調を行い、復調信号を得る手段と、
上記復調信号のデジタル変調を行い、変調信号を得る手段と、
上記変調信号、及び、上記デジタル信号から上記ノイズ電力を計算する手段と、
を含むことを特徴とする請求項４記載の装置。
【請求項７】
請求項４乃至６のうちいずれか一項記載の受信装置を含むことを特徴とする、衛星から送信される無線周波数信号を送受信する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月30日(2004.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数チャネルの信号を含む信号の出力レベルが、該出力信号と基準信号との誤差信号に基づいて、所定の一定レベルに保つように制御される自動利得制御方式において、信号入力の有るチャネル数に応じて、前記基準信号のレベルを変更するようにしたことを特徴とする自動利得制御方式。
【請求項２】
複数チャネルの信号を含む一つの信号の出力レベルが、該出力レベルの信号と基準信号との誤差信号に基づいて、所定の一定レベルに保つように制御される自動利得制御器において、前記複数チャネルの各チャネル毎の信号を抽出するバンドパスフィルタと、該各チャネル毎の抽出信号を検波する検波手段と、該各チャネル毎の検波手段の検波信号レベルを加算する加算手段と、を具備し、該加算手段の加算信号を前記基準信号としたこを特徴とする自動利得制御器。
【請求項３】
複数チャネルの信号を含む一つの信号の出力レベルが、該出力レベルの信号と基準信号との誤差信号に基づいて、所定の一定レベルに保つように制御される自動利得制御器において、前記基準信号を生成する手段は、前記複数チャネルの各チャネル毎の信号を抽出するバンドパスフィルタと、前記各チャネル毎の前記バンドパスフィルタの信号を検波する入力検波器と、前記各チャネル毎の前記入力検波器の検波信号を所定の信号と比較するコンパレータと、前記各チャネル毎の前記コンパレータの出力信号を直流電流に変換する合成抵抗器と、前記各チャネル毎から出力された直流電流を加算する直流増幅器と、から成って、前記直流増幅器の出力信号を前記基準信号としたことを特徴とする自動利得制御器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力素子と、
前記電力素子を過電流から保護する過電流保護回路と、
前記電力素子を過熱から保護する過熱保護回路とを具備し、
前記過熱保護回路は、前記過電流保護回路からの過電流検出信号を利用して、その応答時間を変更することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記過熱保護回路の応答時間は、この過熱保護回路が働きだす設定温度を変化させることで、変更されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記過熱保護回路が働きだす設定温度は、第１の設定温度と、この第１の設定温度よりも低い第２の設定温度との少なくとも２つがあり、
前記過熱保護回路は、温度が第１の設定温度に達したとき、あるいは温度が前記第２の設定温度に達し、かつ前記過電流検出信号が入力されたときに働きだすことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記過熱保護回路は、
第１の設定温度を検出するとともに、温度がこの第１の設定温度に達したときに働き出す第１の検出部と、
前記第１の設定温度よりも低い第２の設定温度を検出するとともに、温度がこの第２の設定温度に達し、かつ前記過電流検出信号が入力されたときに働きだす第２の検出部との少なくとも２つの検出部を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２の設定温度は、前記電力素子の動作範囲が、応答時間変更後の安全動作領域の範囲内となるように設定されることを特徴とする請求項３及び請求項４いずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記過電流保護回路は、前記電力素子に流れる電流の制限値と、この制限値よりも低い検出値とを少なくとも検出し、前記電力素子に流れる電流が前記検出値に達したとき、前記過電流検出信号を出力することを特徴とする請求項１乃至請求項５いずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記検出値は、前記制限値よりも低く、かつ前記電力素子の動作範囲が、応答時間変更前の安全動作領域の範囲外となる電流値の最低レベルに設定されることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月6日(2004.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
図１１に示す音叉型水晶振動片１０は、上述のように小型化されているため振動腕部１２，１３の長さＬが例えば、１．６４４ｍｍと短いため、その幅も例えば０．１ｍｍと極めて細くなっている。さらに振動腕部１２，１３の厚みＤも例えば０．１ｍｍと成っている。
ところで、音叉型水晶振動片１０の腕部１２，１３は、図１４（ａ）に示すように、幅Ｗが長く厚みＤが短ければ、図において矢印Ｂに示すように通常の水平方向の振動を行うことになる。
しかし、上述にように幅Ｗが短くなると、図１４（ｂ）に示すように、垂直方向の成分（図において矢印Ｃの方向）を含むようになり、図１４（ｂ）において矢印Ｅで示す方向に振動腕部１２，１３が振動する。
これは、図１５に示す図でも明らかなように垂直振動成分変位量（ｎｍ）は、振動腕部１２，１３の幅Ｗ／厚みＤが１．２より小さくなると急激に変位量も大きくなるのが分かる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
したがって、この音叉腕１２１，１２２に対する基部１１０の長さは、約３４％となっている。これに対して従来の音叉型水晶振動片１０は、図１１に示すように基部１１の長さ（Ｌ１）が０．７ｍｍで腕部１２，１３の長さ（Ｌ）が１．６４４ｍｍに形成され、基部１１の長さは腕部１２，１３の長さに対して約４２．６％となり、４０％を超えている。
このように基部１１の長さを腕部１２，１３の長さに対して４０％以上の長さになるようにすることで、上述のように腕部１２，１３の垂直成分の振動により振動漏れが生じ、振動片、素子間のＣＩ値バラツキが大きくなるのを防いでいた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
以上の関係から、基部１１０に形成される切り込み部１２６の位置は、必ず音叉腕１２１，１２２の溝部１２３，１２４の下端部より下方に配置されることになる。
したがって、この切り込み部１２６の存在が、音叉腕部１２１、１２２の振動
を阻害等することがない。
また、図６で斜線で示す部分は、音叉型水晶振動片１００をパッケージにおいて固定する際に実際に固定される固定領域１１１である。この固定領域１１１の上端部と、基部１１０の底面との長さを示したのがＡ４である。
そして、この固定領域１１１と切り込み部１２６との位置関係は、Ａ２の長さが、必ずＡ４の長さより長くなる。
したがって、切り込み部１２６の上端部は、必ず固定領域１１１より図６の上方に配置されるので、切り込み部１２６が固定領域１１１に影響を及ぼすことがなく、音叉型水晶振動片１００のパッケージに対する固定状態に悪影響を与えることがない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
以上のように振動片、素子間のＣＩ値バラツキを小さくすることができるので、従来の音叉型水晶振動片１０のように基部１１の長さを腕部１２，１３の長さの４０％以上にする必要がない。
本実施の形態では、図１に示すように、音叉型水晶振動片１００の基部１１０の長さは、音叉腕１２１，１２２の長さに対して上述のように３４％になるように形成されていても、音叉腕１２１，１２２の垂直成分の振動による振動漏れが生じ難く、振動片、素子間のＣＩ値バラツキを小さくすることになる。これにより、基部１１０の長さを短くすることができ、音叉型水晶振動片１００の大きさを小型化することができる。
本実施の形態では、基部１１０の長さが図４に示すように０．５６ｍｍとすることができ、従来の音叉型水晶振動片１０の図１１に示す基部１１の長さ（Ｌ１）である０．７ｍｍより著しく小さくすることが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
先ず、図１９（ａ）は、上記エッチングにより外形が形成された状態の音叉型水晶振動片の音叉腕１２０の図１６のＢ−Ｂ’線概略断面図である。
図１９（ａ）に示すように、音叉腕１２０の表面１２０ｅ及び裏面１２０ｆには、溝部１２０ａ、１２０ａが形成される（溝部形成工程）。
このような音叉腕１２０等を含む振動片全体にスパッタ等により金属膜である電極膜１５０を形成する（金属膜形成工程、図１８のＳＴ１）。
この状態を示したのが図１９（ｂ）である。図１９に示す電極膜１５０は、下層がＣｒで厚みが例えば１００Å乃至１０００Åで形成される。そして、上層がＡｕで厚みが例えば５００Å乃至１０００Åで形成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2002280870.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2002280870.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月26日(2005.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複素信号である変調信号を復調する復調回路と、
復調回路の特性制御に使用される基準信号が上記復調回路に入力されて得られる複素信号である復調信号の出力値が規定値になるように、該復調回路の特性を制御する制御回路とを備えたことを特徴とする復調器。
【請求項２】
周波数変調された複素信号である変調信号を復調する復調器において、
入力信号の周波数特性を変化させる周波数特性可変手段を有する復調回路と、
復調回路の特性制御に使用される基準信号が上記復調回路に入力されて得られる複素信号である復調信号の出力値が規定値になるように、該復調回路の周波数特性を制御する制御回路とを備えたことを特徴とする復調器。
【請求項３】
上記復調回路の前段に、入力信号の周波数特性を変化させる周波数特性可変手段を有するバンドパスフィルタが配置され、
上記バンドパスフィルタの特性は、上記制御回路によって制御されることを特徴とする請求項２記載の復調器。
【請求項４】
上記復調回路は、上記周波数特性可変手段としてのフィルタ回路を含む移相器を備え、
上記移相器に含まれるフィルタ回路と上記バンドパスフィルタが有するフィルタ回路との回路構成を同じにしたことを特徴とする請求項３記載の復調器。
【請求項５】
上記復調回路の後段に、入力信号の周波数特性を変化させる周波数特性可変手段を有するローパスフィルタが配置され、
上記ローパスフィルタの特性は、上記制御回路によって制御されることを特徴とする請求項２ないし４の何れかに記載の復調器。
【請求項６】
上記変調信号及び基準信号は、複素信号であることを特徴とする請求項１ないし４の何れかに記載の復調器。
【請求項７】
上記バンドパスフィルタは、
第１の入力端子が、第１の抵抗を介して第１の演算増幅器の正側入力端子、第１のコンデンサの一端、第２及び第３の抵抗の一端に接続され、
第２の入力端子が、第４の抵抗を介して上記第１の演算増幅器の負側入力端子、第２のコンデンサの一端、第５及び第６の抵抗の一端に接続され、
第３の入力端子が、第７の抵抗を介して第２の演算増幅器の正側入力端子、第３のコンデンサの一端、第８及び第９の抵抗の一端に接続され、
第４の入力端子が、第１０の抵抗を介して上記第２の演算増幅器の負側入力端子、第４のコンデンサの一端、第１１及び第１２の抵抗の一端に接続され、
第１の出力端子が、上記第１の演算増幅器の正側出力端子、上記第２のコンデンサの他端、上記第５及び上記第９の抵抗の他端に接続され、
第２の出力端子が、上記第１の演算増幅器の負側出力端子、上記第１のコンデンサの他端、上記第２及び上記第１２の抵抗の他端に接続され、
第３の出力端子が、上記第２の演算増幅器の正側出力端子、上記第４のコンデンサの他端、上記第１１及び上記第６の抵抗の他端に接続され、
第４の出力端子が、上記第２の演算増幅器の負側出力端子、上記第３のコンデンサの他端、上記第８及び上記第３の抵抗の他端に接続された複素バンドパスフィルタを少なくとも１段以上直列に接続して構成されていることを特徴とする請求項６記載の復調器。
【請求項８】
上記復調回路は、
第１の入力端子が、複素バンドパスフィルタの第１の入力端子、第１の乗算器の第１の入力端子に接続され、
第２の入力端子が、上記複素バンドパスフィルタの第２の入力端子、上記第１の乗算器の第２の入力端子に接続され、
第３の入力端子が、上記複素バンドパスフィルタの第３の入力端子、第２の乗算器の第１の入力端子に接続され、
第４の入力端子が、上記複素バンドパスフィルタの第４の入力端子、上記第２の乗算器の第２の入力端子に接続され、
上記複素バンドパスフィルタの第１の出力端子が、上記第２の乗算器の第３の入力端子に接続され、
上記複素バンドパスフィルタの第２の入力端子が、上記第２の乗算器の第４の入力端子に接続され、
上記複素バンドパスフィルタの第３の出力端子が、上記第１の乗算器の第３の入力端子に接続され、
上記複素バンドパスフィルタの第４の出力端子が、上記第１の乗算器の第４の入力端子に接続され、
上記第１の乗算器の第１の出力端子が、加算器の第１の入力端子に接続され、
上記第１の乗算器の第２の出力端子が、上記加算器の第２の入力端子に接続され、
上記第２の乗算器の第１の出力端子が、上記加算器の第３の入力端子に接続され、
上記第２の乗算器の第２の出力端子が、上記加算器の第４の入力端子に接続され、
上記加算器の第１及び第２の出力端子が復調信号出力端子となることを特徴とする請求項６または７記載の復調器。
【請求項９】
上記周波数特性可変手段は、複数のコンデンサと、各コンデンサを切り替えるスイッチとを含む回路で構成されていることを特徴とする請求項２ないし８の何れかに記載の復調器。
【請求項１０】
上記請求項１ないし９の何れかに記載の復調器を有し、信号の受信を行う受信部を備えたことを特徴とする通信装置。
【請求項１１】
さらに、信号の送信を行うと共に、デジタル化された送信信号をアナログ信号に変換するＤ／Ａ変換回路を少なくとも有する送信部を備え、
上記受信部の復調器で使用される基準信号を、上記送信部のＤ／Ａ変換回路から出力される信号とすることを特徴とする請求項１０記載の通信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月27日(2004.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
前記親水性繊維の集合体１２の密度は、前記集合体１２が存在していない領域での繊維密度の１．５〜３倍が好ましい。例えば集合体１２が存在していない領域の密度が０．０３ｇ／ｃｍ３に対して、集合体１２の密度が０．０５〜０．０９ｇ／ｃｍ３である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月23日(2004.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
関節骨に取り付けるのに適するように構成されている要素に接続されているボールと、
概略球状の窩部と前記ボールを受容するための開口部とを有し、骨構造に取り付けるのに適するように構成されているソケットと、を備え、
前記窩部が前記ボールと当接するための関節領域を含み、前記ソケットが該ソケットの外側部分を通って延びる少なくとも１つの部分外側切断部を含み、該切断部は、前記窩部までは延びておらず、前記ボールが前記開口部を越えて前記関節領域と当接関係となるように配置されることを許容するために、前記ソケットの前記開口部の近傍に位置する部分が外方へ撓曲することを可能とさせる、移植可能なボールソケット形人工関節。
【請求項２】
前記ボールが前記開口部を越えて前記関節領域と当接関係となるように配置されることを許容するために、前記ソケットの前記開口部の近傍に位置する部分が撓曲することを容易にするための環状拡張切込み部をさらに備える、請求項１に記載の移植可能なボールソケット形人工関節。
【請求項３】
前記切断部が前記環状拡張切込み部で終端している、請求項２に記載の移植可能なボールソケット形人工関節。
【請求項４】
前記開口部を取り囲み、前記ソケットの前記開口部の近傍に位置する部分が撓曲することを防止するためのロックリングをさらに備える、請求項１に記載の移植可能なボールソケット形人工関節。
【請求項５】
前記ロックリングが該ロックリングの第１の端部に設けられた内側環状傾斜表面を含み、前記ロックリングが該ロックリングの前記第１の端部を識別させるように機能可能な外側環状突出部をさらに含む、請求項４に記載の移植可能なボールソケット形人工関節。
【請求項６】
前記開口部が傾斜縁部を含む、請求項１に記載の移植可能なボールソケット形人工関節。
【請求項７】
前記ソケットが前記骨構造における前記ソケットの運動を防止するための複数の保持要素を含む、請求項１に記載の移植可能なボールソケット形人工関節。