Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月20日(2021.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス通信の方法であって、
ダウンリンク制御メッセージを受信するステップと、
前記ダウンリンク制御メッセージに少なくとも部分的に基づいて、アップリンク制御情報(UCI)を送信するための複数のベータオフセット値からのベータオフセット値を決定するステップであって、前記ベータオフセット値が動的に構成可能である、ステップと、
アップリンク共有チャネル上で、前記決定されたベータオフセット値に基づいて、周波数インターリーブされる方法でデータとインターリーブされた前記UCIを送信するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記UCIが、周波数領域において、前記データとインターリーブされる、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記ベータオフセット値を決定する前記ステップが、
ダウンリンク制御情報(DCI)メッセージにおいて、前記ベータオフセット値の指示を受信するステップ
を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記ベータオフセット値を決定する前記ステップが、
無線リソース制御(RRC)構成において、ベータオフセット値のセットを受信するステップと、
前記ダウンリンク制御メッセージにおいて、前記ベータオフセット値のセットの中からの前記ベータオフセット値の指示を受信するステップと
を含み、
前記ベータオフセット値を決定するステップが、前記受信された指示に基づいて、前記ベータオフセット値を識別するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記ベータオフセット値が、前記UCIを送信するために使用された波形のタイプに基づき、前記波形の前記タイプが、シングルキャリア周波数分割多重(SC-FDM)波形または直交周波数分割多重(OFDM)波形を備える、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記UCIが、ACK/NACK情報とチャネル品質情報(CQI)とを備え、前記CQIが、前記ACK/NACK情報とは異なるトーンのグループ上で周波数インターリーブされる、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記ACK/NACK情報が、復調基準信号(DM-RS)シンボルに隣接した第1のシンボルのセット上で送信され、チャネル状態情報(CSI)の一部分が、前記第1のシンボルのセットの後の第2のシンボルのセット上で送信される、請求項6に記載の方法。
【請求項８】
前記DM-RSシンボルが、前記アップリンク共有チャネルの送信において前方にロードされる、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
前記アップリンク共有チャネルが、シングルキャリア波形またはOFDM波形において提供される、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
ユーザ機器におけるワイヤレス通信のための装置であって、
メモリと、
前記メモリに結合された少なくとも1つのプロセッサとを備え、前記少なくとも1つのプロセッサが、
ダウンリンク制御メッセージを受信すること、
前記ダウンリンク制御メッセージに少なくとも部分的に基づいて、アップリンク制御情報(UCI)を送信するための複数のベータオフセット値におけるベータオフセット値を決定することであって、前記ベータオフセット値が動的に構成可能である、こと、および
アップリンク共有チャネル上で、前記決定されたベータオフセット値に基づいて、周波数インターリーブされる方法でデータとインターリーブされた前記UCIを送信すること
を行うように構成される、装置。
【請求項１１】
前記UCIが、周波数領域において、前記データとインターリーブされる、請求項10に記載の装置。
【請求項１２】
前記ベータオフセット値を決定することが、
ダウンリンク制御情報(DCI)メッセージにおいて、前記ベータオフセット値の指示を受信すること
を含む、請求項10に記載の装置。
【請求項１３】
前記少なくとも1つのプロセッサが、
無線リソース制御(RRC)構成において、ベータオフセット値のセットを受信すること、
前記ダウンリンク制御メッセージにおいて、前記ベータオフセット値のセットにおけるベータオフセット値の指示を受信すること
を行うようにさらに構成され、
前記少なくとも1つのプロセッサが、前記受信された指示に基づいて、前記ベータオフセット値のセットの中からの前記ベータオフセット値を決定するように構成される、請求項10に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月5日(2021.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線送受信ユニット（ＷＴＲＵ）であって、
前記ＷＴＲＵと関連付けられた受信ビームおよび送信ビームに関連付けられたビーム対応を、ネットワークデバイスへ送信し、
前記ＷＴＲＵがアップリンク時間同期しているかどうかを決定し、
前記ＷＴＲＵがアップリンク時間同期している条件で、前記ＷＴＲＵがアップリンク時間同期していることを示しているインジケーションを、前記ネットワークデバイスへ送信し、
前記ＷＴＲＵがアップリンク時間同期していることを示している前記インジケーションに基づいて、サウンディング基準信号（ＳＲＳ）構成を、前記ネットワークデバイスから受信し、
前記ＳＲＳ構成および前記ビーム対応に基づいて、ＳＲＳを、前記ネットワークデバイスへ送信する
ように構成されたプロセッサ
を備えたＷＴＲＵ。
【請求項２】
前記プロセッサは、
前記ＷＴＲＵがアップリンク時間同期していない条件で、物理ランダムアクセスチャネル（ＰＲＡＣＨ）構成を受信し、
前記ＰＲＡＣＨ構成に基づいて、前記ネットワークデバイスへ、ＰＲＡＣＨプリアンブルを送信する
よう構成された請求項１に記載のＷＴＲＵ。
【請求項３】
前記ＰＲＡＣＨプリアンブルは、ニューラジオ（ＮＲ）ＰＲＡＣＨプリアンブルと関連付けられている請求項２に記載のＷＴＲＵ。
【請求項４】
前記ＳＲＳは、ＮＲ  ＳＲＳと関連付けられている請求項１に記載のＷＴＲＵ。
【請求項５】
前記ネットワークデバイスは、送受信ポイント（ＴＲＰ）を含む請求項１に記載のＷＴＲＵ。
【請求項６】
前記プロセッサは、
前記ビーム対応が利用可能である条件で、前記受信ビームまたは前記送信ビームに対するビームスイープをスキップし、
前記ビーム対応が利用不可能である条件で、前記受信ビームまたは前記送信ビームに対する前記ビームスイープを実行する
よう構成された請求項１に記載のＷＴＲＵ。
【請求項７】
前記ビームスイープは、フルビームスイープまたは部分ビームスイープを含む請求項６に記載のＷＴＲＵ。
【請求項８】
無線送受信ユニット（ＷＴＲＵ）と関連付けられた受信ビームおよび送信ビームに関連付けられたビーム対応を、ネットワークデバイスへ送信するステップと、
前記ＷＴＲＵがアップリンク時間同期しているかどうかを決定するステップと、
前記ＷＴＲＵがアップリンク時間同期している条件で、前記ＷＴＲＵがアップリンク時間同期していることを示しているインジケーションを、前記ネットワークデバイスへ送信するステップと、
前記ＷＴＲＵがアップリンク時間同期していることを示している前記インジケーションに基づいて、サウンディング基準信号（ＳＲＳ）構成を、前記ネットワークデバイスから受信するステップと、
前記ＳＲＳ構成および前記ビーム対応に基づいて、ＳＲＳを、前記ネットワークデバイスへ送信するステップと
を備える方法。
【請求項９】
前記ＷＴＲＵがアップリンク時間同期していない条件で、物理ランダムアクセスチャネル（ＰＲＡＣＨ）構成を受信するステップと、
前記ＰＲＡＣＨ構成に基づいて、前記ネットワークデバイスへ、ＰＲＡＣＨプリアンブルを送信するステップと
を備える請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＰＲＡＣＨプリアンブルは、ニューラジオ（ＮＲ）ＰＲＡＣＨプリアンブルと関連付けられている請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＳＲＳは、ＮＲ  ＳＲＳと関連付けられている請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記ネットワークデバイスは、送受信ポイント（ＴＲＰ）を含む請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記ビーム対応が利用可能である条件で、前記受信ビームまたは前記送信ビームに対するビームスイープをスキップするステップと、
前記ビーム対応が利用不可能である条件で、前記受信ビームまたは前記送信ビームに対する前記ビームスイープを実行するステップと
を備える請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記ビームスイープは、フルビームスイープまたは部分ビームスイープを含む請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月29日(2021.1.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス通信用のための方法であって、
第1のトランスポートブロック(TB)の少なくとも一部を含む第1の送信を受信するステップであって、第1のTBが、第1の送信時間間隔(TTI)持続時間を有する第1のTTI内に送信されるコードブロック(CB)のセットを含む、ステップと、
前記CBのセットのサブセットの受信が不成功になったことの指示を送信するステップと、
第1のTTI持続時間または前記第1のTTI持続時間より短い第2のTTI持続時間のうちから選択されるTTI持続時間を有する第2のTTI内に前記CBのセットの前記サブセットの再送信を受信するステップと、
前記CBのセットの前記サブセットの前記再送信を受信するステップと少なくとも部分的に同時に、前記第1のTTI持続時間を有する第3のTTI内に第2のTBの少なくとも一部を含む第2の送信を受信するステップとを含む、
方法。
【請求項２】
前記第2のTTIが、前記第1のTBの前記CBのセットの前記サブセットのみを含む、
請求項1に記載の方法。
【請求項３】
利用可能なリソースブロック(RB)割振りのセットおよび利用可能なTTI持続時間のセットからRB割振りおよび前記第2のTTIの前記第2のTTI持続時間を識別するステップをさらに含む、
請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記方法が基地局によって実行され、前記識別するステップが、
前記第2のTTI内に再送信されるべき前記CBのセットの前記サブセット内のCBの数を決定するステップと、
前記CBの数に少なくとも部分的に基づいて前記RB割振りおよび前記第2のTTI持続時間を決定するステップと、
前記CBのセットの前記サブセットの前記再送信のために使用されるべき前記RB割振りおよび前記第2のTTI持続時間を示す制御情報をユーザ機器(UE)に送信するステップとを含む、
請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記方法がユーザ機器(UE)によって実行され、前記識別するステップが、
前記RB割振りおよび前記第2のTTI持続時間を示す制御情報を受信するステップを含む、
請求項3に記載の方法。
【請求項６】
前記再送信を受信するステップが、
前記再送信が前記CBのセットの前記サブセットの前記指示に応答するものであり、前記CBのセットの前記サブセットのみを含むこと、または前記再送信が前記CBのセットを含むことの指示を受信するステップをさらに含む、
請求項1に記載の方法。
【請求項７】
ワイヤレス通信のための方法であって、
第1のトランスポートブロック(TB)の少なくとも一部を含む第1の送信を送信するステップであって、前記TBが、第1の送信時間間隔(TTI)持続時間を有する第1のTTI内に送信されるコードブロック(CB)のセットを含む、ステップと、
前記CBのセットのサブセットの受信が不成功になったことの指示を受信するステップと、
第1のTTI持続時間または前記第1のTTI持続時間より短い第2のTTI持続時間のうちから選択されるTTI持続時間を有する第2のTTI内に前記CBのセットの前記サブセットの再送信を送信するステップと、
前記CBのセットの前記サブセットの前記再送信を送信するステップと少なくとも部分的に同時に、前記第1のTTI持続時間を有する第3のTTI内に第2のTBの少なくとも一部を含む第2の送信を送信するステップとを含む、
方法。
【請求項８】
前記第2のTTIが、第1のTBの前記CBのセットの前記サブセットのみを含む、
請求項7に記載の方法。
【請求項９】
利用可能なリソースブロック(RB)割振りのセットおよび利用可能なTTI持続時間のセットからRB割振りおよび前記第2のTTIの前記第2のTTI持続時間を識別するステップをさらに含む、
請求項7に記載の方法。
【請求項１０】
前記方法が基地局によって実行され、前記識別するステップが、
前記第2のTTI内に再送信されるべき前記CBのセットの前記サブセット内のCBの数を決定するステップと、
前記CBの数に少なくとも部分的に基づいて前記RB割振りおよび前記第2のTTI持続時間を決定するステップと、
前記CBのセットの前記サブセットの前記再送信のために使用されるべき前記RB割振りおよび前記第2のTTI持続時間を示す制御情報をユーザ機器(UE)に送信するステップとを含む、
請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記方法がユーザ機器(UE)によって実行され、前記識別するステップが、
前記RB割振りおよび前記第2のTTI持続時間を示す制御情報を受信するステップを含む、
請求項9に記載の方法。
【請求項１２】
前記再送信を送信するステップが、
前記再送信が前記CBのセットの前記サブセットの前記指示に応答するものであり、前記CBのセットの前記サブセットのみを含むことの指示を送信するステップをさらに含む、
請求項7に記載の方法。
【請求項１３】
システムにおけるワイヤレス通信のための装置であって、
第1のTBの少なくとも一部を含む第1の送信を受信するための手段であって、前記第1のTBが、第1のTTI持続時間を有する第1のTTI内に送信されるCBのセットを含む、受信するための手段と、
前記CBのセットのサブセットの受信が不成功になったことの指示を送信するための手段と、
前記第1のTTI持続時間または前記第1のTTI持続時間より短い第2のTTI持続時間のうちから選択されるTTI持続時間を有する第2のTTI内に前記CBのセットの前記サブセットの再送信を受信するための手段と、
前記CBのセットの前記サブセットの前記再送信を前記受信することと少なくとも部分的に同時に、前記第1のTTI持続時間を有する第3のTTI内に第2のTBの少なくとも一部を含む第2の送信を受信するための手段とを備える、
装置。
【請求項１４】
システムにおけるワイヤレス通信のための装置であって、
第1のTBの少なくとも一部を含む第1の送信を送信するための手段であって、前記第1のTBが、第1のTTI持続時間を有する第1のTTI内に送信されるCBのセットを含む、送信するための手段と、
前記CBのセットのサブセットの受信が不成功になったことの指示を受信するための手段と、
前記第1のTTI持続時間または前記第1のTTI持続時間より短い第2のTTI持続時間のうちから選択されるTTI持続時間を有する第2のTTI内に前記CBのセットの前記サブセットの再送信を送信するための手段と、
前記CBのセットの前記サブセットの前記再送信を前記送信することと少なくとも部分的に同時に、前記第1のTTI持続時間を有する第3のTTI内に第2のTBの少なくとも一部を含む第2の送信を送信するための手段とを備える、
装置。
【請求項１５】
実行時に、請求項１〜６または請求項７〜１２のいずれか一項に記載の方法をコンピュータに実行させるプログラムコードを含むコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月6日(2021.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス通信のための方法であって、
物理ブロードキャストチャネル(PBCH)情報ビットのセットを備えるペイロードを特定するステップと、
第1の同期信号ブロックのインデックスを表す情報ビットの第1のセットを判定するステップと、
PBCH情報ビットの前記セットと情報ビットの前記第1のセットをジョイント符号化するステップと、
前記第1の同期信号ブロックのリソースを使用して、PBCH情報ビットと情報ビットの前記第1のセットの前記ジョイント符号化されたセットを備える第1の出力ベクトルを送信するステップとを含む方法。
【請求項２】
第2の同期信号ブロックのインデックスを表す情報ビットの第2のセットを特定するステップと、
PBCH情報ビットの前記セットと情報ビットの前記第2のセットをジョイント符号化するステップと、
前記第2の同期信号ブロックのリソースを使用して、PBCH情報ビットと情報ビットの前記第2のセットの前記ジョイント符号化されたセットを備える第2の出力ベクトルを送信するステップとをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
セル固有のスクランブルシーケンスに少なくとも部分的に基づいてPBCH情報ビットと情報ビットの前記第1のセットの前記ジョイント符号化されたセットをスクランブルするステップであって、前記第1の出力ベクトルが、PBCH情報ビットと情報ビットの前記第1のセットの前記ジョイント符号化されスクランブルされたセットを備える、ステップをさらに含む、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記セル固有のスクランブルシーケンスに少なくとも部分的に基づいてPBCH情報ビットと情報ビットの前記第2のセットの前記ジョイント符号化されたセットをスクランブルするステップであって、前記第2の出力ベクトルが、PBCH情報ビットと情報ビットの前記第2のセットの前記ジョイント符号化されスクランブルされたセットを備える、ステップをさらに含む、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記第1の出力ベクトルが、第1のビームフォーミングパラメータによって送信され、前記第2の出力ベクトルが、前記第1のビームフォーミングパラメータとは異なる第2のビームフォーミングパラメータによって送信されるか、または、
前記第2の同期信号ブロックの前記インデックスが、前記第1の同期信号ブロックの前記インデックスとは異なる、請求項2に記載の方法。
【請求項６】
前記ジョイント符号化するステップは、
エンコーダのビット位置に関連する信頼度メトリックに少なくとも部分的に基づいてPBCH情報ビットの前記セットのビットおよび情報ビットの前記第1のセットのビットを前記エンコーダのそれぞれの前記ビット位置に割り振るステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
PBCH情報ビットの前記セットが、巡回冗長検査(CRC)ビットのセットを備えるか、または、
情報ビットの前記第1のセットが、パリティ検査ビットのセットをさらに備えるか、または、
PBCH情報ビットの前記セットと情報ビットの前記第1のセットが、ポーラ符号化演算の少なくとも1つを使用してジョイント符号化される、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
ワイヤレス通信のための方法であって、
ジョイント符号化されたビットの第1のセットを備える第1の符号語を受信するステップと、
前記第1の符号語についてのマザー符号ブロック長を判定するステップと、
前記判定されたマザー符号ブロック長に少なくとも部分的に基づいて、物理ブロードキャストチャネル(PBCH)情報ビットのセットと第1の同期信号ブロックの第1のインデックスを表す情報ビットの第1のセットとに対応する1つまたは複数のビット位置を特定するステップと、
前記特定された1つまたは複数のビット位置に少なくとも部分的に基づいて前記第1の符号語を復号するステップとを含む方法。
【請求項９】
前記第1の符号語を復号するステップは、
前記特定された1つまたは複数のビット位置に少なくとも部分的に基づいてPBCH情報ビットの前記セットを復号するステップと、
PBCH情報ビットの前記復号されたセットに少なくとも部分的に基づいて情報ビットの前記第1のセットを復号するステップとを含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１０】
情報ビットの前記第1のセットを復号するステップは、
PBCH情報ビットの前記復号されたセットをフローズンビットとして指定して情報ビットの前記第1のセットを復号するステップを含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記方法が、
前記1つまたは複数のビット位置が、前記第1の符号語に関連する信頼度メトリックに少なくとも部分的に基づくビット位置であることを特定するステップをさらに含むか、または、
PBCH情報ビットの前記セットと第2の同期信号ブロックの第2のインデックスを表す情報ビットの第2のセットとに対応するジョイント符号化されたビットの第2のセットを備える第2の符号語を受信するステップと、
前記第1の符号語と前記第2の符号語を合成するステップと、
前記合成された第1の符号語と第2の符号語に基づいて、PBCH情報ビットの前記セット、情報ビットの前記第1のセット、および情報ビットの前記第2のセットを復号するステップとをさらに含む、請求項8に記載の方法。
【請求項１２】
PBCH情報ビットの前記セットが、巡回冗長検査(CRC)ビットのセットを備え、PBCH情報ビットの前記セットの復号はCRCに基づくか、または、
情報ビットの前記第1のセットが、パリティ検査ビットのセットを備えるか、または、
前記第1の符号語が、ポーラ符号化演算の少なくとも1つを使用して符号化される、請求項8に記載の方法。
【請求項１３】
ワイヤレス通信のための装置であって、
物理ブロードキャストチャネル(PBCH)情報ビットのセットを備えるペイロードを特定するための手段と、
第1の同期信号ブロックのインデックスを表す情報ビットの第1のセットを判定するための手段と、
PBCH情報ビットの前記セットと情報ビットの前記第1のセットをジョイント符号化するための手段と、
前記第1の同期信号ブロックのリソースを使用して、PBCH情報ビットと情報ビットの前記第1のセットの前記ジョイント符号化されたセットを備える第1の出力ベクトルを送信するための手段とを備える装置。
【請求項１４】
ワイヤレス通信のための装置であって、
ジョイント符号化されたビットの第1のセットを備える第1の符号語を受信するための手段と、
前記第1の符号語についてのマザー符号ブロック長を判定するための手段と、
前記判定されたマザー符号ブロック長に少なくとも部分的に基づいて、物理ブロードキャストチャネル(PBCH)情報ビットのセットと第1の同期信号ブロックの第1のインデックスを表す情報ビットの第1のセットとに対応する1つまたは複数のビット位置を特定するための手段と、
前記特定された1つまたは複数のビット位置に少なくとも部分的に基づいて前記第1の符号語を復号するための手段とを備える装置。
【請求項１５】
コンピュータにより実行されたときに、請求項1から12のうちのいずれか一項に記載の方法を前記コンピュータに実行させる命令を備えるコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月17日(2021.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製の位相シフト要素が交互に置かれた周期配列を備え、前記配列は、少なくとも１つの軸において周期的であり、誘電体基材の第１の表面上に形成されており、前記誘電体基材の反対側の表面が、その上に形成された接地面を有し、それぞれの位相シフト要素は、マイクロ波周波数範囲において、０°〜３６０°の位相シフトを提供する、中継装置。
【請求項２】
第１の位相シフト要素が第１の２次元幾何学構造を含み、第２の位相シフト要素が第２の２次元幾何学構造を含み、前記第１及び第２の２次元幾何学構造は、それぞれ同様の形状を有し、前記第１の２次元幾何学構造は、前記第２の２次元幾何学構造とは異なるサイズを有する、請求項１に記載の中継装置。
【請求項３】
前記周期配列は、少なくとも１つの軸において繰り返す３つの位相シフト要素の配列を備え、前記３つの位相シフト要素は、第１の２次元幾何学構造を有する第１の位相シフト要素と、第２の２次元幾何学構造を有する第２の位相シフト要素と、第３の２次元幾何学構造を有する第３の位相シフト要素とを含み、前記第１、第２、及び第３の２次元幾何学構造は、それぞれ同様の形状を有し、前記第１の２次元幾何学構造は、前記第２の２次元幾何学構造とは異なるサイズを有し、前記第３の２次元幾何学構造は、前記第１の２次元幾何学構造及び前記第２の２次元幾何学構造とは異なるサイズを有する、請求項１に記載の中継装置。
【請求項４】
前記誘電体基材は、伸縮性材料を含む多層構造を含む、請求項１に記載の中継装置。
【請求項５】
前記位相シフト要素の配列の上に配置された隠蔽層を更に備える、請求項１に記載の中継装置。
【請求項６】
前記位相シフト要素及び接地面は、透明導電体上に形成されており、前記誘電体基材は、透明誘電体材料を含む、請求項１に記載の中継装置。
【請求項７】
請求項２に記載の中継装置を１つ以上含む、マイクロ波ネットワーク。
【請求項８】
請求項３に記載の中継装置を１つ以上含む、マイクロ波ネットワーク。
【請求項９】
ビーム又はマイクロ波放射の方向を変更するための中継装置を形成する方法であって、
前記中継装置の複数の動作パラメータの値を選択することであって、前記動作パラメータは、動作周波数、入力角度（θｉ，фｉ）、出力角度（θｏ，фｏ）、及びサイズＮ＊ｄｘ×ｍ＊ｄｙを含むことと、
寸法ｄｘ及びｄｙを有する位相シフト要素を提供することであって、ｄｘ及びｄｙは、動作周波数の波長の半分以下であり、前記位相シフト要素は、前記位相シフト要素の幾何学的パラメータが変化したときに０〜２π以上の反射位相シフトを更に提供することと、
Ｎ×Ｍ個の位相シフト要素の配列を基材上に配置して前記中継装置を形成することであって、前記配列内の所定の位置でそれぞれの前記位相シフト要素によって提供される位相シフトは、前記配列がマイクロ波放射のビームを入力角度（θｉ，фｉ）から出力角度（θｏ，фｏ）に再配向するように選択されることと、を含む、方法。
【請求項１０】
各中継装置は、金属材料を含む接地面を含み、各位相シフト要素は、２次元幾何学形状を有する金属製パッチを含む、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月22日(2021.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ電子デバイスであって、
基板と、
基板の上に配置される導電体であって、グラフェンヘテロ層を含み、前記グラフェンヘテロ層が交互のグラフェンの層と障壁材料の層とを含み、前記グラフェンの層と前記障壁材料の層とがナノ粒子で配置され、前記グラフェンの各層がグラフェンの１〜２原子層を有し、前記障壁材料の各層が、六方晶窒化ホウ素と立方晶窒化ホウ素とアルミニウム窒化物とから成るグループから選択される１〜３層を有する、前記導電体と、
を含む、マイクロ電子デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のマイクロ電子デバイスであって、
前記グラフェンの層がベルナル二重層グラフェンを含む、マイクロ電子デバイス。
【請求項３】
請求項１に記載のマイクロ電子デバイスであって、
前記グラフェンの層と前記障壁材料の層とが前記導電体にわたって連続的である、マイクロ電子デバイス。
【請求項４】
請求項１に記載のマイクロ電子デバイスであって、
前記グラフェンの層が、ホウ素とガリウムとインジウムとシリコンとゲルマニウムと窒素とリンと砒素とアンチモンと酸素とから成るグループから選択される要素でドープされている、マイクロ電子デバイス。
【請求項５】
請求項１に記載のマイクロ電子デバイスであって、
前記グラフェンの層が、ハロゲンと貴金属と水酸基と有機分子とをから成るグループから選択される化学反応物で官能基化されている、マイクロ電子デバイス。
【請求項６】
請求項１に記載のマイクロ電子デバイスであって、
前記導電体が前記マイクロ電子デバイスの相互接続を提供する、マイクロ電子デバイス。
【請求項７】
請求項１に記載のマイクロ電子デバイスであって、
前記導電体が前記マイクロ電子デバイスの薄膜トランジスタのゲートを提供する、マイクロ電子デバイス。
【請求項８】
請求項１に記載のマイクロ電子デバイスであって、
前記導電体が前記マイクロ電子デバイスのバンドギャップコンバータに接続されるアンテナを提供する、マイクロ電子デバイス。
【請求項９】
請求項１に記載のマイクロ電子デバイスであって、
前記導電体が前記マイクロ電子デバイスのコンデンサのプレートを提供する、マイクロ電子デバイス。
【請求項１０】
請求項１に記載のマイクロ電子デバイスであって、
前記導電体が前記マイクロ電子デバイスのメタ材料構造のメタ原子を提供する、マイクロ電子デバイス。
【請求項１１】
マイクロ電子デバイスを形成する方法であって、
基板を提供することと、
前記マイクロ電子デバイスの導電体のためにエリアにわたって連続的である障壁材料の層を形成することであって、前記障壁材料の層が、六方晶窒化ホウ素と立方晶窒化ホウ素とアルミニウム窒化物とから成るグループから選択される１〜３層を含む、前記障壁材料の層を形成することと、
前記障壁材料の層上で連続的であるグラフェンの層を形成することであって、前記グラフェンの層が前記導電体のための領域にわたって延在し、前記グラフェンの層がグラフェンの１〜２原子層を含む、前記グラフェンの層を形成することと、
前記導電体のグラフェンヘテロ層を形成するために、連続的である前記障壁材料の層を形成することと、連続的である前記グラフェンの層を形成することとを反復することであって、前記グラフェンヘテロ層が複数の交互のグラフェンの層と前記障壁材料の層とを含む、前記反復することと、
を含み、
前記障壁材料の層を形成することが原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスを含み、前記ＡＬＤプロセスが、
前記基板の上にホウ素三塩化物ガスを流すことと、
続いて前記基板の上の前記ホウ素三塩化物ガスの流れを止めることと、
前記基板の上にアンモニアガスを流すことと、
続いて前記基板の上の前記アンモニアガスの流れを止めることと、
を含む、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記グラフェンの層を形成することが、プラズマエンハンスト化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）プロセスを含み、前記ＰＥＣＶＤプロセスが、
前記基板を２００〜４００°Ｃの温度まで加熱することと、
前記基板が２００℃から４００℃である間に前記基板の上に炭素含有反応ガスを流すことと、
前記炭素含有反応ガスに無線周波数（ＲＦ）電力を印加することと、
を含む、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
前記炭素含有反応ガスが、メタンとエタンとプロパンとブタンとエタノールとシクロブタンとベンゼンとから成るグループから選択されるガスを含む、方法。
【請求項１４】
請求項１１に記載の方法であって、
前記グラフェンの層を形成することがトランスファプロセスを含み、前記トランスファプロセスが、
前記マイクロ電子デバイスの前記基板とは別個の２次基板上にグラフェンの層を形成することと、
前記２次基板から前記グラフェンの層を除去することと、
前記グラフェンの層を前記マイクロ電子デバイスの前記基板に適用することと、
を含む、方法。
【請求項１５】
マイクロ電子デバイスを形成する方法であって、
基板を提供することと、
前記マイクロ電子デバイスの導電体の導電性ナノ粒子膜を形成することであって、前記導電性ナノ粒子膜が、本質的に有機バインダ材料なしにグラフェンヘテロ層を含むナノ粒子を含み、前記グラフェンヘテロ層が複数の交互のグラフェンの層と障壁材料の層とを含み、前記グラフェンの各層がグラフェンの１〜２原子層を有し、前記障壁材料の各層が、六方晶窒化ホウ素と立方晶窒化ホウ素と窒化アルミニウムとから成るグループから選択される１〜３層を有する、前記導電性ナノ粒子膜を形成することと、
を含み、
前記導電性ナノ粒子膜を形成することが付加的なプロセスを含み、前記付加的なプロセスが、
前記導電体のための領域にナノ粒子インク膜を形成するために前記ナノ粒子とキャリア流体とを含むナノ粒子インクを前記基板上にディスペンスすることと、
前記ナノ粒子インク膜から揮発性材料の少なくとも一部を除去するために前記ナノ粒子インク膜を加熱することと、
を含む、方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、
前記付加的なプロセスが、ディスクリート液滴ディスペンスプロセスと連続的押出しプロセスと直接レーザートランスファプロセスと静電気堆積プロセス、及び電気化学的堆積プロセスとから成るグループから選択される、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月25日(2021.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｐ型シリコンであるシリコンウエハの表面と裏面に、テクスチャ構造を形成するステップ（１）と、
シリコンウエハに対して拡散処理を施して、Ｎ型エミッタを形成するステップ（２）と、
拡散処理時に形成された周辺のｐ−ｎ接合と表面のりんけい酸ガラスとを除去するステップ（３）と、
シリコンウエハの裏面上に酸化アルミニウム膜を堆積するステップ（４）と、
シリコンウエハの裏面上に窒化シリコン膜を堆積するステップ（５）と、
シリコンウエハの表面上に窒化シリコン膜を堆積するステップ（６）と、
複数組の第１のレーザグルービングユニットを含み、各組の第１のレーザグルービングユニットが一つまたは複数の第１のレーザグルービング体を含む、第１のレーザグルービング領域を形成するように、シリコンウエハの裏面にレーザグルービングするステップ（７）と、
前記シリコンウエハの裏面上に裏面銀バスバー電極を印刷するステップ（８）と、
前記シリコンウエハの裏面上にアルミニウムペーストを印刷して、前記第１のレーザグルービング領域を介してＰ型シリコンに接続し、裏面銀電極と第1の所定角度で交差し、ただし、１０°＜第１の所定角度＜９０°を満たすように、１０°より大きく９０°より小さい角度で第１のレーザグルービン領域に印刷される、裏面アルミニウムグリッド線を得るステップ（９）と、
前記シリコンウエハの裏面上に、裏面アルミニウムグリッド線の周りに沿ってアルミニウムペーストを印刷して、アルミニウムグリッド外枠を得るステップ（１０）と、
前記シリコンウエハの表面上に表面電極ペーストを印刷するステップ（１１）と、
シリコンウエハを高温で焼結して、裏面銀電極と表面銀電極とを形成するステップ（１２）と、
シリコンウエハに対して、抗ＬＩＤアニーリング処理を施すステップ（１３）と、を含む、
ことを特徴とするＰ型ＰＥＲＣ両面太陽電池の製造方法。
【請求項２】
さらに、ステップ（３）と（４）の間に、シリコンウエハの裏面を研磨するステップを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載のＰ型ＰＥＲＣ両面太陽電池の製造方法。
【請求項３】
ステップ（７）は、さらに、複数組の第２のレーザグルービングユニットを含み、各組の第２のレーザグルービングユニットが一つまたは複数の第２のレーザグルービング体を含む、第２のレーザグルービング領域を形成するように、シリコンウエハの裏面にレーザグルービングするステップを含み、
前記アルミニウムグリッド外枠と第２のレーザグルービング体は、第３の所定角度で交差し、ただし、１０°＜第３の所定角度≦９０°を満たす、
ことを特徴とする請求項２に記載のＰ型ＰＥＲＣ両面太陽電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】Ｐ型ＰＥＲＣ両面太陽電池の製造方法
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月2日(2021.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性金属層を仕上げるための方法であって、
前記導電性金属層上に分子銀インクをコーティングする工程であり、前記分子銀インクが、カルボン酸銀、担体及び高分子バインダーを含む工程；並びに、
前記銀インクを分解して、前記導電性金属層上に銀金属のはんだ付け可能なコーティングを形成する工程、
含む方法。
【請求項２】
導電性金属層上にはんだ付けするための方法であって、
導電性金属層上に分子銀インクをコーティングする工程であり、前記分子銀インクが、カルボン酸銀、担体及び高分子バインダーを含む工程；
前記銀インクを分解して、前記導電性金属層上に銀金属のはんだ付け可能なコーティングを形成する工程；並びに、
前記導電性金属層上にコーティングされたはんだ付け可能な銀金属にはんだを塗布して、前記銀金属とのはんだ接合部を形成する工程、
を含む方法。
【請求項３】
前記導電性金属層が、銅、金、スズ、パラジウム、アルミニウム又はそれらの合金を含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記高分子バインダーが、ポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテル又はそれらの任意の混合物を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記高分子バインダーが、ヒドロキシル末端及び／又はカルボキシル末端ポリエステルを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記カルボン酸銀が、前記インクの総重量を基準として１９重量％以上の前記インク中の銀充填量をもたらす量で前記インク中に存在する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記カルボン酸銀が、前記インクの総重量を基準として２４重量％以上の前記インク中の銀充填量をもたらす量で前記インク中に存在する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記カルボン酸銀が、前記インクの総重量を基準として６０重量％以上の量でネオデカン酸銀を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記ネオデカン酸銀が、前記インクの総重量を基準として８０重量％以上の量で前記インク中に存在する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記高分子バインダーが、前記インクの総重量を基準として０．１重量％〜５重量％の量で前記インク中に存在する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記担体が、有機溶媒を含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記溶媒が、前記インクの総重量を基準として１０重量％〜４０重量％の範囲内の量でα−テルピネオールを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記導電性金属層が、基板上に堆積される、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板が、ポリエチレンテレフタラート、ポリオレフィン、ポリジメチルシロキサン、ポリスチレン、アクリロニトリル／ブタジエン／スチレン、ポリカーボネート、ポリイミド、熱可塑性ポリウレタン、シリコーン膜、ウール、シルク、綿、亜麻、ジュート、モーダル、竹、ナイロン、ポリエステル、アクリル、アラミド、スパンデックス、ポリラクチド、紙、ガラス、金属又は誘電体コーティングを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記導電性金属層上に前記分子銀インクをコーティングする工程が、スクリーン印刷又はステンシル印刷を含む、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記分子銀インクの前記分解が、前記分子銀インクの焼結を含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
基板の表面の少なくとも一部に堆積された導電性金属層を備える層状材料であって、
前記導電性金属層は、カルボン酸銀、担体、及び高分子バインダーを含む分子インクで少なくとも部分的にコーティングされており、
前記高分子バインダーは、前記高分子バインダーを前記担体と相溶性にする官能基を有するポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルイミド又はそれらの任意の混合物を含む、層状材料。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月26日(2021.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面銀電極と、裏面アルミニウムグリッド線と、裏面パッシベーション層と、Ｐ型シリコンと、Ｎ型エミッタと、表面窒化シリコン膜と、表面銀電極とをこの順に含み、
前記裏面パッシベーション層には、レーザグルービングによって第１のレーザグルービング領域が形成され、前記第１のレーザグルービング領域は、前記裏面アルミニウムグリッド線の下方に設置され、前記裏面アルミニウムグリッド線は、前記第１のレーザグルービング領域を介してＰ型シリコンに接続され、前記裏面アルミニウムグリッド線の周りに、アルミニウムグリッド外枠が設置され、前記アルミニウムグリッド外枠は、前記裏面アルミニウムグリッド線および前記裏面銀電極に接続され、
前記第１のレーザグルービング領域は、水平方向に設置された複数組の第１のレーザグルービングユニットを含み、各組の第１のレーザグルービングユニットは、水平方向に設置された一つまたは複数の第１のレーザグルービング体を含み、前記裏面アルミニウムグリッド線は、前記第１のレーザグルービング体と垂直であり、
前記裏面アルミニウムグリッド線の数は、３０〜５００本であり、前記裏面アルミニウムグリッド線は、前記第１のレーザグルービング領域を介して前記Ｐ型シリコンと局所的に接触するように、平行に設置された前記第１のレーザグルービング領域に印刷され、
前記アルミニウムグリッド外枠の下方には、第２のレーザグルービング領域が設置され、前記第２のレーザグルービング領域は、鉛直方向または水平方向に設置された第２のレーザグルービングユニットを含み、各組の第２のレーザグルービングユニットは、鉛直方向または水平方向に設置された一つまたは複数の第２のレーザグルービング体を含み、前記アルミニウムグリッド外枠は、前記第２のレーザグルービング体と垂直であり、
前記裏面アルミニウムグリッド線の幅は、３０〜５００μｍであり、前記第１のレーザグルービング体の長さよりも小さい
ことを特徴とするＰ型ＰＥＲＣ両面太陽電池。
【請求項２】
前記第１のレーザグルービングユニット同士は、平行に設置され、
各第１のレーザグルービングユニットにおいて、前記第１のレーザグルービング体は、並列に設置され、且つ、前記第１のレーザグルービング体は、同一の水平面に位置するか、または、上下にずらして位置する、
ことを特徴とする請求項１に記載のＰ型ＰＥＲＣ両面太陽電池。
【請求項３】
前記第１のレーザグルービングユニット同士の間隔は、０.５〜５０ｍｍであり、
各第１のレーザグルービングユニットにおいて、前記第１のレーザグルービング体同士の間隔は、０.５〜５０ｍｍであり、
前記第１のレーザグルービング体の長さは、５０〜５０００μｍであり、前記第１のレーザグルービング体の幅は、１０〜５００μｍである、
ことを特徴とする請求項１に記載のＰ型ＰＥＲＣ両面太陽電池。
【請求項４】
前記裏面パッシベーション層は、酸化アルミニウム層と、窒化シリコン層とを含み、前記酸化アルミニウム層は、Ｐ型シリコンに接続され、前記窒化シリコン層は、前記酸化アルミニウム層に接続され、
前記窒化シリコン層の厚さは、２０〜５００ｎｍであり、
前記酸化アルミニウム層の厚さは、２〜５０ｎｍである、
ことを特徴とする請求項１に記載のＰ型ＰＥＲＣ両面太陽電池。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載のＰ型ＰＥＲＣ両面太陽電池の製造方法であって、
Ｐ型シリコンであるシリコンウエハの表面と裏面に、テクスチャ構造を形成するステップ（１）と、
前記シリコンウエハに対して拡散処理を施して、前記Ｎ型エミッタを形成するステップ（２）と、
拡散処理時に形成された表面のリンケイ酸ガラスと周辺のＰＮ接合とを除去するステップ（３）と、
前記シリコンウエハの裏面に酸化アルミニウム膜を堆積するステップ（４）と、
前記シリコンウエハの裏面に窒化シリコン膜を堆積するステップ（５）と、
前記シリコンウエハの表面に窒化シリコン膜を堆積するステップ（６）と、
水平方向に設置された複数組の第１のレーザグルービングユニットを含み、各組の第１のレーザグルービングユニットは、水平方向に設置された一つまたは複数の前記第１のレーザグルービング体を含む前記第１のレーザグルービング領域を形成するように、前記シリコンウエハの裏面にレーザグルービングするステップ（７）と、
前記シリコンウエハの裏面に裏面銀バスバー電極を印刷するステップ（８）と、
前記シリコンウエハの裏面に、前記第１のレーザグルービング体と垂直な方向に沿ってアルミニウムペーストを印刷して、前記第１のレーザグルービング体と垂直である前記裏面アルミニウムグリッド線を得るステップ（９）と、
前記シリコンウエハの裏面に、前記裏面アルミニウムグリッド線の周りに沿ってアルミニウムペーストを印刷して、前記アルミニウムグリッド外枠を得るステップ（１０）と、
前記シリコンウエハの表面に表面電極ペーストを印刷するステップ（１１）と、
前記シリコンウエハを高温で焼結して、前記裏面銀電極と前記表面銀電極とを形成するステップ（１２）と、
前記シリコンウエハに対して、ＬＩＤを抑制するためのアニーリング処理を施すステップ（１３）と、を含む、
ことを特徴とするＰ型ＰＥＲＣ両面太陽電池の製造方法。
【請求項６】
ステップ（３）と（４）の間に、前記シリコンウエハの裏面を研磨するステップをさらに含む、
ことを特徴とする請求項５に記載のＰ型ＰＥＲＣ両面太陽電池の製造方法。
【請求項７】
ステップ（７）は、鉛直方向または水平方向に設置された第２のレーザグルービングユニットを含み、各組の第２のレーザグルービングユニットは、鉛直方向または水平方向に設置された一つまたは複数の第２のレーザグルービング体を含む第２のレーザグルービング領域を形成するように、前記シリコンウエハの裏面にレーザグルービングすることをさらに含み、
前記第２のレーザグルービング体は、前記アルミニウムグリッド外枠と垂直である、
ことを特徴とする請求項６に記載のＰ型ＰＥＲＣ両面太陽電池の製造方法。
【請求項８】
ＰＥＲＣ太陽電池と封止材とを含むＰＥＲＣ太陽電池モジュールであって、
前記ＰＥＲＣ太陽電池は、請求項１〜４のいずれか1項に記載のＰ型ＰＥＲＣ両面太陽電池である、
ことを特徴とするＰＥＲＣ太陽電池モジュール。
【請求項９】
ＰＥＲＣ太陽電池を含むＰＥＲＣ太陽エネルギーシステムであって、
前記ＰＥＲＣ太陽電池は、請求項１〜４のいずれか1項に記載のＰ型ＰＥＲＣ両面太陽電池である、
ことを特徴とするＰＥＲＣ太陽エネルギーシステム。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年6月8日(2021.6.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１４７】
要するに、本発明の態様により、眼の視覚プロセスを網膜の最初の層によって判定する。眼に入る光は、光受容体細胞に到達する前に、網膜を形成する神経節および神経細胞の厚さ約１００μｍの層を通過する必要がある。これらの細胞は、位相物体であるため、標準的な撮像法によって見ることは難しい。実際、位相撮像法は、通常、照明システムを撮像システムに対してサンプルの反対側に配置する必要があり、位相撮像を生体内で行うことができない。しかしながら、散乱媒質の特性を使用して一側から位相撮像を行う可能性が示されている。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
眼組織を撮像するための方法であって：
光送出デバイスの複数の発光領域の少なくとも１つにより眼に経強膜的照明および経表皮的照明から選ばれる傾斜照明を与える工程であって、複数の発光領域は、独立して制御可能であり、かつ眼の組織に光を向けるように配置されている、工程と；
傾斜照明により眼底から散乱した光から、出力ビームを生じさせる工程と；
眼底の一連の画像を取得するために、撮像システムを用いて出力ビームを取り込む工程であって、一連の画像は眼の組織の画像を得るために処理され、取り込む工程における眼底の一連の画像は、傾斜照明を与える工程で一度に複数の発光領域のうちの１つまたはそれ以上を順次オンにすることによって得られる、工程と；
を含み、そして、
少なくとも１つの眼の収差を測定して、傾斜照明後に取得された一連の画像の分解能を改善するために収差補正法により収差を補正する工程：
をさらに含む、
前記方法。
【請求項２】
眼組織は人間または動物の生体眼の一部であり、
光送出デバイスは、以下の照明モダリティ：
光送出デバイスと人間または動物の顔とが接触しない；
光送出デバイスが眼の周りの皮膚に接触する；
光送出デバイスが眼の強膜に接触する；および
光送出デバイスが眼の角膜に接触する、
のうちの少なくとも１つのために構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
眼組織は人間または動物の眼の生体外サンプルである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
傾斜照明は、拡散ビーム、コリメートビーム、集束ビーム、および構造化照明のうちの少なくとも１つにより形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
眼組織は、人間の生体内網膜、人間の生体外網膜、動物の生体外網膜、および動物の生体内網膜のうちの少なくとも１つを含み、
取り込む工程は、暗視野照明、暗視野集光、波面成形による集束コヒーレント照明、および低コヒーレンス光源による傾斜光干渉断層法のうちの少なくとも１つのモダリティを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
取り込む工程において、一連の画像は、２Ｄ単一フレーム取得および２Ｄロックイン取得のうちの少なくとも一方によって取り込まれる。請求項１に記載の方法。
【請求項７】
眼組織は前眼部組織であり、
傾斜照明を与える工程において、照明は、眼底および眼の虹彩のうちの少なくとも一方から後方反射によって得られる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
眼組織を撮像するためのシステムであって、
複数の発光領域を有する光送出デバイスであって、少なくとも一つの光送出デバイスは、経強膜的照明および経表皮的照明から選ばれる傾斜照明を与えるために眼組織に向けられており、出力ビームが傾斜照明された眼底から散乱した光によって生じる、光送出デバイスと、
出力ビームを取り込んで、眼底の一連の画像を取得するように構成された撮像システムと、
光送出デバイスの発光領域を個々に制御し、一度に複数の発光領域のうちの１つを順次オンにして、撮像システムにより一連の画像を取り込むように構成されたコントローラとを含み、
ここで、システムは、少なくとも一つの眼の収差を測定する手段、及び
傾斜照明後に取得された一連の画像の分解能を改善するために収差補正法により収差を補正する手段、
をさらに含む、前記システム。
【請求項９】
光送出デバイスからの光は、４００ｎｍ〜１２００ｎｍの波長範囲の強膜−脈絡膜−皮膚の透過範囲を有し、
光送出デバイスは、１つまたはそれ以上の異なるタイプの光源から出る光を使用する、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
撮像システムはスキャンシステムと検出器とを含み、
スキャンシステムは、眼の瞳孔の中心に対して中心に位置するか、または移動した集光瞳を有し、
検出器は、１ピクセル検出器、ラインカメラ、２次元マルチピクセルデバイス、および
分割検出器のうちの少なくとも１つを含む、請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
一連の画像は、２次元マルチピクセルデバイスで眼組織を撮像することによって取得される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１２】
光送出デバイスは複数の導波路を含む、請求項８に記載のシステム。
【請求項１３】
好ましくは頭部ホルダ、顎ホルダ及び光送出デバイスから選ばれる、システムの少なくとも一つの部材が患者の顔に接触し、 前記部材は着脱可能な使い捨て部材により覆われる、請求項８に記載のシステム。
【請求項１４】
眼組織のマルチモード撮像を提供する異なる眼科用撮像システムを含む光学系をさらに含む、請求項８に記載のシステム。
【請求項１５】
取り込む工程において、一連の画像はスキャン取得システムによって取り込まれる、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
画像は、暗視野画像、位相コントラスト画像又は吸収コントラスト画像から選ばれる、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
画像取得は、例えば、暗視野画像を得るためには一つの発光領域、位相コントラス画像のためには少なくとも二つの発光領域のように、得られる眼底の画像に応じて適用される、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
取得された画像は、位相及び／又は吸収情報を含む再構築画像に、例えば位相及び吸収回復アルゴリズムによって、処理される、請求項１に記載の方法。