【手続補正書】
【提出日】令和3年8月27日(2021.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｍｅ２Ｓｉ（Ｈ）Ｃｌ、ＭｅＳｉ（Ｈ）Ｃｌ２、およびＭｅＳｉ（Ｈ）２Ｃｌ、好ましくはＭｅ２Ｓｉ（Ｈ）Ｃｌ、およびＭｅＳｉ（Ｈ）Ｃｌ２、そして最も好ましくはＭｅ２Ｓｉ（Ｈ）Ｃｌから選択される、メチルクロロヒドリドモノシランの製造のための方法であって、
（ｉ）モノシラン、
（ｉｉ）ジシラン、
（ｉｉｉ）オリゴシラン、
（ｉｖ）カルボジシラン
但し、シラン（ｉ）から（ｉｖ）の少なくとも１つは、少なくとも１つのクロロ置換基を有しているという条件である、
からなる群から選択される少なくとも１つのシランを含むシラン基材を、
ａ）少なくとも１つの水素化物供与源との水素化反応、および
ｂ）再分配反応、および
ｃ）任意にてジ−またはオリゴシランのＳｉ−Ｓｉ結合またはカルボジシランのＳｉ−Ｃ結合の開裂反応、および
ｄ）メチルクロロヒドリドシランの分離ステップに供することを含み、
ここで前記方法は、ＡｌＣｌ３の不在下で、好ましくはエーテル溶媒から選択される１以上の溶媒の存在下で行われ、
（ｉ）モノシランは一般式（Ｉ）から選択され、
ＭｅｘＳｉＨｙＣｌｚ  （Ｉ）、
ここで
ｘ＝１から３、
ｙ＝０から３、
ｚ＝０から３、そして
ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり、
（ｉｉ）ジシランは一般実験式（ＩＩ）から選択され、
ＭｅｍＳｉ２ＨｎＣｌｏ  （ＩＩ）、
ここで
ｍ＝１から６、
ｎ＝０から５、
ｏ＝０から５、そして
ｍ＋ｎ＋ｏ＝６であり、
（ｉｉｉ）オリゴシランは一般実験式（ＩＩＩ）の直鎖または分岐オリゴシランから選択され、
ＭｅｐＳｉｑＨｒＣｌｓ  （ＩＩＩ）、
ここで
ｑ＝３から７
ｐ＝ｑから（２ｑ＋２）
ｒ，ｓ＝０から（ｑ＋２）
ｒ＋ｓ＝（２ｑ＋２）−ｐであり、
（ｉｖ）カルボジシランは、一般式（ＩＶ）から選択され、
（ＭｅａＳｉＨｂＣｌｅ）−ＣＨ２−（ＭｅｃＳｉＨｄＣｌｆ）  （ＩＶ）
ここで
ａ、ｃは互いに独立して１から３であり、
ｂ、ｄは互いに独立して０から２であり、
ｅ、ｆは互いに独立して０から２であり、
ａ＋ｂ＋ｅ＝３、
ｃ＋ｄ＋ｆ＝３である、方法。
【請求項２】
シラン基材は式（Ｉ）から（ＩＶ）のシランからなり、好ましくはシラン基材はＭｅ２ＳｉＣｌ２である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
（ｉ）モノシランは下記式
ＭｅＳｉＣｌ３、Ｍｅ２ＳｉＣｌ２、Ｍｅ３ＳｉＣｌ、ＭｅＳｉＨＣｌ２、Ｍｅ２ＳｉＨＣｌ、ＭｅＳｉＨ２Ｃｌ、ＭｅＳｉＨ３、Ｍｅ２ＳｉＨ２、およびＭｅ３ＳｉＨ、から選択され、
（ｉｉ）ジシランは下記式
Ｃｌ２ＭｅＳｉ−ＳｉＭｅＣｌ２、Ｃｌ２ＭｅＳｉ−ＳｉＭｅ２Ｃｌ、Ｃｌ２ＭｅＳｉ−ＳｉＭｅ３  ＣｌＭｅ２Ｓｉ−ＳｉＭｅ２Ｃｌ、Ｍｅ３Ｓｉ−ＳｉＭｅ２Ｃｌ、ＨＭｅ２Ｓｉ−ＳｉＭｅ２Ｃｌ、Ｈ２ＭｅＳｉ−ＳｉＭｅＣｌＨ、ＨＣｌＭｅＳｉ−ＳｉＭｅＣｌＨ、ＣｌＨＭｅＳｉ−ＳｉＭｅＣｌ２、Ｈ２ＭｅＳｉ−ＳｉＭｅＣｌ２、ＨＭｅ２Ｓｉ−ＳｉＭｅＣｌ２、ＣｌＭｅ２Ｓｉ−ＳｉＭｅＨ２、
ＨＭｅ２Ｓｉ−ＳｉＭｅＣｌＨ、ＣｌＭｅ２Ｓｉ−ＳｉＭｅＣｌＨ、Ｍｅ３Ｓｉ−ＳｉＭｅＣｌＨ、ＨＭｅ２Ｓｉ−ＳｉＭｅ２Ｈ、
Ｈ２ＭｅＳｉ−ＳｉＭｅＨ２、ＨＭｅ２Ｓｉ−ＳｉＭｅＨ２、Ｍｅ３Ｓｉ−ＳｉＭｅＨ２、およびＭｅ３Ｓｉ−ＳｉＭｅ２Ｈ、から選択され、
（ｉｉｉ）オリゴシランは下記式
ＣｌＭｅ２Ｓｉ−ＳｉＭｅ２−ＳｉＭｅ２Ｃｌ、ＣｌＭｅ２Ｓｉ−ＳｉＭｅ２−ＳｉＭｅ２−ＳｉＭｅ２Ｃｌ、（ＣｌＭｅ２Ｓｉ）３ＳｉＭｅ、
（Ｃｌ２ＭｅＳｉ）２ＳｉＭｅＣｌ、（Ｃｌ２ＭｅＳｉ）３ＳｉＭｅ、（Ｃｌ２ＭｅＳｉ）２ＳｉＭｅ−ＳｉＣｌＭｅ−ＳｉＣｌ２Ｍｅ、
［（Ｃｌ２ＭｅＳｉ）２ＳｉＭｅ］２、［（Ｃｌ２ＭｅＳｉ）２ＳｉＭｅ］２ＳｉＣｌＭｅ、（Ｃｌ２ＭｅＳｉ）２ＳｉＭｅ−ＳｉＭｅ２Ｃｌ、
ＣｌＭｅ２Ｓｉ−ＳｉＭｅ２ＳｉＭｅ２Ｈ、ＨＭｅ２Ｓｉ−ＳｉＭｅ２−ＳｉＭｅ２Ｈ、
ＨＭｅ２Ｓｉ−ＳｉＭｅ２−ＳｉＭｅ２−ＳｉＭｅ２Ｈ、（ＨＭｅ２Ｓｉ）３ＳｉＭｅ、（Ｈ２ＭｅＳｉ）２ＳｉＭｅＨ、（Ｈ２ＭｅＳｉ）３ＳｉＭｅ、（Ｈ２ＭｅＳｉ）２ＳｉＭｅ−ＳｉＨＭｅ−ＳｉＨ２Ｍｅ、［（Ｈ２ＭｅＳｉ）２ＳｉＭｅ］２、［（Ｈ２ＭｅＳｉ）２ＳｉＭｅ］２ＳｉＨＭｅ、および（Ｈ２ＭｅＳｉ）２ＳｉＭｅ−ＳｉＭｅ２Ｈ、から選択され、
（ｉｖ）カルボシランは下記式
Ｃｌ２ＭｅＳｉ−ＣＨ２−ＳｉＭｅＣｌ２、ＣｌＭｅ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＭｅＣｌ２、ＣｌＭｅ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２Ｃｌ、
Ｍｅ３Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＭｅＣｌ２、Ｍｅ３Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２Ｃｌ、ＨＣｌＭｅＳｉ−ＣＨ２−ＳｉＭｅＣｌＨ、
ＨＭｅ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＭｅＣｌ２、ＨＭｅ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２Ｃｌ、Ｍｅ３Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＭｅＣｌＨ、
Ｈ２ＭｅＳｉ−ＣＨ２−ＳｉＭｅＨ２、ＨＭｅ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＭｅＨ２、ＨＭｅ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２Ｈ、
Ｍｅ３Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＭｅＨ２、およびＭｅ３Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２Ｈ、から選択され、
ただし、前記方法で使用されるシランの少なくとも１つは、少なくとも１つのクロロ置換基を有しているという条件である、前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項４】
シラン基材は、ＭｅＳｉＣｌ３、Ｍｅ２ＳｉＣｌ２、Ｍｅ３ＳｉＣｌ、ＭｅＳｉＨＣｌ２、Ｍｅ２ＳｉＨＣｌ、ＭｅＳｉＨ２Ｃｌ、ＭｅＳｉＨ３、Ｍｅ２ＳｉＨ２、Ｍｅ３ＳｉＨ、Ｃｌ２ＭｅＳｉ−ＳｉＭｅＣｌ２、Ｃｌ２ＭｅＳｉ−ＳｉＭｅ２Ｃｌ、Ｃｌ２ＭｅＳｉ−ＳｉＭｅ３、
ＣｌＭｅ２Ｓｉ−ＳｉＭｅ２Ｃｌ、Ｍｅ３Ｓｉ−ＳｉＭｅ２Ｃｌ、Ｃｌ２ＭｅＳｉ−ＣＨ２−ＳｉＭｅＣｌ２、ＣｌＭｅ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＭｅＣｌ２、ＣｌＭｅ２Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２Ｃｌ、Ｍｅ３Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＭｅＣｌ２、およびＭｅ３Ｓｉ−ＣＨ２−ＳｉＭｅ２Ｃｌからなる群から選択される少なくとも1つ、好ましくは1つより多くのシランを含む、前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
水素化物供与源は金属水素化物から選択され、好ましくは水素化物供与源は水素化リチウムである、前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
シランの再分配反応は、１つの特定のクロロヒドリドメチルシランの形成をもたらす、２つの異なるメチルシラン、特に、さらなる置換基として塩素のみを有する１つのメチルシラン、およびさらなる置換基として水素のみを有する１つのメチルシランの均等化を含む、前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
再分配反応ｂ）は、好ましくは
−  Ｒ４ＰＣｌ、ここでＲは水素またはオルガニル基であり、これらは同一でも異なっていてもよく、より好ましくは芳香族基または脂肪族炭化水素基、さらにより好ましくはｎ−アルキル基、そして最も好ましくはｎ−ブチル基であり、
−  トリオルガノホスフィン、ここでＲは水素またはオルガニル基であり、好ましくはＰＰｈ３またはｎ−Ｂｕ３Ｐ、
−  トリオルガノアミン、ここでＲはオルガニル基であり、好ましくはｎ−Ｂｕ３ＮまたはＮＰｈ３、
−  Ｎ−複素環アミン、好ましくは非Ｎ−置換メチルイミダゾール、例えば２−メチルイミダゾール、および４−メチルイミダゾール、
−  四級アンモニウム化合物、好ましくはｎ−Ｂｕ４ＮＣｌ、
−  アルカリ金属ハロゲン化物、
−  アルカリ土類金属ハロゲン化物、
−  アルカリ金属水素化物、および
−  アルカリ土類金属水素化物
からなる群から選択される少なくとも１つの再分配触媒の存在下で行われる、前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
開裂反応ｃ）は、好ましくは
−  四級１５族オニウム化合物Ｒ４ＱＸ、ここで各Ｒは独立して水素またはオルガニル基であり、Ｑはリン、ヒ素、アンチモンまたはビスマスであり、そしてＸは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から選択されるハロゲン化物であり、
−  複素環アミン、
−  複素環式アンモニウムハロゲン化物、
−  Ｒ３ＰおよびＲＸの混合物、ここでＲは前記定義通りであり、そしてＸは前記定義通りであり、
−  アルカリ金属ハロゲン化物、
−  アルカリ土類金属ハロゲン化物、
−  アルカリ金属水素化物、
−  アルカリ土類金属水素化物、またはそれらの混合物
からなる群から選択される少なくとも１つの開裂触媒の存在下にて、任意にて塩化水素（ＨＣｌ）の存在下にて行われる、前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
水素化反応ａ）、再分配反応ｂ）、および任意にて開裂反応ｃ）は、同時におよび／または段階的に、好ましくは同時に行われる、前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
反応シーケンスは、以下のプロセス選択肢
＞  水素化反応ａ）および再分配反応ｂ）が同時に行われ、任意の開裂反応ｃ）が続いて行われる、
＞  水素化反応ａ）、再分配反応ｂ）、および開裂反応ｃ）が同時に行われる、
＞  最初に水素化反応ａ）が個別に行われ、そして次に再分配反応ｂ）および任意にて開裂反応ｃ）が、同時にまたは別々に行われ、任意にて本実施形態では、水素化反応ａ）後に、再分配反応ｂ）および任意の開裂反応ｃ）を誘導する前に既に形成されたメチルクロロヒドリドモノシランが分離されることができる、
＞  最初に水素化反応ａ）が行われ、次に任意にて開裂反応ｃ）が行われ、そして次に再分配反応ｂ）が行われ、任意にて本実施形態では、水素化反応ａ）後に、開裂反応ｃ）および再分配反応ｂ）を誘導する前に既に形成されたメチルクロロヒドリドモノシランが分離されることができる、
＞  シラン基材はモノシランから選択され、そしてそのような基材は、最初に水素化反応ａ）に、そしてその後再分配反応ｂ）に供され、またはそのような基材は、水素化反応ａ）および再分配反応ｂ）に同時に供される、
の１つ以上から選択される、前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
シラン基材は、ミュラー・ロショー直接法の生成物を含む、前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
シラン基材は、ミュラー・ロショー直接法の生成物全体、またはミュラー・ロショー直接法の生成物の一部（画分）を含む、前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
シラン基材は、ミュラー・ロショー直接法生成物のモノシラン画分を含む、前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
シラン基材は、ミュラー・ロショー直接法生成物のより高いシラン画分（２以上のＳｉ原子を有するシラン）である、前記請求項のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
水素化物供与源はＬｉＨであり、前記方法は、形成されたＬｉＣｌを分離するステップ、および任意にて分離されたＬｉＣｌからのＬｉＨの再生のステップを任意に含む、前記請求項のいずれかに記載の方法。