【手続補正書】
【提出日】平成17年11月1日(2005.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層とゲート絶縁膜及びゲート電極とを有する薄膜トランジスタと、
陰極層及び陽極層の間に発光体を含む有機化合物層を有する発光素子とを有し、
前記半導体層の下層側に形成された第１無機絶縁体層と、
前記ゲート電極の上層側に形成された第２無機絶縁体層と、
前記第２無機絶縁体層上に形成された第１有機絶縁体層と、
前記第１有機絶縁体層上に形成された第３無機絶縁体層と、
前記第３無機絶縁体層上に形成された陽極層と、
前記陽極層の端部と重なり傾斜面を有する第２有機絶縁体層と、
前記第２有機絶縁体層の表面及び側面に形成され前記陽極層上で開口部を有する第４無機絶縁体層と、
前記陽極層と前記第４無機絶縁体層に接して形成された前記発光体を含む有機化合物層と、
前記発光体を含む有機化合物層に接して形成された前記陰極層と、
前記陰極層上に形成された第５無機絶縁体層とを有し、
前記発光体の発光は前記第３無機絶縁体層を通して視認できるものであり、
前記第３無機絶縁体層及び第４無機絶縁体層は珪素の窒化物又はアルミニウムの窒化物であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
半導体層とゲート絶縁膜及びゲート電極とを有する薄膜トランジスタと、
陽極層及び陰極層の間に発光体を含む有機化合物層を有する発光素子を備えた画素部と、
半導体層とゲート絶縁膜及びゲート電極とを有する薄膜トランジスタで形成された駆動回路部とを有し、
前記駆動回路部は前記画素部の周辺領域に形成され、
前記半導体層の下層側に形成された第１無機絶縁体層と、
前記ゲート電極の上層側に形成された第２無機絶縁体層と、
前記第２無機絶縁体層上に形成された第１有機絶縁体層と、
前記第１有機絶縁体層上に形成された第３無機絶縁体層と、
前記第３無機絶縁体層上に形成された陽極層と、
前記陽極層の端部と重なり３５乃至４５度の傾斜角を有する第２有機絶縁体層と、
前記第２有機絶縁体層の表面及び側面に形成され前記陽極層上で開口部を有する第４無機絶縁体層と、
前記陽極層と前記第４無機絶縁体層に接して形成された前記発光体を含む有機化合物層と、
前記発光体を含む有機化合物層に接して形成された前記陰極層と、
前記陰極層上に形成された第５無機絶縁体層とを有し、
前記発光体の発光は前記第３無機絶縁体層を通して視認できるものであり、
前記第３無機絶縁体層及び第４無機絶縁体層は珪素の窒化物又はアルミニウムの窒化物で形成され、
前記第４無機絶縁層上にシールパターンが形成され、
前記シールパターンは前記駆動回路部と一部又は全部が重なっていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記第２有機絶縁体層が前記駆動回路部上に形成され、
前記第２有機絶縁体層の上面及び側面部に第４無機絶縁体層が形成され、
前記第４無機絶縁体層上にシールパターンが形成され、
前記シールパターンは前記駆動回路部と一部又は全部が重なっていて、
前記陰極層とその下層に形成された配線との接続部が、前記シールパターンの内側に設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第３無機絶縁体層乃至第５無機絶縁体層は、高周波スパッタリング法で作成された窒化珪素であることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第３無機絶縁体層乃至第５無機絶縁体層は、ＮＨ４ＨＦ２（７．１３％）とＮＨ４Ｆ（１５．４％）の水溶液を用いてエッチングを行った際のエッチング速度が９ｎｍ／ｍｉｎ以下の窒化珪素であることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第３無機絶縁体層乃至第５無機絶縁体層は、水素濃度が１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の窒化珪素であることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第３無機絶縁体層乃至第５無機絶縁体層は、ＮＨ４ＨＦ２（７．１３％）とＮＨ４Ｆ（１５．４％）の水溶液を用いてエッチングを行った際のエッチング速度が９ｎｍ／ｍｉｎ以下、かつ、水素濃度が１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下の窒化珪素であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第３無機絶縁体層乃至第５無機絶縁体層は、水素濃度が１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、かつ、酸素濃度が５×１０１８〜５×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の窒化珪素であることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第３無機絶縁体層乃至第５無機絶縁体層は、ＮＨ４ＨＦ２（７．１３％）とＮＨ４Ｆ（１５．４％）の水溶液を用いてエッチングを行った際のエッチング速度が９ｎｍ／ｍｉｎ以下、かつ、水素濃度が１×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、かつ、酸素濃度が５×１０１８〜５×１０２１ａｔｏｍｓ／ｃｍ３の窒化珪素であることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項４乃至請求項９のいずれか一項において、前記第３無機絶縁体層乃至第５無機絶縁体層は、内部応力の絶対値が２×１０１０ｄｙｎ／ｃｍ２以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、前記第５無機絶縁体層はダイヤモンドライクカーボンからなることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
基板上に第１無機絶縁体層を形成し、
前記第１無機絶縁体層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成すると共に当該半導体層に一導電型又はそれとは反対の導電型の不純物領域を形成し、
前記ゲート電極上に第２無機絶縁体層を形成し、
前記第２無機絶縁体層上に第１有機絶縁体層を形成し、
前記第１有機絶縁体層上に第３無機絶縁体層を形成し、
前記第３無機絶縁体層に接して陽極層を形成し、
前記陽極層の端部と重なり傾斜面を有する第２有機絶縁体層を形成し、
前記第２有機絶縁体層の表面及び側面に形成され前記陽極層上で開口部を有する第４無機絶縁体層を形成し、
前記陽極層に接して形成され、側端部が前記第４無機絶縁体層と重なる発光体を含む有機化合物層と、前記発光体を含む有機化合物層に接して形成された陰極層とを形成し、
前記第３無機絶縁体層及び第４無機絶縁体層として、高周波スパッタリング法により珪素の窒化物又はアルミニウムの窒化物を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１３】
基板上に第１無機絶縁体層を形成し、
前記第１無機絶縁体層上に半導体層を形成し、
前記半導体層上にゲート絶縁膜及びゲート電極を形成すると共に、当該半導体層に一導電型又はそれとは反対の導電型の不純物領域を形成し、
前記ゲート電極上に第２無機絶縁体層を形成し、
前記第２無機絶縁体層上に第１有機絶縁体層を形成し、
前記第１有機絶縁体層上に第３無機絶縁体層を形成し、
前記第３無機絶縁体層に接して陽極層を形成し、
前記配線層の端部と重なり傾斜面を有する第２有機絶縁体層を形成し、
前記第２有機絶縁体層の表面及び側面に形成され前記陽極層上で開口部を有する第４無機絶縁体層を形成し、
前記陽極層に接して形成され、側端部が前記第４無機絶縁体層と重なる発光体を含む有機化合物層と、前記発光体を含む有機化合物層に接して形成された陰極層とを形成し、
前記第４無機絶縁体層上であって、前記駆動回路部と一部又は全部が重なる位置にシールパターンを形成し、
前記シールパターンに合わせて封止板を張り付け、
前記第３無機絶縁体層及び第４無機絶縁体層として、高周波スパッタリング法により珪素の窒化物又はアルミニウムの窒化物を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１２又は請求項１３において、前記第３無機絶縁体層及び第４無機絶縁体層として、珪素をターゲットとし、窒素のみをスパッタガスとして用いた高周波スパッタリング法により窒化珪素を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１２又は請求項１３において、前記第３無機絶縁体層及び第４無機絶縁体層として、ターボ分子ポンプもしくはクライオポンプを用いて背圧を１×１０−３Ｐａ以下とし、単結晶シリコンターゲットをＮ２ガスもしくはＮ２と希ガスとの混合ガスでスパッタして形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１２乃至請求項１５のいずれか一項において、前記第１有機絶縁体層を形成した後に、減圧下にて加熱処理を行い、脱水処理をし、減圧状態を保持したまま、前記第３無機絶縁体層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１２乃至請求項１５のいずれか一項において、前記第２有機絶縁体層を形成した後に、減圧下にて加熱処理を行い、脱水処理をし、減圧状態を保持したまま、前記第４無機絶縁体層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１２乃至請求項１７のいずれか一項において、前記陰極層上に第５無機絶縁体層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。