【手続補正書】
【提出日】平成17年2月17日(2005.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料面に形成された穴部にイオンビームを照射し走査して、前記穴部の中にイオンビームガスアシストデポジション膜を形成するイオンビームによる穴埋め方法において、前記イオンビームを走査する領域で、前記イオンビームが前記穴部の側壁の一部に照射されるように制御して、前記穴部の中に前記イオンビームガスアシストデポジション膜を形成する工程とを備えることを特徴とするイオンビームによる穴埋め方法。
【請求項２】
イオンビームを照射して試料面の一部を加工する工程を有し、前記加工により前記試料面に形成された穴部に前記イオンビームを照射し走査して、イオンビームガスアシストデポジション膜を形成するイオンビームによる穴埋め方法において、前記イオンビームを走査する領域を前記試料面の穴部の開口領域にあわせて、前記穴部の位置に対して移動を伴うように前記走査領域を制御し、前記穴部の中に前記イオンビームガスアシストデポジション膜を形成する工程とを備えることを特徴とするイオンビームによる穴埋め方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のイオンビームによる穴埋め方法において、前記穴部の中に前記イオンビームガスアシストデポジション膜を形成する工程は、前記イオンビームの走査領域で、前記イオンビームによる穴埋め時間経過と共に前記走査する領域を継続的に縮小するように制御する工程を含むことを特徴とするイオンビームによる穴埋め方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載のイオンビームによる穴埋め方法において、前記試料面の穴部に１ｎＡ以上のイオンビーム電流を照射し、前記イオンビームガスアシストデポジション膜を形成することを特徴とするイオンビームによる穴埋め方法。
【請求項５】
請求項１又は２に記載のイオンビームによる穴埋め方法において、前記試料面に形成された穴部に前記イオンビームを照射して検出される二次電子像の輝度変化をモニタして、前記走査領域の移動量および移動時間を管理し、前記穴部の中に前記イオンビームガスアシストデポジション膜を形成することを特徴とするイオンビームによる穴埋め方法。
【請求項６】
請求項１又は２に記載のイオンビームによる穴埋め方法において、前記穴部に前記イオンビームガスアシストデポジション膜を形成した後、前記イオンビームガスアシストデポジション膜上に液体材料を塗布して保護膜を形成する工程を含むことを特徴とするイオンビームによる穴埋め方法。
【請求項７】
請求項１又は２に記載のイオンビームによる穴埋め方法において、前記穴部に前記イオンビームガスアシストデポジション膜を形成した後、気体元素種イオンビームガスアシストデポジション膜を形成する工程を含むことを特徴とするイオンビームによる穴埋め方法。
【請求項８】
請求項１又は２に記載のイオンビームによる穴埋め方法において、前記穴部に前記イオンビームガスアシストデポジション膜を形成した後、レーザビームガスアシストデポジション膜を形成する工程を含むことを特徴とするイオンビームによる穴埋め方法。
【請求項９】
請求項１又は３に記載のイオンビームによる穴埋め方法において、前記イオンビームが前記穴部の側壁の一部に照射される際に、前記穴部にほぼ照射されない領域が生じるように制御して、前記穴部の中に前記イオンビームガスアシストデポジション膜を形成する工程を含むことを特徴とするイオンビームによる穴埋め方法。
【請求項１０】
試料を加工して電子部品を形成する製造プロセスにおける任意の工程後に、前記試料の検査のため、イオンビームを照射して前記試料面の一部を加工する工程と、前記加工により前記試料面に形成された穴部と前記イオンビームを走査する領域を前記試料面の穴部の開口領域にあわせて、前記穴部の位置に対して移動を伴うように前記走査領域を制御し、前記穴部の中に前記イオンビームガスアシストデポジション膜を形成する工程とを有し、前記試料を検査した後に前記試料を前記任意工程の次の工程に戻して前記製造プロセスを継続するよう構成したことを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１１】
イオン銃から放出されるイオンビームを試料に照射する照射光学系と、前記試料を載置する試料ステージと、前記イオンビームの照射によって前記試料から放出される２次粒子を検出するための検出器と、前記検出された２次粒子による像を形成するため手段と、前記試料に形成された穴部にイオンビームを走査してイオンビームガスアシストデポジション膜を形成する手段とを有し、前記穴部の前記デポジション膜形成による前記二次粒子像の輝度変化に基づいて、前記イオンビーム走査領域を移動させるように制御する手段を備えることを特徴とするイオンビーム装置。
【請求項１２】
イオン銃から放出されるイオンビームを試料に照射する照射光学系と、前記試料を載置する試料ステージと、前記イオンビームの照射によって前記試料から放出される２次粒子を検出するための検出器と、前記検出された２次粒子による像を形成するため手段と、前記イオンビームを照射し走査して前記試料から分離した試料片を摘出する手段と、前記試料片の分離または前記イオンビーム照射による断面形成により発生した前記試料の穴部にイオンビームガスアシストデポジション膜を形成する手段とを有し、前記穴部の前記デポジション膜形成による前記二次粒子像の輝度変化に基づいて、前記イオンビーム走査領域を移動させるように制御する手段を備えることを特徴とするイオンビーム装置。
【請求項１３】
請求項１１又は１２に記載のイオンビーム装置において、前記イオンビームを前記穴部の側壁に沿って走査して、前記デポジション膜の成長が平衡状態となった時点で走査領域を移動することを特徴とするイオンビーム装置。
【請求項１４】
請求項１１又は１３に記載のイオンビーム装置において、前記穴部への前記イオンビーム走査において、前記イオンビームが前記穴部の側壁の一部に照射されるように制御する手段を備えることを特徴とするイオンビーム装置。
【請求項１５】
イオン銃から放出されるイオンビームを試料に照射する照射光学系と、前記試料を載置する試料ステージと、前記試料に形成された穴部にイオンビームを走査してイオンビームガスアシストデポジション膜を形成する手段と、前記イオンビームを走査する領域で、前記イオンビームが前記穴部の側壁の一部に照射されるように制御する手段を有することを特徴とするイオンビーム装置。
【請求項１６】
イオン銃から放出されるイオンビームを試料に照射する照射光学系と、前記試料を載置する試料ステージと、試料面に形成された穴部にイオンビームを照射し走査して、前記穴部の中にイオンビームガスアシストデポジション膜を形成する手段とを有して、前記イオンビームを走査する領域を前記試料面の穴部の開口領域にあわせて、前記穴部の位置に対して移動を伴うように前記走査領域を制御する手段を有することを特徴とするイオンビーム装置。
【請求項１７】
請求項１５又は１６に記載のイオンビーム装置において、前記制御手段は、前記イオンビームによる穴埋め時間経過と共に前記イオンビームの走査領域を継続的に縮小するように制御する手段を含むことを特徴とするイオンビーム装置。
【請求項１８】
請求項１５又は１６に記載のイオンビーム装置において、気体元素種イオンビームガスアシストデポジション膜を形成する手段を有することを特徴とするイオンビーム装置。
【請求項１９】
請求項１５又は１６に記載のイオンビーム装置において、レーザビームガスアシストデポジション膜を形成する手段を有することを特徴とするイオンビーム装置。
【請求項２０】
請求項１５又は１７に記載のイオンビーム装置において、前記制御手段は前記イオンビームが前記穴部の側壁の一部に照射される際に、前記穴部にほぼ照射されない領域が生じるように制御することを特徴とするイオンビーム装置。