Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月13日(2005.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記第１および第２の電圧は、前記電源電圧および接地電圧にそれぞれ相当し、
前記第１の電流伝達回路は、前記第１のグローバルデータ線および前記接地電圧の間に電気的に結合されて、対応する第１のノードと接続されたゲートを有する第１のＮチャネル電界効果型トランジスタを有し、
前記第２の電流伝達回路は、前記第２のグローバルデータ線および前記接地電圧の間に電気的に結合されて、対応する第２のノードと接続されたゲートを有する第２のＮチャネル電界効果型トランジスタを有する、請求項７に記載の薄膜磁性体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１６】
各々が、磁気的に書込まれた記憶データに応じて第１および第２の電気抵抗の一方を有する複数のメモリセルと、
前記第１および第２の電気抵抗の中間的な電気抵抗を有し、少なくとも前記データ読出時に、第１および第２の電圧の間に電気的に結合される基準セルと、
データ読出時に、選択されたアドレスに対応する選択メモリセルを介して第１および第２の電圧の間に電気的に結合される第１のデータ線と、
前記選択メモリセルおよび前記基準セルの通過電流差に応じたデータ読出を行なうためのデータ読出回路とを備え、
前記データ読出回路は、
前記データ読出時に、前記基準セルの通過電流に基いて、前記第１のデータ線を所定電圧にクランプするためのデータ線電圧クランプ部を含む、薄膜磁性体記憶装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
前記第１のデータ線と相補のデータを伝達するための第２のデータ線をさらに備え、
前記第２のデータ線は、前記データ読出時に、前記基準セルを介して第１および第２の電圧の間に電気的に結合され、
前記データ読出回路は、
前記第１の電圧と第１のノードの間に設けられ、一定電流を前記第１のノードへ供給するための第１の電流供給部と、
前記第１の電圧と第２のノードの間に設けられ、前記一定電流を前記第２のノードへ供給するための第２の電流供給部とを含み、
前記データ線電圧クランプ部は、
前記第１および第２のデータ線の所定の一方と前記第１のノードとの間に設けられ、前記一方のデータ線の電圧が前記所定電圧に維持されるように、前記一方のデータ線の通過電流を制御する第１の電流制御部と、
前記第１および第２のデータ線の所定の他方と前記第２のノードとの間に設けられ、前記一方のデータ線の電圧が前記所定電圧に維持されるように、前記他方のデータ線の通過電流を制御する第２の電流制御部とを含み、
前記データ読出回路は、前記第１および第２のデータ線の通過電流差を電圧差に変換するための電圧変換部をさらに含む、請求項１６に記載の薄膜磁性体記憶装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
あるいは、さらに好ましくは、第１および第２の電圧は、電源電圧および接地電圧にそれぞれ相当し、第１の電流伝達回路は、第１のグローバルデータ線および接地電圧の間に電気的に結合されて、対応する第１のノードと接続されたゲートを有する第１のＮチャネル電界効果型トランジスタを有する。第２の電流伝達回路は、第２のグローバルデータ線および接地電圧の間に電気的に結合されて、対応する第２のノードと接続されたゲートを有する第２のＮチャネル電界効果型トランジスタを有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
また好ましくは、薄膜磁性体記憶装置は、第１のデータ線と相補のデータを伝達するための第２のデータ線をさらに備える。第２のデータ線は、データ読出時に、基準セルを介して第１および第２の電圧の間に電気的に結合される。データ読出回路は、第１の電圧と第１のノードの間に設けられ、一定電流を第１のノードへ供給するための第１の電流供給部と、第１の電圧と第２のノードの間に設けられ、一定電流を第２のノードへ供給するための第２の電流供給部とを含む。データ線電圧クランプ部は、第１および第２のデータ線の所定の一方と第１のノードとの間に設けられ、一方のデータ線の電圧が所定電圧に維持されるように、一方のデータ線の通過電流を制御する第１の電流制御部と、第１および第２のデータ線の所定の他方と第２のノードとの間に設けられ、一方のデータ線の電圧が所定電圧に維持されるように、他方のデータ線の通過電流を制御する第２の電流制御部とを含む。データ読出回路は、第１および第２のデータ線の通過電流差を電圧差に変換するための電圧変換部をさらに含む。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１７】
このような構成とすることにより、実施の形態６に従うデータ読出動作と同様に、高速かつ高精度にデータ読出を実行することができる。また、行列状に配置されたダミーメモリセルＤＭＣに代えて、１個のレプリカメモリセルＲＭＣを配置すればよいため、実施の形態６に従う構成と比較して、メモリアレイ１０の面積を小型化できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月16日(2004.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気トンネル接合（ＭＴＪ）メモリデバイスにおけるメモリセルの論理状態を判定するための方法であって、
前記メモリセルに第１のバイアス電圧を印加するステップと、
前記第１のバイアス電圧で前記メモリセルに流れる電流を測定するステップと、
前記第１のバイアス電圧とは異なる第２のバイアス電圧を前記メモリセルに印加するステップと、
前記第２のバイアス電圧で前記メモリセルに流れる電流を測定するステップと、
前記第１のバイアス電圧で前記メモリセルに流れる電流と前記第２のバイアス電圧で前記メモリセルに流れる電流の比を求めるステップと、及び
前記求められた比と所定の値を比較するステップとからなる、方法。
【請求項２】
前記ＭＴＪデバイスが、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
磁気トンネル接合（ＭＴＪ）メモリデバイスにおけるメモリセルの論理状態を判定するためのシステムであって、
前記メモリセルに少なくとも２つの異なるバイアス電圧を供給するように構成されたバイアス回路と、
前記少なくとも２つの異なるバイアス電圧のそれぞれで前記メモリセルに流れる電流を測定するように構成されたセンシング回路と、及び
前記少なくとも２つの異なるバイアス電圧の第１の電圧で前記メモリセルに流れる電流と、前記少なくとも２つの異なるバイアス電圧の第２の電圧で前記メモリセルに流れる電流との比を求めて、その比と所定の値を比較するように構成された処理要素とからなる、システム。
【請求項４】
既知の状態を有する基準ＭＴＪメモリセルをさらに含む、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記ＭＴＪデバイスが、磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）である、請求項３に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月15日(2004.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に情報を光源からの光により記録する際に、前記光源をマークデータに対応した加熱パルスと、この加熱パルスと同数の冷却パルスとからなるマルチパルス列の発光波形となるように発光させて前記記録層に記録マークを形成する情報記録方式において、記録チャンネルクロック周期をＴとしたときのマークデータ長が２Ｔ増加する度に前記加熱パルスと前記冷却パルスとの個数を各々1個増加させ、６〜１４Ｔのマークを記録する時の前記マルチパルスにおける最後尾加熱パルスのパルス幅を０．５〜０．９Ｔ、最後尾冷却パルスのパルス幅を０．７〜１．３Ｔとすることを特徴とする情報記録方式。
【請求項２】
請求項1記載の情報記録方式において、６〜１４Ｔのマークを記録する時の前記マルチパルスにおける後部加熱パルスのパルス幅を０．８〜１．４Ｔ、先頭加熱パルスのパルス幅を０．７〜１．３Ｔとすることを特徴とする情報記録方式。
【請求項３】
請求項1記載の情報記録方式において、３Ｔのマークを記録する時の前記マルチパルスにおける先頭加熱パルスのパルス幅を０．８〜１．４Ｔ、最後尾冷却パルスのパルス幅を１．１〜１．９Ｔとすることを特徴とする情報記録方式。
【請求項４】
請求項1記載の情報記録方式において、４Ｔのマークを記録する時の前記マルチパルスにおける先頭加熱パルスのパルス幅を０．６〜１．４Ｔ、最後尾加熱パルスのパルス幅を０．１〜０．８Ｔ、最後尾冷却パルスのパルス幅を０．８〜１．７Ｔとすることを特徴とする情報記録方式。
【請求項５】
請求項1記載の情報記録方式において、５Ｔのマークを記録する時の前記マルチパルスにおける先頭加熱パルスのパルス幅を０．５〜１．６Ｔ、最後尾加熱パルスのパルス幅を０．６〜１．２Ｔ、最後尾冷却パルスのパルス幅を０．７〜１．６Ｔとすることを特徴とする情報記録方式。
【請求項６】
請求項1記載の情報記録方式において、記録パワーPwと消去パワーPeとの比Pe/Pwを０．４〜０．７とすることを特徴とする情報記録方式。
【請求項７】
請求項1記載の情報記録方式により情報が記録される光記録媒体であって基板上に相変化型の記録層を有する光記録媒体において、前記記録層の原子比率での組成をGeαGaβSbγTe1-α-β-γと表す組成式におけるα，β，γが１≦α≦５、１≦β≦５、７０≦γ≦８１の範囲にあることを特徴とする光記録媒体。
【請求項８】
請求項7記載の光記録媒体において、前記記録層の再結晶化上限線速度が１４．０〜２０m/sであることを特徴とする光記録媒体。
【請求項９】
請求項7記載の光記録媒体において、相変化材料の昇温速度１０℃/分での結晶化温度が１６０℃以上２１０℃以下であることを特徴とする光記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１に係る発明は、結晶相とアモルファス相とに可逆的に相変化する記録層を有する記録媒体上に情報を光源からの光により記録する際に、前記光源をマークデータに対応した加熱パルスと、この加熱パルスと同数の冷却パルスとからなるマルチパルス列の発光波形となるように発光させて前記記録層に記録マークを形成する情報記録方式において、記録チャンネルクロック周期をＴとしたときのマークデータ長が２Ｔ増加する度に前記加熱パルスと前記冷却パルスとの個数を各々1個増加させ、６〜１４Ｔのマークを記録する時の前記マルチパルスにおける最後尾加熱パルスのパルス幅を０．５〜０．９Ｔ、最後尾冷却パルスのパルス幅を０．７〜１．３Ｔとするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項２に係る発明は、請求項1記載の情報記録方式において、６〜１４Ｔのマークを記録する時の前記マルチパルスにおける後部加熱パルスのパルス幅を０．８〜１．４Ｔ、先頭加熱パルスのパルス幅を０．７〜１．３Ｔとするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項３に係る発明は、請求項1記載の情報記録方式において、３Ｔのマークを記録する時の前記マルチパルスにおける先頭加熱パルスのパルス幅を０．８〜１．４Ｔ、最後尾冷却パルスのパルス幅を１．１〜１．９Ｔとするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項４に係る発明は、請求項1記載の情報記録方式において、４Ｔのマークを記録する時の前記マルチパルスにおける先頭加熱パルスのパルス幅を０．６〜１．４Ｔ，最後尾加熱パルスのパルス幅を０．１〜０．８Ｔ、最後尾冷却パルスのパルス幅を０．８〜１．７Ｔとするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項５に係る発明は、請求項1記載の情報記録方式において、５Ｔのマークを記録する時の前記マルチパルスにおける先頭加熱パルスのパルス幅を０．５〜１．６Ｔ、最後尾加熱パルスのパルス幅を０．６〜１．２Ｔ、最後尾冷却パルスのパルス幅を０．７〜１．６Ｔとするものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項６に係る発明は、請求項1記載の情報記録方式において、記録パワーPwaと消去パワーPeとの比Pe/Pwを０．４〜０．７とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月4日(2005.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】構造物の弾性モード振動の制御装置及び制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造物の弾性モード振動を制御する制御装置であって、
前記構造物の弾性モード振動の速度成分を計測するための計測手段と、
前記計測手段によって計測された速度成分に応じて前記構造物の弾性モード振動を制御するための駆動手段と、
前記計測手段によって計測された速度成分に応じた制御力を前記駆動手段に出力する補償器とを備え、
前記計測手段及び前記駆動手段は前記構造物の表面と裏面に設けられることを特徴とする構造物の弾性モード振動の制御装置。
【請求項２】
前記計測手段及び前記駆動手段は複数設けられ、前記構造体の弾性モード振動の腹となる部分に対して対称に設けられることを特徴とする請求項１記載の構造物の弾性モード振動の制御装置。
【請求項３】
前記弾性モード振動は高次の弾性モード振動であることを特徴とする請求項２記載の構造物の弾性モード振動の制御装置。
【請求項４】
前記構造物の位置を計測する位置計測手段と、
前記構造物に外部から力を印加する第２駆動手段と、
前記位置計測手段によって計測された位置に応じた制御力を前記第２駆動手段に出力する補償器とを備えることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の構造物の弾性モード振動の制御装置。
【請求項５】
前記計測手段と前記駆動手段は圧電素子であることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の構造物の弾性モード振動の制御装置。
【請求項６】
構造物の弾性モード振動を制御する制御方法であって、
前記構造物の表面の弾性モード振動の第１速度成分を計測する工程と、
計測された前記第１速度成分に基づいて前記弾性モード振動を制御する工程と、
前記構造体の裏面の弾性モード振動の第２速度成分を計測する工程と、
計測された前記第２速度成分に基づいて前記弾性モード振動を制御する工程とを有することを特徴とする構造物の弾性モード振動の制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、構造物の弾性モード振動を制御する制御装置及び制御方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的とする処は、制御系を不安定にすることなく、且つ、建造物の弾性モード振動の高精度な制御を実現することができる構造物の弾性モード振動の制御装置及び制御方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、構造物の弾性モード振動を制御する制御装置として、前記構造物の弾性モード振動の速度成分を計測するための計測手段と、前記計測手段によって計測された速度成分に応じて前記構造物の弾性モード振動を制御するための駆動手段と、前記計測手段によって計測された速度成分に応じた制御力を前記駆動手段に出力する補償器とを備え、前記計測手段及び前記駆動手段を前記構造物の表面と裏面に設けることを特徴とする。又、本発明は、構造物の弾性モード振動を制御する制御方法として、前記構造物の表面の弾性モード振動の第１速度成分を計測する工程と、計測された前記第１速度成分に基づいて前記弾性モード振動を制御する工程と、前記構造体の裏面の弾性モード振動の第２速度成分を計測する工程と、計測された前記第２速度成分に基づいて前記弾性モード振動を制御する工程とを有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、構造物の弾性モード振動を制御する制御装置として、前記構造物の弾性モード振動の速度成分を計測するための計測手段と、前記計測手段によって計測された速度成分に応じて前記構造物の弾性モード振動を制御するための駆動手段と、前記計測手段によって計測された速度成分に応じた制御力を前記駆動手段に出力する補償器とを備え、前記計測手段及び前記駆動手段を前記構造物の表面と裏面に設けたため、制御系を不安定にすることなく、且つ、建造物の弾性モード振動の高精度な制御を実現することができるという効果が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月11日(2004.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ・プログラムに関連する画像を生成する第１の生成手段と、
外部からの放送型信号を受信してビデオ信号を生成する第２の生成手段と、
人の存在を検知可能なセンサと、
を具え、
前記センサの出力の値が所定の閾値を超える場合に、前記第１の生成手段で生成した画像をディスプレイに表示し、
前記センサの出力の値が前記所定の閾値を超えない場合に、前記第２の生成手段で生成したビデオ信号をディスプレイに表示することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
コンピュータ・プログラムに関連する第１のオーディオ信号を生成する第１のオーディオ信号生成手段と、
外部からの放送型信号を受信して第２のオーディオ信号を生成する第２のオーディオ信号生成手段と、
人の存在を検知可能なセンサと、
を具え、
前記センサの出力の値が所定の閾値を超える場合に、前記第１のオーディオ信号をスピーカに供給し、
前記センサの出力の値が閾値を超えない場合に、前記第２のオーディオ信号をスピーカに供給することを特徴とする情報処理装置。
【請求項３】
前記センサの出力の値に従って、前記第１の生成手段が動作している間に、前記第２の生成手段が消勢されることを特徴とする、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記センサの出力の値に従って、前記第２の生成手段が動作している間に、前記第１の生成手段が消勢されることを特徴とする、請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記センサの出力の値が前記所定の閾値を超えないとき、前記ビデオ信号の表示に必要でない要素を消勢することを特徴とする、請求項１に記載の情報処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の１つの特徴によれば、情報処理装置は、コンピュータ・プログラムに関連する画像を生成する第１の生成手段と、外部からの放送型信号を受信してビデオ信号を生成する第２の生成手段と、人の存在を検知可能なセンサと、を具え、そのセンサの出力の値が所定の閾値を超える場合に、その第１の生成手段で生成した画像をディスプレイに表示し、そのセンサの出力の値がその所定の閾値を超えない場合に、その第２の生成手段で生成したビデオ信号をディスプレイに表示する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の別の特徴によれば、情報処理装置は、コンピュータ・プログラムに関連する第１のオーディオ信号を生成する第１のオーディオ信号生成手段と、外部からの放送型信号を受信して第２のオーディオ信号を生成する第２のオーディオ信号生成手段と、人の存在を検知可能なセンサと、を具え、そのセンサの出力の値が所定の閾値を超える場合に、その第１のオーディオ信号をスピーカに供給し、そのセンサの出力の値が閾値を超えない場合に、その第２のオーディオ信号をスピーカに供給する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月10日(2005.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）行及び列をなすように構成された光電セル（１８）のアレイ（１４）と、ｂ）一時に前記アレイの列の１つに結合され、一時に光電セルの１つに処理を施す順次読み出し回路（２０）とを含む、システム（１０）。
【請求項２】
前記順次読み出し回路によって、一時に１つの光電セルずつ、前記光電セルの値が順次読み出される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記順次読み出し回路によって、時間順に、各光電セル毎に最終積算光値とリセット値との差が求められる、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記アレイに、複数の列が含まれ、前記システムが、さらに、各列毎にサンプル及びホールド回路（２４）を含み、各サンプル及びホールド回路が、前記それぞれの列に配置された光電セルの電圧値をサンプリングし、ホールドする、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記順次読み出し回路に、増幅器（３０）が含まれており、増幅器は、第１の入力（１３２）と、出力（１３４）と、前記第１の入力に結合する第１の電極及び前記出力に結合する第２の電極を備えた積分コンデンサ（１３６）とを含み、前記増幅器に、電荷転送モードと利得１モードが含まれる、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記順次読み出し回路に、前記増幅器の第１の入力及び出力に結合されて、前記増幅器の出力のレベル・シフトを実行するためのレベル・シフト回路（７１０）が含まれる、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記順次読み出し回路に、前記増幅器の第１の入力及び出力に結合されて、前記増幅器の利得操作を実施するための利得操作回路が含まれる、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
各光電セルが、光を検出し、それに応答して、それを表した電圧を発生するフォトダイオードと、前記フォトダイオードに結合され、リセット信号に応答して、積算ノードをリセットするための第１のトランジスタと、積算ノードに結合され、積算ノードにおける電圧レベルをシフトするための第２のトランジスタと、前記第２のトランジスタに結合され、読み出し信号に応答して、前記レベル・シフトした電圧を読み出すための第３のトランジスタとを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記システムが、スキャナ用途、光学マウス用途、ビデオ・ゲーム・コントローラ用途、移動エンコーダ用途、近視野用途、及び、遠視野用途の１つにおいて実施される、請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月7日(2004.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
図１１は、この種のコード読取装置における光学系の結像状態を具体的に示している。
この種のコード読取装置においては、ＬＥＤ等により構成される照射部１が拡散板２を介して読取対象３に光を照射し、その反射光を開口部４等による結像光学部により受光部５に結像させて読取るように構成されている。尚、図１１においては、開口部４，鏡筒６および結像レンズ７により結像光学部を構成している。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月10日(2004.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不活性ガスで置換すべきガス置換空間を囲み部材で囲んだ構造体に複数の通気孔を設け、前記構造体の周囲に空間を形成する容器内を不活性ガスで充満させることにより、前記ガス置換空間内に前記不活性ガスを侵入させ、前記ガス置換空間内を前記不活性ガスで置換する不活性ガス置換方法であって、
前記構造体の１つの面がレチクルで構成され、該レチクルを前記容器を閉じる蓋として作用させるとともに、前記構造体の４つの面がペリクル支持枠であることを特徴とする不活性ガス置換方法。
【請求項２】
前記容器に、前記不活性ガスを供給する供給口と前記不活性ガスを排出する排出口とを設け、前記供給口から前記不活性ガスを供給し、前記排出口から前記容器内のガスを排出することにより、前記容器内に前記不活性ガスを充満させることを特徴とする請求項１に記載の不活性ガス置換方法。
【請求項３】
前記供給口を前記構造体の通気孔の近傍に配置することを特徴とする請求項２に記載の不活性ガス置換方法。
【請求項４】
前記容器に対して、前記レチクルを前記容器を閉じる蓋として作用させ、前記容器と前記レチクルの当接部分に隙間を設け、該隙間を前記排出口として作用させることを特徴とする請求項２に記載の不活性ガス置換方法。
【請求項５】
前記ガス置換空間内の不純物濃度を測定し、その測定結果に基づいて前記不活性ガスの流量を制御することを特徴とする請求項２に記載の不活性ガス置換方法。
【請求項６】
前記容器内の圧力を該容器の周囲の圧力に対して陽圧とすることを特徴とする請求項１に記載の不活性ガス置換方法。
【請求項７】
前記容器内の圧力を測定し、その測定結果に基づいて前記容器内の圧力を制御することを特徴とする請求項６に記載の不活性ガス置換方法。
【請求項８】
不活性ガスで置換すべきガス置換空間を囲み部材で囲んだ構造体に複数の通気孔を設け、前記構造体の周囲に空間を形成する容器内を不活性ガスで充満させることにより、前記ガス置換空間内に前記不活性ガスを侵入させ、前記ガス置換空間内を前記不活性ガスで置換する不活性ガス置換装置であって、
前記構造体の１つの面がレチクルで構成され、該レチクルを前記容器を閉じる蓋として作用させるとともに、前記構造体の４つの面がペリクル支持枠であることを特徴とする不活性ガス置換装置。
【請求項９】
前記容器に、前記不活性ガスを供給する供給口と前記不活性ガスを排出する排出口とを設け、前記供給口から前記不活性ガスを供給し、前記排出口から前記容器内のガスを排出することにより、前記容器内に前記不活性ガスを充満させることを特徴とする請求項８に記載の不活性ガス置換装置。
【請求項１０】
前記供給口を前記構造体の通気孔の近傍に配置したことを特徴とする請求項９に記載の不活性ガス置換装置。
【請求項１１】
前記容器に対して、前記レチクルを前記容器を閉じる蓋として作用させ、前記容器と前記レチクルの当接部分に隙間を設け、該隙間を前記排出口として作用させたことを特徴とする請求項９に記載の不活性ガス置換装置。
【請求項１２】
前記ガス置換空間内の不純物濃度を測定する測定手段と、その測定結果に基づいて前記不活性ガスの流量を制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項９に記載の不活性ガス置換装置。
【請求項１３】
前記容器内の圧力を該容器の周囲の圧力に対して陽圧としたことを特徴とする請求項８に記載の不活性ガス置換装置。
【請求項１４】
前記容器内の圧力を測定する測定手段と、その測定結果に基づいて前記容器内の圧力を制御する制御手段とを有することを特徴とする請求項１３に記載の不活性ガス置換装置。
【請求項１５】
請求項８乃至１４のいずれか１項に記載の不活性ガス置換装置を用いて基板の周囲の空間を不活性ガスで置換し、前記基板にパターンを転写することを特徴とする露光装置。
【請求項１６】
請求項８乃至１４のいずれか１項に記載の不活性ガス置換装置を用いてレチクルを保管することを特徴とするレチクル保管庫。
【請求項１７】
請求項８乃至１４のいずれか１項に記載の不活性ガス置換装置を用いてレチクルの検査を行なうことを特徴とするレチクル検査装置。
【請求項１８】
請求項８乃至１４のいずれか１項に記載の不活性ガス置換装置を用いてレチクルの搬送を行なうことを特徴とするレチクル搬送ボックス。
【請求項１９】
デバイスの製造方法であって、
基板に感光材を塗布する工程と、
感光材が塗布された基板の該感光材に請求項１５に記載の露光装置によりパターンを転写する工程と、
パターンが転写された基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係わる不活性ガス置換方法は、不活性ガスで置換すべきガス置換空間を囲み部材で囲んだ構造体に複数の通気孔を設け、前記構造体の周囲に空間を形成する容器内を不活性ガスで充満させることにより、前記ガス置換空間内に前記不活性ガスを侵入させ、前記ガス置換空間内を前記不活性ガスで置換する不活性ガス置換方法であって、前記構造体の１つの面がレチクルで構成され、該レチクルを前記容器を閉じる蓋として作用させるとともに、前記構造体の４つの面がペリクル支持枠であることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
また、本発明に係わる不活性ガス置換装置は、不活性ガスで置換すべきガス置換空間を囲み部材で囲んだ構造体に複数の通気孔を設け、前記構造体の周囲に空間を形成する容器内を不活性ガスで充満させることにより、前記ガス置換空間内に前記不活性ガスを侵入させ、前記ガス置換空間内を前記不活性ガスで置換する不活性ガス置換装置であって、前記構造体の１つの面がレチクルで構成され、該レチクルを前記容器を閉じる蓋として作用させるとともに、前記構造体の４つの面がペリクル支持枠であることを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月5日(2005.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  投写対象領域をセンシングしてセンシング情報を出力するセンシング手段と、
当該センシング情報に基づき、エッジ検出処理または色分布検出処理を実行してセンシング画像におけるエッジまたはセンシング画像における色分布を示す検出情報を出力する検出手段と、
当該検出情報に基づき、投写対象領域のうち障害物の存在しない投写可能領域を決定する投写可能領域決定手段と、
ユーザーの選択または所定の基準に基づき、当該投写可能領域から投写領域を選択する投写領域選択手段と、
当該投写領域に画像が表示されるように、入力画像情報および画像投写手段の少なくとも一方を調整する調整手段と、
入力画像情報に基づき、前記投写領域へ向け画像を投写する画像投写手段と、
を含むことを特徴とする投写型画像表示システム。
【請求項２】  請求項１において、
前記画像投写手段は、投写サイズを調整するための投写サイズ調整手段を有し、
前記調整手段は、前記投写領域に画像が投写されるように、前記画像投写手段へ向け、前記投写サイズ調整手段を制御するための投写サイズ制御情報を出力することを特徴とする投写型画像表示システム。
【請求項３】  請求項２において、
前記投写サイズ調整手段は、前記投写領域選択手段によって選択された投写領域を含む最小の投写サイズとなるように投写用のレンズ拡大率を調整することを特徴とする投写型画像表示システム。
【請求項４】  請求項１〜３のいずれかにおいて、
前記調整手段は、前記センシング情報に基づく投写対象領域と、前記画像投写手段の一部である空間光変調器の画素領域とを対応づけ、画像の大きさを調整するように、前記入力画像情報を調整することを特徴とする投写型画像表示システム。
【請求項５】  請求項１〜４のいずれかにおいて、
前記画像投写手段は、投写方向を調整するための投写方向調整手段を有し、
前記調整手段は、前記投写領域に画像が投写されるように、前記画像投写手段へ向け、前記投写方向調整手段を制御するための投写方向制御情報を出力することを特徴とする投写型画像表示システム。
【請求項６】  請求項１〜５のいずれかにおいて、
前記センシング手段は、所定のタイミングで繰り返しセンシングして検出情報を出力し、
前記投写可能領域決定手段は、新たな検出情報に基づき、前記投写可能領域を新たに決定することを特徴とする投写型画像表示システム。
【請求項７】  請求項１〜６のいずれかにおいて、
前記投写可能領域決定手段は、前記投写対象領域のうち障害物が存在せず、かつ、所望のアスペクト比を満たす少なくとも１つの領域を決定するとともに、当該領域のうち、最も外側の領域の境界線によって包囲される部分を前記投写可能領域として決定することを特徴とする投写型画像表示システム。
【請求項８】  投写対象領域をセンシングしてセンシング情報を出力するセンシング手段と、
当該センシング情報に基づき、エッジ検出処理または色分布検出処理を実行してセンシング画像におけるエッジまたはセンシング画像における色分布を示す検出情報を出力する検出手段と、
当該検出情報に基づき、投写対象領域のうち障害物の存在しない投写可能領域を決定する投写可能領域決定手段と、
ユーザーの選択または所定の基準に基づき、当該投写可能領域から投写領域を選択する投写領域選択手段と、
当該投写領域に画像が表示されるように、入力画像情報および画像投写手段の少なくとも一方を調整する調整手段と、
入力画像情報に基づき、前記投写領域へ向け画像を投写する画像投写手段と、
を含むことを特徴とするプロジェクタ。
【請求項９】  コンピュータにより読み取り可能なプログラムであって、
コンピュータを、
投写対象領域をセンシングしてセンシング情報を出力するセンシング手段と、
当該センシング情報に基づき、エッジ検出処理または色分布検出処理を実行してセンシング画像におけるエッジまたはセンシング画像における色分布を示す検出情報を出力する検出手段と、
当該検出情報に基づき、投写対象領域のうち障害物の存在しない投写可能領域を決定する投写可能領域決定手段と、
ユーザーの選択または所定の基準に基づき、当該投写可能領域から投写領域を選択する投写領域選択手段と、
当該投写領域に画像が表示されるように、入力画像情報および画像投写手段の少なくとも一方を調整する調整手段と、
入力画像情報に基づき、前記投写領域へ向け画像を投写する画像投写手段として機能させることを特徴とするプログラム。
【請求項１０】  コンピュータにより読み取り可能なプログラムを記憶した情報記憶媒体であって、
コンピュータを、
投写対象領域をセンシングしてセンシング情報を出力するセンシング手段と、
当該センシング情報に基づき、エッジ検出処理または色分布検出処理を実行してセンシング画像におけるエッジまたはセンシング画像における色分布を示す検出情報を出力する検出手段と、
当該検出情報に基づき、投写対象領域のうち障害物の存在しない投写可能領域を決定する投写可能領域決定手段と、
ユーザーの選択または所定の基準に基づき、当該投写可能領域から投写領域を選択する投写領域選択手段と、
当該投写領域に画像が表示されるように、入力画像情報および画像投写手段の少なくとも一方を調整する調整手段と、
入力画像情報に基づき、前記投写領域へ向け画像を投写する画像投写手段として機能させるためのプログラムを記憶したことを特徴とする情報記憶媒体。
【請求項１１】  投写対象領域をセンシングしてセンシング情報を出力し、
当該センシング情報に基づき、エッジ検出処理または色分布検出処理を実行してセンシング画像におけるエッジまたはセンシング画像における色分布を示す検出情報を出力し、
当該検出情報に基づき、投写対象領域のうち障害物の存在しない投写可能領域を決定し、
ユーザーの選択または所定の基準に基づき、当該投写可能領域から投写領域を選択し、
当該投写領域に画像が表示されるように、入力画像情報および画像投写手段の少なくとも一方を調整し、
入力画像情報に基づき、前記投写領域へ向け画像を投写することを特徴とする画像投写方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
以上のように、本実施の形態によれば、投写型画像表示システムは、障害物（例えば、机、観客等）が存在しない投写可能領域３０を自動的に決定することができるため、ユーザーは、投写位置の変更をより簡易に行うことが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
より具体的には、投写可能領域決定部１４５は、センシング画像のうち投写範囲１０Ａが該当する部分のセンシング情報に基づき、色分布検出部１４７からのＸ値の範囲（ＸＰ１〜ＸＰ２）に該当するＸ値を有する領域ＡＸを抽出する。なお、センシング情報は、座標位置ごとに（縦座標位置、横座標位置、Ｘ値、Ｙ値、Ｚ値）を有する。したがって、投写可能領域決定部１４５は、Ｘ値を検索キーとして当該Ｘ値を有する座標の縦座標位置および横座標位置を把握できるため、領域ＡＸを抽出することができる。Ｙ値、Ｚ値についても同様に該当する領域ＡＹ、ＡＺを抽出する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月24日(2005.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
アームと直交するように配置する円柱体に軸方向と直交するアンテナ素子を受け入れる貫通孔を穿設し、貫通孔の端部に貫通孔と直交しアンテナ素子を受入れアームを加工する加工溝を刻設した金型を用いる固定方法であって、アンテナ素子の両端部にそれぞれ金型の貫通孔を内嵌めし、金型をアームに向けて摺動させてアームを押圧し、加工溝のエッジで挿通孔を変形させるようにプレス加工する請求項１のアンテナ素子の固定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
更にその上に、本発明は、具体的に金型で加工する方法として、アームと直交するように配置する円柱体に軸方向と直交するアンテナ素子を受け入れる貫通孔を穿設し、貫通孔の端部に貫通孔と直交しアンテナ素子を受入れアームを加工する加工溝を刻設した金型を用いる固定方法であって、アンテナ素子の両端部にそれぞれ金型の貫通孔を内嵌めし、金型をアームに向けて摺動させてアームを押圧し、加工溝のエッジで挿通孔を変形させるようにプレス加工するアンテナ素子の固定方法とした。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
先ず、図１に示すものは、例えば、プレス加工が外径２２ｍｍのアルミ製アーム１の孔径８．１ｍｍの挿通孔２の近傍に、外径８ｍｍのアルミ製アンテナ素子３を挿通し、挿通孔２の上下を加圧するものである。加圧箇所が符号１１で示すアーム１の挿通孔２の近傍の上の円弧部分および符号１２で示すアーム１の挿通孔２の近傍の下の円弧部分である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
中の図は、金型２１でアーム１をプレス加工し、挿通孔２が変形し、変形部３０がアンテナ素子３にくい込んで固定した状態である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
更にその上に、本発明は、金型で加工する方法として、アームと直交するように配置する円柱体に軸方向と直交するアンテナ素子を受け入れる貫通孔を穿設し、貫通孔の端部に貫通孔と直交しアンテナ素子を受け入れアームを加工する加工溝を刻設した金型を用いる固定方法であって、アンテナ素子の両端部にそれぞれ金型の貫通孔を内嵌めし、金型をアームに向けて摺動させてアームを押圧し、加工溝のエッジで挿通孔を変形させるようにプレス加工するアンテナ素子の固定方法とした。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月13日(2005.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
プッシュプル増幅器では、入力される高周波信号の正側位相信号を増幅する増幅段と、同高周波信号の負側位相信号を増幅する増幅段とを、組み合わせている。両増幅段が、同じ特性であって、利得や歪み特性が全く同じであれば、プッシュプル増幅器での歪みを抑えることができる。しかし、実際には、両増幅段の利得や歪み特性を完全に同一に構成することができず、歪みの発生が生じていた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
このように、この高周波出力増幅器では、正側及び負側増幅器２０ｐ、２０ｎの入力側に可変抵抗器２４ｐ、２４ｎを設けているので、正側及び負側増幅器２０ｐ、２０ｎの二次歪みを打ち消しあうように信号レベルを調整することができるので、所定のレベルまで二次歪みを下げることができる。しかも、通常のプッシュプル増幅器に対して、可変抵抗器２４ｐ、２４ｎを設けるだけの簡単な構成で、プッシュプル増幅器の本体の性能を充分に引き出すことができる。しかも、可変抵抗器２４ｐ、２４ｎの調整によって、正側及び負側増幅器２０ｐ、２０ｎの利得や歪み等の特性のバラツキを吸収することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月25日(2004.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体集積回路において、
前記制御回路は、自己の属するロジック部が当該半導体集積回路に不要なものであるとき、当該ロジック部について前記切り離し状態にするように、前記制御信号を出力する
ことを特徴とする半導体集積回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
請求項１１の発明では、請求項１０記載の半導体集積回路において、前記制御回路は、自
己の属するロジック部が当該半導体集積回路に不要なものであるとき、当該ロジック部について前記切り離し状態にするように、前記制御信号を出力することを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
一方、ロジック部１２Ａ，１２Ｂが同一の機能を有するものである場合、拡散後の検査工程で、たとえば、ロジック部１２Ａの不良が発見されたとき、ロジック部１２Ｂをメモリ１１に接続してロジック部１２Ａを救済することができる。つまり、ロジック部１２Ａ，１２Ｂを、同一の機能を有するものにすることにより、ロジック部の冗長救済が可能となる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
電源切り離し手段１５は、電源１４とロジック部１２Ａとの接続または切り離し行うものである。切り離し部１３と同様に、フューズやアンチフューズ、またはＭＯＳトランジスタなどのスイッチで構成することができる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
図７は、本実施形態の別の構成例である。同図に示すように、切り離し部１３Ａに与える制御信号ＳＧ１１，ＳＧ１２を、ＢＩＳＴ回路１７Ａから出力することも可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月22日(2004.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】映像記録再生方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク記録媒体に、映像を記録する映像記録再生方法において、
記録媒体に既に記録されている映像情報に対する付加情報を、前記映像情報と前記付加情報とを同期再生させる基準となる時間情報と共に、前記映像情報とは別ファイルとして前記ディスク記録媒体に記録した後、
前記付加情報を前記時間情報を基に前記映像情報と共に再生することによって前記映像情報に情報を付加して再生する
ことを特徴とする映像記録再生方法。
【請求項２】
請求項１記載の映像記録再生方法において、前記付加情報が音声情報または文字情報またはイラスト情報の３種類の情報であり、該３種類の付加情報のうち１つ以上の情報を時間情報を基に映像情報と共に再生することを特徴とする映像記録再生方法。
【請求項３】
請求項１記載の映像記録再生方法において、前記映像情報に付加された付加情報を他の映像情報でも使用することを特徴とする映像記録再生方法。
【請求項４】
請求項１記載の映像記録再生方法において、前記映像情報の複数のフレームと、前記付加情報の単一のフレームとを、共に再生することを特徴とする映像記録再生方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月8日(2004.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板および前記基板上にそれぞれ形成されかつ接続される複数の３族窒化物半導体発光素子を備えた発光部品であって、
前記各３族窒化物半導体発光素子は、前記基板上に形成される第１導電型の半導体層、前記第１導電型の半導体層上に形成される第１導電型側電極、前記第１導電性の半導体層上に形成される第２導電型の半導体層、および前記第２導電型の半導体層上に形成される第２導電型側電極を含み、
相互に隣接する前記３族窒化物半導体発光素子の一方の発光素子の前記第１導電型側電極と他方の発光素子の前記第２導電型側電極とは、前記３族窒化物半導体発光素子上に形成された保護膜の開口を介して接続される、発光部品。
【請求項２】
前記３族窒化物半導体発光素子の一方の発光素子の前記第１導電型側電極と他方の発光素子の前記第２導電型側電極とは、前記保護膜の上面、および、前記第１導電型側電極と前記第２導電型側電極の上面に形成された内部配線によって接続される、請求項１に記載の発光部品。
【請求項３】
基板および前記基板上にそれぞれ形成されかつ接続される複数の３族窒化物半導体発光素子を備えた発光部品の製造方法であって、
前記基板上に形成される第１導電型の半導体層、前記第１導電型の半導体層上に形成される第１導電型側電極、前記第１導電性の半導体層上に形成される第２導電型の半導体層、および前記第２導電型の半導体層上に形成される第２導電型側電極を含む前記各３族窒化物半導体発光素子を形成する工程と、
前記各３族窒化物半導体発光素子上に開口を有する保護膜を形成する工程と、
相互に隣接する前記３族窒化物半導体発光素子の一方の発光素子の前記第１導電型側電極と他方の発光素子の前記第２導電型側電極とを前記開口を介して接続する工程とを備える、発光部品の製造方法。
【請求項４】
前記３族窒化物半導体発光素子の一方の発光素子の前記第１導電型側電極と他方の発光素子の前記第２導電型側電極とを前記開口を介して接続する工程は、
前記保護膜の上面、および、前記第１導電型側電極と前記第２導電型側電極との上面に内部配線を形成する工程をさらに含む、請求項３に記載の発光部品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月13日(2005.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
前記ゲート電極上に接して形成された第１のシリコン酸化膜領域と、
前記第１のシリコン酸化膜領域上でかつ前記第１のシリコン酸化膜領域の側面を含まない位置に、シリコンおよび酸素からなる組成が連続するように形成され、前記第１のシリコン酸化膜領域とは上方向から見た面積が異なる第２のシリコン酸化膜領域と、
前記第１および第２のシリコン酸化膜領域を縦方向に貫通して前記ゲート電極に達して形成された導電性のコンタクトと
を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
制御ゲート電極と、
前記制御ゲート電極上に接して形成された第３のシリコン酸化膜領域と、
前記第３のシリコン酸化膜領域の上面および側面に接して形成されたシリコンナイトライド膜と
をさらに具備することを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
前記制御ゲート電極を制御ゲートとして有するトランジスタのソース／ドレイン領域に達して縦方向に形成された導電性の第２のコンタクトをさらに具備し、
前記第２のコンタクトは、前記シリコンナイトライド膜に接していることを特徴とする請求項２記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
ソース／ドレイン領域に縦方向に通じるコンタクトホールに導電材料を埋め込み第１のコンタクトを形成する工程と、
ゲート電極領域の上側に形成されているシリコンナイトライド膜を除去する工程と、
前記形成された第１のコンタクトの上方および前記シリコンナイトライド膜がその上側から除去された前記ゲート電極領域の上方に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層を貫通しかつ前記形成された第１のコンタクトに縦方向に通じる第２のコンタクトホールと、前記絶縁層を貫通しかつ前記シリコンナイトライド膜がその上側から除去された前記ゲート電極領域に縦方向に通じる第３のコンタクトホールとを形成する工程と、
前記形成された第２および第３のコンタクトホールに第２の導電材料を埋め込み第２および第３のコンタクトを形成する工程と
を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項５】
接続が必要なゲート電極領域の上側に形成されているシリコンナイトライド膜を除去する工程と、
ソース／ドレイン領域に縦方向に通じるコンタクトホール、および前記シリコンナイトライド膜がその上側から除去された前記ゲート電極領域に縦方向に通じるコンタクトホールに導電材料を埋め込み第１のコンタクトを形成する工程と、
前記形成された第１のコンタクトの上方に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層を貫通しかつ前記形成された第１のコンタクトに縦方向に通じる第２のコンタクトホールを形成する工程と、
前記形成された第２のコンタクトホールに第２の導電材料を埋め込み第２のコンタクトを形成する工程と
を具備することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。