(57)【要約】【課題】  本発明は、発光装置及びこの発光装置を光源として使用する表示装置に関し、本発明の発光装置は、反射膜の反射効率が非常に優れていて、結果的に、蛍光体の陰極発光効率が非常に優れている。【解決手段】  本発明による発光装置は、真空領域を間において対向配置する第１基板及び第２基板；第１基板の内面に位置する電子放出部；第１基板の内面に位置して、前記電子放出部の放出電流量を画素別に制御する駆動電極；第２基板の内面に位置するアノード電極；前記アノード電極の一面で画素領域に対応して互いに距離をおいて形成される蛍光層；並びに前記蛍光層を覆って形成される反射膜；を含み、前記反射膜は、Ａｌを含む第１反射膜；及びＡｇを含む第２反射膜；を含む。【選択図】図６
2010135293.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空領域を間において対向配置する第１基板及び第２基板；
第１基板の内面に位置する電子放出部；
第１基板の内面に位置して、前記電子放出部の放出電流量を画素別に制御する駆動電極；
第２基板の内面に位置するアノード電極；
前記アノード電極の一面で画素領域に対応して互いに距離をおいて形成される蛍光層；並びに
前記蛍光層を覆って形成される反射膜；を含み、
前記反射膜は、Ａｌを含む第１反射膜；及びＡｇを含む第２反射膜；を含むことを特徴とする、発光装置。
【請求項２】
前記第１反射膜が前記蛍光層を覆って形成され、前記第２反射膜が前記第１反射膜を覆って形成されることを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第２反射膜が前記蛍光層を覆って形成され、前記第１反射膜が前記第２反射膜を覆って形成されることを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。  
【請求項４】
前記第１反射膜は、厚さが２００〜３０００Åであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第２反射膜は、厚さが２００〜３０００Åであることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第２反射膜は、Ａｇ塩、添加剤、及び溶媒を含む金属組成物を前記蛍光層の一面または前記第１反射膜の一面にスプレー方式で塗布して乾燥して形成されたものであることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記Ａｇ塩は、Ａｇを含む硝酸塩、酢酸塩、塩化物、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される１種または２種以上であることを特徴とする、請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
前記添加剤は分散剤であり、前記分散剤は四塩基酸であることを特徴とする、請求項６または７に記載の発光装置。
【請求項９】
前記Ａｇ塩及び添加剤の混合比率は、１：０．２５〜１：２質量比であることを特徴とする、請求項６〜８のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記蛍光層は、赤色蛍光体、緑色蛍光体、及び青色蛍光体が混合された白色蛍光体から形成されることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記赤色蛍光体は、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、ＳｒＴｉＯ３：Ｐｒ、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される１種または２種以上であり、前記緑色蛍光体は、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｔｂ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、ＺｎＳ：（Ｃｕ，Ａｌ）、ＺｎＳｉＯ４：Ｍｎ、Ｚｎ（Ｇａ，Ａｌ）２Ｏ４：Ｍｎ、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される１種または２種以上であり、前記青色蛍光体は、ＺｎＳ：（Ａｇ，Ａｌ）、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される１種または２種以上であることを特徴とする、請求項１０に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記赤色蛍光体、緑色蛍光体、及び青色蛍光体の混合比率は、１５：３０：２４〜３０：６０：４５質量比である、請求項１０または１１に記載の発光装置。
【請求項１３】
前記駆動電極は、絶縁層を間において互いに交差するカソード電極及びゲート電極を含み、前記カソード電極及び前記ゲート電極が重畳する１つ以上の交差領域が画素領域に対応することを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項１４】
請求項１〜１３のうちのいずれか一項に記載された発光装置；及び前記発光装置の前方に位置する表示パネル；を含むことを特徴とする、表示装置。
【請求項１５】
前記表示パネルが第１画素を形成し、前記発光装置が前記表示パネルより少ない数の第２画素を形成して、前記各々の第２画素がそれに対応する第１画素の階調に対応して独立的に発光することを特徴とする、請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記表示パネルは液晶表示パネルであることを特徴とする、請求項１４または１５に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及びこの発光装置を光源として使用する表示装置に関し、より詳細には、陰極発光効率が優れている発光装置及びこの発光装置を光源として使用する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光装置とは、外部から見た際に光を放出していることが認識できる装置のことであり、液晶表示装置のバックライトの光源として使用される。これまでに前面基板上にアノード電極及び蛍光層を形成し、後面基板上に電子放出部及び駆動電極を形成した発光装置が知られている。
【０００３】
この発光装置は、前面基板及び後面基板は、密封部材によって周縁が一体に接合された後、内部空間が排気されて、密封部材と共に真空容器を形成する。また、この発光装置の駆動電極は、互いに直交して位置するカソード電極及びゲート電極から構成される。この場合、電子放出部は、カソード電極及びゲート電極の交差領域ごとにカソード電極上に位置する。また、駆動電極は、櫛歯形状で、互いに交差して位置するカソード電極及びゲート電極から構成されていてもよい。この場合、電子放出部は、ゲート電極に向かったカソード電極の側面に位置する。
【０００４】
前述の発光装置は、カソード電極及びゲート電極の組み合わせによって複数の画素を形成する。そして、カソード電極及びゲート電極に所定の駆動電圧を印加して、画素別に電子放出部の放出電流量を制御することによって、画素別に蛍光層の輝度を調節することができる。そのため、このような発光装置は、液晶表示パネルなどの非自発光表示パネルを含む表示装置の光源として非常に有用である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
前述した発光装置において、前面基板上に形成した蛍光層一面に、さらに金属反射膜を形成することができる。この蛍光層を覆って形成する金属反射膜は、メタルバック層といわれ、蛍光層から放出された可視光のうち、後面基板に向かって放出された可視光を前面基板側に反射させて、発光面の輝度を高める役割をしている。蛍光層の陰極発光（Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：ＣＬ）効率の向上のためには金属反射膜の反射効率を向上させることが必要であり、最近では、金属反射膜（以下、反射膜と略称する。）の研究が活発に行われている。
【０００６】
本発明は、反射膜の反射効率を向上させて、蛍光層の陰極発光効率を向上させることができる発光装置を提供する。
【０００７】
また、本発明は、前記発光装置を光源として使用する表示装置を提供する。
【０００８】
本発明における技術的課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されないまた他の技術的課題も、下記の記載から当業者に明確に理解されうる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施態様によれば、真空領域を間において対向配置する第１基板及び第２基板；第１基板の内面に位置する電子放出部；第１基板の内面に位置して、前記電子放出部の放出電流量を画素別に制御する駆動電極；第２基板の内面に位置するアノード電極；前記アノード電極の一面で画素領域に対応して互いに距離をおいて形成される蛍光層；並びに前記蛍光層を覆って形成される反射膜；を含み、前記反射膜は、Ａｌを含む第１反射膜；及びＡｇを含む第２反射膜；を含む、発光装置を提供する。
【００１０】
本発明で、前記反射膜は、前記第１反射膜が前記蛍光層を覆って形成され、前記第２反射膜がこの第１反射膜を覆って形成される構成、または前記第２反射膜が前記蛍光層を覆って形成され、前記第１反射膜がこの第２反射膜を覆って形成される構成からなる。
【００１１】
本発明の他の一実施態様によれば、前記発光装置及びこの発光装置の前方に位置する表示パネルを含む、表示装置を提供する。
【００１２】
その他の本発明の実施態様の具体的な事項は、以下の詳細な説明に含まれる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明による発光装置は、反射膜の反射効率が非常に優れていて、結果的に、蛍光体の陰極発光効率が非常に優れている。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施態様による発光装置の部分断面図である。
【図２】図１に示した発光装置の有効領域の内部を示した部分分解斜視図である。
【図３】本発明の第２実施態様による発光装置の部分断面図である。
【図４】本発明の第３実施態様による表示装置の分解斜視図である。
【図５】図４に示した表示装置の部分断面図である。
【図６】参照例１、２、４及び５によって形成された反射膜の反射率を測定して示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施態様を詳細に説明する。しかし、これは例として提示されるものであって、これによって本発明は制限されず、本発明は請求項の範囲によって定義される。
【００１６】
本発明の第１実施態様による発光装置は、真空領域を間において対向配置する第１基板及び第２基板；第１基板の内面に位置する電子放出部；第１基板の内面に位置して、前記電子放出部の放出電流量を画素別に制御する駆動電極；第２基板の内面に位置するアノード電極；前記アノード電極の一面で画素領域に対応して互いに距離をおいて形成される蛍光層；並びに前記蛍光層を覆って形成される反射膜；を含む。前記反射膜は、Ａｌを含む第１反射膜；及びＡｇを含む第２反射膜；を含む。  本発明で、前記反射膜は、前記第１反射膜が前記蛍光層を覆って形成され、前記第２反射膜が前記第１反射膜を覆って形成される構成、または前記第２反射膜が前記蛍光層を覆って形成され、前記第１反射膜が前記第２反射膜を覆って形成される構成からなる。つまり、本発明の発光装置は、アノード電極、蛍光層、第１反射膜、及び第２反射膜の順に構成されたり、またはアノード電極、蛍光層、第２反射膜、及び第１反射膜の順に構成される。
【００１７】
また、前記蛍光層及び反射膜の間には、反射空間が存在する。前記反射空間は、製造工程で蛍光層上に中間膜を形成した後、焼成工程で中間膜を除去して形成される。つまり、蛍光層上に焼成工程で除去される樹脂及び有機溶媒を含む組成物を塗布して中間膜を形成し、前記中間膜上に反射膜を形成した後、焼成工程で前記樹脂及び有機溶媒を除去して、反射空間を形成するのである。このように中間膜形成工程を行えば、反射膜の接着力を向上させることができ、蛍光層の粗度を減少させて、平坦度を増加させることができ、反射効率を向上させることができる。前記樹脂としては、エチルセルロース、ニトロセルロース、アクリル系樹脂などを１種以上混合して使用することができ、前記有機溶媒としては、テキサノール、テルピネオール、ブチルカルビトールなどを１種以上混合して使用することができる。
【００１８】
前記第１反射膜は、従来のＡｌ反射膜を形成するいかなる工程で形成されてもよく、その代表的な例としては、Ａｌ熱蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、Ａｌラミネーション（ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）、Ａｌラッカー（ｌａｃｑｕｅｒ）、Ａｌスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）などがある。
【００１９】
前記第１反射膜は、厚さが２００〜３０００Åであるのが好ましい。前記第１反射膜の厚さが２００Å未満である場合には、反射効率が低下する場合があり、３０００Åを超える場合には、電子の透過効率が低下する場合がある。
【００２０】
前記第２反射膜は、Ａｇ塩、添加剤、及び溶媒を含む金属組成物を前記蛍光層の一面または前記第１反射膜の一面にスプレー方式で塗布して乾燥して形成させる方法が好ましい。
【００２１】
前記Ａｇ塩としては、Ａｇを含む硝酸塩、酢酸塩、塩化物、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される１種または２種以上を使用することができる。
【００２２】
また、前記添加剤としては、分散剤または還元剤などを１種または２種以上混合して使用することができる。前記分散剤としては、エチレンジアミンテトラ酢酸などの四塩基酸を好ましく使用することができる。また、前記還元剤としては、ＮａＢＨ４、ヒドラジン、エチルアミン、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるものを１種または２種以上使用することができる。
【００２３】
Ａｇ塩及び添加剤の混合比率は、１：０．２５〜１：２質量比であるのが好ましい。添加剤として分散剤及び還元剤を同時に使用する場合、Ａｇ塩、分散剤、及び還元剤の混合比率は、１：０．２５：０．５〜１：１：１質量比であるのが好ましい。
【００２４】
前記溶媒としては、Ｈ２Ｏ、Ｎａ４ＯＨ、ＮａＯＨ、及びこれらの組み合わせからなる群より選択されるものを使用することができる。
【００２５】
前記組成物において、Ａｇ塩は、５〜２０質量％で使用するのが好ましく、添加剤は、５〜２０質量％で使用するのが好ましい。添加剤として分散剤及び還元剤を同時に使用する場合、これらの混合比率は、適切に調節することができる。
【００２６】
前記乾燥工程は、１００〜４５０℃で行うことができるが、その後の真空縫着工程時に残留ガスの発生を防止するためには、４００〜４５０℃で行うのが好ましい。
【００２７】
前記乾燥工程において、前記Ａｇ塩から生じるＡｇイオンは、還元されてＡｇとなり、第２反射膜を形成する。形成された第２反射膜は、Ａｇがナノサイズで存在しており、非常にち密で、厚さが均一となる。また、添加剤として使用される分散剤及び還元剤などは、その後の焼成工程で除去されて、最終的に発光装置には残存しない。
【００２８】
前記第２反射膜は、厚さが２００〜３０００Åであるのが好ましい。前記第２反射膜の厚さが２００Å未満である場合には、反射効率が低下する場合があり、３０００Åを超える場合には、電子の透過効率が低下する場合がある。
【００２９】
本発明の発光装置において、反射膜は、電子ビームの透過のための微細ホールを含み、蛍光層から放出された可視光のうち、第１基板に向かって放出された可視光を第２基板側に反射させて、発光面の輝度を向上させる役割を果たす。
【００３０】
前記蛍光層は、赤色蛍光体、緑色蛍光体、及び青色蛍光体が混合された白色蛍光体から形成される。前記赤色蛍光体は、Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、ＳｒＴｉＯ３：Ｐｒ、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される１種または２種以上を使用することができ、前記緑色蛍光体は、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｔｂ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、ＺｎＳ：（Ｃｕ，Ａｌ）、ＺｎＳｉＯ４：Ｍｎ、Ｚｎ（Ｇａ，Ａｌ）２Ｏ４：Ｍｎ、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される１種または２種以上を使用することができる。また、前記青色蛍光体は、ＺｎＳ：（Ａｇ，Ａｌ）、Ｙ２ＳｉＯ５：Ｃｅ、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される１種または２種以上を使用することができる。前記蛍光層において、赤色蛍光体、緑色蛍光体、及び青色蛍光体の混合比率は、１５：３０：２４〜３０：６０：４５質量比であるのが好ましい。前記範囲内に含まれる蛍光層を発光装置に適用し、表示装置の光源として用いた場合、発光装置から発生する白色光は輝度が優れていて、表示パネルを通過した後でも適正な色座標を得ることができるので好ましい。
【００３１】
本発明の反射膜を含む発光表示装置の一実施例を、以下で図１及び図２を参照して説明する。しかし、図１及び図２は本発明の反射膜を含む発光装置の一例にすぎず、これに限定されない。図１は本発明の第１実施態様による発光装置の部分断面図であり、図２は図１に示した発光装置の有効領域の内部を示した部分分解斜視図である。
【００３２】
本発明の発光装置１００は、所定の距離をおいて対向配置する第１基板１２及び第２基板１４を含む。第１基板１２及び第２基板１４の周縁には、前記基板１２、１４を接合させる密封部材１６が位置し、内部空間が約１０−６Ｔｏｒｒの真空度に排気されて、第１基板１２、第２基板１４、及び密封部材１６が真空容器１８を構成する。
【００３３】
第１基板１２及び第２基板１４のうちの密封部材１６の内側に位置する領域は、実際に可視光の放出に寄与する有効領域、及び有効領域を囲む非有効領域に区分される。第１基板１２の内面の有効領域には、電子の放出のための電子放出ユニット２０が位置し、第２基板１４の内面の有効領域には、可視光の放出のための発光ユニット２２が位置する。
【００３４】
電子放出ユニット２０は、電子放出部２４、及び電子放出部２４の放出電流量を画素別に制御する駆動電極を含む。駆動電極は、第１基板１２の一方向（図２の図面ｙ軸方向）に沿ってストライプパターンに形成されるカソード電極２６、絶縁層２８を間においてカソード電極２６の上部でカソード電極２６と交差する方向（図面のｘ軸方向）に沿ってストライプパターンに形成されるゲート電極３０を含む。
【００３５】
カソード電極２６及びゲート電極３０の交差領域ごとにゲート電極３０及び絶縁層２８に開口部３０１、２８１が形成されて、カソード電極２６の表面の一部を露出させ、絶縁層の開口部２８１の内側でカソード電極２６上に電子放出部２４が位置する。電子放出部２４は、真空中で電界が加えられると電子を放出する物質、例えば炭素ナノチューブ、黒鉛、黒鉛ナノファイバー、ダイヤモンド状炭素、フラーレン、シリコンナノワイヤー、及びこれらの組み合わせからなる群より選択される物質を含む。
【００３６】
前記構造において、カソード電極２６及びゲート電極３０が１つの交差領域が発光装置１００の１つの画素領域に対応したり、２つ以上の交差領域が発光装置１００の１つの画素領域に対応することができる。
【００３７】
発光ユニット２２は、アノード電極３２、アノード電極３２の一面に位置する蛍光層３４、蛍光層３４を覆う反射膜３８を含む。アノード電極３２は、５ｋＶ以上の高電圧（アノード電圧）の印加を受けて、蛍光層３４を高電位状態に維持して、蛍光層３４から放出される可視光を透過させることができるように、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物）などの透明な導電物質から形成される。
【００３８】
反射膜３８は、蛍光層から放出された可視光のうち、第１基板１２に向かって放出された可視光を第２基板１４側に反射させて、発光面の輝度を高める。一方、アノード電極３２を省略し、反射膜３８がアノード電圧の印加を受けて、アノード電極として機能することもできる。
【００３９】
前記蛍光層３４は、赤色蛍光体、緑色蛍光体、及び青色蛍光体が混合された白色蛍光体から形成される。
【００４０】
また、本発明の第２実施態様を示す図３に示したように、前記蛍光層３４及び反射膜３８の間に蛍光層３４を覆う中間膜３６を形成することもできる。前記中間膜は、蛍光層及び反射膜の間に可視光の反射空間を確保することによって、反射効率を向上させる役割を果たし、前記中間膜３６は、その後の焼成工程で除去されて、反射空間を形成する。
【００４１】
本発明の発光装置を光源として使用する本発明の第３実施態様による表示装置を図４に示した。
【００４２】
図４を参照すれば、本実施例の表示装置２００は、発光装置１００、及び発光装置１００の前方に位置する表示パネル６０を含む。拡散板５２は、発光装置１００及び表示パネル６０の間に位置する。前記表示パネル６０は、液晶表示パネルまたは他の非自発光表示パネルからなる。以下では、表示パネル６０が液晶表示パネルである場合について説明する。
【００４３】
図５は図４に示した表示パネルの部分断面図である。
【００４４】
図５に図示したように、表示パネル６０は、多数の薄膜トランジスター（ＴＦＴ）６２が形成された下部基板６４、カラーフィルター層６６が形成された上部基板６８、及び前記基板６４、６８の間に注入される液晶層７０を有する。上部基板６８の上面及び下部基板６４の下面には、偏光板７２、７４が付着されており、表示パネル６０を通過する光を偏光させる。
【００４５】
下部基板６４の内面には、副画素別にＴＦＴ６２によって駆動が制御される透明な画素電極７６が位置し、上部基板６８の内面には、透明な共通電極７８が位置する。カラーフィルター層６６は、副画素別に１つずつ位置する赤色フィルター層６６Ｒ、緑色フィルター層６６Ｇ、及び青色フィルター層６６Ｂを含む。
【００４６】
特定の副画素のＴＦＴ６２がターンオンされると、画素電極７６及び共通電極７８の間に電界が形成され、この電界によって液晶分子の配列角が変化し、変化した配列角によって光の透過度が変化する。表示パネル６０は、このような過程を通じて画素別に輝度及び発光色を制御することができる。
【００４７】
図４で、引用符号８０は各ＴＦＴのゲート電極にゲート駆動信号を伝送するゲート回路ボードアセンブリーを示し、引用符号８２は各ＴＦＴのソース電極にデータ駆動信号を伝送するデータ回路ボードアセンブリーを示す。
【００４８】
図４に図示したように、発光装置１００は、表示パネル６０より少ない数の画素を形成して、発光装置１００の１つの画素が表示パネル６０の２つ以上の画素に対応するようにする。発光装置１００の各画素は、これに対応する表示パネル６０の複数の画素の階調のうちの最も高い階調に対応して発光して、２〜８ビットの階調を表現することができる。
【００４９】
便宜上、表示パネル６０の画素を第１画素とし、発光装置１００の画素を第２画素とし、１つの第２画素に対応する第１画素を第１画素群とする。
【００５０】
発光装置１００の駆動過程は、（１）表示パネル６０を制御する信号制御部（図示せず）が第１画素群を構成する第１画素の階調のうちの最も高い階調を検出し、（２）検出された階調によって第２画素の発光に必要な階調を算出して、これをデジタルデータに変換し、（３）デジタルデータを利用して、発光装置１００の駆動信号を生成し、（４）生成された駆動信号を発光装置１００の駆動電極に印加する段階を含む。
【００５１】
発光装置１００の駆動信号は、走査駆動信号及びデータ駆動信号からなる。前記カソード電極及びゲート電極のうちの一方の電極、一例としてゲート電極が走査駆動信号の印加を受け、他方の電極、一例としてカソード電極がデータ駆動信号の印加を受ける。
【００５２】
発光装置１００の駆動のための走査回路ボードアセンブリー及びデータ回路ボードアセンブリーは、発光装置１００の後面に位置することができる。図４で、引用符号８４がカソード電極及びデータ回路ボードアセンブリーを連結する第１接続部材を示し、引用符号８６がゲート電極及び走査回路ボードアセンブリーを連結する第２接続部材を示す。そして、引用符号８８がアノード電極にアノード電圧を印加する第３接続部材を示す。
【００５３】
このように、発光装置１００の第２画素は、対応する第１画素群に画像が表示される時に、第１画素群に同期して所定の階調に発光する。つまり、発光装置１００は、表示パネル６０が実現する画面のうちの明るい領域には高輝度の光を提供し、暗い領域には低輝度の光を提供する。したがって、本実施例の表示装置２００は、画面のコントラスト比を向上させて、より鮮明な画質を実現することができる。
【実施例】
【００５４】
以下、本発明の好ましい実施例及び比較例を記載する。しかし、下記の実施例は、本発明の好ましい一実施例にすぎず、本発明は下記の実施例によって限定されない。  下記、実験例及び比較例で示される方法により反射膜を形成し、反射率を測定した。反射率はミノルタＣＭ２６００Ｄで測定し、Ｌ値（色座標中Ｌ＊ａ＊ｂ＊座標）をｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  ｗｈｉｔｅ  ｐｌａｔｅのＬ＊を１００として測定した値である。
【００５５】
［参照例１］
ＡｇＮＯ３、エチレンジアミンテトラ酢酸分散剤、及びヒドラジン還元剤を２０：１０：２０質量％の比率でＮａ４ＯＨ溶媒で混合して、組成物を製造した。前記組成物をガラス基板にスプレー塗布し、４００℃で乾燥して、反射膜を形成した。
【００５６】
［参照例２］
ガラス基板にＡｇを蒸着して、反射膜を形成した。
【００５７】
［参照例３］
ガラス基板にＣｒをメッキして、反射膜を形成した。
【００５８】
［参照例４］
ガラス基板にＡｌをスパッタリングして、反射膜を形成した。
【００５９】
［参照例５］
ガラス基板にステンレススチールをスーパーミラー（Ｓｕｐｅｒ  ｍｉｒｒｏｒ）法を行って、反射膜を形成した。
【００６０】
参照例１〜５によって形成された反射膜の反射率を測定した。参照例１，２，４及び５の波長４００〜１２００ｎｍにおける反射率を図６に示した。また、波長１０００ｎｍで測定された参照例１，３及び４の反射率の結果を下記の表１に示した。
【００６１】
【表１】
2010135293.tif 000003
【００６２】
表１及び図６に示したように、Ａｇをスプレーコーティングした参照例１の反射率が最も優れていた。また、Ａｇスプレーコーティング工程で形成された反射膜（参照例１）及びＡｇ蒸着工程で形成された反射膜（参照例２）は、参照例３，４及び５の反射膜に比べ反射率が高く、Ａｇを含んだ膜は反射膜として優れていることが分かる。
【００６３】
［実施例１］
図３に示した構造からなる白色蛍光体から形成された中間膜の一面にＡｌを蒸着して、厚さが１０００ÅのＡｌ第１反射膜を製造した。前記Ａｌ第１反射膜に、ＡｇＮＯ３、エチレンジアミンテトラ酢酸分散剤、及びハイドラジン還元剤を２０：１０：２０質量％の比率でＮａ４ＯＨを溶媒として混合して製造された組成物をスプレー塗布し、４００℃で乾燥して、Ａｇ第２反射膜を形成した。この時、第２反射膜の厚さは２０００Åであった。
【００６４】
［実施例２］
Ａｇ第２反射膜を蒸着工程で形成したことを除いては、前記実施例１と同一に実施した。
【００６５】
実施例１及び実施例２によって形成された反射膜の陰極発光（ＣＬ）効率を測定し、その結果を下記の表２に示した。
【００６６】
【表２】
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【００６７】
表２に示したように、Ａｇ第２反射膜は、スプレーコーティング工程で形成した場合でも、蒸着工程で形成された場合でも、優れたＣＬ効率を有していたが、特にスプレーコーティング工程で形成した反射膜がＣＬ効率において非常に優れていた。
【００６８】
本発明は、前記実施例に限定されず、互いに異なる多様な形態に製造され、本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者は、本発明の技術的な思想や必須の特徴を変更しなくても他の具体的な形態に実施されることを理解することができる。したがって、以上で記載した実施例は、全ての面で例示的なものであり、限定的ではないと理解されるべきである。
【符号の説明】
【００６９】
１２  第１基板
１４  第２基板
１６  密封部材
１８  真空パネル
２０  電子放出ユニット
２２  発光ユニット
２４  電子放出部
２６  カソード電極
２８  絶縁層
３０  ゲート電極
３２  アノード電極
３４  蛍光層
３６  中間膜
３８  反射膜
５２  拡散板
６０  表示パネル
６２  薄膜トランジスター
６４  下部基板
６６  カラーフィルター層
６８  上部基板
７０  液晶層
７２、７４  偏光板
７６  透明な画素電極
７８  透明な共通電極
８０  ゲート回路ボードアセンブリー
８２  データ回路ボードアセンブリー
８４  第１接続部材
８６  第２接続部材
８８  第３接続部材
１００  発光装置
２００  表示装置
２８１、３０１  開口部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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