Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月6日(2005.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機台の片端縁に、ガラス板を嵌め込み設置した前枠と、供給皿を突設した中扉とが、上下に、片開き自在に蝶着されたパチンコ機であって、
中扉の蝶着部分を、前枠の蝶着部分よりも内側に位置させるとともに、前記前枠に前記中扉の蝶着部分を覆う被覆部を一体的に設けたことを特徴とするパチンコ機。
【請求項２】
機台の片端縁に、ガラス板を嵌め込み設置した前枠と、供給皿を突設した中扉とが、上下に、片開き自在に蝶着されたパチンコ機であって、
中扉の下方に、中扉に突設された供給皿を支える補強部材が突設されていることを特徴とするパチンコ機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明のうち、請求項１に記載された発明は、機台の片端縁に、ガラス板を嵌め込み設置した前枠と、供給皿を突設した中扉とが、上下に、片開き自在に蝶着されたパチンコ機であって、中扉の蝶着部分を、前枠の蝶着部分よりも内側に位置させるとともに、前記前枠に前記中扉の蝶着部分を覆う被覆部を一体的に設けたことを特徴とするものである。
また、請求項２に記載された発明は、機台の片端縁に、ガラス板を嵌め込み設置した前枠と、供給皿を突設した中扉とが、上下に、片開き自在に蝶着されたパチンコ機であって、中扉の下方に、中扉に突設された供給皿を支える補強部材が突設されていることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【発明の効果】
請求項１に記載されたパチンコ機は、中扉の蝶着部分が、前枠の蝶着部分よりも内側に位置しているため、中扉を広角に開いた場合でも、その中扉が、左隣のパチンコ機で遊技をする遊技者の邪魔になったりしない。
また、前枠に中扉の蝶着部分を覆う被覆部を一体的に設けている。したがって、中扉の蝶着部分が外部から見えず、煩雑とした感じのないシンプルなデザインとなり、美観に優れたパチンコ機とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月7日(2005.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
脂肪族ポリエステル系樹脂を主体とする樹脂（Ａ）１００重量部に対し、液状添加剤（Ｂ）を１重量部〜２０重量部を含む樹脂組成物（Ｃ）からなる層を表層に少なくとも１層と、上記脂肪族ポリエステル系樹脂の内、結晶融点が１２０℃〜２５０℃の脂肪族ポリエステル系樹脂を主体とする樹脂（Ｄ）１００重量部に対し、上記液状添加剤（Ｂ）を１重量部未満含有する若しくは含有しない層を少なくとも１層有する、少なくとも２層からなる延伸フィルムであって、フィルムの結晶化度が１０〜７０％、引張弾性率が２０ｋｇ／ｍｍ2 〜１５０ｋｇ／ｍｍ2、耐熱性が１２０℃以上であることを特徴とする密着性多層耐熱ラップフィルム。
【請求項２】
１００℃における加熱収縮率Ｘ％と加熱収縮応力Ｙｇ／ｍｍ2、及びその両者の関係が、下記、式（１）、式（２）及び式（３）の範囲内にある事を特徴とする、請求項１記載の密着性多層耐熱ラップフィルム。
Ｙ≦（１４００−２０Ｘ）／３  （１）
２≦Ｘ≦４５                  （２）
５≦Ｙ≦３５０                （３）
【請求項３】
樹脂（Ａ）の主体となる脂肪族ポリエステル系樹脂が、グリコール酸、乳酸、３−ヒドロキシ酪酸、２−ヒドロキシイソ酪酸を含む２−ヒドロキシ−２，２−ジアルキル酢酸、３−ヒドロキシ吉草酸、４−ヒドロキシブタン酸、３−ヒドロキシヘキサン酸から選ばれる一種の単量体よりなる構成単位を少なくとも５０モル％含む重合体の１種又は２種以上からなることを特徴とする、請求項１記載の密着性多層耐熱ラップフィルム。
【請求項４】
樹脂（Ｄ）の主体となる、結晶融点が１２０℃〜２５０℃の脂肪族ポリエステル系樹脂が、グリコール酸、乳酸、３−ヒドロキシ酪酸、２−ヒドロキシイソ酪酸を含む２−ヒドロキシ−２，２−ジアルキル酢酸、３−ヒドロキシ吉草酸、４−ヒドロキシブタン酸、３−ヒドロキシヘキサン酸から選ばれる１種の単量体よりなる構成単位を少なくとも７５モル％含む重合体の１種又は２種以上からなることを特徴とする、請求項１記載の密着性多層耐熱ラップフィルム。
【請求項５】
樹脂組成物（Ｃ）から構成される少なくとも１層の表層と、該表層より耐熱性の高い樹脂（Ｄ）から構成される少なくとも１層の内層とを有することを特徴とする、請求項１記載の密着性多層耐熱ラップフィルム。
【請求項６】
樹脂組成物（Ｃ）からなる１層又は２層以上の合計厚みが全厚みの５％〜９５％であり、樹脂（Ｄ）からなる１層又は２層以上の合計厚みが全厚みの９５％〜５％であることを特徴とする、請求項１又は５記載の密着性多層耐熱ラップフィルム。
【請求項７】
樹脂組成物（Ｃ）からなる層と、樹脂（Ｄ）からなる層の合計厚みが全厚みの１０％〜９５％であり、該樹脂組成物（Ｃ）の構成成分である脂肪族ポリエステル系樹脂を除く脂肪族ポリエステル系樹脂、カプロラクトン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂（ＰＯ）、芳香族系の誘導体を含むポリエステル系樹脂（ＰＥＳＴ）、エチレン−ビニルアルコール系共重合樹脂（ＥＶＯＨ）、ポリアミド系樹脂（ＰＡ）、エチレン（又は、他の少なくとも一種のα−オレフィンを含む。）−一酸化炭素系共重合樹脂（含同水添樹脂）、エチレン（又は、他の少なくとも一種のα−オレフィンを含む。）−環状炭化水素共重合樹脂（含同水添樹脂）からなる群から選択される少なくとも一種の樹脂からなる層の合計厚みが全厚みの５％〜９０％であることを特徴とする、請求項１記載の密着性多層耐熱ラップフィルム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は、
（１）  脂肪族ポリエステル系樹脂を主体とする樹脂（Ａ）１００重量部に対し、液状添加剤（Ｂ）を１重量部〜２０重量部を含む樹脂組成物（Ｃ）からなる層を表層に少なくとも１層と、上記脂肪族ポリエステル系樹脂の内、結晶融点が１２０℃〜２５０℃の脂肪族ポリエステル系樹脂を主体とする樹脂（Ｄ）１００重量部に対し、上記液状添加剤（Ｂ）を１重量部未満含有する若しくは含有しない層を少なくとも１層有する、少なくとも２層からなる延伸フィルムであって、フィルムの結晶化度が１０〜７０％、引張弾性率が２０ｋｇ／ｍｍ2〜１５０ｋｇ／ｍｍ2、耐熱性が１２０℃以上であることを特徴とする密着性多層耐熱ラップフィルム、
（２）  １００℃における加熱収縮率Ｘ％と加熱収縮応力Ｙｇ／ｍｍ2、及びその両者の関係が、下記、式（１）、式（２）及び式（３）の範囲内にある事を特徴とする、（１）記載の密着性多層耐熱ラップフィルム、
Ｙ≦（１４００−２０Ｘ）／３  （１）
２≦Ｘ≦４５                  （２）
５≦Ｙ≦３５０                （３）
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月2日(2004.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この方法では、先行する印刷物と後続する印刷物に対するインキ供給装置内におけるインキ膜厚分布がほゞ同じで、すなわち旧刷版７による印刷物に対するインキ膜厚分布と新刷版７’による印刷物に対するインキ膜厚分布がほゞ同じで、インキ膜厚分布を変更しなくてもよい場合にも、「インキリムービング＋プレインキング２」によるインキ膜厚の制御が行われるため、時間がかかり、生産性が悪い、という問題があった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月2日(2005.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浸透圧調節剤として二量体以下の糖、電解質としてナトリウムイオン(Na+)、カルシウムイオン(Ca2+)、マグネシウムイオン(Mg2+)、クロルイオン(Cl-)、および生理的に許容される有機酸イオンの各濃度が下記に示す濃度範囲内にあり、かつ浸透圧が280〜320mOsm/kgの範囲内にあることを特徴とする腹膜透析液。
二量体以下の糖                       20〜90mmol/l
Na+                                  100〜160mmol/l
Ca2+                                 0.5〜2mmol/l
Mg2+                                 0.25〜1mmol/l
Cl-                                  80〜110mmol/l
有機酸イオン                         40〜85mmol/l
【請求項２】
前記有機酸イオンの総モル濃度とクロルイオンのモル濃度の和が120〜165mmol/lの範囲にある請求項１に記載の腹膜透析液。
【請求項３】
前記有機酸イオンは、乳酸イオン、重炭酸イオン、グルクロン酸イオン、アスコルビン酸イオンの単独または組合せである請求項１または２に記載の腹膜透析液。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月15日(2005.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
強化繊維がゴルフクラブシャフトの長手方向に対して±（３０〜７０°）に配向したアングル層と、強化繊維がシャフトの長手方向に対して−２０〜２０°に配向したストレート層とを少なくとも含む繊維強化プラスチック層からなるゴルフクラブシャフトであって、該ゴルフクラブシャフトをその細径端部側から太径端部側に向かって順次、全長の１５〜４０％の範囲をなす長さの細径部（ＡＬ）と、同じく全長の３０〜６０％の範囲をなす長さの中央部（ＢＬ）と、同じく全長の２５〜４０％の範囲をなす長さの太径部（ＣＬ）との３つのブロックにしたときに、曲げ剛性値がこれらの３つのブロック内においてそれぞれ１個の極大値を有していることを特徴とする繊維強化プラスチック製ゴルフクラブシャフト。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題は、下記の通りの構成を具備してなる本発明の繊維強化プラスチック製ゴルフクラブシャフトによって解決することができる。すなわち本発明は、強化繊維がゴルフクラブシャフトの長手方向に対して±（３０〜７０°）に配向したアングル層と、強化繊維がシャフトの長手方向に対して−２０〜２０°に配向したストレート層とを少なくとも含む繊維強化プラスチック層からなるゴルフクラブシャフトであって、該ゴルフクラブシャフトをその細径端部側から太径端部側に向かって順次、全長の１５〜４０％の範囲をなす長さの細径部（ＡＬ）と、同じく全長の３０〜６０％の範囲をなす長さの中央部（ＢＬ）と、同じく全長の２５〜４０％の範囲をなす長さの太径部（ＣＬ）との３つのブロックにしたときに、曲げ剛性値がこれらの３つのブロック内においてそれぞれ１個の極大値を有していることを特徴とする繊維強化プラスチック製ゴルフクラブシャフトからなる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月22日(2005.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
アルカンを気相接触酸化反応させて不飽和カルボン酸を製造するに際して、（１）〜（６）のいずれかに記載の調製方法によって調製されたニオブ含有触媒を用いることを特徴とする不飽和カルボン酸の製造方法に関するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
すなわち、本発明は
（１）アルカンを気相接触酸化反応させて不飽和カルボン酸を製造するために用いられる、ニオブを含む触媒の調製方法であって、シュウ酸とニオブ化合物を含む水溶液または水性懸濁液を冷却して懸濁液を得、該懸濁液から固形分を分離除去して得られるニオブ含有液を、シュウ酸／ニオブのモル比２〜４に調整し、ニオブ原料液として用いることを特徴とするニオブ含有触媒の調製方法、
（２）該ニオブ化合物がニオブ酸およびシュウ酸水素ニオブから選ばれる少なくとも１種類以上である（１）に記載の触媒の調製方法、
（３）該触媒が次の一般式（Ｉ）で示される化合物であることを特徴とする（１）または（２）に記載の触媒の調製方法、
Ｍｏ１ＶａＮｂｂＸｃＺｄＯｎ        （Ｉ）
（式中成分ＸはＴｅおよびＳｂから選ばれる少なくとも１種類以上の元素を表し、成分ＺはＷ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ｂｉ、Ｙ、希土類元素およびアルカリ土類元素から選ばれる少なくとも１種類以上の元素を表し、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｎはＭｏ１原子当たりの原子比を表し、
０．１≦ａ≦１．０
０．０１≦ｂ≦１．０
０．０１≦ｃ≦１．０
０≦ｄ≦１．０
であり、またｎは他の元素の酸化状態によって決まる数である。）
（４）該触媒がシリカに担持されていることを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載の触媒の調製方法、
（５）シリカの含有量が該触媒成分とシリカから成るシリカ担持触媒の全重量比の２０〜６０重量％であることを特徴とする（４）に記載の触媒の調製方法、
（６）該シリカ担体の原料がアンモニウムイオンで安定化したゾルであることを特徴とする（４）または（５）に記載の触媒の調製方法、
（７）アルカンを気相接触酸化反応させて不飽和カルボン酸を製造するに際して、（１）〜（６）のいずれかに記載の調製方法によって調製されたニオブ含有触媒を用いることを特徴とする不飽和カルボン酸の製造方法に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
【比較例３】
（ニオブ原料液の調製）比較例１と同様にしてシュウ酸／ニオブのモル比５．５のニオブ原料液を得た。
（触媒の調製）組成式がＭｏ1Ｖ0.32Ｎｂ0.06Ｓｂ0.16Ｏnで示される触媒を、上記のニオブ原料液を用い、その使用量を３５８．１ｇとした他は実施例７と同様にして調製して触媒を得た。
（プロパンの酸化反応）得られた触媒を用いて、実施例７と同じ条件でプロパンの酸化反応を行った。結果を表１に示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
【表１】
2000037623.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月1日(2005.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】処理システムにおけるアラーム方法及びアラーム装置並びにアラームプログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理システムの被アラーム対象からアラーム信号が下位コントローラに入力されたときに、上位コントローラが、下位コントローラからの通知に基づきアラーム情報データベースを検索して、当該アラーム信号に対応したアラーム名称をアラーム情報として得ると共に、予め設けた埋め込み用の語句ファイルからアラーム部位の語句を読み出して、この語句をアラーム名称と合成し、その合成された表示内容の復帰方法をモニターにボタン表示させ、このボタンを操作することによりアラームの復帰を指示可能とすることを特徴とする処理システムにおけるアラーム方法。
【請求項２】
処理システムの被アラーム対象からアラーム信号が下位コントローラに入力されたときに、これを上位コントローラに通知し、上位コントローラが、アラームの復帰方法、アラーム名称などのアラーム情報を記憶したアラーム情報データベースを検索して、当該アラーム信号に対応したアラーム情報を読み出し、そのうち復帰方法については該当する一又は二以上の復帰方法をモニターにボタン表示させ、このボタンを操作することによりアラームの復帰を指示可能とした処理システムにおけるアラーム方法において、
上記アラーム情報データベースに登録された復帰方法をボタン表示すると使用者において復帰指示の適切な判断が難しくなる関係にある特定のアラームが発生した場合に、上位コントローラが、下位コントローラからの通知に基づき、上記アラーム情報データベースからアラーム名称を得ると共に、予め設けた埋め込み用の語句ファイルからアラーム部位の語句を読み出して、この語句をアラーム名称と合成し、その合成された表示内容の復帰方法をモニターに表示させ、復帰指示を可能とする
ことを特徴とする処理システムにおけるアラーム方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の処理システムにおけるアラーム方法において、
上記アラーム部位の語句と共に部位特定名称の語句を読み出し、これらを上記アラーム情報データベースから得たアラーム名称と合成して、その合成された表示内容の復帰方法をモニターに表示させ、復帰指示を可能とすることを特徴とする処理システムにおけるアラーム方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の処理システムにおけるアラーム方法において、
下位コントローラが、処理システムの被アラーム対象からアラーム信号が入力されたときに、これをアラームＩＤに変換して上位コントローラに通知し、
上位コントローラが、アラーム復帰方法、アラーム名称などのアラーム情報を記憶したアラーム情報データベースを検索して、当該アラームＩＤに対応したアラーム名称ＩＤを読み出し、
このアラーム名称ＩＤに基づき、予め設けたアラーム名称ファイルからアラーム名称を読み出し、予め決められたルールで文章の一部が変数として虫食い状に作成されたアラーム名称の定義文を作成し、
他方、予め設けた埋め込み用の語句ファイルからアラーム信号に対応したアラーム部位や部位特定名称等の語句を読み出し、この語句で上記アラーム名称の定義文の虫食い状に書かれた部分を更新し、その更新後のアラーム名称の定義文を復帰方法としてモニターに表示させ、復帰指示を可能とすることを特徴とする処理システムにおけるアラーム方法。
【請求項５】
処理システムの被アラーム対象からアラーム信号が下位コントローラに入力されたときに、上位コントローラが、下位コントローラからの通知に基づきアラーム情報データベースを検索して、当該アラーム信号に対応したアラーム情報を出力するように構成した処理システムにおけるアラーム装置において、
上記上位コントローラに、アラーム名称表示用の名称ファイルの他にアラーム名称埋め込み用の語句ファイルを設けると共に、
上記名称ファイルからアラーム信号に対応したアラーム名称を読み出す手段と、
読み出したアラーム名称を用い、予め決められたルールで一部が変数として虫食い状になったアラーム名称の定義文を作成する手段と、
上記語句ファイルからアラーム信号に対応したアラーム部位や部位特定名称等の語句を読み出す手段と、
この読み出した語句で上記アラーム名称の定義文の虫食い状に書かれた部分を更新する手段と、
その更新後のアラーム名称の定義文を復帰方法としてモニターに表示させ、復帰指示を可能とする手段と
を設けたことを特徴とする処理システムにおけるアラーム装置。
【請求項６】
コンピュータに、請求項１ないし４のいずれかに記載の処理システムにおけるアラーム処理を実行させる、ことを特徴とするアラームプログラム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
請求項５記載の発明に係る処理システムにおけるアラーム装置は、処理システムの被アラーム対象からアラーム信号が下位コントローラに入力されたときに、上位コントローラが、下位コントローラからの通知に基づきアラーム情報データベースを検索して、当該アラーム信号に対応したアラーム情報を出力するように構成した処理システムにおけるアラーム装置において、上記上位コントローラに、アラーム名称表示用の名称ファイルの他にアラーム名称埋め込み用の語句ファイルを設けると共に、上記名称ファイルからアラーム信号に対応したアラーム名称を読み出す手段と、読み出したアラーム名称を用い、予め決められたルールで一部が変数として虫食い状になったアラーム名称の定義文を作成する手段と、上記語句ファイルからアラーム信号に対応したアラーム部位や部位特定名称等の語句を読み出す手段と、この読み出した語句で上記アラーム名称の定義文の虫食い状に書かれた部分を更新する手段と、その更新後のアラーム名称の定義文を復帰方法としてモニターに表示させ、復帰指示を可能とする手段とを設けたことを特徴とする。
また、請求項６記載の発明に係る処理システムにおけるアラームプログラムは、コンピュータに、請求項１ないし４のいずれかに記載の処理システムにおけるアラーム処理を実行させる、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月14日(2005.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶装置に格納された、複数のコンピュータに配信するソフトウェアリソースを管理する配信管理サーバによるソフトウェアリソース管理方法であって、
前記配信管理サーバは、ソフトウェアリソースを管理するリソース管理テーブルと、ソフトウェアリソースを削除するルールを定めた削除ルール管理テーブルとを有し、
前記リソース管理テーブルのソフトウェアリソースが、削除ルール管理テーブルのソフトウェアリソースを削除するルールを満たした場合には、該ルールを満たしたソフトウェアリソースに対し、所定の削除方法を実行する
ことを特徴とするソフトウェアリソース管理方法。
【請求項２】
前記所定の削除方法とは、
ソフトウェアリソースを前記記憶装置から削除する
ソフトウェアリソースを前記管理テーブルで配信不可に設定する
ソフトウェアリソースを圧縮する
ことのうちの少なくとも１であることを特徴とする請求項１記載のソフトウェアリソース管理方法。
【請求項３】
前記所定の削除方法は、前記リソース管理テーブルにおいて、管理するソフトウェアリソース毎に定められていることを特徴とする請求項２記載のソフトウェアリソース管理方法。
【請求項４】
前記配信管理サーバはさらに、管理するソフトウェアリソースの配信結果を管理する配信結果テーブルを有し、
前記配信結果は、ソフトウェアリソースのインストール回数またはダウンロード回数のうち少なくとも１を管理しており、
前記削除するルールは、前記インストール回数またはダウンロード回数のうちの少なくとも１が所定の回数を超える、ものである
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１に記載のソフトウェアリソース管理方法。
【請求項５】
前記削除するルールは、
ソフトウェアリソースの最大管理サイズが所定の容量を超えた場合
ソフトウェアリソースの新バージョンを登録があった場合
ソフトウェアリソースの新リビジョンを登録があった場合
ソフトウェアリソースが所定の使用期限を超えた場合
ソフトウェアリソースに対する最終アクセス日時が所定の値を超えた場合
のうちの少なくとも１であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１に記載のソフトウェアリソース管理方法。
【請求項６】
前記削除方法を実行したソフトウェアリソースに対し、クライアントから配信要求があった場合には、前記削除方法を実行したソフトウェアリソースの最上位リビジョンのソフトウェアリソースを前記リソース管理テーブルから検索し、該検索された最上位リビジョンのソフトウェアリソースを配信することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１に記載のソフトウェアリソース管理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月16日(2005.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
以上より、実デバイスではしきい値Ｖｔｈのバラツキのキャンセルを効果的に行うためには、オートゼロ期間をパネル毎に最適に調整する必要がある。
しかしながら、このパネル毎の最適なオートゼロ期間の調整には、膨大な調整時間がかかり、パネルのコストを上げてしまう。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
ここで、たとえば図１３（Ａ）に示すように、画素列毎に１本の基準電流供給
線ＩＳＬを設けた場合の動作を簡単に説明する。
まず、第１行目の画素回路１０１−１のＴＦＴ１１３−１，ＴＦＴ１１５−１をオンさせることにより、基準電流ＩｒｅｆがドライブトランジスタＴＦＴ１１１−１に流れ、基準電流Ｉｒｅｆに相当するゲート電圧がキャパシタＣ１１１−１に書き込まれる。このゲート電圧は飽和領域駆動のため、前記式１に基づく。
このとき、同時に基準電流供給線ＩＳＬの容量ＣｓｉｇにもＴＦＴ１１３−１のゲート電圧が書き込まれる。次に、第１行目の画素回路１０１−１のＴＦＴ１１３−１，ＴＦＴ１１５−１がオフされて、第２行目の画素回路１０１−２のＴＦＴ１１３−２，ＴＦＴ１１５−２をオンさせる。以下、同様の動作が繰り返される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月8日(2005.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】地図作成方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空中写真画像中に存在する建物中の少なくとも一点の位置の指示をユーザから受け付け、前記指示された位置の周囲の色を解析して照合基準色を決定し、
前記指示された位置の周囲の画素を前記照合基準色に基づいて抽出して建物領域として設定し、
前記設定された建物領域の輪郭線を抽出し、
前記建物領域の輪郭のベクトルを生成することを特徴とする地図作成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の地図作成方法であって、
さらに、前記指示された位置の周囲の色を解析して判定閾値及び１回の領域探索参照範囲を決定し、
前記指示された位置を基準として、前記領域探索参照範囲内の画素の色と前記照合基準色との類似度を前記判定閾値を用いて判定した結果に基づいて、前記建物領域を設定し、
さらに、該設定された建物領域を基準として、前記領域探索参照範囲内の画素の色と前記照合基準色との類似度を前記判定閾値を用いて判定した結果に基づいて、前記建物領域を設定することを繰り返すことを特徴とする地図作成方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の地図作成方法であって、
さらに、隣接する画素との色の差が大きい画素を境界画素として抽出し、前記抽出された境界画素に基づいて境界線分を定め、
前記建物領域の輪郭を前記境界線分に基づいて補正することを特徴とする地図作成方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一つに記載の地図作成方法であって、
さらに、前記建物領域の輪郭線が所定の軸方向となるように前記建物領域を回転させ、
前記回転の後、前記輪郭線を平滑化することを特徴とする地図作成方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一つに記載の地図作成方法であって、
さらに、前記抽出された輪郭線が予め定められた所定の連結パターンに該当する場合に、前記輪郭線を直線又は所定の角度で交差する直線に補正することを特徴とする地図作成方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一つに記載の地図作成方法であって、
さらに、前記建物領域の境界又は前記建物領域内部の線分が予め定められた所定の統合パターンに該当する場合に、当該線分を含むように複数の前記建物領域を統合することを特徴とする地図作成方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一つに記載の地図作成方法であって、
さらに、複数の入力された位置によって指示される前記建物領域を統合することを特徴とする地図作成方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一つに記載の地図作成方法であって、
さらに、前記建物領域の輪郭から縦方向の線を検出して、該検出結果に基づいて該建物の高さを算出し、
前記算出された高さに基づいて前記建物領域中の屋根部分の形状を縮小して、前記建物領域の輪郭形状を地面上に射影することを特徴とする地図作成方法。
【請求項９】
空中写真画像中に存在する建物中の少なくとも一点の位置の指示を受け付ける画像指示部と、
前記指示された位置の周囲の色を判定した結果に基づいて建物領域を抽出し、建物領域の輪郭線を抽出する輪郭抽出部と、
前記建物領域の輪郭のベクトルを生成するベクトル形状生成部と、を有することを特徴とする地図作成装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【非特許文献１】木本氏寿，「写真測量の実際」，山海堂，ｐ．９３−９７
【非特許文献２】C.O.Jaynes、他２名，「Task Driven Perceptual Organization for Extraction ofRooftop Polygons」，Proceedings of ARPA Image Understanding workshop，１９９４年，ｐ．３５９−３６５
【非特許文献３】C.Lin、他１名，「Building Detection andDescription from a Single Intensity Image」，Computer Vision and ImageUnderstanding， Vol.72，No.2，１９８９年１１月，ｐ．１０１−１２１
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の地図作成法方法は、空中写真画像中に存在する建物中の少なくとも一点の位置の指示をユーザから受け付け、前記指示された位置の周囲の色を解析して照合基準色を決定し、前記指示された位置の周囲の画素を前記照合基準色に基づいて抽出して建物領域として設定し、前記設定された建物領域の輪郭線を抽出し、前記建物領域の輪郭のベクトルを生成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
このように、建物屋根テクスチャ解析処理（図５）では、ステップ４０１で指定された位置に隣接する所定の範囲中で画像の色又は模様（テクスチャ）の特徴を解析し（ステップ４０２）、建物屋根テクスチャの解析結果に基づいて、領域抽出用のパラメータとして照合基準色、照合の判定閾値及び１回の領域探索参照範囲を決定するので、建物屋根の色が均一である場合でも、場所によって色が変化する場合でも、適切な領域抽出用パラメータを決定することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
次に、輪郭形状を補正する（ステップ１１０２）。この輪郭形状補正処理では、図１２に示すように、予め定められた補正パターンに該当する場合に輪郭線を補正する。例えば、長い線の間に短い線が存在する場合は、この複数の線は連続した直線であると判定して、短線を消去して、２本の長い線を接続する（図１２のＰ１）。また、２本の線の交点付近に短い線が存在する場合は、この２本の線同士が交わっていると判定して、短線を消去して、２本の長い線を交差させる（図１２のＰ２）。また、隣接する２本の直線が略直角の位置関係にある場合は（例えば、２本の直線が８５°〜９５°で交差している場合は）、この２本の直線は直角で交差していると判定して、この２本の長い線によって直角を形成するように、両直線の交点を調整する（図１２のＰ４）。また、隣接する２本の直線が１７０°〜１９０°の間の角度で交わっている場合は、この２本の一本の線であると判定して、一本の直線に統合する（図１２のＰ５）。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
その後、画像と地図を関連付けて利用者１９０４に提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月24日(2004.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に形成される半導体層と、
前記半導体層の表面内に離間して形成されるソースおよびドレイン領域と、
前記ソースおよびドレイン領域間に位置する半導体層の部分で構成されるチャネル領域上に絶縁膜を介して形成されるゲート電極とを備え、
前記ゲート電極は不純物イオンの通過を妨げるよう積層された複数の導電膜により構成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記ゲート電極がＴｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ、Ａｌ、Ｃｒのいずれか、もしくはそれらの合金からなることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記ゲート電極が同種類の積層膜から形成されたことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記ゲート電極が異種の積層膜から形成されたことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記ゲート電極の厚さが２０００オングストローム以上であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
絶縁基板上に半導体層を形成する工程と、
この半導体層の表面内に離間してソースおよびドレイン領域を形成する工程と、
前記ソースおよびドレイン領域間に位置する半導体層の部分で構成されるチャネル領域上に絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程とを備え、
前記ゲート電極は不純物イオンの通過を妨げるよう積層される複数の導電膜により構成され、前記ソースおよびドレイン領域の形成工程は前記ゲート電極をマスクとして用いて不純物をドープするイオン注入処理を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記ゲート電極の形成工程は室温成膜かあるいは前記半導体層に到達する粒子の運動エネルギーが斜め方向成分を有するように行われるスパッタリング法および蒸着法およびそれに準ずる成膜処理を含むことを特徴とする請求項７の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
絶縁基板上に形成される半導体層と、
前記半導体層の表面内に離間して形成されるソースおよびドレイン領域と、
前記ソースおよびドレイン領域間に位置する半導体層の部分で構成されるチャネル領域上に絶縁膜を介して形成されるゲート電極とを備え、
前記ゲート電極は不純物イオンの通過を妨げるよう互いに異なる結晶方位で積層された複数の導電膜により構成されることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項９】
絶縁基板上に半導体層を形成する工程と、
この半導体層の表面内に離間してソースおよびドレイン領域を形成する工程と、
前記ソースおよびドレイン領域間に位置する半導体層の部分で構成されるチャネル領域上に絶縁膜を介してゲート電極を形成する工程とを備え、
前記ゲート電極は不純物イオンの通過を妨げるよう互いに異なる結晶方位で積層される複数の導電膜により構成され、前記ソースおよびドレイン領域の形成工程は前記ゲート電極をマスクとして用いて不純物をドープするイオン注入処理を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、絶縁基板上に形成される半導体層と、半導体層の表面内に離間して形成されるソースおよびドレイン領域と、ソースおよびドレイン領域間に位置する半導体層の部分で構成されるチャネル領域上に絶縁して形成されるゲート電極とを備え、ゲート電極は不純物イオンの通過を妨げるよう積層された複数の導電膜により構成されることを特徴とする薄膜トランジスタが提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、絶縁基板上に半導体層を形成する工程と、この半導体層の表面内に離間してソースおよびドレイン領域を形成する工程と、ソースおよびドレイン領域間に位置する半導体層の部分で構成されるチャネル領域上に絶縁してゲート電極を形成する工程とを備え、ゲート電極は不純物イオンの通過を妨げるよう積層される複数の導電膜により構成され、ソースおよびドレイン領域の形成工程はゲート電極をマスクとして用いて不純物をドープするイオン注入処理を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
これら、薄膜トランジスタおよびその製造方法によれば、ゲート電極が不純物イオンの通過を妨げるよう積層される複数の導電膜により構成されるため、このゲート電極をマクスに用いて不純物のイオン注入を行った場合に、不純物イオンが容易にこのゲート電極を通過することができない。従って、ゲート電極を通過して半導体層に至る不純物イオンによる悪影響を防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月23日(2004.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｍ（ｍは自然数）個のメモリセルが接続されたｎ（ｎは自然数）行のワード線とｎ個のメモリセルが接続されたｍ列のビット対線からなるｍ×ｎ個のメモリセルを有する本体メモリセル領域の列方向の両側に、ダミービット線およびダミーメモリセルによって構成されるダミー領域がそれぞれ設けられたメモリセルアレイを有する半導体集積回路装置であって、前記ダミー領域の最外部には、ダミービット線が配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
ｍ個のメモリセルが接続されたｎ行のワード線とｎ個のメモリセルが接続されたｍ列のビット対線からなるｍ×ｎ個のメモリセルを有する本体メモリセル領域の列方向の両側に、ダミービット線およびダミーメモリセルによって構成されるダミー領域がそれぞれ設けられたメモリセルアレイを有する半導体集積回路装置であって、前記ダミー領域に形成されたダミーメモリセルは、ビット線とダミービット線またはダミービット線とダミービット線とによって挟み込まれていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
ｍ個のメモリセルが接続されたｎ行のワード線とｎ個のメモリセルが接続されたｍ列のビット対線からなるｍ×ｎ個のメモリセルを有する本体メモリセル領域の列方向の両側に、ダミービット線およびダミーメモリセルによって構成されるダミー領域がそれぞれ設けられたメモリセルアレイを有する半導体集積回路装置であって、前記メモリセルアレイの一方の端部に位置する前記ダミー領域に形成されたダミービット線は偶数列であり、前記メモリセルアレイの他方の端部に位置する前記ダミー領域に形成されたダミービット線は奇数列であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
ｍ個のメモリセルが接続されたｎ行のワード線とｎ個のメモリセルが接続されたｍ列のビット対線からなるｍ×ｎ個のメモリセルを有する本体メモリセル領域の列方向の両側に、ダミービット線およびダミーメモリセルによって構成されるダミー領域がそれぞれ設けられたメモリセルアレイを有する半導体集積回路装置であって、前記メモリセルアレイの一方の端部に位置する前記ダミー領域に形成されたダミービット線の列数と、前記メモリセルアレイの他方の端部に位置する前記ダミー領域に形成されたダミービット線の列数とが異なることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】
ｍ個のメモリセルが接続されたｎ行のワード線とｎ個のメモリセルが接続されたｍ列のビット対線からなるｍ×ｎ個のメモリセルを有する本体メモリセル領域の列方向の両側に、ダミービット線およびダミーメモリセルによって構成されるダミー領域がそれぞれ設けられたメモリセルアレイを有する半導体集積回路装置であって、前記メモリセルアレイの一方の端部に位置する前記ダミー領域に２列のダミービット線と２列のダミーメモリセルが形成され、前記メモリセルアレイの他方の端部に位置する前記ダミー領域に３列のダミービット線と２列のダミーメモリセルが形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、前記ダミー領域のダミービット線を前記本体メモリセル領域のビット線と略同一形状で構成したことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、前記ダミー領域のダミーメモリセルを前記本体メモリセル領域のメモリセルと略同一形状で構成したことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置において、前記メモリセルが１つの積層型の情報蓄積用容量素子と１つのメモリセル選択用ＭＩＳＦＥＴとから構成されたＤＲＡＭセル、または前記メモリセルが１つのフリップフロップ回路と一対の転送用ＭＩＳＦＥＴとから構成されたＳＲＡＭセルであることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項９】
複数のワード線と複数のビット線との交点に配置される複数のメモリセルと、第１ダミービット線と前記複数のワード線との交点に配置される複数の第１ダミーメモリセルと、第２ダミービット線と前記複数のワード線との交点に配置される複数の第２ダミーメモリセルとを具備する半導体集積回路装置であって、前記複数のビット線と前記複数のメモリセルと前記複数の第１および第２ダミーメモリセルとは、前記第１ダミービット線と前記第２ダミービット線との間に配置される半導体集積回路装置。
【請求項１０】
複数のワード線と複数のビット線との交点に配置される複数のメモリセルと、第１ダミービット線と前記複数のワード線との交点に配置される複数の第１ダミーメモリセルと、第２ダミービット線と前記複数のワード線との交点に配置される複数の第２ダミーメモリセルと、前記複数のワード線を駆動する複数のワードドライバを具備する領域とを有する半導体集積回路装置であって、前記第１ダミービット線と、前記第２ダミービット線とは、前記複数の第１および第２ダミーメモリセルよりも前記領域に近い半導体集積回路装置。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０に記載の半導体集積回路装置において、前記メモリセルは、容量素子を具備し、前記複数のビット線は、前記容量素子よりも半導体基板に近い位置に配置される半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月22日(2004.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号転送素子の上方に光電変換素子を積層してなる光電変換装置であって、
前記信号転送素子の上方に形成された有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜の上方に形成された前記光電変換素子とを有し、
前記光電変換素子の下部電極は湾曲部を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
信号転送素子の上方に光電変換素子を積層してなる光電変換装置であって、
前記信号転送素子の上方に形成された有機樹脂膜と、
前記有機樹脂膜の上方に形成された前記光電変換素子と、
前記光電変換素子の上部電極の上に形成されたマイクロレンズとを有し、
前記光電変換素子の下部電極は湾曲部を有することを特徴とする光電変換装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記湾曲部の高低差は０．２５μｍ〜４μｍであることを特徴とする光電変換装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記湾曲部は、前記下部電極と前記信号転送素子とを接続するためのコンタクトホールより大きく、画素より小さいことを特徴とする光電変換装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記光電変換素子の下部電極の表面材料はアルミニウム、モリブデン、タンタル、チタン、金、銀、白金から選択された金属材料であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記有機樹脂膜の材料は、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、またはアクリル樹脂から選択された有機樹脂であることを特徴とする光電変換装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記光電変換装置はイメージセンサであることを特徴とする光電変換装置。
【請求項８】
基板上に信号転送素子を形成し、
前記信号転送素子の上方に有機樹脂の平坦化膜を形成し、
前記平坦化膜にレジストを形成し、
前記レジストに湾曲部を形成し、
前記平坦化膜を前記湾曲部と同じ形状にエッチングした後、
下部電極、光電変換層および上部電極からなる光電変換素子を形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項９】
基板上に信号転送素子を形成し、
前記信号転送素子の上方に有機樹脂の平坦化膜を形成し、
前記平坦化膜にレジストを形成し、
前記レジストに湾曲部を形成し、
前記平坦化膜を前記湾曲部と同じ形状にエッチングした後、
下部電極、光電変換層および上部電極からなる光電変換素子を形成し、
前記上部電極の上方にマイクロレンズを形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、
前記湾曲部の高低差を０．２５μｍ〜４μｍに形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記湾曲部を、前記下部電極と前記信号転送素子とを接続するためのコンタクトホールより大きく、画素より小さく形成することを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記光電変換素子の下部電極の表面材料として、アルミニウム、モリブデン、タンタル、チタン、金、銀、白金から選択された金属材料を用いることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記有機樹脂膜の材料として、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、またはアクリル樹脂から選択された有機樹脂を用いることを特徴とする光電変換装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月28日(2004.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板表面に形成されたアクティブ領域と、該アクティブ領域上に形成されたゲート電極とを有する電界効果トランジスタであって、
前記アクティブ領域は、直線状の１辺を有する第１の部分を含み、
前記ゲート電極の少なくとも１辺は、前記アクティブ領域の第１の部分の直線状の１辺と鈍角で交わる第１の部分を有し、
前記アクティブ領域が、更に、前記ゲート電極の第１の部分と交わる部分において、前記直線状の１辺に接続され、外側に広がる第２の部分を含むことを特徴とする電界効果トランジスタ。
【請求項２】
請求項１において、前記アクティブ領域の第２の部分の１辺が、前記ゲート電極の第１の部分と概略直交することを特徴とする電界効果トランジスタ。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記アクティブ領域の第２の部分が、前記ゲート電極の第１の部分から、前記ゲート電極の幅以上の距離にまで広がっていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、前記アクティブ領域の第１の部分が、概略方形であることを特徴とする電界効果トランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、前記アクティブ領域の第２の部分は、前記アクティブ領域の第１の部分の直線状の１辺の一部のみに接続されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、前記ゲート電極の１辺は、更に、前記第１の部分に斜めに接続されて、前記アクティブ領域の第１の部分上を第１の方向に直線状に伸びる第２の部分を有することを特徴とする電界効果トランジスタ。
【請求項７】
請求項６のいずれかにおいて、
前記アクティブ領域に第１のコンタクトが配置され、
前記ゲート電極は、前記アクティブ領域の直線状の１辺側の外側に、前記第１のコンタクトに対して前記第１の方向に直線状に配置された、第２のコンタクトに接続されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体基板表面に形成されたアクティブ領域と、該アクティブ領域上に形成されたゲート電極とを有する電界効果トランジスタであって、前記アクティブ領域は、直線状の１辺を有する第１の部分を含み、前記ゲート電極の少なくとも１辺は、前記アクティブ領域の第１の部分の直線状の１辺と鈍角で交わる第１の部分を有し、前記アクティブ領域が、更に、前記ゲート電極の第１の部分と交わる部分において、前記直線状の１辺に接続され、外側に広がる第２の部分を含むことにより、前記課題を解決したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
又、上記半導体装置において、前記アクティブ領域の第２の部分の１辺が、前記ゲート電極の第１の部分と概略直交するようにしたものである。
更に、前記半導体装置において、前記アクティブ領域の第２の部分が、前記ゲート電極の第１の部分から、前記ゲート電極の幅以上の距離にまで広がっているようにしたものである。
更には、前記半導体装置において、前記アクティブ領域の第１の部分が、概略方形であるようにしたものである。
又、前記半導体装置において、前記アクティブ領域の第２の部分は、前記アクティブ領域の第１の部分の直線状の１辺の一部のみに接続されているようにしたものである。
更に、前記半導体装置において、前記ゲート電極の１辺は、更に、前記第１の部分に斜めに接続されて、前記アクティブ領域の第１の部分上を第１の方向に直線状に伸びる第２の部分を有するようにしたものである。
更には、前記半導体装置において、前記アクティブ領域に第１のコンタクトが配置され、前記ゲート電極は、前記アクティブ領域の直線状の１辺側の外側に、前記第１のコンタクトに対して前記第１の方向に直線状に配置された、第２のコンタクトに接続されているようにしたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
このため本発明では、ソースのコンタクト及びドレインのコンタクトの間に通したゲート電極を、斜めに引き伸ばすようにしている。この斜め引き伸ばしは、後述する実施形態においては、アクティブ領域の第１の部分の直線状の一辺と鈍角で交わる、ゲート電極の第１の部分である。例えば、ゲート電極を、斜めに該ゲート電極用のコンタクトに接続して、電界効果トランジスタを構成してもよい。このようにゲート電極を引き伸ばすようにして、限られた集積回路面積を効果的に利用して、電界効果トランジスタのゲート幅を拡張することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
更に本発明では、電界効果トランジスタの拡散層領域を拡張するようにしている。この拡散層領域の拡張は、実施形態において後述する、アクティブ領域の第２の部分である。例えば拡散領域を、その電界効果トランジスタのものをも含めその他の拡散層領域には接続されないコンタクトの間の部分の方向に拡張するようしている。このことによっても、限られた集積回路面積を効果的に利用して、電界効果トランジスタのゲート幅を拡張することができる。