【手続補正書】
【提出日】令和3年10月6日(2021.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスであって、
ハウジング構成要素およびマイクロ波減衰器チップを備える低温マイクロ波減衰器デバイスであり、前記ハウジング構成要素が、１ケルビンにおいて少なくとも０．１ワット毎メートル−ケルビンの熱伝導率を有する、前記低温マイクロ波減衰器デバイスと、
前記マイクロ波減衰器チップに直接ワイヤ結合された信号導体を備えるマイクロ波コネクタと
を備えるデバイス。
【請求項２】
前記ハウジング構成要素が銅合金ハウジング材料を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記ハウジング構成要素が、耐酸化性材料でめっきされた、請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記耐酸化性材料が金を含む、請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
前記ハウジング構成要素が、１ケルビンにおいて少なくとも０．１ワット毎メートル−ケルビンの熱伝導率を有する銅材料を含む、請求項１乃至４のいずれかに記載のデバイス。
【請求項６】
前記銅材料は、実質的に無酸素の高伝導率銅材料である、請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
前記ハウジング構成要素が電解銅材料を含む、請求項１乃至６のいずれかに記載のデバイス。
【請求項８】
前記信号導体が、１本または複数本の金ワイヤを介して前記マイクロ波減衰器チップに直接ワイヤ結合されたコネクタ・センタ・ピンを含む、請求項１乃至７のいずれかに記載のデバイス。
【請求項９】
前記低温マイクロ波減衰器デバイスが、アルミニウム金属の超伝導臨界温度よりも高い温度の希釈冷凍機プレートとともに使用され、前記信号導体が、１本または複数本のアルミニウム・ワイヤを介して前記マイクロ波減衰器チップに直接ワイヤ結合されたコネクタ・センタ・ピンを含む、請求項１乃至８のいずれかに記載のデバイス。
【請求項１０】
前記マイクロ波コネクタが、前記マイクロ波減衰器チップの入力信号側に結合された第１のマイクロ波コネクタを含み、前記マイクロ波減衰器チップの出力信号側に結合された第２のマイクロ波コネクタをさらに含み、前記第１のマイクロ波コネクタと前記第２のマイクロ波コネクタの雌雄が同じである、請求項１乃至９のいずれかに記載のデバイス。
【請求項１１】
前記マイクロ波コネクタが、前記マイクロ波減衰器チップの入力信号側に結合された第１の雌型マイクロ波コネクタを含み、前記マイクロ波減衰器チップの出力信号側に結合された第２の雌型マイクロ波コネクタをさらに含む、請求項１乃至１０のいずれかに記載のデバイス。
【請求項１２】
前記マイクロ波減衰器チップが、１ケルビンにおいて少なくとも１ワット毎メートル−ケルビンの固着材料熱伝導率を有する固着材料を介して前記ハウジング構成要素に貼着されためっきされた基板を含む、請求項１乃至１１のいずれかに記載のデバイス。
【請求項１３】
前記固着材料が銀エポキシを含む、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１４】
デバイスであって、
マイクロ波信号減衰器チップを収容したハウジング構成要素であり、１ケルビンにおいて少なくとも１ワット毎メートル−ケルビンの熱伝導率を有する金属を含む、前記ハウジング構成要素と、
前記ハウジング構成要素に機械的に結合された第１のサブアセンブリであり、前記マイクロ波信号減衰器チップの入力側に電気的に結合された第１のマイクロ波信号導体を有する第１のマイクロ波コネクタを含む、前記第１のサブアセンブリと、
前記ハウジング構成要素に機械的に結合された第２のサブアセンブリであり、前記マイクロ波信号減衰器チップの出力側に電気的に結合された第２のマイクロ波信号導体を有する第２のマイクロ波コネクタを含む、前記第２のサブアセンブリと
を備えるデバイス。
【請求項１５】
前記ハウジング構成要素が、耐酸化性材料でめっきされた銅合金ハウジング構成要素を含む、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記第１のマイクロ波信号導体が、１本または複数本のワイヤを介して前記マイクロ波信号減衰器チップの前記入力側に直接ワイヤ結合されたコネクタ・センタ・ピンを含む、請求項１４または１５に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記第１のマイクロ波コネクタが雌型マイクロ波コネクタを含み、前記第２のマイクロ波コネクタが別の雌型マイクロ波コネクタを含む、請求項１４乃至１６のいずれかに記載のデバイス。
【請求項１８】
前記ハウジング構成要素が、１ケルビンにおいて少なくとも０．１ワット毎メートル−ケルビンの固着材料熱伝導率を有する固着材料を介して前記マイクロ波信号減衰器チップのめっきされた基板に結合された、請求項１４乃至１７のいずれかに記載のデバイス。
【請求項１９】
前記ハウジング構成要素が、前記マイクロ波信号減衰器チップが取り付けられた下ハウジング部分と、前記マイクロ波信号減衰器チップを収容するように前記下ハウジング部分に固着した上ハウジング部分とを含む、請求項１４乃至１８のいずれかに記載のデバイス。
【請求項２０】
方法であって、
マイクロ波信号減衰器デバイス用のパッケージ・アセンブリを構築すること
を含み、前記マイクロ波信号減衰器デバイス用の前記パッケージ・アセンブリを前記構築することが、
１ケルビンにおいて少なくとも０．１ワット毎メートル−ケルビンの熱伝導率を有するハウジング構成要素にマイクロ波信号減衰器チップを貼着すること、
前記ハウジング構成要素に第１のマイクロ波コネクタ・サブアセンブリを結合すること、
前記ハウジング構成要素に第２のマイクロ波コネクタ・サブアセンブリを結合すること、
前記マイクロ波信号減衰器チップの入力側を第１のマイクロ波コネクタ信号導体にワイヤ・ボンディングすること、および
前記マイクロ波信号減衰器チップの出力側を第２のマイクロ波コネクタ信号導体にワイヤ・ボンディングすること
を含む、方法。
【請求項２１】
前記ハウジング構成要素が上ハウジング部分および下ハウジング部分を含み、前記ハウジング構成要素に前記マイクロ波信号減衰器チップを前記貼着することが、前記下ハウジング部分に前記マイクロ波信号減衰器チップを貼着することを含み、前記方法が、前記上ハウジング部分を前記下ハウジング部分に固着することによって前記ハウジング構成要素内に前記マイクロ波信号減衰器チップを収容することをさらに含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
デバイスであって、
入力信号導体を備える入力マイクロ波コネクタ構成要素であり、前記入力信号導体がマイクロ波信号減衰器チップの入力に電気的に結合された、前記入力マイクロ波コネクタ構成要素と、
出力信号導体を備える出力マイクロ波コネクタ構成要素であり、前記出力信号導体が前記マイクロ波信号減衰器チップの出力に電気的に結合された、前記出力マイクロ波コネクタ構成要素と、
１ケルビンにおいて少なくとも０．１ワット毎メートル−ケルビンの第１の熱伝導率を有するハウジング構成要素であり、１ケルビンにおいて少なくとも０．１ワット毎メートル−ケルビンの第２の熱伝導率を有する固着材料で前記マイクロ波信号減衰器チップに貼着され、前記入力マイクロ波コネクタ構成要素および前記出力マイクロ波コネクタ構成要素に機械的に結合された、前記ハウジング構成要素と
を備えるデバイス。
【請求項２３】
前記入力マイクロ波コネクタ構成要素、前記出力マイクロ波コネクタ構成要素および前記ハウジング構成要素が、耐酸化性材料でめっきされた、請求項２２に記載のデバイス。
【請求項２４】
前記ハウジング構成要素が銅合金を含む、請求項２２または２３に記載のデバイス。
【請求項２５】
低温マイクロ波減衰器デバイスであって、
１ケルビンにおいて少なくとも０．１ワット毎メートル−ケルビンの熱伝導率を有するハウジング構成要素であり、前記ハウジング構成要素内に収容されたマイクロ波信号減衰器チップの熱エネルギーを放散させるように結合された、前記ハウジング構成要素と、
前記ハウジング構成要素に機械的に結合された入力マイクロ波コネクタ構成要素であり、入力信号導体を備え、前記入力信号導体が、前記マイクロ波信号減衰器チップの入力に直接ワイヤ・ボンディングされた、前記入力マイクロ波コネクタ構成要素と、
前記ハウジング構成要素に機械的に結合された出力マイクロ波コネクタ構成要素であり、出力信号導体を備え、前記出力信号導体が、前記マイクロ波信号減衰器チップの出力に直接ワイヤ・ボンディングされた、前記出力マイクロ波コネクタ構成要素と
を備える低温マイクロ波減衰器デバイス。
【請求項２６】
前記マイクロ波信号減衰器チップの熱エネルギーを、１ケルビンにおいて少なくとも０．１ワット毎メートル−ケルビンの熱伝導率を有する固着材料を介して放散させるように、前記ハウジング構成要素が結合された、請求項２５に記載の低温マイクロ波減衰器デバイス。