【手続補正書】
【提出日】平成17年3月9日(2005.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電型の不純物元素のイオンと希ガス元素のイオンとを同時に注入する工程後にレジストからなるマスクを除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
導電型の不純物元素のイオンを注入する第１の工程と、希ガス元素のイオンを注入する第２の工程とを含み、
前記第１の工程及び前記第２の工程の後にレジストからなるマスクを除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
導電型の不純物元素のイオンを注入する第１の工程と、希ガス元素のイオンを注入する第２の工程とを含み、
前記第１の工程と前記第２の工程とを連続して行った後にレジストからなるマスクを除去する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、
前記第２の工程が、前記第１の工程よりも低い加速電圧で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に島状の半導体層を形成し、
前記島状の半導体層を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に選択的にレジストからなるマスクを形成し、
前記レジストからなるマスクを用いて前記導電膜にエッチング処理を行うことによりゲート電極を形成し、
導電型の不純物元素のイオンと希ガス元素のイオンとを同時に注入して前記島状の半導体層に不純物領域を形成し、
前記レジストからなるマスクを除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に島状の半導体層を形成し、
前記島状の半導体層を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に選択的にレジストからなるマスクを形成し、
前記レジストからなるマスクを用いて前記導電膜にエッチング処理を行うことによりゲート電極を形成し、
導電型の不純物元素のイオンを注入して前記島状の半導体層に不純物領域を形成し、
希ガス元素のイオンを注入した後に前記レジストからなるマスクを除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上に島状の半導体層を形成し、
前記島状の半導体層を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に選択的に第１のレジストからなるマスクを形成し、
前記第１のレジストからなるマスクを用いて前記導電膜にエッチング処理を行うことによりゲート電極を形成し、
第１の導電型の不純物元素のイオンと第１の希ガス元素のイオンとを同時に注入して前記島状の半導体層に不純物領域を形成し、
前記第１のレジストからなるマスクを除去し、
第２のレジストからなるマスクを形成し、
第２の導電型の不純物元素のイオンと第２の希ガス元素のイオンとを同時に注入して前記島状の半導体層に前記不純物領域より導電型の不純物元素の濃度が高い高濃度不純物領域を形成し、
前記第２のレジストからなるマスクを除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
基板上に島状の半導体層を形成し、
前記島状の半導体層を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に導電膜を形成し、
前記導電膜上に選択的に第１のレジストからなるマスクを形成し、
前記第１のレジストからなるマスクを用いて前記導電膜にエッチング処理を行うことによりゲート電極を形成し、
第１の導電型の不純物元素のイオンを注入して前記島状の半導体層に不純物領域を形成し、
第１の希ガス元素のイオンを注入した後に前記第１のレジストからなるマスクを除去し、
第２のレジストからなるマスクを形成し、
第２の導電型の不純物元素のイオンを注入して前記島状の半導体層に前記不純物領域より導電型の不純物元素の濃度が高い高濃度不純物領域を形成し、
第２の希ガス元素のイオンを注入し、
前記第２のレジストからなるマスクを除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記導電型の不純物元素として、リン、ヒ素またはボロンのいずれか一種または複数種を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記希ガス元素として、ヘリウム、クリプトン、アルゴンまたはキセノンのいずれか一種または複数種を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
基板上に設けられた不純物領域を有する半導体層と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを有し、
前記不純物領域は、導電型を付与する不純物元素および希ガス元素を含んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
基板上に設けられた不純物領域を有する半導体層と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うように設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられ且つ前記半導体層の不純物領域と電気的に接続した画素電極とを有し、
前記不純物領域は、導電型を付与する不純物元素および希ガス元素を含んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
基板上に設けられた不純物領域を有する半導体層と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極を覆うように設けられた第１の層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に設けられ且つ前記半導体層の不純物領域と電気的に接続した配線と、
前記配線を覆うように設けられた第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に設けられた画素電極、発光層および陰極からなる発光素子とを有し、
前記不純物領域は、導電型を付与する不純物元素および希ガス元素を含んでいることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記基板は、プラスチック基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１１乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記導電型を付与する不純物元素は、リン、ヒ素またはボロンのいずれか一種または複数種であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記希ガス元素は、ヘリウム、クリプトン、アルゴンまたはキセノンのいずれか一種または複数種であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置および当該半導体装置の作製方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
なお、電流制御ＴＦＴ６０４は図７のｐチャネル型ＴＦＴ５０２を用いて形成される。従って、構造の説明はｐチャネル型ＴＦＴ５０２の説明を参照すればよい。なお、本実施例ではシングルゲート構造としているが、ダブルゲート構造もしくはトリプルゲート構造であっても良い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
こうして、プラスチック基板を母体とする絶縁体７００上にｎチャネル型ＴＦＴ６０１、６０２、スイッチングＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴ）６０３および電流制御ＴＦＴ（ｎチャネル型ＴＦＴ）６０４が形成される。ここまでの製造工程で必要としたマスク数は、一般的なアクティブマトリクス型発光装置よりも少ない。