【手続補正書】
【提出日】平成17年2月10日(2005.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基体を加熱する加熱手段と、
前記被処理基体に対し可視光又は紫外光を照射し、該基体からの反射光の強度を検出する光強度検出手段と、
前記検出された反射光強度に基づいて前記加熱手段による加熱を制御する加熱制御手段とを具備してなることを特徴とする加熱装置。
【請求項２】
被処理基体を加熱する加熱手段と、
前記被処理基体の複数の場所に可視光又は紫外光を照射し、それぞれの場所からの反射光の強度を検出する光強度検出手段と、
前記検出された複数の反射光強度に基づいて前記加熱手段による加熱を制御する加熱制御手段とを具備してなることを特徴とする加熱装置。
【請求項３】
前記加熱手段は、電気的な加熱機能を持ち、前記被処理基体が載置される試料台からなることを特徴とする請求項１又は２記載の加熱装置。
【請求項４】
前記被処理基体上に照射する可視光又は紫外光は、狭帯域化された光であることを特徴とする請求項１又は２記載の加熱装置。
【請求項５】
前記光強度検出手段は、前記被処理基体上の任意の場所に光を照射し、加熱時に生じる被処理基体上のレジストの組成変化又は組織変化に伴う膜厚変化を反射光強度の変化として検出するものであることを特徴とする請求項１又は２記載の加熱装置。
【請求項６】
前記光強度検出手段は、前記被処理基体の露光領域に光を照射し、加熱時に生じる被処理基体上のレジストの潜像変化を反射光強度の変化として検出するものであることを特徴とする請求項１又は２記載の加熱装置。
【請求項７】
前記加熱制御手段は、前記反射光強度から得られる積算の加熱量又はその微分値をもとに次の加熱量を決定し、該決定した加熱量となるように前記加熱手段を制御するものであることを特徴とする請求項１又は２記載の加熱装置。
【請求項８】
前記加熱制御手段は、前記決定された加熱量をもとに前記加熱手段の電圧を一定として電流を制御、又は前記加熱手段の電流を一定として電圧を制御するものであることを特徴とする請求項７記載の加熱装置。
【請求項９】
基板上に感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜の複数の露光領域に対して、照射量Ｄopt で露光を行う工程と、
前記感光性樹脂膜に対して加熱処理を行い、該感光性樹脂膜の膜厚をそれぞれの露光領域と隣接する未露光領域で測定し、露光領域と未露光領域の膜厚差ΔＴｒを求める工程と、
求められた各露光領域における膜厚差ΔＴｒ及び、予め求められている膜厚差ΔＴｒと加熱処理温度との関係から、前記加熱処理における加熱温度分布を求める工程と
を含むことを特徴とする加熱装置の評価方法。
【請求項１０】
前記照射量Ｄopt は、
前記膜厚差ΔＴｒの温度に対する変化量∂ΔＴｒ／∂Ｔが極大値或いは或いは最大となる値であることを特徴とする請求項９に記載の加熱装置の評価方法。
【請求項１１】
基板上に感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜の複数の露光領域中の隣接する第１の露光部と第２の露光部に対して、それぞれの露光部に異なる照射量Ｄopt1，Ｄopt2を１回の照射で与える工程と、
前記感光性樹脂膜に対して加熱処理を行い、該感光性樹脂膜の膜厚を、各露光領域中の第１及び第２の露光部，並びに隣接する未露光領域で測定し、各露光領域において第１の露光部と未露光領域との膜厚差ΔＴｒ1 ，第２の露光部と未露光領域の膜厚差ΔＴｒ2 を求める工程と、
測定された各露光領域における膜厚差ΔＴｒ1 ，ΔＴｒ2 と、予め求められている露光量の変化に対する膜厚差の変化及び処理温度の変化に対する膜厚差の変化の関係から、前記加熱処理における加熱温度分布及び１回の照射で与える照射量の分布を求める工程と
を含むことを特徴とする加熱装置及び露光装置の評価方法。
【請求項１２】
基板上に感光性樹脂膜を形成する工程と、
前記感光性樹脂膜の露光領域に対して、照射量Ｄopt で露光を行う工程と、
前記感光性樹脂膜に対して加熱装置により加熱処理を行い、該感光性樹脂膜の膜厚を露光領域と隣接する未露光領域で測定し、露光領域と未露光領域の膜厚差ΔＴｒを測定する工程と、
測定された露光領域における膜厚差ΔＴｒ及び、予め求められている膜厚差ΔＴｒと加熱処理温度との関係から、前記加熱処理における加熱温度を求める工程と、
求められれた加熱温度から前記加熱装置の調整を行う工程と
を含む加熱装置の調整の後に、
被加工基板上にレジスト膜を形成する工程と、
投影基板上のパターンを前記レジスト膜に転写する工程と、
前記レジスト膜に対して前記加熱装置により加熱処理を行う工程と、
前記レジスト膜を現像液にさらして該レジスト膜の一部を選択的に除去する工程と
を含むレジストパターン形成が行われることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１３】
被加工基板上にレジスト膜を形成する工程と、
露光量Ｄopt で露光を行って、投影基板に形成されたパターンを前記レジスト膜に転写する工程と、
前記レジスト膜に対して加熱装置により加熱処理を行う工程と、
前記レジスト膜を現像液にさらして該レジスト膜の一部を選択的に除去する工程とを含むパターン形成方法において、
前記加熱処理では、
前記レジスト膜の膜厚を露光領域と隣接する未露光領域で測定し、露光領域と未露光領域の膜厚差ΔＴｒを測定し、
測定された露光領域における膜厚差ΔＴｒ、及び予め求められている膜厚差ΔＴｒと加熱処理温度との関係から加熱温度を求め、
求められれた加熱温度に応じて前記加熱装置の制御条件の調整を行いつつ前記レジスト膜を加熱することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１４】
前記照射量Ｄopt は、
前記膜厚差ΔＴｒの温度に対する変化量∂ΔＴｒ／∂Ｔが極大値或いは或いは最大となる値であることを特徴とする請求項１２又は１３に記載のパターン形成方法。
【請求項１５】
基板上に感光性樹脂膜を形成する工程と、
露光装置により前記感光性樹脂膜の露光領域中の隣接する第１の露光部と第２の露光部に対して、それぞれの露光部に異なる照射量Ｄopt1，Ｄopt2を１回の照射で与える工程と、
前記感光性樹脂膜に対して加熱装置により加熱処理を行い、該感光性樹脂膜の膜厚を、露光領域中の第１及び第２の露光部，並びに隣接する未露光領域で測定し、露光領域において第１の露光部と未露光領域との膜厚差ΔＴｒ1 ，第２の露光部と未露光領域の膜厚差ΔＴｒ2 を測定する工程と、
測定された露光領域における膜厚差ΔＴｒ1 ，ΔＴｒ2 と、予め求められている露光量の変化に対する膜厚差の変化及び処理温度の変化に対する膜厚差の変化の関係から、前記加熱処理における加熱温度及び該第１及び第２の露光部に対して照射された実際の照射量を求める工程と、
求められた加熱処理温度及び露光量から、前記加熱装置及び露光装置の調整を行う工程と
を含む加熱装置及び露光装置の調整の後に、
被加工基板にレジスト膜を形成する工程と、
前記露光装置により、前記露光投影基板上のパターンを前記レジスト膜に転写する工程と、
前記レジスト膜に対して前記加熱装置により加熱処理を行う工程と、
前記レジスト膜を現像液にさらして該レジスト膜の一部を選択的に除去する工程と
を含むレジストパターン形成が行われることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１６】
被加工基板上にレジスト膜を形成する工程と、
露光装置により前記レジスト膜に対して露光を行って、投影基板に形成されたパターンを前記レジスト膜に転写する工程と、
前記レジスト膜に対して加熱装置により加熱処理を行う工程と、
前記レジスト膜を現像液にさらして該レジスト膜の一部を選択的に除去する工程とを含むパターン形成方法において、
前記転写工程では、前記レジスト膜のモニタ領域中の隣接する第１の露光部と第２の露光部に対して、それぞれの露光部に異なる照射量Ｄopt1，Ｄopt2を１回の照射で与え、
前記加熱処理工程では、
前記レジスト膜の膜厚を、前記モニタ領域中の第１及び第２の露光部，並びに隣接する未露光領域で測定し、該モニタ領域において第１の露光部と未露光領域との膜厚差ΔＴｒ1 ，第２の露光部と未露光領域の膜厚差ΔＴｒ2 を測定し、
測定されたモニタ領域における膜厚差ΔＴｒ1 ，ΔＴｒ2 と、予め求められている露光量の変化に対する膜厚差の変化及び処理温度の変化に対する膜厚差の変化の関係から、前記モニタ領域の加熱温度を求め、
求められた加熱温度に応じて前記加熱装置の制御条件の調整を行いつつ前記レジスト膜を加熱することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１７】
表面にレジスト膜が形成された基板を加熱する加熱方法であって、
前記基板を所定の加熱量で加熱している間に、前記レジスト膜に対し可視光又は紫外光を照射するステップと、
前記レジスト膜からの反射光の強度を検出するステップと
前記検出された反射光強度に基づいて前記加熱量を制御するステップとを含むことを特徴とする加熱方法。
【請求項１８】
表面にレジスト膜が形成された基板を加熱する加熱方法であって、
前記基板を所定の加熱量で加熱している間に、前記レジスト膜の複数の場所に可視光又は紫外光を照射するステップと、
前記可視光または紫外光を照射した場所からの反射光の強度を検出するステップと、
前記検出された複数の反射光強度に基づいて前記加熱量を制御するステップとを含むことを特徴とする加熱方法。
【請求項１９】
前記基板は、電気的に加熱されることを特徴とする請求項１７又は１８記載の加熱方法。
【請求項２０】
前記可視光又は紫外光は、狭帯域化された光であることを特徴とする請求項１７又は１８記載の加熱方法。
【請求項２１】
前記可視光又は紫外光の照射時、前記可視光又は紫外光は前記レジスト膜上の任意の場所に照射され、
前記反射光の強度の検出時、加熱時に生じる被処理基体上のレジストの組成変化又は組織変化に伴う膜厚変化が反射光強度の変化として検出されることを特徴とする請求項１７又は１８記載の加熱方法。
【請求項２２】
前記可視光又は紫外光の照射時、前記可視光又は紫外光は前記レジスト膜の露光領域に照射され、
前記反射光の強度の検出時、前記加熱時に生じるレジスト膜の潜像変化が反射光強度の変化として検出されることを特徴とする請求項１７又は１８記載の加熱方法。
【請求項２３】
前記加熱量の制御時、前記反射光強度から得られる積算の加熱量又はその微分値をもとに次の加熱量を決定し、該決定された加熱量となるように加熱手段を制御することを特徴とする請求項１７又は１８記載の加熱方法。
【請求項２４】
前記加熱量の制御は、前記決定された加熱量をもとに前記加熱手段の電圧を一定として電流を制御、又は前記加熱手段の電流を一定として電圧を制御するものであることを特徴とする請求項２３記載の加熱方法。
【請求項２５】
基板上に感光性樹脂膜を形成するステップと、
前記感光性樹脂膜に露光領域を形成するために、照射量Ｄの光によって前記感光性樹脂膜上の被露光領域を露光するステップと、
加熱装置の熱源によって前記感光性樹脂膜を加熱するステップと、
前記露光領域の前記感光性樹脂膜の膜厚、及び前記露光領域に隣接した非露光領域の前記感光性樹脂膜の膜厚を測定するステップと、
前記露光領域と前記非露光領域との前記感光性樹脂膜の膜厚差ΔＴrを計算するステップと、
前記膜厚差ΔＴr、予め求められている膜厚差ΔＴｒと前記熱源の温度との関係から、前記熱源の温度を調整するステップとを含むことを特徴とする加熱装置の制御方法。
【請求項２６】
前記感光性樹脂膜に複数の露光領域が形成されていることを特徴とする請求項２５に記載の加熱装置の制御方法。
【請求項２７】
前記膜厚差ΔＴrは、前記熱源に対応する位置で測定されることを特徴とする請求項２５に記載の加熱装置の制御方法。
【請求項２８】
前記照射量Ｄは、前記膜厚差ΔＴｒの温度に対する変化量∂ΔＴｒ／∂Ｔが極大値或いは最大となる値であることを特徴とする請求項２５に記載の加熱装置の制御方法。