(57)【要約】【課題】水冷ヒートシンクや通水路に穴が開いた場合であっても冷却水の水漏れを抑制する。【解決手段】本発明は、多数の水冷ヒートシンクを用いた半導体レーザパッケーシを使用したレーザ発振器等の装置において、半導体レーザパッケージを使用する圧力環境を、その冷却の為に通水する循環系の圧力より高く設定し維持することにより、例えば内一個の水漏れ故障における他への影響を無くすことができ、高額な半導体レーザパッケージの損失を最小限と留めることが可能となり、延いてはメンテナンスコストの削減が図れる。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
水冷ヒートシンクを用いた半導体レーザパッケージを内蔵するキャビティと、前記水冷ヒートシンクに通水し冷却する循環系を備えた半導体レーザパッケージの冷却システムにおいて、
前記キャビティを、外部から供給される気体によって常時維持できる第１の圧力下に設置し、前記キャビティに冷却水を通水する循環系の圧力を第２の圧力とし、前記第１の圧力を前記第２の圧力より高く設定したこと、
を特徴とする半導体レーザパッケージの冷却システム。
【請求項２】
前記第１の圧力を大気圧相当、もしくは大気圧以上の圧力で常時維持し、前記第２の圧力を大気圧より低い圧力としたことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザパッケージの冷却システム。
【請求項３】
前記水冷ヒートシンクに通水される冷却水を貯留する冷却水タンクと、
前記冷却水タンクに冷却水を循環させる循環ポンプと、
を備え、
前記キャビティは、前記冷却水タンクの排水口と前記循環ポンプの一次側との間に配設され、
前記循環ポンプは、前記キャビティを介して供給された冷却水を前記冷却水タンクに戻すことができるように、前記キャビティと前記冷却水タンクの集水口との間に配設され、
前記第２の圧力を負圧として、前記キャビティ内のヒートシンクに冷却水を循環することを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザパッケージの冷却システム。
【請求項４】
前記第２の圧力を大気圧より高い圧力とし、前記第１の圧力を前記第２の圧力より高い圧力で常時維持したことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザパッケージの冷却システム。
【請求項５】
前記水冷ヒートシンクに通水される冷却水を貯留する冷却水タンクと、
前記冷却水タンクに冷却水を循環させる循環ポンプと、
前記循環ポンプの二次側と前記冷却水タンクの集水口との間に配設され、前記キャビティを収納し、外部から供給される気体によって、内部圧力が前記第１の圧力に設定された圧力容器と、
を備え、
前記循環ポンプは、前記冷却水タンクの排水口と前記圧力容器との間に配設され、前記冷却水タンクから取り入れた冷却水を、前記キャビティ内のヒートシンクに冷却水を圧送することを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザパッケージの冷却システム。
【請求項６】
前記圧力容器は、外部から供給される窒素ガスを用いて前記第１の圧力を生成することを特徴とする請求項５に記載の半導体レーザパッケージの冷却システム。
【請求項７】
冷却水中の酸素を脱気する脱酸素装置を備えたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体レーザパッケージの冷却システム。
【請求項８】
前記キャビティと前記冷却水タンクの集水口との間に配設され、外部から供給される窒素ガスを前記冷却水タンクに向かわせることによって発生する負圧を前記第２の圧力として利用し、前記冷却水タンクから前記キャビティに供給される冷却水を、前記冷却水タンクに戻すように動作するベンチェリ管を備えたことを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザパッケージの冷却システム。
【請求項９】
前記キャビティおよびその周辺部には、前記ヒートシンクや通水路の損傷を検知する検知器が設けられ、同時にその検知信号により通水している循環系の水の流れを停止可能とすることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の半導体レーザパッケージの冷却システム。
【請求項１０】
冷却水をろ過するイオン交換装置を備えたことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載の半導体レーザパッケージの冷却システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体レーザパッケージの冷却システムに関するものであり、特に、半導体レーザパッケージを構成する水冷ヒートシンクを初めとした通水路が、経年変化などによって生ずる水漏れを防止する半導体レーザパッケージの冷却システムに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
多数の水冷ヒートシンクを有する半導体レーザパッケージを使用した装置の一例として、高出力ＹＡＧレーザ発振器が上げられる。高出力ＹＡＧレーザ発振器の冷却システムは、冷却水タンク、循環ポンプ、および多数の高価な高出力の半導体レーザパッケージを内蔵するキャビティなどで構成されており、循環ポンプを動作することによって、冷却水タンクから供給された冷却水が、これら循環系を介してキャビティに通水される構成となっている。キャビティ内に設置された多数の半導体レーザパッケージを構成するヒートシンクを初めとした通水路は、冷却水に含まれる酸素などの影響によって、腐食する場合などもある。そのため、この種の冷却システムでは、それらを防止する措置として、循環系にイオン交換樹脂を含むイオン交換装置や酸素を脱気する脱酸素装置を付加した構成とする場合もある。
【０００３】
高出力ＹＡＧレーザ発振器に用いられるキャビティには、レーザ媒質であるＹＡＧロッドと、ＹＡＧロッドの周囲に配設される高出力の半導体レーザパッケージが多数備え付けられている。例えば、高出力ＹＡＧレーザ発振器を用いて、１ｋｗのレーザ出力を発振しようとした場合、高出力ＹＡＧレーザ発振器の変換効率が５０％程度であることを考慮すると、半導体レーザパッケージは、２ｋｗ相当のレーザ出力をＹＡＧロッドに入力・励起しなければならない。一方、高出力な半導体レーザパッケージであっても、各半導体レーザパッケージの出力は、４０ｗ〜６０ｗ程度であるため、高出力ＹＡＧレーザ発振器で、上述したような出力を得るためには、例えば、最低でも３０個以上の半導体レーザパッケージの使用を余儀なくされる。また、多数の半導体レーザの出力、延いては高出力ＹＡＧレーザ発振器の出力は、当然のことながら、約１〜２万時間、もしくはそれ以上低下することなく維持されることも要求される。
【０００４】
一般に半導体レーザの出力低下の割合は、アレニウスの式に従い、半導体レーザの発光点の温度に応じて変化するといわれている。すなわち、半導体レーザの発光点温度を下げることにより、レーザ出力の低下の割合を低減することが可能となる。したがって、高出力ＹＡＧレーザ発振器に用いられる半導体レーザにおいては、半導体レーザの発光点温度を効果的に下げる冷却方式の採用が不可欠である。このような冷却方式には、上述した水冷方式の他に空冷方式などもある。しかしながら、高出力の半導体レーザに空冷方式を採用した場合、半導体レーザの発光点温度を十分に下げることが困難であるため、高出力の半導体レーザには、薄い銅板もしくはモリブデン板、もしくは更にメッキを施した板等を数枚貼り合わせることによって冷却水の通路が形成された小型の積層タイプ（マイクロチャネルとも呼ばれる）のヒートシンクを使用した水冷方式を採用することが一般的である。積層タイプのヒートシンクは、内部の流路が複雑に形成されたもののも多く、内部流速も場所により大きく変化する。
【０００５】
このような水冷ヒートシンクは、ヘリウムリーク試験や加圧試験等により十分信頼性を考慮した品質で製造されてはいるが、冷却水が長期間通水された場合、内部流速の非常に速い場所や滞留部、材料面ではヒートシンクの張り合わせ部や母材・表面欠陥部等において経時的に腐食が進行し、局部的な減肉を生じる場合がある。その結果、ヒートシンクに穴が開き、冷却水が外部に漏れ出す場合がある。また、このような腐食が進む速さは、使用する冷却水の水質や、装置の設置環境雰囲気にも大きな影響を受けるため、事前検知することは非常に困難である。このような事例は、下記の特許文献１にも記載されており、半導体レーザパッケージの長寿命化に向けて、ヒートシンクの腐食対策の重要性が主張されている。また、下記特許文献１を代表とする従来技術では、キャビティ内に水漏れを検知するための露点センサー等を有し、水漏れが発生した際、循環ポンプを緊急停止できるように構成されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２４６５２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１を代表とする従来技術は、ヒートシンクに穴が開いた場合、水漏れが発生したことを露点センサー等によって検出し、その後に循環ポンプを停止させる構成であった。そのため、ヒートシンクから漏れ出した冷却水が、正常に動作している他の多数の半導体レーザパッケージの発光面にも飛散し、水濡れによる汚れや短絡等により使用ができなくなるという深刻な被害に陥るという課題があった。
【０００８】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ヒートシンクを初めとした通水路に穴が開いたことを早期に検知するとともに、冷却水のキャビティ内への漏出を抑止して被害の拡大を抑制することができる半導体レーザパッケージの冷却システムを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる半導体レーザパッケージの冷却システムは、水冷ヒートシンクを用いた半導体レーザパッケージを内蔵するキャビティと、前記水冷ヒートシンクに通水し冷却する循環系を備えた半導体レーザパッケージの冷却システムにおいて、前記キャビティを、外部から供給される気体によって常時維持できる第１の圧力下に設置し、前記キャビティに冷却水を通水する循環系の圧力を第２の圧力とし、前記第１の圧力を前記第２の圧力より高く設定したこと、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明にかかる半導体レーザパッケージの冷却システムによれば、水冷ヒートシンクの一部や通水路の一部に腐食等による穴が開いた場合であっても、キャビティの内部圧力が循環系の圧力より高い圧力に維持しうるように構成したので、冷却水のキャビティ内への漏出を抑止することができ、正常に動作している他の半導体レーザパッケージの発光面への飛散を防止することができる。また、ヒートシンクの一部や通水路の一部に穴が開いた場合は、その変化を圧力の変化に伴うガスの流れによって計測されるようにしたので、ヒートシンクの一部や通水路の一部に穴が開いたことを早期に検知することができ、また、冷却水のキャビティ内への漏出を抑止して被害の拡大を抑制することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下に、本発明にかかる半導体レーザパッケージの冷却システムの実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１２】
実施の形態１．
（半導体レーザパッケージの冷却システムの構成）
図１は、実施の形態１にかかる半導体レーザパッケージの冷却システムの構成を示す機能ブロック図であり、図２は、キャビティ内の半導体レーザパッケージを主体として示す図である。
【００１３】
図１において、半導体レーザパッケージの冷却システム（以下単に「冷却システム」と称する）は、主たる構成部として、圧力容器６０、冷却水タンク５１、循環ポンプ５３、脱酸素装置６５、およびイオン交換装置６４を有して構成されている。また、圧力容器
６０には、図示を省略した多数の半導体レーザパッケージを収容するキャビティ５２が設置されている。さらに、冷却水タンク５１と循環ポンプ５３との間には管路４０が配設され、循環ポンプ５３と圧力容器６０との間には管路４１が配設され、圧力容器６０と冷却水タンク５１との間には管路４２が配設されている。すなわち、冷却水の循環系は、冷却水タンク５１、管路４０、循環ポンプ５３、管路４１、圧力容器６０、および管路４２の順で接続され、最後に冷却水タンク５１に戻る経路で構成されている。
【００１４】
このように配設された冷却水の循環系では、まず、冷却水タンク５１の下部側から管路４０によって排出された冷却水が、循環ポンプ５３によって大気圧以上の、例えば０．２〜０．３ＭＰａに加圧され、管路４１を介して圧力容器６０内のキャビティ５２に送水されるとともに、キャビティ５２で発生した熱を吸収した水が管路４２によって冷却水タンク５１の上部側に戻り、冷却された後、再び管路４０によって循環ポンプ５３に送水されることになる。
【００１５】
イオン交換装置６４は、例えばイオン交換樹脂を用いて冷却水の導電度等の水質を保持するために用いられる装置であり、管路４１に流れる冷却水を管路４２にバイパスするように管路４１と管路４２との間に配設される。このような、イオン交換装置６４は、腐食や漏電を防止する効果もある。また、脱酸素装置６５は、半導体レーザパッケージ５８を構成しているヒートシンク５８ａが、冷却水中の酸素によって腐食等をすることを抑制するために用いられる装置であり、イオン交換装置６４と同様、管路４１に流れる冷却水を管路４２にバイパスするように管路４１と管路４２との間に配設される。なお、冷却水中の酸素は、脱酸素装置６５に接続された真空ポンプ６６によって外部に脱気される。
【００１６】
圧力容器６０には、第１の圧力であるキャビティを内蔵した圧力容器６０の内部圧力を計測する圧力計６１と、窒素ガス６２が貯留されたボンベ等とが接続されている。循環ポンプ５３には、第２の圧力である通水圧力を計測するポンプ用圧力計５４が接続されている。ボンベと圧力容器６０との間には、窒素ガス６２の供給圧力等を計測する流量計６３が設置されている。
【００１７】
ここで、圧力容器６０の内部圧力は、流量計６３を用いて、０．３ＭＰａ以上の、例えば０．５ＭＰaといった圧力に加圧される。すなわち、圧力容器６０の内部圧力は、循環ポンプ５３の通水圧力（上述した例では０．２〜０．３ＭＰａ）よりも高い圧力に設定される。また、圧力容器６０に充填されている窒素ガス６２は、若干のリークを伴うことも想定される為、流量計６３を用いて規定圧力に保持することが望ましい。なお、半導体レーザパッケージ５８を大気圧以上の圧力下で、大気と同じ雰囲気中で長期間使用した場合、レーザ発光面の酸化が促進されてしまうため、酸化抑制対策を講じることが望ましい。そこで、図１に示す冷却システムは、酸化を抑制するため、圧力容器６０に供給されるガスとして窒素ガス６２を使用している。
【００１８】
なお、流量計６３は、動作中の循環ポンプ５３を停止させるための検知器としても利用可能である。具体的に説明すると、ヒートシンク５８ａに穴が開いた場合、圧力容器６０内部に充填された窒素ガス６２が冷却水に取り込まれるため、圧力容器６０の内部圧力は、急激に低下し始める。しかしながら、窒素ガス６２は、設定された圧力容器６０の内部圧力を維持するため、圧力容器６０に追加供給される。このとき、流量計６３は、窒素ガス６２の流れの変化を検知して、循環ポンプ５３の動作を緊急停止させることができる。
【００１９】
図２は、本発明を説明する例である高出力ＹＡＧレーザ発振器に用いられキャビティ内の半導体レーザパッケージを主体として示す図である。図２において、半導体レーザパッケージ５８を主体とする構造体は、ＹＡＧロッド５５を収納する円筒状のフローチューブ５６と、フローチューブ５６を取り囲み、外周面に取り付けられた半導体素子５８ｂのレーザ出力をＹＡＧロッド５５に導入するための複数の開口部が形成された集光器５７と、ヒートシンク５８ａおよび半導体素子５８ｂで構成され、半導体素子５８ｂから出力されたレーザ出力が集光器５７に形成された開口部に取り込まれるように集光器５７の外周面に配置された複数の半導体レーザパッケージ５８と、を有して構成されている。ＹＡＧロッド５５の外周面とフローチューブ５６の内周面の間には、通水路が形成されている。そのため、ＹＡＧロッド５５は、冷却水がこの通水路を通ることによって冷却される。一方、ヒートシンク５８ａは、先に説明したような薄い銅板等を数枚貼り合わせた構造であり、図示にはない冷却水の通水路が複数形成されている。そのため、ヒートシンク５８ａに搭載された各半導体素子５８ｂは、冷却水がこの通水路に流れることによって冷却される。
【００２０】
次に、実施の形態１にかかる冷却システムの動作について説明する。なお、冷却システム全体の制御は、冷却システム全体の動作を統括する制御装置（図示省略）の管理下で実行される。
【００２１】
まず、通常の動作状態においては、圧力計６１の値がポンプ用圧力計５４の値よりも高くなるように、窒素ガス６２の供給量を調整して圧力容器６０の内部圧力を設定する。この状態において、ヒートシンク５８ａや通水路に穴が開いた場合、圧力容器６０内部に充填された窒素ガス６２が冷却水に巻き込まれるため、圧力容器６０の内部圧力は、急激に低下し始める。このとき、圧力容器６０に追加供給された窒素ガス６２の流れが流量計６３によって計測され、循環ポンプ５３の動作は、緊急停止する。一方、循環ポンプ５３が完全に停止するまでの間も、圧力容器６０の内部圧力は、外部から供給される窒素ガス６２により循環ポンプ５３の通水圧力よりも高い圧力に維持されている。すなわち、冷却システムは、ヒートシンク５８ａや通水路に穴が開いた場合であっても、そこから水が漏れる可能性は抑えられ、正常に動作している他の半導体レーザパッケージの発光面にも飛散する可能性も低減することができる。
【００２２】
以上説明したように、本実施の形態にかかる冷却システムによれば、複数の半導体レーザパッケージ５８を収納するキャビティ５２の内部圧力を循環ポンプ５３の通水圧力よりも高い圧力に設定し、かつ、ヒートシンク５８ａや通水路の一部に腐食等による穴が開いた場合であっても、キャビティ５２の内部圧力が常時通水する循環系の圧力より高く維持されるようにしたので、そこから冷却水のキャビティ５２内への水漏出を抑止することができ、正常に動作している他の半導体レーザパッケージの発光面への飛散を防止することができる。また、ヒートシンク５８ａや通水路に穴が開いた場合、圧力容器６０に追加供給された窒素ガス６２の流れが、流量計６３によって計測されるようにしたので、循環ポンプ５３を緊急停止することができる。そのため、半導体レーザパッケージ５８の損傷拡大が抑制され、レーザ発振器の耐久性向上を図ることができる。また、使用できなくなって交換する半導体レーザパッケージ５８の数量を低減できるため、レーザ発振器のメンテナンス性を向上させることができる。
【００２３】
実施の形態２．
実施の形態２にかかる冷却システムは、キャビティ５２の内部圧力が大気圧（約１００ｋＰａ）と同等の圧力に設定されるとともに、循環ポンプ５３の通水圧力が大気圧より低い負圧に設定されている。
【００２４】
図３は、実施の形態２にかかる冷却システムの構成を示す機能ブロック図である。実施の形態１の冷却システムと異なる点は、窒素ガス６２、流量計６３、圧力容器６０、および圧力計６１が省略され、また、キャビティ５２が循環ポンプ５３の一次側である負圧部分に配設され、さらに、イオン交換装置６４および脱酸素装置６５が、循環ポンプ５３の一次側である正圧部分と冷却水タンク５１との間に配設されている点にある。なお、他の構成部分は、実施の形態１にかかる冷却システムと同様であるため、説明を割愛する。
【００２５】
冷却水の循環系を示すと、まず、冷却水タンク５１の下部側から管路４３によって排出された冷却水は、キャビティ５２に送水される。ここで、循環ポンプ５３を動作させると、冷却水に負圧が生じるため、キャビティ５２内の水は、管路４４によって循環ポンプ５３に送水され、管路４５によって冷却水タンク５１の上部側に戻される。
【００２６】
次に、実施の形態２にかかる冷却システムの動作を説明する。通常の動作状態において、ヒートシンク５８ａや通水路に穴が開いた場合、キャビティ５２内部の空気が冷却水に巻き込まれるため、キャビティ５２の内部圧力は、急激に低下し始める。しかしながら、キャビティ５２の内部圧力を維持するため、キャビティ５２周囲の大気が、流量計６３を介してキャビティ５２内部に供給される。したがって、実施の形態２にかかる冷却システムは、キャビティ５２内部に、大気圧相当より高い圧力をかけることができない場合に有用である。さらに、窒素ガス６２の代わりに大気を使用することができるため、冷却システムを安価に構成することが可能である。
【００２７】
実施の形態３．
実施の形態３にかかる冷却システムは、循環ポンプ５３および脱酸素装置６５の代わりに、ベンチェリ管６９、窒素発生器６８、およびコンプレッサ６７を有して構成されている。
【００２８】
図４は、実施の形態３にかかる冷却システムの構成を示す機能ブロック図である。ベンチェリ管６９（エジェクタともいう）の一端には、窒素発生器６８の一端が接続されている。また、窒素発生器６８の他端には、コンプレッサ６７が接続されている。また、ベンチェリ管６９の他端には、管路４７および４８が接続されている。このような構成の下、ベンチェリ管６９は、コンプレッサ６７が動作し、窒素発生器６８が発生した窒素ガスを冷却水タンク５１に向かわせることによって、大きな負圧を発生し、冷却水を循環させることができる。なお、イオン交換装置６４は、管路４７と冷却水タンク５１との間に設置されている。
【００２９】
冷却水の循環系を示すと、まず、冷却水タンク５１の下部側から管路４６によって排出された冷却水は、キャビティ５２に送水される。ここで、コンプレッサ６７を動作させると、ベンチェリ管６９によって冷却水に負圧が生じるため、キャビティ５２内の水は、管路４７によってベンチェリ管６９に送水され、管路４８によって冷却水タンク５１の上部側に戻される。
【００３０】
次に、実施の形態３にかかる冷却システムの動作を説明する。通常の動作状態において、通水部品であるヒートシンク５８ａや通水路に穴が開いた場合、キャビティ５２内部の空気が冷却水に巻き込まれるため、キャビティ５２内部圧力は、急激に低下し始める。しかしながら、キャビティ５２の内部圧力を維持するため、キャビティ５２周囲の大気が、流量計６３を介してキャビティ５２内部に供給される。また、実施の形態３にかかる冷却システムは、ベンチェリ管６９に窒素ガスを供給されることによって、冷却水を循環することができるとともに、冷却水に含まれる酸素を脱気することができる。
【００３１】
なお、実施の形態１にかかる冷却システムでは、圧力容器６０の内部圧力を、通常の大気圧（約１００ｋＰａ）以上に加圧通水する循環ポンプ５３の通水圧力よりも高く設定したが、これに限定されるものではなく、逆に、実施の形態２、３にかかる冷却システムのように、圧力容器６０内の圧力を大気圧（約１００ｋＰａ）と同等の圧力に設定し、循環ポンプ５３の通水圧力を負圧にすることによって、冷却水を循環させてもよい。更に言えば、実施の形態１のように大気圧以上の圧力下にキャビティを設置し、実施の形態２、３のように、循環系を負圧とする組合せでも、同様の効果となることは明らかであろう。
【００３２】
また、実施の形態１〜３以外の冷却システムに、上述した各種の圧力設定や各種のガスを適用した場合でも、同様の効果が得られる。さらに、実施の形態１〜３にかかる冷却システムには、ヒートシンク５８ａや通水路に穴が開いたことを検知する手段として、流量計６３を使用したが、これに限定されるものではなく、圧力や露点等の変化に応じて水漏れを検知することができる検知器などを使用してもよい。
【００３３】
以上、本発明を、高出力ＹＡＧレーザ発振器を元に説明したが、他の装置として、ディスク型やファイバ型のレーザ発振器や、多数の半導体レーザの光を束ね更に高出力化したレーザシステムや、熱光源等の装置にも適用できる。また、本説明では、各半導体レーザパッケージ毎に水冷ヒートシンクが用いられる場合について説明したが、複数個の半導体レーザをアレイ化して一つのパッケージ化した構造や、延いては多数の半導体レーザパッケージが、他の通水冷却を必要とする構造と同一容器内に収納されている場合においても、適用できる。
【００３４】
実施の形態１〜３に示した冷却システムの構成は、本発明の内容の一例を示すものであり、更なる別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、一部を省略する等、変更して構成することも可能であることは無論である。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
以上のように、本発明にかかる半導体レーザパッケージの冷却システムは、水冷式ヒートシンクの冷却システムに適用可能であり、特に、冷却水がヒートシンクや通水路に生じた穴からキャビティ内に漏出するのを抑止することができる発明として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】実施の形態１にかかる半導体レーザパッケージの冷却システムの構成を示す機能ブロック図である。
【図２】本発明を説明する例である高出力ＹＡＧレーザ発振器に用いられキャビティ内の半導体レーザパッケージを主体として示す図である。
【図３】実施の形態２にかかる冷却システムの構成を示す機能ブロック図である。
【図４】実施の形態３にかかる冷却システムの構成を示す機能ブロック図である。
【符号の説明】
【００３７】
４０，４１，４２，４３，４４，４５，４６，４７，４８  循環系
５１  冷却水タンク
５２  キャビティ
５３  循環ポンプ
５４  ポンプ用圧力計
５５  ＹＡＧロッド
５６  フローチューブ
５７  集光器
５８  半導体レーザパッケージ
５８ａ  ヒートシンク
５８ｂ  半導体素子
６０  圧力容器
６１  圧力計
６２  窒素ガス
６３  流量計
６４  イオン交換装置
６５  脱酸素装置
６６  真空ポンプ
６７  コンプレッサ
６８  窒素発生器
６９  ベンチェリ管
【図１】
2010135704.tif 000003
【図２】
2010135704.tif 000004
【図３】
2010135704.tif 000005
【図４】
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