Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月25日(2004.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクジェット記録装置のヘッド部にインクを供給しうるインクカートリッヂであって、インクを収容したインク収容部と、前記ヘッド部と連通する流路と、前記インク収容部と連通する第１のインク室、及び前記流路と連通する第２のインク室を区画する様に配設された可動弁とを備え、
前記可動弁は透孔が形成された筒部を備えていると共に、前記透孔を閉止可能に配置された弁ストッパーとを備えたことを特徴とするインクカートリッヂ。
【請求項２】
前記可動弁が弾性材によって前記弁ストッパー方向に付勢されてなることを特徴とする請求項１記載のインクカートリッヂ。
【請求項３】
前記弾性材がコイルバネであることを特徴とする請求項２記載のインクカートリッヂ。
【請求項４】
前記可動弁の前記筒部には前記弁ストッパーに当接するテーパー状部を設けたことを特徴とする請求項１記載のインクカートリッヂ。
【請求項５】
前記可動弁の外周の厚肉リングを弁固定枠と弁固定リングで挾着し、弁固定リングのテーパーリング部によって可動弁を液密状に担持させたことを特徴とする請求項１又は２記載のインクカートリッヂ。
【請求項６】
前記インクタンクと前記第１のインク室との間にフィルターを介装したことを特徴とする請求項１記載のインクカートリッヂ。
【請求項７】
前記第２のインク室側の可動弁上にバネ座を配設し、コイルバネ等の弾性材によって可動弁を弁ストッパー方向に付勢させたことを特徴とする請求項２乃至６記載のインクカートリッヂ。
【請求項８】
前記可動弁を前記インクタンクに固定する弁固定枠が形成されている請求項１記載のインクカートリッヂ。
【請求項９】
前記弁固定枠には、第２のインク室に連通すると共に、前記ヘッド部にインクを供給するための流路が形成されている請求項１記載のインクカートリッヂ。
【請求項１０】
前記弁固定枠には、前記可動弁を前記弁ストッパー方向に付勢するコイルバネをガイドするバネガイドが形成されている請求項８記載のインクカートリッヂ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
(1)  インクジェット記録装置のヘッド部にインクを供給しうるインクカートリッヂであって、インクを収容したインク収容部と、前記ヘッド部と連通する流路と、前記インク収容部と連通する第１のインク室、及び前記流路と連通する第２のインク室を区画する様に配設された可動弁とを備え、
前記可動弁は透孔が形成された筒部を備えていると共に、前記透孔を閉止可能に配置された弁ストッパーとを備えたことを特徴とするインクカートリッヂ。
(2)  前記可動弁が弾性材によって前記弁ストッパー方向に付勢されてなることを特徴とする前記(1)記載のインクカートリッヂ。
(3)  前記弾性材がコイルバネであることを特徴とする前記(2)記載のインクカートリッヂ。
(4)  前記可動弁の前記筒部には前記弁ストッパーに当接するテーパー状部を設けたことを特徴とする前記(1)記載のインクカートリッヂ。
(5)  前記可動弁の外周の厚肉リングを弁固定枠と弁固定リングで挾着し、弁固定リングのテーパーリング部によって可動弁を液密状に担持させたことを特徴とする前記(1)又は(2)記載のインクカートリッヂ。
(6)  前記インクタンクと前記第１のインク室との間にフィルターを介装したことを特徴とする前記(1)記載のインクカートリッヂ。
(7)  前記第２のインク室側の可動弁上にバネ座を配設し、コイルバネ等の弾性材によって可動弁を弁ストッパー方向に付勢させたことを特徴とする前記(2)乃至(6)記載のインクカートリッヂ。
(8)  前記可動弁を前記インクタンクに固定する弁固定枠が形成されている前記(1)記載のインクカートリッヂ。
(9)  前記弁固定枠には、第２のインク室に連通すると共に、前記ヘッド部にインクを供給するための流路が形成されている前記(1)記載のインクカートリッヂ。
(10)  前記弁固定枠には、前記可動弁を前記弁ストッパー方向に付勢するコイルバネをガイドするバネガイドが形成されている前記(8)記載のインクカートリッヂ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月2日(2004.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
この問題に対処するため、従来よりいくつかの方策が提案されている。例えば、特開平７−７６０８７号公報には、１つのノズルについて１つの圧電素子を設け、この圧電素子に印加する吐出用電圧の変化速度を２段階に切り替えてインク滴吐出を行う方法が提案されている。この方法は、図１４に示したように、当初は第１の電圧変化速度ｖ１をもって吐出用電圧を増加させ、途中からｖ１よりも大きい第２の電圧変化速度ｖ２をもって吐出用電圧を増加させるものである。なお、図１４で、縦軸は電圧、横軸は時間を表す。この方法によれば、先に吐出されたインクの先頭部分を追いかける形で引き続いてインクが噴射されるようになるので、インク柱の先頭部分と後尾部分との間の速度差が小さくなり、サテライト滴が生じにくくなる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、例えば、特開昭５９−１３３０６７号公報には、１つのノズルについて１つの圧電素子を設け、この圧電素子に互いに独立した２つの電圧パルスを印加してインク滴吐出を行う方法が提案されている。この方法は、図１５に示したように、まず、第１のパルスＰ１を圧電素子に加えて第１の圧力変動を生じさせてノズルからのインク滴の噴射を開始し、その後、第１のパルスＰ１を終了させたのちノズルからインク滴が射出される前に第２のパルスＰ２を圧電素子に加えて第２の圧力変動を生じさせるようにしたものである。なお、図１５で、縦軸は電圧、横軸は時間を表す。この方法によれば、ノズルから噴射されたインク柱が早期に破断され、サテライト滴が生じにくくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月21日(2004.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに幅の異なる複数の発熱素子からなる組を複数有し、１組内において駆動させる発熱素子の組合せが可変である記録ヘッド基体において、
前記複数の発熱素子からなる組のそれぞれに対応した複数の駆動ドライバを有するとともに、
前記１組内における前記複数の発熱素子は、互いに等しい電圧を出力することを特徴とする記録ヘッド基体。
【請求項２】
請求項１に記載の記録ヘッド基体において、
前記１組内における前記複数の発熱素子は、異なる発熱量を有することを特徴とする記録ヘッド基体。
【請求項３】
請求項１に記載の記録ヘッド基体において、
前記複数の駆動ドライバは、それぞれ対応する前記発熱素子と互いに平行に設けられていることを特徴とする記録ヘッド基体。
【請求項４】
請求項1に記載の記録ヘッド基体において、
前記複数の駆動ドライバは、それぞれ対応する前記発熱素子と互いに直行方向となるように設けられていることを特徴とする記録ヘッド基体。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の記録ヘッド基体と、
前記複数の発熱素子の組毎に設けられ、被記録材に記録を行うための液体が流れる複数の流路と、
該複数の流路毎に設けられ、前記液体が吐出される複数の吐出口とを有し、
前記発熱素子において出力される電圧によって前記流路内の液体を加熱して前記液体を前記吐出口から吐出することより前記被記録材に記録を行うことを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項６】
請求項５に記載のインクジェット記録ヘッドにおいて、
前記発熱素子は、前記液体に膜沸騰を生じさせる熱エネルギーを発生する電気熱変換素子を有するものであることを特徴とするインクジェット記録ヘッド。
【請求項７】
請求項５または請求項６に記載のインクジェット記録ヘッドと、
該インクジェット記録ヘッドを着脱自在に搭載し、前記被記録材に対して相対移動可能なキャリッジとを有し、
前記被記録材に記録を行うことを特徴とするインクジェット記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明は、
互いに幅の異なる複数の発熱素子からなる組を複数有し、１組内において駆動させる発熱素子の組合せが可変である記録ヘッド基体において、
前記複数の発熱素子からなる組のそれぞれに対応した複数の駆動ドライバを有するとともに、
前記１組内における前記複数の発熱素子は、互いに等しい電圧を出力することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月9日(2004.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レンズを形成するレンズ基部の外形が、断面が平行である円形部と、該円形部に連なりかつレンズ面の外縁部に対して外径が次第に拡がるテーパー部とからなり、前記外形が一体に成形された形状であることを特徴とする樹脂成形レンズ。
【請求項２】
レンズ基部を形成する部分に断面が平行である円形孔、および該円形孔に連なりかつレンズ面の外縁部に対して径が次第に拡がるテーパー孔が形成された金型固定側と、前記レンズ面の形状を有する金型移動側とにより構成されたことを特徴とする樹脂成形レンズ金型。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するため、樹脂成形レンズは、レンズを形成するレンズ基部の外形が、断面が平行である円形部と、該円形部に連なりかつレンズ面の外縁部に対して外径が次第に拡がるテーパー部とからなり、前記外形が一体に成形された形状であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、金型は、レンズ基部を形成する部分に断面が平行である円形孔、および該円形孔に連なりかつレンズ面の外縁部に対して径が次第に拡がるテーパー孔が形成された金型固定側と、前記レンズ面の形状を有する金型移動側とにより構成されたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月2日(2004.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
版胴に巻かれた刷版を同版胴の周面に対して固定と固定解除が可能なクランプ機構を備え、同クランプ機構を固定解除して上記刷版を排出する際に、刷版の先端部が版胴ギャップから外れたことを検出するセンサを設けたことを特徴とする自動版替え装置。
【請求項２】
前記センサは版胴が非回転状態のときに刷版の先端部が版胴ギャップから外れたことを検出することを特徴とする請求項１記載の自動版替え装置。
【請求項３】
前記センサはクランプ機構による固定から解除された刷版の先端部が弾性力で版胴ギャップから外れたことを検出することを特徴とする請求項２記載の自動版替え装置。
【請求項４】
前記版胴から排出される刷版を収納するカセットを備え、前記センサは前記カセットの先端側に設けられており、前記カセットの前記センサに対して刷版排出方向下流側に設けられ、刷版が当該カセット内に収納されたことを検出する第３センサと、前記センサと前記第３センサとの間に設けられ、版胴の回転により前記刷版の通過を検出する第２センサと、を設けたことを特徴とする請求項１記載の自動版替え装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明に係る自動版替え装置は、版胴に巻かれた刷版を同版胴の周面に対して固定と固定解除が可能なクランプ機構を備え、同クランプ機構を固定解除して上記刷版を排出する際に、刷版の先端部が版胴ギャップから外れたことを検出するセンサを設けたことを特徴とする。
また、前記センサは版胴が非回転状態のときに刷版の先端部が版胴ギャップから外れたことを検出することを特徴とする。
また、前記センサはクランプ機構による固定から解除された刷版の先端部が弾性力で版胴ギャップから外れたことを検出することを特徴とする。
また、前記版胴から排出される刷版を収納するカセットを備え、前記センサは前記カセットの先端側に設けられており、前記カセットの前記センサに対して刷版排出方向下流側に設けられ、刷版が当該カセット内に収納されたことを検出する第３センサと、前記センサと前記第３センサとの間に設けられ、版胴の回転により前記刷版の通過を検出する第２センサと、を設けたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月2日(2004.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートベルトの巻き取り及び引き出しを行う電動リトラクタと、前記電動リトラクタを駆動させる駆動手段と、シートベルトの装着又は非装着を検出するバックル接続有無検出手段とを備える車両用乗員拘束保護装置において、
前記バックル接続有無検出手段により、シートベルトが乗員に装着されている状態から非装着状態になるバックル解除状態が検出されたとき、前記駆動手段に供給される電源電圧の大きさ又は前記駆動手段に供給される電源電圧パルスのパルス幅変調度を制御すると共に前記電動リトラクタがシートベルトを巻き取るように制御する制御手段を備えることを特徴とする車両用乗員拘束保護装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記バックル接続有無検出手段によりバックルの解除が検出された直後から前記駆動手段に供給される電源電圧の大きさをバックル解除後からの経過時間に応じて徐々に低下させることを特徴とする請求項１記載の車両用乗員拘束保護装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記バックル接続有無検出手段によりバックルの解除が検出された直後から前記駆動手段に供給される電源電圧パルスのパルス幅デューティ比をバックル解除後からの経過時間に応じて徐々に低下させることを特徴とする請求項１記載の車両用乗員拘束保護装置。
【請求項４】
前記電源電圧パルスは、その基準周波数が可聴周波数以外であることを特徴とする請求項１及び請求項３記載の車輌用乗員拘束保護装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１の車両用乗員拘束保護装置は、シートベルトの巻き取り及び引き出しを行う電動リトラクタと、前記電動リトラクタを駆動させる駆動手段と、シートベルトの装着又は非装着を検出するバックル接続有無検出手段とを備える車両用乗員拘束保護装置において、前記バックル接続有無検出手段により、シートベルトが乗員に装着されている状態から非装着状態になるバックル解除状態が検出されたとき、前記駆動手段に供給される電源電圧の大きさ又は前記駆動手段に供給される電源電圧パルスのパルス幅変調度を制御すると共に前記電動リトラクタがシートベルトを巻き取るように制御する制御手段を備えることを特徴とする。
請求項２の車両用乗員拘束保護装置は、請求項１記載の車両用乗員拘束保護装置において、前記制御手段は、前記バックル接続有無検出手段によりバックルの解除が検出された直後から前記駆動手段に供給される電源電圧の大きさをバックル解除後からの経過時間に応じて徐々に低下させることを特徴とする。
請求項３の車両用乗員拘束保護装置は、請求項１記載の車両用乗員拘束保護装置において、前記制御手段は、前記バックル接続有無検出手段によりバックルの解除が検出された直後から前記駆動手段に供給される電源電圧パルスのパルス幅デューティ比をバックル解除後からの経過時間に応じて徐々に低下させることを特徴とする。
請求項４の車両用乗員拘束保護装置は、請求項１及び請求項３記載の車輌用乗員拘束保護装置において、前記電源電圧パルスは、その基準周波数が可聴周波数以外であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月15日(2004.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接触パッドおよび該接触パッドに接続する導電穴を有する平坦基板に番う同軸コネクタにおいて、
第１、第２の面を有し、その中心に穴を備え、該第１の面の周に傾斜面を有する導電盤と、
前記第１の面から突出し、前記穴の延長の周りに該穴と同軸に設けられ、該穴が貫通する接管と、
前記導電盤の前記第２の面から突出し、前記穴と整列した前記中心軸を有する筒形スリーブと、
前記筒形スリーブの前記中心軸に沿って、前記導電盤を貫く前記穴および前記接管を貫通し且つ前記接管が前記導電穴の中に設置されたとき該導電穴を貫通し該導電穴の中心に位置する中心導体と、
を備えていることを特徴とする同軸コネクタ。
【請求項２】
前記導電盤の前記第１の面は前記接触パッドにはんだ付けされ、該はんだは前記傾斜面と前記接触パッドとの間に第１のはんだ斜縁を形成し、前記第１の面と前記接触パッドとの間にはんだ層を形成し、前記接管と前記導電穴との間に第２のはんだ斜縁を形成することを特徴とする請求項１記載の同軸コネクタ。
【請求項３】
更に、前記中心導体を前記筒形スリーブから分離する誘電体を備えていることを特徴とする請求項２記載の同軸コネクタ。
【請求項４】
前記筒形スリーブはねじ山付き同軸端末のねじ山付き外部導体を受ける内ねじ面を備え、該ねじ山付き同軸端末は前記中心導体および前記誘電体を備えていることを特徴とする請求項３記載の同軸コネクタ。
【請求項５】
前記筒形スリーブは同軸ケーブルの外部導体にはんだ付けされた滑らかな内面を有し、該同軸ケーブルは前記中心導体および前記誘電体を備えていることを特徴とする請求項３記載の同軸コネクタ。
【請求項６】
半径方向対称の同軸構造と平坦構造との間の接続部であって、
下面に導電パッド、上面に接地平面、および前記接触パッドを前記接地平面に接続する導電側壁とを有する筒形穴を備えている平坦基板と、
第１、第２の面、中心および穴を備え、該中心に該穴が配置され、前記第１の面の周に傾斜面を有する導電盤と、
前記第１の面から突出し、前記穴の延長の周りに同軸に設けられ、該穴が通じて連続するための接管と、
前記導電盤の前記第２の面から突出し、前記穴と同軸となる中心軸を有する筒形スリーブと、
前記筒形スリーブの前記中心軸の方向にあり、前記導電盤を貫く前記穴および前記接管を貫通し且つ前記導電穴を貫通し、前記接管が前記導電穴の中に設置されたとき前記導電穴の中心に位置する中心導体と、
を備えている接続部。
【請求項７】
更に、前記接地平面に設けられた誘電体テープを有し且つ該誘電体テープに印刷された導電線路を有し、前記中心導体が結合体により前記導電線路に接続されている伝送線を備えている請求項６記載の接続部。
【請求項８】
前記筒形スリーブはねじ山付き同軸端末のねじ山付き外部導体を受ける内ねじ面を備え、前記ねじ山付き同軸端末は前記中心導体および誘電体を備えていることを特徴とする請求項６記載の接続部。
【請求項９】
前記筒形スリーブは同軸ケーブルの外部導体にはんだ付けされた滑らかな内面を有し、該同軸ケーブルは前記中心導体および誘電体を備えていることを特徴とする請求項６記載の接続部。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（実施態様７）更に、接地平面（7）に設けられた誘電体テープ（8）を有し且つ誘電体テープ（8）に印刷された導電線路（10）を有し、それにより中心導体（5）が結合体（12）により導電線路（10）に接続されている伝送線（9）を備えていることを特徴とする実施態様６記載の接続部（20、50、70）。
（実施態様８）筒形スリーブ（23、53）はねじ山付き同軸端末（22）のねじ山付き外部導体（37）を受ける内ねじ面（40）を備え、ねじ山付き同軸端末（22）は中心導体（5）および誘電体（39）を備えていることを特徴とする実施態様６記載の接続部（20、50、70）。
（実施態様９）筒形スリーブ（53）は同軸ケーブル（3）の外部導体（57）にはんだ付けされた滑らかな内面を有し、同軸ケーブル（3）は中心導体（5）および誘電体（59）を備えていることを特徴とする実施態様６記載の接続部（20、50、70）。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月10日(2004.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＯＦ2及びＣ2Ｆ5Ｉよりなる群から選ばれる少なくとも１種のガスを含むＳｉ膜、ＳｉＯ2膜、Ｓｉ3Ｎ4膜または高融点金属シリサイト膜用のエッチングガス。
【請求項２】
更に、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｈ2、Ｎ2及びＯ2よりなる群から選ばれる少なくとも１種のガスを含む、請求項１に記載のエッチングガス。
【請求項３】
ＣＯＦ2及びＣ2Ｆ5Ｉよりなる群から選ばれる少なくとも１種のガスを含むチャンバクリーニングガス。
【請求項４】
更に、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｈ2、Ｎ2及びＯ2よりなる群から選ばれる少なくとも１種のガスを含む、請求項３に記載のチャンバクリーニングガス。
【請求項５】
チャンバの素材が、ステンレス又はアルミ合金である、請求項３又は４に記載のチャンバクリーニングガス。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月9日(2004.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
有機極性溶媒を主体とする溶媒中に、一般式：
【化１】
1998223482.tif 000001
（式中、ｎ＝５〜８であり、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は炭素数３〜４のアルキル基、または水素原子であり、少なくとも一つは炭素数３〜４のアルキル基である。）で示される総炭素数１５〜２４の脂肪族飽和ジカルボン酸化合物またはその塩を溶解した電解コンデンサ用電解液。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の電解コンデンサ用電解液は、有機極性溶媒を主体とする溶媒中に、一般式：
【化２】
1998223482.tif 000002
（式中、ｎ＝５〜８であり、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ4 は炭素数３〜４のアルキル基、または水素原子であり、少なくとも一つは炭素数３〜４のアルキル基である。）で示される総炭素数１５〜２４の脂肪族飽和ジカルボン酸化合物またはその塩を溶解することを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明の、脂肪族飽和ジカルボン酸の例としては、２─イソブチル─１，１１─ウンデカンジカルボン酸、３─イソブチル─１，１１─ウンデカンジカルボン酸、２，１０─ジプロピル─１，１１─ウンデカンジカルボン酸、２─イソブチル─１，１２─ドデカンジカルボン酸、３─（ｔ─ブチル）─１，１２─ドデカンジカルボン酸、２，１１─ジプロピル─１，１２─ドデカンジカルボン酸、２─プロピル─１１─イソブチル─１，１２─ドデカンジカルボン酸、２─イソブチル─１，１３─トリデカンジカルボン酸、２，１１─ジイソプロピル─１，１３─トリデカンジカルボン酸、３─イソプロピル─１，１４─テトラデカンジカルボン酸、２，１３─ジイソブチル─１，１４─テトラデンカジカルボン酸等が挙げられる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【表１】
1998223482.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（表１）、（表２）から明らかなように、実施例１〜３では比較例１〜４に比べて、火花電圧が高く維持され、かつ、電導度の高いものが得られている。（表３）は、（表１）、（表２）で示した電解コンデンサ用電解液を用いたアルミニウム電解コンデンサをそれぞれ２０個ずつ用意し、これらのアルミニウム電解コンデンサについて寿命試験を行った結果を示したものである。ここで使用したアルミニウム電解コンデンサの定格は、いずれも４５０ＷＶ１８０μＦであり、４５０Ｖ印加した条件で、１０５℃、１０００時間、保存処理した。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【表３】
1998223482.tif 000004
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
（表３）から明らかなように、本発明の実施例１〜３の電解液を使用したアルミニウム電解コンデンサは静電容量変化、ｔａｎδ変化のいずれもが小さく、寿命特性に優れた信頼性の高いアルミニウム電解コンデンサである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月3日(2004.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶化を助長する金属元素を珪素または珪素化合物でなる非晶質膜の一部に導入し、
前記非晶質膜中に温度勾配を形成し、前記温度勾配を利用して前記金属元素が導入された領域から他の領域への結晶成長を行うことを特徴とする結晶性半導体の作製方法。
【請求項２】
結晶化を助長する金属元素を珪素または珪素化合物でなる非晶質膜の一部に導入し、
前記非晶質膜中に、前記金属元素が導入された領域から他の領域への方向に温度勾配を形成し、
前記温度勾配が形成された方向に結晶成長を行うことを特徴とする結晶性半導体の作製方法。
【請求項３】
結晶化を助長する金属元素を珪素または珪素化合物でなる非晶質膜の一部に導入し、
前記非晶質膜中に温度勾配を形成し、前記温度勾配を利用して前記金属元素を所定の方向に拡散させるとともに該方向に選択的な結晶成長を行うことを特徴とする結晶性半導体の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記温度勾配を結晶成長が行われる方向に移動させることにより、前記非晶質膜に平行な方向への結晶成長を助長することを特徴とする結晶性半導体の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記温度勾配を結晶成長が行われる方向に結晶成長の速度に合わせて移動させることにより、前記非晶質膜に平行な方向への結晶成長を助長することを特徴とする結晶性半導体の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記温度勾配は、線状の赤外光の照射により形成されることを特徴とする結晶性半導体の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記結晶化を助長する金属元素としてＮｉ（ニッケル）が利用されることを特徴とする結晶性半導体の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記結晶化を助長する金属元素としてＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類の元素が利用されることを特徴とする結晶性半導体の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】結晶性半導体の作製方法
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月12日(2004.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
珪素を含む非晶質半導体膜に珪素の結晶化を助長する金属元素を導入し、前記非晶質半導体膜を結晶化して結晶性半導体膜を得る第１の工程と、
第１の工程で得られた結晶性半導体膜上に、選択的にマスクを形成する第２の工程と、
第２の工程において前記結晶性半導体膜のマスクで被覆されていない領域に１５族の元素を導入する第３の工程と、
前記結晶性半導体膜および前記マスクに強光を照射する第４の工程と、
を有し、
前記マスクの材料は、前記結晶性半導体膜よりも前記強光に対する吸収率が高い材料であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
珪素を含む非晶質半導体膜上に、選択的にマスクを形成する第１の工程と、
第１の工程において前記マスクで被覆されていない領域に、珪素の結晶化を助長する金属元素を選択的に導入する、もしくは、前記金属元素を有する被膜を形成する第２の工程と、
前記非晶質半導体膜を加熱して、結晶化させ、結晶性半導体膜を得る第３の工程と、
前記結晶性半導体膜の前記マスクで被覆されていない領域に１５族の元素を導入する第４の工程と、
前記結晶性半導体膜および前記マスクに強光を照射する第５の工程と、
を有し、
前記マスクの材料は、前記結晶性膜よりも前記強光に対する吸収率が高い材料であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記結晶性半導体膜および前記マスクに強光を照射することにより、前記結晶性半導体膜の前記マスクで被覆された領域を他部に比べて高温に加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、前記結晶性半導体膜および前記マスクに強光を照射することにより、前記金属元素を前記マスクで被覆されなかった領域へと移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記マスクが、タングステン、クロム、モリブデン、チタンから選ばれた一種または複数種類の元素を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記金属元素は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種類の元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記金属元素は、Ｎｉであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、１５族の元素として、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉから選ばれた元素が導入されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記結晶性半導体膜および前記マスクに強光を照射する工程は、基板側から行なわれることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、前記結晶性半導体膜および前記マスクに強光を照射する工程は、ラピッド・サーマル・アニール法を用いることを特徴とした半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月10日(2004.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質珪素膜または珪素を含む非晶質膜を、珪素の結晶化を助長する金属元素を用いて結晶化させ、結晶性膜を形成する工程と、
前記結晶性膜に対してレーザー光又はハロゲンランプ若しくは水銀ランプを用いた強光の照射を行う工程と、
前記結晶性膜上にマスクを選択的に形成する工程と、
前記マスクを用いて、前記結晶性膜に15族の元素を添加する工程と、
前記結晶性膜に対して加熱処理を施し、前記元素が添加された領域に前記元素が添加されなかった領域から前記金属元素をゲッタリングさせる工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
非晶質珪素膜または珪素を含む非晶質膜を、珪素の結晶化を助長する金属元素を用いて結晶化させ、結晶性膜を形成する工程と、
前記結晶性膜上にマスクを選択的に形成する工程と、
前記結晶性膜の前記マスクが形成されていない領域に対してレーザー光又はハロゲンランプ若しくは水銀ランプを用いた強光の照射を行う工程と、
前記マスクを用いて、前記結晶性膜に15族の元素を添加する工程と、
前記結晶性膜に対して加熱処理を施し、前記元素が添加された領域に前記元素が添加されなかった領域から前記金属元素をゲッタリングさせる工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
非晶質珪素膜または珪素を含む非晶質膜を、珪素の結晶化を助長する金属元素を用いて結晶化させ、結晶性膜を形成する工程と、
前記結晶性膜に対してレーザー光又はハロゲンランプ若しくは水銀ランプを用いた強光の照射を行う工程と、
前記結晶性膜上にマスクを選択的に形成する工程と、
前記マスクを用いて、前記結晶性膜に15族の元素を添加する工程と、
前記結晶性膜に対して加熱処理を施し、前記元素が添加された領域に前記元素が添加されなかった領域から前記金属元素をゲッタリングさせる工程と、
前記結晶性膜の前記マスクが形成されていない領域を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
非晶質珪素膜または珪素を含む非晶質膜を、珪素の結晶化を助長する金属元素を用いて結晶化させ、結晶性膜を形成する工程と、
前記結晶性膜上にマスクを選択的に形成する工程と、
前記結晶性膜の前記マスクが形成されていない領域に対してレーザー光又はハロゲンランプ若しくは水銀ランプを用いた強光の照射を行う工程と、
前記マスクを用いて、前記結晶性膜に15族の元素を添加する工程と、
前記結晶性膜に対して加熱処理を施し、前記元素が添加された領域に前記元素が添加されなかった領域から前記金属元素をゲッタリングさせる工程と、
前記結晶性膜の前記マスクが形成されていない領域を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項1乃至請求項４のいずれか一項において、珪素の結晶化を助長する金属元素として、Fe、Co、Ni、Cu、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Auの少なくとも一つの元素が用いられていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項1乃至請求項５のいずれか一項において、前記非晶質珪素膜または珪素を含む非晶質膜は、歪点が700℃以下のガラス基板上に成膜されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項1乃至請求項６のいずれか一項において、前記１５族の元素の添加方法は、イオン化した前記元素を加速注入することによって行われ、被添加領域を意図的に損傷させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項1乃至請求項６のいずれか一項において、前記１５族の元素の添加方法は、前記元素が含まれた液体を用いて行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項1乃至請求項６のいずれか一項において、前記１５族の元素の添加方法は、前記元素が含まれた気体を用いた気相反応を用いて行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、前記１５族の元素としてリンを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項1乃至請求項１０のいずれか一項において、前記珪素を含む非晶質膜として、Six Ge1-x(0＜x＜1)で示される材料を利用することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項1乃至請求項１１のいずれか一項において、前記加熱処理は、500℃〜700℃の温度範囲から選ばれた温度で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月10日(2004.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光装置におけるフォーカス制御方法及び露光方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク及び基板を投影光学系に対して同期走査して、前記マスク上に形成されたパターンの像を前記投影光学系を介して前記基板上に投影する走査型露光装置におけるフォーカス制御方法であって、
前記投影光学系による前記マスクのパターン像の結像面とほぼ同一の所定面内に複数の計測点を有し、前記複数の計測点の各々で前記投影光学系の光軸方向における前記基板の位置情報を検出するフォーカスセンサを用意し；
前記所定面内の前記複数の計測点とは異なる位置に検出点を有し、前記基板に形成されたアライメントマークを検出するアライメントセンサを用意し；
走査露光時は、前記複数の計測点の各々における検出結果を利用して、前記マスクと前記基板との間隔及び前記マスクと前記基板との相対的な傾斜の少なくとも一方を調整し；
アライメント時は、前記フォーカスセンサの複数の計測点のうち前記アライメントセンサの検出点の近傍にある少なくとも一つの計測点における検出結果だけを利用して、前記マスクと前記基板との間隔及び前記マスクと前記基板との相対的な傾斜の少なくとも一方を調整する；
ことを特徴とするフォーカス制御方法。
【請求項２】
前記フォーカスセンサの複数の計測点は、前記走査の方向に垂直な方向に沿って設定され；
前記アライメントセンサの検出点は、前記走査の方向に垂直な方向に関して前記複数の計測点とは異なる位置に設定される；
ことを特徴とする請求項１記載のフォーカス制御方法。
【請求項３】
マスク及び基板を投影光学系に対して同期走査して、前記マスク上に形成されたパターンの像を前記投影光学系を介して前記基板上に投影する走査型露光装置におけるフォーカス制御方法であって、
前記投影光学系による前記マスクのパターン像の結像面とほぼ同一の所定面内に複数の計測点を有し、前記複数の計測点の各々で前記投影光学系の光軸方向における前記基板の位置情報を検出するフォーカスセンサを用意し；
前記所定面内の前記複数の計測点とは異なる位置に検出点を有し、前記基板表面に形成されたアライメントマークを検出するアライメントセンサを用意し；
走査露光時は、前記複数の計測点の各々における計測結果を利用して、前記マスクと前記基板との間隔及び前記マスクと前記基板との相対的な傾斜の少なくとも一方を調整し；
アライメント時は、前記フォーカスセンサの複数の計測点での検出結果から前記アライメントセンサの検出点における前記基板表面の前記所定面に対する偏差を予測演算して、前記マスクと前記基板との間隔及び前記マスクと前記基板との相対的な傾斜の少なくとも一方を調整する；
ことを特徴とするフォーカス制御方法。
【請求項４】
前記フォーカスセンサの複数の計測点は、前記走査の方向に垂直な方向に沿って設定され；
前記アライメントセンサの検出点は、前記走査の方向に垂直な方向に関して前記複数の計測点と並んで設定される；
ことを特徴とする請求項３記載のフォーカス制御方法。
【請求項５】
マスク及び基板を投影光学系に対して同期走査して、前記マスク上に形成されたパターンの像を前記投影光学系を介して前記基板上に投影する走査型露光装置におけるフォーカス制御方法であって、
前記投影光学系の結像面とほぼ同一の所定面内に前記走査方向に垂直な方向に沿って複数の計測点を有し、前記複数の計測点の各々で前記投影光学系の光軸方向における前記基板の位置情報を検出するフォーカスセンサを用意し；
前記所定面内の前記複数の計測点とは前記走査方向に所定距離だけ離れた位置に検出点を有し、前記基板表面に形成されたアライメントマークを検出するアライメントセンサを用意し；
走査露光時は、前記複数の計測点の各々における検出結果を利用して、前記マスクと前記基板との間隔及び前記マスクと前記基板との相対的な傾斜の少なくとも一方を調整し；
アライメント時は、前記基板のアライメントマークが前記アライメントセンサの検出点から前記走査方向に関して前記所定距離だけ手前に位置する時点の前記フォーカスセンサの複数の計測点における検出結果を利用して、前記マスクと前記基板との間隔及び前記マスクと前記基板との相対的な傾斜の少なくとも一方を調整する；
ことを特徴とするフォーカス制御方法。
【請求項６】
前記フォーカスセンサは、前記投影光学系に関して前記計測点と共役な位置に、前記投影光学系の光軸方向における前記マスクの位置情報を検出するための計測点を有することを特徴とする請求項１，２，３，４又は５記載のフォーカス制御方法。
【請求項７】
マスク及び基板を投影光学系に対して同期走査して、前記マスク上に形成されたパターンの像を前記投影光学系を介して前記基板上に投影する露光方法であって、
前記投影光学系による前記マスクのパターン像の結像面とほぼ同一の所定面内の複数の計測点に対し、前記複数の計測点の各々で前記投影光学系の光軸方向における前記基板の位置情報を検出するフォーカスセンサで計測するステップと；
前記フォーカスセンサの複数の検出値に基づいて、前記マスクと前記基板との間隔及び前記マスクと前記基板との相対的な傾斜の少なくとも一方を調整し、前記マスクのパターンを前記基板に露光するステップと；
前記露光するステップの前に、前記所定面内の位置に検出点を有し、前記基板に形成されたアライメントマークを検出するアライメントセンサを用いて、前記アライメントマークを検出するステップと；
前記アライメントマークを検出するステップにおいて、前記フォーカスセンサの複数の計測点のうち前記アライメントセンサの検出点の近傍にある少なくとも一つの計測点における検出結果だけに基づいて、前記マスクと前記基板との間隔及び前記マスクと前記基板との相対的な傾斜の少なくとも一方を調整するステップと；を有することを特徴とする露光方法。
【請求項８】
前記同期走査により露光する場合と、前記アライメントマークを検出する場合とで、前記フォーカスセンサを用いて計測する複数の計測点の位置を切り替えることを特徴とする請求項７記載の露光方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
この発明は、マスク（フォトレジストやレチクル等）及び基板（ウエハやガラスプレート等）を投影光学系に対して同期走査する走査型露光装置にかかり、更に具体的には、走査露光時及びアライメント時における投影光学系のフォーカス制御方法及び露光方法の改良に関するものである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明は、以上の点に着目したもので、プレートのアライメント精度の向上を目的とするものである。更に詳述すれば、プレートの反りやうねりに起因するアライメントマークの検出誤差を低減，防止することができるフォーカス制御方法及び露光方法を提供することを、目的とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月9日(2004.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記ｎ型の領域（２１）をリン、ひ素及びアンチモンを含むグループから選択した材料によりドープすることを特徴とする請求項１或いは２に記載の電子エミッタ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月31日(2005.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プローブ先端を有するプローバカードをウェハプローバ卓上のウェハカードに結合する結合システムにおけるウェハプローバ結合アダプタであって、
取付具盤、プルダウンリング、およびスパイダを備えた取付具盤装置と、
試験ヘッドの前記取付具盤装置への初めの取り付けを容易にする、第１の端、および前記スパイダに固定され、より広い、第２の端を有する結合円錐と、
前記試験ヘッドを前記取付具盤装置にロックするためのカムロック機構と、
前記ウェハプローバ卓に締め付けられ、前記プローブ先端を有する前記プローバカードを支持している回転可能リングを備え、該回転可能リングは、前記プローブ先端が前記ウェハカードと回転可能に整列するとき、係合してロックされるものである回転可能なロック組立体と、
前記取付具盤装置と前記ロック組立体との間に接続されて、前記ロックされた試験ヘッドおよび前記取付具盤装置を前記プローバカードを支持する前記ロックされた回転可能リングに従順に適合させるための従順なばね機構と
を備えたことを特徴とするウェハプローバ結合アダプタ。
【請求項２】
プローブ先端を有するプローバカードをウェハプローバ卓上のウェハカードに結合する結合システムにおいて、
ウェハプローバ結合アダプタを備え、該ウェハプローバ結合アダプタは、
取付具盤、プルダウンリング、およびスパイダ、を備えた取付具盤装置と、
第１の端、および第２の、スパイダに固定されて前記取付具盤装置を形成する、より広い端を有する結合円錐と、
前記ウェハプローバ卓に締め付けられ、前記プローブ先端を有する前記プローバカードを支持している回転可能リングを備えた回転可能なロック組立体であって、該回転可能リングは、前記プローブ先端が前記ウェハカードと回転可能に整列するとき、ロック係合してロックされるものである回転可能なロック組立体と
を備えたウェハプローバ結合アダプタであることを特徴とする結合システム。
【請求項３】
前記結合システムは、試験ヘッドを備えており、前記結合アダプタは、前記取付具盤装置と前記ロック組立体との間に接続されて、前記試験ヘッドを前記取付具盤装置に従順にロックするための従順なばね機構を備えたことを特徴とする請求項２に記載の結合アダプタ。
【請求項４】
前記結合円錐は、試験ヘッドの前記取付具盤装置への最初の取付けを容易にするものであり、前記結合アダプタは、前記試験ヘッドを前記取付具盤装置にロックするカムロック機構を備えたことを特徴とする請求項３に記載の結合アダプタ。
【請求項５】
前記従順なばね機構、複数の円錐状ばね対を備えたことを特徴とする請求項３に記載の結合アダプタ。
【請求項６】
前記ばね対は各々ハウジングに囲まれていて、所定範囲の従順性に対する確実な止めを与えたことを特徴とする請求項４に記載の結合アダプタ。
【請求項７】
前記従順性の範囲は、約１／４インチであることを特徴とする請求項６に記載の結合用アダプタ。
【請求項８】
前記ロック組立体は、前記ばね対の一端に接続するための板と、前記ロック用リングを前記整列位置に回転させるためのハンドルと、前記リングを前記ロック位置にロックするためのロック機構とを備えたことを特徴とする請求項５に記載の結合アダプタ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月19日(2004.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザシステムであって、
(a)光学的に非線形のレーザ利得媒体（114、214）と、
(b)反射率Ｒ１の第１のリフレクタ及びこの第１のリフレクタから隔置された反射率Ｒ２の第２のリフレクタであって、前記レーザ利得媒体が前記第１のリフレクタにより反射された光を増幅するように前記レーザ利得媒体を収容するレーザキャビティ（108、208）を画定する第１のリフレクタ（101、201）及び第２のリフレクタ（102、202）と、
(c)前記第２のリフレクタから隔置された反射率Ｒ１よりも大きな反射率Ｒ３を有する第３のリフレクタであって、前記レーザキャビティが外部の共振キャビティとモード整合しないように、前記レーザキャビティ（108、208）の外部に共振キャビティ（110、210）を画定し、前記リフレクタの反射率が、光が前記レーザキャビティを通過して前記外部共振キャビティ内で共振し、光が前記外部共振キャビティから前記レーザキャビティへと通過するような、並びにその光が前記外部共振キャビティから前記レーザキャビティに戻り、前記第２のリフレクタで反射され前記レーザキャビティ内に戻る光と干渉を形成するような結果を生じさせる第３のリフレクタ（104、204）と、
(d)前記レーザ利得媒体（114、214）と前記第２のリフレクタ（102、202）の間に配置されている光を遮断する手段であって、前記第２のリフレクタから反射された光を部分的に遮断して、前記外部キャビティ（110、210）の共振周波数で強め合う干渉を示す光を前記レーザ利得媒体に空間的に選択的に送り、それによって前記外部共振キャビティの共振周波数で前記レーザ利得媒体に戻る光の強度を増大させ、前記レーザ利得媒体の非線形性により前記レーザ利得媒体の周波数を前記外部共振キャビティの周波数に光学的にロックし、それによって前記レーザキャビティよりも前記外部共振キャビティでより強いパワーを生じさせる光を遮断する手段（115、218）と
を備えていることを特徴とするレーザシステム。
【請求項２】
前記第２のリフレクタが前記第１のリフレクタの反射率（Ｒ１）よりも高い反射率（Ｒ２）を有する請求項１に記載のレーザシステム。
【請求項３】
前記光を遮断する手段（115、218）がアパーチャを有する請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項４】
前記光を遮断する手段が、前記レーザ利得媒体（114、214）から隔置されている請求項１ないし請求項３の何れかに記載のシステム。
【請求項５】
前記光を遮断する手段が、前記外部共振キャビティ（110、210）を通過して前記光を遮断する手段（115、218）を介して前記レーザ利得媒体（114、214）へ戻る光の総量が外部キャビティの共振周波数でほぼ最大となるような半径方向の寸法を有する請求項１ないし請求項４の何れかに記載のシステム。
【請求項６】
前記レーザ利得媒体（214）が、レーザダイオードであり、発光ファセット（203）を有する前記レーザダイオードによって前記外部共振キャビティ（210）の共振周波数にロックされ、前記外部共振キャビティ（210）を通過して前記光を遮断する手段（218）を介して前記レーザ利得媒体（214）へ戻る光の総量が外部キャビティの共振周波数でほぼ最大となるように前記第２のリフレクタ（202）及び前記第３のリフレクタ（204）に対して配置されている請求項１ないし請求項５の何れかに記載のシステム。
【請求項７】
前記レーザ利得媒体（214）が、前記外部共振キャビティ（210）の共振周波数にロックされるレーザダイオードであり、このロックが、前記レーザダイオードから前記外部共振キャビティへと進む光の３％を超える前記レーザダイオードに対する光学フィードバックによって行われる請求項１ないし請求項６の何れかに記載のシステム。
【請求項８】
光学的に非線形のレーザ利得媒体（114、214）を受動ロックするための方法であって、
(a)反射率Ｒ１の第１のリフレクタ（101、201）及びこの第１のリフレクタから隔置されている反射率Ｒ２の第２のリフレクタ（102、202）によって画定されているレーザキャビティ（108、208）内に配置されている前記光学的に非線形のレーザ利得媒体（114、214）から光ビームを放出し、前記第１のリフレクタにより前記レーザ利得媒体（114、214）へ反射された光を増幅して光ビームの放出を達成するステップ、
(b)前記レーザキャビティ（108、208）から、前記第２のリフレクタ（102、202）と反射率Ｒ１の第３のリフレクタ（104、204）によって画定されていると共に前記レーザキャビティの外部にある共振キャビティ（110、210）に光を送り、前記リフレクタの位置を、前記レーザキャビティ（108、208）が前記外部共振キャビティ（110、210）とモード整合しないように選択し、それによって前記レーザ利得媒体（114、214）から放出される光を前記外部共振キャビティ内に入れて共振させ、Ｒ２によって、前記外部共振キャビティ内の光の一部が前記レーザキャビティ（108、208）に送り返され、それによって前記第２のリフレクタから前記レーザ利得媒体に進む光が強め合う干渉部分と弱め合う干渉部分を有するようにするステップ、
(c)光を遮断する手段（115、218）によって、前記第２のリフレクタ（102、202）から反射された光を部分的に遮断し、空間的に選択的に光の強め合う干渉部分を通過させると共に光の弱め合う干渉部分を遮断して、前記レーザ利得媒体の非線形性により前記レーザ利得媒体（114、214）を前記外部共振キャビティ（110、210）の周波数に光学的にロックし、それによって前記レーザキャビティよりも前記外部共振キャビティでより強いパワーを生じさせるステップ
を有することを特徴とする方法。
【請求項９】
前記第２のリフレクタ（102、202）が前記第１のリフレクタ（101、201）の反射率（Ｒ１）を超える反射率（Ｒ２）を有し、前記第３のリフレクタ（104、204）が前記第１のリフレクタの反射率（Ｒ１）を超える反射率（Ｒ3）を有しており、光が前記外部共振キャビティ（110、210）内で共振して、前記レーザキャビティ内の光よりも１桁又は２桁以上強いパワーを前記外部共振キャビティ内に生成する請求項９に記載の方法。
【請求項１０】
前記外部共振キャビティ（110、210）を通過して前記光を遮断する手段を介して前記レーザ利得媒体（114、214）へ戻る光の総量が外部キャビティの共振周波数でほぼ最大となるように前記光を遮断する手段（115、218）のサイズ、形状、配置を選択するステップを更に含む請求項９又は１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月8日(2004.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超音波を診断部位へ打ち出すと共にその診断部位からの反射波を受信する探触子ヘッド部と、前記探触子ヘッド部に対し超音波診断装置本体へ電気信号を送受信するケーブルと、前記探触子ヘッド部側と超音波診断装置側とに分割されるアダプタとを備え、前記ケーブルは前記アダプタと共に体腔内に挿入されることを特徴とする小型超音波探触子。
【請求項２】
前記アダプタに、視野の異なる探触子ヘッド部を複数個同時に係合することを特徴とする請求項１記載の小型超音波探触子。
【請求項３】
前記アダプタは、穿刺針を案内する誘導パイプを備えたことを特徴とする請求項１記載の小型超音波探触子。
【請求項４】
超音波を診断部位へ打ち出すと共にその診断部位からの反射波を受信する探触子ヘッド部と、この探触子ヘッド部に対し超音波診断装置本体から電気信号を授受するケーブルと、前記探触子ヘッド部を先端に係合すると共に前記ケーブルを側方に係合し、このケーブルを係合した面と隣り合う面に窪みを設け、握り部を形成したアダプタとを有することを特徴とする小型超音波探触子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明による小型超音波探触子は、超音波を診断部位へ打ち出すと共にその診断部位からの反射波を受信する探触子ヘッド部と、前記探触子ヘッド部に対し超音波診断装置本体へ電気信号を送受信するケーブルと、前記探触子ヘッド部側と超音波診断装置側とに分割されるアダプタとを備え、前記ケーブルは前記アダプタと共に体腔内に挿入される。