【手続補正書】
【提出日】令和2年12月7日(2020.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
表４に示す結果は、防汚化合物を防汚化合物注入系に添加すると、熱交換器導電率がよりゆっくりと劣化することを示しており、これは熱交換器がオンラインのままで長期間動作できることを意味する。
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
実施形態１
１−ブテンを選択的に製造する方法であって、前記方法が、下記の２つの工程：
工程１：少なくとも１種の防汚剤を少なくとも１種のアルミニウムアルキル化合物と接触させて、下記構造を含む少なくとも１種の防汚化合物、
【化１１】
2020500893.tif 000001
またはその二量体を形成することと、
工程２：前記少なくとも１種の防汚化合物、追加量の前記少なくとも１種のアルミニウムアルキル化合物、少なくとも１種のチタネート化合物、およびエチレンを、反応器に供給してエチレンを二量化することであって、前記少なくとも１種のチタネート化合物が、前記少なくとも１種の防汚化合物および前記追加量の少なくとも１種のアルミニウムアルキル化合物の流れとは別の流れとして供給される、二量化することと、を含み、工程１および工程２で使用される前記少なくとも１種のアルミニウムアルキル化合物の合計と、工程２で使用される前記少なくとも１種のチタネート化合物とのモル比が、１．５以上かつ３．０以下である、方法。
実施形態２
工程１において、前記少なくとも１種の防汚剤を過剰量の前記少なくとも１種のアルミニウムアルキル化合物と接触させて、前記少なくとも１種の防汚化合物と前記少なくとも１種のアルミニウムアルキル化合物の残部とを含む防汚混合物を形成し、工程２において、前記防汚混合物、前記少なくとも１種のチタネート化合物、およびエチレンが前記反応器に供給される、実施形態１に記載の方法。
実施形態３
化学基Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３のうちの１つ以上が構造−Ｏ（（ＣＨ２）ｎＯ）ｍＲ４を含む防汚基であり、式中、
ｎが、１〜２０の整数であり、
ｍが、１〜１００の整数であり、
Ｒ４が、ヒドロカルビル基であり、
存在する場合、前記防汚基を含まない化学基Ｒ１、Ｒ２、またはＲ３が、ヒドロカルビル基である、実施形態２に記載の方法
実施形態４
工程１で使用される前記少なくとも１種の防汚剤と、工程１および工程２で使用される前記少なくとも１種のアルミニウムアルキル化合物の合計とのモル比が、０．０１以上かつ０．１８以下である、実施形態３に記載の方法。
実施形態５
ｎが１〜５である、実施形態４に記載の方法。
実施形態６
ｍが１〜２０である、実施形態４に記載の方法。
実施形態７
Ｒ４が１〜１００個の炭素原子を有する、実施形態４に記載の方法。
実施形態８
化学基Ｒ１、Ｒ２、またはＲ３に存在する原子が、アルミニウム原子と結合してキレート環を形成する、実施形態１に記載の方法。
実施形態９
化学基Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３のうちの１つ以上が、ホスホニウム部分を含む防汚基である、実施形態２に記載の方法。
実施形態１０
前記防汚剤が、テトラアルキルホスホニウムハライド、ホスホニウムマロネート、トリヘキシルテトラデシルホスホニウムハライド、テトラブチルホスホニウムハライド、テトラブチルホスホニウムテトラハロボレート、テトラブチルホスホニウムハライド、テトラブチルホスホニウムヘキサハロホスフェート、およびテトラブチルホスホニウムテトラハロボレートのうちの１種以上を含む実施形態９に記載の方法。
実施形態１１
化学基Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３のうちの１つ以上が、スルホネート部分を含む防汚基である、実施形態２に記載の方法。
実施形態１２
前記防汚剤が、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、スルホンコハク酸ジオクチルナトリウム、メタンスルホン酸テトラブチルホスホニウム、テトラブチルホスホニウムｐ−トルエンスルホネート、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムｐ−トルエンスルホネート、３−（ジメチル（オクタデシル）アンモニオ）プロパン−１−スルホネート、３，３’−（１，４−ジドデシルピペラジン−１，４−ジイウム−１，４−ジイル）ビス（プロパン−１−スルホネート）、および３−（４−（ｔｅｒｔ−ブチル）ピリジニオ）−１−プロパンスルホネートのうちの１つ以上を含む、実施形態１１に記載の方法。
実施形態１３
化学基Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３のうちの１つ以上が、スルホニウム部分を含む防汚基である、実施形態２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１−ブテンを選択的に製造する方法であって、前記方法が、下記の２つの工程：
工程１：少なくとも１種の防汚剤を少なくとも１種のアルミニウムアルキル化合物と接触させて、下記構造を含む少なくとも１種の防汚化合物、
【化１】
2020500893.tif 000002
またはその二量体を形成することであって、式中、化学基Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３のうちの１つ以上が、構造−Ｏ（（ＣＨ２）ｎＯ）ｍＲ４を含む前記防汚剤であり、ｎが、１〜２０の整数であり、ｍが、１〜１００の整数であり、
Ｒ４が、ヒドロカルビル基であり、存在する場合、前記防汚剤を含まない化学基Ｒ１、Ｒ２、またはＲ３が、ヒドロカルビル基である、形成することと、
工程２：前記少なくとも１種の防汚化合物、追加量の前記少なくとも１種のアルミニウムアルキル化合物、少なくとも１種のチタネート化合物、およびエチレンを、反応器に供給し、エチレンを二量化して、１−ブテンを生成することであって、前記少なくとも１種のチタネート化合物が、前記少なくとも１種の防汚化合物および前記追加量の前記少なくとも１種のアルミニウムアルキル化合物の流れとは別の流れとして供給される、生成することと、
を含み、
工程１および工程２で使用される前記少なくとも１種のアルミニウムアルキル化合物の合計と、工程２で使用される前記少なくとも１種のチタネート化合物とのモル比が、１．５以上かつ３．０以下である、方法。
【請求項２】
工程１において、前記少なくとも１種の防汚剤を過剰量の前記少なくとも１種のアルミニウムアルキル化合物と接触させて、前記少なくとも１種の防汚化合物と前記少なくとも１種のアルミニウムアルキル化合物の残部とを含む防汚混合物を形成し、工程２において、前記防汚混合物、前記少なくとも１種のチタネート化合物、およびエチレンが前記反応器に供給される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程１で使用される前記少なくとも１種の防汚剤と、工程１および工程２で使用される前記少なくとも１種のアルミニウムアルキル化合物の合計とのモル比が、０．０１以上かつ０．１８以下である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ｎが１〜５である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ｍが１〜２０である、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
Ｒ４が１〜１００個の炭素原子を有する、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
化学基Ｒ１、Ｒ２、またはＲ３に存在する原子が、アルミニウム原子と結合してキレート環を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
化学基Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３のうちの１つ以上が、ホスホニウム部分を含む防汚基である、請求項２に記載の方法。
【請求項９】
前記防汚剤が、テトラアルキルホスホニウムハライド、ホスホニウムマロネート、トリヘキシルテトラデシルホスホニウムハライド、テトラブチルホスホニウムハライド、テトラブチルホスホニウムテトラハロボレート、テトラブチルホスホニウムハライド、テトラブチルホスホニウムヘキサハロホスフェート、およびテトラブチルホスホニウムテトラハロボレートのうちの１種以上を含む請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
化学基Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３のうちの１つ以上が、スルホネート部分を含む防汚基である、請求項２に記載の方法。
【請求項１１】
前記防汚剤が、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、スルホンコハク酸ジオクチルナトリウム、メタンスルホン酸テトラブチルホスホニウム、テトラブチルホスホニウムｐ−トルエンスルホネート、ヘキサデシルトリメチルアンモニウムｐ−トルエンスルホネート、３−（ジメチル（オクタデシル）アンモニオ）プロパン−１−スルホネート、３，３’−（１，４−ジドデシルピペラジン−１，４−ジイウム−１，４−ジイル）ビス（プロパン−１−スルホネート）、および３−（４−（ｔｅｒｔ−ブチル）ピリジニオ）−１−プロパンスルホネートのうちの１つ以上を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
化学基Ｒ１、Ｒ２、およびＲ３のうちの１つ以上が、スルホニウム部分を含む防汚基である、請求項２に記載の方法。