Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月8日(2004.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｔｍ元素が光導波領域に添加された光導波路と、
前記光導波路に励起光を供給する励起光供給手段と、
前記光導波路と光学的に接続され、温度が高いほど短波長側にシフトする損失スペクトルを有し、前記光導波路における信号光の光増幅の利得を等化する利得等化フィルタと
を備えることを特徴とする光増幅器。
【請求項２】
波長帯域１４５５〜１４８５ｎｍ内の所定の波長の信号光を光増幅することを特徴とする請求項１記載の光増幅器。
【請求項３】
前記励起光供給手段により前記光導波路に供給される励起光が波長１．０５μｍ帯の光のみであり、
前記利得等化フィルタの前記損失スペクトルの波長シフトの温度係数が−０．０２ｎｍ／℃である
ことを特徴とする請求項１記載の光増幅器。
【請求項４】
前記励起光供給手段により前記光導波路に供給される励起光が波長１．０５μｍ帯の光および波長１．５５〜１．６５μｍ帯の光であり、前記利得等化フィルタの前記損失スペクトルの波長シフトの温度係数が−０．０２ｎｍ／℃未満であることを特徴とする請求項１記載の光増幅器。
【請求項５】
前記利得等化フィルタに対して外部から制御が加えられることで前記損失スペクトルがシフトすることを特徴とする請求項１記載の光増幅器。
【請求項６】
前記利得等化フィルタに対して外部から制御が加えられることなく自動的に前記損失スペクトルがシフトすることを特徴とする請求項１記載の光増幅器。
【請求項７】
前記光導波路と光学的に接続され、前記信号光に対する減衰量が温度に応じて可変である可変光アッテネータを更に備えることを特徴とする請求項１記載の光増幅器。
【請求項８】
請求項１記載の光増幅器を含み、信号光を伝送するとともに、この信号光を前記光増幅器により光増幅することを特徴とする光通信システム。
【請求項９】
Ｔｍ元素が光導波領域に添加された光導波路と、
前記光導波路に光学的に接続され、温度が高いほど短波長側にシフトする損失スペクトルを有し、前記光導波路における信号光の光増幅の利得を等化する利得等化フィルタと
を備えることを特徴とする光学装置。
【請求項１０】
損失スペクトルのピークが１４５５〜１４８５ｎｍの波長範囲に存在し、温度が高いほど−０.０２ｎｍ／℃の割合で短波長側にシフトする損失スペクトルを有する利得等化フィルタ。
【請求項１１】
損失スペクトルのピークが１４５５〜１４８５ｎｍの波長範囲に存在し、温度が高いほど−０.０２ｎｍ／℃未満の割合で短波長側にシフトする損失スペクトルを有する利得等化フィルタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明に係る光通信システムは、上記の本発明に係る光増幅器を含み、信号光を伝送するとともに、この信号光を光増幅器により光増幅することを特徴とする。この光通信システムによれば、所定波長帯域（１４５５〜１４８５ｎｍ）の信号光は、上記の光増幅器により光増幅される。したがって、所定波長帯域の信号光の伝送品質が優れたものとなる。
本発明に係る光学装置は、(1) Ｔｍ元素が光導波領域に添加された光導波路と、(2) 光導波路に光学的に接続され、温度が高いほど短波長側にシフトする損失スペクトルを有し、光導波路における信号光の光増幅の利得を等化する利得等化フィルタとを備えることを特徴とする。
本発明に係る利得等化フィルタは、損失スペクトルのピークが１４５５〜１４８５ｎｍの波長範囲に存在し、温度が高いほど−０.０２ｎｍ／℃の割合で短波長側にシフトする損失スペクトルを有する。或いは、本発明に係る利得等化フィルタは、損失スペクトルのピークが１４５５〜１４８５ｎｍの波長範囲に存在し、温度が高いほど−０.０２ｎｍ／℃未満の割合で短波長側にシフトする損失スペクトルを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月12日(2004.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体内にプラグインユニットを挿入および引き抜くための挿抜き機構であって、
前記筐体は、その前部にガイド溝が形成されたガイド板を含み、
前記プラグインユニットは、
前記プラグインユニットの前面部に回転軸を中心に回動可能に設けられ、回動させたときその先端部に設けられているガイドローラが移動する操作レバーを含み、
前記操作レバーのガイドローラを前記ガイド板のガイド溝に係止させ、前記操作レバーを回動させて該ガイドローラを移動させ、この移動によって前記ガイドローラが前記ガイド溝の周壁から受ける反力で前記プラグインユニットを前記筐体内に挿入させて装着することを特徴とする、プラグインユニットの挿抜き機構。
【請求項２】
前記ガイド溝は、前記ガイド板の前部に１対設けられていることを特徴とする、請求項１に記載のプラグインユニットの挿抜き機構。
【請求項３】
前記筐体内に前記プラグインユニットを挿入して装着する際に、前記操作レバーを外側に回動することを特徴とする、請求項１または２に記載のプラグインユニットの挿抜き機構。
【請求項４】
前記筐体の背面側には第１のコネクタが配列されていて、前記プラグインユニットの背面側には前記第１のコネクタに対応する第２のコネクタが設けられていて、
前記プラグインユニットを前記筐体に装着したとき第１のコネクタを、対応する筐体の第２のコネクタと嵌合させることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれかに記載のプラグインユニットの挿抜き機構。
【請求項５】
前記プラグインユニットの両側面には内部回路を冷却するための冷却用空気が流入，流出するための流入，流出開口部が形成されており、
前記筐体の一方側側面には前記プラグインユニットの流入開口部に吸引空気を送り込むための吸気開口部が形成され、他方側面には前記プラグインユニットの流出開口部からの熱せられた冷却空気を排気するための排気開口部が形成されていて、
さらに、前記筐体の両側面には、前記プラグインユニットが前記筐体から引き抜かれているとき前記吸気開口部と前記排気開口部をそれぞれ遮蔽するためのシャッタ機構が設けられていることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれかに記載のプラグインユニットの挿抜き機構。
【請求項６】
前記シャッタ機構は、
前記筐体の吸気開口部と排気開口部とをそれぞれ遮蔽するためのシャッタ板と、
前記プラグインユニットが引き抜かれているとき、前記各シャッタ板で前記吸気開口部と前記排気開口部とを遮蔽し、前記プラグインユニットが前記筐体に装着されているとき、前記各シャッタ板による前記吸気開口部と前記排気開口部の遮蔽を開放させるリンク機構とを含むことを特徴とする、請求項５に記載のプラグインユニットの挿抜き機構。
【請求項７】
前記プラグインユニットにはその両側面に前記筐体内のリンク機構に当接する当接部が設けられていて、
前記プラグインユニットが前記筐体内に挿入されたとき、前記当接部が前記リンク部材の端部に当接し、前記リンク機構により前記シャッタ板による前記吸気開口部および排気開口部の遮蔽を開放させることを特徴とする、請求項６に記載のプラグインユニットの挿抜き機構。
【請求項８】
前記リンク機構は、前記プラグインユニットが前記筐体から引き抜かれたとき、前記前記シャッタ板で前記吸気開口部と前記排気開口部を遮蔽するように移動させるためのばね部材を含むことを特徴とする、請求項６または７に記載のプラグインユニットの挿抜き機構。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明は、筐体内にプラグインユニットを挿入および引き抜くための挿抜き機構であって、筐体は、その前部にガイド溝が形成されたガイド板を含み、プラグインユニットは、その前面部に回転軸を中心に回動可能に設けられ、回動させたときその先端部に設けられているガイドローラが移動する操作レバーを含み、操作レバーのガイドローラをガイド板のガイド溝に係止させ、操作レバーを回動させて該ガイドローラを移動させ、この移動によってガイドローラがガイド溝の周壁から受ける反力でプラグインユニットを筐体内に挿入させて装着することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また本発明のプラグインユニットの挿抜き機構の一実施例においては、ガイド溝は、ガイド板の前部に１対設けられていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の一実施例においては、筐体内にプラグインユニットを挿入して装着する際に、操作レバーを外側に回動することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、操作レバーのガイドローラをガイド板のガイド溝に係止させ、操作レバーを回動させてガイドローラを移動させ、この移動によって前記ガイドローラが前記ガイド溝の周壁から受ける反力でプラグインユニットを円滑に筐体に装着することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月13日(2004.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電磁波シールド性と透明性を有するディスプレイ用フィルム及び該フィルムを用いたディスプレイ、電磁波遮蔽構成体


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明プラスチック基材と、貼合せ面が粗面化され、前記透明プラスチック基材に接着層を介して貼り合わせた導電性材料の金属箔と、該金属箔を被覆する樹脂とからなり、前記透明プラスチック基材と前記金属箔との接着層は金属箔の粗面形状が転写されており、前記金属箔はケミカルエッチングプロセスによってライン幅が４０μｍ以下、ライン間隔が２００μｍ以上、ライン厚みが４０μｍ以下である金属箔からなる幾何学図形が形成されており、前記樹脂が被覆する粗面形状が転写された部分の前記接着層と前記樹脂との屈折率の差が０．１４以下であることを特徴とする電磁波シールド性と透明性を有するディスプレイ用フィルム。
【請求項２】
上記透明プラスチック基材は、上記接着層側表面に凹凸面が形成されている請求項１記載の電磁波シールド性と透明性を有するディスプレイ用フィルム。
【請求項３】
上記接着層は、形成された粗面が上記樹脂で平滑に塗布されている請求項２記載の電磁波シールド性と透明性を有するディスプレイ用フィルム。
【請求項４】
上記樹脂が接着剤である請求項１又は３に記載の電磁波シールド性と透明性を有するディスプレイ用フィルム。
【請求項５】
上記金属が、少なくともその表面が黒化処理された銅である請求項１〜４のいずれか１項に記載の電磁波シールド性と透明性を有するディスプレイ用フィルム。
【請求項６】
上記導電性材料が常磁性金属である請求項１〜４のいずれか１項に記載の電磁波シールド性と透明性を有するディスプレイ用フィルム。
【請求項７】
上記透明プラスチック基材がポリエチレンテレフタレートフィルムである請求項１〜６のいずれか１項に記載の電磁波シールド性と透明性を有するディスプレイ用フィルム。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の電磁波シ−ルド性と透明性を有するディスプレイ用フィルムを用いたディスプレイ。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の電磁波シ−ルド性と透明性を有するディスプレイ用フィルムを設けた電磁波遮蔽構成体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、（１）透明プラスチック基材と、貼合せ面が粗面化され、前記透明プラスチック基材に接着層を介して貼り合わせた導電性材料の金属箔と、該金属箔を被覆する樹脂とからなり、前記透明プラスチック基材と前記金属箔との接着層は金属箔の粗面形状が転写されており、前記金属箔はケミカルエッチングプロセスによってライン幅が４０μｍ以下、ライン間隔が２００μｍ以上、ライン厚みが４０μｍ以下である金属箔からなる幾何学図形が形成されており、前記樹脂が被覆する粗面形状が転写された部分の前記接着層と前記樹脂との屈折率の差が０．１４以下であることを特徴とする電磁波シールド性と透明性を有するディスプレイ用フィルムである。また、本発明は、（２）上記透明プラスチック基材は、上記接着層側表面に凹凸面が形成されている項１記載の電磁波シールド性と透明性を有するディスプレイ用フィルムである。そして、本発明は、（３）上記接着層は、形成された粗面が上記樹脂で平滑に塗布されている２記載の電磁波シールド性と透明性を有するディスプレイ用フィルムである。更に、本発明は、（４）上記樹脂が接着剤である項１又は３に記載の電磁波シールド性と透明性を有するディスプレイ用フィルムである。また、本発明は、（５）上記金属が、少なくともその表面が黒化処理された銅である項１〜４のいずれか１項に記載の電磁波シールド性と透明性を有するディスプレイ用フィルムである。そして、本発明は、（６）上記導電性材料が常磁性金属である項１〜４のいずれか１項に記載の電磁波シールド性と透明性を有するディスプレイ用フィルムである。更に、本発明は、（７）上記透明プラスチック基材がポリエチレンテレフタレートフィルムである項１〜６のいずれか１項に記載の電磁波シールド性と透明性を有するディスプレイ用フィルムである。また、本発明は、（８）項１〜７のいずれか１項に記載の電磁波シ−ルド性と透明性を有するディスプレイ用フィルムを用いたディスプレイである。そして、本発明は、（９）項１〜７のいずれか１項に記載の電磁波シ−ルド性と透明性を有するディスプレイ用フィルムを設けた電磁波遮蔽構成体である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月5日(2004.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
【発明の効果】
請求項１に記載の発明によれば、シリコン炭化膜には、酸素原子が３０原子％以上含まれる。これにより、導電体に採用した銅の層間絶縁膜への拡散を防止するシリコン炭化膜の機能が改善され、銅の拡散に起因する絶縁破壊までの寿命が長時間化した半導体装置が得られる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
請求項３に記載の発明によれば、シリコン炭化膜には、酸素原子が３０原子％以上含まれる。これにより、導電体に採用した銅の層間絶縁膜への拡散を防止するシリコン炭化膜の機能が改善され、銅の拡散に起因する絶縁破壊までの寿命が長時間化した半導体装置を製造することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月27日(2004.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介して接続されたクライアントコンピュータからの画像の編集の受注と該受注に対応する画像の該クライアントコンピュータへの納品とを管理する画像編集受注納品管理装置であって、
前記クライアントコンピュータから送信される画像を入力する画像入力手段と、
前記クライアントコンピュータから送信される前記画像に施す編集に関する編集情報を入力する編集情報入力手段と、
前記ネットワークを介して配信される画像の受信処理を行なうと共に受信した画像の保存処理を行なう画像処理プログラムを前記クライアントコンピュータで起動させるプログラム起動手段と、
前記入力した編集情報に基づいて前記入力した画像に編集を施してなる編集画像を前記画像処理プログラムが起動した前記クライアントコンピュータに配信する画像配信手段と、
前記画像処理プログラムによる前記受信した画像の少なくとも保存処理を管理する保存処理管理手段と、
を備える画像編集受注納品管理装置。
【請求項２】
前記画像保存印刷プログラムは、前記編集画像が配信されたとき、該配信された編集画像または該編集画像をリサイズした画像を表示するようプログラムされてなる請求項１記載の画像編集受注納品管理装置。
【請求項３】
請求項２記載の画像編集受注納品管理装置であって、
前記画像処理プログラムは、前記編集画像に施す修正に関する修正情報を受け付けると共に該受け付けた修正情報を送信するようプログラムされてなり、
前記編集情報入力手段は、前記クライアントコンピュータから送信される前記修正情報を入力する手段であり、
前記画像配信手段は、前記入力した修正情報に基づいて前記編集画像に編集を施してなる画像を編集画像として前記画像処理プログラムが起動した前記クライアントコンピュータに配信する手段である
画像編集受注納品管理装置。
【請求項４】
前記画像の前記編集情報に基づく編集に対して課金処理する第１課金処理手段を備える請求項１ないし３いずれか記載の画像編集受注納品管理装置。
【請求項５】
前記第１課金処理手段は、前記編集情報に基づいて課金処理する手段である請求項４記載の画像編集受注納品管理装置。
【請求項６】
前記第１課金処理手段は、前記編集情報の入力、前記編集画像の前記クライアントコンピュータへの配信，前記編集画像の前記クライアントコンピュータによる保存のいずれかに伴って課金処理する手段である請求項４または５記載の画像編集受注納品管理装置。
【請求項７】
請求項１ないし６いずれか記載の画像編集受注納品管理装置であって、
前記画像処理プログラムは、前記クライアントコンピュータの操作者による前記編集画像の印刷物の提供の要請を受け付ける印刷物提供要請受付処理と、該印刷物の提供の要請を受け付けたときに該要請を前記ネットワークに向けて出力する要請出力処理とを行なうようプログラムされてなり、
前記クライアントコンピュータから出力された前記編集画像の印刷物の提供の要請を入力したとき、所定の印刷装置に、該要請に係る編集画像を印刷するよう指示すると共に該印刷した印刷物を前記クライアントコンピュータから指定される送付先に送付するよう指示する印刷送付指示手段を備える
画像編集受注納品管理装置。
【請求項８】
コンピュータを、請求項１ないし７いずれか記載の画像編集受注納品管理装置として機能させるプログラム。
【請求項９】
ネットワークを介して接続されたクライアントコンピュータからの画像の編集の受注と該受注に対応する画像の該クライアントコンピュータへの納品とを管理する画像編集受注納品管理方法であって、
（ａ）前記クライアントコンピュータから送信される画像を入力し、
（ｂ）前記クライアントコンピュータから送信される前記画像に施す編集に関する編集情報を入力し、
（ｃ）前記ネットワークを介して配信される画像の受信処理を行なうと共に受信した画像の保存処理を行なう画像処理プログラムを前記クライアントコンピュータで起動させ、
（ｄ）前記入力した編集情報に基づいて前記入力した画像に編集を施してなる編集画像を前記画像処理プログラムが起動した前記クライアントコンピュータに配信し、
（ｅ）前記画像処理プログラムによる前記受信した画像の少なくとも保存処理を管理する
画像編集受注納品管理方法。
【請求項１０】
前記画像処理プログラムは、前記編集画像が配信されたとき、該配信された編集画像または該編集画像をリサイズした画像を表示するようプログラムされてなる請求項９記載の画像編集受注納品管理方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の画像編集受注納品管理方法であって、
前記画像処理プログラムは、前記編集画像に施す修正に関する修正情報を受け付けると共に該受け付けた修正情報を送信するようプログラムされてなり、
前記画像保存印刷プログラムによる前記修正情報の送信がなされたとき、前記クライアントコンピュータから送信される前記修正情報を入力し、前記入力した修正情報に基づいて前記編集画像に編集を施してなる画像を新たな編集画像として前記画像処理プログラムが起動した前記クライアントコンピュータに配信するステップを備える
画像編集受注納品管理方法。
【請求項１２】
前記画像の前記編集情報に基づく編集に対して課金処理する第１課金処理ステップを備える請求項９ないし１１いずれか記載の画像編集受注納品管理方法。
【請求項１３】
前記第１課金処理ステップは、前記編集情報に基づいて課金処理するステップである請求項１２記載の画像編集受注納品管理方法。
【請求項１４】
前記第１課金処理ステップは、前記編集情報の入力、前記編集画像の前記クライアントコンピュータへの配信，前記編集画像の前記クライアントコンピュータによる保存のいずれかに伴って課金処理するステップである請求項１２または１３記載の画像編集受注納品管理方法。
【請求項１５】
請求項９ないし１４いずれか記載の画像編集受注納品管理方法であって、
前記画像処理プログラムは、前記クライアントコンピュータの操作者による前記編集画像の印刷物の提供の要請を受け付ける印刷物提供要請受付処理と、該印刷物の提供の要請を受け付けたときに該要請を前記ネットワークに向けて出力する要請出力処理とを行なうようプログラムされてなり、
前記クライアントコンピュータから出力された前記編集画像の印刷物の提供の要請を入力したとき、所定の印刷装置に、該要請に係る編集画像を印刷するよう指示すると共に該印刷した印刷物を前記クライアントコンピュータから指定される送付先に送付するよう指示する印刷送付指示ステップを備える
画像編集受注納品管理方法。
【請求項１６】
コンピュータに、請求項９ないし１５いずれか記載の画像編集受注納品管理方法における各ステップを各手順として実行させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月21日(2005.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
銀塩写真によって画像を形成するフィルムＦは、基本的に、発色／現像処理の後に行われる漂白処理および定着処理によって、存在する銀成分は全て除去されるように設計される。しかしながら、処理液の劣化等の種々の要因で漂白処理の不良等が生じると、画像（フィルムＦ）中に残留銀等の像形成中間生成物や不純物などの不要成分、すなわちノイズ成分が残存してしまい、これに起因して、階調・色再現性が悪化する、例えば、高濃度部の階調が硬くなる（硬調化する）、彩度が低下する、あるいは粒状性が悪化する、すなわち画像にざらざらした感じが残るなどの各種の不都合が生じているのは、前述のとおりである。
また、本発明者の検討によれば、ネガフィルムの場合には、処理液の限界に応じて、低濃度〜中濃度の領域よりも、高濃度部（撮影シーンの高輝度部）に、残留銀や不純物等のノイズ成分が残存してしまう場合が多い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
このため、前述したように、この残留銀による増加分ｄを除くために、図６（Ｃ）に示すグラフｃのようなグラフｂと逆特性の曲線を、読取信号（画像データ）の補正曲線（補正テーブル）として用いることにより、補正後信号（補正画像データ）を得ることができる。
こうして、残留銀のあるフィルム画像から各色の色素像の濃度を読み取る場合であっても、正常な読取信号値に等しい残留銀成分による影響のない補正後信号 (画像データ）を得ることができる。
なお、この階調の修正は、前述のように、残留銀検出および補正部５０で行っても良いし、画像補正部５４における濃度補正処理または階調変換処理で行ってもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
また、以上の例では、フィルムを対象として画像読取を行って、残留銀等のノイズ成分の検出、あるいはさらにノイズ成分に起因する画質劣化の補正を行ったが、本発明はこれに限定されず、印画紙等の画像記録媒体を対象とする画像読取にも、好適に利用可能である。
また、以上の例では、画像記録媒体に対して画像読取を行って、残留銀等のノイズ成分の検出、あるいはさらにノイズ成分に起因する画質劣化の補正を行ったが、本発明はこれに限定されず、ゴミ傷に起因する画像欠陥の検出およびその補正を行っても良いのはもちろんである。ゴミ傷の検出の場合には、読取ＩＲ濃度ＤIRから、残留銀に起因するＩＲ濃度ＤAgを減算することにより、ゴミ傷起因のＩＲ濃度Ｄdeを求め、このＩＲ濃度Ｄdeの値によって、ゴミ傷を判定すれば良い、例えば、所定の閾値より大きいＩＲ濃度Ｄdeを持つ画素をゴミ傷と判定すれば良い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、フィルムや印画紙等の画像記録媒体に撮影または記録された画像等を光電的に読み取る画像読取において、画像中に残存する銀成分等の像形成中間生成物や不純物などの不要成分を適正に検出することができる。
従って、本発明によれば、検出した残留銀等の不要成分に応じて画像データを補正することにより、残留銀等の不要成分に起因する画像の高濃度部の硬調化や彩度低下等の階調・色再現性の悪化の無い、あるいはまた、粒状性悪化の無い、高画質な画像の出力が可能であり、また、検出した残留銀等に応じて、処理液の状態等を把握して、現像装置のメンテナンスを適正に行うことができる。
さらに、本発明によれば、現像装置における、フィルムや印画紙等の銀塩写真感光材料の処理時間、すなわち現像時間、特に漂白時間を短縮することができ、現像装置における処理条件にマージンをもたせることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月8日(2004.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キー入力手段と、音声入力手段と、該音声入力手段の音声データを認識する音声認識手段と、画面表示手段と、該画面表示手段に表示される画面データとその画面での有効なコマンドとの組み合わせが蓄積されている画面データベース手段と、該画面データベース手段を参照して前記キー入力手段からのデータ又は前記音声認識手段からのデータが現在の画面で有効なコマンドか否かを判定するコマンド判定手段と、該コマンド判定手段により有効と判断されたコマンドに応じた処理を実行する処理手段とを有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、画像形成装置に、キー入力手段と、音声入力手段と、該音声入力手段の音声データを認識する音声認識手段と、画面表示手段と、該画面表示手段に表示される画面データとその画面での有効なコマンドとの組み合わせが蓄積されている画面データベース手段と、該画面データベース手段を参照して前記キー入力手段からのデータ又は前記音声認識手段からのデータが現在の画面で有効なコマンドか否かを判定するコマンド判定手段と、該コマンド判定手段により有効と判断されたコマンドに応じた処理を実行する処理手段とを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、画像形成装置に、キー入力手段と、音声入力手段と、該音声入力手段の音声データを認識する音声認識手段と、画面表示手段と、該画面表示手段に表示される画面データとその画面での有効なコマンドとの組み合わせが蓄積されている画面データベース手段と、該画面データベース手段を参照して前記キー入力手段からのデータ又は前記音声認識手段からのデータが現在の画面で有効なコマンドか否かを判定するコマンド判定手段と、該コマンド判定手段により有効と判断されたコマンドに応じた処理を実行する処理手段とを備えることにより、通常のキー入力とともに音声入力によっても処理の指示を行うことができるとともに、その時点で無効なコマンドによる予期しない動作を避けることができるという効果が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月6日(2005.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モザイク画像のデモザイク処理及びサイズ調整を実施する為の方法であって、前記モザイク画像の現在の画像ブロックを受信するステップと、前記現在の画像ブロックの指標を前記現在の画像ブロックのカラーデータに基づいて計算するステップと、前記モザイク画像のサイズ調整済画像を作成するように、前記指標に応答して前記モザイク画像の前記現在の画像ブロックから、サイズを調整した画像ブロックを生成するステップとを含み、前記サイズを調整した画像ブロックの生成が、前記モザイク画像のサイズ調整済画像がデモザイク画像となるような方法で、前記モザイク画像の前記現在の画像ブロックから選択されたカラー情報を、前記サイズを調整した画像ブロックへと割り当てるステップを含む方法。
【請求項２】
前記現在の画像ブロックの前記指標を計算する前記ステップが、前記現在の画像ブロックの前記カラーデータから統計学的指標を計算するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記統計学的指標を計算する前記ステップが、前記現在の画像ブロックの前記カラーデータから分散を計算するステップを含み、前記分散が前記統計学的指標として使用される請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記現在の画像ブロックの前記カラーデータから前記分散を計算する前記ステップが、前記現在のブロック中において、特定の色の値から前記分散を計算するステップを含む請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記現在の画像ブロックの前記指標の計算をする前記ステップが、前記現在の画像ブロックの前記カラーデータから特徴的指標を計算するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記特徴的指標を計算する前記ステップが、前記現在の画像ブロックの前記カラーデータからグラディエントを計算するステップを含み、前記グラディエントが前記特徴的指標として使用される請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記現在の画像ブロックの前記カラーデータから前記グラディエントを計算する前記ステップが、前記現在の画像ブロックにおける特定の色の値から前記グラディエントを計算するステップを含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記現在の画像ブロックの前記指標が所定の基準を満たした場合、前記現在の画像ブロックを分割することにより、新たな現在の画像ブロックが生成される請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記計算ステップ及び前記新たな現在の画像ブロックの前記生成ステップが、繰り返される請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記現在の画像ブロックを分割する前記ステップが、前記現在の画像ブロックの前記指標が所定の閾値を超えた場合に、前記現在の画像ブロックが分割されることにより、前記新たな現在の画像ブロックが生成される請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記モザイク画像の前記現在の画像ブロックの前記選択されたカラー情報を前記サイズ調整後の画像ブロックへと割り当てる前記ステップが、前記現在の画像ブロックにおけるカラー値の平均値を前記サイズ調整後の画像ブロックへと割り当てることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記モザイク画像の前記現在の画像ブロックから前記サイズ調整後の画像ブロックを生成する前記ステップが、前記モザイク画像の前記現在の画像ブロックから前記サイズ調整後の画像の画素を生成することを含む請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月8日(2004.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
図１にアクティブマトリクス方式の表示装置に用いるＴＦＴ基板を示す。ＴＦＴ基板１は、表示領域２及び周辺駆動回路３、配線４と接続端子５を有する。表示領域２は、ＴＦＴやこれに接続された画素電極などが行列状に配置され、画像を表示する部分である。周辺駆動回路３は、表示領域２の側辺に沿って配置され、表示領域２に映像信号やタイミング信号を供給する回路である。通常、水平駆動回路３ａと垂直駆動回路３ｂが表示領域２の直交する２辺に沿って配置される。外部接続端子５は、表示装置とこれを動作させる外部制御装置（図示しない）を接続するための電極である。一般的に、表示装置と外部制御装置とは、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit：フレキシブルプリント回路）を介して接続される。複数の外部接続端子５は周辺駆動回路３が配置されないＴＦＴ基板１の１辺に集中的に配置される。この領域を接続端子領域６と呼ぶ。外部接続端子５と周辺駆動回路３はＴＦＴ基板１上に形成された配線４を介して接続される。水平駆動回路３ａに接続される複数の配線４は、ＴＦＴ基板１の残りの辺に、外部接続端子５から周辺駆動回路３に制御信号を伝達する信号線が集中して配置される。このように、配線が集中して配置される領域を配線領域７と呼ぶ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この中で、表示領域２及び周辺駆動回路３はＴＦＴやコンデンサ、抵抗等、複数の回路素子を組み合わせて構成される。ＴＦＴは前述した通り、ｐ−Ｓｉ膜を含む複数の膜を用いて形成されている。一方、接続端子領域６に配置される外部接続端子５や配線領域７に配置される配線４は、例えばアルミニウム（Ａｌ）やクロム（Ｃｒ）などの金属材料で形成され、ｐ−Ｓｉ膜を用いていない。つまり、ＴＦＴ基板１には、ｐ−Ｓｉが必要な領域とｐ−Ｓｉが不要な領域がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
工程３（図２（ｃ））：ゲート電極１０５をマスクとして半導体膜１０３にＮ型の不純物を注入し、加熱処理により活性化を行い、半導体膜１０３にソース領域１０３ａ及びドレイン領域１０３ｃを形成する。半導体膜１０３で、ゲート電極１０５にマスクされた部分がチャネル領域１０３ｂになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
光照射を用いる方法には、ランプを用いるＲＴＡ（Rapid Thermal Anneal：急速熱アニール）法と、レーザ、例えばエキシマレーザを用いたＥＬＡ（Excimer Laser Anneal：エキシマレーザアニール）法がある。ＥＬＡ法では、レーザ光の照射領域でのサイズが０．５ラ１５０ｍｍ程度と比較的小さく、ガラス全面を処理するためには、高精度な位置合わせが必要であるとともに、ガラスの移動及びレーザ照射を繰り返す必要があるため、スループットが小さい。また、発振波長が短いため、ゲート電極材料にも反射・吸収されやすく、ゲート電極下の膜を十分に活性化することができない。ＥＬＡ法は、ゲート電極の材料、サイズ及びパターン密度の設定によって効果に大きな差が生じる。そのため、ゲート電極の設定を誤った状態で、十分な活性化を行おうとすると、特にトップゲート型構造の場合は、レーザ照射により、ゲート電極を溶かしたり、アブレーションによって蒸発・飛散させたりしてしまうことがある。また、ＲＴＡ法を用いた場合には、ガラス基板を移動させつつ、発光波長が比較的ブロードであるキセノンアークランプのランプ光を幅１０ｍｍラ長さ４００ｍｍ以上の大きなビームで照射するか、若しくは、ガラス基板を段階的に温度が上昇、降下する複数枚のプレヒート基板の上を移動させることにより、連続的に熱処理を行う。このため、スループットが高く、ゲート電極構造も影響を受けにくい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【発明の実施の形態】
まず、第１の実施形態について説明する。図３は、第１の実施形態にかかるマザーガラスの平面図である。図３のマザーガラス１１は、無アルカリガラス等からなる絶縁基板上に、ｐ−Ｓｉからなる表示領域２及び周辺駆動回路３及び変質吸収領域１２が形成されている。周辺駆動回路３は水平駆動回路３ａと垂直駆動回路３ｂで構成されている。表示領域２及び水平駆動回路３ａ及び垂直駆動回路３ｂは、マザーガラス１１に形成される各ＴＦＴ基板１の数に形成されている。変質吸収領域１２は、表示領域２及び周辺駆動回路３と分離され、マザーガラス１１の外周を囲むように形成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図４は、ＲＴＡ中のマザーガラスのある１点における温度変化を表したグラフである。なお、ここでは、ランプを用いるＲＴＡを例示している。マザーガラス１１は、石英などからなる複数のローラーで構成されるコンベアによって一定の速度で搬送され、ランプの下を通過するときに光を照射され、加熱される。ランプによる照射光の断面は、マザーガラス１１の進行方向と垂直な方向に、マザーガラス１１よりも幅が広い矩形若しくは楕円形である。ランプが照射されたマザーガラス１１は、徐々に温度が上昇し、そしてランプの直下を通過した直後にピークに達して、下降する。マザーガラス１１はランプの下を搬送されるため、マザーガラス１１の温度上昇のタイミングはマザーガラス１１内の部分によって異なり、ピークに達するタイミングも同時ではない。そのため、ある一時点におけるマザーガラスの伸縮の度合いはマザーガラスの位置によってばらつきがある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
工程３（図２（ｃ））：ゲート電極１０５をマスクとして半導体膜１０３にＮ型の不純物を注入し、加熱処理により活性化を行い、半導体膜１０３にソース領域１０３ａ及びドレイン領域１０３ｃを形成する。半導体膜１０３で、ゲート電極１０５にマスクされた部分がチャネル領域１０３ｂになる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月12日(2004.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、前記半導体基板中に形成された拡散領域を含むトランジスタと、
前記半導体基板上に形成され、下部電極と強誘電体膜と上部電極とを順次積層した構造のキャパシタと、
前記半導体基板上に前記キャパシタを覆うように形成された絶縁膜と、
絶縁膜に、前記キャパシタの上部電極を露出するように形成された第１のコンタクトホールと、
絶縁膜に、前記拡散領域を露出するように形成された第２のコンタクトホールと、
前記第１のコンタクトホール中にＣＶＤ法により形成された第１の導電プラグと、
前記第２のコンタクトホール中にＣＶＤ法により形成された第２の導電プラグとよりなり、
前記第１の導電プラグと前記上部電極との間には導電性窒化膜が、前記第１のコンタクトホール内壁および前記上部電極表面に接するように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２のコンタクトホールには、前記第２の導電プラグと前記拡散領域との間に、前記第２のコンタクトホール内壁および前記拡散領域に接するように、別の導電性窒化膜が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２のコンタクトホールには、前記第２の導電プラグと前記拡散領域との間に、前記第２のコンタクトホール内壁および前記拡散領域に接するように金属膜が形成されており、前記金属膜上には別の導電性窒化膜が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
さらに、前記第１のコンタクトホール中には、前記導電性窒化膜と前記第１の導電プラグとの間に、前記金属膜と同一組成の金属膜と、前記別の導電性窒化膜と同一組成の導電性窒化膜とを積層した構造が介在することを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、前記半導体基板中に形成された拡散領域を含むトランジスタと、前記半導体基板上に形成され、下部電極と強誘電体膜と上部電極とを順次積層した構造の強誘電体キャパシタとを有する半導体装置の製造方法であって、
（ａ）前記半導体基板上に、前記強誘電体キャパシタを覆うように絶縁膜を形成する工程と、
（ｂ）前記絶縁膜中に、前記上部電極および前記下部電極を露出するように、第１および第２のコンタクトホールをそれぞれ形成する工程と、
（ｃ）前記強誘電体キャパシタを酸化雰囲気中において熱処理する工程と、
（ｄ）前記絶縁膜中に、前記拡散領域を露出するように第３のコンタクトホールを形成する工程と、
（ｅ）前記絶縁膜上に、前記第１〜第３のコンタクトホールを含むように、第１の導電性窒化膜を形成する工程と、
（ｆ）前記第１の導電性窒化膜上に導電層を、前記導電層が前記第１〜第３のコンタクトホールを充填するようにＣＶＤ法により形成する工程とを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の導電性窒化膜は、前記第１のコンタクトホールにおいて、前記露出された上部電極と直接にコンタクトするように、また前記第２のコンタクトホールにおいて、前記露出された下部電極と直接にコンタクトするように、また前記第３のコンタクトホールにおいて、前記拡散領域と直接にコンタクトするように形成されることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記工程（ｃ）と工程（ｄ）との間に、
（ｃ１）前記絶縁膜上に、前記第１および第２のコンタクトホールを含むように、第２の導電性窒化膜を、前記第１のコンタクトホールにおいて、前記露出された上部電極と直接にコンタクトするように、また前記第２のコンタクトホールにおいて、前記露出された下部電極と直接にコンタクトするように堆積する工程と、
（ｃ２）前記第２の導電性窒化膜を、前記第１および第２のコンタクトホールを含む領域を除いて除去する工程とをさらに設けたことを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記工程（ｅ）では、前記絶縁膜上に、前記第１〜第３のコンタクトホールを含むように、前記第１の導電性窒化膜の下に金属膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
さらに前記導電層および前記第１の導電性窒化膜を前記絶縁膜の表面から除去する工程とを含むことを特徴とする請求項５〜８のうち、いずれか一項記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の課題を、半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、前記半導体基板中に形成された拡散領域を含むトランジスタと、前記半導体基板上に形成され、下部電極と強誘電体膜と上部電極とを順次積層した構造のキャパシタと、前記半導体基板上に前記キャパシタを覆うように形成された絶縁膜と、絶縁膜に、前記キャパシタの上部電極を露出するように形成された第１のコンタクトホールと、絶縁膜に、前記拡散領域を露出するように形成された第２のコンタクトホールと、前記第１のコンタクトホール中にＣＶＤ法により形成された第１の導電プラグと、前記第２のコンタクトホール中にＣＶＤ法により形成された第２の導電プラグとよりなり、前記第１の導電プラグと前記上部電極との間には導電性窒化膜が、前記第１のコンタクトホール内壁および前記上部電極表面に接するように形成されていることを特徴とする半導体装置により、解決する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明はまた上記の課題を、半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、前記半導体基板中に形成された拡散領域を含むトランジスタと、前記半導体基板上に形成され、下部電極と強誘電体膜と上部電極とを順次積層した構造の強誘電体キャパシタとを有する半導体装置の製造方法であって、（ａ）前記半導体基板上に、前記強誘電体キャパシタを覆うように絶縁膜を形成する工程と、（ｂ）前記絶縁膜中に、前記上部電極および前記下部電極を露出するように、第１および第２のコンタクトホールをそれぞれ形成する工程と、（ｃ）前記強誘電体キャパシタを酸化雰囲気中において熱処理する工程と、（ｄ）前記絶縁膜中に、前記拡散領域を露出するように第３のコンタクトホールを形成する工程と、（ｅ）前記絶縁膜上に、前記第１〜第３のコンタクトホールを含むように、第１の導電性窒化膜を形成する工程と、（ｆ）前記第１の導電性窒化膜上に導電層を、前記導電層が前記第１〜第３のコンタクトホールを充填するようにＣＶＤ法により形成する工程とを特徴とする半導体装置の製造方法により、解決する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月26日(2004.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路面に突起電極を有する第１の半導体素子と、前記第１の半導体素子の回路面に実装される第２の半導体素子と、前記第１の半導体素子の突起電極を実装する実装基板とを有する電子部品。
【請求項２】
回路面に突起電極を有する第１の半導体素子と、回路面に突起電極を有する第２の半導体素子とを有し、前記第１の半導体素子の突起電極を有する回路面と対向して前記第２の半導体素子の突起電極を配置し、前記第１の半導体素子の回路面に前記第２の半導体素子の突起電極を実装し、前記第１の半導体素子の突起電極を実装する回路面を有する実装基板からなる電子部品。
【請求項３】
第２の半導体素子は第１の半導体素子の突起電極間に配置されている請求項１又は２記載の電子部品。
【請求項４】
第３の半導体素子を、第２の半導体素子と併設して、第１の半導体素子の突起電極間に配置されている請求項３記載の電子部品。
【請求項５】
回路面に突起電極を有する第１の半導体素子と、回路面に突起電極を有する第２の半導体素子とを有し、前記第１の半導体素子の突起電極を有する回路面と対向して前記第２の半導体素子の突起電極を配置し、前記第１の半導体素子の回路面に前記第２の半導体素子の突起電極を実装し、前記第１の半導体素子の突起電極を実装基板の回路面に実装する電子部品の組立方法。
【請求項６】
第２の半導体素子の突起電極の大きさが５０μｍ以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために本発明は、回路面に突起電極を有する第１の半導体素子と、前記第１の半導体素子の回路面に実装される第２の半導体素子とを構成することにより、小型、高容量の半導体素子を実装した電子部品とを有する。さらに、第３の半導体素子を、第２の半導体素子と併設して、第１の半導体素子の突起電極間に配置する電子部品を用いてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月4日(2005.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
拡散金属と、
少なくとも１つの浮遊ゲートと、
前記拡散金属および前記浮遊ゲートの間に配置されるゲート絶縁体と、
前記ゲート絶縁体に接続されるチャネル領域と、
前記チャネル領域に接続されるソースと、
前記チャネル領域に接続されるドレインと、を備え、
前記拡散金属は、書き込み電圧に応答して、導電性のエレメントを、前記ゲート絶縁体を介して拡散させる、
メモリセル。
【請求項２】
前記チャネル領域、前記ソース、および前記ドレインは、半導体材料の連続した層の一部である、
請求項１に記載のメモリセル。
【請求項３】
前記ソースおよび前記ドレインは、前記半導体材料の前記層のドープされた領域である、
請求項２に記載のメモリセル。
【請求項４】
前記ゲート絶縁体は、前記拡散金属および前記浮遊ゲートの間と、前記浮遊ゲートおよび前記チャネル領域の間に広がっている、
請求項１に記載のメモリセル。
【請求項５】
前記拡散金属は、ゲート電極である、
請求項４に記載のメモリセル。
【請求項６】
前記浮遊ゲートは、複数の浮遊ゲートを含み、前記ゲート絶縁体は、該浮遊ゲート間に広がっている、
請求項１に記載のメモリセル。
【請求項７】
基板と、
前記基板上に配置された複数のゲート・ラインと、
前記基板上に配置され、前記ゲート・ラインと交差する複数のデータ・ラインと、
前記ゲート・ラインおよび前記データ・ラインが交差する箇所に配置される複数のメモリセルと、を備えるメモリアレイであって、
それぞれの前記メモリセルは、該メモリセルにおいて交差する前記ゲートラインおよび前記データラインに接続されており、
前記メモリセルは、さらに、
拡散金属と、
少なくとも１つの浮遊ゲートと、
前記拡散金属および前記浮遊ゲートの間に配置されるゲート絶縁体と、
前記ゲート絶縁体に接続されるチャネル領域と、
前記チャネル領域に接続されるソースと、
前記チャネル領域に接続されるドレインと、を備え、
前記拡散金属は、書き込み電圧に応答して、導電性のエレメントを、前記ゲート絶縁体を介して拡散させる、
メモリアレイ。
【請求項８】
前記データ・ラインは、半導体材料のストリップを含み、
前記ソースおよび前記ドレインは、該データ・ラインのドープされた領域を含む、
請求項７に記載のメモリアレイ。
【請求項９】
前記ゲート絶縁体は、前記拡散金属および前記浮遊ゲートの間と、前記浮遊ゲートおよび前記チャネル領域の間に広がっている、
請求項７に記載のメモリアレイ。
【請求項１０】
前記ゲート・ラインは、前記メモリセルに接続される導電性のラインであり、前記拡散金属は、該ゲート・ラインの一部を含む、
請求項７に記載のメモリアレイ。
【請求項１１】
前記浮遊ゲートは、複数の浮遊ゲートを含み、前記ゲート絶縁体は、該浮遊ゲート間に広がっている、
請求項７に記載のメモリアレイ。
【請求項１２】
前記ゲート・ラインは、
前記ゲート絶縁体上に配置される第１の導体と、
前記第１の導体に接続される第２の導体と、を含む、
請求項７に記載のメモリアレイ。
【請求項１３】
前記第１の導体は、前記ゲート絶縁体および前記第２の導体の間に配置される拡散金属を含む、
請求項１２に記載のメモリアレイ。
【請求項１４】
前記基板は、少なくとも１つのガラスまたはプラスチックを含む、
請求項７に記載のメモリアレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月8日(2005.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデータセットを通信する方法であって、
それぞれの前記データセットを、複数のセグメントに分割するステップと、
前記分割されたデータセットに従って、前記セグメントのそれぞれに送信優先順位を割り当てるステップと、
前記割り当てられた優先順位の順に前記セグメントを送信することにより、該優先順位のより高いセグメント間の送信アイドル時間中に、該優先順位のより低いセグメントが送信されるようにするステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
さらに、
前記複数のデータセットのうちの少なくとも１つに優先順位を割り当てることにより、該優先順位を割り当てられた該データセットのセグメントに、より高い前記優先順位を割り当てるようにする、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記セグメントは、インターネットプロトコルのデータグラムである、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記複数のデータセットは、イメージデータセットである、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
複数のデータセットを通信するための装置であって、
前記複数のデータセットのそれぞれを、複数のセグメントに分割する手段と、
前記セグメントに分割されたデータセットに従って、該セグメントのそれぞれに送信優先順位を割り当てる手段と、
前記セグメントを、前記割り当てられた優先順位の順に送信することにより、該優先順位のより高いセグメント間の送信アイドル時間中に、該優先順位のより低いセグメントが送信されるようにする手段と、
を備える、装置。
【請求項６】
前記複数のデータセットのうちの少なくとも１つに優先順位を割り当てることにより、該優先順位を割り当てられた該データセットのセグメントに、より高い優先順位が割り当てられるようにする、
請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記セグメントは、インターネットプロトコルのデータグラムである、
請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記複数のデータセットは、イメージデータセットである、
請求項５に記載の装置。
【請求項９】
複数のデータセットを通信するためのコンピュータ読み出し可能媒体であって、
前記複数のデータセットのそれぞれを、複数のセグメントに分割するよう構成されたロジックと、
前記セグメントに分割されたデータセットに従って、該セグメントのそれぞれに送信優先順位を割り当てるよう構成されたロジックと、
前記セグメントを、前記割り当てられた優先順位の順に送信することにより、該優先順位のより高いセグメント間の送信アイドル時間中に、該優先順位のより低いセグメントが送信されるよう構成されたロジックと、
を含む、コンピュータ読み出し可能媒体。
【請求項１０】
前記複数のデータセットのうちの少なくとも１つに優先順位を割り当てることにより、該優先順位が割り当てられたデータセットのセグメントに、より高い優先順位が割り当てられるよう構成されたロジックをさらに含む、
請求項９に記載のコンピュータ読み出し可能媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月15日(2004.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
電話回線の交換を行う回線交換手段を有する電話回線の交換センターであって、この交換センターは前記回線交換手段の他コード発生送信手段、コード連結記憶手段、コード受信検索手段、ダイヤルアップ接続手段およびデータベースを有しており、発信者が発信者電話端末によって交換センターにコード要求接続すると交換センターはコード発生送信手段により一定のコードを発生させてそのコードを発信者電話端末へ送信し発信者電話端末はこのコードを受信し、このとき交換センターはコード連結記憶手段によりコードと発信者電話端末の電話番号とを連結して記憶しデータベース化し、そして発信者電話端末により交換センターからコードを受信した発信者は発信者電話端末と交換センターとの接続を解除した後その受信したコードをコードの伝達が可能な任意の情報伝達手段により受信者に伝達し、受信者が発信者との電話回線による通話を希望する場合は受信者電話端末により交換センターにコード返信接続してコードを送信すると、交換センターはコード受信検索手段によりそのコードを受信しそのコードをデータベース内で検索して受信者にコードを伝達した発信者の発信者電話端末を特定し、ダイヤルアップ接続手段によりその発信者電話端末にダイヤルアップ接続して回線を確立した後その発信者電話端末の回線とコード返信接続後そのまま交換センターと接続維持している受信者電話端末の回線とを回線交換手段により交換することで両電話端末間の通話を成立させることを特徴とする電話回線の交換センター。