【手続補正書】
【提出日】平成16年10月5日(2004.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表されるナフタレン誘導体と、ホルムアルデヒドまたはヒドロキシナフトアルデヒドとの縮合重合体からなり、前記ナフタレン誘導体成分中の少なくとも５％は、２個の水酸基またはカルボキシル基を置換基として含むことを特徴とする水性アルカリ可溶性樹脂。
【化１】
2003201324.tif 000001
（式中、Ｒ１〜Ｒ８は水酸基、水素、炭素数１〜４の置換または無置換アルキル基、ハロゲン、フェニル基、メトキシ基、エトキシエチル基、シクロプロピル基、アセチル基、カルボキシル基の中から選ばれる原子または原子団を表わす。また、Ｒ１〜Ｒ８は、１個または２個の水酸基を必ず含み、少なくとも２個の水素原子を含む。）
【請求項２】
下記一般式（１）で表されるナフタレン誘導体と、下記一般式（２）で表されるメチロール基含有化合物との縮合重合体からなることを特徴とする水性アルカリ可溶性樹脂。
【化２】
2003201324.tif 000002
（式中、Ｒ１〜Ｒ８は水酸基、水素、炭素数１〜４の置換または無置換アルキル基、ハロゲン、フェニル基、メトキシ基、エトキシエチル基、シクロプロピル基、アセチル基、カルボキシル基の中から選ばれる原子または原子団を表わす。また、Ｒ１〜Ｒ８は、１個または２個の水酸基を必ず含み、少なくとも２個の水素原子を含む。）
【化３】
2003201324.tif 000003
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はメチロール基、水素、炭素数１〜４の置換または無置換アルキル基、ハロゲン、水酸基、フェニル基、メトキシ基、エトキシエチル基、シクロプロピル基、アセチル基の中から選ばれる原子または原子団を表わす。また、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも２個のメチロール基を含む。）
【請求項３】
下記一般式（１）で表されるナフタレン誘導体と、下記一般式（３）または（４）で表されるメチロール基含有化合物との縮合重合体からなることを特徴とする水性アルカリ可溶性樹脂。
【化４】
2003201324.tif 000004
（式中、Ｒ１〜Ｒ８は水酸基、水素、炭素数１〜４の置換または無置換アルキル基、ハロゲン、フェニル基、メトキシ基、エトキシエチル基、シクロプロピル基、アセチル基、カルボキシル基の中から選ばれる原子または原子団を表わす。また、Ｒ１〜Ｒ８は、１個または２個の水酸基を必ず含み、少なくとも２個の水素原子を含む。）
【化５】
2003201324.tif 000005
（式中、Ｒ１〜Ｒ８はメチロール基、水素、炭素数１〜４の置換または無置換アルキル基、ハロゲン、水酸基、フェニル基、メトキシ基、エトキシエチル基、シクロプロピル基、アセチル基の中から選ばれる原子または原子団を表わす。また、Ｒ１〜Ｒ８は、少なくとも２個のメチロール基を含む。）
【化６】
2003201324.tif 000006
（式中、Ｒ１〜Ｒ１０はメチロール基、水素、炭素数１〜４の置換または無置換アルキル基、ハロゲン、水酸基、フェニル基、メトキシ基、エトキシエチル基、シクロプロピル基、アセチル基の中から選ばれる原子または原子団を表わす。また、Ｒ１〜Ｒ１０は、少なくとも２個のメチロール基を含む。）
【請求項４】
下記一般式（５）で表されるナフトエ酸誘導体と、フェノール系高分子または多価フェノール化合物とのエステル化物からなり、前記フェノール系高分子または多価フェノール化合物のエステル化率が３０％以上であることを特徴とする水性アルカリ可溶性樹脂。
【化７】
2003201324.tif 000007
（式中、Ｒ１〜Ｒ８はカルボキシル基、水酸基、水素、炭素数１〜４の置換または無置換アルキル基、ハロゲン、フェニル基、メトキシ基、エトキシエチル基、シクロプロピル基、アセチル基の中から選ばれる原子または原子団を表わす。また、Ｒ１〜Ｒ８は、１個のカルボキシル基を必ず含み、少なくとも１個の水酸基を含む。）
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の水性アルカリ可溶性樹脂またはその誘導体を、塗膜性をもたらす高分子樹脂マトリックスとして含有することを特徴とする感光性樹脂組成物。
【請求項６】
所定パターン形状の遮光膜を有し、前記遮光膜パターンの少なくとも一部が、フォトマスク基板上に形成された感光性樹脂組成物膜への所定データに基づく活性化学線の描画工程と現像工程とによって形成された所定パターンの樹脂膜からなるフォトマスクであって、  前記感光性樹脂組成物膜の塗布性をもたらす高分子マトリックス樹脂は、ＫｒＦエキシマレーザ光の吸光剤構造としてナフタレン核に少なくとも１個の水酸基が結合したナフトール構造を組み込んだ水性アルカリ可溶性樹脂、または前記水性アルカリ可溶性樹脂の誘導体であることを特徴とするＫｒＦエキシマレーザリソグラフィ用フォトマスク。
【請求項７】
請求項６記載のフォトマスクであって、前記高分子マトリックス樹脂は、下記一般式（１）で表されるナフタレン誘導体とアルデヒド類もしくは下記一般式（２）、（３）または（４）で表されるメチロール基含有化合物との縮合重合体からなる水性アルカリ可溶性樹脂、または下記一般式（５）で表されるナフトエ酸誘導体とフェノール系高分子もしくは多価フェノール化合物とのエステル化物からなる水性アルカリ可溶性樹脂、またはこれら水性アルカリ可溶性樹脂の誘導体であることを特徴とするＫｒＦエキシマレーザリソグラフィ用フォトマスク。
【化８】
2003201324.tif 000008
（式中、Ｒ１〜Ｒ８は水酸基、水素、炭素数１〜４の置換または無置換アルキル基、ハロゲン、フェニル基、メトキシ基、エトキシエチル基、シクロプロピル基、アセチル基、カルボキシル基の中から選ばれる原子または原子団を表わす。また、Ｒ１〜Ｒ８は、１個または２個の水酸基を必ず含み、少なくとも２個の水素原子を含む。）
【化９】
2003201324.tif 000009
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はメチロール基、水素、炭素数１〜４の置換または無置換アルキル基、ハロゲン、水酸基、フェニル基、メトキシ基、エトキシエチル基、シクロプロピル基、アセチル基の中から選ばれる原子または原子団を表わす。また、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも２個のメチロール基を含む。）
【化１０】
2003201324.tif 000010
（式中、Ｒ１〜Ｒ８はメチロール基、水素、炭素数１〜４の置換または無置換アルキル基、ハロゲン、水酸基、フェニル基、メトキシ基、エトキシエチル基、シクロプロピル基、アセチル基の中から選ばれる原子または原子団を表わす。また、Ｒ１〜Ｒ８は、少なくとも２個のメチロール基を含む。）
【化１１】
2003201324.tif 000011
（式中、Ｒ１〜Ｒ１０はメチロール基、水素、炭素数１〜４の置換または無置換アルキル基、ハロゲン、水酸基、フェニル基、メトキシ基、エトキシエチル基、シクロプロピル基、アセチル基の中から選ばれる原子または原子団を表わす。また、Ｒ１〜Ｒ１０は、少なくとも２個のメチロール基を含む。）
【化１２】
2003201324.tif 000012
（式中、Ｒ１〜Ｒ８はカルボキシル基、水酸基、水素、炭素数１〜４の置換または無置換アルキル基、ハロゲン、フェニル基、メトキシ基、エトキシエチル基、シクロプロピル基、アセチル基の中から選ばれる原子または原子団を表わす。また、Ｒ１〜Ｒ８は、１個のカルボキシル基を必ず含み、少なくとも１個の水酸基を含む。）
【請求項８】
所定の遮光膜パターンが描かれたフォトマスクを照明し、投影光学系を介して前記パターンをウエハ上に転写する投影露光を繰り返し実施して所定のパターンを順次形成していく工程を含む電子デバイスの製造方法であって、ＫｒＦエキシマレーザ光を用いる投影露光工程を少なくとも一つ含み、前記ＫｒＦエキシマレーザ光を用いる投影露光工程に使用するフォトマスクが、請求項６または７記載のＫｒＦエキシマレーザリソグラフィ用フォトマスクであることを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項９】
フォトマスク基板上に形成された感光性樹脂組成物膜を遮光膜パターンとして用いるフォトマスクであって、
前記感光性樹脂組成物膜の塗布性をもたらす高分子マトリックス樹脂は、ＫｒＦエキシマレーザ光の吸光剤構造として、ナフタレン核に少なくとも１個の水酸基が結合したナフトール構造を組み込んだ水性アルカリ可溶性樹脂、または前記水性アルカリ可溶性樹脂の誘導体であることを特徴とするフォトマスク。
【請求項１０】
請求項９記載のフォトマスクであって、前記高分子マトリックス樹脂は、下記一般式（１）で表されるナフタレン誘導体と、ホルムアルデヒドまたはヒドロキシナフトアルデヒドとの縮合重合体を含み、前記ナフタレン誘導体成分中の少なくとも５％は、２個の水酸基またはカルボキシル基を置換基として有することを特徴とするフォトマスク。
【化１３】
2003201324.tif 000013
（式中、Ｒ１〜Ｒ８は水酸基、水素、炭素数１〜４の置換または無置換アルキル基、ハロゲン、フェニル基、メトキシ基、エトキシエチル基、シクロプロピル基、アセチル基、カルボキシル基の中から選ばれる原子または原子団を表わす。また、Ｒ１〜Ｒ８は、１個または２個の水酸基を必ず含み、少なくとも２個の水素原子を含む。）
【請求項１１】
請求項９記載のフォトマスクであって、前記高分子マトリックス樹脂は、下記一般式（１）で表されるナフタレン誘導体と、下記一般式（２）で表されるメチロール基含有化合物との縮合重合体を含むことを特徴とするフォトマスク。
【化１４】
2003201324.tif 000014
（式中、Ｒ１〜Ｒ８は水酸基、水素、炭素数１〜４の置換または無置換アルキル基、ハロゲン、フェニル基、メトキシ基、エトキシエチル基、シクロプロピル基、アセチル基、カルボキシル基の中から選ばれる原子または原子団を表わす。また、Ｒ１〜Ｒ８は、１個または２個の水酸基を必ず含み、少なくとも２個の水素原子を含む。）
【化１５】
2003201324.tif 000015
（式中、Ｒ１〜Ｒ６はメチロール基、水素、炭素数１〜４の置換または無置換アルキル基、ハロゲン、水酸基、フェニル基、メトキシ基、エトキシエチル基、シクロプロピル基、アセチル基の中から選ばれる原子または原子団を表わす。また、Ｒ１〜Ｒ６は、少なくとも２個のメチロール基を含む。）
【請求項１２】
請求項９記載のフォトマスクであって、前記高分子マトリックス樹脂は、下記一般式（１）で表されるナフタレン誘導体と、下記一般式（３）または（４）で表されるメチロール基含有化合物との縮合重合体を含むことを特徴とするフォトマスク。
【化１６】
2003201324.tif 000016
（式中、Ｒ１〜Ｒ８は水酸基、水素、炭素数１〜４の置換または無置換アルキル基、ハロゲン、フェニル基、メトキシ基、エトキシエチル基、シクロプロピル基、アセチル基、カルボキシル基の中から選ばれる原子または原子団を表わす。また、Ｒ１〜Ｒ８は、１個または２個の水酸基を必ず含み、少なくとも２個の水素原子を含む。）
【化１７】
2003201324.tif 000017
（式中、Ｒ１〜Ｒ８はメチロール基、水素、炭素数１〜４の置換または無置換アルキル基、ハロゲン、水酸基、フェニル基、メトキシ基、エトキシエチル基、シクロプロピル基、アセチル基の中から選ばれる原子または原子団を表わす。また、Ｒ１〜Ｒ８は、少なくとも２個のメチロール基を含む。）
【化１８】
2003201324.tif 000018
（式中、Ｒ１〜Ｒ１０はメチロール基、水素、炭素数１〜４の置換または無置換アルキル基、ハロゲン、水酸基、フェニル基、メトキシ基、エトキシエチル基、シクロプロピル基、アセチル基の中から選ばれる原子または原子団を表わす。また、Ｒ１〜Ｒ１０は、少なくとも２個のメチロール基を含む。）
【請求項１３】
請求項９記載のフォトマスクであって、前記高分子マトリックス樹脂は、下記一般式（５）で表されるナフトエ酸誘導体と、フェノール系高分子または多価フェノール化合物とのエステル化物を含み、前記フェノール系高分子または多価フェノール化合物のエステル化率が３０％以上であることを特徴とするフォトマスク。
【化１９】
2003201324.tif 000019
（式中、Ｒ１〜Ｒ８はカルボキシル基、水酸基、水素、炭素数１〜４の置換または無置換アルキル基、ハロゲン、フェニル基、メトキシ基、エトキシエチル基、シクロプロピル基、アセチル基の中から選ばれる原子または原子団を表わす。また、Ｒ１〜Ｒ８は、１個のカルボキシル基を必ず含み、少なくとも１個の水酸基を含む。）