(57)【要約】【課題】永久磁石の磁力による影響を排除して小型化を図ることができ、かつ、特性のばらつきを回避できる非可逆回路部品及びその製造方法を得る。【解決手段】互いに電気的に絶縁状態で交差して配置された複数の中心電極を有するフェライト３２と、該フェライト３２に直流磁界を印加するようにフェライト３２の両主面に固着した一対の永久磁石４１と、チップ状の整合回路素子Ｃ１，Ｃ２，ＣＳ１，ＣＳ２，Ｒとが樹脂ブロック１１に配置されている非可逆回路部品１０。永久磁石４１は樹脂ブロック１１に配置される際は未着磁であり、フェライト３２や整合回路素子とともに樹脂ブロック１１に配置された後に着磁される。永久磁石４１が着磁、磁力調整された後、非可逆回路部品１０は実装基板２０に搭載される。【選択図】図１
2010183130.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに電気的に絶縁状態で交差して配置された複数の中心電極を有するフェライトと、該フェライトに直流磁界を印加する永久磁石と、チップ状の整合回路素子とが樹脂ブロックに配置されており、
前記フェライトと前記整合回路素子のそれぞれの一面には接続用電極が形成されているとともに、これらの接続用電極が前記樹脂ブロックの一面に露出していること、
を特徴とする非可逆回路部品。
【請求項２】
前記フェライトの二つの主面を一対の永久磁石で挟着し、該フェライトの主面と直交する底面が前記樹脂ブロックの一面に露出していること、を特徴とする請求項１に記載の非可逆回路部品。
【請求項３】
前記フェライトの第１の主面上に前記永久磁石が配置され、該フェライトの第２の主面が前記樹脂ブロックの一面に露出していること、を特徴とする請求項１に記載の非可逆回路部品。
【請求項４】
前記中心電極は導体膜にて形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の非可逆回路部品。
【請求項５】
互いに電気的に絶縁状態で交差して配置された複数の中心電極を有するフェライトと、該フェライトに直流磁界を印加する未着磁の永久磁石と、チップ状の整合回路素子とを、前記フェライトと前記整合回路素子のそれぞれの一面に形成された接続用電極が樹脂ブロックの一面に露出するように樹脂ブロックに配置する工程と、
前記樹脂ブロックに配置された永久磁石に対して着磁する工程と、
を備えたことを特徴とする非可逆回路部品の製造方法。
【請求項６】
樹脂ブロックの一面から露出した前記接続用電極を測定用基板上に形成した測定用電極に電気的に接続した状態で前記永久磁石を着磁することを特徴とする請求項５に記載の非可逆回路部品の製造方法。
【請求項７】
基板上の所定位置に配置されたフェライト、永久磁石及び整合回路素子を、樹脂材にて封止し、該樹脂材を硬化させた後に前記基板から分離すること、を特徴とする請求項５に記載の非可逆回路部品の製造方法。
【請求項８】
複数組のフェライト、永久磁石及び整合回路素子を基板の所定位置に配置して樹脂材にて封止し、該樹脂材を硬化させた後に樹脂材にカット用切れ目を形成し、該切れ目に沿って非可逆回路部品を一組ごとに前記基板から分離すること、を特徴とする請求項５に記載の非可逆回路部品の製造方法。
【請求項９】
フェライト及び整合回路素子の接続用電極を前記基板上に形成した電極にはんだ付けし、非可逆回路部品を前記基板から分離する際に前記基板上の電極が前記接続用電極に付着した状態で前記基板から剥離されること、を特徴とする請求項７又は請求項８に記載の非可逆回路部品の製造方法。
【請求項１０】
樹脂ブロックに予め形成された収容凹部にフェライト、永久磁石及び整合回路素子を嵌め込むことを特徴とする請求項５に記載の非可逆回路部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非可逆回路部品及びその製造方法、特に、マイクロ波帯で使用されるアイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子を構成する部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、アイソレータやサーキュレータなどの非可逆回路素子は、予め定められた特定方向にのみ信号を伝送し、逆方向には伝送しない特性を有している。この特性を利用して、例えば、アイソレータは、自動車電話、携帯電話などの移動体通信機器の送信回路部に使用されている。
【０００３】
一般に、この種の非可逆回路素子では、中心電極が形成されたフェライトとそれに直流磁界を印加する永久磁石とからなるフェライト・磁石素子や、抵抗やコンデンサ(容量)からなる所定の整合回路素子を備えている。また、複数の非可逆回路素子を備えた複合電子部品、あるいは、非可逆回路素子とパワーアンプ素子とを備えた複合電子部品などがモジュールとして提供されている。
【０００４】
ところで、前記フェライト・磁石素子は、永久磁石の磁力を測定、調整した後に基板の表面に接合（例えば、リフローによるはんだ付け）されるため（特許文献１，２参照）、既に着磁されている永久磁石の漏れ磁束が同時に基板の表面に接合される磁性部分を有する他の素子を引き寄せるあるいは反発させる傾向にあり、フェライト・磁石素子と他の素子との距離を大きく設定しておく必要が生じていた。このため、フェライト・磁石素子を備えた非可逆回路素子や複合電子部品のサイズが大型化するという問題点を有していた。
【０００５】
また、フェライト・磁石素子を単体で供給し、供給先で必要な整合回路素子と組み合わせて非可逆回路素子を組み立てると、フェライト・磁石素子は標準的な特性の整合回路素子を想定して磁力調整されているため、後に組み合わされる整合回路素子の特性のばらつきに起因して周波数特性が悪化するおそれを有していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２９９９１４号公報
【特許文献２】特開２００５−１１７５００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
そこで、本発明の目的は、永久磁石の磁力による影響を排除して小型化を図ることができ、かつ、特性のばらつきを回避できる非可逆回路部品及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するため、本発明の第１形態である非可逆回路部品は、
互いに電気的に絶縁状態で交差して配置された複数の中心電極を有するフェライトと、該フェライトに直流磁界を印加する永久磁石と、チップ状の整合回路素子とが樹脂ブロックに配置されており、
前記フェライトと前記整合回路素子のそれぞれの一面には接続用電極が形成されているとともに、これらの接続用電極が前記樹脂ブロックの一面に露出していること、
を特徴とする。
【０００９】
前記非可逆回路部品においては、フェライトと永久磁石とチップ状の整合回路素子とを一体的に樹脂ブロックに配置する際、永久磁石を未着磁としておき、一体化された状態で永久磁石に着磁を施すことができる。これにて、整合回路素子を永久磁石の磁力に影響されることなく永久磁石の周辺に近づけて配置できるので、部品が小型化されることになる。また、実際に搭載される整合回路素子を含めた状態で永久磁石の磁力を調整した後にユーザーに出荷されるため、ユーザー側では新たに整合回路素子を組み込む必要はなく、特性がばらつくなどの不具合が回避される。
【００１０】
本発明の第２形態である非可逆回路部品の製造方法は、
互いに電気的に絶縁状態で交差して配置された複数の中心電極を有するフェライトと、該フェライトに直流磁界を印加する未着磁の永久磁石と、チップ状の整合回路素子とを、前記フェライトと前記整合回路素子のそれぞれの一面に形成された接続用電極が樹脂ブロックの一面に露出するように樹脂ブロックに配置する工程と、
前記樹脂ブロックに配置された永久磁石に対して着磁する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１１】
前記非可逆回路部品の製造方法においては、フェライトと未着磁の永久磁石とチップ状の整合回路素子とを一体的に樹脂ブロックに配置し、一体化された状態で永久磁石に着磁を施すため、整合回路素子を永久磁石の磁力に影響されることなく永久磁石の周辺に近づけて配置でき、部品が小型化されることになる。また、実際に搭載される整合回路素子を含めた状態で永久磁石の磁力を調整した後にユーザーに出荷されるため、ユーザー側では新たに整合回路素子を組み込む必要はなく、特性がばらつくなどの不具合が回避される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、整合回路素子を配置する際に永久磁石の磁力の影響がないので非可逆回路部品が小型化され、これを用いた非可逆回路素子や複合電子部品の小型化を図ることができる。また、整合回路素子を含めた状態で磁力が調整されるため特性のばらつきを回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１実施例である非可逆回路部品と実装基板を示す分解斜視図である。
【図２】中心電極付きフェライトを示す斜視図である。
【図３】前記フェライトの素体を示す斜視図である。
【図４】フェライト・磁石素子を示す分解斜視図である。
【図５】第１実施例である非可逆回路部品を含む２ポート型アイソレータの一回路例を示す等価回路図である。
【図６】製造工程を示すフローチャート図である。
【図７】第１の製造例を示す説明図である。
【図８】第２の製造例を示す説明図である。
【図９】第２の製造例における電極の接合状態を示す説明図である。
【図１０】第３の製造例を示す斜視図である。
【図１１】第２実施例である非可逆回路部品と実装基板を示す分解斜視図である。
【図１２】第２実施例である非可逆回路部品の断面図である。
【図１３】第２実施例である非可逆回路部品を含む３ポート型アイソレータの等価回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明に係る非可逆回路部品及びその製造方法の実施例について添付図面を参照して説明する。なお、各実施例において共通する部品、部分には同じ符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１５】
（第１実施例、図１〜図１０参照）
図１に、２ポートの集中定数型アイソレータを構成する非可逆回路部品１０と実装基板２０とを示す。この非可逆回路部品１０は、樹脂ブロック１１にフェライト３２と一対の永久磁石４１とからなるフェライト・磁石素子３０と、整合回路素子であるコンデンサＣ１，Ｃ２，ＣＳ１，ＣＳ２、終端抵抗Ｒとを配置したものである。以下に詳述するように、フェライト３２の下面と整合回路素子の両端部には接続用電極が形成されており、これらの接続用電極が樹脂ブロック１１の下面（実装基板２０に対する実装面）に露出している。
【００１６】
フェライト３２には、図２に示すように、表裏の主面３２ａ，３２ｂに互いに電気的に絶縁された第１中心電極３５及び第２中心電極３６が形成されている。ここで、フェライト３２は互いに対向する平行な第１主面３２ａ及び第２主面３２ｂを有する直方体形状をなしている。
【００１７】
また、永久磁石４１はフェライト３２に対して直流磁界を主面３２ａ，３２ｂに略垂直方向に印加するように主面３２ａ，３２ｂに対して、例えば、エポキシ系の接着剤４２を介して接着され（図４参照）、フェライト・磁石素子３０を形成している。永久磁石４１の主面４１ａは前記フェライト３２の主面３２ａ，３２ｂと同一寸法であり、互いの外形が一致するように主面３２ａ，４１ａ、主面３２ｂ，４１ａどうしを対向させて配置されている。
【００１８】
第１中心電極３５は導体膜にて形成されている。即ち、図２に示すように、この第１中心電極３５は、フェライト３２の第１主面３２ａにおいて右下から立ち上がって２本に分岐した状態で左上に長辺に対して比較的小さな角度で傾斜して形成され、左上方に立ち上がり、上面３２ｃ上の中継用電極３５ａを介して第２主面３２ｂに回り込み、第２主面３２ｂにおいて第１主面３２ａと透視状態で重なるように２本に分岐した状態で形成され、その一端は下面３２ｄに形成された接続用電極３５ｂに接続されている。また、第１中心電極３５の他端は下面３２ｄに形成された接続用電極３５ｃに接続されている。このように、第１中心電極３５はフェライト３２に１ターン巻回されている。そして、第１中心電極３５と以下に説明する第２中心電極３６とは、間に絶縁膜が形成されて互いに絶縁された状態で交差している。中心電極３５，３６の交差角は必要に応じて設定され、入力インピーダンスや挿入損失が調整されることになる。
【００１９】
第２中心電極３６は導体膜にて形成されている。この第２中心電極３６は、まず、０．５ターン目３６ａが第１主面３２ａにおいて右下から左上に長辺に対して比較的大きな角度で傾斜して第１中心電極３５と交差した状態で形成され、上面３２ｃ上の中継用電極３６ｂを介して第２主面３２ｂに回り込み、この１ターン目３６ｃが第２主面３２ｂにおいてほぼ垂直に第１中心電極３５と交差した状態で形成されている。１ターン目３６ｃの下端部は下面３２ｄの中継用電極３６ｄを介して第１主面３２ａに回り込み、この１．５ターン目３６ｅが第１主面３２ａにおいて０．５ターン目３６ａと平行に第１中心電極３５と交差した状態で形成され、上面３２ｃ上の中継用電極３６ｆを介して第２主面３２ｂに回り込んでいる。以下同様に、２ターン目３６ｇ、中継用電極３６ｈ、２．５ターン目３６ｉ、中継用電極３６ｊ、３ターン目３６ｋ、中継用電極３６ｌ、３．５ターン目３６ｍ、中継用電極３６ｎ、４ターン目３６ｏ、がフェライト３２の表面にそれぞれ形成されている。また、第２中心電極３６の両端は、それぞれフェライト３２の下面３２ｄに形成された接続用電極３５ｃ，３６ｐに接続されている。なお、接続用電極３５ｃは第１中心電極３５及び第２中心電極３６のそれぞれの端部の接続用電極として共用されている。
【００２０】
また、接続用電極３５ｂ，３５ｃ，３６ｐや中継用電極３５ａ，３６ｂ，３６ｄ，３６ｆ，３６ｈ，３６ｊ，３６ｌ，３６ｎはフェライト３２の上下面３２ｃ，３２ｄに形成された凹部３７（図３参照）に銀、銀合金、銅、銅合金などの電極用導体を塗布又は充填して形成されている。また、上下面３２ｃ，３２ｄには各種電極と平行にダミー凹部３８も形成され、かつ、ダミー電極３９ａ，３９ｂ，３９ｃが形成されている。この種の電極は、マザーフェライト基板に予めスルーホールを形成し、このスルーホールを電極用導体で充填した後、スルーホールを分断する位置でカットすることによって形成される。なお、各種電極は凹部３７，３８に導体膜として形成したものであってもよい。
【００２１】
フェライト３２としてはＹＩＧフェライトなどが用いられている。第１及び第２中心電極３５，３６や各種電極は銀や銀合金の厚膜又は薄膜として印刷、転写、フォトリソグラフなどの工法で形成することができる。中心電極３５，３６の絶縁膜としてはガラスやアルミナなどの誘電体厚膜、ポリイミドなどの樹脂膜などを用いることができる。これらも印刷、転写、フォトリソグラフなどの工法で形成することができる。
【００２２】
なお、フェライト３２を絶縁膜及び各種電極を含めて磁性体材料にて一体的に焼成することが可能である。この場合、各種電極を高温焼成に耐えるＰｄ，Ａｇ又はＰｄ／Ａｇを用いることになる。
【００２３】
永久磁石４１は、通常、ストロンチウム系、バリウム系、ランタン−コバルト系のフェライトマグネットが用いられる。永久磁石４１とフェライト３２とを接着する接着剤４２としては、一液性の熱硬化型エポキシ接着剤を用いることが最適である。
【００２４】
実装基板２０は、携帯電話などでアイソレータを含む高周波部品が搭載される多層基板であり、その表面には、前記フェライト・磁石素子３０や整合回路素子であるチップタイプのコンデンサＣ１，Ｃ２，ＣＳ１，ＣＳ２やチップタイプの終端抵抗Ｒを実装するための端子電極２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２２ａ〜２２ｊが形成されている。
【００２５】
第１中心電極３５の一端と第２中心電極３６の他端である接続用電極３５ｂは端子電極２１ａに接続され（接続点Ａ）、第１中心電極３５の他端である接続用電極３５ｃは端子電極２１ｂに接続され（接続点Ｂ）、第２中心電極３６の他端である接続用電極３６ｐは端子電極２１ｃに接続される（接続点Ｃ）。これらの接続はリフローはんだにて行われる。また、コンデンサＣ１の接続用電極は端子電極２２ａ，２２ｂに接続され、コンデンサＣ２の接続用電極は端子電極２２ｃ，２２ｄに接続され、コンデンサＣＳ１の接続用電極は端子電極２２ｅ，２２ｆに接続され、コンデンサＣＳ２の接続用電極は端子電極２２ｇ，２２ｈに接続され、終端抵抗Ｒの接続用電極は端子電極２２ｉ，２２ｊに接続される。
【００２６】
実装基板２０の裏面には入力用外部接続電極Ｐ１、出力用外部接続電極Ｐ２、グランド用外部接続電極Ｐ３が形成され、これらの電極や表面に形成した前記各種端子電極とともに、実装基板２０内に設けた配線電極やビアホール導体を介して図５を参照して以下に説明する所定の回路を構成するように接続されている。
【００２７】
（回路構成、図５参照）
ここで、前記非可逆回路部品１０を含む２ポート型アイソレータの一回路例を図５の等価回路に示す。入力用外部接続電極（入力ポート）Ｐ１は整合用コンデンサＣＳ１を介して整合用コンデンサＣ１と終端抵抗Ｒとに接続され、整合用コンデンサＣＳ１は第１中心電極３５の一端に接続されている。第１中心電極３５の他端及び第２中心電極３６の一端は、終端抵抗Ｒ及びコンデンサＣ１，Ｃ２に接続され、かつ、コンデンサＣＳ２を介して出力用外部接続電極（出力ポート）Ｐ２に接続されている。第２中心電極３６の他端及びコンデンサＣ２はグランド用外部接続電極（グランドポート）Ｐ３に接続されている。
【００２８】
以上の等価回路からなる２ポート型アイソレータにおいては、第１中心電極３５の一端が入力ポートＰ１に接続され他端が出力ポートＰ２に接続され、第２中心電極３６の一端が出力ポートＰ２に接続され他端がグランドポートＰ３に接続されているため、挿入損失の小さな２ポート型の集中定数型アイソレータとすることができる。さらに、動作時において、第２中心電極３６に大きな高周波電流が流れ、第１中心電極３５にはほとんど高周波電流が流れない。
【００２９】
また、フェライト・磁石素子３０は、フェライト３２と一対の永久磁石４１が接着剤４２で一体化されていることで、機械的に安定となり、振動や衝撃で変形・破損しない堅牢な非可逆回路部品１０となる。
【００３０】
ところで、前記非可逆回路部品１０は、フェライト・磁石素子３０と各種整合回路素子が樹脂ブロック１１に、それぞれの接続用電極を樹脂ブロック１１の底面（実装基板２０に対する実装面）に露出した状態で配置されている。永久磁石４１は未着磁の状態でフェライト・磁石素子３０として組み立てられ、かつ、樹脂ブロック１１に配置される。各素子を樹脂ブロック１１に配置した後に永久磁石４１に対して着磁が施され、必要な特性を得るように磁力が調整される。
【００３１】
永久磁石４１に対する着磁は、非可逆回路部品１０を測定用基板上に形成した測定用電極に電気的に接続した状態で行われる。測定用基板は図１に示した実装基板２０と同様の端子電極及び内部回路が形成されている。なお、着磁や磁力調整は、周知のネットワークアナライザーや磁束発生装置を用いて行うことができる。本実施例では、各種整合回路素子が永久磁石４１と一体化された状態で着磁（磁力調整）が行われるため、各種整合回路素子のばらつきをも加味した磁力調整が行われることになり、周波数特性などのばらつきのない非可逆回路部品１０を得ることができる。また、樹脂ブロック１１に配置される際、永久磁石４１は未着磁であるため、整合回路素子を永久磁石４１の磁力に影響されることなく永久磁石４１の周辺に近付けて配置できるので部品１０を小型に製造することができる。
【００３２】
ここで、前記非可逆回路部品１０の製造工程についてその概略を図６を参照して説明する。まず、フェライト・磁石素子３０を作製する（ステップＳ１）。この工程では永久磁石４１は未着磁である。次に、フェライト・磁石素子３０と各種整合回路素子を樹脂ブロック１１に配置する（ステップＳ２）。その後、永久磁石４１を着磁（磁力調整）し、選別を行う（ステップＳ３）。このようにして製造された非可逆回路部品１０の提供を受けたユーザは、非可逆回路部品１０を実装基板２０上に配置し、リフロー炉にてはんだ付けを行い、アイソレータとする。
【００３３】
（非可逆回路部品の製造方法、図７〜図１０参照）
以下、非可逆回路部品１０の製造方法（第１の製造例、第２の製造例及び第３の製造例）について説明する。
【００３４】
第１の製造例は、図７（Ａ）に示すように、基板５０上にフェライト・磁石素子３０と整合回路素子を配置し（例えば、接着剤で固定する）、図７（Ｂ）に示すように、樹脂材にて封止し、該樹脂材を硬化させて樹脂ブロック１１を成形し、非可逆回路部品１０とする。その後、非可逆回路部品１０を基板５０から分離し、図７（Ｃ）に示すように、測定用基板６０上に載置し、永久磁石４１に対して着磁、磁力調整を行う。非可逆回路部品１０としての完成品を図７（Ｄ）に示す。
【００３５】
第２の製造例は、図８（Ａ）に示すように、複数組のフェライト・磁石素子３０及び整合回路素子をフレキシブルな基板７０の所定位置にマトリクス状に配置し、図８（Ｂ）に示すように、樹脂材にて全体的に封止し、該樹脂材を硬化させて樹脂ブロック１１を成形する。次に、図８（Ｃ）に示すように、樹脂ブロック１１にカット用切れ目１１ａを形成する。切れ目１１ａは一組の非可逆回路部品１０を囲むかたちで形成される。そして、図８（Ｄ）に示すように、基板７０を撓ませると切れ目１１ａに沿って非可逆回路部品１０が基板７０から分離される。
【００３６】
前記基板７０の表面には電極７１（図９（Ａ）参照）が形成されており、この電極７１はフェライト３２の下面３２ｄに形成した接続用電極３５ｂ，３５ｃ，３６ｐや整合回路素子の接続用電極に対応している。ここで、接続用電極３５ｂを例にして説明すると、図９（Ｂ）に示すように、接続用電極３５ｂは電極７１にはんだ７２を介して接合される。電極７１はめっきにて形成されており、基板７０との接合力は接続用電極３５ｂのフェライト３２への接合力やはんだ７２の接合力よりも弱い。それゆえ、図９（Ｃ）に示すように、非可逆回路部品１０（フェライト３２）が基板７０から分離する際に、電極７１は接続用電極３５ｂに付着した状態で基板７０から剥離される。その他の接続用電極と電極７１との関係もこれと同様であり、各電極７１は非可逆回路部品１０の接続用電極に付着して基板７０から剥離される。なお、図７に示した第１の製造例でもこのようにしてフェライト・磁石素子３０及び各種整合回路素子と基板５０との接合、分離が行われてもよい。
【００３７】
第３の製造例は、図１０に示すように、樹脂ブロック１１をマザー基板の状態で予め複数の収容凹部８１，８２を形成しておき、凹部８１にフェライト・磁石素子３０を嵌め込み、凹部８２に各整合回路素子を嵌め込む。接着材を用いてもよい。このとき、フェライト３２や整合回路素子に形成されている接続用電極は凹部８１，８２から露出した状態となる。次に、樹脂ブロック１１を点線で示すように一組の非可逆回路部品１０ごとに切り離す。
【００３８】
（第２実施例、図１１〜図１３参照）
図１１に、３ポートの集中定数型アイソレータを構成する非可逆回路部品１１０と実装基板１２０を示す。この非可逆回路部品１１０は、フェライト１３２と永久磁石１４１とヨーク１５１と整合回路素子（コンデンサＣ１１，Ｃ１２，Ｃ１３及び終端抵抗Ｒ）とで構成されている。フェライト１３２、永久磁石１４１、ヨーク１５１及び整合回路素子は、図１２に示すように、樹脂ブロック１１１に配置されている。これらの素子を樹脂ブロック１１１に配置する方法は前記第１、第２及び第３の製造例を適用することができる。
【００３９】
フェライト１３２には中心電極１３５，１３６，１３７が互いに電気的に絶縁状態で交差して配置され、整合回路素子Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｒとで図１３に示す等価回路を構成している。実装基板１２０の表面に形成した端子電極１２５ａ〜１２５ｆに中心電極１３５，１３６，１３７のそれぞれの端部（フェライト１３２の裏面に回り込んで形成されている）が接続され、端子電極１２６ａ〜１２６ｈに整合回路素子の接続用電極が接続されている。また、Ｐ１１，Ｐ１２，Ｐ１３がそれぞれ入出力ポートとして機能する。
【００４０】
即ち、フェライト１３２の第１の主面（表面）上に永久磁石１４１が配置され、フェライト１３２の第２の主面（裏面）が中心電極１３５，１３６，１３７の接続用電極を含めて樹脂ブロック１１１の一面に露出している。また、整合回路素子のそれぞれの接続用電極も樹脂ブロック１１１の一面に露出している。
【００４１】
本第２実施例においても、非可逆回路部品１１０による作用効果は前記第１実施例と同様である。なお、この３ポート型アイソレータに関して、非可逆回路部品１１０以外の構成は、特開２００４−２０８２７３号公報（特許第３８５２４３４号）に詳しく記載されている。
【００４２】
（他の実施例）
なお、本発明に係る非可逆回路部品及びその製造方法は前記実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種々に変更することができる。
【００４３】
特に、整合回路の構成は任意である。また、フェライト・磁石素子において、フェライトと永久磁石は一体に焼成されたものであってもよい。さらに、フェライト・磁石素子や整合回路素子を実装基板の表面に接合する方法としては、前記実施例に示したはんだ接合以外に、導電性接着剤による接合、超音波による接合、ブリッジボンディングによる接合などを用いてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
以上のように、本発明は、非可逆回路部品に有用であり、特に、小型化を図ることができるとともに特性のばらつきを回避できる点で優れている。
【符号の説明】
【００４５】
１０，１１０…非可逆回路部品
１１，１１１…樹脂ブロック
２０，１２０…基板
３０…フェライト・磁石素子
３２，１３２…フェライト
３５，３６，１３５，１３６，１３７…中心電極
３５ｂ，３５ｃ，３６ｐ…接続用電極
４１，１４１…永久磁石
Ｃ１，Ｃ２，ＣＳ１，ＣＳ２，Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｒ…整合回路素子
【図１】
2010183130.tif 000003
【図２】
2010183130.tif 000004
【図３】
2010183130.tif 000005
【図４】
2010183130.tif 000006
【図５】
2010183130.tif 000007
【図６】
2010183130.tif 000008
【図７】
2010183130.tif 000009
【図８】
2010183130.tif 000010
【図９】
2010183130.tif 000011
【図１０】
2010183130.tif 000012
【図１１】
2010183130.tif 000013
【図１２】
2010183130.tif 000014
【図１３】
2010183130.tif 000015