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【手続補正書】
【提出日】令和3年9月9日(2021.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の表面を有する支持本体と、
前記第１の表面を通って前記支持本体内へ延びる１つまたは複数のレセプタクルと、
それぞれ前記１つまたは複数のレセプタクルのうちの対応するレセプタクル内に配置され、前記第１の表面から突出する１つまたは複数の突起であって、前記第１の表面の上に実質的に平面の支持面を少なくとも部分的に画定する１つまたは複数の突起と、
を備える基板支持体。
【請求項２】
前記１つまたは複数の突起が、前記支持本体から交換可能または切離し可能である、請求項１に記載の基板支持体。
【請求項３】
前記１つまたは複数の突起が、前記第１の表面より柔軟である、請求項１または２に記載の基板支持体。
【請求項４】
前記１つまたは複数の突起が、熱可塑性材料から作られる、請求項１、２、または３に記載の基板支持体。
【請求項５】
前記１つまたは複数の突起が、基板に接触して支持するための平坦化された頂面を有する、請求項１、２、３、または４に記載の基板支持体。
【請求項６】
前記突起が、約２５ミクロン〜約２００ミクロンの高さを有する、請求項１、２、３、４、または５に記載の基板支持体。
【請求項７】
前記１つまたは複数のレセプタクルがねじ孔である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の基板支持体。
【請求項８】
前記１つまたは複数の突起が、前記ねじ孔に嵌合するためのねじ山を含む、請求項７に記載の基板支持体。
【請求項９】
前記１つまたは複数の突起が、前記支持本体の周りに配置された複数の突起である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の基板支持体。
【請求項１０】
第１の表面を有する支持本体と、
前記第１の表面を通って前記支持本体内へ延びる１つまたは複数のレセプタクルと、
それぞれ前記１つまたは複数のレセプタクルのうちの対応するレセプタクル内に配置され、前記第１の表面から突出する１つまたは複数の突起であって、前記第１の表面の上に実質的に平面の支持面を少なくとも部分的に画定する１つまたは複数の突起と、
前記第１の表面と前記基板支持体上に配置されたときの基板の裏側との間に画定される空間にガスまたは真空を供給するように前記支持本体を通って前記第１の表面へ配置された少なくとも１つのチャネルと
を備える基板支持体。
【請求項１１】
前記支持本体の周縁部に配置されたシールバンドをさらに備える、請求項１０に記載の基板支持体。
【請求項１２】
前記シールバンドが、その摩擦係数を低減させる材料によってコーティングされる、請求項１１に記載の基板支持体。
【請求項１３】
前記１つまたは複数の突起のそれぞれが、前記基板を支持するための接触点を含み、前記接触点が、前記第１の表面より柔軟である、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の基板支持体。
【請求項１４】
前記接触点が、熱安定性プラスチックから作られる、請求項１３に記載の基板支持体。
【請求項１５】
前記支持本体が、前記支持面上に形成されて前記少なくとも１つのチャネルに結合された複数の溝を備える、請求項１０〜１４のいずれか１項に記載の基板支持体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図２Ａを次に参照すると、本開示のいくつかの実施形態による基板支持体１０２の一部分の概略的な断面図が示されており、突起は基板支持体１０２に取り付けられていない。基板支持体１０２は、上述した支持本体１１６の実施形態を含むことができ、１つまたは複数のレセプタクル１３６を含む。各レセプタクル１３６は、レセプタクル体積２１４を画定する１つまたは複数の側壁２０６、底部２０８、および第１の表面２１８内の開口２１２を有する。１つまたは複数のレセプタクル１３６の側壁２０６および底部２０８は、概して、図１で上述した支持本体１１６と同じ材料である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図２Ｃを次に参照すると、本開示のいくつかの実施形態による基板支持体１０２の概略的な断面図が示されており、突起は基板支持体１０２に取り付けられていない。基板支持体１０２は、支持本体１１６内に配置されたレセプタクル２４７を示す。実施形態では、レセプタクル２４７は、レセプタクル体積２１４を画定する側壁２０６、底部２０８、および開口２１２を有する。１つまたは複数のレセプタクルの側壁２０６および底部２０８は、支持本体１１６の底部２０９に対して傾斜して形成される。いくつかの実施形態では、支持本体１１６の一部分は、レセプタクル２４７から突起を取り外さずに突起の上から基板を取り外すとき、支持本体１１６内に配置された１つまたは複数の突起（図示せず）に力を作用させることが可能である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図３Ａ〜図３Ｃを次に参照すると、本開示のいくつかの実施形態による突起の例示的な形状の概略図が示されている。突起３０９はすべて、同じ高さで形成され、基板（図示せず）の裏側に接触するように平坦化された頂面を有しており、突起３０９の頂面面積の和は、支持面３１０より大幅に小さく、それによって支持面３１０と基板（図示せず）との間の接触面積を低減させる。支持面３１０と基板（図示せず）との間の接触面積をより小さくすることで、実施形態では、支持面３１０全体を平坦化するのではなく、突起３０９だけを平面にする。さらに、接触面積をより小さくすることで、支持面３１３によって基板の裏側に損傷が引き起こされる可能性を低減させることができる。図３Ｃを参照すると、接触面積をさらに低減させるために、突起の頂面に小片３１５を加えることができる。いくつかの実施形態では、第１の表面の上の突起３０９の高さは、約２５ミクロン〜約２００ミクロン、たとえば約５０ミクロンとすることができ、突起３０９の幅または直径は、約５００ミクロン〜約５０００ミクロンとすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図４Ａ〜図４Ｂは、本開示のいくつかの実施形態による突起を有する基板支持体の断面図を概略的に示す。図４Ａを参照すると、一実施形態では、複数の突起３１２は、支持本体１１６から切離し可能であり、それぞれ１つまたは複数のレセプタクル４３６のうちの対応するレセプタクル内に配置され、第１の表面４１８から突出する。１つまたは複数の突起３１２は、第１の表面４１８の上に実質的に平面の支持面４２０を少なくとも部分的に画定する。一実施形態では、突起３１２の高さＤ１は、約１０ミクロン〜約５０ミクロン、たとえば約２５ミクロンとすることができ、突起３１２の幅または直径は、約５００ミクロン〜約５０００ミクロンとすることができる。処理中にレセプタクル３３６から空気を逃すために、１つまたは複数の通気孔４１４を含むことができる。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月14日(2021.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負荷となるＬＥＤランプユニットに実質的に一定の直流電流を供給するための制御回路であって、前記回路は、ＡＣ主電源へ接続するための、供給電圧変動及び過渡的変動を伴うＡＣ入力（Ａ、Ｎ）と、前記ＬＥＤランプユニット（１９）へ接続するための一対のランプ出力と、前記ＡＣ入力から電力供給され、かつ前記ランプ出力に直流電圧と実質的に一定の直流電流と前記実質的に一定の直流電流を供給する全波ブリッジ整流回路（２０、２００）とを含み、前記ＡＣ入力と前記整流回路との間にＡＣ制御回路が配置され、該ＡＣ制御回路は、該ＡＣ制御回路から前記整流回路供給されるＡＣ電流の大きさの変動を減少させて前記実質的に一定の直流電流の対応する変動を減少させるものであり、前記ＡＣ制御回路は、コンデンサ（Ｃ１、Ｃ１０，Ｃｒ）と,透磁部品（Ｌ２、Ｔ２、Ｔ１０、Ｔｒ）のインダクタ配線を有し、前記インダクタ配線は、動作中に、鉄共振により、少なくとも部分的に飽和される透磁性コアを有し、前記コンデンサと前記整流回路（２０、２００）と前記ＬＥＤランプユニット（１９）とは、前記鉄共振により制御される負荷電流を通すように接続され、前記鉄共振は前記負荷電流に依存する
ことを特徴とする、制御回路。
【請求項２】
前記コンデンサ（Ｃ１、Ｃ１０、Ｃｒ）は、前記鉄共振のための共振リアクタンス及び前記実質的に一定の直流電流のための限流インピーダンスの両方を含むことを特徴とする、請求項１に記載の制御回路。
【請求項３】
前記整流回路の出力にフィルタ回路（２７）が接続されることを特徴とする、請求項１に記載の制御回路。
【請求項４】
前記フィルタ回路は、分流コンデンサ（Ｃ２７）を含むことを特徴とする、請求項３に記載の制御回路。
【請求項５】
前記透磁部品（Ｌ２、Ｔ２、Ｔ１０、Ｔｒ）は、インダクタ、オートトランス又は絶縁型変圧器を含むことを特徴とする、請求項１に記載の制御回路。
【請求項６】
前記透磁部品（Ｔ５）の巻線との間で巻きの増減を切り換えることによりＬＥＤ調光が達成されることを特徴とする、請求項１に記載の制御回路。
【請求項７】
前記ＡＣ主電源は、３相電源（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）を含むことを特徴とする、請求項１に記載の制御回路。
【請求項８】
前記３相電源の対応する相（Ｐ３）をディスエーブルにする少なくとも１つの調光スイッチ（Ｓ１）を含むことを特徴とする、請求項７に記載の制御回路。
【請求項９】
前記ＡＣ主電源との間で１又はそれ以上のインピーダンス（Ｃ３、２３）を切り換える少なくとも１つの調光スイッチ（Ｓ１、Ｓ８）を含むことを特徴とする、請求項１に記載の制御回路。
【請求項１０】
前記インピーダンスは、インダクタ（２３）及びコンデンサ（Ｃ３）から成るクラスから選択されることを特徴とする、請求項９に記載の制御回路。
【請求項１１】
前記切り換えられたインピーダンスは、前記直列コンデンサ（Ｃ１）と直列又は並列であることを特徴とする、請求項９に記載の制御回路。
【請求項１２】
力率補正回路（Ｃ２、Ｃｉ）を含むことを特徴とする、請求項１に記載の制御回路。
【請求項１３】
請求項１〜請求項１２のいずれか１項に記載の制御回路により実質的に一定の直流電流を供給されるＬＥＤランプ器具（１９）を含むことを特徴とする、照明設備。
【請求項１４】
ＡＣ主電源（Ａ、Ｎ）により電力供給され、ＨＩＤランプ器具、安定器及び関連した制御装置を含む高輝度放電（ＨＩＤ）ランプ設備を、請求項１３に記載のＬＥＤランプ設備に変換する方法であって、
前記ＨＩＤランプ器具を前記ＬＥＤランプ器具（１９）に置換するステップと、
前記安定器及び前記関連した制御装置を、入力及び出力を有する整流回路（２０、２００）に置換するステップと、
前記整流回路の前記出力を前記ＬＥＤランプ器具に接続するステップと、
前記ＡＣ制御回路を前記ＡＣ主電源と前記整流回路との間に配置するステップと、
を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月24日(2021.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１端部、第２対向端部、第１側部、及び第２対向側部を有するハウジングと、
前記ハウジング内で前記第１側部に隣接して配設される第１電極と、
前記ハウジング内で前記第２対向側部に隣接して配設される第２電極と、
前記ハウジング内で概して前記第１電極と前記第２電極の間に設けられ、複数のイオンを含む電解質混合物と、
概して前記第１電極と前記第２電極の間に画定されるチャンネルであって、前記複数のイオンの少なくとも一部が、概して前記第１電極に隣接する前記チャンネルの第１部位から、概して前記ハウジングの前記第１端部に隣接する前記チャンネルの第２部位を通って、概して前記第２電極に隣接する前記チャンネルの第３部位まで流動できるように構成されたチャンネルと、
概して前記第１電極と前記第２電極の間に配設される障壁であって、前記複数のイオンが前記ハウジングの前記第２端部に隣接して流動することを防ぐ助けとなるように構成された障壁と、
を含む電気エネルギ貯蔵装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年10月6日(2021.10.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザダイオード（４）などの構成要素をヒートシンク（７）に接合するのに好適ないくつかのアダプタ要素（１０）の構造（１）であって、
取り付けられた状態で前記構成要素（４）に対向する第１の金属層（１１）、および取り付けられた状態で前記ヒートシンク（７）に対向する第２の金属層（１２）と、
前記第１の金属層（１１）と前記第２の金属層（１２）との間に配置されたセラミックを含む中間層（１３）であって、前記第１の金属層（１１）、前記第２の金属層（１２）、および前記中間層（１３）は、前記アダプタ要素（１０）を形成する、前記中間層（１３）と、を備え、
前記第１の金属層（１１）および前記第２の金属層（１２）のうちの少なくとも一方は、４０μｍよりも厚く、
前記いくつかのアダプタ要素（１０）は、所定の破断点（１８）で担持体（５）から分離可能であり、前記所定の破断点は、セラミックからなる前記中間層（１３）において設けられており、前記第１の金属層（１１）および前記第２の金属層（１２）の構造化によって、前記アダプタ要素（１０）および前記担持体（５）に対する対応する部分の割り当てを規定しており、前記いくつかのアダプタ要素（１０）の各々は、前記いくつかのアダプタ要素（１０）を前記担持体（５）に電気的に導通可能に個別に結合するために前記構造（１）の担持体（５）に対する導電性コンタクト（８）を有する、構造（１）。
【請求項２】
膨張係数を適応させるために、前記中間層（１３）は、４００μｍよりも薄い、請求項１に記載の構造（１）。
【請求項３】
前記導電性コンタクト（８）は、所定の破断点が破断されると破断するように構成されている、請求項１または２に記載の構造（１）。
【請求項４】
前記中間層（１３）は、導電性の貫通孔（１５）を有することができる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の構造（１）。
【請求項５】
ウェブ形状の導電性コンタクト（８）が、前記担持体（５）と前記アダプタ要素（１０）との間に延在する、請求項４に記載の構造（１）。
【請求項６】
前記導電性コンタクト（８）は、所定の破断点（１８）、特に前記いくつかのアダプタ要素（１０）と前記担持体（５）との間の所定の破断点（１８）と交差する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の構造（１）。
【請求項７】
前記第１の金属層（１１）及び前記第２の金属層（１２）のうちの少なくとも一方は、ＤＣＢ法又は活性半田付け法によって前記中間層（１３）に接合される、請求項１〜６のいずれか１項に記載の構造（１）の製造方法。
【請求項８】
前記アダプタ要素（１０）は、スパッタリング処理によってコーティングされる、請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記アダプタ要素（１０）は、前記いくつかのアダプタ要素（１０）の構造（１）から破断される、請求項７または８に記載の製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
図３は、本発明の例示的な実施形態によるいくつかのアダプタ要素１０の構造１を示す。特に、これは、いくつかのアダプタ要素１０が一列に沿って互いに隣り合って配置されている構造１の上面図である。具体的には、構造１が、第１の金属層１１、中間層１３および第２の金属層１２が重なり合って配置される積層方向と平行な方向に沿って見られて、すなわち、図３は、構造化された第１の金属層１１又は第２の金属層１２のいずれかを示しており、第１の金属層１１および第２の金属層１２の構造化によって、とりわけ、各部分のアダプタ要素１０および担持体５への割り当てがそれぞれ決定される。第１の金属層１１または第２の金属層１２の構造化の結果として露出される、すなわち金属のないこれらの領域では、中間層１３を、上面図で見ることができる。好ましくは、所定の複数の破断点１８は、これらの金属を含まない領域に沿って延びており、その領域に沿って、複数のアダプタ要素１０は、互いにまたは担持体５から分離され得る。さらに、アダプタ要素１０、特に構造１は、担持体５をアダプタ要素１０またはアダプタ要素１０の第１の金属層１１または第２の金属層１２の異なる部分に、特にそれらをそれぞれ接続するいくつかの導電性コンタクト８を有する。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月12日(2020.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
プロセッサ６１０、メモリ６２０、表示ユニット６６０、及びオーディオデータコレクタ６３０は、バス又は他の手段によって接続されることができ、図７にでは、バスによる接続を例とする。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月8日(2021.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学窓と、
前記光学窓に隣接する光吸収体と、
前記光吸収体に隣接する熱電子バリア層とを含み、
前記熱電子バリア層は、伝導帯エネルギーのバリアを通過する光電子の透過が伝導帯エネルギーのバリアをトンネルで通過するのとは対照的に、バリア高さを超えるのに十分なエネルギーをもつ熱励起電子によって支配されるようにバリア高さ及びバリア厚さが十分な伝導帯エネルギーのバリアを含む伝導帯バリアを有する、受動的な単一電位のｐ型半導体フォトカソード。
【請求項２】
前記光吸収体は、ＧａＡｓを含む、請求項１に記載のフォトカソード。
【請求項３】
前記熱電子バリア層は、ＡｌＧａＡｓを含む、請求項２に記載のフォトカソード。
【請求項４】
前記熱電子バリア層ＡｌＧａＡｓは、Ａｌの原子濃度が０．１％〜４％であるＡｌ／（Ａｌ＋Ｇａ）を含む、請求項３に記載のフォトカソード。
【請求項５】
前記熱電子バリア層ＡｌＧａＡｓは、Ａｌの原子濃度が約１．５％であるＡｌ／（Ａｌ＋Ｇａ）を含む、請求項４に記載のフォトカソード。
【請求項６】
前記熱電子バリア層に隣接する表面化学特異化層をさらに含む、請求項１に記載のフォトカソード。
【請求項７】
前記表面化学特異化層は、ＧａＡｓを含む、請求項６に記載のフォトカソード。
【請求項８】
前記熱電子バリア層は、ＡｌＧａＡｓを含む、請求項７に記載のフォトカソード。
【請求項９】
前記熱電子バリア層ＡｌＧａＡｓは、Ａｌの原子濃度が０．１％〜４％であるＡｌ／（Ａｌ＋Ｇａ）を含む、請求項８に記載のフォトカソード。
【請求項１０】
前記熱電子バリア層ＡｌＧａＡｓは、Ａｌの原子濃度が約１．５％であるＡｌ／（Ａｌ＋Ｇａ）を含む、請求項９に記載のフォトカソード。
【請求項１１】
前記表面化学特異化層は、真空に面する放出面を含む、請求項６に記載のフォトカソード。
【請求項１２】
前記表面化学特異化層の厚さは、１つの原子層から３０ｎｍの範囲である、請求項６に記載のフォトカソード。
【請求項１３】
前記表面化学特異化層は、ＧａＡｓを含む、請求項１２に記載のフォトカソード。
【請求項１４】
真空筐体と、
前記真空筐体内に配置される受動的な単一電位のｐ型半導体フォトカソードと、
前記真空筐体内で前記フォトカソードに面する電子受容面とを含み、
前記フォトカソードは、
光学窓と、
前記光学窓に隣接する光吸収体と、
前記光吸収体に隣接する熱電子バリア層とを含み、
前記熱電子バリア層は、伝導帯エネルギーのバリアを通過する光電子の透過が伝導帯エネルギーのバリアをトンネルで通過するのとは対照的に、バリア高さを超えるのに十分なエネルギーをもつ熱励起電子によって支配されるようにバリア高さ及びバリア厚さが十分な伝導帯エネルギーのバリアを含む伝導帯バリアを有する、微光センサ。
【請求項１５】
前記電子受容面は、電子感応性ＣＭＯＳイメージセンサを含む、請求項１４に記載の微光センサ。
【請求項１６】
前記電子受容面は、電子感応性ＣＣＤイメージセンサを含む、請求項１４に記載の微光センサ。
【請求項１７】
前記電子受容面は、マイクロチャンネルプレートの表面を含む、請求項１４に記載の微光センサ。
【請求項１８】
前記フォトカソードに面するマイクロチャンネルプレートの電子受容面をさらに含み、前記マイクロチャンネルプレートの出力が出力窓の蛍光体層に重ねられた薄い導電層に面している、請求項１４に記載の微光センサ。
【請求項１９】
前記フォトカソードに面するマイクロチャンネルプレートの電子受容面をさらに含み、１つ以上の積層された前記マイクロチャネルプレートの出力が薄い導電層に面している、請求項１４に記載の微光センサ。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月9日(2021.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）駆動流体デバイスの製造方法であって、前記デバイスが、前記デバイス内の流体チャンバ（２２６）および／または流体経路（２５０，２６０）を共に画定する接合した構成要素を備え、前記方法が、第１の構成要素（２０２）の表面上に接合材層の前駆体（２１６）を形成することと、前記接合材層（２１６′）および任意選択で前記第１の構成要素（２０２）をパターニングすることと、第２の構成要素（２３０）をパターニングされた前記接合材層（２１６′′）および前記第１の構成要素（２０２）に接合することとを含み、前記接合材層（２１６′）を形成することが、前記第１の構成要素（２０２）の表面上の硬化性材料を不活性雰囲気中で第１の温度まで加熱することによって部分的に硬化させることを含み、前記第２の構成要素（２３０）を前記パターニングされた接合材層（２１６′′）および前記第１の構成要素（２０２）に接合することが、前記構成要素を前記第１の温度とは異なり前記第１の温度より高い第２の温度まで加熱することによって、部分的に硬化した前記材料を完全に硬化することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項２】
前記接合材層（２１６′）および任意選択で前記第１の構成要素（２０２）をパターニングすることが、前記接合材層（２１６′）上のマスク（２２０）を画定するマスク層（２１８）を形成することと、前記接合材層の一部分（２１６′）および任意選択で前記第１の構成要素の一部分（２０２）を前記マスクを通して除去することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記接合材層（２１６′）をパターニングすることと、前記第１の構成要素（２０２）をパターニングすることとを含み、前記接合材層（２１６′）および前記第１の構成要素（２０２）が２つの異なる工程でパターン化される、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記接合材層（２１６′）および前記第１の構成要素（２０２）をパターニングすることがエッチングによって実施される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記エッチングが異方性エッチングとして実行される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記異方性エッチングが、流体チャンバまたは流体経路の壁表面であって、テーパー状である、台形の断面を有する、または接合材層の接合表面と直角をなさない壁表面を、少なくとも１つ提供する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記硬化性材料が、重合性の環状アルケン、および特に、ベンゾシクロブテンまたは置換ベンゾシクロブテンを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の構成要素（２０２）が、電子制御信号を受信すると膜を変形させるように前記膜上に配置されたアクチュエータ素子（２０４）を含み、前記第２の構成要素（２３０）がノズルプレートを備え、前記第１の構成要素および前記第２の構成要素（２０２，２３０）が共に、前記デバイス内の流体チャンバ（２２６）および流体経路（２５０）を画定する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の構成要素（２０２）が、電子制御信号を受信すると膜を変形させるように前記膜上に配置されたアクチュエータ素子（２０４）を含み、前記第２の構成要素が予め形成された空洞を内部に有するキャップ層（２０６）を備え、前記第１の構成要素および前記第２の構成要素（２０２，２３０）が共に、前記デバイス内の流体経路（２６０）を画定する、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の構成要素（２０２）の別の表面上に接合材層（２１６′′）を形成することと、前記接合材層および任意選択で前記第１の構成要素（２０２）をパターニングすることと、第３の構成要素（２０６）を前記接合材層（２１６′′）および前記第１の構成要素（２０２）に接合することとをさらに含み、前記接合材層（２１６′′）を前記第１の構成要素（２０２）の前記別の表面上に形成することが、前記表面上の硬化性材料を不活性雰囲気中で第１の温度まで加熱することによって部分的に硬化させることを含み、前記第３の構成要素（２０６）を前記接合材層（２１６′′）および前記第１の構成要素（２０２）に接合することが、前記構成要素を前記第２の温度まで加熱することによって、部分的に硬化した前記材料を完全に硬化することを含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
第３の構成要素（２０６）の表面上に接合材層を形成することと、前記接合材層および任意選択で前記第３の構成要素（２０６）をパターニングすることと、前記第１の構成要素（２０２）を前記接合材層および前記第３の構成要素（２０６）に接合することとをさらに含み、前記第３の構成要素（２０６）の表面上に前記接合材層を形成することが、前記表面上の硬化性材料を不活性雰囲気中で前記第１の温度まで加熱することによって部分的に硬化することを含み、前記第３の構成要素（２０６）を前記接合材層および前記第１の構成要素（２０２）に接合することが、前記構成要素を前記第２の温度まで加熱することによって、部分的に硬化した前記材料を完全に硬化することを含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の構成要素（２０２）の前記別の表面上および任意選択で前記第１の構成要素（２０２）上で、または第３の構成要素（２０６）の表面上および任意選択で前記第３の構成要素（２０６）上での前記接合材層のパターニングが、請求項２〜７のいずれか一項に記載のパターニングと同じ方法で実行される、請求項１０または請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記硬化性材料が、重合性の環状アルケン、および特に、ベンゾシクロブテンまたは置換ベンゾシクロブテンを含む、請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の構成要素（２０２）が、電子制御信号を受信すると膜を変形させるように前記膜上に配置されたアクチュエータ素子（２０４）を含み、前記第２の構成要素（２３０）がノズルプレートを備え、前記第３の構成要素（２０６）が予め形成された空洞を有するキャップ層を備え、前記第１の構成要素および前記第２の構成要素（２０２，２３０）が共に、前記デバイス内の流体チャンバ（２２６）および流体経路（２５０）を画定し、前記第１の構成要素および前記第３の構成要素（２０２，２０６）が前記デバイス内の流体経路（２６０）を画定する、請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記デバイスが液滴堆積ヘッド（５０）用の液滴生成ユニット（６）を備える、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月2日(2021.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１７】
前記触媒基材がウォールフローフィルター基材又はフロースルー基材を含むハニカムである、請求項１６に記載の触媒物品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２０】
前記排気ガス中のＮＯｘレベルを２００℃〜約６００℃の間の温度でＮ２及び水に還元する、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月8日(2021.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
妨害物を体腔から除去するためのデバイスであって、
近位端と遠位端とを備える中心ワイヤと、
該中心ワイヤの該遠位端におけるまたはその近くにある係合用要素と、
該体腔への導入中に該係合用要素を少なくとも部分的に含むマイクロカテーテルと
を備え、
該係合用要素が、該マイクロカテーテルから露出すると展開されるとき、該係合用要素への近位力または該マイクロカテーテルへの遠位力のうちの少なくとも１つの適用時に該マイクロカテーテル内の該係合用要素のリシースを抑制するように構成される、
デバイス。
【請求項２】
前記係合用要素の近位端が、前記係合用要素を前記マイクロカテーテルから露出させると径方向に展開するように構成されたストッパを備える、請求項１記載のデバイス。
【請求項３】
前記ストッパが、前記係合用要素を前記マイクロカテーテルから露出させると径方向外側に屈曲するように構成されたループを備える、請求項２記載のデバイス。
【請求項４】
前記ストッパが、前記係合用要素を前記マイクロカテーテルから露出させると径方向外側に展開するように構成された渦巻きばねワイヤを備える、請求項２記載のデバイス。
【請求項５】
前記係合用要素が脚を備え、前記脚は展開されているとき、前記マイクロカテーテル内の前記係合用要素のリシースを抑制するように構成された厚さを有する、請求項１から４のいずれか一項記載のデバイス。
【請求項６】
前記係合用要素の脚は、前記脚が展開されているとき、前記マイクロカテーテルの長手方向軸に対して３０°から９０°の間の角度をなす、請求項５記載のデバイス。
【請求項７】
前記係合用要素がワイヤまたはストラットを備える、請求項１から６のいずれか一項記載のデバイス。
【請求項８】
前記係合用要素が、前記マイクロカテーテルを露出させると自己展開可能である、請求項１から７のいずれか一項記載のデバイス。
【請求項９】
前記係合用要素が、５０グラム〜４５０グラムの近位力の適用時に前記マイクロカテーテルのリシースを抑制するように構成される、請求項１から８のいずれか一項記載のデバイス。
【請求項１０】
前記係合用要素の遠位に配置された第２の係合用要素をさらに備える、請求項１から９のいずれか一項記載のデバイス。
【請求項１１】
前記第２の係合用要素が前記中心ワイヤの前記遠位端に固定的に取り付けられる、請求項１０記載のデバイス。
【請求項１２】
前記係合用要素が前記中心ワイヤ上で摺動可能である、請求項１１記載のデバイス。
【請求項１３】
前記係合用要素および前記第２の係合用要素に結合された連結用コネクタを備え、該連結用コネクタが、前記係合用要素と前記第２の係合用要素をある距離を置いて設置する、請求項１０から１２のいずれか一項記載のデバイス。
【請求項１４】
前記連結用コネクタが、ワイヤ、スリットをもつハイポチューブ、またはブレードである、請求項１３記載のデバイス。
【請求項１５】
前記係合用要素と前記第２の係合用要素との間に配置された第３の係合用要素を備える、請求項１０から１４のいずれか一項記載のデバイス。
【請求項１６】
妨害物を体腔から除去するためのデバイスであって、
近位端と遠位端とを備える中心ワイヤと、
遠位係合用要素と、近位係合用要素と、該遠位係合用要素と該近位係合用要素との間の中央係合用要素とを備える複数の係合用要素であって、該遠位係合用要素が前記中心ワイヤの前記遠位端に固定的に取り付けられ、該近位係合用要素および該中央係合用要素が前記中心ワイヤに対して摺動可能である、係合用要素と、
該近位係合用要素および該中央係合用要素に結合された第１のセグメントと、該中央係合用要素および該遠位係合用要素に結合された第２のセグメントとを備える連結用コネクタであって、該係合用要素をある距離を置いて設置するように構成された連結用コネクタと
を備え、
該第１のセグメントが、該連結用コネクタへの長手方向軸荷重の適用時に、該第１のセグメントおよび該第２のセグメントが順次折りたたむように構成されるように、該第２のセグメントとは異なる軸方向装荷に耐えるように構成される、
デバイス。
【請求項１７】
前記連結用コネクタが可撓性ワイヤを備え、該可撓性ワイヤが、前記長手方向軸荷重の適用時に曲がるように構成される、請求項１６記載のデバイス。
【請求項１８】
前記第１のセグメントが、前記第２のセグメントとは異なる剛性を備える、請求項１７記載のデバイス。
【請求項１９】
前記第１のセグメントが前記第２のセグメントよりも厚い、請求項１８記載のデバイス。
【請求項２０】
前記連結用コネクタが、スリットを含む管を備える、請求項１６記載のデバイス。
【請求項２１】
前記管が、前記長手方向軸荷重の適用時に短縮するように構成される、請求項２０記載のデバイス。
【請求項２２】
前記スリットが前記管の長手方向軸と平行である、請求項２０又は２１記載のデバイス。
【請求項２３】
前記スリットが前記管の長手方向軸に対してある角度をなす、請求項２０又は２１記載のデバイス。
【請求項２４】
前記スリットが、前記管の長手方向軸に沿って、らせん形スリットを備える、請求項２０又は２１記載のデバイス。
【請求項２５】
前記らせん形スリットが、前記第１のセグメント内と前記第２のセグメント内で異なるピッチを有する、請求項２４記載のデバイス。
【請求項２６】
前記第１のセグメントおよび前記第２のセグメント内の前記スリットが、パターンまたは密度のうちの１つまたは複数が異なる、請求項２０から２５のいずれか一項記載のデバイス。
【請求項２７】
前記連結用コネクタがブレードを備え、該ブレードが、前記中心ワイヤが近位に引っ張られるとき短縮するように構成される、請求項１６記載のデバイス。
【請求項２８】
前記第１のセグメントおよび前記第２のセグメント内の前記ブレードが、ブレード角度またはブレード密度のうちの１つまたは複数が異なる、請求項２７記載のデバイス。
【請求項２９】
前記近位係合用要素が、近位力の適用時に前記近位係合用要素上での前記マイクロカテーテルのリシースを抑制するように構成される、請求項１６から２８のいずれか一項記載のデバイス。
【請求項３０】
前記連結用コネクタへの長手方向軸荷重の適用時に、前記第１のセグメントの前記折りたたみの前に前記第２のセグメントが折りたたまれる、請求項１６から２９のいずれか一項記載のデバイス。
【請求項３１】
前記連結用コネクタへの長手方向軸荷重の適用時に、前記第２のセグメントの前記折りたたみの前に前記第１のセグメントが折りたたまれる、請求項１６から２９のいずれか一項記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月29日(2021.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体冷却を用いた超音波治療のためのカテーテルであって、
前記カテーテルの動作中に身体の通路内に配置される末端と、
前記カテーテルの動作中に前記身体の通路外にある近位端と、
前記カテーテルの末端に配置され、標的組織に超音波を放射するように構成された容量性微小超音波振動子（ＣＭＵＴ）アレイと、
前記末端に配置され、互いに反対を向く第１の側面および第２の側面を有する熱電冷却器と、前記熱電冷却器の前記第１の側面は前記カテーテルの動作中に非標的組織と熱的に接触して前記非標的組織を冷却し、
前記熱電冷却器の前記第２の側面に連結され、前記末端から前記近位端に向かって前記カテーテルに沿って延びていて、前記カテーテルの動作中に熱を前記熱電冷却器の前記第２の側面から遠ざかる方向に伝導する固体熱伝導体と、を備えている、カテーテル。
【請求項２】
前記熱電冷却器は、前記ＣＭＵＴアレイに機械的に連結されている、請求項１に記載のカテーテル。
【請求項３】
前記非標的組織の温度を感知するための温度センサをさらに備え、前記温度センサは前記末端に配置される、請求項１または２に記載のカテーテル。
【請求項４】
前記非標的組織の圧力を感知するための圧力センサをさらに備え、前記圧力センサは前記末端に配置される、請求項１または２に記載のカテーテル。
【請求項５】
前記カテーテルは尿道に挿入するように構成され、前記標的組織は前立腺であり、前記非標的組織は前記尿道の壁の少なくとも一部である、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のカテーテル。
【請求項６】
前記ＣＭＵＴアレイおよび前記熱電冷却器はカテーテル先端内に実装されており、前記カテーテルは、前記カテーテル先端に連結されたカテーテルジャケットをさらに備え、前記カテーテルジャケットは、前記前立腺から前記尿道の出口まで到達する長さを有する、請求項５に記載のカテーテル。
【請求項７】
前記カテーテルジャケットは、前記固体熱伝導体によって伝導された熱が前記尿道の前記壁を損傷させることを防止するための熱絶縁層を備える、請求項６に記載のカテーテル。
【請求項８】
前記カテーテル先端および前記カテーテルジャケットの周りに配置された取り外し可能なスリーブをさらに備え、前記取り外し可能なスリーブは、前記取り外し可能なスリーブを膀胱に固定するための膨張性バルーンを含み、前記取り外し可能なスリーブは少なくとも前記膀胱から前記尿道の出口まで達する長さを有し、前記取り外し可能なスリーブは、前記カテーテル先端を前記尿道から抜いた後、ある期間だけ、前記尿道内に留まるように構成されている、請求項６に記載のカテーテル。
【請求項９】
前記取り外し可能なスリーブは、前記固体熱伝導体によって伝導された熱が前記尿道の壁を損傷させるのを防止するための熱絶縁層を備える、請求項８に記載のカテーテル。
【請求項１０】
固体冷却を用いた超音波治療のための方法であって、
容量性微小超音波振動子（ＣＭＵＴ）アレイによって生成された超音波に標的組織を曝露し、前記曝露は身体の通路内から前記超音波を生成することを含み、前記ＣＭＵＴアレイは前記身体の通路を通ってカテーテル上の前記標的組織まで移動されており、
前記身体の通路の壁の損傷を防止するために、前記身体の通路内に配置された１つまたは複数の熱電冷却器を使用して前記壁を冷却し、前記１つまたは複数の熱電冷却器は前記ＣＭＵＴアレイおよび前記カテーテルのうちの少なくとも一方に連結されており、前記１つまたは複数の熱電冷却器は、互いに反対を向く第１の側面および第２の側面を有する熱電冷却器を含み、前記カテーテルの動作中に前記熱電冷却器の前記第１の側面は非標的組織と熱的に接触して前記非標的組織を冷却し、
前記１つまたは複数の熱電冷却器から熱を除去して前記壁から熱を逃し、
前記熱を除去する工程は、前記カテーテルの動作中に前記熱を前記熱電冷却器の前記第２の側面から遠ざかる方向に固体熱伝導体を通じて伝導することを含み、前記固体熱伝導体は前記熱電冷却器の前記第２の側面に連結され、前記カテーテルを通って前記身体の通路の出口に向かって延びている、方法。
【請求項１１】
前記曝露するステップにおいて、前立腺を尿道からの前記超音波に曝露すること、および前記冷却するステップにおいて、前記尿道の壁を冷却すること、を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記除去するステップは、前記熱の少なくとも一部を、前記固体熱伝導体を介して前記出口の外側に伝導することを含む、請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記除去するステップは、前記カテーテルの少なくとも一部に沿って熱を再分配することを含む、請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記壁の温度を監視すること、および
前記曝露するステップにおいて、前記温度に従って前記標的組織の超音波への曝露を調整すること、をさらに含む、請求項１０乃至１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記調整するステップは、前記温度がしきい温度を超えたときに、前記曝露を少なくとも一時的に停止することを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記壁の圧力を監視すること、および
前記曝露するステップにおいて、前記圧力に従って前記標的組織の超音波への曝露を調整すること、をさらに含む、請求項１０乃至１３のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月13日(2021.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個人の健康状態をモニターするためのコンピュータ実装式方法であって、
使い捨て可能物品の第１のセンサを使用して、事象の発生を検出することであって、前記事象は身体老廃物の排泄に対応する、検出することと、
事象の前記発生を検出することに応答して、前記第１のセンサと異なる前記使い捨て可能物品の第２のセンサを起動することと、
前記第２のセンサを使用して、前記身体老廃物に関連するカラー情報を取得(capture)することと、
前記取得したカラー情報に基づいて、複数の所定の事象タイプから事象タイプを識別することと、
前記識別された事象タイプを示す出力を提供することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記事象は、排尿、出血、月経、他の体液の排泄、排便、ガスの通過、または、その任意の組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記身体老廃物は、尿、血液、他の体液、糞便、ガス、または、その任意の組み合わせを含む、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のセンサは、水分センサ、湿度センサ、または両方を備える、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記第２のセンサは、カラーセンサ、ＬＥＤユニット、またはその組み合わせを備える、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
カラー情報を取得することは、前記使い捨て可能物品の一部分のカラー情報を取得することを含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
カラー情報を取得することは、前記身体老廃物のカラー情報を取得することを含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記使い捨て可能物品の電気化学バイオセンサを使用して、前記身体老廃物内の検査対象のレベルを検出することと、
前記身体老廃物内の前記検査対象のレベルに基づいて、複数の所定の状態のうちの１つの状態を決定することと、
前記決定された状態を示す出力を提供することと
をさらに含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
温度センサを使用して、温度の読みを検出することと、
前記温度の読みに基づいて、複数の所定の状態のうちの１つの状態を決定することと、
前記決定された状態を示す出力を提供することと
をさらに含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記使い捨て可能物品は心拍数モニターをさらに備える、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記使い捨て可能物品は加速度計またはジャイロスコープをさらに備える、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
１つまたは複数のプログラムを記憶する非一過性コンピュータ可読記憶媒体であって、前記１つまたは複数のプログラムは命令を含み、前記命令は、ディスプレイを有する電子デバイスの１つまたは複数のプロセッサによって実行されると、
使い捨て可能物品の第１のセンサを使用して、事象の発生を検出することであって、前記事象は身体老廃物の排泄に対応する、検出することと、
事象の前記発生を検出することに応答して、前記第１のセンサと異なる前記使い捨て可能物品の第２のセンサを起動することと、
前記第２のセンサを使用して、前記身体老廃物に関連するカラー情報を取得(capture)することと、
前記取得したカラー情報に基づいて、複数の所定の事象タイプから事象タイプを識別することと、
前記識別された事象タイプを示す出力を提供することと
を前記電子デバイスにさせる、非一過性コンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和3年6月11日(2021.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膨張に基づく非侵襲的血圧（ＮＩＢＰ）測定装置において使用される膨張装置であって、前記膨張装置は、
前記膨張に基づくＮＩＢＰ測定装置のカフに結合される出口と、
各ポンプがそれぞれのガスフローを前記出口に出力することで、前記カフを膨張させるためのガスフローを前記出口において生成する複数のポンプと、
制御ユニットとを備え、前記制御ユニットは、
（ｉ）それぞれのガスフローを前記出口に出力するよう、前記複数のポンプのうちの少なくとも１つを有効にし、ここで、前記制御ユニットによって有効にされるポンプの数は、前記カフを膨張させるための前記出口における要求されるガス流量に基づき、及び／または、（ｉｉ）それぞれの流量で前記出口にそれぞれのガスフローを出力するよう、前記複数のポンプのうちの少なくとも１つを制御し、ここで、前記複数のポンプのうちの前記少なくとも１つのポンプの前記それぞれの流量は、前記要求されるガス流量に基づき制御される、膨張装置。
【請求項２】
前記要求されるガス流量は、前記カフにおける圧力の変化率、およびコンプライアンス値の少なくとも一方に基づいて決定される、請求項１に記載の膨張装置。
【請求項３】
前記複数のポンプは、第１の流量範囲内のガスフローを出力する第１のポンプと、第２の流量範囲内のガスフローを出力する第２のポンプとを含み、前記第１の流量範囲は前記第２の流量範囲より高い流量を含み、前記制御ユニットは、前記要求されるガス流量で前記出口においてガスフローを提供するよう、前記第１のポンプおよび前記第２のポンプの一方または両方を有効にする、請求項１または２に記載の膨張装置。
【請求項４】
前記第１のポンプおよび前記第２のポンプの少なくとも一方の有効化および／または無効化は徐々に実行される、請求項３に記載の膨張装置。
【請求項５】
前記第１のポンプはダイアフラムポンプであり、前記第２のポンプはピエゾポンプである、請求項３または４に記載の膨張装置。
【請求項６】
前記複数のポンプの各ポンプは、ある流量範囲内のガスを出力し、前記制御ユニットは、それぞれのガスフローを出力するよう前記複数のポンプのうちの少なくとも１つを有効にし、また、前記要求されるガス流量で前記出口にガスフローを提供するよう、前記複数のポンプのうちの前記少なくとも１つのポンプの前記それぞれの流量を制御する、請求項１または２に記載の膨張装置。
【請求項７】
前記制御ユニットは、前記出口にそれぞれのガスフローを提供するよう、前記複数のポンプの各ポンプを有効にする、請求項６に記載の膨張装置。
【請求項８】
前記制御ユニットは、同じまたは実質的に同じ流量のそれぞれのガスフローを出力するよう、前記有効化されたポンプのそれぞれを制御する、請求項６または７に記載の膨張装置。
【請求項９】
前記複数のポンプの各ポンプは、固定流量でそれぞれのガスフローを出力し、前記制御ユニットは、有効化されたポンプから、前記要求されるガス流量で前記出口においてガスフローを提供するよう、前記複数のポンプのうちの少なくとも１つを有効にする、請求項１または２に記載の膨張装置。
【請求項１０】
前記複数のポンプの各ポンプは、同じまたは実質的に同じ固定流量のそれぞれのガスフローを出力する、請求項９に記載の膨張装置。
【請求項１１】
膨張に基づく非侵襲的血圧（ＮＩＢＰ）測定装置であって、前記測定装置は、
請求項１から１０のいずれか一項に記載の膨張装置と、
動作中、インフレータブルカフが身体の一部の周りに配置されているときに被検者の前記身体の一部における動脈振動を測定するセンサとを備え、前記カフは、前記膨張装置の前記出口に結合されて前記膨張装置によって膨張させられ、
前記膨張装置の前記制御ユニット、または前記膨張に基づくＮＩＢＰ測定装置の処理ユニットは、前記センサから動脈振動の測定結果を受け取り、受け取った前記測定結果に基づいて前記被検者の血圧を決定する、膨張に基づくＮＩＢＰ測定装置。
【請求項１２】
前記カフを選択的に収縮させるために前記インフレータブルカフに接続された放出弁をさらに備える、請求項１１に記載の膨張に基づくＮＩＢＰ測定装置。
【請求項１３】
膨張に基づく非侵襲的血圧（ＮＩＢＰ）測定装置とともに使用される膨張装置の制御方法であって、前記膨張装置は、前記膨張に基づくＮＩＢＰ測定装置のカフに結合される出口と、各ポンプがそれぞれのガスフローを前記出口に出力することで、前記カフを膨張させるためのガスフローを前記出口において生成する複数のポンプとを備え、前記方法は、制御ユニットが、
（ｉ）それぞれのガスフローを前記出口に出力するよう、前記複数のポンプのうちの少なくとも１つを有効にするステップであって、前記制御ユニットによって有効にされるポンプの数は、前記カフを膨張させるための前記出口における要求されるガス流量に基づく、当該有効にするステップ、および／または
（ｉｉ）それぞれの流量で前記出口にそれぞれのガスフローを出力するよう、前記複数のポンプのうちの少なくとも１つを制御するステップであって、前記複数のポンプのうちの前記少なくとも１つのポンプの前記それぞれの流量は、前記要求されるガス流量に基づき制御される、当該制御するステップを含む、方法。
【請求項１４】
コンピュータ可読コードが組み込まれたコンピュータ可読媒体に含まれるコンピュータプログラムであって、前記コンピュータ可読コードは、膨張装置の制御ユニットによって実行されると、前記膨張装置が請求項１３に記載の方法を実行するように構成されている、コンピュータプログラム。