【手続補正書】
【提出日】令和3年9月8日(2021.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
距離又は角度を測定する測定装置であって、
測定方向（ｘ）に沿って変化するように磁化され、この磁化により対応して変化する磁場（Ｂ）を引き起こすスケール（１）と、
変化する前記磁場（Ｂ）が前記スケール（１）に対する相対的な位置に応じて前記測定方向（ｘ）に貫通する少なくとも１つの走査ヘッド（２）と、
を有し、前記走査ヘッド（２）は、
磁気インピーダンス効果により、前記磁場（Ｂ）に依存し、かつ前記測定方向（ｘ）に沿って変化する局所的で電気的なインピーダンスを有する少なくとも１つの強磁性の薄片（６）と、
前記薄片（６）の局所的で電気的な前記インピーダンスに依存する少なくとも２つの位相シフトされたセンサ信号（ＵＳ、ＵＣ）を生成するように構成された少なくとも１つのセンサユニット（３）と、
を有する測定装置。
【請求項２】
請求項１に記載の測定装置であって、
一定の振幅と一定の周波数の交流電流（i）を供給するように構成された信号源であって、前記交流電流（i）が、前記測定方向（ｘ）に沿って離間して配置された少なくとも２つの薄片（６）に供給される信号源をさらに有し、
前記少なくとも２つの薄片（６）は、それ自体が前記センサユニット（３）のセンサ素子として構成されており、
前記走査ヘッド（２）に対する前記スケール（１）の位置に依存して前記測定方向（ｘ）に沿って変化する前記磁場（Ｂ）が、前記少なくとも２つの薄片（６）の前記インピーダンスに影響を与え、前記インピーダンスは、測定情報（ＵＳ＋、ＵＳ−、ＵＣ＋、ＵＣ−）として評価される測定装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の測定装置であって、
前記磁場（Ｂ）により局所的に変化する、強磁性の前記薄片（６）内の局所的な電流強度が、平面コイル（１０）によって検出される測定装置。
【請求項４】
請求項１に記載の測定装置であって、前記測定装置は、
一定の振幅と一定の周波数の交流電流（ｉ）を供給するように構成された信号源を有し、
前記センサユニット（３）は、前記信号源に接続され、少なくとも１つの平面受信コイル（１０）に変圧的に結合された少なくとも１つの送信コイル（１１）を有し、
少なくとも１つの前記薄片（６）が鉄心として機能し、前記送信コイル（１１）は、前記鉄心の中で、少なくとも１つの前記薄片（６）の局所的な前記インピーダンスに依存する渦電流を誘導する測定装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４の何れか一項に記載の測定装置であって、
ここで、センサ信号（ＵＳ及びＵＣ）の各々の生成は、それぞれ、２つの測定情報（ＵＳ＋，ＵＳ−；ＵＣ＋，ＵＣ−）間の差をとることによって実行され、
前記２つの測定情報（ＵＳ＋，ＵＳ−；ＵＣ＋，ＵＣ−）は、それぞれ、前記測定方向（ｘ）に沿って間隔を置いてセンサユニット（３）内に配置された、少なくとも１組の個別のセンサ素子（Ｓ＋，Ｓ−;Ｃ＋，Ｃ−）によって生成される測定装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５の何れか一項に記載の測定装置であって、
前記スケール（１）は、２倍の周期（２・λ）の規則的な分割を有し、
前記センサユニット（３）は、第１のグループの少なくとも２つのセンサ素子と、第２のグループの少なくとも２つのセンサ素子とを含み、
前記第１のグループの前記センサ素子は、前記周期の半分の奇数倍にほぼ対応する距離（（２ｎ＋１）・λ／２）だけ互いにずれて配置されており、
前記第２のグループの前記センサ素子は、前記第１のグループの前記センサ素子に対して、前記周期の半分の倍数に前記周期の４分の１を加えた長さに対応する距離（ｎ・λ＋λ／４）だけずれて配置されている測定装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６の何れか一項に記載の測定装置であって、
前記スケール（１）は、互いに隣接して配置された複数の磁気トラックを有する測定装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７の何れか一項に記載の測定装置であって、
前記スケールは、前記走査ヘッド（２）に対する前記スケールの位置を一意に定義する絶対コーディングを有する測定装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８の何れか一項記載の測定装置であって、
前記スケールは円筒形状を有し、前記スケールの分割は角分割である測定装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８の何れか一項に記載の測定装置であって、
強磁性の前記薄片は、線形、非線形、及び磁気飽和の状態の範囲で機能する測定装置。
【請求項１１】
スケール（１）と前記スケール（１）から離間した走査ヘッド（２）との間の相対位置を測定する方法であって、
測定方向に沿って変化するように磁化されたスケール（１）によって、前記測定方向（ｘ）に沿って変化する磁場（Ｂ）を生成するステップと、
センサユニット（３）に配置された少なくとも１つの薄片（６）の局所的で電気的なインピーダンスに影響を与えるステップであって、局所的で電気的な前記インピーダンスは、磁気インピーダンス効果による局所的な磁場に依存し、したがって、前記センサユニット（３）に対する前記スケール（１）の位置に依存し、少なくとも２つの位相シフトされた測定信号が生成されるステップと、
前記少なくとも１つの薄片（６）の、ある領域における局所的で電気的な前記インピーダンスを表す信号をセンサ素子により検出するステップと、
を有する方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記少なくとも１つの薄片（６）に高周波交流電流を供給するステップであって、前記測定方向（ｘ）に沿った電流分布が前記少なくとも１つの薄片（６）の局所的で電気的な前記インピーダンスに依存しているスッテプと、
前記センサ素子によって検出された信号の評価、特に復調を行うステップと、
をさらに有する方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
前記信号を前記センサ素子により検知する前記ステップは、
前記少なくとも１つの薄片（６）に局所的な前記インピーダンスに依存する電圧をかけるステップ、又は
前記少なくとも１つの薄片（６）に局所的に流れる交流電流によって引き起こされる磁場の強さを表すセンサ信号を、平面コイル、又は、磁場に感度を有する半導体素子、又は薄膜センサ素子によって検出するステップ、
を有する方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の方法であって、
前記少なくとも１つの薄片（６）の局所的で電気的な前記インピーダンスは、少なくとも１つの送信コイル（１１）によって誘導される渦電流に影響を与え、
平面受信コイル（１０）が、センサ素子として使用され、前記平面受信コイル（１０）は、前記送信コイル（１１）に変圧的に結合され、強磁性の前記少なくとも１つの薄片（６）は、鉄心として機能する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図４の例によれば、走査ヘッド２に配置された評価電子回路４は、一定の振幅の（１ＭＨｚから約１００ＭＨｚの範囲の）高周波キャリア電流を生成するように構成された信号発生器４１を有する。（Ｓ＋、Ｓ−、Ｃ＋、Ｃ−と示されている）４つのセンサ素子６のそれぞれは、信号発生器に電気的に接続されているので、キャリア電流ｉはそれらを通って流れる。ここに示す例では、センサ素子６が直列に接続されているため、同じキャリア電流ｉがセンサ素子６を流れる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
センサユニット３に配置されたセンサ素子６（薄片）には、スケール１が発生する磁界（磁束密度Ｂ）が侵入する。前述のように、磁場は測定方向（ｘ方向）に沿ったスケールの分割に従って変化し、その結果、センサ素子６の局所的な磁場の強さ／磁束密度は、センサユニット３とスケール１の相対位置に依存する。センサユニットに対してスケールが移動すると、それに応じて磁場が移動する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
例１：距離又は角度を測定する測定装置であって、
測定方向ｘに沿って変化するように磁化され、この磁化により対応して変化する磁場Ｂを引き起こすスケール１と、
前記磁場Ｂが貫通する少なくとも１つのセンサユニット３と、
を有し、前記センサユニット２は、
磁気インピーダンス効果により、磁場Ｂに依存し、かつ前記測定方向ｘに沿って変化する局所的な電気的インピーダンスを有する、少なくとも１つの強磁性の薄片６と、
前記薄片６の領域で前記局所的な電気的インピーダンスに依存するセンサ信号（例えば、ＵＳ＋、ＵＳ−、ＵＣ＋、ＵＣ−）を生成するように構成された少なくとも１つのセンサ素子（例えば、図３、５、６、符号６、７、１０参照）と、
を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
例１０：例１乃至例９の何れか１つに記載の測定装置であって、前記スケールは、前記センサ素子３に対する前記スケールの位置を一意に定義する絶対コーディングを有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
例１２：スケール１と前記スケール１から離間したセンサユニット３との間の相対位置を測定する方法であって、
測定方向に沿って変化するように磁化されたスケール１によって、前記測定方向ｘに沿って変化する磁場Ｂを生成するステップと、
センサユニット３に配置された少なくとも１つの薄片６の局所的で電気的なインピーダンスに影響を与えるステップであって、局所的で電気的な前記インピーダンスは、磁気インピーダンス効果による局所磁場に依存し、したがって、前記センサユニット３に対する前記スケール１の位置に依存するステップと、
なくとも１つの薄片６のある領域における局所的で電気的な前記インピーダンスを表す信号をセンサ素子により検出するステップと、
を有する。