Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年12月21日(2020.12.21)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パイプを補強するための乾燥ライナを製造する方法であって、該方法は、
ガラスファイバ補強連続材料であって、オーバーラップする領域を形成するために該ガラスファイバ補強連続材料の後続する層が材料の先行する層にオーバーラップするようにマンドレルのまわりにガラスファイバ補強連続材料を螺旋状に巻き付けることと、前記オーバーラップする領域で前記材料の先行する層に前記材料の後続する層を取り付けること、とを含む、方法。
【請求項２】
１つまたはそれ以上の熱可塑性繊維を、前記オーバーラップする領域で前記材料に取り付けるか、或いは前記材料で浸漬させ、前記オーバーラップする領域で前記材料の先行する層に前記材料の後続する層を取り付けることは、前記１つまたはそれ以上の熱可塑性繊維を少なくとも部分的に溶融させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記１つまたはそれ以上の熱可塑性繊維は、ポリプロピレンを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ガラス繊維とポリエステル繊維の混合物を含む覆いを前記ガラスファイバ補強連続材料に取り付け、前記オーバーラップする領域で前記材料の先行する層に前記材料の後続する層を取り付けることは、前記覆いのホリエステル材料を少なくとも部分的に溶融させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記オーバーラップする領域で前記材料の先行する層に前記材料の後続する層を取り付けることは、接着材が少なくとも部分的に前記オーバーラップする領域に少なくとも部分的に位置するように前記材料上に接着材を付けることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記接着材は、ホットメルト接着材、液体／溶剤系スプレーグルー、または、それらの組み合わせを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記オーバーラップする領域で前記材料の先行する層に前記材料の後続する層を取り付けることは、前記オーバーラップする領域で前記材料の先行する層に前記材料の後続する層を機械的に交絡させることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記オーバーラップする領域で前記材料の先行する層に前記材料の後続する層を機械的に交絡させることは、前記材料の先行する層と前記材料の後続する層を互いに縫い付けることをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記乾燥ライナを樹脂で浸漬させる前に前記マンドレルから前記乾燥ライナを取り除くことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
パイプを補強するために使用される乾燥ライナであって、該乾燥ライナは、第１の層および第２の層を形成し、前記第２の層が前記第１の層の層に少なくとも部分的にオーバーラップしてオーバーラップする領域を形成する連続的な螺旋状に巻き付けられたガラスファイバ補強材料と、
前記オーバーラップする領域で前記第２の層を前記第１の層に取り付ける第２の材料と、を含む、乾燥ライナ。
【請求項１１】
前記第２の材料は、前記第２の層に前記第１の層を取り付けるために溶融される複数の熱可塑性繊維を含む、請求項１０に記載の乾燥ライナ。
【請求項１２】
前記第２の材料は、少なくとも前記オーバーラップする領域で前記ガラス繊維補強材料に付けられている接着材を含む、請求項１０に記載の乾燥ライナ。
【請求項１３】
前記第２の材料は、機械的交絡を含む、請求項１０に記載の乾燥ライナ。
【請求項１４】
前記第２の材料は、ガラス繊維とポリエステル繊維の混合物を含む覆いを含む、請求項１０に記載の乾燥ライナ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
例示的な実施形態では、外側箔層２０２は、スチレンバリアとして作用するポリアミド層、および、外側箔層２０２を溶接する能力を向上させるポリエチレン層を含む。例示的な実施形態では、内側箔層２０２および外側箔層２１２は、同じ材料である。他の実施形態では、しかしながら、内側箔層２０２および外側箔層２１２は異なる材料を含んでよい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
いくつかの実施形態では、熱可塑性繊維２３０は、補強材料２０４の底面２２２上、または、頂面２２０および底面２３０の両方上に位置決めされているのがよい。さらに、いくつかの実施形態では、熱可塑性繊維２３０は、第１の縁部分２２４および第２の縁部分２２６の一方にだけ近接して位置決めされているのがよい。いくつかの実施形態では、熱可塑性繊維２３０は、補強材料２０４中に浸漬されるのがよい。例えば、熱可塑性繊維２３０は、補強材料２０４中に織り込まれ、或いはその他の仕方で補強材料２０４と共に形成されているのがよい。いくつかの実施形態では、熱可塑性材料２３０は、実質的に全頂面２２０に亘って、実質的に全底面２２２に亘って、或いは全頂面２２０および全底面２２２の実質的に両方に亘って位置決めされているのがよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
１つの例示的な実施形態では、補強材料２０４は、幅Ｗ（図２参照）を有し、熱可塑性繊維２３０は、幅Ｗの約５％〜約５０％、或いは幅の約１０％〜約４０％、或いは幅の約１５％〜約３０％上に位置決めされ、若しくは、組み込まれている。１つの例示的な実施形態では、熱可塑性繊維２３０は、幅Ｗの約３０％、またはそれ以下上に位置決めされ、若しくは、組み込まれている。１つの例示的な実施形態では、補強材料２０４は、約１％〜約１０％の比でガラス繊維と熱可塑性繊維２３０
の両方を含む。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月7日(2020.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機体から突出する航空機の翼の下面に設置し、そこから懸架される外部ペイロードを担持する航空機パイロンであって、
前記パイロンを前記航空機の翼に設置するのを容易にするように構成された取り付け機構と、
前記ペイロードを担持し、前記取り付け機構に枢動式に連接されるように構成され、その中に開放した底部のチャンバを画定する筐体と、前記ペイロードをそこから懸架するためのペイロード解放ユニットとを備え、前記ペイロード解放ユニットが、それが少なくとも部分的に前記筐体から下向きに突出する作動位置と、それが前記チャンバ内に完全に収容される格納位置との間を移動するように構成された担持構成と、を備え、
前記パイロンは、前記担持構成を、それがほぼ垂直方向の向きで懸架される垂直方向の位置と、それが前記機体に向かって傾斜する傾斜位置との間でパイロン軸を中心に枢動させるように構成されており、前記パイロンは、前記ペイロード解放ユニットの前記移動で前記担持構成の前記枢動を調整するように構成されている航空機パイロン。
【請求項２】
前記ペイロードをそこに取り付けるための１つまたは複数のつなぎ材を備え、前記つなぎ材の各々は、垂直方向のベアリング部材と、前記チャンバの幅より大きな長さを有する横方向に突出する担持アームとを備え、前記担持アームは、前記ペイロード解放ユニットがその作動位置にあるとき前記チャンバの外側にある、請求項１に記載のパイロン。
【請求項３】
前記ペイロード解放ユニットは、前記つなぎ材が連接される支持バーと、前記支持バーを上昇位置と下降位置との間で作動させるように構成された移動構成とを備え、前記つなぎ材は、前記支持バー内で回転するように構成されている、請求項２に記載のパイロン。
【請求項４】
前記移動構成は、各々がその一端において前記筐体に対して枢動式に連接され、かつその他端において前記支持バーに対して枢動式に連接された平行に配列された２つの枢動リンクを備え、前記移動構成は、前記枢動リンクを選択的に枢動させるように構成されたアクチュエータをさらに備える、請求項３に記載のパイロン。
【請求項５】
前記枢動リンク（４２）の前記筐体および前記支持バーへの連接の位置は、前記支持バーが、前記筐体に対する、その上昇位置と下降位置との間の配向を維持することを可能にする、請求項４に記載のパイロン。
【請求項６】
前記ペイロード解放ユニットは、その作動位置からその格納位置に移る際、前記担持構成のその垂直方向の位置からその傾斜位置への枢動を機械的に促進させるように構成される、請求項１から５のいずれか一項に記載のパイロン。
【請求項７】
前記取り付け機構は、その中に収容チャンバを画定し、前記担持構成の上部は、前記収容チャンバ内に受け入れられ、かつ前記担持構成の枢動中その中に収容されるように構成された懸架部分を備え、前記パイロン軸は、前記収容チャンバおよび前記懸架部分の中を通っている、請求項１から６のいずれか一項に記載のパイロン。
【請求項８】
少なくとも前記担持構成がその垂直方向の位置およびその傾斜位置にあるとき、前記取り付け機構と前記懸架部分との間に厳重なシールを提供するように構成されたガスケットをさらに備える、請求項７に記載のパイロン。
【請求項９】
前記担持構成は、その閉鎖位置において前記ペイロード解放ユニットがその格納位置にあるとき、前記チャンバの開放底部を覆い、またその開放位置では、前記ペイロード解放ユニットが前記チャンバから突出することを許すように構成されたドアをさらに備える、請求項１から８のいずれか一項に記載のパイロン。
【請求項１０】
前記ドアは、前記パイロン軸にほぼ平行であるドア軸を中心に前記開放位置と前記閉鎖位置との間で枢動するように構成され、前記ドアは、その完全な開放位置では、前記筐体の垂直方向の外面とほぼ位置合わせされるように位置し、前記ドアは、その閉鎖位置に向けて前記ドアを付勢するように構成された付勢要素を備える、請求項９に記載のパイロン。
【請求項１１】
前記ドアをその開放位置に固定するように構成された固定構成をさらに備える、請求項１０に記載のパイロン。
【請求項１２】
前記ドアは、閉鎖する際に前記つなぎ材の回転を促進するように構成される、請求項３に従属するときの請求項９から１１のいずれか一項に記載のパイロン。
【請求項１３】
前記ドアは、その内面上に、前記つなぎ材の各々に対応するソケットを備え、各ソケットは、前記ドアが閉まる際、その対応するつなぎ材の前記担持アームの一端を中に収容し、前記回転方向にそれにもたれるように構成されており、
前記ソケットの各々は、任意に前記ベアリングのための角度を成す側壁と共に形成される、請求項１２に記載のパイロン。
【請求項１４】
前記パイロン軸は、前記航空機のフライトの方向にほぼ平行である、請求項１から１３のいずれか一項に記載のパイロン。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月25日(2020.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
イオン交換ステーション１４０は更に、タンク１４４を覆うように延在するフード１４２を含んでよい。いくつかの実施形態では、回転ツール１１５は、本明細書に記載のロボットリフト１１０の代わりに、又はこれに加えて、フード１４２の壁部１４３に連結してよい。上述のように、回転ツール１１５は、カセット２００を回転させるためにカセット２００を貫通できる複数の突起部１１９を含んでよい。従って、動作時、制御ユニット１０３はロボットリフト１１０に、カセット２００を回転ツール１１５上に設置させることができる。回転ツール１１５にはモータが付いていてよく、これにより、制御ユニット１０３の１つ以上のプロセッサ１０５は、回転ツール１１５に回転シーケンスを実施させて、溶融塩浴１５５からの残留した流体をカセット２００から実質的に排出させるための、論理を実行できる。回転ツール１１５は、ロボットリフト１１０の、カセット２００を回収するために溶融塩浴１５５内へと到達する能力を妨害しないよう、溶融塩浴１５５からオフセットされていてよい。このような実施形態では、回転ツール１１５の下方において、イオン交換ステーション１４０は更に、溶融塩浴１５５に向かって傾斜した傾斜壁部２４７を含んでよい。従って、回転ツール１１５がカセット２００に対して実施する回転シーケンスによって排出されるいずれの流体を、再び溶融塩浴１５５へと配向できる。これはまた、後続のイオン交換作業で使用するために溶融塩浴１５５を維持するという追加の便益を有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2020503227.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月1日(2021.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流動性食品用の包装容器（１０）であって、前記包装容器はポリマー組成物から形成された開口部（３０）を備え、前記開口部（３０）は脆弱化特徴部（３１）であって２００マイクロメートル未満の厚さを有しかつ前記脆弱化特徴部に直接隣接する前記開口部（３０）の部分よりも薄い脆弱化特徴部（３１）を備え、前記ポリマー組成物は亜硫酸ナトリウム粒子を含み、前記粒子は以下のサイズ特性を有する：
（ｉ）０％が７５マイクロメートルを超えるサイズ、および
（ｉｉ）２５マイクロメートル未満の平均サイズ、
を有する、流動性食品用の包装容器（１０）。
【請求項２】
前記粒子が以下のサイズ特性：
（ｉ）０％が５０マイクロメートルを超えるサイズ、および
（ｉｉ）１５マイクロメートル未満の平均サイズ、
を有する、請求項１に記載の流動性食品用の包装容器（１０）。
【請求項３】
前記開口部（３０）の前記ポリマー組成物が２〜２０重量％の亜硫酸ナトリウムを含む、請求項１または２に記載の流動性食品用の包装容器（１０）。
【請求項４】
前記開口部（３０）の前記ポリマー組成物が５〜１０重量％の亜硫酸ナトリウムを含む、請求項３に記載の流動性食品用の包装容器（１０）。
【請求項５】
前記亜硫酸ナトリウム粒子が無水Ｎａ２ＳＯ３粒子である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の流動性食品用の包装容器（１０）。
【請求項６】
前記開口部（３０）が成形される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の流動性食品用の包装容器（１０）。
【請求項７】
前記開口部（３０）が射出成形される、請求項６に記載の流動性食品用の包装容器（１０）。
【請求項８】
前記開口部（３０）が、ＨＤＰＥを含むポリマー組成物から製造される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の流動性食品用の包装容器（１０）。
【請求項９】
前記ポリマー開口部（３０）が、ＬＤＰＥを含むポリマー組成物から製造される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の流動性食品用の包装容器（１０）。
【請求項１０】
前記開口部（３０）が、ＨＤＰＥ、ＬＤＰＥおよび／またはＬＬＤＰＥを含むブレンドを含むポリマー組成物から製造される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の流動性食品用の包装容器（１０）。
【請求項１１】
前記包装容器（１０）が包装容器本体（１２）と、前記包装容器本体（１２）上に成形された前記開口部（３０）とを備え、したがって前記包装容器本体（１２）と前記開口部（３０）との間に界面を形成し、それにより前記包装容器本体（１２）は積層材料を備え、前記積層材料はセルロースベース層と酸素遮断材料を含むポリマー層とを備える、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の流動性食品用の包装容器（１０）。
【請求項１２】
前記酸素遮断材料がアルミニウム箔である、請求項１１に記載の流動性食品用の包装容器（１０）。
【請求項１３】
流動性食品用の包装容器（１０）用の開口部（３０）を提供する方法であって、
前記包装容器（１０）の開口部（３０）を形成するのに適したポリマー組成物に亜硫酸ナトリウム粒子を添加することであって、前記粒子は以下のサイズ特性：（ｉ）０％が７５マイクロメートルを超えるサイズ、および（ｉｉ）２５マイクロメートル未満の平均サイズ、を有する、
前記開口部を成形によって形成することであって、それにより前記開口部（３０）は、脆弱化特徴部（３１）であって２００マイクロメートル未満の厚さを有しかつ前記脆弱化特徴部に直接隣接する前記開口部（３０）の部分よりも薄い脆弱化特徴部（３１）を備える、
を含む方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年12月7日(2020.12.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
質量流量コントローラであって、
入口、
出口、
前記質量流量コントローラを通って流れるガスの質量流量を測定するように構成された熱流センサであって、前記入口に連結された入力部、出力部、内面、及び外面を有するセンサチューブを有し、前記内面が内側バリア層を形成するように第１の材料で被覆されており、前記外面が外側バリア層を形成するように第２の材料で被覆されており、前記第２の材料が前記第１の材料とは異なる材料である、熱流センサ、
前記センサチューブの前記出力部と前記出口との間に連結された流量制御弁であって、前記質量流量コントローラを通って流れる前記ガスの前記質量流量を増加させるか又は低減させるように構成された流量制御弁、並びに
前記熱流センサからセンサ情報を受け取り、前記流量制御弁を動作させるように構成されたコントローラを備える、質量流量コントローラ。
【請求項２】
前記第１の材料又は前記第２の材料が、五酸化タンタルを含む、請求項１に記載の質量流量コントローラ。
【請求項３】
前記内側バリア層及び／又は前記外側バリア層が、約５０nmから１５０nmの厚さを有する、請求項１又は２に記載の質量流量コントローラ。
【請求項４】
前記センサチューブが、約１．３mmから１．７mmの内径を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の質量流量コントローラ。
【請求項５】
前記センサチューブが、ステンレス鋼又はニッケル‐クロム‐モリブデン合金を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の質量流量コントローラ。
【請求項６】
前記入口と前記流量制御弁との間に連結されたバイパス流路を更に備え、前記バイパス流路が、前記熱流センサと並列に連結されている、請求項１から５のいずれか一項に記載の質量流量コントローラ。
【請求項７】
基板支持体を有するプロセスチャンバ、
ガス供給源及び質量流量コントローラを含むガス供給システムであって、前記質量流量コントローラが、入力部、出力部、内面、及び外面を有するセンサチューブを有する熱流センサを含み、前記内面が内側バリア層を形成するように第１の材料で被覆されており、前記外面が外側バリア層を形成するように第２の材料で被覆されており、前記第２の材料が前記第１の材料とは異なる材料である、ガス供給システム、並びに
前記プロセスチャンバ及び前記ガス供給システムを動作させるように構成されたシステムコントローラを備える、電子デバイス製造システム。
【請求項８】
前記第１の材料又は前記第２の材料が、五酸化タンタルを含む、請求項７に記載の電子デバイス製造システム。
【請求項９】
前記内側バリア層及び／又は前記外側バリア層が、単一の層を備え、約５０nmから１５０nmの厚さを有する、請求項７又は８に記載の電子デバイス製造システム。
【請求項１０】
電子デバイス製造システム内の質量流量を測定し制御する方法であって、
入力部、出力部、内面、及び外面を有するセンサチューブを有する熱流センサを備え、前記内面が内側バリア層を形成するように第１の材料で被覆されており、前記外面が外側バリア層を形成するように第２の材料で被覆されており、前記第２の材料が前記第１の材料とは異なる材料である、質量流量コントローラを提供すること、
前記熱流センサによって質量流量を測定すること、並びに
前記測定したことに応答して、前記質量流量コントローラによって前記質量流量を必要に応じて調整することを含む、方法。
【請求項１１】
前記提供することが、原子層堆積を介して前記第１の材料を前記内面に付けることを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の材料又は前記第２の材料が、五酸化タンタルを含む、請求項１０又は１１に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
そのような腐食性の反応が生じることを防止し又はそのような可能性を低減させるために、センサチューブ３４０は、バリア層を形成するように材料で被覆されてよい。図３Ｂで示されているように、センサチューブ３４０は、内面３４６及び外面３４８を有する。内面３４６は、内側バリア層３５２を形成するように材料３５０で被覆されてよい。ある実施形態では、外面３４８も、外側バリア層３５４を形成するように材料３５０で被覆されてよい。材料３５０は、原子層堆積（ALD）を介して付けられてよい。内面３４６及び／又は外面３４８に材料３５０を付ける他の適切な方法が、代替的に使用されてよい。ある実施形態では、材料３５０が、酸化アルミニウム（Al2O3）又は五酸化タンタル（Ta2O5）から作成され又はそれらを含み得る。内側バリア層３５２は、単一の層で形成され且つ／又は約５０nmから１５０nmの厚さを有してよい。外側バリア層３５４も、単一の層で形成され且つ／又は約５０nmから１５０nmの厚さを有してよい。内側バリア層３５２及び／又は外側バリア層３５４は、他の適切な厚さを有してよく、且つ／又は、ある実施形態では、複数の材料の種類から形成されてよい。ある実施形態では、内側バリア層３５２及び外側バリア層３５４が、異なる材料から形成されてよい。内側バリア層３５２及び／又は外側バリア層３５４は、それぞれ、腐食性の反応が内面３４６及び／又は外面３４８上で生じることを防止し又はその可能性を実質的に低減させ得る。それにより、MFC２１０（図２）などのMFCが、MFCの質量流量の精度仕様を超えてドリフトすることを防止し又はその可能性を低減させることができる。これにより、MFCによる流れ検出の再現性を改善することができる。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月7日(2021.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビームで加工物を処理するための装置であって、
粒子ビームを形成するためのビームラインを有し、加工物を該粒子ビームで処理するための真空チャンバと、
前記粒子ビームを通して前記加工物を並進させるためのスキャナと、
前記スキャナに結合され、前記スキャナの走査特性を制御するように構成されているスキャナ制御回路と、
少なくとも１つのビームラインコンポーネントに結合され、処理中に少なくとも２つの異なる状態間で切り替えるためのデューティサイクルに従って前記粒子ビームのビーム束を制御するように構成されているビーム制御回路と、
前記スキャナ制御回路および前記ビーム制御回路に結合されたコントローラを含む制御システムと、を含み、前記制御システムは、前記加工物の少なくとも一部の属性に関連するパラメトリックデータを処理し、前記加工物のための補正マップを形成するように構成されており、前記コントローラは、前記補正マップを適用するときに、前記スキャナの走査特性を制御することにおいて少なくとも１つの限界を決定し、決定された前記限界に応答して、前記ビーム制御回路を介して前記粒子ビームのデューティサイクルを制御可能に変動させるように構成されている、装置。
【請求項２】
前記粒子ビームが、荷電粒子ビームまたは非荷電粒子ビームを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記粒子ビームが、中性ビーム、ガスクラスタビーム、ガスクラスタイオンビーム、イオンビーム、電子ビーム、またはこれらの組み合わせを含む、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記真空チャンバが、複数の粒子ビームを形成するための複数のビームラインを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記走査特性は、走査速度、走査経路、走査加速度、走査位置、またはこれらの２つ以上の任意の組み合わせを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記ビーム制御回路は、実質的にオン状態と実質的にオフ状態の間で前記粒子ビームをトグルし、前記オン状態に対する前記ビーム束は、前記オフ状態よりもかなり大きい、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記ビーム制御回路は、イオナイザに結合され、該イオナイザは、荷電状態と非荷電状態の間で前記粒子ビームをトグルするように制御される、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記ビーム制御回路は、前記イオナイザから出て前記粒子ビームと交差する電子束を制御する、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記ビーム制御回路は、加速電極に結合され、該加速電極は、少なくとも２つの異なる加速状態間で前記粒子ビームをトグルするように制御される、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記ビーム制御回路は、粒子ビーム偏向電極に結合され、該粒子ビーム偏向電極は、前記加工物との交差状態および非交差状態を含む少なくとも２つの偏向状態間で前記粒子ビームをトグルするように制御される、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記ビーム制御回路は、ビームゲートに結合され、該ビームゲートは、ビームゲート閉塞状態とビームゲート非閉塞状態の間で前記粒子ビームをトグルするように制御される、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記少なくとも２つの異なる状態は、オン状態およびオフ状態を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
前記コントローラは、前記スキャナ制御回路が最大走査速度に達することを決定するように構成されており、前記ビーム制御回路は、該最大走査速度に達することに応答して、少なくとも２つの異なる状態間で前記ビーム束を切り替えるための前記デューティサイクルを減少させることによって前記デューティサイクルを変動させる、請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
前記コントローラは、前記スキャナ制御回路が最大走査加速度に達することを決定するように構成されており、前記ビーム制御回路は、該最大走査加速度に達することに応答して、少なくとも２つの異なる状態間で前記ビーム束を切り替えるための前記デューティサイクルを減少させることによって前記デューティサイクルを変動させる、請求項１に記載の装置。
【請求項１５】
粒子ビームで加工物を処理する方法であって、
粒子ビームを形成し、該粒子ビームで加工物を処理するための真空チャンバ内のスキャナ上に該加工物を取り付けるステップと、
前記真空チャンバ内に粒子ビームを生成するステップと、
前記粒子ビームを通して前記加工物を走査し、前記スキャナの少なくとも１つの走査特性を制御するステップと、
処理中に少なくとも２つの異なる状態間で切り替えるためのデューティサイクルに従って前記粒子ビームのビーム束を制御するステップと、
前記加工物の少なくとも一部の属性に関連するパラメトリックデータを処理し、前記加工物のための補正マップを形成するステップと、
前記加工物を処理するための前記補正マップを適用する際、前記スキャナの少なくとも１つの走査特性を制御可能に調整するステップと、
前記補正マップを適用するときに、前記スキャナの走査特性を制御することにおいて少なくとも１つの限界を決定し、決定された前記限界に応答して、ビーム制御回路を介して前記粒子ビームのデューティサイクルを制御可能に変動させるステップと、を含む方法。
【請求項１６】
前記粒子ビームが、荷電粒子ビームまたは非荷電粒子ビームを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記粒子ビームは、中性ビーム、ガスクラスタビーム、ガスクラスタイオンビーム、イオンビーム、電子ビーム、またはこれらの組み合わせを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記スキャナの走査特性を制御することにおいて少なくとも１つの限界を決定することは、最大走査速度に達するときを決定することを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記スキャナの走査特性を制御することにおいて少なくとも１つの限界を決定することは、最大走査加速度に達するときを決定することを含む、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月22日(2020.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ電子デバイスであって、
第１の絶縁基板と、
第１の表面と前記第１の表面と反対側の第２の表面とを有するキャパシタであって、前記キャパシタの前記第１の表面が前記第１の絶縁基板に機械的に結合された、キャパシタと、
第２の絶縁基板であって、前記キャパシタが前記第１の絶縁基板と前記第２の絶縁基板との間に配設されるように、前記キャパシタの前記第２の表面が前記第２の絶縁基板に機械的に結合された、第２の絶縁基板と、
第１の接着材及び第２の接着材を備える絶縁要素であって、前記第１の絶縁基板と前記第２の絶縁基板との間に配設された絶縁要素と、
前記キャパシタの第１の端子に電気的に接続するように前記第１の絶縁基板及び前記絶縁要素の一部を貫いて延在する第１の相互接続部と、を備え、
前記キャパシタの前記第１の表面が、前記第１の接着材によって前記第１の絶縁基板に機械的に結合され、前記キャパシタの前記第２の表面が、前記第２の接着材によって前記第２の絶縁基板に機械的に結合されており、
前記第１の絶縁基板及び前記第１の接着材は異なる材料で形成され、前記第２の絶縁基板及び前記第２の接着材は異なる材料で形成されている、マイクロ電子デバイス。
【請求項２】
前記第１の接着材がはんだを備える、請求項１に記載のマイクロ電子デバイス。
【請求項３】
前記絶縁要素が、前記キャパシタの部分の周りに配設された成形コンパウンドを備える、請求項１に記載のマイクロ電子デバイス。
【請求項４】
前記絶縁要素が、前記第１の絶縁基板と前記第２の絶縁基板との間の前記キャパシタの周りに配設された第３の中間絶縁基板を備える、請求項１に記載のマイクロ電子デバイス。
【請求項５】
前記第１の絶縁基板及び前記第２の絶縁基板のうちの１つ以上の熱膨張係数（ＣＴＥ）が、５ｐｐｍ／℃以下である、請求項１に記載のマイクロ電子デバイス。
【請求項６】
前記マイクロ電子デバイスの全実効熱膨張係数（ＣＴＥ）が、７ｐｐｍ／℃以下である、請求項１に記載のマイクロ電子デバイス。
【請求項７】
前記第１の絶縁基板を貫いて延在する第２の相互接続部を更に備え、前記第１の相互接続部が、前記キャパシタの第１の側において前記キャパシタの第１の端子に接続されており、前記第２の相互接続部が前記第１の側の第２の端子に接続されており、前記第１の端子が前記第２の端子とは異なる種類である、請求項１に記載のマイクロ電子デバイス。
【請求項８】
前記キャパシタの第２の側の第３の端子と前記第２の側の第４の端子とを更に備え、前記第３の端子が前記第４の端子とは異なる種類である、請求項７に記載のマイクロ電子デバイス。
【請求項９】
請求項１に記載のマイクロ電子デバイスと要素とを備え、前記要素が、介在する接着材を使用せずに前記マイクロ電子デバイスに直接接合されている、接合構造物。
【請求項１０】
マイクロ電子デバイスであって、
第１の表面及び前記第１の表面と反対側の第２の表面を有する絶縁材料と、
前記第１の表面と前記第２の表面との間において、前記絶縁材料内に少なくとも部分的に埋め込まれたキャパシタと、
第１の接着材によって前記キャパシタに機械的に結合され、前記絶縁材料の前記第１の表面の上に配置された第１のプレーナ非堆積絶縁基板であって、前記絶縁材料の前記第１の表面上に配置されており、前記キャパシタの１つ以上の端子を、前記絶縁材料の前記第１の表面にある又は前記第１の表面を貫いて延在する１つ以上の相互接続部に電気的に結合するように構成された相互接続層を備える、第１のプレーナ非堆積絶縁基板と、
第２の接着材によって前記キャパシタに機械的に結合されており、前記絶縁材料の前記第２の表面の上に配置された第２のプレーナ非堆積絶縁基板と、
介在する接着材を使用せずに前記第１のプレーナ非堆積絶縁基板に直接接合されている要素と、を備える、マイクロ電子デバイス。
【請求項１１】
前記キャパシタが前記絶縁材料内に完全に埋め込まれている、請求項１０に記載のマイクロ電子デバイス。
【請求項１２】
前記絶縁材料は、前記第１の接着材及び前記第２の接着材を備えている、請求項１０に記載のマイクロ電子デバイス。
【請求項１３】
前記キャパシタの部分の周りに配置された成形コンパウンドを更に備え、前記絶縁材料が前記成形コンパウンドを更に備える、請求項１０に記載のマイクロ電子デバイス。
【請求項１４】
接合構造物であって、
要素と、
介在する接着材を使用せずに前記要素に直接接合された第１の表面と、前記第１の表面と反対側の第２の表面と、を有する受動電子部品と、を備え、
前記受動電子部品が、介在する接着材を使用せずに前記要素の対応する第２のアノード端子に直接接合された第１のアノード端子と、介在する接着材を使用せずに前記要素の対応する第２のカソード端子に直接接合された第１のカソード端子と、前記要素の対応する第２の非導電フィールド領域に直接接合された第１の非導電フィールド領域とを備え、
前記第１のアノード端子及び前記第１のカソード端子が、前記受動電子部品の前記第１の表面上に配置されている、接合構造物。
【請求項１５】
前記受動電子部品がキャパシタを備える、請求項１４に記載の接合構造物。
【請求項１６】
前記キャパシタの誘電材料が高Ｋ誘電体を備える、請求項１５に記載の接合構造物。
【請求項１７】
前記キャパシタが、前記受動電子部品を貫いて延在する蛇行パターンを備える、請求項１５に記載の接合構造物。
【請求項１８】
前記受動電子部品が、前記受動電子部品を貫いて延在する貫通信号導電体を備える、請求項１５に記載の接合構造物。
【請求項１９】
前記キャパシタに面する前記第１の絶縁基板の底面はプレーナ表面を備える、請求項１に記載のマイクロ電子デバイス。
【請求項２０】
前記キャパシタに面する前記第２の絶縁基板の上面はプレーナ表面を備える、請求項１９に記載のマイクロ電子デバイス。
【請求項２１】
前記第１の相互接続部が、前記第１の絶縁基板を貫いて延在する第１の部分と、前記絶縁要素を貫いて延在する第２の部分とを備え、
前記第１の部分は、前記第２の部分の真上に配置されている、請求項１に記載のマイクロ電子デバイス。
【請求項２２】
前記第１のプレーナ非堆積絶縁基板は、前記第１のプレーナ絶縁基板を貫いて延在する相互接続部を備える、請求項１０に記載のマイクロ電子デバイス。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月18日(2020.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実行者による携帯用医療デバイスの利用を改善する方法であって、
モニタリングされるべき検査サイクル内の複数のデバイス状態を決定するステップであって、前記複数のデバイス状態の少なくとも１つのデバイス状態は、前記携帯用医療デバイスが患者によって所有されているときに対応し、前記複数のデバイス状態の少なくとも２つのデバイス状態は、前記携帯用医療デバイスが前記実行者によって所有されているときに対応する、ステップと、
１つ以上の携帯用医療デバイスが、前記複数のデバイス状態のうちの１つのデバイス状態にある時間をモニタリングするステップと、
１つの携帯用医療デバイスによって前記１つのデバイス状態において費やされた時間が、又は、前記１つのデバイス状態において費やされた、２つ以上の携帯用医療デバイスによる平均時間が、最適時間より長いことを決定するステップと、
前記１つの携帯用医療デバイスによって前記１つのデバイス状態において費やされた時間が、又は、前記１つのデバイス状態において費やされた、前記２つ以上の携帯用医療デバイスによる平均時間が、前記最適時間より長いことを示す指示を提供するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記モニタリングされるべき検査サイクル内の前記複数のデバイス状態を決定するステップは、モニタリングされるべき前記複数のデバイス状態の実行者からの１つ以上の指示を受信するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つのデバイス状態は、前記携帯用医療デバイスが前記患者に供給されていることに対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも２つのデバイス状態は、前記携帯用医療デバイスが利用可能であることと、前記携帯用医療デバイスが特定の患者によって使用されるように設定されていることとに対応する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも２つのデバイス状態は更に、前記携帯用医療デバイスが再充電プロセスを経ていることに対応する第３のデバイス状態を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記１つの携帯用医療デバイスによって特定の状態において費やされた時間が、又は、前記特定の状態において費やされた、前記２つ以上の携帯用医療デバイスによる平均時間が、前記最適時間より長いことを示す指示を提供するステップは、前記指示をディスプレイに提供するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記１つ以上の携帯用医療デバイスが、前記複数のデバイス状態のうちの１つのデバイス状態にある時間をモニタリングするステップは、前記１つのデバイス状態において費やされた時間を、処理デバイスに関連付けられたメモリに格納するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記最適時間は、前記実行者から受信される時間値を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記最適時間は、複数の他の検査サイクルから決定される時間値を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記１つの携帯用医療デバイスによって前記１つのデバイス状態において費やされた時間が、又は、前記１つのデバイス状態において費やされた、前記２つ以上の携帯用医療デバイスによる平均時間が、前記最適時間より長いことを示す指示を提供するステップは、修正措置の指示を提供するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
適切なメモリが関連付けられている処理デバイスと、
ユーザから情報を受信し、ユーザに情報を提供する入力／出力デバイスと、
を含み、
前記処理デバイスは、
モニタリングされるべき検査サイクル内の複数のデバイス状態であって、前記複数のデバイス状態の少なくとも１つのデバイス状態は、携帯用医療デバイスが患者によって所有されているときに対応し、前記複数のデバイス状態の少なくとも２つのデバイス状態は、前記携帯用医療デバイスが実行者によって所有されているときに対応する、当該複数のデバイス状態を決定し、
１つ以上の携帯用医療デバイスが、前記複数のデバイス状態のうちの１つにある時間をモニタリングし、
１つの携帯用医療デバイスによって前記１つのデバイス状態において費やされた時間が、又は、前記１つのデバイス状態において費やされた、２つ以上の携帯用医療デバイスによる平均時間が、最適時間より長いことを決定し、
前記１つの携帯用医療デバイスによって前記１つのデバイス状態において費やされた時間が、又は、前記１つのデバイス状態において費やされた、前記２つ以上の携帯用医療デバイスによる平均時間が、前記最適時間より長いことを示す指示を提供するようにプログラミングされ、
前記複数のデバイス状態の少なくとも１つのデバイス状態は、前記携帯用医療デバイスが患者によって所有されているときに対応し、前記複数のデバイス状態の少なくとも２つのデバイス状態は、前記携帯用医療デバイスが前記実行者によって所有されているときに対応する、システム。
【請求項１２】
前記処理デバイスは、前記入力／出力デバイスから受信する入力から少なくとも部分的に、モニタリングされるべき検査サイクル内の前記複数のデバイス状態を決定するようにプログラミングされている、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記１つの携帯用医療デバイスによって前記１つのデバイス状態において費やされた時間、又は、前記１つのデバイス状態において、前記２つ以上の携帯用医療デバイスによる費やされた平均時間が、前記最適時間より長いことを示す前記指示は、前記入力／出力デバイスのディスプレイに提供される、請求項１１のシステム。
【請求項１４】
前記処理デバイスは、修正措置の指示を提供するように更にプログラミングされている、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法を実施するためのプログラムコードを含むコンピュータプログラムで符号化された、非一時的コンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月30日(2020.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外観検索システムであって、
ある場面の映像を取り込むように構成された１つ以上のカメラであって、前記映像がオブジェクトの画像を有しており、前記１つ以上のカメラの少なくとも１つは、該カメラの第１の学習機械を使用して、前記オブジェクトの前記画像内の１つ以上のオブジェクトを識別するようにさらに構成された、１つ以上のカメラと、
１つ以上のプロセッサおよびメモリであって、前記メモリに記憶されるコンピュータプログラムコードを含む１つ以上のプロセッサおよびメモリと、
前記カメラからの前記１つ以上の識別されたオブジェクトを含む画像を、前記１つ以上のプロセッサに送信するように構成されたネットワークと、を備え、
前記コンピュータプログラムコードが前記１つ以上のプロセッサによって実行されたときに前記１つ以上のプロセッサが、
第２の学習機械からの出力として、それぞれの１つ以上の識別されたオブジェクトの１つ以上のシグネチャおよび関心オブジェクトのシグネチャを生成することと、
前記それぞれの１つ以上の識別されたオブジェクトの１つ以上のシグネチャを前記関心オブジェクトのシグネチャと比較することによって、前記１つ以上の識別したオブジェクトに対する１つ以上の類似度スコアを生成することと、
前記１つ以上の類似度スコアに基づいて、前記１つ以上の識別されたオブジェクトの画像の１つ以上をディスプレイに提示する命令を伝送することと、
を含む方法を実施するように構成された、システム。
【請求項２】
前記第１および第２の学習機械は、ニューラルネットワークを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記第１および第２の学習機械は、畳み込みニューラルネットワークを含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記第１および第２の学習機械を稼働させる１つ以上のグラフィックスプロセッシングユニットをさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記第２の学習機械は、サーバ上にある１つ以上のプロセッサによって実現される、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
１つ以上のプロセッサで実行可能なコンピュータプログラムコードが記憶され、１つ以上のプロセッサによって実行されたときに１つ以上のプロセッサが、ある場面の１つ以上の画像を含む映像を取り込むビデオカメラの第１の学習機械によって識別された１つ以上のオブジェクトの画像を受信することと、第２の学習機械からの出力として、それぞれの１つ以上の識別されたオブジェクトの１つ以上のシグネチャおよび関心オブジェクトのシグネチャを生成することと、前記それぞれの１つ以上の識別されたオブジェクトの１つ以上のシグネチャを前記関心オブジェクトのシグネチャと比較することによって、前記１つ以上の識別されたオブジェクトに対する１つ以上の類似度スコアを生成することと、前記１つ以上の類似度スコアに基づいて、前記１つ以上の識別されたオブジェクトの画像の１つ以上をディスプレイに提示することと、を含む方法を実施するように構成される、非一過性のコンピュータ可読媒体。
【請求項７】
前記第１および第２の学習機械は、ニューラルネットワークを含む、請求項６に記載の非一過性のコンピュータ可読媒体。
【請求項８】
前記ニューラルネットワークは、畳み込みニューラルネットワークを含む、請求項７に記載の非一過性のコンピュータ可読媒体。
【請求項９】
前記第２の学習機械は、サーバ上にある１つ以上のプロセッサによって実現される、請求項６に記載の非一過性のコンピュータ可読媒体。
【請求項１０】
システムであって、
ある場面の映像を取り込むように構成された１つ以上のカメラと、
１つ以上のプロセッサおよびメモリであって、前記メモリに記憶されるコンピュータプログラムコードを含み、前記１つ以上のプロセッサによって前記コンピュータプログラムコードが実行されたときに前記１つ以上のプロセッサが、
前記映像から複数のチップを抜き出し、前記複数のチップは、複数のオブジェクトの複数の画像を含むことと、
前記複数のチップの少なくとも１つのそれぞれに対し、
前記チップの信頼度を判定することと、
前記信頼度が信頼要件を満たしていない場合に、
第１の学習機械を用いて前記チップ内にある複数のオブジェクトを識別することと、
前記第１の学習機械を用いて前記チップを複数の分割チップに分割し、それぞれの前記分割チップが前記識別したオブジェクトのうちの１つの少なくとも一部を含むことと、
第２の学習機械を用いて前記複数の分割チップからそれぞれ特徴ベクトルを生成すること、を含み、
前記信頼度が前記信頼要件を満たしている場合に、前記第２の学習機械を用いて前記チップから特徴ベクトルを生成することと、
を含む方法を実施するように構成された、システム。
【請求項１１】
前記少なくとも１つのチップは、少なくとも１つのパディング済チップを含み、１つ１つのパディング済チップは、前記映像の画像フレームの第１の画像部分を含む、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記少なくとも１つのチップはさらに、少なくとも１つのパディングしていないチップを含み、１つ１つのパディングしていないチップは、前記映像の画像フレームの第２の画像部分を含み、前記第２の画像部分は、前記第１の画像部分よりも小さい、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
方法であって、
ある場面の映像を取り込み、前記映像がオブジェクトの画像を有していることと、
ビデオカメラの第１の学習機械を用いて、前記オブジェクトの前記画像内にある１つ以上の前記オブジェクトを識別することと、
第２の学習機械からの出力として、それぞれの１つ以上の識別されたオブジェクトの１つ以上のシグネチャおよび関心オブジェクトのシグネチャを生成することと、
前記それぞれの１つ以上の識別されたオブジェクトの１つ以上のシグネチャを前記関心オブジェクトのシグネチャと比較することによって、前記１つ以上の識別したオブジェクトに対する１つ以上の類似度スコアを生成することと、
前記１つ以上の類似度スコアに基づいて、前記１つ以上の識別されたオブジェクトの画像の１つ以上をディスプレイに提示することと、
を含む、方法。
【請求項１４】
前記第１および第２の学習機械は、ニューラルネットワークを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ニューラルネットワークは、畳み込みニューラルネットワークを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第２の学習機械は、サーバ上にある１つ以上のプロセッサによって実現される、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月17日(2020.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に配置され、第１導電型の第１半導体層、前記第１半導体層の上に配置された第１活性層、前記第１活性層の上に配置された第２導電型の第２半導体層を含み、前記第２半導体層と前記第１活性層を貫通して前記第１半導体層を露出させる第１貫通孔を提供する第１発光構造物と、
前記基板の上に前記第１発光構造物と離隔して配置され、第１導電型の第３半導体層、前記第３半導体層の上に配置された第２活性層、前記第２活性層の上に配置された第２導電型の第４半導体層を含む第２発光構造物と、
前記第１発光構造物の前記第２半導体層の上に配置された第１反射電極と、
前記第２発光構造物の前記第４半導体層の上に配置された第２反射電極と、
前記第１発光構造物の前記第２半導体層と前記第２発光構造物の前記第３半導体層に電気的に連結された連結電極と、
前記第１発光構造物及び前記第１反射電極の上に配置され、前記第１半導体層に電気的に連結され垂直方向に重なった第１電極パッドと、
前記第２発光構造物及び前記第１反射電極の上に配置され、前記第４半導体層に電気的に連結され垂直方向に重なった第２電極パッドと、
前記第１貫通孔内に配置され、前記第１半導体層と前記第１電極パッドとの間に配置された第１金属層と、
を含み、
前記第１電極パッドは、前記第１金属層を介して前記第１半導体層に電気的に連結され、
前記第１電極パッド、前記第１金属層、前記第１半導体層、前記第２半導体層、前記第１反射電極、前記連結電極、前記第３半導体層、前記第４半導体層、前記第２電極パッドが電気的に直列連結された、半導体素子。
【請求項２】
前記連結電極は、前記第３半導体層の上部面と前記第１反射電極の上部面に接触し、
前記連結電極は、対向する前記第１発光構造物の側面と前記第２発光構造物の側面との間に配置された、請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記連結電極は、メイン電極、前記メイン電極に接触して連結された第１分岐電極、前記第１分岐電極の一端から延長された第２分岐電極、前記第１分岐電極の他端から延長された第３分岐電極を含み、
前記メイン電極の第１領域は、前記第２半導体層の上に配置され、
前記メイン電極の第２領域は、前記第１発光構造物の前記第１半導体層の側面と前記第２発光構造物の前記第３半導体層の側面との間に配置され、
前記第１分岐電極、前記第２分岐電極、前記第３分岐電極は、前記第３半導体層の上面に接触して配置された、請求項１または２に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記第３半導体層の上部面を露出させるコンタクト領域を提供する第１絶縁層をさらに含み、
前記コンタクト領域を介して、前記第１分岐電極、前記第２分岐電極、前記第３分岐電極と前記第３半導体層が電気的に連結された、請求項３に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記第３半導体層の上に配置され、前記第２分岐電極と前記第３分岐電極を連結する第４分岐電極をさらに含み、
前記第１分岐電極、前記第２分岐電極、前記第３分岐電極、前記第４分岐電極は、前記第２発光構造物の周りに配置され、前記第３半導体層の前記上面に配置されて閉ループを提供する、請求項４に記載の半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月14日(2020.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、
基板表面を有する基板と、
前記基板表面の下に前記基板に配置される第１のドープされた領域と、
前記基板に配置され、前記基板表面と前記第１のドープされた領域との間に延在し、前記第１のドープされた領域に少なくとも部分的に接する第２のドープされた領域であって、前記第１のドープされた領域と前記第２のドープされた領域とが、ｎ型領域であって、共に前記基板に隔離タンクを画定する、前記第２のドープされた領域と、
前記隔離タンクに配置され、前記基板表面に接している第３のドープされた領域であって、前記第２のドープされた領域と前記第３のドープされた領域とがダイオードを形成する、前記第３のドープされた領域と、
前記隔離タンクにおける少なくとも１つの開口であって、電流が前記基板と前記第３のドープされた領域との間に流れるための抵抗性経路を形成する、前記開口と、
を含む、半導体デバイス。
【請求項２】
請求項１の半導体デバイスであって、
前記隔離タンクの外に前記基板に配置される第４のドープされた領域を更に含み、
前記抵抗性経路を用いて前記第３のドープされた領域と前記第４のドープされた領域との間に電流経路が存在する、半導体デバイス。
【請求項３】
請求項１の半導体デバイスであって、
前記第３の領域がｐ型領域である、半導体デバイス。
【請求項４】
請求項１の半導体デバイスであって、
前記ダイオードのアノードが前記ダイオードのカソードに結合される、半導体デバイス。
【請求項５】
請求項１の半導体デバイスであって、
前記開口が前記第１のドープされた領域内にある、半導体デバイス。
【請求項６】
請求項１の半導体デバイスであって、
前記開口が前記第２のドープされた領域内にある、半導体デバイス。
【請求項７】
請求項１の半導体デバイスであって、
前記第１のドープされた領域が前記基板表面に実質的に平行な表面を有する、半導体デバイス。
【請求項８】
請求項１の半導体デバイスであって、
前記第２のドープされた領域が前記基板表面に対して実質的に垂直である、半導体デバイス。
【請求項９】
静電放電（ＥＳＤ）から回路を保護するためのＥＳＤ保護デバイスであって、
前記回路に結合される第１の導電型の第１のノードと、
第１の電圧電位に結合するための第２の導電型の第２のノードと、
第２の電圧電位に結合するための前記第１の導電型の第３のノードであって、前記第２の電圧電位が前記第１の電圧電位よりも低い、前記第３のノードと、
前記第１のノードと前記第２のノードとの間に結合されるダイオードと、
前記第１のノードと第３のノードとの間に結合される抵抗器であって、前記抵抗器の抵抗の値が前記第１のノードにおける電圧電位の関数である、前記抵抗器と、
を含む、ＥＳＤ保護デバイス。
【請求項１０】
請求項９に記載のＥＳＤ保護デバイスであって、
前記ダイオードのアノードが前記第１のノードに結合され、前記ダイオードのカソードが前記第２のノードに結合される、ＥＳＤ保護デバイス。
【請求項１１】
請求項９に記載のＥＳＤ保護デバイスであって、
前記第２のノードが電圧源端子に結合される、ＥＳＤ保護デバイス。
【請求項１２】
請求項９に記載のＥＳＤ保護デバイスであって、
前記第３のノードが接地端子に結合される、ＥＳＤ保護デバイス。
【請求項１３】
請求項９に記載のＥＳＤ保護デバイスであって、
前記抵抗器の抵抗が、前記第１のノードにおける電圧の増大に応答して増大する、ＥＳＤ保護デバイス。
【請求項１４】
請求項９に記載のＥＳＤ保護デバイスであって、
前記抵抗器と前記ダイオードとが単一ユニットである、ＥＳＤ保護デバイス。
【請求項１５】
半導体デバイスであって、
表面を有する基板と、
前記表面の下の前記基板に位置する隔離タンクであって、内部を有する、前記隔離タンクと、
前記内部に位置する第１の導電型を有する第１のドープされた領域と、
前記内部に位置する第２の導電型を有する第２のドープされた領域と、
前記内部に位置する前記第２の導電型を有する第３のドープされた領域と、
前記第２のドープされた領域と前記第３のドープされた領域との間に延在し、前記第１のドープされた領域と前記隔離タンクとの間に位置する抵抗性経路であって、前記抵抗性経路の抵抗の値が前記第１のドープされた領域に印加される電圧電位の関数である、前記抵抗性経路と、
を含む、半導体デバイス。
【請求項１６】
請求項１５に記載の半導体デバイスであって、
前記第２のドープされた領域が、前記回路の端子に結合し、前記回路にＥＳＤ保護を提供するためのものである、半導体デバイス。
【請求項１７】
請求項１５に記載の半導体デバイスであって、
前記第３のドープされた領域が基準電圧に結合するためのものである、半導体デバイス。
【請求項１８】
請求項１５に記載の半導体デバイスであって、
前記第１のドープされた領域が電圧源に結合するためのものである、半導体デバイス。
【請求項１９】
請求項１５に記載の半導体デバイスであって、
前記第１のドープされた領域がｎ型領域であり、前記第２のドープされた領域がｐ型領域であり、前記第３のドープされた領域がｐ型領域であり、前記内部がｐ型領域である、半導体デバイス。