【手続補正書】
【提出日】平成17年5月30日(2005.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のシリコン膜をＮ2Ｏを含む雰囲気に曝しプラズマ処理することにより酸化膜を形成し、
前記酸化膜上に第２のシリコン膜を形成し、
加熱処理を行うことにより、前記第１のシリコン膜中の金属元素を前記第２のシリコン膜に移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
流入される気体中にＮ2Ｏを１０％以上の割合で含む雰囲気に第１のシリコン膜を曝しプラズマ処理することにより酸化膜を形成し、
前記酸化膜上に第２のシリコン膜を形成し、
加熱処理を行うことにより、前記第１のシリコン膜中の金属元素を前記第２のシリコン膜に移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記酸化膜を大気雰囲気中に曝すことなく、前記酸化膜上に前記第２のシリコン膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、同一のプラズマＣＶＤ装置内にて前記酸化膜及び前記酸化膜上の前記シリコン膜を連続して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記加熱処理の後、前記酸化膜及び前記酸化膜上の第２のシリコン膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、前記酸化膜上の前記第２のシリコン膜を除去するとき、前記酸化膜はエッチング液から前記第１のシリコン膜を保護していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記第１のシリコン膜をＮ2Ｏを含む雰囲気に曝しプラズマ処理する前に、前記第１のシリコン膜にレーザ光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、前記酸化膜上の前記第２のシリコン膜はアモルファスシリコン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記酸化膜上の前記第２のシリコン膜には、アルゴン、キセノン、ネオンまたはクリプトンの希ガス元素から選ばれた一種または複数種の元素が含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記酸化膜上の前記第２のシリコン膜には、周期表の１５族に属する元素が含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記酸化膜上の前記第２のシリコン膜には、周期表の１５族に属する元素および周期表の１３族に属する元素が含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
アモルファスシリコン膜に金属元素を添加して結晶化させ、結晶性シリコン膜を形成し、
前記結晶性シリコン膜をＮ2Ｏを含む雰囲気に曝しプラズマ処理して前記結晶性シリコン膜上に酸化膜を形成し、
前記酸化膜上にシリコン膜を形成し、
加熱処理を行うことにより、前記結晶性シリコン膜中の金属元素を前記シリコン膜に移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
アモルファスシリコン膜の一部に選択的に金属元素を添加して結晶化させ、結晶性シリコン膜を形成し、
前記結晶性シリコン膜をＮ2Ｏを含む雰囲気に曝しプラズマ処理して前記結晶性シリコン膜上に酸化膜を形成し、
前記酸化膜上にシリコン膜を形成し、
加熱処理を行うことにより、前記結晶性シリコン膜中の金属元素を前記シリコン膜に移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１２または請求項１３において、前記酸化膜を大気雰囲気中に曝すことなく、前記酸化膜上に前記シリコン膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１２または請求項１３において、同一のプラズマＣＶＤ装置内にて前記酸化膜及び前記酸化膜上の前記シリコン膜を連続して形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１２乃至請求項１５のいずれか一項において、前記加熱処理の後、前記酸化膜及び前記酸化膜上の前記シリコン膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１６において、前記酸化膜上の前記シリコン膜を除去するとき、前記酸化膜はエッチング液から前記結晶性シリコン膜を保護していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１２乃至請求項１７のいずれか一項において、前記結晶性シリコン膜をＮ2Ｏを含む雰囲気に曝しプラズマ処理する前に、前記結晶性シリコン膜にレーザ光を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１２乃至請求項１８のいずれか一項において、前記酸化膜上の前記シリコン膜はアモルファスシリコン膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１２乃至請求項１９のいずれか一項において、前記酸化膜上の前記シリコン膜には、アルゴン、キセノン、ネオンまたはクリプトンの希ガス元素から選ばれた一種または複数種の元素が含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１２乃至請求項１９のいずれか一項において、前記酸化膜上の前記シリコン膜には、周期表の１５族に属する元素が含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１２乃至請求項１９のいずれか一項において、前記酸化膜上の前記シリコン膜には、周期表の１５族に属する元素および周期表の１３族に属する元素が含まれていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１乃至請求項２２のいずれか一項において、前記金属元素は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、ＣｕまたはＡｕのいずれか一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１乃至請求項２３のいずれか一項に記載された作製方法により作製されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２５】
半導体層、ゲート絶縁膜およびゲート電極を含む半導体装置であって、
前記半導体層は濃度分布を有して金属元素を含み、
前記半導体層の表面側における金属元素の濃度は、前記半導体層のガラス基板側の金属元素の濃度より高く、
前記半導体層には窒素が含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２６】
請求項２５において、前記金属元素は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、ＣｕまたはＡｕのいずれか一種または複数種の元素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２７】
請求項２５または請求項２６において、前記半導体層の表面における平均面粗さＲａが４．７〜８．３ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２８】
２つ以上の処理室を有する半導体製造装置であって、
基板上に形成された第１のシリコン膜をＮ2Ｏを含む雰囲気に曝し、プラズマ処理して酸化膜を形成するための処理室と、
前記酸化膜上に第２のシリコン膜を形成するための処理室と、を有し、
前記基板は、前記酸化膜を形成するための処理室から前記第２のシリコン膜を形成するための処理室へ大気中に曝されることなく移送されることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２９】
２つ以上の処理チャンバーを有する半導体製造装置であって、
基板上に形成された第１のシリコン膜をＮ2Ｏを含む雰囲気に曝し、プラズマ処理して酸化膜を形成するための処理室と、
前記酸化膜上に第２のシリコン膜を形成するための処理室と、を有し、
前記酸化膜を形成するための処理室と前記第２のシリコン膜を形成するための処理室とは、同一であることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３０】
請求項２８または請求項２９において、前記酸化膜上に第２のシリコン膜を形成するための処理室は、プラズマＣＶＤ法により前記第２のシリコン膜を形成する処理室であることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３１】
請求項２８において、前記酸化膜上に第２のシリコン膜を形成するための処理室は、スパッタ法により前記第２のシリコン膜を形成する処理室であることを特徴とする半導体製造装置。