【手続補正書】
【提出日】平成16年8月6日(2004.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノーマルメモリセルと該ノーマルメモリセルに不良が発生したときに該ノーマルメモリセルの置き換えに使用される冗長メモリセルとを有するメモリセルアレイと、
前記ノーマルメモリセルの選択を行う複数の第１信号線と、
アドレス信号によって前記複数の第１信号線の中から活性状態にすべきものを選択するデコーダと、
前記ノーマルメモリセルに不良が発生したときに、該不良のノーマルメモリセルを選択する前記第１信号線である置換第１信号線と置き換え、前記冗長メモリセルを選択する複数の第２信号線と、
前記複数の第２信号線に対応して設けられ、前記置換第１信号線に係わるアドレス信号である置換アドレス信号を検出する複数のスペアコンパレータと、
前記複数のスペアコンパレータのいずれかが前記置換アドレス信号を検出したときに、該置換アドレス信号に対応する第２信号線が活性状態になることを許可する冗長選択信号を発生する複数の冗長選択信号発生手段と、
前記複数のスペアコンパレータのいずれかが前記置換アドレス信号を検出したときに、前記置換第１信号線を非活性状態とするノーマル選択信号を発生し、テスト時に、前記ノーマル選択信号を、前記置換第１信号線を活性状態にする選択信号に切り替え出力し、前記デコーダを制御するノーマル選択信号発生切り替え手段とを備える、半導体記憶装置。
【請求項２】
前記置換第１信号線は、書き込み動作の際、前記テスト時に発生するテストモード信号によって活性状態となる、請求項１記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記置換第１信号線は、センス動作が完了した期間において、前記テスト時に発生するテストモード信号によって活性状態となる、請求項１記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記テスト時に発生するテストモード信号はバーンインテストを行う際に活性化する、請求項３記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記ノーマル選択信号発生切り替え手段は、ノーマル選択信号を発生するノーマル選択信号発生手段と、前記ノーマル選択信号を前記選択信号に切り替え出力する選択信号切り替え手段とを含み、
前記ノーマル選択信号発生手段は、
前記複数の冗長選択信号発生手段が出力する前記複数の冗長選択信号の否定論理積を出力する第１ゲートであり、
前記選択信号切り替え手段は、前記第１ゲートの出力信号と前記テスト時に発生するテストモード信号の否定論理積を出力する第２ゲートであることを特徴とする、請求項１記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
ノーマルメモリセルと該ノーマルメモリセルに不良が発生したときに該ノーマルメモリセルの置き換えに使用される冗長メモリセルとを有するメモリセルアレイと、
通常動作時に、アドレス信号に応じて選択的に活性状態にされて前記ノーマルメモリセルの選択を行う複数の第１信号線と、
前記通常動作時に、前記ノーマルメモリセルに不良が発生したときに、該不良のノーマルメモリセルを選択する前記第１信号線である置換第１信号線と置き換え、前記冗長メモリセルを選択する複数の第２信号線と、
第１のテスト動作時に、前記アドレス信号と該第１のテスト動作時に発生する第１のテストモード信号とによって前記複数の第２信号線に対し選択的に活性状態になることを許可する第２信号線選択手段と、
前記アドレス信号によって前記複数の第１信号線の中から活性状態にすべきものを選択するデコーダと、
前記複数の第２信号線に対応して設けられ、前記置換第１信号線に係わるアドレス信号である置換アドレス信号を検出する複数のスペアコンパレータと、
前記複数のスペアコンパレータのいずれかが前記置換アドレス信号を検出したときに、該置換アドレス信号に対応する第２信号線を活性状態にするための冗長選択信号を発生する複数の冗長選択信号発生手段と、
前記複数のスペアコンパレータのいずれかが前記置換アドレス信号を検出したときに、前記置換第１信号線を非活性状態とするノーマル選択信号を発生し、第２のテスト動作時に発生する第２のテストモード信号によって前記ノーマル選択信号を、前記置換第１信号線を活性状態にする選択信号に切り替え出力し、前記デコーダを制御するノーマル選択信号発生切り替え手段とを備える、半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
第１の発明にかかる半導体記憶装置は、ノーマルメモリセルと該ノーマルメモリセルに不良が発生したときに該ノーマルメモリセルの置き換えに使用される冗長メモリセルとを有するメモリセルアレイと、前記ノーマルメモリセルの選択を行う複数の第１信号線と、アドレス信号によって前記複数の第１信号線の中から活性状態にすべきものを選択するデコーダと、前記ノーマルメモリセルに不良が発生したときに、該不良のノーマルメモリセルを選択する前記第１信号線である置換第１信号線と置き換え、前記冗長メモリセルを選択する複数の第２信号線と、前記複数の第２信号線に対応して設けられ、前記置換第１信号線に係わるアドレス信号である置換アドレス信号を検出する複数のスペアコンパレータと、前記複数のスペアコンパレータのいずれかが前記置換アドレス信号を検出したときに、該置換アドレス信号に対応する第２信号線が活性状態になることを許可する冗長選択信号を発生する複数の冗長選択信号発生手段と、前記複数のスペアコンパレータのいずれかが前記置換アドレス信号を検出したときに、前記置換第１信号線を非活性状態とするノーマル選択信号を発生し、テスト時に、前記ノーマル選択信号を、前記置換第１信号線を活性状態にする選択信号に切り替え出力し、前記デコーダを制御するノーマル選択信号発生切り替え手段とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第２の発明にかかる半導体記憶装置は、第１の発明の半導体記憶装置において、前記置換第１信号線が、書き込み動作の際、前記テスト時に発生するテストモード信号によって活性状態となることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第３の発明にかかる半導体記憶装置は、第１の発明の半導体記憶装置において、前記置換第１信号線が、センス動作が完了した期間において、前記テスト時に発生するテストモード信号によって活性状態となることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第４の発明にかかる半導体記憶装置は、第３の発明の半導体記憶装置において、前記テスト時に発生するテストモード信号がバーンインテストを行う際に活性化することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第５の発明に係る半導体記憶装置は、第１の発明の半導体記憶装置において、前記ノーマル選択信号発生切り替え手段は、ノーマル選択信号を発生するノーマル選択信号発生手段と、前記ノーマル選択信号を前記選択信号に切り替え出力する選択信号切り替え手段とを含み、前記ノーマル選択信号発生手段は、前記複数の冗長選択信号発生手段が出力する前記複数の冗長選択信号の否定論理積を出力する第１ゲートであり、前記選択信号切り替え手段は、前記第１ゲートの出力信号と前記テスト時に発生するテストモード信号の否定論理積を出力する第２ゲートであることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
第６の発明に係る半導体記憶装置は、ノーマルメモリセルと該ノーマルメモリセルに不良が発生したときに該ノーマルメモリセルの置き換えに使用される冗長メモリセルとを有するメモリセルアレイと、通常動作時に、アドレス信号に応じて選択的に活性状態にされて前記ノーマルメモリセルの選択を行う複数の第１信号線と、前記通常動作時に、前記ノーマルメモリセルに不良が発生したときに、該不良のノーマルメモリセルを選択する前記第１信号線である置換第１信号線と置き換え、前記冗長メモリセルを選択する複数の第２信号線と、第１のテスト動作時に、前記アドレス信号と該第１のテスト動作時に発生する第１のテストモード信号とによって前記複数の第２信号線に対し選択的に活性状態になることを許可する第２信号線選択手段と、前記アドレス信号によって前記複数の第１信号線の中から活性状態にすべきものを選択するデコーダと、前記複数の第２信号線に対応して設けられ、前記置換第１信号線に係わるアドレス信号である置換アドレス信号を検出する複数のスペアコンパレータと、前記複数のスペアコンパレータのいずれかが前記置換アドレス信号を検出したときに、該置換アドレス信号に対応する第２信号線を活性状態にするための冗長選択信号を発生する複数の冗長選択信号発生手段と、前記複数のスペアコンパレータのいずれかが前記置換アドレス信号を検出したときに、前記置換第１信号線を非活性状態とするノーマル選択信号を発生し、第２のテスト動作時に発生する第２のテストモード信号によって前記ノーマル選択信号を、前記置換第１信号線を活性状態にする選択信号に切り替え出力し、前記デコーダを制御するノーマル選択信号発生切り替え手段とを備える。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
実施の形態６．
図１７は、この発明の実施の形態６による半導体記憶装置のコラム選択手段の構成を示すブロック図である。図１７は、図１に示す実施の形態１による半導体記憶装置のコラム選択手段におけるノーマルコラム選択信号切り替え手段２０について、さらに書き込み動作信号ＷＤＥによってノーマルコラム選択信号ＮＣＥの制御を行わせるようにした構成を示している。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
ノーマルコラム選択信号切り替え手段２０はテストモード信号ＴＭＣ１を反転させるインバータ２３ｄと、インバータ２３ｄの出力と書き込み動作信号ＷＤＥとを入力するＮＡＮＤゲート２３ｅと、ノーマルコラム選択信号発生手段１９の出力及びＮＡＮＤゲート２３ｅの出力とを入力するＮＡＮＤゲート２３とから構成されており、ＮＡＮＤゲート２３がノーマルコラム選択信号ＮＣＥを出力する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
実施の形態１で説明したように、通常状態ではテストモード信号ＴＭＣ１は“Ｈ”であって、ＮＡＮＤゲート２３ｅは書き込み動作信号ＷＤＥの値に拘らずに“Ｈ”を出力する。従って、通常状態におけるノーマルコラム選択信号切り替え手段２０の動作は実施の形態１において説明されたそれと同じである。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
図１８はこの発明の実施の形態６の他の態様のロウ選択手段の構成を示す図である。図１８におけるノーマルロウ選択信号発生手段６９、ノーマルロウ選択信号切り替え手段７０、ＮＡＮＤゲート７３，７３ｅ、インバータ７３ｄ、テストモード信号ＴＭＲ１は、それぞれ図１８におけるノーマルコラム選択信号発生手段１９、ノーマルコラム選択信号切り替え手段２０、ＮＡＮＤゲート２３，２３ｅ、インバータ２３ｄ、テストモード信号ＴＭＣ１に対応している。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
実施の形態７．
図１９は、この発明の実施の形態７による半導体記憶装置のロウ選択手段の構成を示すブロック図である。図１９は、図１８に示された構成とは構成上で同一であるが、書き込み動作信号ＷＤＥの代わりに、センス動作完了信号ＳＣがＮＡＮＤゲート７３ｅに与えられる。つまり、半導体記憶装置のロウ選択手段におけるノーマルロウ選択信号切り替え手段７０について、テストモード信号ＴＭＲ１のみならず、さらにセンス動作完了信号ＳＣによってノーマルロウ選択信号ＮＲＥの制御を行わせるようにした構成が示されている。但し、センス動作完了信号ＳＣはセンス動作中は“Ｌ”を、動作が完了した後は“Ｈ”を採る。ここでセンス動作中とは、センスアンプによって読み出しが行われる際にビット線の電位が確定するまでの過渡期を指す。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
実施の形態８．
図２０は、この発明の実施の形態８による半導体記憶装置のロウ選択手段の構成を示すブロック図である。図２０は、図１９に示された構成からインバータ７３ｄを省き、テストモード信号ＴＭＲ１の代わりにバーンインモード信号ＭＢＩがＮＡＮＤゲート７３ｅに直接に与えられる構成を示している。つまり、半導体記憶装置のロウ選択手段におけるノーマルロウ選択信号切り替え手段７０について、バーンインモード信号ＭＢＩ及びセンス動作完了信号ＳＣによってノーマルロウ選択信号ＮＲＥの制御を行わせるようにした構成が示されている。但し、バーンインモード信号ＭＢＩは、通常動作時において“Ｌ”を、バーンイン動作においては“Ｈ”を採る。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
請求項５記載の発明の半導体記憶装置によれば、第１および第２ゲートによって例えばトランジスタ２個分の増加という少しの変更で選択信号切り替え手段を実現できるという効果がある。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
請求項６記載の発明の半導体記憶装置によれば、第１テスト時と第２テスト時に、冗長メモリセルおよびノーマルメモリセル全てにデータを書き込むことができるという効果がある。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】削除
【補正の内容】