【手続補正書】
【提出日】令和3年10月1日(2021.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
半導体産業では、半導体基板は、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）処理チャンバおよび誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）処理チャンバなど、様々なタイプのプラズマチャンバで製造作業を行うことができる。ＣＣＰ処理チャンバおよびＩＣＰ処理チャンバの両方では、無線周波数（ＲＦ）電力を使用してプロセスガスにエネルギーを与え、プロセスガスをプラズマに変換する。プラズマ内の反応種および／または帯電種は、例えば、基板に存在する材料を改質すること、または基板に材料を堆積させること、または基板から材料を除去／エッチングすることなどによって、基板と相互作用して基板の状態を改質することを目的とする。また、ＣＣＰ処理チャンバおよびＩＣＰ処理チャンバは、帯電種をプラズマから基板に向けて加速するためのバイアス電圧を生成するためにＲＦ電力を受け取る１つまたは複数の電極を備えることができる。ＣＣＰ処理チャンバおよびＩＣＰ処理チャンバはまた、１つまたは複数の電源から電力を受け取る１つまたは複数の電動部品（ヒータアセンブリなど）を備えることができ、１つまたは複数の電源の各々は、ＤＣ（直流）電源またはＡＣ（交流）電源のいずれかである。プラズマおよび／またはバイアス電圧の生成に使用されるＲＦ電力が、１つまたは複数の電動部品（ヒータアセンブリなど）への電力供給に使用される電源（ＤＣまたはＡＣ電源）に伝わらないようにする必要がある。本明細書で開示されるＲＦフィルタおよび関連するインダクタの様々な実施形態は、ＣＣＰ処理チャンバおよびＩＣＰ処理チャンバの動作に関連するＲＦ電力がＤＣ電源および／またはＡＣ電源に伝送されることを防止するのに適している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図１Ａは、本開示のいくつかの実施形態による、ＣＣＰ処理チャンバ１０１の例示的な垂直断面図を示す。ＣＣＰ処理チャンバ１０１は、制御された様式で基板１０５の変化に影響を及ぼすために、プラズマ１２３が基板１０５への曝露中に生成される処理容積を定義する。様々な製造プロセスにおいて、基板１０５の変化は、基板１０５上の材料または表面状態の変化であり得る。例えば、様々な製造プロセスにおいて、基板１０５の変化は、基板１０５からの材料のエッチング、基板１０５への材料の堆積、または基板１０５に存在する材料の改質の１つまたは複数を含み得る。いくつかの実施形態では、基板１０５は、製造処理を受ける半導体ウエハである。しかしながら、様々な実施形態において、基板１０５は、プラズマを使用した製造プロセスにかけられる本質的に任意のタイプの基板であればよいことを理解されたい。例えば、いくつかの実施形態では、本明細書で使用される基板１０５は、シリコン、サファイア、ＧａＮ、ＧａＡｓもしくはＳｉＣ、または他の基板材料で形成された基板を指し、ガラスパネル／基板、金属箔、金属シート、ポリマー材料などを含むことができる。また、様々な実施形態において、本明細書で言及される基板１０５は、形態、形状、および／またはサイズが異なってもよい。例えば、いくつかの実施形態では、本明細書で言及される基板１０５は、２００ｍｍ（ミリメートル）の半導体ウエハ、３００ｍｍの半導体ウエハ、または４５０ｍｍの半導体ウエハに対応し得る。また、いくつかの実施形態では、本明細書で言及される基板１０５は、様々な形状の中でもとりわけ、フラットパネルディスプレイ用の長方形基板のような非円形基板などに対応し得る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図１Ｂは、本開示のいくつかの実施形態による、ＩＣＰ処理チャンバ１５１の例示的な垂直断面図を示す。ＩＣＰ処理チャンバは、変圧器結合プラズマ（ＴＣＰ）処理チャンバとも呼ばれることがある。ここでは説明を容易にするために、ＩＣＰ処理チャンバは、ＩＣＰ処理チャンバとＴＣＰ処理チャンバの両方を指すために使用されるものとする。ＩＣＰ処理チャンバ１５１は、制御された様式で基板１０５の変化に影響を及ぼすために、プラズマ１２３が基板１０５への曝露中に生成される処理容積を定義する。様々な製造プロセスにおいて、基板１０５の変化は、基板１０５上の材料または表面状態の変化であり得る。例えば、様々な製造プロセスにおいて、基板１０５の変化は、基板１０５からの材料のエッチング、基板１０５への材料の堆積、または基板１０５に存在する材料の改質の１つまたは複数を含み得る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図３Ｄはまた、インダクタ１４１がどのように外側ハウジング３１９内に配置され得るかを示している。外側ハウジング３１９は、インダクタ１４１を物理的に保護し、プラズマ処理チャンバに関連する他の機器および／または機器用のラック、シャーシ、ボックス、ハウジングなどとインダクタ１４１との取付を行う。いくつかの実施形態では、外側ハウジング３１９は、少なくとも一端に、別の表面に装着するためのフランジ３１９Ａを有する実質的に円柱形の構造として構成される。また、いくつかの実施形態では、外側ハウジング３１９は、終端コンデンサ、例えば、１４３Ａ−１４３Ｈを収容するための備え付けのエンクロージャ３２０と、電源１３１から電力を受け取るためのコネクタとを有することができる。しかしながら、他の実施形態では、外側ハウジング３１９は、インダクタ１４１の物理的保護と、インダクタ１４１の冷却と、プラズマ処理チャンバに関連する既存のシステム内にインダクタ１４１を取付可能にすることとに適切な本質的に任意の形状を有するように形成することができることを理解されたい。また、図３Ｄは、矢印３２３で示すようにインダクタ１４１に冷却空気を送り込むか、または矢印３２４で示すようにインダクタ１４１から冷却空気を引き出すために、ファン３２１をどのように格子３２５に近接して配置できるかを示している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
前述のように、所与のチャネルは、電流フローをヒータアセンブリ１２５内の所与の加熱素子１３２、１３３、１３４、１３５に提供するワイヤ１４２Ａ−１４２Ｈの所与のペアに対応する。ＲＦフィルタ１２９は存在する各チャネルに対して実質的に同様の様式でＲＦ電力伝送を遮断することが可能であるため、ＲＦフィルタ１２９は、改善されたチャネル間のインピーダンス均一性を提供する。図４は、本開示のいくつかの実施形態による、電流フローをヒータアセンブリ１２５内の所与の加熱素子１３２、１３３、１３４、１３５に供給するワイヤ１３２Ａ、１３２Ｂ、１３３Ａ、１３３Ｂ、１３４Ａ、１３４Ｂ、１３５Ａ、１３５Ｂの各々について、高いほうの一次ＲＦ周波数である１３．５６ＭＨｚにおけるＲＦ周波数の関数としてのインピーダンスのプロットを示す。図４は、ＲＦフィルタ１２９が、高いほうのＲＦ周波数である１３．５６ＭＨｚまたはその近くのＲＦ周波数においてチャネル間のインピーダンスの実質的な均一性をどのように提供するかを実証している。図５は、本開示のいくつかの実施形態による、電流フローをヒータアセンブリ１２５内の所与の加熱素子１３２、１３３、１３４、１３５に供給するワイヤ１３２Ａ、１３２Ｂ、１３３Ａ、１３３Ｂ、１３４Ａ、１３４Ｂ、１３５Ａ、１３５Ｂの各々について、低いほうの一次ＲＦ周波数である１ＭＨｚにおけるＲＦ周波数の関数としてのインピーダンスのプロットを示す。図５は、ＲＦフィルタ１２９が、低いほうのＲＦ周波数である１ＭＨｚまたはその近くのＲＦ周波数においてチャネル間のインピーダンスの実質的な均一性をどのように提供するかを実証している。ＲＦフィルタ１２９はチャネル間のインピーダンスの実質的な均一性を提供するので、ヒータアセンブリ１２５の電力供給チャネルの各々には本質的に同じ量のＲＦ電力が存在する。これは様々な加熱ゾーンの異なる加熱素子、例えば、１３２、１３３、１３４、１３５がそれぞれの加熱ゾーン内のＲＦ電力伝送に対して実質的に均一な影響を有することを意味し、それによって異なる加熱素子、例えば、１３２、１３３、１３４、１３５を通るＲＦ電力伝送／損失に関して基板１０５全体のプロセス均一性を改善する。また、ＲＦフィルタ１２９内のチャネル間のインピーダンス均一性を制御することによって、異なるプラズマ処理チャンバに設置された異なるＲＦフィルタ１２９のユニット間のインピーダンス均一性を制御し、したがってＲＦフィルタ１２９がチャンバ間のインピーダンス均一性に与える影響を制御することが可能である。