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【手続補正書】
【提出日】平成17年2月21日(2005.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テキスト中の単語の読みに韻律が生成され且つテキストに対して音声波形が生成されて音声を合成する音声合成装置において、
言語解析されたテキスト中の重要部分を指定する重要部分指定部と、
前記重要部分指定部により指定された重要部分に対して、テキスト中の前記重要部分以外の他の部分と異ならせる韻律を形成する重要部分韻律部と、
前記重要部分に対して音声波形を生成する重要部分生成部とを備えることを特徴とする音声合成装置。
【請求項２】
前記重要部分指定部は、テキスト中の主語・述語を重要部分として指定することを特徴とする、請求項１に記載の音声合成装置。
【請求項３】
前記重要部分指定部は、テキスト中の数字を重要部分として指定することを特徴とする、請求項１に記載の音声合成装置。
【請求項４】
前記重要部分指定部は、テキスト中の固有名詞を重要部分として指定することを特徴とする、請求項１に記載の音声合成装置。
【請求項５】
前記重要部分韻律部は、前記重要部分指定部により指定された重要部分がゆっくりとした音声で読み上げられる韻律を形成することを特徴とする、請求項１に記載の音声合成装置。
【請求項６】
前記重要部分韻律部は、前記重要部分指定部により指定された重要部分が大きい音声で読み上げられる韻律を形成することを特徴とする、請求項１に記載の音声合成装置。
【請求項７】
サービス局から送信されるテキストに、重要部分を識別するラベルが含まれるとき、前記重要部分指定部はテキストから重要部分を検索して重要部分を指定し、前記重要部分韻律部は前記重要部分に対する韻律を検索して検索された韻律を形成することを特徴とする、請求項１に記載の音声合成装置。
【請求項８】
さらに、テキストの言語解析に使用する通常の単語辞書部に対して感情表現に富む単語を格納する感情用単語辞書部と、前記通常の単語辞書部の格納される単語の音声波形に対してピッチを変更した音声波形を格納する感情用波形辞書部とを備え、
前記重要部分指定部は前記感情用単語辞書部を用いてテキスト中の重要部分を指定し、
前記重要部分韻律部は前記重要部分指定部により指定された重要部分にピッチを変更して感情表現の韻律を形成し、
前記重要部分音声生成部は前記感情用波形辞書部を用いて重要部分の音声波形を生成することを特徴とする、請求項１に記載の音声合成装置。
【請求項９】
前記感情用単語辞書部はこれに格納される単語に、明るい感情表現と暗い感情表現とが識別されるラベルを付けることを特徴とする、請求項８に記載の音声合成装置。
【請求項１０】
前記重要部分韻律部は、明るい感情表現の韻律に対してはピッチを高くし、暗い感情表現の韻律に対してピッチを高くすることを特徴とする、請求項８に記載の音声合成装置。
【請求項１１】
前記感情用単語辞書部は前記通常の辞書部と合体し前記通常の辞書部に使用される単語のうち感情表現に富む単語にラベルを付けることを特徴とする、請求項８に記載の音声合成装置。
【請求項１２】
サービス局から送信されるテキストに、感情表現に富む重要部分とこれを識別するラベルと、感情表現に富む重要部分に韻律を付加すべきラベルとが含まれるとき、前記重要部分指定部はテキストから感情表現に富む重要部分を検索して感情表現に富む重要部分を指定し、前記重要部分韻律部は前記感情に富む重要部分に対する韻律を検索して検索された韻律を形成することを特徴とする、請求項８に記載の音声合成装置。
【請求項１３】
テキスト中の単語の読みに韻律が生成され且つテキストに対して音声波形が生成されて音声を合成する音声合成装置において、
テキスト中の重要部分を指定する重要部分指定部と、
前記重要部分指定部により指定された重要部分に対して、テキスト中の前記重要部分以外の他の部分と異ならせる韻律を形成する重要部分韻律部と、
前記重要部分に対して音声波形を生成する重要部分生成部とを備えることを特徴とする車載用情報装置。
【請求項１４】
サービス局から送信されるテキストを受信する受信部をさらに備え、サービス局から送信されるテキストに、重要部分を識別するラベルが含まれるとき、前記重要部分指定部は、前記ラベルに基づいて、テキストから重要部分を検索して重要部分を指定し、前記重要部分韻律部は前記重要部分に対する韻律を検索して検索された韻律を形成することを特徴とする、請求項１３に記載の車載用情報装置。
【請求項１５】
テキスト中の単語の読みに韻律が生成され且つテキストに対して音声波形が生成されて音声を合成する音声合成方法において、
テキスト中の重要部分を指定するステップと、
前記重要部分指定部により指定された重要部分に対して、テキスト中の前記重要部分以外の他の部分と異ならせる韻律を形成するステップと、
前記重要部分に対して音声波形を生成するステップとを含むことを特徴とする音声合成方法。
【請求項１６】
サービス局から送信されるテキストに含まれる、重要部分を識別するラベルに基づいて、テキストから重要部分を検索するステップをさらに含み、
前記テキスト中の重要部分を指定するステップは、前記検索された重要部分を指定することを特徴とする、請求項１５に記載の音声合成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記問題点を解決するために、テキスト中の単語の読みに韻律が生成され且つテキストに対して音声波形が生成されて音声を合成する音声合成装置において、言語解析されたテキスト中の重要部分を指定する重要部分指定部と、前記重要部分指定部により指定された重要部分に対して、テキスト中の前記重要部分以外の他の部分と異ならせる韻律を形成する重要部分韻律部と、前記重要部分に対して音声波形を生成する重要部分生成部とを備えることを特徴とする音声合成装置を提供する。この手段により、重要部分として、主語・述語、数字、固有名詞が他のテキストの部分に対してゆっくりとした音声、又は大きな音声で読み上げられるので、受聴者が聞き取りやすい音声を合成することが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月1日(2004.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転電機の異常に伴って発生する部分放電による放射電磁波を検出する回転電機の異常検出装置であって、
上記回転電機のフレーム内に設置され、検出する中心周波数が１乃至３ＧＨｚの範囲にある放射電磁波を検出する放射電磁波検出手段と、
上記放射電磁波検出手段からの検出信号に基づいて部分放電の放電特性を求める信号処理を行う部分放電信号処理手段と、
信号処理結果を表示する表示手段と
を備えた回転電機の異常検出装置。
【請求項２】
回転電機の異常に伴って発生する部分放電による放射電磁波を検出する回転電機の異常検出装置であって、
上記回転電機のフレーム内に設置され、検出する中心周波数が１乃至３ＧＨｚの範囲にある放射電磁波を検出する放射電磁波検出手段と、
回転電機の異常に伴って発生する部分放電による高周波電流を検出する部分放電検出手段と、
上記放射電磁波検出手段の検出信号と上記部分放電検出手段の検出信号とに基づいて部分放電とノイズを識別して部分放電と識別した信号を出力するノイズ弁別手段と、
上記ノイズ弁別手段からの出力に基づいて部分放電の放電特性を求める信号処理を行う部分放電信号処理手段と、
信号処理結果を表示する表示手段と
を備えた回転電機の異常検出装置。
【請求項３】
請求項２記載の回転電機の異常検出装置において、上記部分放射検出手段は、回転電機に電力を供給する駆動用引出し線に設置されることを特徴とする回転電機の異常検出装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の回転電機の異常検出装置において、上記ノイズ弁別手段は、上記放射電磁波検出手段からの信号と同期した上記部分放電検出手段からの信号のみを部分放電と識別すると共に同期していない信号をノイズと識別してノイズを除去した部分放電の信号を出力することを特徴とする回転電機の異常検出装置。
【請求項５】
請求項２ないし４のいずれかに記載の回転電機の異常検出装置において、上記部分放電検出手段は、結合コンデンサで構成されることを特徴とする回転電機の異常検出装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかに記載の回転電機の異常検出装置において、上記放射電磁波検出手段は、ＧＨｚ帯の電磁波を検出する高周波アンテナで構成されることを特徴とする回転電機の異常検出装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の回転電機の異常検出装置において、上記放射電磁波検出手段は、検出周波数の帯域幅が狭帯域であることを特徴とする回転電機の異常検出装置。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかに記載の回転電機の異常検出装置において、上記放射電磁波検出手段は、回転電機の固定子巻線に異常が発生した時に生じる部分放電に伴って発生する放射電磁波を検出することを特徴とする回転電機の異常検出装置。
【請求項９】
請求項１ないし８のいずれかに記載の回転電機の異常検出装置において、上記放射電磁波検出手段は、回転電機の固定子巻線の巻線端部に対向した位置のフレーム内側に１個以上設置されることを特徴とする回転電機の異常検出装置。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の回転電機の異常検出装置において、上記放射電磁波検出手段は、回転電機の固定子巻線の巻線端部から離れ、かつ固定子鉄心の軸方向に沿うフレーム内側に設置されることを特徴とする回転電機の異常検出装置。
【請求項１１】
請求項１ないし９のいずれかに記載の回転電機の異常検出装置において、上記放射電磁波検出手段は、上記回転電機のフレームに開口部を設け、その開口部に設けた誘電体の窓を介して回転電機の外部に設置したことを特徴とする回転電機の異常検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る回転電機の異常検出装置は、回転電機の異常に伴って発生する部分放電による放射電磁波を検出する回転電機の異常検出装置であって、上記回転電機のフレーム内に設置され、検出する中心周波数が１乃至３ＧＨｚの範囲にある放射電磁波を検出する放射電磁波検出手段と、上記放射電磁波検出手段からの検出信号に基づいて部分放電の放電特性を求める信号処理を行う部分放電信号処理手段と、信号処理結果を表示する表示手段とを備えたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、他の発明に係る回転電機の異常検出装置は、回転電機の異常に伴って発生する部分放電による放射電磁波を検出する回転電機の異常検出装置であって、上記回転電機のフレーム内に設置され、検出する中心周波数が１乃至３ＧＨｚの範囲にある放射電磁波を検出する放射電磁波検出手段と、回転電機の異常に伴って発生する部分放電による高周波電流を検出する部分放電検出手段と、上記放射電磁波検出手段の検出信号と上記部分放電検出手段の検出信号とに基づいて部分放電とノイズを識別して部分放電と識別した信号を出力するノイズ弁別手段と、上記ノイズ弁別手段からの出力に基づいて部分放電の放電特性を求める信号処理を行う部分放電信号処理手段と、上記信号処理結果を表示する表示手段とを備えたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月12日(2005.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  露光すべきパターンが形成されたマスクを照明する照明光学系と、
前記マスクを通しての照明光に基づき、前記マスクに形成してあるパターンを転写すべき感光性基板の表面に、第１方向に所定ピッチ間隔で分離した複数の露光領域を形成する投影光学系と、
前記マスクおよび感光性基板を固定した状態で、前記照明光学系および前記投影光学系を同期して、前記第１方向と実質的に直交する第２方向に移動させる第１移動機構と、
前記マスクおよび感光性基板と、前記照明光学系および前記投影光学系とを、前記第１方向に沿って分離した各露光領域の基準幅に応じた距離で前記第１方向に沿って相対的に移動させる第２移動機構とを有する走査型露光装置。
【請求項２】  前記マスクを、前記感光性基板に対して、前記第２方向に移動させる第３移動機構をさらに有する請求項１に記載の走査型露光装置。
【請求項３】  前記投影光学系は、前記各露光領域毎に別々の投影光学系モジュールが配置された投影光学系ユニットである請求項１または２に記載の走査型露光装置。
【請求項４】  前記感光性基板の表面に第１方向に沿って一列に配置された複数の露光領域を形成するための照明視野絞りが前記投影光学系に装着してある請求項１〜３のいずれかに記載の走査型露光装置。
【請求項５】  前記照明視野絞りにより形成される各露光領域の形状が台形である請求項４に記載の走査型露光装置。
【請求項６】  露光すべきパターンが形成されたマスクを照明する照明光学系と、前記マスクを通しての照明光に基づき第１方向に所定ピッチ間隔で分離した複数の露光領域を感光性基板上に形成する投影光学系とを、同期して、前記感光性基板およびマスクに対して、前記第１方向と実質的に直交する前記第２方向に移動させながら露光を行う第１露光ステップと、
前記マスクおよび感光性基板を、前記照明光学系および前記投影光学系に対して、前記第１方向に沿って分離した各露光領域の基準幅に応じた距離で第１方向に沿って相対的に移動させる横移動ステップと、
その後、前記第１ステップにより露光されなかった感光性基板の複数の露光領域の間を前記第２方向に移動させながら露光を行う第２露光ステップとを有する走査型露光方法。
【請求項７】  前記第１方向に沿って分離した各露光領域の中心間の距離であるピッチ間隔が各露光領域の基準幅の約二倍であり、前記横移動ステップでは、前記マスクおよび感光性基板を、前記照明光学系および前記投影光学系に対して、各露光領域の基準幅と同じ距離で第１方向に沿って相対的に移動させることを特徴とする請求項６に記載の走査型露光方法。
【請求項８】  前記第１露光ステップにおける第２方向に沿った走査移動方向と、第２露光ステップにおける第２方向に沿った走査移動方向が逆方向であることを特徴とする請求項６または７に記載の走査型露光方法。
【請求項９】  一枚の感光性基板に対して、前記第１露光ステップ、横移動ステップおよび第２露光ステップから成る一連のステップを１回以上繰り返すことを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載の走査型露光方法。
【請求項１０】  前記各露光領域の形状が台形であり、前記第１露光ステップと第２露光ステップとでは、これら各ステップにおける各露光領域の隣接する端部の一部が相互に重なるように、露光を行うことを特徴とする請求項６〜９のいずれかに記載の走査型露光方法。
【請求項１１】  露光すべきパターンが形成されたマスクを照明し、前記マスクを通しての照明光に基づき第１方向に所定ピッチ間隔で分離した複数の露光領域を感光性基板上に形成し、前記感光性基板に対して、前記複数の露光領域を前記第１方向と実質的に直交する前記第２方向に移動させながら露光を行う第１露光ステップと、
前記マスクおよび感光性基板を、前記複数の露光領域に対して前記第１方向に沿って分離した各露光領域の基準幅に応じた距離で第１方向に沿って相対的に移動させる横移動ステップと、
その後、前記第１ステップにより露光されなかった感光性基板の複数の露光領域の間を前記第２方向に移動させながら露光を行う第２露光ステップとを有する走査型露光方法。
【請求項１２】  前記第１露光ステップの前記複数の露光領域の前記第２方向の移動の方向と、前記第２ステップの前記複数の露光領域の前記第２方向の移動の方向とは、往復の関係であることを特徴とする請求項１１記載の走査露光方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月27日(2005.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）  親水性表面を有する平版印刷ベース上に、アルカリ性水溶液中に可溶性のポリマーを含む第１層及び平版印刷ベースの第１層と同じ側にアルカリ性現像液により非浸透性であり且つ光を熱に変換することができる化合物を含有する最上層を有し、ここで該第１層及び該最上層が１つの同じ層であることができるヒートモード画像形成要素を画像通りにＩＲ−線に露光し；
ｂ）  該画像通りに露光されたヒートモード画像形成要素を該アルカリ性現像液を用いて現像し、それにより同じであり得る第１層及び最上層の露光された領域が溶解され、第１層の露光されない領域が溶解されないで残る
段階を含み、該アルカリ性現像液が少なくとも１２のｐＨ及び少なくとも３０ｍＮ／ｍの表面張力を有することを特徴とする平版印刷版の作製方法。
【請求項２】
該アルカリ性現像液がアルカリ金属ケイ酸塩を含有する請求項１に記載の平版印刷版の作製方法。
【請求項３】
該アルカリ金属ケイ酸塩含有現像液がＳｉＯ２及びＭ２Ｏを０．５〜１．５のモル比及び０．５〜６重量％のＳｉＯ２の濃度で含む請求項２に記載の平版印刷版の作製方法。
【請求項４】
該第１層及び該第２層が別の層である請求項１〜３のいずれかに記載の平版印刷版の作製方法。
【請求項５】
該最上層がアルカリ可溶性又は水溶性ポリマーを結合剤として含む請求項４に記載の平版印刷版の作製方法。
【請求項６】
第１層がアルカリ可溶性結合剤を含む請求項１〜５のいずれかに記載の平版印刷版の作製方法。
【請求項７】
該アルカリ可溶性結合剤がノボラック、ポリヒドロキシスチレン及びカルボキシ基含有ポリマーから成る群より選ばれる化合物である請求項６に記載の平版印刷版の作製方法。
【請求項８】
レーザーの画素滞留時間が０．００５〜２０μ秒に含まれる請求項１〜７のいずれかに記載の平版印刷版の作製方法。
【請求項９】
最上層及び第１層が１つの同じ層であり、この層が結合剤としてアルカリ可溶性樹脂を含む請求項１〜３のいずれかに記載の平版印刷版の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月9日(2005.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  非接触システムであって、
空力的浮揚自在デバイスと、
前記空力的浮揚自在デバイスに隣り合い、かつ間隔をおいて配置される外側表面を有する部材と、
前記部材の前記外側表面に対して向う方向及び離れる方向に向けて自由運動できるように、前記空力的浮揚自在デバイスを支持するために適用される支持機構とを有し、
前記空力的浮揚自在デバイスは、前記部材の前記外側表面に対して隣り合い、間隔をおいて、平行に対面する部分を有し、
また前記空力的浮揚自在デバイスは、前記空力的浮揚自在デバイスの前記部分から、前記部材の前記外側表面に向かって、十分な圧力でガスの少なくとも１つの流れを配向するための少なくとも１つの通路を含み、前記部材の前記外側表面から一定の平衡な距離に前記空力的浮揚自在デバイスを保持することを特徴とする非接触システム。
【請求項２】  請求項１に記載の非接触システムであって、
前記部材の前記外側表面に対して向う方向及び離れる方向に向けての前記空力的浮揚自在デバイスの運動は前記外側表面に対して垂直方向であることを特徴とする非接触システム。
【請求項３】  請求項１又は２に記載の非接触システムであって、
前記部材の前記外側表面に対して向う方向及び離れる方向に向けての前記空力的浮揚自在デバイスの自由運動を規制する線状ベアリングを含むことを特徴とする非接触システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月25日(2004.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】定着器制御装置及び画像記録装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）加熱体を備えた第１の定着部材と、
（ｂ）該第１の定着部材から熱が伝達される第２の定着部材と、
（ｃ）前記第１の定着部材の温度を検出する第１の温度検出手段と、
（ｄ）前記第２の定着部材の温度を検出する第２の温度検出手段と、
（ｅ）前記第１、第２の定着部材の各温度に基づいて、前記加熱体の通電を制御して前記第１の定着部材の温度を制御する温度制御手段とを有することを特徴とする定着器制御装置。
【請求項２】
（ａ）加熱体を備えた第１のローラと、
（ｂ）該第１のローラと接触させて配設された第２のローラと、
（ｃ）前記第１のローラの表面温度を検出する第１の温度検出手段と、
（ｄ）前記第２のローラの表面温度を検出する第２の温度検出手段と、
（ｅ）前記第１、第２のローラの各表面温度に基づいて、前記加熱体を選択的に通電して第１のローラの表面温度を制御する温度制御手段とを有することを特徴とする定着器制御装置。
【請求項３】
前記温度制御手段は、前記第１の定着部材の温度をＴr とし、前記第２の定着部材の温度をＴp とし、係数をｋとしたとき、値Ｔc 
Ｔc ＝Ｔr ＋ｋ・Ｔp （０＜ｋ＜１）
が一定の値になるように前記加熱体の通電を制御する請求項１に記載の定着器制御装置。
【請求項４】
前記温度制御手段は、前記第１のローラの表面温度をＴr とし、前記第２のローラの表面温度をＴp とし、係数をｋとしたとき、値Ｔc 
Ｔc ＝Ｔr ＋ｋ・Ｔp （０＜ｋ＜１）
が一定の値になるように前記加熱体の通電を制御する請求項２に記載の定着器制御装置。
【請求項５】
前記係数ｋは０．５である請求項３又は４に記載の定着器制御装置。
【請求項６】
記録媒体の幅が狭い場合は、記録媒体の幅が広い場合より前記係数ｋが小さくされる請求項３又は４に記載の定着器制御装置。
【請求項７】
前記第１の定着部材の温度をＴr とし、前記第２の定着部材の温度をＴp としたとき、
Ｔp −Ｔr ≧０
である場合に、定着器に異常が発生したと判断する請求項１に記載の定着器制御装置。
【請求項８】
前記第１の定着部材の温度をＴr とし、前記第２の定着部材の温度をＴp とし、前記第１、第２の温度検出手段の検出誤差をαとしたとき、
Ｔp −Ｔr ＞｜α｜
である場合に、定着器に異常が発生したと判断する請求項１に記載の定着器制御装置。
【請求項９】
前記第１の定着部材の温度をＴr とし、前記第２の定着部材の温度をＴp とし、設定値をＴE としたとき、
｜Ｔr −Ｔp ｜＞ＴE 
である場合に、定着器に異常が発生したと判断する請求項１に記載の定着器制御装置。
【請求項１０】
印刷機構において、トナー像を形成して記録媒体に転写し、定着器において、記録媒体上のトナー像を定着させて画像を記録する画像記録装置において、
（ａ）加熱体によって加熱される定着部材と、
（ｂ）該定着部材から熱が伝達される被加熱部材と、
（ｃ）前記定着部材の温度を検出する第１の温度検出手段と、
（ｄ）前記被加熱部材の温度を検出する第２の温度検出手段と、
（ｅ）前記定着部材及び被加熱部材の各温度に基づいて、前記加熱体の通電を制御する温度制御手段とを有することを特徴とする画像記録装置。
【請求項１１】
前記温度制御手段は、前記被加熱部材の温度が低下した場合、前記加熱体への通電を増加させる請求項１０に記載の画像記録装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、定着器制御装置及び画像記録装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、前記従来の定着器の問題点を解決して、画像品位を向上させることができ、オフセット現象を引き起こすことがなく、定着器のコストを低くすることができる定着器制御装置及び画像記録装置を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月13日(2005.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、液晶表示装置及びＥＬ表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板上に画素マトリクス部と、駆動回路と、信号分割回路と、を有し、
前記画素マトリクス部、前記駆動回路、及び前記信号分割回路は、それぞれ薄膜トランジスタを有し、
前記信号分割回路は、入力デジタル信号の供給を受けるｎ個の入力部と、供給された前記入力デジタル信号のパルス長を伸長した修正デジタル信号を送出するｍ×ｎ個の出力部と、を有し、
前記ｎは自然数、前記ｍは２以上の自然数であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
同一基板上に画素マトリクス部と、駆動回路と、信号分割回路と、を有し、
前記画素マトリクス部、前記駆動回路、及び前記信号分割回路は、それぞれ薄膜トランジスタを有し、
前記信号分割回路は、入力デジタル信号の供給を受けるｎ個の入力部と、供給された前記入力デジタル信号の周波数の１／ｍ倍の修正デジタル信号を送出するｍ×ｎ個の出力部と、を有し、
前記ｎは自然数、前記ｍは２以上の自然数であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記薄膜トランジスタは１５０ｃｍ2／Ｖｓ以上の移動度を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記薄膜トランジスタのサブスレッショルド係数は０．１５Ｖ／ｄｅｃ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記薄膜トランジスタは、しきい電圧が−１．０Ｖから０．０ＶのＰチャネル型薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記薄膜トランジスタは、しきい電圧が０．０Ｖから１．０ＶのＮチャネル型薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記薄膜トランジスタは触媒元素により結晶化された半導体膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の半導体装置を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一に記載の半導体装置を有することを特徴とするＥＬ表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月4日(2005.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記光記録層の厚みｄが、光で誘起される屈折率変化をΔｎ、照射光の波長をλ、ｍを０以上の整数としたとき、次式Δｎ・ｄ＝（ｍ＋１／４）・λを満たすように形成されることを特徴とする請求項１記載の光学フィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月4日(2005.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記光材料層の厚さｄは、ｍを０以上の整数、λを光の波長、Δｎを光で誘起される屈折率変化としたとき、Δｎ・ｄ＝（ｍ＋１／２）・λの関係を満たすことを特徴とする請求項２記載の光学フィルムの作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月15日(2004.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）着色剤、（Ｂ）アルカリ可溶性樹脂、（Ｃ）多官能性モノマー、（Ｄ）光重合開始剤および（Ｅ）２個以上のエポキシ基を有する化合物を含有することを特徴とするカラーフィルタ用感放射線性組成物。
【請求項２】
請求項１に記載のカラーフィルタ用感放射線性組成物から形成されてなるカラーフィルタ。
【請求項３】
請求項２に記載のカラーフィルタを具備するカラー液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
カルボキシル基含有共重合体としては、特に、（ａ）アクリル酸および／またはメタクリル酸を必須成分とし、場合により、こはく酸モノ（２−アクリロイロキシエチル）および／またはこはく酸モノ（２−メタクリロイロキシエチル）を含有するカルボキシル基含有不飽和モノマーと、（ｂ）スチレン、メチルアクリレート、メチルメタクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、ベンジルアクリレート、ベンジルメタクリレート、フェニルアクリレート、フェニルメタクリレート、グリセリンモノアクリレート、グリセリンモノメタクリレート、Ｎ−フェニルマレイミド、ポリスチレンマクロモノマーおよびポリメチルメタクリレートマクロモノマーの群から選ばれる少なくとも１種との共重合体（以下、「カルボキシル基含有共重合体（Ｉ）」という。）が好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
（Ｅ）２個以上のエポキシ基を有する化合物
本発明における２個以上のエポキシ基を有する化合物（以下、「多官能性エポキシ化合物」という。）は、熱の作用、例えばカラーフィルターの形成工程におけるプリベークにより、感放射線性組成物の硬化反応を生起する作用を奏する成分である。
多官能性エポキシ化合物は、低分子化合物でも高分子化合物でもよく、その例としては、ビスフェノールＡ系エポキシ樹脂、水素化ビスフェノールＡ系エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ系エポキシ樹脂、水素化ビスフェノールＦ系エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、環式脂肪族系エポキシ樹脂、複素環式エポキシ樹脂、グリシジルエステル系樹脂、グリシジルアミン系樹脂、エポキシ化油等のエポキシ樹脂；前記エポキシ樹脂の臭素化誘導体や、トリス（グリシジルフェニル）メタン、トリグリシジルイソシアヌレート等を挙げることができる。
これらの多官能性エポキシ化合物のうち、ビスフェニルＡ系エポキシ樹脂、水素化ビスフェノールＡ系エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、環式脂肪族系エポキシ樹脂、グリシジルエステル系樹脂、グリシジルアミン系樹脂、トリス（グリシジルフェニル）メタン等のエポキシ基を２〜１００個有する化合物が、カラーフィルタの硬度が高く、かつ感放射線性組成物の現像性に対する悪影響が少ない点で好ましい。
本発明において、特に好ましい多官能性エポキシ化合物は、下記式（６）〜（１３）で表される化合物である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月20日(2004.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持部材と該支持部材に取り付けられた光ファイバと前記支持部材に設けられた加熱手段とを具えていること
を特徴とする光遅延時間調整器。
【請求項２】
請求項１に記載の光遅延時間調整器において、前記支持部材を巻き枠とすることを特徴とする光遅延時間調整器。
【請求項３】
請求項１または２に記載の光遅延時間調整器において、前記巻き枠の中央に開口部が設けられていることを特徴とする光遅延時間調整器。
【請求項４】
請求項３に記載の光遅延時間調整器において、前記開口部を有する前記巻き枠の内周面に接触させて前記加熱手段を取り付けることを特徴とする光遅延時間調整器。
【請求項５】
請求項４に記載の光遅延時間調整器において、前記加熱手段を、前記開口部を有する巻き枠の内周面と該巻き枠の外周面とに取り付けることを特徴とする光遅延時間調整器。
【請求項６】
請求項１に記載の光遅延時間調整器において、前記支持部材を支持板とし、光ファイバを、前記支持板の面上に平面状に巻いて取り付けたことを特徴とする光遅延時間調整器。
【請求項７】
請求項６に記載の光遅延時間調整器において、前記支持板と接触させて電子冷却素子を設けてあることを特徴とする光遅延時間調整器。
【請求項８】
請求項７に記載の光遅延時間調整器において、前記電子冷却素子の両側に前記支持板を設けてあることを特徴とする光遅延時間調整器。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の光遅延時間調整器において、前記支持部材として、熱膨張率の大きい有機材料を用いることを特徴とする光遅延時間調整器。
【請求項１０】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の光遅延時間調整器において、前記支持部材として、熱膨張率の大きい金属材料を用いることを特徴とする光遅延時間調整器。
【請求項１１】
支持部材と該支持部材に取り付けられた光ファイバとを具え、前記支持部材を圧電素子とし、該支持部材に電極を取り付けてあることを特徴とする光遅延時間調整器。
【請求項１２】
少なくとも光ファイバと遅延付与部とを具えた時分割光多重装置において、支持部材と該支持部材に取り付けられた光ファイバと前記支持部材に設けられた加熱手段とを有する光遅延時間調整器または圧電素子を有する光遅延時間調整器を、前記遅延付与部に用いたことを特徴とする時分割光多重装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月1日(2004.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
主情報および副情報のうち少なくとも前記主情報が記録される情報記録媒体であって、
前記主情報は、本来的な記録対象物として前記情報記録媒体に記録される情報であり、
前記副情報は、副次的な目的で前記情報記録媒体に記録される前記主情報以外の情報であり、
前記主情報と前記副情報とは、同時に再生され、而も、前記主情報の再生制御と前記副情報の再生制御とはそれぞれ独立して行われる情報であり、
前記情報記録媒体における前記副情報の有無を示す副情報有無情報が記録された領域を備える、
ことを特徴とする情報記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の情報記録媒体は、主情報および副情報のうち少なくとも前記主情報が記録される情報記録媒体であって、前記主情報は、本来的な記録対象物として前記情報記録媒体に記録される情報であり、前記副情報は、副次的な目的で前記情報記録媒体に記録される前記主情報以外の情報であり、前記主情報と前記副情報とは同時に再生され、而も、前記主情報の再生制御と前記副情報の再生制御とはそれぞれ独立して行われる情報であり、前記情報記録媒体における前記副情報の有無を示す副情報有無情報が記録された領域を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月6日(2004.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
さらに、アクティビティ階層化してなる階層３のアクティビティデータは、平均値階層化された階層３の画像データの画素ｚ１と階層１の画像データの画素ｘ１、ｘ２、……、ｘ15、ｘ16を用いて、（３）式に基づいて、（７）式により求められる。
2003257183.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
また、ワード線ＷＬ２_k，ＷＬ２_k+1は、それぞれ４行にわたる階段状パターンで配され、各行の４個の第１のメモリセル１６１ａに接続される。同様に、ワード線ＷＬ３_jは、８行にわたる階段状パターンで配され、各行の１個の第１メモリセル１６１ａに接続される。このように、ワード線ＷＬ２_k，ＷＬ２_k+1が接続される第１のメモリセル１６１ａとワード線ＷＬ３_jが接続される第１のメモリセル１６１ａとは異なっている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月14日(2004.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
アナログオーディオ信号を入力するアナログ入力端子と、
デジタルオーディオ信号を入力するデジタル入力端子と、
外部AV機器から上記デジタル入力端子を介して入力されるデジタルオーディオ信号の種類ごとに、内部信号経路を示す信号経路情報を記憶する記憶手段と、
外部AV機器から上記デジタル入力端子を介して入力されたデジタルオーディオ信号の種類を識別する識別手段と、
上記識別手段が識別した種類に対応付けて上記記憶手段に記憶されている信号経路情報に基づいて、内部の信号経路を切り替える切り替え手段とを有することを特徴とするオーディオ再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
請求項１記載のオーディオ再生装置であって、
上記信号経路情報の入力を受け付ける受付手段を有し、
上記記憶手段は、
上記受付手段が入力を受け付けた信号経路情報を記憶することを特徴とするオーディオ再生装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、
アナログオーディオ信号を入力するアナログ入力端子と、
デジタルオーディオ信号を入力するデジタル入力端子と、
外部AV機器から上記デジタル入力端子を介して入力されるデジタルオーディオ信号の種類ごとに、内部信号経路を示す信号経路情報を記憶する記憶手段と、
外部AV機器から上記デジタル入力端子を介して入力されたデジタルオーディオ信号の種類を識別する識別手段と、
上記識別手段が識別した種類に対応付けて上記記憶手段に記憶されている信号経路情報に基づいて、内部の信号経路を切り替える切り替え手段とを有することを特徴とするオーディオ再生装置を提供している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
信号経路選択メニューは、AVコントロールアンプに接続されている外部AV機器ごとに用意され、図２の例では、外部AV機器としてDVDプレーヤが指定されたときの信号経路選択メニューを示している。図２の例では、DVDプレーヤからPCM信号が入力された場合は、「アナログダイレクト」を選択し、DVDプレーヤからDOLBY DIGITAL（登録商標）(以下、「DOLBY DIGITAL」と記載する。また、図２および図３において、「DOLBY DIGITAL」は登録商標である。)信号が入力された場合は、「アナログDSP」を選択し、DVDプレーヤからDTS（登録商標）(以下、「DTS」と記載する。また、図２および図３において、「DTS」は登録商標である。)信号が入力された場合は、「デジタル」を選択し、DVDプレーヤからMPEG2 AAC信号が入力された場合は、「デジタル」を選択し、DVDプレーヤからその他の未対応信号が入力された場合は「アナログ」を選択するよう、ユーザが指定している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
そこで、図４に示すように、ホストマイコン１２は、まず、主記憶に記憶されている付加情報から、デジタル入力部１からデジタル入力セレクタ２を介して入力されたデジタルオーディオ信号の種類を識別する（ステップS1）。ここでいう種類には、PCM，DOLBY DIGITAL，DTS，MPEG2 AAC等が含まれる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
また、例えば、DVDプレーヤから入力されるデジタルオーディオ信号がDOLBY DIGITAL信号の場合は、通常は、ユーザは、該DOLBY DIGITAL信号が、DSP５でデコードされ、DAコンバータ６でDA変換されて、アナログ出力部８から出力されるように、「デジタル」を選択経路として指定しておく。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
しかしながら、例えば、DVDプレーヤでデコードされてDA変換されたDOLBY DIGITAL信号のアナログオーディオ信号に、本発明の実施形態に係るAVコントロールアンプでさらに音響効果を付加して出力したい場合などには、ユーザは、図２の例に示すように、DOLBY DIGITAL信号に対応する信号経路を「アナログDSP」に指定しておくことができる。このようにすれば、DVDプレーヤでデコードされてDA変換されたDOLBY DIGITAL信号のアナログオーディオ信号が、ADコンバータ１１でAD変換されてDSP５でデコードされ、DAコンバータ６でDA変換されて、アナログ出力部８から出力されるようにすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロジンを含む非活性フラックス剤からなるハロゲンフリーフラックスを被覆した低融点可溶合金を一対のリード部材の電極部間に架設して絶縁パッケージしてなり、前記低融点可溶合金はすず（Ｓｎ）、インジウム（Ｉｎ）、鉛（Ｐｂ）およびビスマス（Ｂｉ）を含む金属グループから選ばれる２種以上の組成からなる合金、或いはインジウム（Ｉｎ）を含み残部にすず（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、アンチモン（Ｓｂ）、亜鉛（Ｚｎ）およびビスマス（Ｂｉ）を少なくとも１種を含む元素グループから選ばれる組成からなる合金であり、その組成比により動作温度が決められる温度ヒューズ。
【請求項２】
前記ハロゲンフリーフラックスは有機系活性剤を添加して弱活性化したことを特徴とする請求項１に記載の温度ヒューズ。
【請求項３】
低融点可溶合金を所定寸法の線材として所定位置にハロゲンフリーフラックスを被着し、この低融点可溶合金線材に一対のリード部材の電極部を加重により食い込むよう溶着結合して可溶合金組立体とし、この可溶合金組立体を絶縁性樹脂ケース本体に収納してその開口をキャップ部材で封止する温度ヒューズの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月5日(2005.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の原料となる高分子電解質膜としては、通常、高分子電解質を成膜することにより製造されたものが使用される。
ここで、高分子電解質としては、イオン交換基、例えば、−SO3H、−COOH、−PO(OH)2、−POH(OH)、−SO2NHSO2−、−Ph(OH)（Phはフェニル基を表す）等の陽イオン交換基、−NH2、−NHR、−NRR'、−NRR'R''+、−NH3+等（R：アルキル基、シクロアルキル基、アリール基等を表す）等の陰イオン交換基を有し、溶媒に可溶な高分子が通常使用される。これらの基は、その一部または全部が対イオンとの塩を形成していても良い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
接触処理において、流体は液状或いは超臨界状態が好ましい。処理する圧力は０．５ＭＰａ以上が好ましく、さらには１．０〜５０ＭＰａの範囲が好ましい。
０．５ＭＰａ以下であると、高分子電解質膜に溶解する流体の量が少なくなるためか、本発明の効果が低減する傾向にあり。また、５０ＭＰａ以上であると、操作が困難となり、装置にも莫大な費用を要するため好ましくない。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月20日(2004.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にＧａＮ系化合物半導体結晶を成長させる方法において、
前記基板上に５７０℃から６７０℃の成長温度で第１のＧａＮ系化合物半導体結晶層を形成する工程と、
前記第１のＧａＮ系化合物半導体結晶層上に、７５０℃から８５０℃の成長温度で第２のＧａＮ系化合物半導体結晶層を形成する工程と、
前記第２のＧａＮ系化合物半導体結晶層上に９５０℃から１０５０℃の成長温度で第３のＧａＮ系化合物半導体結晶層を形成する工程と、
を少なくとも有することを特徴とする結晶の製造方法。
【請求項２】
前記第１、第２、第３のＧａＮ系化合物半導体結晶層は、単結晶層であることを特徴とする請求項１に記載の結晶の製造方法。
【請求項３】
前記第１のＧａＮ系化合物半導体結晶層を５ｎｍから３００ｎｍの膜厚で形成することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の結晶の製造方法。
【請求項４】
前記第２のＧａＮ系化合物半導体結晶層を０．５μｍから５０μｍの膜厚で形成することを特徴とする請求項１から請求項３の何れかに記載の結晶の製造方法。
【請求項５】
前記第３のＧａＮ系化合物半導体結晶層を形成する工程は、前記第２のＧａＮ系化合物半導体結晶層の育成工程が終了した後に、第２のＧａＮ系化合物半導体結晶層の成長温度以上で２０分から４時間保持してから前記第３のＧａＮ系化合物半導体結晶層の成長を開始することを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の結晶の製造方法。
【請求項６】
前記基板は、前記第１、第２、第３のＧａＮ系化合物半導体結晶層の成長に用いられる原料、または、熱によって劣化することを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の結晶の製造方法。
【請求項７】
前記基板は、１または２種類以上の希土類元素を含む希土類１３（３Ｂ）族ペロブスカイト結晶を基板であることを特徴とする請求項６に記載の結晶の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月4日(2005.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１、第２主面を有するマスク基板を用意する工程、
（ｂ）前記マスク基板の第１主面上に露光光に対して遮光性を有するレジスト膜で形成された位置合わせパターンを含むマスクを作成する工程、
（ｃ）前記マスクを露光装置に装着する工程、
（ｄ）前記露光装置の処理台上に、主面にフォトレジスト膜が堆積されたウエハを搭載する工程、
（ｅ）前記マスクの位置合わせパターンに、露光光よりも長波長の光を照射することにより検出された結果に基づいて、前記マスクと露光装置との位置合わせを行う工程、
（ｆ）前記マスクを用いた縮小投影露光処理によってウエハ上のフォトレジスト膜に所望のパターンを転写する工程を有し、
前記マスクの位置合わせパターンは、前記（ｅ）工程において前記位置合わせパターンにおける所定方向両端の光の干渉により形成される各々の暗部が重なり合うことで検出可能なように形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
（ａ）第１，第２主面を有するマスク基板を用意する工程、
（ｂ）前記マスク基板の第１主面上に露光光に対して遮光性を有するレジスト膜で形成された位置合わせパターンを含むマスクを作成する工程、
（ｃ）前記マスクを露光装置に装着する工程、
（ｄ）前記露光装置の処理台上に、主面にフォトレジスト膜が堆積されたウエハを搭載する工程、
（ｅ）前記マスクの位置合わせパターンに、露光光よりも長波長の光を照射することにより検出された結果に基づいて、前記マスクと露光装置との位置合わせを行う工程、
（ｆ）前記マスクを用いた縮小投影露光処理によってウエハ上のフォトレジスト膜に所望のパターンを転写する工程を有し、
前記マスクの位置合わせパターンは、前記（ｅ）工程において前記位置合わせパターンにおける所定方向両端の光の干渉により形成される各々の暗部が重なり合うことで検出可能なように形成され、かつ、前記位置合わせパターンを透過した光の位相が、前記マスクの光透過領域を透過した光に対して反転するように形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
（ａ）第１，第２主面を有するマスク基板を用意する工程、
（ｂ）前記マスク基板の第１主面上に露光光に対して遮光性を有するレジスト膜で形成された位置合わせパターンを含むマスクを作成する工程、
（ｃ）前記マスクを露光装置に装着する工程、
（ｄ）前記露光装置の処理台上に、主面にフォトレジスト膜が堆積されたウエハを搭載する工程、
（ｅ）前記マスクの位置合わせパターンに、露光光よりも長波長の光を照射することにより検出された結果に基づいて、前記マスクと露光装置との位置合わせを行う工程、
（ｆ）前記マスクを用いた縮小投影露光処理によってウエハ上のフォトレジスト膜に所望のパターンを転写する工程を有し、
前記マスクの位置合わせパターンは、前記レジスト膜からなる複数のサブパターンが所定の間隔毎に配置されてなり、前記（ｅ）工程において前記複数のサブパターンを光の回折限界以下で配置することで検出可能なように形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
（ａ）第１，第２主面を有するマスク基板を用意する工程、
（ｂ）前記マスク基板の第１主面上に露光光に対して遮光性を有するレジスト膜で形成された位置合わせパターンを含むマスクを作成する工程、
（ｃ）前記マスクを露光装置に装着する工程、
（ｄ）前記露光装置の処理台上に、主面にフォトレジスト膜が堆積されたウエハを搭載する工程、
（ｅ）前記マスクの位置合わせパターンに、露光光よりも長波長の光を照射することにより検出された結果に基づいて、前記マスクと露光装置との位置合わせを行う工程、
（ｆ）前記マスクを用いた縮小投影露光処理によってウエハ上のフォトレジスト膜に所望のパターンを転写する工程を有し、
前記マスクの位置合わせパターンは、前記レジスト膜からなる複数のサブパターンが所定の間隔毎に配置されてなり、前記（ｅ）工程において前記複数のサブパターンを光の回折限界以下で配置することで検出可能なように形成され、かつ、前記サブパターンを透過した光の位相が、前記マスクの光透過領域を透過した光に対して反転するように形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
（ａ）第１，第２主面を有するマスク基板を用意する工程、
（ｂ）前記マスク基板の第１主面上に露光光に対して遮光性を有するレジスト膜で形成された互いに平行に配置された複数の帯状の位置合わせパターンを含むマスクを作成する工程、
（ｃ）前記マスクを露光装置に装着する工程、
（ｄ）前記露光装置の処理台上に、主面にフォトレジスト膜が堆積されたウエハを搭載する工程、
（ｅ）前記マスクの位置合わせパターンに、露光光よりも長波長の光を照射することにより検出された結果に基づいて、前記マスクと露光装置との位置合わせを行う工程、
（ｆ）前記マスクを用いた縮小投影露光処理によってウエハ上のフォトレジスト膜に所望のパターンを転写する工程を有し、
前記マスクの前記複数の帯状の位置合わせパターンの各々は、前記帯状の位置合わせパターンの各々の幅方向に沿ってその幅分だけ延在された前記レジスト膜からなるサブパターンが、前記帯状の位置合わせパターンの長手方向に沿って所定の間隔毎に配置されてなり、前記（ｅ）工程において前記複数のサブパターンを光の回折限界以下で配置することで検出可能なように形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１または２において、前記位置合わせパターンの幅をＷ１、λを検出光の波長、ＮＡを位置合わせ検出光学系の開口数、ｋ１＝（Ｗ１×ＮＡ）／λとして、０．２３１≦ｋ１≦０．３２１であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項３〜５のいずれか１項において、前記サブパターンの幅をＷ１、λを検出光の波長、ＮＡを位置合わせ検出光学系の開口数、ｋ１＝（Ｗ１×ＮＡ）／λとして、ｋ１≦０．３０３であることを特徴とする半導体装置の製造方法。