Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月8日(2004.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
地上に敷設された軌道回路より連続的に周波数信号を受信し、その周波数により走行制限速度を決定し、走行速度制限制御を行う自動列車制御装置を有する鉄道車両に搭載され、前記周波数信号を取り込み、当該装置内で信号判別を行う自動列車運転装置において、周波数信号の入力レベルを認識する手段を有し、その入力レベルがある範囲以上変化した地点と装置内に記憶された信号閉塞境界地点情報とを比較し、その地点の差が一定距離内である場合、自車両の走行位置補正を行うことを特徴とする自動列車運転装置。
【請求項２】
前記速度制限制御用の周波数信号の車上での受信遅れ時間を考慮し、当該信号のある範囲以上のレベル変化を認識した地点を走行速度に応じて補正することにより、より正確な走行位置補正を行う機能を有することを特徴とする請求項１記載の自動列車運転装置。
【請求項３】
前記速度制限制御用の周波数信号のレベル変化が装置内に記憶された信号閉塞境界情報に相当する位置まで走行しても車上で認識できない場合は、速度周波数取り込みによる走行距離演算と地上子による地点信号を元に、列車走行位置の判断及び補正を行うことを特徴とする請求項１記載の自動列車運転装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、前記目的は、地上に敷設された軌道回路より連続的に周波数信号を受信し、その周波数により走行制限速度を決定し、走行速度制限制御を行う自動列車制御装置を有する鉄道車両に搭載され、前記周波数信号を取り込み、当該装置内で信号判別を行う自動列車運転装置において、周波数信号の入力レベルを認識する手段を有し、その入力レベルがある範囲以上変化した地点と装置内に記憶された信号閉塞境界地点情報とを比較し、その地点の差が一定距離内である場合、自車両の走行位置補正を行うことにより達成される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
図１において、３は車体であり、１は自動列車運転装置（以降、ＡＴＯ装置と称する）、２は自動列車制御装置(以降、ＡＴＣ装置と称する)、８はＡＴＣ信号受信レベル検知回路、１０はＡＴＣ装置速度照査部、１５はＡＴＣ信号閉塞境界データ記憶装置、１４は比較回路、１７はＡＴＯ制御部である。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
車両がＡＴＣ信号区間を走行する場合、ＡＴＣ信号受信レベルは図２に示す如くＡＴＣ信号閉塞境界において通常一旦変化する。ＡＣ信号受信レベル検知回路８は、この受信レベルがある範囲以上変化したタイミングでレベル変化検知信号を出力する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月21日(2005.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】前記無機電子注入輸送層は、各構成成分が全成分に対して、第１成分：５〜９０mol％、第２成分：５〜９０mol％、第３成分：０．５〜２０mol％含有する請求項１の有機ＥＬ素子。  【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】  【課題を解決するための手段】    すなわち、上記目的は、以下の構成により達成される。（１） 基板と、この基板上に形成されたホール注入電極と電子注入電極と、これらの電極間に設けられた有機物質を含有する有機層とを有し、前記有機層には共役ポリマーを有する発光層を有し、この発光層と電子注入電極の間には、無機電子注入輸送層を有し、この無機電子注入層は、第１成分として酸化リチウム、酸化ルビジウム、酸化カリウム、酸化ナトリウム、および酸化セシウムから選択される１種以上の酸化物と、第２成分として酸化ストロンチウム、酸化マグネシウム、および酸化カルシウムから選択される１種以上の酸化物と、第３成分として酸化シリコン、および／または酸化ゲルマニウムとを含有する有機ＥＬ素子。（２） 前記無機電子注入輸送層は、各構成成分が全成分に対して、第１成分：５〜９０ mol％、第２成分：５〜９０ mol％、第３成分：０．５〜２０ mol％含有する上記（１）の有機ＥＬ素子。（３） 前記無機電子注入輸送層の膜厚は、０．１〜２nmである上記（１）または（２）の有機ＥＬ素子。（４） 前記電子注入電極は、Ａｌ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｔｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，ＰｄおよびＮｉから選択される１種または２種以上の金属元素により形成されている上記（１）〜（３）のいずれかの有機ＥＬ素子。（５） 前記発光層とホール注入電極との間には無機ホール注入層を有し、この無機ホール注入層は、シリコンおよび／またはゲルマニウムの酸化物を主成分とし、ラザフォード後方散乱により得られる主成分の平均組成を、（Ｓｉ1-xＧｅx）Ｏyと表したとき０≦ｘ≦１１．７≦ｙ≦１．９９である上記（１）〜（４）のいずれかの有機ＥＬ素子。（６） 前記無機ホール注入層の膜厚が０．１〜３nmである上記（５）の有機ＥＬ素子。【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２３】  また、本発明の無機電子注入輸送層は、好ましくは上記各構成成分が全成分に対して、ＳｒＯ、ＭｇＯ、ＣａＯ、Ｌｉ2Ｏ、Ｒｂ2Ｏ、Ｋ2Ｏ、Ｎａ2Ｏ、Ｃｓ2Ｏ、ＳｉＯ2、ＧｅＯ2に換算して、第１成分：５〜９０ mol％、より好ましくは５０〜９０mol％、第２成分：５〜９０ mol％、より好ましくは５〜９０ mol％、第３成分：０．５〜２０ mol％、より好ましくは５〜１０ mol％、含有する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月26日(2005.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系化合物半導体を用いて作製された、ｐ型層とｎ型層とそれらの間に配置された活性層とを有する半導体装置において、正電極に接するｐ型コンタクト層を有し、前記ｐ型コンタクト層の正電極に接する最表面部分のアクセプタ不純物濃度が３×１０19〜５×１０21［／ｃｍ3］であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ｐ型コンタクト層において、不純物添加による結晶格子歪みを低減するための手段を合わせ持つことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ｐ型コンタクト層は、層厚が４０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ｐ型コンタクト層は、正電極に接する側からその反対側に向けてアクセプタ不純物濃度が連続的に減少しているか、または、アクセプタ不純物濃度がステップ状に擬似的に連続的に減少していることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ｐ型コンタクト層のアクセプタ不純物濃度は、正電極とは反対側の層と接する部分のアクセプタ不純物濃度が１×１０18〜３×１０19［／ｃｍ3］であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ｐ型コンタクト層は、アクセプタ不純物濃度が高い層とアクセプタ不純物濃度が低い層の２層を一周期として、一周期以上形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記アクセプタ不純物濃度が高い層のアクセプタ不純物濃度は３×１０19〜５×１０21［／ｃｍ3］であり、前記アクセプタ不純物濃度が低い層のアクセプタ不純物濃度は１×１０18〜３×１０19［／ｃｍ3］であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記濃度の高い層の膜厚が４０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項６または７のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記ｐ型コンタクト層のアクセプタ不純物はＭｇであることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明では、上記目的を解決する方法として、接触抵抗を下げるために、正電極と接触する部分のｐ型コンタクト層のアクセプタ不純物濃度を３×１０19〜５×１０21［／ｃｍ3］としている。また、低抵抗なｐ型コンタクト層とするために、不純物添加による結晶格子歪みを低減するようにしている。また、結晶格子歪みを低減するために、正電極に接するｐ型コンタクト層としてＩＩＩ−Ｖ族窒化物系化合物半導体単結晶層のアクセプタ不純物濃度、アクセプタ不純物濃度分布、層厚を規定して、良好な特性を有するコンタクト層を形成している。より具体的にはｐ型コンタクト層として次の様な層を用いている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明においては、ＩＩＩ−Ｖ族窒化物系化合物半導体を用いて作製された、ｐ型層とｎ型層とそれらの間に配置された活性層とを有する半導体装置において、正電極に接するｐ型コンタクト層として、正電極に接する最表面部分でアクセプタ不純物濃度が３×１０19〜５×１０21［／ｃｍ3］であることを特徴とするＩＩＩ−Ｖ族窒化物系化合物半導体層を用いている。ここで、本発明においては、ｐ型コンタクト層において不純物添加による結晶格子歪みを低減するための手段を合わせ持つことが望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明においては、正電極に接するｐ型コンタクト層として、正電極に接する側と反対側から、アクセプタ不純物濃度が低い成長条件でＩＩＩ−Ｖ族窒化物系化合物半導体層を成長し、正電極に近づくにつれてアクセプタ不純物濃度を連続的に増加しているか、又はステップ状に擬似的に連続的に増加させて最終的に初期の状態よりアクセプタ不純物濃度が高い成長条件でＩＩＩ−Ｖ族窒化物系化合物半導体層を成長して、正電極に対するコンタクト層を形成することを特徴とする。なお、ｐ型コンタクト層におけるアクセプタ不純物濃度について、正電極に接する部分のアクセプタ不純物濃度が３×１０19〜５×１０21［／ｃｍ3］で、正電極と反対側の下地層と接する部分のアクセプタ不純物濃度が１×１０18〜３×１０19［／ｃｍ3］であることが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月18日(2004.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ショットキー効果を利用して電子放出する電子源を備えた電子線装置において、前記電子源の使用許容時間を予め設定する手段と、前記電子源の積算使用時間をカウントするタイマと、前記設定された使用許容時間と前記積算使用時間に基づいて前記電子源の残りの使用許容時間を算出する手段と、当該残りの使用許容時間を表示する表示装置を備えたことを特徴とする電子線装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記表示装置は、前記タイマで得られた電子源の積算使用時間、前記残りの使用許容時間の少なくとも１つをグラフィック表示する機能を備えていることを特徴とする電子線装置。
【請求項３】
請求項１において、前記タイマは前記電子源の使用が前記使用許容時間を超過した際の超過時間をカウントする機能を備えていることを特徴とする電子線装置。
【請求項４】
請求項３において、前記表示装置は、前記タイマで得られた超過時間をグラフィック表示する機能を備えていることを特徴とする電子線装置。
【請求項５】
ショットキー効果を利用して電子放出する電子源を備えた電子線装置において、前記電子源の使用許容時間を予め設定する手段と、前記電子源の積算使用時間をカウントするタイマと、前記設定された使用許容時間と前記積算使用時間と対比して表示する表示装置を備えたことを特徴とする電子線装置。
【請求項６】
ショットキー効果を利用して電子放出する電子源を備えた電子線装置において、前記電子源から放出される電子線の電流を検出する電流検出手段と、該電流検出手段で検出された電流の変動に基づいて前記電子源に対する加熱温度を下げる手段を備えたことを特徴とする電子線装置。
【請求項７】
請求項６において、前記加熱温度を下げる手段は、前記電流の電流値の低下に基づいて前記電子源の加熱温度を下げることを特徴とする電子線装置。
【請求項８】
請求項６において、前記電子源の使用許可時間を超えている旨を表示する手段および／または前記電子源交換の注意喚起表示をする手段を備えることを特徴とする電子線装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月9日(2005.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）シリコン基板の表面上に絶縁ゲート電極構造を形成する工程と、
（ｂ）前記絶縁ゲート電極構造を覆って、前記シリコン基板表面上にエッチング特性の異なる２種類以上の材料の膜を積層する工程と、
（ｃ）前記２種類以上の材料の膜を異方的にエッチングし、少なくとも１種類の材料の膜は前記絶縁ゲート電極構造と前記シリコン基板を覆った状態で、残りの膜は前記ゲート電極構造側側壁上にのみ残る側壁スペーサを形成する工程と、
（ｄ）前記絶縁ゲート電極構造および前記側壁スペーサをマスクとして前記シリコン基板表面内に不純物をイオン注入する工程と、
（ｅ）前記イオン注入した不純物を第１のレベルまで活性化する工程と、
（ｆ）前記側壁スペーサをマスクとして前記少なくとも１種類の材料の膜を除去し、前記ゲート電極構造の頂面と前記シリコン基板表面の一部を露出する工程と、
（ｇ）前記露出したシリコン基板表面および絶縁ゲート電極構造を覆ってシリコン基板表面上にシリサイド化可能な金属の膜を形成する工程と、
（ｈ）前記金属の膜と前記シリコン基板表面との間に第１シリサイド反応を生じさせる工程と、
（ｉ）前記金属膜の未反応部分、その下の前記少なくとも１種類の膜を除去する工程と、
（ｊ）前記絶縁ゲート電極構造をマスクとして前記シリコン基板表面内に不純物を浅くイオン注入する工程と、
（ｋ）前記浅くイオン注入した不純物を前記第１のレベルより低い第２のレベルまで活性化すると共に、前記第１シリサイド反応したシリサイドの第２シリサイド反応を行う工程と、
（ｌ）前記工程（ｆ）と前記工程（ｊ）の間に前記側壁スペーサを除去する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】 
前記絶縁ゲート電極構造が、前記シリコン基板表面上に形成されたゲート絶縁膜とその上に形成されたシリコン層を含み、前記工程（ｆ）が前記シリコン層の少なくとも頂面を露出し、前記工程（ｈ）が前記金属の膜と前記シリコン層との間でも第１シリサイド反応を生じさせる請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】 
前記工程（ｃ）が前記残りの膜を前記ゲート電極構造の側壁上部からも除去する工程であり、前記工程（ｆ）が、前記シリコン層の頂面と共に側面の上部を露出する請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】 
前記工程（ｋ）が、前記工程（ｈ）よりも低温で行われる請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】 
前記少なくとも１種類の材料の膜がＴｉＮで形成されている請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】 
前記残りの膜がシリコン酸化物の膜を含む請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】 
前記工程（ｊ）が、ＢＦ2 またはデカボランを不純物源として用いる請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】 
前記工程（ｊ）が、加速エネルギ５ｋｅＶ以下で行われる請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】 
前記シリサイド化可能な金属がＣｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｗ、またはこれらの組み合わせである請求項１〜８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】 
前記工程（ｅ）が１０００℃以上の温度で行なわれ、前記工程（ｋ）が９５０℃以下の温度で行なわれる請求項１〜９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】 
前記シリサイド化可能な金属がＣｏであり、前記工程（ｈ）がＣｏをＣｏＳｉ2 でないＣｏシリサイドに反応させる工程であり、温度をＴ0Ｋ、時間をｔ秒とした時、ｙ＝１０4 ／ｔがｙ２≦ｙ≦ｙ１、ただし、ｙ１＝３．０２×１０13×ｅｘｐ〔−１．６４ｅＶ／ｋＴ〕、ｙ２＝１．８２×１０15×ｅｘｐ〔−２．１９ｅＶ／ｋＴ〕、ｋはボルツマン定数、を満たす条件で行われる請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】 
前記工程（ｋ）が、温度をＴ°Ｋ、時間をｔ秒とした時、１００００／ｔ＝１．１×１０14ｅｘｐ（−２．６５／ＫＴ）を中心に±５０℃の温度範囲内で表される第２の条件下で前記Ｓｉ基板を加熱し、前記ＣｏシリサイドをＣｏＳｉ2に変換する請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、（ａ）シリコン基板の表面上に絶縁ゲート電極構造を形成する工程と、（ｂ）前記絶縁ゲート電極構造を覆って、前記シリコン基板表面上にエッチング特性の異なる２種類以上の材料の膜を積層する工程と、（ｃ）前記２種類以上の材料の膜を異方的にエッチングし、少なくとも１種類の材料の膜は前記絶縁ゲート電極構造と前記シリコン基板を覆った状態で、残りの膜は前記ゲート電極構造側側壁上にのみ残る側壁スペーサを形成する工程と、（ｄ）前記絶縁ゲート電極構造および前記側壁スペーサをマスクとして前記シリコン基板表面内に不純物をイオン注入する工程と、（ｅ）前記イオン注入した不純物を第１のレベルまで活性化する工程と、（ｆ）前記側壁スペーサをマスクとして前記少なくとも１種類の材料の膜を除去し、前記ゲート電極構造頂面と前記シリコン基板表面の一部を露出する工程と、（ｇ）前記露出したシリコン基板表面および絶縁ゲート電極構造を覆ってシリコン基板表面上にシリサイド化可能な金属の膜を形成する工程と、（ｈ）前記金属の膜と前記シリコン基板表面との間に第１シリサイド反応を生じさせる工程と、（ｉ）前記金属膜の未反応部分、その下の前記少なくとも１種類の膜を除去する工程と、（ｊ）前記絶縁ゲート電極構造をマスクとして前記シリコン基板表面内に不純物を浅くイオン注入する工程と、（ｋ）前記浅くイオン注入した不純物を前記第１のレベルより低い第２のレベルまで活性化すると共に、前記第１シリサイド反応したシリサイドの第２シリサイド反応を行う工程と、（ｌ）前記工程（ｆ）と前記工程（ｊ）の間に前記側壁スペーサを除去する工程と、を含む半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月14日(2004.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製造工程において発生するサイドウォールの除去液であって、（Ａ）アミノアルコール、（Ｂ）水酸化テトラアルキルアンモニウム、（Ｃ）水、（Ｄ）有機溶媒、（Ｅ）防食剤からなることを特徴とするサイドウォール除去液。
【請求項２】
（Ａ）アミノアルコールがＮ−メチルモノエタノールアミンまたはＮ−メチルジエタノールアミンであることを特徴とする請求項１記載のサイドウォール除去液。
【請求項３】
（Ｂ）水酸化テトラアルキルアンモニウムが水酸化テトラメチルアンモニウムであることを特徴とする請求項１あるいは請求項２記載のサイドウォール除去液。
【請求項４】
（Ｄ）有機溶媒がエチレングリコール、プロピレングリコールまたはブチレングリコールであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のサイドウォール除去液。
【請求項５】
（Ｅ）防食剤がグルコース、マンノース、ガラクトース、ソルビトール、マンニトール、キシリトールから選ばれる１以上の化合物であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載のサイドウォール除去液。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載のサイドウォール除去液を用いたサイドウォール除去方法。
【請求項７】
請求項１から請求項５のいずれかに記載のサイドウォール除去液により腐食されることなくサイドウォールが除去された配線材料を備えた集積回路。
【請求項８】
請求項７に記載の集積回路を用いた半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月10日(2005.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
強誘電体キャパシタの蓄積電荷量の変化を検出する方式の不揮発性半導体メモリセルは、基本的には、強誘電体キャパシタと選択トランジスタとから構成されている。強誘電体キャパシタは、例えば、下部電極、上部電極、及びこれらの間に挟まれた強誘電体薄膜から構成されている。このタイプの不揮発性メモリセルにおけるデータの書き込みや読み出しは、図３２に示す強誘電体薄膜のＰ−Ｅヒステリシスループを応用して行われる。強誘電体薄膜に外部電界を加えた後、外部電界を除いたとき、強誘電体薄膜は残留分極を示す。そして、強誘電体薄膜の残留分極は、プラス方向の外部電界が印加されたとき＋Ｐr、マイナス方向の外部電界が印加されたとき−Ｐrとなる。ここで、残留分極が＋Ｐrの状態（図３２の「Ｄ」参照）の場合を「０」とし、残留分極が−Ｐrの状態（図３２の「Ａ」参照）の場合を「１」とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
具体的には、平均粒径１０μｍのＡｌＮ粒子を泥漿鋳込み成形法にて成形した後、約１０００゜Ｃの温度で焼成（焼結）を行うことによって、ＡｌＮ粒子を成形したプリフォームであるセラミックス部材を作製した。そして、このセラミックス部材を約８００゜Ｃに予備加熱しておき、約８００゜Ｃに加熱して溶融したアルミニウムを非加圧でセラミックス部材に浸透させる。これによって、ＡｌＮ７０体積％−Ａｌ３０体積％の構成の母材１２を作製することができる。次いで、母材１２を成形加工して円盤状とする。次いで、このようにして得られた母材１２の頂面及び側面を研磨する。その後、この研磨面に、Ａｌ2Ｏ3にＴｉＯ2を約２．５重量％混合した粒径が約１０μｍの混合粉末を真空溶射法によって溶融状態で吹き付け、固化させる。その後、母材１２の下面、即ちセラミックス層１３が設けられた面と反対側の面にＰＢＮヒータから成るヒータ１４Ａを取り付け、基体載置ステージ１０Ａを得る。尚、セラミックス層１３の形成の前に、溶射下地層として例えばアルミニウムを約５重量％含んだニッケル（Ｎｉ−５重量％Ａｌ）を溶射しておき、この溶射下地層上にセラミックス層１３を溶射法にて形成してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７２】
【表５】
原料：Ｂｉ（ＣＨ3（ＣＨ2）3ＣＨ（Ｃ2Ｈ5）ＣＯＯ）3
［ビスマス・２エチルヘキサン酸，Ｂｉ（ＯＯｃ）3］
Ｓｒ（ＣＨ3（ＣＨ2）3ＣＨ（Ｃ2Ｈ5）ＣＯＯ）2
［ストロンチウム・２エチルヘキサン酸，Ｓｒ（ＯＯｃ）2］
Ｔａ（ＯＥｔ）5  ［タンタル・エトキシド］
スピンコート条件：３０００ｒｐｍ×２０秒
乾燥：２５０゜Ｃ×７分
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７５】
被加工層を、Ｂｉ系層状構造ペロブスカイト型の強誘電体材料から構成する代わりに、ＰＺＴあるいはＰＬＺＴから構成することもできる。マグネトロンスパッタ法によるＰＺＴあるいはＰＬＺＴの成膜条件を以下の表７に例示する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７６】
【表７】
ターゲット  ：ＰＺＴあるいはＰＬＺＴ
プロセスガス：Ａｒ／Ｏ2＝９０体積％／１０体積％
圧力        ：４Ｐａ
パワー      ：５０Ｗ
成膜温度    ：５００゜Ｃ
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2000164567.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2000164567.tif 000002
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2000164567.tif 000003
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
2000164567.tif 000004
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１９】
2000164567.tif 000005
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２０】
2000164567.tif 000006
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２１】
2000164567.tif 000007
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２２】
2000164567.tif 000008
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２５】
2000164567.tif 000009
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２６】
2000164567.tif 000010
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２７】
2000164567.tif 000011
【手続補正１７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２８】
2000164567.tif 000012
【手続補正１８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２９】
2000164567.tif 000013
【手続補正１９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３０】
2000164567.tif 000014
【手続補正２０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３１】
2000164567.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月7日(2004.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する回転体を回転させて基板に付着する液体を飛散させる基板回転手段と、
基板の上面及び／又は下面から該基板に向けて熱光線を照射する光源とを有することを特徴とする基板乾燥装置。
【請求項２】
前記基板回転手段の回転数を変化させる制御手段を更に有することを特徴とする基板乾燥装置。
【請求項３】
前記回転体の回転軸線に沿って、前記光源と電源とを結ぶ電線を挿通させる軸孔を設けたことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板乾燥装置。
【請求項４】
基板を収容する収容部と、基板を化学機械的に研磨する研磨部と、請求項１乃至３のいずれかに記載の基板乾燥装置と、基板をこれらの装置の間で搬送する搬送機構とを有することを特徴とする基板の研磨装置。
【請求項５】
基板を高速で回転させて基板に付着する液体を飛散させる１次工程と、基板の上面及び／又は下面から該基板に向けて熱光線を照射しつつ基板を低速で回転させて基板に付着する液膜を蒸発させつつ除去する２次工程とを有することを特徴とする基板乾燥方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
これにより、遠心力の作用で基板に付着する液体を飛散させつつ、熱光線の照射によって基板を昇温させ、加熱による蒸発を補助として使用することで、基板を高速で回転することなく、乱気流による基板の汚染を防ぎつつ基板を迅速に乾燥させることができる。
請求項２に記載の発明は、前記基板回転手段の回転数を変化させる制御手段を更に有することを特徴とする基板乾燥装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項３に記載の発明は、回転体の回転軸線に沿って、光源と電源とを結ぶ電線を挿通させる軸孔を設けたことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板乾燥装置である。これにより、基板の下面を照射する光源と電源を接続する電線を回転体の回転と干渉なく配置することができる。回転手段の周囲に、例えば、清浄空気の下降流を形成することにより清浄雰囲気を形成する空調手段を設けてもよい。また、回転体の少なくとも一部を照射光が透過可能な透明体で構成したり、光源の後ろに反射鏡を設けることで、光源を効率的に利用するようにしてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項４に記載の発明は、基板を収容する収容部と、基板を化学機械的に研磨する研磨部と、請求項１乃至３のいずれかに記載の基板乾燥装置と、基板をこれらの装置の間で搬送する搬送機構とを有することを特徴とする基板の研磨装置である。もちろん、研磨部と乾燥装置の間に洗浄装置を設けてもよく、乾燥装置に洗浄機能を持たせるようにしてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項５に記載の発明は、基板を高速で回転させて基板に付着する液体を飛散させる１次工程と、基板の上面及び／又は下面から該基板に向けて熱光線を照射しつつ基板を低速で回転させて基板に付着する液膜を蒸発させつつ除去する２次工程とを有することを特徴とする基板乾燥方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月19日(2005.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を化学気相成長法により成長させるようにした窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長方法において、
上記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長時にｐ型不純物と酸素とをドープすると共に、上記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を構成するＩＩＩ族元素の原料の供給量に対する上記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を構成するＶ族元素の原料の供給量のモル比を６０００以下にして上記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させるようにした
ことを特徴とする窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長方法。
【請求項２】
上記モル比を５０００以下にして上記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させるようにしたことを特徴とする請求項１記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長方法。
【請求項３】
上記化学気相成長を、第１のガス導入部および第２のガス導入部を備えた反応管を有し、かつ、上記反応管内に上記第１のガス導入部を通じて導入する主流を上記反応管内に設置した基板に対してほぼ平行に流すと共に、上記反応管内に上記第２のガス導入部を通じて導入する副流を上記基板に対して４５度以下の角度で流すようにした気相成長装置を用いて行うようにしたことを特徴とする請求項１記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長方法。
【請求項４】
上記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層中の酸素濃度が、上記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層中のｐ型不純物濃度の１％以上、１×１０22／ｃｍ3 以下であることを特徴とする請求項１記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長方法。
【請求項５】
上記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長後、上記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層中の上記ｐ型不純物の活性化を行うことを特徴とする請求項１記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長方法。
【請求項６】
上記ｐ型不純物の活性化を、上記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層中の水素を除去することにより行うことを特徴とする請求項５記載の窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長方法。
【請求項７】
ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を化学気相成長法により成長させるようにした半導体装置の製造方法において、
上記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長時にｐ型不純物と酸素とをドープすると共に、上記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を構成するＩＩＩ族元素の原料の供給量に対する上記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を構成するＶ族元素の原料の供給量のモル比を６０００以下にして上記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させるようにした
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
上記モル比を５０００以下にして上記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させるようにしたことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
上記化学気相成長を、第１のガス導入部および第２のガス導入部を備えた反応管を有し、かつ、上記反応管内に上記第１のガス導入部を通じて導入する主流を上記反応管内に設置した基板に対してほぼ平行に流すと共に、上記反応管内に上記第２のガス導入部を通じて導入する副流を上記基板に対して４５度以下の角度で流すようにした気相成長装置を用いて行うようにしたことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
上記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層中の酸素濃度が、上記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層中のｐ型不純物濃度の１％以上、１×１０22／ｃｍ3 以下であることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
上記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長後、上記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層中の上記ｐ型不純物の活性化を行うことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
上記ｐ型不純物の活性化を、上記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層中の水素を除去することにより行うことを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
活性層を１層以上のｎ型半導体層と１層以上のｐ型半導体層とにより挟んだ発光素子構造を有すると共に、上記活性層、上記ｎ型半導体層および上記ｐ型半導体層は窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなり、上記発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を化学気相成長法により成長させるようにした半導体発光素子の製造方法において、
上記ｐ型半導体層を構成する少なくとも１層のｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の成長時にｐ型不純物と酸素とをドープすると共に、上記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を構成するＩＩＩ族元素の原料の供給量に対する上記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を構成するＶ族元素の原料の供給量のモル比を６０００以下にして上記ｐ型窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させるようにした
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の被処理物を収容するカセット本体と、前記被処理物の出し入れが行われる開口部を塞いで前記カセット本体を密閉可能な蓋部材とを備えたキャリアカセットを準備する工程と、
前記被処理物を収容した前記キャリアカセットを被処理物処理装置の被処理物搬入出部に配置した後、前記キャリアカセットの前記開口部から流入する外気のうち、前記キャリアカセット内の前記被処理物の被処理面に向かって流入する前記外気が最も少なくなるように前記蓋部材を開ける工程と、
前記被処理物を前記開口部を介して前記被処理物処理装置に移載した後、前記被処理物に所望の処理を行う工程と、
前記処理終了後、前記被処理物処理装置から前記被処理物を取り出して前記被処理物を空の前記キャリアカセットに収容し、その後、前記蓋部材を取り付けて前記キャリアカセットを密閉する工程と、
前記処理済みの前記被処理物を用いて半導体装置を組み立てる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
複数の被処理物である半導体ウェハを収容するカセット本体と、前記半導体ウェハの出し入れが行われる四角形の開口部を塞いで前記カセット本体を密閉可能な蓋部材とを備えたキャリアカセットを準備する工程と、
前記半導体ウェハを収容した前記キャリアカセットをウェハ処理装置の被処理物搬入出部であるローダ部に配置した後、前記キャリアカセットの前記開口部から流入する外気のうち、前記キャリアカセット内の前記半導体ウェハの被処理面である回路形成面に向かって流入する前記外気が最も少なくなるように前記蓋部材を開ける工程と、
前記半導体ウェハを前記開口部を介して前記ウェハ処理装置内に移載した後、前記半導体ウェハに所望の処理を行う工程と、
前記処理終了後、前記ウェハ処理装置から前記半導体ウェハを取り出して前記半導体ウェハを空の前記キャリアカセットに収容し、その後、前記蓋部材を取り付けて前記キャリアカセットを密閉する工程と、
前記処理済みの前記半導体ウェハを用いて半導体装置を組み立てる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法であって、前記蓋部材を開けた際に、前記開口部の前記半導体ウェハの前記回路形成面に対向する上辺の前記カセット本体と前記蓋部材との隙間が、前記開口部の４つの辺において形成される前記隙間のうち最も小さくなるように形成された前記キャリアカセットを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
複数の被処理物である半導体ウェハを収容するカセット本体と、前記半導体ウェハの出し入れが行われる四角形の開口部を塞いで前記カセット本体を密閉可能な蓋部材とを備えたキャリアカセットを準備する工程と、
前記半導体ウェハを収容した前記キャリアカセットをウェハ処理装置の被処理物搬入出部であるローダ部に配置した後、前記ローダ部に設けられたノズルを前記キャリアカセットの前記カセット本体の差し込み口に差し込んで前記ノズルから前記カセット本体内にパージガスを供給する工程と、
前記カセット本体内の圧力を外部の圧力より高くした後、前記キャリアカセットの前記蓋部材を開ける工程と、
前記半導体ウェハを前記開口部を介して前記ウェハ処理装置内に移載した後、前記半導体ウェハに所望の処理を行う工程と、
前記処理終了後、前記ウェハ処理装置から前記半導体ウェハを取り出して前記半導体ウェハを空の前記キャリアカセットに収容し、その後、前記蓋部材を取り付けて前記キャリアカセットを密閉する工程と、
前記処理済みの前記半導体ウェハを用いて半導体装置を組み立てる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の目的は、被処理物への異物付着を低減するとともに、クリーンルームの空調エネルギなどにおける消費エネルギの削減を図る半導体装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、複数の被処理物を収容するカセット本体と、前記被処理物の出し入れが行われる開口部を塞いで前記カセット本体を密閉可能な蓋部材とを備えたキャリアカセットを準備する工程と、前記被処理物を収容した前記キャリアカセットを被処理物処理装置の被処理物搬入出部に配置した後、前記キャリアカセットの前記開口部から流入する外気のうち、前記キャリアカセット内の前記被処理物の被処理面に向かって流入する前記外気が最も少なくなるように前記蓋部材を開ける工程と、前記被処理物を前記開口部を介して前記被処理物処理装置に移載した後、前記被処理物に所望の処理を行う工程と、前記処理終了後、前記被処理物処理装置から前記被処理物を取り出して前記被処理物を空の前記キャリアカセットに収容し、その後、前記蓋部材を取り付けて前記キャリアカセットを密閉する工程と、前記処理済みの前記被処理物を用いて半導体装置を組み立てる工程とを有するものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月28日(2005.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体素子の測定端子に探針を接触させて該半導体素子の電気的特性を測定する電気的特性測定用装置において、
前記測定端子および前記探針間の接触点を少なくとも囲む空間領域の雰囲気を不活性ガス雰囲気にするための、不活性ガス噴出部を具えている
ことを特徴とする電気的特性測定用装置。
【請求項２】  請求項１に記載の電気的特性測定用装置において、
表面に前記半導体素子を載置させる測定台と、前記半導体素子の測定端子に接触させる探針と、該探針の接触端とは反対側の端部を固定し、かつ前記測定台の上側に設けられている探針固定部材と、該探針固定部材を支持する支持部材とを具え、
前記不活性ガス噴出部は、ガス供給管と、ガス噴出ノズルと、該不活性ガス噴出部を前記支持部材に固定する固定具とを具え、さらに
前記ガス噴出ノズルと前記接触点との間には、該ガス噴出ノズルからの前記不活性ガスを前記接触点を囲む空間領域へ送り込むガス流路を具えている
ことを特徴とする電気的特性測定用装置。
【請求項３】  請求項２に記載の電気的特性測定用装置において、
前記ガス流路は、前記探針固定部材を前記支持部材側から前記測定台側へと貫通する穴を通っている
ことを特徴とする電気的特性測定用装置。
【請求項４】  請求項２または請求項３に記載の電気的特性測定用装置において、
前記ガス噴出ノズルは、内部が中空の円柱または角柱の形状を有し、該ガス噴出ノズルの一端面側は前記固定具によって前記ガス供給管と連通するように前記支持部材に固定されている
ことを特徴とする電気的特性測定用装置。
【請求項５】  請求項４に記載の電気的特性測定用装置において、
前記ガス噴出ノズルの他端面にはガス噴出口が設けられている
ことを特徴とする電気的特性測定用装置。
【請求項６】  請求項４に記載の電気的特性測定用装置において、
前記ガス噴出ノズルの他端面および側面に複数のガス噴出口が設けられている
ことを特徴とする電気的特性測定用装置。
【請求項７】  請求項４に記載の電気的特性測定用装置において、
前記ガス噴出ノズルの他端面および側面は網目構造を有しており、該網目構造の網目がガス噴出口である
ことを特徴とする電気的特性測定用装置。
【請求項８】  請求項３〜７のうちのいずれか一項に記載の電気的特性測定用装置において、
前記ガス噴出ノズルと前記探針固定部材の穴との間のガス噴出領域であって、前記探針固定部材上に、噴出されるガスの勢いを弱めるための緩衝用部材が設けられている
ことを特徴とする電気的特性測定用装置。
【請求項９】  半導体素子の測定端子に探針を接触させて、該半導体素子の電気的特性を測定するに当たり、
前記測定端子および前記探針を不活性ガス雰囲気に曝しながら前記測定を行う
ことを特徴とする電気的特性測定方法。
【請求項１０】  請求項９に記載の電気的特性測定方法において、
前記不活性ガスを、窒素ガス、二酸化炭素ガスおよび希ガスの不活性ガス群から選ばれる１種類のガスもしくは２種類以上の混合ガスとする
ことを特徴とする電気的特性測定方法。
【請求項１１】  半導体素子の測定端子に探針を接触させて、該半導体素子の電気的特性を測定するに当たり、
ガス噴出ノズルから不活性ガスを噴出させ、緩衝用部材によって探針固定部材上に噴出される該不活性ガスの勢いを噴出時の勢いよりも弱めて、前記測定端子および前記探針を該不活性ガス雰囲気に曝しながら前記測定を行う
ことを特徴とする電気的特性測定方法。
【請求項１２】  請求項１１に記載の電気的特性測定方法において、
前記不活性ガスを、窒素ガス、二酸化炭素ガスおよび希ガスの不活性ガス群から選ばれる１種類のガスもしくは２種類以上の混合ガスとする
ことを特徴とする電気的特性測定方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月8日(2005.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１半導体チップと、
第２半導体チップと、
前記第１半導体チップのボンディングパッドが形成される表面上に延在する第１、第２、第３リードと、
前記第２半導体チップのボンディングパッドが形成される表面上に延在する第４、第５、第６リードとを具備し、
前記第１リードは、前記第４リードに電気的に接続され、
前記第２リードは、前記第５リードに電気的に接続され、
前記第３リードは、前記第６リードに電気的に接続され、
前記第１半導体チップは、前記第１および前記第２リードと電気的に接続されると共に、前記第３リードとは電気的に絶縁され、
前記第２半導体チップは、前記第４および前記第６リードと電気的に接続されると共に、前記第５リードとは電気的に絶縁され、
前記第１および前記第２半導体チップは、前記第１リードに供給されるクロック信号に基づき動作し、
前記第１半導体チップは、前記第２リードに供給される第１クロックイネーブル信号に基づいて低消費電力モードに遷移し、
前記第２半導体チップは、前記第３リードに供給される第２クロックイネーブル信号に基づいて低消費電力モードに遷移し、
前記第２クロックイネーブル信号は、前記第３リードを介して前記第６リードに供給されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  請求項１記載の半導体装置において、
前記半導体装置は、前記第１半導体チップのボンディングパッドが形成される表面上に延在する第７および第８リードと、前記第２半導体チップのボンディングパッドが形成される表面上に延在する第９および第１０リードとを更に具備し、
前記第７リードは、前記第９リードと電気的に接続され、
前記第８リードは、前記第１０リードと電気的に接続され、
前記第１半導体チップは、前記第７および前記第８リードと電気的に接続され、
前記第２半導体チップは、前記第９および前記第１０リードと電気的に接続され、
前記第７リードには、前記第１および前記第２半導体チップに共通のアドレス信号が供給され、
前記第８リードには、前記第１および前記第２半導体チップに共通のデータ信号が供給され、
前記アドレス信号は、前記第７リードを介して前記第９リードに供給され、
前記データ信号は、前記第８リードを介して前記第１０リードに供給されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】  請求項１または２記載の半導体装置において、
前記半導体装置は、前記第１半導体チップのボンディングパッドが形成される表面上に延在する第１１および第１２リードと、前記第２半導体チップのボンディングパッドが形成される表面上に延在する第１３および第１４リードとを更に具備し、
前記第１１リードは、前記第１２リードと電気的に接続され、
前記第１３リードは、前記第１４リードと電気的に接続され、
前記第１半導体チップは、ボンディングワイヤにより前記第１１リードと電気的に接続されると共に、前記第１２リードとは電気的に絶縁され、
前記第２半導体チップは、ボンディングワイヤにより前記第１４リードと電気的に接続されると共に、前記第１３リードとは電気的に絶縁され、
前記第１１リードには、第１チップセレクト信号が供給され、
前記第１２リードには、第２チップセレクト信号が供給され、
前記第２チップセレクト信号は、前記第１２リードを介して前記第１４リードに供給されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】  請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第１および第２半導体チップは、ＳＤＲＡＭであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】  請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置において、
前記第１半導体チップと前記第２半導体チップは、積層されるものであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月17日(2005.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸とハウジングとの間に配置される多段スラスト軸受において、前記軸に取り付けられる複数の内輪と、前記ハウジングに取り付けられる複数の外輪と、前記内輪と、これに隣接する前記外輪との間に各々配置される転動体と、前記複数の内輪間に配置される内輪間座と、前記複数の外輪間に配置される外輪間座と、を有し、前記軸と前記内輪間座、又は前記ハウジングと外輪間座との間に挟持される一方の軌道輪の軸線方向厚さは、前記一方の軌道輪に対して前記転動体を介して対向する他方の軌道輪の軸線方向厚さより薄くなっている多段スラスト軸受。
【請求項２】
軸とハウジングとの間に配置される多段スラスト軸受において、前記軸に取り付けられる複数の内輪と、前記ハウジングに取り付けられる複数の外輪と、前記内輪と、これに隣接する前記外輪との間に各々配置される転動体と、前記複数の内輪間に配置される内輪間座と、前記複数の外輪間に配置される外輪間座と、を有し、前記内輪の内周面及び／又は前記外輪の外周面の少なくとも一部に、前記内輪及び／又は外輪の傾きを許容する逃げ面を形成した多段スラスト軸受。
【請求項３】
１つの外輪と１つの内輪との厚さの比、及び別の内輪と別の外輪との厚さの比がそれぞれ１．２〜２．１である請求項１又は２に記載の多段スラスト軸受。
【請求項４】
前記内輪の内周面側の厚さをｌ1とし、前記内輪の内周面に設けたテーパ面の軸線方向寸法をｌ2とし、前記外輪の外周面側の厚さをｌ3、前記外輪の外周面に設けたテーパ面の軸線方向寸法をｌ4としたときに、前記外輪と前記ハウジングのスキマが、前記内輪と前記軸のすきまより大きい場合は、ｌ2／ｌ1≦ｌ3／ｌ4とする請求項１乃至３のいずれかに記載の多段スラスト軸受。
【請求項５】
前記外輪と前記ハウジングのスキマが、前記内輪と前記軸のすきまより大きいときは、前記内輪側のテーパ面のテーパ角度を、前記外輪側のテーパ面のテーパ角度より等しいか大きくする請求項１乃至４のいずれかに記載の多段スラスト軸受。
【請求項６】
前記内輪の内周面側の厚さをｌ1とし、前記内輪の内周面に設けたテーパ面の軸線方向寸法をｌ2とし、前記外輪の外周面側の厚さをｌ3、前記外輪の外周面に設けたテーパ面の軸線方向寸法をｌ4としたときに、前記外輪と前記ハウジングのスキマが、前記内輪と前記軸のすきまより小さい場合は、ｌ2／ｌ1≧ｌ3／ｌ4とする請求項１乃至３のいずれかに記載の多段スラスト軸受。
【請求項７】
前記外輪と前記ハウジングのスキマが、前記内輪と前記軸のすきまより小さいときは、前記外輪側のテーパ面のテーパ角度を、前記内輪側のテーパ面のテーパ角度より等しいか大きくする請求項１乃至３，６のいずれかに記載の多段スラスト軸受。
【請求項８】
軸とハウジングとの間に配置される多段スラスト軸受において、前記軸に取り付けられる複数の内輪と、前記ハウジングに取り付けられる複数の外輪と、前記内輪と、これに隣接する前記外輪との間に各々配置される転動体と、前記複数の内輪間に配置される内輪間座と、前記複数の外輪間に配置される外輪間座と、を有し、前記軸と前記内輪間座、又は前記ハウジングと外輪間座との間に挟持される一方の軌道輪の軸線方向厚さは、前記一方の軌道輪に対して前記転動体を介して対向する他方の軌道輪の軸線方向厚さより薄くなっており、且つ前記内輪の内周面及び／又は前記外輪の外周面の少なくとも一部に、前記内輪及び／又は外輪の傾きを許容する逃げ面を形成した多段スラスト軸受。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月24日(2004.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記第１，第２の軸受部で前記アームホルダを保持し、前記第１，第２の軸受部間に前記フロートアームと前記接点保持部材を配置したことを特徴とする請求項１記載の液面検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、前記第１，第２の軸受部で前記アームホルダを保持し、前記第１，第２の軸受部間に前記フロートアームと前記接点保持部材を配置したものである。