【手続補正書】
【提出日】平成17年2月24日(2005.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性表面波（ＳＡＷ）チップを実装基板上にフリップチップ実装して該ＳＡＷチップ外面を樹脂で封止することにより気密空間を形成したＳＡＷデバイスの製造方法において、
前記ＳＡＷチップ上に設けた電極パッドと前記実装基板上に設けた接続パッドとを導体バンプを用いてフリップチップ実装する工程と、
前記実装基板に実装したＳＡＷチップの上面に樹脂シートを載置する工程と、
前記ＳＡＷチップを実装し該ＳＡＷチップ上面に前記樹脂シートを載置した実装基板を密閉容器内に配置し、前記樹脂シートを加熱しながら加圧することにより前記気密空間を確保しながらＳＡＷチップの外面を樹脂で覆うラミネート工程と、
前記ラミネート工程の加圧・加熱状態を保持することにより、前記気密空間を保持しながら樹脂を硬化させるプレス成形工程と、
前記樹脂が完全に硬化する温度・時間にて加熱する後硬化工程とを備え、
前記ラミネート工程において、前記密閉容器は仕切部材により少なくとも２つの空間に区切られ、第一の空間は、前記ＳＡＷチップを実装し該ＳＡＷチップ上面に前記樹脂シートを載置した実装基板が配置され、雰囲気が減圧或いは真空状態に保たれており、第二の空間側から圧力を加えて前記仕切部材を前記第一の空間側に圧迫させることで、前記樹脂シートを前記実装基板側に加圧することを特徴としており、
前記ラミネート工程時の樹脂シートの厚みｔｒが、
Ｌ／｛（Ｘ＋Ｇｘ）（Ｙ＋Ｇｙ）｝≦ｔｒ
但し、Ｌ＝（Ｘ＋Ｇｘ）（Ｙ＋Ｇｙ）（Ｈ＋Ｔ＋Ａ）−ＸＹＴ−ＸＹＡ−｛ＸＶｙＡ＋ＹＶｘＡ＋（４ＶｘＶｙＡ）／３｝
（Ｌ：一つのＳＡＷチップ外面を封止するのに必要な樹脂シートの体積、Ｘ：ＳＡＷチップの一辺の長さ、Ｙ：ＳＡＷチップの他辺の長さ、Ｇｘ：Ｘ方向に隣接し合うＳＡＷチップの間隔、Ｖｘ：Ｙ方向へ延びるダイシング切り代から直近のＳＡＷチップ側面までの距離、Ｇｙ：Ｙ方向に隣接し合うＳＡＷチップ間の間隔、Ｖｙ：Ｘ方向へ延びるダイシング切り代から直近のＳＡＷチップ側面までの距離、Ｈ：一つのＳＡＷチップ外面を樹脂シートにて被覆完了した後のＳＡＷチップ上面に位置する樹脂の厚さ、Ｔ：圧電基板の厚さ、Ａ：実装基板上面から圧電基板底面までの間隔）であることを特徴とするＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記樹脂シートは、粘着性を有した樹脂シート本体の上面に離型性を有する保護フィルムを貼り付けた構造であり、該樹脂シート本体下面を前記ＳＡＷチップ上面に載置した状態で前記各工程を行い、該保護フィルムは前記後硬化工程前、もしくは前記後硬化工程後に剥離することを特徴とする請求項１に記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記保護フィルムはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなることを特徴とする請求項１及び２に記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記ラミネート工程として、以下の手順、
（１）前記実装基板に実装したＳＡＷチップ上に前記樹脂シートを載置した後、密閉容器中に配置すること。
（２）（１）の後に、該密閉容器内の気体を排出して減圧、或いは真空状態にし、該樹脂シートを軟化または溶融させながら樹脂シートの加圧を行うこと。
を満たすことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記ラミネート工程として、以下の手順、
（１）前記ＳＡＷチップを実装した実装基板を密閉容器中に配置した後、前記樹脂シートを該ＳＡＷチップ上面に貼り付けること。
（２）（１）の後、該密閉容器内の気体を排出して減圧、或いは真空状態にして、該樹脂シートを軟化または溶融させながら樹脂シートの加圧を行うこと。
を満たすことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項６】
前記ラミネート工程として、以下の手順、
（１）前記ＳＡＷチップを実装した実装基板を密閉容器中に配置した後、該密閉容器内の気体を排出して減圧、或いは真空状態にすること。
（２）（１）の後、該ＳＡＷチップ上に前記樹脂シートを載置して、該樹脂シートを軟化または溶融させながら樹脂シートの加圧を行うこと。
を満たすことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項７】
前記ラミネート工程において、前記密封容器内を減圧、或いは真空状態にする前に、該密封容器内の雰囲気を不活性ガスに置換することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項８】
前記ラミネート工程において、前記樹脂シートの加圧を、該樹脂シートがゲル化するまで該樹脂シートを加熱温度８０〜１５０℃、加熱時間１〜１０分の条件で保持した後に行うことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項９】
前記ラミネート工程において、前記密閉容器は仕切部材により少なくとも２つの空間に区切られ、第一の空間は、前記ＳＡＷチップを実装し該ＳＡＷチップ上面に前記樹脂シートを載置した実装基板が配置され、雰囲気が減圧或いは真空状態に保たれており、第二の空間の雰囲気を大気圧に開放して前記仕切部材を前記第一の空間側に圧迫させることで、前記樹脂シートを前記ＳＡＷチップに加圧することを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記ラミネート工程において、前記密閉容器は仕切部材により少なくとも２つの空間に区切られ、第一の空間は、前記ＳＡＷチップを実装し該ＳＡＷチップ上面に前記樹脂シートを載置した実装基板が配置され、雰囲気が減圧或いは真空状態に保たれており、第二の空間の雰囲気を大気圧より大きな圧力を加えて前記仕切部材を前記第一の空間側に圧迫させることで、前記樹脂シートを前記ＳＡＷチップに加圧することを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記ラミネート工程において、前記仕切部材の表面が弾性体であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記ラミネート工程において、前記仕切部材が平板であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記プレス成形工程は、前記ラミネート工程と同時に行うことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記プレス成形工程と前記後硬化工程は、前記ラミネート工程と同時に行うことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項１５】
前記ラミネート工程において、前記樹脂シートの上面に、ＳＡＷチップが実装されている領域以上の開口部を有した環状フレームを設置し、該環状フレームを設置後、ラミネート工程を行うことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項１６】
前記実装基板において、該実装基板のＳＡＷチップが実装されている領域の外周部に該ＳＡＷチップと同等な高さを有する壁体を配置していることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項１７】
前記ラミネート工程において、前記樹脂シートの上面にＳＡＷチップが実装されている領域以上の面積を有する平板を配置した後、ラミネート工程を行うことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項１８】
前記実装基板において、該実装基板上にＳＡＷチップの周縁部と重複するように枠体を設け、該枠体の厚さが１０μｍ以上３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項１９】
前記ＳＡＷチップにおいて、該ＳＡＷチップのＳＡＷの励振部分を除く外周部にダムを設け、該ダムの厚さが１０μｍ以上３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項２０】
前記ＳＡＷチップにＳＡＷの励振部分を除く外周部にダムを設け、且つ、前記実装基板上に、該ダムとほぼ同じ位置に枠体を設け、前記ダムと前記枠体の厚さの和が３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項２１】
前記枠体及び前記ダムは、少なくとも一方が感光性樹脂からなることを特徴とした請求項１８乃至２０に記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項２２】
前記実装基板において、該実装基板の前記接続パッド部以外の領域を絶縁層で覆い、該絶縁層の厚さが１０μｍ以上３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項２３】
前記実装基板に形成された前記接続パッドの高さを、該実装基板の該接続パッド以外の領域に対して１０〜３０μｍ低くしたことを特徴とする請求項１乃至１７のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【請求項２４】
前記実装基板は、個片の実装基板を複数個連設一体化した構造をしたものであって、各個片に切断する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至２３のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明に係る請求項１記載の発明は、弾性表面波（ＳＡＷ）チップを実装基板上にフリップチップ実装して該ＳＡＷチップ外面を樹脂で封止することにより気密空間を形成したＳＡＷデバイスの製造方法において、前記ＳＡＷチップ上に設けた電極パッドと前記実装基板上に設けた接続パッドとを導体バンプを用いてフリップチップ実装する工程と、前記実装基板に実装したＳＡＷチップの上面に樹脂シートを載置する工程と、前記ＳＡＷチップを実装し該ＳＡＷチップ上面に前記樹脂シートを載置した実装基板を密閉容器内に配置し、前記樹脂シートを加熱しながら加圧することにより前記気密空間を確保しながらＳＡＷチップの外面を樹脂で覆うラミネート工程と、前記ラミネート工程の加圧・加熱状態を保持することにより、前記気密空間を保持しながら樹脂を硬化させるプレス成形工程と、前記樹脂が完全に硬化する温度・時間にて加熱する後硬化工程とを備え、前記ラミネート工程において、前記密閉容器は仕切部材により少なくとも２つの空間に区切られ、第一の空間は、前記ＳＡＷチップを実装し該ＳＡＷチップ上面に前記樹脂シートを載置した実装基板が配置され、雰囲気が減圧或いは真空状態に保たれており、第二の空間側から圧力を加えて前記仕切部材を前記第一の空間側に圧迫させることで、前記樹脂シートを前記実装基板側に加圧することを特徴としており、前記ラミネート工程時の樹脂シートの厚みｔｒが、
Ｌ／｛（Ｘ＋Ｇｘ）（Ｙ＋Ｇｙ）｝≦ｔｒ
但し、Ｌ＝（Ｘ＋Ｇｘ）（Ｙ＋Ｇｙ）（Ｈ＋Ｔ＋Ａ）−ＸＹＴ−ＸＹＡ−｛ＸＶｙＡ＋ＹＶｘＡ＋（４ＶｘＶｙＡ）／３｝
（Ｌ：一つのＳＡＷチップ外面を封止するのに必要な樹脂シートの体積、Ｘ：ＳＡＷチップの一辺の長さ、Ｙ：ＳＡＷチップの他辺の長さ、Ｇｘ：Ｘ方向に隣接し合うＳＡＷチップの間隔、Ｖｘ：Ｙ方向へ延びるダイシング切り代から直近のＳＡＷチップ側面までの距離、Ｇｙ：Ｙ方向に隣接し合うＳＡＷチップ間の間隔、Ｖｙ：Ｘ方向へ延びるダイシング切り代から直近のＳＡＷチップ側面までの距離、Ｈ：一つのＳＡＷチップ外面を樹脂シートにて被覆完了した後のＳＡＷチップ上面に位置する樹脂の厚さ、Ｔ：圧電基板の厚さ、Ａ：実装基板上面から圧電基板底面までの間隔）であることを特徴とするＳＡＷデバイスの製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項１１記載の発明は、前記ラミネート工程において、前記仕切部材の表面が弾性体であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法である。また、請求項１２記載の発明は、前記ラミネート工程において、前記仕切部材が平板であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項１３記載の発明は、前記プレス成形工程は、前記ラミネート工程と同時に行うことを特徴とする請求項１乃至１２のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項１４記載の発明は、前記プレス成形工程と前記後硬化工程は、前記ラミネート工程と同時に行うことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
請求項１５記載の発明は、前記ラミネート工程において、前記樹脂シートの上面に、ＳＡＷチップが実装されている領域以上の開口部を有した環状フレームを設置し、該環状フレームを設置後、ラミネート工程を行うことを特徴とする請求項１乃至１４のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
請求項１６記載の発明は、前記実装基板において、該実装基板のＳＡＷチップが実装されている領域の外周部に該ＳＡＷチップと同等な高さを有する壁体を配置していることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項１７記載の発明は、前記ラミネート工程において、前記実装基板の上面に、ＳＡＷチップが実装されている領域以上の面積を有する平板を配置した後、ラミネート工程を行うことを特徴とする請求項１乃至１６のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
請求項１８記載の発明は、前記実装基板において、該実装基板上にＳＡＷチップの周縁部と重複するように枠体を設け、該枠体の厚さが１０μｍ以上３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
請求項１９記載の発明は、前記ＳＡＷチップにおいて、該ＳＡＷチップのＳＡＷの励振部分を除く外周部にダムを設け、該ダムの厚さが１０μｍ以上３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
請求項２０記載の発明は、前記ＳＡＷチップにＳＡＷの励振部分を除く外周部にダムを設け、且つ、前記実装基板に該ダムとほぼ同じ位置で前記ＳＡＷチップの周縁部と重複するように枠体を設け、前記ダムと前記枠体の厚さの和が３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法である。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
請求項２１記載の発明は、前記枠体及び前記ダムは、少なくとも一方が感光性樹脂からなることを特徴とした請求項１８乃至２０に記載のＳＡＷデバイスの製造方法である。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
請求項２２記載の発明は、前記実装基板において、該実装基板の前記接続パッド部以外の領域を絶縁層で覆い、該絶縁層の厚さが１０μｍ以上３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至１７のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法である。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
請求項２３記載の発明は、前記実装基板に形成された前記接続パッドの高さを、該実装基板の該接続パッド以外の領域に対して１０〜３０μｍ低くしたことを特徴とする請求項１乃至１７のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法である。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
請求項２４記載の発明は、前記実装基板は、個片の実装基板を複数個連設一体化した構造をしたものであって、各個片に切断する工程を含むことを特徴とする請求項１乃至２３のいずれかに記載のＳＡＷデバイスの製造方法である。