【手続補正書】
【提出日】平成16年4月6日(2004.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタンまたはチタンを主成分とする膜と、
前記チタンまたはチタンを主成分とする膜の表面に形成された窒化チタン膜と、
前記窒化チタン膜上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、
前記コンタクトホールにおいて、前記窒化チタン膜を介して前記チタンまたはチタンを主成分とする膜と電気的に接続された電極または配線と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
チタンまたはチタンを主成分とする膜と、
前記チタンまたはチタンを主成分とする膜の表面に形成された窒化チタン膜と、
前記窒化チタン膜上に形成された窒化膜でなる絶縁膜と、
前記窒化膜でなる絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、
前記コンタクトホールにおいて、前記窒化チタン膜を介して前記チタンまたはチタンを主成分とする膜と電気的に接続された電極または配線と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
チタンまたはチタンを主成分とする膜と、
前記チタンまたはチタンを主成分とする膜の表面に形成された窒化チタン膜と、
前記窒化チタン膜上に形成された窒化膜でなる絶縁膜と、
前記窒化膜でなる絶縁膜上に形成された樹脂材料からなる膜と、
前記窒化膜でなる絶縁膜及び前記樹脂材料からなる膜に形成されたコンタクトホールと、
前記コンタクトホールにおいて、前記窒化チタン膜を介して前記チタンまたはチタンを主成分とする膜と電気的に接続された電極または配線と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、前記樹脂材料からなる膜は、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アクリル、エポキシのいずれか一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
チタンまたはチタンを主成分とする膜と、 前記チタンまたはチタンを主成分とする膜上に形成された窒化膜でなる絶縁膜と、
前記窒化膜でなる絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、
前記チタンまたはチタンを主成分とする膜と電気的に接続された電極または配線と、を有し、
前記コンタクトホールにおいて、前記チタンまたはチタンを主成分とする膜の表面は窒化されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
アルミニウム膜と、
前記アルミニウム膜上に形成されたチタンまたはチタンを主成分とする膜と、
前記チタンまたはチタンを主成分とする膜上に形成された窒化膜でなる絶縁膜と、
前記窒化膜でなる絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、
前記チタンまたはチタンを主成分とする膜と電気的に接続された電極または配線と、を有し、
前記コンタクトホールにおいて、前記チタンまたはチタンを主成分とする膜の表面は窒化されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項２乃至６のいずれか一において、前記窒化膜でなる絶縁膜は、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記電極または配線は、ＩＴＯからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
絶縁表面を有する基板上に形成された、ゲイト電極、ゲイト絶縁膜、及び活性層と、を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの上方に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、
前記コンタクトホールにおいて、前記活性層に接続されたドレイン電極と、
前記ドレイン電極に接続された画素電極と、を有する半導体装置において、
前記ドレイン電極は、アルミニウム膜と、前記アルミニウム膜上に形成されたチタンまたはチタンを主成分とする膜と、前記チタンまたはチタンを主成分とする膜の表面に形成された窒化チタン膜と、を有する積層構造からなり、
前記画素電極とドレイン電極の接続部は、前記窒化チタン膜でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
絶縁表面を有する基板上に形成された、ゲイト電極、ゲイト絶縁膜、及び活性層と、を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの上方に形成された窒化膜でなる絶縁膜と、
前記窒化膜でなる絶縁膜に形成されたコンタクトホールと、
前記コンタクトホールにおいて、前記活性層に接続されたドレイン電極と、
前記ドレイン電極に接続された画素電極と、を有する半導体装置において、
前記ドレイン電極は、アルミニウム膜と、前記アルミニウム膜上に形成されたチタンまたはチタンを主成分とする膜と、前記チタンまたはチタンを主成分とする膜の表面に形成された窒化チタン膜と、を有する積層構造からなり、
前記画素電極とドレイン電極の接続部は、前記窒化チタン膜でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
絶縁表面を有する基板上に形成された、ゲイト電極、ゲイト絶縁膜、及び活性層と、を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの上方に形成された窒化膜でなる絶縁膜と、
前記窒化膜でなる絶縁膜上に形成された樹脂材料からなる膜と、
前記窒化膜でなる絶縁膜及び前記樹脂材料からなる膜に形成されたコンタクトホールと、
前記コンタクトホールにおいて、前記活性層に接続されたドレイン電極と、
前記ドレイン電極に接続された画素電極と、を有する半導体装置において、
前記ドレイン電極は、アルミニウム膜と、前記アルミニウム膜上に形成されたチタンまたはチタンを主成分とする膜と、前記チタンまたはチタンを主成分とする膜の表面に形成された窒化チタン膜と、を有する積層構造からなり、
前記画素電極とドレイン電極の接続部は、前記窒化チタン膜でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
絶縁表面を有する基板上に形成された、ゲイト電極、ゲイト絶縁膜、及び活性層と、を有する薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの上方に形成された窒化膜でなる絶縁膜と、
前記窒化膜でなる絶縁膜上に形成された樹脂材料からなる膜と、
前記窒化膜でなる絶縁膜及び前記樹脂材料からなる膜に形成されたコンタクトホールと、
前記コンタクトホールにおいて、前記活性層に接続されたドレイン電極と、
前記ドレイン電極に接続された画素電極と、を有する半導体装置において、
前記ドレイン電極は、第１のチタンまたはチタンを主成分とする膜と、前記第１のチタンまたはチタンを主成分とする膜上に形成されたアルミニウム膜と、前記アルミニウム膜上に形成された第２のチタンまたはチタンを主成分とする膜と、前記第２のチタンまたはチタンを主成分とする膜の表面に形成された窒化チタン膜と、を有する積層構造からなり、
前記画素電極とドレイン電極の接続部は、前記窒化チタン膜でなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１１または１２において、前記樹脂材料からなる膜は、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アクリル、エポキシのいずれか一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１０乃至１３のいずれか一において、前記窒化膜でなる絶縁膜は、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項９乃至１４のいずれか一において、前記画素電極は、ＩＴＯからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項９乃至１５のいずれか一において、前記活性層は、非晶質珪素膜または結晶性珪素膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項９乃至１６のいずれか一において、前記薄膜トランジスタは、トップゲイト型またはボトムゲイト型の薄膜トランジスタであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１乃至１７のいずれか一において、前記半導体装置は、反射型または透過型の液晶表示装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１乃至１７のいずれか一において、前記半導体装置は、ＥＬ表示装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のいずれか一において、前記半導体装置は、ビデオカメラ、スチルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末のいずれか一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
チタンまたはチタンを主成分とする膜を形成し、
前記チタンまたはチタンを主成分とする膜上に接して窒化膜でなる絶縁膜を形成することによって、前記チタンまたはチタンを主成分とする膜の表面に窒化チタン膜を形成し、
前記窒化膜でなる絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールにおいて前記窒化チタン膜上に接する電極または配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
チタンまたはチタンを主成分とする膜を形成し、
前記チタンまたはチタンを主成分とする膜上に接して窒化膜でなる絶縁膜を形成することによって、前記チタンまたはチタンを主成分とする膜の表面に窒化チタン膜を形成し、
前記窒化膜でなる絶縁膜上に樹脂材料からなる膜を形成し、
前記窒化膜でなる絶縁膜及び前記樹脂材料からなる膜にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールにおいて前記窒化チタン膜上に接する電極または配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項２２において、前記樹脂材料からなる膜は、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、アクリル、エポキシのいずれか一であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
アルミニウム膜を形成し、
前記アルミニウム膜上にチタンまたはチタンを主成分とする膜を形成し、
前記チタンまたはチタンを主成分とする膜上に接して窒化膜でなる絶縁膜を形成することによって、前記チタンまたはチタンを主成分とする膜の表面に窒化チタン膜を形成し、
前記窒化膜でなる絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールにおいて前記窒化チタン膜上に接する電極または配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
第１のチタンまたはチタンを主成分とする膜を形成し、
前記第１のチタンまたはチタンを主成分とする膜上にアルミニウム膜を形成し、
前記アルミニウム膜上に第２のチタンまたはチタンを主成分とする膜を形成し、
前記第２のチタンまたはチタンを主成分とする膜上に接して窒化膜でなる絶縁膜を形成することによって、前記第２のチタンまたはチタンを主成分とする膜の表面に窒化チタン膜を形成し、
前記窒化膜でなる絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールにおいて前記窒化チタン膜上に接する電極または配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項２１乃至２５のいずれか一において、前記窒化膜でなる絶縁膜は、窒化珪素膜または酸化窒化珪素膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２７】
チタンまたはチタンを主成分とする膜を形成し、
プラズマ窒化法により、前記チタンまたはチタンを主成分とする膜の表面に窒化チタン膜を形成し、
前記チタンまたはチタンを主成分とする膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記コンタクトホールにおいて前記窒化チタン膜上に接する電極または配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２８】
チタンまたはチタンを主成分とする膜を形成し、
前記チタンまたはチタンを主成分とする膜上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜にチタンまたはチタンを主成分とする膜の表面に達するコンタクトホールを形成し、
プラズマ窒化法により、前記コンタクトホールにおいて露出している前記チタンまたはチタンを主成分とする膜の表面に窒化チタン膜を形成し、
前記コンタクトホールにおいて前記窒化チタン膜上に接する電極または配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２９】
請求項２１乃至２８のいずれか一において、前記電極または配線は、ＩＴＯからなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３０】
請求項２１乃至２９のいずれか一において、前記半導体装置は、反射型または透過型の液晶表示装置であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３１】
請求項２１乃至２９のいずれか一において、前記半導体装置は、ＥＬ表示装置であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３２】
請求項２１乃至２９のいずれか一において、前記半導体装置は、ビデオカメラ、スチルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末のいずれか一であることを特徴とする半導体装置の作製方法。