Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月31日(2004.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データバッファとデコーダとを有し、
該データバッファを構成するトランジスタと該デコーダを構成するトランジスタの出力電流経路が直列接続されて成り、
活性化回路と複数のプリチャージ回路とを更に具備し、
上記データバッファと上記デコーダが融合された回路は、入力用トランジスタのドレインと参照用トランジスタのゲートが接続されて第１の接続点を成し、該参照用トランジスタのドレインが第２の接続点を成し、該入力用トランジスタのソースと該参照用トランジスタのソースが接続されて第３の接続点を成すスイッチ回路がｎ段縦積み接続され、その各段の該スイッチ回路数が２の（ｎ−１）乗個で構成され、第ｎ段目（最上段）の複数の該スイッチ回路の各々の第３の接続点が、第（ｎ−１）段目のスイッチ回路の第１の接続点、或は第２の接続点の各々に接続され、第１段目（最下段）の１個のスイッチ回路の第３の接続点には一方の端子が第１の電源電位に接続される上記活性化回路の他方の端子が接続され、該第１〜ｎ段目の各々のスイッチ回路の第１の接続点、及び第２の接続点の各々には該接続点を第２の電源電位にプリチャージする上記プリチャージ回路が各々接続され、該第１〜ｎ段目の各スイッチ回路の入力用トランジスタのゲートには第１〜ｎの入力信号が各々入力され、該活性化回路と該プリチャージ回路には制御信号が入力されて成ることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
上記プリチャージ回路の各々がトランジスタ１個から成り、その各々のゲートには上記制御信号が入力され、その各々のソースには上記第２の電源電位が接続され、その各々のドレインが上記第１〜ｎ段目の各々のスイッチ回路の第１の接続点、及び第２の接続点の各々に接続される請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項３】
上記各スイッチ回路には、ゲートがスイッチ回路の第１の接続点に接続され、ドレインがスイッチ回路の第２の接続点に接続され、ソースが上記第２の電源電位に接続されるレベル補償用トランジスタを有する請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項４】
少なくとも上記最上段の各スイッチ回路には、ゲートが該スイッチ回路の第１の接続点に接続され、ドレインが該スイッチ回路の第２の接続点に接続され、ソースが上記第２の電源電位に接続されるレベル補償用トランジスタを有する請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項５】
上記各スイッチ回路には、ゲートがスイッチ回路の第１の接続点に接続され、ドレインがスイッチ回路の第２の接続点に接続され、ソースが上記第２の電源電位に接続される第１のレベル補償用トランジスタを有し、及びゲートがスイッチ回路の第２の接続点に接続点に接続され、ドレインがスイッチ回路の第１の接続点に接続され、ソースが上記第２の電源電位に接続される第２のレベル補償用トランジスタを有する請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項６】
少なくとも上記最上段の各スイッチ回路には、ゲートが該スイッチ回路の第１の接続点に接続され、ドレインが該スイッチ回路の第２の接続点に接続され、ソースが上記第２の電源電位に接続される第１のレベル補償用トランジスタを有し、及びゲートが該スイッチ回路の第２の接続点に接続され、ドレインが該スイッチ回路の第１の接続点に接続され、ソースが上記第２の電源電位に接続される第２のレベル補償用トランジスタを有する請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項７】
上記最上段の各スイッチ回路の第１の接続点に第１の論理回路と第１のレベル保持回路が接続され、第２の接続点に第２の論理回路と第２のレベル保持回路が接続され、該第１、第２のレベル保持回路が該第１、第２の論理回路の出力信号により各々制御され、該第１のレベル保持回路が該スイッチ回路の第１の接続点を上記第２の電源電位に保持し、及び該第２のレベル保持回路が該スイッチ回路の第２の接続点を上記第２の電源電位に保持する請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項８】
上記論理回路がインバータから成り、上記レベル保持回路はゲートが該インバータの出力端子に接続され、ドレインが該インバータの入力端子に接続され、ソースが上記第２の電源電位に接続されるレベル保持用トランジスタから成る請求項７記載の半導体集積回路。
【請求項９】
上記活性化回路は、ソース・ドレイン経路が上記一方の端子と他方の端子の間に設けられ、ゲートが上記制御信号に接続される１個の判定用トランジスタから成る請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項１０】
上記活性化回路がインバータから成り、その入力端子が上記制御信号に接続され、その出力端子が上記第１段目（最下段）のスイッチ回路の第３の接続点に接続されて成る請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項１１】
上記活性化回路が、複数入力の論理回路から成り、その複数入力のいずれかが上記制御信号であり、その出力端子が上記第１段目（最下段）のスイッチ回路の第３の接続点に接続されて成る請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項１２】
上記制御信号が、第（ｎ＋１）の入力信号に基づく信号である請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項１３】
上記半導体集積回路が電源電圧２Ｖ以下で動作する請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項１４】
第１のパルス信号を入力とする第１の論理回路と、該第１の論理回路の出力に接続されるプリチャージ回路と、該第１のパルス信号に基づき第２のパルス信号を発生する第２の論理回路を有し、該第２のパルス信号で該プリチャージ回路が活性化され、該第２のパルス信号幅が該第１のパルス信号幅より狭く、かつ該第１のパルス信号の後縁エッジより後のタイミングで発生せられることを特徴とする半導体集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月9日(2004.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルに書き込むための方法であって、
前記メモリセルに接続された書き込み線にパルスを生じさせるステップと、
前記メモリセルの入力側の値と基準値を比較するステップと、
前記比較するステップに応じて、前記書き込み線上のパルスを変化させるステップ
とからなる、方法。
【請求項２】
前記パルスが、多段パルスである、請求項１の方法。
【請求項３】
前記メモリセルが、直列をなすヒューズとアンチヒューズを含む、請求項１の方法。
【請求項４】
前記メモリセルが、バイポーラPROM、CMOS PROM、EPROM、及びアンチヒューズトンネル接合からなるグループから選択される、請求項１の方法。
【請求項５】
前記基準値、及び、前記セルの入力側の値が、電圧である、請求項１の方法。
【請求項６】
前記セルの入力側の値が、前記書き込み線上の値である、請求項１の方法。
【請求項７】
前記変化させるステップが、前記パルスの振幅を小さくするステップを含む、請求項１の方法。
【請求項８】
前記パルスの持続時間が、予め決定されておらず、前記変化させるステップが、前記小さくするステップの後のある時間、前記書き込み線上の前記パルスを中断するステップをさらに含む、請求項７の方法。
【請求項９】
前記ある時間が十分に短い時間である、請求項８の方法。
【請求項１０】
前記変化させるステップが、前記比較するステップに応じて、前記書き込み線上の前記パルスを中断するステップをさらに含む、請求項１の方法。
【請求項１１】
所定の最大時間の後で前記書き込み線上の前記パルスを中断するステップをさらに含む、請求項１の方法。
【請求項１２】
メモリセルに書き込むための回路であって、
出力を有するパルス発生器であって、その出力が、前記メモリセルに接続された書き込み線に接続され、かつパルスである、パルス発生器と、
前記書き込み線上のスイッチと、
２つの入力と１つの出力を有し、前記入力の一方が前記書き込み線に接続され、前記入力の他方が基準に接続され、前記出力が前記スイッチに接続された比較器とを備え、
前記比較器の出力に応じて前記書き込み線上の前記パルスの有無が決まることからなる、回路。
【請求項１３】
前記比較器と前記パルス発生器に接続されたコントローラをさらに備える、請求項１２の回路。
【請求項１４】
クロック入力と出力とを有し、前記クロック入力が前記比較器の出力に接続されたフリップフロップをさらに備え、
前記フリップフロップの出力が、前記スイッチに接続された、請求項１３の回路。
【請求項１５】
前記フリップフロップが、セット入力とリセット入力を有し、それらの入力のいずれも前記コントローラに接続される、請求項１４の回路。
【請求項１６】
前記スイッチがトランジスタである、請求項１２の回路。
【請求項１７】
前記書き込み線上の分圧器をさらに備え、
前記分圧器の中間ノードが、前記比較器の入力に接続される、請求項１２の回路。
【請求項１８】
メモリシステムであって、
メモリセルのアレイと、
前記アレイ内の少なくとも１つのメモリセルに接続可能な書き込み線と、
出力を有するパルス発生器であって、該出力が前記書き込み線に接続され、該出力はパルスであることからなる、パルス発生器と、
前記書き込み線上のスイッチと、
２つの入力と１つの出力を有する比較器であって、前記入力の一方が前記書き込み線に接続され、前記入力の他方が基準に接続され、前記出力が前記スイッチに接続され、これにより、前記書き込み線上の前記パルスの有無が、前記比較器の出力に応じて決まることからなる、比較器
を備える、メモリシステム。
【請求項１９】
前記アレイに接続された行デコーダと、
前記アレイに接続された列デコーダ
をさらに備える、請求項１８のメモリシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月12日(2004.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】磁気ヘッドスライダ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ヘッドの設置されたヘッド設置面と、
この磁気ヘッド設置面から所定の深さを有し、空気流出側は全範囲が前記磁気ヘッドのヘッド保護膜まで形成されたスライダレール面と、
このスライダレール面の空気流入側に形成された前記スライダレール面から所定の深さを有するステップ軸受面と、
このステップ軸受面から所定の深さを有する負圧溝とを備えた磁気ヘッドスライダ。
【請求項２】
磁気ヘッドと、
この磁気ヘッドのアルミナ保護膜上に形成されたヘッド設置面と、
この磁気ヘッド設置面から所定の深さを有し、空気流出側は少なくとも前記アルミナ保護膜まで形成されたスライダレール面と、
このスライダレール面の空気流入側に形成された前記スライダレール面から所定の深さを有するステップ軸受面と、
このステップ軸受面から所定の深さを有する負圧溝とを備えた磁気ヘッドスライダ。
【請求項３】
前記スライダレール面は、前記磁気ヘッド設置面から約５ｎｍから５０ｎｍの深さを有する請求項１または２に記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項４】
磁気ヘッド設置面の長さが幅より短い請求項１乃至３の何れか１項に記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項５】
前記磁気ヘッド設置面の幅が６０μｍ以下である請求項１乃至４の何れか１項に記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項６】
前記磁気ヘッド設置面の長さが５０μｍ以下である請求項１乃至５の何れか１項に記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項７】
前記磁気ヘッド設置面の少なくとも空気流入側の辺及び両側の辺が前記スライダレール面と接している請求項１乃至６の何れか１項に記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項８】
前記磁気ヘッド設置面にカーボン保護膜が形成されている請求項１乃至７の何れか１項に記載の磁気ヘッドスライダ。
【請求項９】
磁気ヘッドと、
この磁気ヘッドの空気流出端側から空気流入側に向けて連続的に幅が拡がる部位を有するスライダレール面と、
このスライダレール面の空気流入側に形成された前記スライダレール面から所定の深さを有するステップ軸受面と、
このステップ軸受面から所定の深さを有する負圧溝とを備えた磁気ヘッドスライダ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ヘッドスライダに係わり、特に磁気ヘッドスライダと磁気ディスクとが接触する接触記録型磁気ディスク装置における磁気ヘッドスライダの構造に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
或いは、磁気ヘッドと、この磁気ヘッドの空気流出端側から空気流入側に向けて連続的に幅が拡がる部位を有するスライダレール面と、このスライダレール面の空気流入側に形成された前記スライダレール面から所定の深さを有するステップ軸受面と、このステップ軸受面から所定の深さを有する負圧溝とを備えた磁気ヘッドスライダとする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月5日(2004.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンテンツデータの処理単位分のデータに、前記コンテンツの頭出し位置とすべき変化点が存在するか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段により前記変化点が存在すると判定された前記処理単位分のデータを表す情報を、頭出し位置として記憶する第１の記憶手段と、
前記判定手段により、所定の期間連続して、前記処理単位分のデータに前記変化点が存在しないと判定された場合、前記期間中に前記変化点が存在しないと判定された所定の前記処理単位分のデータを表す情報を、頭出し位置として記憶する第２の記憶手段と
を備えることを特徴とする信号処理装置。
【請求項２】
前記第１の記憶手段または第２の記憶手段により記憶された前記情報に基づいて、前記情報で表される前記処理単位分のデータの位置で頭出しが行われるように前記コンテンツを記録する記録手段
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の信号処理装置。
【請求項３】
前記第１の記憶手段または第２の記憶手段は、前記処理単位分のデータのコンテンツ上での位置を、前記頭出し位置として記憶する
ことを特徴とする請求項1に記載の信号処理装置。
【請求項４】
前記第1の記憶手段または第2の記憶手段は、前記処理単位分のデータのコンテンツ上での時刻を、前記頭出し位置として記憶する
ことを特徴とする請求項３に記載の信号処理装置。
【請求項５】
コンテンツデータの処理単位分のデータに、前記コンテンツの頭出し位置とすべき変化点が存在するか否かを判定する判定ステップと、
前記判定ステップの処理で前記変化点が存在すると判定された前記処理単位分のデータを表す情報を、頭出し位置として記憶する第１の記憶ステップと、
前記判定ステップの処理で、所定の期間連続して、前記処理単位分のデータに前記変化点が存在しないと判定された場合、前記期間中に前記変化点が存在しないと判定された所定の前記処理単位分のデータを表す情報を、頭出し位置として記憶する第２の記憶ステップと
を含むことを特徴とする信号処理方法。
【請求項６】
コンテンツデータの処理単位分のデータに対する、前記コンテンツの頭出し位置とすべき変化点が存在するか否かの判定を制御する判定制御ステップと、
前記判定制御ステップの処理で前記変化点が存在すると判定された前記処理単位分のデータを表す情報の、頭出し位置としての記憶を制御する第１の記憶制御ステップと、
前記判定制御ステップの処理で、所定の期間連続して、前記処理単位分のデータに前記変化点が存在しないと判定された場合、前記期間中に前記変化点が存在しないと判定された所定の前記処理単位分のデータを表す情報の、頭出し位置としての記憶を制御する第２の記憶制御ステップと
を含むことを特徴とするコンピュータが読み取り可能なプログラムが記録されている記録媒体。
【請求項７】
コンテンツデータの処理単位分のデータに対する、前記コンテンツの頭出し位置とすべき変化点が存在するか否かの判定を制御する判定制御ステップと、
前記判定制御ステップの処理で前記変化点が存在すると判定された前記処理単位分のデータを表す情報の、頭出し位置としての記憶を制御する第１の記憶制御ステップと、
前記判定制御ステップの処理で、所定の期間連続して、前記処理単位分のデータに前記変化点が存在しないと判定された場合、前記期間中に前記変化点が存在しないと判定された所定の前記処理単位分のデータを表す情報の、頭出し位置としての記憶を制御する第２の記憶制御ステップと
を含む処理をコンピュータに実行させることを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
第１の記憶手段または第２の記憶手段により記憶された情報に基づいて、情報で表される処理単位分のデータの位置で頭出しが行われるようにコンテンツを記録する記録手段をさらに備えることができる。
第１の記憶手段または第２の記憶手段は、処理単位分のデータのコンテンツ上での位置を、頭出し位置として記憶することができる。
第1の記憶手段または第2の記憶手段は、処理単位分のデータのコンテンツ上での時刻を、頭出し位置として記憶することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月17日(2004.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ領域と、
前記ｐ領域に接するよう形成される誘電体層であって、該誘電体層の厚さが、該誘電体層の破壊電界Ｆｂが実質的にＦｂ≧１．５×１０７Ｖ／ｃｍを満たすように設定される、誘電体層と、
前記誘電体層に接するよう形成される金属層と、
前記金属層を介して電子を放出する手段と、
を備える、電子エミッタ。
【請求項２】
さらに、前記ｐ領域の下に基板を備える、
請求項１に記載の電子エミッタ。
【請求項３】
前記ｐ領域は、半導体から形成される、
請求項１に記載の電子エミッタ。
【請求項４】
前記半導体は、Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＰ、ＩｎＰ、ＩｎＧａＡｓ、およびＩｎＧａＰのうちの少なくとも１つを含む、
請求項３に記載の電子エミッタ。
【請求項５】
前記ｐ領域の正孔の濃度レベルは、実質的に、１０１６から１０１９ｃｍ−３の範囲内である、
請求項３に記載の電子エミッタ。
【請求項６】
さらに、前記ｐ領域の上に形成され、該ｐ領域と電気的に接続するｐ電極を備える、
請求項１に記載の電子エミッタ。
【請求項７】
さらに、前記金属層の上に形成され、該金属層と電気的に接続するＭ電極を備える、
請求項１に記載の電子エミッタ。
【請求項８】
さらに、基板の上に形成されるｎ＋領域を備えており、前記ｐ領域が該ｎ＋領域内に形成されるようにする、
請求項１に記載の電子エミッタ。
【請求項９】
前記ｎ＋領域の電子の濃度レベルは、前記ｐ領域の正孔の濃度レベルより大きい、
請求項８に記載の電子エミッタ。
【請求項１０】
前記ｎ＋領域は、前記ｐ領域よりも広いバンドギャップを有する材料から形成される、
請求項８に記載の電子エミッタ。
【請求項１１】
前記ｐ領域の厚さは、該ｐ領域における非平衡状態の電子の拡散長よりも薄い、
請求項８に記載の電子エミッタ。
【請求項１２】
前記金属層の厚さは、電子エネルギーの平均自由行程と概ね同じか、またはそれよりも薄い、
請求項８に記載の電子エミッタ。
【請求項１３】
さらに、前記ｎ＋領域の上に形成され、該ｎ＋領域と電気的に接続するｎ電極を備える、
請求項８に記載の電子エミッタ。
【請求項１４】
前記金属層は、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｇｄ、Ｗ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｐｄおよびそれらの合金のうちの少なくとも１つを含む材料から形成される、
請求項１に記載の電子エミッタ。
【請求項１５】
さらに、
前記基板の上に形成されるｎ領域であって、前記ｐ領域が該ｎ領域の上に形成されるようにし、該ｎ領域のドナーの濃度が、該ｐ領域のアクセプタの正孔濃度よりも大きい、ｎ領域と、
前記ｎ領域および前記金属層の間に電気的に接続される少なくとも１つの電源と、
を備える、請求項２に記載の電子エミッタ。
【請求項１６】
ｐ領域と、
前記ｐ領域に接するよう形成される誘電体層であって、該誘電体層の厚さが、該誘電体層の破壊電界Ｆｂが実質的にＦｂ≧１．５×１０７Ｖ／ｃｍを満たすように設定される、誘電体層と、
前記誘電体層に接するよう形成される金属層と、
前記金属層を電子が通過するように、前記ｐ領域および前記金属層に電気的に接続される少なくとも１つの電圧バイアス源と、
を備える電子エミッタ。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの電圧バイアス源は、前記電子が、前記金属層に入るに先立って、前記誘電体層を突き抜けるよう接続される、
請求項１６に記載の電子エミッタ。
【請求項１８】
さらに、
前記ｐ領域の上に形成され、該ｐ領域に電気的に接続するｐ電極、および、前記金属層の上に形成され、該金属層に電気的に接続するＭ電極、のうちの少なくとも１つを備える、
請求項１６に記載の電子エミッタ。
【請求項１９】
さらに、ｎ＋領域を備え、前記ｐ領域が該ｎ＋領域内に形成されるようにする、
請求項１６に記載の電子エミッタ。
【請求項２０】
前記ｎ＋領域の電子の濃度レベルは、前記ｐ領域の正孔の濃度レベルよりも大きい、
請求項１９に記載の電子エミッタ。
【請求項２１】
前記ｎ＋領域は、前記ｐ領域よりも広いバンドギャップを有する材料から形成される、
請求項１９に記載の電子エミッタ。
【請求項２２】
前記ｐ領域の厚さは、該ｐ領域における非平衡状態の電子の拡散長よりも薄い、
請求項１９に記載の電子エミッタ。
【請求項２３】
さらに、前記ｎ＋領域の上に形成され、該ｎ＋領域と電気的に接続するｎ電極を備える、
請求項１９に記載の電子エミッタ。
【請求項２４】
前記金属層の厚さは、電子エネルギーの平均自由行程と概ね同じか、またはそれよりも薄い、
請求項１６に記載の電子エミッタ。
【請求項２５】
ｐ領域であって、該ｐ領域のアクセプタの正孔濃度が、実質的に、１０１６ｃｍ−３から１０１８ｃｍ―３の範囲内にあるｐ領域と、
前記ｐ領域の上部に直接形成される誘電体層であって、該誘電体層の厚さが、該誘電体層の破壊電界Ｆｂが実質的にＦｂ≧１．５×１０７Ｖ／ｃｍを満たすように設定され、該誘電体層の領域が、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３およびそれらの合金のうちの少なくとも１つを含む材料から形成される、誘電体層と、
前記誘電体層の上部に直接形成される金属層であって、該金属層の厚さが、２．０ナノメートルから５．０ナノメートルに及びレンジよりも薄く、該金属層が、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ、Ｇｄ、Ｗ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｐｄおよびそれらの合金の少なくとも１つを含む材料から形成される、金属層と、
前記ｐ領域の下にある基板と、
電子が前記金属層を通過するように、前記ｐ領域および前記金属層の間に電気的に接続される少なくとも１つの電源と、
を備える電子エミッタ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月13日(2005.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に位置し、一対の素子電極と該素子電極間に位置する電子放出部とを有する電子放出素子と、前記一対の素子電極の一方に電気的に接続する第一の導電体と、前記一対の素子電極の他方の一部と前記第一の導電体の一部を覆う絶縁体と、前記一対の素子電極の他方と電気的に接続し、前記絶縁体を介して前記第一の導電体と交差する第二の導電体とを備える電子源であって、前記第二の導電体と前記他方の素子電極との接続は、前記絶縁体に設けられた開口部を通じてなされており、当該開口部の前記基板に平行な面で切った断面の形状は、電子放出部に近接する当該開口部の一端に向けて幅が狭まっていることを特徴とする電子源。
【請求項２】
基板と、該基板上に位置し、一対の素子電極と該素子電極間に位置する電子放出部とを有する複数の電子放出素子と、前記一対の素子電極の一方に電気的に接続する複数の第一の導電体と、前記一対の素子電極の他方の一部と前記第一の導電体の一部を覆う絶縁体と、前記一対の素子電極の他方と電気的に接続し、前記絶縁体を介して前記第一の導電体と交差する複数の第二の導電体とを備える、マトリクス配線された電子源の製造方法において、
基板上に、複数の素子電極対を形成する工程と、
前記素子電極対の一方に接続される複数の第一の導電体を形成する工程と、
前記第一の導電体の一部と前記素子電極対の他方の一部を覆う絶縁体を形成する工程と、
前記絶縁体上に、前記複数の第一の導電体と交差させて複数の第二の導電体を形成する工程と、
前記素子電極対間に電子放出部を形成する工程とを有し、
前記絶縁体を形成する工程において、前記素子電極対の他方と前記第二の導電体との電気的接続をなすための開口部を、前記基板に平行な面で切った断面が電子放出部に近接する当該開口部の一端に向けて幅が狭まる形状で形成することを特徴とする電子源の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月21日(2004.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子エミッタであって、
ｎ＋領域と、
前記ｎ＋領域内または該ｎ＋領域の上に形成されるｐ領域と、
前記ｐ領域の上に形成される金属層と、
を備える電子エミッタ。
【請求項２】
前記ｎ＋領域の下に基板をさらに備える、請求項１に記載の電子エミッタ。
【請求項３】
前記ｎ＋領域は、広いバンドギャップの半導体から形成される、請求項１に記載の電子エミッタ。
【請求項４】
前記広いバンドギャップの半導体は、アモルファスＳｉ、Ｇａｐ、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ダイアモンド状カーボン、ＡｌＮ、ＢＮ、ＳｉＣ、ＺｎＯ、およびＩｎＰのうち少なくとも１つを含む、請求項３に記載の電子エミッタ。
【請求項５】
ｎ＋領域の電子濃度レベルｎｎは、実質的に１０１７／ｃｍ３より大きく、１０１９／ｃｍ３より小さい範囲である、請求項１に記載の電子エミッタ。
【請求項６】
前記ｎ＋領域の電子濃度レベルｎｎは、前記ｐ領域の正孔濃度レベルｐｐよりも大きい、請求項１に記載の電子エミッタ。
【請求項７】
前記ｐ領域の正孔濃度レベルｐｐは、実質的に１０１７／ｃｍ３から１０１８／ｃｍ３の範囲である、請求項１に記載の電子エミッタ。
【請求項８】
前記ｐ領域の厚みは、該ｐ領域における非平衡状態の電子の拡散長よりも薄い、請求項１に記載の電子エミッタ。
【請求項９】
真空エネルギーレベルは、前記デバイス内に形成される前記ｐ領域（２３０）における半導体のエネルギーギャップ内に収まる、請求項１に記載の電子エミッタ。
【請求項１０】
前記金属層は、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｄ、ＬａＢ６、ＣｅＢ６、Ａｌ、Ｇｄ、Ｅｕ、ＥｕＯ、およびそれらの合金のうち少なくとも１つから形成される、請求項１に記載の電子エミッタ。
【請求項１１】
前記金属層の厚みは、電子エネルギーの平均自由行程と概ね同じか、またはそれよりも薄い、請求項１に記載の電子エミッタ。
【請求項１２】
前記ｎ＋領域の上に形成され、該ｎ＋領域に電気的に接続されるｎ電極をさらに有する、請求項１に記載の電子エミッタ。
【請求項１３】
前記ｐ領域の上に形成され、該ｐ領域に電気的に接続されるｐ電極をさらに有する、請求項１２に記載の電子エミッタ。
【請求項１４】
前記金属層の上に形成され、該金属層に電気的に接続されるＭ電極をさらに有する、請求項１３に記載の電子エミッタ。
【請求項１５】
前記金属層の上に形成され、該金属層に電気的に接続されるＭ電極をさらに有する、請求項１２に記載の電子エミッタ。
【請求項１６】
前記ｐ領域内であって前記金属層の下に形成されるｐ＋領域をさらに有する、請求項１に記載の電子エミッタ。
【請求項１７】
電子エミッタを製作する方法であって、
ｎ＋領域を形成し、該ｎ＋領域を基板として用いるステップと、
前記ｎ＋領域内または該ｎ＋領域の上に、ｐ領域を形成するステップと、
前記ｐ領域の上に金属層を形成するステップと、を有する方法。
【請求項１８】
前記ｎ＋領域のために基板を形成するステップをさらに有する、請求項１７に記載の電子エミッタを製作する方法。
【請求項１９】
前記ｐ領域内であって前記金属層の下に、ｐ＋領域を形成するステップをさらに含む、請求項１７に記載の電子エミッタを製作する方法。
【請求項２０】
前記ｎ＋領域は、広いバンドギャップの半導体から形成される、請求項１７に記載の電子エミッタを製作する方法。
【請求項２１】
前記ｎ＋領域の電子濃度レベルは、前記ｐ領域の正孔濃度レベルよりも大きい、請求項１７に記載の電子エミッタを製作する方法。
【請求項２２】
前記ｐ領域の厚みは、該ｐ領域における非平衡状態の電子の拡散長よりも薄い、請求項１７に記載の電子エミッタを製作する方法。
【請求項２３】
真空レベルは、前記ｐ領域のバンドギャップ内に収まる、請求項１７に記載の電子エミッタを製作する方法。
【請求項２４】
前記金属層の厚みは、電子エネルギーの平均自由行程よりも薄いのが好ましい、請求項１７に記載の電子エミッタを製作する方法。
【請求項２５】
前記ｎ＋領域の上にｎ電極を形成し、該ｎ電極を前記ｎ＋領域と電気的に接続させるステップをさらに有する、請求項１７に記載の電子エミッタを製作する方法。
【請求項２６】
前記ｐ領域の上にｐ電極を形成し、該ｐ電極を前記ｐ領域と電気的に接続させるステップをさらに有する、請求項２５に記載の電子エミッタを製作する方法。
【請求項２７】
前記金属層の上にＭ電極を形成し、該Ｍ電極を前記金属層と電気的に接続させるステップをさらに有する、請求項２６に記載の電子エミッタを製作する方法。
【請求項２８】
前記金属層の上にＭ電極を形成し、該Ｍ電極を前記金属層と電気的に接続させるステップをさらに有する、請求項２５に記載の電子エミッタを製作する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月13日(2004.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アーク放電を行うための金属溶化物、水銀、希ガスの少なくとも１つが封入される発光管と、この発光管内に電極を支持するリード棒と、このリード棒の端部側を気密封止しかつ前記発光管から一体に延びる封止管と、この封止管内の前記リード棒の端部が挿入されるビーズ管と、このビーズ管内に挿入された前記リード棒の端部を支持するベース部材と、前記リード棒に導通しかつ前記封止管との間の前記ベース部材の外周部に添設される複数のシール用金属箔と、これら各シール用金属箔のそれぞれに導通する複数の集電部材と、これら各集電部材を集束させて接続される給電用リード線とを備え、
前記ベース部材の後端部外周上に、その直径方向に縮径して形成された複数の凹陥部を有し、これら凹陥部が前記シール用金属箔の枚数以上であり、前記凹陥部に前記集電部材の一部を配置することを特徴とする放電灯。
【請求項２】
アーク放電を行うための金属溶化物、水銀、希ガスの少なくとも１つが封入される発光管と、この発光管内に電極を支持するリード棒と、このリード棒の端部側を気密封止しかつ前記発光管から一体に延びる封止管と、この封止管内の前記リード棒の端部が挿入されるビーズ管と、このビーズ管内に挿入された前記リード棒の端部を支持するベース部材と、前記リード棒に導通しかつ前記封止管との間の前記ベース部材の外周部に添設される複数のシール用金属箔と、これら各シール用金属箔のそれぞれに導通する複数の集電部材と、これら各集電部材を集束させて接続される給電用リード線とを備え、
前記ベース部材の後端部外周上に、その直径方向に縮径して形成された複数の平面状の当接部を有し、これら当接部が前記シール用金属箔の枚数以上であり、前記当接部に前記集電部材の一部を配置することを特徴とする放電灯。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、アーク放電を行うための金属溶化物、水銀、希ガスの少なくとも１つが封入される発光管と、この発光管内に電極を支持するリード棒と、このリード棒の端部側を気密封止しかつ前記発光管から一体に延びる封止管と、この封止管内の前記リード棒の端部が挿入されるビーズ管と、このビーズ管内に挿入された前記リード棒の端部を支持するベース部材と、前記リード棒に導通しかつ前記封止管との間の前記ベース部材の外周部に添設される複数のシール用金属箔と、これら各シール用金属箔のそれぞれに導通する複数の集電部材と、これら各集電部材を集束させて接続される給電用リード線とを備え、前記ベース部材の後端部外周上に、その直径方向に縮径して形成された複数の凹陥部を有し、これら凹陥部が前記シール用金属箔の枚数以上であり、前記凹陥部に前記集電部材の一部を配置する放電灯として構成したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項２に記載の発明は、アーク放電を行うための金属溶化物、水銀、希ガスの少なくとも１つが封入される発光管と、この発光管内に電極を支持するリード棒と、このリード棒の端部側を気密封止しかつ前記発光管から一体に延びる封止管と、この封止管内の前記リード棒の端部が挿入されるビーズ管と、このビーズ管内に挿入された前記リード棒の端部を支持するベース部材と、前記リード棒に導通しかつ前記封止管との間の前記ベース部材の外周部に添設される複数のシール用金属箔と、これら各シール用金属箔のそれぞれに導通する複数の集電部材と、これら各集電部材を集束させて接続される給電用リード線とを備え、前記ベース部材の後端部外周上に、その直径方向に縮径して形成された複数の平面状の当接部を有し、これら当接部が前記シール用金属箔の枚数以上であり、前記当接部に前記集電部材の一部を配置する放電灯として構成したものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月28日(2005.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多機能周辺機器の指スロット内に収容されるユーザの指をスキャンして、生物測定学的画像を得るステップと、
前記生物測定学的画像を生物測定学的鍵と比較するステップと、
前記生物測定学的画像と前記生物測定学的鍵との照合に基づいて、前記多機能周辺機器のユーザを認証するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記生物測定学的鍵の生成者が管理するファイルシステムに、各生物測定学的鍵の保存を分配するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記生物測定学的鍵の検索を行うために、ユーザ名の入力を前記ユーザに促すステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項４】
多機能周辺機器と、
前記多機能周辺機器のスキャナ部分において画像窓に隣接する指スロットと、
前記指スロット内のユーザの指をスキャンすることにより、生物測定学的画像を取得するように構成されたデータ収集モジュールと、
前記生物測定学的画像を生物測定学的鍵と比較するように構成されたデータ評価モジュールと、
前記生物測定学的画像と前記生物測定学的鍵との照合に基づいて、前記多機能周辺機器へのアクセスを提供するように構成された認証モジュールと
を備えたシステム。
【請求項５】
前記生物測定学的鍵の検索を分配された場所から行うために、ユーザ名を入力するようにユーザに促すデータ収集モジュールをさらに備えた請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記多機能周辺機器の権限のあるユーザに割当てられたそれぞれのワークステーションに、前記多機能周辺機器の権限のあるユーザに関する生物測定学的鍵の記憶を分配するように構成された分散生物測定学的鍵記憶域をさらに備えた請求項４に記載のシステム。
【請求項７】
生物測定学的鍵の記憶に基礎を置いたサーバをさらに備え、前記生物測定学的鍵を記憶するサーバが前記多機能周辺機器と通信する請求項４に記載のシステム。
【請求項８】
生物測定学的鍵の記憶に基礎を置いた多機能周辺機器をさらに備えた請求項４に記載のシステム。
【請求項９】
前記ユーザの指の検出に応答して、前記多機能周辺機器の前記スキャナ部分を起動する、前記指スロットに隣接するセンサスイッチをさらに備える請求項４に記載のシステム。
【請求項１０】
１つ以上のプロセッサによって実行される場合に、
多機能周辺機器のスキャナ部のカバー内において画定される指スロットのユーザの指をスキャンすることによって生物測定学的画像を取得することと、
前記生物測定学的画像を生物測定学的鍵と比較することと、
前記生物測定学的画像と前記生物測定学的鍵との照合に基づいて、前記多機能周辺機器の前記ユーザを認証することと
を前記１つ以上のプロセッサに行わせるプロセッサ可読命令を有するプロセッサ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月14日(2004.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】燃料電池用セパレータ及び燃料電池システム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料電池の単位セル同士を電気的に接続する金属製板状セパレータにおいて、
該セパレータの外側の一端面に単位セルの酸素極に空気を供給するための空気流路が形成されるとともに、中空部に空気と水が供給されて潜熱冷却が行われる冷却流路が形成されていることを特徴とする燃料電池用セパレータ。
【請求項２】
前記空気流路は、一端面の表面に形成された凸状部と前記単位セルの酸素極表面との間に形成される直線状の溝からなり、前記冷却流路は、前記凸状部の内部に形成された直線状の中空部からなる請求項１に記載の燃料電池用セパレータ。
【請求項３】
少なくとも前記冷却流路は親水性処理が施されている請求項１又は２に記載の燃料電池用セパレータ。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の燃料電池用セパレータと前記単位セルとが交互に積層された燃料電池スタックと、前記冷却流路に空気と水とを供給する供給手段とを備えた燃料電池システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
セパレータの内部に中空部を設けると、セパレータを構成する材料の肉厚が薄くなり、発熱している単位セルに接触している部分と、単位セルから離れた部分との間で、温度差が大きくなる。例えば、単位セルに接触している部分は、単位セルから熱を受け取るため温度が高くなる。また、単位セルから離れた部分では、容易に冷やされて、温度が相対的に低くなる。このため、空気流路内においても、単位セルに近い部分では飽和状態となるために必要な水蒸気量が多く必要になり、単位セルから離れた部分で少なくて済むようになる。空気流路内でこのような温度差が生じると、空気流路内で生じる水蒸気の飽和状態は、単位セル付近で飽和状態となるために必要とされる水蒸気量には及ばず、結果として単位セルの酸素極から水を奪うこととなり、酸素極を乾燥させてしまうといった問題があった。この発明は、小型化・軽量化を図ることができ、かつ十分な冷却が可能な燃料電池用セパレータと燃料電池システムを提供することを目的としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
以上のような目的は、以下の本発明によって達成される。
（１）  燃料電池の単位セル同士を電気的に接続する金属製板状セパレータにおいて、
該セパレータの外側の一端面に単位セルの酸素極に空気を供給するための空気流路が形成されるとともに、中空部に空気と水が供給されて潜熱冷却が行われる冷却流路が形成されていることを特徴とする燃料電池用セパレータ。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（２）  前記空気流路は、一端面の表面に形成された凸状部と前記単位セルの酸素極表面との間に形成される直線状の溝からなり、前記冷却流路は、前記凸状部の内部に形成された直線状の中空部からなる上記（１）に記載の燃料電池用セパレータ。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（３）    少なくとも前記冷却流路は親水性処理が施されている上記（１）又は（２）に記載の燃料電池用セパレータ。
（４）  上記（１）から（３）のいずれか１に記載の燃料電池用セパレータと前記単位セルとが交互に積層された燃料電池スタックと、前記冷却流路に空気と水とを供給する供給手段とを備えた燃料電池システム。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
燃料電池用セパレータで構成された燃料電池は、空気流路４０と冷却流路４１とを空気の同じ流通経路に配置でき、同時に空気と水を流通させることができるので、冷却のための装置を別に設ける必要がない。
以上説明した本発明によれば、セパレータに中空部を設け、側縁部の一端と他端に中空部の開口部を設けることで、セパレータの軽量化が図られる。中空部に空気と水を供給することで、セパレータの効率良い冷却が図られ、かつ均一に冷却することができる。また、電極の湿潤を維持することができる。また、空気流路と中空部とに、共通の供給手段により、空気と水を供給するので、別途冷却装置を設けることなく、燃料電池スタックの小型化、軽量化を図ることができる。金属板で構成することにより、製造が容易となり、また材料コストの低減も図ることができる。例えば、プレス加工により空気流路を構成することが可能で、コストを安価に押さえることができる。また、金属板で構成することにより、セパレータの一層薄型化を図ることができる。さらに、暖機のための時間短縮や、暖機のためのエネルギーの省力化を図ることができる。
また、空気流路４０及び冷却流路４１の内壁に、親水性処理を施すことにより、内壁の濡れを促進でき、潜熱冷却による冷却効果を一層高めることができる。このようなセパレータと単位セルと交互に積層した燃料電池スタックは、一層薄型で軽量の、冷却効率の高いものとなる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【発明の効果】
請求項１に記載の発明によれば、セパレータに中空部を設けることで、セパレータの軽量化が図られる。また、この中空部に空気と水を供給することで、セパレータの効率良い冷却が図られ、かつ均一に冷却することができる。また、電極の湿潤を維持することができる。また、空気流路と中空部とに、空気と水が供給されるので、別途冷却装置を設けることなく、燃料電池スタックの小型化、軽量化を図ることができる。金属板で構成することにより、製造が容易となり、また材料コストの低減も図ることができる。例えば、プレス加工により空気流路を構成することが可能で、コストを安価に押さえることができる。また、金属板で構成することにより、セパレータの一層薄型化を図ることができる。さらに、暖機のための時間短縮や、暖機のためのエネルギーの省力化を図ることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
請求項２に記載の発明によれば、空気流路と冷却流路が交互に配置されることになり、燃料電池の冷却効率が向上し、均一な冷却が可能となる。
請求項３に記載の発明によれば、親水性処理を施すことにより、内壁の濡れを促進でき、潜熱冷却による冷却効果を一層高めることができる。
請求項４に記載の発明によれば、セパレータと単位セルと交互に積層した燃料電池スタックは、一層薄型で軽量の、冷却効率の高いものとなり、また、空気流路と中空部とに、供給手段により、空気と水を供給するので、別途冷却装置を設けることなく、燃料電池システムの小型化、軽量化を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月6日(2004.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂製蓋本体と金属製接続部材とを有する蓄電池用蓋を備えた蓄電池において、
前記金属製接続部材は管状部と管状部の外側に形成された鍔状部であって孔を有するものとを備え、前記孔には蓋本体を構成する樹脂が進入していることを特徴とする蓄電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
金属製接続部材は端子もしくはセル間接続体とすることができ、鉛又は鉛合金よりなるものとすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
金属製接続部材を端子やセル間接続体として場合、合成樹脂製蓄電池蓋本体と端子やセル間接続体とが極めて強固に一体化されて蓄電池が提供できる。また、金属製接続部材を鉛又は鉛合金よりなるものとすれば、合成樹脂製蓄電池蓋本体と端子やセル間接続体とが極めて強固に一体化されて鉛蓄電池が提供できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月28日(2004.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ランプ構造体の光出射面で用いられるものであって、透光部と遮光部が予め定められたパターンで形成された調光層を有しており、該調光層の開口率（透光部と遮光部の面積比で規定される）が、１．５〜８５％の範囲にあることを特徴とする調光フィルム。
【請求項２】
前記調光層の透光部又は遮光部が、ストライプ、格子、ドット又はそれらの組み合わせからなる群から選ばれたパターンで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の調光フィルム。
【請求項３】
前記調光層の遮光部が、透明なフィルム上に遮光性材料を所定のパターンで印刷、塗装又は蒸着することによって形成されたものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の調光フィルム。
【請求項４】
前記調光層が遮光性材料からなり、前記透光部が開口されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の調光フィルム。
【請求項５】
ランプ構造体の光出射面に取り付けて用いられるものであって、
前記ランプ構造体の光出射面を少なくとも覆う形状及びサイズを備えた透明なカバー本体と、
前記カバー本体の外面に貼付された調光フィルムとからなり、その際、
前記調光フィルムが、透光部と遮光部が予め定められたパターンで形成された調光層を有しており、該調光層の開口率（透光部と遮光部の面積比で規定される）が、１．５〜８５％の範囲にあることを特徴とするランプカバー。
【請求項６】
内部に少なくとも１灯のランプが配置されかつ光出射用開口を有するランプ室を備えたランプ構造体であって、前記ランプ室の光出射用開口に、
前記ランプ構造体の光出射面を少なくとも覆う形状及びサイズを備えた透明なカバー本体と、
前記カバー本体の外面に貼付された調光フィルムとからなり、その際、
前記調光フィルムが、透光部と遮光部が予め定められたパターンで形成された調光層を有しており、該調光層の開口率（透光部と遮光部の面積比で規定される）が、１．５〜８５％の範囲にあるランプカバーが取り付けられていること
を特徴とするランプ構造体。
【請求項７】
前記調光フィルムが、請求項２〜４のいずれか１項に記載のものであることを特徴とする請求項６に記載のランプ構造体。
【請求項８】
車両のコンビネーションランプとして用いられるものであって、ストップランプ、テールランプ、ターンシグナルランプ及びバックアップランプの少なくとも２灯が任意のパターン及び組み合わせで組み込まれていることを特徴とする請求項６又は７に記載のランプ構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月27日(2004.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このような高密度記録化および低ノイズ特性を実現できる磁気記録媒体としては、磁性層にＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＮｉＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ等のＣｏＰｔ系合金を用いたものと、Ｃｒ下地との組み合わせによって高い磁気特性を発揮するＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒＴａ等のＣｏＣｒ系合金を用いたものがある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月8日(2004.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースカバーと、磁気ディスク円板と、前記磁気ディスク円板を回転可能に支持するスピンドルと、マグネットとコイルとを含むリードライトＩＣとボイスコイルモータとに接続されたアームを有するヘッドアッセンブリと、前記アームによって支持される磁気ヘッドと、前記スピンドルと前記ヘッドアッセンブリとを支持するベースと、上記磁気ディスク円板に潤滑剤を供給する供給源とを有する磁気ディスク装置において、
前記磁気ディスク装置内部品の稼動中の温度が、前記ベースカバーあるいは前記ベースより高温となり、かつ、前記磁気ディスク装置内部品が、数平均分子量が９００から２５００の範囲内である潤滑剤により被覆されていることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項２】
ベースカバーと、磁気ディスク円板と、前記磁気ディスク円板の外側に位置するシュラウドと、
前記磁気ディスク円板を回転可能に支持するスピンドルと、前記スピンドルと前記ヘッドアッセンブリとを支持するベースと、マグネットとコイルとを含むリードライトＩＣとボイスコイルモータとに接続されたアームを有するヘッドアッセンブリと、前記アームによって支持される磁気ヘッドと、上記磁気ディスク円板に潤滑剤を供給する供給源とを有する磁気ディスク装置において、
前記磁気ディスク装置内部品の稼動中の温度が、前記ベースカバーあるいは前記ベースより高温となり、かつ、前記磁気ディスク装置内部品が、数平均分子量が９００から２５００の範囲内である潤滑剤により被覆されていることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項３】
前記磁気ディスク装置内部品の稼動中の温度が、前記ベースカバーあるいはベース部よりも１０℃以上高い、請求項１あるいは２いずれかに記載の磁気ディスク装置。
【請求項４】
前記磁気ディスク装置内部品は、前記リードライトＩＣまたは前記ボイスコイルモータであることを特徴とする請求項１あるいは２いずれかに記載の磁気ディスク装置。
【請求項５】
前記潤滑剤が化学式（１）で表されるパーフルオロポリエーテル潤滑剤であることを特徴とする請求項１あるいは２いずれかに記載の磁気ディスク装置。
ＣＨ２ＯＨ−ＣＦ２（ＯＣＦ２ＣＦ２）ｍ−（ＯＣＦ２）ｎ−ＣＨ２ＯＨ（ｍとｎは整数）…化１
【請求項６】
前記潤滑剤が、前記ベースカバーを前記ベースに取り付けるネジ穴を経由して供給されることを特徴とする請求項１あるいは２いずれかに記載の磁気ディスク装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の潤滑剤の供給源を有する磁気ディスク装置において、該磁気ディスク装置稼動中の温度が、該磁気ディスク装置のカバーあるいはベース部よりも高温となり、かつ、前記磁気ディスク装置内部品が、数平均分子量が９００から２５００の範囲内である潤滑剤により被覆されているようにした。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月9日(2004.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光記録媒体へのデータ記録方法であって、
マルチパルスを含む消去パターンを有する記録波形を用いてマークまたはスペースを形成する段階を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記マークまたはスペースを形成する段階は、ランレングスリミテッド（ＲＬＬ）（２、１０）方法によってデータを記録する手順を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記マークまたはスペースを形成する段階は、所定の非ゼロ復帰反転（ＮＲＺＩ）データ信号の第１レベルをマークとしておよびＮＲＺＩデータ信号の第２レベルをスペースとして記録する手順を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
情報記録媒体へのデータ記録方法であって、
記録パターンを含む波形を用いてマークまたはスペースを形成する段階であって、消去パターンはマルチパルスを有するパターンを消去し冷却パルスは記録パターンと消去パターンを結び付ける、段階を含むことを特徴とする方法。