(57)【要約】【課題】圧縮モールド方式の場合、封止体を形成するために、粉末状樹脂を、金型をクランプする前に、キャビティに投入する。しかし、金型は通常、封止時の温度に加熱・保持されており、この熱の影響で、キャビティに投入された樹脂の硬化が始まってしまう。これは、粉末状樹脂をフィルム上にあらかじめ供給した場合も同じである。【解決手段】本願発明は、一括封止方式により有機配線基板上の複数の半導体チップを上下金型を含むモールド金型を用いた圧縮モールド法により、レジン封止する半導体装置の製造方法において、封止用レジン材料をあらかじめ離型フィルム上に供給し、その後、上下金型間の間隔を狭めた状態で、離型フィルムの封止用レジン材料が供給された部分を下金型にセットするものである。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド・キャビティを上面に有する下金型と、第１の間隔よりも大きな間隔を置いて対向する上金型の下面に、マトリクス状に配置された複数の半導体チップが固定されたデバイス面を有する有機配線基板をそのデバイス面を下向きにして、セットする工程；
（ｂ）離型フィルムのほぼ水平に張られた上面に封止用レジン材料を供給する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記離型フィルムの前記封止用レジン材料が供給された部分が前記モールド・キャビティの上方に来るように、前記離型フィルムを前記下金型と前記上金型の間の空間に、相対的に移動させる工程；
（ｄ）前記工程（ａ）の後、前記下金型と前記上金型の間の間隔を前記第１の間隔まで縮小させる工程；
（ｅ）前記工程（ｃ）の後、前記下金型と前記上金型の間の間隔が前記第１の間隔と等しいか、または、それよりも狭い状態で、前記離型フィルムを前記下金型の前記上面にセットする工程；
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記下金型と前記上金型を閉じる工程；
（ｇ）前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記モールド・キャビティ内の前記封止用レジン材料を加圧する工程；
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記下金型と前記上金型を開く工程；
（ｉ）前記工程（ｈ）の後、前記複数の半導体チップを一括して封止するレジン封止体が前記デバイス面上に形成された前記有機配線基板を前記上金型の前記下面から取り外す工程。
【請求項２】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記封止用レジン材料は粉末状である。
【請求項３】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記封止用レジン材料は難燃性である。
【請求項４】
前記１項の半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む：
（ｊ）前記工程（ｂ）の前に、前記有機配線基板の状態に基づいて、前記封止用レジン材料を計量する工程。
【請求項５】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記複数の半導体チップの各半導体チップ上の複数のボンディング・パッドと前記有機配線基板の前記デバイス面上の複数のリード間は、それぞれ、直径２０マイクロ・メートル以下の金を主要な成分とするボンディング・ワイヤでボンディングされている。
【請求項６】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド・キャビティを上面に有する下金型と、第１の間隔よりも大きな間隔を置いて対向する上金型の下面に、マトリクス状に配置された複数の半導体チップが固定されたデバイス面を有する有機配線基板をそのデバイス面を下向きにして、セットする工程；
（ｂ）ほぼ平坦な離型フィルムのほぼ水平に張られた上面に封止用レジン材料を供給する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記離型フィルムの前記封止用レジン材料が供給された部分が前記モールド・キャビティの上方に来るように、前記離型フィルムを前記下金型と前記上金型の間の空間に、相対的に移動させる工程；
（ｄ）前記工程（ａ）および（ｃ）の後、前記離型フィルムを前記下金型の前記上面にセットする工程；
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記下金型と前記上金型を閉じる工程；
（ｆ）前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記モールド・キャビティ内の前記封止用レジン材料を加圧する工程；
（ｇ）前記工程（ｆ）の後、前記下金型と前記上金型を開く工程；
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記複数の半導体チップを一括して封止するレジン封止体が前記デバイス面上に形成された前記有機配線基板を前記上金型の前記下面から取り外す工程。
【請求項７】
前記６項の半導体装置の製造方法において、前記封止用レジン材料は粉末状である。
【請求項８】
前記６項の半導体装置の製造方法において、前記封止用レジン材料は難燃性である。
【請求項９】
前記６項の半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む：
（ｉ）前記工程（ｂ）の前に、前記有機配線基板の状態に基づいて、前記封止用レジン材料を計量する工程。
【請求項１０】
前記６項の半導体装置の製造方法において、前記複数の半導体チップの各半導体チップ上の複数のボンディング・パッドと前記有機配線基板の前記デバイス面上の複数のリード間は、それぞれ、直径２０マイクロ・メートル以下の金を主要な成分とするボンディング・ワイヤでボンディングされている。
【請求項１１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド・キャビティを上面に有する下金型と、第１の間隔よりも大きな間隔を置いて対向する上金型の下面に、マトリクス状に配置された複数の半導体チップが固定されたデバイス面を有する有機配線基板をそのデバイス面を下向きにして、セットする工程；
（ｂ）離型フィルムのほぼ水平に張られた上面に、前記モールド・キャビティの輪郭にほぼ対応する図形を描くように、封止用液状レジン材料を供給する工程；
（ｃ）上記工程（ｂ）の後、前記離型フィルムの前記上面の前記封止用液状レジン材料による前記図形の内部に、封止用粉末状レジン材料を供給する工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記離型フィルムの前記封止用粉末状レジン材料が供給された部分が前記モールド・キャビティの上方に来るように、前記離型フィルムを前記下金型と前記上金型の間の空間に、相対的に移動させる工程；
（ｅ）前記工程（ａ）および（ｄ）の後、前記離型フィルムを前記下金型の前記上面にセットする工程；
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記下金型と前記上金型を閉じる工程；
（ｇ）前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記モールド・キャビティ内の前記封止用液状レジン材料および前記封止用粉末状レジン材料を加圧する工程；
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記下金型と前記上金型を開く工程；
（ｉ）前記工程（ｈ）の後、前記複数の半導体チップを一括して封止するレジン封止体が前記デバイス面上に形成された前記有機配線基板を前記上金型の前記下面から取り外す工程。
【請求項１２】
前記１１項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｇ）は以下の下位工程を含む：
（ｇ１）前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記封止用液状レジン材料を前記モールド・キャビティの外部に排出する工程；
（ｇ２）前記下位工程（ｇ１）の後、前記工程の後、前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記モールド・キャビティ内の前記封止用粉末状レジン材料を加圧する工程。
【請求項１３】
前記１１項の半導体装置の製造方法において、前記封止用液状レジン材料は難燃性ではなく、前記封止用粉末状レジン材料は難燃性である。
【請求項１４】
前記１１項の半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む：
（ｊ）前記工程（ｃ）の前に、前記有機配線基板の状態に基づいて、前記封止用粉末状レジン材料を計量する工程。
【請求項１５】
前記１１項の半導体装置の製造方法において、前記複数の半導体チップの各半導体チップ上の複数のボンディング・パッドと前記有機配線基板の前記デバイス面上の複数のリード間は、それぞれ、直径２０マイクロ・メートル以下の金を主要な成分とするボンディング・ワイヤでボンディングされている。
【請求項１６】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド・キャビティを上面に有する下金型と、第１の間隔よりも大きな間隔を置いて対向する上金型の下面に、マトリクス状に配置された複数の半導体チップが固定されたデバイス面を有する有機配線基板をそのデバイス面を下向きにして、セットする工程；
（ｂ）離型フィルムのほぼ水平に張られた上面に封止用レジン材料を供給する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記離型フィルムの前記封止用レジン材料が供給された部分が前記モールド・キャビティの上方に来るように、前記離型フィルムを前記下金型と前記上金型の間の空間に、相対的に移動させる工程；
（ｄ）前記工程（ａ）および（ｃ）の後、前記離型フィルムを前記下金型の前記上面にセットする工程；
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記下金型と前記上金型を閉じる工程；
（ｆ）前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記封止用レジン材料の余剰部分を前記モールド・キャビティの外部に排出する工程；
（ｇ）前記工程の後、前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記モールド・キャビティ内の前記封止用レジン材料を加圧する工程；
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記下金型と前記上金型を開く工程；
（ｉ）前記工程（ｈ）の後、前記複数の半導体チップを一括して封止するレジン封止体が前記デバイス面上に形成された前記有機配線基板を前記上金型の前記下面から取り外す工程。
【請求項１７】
前記１６項の半導体装置の製造方法において、前記封止用レジン材料は粉末状である。
【請求項１８】
前記１６項の半導体装置の製造方法において、前記封止用レジン材料は難燃性である。
【請求項１９】
前記１６項の半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む：
（ｊ）前記工程（ｂ）の前に、前記有機配線基板の状態に基づいて、前記封止用レジン材料を計量する工程。
【請求項２０】
前記１６項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）において、前記封止用レジン材料が供給される部分及びその周辺の前記離型フィルムは、ほぼ平坦である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置（または半導体集積回路装置）の製造方法におけるレジン封止技術、特にコンプレッション・モールド技術に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
国際公開第２００６／１００７６５号パンフレット（特許文献１）には、圧縮モールド方式のモールド金型の実キャビティ外にダミーキャビティ（フロー・キャビティ）を設けて、余分の封止レジンをその中に退避させるとともに、実キャビティ内のレジンと同等の加圧力を印加するようにした技術が開示されている。
【０００３】
日本特開２００５−２１９２９７号公報（特許文献２）には、下金型の形状に合わせてプリ・フォームしたリリース・フィルムと樹脂を下金型にセットして、圧縮モールドする技術が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００６／１００７６５号パンフレット
【特許文献２】特開２００５−２１９２９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体装置の製造コストを低減する方式として、ワイヤでチップと基板を電気的に接続する方式や、ＭＡＰ（Ｍｏｌｄ  Ａｒｒａｙ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）モールド法（一括封止方式）により製品取得数を向上することで、対応している。ワイヤの材料は、チップのパッド構成や抵抗成分が低いという理由から、Ａｕ系のワイヤを用いている。しかし、Ａｕは材料コストが高く、その太さによっても製造コストに大きく影響する。そのため、近年では、細い径のワイヤを使用する傾向にある。しかし、ワイヤが細くなると、後の樹脂封止工程において、ワイヤが樹脂の注入圧力により流され易くなる。特に、サイド・ゲート（Ｓｉｄｅ  Ｇａｔｅ）方式ではこの傾向が著しい。
【０００６】
そこで、ワイヤの径が細くなっても、ワイヤへの負荷を低減できる圧縮モールド（Ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ）方式が有効とされている。圧縮モールド方式の場合、封止体を形成するために、パウダ状の樹脂を、金型をクランプする前に、キャビティに投入する。しかし、金型は成型時間を短縮するために、通常、封止時の温度に加熱・保持されており、この熱の影響で、キャビティに投入された樹脂の硬化が始まってしまう。
【０００７】
特に、投入された粉末状樹脂の量が少ないため、少しでも熱が伝わると、硬化反応が開始されやすい。また、たとえ粉末状樹脂をフィルム上に配置したとしても、フィルムが金型に接触していると、金型の熱が伝わり、やはり樹脂の硬化が始まってしまう。これにより、樹脂成型が困難となる。
【０００８】
本願発明は、これらの課題を解決するためになされたものである。
【０００９】
本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置の製造プロセスを提供することにある。
【００１０】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００１２】
すなわち、本願発明は、一括封止方式により有機配線基板上の複数の半導体チップを上下金型を含むモールド金型を用いた圧縮モールド法により、レジン封止する半導体装置の製造方法において、封止用レジン材料をあらかじめ離型フィルム上に供給し、その後、上下金型間の間隔を狭めた状態で、離型フィルムの封止用レジン材料が供給された部分を下金型にセットし、複数の半導体チップが固定された有機配線基板を装着した上金型を下金型を閉じて、キャビティ内の封止用レジン材料を加圧することにより、複数の半導体チップをレジン封止するものである。
【発明の効果】
【００１３】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。
【００１４】
すなわち、一括封止方式により有機配線基板上の複数の半導体チップを上下金型を含むモールド金型を用いた圧縮モールド法により、レジン封止する半導体装置の製造方法において、封止用レジン材料をあらかじめ離型フィルム上に供給する。その後、上下金型間の間隔を狭めた状態で、離型フィルムの封止用レジン材料が供給された部分を下金型にセットし、複数の半導体チップが固定された有機配線基板を装着した上金型を下金型を閉じて、キャビティ内の封止用レジン材料を加圧する。このように複数の半導体チップをレジン封止するので、離型フィルムの下金型へのセットから上下金型の閉鎖までの期間を短縮することができ、その間に封止用レジン材料がその場で不所望に硬化することを回避することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
〔実施の形態の概要〕
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。
【００１６】
１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド・キャビティを上面に有する下金型と、第１の間隔よりも大きな間隔を置いて対向する上金型の下面に、マトリクス状に配置された複数の半導体チップが固定されたデバイス面を有する有機配線基板をそのデバイス面を下向きにして、セットする工程；
（ｂ）離型フィルムのほぼ水平に張られた上面に封止用レジン材料を供給する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記離型フィルムの前記封止用レジン材料が供給された部分が前記モールド・キャビティの上方に来るように、前記離型フィルムを前記下金型と前記上金型の間の空間に、相対的に移動させる工程；
（ｄ）前記工程（ａ）の後、前記下金型と前記上金型の間の間隔を前記第１の間隔まで縮小させる工程；
（ｅ）前記工程（ｃ）の後、前記下金型と前記上金型の間の間隔が前記第１の間隔と等しいか、または、それよりも狭い状態で、前記離型フィルムを前記下金型の前記上面にセットする工程；
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記下金型と前記上金型を閉じる工程；
（ｇ）前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記モールド・キャビティ内の前記封止用レジン材料を加圧する工程；
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記下金型と前記上金型を開く工程；
（ｉ）前記工程（ｈ）の後、前記複数の半導体チップを一括して封止するレジン封止体が前記デバイス面上に形成された前記有機配線基板を前記上金型の前記下面から取り外す工程。
【００１７】
２．前記１項の半導体装置の製造方法において、前記封止用レジン材料は粉末状である。
【００１８】
３．前記１または２項の半導体装置の製造方法において、前記封止用レジン材料は難燃性である。
【００１９】
４．前記１から３項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む：
（ｊ）前記工程（ｂ）の前に、前記有機配線基板の状態に基づいて、前記封止用レジン材料を計量する工程。
【００２０】
５．前記１から４項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記複数の半導体チップの各半導体チップ上の複数のボンディング・パッドと前記有機配線基板の前記デバイス面上の複数のリード間は、それぞれ、直径２０マイクロ・メートル以下の金を主要な成分とするボンディング・ワイヤでボンディングされている。
【００２１】
６．前記５項の半導体装置の製造方法において、各半導体チップ上の複数のボンディング・パッドのチッチは、５０マイクロ・メートル以下である。
【００２２】
７．前記１から６項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）において、前記封止用レジン材料が供給される部分及びその周辺の前記離型フィルムは、ほぼ平坦である。
【００２３】
８．前記１から７項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）において、供給された前記封止用レジン材料は、前記モールド・キャビティの差し渡しの寸法の範囲にわたり、ほぼ均一な厚さを有する。
【００２４】
９．前記１から８項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、更に、以下の工程を含む：
（ｋ）前記工程（ｉ）の後、前記有機配線基板および、その上の前記レジン封止体を、ＸＹ方向に一括して切断することによって、複数の半導体装置になるように、複数の領域に分離する工程。
【００２５】
１０．前記９項の半導体装置の製造方法において、前記複数の半導体装置の各々は、複数の半導体チップを含む。
【００２６】
１１．前記９または１０項の半導体装置の製造方法において、前記複数の半導体装置の各々は、３５０個以上の外部端子を有する。
【００２７】
１２．前記１から１１項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｇ）は以下の下位工程を含む：
（ｇ１）前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記封止用レジン材料の余剰部分を前記モールド・キャビティの外部に排出する工程；
（ｇ２）前記下位工程（ｇ１）の後、前記工程の後、前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記モールド・キャビティ内の前記封止用レジン材料を加圧する工程。
【００２８】
１３．前記１から１２項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、以下の下位工程を含む：
（ｂ１）離型フィルムのほぼ水平に張られた上面に、前記モールド・キャビティの輪郭にほぼ対応する図形を描くように、前記封止用レジン材料の一部である封止用液状レジン材料を供給する工程；
（ｂ２）上記工程（ｂ１）の後、前記離型フィルムの前記上面の前記封止用液状レジン材料による前記図形の内部に、前記封止用レジン材料の他の一部である封止用粉末状レジン材料を供給する工程。
【００２９】
１４．前記１３項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｇ）は以下の下位工程を含む：
（ｇ１）前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記封止用液状レジン材料を前記モールド・キャビティの外部に排出する工程；
（ｇ２）前記下位工程（ｇ１）の後、前記工程の後、前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記モールド・キャビティ内の前記封止用粉末状レジン材料を加圧する工程。
【００３０】
１５．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド・キャビティを上面に有する下金型と、第１の間隔よりも大きな間隔を置いて対向する上金型の下面に、マトリクス状に配置された複数の半導体チップが固定されたデバイス面を有する有機配線基板をそのデバイス面を下向きにして、セットする工程；
（ｂ）ほぼ平坦な離型フィルムのほぼ水平に張られた上面に封止用レジン材料を供給する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記離型フィルムの前記封止用レジン材料が供給された部分が前記モールド・キャビティの上方に来るように、前記離型フィルムを前記下金型と前記上金型の間の空間に、相対的に移動させる工程；
（ｄ）前記工程（ａ）の後、前記下金型と前記上金型の間の間隔が前記第１の間隔と等しいか、または、それよりも狭い状態で、前記離型フィルムを前記下金型の前記上面にセットする工程；
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記下金型と前記上金型を閉じる工程；
（ｆ）前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記モールド・キャビティ内の前記封止用レジン材料を加圧する工程；
（ｇ）前記工程（ｆ）の後、前記下金型と前記上金型を開く工程；
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記複数の半導体チップを一括して封止するレジン封止体が前記デバイス面上に形成された前記有機配線基板を前記上金型の前記下面から取り外す工程。
【００３１】
１６．前記１５項の半導体装置の製造方法において、前記封止用レジン材料は粉末状である。
【００３２】
１７．前記１５または１６項の半導体装置の製造方法において、前記封止用レジン材料は難燃性である。
【００３３】
１８．前記１５から１７項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む：
（ｊ）前記工程（ｂ）の前に、前記有機配線基板の状態に基づいて、前記封止用レジン材料を計量する工程。
【００３４】
１９．前記１５から１８項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記複数の半導体チップの各半導体チップ上の複数のボンディング・パッドと前記有機配線基板の前記デバイス面上の複数のリード間は、それぞれ、直径２０マイクロ・メートル以下の金を主要な成分とするボンディング・ワイヤでボンディングされている。
【００３５】
２０．前記１９項の半導体装置の製造方法において、各半導体チップ上の複数のボンディング・パッドのチッチは、５０マイクロ・メートル以下である。
【００３６】
２１．前記１５から２０項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）において、供給された前記封止用レジン材料は、前記モールド・キャビティの差し渡しの寸法の範囲にわたり、ほぼ均一な厚さを有する。
【００３７】
２２．前記１５から２１項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、更に、以下の工程を含む：
（ｋ）前記工程（ｉ）の後、前記有機配線基板および、その上の前記レジン封止体を、ＸＹ方向に一括して切断することによって、複数の半導体装置になるように、複数の領域に分離する工程。
【００３８】
２３．前記２２項の半導体装置の製造方法において、前記複数の半導体装置の各々は、複数の半導体チップを含む。
【００３９】
２４．前記２２または２３項の半導体装置の製造方法において、前記複数の半導体装置の各々は、３５０個以上の外部端子を有する。
【００４０】
２５．前記１５から２４項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｇ）は以下の下位工程を含む：
（ｇ１）前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記封止用レジン材料の余剰部分を前記モールド・キャビティの外部に排出する工程；
（ｇ２）前記下位工程（ｇ１）の後、前記工程の後、前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記モールド・キャビティ内の前記封止用レジン材料を加圧する工程。
【００４１】
２６．前記１５から２５項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）は、以下の下位工程を含む：
（ｂ１）離型フィルムのほぼ水平に張られた上面に、前記モールド・キャビティの輪郭にほぼ対応する図形を描くように、前記封止用レジン材料の一部である封止用液状レジン材料を供給する工程；
（ｂ２）上記工程（ｂ１）の後、前記離型フィルムの前記上面の前記封止用液状レジン材料による前記図形の内部に、前記封止用レジン材料の他の一部である封止用粉末状レジン材料を供給する工程。
【００４２】
２７．前記２６項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｇ）は以下の下位工程を含む：
（ｇ１）前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記封止用液状レジン材料を前記モールド・キャビティの外部に排出する工程；
（ｇ２）前記下位工程（ｇ１）の後、前記工程の後、前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記モールド・キャビティ内の前記封止用粉末状レジン材料を加圧する工程。
【００４３】
２８．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド・キャビティを上面に有する下金型と、第１の間隔よりも大きな間隔を置いて対向する上金型の下面に、マトリクス状に配置された複数の半導体チップが固定されたデバイス面を有する有機配線基板をそのデバイス面を下向きにして、セットする工程；
（ｂ）離型フィルムのほぼ水平に張られた上面に、前記モールド・キャビティの輪郭にほぼ対応する図形を描くように、封止レジン材料の一部である封止用液状レジン材料を供給する工程；
（ｃ）上記工程（ｂ）の後、前記離型フィルムの前記上面の前記封止用液状レジン材料による前記図形の内部に、前記封止レジン材料の他の一部である封止用粉末状レジン材料を供給する工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、前記離型フィルムの前記封止用粉末状レジン材料が供給された部分が前記モールド・キャビティの上方に来るように、前記離型フィルムを前記下金型と前記上金型の間の空間に、相対的に移動させる工程；
（ｅ）前記工程（ａ）の後、前記下金型と前記上金型の間の間隔が前記第１の間隔と等しいか、または、それよりも狭い状態で、前記離型フィルムを前記下金型の前記上面にセットする工程；
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記下金型と前記上金型を閉じる工程；
（ｇ）前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記モールド・キャビティ内の前記封止用液状レジン材料および前記封止用粉末状レジン材料を加圧する工程；
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記下金型と前記上金型を開く工程；
（ｉ）前記工程（ｈ）の後、前記複数の半導体チップを一括して封止するレジン封止体が前記デバイス面上に形成された前記有機配線基板を前記上金型の前記下面から取り外す工程。
【００４４】
２９．前記２８項の半導体装置の製造方法において、前記封止用レジン材料は難燃性である。
【００４５】
３０．前記２８または２９項の半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む：
（ｊ）前記工程（ｃ）の前に、前記有機配線基板の状態に基づいて、前記封止用粉末状レジン材料を計量する工程。
【００４６】
３１．前記２８から３０項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記複数の半導体チップの各半導体チップ上の複数のボンディング・パッドと前記有機配線基板の前記デバイス面上の複数のリード間は、それぞれ、直径２０マイクロ・メートル以下の金を主要な成分とするボンディング・ワイヤでボンディングされている。
【００４７】
３２．前記３１項の半導体装置の製造方法において、各半導体チップ上の複数のボンディング・パッドのチッチは、５０マイクロ・メートル以下である。
【００４８】
３３．前記２８から３２項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｃ）において、前記封止用粉末状レジン材料が供給される部分及びその周辺の前記離型フィルムは、ほぼ平坦である。
【００４９】
３４．前記２８から３３項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｃ）において、供給された前記封止用粉末状レジン材料は、前記モールド・キャビティの差し渡しの寸法の範囲にわたり、ほぼ均一な厚さを有する。
【００５０】
３５．前記２８から３４項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、更に、以下の工程を含む：
（ｋ）前記工程（ｉ）の後、前記有機配線基板および、その上の前記レジン封止体を、ＸＹ方向に一括して切断することによって、複数の半導体装置になるように、複数の領域に分離する工程。
【００５１】
３６．前記３５項の半導体装置の製造方法において、前記複数の半導体装置の各々は、複数の半導体チップを含む。
【００５２】
３７．前記３５または３６項の半導体装置の製造方法において、前記複数の半導体装置の各々は、３５０個以上の外部端子を有する。
【００５３】
３８．前記２８から３７項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｇ）は以下の下位工程を含む：
（ｇ１）前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記封止用液状レジン材料を前記モールド・キャビティの外部に排出する工程；
（ｇ２）前記下位工程（ｇ１）の後、前記工程の後、前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記モールド・キャビティ内の前記封止用粉末状レジン材料を加圧する工程。
【００５４】
３９．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド・キャビティを上面に有する下金型と、第１の間隔よりも大きな間隔を置いて対向する上金型の下面に、マトリクス状に配置された複数の半導体チップが固定されたデバイス面を有する有機配線基板をそのデバイス面を下向きにして、セットする工程；
（ｂ）離型フィルムのほぼ水平に張られた上面に封止用レジン材料を供給する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記離型フィルムの前記封止用レジン材料が供給された部分が前記モールド・キャビティの上方に来るように、前記離型フィルムを前記下金型と前記上金型の間の空間に、相対的に移動させる工程；
（ｄ）前記工程（ａ）の後、前記下金型と前記上金型の間の間隔が前記第１の間隔と等しいか、または、それよりも狭い状態で、前記離型フィルムを前記下金型の前記上面にセットする工程；
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記下金型と前記上金型を閉じる工程；
（ｆ）前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記封止用レジン材料の余剰部分を前記モールド・キャビティの外部に排出する工程；
（ｇ）前記工程の後、前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記モールド・キャビティ内の前記封止用レジン材料を加圧する工程；
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記下金型と前記上金型を開く工程；
（ｉ）前記工程（ｈ）の後、前記複数の半導体チップを一括して封止するレジン封止体が前記デバイス面上に形成された前記有機配線基板を前記上金型の前記下面から取り外す工程。
【００５５】
４０．前記３９項の半導体装置の製造方法において、前記封止用レジン材料は粉末状である。
【００５６】
４１．前記３９または４０項の半導体装置の製造方法において、前記封止用レジン材料は難燃性である。
【００５７】
４２．前記３９から４１項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む：
（ｊ）前記工程（ｂ）の前に、前記有機配線基板の状態に基づいて、前記封止用レジン材料を計量する工程。
【００５８】
４３．前記３９から４２項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記複数の半導体チップの各半導体チップ上の複数のボンディング・パッドと前記有機配線基板の前記デバイス面上の複数のリード間は、それぞれ、直径２０マイクロ・メートル以下の金を主要な成分とするボンディング・ワイヤでボンディングされている。
【００５９】
４４．前記４３項の半導体装置の製造方法において、各半導体チップ上の複数のボンディング・パッドのチッチは、５０マイクロ・メートル以下である。
【００６０】
４５．前記３９から４４項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）において、前記封止用レジン材料が供給される部分及びその周辺の前記離型フィルムは、ほぼ平坦である。
【００６１】
４６．前記３９から４５項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｂ）において、供給された前記封止用レジン材料は、前記モールド・キャビティの差し渡しの寸法の範囲にわたり、ほぼ均一な厚さを有する。
【００６２】
４７．前記３９から４６項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、更に、以下の工程を含む：
（ｋ）前記工程（ｉ）の後、前記有機配線基板および、その上の前記レジン封止体を、ＸＹ方向に一括して切断することによって、複数の半導体装置になるように、複数の領域に分離する工程。
【００６３】
４８．前記４７項の半導体装置の製造方法において、前記複数の半導体装置の各々は、複数の半導体チップを含む。
【００６４】
４９．前記４７または４８項の半導体装置の製造方法において、前記複数の半導体装置の各々は、３５０個以上の外部端子を有する。
【００６５】
５０．前記１から４９項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記離型フィルムを前記下金型の前記上面にセットする工程は、以下の下位工程を含む：
（１）前記離型フィルムを前記下金型の前記上面に接触するように、相対的に下方に移動させる工程；
（２）前記下位工程（１）の後、前記離型フィルムを前記モールド・キャビティの表面に真空吸着させる工程。
【００６６】
５１．前記１５から５０項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記離型フィルムを前記下金型の前記上面にセットする工程は、前記下金型と前記上金型の間の間隔が前記第１の間隔と等しいか、または、それよりも狭い状態で実行される。
【００６７】
５２．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド・キャビティを上面に有する下金型と、第１の間隔よりも大きな間隔を置いて対向する上金型の下面に、複数の半導体チップが固定されたデバイス面を有する有機配線基板をそのデバイス面を下向きにして、セットする工程；
（ｂ）離型フィルムのほぼ水平に張られた上面に封止用粉末状レジン材料を供給する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記離型フィルムの前記封止用粉末状レジン材料が供給された部分が前記モールド・キャビティの上方に来るように、前記離型フィルムを前記下金型と前記上金型の間の空間に、相対的に移動させる工程；
（ｄ）前記工程（ａ）の後、前記下金型と前記上金型の間の間隔を前記第１の間隔まで縮小させる工程；
（ｅ）前記工程（ｃ）の後、前記下金型と前記上金型の間の間隔が前記第１の間隔と等しいか、または、それよりも狭い状態で、前記離型フィルムを前記封止用粉末状レジン材料が硬化する温度に加熱された前記下金型の前記上面にセットする工程；
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記下金型と前記上金型を閉じる工程；
（ｇ）前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記モールド・キャビティ内の前記封止用粉末状レジン材料を加圧する工程；
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記下金型と前記上金型を開く工程；
（ｉ）前記工程（ｈ）の後、前記複数の半導体チップを封止するレジン封止体が前記デバイス面上に形成された前記有機配線基板を前記上金型の前記下面から取り外す工程。
【００６８】
５３．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド・キャビティを上面に有する下金型と、第１の間隔よりも大きな間隔を置いて対向する上金型の下面に、複数の半導体チップが固定されたデバイス面を有する有機配線基板をそのデバイス面を下向きにして、セットする工程；
（ｂ）ほぼ平坦な離型フィルムのほぼ水平に張られた上面に封止用粉末状レジン材料を供給する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記離型フィルムの前記封止用粉末状レジン材料が供給された部分が前記モールド・キャビティの上方に来るように、前記離型フィルムを前記下金型と前記上金型の間の空間に、相対的に移動させる工程；
（ｄ）前記工程（ａ）および（ｃ）の後、前記離型フィルムを前記封止用粉末状レジン材料が硬化する温度に加熱された前記下金型の前記上面にセットする工程；
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、前記下金型と前記上金型を閉じる工程；
（ｆ）前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記モールド・キャビティ内の前記封止用粉末状レジン材料を加圧する工程；
（ｇ）前記工程（ｆ）の後、前記下金型と前記上金型を開く工程；
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記複数の半導体チップを封止するレジン封止体が前記デバイス面上に形成された前記有機配線基板を前記上金型の前記下面から取り外す工程。
【００６９】
５４．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）モールド・キャビティを上面に有する下金型と、第１の間隔よりも大きな間隔を置いて対向する上金型の下面に、複数の半導体チップが固定されたデバイス面を有する有機配線基板をそのデバイス面を下向きにして、セットする工程；
（ｂ）ほぼ平坦な離型フィルムのほぼ水平に張られた上面に封止用粉末状レジン材料を供給する工程；
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記離型フィルムの前記封止用粉末状レジン材料が供給された部分が前記モールド・キャビティの上方に来るように、前記離型フィルムを前記下金型と前記上金型の間の空間に、相対的に移動させる工程；
（ｄ）前記工程（ａ）の後、前記下金型と前記上金型の間の間隔を前記第１の間隔まで縮小させる工程；
（ｅ）前記工程（ｃ）の後、前記下金型と前記上金型の間の間隔が前記第１の間隔と等しいか、または、それよりも狭い状態で、前記離型フィルムを前記封止用粉末状レジン材料が硬化する温度に加熱された前記下金型の前記上面にセットする工程；
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記下金型と前記上金型を閉じる工程；
（ｇ）前記下金型と前記上金型を閉じた状態で、前記モールド・キャビティ内の前記封止用粉末状レジン材料を加圧する工程；
（ｈ）前記工程（ｇ）の後、前記下金型と前記上金型を開く工程；
（ｉ）前記工程（ｈ）の後、前記複数の半導体チップを封止するレジン封止体が前記デバイス面上に形成された前記有機配線基板を前記上金型の前記下面から取り外す工程。
【００７０】
５５．前記５２から５４項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記離型フィルムを前記下金型の前記上面にセットする工程は、以下の下位工程を含む：
（１）前記離型フィルムを前記下金型の前記上面に接触するように、相対的に下方に移動させる工程；
（２）前記下位工程（１）の後、前記離型フィルムを前記モールド・キャビティの表面に真空吸着させる工程。
【００７１】
５６．前記５２から５５項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記封止用レジン材料は粉末状である。
【００７２】
５７．前記５２から５６項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記封止用レジン材料は難燃性である。
【００７３】
５８．前記５２から５７項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む：
（ｊ）前記工程（ｂ）の前に、前記有機配線基板の状態に基づいて、前記封止用レジン材料を計量する工程。
【００７４】
５９．前記５２から５８項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記複数の半導体チップの各半導体チップ上の複数のボンディング・パッドと前記有機配線基板の前記デバイス面上の複数のリード間は、それぞれ、直径２０マイクロ・メートル以下の金を主要な成分とするボンディング・ワイヤでボンディングされている。
【００７５】
〔本願における記載形式・基本的用語・用法の説明〕
１．本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００７６】
２．同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を主要な構成要素のひとつとするものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、SiGe合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。また、金メッキ、銅層、ニッケル・メッキ等といっても、そうでない旨、特に明示した場合を除き、純粋なものだけでなく、それぞれ金、銅、ニッケル等を主要な成分とする部材を含むものとする。
【００７７】
３．同様に、図形、位置、属性等に関して、好適な例示をするが、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、厳密にそれに限定されるものではないことは言うまでもない。まとえば、「矩形」または「ほぼ矩形」というときは、厳密な正方形又は長方形のみでなく、それらに類似したものを含む。たとえば、四隅を面取りした又は丸みを帯びさせた変形された正方形は矩形である。正方形を例にとれば、一般的に面取り等により、理想的正方形から除外された部分の面積が、前記理想的正方形の面積の１５％未満である場合は、変形された正方形は矩形である。
【００７８】
４．さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００７９】
５．「ウエハ」というときは、通常は半導体装置（半導体集積回路装置、電子装置も同じ）をその上に形成する単結晶シリコンウエハを指すが、ＳＯＩウエハ、エピタキシャルウエハ、絶縁基板と半導体層等の複合ウエハ等も含むことは言うまでもない。
【００８０】
６．「半導体チップ」というときは、一般的にはウエハ分割工程(ブレードダイシング、レーザダイシングその他のペレタイズ工程)後の半導体デバイス又は半導体集積回路を形成したダイ等を指す。ここでは主としてシリコン系のチップ（ガラス基板等にシリコン系半導体層を形成したもの等も含む、以下同じ）を、例にとって説明するが、GaAs系その他のデバイス・チップであってもよい。
【００８１】
７．「配線基板」というときは、一般的にはフレキシブル配線基板等を含む有機配線基板、セラミック配線基板、金属リードフレーム等の外、他のチップ、ウエハその他の薄膜状集積回路装置を指す。チップは配線基板上の単位デバイス領域内に設けられたダイ・ボンディング領域内に直接または他のチップを介して、ダイ・ボンディングされる。「多層配線基板」の「多層」とは、３層以上の配線層を有するものを言う。１枚のコア絶縁板の両面に配線層を形成したものは、単層基板（単層基板には、単層片面基板と単層両面基板がある）である。「有機配線基板」とは、一部にグラス・ファイバのような無機物を多量に含んでいても、主要な構成が有機樹脂である場合を含む。たとえば、ガラス・エポキシ基板は、典型的な有機配線基板である。これと反対に、表面に有機物であるポリイミド系絶縁層を有するセラミック配線基板は、主要な構成がセラミックであるので、一般的に有機配線基板ではない。
【００８２】
８．本願で主に取り扱う「圧縮モールド」では、金型は上金型、（中金型）および下金型（以下の例では典型的な意味での中金型がない）が閉じたときにできる空間にできた各種の空間領域を用いてレジンを溶融、充填、キュアー進行によって、レジン封止体を形成する。この過程を説明する際、前記各種の空間領域、すなわち、被封止物主要部を収容するキャビティ部等の金型に関する部分と、封止レジンによる封止体（配線基板上の領域を含む）のそれらに対応する部分の間で参照番号を共用する場合がある。なお、封止技術においては、金型の金属部分が意味を持つのではなく、その空隙部に意味があるので、図に表示する場合に、一部で、金型の金属部分を省略して、充填部材のみを明示する場合がある。
【００８３】
９．レジン材料について「粉末状」というときは、パウダー状、顆粒状、ショット状等のモールド・キャビティの最長差し渡し寸法に比較して小さい径又は差し渡し寸法の粒子状固体部材を含むものとする。
【００８４】
１０．封止装置および配線基板について、「上」または「下」を含む用語については、若干注意が必要である。「下金型」というときは、重力の方向に一致しており、その「上面」は重力の方向と反対方向である。しかし、通常、配線基板の片面に半導体チップを搭載するときは、習慣的に（一般のプロセス処理では大半、上面を上にして行われるためである）、重力の方向にかかわらず、その面を「デバイス面又は上面」と呼ぶ。従って、上金型の下面（重力の方向）に配線基板をセットするときは、通常、下向きにするので、配線基板の上面は、下向きになる。同じ状況は、パッケージ・ダイシングの際にも起こる。これらの状況では、配線基板の上面は下を向いているが、特にそうでない旨、明示した場合を除き、やはり、「上面」と呼ぶ。
【００８５】
１１．「上下金型間隔」は、特にそうでない旨、明示した場合を除き、グラフ表記上の便宜のために、キャビティ・ブロック上面から配線基板上面（上金型に取り付けた状態で重力の方向すなわち下方を向いた面）までの間隔とする。
【００８６】
なお、下の金型の上面と上金型の下面等には、基板または離型フィルムを真空吸着するための多数の微細孔が設けられているが、図面の明瞭性を確保するために図面上では表示していない。
【００８７】
〔実施の形態の詳細〕
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００８８】
１．本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスおよびそれに用いるレジン封止装置等の説明（主に図１から図１７、及び図２７）
図１は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスの封止装置＆デバイス断面プロセス・フロー図（配線基板取り付け＆レジン材料計量工程）である。図２は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスの封止装置＆デバイス断面プロセス・フロー図（離型フィルムへのレジン材料供給＆上下金型間隔狭隘化工程）である。図３は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスの封止装置＆デバイス断面プロセス・フロー図（レジン材料の上下金型間への移送工程）である。図４は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスの封止装置＆デバイス断面プロセス・フロー図（離型フィルムの下金型への降下＆着地工程）である。図５は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスの封止装置＆デバイス断面プロセス・フロー図（離型フィルムの下金型への吸着工程）である。図６は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスの封止装置＆デバイス断面プロセス・フロー図（上下金型仮クランプ＆キャビティ内減圧工程）である。図７は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスの封止装置＆デバイス断面プロセス・フロー図（上下金型本クランプ＆樹脂圧縮キュア工程）である。図８は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスの封止装置＆デバイス断面プロセス・フロー図（上下金型開放＆基板取り出し工程）である。図９は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスのブロック・フロー図である。図１０は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスのタイム・チャートである。図１１は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するモールド装置の上面図である。図１２は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するモールド装置の封止用レジン材料供給ユニットにある篩部の上面図である。図１３は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するモールド装置の封止用レジン材料供給ユニットにある篩部の側断面図（図１に対応）である。図１４は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するモールド装置の封止用レジン材料供給ユニットにある篩部の側断面図（図２に対応）である。図１５は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するモールド装置のプレス・ユニットの下金型の上面を上金型を透視して見た下金型上面図（上金型にあるＯリングを点線で、２種類の配線基板の輪郭を一点破線で表示）である（Ｙ−Ｙ’断面が図１から図８に対応している）。図１６は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスによって封止された封止体（図１から図８に対応）を有する有機配線基板の上面図（図１６（ａ））およびＸ−Ｘ’断面に対応する断面図（図１６（ｂ））である（煩雑を避けるためフローゲートに起因する構造の詳細は表示せず）。図１７は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスによって封止された封止体（その他の例）を有する有機配線基板の上面図（図１６（ａ））およびＸ−Ｘ’断面に対応する断面図（図１６（ｂ））である（煩雑を避けるためフローゲートに起因する構造の詳細は表示せず）。図２７は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するモールド装置のその他のプレス・ユニットの下金型の上面を上金型を透視して見た下金型上面図（上金型にあるＯリングを点線で、２種類の配線基板の輪郭を一点破線で表示）である（Ｙ−Ｙ’断面が図１から図８に対応している）。これらに基づいて、本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセス１５４(図９)およびそれに用いるレジン封止装置等を説明する。
【００８９】
まず、図９の封止用レジン材料準備工程１２５を説明する。図１９に示すような状態の有機配線基板１（セクション２で詳述する）が、図１１に示すような一貫圧縮モールド装置８１のロード・ユニット８２に受け入れられる。この基板１は検査ユニット８３で光学画像観測系でその上面１ａを検査され、半導体チップ２のない場所１１ａが計数される（図９のチップ有無検査ステップ１１０）。次に、配線基板搬送ユニット８４の搬送アーム６２（図１）が配線基板１を下向きに保持して、プレス・ユニット８５に移動し、図１に示すように、上金型５１の本体ブロック５２の下面に配線基板１を位置合わせしてセットする。ほぼ同時に本体ブロック５２の下面の真空引きが開始されて、基板を保持する（図９の配線基板取り付けステップ１１２）。この配線基板取り付けステップ１１２においては、通常、上下金型間隔Ｍは、たとえば２００ミリメートル程度であり、後の狭小化時の最大間隔Ｍ２（たとえば５０ミリメートル程度）と比較して、２００％から６００％程度広い値となっている。これは配線基板搬送ユニット８４の搬送アーム６２の厚さに由来する。
【００９０】
ここで、以下の説明の便宜ために、プレス・ユニット８５及びその周辺のモールド装置８１の構造を簡単に説明する。図１に示すように、プレス・ユニット８５にはプレス機構の間に、下金型５５および上金型５１が設けられており、その間をほぼ水平に張られた離型フィルム４（たとえば、５０マイクロ・メートル程度の厚さのＰＥＴ，またはＰＥＮ部材その他の耐熱性樹脂が好適である。）が貫通する構造となっている。上金型５１は、先の本体ブロック５２、枠部５３、これを本体ブロック５２と連結させる弾性機構６５、および枠部５３の下面に取り付けられたＯリング５４（下金型５５の上面５６ａとで真空又は減圧を保持するためのものである）等が本体ブロック５２を介して、上側プレス・ブロックに固定されている。下金型５５は、キャビティ・ブロック５６、枠部５７、これとキャビティ・ブロック５６の上面５６ａが形成する凹部であるモールド・キャビティ６１、枠部５７をキャビティ・ブロック５６と連結させる弾性機構６６、フロー・キャビティ６４内を加圧するフロー・キャビティ・プランジャ６３、およびモールド・キャビティ６１とフロー・キャビティ６４間のフロー・ゲート６７等から構成されている。先のキャビティ・ブロック５６は下側プレス・ブロック（図５）上に固定されており、枠部５７は弾性機構６６を介して、下側プレス・ブロック５０に固定されている。
【００９１】
先の離型フィルム４は、送出ロール４ｃから除電ブロー装置７１により除電された後、ほぼ水平に送り出され、巻き取りロール４ｅによって、巻き取られる。この送り機構は、離型フィルム４の封止用レジン材料が供給された部分４ｒをほぼ水平に保った状態で上下金型間に移送するためにも使用される。送出ロール４ｃの近傍の離型フィルム４の上面４ａおよび下面４ｂの付近には、封止用レジン材料供給ユニット８８（図１１）が設けられている。封止用レジン材料供給ユニット８８は、封止用レジン材料５を収容した計量カップ、篩６０、および離型フィルム４の下面４ｂをほぼ水平に保持するバックアップ・ボード５９等から構成されている。なお、離型フィルム４はエンボス、凹凸、または波打ち等がなく、ほぼ平坦であることが好適である。これは均一なレジン材料の堆積（均一な初差を有するように堆積することが望ましい）を実現するためである。
【００９２】
図９の配線基板取り付けステップ１１２と平行して、封止用レジン材料供給ユニット８８が動作する。図９のチップ有無検査ステップ１１０の結果に基づいて（この代わりに、先行する別工程である配線基板検査工程１５１の検査情報に基づいてもよいし、配線基板検査工程１５１の検査情報およびチップ有無検査ステップ１１０の結果の両方に基づいてもよい。一方のみに基づく場合は、いずれかの検査を省略でき、両方のデータを参照する場合は精度の向上が期待できる）、図１に示すように、計量カップ５８が所望量の封止用レジン材料５（たとえば封止用粉末状レジン材料）を下部の篩６０上に均一に分布させる（レジン材料計量ステップ１１１）。これは、必要なレジン量を正確に測定して、パッケージの厚さを常に一定にするためである。ここで、チップ有無検査ステップ１１０およびレジン材料計量ステップ１１１は、一定量の封止用レジン材料を供給すればよい場合には、省略することができる。たとえば、パッケージの厚さが若干変化してもよい場合や以下で説明するように、フロー・キャビティ等を使用する関係でパッケージの厚さが封止用レジン材料の供給量に依存しない場合である。
【００９３】
次に、図２に示すように、篩６０上の封止用レジン材料５（通常は粉末状レジンであり、Ｂステージのエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、硬化剤、触媒、シリカ粉末等の充填剤、シリコーン等の可とう剤、カップリング剤、内部離型剤、難燃剤、および着色剤等の組成物である。）が離型フィルム４の上面４ａに供給される（図９のレジン材料供給ステップ１１３）。供給量は、たとえば５グラム程度である。この供給が終わると、篩６０およびバックアップ・ボードは離型フィルム４から離れる。このレジン材料供給ステップ１１３の封止用レジン材料供給ユニットの動作を詳述する。図１２に示すように、篩６０の平面構造は周辺の枠と内部のメッシュ６０ａ等から構成されている。図１３に示すように、このメッシュ６０ａの上に封止用粉末状レジン材料５が、ほぼ均一に分布するように堆積される。このとき、メッシュ６０ａの下側には、シャッタ６０ｂがあり、閉鎖されているので、封止用粉末状レジン材料５は篩６０上に保持されている。次に、図14に示すように、シャッタ６０ｂが開くと、封止用粉末状レジン材料５は離型フィルム４の上面４ａに移動し、その後、篩６０は退避する。
【００９４】
図９のレジン材料供給ステップ１１３と相前後して、配線基板取り付けステップ１１２の後、図２および図１０に示すようにｔ１からｔ２の間（たとえば７秒程度）において、上金型５１が上昇して（下金型が上昇しても、両方が接近してもよい）金型間隔ＭをＭ２又はそれ以下まで狭小化する（図９の上下金型間隔狭小化ステップ１１５）。続いて、図３に示すように図１０のｔ２からｔ３の間（たとえば１０秒程度）において、ローラ４ｃ、４ｅが回転して、離型フィルム４の封止用レジン材料が供給された部分４ｒをキャビティ６１の上空に移動させる（図９のキャビティ上空への移動ステップ１１４）。これで封止用レジン材料準備１２５が完了する。なお、図９または図１０に示すように、上下金型間隔狭小化ステップ１１５は、キャビティ上空への移動ステップ１１４の前に限らず、キャビティ上空への移動ステップ１１４の後に実施してもよいし、同時に実施してもよい。ただ、キャビティ上空への移動ステップ１１４の前に実施する方が、全体の時間を短縮化しやすいメリットがある。また、配線基板取り付けステップ１１２は上下金型間隔狭小化ステップ１１５の前に実行することが望ましい。これは、配線基板搬送ユニット８４の搬送アーム６２等の厚さが１５０ミリメートル程度あるためであるが、これを４５ミリ程度に薄くすれば、上下金型間隔狭小化ステップ１１５の後に配線基板取り付けステップ１１２を実行することが可能である。また、その場合は、上下金型間隔を初めから上下金型間隔狭小化時の最大間隔Ｍ２又はそれ以下に設定しておくことも可能である。
【００９５】
次に、図４に示すように図１０のｔ２からｔ３の間において、離型フィルム４を下金型５５に向かって降下させ、枠部５７の上面５７ａに着地させる（図９の離型フィルム着地ステップ１１６）。続いて、図５に示すように図１０のｔ２からｔ３の間において、キャビティ・ブロック５６の上面ａおよび枠部５７の上面５７ａの真空吸引孔から真空引きして、離型フィルム４を下金型５５に吸引する（図９の下金型真空吸引ステップ１１７）。これで図９の離型フィルムの下金型へのセット工程１１８が完了する。なお、離型フィルムの下金型へのセット工程１１８の完了は、このタイミングに限らず、遅くとも以下に説明する金型の仮クランプ（図９の１１９）完了前に行えばよい。ただ、下金型真空吸引ステップ１１７は、できるだけ後に実施することが望ましい。すなわち、早くとも、上下金型間隔狭小化ステップ１１５の後（ここでは、上下金型間隔がＭ２と等しいか、または、それ以下である場合を示す）にすべきである。これは、一般に運転中は、上下金型表面は常に摂氏１７５度程度（たとえば摂氏１７０度から１８０度）に加熱されており、早期に接触させると、封止用レジン材料５の降下反応が早期に開始してしまい、キャビティ内でも必要な移動か上手く起こらなくなるからである。
【００９６】
次に、図１０及び図６に示すように図１０のｔ３からｔ４の間（たとえば３秒程度）において、下側プレス・ブロック５０に押し上げられて、下金型５５が上昇して、下金型５５の枠部５７の上面５７ａの部分の離型フィルム４の上面４ａが上金型５１の枠部５３の下面のＯリング５４に当たると（図１０の金型間隔Ｍ３）、仮クランプ状態となる（図９の上下金型閉鎖ステップ１１９）。すなわち、下面Ｏリング５４と側面Ｏリング６９によって、閉鎖空間６１（モールド・キャビティまたは実キャビティ）が作られている。続いて、図１０に示すように図１０のｔ４からｔ５の間（たとえば１秒程度）において、図６の状態でキャビティ減圧孔６８を通してキャビティ内減圧が開始される（図９のキャビティ内減圧ステップ１２０）。これは、ボイドの発生を抑制するためである。キャビティ内減圧ステップ１２０が終わると、図１０のｔ５からｔ６の間（たとえば４秒程度）において、再び下側プレス・ブロック５０に押し上げられて、下金型５５が上昇する。そうして、下金型５５の枠部５７の上面５７ａの部分の離型フィルム４の上面４ａが上金型５１の本体ブロック５２の下面にセットされた有機配線基板１の上面１ａに当たると、下金型５５の枠部５５ａの上昇は停止する。その後は、図７及び図１０に示すように図１０のｔ６からｔ７の間（たとえば６秒程度）において、下側プレス・ブロック５０に押し上げられて、下金型５５のキャビティ・ブロック５６のみが上昇して（図１０の下部の破線参照）、樹脂の充填を行う（図９の樹脂充填ステップ１２１）。
【００９７】
このとき、図１０に示すように、ほぼ同時にモールド・キャビティ６１からフロー・キャビティ６４へ余剰レジン３ｄが流れ込み、樹脂圧が基底値Ｐ１から中間値Ｐ２上昇する。これに伴って一時的にフロー・キャビティ・プランジャ６３が基底位置Ｎ１から下方位置Ｎ２方向へ降下する（この降下によってフロー・キャビティ６４が拡大する）。このフロー・キャビティ・プランジャ６３は、モールド・キャビティ６１内の樹脂圧を感知するセンサから信号を受けるアクチュエータによって駆動されており、フロー・キャビティ６４内の樹脂圧がモールド・キャビティ６１内の樹脂圧に等しくなるようにされている。すなわち、そのことによって、モールド・キャビティ６１内の樹脂圧がフロー・キャビティ６４の存在によって不均等にならないようにされている（すなわち、パッケージ周辺部でのボイドの発生を防止している）。
【００９８】
次に、図７及び図１０に示すように図１０のｔ７からｔ８の間（たとえば９０秒程度）において、下側プレス・ブロック５０からの圧力によって、キャビティ・ブロック５６が樹脂封止体３（レジン材料５）を圧縮した状態（樹脂加圧力はたとえば４．８ＭＰａから７．７ＭＰａ程度、クランプ圧はたとえば２から３Ｋｇ重/ｍｍ２）が継続し（キャビティ・ブロック５６の上昇はｔ７で、充填完了により、すでに停止している）、樹脂のキュアが進行する（図９の樹脂圧縮・キュア・ステップ１２２）。
【００９９】
このとき、ほぼ同時にフロー・キャビティ６４内の樹脂圧がモールド・キャビティ６１内の樹脂圧に追随して、封止時樹脂圧Ｐ３となるように、フロー・キャビティ・プランジャ６３の位置がＮ２に収束保持される。このようにキャビティ・ブロック５６を下側プレス・ブロック５０上に固定しているので、最終的なパッケージ厚さ精度を１０マイクロ・メータ程度又はそれ以下にすることができる。
【０１００】
次に、図８及び図１０に示すように図１０のｔ８からｔ９の間（たとえば５秒程度）において、下側プレス・ブロックが降下を開始すると、まず、キャビティ・ブロック５０が基準位置（枠部との関係で離型フィルムのセット時の相対位置関係）まで降下する。それに続いて、下金型全体５５が降下して、型開きが完了する（図９の上下金型を開くステップ１２３）。一方、フロー・キャビティ・プランジャ６３は時点ｔ８直後に、基準位置Ｎ１に戻り、フロー・キャビティ６４の樹脂加圧もほぼ同時に基準圧力Ｐ１に復帰する。
【０１０１】
その後、搬送アーム６２（図１）により保持された状態で、上金型本体ブロック５２の真空引きが解除されて、配線基板１が搬送アーム６２に移行して、上下金型の間から搬出され、アン・ロード・ユニット８７からモールド装置８１の外部へ排出される（図９の配線基板取り出しステップ１２４）。
【０１０２】
次に以上説明した下金型５５の要部、配線基板１、および下面Ｏリング５４等の相互関係を図１５から図１７および図２７に基づいて説明する。図１５に示すように、中央部に下金型５５の下部移動部であるキャビティ・ブロック５６であり、この上部がちょうどモールド・キャビティ６１（実キャビティ）になっている。金型構造としては、キャビティ・ブロック５６の外側は枠部５７である。モールド・キャビティ６１の両側には複数のフロー・ゲート６７を介して、フロー・キャビティ６４（ダミー・キャビティ）が設けられている。また、このフロー・キャビティ６４は図２７に示すように、４辺に設けることもできる。ただし、金型構造は複雑になる。これらと配線基板１，１’との位置関係は、二つの形態に分類される。第1形態は、配線基板１であり、フロー・キャビティ６４を全てカバーする配置となっている。一方、第２形態は、配線基板１’であり、フロー・キャビティ６４をその外部に位置させるものとなっている。第1形態は、不要レジン３ｄ（図１６参照）をダイシング工程で除去すればよいので、モールド工程内で不要レジン除去工程を実行する必要がないが、配線基板１の幅を大きく取る必要がある。また、余剰レジン３ｄの突出がないので、その後の配線基板１の搬送が簡単であるというメリットもある。
【０１０３】
一方、第２形態は、モールド工程内で不要レジン３ｄ（図１７参照）を除去工程を実行する必要があるが、配線基板１’の幅を大きく取る必要がないというメリットがある。そして、最外周部に、これらを囲むように、上金型51の枠部５３に設置された下面Ｏリング５４がある。
【０１０４】
なお、フロー・キャビティ６４があると、過剰なレジン材料がモールド・キャビティ６１外に排出されるので、計量された封止用レジン材料５が所望量から若干ずれたとしても、そのずれを吸収することができるので、パッケージ厚さを均一にできるメリットがある。従って、フロー・キャビティ６４を使用した場合には、レジン材料計量ステップ１１１（図９）において、比較的簡単な計量操作で済ませることが可能である。たとえば、品種に対応して一定量とすることも可能である。通常、不良サイト２ｆの発生率は、配線基板の不良等に起因して、５％から２０％程度と考えられている。
【０１０５】
また、言うまでもないことであるが、パッケージ厚さが若干変動してもよい場合、または、十分正確に計量可能な場合は、フロー・キャビティ６４を使用する必要がない。その場合は、金型の加工が簡単であるほか、仕様レジン材料も節約できるメリットがある。
【０１０６】
２．本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立て要部プロセス等の説明（主に図１８から図２３）
図１８は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組立工程主要部のブロック・フロー図である。図１９は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止工程前の有機配線基板の様子を示す上面図（図１９（ａ））およびＢ−Ｂ’断面に対応する部分断面図（図１９（ａ））である（封止体が形成されるべき部分の輪郭を一点破線で示す）。図２０は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるバンプ電極取り付け後の有機配線基板の様子を示す側面図である。図２１は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるパッケージ・ダイシング工程中の有機配線基板の様子を示す側面図である。図２２は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるパッケージ・ダイシング工程後の（ほぼ完成）半導体装置の様子を示すデバイス斜視図である。図２３は本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるパッケージ・ダイシング工程後の（ほぼ完成）半導体装置の様子を示すデバイス断面図である。これらに基づいて、本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立て要部プロセス等を説明する。
【０１０７】
図１８及び図１９に示すように、まず、有機配線基板１に不良がないかどうかを光学的に検査する（配線基板検査工程１５１）。ここで有機配線基板１は通常、ガラス・エポキシを主要な構成要素とするが、ＢＴレジンやアラミド不織布材、その他の樹脂等を使用したものでもよい。有機配線基板１の寸法は、幅４０から７０ミリ・メートル、長さ５０から１６０ミリ・メートルのものが多用されている。
【０１０８】
次に、配線基板検査工程１５１の結果得られた不良サイト・データに基づいて（以下ワイヤ・ボンディング工程及びレジン封止工程においても同じ。ただし、当該工程における画像認識との併用又は代替も可能である）、有機配線基板１のデバイス面１ａ（上面）の内の配線不良等のない単位デバイス領域１１に半導体チップ２をＤＡＦ（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈ  Ｆｉｌｍ）等の接着層を介してマトリクス状にダイ・ボンディングする（ダイ・ボンディング工程１５２）。次に、半導体チップ２の上面１ａのボンディング・パッド８（図２３参照、パッド・ピッチは、たとえば５０マイクロ・メートル程度又はそれ以下である。）と配線基板１の上面１ａ上のリード９との間を金線７（金を主要な成分とするボンディング・ワイヤで、その直径は２０マイクロ・メートルで、たとえば１８マイクロ・メートル程度（通常、２０マイクロ・メートル、１７マイクロ・メートル、１５マイクロ・メートル又はそれ以下の径のワイヤが使用される）である。もちろん、それ以外の径、すなわち２０マイクロ・メートルを超える径のワイヤを用いてもよい）で接続する（ワイヤ・ボンディング工程１５３）。このときの有機配線基板の状況を図１９により説明する。単位デバイス領域１１の中には、半導体チップのない単位デバイス領域１１ａ（不良サイト）がかなりの比率で含まれているので、一定量のレジン材料を供給して封止を実行すると、不良サイト１１ａが多い場合には、封止体３の厚さは、規定値より薄くなり、不良サイト１１ａが少ない場合には、封止体３の厚さは、規定値より厚くなる。従って、一般に、セクション1で説明した次のレジン封止工程では、不良サイト１１ａの数に応じて、供給する封止レジン材料の量を増減させる必要がある。
【０１０９】
セクション1で説明した次のレジン封止工程１５４が終わると、図２０に示すように、配線基板１の下面１ｂにバンプ電極６（鉛フリー半田バンプが好適である）が取り付けられる（図１８バンプ取り付け工程１５５）。次に、図２１に示すように、ダイシング・テープ１２に封止体３側を貼り付けた状態で、図１９のＸ方向ダイシング・ライン２１およびＹ方向ダイシング・ライン２２に沿って、回転ブレード９１等により切断する（いわゆる回転ブレードによるダイシングであるが、レーザ等によるダイシングでもよい。ただし、現時点では機械的なダイシングのほうが工程の信頼性は高い）ことで、図２２に示すような個々の半導体装置１０に分割する（パッケージ・ダイシング工程１５６）。このときの半導体装置１０の断面を図２３により説明する。図２３に示すように、ＳＯＰ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｏｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）形式またはＳＩＰ（Ｓｙｓｔｅｍ  ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）形式のデバイスでは、通常、チップ積層構造（通常、多重構造）となっており、たとえばチップ２ｘ上にチップ２ｙが固着されている。もちろん、非積層構造（単一チップまたは複数チップ平面配置）でもよいことは言うまでもない。なお、ワイヤ・ボンディングは通常、チップ１ｘ、ｙ上のボンディング・パッド８と配線基板１の上面１ａ上のリード９の間に接続されるが、積層構造または複数チップ平面配置では、異なるチップ間でのボンディング・パッド８間接続が行われることもある。ここに示したプロセスは、パッケージの厚さが１ミリ・メートル程度又はそれ以下のデバイスに主に適用されるが、それ以外の寸法のデバイスに適用してもよいことは言うまでもない。通常、ＳＯＰまたはＳＩＰ形式のデバイスでは多チップ化のために３５０個以上の外部端子を持つことが多い。なお、ここに示したプロセスは、外部端子数（バンプ数またはピン数）が３５０個程度又はそれ以上のデバイスに主に適用されるが、それ以下の外部端子数のデバイスに適用してもよいことは言うまでもない。
【０１１０】
３．本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法の中のレジン封止（圧縮モールド）プロセスにおける他の封止用レジン材料供給工程の説明（主に図２４から図２６）
セクション１において説明したように、圧縮モールドでは、封止用レジン材料５としては、性能面（液状レジンは難燃性ではない）、価格面（液状レジンは一桁程度価格が貴い）および取り扱いやすさの面（液状レジンは冷凍保存が必要）から有利な封止用粉末状レジン材料５ａが使用される。しかし、粉末状レジン５ａは静電気の影響を受けやすく、離型フィルム４上に粉末状レジン５ａを薄く且つ均一に分布させることは、状況によっては、必ずしも容易ではない。以下はこのような場合に有効な図９のレジン供給ステップ１１３の変形例である。
【０１１１】
図２４は本願発明のその他の実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスの離型フィルム上面図（液状レジン・ダム形成工程、図１及び図２に対応）である。図２５は本願発明のその他の実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスの離型フィルム上面図（離型フィルムへの封止用粉末状レジン材料供給工程、図１及び図２に対応）である。図２６は図２５に対応する断面図である。これらに基づいて、本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法の中のレジン封止（圧縮モールド）プロセスにおける他の封止用レジン材料供給工程を説明する。
【０１１２】
図２４に示すように、封止用液状レジン材料５ｂで離型フィルム４の上面４ａ上にモールド・キャビティ６１の輪郭にほぼ対応する図形の輪郭を描画する。次に、図２５に示すように、その図形の内部に封止用粉末状レジン材料５ａを供給する。このとき封止用レジン材料５の計量は、封止用液状レジン材料５ｂと封止用粉末状レジン材料５ａの全体が必要量に一致することになるので、あらかじめ図形の輪郭の長さを考慮して、必要な封止用粉末状レジン材料５ａを計量する必要がある。このようにすると、図２６に示すように、封止用粉末状レジン材料５ａの堆積領域の周辺に封止用液状レジン材料５ｂのダムが形成されているので、静電気等の影響で、封止用粉末状レジン材料５ａの堆積領域が不所望に拡散することを防止することができる。封止用液状レジン材料５ｂは封止用粉末状レジン材料５ａと比較して、難燃性にすることが難しいが、図１５や図２７に示すような、フロー・キャビティ６４を有する金型を使用すれば、ほとんどの封止用液状レジン材料５ｂはフロー・キャビティ６４に移動し、封止体３は、ほぼ難燃性の封止用粉末状レジン材料５ａのみから成型されることになる。特に、図２７に示すように、４辺にフロー・キャビティ６４を設けた金型を用いると、ほぼ完全に封止用液状レジン材料５ｂをモールド・キャビティ６１の外部に排除することができる。
【０１１３】
４．サマリ
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１１４】
例えば、前記実施の形態では主に多層有機配線基板上に半導体チップ（積層チップ含む）を取り付ける例を具体的に説明したが、本願発明はそれに限定されるものではなく、単層有機配線基板（フィルム上の配線基板を含む）、単層または多層のセラミック配線基板上に半導体チップを取り付けるものにも適用できることは言うまでもない。
【０１１５】
また、前記実施の形態では主にＭＡＰ封止方式について、具体的に説明したが、本願発明はそれに限定されるものではなく、個別封止方式等にも適用できることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスの封止装置＆デバイス断面プロセス・フロー図（配線基板取り付け＆レジン材料計量工程）である。
【図２】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスの封止装置＆デバイス断面プロセス・フロー図（離型フィルムへのレジン材料供給＆上下金型間隔狭隘化工程）である。
【図３】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスの封止装置＆デバイス断面プロセス・フロー図（レジン材料の上下金型間への移送工程）である。
【図４】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスの封止装置＆デバイス断面プロセス・フロー図（離型フィルムの下金型への降下＆着地工程）である。
【図５】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスの封止装置＆デバイス断面プロセス・フロー図（離型フィルムの下金型への吸着工程）である。
【図６】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスの封止装置＆デバイス断面プロセス・フロー図（上下金型仮クランプ＆キャビティ内減圧工程）である。
【図７】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスの封止装置＆デバイス断面プロセス・フロー図（上下金型本クランプ＆樹脂圧縮キュア工程）である。
【図８】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスの封止装置＆デバイス断面プロセス・フロー図（上下金型開放＆基板取り出し工程）である。
【図９】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスのブロック・フロー図である。
【図１０】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスのタイム・チャートである。
【図１１】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するモールド装置の上面図である。
【図１２】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するモールド装置の封止用レジン材料供給ユニットにある篩部の上面図である。
【図１３】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するモールド装置の封止用レジン材料供給ユニットにある篩部の側断面図（図１に対応）である。
【図１４】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するモールド装置の封止用レジン材料供給ユニットにある篩部の側断面図（図２に対応）である。
【図１５】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するモールド装置のプレス・ユニットの下金型の上面を上金型を透視して見た下金型上面図（上金型にあるＯリングを点線で、２種類の配線基板の輪郭を一点破線で表示）である（Ｙ−Ｙ’断面が図１から図８に対応している）。
【図１６】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスによって封止された封止体（図１から図８に対応）を有する有機配線基板の上面図（図１６（ａ））およびＸ−Ｘ’断面に対応する断面図（図１６（ｂ））である（煩雑を避けるためフローゲートに起因する構造の詳細は表示せず）。
【図１７】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスによって封止された封止体（その他の例）を有する有機配線基板の上面図（図１６（ａ））およびＸ−Ｘ’断面に対応する断面図（図１６（ｂ））である（煩雑を避けるためフローゲートに起因する構造の詳細は表示せず）。
【図１８】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組立工程主要部のブロック・フロー図である。
【図１９】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止工程前の有機配線基板の様子を示す上面図（図１９（ａ））およびＢ−Ｂ’断面に対応する部分断面図（図１９（ａ））である（封止体が形成されるべき部分の輪郭を一点破線で示す）。
【図２０】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるバンプ電極取り付け後の有機配線基板の様子を示す側面図である。
【図２１】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるパッケージ・ダイシング工程中の有機配線基板の様子を示す側面図である。
【図２２】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるパッケージ・ダイシング工程後の（ほぼ完成）半導体装置の様子を示すデバイス斜視図である。
【図２３】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるパッケージ・ダイシング工程後の（ほぼ完成）半導体装置の様子を示すデバイス断面図である。
【図２４】本願発明のその他の実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスの離型フィルム上面図（液状レジン・ダム形成工程、図１及び図２に対応）である。
【図２５】本願発明のその他の実施の形態の半導体装置の製造方法におけるレジン封止（圧縮モールド）プロセスの離型フィルム上面図（離型フィルムへの封止用粉末状レジン材料供給工程、図１及び図２に対応）である。
【図２６】図２５に対応する断面図である。
【図２７】本願発明の一実施の形態の半導体装置の製造方法に使用するモールド装置のその他のプレス・ユニットの下金型の上面を、上金型を透視して見た下金型上面図（上金型にあるＯリングを点線で、２種類の配線基板の輪郭を一点破線で表示）である（Ｙ−Ｙ’断面が図１から図８に対応している）。
【符号の説明】
【０１１７】
１、１’  有機配線基板
１ａ  （有機配線基板の）上面（金型にセット時は下向き）又はデバイス面
１ｂ  （有機配線基板の）下面（金型にセット時は上向き）またはバンプ面
２  半導体チップ
２ａ  （半導体チップの）上面又はデバイス面
２ｂ  （半導体チップの）下面又は裏面
２ｆ  半導体チップが取り付けられていないダイ・ボンディング・サイト
２ｘ  下段の半導体チップ
２ｙ  上段の半導体チップ
３  封止体（または封止されるべき領域）
３ｄ  余剰レジン又はそれによる封止体
４  離型フィルム
４ａ  （離型フィルムの）上面
４ｂ  （離型フィルムの）下面
４ｃ  （離型フィルムの）送出ロール
４ｅ  （離型フィルムの）巻き取りロール
４ｒ  （離型フィルムの）封止用レジン材料が供給された部分
５  封止用レジン材料
５ａ  封止用粉末状レジン材料
５ｂ  封止用液状レジン材料
６  バンプ電極（半田バンプ）
７  ボンディング・ワイヤ
８  ボンディング・パッド
９  リード
１０  半導体装置
１１  単位デバイス領域
１１ａ  半導体チップのない単位デバイス領域
１２  ダイシング・テープ
２１  Ｘ方向ダイシング・ライン
２２  Ｙ方向ダイシング・ライン
５０  下側プレス・ブロック
５１  上金型
５２  （上金型の）天板または本体ブロック
５３  （上金型の）枠部
５４  下面Ｏリング
５５  下金型
５６  （下金型の）下部移動部（キャビティ・ブロック）
５６ａ  （下金型の下部移動部の）上面またはキャビティの底面
５７  （下金型の）枠部
５７ａ  （下金型の枠部の）上面
５８  計量カップ
５９  バックアップ・ボード
６０  篩
６０ａ  篩のメッシュ
６０ｂ  篩のシャッタ
６１  モールド・キャビティ（実キャビティ）
６２  （基板搬送ユニットの）搬送アーム
６３  フロー・キャビティ・プランジャ
６４  フロー・キャビティ（ダミー・キャビティ）
６５  （上金型の）弾性機構
６６  （下金型の）弾性機構
６７  フロー・ゲート
６８  キャビティ減圧孔
６９  側面Ｏリング
７１  除電ブロー装置
８１  モールド装置
８２  ロード・ユニット
８３  検査ユニット
８４  配線基板搬送ユニット
８５  プレス・ユニット
８６  不要レジン除去ユニット
８７  アン・ロード・ユニット
８８  封止用レジン材料供給ユニット
８９  光学画像観測系
９１  ダイシング・ブレード
１１０  チップ有無検査
１１１  レジン材料計量
１１２  有機配線基板取り付け
１１３  離型フィルム上へのレジン材料供給
１１４  離型フィルム搬送
１１５  上下金型間隔狭小化
１１６  離型フィルムの下金型への接触
１１７  離型フィルムの下金型への真空吸着
１１８  離型フィルムの下金型へのセット
１１９  上下金型閉鎖（仮クランプ）
１２０  キャビティ内減圧
１２１  レジン充填（本クランプ＆キャビティ・ブロック上昇）
１２２  樹脂圧縮・キュア
１２３  上下金型オープン
１２４  配線基板取り出し
１２５  封止用レジン材料準備
１５１  配線基板検査
１５２  ダイ・ボンディング
１５３  ワイヤ・ボンディング
１５４  レジン封止
１５５  バンプ取り付け
１５６  パッケージ・ダイシング
Ｍ  上下金型間隔（一般）
Ｍ２  上下金型間隔狭小化時の最大間隔
Ｍ３  仮クランプ時の上下金型間隔
Ｍ４  本クランプ時の上下金型間隔
Ｎ１  フロー・キャビティ・プランジャの基底位置
Ｎ２  フロー・キャビティ・プランジャの封止時位置
Ｐ１  基底時フロー・キャビティ・プランジャ圧力
Ｐ２  充填途中の樹脂圧
Ｐ３  封止時樹脂圧
ｔ１  下金型が初期上昇を開始した時点
ｔ２  狭小化完了時点（上下金型間隔がＭ２に到達した時点）
ｔ３  仮クランプへ向けて下金型が再上昇を開始した時点
ｔ４  キャビティ内減圧開始時点
ｔ５  本クランプに向けて下金型が再上昇を開始した時点
ｔ６  下金型の枠部が上昇を停止した時点
ｔ７  下金型のキャビティ・ブロックが上昇を停止した時点
ｔ８  型開き開始時点
ｔ９  型開き完了時点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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