(57)【要約】【課題】磁気記憶装置において、磁気ヘッドへ伝送する記録信号の劣化と、記録再生ＩＣの高温化による記録再生ＩＣの性能劣化を低減し、高速転送レートに適したヘッドスタックアッセンブリを提供する。【解決手段】フレキシブル配線基板１と、その下に形成される樹脂層１０３との間に、記録再生ＩＣ ２よりも面積が大きく、記録用線路の幅と同一以上の幅を持ち、ＦＰＣ １とサスペンション付き回路基板との接続端子からメタルプレート１０４までの距離よりも接続端子から離れていて、単一の金属体である中間導体層１０６を設ける。【選択図】図３Ｂ
2010146680.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドをアームアクチュエータ上において支持するサスペンション付き回路基板と、
前記アームアクチュエータに固定されるメタルプレートと、
前記メタルプレートの上に形成された樹脂層と、
前記樹脂層の上に形成され、前記サスペンション付き回路基板に対して実質的に垂直に接続されるフレキシブル配線基板と、
前記フレキシブル配線基板上に形成されて磁気記憶装置の記録・再生信号を整形する記録再生回路と、
前記フレキシブル配線に形成され、前記記録・再生信号を前記サスペンション付き回路基板へ伝達する伝送路とを備え、
前記樹脂層と前記フレキシブル配線基板間に形成され、実質的に前記記録再生回路の底面全体及び前記伝送路の底面全体に面する平面形状を有する単一の中間導体層を有する
ことを特徴とするヘッドスタックアッセンブリ。
【請求項２】
請求項１において、
前記記録再生回路の下方に位置する前記中間導体層の面積が、前記記録再生回路の底面の面積より大きいことを特徴とするヘッドスタックアッセンブリ。
【請求項３】
請求項２において、
前記伝送路の下方に位置する前記中間導体層の幅が、前記伝送路の幅と同一もしくはそれ以上であることを特徴とするヘッドスタックアッセンブリ。
【請求項４】
請求項３において、
前記フレキシブル配線基板と前記サスペンション付き回路基板との接続点から前記メタルプレートまでの間に、スペースが形成されており、
前記フレキシブル配線基板と前記サスペンション付き回路基板との接続点から前記中間導体層までの距離が、前記スペースの長さよりも長い
ことを特徴とするヘッドスタックアッセンブリ。
【請求項５】
請求項４において、
前記スペースの長さ、及び前記フレキシブル配線基板と前記サスペンション付き回路基板との接続点から前記メタルプレートまでの距離が、前記記録再生回路と前記メタルプレート間の距離よりも長いことを特徴とするヘッドスタックアッセンブリ。
【請求項６】
請求項１において、
前記中間導体層は、平面形状において、前記伝送路から前記記録再生回路近傍までを覆う前記伝送路間にまたがるように、且つ、前記記録再生回路下面の全体及び前記記録再生回路下面の周囲全体を覆うように配置されていることを特徴とするヘッドスタックアッセンブリ。
【請求項７】
請求項１において、
前記フレキシブル配線基板は前記伝送路の接続端子を有しており、該接続端子が前記サスペンション付き回路基板に半田接続されており、
前記中間導体層は、平面形状において、前記伝送路から前記記録再生回路近傍までを覆う前記伝送路間にまたがるように、且つ、前記記録再生回路下面の全体及び前記記録再生回路下面の周囲全体を覆うように配置されており、
前記接続点から前記メタルプレートまでの間に、スペースが形成されており、
前記スペースの長さ及び前記接続点から前記中間導体層までの距離が、前記記録再生回路と前記メタルプレート間の距離よりも長いことを特徴とするヘッドスタックアッセンブリ。
【請求項８】
請求項１において、
前記中間導体層の材料は銅もしくは圧延銅であることを特徴とするヘッドスタックアッセンブリ。
【請求項９】
請求項１において、
前記記録再生回路の出力インピーダンスと、前記サスペンション付き回路基板上の記録用線路の特性インピーダンス、及びそれらを繋ぐ前記フレキシブル配線基板上の前記記録用線路の特性インピーダンスが実質的に等しいことを特徴とするヘッドスタックアッセンブリ。
【請求項１０】
請求項９において、
前記フレキシブル配線基板の導体層と中間導体層との間の距離の調整により、前記フレキシブル配線基板上の前記記録用線路の特性インピーダンスを、前記他の特性インピーダンスと実質的に等しい値に制御する
ことを特徴とするヘッドスタックアッセンブリ。
【請求項１１】
請求項１において、
前記伝送路は、記録用線路と再生用線路とを含んでおり、
前記磁気ヘッド内に設けられたヒーター素子と、
前記フレキシブル配線に形成され、前記記録再生回路から前記ヒーター素子へ信号を伝達し前記磁気ヘッドの高さを制御するヒーター用線路とを備えており、
前記中間導体層は、前記記録用線路、前記ヒーター用線路及び前記再生用線路の直下において、これらの線路の幅と同等かそれ以上の幅であることを特徴とするヘッドスタックアッセンブリ。
【請求項１２】
磁気ヘッドをアームアクチュエータ上において支持するサスペンション付き回路基板と、
前記アームアクチュエータに固定されるメタルプレートと、
前記メタルプレートの上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成され、前記サスペンション付き回路基板に対して実質的に垂直に半田接続されるフレキシブル配線基板と、
前記フレキシブル配線基板上に形成されて磁気記憶装置の記録・再生信号を整形する記録再生回路と、
前記フレキシブル配線に形成され、前記記録・再生信号を前記サスペンション付き回路基板へ伝達する伝送路と、
前記絶縁層と前記フレキシブル配線基板間に形成され、実質的に前記記録再生回路の底面全体及び前記伝送路の底面全体に面する平面形状を有する単一の中間導体層とを備え、
前記サスペンション付き回路基板の前記半田接続される接続点から前記メタルプレートまでの間に、スペースが形成されている
ことを特徴とするヘッドスタックアッセンブリ。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記伝送路は、記録用線路と再生用線路とを含んでおり、
前記記録用線路の下方に位置する前記中間導体層の幅が、前記記録用線路の幅と同一もしくはそれ以上であることを特徴とするヘッドスタックアッセンブリ。
【請求項１４】
請求項１２において、
前記伝送路は、記録用線路と再生用線路とを含んでおり、
前記記録用線路の下方に位置する前記中間導体層の幅が該記録用線路の幅と同一もしくはそれ以上であり、かつ、前記再生用線路の下方に位置する前記中間導体層の幅が該再生用線路の幅と同一もしくはそれ以上であることを特徴とするヘッドスタックアッセンブリ。
【請求項１５】
請求項１２において、
前記スペースの長さが、前記記録再生回路と前記メタルプレート間の距離よりも長い
ことを特徴とするヘッドスタックアッセンブリ。
【請求項１６】
請求項１２において、
前記中間導体層に周期的な孔が形成されており、
該中間導体層の孔は、前記伝送路の直下において、該伝送路よりも広い幅で、かつ、該伝送路長手方向と同じに方向に、該伝送路の始点から終点まで周期的に設けられることを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項１７】
磁気ヘッドを支持しつつ、筺体の外部に設けられた信号処理ＬＳＩと前記磁気ヘッドの間の記録再生信号を伝達するヘッドスタックアッセンブリを備え、
前記ヘッドスタックアッセンブリは、
前記磁気ヘッドをアームアクチュエータ上で支持するサスペンション付き回路基板と、
前記アームアクチュエータに固定されるメタルプレートと、
前記メタルプレートの上に形成された樹脂層と、
前記樹脂層の上に形成され、前記サスペンション付き回路基板に対して実質的に垂直に接続されるフレキシブル配線基板と、
前記フレキシブル配線基板上に形成されて磁気記憶装置の記録・再生信号を整形する記録再生回路と、
前記フレキシブル配線に形成され、前記記録・再生信号を前記サスペンション付き回路基板へ伝達する伝送路と、
前記アームアクチェータを回転運動させて前記磁気ヘッドの位置決めを行うコイルと、
前記樹脂層と前記フレキシブル配線基板間に形成され、実質的に前記記録再生回路の底面全体及び前記伝送路の底面全体に面する平面形状を有する単一の中間導体層とを備えた
ことを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記記録再生回路の出力インピーダンスと、前記サスペンション付き回路基板上の記録用線路の特性インピーダンス、及びそれらを繋ぐ前記フレキシブル配線基板上の前記記録用線路の特性インピーダンスとが実質的に等しい
ことを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項１９】
請求項１８において、
前記フレキシブル配線基板の導体層と中間導体層との間の距離の調整により、前記フレキシブル配線基板上の前記記録用線路の特性インピーダンスを、前記他の特性インピーダンスと実質的に等しい値に制御する
ことを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項２０】
請求項１７において、
前記フレキシブル配線基板上に形成されて磁気記憶装置の記録・再生信号を整形する前記サスペンション付き回路基板を複数個備え、
前記フレキシブル配線基板上に、前記各サスペンション付き回路基板と電気的に接続される複数の伝送路が形成され、
前記樹脂層と前記フレキシブル配線基板間に形成され、実質的に前記記録再生回路の底面全体及び前記各伝送路の底面全体に面する平面形状を有する単一の中間導体層を有する
ことを特徴とする磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヘッドスタックアッセンブリ及びそれを用いた磁気記憶装置に係り、特に、磁気記憶装置の筺体内部において記録再生ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）から磁気ヘッドへ記録信号を伝達する伝送系を備え、高速な記録信号の伝送に好適なヘッドスタックアッセンブリ、及びそれを用いた磁気記憶装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、伝送系を形成する要素の一つであるＦＰＣに新たに金属層を設けて特性インピーダンスを制御し、各要素間の特性インピーダンスを整合することによって信号の反射を低減し、記録再生信号の劣化を防止する技術があった（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、従来、アームアクチュエータに接触するメタルプレート面に凹形状を設け、メタルプレートと接触するアームアクチュエータ面にＦＰＣの凸形状を設け、メタルプレートとアームアクチュエータの接触面積を増やし、記録再生ＩＣが発した熱を、ＦＰＣ及びメタルプレート経由でアームアクチュエータ及び筺体に効率良く逃がす技術があった（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
また、従来、サスペンション付き回路基板上の記録信号用線路を３区間に分け、それぞれの区間の特性インピーダンスを個別に設定し、更に区間ごとの特性インピーダンスの大小関係を規定することで、特性インピーダンス不整合による反射波を利用して良好な記録信号を得る技術があった（例えば、特許文献３参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２２２５７８号公報
【特許文献２】特開２００７−２８７１９７号公報
【特許文献３】特開２００６−２０９８３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
磁気記憶装置に一般的に用いられているヘッドスタックアッセンブリ（以下「ＨＳＡ」という）は、磁気ヘッドを支持しつつ、筺体の外部に設けられた信号処理ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）と磁気ヘッドの間の記録再生信号を伝達する部品群の総称であり、記録再生信号を伝達する可撓性のフレキシブル配線基板（以下「ＦＰＣ」という）と、記録再生信号の増幅や波形整形を行う記録再生ＩＣと、磁気ヘッドを支持しつつ記録再生ＩＣと磁気ヘッドの間の記録再生信号伝送を担うサスペンション付き回路基板と、これらを支持するアームアクチュエータと、アームアクチェータを回転運動させて磁気ヘッドの位置決めを行うコイルで構成される。
【０００７】
図１６（図１６Ａ〜図１６Ｃ）に従来のＦＰＣの構造の一例を示す。図１６Ａは、従来のＦＰＣの平面図、図１６Ｂは、図１６ＡのＢ−Ｂ断面構造、図１６Ｃは、図１６ＡのＦＰＣの接続後のＣ−Ｃ断面構造を示す図である。図１６において、記録再生ＩＣ ２をフリップチップ実装したＦＰＣ １は、記録再生ＩＣ ２とサスペンション付き回路基板３との間の記録再生信号を伝送する伝送路１０と、記録再生ＩＣ ２と外部の信号処理ＬＳＩとの間の記録再生信号と記録再生ＩＣ ２の駆動用信号を伝送する伝送路１１とを備え、ネジなどの固定手段によって、アームキャリッジの側面に固定される。記録再生ＩＣ ２が搭載されたＦＰＣ １と磁気ヘッドが搭載されたサスペンション付き回路基板３との接続を、太線矢印で表す。伝送路１０には、ＦＰＣ １上の記録再生信号用伝送路であり、記録用線路１０８と再生用線路１０９とが含まれる。１００は伝送路１０の接続端子、１０１はカバー絶縁層、１０２はベース絶縁層、１０３は樹脂層、１０４はメタルプレートである。記録再生ＩＣ ２は、バンプ１０５を介して記録再生信号用伝送路１０及び記録再生ＩＣ駆動用線路１１に接続されている。サスペンション付き回路基板３上の記録再生信号用伝送路３０は、一端を磁気ヘッドの信号端子へ、もう一端をＦＰＣ １上の伝送路１０の端面の接続端子１００へ半田１１１により接続される。記録再生ＩＣ ２と磁気ヘッドとの間の記録再生信号の伝達は、ＦＰＣ １上の伝送路１０とサスペンション付き回路基板３上の伝送路３０とを経て成される構成になる。また、ＦＰＣ １のアームキャリッジとの接続箇所及びサスペンション付き回路基板３との接続箇所には、メタルプレート１０４が接着され、可撓性のＦＰＣ １が反って接続位置が変動することや、磁気ディスクの回転で引き起こされた風によってＦＰＣ １が動揺することを防止している。
【０００８】
磁気記憶装置は、記憶容量の大容量化と、それに伴う内部転送レートの高速化が要求されており、記録再生信号の高速化によって記録再生信号が劣化する問題が顕在化してきている。
【０００９】
その原因は２つあり、１つ目の原因は、記録再生ＩＣ ２と磁気ヘッドとの間の記録再生信号の伝送系１０及び３０において、記録再生信号が伝送系を形成する各要素間の特性インピーダンス不整合によって反射して記録再生信号が劣化する問題である。伝送系の特性インピーダンス不整合による信号の反射は、信号が高速であるほどに顕在化し、信号を劣化させる。これに対して、伝送系を形成する要素の一つであるＦＰＣに新たに金属層を設けて特性インピーダンスを制御し、各要素間の特性インピーダンスを整合することによって信号の反射を低減し、記録再生信号の劣化を防止する手段が、上記特許文献１に記載されている。
【００１０】
２つ目の原因は、高速化によって記録再生ＩＣ ２の消費電力が増加し、それに伴って記録再生ＩＣが発する熱量が増え、記録再生ＩＣが高温化して記録再生ＩＣ自体の性能が低下することである。これに対して、アームアクチュエータに接触するメタルプレート面に凹形状を設け、メタルプレートと接触するアームアクチュエータ面にＦＰＣの凸形状を設け、メタルプレートとアームアクチュエータの接触面積を増やし、記録再生ＩＣが発した熱を、ＦＰＣ及びメタルプレート経由でアームアクチュエータ及び筺体に効率良く逃がす手段が、上記特許文献２に記載されている。
【００１１】
また、上記特許文献３には、サスペンション付き回路基板上の記録信号用線路を３区間に分け、それぞれの区間の特性インピーダンスを個別に設定し、更に区間ごとの特性インピーダンスの大小関係を規定することで、特性インピーダンス不整合による反射波を利用して良好な記録信号を得る発明が開示されている。
【００１２】
前述のように、磁気記憶装置には、内部転送レートの高速化、すなわち記録再生信号の高速化が要求されている。記録再生信号の中でも特に記録信号は、単位ビット時間内に磁気ディスクの磁化反転を引き起こし、磁化反転を完了させる必要があることから、内部転送レートや再生信号よりも更に高速な信号が要求される。このことから、前述した内部転送レート高速化による記録再生信号の劣化に対して、最も顕著に信号の劣化が現れるのは最も高速な記録信号であり、記録再生ＩＣの発熱による性能低下に対しても、最も記録再生ＩＣの発熱量が増加するのはＩＣ内のスイッチング回数が多く消費電力が大きい記録動作時である。
【００１３】
すなわち、内部転送レートの高速化には、記録信号伝送時の信号劣化を低減することと、記録再生ＩＣ動作時の熱を効果的に放熱する構造を実現することが必要である。更に、前述のサスペンション付き回路基板に対してＦＰＣが垂直に接続される構造のＨＳＡの実現には、ＦＰＣとサスペンション付き回路基板との半田接続時に必要な熱を半田接続箇所から逃がさない構造である必要がある。
【００１４】
従来、半田接合時の熱が半田から周囲へ逃げないように周囲をポリイミドで埋める構成があった。その当時はまだ記録再生回路の動作速度もそれほど高速ではなく、記録再生回路が形成された半導体チップからの放熱もそれほど大きくはなかったため、半田周囲のポリイミドが介在しても十分に放熱することができた。しかし、記録再生回路の高速化が進む現状においては、半田周囲がポリイミドで埋められた構成では十分に放熱性を確保できなくなった。そこで、導体（例えば、金属板（メタルプレート）等）をポリイミドの上層部分に挿入して放熱性を確保することを本発明の発明者らは考えたわけだが、上述した従来の構成から見れば、半田接合部に近いポリイミド上層部に導体を挿入すれば、一見、半田に与えるべき熱がその導体を介して逃げてしまい、半田接合時に熱を逃がさないという効果を阻害するかのように見える。
【００１５】
しかしながら、本発明の発明者らは、そこをあえて、ポリイミド上層部に導体を配置することを検討した。その結果、導体の配置の仕方、すなわち、導体と記録再生ＩＣおよび半田接合部との位置関係を工夫すれば、その導体をポリイミド上層部に配置しても十分に記録再生ＩＣに係る放熱性を得ることが可能であることを発明者らは独自に見出した。
【００１６】
一方、上記特許文献１の開示する構成においては、そもそもＦＰＣに記録再生ＩＣを搭載することは想定されていない。そのため、記録再生ＩＣから放出される熱の影響について何ら考慮されていない。
【００１７】
また、上記特許文献２の開示する構成においては、高速な記録信号伝送時に記録信号が劣化することに関して何ら考慮されておらず、高速な記録信号が劣化することへの対応は困難であると推察される。
【００１８】
さらに、上記特許文献３には、記録再生ＩＣの出力抵抗とメインＦＰＣ記録線路の特性インピーダンスを等しくするとの記述がある。しかし、ＦＰＣに記録再生ＩＣを搭載した場合に、伝送系のインピーダンス整合をどのようにして実現するか、その具体的な達成方法は記述されていない。また、特性インピーダンスを整合すると共に記録再生ＩＣの放熱効果を向上することについても何ら考慮されていない。
【００１９】
本発明は、磁気ヘッドへ伝送する記録信号の劣化と、記録再生ＩＣの高温化による記録再生ＩＣの性能劣化とを共に低減し、高速転送レートに適したヘッドスタックアッセンブリ及びそれを用いた磁気記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
本発明の代表的なものの一例を示せば以下の通りである。即ち、本発明のヘッドスタックアッセンブリは、磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドをアームアクチュエータ上において支持するサスペンション付き回路基板と、前記アームアクチュエータに固定されるメタルプレートと、前記メタルプレートの上に形成された樹脂層と、前記樹脂層の上に形成され、前記サスペンション付き回路基板に対して実質的に垂直に接続されるフレキシブル配線基板と、前記フレキシブル配線基板上に形成されて磁気記憶装置の記録・再生信号を整形する記録再生回路と、前記フレキシブル配線に形成され、前記記録・再生信号を前記サスペンション付き回路基板へ伝達する伝送路とを備え、前記樹脂層と前記フレキシブル配線基板間に形成され、実質的に前記記録再生回路の底面全体及び前記伝送路の底面全体に面する平面形状を有する単一の中間導体層を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、磁気ヘッドへ伝送する記録信号の劣化と、記録再生ＩＣの高温化による記録再生ＩＣの性能劣化を低減し、高速転送レートに適した磁気記憶装置のヘッドスタックアッセンブリ及びそれを用いた磁気記憶装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
本発明は、前記課題を解決し、前述のサスペンション付き回路基板に対してＦＰＣが垂直に接続される構造のＨＳＡにおいて、ＦＰＣとサスペンション付き回路基板との半田接続に必要な熱は半田接続箇所から逃がさず、記録再生ＩＣ動作時に発する熱は記録再生ＩＣから逃がし、更には、高速な記録信号伝送時に記録信号が劣化することを防止したＦＰＣ構造を実現し、内部転送レートの高速化に適したＨＳＡを提供するものである。本発明は、記録再生ＩＣが搭載されたＦＰＣのアームアクチュエータ固定箇所付近において、ＦＰＣのアームアクチュエータ側の面に設けられた樹脂層とＦＰＣとの間に、記録再生ＩＣよりも面積が大きく、記録用線路の幅と同一以上の幅を持ち、ＦＰＣとサスペンション付き回路基板との接続用端子からメタルプレートまでの距離よりも離れている中間導体層を新たに設けることに特徴がある。
【００２３】
本発明によれば、記録再生ＩＣとサスペンション付き回路基板との間で記録信号を伝送するＦＰＣ上の記録用線路の特性インピーダンスに影響を及ぼす導体が得られ、ＦＰＣ上の記録用線路の特性インピーダンスの制御が可能になり、記録再生ＩＣ内の記録用回路の出力インピーダンスと、サスペンション付き回路基板上の記録用線路との特性インピーダンス整合が実現でき、高速な記録信号伝送においても特性インピーダンス不整合による反射波を低減でき、記録信号の劣化を低減できる。また、記録再生ＩＣが発する熱は、メタルプレートよりも樹脂層の厚さ分だけ近くに配置される中間導体層に拡散しやすく、中間導体層に拡散した熱も記録再生ＩＣよりも大きな伝達面積でメタルプレートやアームアクチュエータ及び筺体に伝達でき、記録再生ＩＣの放熱効果を向上させて記録再生ＩＣの高温化を緩和できる。更に、ＦＰＣとサスペンション付き回路基板との半田接続に対して、接続端子とメタルプレートの距離よりも中間導体層は離れているため、接続端子から漏れ逃げる半田接続用の熱量の大きな低減はなく、ＦＰＣとサスペンション付き回路基板との半田接続が可能で、サスペンション付き回路基板に対してＦＰＣが垂直に接続される構造のＨＳＡを実現できる。
【００２４】
以下、本発明を適用した実施形態を図面に示し、参照して本発明を詳細に説明する。なお、実施形態を説明するための全図面において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その部材の重複説明は省略する。また、実施形態の説明においては、ＦＰＣを基準としたときの記録再生ＩＣの方角を上、アームアクチュエータの方角を下と表す。
【実施例１】
【００２５】
本発明の第１の実施形態について、図１〜図１０を用いて説明する。まず、磁気記憶装置のＨＳＡ及び磁気記憶装置の全体的な構成について、図１、図２を用いて説明する。図１は、第１の実施形態になるＨＳＡの構成及び組み立て状況を示す図であり、図２は、ＨＳＡを備えた磁気記憶装置の全体構成を示す図である。
【００２６】
ＨＳＡは、記録再生信号を伝達する可撓性のＦＰＣ １と、記録再生信号の増幅や波形整形を行う記録再生ＩＣ ２と、磁気ヘッド４を支持しつつ記録再生ＩＣ ２と磁気ヘッド４の間の記録再生信号伝送を担うサスペンション付き回路基板３と、これらを支持するアームアクチュエータ５と、このアームアクチェータ５を回転運動させて磁気ヘッド４の位置決めを行うコイル７とで構成される。６はコネクタ、８は磁気ディスク、９は磁気記憶装置の筺体である。
【００２７】
記録再生ＩＣ ２をフリップチップ実装したＦＰＣ １は、記録再生ＩＣ ２とサスペンション付き回路基板３との間の記録再生信号を伝送する伝送路１０と、記録再生ＩＣ ２と筺体外の信号処理ＬＳＩ ２００との間の記録再生信号と記録再生ＩＣ ２の駆動用信号を伝送する伝送路１１とを備え、ネジ１２などの固定手段によって、アームキャリッジ５０の側面に固定される。本発明の対象とするＨＳＡは、ＦＰＣ１がサスペンション付き回路基板３に対して実質的に垂直に接続される構造となっている。
【００２８】
また、磁気ヘッド４を先端に搭載し、サスペンション３１を備えたサスペンション付き回路基板３は、接続箇所３２とアーム上の接続箇所５１との接続によってアームアクチュエータ５に固定される。サスペンション付き回路基板３上の伝送路３０は、一端を磁気ヘッド４の信号端子へ、もう一端をＦＰＣ １上の伝送路１０の端面へ接続される。記録再生ＩＣ ２と磁気ヘッド４との間の記録再生信号の伝達は、ＦＰＣ １上の伝送路１０とサスペンション付き回路基板３上の伝送路３０とを経て成される構成になる。また、ＦＰＣ １のアームキャリッジ５０との接続箇所及びサスペンション付き回路基板３との接続箇所には、メタルプレート（第３の導体層）１０４が接着され、可撓性のＦＰＣ １が反って接続位置が変動することや、磁気ディスクの回転で引き起こされた風によってＦＰＣ １が動揺することを防止している。
【００２９】
図１に破線で示す部材が、本発明によってＦＰＣ １と樹脂層の間に新たに設けられる中間導体層（第２の導体層）１０６であり、平面形状において、記録再生ＩＣ ２よりも面積が大きく、さらに、伝送路１０の幅や長さと同等以上の幅や長さを有している。この中間導体層の材料には、電気伝導性及び熱伝導性に優れ、十分な機械的強度を有し、かつ、可撓性に優れた材料であることが要求される。このような中間導体層の材料として、具体的には、銅や圧延銅が適している。
【００３０】
なお、図１において、太線矢印は、記録再生ＩＣ ２が搭載されたＦＰＣ １と、アームアクチュエータ５と、磁気ヘッド４が搭載されたサスペンション付き回路基板３とのそれぞれの接続される位置関係を表すものである。
【００３１】
次に、ＦＰＣ １のより具体的な構成について、図３（３Ａ〜３Ｃ）で説明する。  
図３Ａは、ＦＰＣ １の上面図であり、ＦＰＣ １の端面に対して実質的に垂直にサスペンション付き回路基板３が接続されている。すなわち、サスペンション付き回路基板３の伝送路３０が、ＦＰＣ １上の伝送路１０の端面に設けられた接続端子１００へ半田１１１により接続されている。記録再生ＩＣ ２を搭載したＦＰＣ １は、アームアクチュエータ５（図１参照）の側面に固定される。磁気記憶装置の筺体９の外部に設けられた信号処理ＬＳＩ ２００（図２参照）と、記録再生ＩＣ ２の間の記録再生信号と、記録再生ＩＣ ２の駆動用信号の伝送には伝送路１１が用いられる。記録再生ＩＣ ２とサスペンション付き回路基板３との間の記録再生信号の伝達には伝送路１０が用いられる。伝送路１０は、更に詳細には記録信号を伝達する記録用線路１０８と再生信号を伝達する再生用線路１０９に区別され、それぞれ少なくとも１本以上の配線（第１の導体層）で構成される。図３Ａにおいては、記録用線路と再生用線路は各々２本の配線で構成され、記録信号と再生信号が差動信号で伝達される場合を図示している。
【００３２】
金属層からなる中間導体層（第２の導体層）１０６は、平面形状において、伝送路１０（記録用線路１０８、再生用線路１０９）から記録再生ＩＣ ２近傍までを覆う伝送路１０間にまたがるように、且つ、記録再生ＩＣ ２の下面全体さらには記録再生ＩＣ ２の下面の全周囲を覆うように配置されている。
【００３３】
一例を示すと、記録用線路１０８は、配線１本の幅は６０ μｍ、２本の配線間の間隔が５０ μｍであり、長さは１０ ｍｍであった。再生用線路１０９は、配線１本の幅は６０ μｍであり、２本の配線間の間隔が５０ μｍであり、長さは６ ｍｍである。また、伝送路１０の先端のサスペンション付き回路基板３との接続端面には接続端子１００が設けられ、接続端子１００の大きさは３００ μｍ×６００ μｍである。
【００３４】
また、ＦＰＣに接続されるサスペンション付き回路基板の本数は２本以上であっても良く、サスペンション付き回路基板と、サスペンション付き回路基板に搭載される磁気ヘッドの数に応じて、記録用線路１０８と再生用線路１０９と、接続端子１００の数を増やしても良い。
【００３５】
図３Ｂに、図３ＡのＢ−Ｂ断面図を示す。図３Ｂによれば、厚さ（Ｔ０）が１２．５ μｍのポリイミドなどからなるベース絶縁層（第１の絶縁層）１０２の上に、第１の導体層すなわち厚さ１８ μｍの圧延銅などからなる伝送路１０と伝送路１１とが形成され、その上に厚さ１２．５ μｍのポリイミドなどからなるカバー絶縁層（第２の絶縁層）１０１が形成されて伝送路１０と伝送路１１とを被覆し、可撓性のＦＰＣ １が構成される。記録再生ＩＣ ２は、伝送路１０及び伝送路１１にバンプ１０５によって接続されるフリップチップ実装によってＦＰＣ １の上部に搭載される。記録再生ＩＣ ２はその裏面が、カバー絶縁層１０１に接着される。また、ＦＰＣ １のアームキャリッジ５０（図１参照）への固定箇所と、ＦＰＣ １のサスペンション付き回路基板３への接続箇所において、ＦＰＣ １の下側には、厚さ（Ｌ３）５０ μｍのポリイミドなどからなる樹脂層（第３の絶縁層）１０３が張り合わせられ、更に樹脂層１０３の下に、厚さ３００ μｍのアルミニウムなどからなるメタルプレート（第３の導体層）１０４が張り合わせられる。各層間の張り合わせには、厚さ５〜４０ μｍの接着剤（図示せず）が用いられる。本発明によって新たに設けられる中間導体層１０６は、ＦＰＣ １と樹脂層１０３との間に、記録再生ＩＣ ２の下面及び伝送路（第１の導体層）１０の下面を覆う大きさで設けられる。中間導体層１０６の材料には銅や圧延銅が望ましく、厚さ（Ｌ０）は５ μｍ以上が望ましい。なお、Ｌ１は記録再生ＩＣ ２とメタルプレート１０４との距離、Ｌ２は記録再生ＩＣ ２と中間導体層１０６との距離、Ｌ３は中間導体層１０６とメタルプレート１０４との距離を夫々示している。本実施例によれば、第１の導体層１０と中間導体層１０６との間の距離、換言するとＦＰＣ １のベース絶縁層１０２の厚さ（Ｔ０）は、第１の導体層１０とメタルプレート１０４との間の距離（Ｔ１）に比べて遥かに小さい。少なくとも、Ｔ０は、Ｔ１の１／４以下である。この構成は、後で詳細に述べるように、ＦＰＣ上の記録用線路の特性インピーダンスの制御を可能とし、伝送路１０の特性インピーダンスを低減させる効果がある。
【００３６】
図３Ｃに、ＦＰＣとサスペンション付き回路基板３との接続箇所の断面図である、図３ＡのＣ−Ｃ断面図を示す。図３Ｃによれば、ＦＰＣ １とサスペンション付き回路基板３との接続箇所では、ＦＰＣ １とサスペンション付き回路基板３との接続端面（サスペンション付き回路基板３側の端面）からメタルプレート１０４の端面まで３８０ μｍのスペース（Ｄｂ）が設けられている。このスペース（Ｄｂ）は、ＦＰＣ １の接続端子１００とサスペンション付き回路基板３との半田接続に必要な熱がメタルプレート１０４を介して漏れ逃げるのを低減するために設けられている。なお、中間導体層１０６は、ＦＰＣ １のサスペンション付き回路基板３との接続端面（接続端子１００）から内側に少なくとも４００ μｍ以上のスペースをもって配置されることが望ましい。すなわち、図３Ｂにおいて、サスペンション付き回路基板３側の接続端面から中間導体層１０６の端までの距離Ｄａは、スペースＤｂより大きな４００ μｍ以上とするのが望ましい。
【００３７】
また、ＦＰＣ １とサスペンション付き回路基板３との接続点１００から中間導体層１０６までの距離Ｄａが、上記接続点からメタルプレートまでの距離（スペースＤｂ）よりも長い。さらに、サスペンション付き回路基板３の接続端面からメタルプレートまでの距離Ｄｂが、記録再生回路２とメタルプレート１０４間の距離Ｌ１よりも長い。
【００３８】
図４に矢印で示したように、サスペンション付き回路基板３の伝送路３０が、ＦＰＣ １上の伝送路１０の端面に設けられた接続端子１００へ半田により接続される。
【００３９】
また、図４に示したように、記録再生回路２の下方に位置する中間導体層１０６の底面（高さＨ１）の面積は、記録再生回路２の底面（高さＨ０）の面積より大きい。また、伝送路１０の下方に位置する中間導体層１０６の幅（高さＨ２）は、伝送路の幅（Ｓ１＋Ｓ２）と同一もしくはそれ以上である。さらに、中間導体層１０６とメタルプレート１０４は、平面形状において、接続端面付近の接続端子１００からの距離Ｄａ、スペースＤｂの大きさを除いて、ほぼ同じ大きさを有している。
【００４０】
上述の構造のＦＰＣ １において、記録用線路１０８の特性インピーダンスは６０ Ωであった。
【００４１】
このようなＦＰＣ １を用いれば、ＨＳＡ製造時に、ＦＰＣ １とサスペンション付き回路基板３との半田接続に必要な熱が漏れ逃げる量は、図１６の従来構造のＦＰＣにおいて接続端子からメタルプレート１０４に逃げる熱量と比べて同程度であって、従来と同様にＦＰＣ １とサスペンション付き回路基板３との半田接続が可能になる。
【００４２】
プリアンプの高速化によって発熱量が増加することは先に述べた通りである。本実施例による記録再生ＩＣ ２の放熱量を向上させる効果を、図５、図６に基づいて説明する。
【００４３】
本実施例によれば、中間導体層１０６を設けたことで、記録再生ＩＣ ２の放熱量を向上させる効果がある。すなわち、図５に示したように、中間導体層として熱伝導率が良い新たな金属層１０６を設けたことによって、記録再生ＩＣ ２の熱がバンプ１０５、中間導体層１０６を介して一度拡散し、樹脂層１０３の下のアルミニウムなどからなるメタルプレート１０４、さらにはアームアクチュエータ５に対して伝熱断面積が広がった状態で熱の伝達が行われる。そのため、記録再生ＩＣ ２からの熱放射が促進される。更に、ＦＰＣとサスペンション付き回路基板との半田接続位置に対して、接続端子とメタルプレートの距離Ｄｂよりも中間導体層（距離Ｄａ）は離れているため、接続端子から漏れ逃げる半田接続用の熱量の大きな低減はなく、ＦＰＣとサスペンション付き回路基板との半田接続が可能で、サスペンション付き回路基板に対してＦＰＣが垂直に接続される構造のＨＳＡを実現できる。
【００４４】
図６に、記録再生ＩＣ２の表面温度の内部転送レート依存性についての我々の実測結果に基づいた計算結果を示す。図６のＡは図１６の従来構造における記録再生ＩＣ表面温度の内部転送レート依存性を示し、図６のＢは本発明の構造における記録再生ＩＣ表面温度の内部転送レート依存性を示している。従来構造によれば、プリアンプの動作が高速になると内部回路のスイッチング回数の増加や各容量の充放電回数の増加などによって消費電力が増加し、それに伴ってプリアンプが発する熱量も増加する。このとき十分に放熱できずに高温に保たれると内部の素子が変形してプリアンプ性能劣化に繋がる。このようなプリアンプの熱は、面積が大きく熱伝導率の良いメタルプレートに拡散させて放熱することが望ましい。しかし、プリアンプとメタルプレートとの間には、通常、熱伝導率が悪くて厚い強化基板、例えば樹脂層１０３、が設置されるため、熱が伝わりにくく、放熱されずにプリアンプ自身が高温になりやすい。
【００４５】
ここで、記録再生ＩＣ ２が発する熱は、記録再生ＩＣ ２の周辺の空気中や、伝送路１０及び伝送路１１など、様々な方向へ拡散するが、記録再生ＩＣ ２の放熱に対して熱の伝達量が支配的に多いのは、記録再生ＩＣ ２に近接して配置されて、熱伝導率が良く、且つ熱容量が大きい金属部材であるアームアクチュエータ５及び筺体９に固定されたメタルプレート１０４への伝達である。そのため、ここでは記録再生ＩＣ ２からメタルプレート１０４への熱の伝わりやすさを指標として、放熱効果の比較を行う。
【００４６】
まず、図１６の従来構造において、記録再生ＩＣ ２の平面形状における面積をＳ１、ポリイミド及び接着剤の熱抵抗率をρ、記録再生ＩＣ ２とメタルプレート１０４との距離をＬ１、記録再生ＩＣ ２とメタルプレート１０４との間の熱抵抗Ｒ１とする。また、本発明の第１の実施形態（図３）において、中間導体層１０６の平面形状における面積をＳ２、記録再生ＩＣ ２と中間導体層１０６との距離をＬ２、中間導体層１０６とメタルプレート１０４との距離をＬ３、記録再生ＩＣ ２とメタルプレート１０４との間の熱抵抗率をＲ２とする。このとき、従来構造の記録再生ＩＣ ２とメタルプレート１０４との間の熱抵抗Ｒ１は式（１）で表され、本発明の第１の実施形態の記録再生ＩＣ ２とメタルプレート１０４との間の熱抵抗Ｒ２は式（２）で表される。
【００４７】
【数１】
2010146680.tif 000003
【００４８】
【数２】
2010146680.tif 000004
中間導体層１０６の面積Ｓ２を記録再生ＩＣ ２の２倍と仮定して式をまとめ、各層と接着剤の厚さの寸法からＬ２＝０．２Ｌ１、Ｌ３＝０．８Ｌ１を代入すると、Ｒ２＝０．６Ｒ１の関係が得られる。このことは、本発明の第１の実施形態は従来構造に比べて、中間導体層１０６の面積が記録再生ＩＣ ２の２倍であるときに、記録再生ＩＣ ２からメタルプレート１０４への熱の伝わりにくさが４割低減されることを表しており、記録再生ＩＣ ２からメタルプレート１０４への熱の伝わりやすさ、すなわち、記録再生ＩＣ ２の熱を逃がす効果が従来構造よりも４割程度向上することを示している。図６のＢは、上記結果を示すものである。
【００４９】
次に、記録再生信号の高速化によって発生する記録再生信号の劣化という問題点の対策について説明する。記録再生信号の高速化によって記録再生信号が劣化する原因として、従来構造のＨＳＡを採用した場合、ＦＰＣ １とサスペンション付き回路基板３との接続地点での記録電流波形に不要なオーバーシュートとアンダーシュートが発生するという問題がある。
【００５０】
記録再生ＩＣ ２から磁気ヘッドへ伝送される記録信号の劣化を低減する効果について、図１６の従来構造と、本発明の第１の実施形態の構造とを比較し、その効果を確認する。比較の指標には、ＨＳＡの磁気ヘッド地点で観測される記録電流波形アイパターンのシミュレーション解析結果を用いる。記録再生ＩＣ ２が出力する記録信号は、転送レート２ Ｇｂｐｓ、立ち上り立ち下り時間１６０ ｐｓｅｃ、記録電流４０ ｍＡ、オーバーシュート７０ ｍＡであり、記録再生ＩＣ ２内の記録用回路の出力インピーダンスは６０ Ωであった。また、サスペンション付き回路基板３上の伝送路３０中の記録用線路の特性インピーダンスは６０ Ωであり、磁気ヘッド内の記録用コイルは３ ｎＨ、５ Ωであり、図１６の従来構造におけるＦＰＣ １上の記録用線路１０８の特性インピーダンスは１００ Ωであった。
【００５１】
図７に、記録再生ＩＣ ２が出力した記録電流波形を示し、図８に、従来構造のＨＳＡにおける磁気ヘッド地点での記録電流波形アイパターンを示す。
【００５２】
図８によれば、磁気ヘッド地点で観測される記録電流波形には、図７の記録再生ＩＣ ２の出力波形に一致しない不要なオーバーシュートとアンダーシュートが発生する。不要なオーバーシュートやアンダーシュートは、記録電流波形のパターンジッタの増加や、次ビット以降の記録電流の振幅等に影響を及ぼし、特に不要なオーバーシュートは、磁気ヘッド内の記録用コイルが発する磁気ディスクの磁化反転を促す磁界を必要以上に強め、記録するセルのみならずトラック方向に隣接するセルまでも磁化反転させてしまうなどの問題を有する。また、不要なアンダーシュートは、磁気ディスクの磁化反転を促す磁界の強度を弱めるため、所望の記録信号通りの磁化反転を起こせずにデータの誤記録を招く可能性がある。このような不要なオーバーシュートとアンダーシュートの発生要因は、記録再生ＩＣ ２から磁気ヘッド４まで記録信号を伝達する伝送系を構成する要素間の特性インピーダンス不整合である。
【００５３】
ここで、図９Ａに、図１６の従来方式による記録信号伝送系のブロック図を示す。記録信号伝送系は記録再生ＩＣ ２、ＦＰＣ １、サスペンション付き回路基板３及び磁気ヘッド４で構成されている。図９Ａにおいて、Ｘｎは夫々の大凡の長さ、Ｚｎは夫々の大凡の差動特性インピーダンスを示している。図１６の従来構造のＨＳＡの記録信号伝送系では、第１の導体層１０とメタルプレート１０４との距離Ｔ１は１２５μｍであった。記録再生ＩＣ ２の出力インピーダンスと、サスペンション付き回路基板３上の記録用線路の特性インピーダンスが６０ Ωであるのに対し、それらを繋ぐＦＰＣ １上の記録用線路１０８のみが特性インピーダンス１００ Ωであり、記録信号伝送系のうち一区間のみが特性インピーダンスが高い構成であった。一般に、特性インピーダンスが高い線路から低い線路に電流が流入する場合には、インピーダンス不整合によって逆極性の反射電流と振幅が増加した通過電流が発生し、その逆に特性インピーダンスが低い線路から高い線路に電流が流入する場合には、同じ極性の反射電流と振幅が減少した通過電流が発生する。このことから、図１６の従来構造のＨＳＡにおいては、ＦＰＣ １上の記録用線路１０８からサスペンション付き回路基板３上の記録用線路への流入時に、記録電流から逆極性の反射電流が発生し、記録再生ＩＣ ２へ戻って更に逆極性で反射し、本来の記録電流に足しあわされる。これにより、ＦＰＣ １とサスペンション付き回路基板３との接続地点での記録電流波形には、本来のオーバーシュート波形の他に、本来のオーバーシュート波形より記録用線路１０８を電流が往復する時間分だけ遅れた時間にもオーバーシュート波形が現れる。この記録電流は、磁気ヘッド内の記録用コイルによっても逆極性となって反射し、更にサスペンション付き回路基板３からＦＰＣ １への流入時に極性が変わらずに反射し、記録電流の逆極性で本来の記録電流に足し合わされ、磁気ヘッド地点の記録電流波形には、本来のオーバーシュート波形からサスペンション付き回路基板３上の記録用線路を電流が往復する時間分だけ遅れてアンダーシュート波形が現れる。不要なオーバーシュートとアンダーシュートが、本来のオーバーシュート波形から遅れて現れる時間ｔは、式（３）から得られる。
【００５４】
【数３】
2010146680.tif 000005
ただし、Ｘは記録信号伝送系（Ｘｎ）の全体の長さ、εｅｆｆは線路の実効誘電率であり、ｃは真空中の光の速度である。
【００５５】
次に、図９Ｂに、本発明の方式による記録信号伝送系のブロック図を示す。本実施例のＨＳＡの記録信号伝送系では、第１の導体層１０と中間導体層１０６との距離換言すると第１の絶縁層１０２の厚さ（Ｔ０）は２５μｍであった。このような構成を採用することで、ＦＰＣ １上の記録用線路１０８の特性インピーダンス約６０Ωが実現できる。
【００５６】
本発明の第１の実施例によれば、ＦＰＣ １上の記録用線路１０８と、サスペンション付き回路基板３上の記録用線路の実効誘電率が３．５であるとき、本来のオーバーシュート波形から、反射によるオーバーシュートは１２５ ｐｓｅｃ、アンダーシュートは６２４ ｐｓｅｃ遅れて記録電流波形に現れる。
【００５７】
図１０に、本発明の第１の実施形態のＨＳＡにおける磁気ヘッド地点での記録電流波形アイパターンを示す。図１０によれば、磁気ヘッド地点で観測される記録電流波形は、記録再生ＩＣ ２が出力した図７の波形に良く一致する。
【００５８】
このように、本発明の第１の実施形態のＨＳＡによれば、ＦＰＣ １上の記録用線路１０８の特性インピーダンス約６０ Ωを実現し、記録再生ＩＣ ２と、サスペンション付き回路基板３上の記録用線路とインピーダンス整合が取れたことで、記録再生ＩＣ ２から磁気ヘッドまで記録電流は反射することなく伝達され、磁気ヘッド内の記録用コイルで反射した電流も伝送系の途中で反射することなく記録再生ＩＣへと戻るため、記録再生ＩＣ ２が出力した記録電流波形、すなわちデータ記録に際して所望の記録電流波形が劣化することなく磁気ヘッドへ伝達される。
【００５９】
本実施例によれば、高速な記録信号伝送においても特性インピーダンス不整合による反射波を低減でき、記録信号の劣化を低減できる。また、記録再生ＩＣが発する熱は、メタルプレートよりも樹脂層の厚さ分だけ近くに配置される中間導体層に拡散しやすく、中間導体層に拡散した熱も記録再生ＩＣよりも大きな伝達面積でメタルプレートやアームアクチュエータ及び筺体に伝達でき、記録再生ＩＣの放熱効果を向上させて記録再生ＩＣの高温化を緩和できる。
【実施例２】
【００６０】
次に、本発明の第２の実施形態を説明する。図１１に、本発明の第２の実施形態になるフレキシブル配線基板の平面図を示す。なお、以下の各実施例において、フレキシブル配線基板の縦断面は、図３Ｂ、図３Ｃに示した基本的構成と同じ、もしくは一部変更を加えたものとなるので、図示を省略する。この実施例では、実施例１の構成に加えて、ＦＰＣ １上の記録用線路１０８と再生用線路１０９の間に、記録再生ＩＣ ２から磁気ヘッド内のヒーター素子（図示せず）へ信号を伝達し、磁気ヘッドの高さを制御するヒーター用線路１１０を設けている。中間導体層１０６は、記録用線路１０８、ヒーター用線路１１０及び再生用線路１０９の直下において、これらの線路の幅と同等かそれ以上の幅であることが望ましい。本実施例によれば、実施例１と同様な効果がある。
【実施例３】
【００６１】
次に、本発明の第３の実施形態を説明する。  
まず、本発明を実現するのに最低限満たさなければならない条件は、（１）差動配線構造の記録用線路１０８の差動間にまたがるように中間導体層が配置されていること、（２）記録再生ＩＣ ２の下の中間導体層の面積と、記録用線路１０８の下の中間導体層の面積を合計した面積が、少なくとも記録再生ＩＣ ２の底面積以上であること、である。
【００６２】
図１２に、本発明の第３の実施形態になるフレキシブル配線基板の平面図を示す。この実施例では、ＦＰＣ １上に、記録用線路１０８と再生用線路１０９が形成されており、かつ、中間導体層１０６を記録再生ＩＣ ２と記録用線路１０８の下にのみ設け、再生用線路１０９の下には中間導体層１０６を設けていない。中間導体層１０６は、記録用線路１０８の直下において記録用線路１０８の幅と同等かそれ以上の幅であることが望ましい。
【００６３】
本実施例によれば、記録再生ＩＣの高温化の緩和に関しては得られる効果が若干低下するものの、記録信号の劣化を低減できるという効果は十分に得られる。
【実施例４】
【００６４】
次に、本発明の第４の実施形態を述べる。図１３に、本発明の第４の実施形態になるフレキシブル配線基板の平面図を示す。この実施例では、ＦＰＣ １上に、記録用線路１０８と再生用線路１０９が形成され、かつ、中間導体層１０６には、記録用線路１０８の直下の中間導体層１０６と、再生用線路１０９の直下の中間導体層１０６との間に切れ込み１０７を設ける。これにより、ＦＰＣ １上の記録用線路１０８と再生用線路１０９との間のクロストーク、すなわち記録再生回路間クロストークを低減できるという効果がある。
【実施例５】
【００６５】
次に、本発明の第５の実施形態を説明する。図１４に、本発明の第５の実施形態になるフレキシブル配線基板の平面図を示す。本実施例では、記録再生信号を伝達する伝送路１０が形成されたＦＰＣ １において、中間導体層１０６に周期的な孔１０７を設けている。孔１０７は、伝送路１０の直下の中間導体層１０６に、伝送路１０よりも広い幅で、伝送路１０の長手方向と同じに方向に５０ μｍ以上の長さで、孔同士の間隔５０ μｍ以上で、伝送路１０の始点から終点まで同様のサイズと間隔で周期的に設けられることが望ましい。孔１０７の長さと間隔を制御することによって、伝送路１０と中間導体層１０６の間隔、すなわちＦＰＣ １のベース絶縁層１０２（図３Ｂ参照）の層厚を変動することなく、所望の特性インピーダンスの伝送路１０が得られる。
【実施例６】
【００６６】
次に、本発明の第６の実施形態を説明する。図１５に、本発明の第６の実施形態になるフレキシブル配線基板の平面図を示す。本実施例では、ＦＰＣ １に接続されるサスペンション付き回路基板３（図１ 参照）が、２本のときのＦＰＣを示す図である。ＦＰＣ １に対して図中下側に磁気ヘッド４Ａを備えた１本のサスペンション付き回路基板（説明のためサスペンション付き回路基板Ａとする）が接続され、図中上側に磁気ヘッド４Ｂを備えたもう１本のサスペンション付き回路基板（説明のためサスペンション付き回路基板Ｂとする）が接続される。ＦＰＣ １上には、サスペンション付き回路基板Ａと電気的に接続される少なくとも２本以上の配線で構成された伝送路１０と、その接続端子１００と、スペンション付き回路基板Ｂと電気的に接続される少なくとも２本以上の配線で構成された伝送路１０´と、その接続端子１００´が形成され、伝送路１０の下の中間導体層１０６と、伝送路１０´下の中間導体層１０６との間に切れ込みが設けられる。
【００６７】
これにより、伝送路と伝送路１０´とのクロストーク、すなわち隣接チャンネル間クロストークを低減できる。
【００６８】
また、ＦＰＣに接続されるサスペンション付き回路基板の数は３本以上であっても良い。例えば、図１５の磁気ヘッド４Ｂの上側に、下向きの接続端子とそれに対応する他の磁気ヘッド、さらにその上側に下向きの接続端子とそれに対応する他の磁気ヘッド、――と多段に構成しても良い。この場合、ＦＰＣ １上にはサスペンション付き回路基板の数に対応した伝送路１０と接続端子１００が多段に設けられ、各段の伝送路１０に対応する中間導体層１０６にはチャンネル間毎に切れ込みが設けられることが望ましい。
【００６９】
本実施例でも、磁気ヘッドへ伝送する記録信号の劣化と、記録再生ＩＣの高温化による記録再生ＩＣの性能劣化を低減し、高速転送レートに適したヘッドスタックアッセンブリを提供するという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】本発明の第１の実施形態になるヘッドスタックアッセンブリの構成及び組み立て状況を説明するための図である。
【図２】第１の実施形態になる磁気記憶装置の全体構成を示す図である。
【図３Ａ】第１の実施形態になる、サスペンション付き回路基板が接続されたフレキシブル配線基板の平面図である。
【図３Ｂ】図３ＡのＢ−Ｂ断面を示す図である。
【図３Ｃ】図３ＡのＣ−Ｃ断面を示す図である。
【図４】第１の実施形態になるフレキシブル配線基板の形状及び製法を説明するための図である。
【図５】第１の実施形態のヘッドスタックアッセンブリにおける熱放射の状況を示す図である。
【図６】ヘッドスタックアッセンブリにおける、記録再生ＩＣの温度の内部転送レート依存性を示す図である。
【図７】記録再生ＩＣが出力する記録電流波形を説明する曲線図である。
【図８】従来のヘッドスタックアッセンブリにおける記録電流波形を説明する曲線図である。
【図９Ａ】従来のヘッドスタックアッセンブリにおける、記録信号伝送系を示すブロック図である。
【図９Ｂ】第１の実施形態のヘッドスタックアッセンブリにおける、記録信号伝送系を示すブロック図である。
【図１０】第１の実施形態のヘッドスタックアッセンブリにおける、記録電流波形を説明する曲線図である。
【図１１】本発明の第２の実施形態になるフレキシブル配線基板を説明する図である。
【図１２】本発明の第３の実施形態になるフレキシブル配線基板を説明する図である。
【図１３】本発明の第４の実施形態になるフレキシブル配線基板を説明する図である。
【図１４】本発明の第５の実施形態になるフレキシブル配線基板を説明する図である。
【図１５】本発明の第６の実施形態になるフレキシブル配線基板を説明する図である。
【図１６Ａ】従来の、サスペンション付き回路基板が接続されたフレキシブル配線基板の平面図である。
【図１６Ｂ】図１６ＡのＢ−Ｂ断面を示す図である。
【図１６Ｃ】接続後の図１６ＡのＣ−Ｃ断面を示す図である。
【符号の説明】
【００７１】
１…フレキシブル配線基板、２…記録再生ＩＣ、３…サスペンション付き回路基板、４…磁気ヘッド、５…アームアクチュエータ、６…コネクタ、７…コイル、８…磁気ディスク、９…筺体、１０…フレキシブル配線基板上の記録再生信号用伝送路、１１…記録再生ＩＣ駆動用線路、１２…ネジ、３０…サスペンション付き回路基板上の記録再生信号用伝送路、３１…サスペンション、３２、５１…サスペンション付き回路基板−アームアクチュエータ接続箇所、５０…アームキャリッジ、１００…接続端子、１０１…カバー絶縁層、１０２…ベース絶縁層、１０３…樹脂層、１０４…メタルプレート、１０５…バンプ、１０６…中間導体層、１０７…孔、１０８…フレキシブル配線基板上の記録用線路、１０９…フレキシブル配線基板上の再生用線路、１１０…ヒーター用線路、１１１…半田、２００…信号処理ＬＳＩ。
【図１】
2010146680.tif 000006
【図２】
2010146680.tif 000007
【図３Ａ】
2010146680.tif 000008
【図３Ｂ】
2010146680.tif 000009
【図３Ｃ】
2010146680.tif 000010
【図４】
2010146680.tif 000011
【図５】
2010146680.tif 000012
【図６】
2010146680.tif 000013
【図７】
2010146680.tif 000014
【図８】
2010146680.tif 000015
【図９Ａ】
2010146680.tif 000016
【図９Ｂ】
2010146680.tif 000017
【図１０】
2010146680.tif 000018
【図１１】
2010146680.tif 000019
【図１２】
2010146680.tif 000020
【図１３】
2010146680.tif 000021
【図１４】
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【図１５】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１６Ｃ】
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