Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月21日(2005.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  弦楽器の各弦に対応した複数のフレットスイッチと、
複数の弦に対応した複数の発音トリガ手段と、
前記フレットスイッチおよび／または前記発音トリガ手段により楽音を発生する楽音発生手段と、
を有する電子楽器であって、
特定の１弦に対応する複数のフレットスイッチについては操作されたフレットスイッチに対応した根音を指定し、該特定の１弦以外の他の弦に対応するフレットスイッチで和音の種類を指定して、前記根音指定および前記和音の種類指定によって和音音を決定し、該和音音の情報を前記楽音発生手段に対して発生する和音音発生手段を備えたことを特徴とする電子楽器。
【請求項２】  弦楽器の各弦に対応した複数のフレットスイッチを有する電子楽器の和音指定装置であって、
特定の１弦に対応する複数のフレットスイッチについては操作されたフレットスイッチに対応した根音を指定し、該特定の１弦以外の他の弦に対応するフレットスイッチで和音の種類を指定して、前記根音指定および前記和音の種類指定によって和音音を指定することを特徴とする電子楽器の和音指定装置。
【請求項３】  弦楽器の各弦に対応した複数のフレットスイッチを有する電子楽器の和音指定装置であって、
特定の１弦に対応する複数のフレットスイッチについては操作されたフレットスイッチに対応した根音を指定し、該特定の１弦の両側に位置する２弦にそれぞれ対応するフレットスイッチのうちいずれか一方でマイナー指定、他方でセブンス指定、両方でマイナーセブンス指定をするようにしたことを特徴とする電子楽器の和音指定装置。
【請求項４】  弦楽器の各弦に対応した複数のフレットスイッチを有する電子楽器の和音指定装置であって、
特定の１弦に対応する複数のフレットスイッチについては操作されたフレットスイッチに対応した根音を指定し、該特定の１弦以外の他の弦に対応するフレットスイッチで和音の種類を指定して、前記根音指定および前記和音の種類指定によって和音音を指定する第１和音指定手段と、
前記複数の弦に対応するフレットスイッチについて操作されたフレットスイッチに対応する音によって和音音を指定する第２和音指定手段と、
前記第１和音指定手段と前記第２和音指定手段のいずれか一方を選択する選択手段とを有し、
前記選択手段によって選択された指定方法で和音音を指定することを特徴とする電子楽器の和音指定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、弦楽器の弦に対応した複数の疑似撥弦手段を有する電子楽器、及び和音音を入力指定する電子楽器の和音指定装置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明は、弦楽器の弦に対応した複数の疑似撥弦手段を有する電子楽器において和音を容易に指定できるようにすることを課題とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１の電子楽器または請求項２の電子楽器の和音指定装置は、弦楽器の各弦に対応した複数のフレットスイッチを有する電子楽器で、特定の１弦に対応する複数のフレットスイッチについては操作されたフレットスイッチに対応した根音を指定し、該特定の１弦以外の他の弦に対応するフレットスイッチで和音の種類を指定するようにした。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項４の電子楽器の和音指定装置は、特定の１弦に対応する複数のフレットスイッチについては操作されたフレットスイッチに対応した根音を指定し、該特定の１弦以外の他の弦に対応するフレットスイッチで和音の種類を指定する第１和音指定手段と、複数の弦に対応するフレットスイッチについて操作されたフレットスイッチに対応する音によって和音音を指定する第２和音指定手段とを有し、この第１和音指定手段と第２和音指定手段のいずれか一方を選択して和音音を指定できるようにした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
和音テーブル５は、第２弦検出部２からイネーブル信号ＥＮが入力されるとイネーブルとなり、１弦検出信号ｏｎ１と３弦検出信号ｏｎ３の有無の組み合わせに応じた和音種類で、キーコード検出部４から出力されるキーコードＫＣを根音とする和音を決定して、和音データを内部で発生する。なお、この和音データは所定のテーブルを参照して発生する。そして、この和音データに基づいて、ギターにおける和音構成音（展開和音）に対応するキーコードＫＣを和音音の情報として発生する。例えば、エーセブンス和音「Ａ7th 」であれば第１弦側から「Ｇ（7th の音）、Ｃ♯、Ａ、Ｅ、Ａ、Ｅ」又は「Ｅ、Ｃ♯、Ｇ、Ｅ、Ａ、Ｅ」あるいは「Ａ、Ｅ、Ｃ♯、Ｇ、Ｅ、Ａ」のキーコードを発生する。そして、この和音構成音のキーコードＫＣは楽音発生部１１に入力され、楽音発生部１１は、根音一致判定部９の一致信号ＥＱ（キーオン信号）により、和音構成音の楽音信号を発生する。この楽音信号はアンプ及びスピーカ等からなるサウンドシステム１２に出力され、和音の楽音が発生される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
なお、第２弦のフレット（フレットスイッチ３０）を押さえるとき、すなわち和音の基本の音となる根音を指定するときは左手の人差し指で押さえ、その他のフレットを他の指で押さえるようにすると、和音を理解し易くなる。この場合、第２弦以外の他の指では第２弦のフレットと異なるフレット位置を押したほうが、初心者には操作がし易い。しかし、あるていど慣れてきた場合など、図３(D) ，(F) ，(H) に破線で示したように他の弦のフレットを第２弦と同じフレット位置で押さえてもよい。この場合、特に図３(D) や(H) では一本の指で簡単に押さえることができる。なお、図３では第１弦と第３弦のフレットの押さえかたとして、第２弦と同じ位置あるいは一つ上（半音上）のフレットを押さえる場合を示しているが、第２弦で根音を指定すれば、第１弦と第３弦は種類を指定するものであるので、上記以外のその他の位置でもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月21日(2005.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項１の記載において、
前記制御手段は前記負荷回路を前記操作モードに応じて交互に短絡または開放及び所定の抵抗値に調整することを特徴とする回転式エンコーダ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
１１ａはモード切替手段であり、例えば「トラックサーチ」あるいは「フレームサーチ」等のモード切替ボタンを備え、該ボタンの操作に応じた操作モード指令を生成し、生成した操作モード指令をマイコン７ａに供給する。なお、モード切替手段１１ａは前記操作ノブ１の近傍に配置しておくとよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図２は、マイコンによる短絡制御信号の生成処理を説明する図である。図２（ａ）は光センサ５が出力する回転検出パルス信号６を示す。図２（ｂ）は、例えばモード切替手段１１ａがフレームサーチを指令したときのマイコン７ａが出力する短絡制御信号９の例を示す。この場合は、例えば回転検出パルス信号６の２パルス毎に１つの短絡制御信号９を出力する。図２（ｃ）は、例えば、モード切替手段１１ａがトラックサーチを指令したときのマイコン７ａが出力する短絡制御信号９の例を示す。この場合は、例えば回転検出パルス信号の１０パルス毎に１つの短絡制御信号９を出力する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
１１ｂはモード切替手段であり、例えば「制動力強」あるいは「制動力弱」等のモード切替ボタンを備え、該ボタンの操作応じた操作モード指令を生成し、生成した操作モード指令をマイコン７ｂに供給する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
１１はモード切替手段であり、例えば「トラックサーチ」あるいは「フレームサーチ」等のモード切替ボタン及び「制動力弱」あるいは「制動力強」等のモード切替ボタンを備え、該ボタンの操作応じた操作モード指令を生成し、生成した操作モード指令をマイコン７に供給する。なお、前記「トラックサーチ」及び「フレームサーチ」ボタンの操作に連動して制動力のモードを「制動力弱」及び「制動力強」に設定することもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月31日(2005.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上にそれぞれ少なくとも１層の赤感性ハロゲン化銀乳剤層、緑感性ハロゲン化銀乳剤層、青感性ハロゲン化銀乳剤層、非感光性層、およびハレーション防止層を有するＩＳＯ感度が３２０以上のハロゲン化銀カラー写真感光材料において、該感光材料中に含まれる総塗布銀量が６．０ｇ／ｍ2以下であり、該感光材料の少なくとも１層のハロゲン化銀乳剤層もしくは非感光性層に下記化合物（Ｂ）を一種又は二種以上含有することを特徴とするハロゲン化銀カラー写真感光材料。
化合物（Ｂ）：ヘテロ原子を少なくとも３個有する化合物であり、該化合物を含有しない場合に比較して感光材料の写真感度が増加する化合物。
【請求項２】
前記ＩＳＯ感度６４０以上であることを特徴とする、請求項１に記載のハロゲン化銀カラー写真感光材料。
【請求項３】
前記総塗布銀量が５．５ｇ／ｍ2以下であることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のハロゲン化銀カラー写真感光材料。
【請求項４】
前記総塗布銀量が５．０ｇ／ｍ2以下であることを特徴とする、請求項１または請求項２に記載のハロゲン化銀カラー写真感光材料。
【請求項５】
前記緑感性ハロゲン化銀乳剤層の分光感度分布の重心感度波長（λG）が５２０ｎｍ＜λG≦５８０ｎｍであり、かつ、赤感性ハロゲン化銀乳剤層が５００ｎｍから６００ｎｍの範囲で他のハロゲン化銀乳剤層より受ける重層効果の大きさの分光感度分布の重心波長（λ-R）が５００ｎｍ ＜λ-R＜５６０ｎｍであり、かつ、λG−λ-Rが５ｎｍ以上であることを特徴とする、（１）ないし（４）のいずれか一項に記載のハロゲン化銀カラー写真感光材料。
【請求項６】
前記感光材料がイエロー色素形成カプラー、マゼンタ色素形成カプラーおよびシアン色素形成カプラーを含有し、その塗布量が各々０．９ミリモル/ｍ２以下、０．４ミリモル/ｍ２以下、０．７ミリモル/ｍ２以下であることを特徴とする、請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載のハロゲン化銀カラー写真感光材料。
【請求項７】
前記化合物（Ｂ）が、1,3,4,6-テトラアザインデン系化合物であることを特徴とする、請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載のハロゲン化銀カラー写真感光材料。
【請求項８】
前記化合物（Ｂ）が、一般式(Ｍ)または一般式(Ｃ)で表されることを特徴とする、（１）ないし（６）のいずれか１項に記載のハロゲン化銀カラー写真感光材料。
一般式(Ｍ)
【化１】
2004117908.tif 000001
一般式（Ｍ）中、Ｒ1は、水素原子または、置換基を表す。Ｚは、窒素原子を２から４個含む５員のアゾール環を形成するのに必要な非金属原子群を表し、該アゾール環は、置換基（縮合環を含む）を有してもよい。Ｘは、水素原子又は置換基を表す。
一般式(Ｃ)
【化２】
2004117908.tif 000002
一般式（Ｃ）中、Ｚａは、−ＮＨ−または、−ＣＨ（Ｒ３）−を表し、Ｚｂ及びＺcは、それぞれ独立に−Ｃ（Ｒ4）＝、または、−Ｎ＝を表す。Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、それぞれ独立にハメットの置換基定数σp値が０．２以上、１．０以下の電子吸引性基を表す。Ｒ4は、水素原子又は、置換基を表す。ただし、式中に２つのＲ4が存在する場合には、それらは同じであっても異なっていてもよい。Ｘは、水素原子又は置換基を表す。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月6日(2005.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この方式によれば、転写残トナーは現像装置に回収されて次工程以降の静電潜像の現像に再利用されるため、廃トナーをなくし、又メンテナンス時に手を煩わせることも少なくすることができる。又、クリーナレスであることで、画像形成装置の小型化にも有利である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月2日(2005.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像形成装置およびその制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  被帯電部材と、
該被帯電部材を帯電させる帯電部材と、
該帯電部材に印加される交流電圧を発生する電圧発生手段と、
前記帯電部材に印加された交流電圧を検出する電圧検出手段と、
該電圧検出手段によって検出された電圧値と当該理論電圧値との差分を演算する演算手段と、
該演算手段による演算結果に応じて、発生すべき交流電圧を可変するように前記電圧発生手段を制御する制御手段と
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】  被帯電部材と、
該被帯電部材を帯電させる帯電部材と、
該帯電部材に印加される交流電圧を発生する電圧発生手段と、
該電圧発生手段によって印加された交流電圧に応じて、前記帯電部材および前記被帯電部材に流れる交流電流を検出する電流検出手段と、
該電流検出手段によって検出された電流値と当該理論電流値との差分を演算する演算手段と、
該演算手段による演算結果に応じて、発生すべき交流電圧を可変するように前記電圧発生手段を制御する制御手段と
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項３】  前記電圧検出手段は、交流電圧を複数回検出し、
前記演算手段は、該検出された複数の交流電圧に基づいて１つの電圧値を決定し、該電圧値と当該理論電圧値との差分を演算する
ことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項４】  前記電流検出手段は、交流電流を複数回検出し、
前記演算手段は、該検出された複数の交流電流に基づいて１つの電流値を決定し、該電流値と当該理論電流値との差分を演算する
ことを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項５】  前記演算手段は、ＤＳＰからなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項６】  前記演算手段は、ＣＰＵからなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項７】  前記電圧発生手段は、ＰＷＭ（pulse width modulation）方式によって交流電圧を発生することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項８】  前記電圧発生手段は、直流を重畳して生成した交流電圧を発生することを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項９】  前記被帯電部材は、感光ドラムであることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１０】  前記帯電部材は、前記被帯電部材に当接させたローラ帯電部材であることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１１】  電圧発生手段によって、被帯電部材を帯電させる帯電部材に印加された交流電圧を検出し、
該検出された電圧値と当該理論電圧値との差分を演算し、
該演算結果に応じて、発生すべき交流電圧を可変するように前記電圧発生手段を制御する
ことを特徴とする画像形成装置の制御方法。
【請求項１２】  電圧発生手段によって、被帯電部材を帯電させる帯電部材に印加された交流電圧に応じて、前記帯電部材および前記被帯電部材に流れる交流電流を検出し、
該検出された電流値と当該理論電流値との差分を演算し、
該演算結果に応じて、発生すべき交流電圧を可変するように前記電圧発生手段を制御する
ことを特徴とする画像形成装置の制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真プロセスを用いて画像を形成する画像形成装置およびその制御方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明は、この点に着目してなされたものであり、帯電ローラや感光ドラムの特性のバラツキおよび経時変化に起因する印刷画像の差異を抑制し、安定した画像品質を維持することが可能となる画像形成装置およびその制御方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月3日(2005.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−２７２５６６号公報
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
より具体的には、分光感度域の異なる複数のハロゲン化銀粒子層と、これらの複数のハロゲン化銀粒子層の分光感度の違いを利用して、異なる波長の光による露光を可能にするための、複数のハロゲン化銀粒子層の分光感度域各々に対応したＳＣフィルターとを組み合わせるという方法で、写真技術を応用して高精度なフォトニック結晶を製造可能としたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１０，３０  フォトニック結晶製造用材料
１２，３２  支持体
１４，３４  下層のハロゲン化銀粒子層
１６，３６，４０  ＳＣフィルター層
１８，４２  上層のハロゲン化銀粒子層
３８  中間層のハロゲン化銀粒子層
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月20日(2005.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）下記一般式（Ａ１）で表される繰り返し単位、下記一般式（Ａ２）で表される繰り返し単位、及び下記一般式（Ａ３）で表される繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解速度が増大する樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物及び（Ｃ）溶剤を含有するポジ型レジスト組成物。
【化１】
2004117883.tif 000001
式（Ａ１）において、Ｒ1は水素原子又はアルキル基を表す。
Ｌは、単結合、アルキレン基、エーテル基、エステル基、カルボニル基、又はこれらの基の少なくとも二つの組み合わせを表す。
Ｚは、−ＣＯＯＨ、−ＯＨ、−ＳＯ2Ｎ(Ｒ3)2、−Ｃ(＝Ｏ)ＣＨ2Ｃ(＝Ｏ)Ｒ4、又は、−(ＣＨＲ5−ＣＨＲ6−Ｏ)m−Ｒ7を表す。Ｒ3、Ｒ5、Ｒ6及びＲ7は、各々独立に、水素原子又はアルキル基を表す。Ｒ4は炭化水素基を表す。ｍは１〜２０を表す。
但し、Ｌが単結合のとき、Ｚは−(ＣＨＲ5−ＣＨＲ6−Ｏ)m−Ｒ7である。
【化２】
2004117883.tif 000002
一般式（Ａ２）において、Ｒ2は水素原子又はメチル基を表し、Ａは単結合又は連結基を表し、ＡＬＧは下記一般式（ｐＩ）〜一般式（ｐＶ）のいずれかを表す。
【化３】
2004117883.tif 000003
式中、Ｒ11は、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基又はｓｅｃ−ブチル基を表し、Ｚは、炭素原子とともに脂環式炭化水素基を形成するのに必要な原子団を表す。
Ｒ12〜Ｒ16は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。但し、Ｒ12〜Ｒ14のうち少なくとも１つ、及びＲ15、Ｒ16のいずれかは脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ17〜Ｒ21は、各々独立に、水素原子、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキ
ル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ17〜Ｒ21のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ19、Ｒ21のいずれかは炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表す。
Ｒ22〜Ｒ25は、各々独立に、炭素数１〜４個の、直鎖もしくは分岐のアルキル基又は脂環式炭化水素基を表し、但し、Ｒ22〜Ｒ25のうち少なくとも１つは脂環式炭化水素基を表す。また、Ｒ23とＲ24は、互いに結合して環を形成していてもよい。
【化４】
2004117883.tif 000004
一般式（Ａ３）において、Ｒ3は水素原子又はメチル基を表す。
Ａ3は単結合又は２価の連結基を表す。
Ｚ3はｐ＋１価の脂環式炭化水素基を表す。
ｐは１〜３の整数を表す。
【請求項２】
樹脂（Ａ)が、更に、シクロヘキサンラクトン、ノルボルナンラクトン、又はアダマンタンラクトンを有する繰り返し単位を含有することを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月25日(2005.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板の間に液晶を挟み、複数の画素を有する液晶表示パネルにおいて、
前記第２基板に設けられて前記第１基板側からの入射光を反射させる反射層であって、前記画素の一部の周縁を横切って当該画素の一部と重なる反射層
を具備することを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項２】
第１基板と第２基板の間に液晶を挟み、複数の画素を有する液晶表示パネルにおいて、
前記第２基板に設けられて前記第１基板側からの入射光を反射させる反射層であって、前記画素のうち当該反射層によって前記第１基板側からの入射光を反射させる反射領域と、当該画素のうち前記第２基板側からの入射光を前記第１基板側に透過させる透過領域とが、前記画素の周縁の近傍において隣接するように形状が選定された反射層
を具備することを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項３】
前記反射層によって前記第１基板側からの入射光を反射させる反射領域のうちディスクリネーション発生領域に相当する部分の面積と、前記第２基板側からの入射光を前記第１基板側に透過させる透過領域のうち当該ディスクリネーション発生領域に相当する部分の面積とが略等しい
ことを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
列をなす複数の前記画素を有する液晶表示パネルであって、
前記反射層は、前記列方向に隣接する一対の画素にわたって連なっている
ことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
前記画素は略矩形状であり、
前記反射層は、前記画素を画定する複数の縁辺のうち対向する一対の縁辺を横切るように設けられている
ことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の液晶表示パネル。
【請求項６】
前記反射層は導電性を有し、前記第２基板に設けられた電極と導通する
ことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の液晶表示パネル。
【請求項７】
それぞれ異なる色が割り当てられた複数の前記画素を有する液晶表示パネルであって、
前記反射層よりも観察側において前記各画素と重なるように設けられて当該画素の色に対応する波長の光を選択的に透過させる複数のカラーフィルタを具備し、
それぞれ異なる色に対応する前記複数の画素のうち少なくとも一の画素と他の画素とにおいて、前記反射層によって前記第１基板側からの入射光を反射させる反射領域と前記第２基板側からの入射光を前記第１基板側に透過させる透過領域との面積比率が異なる
ことを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示パネル。
【請求項８】
前記複数のカラーフィルタのうち少なくとも一の色のカラーフィルタは、当該カラーフィルタに対応する前記画素のうち前記反射層と重なる領域内に開口部を有する
ことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示パネル。
【請求項９】
少なくとも一の色のカラーフィルタの開口部の面積と、他の色のカラーフィルタの開口部の面積とが異なる
ことを特徴とする請求項８に記載の液晶表示パネル。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれかに記載の液晶表示パネルを備えることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明の第１の特徴は、第１基板と第２基板の間に液晶を挟み、複数の画素を有する液晶表示パネルにおいて、前記第２基板に設けられて前記第１基板側からの入射光を反射させる反射層であって、前記画素における一部の周縁を横切って当該画素の一部と重なる反射層を設けたことにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の第２の特徴は、第１基板と第２基板の間に液晶を挟み、複数の画素を有する液晶表示パネルにおいて、前記第２基板に設けられて前記第１基板側からの入射光を反射させる反射層であって、前記画素のうち当該反射層によって前記第１基板側からの入射光を反射させる反射領域と、当該画素のうち前記第２基板側からの入射光を前記第１基板側に透過させる透過領域とが、前記画素の周縁の近傍において隣接するように形状が選定された反射層を設けたことにある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月28日(2005.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）アルカリ可溶性ポリマー、
（Ｂ）一般式（ＩＩ）〜（ＩＶ）で表される化合物、及びアルコキシメチル化メラミン化合物から選ばれる少なくとも一つである、酸により架橋する架橋剤、
及び、
（Ｃ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する、下記一般式（Ｉ）で表される酸発生剤
を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。
【化１】
2004117876.tif 000001
一般式（ＩＩ）中、
Ｒ5は、各々独立に、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。
Ｒ6〜Ｒ9は、各々独立に、水素原子、水酸基、アルキル基又はアルコキシル基を表す。
Ｘは、単結合、メチレン基又は酸素原子を表す。
一般式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）中、
Ｒ5は、各々独立に、水素原子、アルキル基又はアシル基を表す。
【化２】
2004117876.tif 000002
一般式（Ｉ）中、
Ｒ11〜Ｒ51は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、ニトロ基、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルオキシカルボニル基、アリール基若しくはアシルアミノ基を表し、Ｒ11〜Ｒ51のうち少なくとも２つが結合して環構造を形成してもよい。
Ｒ61及びＲ71は、同じでも異なっていてもよく、水素原子、シアノ基、アルキル基若しくはアリール基を表す。
Ｙ1及びＹ2は、同じでも異なっていてもよく、アルキル基又はアルケニル基を表す。但し、Ｙ1及びＹ2は、両方がアルキル基である場合に、Ｙ1及びＹ2の少なくとも一方のアルキル基が水酸基、エーテル連結基若しくはスルフィド連結基を有しているか、或いはＹ1及びＹ2の両方のアルキル基が炭素数２以上である。
Ｙ1又はＹ2は結合してＳ+とともに環を形成してもよい。
Ｒ11〜Ｒ51の少なくとも１つとＹ1又はＹ2の少なくとも一つが結合して環を形成してもよい。
Ｒ11〜Ｒ51の少なくとも１つとＲ61又はＲ71の少なくとも１つが結合して環を形成してもよい。
また、Ｒ11〜Ｒ71のいずれか又はＹ1若しくはＹ2のいずれかの位置で、連結基を介して結合し、式（Ｉ）の構造を２つ以上有していてもよい。
Ｘ-は、非求核性アニオンを表す。
【請求項２】
更に（Ｄ）含窒素塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項１に記載のネガ型レジスト組成物。
【請求項３】
更に（Ｅ）一般式（Ｉ）で表される酸発生剤以外の活性光線又は放射線の照射により酸を発生する酸発生剤を含有することを特徴とする請求項１又は２に記載のネガ型レジスト組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のネガ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月22日(2005.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  試料液を移動させるための凹部が形成され、かつ高分子材料により構成された基板と、上記凹部を覆うように上記基板に積層されたカバーと、を備えた分析用具を製造する方法であって、
上記凹部の内面に対して親水処理を施す工程を含む製造方法において、
上記親水処理は、上記凹部の内面に対して改質ガスを接触させて上記凹部の内面の性状を第１次的に改質する第１次改質作業と、上記凹部の内面の性状を第２次的に改質する第２次改質作業と、を含んでいることを特徴とする、分析用具の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明の開示】
本発明では、上記した課題を解決するために、次の技術的手段を講じている。すなわち、本発明により提供される分析用具の製造方法は、試料液を移動させるための凹部が形成され、かつ高分子材料により構成された基板と、上記凹部を覆うように上記基板に積層されたカバーと、を備えた分析用具を製造する方法であって、上記凹部の内面に対して親水処理を施す工程を含む製造方法において、上記親水処理は、上記凹部の内面に対して改質ガスを接触させて上記凹部の内面の性状を第１次的に改質する第１次改質作業と、上記凹部の内面の性状を第２次的に改質する第２次改質作業と、を含んでいることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
試料の分析時には、マイクロデバイス（分析用具）１に対して、試料導入口３０から試料が、試薬導入口３１から試薬がそれぞれ導入される。これらの試料および試薬は、毛細管現象により試料導入路２１および試薬導入路２２をそれぞれ移動し、反応用流路２３において合流する。これにより、試料と試薬が反応を開始する。試料および試薬は、さらに反応を進行しつつも、毛細管現象により空気抜き穴３２に向けて反応用流路２３を移動し、最終的には測定部（端部）２３ｂに到達する。測定部２３ｂにおいては試料と試薬との反応生成物が上述したように分析装置において分析される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
カバー形成工程は、たとえば透明な樹脂フィルムに対して打ち抜き加工を施した後、樹脂フィルムを目的とする大きさに切断することにより行われる（図３参照）。打ち抜き加工においては、試料導入口３０、試薬導入口３１および空気抜き穴３２となるべき貫通孔が形成される。もちろん、樹脂フィルムを切断した後に打ち抜き加工を施してカバー３を形成してもよい。カバー３の片面に対しては、紫外線照射や界面活性剤を塗布するなどして、親水処理を施してもよい。樹脂フィルムを形成するための材料（カバー３を形成するための材料）としては、たとえばポリジメチルシロキサン（ＰＤＭＳ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリカーボネイト（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの高分子材料を例示することができる。樹脂フィルム（カバー３）は、高分子材料を２種以上組み合わせて形成することもできる。たとえば、例示した高分子材料のうちの２種以上をブレンドした材料を用いて樹脂フィルム（カバー３）を成形してもよいし、異なる高分子材料により形成されたフィルムまたはシートを張り合わせて樹脂フィルム（カバー３）としてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
基板形成工程は、たとえば熱可塑剤樹脂を用いた射出成形により行われる。射出成形においては、金型の形状を工夫することにより、基板２に対して凹部２０を造り込むことができる。凹部２０は、レーザ加工やエッチング処理などを施すことにより形成することもできる。基板材料として、たとえばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリカーボネイト（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの高分子材料を例示することができる。などの高分子材料を例示することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
改質ガスとしては、たとえばフッ素ガスおよび酸素ガスを含んだものが使用される。この場合、フッ素ガスと酸素ガスの混合比は、たとえば容積を基準として、１：１０〜２０とされる。第１次改質作業においては、チャンバ５内は、たとえば改質ガスの分圧が１０〜２０００ｈＰａ、温度が０〜１００℃、より好ましくは改質ガスの分圧が１００〜１１００ｈＰａ、温度が０〜４０℃に維持される。このような環境下において、基板２は、たとえば１〜６０分間改質ガスと接触させられる。これにより、基板２を構成する高分子鎖においては、側鎖や末端基に対してケトン基に結合した状態でフッ素原子が導入される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
凹部２０の内面と水または水蒸気との接触は、たとえば図６に示したようにチャンバ６内に基板２を収容した状態で、チャンバ６内に水や水蒸気を供給することにより行うことができる。もちろん、開放系において基板２に対して水や水蒸気を接触させてもよい。凹部２０の内面に対する水との接触は、図７に示したように、たとえば水７０を収容した容器７内に、基板２を浸漬することにより行ってもよい。また、第２次改質作業は、チャンバ５内の混合ガスと、空気とを置換することによって、空気中の水分を凹部２０の内面に接触させることにより行ってもよい。この場合の空気は、積極的に水分を含ませたものであっても、あるいは室内中の空気であってもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
基板に対するカバーの接合は、必ずしも接合シートを用いて行う必要は無く、たとえば接着剤を用いて接合を行ってもよいし、熱融着や超音波融着によって接合を行ってもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１  分析用具（マイクロデバイス）
２  基板
２０  凹部
３  カバー
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2004117179.tif 000001
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2004117179.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月24日(2004.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された蛍光体のストライプ状パターンを撮像する撮像部と、上記撮像部を上記パターンに沿って移動する移動機構部と、上記撮像部からの映像信号を入力される画像処理部と、上記画像処理部の出力を表示する表示部および上記移動機構部と上記画像処理部を制御する制御部とからなり、上記画像処理部は、上記蛍光体のストライプ状パターンの方向検出部と、上記パターンの方向に関連付けられた少なくとも2箇所の画像データを比較する比較部と上記比較結果に基づいて上記パターンの欠陥を検出する欠陥検出部とからなることを特徴とするパターン欠陥検査装置。
【請求項２】
請求項１記載のパターン欠陥検査装置において、上記撮像部は、複数個のラインセンサカメラが直線状に配置され、且つ、それぞれのラインセンサカメラは、その視野範囲が一部オーバーラップするように配置され、上記移動機構部は、上記直線状に配置された複数個のラインセンサカメラを、上記カメラの配列方向とは直角な方向に一定速度で移動させる機能を有することを特徴とするパターン欠陥検査装置。
【請求項３】
請求項１記載のパターン欠陥検査装置において、上記2箇所の画像データは、上記蛍光体のストライプの長手方向に隣接する２つのブロック領域からの画像データであり、上記比較部は、上記２つのブロック領域から得られる画像データの差画像を出力することを特徴とするパターン欠陥検査装置。
【請求項４】
基板上に形成された蛍光体のストライプ状パターンを撮像するステップ、上記撮像により得られる画像データから上記蛍光体のストライプ状パターンの方向を検出するステップ、上記画像データから上記パターンの方向に関連付けられた少なくとも2箇所の画像データを比較するステップおよび上記比較結果に基づいて上記パターンの欠陥を検出するステップとからなることを特徴とするパターン欠陥検査方法。
【請求項５】
請求項４記載のパターン欠陥検査方法において、上記画像データから上記ストライプ状パターンの方向に関連付けられた少なくとも2箇所の画像データを比較するステップは、上記蛍光体のストライプの長手方向に隣接する２つのブロック領域を選定するステップおよび上記２つのブロック領域から得られる画像データの差画像を検出するステップからなり、上記２つのブロック領域をその関連性を保持しながら上記パターン全体を移動し、それぞれの差画像を検出することを特徴とするパターン欠陥検査方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月25日(2005.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
次に、励磁コイル側に１ｋΩの抵抗器を介して７ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓの交流を印加し、検出コイル側の起電力を測定したところ０．５１Ｖであった。この状態で、アルミ厚０．１ｍｍ、外径６５ｍｍのアルミ缶を挿入したところ０．３９Ｖまで低下し、挿入した場所による出力の変化は殆ど見られなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数本の偏平チューブがその厚さ方向に沿って所定間隔毎に配置されると共に、これらチューブの両端部がそれぞれ中空ヘッダーに挿入状態で連通接続された熱交換器において、
前記ヘッダーは、チューブ挿入方向の内径がこれと直交する方向の内径よりも短尺な偏平管状に形成されると共に、チューブ挿入方向において対向する壁部どおしが補強壁によって連結されたものであることを特徴とする、熱交換器。
【請求項２】
前記ヘッダーは、チューブ挿入孔が所定間隔毎に列設されたヘッダープレートと、横断面幅広コ字状に形成されると共に、内側面に複数の補強壁が長手方向に沿って一体的に設けられたタンク部とで構成され、
前記タンク部の開放面が前記ヘッダープレートによって閉塞されると共に前記補強壁の先端が前記ヘッダープレートに当接された状態で、前記タンク部と前記ヘッダープレートとが相互にろう付け一体化されている、請求項１に記載の熱交換器。
【請求項３】
ヘッダープレートの幅方向の両縁部が、それぞれタンク部の側面壁の内側面下端部に形成された第１段部に係止されると共に、側面壁の下端縁から延設された延設部が内側に折り曲げられてかしめ止められている請求項２に記載の熱交換器。
【請求項４】
チューブの先端部分の幅方向両端部が、タンク部の前記側面壁の内側面に形成された、前記第１段部よりも内奥側に位置する第２段部に係止されている請求項３に記載の熱交換器。
【請求項５】
タンク部の補強壁のうち、中央に位置する中央補強壁が肉厚に形成されている請求項２〜４のいずれか１項に記載の熱交換器。
【請求項６】
中央補強壁の先端部が薄肉に形成されて段部を有するものとなされる一方、チューブの先端部分の幅方向中央部に凹部(1b)が形成され、該凹部に中央補強壁の前記先端部が嵌め合わされることにより、前記段部にチューブが係止されてそれ以上の挿入が妨げられるようになされている請求項５に記載の熱交換器。
【請求項７】
チューブが挿入される位置におけるタンク部の補強壁が、前記第２段部と同一レベルまで退入した短尺に形成され、チューブが、ヘッダーへの差し込み状態において、その先端部分がタンク部の側面壁の第２段部、中央補強壁の段部および補強壁の各先端部に当接されている請求項４〜６のいずれか１項に記載の熱交換器。
【請求項８】
ヘッダー内の補強壁が、長さ方向に沿って所定長毎に不連続なものであって、ヘッダー内の各単位流通路が相互に連通したものとなされている請求項１〜７のいずれか１項に記載の熱交換器。
【請求項９】
タンク部の側面壁の下端縁部にヘッダープレートの幅方向の両側縁部を差し込みうる断面コ字状の嵌合部が形成されており、ヘッダープレートを差し込んで嵌め込むようになされている請求項２に記載の熱交換器。
【請求項１０】
タンク部の背面壁および側面壁にそれぞれアウターフィンが一体的に外方突出状態に形成されている請求項２〜９のいずれか１項に記載の熱交換器。
【請求項１１】
熱交換器が、車輪用空調装置のコンデンサである請求項１〜１０のいずれか１項に記載の熱交換器。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の熱交換器を備えた自動車。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月24日(2005.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
箱体内部の最下部に配置される冷凍室と、この冷凍室の上部に設けられ前記冷凍室と使用温度の異なる一つ以上の他の貯蔵室と、前記冷凍室の後方に位置し内部に冷却器を有する冷却器収納室と、前記冷却器収納室の下部に備えられ前記冷凍室と連通する冷気の戻り口と、前記冷気戻り口よりも上方に位置する冷気吐出口とを有し、
前記冷気戻り口は前記冷却器とほぼ同等の幅を有することを特徴とする冷蔵庫。
【請求項２】
箱体内部の最下部に配置される冷凍室と、この冷凍室の上部に設けられ前記冷凍室と使用温度の異なる一つ以上の他の貯蔵室と、前記冷凍室の後方に位置し内部に冷却器を有する冷却器収納室と、前記冷却器収納室の前記冷却器よりも下方に備えられ前記冷凍室と連通する第１の冷気の戻り口と、前記冷却器収納室の前記冷却器よりも下方に備えられ前記他の貯蔵室を冷却した冷気が戻る第２の冷気戻り口とを有し、
前記第１の冷気戻り口は、前記冷却器とほぼ同等の幅を有し、前記冷却器収容室の底面よりも上方に位置し、前記冷却器収納室側への開口底面が水平ないし冷却器側に向かって斜め上向きとし、
前記第２の冷気戻り口は、前記冷却鵠収容室の底面に沿ってほぼ水平ないし斜め下向きに前記冷却器の幅方向に流入させる形状としたことを特徴とする冷蔵庫。
【請求項３】
前記請求項２に記載した冷蔵庫において、前記他の貯蔵室冷気戻り口の上面を前記冷却器収容室の底面とほぼ水平ないし斜め下向きに形成したことを特徴とする冷蔵庫。
【請求項４】
前記請求項１乃至３のいずれかに記載した冷蔵庫において、前記冷凍室からの冷気の戻り口の底面に、前記冷却器収容室に対してほぼ水平ないし斜め上向きの板状の部材を、前記冷却器収容室内に突出して形成したことを特徴とする冷蔵庫。
【請求項５】
前記請求項２又は３に記載した冷蔵庫において、前記他の貯蔵室冷気戻り口の上面に、前記冷却器収容室の底面とほぼ水平ないし斜め下向きの板状の部材を、前記冷却器収容室内に突出して形成したことを特徴とする冷蔵庫。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月26日(2005.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に設けられた複数の画素電極と、第２の基板上に設けられた共通電極と、前記第１の基板と第２の基板の間に設けられた液晶とを有する液晶表示装置において、
前記画素電極に対向する前記共通電極中には、電極膜層の不在領域として形成された配向制御窓が設けられ、かつ、前記配向制御窓が互いに近接した領域にのみ、前記共通電極に重ねて、補助導電線が設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記補助導電線は、前記共通電極の構成膜よりも低抵抗の膜からなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記補助導電線は、前記共通電極の構成膜と同じ膜からなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記補助導電線は、前記画素電極で構成される有効表示領域の周辺の領域に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記補助導電線は、不透光性材料からなることを特徴とする請求項１から３のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
更に、補助導電線（３５）は、共通電極（３３）と同様にＩＴＯ膜、あるいは、共通電極（３３）のＩＴＯ膜の膜厚を厚くすることによって形成することもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月21日(2005.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置およびその作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にスイッチング素子と、
前記スイッチング素子と接続された透明性導電膜からなる画素電極と、
前記画素電極の下方に誘電体膜と、
前記誘電体膜の下方に金属材料からなる反射層とを有し、
前記画素電極は、高屈折率を有する導電材料で構成され、
前記誘電体膜は、低屈折率誘電体材料で構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記画素電極と、前記誘電体膜と、前記反射層とで容量を形成することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上にスイッチング素子と、
前記スイッチング素子と接続された透明性導電膜からなる画素電極と、
前記画素電極の下方に誘電体多層膜と、
前記誘電体多層膜の下方に金属材料からなる反射層とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、前記画素電極と、前記誘電体多層膜と、前記反射層とで容量を形成することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項３又は請求項４において、前記誘電体多層膜は低屈折率誘電体膜と高屈折率誘電体膜を交互に積層して構成され、
前記低屈折率誘電体膜として、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、Ｎａ3ＡｌＦ6、アクリル、ポリイミドから選ばれた材料が用いられ、
前記高屈折率誘電体膜として、ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｙ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3から選ばれた材料が用いられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、前記低屈折率誘電体膜の膜厚は７０ｎｍ〜１２２ｎｍであり、前記高屈折率誘電体膜の膜厚は４５．５ｎｍ〜７９．５ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記画素電極の膜厚は、５０．５ｎｍ〜８８．４ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記反射層の電位は、コモン電位であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記反射層の反射面積は、前記画素電極の電極面積より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記半導体装置は、一対の基板間に液晶が封入され、前記画素電極は一方の基板上にマトリクス状に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、前記反射層の材料として、アルミニウム、銀、ロジウム、ニッケル、またはそれらを主成分とする合金を用いることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、前記スイッチング素子として、薄膜トランジスタ、薄膜ダイオード、ＭＩＭ素子、またはバリスタ素子を用いることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、前記基板として、ガラス基板、石英基板、セラミックス基板、または半導体基板を用いることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、前記反射層は、前記画素電極及び前記スイッチング素子と接続されていないことを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一に記載の前記半導体装置を用いることを特徴とするビデオカメラ、スチルカメラ、プロジェクター、プロジェクションＴＶ、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末、または画像再生装置。
【請求項１６】
基板上にスイッチング素子を形成し、
前記スイッチング素子の上方に金属材料からなる反射層を形成し、
前記反射層上に誘電体多層膜を形成し、
前記誘電体多層膜上に透明性導電膜からなる画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
基板上にスイッチング素子を形成し、
前記スイッチング素子を覆って層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に金属材料からなる反射層を形成し、
前記反射層上に誘電体膜を形成し、
前記誘電体膜上に透明性導電膜からなる画素電極を形成し、前記反射層と前記誘電体膜と前記画素電極とからなる補助容量を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
基板上にスイッチング素子を形成し、
前記スイッチング素子を覆って層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に容量電極を形成し、
前記容量電極上に第１の低屈折率誘電体膜を形成し、
前記第１の低屈折率誘電体膜上に、金属材料からなる反射層を形成し、前記容量電極と前記第１の低屈折率誘電体膜と前記反射層とからなる第１の補助容量を形成し、
前記反射層上に第２の低屈折率誘電体膜を形成し、
前記第２の低屈折率誘電体膜上に透明性導電膜からなる画素電極を形成し、前記反射層と前記第２の低屈折率誘電体膜と前記画素電極とからなる第２の補助容量を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１７または請求項１８において、前記層間絶縁膜として、酸化珪素膜、酸化窒化珪素膜、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミドアミド、またはアクリルを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月26日(2005.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向面に液晶駆動用の電極が形成された第１及び第２の基板からなる一対の基板間に液晶が封入され、画素毎に液晶の初期配向を基板に対して垂直方向に制御した液晶容量と、該液晶容量に並列に接続された補助容量が形成されてなる垂直配向型液晶表示装置において、
前記液晶容量ＣＬＣと補助容量ＣＳＣとは、
【数１】
1999337963.tif 000001
の関係を満たすことを特徴とする垂直配向型液晶表示装置。
【請求項２】
前記補助容量は、前記第１の基板上に形成された薄膜トランジスタに用いる半導体層と、ゲート絶縁膜と、そのゲート絶縁膜上に延在する補助容量電極によって構成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１の基板上には複数の画素電極が設けられ、前記第２の基板上には共通電極が設けられており、前記画素電極に対向する前記共通電極中には、電極膜層の不在領域として形成され電圧印加により傾斜する方角を分割する機能を有する配向制御窓が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１の基板上には、前記画素電極の下層に、その画素電極の平坦性を高めるための平坦化絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第２の基板上には、その第２基板と前記共通電極との間に、前記各画素電極に対応したカラーフィルターが設けられていることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
このように、垂直配向型においては、補助容量ＣＳＣを液晶容量ＣＬＣ⊥（ＯＦＦ）の０．６１倍、あるいは、それ以上とすることにより、液晶容量ＣＬＣ⊥と補助容量ＣＳＣの合成容量ＣＣＯＭが十分に大きくなるので、液晶容量ＣＬＣ⊥のＯＮ／ＯＦＦ比が大きくなっても、ΔＶＬＣの変動幅が許容範囲内に収まるので、焼き付き現象が生じることが防がれる。ただし、補助容量ＣＳＣが大きくなると、合成容量ＣＣＯＭが大きくなり、この結果、時定数が大きくなって書き込みに要する時間が長くなる。経験上、補助容量ＣＳＣの上限は、液晶容量ＣＬＣ⊥の２倍程度が適当である。従って、垂直配向型ＬＣＤにおける補助容量ＣＳＣと液晶容量ＣＬＣ⊥の関係は、次の（８）式のとおりである。