【手続補正書】
【提出日】平成16年12月7日(2004.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板上に形成されたｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴを含む半導体装置であって、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴはそれぞれ、前記基板上のチャネル形成領域とソース領域とドレイン領域とゲッタリング領域とを含む半導体層、前記半導体層上のゲート絶縁膜、および前記ゲート絶縁膜上のゲート電極を含み、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴにおける前記ゲッタリング領域は、鉄、ニッケル、コバルト、スズ、鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、銅、金から選ばれた一種または複数種の元素を前記チャネル形成領域、前記ソース領域、前記ドレイン領域より高濃度で含み、且つｎ型を付与する不純物元素及びｐ型を付与する不純物元素を含み、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴにおける前記ソース領域、前記ドレイン領域の電子または正孔が移動する領域以外の領域に、前記ゲッタリング領域が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
同一基板上に形成されたｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴを含む半導体装置であって、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴはそれぞれ、前記基板上のチャネル形成領域とソース領域とドレイン領域とゲッタリング領域とを含む半導体層、前記半導体層上のゲート絶縁膜、および前記ゲート絶縁膜上のゲート電極を含み、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴにおける前記ゲッタリング領域は、鉄、ニッケル、コバルト、スズ、鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、銅、金から選ばれた一種または複数種の元素を前記チャネル形成領域、前記ソース領域、前記ドレイン領域より高濃度で含み、且つｎ型を付与する不純物元素及びｐ型を付与する不純物元素を含み、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴにおいて、前記ゲッタリング領域は、前記ソース領域、前記ドレイン領域と隣接し、少なくとも前記チャネル形成領域とは隣接しないように設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
同一基板上に形成されたｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴを含む半導体装置であって、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴはそれぞれ、前記基板上のチャネル形成領域とソース領域とドレイン領域とゲッタリング領域とを含む半導体層、前記半導体層上のゲート絶縁膜、および前記ゲート絶縁膜上のゲート電極を含み、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴにおける前記ゲッタリング領域は、鉄、ニッケル、コバルト、スズ、鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、銅、金から選ばれた一種または複数種の元素を前記チャネル形成領域、前記ソース領域、前記ドレイン領域より高濃度で含み、且つｎ型を付与する不純物元素及びｐ型を付与する不純物元素を含み、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴにおいて、前記ゲッタリング領域は、前記半導体層における前記ソース領域または前記ドレイン領域に電気的に接続される配線とのコンタクト部より、外縁部に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
同一基板上に形成されたｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴを含む半導体装置であって、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴはそれぞれ、前記基板上のチャネル形成領域とソース領域とドレイン領域とゲッタリング領域とを含む半導体層、前記半導体層上のゲート絶縁膜、および前記ゲート絶縁膜上のゲート電極を含み、
前記ゲッタリング領域は、前記半導体層の外縁部に設けられており、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴにおける前記ゲッタリング領域は、鉄、ニッケル、コバルト、スズ、鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、銅、金から選ばれた一種または複数種の元素を前記チャネル形成領域、前記ソース領域、前記ドレイン領域より高濃度で含み、且つｎ型を付与する不純物元素及びｐ型を付与する不純物元素を含み、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴにおいて、前記半導体層に電気的に接続される配線とのコンタクト部は、前記ゲッタリング領域の一部を含んだ領域および前記ゲッタリング領域以外の領域の一部を含んだ領域に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
同一基板上に形成されたｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴを含む半導体装置であって、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴはそれぞれ、前記基板上のチャネル形成領域とソース領域とドレイン領域とゲッタリング領域とを含む半導体層、前記半導体層上のゲート絶縁膜、および前記ゲート絶縁膜上のゲート電極を含み、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴにおける前記ゲッタリング領域は、鉄、ニッケル、コバルト、スズ、鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、銅、金から選ばれた一種または複数種の元素を前記チャネル形成領域、前記ソース領域、前記ドレイン領域より高濃度で含み、且つｎ型を付与する不純物元素及びｐ型を付与する不純物元素を含み、
前記ゲッタリング領域は、前記半導体層の外縁部に設けられており、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴにおいて、前記半導体層に電気的に接続される配線とのコンタクト部は、前記ゲッタリング領域以外の領域に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
同一基板上に形成されたｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴを含む半導体装置であって、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴはそれぞれ、前記基板上のチャネル形成領域とソース領域とドレイン領域とゲッタリング領域とを含む半導体層、前記半導体層上のゲート絶縁膜、および前記ゲート絶縁膜上のゲート電極を含み、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴにおける前記ソース領域または前記ドレイン領域は、複数の前記半導体層が連結して設けられており、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴにおける前記ゲッタリング領域は、鉄、ニッケル、コバルト、スズ、鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、銅、金から選ばれた一種または複数種の元素を前記チャネル形成領域、前記ソース領域、前記ドレイン領域より高濃度で含み、且つｎ型を付与する不純物元素及びｐ型を付与する不純物元素を含み、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴの前記半導体層が連結された領域において、前記ゲッタリング領域は、電子または正孔が移動する領域以外に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
同一基板上に形成されたｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴを含む半導体装置であって、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴはそれぞれ、前記基板上のチャネル形成領域とソース領域とドレイン領域とゲッタリング領域とを含む半導体層、前記半導体層上のゲート絶縁膜、および前記ゲート絶縁膜上のゲート電極を含み、
前記ｎチャネル型ＴＦＴまたは前記ｐチャネル型ＴＦＴは、それぞれ複数の前記半導体層が連結して設けられており、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴにおける前記ゲッタリング領域は、鉄、ニッケル、コバルト、スズ、鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、銅、金から選ばれた一種または複数種の元素を前記チャネル形成領域、前記ソース領域、前記ドレイン領域より高濃度で含み、且つｎ型を付与する不純物元素及びｐ型を付与する不純物元素を含み、
前記ゲッタリング領域は、前記半導体層の外縁部と、前記ソース領域または前記ドレイン領域とに挟まれた領域に設けられており、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴにおいて、前記半導体層に電気的に接続される配線とのコンタクト部は、前記ゲッタリング領域の一部を含んだ領域および前記ゲッタリング領域以外の領域の一部を含んだ領域に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
同一基板上に形成されたｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴを含む半導体装置であって、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴはそれぞれ、前記基板上のチャネル形成領域とソース領域とドレイン領域とゲッタリング領域とを含む半導体層、前記半導体層上のゲート絶縁膜、および前記ゲート絶縁膜上のゲート電極を含み、
前記ｎチャネル型ＴＦＴまたは前記ｐチャネル型ＴＦＴは、それぞれ複数の前記半導体層が連結して設けられており、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴにおける前記ゲッタリング領域は、鉄、ニッケル、コバルト、スズ、鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、銅、金から選ばれた一種または複数種の元素を前記チャネル形成領域、前記ソース領域、前記ドレイン領域より高濃度で含み、且つｎ型を付与する不純物元素及びｐ型を付与する不純物元素を含み、
前記ゲッタリング領域は、前記半導体層の外縁部と、前記ソース領域または前記ドレイン領域とに挟まれた領域に設けられており、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴにおいて、前記半導体層に電気的に接続される配線とのコンタクト部は、前記ゲッタリング領域以外の領域に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、前記半導体層の幅Ｗに対する前記ゲッタリング領域の面積Ｓの比Ｓ／Ｗが、前記ｎチャネル型ＴＦＴと前記ｐチャネル型ＴＦＴとで概略等しいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、対を成すそれぞれの前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴにおける、それぞれの前記ソース領域あるいは前記ドレイン領域と前記チャネル形成領域との接合部から前記ゲッタリング領域までの距離が、前記ｎチャネル型ＴＦＴと前記ｐチャネル型ＴＦＴとで概略等しいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項において、前記ゲッタリング領域には、前記ｎ型を付与する不純物元素が１×１０19〜１×１０21／ｃｍ3の濃度で含まれており、前記ｐ型を付与する不純物元素が１．５×１０19〜３×１０21／ｃｍ3の濃度で含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項において、前記ゲッタリング領域には、ｎ型を付与する不純物元素の１．５〜３倍の濃度のｐ型を付与する不純物元素が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項において、前記ゲート電極は、Ｗ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏから選ばれた元素、または前記元素の合金材料の一種または複数種からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
同一基板上に画素部とゲート側駆動回路とソース側駆動回路が構成された半導体装置において、請求項１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記ｐチャネル型ＴＦＴを用いて構成される前記ソース側駆動回路内のサンプリング回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
絶縁体上に非晶質半導体膜を形成する第１の工程と、
前記非晶質半導体膜に鉄、ニッケル、コバルト、スズ、鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、銅、金から選ばれた一種または複数種の元素を添加する第２の工程と、
前記非晶質半導体膜に第１の加熱処理を行うことにより、結晶質半導体膜を形成する第３の工程と、
前記結晶質半導体膜をエッチングして、半導体層を形成する第４の工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第５の工程と、
ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴとなる領域のゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する第６の工程と、
前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層のソース領域、ドレイン領域、ゲッタリング領域および前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層のゲッタリング領域にｎ型を付与する不純物元素を添加する第７の工程と、
前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層のゲッタリング領域、前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層のソース領域、ドレイン領域およびゲッタリング領域にｐ型を付与する不純物元素を添加する第８の工程と、
前記第８の工程の後、第２の加熱処理を行うことにより、前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層中の前記元素および前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層中の前記元素を前記ｎ型を付与する不純物元素および前記ｐ型を付与する不純物元素が添加された前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域および前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域のそれぞれの前記ゲッタリング領域に移動させる第９の工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
絶縁体上に非晶質半導体膜を形成する第１の工程と、
前記非晶質半導体膜上に開口部を有するマスク絶縁膜を形成し、前記非晶質半導体膜に選択的に鉄、ニッケル、コバルト、スズ、鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、銅、金から選ばれた一種または複数種の元素を添加する第２の工程と、
前記非晶質半導体膜に第１の加熱処理を行い、結晶質半導体膜を形成する第３の工程と、
前記結晶質半導体膜をエッチングして、半導体層を形成する第４の工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第５の工程と、
ｎチャネル型ＴＦＴ及びｐチャネル型ＴＦＴとなる領域のゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する第６の工程と、
前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層のソース領域、ドレイン領域、ゲッタリング領域および前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層のゲッタリング領域にｎ型を付与する不純物元素を添加する第７の工程と、
前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層のゲッタリング領域、前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層のソース領域、ドレイン領域およびゲッタリング領域にｐ型を付与する不純物元素を添加する第８の工程と、
前記第８の工程の後、第２の加熱処理を行うことにより、前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層中の前記元素および前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層中の前記元素を前記ｎ型を付与する不純物元素および前記ｐ型を付与する不純物元素が添加された前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域および前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域のそれぞれの前記ゲッタリング領域に移動させる第９の工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
絶縁体上に非晶質半導体膜を形成する第１の工程と、
前記非晶質半導体膜に鉄、ニッケル、コバルト、スズ、鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、銅、金から選ばれた一種または複数種の元素を添加する第２の工程と、
前記非晶質半導体膜に第１の加熱処理を行うことにより、結晶質半導体膜を形成する第３の工程と、
前記結晶質半導体膜をエッチングして、半導体層を形成する第４の工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第５の工程と、
ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域のゲート絶縁膜上に第１の形状のゲート電極を形成し、ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域のゲート絶縁膜上に第２の形状のゲート電極を形成する第６の工程と、
前記第１の形状のゲート電極および前記第２の形状のゲート電極をマスクにして、前記半導体層にｎ型を付与する不純物元素を添加し、前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層のソース領域、ドレイン領域、ゲッタリング領域および前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層のゲッタリング領域を形成する第７の工程と、
前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層の一部を露出するマスクおよび前記第２の形状のゲート電極上のマスクを形成した後、前記第２の形状のゲート電極をエッチングして前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域の第３の形状のゲート電極を形成する第８の工程と、
前記第８の工程において形成したマスクおよび前記第３の形状のゲート電極をマスクにして、前記半導体層にｐ型を付与する不純物元素を添加し、前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層のゲッタリング領域、前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層のソース領域、ドレイン領域およびゲッタリング領域を形成する第９の工程と、
前記第９の工程の後、第２の加熱処理を行うことにより、前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層中の前記元素および前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層中の前記元素を前記ｎ型を付与する不純物元素および前記ｐ型を付与する不純物元素が添加された前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域および前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域のそれぞれの前記ゲッタリング領域に移動させる第１０の工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
絶縁体上に非晶質半導体膜を形成する第１の工程と、
前記非晶質半導体膜上に開口部を有するマスク絶縁膜を形成し、前記非晶質半導体膜に選択的に鉄、ニッケル、コバルト、スズ、鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、白金、銅、金から選ばれた一種または複数種の元素を添加する第２の工程と、
前記非晶質半導体膜に第１の加熱処理を行い、結晶質半導体膜を形成する第３の工程と、
前記結晶質半導体膜をエッチングして、半導体層を形成する第４の工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第５の工程と、
ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域のゲート絶縁膜上に第１の形状のゲート電極を形成し、ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域のゲート絶縁膜上に第２の形状のゲート電極を形成する第６の工程と、
前記第１の形状のゲート電極および前記第２の形状のゲート電極をマスクにして、前記半導体層にｎ型を付与する不純物元素を添加し、前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層のソース領域、ドレイン領域、ゲッタリング領域および前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層のゲッタリング領域を形成する第７の工程と、
前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層の一部を露出するマスクおよび前記第２の形状のゲート電極上のマスクを形成した後、前記第２の形状のゲート電極をエッチングして前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域の第３の形状のゲート電極を形成する第８の工程と、
前記第８の工程において形成したマスクおよび前記第３の形状のゲート電極をマスクにして、前記半導体層にｐ型を付与する不純物元素を添加し、前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層のゲッタリング領域、前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層のソース領域、ドレイン領域およびゲッタリング領域を形成する第９の工程と、
前記第９の工程の後、第２の加熱処理を行うことにより、前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層中の前記元素および前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層中の前記元素を前記ｎ型を付与する不純物元素および前記ｐ型を付与する不純物元素が添加された前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域および前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域のそれぞれの前記ゲッタリング領域に移動させる第１０の工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１５乃至請求項１８のいずれか１項において、前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層におけるゲッタリング領域および前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層におけるゲッタリング領域は、前記ソース領域と前記ドレイン領域とにおいて、電子または正孔が移動する領域以外に形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１５乃至請求項１９のいずれか１項において、前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層におけるゲッタリング領域および前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層におけるゲッタリング領域は、前記ソース領域あるいは前記ドレイン領域と隣接し、少なくとも前記ゲート電極下に形成されるチャネル形成領域とは隣接しないように形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１５乃至請求項２０のいずれか１項において、前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層におけるゲッタリング領域および前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層におけるゲッタリング領域は、前記半導体層における前記ソース領域または前記ドレイン領域に電気的に接続される配線とのコンタクト部より外縁部に形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１５乃至請求項２１のいずれか１項において、前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層におけるゲッタリング領域の一部、前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層におけるゲッタリング領域の一部、および前記ゲッタリング領域以外の領域の一部を用いて、前記半導体層に電気的に接続される配線とのコンタクト部が形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１５乃至請求項２２のいずれか１項において、前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層におけるゲッタリング領域以外の領域およびｐチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層における前記ゲッタリング領域以外の領域を用いて、前記半導体層に電気的に接続される配線とのコンタクト部が形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１５乃至請求項２３のいずれか１項において、前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層におけるゲッタリング領域および前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層におけるゲッタリング領域は、前記半導体層の幅Ｗに対する前記ゲッタリング領域の面積Ｓの比Ｓ／Ｗが、前記ｎチャネル型ＴＦＴと前記ｐチャネル型ＴＦＴとで概略等しくなるように形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項１５乃至請求項２４のいずれか１項において、前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層におけるゲッタリング領域および前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層におけるゲッタリング領域は、前記半導体層における前記ゲート電極端部から前記ゲッタリング領域までの距離が、前記ｎチャネル型ＴＦＴと前記ｐチャネル型ＴＦＴとで概略等しくなるように形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項１５乃至請求項２５のいずれか１項において、前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層のソース領域、ドレイン領域、ゲッタリング領域および前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層のゲッタリング領域に添加されるｎ型を付与する不純物元素の濃度は、１×１０19〜１×１０21／ｃｍ3であり、
前記ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層のゲッタリング領域、前記ｐチャネル型ＴＦＴとなる領域の半導体層のソース領域、ドレイン領域およびゲッタリング領域に添加されるｐ型を付与する不純物元素の濃度は１．５×１０19〜３×１０21／ｃｍ3とする半導体装置の作製方法。
【請求項２７】
請求項１５乃至請求項２６のいずれか１項において、前記第１の加熱処理の後、前記結晶質半導体膜にレーザ光を照射する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２８】
請求項１５乃至請求項２７のいずれか１項において、前記第２の形状のゲート電極は、前記第３の形状のゲート電極より幅を広く形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２９】
請求項１５乃至請求項２８のいずれか１項において、前記第２の加熱処理は、前記半導体層に添加された前記ｎ型を付与する不純物元素および前記ｐ型を付与する不純物元素の活性化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。