Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月18日(2021.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハ上のパターン内の２つの特徴間の高低差を判定するコンピュータ実施方法であって、
前記高低差の関数として表現される変数を有するモデルを識別するステップであって、前記関数が１つまたは複数の物理パラメータと、前記１つまたは複数の物理パラメータの相互依存性を特徴付ける１つまたは複数の量とを有する、識別するステップと、
前記半導体ウエハ上の前記パターンの実際の画像上で測定を実施して、前記高低差の前記関数の前記１つまたは複数の物理パラメータの値を取得するステップと、
コンピュータプロセッサによって、前記取得した１つまたは複数の物理パラメータの値と、前記１つまたは複数の物理パラメータの相互依存性を特徴付ける前記１つまたは複数の量とを使用して前記モデルから前記高低差を判定するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記高低差は、前記同じ半導体ウエハ上の第１の特徴と第２の特徴との間である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記高低差は、２つの異なる半導体ウエハ上に製作された特徴の特定の寸法の第１の値と第２の値との間である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記測定を実施するステップが、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）を使用して、前記周期的な構造の前記実際の画像を取得するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記モデルにおける前記変数が、走査電子ビームの傾斜角度の変化に対する前記周期的な構造の前記実際の画像上の２つの特性点間の測定距離の変化の点から表現され、前記測定距離は、コアトレンチとギャップトレンチとの間の距離を示し、前記距離は、前記コアトレンチと前記ギャップトレンチとの間の前記高低差に依存する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記１つまたは複数のパラメータの値を取得するステップが、前記走査電子ビームの前記傾斜角度の変化を示す値を取得するステップを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
周期的な構造におけるコアトレンチとギャップトレンチとの間の高低差を判定し、前記周期的な構造は半導体ウエハ上に形成された複数のコアトレンチと複数のギャップトレンチとを含む、コンピュータ実施方法であって、
コアトレンチとギャップトレンチとの間の前記高低差の関数として表現される変数を有するモデルを識別するステップであって、前記関数が１つまたは複数の物理パラメータと、前記１つまたは複数の物理パラメータの相互依存性を特徴付ける１つまたは複数の量とを有する、識別するステップと、
前記周期的な構造の実際の画像上で測定を実施して、前記高低差の前記関数の前記１つまたは複数の物理パラメータの値を取得するステップと、
コンピュータプロセッサによって、前記取得した１つまたは複数の物理パラメータの値と、前記１つまたは複数の物理パラメータの相互依存性を特徴付ける前記１つまたは複数の量とを使用して前記モデルから前記高低差を判定するステップとを含む方法。
【請求項８】
前記周期的な構造は、複数パターニングを含む半導体処理技法を使用して形成される、請求項７に記載の方法。 
【請求項９】
前記測定を実施するステップが、
前記走査電子ビームの第１の傾斜角度で前記周期的な構造を走査して、前記周期的な構造の第１の実際の画像を取得するステップと、
前記走査電子ビームの第２の傾斜角度で前記周期的な構造を走査して、前記周期的な構造の第２の実際の画像を取得するステップであって、前記第２の傾斜角度が前記第１の傾斜角度とは異なる、取得するステップと、
前記第１の実際の画像上で１対の特性点を識別し、前記ペア内の特性点間の前記距離を測定するステップと、
前記第２の実際の画像上で前記同じ特性点を識別し、前記ペア内の前記特性点間の前記距離を測定するステップと、
前記走査電子ビームの前記傾斜角度の変化に対する前記測定距離の変化の点から前記モデルの前記変数を表現するステップとをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
各対の特性点が、特定の角度で傾斜した前記走査電子ビームによって照射されたコアトレンチおよびギャップトレンチのそれぞれの底隅部に基づいて、前記実際の画像上に作成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１および前記第２の実際の画像上で複数対の特性点を識別するステップをさらに含み、前記複数対の特性点の各々が、対応する１対のコアトレンチおよびギャップトレンチによって作成される、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記測定距離の変化の点から前記変数を表現するステップが、
前記複数対の特性点から取得された測定距離の平均を計算するステップと、
前記平均測定距離の変化の点から前記変数を表現するステップとを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記変数が、影の深さの変化の関数として表現され、影の深さの前記変化が、コアトレンチとギャップトレンチとの間の前記高低差ならびに幅差に依存する、請求項７に記載の方法。
【請求項１４】
前記影の深さは、前記コアトレンチと前記ギャップトレンチとの間の相対輝度の差を表す、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記モデルは、
Δη＝αΔｗ＋βΔｈ
という線形関数から作成され、上式で、ηはグレーレベル計算の輝度比を示し、Δηはコアトレンチとギャップトレンチとの間のηの差を示し、αおよびβは係数を示し、Δｗは幅差であり、Δｈはコアトレンチとギャップトレンチとの間の高低差である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
グレーレベル計算が、前記コアトレンチおよび前記ギャップトレンチの頂部および底部で測定される輝度を伴う、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記係数αおよびβが、較正またはシミュレーションによって取得される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
実際の画像上で測定を実施するステップが、前記コアトレンチと前記ギャップトレンチとの間の前記幅差Δｗに対する値を取得するステップを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
周期的な構造におけるコアトレンチとギャップトレンチとの間の高低差を判定するシステムであって、前記周期的な構造が、半導体ウエハ上に形成された複数のコアトレンチおよび複数のギャップトレンチを含み、前記システムが、
メモリと、
処理デバイスとを備え、前記処理デバイスは、
コアトレンチとギャップトレンチとの間の前記高低差の関数として表現される変数を有するモデルを識別することであって、前記関数が１つまたは複数の物理パラメータと、前記１つまたは複数の物理パラメータの相互依存性を特徴付ける１つまたは複数の量とを有する、識別することと、
前記周期的な構造の実際の画像上で実施された測定から前記高低差の前記関数の前記１つまたは複数の物理パラメータの値を取得することと、
前記取得した１つまたは複数の物理パラメータの値と、前記１つまたは複数の物理パラメータの相互依存性を特徴付ける前記１つまたは複数の量とを使用して前記モデルから前記高低差を判定することとを行うように、前記メモリに動作可能に結合される、システム。
【請求項２０】
前記実際の画像が、走査電子顕微鏡によって作成される、請求項１９に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月17日(2021.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
広帯域Ｘ線源とともに使用するように構成されたキャリアであって、
前記広帯域Ｘ線源は、電子源と、前記電子源からの電子を受けるように配置され、前記一次ターゲットへの電子の衝突に応じて広帯域Ｘ線を生成する一次ターゲットと、を有し、
当該キャリアはハウジングを有し、
前記ハウジングは、前記広帯域Ｘ線供給源に着脱自在に結合されるように構成されるとともに、広帯域Ｘ線放射の入射に応じて単色Ｘ線放射を生成することができる二次ターゲットを収容するように構成されており、
前記ハウジングは、
前記二次ターゲットが存在する場合に、広帯域Ｘ線放射を前記二次ターゲットへ透過させる透過部分と、
広帯域Ｘ線放射を吸収するように構成された遮断部分と、を有する、
キャリア。
【請求項２】
前記透過部分は、前記広帯域Ｘ線源によって放出される前記広帯域Ｘ線放射に対して実質的に透明な第１透過材料を少なくとも含む、
請求項１記載のキャリア。
【請求項３】
前記透過部分は、アルミニウム、炭素、カーボンファイバ、ホウ素、窒化ホウ素、酸化ベリリウム、シリコン及び窒化シリコンのうちの、少なくとも１つを含有する、
請求項２記載のキャリア。
【請求項４】
前記遮断部分は、前記広帯域Ｘ線源によって放出される前記広帯域Ｘ線放射に対して実質的に不透明な第１遮断材料を少なくとも含有する、
請求項１記載のキャリア。
【請求項５】
前記遮断部分は、鉛、タングステン、タンタル、レニウム、プラチナ及び金のうちの、少なくとも１つを含有する、
請求項４記載のキャリア。
【請求項６】
前記二次ターゲットが前記ハウジングに収容される場合に、前記二次ターゲットの少なくとも第１部分が前記ハウジングの前記透過部分内に配置され、前記二次ターゲットの第２部分が前記ハウジングの前記遮断部分内に配置されるように、前記ハウジングが構成されている、
請求項１記載のキャリア。
【請求項７】
前記透過部分は、前記二次ターゲットを収容するように構成された第１筒状部分を有し、
前記遮断部分は、前記第１筒状部分が前記二次ターゲットを収容する場合に、前記二次ターゲットの前記第２部分にオーバーラップするように構成された第２筒状部分を有する、
請求項６記載のキャリア。
【請求項８】
前記二次ターゲットは円錐状であり、
前記第１筒状部分は、円錐状の前記二次ターゲットのベースの少なくとも一部を収容するように構成されており、
前記第２筒状部分は、円錐状の前記二次ターゲットの先端の少なくとも一部にオーバーラップするように構成されている、
請求項７記載のキャリア。
【請求項９】
前記第２筒状部分は、前記第１筒状部分が前記二次ターゲットを収容する場合、前記二次ターゲットの少なくとも１ｍｍにオーバーラップするように構成されている、
請求項７記載のキャリア。
【請求項１０】
前記第２筒状部分は、前記第１筒状部分が前記二次ターゲットを収容する場合、前記二次ターゲットの少なくとも２ｍｍにオーバーラップするように構成されている、
請求項７記載のキャリア。
【請求項１１】
前記第２筒状部分は、前記第１筒状部分が前記二次ターゲットを収容する場合、前記二次ターゲットの少なくとも３ｍｍにオーバーラップするように構成されている、
請求項７記載のキャリア。
【請求項１２】
前記二次ターゲットが前記ハウジングに収容される場合に、前記二次ターゲットは前記透過部分内にだけ配置されるように、前記ハウジングは構成されている、
請求項１記載のキャリア。
【請求項１３】
前記透過部分は、前記二次ターゲットの少なくとも一部を収容するように構成された第１筒状部分を有し、
前記遮断部分は、
第１直径を有する第２筒状部分であって、
前記第２筒状部分は、前記第１筒状部分に隣接して配置されている、第２筒状部分と、
前記第１直径より大きい第２直径を有する環状部分であって、前記環状部分は、前記第２筒状部分に隣接して配置されており、前記環状部分を通って設けられるアパーチャを介して単色Ｘ線放射を放出するように構成されている、環状部分と、を有する、
請求項１記載のキャリア。
【請求項１４】
前記第１筒状部分は、前記広帯域Ｘ線源のレセプタクルに挿入されるように構成された前記ハウジングの近位端部に配置されており、
前記環状部分は、単色Ｘ線放射を放出するキャリアの遠位端部に配置される、
請求項１３記載のキャリア。
【請求項１５】
前記ハウジングは、前記広帯域Ｘ線源に結合されて前記二次ターゲットを収容する場合に、前記一次ターゲットからの広帯域Ｘ線放射のうちの少なくとも一部が前記ハウジングの前記透過部分を介して前記二次ターゲットに衝突するように、前記二次ターゲットが配置されるように構成されている、
請求項１記載のキャリア。
【請求項１６】
前記広帯域Ｘ線源は、前記電子源及び前記一次ターゲットを収容する真空管を有し、
前記真空管は、前記一次ターゲットによって放出される前記広帯域Ｘ線放射の少なくとも一部を前記真空管の外部へと透過させる透過ウインドウを有するインタフェースコンポーネントを備え、
前記ハウジングは、少なくとも部分的に前記インタフェースコンポーネントによって形成されたレセプタクルに着脱可能に挿入されるように構成されており、その結果、前記ハウジングが前記レセプタクルに挿入され、前記二次ターゲットを収容する場合に、前記二次ターゲットは、前記インタフェースコンポーネントの前記透過ウインドウ及び前記ハウジングの前記透過部分を介して伝播する前記一次ターゲットからの広帯域Ｘ線放射の少なくとも一部を受けるように配置されている、
請求項１５記載のキャリア。
【請求項１７】
広帯域Ｘ線放射を生成するように前記広帯域Ｘ線源が動作され、前記ハウジングが前記レセプタクルに挿入されて前記二次ターゲットを収容する場合に、前記キャリアは、少なくとも約１５度の視野にわたって０．７を超える単色性を有する単色Ｘ線放射を放出するように構成されている、
請求項１６記載のキャリア。
【請求項１８】
広帯域Ｘ線放射を生成するために前記広帯域Ｘ線源が動作され、前記ハウジングが前記レセプタクルに挿入されて前記二次ターゲットを収容する場合に、前記キャリアは、少なくとも約１５度の視野にわたって０．８を超える単色性を有する単色のＸ線放射を放出するように構成される、
請求項１６記載のキャリア。
【請求項１９】
広帯域Ｘ線放射を生成するために前記広帯域Ｘ線源が動作され、前記ハウジングが前記レセプタクルに挿入されて前記二次ターゲットを収容する場合に、前記キャリアは、少なくとも約１５度の視野にわたって０．９以上の単色性を有する単色のＸ線放射を放出するように構成される、
請求項１７記載のキャリア。
【請求項２０】
広帯域Ｘ線放射を生成するために前記広帯域Ｘ線源が動作され、前記ハウジングが前記レセプタクルに挿入されて前記二次ターゲットを収容する場合に、前記キャリアは、少なくとも約１５度の視野にわたって０．９５以上の単色性を有する単色のＸ線放射を放出するように構成される。
請求項１７記載のキャリア。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月17日(2021.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線アクセス技術(RAT)を使用してワイヤレス通信デバイスによって実行されるワイヤレス通信の方法であって、
符号化されたビットのストリームを送信するための最小のサポートされる符号レート(Rmin)、前記符号化されたビットのストリームの制御情報サイズ(K)、送信用のコード化ビットの数(E)、および最大のサポートされるマザーコードサイズ(Nmax)に少なくとも部分的に基づいて前記符号化されたビットのストリームを送信するためのマザーコードサイズ(N)を決定するステップと、
サイズ(N、K)のPolar符号を使用してビットのストリームを符号化し、前記符号化されたビットのストリームをサーキュラーバッファ内に記憶するステップと、
前記マザーコードサイズ(N)、前記符号化されたビットのストリームの前記制御情報サイズ(K)、および送信用の前記コード化ビットの数(E)の間の比較に少なくとも部分的に基づいて、前記記憶された符号化されたビットのストリームに対してレートマッチングを実行するステップと、
前記RATを使用して前記レートマッチングされた符号化されたビットのストリームを送信するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記記憶された符号化されたビットのストリームに対してレートマッチングを実行するステップが、E≧Nの場合に、記憶された符号化ビットの第1の数を反復するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
記憶された符号化ビットの前記第1の数が、前記サーキュラーバッファ内のゼロ番目の位置から開始して前記サーキュラーバッファを時計回りに進むE-N個のビットに等しい、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
記憶された符号化ビットの前記第1の数が、前記サーキュラーバッファ内に記憶された前記符号化されたビットのストリームの終わりにおいて反復される、請求項2に記載の方法。
【請求項５】
前記記憶された符号化されたビットのストリームに対してレートマッチングを実行するステップが、E<Nの場合およびK/E≦βの場合に、記憶された符号化ビットの第2の数をパンクチャリングするステップを含み、βが0から1までの範囲の実数値である、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
記憶された符号化ビットの前記第2の数が、前記サーキュラーバッファ内のゼロ番目の位置から開始して前記サーキュラーバッファを時計回りに進むN-E個のビットに等しい、請求項5に記載の方法。
【請求項７】
前記記憶された符号化されたビットのストリームに対してレートマッチングを実行するステップが、E<Nの場合およびK/E>βの場合に、記憶された符号化ビットの第3の数を短縮するステップを含み、βが0から1までの範囲の実数値である、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
記憶された符号化ビットの前記第3の数が、前記サーキュラーバッファ内のN-1の位置から開始して前記サーキュラーバッファを反時計回りに進むN-E個のビットに等しい、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
前記最小のサポートされる符号レートが1/6である、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
Nが、
K/Rmin以上である最小の2のべき乗の整数、
E以上である前記最小の2のべき乗の整数、または
最大のサポートされるマザーコードサイズ(Nmax)
のうちの最小のものに等しい、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
無線アクセス技術(RAT)を使用してワイヤレス通信デバイスによって実行されるワイヤレス通信のための装置であって、
符号化されたビットのストリームを送信するための最小のサポートされる符号レート(Rmin)、前記符号化されたビットのストリームの制御情報サイズ(K)、送信用のコード化ビットの数(E)、および最大のサポートされるマザーコードサイズ(Nmax)に少なくとも部分的に基づいて前記符号化されたビットのストリームを送信するためのマザーコードサイズ(N)を決定するための手段と、
サイズ(N、K)のPolar符号を使用してビットのストリームを符号化し、前記符号化されたビットのストリームをサーキュラーバッファ内に記憶するための手段と、
前記マザーコードサイズ(N)、前記符号化されたビットのストリームの前記制御情報サイズ(K)、および送信用の前記コード化ビットの数(E)の間の比較に少なくとも部分的に基づいて、前記記憶された符号化されたビットのストリームに対してレートマッチングを実行するための手段と、
前記RATを使用して前記レートマッチングされた符号化されたビットのストリームを送信するための手段と
を含む、装置。
【請求項１２】
前記記憶された符号化されたビットのストリームに対してレートマッチングを実行するための手段が、E≧Nの場合に、記憶された符号化ビットの第1の数を反復するように構成され、
記憶された符号化ビットの前記第1の数が、前記サーキュラーバッファ内のゼロ番目の位置から開始して前記サーキュラーバッファを時計回りに進むE-N個のビットに等しい、請求項11に記載の装置。
【請求項１３】
前記記憶された符号化されたビットのストリームに対してレートマッチングを実行するための前記手段が、E<Nの場合およびK/E≦βの場合に、記憶された符号化ビットの第2の数をパンクチャリングするように構成され、βが0から1までの範囲の実数値である、請求項11に記載の装置。
【請求項１４】
前記記憶された符号化されたビットのストリームに対してレートマッチングを実行するための前記手段が、E<Nの場合およびK/E>βの場合に、記憶された符号化ビットの第3の数を短縮するように構成され、βが0から1までの範囲の実数値である、請求項11に記載の装置。
【請求項１５】
無線アクセス技術(RAT)を使用してワイヤレス通信デバイスによって実行されるワイヤレス通信のためのコンピュータ可読記録媒体であって、
少なくとも1つのプロセッサによって実行されるとき、前記少なくとも1つのプロセッサに、請求項1乃至10のいずれか1項に記載の方法を実行させる命令を記憶した、コンピュータ可読記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月6日(2021.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
更に、３ＧＰＰ  ５Ｇ  Ｐｏｌａｒ符号構築のために提案されたＰＷ法は、β展開に基づくものである（参考文献２参照）が、競合するフレームワークであるＦＲＡＮＫ（フラクタル拡張カーネル）（参考文献３参照）は、従来のＰＷ法を上回る主要な利点として、符号レート（即ち所与のブロックサイズＮに関する情報ビットＫの数）に応じたスケーラビリティを主張する。可変展開因子、例えばβ＝２１／ｍを含むようにＰＷ法を拡張した、本明細書中の実施形態は、以下で更に詳細に説明するように、ＦＲＡＮＫに関連する計算に関する短所の一部を伴うことなく、ＦＲＡＮＫが示すものに相当する様式で符号レートに応じてスケールするビット分配をもたらすことができる。例えば、βを、計算されたチャネルの信頼性に対する結果的な一致が改善されるような様式で、ブロックサイズ及び符号レートに基づいて微調整してよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６２】
例えば、図１３は、ｍ＜２．５に関して、これらの基本条件のうちの１つ以上が満たされない場合を示す。選択されているｍの値は、比較的少ないＫ位置への情報ビットの分配及び結果として得られる誤差性能を含む、他の考慮事項によって支配され得る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６９】
このアプローチは、意図した符号レートに比例して、比較的少ないＫ位置への情報ビットの分配をもたらし得る。符号レートが高くなるほど、比較的少ないＫ位置に割り振られる情報ビットの個数が大きくなる。比較として、ＰＷビット分配は、符号レートの関数として、比較的少ないＫ位置において比較的平坦となる（参考文献４参照）。例えば、以下の表２中で太字で強調されているＫ０１１［１９２，２５５］を参照。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７７】
図１８：チャネルの順序付け
図１８は、正確なチャネルの信頼性（「ＩＤＸ」）と比較した場合の、４つの異なる値の符号化率Ｋに関する、及び様々な値のｍに関する、割り当てられるビット位置（即ち情報ビット割り振り）を示す。β展開（及びこの点に関してＦＲＡＮＫ）が、計算されたチャネルの信頼性を考慮して達成される順序付けを最もよく近似するため、符号割り当てに相当なミスマッチが存在することが多い。しかしながら、低い符号レート、例えばＫ＝１６では、チャネル割り当ての誤差は、割り当てられるβの値とは独立して、比較的小さくなることが明らかである。誤差率はＫと共に着実に上昇する。しかしながら、βの値の一部が、他の値よりも、割り当てられるビット位置における平均により良く一致する、複数のクロスオーバポイントが存在する。例えば、割り当てられるチャネルの信頼性の平均誤差が図１９に示されており、最小の誤差は、所与のブロックサイズ及び符号レートに関するβの最良の選択を示す。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月21日(2021.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス通信のための方法であって、
車両間通信用に割り振られた共有無線周波数スペクトル帯域を介して車両へ送信されるべきデータのサイズがサイズ閾を満足すると識別するステップであって、前記データは、1つまたは複数のリッスンビフォアトーク(LBT)シンボル、1つまたは複数の制御シンボル、および1つまたは複数のデータシンボルを含む第1の送信時間間隔(TTI)中に送信されるべきである、ステップと、
前記データの前記サイズが前記サイズ閾を満足することに少なくとも部分的に基づいて、前記データが前記車両へ送信される予定である少なくとも第2のTTIを識別するステップであって、前記第2のTTIは前記第1のTTIに隣接する、ステップと、
前記共有無線周波数スペクトル帯域のキャリア上でLBT手順を実施するステップであって、
前記共有無線周波数スペクトル帯域の前記キャリアを介した送信をリッスンするステップを含み、前記データの送信のためのリソースのセットは、前記リッスンしたことに少なくとも部分的に基づいて判断される、ステップと、
前記リッスンしたことに少なくとも部分的に基づいて、前記第1のTTIおよび前記第2のTTIに対応するリソースの予約を示すLBT予約メッセージを送信するステップと、
前記LBT手順の出力結果に少なくとも部分的に基づいて、前記第1のTTIの前記1つまたは複数のデータシンボルおよびギャップシンボル中に、ならびに前記第1のTTIの前記1つまたは複数のデータシンボルと連結される、前記第2のTTIの1つまたは複数のシンボル中に前記データが送信される予定であるという指示を、前記第1のTTIの前記1つまたは複数の制御シンボル中に、送信するステップと、
前記第1のTTIの前記1つまたは複数のデータシンボルおよび前記ギャップシンボル中に、ならびに前記第2のTTIの連結された1つまたは複数のシンボル中に前記データを送信するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記LBT予約メッセージを送信する前記ステップは、
前記第1のTTIのLBTシンボル内で単一のLBT予約メッセージの送信を繰り返すステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記単一のLBT予約メッセージの送信を繰り返すことに先立って、前記LBTシンボル中に単一のサイクリックプレフィックスを送信するステップをさらに含む、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
送信のリスニングが実施されるシンボルに続くシンボルをカウントするためのLBTカウンタを開始するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記LBT予約メッセージは、前記LBTカウンタに少なくとも部分的に基づいて判断された予約シンボル中に送信される、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
前記LBT予約メッセージは、リスニングのために割り振られたシンボルの後のシンボル中に送信される、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記リスニングのために割り振られた前記シンボルの後の前記シンボルは、ギャップシンボルに続く、請求項6に記載の方法。
【請求項８】
ワイヤレス通信のための装置であって、
プロセッサと、前記プロセッサに連結されたメモリと、前記メモリに格納された、前記プロセッサによって実行可能な命令とを備え、前記命令は、前記装置に、
車両間通信用に割り振られた共有無線周波数スペクトル帯域を介して車両へ送信されるべきデータのサイズがサイズ閾を満足すると識別することであって、前記データは、1つまたは複数のリッスンビフォアトーク(LBT)シンボル、1つまたは複数の制御シンボル、および1つまたは複数のデータシンボルを含む第1の送信時間間隔(TTI)中に送信されるべきである、ことと、
前記データの前記サイズが前記サイズ閾を満足することに少なくとも部分的に基づいて、前記データが前記車両へ送信される予定である少なくとも第2のTTIを識別することであって、前記第2のTTIは前記第1のTTIに隣接する、ことと、
前記共有無線周波数スペクトル帯域のキャリア上でLBT手順を実施することであって、
前記共有無線周波数スペクトル帯域の前記キャリアを介した送信をリッスンすることを含み、前記データの送信のためのリソースのセットは、前記リッスンしたことに少なくとも部分的に基づいて判断される、ことと、
前記リッスンしたことに少なくとも部分的に基づいて、前記第1のTTIおよび前記第2のTTIに対応するリソースの予約を示すLBT予約メッセージを送信することと、
前記LBT手順の出力結果に少なくとも部分的に基づいて、前記第1のTTIの前記1つまたは複数のデータシンボルおよびギャップシンボル中に、ならびに前記第1のTTIの前記1つまたは複数のデータシンボルと連結される、前記第2のTTIの1つまたは複数のシンボル中に前記データが送信される予定であるという指示を、前記第1のTTIの前記1つまたは複数の制御シンボル中に、送信することと、
前記第1のTTIの前記1つまたは複数のデータシンボルおよび前記ギャップシンボル中に、ならびに前記第2のTTIの連結された1つまたは複数のシンボル中に前記データを送信することとを行わせる、装置。
【請求項９】
前記LBT予約メッセージを送信することは、
前記第1のTTIのLBTシンボル内で単一のLBT予約メッセージの送信を繰り返すことを含む、請求項8に記載の装置。
【請求項１０】
前記メモリに格納され、前記プロセッサによって実行可能な前記命令は、前記装置に、
前記単一のLBT予約メッセージの送信を繰り返すことに先立って、前記LBTシンボル中に単一のサイクリックプレフィックスを送信することをさらに行わせる、請求項9に記載の装置。
【請求項１１】
前記メモリに格納され、前記プロセッサによって実行可能な前記命令は、前記装置に、
送信のリスニングが実施されるシンボルに続くシンボルをカウントするためのLBTカウンタを開始することをさらに行わせる、請求項8に記載の装置。
【請求項１２】
前記LBT予約メッセージは、前記LBTカウンタに少なくとも部分的に基づいて判断された予約シンボル中に送信される、請求項11に記載の装置。
【請求項１３】
前記LBT予約メッセージは、リスニングのために割り振られたシンボルの後のシンボル中に送信される、請求項8に記載の装置。
【請求項１４】
前記リスニングのために割り振られた前記シンボルの後の前記シンボルは、ギャップシンボルに続く、請求項13に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月15日(2021.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高圧放電ランプで使用するための陰極材料であって、少なくとも、
９５重量％以上のタングステン含有量を有するタングステン系マトリックスと、
炭化タングステンと、
（希土類金属、Ｈｆ、Ｚｒ）群から選択された少なくとも１つ以上のエミッタ元素の酸化物及び／又は主に酸化物相と、を備え、
前記陰極材料が、さらに（希土類金属、Ｈｆ、Ｚｒ）群から選択された少なくとも１つ以上のエミッタ元素の主に炭化物相を含むことを特徴とする陰極材料。
【請求項２】
前記エミッタ元素が、１つ以上の希土類金属である、請求項１に記載の陰極材料。
【請求項３】
前記炭化タングステンがＷ２Ｃである、請求項１又は２に記載の陰極材料。
【請求項４】
前記炭化タングステンの比率が、０．１〜４体積％である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の陰極材料。
【請求項５】
前記炭素含有量が、５０〜３０００μｇ／ｇである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の陰極材料。
【請求項６】
前記１つ以上のエミッタ材料の比率が、酸化物として添加した場合の重量比に基づき、０．５〜５重量％である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の陰極材料。
【請求項７】
酸化物及び／又は主に酸化物相として存在する前記エミッタ元素がランタンで形成されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の陰極材料。
【請求項８】
主に炭化物形及び／又は主に炭化物相として存在する前記エミッタ元素がランタンで形成されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の陰極材料。
【請求項９】
酸化物及び／又は主に酸化物相として存在する前記エミッタ元素、並びに主に炭化物形及び／又は主に炭化物相として存在する前記エミッタ元素の両方がランタンで形成されている、請求項１〜８のいずれか１項に記載の陰極材料。
【請求項１０】
１つのエミッタ元素の前記主に炭化物相がエミッタ元素の前記酸化物相と隣接している、請求項１〜９のいずれか１項に記載の陰極材料。
【請求項１１】
前記主に炭化物相が、エミッタ元素の酸化物の周囲でシェル構造又はシーム構造として存在する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の陰極材料。
【請求項１２】
前記シェル構造又はシーム構造が、０．０１〜１μｍの平均厚さを有する、請求項１１のいずれか１項に記載の陰極材料。
【請求項１３】
前記陰極材料が、９２％以上の相対密度を有する、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の陰極材料。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の陰極材料で構成された陰極を有する高圧放電ランプ。
【請求項１５】
陰極材料の製造方法であって、
タングステン粉末、（希土類金属、Ｈｆ、Ｚｒ）群から選択された少なくとも１つのエミッタ元素、及び少なくとも１つの炭素源を含む粉末混合物の製造工程と、
前記粉末混合物の圧縮工程と、
圧密工程における前記粉末混合物の圧密工程と、
を含み、
前記陰極材料の製造方法が、少なくとも、
陰極材料中で炭素を均一に分散させる熱処理による拡散工程と、
少なくとも１つのエミッタ元素を含む相に隣接する炭素蓄積物を形成する冷却による析出工程と、
を含むことを特徴とする陰極材料の製造方法。
【請求項１６】
前記拡散工程が、２２００℃以上、３０００℃以下の温度で行われる、請求項１５に記載の陰極材料の製造方法。
【請求項１７】
前記１つ以上のエミッタ元素の主に炭化物相が前記析出工程により形成される、請求項１５又は１６に記載の陰極材料の製造方法。
【請求項１８】
前記析出工程が、１Ｋ／分〜５００Ｋ／分の冷却速度で行われる、請求項１５〜１７のいずれか１項に記載の陰極材料の製造方法。
【請求項１９】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の陰極材料を製造するための請求項１５〜１８のいずれか１項に記載の陰極材料の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月16日(2021.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
移相器を制御する方法の様々な実施形態は、コントローラ１１６によって実行することができる。図４は、単にコントローラ１１６の例示的な実施形態であり、他の構成および実施形態も可能である。図４に示す実施形態によれば、コントローラ１１６は、１つまたは複数のＣＰＵ１〜Ｎ、支持回路４０４、入出力回路４０６、およびシステムメモリ４０８を備える。システムメモリ４０８は、制御パラメータ４２０をさらに備えることができる。ＣＰＵ１〜Ｎは、システムメモリ４０８内に常駐する１つまたは複数のアプリケーションを実行するように動作する。コントローラ１１６は、本明細書に記載する実施形態の任意の他のシステム、デバイス、要素、機能、または方法を実施するために使用することができる。図示の実施形態では、コントローラ１１６は、プロセッサが実行可能である実行可能プログラム命令として方法５００（図５）を実施するように構成することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
いくつかの実施形態では、図示のコントローラは、図５の流れ図によって示す方法の例示的な実装である。他の実施形態では、異なる要素およびデータを含むことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
方法５００は５０２で始まり、５０３へ進む。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月20日(2021.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ポリ（ＡＤＰ−リボース）ポリメラーゼ（ＰＡＲＰ）阻害剤は、主にＰＡＲＰ−１酵素を標的とする抗がん療法に有用である。ＰＡＲＰ−１は、ＡＤＰ−リボース（ＰＡＲ）部分自体のポリマーとその標的タンパク質との共有結合を触媒する酵素である。このエピジェネティックな機能は、ＤＮＡ損傷応答、転写、細胞周期、細胞死、レドックスバランス、及び炎症を含むさまざまな生物学的経路に役立つ。ＰＡＲＰ−１の発現及び活性は、さまざまながんにおいて頻繁に異常発現されているため、がん療法の新薬標的として浮上している。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  米国特許出願公開第２０１６／０３３９１２４号明細書
（特許文献２）  米国特許出願公開第２００６／０００９５１７号明細書
（特許文献３）  米国特許出願公開第２００６／０１００１９８号明細書
（非特許文献）
（非特許文献１）  Ｍａｋｖａｎｄｉ  ｅｔ  ａｌ．‘Ｐｏｌｙ（ＡＤＰ−ｒｉｂｏｓｅ）  Ｐｏｌｙｍｅｒａｓｅ  １  ａｓ  ａ  ｎｏｖｅｌ  ｔａｒｇｅｔ  ｆｏｒ  ａｌｐｈａ−ｐａｒｔｉｃｌｅ  ｔｈｅｒａｐｙ  ｉｎ  ｈｉｇｈ−ｒｉｓｋ  ｎｅｕｒｏｂｌａｓｔｏｍａ’，Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｃａｎｃｅｒ  Ｒｅｓｅａｒｃｈ，Ａｐｒｉｌ  ２０１７，ｐａｇｅｓ  １−２；  ｐ１
（非特許文献２）  Ｐｕｂｍｅｄ  Ｃｏｍｐｏｕｎｄ  Ｓｕｍｍａｒｙ  ｆｏｒ  ＣＩＤ  ９９４３１９１，‘ＲＯＧＯＮＭＮＫＰＢＢＣＥＴＵＨＦＦＦＡＯＹＳＡ−Ｎ’，Ｕ．Ｓ．Ｎａｔｉｏｎａｌ  Ｌｉｂｒａｒｙ  ｏｆ  Ｍｅｄｉｃｉｎｅ，２５  Ｏｃｔｏｂｅｒ  ２００６  （２５．１０．２００６），ｐａｇｅ  １−１４；  ｐ３  （ｈｔｔｐｓ：／／ｐｕｂｃｈｅｍ．ｎｃｂｉ．ｎｌｍ．ｎｉｈ．ｇｏｖ／ｃｏｍｐｏｕｎｄ／９９４３１９１）
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月26日(2021.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒト対象における慢性回腸嚢炎を治療する方法であって、前記方法が、慢性回腸嚢炎を有するヒト対象を選択することと、慢性回腸嚢炎が治療されるように、治療的有効用量の抗α４β７抗体、またはその抗原結合断片を前記対象に投与することと、を含み、前記抗α４β７抗体、またはその抗原結合断片が、配列番号４に記載されるＣＤＲ３ドメイン、配列番号３に記載されるＣＤＲ２ドメイン、及び配列番号２に記載されるＣＤＲ１ドメインを含む重鎖可変領域を含み、かつ配列番号８に記載されるＣＤＲ３ドメイン、配列番号７に記載されるＣＤＲ２ドメイン、及び配列番号６に記載されるＣＤＲ１ドメインを含む軽鎖可変領域を含み、前記ヒト対象が、選択時に６の内視鏡的回腸嚢炎疾患活性指数（ＰＤＡＩ）サブスコアを有しており、及び／または選択時にＴＮＦαナイーブであった、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月13日(2021.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主表面と第２の対向する主表面とを有するガラスシートを成形する方法であって、
（ｉ）前記ガラスシートを支持するための成形支持体を提供する工程と、
（ｉｉ）前記ガラスシートを、成形用の温度に加熱する工程と、
（ｉｉｉ）前記ガラスシートの前記第１の主表面が前記成形支持体と接触するように、前記ガラスシートを前記成形支持体上に位置付ける工程と、
（ｉｖ）前記ガラスシートを前記成形支持体上で成形する工程と、を含み、
工程（ｉｖ）中に、前記ガラスシートの少なくとも第１の部分が意図的に冷却される、方法。
【請求項２】
前記成形支持体が、前記ガラスシートの前記第１の主表面に接触するための少なくとも１つの成形レールを有する、および／または、前記成形支持体が、前記ガラスシートの周辺領域で前記ガラスシートと接触するように構成されている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記成形支持体が、前記ガラスシートの周辺領域で前記ガラスシートに接触するようにリング金型として構成されている、請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ガラスシートの前記第１の部分が、前記ガラスシートの前記第１の主表面の一部である、および／または、前記第１の部分が、前記ガラスシートの周辺部分である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記ガラスシートの前記第１の部分が、少なくとも１つの（第１の）流体の噴流を前記ガラスシートの前記第１の部分に向けることにより意図的に冷却される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記ガラスシートの前記第１の部分が、前記ガラスシートの前記第１の部分から熱を抽出するように構成された熱交換装置を提供することにより意図的に冷却される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
成形部材が提供され、工程（ｉｖ）中に、前記ガラスシートを前記成形支持体と前記成形部材との間でプレスすることにより前記ガラスシートが成形される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
工程（ｉｖ）中に、重力の影響下で熱軟化した前記ガラスシートをたわませることにより、前記ガラスシートが成形される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記ガラスシートの前記第１の部分の前記意図的な冷却が、前記成形工程（ｉｖ）が開始するのと同時に開始する、または、前記ガラスシートの前記第１の部分の前記意図的な冷却が、前記成形工程（ｉｖ）が開始した後であるが、前記成形工程（ｉｖ）が終了する前に開始する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記ガラスシートの前記第１の部分の前記意図的な冷却の持続時間が、前記成形工程（ｉｖ）の持続時間と同じであり、かつ／または前記ガラスシートの前記第１の部分の前記意図的な冷却が、前記ガラスが成形された後も継続される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
工程（ｉｖ）中に、前記ガラスシートと前記成形支持体との間に相対運動がない、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
第１の主表面と第２の対向する主表面とを有するガラスシートを成形する方法であって、（ｉ）成形部材を提供し、かつ前記ガラスシートをその上に支持するための成形支持体を提供する工程と、（ｉｉ）前記ガラスシートを、成形に好適な温度に加熱する工程と、（ｉｉｉ）前記ガラスシートの前記第１の主表面が前記成形支持体と接触するように、前記ガラスシートを前記成形支持体上に位置付けるための位置付ける工程と、（ｉｖ）前記成形部材と前記ガラスシートの前記第２の主表面との間の成形接触を行うことにより、前記成形支持体上で前記ガラスシートを成形し、それにより前記成形支持体と前記成形部材との間で前記ガラスシートを成形する成形工程と、を含み、工程（ｉｖ）中に、前記ガラスシートの前記第１の主表面の少なくとも一部が、流体の少なくとも１つの噴流を前記第１の主表面の前記第１の部分に向けることにより意図的に冷却され、さらに、前記成形工程（ｉｖ）中に、前記ガラスシートが前記成形支持体上にあるとき、前記ガラスシートの前記第２の主表面に流体の噴流が向けられない、方法。
【請求項１３】
工程（ｉｖ）に続いて、ＣＳ  ＭＰａ以下の表面圧縮応力が前記第１の部分に存在し、ＣＳが４０である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
工程（ｉｖ）に続いて、前記第１の部分に表面圧縮応力があり、前記第１の部分の表面圧縮応力が、工程（ｉｖ）中に意図的な冷却がないときの前記第１の部分の前記表面圧縮応力に比べて、５ＭＰａ〜２５ＭＰａだけ増加する、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
工程（ｉｖ）に続いて、接着性中間層材料の少なくとも１つのシートを含む中間層構造を使用して、前記成形ガラスシートが、少なくとも別のガラスシートに積層される、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記成形ガラスシートが、積層グレージングの外側プライであり、これにより、工程（ｉｖ）中に意図的に冷却された前記第１のガラスプライの前記第１の部分が、前記積層グレージングの表面１の一部である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記成形ガラスシートが、ソーダ石灰シリカ組成を有し、前記少なくとも別のガラスシートが、前記成形ガラスシートに積層される前に化学強化されている、請求項１５または請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
ガラスシートを成形するための装置であって、ガラスシートをその上に支持するための成形支持体と、成形部材であって、前記ガラスシートを、前記成形部材と前記成形支持体との間でプレスすることにより、前記ガラスシートを成形するための成形部材と、前記ガラスシートが前記成形部材と前記成形支持体との間でプレスされているときに、前記ガラスシートの主表面に対して流体を向けるための１つ以上のノズルのアセンブリと、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の方法を実行するために、前記１つ以上のノズルの少なくとも１つへの流体の流れを作動させる制御手段と、を備える、装置。
【請求項１９】
前記ノズルのうちの少なくとも１つが、前記ガラスシートが前記成形支持体と前記成形部材との間にプレスされているときに、前記成形支持体と接触する前記ガラスシートの前記主表面に対して前記流体を向けるように配置される、請求項１８に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月31日(2021.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号：１１，配列番号：１２，又は配列番号：１３のアミノ酸配列を有する二重特異性結合分子である化合物Ａを含有する医薬組成物であって、
化合物Ａが、腫瘍学的疾患または過剰増殖性疾患、好ましくは、がんまたは腫瘍疾患、とりわけ好ましくは、非小細胞肺がん（ＮＳＣＬＣ）の処置または予防に使用するためのものであって、前記疾患の処置または予防を必要とする患者に、化合物Ｂと組み合わせて投与され、
化合物Ｂが、ＰＤ−１抗体である、前記医薬組成物。
【請求項２】
化合物Ａが、請求項１に記載の化合物Ｂと、同時に、同時的に、順次、連続的に、交互に、または別々に投与される、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
請求項１に記載の化合物Ｂを含む医薬組成物であって、
化合物Ｂが、腫瘍学的疾患または過剰増殖性疾患、特に、がんまたは腫瘍疾患、とりわけ、ＮＳＣＬＣの処置または予防に使用するためのものであって、前記疾患の処置又は予防を必要とする患者に、請求項１に記載の化合物Ａと組み合わせて投与される、前記医薬組成物。
【請求項４】
化合物Ｂが、化合物Ａと、同時に、同時的に、順次、連続的に、交互に、または別々に投与される、請求項３に記載の医薬組成物。
【請求項５】
化合物Ａおよび化合物Ｂを含む医薬組成物であって、
化合物Ａが、配列番号：１１，配列番号：１２，又は配列番号：１３のアミノ酸配列を有する二重特異性結合分子であり、
化合物Ｂが、ＰＤ−１抗体である、
前記医薬組成物。
【請求項６】
１つまたは複数の薬学的に許容される、担体、賦形剤および／またはビヒクルをさらに含む、請求項５に記載の医薬組成物。
【請求項７】
腫瘍学的疾患または過剰増殖性疾患、好ましくは、がんまたは腫瘍疾患、より好ましくは、ＮＳＣＬＣを処置および予防する方法における使用のための、請求項５又は６に記載の医薬組成物。
【請求項８】
化合物Ａを含む第１の医薬組成物、および
化合物Ｂを含む第２の医薬組成物
を含むキットであって、
化合物Ａが、配列番号：１１，配列番号：１２，又は配列番号：１３のアミノ酸配列を有する二重特異性結合分子であり、
化合物Ｂが、ＰＤ−１抗体である、
前記キット。
【請求項９】
それを必要とする患者における、腫瘍学的疾患または過剰増殖性疾患、好ましくは、がんまたは腫瘍疾患、とりわけ好ましくは、ＮＳＣＬＣの処置または予防における、同時の、同時的な、順次の、連続的な、交互の、または別々の、患者への投与のための、読み取り可能な説明書を含む添付文書をさらに含む、請求項８に記載のキット。
【請求項１０】
化合物Ａを含有する、腫瘍学的疾患または過剰増殖性疾患、好ましくは、がんまたは腫瘍疾患、とりわけ好ましくは、非小細胞肺がん（ＮＳＣＬＣ）の処置または予防に使用するための医薬組成物であって、
化合物Ａが、化合物Ｂと組み合わせて使用するとき、化合物Ｂによる、腫瘍増殖の低減又は縮小を増強し、
化合物Ａが、配列番号：１１，配列番号：１２，又は配列番号：１３のアミノ酸配列を有する二重特異性結合分子であり、
化合物Ｂが、ＰＤ−１抗体である、前記医薬組成物。
【請求項１１】
化合物Ｂを含有する、腫瘍学的疾患または過剰増殖性疾患、好ましくは、がんまたは腫瘍疾患、とりわけ好ましくは、非小細胞肺がん（ＮＳＣＬＣ）の処置または予防に使用するための医薬組成物であって、
化合物Ｂが、化合物Ａと組み合わせて使用するとき、化合物Ａによる、腫瘍増殖の低減又は縮小を増強し、
化合物Ａが、配列番号：１１，配列番号：１２，又は配列番号：１３のアミノ酸配列を有する二重特異性結合分子であり、
化合物Ｂが、ＰＤ−１抗体である、前記医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月7日(2020.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粉末Ｘ線回折ダイアグラムにおける以下の屈折角２θ：５．６°、１７．７°及び２１．５°におけるピークの存在により特徴づけられる結晶形の、化合物、［（２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ，５Ｓ）−１−ブチル−２−（ヒドロキシメチル）ピペリジン−３，４，５−トリオール
【化１】
2020521796.tif 000001
の結晶であって；当該粉末Ｘ線回折ダイアグラムが、Ｋα２を除去することなく、結合Ｃｕ  Ｋα１及びＫα２照射を用いることにより得られ；上記２θ値の精度が２θ＋／−０．２°の範囲内である；結晶。
【請求項２】
粉末Ｘ線回折ダイアグラムにおける以下の屈折角２θ：５．６°、１２．４°、１４．８°、１７．７°及び２１．５°におけるピークの存在；により特徴づけられる結晶形の、請求項１に記載の化合物、［（２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ，５Ｓ）−１−ブチル−２−（ヒドロキシメチル）ピペリジン−３，４，５−トリオールの結晶であって；当該粉末Ｘ線回折ダイアグラムが、Ｋα２を除去することなく、結合Ｃｕ  Ｋα１及びＫα２照射を用いることにより得られ；上記２θ値の精度が２θ＋／−０．２°の範囲内である；結晶。
【請求項３】
粉末Ｘ線回折ダイアグラムにおける以下の屈折角２θ：５．６°、１２．４°、１３．４
°、１４．８°、１６．８°、１７．７°、１９．４°、２１．５°、２２．１°及び２４．２°におけるピークの存在；により特徴づけられる結晶形の、請求項１に記載の化合物、［（２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ，５Ｓ）−１−ブチル−２−（ヒドロキシメチル）ピペリジン−３，４，５−トリオールの結晶であって；当該粉末Ｘ線回折ダイアグラムが、Ｋα２を除去することなく、結合Ｃｕ  Ｋα１及びＫα２照射を用いることにより得られ；上記２θ値の精度が２θ＋／−０．２°の範囲内である；結晶。
【請求項４】
示差走査熱量測定により決定される１３０℃±３℃におけるピークを有する吸熱融解を示す；請求項２に記載の化合物、［（２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ，５Ｓ）−１−ブチル−２−（ヒドロキシメチル）ピペリジン−３，４，５−トリオールの結晶。
【請求項５】
０．５％未満の総不純物量を有する、請求項２に記載の化合物、［（２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ，５Ｓ）−１−ブチル−２−（ヒドロキシメチル）ピペリジン−３，４，５−トリオールの結晶。
【請求項６】
Ｄ５０が５０μｍであるか又は５０μｍより大きい粒子サイズ分布を有する粒子から本質的になる；請求項１〜５のいずれか１項に記載の化合物、［（２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ，５Ｓ）−１−ブチル−２−（ヒドロキシメチル）ピペリジン−３，４，５−トリオールの結晶。
【請求項７】
Ｄ５０が５０μｍ±１０％〜３００μｍ±１０％である粒子サイズ分布を有する粒子から本質的になる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の化合物、［（２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ，５Ｓ）−１−ブチル−２−（ヒドロキシメチル）ピペリジン−３，４，５−トリオールの結晶。
【請求項８】
Ｄ５０が７０μｍ±１０％〜２８０μｍ±１０％である粒子サイズ分布を有する粒子から本質的になる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の化合物、［（２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ，５Ｓ）−１−ブチル−２−（ヒドロキシメチル）ピペリジン−３，４，５−トリオールの結晶。
【請求項９】
−  Ｄ５０が５０μｍ±１０％から１５０μｍ±１０％であり；かつ、
−  Ｄ９０が１００μｍ±１０％から４００μｍ±１０％である；
粒子サイズ分布を有する粒子から本質的になる；
請求項１〜５のいずれか１項に記載の化合物、［（２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ，５Ｓ）−１−ブチル−２−（ヒドロキシメチル）ピペリジン−３，４，５−トリオールの結晶。
【請求項１０】
−  ５５ｗｗ％±１０％〜７５ｗｗ％±１０％の請求項１〜９のいずれか１項に記載の化合物、［（２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ，５Ｓ）−１−ブチル−２−（ヒドロキシメチル）ピペリジン−３，４，５−トリオールの結晶；及び
−  ２４ｗｗ％±１０％〜４４ｗｗ％±１０％の１又は２種以上の希釈剤であって、無水ラクトース、ケイ化微結晶セルロース、微結晶セルロース、リン酸水素カルシウム及びイソマルトからなる群より選択される、１又は２種以上の希釈剤；及び
−  ０ｗｗ％〜６ｗｗ％±１０％の、タルク、ステアリン酸マグネシウム、フマル酸ステアリルナトリウム、二酸化ケイ素又はそれらの組み合わせからなる群より選択される成分；
を含む医薬組成物。
【請求項１１】
−  ５５ｗｗ％±１０％〜７５ｗｗ％±１０％の請求項６〜９のいずれか１項に記載の化合物、［（２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ，５Ｓ）−１−ブチル−２−（ヒドロキシメチル）ピペリジン−３，４，５−トリオールの結晶；
−  ２４ｗｗ％±１０％〜４４ｗｗ％±１０％の無水ラクトース；及び
−  タルク、ステアリン酸マグネシウム、フマル酸ステアリルナトリウム、二酸化ケイ素又はそれらの組み合わせからなる群より選択される０ｗｗ％〜６ｗｗ％±１０％の成分；を含む、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
前記医薬組成物のタップ密度が少なくとも０．６４ｇ／ｍＬである、請求項１１に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
請求項１０又は１１に記載の医薬組成物を含むカプセル剤。
【請求項１４】
請求項１１又は１２に記載の医薬組成物を含み、カプセル剤当たり２５０ｍｇ±１０％の有効成分を含む、カプセル剤。
【請求項１５】
請求項１ないし請求項９のいずれか一項に記載の化合物、［（２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ，５Ｓ）−１−ブチル−２−（ヒドロキシメチル）ピペリジン−３，４，５−トリオールの結晶、又は、請求項１１又は１２に記載の医薬組成物を有効成分として含む、ファブリー病の治療において用いられる、薬剤。
【請求項１６】
請求項１４に記載のカプセル剤の剤形である、請求項１５に記載の薬剤。
【請求項１７】
糖脂質蓄積疾患又は関連障害を有する患者の糖脂質量を減少させるための基質合成抑制法において使用するための、糖脂質生合成阻害剤である薬剤であって、請求項１〜９のいずれか１項に記載の化合物、［（２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ，５Ｓ）−１−ブチル−２−（ヒドロキシメチル）ピペリジン−３，４，５−トリオールの結晶、又は、請求項１１又は１２に記載の医薬組成物を、有効成分として含む、薬剤。
【請求項１８】
ファブリー病の予防又は治療のための医薬の製造のための、請求項１〜９のいずれか１項に記載の化合物、［（２Ｒ，３Ｓ，４Ｒ，５Ｓ）−１−ブチル−２−（ヒドロキシメチル）ピペリジン−３，４，５−トリオールの結晶の使用であって、前記医薬が、ファブリー病の治療用である、使用。
【請求項１９】
前記医薬は、請求項１４に記載のカプセル剤の剤形である、請求項１８に記載の使用。