【手続補正書】
【提出日】平成17年5月12日(2005.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１の樹脂層と、第２の樹脂層と、少なくとも前記第１及び第２の樹脂層内に埋め込まれたポスト電極と、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に埋め込まれるように固定された半導体ＩＣとを備え、前記半導体ＩＣのランド電極上にはバンプが設けられ、前記バンプは前記ポスト電極に対して位置決めされていることを特徴とする半導体ＩＣ内蔵モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記半導体ＩＣが薄膜化されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体ＩＣ内蔵モジュール。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
第１の樹脂層と、第２の樹脂層と、前記第１及び第２の樹脂層を貫通して設けられたポスト電極と、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に埋め込まれるように固定され、薄膜化された半導体ＩＣとを備え、前記半導体ＩＣのランド電極上にはバンプが設けられ、前記バンプは前記ポスト電極に対して位置決めされていることを特徴とする半導体ＩＣ内蔵モジュール。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
第１の転写用基板にポスト電極を形成するステップと、
第２の転写用基板に第１及び第２の位置決め部を形成するステップと、
前記第１の位置決め部にバンプを位置決めしながら、前記第２の転写用基板に前記バンプを有する半導体ＩＣを仮止めするステップと、
前記第２の位置決め部と前記ポスト電極によって前記第１の転写用基板を前記第２の転写用基板に対して位置決めしながら、前記第１及び第２の転写用基板によって樹脂をプレスし硬化させるステップとを備えることを特徴とする半導体ＩＣ内蔵モジュールの製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記第２の転写用基板に前記半導体ＩＣを仮止めする前に、前記半導体ＩＣの厚さを薄くするステップをさらに備えることを特徴とする請求項７に記載の半導体ＩＣ内蔵モジュールの製造方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記樹脂を硬化させた後、前記第２の転写用基板を剥離することにより前記ポスト電極及び前記バンプを露出させるステップと、露出した前記ポスト電極及び前記バンプを覆う樹脂層を形成するステップと、前記樹脂層の一部を除去することにより前記ポスト電極及び前記バンプを再び露出させるステップと、再び露出した前記ポスト電極及び前記バンプに対応する基板配線パターンを形成するステップとをさらに備えることを特徴とする請求項７乃至９のいずれか１項に記載の半導体ＩＣ内蔵モジュールの製造方法。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明による半導体ＩＣ内蔵モジュールは、第１の樹脂層と、第２の樹脂層と、少なくとも前記第１及び第２の樹脂層内に埋め込まれたポスト電極と、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に埋め込まれるように固定された半導体ＩＣとを備え、前記半導体ＩＣのランド電極上にはバンプが設けられ、前記バンプは前記ポスト電極に対して位置決めされていることを特徴とする。また、本発明による半導体ＩＣ内蔵モジュールは、第１の樹脂層と、第２の樹脂層と、前記第１及び第２の樹脂層を貫通して設けられたポスト電極と、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に埋め込まれるように固定され、薄膜化された半導体ＩＣとを備え、前記半導体ＩＣのランド電極上にはバンプが設けられ、前記バンプは前記ポスト電極に対して位置決めされていることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、第１の樹脂層と第２の樹脂層との間に半導体ＩＣが埋め込まれていることから、半導体ＩＣ内蔵モジュール全体の厚さを薄くすることが可能となる。しかも、半導体ＩＣに設けられたバンプがポスト電極に対して位置決めされていることから、バンプの平面的な位置が実質的に固定的となり、したがって、１００μｍ以下、特に６０μｍ程度といった電極ピッチが非常に狭い半導体ＩＣを用いることが可能となる。また、薄膜化された半導体ＩＣを用いれば、半導体ＩＣ内蔵モジュール全体の厚さを非常に薄くすることが可能となる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明による半導体ＩＣ内蔵モジュールの製造方法は、第１の転写用基板にポスト電極を形成するステップと、第２の転写用基板に第１及び第２の位置決め部を形成するステップと、前記第１の位置決め部にバンプを位置決めしながら、前記第２の転写用基板に前記バンプを有する半導体ＩＣを仮止めするステップと、前記第２の位置決め部と前記ポスト電極によって前記第１の転写用基板を前記第２の転写用基板に対して位置決めしながら、前記第１及び第２の転写用基板によって樹脂をプレスし硬化させるステップとを備えることを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明によれば、半導体ＩＣに設けられたバンプの平面方向における位置がポスト電極の平面方向における位置に対して実質的に固定的となることから、ずれをほとんど生じることなく、バンプに接続される配線パターンを形成することが可能となる。これにより、１００μｍ以下、特に６０μｍ程度といった電極ピッチが非常に狭い半導体ＩＣを用いることが可能となる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明では、第２の転写用基板に半導体ＩＣを仮止めする前に、半導体ＩＣの厚さを薄くするステップをさらに備えることが好ましい。これによれば、半導体ＩＣ内蔵モジュール全体の厚さを非常に薄くすることが可能となる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明では、樹脂を硬化させた後、第２の転写用基板を剥離することによりポスト電極及びバンプを露出させるステップと、露出したポスト電極及びバンプを覆う樹脂層を形成するステップと、樹脂層の一部を除去することによりポスト電極及びバンプを再び露出させるステップと、再び露出したポスト電極及びバンプに対応する基板配線パターンを形成するステップとをさらに備えることが好ましい。この場合、バンプの平面方向における位置とポスト電極の平面方向における位置とは実質的に固定されていることから、ずれをほとんど生じることなく、該基板配線パターンを形成することが可能となる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
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【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４０】
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