【手続補正書】
【提出日】平成16年11月29日(2004.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
Ｘ線遮蔽部材２１は、ＣＣＤチップ３の受光部５（垂直シフトレジスタ部分６）の外側領域（水平シフトレジスタ部分７、入力部１１、出力部１２、及び電極パッド１３）、ボンディングワイヤ１６、及び電極パッド１４のＸ線入射方向前方を遮蔽し、これらの部分にＸ線が入射するのを防いでいる。開口部２２は、ＣＣＤチップ３の受光部５の外側領域、ボンディングワイヤ１６、及び電極パッド１４のＸ線入射方向前方に位置する部分よりも内側に形成されることになる。このように、Ｘ線遮蔽部材２１が、ＣＣＤチップ３の受光部５の外側領域、ボンディングワイヤ１６、及び電極パッド１４にＸ線が入射するのを防ぐことにより、Ｘ線照射によるノイズの発生やＣＣＤの劣化を低減することができる。なお、開口部２２の形状及び大きさは、後述するシンチレータ３１の形成工程において、ＣｓＩ蒸気がＸ線遮蔽部材２１の裏面側に回り込んで、ＣＣＤチップ３の受光部５（垂直シフトレジスタ部分６）の外側領域（水平シフトレジスタ部分７、入力部１１、出力部１２、及び電極パッド１３）、ボンディングワイヤ１６、及び電極パッド１４に付着することがないように設定されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
第１の有機膜３３及び第２の有機膜３５は、シンチレータ３１が空気に触れるのを防止して、潮解性による発光効率の劣化を防いでいる。第１の有機膜３３及び第２の有機膜３５は、Ｘ線透過性が高く且つ水蒸気及びガスの透過が極めて少ない、ポリパラキシリレン（スリーボンド社製、商品名パリレン）、ポリモノクロロパラキシリレン（同社製、商品名パリレンＣ）等のキシレン系樹脂からなり、ＣＶＤ（化学的蒸着）法等を用いることで形成される。これらのパリレンによるコーティング膜は、水蒸気及びガスの透過が極めて少なく、撥水性、耐薬品性も高いほか、薄膜でも優れた電気絶縁性を有し、放射線、可視光線に対して透明であるなど有機膜３３，３５にふさわしい優れた特徴を有している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
次に、図５に示されるように、ＴｌをドープしたＣｓＩを真空蒸着法によって厚さ約２００μｍの柱状結晶として成長させることによりシンチレータ３１を形成する。このとき、ＣｓＩ蒸気は、Ｘ線遮蔽部材２１の開口部２２を通って窪み部４内に入ることになり、Ｘ線遮蔽部材２１はシンチレータ３１を成長、形成させるためのマスク部材として機能し、開口部２２の位置に対応するＣＣＤチップ３の受光部５（垂直シフトレジスタ部分６）の表面上にシンチレータ３１が形成されることになる。したがって、シンチレータ３１が、ＣＣＤチップ３の受光部５の外側領域（水平シフトレジスタ部分７、入力部１１、出力部１２、及び電極パッド１３）、ボンディングワイヤ１６、及び電極パッド１４上に付着することはない。なお、Ｘ線遮蔽部材２１のＸ線入射側となる面にも、シンチレータ３１が成長、形成されることになる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
ＣｓＩは、吸湿性が高く、露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して溶解してしまう。その保護のため、図６に示されるように、ＣＶＤ（化学的蒸着）法によりシンチレータ３１が形成されたＣＣＤチップ３、Ｘ線遮蔽部材２１等を含んで、窪み部４全体にわたって厚さ１０μｍのパリレンで包み込み、第１の有機膜３３を形成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
ＣｓＩの柱状結晶の間には隙間があるが、パリレンはこの狭い隙間にある程度入り込むので、第１の有機膜３３は、シンチレータ３１に密着し、シンチレータ３１を密封する。また、この第１の有機膜３３は、ＣＣＤチップ３の受光部５の外側領域（水平シフトレジスタ部分７、入力部１１、出力部１２、及び電極パッド１３）、ボンディングワイヤ１６、及び電極パッド１４上にも形成され、これらを被覆する。このパリレンコーティングにより、凹凸のあるシンチレータ３１表面に均一な厚さの精密薄膜コーティングを形成することができる。また、パリレンのＣＶＤ形成は、金属蒸着時よりも真空度が低く、常温で行うことができるため、加工が容易である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
続いて、図７に示されるように、第１の有機膜３３の入射面側の表面に０．１５μｍ厚さのＡｌ膜を蒸着法により積層することで反射薄膜３４を形成する。このとき、Ａｌ蒸気は、シンチレータ３１形成時のＣｓＩ蒸気と同様に、Ｘ線遮蔽部材２１の開口部２２を通って窪み部４内に入ることになり、Ｘ線遮蔽部材２１は反射薄膜３４を形成させるためのマスク部材として機能し、ＣＣＤチップ３の受光部５（垂直シフトレジスタ部分６）に形成されたシンチレータ３１の直上部分の第１の有機膜３３上に反射薄膜３４が形成されることになる。なお、Ｘ線遮蔽部材２１のＸ線入射側となる面にも、反射薄膜３４が形成されることになる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
Ｘ線遮蔽部材２１は、ＣＣＤチップ８１の薄型部分８４の外側領域（ベベル部分８５、枠部分８６）、コンタクトパッド７３、ボンディングワイヤ１６、電極パッド１４のＸ線入射方向前方を遮蔽し、これらの部分にＸ線が入射するのを防いでいる。開口部２２は、ＣＣＤチップ８１の薄型部分８４の外側領域（ベベル部分８５、枠部分８６）のＸ線入射方向前方に位置する部分よりも内側ぐらいに形成されることになる。このように、Ｘ線遮蔽部材２１が、ＣＣＤチップ８１の薄型部分８４の外側領域、コンタクトパッド７３、ボンディングワイヤ１６、電極パッド１４にＸ線が入射するのを防ぐことにより、Ｘ線照射によるノイズの発生やＣＣＤの劣化を低減することができる。なお、開口部２２の形状及び大きさは、シンチレータ３１の形成工程におけるＣｓＩ蒸気、及び、反射薄膜３４の形成工程におけるＡｌ蒸気がＸ線遮蔽部材２１の裏面側に回り込んで、ＣＣＤチップ８１の薄型部分８４の外側領域（ベベル部分８５、枠部分８６）、コンタクトパッド７３、ボンディングワイヤ１６、電極パッド１４に付着することがないように設定されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
次に、図１２に示されるように、ＴｌをドープしたＣｓＩを真空蒸着法によって厚さ約２００μｍの柱状結晶として成長させることによりシンチレータ３１を形成する。このとき、ＣｓＩ蒸気は、Ｘ線遮蔽部材２１の開口部２２を通って窪み部４内に入ることになり、Ｘ線遮蔽部材２１はシンチレータ３１を成長、形成させるためのマスク部材として機能し、開口部２２の位置に対応するＣＣＤチップ８１の薄型部分８４の表面上にシンチレータ３１が形成されることになる。したがって、シンチレータ３１が、ＣＣＤチップ８１の薄型部分８４の外側領域（ベベル部分８５、枠部分８６）、コンタクトパッド７３、ボンディングワイヤ１６、電極パッド１４上に付着することはない。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
次に、図１４に示されるように、第１の有機膜３３の入射面側の表面に０．１５μｍ厚さのＡｌ膜を蒸着法により積層することで反射薄膜３４を形成する。このとき、Ａｌ蒸気は、シンチレータ３１形成時のＣｓＩ蒸気と同様に、Ｘ線遮蔽部材２１の開口部２２を通って窪み部４内に入ることになり、Ｘ線遮蔽部材２１は反射薄膜３４を形成させるためのマスク部材として機能し、ＣＣＤチップ８１の薄型部分８４に形成されたシンチレータ３１の直上部分の第１の有機膜３３上に反射薄膜３４が形成されることになる。そして、再度ＣＶＤ法により、パリレンを基板全体の表面に１０μｍ厚さで被覆して第２の有機膜３５を形成する（図１４参照）。第１の有機膜３３、反射薄膜３４、及び有機膜３５の形成は、第１実施形態と同様にして行う。最後に、窓材１７を基台２に接着剤（たとえば、エポキシ樹脂系接着剤）を用いて接着固定することで、図９に示されるＸ線像撮像装置７１が得られる。