Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和3年6月9日(2021.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハンドルと、前記ハンドルに結合され、患者の食道内に位置付けられる胃カメラとを備える経食道心エコープローブであって、
前記ハンドルは、
近位部分と、
遠位部分と、
前記ハンドルの前記遠位部分に配置されたハンドル接合インタフェースと
を備え、
前記胃カメラは、
近位部分と、
遠位部分と、
前記胃カメラの前記遠位部分に配置され、超音波撮像データを取得する超音波トランスデューサと、
前記胃カメラの前記遠位部分の運動を制御するモータと、前記モータ、及び、前記胃カメラの前記遠位部分に結合されたプルケーブルと、
前記胃カメラの前記近位部分に配置された胃カメラ接合インタフェースと
を備え、
前記ハンドル及び前記胃カメラは、前記ハンドル接合インタフェース及び前記胃カメラ接合インタフェースを介して、取り外し可能に結合され、前記ハンドル接合インタフェース及び前記胃カメラ接合インタフェースが結合されたとき、前記ハンドル接合インタフェースは、前記胃カメラの前記遠位部分の運動を制御するために、前記胃カメラ接合インタフェースを介して電気信号を前記胃カメラへと送信する、
経食道心エコープローブ。
【請求項２】
前記超音波トランスデューサは、超音波トランスデューサアレイを備え、前記胃カメラは、前記超音波トランスデューサアレイと通信するマイクロビーム形成器を備える、請求項１に記載の経食道心エコープローブ。
【請求項３】
前記マイクロビーム形成器は、前記胃カメラの前記遠位部分に配置される、請求項２に記載の経食道心エコープローブ。
【請求項４】
前記超音波トランスデューサは、超音波トランスデューサアレイを備え、前記ハンドルは、前記超音波トランスデューサアレイと通信するビーム形成器を備える、請求項１に記載の経食道心エコープローブ。
【請求項５】
前記胃カメラは、前記超音波トランスデューサアレイ及び前記ビーム形成器と通信するマイクロビーム形成器を備える、請求項４に記載の経食道心エコープローブ。
【請求項６】
前記ハンドル接合インタフェース及び前記胃カメラ接合インタフェースは、ポゴピンインタフェースを備える、請求項１に記載の経食道心エコープローブ。
【請求項７】
前記ハンドル又は前記胃カメラのうちの少なくとも１つは、前記ハンドル接合インタフェース及び前記胃カメラ接合インタフェースを固定するためのラッチを備える、請求項６に記載の経食道心エコープローブ。
【請求項８】
前記ハンドルは、前記モータ及び前記超音波トランスデューサと通信するコントローラを備える、請求項１に記載の経食道心エコープローブ。
【請求項９】
前記胃カメラは、前記胃カメラの前記遠位部分に配置され、前記胃カメラの前記遠位部分に印加された力を検知する力センサを備える、請求項１に記載の経食道心エコープローブ。
【請求項１０】
前記力センサ及び前記モータと通信する力センサコントローラを更に備え、前記力センサコントローラは、前記力センサによって検知された力に基づいて、前記モータによって前記プルケーブルの作動を制御する、請求項９に記載の経食道心エコープローブ。
【請求項１１】
前記力センサは、前記胃カメラの前記遠位部分の周辺に位置付けられたフレキシブル基板を備える、請求項１０に記載の経食道心エコープローブ。
【請求項１２】
前記ハンドルは、前記ハンドルの前記近位部分にコンソール接合インタフェースを備える、請求項１に記載の経食道心エコープローブ。
【請求項１３】
前記コンソール接合インタフェースは、ＵＳＢインタフェース又はポゴピンインタフェースのうちの少なくとも１つを備える、請求項１２に記載の経食道心エコープローブ。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年4月19日(2021.4.19)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
メタクリル酸メチル（ＭＭＡ）、水、メタノール、メタクロレイン、ならびに水性有機性成分混合物中のＭＭＡおよびメタクロレインのアセタールまたはヘミアセタールの総重量に基づいて少なくとも１重量％のメタクロレインのアセタールまたはヘミアセタールを含有する前記水性有機性成分混合物の供給流を蒸留することと、前記水性有機性成分混合物を、１以下のｐＫａを有する１種以上の強酸または無機酸と反応させることと、前記蒸留から、塔頂流、並びにメタクリル酸メチルおよび１００ｐｐｍ以下のメタクロレインのアセタールまたはヘミアセタールを含有する塔底流を除去することと、を含む方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項４】
前記反応が、（ａ）メタクリル酸メチル、水、メタノール、メタクロレイン、ならびに水性有機性成分混合物中のＭＭＡおよびメタクロレインのアセタールまたはヘミアセタールの総重量に基づいて少なくとも１重量％のメタクロレインのアセタールまたはヘミアセタールを含有する水性有機性成分混合物の供給流を、下部、中間部、および上部を含む蒸留塔において、前記蒸留塔の前記上部に前記水性有機性成分混合物を供給することにより、蒸留することと、（ｂ）前記蒸留塔の中間部または上部に前記強酸または無機酸を供給して、前記水性有機性成分混合物を前記１種以上の強酸または無機酸と反応させることと、（ｃ）前記蒸留から、塔頂流、並びにメタクリル酸メチルおよび１００ｐｐｍ以下のメタクロレインのアセタールまたはヘミアセタールを含有する塔底流の各々を除去することと、を含む、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項９】
前記蒸留塔が、１０〜５０個のトレイ、または充填塔において同じ数の平衡段を備える、請求項６に記載の方法。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００１】
本発明は、メタクリル酸メチル（ＭＭＡ）、水、メタノール、メタクロレインと、ならびに水性有機性成分混合物中のＭＭＡ、およびメタクロレインのアセタールまたはヘミアセタールの総重量に基づいて少なくとも１重量％の、例えば、少なくとも３重量％の、メタクロレインのアセタールまたはヘミアセタールと、を含有する水性有機性成分混合物の供給流を、例えば、蒸留塔において、蒸留することと、かかる水性有機性成分混合物と、１以下の、好ましくは、０以下のｐＫａを有する１種以上の強酸または無機酸とを反応させることと、塔頂流、並びにメタクリル酸メチル、および１００ｐｐｍ以下の、好ましくは、２５ｐｐｍ以下の、またはより好ましくは、５ｐｐｍ未満の、メタクロレインのアセタールまたはヘミアセタールを含有する塔底流を、かかる蒸留から除去することと、を含む方法に関する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
１．本発明によれば、メタクリル酸メチルを製造するための反応において副成物を除去するための方法は、（ａ）例えば、下部、中間部、および上部を含む蒸留塔において、蒸留塔の上部へ水性有機性成分混合物を供給することによって、メタクリル酸メチル、水、メタノール、メタクロレイン、ならびに水性有機性成分混合物中のＭＭＡおよびメタクロレインのアセタールまたはヘミアセタールの総重量に基づいて少なくとも１重量％の、または最大２０重量％の、または好ましくは、２重量％以上の、例えば、３重量％以上の、または好ましくは、最大１５重量％の、メタクロレインのアセタールまたはヘミアセタールを含有する水性有機性成分混合物の供給流を蒸留することと、（ｂ）例えば、蒸留塔内へ、または好ましくは、蒸留塔の中間部または上部へ、例えば、蒸留塔の塔底と塔頂の中間を位置づける中間点もしくは中間点の上へ、または好ましくは、蒸留塔の上部へ、１以下の、または好ましくは、０以下のｐＫａを有する１種以上の強酸または無機酸を供給することにより、水性有機性成分混合物と、かかる強酸または無機酸とを反応させることと、（ｃ）例えば、蒸留塔から各流れを別々に除去することにより、塔頂流、並びにメタクリル酸メチル、および１００ｐｐｍ以下、好ましくは、２５ｐｐｍ以下の、またはより好ましくは、５ｐｐｍ未満のメタクロレインのアセタールまたはヘミアセタールを含有する塔底流の各々を蒸留から除去することと、を含む。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
１０．蒸留塔が、１０〜５０個のトレイ、または好ましくは、２０〜４０個のトレイ、または充填塔内において同じ数の平衡段を備える、上記の項目９に記載の本発明の方法。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
本発明は、メタクロレインとメタノールとの反応中のメタクロレインのアセタールまたはヘミアセタールの形成の本質的に完全な反転を可能にし、また、より多くのメタクリル酸メチル（ＭＭＡ）を製造するために再利用するためのメタノールおよびメタクロレインの同時回収を可能にする。本発明は、加水分解反応において、蒸留塔内の混合物を１種以上の強酸または無機酸と反応させることを含む。本発明では強酸が蒸留塔に添加されるが、この蒸留塔へ、酸化エステル化反応器からなどの、反応の流出物が供給され、この蒸留塔から、過剰なメタノールおよび未反応のメタクロレインが除去される。蒸留塔の内部で本発明の方法を実施することにより、加水分解反応の平衡限界を「打ち破る」ことが可能になる。したがって、本発明によれば、本発明者らは、メタクロレインおよびメタノールを生成するためのメタクロレインジメチルアセタールの加水分解反応の平衡拘束を打ち破る方法を見出した。したがって、反応の副成物は、反応が起こっているのと同時に、蒸留塔で除去される。例えば、粗製ＭＭＡに基づき１２重量％の割合のメタクロレインジメチルアセタールまたはヘミアセタール（ＭＤＡ）は、２０ｐｐｍ未満まで反応で軽減できる。対照的に、この方法が蒸留の外で実施される場合、平衡限界はＭＤＡの１４０ｐｐｍ未満のレベルではない。本発明の別の利点は、メタクロレインのアセタールまたはヘミアセタールと強酸または無機酸との加水分解反応によって生成されるメタノールおよびメタクロレインを除去するのに好適な蒸留塔を、加水分解反応を実施するのに有用な装置と組み合わせることである。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月17日(2020.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の医薬的に許容可能な賦形剤と一緒に、医薬的な有効成分として遊離の形態、塩として、水和物又は結晶形の形態の式Ｉのフェノール化合物：
【化１】
2019516791.tif 000001
を含むことを特徴とする、医薬組成物。
【請求項２】
１，４−ジヒドロピリジン誘導体に融着したベンゾジアゼピンタイプの３環式誘導体と、遊離の形態、塩として、水和物又は結晶形の形態の請求項１に記載の式Ｉの化合物との組合せ。
【請求項３】
１，４−ジヒドロピリジンに融着したベンゾジアゼピン誘導体が、３−エトキシカルボニル−２−メチル−４−（２−ニトロフェニル）−４，１１−ジヒドロ−１Ｈ−ピリド［２，３−ｂ］［１，５］ベンゾジアゼピンである、請求項２に記載の組合せ。
【請求項４】
１，４−ジヒドロピリジンに融着したベンゾジアゼピン誘導体が、少なくともラセミ体の形態又はその右旋性又は左旋性鏡像異性体の形態である、請求項３に記載の組合せ。
【請求項５】
１つ以上の医薬的に許容可能な賦形剤と一緒に請求項２、３又は４に記載の組合せを医薬的な有効成分として含む、医薬組成物。
【請求項６】
中枢神経系及び脈管神経系の病気の治療に使用するための請求項１〜５のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項７】
脳虚血、パーキンソン病、及び異なるタイプの認知症の治療に使用するための請求項６に記載の医薬組成物。
【請求項８】
中枢神経系及び脈管神経系の病気の治療に使用するための、遊離の形態、塩として、水和物又は結晶形の形態の請求項１に記載の式Ｉの化合物。
【請求項９】
中枢神経系及び脈管神経系の病気の治療に使用するための請求項２、３又は４に記載の組合せ。
【請求項１０】
中枢神経系及び脈管神経系の病気が脳虚血である、請求項９に記載の組合せ。
【請求項１１】
中枢神経系及び脈管神経系の病気がパーキンソン病である、請求項９に記載の組合せ。
【請求項１２】
中枢神経系及び脈管神経系の病気が、異なるタイプの認知症に関する、請求項９に記載の組合せ。
【請求項１３】
認知症がアルツハイマー病である、請求項１２に記載の組合せ。
【請求項１４】
認知症が脈管認知症である、請求項１２に記載の組合せ。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年11月10日(2021.11.10)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
本発明の１つの実施態様において、セルロース前駆体材料が液相のセルロース前駆体材料の懸濁液であり、この液相は好ましくは水相又は非水相であり、アセトン又はトルエン等の有機溶媒、又は例えばトルエン及びピリジンの混合物等のそれらの混合物を含む、又は、アセトン又はトルエン等の有機溶媒、又は例えばトルエン及びピリジンの混合物等のそれらの混合物のみから成る。液状のセルロース前駆体材料が、化学的誘導体化組成物に接触させられ、マイクロ流体デバイスに、高せん断状態に付される液状セルロース前駆体材料をより容易に汲み出し、供給できるので、この態様はセルロース前駆体材料の処理をより容易にする。好ましい実施態様において、セルロース前駆体材料は、化学的に未変性のパルプ、好ましくは水性スラリー状の化学的に未変性のパルプであり、このパルプは少なくとも８０°ＳＲ又は８０°ＳＲ〜１００°ＳＲ、そしてより好ましくは、少なくとも９０°ＳＲ又は９０°ＳＲ〜１００°ＳＲまで微細化されている。パルプは様々な植物材料から採ることができ、特に針葉樹（softwood）又は広葉樹（hardwood）の材料から採ることができる。あるいは、パルプは再生紙又はダンボール製品からも採ることができる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２３】
非常に好ましい実施態様において、化学的誘導体化ナノセルロース製造のための方法は、以下の工程を含む。
ａ．セルロース前駆体材料を化学的誘導体化組成物に接触させ液状反応混合物を生成する工程、及び
ｂ．生成された液状反応混合物に化学反応を起こさせる工程、及び
ｃ．生成された液状反応混合物をマイクロフルイダイゼーションに付する工程、
ここで、工程ｂと工程ｃが同時に行われ、化学的誘導体化組成物はアシル化剤を含み、セルロース前駆体材料は好ましくは化学的未変性ナノセルロースの液相における懸濁液であり、この液相は、例えばアセトン又はトルエン又はそれらの混合物等の有機溶媒を含む、又は、アセトン又はトルエン又はそれらの混合物等の有機溶媒のみから成る非水相であり、そして、好ましくはアシル化剤がカルボン酸又はその無水物から選択される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
本発明の方法の好ましい実施態様において、化学的誘導体化組成物はアシル化剤を含むか、又は、アシル化剤のみから成っており、任意に触媒として酸又は塩基をさらに含むか、又は、アシル化剤と触媒としての酸又は塩基のみから成っている。本質的に、アシル化剤は無水グルコース単位のヒドロキシ基部分にエステル部分を形成し、通常これによりナノセルロースフィブリルの表面に疎水性を付与し、これはアシル化剤の選択により、特にその部分の炭化水素基の長さを選択することによって調整される。例えば、アシル化剤は、カルボン酸又はその無水物、例えば酢酸等のアセチル化剤、又はプロピオン酸等のプロピオン酸エステル化剤（propionating agent）、カルボン酸アルケニルエステル、カルボン酸アルキルエステル、又はコハク酸無水物等のコハク酸エステル化剤であり得る。アシル化剤がコハク酸無水物等のカルボン酸無水物である場合には、液相は非水性相であり、アセトン又はトルエン等の有機溶媒を含む、又は、アセトン又はトルエン等の有機溶媒のみから成る。触媒が存在する場合は、例えばピリジン等の求核性触媒である。
アシル化剤が、例えば酢酸又はプロピオン酸等のカルボン酸である場合には、触媒が存在する場合は最も好ましくは、セルロース材料の表面を化学的に誘導体化できない酸である。こ等の酸の例として、塩化水素又は臭化水素等のハロゲン化水素が挙げられる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
アシル化剤が、例えばカルボン酸ビニルエステル等のカルボン酸アルケニルエステル又はカルボン酸アルキルエステルである場合には、触媒が存在する場合、最も好ましくは、セルロース材料の表面を化学的に誘導体化できない塩基である。こ等の塩基の例として、１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデカ−７−エン（ＤＢＵ）等の非求核塩基が挙げられる。非常に好ましい実施態様において、化学的誘導体化組成物は基本的に、カルボン酸ビニルエステル等のカルボン酸アルケニルエステル又はカルボン酸アルキルエステル及びＤＢＵ等の非求核塩基触媒のみから成る。この場合、セルロース前駆体材料は、アセトン等の、セルロースを膨潤させることができない有機溶媒中のセルロース前駆体材料の懸濁液のみから成る。例えば、セルロース前駆体材料は、アセトン中に分散されたナノセルロースである。例えば、本発明の方法で使用するのに適しているカルボン酸ビニルエステルは、ラウリン酸ビニルである。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年12月24日(2020.12.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
任意選択的に少なくとも１種の金属酸化物、金属水酸化物および／または金属酸化物水和物でコーティングされた小板形態の金属基板を含む、表面変性エフェクト顔料であって、
ｂ）前記小板形態の金属基板が、ＰＶＤ法によって製造され、かつ１３ｎｍ〜６０ｎｍの範囲のメジアン厚さｈ５０を有し、かつ表面変性のために使用される出発材料（添加剤）は、前記小板形態の任意選択的にコーティングされた金属基板の全重量に対し、
ｉ）１０重量％〜５０重量％の範囲のリン酸セチルエステル
である、表面変性エフェクト顔料。
【請求項２】
前記小板形態の金属基板が、アルミニウムエフェクト顔料であり、
ｂ）ＰＶＤ法によって製造され、かつ２．５μｍ〜９０μｍの範囲のＤ５０値を有することを特徴とする、請求項１に記載の表面変性エフェクト顔料。
【請求項３】
ｉ．任意選択的に少なくとも１種の金属酸化物、金属水酸化物および／または金属酸化物水和物でコーティングされた小板形態の金属基板を、少なくとも１種の溶媒中に懸濁するステップ、
ｉｉ．任意選択的に４０〜１００℃で、リン酸セチルエステルを、ステップｉからの懸濁液に添加し、次いで、得られた前記懸濁液を撹拌するステップ、および
ｉｉｉ．ステップｉｉで得られた表面変性エフェクト顔料をろ過し、任意選択的に乾燥させるステップ
を含む、表面変性エフェクト顔料の製造方法。
【請求項４】
ａ）出発材料（添加剤）によって表面変性された、小板形態の基板を含み、かつ任意選択的に前記基板に適用された少なくとも１種のコーティングを含む、少なくとも１種の請求項１又は２に記載のエフェクト顔料、
ｂ）結合剤としての少なくとも１種の炭化水素樹脂、および
ｃ）少なくとも１種の溶媒もしくは溶媒混合物
を含むネイルエナメル組成物であって、
前記エフェクト顔料の表面変性のために使用される前記出発材料（添加剤）が、リン酸エステル含有化合物である、ネイルエナメル組成物。
【請求項５】
出発材料（添加剤）として、一般式Ｒ−Ｏ−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ’）（ＯＲ’’）のリン酸エステルおよび／またはリン酸および／または一般式Ｒ−Ｐ（Ｏ）（ＯＲ’）（ＯＲ’’）トレードのホスホン酸エステルおよび／またはホスホン酸が利用され、前記Ｒ、Ｒ’およびＲ’’部分が：Ｒ＝Ｃ１０〜Ｃ２０の範囲の炭素鎖を有する直鎖および／または分枝鎖アルキル部分であり、かつＲ’＝Ｒ’’＝Ｈであって、直鎖および／または分枝鎖アルキル部分がＣ１〜Ｃ６の範囲の炭素鎖を有し、Ｒ’およびＲ’’が、同一であっても、または異なっていてもよいと定義される、請求項４に記載のネイルエナメル組成物。
【請求項６】
請求項１および２のいずれか一項に記載の少なくとも１種のエフェクト顔料を含む、請求項４および５のいずれか一項に記載のネイルエナメル組成物。
【請求項７】
使用される前記エフェクト顔料が、ＰＶＤアルミニウム顔料であり、前記基板または前記コーティングの表面変性のために使用される前記出発材料（添加剤）が、リン酸セチルエステルである、請求項４〜６のいずれか一項に記載のネイルエナメル組成物。
【請求項８】
前記炭化水素樹脂が、全有機結合剤の８０重量％〜１００重量％を構成する、請求項４〜７のいずれか一項に記載のネイルエナメル組成物。
【請求項９】
前記炭化水素樹脂が、少なくとも２種の異なる炭化水素樹脂として、
平均分子量ＭＷ１２００〜１６００の炭化水素樹脂と、平均分子量ＭＷ４５００〜５５００の炭化水素樹脂を、
１：１〜１：１０の重量比で含む、請求項４〜８のいずれか一項に記載のネイルエナメル組成物。
【請求項１０】
前記炭化水素樹脂の含有量が、全ネイルエナメル組成物に対し、２５重量％〜６４重量％の範囲である、請求項４〜９のいずれか一項に記載のネイルエナメル組成物。
【請求項１１】
溶媒として、イソプロパノール、酢酸エチルおよび酢酸ブチルの混合物を含む、請求項４〜１０のいずれか一項に記載のネイルエナメル組成物。
【請求項１２】
前記イソプロパノール、酢酸エチルおよび酢酸ブチルの混合物が、全溶媒の７０重量％〜１００重量％を構成する、請求項１１に記載のネイルエナメル組成物。
【請求項１３】
イソプロパノールの割合が、全溶媒に対し、２０重量％未満である、請求項１１または１２に記載のネイルエナメル組成物。
【請求項１４】
可塑剤、酸化防止剤、反沈降剤、防腐剤、油、ワックス、フリーラジカル捕捉剤、浸潤添加剤、分散助剤、湿潤剤、消泡剤、香料、中和剤、増粘剤、ＵＶ遮断剤、保湿剤、ビタミン、タンパク質およびその混合物を追加的に含む、請求項４〜１３のいずれか一項に記載のネイルエナメル組成物。
【請求項１５】
１００μｍの湿潤フィルム厚でのバーアプリケーターによるガラスプレートへの適用およびその後の室温での乾燥後の前記ネイルエナメル組成物が、２０°ジオメトリで測定された少なくとも１５０光沢単位、および少なくとも１２００曇り単位（Ｈｌｏｇ）を有する、請求項４〜１４のいずれか一項に記載のネイルエナメル組成物。
【請求項１６】
ｉ）溶媒中の分散体中の添加剤を使用して、エフェクト顔料を表面変性させるステップ、
ｉｉ）溶媒または溶媒混合物中で炭化水素樹脂を溶解するステップ、
ｉｉｉ）ｉ）による分散体を、ｉｉ）による溶液と混合および均質化するステップ
を含み、ステップｉ）が、請求項３に従って実行される、ネイルエナメル組成物の製造方法。
【請求項１７】
ネイルエナメル中での請求項１または２に記載の表面変性エフェクト顔料の使用。
【請求項１８】
ボディパウダー、フェイスパウダー、プレスドまたはルーズパウダー、パウダークリーム、アイメイクアップ、例えば、アイシャドウ、マスカラ、アイライナー、リキッドアイライナー、アイブローペンシル、リップペンシル、リップスティック、リップグロス、リップライナー、ヘアスタイリング組成物中での請求項１または２に記載の表面変性エフェクト顔料の使用。
【請求項１９】
ａ）請求項４〜１５に記載のネイルエナメル組成物で、天然または人工指爪をコーティングするステップ、
ｂ）任意選択的に、その後、クリアコートで、前記ネイルエナメル組成物で形成されたネイルエナメルをコーティングするステップ
を含む、天然または人工指爪のコーティング方法。
【請求項２０】
前記ネイルエナメルが、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドンおよびその混合物からなる群からの結合剤からなる溶媒ベースクリアコートでコーティングされることを特徴とする、請求項１９に記載の天然または人工指爪のコーティング方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月26日(2021.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ実装方法であって、
クライアントデバイスから視覚メディアデータを受信するステップであって、前記視覚メディアデータが、前記クライアントデバイスによってリアルタイムで取得される、ステップと、
前記視覚メディアデータにおける人物の画像の存在を検出するステップと、
前記視覚メディアデータにおける前記人物の前記画像の前記検出された存在に基づいて、前記人物に関連付けられたユーザ識別子を決定するステップと、
前記ユーザ識別子に基づいて前記ユーザに対応するデータを取り出すステップと、
前記ユーザに対応する前記取り出されたデータに基づいてユーザグラフィックデータを生成するステップであって、
前記ユーザに対応する前記取り出されたデータのトータルの信頼度を決定するステップと、
前記決定されたトータルの信頼度に基づいて表示状態パラメータを生成するステップであって、前記表示状態パラメータが、色パラメータと、輝度パラメータと、サイズパラメータとのうちの少なくとも1つを含む、ステップと、
前記ユーザに対応する前記取り出されたデータの前記トータルの信頼度と前記生成された表示状態パラメータとに基づいて、拡張現実（ＡＲ）グラフィックデータを生成するステップであって、前記ユーザグラフィックデータが前記生成されたＡＲグラフィックデータを含む、ステップと
によってユーザグラフィックデータを生成する、ステップと、
前記ユーザグラフィックデータを前記クライアントデバイスに送信するステップと、
前記クライアントデバイスによって、前記視覚メディアデータと、前記視覚メディアデータの前記人物の前記画像に最も近い前記ユーザグラフィックデータとを表示するステップと
を備え、前記クライアントデバイスは、前記視覚メディアデータにおける前記人物の前記画像の位置がリアルタイムに変化するように、前記視覚メディアデータの前記人物の前記画像に最も近い前記ユーザグラフィックデータをリアルタイムに表示し続けるように構成される、方法。
【請求項２】
前記視覚メディアデータが、単一な画像フレーム、または複数の連続的な映像のフレームのうちの少なくとも1つを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記視覚メディアデータにおける人物の前記画像の前記存在を検出するステップが、
人物特徴認識アルゴリズムを使用して前記視覚メディアデータにおける人物の前記画像を検出するステップと、
前記視覚メディアデータから前記人物の前記検出された画像を抽出するステップと
をさらに備える、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記視覚メディアデータから前記人物の前記画像の前記検出された存在に基づいて、前記ユーザの前記識別子を決定するステップが、
前記人物の抽出された画像から画像特徴を抽出するステップと、
複数の事前に記憶された生体計測的特徴からのそれぞれの生体計測的特徴と前記抽出された画像特徴とを比較するステップであって、前記複数の事前に記憶された生体計測的特徴が、顔面特徴、指紋特徴、掌紋特徴、網膜特徴、人体の輪郭の特徴、歩容特徴、声紋特徴のうちの少なくとも1つを備える、ステップと、
前記抽出された画像特徴が前記生体計測的特徴と一致すると判定したことに応答して、前記一致する生体計測的特徴に対応するユーザ識別子を取り出すステップと
をさらに備える、請求項2に記載の方法。
【請求項５】
前記ユーザ識別子に基づいて前記ユーザに対応する前記データを取り出すステップが、
前記視覚メディアデータから環境情報を取得するステップと、
前記取得された環境情報に基づいてサービスシナリオを決定するステップと、
前記取得された環境情報に基づいて前記サービスシナリオと一致する前記ユーザに対応する前記データを取り出すステップと
をさらに備える、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記環境情報が、ネットワーク情報、位置情報、および地理的識別情報を備える、請求項5に記載の方法。
【請求項７】
前記生成されたＡＲグラフィックデータが、前記視覚メディアデータが前記クライアントデバイスによって表示されるとき、前記視覚メディアデータの現在のフレーム内の前記ユーザの画像の位置において表示されるように構成される、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法を実施するようにコンピュータシステムによって実行可能1つまたは複数の命令を記憶する、非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【請求項９】
コンピュータ実装システムであって、
1つまたは複数のコンピュータと、
前記1つまたは複数のコンピュータと相互動作可能に結合され、かつ前記1つまたは複数のコンピュータによって実行されたとき、請求項1〜7のいずれか一項に記載の方法を実施する1つまたは複数の命令を記憶する有形の機械可読記憶媒体を有する、1つまたは複数のコンピュータメモリデバイスと
を備える、コンピュータ実装システム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月15日(2021.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路パッケージ基板と、
前記集積回路パッケージ基板の表面に配置された導電性ランドパッドと、を備え、
前記導電性ランドパッドは、
相互接続構造の最後の着地位置として構成された導体部と、
前記相互接続構造の最初の着地位置として構成された隔離導体部であって、前記相互接続構造が前記最初の着地位置にある場合に前記相互接続構造に電気的に接続され、前記相互接続構造が前記最後の着地位置にある場合に前記相互接続構造から電気的に隔離される、隔離導体部と、
前記導体部と前記隔離導体部との間に配置された隔離部と、を含み、
前記隔離部は、前記導体部と前記隔離導体部との間のギャップを含み、
前記ギャップは、電気絶縁固体材料で充填されている、
集積回路アセンブリ。
【請求項２】
前記隔離導体部は、前記導体部の第１側及び前記導体部の第２側を囲む、
請求項１の集積回路アセンブリ。
【請求項３】
前記隔離導体部は、前記導体部の周囲の一部を囲む、
請求項１の集積回路アセンブリ。
【請求項４】
前記周囲の一部は、前記周囲の少なくとも２５％であり、前記周囲の５０％未満である、
請求項３の集積回路アセンブリ。
【請求項５】
前記ギャップは、前記相互接続構造の半径よりも小さい幅を有する、
請求項１の集積回路アセンブリ。
【請求項６】
前記導体部は、傾斜角部又は丸みを帯びた角部を有する矩形である、
請求項１〜４の何れかの集積回路アセンブリ。
【請求項７】
前記導電性ランドパッドの前記導体部に電気的に接続された前記相互接続構造であって、前記相互接続構造が前記最後の着地位置にある場合に前記導電性ランドパッドの前記導体部と直接接触し、前記相互接続構造が前記最初の着地位置にある場合に前記隔離導体部と直接接触する、相互接続構造を備える、
請求項１〜４の何れかの集積回路アセンブリ。
【請求項８】
前記相互接続構造を使用して、前記導電性ランドパッドの前記導体部をプリント回路基板に機械的及び電気的に接続するように構成された集積回路ソケットを備える、
請求項１〜４の何れかの集積回路アセンブリ。
【請求項９】
前記相互接続構造が前記最後の着地位置にある場合に前記導体部と直接接触する前記相互接続構造であって、前記相互接続構造が前記最初の着地位置にある場合に前記隔離導体部と直接接触する前記相互接続構造と、
前記相互接続構造に直接取り付けられたプリント回路基板と、を備える、
請求項１〜４の何れかの集積回路アセンブリ。
【請求項１０】
前記集積回路パッケージ基板に収容された集積回路を備え、
前記集積回路は、前記導体部に電気的に接続されており、前記隔離導体部から電気的に隔離されており、
前記導体部は、前記集積回路の信号を前記相互接続構造に電気的に接続するように構成されており、前記隔離導体部は、前記集積回路の信号から電気的に隔離されるか、前記隔離導体部が前記導電性ランドパッドの性能に及ぼす影響を低減する電圧に接続されるように構成されている、
請求項１〜４の何れかの集積回路アセンブリ。
【請求項１１】
導電層を多層パッケージ基板の表面に形成することと、
前記導電層から導電性ランドパッドを形成することであって、前記導電性ランドパッドは、導体部と、隔離導体部と、前記導体部と前記隔離導体部との間に配置された隔離部と、を有し、前記導電性ランドパッドは、前記導電性ランドパッドに対する相互接続構造の接点ワイプの角度及び距離に基づく形状を有する、ことと、
前記多層パッケージ基板の次に隣接する導電層にボイドを形成することであって、前記ボイドは、前記導電性ランドパッドの直下にある、ことと、を含む、
集積回路アセンブリを製造する方法。
【請求項１２】
前記隔離部は、受け構造の相互接続構造の接触先端の半径よりも小さい幅を有する、
請求項１１の方法。
【請求項１３】
前記隔離部は、前記導体部と前記隔離導体部との間のギャップを含み、
前記ギャップは、電気絶縁材料で充填されている、
請求項１１又は１２の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月3日(2020.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デコーディング装置がピクチャをデコーディングする方法であって、
ビットストリームからＱＰ（quantization parameter）に関連した情報を含む映像情報を取得するステップと、
前記ＱＰに関連した前記情報に基づいてルマＱＰを導出するステップと、
前記導出されたルマＱＰに基づいて復元サンプルを生成するステップと、を含み、
前記ルマＱＰを導出するステップは、
利用可能な隣接サンプルに基づいて現在ブロックの予想平均ルマ値を導出するステップと、
前記予想平均ルマ値及び前記ＱＰに関連した前記情報に基づいて前記ルマＱＰを導出するためのＱＰオフセットを導出するステップと、
前記ＱＰオフセットに基づいて前記ルマＱＰを導出するステップと、を含む、方法。
【請求項２】
前記ＱＰオフセットは、以下の数式
Ｌｕｍａ＿ａｖｇ＿ｑｐ＝Ａ＊（ａｖｇ＿ｌｕｍａ−Ｍ）＋Ｂ
に基づいて導出され、
前記数式の前記Ｌｕｍａ＿ａｖｇ＿ｑｐは、前記ＱＰオフセットを示し、
前記数式の前記ａｖｇ＿ｌｕｍａは、前記予想平均ルマ値を示し、
前記数式の前記Ａは、ピクセル値の差をＱＰの差にマッピングするためのスケーリング係数を示し、
前記数式の前記Ｍは、ビット深さと関連したあらかじめ定義された値を示し、
前記数式の前記Ｂは、オフセット値を示し、
前記Ａ及び前記Ｂは、所定の値または前記映像情報に含まれている値である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ＱＰオフセットは、前記予想平均ルマ値に基づくマッピングテーブルから導出され、
前記マッピングテーブルは、前記予想平均ルマ値を入力として利用して決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ＱＰオフセットは、前記予想平均ルマ値に基づくマッピングテーブルから導出され、
前記マッピングテーブルは、前記予想平均ルマ値をあらかじめ定義された定数値で分けて得られた値を利用して決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記利用可能な隣接サンプルは、量子化グループの左側境界に隣接した少なくとも一つのルマサンプル及び前記量子化グループの上側境界に隣接した少なくとも一つのルマサンプルの少なくとも一つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記量子化グループの前記左側境界に隣接した前記少なくとも一つのルマサンプルは、前記量子化グループの前記左側境界に直接隣接したルマサンプル列に含まれ、
前記量子化グループの前記上側境界に隣接した前記少なくとも一つのルマサンプルは、前記量子化グループの前記上側境界に直接隣接したルマサンプル行に含まれる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記利用可能な隣接サンプルは、量子化グループの左上側サンプルの左側に隣接したルマサンプルを含み、
前記利用可能な隣接サンプルは、前記量子化グループの左上側サンプルの上側に隣接したルマサンプルを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記利用可能な隣接サンプルは、復元された隣接サンプル、復元された隣接ブロックの少なくとも一つに含まれているサンプル、予測隣接サンプル、及び予測隣接ブロックの少なくとも一つに含まれているサンプルの少なくとも一つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ＱＰに関連した前記情報は、前記ＱＰオフセットと関連した少なくとも一つのシンタックスエレメントを含み、
前記予想平均ルマ値及び前記ＱＰに関連した前記情報の少なくとも一つに基づいて前記ＱＰオフセットを導出するステップは、前記ＱＰオフセットと関連した少なくとも一つのシンタックスエレメントに基づいて前記ＱＰオフセットを導出するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記導出されたルマＱＰに基づいて復元サンプルを生成するステップは、
少なくとも一つのクロマＱＰマッピングテーブルに基づいて前記導出されたルマＱＰからクロマＱＰを導出するステップと、
前記導出されたルマＱＰ及び前記導出されたクロマＱＰに基づいて量子化グループに対する逆量子化を実行するステップと、を含み、
前記少なくとも一つのクロマＱＰマッピングテーブルは、クロマのダイナミックレンジ及び前記ＱＰオフセットに基づいている、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも一つのクロマＱＰマッピングテーブルは、少なくとも一つのＣｂ−ＱＰマッピングテーブル及び少なくとも一つのＣｒ−ＱＰマッピングテーブルを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＱＰに関連した前記情報は、ＳＰＳ（Sequence Parameter Set）レベルでシグナリングされる、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記映像情報は、ＥＤＲＰ（Effective Data Range Parameter）に関する情報を含み、
前記ＥＤＲＰに関する前記情報は、最小入力値、最大入力値、入力値のダイナミックレンジ、前記最小入力値を明るさと関連付けるためのマッピング情報、前記最大入力値を明るさと関連付けるためのマッピング情報、及び送信関数の識別情報の少なくとも一つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
エンコーディング装置がピクチャをエンコーディングする方法であって、
利用可能な隣接サンプルに基づいて現在ブロックの予想平均ルマ値を導出するステップと、
前記予想平均ルマ値及びＱＰ（quantization parameter）に関連した情報に基づいてルマＱＰを導出するためのＱＰオフセットを導出するステップと、
前記ＱＰオフセットに基づいてルマＱＰを導出するステップと、
前記ＱＰに関連した前記情報を含む映像情報をエンコーディングするステップと、を含む、方法。
【請求項１５】
デコーディング装置にピクチャをデコーディングする方法を実行させるエンコーディングされた情報を格納する非一時的なコンピュータ読み取り可能な格納媒体であって、
前記方法は、
ビットストリームからＱＰ（quantization parameter）に関連した情報を含む映像情報を取得するステップと、
前記ＱＰに関連した前記情報に基づいてルマＱＰを導出するステップと、
前記導出されたルマＱＰに基づいて復元サンプルを生成するステップと、を含み、
前記ルマＱＰを導出するステップは、
利用可能な隣接サンプルに基づいて現在ブロックの予想平均ルマ値を導出するステップと、
前記予想平均ルマ値及び前記ＱＰに関連した前記情報に基づいて前記ルマＱＰを導出するためのＱＰオフセットを導出するステップと、
前記ＱＰオフセットに基づいて前記ルマＱＰを導出するステップと、を含む、格納媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月8日(2021.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信用のステーションであって、
トランシーバと、
１つ又は複数のメモリと、
前記１つ又は複数のメモリに結合される１つ又は複数のプロセッサと、を備え、前記１つ又は複数のプロセッサは、
物理層（ＰＨＹ）チャネルに関連する構成を取得し、
複数のリソースから前記構成に対応するリソースセットを選択し、
選択されたリソースセットから実際のリソースを決定し、および
決定された実際のリソースにおいて、前記トランシーバが対応するＰＨＹ信号を送信又は受信するようにするように構成され、
前記ＰＨＹチャネルに関連する構成は、帯域幅部分（ＢＷＰ）構成を含む、前記無線通信用のステーション。
【請求項２】
前記トランシーバは、第１メッセージを受信するように構成され、前記構成は、前記第１メッセージに基づいて取得される、
請求項１に記載のステーション。
【請求項３】
前記トランシーバは、第２メッセージを受信するように構成され、前記第２メッセージに含まれる指示に従って前記実際のリソースを決定するように構成される
請求項１または２に記載のステーション。
【請求項４】
異なる構成が、異なるリソースセットに対応する
請求項１〜３のいずれか１項に記載のステーション。
【請求項５】
前記ＰＨＹチャネルに対して複数のリソースセットを構成し、異なる構成が、異なるリソースセットに対応することは、
各前記ＢＷＰ構成が各リソースセットに対応することを含む
請求項１に記載のステーション。
【請求項６】
前記ＰＨＹチャネルは、物理ダウンリンク（ＤＬ）共有チャネル（ＰＤＳＣＨ）、物理アップリンク（ＵＬ）共有チャネル（ＰＵＳＣＨ）、物理ＤＬ制御チャネル（ＰＤＣＣＨ）、物理ＵＬ制御チャネル（ＰＵＣＣＨ）及び物理ランダムアクセスチャネル（ＰＲＡＣＨ）を含む
請求項１に記載のステーション。
【請求項７】
無線通信方法であって、
物理層（ＰＨＹ）チャネルに関連する構成を取得することと、
複数のリソースから前記構成に対応するリソースセットを選択することと、
選択されたリソースセットから実際のリソースを決定することと、
決定された実際のリソースにおいて、対応するＰＨＹ信号を送信又は受信するようにすることと、を含み、
ＰＨＹチャネルに関連する構成は、帯域幅部分（ＢＷＰ）構成を含む、前記無線通信方法。
【請求項８】
第１メッセージを受信することを更に含み、前記構成は、前記第１メッセージに基づいて取得される
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
第２メッセージを受信することを更に含み、
前記第２メッセージに含まれる指示に従って前記実際のリソースを決定する
請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
異なる構成が、異なるリソースセットに対応する
請求項７〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＰＨＹチャネルに対して複数のリソースセットを構成し、異なる構成が、異なるリソースセットに対応することは、
各前記ＢＷＰ構成が各リソースセットに対応することを含む
請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＰＨＹチャネルは、物理ダウンリンク（ＤＬ）共有チャネル（ＰＤＳＣＨ）、物理アップリンク（ＵＬ）共有チャネル（ＰＵＳＣＨ）、物理ＤＬ制御チャネル（ＰＤＣＣＨ）、物理ＵＬ制御チャネル（ＰＵＣＣＨ）、物理ランダムアクセスチャネル（ＰＲＡＣＨ）を含む
請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、
コンピュータ実行可能命令が記憶され、１つ又は複数のプロセッサが前記命令を実行するとき、１つ又は複数のプロセッサに請求項７〜１２のいずれか一項に記載の方法を実行させる、前記非一時的コンピュータ可読記憶媒体。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年11月8日(2021.11.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
‐  前記の１種以上のフッ化物含有エッチング液（Ａ）が、フッ化アンモニウム、重フッ化アンモニウム、フッ化トリエタノールアンモニウム、フッ化ジグリコアンモニウム、フッ化メチルジエタノールアンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、トリエチルアミン三フッ化水素酸塩、フッ化水素、フルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸、テトラフルオロホウ酸、フルオロ酢酸、フルオロ酢酸アンモニウム、トリフルオロ酢酸、フルオロケイ酸、フルオロケイ酸アンモニウム、テトラフルオロホウ酸テトラブチルアンモニウム、およびこれらの混合物からなる群から選択され、そして、好ましくは、前記のまたは少なくとも１種のエッチング液（Ａ）がフッ化アンモニウムであるか、および／または
‐  前記の１種以上のエッチング液（好ましくは、フッ化アンモニウム）の合計質量（Ａ）が、前記洗浄剤組成物の合計質量を基準として、０．００１〜１質量％の範囲、好ましくは、０．０１〜０．１質量％の範囲である、請求項１に記載の洗浄剤組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月27日(2021.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドナー基板（１）の残余部分（１’）を整える方法であって、イオン注入によって弱められた平面（３）での層間剥離により層（５）が前記ドナー基板（１）から除去されていて、前記残余部分（１’）が主面（１０）に、前記ドナー基板の除去されていない部分に対応する環状段差（１１）を備え、前記方法は、
ａ．前記環状段差（１１）によって画定される内部空間を充填し、および、前記環状段差（１１）の少なくとも一部を覆うために、前記残余部分の前記主面（１０）に平滑化酸化物（６）を堆積させるステップと、
ｂ．前記平滑化酸化物（６）の緻密化のための熱処理のステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記平滑化酸化物（６）がＳＯＧ（スピンオングラス）ファミリーに属する、請求項１に記載の整える方法。
【請求項３】
前記緻密化熱処理が２２５℃から９００℃の間の温度を有する、請求項１または２に記載の整える方法。
【請求項４】
前記緻密化熱処理が窒素（Ｎ２）雰囲気下で実行される、請求項１から３のいずれか一項に記載の整える方法。
【請求項５】
平滑化酸化物（６）の前記堆積が、前記環状段差（１１）の高さの少なくとも１．５倍に等しい厚さを有する層の形成をもたらす条件下で実行される、請求項４に記載の整える方法。
【請求項６】
前記堆積ステップの前に、イオン注入により損傷した前記表面の周辺ゾーン（１ａ）の前記除去を含む前記残余部分（１’）の前記表面（１０）を整えるステップを含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の整える方法。
【請求項７】
基板（７）であって、
ａ．ドナー基板（１）の残余部分（１’）であって、イオン注入によって弱められた平面（３）での層間剥離により層（５）が前記ドナー基板（１）から除去されていて、前記残余部分（１’）は主面（１０）に、前記ドナー基板（１）の除去されていない部分に対応する環状段差（１１）を備えた、前記残余部分（１’）と、
ｂ．前記残余部分（１’）の前記主面上の酸化物層（６）であって、前記酸化物層（６）は、前記環状段差によって画定される内部空間を充填し、および前記残余部分の前記環状段差の少なくとも一部を覆う、前記酸化物層（６）と、
を備えた、前記基板（７）。
【請求項８】
前記酸化物層が、前記環状段差の高さの少なくとも１．５倍に等しい厚さを有する、請求項７に記載の基板（７）。
【請求項９】
前記残余部分（１’）が表面酸化物層（２）を備えた、請求項７から８のいずれか一項に記載の基板（７）。
【請求項１０】
前記ドナー基板（１）がシリコンからなる、請求項７から９のいずれか一項に記載の基板（７）。
【請求項１１】
基板（７）の使用であって、
ａ．請求項７から１０のいずれか一項に記載の基板（７）を提供するステップと、
ｂ．前記基板（７）をドナー基板と組み立てるステップと、
ｃ．前記ドナー基板を薄くして絶縁体上に構造を形成するステップと、
を含む、基板（７）の使用。
【請求項１２】
前記組み立てが１００℃と５００℃の間の温度での熱処理を含む、請求項１１に記載の基板（７）の使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
発明の簡単な説明
この目的を達成するために、本発明は、ドナー基板の残余部分を整える方法を提案し、イオン注入によって弱められた平面での剥離によってドナー基板から層が除去されており、残余部分は主面上に、ドナー基板の除去されていない部分に対応する環状段差を備え、方法は、環状段差によって画定される内部空間を充填しおよび環状段差の少なくとも一部を覆うために、残余部分の主面上に平滑化酸化物を堆積すること、ならびに平滑化酸化物の緻密化のための熱処理を含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
ドナー基板１および支持基板４は、有利には、その直径が典型的に２００ｍｍ、３００ｍｍまたはさらには４５０ｍｍである、ディスク形状のシリコンウエハであり得る。これらのウエハの少なくとも１つは、表面絶縁層を有し得、その結果、シリコンオンインシュレーターウエハは、方法の最後に得られる。しかしながら、本発明はこれらの材料、この形状またはこれらの寸法のみに限定されない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
次に、図１Ｃに示すように、ドナー基板１への軽い種の注入によって弱められた平面３の形成の最初のステップが実行され、この平面とドナー基板1の注入された表面の間に薄層５が形成される。弱められた平面３は、典型的には、水素および／または希ガスの注入によって生成される。すなわち、軽い種は、５ｅ１５と１ｅ１７ａｔ／ｃｍ2の間の投与量の水素およびヘリウムイオンから選択され得る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
本発明による方法は、材料の損失を低減し、残余部分１’の主面１０の段差１１を完全に除去する必要がないという利点、および完全に平坦な面を提供するという利点を有する。特に、従来技術の解決策において一般的に必要である「両面研磨」のステップを省くことが可能である。それは、残余部分１’を少数のステップで生成することを可能にし、材料の損失を低減し、および、例えば、ＭＥＭＳ用の基板の製造のための受容基板として使用される、満足のいく表面特性を有する。
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月5日(2021.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
増幅器であって、
入力と、
出力と、
主増幅器入力、主増幅器出力、比較器、前記比較器によって制御されるスイッチング電力段、前記出力と前記比較器の入力の間に接続される帰還回路網、および前記スイッチング電力段と前記主増幅器出力の間に接続される低域通過フィルタを有する主増幅器であって、前記帰還回路網が少なくとも実質的に高域通過フィルタを形成し、前記主増幅器が少なくとも実質的に積分器の周波数応答のような周波数応答を有するように構成される、主増幅器と、
第1の制御回路と
を備え、
前記第1の制御回路が、
前記入力に動作可能に接続される第1の制御入力と、
前記主増幅器出力に動作可能に接続される第2の制御入力と、
前記主増幅器入力、前記第1の制御入力、および前記第2の制御入力に動作可能に接続される制御出力と、
前記第2の制御入力と前記制御出力の間に設けられる、少なくとも1次の第1の高域通過フィルタと、
前記第1の制御入力と前記制御出力の間の経路および前記第2の制御入力と前記制御出力の間の経路に共通の経路に設けられる少なくとも1次の第2の低域通過フィルタと
を備える、増幅器。
【請求項２】
前記第1の制御回路が、
前記第2の制御入力から前記制御出力への第1の伝達関数と
前記第1の制御入力から前記制御出力への第2の伝達関数と
を有し、前記第1の伝達関数と前記第2の伝達関数の間の比が、少なくとも10倍の周波数間にわたって積分器の伝達関数に少なくとも実質的に対応する、請求項1に記載の増幅器。
【請求項３】
前記主増幅器が、少なくとも、第1の動作モードと第2の動作モードのうちの1つで動作するように構成され、前記第1の制御回路が、前記主増幅器が前記第2の動作モードで動作しているときにその動作を無効化させるように構成される補償器を備える、請求項1または2に記載の増幅器。
【請求項４】
前記補償器が帰還回路網を有する増幅器を備え、前記補償器が、前記帰還回路網の少なくとも一部を短絡することによって無効化されるように構成される、請求項3に記載の増幅器。
【請求項５】
前記第1の動作モードにおいて、前記主増幅器が通常動作モードで動作する、請求項3に記載の増幅器。
【請求項６】
前記第2の動作モードにおいて、前記主増幅器がクリッピングモードで動作する、請求項3または5に記載の増幅器。
【請求項７】
前記第2の動作モードにおいて、前記主増幅器が、前記主増幅器入力で受けとられた信号の変化に対してごくわずかな応答を有する信号を前記主増幅器出力で出力する、請求項3または5に記載の増幅器。
【請求項８】
少なくとも2次のフィルタ、またはその一部が、前記第1の制御入力と前記制御出力の間にある、請求項1から7のいずれか一項に記載の増幅器。
【請求項９】
増幅器入力および請求項1から8のいずれか一項に記載の増幅器を備える増幅器であって、第2の制御回路を備え、前記第2の制御回路が、
前記増幅器入力に動作可能に接続される第3の制御入力と、
前記第3の制御入力と前記入力に動作可能に接続される第2の制御出力と、
前記出力と前記第2の制御出力に動作可能に接続される第4の制御入力と、
前記第4の制御入力と前記第2の制御出力の間に設けられる低域通過フィルタと
を備える、増幅器。
【請求項１０】
負荷、ケーブル、および請求項9に記載の増幅器の組立体であって、
前記ケーブルが、一方の端部で前記出力に、他方の端部で前記負荷に接続され、
前記第4の制御入力が前記ケーブルの前記他方の端部に動作可能に接続される、組立体。
【請求項１１】
負荷および請求項1から8のいずれか一項に記載の増幅器の組立体であって、前記負荷が前記増幅器の前記出力に接続され、前記組立体が、
電流制御入力と、
検知した電流に関する情報を出力するように構成される、前記負荷を通る電流を検知する手段と、
前記情報の値から前記電流制御入力で受け取られた信号を減算するように構成される差動増幅器であって、前記差動増幅器の出力が前記増幅器の前記入力に接続される、差動増幅器と
をさらに備える、組立体。