(57)【要約】【課題】  加工品質を悪化させることなく、且つ切削ブレードやウエーハを破損させることのないウエーハのダイシング方法を提供することである。【解決手段】  複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウエーハを個々のチップに分割するウエーハのダイシング方法であって、ウエーハを紫外線硬化型ダイシングテープに貼着するウエーハ貼着工程と、ウエーハの前記外周余剰領域に対応する該紫外線硬化型ダイシングテープをマスクしながら、前記デバイス領域に対応する該紫外線硬化型ダイシングテープに紫外線を照射して該デバイス領域に対応する該紫外線硬化型ダイシングテープを硬化させる紫外線照射工程と、該紫外線硬化型ダイシングテープに貼着されたウエーハをダイシングするダイシング工程と、を具備したことを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウエーハを個々のチップに分割するウエーハのダイシング方法であって、
ウエーハを紫外線硬化型ダイシングテープに貼着するウエーハ貼着工程と、
ウエーハの前記外周余剰領域に対応する該紫外線硬化型ダイシングテープをマスクしながら、前記デバイス領域に対応する該紫外線硬化型ダイシングテープに紫外線を照射して該デバイス領域に対応する該紫外線硬化型ダイシングテープを硬化させる紫外線照射工程と、
該紫外線硬化型ダイシングテープに貼着されたウエーハをダイシングするダイシング工程と、
を具備したことを特徴とするウエーハのダイシング方法。
【請求項２】
ウエーハの裏面にはフィルムが貼着されており、前記ウエーハ貼着工程では、ウエーハのフィルム貼着面が前記紫外線硬化型ダイシングテープに貼着される請求項１記載のウエーハのダイシング方法。
【請求項３】
前記ダイシング工程を実施した後に、前記紫外線硬化型ダイシングテープの全面に紫外線を照射して、該紫外線硬化型ダイシングテープの接着力を低下させる接着力低下工程を更に具備した請求項１又は２記載のウエーハのダイシング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハのダイシング方法に関し、特に、ウエーハを保持するために紫外線硬化型ダイシングテープを使用したウエーハのダイシング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数のデバイスが形成された半導体シリコンウエーハや、半導体ウエーハに端子の形成や配線が行われて樹脂で封止されたＷＬ−ＣＳＰ（ウエーハレベル  チップ・サイズ・パッケージ）ウエーハは、ダイシング装置によってダイシングされて個々のチップへと分割され、分割されたチップは携帯電話やパソコン等の各種の電子機器に広く利用されている。
【０００３】
ダイシング装置では、ダイヤモンドやＣＢＮ等の超砥粒をメタルやレジンで固めて厚さ３０μｍ程度とした切削ブレードが高速で（例えば３００００ｒｐｍ）回転してウエーハへ切り込むことでウエーハを切削する。ダイシング装置でウエーハを切削して個々のチップへ分割することをダイシングと称する。
【０００４】
ダイシング装置でウエーハをダイシングする際には、ウエーハや分割された個々のチップのハンドリングを容易にするために、ウエーハの裏面をダイシングテープに貼着した状態でダイシング装置のチャックテーブル上に吸引保持し、ウエーハをダイシングする。そして、ダイシング後には分割された個々のチップをダイシングテープから剥離するピックアップ作業が実施される。
【０００５】
一般にダイシングテープは、ＰＯ（ポリオリフィン）、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等からなる例えば１００μｍ程度の厚みの基材と、基材上に形成されたゴム系やアクリル系の例えば１０μｍ程度の厚みの糊層とで構成される。
【０００６】
このようなダイシングテープの中で、紫外線照射によって硬化する糊層が基材上に形成されたダイシングテープは紫外線硬化型ダイシングテープと称される。紫外線硬化型ダイシングテープは、紫外線照射によって糊層が硬化することで接着力が低下するため、チップの剥離性に優れるという利点があり、半導体製造工程において広く使用されている。
【０００７】
ところが、ダイシングテープに貼着されたウエーハはダイシングテープの糊層に支持されるため、糊層の弾性力によってダイシング中にチップが動き、加工品質が低下するという問題が生じる。
【０００８】
具体的には、チップにチッピングと呼ばれる小さな欠けやクラックと呼ばれる亀裂が大きく発生したり、チップが所定の形状とは異なった形状に分割されてしまう異形状と呼ばれる現象が発生する。
【０００９】
このような加工品質の悪化を防止するために、特開平１０−２４２０８３号公報又は特開平１０−２８４４４５号公報では、紫外線硬化型ダイシングテープにウエーハを貼り付け、ウエーハのダイシング前にダイシングテープの全面へ紫外線照射を行うウエーハのダイシング方法が開示されている。
【００１０】
これらのダイシング方法では、ダイシング前に紫外線を僅かに照射してダイシングテープの糊層を僅かに硬化させることでダイシング中のチップの動きを防止し、加工品質の悪化を防止している。
【特許文献１】特開平１０−２４２０８３号公報
【特許文献２】特開平１０−２８４４４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところが、紫外線が照射された紫外線硬化型ダイシングテープは、紫外線の照射により糊層が硬化して接着力が低下する。一方、ダイシング装置では、ダイシング加工によって発生する加工熱を冷却し加工屑を排除する目的で、切削ブレードと被加工物とに切削水を供給しながらダイシング加工が実施される。
【００１２】
特に、ウエーハをダイシングすることでウエーハの外周余剰領域に形成される三角チップと呼ばれる端材は、ダイシングテープとの接着面積が小さいため（三角チップのサイズは通常のチップサイズに比べて小さい）、ダイシング中に切削水によって三角チップが飛び易いという問題がある。ダイシング中に飛んだ三角チップが切削ブレードに衝突すると切削ブレードを破損させ、ひいてはウエーハを破損させてしまう恐れがあり、大きな問題となる。
【００１３】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、加工品質を悪化させることなく、且つ切削ブレードやウエーハを破損させることのないウエーハのダイシング方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明によると、複数のデバイスが形成されたデバイス領域と該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを有するウエーハを個々のチップに分割するウエーハのダイシング方法であって、ウエーハを紫外線硬化型ダイシングテープに貼着するウエーハ貼着工程と、ウエーハの前記外周余剰領域に対応する該紫外線硬化型ダイシングテープをマスクしながら、前記デバイス領域に対応する該紫外線硬化型ダイシングテープに紫外線を照射して該デバイス領域に対応する該紫外線硬化型ダイシングテープを硬化させる紫外線照射工程と、該紫外線硬化型ダイシングテープに貼着されたウエーハをダイシングするダイシング工程と、を具備したことを特徴とするウエーハのダイシング方法が提供される。
【００１５】
好ましくは、ウエーハの裏面にはフィルムが貼着されており、ウエーハ貼着工程では、ウエーハのフィルム貼着面が紫外線硬化型ダイシングテープに貼着される。
【００１６】
好ましくは、ウエーハのダイシング方法は、ダイシング工程を実施した後に、紫外線硬化型ダイシングテープの全面に紫外線照射を行い、紫外線硬化型ダイシングテープの接着力を低下させる接着力低下工程を更に具備している。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によると、ウエーハが貼着された紫外線硬化型ダイシングテープは、ダイシング前にウエーハのデバイス領域に対応する領域のみへ紫外線が照射されて該領域の糊層が硬化される。従って、ウエーハのデバイス領域はダイシング中にチップが動くことなく、加工品質の悪化を招くことがない。一方、ウエーハの外周余剰領域は紫外線照射が行われないため、ウエーハ外周部の接着力は低下することなく、ダイシング中に三角チップが飛ぶことを防止できる。
【００１８】
特に、ウエーハの裏面に保護フィルム又はダイボンディング用の接着フィルムが貼り付けられているウエーハでは、ダイシングによって保護フィルム又は接着フィルムにウィスカーと称されるひげ状のバリが発生してしまうという問題があるが、本発明によると、ダイシング前の紫外線照射により紫外線硬化型ダイシングテープの糊層を硬化させておくことで、ウィスカーの発生を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１に示すように、ダイシング対象の半導体ウエーハＷの表面においては、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とが直交して形成されており、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とによって区画された領域に多数のチップ（デバイス）２が形成されている。このように構成された半導体ウエーハＷは、デバイス２が形成されているデバイス領域４と、デバイス領域４を囲繞する外周余剰領域６を備えている。
【００２０】
図２を参照すると、本発明実施形態にかかるウエーハのダイシング方法のフローチャートが示されている。本発明のウエーハのダイシング方法によると、まずステップＳ１０で半導体ウエーハＷの裏面に紫外線硬化型ダイシングテープＴを貼着する。
【００２１】
即ち、図３に示すように、ウエーハＷの裏面を紫外線硬化型ダイシングテープＴの粘着面に貼着し、紫外線硬化型ダイシングテープＴの外周部を環状フレームＦに貼着する。これにより、ウエーハＷは紫外線硬化型ダイシングテープＴを介して環状フレームＦに支持された状態となる。
【００２２】
代替案として、図４に示すように、紫外線硬化型ダイシングテープＴ上にＤＡＦ（ダイアタッチフィルム）８が貼着されているＤＡＦ一体化型ダイシングテープＴのＤＡＦ８上にウエーハＷを貼着し、紫外線硬化型ダイシングテープＴの外周部を環状フレームＦに貼着する。この実施形態では、ダイシングして個々のチップに分割されたデバイス２をＤＡＦを介して基板等に直接ダイボンディングすることができる。
【００２３】
図４の実施形態の変形例として、ＤＡＦ８にかえて例えばリンテック社製の商品名「ＬＣテープ」等の保護フィルムをウエーハＷの裏面に貼着する実施形態が考えられる。この場合は、主に半導体ウエーハＷは特に図示しないが樹脂で封止されたＷＬ−ＣＳＰウエーハから構成され、保護フィルムはウエーハＷの裏面を保護している。
【００２４】
次いで、図２のステップＳ１１で、ウエーハＷのデバイス領域４に対応する紫外線硬化型ダイシングテープＴへ紫外線を照射して、この領域の紫外線硬化型ダイシングテープＴの糊層を硬化させる。この場合の紫外線照射量は、糊層を十分硬化して接着力を十分低下させるのではなく、ある程度の接着力を保持するように糊層を硬化させるのが望ましい。
【００２５】
ステップＳ１１を実施する場合には、図５に示すように外周余剰領域６に対応する紫外線硬化型ダイシングテープＴをマスキングするマスク１０を使用する。即ち、図６に示すように、マスク１０でウエーハＷの外周余剰領域６に対応する紫外線硬化型ダイシングテープＴをマスキングしながら、矢印Ａに示すように紫外線硬化型ダイシングテープＴの下側から紫外線を照射して、デバイス領域４に対応する紫外線硬化型ダイシングテープＴの糊層を硬化させる。
【００２６】
この紫外線照射により、デバイス領域４に対応する紫外線硬化型ダイシングテープＴの糊層はある程度硬化されるが、外周余剰領域６に対応する紫外線硬化型ダイシングテープＴには紫外線が照射されないため、この部分では強い接着力を維持している。
【００２７】
次いで、図２のステップＳ１２に進んでウエーハＷをダイシングする。即ち、よく知られたアライメント工程によりストリートＳ１を検出してから、図７に示すように切削ブレード１６によるストリートＳ１のダイシングが実行される。
【００２８】
図７において、切削手段１２のスピンドルユニット１８のスピンドルハウジング２０中には、図示しないモータにより回転駆動されるスピンドル１４が回転可能に収容されており、スピンドル１４の先端に切削ブレード１６が装着されている。
【００２９】
図７に示すように、図示しないチャックテーブルに保持されたウエーハＷをＸ軸方向に移動させるとともに、切削ブレード１６を高速回転させながらスピンドルユニット１８を下降させると、位置合わせされたストリートＳ１が切削される。
【００３０】
メモリに記憶されたストリートピッチずつ切削ブレード１６をＹ軸方向にインデックス送りしながらダイシングを行うことにより、同方向のストリートＳ１が全て切削される。更に、チャックテーブルを９０度回転させてから、上記と同様のダイシングを行うと、ストリートＳ２も全て切削され、個々のデバイス（チップ）２に分割される。
【００３１】
本実施形態のダイシング方法では、ダイシング前にウエーハＷにデバイス領域４に対応する紫外線硬化型ダイシングテープＴのみに紫外線を照射して、この部分の糊層を硬化させているため、ダイシング中にデバイス領域４のチップが動くことなく、加工品質の悪化を招くことがない。
【００３２】
一方、ウエーハＷの外周余剰領域６に対応する紫外線硬化型ダイシングテープＴには紫外線が照射されないため、ウエーハ外周部の接着力は低下することなく、ダイシング中に三角チップが飛ぶことが防止される。
【００３３】
特に、裏面にダイボンディング用の接着フィルム（ＤＡＦ）又は保護フィルムが貼着されているウエーハでは、デバイス領域の糊層が硬化されていないとダイシングによってＤＡＦ又は保護フィルムにウィスカーと称されるひげ状のバリが発生してしまうという問題があるが、本発明のようにデバイス領域４に対応する紫外線硬化型ダイシングテープＴの糊層を硬化させておくことで、ウィスカーの発生を防止することができる。
【００３４】
ダイシングが終了すると、図２のステップＳ１３及び図８に示すように、紫外線硬化型ダイシングテープＴの全面へ紫外線を照射して、紫外線硬化型ダイシングテープＴの接着力を十分低下させる。これにより、チップの剥離性が優れるため、後のピックアップ工程でチップ２を容易にピックアップすることができる。
【００３５】
しかし、ステップＳ１３のダイシングテープの接着力低下工程（第２の紫外線照射工程）は、ステップＳ１１の糊層の硬化の程度に応じて必ずしも必要でない場合がある。即ち、ステップＳ１１で紫外線の照射量を制御して、紫外線硬化型ダイシングテープＴによるダイシング中のチップの保持力が十分で且つピックアップ工程でのチップの剥離性が良好な場合には、ステップＳ１３の接着力低下工程（第２の紫外線照射工程）を省略することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】半導体ウエーハの表面側斜視図である。
【図２】本発明のウエーハのダイシング方法を示すフローチャートである。
【図３】紫外線硬化型ダイシングテープを介してウエーハが環状フレームに支持された状態の斜視図である。
【図４】ＤＡＦ及び紫外線硬化型ダイシングテープを介してウエーハが環状フレームに支持された状態の斜視図である。
【図５】環状フレームに支持されたウエーハをマスク上に被せる状態を示す分解斜視図である。
【図６】マスクを介して紫外線を紫外線硬化型ダイシングテープに照射する様子を示す斜視図である。
【図７】切削ブレードによりウエーハをストリートに沿ってダイシングする様子を示す斜視図である。
【図８】紫外線硬化型ダイシングテープの全面に紫外線を照射する様子を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００３７】
Ｗ    半導体ウエーハ
Ｓ１，Ｓ２    ストリート
２    チップ（デバイス）
４    デバイス領域
６    外周余剰領域
Ｔ    紫外線硬化型ダイシングテープ
Ｆ    環状フレーム
８    ＤＡＦ
１０    マスク
１２    切削手段
１６    切削ブレード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2010135356.tif 000008
【図７】
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【図８】
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