(57)【要約】【課題】磁気記録媒体設計方法及びプログラムにおいて、書き込み時の書き込み電流が高く設定された場合であってもエラーレートの悪化を防止可能とすることを目的とする。【解決手段】  コンピュータによる垂直磁気記録媒体設計方法において、垂直磁気記録媒体の軟磁性下地層の膜厚を最適化するのに用いる判断基準として、読み出し時のヘッドからの信号出力の書き込み時にヘッドに印加する書き込み電流の依存性を求め、飽和時の信号出力レベルである飽和出力レベルと、飽和時の信号出力レベルとなる書き込み時の書き込み電流の１．７倍である過剰書き込み電流レベルとの比率を、飽和率として定義し、前記飽和率が一定の範囲内に収まるように前記垂直磁気記録媒体の磁気記録層の保磁力及び前記軟磁性下地層の膜厚の範囲を最適化するように構成する。【選択図】図５
2010086562.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータによる垂直磁気記録媒体設計方法であって、
垂直磁気記録媒体の軟磁性下地層の膜厚を最適化するのに用いる判断基準として、読み出し時のヘッドからの信号出力の書き込み時にヘッドに印加する書き込み電流の依存性を求め、飽和時の信号出力レベルである飽和出力レベルと、飽和時の信号出力レベルとなる書き込み時の書き込み電流の１．７倍である過剰書き込み電流レベルとの比率を、飽和率として次のように定義して記憶部に格納する定義手順と、
（過剰書き込み電流レベル）＝（飽和出力レベル時の書き込み電流）×１．７、
（飽和率）＝｛（飽和出力レベル）／（過剰書き込み電流レベル）｝×１００％
前記飽和率が一定の範囲内に収まるように前記垂直磁気記録媒体の磁気記録層の保磁力及び前記軟磁性下地層の膜厚の範囲を最適化して前記記憶部に格納する最適化手順
を前記コンピュータに実行させる、垂直磁気記録媒体設計方法。
【請求項２】
コンピュータに垂直磁気記録媒体の設計時の解析機能を実現させるプログラムであって、
垂直磁気記録媒体の軟磁性下地層の膜厚を最適化するのに用いる判断基準として、読み出し時のヘッドからの信号出力の書き込み時にヘッドに印加する書き込み電流の依存性を求め、飽和時の信号出力レベルである飽和出力レベルと、飽和時の信号出力レベルとなる書き込み時の書き込み電流の１．７倍である過剰書き込み電流レベルとの比率を、飽和率として次のように定義して記憶部に格納する定義手順と、
（過剰書き込み電流レベル）＝（飽和出力レベル時の書き込み電流）×１．７、
（飽和率）＝｛（飽和出力レベル）／（過剰書き込み電流レベル）｝×１００％
前記飽和率が一定の範囲内に収まるように前記垂直磁気記録媒体の磁気記録層の保磁力及び前記軟磁性下地層の膜厚の範囲を最適化して前記記憶部に格納する最適化手順
を前記コンピュータに実行させる、プログラム。
【請求項３】
前記最適化手順は、前記磁気記録層の保磁力Ｈｃが３８２．０≦Ｈｃ（ｋＡ／ｍ）≦３９７．９のとき、前記軟磁性下地層の膜厚ｔが−０．２５Ｈｃ＋１３６．２０≦ｔ（ｎｍ）≦０．０７Ｈｃ＋２７．０２の範囲内となるように最適化する、請求項２記載のプログラム。
【請求項４】
前記最適化手順は、前記磁気記録層の保磁力Ｈｃが３８２．０≦Ｈｃ（ｋＡ／ｍ）≦３９７．９のとき、軟磁性下地層の膜厚ｔが−０．１４Ｈｃ＋９９．８１≦ｔ（ｎｍ）≦−０．５９Ｈｃ＋２８３．３１の範囲内となるように最適化する、請求項２記載のプログラム。
【請求項５】
前記最適化手順は、前記磁気記録層の保磁力Ｈｃが３９７．９（ｋＡ／ｍ）以上のとき、前記軟磁性下地層の膜厚ｔが−１．７４Ｈｃ＋７３１．１０≦ｔ（ｎｍ）≦−０．０１Ｈｃ＋５９．４２の範囲内となるように最適化する、請求項２記載のプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体設計方法及びプログラムに係り、特に垂直磁気記録媒体の設計に適した磁気記録媒体設計方法及びプログラムに関する。
【０００２】
本発明は、上記の如きプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体にも関する。
【背景技術】
【０００３】
垂直磁気ディスクに代表される垂直磁気記録媒体は、基板上に軟磁性下地層（又は、軟磁性裏打層）、一又は複数の磁性記録層等が積層された構成を有する。従来の垂直磁気記録媒体では、ヘッドにより書き込み時の信号の書き広がりを抑制する目的で、軟磁性下地層はできるだけ薄くなるように設計されている。従って、軟磁性下地層の膜厚は、信号の書き広がりとエラーレートとのトレードオフを考慮して最適値にチューニングされる。
【０００４】
しかし、軟磁性下地層が非常に薄い垂直磁気記録媒体では、ヘッドによる書き込み時の書き込み電流が高く設定された場合、ヘッドによる読み出し時の出力レベルの低下を引き起こす場合がある。読み出し時の出力レベルの低下は、エラーレートの悪化を招き、垂直磁気記憶装置の歩留まりを低下させる原因となる。
【特許文献１】特開２００７−２７２９５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の磁気記録媒体設計方法では、ヘッドによる書き込み時の信号の書き広がりを抑制するために垂直磁気記録媒体の軟磁性下地層を非常に薄くすると、エラーレートの悪化を招くため、非常に狭い領域内の条件下で軟磁性下地層の膜厚を最適値にチューニングする必要があった。しかし、このような条件下で軟磁性下地層の膜厚が最適値にチューニングされていると、書き込み電流が高く設定された場合、ヘッドによる読み出し時の出力レベルが低下してエラーレートの悪化を招く場合があるという問題があった。又、エラーレートの悪化は、垂直磁気記憶装置の歩留まりを低下させる原因になるという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明は、書き込み時の書き込み電流が高く設定された場合であってもエラーレートの悪化を防止可能な磁気記録媒体設計方法及びプログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によれば、コンピュータによる垂直磁気記録媒体設計方法であって、垂直磁気記録媒体の軟磁性下地層の膜厚を最適化するのに用いる判断基準として、読み出し時のヘッドからの信号出力の書き込み時にヘッドに印加する書き込み電流の依存性を求め、飽和時の信号出力レベルである飽和出力レベルと、飽和時の信号出力レベルとなる書き込み時の書き込み電流の１．７倍である過剰書き込み電流レベルとの比率を、飽和率として次のように定義して記憶部に格納する定義手順と、（過剰書き込み電流レベル）＝（飽和出力レベル時の書き込み電流）×１．７、（飽和率）＝｛（飽和出力レベル）／（過剰書き込み電流レベル）｝×１００％、前記飽和率が一定の範囲内に収まるように前記垂直磁気記録媒体の磁気記録層の保磁力及び前記軟磁性下地層の膜厚の範囲を最適化して前記記憶部に格納する最適化手順を前記コンピュータに実行させる垂直磁気記録媒体設計方法が提供される。
【０００８】
本発明の一観点によれば、コンピュータに垂直磁気記録媒体の設計時の解析機能を実現させるプログラムであって、垂直磁気記録媒体の軟磁性下地層の膜厚を最適化するのに用いる判断基準として、読み出し時のヘッドからの信号出力の書き込み時にヘッドに印加する書き込み電流の依存性を求め、飽和時の信号出力レベルである飽和出力レベルと、飽和時の信号出力レベルとなる書き込み時の書き込み電流の１．７倍である過剰書き込み電流レベルとの比率を、飽和率として次のように定義して記憶部に格納する定義手順と、（過剰書き込み電流レベル）＝（飽和出力レベル時の書き込み電流）×１．７、（飽和率）＝｛（飽和出力レベル）／（過剰書き込み電流レベル）｝×１００％、前記飽和率が一定の範囲内に収まるように前記垂直磁気記録媒体の磁気記録層の保磁力及び前記軟磁性下地層の膜厚の範囲を最適化して前記記憶部に格納する最適化手順を前記コンピュータに実行させるプログラムが提供される。
【発明の効果】
【０００９】
開示の磁気記録媒体設計方法及びプログラムによれば、書き込み時の書き込み電流が高く設定された場合であってもエラーレートの悪化を防止可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
開示の磁気記録媒体設計方法及びプログラムでは、垂直磁気記録媒体の軟磁性下地層の膜厚を最適化するのに用いる判断基準として、読み出し時のヘッドからの信号出力の書き込み時にヘッドに印加する書き込み電流の依存性を求める。具体的には、飽和時の信号出力レベルである飽和出力レベルと、飽和時の信号出力レベルとなる書き込み時の書き込み電流の１．７倍である過剰書き込み電流レベルとの比率を、飽和率として定義する。そして、この飽和率が一定の範囲内に収まるように垂直磁気記録媒体の磁気記録層の保磁力及び軟磁性下地層の膜厚の範囲を最適化する。
【００１１】
以下に、本発明の磁気記録媒体設計方法及びプログラムの各実施例を、図面と共に説明する。
【実施例】
【００１２】
図１は、本発明の一実施例が適用されるコンピュータシステムを示す斜視図である。図１に示すコンピュータシステム１００は、ＣＰＵやディスクドライブ等を内蔵した本体部１０１、本体部１０１からの指示により表示画面１０２ａ上に設計データ等を表示するディスプレイ１０２、コンピュータシステム１００に種々の情報を入力するためのキーボード１０３、ディスプレイ１０２の表示画面１０２ａ上の任意の位置を指定するマウス１０４及び外部のデータベース等にアクセスして他のコンピュータシステムに記憶されているプログラム等をダウンロードするモデム１０５を有する。
【００１３】
ディスク１１０等の可搬型記録媒体に格納されるか、モデム１０５等の通信装置を使って他のコンピュータシステムの記録媒体１０６からダウンロードされる、コンピュータシステム１００に少なくともテスト機能及び／又は解析機能を持たせるプログラムは、コンピュータシステム１００に入力されてコンパイルされる。このプログラムは、コンピュータシステム１００（即ち、後述するＣＰＵ２０１）をテスト機能及び／又は解析機能を有するＣＡＤ装置（又は、シミュレーションシステム）として動作させる。プログラムは、例えばディスク１１０等のコンピュータ読み取り可能な記録媒体に格納されていても良い。コンピュータ読み取り可能な記録媒体は、ディスク１１０、ＩＣカードメモリ、フロッピー（登録商標）ディスク等の磁気ディスク、光磁気ディスク、ＣＲ−ＲＯＭ等の可搬型記録媒体に限定されるものではなく、モデム１０５やＬＡＮ等の通信装置や通信手段を介して接続されるコンピュータシステムでアクセス可能な各種記録媒体を含む。
【００１４】
尚、コンピュータシステム１００に少なくともテスト機能及び／又は解析機能を持たせるプログラムは、コンピュータシステム１００に設計機能を持たせるプログラム（設計ソフトウェア）の一部であっても、プラグイン等のようにコンピュータシステム１００に設計機能を持たせるプログラムとは別のプログラムであっても良い。
【００１５】
図２は、コンピュータシステム１００の本体部１０１内の構成を説明するブロック図である。同図中、本体部１０１は、バス２００により接続されたＣＰＵ２０１、ＲＡＭやＲＯＭ等からなるメモリ部２０２、ディスク１１０用のディスクドライブ２０３及びハードディスクドライブ（ＨＤＤ）２０４からなる。この例では、ディスプレイ１０２、キーボード１０３及びマウス１０４も、バス２００を介してＣＰＵ２０１に接続されているが、これらは直接ＣＰＵ２０１に接続されていても良い。又、ディスプレイ１０２は、入出力画像データの処理を行う周知のグラフィックインタフェース（図示せず）を介してＣＰＵ２０１に接続されていても良い。
【００１６】
尚、コンピュータシステム１００の構成は図１及び図２に示す構成に限定されるものではなく、代わりに各種周知の構成を使用しても良い。
【００１７】
ヘッドによる書き込み時の信号の書き広がりを抑制するために垂直磁気記録媒体の軟磁性下地層を非常に薄くすると、エラーレートの悪化を招くため、非常に狭い領域内の条件下で軟磁性下地層の膜厚を最適値にチューニングする必要がある。しかし、このような条件下で軟磁性下地層の膜厚が最適値にチューニングされていると、書き込み電流が高く設定された場合、ヘッドによる読み出し時の出力レベルが低下してエラーレートの悪化を招く場合がある。又、エラーレートの悪化は、垂直磁気ディスク装置等の垂直磁気記憶装置の歩留まりを低下させる原因になる。
【００１８】
そこで、軟磁性下地層を厚くすることが考えられる。軟磁性下地層を厚くすることで、書き込み電流が高く設定された場合、過剰な書き込み電流による出力レベルの低下を抑制する効果があることは、本発明者による実験結果から確認されている。しかし、軟磁性下地層の膜厚は、垂直磁気記録媒体への信号の書き込まれ易さを示す書き込み性能（又は、ライト性能）及び垂直磁気記録媒体に書き込まれた信号の消去され易さを示す消去特性（又は、イレーズ特性）と高い相関性を有する。このため、軟磁性下地層の単純な厚膜化は、消去特性の悪化を引き起こすことから望ましくない。
【００１９】
本実施例は、書き込み時の過剰な書き込み電流のヘッドへの印加による読み出し時のヘッドの出力レベルの低下を抑制し、且つ、消去特性を確保できるように軟磁性下地層の膜厚を最適化する。
【００２０】
設計の対象となる垂直磁気記録媒体は、例えばガラス又はＡｌ基板上に少なくとも軟磁性下地層と磁性記録層を有する構成を有する。このような垂直磁気記録媒体の基本構成自体は周知である。軟磁性下地層は、例えばＣｏＦｅＺｒ合金で形成されており、Ｎｉ，Ｎｂ，Ｔａのいずれか１種類以上の元素を更に含んでも良い。磁性記録層は、例えばＣｏＣｒＰｔ合金で形成されており、Ｐｔ含有量は例えば５原子％以上である。磁性記録層の膜厚は、例えば１５ｎｍ〜２５ｎｍである。ここでは説明の便宜上、磁性記録層は単層構造を有するものとするが、多層構造を有するものであっても良いことは言うまでもない。
【００２１】
本実施例では、軟磁性下地層の膜厚を最適化するのに用いる判断基準として、読み出し時のヘッドからの低周波（ＬＦ：Low-Frequency）信号出力の書き込み時にヘッドに印加する書き込み電流の依存性を見たときに、飽和時の信号出力レベル（飽和出力レベル）と、この飽和時の信号出力レベルとなる書き込み時の書き込み電流の１．７倍である過剰書き込み電流レベルとの比率を、飽和率として次のように定義する。
【００２２】
（過剰書き込み電流レベル）＝（飽和出力レベル時の書き込み電流）×１．７
（飽和率）＝｛（飽和出力レベル）／（過剰書き込み電流レベル）｝×１００％
飽和率は、垂直磁気記録媒体への信号の書き込み易さを示す書き込み性能と垂直磁気記録媒体に書き込まれている信号の消え易さを示す消去特性の両方に影響を及ぼす要素である。従って、飽和率がある一定の範囲内に収まれば、所望の書き込み性能と消去特性を両立できるものと考えられる。本実施例では、飽和率が例えば１００％±３％、より好ましくは１００％±１％に収まるように磁気記録層の保磁力等の磁気特性及び軟磁性下地層の膜厚の範囲を最適化する。
【００２３】
図３は、媒体試験の対象となる垂直磁気記録媒体に対するテスト処理を説明するフローチャートである。テスト処理は、周知の構成を有する媒体試験装置により行われても、コンピュータシステム１００のＣＰＵ２０１が実行するシミュレーションにより行われても良い。
【００２４】
図３において、ステップＳ１は、垂直磁気記録媒体に対するテスト条件を設定する。テスト条件には、垂直磁気記録媒体上のテスト位置（垂直磁気ディスクの場合、半径位置及びヘッドのスキュー（Skew）角）、書き込み電流、書き込み周波数、消去電流、消去周波数、読み出し電圧（例えば、磁気抵抗効果型（ＭＲ：Magneto-Resistive）ヘッドの場合）、書き込み電流波形のオーバーシュート（大きさ、時間）等が含まれる。書き込み電流Ｉｗの初期値は望ましくは２０ｍＡ以下、且つ、０を超える値であり、この例では例えば１５ｍＡに設定される。書き込み周波数は、基本周波数の１／８である低周波数（ＬＦ）に設定される。
【００２５】
ステップＳ２は、垂直磁気記録媒体上のテスト位置が含まれる測定エリア周辺を消去する。ステップＳ３は、ＬＦ信号を測定エリアに書き込む。ステップＳ４は、ヘッドをＬＦ信号を書き込んだ測定エリア内の書き込み位置に移動させ、オントラックさせながらＬＦ信号を読み出す。
【００２６】
ステップＳ５は、書き込み電流Ｉｗが最大書き込み電流Ｉｗｍａｘ以上であるか否かを判定し、判定結果がＹＥＳであると処理は終了する。最大書き込み電流Ｉｗｍａｘは、この例では６０ｍＡであるが、望ましくは５０ｍＡ以下、且つ、０を超える値である。ステップＳ５の判定結果がＮＯであると、ステップＳ６は、書き込み電流ＩｗをＩｗ＝Ｉｗ＋ΔＩｗに設定し、処理はステップＳ２へ戻る。書き込み電流Ｉｗの増加分ΔＩｗは、望ましくは８ｍＡ以下、且つ、０を超える値に設定され、この例では５ｍＡに設定される。
【００２７】
図４は、ライト電流と出力レベルの関係を示す図である。図４に示す関係は、本発明者による図３に示す如きテスト処理の結果得られたものである。図４中、縦軸は読み出し時のヘッドの出力レベル（μＶｐｐ）を示し、横軸は書き込み時の書き込み電流Ｉｗ（ｍＡ）を示す。出力レベルは、ピーク・ツー・ピーク（Peak-To-Peak）値で表されている。この場合の飽和出力レベルは約１３３００μＶｐｐであり、飽和出力レベル時の書き込み電流は約３６ｍＡである。又、過剰書き込み電流レベルは、約６２ｍＡである。
【００２８】
図５は、解析処理を説明するフローチャートである。解析処理は、コンピュータシステム１００のＣＰＵ２０１により実行される。
【００２９】
図５において、ステップＳ１１は、垂直磁気記録媒体の各テストサンプルの書き込み時の書き込み電流Ｉｗに対する読み出し時のヘッドの出力レベルの解析を開始する。ステップＳ１２は、ヘッドの出力レベルがピーク値を取る書き込み電流値とそのピーク値の出力を確認し、飽和出力レベル時の書き込み電流を求めて例えばメモリ部２０２等の記憶部に格納する。
【００３０】
ステップＳ１３は、（過剰書き込み電流レベル）＝（飽和出力レベル時の書き込み電流）×１．７で表される過剰書き込み電流レベルに対するヘッドの出力レベルを求め、例えばメモリ部２０２等の記憶部に格納する。ステップＳ１４は、飽和率を（飽和率）＝｛（飽和出力レベル）／（過剰書き込み電流レベル）｝×１００％と定義することで求め、飽和率の範囲を求めてメモリ部２０２等の記憶部に格納する。この場合、ステップＳ１４は、飽和率の許容領域Ｒｔ及び推奨領域Ｒｒを求め、推奨領域Ｒｒ又は許容領域Ｒｔ内に収まるように垂直磁気記録媒体の磁気記録層の保磁力及び前記軟磁性下地層の膜厚の範囲を最適化して例えばメモリ部２０２等の記憶部に格納し、処理は終了する。
【００３１】
図６は、軟磁性下地層の膜厚に対する飽和率の関係を示す図である。図６に示す関係は、本発明者による図５に示す如き解析処理の結果得られたものである。図６中、縦軸は飽和率（％）を示し、横軸は軟磁性下地層の膜厚（ｎｍ）を示す。◆印は保磁力Ｈｃが３８１．９７ｋＡ／ｍで飽和率ｙがｙ＝−０．４６５５ｘ＋１２２．７なる保磁力Ｈｃ＝ｘの関数で表される場合、■印は保磁力Ｈｃが３９７．８９ｋＡ／ｍで飽和率ｙがｙ＝−０．３３３３ｘ＋１１５．７９なる関数で表される場合、▲印は保磁力Ｈｃが４１３．８０で飽和率ｙがｙ＝−０．１３１６＋１０４．４１なる関数で表される場合を示す。
【００３２】
図７は、軟磁性下地層の膜厚に対する保磁力及び飽和率の関係を示す図である。図７に示す関係は、本発明者による図５に示す如き解析処理の結果得られたものである。図７中、縦軸は保磁力Ｈｃ（ｋＡ／ｍ）を示し、横軸は軟磁性下地層の膜厚（ｎｍ）を示す。■印は飽和率が１０３％の場合、□印は飽和率が１０１％の場合、◆印は飽和率が１００％の場合、△印は飽和率が９９％の場合、▲印は飽和率が９７％の場合を示す。Ｒｔは飽和率の許容領域を示し、Ｒｒは飽和率の推奨領域を示す。
【００３３】
本発明者による実験結果によれば、磁気記録層の保磁力Ｈｃが３８２．０≦Ｈｃ（ｋＡ／ｍ）≦３９７．９のとき、軟磁性下地層の膜厚ｔは以下の範囲となるように最適化することが望ましいことが確認された。
【００３４】
−０．２５Ｈｃ＋１３６．２０≦ｔ（ｎｍ）≦０．０７Ｈｃ＋２７．０２
又、本発明者による実験結果によれば、磁気記録層の保磁力Ｈｃが３８２．０≦Ｈｃ（ｋＡ／ｍ）≦３９７．９のとき、書き込み性能及び消去特性を考慮すると、軟磁性下地層の膜厚ｔは以下の範囲内にあることが更に望ましいことが確認された。
【００３５】
−０．１４Ｈｃ＋９９．８１≦ｔ（ｎｍ）≦−０．５９Ｈｃ＋２８３．３１
更に、本発明者による実験結果によれば、磁気記録層の保磁力Ｈｃが３９７．９（ｋＡ／ｍ）以上のときは、軟磁性下地層の膜厚ｔは以下の範囲にあることが望ましいことが確認された。
【００３６】
−１．７４Ｈｃ＋７３１．１０≦ｔ（ｎｍ）≦−０．０１Ｈｃ＋５９．４２
又、本発明者による実験結果によれば、磁気記録層の保磁力Ｈｃが３９７．９（ｋＡ／ｍ）以上のときは、書き込み性能及び消去特性を考慮すると、軟磁性下地層の膜厚ｔは以下の範囲内にあることが更に望ましいことが確認された。
【００３７】
−１．１６Ｈｃ＋５０７．２１≦ｔ（ｎｍ）≦−０．５９Ｈｃ＋２８３．３１
飽和率がある一定の範囲内に収まれば、所望の書き込み性能と消去特性を両立できるものと考えられるので、本実施例では、飽和率が例えば１００％±３％、より好ましくは１００％±１％に収まるように磁気記録層の保磁力等の磁気特性及び軟磁性下地層の膜厚の範囲を最適化することができ、推奨領域Ｒｒを含む許容領域Ｒｔ内での設計が可能となる。
【００３８】
従来の磁気記録媒体設計方法では、ヘッドによる書き込み時の信号の書き広がりを抑制するために垂直磁気記録媒体の軟磁性下地層を非常に薄くすると、エラーレートの悪化を招くため、非常に狭い領域内の条件下で軟磁性下地層の膜厚を最適値にチューニングする必要があった。しかし、このような条件下で軟磁性下地層の膜厚が最適値にチューニングされていると、書き込み電流が高く設定された場合、ヘッドによる読み出し時の出力レベルが低下してエラーレートの悪化を招く場合がある。又、エラーレートの悪化は、垂直磁気記憶装置の歩留まりを低下させる原因になる。このように、従来の磁気記録媒体設計方法では、書き込み時の書き込み電流が過剰書き込み電流レベルとなる時の出力レベルの低下を考慮しておらず、過飽和傾向を示す磁気特性を有する垂直磁気記録媒体の場合、エラーレートの悪化により垂直磁気記憶装置の歩留まりを低下させる原因になる。又、非常に狭い領域内の条件下で軟磁性下地層の膜厚を最適値にチューニングする必要がある。
【００３９】
これに対し、本実施例によれば、書き込み時の書き込み電流が高く設定された場合であっても、垂直磁気記録媒体の過飽和状態を抑制することで、ヘッドの出力レベルの低下を防止して、エラーレートの悪化（増大）を防止することができる。又、エラーレートの悪化を防止することで、垂直磁気記憶装置の歩留まり向上することができる。更に、垂直磁気記録媒体の設計条件の変動に対して特性の振れが少なく、設計条件にかかわらず常に一定の特性を示す垂直磁気記録媒体を設計できるので、垂直磁気記憶装置で動作させるための各種パラメータの設定の調整が容易となる。
【００４０】
以上の実施例を含む実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
コンピュータによる垂直磁気記録媒体設計方法であって、
垂直磁気記録媒体の軟磁性下地層の膜厚を最適化するのに用いる判断基準として、読み出し時のヘッドからの信号出力の書き込み時にヘッドに印加する書き込み電流の依存性を求め、飽和時の信号出力レベルである飽和出力レベルと、飽和時の信号出力レベルとなる書き込み時の書き込み電流の１．７倍である過剰書き込み電流レベルとの比率を、飽和率として次のように定義して記憶部に格納する定義手順と、
（過剰書き込み電流レベル）＝（飽和出力レベル時の書き込み電流）×１．７、
（飽和率）＝｛（飽和出力レベル）／（過剰書き込み電流レベル）｝×１００％
前記飽和率が一定の範囲内に収まるように前記垂直磁気記録媒体の磁気記録層の保磁力及び前記軟磁性下地層の膜厚の範囲を最適化して前記記憶部に格納する最適化手順
を前記コンピュータに実行させる、垂直磁気記録媒体設計方法。
（付記２）
前記一定の範囲は１００％±３％である、付記１記載の垂直磁気記録媒体設計方法。
（付記３）
前記一定の範囲は１００％±１％である、付記１記載の垂直磁気記録媒体設計方法。
（付記４）
前記最適化手順は、前記磁気記録層の保磁力Ｈｃが３８２．０≦Ｈｃ（ｋＡ／ｍ）≦３９７．９のとき、前記軟磁性下地層の膜厚ｔが−０．２５Ｈｃ＋１３６．２０≦ｔ（ｎｍ）≦０．０７Ｈｃ＋２７．０２の範囲内となるように最適化する、付記１〜３のいずれか１項記載の垂直磁気記録媒体設計方法。
（付記５）
前記最適化手順は、前記磁気記録層の保磁力Ｈｃが３８２．０≦Ｈｃ（ｋＡ／ｍ）≦３９７．９のとき、軟磁性下地層の膜厚ｔが−０．１４Ｈｃ＋９９．８１≦ｔ（ｎｍ）≦−０．５９Ｈｃ＋２８３．３１の範囲内となるように最適化する、付記１〜３のいずれか１項記載の垂直磁気記録媒体設計方法。
（付記６）
前記最適化手順は、前記磁気記録層の保磁力Ｈｃが３９７．９（ｋＡ／ｍ）以上のとき、前記軟磁性下地層の膜厚ｔが−１．７４Ｈｃ＋７３１．１０≦ｔ（ｎｍ）≦−０．０１Ｈｃ＋５９．４２の範囲内となるように最適化する、付記１〜３のいずれか１項記載の垂直磁気記録媒体設計方法。
（付記７）
前記最適化手順は、前記磁気記録層の保磁力Ｈｃが３９７．９（ｋＡ／ｍ）以上のとき、前記軟磁性下地層の膜厚ｔが−１．１６Ｈｃ＋５０７．２１≦ｔ（ｎｍ）≦−０．５９Ｈｃ＋２８３．３１の範囲内となるように最適化する、付記１〜３のいずれか１項記載の垂直磁気記録媒体設計方法。
（付記８）
前記軟磁性下地層はＣｏＦｅＺｒ合金で形成されている、付記１〜７のいずれか１項記載の垂直磁気記録媒体設計方法。
（付記９）
コンピュータに垂直磁気記録媒体の設計時の解析機能を実現させるプログラムであって、
垂直磁気記録媒体の軟磁性下地層の膜厚を最適化するのに用いる判断基準として、読み出し時のヘッドからの信号出力の書き込み時にヘッドに印加する書き込み電流の依存性を求め、飽和時の信号出力レベルである飽和出力レベルと、飽和時の信号出力レベルとなる書き込み時の書き込み電流の１．７倍である過剰書き込み電流レベルとの比率を、飽和率として次のように定義して記憶部に格納する定義手順と、
（過剰書き込み電流レベル）＝（飽和出力レベル時の書き込み電流）×１．７、
（飽和率）＝｛（飽和出力レベル）／（過剰書き込み電流レベル）｝×１００％
前記飽和率が一定の範囲内に収まるように前記垂直磁気記録媒体の磁気記録層の保磁力及び前記軟磁性下地層の膜厚の範囲を最適化して前記記憶部に格納する最適化手順
を前記コンピュータに実行させる、プログラム。
（付記１０）
前記一定の範囲は１００％±３％である、付記９記載のプログラム。
（付記１１）
前記一定の範囲は１００％±１％である、付記９記載のプログラム。
（付記１２）
前記最適化手順は、前記磁気記録層の保磁力Ｈｃが３８２．０≦Ｈｃ（ｋＡ／ｍ）≦３９７．９のとき、前記軟磁性下地層の膜厚ｔが−０．２５Ｈｃ＋１３６．２０≦ｔ（ｎｍ）≦０．０７Ｈｃ＋２７．０２の範囲内となるように最適化する、付記９〜１１のいずれか１項記載のプログラム。
（付記１３）
前記最適化手順は、前記磁気記録層の保磁力Ｈｃが３８２．０≦Ｈｃ（ｋＡ／ｍ）≦３９７．９のとき、軟磁性下地層の膜厚ｔが−０．１４Ｈｃ＋９９．８１≦ｔ（ｎｍ）≦−０．５９Ｈｃ＋２８３．３１の範囲内となるように最適化する、付記９〜１１のいずれか１項記載のプログラム。
（付記１４）
前記最適化手順は、前記磁気記録層の保磁力Ｈｃが３９７．９（ｋＡ／ｍ）以上のとき、前記軟磁性下地層の膜厚ｔが−１．７４Ｈｃ＋７３１．１０≦ｔ（ｎｍ）≦−０．０１Ｈｃ＋５９．４２の範囲内となるように最適化する、付記９〜１１のいずれか１項記載のプログラム。
（付記１５）
前記最適化手順は、前記磁気記録層の保磁力Ｈｃが３９７．９（ｋＡ／ｍ）以上のとき、前記軟磁性下地層の膜厚ｔが−１．１６Ｈｃ＋５０７．２１≦ｔ（ｎｍ）≦−０．５９Ｈｃ＋２８３．３１の範囲内となるように最適化する、付記９〜１１のいずれか１項記載のプログラム。
（付記１６）
前記軟磁性下地層はＣｏＦｅＺｒ合金で形成されている、付記９〜１５のいずれか１項記載のプログラム。
【００４１】
以上、本発明を実施例により説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変形及び改良が可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】本発明の一実施例が適用されるコンピュータシステムを示す斜視図である。
【図２】コンピュータシステムの本体部内の構成を説明するブロック図である。
【図３】テスト処理を説明するフローチャートである。
【図４】ライト電流と出力レベルの関係を示す図である。
【図５】解析処理を説明するフローチャートである。
【図６】軟磁性下地層の膜厚に対する飽和率の関係を示す図である。
【図７】軟磁性下地層の膜厚に対する保磁力及び飽和率の関係を示す図である。
【符号の説明】
【００４３】
１００      コンピュータシステム
１０１      本体部
１０２      ディスプレイ
１０２ａ      表示画面
１０３      キーボード
１０４      マウス
１０５      モデム
１０６      記録媒体
１１０      ディスク
２００      バス
２０１      ＣＰＵ
２０２      メモリ部
２０３      ディスクドライブ
２０４      ＨＤＤ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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