【手続補正書】
【提出日】令和3年8月19日(2021.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に層を形成する方法であって、
プラズマチャンバの処理容積室に第１のガス及び第２のガスを供給することであって、基板が、前記処理容積室内の基板支持体に載置されており、前記基板は、アスペクト比が少なくとも４：１の複数の高アスペクト比構造を含む、プラズマチャンバの処理容積室に第１のガス及び第２のガスを供給することと、
第１のパルス周波数で、前記プラズマチャンバに接続されたＲＦ電源を稼働させることで、前記処理容積室の内部で前記第１のガス及び前記第２のガスの第１のプラズマを生成することによって、層の第１の部分を堆積させることであって、
前記第１のパルス周波数は１ｋＨｚから１００ｋＨｚであり、
前記第１のパルス周波数は、デューティ比が１０％から５０％である、
層の第１の部分を堆積させることと
を含む、方法。
【請求項２】
前記複数の高アスペクト比構造は、アスペクト比が少なくとも１５：１である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記層の前記第１の部分は、ケイ素を含む誘電材料であり、前記第１の部分の前記堆積の間の前記処理容積室の温度は、３００°Ｃよりも低い、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の部分の前記堆積の間の前記処理容積室内の圧力は、８トルから３０トルである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１のパルス周波数は、デューティ比が２０％から２５％である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のプラズマにより、厚さが少なくとも２０Åの前記層の前記第１の部分を前記基板に堆積させた後で、前記第１のガス及び前記第２のガスが無い状態の前記処理容積室に、１つ以上の処理ガスを供給することであって、前記１つ以上の処理ガスは、窒素及びヘリウムを含む、１つ以上の処理ガスを供給することと、
８トルから３０トルの圧力で前記処理ガスの第２のプラズマを生成することと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第２のプラズマを生成した後に、前記プラズマチャンバの前記処理容積室に前記第１のガス及び前記第２のガスを供給することと、
第２のパルス周波数で、前記プラズマチャンバに接続された前記ＲＦ電源を稼働させることで、前記第２のプラズマを生成した後に、前記処理容積室の内部で前記第１のガス及び前記第２のガスの第３のプラズマを生成することによって、前記層の第２の部分を堆積させることであって、
前記第２のパルス周波数は１ｋＨｚから１００ｋＨｚであり、
前記第２のパルス周波数は、デューティ比が１０％から５０％である、
前記層の第２の部分を堆積させることと
をさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第２のパルス周波数が、前記第１のパルス周波数と同じである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
基板上に誘電体層を形成する方法であって、
プラズマチャンバの処理容積室に、ケイ素を含む第１のガス及び窒素を含む第２のガスを供給することであって、基板が、前記処理容積室内の基板支持体に載置されており、前記基板は、アスペクト比が少なくとも４：１の複数の高アスペクト比構造を含む、プラズマチャンバの処理容積室に、ケイ素を含む第１のガス及び窒素を含む第２のガスを供給することと、
第１のパルス周波数で、前記プラズマチャンバに接続されたＲＦ電源を稼働させることで、前記処理容積室の内部で前記第１のガス及び前記第２のガスの第１のプラズマを生成することによって、誘電体層の第１の部分を堆積させることであって、
前記第１のパルス周波数は１ｋＨｚから１００ｋＨｚであり、
前記第１のパルス周波数は、デューティ比が１０％から５０％である、
誘電体層の第１の部分を堆積させることと
を含む、方法。
【請求項１０】
ケイ素を含む前記第１のガスは、分子量がシランより多い１つ以上のガスを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記誘電体層の前記第１の部分は、窒化ケイ素であり、前記第１の部分の前記堆積の間の前記処理容積室の温度は、３００°Ｃより低く、
前記第１の部分の前記堆積の間の前記処理容積室内の圧力は、８トルから３０トルである、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１のプラズマにより、厚さが少なくとも２０Åの前記誘電体層の前記第１の部分を前記基板に堆積させた後で、前記第１のガス及び前記第２のガスが無い状態の前記処理容積室に、１つ以上の処理ガスを供給することと、
８トルから３０トルの圧力で、前記１つ以上の処理ガスの第２のプラズマを生成すること
をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２のプラズマを生成した後で、前記プラズマチャンバの前記処理容積室に前記第１のガス及び前記第２のガスを供給することと、
第２のパルス周波数で、前記プラズマチャンバに接続された前記ＲＦ電源を稼働させることで、前記第２のプラズマを生成した後に、前記処理容積室の内部で前記第１のガス及び前記第２のガスの第３のプラズマを生成することによって、前記誘電体層の第２の部分を堆積させることであって、
前記第２のパルス周波数は、１ｋＨｚから１００ｋＨｚであり、
前記第２のパルス周波数は、デューティ比が１０％から５０％である、
前記誘電体層の第２の部分を堆積させることと
をさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
誘電体層により相変化メモリセルユニットをカプセル化する方法であって、
ケイ素を含む第１のガス及び窒素を含む第２のガスを、プラズマチャンバの処理容積室に供給することであって、基板が、前記処理容積室内の基板支持体に載置されており、前記基板は、アスペクト比が少なくとも４：１のトレンチにより分けられた複数の相変化メモリセルユニットを含む、ケイ素を含む第１のガス及び窒素を含む第２のガスを供給することと、
第１のパルス周波数で、前記プラズマチャンバに接続されたＲＦ電源を稼働させることで、前記処理容積室の内部で前記第１のガス及び前記第２のガスの第１のプラズマを生成することによって、誘電体層の第１の部分を堆積させることであって、
前記第１のパルス周波数は、１ｋＨｚから１００ｋＨｚであり、
前記第１のパルス周波数は、デューティ比が１０％から５０％であり、
前記第１の部分の前記堆積の間の前記処理容積室の温度は３００°Ｃより低く、
前記第１の部分の前記堆積の間の前記処理容積室内の圧力は、８トルから３０トルである、
誘電体層の第１の部分を堆積させることと
を含む、方法。
【請求項１５】
前記第１のプラズマにより、厚さが少なくとも２０Åの前記誘電体層の前記第１の部分を前記基板に堆積させた後で、前記第１のガス及び前記第２のガスが無い状態の前記処理容積室に、１つ以上の処理ガスを供給することであって、前記１つ以上の処理ガスは、窒素及びヘリウムを含む、１つ以上の処理ガスを供給することと、
８トルから３０トルの圧力で、前記１つ以上の処理ガスの第２のプラズマを生成することと、
前記第２のプラズマを生成した後で、前記プラズマチャンバの前記処理容積室に、前記第１のガス及び前記第２のガスを供給することと、
第２のパルス周波数で、前記プラズマチャンバに接続された前記ＲＦ電源を稼働させることで、前記第２のプラズマを生成した後に、前記処理容積室の内部で前記第１のガス及び前記第２のガスの第３のプラズマを生成することによって、前記誘電体層の第２の部分を堆積させることであって、
前記第２のパルス周波数は、１ｋＨｚから１００ｋＨｚであり、
前記第２のパルス周波数は、デューティ比が１０％から５０％である、
前記誘電体層の第２の部分を堆積させることと
をさらに含む、請求項１４に記載の方法。