Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月14日(2004.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ１）分子中にビフェニル誘導体を含むノボラック構造のフェノール樹脂を総フェノール樹脂量中に３０〜１００重量％含むフェノール樹脂、（Ｂ１）分子中にビフェニル誘導体および／またはナフタレン誘導体を含むノボラック構造のエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂量中に３０〜１００重量％含むエポキシ樹脂、（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）硬化促進剤を必須成分とし、且つ難燃剤を無配合とすることを特徴とする難燃性半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
（Ａ２）分子中にビフェニル誘導体および／またはナフタレン誘導体を含むノボラック構造のフェノール樹脂を総フェノール樹脂量中に３０〜１００重量％含むフェノール樹脂、（Ｂ２）分子中にビフェニル誘導体を含むノボラック構造のエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂量中に３０〜１００重量％含むエポキシ樹脂、（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）硬化促進剤を必須成分とし、且つ難燃剤を無配合とすることを特徴とする難燃性半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
前記総エポキシ樹脂量樹脂量中の前記分子中にビフェニル誘導体を含むノボラック構造のエポキシ樹脂の含有量が、８０〜１００重量％であることを特徴とする請求項２記載の難燃性半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
（Ａ２）分子中にビフェニル誘導体および／またはナフタレン誘導体を含むノボラック構造のフェノール樹脂を総フェノール樹脂量中に３０〜１００重量％含むフェノール樹脂、（Ｂ１）分子中にビフェニル誘導体および／またはナフタレン誘導体を含むノボラック構造のエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂量中に３０〜１００重量％含むエポキシ樹脂、（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）硬化促進剤、および添加剤からなり、該添加剤が、（Ｅ）着色剤、（Ｆ）カップリング剤、（Ｇ）離型剤、（Ｈ）低応力成分および（Ｉ）酸化防止剤からなる群より選択される１種以上であり、且つ難燃剤を無配合とすることを特徴とする難燃性半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
（Ａ２）分子中にビフェニル誘導体および／またはナフタレン誘導体を含むノボラック構造のフェノール樹脂を総フェノール樹脂量中に３０〜１００重量％含むフェノール樹脂、（Ｂ１）分子中にビフェニル誘導体および／またはナフタレン誘導体を含むノボラック構造のエポキシ樹脂を総エポキシ樹脂量中に３０〜１００重量％含むエポキシ樹脂、（Ｃ）無機充填材、（Ｄ）硬化促進剤、（Ｅ）着色剤、（Ｇ）離型剤からなり、且つ難燃剤を無配合とすることを特徴とする難燃性半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
前記エポキシ基と反応せずに余った水酸基が存在することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の難燃性半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項７】
総エポキシ樹脂のエポキシ基数に対する総フェノール樹脂のフェノール性水酸基数の比が、１より大きく２以下である請求項１〜６のいずれか１項に記載の難燃性半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項８】
分子中にビフェニル誘導体を含むノボラック構造のフェノール樹脂が式（１）で示される請求項１〜７のいずれか１項に記載の難燃性半導体封止用エポキシ樹脂組成物
【化１】
2003176335.tif 000001
（ｎ＝１〜１０）
【請求項９】
分子中にビフェニル誘導体を含むノボラック構造のエポキシ樹脂が式（２）で示される請求項１〜８のいずれか１項に記載の難燃性半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化２】
2003176335.tif 000002
（ｎ＝１〜１０）
【請求項１０】
分子中にナフタレン誘導体を含むノボラック構造のフェノール樹脂が式（３）で示される請求項２〜９のいずれか１項に記載の難燃性半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化３】
2003176335.tif 000003
（ｎ＝１〜７）
【請求項１１】
分子中にナフタレン誘導体を含むノボラック構造のフェノール樹脂が式（４）で示される請求項２〜９のいずれか１項に記載の難燃性半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化４】
2003176335.tif 000004
（ｎ＝１〜１０）
【請求項１２】
分子中にナフタレン誘導体を含むノボラック構造のエポキシ樹脂が式（５）で示される請求項１、４〜１１のいずれか１項に記載の難燃性半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化５】
2003176335.tif 000005
（ｎ＝１〜７）
【請求項１３】
分子中にナフタレン誘導体を含むノボラック構造のエポキシ樹脂が式（６）で示される請求項１、４〜１１のいずれか１項に記載の難燃性半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化６】
2003176335.tif 000006
（ｎ＝１〜１０）
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の難燃性半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて封止してなることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月25日(2004.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
円筒内壁より中心に向けて半径方向に隔壁を突設し粘性流体を充填密封したケーシングと、このケーシングに回転可能に軸支された中心軸と、この中心軸から放射状に突出し、前記円筒内壁に遊嵌するとともにダンパー動作方向に回転すると弁を閉鎖する逆止弁を先端に備え、前記隔壁間を二室に仕切る回転翼とを有し、上記ケーシング又は中心軸が回転される回転ダンパー装置であって、前記回転翼に穿設され前記二室間を連通する前記粘性流体の通路に前記逆止弁を配設し、ダンパー動作方向に回動するか停止すると前記逆止弁を前記回転翼の回転速度を規制する回転方向側の面に付勢して前記通路を封止し、ダンパー非動作方向に回転すると、前記粘性流体の流動圧により弾性変形して前記逆止弁を偏倚させ、前記通路を開放する弾性部材と前記逆止弁とを一体に形成したことを特徴とするダンパー装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月13日(2004.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１組の差込片を具備し、固定した物品から引抜き力が作用すると、差込片により引抜き抵抗が増大することを特徴とする物品の固定具。
【請求項２】
１組の差込片を交差させてボードに差し込み、物品から引抜き力が作用すると、差込片を開方向に作用させることを特徴とする物品の固定具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題を達成するために、請求項１記載の物品の固定具は、１組の差込片２，３を具備し、固定した物品から引抜き力が作用すると、差込片２，３により引抜き抵抗が増大することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、請求項２記載の物品の固定具は、１組の差込片２，３を交差させてボードに差し込み、物品から引抜き力が作用すると、差込片２，３を開方向に作用させることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
【発明の効果】
本発明は、上記構成により、１組の差込片を具備し、固定した物品から引抜き力が作用すると、差込片により引抜き抵抗が増大する物品の固定具としたこと、或いは、１組の差込片を交差させてボードに差し込み、物品から引抜き力が作用すると、差込片を開方向に作用させる物品の固定具としたことで、固定具Ｃの固定強度は、画鋲等に比べて極めて大となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月23日(2005.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力コイルであって、
第１の端と第２の端とを有する第１の磁気コア材料と、
前記第１の磁気コア材料に配置される、前記第１の端から前記第２の端へ延伸する内部空洞と、
前記第１の磁気コア材料に配置される、前記第１の端および前記第２の端のいずれか一方から、前記内部空洞へ向かって内側に突出した第１の切込と、
前記内部空洞を通過し、そして前記第１の切込を受け入れる第１の導体と、
を備える電力コイル。
【請求項２】
前記第１の磁気コア材料に配置される、前記第１の端および前記第２の端の他方から、前記内部空洞へと内側に突出する第２の切込を更に備え、
前記第１の導体は、前記第２の切込によって受け入れられる請求項１に記載の電力コイル。
【請求項３】
前記第１の磁気コア材料に配置される、前記第１の端および前記第２の端の１つから前記内部空洞へ向かって内側に突出した第３の切込と、
前記第１の磁気コア材料に配置される、前記第１の端および前記第２の端の他方から、前記内部空洞へと内側に突出する第４の切込と
を更に備える請求項２に記載の電力コイル。
【請求項４】
前記内部空洞を通過し、そして前記第３の切込および前記第４の切込によって受け入れられる第２の導体を更に備える請求項３に記載の電力コイル。
【請求項５】
前記第１の導体は、少なくとも２回、前記内部空洞を通過し、そして前記第３の切込および前記第の切込によって受け入れられる請求項３に記載の電力コイル。
【請求項６】
前記第１の磁気コア材料に配置される、前記内部空洞へ向かって内側に突出する（２ｎ＋１）個の追加の切込を更に備え、
前記第１の導体は、前記（２ｎ＋１）個の追加の切込によって受け入れられ、当該第１の導体は、前記内部導体を（ｎ＋１）回、通過する請求項１に記載の電力コイル。
【請求項７】
前記第１の磁気コア材料に配置される、前記第１の端から前記第２の端まで延伸する溝付きエアギャップを更に備える請求項１に記載の電力コイル。
【請求項８】
前記溝付きエアギャップと前記第１の導体との間における、前記内部空洞における前記溝付きエアギャップの内側の開口部、および、前記溝付きエアギャップの外側の開口部の少なくとも一方に隣接して配置された渦電流減少材料を更に備え、
前記渦電流減少材料は、前記第１の磁気コア材料よりも低い透磁率を有する請求項７に記載の電力コイル。
【請求項９】
前記第１の磁気コア材料に配置され、前記第１の端および前記第２の端の１つから、内側へ突出した第２の切込と、
前記内部空洞を通過し、そして、前記第２の切込によって受け入れられる第２の導体と
を更に備える請求項１に記載の電力コイル。
【請求項１０】
前記第１の導体および前記第２の導体の間において、前記第１の磁気コア材料における第１の側面から外側へと延伸する、前記第１の磁気コア材料における突起を更に備える請求項９に記載の電力コイル。
【請求項１１】
前記渦電流減少材料は、低い透磁率を有する請求項８に記載の電力コイル。
【請求項１２】
前記渦電流減少材料は、軟磁性材料を備える請求項１１に記載の電力コイル。
【請求項１３】
前記軟磁性材料は、粉末金属である請求項１２に記載の電力コイル。
【請求項１４】
前記第１の磁性コア材料の断面形状が、正方形、円形、長方形、楕円形、および卵形のいずれかである請求項１に記載の電力コイル。
【請求項１５】
請求項１に記載の電力コイルを備えたＤＣ／ＤＣコンバータ。
【請求項１６】
請求項１に記載の電力コイルを備えたシステムであって、
プリント基板ボードを更に備え、
前記第１の磁気コア材料の外側の側面に沿って、前記第１の導体における第１の端が始まり、かつ前記第１の導体における第２の端が終了しており、
前記第１の導体における前記第１の端および前記第２の端は、前記プリント基板ボードに表面載置されるシステム。
【請求項１７】
請求項１に記載の電力コイルを備えたシステムであって、
プリント基板ボードを更に備え、
前記第１の導体における第１の端および第２の端は、前記第１の磁気コア材料から外側へそれぞれ突出しており、
前記第１の導体における前記第１の端および前記第２の端は、ガルウイング構造で前記プリント基板ボードに表面載置されるシステム。
【請求項１８】
請求項１に記載の電力コイルを備えたシステムであって、
プリント基板ボードを更に備え、
前記第１の導体における第１の端および第２の端は、前記第１の磁気コア材料から外側へそれぞれ突出しており、
前記第１の導体における前記第１の端および前記第２の端の少なくとも１つは、前記プリント基板ボードのメッキスルーホールに受け入れられるシステム。
【請求項１９】
少なくとも１つの中であって、かつ、前記溝付きエアギャップに隣接して配置された第２の磁気コア材料を更に備え、
前記第１の磁気コア材料は、フェライトビーズ・コア材を備える請求項７に記載の電力コイル。
【請求項２０】
前記第２の磁気コア材料は、当該第２の磁気コア材料の透磁率を低減させる、分散したギャップを含むフェライトビーズ・コア材を有する請求項１９に記載の電力コイル。
【請求項２１】
前記分散したギャップは、エアギャップを有する請求項２０に記載の電力コイル。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月9日(2005.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
半導体基板と、
上記半導体基板の上に設けられ、結晶面から１０度以下の角度だけオフカット方向に傾いた上面を有する炭化珪素層と、
上記炭化珪素層の上に設けられたゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、
上記炭化珪素層の上のうち上記ゲート電極の側方に設けられたソース電極と、
上記半導体基板の下方に設けられたドレイン電極と、
上記炭化珪素層のうち少なくとも上記ソース電極の下に位置する領域に設けられたソース領域とを備え、
平面視して、上記ソース領域のうち最も長い辺は、上記オフカット方向に垂直な方向に沿っており、上記炭化珪素層と上記ゲート絶縁膜との界面においてＶ族元素を含む、半導
体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１８】
半導体基板と、
上記半導体基板の上に設けられ、結晶面から１０度以下の角度だけオフカット方向に傾いた上面を有する炭化珪素層と、
上記炭化珪素層の上に設けられたゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、
上記炭化珪素層の上のうち上記ゲート電極の側方に設けられたソース電極と、
上記炭化珪素層の上のうち上記ゲート電極の側方に設けられたドレイン電極と、
上記炭化珪素層のうち少なくとも上記ソース電極および上記ドレイン電極の下に位置する領域に互いに離間して設けられたソース・ドレイン領域とを備え、
平面視して、上記ソース・ドレイン領域の辺のうち互いに対向する辺は、上記オフカット方向に垂直な方向に沿っており、上記炭化珪素層と上記ゲート絶縁膜との界面においてＶ族元素を含む、半導体素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第１の半導体素子は、半導体基板と、上記半導体基板の上に設けられ、結晶面から１０度以下の角度だけオフカット方向に傾いた上面を有する炭化珪素層と、上記炭化珪素層の上に設けられたゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、上記炭化珪素層の上のうち上記ゲート電極の側方に設けられたソース電極と、上記半導体基板の下方に設けられたドレイン電極と、上記炭化珪素層のうち少なくとも上記ソース電極の下に位置する領域に設けられたソース領域とを備え、平面視して、上記ソース領域のうち最も長い辺は、上記オフカット方向に垂直な方向に沿っており、上記炭化珪素層と上記ゲート絶縁膜との界面においてＶ族元素を含むものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本発明の第２の半導体素子は、半導体基板と、上記半導体基板の上に設けられ、結晶面から１０度以下の角度だけオフカット方向に傾いた上面を有する炭化珪素層と、上記炭化珪素層の上に設けられたゲート絶縁膜と、上記ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、上記炭化珪素層の上のうち上記ゲート電極の側方に設けられたソース電極と、上記炭化珪素層の上のうち上記ゲート電極の側方に設けられたドレイン電極と、上記炭化珪素層のうち少なくとも上記ソース電極および上記ドレイン電極の下に位置する領域に互いに離間して設けられたソース・ドレイン領域とを備え、平面視して、上記ソース・ドレイン領域の辺のうち互いに対向する辺は、上記オフカット方向に垂直な方向に沿っており、上記炭化珪素層と上記ゲート絶縁膜との界面においてＶ族元素を含むものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
リッジ型半導体発光装置の製造方法であって、
基体上に、少なくとも第１導電型のクラッド層と、活性層と、第２導電型の第１クラッド層と、第１エッチングストップ層と、第２導電型の第２クラッド層と、第２エッチングストップ層と、第２導電型の第３クラッド層とを有する積層半導体層のエピタキシャル成長工程と、
上記積層半導体層にリッジを形成するリッジ溝の形成工程と、
上記リッジ溝内に通電阻止層を形成する工程とを有し、
上記リッジ溝の形成工程は、第１および第２の異方性エッチング工程と、エッチングマスクの形成工程と、等方性エッチング工程とを有し、
上記第１の異方性エッチング工程で、上記積層半導体層の表面から、上記第２エッチングストップ層を横切り、上記第１エッチングストップ層を横切ることがない深さを有する上記リッジ溝の上部溝を第１の溝として形成し、
その後、上記エッチングマスクの形成工程で上記第１の溝の内面にエッチングマスクを形成し、
その後、上記第２の異方性エッチング工程で上記第１の溝の底部に形成された上記エッチングマスクを除去し、
その後、上記等方性エッチング工程で上記第１エッチングストップ層によって停止するエッチングを行って上記リッジ溝の底部溝を第２の溝として形成し、
上記リッジ溝内に選択的に上記通電阻止層を形成することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
この種の半導体発光装置の製造においては、溝形成の等方性エッチングを行う際、図１０Ａに示す上部の幅Ｗ１が、下部の幅Ｗ２に比して小となるテーパー形状となる。通常の半導体発光装置、例えば半導体レーザにおいては、このようなテーパー形の断面形状は特別に問題にならなかった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明による半導体発光装置の製造方法は、第１および第２の異方性エッチング工程が、反応性イオンエッチング（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ；ＲＩＥ）によることを特徴とする。
そして、本発明による半導体発光装置の製造方法は、等方性エッチング工程が、ウェットエッチング工程であることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明による半導体発光装置の第１の製造方法によれば、エッチングストップ層が１層とした場合であるが、本発明による半導体発光装置の第２の製造方法によるときは、ストップ層を２層とし、これにより、等方性エッチングに際しての底部から上へのエッチング進行を効果的に抑制でき、より確実に、リッジの上部幅Ｗ１と、リッジの垂直性とを保持できるという効果をもたらすことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
その後、マスク層１２に対するパターニングを行って、図１Ａに示すように、リッジ溝の形成部に開口１４を形成する。すなわち、上層のＳｉＯ２層のリッジの形成部上にフォトリソグラフィ技術によるフォトレジスト層１３を形成し、上層のＳｉＯ２のパターンエッチングを行い、このＳｉＯ２層をマスクとして、順次下層のＳｉＮ、ＳｉＯ２のパターンエッチングを行って開口１４を形成する。
続いて、図１Ｂに示すように、このパターニングされたマスク層１２の開口部１４を通じて、例えばＲＩＥによる第１の異方性エッチングを行って、マスク層１２と、キャップ層１０と、中間層９とを横切り、第２導電型第２クラッド層８に至り、かつエッチングストップ層７に至らない深さの溝、すなわち最終的に形成するリッジ溝の上部溝１５を第１の溝として形成する第１の異方性エッチング工程を行う。
そして、図２Ａに示すように、各リッジ１６と第１の溝１５とに差し渡って、つまり少なくとも第１の溝１５の内面に、例えばＳｉＯ２によるエッチングマスク層１７を２０００Åの厚さを以って形成し、図２Ｂに示すように、例えばＲＩＥによる第２の異方性エッチングによって、溝底部に形成されたエッチングマスク層を除去する。
その後、例えば硫酸系のエッチング液によるウェットエッチングによって、エッチングストップ層７に至る等方性エッチングを行って、図３Ａに示すように、底部溝を第２の溝１８として形成して、リッジ溝２２を形成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
続いて、図６Ａに示すように、各リッジ４８と溝４７とに差し渡って、つまり少なくとも第１の溝４７の内面に、例えばＳｉＯ２によるエッチングマスク層４９を形成し、図６Ｂに示すように、例えばＲＩＥによる第２の異方性エッチングによって、溝４７の底部に形成されたエッチングマスク層４９を除去する。その後、図７Ａに示すように、硫酸系のエッチング液によるウェットエッチングによって、第１エッチングストップ層３７に至る等方性エッチングを行って底部溝５０を第２の溝として形成し、リッジ溝５４を形成する。
この際、第２エッチングストップ層３９によって、第２導電型第３クラッド層４０が保護され、これによりリッジ４８全体の形状がテーパー形状とならず、垂直形状となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
例えば、上述の実施の形態例においては、第１導電型をｎ型、第２導電型をｐ型としたが、これらを逆導電型とすることができる。
また、図示では半導体基体に１つの半導体発光素子が形成される場合について示しているが、共通の基体に複数の半導体発光素子を形成して、それぞれについて分断して、同時に複数個の半導体発光装置を同時に形成するとか、マルチ発光素子構造とするなど、種々の構成による半導体発光装置の製造に適用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月16日(2005.6.16)
【手続補正２】
【補正対象書類名】手続補正書
【補正対象項目名】手続補正２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月28日(2005.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
このような定量袋詰装置１０に添加物を供給する微量添加装置４０は、全体が圧力容器になっており、上端部に気密ホッパー４２が設けられ、その下部に複数の攪拌翼４３が装着された攪拌軸４４が配置されている添加物貯留部４１と、この添加物貯留部４１の下方に、スクリューフィーダー４６を有する添加物移送部４５と、その下流の分散室４８とが設けられている。
また、微量添加装置４０は、その総重量を測定することにより、添加物の添加量を知見するための、秤量装置７０に載置されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１０  定量袋詰装置
１１  粉粒体貯留部
１２  移送袋詰部
１３  連結部
１４  脚部
２０  ホッパー
２１  攪拌翼
２２  攪拌軸
２３  スクリューコンベア
２４，２６  伝導手段
２５  駆動モーター
３０  スクリューフィーダー
３１  充填口
３２  計量装置
３３  包装袋
３４  可変速モーター
３５  伝導手段
３６  検出手段
４０  微量添加装置
４１  添加物貯留部
４２  気密ホッパー
４３  攪拌翼
４４  攪拌軸
４５  添加物移送部
４６  スクリューフィーダー
４７  分散羽根
４８  分散室
５０  給気管
５１  供給管
５２，５４  給気管
５３  添加物供給口
５４  給気管
５５  コンプレッサ
５６  伝達手段
５７，５８  伝導手段
６０  固定手段
６１  スライドブロック
６２  ねじ
６３  支持ブロック
６４  つまみ
６５  移動手段
６６  架台
６７，７２，８０，８６  取付板
６８  隔壁継手
７０  秤量装置
７５  微量添加装置
７６  配管
７７  収納容器
７８  秤量装置
８２，８４  固定板
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月9日(2004.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光を記録媒体に導いて画像を記録する露光記録装置において、
前記光源から出力された光を集光して記録媒体に導く集光光学系と、
前記集光光学系の焦点を、前記光の光軸に沿って前記記録媒体近傍に複数生成する複数焦点生成手段と、
前記焦点に対する前記記録媒体の位置を検出する位置検出手段と、
検出された前記記録媒体の位置に基づき前記各焦点に対する前記光の光量配分を制御する光量制御手段と、
を備えることを特徴とする露光記録装置。
【請求項２】
請求項１記載の装置において、
前記複数焦点生成手段は、前記光の発散する部位または集光する部位に配設され、前記光を正常光と異常光とに分離する偏光分離素子であることを特徴とする露光記録装置。
【請求項３】
請求項２記載の装置において、
前記光は、直線偏光であり、前記光量制御手段は、前記焦点に対する前記記録媒体の位置に応じて前記偏光分離素子を光軸の周りに回転制御することを特徴とする露光記録装置。
【請求項４】
請求項２記載の装置において、
前記光は、直線偏光であり、前記光量制御手段は、前記焦点に対する前記記録媒体の位置に基づき、前記複数焦点生成手段に入射する前記光の偏光方向を制御する電気光学効果素子を備えることを特徴とする露光記録装置。
【請求項５】
請求項４記載の装置において、
前記電気光学効果素子は、液晶素子であることを特徴とする露光記録装置。
【請求項６】
請求項１記載の装置において、
前記光量制御手段は、前記焦点に対する前記記録媒体の位置に応じて前記光の偏光方向を制御すべく回転制御される１／２波長板であることを特徴とする露光記録装置。
【請求項７】
請求項１記載の装置において、
前記光量制御手段は、前記焦点に対する前記記録媒体の位置に応じて前記光の偏光を制御すべく回転制御される第１の１／４波長板と、前記第１の１／４波長板を通過した前記光を前記偏光分離素子に導く第２の１／４波長板とからなることを特徴とする露光記録装置。
【請求項８】
請求項１記載の装置において、
前記光は、円偏光であり、前記光量制御手段は、前記焦点に対する前記記録媒体の位置に応じて前記光の偏光方向を制御すべく回転制御される偏光板からなることを特徴とする露光記録装置。
【請求項９】
請求項２〜８のいずれかに記載の装置において、
前記偏光分離素子は、前記光の光軸に沿って複数配設されることを特徴とする露光記録装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の装置において、
前記複数焦点生成手段は、一軸性結晶であることを特徴とする露光記録装置。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載の装置において、
前記光源から出力される前記光は、前記記録媒体を２次元的に走査して画像を記録し、前記位置検出手段は、前記記録媒体の前記光による走査位置毎に前記焦点に対する前記記録媒体の位置を検出することを特徴とする露光記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
さらに、集光光学系１６は、フイルムＦの記録位置に近接して距離検出素子５８を備える。距離検出素子５８は、ドラム１４上に装着されたフイルムＦまでの距離を検出するもので、例えば、レーザビームＬのフイルムＦによる反射光を検出することで距離信号を生成することができる。距離信号は、デフォーカス量算出回路６０（位置検出手段）に供給される。デフォーカス量算出回路６０は、前記距離信号に基づいて、集光光学系１６によるレーザビームＬの集光点である焦点ｆｏまたはｆｅとフイルムＦの記録面との距離であるデフォーカス量を算出し、その量に応じた制御信号を液晶制御回路５６に供給する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月16日(2004.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示画面を構成する各画素ごとに検出した所定の表示特性のデータにつき、所定の区分に含む複数の画素に対応した一組のデータずつをそれぞれ１つのデータに圧縮し、この圧縮した各圧縮データをそれらに対応した各圧縮画素位置に倣った配列の圧縮画像データとして取り扱い、この圧縮画像データを前記圧縮対象となる所定の区分の指定位置を同一区分の一部の画素が重複して存在する条件を満足して複数位置にシフトした各シフト条件ごとに得、各シフト条件での圧縮画像データの対応し合う圧縮画素データどうしを１つの判定対象圧縮データに合成し、この各判定対象圧縮データを基準データと比較して各圧縮画素ごとに表示特性の欠陥を判定し検出することを特徴とする表示画面の検査方法。
【請求項２】
前記合成は、対応し合う圧縮画素デーダどうしからそれらの平均値を得る請求項１に記載の表示画面の検査方法。
【請求項３】
前記合成は、対応し合う圧縮画素データどうしからそれらの中央値、最大値、最小値の１つを得る請求項１に記載の表示画面の検査方法。
【請求項４】
表示画面を構成する各画素ごとの所定の表示特性を検出する検出手段と、検出された各データを各画素の配列に対応する縦横番地をもって取り扱えるように記憶する記憶手段と、記憶手段に記憶された各画素データの、所定の区分に含む複数の画素に対応した一組のものずつをそれぞれ１つのデータに圧縮し、この圧縮した各圧縮データをそれらに対応した各圧縮画素位置に倣った配列の圧縮画像データとし、この圧縮画像データを前記圧縮対象となる所定の区分の指定位置を同一画素が重複して存在する条件を満足して複数位置にシフトした各シフト条件ごとに生成する画像圧縮手段と、各シフト条件での圧縮画像データの対応し合う圧縮画素データどうしを１つの判定対象圧縮データに合成する圧縮画像合成手段と、合成された前記各判定対象圧縮データを基準データと比較して各圧縮画素ごとの表示特性の欠陥を判定し検出する欠陥判定手段とを備えたことを特徴とする表示画面の検査装置。
【請求項５】
前記圧縮画像合成手段は、対応し合う圧縮画素デーダどうしの平均値を得る請求項４に記載の表示画面の検査装置。
【請求項６】
前記圧縮画像合成手段は、対応し合う圧縮画素データどうしの中央値、最大値、最小値の１つを得る請求項４に記載の表示画面の検査装置。
【請求項７】
請求項１記載の表示画面の検査方法を用いてプラズマディスプレイパネルの欠陥を検出することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの検査方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
なお、画像圧縮部２２では、全てのシフト圧縮画像を生成する必要のないことが考えられる。例えば図４に示すような細長い被検査体１の撮像画像Ｆが検査対象になる場合、データ数が極端に少ない横方向の相対位置ずれが欠陥部分Ｅを逃さず検出するのに重要になってくる。圧縮を横１／５、縦１／５で行う場合２５種類の圧縮画像が考えられるが、図５に示すように○印を付して圧縮対象画素を示したように、横方向には密に圧縮処理をし、縦方向には間引きをして圧縮処理することにより、検査精度に影響なく処理速度を高められる。なお、検出すべき欠陥部分Ｅの形、起こり得る相対位置ずれの方向に応じて、シフト圧縮画像の生成数を変更することが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月16日(2004.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための、本発明の代表的な構成は、飲料物を入れるプラスチック製のカップ容器であって、カップ形状を構成するポリスチレン製の基体と、前記基体の内面を覆う非結晶のポリエチレンテレフタラート製の内装部と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月22日(2004.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録ヘッドを搭載するためのヘッド搭載部と、シート材を積載するシート材積載手段と、前記シート材積載手段に積載されたシート材を給送する給送ローラと、前記給送ローラを駆動するための駆動源と、前記給送ローラに従動して回転し、シート材を分離するための分離ローラと、を備えた記録装置において、
回動することにより前記分離ローラを前記給送ローラと当接する位置と前記給送ローラから離間する位置とに移動させる、前記分離ローラを回転可能に保持する分離ローラホルダと、前記駆動源の前記給送ローラを駆動するための一方向の回転により制御される、前記分離ローラにより分離されたシート材以外のシート材を前記シート材積載手段に向けて戻す戻し手段と、を有することを特徴とする記録装置。
【請求項２】
前記分離ローラはトルクリミッタを備える、請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
前記分離ローラを前記給送ローラに圧接するための付勢手段を備える、請求項１または２に記載の記録装置。
【請求項４】
前記給送ローラと前記シート材積載手段が当接する位置の下流側で、前記分離ローラは前記給送ローラと当接する、請求項１から３のいずれか１項に記載の記録装置。
【請求項５】
前記戻し手段は、複数のポジションへの位置づけが前記給送ローラと連動してなされる、請求項１から４のいずれか１項に記載の記録装置。
【請求項６】
前記戻し手段は、前記シート材積載手段から前記給送ローラに至るまでのシート材給送路を塞ぐ位置である第１のポジションへの位置づけがなされる、請求項１から５のいずれか１項に記載の記録装置。
【請求項７】
前記戻し手段は、シート材を前記シート材積載手段に押し戻してシート材の先端をそろえる位置である第２のポジションへの位置づけがなされる、請求項６に記載の記録装置。
【請求項８】
前記戻し手段は、前記戻し手段がシート材と干渉しないように退避した位置である第３のポジションへの位置づけがなされる、請求項７に記載の記録装置。
【請求項９】
シート材搬送方向と交差する方向における前記給送ローラと前記給送ローラに最も近い戻し手段との距離が、シート材搬送路への戻し手段の侵入量の５〜１５倍である、請求項１から８のいずれか１項に記載の記録装置。
【請求項１０】
シート材搬送方向と交差する方向において、前記給送ローラの両側に前記給送ローラから等しい距離に戻し手段を備える、請求項９に記載の記録装置。
【請求項１１】
記録ヘッドを搭載するためのヘッド搭載部と、シート材を積載するシート材積載手段と、前記シート材積載手段に積載されたシート材を給送する給送ローラと、前記給送ローラに従動して回転し、シート材を分離するための分離ローラと、を備えた記録装置において、回動することにより前記分離ローラを前記給送ローラと当接する位置と前記給送ローラから離間する位置とに移動させる、前記分離ローラを回転可能に保持する分離ローラホルダと、前記分離ローラにより分離されたシート材以外のシート材を前記シート材積載手段に向けて戻す、シート材搬送路への侵入量が前記給送ローラにより給送されるシート材の剛性により変化する戻し手段と、を有することを特徴とする記録装置。
【請求項１２】
前記戻し手段のシート材を戻す部位をシート材に近づく方向に付勢する付勢手段を備え、前記部位はシート材に対して近づいたり遠ざかったりするように移動可能である、請求項１１に記載の記録装置。
【請求項１３】
前記部位はシート材に対して略垂直に移動する、請求項１２に記載の記録装置。
【請求項１４】
前記戻し手段は、シート材の前記給送ローラが当接する面と反対側の面と当接する位置に設けられている、請求項１１から１３のいずれか１項に記載の記録装置。
【請求項１５】
前記戻し手段が回動することでシート材を戻す、請求項１１から１４のいずれか１項に記載の記録装置。
【請求項１６】
前記戻し手段が回動する際の回転中心は移動可能である、請求項１５に記載の記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月19日(2004.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素原子を螺旋状に巻回成長させた外直径が１０００ｎｍ以下のカーボンナノコイルの製造方法において、反応器内部を加熱し、この反応器内部に炭化水素ガスを流通させ、この炭化水素ガスの中にインジウム・スズ・鉄系触媒を粒子状に分散させ、炭化水素を触媒近傍で分解しながら触媒粒子の表面にカーボンナノコイルを成長させることを特徴とするカーボンナノコイルの製造方法。
【請求項２】
前記インジウム・スズ・鉄系触媒を反応器内部に粒子状に噴霧して分散させ、落下中に触媒粒子の表面にカーボンナノコイルを成長させ、落下してきた触媒粒子を下方で回収する請求項１に記載のカーボンナノコイルの製造方法。
【請求項３】
炭素原子を螺旋状に巻回成長させた外直径が１０００ｎｍ以下のカーボンナノコイルの製造方法において、反応器内部に回転体を配置し、この回転体の周面近傍を加熱し、この反応器内部に炭化水素ガスを流通させ、前記回転体の周面の一部にインジウム・スズ・鉄系触媒の粒子を塗着し、回転中に回転体の触媒面にカーボンナノコイルを成長させ、回転の途中で成長したカーボンナノコイルを回転体から捕集することを特徴とするカーボンナノコイルの製造方法。
【請求項４】
前記回転体は円筒体で、この円筒体を軸心の周りに回転させ、円筒体の表面の軸方向に触媒粒子を塗着する請求項３に記載のカーボンナノコイルの製造方法。
【請求項５】
前記インジウム・スズ・鉄系触媒は有機溶媒に分散された触媒粒子からなる請求項１、２、３又は４に記載のカーボンナノコイルの製造方法。
【請求項６】
反応炉内に触媒粒子と炭化水素ガスを供給し、前記反応炉内を加熱して前記触媒粒子と前記炭化水素ガスを対流させ、前記炭化水素ガスを分解しながら対流状態にある触媒粒子の表面にカーボンナノ物質を成長させることを特徴とするカーボンナノ物質の製造方法。
【請求項７】
前記カーボンナノ物質がカーボンナノコイルである請求項６に記載のカーボンナノ物質の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月21日(2005.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（化１）により表される第１の繰り返し単位を有し、重量平均分子量が５０００〜２０万である第１のポリアミドと、
【化１】
2003026918.tif 000001
（ただし、Ｒ1は下記構造式群（化２）のいずれかにより表される４価の有機基であり、Ｒ2は２価の有機基であり、Ｒ3は炭素数３〜１０のアルキル基又は炭素数３〜１０のフルオロアルキル基である）
【化２】
2003026918.tif 000002
下記一般式（化３）により表される第２の繰り返し単位及び下記一般式（化５）により表される第３の繰り返し単位を有し、重量平均分子量が５０００〜２０万である第２のポリアミドとを含むことを特徴とする液晶配向膜材料。
【化３】
2003026918.tif 000003
（ただし、Ｒ4は下記一般式（化４）により表される４価の有機基であり、Ｒ5は２価の有機基であり、Ｒ6は炭素数３〜１０のアルキル基又は炭素数３〜１０のフルオロアルキル基である）
【化４】
2003026918.tif 000004
（ただし、Ｘは飽和又は不飽和炭化水素基である）
【化５】
2003026918.tif 000005
（ただし、Ｒ7は炭素数６〜２０の直鎖アルキル基又は炭素数６〜２０の直鎖フルオロアルキル基である）
【請求項２】
上記第１のポリアミドと、上記第２のポリアミドとの重量比は、９９：１〜５：９５であり、
上記第２のポリアミド分子の全繰り返し単位数に占める上記第３の繰り返し単位数の割合は、１モル％〜５０モル％であることを特徴とする請求項１記載の液晶配向膜用材料。
【請求項３】
上記第１のポリアミドは、下記一般式（化６）により表される第４の繰り返し単位をさらに有し、
【化６】
2003026918.tif 000006
（ただし、Ｒ8は下記構造式群（化７）のいずれかにより表される４価の有機基である）
【化７】
2003026918.tif 000007
上記第１のポリアミド分子の全繰り返し単位数に占める上記第１の繰り返し単位の割合は、酸二無水物の原料比で３０モル％以上であることを特徴とする請求項１記載の液晶配向膜用材料。
【請求項４】
上記第１のポリアミド一分子中に含まれる複数の上記Ｒ2のうち少なくとも一部は、カルボキシル基及び水酸基の少なくともいずれかを置換基として有することを特徴とする請求項１記載の液晶配向膜用材料。
【請求項５】
上記第１のポリアミド一分子中に含まれる複数の上記Ｒ2のうち少なくとも一部は、下記一般式（化８）により表される有機基であることを特徴とする請求項１又は４記載の液晶配向膜用材料。
【化８】
2003026918.tif 000008
（ただし、Ｙ1〜Ｙ4は、それぞれ、水素原子、水酸基、炭素数１〜８のカルボキシル基、炭素数１〜８のアルデヒド基、炭素数１〜８のアルキル基、又は、炭素数１〜８のアリール基であり、Ｒ9は２価の有機基又は酸素原子である）
【請求項６】
上記Ｒ2は、下記構造式（化９）により表される有機基であることを特徴とする請求項５記載の液晶配向膜用材料。
【化９】
2003026918.tif 000009
【請求項７】
上記第１のポリアミド一分子中に含まれる複数の上記Ｒ2のうち、８０モル％以下が含ケイ素有機基であることを特徴とする請求項１記載の液晶配向膜用材料。
【請求項８】
上記第２のポリアミド一分子中に含まれる複数の上記Ｒ5のうち、８０モル％以下が含ケイ素有機基であることを特徴とする請求項１記載の液晶配向膜用材料。
【請求項９】
上記含ケイ素有機基は、下記構造式群（化１０）のいずれかにより表される有機基の少なくとも一つであることを特徴とする請求項７又は８に記載の液晶配向膜用材料。
【化１０】
2003026918.tif 000010
【請求項１０】
上記第２のポリアミドは、上記Ｒ4として、下記一般式群（化１１）のいずれかにより表される有機基を備えることを特徴とする請求項１記載の液晶配向膜用材料。
【化１１】
2003026918.tif 000011
（ただし、Ｚ1〜Ｚ8はそれぞれ、水素原子、炭素数１〜８のアルキル基及び炭素数１〜８のアリール基のいずれかであり、ｎは１〜８の整数、ｍは１〜４の整数、ｐは１〜８の整数、ｑは１〜４の整数、ｒは１又は２、ｓは１〜４の整数、ｔは１又は２、ｕは１〜４の整数、ｖは１又は２、ｗは１〜４の整数である）
【請求項１１】
さらに溶媒を含み、固形分濃度が１〜７０重量％であることを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の液晶配向膜用材料。
【請求項１２】
それぞれ電極を有し該電極が対向するように配置された２枚の基板と、該基板の間に保持された液晶と、電極及び液晶の間に配置された液晶配向膜とを備える液晶表示素子において、
上記液晶配向膜は、請求項１〜１１のいずれかに記載の液晶配向膜用材料の硬化物からなることを特徴とする液晶表示素子。
【請求項１３】
請求項１２記載の液晶表示素子を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１４】
電極を有する基板の表面に、請求項１〜１１のいずれかに記載の液晶配向膜用材料を成膜して焼成することにより樹脂膜を得る工程と、
上記樹脂膜をラビング処理して液晶配向膜とする工程とを備えることを特徴とする液晶表示素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
【化１５】
2003026918.tif 000012
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
次いで、液晶セルの電気的特性を測定するために、上記と同様にポリアミド膜を形成し、ラビングした基板を用い、６μｍのスペーサを膜面に散布した後ラビング方向をほぼ直交させ、液晶（チッソ石油化学（株）製ＨＡ５０７３ＬＡ）を注入して９０゜ツイスト液晶セルを作成した。この液晶セルの配向状態を偏光顕微鏡で観察したところ欠陥のない均一な配向をしていることが確認された。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月15日(2005.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板に用いる材料であって、
熱可塑性樹脂、又は、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂との混合物１００重量部、及び、層状珪酸塩１〜５０重量部を含有し、
前記層状珪酸塩は、広角Ｘ線回折測定法により測定した（００１）面の平均層間距離が３ｎｍ以上であり、かつ、一部又は全部が５層以下に分散していることを特徴とする絶縁基板用材料。
【請求項２】
絶縁基板に用いる材料であって、
熱可塑性樹脂、又は、熱可塑性樹脂と熱硬化性樹脂との混合物１００重量部、及び、層状珪酸塩１〜５０重量部を含有し、
ＡＳＴＭ  Ｅ  １３５４に準拠した燃焼試験において、５０ｋＷ／ｍ2の輻射加熱条件下で３０分間加熱することにより燃焼させた燃焼残渣を速度０．１ｃｍ／ｓで圧縮した際の降伏点応力が４．９ｋＰａ以上であることを特徴とする絶縁基板用材料。
【請求項３】
層状珪酸塩は、炭素数６以上のアルキルアンモニウムイオンを含有することを特徴とする請求項１又は２記載の絶縁基板用材料。
【請求項４】
熱可塑性樹脂は、ポリフェニレンエーテル系樹脂、官能基が変性されたポリフェニレンエーテル系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂又は官能基が変性されたポリフェニレンエーテル系樹脂とポリスチレン系樹脂との混合物、脂環式炭化水素系樹脂、熱可塑性ポリイミド系樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリアミドイミド樹脂及びポリエステルイミド樹脂からなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項１、２又は３記載の絶縁基板用材料。
【請求項５】
絶縁基板に用いる材料であって、
フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アリル樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、熱硬化型変性ポリフェニレンエーテル系樹脂、ケイ素樹脂及びベンゾオキサジン系樹脂からなる群より選択される少なくとも１種の熱硬化性樹脂１００重量部、及び、層状珪酸塩１〜５０重量部を含有し、
前記層状珪酸塩は、広角Ｘ線回折測定法により測定した（００１）面の平均層間距離が３ｎｍ以上であり、かつ、一部又は全部が５層以下に分散していることを特徴とする絶縁基板用材料。
【請求項６】
絶縁基板に用いる材料であって、
フェノール樹脂、ユリア樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アリル樹脂、熱硬化性ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、熱硬化型変性ポリフェニレンエーテル系樹脂、ケイ素樹脂及びベンゾオキサジン系樹脂からなる群より選択される少なくとも１種の熱硬化性樹脂１００重量部、及び、層状珪酸塩１〜５０重量部を含有し、
ＡＳＴＭ  Ｅ  １３５４に準拠した燃焼試験において、５０ｋＷ／ｍ2の輻射加熱条件下で３０分間加熱することにより燃焼させた燃焼残渣を速度０．１ｃｍ／ｓで圧縮した際の降伏点応力が４．９ｋＰａ以上であることを特徴とする絶縁基板用材料。
【請求項７】
層状珪酸塩は、炭素数６以上のアルキルアンモニウムイオンを含有することを特徴とする請求項５又は６記載の絶縁基板用材料。
【請求項８】
実質的にハロゲン系組成物を含有しない難燃剤１〜５０重量部を含有することを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６又は７記載の絶縁基板用材料。
【請求項９】
絶縁基板に用いる材料であって、
エポキシ系樹脂１００重量部に対して、層状珪酸塩１〜５０重量部及び実質的にハロゲン系組成物を含有しない難燃剤０．１〜１００重量部を含有し、
前記層状珪酸塩は、広角Ｘ線回折測定法により測定した（００１）面の平均層間距離が３ｎｍ以上であり、かつ、一部又は全部が５層以下に分散していることを特徴とする絶縁基板用材料。
【請求項１０】
絶縁基板に用いる材料であって、
エポキシ系樹脂１００重量部に対して、層状珪酸塩１〜５０重量部及び実質的にハロゲン系組成物を含有しない難燃剤０．１〜１００重量部を含有し、
ＡＳＴＭ  Ｅ  １３５４に準拠した燃焼試験において、５０ｋＷ／ｍ2の輻射加熱条件下で３０分間加熱することにより燃焼させた燃焼残渣を速度０．１ｃｍ／ｓで圧縮した際の降伏点応力が４．９ｋＰａ以上であることを特徴とする絶縁基板用材料。
【請求項１１】
層状珪酸塩は、炭素数６以上のアルキルアンモニウムイオンを含有することを特徴とする請求項９又は１０記載の絶縁基板用材料。
【請求項１２】
難燃剤は、金属水酸化物であることを特徴とする請求項８、９、１０又は１１記載の絶縁基板用材料。
【請求項１３】
難燃剤は、メラミン誘導体であることを特徴とする請求項８、９、１０又は１１記載の絶縁基板用材料。
【請求項１４】
層状珪酸塩は、モンモリロナイト、膨潤性マイカ、及び、ヘクトライトからなる群より選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２又は１３記載の絶縁基板用材料
【請求項１５】
少なくとも一種以上の熱可塑性樹脂及び／又は熱硬化性樹脂からなる樹脂１００重量部及び層状珪酸塩１〜５００重量部を含有する樹脂組成物（Ａ）と、前記樹脂組成物（Ａ）と同一の、又は、異なる組成であって、少なくとも一種以上の熱可塑性樹脂及び／又は熱硬化性樹脂を含有する樹脂組成物（Ｂ）とを混合してなることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３又は１４記載の絶縁基板材料。
【請求項１６】
樹脂組成物（Ａ）は、ポリアミド系樹脂、ポリフェニレンエーテル系樹脂及びポリエステル樹脂からなる群より選択される少なくとも１種の樹脂を含有し、かつ、樹脂組成物（Ｂ）はエポキシ系樹脂を含有することを特徴とする請求項１５記載の絶縁基板用材料。
【請求項１７】
請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５又は１６記載の絶縁基板用材料を用いてなることを特徴とする積層板。
【請求項１８】
請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５又は１６記載の絶縁基板用材料を用いてなることを特徴とするプリント基板。
【請求項１９】
請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５又は１６記載の絶縁基板用材料を用いてなることを特徴とする樹脂付き銅箔。
【請求項２０】
請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５又は１６記載の絶縁基板用材料を用いてなることを特徴とする銅張積層板。
【請求項２１】
請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５又は１６記載の絶縁基板用材料を用いてなることを特徴とするポリイミドフィルム。
【請求項２２】
請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５又は１６記載の絶縁基板用材料を用いてなることを特徴とするＴＡＢ用フィルム。
【請求項２３】
請求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、１１、１２、１３、１４、１５又は１６記載の絶縁基板用材料を用いてなることを特徴とするプリプレグ。