【手続補正書】
【提出日】平成17年3月31日(2005.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
(i)主面を有する第１導電型の半導体基板を準備する工程と、
(j)前記主面内にストライプ状に、前記第１導電型とは反対の第２導電型の複数の不純物層を形成する工程と、
(k)前記主面上に絶縁膜を形成すると共に前記絶縁膜内に前記複数の不純物層と交差するストライプ状に複数のゲート電極を配置する工程と、
(l)前記絶縁膜をエッチングして前記複数の不純物層に対応させて複数のコンタクトホールを形成する工程と、を備え、前記複数のコンタクトホールは各不純物層に対して少なくとも１つコンタクトホールが設けられるように形成され、
(m)前記複数のコンタクトホール内に複数のコンタクトプラグをそれぞれ配置する工程と、
(n)前記絶縁膜上に前記複数の不純物層と同方向に延在するストライプ状に、前記複数の不純物層よりも低い抵抗を有し前記複数の不純物層とそれぞれ対を成す複数の低抵抗線を形成して、各低抵抗線を少なくとも１つのコンタクトプラグを介して対応の不純物層に電気的に接続する工程と、を更に備え、
前記工程(k)は、
(k)-1)隣接する不純物層間の領域及び前記領域付近に少なくとも１つのゲート絶縁膜を形成する工程と、
(k)-2)前記少なくとも１つのゲート絶縁膜上に前記複数のゲート電極を形成する工程と、
(k)-3)前記複数のゲート電極を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、
(k)-4)前記工程(k)-1)の前に、隣接する不純物層間に配置されて各不純物層を両側から挟み込むように、複数の第１絶縁膜を形成する工程と、
(k)-5)前記工程(k)-3)の前に、少なくとも隣接するゲート電極間に、前記工程(l)において前記層間絶縁膜よりもエッチングされにくい複数の第２絶縁膜を形成する工程と、を含み、
前記工程(l)において、前記絶縁膜を前記複数の第１及び第２絶縁膜付近においてエッチングする、
半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項９に記載の半導体装置の製造方法は、(i)主面を有する第１導電型の半導体基板を準備する工程と、(j)前記主面内にストライプ状に、前記第１導電型とは反対の第２導電型の複数の不純物層を形成する工程と、(k)前記主面上に絶縁膜を形成すると共に前記絶縁膜内に前記複数の不純物層と交差するストライプ状に複数のゲート電極を配置する工程と、(l)前記絶縁膜をエッチングして前記複数の不純物層に対応させて複数のコンタクトホールを形成する工程と、を備え、前記複数のコンタクトホールは各不純物層に対して少なくとも１つコンタクトホールが設けられるように形成され、(m)前記複数のコンタクトホール内に複数のコンタクトプラグをそれぞれ配置する工程と、(n)前記絶縁膜上に前記複数の不純物層と同方向に延在するストライプ状に、前記複数の不純物層よりも低い抵抗を有し前記複数の不純物層とそれぞれ対を成す複数の低抵抗線を形成して、各低抵抗線を少なくとも１つのコンタクトプラグを介して対応の不純物層に電気的に接続する工程と、を更に備え、前記工程(k)は、(k)-1)隣接する不純物層間の領域及び前記領域付近に少なくとも１つのゲート絶縁膜を形成する工程と、(k)-2)前記少なくとも１つのゲート絶縁膜上に前記複数のゲート電極を形成する工程と、(k)-3)前記複数のゲート電極を覆うように層間絶縁膜を形成する工程と、(k)-4)前記工程(k)-1)の前に、隣接する不純物層間に配置されて各不純物層を両側から挟み込むように、複数の第１絶縁膜を形成する工程と、(k)-5)前記工程(k)-3)の前に、少なくとも隣接するゲート電極間に、前記工程(l)において前記層間絶縁膜よりもエッチングされにくい複数の第２絶縁膜を形成する工程と、を含み、前記工程(l)において、前記絶縁膜を前記複数の第１及び第２絶縁膜付近においてエッチングする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
次に、絶縁膜１２０をエッチングして各第１不純物層１１１に平面視上対応させて絶縁膜１２０内にコンタクトホール１２０Ｈを形成する（図６参照）。そして、イオン注入法により、複数のコンタクトホール１２０Ｈを介して半導体基板１１０の主面１１０Ｓ内にＮ型のドーパント、例えばリンや砒素を導入して複数の第２不純物層１１２を形成する（図７参照）。このとき、各第２不純物層１１２がコンタクトホール１２０Ｈ直下及びその付近に形成され且つ対応の第１不純物層１１１に重なるように（互いに一部が重なるように）イオン注入の条件あるいは更に後のアニールの条件を設定する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
チャネル内電荷９ａが残置していると、Ｎ型チャネルはソース領域１１１ｓからチャネル内電荷９ａのところまでしか形成されず、ドレイン領域１１１ｄに達しない。すなわち、Ｎ型チャネルの形成が不十分となり、ソース・ドレイン間電流が流れにくくなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
半導体装置１０２は基本的に既述の半導体装置１０１に、複数の第３不純物層１１３を加えた構造を有している。詳細には、まず、複数の第３不純物層１１３は半導体基板１１０と同じＰ型であるが、半導体基板１１０よりも高い不純物濃度を有している。そして、複数の第３不純物層１１３は半導体基板１１０の主面１１０Ｓ内に形成されており、複数の第２不純物層１１２にそれぞれ設けられている。各第３不純物層１１３は対応の第２不純物層１１２の側面１１２Ｗ及び底面１１２Ｂ並びに半導体基板１１０の主面１１０Ｓに接して当該対応の第２不純物層１１２全体を覆うように形成されている。更に、各第３不純物層１１３は第１不純物層１１１の底面１１１Ｂにも接して配置されている。このとき、各第３不純物層１１３の一部分は第２不純物層１１２と当該第２不純物層１１２と接しない隣の第１不純物層１１１との間に配置されている（従って隣接する第１不純物層１１１間に配置されている）。なお、半導体装置１０２においてもコンタクトプラグ１２３は、半導体基板１１０の主面１１０ＳのうちでＰ型の部分（第３不純物層１１３を含む）には接していない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
このとき、図２２に示すように、第３不純物層１１３用のＰ型のドーパントを半導体基板１１０の主面１１０Ｓの法線方向に対して斜方向から主面１１０Ｓ内にイオン注入しても良い。具体的には、Ｐ型のドーパントのイオンビームを半導体基板１１０の主面１１０Ｓの法線方向に対して傾け、半導体基板１１０を連続的に又はステップ的に回転させる。あるいは、主面１１０Ｓの法線方向に対して傾けたイオンビームを複数用いて複数方向からイオン注入をする。このような斜めイオン注入によれば、コンタクトホール１２０Ｈ付近の絶縁膜１２０下に第３不純物層１１３用のドーパントを注入することができるので、第３不純物層１１３をより確実に第２不純物層１１２の側面１１２Ｗに接するように形成することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
また、半導体装置１０３によれば上述のようにＳＡＣ技術を利用してコンタクトホール１２０Ｈを形成可能であるので、半導体装置１０３は微細化に向いている。なお、ゲート電極１３０の少なくとも側面１３０Ｗ上に第２絶縁膜１５２が形成されていれば（いわゆるサイドウォール状に形成されていれば）ＳＡＣ技術を利用可能であるし又コンタクトプラグ１２３がゲート電極１３０の側面１３０Ｗと接触するのを防止することは可能であるが、半導体装置１０３のようにゲート電極１３０の側面１３０Ｗのみならず上面をも覆うように第２絶縁膜１５２を形成した方がより好ましいのは言うまでもない。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
また、半導体装置１０３は第２不純物層１１２を有さないので、第１不純物層１１１が間隔が同じ場合、半導体装置１０３は半導体装置１０１よりもパンチスルーを起こしにくい。つまり、この観点からは半導体装置１０３の方が微細化しやすい。なお、半導体装置１０３において第１絶縁膜１５１に変えて第２不純物層１１２あるいは第２及び第３不純物層１１２，１１３を適用することも可能である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
この場合は、ドレイン領域１１１ｄおよび半導体基板１１０間のＰＮ接合面に空乏層１０ａが形成されるわけではないので、誘起されたチャネル内電荷９ａは依然としてその姿を留めている。しかも、ゲート・ドレイン間に電位差がないので、ゲート絶縁膜１２１に電荷が蓄積されることはなく、チャネル内電荷９ａの電界が弱められることはない。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２１】
2003297957.tif 000001
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２３】
2003297957.tif 000002