Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月27日(2021.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｌ−オルニチンフェニルアセテートを製造する方法であって、
Ｌ−オルニチン塩酸塩と水酸化カリウムを第１の溶媒中で混合して、第１の反応混合物を形成すること；
第２の溶媒を前記第１の反応混合物に加えること；
前記第１の反応混合物から塩化カリウムを分離すること；
フェニル酢酸を前記第１の反応混合物と混合して、第２の反応混合物を形成すること；および
前記第２の反応混合物からＬ−オルニチンフェニルアセテートを含む組成物を分離すること
を含む方法。
【請求項２】
塩化カリウムを分離する前に前記第１の反応混合物を冷却することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の反応混合物が０〜５℃に冷却される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の溶媒が水である、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記第２の溶媒がアルコールを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第２の溶媒がエタノールを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の溶媒の添加後の前記第１の反応混合物が、１：１（ｖ／ｖ）から１：８（ｖ／ｖ）のＨ２Ｏとエタノールを含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
フェニル酢酸が、前記第１の反応混合物と混合される前に、第３の溶媒に溶解され、前記第３の溶媒がエタノールを含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
水酸化カリウムとＬ−オルニチン塩酸塩のモル比が少なくとも１．１：１である、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
フェニル酢酸とＬ−オルニチン塩酸塩のモル比が少なくとも１．２：１である、請求項１から９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
Ｌ−オルニチンフェニルアセテートを含む前記組成物の塩化物含量が２．５重量％未満または１．５重量％未満である、請求項１から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
Ｌ−オルニチンフェニルアセテートを含む前記組成物を再結晶化することをさらに含む、請求項１から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記組成物が水とメタノールの溶媒混合物から再結晶化され、前記再結晶化に使用される水とメタノールの体積比が１：１から１：１０である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記再結晶化された組成物の塩化物含量が０．１重量％未満である、請求項１２または１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記組成物が５．０％未満もしくは１．０％未満のＬ−オルニチン環化または二量体化副生成物を含む、または、前記組成物がＬ−オルニチン環化または二量体化副生成物を含まない、請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月7日(2021.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メソテリン（ＭＳＬＮ）結合三重特異性タンパク質であって、
（ａ）ヒトＣＤ３に特異的に結合する第１のドメイン（Ａ）；
（ｂ）血清アルブミンに特異的に結合する第２のドメイン（Ｂ）；及び
（ｃ）ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ．１０６−１４４から成る群から選択されるアミノ酸配列を含むＣＤＲ１と、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ．１４５−１８３から成る群から選択されるアミノ酸配列を含むＣＤＲ２と、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ．１８４−２２２から成る群から選択されるアミノ酸配列を含むＣＤＲ３とを含む、ＭＳＬＮに特異的に結合する第３のドメイン（Ｃ）を含み、
ここで、前記第１のドメイン、前記第２のドメイン、および第３のドメインは、Ｈ２Ｎ−（Ａ）−（Ｃ）−（Ｂ）−ＣＯＯＨ、Ｈ２Ｎ−（Ｂ）−（Ａ）−（Ｃ）−ＣＯＯＨ、Ｈ２Ｎ−（Ｃ）−（Ｂ）−（Ａ）−ＣＯＯＨの順で結合されるか、又は、Ｈ２Ｎ−（Ａ）−Ｌ１−（Ｃ）−Ｌ２−（Ｂ）−ＣＯＯＨ、Ｈ２Ｎ−（Ｂ）−Ｌ１−（Ａ）−Ｌ２−（Ｃ）−ＣＯＯＨ、Ｈ２Ｎ−（Ｃ）−Ｌ１−（Ｂ）−Ｌ２−（Ａ）−ＣＯＯＨの配向のうちの１つに従って、リンカーＬ１及びＬ２によって結合される、メソテリン（ＭＳＬＮ）結合三重特異性タンパク質。
【請求項２】
前記第１のドメインは、可変軽ドメインと可変重ドメインとを含む単鎖可変フラグメントを含む、ことを特徴とする請求項１に記載のＭＳＬＮ結合三重特異性タンパク質。
【請求項３】
前記第２のドメインは、前記血清アルブミンに特異的に結合する単一ドメイン抗体を含む、ことを特徴とする請求項１に記載のＭＳＬＮ結合三重特異性タンパク質。
【請求項４】
前記第３のドメインは、ＭＳＬＮに特異的に結合する単一ドメイン抗体を含む、ことを特徴とする請求項１に記載のＭＳＬＮ結合三重特異性タンパク質。
【請求項５】
ＭＳＬＮに特異的に結合する前記第３のドメインは以下の式を含み、
ｆ１−ｒ１−ｆ２−ｒ２−ｆ３−ｒ３−ｆ４
式中、ｒ１は前記ＣＤＲ１を含み、ｒ２は前記ＣＤＲ２を含み、及びｒ３は前記ＣＤＲ３を含み、ならびに、ｆ１、ｆ２、ｆ３、及びｆ４はフレームワーク残基である、
ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１つに記載のＭＳＬＮ結合三重特異性タンパク質。
【請求項６】
前記第３のドメインは、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ．１−４０及び１０２−１０５から成る群から選択された配列に少なくとも８５％同一のアミノ酸配列を含む、ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１つに記載のＭＳＬＮ結合三重特異性タンパク質。
【請求項７】
前記ＣＤＲ１はＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ．１３９のアミノ酸配列を含み、前記ＣＤＲ２はＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ．１７８のアミノ酸配列を含み、及び前記ＣＤＲ３はＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ．２１７のアミノ酸配列を含む、ことを特徴とする請求項１に記載のＭＳＬＮ結合三重特異性タンパク質。
【請求項８】
前記第３のドメインは、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ．１０２−１０５から成る群から選択されるアミノ酸配列を含む、ことを特徴とする請求項７に記載のＭＳＬＮ結合三重特異性タンパク質。
【請求項９】
前記第３のドメインは、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：５７として明記される配列を含むヒトメソテリンタンパク質のエピトープに結合する、ことを特徴とする請求項１乃至８の何れか１つに記載のＭＳＬＮ結合三重特異性タンパク質。
【請求項１０】
前記リンカーＬ１及びＬ２はそれぞれ独立して、（ＧＳ）ｎ（ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：８７）、（ＧＧＳ）ｎ（ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：８８）、（ＧＧＧＳ）ｎ（ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：８９）、（ＧＧＳＧ）ｎ（ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：９０）、（ＧＧＳＧＧ）ｎ（ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：９１）、或いは（ＧＧＧＧＳ）ｎ（ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：９２）から選択され、ここでｎは、１、２、３、４、５、６、７、８、９又は１０である、ことを特徴とする請求項１乃至９の何れか１つに記載のＭＳＬＮ結合三重特異性タンパク質。
【請求項１１】
前記リンカーＬ１及びＬ２はそれぞれ独立して、（ＧＧＧＧＳ）４（ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：９５）又は（ＧＧＧＧＳ）３（ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：９６）である、ことを特徴とする請求項１乃至１０の何れか１つに記載のＭＳＬＮ結合三重特異性タンパク質。
【請求項１２】
前記ドメインは、Ｈ２Ｎ−（Ｃ）−Ｌ１−（Ｂ）−Ｌ２−（Ａ）−ＣＯＯＨの順で結合される、ことを特徴とする請求項１乃至１１の何れか１つに記載のＭＳＬＮ結合三重特異性タンパク質。
【請求項１３】
前記タンパク質は、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ：５８−８６、９８、１００、及び１０１から成る群から選択された配列に少なくとも８５％同一のアミノ酸配列を含む、ことを特徴とする請求項１乃至１２の何れか１つに記載のＭＳＬＮ結合三重特異性タンパク質。
【請求項１４】
前記タンパク質は、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ．９８、１００、及び１０１から成る群から選択されるアミノ酸配列を含む、ことを特徴とする請求項１３に記載のＭＳＬＮ結合三重特異性タンパク質。
【請求項１５】
（ｉ）請求項１乃至１４の何れか１つに記載のＭＳＬＮ結合三重特異性タンパク質、及び（ｉｉ）薬学的に許容可能な担体を含む、医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月26日(2021.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中枢神経系（ＣＮＳ）に投与することにより一次進行型多発性硬化症を治療する方法において使用するための、非遺伝子組み換えのヒト脂肪組織由来幹細胞（ｈＡＤＳＣ）を含む医薬組成物。
【請求項２】
前記ｈＡＤＳＣは、
（ａ）吸引脂肪組織を凍結するステップと、
（ｂ）前記吸引脂肪組織を解凍し、組織分散酵素を用いて、又は機械的破砕により分散させるステップと、
（ｃ）前記ｈＡＤＳＣを含む細胞分画を遠心分離によってペレッティングし、任意に細胞生存率を支持可能な懸濁培地で前記ペレットを洗浄し、前記懸濁液を少なくとも１回の追加の遠心分離にかけるステップと、
（ｄ）ステップ（ｃ）で得られた前記ペレットを、細胞生存率を支持可能な懸濁培地で再懸濁し、再懸濁された前記ペレット内の細胞集団からｈＡＤＳＣを選択するステップと、
（ｅ）任意に、前記ｈＡＤＳＣの選択の前に少なくとも１回濾過をおこなうステップと、
（ｆ）任意に、前記ｈＡＤＳＣを少なくとも３継代にわたって培養するステップと、
によってヒト皮下脂肪から得られたｈＡＤＳＣである、
請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記ｈＡＤＳＣは、（ｉ）吸引脂肪組織を凍結するステップと、（ｉｉ）前記吸引脂肪組織を解凍し、組織分散酵素を用いて、又は機械的破砕により分散させるステップと、（ｉｉｉ）前記ｈＡＤＳＣを含む細胞分画を遠心分離によってペレッティングするステップと、（ｉｖ）前記ペレットを等張緩衝液又は培養液で洗浄し、追加の遠心分離にかけるステップと、（ｖ）ステップ（ｉｖ）で得られた前記ペレットを等張緩衝液又は培養液で再懸濁し、少なくとも１回濾過をおこなうステップと、（ｖｉ）再懸濁された前記ペレット内の細胞集団からｈＡＤＳＣを選択するステップと、（ｖｉｉ）前記ｈＡＤＳＣを少なくとも３継代にわたって培養するステップと、によってヒト皮下脂肪から得られたｈＡＤＳＣである、
請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
遠心分離後に得られた前記ｈＡＤＳＣを含む前記細胞分画は、赤血球溶解バッファーにさらされない、請求項２又は請求項３に記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記ｈＡＤＳＣは、細胞培養容器への付着性によって選択される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
ヒト皮下脂肪からヒト脂肪組織由来幹細胞（ｈＡＤＳＣ）を得るための方法であって、前記方法は、
（ａ）吸引脂肪組織を凍結するステップと、
（ｂ）前記吸引脂肪組織を解凍し、組織分散酵素を用いて、又は機械的破砕により分散させるステップと、
（ｃ）前記ｈＡＤＳＣを含む細胞分画を遠心分離によってペレッティングし、任意に細胞生存率を支持可能な懸濁培地で前記ペレットを洗浄し、前記懸濁液を少なくとも１回の追加の遠心分離にかけるステップと、
（ｄ）ステップ（ｃ）で得られた前記ペレットを、細胞生存率を支持可能な懸濁培地で再懸濁し、少なくとも１回濾過をおこなうステップと、
（ｅ）再懸濁された前記ペレット内の細胞集団からｈＡＤＳＣを選択するステップと、
（ｆ）任意に、前記ｈＡＤＳＣを少なくとも３継代にわたって培養するステップと、
から実質的になる、方法。
【請求項７】
前記ｈＡＤＳＣは、組織培養容器への付着性によって選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記得られたｈＡＤＳＣは、多発性硬化症（ＭＳ）の治療において使用され、好ましくは、前記多発性硬化症は進行性ＭＳであり、
前記進行性ＭＳは二次進行型ＭＳであるか、または
前記進行性ＭＳは一次進行型ＭＳである、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記凍結は−８０℃で実施され、その後に気相液体窒素が続く、請求項６〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記組織分散酵素は、コラゲナーゼ、ディスパーゼ又はそれらの組合わせから選択される、請求項６〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記組織分散酵素はコラゲナーゼである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ｈＡＤＳＣは、前記細胞の少なくとも９５％によるＣＤ４４、ＣＤ７３及びＣＤ９０の陽性発現と、前記細胞の少なくとも９０％によるＣＤ１０５の陽性発現と、前記細胞の少なくとも９５％によるＣＤ４５、ＣＤ１９、ＣＤ１１ｂ及びＨＬＡ−ＤＲの陰性発現とによって特徴付けられる、
請求項６〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記ｈＡＤＳＣは更に、前記細胞の１〜１０％によるＣＤ３４の陽性発現によって特徴付けられる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記細胞の少なくとも５０％は、ＣＤ１０５、ＣＤ７３、ＣＤ４４及びＣＤ９０に対して陽性であり、ＣＤ４５、ＣＤ１９、ＣＤ１１ｂ及びＨＬＡ−ＤＲに対して陰性である、請求項６〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
継代数３〜１０まで前記ｈＡＤＳＣを培養することを含む、請求項６〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
継代数３〜５まで前記ｈＡＤＳＣを培養することを含む、請求項６〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記ｈＡＤＳＣは、髄腔内投与又は心室内若しくは脳室内（ＩＣＶ）投与のためのものである、請求項６〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記ｈＡＤＳＣは、１回の投与につき約１０５〜３×１０８個の細胞の用量で投与するためのものである、請求項６〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記ｈＡＤＳＣは自己由来である、請求項６〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記ｈＡＤＳＣは同種由来である、請求項６〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月20日(2021.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コントローラにて、１つまたは複数のウェハについての計量計測結果及び検査計測結果を受け取るステップと、
上記コントローラを用いウェハのフィールド上で上記計量計測結果を補間及び／又は外挿することで修正計量データを生成するステップであって、上記フィールドが上記ウェハの表面を横断するデバイスを包含し、上記修正計量データが上記ウェハの上記表面を横断する均一なグリッドである、ステップと、
上記コントローラを用い上記検査計測結果由来の欠陥属性を、オーバレイベクトルを含む上記修正計量データと関連付けるステップと、
上記コントローラを用い、上記欠陥属性における最大のばらつき及び上記修正計量データに基づき重みづけされたウェハレビューサンプリングプランを生成するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、更に、上記ウェハレビューサンプリングプランに基づき走査型電子顕微鏡で以て上記ウェハの検査を実行するステップを有する方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、更に、上記ウェハに係る上記ウェハレビューサンプリングプランに基づき走査型電子顕微鏡で以て別のウェハの検査を実行するステップを有する方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であり、上記補間が生じる方法であって、その補間に局所線形補間が含まれる方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であり、上記補間が生じる方法であって、上記計量計測結果が上記ウェハの全表面に関するものであり、その補間がそのウェハの全表面を横断するものである方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、上記計量計測結果にオーバレイ、照射量、焦点、限界寸法及びトポグラフィのうち少なくとも一つが含まれる方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であり、上記補間が生じる方法であって、その補間にモデル依拠手法が含まれる方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、上記フィールドが上記ウェハの全表面である方法。
【請求項９】
走査型電子顕微鏡及び計量ツールと電子通信するコントローラを備え、そのコントローラが、プロセッサと、そのプロセッサと電子通信する電子データ格納ユニットと、を有し、そのコントローラが、
１枚又は複数枚のウェハについての計量計測結果及び検査計測結果を受け取り、
ウェハのフィールド上で上記計量計測結果を補間及び／又は外挿することで修正計量データを生成し、前記フィールドが前記ウェハの表面を横断するデバイスを包含し、上記修正計量データが上記ウェハの上記表面を横断する均一なグリッドであり、
上記検査計測結果由来の欠陥属性を、オーバレイベクトルを含む上記修正計量データと関連付け、且つ
上記欠陥属性における最大のばらつき及び上記修正計量データに基づき重みづけされたウェハレビューサンプリングプランを生成するよう、
構成されているシステム。
【請求項１０】
請求項９に記載のシステムであって、上記コントローラが、更に、上記ウェハレビューサンプリングプランを上記走査型電子顕微鏡に送信するよう構成されているシステム。
【請求項１１】
請求項９に記載のシステムであって、上記計量計測結果にオーバレイ、照射量、焦点、限界寸法及びトポグラフィのうち少なくとも一つが含まれるシステム。
【請求項１２】
プログラムが格納された非一時的コンピュータ可読媒体であり、そのプログラムが、プロセッサに指令して、
ウェハのフィールド上で１枚又は複数枚のウェハについての計量計測結果を補間及び／又は外挿することで修正計量データを生成させ、前記フィールドが前記ウェハの表面を横断するデバイスを包含し、上記修正計量データが上記ウェハの上記表面を横断する均一なグリッドであり、
上記ウェハの検査計測結果に由来する欠陥属性を、オーバレイベクトルを含む上記修正計量データと関連付けさせ、且つ
上記欠陥属性における最大のばらつき及び上記修正計量データに基づき重みづけされたウェハレビューサンプリングプランを生成させるよう、
構成されている非一時的コンピュータ可読媒体。
【請求項１３】
請求項１２に記載の非一時的コンピュータ可読媒体であり、上記補間が生じる非一時的コンピュータ可読媒体であって、その補間に局所線形補間が含まれる非一時的コンピュータ可読媒体。
【請求項１４】
請求項１２に記載の非一時的コンピュータ可読媒体であり、上記補間が生じる非一時的コンピュータ可読媒体であって、上記計量計測結果が上記ウェハの全表面に関するものであり、その補間がそのウェハの全表面を横断するものである非一時的コンピュータ可読媒体。
【請求項１５】
請求項１２に記載の非一時的コンピュータ可読媒体であって、上記計量計測結果にオーバレイ、照射量、焦点、限界寸法及びトポグラフィのうち少なくとも一つが含まれる非一時的コンピュータ可読媒体。
【請求項１６】
請求項１２に記載の非一時的コンピュータ可読媒体であり、上記補間が生じる非一時的コンピュータ可読媒体であって、その補間にモデル依拠手法が含まれる非一時的コンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月8日(2021.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にナノワイヤトランジスタを形成する方法であって、
Ｓｉ層、ＳｉＧｅ層、及び前記Ｓｉ層と前記ＳｉＧｅ層との間に位置するＧｅ層、を含む膜スタックを用意し、
前記Ｓｉ層及び前記ＳｉＧｅ層に対して選択的なエッチングによって前記Ｇｅ層を選択的に除去し、それにより、前記Ｓｉ層と前記ＳｉＧｅ層との間に隙間を形成し、
前記Ｓｉ層及び前記ＳｉＧｅ層を封入する誘電体層を堆積させ、
前記Ｓｉ層と前記ＳｉＧｅ層との間の前記隙間を完全に充填する金属含有ゲート電極層を堆積させる、
ことを有する方法。
【請求項２】
前記選択的に除去することは、熱支援又はプラズマ支援ハロゲン系気相エッチングを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記プラズマ支援ハロゲン系気相エッチングはリモートプラズマ源を使用する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記熱支援又はプラズマ支援ハロゲン系気相エッチングは、塩素含有ガス、フッ素含有ガス、塩素含有ガスとフッ素含有ガス、又は塩素及びフッ素含有ガスを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記熱支援又はプラズマ支援ハロゲン系気相エッチングは、Ｃｌ２、Ｆ２、ＣｌＦ３、又はこれらの組み合わせを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記熱支援又はプラズマ支援ハロゲン系気相エッチングは、Ｆ２及びＮＨ３を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
基板上にナノワイヤトランジスタを形成する方法であって、
Ｓｉ層、ＳｉＧｅ層、及び前記Ｓｉ層と前記ＳｉＧｅ層との間に位置するＧｅ層、を含む膜スタックを用意し、
前記Ｓｉ層及び前記ＳｉＧｅ層に対して選択的なエッチングによって前記Ｇｅ層を選択的に除去し、それにより、前記Ｓｉ層と前記ＳｉＧｅ層との間に隙間を形成する、
ことを有し、
前記Ｓｉ層は、ｎ型電界効果トランジスタ（ＮＦＥＴ）の一部を形成し、前記ＳｉＧｅ層は、ｐ型電界効果トランジスタ（ＰＦＥＴ）の一部を形成し、前記Ｓｉ層及び前記ＳｉＧｅ層は、一方が他方の上にと、上下に積層される、
方法。
【請求項８】
前記選択的に除去することは、熱支援又はプラズマ支援ハロゲン系気相エッチングを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
ｎ型電界効果トランジスタ（ＮＦＥＴ）を形成する方法であって、
交互のＳｉ層及びＧｅ層を含む基板を用意し、
前記Ｓｉ層に対して選択的なエッチングによって前記Ｇｅ層を選択的に除去し、それにより、前記Ｓｉ層同士の間に隙間を形成し、
前記Ｓｉ層を封入する誘電体層を堆積させ、
前記Ｓｉ層同士の間の前記隙間を完全に充填する金属含有ゲート電極層を堆積させる、
ことを有する方法。
【請求項１０】
前記選択的に除去することは、熱支援又はプラズマ支援ハロゲン系気相エッチングを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記プラズマ支援ハロゲン系気相エッチングはリモートプラズマ源を使用する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記熱支援又はプラズマ支援ハロゲン系気相エッチングは、塩素含有ガス、フッ素含有ガス、塩素含有ガスとフッ素含有ガス、又は塩素及びフッ素含有ガスを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記熱支援又はプラズマ支援ハロゲン系気相エッチングは、Ｃｌ２、Ｆ２、ＣｌＦ３、又はこれらの組み合わせを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記熱支援又はプラズマ支援ハロゲン系気相エッチングは、Ｆ２及びＮＨ３を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
ｐ型電界効果トランジスタ（ＰＦＥＴ）を形成する方法であって、
複数の交互のＳｉＧｅ層及びＧｅ層を含む基板を用意し、
前記ＳｉＧｅ層に対して選択的なエッチングによって前記複数のＧｅ層を選択的に除去し、それにより、前記ＳｉＧｅ層同士の間に隙間を形成し、
前記ＳｉＧｅ層を封入する誘電体層を堆積させ、
前記ＳｉＧｅ層同士の間の前記隙間を完全に充填する金属含有ゲート電極層を堆積させる、
ことを有する方法。
【請求項１６】
前記選択的に除去することは、熱支援又はプラズマ支援ハロゲン系気相エッチングを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記プラズマ支援ハロゲン系気相エッチングはリモートプラズマ源を使用する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記熱支援又はプラズマ支援ハロゲン系気相エッチングは、塩素含有ガス、フッ素含有ガス、塩素含有ガスとフッ素含有ガス、又は塩素及びフッ素含有ガスを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記熱支援又はプラズマ支援ハロゲン系気相エッチングは、Ｃｌ２、Ｆ２、ＣｌＦ３、又はこれらの組み合わせを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記熱支援又はプラズマ支援ハロゲン系気相エッチングは、Ｆ２及びＮＨ３を含む、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月19日(2021.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下側シェルと、
前記下側シェルを通って形成された基板移送ポートと、
前記下側シェルの上に配置された上側シェルと、
前記上側シェルの中に配置された内側シェルであって、内側シェルと前記上側シェルが外側チャンバを囲んでおり、内側シェルと前記下側シェルが、前記外側チャンバから分離されている内側チャンバを囲んでいる、内側シェルと、
前記内側シェルを加熱するよう動作可能なヒータと、
前記下側シェルの中に可動式に配置されたリフトプレートであって、リフトプレートが、上昇位置にある時に、前記内側チャンバを高圧領域と低圧領域とに密封分離させ、前記高圧領域がリフトプレート及び前記内側シェルに囲まれる、リフトプレートと、
前記リフトプレートの上に配置されたカセットであって、複数の基板を保持するよう構成されたカセットと、
前記内側チャンバに流体を導入するよう構成された注入ポートとを備える、
バッチ処理チャンバ。
【請求項２】
前記リフトプレートは、上昇位置にある時に高圧シールに接触し、前記高圧シールが、前記内側チャンバを高圧領域と低圧領域とに密封分離させる、請求項１に記載のバッチ処理チャンバ。
【請求項３】
前記高圧シールに隣接して配置された冷却チャネルを更に備え、前記冷却チャネルは、前記高圧シールと前記ヒータとの間に配置される、請求項２に記載のバッチ処理チャンバ。
【請求項４】
前記内側チャンバを介して前記注入ポートに面している、一又は複数の出口ポートを更に備える、請求項１に記載のバッチ処理チャンバ。
【請求項５】
前記内側シェルの底面に取り外し可能に連結された注入リングを更に備え、前記注入リングの内部に前記注入ポートが配置されている、請求項１に記載のバッチ処理チャンバ。
【請求項６】
前記リフトプレートが上昇位置にある時に前記注入リングを前記リフトプレートに密封するよう構成された、高圧シールを更に備える、請求項５に記載のバッチ処理チャンバ。
【請求項７】
前記高圧シールと前記内側シェルとの間に、前記注入リング内に配置された冷却チャネルを更に備える、請求項６に記載のバッチ処理チャンバ。
【請求項８】
前記注入リングを通って形成された一又は複数の出口ポートであって、前記内側チャンバを介して前記注入ポートに面している、一又は複数の出口ポートを更に備える、請求項５に記載のバッチ処理チャンバ。
【請求項９】
前記内側チャンバに流体連結された遠隔プラズマ源を更に備える、請求項１に記載のバッチ処理チャンバ。
【請求項１０】
前記リフトプレートとインターフェース接続された加熱素子を更に備える、請求項１に記載のバッチ処理チャンバ。
【請求項１１】
下側シェルと、
前記下側シェルを通って形成された基板移送ポートと、
前記下側シェルの底面に連結された底部プレートと、
前記下側シェルの上に配置された上側シェルと、
前記上側シェルの中に配置された内側シェルであって、高圧領域と低圧領域とを有する内側チャンバの一部分を囲んでいる、内側シェルと
前記内側シェルと前記上側シェルに囲まれた外側チャンバであって、前記内側チャンバから分離された外側チャンバと、
前記外側チャンバ内に配置された一又は複数のヒータであって、前記内側シェルを加熱するよう動作可能な、一又は複数のヒータと、
前記下側シェルの中に可動式に配置されたリフトプレートであって、上昇して前記高圧領域を密封し、下降して、前記高圧領域と前記低圧領域との間の流体連結を可能にするよう構成された、リフトプレートと、
前記リフトプレートに連結された加熱素子と、
前記リフトプレートの上に配置されたカセットであって、複数の基板を保持するよう構成されたカセットと、
前記内側シェルの底面に取り外し可能に連結された注入リングと、
前記注入リングの中に配置された注入ポートであって、前記内側チャンバに流体を導入するよう構成された注入ポートと、
前記高圧領域において前記注入リングと前記リフトプレートとを連結するよう構成された、高圧シールと、
前記高圧シールに隣接して配置された冷却チャネルと、
前記注入リングを通って形成された一又は複数の出口ポートであって、前記内側チャンバを介して前記注入ポートに面している、一又は複数の出口ポートと、
前記内側チャンバに連結された遠隔プラズマ源とを備える、
バッチ処理チャンバ。
【請求項１２】
バッチ処理チャンバ内に配置された複数の基板を処理する方法であって、
リフトプレート上に配置されたカセットに複数の基板を装填することであって、前記カセット及び前記リフトプレートが前記バッチ処理チャンバの内側チャンバ内に配置され、前記複数の基板のうちの少なくとも第１の基板が、前記基板の外面に露出した流動可能材料を有する、複数の基板を装填することと、
処理位置まで前記カセットを上昇させることであって、前記処理位置では、前記内側チャンバの高圧領域内の前記カセットが、前記内側チャンバの低圧領域から分離される、前記カセットを上昇させることと、
前記第１の基板の前記外面に露出した前記流動可能材料を流動させることであって、
前記第１の基板を、前記高圧領域の中にある時に、処理流体を蒸気相に維持する温度及び圧力において、前記処理流体に曝露することを更に含む、前記流動可能材料を流動させることとを含む、
方法。
【請求項１３】
前記第１の基板を前記処理流体に曝露することが、
前記第１の基板を水蒸気又は水に曝露することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記リフトプレートの上昇に先立って、前記内側チャンバ内で、前記第１の基板を湿潤剤に曝露することを更に含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記内側チャンバの前記高圧領域を部分的に取り囲んでいる外側チャンバ内を、真空に維持することを更に含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
遠隔プラズマ源からラジカルを流すことによって前記内側チャンバを洗浄することを更に含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記外側チャンバが、前記内側チャンバから流体分離されている、請求項１に記載のバッチ処理チャンバ。
【請求項１８】
前記ヒータが、前記外側チャンバ内に配置されている、請求項１７に記載のバッチ処理チャンバ。
【請求項１９】
前記リフトプレートが、前記上昇位置にある時に、前記高圧領域で前記カセットを密封する、請求項１に記載のバッチ処理チャンバ。
【請求項２０】
前記リフトプレートが、下降位置にある時に、前記高圧領域と前記低圧領域の間の流体連結を可能にする、請求項１９に記載のバッチ処理チャンバ。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月2日(2021.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷ステーションおよび次のフィルム被着ステーションを有する印刷機内で機能材料のトレースを基材上に堆積させる方法であって、
ａ．前記基材を用意するステップと、
ｂ．前記印刷ステーションにおいて前記基材上のパターンに従って印刷製品を印刷するステップと、
ｃ．材料Ｂ、機能材料のフィルムコーティングおよび運搬層を有する少なくとも１つの被着フィルムコーティングを含むフィルムを用意するステップと、
ｄ．前記フィルム被着ステーションにおいて前記パターン印刷製品と前記被着フィルムコーティングとの選択的同時付着をもたらす圧力および温度条件下において前記フィルムを前記基材に被着させるステップと、
ｅ．前記フィルムを前記基材から取り去るステップとを含み、
ｅ．１．前記基材は、前記パターン印刷製品に同時付着し、かくして前記パターンに従って機能材料の前記トレースを形成する前記被着フィルムコーティングを有し、
ｅ．２．前記機能材料のフィルムコーティングおよび好ましくは前記被着フィルムコーティングの残部は前記フィルムが取り去られた状態で回収される方法において、
・前記印刷製品は、熱可塑性材料Ａおよびオプションとして熱硬化性材料を含み、
・前記被着フィルムコーティングの前記材料Ｂは、熱可塑性であり、
・前記材料Ａ，Ｂは各々、ガラス転移温度Ｔｇを有し、
・前記ステップｄの前記条件は、前記材料Ａ，Ｂの各々のＴｇが達成されるとともに化学結合が前記材料Ａ，Ｂ相互間に作られるようなものである、方法。
【請求項２】
前記印刷製品は、ＵＶインキおよび／またはＵＶワニスであり、前記印刷製品は、熱硬化性材料から成る、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記印刷製品は、印刷後かつ前記フィルムの被着前に例えばＬＥＤおよび／または紫外線によって架橋される、請求項２記載の方法。
【請求項４】
堆積／架橋後、前記ワニスおよび／またはインキは、０℃〜２００℃、例えば１０℃〜５０℃、例えば１５℃〜４０℃のＴｇ値によって特徴付けられるフィルムコーティングを形成する、請求項２または３記載の方法。
【請求項５】
前記印刷製品は、トナーである、請求項１記載の方法。
【請求項６】
堆積後、前記トナーは、０℃〜２００℃、例えば４０℃〜７０℃のＴｇ値によって特徴付けられるフィルムコーティングを形成する、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記被着フィルムコーティングは、少なくとも５０重量％、例えば少なくとも７０重量％、好ましくは少なくとも８０重量％の熱可塑性材料Ｂを含む、請求項１〜６のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項８】
前記熱可塑性材料Ｂは、０℃〜２００℃、例えば４０℃〜８０℃のＴｇ値によって特徴付けられる、請求項１〜７のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項９】
前記被着フィルムコーティングは、４０℃〜８０℃のＴｇ値によって特徴付けられる、請求項１〜８のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１０】
前記被着ステーションにおいて前記フィルムを前記基材上に被着させる前記ステップは、７０℃〜１９０℃の被着温度で実施される、請求項１〜９のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１１】
前記被着温度は、１３０℃〜１７０℃である、請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
機能材料の前記フィルムコーティングの前記機能材料は、導電性である、請求項１〜１１のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１３】
機能材料の前記フィルムコーティングの前記機能材料は、銅および／または銀、および／または錫および／またはクロムおよび／または金および／またはアルミニウム、および／または導電性合金を含むとともに／あるいは銅および／または銀、および／または錫および／またはクロムおよび／または金および／またはアルミニウム、および／または導電性合金から成る、請求項１〜１２のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１４】
前記機能材料の前記フィルムコーティングは、少なくとも２００ｎｍの厚さを有する、請求項１〜１３のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１５】
機能材料の前記フィルムコーティングは、少なくとも５００ｎｍの厚さを有する、請求項１〜１４のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１６】
前記フィルムは、機能材料の前記フィルムコーティングと前記運搬層との間に含まれた剥離フィルムコーティングを有する、請求項１〜１５のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１７】
前記剥離フィルムコーティングは、導電性材料、例えば導電性ポリマーを含むとともに／あるいは導電性材料、例えば導電性ポリマーから成る、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記フィルムは、機能材料の前記フィルムコーティングと、前記運搬層か、機能材料の前記フィルムコーティングと前記運搬層との間に含まれた剥離フィルムコーティングかのいずれかとの間に含まれた保護フィルムコーティングを有し、前記保護フィルムコーティングは、導電性材料、例えば導電性ポリマーを含むとともに／あるいは導電性材料、例えば導電性ポリマーから成る、請求項１〜１７のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項１９】
前記フィルムは、機能材料の前記フィルムコーティングのための保護フィルムコーティングを備えていない、請求項１〜１７のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項２０】
前記印刷製品の前記印刷は、インクジェット印刷によって、例えば圧電印刷ヘッドを用いて実施される前記印刷パターンのレリーフ印刷である、請求項１〜１９のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項２１】
前記方法は、絶縁トレースを前記印刷機内で単一のパスで印刷する方法をさらに含む、請求項１〜２０のうちいずれか一に記載の方法。
【請求項２２】
チップレス無線認証（ＲＦＩＤ）タグ（ＲＦＩＤタグとも呼ばれている）の作製のための請求項１〜２１のうちのいずれか一に記載の方法の使用であって、電磁波エミッタ‐レシーバによって読み取り可能な識別コードが生成される、使用。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月20日(2021.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ機器(UE)によるワイヤレス通信のための方法であって、
1つまたは複数のサポートされた帯域または帯域組合せの各々について、第1の送信時間間隔(TTI)持続時間および第2のTTI持続時間を有する送信を処理するために前記UEの能力を決定するステップであって、前記第1のTTI持続時間が前記第2のTTI持続時間よりも短い、ステップと、
基地局に、前記1つまたは複数のサポートされた帯域または帯域組合せの前記各々についての前記能力を表すインジケータを送信するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記インジケータが、前記UEが前記1つまたは複数のサポートされた帯域または帯域組合せのうちの各帯域において動作するときの前記能力に対する制約をさらに示す、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記制約が、前記1つまたは複数のサポートされた帯域または帯域組合せのうちの各帯域についての前記UEの処理制約を備える、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記処理制約が、拡張物理ダウンリンク制御チャネル(ePDCCH)ベースのスケジューリング、または復調基準信号(DMRS)ベースの送信モード(TM)、または両方に関連付けられる、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記インジケータを前記送信するステップが、
前記第1のTTI持続時間または前記第2のTTI持続時間を有するダウンリンク送信をサポートするために前記UEのダウンリンク能力を示す、ダウンリンクインジケータを送信するステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
基地局におけるワイヤレス通信のための方法であって、
1つまたは複数のサポートされた帯域または帯域組合せの各々について、第1の送信時間間隔(TTI)持続時間および第2のTTI持続時間を有する送信を処理するためのユーザ機器(UE)の能力を表すインジケータを受信するステップであって、前記第1のTTI持続時間が前記第2のTTI持続時間よりも短い、ステップと、
前記受信されたインジケータに少なくとも部分的に基づいて、前記1つまたは複数のサポートされた帯域または帯域組合せのうちの第1のサポートされた帯域または帯域組合せの周波数帯域内で、コンポーネントキャリアをスケジューリングするステップと、
前記スケジューリングに少なくとも部分的に基づいて、前記コンポーネントキャリアの前記周波数帯域内で情報を送信するステップと
を含む、方法。
【請求項７】
前記インジケータが、前記第1のTTI持続時間または前記第2のTTI持続時間を有するアップリンク送信をサポートするための前記UEのアップリンク能力と、前記第1のTTI持続時間または前記第2のTTI持続時間を有するダウンリンク送信をサポートするための前記UEのダウンリンク能力とを示す、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記アップリンク能力が前記ダウンリンク能力とは異なる、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
前記インジケータが、前記UEが前記第1のTTI持続時間より前に前記第2のTTI持続時間の1つまたは複数のインスタンスにおいて受信された第2の情報を破棄する深度を識別するための破棄ウィンドウ深度を示す、請求項6に記載の方法。
【請求項１０】
ワイヤレス通信のための装置であって、
1つまたは複数のサポートされた帯域または帯域組合せの各々について、第1の送信時間間隔(TTI)持続時間および第2のTTI持続時間を有する送信を処理するためにユーザ機器(UE)の能力を決定するための手段であって、前記第1のTTI持続時間が前記第2のTTI持続時間よりも短い、手段と、
前記1つまたは複数のサポートされた帯域または帯域組合せの前記各々についての前記能力を表すインジケータを送信するための手段と
を備える、装置。
【請求項１１】
前記送信するための手段が、
前記第1のTTI持続時間または前記第2のTTI持続時間を有するアップリンク送信のために、前記UEによってサポートされたアップリンクコンポーネントキャリアの定義された数を示すアップリンクインジケータを送信するための手段
をさらに備える、請求項10に記載の装置。
【請求項１２】
前記送信するための手段が、
前記第1のTTI持続時間または前記第2のTTI持続時間を有するダウンリンク送信のために、前記UEによってサポートされたダウンリンクコンポーネントキャリアの定義された数を示す、ダウンリンクインジケータを送信するための手段
をさらに備える、請求項10に記載の装置。
【請求項１３】
ワイヤレス通信のための装置であって、
1つまたは複数のサポートされた帯域または帯域組合せの各々について、第1の送信時間間隔(TTI)持続時間および第2のTTI持続時間を有する送信を処理するためにユーザ機器(UE)の能力を表すインジケータを受信するための手段であって、前記第1のTTI持続時間が前記第2のTTI持続時間よりも短い、手段と、
前記受信されたインジケータに少なくとも部分的に基づいて、前記1つまたは複数のサポートされた帯域または帯域組合せのうちの第1のサポートされた帯域または帯域組合せの周波数帯域内で、コンポーネントキャリアをスケジューリングするための手段と、
前記スケジューリングに少なくとも部分的に基づいて、前記コンポーネントキャリアの前記周波数帯域内で情報を送信するための手段と
を備える、装置。
【請求項１４】
前記インジケータを前記受信するための手段が、
前記第1のTTI持続時間または前記第2のTTI持続時間を有するアップリンク送信のために、前記UEによってサポートされたアップリンクコンポーネントキャリアの定義された数を示すアップリンクインジケータを受信するための手段
をさらに備える、請求項13に記載の装置。
【請求項１５】
前記インジケータを前記受信するための手段が、
前記第1のTTI持続時間または前記第2のTTI持続時間を有するダウンリンク送信のために、前記UEによってサポートされたダウンリンクコンポーネントキャリアの定義された数を示す、ダウンリンクインジケータを受信するための手段
をさらに備える、請求項14に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月28日(2021.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムにおいて、端末がランダム接続過程を行う方法であって、
狭帯域物理ランダム接続チャネル（ＮＰＲＡＣＨ）フォーマットに関する情報を受信するステップと、
前記ＮＰＲＡＣＨフォーマットに関する情報に基づき、ランダム接続プリアンブルを送信するステップと、を含み、
前記ＮＰＲＡＣＨフォーマットに関する情報は、第１のＮＰＲＡＣＨフォーマット又は第２のＮＰＲＡＣＨフォーマットを指示するプリアンブルフォーマット指示子を含む狭帯域物理下りリンク制御チャネル（ＮＰＤＣＣＨ）オーダーである、方法。
【請求項２】
前記第１のＮＰＲＡＣＨフォーマットは、５個のシンボルと第１の循環前置（ＣＰ）で構成され、前記第２のＮＰＲＡＣＨフォーマットは、２個のシンボルと第２のＣＰで構成され、前記第２のＣＰは前記第１のＣＰより短い、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のＮＰＲＡＣＨフォーマットのみが支援されるか、前記第２のＮＰＲＡＣＨフォーマットのみが支援されるか、又は前記第１のＮＰＲＡＣＨフォーマット及び前記第２のＮＰＲＡＣＨフォーマットの両方が支援されるかを指示する情報を含むＮＰＲＡＣＨ構成情報を受信するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のＮＰＲＡＣＨフォーマットは、３．７５ｋＨｚのサブキャリア間隔を有して、前記第２のＮＰＲＡＣＨフォーマットは、３．７５／ＮｋＨｚのサブキャリア間隔を有して、Ｎは１より大きい整数である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ＲＡ−ＲＮＴＩ（ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｒａｄｉｏ  ｎｅｔｗｏｒｋ  ｔｅｍｐｏｒａｒｙ  ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ）を用いてランダム接続応答メッセージを受信するステップをさらに含み、
前記第１のＮＰＲＡＣＨフォーマットと前記第２のＮＰＲＡＣＨフォーマットとに対して互いに異なるＲＡ−ＲＮＴＩが用いられる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ＲＡ−ＲＮＴＩ（ｒａｎｄｏｍ  ａｃｃｅｓｓ  ｒａｄｉｏ  ｎｅｔｗｏｒｋ  ｔｅｍｐｏｒａｒｙ  ｉｄｅｎｔｉｆｉｅｒ）を用いてランダム接続応答メッセージを受信するステップをさらに含み、
前記第１のＮＰＲＡＣＨフォーマットと前記第２のＮＰＲＡＣＨフォーマットとの両方に対して前記受信されたＲＡ−ＲＮＴＩが用いられ、前記ランダム接続応答メッセージのヘッダ又はペイロードは、前記第１のＮＰＲＡＣＨフォーマットと前記第２のＮＰＲＡＣＨフォーマットとを区別する情報を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ランダム接続プリアンブルに対応するランダム接続応答メッセージが受信されないことに基づいて、前記ランダム接続プリアンブルを再送信するステップをさらに含み、
前記ランダム接続プリアンブルを再送信するステップは、
カウンター値を増加させるステップと、
前記増加されたカウンター値が最大のカウンター値よりも小さい場合、前記ＮＰＤＣＣＨオーダーにより指示された同一のＮＰＲＡＣＨフォーマットを用いて前記ランダム接続プリアンブルを再送信するステップと、
前記増加されたカウンター値が前記最大のカウンター値と同一の場合、異なるＮＰＲＡＣＨフォーマットを用いて前記ランダム接続プリアンブルを再送信するステップと、を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
第１のタイミングアドバンス命令を含むランダム接続応答メッセージを受信するステップと、
前記第１のタイミングアドバンス命令を適用して、ＲＲＣ（Ｒａｄｉｏ  Ｒｅｓｏｕｒｃｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）接続要請メッセージを送信するステップと、
第２のタイミングアドバンス命令を含む競合解決メッセージを受信するステップと、
前記第２のタイミングアドバンス命令を適用して、前記競合解決メッセージに対するＨＡＲＱ−ＡＣＫ信号を送信するステップと、を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
請求項１〜８の何れか一項に記載の方法を実行するためのプログラムコードを記録したプロセッサ読み取り可能媒体。
【請求項１０】
無線通信のための装置であって、
命令を含むよう構成されたメモリと、
前記命令を実行することにより、
狭帯域物理ランダム接続チャネル（ＮＰＲＡＣＨ）フォーマットに関する情報の受信と、
前記ＮＰＲＡＣＨフォーマットに関する情報に基づくランダム接続プリアンブルの送信と、を含む動作を実行するよう構成されたプロセッサと、を備え、
前記ＮＰＲＡＣＨフォーマットに関する情報は、第１のＮＰＲＡＣＨフォーマット又は第２のＮＰＲＡＣＨフォーマットを指示するプリアンブルフォーマット指示子を含む狭帯域物理下りリンク制御チャネル（ＮＰＤＣＣＨ）オーダーである、装置。
【請求項１１】
無線通信システムにおいて、基地局がランダム接続過程を行う方法であって、
狭帯域物理ランダム接続チャネル（ＮＰＲＡＣＨ）フォーマットに関する情報を送信するステップと、
前記ＮＰＲＡＣＨフォーマットに関する情報に基づき、ランダム接続プリアンブルを受信するステップと、を含み、
前記ＮＰＲＡＣＨフォーマットに関する情報は、第１のＮＰＲＡＣＨフォーマット又は第２のＮＰＲＡＣＨフォーマットを指示するプリアンブルフォーマット指示子を含む狭帯域物理下りリンク制御チャネル（ＮＰＤＣＣＨ）オーダーである、方法。
【請求項１２】
基地局であって、
命令を含むよう構成されたメモリと、
前記命令を実行することにより、
狭帯域物理ランダム接続チャネル（ＮＰＲＡＣＨ）フォーマットに関する情報の送信と、
前記ＮＰＲＡＣＨフォーマットに関する情報に基づくランダム接続プリアンブルの受信と、を含む動作を実行するよう構成されたプロセッサと、を備え、
前記ＮＰＲＡＣＨフォーマットに関する情報は、第１のＮＰＲＡＣＨフォーマット又は第２のＮＰＲＡＣＨフォーマットを指示するプリアンブルフォーマット指示子を含む狭帯域物理下りリンク制御チャネル（ＮＰＤＣＣＨ）オーダーである、基地局。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月26日(2005.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】  
【請求項１】  基板を本体として形成され、前記基板と平行な平面に規定される磁気ベクトルの２軸成分を検出する２軸磁気センサと、
前記磁気ベクトルの前記平面とは垂直な方向の成分を検出する磁気検出素子とを含み、
前記２軸磁気センサと前記磁気検出素子とがハイブリッドＩＣとして一体に構成され、
前記２軸磁気センサは、磁気ベクトルの２軸成分を検出するためのコイルパターンが、積層される基板にわたって形成されてなることを特徴とする３軸磁気センサ。
【請求項２】  前記基板は前記磁気検出素子から出力される検出信号を伝達するためのパターンを有し、前記磁気検出素子が前記基板上に実装されたとき、前記検出信号が前記パターンを介して前記基板に直接導入されることを特徴とする請求項１に記載の３軸磁気センサ。
【請求項３】  前記２軸磁気センサと前記磁気検出素子の出力信号を処理する信号処理部をさらに含み、前記信号処理部は、検出された磁気の強度を算出し、前記２軸磁気センサが検出する磁気ベクトルの２軸成分の補正を行うことを特徴とする請求項１または２に記載の３軸磁気センサ。
【請求項４】  基板上に形成され、３次元の磁気ベクトルを検出する３軸磁気センサと、
前記基板の傾斜角を検出する傾斜センサとを含み、
前記３軸磁気センサと前記傾斜センサとがハイブリッドＩＣとして一体に構成され、
前記基板は前記傾斜センサから出力される検出信号を伝達するためのパターンを有し、前記傾斜センサが前記基板上に実装されたとき、前記検出信号が前記パターンを介して前記基板に直接導入されることを特徴とする全方位磁気センサ。
【請求項５】  基板上に形成され、３次元の磁気ベクトルを検出する３軸磁気センサと、
前記基板の傾斜角を検出する傾斜センサとを含み、
前記３軸磁気センサと前記傾斜センサとがハイブリッドＩＣとして一体に構成され、
前記基板から外に向けて延びる形にて、その基板に装着されるフィルム基板をさらに含み、前記傾斜センサを前記フィルム基板の上に実装し、前記フィルム基板を前記基板の方へ折り返し、全体を固着して形成されたことを特徴とする全方位磁気センサ。
【請求項６】  前記３軸磁気センサは、前記基板を本体として形成され、前記基板と平行な平面に規定される磁気ベクトルの２軸成分を検出する２軸磁気センサと、
前記磁気ベクトルの前記平面とは垂直な方向の成分を検出する磁気検出素子とを含むことを特徴とする請求項４または５に記載の全方位磁気センサ。
【請求項７】  前記傾斜センサは、前記基板と平行な平面に規定されるｘ軸方向の傾斜角とｙ軸方向の傾斜角を検出することを特徴とする請求項４から６のいずれかに記載の全方位磁気センサ。
【請求項８】  前記傾斜センサは、３軸方向の傾斜による変位を検出することを特徴とする請求項４から６のいずれかに記載の全方位磁気センサ。
【請求項９】  前記３軸磁気センサと前記傾斜センサの出力信号を処理する信号処理部をさらに含み、前記信号処理部は、前記３軸磁気センサが検出する３次元の磁気ベクトルと前記傾斜センサが検出する傾斜角に基づいて、水平磁界成分を算出することを特徴とする請求項４から７のいずれかに記載の全方位磁気センサ。
【請求項１０】  前記３軸磁気センサと前記傾斜センサの出力信号を処理する信号処理部をさらに含み、前記信号処理部は、前記傾斜センサが検出する３軸方向の傾斜による変位に基づいて、前記傾斜角の補正を行い、前記３軸磁気センサが検出する３次元の磁気ベクトルと補正された前記傾斜角に基づいて、水平磁界成分を算出することを特徴とする請求項８に記載の全方位磁気センサ。
【請求項１１】  前記信号処理部は、前記３次元の磁気ベクトルから計算される磁気の強度に基づいて、前記水平磁界成分の補正を行うことを特徴とする請求項９または１０に記載の全方位磁気センサ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月1日(2004.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容量式検知及び制御システム（１０）を用いて物体（１２）の動きを検出する方法であって、センサ（５０）と前記物体との間で測定された容量に基づいて前記物体の存在を検知する工程と、前記物体の容量の変化を検知する工程と、前記検知された容量の変化に基づいて前記制御システム（１８）の動作を調節する工程とを備えた方法。
【請求項２】
前記物体（１２）の存在を検知する前記工程は、前記物体の相対的容量を決定するために電荷移動を測定する工程をさらに含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項３】
新たな公称容量負荷が検出された場合及び利用者の判断時の少なくとも一方の場合に前記制御システム（１８）を再較正する工程をさらに含んでいる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
薄膜導電性材質の検知表面（５２）と、前面（５４）と背面（６０）とを含んでいる非導電性バッキング材（５６）とを備えており、前記検知表面は前記前面に装着されている容量式近接センサ（５０）。
【請求項５】
前記センサは導電性材料（５６）の選択随意のバッキング表面（５８）をさらに含んでおり、該バッキング表面（５８）に前記非導電性バッキング材の前記背面（６０）が装着されている請求項４に記載のセンサ（５０）。
【請求項６】
前記検知表面（５２）は容量検知回路（６４）に電気的に結合されている請求項４又は５に記載のセンサ（５０）。
【請求項７】
１以上の容量式近接センサ（１６２）をさらに含んでいる放射線源（１６８）と、容量検知回路（１６４）と、前記Ｘ線源及び近接センサの配置を制御するように構成されている制御システム（１６６）とを備えた医用イメージング・システム（１６０）。
【請求項８】
前記制御システム（１６６）は、水平方向及び垂直方向の少なくとも一方で前記放射線源（１６８）を配向させるように構成されている請求項７に記載のシステム（１６０）。
【請求項９】
薄膜導電性材料の検知表面（１８４）と、前面及び背面を含んでいる非導電性バッキング材とを備えており、前記検知表面は前記非導電性バッキングに装着されている装置（１８０）。
【請求項１０】
前記装置はセンサ及び検出器の少なくとも一方となるように構成されている請求項９に記載の装置（１８０）。