【手続補正書】
【提出日】平成16年12月28日(2004.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各画素毎に、薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介して画素電圧が印加される画素電極と、を備えたアクティブマトリクス型表示装置において、隣接する一方の画素の画素電極と接続されると共に、隣接する画素間の領域に延在された補助画素電極を設けたことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項２】
前記補助画素電極は、絶縁膜を介して前記画素電極の下層に形成されたことを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項３】
前記補助画素電極は、前記薄膜トランジスタのソースに接続されると共に、該補助画素電極の上層の前記画素電極に接続されていることを特徴とする請求項２記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項４】
前記補助画素電極は絶縁膜を介して前記画素電極の下層に形成されており、隣接する画素間の領域に延在された前記補助画素電極部分上の前記絶縁膜を部分的に除去したことを特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項５】
各画素毎に、薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介して画素電圧が印加される画素電極と、を備えたアクティブマトリクス型表示装置において、隣接する画素間の領域に配置され、隣接する画素の各画素電極に絶縁膜を介して容量結合を成した浮遊電極を設けたことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項６】
前記浮遊電極は前記絶縁膜を介して前記画素電極の下層に形成されていることを特徴とする請求項５記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【請求項７】
前記浮遊電極は前記絶縁膜を介して前記画素電極の下層に形成されており、前記浮遊電極上の前記絶縁膜を部分的に除去したことを特徴とする請求項５記載のアクティブマトリクス型表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
第１基板１００側に、画素毎に設けられるＴＦＴは、図９に示すように、ゲート電極が能動層６４より上層に位置する、いわゆるトップゲート型ＴＦＴである。ＴＦＴの能動層
６４は、基板１００上に図８に示すようにパターニングされ、この能動層６４を覆ってゲート絶縁膜６６が形成され、ゲート絶縁膜６６上にはゲート電極を兼用するゲートラインが形成されている。能動層６４は、ゲート電極と対向する位置がチャネル領域であり、このチャネル領域を挟む両側に不純物の注入されたドレイン領域６４ｄ及びソース領域６４ｓが形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
能動層６４のドレイン領域６４ｄは、ゲート電極を覆って形成されるゲート絶縁膜６６及び層間絶縁膜６８に形成されたコンタクトホールを介し、データラインを兼用するドレイン電極７０に接続されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、上記データライン及びドレイン電極７０を覆って平坦化絶縁膜７２が形成されており、能動層６４のソース領域６４ｓは、この平坦化絶縁膜７２の上にＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等から成る画素電極７４と、コンタクトホールを介して接続されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
その原因は、ゲートライン６０及び第２電極８４（補助容量ライン）も通常はアルミニウムやモリブデン、クロム等の反射材で形成されるため、光を反射するが、その反射光を制御するための画素電極７４がその上層に存在しないため、この部分の液晶の配向状態が制御不能であり、その配向状態によって白く光ってしまうためであると考えられる。このような問題は貼り合わせずれを考慮したブラックマトリクス（ＢＭ）を設けることで防止できるが開口率が低下してしまう。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
各画素の等価回路は上述の図７と同様であり、第１基板１００上には図１に示すように、マトリクス状に画素電極２４が配置され、各画素電極２４に対応してトップゲート型ＴＦＴ１が設けられている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
各画素において、ＴＦＴ１の能動層１４は屈曲しており、行方向に直線的に延びるゲートライン２０と２箇所で交差している。この交差部分において能動層１４はチャネル領域１４ｃが構成され、ゲートライン２０はここがゲートとなる。ゲートとチャネル領域１４ｃにはゲート絶縁膜６６が形成されている。能動層１４のドレイン１４ｄは層間絶縁膜６８及びゲート絶縁膜６６に形成されたコンタクトホールを介して列方向に延びるデータライン２２に接続される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
第１の実施形態では補助画素電極４０は一方の画素の画素電極２４に接続されているので、この画素電極２４の電圧と同じ電圧であるが、本実施形態では浮遊電極４１は電気的に浮遊状態であるため、その電位は容量結合している画素電極２４の電圧に応じて定まることになる。すなわち、画素電極２４、浮遊電極４１が有する容量、両電極の結合容量、によって定まる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、図５では浮遊電極４１の両側の画素電極２４と等しく重ねられているが、どちらか一方により大きく重ねることで一方の画素電圧を支配的にすることができる。このようにすると、文字や線画のような境界の明瞭な画面を表示するのに適している。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本実施形態は上述した第３の実施形態において、浮遊電極４１上の厚い平坦化絶縁膜７２を除去した。具体的には、例えば画素電極２４，２４をマスクとして補助画素電極４０が露出されるまでエッチングを行えば良い。これにより、液晶２００の焼きつきが防止され、表示品位が向上する。この点については、上述した第２の実施形態と同様の理由である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
【発明の効果】
本発明によれば、アクティブマトリクス型表示装置において、隣接する一方の画素の画素電極と接続されると共に、隣接する画素間の領域に延在された補助画素電極を設けたことにより、各画素の間の領域も表示領域の一部として利用できるようになる。とくに、液晶表示装置の場合に、この領域の液晶についても画素電極と同じ電圧で駆動されようになるため、この領域が部分的に白く光るという不具合も解消され、表示品位が向上する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１１          薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
１２          液晶容量（Ｃｌｃ）
１３          補助容量（Ｃｓｃ）
１４          能動層
１４ｃ        チャネル領域
１４ｄ        ドレイン領域
１４ｓ        ソース領域
２０          ゲートライン
２２          データライン
２４          画素電極
４０          補助画素電極
４１          浮遊電極
５４          カラーフィルタ
５６          共通電極
６０          ゲートライン
６４          能動層
６４ｄ        ドレイン領域
６４ｓ        ソース領域
６６          ゲート絶縁膜
６８          層間絶縁膜
７０          ドレイン電極
７２          平坦化絶縁膜
７４          画素電極
８０          補助容量Ｃｓｃの第１電極
８４          補助容量Ｃｓｃの第２電極
１００        第１基板
２００        液晶
５００        第２基板
Ｃ１,Ｃ２     コンタクトホール