【手続補正書】
【提出日】平成16年4月2日(2004.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体上の半導体層、前記半導体層上のゲート絶縁膜および前記ゲート絶縁膜上のゲート電極を有する電気光学装置であって、
前記半導体装置は、ｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴを有し、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層は、チャネル形成領域、ｎ型不純物元素およびｐ型不純物元素を含む領域ならびにｐ型不純物元素のみを含む領域を有し、前記ｐチャネル型ＴＦＴにおいて、各ＴＦＴを電気的に接続する配線は、前記ｐ型不純物元素のみを含む領域に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
絶縁体上の半導体層、前記半導体層上のゲート絶縁膜および前記ゲート絶縁膜上のゲート電極を有する電気光学装置であって、
前記半導体装置は、ｎチャネル型ＴＦＴおよびｐチャネル型ＴＦＴを有し、
前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層は、チャネル形成領域、前記チャネル形成領域に隣接して形成されたｐ型不純物元素のみを含む領域ならびに前記ｐ型不純物元素のみを含む領域に隣接して形成されたｎ型不純物元素およびｐ型不純物元素を含む領域を有し、
前記ｐチャネル型ＴＦＴにおいて、各ＴＦＴを電気的に接続する配線は、前記ｐ型不純物元素のみを含む領域に接続されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記ゲート電極は、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕから選ばれた元素または前記元素を主成分とする合金材料もしくは化合物材料が単層もしくは積層されて設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
絶縁体上に非晶質半導体層を形成する第１の工程と、
前記非晶質半導体層に結晶化を助長する触媒元素を添加する第２の工程と、
前記触媒元素の添加された非晶質半導体層を加熱して結晶性半導体層を得る第３の工程と、
前記結晶性半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に導電膜を設け、前記導電膜をエッチングしてｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極およびｐチャネル型ＴＦＴに後のゲート電極となる導電層を形成する第５の工程と、
前記ゲート電極および前記導電層をマスクにして前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第６の工程と、
ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域をレジストからなるマスクで覆い、前記導電層をエッチングしてｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極を形成した後、前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層にｐ型不純物元素を添加する第７の工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁体上に非晶質半導体層を形成する第１の工程と、
前記非晶質半導体層に結晶化を助長する触媒元素を添加する第２の工程と、
前記触媒元素の添加された非晶質半導体層を加熱した後レーザーを照射して結晶性半導体層を得る第３の工程と、
前記結晶性半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に導電膜を設け、前記導電膜をエッチングしてｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極およびｐチャネル型ＴＦＴに後のゲート電極となる導電層を形成する第５の工程と、
前記ゲート電極および前記導電層をマスクにして前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第６の工程と、
ｎチャネル型ＴＦＴとなる領域をレジストからなるマスクで覆い、前記導電層をエッチングしてｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極を形成した後、前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層にｐ型不純物元素を添加する第７の工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁体上に非晶質半導体層を形成する第１の工程と、
前記非晶質半導体層に結晶化を助長する触媒元素を添加する第２の工程と、
前記触媒元素の添加された非晶質半導体層を加熱して結晶性半導体層を得る第３の工程と、
前記結晶性半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に導電膜（Ａ）および導電膜（Ｂ）を形成する第５の工程と、
前記導電膜（Ａ）および前記導電膜（Ｂ）をエッチングして、第１の形状のゲート電極を形成する第６の工程と、
前記第１の形状のゲート電極をマスクにして、前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第７の工程と、
前記第１の形状のゲート電極をエッチングして、前記第１の形状のゲート電極より幅の狭い第２の形状のゲート電極を形成する第８の工程と、
前記第２の形状のゲート電極をマスクにして前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第９の工程と、
前記第２の形状のゲート電極をエッチングして第３の形状のゲート電極を形成する第１０の工程と、
前記第３の形状のゲート電極をエッチングして第４の形状のゲート電極を形成する第１１の工程と、
前記第４の形状のゲート電極をマスクにして、前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層にｐ型不純物元素を添加する第１２の工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁体上に非晶質半導体層を形成する第１の工程と、
前記非晶質半導体層に結晶化を助長する触媒元素を添加する第２の工程と、
前記触媒元素の添加された非晶質半導体層を加熱した後レーザ−を照射して結晶性半導体層を得る第３の工程と、
前記結晶性半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に導電膜（Ａ）および導電膜（Ｂ）を形成する第５の工程と、
前記導電膜（Ａ）および前記導電膜（Ｂ）をエッチングして、第１の形状のゲート電極を形成する第６の工程と、
前記第１の形状のゲート電極をマスクにして、前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第７の工程と、
前記第１の形状のゲート電極をエッチングして、前記第１の形状のゲート電極より幅の狭い第２の形状のゲート電極を形成する第８の工程と、
前記第２の形状のゲート電極をマスクにして前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第９の工程と、
前記第２の形状のゲート電極をエッチングして第３の形状のゲート電極を形成する第１０の工程と、
前記第３の形状のゲート電極をエッチングして第４の形状のゲート電極を形成する第１１の工程と、
前記第４の形状のゲート電極をマスクにして、前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層にｐ型不純物元素を添加する第１２の工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁体上に非晶質半導体層を形成する第１の工程と、
前記非晶質半導体層に結晶化を助長する触媒元素を添加する第２の工程と、
前記触媒元素の添加された非晶質半導体層を加熱して結晶性半導体層を得る第３の工程と、
前記結晶性半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に導電膜（Ａ）および導電膜（Ｂ）を形成する第５の工程と、
前記導電膜（Ａ）および前記導電膜（Ｂ）をエッチングして、ゲート電極（Ａ）およびゲート電極（Ｃ）を形成する第６の工程と、
前記第６の工程で形成されたゲート電極（Ａ）およびゲート電極（Ｃ）をマスクにして、前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第７の工程と、
前記第６の工程で形成されたゲート電極をエッチングして、ゲート電極（Ｂ）およびゲート電極（Ｄ）を形成する第８の工程と、
前記第８の工程で形成されたゲート電極（Ｂ）およびゲート電極（Ｄ）をマスクにして前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第９の工程と、
ｎチャネル型ＴＦＴをレジストからなるマスクで覆い、ｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極（Ｄ）をエッチングしてゲート電極（Ｅ）を形成する第１０の工程と、
前記ゲート電極（Ｅ）をマスクにして、前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層にｐ型不純物元素を添加する第１１の工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁体上に非晶質半導体層を形成する第１の工程と、
前記非晶質半導体層に結晶化を助長する触媒元素を添加する第２の工程と、
前記触媒元素の添加された非晶質半導体層を加熱した後レーザー照射して結晶性半導体層を得る第３の工程と、
前記結晶性半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に導電膜（Ａ）および導電膜（Ｂ）を形成する第５の工程と、
前記導電膜（Ａ）および前記導電膜（Ｂ）をエッチングして、ゲート電極（Ａ）およびゲート電極（Ｃ）を形成する第６の工程と、
前記第６の工程で形成されたゲート電極（Ａ）およびゲート電極（Ｃ）をマスクにして、前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第７の工程と、
前記第６の工程で形成されたゲート電極をエッチングして、ゲート電極（Ｂ）およびゲート電極（Ｄ）を形成する第８の工程と、
前記第８の工程で形成されたゲート電極（Ｂ）およびゲート電極（Ｄ）をマスクにして前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第９の工程と、
ｎチャネル型ＴＦＴをレジストからなるマスクで覆い、ｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極（Ｄ）をエッチングしてゲート電極（Ｅ）を形成する第１０の工程と、
前記ゲート電極（Ｅ）をマスクにして、前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層にｐ型不純物元素を添加する第１１の工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項１０】
絶縁体上に非晶質半導体層を形成する第１の工程と、
前記非晶質半導体層に結晶化を助長する触媒元素を添加する第２の工程と、
前記触媒元素の添加された非晶質半導体層を加熱して結晶性半導体層を得る第３の工程と、
前記結晶性半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に導電膜（Ａ）および導電膜（Ｂ）を形成する第５の工程と、
前記導電膜（Ａ）および前記導電膜（Ｂ）をエッチングして、ゲート電極（Ａ）、ゲート電極（Ｃ）およびゲート電極（Ｆ）を形成する第６の工程と、
前記第６の工程で形成されたゲート電極をマスクにして、前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第７の工程と、
前記第６の工程で形成されたゲート電極をエッチングして、ゲート電極（Ｂ）、ゲート電極（Ｄ）およびゲート電極（Ｇ）を形成する第８の工程と、
前記第８の工程で形成されたゲート電極をマスクにして前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第９の工程と、
駆動回路に形成されたｎチャネル型ＴＦＴをレジストからなるマスクで覆い、ｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極（Ｄ）および画素ＴＦＴのゲート電極（Ｇ）をエッチングしてゲート電極（Ｄ'）およびゲート電極（Ｈ）を形成する第１０の工程と、
前記ゲート電極（Ｄ'）をエッチングしてゲート電極（Ｅ）を形成する第１１の工程と、
前記ゲート電極（Ｅ）をマスクにして、前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層にｐ型不純物元素を添加する第１２の工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項１１】
絶縁体上に非晶質半導体層を形成する第１の工程と、
前記非晶質半導体層に結晶化を助長する触媒元素を添加する第２の工程と、
前記触媒元素の添加された非晶質半導体層を加熱して結晶性半導体層を得る第３の工程と、
前記結晶性半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に導電膜（Ａ）および導電膜（Ｂ）を形成する第５の工程と、
前記導電膜（Ａ）および前記導電膜（Ｂ）をエッチングして、ゲート電極（Ａ）、ゲート電極（Ｃ）およびゲート電極（Ｆ）を形成する第６の工程と、
前記第６の工程で形成されたゲート電極をマスクにして、前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第７の工程と、
前記第６の工程で形成されたゲート電極をエッチングして、ゲート電極（Ｂ）、ゲート電極（Ｄ）およびゲート電極（Ｇ）を形成する第８の工程と、
前記第８の工程で形成されたゲート電極をマスクにして前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第９の工程と、
駆動回路に形成されたｎチャネル型ＴＦＴをレジストからなるマスクで覆い、ｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極（Ｄ）および画素ＴＦＴのゲート電極（Ｇ）をエッチングしてゲート電極（Ｄ'）およびゲート電極（Ｈ）を形成する第１０の工程と、
前記ゲート電極（Ｄ'）をエッチングしてゲート電極（Ｅ）を形成する第１１の工程と、
前記ゲート電極（Ｅ）をマスクにして、前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層にｐ型不純物元素を添加する第１２の工程と、
加熱処理する第１３の工程と、
全面を無機層間絶縁膜で覆う第１４の工程と、
前記無機層間絶縁膜上に有機層間絶縁膜を形成する第１５の工程と、
前記無機層間絶縁膜および有機層間絶縁膜に、前記半導体層に達するコンタクトホールを形成する第１６の工程と、
前記有機層間絶縁膜上に画素電極を形成する第１７の工程と、
接続配線を形成する第１８の工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項１２】
絶縁体上に非晶質半導体層を形成する第１の工程と、
前記非晶質半導体層に結晶化を助長する触媒元素を添加する第２の工程と、
前記触媒元素の添加された非晶質半導体層を加熱して結晶性半導体層を得る第３の工程と、
前記結晶性半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に導電膜（Ａ）および導電膜（Ｂ）を形成する第５の工程と、
前記導電膜（Ａ）および前記導電膜（Ｂ）をエッチングして、ゲート電極（Ａ）、ゲート電極（Ｃ）およびゲート電極（Ｆ）を形成する第６の工程と、
前記第６の工程で形成されたゲート電極をマスクにして、前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第７の工程と、
前記第６の工程で形成されたゲート電極をエッチングして、ゲート電極（Ｂ）、ゲート電極（Ｄ）およびゲート電極（Ｇ）を形成する第８の工程と、
前記第８の工程で形成されたゲート電極をマスクにして前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第９の工程と、
駆動回路に形成されたｎチャネル型ＴＦＴをレジストからなるマスクで覆い、ｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極（Ｄ）および画素ＴＦＴのゲート電極（Ｇ）をエッチングしてゲート電極（Ｄ'）およびゲート電極（Ｈ）を形成する第１０の工程と、
前記ゲート電極（Ｄ'）をエッチングしてゲート電極（Ｅ）を形成する第１１の工程と、
前記ゲート電極（Ｅ）をマスクにして、前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層にｐ型不純物元素を添加する第１２の工程と、
全面を無機層間絶縁膜で覆う第１３の工程と、
加熱処理して前記触媒元素をゲッタリングする第１４の工程と、
前記無機層間絶縁膜上に有機層間絶縁膜を形成する第１５の工程と、
前記無機層間絶縁膜および有機層間絶縁膜に、前記半導体層に達するコンタクトホールを形成する第１６の工程と、
前記有機層間絶縁膜上に画素電極を形成する第１７の工程と、
接続配線を形成する第１８の工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項１３】
絶縁体上に非晶質半導体層を形成する第１の工程と、
前記非晶質半導体層に結晶化を助長する触媒元素を添加する第２の工程と、
前記触媒元素の添加された非晶質半導体層を加熱した後レーザーを照射して結晶性半導体層を得る第３の工程と、
前記結晶性半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に導電膜（Ａ）および導電膜（Ｂ）を形成する第５の工程と、
前記導電膜（Ａ）および前記導電膜（Ｂ）をエッチングして、ゲート電極（Ａ）、ゲート電極（Ｃ）およびゲート電極（Ｆ）を形成する第６の工程と、
前記第６の工程で形成されたゲート電極をマスクにして、前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第７の工程と、
前記第６の工程で形成されたゲート電極をエッチングして、ゲート電極（Ｂ）、ゲート電極（Ｄ）およびゲート電極（Ｇ）を形成する第８の工程と、
前記第８の工程で形成されたゲート電極をマスクにして前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第９の工程と、
駆動回路に形成されたｎチャネル型ＴＦＴをレジストからなるマスクで覆い、ｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極（Ｄ）および画素ＴＦＴのゲート電極（Ｇ）をエッチングしてゲート電極（Ｄ'）およびゲート電極（Ｈ）を形成する第１０の工程と、
前記ゲート電極（Ｄ'）をエッチングしてゲート電極（Ｅ）を形成する第１１の工程と、
前記ゲート電極（Ｅ）をマスクにして、前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層にｐ型不純物元素を添加する第１２の工程と、
加熱処理する第１３の工程と、
全面を無機層間絶縁膜で覆う第１４の工程と、
前記無機層間絶縁膜上に有機層間絶縁膜を形成する第１５の工程と、
前記無機層間絶縁膜および有機層間絶縁膜に、前記半導体層に達するコンタクトホールを形成する第１６の工程と、
前記有機層間絶縁膜上に画素電極を形成する第１７の工程と、
接続配線を形成する第１８の工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項１４】
絶縁体上に非晶質半導体層を形成する第１の工程と、
前記非晶質半導体層に結晶化を助長する触媒元素を添加する第２の工程と、
前記触媒元素の添加された非晶質半導体層を加熱した後レーザーを照射して結晶性半導体層を得る第３の工程と、
前記結晶性半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記ゲート絶縁膜上に導電膜（Ａ）および導電膜（Ｂ）を形成する第５の工程と、
前記導電膜（Ａ）および前記導電膜（Ｂ）をエッチングして、ゲート電極（Ａ）、ゲート電極（Ｃ）およびゲート電極（Ｆ）を形成する第６の工程と、
前記第６の工程で形成されたゲート電極をマスクにして、前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第７の工程と、
前記第６の工程で形成されたゲート電極をエッチングして、ゲート電極（Ｂ）、ゲート電極（Ｄ）およびゲート電極（Ｇ）を形成する第８の工程と、
前記第８の工程で形成されたゲート電極をマスクにして前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第９の工程と、
駆動回路に形成されたｎチャネル型ＴＦＴをレジストからなるマスクで覆い、ｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極（Ｄ）および画素ＴＦＴのゲート電極（Ｇ）をエッチングしてゲート電極（Ｄ'）およびゲート電極（Ｈ）を形成する第１０の工程と、
前記ゲート電極（Ｄ'）をエッチングしてゲート電極（Ｅ）を形成する第１１の工程と、
前記ゲート電極（Ｅ）をマスクにして、前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層にｐ型不純物元素を添加する第１２の工程と、
全面を無機層間絶縁膜で覆う第１３の工程と、
加熱処理して前記触媒元素をゲッタリングする第１４の工程と、
前記無機層間絶縁膜上に有機層間絶縁膜を形成する第１５の工程と、
前記無機層間絶縁膜および有機層間絶縁膜に、前記半導体層に達するコンタクトホールを形成する第１６の工程と、
前記有機層間絶縁膜上に画素電極を形成する第１７の工程と、
接続配線を形成する第１８の工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項１５】
絶縁体上に非晶質半導体層を形成する第１の工程と、
前記非晶質半導体層に結晶化を助長する触媒元素を添加する第２の工程と、
前記触媒元素の添加された非晶質半導体層を加熱して結晶性半導体層を得る第３の工程と、
前記結晶性半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第４の工程と。
前記ゲート絶縁膜上に導電膜（Ａ）および導電膜（Ｂ）を形成する第５の工程と、
前記導電膜（Ａ）および前記導電膜（Ｂ）をエッチングして、ゲート電極（Ａ）、ゲート電極（Ｃ）およびゲート電極（Ｆ）を形成する第６の工程と、
前記第６の工程で形成されたゲート電極をマスクにして、前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第７の工程と、
前記第６の工程で形成されたゲート電極をエッチングして、ゲート電極（Ｂ）、ゲート電極（Ｄ）およびゲート電極（Ｇ）を形成する第８の工程と、
前記第８の工程で形成されたゲート電極をマスクにして前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第９の工程と、
駆動回路に形成されたｎチャネル型ＴＦＴをレジストからなるマスクで覆い、ｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極（Ｄ）および画素ＴＦＴのゲート電極（Ｇ）をエッチングしてゲート電極（Ｄ'）およびゲート電極（Ｈ）を形成する第１０の工程と、
前記ゲート電極（Ｄ'）をエッチングしてゲート電極（Ｅ）を形成する第１１の工程と、
前記ゲート電極（Ｂ）、前記ゲート電極（Ｅ）および前記ゲート電極（Ｈ）をマスクにして前記ゲート絶縁膜を除去する第１２の工程と、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記画素ＴＦＴをレジストからなるマスクで覆い、前記ゲート電極（Ｅ）をマスクにして、前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層にｐ型不純物元素を添加する第１３の工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項１６】
絶縁体上に非晶質半導体層を形成する第１の工程と、
前記非晶質半導体層に結晶化を助長する触媒元素を添加する第２の工程と、
前記触媒元素の添加された非晶質半導体層を加熱した後レーザーを照射して結晶性半導体層を得る第３の工程と、
前記結晶性半導体層上にゲート絶縁膜を形成する第４の工程と。
前記ゲート絶縁膜上に導電膜（Ａ）および導電膜（Ｂ）を形成する第５の工程と、
前記導電膜（Ａ）および前記導電膜（Ｂ）をエッチングして、ゲート電極（Ａ）、ゲート電極（Ｃ）およびゲート電極（Ｆ）を形成する第６の工程と、
前記第６の工程で形成されたゲート電極をマスクにして、前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第７の工程と、
前記第６の工程で形成されたゲート電極をエッチングして、ゲート電極（Ｂ）、ゲート電極（Ｄ）およびゲート電極（Ｇ）を形成する第８の工程と、
前記第８の工程で形成されたゲート電極をマスクにして前記半導体層にｎ型不純物元素を添加する第９の工程と、
駆動回路に形成されたｎチャネル型ＴＦＴをレジストからなるマスクで覆い、ｐチャネル型ＴＦＴのゲート電極（Ｄ）および画素ＴＦＴのゲート電極（Ｇ）をエッチングしてゲート電極（Ｄ'）およびゲート電極（Ｈ）を形成する第１０の工程と、
前記ゲート電極（Ｄ'）をエッチングしてゲート電極（Ｅ）を形成する第１１の工程と、
前記ゲート電極（Ｂ）、前記ゲート電極（Ｅ）および前記ゲート電極（Ｈ）をマスクにして前記ゲート絶縁膜を除去する第１２の工程と、
前記ｎチャネル型ＴＦＴおよび前記画素ＴＦＴをレジストからなるマスクで覆い、前記ゲート電極（Ｅ）をマスクにして、前記ｐチャネル型ＴＦＴの半導体層にｐ型不純物元素を添加する第１３の工程と、を有することを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項８乃至請求項１６のいずれか一項において、前記ゲート電極（Ｂ）、前記ゲート電極（Ｅ）および前記ゲート電極（Ｈ）は、前記導電膜（Ａ）および前記導電膜（Ｂ）からなり、前記導電膜（Ａ）の幅は、前記導電膜（Ｂ）の幅よりも広くなるように形成することを特徴とする電気光学装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項５、請求項７、請求項９、請求項１３、請求項１４または請求項１６において、前記触媒元素が添加された半導体層に照射するレーザーは、パルス発信型のＫｒＦエキシマレーザー、ＸｅＣｌエキシマレーザー、ＹＡＧレーザ−またはＹＶＯ4レーザーであることを特徴とする電気光学装置の作製方法。