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【手続補正書】
【提出日】平成17年6月13日(2005.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）１ミクロン以下の平均粒子直径、表面および少なくとも１．８の屈折率を有する顔料粒子、および
ｂ）該顔料粒子を少なくとも部分的に含むポリマーマトリックスを含むコーティングであって、
該顔料粒子が以下の式で表される光散乱定数Ｓを有するコーティング：
Ｓ＝ＡＶ（１−ＢＶｅｆｆ１／３）
式中、Ｖは該顔料粒子の顔料体積濃度であり、５から４０の範囲である；
Ｖｅｆｆは該顔料粒子の有効顔料体積濃度である；
Ａは０より大きい値を有する定数である；
Ｂは０から０．１５の範囲の値を有する定数である。
【請求項２】
該顔料粒子が複合体粒子として存在する、請求項１記載のコーティング。
【請求項３】
該複合体粒子のそれぞれが、
ａ）該顔料粒子の１つ；
ｂ）第１の複数のポリマー粒子；および
ｃ）第２の複数の反応されたカップリング剤であって、反応されたカップリング剤のそれぞれは前記１つの顔料粒子および対応する前記第１の複数のポリマー粒子に共有結合されている、
を含む請求項２記載のコーティング。
【請求項４】
該複合体粒子のそれぞれが、
ａ）該顔料粒子の１つ；
ｂ）複数のポリマー粒子であって、該ポリマー粒子のそれぞれがホスホラス酸モノマーの重合単位を含み、第１のホスホラス酸基を有し、該複数のポリマー粒子が該１つの顔料粒子上の表面に吸着されるようにし、
該複合体粒子が該１つの顔料粒子と該複数のポリマー粒子とを、第２のホスホラス酸基を有し、少なくとも４００００の分子量を有する水溶性ポリマーを実質的に含まない水性媒体中で混合することにより形成される、
請求項２記載のコーティング。
【請求項５】
該複合体粒子のそれぞれが、
ａ）該顔料粒子の１つ；
ｂ）複数のポリマー粒子であって、該ポリマー粒子のそれぞれが２未満のｐＨの水性反応媒体中で重合されたホスホラス酸モノマーの重合単位を含み、ホスホラス酸基を有し、該複数のポリマー粒子が該１つの顔料粒子上の表面に吸着されている、複数のポリマー粒子を含む、請求項２記載のコーティング。
【請求項６】
ａ）顔料粒子、および
ｂ）複数のポリマー粒子を含み、
該ポリマー粒子のそれぞれが該顔料粒子と共有結合を形成する少なくとも１つの反応した相補的官能基を有する、複合体粒子。
【請求項７】
ａ）顔料粒子、
ｂ）第１の複数のポリマー粒子、および
ｃ）第２の複数の反応されたカップリング剤を含み、反応されたカップリング剤のそれぞれは前記顔料粒子および対応する前記第１の複数のポリマー粒子の１つに共有結合されている、複合体粒子。
【請求項８】
ａ）ｉ）顔料粒子、
ｉｉ）第１の複数のポリマー粒子、および
ｉｉｉ）第２の複数の反応されたカップリング剤を含み、反応されたカップリング剤のそれぞれは前記顔料粒子および対応する前記第１の複数のポリマー粒子の１つに共有結合されている、複合体粒子、並びに
ｂ）バインダー
を含むコーティング組成物。
【請求項９】
複合体粒子の調製方法であって、該複合体粒子が顔料粒子および、該顔料粒子に付着した第１の複数のポリマー粒子を含み、
ａ）顔料粒子と第２の複数のカップリング剤分子を混合する工程、ここでカップリング剤のそれぞれの分子は顔料粒子と反応して第１の共有結合を形成する第１の官能基、および相補的な官能基と反応して第２の共有結合を形成する第２の官能基を有する、
ｂ）顔料粒子と、第２の複数のカップリング剤分子の第１の官能基の少なくとも一部とを反応させ、または反応を許容することにより変性された顔料粒子を形成する工程、ここで変性された顔料粒子は、それらに共有的に結合された反応された第１の官能基を有する第３の複数のカップリング剤の分子を含む、
ｃ）該変性された顔料粒子および第１の複数のポリマー粒子を混合する工程、ここで該第１の複数のポリマー粒子のそれぞれは相補的な官能基を含む、および
ｄ）該カップリング剤の第３の複数の分子の第２の官能基と、該第１の複数のポリマー粒子の相補的な官能基とを反応させて、または反応を許容することにより、第１の複数のポリマー粒子の少なくとも１つがカップリング剤の第３の複数の分子の１つと共有結合するようにそれらの間に共有結合を形成し、複合体粒子を形成する工程、を含む方法。
【請求項１０】
ａ）ホスホラス酸モノマーの重合単位を含み、第１のホスホラス酸基を有するポリマー粒子、および
ｂ）水性媒体、
を含む水性ポリマーディスパージョンであって、
実質的に第２のホスホラス酸基を有する水溶性ポリマーを含まない水性ポリマーディスパージョン。
【請求項１１】
ａ）複合体粒子であって、それぞれが、
ｉ）表面を有する顔料粒子、および
ｉｉ）ホスホラス酸モノマーの重合単位を含んでなり、第１のホスホラス酸基を有する複数のポリマー粒子を含み、
複数のポリマー粒子が顔料粒子の表面に吸着されている複合体粒子、並びに
ｂ）水性媒体を含む複合体粒子ディスパージョンであって、
複合体粒子ディスパージョンが、第２のホスホラス酸基を有し少なくとも４００００の分子量を有する水溶性ポリマーを実質的に含まない、複合体粒子ディスパージョン。
【請求項１２】
ａ）顔料粒子、および第１のホスホラス酸基を有するポリマー粒子を含む水性組成物を調製する工程、ただし該ポリマー粒子はホスホラス酸モノマーの重合単位を有し、該水性組成物は、第２のホスホラス酸基を有し少なくとも４００００の分子量を有する水溶性ポリマーを実質的に含まない、
ｂ）該ポリマー粒子を該顔料粒子上に吸着させ、該複合体粒子を形成する工程を含む、複合体粒子の形成方法。
【請求項１３】
複合体粒子を含むコーティングであって、
各複合体粒子が、
ａ）表面を有する顔料粒子、および
ｂ）ホスホラス酸モノマーの重合単位を含んでなり、第１のホスホラス酸基を有する複数のポリマー粒子を含み、複数のポリマー粒子が顔料粒子の表面に吸着されており、
該複合体粒子が顔料粒子と複数のポリマー粒子とを水性媒体中で混合することにより調製され、
該水性媒体が第２のホスホラス酸基を有し少なくとも４００００の分子量を有する水溶性ポリマーを実質的に含まない、コーティング。
【請求項１４】
ホスホラス酸モノマーの重合単位を含んでなるポリマー粒子を含む水性ディスパージョンの調製方法であって、
ａ）ホスホラス酸モノマーを水性反応媒体中に加え、および
ｂ）ホスホラス酸モノマーを２未満のｐＨで重合し、ポリマー粒子の水性ディスパージョンを形成する方法。
【請求項１５】
ホスホラス酸モノマーの重合単位を含んでなるポリマー粒子を含み、該ポリマー粒子がホスホラス酸モノマーを２未満のｐＨの水性反応媒体中で重合させることにより調製される、水性ディスパージョン。
【請求項１６】
少なくとも１つの複合体粒子を含む水性組成物であって、
ａ）表面を有する顔料粒子、および
ｂ）２未満のｐＨの水性反応媒体中で重合されたホスホラス酸モノマーの単位を含む複数のポリマー粒子であって、該複数のポリマー粒子は該顔料粒子の表面に吸着されているポリマー粒子、
を含んでなる少なくとも１つの複合体粒子を含む水性組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月25日(2005.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  コーティングを作製するための方法であって、以下：
ホルムアルデヒド樹脂を提供する工程；
ホルムアルデヒドスカベンジャーを提供する工程であって、該ホルムアルデヒドスカベンジャーはポリアミドである、工程；ならびに
該樹脂およびスカベンジャーを混合する工程、
該樹脂およびスカベンジャーを、約４５０°Ｆ〜約６５０°Ｆの範囲の温度で加熱する工程、
を包含する、方法。
【請求項２】  前記ポリアミドが合成ポリアミドである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】  前記合成ポリアミドが、ポリアクリルアミド、ポリメタクリルアミド、ポリアミドテロマー、ポリアミドコポリマー、ポリアミドターポリマー、ポリアミドテトラポリマー、Ｎ−置換ポリアミドおよびこれらの組み合わせから本質的になる群より選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】  前記ポリアミドがタンパク質である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】  前記タンパク質が、カゼイン、ダイズタンパク質およびこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項６】  前記ホルムアルデヒド樹脂が、メラミン−ホルムアルデヒド、尿素−ホルムアルデヒド、フェノール−ホルムアルデヒドおよびこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】  触媒、充填剤、界面活性剤、緩衝剤、粘度制御剤、顔料、平滑矯正剤およびこれらの組み合わせからなる群より選択される成分を添加する工程をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】  前記触媒が酸触媒を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】  前記コーティングが、前記ホルムアルデヒド樹脂の乾燥重量に基づいて約３重量％〜約５０重量％の量のホルムアルデヒドスカベンジャーを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】  パネルをコーティングする方法であって、以下：
外装面および裏面を有するパネルを提供する工程；ならびに
ホルムアルデヒド樹脂およびホルムアルデヒドスカベンジャーを含有するコーティングを、該裏面に塗布する工程であって、該ホルムアルデヒドスカベンジャーは、ポリアミドである、工程、
該樹脂およびスカベンジャーを、約４５０°Ｆ〜約６５０°Ｆの範囲の温度で加熱する工程、
を包含する、方法。
【請求項１１】  前記コーティングが、ローラー塗布、スプレー、カーテンコーティング、押出し、ナイフコーティングおよびこれらの組み合わせからなる群より選択される方法によって塗布される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】  前記合成ポリアミドが、ポリアクリルアミド、ポリメタクリルアミド、ポリアミドテロマー、ポリアミドコポリマー、ポリアミドターポリマー、ポリアミドテトラポリマー、Ｎ−置換ポリアミドおよびこれらの組み合わせから本質的になる群より選択される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】  前記ポリアミドがタンパク質である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】  前記タンパク質が、カゼイン、ダイズタンパク質およびこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】  前記ホルムアルデヒド樹脂が、メラミン−ホルムアルデヒド、尿素−ホルムアルデヒド、フェノール−ホルムアルデヒドおよびこれらの組み合わせからなる群より選択される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】  触媒、充填剤、界面活性剤、緩衝剤、粘度制御剤、顔料、平滑矯正剤およびこれらの組み合わせからなる群より選択される成分を前記コーティングに添加する工程をさらに包含する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１７】  前記コーティングに酸触媒を添加する工程をさらに包含する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】  前記コーティングは、前記ホルムアルデヒド樹脂の乾燥重量に基づいて約３重量％〜約５０重量％の量のホルムアルデヒドスカベンジャーを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１９】  前記パネルが音響パネルである、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月2日(2005.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも１つのパイプがチューブプレート（１１４）に接続され、該チューブプレート（１１４）がチャンバ（１１６）に接続され、このチャンバ（１１６）が、側方部分（１２０）により前記プレート（１１４）に結合された底部（１１８）を備えたセクションよって形成される形式の、薄いチューブプレートを備えた化学反応器又は熱交換器一般として用いられる装置（１１０）であって、前記チューブプレート（１１４）と前記チャンバ（１１６）の底部（１１８）との間に接続要素（１２２）が設けられていることを特徴とする装置（１１０）。
【請求項２】  前記接続要素（１２２）は、前記チャンバ（１１６）の側方部分（１２０）に類似する形状を有する平坦な又は円筒形の部分であることを特徴とする、請求項１に記載の装置（１１０）。
【請求項３】  前記接続要素（１２２）は、前記チャンバ（１１６）の前記側方部分（１２０）の内部で、前記プレート（１１４）に垂直な前記パイプの軸線に関して対称になる位置に配置されていることを特徴とする、請求項１に記載の装置（１１０）。
【請求項４】  前記接続要素（１２２）は、軸線方向に対称な円筒形部分からなることを特徴とする、請求項３に記載の装置（１１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月19日(2004.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）吸入した燃料を加圧して高温、高圧化して吐出する燃料供給ポンプと、
（ｂ）この燃料供給ポンプよりも燃料の流れ方向の上流側に接続されて、前記燃料供給ポンプに吸入される燃料中の異物を除去する燃料フィルタと、
（ｃ）前記燃料供給ポンプより吐出された燃料を前記燃料フィルタ内に還流させる燃料還流路と、
（ｄ）前記燃料供給ポンプ内に吸入される燃料の温度が所定値以下の低温時に、前記燃料還流路内を流れる燃料の流量を増やす還流量増加手段とを備えた燃料噴射装置。
【請求項２】
請求項１に記載の燃料噴射装置において、
前記燃料供給ポンプ内に吸入される燃料の温度を検出する燃料温度検出手段を有し、
この燃料温度検出手段によって検出される燃料の温度に応じて前記還流量増加手段を電気的に作動させる還流量制御手段を備えたことを特徴とする燃料噴射装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の燃料噴射装置において、
前記還流量増加手段は、前記燃料供給ポンプより吐出された燃料の圧力を減圧させるための減圧弁を有し、
前記減圧弁は、前記燃料供給ポンプ内に吸入される燃料の温度が所定値以下の低温時に開弁して、高圧燃料を前記燃料還流路内に逃がすことを特徴とする燃料噴射装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の燃料噴射装置において、
前記還流量増加手段は、内燃機関の気筒内に燃料を噴射する燃料噴射弁を有し、
前記燃料噴射弁は、前記燃料供給ポンプ内に吸入される燃料の温度が所定値以下の低温時に、前記燃料噴射弁内の高圧燃料を前記燃料還流路内に逃がすことを特徴とする燃料噴射装置。
【請求項５】
請求項４に記載の燃料噴射装置において、
内燃機関の運転条件によって設定される目標噴射量に応じた燃料噴射信号を前記燃料噴射弁に印加する第１噴射弁駆動手段と、
前記燃料供給ポンプ内に吸入される燃料の温度が所定値以下の低温時に、内燃機関の気筒内に燃料を噴射しない程度の噴射無効信号を前記燃料噴射弁に印加する第２噴射弁駆動手段とを備えていることを特徴とする燃料噴射装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の燃料噴射装置において、
前記燃料還流路は、前記燃料供給ポンプより吐出された燃料を燃料タンク内に還流させる第１燃料還流経路、および前記燃料供給ポンプより吐出された燃料を前記燃料フィルタ内に還流させる第２燃料還流経路を有し、
前記還流量増加手段は、前記燃料供給ポンプ内に吸入される燃料の温度が所定値以下の低温時に、前記第１燃料還流経路から前記第２燃料還流経路へ切り替えるように作動する還流経路切替弁を備えたことを特徴とする燃料噴射装置。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の燃料噴射装置において、
前記燃料供給ポンプより吐出された燃料の圧力を検出する燃料圧検出手段を有し、
この燃料圧検出手段によって検出される実燃料圧が、内燃機関の運転条件によって設定される目標燃料圧と略一致するように、前記燃料供給ポンプの吐出量をフィードバック制御するポンプ吐出量制御手段を備えたことを特徴とする燃料噴射装置。
【請求項８】
請求３に記載の燃料噴射装置において、
前記減圧弁は、前記燃料供給ポンプに吸入される燃料の温度に対応した開度だけ開弁されることを特徴とする燃料噴射装置。
【請求項９】
請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の燃料噴射装置において、
前記還流量増加手段は、エンジン回転数がアイドリング回転数以下の時に、前記燃料還流路内を流れる流量を増加させることを特徴とする燃料噴射装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項７に記載の発明によれば、燃料圧検出手段によって検出される実燃料圧が、内燃機関の運転条件によって設定される目標燃料圧と略一致するように、燃料供給ポンプの吐出量をフィードバック制御することにより、低温始動時または低温アイドル時に、燃料還流路内を流れる燃料の流量を増やす還流量増加手段を作動させた場合でも、目標噴射圧よりも実燃料圧が低下することを防止できるので、内燃機関の運転条件によって設定される目標噴射量よりも実際の噴射量が少なくなることを防止できる。
請求項８に記載の発明によれば、減圧弁は、燃料供給ポンプに吸入される燃料の温度に対応した開度だけ開弁される。これにより、減圧弁よりのリターン燃料の流量を燃料の温度に対応して増やすこととなり、燃料温度を早期に上昇させることができる。
請求項９に記載の発明によれば、還流量増加手段は、エンジン回転数がアイドリング回転数以下の時に、燃料還流路内を流れる流量を増加させる。これにより、例えば、低温始動時または低温アイドル時の、燃料のワックス化による燃料フィルタの目詰まりに起因する、エンジンの気筒内への燃料の噴射性能の低下を抑えることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月14日(2005.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  各ブレード（１２）の根元すなわち基部（１０）が、該ブレードに対して相補形であるディスク（２２）の座すなわち端スロット（２０）内に挿入され、
前記根元（１０）が逆二等辺三角形の形状であり、底部で収束する２つの側面の各々が一連の歯状突起（１４）を形成するように溝のついた輪郭を有し、
前記根元（１０）の下端部（１６）が該根元（１０）の２つの側面の前記２つの下部歯状突起（１４）の結合した接続部により形成され、
前記根元（１０）の歯状突起（１４）が前記座（２０）の側面に設けられた溝（２４）に一致し、また前記根元（１０）の下端部（１６）は前記座（２０）の底部に設けられた内端溝（２６）と一致している形式の、ガスタービンのブレード（１２）のロータディスク（２２）への改良型継手であって、
前記一連の溝（２４）は、前記座（２０）の軸線（Ｙ）に対して、極値を含む１７°から２３°の間の角度β1だけ傾斜する線（Ｘ）に沿って延びており、また、前記溝（２４）は、前記座（２０）の軸線（Ｙ）に対して角度α1及びα2の傾斜をもつ平坦な面を有しており、ここで、α1は前記ロータディスク（２２）の外部に向いた前記面の角度で、極値を含む４２°から４８°の間にあり、一方、α2は極値を含む９４°から１００°の間にあることを特徴とする継手。
【請求項２】  前記溝（２４）は半径Ｒ4の円弧により底部で接続され、前記溝（２４）の間は同じく半径Ｒ4を有する円弧により接続され、前記上部溝（２４）の角度α1を有する面は、半径Ｒ3の円弧により前記ロータディスク（２２）の外部に向かって接続され、前記内端溝（２６）は、前記座（２０）の軸線に対して第２の角度α1で配置された２つの対称形の上部面を有する逆オメガの形状になっており、対になって互いに対称形である４つの円弧、具体的には、最初は半径Ｒ1の円弧、続いて半径Ｒ2の円弧により互いに接続されており、ここで、前記半径Ｒ1、Ｒ2及びＲ3は、前記半径Ｒ4に対する下記の比率、１．８≦Ｒ3／Ｒ4≦２．２１．８≦Ｒ1／Ｒ4≦２．２５．５≦Ｒ2／Ｒ4≦６．０を有することを特徴とする、請求項１に記載の継手。
【請求項３】  前記半径Ｒ1の円弧による接続部は、前記内端溝（２６）の底部に対する高さＨ1及び前記座（２０）の軸線に対する距離Ｄ1により定まる点を中心として用いて形成され、また、前記半径Ｒ2の円弧による接続部は、前記内端溝（２６）の底部に対する高さＨ2及び前記座（２０）の軸線に対する距離Ｄ2により定まる点を中心として用いて形成され、従って前記中心は前記座（２０）の深さの全体寸法を基にして定められることを特徴とする、請求項１に記載の継手。
【請求項４】  前記角度α1から前記角度α2を差し引いたものに等しい、溝についての角度αgは、極値を含む４６°から５８°の間にあることを特徴とする、請求項１に記載の継手。
【請求項５】  前記座（２０）は、対になって対称形である８つの溝（２４）と内端溝（２６）とを有することを特徴とする、請求項１に記載の継手。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月2日(2005.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  截頭円錐形の形状をした本体（２２）を有し、該本体（２２）が、第１に、円筒形の形状を有するハブ（２４）によって、軸流圧縮機の機械軸線（Ｘ）の周りを回転するシャフト（１２）に接続され、第２に、該本体（２２）の截頭円錐の大きい方の基部において、ロータディスク装置（１４）に面する延長部（２６）の表面（２９）に設けられた円周方向の凹み（２８）が、前記ロータディスク装置（１４）に設けられかつ前記凹みに対して相補形である突起と締まり嵌めで接続されるようにハブの円形リング形状の延長部（２６）によって、前記ロータディスク装置（１４）に接続されている形式の、ガスタービン（１０）の軸流圧縮機と高圧側ロータディスク装置（１４）との間を接続するための改良フランジ（２０）であって、前記截頭円錐形の本体（２２）は、前記機械軸線（Ｘ）に直角な方向に対して、極値を含む２５°から３５°の間の角度α１だけ傾斜している外側母線を有し、また、内側母線が、前記機械軸線（Ｘ）に直角な方向に対して、極値を含む１２°から１８°の間の角度α２だけ傾斜していることを特徴とする改良フランジ（２０）。
【請求項２】  前記延長部（２６）は、前記機械軸線（Ｘ）に直角な方向に外部に向かって半径方向に延びて直径Ｄ５で終り、また直径Ｄ４において前記軸線（Ｘ）に直角な該延長部の表面（２９）に前記円周方向の凹み（２８）を有しており、Ｄ４とＤ５の間の比率は、極値を含む０．７から０．８５の間にあることを特徴とする、請求項１に記載の改良接続フランジ（２０）。
【請求項３】  前記延長部（２６）は、それぞれ半径Ｒ２とＲ１の円弧によって前記截頭円錐形の本体（２２）の２つの内側及び外側母線に接続されており、該外側母線との接続部は前記機械軸線（Ｘ）に対する直径Ｄ１に近接する領域内に形成され、Ｒ２とＲ１の間の比率は、極値を含む０．８から1の間にあり、かつＤ４とＤ１の間の比率は、極値を含む０．９５から１．０５の間にあることを特徴とする、請求項２に記載の改良接続フランジ（２０）。
【請求項４】  前記ハブ（２６）は、半径Ｒ３の円弧によって前記截頭円錐形の本体（２２）の外側母線に接続されており、該外側母線との接続部は前記機械軸線（Ｘ）に対する直径Ｄ１に近接する領域内に形成され、Ｒ２とＲ３の間の比率は、極値を含む３．５から４．５の間にあり、かつＤ４とＤ３の間の比率は、極値を含む１．５５から1．7の間にあることを特徴とする、請求項３に記載の改良接続フランジ（２０）。
【請求項５】  前記延長部（２６）の開始点において、前記本体（２２）は該本体（２２）自体の截頭円錐の外側母線により定まる方向に対して直角に測定した厚さＳ１を有しており、また前記延長部（２６）の末端において前記フランジ（２０）は前記機械軸線（Ｘ）の方向に測定した厚さＳ２を有しており、Ｓ１とＤ４の間の比率は、極値を含む０．１３から０．１８の間にあり、かつＳ２とＤ４の間の比率は、極値を含む１．３から１．７の間にあることを特徴とする、請求項２又は請求項４に記載の改良接続フランジ（２０）。
【請求項６】  前記本体（２２）の截頭円錐の内側母線は、前記機械軸線（Ｘ）に対して極値を含む２６°から３４°の間の角度α３を形成する方向（Ｙ）でハブ（２４）に結合されていることを特徴とする、請求項１又は請求項５に記載の改良接続フランジ（２０）。
【請求項７】  前記ハブ（２４）は、内径Ｄ２の円筒形の形状を有しており、Ｄ４とＤ２の間の比率は、極値を含む５．２から６．５の間にあることを特徴とする、請求項２に記載の改良接続フランジ（２０）。
【請求項８】  前記延長部（２６）は、該延長部（２６）の表面（２９）と前記軸流圧縮機に面する表面（３１）との間で前記機械軸線（Ｘ）に平行な方向に設けられ、前記フランジ（２０）と前記ロータディスク装置（１４）との間を更に固定するための要素を受け入れるように設計された一連の円周上の貫通孔（３０）を有することを特徴とする、請求項１に記載の改良接続フランジ（２０）。
【請求項９】  前記フランジ（２０）と前記ロータディスク装置（１４）との間を更に固定するための前記要素は、タイロッドを含むことを特徴とする、請求項８に記載の改良接続フランジ（２０）。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月27日(2005.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック中子を焼成する方法であって、
上記中子をセッター上に設置する段階と、
耐火性粒子を含む少なくとも１つの弾性耐火袋を上記中子の上に設置し、上記セッターに向かうよう上記中子に力を加える段階と、
上記中子を周囲温度よりも高温の焼成温度に加熱する段階とを含む方法。
【請求項２】
複数の上記弾性耐火袋は、上記中子に対し異なる方向で、上記中子の上に設置される請求項１記載の方法。
【請求項３】
複数の上記弾性耐火袋は、上記中子の異なる位置で、上記中子の上に設置される請求項１記載の方法。
【請求項４】
上記耐火性粒子は焼結されたセラミック粒子を含む請求項１記載の方法。
【請求項５】
上記セッターはエアフォイル形状を有する表面を含み、
上記中子は、上記セッターの上記表面上に受容されるエアフォイル状の領域を有する請求項１記載の方法。
【請求項６】
上記中子は、約６インチより大きい長さを有する請求項５記載の方法。
【請求項７】
上記セラミック中子は未焼成の中子である請求項１記載の方法。
【請求項８】
上記セラミック中子は焼成された中子である請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月1日(2005.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長２５０ｎｍ以下の紫外線を透過する光学機器部品用石英ガラスブランクにおいて、酸素欠損部位を実質上含まず、Ｈ2含有量が０．１×１０16分子／ｃｍ3〜４．０×１０16分子／ｃｍ3の範囲であり、ＯＨ含有量が１２５重量ｐｐｍ〜４５０重量ｐｐｍの範囲であり、ＳｉＨ基含有量が５×１０16分子／ｃｍ3未満であり、屈折率不均質性△ｎが２ｐｐｍ未満、ひずみ複屈折が２ｎｍ／ｃｍ未満であるガラス構造によって特徴づけられる前記石英ガラスブランク。
【請求項２】
ＯＨ含有量が２００重量ｐｐｍ〜３５０重量ｐｐｍの範囲内であることを特徴とする請求項１に記載の石英ガラスブランク。
【請求項３】
Ｈ2含有量が１×１０16分子／ｃｍ3〜３×１０16分子／ｃｍ3であることを特徴とする請求項１または２に記載の石英ガラスブランク。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の石英ガラスブランクの製造方法であって、前記製造方法は珪素含有化合物を火炎加水分解し、それによってＳｉＯ2粒子が形成され、前記ＳｉＯ2粒子は回転する担体上に層状に沈着し、多孔性スート体(soot body)を生成し、前記スート体はその後ガラス化され、全体的に不均一なＨ2プロフィールを有することを特徴とする少なくとも一つの第一のシリンダ形石英ガラスプレフォームを製造することを含んでなり、石英ガラスプレフォームを均質化処理にかけ、その際径方向の(radial)Ｈ2濃度プロフィールは、０．１×１０16分子／ｃｍ3〜４．０×１０16分子／ｃｍ3の平均値からの最大偏差が２５％を超えないように確立されることを特徴とする前記製造方法。
【請求項５】
均質化処理によって、平均値からの最大偏差が１５％を示す径方向Ｈ2濃度プロフィールが確立されることを特徴とする請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
石英ガラスプレフォームがＨ2含有気体中でスート体をガラス化することによって製造されることを特徴とする請求項４に記載の製造方法。
【請求項７】
ガラス化に用いられるＨ2含有気体がＨ2／Ｈｅ気体またはＨ2／Ｎ2気体またはＨ2／Ｈ2Ｏ気体であることを特徴とする請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
石英ガラスプレフォームを水素含有量低下−アニール処理にかけることを特徴とする請求項４または５に記載の製造方法。
【請求項９】
均質化処理が前記石英ガラスブランクのねじり及び折り返し段階を含むことを特徴とする請求項４に記載の石英ガラスブランクの製造方法。
【請求項１０】
前記均質化処理が第一石英ガラスプレフォームと第二石英ガラスプレフォームとを混合して平均ＯＨ含有量が１２５重量ｐｐｍ〜４５０重量ｐｐｍの範囲、特に２００重量ｐｐｍ〜３５０重量ｐｐｍの範囲である混合石英ガラスを生成することを含み、その際０．１×１０16分子／ｃｍ3〜４．０×１０16分子／ｃｍ3のＨ2含有量が確立されることを特徴とする請求項４に記載の製造方法。
【請求項１１】
第二石英ガラスプレフォームの製造がＳｉＯ2粒子の形成及び回転する担体上への前記粒子の沈着、及びその後の直接ガラス化を含むことを特徴とする請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記第一石英ガラスが１０重量ｐｐｍ〜３００重量ｐｐｍの範囲のＯＨ含有量を有し、前記第二石英ガラスが４００重量ｐｐｍ〜１３００重量ｐｐｍの範囲のＯＨ含有量を有することを特徴とする請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１３】
波長２５０ｎｍ以下の紫外線と組み合わせてマイクロリトグラフィーに使用する部品を製造するための請求項１〜３のいずれか１項に記載の石英ガラスブランクの使用であって、与えられたパルス数Ｐのための石英ガラスが選択され、前記石英ガラスは最小水素含有量ＣH2min及び最大水素含有量ＣH2maxを有し、その両方が下記の規定式にしたがうことを特徴とする前記使用。
ＣH2min［分子／ｃｍ3］＝１．０×１０6ε2Ｐ      （２）
ＣH2max［分子／ｃｍ3］＝２．０×１０16ε        （３）
（ε＝パルスエネルギー密度、ｍＪ／ｃｍ2）
【請求項１４】
ＯＨ含有量ＣOHを有する石英ガラスが、与えられたパルスエネルギー密度εが少なくとも０．００５ｍＪ／ｃｍ2である紫外線と共に使用するために選択され、前記ＣOHが下記の規定式：
ＣOH［重量ｐｐｍ］＝１．７×１０3×ε0.4±５０      （４）
にしたがうことを特徴とする請求項１３に記載の使用。
【請求項１５】
エネルギー密度εが０．０３ｍＪ／ｃｍ2未満、特に０．０１ｍＪ／ｃｍ2未満であることを特徴とする請求項１３または１４に記載の石英ガラスブランクの使用。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上に、光触媒活性を有する金属酸化物半導体を主成分とする膜と、その上に、成膜時の圧力が０．８Ｐａ以上の条件で反応性スパッタ法により形成された二酸化シリコンを主成分とする膜とが形成されたことを特徴とする防曇防汚物品。
【請求項２】
前記金属酸化物半導体を主成分とする膜が、成膜時の圧力が１．０Ｐａ以上の条件で反応性スパッタ法により形成された膜であることを特徴とする請求項１に記載の防曇防汚物品。
【請求項３】
前記金属酸化物半導体を主成分とする膜が二酸化チタンを主成分とする膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の防曇防汚物品。
【請求項４】
前記二酸化シリコンを主成分とする膜の膜厚が７０〜２００ｎｍであることを特徴とする請求項１、２または３に記載の防曇防汚物品。
【請求項５】
前記二酸化チタンを主成分とする膜の膜厚が１５〜３５ｎｍであり、前記二酸化シリコンを主成分とする膜の膜厚が７０〜１２０ｎｍであることを特徴とする請求項３または４に記載の防曇防汚物品。
【請求項６】
前記透明基板と前記二酸化チタンを主成分とする膜との間に、屈折率が１．８〜２．２の透明な遷移金属酸化物膜が形成されていることを特徴とする請求項３または４に記載の防曇防汚物品。
【請求項７】
前記遷移金属酸化物膜の膜厚が１０〜７０ｎｍであり、前記二酸化チタンを主成分とする膜の膜厚が５０〜１４０ｎｍであり、前記二酸化シリコンを主成分とする膜の膜厚が９０〜１４０ｎｍであることを特徴とする請求項６に記載の防曇防汚物品。
【請求項８】
前記遷移金属酸化物膜と前記二酸化チタンを主成分とする膜との間に屈折率が１．４〜１．７の低屈折率膜が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の防曇防汚物品。
【請求項９】
前記遷移金属酸化物膜の膜厚が５〜３５ｎｍであり、前記低屈折率膜の膜厚が３０〜７０ｎｍであり、前記二酸化チタンを主成分とする膜の膜厚が１０〜４０ｎｍであり、かつ、前記二酸化シリコンを主成分とする膜の膜厚が７０〜１００ｎｍであることを特徴とする請求項８に記載の防曇防汚物品。
【請求項１０】
前記遷移金属酸化物膜が酸化亜鉛または酸化クロムを主成分とする膜であることを特徴とする請求項６〜９のいずれかに記載の防曇防汚物品。
【請求項１１】
膜形成面側からの入射光に対する膜面の視感反射率が２０％以下である請求項１〜１０のいずれかに記載の防曇防汚物品。
【請求項１２】
ＪＩＳ  Ｒ３１０６およびＺ８７０１による膜形成面側から測定した反射色が色度座標表示で０．２６＜ｘ＜０．３３、かつ０．２５＜ｙ＜０．３５である請求項１〜１１のいずれかに記載の防曇防汚物品。
【請求項１３】
透明基板上に、成膜時の圧力が１．０Ｐａ以上の条件で反応性スパッタ法により光触媒活性を有する金属酸化物半導体を主成分とする膜を形成する工程と、成膜時の圧力が０．８Ｐａ以上の条件で反応性スパッタ法により二酸化シリコンを主成分とする膜を前記金属酸化物半導体を主成分とする膜の上に形成する工程と、を含むことを特徴とする防曇防汚物品の製造方法。
【請求項１４】
透明基板としてガラス基板を用い、多層膜を成膜した後に３００〜６５０℃の熱処理を施すことを特徴とする請求項１３に記載の防曇防汚物品の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月1日(2004.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
式（１）：
【化１】
2003176354.tif 000001
で示される３，３′，４，４′−オキシジフタル酸二無水物を主成分とするテトラカルボン酸無水物と、式（２）：
Ｈ2Ｎ−Ｒ−ＮＨ2            （２）
（式中、Ｒは、炭素数４〜１２の直鎖状又は分岐状脂肪族炭化水素残基である）で示されるジアミンを主成分とするジアミンとを反応させて得られるポリイミド｛ここで、式（１）で示される３，３′，４，４′−オキシジフタル酸二無水物は、当該ポリイミドの酸無水物成分の８０重量％以上であり、式（２）で示されるジアミンは、当該ポリイミドのジアミン成分の８０重量％以上である｝からなるポリイミドフイルム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
で示される３，３′，４，４′−オキシジフタル酸二無水物を主成分とするテトラカルボン酸無水物と、式（２）：
Ｈ2Ｎ−Ｒ−ＮＨ2            （２）
（式中、Ｒは、炭素数４〜１２の直鎖状又は分岐状脂肪族炭化水素残基である）で示されるジアミンを主成分とするジアミンとを反応させて得られるポリイミド｛ここで、式（１）で示される３，３′，４，４′−オキシジフタル酸二無水物は、当該ポリイミドの酸無水物成分の８０重量％以上であり、式（２）で示されるジアミンは、当該ポリイミドのジアミン成分の８０重量％以上である｝からなるポリイミドフイルムである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
実施例１
ヘキサメチレンジアミン４．６４８g（０．０４モル）を窒素雰囲気下にてＮ−メチルピロリドン８０gに溶解した。次に、３，３′，４，４′−オキシジフタル酸二無水物１２．４０９g（０．０４モル）を、発熱による温度上昇を抑制しながら徐々に添加した。添加後、室温で更に６時間攪拌しながら反応させ、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸を得た。このポリアミド酸の粘度を測定したところ、３２００mPa・sであった。得られたポリアミド酸をガラス基盤上に塗布して薄膜を形成し、これを熱風乾燥機中１２０℃で１５分更に２００℃で１５分加熱して、厚み４０±５μmのポリイミドフイルムを得た。このフイルムの赤外線吸収スペクトルを測定したところ、ポリイミド前駆体であるポリアミド酸の吸収は見られず、１７８０cm-1付近にイミド基の特性吸収が見られた。上記で得られたポリイミドフイルムについて、４００nm、５００nmでの透過率及び色差計によるｂ値、並びにＤＳＣ、ＴＧＡにて熱的性質を測定した。その結果を表１に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月1日(2004.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式〔Ｉ〕で表されるフェノール類と一般式〔ＩＩ〕で表されるアルデヒド類をアルカリ触媒下において縮合させた後、一般式〔ＩＩＩ〕で表される多価カルボン酸を用いて反応系を中和することにより、次工程の脱水処理の際に中和塩が析出しないので、中和塩を除去する工程を必要とせず、生成した樹脂をフォーム化する際に発泡時の酸臭気が発生しないことを特徴とするレゾール樹脂の製造方法。
【化１】
（Ｘ、Ｙ、Ｚは同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、またはハロゲン原子を示す。）
【化２】
（Ｒ０は水素原子または１〜８個の炭素原子を有する炭化水素基を示す。）
【化３】
（式中、ｌ、ｎは０または１〜１０の整数を表し、ｍは０又は１〜５の整数を表し、ｌ＋２ｍ＋ｎ＝１〜１０である。
Ｒ１〜Ｒ６は同一でも異なってもよく、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、ハロゲン原子、カルボキシル基または水酸基を示す。）
【請求項２】
前記したアルカリ触媒がアルカリ金属塩である請求項１記載のレゾール樹脂の製造方法。
【請求項３】
前記したレゾール樹脂がフェノールフォーム原料であることを特徴とする請求項１または請求項２記載のレゾール樹脂の製造方法。
【請求項４】
一般式〔Ｉ〕で表されるフェノール類と一般式〔ＩＩ〕で表されるアルデヒド類をアルカリ触媒下において縮合させた後、一般式〔ＩＩＩ〕で表される多価カルボン酸を用いて反応系を中和することにより、次工程の脱水処理の際に中和塩が析出しないので、中和塩を除去する工程を必要とせず、生成した樹脂をフォーム化する際に発泡時の酸臭気が発生しないことを特徴とする製造方法で製造されたレゾール樹脂。
【請求項５】
前記したアルカリ触媒がアルカリ金属塩である請求項４記載の製造方法で製造されたレゾール樹脂。
【請求項６】
前記したレゾール樹脂がフェノールフォーム原料であることを特徴とする請求項４または請求項５記載の製造方法で製造されたレゾール樹脂。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月5日(2005.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
当該脱脂乾燥菌体2ｇに0.1mol/L NaOH 200mLを加えて懸濁し、NaClO（アンチホルミン、和光純薬工業株式会社製）をそれぞれ有効塩素濃度が0.5％〜1.5％となるように添加して、4℃で一夜撹拌し酸化分解した。得られた酸化物を3,000rpm、10分間遠心分離し沈殿物を得、(1→3)-β-D-グルカンを含まない蒸留水200mLを加え、撹拌後遠心分離（3,000rpm、10分）し、その沈殿物にアセトン200mLを加え脱水沈殿物として各々の菌株由来の本発明物質１を得た（アスペルギルス・フミガタス由来の本発明物質1をグルカン１−ｆ、同様にアスペルギルス・ニガー由来をグルカン１−ｎ、アスペルギルス・オリゼー由来をグルカン１−ｏ（有効塩素濃度1.5％の次亜塩素酸処理して得られたものをグルカン１−ｏ−１とし、有効塩素濃度0.5％の次亜塩素酸処理して得られたものをグルカン１−ｏ−２とした）とした）。収量はそれぞれ350mg程度であった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、対照として使用するためにカンジダ・アルビカンス（Candida albicans：IFO1385）を用いて同様の手法で対照物質（対照１：有効塩素濃度1.5％の次亜塩素酸処理によって得られたものを対照１−１とし、有効塩素濃度0.5％の次亜塩素酸処理をして得られたものを対照１−２とした）を調製した。
得られた各サンプルの収量と収率、使用した有効塩素濃度は以下の通りであった（表１）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
実施例２
本発明物質２の調製
上記実施例１で2gの脱脂乾燥菌体を有効塩素濃度0.5％で処理して得られたグルカン１−ｆ（IFO-4400由来及びIFO-30870由来）、１−ｎ、１−ｏ−２の全量にDMSO 30mLを加え、1時間超音波をかけて溶解させた。3,000rpm、10分間遠心分離し、上清を得、該上清に4倍量のエタノールを撹拌しながら加えてグルカンを析出させた後、該析出物を15,000rpm、15分間遠心分離し、沈殿物を得た。該沈殿物にアセトンを100mL加え撹拌し、3,000rpm、10分間遠心分離して脱水した沈殿物を得、減圧乾燥して本発明物質２の粉末を得た。グルカン１−ｆ由来の本発明物質２をグルカン２−ｆ，同様にグルカン１−ｎ由来をグルカン２−ｎ，グルカン１−ｏ−２由来をグルカン２−ｏとした。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月10日(2005.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水酸基を有する架橋重合体粒子（Ａ）に、架橋性エポキシ化合物（Ｂ）を反応させた後、オキシラン環を加水分解し、次いで得られた水酸基を有する化合物に、総炭素数６〜４０のエポキシ化合物（Ｃ）を反応させて得られる疎水性重合体粒子。
【請求項２】
水酸基を有する架橋重合体粒子（Ａ）が、多価アルコールのポリ（メタ）アクリレートのうち分子内に少なくとも１個の水酸基を有するもの（Ｉ）、グリシジル（メタ）アクリレート（II）、及び多価アルコールのポリ（メタ）アクリレートのうち分子内に水酸基をもたないもの（III）から、（Ｉ）または（II）を必ず含む組み合わせで選ばれる２種以上のモノマーによる共重合体、または（Ｉ）から選ばれるモノマーの単独重合体のいずれかである請求項１に記載の疎水性重合体粒子。
【請求項３】
分子内に少なくとも１個の水酸基を有する多価アルコールのポリ（メタ）アクリレート（Ｉ）がグリセリンジメタクリレートであり、グリシジル（メタ）アクリレート（II）がグリシジルメタクリレートであり、分子内に水酸基をもたない多価アルコールのポリ（メタ）アクリレート（III）がアルキレングリコールジメタクリレートである請求項２に記載の疎水性重合体粒子。
【請求項４】
前記アルキレングリコールジメタクリレートがエチレングリコールジメタクリレートである請求項３に記載の疎水性重合体粒子。
【請求項５】
前記架橋性エポキシ化合物（Ｂ）が、エピハロヒドリンまたはオキシラン環を２個以上含むエポキシ化合物群から選択される化合物である請求項１に記載の疎水性重合体粒子。
【請求項６】
前記オキシラン環を２個以上含むエポキシ化合物群が、エチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、ブチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールトリグリシジルエーテル、またはトリグリシジルイソシアヌレートである請求項５に記載の疎水性重合体粒子。
【請求項７】
前記総炭素数６〜４０のエポキシ化合物（Ｃ）が下記一般式（１）〜（４）
一般式（１）
【化１】
2003176363.tif 000001
（式中ｎは４〜３８の整数を示す）
一般式（２）
【化２】
2003176363.tif 000002
（式中ｎは３〜３７の整数を示す）
一般式（３）
【化３】
2003176363.tif 000003
（式中ｎは０〜３２の整数を示す）
一般式（４）
【化４】
2003176363.tif 000004
（式中ｎは０〜３１の整数を示す）
からなる群より選択される化合物である請求項１に記載の疎水性重合体粒子。
【請求項８】
前記総炭素数６〜４０のエポキシ化合物（Ｃ）がステアリルグリシジルエーテルである請求項７に記載の疎水性重合体粒子。
【請求項９】
平均粒子径が１〜2000μｍである請求項１乃至８のいずれかに記載の疎水性重合体粒子。
【請求項１０】
水酸基を有する架橋重合体粒子（Ａ）に架橋性エポキシ化合物（Ｂ）を反応させた後、オキシラン環を加水分解させ、次いで総炭素数６〜４０のエポキシ化合物（Ｃ）を反応させることを特徴とする疎水性重合体粒子の製造方法。
【請求項１１】
前記水酸基を有する架橋重合体粒子（Ａ）とオキシラン環を２個以上含むエポキシ化合物群との反応を、ルイス酸存在下、低極性溶媒中で行うことを特徴とする請求項１０に記載の疎水性重合体粒子の製造方法。
【請求項１２】
前記総炭素数６〜４０のエポキシ化合物（Ｃ）を反応させる際、ルイス酸存在下、低極性溶媒中で行う請求項１０に記載の疎水性重合体粒子の製造方法。
【請求項１３】
低極性溶媒が総炭素数５〜１０の炭化水素である請求項１１または１２に記載の疎水性重合体粒子の製造方法。
【請求項１４】
ルイス酸の濃度が架橋重合体粒子に対して１〜７０質量％であることを特徴とする請求項１１または１２に記載の疎水性重合体粒子の製造方法。
【請求項１５】
疎水性重合体粒子の平均粒子径が１〜2000μｍである請求項１０ないし１４のいずれかに記載の疎水性重合体粒子の製造方法。
【請求項１６】
請求項１ないし９のいずれかに記載の疎水性重合体粒子を充填した逆相液体クロマトグラフィー用カラム。
【請求項１７】
請求項１６に記載の逆相液体クロマトグラフィー用カラムを用いることを特徴とする多環芳香族化合物を含む試料の分析方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月19日(2005.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）１種以上の脂環式エポキシ樹脂、（Ｂ）ヘキサヒドロ−４−メチルフタル酸無水物からなる硬化剤、（Ｃ）実質的にハロゲンを含まない１種以上のホウ素含有触媒、及び（Ｄ）１種以上の硬化調整剤を含む、固体素子デバイス封入用の硬化性エポキシ樹脂組成物。
【請求項２】
前記ホウ素含有触媒（Ｃ）がホウ酸エステル又はボロキシンからなる請求項１記載の組成物。
【請求項３】
前記硬化調整剤（Ｄ）がアルコール及びホスファイトからなる群から選択される１種以上からなる、請求項１記載の組成物。
【請求項４】
熱安定剤、紫外線安定剤、カップリング剤及び屈折率調整剤のうちの１種以上をさらに含む、請求項１記載の組成物。
【請求項５】
（Ａ）３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、（Ｂ）ヘキサヒドロ−４−メチルフタル酸無水物、（Ｃ）トリメトキシボロキシン並びに（Ｄ）２，５−ヘキサンジオール及びトリフェニルホスファイトを含んでいて、成分（Ａ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の合計重量を基準として６０重量％より多いレベルで存在し、成分（Ｃ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の合計重量を基準として１〜６重量％の範囲内のレベルで存在し、成分（Ｄ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の合計重量を基準として１〜６重量％の範囲内のレベルで存在し、かつ成分（Ｂ）と成分（Ａ）とのモル比は０．３７未満である、固体素子デバイス封入用の硬化性エポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
（ａ）パッケージ、（ｂ）チップ（４）、及び（ｃ）封入剤（１１）を含むパッケージ固体素子デバイスであって、前記封入剤（１１）が（Ａ）１種以上の脂環式エポキシ樹脂、（Ｂ）ヘキサヒドロ−４−メチルフタル酸無水物からなる硬化剤、（Ｃ）実質的にハロゲンを含まない１種以上のホウ素含有触媒、及び（Ｄ）１種以上の硬化調整剤を含むパッケージ固体素子デバイス。
【請求項７】
（ａ）パッケージ、（ｂ）チップ（４）、及び（ｃ）封入剤（１１）を含むパッケージ固体素子デバイスであって、前記封入剤（１１）が（Ａ）３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、（Ｂ）ヘキサヒドロ−４−メチルフタル酸無水物、（Ｃ）トリメトキシボロキシン並びに（Ｄ）２，５−ヘキサンジオール及びトリフェニルホスファイトを含んでいて、成分（Ａ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の合計重量を基準として６０重量％より多いレベルで存在し、成分（Ｃ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の合計重量を基準として１〜６重量％の範囲内のレベルで存在し、成分（Ｄ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の合計重量を基準として１〜６重量％の範囲内のレベルで存在し、かつ成分（Ｂ）と成分（Ａ）とのモル比は０．３７未満である、パッケージ固体素子デバイス。
【請求項８】
（ａ）パッケージ、（ｂ）ＬＥＤ（１、２、３）チップ（４）、及び（ｃ）封入剤（１１）を含むＬＥＤ（１、２、３）素子であって、前記封入剤（１１）が（Ａ）３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、（Ｂ）ヘキサヒドロ−４−メチルフタル酸無水物、（Ｃ）トリメトキシボロキシン並びに（Ｄ）２，５−ヘキサンジオール及びトリフェニルホスファイトを含んでいて、成分（Ａ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の合計重量を基準として６０重量％より多いレベルで存在し、成分（Ｃ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の合計重量を基準として１〜６重量％の範囲内のレベルで存在し、成分（Ｄ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の合計重量を基準として１〜６重量％の範囲内のレベルで存在し、かつ成分（Ｂ）と成分（Ａ）とのモル比は０．３７未満である、ＬＥＤ（１、２、３）素子。
【請求項９】
パッケージ内に固体素子デバイスを配置する工程と、（Ａ）１種以上の脂環式エポキシ樹脂、（Ｂ）ヘキサヒドロ−４−メチルフタル酸無水物からなる硬化剤、（Ｃ）実質的にハロゲンを含まない１種以上のホウ素含有触媒、及び（Ｄ）１種以上の硬化調整剤を含む封入剤（１１）を供給する工程とを含む、固体素子デバイスの封入方法。
【請求項１０】
パッケージ内にＬＥＤ（１、２、３）素子を配置する工程と、（Ａ）３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３，４−エポキシシクロヘキサンカルボキシレート、（Ｂ）ヘキサヒドロ−４−メチルフタル酸無水物、（Ｃ）トリメトキシボロキシン並びに（Ｄ）２，５−ヘキサンジオール及びトリフェニルホスファイトを含む封入剤（１１）であって、成分（Ａ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の合計重量を基準として６０重量％より多いレベルで存在し、成分（Ｃ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の合計重量を基準として１〜６重量％の範囲内のレベルで存在し、成分（Ｄ）は成分（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）の合計重量を基準として１〜６重量％の範囲内のレベルで存在し、かつ成分（Ｂ）と成分（Ａ）とのモル比は０．３７未満である封入剤（１１）を供給する工程とを含む、ＬＥＤ（１、２、３）素子の封入方法。