Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月21日(2021.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス通信の方法であって、
第1のワイヤレス通信デバイスによって、セルに関連付けられたスクランブリングシーケンスを狭帯域IoT(NB-IoT)物理ランダムアクセスチャネル(NPRACH)信号に含まれる反復におけるシンボルグループのセットに適用するステップと、
前記第1のワイヤレス通信デバイスによって、前記スクランブリングシーケンスを前記シンボルグループのセットに前記適用するステップの後に、前記セルに関連付けられた第2のワイヤレス通信デバイスに前記シンボルグループのセットを送信するステップと
を備える方法。
【請求項２】
前記シンボルグループのセットが4つのシンボルグループを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記スクランブリングシーケンスがセルに依存する、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記スクランブリングシーケンスを前記適用するステップが、位相シフトを前記シンボルグループのセットのうちの1つまたは複数のシンボルグループに適用するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記第1のワイヤレス通信デバイスによって、前記セルに関連付けられた周波数シフトを前記反復における前記シンボルグループのセットに適用するステップを備え、前記送信するステップが、前記周波数シフトを前記適用するステップの後に、前記シンボルグループのセットを送信するステップを含む、
請求項1に記載の方法。
【請求項６】
各シンボルグループがシンボルのグループを含み、各シンボルが単一のトーン送信である、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
ワイヤレス通信のためのシステムであって、
セルに関連付けられたスクランブリングシーケンスを狭帯域IoT(NB-IoT)物理ランダムアクセスチャネル(NPRACH)信号に含まれる反復におけるシンボルグループのセットに適用するスクランブラと、
前記スクランブリングシーケンスが前記シンボルグループのセットに適用された後に、前記セルに関連付けられた第1のワイヤレス通信デバイスに前記シンボルグループのセットを送信するトランシーバと
を備え、
前記システムは、前記スクランブラおよび前記トランシーバを含む第2のワイヤレス通信デバイスをさらに備える、システム。
【請求項８】
ワイヤレス通信のための装置であって、
セルに関連付けられたスクランブリングシーケンスを狭帯域IoT(NB-IoT)物理ランダムアクセスチャネル(NPRACH)信号に含まれる反復におけるシンボルグループのセットに適用するための手段と、
前記スクランブリングシーケンスが前記シンボルグループのセットに適用された後に、前記シンボルグループのセットを送信するための手段と
を備える装置。
【請求項９】
ワイヤレス通信の方法であって、
第1のワイヤレス通信デバイスによって、セルに関連付けられた周波数シフトを狭帯域IoT(NB-IoT)物理ランダムアクセスチャネル(NPRACH)信号に含まれる反復におけるシンボルグループのセットに適用するステップと、
前記第1のワイヤレス通信デバイスによって、前記周波数シフトが前記シンボルグループのセットに適用された後に、前記セルに関連付けられた第2のワイヤレス通信デバイスに前記シンボルグループのセットを送信するステップと
を備える方法。
【請求項１０】
前記第1のワイヤレス通信デバイスによって、前記セルに関連付けられたスクランブリングシーケンスを前記反復における前記シンボルグループのセットに適用するステップをさらに備え、前記送信するステップが、前記スクランブリングシーケンスを前記シンボルグループのセットに前記適用するステップの後に、前記第2のワイヤレス通信デバイスに前記シンボルグループのセットを送信するステップをさらに含む、
請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
ワイヤレス通信のためのシステムであって、
セルに関連付けられた周波数シフトを狭帯域IoT(NB-IoT)物理ランダムアクセスチャネル(NPRACH)信号に含まれる反復におけるシンボルグループのセットに適用する周波数シフタと、
前記周波数シフトが前記シンボルグループのセットに適用された後に、前記セルに関連付けられた第1のワイヤレス通信デバイスに前記シンボルグループのセットを送信するトランシーバと
を備え、
前記システムは、前記周波数シフタおよび前記トランシーバを含む第2のワイヤレス通信デバイスをさらに備える、システム。
【請求項１２】
ワイヤレス通信のための装置であって、
セルに関連付けられた周波数シフトを狭帯域IoT(NB-IoT)物理ランダムアクセスチャネル(NPRACH)信号に含まれる反復におけるシンボルグループのセットに適用するための手段と、
前記周波数シフトが前記シンボルグループのセットに適用された後に、前記セルに関連付けられた第1のワイヤレス通信デバイスに前記シンボルグループのセットを送信するための手段と
を備える装置。
【請求項１３】
ワイヤレス通信の方法であって、
シンボルグループ間の1つまたは複数の位相シフトを検出するステップと、
2つ以上の位相シフトの差がセルに関連付けられた予想される位相シフト値のセットに一致するかどうかを決定するステップと、
前記2つ以上の位相シフトの差が前記予想される位相シフト値のセットに一致するとの決定に応答して、前記シンボルグループを含む信号を検出するステップと、
前記2つ以上の位相シフトの差が前記予想される位相シフト値のセットに一致しないとの決定に応答して、前記シンボルグループを含む前記信号を無視するステップと
を備える方法。
【請求項１４】
ワイヤレス通信の方法であって、
シンボルグループ間の周波数シフトを検出するステップと、
2つ以上の周波数シフトの差がセルに関連付けられた予想される周波数シフト値のセットに一致するかどうかを決定するステップと、
前記2つ以上の周波数シフトの差が前記予想される周波数シフト値のセットに一致するとの決定に応答して、前記シンボルグループを含む信号を検出するステップと、
前記2つ以上の周波数シフトの差が前記予想される周波数シフト値のセットに一致しないとの決定に応答して、前記シンボルグループを含む前記信号を無視するステップと
を備える方法。
【請求項１５】
コンピュータに請求項1乃至6、9、10、13、14のいずれか1項に記載の方法をコンピュータに実行させるための命令を含むコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月19日(2021.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス通信の方法であって、
サブ物理リソースブロック(PRB)リソース割振りおよび1つまたは複数のPRBのリソース割振りを使用することが可能なユーザ機器(UE)によって、1つより少ないPRBのアップリンクリソース割振りを識別する許可を受信するステップであって、前記許可が、前記アップリンクリソース割振りが含まれる特定のPRBと、前記UEのために割り振られるサブキャリアの少なくともあるグループとを識別する、ステップと、
前記UEによって、前記アップリンクリソース割振りを使用してアップリンクデータを送信するステップとを備える、
方法。
【請求項２】
前記UEが、カテゴリM UE、カテゴリM1 UE、またはカテゴリM2 UEを含む、
請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記アップリンクリソース割振りがさらに、前記特定のPRBが含まれる狭帯域を識別する、
請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記特定のPRBが、前記UEがその上で通信するように構成される狭帯域のすべてのPRBより少ないものを含むPRBのあらかじめ定められたグループから選択される、
請求項1に記載の方法。
【請求項５】
PRBの前記あらかじめ定められたグループの構成が無線リソース制御シグナリングを使用して示される、
請求項4に記載の方法。
【請求項６】
前記特定のPRBが、前記特定のPRBが狭帯域に含まれないことに少なくとも部分的に基づいて選択される、
請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記特定のPRBが、前記特定のPRBがガードバンドに含まれることに少なくとも部分的に基づいて選択される、
請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記アップリンクリソース割振りが、前記許可に関連付けられる反復レベルとのジョイントコーディングに少なくとも部分的に基づいて識別される、
請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記アップリンクリソース割振りがトランスポートブロックに関連付けられ、
前記アップリンクリソース割振りが、第1の数のサブキャリアおよび第2の数のサブキャリアを含む少なくとも1つのリソースユニットに前記トランスポートブロックをマッピングし、
前記許可が、前記トランスポートブロックがマッピングされるべきリソースユニットの数を示す、
請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記トランスポートブロックのトランスポートブロックサイズが、リソースユニットの前記数に少なくとも部分的に基づいて判定される、
請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記トランスポートブロックの変調次数が、前記トランスポートブロックの判定された変調次数が2より大きいとき、四位相偏移変調または二位相偏移変調を用いて上書きされる、
請求項10に記載の方法。
【請求項１２】
サブキャリアの前記グループが、前記特定のPRBのサブキャリアの複数の重複しないグループから選択される、
請求項1に記載の方法。
【請求項１３】
前記UEがさらに、少なくとも1つのPRBの第2のリソース割振りを受信するように構成され、前記第2の許可のPRBの数が前記UEの最大送信帯域幅に少なくとも部分的に基づく、
請求項1に記載の方法。
【請求項１４】
ワイヤレス通信のためのユーザ機器(UE)であって、
1つより少ない物理リソースブロック(PRB)のアップリンクリソース割振りを識別する許可を受信するための手段であって、前記許可が、前記アップリンクリソース割振りが含まれる特定のPRBと、前記UEのために割り振られるサブキャリアの少なくともあるグループとを識別し、前記UEが、サブPRBリソース割振りおよび1つまたは複数のPRBのリソース割振りを使用することが可能である、受信するための手段と、
前記アップリンクリソース割振りを使用してアップリンクデータを送信するための手段とを備える、
UE。
【請求項１５】
コンピュータに請求項1から13のいずれか一項に記載の方法を実行させるプログラムコードを含む、コンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月23日(2021.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークエンティティによるワイヤレス通信のための方法であって、
1つまたは複数の基準信号(RS)に基づいて無線リンクモニタリング(RLM)に対する1つまたは複数の帯域幅パート(BWP)を決定するステップと、
前記1つまたは複数のRSをモニタするように、最大チャネル帯域幅内で前記1つまたは複数のBWPを示すRS構成をユーザ機器(UE)に送信するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記RS構成を送信するステップが、
前記1つまたは複数のRSのうちの少なくとも1つのRLMに対する干渉測定(IMR)を実行するように前記UEを構成するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記RLMが、RS測定値に加えて、IMRを入力として用いるか、
前記RLMが、1つまたは複数のBWP内で前記IMRを使用するか、または
前記RLMが、前記IMRの長期の平均化を使用する、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
前記RS構成が、1つまたは複数のビームペアリンク(BPL)をモニタするため、前記UEに送信される、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記RS構成が、1つまたは複数のBWPに固有のものである、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
前記RS構成を送信するステップが、
前記1つまたは複数のRSをモニタするように前記UEに通知するステップを含み、前記1つまたは複数のRSが、NR同期信号(NR-SS)、時間基準信号(TRS)、チャネル状態情報基準信号(CSI-RS)、および復調基準信号(DMRS)のうちの1つまたは複数を含む、請求項4に記載の方法。
【請求項７】
前記RS構成を送信するステップが、
1つまたは複数のアンテナポート、RS信号時間構成、RS信号周波数構成、またはサブフレーム構成のうちの少なくとも1つを指定するステップを含む、請求項4に記載の方法。
【請求項８】
前記RS構成を送信するステップが、
RLMの目的に対してBWPの優先度を構成するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記RS構成を送信するステップが、
1つまたは複数のBWPを1次として構成し、かつ他のBWPを2次として構成するステップを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記UEを構成するステップが、
各BWP上で実行されるようにRLMを構成するステップを含み、RLMが、個々のBWP RS測定値に基づく、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
ユーザ機器(UE)によるワイヤレス通信のための方法であって、
基準信号(RS)構成を無線アクセスネットワーク(RAN)から受信するステップと、
前記RS構成に基づいて最大チャネル帯域幅内でモニタするために1つまたは複数の帯域幅パート(BWP)を決定するステップと、
前記RS構成に基づいて前記最大チャネル帯域幅内で前記1つまたは複数のBWP上の1つまたは複数のRSをモニタするステップと
を含む、方法。
【請求項１２】
前記1つまたは複数のRSをモニタしている間に取得されるBWP測定値に基づいて、1つまたは複数の同期および同期外れ(IS/OOS)の表示を生成するステップをさらに含む、請求項11に記載の方法。
【請求項１３】
前記IS/OOSが、1つまたは複数のBWPに基づく、請求項12に記載の方法。
【請求項１４】
ネットワークエンティティによるワイヤレス通信のための装置であって、
1つまたは複数の基準信号(RS)に基づいて無線リンクモニタリング(RLM)に対する1つまたは複数の帯域幅パート(BWP)を決定するための手段と、
前記1つまたは複数のRSをモニタするように、最大チャネル帯域幅内で前記1つまたは複数のBWPを示すRS構成をユーザ機器(UE)に送信するための手段と
を含む、装置。
【請求項１５】
ユーザ機器(UE)によるワイヤレス通信のための装置であって、
無線アクセスネットワーク(RAN)から基準信号(RS)構成を受信するための手段と、
前記RS構成に基づいて最大チャネル帯域幅内でモニタするために1つまたは複数の帯域幅パート(BWP)を決定するための手段と、
前記RS構成に基づいて前記最大チャネル帯域幅内で前記1つまたは複数のBWP上の1つまたは複数のRSをモニタするための手段と
を含む、装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月10日(2021.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にハードマスクを形成する方法であって、
ターゲット層を有する基板を処理チャンバ内に位置づけすることと、
金属ケイ素化合物を含むシード層を前記ターゲット層上に形成することと、
タングステン系バルク層を前記シード層上に堆積させることと
を含み、
前記金属ケイ素化合物層と前記タングステン系バルク層とにより前記ハードマスクが形成される、方法。
【請求項２】
金属ケイ素化合物を含むシード層を前記ターゲット層上に形成することは、
（Ａ）第１の時間間隔の間に、金属六フッ化物をガスアプリケータから前記処理チャンバの中へ流入させることと、
（Ｂ）第２の時間間隔の間に、前記金属六フッ化物を前記処理チャンバから除去することと、
（Ｃ）第３の時間間隔の間に、シランを前記ガスアプリケータから前記処理チャンバの中へ流入させることと、
（Ｄ）第４の時間間隔の間に、前記シランを前記処理チャンバから除去することと、
（Ｅ）（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）を繰り返すことと
を含み、前記第１、第２、第３及び第４の時間間隔が１つの時間サイクルを構成している、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記シード層を形成する前に、前記ターゲット層をシランに暴露すること
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ハードマスクにパターンを形成することと、
パターン形成された前記ハードマスクを通して前記ターゲット層をエッチングすることと、
前記ハードマスクを除去することと
を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ターゲット層は、酸化ケイ素、窒化ケイ素、アモルファスシリコン及びポリシリコンのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記タングステン系バルク層は、タングステン、炭化タングステン、窒化タングステン、炭窒化タングステン、タングステンホウ素炭化物及びタングステンホウ素窒化物のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記シード層の厚さが、約１ｎｍと約１００ｎｍの間である、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記タングステン系バルク層の厚さが、約１０ｎｍと約５０００ｎｍの間である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
基板上に層を形成する方法であって、
ターゲット層を有する基板を処理チャンバ内に位置づけすることと、
アルゴン又はヘリウムを含む不活性ガスをガスアプリケータから前記処理チャンバの中へ流入させることと、
プラズマを前記処理チャンバ内で活性化させることと、
前記プラズマの存在下で金属ケイ素化合物を含むシード層を前記ターゲット層上に形成することと
を含む方法。
【請求項１０】
前記シード層を形成することが、
（Ａ）第１の時間間隔の間に、アルゴンを混合した金属六フッ化物をガスアプリケータから前記処理チャンバの中へ流入させることと、
（Ｂ）第２の時間間隔の間に、前記アルゴンを混合した金属六フッ化物を前記処理チャンバから除去することと、
（Ｃ）第３の時間間隔の間に、ヘリウムを混合したシランを前記ガスアプリケータから前記処理チャンバの中へ流入させることと、
（Ｄ）第４の時間間隔の間に、前記ヘリウムを混合したシランを前記処理チャンバから除去することと、
（Ｅ）（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）を繰り返すことと
を含み、前記第１、第２、第３及び第４の時間間隔が１つの時間サイクルを構成している、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記シード層は、ケイ化タングステン、ケイ化チタン、又はケイ化モリブデンを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記シード層を形成することが更に、
シリコンリッチシード層を形成すること
を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
プラズマ処理チャンバ部品を調整する方法であって、
アルゴン又はヘリウムを含む不活性ガスをガスアプリケータから前記プラズマ処理チャンバの中へ流入させることと、
基板支持体を前記プラズマ処理チャンバ内でプラズマに暴露することと、
金属ケイ素化合物を含むシーズニング層を前記基板支持体のアルミニウム系表面上に形成することと
を含む方法。
【請求項１４】
前記シーズニング層の厚さは、約１０ｎｍと約１００００ｎｍの間である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
金属ケイ素化合物を含む前記シーズニング層を形成することは、
（Ａ）第１の時間間隔の間に、アルゴンを混合した金属六フッ化物を前記ガスアプリケータから前記プラズマ処理チャンバの中へ流入させることと、
（Ｂ）第２の時間間隔の間に、前記アルゴンを混合した金属六フッ化物を前記プラズマ処理チャンバから除去することと、
（Ｃ）第３の時間間隔の間に、ヘリウムを混合したシランを前記ガスアプリケータから前記プラズマ処理チャンバの中へ流入させることと、
（Ｄ）第４の時間間隔の間に、前記ヘリウムを混合したシランを前記プラズマ処理チャンバから除去することと、
（Ｅ）（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｄ）を繰り返すことと
を含み、前記第１、第２、第３及び第４の時間間隔が１つの時間サイクルを構成している、請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記第１、第２、第３、及び第４の時間間隔がそれぞれ、約０．１秒と約１００秒の間である、請求項２又は１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記第１の時間間隔及び前記第３の時間間隔が、繰り返しごとに増加する、請求項２又は１５に記載の方法。
【請求項１８】
処理チャンバであって、
チャンバ領域が内部に画定されたチャンバ本体と、
前記チャンバ領域内に配置された基板支持体と、
前記チャンバ本体に連結されたリッドと、
前記リッドを通して前記チャンバ領域に流体接続されたガスアプリケータと
を含み、前記ガスアプリケータは、
管状本体と、
前記管状本体を通して形成され、前記チャンバ領域に流体連結された通路と、
前記管状本体を通して形成され、第１のガスを前記通路の中へ送るように構成された第１の交差孔と、
前記管状本体を通して形成され、前記管状本体の中心線に対して前記第１の交差孔の下に軸方向に間隔を置いて配置され、第２のガスを前記通路の中へ送るように構成された第２の交差孔と
を含む、処理チャンバ。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月12日(2021.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超小型電子システムを形成するための方法であって、
ウェハ構成要素から複数の半導体ダイ構成要素を個片化することであって、前記半導体ダイ構成要素が各々、実質的に平坦な表面を有する、個片化することと、
前記複数の半導体ダイ構成要素の縁部から材料の粒子及び破片を除去することと、
前記複数の半導体ダイ構成要素の前記実質的に平坦な表面を、事前選択された深さ又は事前選択された持続時間にエッチングすることと、
前記複数の半導体ダイ構成要素のうちの１つ以上を、前記実質的に平坦な表面を介して、準備された接合表面に接合することと、を含む、方法。
【請求項２】
前記複数の半導体ダイ構成要素の前記縁部をエッチングして、前記複数の半導体ダイ構成要素の前記縁部から前記粒子及び破片を除去することを更に含む、請求項１に記載の超小型電子システムを形成するための方法。
【請求項３】
前記複数の半導体ダイ構成要素がダイシングキャリア上にある間に、前記複数の半導体ダイ構成要素の前記縁部をエッチングすることを更に含む、請求項２に記載の超小型電子システムを形成するための方法。
【請求項４】
ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）と共にフッ化水素酸及び硝酸を含む化学エッチング液を使用して、前記複数の半導体ダイ構成要素の前記縁部をエッチングすることを更に含む、請求項２に記載の超小型電子システムを形成するための方法。
【請求項５】
プラズマエッチングを使用して、前記複数の半導体ダイ構成要素の前記縁部をエッチングすることを更に含む、請求項２に記載の超小型電子システムを形成するための方法。
【請求項６】
前記複数の半導体ダイ構成要素の各々の前記縁部のうちの１つ以上において空間が創られるように、前記複数の半導体ダイ構成要素の前記縁部をエッチングして前記複数の半導体ダイ構成要素の厚さを低減することを更に含む、請求項２に記載の超小型電子システムを形成するための方法。
【請求項７】
前記半導体ダイ構成要素が、前記実質的に平坦な表面として酸化物層を含み、前記エッチングすることが、前記複数の半導体ダイ構成要素の前記縁部において前記酸化物層の少なくとも一部分を除去することを含む、請求項２に記載の超小型電子システムを形成するための方法。
【請求項８】
前記エッチングの前に、前記複数の半導体ダイ構成要素の前記実質的に平坦な表面に保護コーティングを塗布して、前記実質的に平坦な表面をエッチング液から保護することを更に含む、請求項２に記載の超小型電子システムを形成するための方法。
【請求項９】
個片化の後に前記複数の半導体ダイ構成要素を加熱して、前記複数の半導体ダイ構成要素の周辺部から前記保護コーティングを後退させることと、
前記複数の半導体ダイ構成要素の前記周辺部を事前選択された深さまでエッチングすることと、を更に含む、請求項８に記載の超小型電子システムを形成するための方法。
【請求項１０】
前記複数の半導体ダイ構成要素が、ベース半導体層の上に誘電体層を含み、前記複数の半導体ダイ構成要素の前記周辺部をエッチングすることが、前記誘電体層を除去することと、前記複数の半導体ダイ構成要素の前記周辺部に前記ベース半導体層を露出させることと、を含む、請求項９に記載の超小型電子システムを形成するための方法。
【請求項１１】
さらに、前記複数の半導体ダイ構成要素の前記周辺部において前記誘電体層に加えて前記複数の半導体ダイ構成要素の一部を除去することを含む、請求項１０に記載の超小型電子システムを形成するための方法。
【請求項１２】
さらに、前記ベース半導体層の面積が前記誘電体層の占有面積よりも小さいように、前記ベース半導体層の周辺部においてアンダーカットを形成することを含む、請求項１１に記載の超小型電子システムを形成するための方法。
【請求項１３】
さらに、前記準備された接合表面の面積が前記誘電体層の占有面積よりも小さいように、前記準備された接合表面の周辺部においてアンダーカットを形成することを含む、請求項１２に記載の超小型電子システムを形成するための方法。
【請求項１４】
さらに、前記誘電体層の面積が前記ベース半導体層の占有面積よりも小さいように、前記誘電体層の周辺部においてアンダーカットを形成することを含む、請求項１０に記載の超小型電子システムを形成するための方法。
【請求項１５】
前記保護コーティングは、前記複数の半導体ダイ構成要素の少なくとも前記周辺部を露出させるようにパターン化されたレジスト層を備える、請求項８に記載の超小型電子システムを形成するための方法。
【請求項１６】
前記複数の半導体ダイ構成要素のうちの前記１つ以上が、接着剤を用いない直接接合技術又は金属間拡散接合のいずれかを使用して接合される、請求項１に記載の超小型電子システムを形成するための方法。
【請求項１７】
前記複数の半導体ダイ構成要素の側壁から材料の粒子及び破片を除去することを更に含み、前記粒子及び破片が、前記複数の半導体ダイ構成要素の前記側壁をエッチングすることによって、前記側壁から除去される、請求項１に記載の超小型電子システムを形成するための方法。
【請求項１８】
前記複数の半導体ダイ構成要素の側壁に材料の粒子及び破片をコーティングすることを更に含み、前記粒子及び破片が、前記複数の半導体ダイ構成要素の前記側壁上にコーティング層を堆積させることによって、前記側壁にコーティングされる、請求項１に記載の超小型電子システムを形成するための方法。
【請求項１９】
前記複数の半導体ダイ構成要素の前記側壁を、ガラス、ホウ素ドープガラス、又はリンドープガラスでスピンコーティング又はエレクトロコーティングすることを更に含む、請求項１８に記載の超小型電子システムを形成するための方法。
【請求項２０】
前記複数の半導体ダイ構成要素の前記側壁に、前記ガラス、前記ホウ素ドープガラス、又は前記リンドープガラスを、熱硬化することを更に含む、請求項１９に記載の超小型電子システムを形成するための方法。
【請求項２１】
超小型電子システムを形成するための方法であって、
ウェハ構成要素から複数の半導体ダイ構成要素を個片化することであって、前記半導体ダイ構成要素が各々、ベース半導体層の上に誘電体層を含むと共に、実質的に平坦な表面を有する、個片化することと、
前記複数の半導体ダイ構成要素の前記周辺部を、事前選択された深さ又は事前選択された持続時間にエッチングすることであって、前記複数の半導体ダイ構成要素の前記周辺部において前記誘電体層の少なくとも一部を除去することを含む前記エッチングすることと、
前記複数の半導体ダイ構成要素のうちの１つ以上を、前記実質的に平坦な表面を介して、準備された接合表面に接合することと、を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月3日(2021.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する方法であって、
金属含有層を上に有する基板を処理チャンバ内に設けることと、
前記基板をガスパルスシーケンスに暴露して、プラズマがない状態で前記金属含有層をエッチングすることであって、前記ガスパルスシーケンスが、任意の順序で、
ハロゲン含有ガスを含んでいる第１の反応ガスに前記基板を暴露することとであって、前記ハロゲン含有ガスが、ＴｉＦ４、ＴｉＣｌ４、ＴｉＢｒ４、及びＴｉＩ４からなる群から選択されるチタンハロゲン化物を含み、
アルキルアルミニウムを含んでいる第２の反応ガスに前記基板を暴露することと、
を含むことと、を含む方法。
【請求項２】
前記金属含有層が、ＴｉＯ２、ＴｉＮ、ＨｆＯ２、ＨｆＮ、ＺｒＯ２、ＺｒＮ、又はそれらの組み合わせを含んでいる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アルキルアルミニウムが、ＡｌＭｅ３、ＡｌＥｔ３、ＡｌＰｒ３、及びＡｌＢｕ３からなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記基板の温度が、約３００℃〜約５００℃である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
基板を処理する方法であって、
暴露された第１の材料層及び暴露された第２の材料層を有する基板を処理チャンバ内に設けることと、
前記基板をガスパルスシーケンスに暴露して、追加の材料層を前記暴露された第１の材料層上に選択的に堆積するが、前記暴露された第２の材料層上には堆積しないことであって、前記ガスパルスシーケンスが、任意の順序で、
ハロゲン含有ガスを含んでいる第１の反応ガスに前記基板を暴露することと、
アルキルアルミニウムを含んでいる第２の反応ガスに前記基板を暴露することと、
を含むことと、を含む方法。
【請求項６】
前記暴露された第１の材料層がアルミニウムを含んでいる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記暴露された第１の材料層が、Ａｌ金属、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、又はそれらの組み合わせを含んでいる、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記暴露された第２の材料層が、ＴｉＯ２、ＴｉＮ、ＨｆＯ２、ＨｆＮ、ＺｒＯ２、ＺｒＮ、又はそれらの組み合わせを含んでいる、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記ハロゲン含有ガスが、ＳｉＣｌ４、ＢＣｌ３、及びＣＣｌ４からなる群から選択される、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
前記ハロゲン含有ガスが、ＴｉＦ４、ＴｉＣｌ４、ＴｉＢｒ４、及びＴｉＩ４からなる群から選択されるチタンハロゲン化物を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項１１】
前記アルキルアルミニウムが、ＡｌＭｅ３、Ａｌｔ３、ＡｌＰｒ３、及びＡｌ（ｉ−Ｂｕ）３からなる群から選択される、請求項５に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板の温度が、約３００℃〜約５００℃である、請求項５に記載の方法。
【請求項１３】
前記追加の材料層がＴｉＡｌＯＸを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板を前記ガスパルスシーケンスに前記暴露することが、前記第２の材料層をエッチングする、請求項５に記載の方法。
【請求項１５】
基板を処理する方法であって、
暴露された金属含有材料及び暴露された誘電体材料を含んでいる基板を処理チャンバ内に設けることと、
前記誘電体材料上に金属含有層を、及び前記金属含有層上に追加の金属含有層を堆積することであって、前記追加の金属含有層の量が前記金属含有層の量よりも少量であることと、
前記基板をガスパルスシーケンスに暴露して、プラズマがない状態で前記金属含有層から前記追加の金属含有層を除去することであって、前記ガスパルスシーケンスが、任意の順序で、
ハロゲン含有ガスを含んでいる第１の反応ガスに前記基板を暴露することと、
アルキルアルミニウムを含んでいる第２の反応ガスに前記基板を暴露することと、
を含むことと、を含む方法。
【請求項１６】
前記金属含有層が、ＴｉＯ２、ＴｉＮ、ＨｆＯ２、ＨｆＮ、ＺｒＯ２、ＺｒＮ、又はそれらの組み合わせを含んでいる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ハロゲン含有ガスが、ＴｉＦ４、ＴｉＣｌ４、ＴｉＢｒ４、及びＴｉＩ４からなる群から選択されるチタンハロゲン化物を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記アルキルアルミニウムが、ＡｌＭｅ３、ＡｌＥｔ３、ＡｌＰｒ３、及びＡｌ（ｉ−Ｂｕ）３からなる群から選択される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記金属含有材料が、Ａｌ金属、Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、又はそれらの組み合わせを含んでいる、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記ハロゲン含有ガスが、ＳｉＣｌ４、ＢＣｌ３、及びＣＣｌ４からなる群から選択される、請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月7日(2021.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
ガスの流れを提供するように構成された複数のガス流れ開口部を有する表面を有するチャックであって、前記チャックの表面は、鉛直方向に対して垂直である平面内にある、チャックと、
前記チャックの外側縁の周りに配設された複数の縁把持部であって、前記縁把持部のうちの１個は、前記把持部の残りのものと反対方向に押圧されるように構成され、前記縁把持部のそれぞれは、
点の周りを枢動するように構成されたフィンガと、
ウェハと接触するように構成された接触パッドと、
前記接触パッドと前記フィンガとの間に配設された湾曲部であって、前記湾曲部は、前記鉛直方向に前記チャックに向かう方及びそれから離れる方に湾曲するように構成されている、湾曲部と、を含む、複数の縁把持部と、
前記縁把持部のうちの少なくとも１つに接続されたアクチュエータと、を備える、装置。
【請求項２】
前記縁把持部は、前記ウェハが前記鉛直方向に対して垂直である方向に回転することを防止するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記チャックは、前記ウェハを最大６，０００ｒｐｍまで回転させるように構成されている、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記アクチュエータは、前記フィンガを前記点の周りで枢動させるように構成されている磁気駆動装置である、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記接触パッドは、ペルフルオエラストマ又はポリエーテルエーテルケトンから製作される、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記縁把持部のうちの３個は、前記チャックの外側縁の周りに配設されている、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記接触パッドは、前記ウェハ上に配設される平らな表面を有する、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記複数の縁把持部は、前記チャックの外側縁の周りに一様に配設されている、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記フィンガは、アルミニウム、プラスチック又は鋼から製作されている、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記湾曲部は、アルミニウム、鋼又はプラスチックから製作されている、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記縁把持部のそれぞれは、ばねを更に含み、前記ばねは、前記チャックの表面と平行して力を前記接触パッドに加えるように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記チャックは、複数の陥凹を画定し、前記縁把持部のうちの１個が前記陥凹のそれぞれの中に配設される、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
方法であって、
チャックの表面とウェハとの間の空気−減圧膜上の前記チャック上方に前記ウェハを浮遊させるステップであって、前記チャックの表面は、鉛直方向に対して垂直である平面内にある、ステップと、
前記ウェハを複数の縁把持部と接触させるステップと、を含み、前記縁把持部のそれぞれは、
点の周りで枢動するように構成されたフィンガと、
ウェハと接触するように構成された接触パッドと、
前記接触パッドと前記フィンガとの間に配設された湾曲部であって、前記湾曲部は、前記鉛直方向に前記チャックに向かう方及びそれから離れる方に湾曲するように構成されている、湾曲部と、を含み、
前記縁把持部のうちの１個だけを作動させて、前記ウェハを、前記縁把持部のうちの残りとは反対方向に押圧するステップを含む、方法。
【請求項１４】
前記チャックを用いて前記ウェハを最大６，０００ｒｐｍまでの速度で回転させるステップを更に含む、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月6日(2021.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザ装置、光学装置及び方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプル内にコヒーレントラマン散乱を起こすために、フィルタリングされた光パルスを出力するレーザ装置であって、
第１の利得媒体を備える第１の光キャビティと、
前記第１の利得媒体とは異なる第２の利得媒体を備える第２の光キャビティと、前記第１の利得媒体及び前記第２の利得媒体は、それぞれ励起光源によって励起可能であり、それぞれ波長範囲の異なる光を生成し、
前記第１の光キャビティ及び前記第２の光キャビティの双方に光学的に接続され、前記第１の光キャビティ及び前記第２の光キャビティから出力された光を同期させ、モード同期させるように構成されたシンクロナイザと、
前記第１の光キャビティ及び前記第２の光キャビティから出力された光をそれぞれフィルタリングするように構成され、フィルタリングされた第１の光パルスを第１の所定の波長範囲で出力し、フィルタリングされた第２の光パルスを第２の所定の波長範囲で出力する第１の光フィルタ及び第２の光フィルタと
を備え、
前記第１の光フィルタ又は前記第２の光フィルタの少なくとも一方は、波長可変光フィルタであり、前記第１の所定の波長範囲又は前記第２の所定の波長範囲を、それぞれ変更するように構成され、
前記シンクロナイザは、可飽和吸収体を備え、前記第１の光キャビティ及び前記第２の光キャビティから出力された光パルスの同期及び受動モード同期を行うように構成される、レーザ装置。
【請求項２】
前記波長可変光フィルタは、エタロンを用いた光ファイバの波長可変光フィルタを含む、請求項１に記載のレーザ装置。
【請求項３】
前記第１の光フィルタ及び前記第２の光フィルタは、それぞれ前記第１の光キャビティ及び前記第２の光キャビティ内に配置され、
前記第１の光キャビティ及び前記第２の光キャビティは、それぞれフィルタリングされた光パルスを、第１の光出口及び第２の光出口から出力する、請求項１又は２に記載のレーザ装置。
【請求項４】
前記第１の光フィルタ及び前記第２の光フィルタは、それぞれ前記第１の光キャビティ及び前記第２の光キャビティの外部に配置され、
前記第１の光キャビティ及び前記第２の光キャビティは、それぞれ第１の光出口及び第２の光出口から光を出力する、請求項１又は２に記載のレーザ装置。
【請求項５】
光又はフィルタリングされた光パルスを増幅するために、
前記第１の利得媒体を用いてドープ処理された第１のファイバ増幅器を前記第１の光出口にさらに備え、
前記第２の利得媒体を用いてドープ処理された第２のファイバ増幅器を前記第２の光出口にさらに備える、請求項３又は４に記載のレーザ装置。
【請求項６】
前記シンクロナイザは、グラフェン又は炭素同素体を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【請求項７】
前記レーザ装置は、ファイバーレーザである、請求項１〜６のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【請求項８】
前記レーザ装置は、オールファイバーレーザである、請求項７に記載のレーザ装置。
【請求項９】
前記第１の光キャビティ及び前記第２の光キャビティは、それぞれ等方性の光ファイバを含む、請求項７又は８に記載のレーザ装置。
【請求項１０】
前記第１の光キャビティ及び前記第２の光キャビティは、それぞれはシングルモードの光ファイバを含む、請求項７〜９のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【請求項１１】
前記第１の光キャビティ及び前記第２の光キャビティの一方が、前記第１の光キャビティ及び前記第２の光キャビティの長さを合わせるための光遅延線を備える、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【請求項１２】
前記光遅延線は、ファイバピッグテールを備えた光遅延線を含む、請求項１１に記載のレーザ装置。
【請求項１３】
前記利得媒体は、イッテルビウム又はエルビウムの一方を含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【請求項１４】
前記所定の波長範囲は、１０４０ｎｍ〜１０８０ｎｍ及び／又は１５３５ｎｍ〜１６００ｎｍの範囲を含む、請求項１〜１３のいずれか１項に記載のレーザ装置。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか１項に記載のレーザ装置と、
フィルタリングされた光パルスを平行にするように構成された２つのコリメータと
を備える、光学装置。
【請求項１６】
前記２つのコリメータの双方から出力された平行な光パルスを重ねるように構成された２つのダイクロイックミラーをさらに備える、請求項１５に記載の光学装置。
【請求項１７】
サンプル内にコヒーレントラマン散乱を起こすために、フィルタリングされた光パルスをレーザ装置から出力する方法であって、
第１の利得媒体を備える第１の光キャビティと、前記第１の利得媒体とは異なる第２の利得媒体を備える第２の光キャビティにより、それぞれ波長範囲の異なる光を生成するステップであって、前記第１の利得媒体及び前記第２の利得媒体は、励起光源によって励起される、ステップと、
前記第１の光キャビティ及び前記第２の光キャビティの双方に光学的に接続されたシンクロナイザを用いて、第１の光キャビティ及び第２の光キャビティから出力された光を同期させ、モード同期させるステップと、
第１の光フィルタ及び第２の光フィルタを用いて、前記第１の光キャビティ及び前記第２の光キャビティから出力された光を、それぞれフィルタリングするステップと、
第１の所定の波長範囲のフィルタリングされた第１の光パルスを前記第１の光フィルタから出力し、第２の所定の波長範囲のフィルタリングされた第２の光パルスを前記第２の光フィルタから出力するステップと、
前記シンクロナイザを用いて、前記第１の光キャビティ及び前記第２の光キャビティから出力された光の同期及び受動モード同期を行うステップと
を含み、
前記シンクロナイザは、可飽和吸収体を備え、
前記第１の光フィルタ又は前記第２の光フィルタの少なくとも一方は、波長可変光フィルタであり、
前記フィルタリングするステップは、前記波長可変光フィルタを調整して、前記第１の所定の波長範囲又は前記第２の所定の波長範囲を変更するステップを含む、
方法。
【請求項１８】
前記波長可変光フィルタは、エタロンを用いた光ファイバの波長可変光フィルタを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第１の光フィルタ及び前記第２の光フィルタは、それぞれ前記第１の光キャビティ及び前記第２の光キャビティの外部に配置され、
前記方法はさらに、
前記第１の光キャビティの第１の光出口から光を出力し、前記第２の光キャビティの第２の光出口から光を出力するステップを含む、請求項１７又は１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第１の利得媒体でドープ処理された第１のファイバ増幅器を用いて、光又はフィルタリングされた光パルスを、前記第１の光キャビティの第１の光出口において増幅するステップと、
前記第２の利得媒体でドープ処理された第２のファイバ増幅器を用いて、光又はフィルタリングされた光パルスを、前記第２の光キャビティの第２の光出口において増幅するステップと
をさらに含む、請求項１７〜１９のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月23日(2020.12.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）固体粒子の全重量に対して、ビタミンＡ及び／又はその誘導体を少なくとも２０重量％、
（ｉｉ）少なくとも１種類の乳化剤、及び
（ｉｉｉ）少なくとも１種類の非還元糖、
を含む前記固体粒子であって、酸化防止剤を全く含まない、前記固体粒子。
【請求項２】
前記固体粒子の前記全重量に対して、少なくとも１種類の非還元糖を５〜５５重量％（ｗｔ％）含む、請求項１に記載の固体粒子。
【請求項３】
前記固体粒子の前記全重量に対して、少なくとも１種類の非還元糖を１０〜５０重量％（ｗｔ％）含む、請求項１に記載の固体粒子。
【請求項４】
前記ビタミン誘導体が、ビタミンＡアセテート又はビタミンＡパルミテートからなる群から選択される、請求項１から３のいずれか一項に記載の固体粒子。
【請求項５】
前記固体粒子の前記全重量に対して、ビタミンＡ及び／又はその誘導体を２２〜７５重量％含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の固体粒子。
【請求項６】
前記固体粒子の前記全重量に対して、ビタミンＡ及び／又はその誘導体を２５〜６５重量％含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の固体粒子。
【請求項７】
前記固体粒子の前記全重量に対して、少なくとも１種類の乳化剤を２０〜７０重量％含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の固体粒子。
【請求項８】
前記少なくとも乳化剤が、修飾（食品）デンプン、アスコルビン酸パルミテート、ペクチン、アルジネート、カラゲナン、ファーセレラン、デキストリン誘導体、セルロース及びセルロース誘導体（例えば、酢酸セルロース、メチルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース）、リグノスルホネート、多糖ゴム（アカシアゴム（＝アラビアゴム）、修飾アカシアゴム、ＴＩＣゴム、アマニゴム、ガッチゴム、タマリンドゴム及びアラビノガラクタンなど）、ゼラチン（ウシ、魚、ブタ、家禽）、植物タンパク質（例えばエンドウ豆、ダイズ、トウゴマ、綿、ジャガイモ、サツマイモ、マニオク、ナタネ、ヒマワリ、ゴマ、アマニ、ベニバナ、レンズマメ、ナッツ、コムギ、米、トウモロコシ、オオムギ、ライ麦、カラスムギ、ルピナス及びモロコシなど）、動物性タンパク質、例えば牛乳又は乳清タンパク質、レシチン、脂肪酸のポリグリセロールエステル、脂肪酸のモノグリセリド、脂肪酸のジグリセリド、ソルビタンエステル、及び糖エステル（ならびにその誘導体）からなる群から選択される、請求項１から７のいずれか一項に記載の固体粒子。
【請求項９】
圧縮錠剤の製造における、請求項１から８のいずれか一項に記載の固体粒子の使用。
【請求項１０】
請求項１から８のいずれか一項に記載の少なくとも１種類の固体粒子を含む、圧縮錠剤。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月15日(2021.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膵臓由来微小血管断片および膵島細胞を含む組織構築物。
【請求項２】
生体適合性媒体をさらに含む、請求項１に記載の組織構築物。
【請求項３】
前記生体適合性媒体がヒドロゲルを含む、請求項２に記載の組織構築物。
【請求項４】
請求項３に記載の組織構築物であって、
前記ヒドロゲルが、アガロース、アルギネート、コラーゲン、フィブリノーゲン、フィブリン、ラミニン、ポリオキシエチレン-ポリオキシプロピレンブロックコポリマー、シリコーン、多糖類、ポリエチレングリコール、およびポリウレタンからなる群から選択される材料から構成される、組織構築物。
【請求項５】
前記ヒドロゲルがＩ型コラーゲンで構成されている、請求項4記載の組織構築物。
【請求項６】
前記膵臓由来微小血管断片および前記膵島細胞がヒトから得られたものである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の組織構築物。
【請求項７】
前記組織構築物が、1つもしくは複数の関連細胞または1つもしくは複数の幹細胞をさらに含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の組織構築物。
【請求項８】
膵臓由来微小血管断片と
１つもしくは複数の関連細胞および/または1つもしくは複数の幹細胞と
を含む、組織構築物。
【請求項９】
前記1つまたは複数の関連細胞が膵島細胞を含む、請求項８に記載の組織構築物。
【請求項１０】
生体適合性媒体をさらに含む、請求項８または９に記載の組織構築物。
【請求項１１】
前記生体適合性媒体がヒドロゲルを含む、請求項１０に記載の組織構築物。
【請求項１２】
請求項１１に記載の組織構築物であって、
前記ヒドロゲルが、アガロース、アルギネート、コラーゲン、フィブリノーゲン、フィブリン、ラミニン、ポリオキシエチレン-ポリオキシプロピレンブロックコポリマー、シリコーン、多糖類、ポリエチレングリコール、ポリウレタンからなる群より選択される材料から構成される、組織構築物。
【請求項１３】
前記ヒドロゲルがＩ型コラーゲンで構成されている、請求項12記載の組織構築物。
【請求項１４】
膵臓から微小血管断片を単離する方法であって
膵臓組織を酵素消化に供して、消化された膵臓組織のスラリーを生成する工程と
遠心管の底部に内分泌および外分泌組織を沈着させるのに十分な低速で、第1の遠心管において前記消化された組織のスラリーを遠心分離する工程と
前記第１の遠心管における上清を、第２の遠心管へ回収する工程と
前記膵臓組織からの微小血管断片をペレット化するのに十分なより高い速度で、前記上清を遠心分離する工程と
を含む、単離する方法。
【請求項１５】
前記膵臓組織から膵島細胞量を単離する工程をさらに含む、請求項１４に記載の単離方法。
【請求項１６】
膵臓由来微小血管断片および膵島細胞を含む組織構築物を含む、糖尿病治療用組成物。
【請求項１７】
前記糖尿病治療用組成物が皮下投与用に製剤化されたものである、請求項１６に記載の糖尿病治療用組成物。
【請求項１８】
前記膵臓由来微小血管断片および前記膵島細胞が生体適合性媒体中へ組み込まれている、請求項１６または１7に記載の糖尿病治療用組成物。
【請求項１９】
前記膵臓由来微小血管断片および前記膵島細胞が、糖尿病治療を必要とする対象から得られたものである、請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の糖尿病治療用組成物。