【手続補正書】
【提出日】平成16年9月15日(2004.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法：
（ａ）１枚または複数枚の第１フォトマスクを用意する工程、
（ｂ）１枚の第２フォトマスクのマスク基板を用意する工程、
（ｃ）前記１枚の第２フォトマスクのマスク基板上に感光性を有する有機膜を堆積する工程、
（ｄ）前記１枚の第２フォトマスクのマスク基板上における感光性を有する有機膜に対して、前記１枚または複数枚の第１フォトマスクの各々を用いた縮小投影露光処理を施すことにより、前記第２フォトマスクの集積回路パターン領域に配置された複数の第１領域の各々における前記感光性を有する有機膜に第１パターンを転写する第１露光工程、
（ｅ）前記複数の第１領域の周囲に配置された第２領域の各々における前記感光性を有する有機膜にエネルギービームを選択的に照射することにより、前記感光性を有する有機膜に第２パターンを転写する第２露光工程、
（ｆ）前記感光性を有する有機膜に対して現像処理を施すことにより、前記第２フォトマスク上に、前記感光性を有する有機膜からなる前記第１、第２パターンを形成する工程。
【請求項２】
請求項１記載のフォトマスクの製造方法において、前記第２領域の前記第２パターンは、互いに隣接する前記第１領域の第１パターン同士を接続するためのパターンであることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項３】
請求項１記載のフォトマスクの製造方法において、前記第１領域の第１パターンは、メモリ領域のパターンを転写するためのパターンであり、前記第２領域の第２パターンは、前記メモリ領域に対する周辺回路領域のパターンを転写するためのパターンと、互いに隣接する前記第１領域の第１パターン同士を接続するためのパターンとを有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項４】
請求項１記載のフォトマスクの製造方法において、前記１枚または複数枚の第１フォトマスクの集積回路パターン領域には、前記第１露光工程における露光光に対して遮光性または減光性を有する有機膜のパターンが配置されていることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項５】
請求項１記載のフォトマスクの製造方法において、前記第１露光工程においては、露光光として波長が２４８ｎｍ以下の光を用いることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項６】
請求項５記載のフォトマスクの製造方法において、前記エネルギービームが電子線であることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項７】
請求項１記載のフォトマスクの製造方法において、前記第１露光工程においては露光光としてｉ線を用いることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項８】
請求項７記載のフォトマスクの製造方法において、前記エネルギービームがレーザであることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項９】
以下の工程を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法：
（ａ）１枚または複数枚の第１フォトマスクのセットを用意する工程、
（ｂ）１枚の第２フォトマスクのマスク基板を用意する工程、
（ｃ）前記１枚の第２フォトマスクのマスク基板上にメタル膜を堆積する工程、
（ｄ）前記メタル膜上に感光性を有する第１有機膜を堆積する工程、
（ｅ）前記１枚の第２フォトマスクのマスク基板上における前記第１有機膜に対して、前記複数枚の第１フォトマスクの各々を用いた縮小投影露光処理を施すことにより、前記第２フォトマスクの集積回路パターン領域に配置された複数の第１領域の各々における前記第１有機膜に第１パターンを転写する第１露光工程、
（ｆ）前記第１有機膜に対して現像処理を施すことにより、前記第１有機膜のパターンを形成する工程、
（ｇ）前記第１有機膜のパターンをマスクとして、前記メタル膜にエッチング処理を施すことにより、前記複数の第１領域の少なくとも１つにメタル膜からなる遮光パターンを形成する工程、
（ｈ）前記（ｇ）工程後、前記第２フォトマスクのマスク基板上に感光性を有する第２有機膜を堆積する工程、
（ｉ）前記複数の第１領域の周囲に配置された第２領域の各々における前記第２有機膜にエネルギービームを選択的に照射することにより、前記第２有機膜に第２パターンを転写する第２露光工程、
（ｊ）前記第２有機膜に対して現像処理を施すことにより、前記第２フォトマスク上に、前記第２有機膜のパターンを形成する工程。
【請求項１０】
請求項９記載のフォトマスクの製造方法において、前記第２領域の前記第２パターンは、互いに隣接する前記第１領域の第１パターン同士を接続するためのパターンであることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１１】
以下の工程を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法：
（ａ）複数枚の第１フォトマスクのセットを用意する工程、
（ｂ）１枚の第２フォトマスクのマスク基板を用意する工程、
（ｃ）前記１枚の第２フォトマスクのマスク基板上にメタル膜を堆積する工程、
（ｄ）前記メタル膜上に感光性を有する第１有機膜を堆積する工程、
（ｅ）前記１枚の第２フォトマスクのマスク基板上における前記第１有機膜に対して、前記複数枚の第１フォトマスクの各々を用いた縮小投影露光処理を施すことにより、前記第２フォトマスクの集積回路パターン領域に配置された複数の第１領域の各々における前記第１有機膜にパターンを転写する第１マスク露光工程、
（ｆ）前記第１有機膜に対して現像処理を施すことにより、前記第１有機膜のパターンを形成する工程、
（ｇ）前記第１有機膜のパターンをマスクとして、前記メタル膜にエッチング処理を施すことにより、前記複数の第１領域の少なくとも１つにメタル膜からなる遮光パターンを形成し、かつ、前記複数の第１領域の少なくとも１つにメタル膜の無いマスク基板が露出された第３領域を形成する工程、
（ｈ）前記（ｇ）工程後、前記第２フォトマスクのマスク基板上に感光性を有する第２有機膜を堆積する工程、
（ｉ）前記１枚の第２フォトマスクのマスク基板上における前記第２有機膜に対して、前記複数枚の第１フォトマスクのうちの所定の第１フォトマスクを用いた縮小投影露光処理を施すことにより、前記第２フォトマスクの前記第３領域における前記第２有機膜に第１パターンを転写する第２マスク露光工程、
（ｊ）前記複数の第１領域の周囲に配置された第２領域の各々における前記第２有機膜にエネルギービームを選択的に照射することにより、前記第２有機膜に第２パターンを転写するビーム露光工程、
（ｋ）前記第２有機膜に対して現像処理を施すことにより、前記第２フォトマスク上に、前記第２有機膜のパターンを形成する工程。
【請求項１２】
請求項１１記載のフォトマスクの製造方法において、前記第２有機膜の第１，２パターンを除去した後、前記（ｈ）工程〜（ｋ）工程を再度行うことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１３】
請求項１１記載のフォトマスクの製造方法において、前記第２領域に形成される第２有機膜の第２パターンは、互いに隣接する前記第１、３領域のパターン同士を接続するためのパターンであることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１４】
以下の工程を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法：
（ａ）複数枚の第１フォトマスクのセットを用意する工程、
（ｂ）１枚の第２フォトマスクのマスク基板を用意する工程、
（ｃ）前記１枚の第２フォトマスクのマスク基板上にメタル膜を堆積する工程、
（ｄ）前記メタル膜上に感光性を有する有機膜を堆積する工程、
（ｅ）前記１枚の第２フォトマスクのマスク基板上における前記有機膜に対して、前記複数枚の第１フォトマスクの各々を用いた縮小投影露光処理を施すことにより、前記第２フォトマスクの集積回路パターン領域に配置された複数の第１領域の各々における前記有機膜に第１パターンを転写する第１露光工程、
（ｆ）前記複数の第１領域の周囲に配置された第２領域の各々における前記有機膜にエネルギービームを選択的に照射することにより、前記有機膜に第２パターンを転写する第２露光工程、
（ｇ）前記有機膜に対して現像処理を施すことにより、前記有機膜の第１、第２パターンを形成する工程、
（ｈ）前記有機膜の第１，第２パターンをマスクとして、前記メタル膜にエッチング処理を施すことにより、前記第１、２領域にメタル膜からなる遮光パターンを形成する工程。
【請求項１５】
請求項１４記載のフォトマスクの製造方法において、前記第２領域に形成される遮光パターンは、互いに隣接する前記第１領域の遮光パターン同士を接続するためのパターンであることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１６】
以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）１枚または複数枚の第１フォトマスクを用意する工程、
（ｂ）１枚の第２フォトマスクのマスク基板を用意する工程、
（ｃ）前記１枚の第２フォトマスクのマスク基板上に感光性を有する有機膜を堆積する工程、
（ｄ）前記１枚の第２フォトマスクのマスク基板上における感光性を有する有機膜に対して、前記１枚または複数枚の第１フォトマスクの各々を用いた縮小投影露光処理を施すことにより、前記第２フォトマスクの集積回路パターン領域に配置された複数の第１領域の各々における前記感光性を有する有機膜に第１パターンを転写する第１露光工程、
（ｅ）前記複数の第１領域の周囲に配置された第２領域の各々における前記感光性を有する有機膜にエネルギービームを選択的に照射することにより、前記感光性を有する有機膜に第２パターンを転写する第２露光工程、
（ｆ）前記感光性を有する有機膜に対して現像処理を施すことにより、前記第２フォトマスク上に、前記感光性を有する有機膜からなる前記第１、第２パターンを形成する工程、
（ｇ）前記第２フォトマスクのパターンを縮小投影露光処理によって半導体ウエハに転写する工程。
【請求項１７】
以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）１枚または複数枚の第１フォトマスクのセットを用意する工程、
（ｂ）１枚の第２フォトマスクのマスク基板を用意する工程、
（ｃ）前記１枚の第２フォトマスクのマスク基板上にメタル膜を堆積する工程、
（ｄ）前記メタル膜上に感光性を有する第１有機膜を堆積する工程、
（ｅ）前記１枚の第２フォトマスクのマスク基板上における前記第１有機膜に対して、前記複数枚の第１フォトマスクの各々を用いた縮小投影露光処理を施すことにより、前記第２フォトマスクの集積回路パターン領域に配置された複数の第１領域の各々における前記第１有機膜に第１パターンを転写する第１露光工程、
（ｆ）前記第１有機膜に対して現像処理を施すことにより、前記第１有機膜のパターンを形成する工程、
（ｇ）前記第１有機膜のパターンをマスクとして、前記メタル膜にエッチング処理を施すことにより、前記複数の第１領域の少なくとも１つにメタル膜からなる遮光パターンを形成する工程、
（ｈ）前記（ｇ）工程後、前記第２フォトマスクのマスク基板上に感光性を有する第２有機膜を堆積する工程、
（ｉ）前記複数の第１領域の周囲に配置された第２領域の各々における前記第２有機膜にエネルギービームを選択的に照射することにより、前記第２有機膜に第２パターンを転写する第２露光工程、
（ｊ）前記第２有機膜に対して現像処理を施すことにより、前記第２フォトマスク上に、前記第２有機膜のパターンを形成する工程、
（ｋ）前記第２フォトマスクのパターンを縮小投影露光処理によって半導体ウエハに転写する工程。
【請求項１８】
以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）複数枚の第１フォトマスクのセットを用意する工程、
（ｂ）１枚の第２フォトマスクのマスク基板を用意する工程、
（ｃ）前記１枚の第２フォトマスクのマスク基板上にメタル膜を堆積する工程、
（ｄ）前記メタル膜上に感光性を有する第１有機膜を堆積する工程、
（ｅ）前記１枚の第２フォトマスクのマスク基板上における前記第１有機膜に対して、前記複数枚の第１フォトマスクの各々を用いた縮小投影露光処理を施すことにより、前記第２フォトマスクの集積回路パターン領域に配置された複数の第１領域の各々における前記第１有機膜にパターンを転写する第１マスク露光工程、
（ｆ）前記第１有機膜に対して現像処理を施すことにより、前記第１有機膜のパターンを形成する工程、
（ｇ）前記第１有機膜のパターンをマスクとして、前記メタル膜にエッチング処理を施すことにより、前記複数の第１領域の少なくとも１つにメタル膜からなる遮光パターンを形成し、かつ、前記複数の第１領域の少なくとも１つにメタル膜の無いマスク基板が露出された第３領域を形成する工程、
（ｈ）前記（ｇ）工程後、前記第２フォトマスクのマスク基板上に感光性を有する第２有機膜を堆積する工程、
（ｉ）前記１枚の第２フォトマスクのマスク基板上における前記第２有機膜に対して、前記複数枚の第１フォトマスクのうちの所定の第１フォトマスクを用いた縮小投影露光処理を施すことにより、前記第２フォトマスクの前記第３領域における前記第２有機膜に第１パターンを転写する第２マスク露光工程、
（ｊ）前記複数の第１領域の周囲に配置された第２領域の各々における前記第２有機膜にエネルギービームを選択的に照射することにより、前記第２有機膜に第２パターンを転写するビーム露光工程、
（ｋ）前記第２有機膜に対して現像処理を施すことにより、前記第２フォトマスク上に、前記第２有機膜のパターンを形成する工程、
（ｌ）前記第２フォトマスクのパターンを縮小投影露光処理によって半導体ウエハに転写する工程。
【請求項１９】
以下の工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法：
（ａ）複数枚の第１フォトマスクのセットを用意する工程、
（ｂ）１枚の第２フォトマスクのマスク基板を用意する工程、
（ｃ）前記１枚の第２フォトマスクのマスク基板上にメタル膜を堆積する工程、
（ｄ）前記メタル膜上に感光性を有する有機膜を堆積する工程、
（ｅ）前記１枚の第２フォトマスクのマスク基板上における前記有機膜に対して、前記複数枚の第１フォトマスクの各々を用いた縮小投影露光処理を施すことにより、前記第２フォトマスクの集積回路パターン領域に配置された複数の第１領域の各々における前記有機膜に第１パターンを転写する第１露光工程、
（ｆ）前記複数の第１領域の周囲に配置された第２領域の各々における前記有機膜にエネルギービームを選択的に照射することにより、前記有機膜に第２パターンを転写する第２露光工程、
（ｇ）前記有機膜に対して現像処理を施すことにより、前記有機膜の第１、第２パターンを形成する工程、
（ｈ）前記有機膜の第１，第２パターンをマスクとして、前記メタル膜にエッチング処理を施すことにより、前記第１、２領域にメタル膜からなる遮光パターンを形成する工程、
（ｉ）前記第２フォトマスクのパターンを縮小投影露光処理によって半導体ウエハに転写する工程。