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【手続補正書】
【提出日】平成16年12月9日(2004.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１回路と、前記第１回路よりも高耐圧の第２回路とを有し、双方の回路の動作電圧を等しくし又は相違させることが可能であって、
前記第２回路はその動作電圧に応じて前記第１回路の出力をレベル変換可能な複数のレベル変換回路と、前記レベル変換回路の出力を受ける複数の外部出力バッファと、所定のレベル変換回路の入力を所定の外部出力バッファの入力へバイパスさせるバイパス経路と、前記所定の外部出力バッファの入力に対する前記所定のレベル変換回路又はバイパス経路の接続を選択する選択回路と、を有して成るものであることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
前記レベル変換回路は相互にレベル変換範囲の相違する複数のレベル変換回路から成るものであることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項３】
第１外部端子からの入力電圧を降圧する内部電源降圧回路を有し、
前記第２回路は第１外部端子に供給される入力電圧を動作電圧とし、
前記第１回路は前記内部電源降圧回路の降圧出力電圧又は第２外部端子からの入力電圧を動作電源とするものであることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体集積回路。
【請求項４】
第１回路及び第２回路の動作電圧を相違させるとき第１端子に外部電源電圧が接続され、第２端子に安定化容量素子が接続され、
第１回路及び第２回路の動作電圧を等しくするとき第１端子及び第２端子に同じ外部電源電圧が接続されることを特徴とする請求項３記載の半導体集積回路。
【請求項５】
前記第１回路は前記選択回路の選択制御情報を保持するレジスタ手段を有して成るものであることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体集積回路。
【請求項６】
前記第１回路はクロック信号に同期して前記所定の外部出力バッファの出力データを保持する出力ラッチ回路と、前記出力ラッチ回路にラッチするデータを処理するデータ処理回路とを有して成るものであることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体集積回路。
【請求項７】
前記出力ラッチ回路は所定のＩＯポートに含まれるものであることを特徴とする請求項６記載の半導体集積回路。
【請求項８】
前記出力ラッチ回路は前記所定の外部出力バッファに隣接されるものであることを特徴とする請求項６記載の半導体集積回路。
【請求項９】
前記クロック信号は、外部から前記出力ラッチ回路及び前記データ処理回路に並列に供給されることを特徴とする請求項６記載の半導体集積回路。
【請求項１０】
前記データ処理回路はホストインタフェース制御回路であることを特徴とする請求項６記載の半導体集積回路。
【請求項１１】
前記ホストインタフェース制御回路及び出力ラッチ回路は所定のスピードの前記クロック信号に同期動作することを特徴とする請求項１０記載の半導体集積回路。
【請求項１２】
第１回路と、
前記第１回路よりも高耐圧である第２回路とを有し、
前記第１回路は前記第２回路の動作電圧と等しくしまたは相違させることが可能であり、
前記第２回路は、
前記第２回路の動作電圧に応じて前記第１回路の出力信号をレベル変換可能なレベルシフト回路と、
外部バッファと、
前記出力信号を出力させるために、前記外部出力バッファに接続された前記第１回路に接続される第１信号経路と、
前記出力信号を出力させるために、前記レベル変換回路を介して外部出力バッファに接続された前記第１回路に接続される第２信号経路とを有する半導体集積回路において、
前記第２信号経路を選択する間、前記第１信号経路を非選択とし、
前記第２回路に対し第１回路に供給する動作電圧よりも高い動作電圧を与えるバーンインテスト方法を行うことを特徴とする半導体集積回路
【請求項１３】
前記第１信号経路又は、前記第１回路の出力信号のための前記第２信号経路を選択可能で、前記バーンインテスト方法を行っている間、前記第２信号経路を選択する選択回路を有することを特徴とする請求項１２記載の半導体集積回路。
【請求項１４】
外部出力バッファと、前記外部出力バッファから出力すべきデータを外部クロック信号に同期してラッチするラッチ回路と、前記ラッチ回路にラッチすべきデータの処理回路とを有し、
前記ラッチ回路と前記処理回路は前記外部クロック信号を受けるクロックバッファの出力を共通に入力して成るものであることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項１５】
前記ラッチ回路は前記外部出力バッファの近傍に配置されて成るものであることを特徴とする請求項１４記載の半導体集積回路。
【請求項１６】
前記外部出力バッファから出力すべきデータを内部クロック信号に同期してラッチ可能なＩＯポートを有し、選択的に前記ＩＯポートの動作と前記ラッチ回路の動作が切り換え可能にされて成るものであることを特徴とする請求項１４又は１５記載の半導体集積回路。
【請求項１７】
中央処理装置と、
基準クロック信号を受けて上記中央処理装置に供給されるべき動作クロックを発生するクロック発生回路と、
前記中央処理装置に結合される内部バスと、
前記内部バスに結合され、複数の出力バッファ、前記複数の出力バッファから出力すべきデータを外部クロック信号に同期してラッチする複数のラッチ回路、及び前記複数のラッチ回路にラッチされるべきデータを処理する処理回路を有するホストインタフェースモジュールと、
前記外部クロック信号を外部から供給される外部端子と、を有し、
前記複数のラッチ回路は前記複数の出力バッファの近傍にそれぞれ配置され、
前記外部端子に供給された前記外部クロック信号は、前記複数のラッチ回路に共通に入力されることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項１８】
前記ホストインタフェースモジュールは、ＬＰＣ（Low Pin Count）バスインタフェース用ホストインタフェースモジュールであることを特徴とする請求項１７記載の半導体集積回路。
【請求項１９】
前記複数の出力バッファから出力すべきデータを前記クロック発生回路から出力される内部クロック信号に同期してラッチ可能なＩＯポートを有し、選択的に前記ＩＯポートの動作と前記ラッチ回路の動作が切り換え可能にされて成るものであることを特徴とする請求項１８記載の半導体集積回路。
【請求項２０】
さらに、前記内部バスに結合され、外部から供給されたアナログ信号をデジタル信号へ変換するＡＤ変換回路を有し、
前記前記ホストインタフェースモジュールは、前記ＡＤ変換回路によって変換された前記デジタル信号を前記半導体集積回路に結合されるべきホストプロセッサへ供給することを特徴とする請求項１８記載の半導体集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月4日(2005.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のレーザから複数のレーザ光が射出され、
被照射体上において、前記複数のレーザ光を１つに重ね合わせ線状に形成するレーザ照射方法であり、
前記複数のレーザから射出される複数のレーザ光のうちの１つのレーザ光のスポットを切断して２つに分割され、２つに分割されたレーザ光のそれぞれの切断面が外側となるように入れ替え、
前記被照射体上において前記分割されたレーザ光同士は重なり合わないことを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項２】
複数のレーザから複数のレーザ光が射出され、
被照射体上において、前記複数のレーザ光の形状を線状に形成し、
前記被照射体上において、前記線状に形成された複数のレーザ光を、長尺方向に、一つに重ね合わせ線状に形成するレーザ照射方法であり、
前記複数のレーザ光のうちの１つのレーザ光のスポットを切断して２つに分割され、２つに分割されたレーザ光のそれぞれの切断面が外側となるように入れ替え、
前記被照射体上において前記分割されたレーザ光のスポットの切断面の垂直方向に、前記分割されたレーザ光のスポットを広げ、
前記被照射体上において前記分割されたレーザ光の切断面を、前記重ね合わされ線状に形成されたレーザ光の線状方向の両端部とし、かつ前記被照射体上において前記分割されたレーザ光同士は重なり合わないことを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記重ね合わされ線状に形成されたレーザ光の長尺方向における減衰領域は２００μｍ以下であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記レーザ光のスポットの分割は、等分割であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記重ね合わされた線状のレーザ光と被照射体を相対的に移動しながら照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記複数のレーザは、連続発振またはパルス発振の固体レーザまたは気体レーザまたは金属レーザであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記複数のレーザは、連続発振またはパルス発振のＹＡＧレーザ、ＹＶＯ４レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ３レーザ、Ｙ２Ｏ３レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザから選ばれた一種であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記複数のレーザは、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、ＣＯ２レーザから選ばれた一種であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項９】
請求項１乃至５のいずれか一項において、
前記複数のレーザは、連続発振またはパルス発振のヘリウムカドミウムレーザ、銅蒸気レーザ、金蒸気レーザから選ばれた一種であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記複数のレーザ光は、非線形光学素子により高調波に変換されていることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０に記載のレーザ照射方法を用いて半導体膜を加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１０に記載のレーザ照射方法を用いて半導体膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１０に記載のレーザ照射方法を用いて半導体膜を活性化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１０に記載のレーザ照射方法を用いて半導体膜を結晶化し、
前記結晶化された半導体膜を活性化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月14日(2005.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶基板からのエピタキシャル成長により形成された半導体層を有する半導体装置の製造方法であって、
上記単結晶基板を覆うように、ｐ型不純物がドープされた窒素を含むIII-V 族化合物からなる第１の半導体層と、ｎ型不純物がドープされた窒素を含むIII-V族化合物からなるｎ型の第２の半導体層とを少なくとも有する積層膜を形成する工程（ａ）と、
光を上記第１の半導体層に照射して、上記第１の半導体層中のｐ型不純物を活性化する工程（ｂ）と
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
上記光は、上記第１の半導体層の少なくとも最下部の禁制帯幅よりも大きいエネルギーを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ａ）では、上記第１の半導体層を上記第２の半導体層の下方に形成しておいて、
上記工程（ｂ）では、上記単結晶基板の裏面から上記第１の半導体層に上記光を照射することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ｂ）では、上記第１の半導体層を分解又は変質させて導体層を形成し、
上記工程（ｂ）の後に、上記導体層の上に導体材料からなるオーミック電極を形成する工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ｂ）の後で上記オーミック電極を形成する前に、上記導体層の表面部をエッチングする工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ａ）では、上記第１の半導体層を上記第２の半導体層の上方に形成しておいて、
上記工程（ｂ）では、上記第１の半導体層の上方から上記第１の半導体層に上記光を照射することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ａ）の後、上記積層部の上にキャップ層を形成する工程をさらに備え、
上記工程（ｂ）では、上記キャップ層の上方から上記第１の半導体層に光を照射することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ｂ）の後、上記第１の半導体層の上に、導体材料からなるオーミック電極を形成する工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ｂ）では、上記第１の半導体層を分解又は変質させて導体層を形成し、
上記工程（ｂ）の後に、上記導体層の上に導体材料からなるオーミック電極を形成する工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ｂ）の後で上記オーミック電極を形成する前に、上記導体層の表面部をエッチングする工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のうちいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ａ）では、上記第１の半導体層を挟んで上記第２の半導体層に対向する，上記第１の半導体層とは禁止帯幅が異なるｎ型の第３の半導体層をさらに有するように上記積層部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、
上記第３の半導体層の禁止帯幅は、上記第１の半導体層よりも大きく、かつ上記光のエネルギーよりも大きいことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１又は１２記載の半導体装置の製造方法において、
上記第１の半導体層からバイポーラトランジスタのコレクタ領域を形成し、上記第２の半導体層からバイポーラトランジスタのベース領域を形成し、上記第３の半導体層からバイポーラトランジスタのエミッタ領域を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の半導体装置の製造方法において、
上記エミッタ領域の禁制帯幅を、上記ベース領域の禁制帯幅よりも大きくすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のうちいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ｃ）は、不活性ガス雰囲気又は減圧雰囲気下で行なわれることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１〜１５のうちいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法において、
上記光は、上記第１の半導体層中のｐ型不純物を活性化させる際には、上記第２の半導体層の禁制帯幅より小さいエネルギーを有するものが用いられることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１〜１６のうちいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法において、
上記光の光源が、パルス状に発振するレーザであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１〜１７のうちいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法において、
上記光は、上記第１の半導体層中のｐ型不純物を活性化する際には、水銀灯の輝線が用いられることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１〜１８のうちいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法において、
上記光を照射する際に、単結晶基板を加熱することを特徴とする半導体の製造方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の半導体装置の製造方法において、
上記単結晶基板を加熱する際の加熱温度は、４００℃以上７５０℃以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１〜２０のうちいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法において、
上記光は、光束を単結晶基板面内でスキャンさせるように照射されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項１〜２１のうちいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ａ）では、上記第１の半導体層を形成する際に、ドーパントとしてＭｇまたはＢｅを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
請求項１〜２２のうちいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ａ）では、上記第１の半導体層を、水素を含む雰囲気中で形成することを特徴とする半導体の製造方法。
【請求項２４】
請求項１〜２３のうちいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法において、
上記単結晶基板として、サファイア基板，ＳｉＣ基板，ＭｇＯ基板，ＬｉＧａＯ2及びＬｉＡｌＯ2 基板の中から選ばれる１つの基板を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月13日(2005.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザビームを照射面の近傍にて楕円または長方形状のビームに加工し、
前記楕円または長方形状のビームに対して前記照射面を第１の入射角度φ（≠０）で相対的に移動させながら照射し、
前記第１の入射角度で入射する前記レーザビームと前記照射面の移動方向とが成す角度は常に一定であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項２】
レーザビームを照射面の近傍にて楕円または長方形状のビームに加工して照射し、
前記楕円または長方形状のビームに対して前記照射面を第１方向に第１の入射角度φ（≠０）で相対的に移動させながら照射し、
前記楕円または長方形状のビームに対して前記照射面を前記第１方向と逆方向である第２方向に第２の入射角度で相対的に移動させながら照射し、
前記第１の入射角度で入射する前記レーザビームと前記第２の入射角度で入射する前記レーザビームとは、前記第１方向に垂直な平面において鏡像関係にあることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項３】
レーザビームを照射面の近傍にて楕円または長方形状のビームに加工して照射し、
前記楕円または長方形状のビームに対して前記照射面を前記楕円または長方形状のビームの短径方向と平行な第１方向に第１の入射角度φ（≠０）で相対的に移動させながら照射し、
前記楕円または長方形状のビームに対して前記照射面を前記第１方向と逆方向である第２方向に第２の入射角度で相対的に移動させながら照射し、
前記第１の入射角度で入射する前記レーザビームと前記第２の入射角度で入射する前記レーザビームとは、前記第１方向に垂直な平面において鏡像関係にあることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記照射面には前記レーザビームに対して透光性を有する厚さｄの基板上に形成された膜が設置されており、前記楕円または長方形状のビームの短径の長さをＷとすると、前記第１の入射角度φは、
φ≧ａｒｃｔａｎ（Ｗ／２ｄ）
を満たすことを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記楕円または長方形状のビームの短径の長さを５０μｍ以下とすることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記レーザビームとして、連続発振の気体レーザ、固体レーザまたは金属レーザから選ばれた一種を用いることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項７】
レーザビームを半導体膜上の近傍にて楕円または長方形状のビームに加工し、
前記楕円または長方形状のビームに対して前記半導体膜を第１の入射角度φ（≠０）で相対的に移動させながら照射して、前記半導体膜を結晶化し、
前記第１の入射角度で入射する前記レーザビームと前記半導体膜の移動方向とが成す角度は常に一定であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
レーザビームを半導体膜上の近傍にて楕円または長方形状のビームに加工し、
前記楕円または長方形状のビームに対して前記半導体膜を第１方向に第１の入射角度φ（≠０）で相対的に移動させながら照射し、
前記楕円または長方形状のビームに対して前記半導体膜を前記第１方向と逆方向である第２方向に第２の入射角度で相対的に移動させながら照射して、前記半導体膜を結晶化し、
前記第１の入射角度で入射する前記レーザビームと前記第２の入射角度で入射する前記レーザビームとは、前記第１方向に垂直な平面において鏡像関係にあることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
レーザビームを半導体膜上の近傍にて楕円または長方形状のビームに加工し、
前記楕円または長方形状のビームに対して前記半導体膜を前記楕円または長方形状のビームの短径方向と平行な第１方向に第１の入射角度φ（≠０）で相対的に移動させながら照射し、
前記楕円または長方形状のビームに対して前記半導体膜を前記第１方向と逆方向である第２方向に第２の入射角度で相対的に移動させながら照射して、前記半導体膜を結晶化し、
前記第１の入射角度で入射する前記レーザビームと前記第２の入射角度で入射する前記レーザビームとは、前記第１方向に垂直な平面において鏡像関係にあることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか一項において、前記半導体膜は前記レーザビームに対して透光性を有する厚さｄの基板上に形成された膜であり、前記楕円または長方形状のビームの短径の長さをＷとすると、前記第１の入射角度φは、
φ≧ａｒｃｔａｎ（Ｗ／２ｄ）
を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項７乃至１０のいずれか一項において、前記楕円または長方形状のビームの短径の長さを５０μｍ以下とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項７乃至１１のいずれか一項において、前記レーザビームとして、連続発振の気体レーザ、固体レーザまたは金属レーザから選ばれた一種を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月27日(2004.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボートに装填した半導体ウエハを加熱炉内に設けた反応管内の下端開ロ部より管軸方向に挿入搬出される半導体製造装置において、前記ボートの下部にあるキャップ内にヒータを有し、該ヒータは固定しつつ前記ボート及びキャップを回転させる回転機構を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
請求項1記載の前記ヒータに電源を供給するため、該回転機構の内側に軸受を介して固定される支柱を設け、該支柱に前記ヒータ固定し、該支柱内に給電線を具備したことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】
請求項1及至2記載の前記キャップの側面にヒータないし放射シールドを具備したことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項４】
ボートに装填した半導体ウエハを加熱炉内に設けた反応管内の下端開ロ部より管軸方向に挿入搬出される半導体製造装置において、前記ボートの下部にあるボートを回転させる回転機構と該回転機構の内側に軸受を介して固定される支柱と該支柱に固定されるヒータとを備えることにより、前記ヒータを固定させ、前記半導体ウエハを積載した前記ボートを回転させるようにしたことを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１    酸素イオン発生用真空処理装置
６    電気絶縁材、絶縁筒体
１２  引出電極用電源
１９  多孔導電板
２７  ランプ（加熱手段）
２８  反射板（加熱手段）
２９  多孔質セラミックス基板
３１  ガス導入パイプ
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月4日(2004.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板(101)上に窒化物半導体(102)が形成された半導体ウエハー(100)を窒化物半導体素子(110)に分割する窒化物半導体素子の製造方法であって、
前記半導体ウェハー(100)は基板(101)上に単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造をした窒化物半導体層を含有する窒化物半導体(102)が形成された窒化物半導体積層側である第１の主面(121)と前記第１の主面(121)とは対向する基板露出面側である第２の主面(111)とを有しており、少なくとも該第１の主面側及び／又は第２の主面側からレーザー照射によりブレイク・ライン(104)を形成する工程と、
前記ブレイク・ライン(104)に沿って半導体ウエハーを分離する工程とを有することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記基板は、サファイア、スピネル、炭化珪素、酸化亜鉛や窒化ガリウムから選択される請求項１に記載された窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記レーザー照射はＹＡＧレーザー、ＣＯ2レーザー、エキシマ・レーザーから選択される少なくとも１種によって行う請求項１に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記半導体ウェハーは前記基板(201)内部に加工変質部(204)を形成している請求項１に記載された窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記半導体ウェハー(100)は前記第１の主面側及び／又は第２の主面側の基板(101)に溝部(103)を形成している請求項１に記載された窒化物半導体素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板１０１上に窒化物半導体１０２が形成された半導体ウエハー１００を窒化物半導体素子１１０に分割する窒化物半導体素子の製造方法であって、
前記半導体ウェハー１００は基板１０１上に単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造をした窒化物半導体層を含有する窒化物半導体１０２が形成された窒化物半導体積層側である第１の主面１２１と前記第１の主面１２１とは対向する基板露出面側である第２の主面１１１とを有しており、少なくとも該第１の主面側及び／又は第２の主面側からレーザー照射によりブレイク・ライン１０４を形成する工程と、
前記ブレイク・ライン１０４に沿って半導体ウエハーを分離する工程とを有することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の窒化物半導体素子の製造方法において、前記基板は、サファイア、スピネル、炭化珪素、酸化亜鉛や窒化ガリウムから選択されるものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の窒化物半導体素子の製造方法において、前記レーザー照射はＹＡＧレーザー、ＣＯ2レーザー、エキシマ・レーザーから選択される少なくとも１種によって行うものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の窒化物半導体素子の製造方法において、前記半導体ウェハーは前記基板２０１内部に加工変質部２０４を形成している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
前記半導体ウェハー１００は前記第１の主面側及び／又は第２の主面側の基板１０１に溝部１０３を形成している。
前記ブレイク・ラインは基板の溝部に形成された凹部１０４であるこのが好ましい。
前記凹部はダイヤモンドスクライバー、ダイサー、エッチング装置、レーザー加工機から選択される少なくとも１種によって形成されることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の窒化物半導体素子の製造方法は、前記溝部１０３の幅が１０μｍ以上３５μｍ以下であり、前記溝部１０３の深さが３．７μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。また前記溝部４０３は第１の主面側４２１の予め基板４０１が露出された表面に形成されたものであることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月21日(2005.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
被測定基板に形成された半導体素子の電極パッドに対応して複数のプローブ針が設けられたプローブカードを所定の取付治具に着脱自在に保持可能とされ、前記電極パッドと前記プローブ針を接触させて前記半導体素子の電気的検査を行うプローブ装置において、
前記プローブカードに当該プローブカードに関する情報を記憶する記憶手段を具備した第１の無線通信手段を設けるとともに、
装置内の所定の通信領域に前記プローブカードが位置した時に前記第１の無線通信手段と無線通信を行う第２の無線通信手段を設け、前記記憶手段に記憶された前記プローブカードに関する情報を読取り可能としたことを特徴とするプローブ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、被測定基板に形成された半導体素子の電極パッドに対応して複数のプローブ針が設けられたプローブカードを所定の取付治具に着脱自在に保持可能とされ、前記電極パッドと前記プローブ針を接触させて前記半導体素子の電気的検査を行うプローブ装置において、前記プローブカードに当該プローブカードに関する情報を記憶する記憶手段を具備した第１の無線通信手段を設けるとともに、装置内の所定の通信領域に前記プローブカードが位置した時に前記第１の無線通信手段と無線通信を行う第２の無線通信手段を設け、前記記憶手段に記憶された前記プローブカードに関する情報を読取り可能としたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月17日(2004.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハ上にある複数の半導体デバイス（DUT）のウェーハレベルのバーンイン及びテストを実施するための方法であって、
自身の表面に端子を有する複数の能動電子部品を設けることと、
前記複数のDUTの端子と前記能動電子部品の端子との間で直接の電気的接続を実現するための手段を設けることと
からなる方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月22日(2004.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子時計
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
時計部品を載置するための地板と、
少なくとも２つのモータと、
該２つのモータに跨がるように前記地板の外周周辺に配置され、ＩＣチップ等が実装されるガラスエポキシ樹脂等よりなる回路基板と、
該回路基板と平面的に重なり、かつ前記回路基板を挿通する部品と
を有し、
前記回路基板に前記部品を配設するための穴明け加工後、前記回路基板の前記穴の壁面に剥がれ防止部材を施したことを特徴とする電子時計。
【請求項２】
前記剥がれ防止部材は、前記スルーホールの壁面に形成されたメッキ層であることを特徴とする請求項１記載の電子時計。
【請求項３】
前記所定の部品は、ロータであることを特徴とする請求項１又は２記載の電子時計。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明における電子時計の構造は、時計部品を載置するための地板と、少なくとも２つのモータと、該２つのモータに跨がるように前記地板の外周周辺に配置され、ＩＣチップ等が実装されるガラスエポキシ樹脂等よりなる回路基板と、該回路基板と平面的に重なり、かつ前記回路基板を挿通する部品とを有し、前記回路基板に前記部品を配設するための穴明け加工後、前記回路基板の前記穴の壁面に剥がれ防止部材を施したことを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、回路基板５は、例えばＩＣチップ６、水晶振動子７、コンデンサ等が実装されたガラスエポキシ樹脂等よりなるプリント基板である。そして、通常時刻及びクロノグラフの駆動パルスは、ＩＣチップ６より発生し配線パターンに接続されている前記第１のコイルモータ２ａ及び第２のコイルモータ２ｂに伝達される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月23日(2004.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トンネル絶縁層と、該トンネル絶縁層の両側に配置された第１の強磁性層及び第2の強磁性層とを有する強磁性トンネル接合素子において、前記トンネル絶縁層と第1の強磁性層および前記トンネル絶縁層と第2の強磁性層との間に形成された貴金属層とを有し、該貴金属層は単結晶であることを特徴とする強磁性トンネル接合素子。
【請求項２】
請求項１に記載のトンネル接合素子において、前記貴金属層は貴金属の単原子層あるいは２原子層、あるいはそれらの混合層からなることを特徴とする強磁性トンネル接合素子。
【請求項３】
請求項１に記載のトンネル接合素子において、前記貴金属層はAu, Ag, Cuのいずれかの元素を含有することを特徴とする強磁性トンネル接合素子。
【請求項４】
請求項１に記載の強磁性トンネル接合素子において、前記トンネル絶縁層は結晶質の材料からなることを特徴とする強磁性トンネル接合素子。
【請求項５】
トンネル絶縁層と、該トンネル絶縁層の両側に配置された第１の強磁性層及び第2の強磁性層と、前記トンネル絶縁層と第1の強磁性層および前記トンネル絶縁層と第2の強磁性層との間に形成された貴金属層とを備えた磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の両側に形成された磁気シールド層と、前記磁気抵抗効果素子の駆動電流が流れる一対の電極とを有し、前記貴金属層は単結晶であることを特徴とする強磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項６】
トンネル絶縁層と、該トンネル絶縁層の両側に配置された第１の強磁性層及び第2の強磁性層と、前記トンネル絶縁層と第1の強磁性層および前記トンネル絶縁層と第2の強磁性層との間に形成された貴金属層とを備えた磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の両側に形成された磁気シールド層と、前記磁気抵抗効果素子の駆動電流が流れる一対の電極とを備えた磁気抵抗効果型ヘッドと、前記一対の電極に供給される電流が流れる電流端子とを備え、前記貴金属層は単結晶であることを特徴とする磁気ヘッドスライダ。
【請求項７】
磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を回転させるスピンドルモータと、スライダに塔載され磁気記録媒体に情報の記録再生を行う磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを磁気記録媒体上の所望の位置に移動させるアクチュエータとを有する磁気ディスク装置において、前記磁気ヘッドは、トンネル絶縁層と、該トンネル絶縁層の両側に配置された第１の強磁性層及び第2の強磁性層とを有する強磁性トンネル接合素子を備え、前記トンネル絶縁層と第1の強磁性層および前記トンネル絶縁層と第2の強磁性層との間に形成された貴金属層とを有する強磁性トンネル接合素子と、前記強磁性トンネル接合素子に電流を供給する電源を備え、前記第１の強磁性層及び第2の強磁性層はCoあるいはCoxFe1-x(x=0.7-1.0)を含有し、更に前記強磁性トンネル接合素子に印可する駆動電圧を0.01以上0.1V以下に制御する手段を備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項８】
磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を回転させるスピンドルモータと、スライダに塔載され磁気記録媒体に情報の記録再生を行う磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを磁気記録媒体上の所望の位置に移動させるアクチュエータとを有する磁気ディスク装置において、前記磁気ヘッドは、トンネル絶縁層と、該トンネル絶縁層の両側に配置された第１の強磁性層及び第2の強磁性層とを有する強磁性トンネル接合素子を備え、前記トンネル絶縁層と第1の強磁性層および前記トンネル絶縁層と第2の強磁性層との間に形成された貴金属層とを有する強磁性トンネル接合素子と、前記強磁性トンネル接合素子に電流を供給する電源を備え、前記第１の強磁性層及び第2の強磁性層はCoあるいはCoxFe1-x(x=0.7-1.0)を含有し、更に前記強磁性トンネル接合素子に印可する駆動電圧を0.2 V以上0.5V以下に制御する手段を備えたことを特徴とする磁気ディスク装置
【請求項９】
磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を回転させるスピンドルモータと、スライダに塔載され磁気記録媒体に情報の記録再生を行う磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを磁気記録媒体上の所望の位置に移動させるアクチュエータとを有する磁気ディスク装置において、前記磁気ヘッドは、トンネル絶縁層と、該トンネル絶縁層の両側に配置された第１の強磁性層及び第2の強磁性層とを有する強磁性トンネル接合素子を備え、前記トンネル絶縁層と第1の強磁性層および前記トンネル絶縁層と第2の強磁性層との間に形成された貴金属層とを有する強磁性トンネル接合素子と、前記強磁性トンネル接合素子に電流を供給する電源を備え、前記第１の強磁性層及び第2の強磁性層はFeを含有し、更に前記強磁性トンネル接合素子に印可する駆動電圧を0.01V以上0.15V以下に制御する手段を備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項１０】
磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を回転させるスピンドルモータと、スライダに塔載され磁気記録媒体に情報の記録再生を行う磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを磁気記録媒体上の所望の位置に移動させるアクチュエータとを有する磁気ディスク装置において、前記磁気ヘッドは、トンネル絶縁層と、該トンネル絶縁層の両側に配置された第１の強磁性層及び第2の強磁性層とを有する強磁性トンネル接合素子を備え、前記トンネル絶縁層と第1の強磁性層および前記トンネル絶縁層と第2の強磁性層との間に形成された貴金属層とを有する強磁性トンネル接合素子と、前記強磁性トンネル接合素子に電流を供給する電源を備え、前記第１の強磁性層及び第2の強磁性層はFeを含有し、更に前記強磁性トンネル接合素子に印可する駆動電圧を0.3V以上0.7V以下に制御する手段を備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項１１】
磁気記録媒体と、該磁気記録媒体を回転させるスピンドルモータと、スライダに塔載され磁気記録媒体に情報の記録再生を行う磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを磁気記録媒体上の所望の位置に移動させるアクチュエータとを有する磁気ディスク装置において、前記磁気ヘッドは、トンネル絶縁層と、該トンネル絶縁層の両側に配置された第１の強磁性層及び第2の強磁性層とを有する強磁性トンネル接合素子を備え、前記トンネル絶縁層と第1の強磁性層および前記トンネル絶縁層と第2の強磁性層との間に形成された貴金属層とを有する強磁性トンネル接合素子と、前記強磁性トンネル接合素子に電流を供給する電源を備え、前記第１の強磁性層及び第2の強磁性層はNixFe1-x(x=0.7-1.0)を含有し、更に前記強磁性トンネル接合素子に印可する駆動電圧を0.03V以上0.06V以下に制御する手段を備えたことを特徴とする磁気ディスク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月4日(2004.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピン止め層およびセンス層を含む磁気トンネル接合を形成するステップと、
前記層の少なくとも１つの磁化ベクトルを再設定するステップ
を含む、方法。
【請求項２】
前記接合をアニールしながら、対象とする方向に磁界を印加することにより、磁化ベクトルが再設定される、請求項１の方法。
【請求項３】
前記ピン止め層に対して、対象とする方向に磁界を印加しながら、前記ピン止め層のブロッキング温度より高い温度でアニールすることにより、前記ピン止め層磁化ベクトルが再設定される、請求項１の方法。
【請求項４】
前記センス層に対して、対象とする方向に磁界を印加しながら、前記センス層の容易軸を回転させるための閾値温度より高い温度に前記接合を加熱することにより、前記センス層の磁化の角度が再設定される、請求項１の方法。
【請求項５】
前記接合の切替え特性を検査するステップと、
検査結果にしたがって少なくとも１つの磁化ベクトルを再設定するステップ
をさらに含む、請求項１の方法。
【請求項６】
前記センス層磁化ベクトルおよび前記ピン止め層磁化ベクトルはいずれも、再アニールすることにより再設定される、請求項１の方法。
【請求項７】
前記磁化ベクトルが、切替え曲線の対称性を改善するように再設定される、請求項６の方法。
【請求項８】
前記磁化ベクトルが、クリティカルな切替え磁界を低減するように再設定される、請求項６の方法。
【請求項９】
前記磁化ベクトルが、同じ方向を向くように再設定される、請求項６の方法。
【請求項１０】
前記ピン止め層磁化ベクトルは、強い強磁性結合および弱い反強磁性結合を補償するように再設定される、請求項１の方法。
【請求項１１】
前記ピン止め層磁化ベクトルは、前記センス層磁化ベクトルから離れるように動かされる、請求項１０の方法。
【請求項１２】
前記ピン止め層磁化ベクトルは、切替え曲線の対称性を改善するように再設定される、請求項１０の方法。
【請求項１３】
前記ピン止め層磁化ベクトルは、クリティカルな切替え磁界を低減するように再設定される、請求項１０の方法。
【請求項１４】
センス層の磁化の角度が、ピン止め層の磁化の角度とは無関係に変えられる、請求項１の方法。
【請求項１５】
ピン止め層およびセンス層を含む磁気トンネル接合を形成するステップと、
前記接合についての所望の切替え曲線を決定するステップと、
前記層の少なくとも１つの層の磁化ベクトルを再設定するステップ
を含む、方法。
【請求項１６】
前記センス層磁化ベクトルおよび前記ピン止め層磁化ベクトルはいずれも、再アニールすることにより再設定される、請求項１５の方法。
【請求項１７】
前記磁化ベクトルが、切替え曲線の対称性を改善するように再設定される、請求項１６の方法。
【請求項１８】
前記磁化ベクトルが、クリティカルな切替え磁界を低減するように再設定される、請求項１６の方法。
【請求項１９】
前記ピン止め層とセンス層の容易軸が同じ方向を向くように、前記磁化ベクトルを再設定する、請求項１６の方法。
【請求項２０】
前記ピン止め層磁化ベクトルが、再アニールすることによってのみ再設定される、請求項１５の方法。
【請求項２１】
前記ピン止め層磁化ベクトルは、前記センス層磁化ベクトルから離れるように動かされる、請求項２０の方法。
【請求項２２】
前記ピン止め層磁化ベクトルが、切替え曲線の対称性を改善するように再設定される、請求項２０の方法。
【請求項２３】
前記ピン止め層磁化ベクトルが、クリティカルな切替え磁界を低減するように再設定される、請求項２０の方法。
【請求項２４】
前記センス層の磁化の角度が、ピン止め層の磁化の角度とは無関係に変えられる、請求項２０の方法。
【請求項２５】
磁気トンネル接合において、
ピン止め層であって、該ピン止め層の面に存在する第１の磁化ベクトルを有する、ピン止め層と、
センス層であって、該センス層の面に存在する第２の磁化ベクトルを有するセンス層
を有し、
前記第１の磁化ベクトルと第２の磁化ベクトルの少なくとも１つが、異なる角度に再設定されており、前記異なる角度は、前記接合の所望の切替え曲線に対応することからなる、磁気トンネル接合。
【請求項２６】
前記接合が強い強磁性結合と反強磁性結合を有し、前記第１のベクトル及び第２のベクトルの両方が再設定されている、請求項２５の磁気トンネル接合。
【請求項２７】
前記両方のベクトルが同じ方向を向く、請求項２６の磁気トンネル接合。
【請求項２８】
前記接合が強い強磁性結合と弱い反強磁性結合を有し、前記第１のベクトルのみが再設定されている、請求項２５の磁気トンネル接合。
【請求項２９】
前記第１のベクトルが、前記第２のベクトルと異なる角度を有する、請求項２５の磁気トンネル接合。
【請求項３０】
前記磁気トンネル接合が強い強磁性結合を有し、前記切替え曲線の少なくとも半分が対称性を有する、請求項２５の磁気トンネル接合。
【請求項３１】
前記磁気トンネル接合が強い反強磁性結合を有する、請求項３０の磁気トンネル接合。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月5日(2004.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層と、量子井戸構造を有する可飽和吸収層とが基板上に形成された窒化物半導体レーザである半導体発光装置であって、前記可飽和吸収層の１つの井戸層の厚さｄは、０．５ｎｍ≦ｄであり、前記可飽和吸収層の井戸層の厚さの合計ｄtotalは、０．５ｎｍ≦ｄtotal≦４ｎｍであることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
前記可飽和吸収層の井戸層の厚さｄは、０．５ｎｍ≦ｄ≦３ｎｍであることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記可飽和吸収層の光の閉じ込め係数Γは、０．００1≦Γ≦０．０１６であることを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記可飽和吸収層の光の閉じ込め係数Γは、０．００1≦Γ≦０．０１２であることを特徴とする請求項３記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記活性層と前記可飽和吸収層との距離ｌ1は、１０ｎｍ≦ｌ1≦７５ｎｍであることを特徴とする請求項１または２記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記可飽和吸収層は、単一量子井戸からなることを特徴とする請求項１、３または５のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項７】
前記可飽和吸収層は、多重量子井戸からなることを特徴とする請求項１、３または５のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項８】
前記可飽和吸収層は、ＩｎＧａＮからなることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載の半導体発光装置において、前記活性層と前記可飽和吸収層の間にバンドギャップがＧａＮよりも大きいキャリアブロック層が設けられていることを特徴とする半導体発光装置。
【請求項１０】
前記キャリアブロック層は、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＮまたはＩｎＡｌＮからなることを特徴とする請求項９記載の半導体発光装置。
【請求項１１】
前記活性層は、量子井戸構造を有することを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の半導体発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体発光装置は、発光する活性層と、量子井戸構造を有する可飽和吸収層とが基板上に形成された窒化物半導体レーザである半導体発光装置であって、可飽和吸収層の１つの井戸層の厚さｄが、０．５ｎｍ≦ｄであり、可飽和吸収層の井戸層の厚さの合計ｄtotalは、０．５ｎｍ≦ｄtotal≦４ｎｍであることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この可飽和吸収層は、ＩｎＧａＮからなるものが好ましい。
また、活性層と可飽和吸収層の間には、バンドギャップがＧａＮより大きいキャリアブロック層が設けられていることが好ましく、キャリアブロック層の材質としては、ＩｎＡｌＧａＮ、ＡｌＧａＮまたはＩｎＡｌＮが好ましい。キャリアブロック層を設けることで注入キャリアが可飽和吸収層に流入して可飽和吸収層が飽和状態になるのを防ぐことができる。本発明の発光装置における活性層は、量子井戸構造を有する態様が好適である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月27日(2004.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】樹脂封止形半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワー素子，制御用ＩＣの各チップを個別にマウントするダイパッド、全てのリードを片側一列に並べて各ダイパッド，およびダイパッドと分離して引出した主回路，制御電源，信号回路の端子リード、および各リードの間を繋ぐダムバーをパターン形成したリードフレームを用いた樹脂封止形半導体装置において、
少なくともパワー素子，制御用ＩＣに対応する主回路端子，制御電源端子については各端子に対応するリードを複数本ずつ引出し、ダイパッドにマウントしたパワー素子，制御用ＩＣと内部配線を施した上でその周域を樹脂封止した状態で、不要なリードを選択してそのアウターリードをダムバーとともにカットして取り除くようにしたことを特徴とする樹脂封止形半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の樹脂封止形半導体装置において、前記リードフレームのサイドレールを片側一列のみとして、各端子リードの先端と連結して形成したことを特徴とする樹脂封止形半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の樹脂封止形半導体装置において、主回路端子の異なる電位のリード間に並置してダミーリードを形成し、該ダミーリードを樹脂封止後にダムバーとともにカットして取り除くようにしたことを特徴とする樹脂封止形半導体装置。
【請求項４】
請求項３記載の樹脂封止形半導体装置において、前記ダミーリードは、その内端が樹脂パッケージのモールドラインに合わせてカットされていることを特徴とする樹脂封止形半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明によれば、パワー素子，制御用ＩＣの各チップを個別にマウントするダイパッド、全てのリードを片側一列に並べて各ダイパッド，およびダイパッドと分離して引出した主回路，制御電源，信号回路の端子リード、および各リードの間を繋ぐダムバーをパターン形成したリードフレームを用いた樹脂封止形半導体装置において、
請求項１の発明では、少なくともパワー素子，制御用ＩＣに対応してリードフレーム上に形成した主回路端子，制御電源端子について、あらかじめ各端子からリードを複数本ずつ引出して形成し、ダイパッドにマウントしたパワー素子，制御用ＩＣとの間で内部配線（ワイヤボンディング）を施した上で、リードフレームをモールド金型にセットして樹脂封止を行った後に、前記リードのうち外部導出端子として使用しない不要のリードを選択してそのアウターリードをダムバーとともにカットして取り除くようにする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月8日(2004.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の伝導形の珪素（Ｓｉ）単結晶基板と、前記基板上に設けられた、第１の障壁層を構成する元素を含む非晶質層と、該非晶質層上に設けられた、第１の伝導形のリン化硼素（ＢＰ）系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる単層の第１の障壁層と、該第１の障壁層上に設けられた、窒素（Ｎ）を含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層とを具備し、第１の障壁層と発光層とによってヘテロ（異種）接合構造を形成するリン化硼素系半導体発光素子において、前記第１の障壁層が発光層からの発光を外部へ反射する機能を有し、発光層からの発光に対する第１の障壁層の反射率を３０％以上とすることを特徴とするリン化硼素系半導体発光素子。
【請求項２】
前記第１の障壁層と発光層とがｐｎ接合を形成する請求項１に記載のリン化硼素系半導体発光素子。
【請求項３】
前記発光層上に、第２の伝導形のリン化硼素系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる第２の障壁層が設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載のリン化硼素系半導体発光素子。
【請求項４】
第２の障壁層が、第１の障壁層と実質的に同一の層厚を有することを特徴とする請求項３に記載のリン化硼素系半導体発光素子。
【請求項５】
第１の障壁層と第２の障壁層が、単量体のリン化硼素（ｂｏｒｏｎｍｏｎｏｐｈｏｓｐｈｉｄｅ）から構成されていることを特徴とする請求項３または４に記載のリン化硼素系半導体発光素子。
【請求項６】
第１の障壁層と第２の障壁層の少なくとも一方が、硼素（Ｂ）空孔を占有するリン（Ｐ）の原子濃度とリン空孔を占有する硼素の原子濃度とを略同量とするリン化硼素から構成されていることを特徴とする請求項５に記載のリン化硼素系半導体発光素子。
【請求項７】
第１の障壁層がリン化硼素（ＢＰ）からなり、第１の障壁層の層厚（ｄ：単位ｎｍ）と発光層からの発光の波長（λ：単位ｎｍ）とが、λ≒０．１３５・ｄ＋３８０（但し、４２０ｎｍ≦λ≦４９０ｎｍ）
の関係を有することを特徴とする請求項１ないし６の何れか１項に記載のリン化硼素系半導体発光素子。
【請求項８】
表面を｛１１１｝結晶面とするＳｉ単結晶基板上に、有機金属化学的気相堆積（ＭＯＣＶＤ）法により、２５０℃以上７５０℃以下の基板温度で、硼素（Ｂ）またはリン（Ｐ）を含む非晶質層を形成した後、リン（Ｐ）を含む雰囲気中で昇温し、然る後、１０００℃±２５℃の基板温度でリン化硼素からなる第１の障壁層を形成することを特徴とする請求項１ないし７の何れか１項に記載のリン化硼素系半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
第１の障壁層上に、第１の障壁層を形成する基板温度より低温で、窒素を含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる発光層を形成することを特徴とする請求項８に記載のリン化硼素系半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし７の何れか１項に記載のリン化硼素系半導体発光素子から作製したランプ。
【請求項１１】
請求項８または９に記載のリン化硼素系半導体発光素子の製造方法で製造したリン化硼素系半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月4日(2005.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遮蔽要素を含む集積回路。
【請求項２】
前記遮蔽要素が、低コンダクタンス半導体領域の上に配置された誘電体層を含む、請求項１に記載の集積回路。
【請求項３】
前記誘電体層が、ゲート酸化物を含む、請求項２に記載の集積回路。
【請求項４】
前記遮蔽要素が、前記ゲート酸化物層の上に配置されたゲート電極層をさらに含む、請求項３に記載の集積回路。
【請求項５】
前記ゲート電極層をグランドに接続する電荷放散要素をさらに含む、請求項４に記載の集積回路。
【請求項６】
前記遮蔽要素が、第２のドープ・シリコン領域から第１のドープ・シリコン領域を電気的に分離する、請求項５に記載の集積回路。
【請求項７】
前記第１のドープ・シリコン領域が、シリコン・エッチング処理に晒される、請求項６に記載の集積回路。
【請求項８】
前記シリコン・エッチングが、ドリル・スロットを事前に定義するために使用される、請求項７に記載の集積回路。