(57)【要約】【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて基板の表面に互いに反応する複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供する。【解決手段】２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給して成膜を行う成膜装置において、ヒータ２３は基板の載置領域を備えた回転テーブル７下方側に設けられ、外側壁部材２１はヒータ２３が設けられている領域における回転テーブル７の径方向外側を囲むように配置されている。さらにこの回転テーブル７との間に第１の狭隘な空間を形成する部材が設けられ、この第１の狭隘な空間に向けてパージガスを流すことにより反応ガスが回転テーブル７の下方側へと侵入することを防止する。【選択図】図１
2010135420.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内にて互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成する成膜装置において、
前記真空容器内に設けられ、上面に基板が載置される基板載置領域を備えた回転テーブルと、
この回転テーブルの回転方向に設けられ、前記基板載置領域が順次通過する第１の処理領域及び第２の処理領域に、夫々第１の反応ガス及び第２の反応ガスを供給するための第１の反応ガス供給手段及び第２の反応ガス供給手段と、
前記第１の処理領域と第２の処理領域とを回転テーブルの回転方向に互いに分離するための分離領域と、
前記回転テーブルの下方側に設けられ、輻射熱により当該回転テーブルを加熱するヒータと、
前記真空容器の底部に、前記ヒータが設けられている領域における回転テーブルの径方向外側を囲むように設けられた外側壁部材と、
前記第１の処理領域または第２の処理領域に供給された反応ガスが、前記回転テーブルの側方を介して当該回転テーブルの下方側の空間へと侵入することを抑えるために、少なくとも回転テーブルの回転方向に互いに隣接する分離領域間に設けられ、前記外側部材から伸びだして回転テーブルとの間に第１の狭隘な空間を形成する部材と、
この第１の狭隘な空間を介して前記回転テーブルの下方側から当該回転テーブルの径方向外側の領域へと流れるパージガスを供給するパージガス供給手段と、を備えたことを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記第１の狭隘な空間を形成する部材は、前記外側壁部材の内側及びまたは外側へ向けて伸び出すように設けられ、回転テーブルの下面との間に第１の狭隘な空間を形成することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記第１の狭隘な空間を形成する部材は石英からなり、前記ヒータの上面を覆って前記回転テーブルの中央領域まで伸びだしていることを特徴とする請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記回転テーブルは、回転中心から下方側へ伸びる回転軸を備え、当該回転軸の周囲には、前記第１の狭隘な空間を形成する部材の内端縁との間に形成される隙間を介して前記真空容器の底面から上方へと突出する筒状部材が設けられ、前記パージガス供給手段は、当該隙間を介して第１の狭隘な空間へとパージガスが流れ込むように、前記外側壁部材と第１の狭隘な空間を形成する部材と筒状部材とに囲まれる空間にパージガスを供給することを特徴とする請求項３に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記パージガス供給手段を第１のパージガス供給手段とすると、前記筒状部材の内側から前記第１の狭隘な空間へ向けてパージガスを供給する第２のパージガス供給手段を備えていることを特徴とする請求項４に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記ヒータが設けられている領域における回転テーブルの径方向内側を囲む内側壁部材をさらに備え、前記第１の狭隘な空間を形成する部材は石英からなると共に、前記外側壁部材と内側壁部材との間の空間を覆って当該ヒータを収納する密閉された空間を形成し、この密閉された空間内の圧力を外の空間の圧力に対して陽圧に保つ圧力調整手段が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記ヒータは、高純度の炭素素材を編むことにより形成された紐状の抵抗発熱体を石英管内に封入したカーボンワイヤヒータからなり、このカーボンワイヤヒータは、前記回転テーブルの回転中心側から周縁側へ向けて複数の円を描くように配置されていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか一つに記載の成膜装置。
【請求項８】
前記カーボンワイヤヒータの下方には、当該カーボンワイヤヒータから下方側へ向けて放射された輻射熱を回転テーブルへ向けて反射する反射板が設けられていることを特徴とする請求項７に記載の成膜装置。
【請求項９】
前記分離領域に分離ガスを供給するための分離ガス供給手段と、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側に位置し、当該分離領域から処理領域側に分離ガスが流れるための第２の狭隘な空間を回転テーブルとの間に形成するための天井面と、前記分離領域の両側に拡散する分離ガスと共に前記反応ガスを排気するための排気口と、を備えたことを特徴とする請求項１ないし８のいずれか一つに記載の成膜装置。
【請求項１０】
前記第１の処理領域と第２の処理領域との雰囲気を分離するために真空容器内の中心部に位置し、回転テーブルの基板載置面側に分離ガスを吐出する吐出孔が形成された中心部領域を備えたことを特徴とする請求項９に記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを多数回実行することにより反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセスにおける成膜手法として、基板である半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）等の表面に真空雰囲気下で第１の反応ガスを吸着させた後、供給するガスを第２の反応ガスに切り替えて、両ガスの反応により１層あるいは複数層の原子層や分子層を形成し、このサイクルを多数回行うことにより、これらの層を積層して、基板上への成膜を行うプロセスが知られている。このプロセスは、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）やＭＬＤ（Molecular Layer Deposition）などと呼ばれており、サイクル数に応じて膜厚を高精度にコントロールすることができると共に、膜質の面内均一性も良好であり、半導体デバイスの薄膜化に対応できる有効な手法である。
【０００３】
このような成膜方法が好適である例としては、例えばゲート酸化膜に用いられる高誘電体膜の成膜が挙げられる。一例を挙げると、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）を成膜する場合には、第１の反応ガス（原料ガス）として、例えばビスターシャルブチルアミノシラン（以下「ＢＴＢＡＳ」という）ガス等が用いられ、第２の反応ガス（酸化ガス）としてオゾンガス等が用いられる。
【０００４】
このような成膜方法を実施する装置としては、真空容器の上部中央にガスシャワーヘッドを備えた枚葉の成膜装置を用いて、基板の中央部上方側から反応ガスを供給し、未反応の反応ガス及び反応副生成物を処理容器の底部から排気する方法が検討されている。ところで上記の成膜方法は、パージガスによるガス置換に長い時間がかかり、またサイクル数も例えば数百回にもなることから、処理時間が長いという問題があり、高スループットで処理できる装置、手法が要望されている。
【０００５】
このような背景から、複数枚の基板を真空容器内の回転テーブルに回転方向に配置して成膜処理を行う装置が以下のように既に知られている。特許文献１には、扁平な円筒状の真空容器を左右に分離し、左側領域及び右側領域に半円の輪郭に沿って形成された排気口が上向きに排気するように設けられると共に、左側半円の輪郭と右側半円の輪郭の間、つまり真空容器の直径領域には分離ガスの吐出口が形成されている。右側半円領域及び左側半円領域には互いに異なる原料ガスの供給領域が形成され、真空容器内の回転テーブルが回転することでワークピースが右側半円領域、分離領域Ｄ及び左側半円領域を通過すると共に、両原料ガスは排気口から排気される。そして分離ガスが供給される分離領域Ｄの天井は原料ガスの供給領域よりも低くなっている。
【０００６】
しかしながらこの装置は、分離ガスの吐出口と反応ガスの供給領域との間に上向きの排気口を設け、反応ガスをこの排気口から分離ガスと共に排気する手法を採用しているため、ワークピースに吐出された反応ガスが上向き流となって排気口から吸い込まれるため、パーティクルの巻上げを伴ない、ウエハへのパーティクル汚染を引き起こしやすいという欠点がある。
【０００７】
特許文献２には、ウエハ支持部材（回転テーブル）の上に回転方向に沿って４枚のウエハを等距離に配置する一方、ウエハ支持部材と対向するように第１の反応ガス吐出ノズル及び第２の反応ガス吐出ノズルを回転方向に沿って等距離に配置しかつこれらノズルの間にパージノズルを配置し、ウエハ支持部材を水平回転させる構成が記載されている。各ウエハはウエハ支持部材により支持され、ウエハの表面はウエハ支持部材の上面からウエハの厚さだけ上方に位置している。また各ノズルはウエハ支持部材の径方向に伸びるように設けられ、ウエハとノズルとの距離は０．１ｍｍ以上であることが記載されている。真空排気はウエハ支持部材の外縁と処理容器の内壁との間から行われる。このような装置によれば、パージガスノズルの下方がいわばエアーカーテンの役割を果たすことで第１の反応ガスと第２の反応ガスとの混合を防止している。
【０００８】
しかしながらウエハ支持部材が回転していることもあって、パージガスノズルからのエアーカーテン作用だけではその両側の反応ガスが通過してしまい、特に回転方向上流側から前記エアーカーテン中を拡散してしまうことは避けられない。更にまた第１の反応ガス吐出ノズルから吐出した第１の反応ガスは回転テーブルに相当するウエハ支持部材の中心部を介して容易に第２の反応ガス吐出ノズルからの第２の反応ガス拡散領域に到達してしまう。このように第１の反応ガスと第２の反応ガスとがウエハ上で混合されてしまうと、ウエハ表面に反応生成物が付着し、良好なＡＬＤ（あるいはＭＬＤ）処理ができなくなる。
【０００９】
特許文献３には、真空容器内を隔壁により周方向に複数の処理室に分割すると共に、隔壁の下端に対して細隙を介して回転可能な円形の載置台を設けて、この載置台上にウエハを複数配置する構成が記載されている。この装置は、隔壁と載置台あるいはウエハとの間の隙間からプロセスガスが隣の処理室に拡散し、また複数の処理室の間に排気室を設けているので、ウエハがこの排気室を通るときに上流側及び下流側の処理室からのガスが当該排気室にて混合される。このためいわゆるＡＬＤ方式の成膜手法には適用できない。
【００１０】
さらに特許文献３に記載の技術では、載置台が回転可能なように構成されていることから、載置台と真空容器との間には隙間を設ける必要があり、この隙間を介してプロセスガスが載置台の下方に侵入し、反応生成物を生ずるおそれがある。このため、載置台の下方側を介してプロセスガスが他の処理室内に侵入し混合されてしまうおそれがある。また例えば載置台の下方に輻射方式のヒータを設ける場合には、当該ヒータが反応生成物で汚れてしまい、清掃を頻繁に行わなければならない可能性も高い。
【００１１】
特許文献４には、円形のガス供給板を周方向に８つに区切り、ＡｓＨ３ガスの供給口、Ｈ２ガスの供給口、ＴＭＧガスの供給口及びＨ２ガスの供給口を９０度づつずらして配置し、さらにこれらガス供給口の間に排気口を設け、このガス供給板と対向させてウエハを支持したサセプタを回転させる手法が記載されている。しかしながら、この手法は、２つの反応ガスの分離に対して現実的な手段が何ら開示されておらず、サセプタの中心付近においては勿論のこと、実際には中心付近以外においてもＨ２ガスの供給口の配列領域を介して２つの反応ガスが混合されてしまう。更にまたウエハの通過領域と対向する面に排気口を設けると、サセプタ表面からのパーティクルの巻上げなどによりウエハのパーティクル汚染が起こりやすいという致命的な問題もある。
【００１２】
また特許文献５には、回転テーブルの上方領域を十字に４つの垂直壁で仕切り、こうして仕切られた４つの載置領域にウエハを載置すると共に、ソースガスインジェクター、反応ガスインジェクター、パージガスインジェクターを回転方向に交互に配置して十字のインジェクターユニットを構成し、これらインジェクターを前記４つの載置領域に順番に位置させるようにインジェクターユニットを水平回転させかつ回転テーブルの周辺から真空排気する構成が記載されている。しかしながらこのような構成においては、各載置領域にソースガスあるいは反応ガスを供給した後、パージガスノズルにより当該載置領域の雰囲気をパージガスで置換するために長い時間がかかるし、また一の載置領域から垂直壁を越えて隣接する載置領域にソースガスあるいは反応ガスが拡散して、両ガスが載置領域にて反応するおそれが大きい。
【００１３】
更にまた特許文献６（特許文献７、８）には、ターゲット(ウエハに相当する)に複数のガスを交互に吸着させる原子層ＣＶＤ方法を実施するにあたり、ウエハを載置するサセプタを回転させ、サセプタの上方からソースガスとパージガスとを供給する装置が記載されている。段落００２３から００２５には、チャンバの中心から放射状に隔壁が延びており、隔壁の下に反応ガスまたはパージガスをサセプタに供給するガス流出孔が設けられていること、隔壁からのガス流出孔から不活性ガスを流出させることでガスカーテンを形成することが記載されている。排気に関しては段落００５８に初めて記載され、この記載によると、ソースガスとパージガスとを夫々排気チャンネル３０ａ、３０ｂから別々に排気するようになっている。このような構成では、パージガスコンパートメントにおいて両側のソースガスコンパートメンにおけるソースガスの混じり合いを避けられず、反応生成物が発生してウエハへのパーティクル汚染が生じる。この特許文献６は、解読が困難であり、上述以外の構成については把握が困難である。
【特許文献１】米国特許公報７，１５３，５４２号：図６（ａ）、図６（ｂ）
【特許文献２】特開２００１−２５４１８１号公報：図１、図２
【特許文献３】特許３１４４６６４号公報：図１、図２、請求項１
【特許文献４】特開平４−２８７９１２号公報
【特許文献５】米国特許公報６，６３４，３１４号
【特許文献６】特開２００７−２４７０６６号公報：段落００２３〜００２５、００５８、図１２及び図２０
【特許文献７】米国特許公開公報２００７−２１８７０１号
【特許文献８】米国特許公開公報２００７−２１８７０２号
【特許文献９】特開２００４−３４３０１７号公報：第００２１段落〜第００２５段落、図１〜図４
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は基板の表面に互いに反応する複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、高いスループットが得られ、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる成膜装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明に係る成膜装置は、真空容器内にて互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを順番に基板の表面に供給しかつこの供給サイクルを実行することにより反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成する成膜装置において、
前記真空容器内に設けられ、上面に基板が載置される基板載置領域を備えた回転テーブルと、
この回転テーブルの回転方向に設けられ、前記基板載置領域が順次通過する第１の処理領域及び第２の処理領域に、夫々第１の反応ガス及び第２の反応ガスを供給するための第１の反応ガス供給手段及び第２の反応ガス供給手段と、
前記第１の処理領域と第２の処理領域とを回転テーブルの回転方向に互いに分離するための分離領域と、
前記回転テーブルの下方側に設けられ、輻射熱により当該回転テーブルを加熱するヒータと、
前記真空容器の底部に、前記ヒータが設けられている領域における回転テーブルの径方向外側を囲むように設けられた外側壁部材と、
前記第１の処理領域または第２の処理領域に供給された反応ガスが、前記回転テーブルの側方を介して当該回転テーブルの下方側の空間へと侵入することを抑えるために、少なくとも回転テーブルの回転方向に互いに隣接する分離領域間に設けられ、前記外側部材から伸びだして回転テーブルとの間に第１の狭隘な空間を形成する部材と、
この第１の狭隘な空間を介して前記回転テーブルの下方側から当該回転テーブルの径方向外側の領域へと流れるパージガスを供給するパージガス供給手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１６】
ここで前記第１の狭隘な空間を形成する部材は、前記外側壁部材の内側及びまたは外側へ向けて伸び出すように設けられ、回転テーブルの下面との間に第１の狭隘な空間を形成することが好ましく、この場合には、前記第１の狭隘な空間を形成する部材は石英からなり、前記ヒータの上面を覆って前記回転テーブルの中央領域まで伸びだしていると共に、前記回転テーブルは、回転中心から下方側へ伸びる回転軸を備え、当該回転軸の周囲には、前記第１の狭隘な空間を形成する部材の内端縁との間に形成される隙間を介して前記真空容器の底面から上方へと突出する筒状部材が設けられ、前記パージガス供給手段は、当該隙間を介して第１の狭隘な空間へとパージガスが流れ込むように、前記外側壁部材と第１の狭隘な空間を形成する部材と筒状部材とに囲まれる空間にパージガスを供給する構成となっているとよい。このとき、前記パージガス供給手段を第１のパージガス供給手段とすると、前記筒状部材の内側から前記第１の狭隘な空間へ向けてパージガスを供給する第２のパージガス供給手段を備えていることがさらに好ましい。
【００１７】
また、前記第１の狭隘な空間を形成する部材が、前記外側壁部材の内側及びまたは外側へ向けて伸び出すように設けられている場合において、前記ヒータが設けられている領域における回転テーブルの径方向内側を囲む内側壁部材をさらに備え、前記第１の狭隘な空間を形成する部材は石英からなると共に、前記外側壁部材と内側壁部材との間の空間を覆って当該ヒータを収納する密閉された空間を形成し、この密閉された空間内の圧力を外の空間の圧力に対して陽圧に保つ圧力調整手段が設けられている構成としてもよい。
【００１８】
ここで前記ヒータは、高純度の炭素素材を編むことにより形成された紐状の抵抗発熱体を石英管内に封入したカーボンワイヤヒータからなり、このカーボンワイヤヒータは、前記回転テーブルの回転中心側から周縁側へ向けて複数の円を描くように配置されていることが好ましく、前記カーボンワイヤヒータの下方には、当該カーボンワイヤヒータから下方側へ向けて放射された輻射熱を回転テーブルへ向けて反射する反射板が設けられていることがさらに好ましい。
【００１９】
そしてこれら成膜装置は、前記分離領域に分離ガスを供給するための分離ガス供給手段と、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側に位置し、当該分離領域から処理領域側に分離ガスが流れるための第２の狭隘な空間を回転テーブルとの間に形成するための天井面と、前記分離領域の両側に拡散する分離ガスと共に前記反応ガスを排気するための排気口と、を備えることが好適であり、さらには前記第１の処理領域と第２の処理領域との雰囲気を分離するために真空容器内の中心部に位置し、回転テーブルの基板載置面側に分離ガスを吐出する吐出孔が形成された中心部領域を備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、回転テーブル下方に設けられているヒータの周囲を外側壁部材で覆い、前記回転テーブルとの間で狭隘な空間を形成するための部材を当該外側壁部材から伸びだすように設けていると共に、当該狭隘な空間には回転テーブルの中央側から周縁側へ向けてパージガスが流れているので、例えば処理領域に供給された反応ガスが回転テーブルと真空容器との間の隙間を介して当該真空容器底部の空間に侵入したとしても、反応ガスはパージガスの流れに逆らってヒータの配置されている空間にほとんど侵入することができない。この結果、ヒータ表面への反応生成物の付着が抑制され、メンテナンスの間隔を伸ばすことができると共に、真空容器内でのパーティクルの発生を抑えることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
本発明の実施の形態である成膜装置は、図１（図３のＩ−Ｉ’線に沿った断面図）に示すように平面形状が概ね円形である扁平な真空容器１と、この真空容器１内に設けられ、当該真空容器１の中心に回転中心を有する回転テーブル７と、を備えている。真空容器１は天板１１が容器本体１２から分離できるように構成されている。天板１１は、内部の減圧状態により封止部材例えばＯリング１３を介して容器本体１２側に押し付けられていて気密状態を維持しているが、天板１１を容器本体１２から分離するときには図示しない駆動機構により上方に持ち上げられる。
【００２２】
回転テーブル７は、中心部にて円筒形状のコア部７１に固定され、このコア部７１は、鉛直方向に伸びる回転軸７２の上端に固定されている。回転軸７２は真空容器１の底面部１４を貫通し、その下端が当該回転軸７２を鉛直軸回りに、この例では時計方向に回転させる駆動部７３に取り付けられている。回転軸７２及び駆動部７３は、上面が開口した筒状のケース体７０内に収納されている。このケース体７０はその上面に設けられたフランジ部分が真空容器１の底面部１４の下面に気密に取り付けられており、ケース体７０の内部雰囲気と外部雰囲気との気密状態が維持されている。
【００２３】
回転テーブル７の表面部には、図２及び図３に示すように回転方向（周方向）に沿って複数枚例えば５枚の基板であるウエハを載置するための円形状の凹部２４が設けられている。なお図３には便宜上１個の凹部２４だけにウエハＷを描いてある。ここで図４は、回転テーブル７を同心円に沿って切断しかつ横に展開して示す展開図であり、凹部２４は、図４（ａ）に示すようにその直径がウエハの直径よりも僅かに例えば４ｍｍ大きく、またその深さはウエハの厚みと同等の大きさに設定されている。従ってウエハを凹部２４に落とし込むと、ウエハの表面と回転テーブル７の表面（ウエハが載置されない領域）とが揃うことになる。ウエハの表面と回転テーブル７の表面との間の高さの差が大きいとその段差部分で圧力変動が生じることから、ウエハの表面と回転テーブル７の表面との高さを揃えることが、膜厚の面内均一性を揃える観点から好ましい。ウエハの表面と回転テーブル７の表面との高さを揃えるとは、同じ高さであるかあるいは両面の差が５ｍｍ以内であることをいうが、加工精度などに応じてできるだけ両面の高さの差をゼロに近づけることが好ましい。凹部２４の底面には、ウエハの裏面を支えて当該ウエハを昇降させるための例えば後述する３本の昇降ピン１６（図１０参照）が貫通する貫通孔（図示せず）が形成されている。
【００２４】
凹部２４はウエハを位置決めして回転テーブル７の回転に伴う遠心力により飛び出さないようにするためのものであり、本発明の基板載置領域に相当する部位であるが、基板載置領域（ウエハ載置領域）は、凹部に限らず例えば回転テーブル７の表面にウエハの周縁をガイドするガイド部材をウエハの周方向に沿って複数並べた構成であってもよく、あるいは回転テーブル７側に静電チャックなどのチャック機構を持たせてウエハを吸着する場合には、その吸着によりウエハが載置される領域が基板載置領域となる。
【００２５】
図２及び図３に示すように真空容器１には、回転テーブル７における凹部２４の通過領域と各々対向する位置に第１の反応ガスノズル３１及び第２の反応ガスノズル３２と２本の分離ガスノズル４１、４２とが真空容器１の周方向（回転テーブル７の回転方向）に互いに間隔をおいて中心部から放射状に伸びている。これら反応ガスノズル３１、３２及び分離ガスノズル４１、４２は、例えば真空容器１の側周壁に取り付けられており、その基端部であるガス導入ポート３１ａ、３２ａ、４１ａ、４２ａは当該側壁を貫通している。
【００２６】
ガスノズル３１、３２、４１、４２は図示の例では、真空容器１の周壁部から真空容器１内に導入されているが、後述する環状の突出部５から導入してもよい。この場合、突出部５の外周面と天板１１の外表面とに開口するＬ字型の導管を設け、真空容器１内でＬ字型の導管の一方の開口にガスノズル３１、（３２、４１、４２）を接続し、真空容器１の外部でＬ字型の導管の他方の開口にガス導入ポート３１ａ（３２ａ、４１ａ、４２ａ）を接続する構成を採用することができる。
【００２７】
反応ガスノズル３１、３２は、夫々第１の反応ガスであるＢＴＢＡＳ（ビスターシャルブチルアミノシラン）ガスのガス供給源及び第２の反応ガスであるＯ３（オゾン）ガスのガス供給源（いずれも図示せず）に接続されており、分離ガスノズル４１、４２はいずれも分離ガスであるＮ２ガス（窒素ガス）のガス供給源（図示せず）に接続されている。この例では、第２の反応ガスノズル３２、分離ガスノズル４１、第１の反応ガスノズル３１及び分離ガスノズル４２がこの順に時計方向に配列されている。
【００２８】
反応ガスノズル３１、３２には、下方側に反応ガスを吐出するための吐出孔３３がノズルの長さ方向に間隔を置いて配列されている。また分離ガスノズル４１、４２には、下方側に分離ガスを吐出するための吐出孔４０が長さ方向に間隔を置いて穿設されている。反応ガスノズル３１、３２は夫々第１の反応ガス供給手段及び第２の反応ガス供給手段に相当し、その下方領域は夫々ＢＴＢＡＳガスをウエハに吸着させるための第１の処理領域Ｐ１及びＯ３ガスをウエハに吸着させるための第２の処理領域Ｐ２となる。
【００２９】
分離ガスノズル４１、４２は、前記第１の処理領域Ｐ１と第２の処理領域Ｐ２とを分離するための分離領域Ｄを形成するためのものであり、この分離領域Ｄにおける真空容器１の天板１１には図２〜図４に示すように、回転テーブル７の回転中心を中心としかつ真空容器１の内周壁の近傍に沿って描かれる円を周方向に分割してなる、平面形状が扇型で下方に突出した凸状部４が設けられている。分離ガスノズル４１、４２は、この凸状部４における前記円の周方向中央にて当該円の半径方向に伸びるように形成された溝部４３内に収められている。即ち分離ガスノズル４１、（４２）の中心軸から凸状部４である扇型の両縁（回転方向上流側の縁及び下流側の縁）までの距離は同じ長さに設定されている。なお、溝部４３は、本実施形態では凸状部４を二等分するように形成されているが、他の実施形態においては、例えば溝部４３から見て凸状部４における回転テーブル７の回転方向上流側が前記回転方向下流側よりも広くなるように溝部４３を形成してもよい。
【００３０】
従って分離ガスノズル４１、４２における前記周方向両側には、前記凸状部４の下面である例えば平坦な低い天井面（第１の天井面４４）が存在し、この天井面４４の前記周方向両側には、当該天井面４４よりも高い天井面（第２の天井面４５）が存在することになる。この凸状部４の役割は、回転テーブル７との間に第１の反応ガス及び第２の反応ガスの侵入を阻止してこれら反応ガスの混合を阻止するための狭隘な空間（第２の狭隘な空間）である分離空間を形成することにある。
【００３１】
即ち、分離ガスノズル４１を例にとると、回転テーブル７の回転方向上流側からＯ３ガスが侵入することを阻止し、また回転方向下流側からＢＴＢＡＳガスが侵入することを阻止する。「ガスの侵入を阻止する」とは、分離ガスノズル４１から吐出した分離ガスであるＮ２ガスが第１の天井面４４と回転テーブル７の表面との間に拡散して、この例では当該第１の天井面４４に隣接する第２の天井面４５の下方側空間に吹き出し、これにより当該隣接空間からのガスが侵入できなくなることを意味する。そして「ガスが侵入できなくなる」とは、隣接空間から凸状部４の下方側空間に全く入り込むことができない場合のみを意味するのではなく、多少侵入はするが、両側から夫々侵入したＯ３ガス及びＢＴＢＡＳガスが凸状部４内で混じり合わない状態が確保される場合も意味し、このような作用が得られる限り、分離領域Ｄの役割である第１の処理領域Ｐ１の雰囲気と第２の処理領域Ｐ２の雰囲気との分離作用が発揮できる。従って狭隘な空間における狭隘の程度は、狭隘な空間（凸状部４の下方空間）と当該空間に隣接した領域（この例では第２の天井面４５の下方空間）との圧力差が「ガスが侵入できなくなる」作用を確保できる程度の大きさになるように設定され、その具体的な寸法は凸状部４の面積などにより異なるといえる。またウエハに吸着したガスについては当然に分離領域Ｄ内を通過することができ、ガスの侵入阻止は、気相中のガスを意味している。
【００３２】
一方天板１１の下面には、回転テーブル７におけるコア部７１よりも外周側の部位と対向するようにかつ当該コア部７１の外周に沿って突出部５が設けられている。この突出部５は凸状部４における前記回転中心側の部位と連続して形成されており、その下面が凸状部４の下面（天井面４４）と同じ高さに形成されている。図２及び図３は、前記天井面４５よりも低くかつ分離ガスノズル４１、４２よりも高い位置にて天板１１を水平に切断して示している。なお突出部５と凸状部４とは、必ずしも一体であることに限られるものではなく、別体であってもよい。
【００３３】
凸状部４及び分離ガスノズル４１（４２）の組み合わせ構造の作り方については、凸状部４をなす１枚の扇型プレートの中央に溝部４３を形成してこの溝部４３内に分離ガスノズル４１（４２）を配置する構造に限らず、２枚の扇型プレートを用い、分離ガスノズル４１（４２）の両側位置にて天板本体の下面にボルト締めなどにより固定する構成などであってもよい。この例では分離ガスノズル４１（４２）は、真下に向いた例えば口径が０．５ｍｍの吐出孔がノズルの長さ方向に沿って例えば１０ｍｍの間隔をおいて配列されている。また反応ガスノズル３１、３２についても、真下に向いた例えば口径が０．５ｍｍの吐出孔がノズルの長さ方向に沿って例えば１０ｍｍの間隔をおいて配列されている。
【００３４】
この例では直径３００ｍｍのウエハＷを被処理基板としており、この場合凸状部４は、回転中心から１４０ｍｍ離れた突出部５との境界部位においては、周方向の長さ（回転テーブル７と同心円の円弧の長さ）が例えば１４６ｍｍであり、ウエハの載置領域（凹部２４）の最も外側部位においては、周方向の長さが例えば５０２ｍｍである。なお図４（ａ）に示すように、当該外側部位において分離ガスノズル４１（４２）の両脇から夫々左右に位置する凸状部４の周方向の長さＬでみれば、長さＬは２４６ｍｍである。
【００３５】
また図４（ａ）に示すように凸状部４の下面即ち天井面４４における回転テーブル７の表面からの高さｈは、例えば０．５ｍｍから１０ｍｍであってもよく、約４ｍｍであると好適である。この場合、回転テーブル７の回転数は例えば１ｒｐｍ〜５００ｒｐｍに設定されている。分離領域Ｄの分離機能を確保するためには、回転テーブル７の回転数の使用範囲などに応じて、凸状部４の大きさや凸状部４の下面（第１の天井面４４）と回転テーブル７の表面との高さｈを例えば実験などに基づいて設定することになる。なお分離ガスとしては、Ｎ２ガスに限られずＡｒガスなどの不活性ガスを用いることができるが、不活性ガスに限らず水素ガスなどであってもよく、成膜処理に影響を与えないガスであれば、ガスの種類に関しては特に限定されるものではない。
【００３６】
真空容器１の天板１１の下面、つまり回転テーブル７のウエハ載置領域（凹部２４）から見た天井面は既述のように第１の天井面４４とこの天井面４４よりも高い第２の天井面４５とが周方向に存在するが、図１では、高い天井面４５が設けられている領域についての縦断面を示しており、図５では、低い天井面４４が設けられている領域についての縦断面を示している。扇型の凸状部４の周縁部（真空容器１の外縁側の部位）は図２及び図５に示されているように回転テーブル７の外端面に対向するようにＬ字型に屈曲して屈曲部４６を形成している。扇型の凸状部４は天板１１側に設けられていて、容器本体１２から取り外せるようになっていることから、前記屈曲部４６の外周面と容器本体１２との間には僅かに隙間がある。この屈曲部４６も凸状部４と同様に両側から反応ガスが侵入することを防止して、両反応ガスの混合を防止する目的で設けられており、屈曲部４６の内周面と回転テーブル７の外端面との隙間、及び屈曲部４６の外周面と容器本体１２との隙間は、回転テーブル７の表面に対する天井面４４の高さｈと同様の寸法に設定されている。この例においては、回転テーブル７の表面側領域からは、屈曲部４６の内周面が真空容器１の内周壁を構成していると見ることができる。
【００３７】
容器本体１２の内周壁は、分離領域Ｄにおいては図５に示すように前記屈曲部４６の外周面と接近して垂直面に形成されているが、分離領域Ｄ以外の部位においては、図１に示すように例えば回転テーブル７の外端面と対向する部位から底面部１４に亘って縦断面形状が矩形に切り欠かれて外方側に窪んだ構造になっている。この窪んだ部分を排気領域６と呼ぶことにすると、この排気領域６の底部には図１及び図３に示すように例えば２つの排気口６１、６２が設けられている。これら排気口６１、６２は各々排気管６３を介して真空排気手段である例えば共通の真空ポンプ６４に接続されている。なお図１中、６５は圧力調整手段であり、排気口６１、６２ごとに設けてもよいし、共通化されていてもよい。排気口６１、６２は、分離領域Ｄの分離作用が確実に働くように、平面で見たときに前記分離領域Ｄの前記回転方向両側に設けられ、各反応ガス（ＢＴＢＡＳガス及びＯ３ガス）の排気を専用に行うようにしている。この例では一方の排気口６１は第１の反応ガスノズル３１とこの反応ガスノズル３１に対して前記回転方向下流側に隣接する分離領域Ｄとの間に設けられ、また他方の排気口６１は、第２の反応ガスノズル３２とこの反応ガスノズル３２に対して前記回転方向下流側に隣接する分離領域Ｄとの間に設けられている。
【００３８】
排気口の設置数は２個に限られるものではなく、例えば分離ガスノズル４２を含む分離領域Ｄと当該分離領域Ｄに対して前記回転方向下流側に隣接する第２の反応ガスノズル３２との間に更に排気口を設置して３個としてもよいし、４個以上であってもよい。この例では排気口６１、６２は回転テーブル７よりも低い位置に設けることで真空容器１の内周壁と回転テーブル７の周縁との間の隙間から排気するようにしているが、真空容器１の底面部に設けることに限られず、真空容器１の側壁に設けてもよい。また排気口６１、６２は、真空容器１の側壁に設ける場合には、回転テーブル７よりも高い位置に設けるようにしてもよい。このように排気口６１、６２を設けることにより回転テーブル７上のガスは、回転テーブル７の外側に向けて流れるため、回転テーブル７に対向する天井面から排気する場合に比べてパーティクルの巻上げが抑えられるという観点において有利である。
【００３９】
また真空容器１の天板１１の中心部には分離ガス供給管５１が接続されていて、天板１１とコア部７１との間の空間５２に分離ガスであるＮ２ガスを供給するように構成されている。この空間５２に供給された分離ガスは、前記突出部５と回転テーブル７との狭い隙間５０を介して回転テーブル７のウエハ載置領域側の表面に沿って周縁に向けて吐出されることになる。
【００４０】
この突出部５で囲まれる空間には分離ガスが満たされているので、第１の処理領域Ｐ１と第２の処理領域Ｐ２との間で回転テーブル７の中心部を介して反応ガス（ＢＴＢＡＳガスあるいはＯ３ガス）が混合することを防止している。即ち、この成膜装置は、第１の処理領域Ｐ１と第２の処理領域Ｐ２との雰囲気を分離するために回転テーブル７の回転中心部と真空容器１１とにより区画され、分離ガスがパージされると共に当該回転テーブル７の表面に分離ガスを吐出する吐出口が前記回転方向に沿って形成された中心部領域Ｃを備えているということができる。なおここでいう吐出口は前記突出部５と回転テーブル７との狭い隙間５０に相当する。
【００４１】
一方、前記回転テーブル７と真空容器１の底面部１４との間の空間には、図５、図６及び図９などに示すように多数のカーボンワイヤヒータ２３が設けられ、回転テーブル７を介して回転テーブル７上のウエハをプロセスレシピで決められた温度に加熱するようになっている。カーボンワイヤヒータ２３は、例えば金属不純物の少ない例えば１０ミクロン前後の細い高純度の炭素素材（カーボン）からなるファイバの束を複数束編み上げて紐状体（図示せず）を形成し、この紐状体をセラミックス体よりなる封入体例えば外径が十数ミリの石英（例えば透明石英）管の中に封入して形成したものである。カーボンワイヤヒータ２３は、通電により発熱して真空容器１の真空雰囲気内で輻射熱により回転テーブル７を下面側から加熱する構成となっている。
【００４２】
図６、図７に示すように、カーボンワイヤヒータ２３は、例えば表面が鏡面状に磨かれた例えばステンレス製の反射板２４上に配設されており、下方側に放射された輻射熱を回転テーブル７側へと反射して効率よく加熱を行うことができるようになっている。反射板２４は、例えば回転テーブル７よりやや小径の扁平な円盤であり、図１、図５に示すように回転テーブル７下方に当該テーブル７とほぼ平行に配置されている。
【００４３】
図６、図７に示すように、細長い管状の各カーボンワイヤヒータ２３は、例えば十数ｃｍ〜数十ｃｍ程度の長さの円弧形状に形成されており、これら円弧状のヒータ２３を複数組み合わすことにより、カーボンワイヤヒータ２３は回転軸７２を中心とした複数の同心円を描くように反射板２４上に配置されている。このように回転テーブル７の下面と対向する領域全体に、カーボンワイヤヒータ２３が分散して配置されていることにより、回転テーブル７全体を均一に加熱することができる。ここで、カーボンワイヤヒータ２２の配置法は、図６、図７に例示したように同心円状に配置する場合に限定されるものではなく、例えば回転軸７２を中心として反射板２４の中央側から周縁側へ向けて広がる渦巻き状に配置してもよいし、また直線状に形成されたカーボンワイヤヒータ２３を回転軸７２を中心として放射状に配置してもよい。
【００４４】
図８に示すように各カーボンワイヤヒータ２３は、側面から見ると反射板２４とほぼ平行となるように当該反射板２４の上面から浮いた状態で配置され、その両端は下方側へと屈曲されていて反射板２４を貫通して真空容器１の底面部１４にて支持固定されている。当該底面部１４には接続ポート２３１が設けられており、カーボンワイヤヒータ２３の両端部はこの接続ポート２３１に接続されている。接続ポート２３１は底面部２３１を貫通して真空容器１の外部へと引き出されており、この接続ポート２３１には給電線２３２を介して給電部２３３が接続されている。
【００４５】
給電部２３３は後述の制御部１００からの指示に基づいて給電タイミングや給電量を調整することにより、加熱タイミングや加熱温度の調整を行う役割を果たす。図中、２３４は反射板２４上に配置された温度計であり、当該温度計２３４の指示に基づいて複数配置された各カーボンワイヤヒータ２３への給電量を調整することにより、例えば回転テーブル７を面内で均一に加熱する制御を行うことが可能となっている。なお、図８以外の各図においては、反射板２４を貫通して下方向へと伸びるカーボンワイヤヒータ２３部分や接続ポート２３１の記載は省略してある。
【００４６】
このように回転テーブル７の下方にカーボンワイヤヒータ２３が配置されている本実施の形態に係る成膜装置において、図１及び図３を用いて説明したように回転テーブル７の外端面の外側下方領域には、真空容器１の内周面が外方側へと窪んだ排気領域６が形成されており、各処理領域Ｐ１、Ｐ２に供給された反応ガスはこの排気領域６を介して排気口６１、６２へと排気される。このため、各排気領域６を流れる反応ガスが回転テーブル７の下方側へと侵入すると、これらのガスが混合されてカーボンワイヤヒータ２３上で反応生成物を形成し、ヒータ２３の加熱効率を低下させたり、またパーティクルを発生してウエハのパーティクル汚染を引き起こしたりする原因となる。そこで本実施の形態に係る成膜装置は、回転テーブル７の下方への反応ガスの侵入を抑えることにより、上述の問題の発生を抑制することが可能な構成となっている。以下、その構成の詳細について説明する。
【００４７】
前記回転テーブル７の周縁付近の下方側には、図５や図６に示すように回転テーブル７の上方空間から排気領域６に至るまでの雰囲気とカーボンワイヤヒータ２３が置かれている雰囲気とを区画するための扁平な円管形状に形成された外側壁部材２１が設けられている。この外側壁部材２１は、カーボンワイヤヒータ２３の配置されている領域、即ち反射板２４の外側を全周に亘って囲むように配置されており、さらにこの外側壁部材２１の上端部には、回転テーブル７の直径とほぼ同じ長さの外径を備えた円環状の板材であるカバー部材２２が設けられている。
【００４８】
カバー部材２２は当該部材２２の外端面の位置と回転テーブル７の外端面の位置とが上下方向にほぼ一致するように、回転テーブル７に対して平行に配置されており、図５に示すように側方から見ると回転テーブル７の下面とカーボンワイヤヒータ２３との間に当該カバー部材２２が介挿された状態となっている。そして図１２の拡大縦断面図に示すように、カバー部材２２の上面から回転テーブル７の下面までの高さｈ’は、例えば２ｍｍから４ｍｍの範囲の例えば３ｍｍとなっている。
【００４９】
また図５及び図６に示すように、外側壁部材２１の内側領域においては、反射板２４上にカーボンワイヤヒータ２３が配置されている領域の上方側全体をカバー部材２２が覆っている一方、外側領域においては、カバー部材２２は外壁部材２１から外側へとフランジ状に伸び出している。カバー部材２２は、カーボンワイヤヒータ２３から放射された輻射熱を透過可能な、例えば透明な石英などの部材により構成されており、カーボンワイヤヒータ２３による回転テーブル７の加熱を妨げないようになっている。
【００５０】
ここで真空容器１の底面部１４からは回転テーブル７の回転軸の一部を構成するコア部７１の周囲に、当該底面部１４から上方へと突出する筒状部材２７が設けられており、円環状に形成された前述のカバー部材２２の内径のサイズは、当該カバー部材２２の内端面（内端縁）と前記筒状部材２７の側周面との間に隙間が形成されるように調節されている。
【００５１】
以上の構成を備えることにより、２枚のほぼ円板状の部材である回転テーブル７とカバー部材２２とがほぼ平行に配置された状態となっていることから、これらの部材７、２２の間には、高さがｈ’の扁平で狭隘な空間（第１の狭隘な空間）が形成されることとなり、回転テーブル７の側方を通って排気領域６へと流れる反応ガスが回転テーブル７の下方側の空間へと侵入するのを抑える役割を果たす。このとき真空容器１の底面部１４には、当該反射板２４やカーボンワイヤヒータ２３の配置された空間関内をパージするための第１のパージガス供給手段であるパージガス供給管２５が、反射板２４の下方側位置にて周方向の複数部位に設けられている。そして、この空間は、既述のようにカバー部材２２の内端面（内端縁）と筒状部材２７の側周面との間に形成された隙間を介して上記狭隘な空間へと連通しているので、当該空間に供給されたパージガスはこの狭隘な空間へと流れ込むようになっている。
【００５２】
また前述の筒状部材２７上端面は、回転テーブル７の下面の中心部付近、コア部７１に接近してその間は狭い空間になっており、また当該筒状部材２７によって囲まれた回転軸７２の貫通穴についてもその内周面と回転軸７２との隙間が狭くなっていて、これら狭い空間は前記ケース体７０内に連通している。そして前記ケース体７０にはパージガスであるＮ２ガスを前記狭い空間内に供給してパージするための第２のパージガス供給手段である供給管２６が設けられている。即ち、上記狭隘な空間へは、筒状部材２７の内側からもパージガスが供給されることとなる。
【００５３】
また真空容器１の側壁には図２、図３及び図１０に示すように外部の搬送アーム１０と回転テーブル７との間で基板であるウエハＷの受け渡しを行うための搬送口１５が形成されており、この搬送口１５は図示しないゲートバルブにより開閉されるようになっている。また回転テーブル７におけるウエハ載置領域である凹部２４はこの搬送口１５に臨む位置にて搬送アーム１０との間でウエハＷの受け渡しが行われることから、回転テーブル７の下方側において当該受け渡し位置に対応する部位に、凹部２４を貫通してウエハを裏面から持ち上げるための受け渡し用の昇降ピン１６の昇降機構（図示せず）が設けられる。
【００５４】
またこの実施の形態の成膜装置は、装置全体の動作のコントロールを行うためのコンピュータからなる制御部１００が設けられ、この制御部１００のメモリ内には装置を運転するためのプログラムが格納されている。このプログラムは後述の装置の動作を実行するようにステップ群が組まれており、ハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカード、フレキシブルディスクなどの記憶媒体から制御部１００内にインストールされる。
【００５５】
次に上述実施の形態の作用について説明する。先ず図示しないゲートバルブを開き、外部から搬送アーム１０により搬送口１５を介してウエハを回転テーブル７の凹部２４内に受け渡す。この受け渡しは、凹部２４が搬送口１５に臨む位置に停止したときに図１０に示すように凹部２４の底面の貫通孔を介して真空容器の底部側から昇降ピン１６が昇降することにより行われる。このようなウエハＷの受け渡しを回転テーブル７を間欠的に回転させて行い、回転テーブル７の５つの凹部２４内に夫々ウエハＷを載置する。
【００５６】
続いて真空ポンプ６４により真空容器１内を予め設定した圧力に真空引きすると共に、回転テーブル７を時計回りに回転させながら給電部２３３からカーボンワイヤヒータ２３への給電を開始してウエハＷを加熱する。詳しくは、回転テーブル７はカーボンワイヤヒータ２３からの輻射熱により予め例えば３００℃に加熱されており、ウエハＷがこの回転テーブル７に載置されることで加熱される。ウエハＷの温度が図示しない温度センサにより設定温度になったことを確認した後、第１の反応ガスノズル３１及び第２の反応ガスノズル３２から夫々ＢＴＢＡＳガス及びＯ３ガスを吐出させると共に、分離ガスノズル４１、４２から分離ガスであるＮ２ガスを吐出する。
【００５７】
ウエハＷは回転テーブル７の回転により、第１の反応ガスノズル３１が設けられる第１の処理領域Ｐ１と第２の反応ガスノズル３２が設けられる第２の処理領域Ｐ２とを交互に順次通過するため、ＢＴＢＡＳガスが吸着し、次いでＯ３ガスが吸着してＢＴＢＡＳ分子が酸化されて酸化シリコンの分子層が１層あるいは複数層形成され、こうして酸化シリコンの分子層が順次積層されて所定の膜厚のシリコン酸化膜が成膜される。
【００５８】
このとき分離ガス供給管５１からも分離ガスであるＮ２ガスを供給し、これにより中心部領域Ｃから即ち突出部５と回転テーブル７の中心部との間から回転テーブル７の表面に沿ってＮ２ガスが吐出する。この例では反応ガスノズル３１、３２が配置されている第２の天井面４５の下方側の空間に沿った容器本体１２の内周壁においては、既述のように内周壁が切りかかれて広くなっており、この広い空間の下方に排気口６１、６２が位置しているので、第１の天井面４４の下方側の狭隘な空間及び前記中心部領域Ｃの各圧力よりも第２の天井面４５の下方側の空間の圧力の方が低くなる。ガスを各部位から吐出したときのガスの流れの状態を模式的に図１１に示す。第２の反応ガスノズル３２から下方側に吐出され、回転テーブル７の表面（ウエハＷの表面及びウエハＷの非載置領域の表面の両方）に当たってその表面に沿って回転方向上流側に向かうＯ３ガスは、その上流側から流れてきたＮ２ガスに押し戻されながら回転テーブル７の周縁と真空容器１の内周壁との間の排気領域６に流れ込み、排気口６２により排気される。
【００５９】
また第２の反応ガスノズル３２から下方側に吐出され、回転テーブル７の表面に当たってその表面に沿って回転方向下流側に向かうＯ３ガスは、中心部領域Ｃから吐出されるＮ２ガスの流れと排気口６２の吸引作用により当該排気口６２に向かおうとするが、一部は下流側に隣接する分離領域Ｄに向かい、扇型の凸状部４の下方側に流入しようとする。ところがこの凸状部４の天井面４４の高さ及び周方向の長さは、各ガスの流量などを含む運転時のプロセスパラメータにおいて当該天井面４４の下方側へのガスの侵入を防止できる寸法に設定されているため、図４（ｂ）にも示してあるようにＯ３ガスは扇型の凸状部４の下方側にほとんど流入できないかあるいは少し流入したとしても分離ガスノズル４１付近までには到達できるものではなく、分離ガスノズル４１から吐出したＮ２ガスにより回転方向上流側、つまり処理領域Ｐ２側に押し戻されてしまい、中心部領域Ｃから吐出されているＮ２ガスと共に、回転テーブル７の周縁と真空容器１の内周壁との隙間から排気領域６を介して排気口６２に排気される。
【００６０】
また第１の反応ガスノズル３１から下方側に吐出され、回転テーブル７の表面に沿って回転方向上流側及び下流側に夫々向かうＢＴＢＡＳガスは、その回転方向上流側及び下流側に隣接する扇型の凸状部４の下方側に全く侵入できないかあるいは侵入したとしても第２の処理領域Ｐ１側に押し戻され、中心部領域Ｃから吐出されているＮ２ガスと共に、回転テーブル７の周縁と真空容器１の内周壁との隙間から排気領域６を介して排気口６１に排気される。即ち、各分離領域Ｄにおいては、雰囲気中を流れる反応ガスであるＢＴＢＡＳガスあるいはＯ３ガスの侵入を阻止するが、ウエハに吸着されているガス分子はそのまま分離領域つまり扇型の凸状部４による低い天井面４４の下方を通過し、成膜に寄与することになる。
【００６１】
更にまた第１の処理領域Ｐ１のＢＴＢＡＳガス（第２の処理領域Ｐ２のＯ３ガス）は、中心部領域Ｃ内に侵入しようとするが、図１１及び図１２に示すように当該中心部領域Ｃからは分離ガスが回転テーブル７の周縁に向けて吐出されているので、この分離ガスにより侵入が阻止され、あるいは多少侵入したとしても押し戻され、この中心部領域Ｃを通って第２の処理領域Ｐ２（第１の処理領域Ｐ１）に流入することが阻止される。
【００６２】
そして分離領域Ｄにおいては、扇型の凸状部４の周縁部が下方に屈曲され、屈曲部４６と回転テーブル７の外端面との間の隙間が既述のように狭くなっていてガスの通過を実質阻止しているので、第１の処理領域Ｐ１のＢＴＢＡＳガス（第２の処理領域Ｐ２のＯ３ガス）は、回転テーブル７の外側を介して第２の処理領域Ｐ２（第１の処理領域Ｐ１）に流入することも阻止される。従って２つの分離領域Ｄによって第１の処理領域Ｐ１の雰囲気と第２の処理領域Ｐ２の雰囲気とが完全に分離され、ＢＴＢＡＳガスは排気口６１に、またＯ３ガスは排気口６２に夫々排気される。この結果、両反応ガスこの例ではＢＴＢＡＳガス及びＯ３ガスが雰囲気中においてもウエハ上においても混じり合うことがない。
【００６３】
このような回転テーブル７の上面側及び側方のガスの流れに対し、回転テーブル７の下方側では、図１２に示すように、既述のカバー部材２２によって当該回転テーブル７との間に狭隘な空間が形成されており、カーボンワイヤヒータ２３などの配置された空間内はパージされているため、このパージガスは、カバー部材２２の内端面（内端縁）と筒状部材２７の側周面との間に形成された隙間を介して当該狭隘な空間内へと流れ込み、この狭隘な空間内を回転テーブル７の下方側中央部から周縁部へと向かって径方向へと流れていく。そして回転テーブル７及びカバー部材２２の外端部に到達すると、パージガスはこれらの部材７、２２の隙間から排気領域６や屈曲部４６との間の隙間へ向けて、回転テーブル７の径方向外側の領域へと放射状に吐出される。回転テーブル７と屈曲部４６との間の隙間へ流れ出たパージガスはやがて排気領域６へと流れ込み、当該排気領域６に直接吐出されたパージガスや回転テーブル７の上面側から流れてきた反応ガスや分離ガスの流れと合流して排気口６１、６２へと排気される。
【００６４】
また、ケース体７０側のパージガス供給管２６より供給されたパージガスについても、真空容器１の底面部１４の貫通穴と回転軸７２との間の隙間→筒状部材２７の上端面とコア部７１との間の狭い空間→回転テーブル７とカバー部材２２との間の狭隘な空間へとガスが流れ、カーボンワイヤヒータ２３の配置空間側から流れ込んできたパージガスと合流して回転テーブル７の下方側を周縁部へ向かって当該狭隘な空間内を流れ、上述の経路を辿って排気口６１、６２より排気される。
【００６５】
このように回転テーブル７の下方には、カバー部材２２との間に狭隘な空間が形成されていて、当該空間を介してカーボンワイヤヒータ２３の配置空間やケース体７０内の空間がＮ２ガスでパージされていることから、既述の第１の処理領域Ｐ１と第２の処理領域Ｐ２との一方から各排気領域６へと流れ流れ込んだ反応ガスは回転テーブル７の下方側へと流れ込むことが防止されている。この結果、一方側の処理領域Ｐ１、Ｐ２から他方側へとＢＴＢＡＳガスあるいはＯ３ガスが回り込むことも防止され、第１の処理領域Ｐ１と第２の処理領域Ｐ２とは回転テーブル７の下方側においても分離されていることとなる。  
このようにして分離された第１、第２の処理領域Ｐ１、Ｐ２にて成膜処理が行われたウエハＷの成膜処理が終了すると、各ウエハは搬入動作と逆の動作により順次搬送アーム１０により搬出される。
【００６６】
ここで処理パラメータの一例について記載しておくと、回転テーブル７の回転数は、３００ｍｍ径のウエハＷを被処理基板とする場合例えば１ｒｐｍ〜５００ｒｐｍ、プロセス圧力は例えば１０６７Ｐａ（８Ｔｏｒｒ）、ウエハＷの加熱温度は例えば３００℃〜３５０℃、ＢＴＢＡＳガス及びＯ３ガスの流量は例えば夫々１００ｓｃｃｍ及び１００００ｓｃｃｍ、分離ガスノズル４１、４２からのＮ２ガスの流量は例えば２００００ｓｃｃｍ、真空容器１の中心部の分離ガス供給管５１からのＮ２ガスの流量は例えば５０００ｓｃｃｍ、パージガス供給管２５からカーボンワイヤヒータ２３の配置空間へ供給されるＮ２ガスの流量は例えば１０００ｓｃｃｍ、パージガス供給管２６からケース体７０内へ供給されるＮ２ガスの流量は例えば１００００ｓｃｃｍである。また１枚のウエハに対する反応ガス供給のサイクル数、即ちウエハが処理領域Ｐ１、Ｐ２の各々を通過する回数は目標膜厚に応じて変わるが、多数回例えば６００回である。
【００６７】
上述実施の形態によれば以下の効果がある。即ち回転テーブル７下方に設けられているカーボンワイヤヒータ２３の設けられている領域における回転テーブル７の径方向外側を外側壁部材２１で覆い、前記回転テーブルとの間で狭隘な空間（第１の狭隘な空間）を形成するための部材であるカバー部材２２を設けていると共に、当該狭隘な空間を介して回転テーブル７の下方側から当該回転テーブル７の径方向外側の領域へとパージガスが流れているので、例えば処理領域Ｐ１、Ｐ２に供給された反応ガスが回転テーブル７と真空容器１との間の隙間を介して真空容器１底部の空間に侵入したとしても、反応ガスはパージガスの流れに逆らってカーボンワイヤヒータ２３の配置されている空間にほとんど侵入することができない。この結果、カーボンワイヤヒータ２３や反射板２４の表面への反応生成物の付着が抑制され、メンテナンスの間隔を伸ばすことができると共に、真空容器１内でのパーティクルの発生を抑えることが可能となる。
【００６８】
また、回転テーブル７の回転方向に複数のウエハＷを配置し、回転テーブル７を回転させて第１の処理領域Ｐ１と第２の処理領域Ｐ２とを順番に通過させていわゆるＡＬＤ（あるいはＭＬＤ）を行うようにしているため、高いスループットで成膜処理を行うことができる。そして前記回転方向において第１の処理領域Ｐ１と第２の処理領域Ｐ２との間に低い天井面を備えた分離領域Ｄを設けると共に回転テーブル７の回転中心部と真空容器１とにより区画した中心部領域Ｃから回転テーブル７の周縁に向けて分離ガスを吐出し、前記分離領域Ｄの両側に拡散する分離ガス及び前記中心部領域Ｃから吐出する分離ガスと共に前記反応ガスが回転テーブル７の周縁と真空容器の内周壁との隙間を介して排気されるため、両反応ガスの混合を防止することができ、この結果良好な成膜処理を行うことができるし、回転テーブル７上において反応生成物が生じることが全くないか極力抑えられ、パーティクルの発生が抑えられる。なお本発明は、回転テーブル７に１個のウエハＷを載置する場合にも適用できる。
【００６９】
また回転テーブルに排気口を設ける構成や、ウエハの載置台を固定しかつ反応ガスノズルを回転させる場合には、排気口と反応ガスノズルとの相対位置関係が刻々と変わるので、排気流が変化して不安定な状態となり、このため第１の反応ガス及び第２の反応ガスが混合される懸念や成膜の均一性が低くなる懸念がある。これに対して上述の実施の形態では、反応ガスノズル３１（３２）と排気口６１（６２）との位置関係が固定されていることから、排気流が一定であり、上記のような懸念がなく、安定した成膜処理ができる。
【００７０】
ここで回転テーブル７との間に狭隘な空間を形成する部材の構成例は、上述の実施の形態中に示したようにカバー部材２２が外側壁部材２１の内側へと伸びだして、カーボンワイヤヒータ２３が配置されている領域の上方側全体を覆っている場合に限定されない。例えば図１３に示すように、外壁部材２１から外側へとフランジ状に伸び出すカバー部材２２のみを設けて、当該フランジ状のカバー部材２２と回転テーブル７の底面との間に第１の狭隘な空間を形成するようにしても回転テーブル７下方の空間への反応ガスの侵入を抑えることができる。
【００７１】
また図１４に示すように外側壁部材２１から内側、あるいは外側へと延びるカバー部材２２を設けずに、当該外側壁部材２１を回転テーブル７の径方向外側位置に配置すると共に、その上端を回転テーブル７の外端面と対向する位置まで延伸して、これら外側壁部材２１の内周面と回転テーブル７の外端面との間に、反応ガスの侵入を抑えるための第１の狭隘な空間を形成するようにしてもよい。本例では、上方向へと伸び出した外側壁部材２１上端部が回転テーブル７との間に狭隘な空間を形成する部材に相当している。
【００７２】
さらにまた図１５に示すように、カーボンワイヤヒータ２３が設けられている領域の回転テーブル７の径方向外側を囲む位置に外側壁部材２１を配置し、当該領域の前記径方向内側を囲む位置に内側壁部材２１１をさらに設置して、これらの部材２１、２１１間の空間を覆ってヒータ２３を収納する密閉された空間が形成されるようにカバー部材２２を設けてもよい。この場合には、真空容器１の底面部１４に、例えば真空ポンプ６４へと接続されたパージガスの排気管２８１を設け、この密閉された空間内の圧力を外の空間、即ち、回転テーブル７が配置されている領域側の真空容器１内の圧力に対して揚圧に保つことが好ましい。本例では排気管２８１側には例えば圧力計２８２と圧力調整弁２８３とからなる圧力調整手段が設けられており、制御部１００により前記密閉された空間の圧力を外の空間の圧力とは独立して制御することができるようになっている。
【００７３】
なお回転テーブル７を加熱するヒータはカーボンワイヤヒータ２３に限定されるものではなく、例えばランプヒータであってもよい。また、上述の例では、回転テーブル７の周方向全体に狭隘な空間（第１の狭隘な空間）を形成する部材（例えばカバー部材２２）を配置した構成となっているが、例えば分離領域Ｄには反応ガスが流れ込まない構成となっていることから、この領域には必ずしも前記狭隘な空間を形成する部材が配置されていなくてもよい。言い替えると、狭隘な空間を形成する部材は、回転テーブル７の回転方向に互いに隣接する分離領域Ｄ間に相当する領域に少なくとも設けられていることが必要となる。
【００７４】
本発明で適用される反応ガスとしては、上述の例の他に、ＤＣＳ[ジクロロシラン]、ＨＣＤ[ヘキサクロロジシラン]、ＴＭＡ[トリメチルアルミニウム]、３ＤＭＡＳ[トリスジメチルアミノシラン]、ＴＥＭＡＺ[テトラキスエチルメチルアミノジルコニウム]、ＴＥＭＨＦ[テトラキスエチルメチルアミノハフニウム]、Ｓｒ(ＴＨＤ)２  [ストロンチウムビステトラメチルヘプタンジオナト]、Ｔｉ(ＭＰＤ)(ＴＨＤ)[チタニウムメチルペンタンジオナトビステトラメチルヘプタンジオナト]、モノアミノシランなどを挙げることができる。
【００７５】
また前記分離領域Ｄの天井面４４において、前記分離ガスノズル４１、４２に対して回転テーブル７の回転方向の上流側部位は、外縁に位置する部位ほど前記回転方向の幅が大きいことが好ましい。その理由は回転テーブル７の回転によって上流側から分離領域Ｄに向かうガスの流れが外縁に寄るほど速いためである。この観点からすれば、上述のように凸状部４を扇型に構成することは得策である。
【００７６】
そして前記分離ガス供給ノズル４１（４２）の両側に各々位置する狭隘な空間を形成する前記第１の天井面４４は、図１６（ａ）、図１６（ｂ）に前記分離ガス供給ノズル４１を代表して示すように例えば３００ｍｍ径のウエハＷを被処理基板とする場合、ウエハＷの中心ＷＯが通過する部位において回転テーブル７の回転方向に沿った幅寸法Ｌが５０ｍｍ以上であることが好ましい。凸状部４の両側から当該凸状部４の下方（第２の狭隘な空間）に反応ガスが侵入することを有効に阻止するためには、前記幅寸法Ｌが短い場合にはそれに応じて第１の天井面４４と回転テーブル７との間の距離も小さくする必要がある。更に第１の天井面４４と回転テーブル７との間の距離をある寸法に設定したとすると、回転テーブル７の回転中心から離れる程、回転テーブル７の速度が速くなってくるので、反応ガスの侵入阻止効果を得るために要求される幅寸法Ｌは回転中心から離れる程長くなってくる。
【００７７】
このような観点から考察すると、ウエハＷの中心ＷＯが通過する部位における前記幅寸法Ｌが５０ｍｍよりも小さいと、第１の天井面４４と回転テーブル７との距離をかなり小さくする必要があるため、回転テーブル７を回転したときに回転テーブル７あるいはウエハＷと天井面４４との衝突を防止するために、回転テーブル７の振れを極力抑える工夫が要求される。更にまた回転テーブル７の回転数が高い程、凸状部４の上流側から当該凸状部４の下方側に反応ガスが侵入しやすくなるので、前記幅寸法Ｌを５０ｍｍよりも小さくすると、回転テーブル７の回転数を低くしなければならず、スループットの点で得策ではない。従って幅寸法Ｌが５０ｍｍ以上であることが好ましいが、５０ｍｍ以下であっても本発明の効果が得られないというものではない。即ち、前記幅寸法ＬがウエハＷの直径の１／１０〜１／１であることが好ましく、約１／６以上であることがより好ましい。
【００７８】
また本発明では分離ガス供給手段における回転方向両側に低い天井面４４が位置することが必要であるが、分離ガスノズル４１、４２の両側に凸状部４４が配置されている上述の構成に限らず、図１７に示すように凸状部４の内部に分離ガスの通流室４７を回転テーブル７の直径方向に伸びるように形成し、この通流室４７の底部に長さ方向に沿って多数のガス吐出孔４０が穿設される構成を採用してもよい。
【００７９】
分離領域Ｄの天井面４４は平坦面に限られるものではなく、図１８（ａ）に示すよ凹面形状に構成してもよいし、図１８（ｂ）に示すように凸面形状にしてもよく、あるいはまた図１８（ｃ）に示すように波型状に構成してもよい。
更にまた分離ガスノズル４１（４２）のガス吐出孔４０については、次のような構成としてもよい。  
Ａ．  図１９（ａ）に示すように回転テーブル７の直径に対して斜めに向いた横長のスリットからなる多数のガス吐出孔４０を、互いに隣接するものの一部同士が前記直径方向に重なるようにして、当該直径方向に間隔をおいて配置した構成。  
Ｂ．  図１９（ｂ）に示すように多数のガス吐出孔４０を蛇行ライン状に配列した構成。  
Ｃ．  図１９（ｃ）に示すように回転テーブル７の周縁側に迫る多数の円弧状のスリットからなるガス吐出孔４０を前記直径方向に間隔をおいて配列した構成。
【００８０】
更にまた凸状部４の平面形状については、次のような構成としてもよい。
Ａ．  図２０（ａ）に示すように凸状部４を角型例えば長方形に形成した構成。
Ｂ．  図２０（ｂ）に示すように凸状部４を真空容器１の周縁に向かってラッパ状に広がった形状に形成した構成。
Ｃ．  図２０（ｃ）に示すように凸状部４を、台形の側縁を外側に膨らませた形状であって、長辺側が真空容器１の周縁側に位置している形状に形成した構成。
Ｄ．  図２０（ｄ）に示すように、凸状部４を回転テーブル７の回転方向上流側（図２０では右側が回転方向上流側に相当する）が真空容器１の周縁に向かって広がっている形状に形成した構成。
【００８１】
ここで処理領域Ｐ１、Ｐ２及び分離領域Ｄの各レイアウトについて上記の実施の形態以外の他の例を挙げておく。図２１は第２の反応ガスノズル３２を搬送口１５よりも回転テーブル７の回転方向上流側に位置させた例であり、このようなレイアウトであっても同様の効果が得られる。また分離領域Ｄは、扇型の凸状部４を周方向に２つに分割し、その間に分離ガスノズル４１（４２）を設ける構成であってもよいことは既に述べたが、図２２は、このような構成の一例を示す平面図である。この場合、扇型の凸状部４と分離ガスノズル４１（４２）との距離や扇型の凸状部４の大きさなどは、分離ガスの吐出流量や反応ガスの吐出流量などを考慮して分離領域Ｄが有効な分離作用が発揮できるように設定される。
【００８２】
上述の実施の形態では、前記第１の処理領域Ｐ１及び第２の処理領域Ｐ２は、その天井面が前記分離領域Ｄの天井面よりも高い領域に相当するものであったが、本発明は、第１の処理領域Ｐ１及び第２の処理領域Ｐ２の少なくとも一方は、分離領域Ｄと同様に反応ガス供給手段の前記回転方向両側にて前記回転テーブル７に対向して設けられ、当該回転テーブル７との間にガスの侵入を阻止するための空間を形成するようにかつ前記分離領域Ｄの前記回転方向両側の天井面（第２の天井面４５）よりも低い天井面例えば分離領域Ｄにおける第１の天井面４４と同じ高さの天井面を備えている構成としてもよい。図２３はこのような構成の一例を示すものであり、第２の処理領域（この例ではＯ３ガスの吸着領域）Ｐ２において扇形の凸状部３０の下方側に第２の反応ガスノズル３２を配置している。なお第２の処理領域Ｐ２は、分離ガスノズル４１（４２）の代わりに第２の反応ガスノズル３２を設けた以外は、分離領域Ｄと全く同様である。
【００８３】
本発明は、分離ガスノズル４１（４２）の両側に狭隘な空間を形成するために低い天井面（第１の天井面）４４を設けることが必要であるが、図２４に示すように反応ガスノズル３１（３２）の両側にも同様の低い天井面を設け、これら天井面を連続させる構成、つまり分離ガスノズル４１（４２）及び反応ガスノズル３１（３２）が設けられる箇所以外は、回転テーブル７に対向する領域全面に凸状部４を設ける構成としても同様の効果が得られる。この構成は別の見方をすれば、分離ガスノズル４１（４２）の両側の第１の天井面４４が反応ガスノズル３１（３２）にまで広がった例である。この場合には、分離ガスノズル４１（４２）の両側に分離ガスが拡散し、反応ガスノズル３１（３２）の両側に反応ガスが拡散し、両ガスが凸状部４の下方側（狭隘な空間）にて合流するが、これらのガスは分離ガスノズル３１（３２）と反応ガスノズル４２（４１）との間に位置する排気口６１（６２）から排気されることになる。
【００８４】
以上の実施の形態では、回転テーブル７の回転軸７２が真空容器１の中心部に位置し、回転テーブル７の中心部と真空容器１の上面部との間の空間に分離ガスをパージしているが、本発明は図２５に示すように構成してもよい。図２５の成膜装置においては、真空容器１の中央領域の底面部１４が下方側に突出していて駆動部の収容空間８０を形成していると共に、真空容器１の中央領域の上面に凹部８０ａが形成され、真空容器１の中心部において収容空間８０の底部と真空容器１の前記凹部８０ａの上面との間に支柱８１を介在させて、第１の反応ガスノズル３１からのＢＴＢＡＳガスと第２の反応ガスノズル３２からのＯ３ガスとが前記中心部を介して混ざり合うことを防止している。
【００８５】
回転テーブル７を回転させる機構については、支柱８１を囲むように回転スリーブ８２を設けてこの回転スリーブ８１に沿ってリング状の回転テーブル７を設けている。そして前記収容空間８０にモータ８３により駆動される駆動ギヤ部８４を設け、この駆動ギヤ部８４により、回転スリーブ８２の下部の外周に形成されたギヤ部８５を介して当該回転スリーブ８２を回転させるようにしている。８６、８７及び８８は軸受け部である。また前記収容空間８０の底部にパージガス供給管７４を接続すると共に、前記凹部８０ａの側面と回転スリーブ８２の上端部との間の空間にパージガスを供給するためのパージガス供給管７５を真空容器１の上部に接続している。図２５では、前記凹部８０ａの側面と回転スリーブ８２の上端部との間の空間にパージガスを供給するための開口部は左右２箇所に記載してあるが、回転スリーブ８２の近傍領域を介してＢＴＢＡＳガスとＯ３ガスとが混じり合わないようにするために、開口部（パージガス供給口）の配列数を設計することが好ましい。
【００８６】
図２５の実施の形態では、回転テーブル７側から見ると、前記凹部８０ａの側面と回転スリーブ８２の上端部との間の空間は分離ガス吐出孔に相当し、そしてこの分離ガス吐出孔、回転スリーブ８２及び支柱８１により、真空容器１の中心部に位置する中心部領域が構成される。
【００８７】
本発明は、２種類の反応ガスを用いることに限られず、３種類以上の反応ガスを順番に基板上に供給する場合にも適用することができる。例えば３種類の場合には、例えば第１の反応ガスノズル、分離ガスノズル、第２の反応ガスノズル、分離ガスノズル、第３の反応ガスノズル及び分離ガスノズルの順番で真空容器１の周方向に各ガスノズルを配置し、各分離ガスノズルを含む分離領域を既述の実施の形態のように構成すればよい。
【００８８】
以上述べた成膜装置を用いた基板処理装置について図２６に示しておく。図２６中、１０１は例えば２５枚のウエハを収納するフープと呼ばれる密閉型の搬送容器、１０２は搬送アーム１０３が配置された大気搬送室、１０４、１０５は大気雰囲気と真空雰囲気との間で雰囲気が切り替え可能なロードロック室（予備真空室）、１０６は、２基の搬送アーム１０７が配置された真空搬送室、１０８、１０９は本発明の成膜装置である。搬送容器１０１は図示しない載置台を備えた搬入搬出ポートに外部から搬送され、大気搬送室１０２に接続された後、図示しない開閉機構により蓋が開けられて搬送アーム１０３により当該搬送容器１０１内からウエハが取り出される。次いでロードロック室１０４（１０５）内に搬入され当該室内を大気雰囲気から真空雰囲気に切り替え、その後搬送アーム１０７によりウエハが取り出されて成膜装置１０８、１０９の一方に搬入され、既述の成膜処理がされる。このように例えば５枚処理用の本発明の成膜装置を複数個例えば２個備えることにより、いわゆるＡＬＤ（ＭＬＤ）を高いスループットで実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】本発明の実施の形態に係る成膜装置の縦断面を示す図３のＩ−Ｉ’線縦断面図である。
【図２】上記の成膜装置の内部の概略構成を示す斜視図である。
【図３】上記の成膜装置の横断平面図である。
【図４】上記の成膜装置における分離領域の縦断面図である。
【図５】上記の成膜装置における処理領域及び分離領域を示す縦断面図である。
【図６】上記の成膜装置の底部の概略構成を示す斜視図である。
【図７】上記の成膜装置のカーボンワイヤヒータの配置状態を模式的に示した平面図である。
【図８】上記カーボンワイヤヒータの装着状態を模式的に示した縦断面図である。
【図９】上記の成膜装置の一部破断斜視図である。
【図１０】上記の成膜装置の第２の一部破断斜視図である。
【図１１】第１の反応ガス及び第２の反応ガスが分離ガスにより分離されて排気される様子を示す説明図である。
【図１２】分離ガスあるいはパージガスの流れる様子を示す説明図である。
【図１３】上記の成膜装置の底部の他の構成例を示す縦断面図である。
【図１４】上記の成膜装置の底部のさらに他の構成例を示す縦断面図である。
【図１５】上記の成膜装置の底部のこの他の構成例例を示す縦断面図である。
【図１６】分離領域に用いられる凸状部の寸法例を説明するための説明図である。
【図１７】分離領域の他の例を示す縦断面図である。
【図１８】分離領域に用いられる凸状部の他の例を示す縦断面図である。
【図１９】分離ガス供給手段のガス吐出孔の他の例を示す底面図である。
【図２０】凸状部の変形例を示す底面図である。
【図２１】分離領域の他の例に係る成膜装置を示す横断平面図である。
【図２２】分離領域のさらに他の例に係る成膜装置を示す横断平面図である。
【図２３】分離領域のさらにまた他の例に係る成膜装置の内部の概略構成を示す斜視図である。
【図２４】分離領域の上記以外の例に係る成膜装置を示す横断平面図である。
【図２５】上記以外の例に係る成膜装置を示す縦断面図である。
【図２６】本発明の成膜装置を用いた基板処理システムの一例を示す概略平面図である。
【符号の説明】
【００９０】
１          真空容器
Ｗ          ウエハ
１１        天板
１２        容器本体
１５        搬送口
３１        第１の反応ガスノズル
３２        第２の反応ガスノズル
Ｐ１        第１の処理領域
Ｐ２        第２の処理領域
Ｄ          分離領域
Ｃ          中心部領域
２１        外側壁部材
２２        カバー部材
２３        カーボンワイヤヒータ
２４        反射板
２５、２６  パージガス供給管
４          凸状部
４１、４２  分離ガスノズル
４４        第１の天井面
４５        第２の天井面
５        突出部
５１      分離ガス供給管
６        排気領域
６１、６２  排気口
７          回転テーブル
７１        コア部
７４        凹部（基板載置領域）
８１      支柱
８２      回転スリーブ
【図１】
2010135420.tif 000003
【図２】
2010135420.tif 000004
【図３】
2010135420.tif 000005
【図４】
2010135420.tif 000006
【図５】
2010135420.tif 000007
【図６】
2010135420.tif 000008
【図７】
2010135420.tif 000009
【図８】
2010135420.tif 000010
【図９】
2010135420.tif 000011
【図１０】
2010135420.tif 000012
【図１１】
2010135420.tif 000013
【図１２】
2010135420.tif 000014
【図１３】
2010135420.tif 000015
【図１４】
2010135420.tif 000016
【図１５】
2010135420.tif 000017
【図１６】
2010135420.tif 000018
【図１７】
2010135420.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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