【手続補正書】
【提出日】平成17年1月14日(2005.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲットを用いて基板上に薄膜を形成するスパッタリング装置であって、前記ターゲットの表面近傍にマグネトロン放電を生じさせる一対の磁石と、前記一対の磁石により前記基板の表面近傍に形成される磁場の強度を低減させる、前記一対の磁石とは別の磁石とが前記ターゲットの裏面に配置されており、前記一対の磁石により前記ターゲットの表面に形成される磁場において、前記ターゲットと前記基板との間に形成される電場の方向と垂直な方向の磁場成分の強度の最大値が８００〜３０００ガウスであることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】
前記ターゲットの表面における、前記ターゲットと前記基板との間に形成される電場の方向と垂直な方向の磁場成分の強度が最大となる位置から前記基板の方向に１００ｍｍ離間した位置の磁場の強度が０〜４０ガウスであることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。
【請求項３】
前記ターゲットの表面における、前記ターゲットと前記基板との間に形成される電場の方向と垂直な方向の磁場成分の強度が最大となる位置から前記基板の方向に８０ｍｍ離間した位置の磁場の強度が０〜７０ガウスであることを特徴とする請求項１または２に記載のスパッタリング装置。
【請求項４】
前記ターゲットの表面における、前記ターゲットと前記基板との間に形成される電場の方向と垂直な方向の磁場成分の強度が最大となる位置から前記基板の方向に５０ｍｍ離間した位置の磁場の強度が０〜１５０ガウスであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のスパッタリング装置。
【請求項５】
ターゲットを用いて基板上に薄膜を形成するスパッタリング装置において、前記ターゲットの表面近傍にマグネトロン放電を生じさせる一対の磁石と、前記一対の磁石により前記基板の表面近傍に形成される磁場の強度を低減させる、前記一対の磁石とは別の磁石とが前記ターゲットの裏面に配置されており、前記一対の磁石により前記ターゲット表面に形成される磁場において、前記ターゲットと前記基板との間に形成される電場の方向と垂直な方向の磁場成分の強度の最大値が５００〜８００ガウスであることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項６】
前記ターゲットの表面における、前記ターゲットと前記基板との間に形成される電場の方向と垂直な方向の磁場成分の強度が最大となる位置から前記基板の方向に１００ｍｍ離間した位置の磁場の強度が０〜２０ガウスであることを特徴とする請求項５に記載のスパッタリング装置。
【請求項７】
前記ターゲットの表面における、前記ターゲットと前記基板との間に形成される電場の方向と垂直な方向の磁場成分の強度が最大となる位置から前記基板の方向に８０ｍｍ離間した位置の磁場の強度が０〜４０ガウスであることを特徴とする請求項５または６に記載のスパッタリング装置。
【請求項８】
前記ターゲットの表面における、前記ターゲットと前記基板との間に形成される電場の方向と垂直な方向の磁場成分の強度が最大となる位置から前記基板の方向に５０ｍｍ離間した位置の磁場の強度が０〜９０ガウスであることを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載のスパッタリング装置。
【請求項９】
前記ターゲットは、Ｉｎを主成分とする酸化物で構成されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のスパッタリング装置。
【請求項１０】
前記ターゲットは、Ｓｎを含むことを特徴とする請求項９に記載のスパッタリング装置。
【請求項１１】
前記ターゲットは、Ｚｎを主成分とする酸化物で構成されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のスパッタリング装置。
【請求項１２】
前記ターゲットは、ＧａまたはＡｌを含むことを特徴とする請求項１１に記載のスパッタリング装置。
【請求項１３】
前記ターゲットは、ＩｎとＺｎとを含む酸化物で構成されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のスパッタリング装置。
【請求項１４】
チャンバ内にガスを供給して所定の圧力に制御しながらターゲットが載置されたカソードに電極を印加し、一対の磁石を用いて前記チャンバ内に磁場を形成するとともにプラズマを発生させ、当該プラズマ内の活性イオンを前記ターゲットに衝突させて叩き出された粒子を前記ターゲットに対置した基板に付着させて当該基板上に薄膜を形成するスパッタリング方法であって、前記一対の磁石により前記ターゲットの表面に形成される磁場において、前記ターゲットと前記基板との間に形成される電場の方向と垂直な方向の磁場成分の強度の最大値が８００〜３０００ガウスとなるようにし、さらに前記一対の磁石とは別の磁石を前記ターゲットの裏面に設け、当該別の磁石を用いて前記基板の表面近傍に形成される磁場の強度を減少させるようにすることを特徴とするスパッタリング方法。
【請求項１５】
前記ターゲットの表面における、前記ターゲットと前記基板との間に形成される電場の方向と垂直な方向の磁場成分の強度が最大となる位置から前記基板の方向に１００ｍｍ離間した位置の磁場の強度が０〜４０ガウスとなるようにすることを特徴とする請求項１４に記載のスパッタリング方法。
【請求項１６】
前記ターゲットの表面における、前記ターゲットと前記基板との間に形成される電場の方向と垂直な方向の磁場成分の強度が最大となる位置から前記基板の方向に８０ｍｍ離間した位置の磁場の強度が０〜７０ガウスとなるようにすることを特徴とする請求項１４または１５に記載のスパッタリング方法。
【請求項１７】
前記ターゲットの表面における、前記ターゲットと前記基板との間に形成される電場の方向と垂直な方向の磁場成分の強度が最大となる位置から前記基板の方向に５０ｍｍ離間した位置の磁場の強度が０〜１５０ガウスとなるようにすることを特徴とする請求項１４〜１６のいずれかに記載のスパッタリング方法。
【請求項１８】
チャンバ内にガスを供給して所定の圧力に制御しながらターゲットが載置されたカソードに電極を印加し、一対の磁石を用いて前記チャンバ内に磁場を形成するとともにプラズマを発生させ、当該プラズマ内の活性イオンを前記ターゲットに衝突させて叩き出された粒子を前記ターゲットに対置した基板に付着させて当該基板上に薄膜を形成するスパッタリング方法であって、前記一対の磁石により前記ターゲットの表面に形成される磁場において、前記ターゲットと前記基板との間に形成される電場の方向と垂直な方向の磁場成分の強度の最大値が５００〜８００ガウスとなるようにし、さらに前記一対の磁石とは別の磁石を前記ターゲットの裏面に設け、当該別の磁石を用いて前記基板の表面近傍に形成される磁場の強度を減少させるようにすることを特徴とするスパッタリング方法。
【請求項１９】
前記ターゲットの表面における、前記ターゲットと前記基板との間に形成される電場の方向と垂直な方向の磁場成分の強度が最大となる位置から前記基板の方向に１００ｍｍ離間した位置の磁場の強度が０〜２０ガウスとなるようにすることを特徴とする請求項１８に記載のスパッタリング方法。
【請求項２０】
前記ターゲットの表面における、前記ターゲットと前記基板との間に形成される電場の方向と垂直な方向の磁場成分の強度が最大となる位置から前記基板の方向に８０ｍｍ離間した位置の磁場の強度が０〜４０ガウスとなるようにすることを特徴とする請求項１８または１９に記載のスパッタリング方法。
【請求項２１】
前記ターゲットの表面における、前記ターゲットと前記基板との間に形成される電場の方向と垂直な方向の磁場成分の強度が最大となる位置から前記基板の方向に５０ｍｍ離間した位置の磁場の強度が０〜９０ガウスとなるようにすることを特徴とする請求項１８〜２０のいずれかに記載のスパッタリング方法。
【請求項２２】
前記ターゲットは、Ｉｎを主成分とする酸化物で構成されることを特徴とする請求項１４〜２１のいずれかに記載のスパッタリング方法。
【請求項２３】
前記ターゲットがＳｎを含むことを特徴とする請求項２２に記載のスパッタリング方法。
【請求項２４】
前記ターゲットは、Ｚｎを主成分とする酸化物で構成されることを特徴とする請求項１４〜２１のいずれかに記載のスパッタリング方法。
【請求項２５】
前記ターゲットは、ＧａまたはＡｌを含むことを特徴とする請求項２４に記載のスパッタリング方法。
【請求項２６】
前記ターゲットは、ＩｎとＺｎとを含む酸化物で構成されることを特徴とする請求項１４〜２１のいずれかに記載のスパッタリング方法。