【手続補正書】
【提出日】平成16年6月9日(2004.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウエハーにトランジスタを形成し、
前記トランジスタ上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に前記トランジスタと電気的に接続する画素電極を形成し、
加熱処理により、前記画素電極の表面に突起物を形成し、
前記加熱処理後、前記画素電極及び前記第２の絶縁膜を覆うように第３の絶縁膜を形成し、
前記画素電極の表面と前記第３の絶縁膜の表面が同一平面をなすように平坦化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
シリコンウエハーに少なくとも２つのトランジスタを形成し、
前記２つのトランジスタ上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に、前記２つのトランジスタと電気的に接続する少なくとも２つの画素電極を形成し、
前記第２の絶縁膜上で且つ前記２つの画素電極間に第３の絶縁膜を形成し、
前記第３の絶縁膜を形成後、加熱処理により前記２つの画素電極の表面に突起物を形成し、
前記突起物を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
シリコンウエハーにトランジスタを形成し、
前記トランジスタ上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に前記トランジスタと電気的に接続する画素電極を形成し、
前記画素電極及び前記第２の絶縁膜を覆うように第３の絶縁膜を形成し、
前記画素電極の表面と前記第３の絶縁膜の表面が同一平面をなすように平坦化し、
前記平坦化後、加熱処理により前記画素電極の表面に突起物を形成し、
前記突起物を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面上に活性層を形成し、
前記活性層上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
ソース領域、ドレイン領域、チャネル形成領域を形成するために前記活性層に一導電性を付与する不純物イオンを添加し、
前記ゲイト電極上に第１の絶縁膜を形成し、
前記ソース領域に接続されたソース電極と、前記ドレイン領域に接続されたドレイン電極とを、前記第１の絶縁膜上に形成し、
前記第１の絶縁膜、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に前記ドレイン電極と接続する画素電極を形成し、
加熱処理により、前記画素電極の表面に突起物を形成し、
前記加熱処理後、前記画素電極及び前記第２の絶縁膜を覆うように第３の絶縁膜を形成し、
前記画素電極の表面と前記第３の絶縁膜の表面が同一平面をなすように平坦化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面上に活性層を形成し、
前記活性層上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
ソース領域、ドレイン領域、チャネル形成領域を形成するために前記活性層に一導電性を付与する不純物を添加し、
前記ゲイト電極上に第１の絶縁膜を形成し、
前記ソース領域に接続されたソース電極と、前記ドレイン領域に接続されたドレイン電極とを、前記第１の絶縁膜上に形成し、
前記第１の絶縁膜、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に前記ドレイン電極と接続する画素電極を形成し、
前記画素電極及び前記第２の絶縁膜を覆うように第３の絶縁膜を形成し、
前記画素電極の表面と前記第３の絶縁膜の表面が同一平面をなすように平坦化し、
前記平坦化後、加熱処理により前記画素電極の表面に突起物を形成し、
前記突起物を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項４または５において、前記第２の絶縁膜は、ポリイミド、ポリアミド、ポリイミアミド又はアクリルでなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至６のいずれか一項において、前記第３の絶縁膜は、黒色顔料またはカーボンを分散させた有機樹脂膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、前記第２の絶縁膜の表面は平坦であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
基板上にボトムゲイト型薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１絶縁膜上に前記薄膜トランジスタと電気的に接続する画素電極を形成し、
加熱処理により、前記画素電極の表面に突起物を形成し、
前記加熱処理後、前記画素電極及び前記第１の絶縁膜を覆うように第２の絶縁膜を形成し、
前記画素電極の表面と前記第２の絶縁膜の表面が同一平面をなすように平坦化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
基板上にボトムゲイト型薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１絶縁膜上に前記薄膜トランジスタと電気的に接続する画素電極を形成し、
前記画素電極及び前記第１の絶縁膜を覆うように第２の絶縁膜を形成し、
前記画素電極の表面と前記第２の絶縁膜の表面が同一平面をなすように平坦化し、
前記平坦化後、加熱処理により前記画素電極の表面に突起物を形成し、
前記突起物を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に活性層を形成し、
前記活性層のチャネル形成領域上に窒化珪素膜を形成し、
前記活性層及び前記窒化珪素膜上にソース電極とドレイン電極とを形成し、
前記窒化珪素膜、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に前記ドレイン電極と接続する画素電極を形成し、
加熱処理により、前記画素電極の表面に突起物を形成し、
前記加熱処理後、前記画素電極及び前記第１の絶縁膜を覆うように第２の絶縁膜を形成し、
前記画素電極の表面と前記第２の絶縁膜の表面が同一平面をなすように平坦化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
基板上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極上にゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上に活性層を形成し、
前記活性層のチャネル形成領域上に窒化珪素膜を形成し、
前記活性層及び前記窒化珪素膜上にソース電極とドレイン電極とを形成し、
前記窒化珪素膜、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に前記ドレイン電極と接続する画素電極を形成し、
前記画素電極及び前記第１の絶縁膜を覆うように第２の絶縁膜を形成し、
前記画素電極の表面と前記第２の絶縁膜の表面が同一平面をなすように平坦化し、
前記平坦化後、加熱処理により前記画素電極の表面に突起物を形成し、
前記突起物を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項９乃至１２のいずれか一項において、前記第１の絶縁膜の表面は平坦であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項９乃至１３のいずれか一項において、前記第１の絶縁膜は有機性樹脂膜でなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一項において、前記画素電極はアルミニウムを主成分とする材料からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
反射型液晶表示装置の作製方法であることを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の半導体装置の作製方法。