【手続補正書】
【提出日】令和3年1月22日(2021.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワー半導体モジュール（１０）であって、
金属化層（１８）を有する基板（１２）と、
前記基板（１２）に接着された少なくとも１つのパワー半導体チップ（１４）と、
前記半導体チップ（１４）および前記基板（１２）を部分的に封止する成形封止部（２６）とを備え、前記成形封止部（２６）は、前記金属化層（１８）の端子領域（３８，４０）を露出させる少なくとも１つの窓（３６）を備え、前記パワー半導体モジュール（１０）はさらに、
端部（５８）が前記端子領域（４０）に接着されたパワー端子（５４）を備え、
前記成形封止部（２６）は、前記半導体チップ（１４）を封止する中央部（３２）を備え、
前記窓（３６）と前記基板（１２）の境界（２８）との間の前記成形封止部（２６）の境界部（３４）は、前記成形封止部（２６）の前記中央部（３２）の基板（１２）上方最大高さよりも小さな基板（１２）上方高さを有し、
前記パワー端子（５４）の一部（５６）は、前記基板（１２）に平行な方向に前記境界部（３４）の上方に突き出ていることにより、前記一部（５６）の基板（１２）上方垂直高さは、前記成形封止部（２６）の前記中央部（３２）の前記最大高さよりも小さい、パワー半導体モジュール（１０）。
【請求項２】
前記境界部（３４）の前記基板（１２）上方高さは、導体（２１）の基板（１２）上方最大高さよりも小さく、前記導体（２１）は、前記成形封止部（２６）において封止され、前記半導体チップ（１４）および前記金属化層（１８）に接着される、請求項１に記載のパワー半導体モジュール（１０）。
【請求項３】
前記境界部（３４）は、前記基板（１２）の前記境界（２８）と重なり合う、請求項１または２に記載のパワー半導体モジュール（１０）。
【請求項４】
前記成形封止部（２６）は、少なくとも２つの窓（３６）を備え、各窓（３６）は、前記金属化層の端子領域（３８，４０）を露出させ、
前記端子領域（３８）のうちの少なくとも１つは、パワー端子領域であり、
前記端子領域（４０）のうちの少なくとも１つは、補助端子領域である、請求項１から３のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール（１０）。
【請求項５】
前記境界部（３４）は、少なくとも２つの窓（３６）を提供する、請求項１から４のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール（１０）。
【請求項６】
２つの共面導体ストリップ（７４）を有する２つのパワー端子（５４）をさらに備え、
各パワー端子（５４）は、それぞれの前記導体ストリップ（７４）から突き出る少なくとも２つの足部（７６）を、一方の前記パワー端子（５４）からの足部（７６）が他方の前記パワー端子（５４）からの足部（７６）と交互になるように備え、
前記パワー端子（５４）からの前記足部（７６）は、端子領域（４０）の列（７２）に接着され、前記端子領域（４０）の各々は、前記成形封止部（２６）の専用の窓（３６）によって設けられる、請求項１から５のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール（１０）。
【請求項７】
第１の端部（５０）が前記成形封止部（２６）の窓（３６）における端子領域（３８）に接着され、第２の端部（５２）が前記中央部（３２）の上方に突き出ている補助端子（４８）をさらに備える、請求項１から６のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール（１０）。
【請求項８】
前記成形封止部（２６）の前記中央部（３２）に取り付けられた回路基板（６４）と、
窓（３６）における端子領域（３８）に接着され、前記回路基板（６４）に接着されたボンドワイヤ（６６）、および、前記印刷回路基板（６４）に接続され、窓（３６）における端子領域（３８）に押し付けられた導電性ばね要素（６８）のうちの少なくとも１つとをさらに備える、請求項１から７のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール（１０）。
【請求項９】
前記成形封止部（２６）の窓（３６）における端子領域（３８，４０）に接着された端子（４８，５４）の端部（５０，５８）は、前記窓（３６）に充填された鋳造材料（６２）に埋設される、請求項１から８のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール（１０）。
【請求項１０】
前記パワー半導体チップ（１４）に対向して前記基板（１２）に取り付けられた冷却プレート（２２）をさらに備え、
前記成形封止部（２６）は、前記冷却プレート（２２）の一方の側のみに設けられ、
前記成形封止部（２６）の前記境界部（３４）は、前記基板（１２）の前記境界（２８）の上方に延在しており、前記冷却プレート（２２）上に配設される、請求項１から９のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール（１０）。
【請求項１１】
冷却空洞（４３）を有する冷却体（４２）をさらに備え、前記冷却空洞（４３）は、前記冷却体（４２）に挿入された前記冷却プレート（２２）によって閉じられ、
前記冷却プレート（２２）は、前記冷却プレート（２２）の境界（３０）に沿って前記冷却体（４２）に溶接される、請求項１０に記載のパワー半導体モジュール（１０）。
【請求項１２】
パワー半導体モジュールアセンブリ（４４）であって、
請求項１から１１のいずれか１項に記載のパワー半導体モジュール（１０）と、
パワー電気素子（４６）とを備え、
前記パワー端子（５４）は、前記パワー電気素子（４６）と前記パワー半導体モジュール（１０）とを直接相互接続する、パワー半導体モジュールアセンブリ（４４）。
【請求項１３】
パワー半導体モジュール（１０）の製造方法であって、
金属化層（１８）を有する基板（１２）を設けるステップを備え、前記基板（１２）には少なくとも１つのパワー半導体チップ（１４）が接着され、前記方法はさらに、
前記半導体チップ（１４）および前記基板（１２）を成形封止部（２６）に成形するステップを備え、前記成形封止部（２６）は、前記半導体チップ（１４）を封止する中央部（３２）を備え、前記成形封止部（２６）は、前記金属化層（１８）の端子領域（３８，４０）を露出させる少なくとも１つの窓（３６）を備え、前記窓（３６）と前記基板（１２）の境界（２８）との間の前記成形封止部の境界部（３４）は、前記成形封止部（２６）の前記中央部（３２）の最大高さよりも小さな基板（１２）上方高さを有し、前記方法はさらに、
パワー端子（５４）の端部（５８）を前記端子領域（４０）に接着するステップを備え、
前記パワー端子（５４）の一部（５６）は、前記基板（１２）に平行な方向に前記境界部（３４）の上方に突き出ていることにより、前記一部（５６）の基板（１２）上方垂直高さは、前記成形封止部（２６）の前記中央部（３２）の前記最大高さよりも小さい、方法。
【請求項１４】
前記基板（１２）に取り付けられた冷却プレート（２２）を冷却体（４２）に溶接するステップと、
補助端子（４８）を前記成形封止部（２６）の窓（３６）に設けられた端子領域（３８，４０）に接着するステップと、
導体ストリップ（５４）を前記成形封止部（２６）の窓（３６）に設けられた端子領域（４０）およびパワー電気素子（４６）に接着するステップとをさらに備える、請求項１３に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
本発明の一実施形態によれば、パワー半導体モジュールは、冷却空洞を有する冷却体をさらに備え、冷却空洞は、冷却体に挿入された冷却プレートによって閉じられ、冷却プレートは、冷却プレートの境界に沿って冷却体に溶接される。空洞は、冷却空洞内を流れる冷却液であふれさせてもよい。