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【手続補正書】
【提出日】平成17年6月30日(2005.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルのキャパシタがビットラインの上に形成されているＤＲＡＭ半導体装置において、ストレージノードの底部を下地絶縁層に埋め込むように、前記ストレージノードの底部の上面は、前記下地絶縁層の上面と略同一平面となるように形成したことを特徴とするＤＲＡＭ半導体装置。
【請求項２】
前記ストレージノードの前記底部の上に起立するように形成された壁部を上部から見たときの形状は、略田の字状或いは略渦巻き状であることを特徴とする請求項１記載のＤＲＡＭ半導体装置。
【請求項３】
メモリセルのキャパシタがビットラインの上に形成されているＤＲＡＭ半導体装置の製造方法において、ストレージノードが形成される下地絶縁層にエッチングにより予め窪み部を形成する工程と、前記下地絶縁層の前記窪み部にエッチングにより更にコンタクトホールを形成する工程と、前記窪み部と前記コンタクトホールとが形成された下地絶縁層の上部にポリシリコン層を積層する工程と、前記工程で積層されたポリシリコン層に対して一回のエッチングを行うことによりストレージノードの底部と壁部とを形成する工程とを具備することを特徴とするＤＲＡＭ半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記窪み部の段差は、形成しようとするストレージノードの底部の厚さと略同じであることを特徴とする請求項３記載のＤＲＡＭ半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明に係るＤＲＡＭ半導体装置は、メモリセルのキャパシタがビットラインの上に形成されているＤＲＡＭ半導体装置において、ストレージノードの底部を下地絶縁層に埋め込むように、前記ストレージノードの底部の上面は、前記下地絶縁層の上面と略同一平面となるように形成したことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月8日(2004.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硼素（Ｂ）原子を含む硼素源と、リン（Ｐ）原子を含むリン源との双方を気相成長領域に併行して供給して、珪素（Ｓｉ）単結晶基板上に硼素とリンとを含むリン化硼素（ＢＰ）層を気相成長させるリン化硼素層を含む積層物の製造方法に於いて、気相成長領域に供給する硼素源の濃度に対するリン源の濃度の比率を０．５〜５０の範囲の第１の比率（Ｒ１）として第１のリン化硼素層を気相成長させた後、引き続き１０秒以内に、硼素源の濃度に対するリン源の濃度の比率を上記のＲ１から５００〜６０００の範囲の第２の比率（Ｒ２）に増加させ、第１のリン化硼素層上に第２のリン化硼素層を気相成長させることを特徴とするリン化硼素層を含む積層物の製造方法。
【請求項２】
第１のリン化硼素層及び第２のリン化硼素層を、同一の硼素源を用いて気相成長させることを特徴とする請求項１に記載のリン化硼素層を含む積層物の製造方法。
【請求項３】
硼素源に有機硼素化合物を用いることを特徴とする請求項１または２に記載のリン化硼素層を含む積層物の製造方法。
【請求項４】
第１のリン化硼素層及び第２のリン化硼素層を、同一のリン源を用いて気相成長させることを特徴とする請求項１〜３の何れか１項に記載のリン化硼素層を含む積層物の製造方法。
【請求項５】
第１のリン化硼素層及び第２のリン化硼素層を、Ｓｉ単結晶基板の温度を７５０℃以上１２００℃以下として気相成長させることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のリン化硼素層を含む積層物の製造方法。
【請求項６】
第１のリン化硼素層を、珪素結晶基板の温度を１０００℃以上１２００℃以下として、有機金属化学的気相堆積法（ＭＯＣＶＤ法）で気相成長させることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載のリン化硼素層を含む積層物の製造方法。
【請求項７】
第１のリン化硼素層が非晶質からなることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載のリン化硼素層を含む積層物の製造方法。
【請求項８】
第１のリン化硼素層の層厚が２〜５０ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載のリン化硼素層を含む積層物の製造方法。
【請求項９】
第２のリン化硼素層が単結晶からなることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載のリン化硼素層を含む積層物の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか１項に記載の製造方法に依り成長させたリン化硼素層を含む積層物を備えたリン化硼素系半導体素子。
【請求項１１】
請求項１０に記載のリン化硼素系半導体素子からなるＬＥＤ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月4日(2005.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】組成物とその製造方法、有機ＥＬ素子の製造方法、電気光学装置、及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体材料を媒体に溶解または分散させてなる組成物であって、
前記組成物中に、半金属を捕捉するための半金属捕捉剤が含有されてなることを特徴とする組成物。
【請求項２】
有機半導体材料を媒体に溶解または分散させてなる組成物であって、
前記組成物が、半金属捕捉剤に接触処理されて半金属が捕捉除去された後、該半金属捕捉剤が除去されてなるものであることを特徴とする組成物。
【請求項３】
前記半金属捕捉剤は、キレート材であることを特徴とする請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】
前記キレート材は、粉末状素材の分子中にキレート官能基が導入されたものであることを特徴とする請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
前記有機半導体材料は有機ＥＬ発光層の形成材料であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
【請求項６】
前記有機半導体材料がフルオレン骨格を有することを特徴とする請求項５記載の組成物。
【請求項７】
前記半金属はホウ素であることを特徴とする請求項６記載の組成物。
【請求項８】
有機半導体材料を媒体に溶解または分散させてなる組成物の製造方法であって、
前記組成物中に半金属捕捉剤を接触させ、該組成物中に不純物として存在する半金属を捕捉することを特徴とする組成物の製造方法。
【請求項９】
有機半導体材料を媒体に溶解または分散させてなる組成物の製造方法であって、
前記組成物中に半金属捕捉剤を接触させて該組成物中に存在する半金属を捕捉した後、該組成物中から半金属捕捉剤を除去することを特徴とする組成物の製造方法。
【請求項１０】
前記半金属捕捉剤は、キレート材であることを特徴とする請求項８又は９に記載の組成物の製造方法。
【請求項１１】
前記キレート材は、粉末状素材の分子中にキレート官能基が導入されたものであることを特徴とする請求項１０に記載の組成物の製造方法。
【請求項１２】
前記有機半導体材料は有機ＥＬ発光層の形成材料であることを特徴とする請求項８〜１１のいずれかに記載の組成物の製造方法。
【請求項１３】
前記有機半導体材料がフルオレン骨格を有することを特徴とする請求項１１記載の組成物の製造方法。
【請求項１４】
前記半金属はホウ素であることを特徴とする請求項１３記載の組成物の製造方法。
【請求項１５】
請求項５〜７のいずれかに記載の組成物によって発光層が形成された有機ＥＬ素子を備えた電気光学装置。
【請求項１６】
請求項１５記載の電気光学装置を備えた電子機器。
【請求項１７】
請求項５〜７のいずれかに記載の組成物によって発光層を形成する工程を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】 
本発明は、有機ＥＬ素子の発光層形成材料などとして用いられる組成物とその製造方法、さらにこれを用いた有機ＥＬ素子の製造方法、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、材料中に含まれる微量半金属を十分に除去することによって有機ＥＬ素子の発光効率を高めた、組成物とその製造方法、さらにこれを用いた有機ＥＬ素子の製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
なお、この組成物の製造方法においては、その有機半導体材料がフルオレン骨格を有するものであってもよく、その場合に、前記不純物としての半金属がホウ素であってもよい。
このようにすれば、前述したように副生成物としてのホウ素またはこれを含む化合物を半金属捕捉剤によって効率よく捕捉除去することが可能になる。
また、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、前記組成物によって発光層を形成する工程を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月4日(2005.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】組成物とその製造方法、有機ＥＬ素子の製造方法、電気光学装置、及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機半導体材料を媒体に溶解または分散させてなる組成物であって、
前記組成物中に、金属を捕捉するための金属捕捉剤が含有されてなることを特徴とする組成物。
【請求項２】
有機半導体材料を媒体に溶解または分散させてなる組成物であって、
前記組成物が、金属捕捉剤に接触処理されて金属が捕捉除去された後、該金属捕捉剤が除去されてなるものであることを特徴とする組成物。
【請求項３】
前記金属捕捉剤は、キレート材であることを特徴とする請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】
前記キレート材は、繊維にキレート官能基が担持されたものであることを特徴とする請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
前記有機半導体材料は有機ＥＬ発光層の形成材料であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の組成物。
【請求項６】
前記有機半導体材料がフルオレン骨格を有することを特徴とする請求項５記載の組成物。
【請求項７】
前記金属がパラジウム、ニッケル、プラチナからなる群より選ばれた少なくとも一つの金属であることを特徴とする請求項６記載の組成物。
【請求項８】
有機半導体材料を媒体に溶解または分散させてなる組成物の製造方法であって、
前記組成物中に金属捕捉剤を接触させ、該組成物中に存在する金属を捕捉することを特徴とする組成物の製造方法。
【請求項９】
有機半導体材料を媒体に溶解または分散させてなる組成物の製造方法であって、
前記組成物中に金属捕捉剤を接触させて該組成物中に不純物として存在する金属を捕捉した後、該組成物中から金属捕捉剤を除去することを特徴とする組成物の製造方法。
【請求項１０】
前記金属捕捉剤は、キレート材であることを特徴とする請求項８又は９に記載の組成物の製造方法。
【請求項１１】
前記キレート材は、繊維にキレート官能基が担持されたものであることを特徴とする請求項１０に記載の組成物の製造方法。
【請求項１２】
前記有機半導体材料は有機ＥＬ発光層の形成材料であることを特徴とする請求項８〜１１のいずれかに記載の組成物の製造方法。
【請求項１３】
前記有機半導体材料がフルオレン骨格を有することを特徴とする請求項１１記載の組成物の製造方法。
【請求項１４】
前記不純物としての金属がパラジウム、ニッケル、プラチナからなる群より選ばれた少なくとも一つの金属であることを特徴とする請求項１３記載の組成物の製造方法。
【請求項１５】
請求項５〜７のいずれかに記載の組成物によって発光層が形成された有機ＥＬ素子を備えた電気光学装置。
【請求項１６】
請求項１５記載の電気光学装置を備えた電子機器。
【請求項１７】
請求項５〜７のいずれかに記載の組成物によって発光層を形成する工程を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】 
本発明は、有機ＥＬ素子の発光層形成材料などとして用いられる組成物とその製造方法、さらにこれを用いた有機ＥＬ素子の製造方法、電気光学装置、及び電子機器に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は前記事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、材料中に含まれる微量金属を十分に除去することによって有機ＥＬ素子の発光効率を高めた、組成物とその製造方法、さらにこれを用いた有機ＥＬ素子の製造方法、電気光学装置、及び電子機器を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
なお、この組成物の製造方法においては、その有機半導体材料がフルオレン骨格を有するものであってもよく、その場合に、前記金属がパラジウム、ニッケル、プラチナからなる群より選ばれた少なくとも一つの金属であってもよい。
このようにすれば、前述したように触媒として用いたパラジウム等を金属捕捉剤によって効率よく捕捉除去することが可能になる。
また、本発明の有機ＥＬ素子の製造方法は、前記組成物によって発光層を形成する工程を含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月2日(2004.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面を参照して本発明に係る電磁調理器の実施の形態を説明する。各実施の形態の説明において、理解を容易にするために方向を表す用語（例えば、「上方」、「下方」、「右側」および「左側」など）を適宜用いるが、これは説明のためのものであって、これらの用語は本発明を限定するものでない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月5日(2005.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光情報記録媒体への情報の記録及び／又は前記光情報記録媒体からの情報の再生に用いられる記録再生用光学系に含まれ、所定の使用波長の入射光に対して開口数が０．８２以上となるように使用される対物レンズであって、
前記対物レンズの少なくとも一面には、反射防止コートがなされており、当該反射防止コートは、前記使用波長において４０度から７０度の入射角をなして入射する入射光に対して最小の反射率を持つことを特徴とする、対物レンズ。
【請求項２】
光情報記録媒体への情報の記録及び／又は前記光情報記録媒体からの情報の再生に用いられる記録再生用光学系に含まれ、所定の使用波長の入射光に対して開口数が０．８２以上となるように使用される対物レンズであって、
前記対物レンズの少なくとも一面には反射防止コートがなされており、当該反射防止コートは、単層であって、前記使用波長において０度の入射角をなして入射する入射光に対して最小の反射率となる膜厚より２０％以上厚いことを特徴とする、対物レンズ。
【請求項３】
光情報記録媒体への情報の記録及び／又は前記光情報記録媒体からの情報の再生に用いられる記録再生用光学系に含まれ、所定の使用波長の入射光に対して開口数が０．８２以上となるように使用される対物レンズであって、
前記対物レンズの少なくとも一面には反射防止コートがなされており、当該反射防止コートは、単層であって、前記使用波長に対して、光路長が０．３０波長〜０．３５波長分の厚みを持つことを特徴とする、対物レンズ。
【請求項４】
単レンズであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の対物レンズ。
【請求項５】
光源と、前記光源から出射された光束を光情報記録媒体の情報記録面上に集光する集光手段と、前記情報記録面で変調された光束を前記光源から出射された光束から分離する光束分離手段と、前記情報記録面で変調された光束を受光する受光手段とを備えた光ヘッド装置であって、
前記集光手段が請求項１〜３のいずれかに記載の対物レンズを含む記録再生用光学系であることを特徴とする、光ヘッド装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
目的を達成するため、本発明に係る記録再生用光学系の第一の構成は、光情報記録媒体への情報の記録及び／又は光情報記録媒体からの情報の再生に用いられる記録再生用光学系に含まれ、所定の使用波長の入射光に対して開口数が０．８２以上となるように使用される対物レンズであって、対物レンズの少なくとも一面には、反射防止コートがなされており、当該反射防止コートは、使用波長において４０度から７０度の入射角をなして入射する入射光に対して最小の反射率を持つことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、目的を達成するため、本発明に係る記録再生用光学系の第二の構成は、光情報記録媒体への情報の記録及び／又は光情報記録媒体からの情報の再生に用いられる記録再生用光学系に含まれ、所定の使用波長の入射光に対して開口数が０．８２以上となるように使用される対物レンズであって、対物レンズの少なくとも一面には反射防止コートがなされており、当該反射防止コートは、単層であって、使用波長において０度の入射角をなして入射する入射光に対して最小の反射率となる膜厚より２０％以上厚いことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、目的を達成するため、本発明に係る記録再生用光学系の第三の構成は、光情報記録媒体への情報の記録及び／又は光情報記録媒体からの情報の再生に用いられる記録再生用光学系に含まれ、所定の使用波長の入射光に対して開口数が０．８２以上となるように使用される対物レンズであって、対物レンズの少なくとも一面には反射防止コートがなされており、当該反射防止コートは、単層であって、使用波長に対して、光路長が０．３０波長〜０．３５波長分の厚みを持つことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
かかる構成によれば、コーティングは単層であるので製造が容易となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、第一乃至第三の構成においては、単レンズであることが好ましい。かかる好ましい構成によれば、対物レンズが簡素に構成できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明に係る光ヘッド装置は、光源と、光源から出射された光束を光情報記録媒体の情報記録面上に集光する集光手段と、情報記録面で変調された光束を前記光源から出射された光束から分離する光束分離手段と、情報記録面で変調された光束を受光する受光手段とを備えた光ヘッド装置であって、集光手段が請求項１〜３のいずれかに記載の対物レンズを含む記録再生用光学系であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月4日(2005.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
層Ａと層Ｂとの積層ポリエステルフィルム及び層Ｂの外側の被覆層Ｃからなるフィルムであって、層Ａ側の外表面のＲａ値が１〜５ｎｍであり、被覆層Ｃの外表面のＲａ値が１０〜５０ｎｍであり、被覆層Ｃが、溶解性パラメータ［δ］が１０以下又は１１以上である高分子からなる厚みが０．２〜２０ｎｍの層であり、かつ、層Ａ側の外表面の外側に強磁性金属薄膜層を設けて使用される磁気記録媒体用であることを特徴とする磁気記録媒体用ポリエステルフィルム。
【請求項２】
層Ｂ中に、ろう及び／又はセッケンが０．０５〜１．０重量％含有されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体用ポリエステルフィルム。
【請求項３】
層Ａの外側に、水溶性及び／又は水分散性の高分子を主成分とした易滑被覆層が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の磁気記録媒体用ポリエステルフィルム。
【請求項４】
ポリエステルがポリエチレンテレフタレート又はポリエチレン−２，６−ナフタレートであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の磁気記録媒体用ポリエステルフィルム。
【請求項５】
デジタル記録方式の磁気記録テープ用に用いられることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の磁気記録媒体用ポリエステルフィルム。
【請求項６】
複合押出された複合フィルムの層Ｂ側に被覆層Ｃ形成用塗液を塗布した後に、同時２軸延伸方法によって延伸することによって請求項１〜５のいずれかに記載の磁気記録媒体用ポリエステルフィルムを製造することを特徴とする磁気記録媒体用ポリエステルフィルムの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれかに記載のポリエステルフィルムの層Ａ側の外表面上に強磁性金属薄膜層を設けてなる磁気記録テープ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
５．デジタル記録方式の磁気記録テープ用に用いられる上記１〜４のいずれかに記載の磁気記録媒体用ポリエステルフィルム。
６．複合押出された複合フィルムの層Ｂ側に被覆層Ｃ形成用塗液を塗布した後に、同時２軸延伸方法によって延伸することによって上記１〜５のいずれかに記載の磁気記録媒体用ポリエステルフィルムを製造する磁気記録媒体用ポリエステルフィルムの製造方法。
７．上記１〜５のいずれかに記載のポリエステルフィルムの層Ａ側の外表面上に強磁性金属薄膜層を設けてなる磁気記録テープ。
とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月20日(2005.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
データ及びそのデータが削除されたか否かを示す削除情報を含むそのデータの特性を記憶するための記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されるデータの特性を読み取り、その特性に応じてそのデータを再生する再生手段と
を有するデータ再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
演奏者が演奏操作するための鍵盤と、
前記鍵盤の操作に応じたオーディオデータの曲及びその曲が削除されたか否かを示す削除情報を含むその曲の特性を記憶するための記憶手段と、
前記記憶手段に記憶されるオーディオデータの曲の特性を読み取り、その特性に応じてそのオーディオデータを再生する再生手段と
を有する電子楽器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、データ及びそのデータが削除されたか否かを示す削除情報を含むそのデータの特性を記憶するための記憶手段と、前記記憶手段に記憶されるデータの特性を読み取り、その特性に応じてそのデータを再生する再生手段とを有するデータ再生装置が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の他の観点によれば、演奏者が演奏操作するための鍵盤と、前記鍵盤の操作に応じたオーディオデータの曲及びその曲が削除されたか否かを示す削除情報を含むその曲の特性を記憶するための記憶手段と、前記記憶手段に記憶されるオーディオデータの曲の特性を読み取り、その特性に応じてそのオーディオデータを再生する再生手段とを有する電子楽器が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月17日(2005.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に軟磁性下地層を介して垂直記録層が形成された垂直磁気記録媒体において、
前記軟磁性下地層は非磁性層により物理的に分離された複数の軟磁性層を含み、前記軟磁性層はナノ結晶から構成され、さらに前記非磁性層を介して隣接する軟磁性層の層間には局所的な磁化の閉ループが形成されており、
前記非磁性層の厚さが1nm以上3nm以下であり、前記軟磁性層の厚さが50nm以上150nm以下であることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記軟磁性層は、第１の元素としてFeを第２の元素としてCを、第３の元素としてTa、Nb、Tiの少なくとも一種の元素を含有することを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記非磁性層は、Ｔａ薄膜、あるいはＴａとＮｂの少なくとも一方を含有する非晶質合金薄膜であることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記非磁性層は、長距離秩序を持たない不規則な原子配列の形態を有する非晶質金属薄膜もしくはX線回折により明瞭なピークを示さない微結晶金属薄膜であることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記非磁性層は、隣接する軟磁性層の間に静磁気相互作用が働く厚みを有することを特徴とする請求項１に記載の垂直記録媒体。
【請求項６】
前記軟磁性層は、熱処理により析出したナノ結晶から構成されることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
前記垂直磁気記録媒体の断面を該断面の法線方向から電子線を入射して観察した透過電子顕微鏡像には、前記ナノ結晶で構成される複数の軟磁性層と、該軟磁性層を物理的に分離する非磁性層が認められ、さらに前記透過電子顕微鏡像と同視野の電子線回折パターンには、体心立方構造の１１０、２００、２１１回折リングが認められることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
前記軟磁性下地層は非磁性層により物理的に分離された複数の軟磁性層を含み、X線入射角度を試料表面に対して２度に固定して測定した薄膜X線回折プロファイルには、α−Ｆｅの１１０、２００、２１１回折ピークが認められることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項９】
前記非磁性層は、前記熱処理後に非磁性層として作用する程度に前記軟磁性層との界面反応が抑制できる耐熱性を有することを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記ナノ結晶は、大きさが５〜１５ｎｍの粒状結晶であることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１１】
基板上に軟磁性下地層を介して垂直記録層が形成された垂直磁気記録媒体と、該垂直磁気記録媒体を記録方向に駆動する駆動部と、記録部と再生部を備えた磁気ヘッドと、該磁気ヘッドを前記垂直磁気記録媒体に対して相対運動させる手段と、前記磁気ヘッドの信号入力と該磁気ヘッドからの出力信号再生を行うための記録再生処理手段を有する磁気記憶装置において、
前記垂直磁気記録媒体は、前記軟磁性下地層は非磁性層により物理的に分離された複数の軟磁性層を含み、前記軟磁性層はナノ結晶から構成され、前記非磁性層の厚さが1nm以上3nm以下であり、前記軟磁性層の厚さが50nm以上150nm以下であることを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項１２】
前記磁気ヘッドの記録部は単磁極ヘッドで構成され、前記磁気ヘッドの再生部は磁気抵抗効果もしくはトンネル磁気抵抗効果を利用した高感度素子で構成されることを特徴とする請求項１１に記載の磁気記憶装置。
【請求項１３】
前記垂直磁気記録媒体は、前記非磁性層を介して隣接する軟磁性層の層間に局所的な磁化の閉ループが形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の磁気記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月30日(2005.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャパシタに電荷を蓄えることにより情報を記憶する情報記憶方法において、
ビットライン対の一方のビットラインの電位をメモリセルのデータが消失しない範囲内で下げ、
前記一方のビットラインの電位を下げた後、前記ビットライン対の電位を中間電位とすることによって前記ビットライン対のプリチャージを行うために前記ビットライン対間を短絡することを特徴とする情報記憶方法。
【請求項２】
キャパシタに電荷を蓄えることにより情報を記憶する半導体記憶装置において、一端がハイ側の駆動ラインに接続された第１のスイッチング素子と、前記第１のスイッチング素子の他端と接地電位との間に並列に設けられた強制降圧用キャパシタ及び第２のスイッチング素子とを有する強制降圧回路と、
一方のビットラインが前記駆動ラインに接続されるビットライン対と、を備え、
前記第１のスイッチング素子がオン状態とされる前に、第２のスイッチング素子をオン状態として、前記強制降圧用キャパシタをゼロ電位に保持し、
ビットライン対の電位を中間電位とすることによってプリチャージを行うために前記ビットライン対を短絡する前に、前記第１のスイッチング素子をオン状態として、前記ハイ側の駆動ラインの電位をメモリセルに書き込んだデータが消失しない範囲内で下げておくことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３】
キャパシタに電荷を蓄えることにより半導体記憶装置に情報を記憶する情報記憶方法において、
前記半導体記憶装置は、
一端がハイ側の駆動ラインに接続された第１のスイッチング素子と、前記第１のスイッチング素子の他端と接地電位との間に並列に設けられた強制降圧用キャパシタ及び第２のスイッチング素子と、を有する強制降圧回路と、
一方のビットラインが前記駆動ラインに接続されるビットライン対と、
を備え、
前記第２のスイッチング素子をオン状態として、前記強制降圧キャパシタをゼロ電位に保持し、
前記第２のスイッチング素子をオン状態にした後で、前記第１のスイッチング素子をオン状態にすることによりメモリセルのデータが消失しない範囲内で前記一方のビットラインの電位を下げ、
前記ビットライン対の電位を中間電位にすることにより前記ビットライン対をプリチャージするために前記ビットライン対間を短絡することを特徴とする情報記憶方法。
【請求項４】
前記中間電位は１．５ボルトより小さいことを特徴とする請求項１記載の情報記憶方法。
【請求項５】
前記中間電位は約１ボルトから約１．２５ボルトであることを特徴とする請求項１記載の情報記憶方法。
【請求項６】
前記一方のビットラインの電位は、約２．０ボルトから約２．５ボルトの電位より低いことを特徴とする請求項１記載の情報記憶方法。
【請求項７】
前記メモリセルのデータが消失しない範囲は、前記メモリセルに関連したしきい値電圧によって限定されることを特徴とする請求項１記載の情報記憶方法。
【請求項８】
前記ビットライン対間を短絡することは、前記ビットライン対の両方のビットラインに接続されているスイッチング素子をオン状態にすることを含むことを特徴とする請求項１記載の情報記憶方法。
【請求項９】
前記中間電位は１．５ボルトより小さいことを特徴とする請求項２記載の半導体記憶装置。
【請求項１０】
前記中間電位は約１ボルトから約１．２５ボルトであることを特徴とする請求項２記載の半導体記憶装置。
【請求項１１】
前記一方のビットラインの電位は、約２．０ボルトから約２．５ボルトの電位より低いことを特徴とする請求項２記載の半導体記憶装置。
【請求項１２】
前記メモリセルのデータが消失しない範囲は、前記メモリセルに関連したしきい値電圧によって限定されることを特徴とする請求項２記載の半導体記憶装置。
【請求項１３】
前記ビットライン対間を短絡することは、前記ビットライン対の両方のビットラインに接続されているスイッチング素子をオン状態にすることを含むことを特徴とする請求項２記載の半導体記憶装置。
【請求項１４】
前記中間電位は１．５ボルトより小さいことを特徴とする請求項３記載の情報記憶方法。
【請求項１５】
前記中間電位は約１ボルトから約１．２５ボルトであることを特徴とする請求項３記載の情報記憶方法。
【請求項１６】
前記一方のビットラインの電位は、約２．０ボルトから約２．５ボルトの電位より低いことを特徴とする請求項３記載の情報記憶方法。
【請求項１７】
前記メモリセルのデータが消失しない範囲は、前記メモリセルに関連したしきい値電圧によって限定されることを特徴とする請求項３記載の情報記憶方法。
【請求項１８】
前記ビットライン対間を短絡することは、前記ビットライン対の両方のビットラインに接続されているスイッチング素子をオン状態にすることを含むことを特徴とする請求項３記載の情報記憶方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明に係る情報記憶方法は、キャパシタに電荷を蓄えることにより情報を記憶する情報記憶方法において、ビットライン対の一方のビットラインの電位をメモリセルのデータが消失しない範囲内で下げ、前記一方のビットラインの電位を下げた後、前記ビットライン対の電位を中間電位とすることによって前記ビットライン対のプリチャージを行うために前記ビットライン対間を短絡することを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、上記目的を達成するための本発明に係る半導体記憶装置は、キャパシタに電荷を蓄えることにより情報を記憶する半導体記憶装置において、一端がハイ側の駆動ラインに接続された第１のスイッチング素子と、前記第１のスイッチング素子の他端と接地電位との間に並列に設けられた強制降圧用キャパシタ及び第２のスイッチング素子とを有する強制降圧回路と、一方のビットラインが前記駆動ラインに接続されるビットライン対と、を備え、前記第１のスイッチング素子がオン状態とされる前に、第２のスイッチング素子をオン状態として、前記強制降圧用キャパシタをゼロ電位に保持し、ビットライン対の電位を中間電位とすることによってプリチャージを行うために前記ビットライン対を短絡する前に、前記第１のスイッチング素子をオン状態として、前記ハイ側の駆動ラインの電位をメモリセルに書き込んだデータが消失しない範囲内で下げておくことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月28日(2005.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質ポリオレフィン系樹脂からなることを特徴とする光学多層記録媒体成形用透明スタンパ。
【請求項２】
上記透明スタンパの厚さが０．６ｍｍ以上で、かつ、１．５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の光学多層記録媒体成形用透明スタンパ。
【請求項３】
光学多層記録媒体の製造方法であって
基板上に、未硬化の光硬化性樹脂層と、非晶質ポリオレフィン系樹脂からなる透明スタンパとをこの順で積層する工程と、
前記透明スタンパを透過した光により、前記未硬化の光硬化性樹脂を硬化する工程と、
前記透明スタンパを除去する工程と、を有することを特徴とする光学多層記録媒体の製造方法。
【請求項４】
上記透明スタンパの厚さが０．６ｍｍ以上で、かつ、１．５ｍｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の光学多層記録媒体の製造方法。
【請求項５】
上記透明スタンパを透過した光により硬化された光機能性樹脂からなる層が、上記光学多層記録媒体において記録層間に介在している層である光透過性中間層、および、上記後学多層記録媒体において最も外側に位置する層であるカバー層の、いずれかの層であることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の光学多層記録媒体の製造方法。
【請求項６】
上記未硬化の光硬化性樹脂層と、非晶質ポリオレフィン系樹脂からなる透明スタンパとをこの順で積層する工程の後に、該積層体を回転させて該未硬化の光硬化性樹脂層を所定の厚さとする工程を有することを特徴とする請求項３ないし請求項５のいずれかに記載の光学多層記録媒体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月1日(2005.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置およびその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板中に、不純物元素を含み所定の電気抵抗値を有する素子領域と、
前記素子領域に形成された不純物拡散領域と、
前記半導体基板上に形成されたインダクタ素子と、
前記インダクタ素子の下側の半導体基板に形成され、素子領域の電気抵抗値よりも高い電気抵抗値を有し、インダクタ素子から発生する磁界による渦電流を抑制する高抵抗領域とを備え、
前記不純物拡散領域は前記インダクタ素子の下側で高抵抗領域により分離され、
前記半導体基板の裏面に、インダクタ素子に対応する位置に凹部が形成されてなる半導体装置。
【請求項２】
前記凹部は、前記高抵抗領域が実現されているような深さまで形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
複数の前記凹部が設けられていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記高抵抗領域は、絶縁性材料からなることを特徴とする請求項１〜３のうち、いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体基板上にインダクタ素子を有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板の素子領域の近傍に、素子領域の電気抵抗値よりも高い電気抵抗値を有する高抵抗領域を形成する工程と、
前記素子領域にトランジスタを形成する工程と、
前記高抵抗領域上にインダクタ素子を形成する工程と、
前記半導体基板の裏面に、インダクタ素子に対応する位置に凹部を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記高抵抗領域を形成する工程は、
前記半導体基板にトレンチを形成し、該トレンチを絶縁性材料を用いて充填して高抵抗領域を形成することを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
したがって、本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので、本発明の目的は、インダクタ素子の磁界による渦電流の誘起を抑制または防止し、インダクタ素子の特性劣化を防止可能な半導体装置およびその製造方法を提供することである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明のその他の観点によれば、半導体基板中に、不純物元素を含み所定の電気抵抗値を有する素子領域と、前記素子領域に形成された不純物拡散領域と、前記半導体基板上に形成されたインダクタ素子と、前記インダクタ素子の下側の半導体基板に形成され、素子領域の電気抵抗値よりも高い電気抵抗値を有し、インダクタ素子から発生する磁界による渦電流を抑制する高抵抗領域とを備え、前記不純物拡散領域は前記インダクタ素子の下側で高抵抗領域により分離され、前記半導体基板の裏面に、インダクタ素子に対応する位置に凹部が形成されてなる半導体装置が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
インダクタ素子１９は、例えば配線構造の上に螺旋状に形成され、インダクタ素子１９の両端はプラグ１６によって配線層１７と接続される。インダクタ素子１９は、１５０ｎｍのＡｌなどの金属膜から構成されている。具体的には、大きさは４００００μｍ２から２５００００μｍ２、厚さは１３５ｎｍから１６５ｎｍである。なお、螺旋状のインダクタ素子１９であるスパイラルインダクタ以外には、メアンダインダクタなども用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月20日(2005.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
スピンドル４の下端部はモータ８に接続されており、モータ８の回転により回転する。このスピンドル４の回転により、吸着パッド１、これに保持される基板Ｂ及び補強板２は、一体となって回転することになる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
係る構成からなる基板保持装置Ａは、バキュームポンプ６によって溝１１ａ及び１１ｂの空気を吸引して基板Ｂを保持する一方で、モータ８によりスピンドル４を回転させて基板Ｂを回転させる。そして、基板Ｂ上にノズル７から塗布液を滴下すると、これが基板Ｂ上で遠心力によって流動し、塗膜が形成されることとなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004039978.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月7日(2005.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
イオン付着法を利用した質量分析装置はイオン付着質量分析装置と呼ばれている。従来のイオン付着質量分析装置の全体構成を図１７に示す。この図に示されるようにイオン付着質量分析装置は、通常、エミッタ１０１を設置してイオン化を行う第１室１０２、中間室である第２室１０３、質量分析器１０４を設置し質量分析を行う第３室１０５で構成されている。第１室１０２と第２室１０３の間にはφ１ｍｍ程度の開口１０６を有する隔壁１０７が設置されている。開口１０６は、通常、ノズル構造で与えられている。第２室１０３と第３室１０５の間にはアパーチャ１０８が設けられている。真空ポンプによる排気によって、第１室１０２は１００Ｐａ、第２室１０３は０．１Ｐａ、第３室１０５は１０−３Ｐａ程度の圧力に減圧されている。なお第１室１０２に導入されるガス１０９は、試料のみの場合、あるいは不活性ガスなどのベースガスと試料を混ぜた場合の２通りがある。図１７ではエミッタ１０１に関する構成の詳細は省略されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
なお図１７で説明した従来のイオン付着質量分析装置ではクヌーセン数は０．０７程度であるので、超音速ジェットは形成されていない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
さらに従来のイオン付着質量分析装置では、被測定ガスの圧力は第１室１０２の圧力（１００Ｐａ）より高くなければならないという課題もある。これは、試料を引込むためにはより高い圧力でなければならないからである。産業的に幅広い用途に適用するためには、測定可能なガス圧力はできるだけ低いほどよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月27日(2005.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と、該絶縁性基板上に設けられ、孤立した単結晶薄膜の島領域を有し、前記単結晶薄膜の島領域がストライプ状単結晶薄膜であり、該単結晶薄膜の島領域に、薄膜トランジスタの活性領域を形成したことを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項２】
前記薄膜トランジスタのソース・ドレイン方向が、前記ストライプ状単結晶薄膜の長手方向に略並行または略垂直に配置されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体装置。
【請求項３】
前記薄膜トランジスタの活性領域内には、前記ストライプ状単結晶薄膜が少なくとも1本以上含まれていることを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体装置。
【請求項４】
前記ストライプ状単結晶薄膜には、前記薄膜トランジスタの活性領域が少なくとも一つ以上形成されていることを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体装置。
【請求項５】
絶縁性基板と、該絶縁性基板上に設けられ、孤立した単結晶薄膜の島領域の、該基板と垂直方向の主な結晶方位が<110>、<100>または<111>であり、該基板に対して水平方向であり、
かつ該単結晶薄膜の島領域の長手方向である結晶方位が、<110>、<100>または<111>であることを特徴とする請求項１記載の薄膜半導体装置。
【請求項６】
絶縁性基板と、該絶縁性基板上に設けられた半導体薄膜と、該半導体薄膜への熱の適用による凝集によって孤立した単結晶薄膜の島領域を前記絶縁性基板上に有することを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項７】
前記単結晶薄膜の島領域の、基板と垂直な断面に、略円形、略楕円形、またはこれらの一部からなる断面を有することを特徴とする請求項６記載の薄膜半導体装置。
【請求項８】
画像表示部とその周辺領域からなる画像表示装置の、少なくとも該画像表示部の周辺領域に配置された、絶縁性基板と、該絶縁性基板上に設けられた半導体薄膜と、該半導体薄膜への熱の適用による凝集によって孤立した単結晶薄膜の島領域を前記絶縁性基板上に有する薄膜半導体装置が、前記画像表示装置を駆動するためのバッファ回路、サンプリングスイッチ回路、プリチャージ回路、シフトレジスタ回路、デコーダ回路、クロック波形整形回路、デジタルアナログコンバータ回路、電源変換回路、レベルシフト回路、タイミング制御回路、増幅回路、メモリ、プロセッサ、ゲートアレイ、通信回路から選ばれる少なくとも1つの回路を含
むことを特徴とする画像表示装置。
【請求項９】
絶縁性基板と、該絶縁性基板上に設けられた半導体薄膜と、該半導体薄膜へのレーザ照射の適用による凝集によって孤立した単結晶薄膜の島領域を前記絶縁性基板上に有することを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項１０】
画像表示部とその周辺領域からなる画像表示装置の、少なくとも該画像表示部の周辺領域に配置された、絶縁性基板と、該絶縁性基板上に設けられた半導体薄膜と、該半導体薄膜へのレーザ照射の適用による凝集によって孤立した単結晶薄膜の島領域を前記絶縁性基板上に有する薄膜半導体装置が、前記画像表示装置を駆動するためのバッファ回路、サンプリングスイッチ回路、プリチャージ回路、シフトレジスタ回路、デコーダ回路、クロック波形整形回路、デジタルアナログコンバータ回路、電源変換回路、レベルシフト回路、タイミング制御回路、増幅回路、メモリ、プロセッサ、ゲートアレイ、通信回路から選ばれる少なくとも1つの回路を含
むことを特徴とする画像表示装置。
【請求項１１】
絶縁性基板上に半導体薄膜を形成し、該半導体薄膜のパターニングを行う第1の工程と、表面張力が異なる複数の材料をパターニングして、該半導体薄膜の上部または下部に配置する第2の工程と、レーザのビーム照射によって該半導体薄膜を溶融し、その表面張力による凝集現象を利用して、パターニングを行った位置に合うように位置制御を行い、前記絶縁性基板上に孤立した単結晶薄膜の島領域を形成する第3の工程と、該孤立した単結晶薄膜の島領域に、薄膜トランジスタの活性領域を形成する第4の工程とを有することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記単結晶薄膜の島領域の、基板と垂直な断面に、略円形、略楕円形、またはこれらの一部からなる断面を有することを特徴とする請求項１１記載の薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記単結晶薄膜の島領域がストライプ状単結晶薄膜であり、該単結晶薄膜の島領域に、薄膜トランジスタの活性領域を形成したことを特徴とする請求項１１記載の薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記薄膜トランジスタのソース・ドレイン方向が、前記ストライプ状単結晶薄膜の長手方向に略並行または略垂直に配置されていることを特徴とする請求項１３記載の薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記薄膜トランジスタの活性領域内には、前記ストライプ状単結晶薄膜が少なくとも1本以上含まれていることを特徴とする請求項１３記載の薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記ストライプ状単結晶薄膜には、前記薄膜トランジスタの活性領域が少なくとも一つ以上形成されていることを特徴とする請求項１３記載の薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記絶縁性基板上に設けられた単結晶薄膜の島領域の、該基板と垂直方向の主な結晶方位が<110>、<100>または<111>であり、該基板に対して水平方向であり、
かつ該単結晶薄膜の島領域の長手方向である結晶方位が、<110>、<100>または<111>であることを特徴とする請求項１１記載の薄膜半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月30日(2005.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電層と、前記第１導電層上に形成された第２導電層とを有する積層構造体を、半導体層上に設けられたゲート絶縁膜上に形成し、
前記積層構造体上にマスクパターンを形成し、
前記第２導電層及び前記第１導電層をエッチングすることによって、端部にテーパー部を有する第１のパターンを形成し、
前記第１のパターンを形成した後、前記第１のパターン上に残存するマスクパターンの端部を後退させ、前記端部を後退させたマスクパターンに基づいて前記第１のパターンにおける前記第２導電層を選択的にエッチングすることによって、第２のパターンを形成し、
前記第２のパターンにおける前記第２導電層を電界で加速されたイオンの遮蔽マスクとして用いることによって、前記第２のパターンにおける前記第１導電層と前記半導体層とが重なる領域に低濃度ドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記第１導電層はタングステンであり、前記第２導電層はアルミニウム、又はアルミニウムを主成分とする金属であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１導電層と、前記第１導電層上に形成された第２導電層と、前記第２導電層上に形成された第３導電層とを有する積層構造体を、半導体層上に設けられたゲート絶縁膜上に形成し、
前記積層構造体上にマスクパターンを形成し、
前記第３導電層、前記第２導電層及び前記第１導電層をエッチングすることによって、端部にテーパー部を有する第１のパターンを形成し、
前記第１のパターンを形成した後、前記第１のパターン上に残存するマスクパターンの端部を後退させ、前記端部を後退させたマスクパターンに基づいて前記第１のパターンにおける前記第３導電層及び前記第２導電層を選択的にエッチングすることによって、第２のパターンを形成し、
前記第２のパターンにおける前記第３導電層及び前記第２導電層を電界で加速されたイオンの遮蔽マスクとして用いることによって、前記第２のパターンにおける前記第１導電層と前記半導体層とが重なる領域に低濃度ドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記第１導電層はタングステンであり、前記第２導電層はアルミニウム又はアルミニウムを主成分とする合金もしくは化合物であり、前記第３導電層は窒化チタンであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、酸素プラズマ処理により前記第１のパターン上に残存するマスクパターンの端部を後退させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
第１導電層と、前記第１導電層上に形成された第２導電層とを有する積層構造体を、半導体層上に設けられたゲート絶縁膜上に形成し、
前記積層構造体上にマスクパターンを形成し、
前記マスクパターンの端部のテーパー角を小さくするプラズマ処理を行い、前記プラズマ処理されたマスクパターンを用いて前記積層体の前記第２導電層及び前記第１導電層をエッチングすることによって、端部にテーパー部を有する第１のパターンを形成し、
前記第１のパターンを形成した後、前記第１のパターンにおける前記第２導電層を選択的にエッチングすることによって、第２のパターンを形成し、
前記第２のパターンにおける前記第２導電層を電界で加速されたイオンの遮蔽マスクとして用いることによって、前記第２のパターンにおける前記第１導電層と前記半導体層とが重なる領域に低濃度ドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、前記第１導電層はタングステンであり、前記第２導電層はアルミニウム、又はアルミニウムを主成分とする金属であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
第１導電層と、前記第１導電層上に形成された第２導電層と、前記第２導電層上に形成された第３導電層とを有する積層構造体を、半導体層上に設けられたゲート絶縁膜上に形成し、
前記積層構造体上にマスクパターンを形成し、
前記第３導電層をエッチングし、かつ前記マスクパターンの端部におけるテーパー角を小さくするためのプラズマ処理を行い、前記プラズマ処理されたマスクパターンを用いて、前記積層体の前記第２導電層及び前記第１導電層をエッチングすることによって、端部にテーパー部を有する第１のパターンを形成し、
前記第１のパターンを形成した後、前記第１のパターンにおける前記第２導電層を選択的にエッチングすることによって、第２のパターンを形成し、
前記第２のパターンにおける前記第２導電層を電界で加速されたイオンの遮蔽マスクとして用いることによって、前記第２のパターンにおける前記第１導電層と前記半導体層とが重なる領域に低濃度ドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一項において、酸素プラズマ処理により、前記第１のパターン上に残存する前記マスクパターンの端部を後退させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項８のいずれか一項において、フッ素系のガスを用いたプラズマ処理により、前記マスクパターンの幅を縮小するプラズマ処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月28日(2005.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
真空容器内にガスを供給しつつ排気し、前記真空容器内を所定の圧力に制御しながら、基板を載置する基板電極に高周波電力を印加することでプラズマを発生させ、前記基板を処理するプラズマ処理方法であって、
前記基板に成膜されたタングステン膜またはタングステンを主成分とする膜を塩化水素ガスと、酸素ガス含有するガス或いは塩素ガスに窒素ガスを添付した混合ガスを供給することでエッチングすること
を特徴とするプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、請求項１に記載されたプラズマ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ排気し、前記真空容器内を所定の圧力に制御しながら、基板を載置する基板電極に高周波電力を印加することでプラズマを発生させ、前記基板を処理するプラズマ処理方法であって、前記基板に成膜されたタングステン膜またはタングステンを主成分とする膜を塩化水素ガスと、酸素ガス含有するガス或いは塩素ガスに窒素ガスを添付した混合ガスを供給することでエッチングすることを特徴とする。