【手続補正書】
【提出日】令和3年9月3日(2021.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層で覆われた半導体ウエハを提供するステップと、
前記誘電体層上にパターン層を形成するステップであって、前記パターン層は、第１の表面領域と第２の表面領域を含む差異のある表面領域を有する、パターン層を形成するステップと、
半導体ウエハにカバーウエハを取り付けて、複数のシーケンスフローセルを含む複合ウエハ構造を形成するステップであって、
それぞれの前記シーケンスフローセルは、
前記パターン層と前記カバーウエハの間のフローチャネルと、
前記パターン層に１またはそれ以上の前記第１の表面領域と、
前記パターン層に１またはそれ以上の前記第２の表面領域と、
前記フローチャネルに連結された注入口及び排出口と、を備える、複合ウエハ構造を形成するステップと、
前記複合ウエハ構造を分離して、複数のダイを形成するステップであって、それぞれの前記ダイは、前記シーケンスフローセルを含む、ダイを形成するステップと、を備えるシーケンスフローセルを形成する方法。
【請求項２】
前記第１の表面領域は、親水性表面であり、前記第２の表面領域は、疎水性表面である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の表面領域は、疎水性表面であり、前記第２の表面領域は、親水性表面である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
さらに、前記カバーウエハを取り付けるステップの前に、前記半導体ウエハに複数のスルーホールを形成するステップであって、前記複数のスルーホールは、前記フローセルの注入口及び排出口として構成される、スルーホールを形成するステップと、を備える請求項１に記載の方法。
【請求項５】
さらに、前記半導体ウエハに前記カバーウエハを取り付けるステップの前に、前記カバーウエハに注入口と排出口を形成するステップとを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記半導体ウエハは、さらに前記誘電体層の下に横たわるＣＭＯＳ層を備える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記パターン層を形成するステップは、
前記半導体ウエハに前記誘電体層の上に横たわる金属酸化物層を形成するステップと、
複数の金属酸化物領域に前記金属酸化物層をパターニングするステップと備え、
前記金属酸化物領域は、核酸高分子を受け入れるように構成される、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記パターン層を形成するステップは、
金属酸化物層を形成するステップと、
前記金属酸化物層の上に横たわる酸化ケイ素層を形成するステップと、
前記酸化ケイ素層をパターニングするステップと、を備え、
前記酸化ケイ素層によって覆われない前記金属酸化物層の領域は、核酸高分子を受け入れるように構成される、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
さらに、前記半導体ウエハに前記カバーウエハを取り付けるステップの前に、前記半導体ウエハ上に支持構造を形成するステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
さらに、前記支持構造に前記カバーウエハを接合するステップを備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記カバーウエハは、ガラスウエハを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
さらに前記シーケンスフローセルを機能的にするステップを備え、
前記シーケンスフローセルを機能的にするステップは、前記注入口及び排出口を通って供給された材料に前記フローチャネルをさらすステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記複合ウエハ構造を分離するステップは、ウエハ切断プロセスを用いて、個々のダイに前記複合ウエハ構造を分離するステップを備える、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
相補的金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）層上に横たわる誘電体層を有する半導体ウエハを提供するステップであって、
前記ＣＭＯＳ層は、
光検出層であって、前記光検出層は複数の光ダイオードを含む、光検出層と、
検出信号を処理するための前記光検出層と連結される電子回路層と、を含む半導体ウエハを提供するステップと、
前記誘電体層上にパターン層を形成するステップであって、前記パターン層は、金属酸化物領域と酸化ケイ素領域を有する、パターン層を形成するステップと、
前記半導体ウエハにガラスウエハを取り付け、複合ウエハ構造を形成するステップであって、前記ガラスウエハは、複数の孔を含み、前記複合ウエハ構造は、複数のシーケンスフローセルを含み、
それぞれの前記シーケンスフローセルは、
前記シーケンスフローセルの注入口と排出口として構成される孔を有するガラス層と、
複数の金属酸化物領域及び酸化ケイ素領域と、
前記ガラス層と、前記複数の金属酸化物領域及び酸化ケイ素領域との間のフローチャネルと、を含む、複合ウエハ構造を形成するステップと、
複合ウエハ構造を分離して複数のダイを形成するステップであって、それぞれの前記ダイは、前記シーケンスフローセルを含む、ことを備えるシーケンスフローセルを形成する方法。
【請求項１５】
前記パターン層を形成するステップは、
前記半導体ウエハ上の前記誘電体層の上に横たわる金属酸化物層を形成するステップと、
複数の金属酸化物領域に前記金属酸化物層をパターニングするステップと、を備え、
前記金属酸化物領域は、核酸高分子を受け入れるように構成される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記パターン層を形成するステップは、
金属酸化物層を形成するステップと、
前記金属酸化物層の上に横たわる酸化ケイ素層を形成するステップと、
前記酸化ケイ素層をパターニングするステップと、を備え、
前記酸化ケイ素層によって覆われていない金属酸化物層の領域は、核酸高分子を受け入れるように構成される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
さらに前記半導体ウエハに前記ガラスウエハを接合するステップを備える、請求項１４乃至１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
さらに、前記シーケンスフローセルを機能的にするステップを備え、
前記シーケンスフローセルを機能的にするステップは、前記注入口と排出口を通って供給される材料に前記シーケンスフローセルをさらすステップを備える、請求項１４乃至１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
誘電体層で覆われる半導体ウエハを提供するステップと、
前記誘電体層上にパターン層を形成するステップであって、前記パターン層は、金属酸化物領域と酸化物領域を有する、パターン層を形成するステップと、
前記半導体ウエハを通る複数のスルーホールを形成するステップと、
半導体ウエハにガラスウエハを取り付け複数のシーケンスフローセルを含む複合ウエハ構造を形成するステップであって、
それぞれの前記シーケンスフローセルは、
ガラス層と、
複数の金属酸化物領域及び酸化物領域と、
前記ガラス層と、前記複数の金属酸化物領域及び酸化物領域の間のフローチャネルと、を含み、
前記半導体ウエハの前記スルーホールは、前記シーケンスフローセルの注入口及び排出口として構成される、複合ウエハ構造を形成するステップと、
前記複合ウエハ構造を分離して複数のダイを形成するステップであって、それぞれの前記ダイは、前記シーケンスフローセルを含む、複数のダイを形成するステップと、を備えるシーケンスフローセルを形成する方法。
【請求項２０】
前記パターン層を形成するステップは、
前記半導体ウエハ上の前記誘電体層の上に横たわる金属酸化物層を形成するステップと、
複数の金属酸化物領域に前記金属酸化物層をパターニングするステップと、を備え、
前記金属酸化物領域は、核酸高分子を受け入れるように構成される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記パターン層を形成するステップは、
前記半導体ウエハ上の前記誘電体層の上に横たわる金属酸化物層を形成するステップと、
前記金属酸化物層の上に横たわる酸化ケイ素層を形成するステップと、
前記酸化ケイ素層をパターニングするステップと、を備え、
前記金属酸化物層の領域は、前記酸化ケイ素層によって覆われない、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
さらに前記半導体ウエハに前記ガラスウエハを接合するステップを備える、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
さらに、前記シーケンスフローセルを機能的にするステップを備え、
前記シーケンスフローセルを機能的にするステップは、前記注入口及び排出口を通って供給される材料に前記シーケンスフローセルをさらして、親水性表面領域と疎水性表面領域を形成するステップを備える、請求項１９乃至２１のいずれか１項に記載の方法。