Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月7日(2021.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ機器(UE)によるワイヤレス通信のための方法であって、
専用のリソースが前記UEに割り振られない状態にある間に、第1の鍵を使用して暗号化された第1のUE識別情報、および前記状態に遷移する前に第1のセル内の第1の基地局から取得された情報に基づいて導出された第2の鍵を使用して暗号化されたアップリンクデータを有するメッセージを生成するステップと、
前記メッセージを第2のセル内の第2の基地局に送信するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記状態が、無線リソース制御(RRC)状態、RRC状態の下位状態、またはRRC状態の構成のうちの少なくとも1つを含む、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
第2のUE識別情報、および第3のセル内で送られたアップリンクデータを暗号化するために使用するための第3の鍵に関する情報を示す再構成メッセージを、前記第2の基地局から受信するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記第2の鍵を使用して暗号化された再構成完了メッセージを生成するステップと、
前記再構成完了メッセージを前記第2の基地局に送信するステップと
をさらに含む、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
ダウンリンクデータを有するメッセージを前記第2の基地局から受信するステップと、
前記第2の鍵を使用して前記ダウンリンクデータを解読するステップと
をさらに含む、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
前記第3の鍵を使用して暗号化されたアップリンクデータを有するメッセージを生成するステップと、
前記UEが、前記第3のセル内で専用のリソースが前記UEに割り振られない状態にある間に、前記メッセージを前記第3のセル内の第3の基地局に送信するステップと
をさらに含む、請求項3に記載の方法。
【請求項７】
前記第1の基地局からシグナリングを受信するステップと、前記UEを専用のリソースがない前記状態に置くステップと、前記UEが前記状態にある間にアップリンクデータを送るための機構を示すステップとをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記アップリンクデータのネットワークアクセス制御を可能にするために、コールタイプまたは原因タイプのうちの少なくとも1つの表示を提供するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
サービング基地局によるワイヤレス通信のための方法であって、
専用のリソースがユーザ機器(UE)に割り振られない状態にある前記UEから、第1の鍵を使用して暗号化された第1のUE識別情報、および前記UEが前記状態に遷移する前に第1のセル内の別の基地局から取得された情報に基づいて前記UEによって導出された第2の鍵を使用して暗号化されたアップリンクデータを有するメッセージを受信するステップと、
前記サービング基地局に前記UEのコンテキストを伝達することの要求を前記別の基地局に送るステップと、
前記要求に対する応答を受信するステップであって、前記応答が、前記第2の鍵に関する情報を含む、ステップと、
前記第2の鍵を使用して前記アップリンクデータを解読するステップと
を含む、方法。
【請求項１０】
第2のUE識別情報、および第3のセル内で送られたアップリンクデータを暗号化するために前記UEが使用するための第3の鍵に関する情報を示す再構成メッセージを、前記UEに送信するステップをさらに含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記アップリンクデータのネットワークアクセス制御を可能にするために、コールタイプまたは原因タイプのうちの少なくとも1つの表示を取得するステップをさらに含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１２】
アンカー基地局によるワイヤレス通信のための方法であって、
第2の鍵を導出するための情報を、ユーザ機器(UE)が専用のリソースが前記UEに割り振られない状態にある間に別の基地局に送られるべきアップリンクデータを暗号化するために使用される第1の鍵を用いて構成される前記UEに提供するステップと、
前記UEのコンテキストを前記アンカー基地局から前記別の基地局に伝達することの要求を前記別の基地局から受信するステップと、
前記要求に対する応答を送信するステップと
を含み、
前記応答が前記第2の鍵に関する情報を含む、方法。
【請求項１３】
前記UEの前記コンテキストを伝達することの前記要求が、第1のUE IDを示し、
前記アンカー基地局が、前記第1のUE IDに基づいて、前記第1の鍵を使用して前記UEを検証する、請求項12に記載の方法。
【請求項１４】
専用のリソースがない前記状態に入ることを前記UEにシグナリングするステップと、前記UEが前記状態にある間にアップリンクデータを送るための機構を示すステップとをさらに含む、請求項12に記載の方法。
【請求項１５】
前記UEのサービスタイプ、ユーザ選好、またはネットワーク事業者構成のうちの少なくとも1つに基づいて前記機構を選択するステップをさらに含む、請求項14に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月23日(2021.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ラジオ周波数（ＲＦ）電力伝送信号を送信するための近接場アンテナであって、
対向する第１及び第２平坦表面及び前記第１表面から前記第２表面へ導電板を通って延在する１以上の切り抜きを有する導電板と、
絶縁体と、
複数のＲＦ電力伝送信号を前記導電板へ向けるように構成された、前記絶縁体によって前記導電板の前記第１表面から分離された給電素子と、を備え、
前記複数のＲＦ電力伝送信号のうち少なくとも一部の前記ＲＦ電力伝送信号は、前記１以上の切り抜きを通って放射し、前記導電板の近接場距離内に蓄積して、前記１以上の切り抜きの各々において蓄積ＲＦエネルギの少なくとも２つの区分ゾーンを生成し、
前記１以上の切り抜きの各々における前記蓄積ＲＦエネルギの少なくとも２つの区分ゾーンは、（ｉ）前記１以上の切り抜きの各々を規定する寸法のセット、及び（ｉｉ）前記１以上の切り抜きの配置に少なくとも部分的に基づいて規定される、近接場アンテナ。
【請求項２】
前記１以上の切り抜きのうち第１切り抜きは、第１蛇行線パターンを形成し、
前記１以上の切り抜きのうち第２切り抜きは、第２蛇行線パターンを形成する、請求項１に記載の近接場アンテナ。
【請求項３】
前記第１蛇行線パターンの形状は、前記第２蛇行線パターンの形状の鏡対称であり、
前記第１及び第２蛇行線パターンは、同じ寸法のセットを有し、
前記第１蛇行線パターンの前記形状は、前記第２蛇行線パターンの前記形状に対して回転させられる、請求項２に記載の近接場アンテナ。
【請求項４】
前記１以上の切り抜きのそれぞれの切り抜きは、前記複数のＲＦ電力伝送信号のそれぞれのＲＦ電力伝送信号の波長と少なくとも同じ大きさのそれぞれの長さを有する、請求項１に記載の近接場アンテナ。
【請求項５】
前記それぞれの切り抜きは、少なくとも、
第１方向に規定された第１切り抜き部分と、
前記第１方向に直交する第２方向に規定された第２切り抜き部分と、を含み、
前記蓄積ＲＦエネルギの少なくとも２つの区分ゾーンの１つ目は、前記第１切り抜き部分に生成され、
前記蓄積ＲＦエネルギの少なくとも２つの区分ゾーンの２つ目は、前記第２切り抜き部分に生成される、請求項４に記載の近接場アンテナ。
【請求項６】
前記給電素子は、パッチアンテナの構成要素であり、前記絶縁体は、前記給電素子と前記導電板との間に配置される、請求項１に記載の近接場アンテナ。
【請求項７】
前記給電素子は、前記絶縁体に少なくとも部分的に包まれたパッチアンテナの構成要素である、請求項１に記載の近接場アンテナ。
【請求項８】
前記絶縁体は、ポリマ、繊維強化ポリマ、ガラス、及び空気から成るグループから選択される、請求項１に記載の近接場アンテナ。
【請求項９】
前記少なくとも２つの区分ゾーンは、前記導電板の前記第２表面の表面積の８０％以上を覆う、請求項１〜８のいずれか１項に記載の近接場アンテナ。
【請求項１０】
前記少なくとも２つの区分ゾーンは、前記導電板の前記第２表面の前記表面積の９０％以上を覆う、請求項１〜８のいずれか１項に記載の近接場アンテナ。
【請求項１１】
前記蓄積ＲＦエネルギの少なくとも２つの区分ゾーンは、前記導電板の前記第２表面の上に５ミリメートル以下伸長する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の近接場アンテナ。
【請求項１２】
前記蓄積ＲＦエネルギの少なくとも２つの区分ゾーンは、前記導電板の前記第２表面の上に４ミリメートル以下伸長する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の近接場アンテナ。
【請求項１３】
前記蓄積ＲＦエネルギの少なくとも２つの区分ゾーンは、前記導電板の前記第２表面の上に３ミリメートル以下伸長する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の近接場アンテナ。
【請求項１４】
前記複数のＲＦ電力伝送信号の各々は、５．８ＧＨｚ、２．４ＧＨｚ、及び９００ＭＨｚから成るグループから選択された周波数で送信される、請求項１〜８のいずれか１項に記載の近接場アンテナ。
【請求項１５】
前記近接場アンテナは第１近接場アンテナであり、近接場充電パッドにおいて前記第１近接場アンテナに隣接した位置にある第２近接場アンテナも含む前記近接場充電パッドの一部であり、
前記第２近接場アンテナに関連するそれぞれの切り抜きは、前記第１近接場アンテナに関連する前記１以上の切り抜きに対して回転させられる、請求項１〜８のいずれか１項に記載の近接場アンテナ。
【請求項１６】
前記給電素子は、前記表面から所定の距離内に無線電力受信器が配置されたという決定に応答して、電力増幅器から前記１以上のＲＦ電力伝送信号を受信する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の近接場アンテナ。
【請求項１７】
前記所定の距離は、前記表面から約５ｍｍ未満である、請求項１６に記載の近接場アンテナ。
【請求項１８】
前記所定の距離は、前記近接場アンテナに接続されたプロセッサによって受信された送信に関連する信号強度レベルを測定することによって監視され、
前記信号強度レベルは、前記無線電力受信器から受信したブロードキャスト信号に関連する、請求項１７に記載の近接場アンテナ。
【請求項１９】
前記給電素子及び前記絶縁体を包囲する導電性ハウジングを更に備え、
前記導電性ハウジングは、前記ハウジングの一端に開口部を規定し、
前記導電板は、前記開口部に近接する、請求項１〜８のいずれか１項に記載の近接場アンテナ。
【請求項２０】
前記導電板は第１導電板であり、前記近接場アンテナは更に、
前記第１導電板の前記第２表面に配置された別の絶縁体と、
１以上の追加の切り抜きを有する、前記別の絶縁体の上に配置された第２導電板と、を備える、請求項１９に記載の近接場アンテナ。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月19日(2021.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置であって、
その少なくとも部分がある導電型のドーパントでドープされたシリコン基板層であって、表面不活性化されたシリコン基板層と；
前記シリコン基板層より上に形成された第１の絶縁体層であって、前記第１の絶縁体層と前記シリコン基板層の前記ドーパントとは反対の電荷を有する、前記第１の絶縁体層と；
を備え、
前記第１の絶縁体層の静電荷は、前記少なくとも１つの絶縁体層と前記シリコン基板層との間の界面に空乏領域が形成されることを生じさせ、
前記第１の絶縁体層は、該第１の絶縁体層の前記静電荷と前記シリコン基板層の性質に基づいて定まる厚さを有する、
半導体装置。
【請求項２】
集積型受動デバイスを備える、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
第１の金属層を更に備え、
前記第１の絶縁体層は前記シリコン基板層と前記第１の金属層との間に配置される、
請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
第２の絶縁体層および第２の金属層を更に備え、
前記第２の金属層は前記第１の金属層より上に配置され、前記第２の絶縁体層は前記第１の金属層と前記第２の金属層との間に配置される、
請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
第３の絶縁体層および第３の金属層をさらに備え、
前記第３の金属層は前記第２の金属層より上に配置され、前記第３の絶縁体層の少なくとも一部分が前記第２の金属層と前記第３の金属層との間に配置される、
請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
少なくとも１つの金属層の表面上に延びる少なくとも１つのバリア層をさらに備える、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
少なくとも１つの絶縁体層は、原子層堆積成長された酸化アルミニウム層、またはプラズマ強化化学気相堆積層を備える、請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
第１の絶縁体層は、前記シリコン基板層より上に配置された原子層堆積成長された負静電荷酸化アルミニウム層を備え、前記シリコン基板層の前記ドーパントがｐ型である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第３の絶縁体層より上に配置され、前記第３の金属層の要素を少なくとも部分的に被うように、かつ前記第３の金属層の要素間で水平方向に延びるように構成された第４の絶縁体層をさらに備える、請求項５に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第４の絶縁体層を通して前記少なくとも１つの金属層要素へ接続され、前記半導体装置への外部接続を提供するように構成された少なくとも１つの導電パッドをさらに備える、請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
半導体装置を製造する方法であって、
第１の導電型のドーパントを備えるシリコン基板であって、表面不活性化されたシリコン基板層を提供することと；
前記シリコン基板上に第１の絶縁体層を堆積することであって、前記第１の絶縁体層の静電荷が、前記第１の導電型とは反対の、第２の導電型である、前記堆積することと；
前記第１の絶縁体層より上に少なくとも１つの金属層を形成することと；
を含み、
前記第１の絶縁体層の静電荷は、前記少なくとも１つの絶縁体層と前記シリコン基板層との間の界面に空乏領域が形成されることを生じさせ、
前記第１の絶縁体層は、該第１の絶縁体層の前記静電荷と前記シリコン基板層の性質に基づいて定まる厚さを有する、
方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの金属層と接続してバリア層を堆積することをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の絶縁体層より上に少なくとも２つの金属層を形成することと；
集積型受動デバイス要素を提供するためにさらなる絶縁体層を堆積することであって、少なくとも１つの絶縁体層の少なくとも一部分が前記少なくとも２つの金属層間に配置される、前記堆積することと；
をさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月3日(2021.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図２Ａに示される図示の実施形態において、ＩＤＤ１２は、ポンピング機構５２、ＷＣとの無線通信（例えば、マッチ回路（match circuit）およびアンテナを有するＲＦ回路５４を介して）、ならびにポンプ操作を制御するように構成されたマイクロコントローラ６０を有する。ＩＤＤは、プログラムされた薬剤送達に加えて、薬剤の手動送達のためのボーラスボタン６４を有する。ポンピング機構５２は、カニューレ６８を介してＩＤＤを装着している患者に送達される流体薬剤（例えば、インスリン）を保存するためのリザーバ７６と、カニューレを通してリザーバから指定された量の薬剤を制御可能に送達するためのポンプ７２とを備える。リザーバ７６は、シリンジを使用し、セプタム７８を介して充填することができる。ＩＤＤは、カニューレ６８を患者に挿入するための手動挿入機構６６を備えている。ただし、プロセッサ６０は、カニューレ６８を患者内に配置するために挿入機構６６の動作を自動化するオプションの駆動回路を動作させるように構成することができる。さらに、ＩＤＤ１２には、オプションとして、流体センサ７４または圧力センサ７０を設けることができる。ＬＥＤ６２は、例えば、リザーバプライミング中などの１つ以上のポンプ動作中にオンまたは点滅するようにマイクロコントローラ６０によって動作させることができる。ＩＤＤ１２は、５８で示されるように、バッテリおよびレギュレータによって電力を供給される。ＩＤＤ１２を初期化するとき（例えば、電源を入れてＷＣ１４とペアリングを開始するとき）、ボーラスボタン（複数可）６４は、起動ボタン（複数可）として構成することができ、ユーザがアクティブにすると、ＩＤＤ１２を省電力シェルフモードから起動させる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
本発明の例示的な実施形態によれば、ＷＣ１４（例えば、そのＷＣＣＰ３２）およびＩＤＤ１２は、プロトコルおよび様々な動作に従って通信し、ＷＣ１４が意図しないＩＤＤ１２’と対になるリスクを緩和し、または、逆に、意図したＩＤＤ１２が意図しないＷＣ１４’とペアになることを緩和する。いずれの場合も、ポンプ機構５２の意図しない動作を引き起こす可能性があり、その結果、患者に有害なインスリンの過剰注入が生じる可能性がある。システム１０の例示的な態様によれば、ＩＤＤ１２の起動時（例えば、ペアリング前）の通信範囲が縮小され、意図しないＩＤＤ１２’などの意図しないデバイスがＷＣ１４によって拒否され、複数のＩＤＤ共存が検出された場合、ＩＤＣ１２がＷＣ１４によって検出された唯一のＩＤＤでない限り、ＷＣ１４がＩＤＤ１２とペアリングすることが防止される。以下により詳細に説明するように、システム１０における例示的な動作は、ＷＣ１４およびＩＤＤ１２の送信電力レベルを低減して、通信範囲を（例えば、ペアリング前に２０インチ以下に）制御し、信号強度インジケータ（例えば、最小および最大受信信号強度インジケータ（ＲＳＳＩ）しきい値）を使用して、意図しないＩＤＤ１２’を含む意図しないデバイスを拒否し、複数のＩＤＤの共存を検出するためのＷＣ１４の起動走査時間を調整し、複数のＩＤＤ１２が検出された場合に彼／彼女のＷＣ１４およびＩＤＤ１２と共に他の部屋または場所に移動してペアリングを再試行するようにユーザに指示し、およびそれがＷＣ１４によって検出された唯一のＩＤＤ１２である場合にのみ、ＷＣ１４がＩＤＤ１２とペアリングすることを可能にすることを含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
ペアリング後のＩＤＤ１２のアドバタイジングおよびＷＣ１４の走査は、本発明の例示的な実施形態に従って図５に示されている。ペアリング後、ＩＤＤ１２がアクティブにポンピングされていない場合、ＩＤＤ１２は、選択された間隔１０８（例えば、１秒（＋／−１０％）ごと）で、ＩＤＤ定期的データパケット１００でアドバタイズする。各アドバタイズ１００の後、ＩＤＤ１２は、ＷＣ１４からの可能な応答に対して３０ｍｓ（＋／−１０％）待機する。ペアリングの後、ＷＣＭＰ３０の要求で、ＷＣＣＰ３２は７４６ｍｓ（＋／−１０％）ごとに５０５ｍｓ（＋／−１０％）の走査ウィンドウ１０２についてＩＤＤアドバタイズの走査を開始することにより、通信を開始する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
引き続き図７Ａおよび動作９を参照すると、ＷＣ１４は、特定のタイプのデバイス１２がその近傍にあるかどうかを判定することができる。例えば、ＩＤＤ１２スタートアップアドバタイジングデータは、ＩＤＤ識別情報（例えば、製造業者および／またはモデルまたはその他の特性などのデバイスのタイプを識別する選択された動的および／または静的パラメータまたは値）を含むことができ、その結果、ＷＣ１４が指定されたＩＤＤ識別情報を持つデバイスまたはＩＤＤのみとペアリングし、指定されたＩＤＤ識別情報を有しない他のデバイスとはペアリングしないように構成される。動作９を参照すると、ＷＣＣＰ３２は、ＩＤＤ１２スタートアップアドバタイジングデータが、例えばその特定の製造業者に関連するＩＤＤ識別情報を有しているかどうかを判定することができる。そうでない場合、ＷＣＣＰ３２は走査を続行する（動作７）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
引き続き図７Ｂを参照すると、ペアリングが完了すると（例えば、ＢＬＥ規格のセキュリティマネージャプロトコル（ＳＭＰ）ペアリングに従って）、ＷＣＣＰ３２は、ペアリングコマンドをＩＤＤ１２に送信する（例えば、一旦低レベルのペアリングが完了したらトランスポート層ペアリングを実行するため）（動作２８）。ＩＤＤの確認パケットを受信すると、ＷＣＣＰ３２は、ペアリング成功メッセージをＷＣＭＰ３０に送信する（動作２９）。ペアリング成功メッセージを受信すると、ＷＣＭＰ３０は、ペアリングキー情報を記録用に不揮発性メモリに保存し、ユーザインタフェースにペアリング成功を表示することができる（動作３０）。ペアリング後、ＩＤＤ送信電力レベルを設定して（例えば、１５に）通信範囲を拡大する（動作３１）。さらに、ペアリング後、ＷＣＣＰ３２の送信電力レベルも増加する。ＷＣ１４は、ペアリングされたＩＤＤ１２とのみ通信し、ＩＤＤ１２は、ペアリングされたＷＣ１４からのコマンドのみを受け入れる。このＷＣ１４とＩＤＤ１２の結合された通信関係は、ＩＤＤが非アクティブ化されるまで維持される。ＩＤＤの非アクティブ化後、ＷＣ１４は新しいＩＤＤ１２と自由にペアリングすることができる。ただし、任意の所与の時点で、ＷＣ１４は１つのＩＤＤ１２とのみペアリングすることができることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月11日(2021.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセスプロダクトストリームにおける総塩化物含有量をその場で測定するためのシステムであって、
バルブを含むサンプルポートと、
塩化物試験機器と、
バルブと塩化物試験機器を接続するコネクタと、
を含み、
塩化物試験機器が、
ＨＣｌ塩化物試験機器と、
触媒を含む、触媒ＲＣｌ変換手段と、
ＨＣｌ等価物塩化物試験機器と、
を含む、システム。
【請求項２】
サンプルポートが調整バルブを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
サンプルポートが通気孔を含む、請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項４】
サンプルポートが遮断バルブを含む、請求項１から３のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項５】
塩化物試験機器のＨＣｌ塩化物試験機器と、触媒ＲＣｌ変換手段と、ＨＣｌ等価物塩化物試験機器と、が直列に配置されている、請求項１から４のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項６】
ポンプ又は吸引装置を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項７】
除湿装置を含む、請求項１から６のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載のシステムを利用する、プロセスプロダクトストリームサンプルの総塩化物含有量をその場で測定するための方法であって、
１）試験されるサンプルをプロダクトストリームから取り出して、プロダクトストリームサンプルを提供するステップ、
２）プロダクトストリームサンプルを分析して、そのＨＣｌ含有量を測定するステップ、
３）前記プロダクトストリームサンプル内のいずれかのＲＣｌを触媒的に変換して、ＨＣｌ等価物を生成するステップ、
４）ステップ３）にて生成されたＨＣｌ等価物を分析して、そのＨＣｌ等価物含有量を測定するステップ、及び
５）ステップ２）及び４）のＨＣｌ及びＨＣｌ等価物含有量の測定値の合計に基づいて、プロダクトストリームサンプルの総塩化物含有量を計算するステップ、
を含む方法。
【請求項９】
プロダクトストリームは、ガス又は液体の形態であり、好適には、プロダクトストリームはガスである、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
プロセス内の、原料の導入後、脱塩装置の後、触媒改質ユニット（ＣＲＵ）の後、塩化物ガードの前若しくは後、影響を受けるいずれかの装置の前若しくは後、又は、最終生成物の排出若しくは保管の前の１つ又はそれ以上のいずれかの時点にてステップ１）を行うことを含む、請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
試験されるサンプルをプロダクトストリームから取り出して、プロダクトストリームサンプルを、サンプルポートを介して提供するステップ１）を行うことを含む、請求項８から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
試験方法の対象となるプロダクトストリームサンプルの体積を記録することを含む、請求項８から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
方法が、０．０５ｐｐｍｖと５０ｐｐｍｖとの間、好適には、０．２ｐｐｍｖと４０ｐｐｍｖとの間の、ＨＣｌ含有量の定量的測定を提供する、請求項８から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
方法が、０．０５ｐｐｍｖと５０ｐｐｍｖとの間、好適には、０．２ｐｐｍｖと４０ｐｐｍｖとの間の、ＨＣｌ等価物の定量的測定を提供する、請求項８から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１から７に記載のシステムの、精製プロセスでの使用。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月18日(2021.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
参照ミラーを有しないホログラフィ干渉計であって、
少なくとも２つの光線が作り出した干渉パターンを取り込む少なくとも１つの撮像デバイスと、
少なくとも２つのアパーチャであって、前記少なくとも２つの光線のうちの１つの光線の光経路に沿ってそれぞれ位置する、少なくとも２つのアパーチャと、を備え、
前記少なくとも２つのアパーチャは、前記少なくとも２つの光線のそれぞれ１つの光軸から離れるようにそれぞれ異なって位置し、この結果前記少なくとも２つの光線の実質的に異なるサブセットを通過させ、
前記少なくとも２つの光線のそれぞれは、前記少なくとも１つの撮像デバイスに対して異なる角度で前記少なくとも１つの撮像デバイスに届き、前記干渉パターンを作り出す、
ホログラフィ干渉計。
【請求項２】
元の光線を前記少なくとも２つの光線へと分割する少なくとも１つのビーム・スプリッタ
を更に備える、請求項１に記載のホログラフィ干渉計。
【請求項３】
前記元の光線は、対象構造から反射された光線である、請求項２に記載のホログラフィ干渉計。
【請求項４】
前記対象構造を照射する単色コヒーレント光源を更に備える、請求項３に記載のホログラフィ干渉計。
【請求項５】
前記対象構造は環境光によって照射される、請求項３に記載のホログラフィ干渉計。
【請求項６】
前記元の光線の光経路に沿って位置し、アパーチャ面を作り出す、レンズを更に備え、
前記ビーム・スプリッタは、前記元の光線の前記光経路に沿って前記アパーチャ面の前に位置し、この結果前記アパーチャ面を分割する、請求項３に記載のホログラフィ干渉計。
【請求項７】
前記少なくとも２つのアパーチャは、分割された前記アパーチャ面に位置する、請求項６に記載のホログラフィ干渉計。
【請求項８】
前記少なくとも２つの光線は、対象構造から反射される、請求項１に記載のホログラフィ干渉計。
【請求項９】
前記干渉パターンは、対象構造の高さ測定値を得るのに使用される、請求項１に記載のホログラフィ干渉計。
【請求項１０】
少なくとも２つの光線が作り出した干渉パターンを取り込むための少なくとも１つの撮像デバイスを配置するステップと、
少なくとも２つのアパーチャであって、前記少なくとも２つの光線のうちの１つの光線の光経路に沿ってそれぞれ位置する、少なくとも２つのアパーチャを、配置するステップと、を含み、
前記少なくとも２つのアパーチャは、前記少なくとも２つの光線のそれぞれ１つの光軸から離れるようにそれぞれ異なって位置し、この結果前記少なくとも２つの光線の前記それぞれ１つの実質的に異なるサブセットを通過させ、それぞれの前記サブセットは、異なる角度で集光された光を含み、
前記少なくとも２つの光線の前記それぞれは、異なる角度で前記少なくとも１つの撮像デバイス上で干渉し合う、
参照ミラーを有しないホログラフィ干渉計を設定する方法。
【請求項１１】
元の光線を少なくとも２つの光線へと分割する少なくとも１つのビーム・スプリッタと、
前記少なくとも２つの光線が物体から反射された後で作り出した干渉パターンを取り込む、少なくとも１つの撮像デバイスと、を備え、
前記少なくとも２つの光線は前記物体に対して異なる入射角を有する、
ホログラフィ干渉計。
【請求項１２】
前記少なくとも２つの光線のうちの少なくとも１つの光線の前記元の光線の元の光軸からの距離を変えて前記異なる入射角を作り出す、少なくとも１つのミラーを更に備える、
請求項１１に記載のホログラフィ干渉計。
【請求項１３】
前記少なくとも１つのビーム・スプリッタは少なくとも１つの偏光ビーム・スプリッタを含む、請求項１１に記載のホログラフィ干渉計。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの撮像デバイスは、異なる偏光角を有する光が作り出した干渉パターンを各々取り込む少なくとも２つの撮像デバイスを含む、請求項１２に記載のホログラフィ干渉計。
【請求項１５】
ホログラフィ干渉計の撮像デバイスから干渉パターンのデジタル画像を受信するステップであって、前記干渉パターンは対象構造の撮像によって作り出される、受信するステップと、
前記画像の２次元区域を選択するステップと、
前記２次元区域中の前記干渉パターンを分析して前記干渉パターンの位相を計算するステップと、
前記位相から前記対象構造のそれぞれの区域の高さを推定するステップと、
を含む、ホログラフィ干渉計が生成した画像から対象構造の高さ測定値を得る方法。
【請求項１６】
前記２次元区域のサイズは、前記ホログラフィ干渉計の理論上の光スポットのサイズの１０倍未満である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記２次元区域のサイズは前記画像のサイズの１０分の１未満である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記干渉パターンは、少なくとも２つの波長の干渉画像の合計を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記分析するステップは前記２次元区域に対するフーリエ変換を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
前記干渉パターンは前記２次元区域内で実質的に整数個の周期を有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
前記分析するステップは、振幅および前記位相の反復計算を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項２２】
請求項１５に記載の方法を実行するように適合されているコンピュータ実行可能命令を備える、コンピュータ可読媒体。
【請求項２３】
非一時的コンピュータ可読記憶媒体と、
ホログラフィ干渉計の撮像デバイスから干渉パターンのデジタル画像を受信するための第１のプログラム命令であって、前記干渉パターンは対象構造の撮像によって作り出される、第１のプログラム命令と、
前記画像の２次元区域を選択するための第２のプログラム命令と、
前記２次元区域中の前記干渉パターンを分析して前記干渉パターンの位相を計算するための第３のプログラム命令と、
前記位相から前記対象構造のそれぞれの区域の高さを推定するための第４のプログラム命令と、を備え、
前記第１、第２、第３、および第４のプログラム命令は、前記非一時的コンピュータ可読記憶媒体から、少なくとも１つのコンピュータ化されたプロセッサによって実行される、
ホログラフィ干渉計が生成した画像から対象構造の高さ測定値を得るためのソフトウェア・プログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月7日(2021.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
対照的に、出願人は、関心のあるすべての被写体が光軸から視野の周辺に向かって離れて配置される場合の用途を考慮した。その結果、出願人は、軸上性能のために最適化された既存のレンズは、軸上性能の不必要な最適化のために部分的に、周辺視野イメージングにあまり適さないことを認識した。したがって、軸上ではなく視野の周辺に位置する被写体を撮像するために最適化された広角レンズを提供することが、最新技術の進歩であると思料する。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  米国特許出願公開第２００９／００５２０５９号明細書
（特許文献２）  米国特許出願公開第２００３／０１０７８２０号明細書
（特許文献３）  米国特許出願公開第２００４／０２５７６７７号明細書
（特許文献４）  米国特許出願公開第２０１２／０１２０５０５号明細書
（特許文献５）  米国特許出願公開第２００４／０２１１９０７号明細書
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月16日(2021.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１回又は繰り返しの曲げ応力、引張応力、及び／又はねじり応力を受けるフレキシブル基板（１００、２００）上に直接又は１つ以上の中間層を介して塗布された層平面内のＭｏ系層の電気伝導率維持のための添加物の使用であって、前記添加物は、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、又はそれらの混合物であることを特徴とする、添加物の使用。
【請求項２】
フレキシブル基板（１００、２００）と、
前記フレキシブル基板（１００、２００）上に直接又は１つ以上の中間層を介して配置され、直接隣接している半導体層又は電気絶縁性層を一方の側に有し、かつ直接隣接している半導体層又は電気絶縁性層を他方の側に有する金属層を有する少なくとも１つの層状構造と、を備えるフレキシブル被覆基板であって、
前記金属層は、
ＭｏＸから成る単層構造、又は
ＭｏＸとＣｕ系層との組み合わせ又はＭｏＸとＡｌ系層との組み合わせから成る２層構造、又は、
２つのＭｏＸ層とその間に介在したＣｕ系層又は２つのＭｏＸ層とその間に介在したＡｌ系層から成る３層構造、
のいずれか１つから形成され、
ここで、Ｘは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕの群から選択される１つ以上の元素であることを特徴とする、フレキシブル被覆基板。
【請求項３】
少なくとも１つのＭｏＸ層において、Ｘは元素Ｃｕであり、このＭｏＣｕ層は、０．５原子％超〜５０原子％未満のＣｕを含有する、請求項２に記載のフレキシブル被覆基板。
【請求項４】
少なくとも１つのＭｏＸ層において、Ｘは元素Ａｇであり、このＭｏＡｇ層は、１０原子％超〜５０原子％未満のＡｇを含有する、請求項２に記載のフレキシブル被覆基板。
【請求項５】
少なくとも１つのＭｏＸ層において、Ｘは元素Ａｕであり、このＭｏＡｕ金属層は、５原子％超〜２０原子％未満のＡｕを含有する、請求項２に記載のフレキシブル被覆基板。
【請求項６】
Ｍｏ層中のＸは、混晶の形で溶解して形成されている、請求項２〜５のいずれか１項に記載のフレキシブル被覆基板。
【請求項７】
前記各々のＭｏＸ層は、２００マイクロオームｃｍ未満の層抵抗ρを有する、請求項２〜６のいずれか１項に記載のフレキシブル被覆基板。
【請求項８】
前記フレキシブル基板（１００、２００）は、前記電気絶縁性層とは別に形成されている、請求項２〜７のいずれか１項に記載の構成部品。
【請求項９】
前記フレキシブル基板（１００、２００）は、前記金属層に直接隣接している半導体層又は電気絶縁性層の１つによって形成される、請求項２〜７のいずれか１項に記載のフレキシブル被覆基板。
【請求項１０】
前記金属層に直接隣接している半導体層又は電気絶縁性層の少なくとも１つは、複数層（１４０、１５０、２２０、２５０）として形成されている、請求項２〜９のいずれか１項に記載のフレキシブル被覆基板。
【請求項１１】
前記金属層の厚さは、１μｍ未満である、請求項２〜１０のいずれか１項に記載のフレキシブル被覆基板。
【請求項１２】
前記フレキシブル基板（１００、２００）は、透明である、請求項２〜１１のいずれか１項に記載のフレキシブル被覆基板。
【請求項１３】
前記金属層全体は、５０マイクロオームｃｍ未満の層抵抗ρを有する、請求項２〜１２のいずれか１項に記載のフレキシブル被覆基板。
【請求項１４】
前記フレキシブル基板（１００、２００）は、
ポリマーと、
薄板ガラスと、
金属箔と、
鉱物材料と、
から成る群から選択される少なくとも１つの材料を含む、請求項２〜１３のいずれか１項に記載のフレキシブル被覆基板。
【請求項１５】
前記金属層は、測定開始時の電気抵抗（Ｒ０）に対する電気抵抗（Ｒ）が、２％の弾性伸び（ε）で１．２未満の比率（Ｒ／Ｒ０）を有する、請求項２〜１４のいずれか１項に記載のフレキシブル被覆基板。
【請求項１６】
前記フレキシブル被覆基板（１００、２００）は、少なくとも１つの導体路構造を有し、かつ前記金属層が前記少なくとも１つの導体路構造の一部となるように好適に形成されている、請求項２〜１５のいずれか１項に記載のフレキシブル被覆基板。
【請求項１７】
前記金属層は、ＴＦＴ構造の一部である、請求項２〜１６のいずれか１項に記載のフレキシブル被覆基板。
【請求項１８】
前記金属層は、アクティブマトリックス構造の一部である、請求項２〜１７のいずれか１項に記載のフレキシブル被覆基板。
【請求項１９】
前記フレキシブル被覆基板は、フレキシブル液晶ディスプレイ画面、フレキシブル有機ＥＬディスプレイ画面、フレキシブル電気泳動ディスプレイ画面（電子ペーパー、Ｅ−Ｉｎｋ（登録商標））、フレキシブル太陽電池、エレクトロクロミックフレキシブル膜、フレキシブル薄膜電池の群から選択される部品である、請求項２〜１８のいずれか１項に記載のフレキシブル被覆基板。
【請求項２０】
フレキシブル被覆基板の製造方法であって、以下の工程：
フレキシブル基板（１００、２００）を準備する工程と、
直接又は１つ以上の中間層を介して前記フレキシブル基板（１００、２００）を少なくとも１つのＭｏＸ層の堆積により被覆する工程と、
の少なくとも１つの工程を含み、
前記ＭｏＸ層は、０．５原子％超のＸを含有し、
ここで、Ｘは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ成る群から選択される１つ以上の元素であることを特徴とする、フレキシブル被覆基板の製造方法。
【請求項２１】
前記少なくとも１つのＭｏＸ層は、ＰＶＤ法によって堆積される、請求項２０に記載のフレキシブル被覆基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月23日(2021.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カスタマの設備とのケーブルの長さの不一致を等化するためのチャネル等化エンクロージャであって、
ハウジングと、
前記ハウジングに取り付けられた複数のチャネル等化モジュールであって、各チャネル等化モジュールが前記チャネル等化モジュール内に固定されたバルクファイバのスプールを有し、バルクファイバの前記スプールが通信チャネルを等化する特定のファイバ長を含む、前記複数のチャネル等化モジュールと、
を備える、前記チャネル等化エンクロージャ。
【請求項２】
前記ハウジングが取り外し可能な上部を有する、請求項１に記載のチャネル等化エンクロージャ。
【請求項３】
前記ハウジングが、前記ハウジングを設備レールに取り付けることを可能にするための前部フランジを有する、請求項１に記載のチャネル等化エンクロージャ。
【請求項４】
前記チャネル等化モジュールが、前記チャネル等化モジュールが改変されないことを保証するために耐タンパー性ラベルを有する、請求項１に記載のチャネル等化エンクロージャ。
【請求項５】
バルクファイバの前記スプールが、一方の端部でのマルチファイバコネクタ、及び反対側の端部での複数の単一ファイバコネクタで成端される、請求項１に記載のチャネル等化エンクロージャ。
【請求項６】
前記マルチファイバコネクタが、各チャネル等化モジュールの後部でアダプタに設置され、前記複数の単一ファイバコネクタが、各チャネル等化モジュールの前部でアダプタに設置される、請求項５に記載のチャネル等化エンクロージャ。
【請求項７】
ガードが、ユーザーが各チャネル等化モジュールを改変するのを防ぐために、各チャネル等化モジュールの前記後部で前記アダプタ及び前記マルチファイバコネクタ上に設置される、請求項６に記載のチャネル等化エンクロージャ。
【請求項８】
前記チャネル等化モジュールが、金融機関からのケーブルと、カスタマの設備に接続されたパッチコードとの間の接続点としての機能を果たす、請求項１に記載のチャネル等化エンクロージャ。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月26日(2021.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
射出瞳（１０）に位置する視聴者の目に対する接眼レンズの一方の側の画像平面（１４）から前記接眼レンズの反対側に、画像を投影するための接眼レンズであって、
少なくとも１つの固定レンズ群（１３）と、
前記画像平面（１４）と前記射出瞳（１０）との間の光軸に沿って固定レンズ群（１３）に対して可動である、少なくとも２つの可動レンズ群（１１、１２）、
を備え、
前記少なくとも１つの固定レンズ群（１３）及び前記少なくとも２つの可動レンズ群（１１、１２）は正‐負‐正の構成で配置され、
前記可動レンズ群（１１、１２）は、第１の視野を提供する第１の状態と、第１の視野よりも小さい第２の視野を画像平面（１４）に提供する第２の状態との間で、前記光軸に沿って移動するように配置され、
前記可動レンズ群（１１）は、他の前記可動レンズ群（１２）及び固定レンズ群（１３）と比較して前記射出瞳（１０）に最も近い位置に位置し、前記第１の状態と前記第２の状態との間の移動時に、前記接眼レンズの長さが変化し、
前記第１の状態および前記第２の状態において、前記射出瞳（１０）における前記画像平面（１４）の実質的に等しいサイズの領域の画像を提供するように適合される、
接眼レンズ。
【請求項２】
前記少なくとも１つの固定レンズ群（１３）及び前記少なくとも２つの可動レンズ群（１１、１２）は、
前記射出瞳（１０）に最も近い位置にある可動な正の第１のレンズ群（１１）と、
前記画像平面（１４）に最も近い位置にある静止した正の第３のレンズ群（１３）と、
前記第１のレンズ群（１１）と前記第３のレンズ群（１３）との間にある可動な負の第２のレンズ群（１２）、
を備え、
前記第１のレンズ群（１１）および前記第２のレンズ群（１２）は、前記第１の状態から前記第２の状態に移動するときに、前記第３のレンズ群（１３）からより遠く、互いにより近くに移動するように適合される、
請求項１に記載の接眼レンズ。
【請求項３】
前記第２のレンズ群（１２）は、
前記第１の状態では前記第３のレンズ群（１３）の近傍にあり、
前記第２の状態では前記第１のレンズ群（１１）の近傍にある、
請求項２に記載の接眼レンズ。
【請求項４】
前記第１の視野は１００度以上であり、前記第２の視野は６５度以下である、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の接眼レンズ。
【請求項５】
前記少なくとも１つの固定レンズ群（１３）及び前記少なくとも２つの可動レンズ群（１１、１２）の各々は、最大で２つのレンズ要素（１１Ａ、１１Ｂ、１２Ａ、１３Ａ）を備え、
特に、レンズ群の少なくとも２つは１つのレンズ要素（１２Ａ、１３Ａ）のみを備える、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の接眼レンズ。
【請求項６】
ディスプレイ素子（２４）を固定位置に取り付けるためのディスプレイ素子（２４）または手段と、
前記ディスプレイ素子（２４）から観察者の眼に画像を投影するための接眼レンズ（２６）、
を備え、
前記接眼レンズ（２６）は請求項１〜５のいずれか１項に記載の接眼レンズ（２６）を備え、
前記ディスプレイ素子（２４）は前記画像平面（１４）に配置される、
パーソナルディスプレイ装置。
【請求項７】
前記ディスプレイ素子（２４）上にコンテンツを表示するために、前記ディスプレイ素子（２４）に機能的に接続された処理ユニットを備える、
請求項６に記載のパーソナルディスプレイ装置。
【請求項８】
前記接眼レンズ（２６）の状態を第１の状態と第２の状態との間で変化させることを可能にするように適合された接眼レンズ調整手段を備える、
請求項６または７に記載のパーソナルディスプレイ装置。
【請求項９】
双眼構成の２つの前記接眼レンズ（２６Ａ、２６Ｂ）を含む、
請求項６〜８のいずれか１項に記載のパーソナルディスプレイ装置。
【請求項１０】
装置がウェアラブル装置である、
請求項６〜９のいずれか１項に記載のパーソナルディスプレイ装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月14日(2021.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基板を提供すること、
前記第一の基板上に、一時的な格子材料を用いて第一の表面プロファイルを製造すること、
前記第一の表面プロファイル全体を、最終的な格子材料の層によって被覆すること、
第二の基板を、前記最終的な格子材料の層の上に接合すること、
前記第一の基板を除去すること、及び
前記一時的な格子材料を除去して、前記第一の表面プロファイルのネガである第二の表面プロファイルを前記最終的な格子材料上に作製すること、
を含む、回折格子を製造する方法。
【請求項２】
前記第一の表面プロファイル及び前記第二の表面プロファイルは、高さが調整された回折格子を製造するための、高さの異なるフィーチャを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第一の表面プロファイル及び前記第二の表面プロファイルは、フィルファクタ（fill factor）が調整された回折格子を製造するための、幅の異なるフィーチャを含む、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ナノインプリントリソグラフィ、電子ビームリソグラフィ、又は光学リソグラフィを用いて前記第一の表面プロファイルを製造することを含む、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
原子層堆積、化学蒸着、物理蒸着、スピンコート法、スプレー法、インクジェット印刷、又はこれらの変形法によって前記最終的な格子材料を付与することを含む、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記最終的な格子材料の層が配置後に平らな開放表面（even free surface）を有し、その上に前記第二の基板が接合される、請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記最終的な格子材料が無機材料を含む、請求項１〜請求項６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記無機材料が、Ｓｉ３Ｎ４、ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、又はＨｆＯ２である、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
接着層を用いて前記第二の基板を前記最終的な格子材料と接合することを含む、請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記接着層の屈折率の、前記第二の基板の屈折率からの差は、前記第二の基板の屈折率の１０％以下である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
物理的接合又は化学的接合を用いて前記第二の基板を前記最終的な格子材料に接合することを含む、請求項１〜請求項１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記最終的な格子材料の屈折率の、前記第二の基板の屈折率からの差は、前記第二の基板の屈折率の１０％以下である、請求項１〜請求項１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記最終的な格子材料の屈折率は、前記第二の基板の屈折率よりも１０％以上高い、請求項１〜請求項１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記最終的な格子材料の屈折率は、前記第二の基板の屈折率よりも１０〜３０％高い、請求項１〜請求項１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記第二の基板が導波路であるか、又は、さらに前記第二の基板を導波路に接合することを含む、請求項１〜請求項１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記導波路がニア・ツー・アイディスプレイの導波路ディスプレイ素子である、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
回折導波路ディスプレイのインカップリング格子、射出瞳拡大素子格子（exit pupil expander grating）、又はアウトカップリング格子を製造するための、請求項１〜請求項１６のいずれか一項に記載の方法の使用。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月26日(2021.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の平面（２０Ａ〜２０Ｅ）から第２の平面（１０Ａ〜１０Ｅ）上の導波路素子のインカップリング格子に像を投影するための投影対物レンズであって、
第２の平面（１０Ａ〜１０Ｅ）から順に、
正の有効焦点距離を有する第１の光学素子群（Ｇ１）と、
前記第１の平面（２０Ａ〜２０Ｅ）と前記第１の光学素子群（Ｇ１）との間に配置され負の有効焦点距離を有する第２の光学素子群（Ｇ２）と、
前記第１の平面（２０Ａ〜２０Ｅ）と前記第２の光学素子群（Ｇ２）との間に配置され正の有効焦点距離を有する第３の光学素子群（Ｇ３）、
を含み、
前記第１の光学素子群（Ｇ１）、前記第２の光学素子群（Ｇ２）、及び前記第３の光学素子群（Ｇ３）は、前記第２の平面（１０Ａ〜１０Ｅ）から順に、
前記第２の光学素子群（Ｇ２）の第１の屈折面が前記第２の平面（１０Ａ〜１０Ｅ）に向かって凹であり、
第３の光学素子群（Ｇ３）の第２の屈折面が前記第１の平面（２０Ａ〜２０Ｅ）に向かって凸である、
ように屈折面を備え、
前記第２の光学素子群（Ｇ２）の有効焦点距離（ｆ２）及び前記第３の光学素子群（Ｇ３）の有効焦点距離（ｆ３）は、テレセントリック投影を提供するように、０．３＜｜ｆ２／ｆ３｜＜１．５を満たし、
前記第２の平面（１０Ａ〜１０Ｅ）上、または第２の平面（１０Ａ〜１０Ｅ）と第１の光学素子群（Ｇ１）との間に位置する開口絞りを含む、
投影対物レンズ。
【請求項２】
前記第１の光学素子群（Ｇ１）の前記第１の屈折面は、前記第２の平面（１０Ａ〜１０Ｅ）に向かって凸である、
請求項１に記載の投影対物レンズ。
【請求項３】
前記第１の光学素子群（Ｇ１）の前記第１の屈折面は、前記第２の平面（１０Ａ〜１０Ｅ）に向けて凹である、
請求項１または２に記載の投影対物レンズ。
【請求項４】
前記第２の光学素子群（Ｇ２）は、負のダブレットレンズを含む、または負のダブレットレンズから構成される、
請求項１〜３のいずれか１項に記載の投影対物レンズ。
【請求項５】
前記第３の光学素子群（Ｇ３）と前記第１の平面（２０Ａ〜２０Ｅ）との間に、好ましくは前記投影対物レンズの第１の素子として、プリズムまたはビームスプリッタを備える、
請求項１〜４のいずれか１項に記載の投影対物レンズ。
【請求項６】
前記第２の光学素子群（Ｇ２）の有効焦点距離（ｆ２）が、前記投影対物レンズの有効全焦点距離（ｆ）よりも小さく、焦点距離の比の絶対値が好ましくは０．７未満である、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の投影対物レンズ。
【請求項７】
前記投影対物レンズの有効全焦点距離（ｆ）に対する、大気中で測定された、前記第３の光学素子群（Ｇ３）と前記第１の平面（２０Ａ〜２０Ｅ）との間の前記投影対物レンズの後方焦点距離（ＢＦＬ）の比が、０．４〜１．５である、
請求項１〜６のいずれか１項に記載の投影対物レンズ。
【請求項８】
前記投影対物レンズが、
Ｒｉｍｇ−ＢＦＬ×０．４４＜ＭｒｈＧ３＜Ｒｉｍｇ＋ＢＦＬ×０．４４
の条件を満たすように、前記第１の平面（２０Ａ〜２０Ｅ）からＲｉｍｇの画像半径、前記第３の光学素子群（Ｇ３）からエッジフィールド周縁光線高さ（ＭｒｈＧ３）を収集するように構成されており、
ＢＦＬは、大気中で測定された前記第３の光学素子群（Ｇ３）と前記第１の平面（２０Ａ〜２０Ｅ）との間の後方焦点距離（ＢＦＬ）である、
請求項１〜７のいずれか１項に記載の投影対物レンズ。
【請求項９】
前記第３の光学素子群（Ｇ３）は２つ以上のレンズ素子を含み、
前記レンズ素子の１つは、前記第１の平面（２０Ａ〜２０Ｅ）に向かって凸である前記第２の屈折面を有し、  
前記レンズ素子のうちの他の少なくとも１つは、正のレンズ素子である、
請求項１〜８のいずれか１項に記載の投影対物レンズ。
【請求項１０】
光導波路と、
当たった光を前記光導波路に対して回折させるように前記光導波路に配置されたインカップリング格子と、
画像を画像源からインカップリング格子に投影するように配置された投影対物レンズ、
を備え、
前記投影対物レンズは、請求項１〜９のいずれか１項に記載の対物レンズであり、
前記光導波路は、投影射出瞳を２次元に沿って拡大するための回折手段を備える、
導波路ディスプレイ装置。
【請求項１１】
前記インカップリング格子は、前記投影対物レンズの前記第２の平面（１０Ａ〜１０Ｅ）に配置される、
請求項１０に記載の導波路ディスプレイ装置。
【請求項１２】
前記投影対物レンズの前記第１の平面（２０Ａ〜２０Ｅ）上に画像を表示するための手段をさらに備える、
請求項１０または１１に記載の導波路ディスプレイ装置。
【請求項１３】
前記光導波路は、投影された前記画像を表示するために、前記インカップリング格子に光学的に接続された、アウトカップリング格子をさらに備える、
請求項１０〜１２のいずれか１項に記載の導波路ディスプレイ装置。
【請求項１４】
ウェアラブルパーソナルディスプレイ装置である、
請求項１０〜１３のいずれか１項に記載の導波路ディスプレイ装置。