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【手続補正書】
【提出日】平成16年6月7日(2004.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
推測的に実行される推測的コードを含むプログラミング・コードを実行する方法であって、
推測的コード・シーケンス内のメモリ・アクセスを含む命令についてメモリ・フォルトを無視して、該推測的なコード・シーケンスを実行するステップと、
前記推測的コード・シーケンスの間に生成されるデータを利用する場合、前記推測的コード・シーケンスが実行されたときにメモリ・フォルトが生じたかどうか判断するステップと、
前記判断するステップにおいて、前記推測的コード・シーケンスが実行されたときにメモリ・フォルトが生じたと判断される場合、実行時に前記メモリ・フォルトからの復旧を実施する復旧コードを生成するステップと、
を含む前記方法。
【請求項２】
前記生成するステップが、翻訳されたコードを生成するステップを含み、該翻訳されたコードは、実行されるとき、前記メモリ・フォルトによって破損したあらゆる演算を再び実施する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記生成するステップが、前記生成された復旧コードを実行するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記生成するステップが、最適化コンパイラによって提供されるコード注釈を使用するステップを含み、該最適化コンパイラは、コンパイル時間中に前記コード注釈を前記プログラミング・コードへ挿入する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記生成するステップが、最適化コンパイラによって提供される前記復旧コードのコンパクトな表現を使用するステップを含み、該最適化コンパイラは、コンパイル時間中に、前記復旧コードのコンパクトな表現を前記プログラミング・コードへ挿入する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記生成するステップが、動的トランスレータによって実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
推測的に実行される推測的コードを含むプログラミング・コードと、
前記プログラミング・コードを実行する実行手段であって、該プログラミング・コードは、推測的コード・シーケンス内のメモリ・アクセスを含む命令についてメモリ・フォルトが無視されるように最適化される、実行手段と、
前記メモリ・フォルトのための復旧コードを生成する動的トランスレータであって、該メモリ・フォルトは、推測的コード・シーケンスが実行されるときに生じ、推測的コード・シーケンスの実行中に生成されるデータを利用するときに発見される、動的トランスレータと、を有し、
前記復旧コードは、実行手段によって実行されるときにメモリ・フォルトからの復旧を実施する、コンピューティング・システム。
【請求項８】
前記動的トランスレータが、翻訳されたコードを生成し、該翻訳されたコードは、実行手段による実行時に、前記メモリ・フォルトによって破損したあらゆる演算を再び実施する、請求項７に記載のコンピューティング・システム。
【請求項９】
前記動的トランスレータが、前記復旧コードを生成するために、前記プログラミング・コード内に提供されるコード注釈を使用する、請求項７に記載のコンピューティング・システム。
【請求項１０】
前記動的トランスレータが、前記復旧コードを生成するために、前記プログラミング・コード内に提供される前記復旧コードのコンパクトな表現を使用する、請求項７に記載のコンピューティング・システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月12日(2004.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の偏光状態の光を第１の複屈折光学部材によって振動面が互いに直交する２つの直線偏光成分に分離し、分離した前記両偏光成分をコンデンサレンズによって平行光に変換し、平行光に変換された前記両偏光成分によって披検物を照明し、披検物を透過した前記両偏光成分を対物レンズによって収束光に変換し、収束光に変換された前記両偏光成分を第２の複屈折光学部材によって１つの光に合成し、該合成された光の前記両偏光成分を偏光干渉させ、該干渉した光により、前記披検物の前記対物レンズによる拡大像を結像する透過照明型微分干渉顕微鏡において、
前記第１および第２の複屈折部材は、それぞれ２枚のみの楔形プリズムの接合によって形成され、
該第１および第２の複屈折光学部材のうちの少なくともいずれか一方は、当該複屈折部材を構成する前記２枚の楔形プリズムのうちの一方の楔形プリズムが等方性光学材料よりなる等方性プリズムであり、他方の楔形プリズムが複屈折光学材料からなる複屈折プリズムであり、
前記複屈折光学材料からなる複屈折プリズムの中心厚は、０．４〜０．６ｍｍであることを特徴とする透過照明形微分干渉顕微鏡。
【請求項２】
前記第１および第２の複屈折部材は共に、当該複屈折光学部材を構成する前記２枚の楔形プリズムのうちの一方の楔形プリズムが等方性光学材料からなる等方性プリズムであり、他方の楔形プリズムが複屈折光学材料よりなる複屈折プリズムであり、前記等方性プリズムと前記複屈折プリズムは光の入射側より順に配置され、
前記第１の複屈折部材で生じる分離された前記両偏光成分間の位相差が前記第２の複屈折部材にて打ち消されるように、前記第１および第２の複屈折部材が位置決めされることを特徴とする請求項１記載の透過照明形微分干渉顕微鏡。
【請求項３】
前記等方性プリズムの中心厚さは、前記複屈折プリズムの中心厚さより厚く形成されることを特徴とする、請求項１又は２記載の透過照明型微分干渉顕微鏡。
【請求項４】
前記コンデンサレンズの前側焦点面と前記対物レンズの後側焦点面は、共に当該レンズの内部に配置され、
前記第１および第２の複屈折光学部材のうち、いずれか一方は共に等方性プリズムと複屈折プリズムとの接合によって形成され、いずれか他方は複屈折プリズム同士の接合によって形成され、
都合３枚の前記複屈折プリズムは、共に正結晶又は共に負結晶の複屈折光学材料からなる、請求項１記載の透過照明型微分干渉顕微鏡。
【請求項５】
前記コンデンサレンズの前側焦点面と前記対物レンズの後側焦点面は、共に当該レンズの内部に配置され、
前記第１および第２の複屈折光学部材は、共に等方性プリズムと複屈折プリズムとの接合によって形成され、
都合２枚の前記複屈折プリズムのうち、一方は正結晶の複屈折光学材料からなり、他方は負結晶の複屈折光学材料からなる、請求項１又は２記載の透過照明型微分干渉顕微鏡。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【発明の効果】
以上のように本発明は、微分干渉顕微鏡における複屈折部材を、複屈折結晶と、安価で加工の容易な等方性材料とで構成したものであるから、コスト低減を図ることができる。また、前記複屈折光学材料からなる複屈折プリズムの中心厚を０．４〜０．６ｍｍにしたことにより、光線が複屈折部材を通過する距離を短くでき、観察視野内のむらを低減させることができる。
また、本発明において、微分干渉顕微鏡における２つの複屈折部材をともに複屈折結晶と等方性材料とで構成し、これら２つの複屈折部材で生じる位相差を互いに打ち消すように配置すれば、観察視野内での明るさのむらや色づきのむらを低減させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月22日(2005.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バンプ電極を有する半導体装置であって、
前記バンプ電極は、実装基板側の電極と電気的接続を図るバンプ電極実装用部と、前記半導体装置内の配線電極との電気的接続を図るバンプ電極配線用部とを有し、
前記バンプ電極配線用部の表面には前記配線電極と前記バンプ電極配線用部との接続部分を反映した段差が形成され、前記バンプ電極実装用部の表面には、前記接続部分を反映した段差が形成されておらず前記バンプ電極配線用部より面積が広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
バンプ電極を有する半導体装置であって、
前記バンプ電極は、実装基板側の電極と電気的接続を図るバンプ電極実装用部と、前記半導体装置内の配線電極との電気的接続を図るバンプ電極配線用部とを有し、
前記バンプ電極配線用部の表面には前記配線電極の端部を反映した段差が形成され、前記バンプ電極実装用部の表面には、前記配線電極の端部を反映した段差が形成されておらず、前記バンプ電極配線用部より大きく、平坦度が高く設定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
バンプ電極を有する半導体装置であって、
前記バンプ電極は、実装基板側の電極と電気的接続を図るバンプ電極実装用部と、前記半導体装置内の配線電極との電気的接続を図るバンプ電極配線用部とを有し、
前記バンプ電極配線用部の表面には前記配線電極と前記バンプ電極配線用部との接続部分を反映した段差が形成され、前記バンプ電極実装用部の表面には、前記接続部分を反映した段差が形成されておらず前記バンプ電極実装用部は、前記バンプ電極配線用部より、面積が大きく、前記バンプ電極実装用部の厚さは前記接続部分より厚く設定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
バンプ電極を有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置に設けた複数の配線電極の内で最上層の配線電極を、前記配線電極の積層方向に沿って、前記バンプ電極の形成範囲とのオーバーラップ範囲が非オーバーラップ範囲より小範囲となるように設け前記配線電極と前記バンプ電極との接続部分を前記オーバーラップ範囲に形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
実装基板側の電極との間に導電性粒子を挟持させて導通可能に電気的接続を行うバンプ電極を有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体装置に設けた複数の配線電極の内で最上層の配線電極を、前記配線電極の積層方向に沿って、前記バンプ電極の形成範囲とのオーバーラップ範囲が非オーバーラップ範囲より小範囲となるように設け前記配線電極と前記バンプ電極との接続部分を前記オーバーラップ範囲に形成し、
前記オーバーラップ範囲を含む部分の厚さが前記非オーバーラップ範囲を含む部分で前記導電性粒子を挟持させる部分の厚さより薄く形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
かかる擬似的平面化もそれまでの構成に比べれば導通性の確保には有効で、接触不良の低減にそれなりの効果が認められるが、擬似的平面を形成するためには、パッシベーション膜のエッチング等において多少とも手間をかける必要があり、より簡単な製造方法でより平坦化を実現できる技術の開発が求められている。また特開平５−２９９４２０号公報にはパッド電極上に開口部を設けその上に接続するバンプ電極面積をパッド電極面積より広くパッド電極の外側に形成する開示があり、特開平５−８２５２３号公報にはパッド電極上に第１のバンプで接続部を形成し第１のバンプより長く表面の平坦な第２バンプを第１のバンプに接続する開示があり、特開平５−１２９３０５号公報にはパッド電極上に試験用バンプと試験用バンプより高い接続用バンプを２回に分けて形成する開示があり、特開平１１−３１６９８号公報には電極パッドに接続する絶縁膜の開口部の面積をバンプ表面積の１／９以下とすることにより平坦なバンプ表面による異方性導電膜を用いた接続性を向上する開示があり、特開平１１−２５８６２０号公報には接続パッド上に形成された開口部の幅をバンプの高さよりも短くすることによりバンプ表面を平坦化して外部との接続抵抗を小さくする開示がある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月29日(2005.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）基板上に形成された半導体柱と、
（ｂ）前記半導体柱の側壁に、絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
を有し、
（ｃ）前記半導体柱およびゲート電極は、多結晶化した半導体材料より成り、前記半導体柱の結晶粒間の隙間は、前記ゲート電極の結晶粒間の隙間より小さいことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】  請求項１記載の半導体集積回路装置において、
前記半導体柱中にＭＩＳＦＥＴのチャネル部が形成されることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】  請求項１記載の半導体集積回路装置において、
前記半導体柱は、前記基板上に、アモルファス状態の半導体膜を形成した後、１０気圧以上、２５℃以上７００℃以下の雰囲気下で熱処理を施し、前記半導体膜を結晶化して形成されることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】  （ａ）基板上に形成された半導体層と、
（ｂ）前記半導体層に、絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
を有し、
（ｃ）前記半導体層およびゲート電極は、多結晶化した半導体材料より成り、前記半導体層の結晶粒間の隙間は、前記ゲート電極の結晶粒間の隙間より小さいことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】  基板上に形成された半導体柱と、
前記半導体柱の側壁に、絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
を有し、
前記半導体柱およびゲート電極は、多結晶化した半導体材料より成る半導体集積回路装置の製造方法において、
前記半導体柱は、前記基板上に、アモルファス状態の半導体膜を形成した後、１０気圧以上、２５℃以上７００℃以下の雰囲気下で熱処理を施し、前記半導体膜を結晶化して形成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（２）本発明の半導体集積回路装置は、（ａ）第１の半導体領域と、（ｂ）前記第１の半導体領域上に形成された半導体柱と、（ｃ）前記半導体柱の上部に形成された第２の半導体領域と、（ｄ）前記半導体柱の側壁に、絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、を有し、（ｅ）前記半導体柱は、アモルファス状態の半導体を、高圧下で熱処理することにより結晶化された半導体よりなる。
また、本発明の半導体集積回路装置は、基板上に形成された半導体柱と、前記半導体柱の側壁に、絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有し、前記半導体柱およびゲート電極は、多結晶化した半導体材料より成り、前記半導体柱の結晶粒間の隙間は、前記ゲート電極の結晶粒間の隙間より小さい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月12日(2004.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を搭載した少なくとも２枚の基板と、
熱発生を伴う高負荷部品と、
前記基板及び前記高負荷部品を収納し放熱用の排気口が設けられたケーシングとを備えた電子装置であって、
前記基板は、略水平に配置された基板と、該基板との間に水平方向の間隙をおいて略垂直に配置された基板とを含んでおり、
前記高負荷部品は、前記水平方向の間隙より下方に配置され、
前記排気口は、前記水平方向の間隙より上方に配置されており、
前記基板に搭載された前記電子部品が、音声信号変調回路を構成し、
前記高負荷部品が、電源又は増設カードであり、
音信号のミキシング装置であることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記ケーシングは、傾斜した上面パネルを含む側面視略楔形であることを特徴とする請求項１記載の電子装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明に係る電子装置は、電子部品を搭載した少なくとも２枚の基板と、熱発生を伴う高負荷部品と、前記基板及び前記高負荷部品を収納し放熱用の排気口が設けられたケーシングとを備えた電子装置であって、前記基板は、略水平に配置された基板と、該基板との間に水平方向の間隙をおいて略垂直に配置された基板とを含んでおり、前記高負荷部品が、前記水平方向の間隙の下方に配置され、前記排気口は、前記水平方向の間隙より上方に配置されており、前記基板に搭載された電子部品が音声信号変調回路を構成し、前記高負荷部品が電源又は増設カードであり、音信号のミキシング装置であることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記電子装置によれば、基板上、若しくはいずれかの基板の下方に配置された高負荷部品から発生する熱は、その周囲の空気を暖め、前記水平方向の間隙を通過する上昇気流を生じる。そして、その上昇気流は、前記間隙より上方に配置された排気口から放出される。このようにして、ケーシング内の熱は上昇気流と共にケーシング外へ放出され、基板及び高負荷部品を効果的に冷却することができる。特に、ミキシング装置では、上面パネルに多くの操作子が設けられ、上面パネル及び基板の面積が大きくなるのでケーシング内に熱が蓄積し易い。しかし、本発明によればミキシング装置の場合においても、電源や増設カードなどの前記高負荷部品から発生する熱は上記のように上昇気流を生じ、これにより前記基板及び前記高負荷部品を効果的に冷却することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多数の電極を有する基体であって、金属核の周囲を有機物で結合・被覆することによって生成した複合型金属ナノ粒子を主材とする接合材料によって、前記基体の電極を他の基体に設けた電極に接合するようにしたことを特徴とする電極配設基体。
【請求項２】
前記金属核の平均直径は、１００ｎｍ以下で０．５ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の電極配設基体。
【請求項３】
前記複合型金属ナノ粒子は、金属塩とアルコール系有機物とを混合して加熱合成した後、これに還元剤を加えて加熱還元することによって生成したものであることを特徴とする請求項１または２記載の電極配設基体。
【請求項４】
前記複合型金属ナノ粒子は、金属塩と有機物質とを非水系溶媒中で加熱合成した後、これを加熱還元することによって生成したものであることを特徴とする請求項１または２記載の電極配設基体。
【請求項５】
前記複合型金属ナノ粒子は、金属塩と金属酸化物と金属水酸化物と有機物とを混合して加熱合成した後、これを加熱還元することによって生成したものであることを特徴とする請求項１または２記載の電極配設基体。
【請求項６】
前記複合型金属ナノ粒子は、金属塩と有機物とを非水系溶媒中で加熱合成した後、これに還元剤を加えて加熱還元することによって生成したものであることを特徴とする請求項１または２記載の電極配設基体。
【請求項７】
前記複合型金属ナノ粒子の周囲を結合・被覆する有機物は、Ｃ，Ｈ及び／またはＯを主成分としたものであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電極配設基体。
【請求項８】
前記基体は、半導体装置の装着のために用いるものであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の電極配設基体。
【請求項９】
基体に設けた電極と他の基体に設けた電極との間に、平均直径が１００ｎｍ程度以下の金属核の周囲を有機物で結合・被覆することによって生成した複合型金属ナノ粒子を主材とする接合材料を介在させ、前記接合材料に含まれる複合型金属ナノ粒子の形態を変化させて電極同士を接合することを特徴とする電極配設基体の電極接合方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、多数の電極を有する基体であって、金属核の周囲を有機物で結合・被覆することによって生成した複合型金属ナノ粒子を主材とする接合材料によって、前記基体の電極を他の基体に設けた電極に接合するようにしたことを特徴とする電極配設基体である。
請求項２に記載の発明は、前記金属核の平均直径は、１００ｎｍ以下で０．５ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１記載の電極配設基体である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
請求項３に記載の発明は、前記複合型金属ナノ粒子は、金属塩とアルコール系有機物とを混合して加熱合成した後、これに還元剤を加えて加熱還元することによって生成したものであることを特徴とする請求項１または２記載の電極配設基体である。
請求項４に記載の発明は、前記複合型金属ナノ粒子は、金属塩と有機物質とを非水系溶媒中で加熱合成した後、これを加熱還元することによって生成したものであることを特徴とする請求項１または２記載の電極配設基体である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項５に記載の発明は、前記複合型金属ナノ粒子は、金属塩と金属酸化物と金属水酸化物と有機物とを混合して加熱合成した後、これを加熱還元することによって生成したものであることを特徴とする請求項１または２記載の電極配設基体である。
請求項６に記載の発明は、前記複合型金属ナノ粒子は、金属塩と有機物とを非水系溶媒中で加熱合成した後、これに還元剤を加えて加熱還元することによって生成したものであることを特徴とする請求項１または２記載の電極配設基体である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
請求項７に記載の発明は、前記複合型金属ナノ粒子の周囲を結合・被覆する有機物は、Ｃ，Ｈ及び／またはＯを主成分としたものであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電極配設基体である。
有機物に窒素（Ｎ）、硫黄（Ｓ）等のように、Ｃ，ＨまたはＯ以外の元素を含むと、接合時の加熱によって有機物を分解・蒸散させる工程を実行しても、有機物中に含まれるＮまたはＳ成分が焼結金属中に残留し、その結果、接合層の導電性に悪影響を及ぼす場合がある。例えば、高密度実装部品のように、動作時の電流密度が高い部分で、このような理由で導電率が低下することは由々しい問題を生じると考えられる。しかし、有機物として、Ｃ，Ｈ及び／またはＯを主成分とするものを使用し、有機物の分解・蒸散後も接合部にＮやＳが残留しないようにすることで、このような弊害を防止することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
請求項８に記載の発明は、前記基体は、半導体装置の装着のために用いるものであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の電極配設基体である。この基体としては、例えば半導体パッケージを表面実装するインタポーザやプリント配線基板等が挙げられる。
請求項９に記載の発明は、基体に設けた電極と他の基体に設けた電極との間に、平均直径が１００ｎｍ程度以下の金属核の周囲を有機物で結合・被覆することによって生成した複合型金属ナノ粒子を主材とする接合材料を介在させ、前記接合材料に含まれる複合型金属ナノ粒子の形態を変化させて電極同士を接合することを特徴とする電極配設基体の電極接合方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月12日(2004.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ケーシング内に電子部品搭載基板が取り付けられている電子機器であって、
前記電子部品搭載基板上を該基板の両端部に向かう方向に延びる少なくとも１本のステーを有し、
前記ステーは、該ステーの基板当接側に設けた基板結合部により前記基板に結合され、該ステーのトップパネル当接部により前記ケーシングのトップパネル裏面に当接されて、前記ケーシングに結合されていることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
ケーシング内に電子部品搭載基板が取り付けられている電子機器であって、
前記電子部品搭載基板上を該基板の両端部に向かう方向に延びる少なくとも１本のステーを有し、
前記ステーは、該ステーの基板当接側に設けた基板結合部により前記基板に結合され、該ステーのトップパネル当接部により前記ケーシングのトップパネル裏面に当接されて、前記ケーシングのトップパネルとサイドパネルとに結合されていることを特徴とする電子機器。
【請求項３】
前記ステーが、前記基板に形成された位置決め用孔に嵌る位置決め用凸部を有し、前記位置決め用凸部と位置決め用孔との嵌合によって前記基板に位置決めされていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記ステーは、断面略コ字状であって、電子部品の少なくとも一部分を収容していることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の電子機器。
【請求項５】
前記ステーのトップパネル当接部が、隆起部によって構成されていることを特徴とする請求項１記載の電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月30日(2005.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ガラス転移温度が１６０℃以上の非晶性樹脂組成物に、０．２重量％以上の二酸化炭素を溶解または吸収させた後、予めガスで加圧状態にした金型キャビティに射出成形することにより得られることを特徴とする、自動車点火用イグニッション・コイル・ボビン。
【請求項２】  非晶性樹脂組成物が、ポリフェニレンエーテル系樹脂であることを特徴とする、請求項１に記載の自動車点火用イグニッション・コイル・ボビン。
【請求項３】  非晶性樹脂組成物が、少なくとも非晶性樹脂成分と無機系及び／または有機系充填材から構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の自動車点火用イグニッション・コイル・ボビン。
【請求項４】  射出成形機の加熱筒内、成形機のノズル部、金型と成形機ノズル部分の間のいずれかの位置に二酸化炭素の供給のための設備を設けることにより、溶融状態のガラス転移温度が１６０℃以上の非晶性樹脂に０．２重量％以上の二酸化炭素を溶解または吸収させた後、予めガスで加圧状態にした金型キャビティ−に射出成形することを特徴とする自動車点火用イグニッション・コイル・ボビンの製造法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、イグニッション・コイル・ボビンに要求されるガラス転移点温度が１６０℃で、且つ薄肉流動性を向上させ、製品の残留歪みを低減する事に良好である技術を見出した。
即ち、本発明は、
１．  ガラス転移温度が１６０℃以上の非晶性樹脂組成物に、０．２重量％以上の二酸化炭素を溶解または吸収させた後、予めガスで加圧状態にした金型キャビティに射出成形することにより得られることを特徴とする、自動車点火用イグニッション・コイル・ボビン、
２．  非晶性樹脂組成物が、ポリフェニレンエーテル系樹脂であることを特徴とする、上記１に記載の自動車点火用イグニッション・コイル・ボビン、
３．  非晶性樹脂組成物が、少なくとも非晶性樹脂成分と無機系及び／または有機系充填材から構成されていることを特徴とする上記１又は２に記載の自動車点火用イグニッション・コイル・ボビン、
４．  射出成形機の加熱筒内、成形機のノズル部、金型と成形機ノズル部分の間のいずれかの位置に二酸化炭素の供給のための設備を設けることにより溶融状態のガラス転移温度が１６０℃以上の非晶性樹脂に０．２重量％以上の二酸化炭素を溶解または吸収させた後、予めガスで加圧状態にした金型キャビティ−に射出成形することを特徴とする自動車点火用イグニッション・コイル・ボビンの製造法、
である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月12日(2005.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理物載置部が設けられた基台、及び基台の上方に持ち上げられる蓋部材を備えるプラズマ処理装置であって、
a) 蓋部材側に設けられたガス供給口と、
b) 基台側に設けられたガス排気口と、
c) 蓋部材に固定され、前記ガス供給口と移動接続口を接続する移動ガス供給路と、
d) 基台側に固定され、蓋部材が基台を覆った際に該移動接続口と気密に接続する固定接続口を有する固定ガス供給路
を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
ガス供給口が、蓋部材が基台を覆った際に被処理物載置部と対向する位置に多数配置されていることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
ガス排気口が、被処理物を囲むように複数配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
蓋部材を基台から持ち上げた後、略垂直に立てる蓋回転手段を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
基台上の被処理物載置部へ被処理物を搬入するための手段及び被処理物載置部から被処理物を搬出するための手段を有する請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月17日(2005.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プレスフィット接合配線基板及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プレスフィット端子が圧入保持されるスルーホールを有し、弾性材がシート状基材を結合する樹脂中に充填されたプレスフィット接合配線基板。
【請求項２】
前記弾性材は、可とう性粒子であり、基板の樹脂中に分散されていることを特徴とする請求項１に記載のプレスフィット接合配線基板。
【請求項３】
前記可とう性粒子は、アクリルゴム、シリコンゴム、ニトリルブタジエンゴム、又はこれらの組み合わせであることを特徴とする請求項２に記載のプレスフィット接合配線基板。
【請求項４】
前記弾性材は、前記基板の表層部分に充填されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のプレスフィット接合配線基板。
【請求項５】
前記スルーホールの内周面は、銅より硬い金属を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のプレスフィット接合配線基板。
【請求項６】
前記シート状基材が積層された基板であることを特徴とする請求項１に記載のプレスフィット接合配線基板。
【請求項７】
エポキシ樹脂含浸によるガラス繊維シートが積層された基板であり、該基板の表面にプリント配線されることを特徴とする請求項１に記載のプレスフィット接合配線基板。
【請求項８】
積層されたシート状基材に、プレスフィット端子を圧入保持するスルーホールを設けられ、前記シート状基材を結合する樹脂中に弾性材が含有されてなるプレスフィット接合配線基板。
【請求項９】
積層されたシート状基材に、プレスフィット端子を圧入保持するスルーホールを設けたプレスフィット接合配線基板を有し、
前記プレスフィット接合配線基板は、前記シート状基材を結合する樹脂中に弾性剤が含有されてなるものであり、
該プレスフィット端子が前記プレスフィット接合配線基板のスルーホールに圧入保持された状態で、前記プレスフィット接合配線基板に固定されることを特徴とする電子機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子機器に組み込まれるプレスフィット接合配線基板に関し、特に、自動車などの車両に搭載され、高温環境下で使用される電子制御装置内における配線基板に設けられたスルーホールにプレスフィット端子を圧入して電気接合する場合に、端子圧入による配線基板への影響を抑制するようにしたプレスフィット接合配線基板に関し、さらに、該プレスフィット接合配線基板を備えた電子機器に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
そこで、本発明の目的は、例えば、高温環境下で使用される電子制御装置内における配線基板に設けられたスルーホールにプレスフィット端子を圧入して電気接合される場合に、端子圧入されるとき、外部応力を吸収するようにして、基板内に発生する負担を抑制するプレスフィット接合配線基板を提供することである。また、従来のプレスフィット端子をそのまま使用可能とし、端子から受ける基板への応力を基板が吸収できる基板構造を提供することである。さらに、本発明の別の目的は、該プレスフィット接合配線基板を備えた電子機器を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、前記弾性材は、前記基板の表層部分に充填されるようにし、前記スルーホールの内周面は、銅より硬い金属、例えば、ニッケル、パラジウム等を有することとした。
さらに、本発明の電子機器では、積層されたシート状基材に、プレスフィット端子を圧入保持するスルーホールを設けたプレスフィット接合配線基板を有し、該プレスフィット接合配線基板は、前記シート状基材を結合する樹脂中に弾性材が含有され、前記プレスフィット端子が前記プレスフィット接合配線基板のスルーホールに圧入保持された状態で、前記プレスフィット接合配線基板に固定されるようにした。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月10日(2004.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板ホルダを備え、内部に供給され保持される処理液に接触させて基板を処理する処理ヘッドと、
前記基板ホルダを水密的に囲繞し、熱媒体を介して前記基板ホルダと共に前記処理ヘッドに保持される処理液の温度を所定の温度に保持する温度保持槽と、
前記処理ヘッドに所定温度の処理液を供給する処理液供給部を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記処理ヘッドから処理後の処理液を回収して前記処理液供給部に戻す処理液回収部を更に有することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理ヘッドは、前記基板ホルダで基板処理面を上向きにして基板を保持し、この基板処理面と該基板処理面の外周部をシールするシールリングで処理液を保持する処理槽を区画形成するように構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記熱媒体としての液体を保持する温度調節器を備えた温水供給槽を更に有し、この温水供給槽と前記温度保持槽との間を熱媒体が循環するようにしたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理ヘッドに保持される処理液に接触して該処理液を加熱する加熱ヘッドを更に有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記加熱ヘッドは、前記処理液との接触面が中心から半径方向に向けて該接触面と処理液の液面との距離が徐々に拡がるテーパ状に形成されていることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記処理液供給部は、処理液を保持する温度調節器を備えた処理液供給槽を有し、この処理液供給槽には、この内部の処理液を攪拌する攪拌手段が備えられていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記処理液供給部は、処理液を保持する処理液供給槽と、この処理液供給槽から前記処理ヘッドに供給される処理液の温度を調節する温度調節部を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記処理液回収部は、前記処理ヘッドから前記処理液供給部に戻す処理液の温度を調節する温度調節部を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記処理液供給部は、混合して処理液を生成する複数の溶液を個別に保持する温度調節部を備えた複数の溶液供給槽と、前記各溶液供給槽にそれぞれ連通し該溶液供給槽から個別に供給される複数の溶液を混合して処理液を生成する温度調節器を備えた混合槽を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記処理液供給部は、混合して処理液を生成する複数の溶液を個別に保持する複数の溶液供給槽と、前記各溶液供給槽にそれぞれ連通し該溶液供給槽から個別に供給される複数の溶液を混合して処理液を生成する複数の混合槽を有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月28日(2005.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】  基体が載置され且つ該基体と接触する突出部が設けられた絶縁性部材を含む基体支持部を有し、内部でプラズマが形成されるチャンバを備えており、
前記基体支持部は、前記突出部が、前記基体の周縁部に対向するように設置された環状凸部と、該環状凸部の内方に配置された複数の柱状突起部とから成っており、且つ、下記式（１）；
０．０１≦Ｓdin／Ｓ０×１００≦１．６  …（１）、
Ｓdin：前記柱状突起部と前記ウェハとの接触面積、
Ｓ0：前記ウェハの片面の面積、
で表される関係を満たすものである、プラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
或いは、サセプタ５が、下記式（１）；
０．０１≦Ｓdin／Ｓ０×１００≦１．６  …（１）、
で表される関係を満たすもの、及び／又は、下記式（２）；
３．５≦（Ｓdin＋Ｓlip）／Ｓ0×１００≦７．０  …（２）、
で表される関係を満たすものであることが望ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
【表１】
2004128019.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
フィーダ線と該フィーダ線に接続されたアンテナ素子とを備えた車両用アンテナ装置であって、
上記アンテナ素子は、車体への接地部から遠ざかる方向に延びる第１アンテナ素子と、該第１アンテナ素子から分岐し、第１アンテナ素子と交差する方向において実質的に互いに逆方向へ延びる第２アンテナ素子および第３アンテナ素子とを備えていることを特徴とする車両用アンテナ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
フィーダ線と該フィーダ線に接続されたアンテナ素子とを備えた車両用アンテナ装置であって、
上記アンテナ素子は、車体への接地部から遠ざかる方向に延びる第１アンテナ素子と、該第１アンテナ素子から分岐し、第１アンテナ素子と交差する方向において実質的に互いに逆方向へ延びる第２アンテナ素子および第３アンテナ素子とで、全体として略Ｔ字状に形成されており、
上記第１アンテナ素子と第２アンテナ素子とで低周波帯域を構成すると共に、上記第１アンテナ素子と第３アンテナ素子とで高周波帯域を構成し、
上記第３アンテナ素子の長さは、上記第２アンテナ素子の長さに所定係数を乗算した値に基づいて設定されている、
ことを特徴とする車両用アンテナ装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
そこで、本願請求項１の発明(以下、第１の発明という)に係る車両用アンテナ装置は、フィーダ線と該フィーダ線に接続されたアンテナ素子とを備えた車両用アンテナ装置であって、上記アンテナ素子は、車体への接地部から遠ざかる方向に延びる第１アンテナ素子と、該第１アンテナ素子から分岐し、第１アンテナ素子と交差する方向において実質的に互いに逆方向へ延びる第２アンテナ素子および第３アンテナ素子とを備えていることを特徴としたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
更に、本願請求項３の発明(以下、第３の発明という)に係る車両用アンテナ装置は、フィーダ線と該フィーダ線に接続されたアンテナ素子とを備えた車両用アンテナ装置であって、上記アンテナ素子は、車体への接地部から遠ざかる方向に延びる第１アンテナ素子と、該第１アンテナ素子から分岐し、第１アンテナ素子と交差する方向において実質的に互いに逆方向へ延びる第２アンテナ素子および第３アンテナ素子とで、全体として略Ｔ字状に形成されており、上記第１アンテナ素子と第２アンテナ素子とで低周波帯域を構成すると共に、上記第１アンテナ素子と第３アンテナ素子とで高周波帯域を構成し、上記第３アンテナ素子の長さは、上記第２アンテナ素子の長さに所定係数を乗算した値に基づいて設定されている、ことを特徴としたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月21日(2005.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  処理すべきデータの入力側に配置される入力段ＤＳＰと、
出力側に配置される出力段ＤＳＰと、
前記入力段ＤＳＰと前記出力段ＤＳＰとの間に介在する少なくとも一段の中間段ＤＳＰと、
を有し、かつ、前記入力段ＤＳＰと前記中間段ＤＳＰと前記出力段ＤＳＰとをこの順にカスケード接続してなり、ここに前記入力段ＤＳＰ、中間段ＤＳＰおよび出力段ＤＳＰの各々は、それぞれに固有の固有プログラムと、これらのＤＳＰに共有される同一の共通プログラムとを格納することを特徴とするＤＳＰ装置。
【請求項２】  前記固有プログラムは、前記入力段ＤＳＰ、中間段ＤＳＰおよび出力段ＤＳＰの各々におけるデータの入力処理およびデータの出力処理を実行するためのプログラムであり、前記共通プログラムは、前記入力段ＤＳＰ、中間段ＤＳＰおよび出力段ＤＳＰの各々におけるデータの演算処理を実行するためのプログラムである請求項１に記載のＤＳＰ装置。
【請求項３】  マイコンをさらに備えて、前記共通プログラムと全ての前記固有プログラムとを該マイコンから前記入力段ＤＳＰ、中間段ＤＳＰおよび出力段ＤＳＰに転送し、各該入力段ＤＳＰ、中間段ＤＳＰおよび出力段ＤＳＰは、前記共通プログラムと、それぞれに対応して選択された前記固有プログラムと、により駆動される請求項１に記載のＤＳＰ装置。
【請求項４】  前記入力段ＤＳＰ、中間段ＤＳＰおよび出力段ＤＳＰはそれぞれに設定される識別情報に基づいて、これらＤＳＰにそれぞれ対応する前記固有プログラムを自律的に選択する請求項１〜３のいずれか一項に記載のＤＳＰ装置。
【請求項５】  前記入力段ＤＳＰ、中間段ＤＳＰおよび出力段ＤＳＰが、前記演算処理をフィルタリング処理とするＦＩＲ型ディジタルフィルタを構成する請求項２に記載のＤＳＰ装置。
【請求項６】  請求項１〜５のいずれか一項に記載のＤＳＰ装置を備えるオーディオ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
ところが近年、半導体デバイスの高速化ならびに高集積化によって回路規模の小形化が容易になったことから、従前ならば回路規模が必然的に大きくなってしまうという理由で採用されなかったＦＩＲ（Finite Impulse Response ）型のディジタルフィルタがここに注目され始め、このＦＩＲ型ディジタルフィルタ（以下、ＦＩＲフィルタとも称す）を搭載したオーディオ再生機器が市場に出まわり始めている。下記の特許文献１もその１つである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
図３において、参照番号１０はＦＩＲフィルタユニットを示し、その〔入力〕側は図２のＣＤＰ側に相当し、その〔出力〕側は図２のＲＯＷＥＲ段側に相当する。また、図１において既に説明した構成要素は、ＤＳＰ装置１と、マイコン５と、例えばフラッシュメモリからなるＲＯＭ６である。このＤＳＰ装置１の入力側にはアナログ／ディジタル変換器（Ａ／Ｄ）１１が、その出力側にはディジタル／アナログ変換器（Ｄ／Ａ）１２が設けられている。これらの変換器１１および１２とＤＩＲ（Digital Interface Receiver）とを含めてコーデック１３を構成する。このＤＩＲは、内蔵ＤＩＴ（Digital Interface Transmitter ）と連係する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月22日(2005.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】物体追尾方法及び物体追尾装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像装置により得られる画像信号に基づいて画像中の物体を検出し、該検出された物体を追尾する物体追尾方法であって、
前記検出された物体の位置情報を記録するステップと、
前記物体の位置情報と予め設定された判定ラインに基づいて前記物体の移動方向を決定するステップと、
該決定された移動方向に基づいて前記撮像装置の撮像方向を変更するステップと、
を有することを特徴とする物体追尾方法。
【請求項２】
請求項１に記載の物体追尾方法において、
前記決定された移動方向が少なくとも左上、左下、右上、右下の場合には、前記物体の位置情報に基づいて前記物体の移動角度を算出し、該算出された移動角度に基づいて前記移動方向を決定する、
ことを特徴とする物体追尾方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の物体追尾方法において、
更に、前記検出された物体が前記撮像装置の撮像範囲の外に移動したか否かを判定するステップと、
前記検出された物体が前記撮像範囲の外に移動したと判定された場合には、画像処理を停止するステップと、
を有することを特徴とする物体追尾方法。
【請求項４】
請求項１に記載の物体追尾方法において、
更に、前記検出された物体が複数である場合は、前記撮像装置の撮像範囲を広角に変更するステップと、
を有することを特徴とする物体追尾方法。
【請求項５】
撮像装置により得られる画像信号に基づいて画像中の物体を検出し、該検出された物体を追尾する制御を行う物体追尾装置であって、
前記検出された物体の位置情報を記録する手段と、
前記物体の位置情報と予め設定された判定ラインに基づいて前記物体の移動方向を決定する手段と、
該決定された移動方向に基づいて前記撮像装置の撮像方向を変更する制御信号を出力する手段と、
を有することを特徴とする物体追尾装置。
【請求項６】
請求項５に記載の物体追尾装置において、
前記決定された移動方向が少なくとも左上、左下、右上、右下の場合には、前記物体の位置情報に基づいて前記物体の移動角度を算出し、該算出された移動角度に基づいて前記移動方向を決定する、
ことを特徴とする物体追尾装置。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の物体追尾装置において、
更に、前記検出された物体が前記撮像装置の撮像範囲の外に移動したか否かを判定する手段と、
前記検出された物体が前記撮像範囲の外に移動したと判定された場合には、画像処理を停止する手段と、
を有することを特徴とする物体追尾装置。
【請求項８】
請求項５に記載の物体追尾装置において、
更に、前記検出された物体が複数である場合は、前記撮像装置の撮像範囲を広角に変更する制御信号を出力する手段と、
を有することを特徴とする物体追尾装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月1日(2005.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＩＰルーティング機能を持つＩＰ転送装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＰルーティング機能を持つＩＰ転送装置であって、
ＩＰパケットの宛先ＩＰアドレスと出力コネクションとの対応を記憶したルーティングテーブルのルーティングエントリに一意のルーティングエントリ番号を付与する付与手段と、
上記ルーティングエントリを用いてルーティングされたＩＰパケットに上記ルーティングエントリ番号と一対一に対応する番号を付与する対応付け手段と、
シェーパバッファ内の送信待ち状態のＩＰパケットを上記一対一に対応する番号で検索する検索手段とを備えたＩＰ転送方式。
【請求項２】
ＩＰパケットの一対一に対応する番号によって、上記ＩＰパケットに対応するルーティングエントリを特定する特定手段をさらに備えた、請求項１記載のＩＰ転送装置。
【請求項３】
検索手段によって検索されたＩＰパケットを廃棄する廃棄手段をさらに備えた、請求項１または請求項２記載のＩＰ転送装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るＩＰルーティング機能を持つＩＰ転送装置は、ＩＰパケットの宛先ＩＰアドレスと出力コネクションとの対応を記憶したルーティングテーブルのルーティングエントリに一意のルーティングエントリ番号を付与する付与手段と、ルーティングエントリを用いてルーティングされたＩＰパケットにルーティングエントリ番号と一対一に対応する番号を付与する対応付け手段と、シェーパバッファ内の送信待ち状態のＩＰパケットを一対一に対応する番号で検索する検索手段とを備えたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月27日(2005.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  入力されたｍ値データをｎ値（ただし、ｎ＜ｍ）データに変換する画像処理装置であって、
前記ｍ値データを所定の閾値に基づきｎ値化するｎ値化手段と、
前記ｎ値化手段によるｎ値化で生じた量子化誤差を隣接画素に分配する分配手段と、
有し、
前記ｎ値化手段は、量子化誤差が分配された隣接画素のｎ値化結果に応じて、注目画素のｎ値化における０を除く最小値を制御する制御手段を含むことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】 前記制御手段は、
前記隣接画素のｎ値化結果が所定値以上であるときは、前記０を除く最小値を第１の値に設定し、
前記隣接画素のｎ値化結果が所定値に満たないときは、前記０を除く最小値を前記第１の値より大きい第２の値に設定する、
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】 前記制御手段は、前記第２の値を、指定された出力解像度に応じた値に設定することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】 前記制御手段は、参照する隣接画素の注目画素に対する位置に応じて前記所定値の値を変更することを特徴とする請求項２または３に記載の画像処理装置。
【請求項５】 入力されたｍ値データをｎ値（ただし、ｎ＜ｍ）データに変換する画像処理方法であって、
前記ｍ値データを所定の閾値に基づきｎ値化するｎ値化ステップと、
前記ｎ値化ステップによるｎ値化で生じた量子化誤差を隣接画素に分配する分配ステップと、
を有し、
前記ｎ値化ステップは、量子化誤差が分配された隣接画素のｎ値化結果に応じて、注目画素のｎ値化における０を除く最小値を制御する制御ステップを含むことを特徴とする画像処理方法。
【請求項６】 前記制御ステップは、
前記隣接画素のｎ値化結果が所定値以上であるときは、前記０を除く最小値を第１の値に設定し、
前記隣接画素のｎ値化結果が所定値に満たないときは、前記０を除く最小値を前記第１の値より大きい第２の値に設定する、
ことを特徴とする請求項５に記載の画像処理方法。
【請求項７】 前記制御ステップは、前記第２の値を、指定された出力解像度に応じた値に設定することを特徴とする請求項６に記載の画像処理方法。
【請求項８】 前記制御ステップは、参照する隣接画素の注目画素に対する位置に応じて前記所定値の値を変更することを特徴とする請求項６または７に記載の画像処理方法。
【請求項９】 入力されたｍ値データをｎ値（ただし、ｎ＜ｍ）データに変換する画像処理装置を制御するためのプログラムであって、
前記ｍ値データを所定の閾値に基づきｎ値化するｎ値化ステップのコードと、
前記ｎ値化ステップによるｎ値化で生じた量子化誤差を隣接画素に分配する分配ステップのコードと、
を含み、
前記ｎ値化ステップのコードは、量子化誤差が分配された隣接画素のｎ値化結果に応じて、注目画素のｎ値化における０を除く最小値を制御する制御ステップのコードを含むことを特徴とするプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
プリンタの解像度が上がっていき、孤立点の再現が難しくなってきたとき、スクリーン処理の場合には前述したようにドットを集中化させることで対応できた。しかし、図２７に示したような誤差拡散系の処理の場合、同様な手法で改善することはできなかった。そこで、本件発明者は、２値の誤差拡散処理においてもスクリーン処理のようにドット集中化制御がおこなえる手法を既に提案している（例えば、特許文献１参照。）。