(57)【要約】【課題】エレクトロルミネセンス表示装置の発光効率を向上させること。【解決手段】本発明に係るエレクトロルミネセンス表示装置１００は、反射層１２１が、下部電極１２２と、エレクトロルミネセンス層１２３とが接触している領域Ｘに対応する位置に配置された画素内反射層１２６と、領域Ｘに対応する位置の外側に配置された画素外反射層１２７と、を有する。また、本発明に係るエレクトロルミネセンス表示装置５００は、一の画素５２０（Ｂ）に隣接する他の画素５２０（Ｒ）におけるエレクトロルミネセンス層５２３（Ｒ）の厚さが、一の画素５２０（Ｂ）が発する光の他の画素５２０（Ｒ）における反射率と、他の画素５２０（Ｒ）が発する光の輝度とが、共にピークを示す厚さである。【選択図】図１
2010135164.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一の面上に形成され、反射層と、下面電極と、エレクトロルミネセンス層と、上面電極とを有する複数の画素と、
前記画素に対向して配置された、一の方向の円偏光光を透過し、反対の方向の円偏光光を反射する円偏光反射板と、直線偏光光と円偏光光とを相互に変換する円偏光板とを有する偏光部材と、
を有し、
前記反射層が、
前記下面電極と、前記エレクトロルミネセンス層とが接触している領域に対応する位置に配置された画素内反射層と、
前記下面電極と、前記エレクトロルミネセンス層とが接触している領域に対応する位置の外側に配置された画素外反射層と、
を有するエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項２】
前記反射層は、前記画素内反射層と、前記画素外反射層とを一体に形成してなる請求項１記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項３】
前記画素外反射層は、前記下面電極以外の部材とは、電気的に接続されないことを特徴とする請求項２記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項４】
前記反射層は、前記画素内反射層と、前記画素外反射層とを別体に形成してなる請求項１記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項５】
前記画素外反射層は、前記画素内反射層が形成されている面と同じ面上に形成されている請求項４記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項６】
前記画素外反射層は、前記画素の上面に露出して形成されている請求項４記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項７】
前記画素外反射層は、前記上部電極の上面に形成されている請求項６記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項８】
前記反射層は、銀、アルミニウム、ロジウム、鉄、ニッケル及びクロムから選ばれる少なくとも一の成分を含む請求項１記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項９】
前記複数の画素間には、可視光に対し消衰係数が０．１５以下である画素分離層が設けられている請求項１記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項１０】
基板と、
前記基板の一の面上に形成され、反射層と、下面電極と、エレクトロルミネセンス層と、上面電極とを有する複数の画素と、
前記画素に対向して配置された、一の方向の円偏光光を透過し、反対の方向の円偏光光を反射する円偏光反射板と、直線偏光光と円偏光光とを相互に変換する円偏光板とを有する偏光部材と、
を有し、
一の画素に隣接する他の画素における前記エレクトロルミネセンス層の厚さが、
前記他の画素における前記エレクトロルミネンス層の厚さの変化に応じて変化する前記一の画素が発する光の前記他の画素における反射率と、
前記他の画素における前記エレクトロルミネンス層の厚さの変化に応じて変化する前記他の画素が発する光の輝度とが、
共にピークを示す厚さであるエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項１１】
前記他の画素における前記エレクトロルミネセンス層の厚さｔ２が、前記一の画素が発する光の主たる波長をλ１、前記他の画素が発する光の主たる波長をλ２、ｎ，ｍをそれぞれ正の自然数とした際に、
【数１】
2010135164.tif 000015
を満たすｎ，ｍについて、
【数２】
2010135164.tif 000016
を満たす請求項１０記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項１２】
前記一の画素は青色光を発光する画素であり、
前記他の画素は赤色光を発光する画素であり、
前記ｎ，ｍはそれぞれ
【数３】
2010135164.tif 000017
であるか、
【数４】
2010135164.tif 000018
のいずれかであることを特徴とする請求項１１記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネセンス表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄型軽量の自発光型の表示装置として、エレクトロルミネセンス表示装置が注目を浴び、実用化されつつある。エレクトロルミネセンス表示装置は、ガラス等の基板上に形成したエレクトロルミネセンス層に正負の電荷を注入し、電気エネルギーを光エネルギーに変換して発光する。このとき、等方的に生じる発光を効率よく基板前面に取り出すため、エレクトロルミネセンス層の下側に光を反射する反射層が設けられるが、この反射層はエレクトロルミネセンス表示装置に入射する外光も反射するため、いわゆる映り込みにより画面が見にくくなったり、黒表示が明るくなりコントラスト比が低下したりする。これを解消するため、円偏光板からなる反射防止フィルムをエレクトロルミネセンス表示装置の前面に貼付することが考えられるが、この円偏光板は特定の偏光を持たないエレクトロルミネセンス層からの発光の約半分を吸収してしまうため、エレクトロルミネセンス表示装置の発光効率が低下するという問題がある。
【０００３】
これを解決するため、特許文献１には、円偏光板に加え、さらに、一の方向の円偏光光を透過し、反対の方向の円偏光光を反射するコレステリック液晶層を付加したエレクトロルミネセンス表示装置が開示されている。同文献記載の発明では、円偏光板で吸収されてしまう円偏光光はコレステリック液晶層で反射し、さらに反射層で反射することにより偏光方向が逆転し、その結果、円偏光板を透過できるようになる。このようにすれば、円偏光板で吸収されていた円偏光光をもエレクトロルミネセンス表示装置の前面にとりだせるため、発光効率が向上する。
【特許文献１】特開２００２−２１５０６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述したとおり、エレクトロルミネセンス表示装置では、エレクトロルミネセンス層からの発光は等方的である。そのため、エレクトロルミネセンス基板に対し斜めに入射した光の中には、前述したコレステリック液晶層で反射させても再利用できないものが存在する。このことを、図８を参照して説明する。
【０００５】
図８は、従来のエレクトロルミネセンス表示装置８００の構造を示す模式断面図である。エレクトロルミネセンス表示装置８００は、ガラス等からなる基板８０１上に、ＴＦＴ（薄層トランジスタ）８１０が多数形成されており、各ＴＦＴ８１０は、同じく基板８０１上に形成された画素８２０の点灯又は消灯を制御する。図中符号８０２はゲート絶縁層、符号８０３は層間絶縁層、符号８０４は絶縁性の保護層であり、符号８１１はポリシリコンからなるチャネル、符号８１２はゲート電極、符号８１３はソース電極、符号８１４はドレイン電極である。保護層８０４の上には、金属層からなる反射電極８２１、下部電極８２２、エレクトロルミネセンス層８２３、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）等の導電性透明薄膜からなる上部電極８２４からなる画素８２０が形成されている。ここで、反射電極８２１は、ドレイン電極８１４に電気的に接続されており、下部電極８２２に正電荷を供給すると共に、その表面で光線を反射することができる。エレクトロルミネセンス層８２３は、その内部で、下部電極８２２から供給された正孔と上部電極８２４から供給された電子が結合することにより、その材質に応じた波長の光を発する。図中左側に示した画素８２０（Ｂ）は青色光を発する画素、図中右側に示した画素８２０（Ｒ）は赤色光を発する画素である。また、各画素８２０は、絶縁性の画素分離層８０５により隔てられている。
【０００６】
さらに、基板８０１の上部には、ガラス等からなる透明な封止基板８３０が設けられており、基板８０１との空間８４０には、窒素ガスなどの不活性ガスと、図示しない乾燥剤が封入されている。封止基板８３０には、コレステリック液晶からなる円偏光反射板８３１、１／４波長板８３２、直線偏光板８３３が設けられている。そして、円偏光反射板８３１は、一の方向の円偏光光を透過し、反対の方向の円偏光光を反射する性質を有している。また、１／４波長板８３２と直線偏光板８３３は円偏光板８３４を構成しており、図中上部から入射する光の特定の直線偏光成分のみを特定の方向の円偏光光に変換して透過するとともに、図中下部から入射する光の特定の方向の円偏光光のみを特定の直線偏光光に変換して透過し、残りは吸収する。円偏光板８３４と円偏光反射板８３１は、偏光部材８３５を構成している。
【０００７】
なお、図示したような、基板８０１の画素８２０が形成されている方向に光を取り出す形式は一般にトップエミッション方式と呼ばれている。また、エレクトロルミネセンス層８２３の材質が有機材料であるものは特に、有機エレクトロルミネセンス表示装置と呼ばれることが多い。
【０００８】
ここで、画素８２０（Ｂ）のエレクトロルミネセンス層８２３からの光には、図中Ａで示したように基板８０１に対し斜めに出射するものがある。これらの光は、特定の偏光成分を持っていない。そのため、光Ａが偏光部材８３５に到達すると、円偏光反射板８３１を透過できる方向の円偏光成分の光のみが偏光部材８３５を透過し、図中Ｂで示す直線偏光光となってエレクトロルミネセンス表示装置８００の前面に取り出される。一方、円偏光反射板８３１を透過できない円偏光成分の光は、図中Ｃ、Ｄに示すように反射される。
【０００９】
このとき、光Ｃは、円偏光反射板８３１で反射したあと、画素分離層８０５に入射する。このとき、画素分離層８０５の下部には反射電極８２１が存在しないため、光Ｃは再び反射されることなく吸収されてしまい、エレクトロルミネセンス表示装置８００の前面にほとんど取り出すことができない。
【００１０】
また、光Ｄは、画素８２０（Ｂ）に隣接する画素８２０（Ｒ）に入射する。このとき、画素８２０（Ｒ）の下には画素８２０（Ｂ）同様に反射電極８２１が形成されているにもかかわらず、光Ｄを反射させ十分に取り出すことはできない。なぜなら、エレクトロルミネセンス層８２３は、その発する光の主たる波長にあわせて層厚が定められているため、画素８２０（Ｂ）と画素８２０（Ｒ）におけるエレクトロルミネセンス層８２３の層厚は異なり、画素８２０（Ｂ）を発した青色光は、画素８２０（Ｒ）におけるエレクトロルミネセンス層８２３で光学的な干渉を受け減衰してしまうのである。
【００１１】
なお、「主たる波長」とは、その画素８２０におけるエレクトロルミネセンス層８２３が発する光のうち、最も強度の強い波長を指すものとする。
【００１２】
図９は、赤色の画素８２０（Ｒ）におけるエレクトロルミネセンス層８２３での光の反射率を示すグラフである。ここで横軸は、エレクトロルミネセンス層８２３に入射する光の波長λ［ｎｍ］、縦軸は反射率Ｒ［％］であり、エレクトロルミネセンス層８２３の層厚は７５０［ｎｍ］とした。
【００１３】
同図にハッチングで示すように、青色光である光の波長が４５０［ｎｍ］前後の領域では、反射率Ｒは非常に低い。すなわち、画素８２０（Ｒ）に入射した画素８２０（Ｂ）からの光Ｄはほとんど回収できないのである。
【００１４】
以上の説明から理解できるとおり、特定の画素８２０から出射し、円偏光反射板８３１で反射された光のうち、画素分離層８０５に到達するもの、隣接する画素８２０に到達するものを、エレクトロルミネセンス表示装置８００の前面に効率よく取り出すことができれば、その発光効率をさらに向上させることが期待できる。
【００１５】
本発明はかかる観点に鑑みてなされたものであって、その目的は、エレクトロルミネセンス表示装置の発光効率を向上させることである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本出願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１７】
（１）基板と、前記基板の一の面上に形成され、反射層と、下面電極と、エレクトロルミネセンス層と、上面電極とを有する複数の画素と、前記画素に対向して配置された、一の方向の円偏光光を透過し、反対の方向の円偏光光を反射する円偏光反射板と、直線偏光光と円偏光光とを相互に変換する円偏光板とを有する偏光部材と、を有し、前記反射層が、前記下面電極と、前記エレクトロルミネセンス層とが接触している領域に対応する位置に配置された画素内反射層と、前記下面電極と、前記エレクトロルミネセンス層とが接触している領域に対応する位置の外側に配置された画素外反射層と、を有するエレクトロルミネセンス表示装置。
【００１８】
（２）（１）において、前記反射層は、前記画素内反射層と、前記画素外反射層とを一体に形成してなるエレクトロルミネセンス表示装置。
【００１９】
（３）（２）において、前記画素外反射層は、前記下面電極以外の部材とは、電気的に接続されないことを特徴とするエレクトロルミネセンス表示装置。
【００２０】
（４）（１）において、前記反射層は、前記画素内反射層と、前記画素外反射層とを別体に形成してなるエレクトロルミネセンス表示装置。
【００２１】
（５）（４）において、前記画素外反射層は、前記画素内反射層が形成されている面と同じ面上に形成されているエレクトロルミネセンス表示装置。
【００２２】
（６）（４）において、前記画素外反射層は、前記画素の上面に露出して形成されているエレクトロルミネセンス表示装置。
【００２３】
（７）（６）において、前記画素外反射層は、前記上部電極の上面に形成されているエレクトロルミネセンス表示装置。
【００２４】
（８）（１）において、前記反射層は、銀、アルミニウム、ロジウム、鉄、ニッケル及びクロムから選ばれる少なくとも一の成分を含むエレクトロルミネセンス表示装置。
【００２５】
（９）（１）において、前記複数の画素間には、可視光に対し消衰係数が０．１５以下である画素分離層が設けられているエレクトロルミネセンス表示装置。
【００２６】
（１０）基板と、前記基板の一の面上に形成され、反射層と、下面電極と、エレクトロルミネセンス層と、上面電極とを有する複数の画素と、前記画素に対向して配置された、一の方向の円偏光光を透過し、反対の方向の円偏光光を反射する円偏光反射板と、直線偏光光と円偏光光とを相互に変換する円偏光板とを有する偏光部材と、を有し、一の画素に隣接する他の画素における前記エレクトロルミネセンス層の厚さが、前記他の画素における前記エレクトロルミネンス層の厚さの変化に応じて変化する前記一の画素が発する光の前記他の画素における反射率と、前記他の画素における前記エレクトロルミネンス層の厚さの変化に応じて変化する前記他の画素が発する光の輝度とが、共にピークを示す厚さであるエレクトロルミネセンス表示装置。
【００２７】
（１１）（１０）において、前記他の画素における前記エレクトロルミネセンス層の厚さｔ２が、前記一の画素が発する光の主たる波長をλ１、前記他の画素が発する光の主たる波長をλ２、ｎ，ｍをそれぞれ正の自然数とした際に、
【数１】
2010135164.tif 000003
を満たすｎ，ｍについて、
【数２】
2010135164.tif 000004
を満たすエレクトロルミネセンス表示装置。
【００２８】
（１２）（１１）において、前記一の画素は青色光を発光する画素であり、前記他の画素は赤色光を発光する画素であり、前記ｎ，ｍはそれぞれ
【数３】
2010135164.tif 000005
であるか、
【数４】
2010135164.tif 000006
のいずれかであることを特徴とするエレクトロルミネセンス表示装置。
【発明の効果】
【００２９】
以上の本出願において開示される発明によれば、エレクトロルミネセンス表示装置の発光効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下本発明の好適な第１の実施形態を図面を参照しつつ説明する。
【００３１】
図１は、第一の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置１００の構造を示す模式断面図である。本実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置１００も従来のエレクトロルミネセンス表示装置８００（図８参照）同様、ガラス等からなる基板１０１上に多数形成されたＴＦＴ１１０により、同じく基板１０１上に形成された画素１２０の点灯又は消灯を制御する。
【００３２】
図中符号１０２はゲート絶縁層、符号１０３は層間絶縁層、符号１０４は保護層、符号１０５は画素分離層であり、符号１０６は絶縁性の平坦化層である。また、符号１１１はポリシリコン等からなるチャネル、符号１１２はゲート電極、符号１１３及び１１４はそれぞれソース電極、ドレイン電極である。なお、図中ドレイン電極１１４は二箇所に示されているが、両者は電気的に接続されている。さらに、符号１２１は反射層、符号１２２はソース電極に接続された下部電極であり、エレクトロルミネセンス層１２３に電子を供給する。符号１２４はＩＴＯなどの導電性透明薄層からなる上部電極であり、エレクトロルミネセンス層１２３に正孔を供給する。上部電極１２４とドレイン電極１１４とは、中間電極１２５を介して電気的に接続されている。本実施形態では、図示するように反射層１２１に電極としての役割はないが、従来のエレクトロルミネセンス表示装置８００のように、反射層１２１を介してソース電極１１３と下部電極１２２を接続するようにしても良い。また、反射層１２１は可視光の反射率の高いものが好ましく、好適には、銀、アルミニウム、ロジウム、鉄、ニッケル又はクロムからなる層や、二以上のこれらの成分からなる合金、あるいは、すくなくともこれらの成分を含む金属層を用いることができる。
【００３３】
封止基板１３０はガラスやプラスチックなどの透明基板であり、その上には円偏光反射板１３１、１／４波長板１３２、直線偏光板１３３が設けられている。１／４波長板１３２及び直線偏光板１３３は円偏光板１３４を、円偏光板１３４と円偏光反射板１３１は偏光部材１３５を構成している。封止基板１３０と基板１０１との空間１４０には窒素ガスなどの不活性ガスと、図示しない乾燥剤が封入されており、水分や酸素によりエレクトロルミネセンス層１２３が劣化するのを防いでいる。
【００３４】
ここで、エレクトロルミネセンス層１２３は、下部電極１２２と接している領域（図中Ｘ）において電子を注入され発光する。本実施形態では、反射層１２１は、領域Ｘに対応する位置に形成された画素内反射層１２６に加え、領域Ｘに対応する位置の外側に一体に延びる画素外反射層１２７を有している。
【００３５】
本実施形態において、エレクトロルミネセンス層１２３から基板に対し斜めに出射した光Ａは、その一部がエレクトロルミネセンス表示装置１００の前面に光Ｂとして取り出され、残りは光Ｃとして反射し、図示したように画素分離層１０５に入射する。このとき、画素分離層１０５の下部には画素外反射層１２７が形成されているため、光Ｃは画素外反射層１２７で反射し、その円偏光方向を反転させ、偏光部材１３５を透過してエレクトロルミネセンス表示装置１００の前面に取り出されるのである。このため、エレクトロルミネセンス表示装置１００の発光効率が向上する。このとき、画素外反射層１２７は、短絡を防ぐため、下部電極１２２以外の部材、特に中間電極１２５とは電気的に接続されないようにしなければならない。また、画素分離層１０５による光Ｃの吸収を抑えるため、画素分離層１０５の材質は、可視光に対し消衰係数が０．１５以下であることが好ましく、より好ましくは０．１０以下、さらに好ましくは０．０８以下とする。
【００３６】
本実施形態は、画素内反射層１２６と画素外反射層１２７を同時に形成することができるため、反射層１２１を形成する際のマスク形状を変更するだけで実現でき、製造コストが低い。また、本実施形態では、画素外反射層１２７の一部は下部電極１２２に覆われておらず、画素分離層１０５に対し露出しているが、これは、一般に下部電極１２２の透明性が低いためである。しかしながら、画素外反射層１２７の前面を下部電極１２２で覆うようにしても良い。
【００３７】
なお、ゲート絶縁層１０２、層間絶縁層１０３、保護層１０４、画素分離層１０５及び平坦化層１０６等の絶縁性の層については、製造上の理由や構造の差異などにより適宜省略や追加をしてもよい。また、エレクトロルミネセンス層１２３を画素分離層１０５上には作成せず、領域Ｘにのみ作成するようにしても良い。さらに、本実施形態では、上部電極１２４をドレイン電極１１４に、下部電極１２２をソース電極１１３に接続したが、これを逆にすることもできる。また、画素外反射層１２７は、エレクトロルミネセンス表示装置１００の全ての画素１２０について設けても良いし、特定の画素１２０にのみ設けてもよい。例えば、青色など輝度が低い特定の色を発する画素１２０にのみ設けることができる。
【００３８】
次に、本発明の好適な第２の実施形態を説明する。
【００３９】
図２は、第２の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置２００の構造を示す模式断面図である。エレクトロルミネセンス表示装置２００は、反射層２２１の構造が異なっているほかは第１の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置１００と同様であるから、共通する部分についてはその詳細な説明を省略する。
【００４０】
本実施形態では、図示するように、画素内反射層２２６と画素外反射層２２７とが別体に形成されており、両者は電気的に接続しない。このようにしても、画素分離層２０５に入射した光Ｃをエレクトロルミネセンス表示装置２００の前面に取り出すことができる。
【００４１】
本実施形態では、仮に画素外反射層２２７が下部電極２２２以外の部材、例えば中間電極２２５と短絡しても動作に影響はなく、エレクトロルミネセンス表示装置２００の信頼性が高い。また、画素内反射層２２６と画素外反射層２２７を同時に形成することができるため、反射層２２１を形成する際のマスク形状を変更するだけで実現でき、製造コストが低い。
【００４２】
続いて、本発明の好適な第３の実施形態を説明する。
【００４３】
図３は、第３の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置３００の構造を示す模式断面図である。エレクトロルミネセンス表示装置３００も、反射層３２１の構造が異なっているほかは第１の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置１００と同様であるから、共通する部分についてはその詳細な説明を省略する。
【００４４】
本実施形態では、図示するように、画素外反射層３２７が画素分離層３０５の上面に形成されている。このようにしても、画素分離層３０５に入射した光Ｃをエレクトロルミネセンス表示装置３００の前面に取り出すことができる。
【００４５】
本実施形態では、光Ｃが画素分離層３０５を透過しないため、第１及び第２の実施の形態に比べ、光Ｃの減衰が少なく、エレクトロルミネセンス表示装置３００の発光効率をより高めることができる。
【００４６】
続いて、本発明の好適な第４の実施形態を説明する。
【００４７】
図４は、第４の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置４００の構造を示す模式断面図である。エレクトロルミネセンス表示装置４００も、反射層４２１の構造が異なっているほかは第１の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置１００と同様であるから、共通する部分についてはその詳細な説明を省略する。
【００４８】
本実施形態では、図示するように、画素外反射層４２７が上部電極４２４の上面に露出するように形成されている。このようにすると、光Ｃは基板４０１上に形成した層を透過することなく画素外反射層４２７で反射するため減衰がほとんどなく、第３の実施の形態に比べ、エレクトロルミネセンス表示装置４００の発光効率をさらに高めることができる。また、画素外反射層４２７自身の電気抵抗は小さいため、比較的比抵抗の大きい上部電極４２４の電気抵抗を下げることができる。
【００４９】
続いて、本発明の好適な第５の実施形態を説明する。
【００５０】
図５は、第５の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置５００の構造を部分的に示す模式断面図である。同図は簡便のため、下部に青色光を発する画素５２０（Ｂ）を左側に、画素５２０（Ｂ）に隣接し、赤色光を発する画素５２０（Ｒ）を右側に要部のみを抜き出して示している。図中には、平坦化層５０６、反射層５２１、下部電極５２２、画素分離層５０５及び上部電極５２４が示されている。また、画素５２０上部には窒素ガス及び図示しない乾燥剤が充填された空間５４０を隔てて、封止基板５３０及び偏光部材５３５が配置されている。
【００５１】
ここで、画素５２０（Ｂ）のエレクトロルミネセンス層５２３（Ｂ）の層厚をｔ１、画素５２０（Ｒ）のエレクトロルミネセンス層５２３（Ｒ）の層厚をｔ２とし、画素５２０（Ｂ）が発する青色光の主たる波長をλ１、画素５２０（Ｒ）が発する赤色光の主たる波長をλ２とする。また、同図は、画素５２０（Ｂ）から斜めに出射した光Ａの一部が光Ｂとしてエレクトロルミネセンス表示装置５００の前面に取り出され、残りの光Ｄが画素５２０（Ｂ）に隣接する画素（Ｒ）に入射している様子を示している。
【００５２】
前述したように、光Ｄはエレクトロルミネセンス層５２３（Ｒ）と干渉するため、光Ｄを効率よく反射させるためには層厚ｔ２を、画素５２０（Ｂ）が発する青色光に対して適宜設定しなければならない。しかし、エレクトロルミネセンス層５２３（Ｒ）は、画素５２０（Ｒ）が発する赤色光に対しても干渉を示し、その層厚によって画素５２０（Ｒ）自身の輝度が変化するため、エレクトロルミネセンス層５２３（Ｒ）の層厚を定めるに際しては、両者を勘案しなければならない。
【００５３】
図６はエレクトロルミネセンス層５２３（Ｒ）の層厚ｔ２と、反射率Ｒ、輝度Ｌおよび色度変化量Δｘとの関係を示す図である。なお、同図に示す層厚ｔ２は光学膜厚に換算した値である。
【００５４】
（ａ）は、画素５２０（Ｂ）からの青色光の波長λ１を４５０［ｎｍ］としたときの、画素５２０（Ｒ）における青色光の反射率Ｒ［％］を層厚ｔ２に対して示したグラフである。同グラフから読み取れるように、反射率Ｒは光学的な効果により、層厚ｔ２の変化に伴い周期的に変化し、その極大値はおおむね、
【数５】
2010135164.tif 000007
となる近辺に現れる。ここで、ｎは１以上の自然数である。
【００５５】
また、（ｂ）は、画素５２０（Ｒ）からの赤色光の波長λ２を６００［ｎｍ］としたときの、画素５２０（Ｒ）の輝度Ｌを層厚ｔ２に対して示したグラフである。同グラフから読み取れるように、輝度もまた光学的な効果により、層厚ｔ２の変化に伴い周期的に変化し、その極大値はおおむね
【数６】
2010135164.tif 000008
となる近辺に現れる。ここで、ｍは１以上の自然数である。
【００５６】
すなわち、式（１）と式（２）とを同時に満たすように層厚ｔ２を定めれば、反射率Ｒの高さと輝度Ｌの高さを両立できる。言い換えれば、一の画素である画素５２０（Ｂ）が発する光の、隣接する他の画素である画素５２０（Ｒ）における反射率と、他の画素である画素５２０（Ｒ）が発する光の輝度とが、ともにピークを示すように他の画素である画素５２０（Ｒ）のエレクトロルミネセンス層５２３（Ｒ）の層厚ｔ２を定めることにより、他の画素である画素５２０（Ｒ）の発光の輝度を確保しつつ、一の画素である画素５２０（Ｂ）から出射した光Ｄを効率よく反射させ、エレクトロルミネセンス表示装置５００の前面に取り出すことができる。
【００５７】
ところで、波長λ１及び波長λ２、層厚ｔ２は材料の物性のばらつきや製造上の誤差により多少変動する。このことと、実用上の性能とを考慮すると、層厚ｔ２を定める際には±２０［ｎｍ］程度の誤差を許容して差し支えない。許容誤差を考慮して式（１）及び式（２）を書き換えると、層厚ｔ２は結局、
【数７】
2010135164.tif 000009
を満たすｎ，ｍについて、
【数８】
2010135164.tif 000010
を満たすように定めればよいことになる。なお、ここでは許容誤差を±２０［ｎｍ］としたが、より好ましくは±１５［ｎｍ］とすればよく、さらに好ましくは±１０［ｎｍ］とする。その場合、式（３）及び式（４）の右辺の値を変更すればよい。
【００５８】
図６（ａ）及び（ｂ）を見れば、ハッチングで示した層厚ｔ２が４５０［ｎｍ］付近で反射率Ｒ、輝度Ｌともに高い値を示していることがわかる。この場合、
【数９】
2010135164.tif 000011
であるから、ｎ，ｍはそれぞれ、
【数３】
2010135164.tif 000012
である。
【００５９】
また、図６中（ｃ）は、画素５２０（Ｒ）が発する光の色の変化を、ＣＩＥｘｙ色度図におけるｘ座標値における基準値に対する色度変化量Δｘとして、層厚ｔ２に対し示したグラフである。一般にｘ値が大きいと赤色が強いことを示すが、ハッチングで示した層厚ｔ２が４５０［ｎｍ］付近では、色目に大きな変化はないことがわかる。
【００６０】
図７は、種々のｎ，ｍに対し反射率Ｒ及び輝度Ｌが極大値を示す層厚ｔ２を示した表である。同表中太枠で示したとおり、前述した
【数３】
2010135164.tif 000013
において、層厚ｔ２が４５０［ｎｍ］と一致した値を示すことがわかる。
【００６１】
さらに、同表中破線太枠で示したとおり、
【数４】
2010135164.tif 000014
においても、層厚ｔ２が１３５０［ｎｍ］と一致した値を示し、反射率Ｒ及び輝度Ｌを共に高い値にすることができることがわかる。
【００６２】
さらに厚い層厚ｔ２についても式（３）を満たすｎ，ｍは存在するが、層厚ｔ２が厚くなると、エレクトロルミネセンス層５２３（Ｒ）の積層に時間がかかり、製造コストの増大を招くおそれがある。
【００６３】
なお、本実施形態では、青色光を出射する画素５２０（Ｂ）に隣接し、赤色光を出射する画素５２０（Ｒ）のエレクトロルミネセンス層５２３（Ｒ）の層厚を特定の値に定めることにより、青色光の反射率を高めるようにしたが、これは、一般に現状のエレクトロルミネセンス表示装置では、青色光の輝度が赤色光及び緑色光の輝度に比して低く、また、緑色画素における青色光の反射率は材料特性により比較的高いためである。しかしながら、画素の色の組み合わせはこれに限られない。たとえば、画素５２０（Ｒ）から出射した光の反射率を高めるよう、エレクトロルミネセンス層５２３（Ｂ）の層厚ｔ１をさらに定めてもよく、また、緑色光を出射する画素との組み合わせにおいてエレクトロルミネセンス層５２３の層厚を定めてもよい。また、赤、緑、青の三原色による色の組み合わせだけでなく、他の色を用いるエレクトロルミネセンス表示装置であってもかまわない。
【００６４】
また、本実施形態では反射層５２１の形状について限定はしないが、第１〜第４の実施形態において説明した反射層５２１の構造を採用してよいことは当然である。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】第１の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置の構造を示す模式断面図である。
【図２】第２の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置の構造を示す模式断面図である。
【図３】第３の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置の構造を示す模式断面図である。
【図４】第４の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置の構造を示す模式断面図である。
【図５】第５の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置の構造を部分的に示す模式断面図である。
【図６】エレクトロルミネセンス層の層厚と、反射率、輝度及び色度変化との関係を示す図である。
【図７】種々のｎ，ｍに対し反射率Ｒ及び輝度Ｌが極大値を示す層厚を示した表である。
【図８】従来のエレクトロルミネセンス表示装置の構造を示す模式断面図である。
【図９】赤色の画素におけるエレクトロルミネセンス層での光の反射率を示すグラフである。
【符号の説明】
【００６６】
１００，２００，３００，４００，５００，８００  エレクトロルミネセンス表示装置、１０１，４０１，８０１  基板、１０２，８０２  ゲート絶縁層、１０３，８０３  層間絶縁層、１０４，８０４  保護層、１０５，２０５，３０５，５０５，８０５  画素分離層、１０６，５０６  平坦化層、１１０，８１０  ＴＦＴ、１１１，８１１  チャネル、１１２，８１２  ゲート電極、１１３，８１３  ソース電極、１１４，８１４  ドレイン電極、１２０，５２０，８２０  画素、１２１，２２１，３２１，４２１，５２１  反射層、１２２，２２２，５２２，８２２  下部電極、１２３，５２３，８２３  エレクトロルミネセンス層、１２４，４２４，５２４，８２４  上部電極、１２５，２２５  中間電極、１２６，２２６  画素内反射層、１２７，２２７，３２７，４２７  画素外反射層、１３０，５３０，８３０  封止基板、１３１，８３１  円偏光反射板、１３２，８３２  １／４波長板、１３３，８３３  直線偏光板、１３４，８３４  円偏光板、１３５，５３５，８３５  偏光部材、１４０，５４０，８４０  空間、８２１  反射電極。
【図１】
2010135164.tif 000019
【図２】
2010135164.tif 000020
【図３】
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【図４】
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【図５】
2010135164.tif 000023
【図６】
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【図７】
2010135164.tif 000025
【図８】
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【図９】
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