(57)【要約】【課題】高品質な磁気転写を行うことができ、高品質な磁気記録媒体の磁化状態を実現できる磁気転写用マスター担体、これを用いた磁気転写方法、及び磁気記録媒体の提供。【解決手段】本発明の磁気転写用マスター担体は、垂直磁気記録方式の磁気記録媒体上に配置され、磁場が印加されることにより該磁気記録媒体に転写される磁気情報に対応した凹凸パターンが形成された磁気転写用マスター担体であって、前記凹凸パターンにおける凸部の円周方向の長さ（Ｌａ）と、前記凸部及び該凸部に隣接する他の凸部の間のスペースの円周方向の長さ（Ｓａ）とが、１．３≦（Ｓａ／Ｌａ）≦１．９の関係を満たし、前記凹凸パターンにおける円周方向の周期長（Ｌａ＋Ｓａ）が、５０ｎｍ以上１４５ｎｍ以下であることを特徴とする。【選択図】図２Ａ
2010086607.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直磁気記録方式の磁気記録媒体上に配置され、磁場が印加されることにより該磁気記録媒体に転写される磁気情報に対応した凹凸パターンが形成された磁気転写用マスター担体であって、
前記凹凸パターンにおける凸部の円周方向の長さ（Ｌａ）と、前記凸部及び該凸部に隣接する他の凸部の間のスペースの円周方向の長さ（Ｓａ）とが、１．３≦（Ｓａ／Ｌａ）≦１．９の関係を満たし、
前記凹凸パターンにおける円周方向の周期長（Ｌａ＋Ｓａ）が、５０ｎｍ以上１４５ｎｍ以下であることを特徴とする磁気転写用マスター担体。
但し、前記凸部の円周方向の長さ（Ｌａ）は、前記凸部の高さの５０％の高さにおける前記凸部の円周方向の幅を示し、前記スペースの円周方向の長さ（Ｓａ）は、前記凸部の高さの５０％の高さにおける前記スペースの円周方向の幅を示す。
【請求項２】
垂直磁気記録媒体を、垂直方向に初期磁化させる初期磁化工程と、
前記初期磁化工程後の垂直磁気記録媒体に対して、前記請求項１に記載の磁気転写用マスター担体を密着させる密着工程と、
前記垂直磁気記録媒体と前記磁気転写用マスター担体とを密着させた状態で、前記初期磁化と逆方向の垂直磁界を印加し、前記垂直磁気記録媒体に磁気情報を転写する磁気転写工程と、を含むことを特徴とする磁気転写方法。
【請求項３】
初期磁化工程において印加した磁界の周波数（ＦＩ）と、磁気転写工程において印加した磁界の周波数（ＦＰ）とが、ＦＩ≦ＦＰの関係式を満たす請求項２に記載の磁気転写方法。
【請求項４】
磁気転写工程において印加した磁界の周波数（ＦＰ）が、５Ｈｚ以上２５Ｈｚ以下である請求項３に記載の磁気転写方法。
【請求項５】
初期磁化工程において印加した磁界の周波数（ＦＩ）が、０．１Ｈｚ以上５Ｈｚ以下である請求項３から４のいずれかに記載の磁気転写方法。
【請求項６】
請求項２から５のいずれかに記載の磁気転写方法によりサーボ信号が記録されたことを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録媒体に情報を磁気転写する磁気転写用マスター担体、これを用いた磁気転写方法、及び磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報を高密度で記録可能な磁気記録媒体として、垂直磁気記録媒体が知られている。この垂直磁気記録媒体の情報記録領域は、狭トラックで構成されている。そのため、垂直磁気記録媒体では、狭いトラック幅において正確に磁気ヘッドを走査し、高いＳ／Ｎ比で信号を再生するためのトラッキングサーボ技術が重要となる。このトラッキングサーボを行うためには、トラッキング用のサーボ信号、アドレス情報信号、再生クロック信号等のサーボ情報を、所定間隔で垂直磁気記録媒体に、いわゆるプリフォーマットとして記録しておく必要がある。
【０００３】
垂直磁気記録媒体に、サーボ情報をプリフォーマットする方法としては、例えば、サーボ情報に対応した、磁性層を含むパターンが形成されたマスター担体を、該磁気記録媒体に密着させた状態で記録用磁界（転写磁界）を印加し、マスター担体のパターンを磁気記録媒体に磁気転写する方法がある（例えば、特許文献１〜３参照）。
この方法において、該磁気記録媒体にマスター担体を密着させた状態で転写磁界が印加されると、磁束がマスター担体の磁化状態に基づきパターン上の磁性層に吸収され、磁界がパターンの凹凸形状に対応し強められる。このパターン状に強められた磁界によって、磁気記録媒体の所定箇所のみが磁化される。よって、これまでは高飽和磁化を有する磁性材料が積極的にマスター磁性層材料として使用されてきた。
【０００４】
ところで、上記マスター担体の磁性層は、数十ナノメータ程度であり、非常に薄い。そのため転写磁界を印加すると、該磁性層内に強い反磁界が発生する。反磁界が強くなると、高飽和磁化を有する磁性材料を使用しても、実効的な磁性層への印加磁界が減少し、凹凸磁性層は未飽和状態となる。これまでは、転写磁界強度を確保するために外部印加磁界をより高め、実効的な磁性層への印加磁界を高めることで磁性層を飽和状態に近づけようとした。しかし、印加磁界を高めることによる磁性層磁化増加率は、印加磁界強度と比例関係にあるため、実質的に低飽和磁化材料に強磁界を印加した状態と同等な状況となる。凸部上の転写磁場強度は強くなり、垂直磁気記録媒体の磁化は、ほぼ飽和した状態となるが、凹部上の転写磁界強度も強くなり、凹凸間の転写磁界強度差が小さくなる。凹凸間の転写磁界強度差が小さい状態でサーボ情報を磁気記録媒体に転写すると、磁化されるべきでない箇所（凹部）で磁化反転が発生し、その記録信号の品位が劣化し、問題となる。
【０００５】
上記問題の発生を抑制するためには、少なくとも転写磁界を印加した状態においては、マスター担体の磁性層自身が所望の転写磁界強度にて飽和した状態となり、磁化値が大きくなっている必要がある。
特に、磁気記録媒体を磁化するのに最低限必要な強さの転写磁界によって、マスター担体の磁性層自身の磁化値を充分に大きくすることができれば、凹凸間の転写磁界強度差を大きくすることができ、好ましいと言える。
【０００６】
このような事情等により、マスター磁性層のパターン断面を変更し、適切な転写磁界強度で該磁性層が実効的に磁性層の面に対し飽和磁化させることで、該転写磁界によって、該磁性層の磁化値を大きくして、高品質な磁気転写を行うことができ、高品質な磁気記録媒体の磁化状態を実現できるものと考えられた。
また、磁気記録媒体は、印加する交流磁界の周波数により、動的保磁力が変化することが知られている。そこで、これまで転写磁界として直流磁界も用いてきたが、初期化、及び磁気転写工程での印加磁界を交流磁界とし、周波数を変更することで、磁気記録媒体の磁化挙動を変えて、高品質な磁気転写を行うことができ、高品質な磁気記録媒体の磁化状態を実現できるものと考えられた。
【０００７】
磁気転写に使用されるマスター磁性層材料により、マスター担体の凹凸パターンに対応して垂直磁気記録媒体部分に発生する磁界差が決定される。よって、マスター磁性層材料及び磁気記録媒体の磁気特性を考慮した上で、マスター担体の寸法及び磁気転写プロセスの設計を行う必要がある。
マスター担体の寸法の設計として、凹凸形状パターンの両側の傾斜部を含めた凹部の幅に対する凸部の先端部の幅の比が０．４以下であることが開示されている（例えば、特許文献４参照）。しかしながら、この設計のみでは、安定して十分な信号品位を確保することができない。
また、磁気転写プロセスの設計として、交流磁界を用いた磁気転写が開示されている（例えば、特許文献５及び６参照）。しかしながら、これらは、面内磁気記録媒体に関する技術であり、垂直磁気記録媒体に関する技術ではない。
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−２０３３２５号公報
【特許文献２】特開２０００−１９５０４８号公報
【特許文献３】米国特許第７２１８４６５Ｂ１号明細書
【特許文献４】特開２００８−４１１８３号公報
【特許文献５】特許第４０１２３３４号公報
【特許文献６】特開平１０−４０５４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、前記従来における諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。
即ち、本発明は、安定した高品質な磁気転写を行うことができ、高品質な磁気記録媒体の磁化状態を実現できる磁気転写用マスター担体、これを用いた磁気転写方法、及び磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するための手段は、以下の通りである。即ち、
＜１＞  垂直磁気記録方式の磁気記録媒体上に配置され、磁場が印加されることにより該磁気記録媒体に転写される磁気情報に対応した凹凸パターンが形成された磁気転写用マスター担体であって、前記凹凸パターンにおける凸部の円周方向の長さ（Ｌａ）と、前記凸部及び該凸部に隣接する他の凸部の間のスペースの円周方向の長さ（Ｓａ）とが、１．３≦（Ｓａ／Ｌａ）≦１．９の関係を満たし、前記凹凸パターンにおける円周方向の周期長（Ｌａ＋Ｓａ）が、５０ｎｍ以上１４５ｎｍ以下であることを特徴とする磁気転写用マスター担体である。
但し、前記凸部の円周方向の長さ（Ｌａ）は、前記凸部の高さの５０％の高さにおける前記凸部の円周方向の幅を示し、前記スペースの円周方向の長さ（Ｓａ）は、前記凸部の高さの５０％の高さにおける前記スペースの円周方向の幅を示す。
＜２＞  垂直磁気記録媒体を、垂直方向に初期磁化させる初期磁化工程と、前記初期磁化工程後の垂直磁気記録媒体に対して、前記＜１＞に記載の磁気転写用マスター担体を密着させる密着工程と、前記垂直磁気記録媒体と前記磁気転写用マスター担体とを密着させた状態で、前記初期磁化と逆方向の垂直磁界を印加し、前記垂直磁気記録媒体に磁気情報を転写する磁気転写工程と、を含むことを特徴とする磁気転写方法である。
＜３＞  初期磁化工程において印加した磁界の周波数（ＦＩ）と、磁気転写工程において印加した磁界の周波数（ＦＰ）とが、ＦＩ≦ＦＰの関係式を満たす前記＜２＞に記載の磁気転写方法である。
＜４＞  磁気転写工程において印加した磁界の周波数（ＦＰ）が、５Ｈｚ以上２５Ｈｚ以下である前記＜３＞に記載の磁気転写方法である。
＜５＞  初期磁化工程において印加した磁界の周波数（ＦＩ）が、０．１Ｈｚ以上５Ｈｚ以下である前記＜３＞から＜４＞のいずれかに記載の磁気転写方法である。
＜６＞  前記＜２＞から＜５＞のいずれかに記載の磁気転写方法によりサーボ信号が記録されたことを特徴とする磁気記録媒体である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、前記従来における諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、安定した高品質な磁気転写を行うことができ、高品質な磁気記録媒体の磁化状態を実現できる磁気転写用マスター担体、これを用いた磁気転写方法、及び磁気記録媒体を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の一実施形態に係る磁気転写用マスター担体について説明する。
【００１３】
先ず、図１Ａ〜Ｃを用いて垂直磁気記録の磁気転写技術の概要を説明する。図１Ａ〜Ｃは、垂直磁気記録の磁気転写方法の工程を示す説明図である。図１Ａ〜Ｃにおいて、符号１０は被転写用の磁気ディスクとしてのスレーブディスク（垂直磁気記録媒体に相当）、符号２０は磁気転写用マスター担体としてのマスターディスクを表す。
【００１４】
図１Ａに示されるように、スレーブディスク１０のディスク平面に対し、垂直の方向から、交流磁界（Ｈｉ）を印加して、該スレーブディスク１０を初期磁化する（初期磁化工程）。
初期磁化を行った後、図１Ｂに示されるように、前記初期磁化後のスレーブディスク１０と、マスターディスク２０とを密着させる（密着工程）。
さらに、両ディスク１０、２０を密着させた後、図１Ｃに示されるように、初期磁化の際に印加される磁界（Ｈｉ）とは、逆向きの磁界（Ｈｄ）を印加して、該スレーブディスク１０に磁気転写する（磁気転写工程）。
【００１５】
本実施形態の磁気転写用マスター担体とは、図１Ａ〜Ｃにおいて示されるマスターディスク２０に相当するものである。以下、このマスターディスク２０を例に挙げて、本実施形態のマスター担体を説明する。
【００１６】
（マスターディスク（マスター担体））
図２Ａは、マスターディスク（マスター担体）２０の部分断面図である。このマスターディスク２０は、基材２０２と、磁性層２０４とを備える。基材２０２及び磁性層２０４は、凸部２０６及びスペース（凹部）２０７を構成する。即ち、凸部２０６は、基材２０２における凸部と磁性層２０４とを有する。また、凸部２０６に、後述する保護層、潤滑剤層、下地層等を設けた場合は、これらの保護層、潤滑剤層、下地層等も凸部２０６に含まれるものとする。即ち、凸部２０６の高さＨ１（図２Ａ）は、基材２０２における凸部の高さと、磁性層２０４、保護層、潤滑剤層、下地層等の厚さとの合計値Ｘ（図２Ａ）から、スペース（凹部）２０７の高さＹ（図２Ａ）を差し引いた値である。実効的には、基材２０２における凸部の高さにほぼ対応する。
なお、本実施形態においては、製造が容易である等の理由により、凸部２０６以外にも磁性層２０８が形成されている。他の実施形態においては、凸部２０６のみに磁性層２０４が形成され、凸部２０６以外に磁性層２０８が形成されていなくてもよい。なお、スペース（凹部）２０７は、凸部２０６間に形成された空隙部である。
凸部２０６に形成される磁性層２０４は、転写信号に対応するビット部となる。このビット部は、初期磁化を反転させる部分であり、転写部に相当する。なお、スペース（凹部）２０７は、磁化反転しない非転写部に相当する。
【００１７】
図２Ａにおいて、凸部２０６ａの円周方向の長さ（Ｌａ）と、凸部２０６ａ及び凸部２０６ａに隣接する他の凸部２０６ｂの間のスペース２０７の円周方向の長さ（Ｓａ）とが、１．３≦（Ｓａ／Ｌａ）≦１．９、好ましくは、１．５≦（Ｓａ／Ｌａ）≦１．８の関係を満たし、円周方向の周期長（Ｌａ＋Ｓａ）が、５０ｎｍ以上１４５ｎｍ以下である。
なお、図２Ａに示すように凸部２０６の円周方向の長さ（Ｌａ）は、凸部２０６の高さ（Ｈ１）の５０％の高さ（Ｈ２）における凸部２０６の円周方向の幅を示し、スペース（凹部）２０７の円周方向の長さ（Ｓａ）は、凸部２０６の高さ（Ｈ１）の５０％の高さ（Ｈ２）におけるスペース（凹部）２０７の幅を示す。
【００１８】
図２Ｂは、他の実施形態のマスターディスク２０Ａの部分断面図である。このマスターディスク２０Ａは、基材２１２と、該基材２１２の表面上に、転写信号に対応するビット部となる磁性層２１４とを備える。このマスターディスク２０Ａにおいては、該磁性層２１４が、凸部２０６（転写部）に相当し、隣接する磁性層２１４の間の部分（隙間）が、スペース（凹部）２０７（非転写部）に相当する。
【００１９】
図２Ｂにおいて、磁性層２１４（凸部）の円周方向の長さ（Ｌａ）と、磁性層２１４の間の部分（スペース）の円周方向の長さ（Ｓａ）が、１．３≦（Ｓａ／Ｌａ）≦１．９、好ましくは、１．５≦（Ｓａ／Ｌａ）≦１．８の関係を満たし、円周方向の周期長（Ｌａ＋Ｓａ）が、５０ｎｍ以上１４５ｎｍ以下である。
なお、図２Ｂに示すように、磁性層２１４（凸部）の円周方向の長さ（Ｌａ）は、磁性層２１４（凸部）の高さ（Ｈ１）の５０％の高さ（Ｈ２）における磁性層２１４（凸部）の円周方向の幅を示し、磁性層２１４の間の部分（スペース）の円周方向の長さ（Ｓａ）は、磁性層２１４（凸部）の高さ（Ｈ１）の５０％の高さ（Ｈ２）における磁性層２１４の間の部分（スペース）の円周方向の幅を示す。
【００２０】
＜基材＞
前記基材は、ガラス、ポリカーボネート等の合成樹脂、ニッケル、アルミニウム等の金属、シリコン、カーボン等の公知の材料を用いて製造される。
【００２１】
＜磁性層＞
磁性層の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて公知のものの中から適宜選択することができるが、例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＦｅＣｏ、ＦｅＮｉ、ＣｏＮｉ、ＣｏＮｉＰ、ＦｅＰｔ、ＣｏＰｔ、ＮｉＰｔなどが好適に挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
磁性層の厚みとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、通常、５ｎｍ〜３０ｎｍ程度である。
磁性層の形成方法としては、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができ、例えば、スパッタリング法、電着（電着法）等により行うことができる。
基材と磁性層間に磁性層配向用の結晶配向層、軟磁性下地層を適宜形成してもよい。特に軟磁性下地層は単層、あるいは複数層にて構成してもよい。
【００２２】
マスターディスク表面には、機械的、摩擦特性、耐候性を改善するために保護層が形成されている。この保護層の材料としては、硬質な炭素膜が好ましく、スパッタ法により形成した無機カーボン、ダイヤモンドライクカーボン等を用いることができる。この硬質保護層上には、更に、潤滑剤からなる層（潤滑剤層）を形成してもよい。
この種の潤滑剤としては、一般的に、パーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）等のフッ素系樹脂が用いられる。
【００２３】
＜マスターディスクの製造方法＞
図３及び図４は、マスターディスクの製造工程を示す説明図である。図３及び図４に基づいて、一実施形態に係るマスターディスクの製造方法を説明する。
図３（ａ）に示されるように、表面が平滑なシリコンウエハーである原板（Ｓｉ基板）３０を用意し、この原板３０の上に、電子線レジスト液をスピンコート法等により塗布して、レジスト層３２を形成し（図３（ｂ）参照）、ベーキング処理（プレベーク）を行う。
【００２４】
次いで、高精度な回転ステージ又はＸ−Ｙステージを備えた不図示の電子ビーム露光装置のステージ上に原板３０をセットし、原板３０を回転させながら、サーボ信号に対応して変調した電子ビームを照射し、レジスト層３２の略全面に所定のパターン３３、例えば各トラックに回転中心から半径方向に線状に延びるサーボ信号に相当するパターンを円周上の各フレームに対応する部分に描画露光（電子線描画）する（図３（ｃ）参照）。
【００２５】
次いで、図３（ｄ）に示されるように、レジスト層３２を現像処理し、露光（描画）部分を除去して、残ったレジスト層３２による所望厚さの被覆層を形成する。この被覆層が次工程（エッチング工程）のマスクとなる。なお、基板３０上に塗布されるレジストはポジ型、ネガ型のどちらでも使用可能であるが、ポジ型とネガ型では、露光（描画）パターンが反転することになる。この現像処理の後には、レジスト層３２と原板３０との密着力を高めるためにベーキング処理（ポストベーク）を行う。
【００２６】
次いで、図３（ｅ）に示されるように、レジスト層３２の開口部３４より原板３０を表面より所定深さだけ除去（エッチング）する。このエッチングにおいては、アンダーカット（サイドエッチ）を最小にすべく、異方性のエッチングが望ましい。このような、異方性のエッチングとしては、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ；Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）が好ましく採用できる。
【００２７】
次いで、図４（ｆ）に示されるように、レジスト層３２を除去する。レジスト層３２の除去方法は、乾式法としてアッシングが採用でき、湿式法として剥離液による除去法が採用できる。以上のアッシング工程により、所望の凹凸状パターンの反転型が形成された原盤３６が作製される。
【００２８】
次いで、図４（ｇ）に示されるように、原盤３６の表面に均一厚さに導電層３８を形成する。この導電層３８の形成方法としては、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、スパッタリング、イオンプレーティングを含む各種の金属成膜法等が適用できる。このように、導電膜の層（符号３８）を１層形成すれば、次工程（電鋳工程）の金属の電着が均一に行えるという効果が得られる。導電層３８としては、Ｎｉを主成分とする膜であることが好ましい。このようなＮｉを主成分とする膜は、形成が容易であり、且つ、硬質であるため、導電膜としてふさわしい。この導電層３８の膜厚として、特に制限はないが、数十ｎｍ程度が一般的に採用できる。
【００２９】
次いで、図４（ｈ）に示されるように、原盤３６の表面に、電鋳により所望の厚さの金属（ここでは、Ｎｉ）による金属板４０を積層する（反転板形成工程）。この工程は、電鋳装置の電解液中に原盤３６を浸し、原盤３６を陽極とし、陰極との間に通電することにより行われるが、このときの電解液の濃度、ｐＨ、電流のかけ方等は、積層された金属板４０（すなわち、図２で説明した基材２０２に相当するマスター基板となるも）に歪みのない最適条件で実施されることが求められる。
【００３０】
そして、上記のようにして金属板４０の積層された原盤３６が電鋳装置の電解液から取り出され、剥離槽（図示略）内の純水に浸される。
【００３１】
次いで、剥離槽内において、金属板４０を原盤３６から剥離し（剥離工程）、図４（ｉ）に示すような、原盤３６から反転した凹凸状パターンを有するマスター基板４２を得る。
【００３２】
次いで、図４（ｊ）に示されるように、マスター基板４２の凹凸表面上に磁性層４８を形成する。該磁性層の材料は、例えば、ＦｅＣｏからなる。該磁性層４８の厚みは、１０ｎｍ〜３２０ｎｍの範囲が好ましく、２０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲がより好ましく、３０ｎｍ〜１００ｎｍが更に好ましい。該磁性層４８は、上記材料のターゲットを用いスパッタリングにより形成される。
【００３３】
その後、マスター基板４２の内径及び外径を、所定のサイズに打抜き加工する。以上のプロセスにより、図４（ｊ）に示すように、磁性層４８（図２Ａ及びＢにおける磁性層２０４に相当）が設けられた凹凸パターンを有するマスターディスク２０が作製される。
【００３４】
図５はマスターディスク２０の上面図である。図５に示されるように、マスターディスク２０の表面には、凹凸パターンからなるサーボパターン５２が形成される。また、図には示さないが、マスターディスク２０表面の磁性層４８（図４（ｊ）参照）の上にダイヤモンドライクカーボン等の保護膜（保護層）や、更に、保護膜上に潤滑剤層を設けてもよい。
【００３５】
該保護層を形成する目的は、マスターディスク２０とスレーブディスク１０とを密着させた際に磁性層４８が傷つきやすく、マスターディスク２０として使用できなくなってしまうことを防止するためである。また、潤滑剤層は、スレーブディスク１０との接触の際に生じる摩擦による傷の発生などを防止し、耐久性を向上させる効果がある。
【００３６】
具体的には、保護層として、厚さが２〜３０ｎｍのカーボン膜を形成し、更にその上に潤滑剤層を形成した構成が好ましい。また、磁性層４８と、保護層との密着性を強化するため、磁性層４８上にＳｉ等の密着強化層を形成し、その後に保護層を形成してもよい。
【００３７】
＜スレーブディスク（垂直磁気記録媒体）の説明＞
図１において示される、前記スレーブディスク１０は、円盤状の基板の表面の片面或いは、両面に磁性層が形成されたものであり、具体的には、高密度ハードディスク等が挙げられる。このスレーブディスク１０を例に挙げ、図６を用いて、垂直磁気記録媒体の説明を行う。
【００３８】
図６は、スレーブディスク１０の断面を示す説明図である。図６に示されるように、スレーブディスク１０は、ガラスなど非磁性の基板１２上に、軟磁性層（軟磁性下地層；ＳＵＬ）１３、非磁性層（中間層）１４、磁性層（垂直磁気記録層）１６が順次積層形成された構造からなり、磁性層１６の上は更に保護層１８と潤滑層１９とで覆われている。なお、ここでは、基板１２の片面に磁性層１６を形成した例を示すが、基板１２の表裏両面に磁性層を形成する態様も可能である。
【００３９】
円盤状の基板１２は、ガラスやＡｌ（アルミニウム）等の非磁性材料から構成されており、この基板１２上に軟磁性層１３を形成した後、非磁性層１４と、磁性層１６を形成する。
【００４０】
軟磁性層１３は、磁性層１６の垂直磁化状態を安定させ、記録再生時の感度を向上させるために有益である。軟磁性層１３に用いられる材料は、ＣｏＺｒＮｂ、ＦｅＴａＣ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＳｉ合金、ＦｅＡｌ合金、パーマロイなどＦｅＮｉ合金、パーメンジュールなどのＦｅＣｏ合金等の軟磁性材料が好ましい。この軟磁性層１３は、ディスクの中心から外側に向かって半径方向に（放射状に）磁気異方性が付けられている。
【００４１】
軟磁性層１３の厚さは、２０ｎｍ〜２０００ｎｍであることが好ましく、４０ｎｍ〜４００ｎｍであることが更に好ましい。
【００４２】
非磁性層１４は、後に形成する磁性層１６の垂直方向の磁気異方性を大きくする等の理由により設けられる。非磁性層１４に用いられる材料は、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、ＣｒＴｉ、ＣｏＣｒ、ＣｒＴａ、ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｐｄ（パラジウム）、Ｔａ、Ｐｔ等が好ましい。非磁性層１４は、スパッタリング法により上記材料を成膜することにより形成される。非磁性層１４の厚さは、１０ｎｍ〜１５０ｎｍであることが好ましく、２０ｎｍ〜８０ｎｍであることが更に好ましい。
【００４３】
磁性層１６は、垂直磁化膜（磁性膜内の磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向したもの）により形成されており、この磁性層１６に情報が記録される。磁性層１６に用いられる材料は、Ｃｏ（コバルト）、Ｃｏ合金（ＣｏＰｔＣｒ、ＣｏＣｒ、ＣｏＰｔＣｒＴａ、ＣｏＰｔＣｒＮｂＴａ、ＣｏＣｒＢ、ＣｏＮｉ等）、Ｃｏ合金-ＳｉＯ２、Ｃｏ合金-ＴｉＯ２、Ｆｅ、Ｆｅ合金（ＦｅＣｏ、ＦｅＰｔ、ＦｅＣｏＮｉ等）等が好ましい。これらの材料は、磁束密度が大きく、成膜条件や組成を調整することにより垂直の磁気異方性を有している。磁性層１６は、スパッタリング法により上記材料を成膜することにより形成される。磁性層１６の厚さは、１０ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましく、２０ｎｍ〜２００ｎｍであることが更に好ましい。
【００４４】
本実施形態では、スレーブディスク１０の基板１２として、外形６５ｍｍの円盤状のガラス基板を用い、スパッタリング装置のチャンバー内にガラス基板を設置し、１．３３×１０−５Ｐａ（１．０×１０−７Ｔｏｒｒ）まで減圧した後、チャンバー内にＡｒ（アルゴン）ガスを導入し、チャンバー内にあるＣｏＺｒＮｂターゲットを用い、同じくチャンバー内の基板の温度を室温として、８０ｎｍ厚のＳＵＬ第１層をスパッタリング成膜する。次にその上に、チャンバー内にあるＲｕターゲットを用いて０.８ｎｍのＲｕ層をスパッタリング成膜する。さらにその上に、ＣｏＺｒＮｂターゲットを用い、８０ｎｍ厚のＳＵＬ第２層をスパッタリング成膜する。こうしてスパッタ成膜されたＳＵＬを、半径方向に５０Ｏｅ以上の磁場を印加した状態で室温まで昇温し室温に冷却する。
【００４５】
次に、Ｒｕターゲットを用い、基板温度が室温の条件の下で放電させることによりスパッタリング成膜をおこなう。これによりＲｕからなる非磁性層１４を６０ｎｍ成膜する。
【００４６】
この後、上記と同様にＡｒガスを導入し、同じチャンバー内にあるＣｏＣｒＰｔ-ＳｉＯ２ターゲットを用い、同じく基板温度が室温の条件の下で放電させることによりスパッタリング成膜をおこなう。これによりＣｏＣｒＰｔ-ＳｉＯ２からなるグラニュラー構造の磁性層１６を２５ｎｍ成膜する。
【００４７】
以上のプロセスにより、ガラス基板に、軟磁性層、非磁性層と磁性層が成膜された転写用磁気ディスク（スレーブディスク）１０を作製した。
【００４８】
（磁気転写方法）
本発明の磁気転写方法は、初期磁化工程と、密着工程と、磁気転写工程とを少なくとも含んでなり、さらに必要に応じて、その他の工程を含む。
【００４９】
＜初期磁化工程＞
前記初期磁化工程は、垂直磁気記録媒体を、垂直方向に初期磁化させる工程である。
なお、垂直方向とは、垂直磁気記録媒体の表面の鉛直方向に対して±１０°以内であることを意味し、垂直磁気記録媒体の表面の鉛直方向に対して±７°以内であることが好ましい。
図１Ａに示されるように、スレーブディスク１０の初期磁化は、スレーブディスク１０の表面に対し垂直に交流磁界を印加することができる装置（不図示の磁界印加手段）により初期化磁界Ｈｉを発生させることにより行う。具体的には、初期化磁界Ｈｉとしてスレーブディスク１０の保磁力Ｈｃ以上の強度の磁界を発生させることにより行う。この初期磁化工程により、図７に示されるように、スレーブディスク１０の磁性層１６について、ディスク面と垂直な一方向に初期磁化Ｐｉさせる。なお、この初期磁化工程は、スレーブディスク１０を磁界印加手段に対し相対的に回転させることにより行ってもよい。
また、初期化の際に印加した磁界の周波数（ＦＩ）が、０．１Ｈｚ以上５Ｈｚ以内であることが好ましく、０．５Ｈｚ以上４Ｈｚ以内であることがより好ましく、１．０Ｈｚ以上３Ｈｚ以内であることが特に好ましい。
初期化の際に印加した磁界の周波数（ＦＩ）が、０．１Ｈｚ未満であると、磁化の分断が不十分な場合があり、大きなドメインを形成してしまうことがあり、５Ｈｚを超えると、初期化部の十分な初期化（磁化）できないことがある。
【００５０】
＜密着工程＞
前記密着工程は、前記初期磁化工程後の垂直磁気記録媒体に対して、磁気転写用マスター担体を密着させる工程である。例えば、マスターディスク２０と、初期磁化工程後のスレーブディスク１０とを図１Ｂのように重ね合わせて両者を密着させる工程（密着工程）を行う。図１Ｂに示されるように、密着工程では、マスターディスク２０の突起状パターン（凹凸パターン）の形成されている面と、スレーブディスク１０の磁性層１６の形成されている面とを所定の押圧力で密着させる。
【００５１】
スレーブディスク１０には、マスターディスク２０に密着させる前に、グライドヘッド、研磨体等により、表面の微少突起又は付着塵埃を除去するクリーニング処理（バーニッシング等）が必要に応じて施される。
【００５２】
なお、密着工程は、図１Ｂに示すように、スレーブディスク１０の片面のみにマスターディスク２０を密着させる場合と、両面に磁性層が形成された転写用磁気ディスクについて、両面からマスターディスクを密着させる場合とがある。後者の場合では、両面を同時転写することができる利点がある。
【００５３】
＜磁気転写工程＞
前記磁気転写工程は、前記垂直磁気記録媒体と前記磁気転写用マスター担体とを密着させた状態で、前記初期磁化と逆方向の垂直磁界を印加し、前記垂直磁気記録媒体に磁気情報を転写する工程である。
なお、初期磁化と逆方向とは、初期磁化の真逆方向のみならず、初期磁化の真逆方向に対して±７°傾斜した方向をも含む。
また、磁気転写工程で印加した垂直磁界の周波数（ＦＰ）が、５Ｈｚ以上２５Ｈｚ以内であることが好ましく、６Ｈｚ以上２３Ｈｚ以内であることがより好ましく、１０Ｈｚ以上２０Ｈｚ以内であることが特に好ましい。
磁気転写工程で印加した垂直磁界の周波数（ＦＰ）が、５Ｈｚ未満であると、初期化部まで磁化反転してしまうことがあり、２５Ｈｚを超えると、転写部を十分に磁化反転できないことがある。
図１Ｃに基づき磁気転写工程を説明する。上記密着工程によりスレーブディスク１０とマスターディスク２０とを密着させたものについて、不図示の磁界印加手段により初期化磁界Ｈｉの向きと反対方向に記録用磁界Ｈｄを発生させる。記録用磁界Ｈｄを発生させることにより生じた磁束がスレーブディスク１０とマスターディスク２０に進入することにより磁気転写が行われる。
【００５４】
本実施形態では、記録用磁界Ｈｄの大きさは、スレーブディスク１０の磁性層１６を構成する磁性材料の保持力Ｈｃと略同じ値である。
【００５５】
磁気転写は、スレーブディスク１０及びマスターディスク２０を密着させたものを不図示の回転手段により回転させつつ、磁界印加手段によって記録用磁界Ｈｄを印加し、マスターディスク２０に記録されている突起状のパターンからなる情報をスレーブディスク１０の磁性層１６に磁気転写する。なお、この構成以外にも、磁界印加手段を回転させる機構を設け、スレーブディスク１０及びマスターディスク２０に対し、相対的に回転させる手法であってもよい。
【００５６】
磁気転写工程における、スレーブディスク１０とマスターディスク２０の断面の様子を図８に示す。図８に示されるように、凹凸パターンを有するマスターディスク２０をスレーブディスク１０が密着させた状態で、記録用磁界Ｈｄを印加すると、磁束Ｇは、マスターディスク２０の凸領域とスレーブディスク１０が接触している領域では強く、記録用磁界Ｈｄにより、マスターディスク２０の磁性層４８の磁化向きが記録用磁界Ｈｄの方向に揃い、スレーブディスク１０の磁性層１６に磁気情報が転写される。一方、マスターディスク２０の凹領域は、記録用磁界Ｈｄの印加によって生じる磁束Ｇが凸領域に比べて弱く、スレーブディスク１０の磁性層１６の磁化向きが変わることはなく、初期磁化の状態を保ったままである。
【００５７】
図９は、磁気転写に用いられる磁気転写装置について詳細に示したものである。磁気転写装置は、コア６２にコイル６３が巻きつけられた電磁石からなる磁界印加手段６０を有するものであり、このコイル６３に電流を流すことによりギャップ６４において、密着させたマスターディスク２０とスレーブディスク１０の磁性層１６に対し垂直に磁界を発生する構造になっている。発生する磁界の向きは、コイル６３に流す電流の向きによって変えることができる。従って、この磁気転写装置によって、スレーブディスク１０の初期磁化を行うことも、磁気転写を行うことも可能である。
【００５８】
この磁気転写装置により初期磁化させた後、磁気転写を行う場合には、磁界印加手段６０のコイル６３に、初期磁化したときにコイル６３に流した電流の向きと逆向きの電流を流す。これにより、初期磁化の際の磁化向きとは反対の向きに記録用磁界を発生させることができる。磁気転写は、スレーブディスク１０及びマスターディスク２０を密着させたものを回転させつつ、磁界印加手段６０によって記録用磁界Ｈｄを印加し、マスターディスク２０に記録されている突起状のパターンからなる情報をスレーブディスク１０の磁性層１６に磁気転写するため、不図示の回転手段が設けられている。なお、この構成以外にも、磁界印加手段６０を回転させる機構を設け、スレーブディスク１０及びマスターディスク２０に対し、相対的に回転させる手法であってもよい。
【００５９】
本実施形態では、記録用磁界Ｈｄは、本実施の形態に用いられるスレーブディスク１０の磁性層１６の保磁力Ｈｃの６０〜１３０％、好ましくは、７０〜１２０％の強度の磁界を印加することにより磁気転写を行う。
【００６０】
これにより、スレーブディスク１０の磁性層１６には、サーボ信号等の磁気パターンの情報が、初期磁化Ｐｉの反対向きの磁化となる記録磁化Ｐｄとして記録される（図１０参照）。
【００６１】
＜その他の工程＞
前記その他の工程としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００６２】
（磁気記録媒体）
本発明の磁気記録媒体は、本発明の磁気転写方法によりサーボ信号が記録されている。
【００６３】
なお、本発明の実施に際して、マスターディスク２０に形成された突起状のパターンは、図４（ｊ）で説明したポジパターンと反対のネガパターンであってもよい。この場合、初期化磁界Ｈｉの方向及び記録用磁界Ｈｄの方向を各々逆方向にすることにより、スレーブディスク１０の磁性層１６に、同様の磁化パターンを磁気転写することができるからである。また、本実施の形態では、磁界印加手段は、電磁石の場合について説明したが、同様に磁界が発生する永久磁石を用いてもよい。
【００６４】
なお、上述した本発明の実施形態に係る方法により製造された垂直磁気記録媒体は、例えば、ハードディスク装置等の磁気記録再生装置に組み込まれて使用される。これにより、サーボ精度が高く、良好な記録再生特性の高記録密度磁気記録再生装置を得ることができる。
【実施例】
【００６５】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に何ら限定されるものではない。
【００６６】
（実施例１）
＜マスター担体の作製＞
８インチのＳｉ（シリコン）ウェハー（基板）上に、電子線レジストを、スピンコート法により、１００ｎｍの厚みで塗布した。塗布後、基板上の該レジストを、回転式電子線露光装置を用いて露光し、露光後の該レジストを現像して、凹凸パターンを有するレジストＳｉ基板を作製した。
その後、該レジストをマスクとして用い、該基板に対して、反応性イオンエッチング処理を行い、凹凸パターンの凹部を掘り下げた。該エッチング処理後、該基板上に残存するレジストを可溶溶剤で洗浄し、除去した。除去後、該基板を乾燥したものを、マスター担体を調製するための原盤とした。
なお、本実施例１で用いたパターンは、大別すると、データ部と、サーボ部からなる。該データ部は、凸巾：９０ｎｍ、凹巾：３０ｎｍ（ＴＰ＝１２０ｎｍ）のパターンで構成されている。該サーボ部は、基準信号長：８０ｎｍ、総セクタ数：１２０、プリアンブル（４０ｂｉｔ）／ＳＡＭ（６ｂｉｔ）／Ｓｅｃｔｏｒｃｏｄｅ（８ｂｉｔ）／ＣｙｌｉｎｄｅｒＣｏｄｅ（３２ｂｉｔ）／Ｂｕｒｓｔパターンで構成されている。該ＳＡＭ部は、“００１０１０”であり、ＳｅｃｔｏｒがＢｉｎａｒｙ変換を用い、ＣｙｌｉｎｄｅｒはＧｒａｙ変換を用いている。Ｂｕｒｓｔ部は一般的な４バースト（各バーストは１６ｂｉｔ）である。ＳＡＭ部、変換後のアドレス部はマンチェスター変換を使用した。
【００６７】
＜メッキ法によるマスター担体中間体作製＞
上記原盤上に、スパッタ法を用いてＮｉ（ニッケル）導電性膜を２０ｎｍ形成した。該導電性膜を形成した後の原盤を、スルファミン酸Ｎｉ浴に浸漬し、電解メッキにより、２００μｍの厚みのＮｉ膜を形成した。その後、原盤よりＮｉ膜を引き剥がし、洗浄して、Ｎｉ製のマスター担体中間体を得た。
【００６８】
＜磁気転写用磁性層形成方法＞
上記マスター担体中間体上に、スパッタリング法にて、アルゴン圧力０．１２Ｐａ条件下で、Ｆｅ７０ａｔ％Ｃｏ３０ａｔ％からなる磁性層を１００ｎｍ形成して、マスター担体を得た。
【００６９】
＜マスター担体の磁気情報（サーボ情報）に対応した凹凸パターンにおけるＬａ及びＳａの測定＞
マスター担体の磁気情報（サーボ情報）に対応した凹凸パターンを、高性能走査イオン顕微鏡（ＳＩＩナノテクノロジー社製、ＳＭＩ２０５０）及びＴＥＭ（日立ハイテク社製Ｈ９０００）を用いて、試料極薄切片を作製の上、高分解能観察を実施した。凹凸パターンにおける凸部の円周方向の長さ（Ｌａ）と、前記凸部及び該凸部に隣接する他の凸部の間のスペースの円周方向の長さ（Ｓａ）とを測定した。
ここでは、プリアンブルに対して、半径２０ｍｍ〜３２ｍｍの領域を１ｍｍ間隔で４箇所づつ（９０°毎に）、凸部の円周方向の長さ（Ｌａ）及びスペースの円周方向の長さ（Ｓａ）を測定し、Ｌａ及びＳａの平均値及びＳａ／Ｌａの比を算出した。
なお、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、凹凸パターンにおける凸部の円周方向の長さ（Ｌａ）を、凸部の高さの５０％の高さにおける凸部の幅とし、また、凹凸パターンにおけるスペースの円周方向の長さ（Ｓａ）を、前記凸部の高さの５０％の高さにおけるスペースの幅とした。
実施例１では、Ｌａの平均値が３０（ｎｍ）であり、Ｓａの平均値が５０（ｎｍ）であった。
【００７０】
＜垂直磁気記録媒体の作製＞
２．５インチのガラス基板上に、スパッタリング法を用いて、軟磁性層、第１非磁性配向層、第２非磁性配向層、磁気記録層及び保護層を、この順に形成した。更に、該保護層の上に、ディップ法により潤滑剤層を形成した。
軟磁性層の材料として、ＣｏＺｒＮｂを用いた。該軟磁性層の厚みは、１００ｎｍであった。ガラス基板をＣｏＺｒＮｂターゲットと対向させて配置し、Ａｒガスを０．６Ｐａ圧になるように流入させ、ＤＣ１５００Ｗで成膜した。
第１非磁性配向層としてＴｉ：５ｎｍ、第２非磁性配向層としてＲｕ：６ｎｍを形成した。
第１非磁性配向層は、Ｔｉターゲットと対向配置し、Ａｒガスを０．５Ｐａ圧になるように流入し、ＤＣ１０００Ｗで放電し、５ｎｍの厚さになるように、Ｔｉシード層を成膜した。第１非磁性配向層形成後にＲｕターゲットと対向させて配置し、Ａｒガスを０．８Ｐａ圧になるように流入させ、ＤＣ９００Ｗで放電し、６ｎｍの厚さになるように第２非磁性配向層Ｒｕを成膜した。
磁気記録層として、ＣｏＣｒＰｔＯ：１８ｎｍを形成した。ＣｏＣｒＰｔＯターゲットと対向させて配置し、Ｏ２を０．０６％を含むＡｒガスを１４Ｐａ圧になるように流入させ、ＤＣ２９０Ｗで放電し磁気記録層を作製した。
磁気記録層を形成した後に、Ｃ（カーボン）ターゲットと対向させて配置し、Ａｒガスを０．５Ｐａ圧になるように流入させ、ＤＣ１０００Ｗで放電し、Ｃ保護層（４ｎｍ）を形成した。この記録媒体の保磁力は、３３４ｋＡ／ｍ（４．２ｋＯｅ）とした。
更に、該媒体にディップ法により、ＰＦＰＥ潤滑剤を２ｎｍの厚さで塗布した。
以上のようにして、垂直磁気記録媒体を調製した。
【００７１】
＜初期磁化工程＞
上記垂直磁気記録媒体に対して、初期化を行った。初期化の際に印加する磁界の強度（初期磁界強度）は１０ｋＯｅであった。また、初期化の際に印加した磁界の周波数（ＦＩ）は６Ｈｚであった。
【００７２】
＜密着工程、磁気転写工程＞
初期化済み垂直磁気記録媒体に対して、上記マスター担体を対向して配置し、これらを１．５ＭＰａの圧力にて３０秒間密着させた。互いに密着した状態で、磁界を印加して、磁気転写を行った。磁気転写に用いた磁界強度は４．６ｋＯｅであった。また、磁気転写の際に印加した磁界の周波数（ＦＰ）は２７Ｈｚであった。磁界印加終了後、マスター担体を、垂直磁気記録媒体から剥離した。
【００７３】
＜評価＞
＜＜サーボ信号品位＞＞
サーボ信号品位（ＰＲＳＩＧＭＡ及びサーボＰＥＳ）を下記のように評価した。評価結果を表１に示す。
＜＜＜ＰＲＳＩＧＭＡの測定＞＞＞
磁気転写後の垂直磁気記録媒体に対して、プリアンブル部の波形を検出、データ収集を行った。該検出には、リード巾１２０ｎｍ、ライト巾２００ｎｍのＧＭＲヘッドを装着した評価装置（協同電子社製  ＬＳ−９０）を用いた。半径２０ｍｍ〜３２ｍｍの領域を１ｍｍ間隔で測定し、磁気転写側信号及び初期化側信号の全平均値（ＰＲＡＭ）をそれぞれ算出し、各半径位置での振幅均一性（ＰＲＳＩＧＭＡ＝３σ／ＰＲＡＭ（％））を測定し、プリアンブル部のＰＲＳＩＧＭＡに基づいて、下記評価基準でサーボ信号品位を評価した。なお、磁気転写側信号とは、磁気転写時に磁化が反転した側のパルス信号であり、初期化側信号とは、磁気転写時に磁化反転を抑制し、初期化時の磁化状態を維持しているパルス信号である。
【００７４】
＜＜＜評価基準＞＞＞
〇：ＰＲＳＩＧＭＡが２０％以上となるセクタが５個未満
△：ＰＲＳＩＧＭＡが２０％以上となるセクタが５個以上１０個未満
×：ＰＲＳＩＧＭＡが２０％以上となるセクタが１０個以上
なお、使用可能な評価領域は〇及び△である。
【００７５】
＜＜＜サーボＰＥＳ＞＞＞
なお、サーボＰＥＳ（Ｐｏｓｉｔｉｏｎ  Ｅｒｒｏｒ  Ｓｉｇｎａｌ）を併せて評価した。該評価装置として、アイメス社製（ＢｉｔＦｉｎｄｅｒ）を用いた。ＶＣＭモードとした上記ヘッドを装着し、サーボフォローイングを評価した。サーボフォロー状態でのＰＥＳを測定した。５０周分の各セクタのＰＥＳ測定値から標準偏差（σ）を求め、３σ値でトラックピッチ（ＴＰ）の１５％未満であれば、「良い（○）」と判断し、１５％以上２５％未満であれば、「△」と判断し、２５％以上であれば、「悪い（×）」と判断した。
【００７６】
（実施例２〜３２、比較例１〜７）
実施例１において、マスター担体の磁気情報（サーボ情報）に対応した凹凸パターンにおけるＬａ及びＳａを表１に示すように変更し、さらに、初期化の際に印加した磁界の周波数（ＦＩ）及び磁気転写の際に印加した磁界の周波数（ＦＰ）を表１にように変更した以外は、実施例１と同様にして、マスター担体及び垂直磁気記録媒体を作製し、初期磁化工程、密着工程、磁気転写工程を実施し、評価を行った。評価結果を表１に示す。
【００７７】
【表１】
2010086607.tif 000003
【００７８】
実施例１〜３２は、ＰＲＳＩＧＭＡ及びサーボＰＥＳの何れの評価結果も、比較例１〜７（従来技術）よりも、優れることが確かめられた。
また、１．５≦（Ｓａ／Ｌａ）≦１．８の関係を満たす実施例２３、２４、２９〜３２において、特に良い結果が得られていることが分かった。
【図面の簡単な説明】
【００７９】
【図１Ａ】図１Ａは、垂直磁気記録転写方法の工程を示す説明図である（その１）。
【図１Ｂ】図１Ｂは、垂直磁気記録転写方法の工程を示す説明図である（その２）。
【図１Ｃ】図１Ｃは、垂直磁気記録転写方法の工程を示す説明図である（その３）。
【図２Ａ】図２Ａは、一実施形態に係るマスターディスクの部分断面図である（その１）。
【図２Ｂ】図２Ｂは、一実施形態に係るマスターディスクの部分断面図である（その２）。
【図３】図３は、一実施形態に係るマスターディスクの製造方法の説明図である。
【図４】図４は、一実施形態に係るマスターディスクの製造方法の説明図である。
【図５】図５は、マスターディスクの上面図である。
【図６】図６は、スレーブディスクの断面を示す説明図である。
【図７】図７は、初期磁化工程後の磁性層（記録層）の磁化方向を示した説明図である。
【図８】図８は、磁気転写工程を示す説明図である。
【図９】図９は、磁気転写工程に用いる磁気印加装置の概略構成図である。
【図１０】図１０は、磁気転写工程後の磁性層（記録層）の磁化方向を示した説明図である。
【符号の説明】
【００８０】
１０  スレーブディスク（垂直磁気記録媒体）
２０  マスターディスク（磁気転写用マスター担体）
１２  基板
１３  軟磁性層
１６  磁性層
６０  磁界印加手段
６２  コア
６３  コイル
２０２，２１２  基材
２０４，２１４  磁性層
２０６  凸部
２０７  凹部
【図１Ａ】
2010086607.tif 000004
【図１Ｂ】
2010086607.tif 000005
【図１Ｃ】
2010086607.tif 000006
【図２Ａ】
2010086607.tif 000007
【図２Ｂ】
2010086607.tif 000008
【図３】
2010086607.tif 000009
【図４】
2010086607.tif 000010
【図５】
2010086607.tif 000011
【図６】
2010086607.tif 000012
【図７】
2010086607.tif 000013
【図８】
2010086607.tif 000014
【図９】
2010086607.tif 000015
【図１０】
2010086607.tif 000016