Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月28日(2004.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
電源部２２ａは、表示制御装置２２への電力供給を行い、表示・入力装置２３および外部記憶装置２４への電力供給を管理する。また、表示・入力制御部２２ｂは、表示・入力装置２３への表示データの管理や、表示・入力装置２３から入力されたデータの管理等を行う。また、演算部２２ｃは、後述する時間系データ、生産管理データ、およびメンテナンス時間データ等の制御を行う。記憶部２２ｄは、現在処理中のデータを一時的に記憶したり、処理を速くするために外部記憶装置２４に格納されているデータの一部を格納したりする。また、インターフェース部２２ｅは、設備機構部３０の電力供給状態の監視を行い、設備機構部３０が電源ＯＮの時の設備動作に必要なデータを設備機構部３０に転送する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
図６において、表示制御装置２２は、電子部品実装設備１の設備稼働時間と複数のメンテナンス作業に対応して予め設定されているそれぞれのメンテナンス警告時間とを比較して、設備稼働時間＞メンテナンス警告時間か否かを判断する（ステップＳ２１）。ここで、電子部品実装設備１に設定されている定期的に必要なメンテナンス作業には、それぞれメンテナンス作業を行わずに連続して設備稼働できる時間（以下、メンテナンス推奨時間）が設けられている。上記メンテナンス警告時間は、上記メンテナンス推奨時間より所定の時間だけ短く設定される。上記メンテナンス警告時間は、予め電子部品実装設備１に初期設定として記憶部２２ｄあるいは外部記憶装置２４に格納してもかまわないし、使用環境によって作業者が任意に設定してもかまわない。このように予め設定されたそれぞれのメンテナンス警告時間に対して、演算部２２ｃが現在の設備稼働時間と比較し、メンテナンス警告時間に達したメンテナンス作業を抽出する。そして、表示制御装置２２は、上記ステップＳ２１で設備稼働時間＞メンテナンス警告時間でない場合、ステップＳ２１を繰り返し、設備稼働時間＞メンテナンス警告時間である場合、該当するメンテナンス作業を抽出し、次のステップに進む。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月14日(2004.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィルム基板を保持する搬送アーム装置と、
プラズマ処理装置本体外の基板搬入準備位置と上記プラズマ処理装置本体内の基板搬入位置との間で上記搬送アーム装置を移動させるとともに、上記プラズマ処理装置本体内の基板搬出準備位置と上記プラズマ処理装置本体外の基板搬出位置との間で上記搬送アーム装置を移動させる移動装置と、
上記移動装置の駆動により上記搬送アーム装置が上記基板搬入準備位置から上記基板搬入位置に移動して、上記搬送アーム装置に保持された上記フィルム基板が搬入されたのち上記チャンバー内を排気しつつ反応ガスを導入して減圧下で高周波電力を印加してプラズマを発生させて上記フィルム基板から有機物を除去するプラズマ処理を行うとともに、上記プラズマ処理されたフィルム基板が上記搬送アーム装置により保持されて上記基板搬出準備位置から上記基板搬出位置に搬出されるチャンバーとを備えることを特徴とする減圧プラズマ処理装置。
【請求項２】
上記フィルム基板を保持して上記チャンバーが配置されるプラズマ処理装置本体外からプラズマ処理装置本体内に搬入する基板搬入スライダと、
上記プラズマ処理されたフィルム基板を保持して上記プラズマ処理装置本体内からプラズマ処理装置本体外に搬出する基板搬出スライダとをさらに備える請求項１に記載の減圧プラズマ処理装置。
【請求項３】
上記チャンバーは、第１チャンバーと第２チャンバーとを備えて上記フィルム基板を複数枚それぞれプラズマ処理し、上記フィルム基板がそれぞれ上記第１チャンバーと上記第２チャンバーに搬入されたのち上記各チャンバー内を排気しつつ反応ガスを導入して減圧下で高周波電力を印加してプラズマを発生させて上記フィルム基板から有機物を除去するプラズマ処理をそれぞれ独立して行う請求項１又は２に記載の減圧プラズマ処理装置。
【請求項４】
上記第１チャンバーと上記第２チャンバーとを連通させる連通管と上記連通配管を開閉する開閉弁とを有して、上記第１チャンバーと上記第２チャンバーとのうち一方のチャンバーで上記フィルム基板の搬入及び取出しを行った後、大気圧から減圧状態にして同時に、他方のチャンバーで減圧状態から大気圧に戻して上記フィルム基板を取り出す準備を行うとき上記開閉弁を開けて上記連通配管により上記第１チャンバーと上記第２チャンバーと連通させて両チャンバーを同じ圧力にする請求項１〜３のいずれか１つに記載の減圧プラズマ処理装置。
【請求項５】
上記チャンバー内では、上記フィルム基板を、高周波電力が印加される基板電極に静電吸着により吸着保持する請求項１〜４のいずれか１つに記載の減圧プラズマ処理装置。
【請求項６】
フィルム基板をプラズマ処理装置本体外からプラズマ処理装置本体内の基板搬送位置に搬入し、
上記基板搬送位置に位置した上記フィルム基板をチャンバー内に搬入し、
上記チャンバー内を排気しつつ反応ガスを導入して減圧下で高周波電力を印加してプラズマを発生させて上記フィルム基板から有機物を除去するプラズマ処理を行い、
上記プラズマ処理されたフィルム基板を上記チャンバーから取り出して上記プラズマ処理装置本体内の基板搬出位置に位置させ、
上記基板搬出位置に位置した上記フィルム基板を上記プラズマ処理装置本体外に搬出するようにしたことを特徴とする減圧プラズマ洗浄方法。
【請求項７】
第１フィルム基板をプラズマ処理装置本体外から上記プラズマ処理装置本体内の基板搬送位置に搬入し、
上記基板搬送位置に位置した上記第１フィルム基板を第１チャンバー内に搬入し、
上記第１チャンバー内を排気しつつ反応ガスを導入して減圧下で高周波電力を印加してプラズマを発生させて上記第１フィルム基板から有機物を除去するプラズマ処理を行い、
上記プラズマ処理された上記第１フィルム基板を上記第１チャンバーから取り出して上記プラズマ処理装置本体内の基板搬出位置に位置させ、
上記基板搬出位置に位置した上記第１フィルム基板を上記プラズマ処理装置本体外に搬出し、
上記第１フィルム基板の上記第１チャンバー内での上記プラズマ処理動作中に、第２フィルム基板を上記プラズマ処理装置本体外から上記プラズマ処理装置本体内の上記基板搬送位置に搬入するとともに、上記基板搬送位置に位置した上記第２フィルム基板を第２チャンバー内に搬入し、
上記第１チャンバー内から上記第１フィルム基板を取り出して上記プラズマ処理装置本体外に搬出するとき、上記第２チャンバー内を排気しつつ反応ガスを導入して減圧下で高周波電力を印加してプラズマを発生させて上記第２フィルム基板から有機物を除去するプラズマ処理を行い、
その後、上記プラズマ処理された上記第２フィルム基板を上記第２チャンバーから取り出して上記プラズマ処理装置本体内の基板搬出位置に位置させ、上記基板搬出位置に位置した上記第２フィルム基板を上記プラズマ処理装置本体外に搬出するようにしたことを特徴とする減圧プラズマ洗浄方法。
【請求項８】
上記第１チャンバーと上記第２チャンバーとのうち一方のチャンバーで上記フィルム基板の搬入及び取出しを行っているとき、他方のチャンバーで減圧状態から大気圧に戻して上記フィルム基板を取り出す準備を行うとき、上記第１チャンバーと上記第２チャンバーと連通させる連通管の開閉弁を開けて上記連通配管により上記第１チャンバーと上記第２チャンバーと連通させて同じ圧力にする請求項７に記載の減圧プラズマ洗浄方法。
【請求項９】
上記チャンバー内では、上記フィルム基板を、高周波電力が印加される基板電極に静電吸着により吸着保持する請求項６〜８のいずれか１つに記載の減圧プラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の第４態様によれば、上記第１チャンバーと上記第２チャンバーとを連通させる連通管と上記連通配管を開閉する開閉弁とを有して、上記第１チャンバーと上記第２チャンバーとのうち一方のチャンバーで上記フィルム基板の搬入及び取出しを行った後、大気圧から減圧状態にして同時に、他方のチャンバーで減圧状態から大気圧に戻して上記フィルム基板を取り出す準備を行うとき上記開閉弁を開けて上記連通配管により上記第１チャンバーと上記第２チャンバーと連通させて両チャンバーを同じ圧力にする第１〜３のいずれか１つの態様に記載の減圧プラズマ処理装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月4日(2005.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アナログ信号をディジタル表現へ変換する方法であって、
Ｎ個の時変基準信号を発生し、Ｎが１以上の整数である第一のステップと、
前記アナログ信号の振幅を前記時変基準信号のそれぞれの振幅と比較し、前記アナログ信号の振幅が前記時変基準信号のそれぞれの振幅を越えるか、等しいか、満たないかを判定する第二のステップと、
前記アナログ信号の振幅が前記時変基準信号のそれぞれの振幅に等しいときにタイムスタンプを生成し、前記タイムスタンプが振幅等値事象の記録である第三のステップと、
を含み、
前記ディジタル表現が前記タイムスタンプの集合であることを特徴とする方法。
【請求項２】
各前記タイプスタンプは、ディジタル信号の論理レベルの遷移からなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ディジタル信号の各論理レベルの遷移について、ディジタルタイムスタンプを計測および生成するステップを、さらに含むことを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第二のステップが、前記アナログ信号の振幅を前記Ｎ個の時変基準信号のそれぞれの振幅と同時に比較するステップを、さらに含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記第二のステップが、前記時変基準信号の全ての振幅と比較し終えるまで、前記アナログ信号の振幅を前記Ｎ個の基準信号のそれぞれの振幅と逐次比較するステップを、さらに含むことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記アナログ信号が周期的な信号であり、
前記第二のステップにおいて、前記Ｎ個の時変基準信号のそれぞれが、前記アナログ信号の異なる周期において、前記アナログ信号と比較されることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記第三のステップが、前記アナログ信号の振幅が個々の前記時変基準信号の振幅よりも大きいときに前記個々の時変基準信号に対応する第１の論理レベルを前記ディジタル信号内に確立し、前記アナログ信号の振幅が個々の前記時変基準信号振幅よりも小さいときに前記個々の基準信号に対応する第２の論理レベルを前記ディジタル信号内に確立するステップを、さらに含むことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記タイムスタンプの集合と前記時変基準信号とから前記アナログ信号を再生するステップを、さらに含むことを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記タイムスタンプの集合を格納するステップを、さらに含むことを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記タイムスタンプの集合を格納するステップを、さらに含むことを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月7日(2004.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ操作方法であって、
第１のクロックにおける論理遷移に応答して、評価段階にあるセンス増幅器（センス・アンプ）によってデータ値を検知するステップと、
前記センス・アンプの評価段階を停止して、前記第１のクロックがまだ遷移した状態にある間に、平衡化段階に入るようにするステップと、
第２のクロックにおける論理遷移に応答して、前記センス・アンプによって次のデータ値を検知するステップと、
前記センス・アンプの評価段階を停止して、前記第２のクロックがまだ遷移した状態にある間に、次の平衡化段階に入るようにするステップ
を含む、データ操作方法。
【請求項２】
前記センス・アンプによる前記検知ステップの後にデータをラッチするステップをさらに含む、請求項１に記載のデータ操作方法。
【請求項３】
前記第１のクロックにおける前記論理遷移に、低から高への遷移が含まれることからなる、請求項１または２に記載のデータ操作方法。
【請求項４】
前記第２のクロックにおける前記論理遷移に、低から高への遷移が含まれることからなる、請求項１または２に記載のデータ操作方法。
【請求項５】
前記第１と第２のクロックが互いに相補性である、請求項１乃至４のいずれかに記載のデータ操作方法。
【請求項６】
前記データ値及び前記次のデータ値が、オフ・チップ・データ回路によって供給される、請求項１乃至５のいずれかに記載のデータ操作方法。
【請求項７】
前記データ値及び前記次のデータ値が、オン・チップ・メモリ・アレイによって供給される、請求項１乃至５のいずれかに記載のデータ操作方法。
【請求項８】
前記センス・アンプの評価段階が、前記センス・アンプによって生成される１対の相補性データ信号に応答して動作する帰還装置によって停止させられることからなる、請求項１乃至７のいずれかに記載のデータ操作方法。
【請求項９】
前記検知するステップが、複数の絶縁体上シリコン（ＳＯＩ）トランジスタを含むセンス・アンプによって実施される、請求項１乃至８のいずれかに記載のデータ操作方法。
【請求項１０】
データを検知することが可能なセンス・アンプ、及び、前記データを保持することが可能なラッチを備えるセンス増幅器（センス・アンプ）ラッチ回路部分であって、前記センス・アンプが、少なくとも部分的に、評価段階と平衡化段階とで前記センス・アンプの動作を交互に切り換えるよう動作可能な制御信号に応答して、１対の相補性データ信号を発生するように動作することからなる、センス増幅器ラッチ回路部分と、
少なくとも部分的に、前記１対の相補性データ信号及び１対の相補性クロック信号に応答して動作する帰還回路部分であって、データ検知動作がほぼ完了すると、前記センス・アンプの評価段階を停止させるために自己調時式ループを動作させる、帰還回路部分
を備える、データインターフェース回路。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月24日(2004.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一様スペクトルを有する２種類の白色ベースバンド信号をそれぞれ実部，虚部とする複素入力信号を帯域制限する参照フィルタと，
参照フィルタの伝播遅延に相当する時間だけ複素入力信号を遅延させる遅延器と，
参照フィルタ出力信号の振幅成分が設定値を超過した場合に超過分に比例する振幅を有する複素インパルス信号を出力する振幅制御部と，
遅延器出力信号から振幅制御部出力信号を減算する減算器とから構成されることを特徴とするピークファクタ低減装置。
【請求項２】
上記振幅制御部が，
参照フィルタ出力信号の実部，虚部に基づき絶対値を出力する絶対値回路と，
絶対値回路出力信号の所定値超過分を出力するデッドゾーン回路と，
デッドゾーン回路出力信号を波形整形しデッドゾーン回路出力振幅に比例した振幅のインパルス信号を発生するインパルス発生回路と，
参照フィルタ出力信号の実部から絶対値回路出力信号を除し，複素信号の余弦を出力する第１除算器と，
参照フィルタ出力信号の虚部から絶対値回路出力信号を除し，複素信号の正弦を出力する第2除算器と，
上記第１，第2除算器出力をインパルス発生回路の処理遅延に応じて遅延させる第1，第2遅延器と，
インパルス発生回路出力信号を第1，第2遅延器出力信号に乗じることで複素インパルス信号の実部，虚部を生成する第1，第2乗算器とから構成されることを特徴とする請求項１記載のピークファクタ低減装置。
【請求項３】
上記インパルス発生回路が，
デッドゾーン回路出力信号を１サンプル遅延させる第３遅延器と，
デッドゾーン回路出力信号の連続する２サンプルの差分をとることで波形微分演算を行う微分回路と，
微分回路出力信号を１サンプル遅延させる第４遅延器と，
微分回路出力信号と第４遅延器出力信号のサンプルごとの積をとる第3乗算器と，
第3乗算器出力が負値の場合に単位振幅を有するインパルス信号を出力する負値判定器と，
負値判定器出力信号を参照フィルタのインパルス応答最大値で正規化する利得回路と，
利得回路出力信号と第３乗算器出力信号のサンプルごとの積をとる第４乗算器とから構成されることを特徴とする請求項２記載のピークファクタ低減装置。
【請求項４】
上記振幅制御部が，インパルス発生回路を省略し，その代用としてデッドゾーン回路出力信号をフィルタのインパルス応答最大値の逆数倍する利得回路に置き換えたことを特徴とする請求項２記載のピークファクタ低減装置。
【請求項５】
上記参照フィルタ出力信号の実部，虚部の絶対値の和が，デッドゾーン回路の設定値以下である場合に，振幅制御部を休止させることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれかに記載のピークファクタ低減装置。
【請求項６】
請求項１〜５に記載のピークファクタ低減装置のいずれかを複数用い，これを多段縦続接続することを特徴とするピークファクタ低減装置。
【請求項７】
請求項１〜６記載のうちいずれかに記載のピークファクタ低減装置と，ピークファクタ低減装置出力信号を帯域制限する帯域制限フィルタから構成されることを特徴とするベースバンド信号処理装置。
【請求項８】
少なくとも１つ以上のディジタル変調信号を拡散符号を用いて拡散する拡散部と，
該拡散された信号を多重化する多重化部と，
該多重化部の出力信号をオーバサンプルするインタポレータと，
該インタポレータの出力信号を入力とし、２種類のベースバンド信号をそれぞれ実部，虚部とする複素入力信号を帯域制限する参照フィルタと，該参照フィルタの伝播遅延に相当する時間だけ複素入力信号を遅延させる遅延器と，該参照フィルタ出力信号の振幅成分が設定値を超過した場合に超過分に比例する振幅を有する複素インパルス信号を出力する振幅制御部と，前記遅延器の出力信号から該振幅制御部の出力信号を減算する減算器とから構成されることを特徴とするピークファクタ低減装置と，
該ピークファクタ低減装置の出力であるディジタル出力信号をアナログ信号に変換するディジタル‐アナログ変換器と，
上記アナログ出力信号の平滑化を行うフィルタと，周波数変調部と，電力増幅器と，制御部とを有しすることを特徴とする無線送信機。
【請求項９】
上記振幅制御部が，上記参照フィルタ出力信号の実部，虚部に基づき絶対値を出力する絶対値回路と，絶対値回路出力信号の所定値超過分を出力するデッドゾーン回路とを有し，
上記制御部が上記ピークファクタ低減装置に対して上記デッドゾーン回路の設定値信号を供給することを特徴とする請求項８記載の無線送信機。
【請求項１０】
上記ベースバンド信号処理装置とディジタル−アナログ変換器の中間に，電力増幅器の非線形入出力特性の逆関数を入出力特性とするディジタルプリディストーション装置を配置することを特徴とする請求項９記載の無線送信機。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月4日(2004.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】指向性アンテナ及びそのキャリブレーション方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のアンテナ素子で構成された指向性アンテナと、
対応する上記アンテナ素子を介して受信信号を受信した後個別の重み係数を掛け合わせて出力する複数の受信手段と、
対応する上記個別の重み係数を送信信号に掛け合わせ、対応する上記アンテナ素子を介して送信する複数の送信手段と、
上記複数のアンテナ素子間を短絡する短絡手段と、
上記複数のアンテナ素子間が短絡された状態で上記複数の送信手段のうちの一つに基準信号を供給することにより、当該送信手段に対応する上記アンテナ素子から他の上記アンテナ素子に当該基準信号を送信する基準信号供給手段と、
上記アンテナ素子を介して受信した上記基準信号と、上記基準信号供給手段から直接供給された上記基準信号とを比較することにより、上記受信手段及び上記送信手段の特性を評価し、当該評価結果に基づいて上記重み係数を補正する重み係数補正手段と
を具えることを特徴とする指向性アンテナ。
【請求項２】
上記複数のアンテナ素子は、共通な誘電体上にそれぞれ配置されたパッチアンテナである
ことを特徴とする請求項１に記載の指向性アンテナ。
【請求項３】
複数のアンテナ素子で構成された指向性アンテナと、対応する上記アンテナ素子を介して受信信号を受信した後個別の重み係数を掛け合わせて出力する複数の受信手段と、対応する上記個別の重み係数を送信信号に掛け合わせ、対応する上記アンテナ素子を介して送信する複数の送信手段とを有する指向性アンテナのキャリブレーション方法において、
上記複数のアンテナ素子間を短絡し、
上記複数の送信手段のうちの一つに基準信号を供給することにより、当該送信手段に対応する上記アンテナ素子から他の上記アンテナ素子に当該基準信号を送信し、
上記アンテナ素子を介して受信した上記基準信号と、上記基準信号供給手段から直接供給された上記基準信号とを比較することにより、上記受信手段及び上記送信手段の特性を評価し、当該評価結果に基づいて上記重み係数を補正する
ことを特徴とする指向性アンテナのキャリブレーション方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は指向性アンテナ及びそのキャリブレーション方法に関し、送受信ともに指向性制御を行うアダプティブアレーアンテナに適用して好適なものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明は以上の点を考慮してなされたもので、適切なキャリブレーションを行い得る指向性アンテナ及びそのキャリブレーション方法を提案しようとするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【課題を解決するための手段】
かかる課題を解決するため本発明においては、複数のアンテナ素子で構成された指向性アンテナと、対応するアンテナ素子を介して受信信号を受信した後個別の重み係数を掛け合わせて出力する複数の受信手段と、対応する個別の重み係数を送信信号に掛け合わせ対応するアンテナ素子を介して送信する複数の送信手段とを有する指向性アンテナのキャリブレーション方法において、複数のアンテナ素子間を短絡し、複数の送信手段のうちの一つに基準信号を供給することにより当該送信手段に対応するアンテナ素子から他のアンテナ素子に当該基準信号を送信し、アンテナ素子を介して受信した基準信号と、基準信号供給手段から直接供給された基準信号とを比較して受信手段及び送信手段の特性を評価し、当該評価結果に基づいて重み係数を補正するようにしたことにより、アンテナ素子を含み、かつ電波伝搬環境の影響を受けない適切なキャリブレーションを行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月18日(2004.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３端子デバイスを使用する方法であって、
該３端子デバイスを含む回路の動作における、前記３端子デバイスに関係するアーリー効果の影響を低減すること、
を特徴とする３端子デバイス使用方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法において、
前記アーリー効果の影響の低減は、前記回路の動作を高速にするために行うこと、
を特徴とする３端子デバイス使用方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法において、
前記アーリー効果の影響の低減は、前記回路の動作の精度を高くするために行うこと、
を特徴とする３端子デバイス使用方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の方法において、
前記３端子デバイスの第１、第２および第３の端子の全てを無接地状態で使用すること、
を特徴とする３端子デバイス使用方法。
【請求項５】
請求項１から３のいずれかに記載の方法であって、
前記３端子デバイスは、入力端子として機能する第１の端子と、第２の端子と、出力端子として機能する第３の端子とを有し、
前記３端子デバイスの前記第２端子を非接地状態で使用すること、
を特徴とする３端子デバイス使用方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法であって、さらに、前記第１端子および第３端子も非接地で使用することにより、前記３端子デバイスを無接地状態で動作させること、を特徴とする３端子デバイス使用方法。
【請求項７】
請求項５または６に記載の方法において、前記第２端子と前記第３端子間の第１電位差を、前記入力信号の変化に拘わらず実質上一定に保持すること、を特徴とする３端子デバイス使用方法。
【請求項８】
入力端子として機能する第１の端子と、第２の端子と、出力端子として機能する第３の端子とを有し、前記第１端子に入力される入力信号に応答して前記第３端子に出力信号を発生する３端子デバイスにおいて、該デバイスの出力信号におけるアーリー効果による成分を低減させるアーリー効果成分低減方法であって、
第１の端子に受ける前記入力信号に関係した第１の信号に応答して、前記デバイスの前記第２端子の電位を制御することによって、前記デバイスの前記第２端子と前記第３端子との間の第１の電位差を実質上一定にすること、
から成るアーリー効果成分低減方法。
【請求項９】
請求項８記載の方法において、前記３端子デバイスは、
前記第１端子と前記第３端子との間の第２の電位差は、前記第２端子と前記第３端子との間の前記第１電位差に対し第１の関数の関係を有すること、
を特徴とするアーリー効果成分低減方法。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の方法において、前記制御は、
前記第１信号を入力端子に受けて第２の信号を出力端子に発生することにより、前記第１電位差が前記第２電位差に対し第２の関数の関係を有するようにすること、
を特徴とするアーリー効果成分低減方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の方法において、前記第２関数は、前記第２電位差を変数とする１次関数、または前記第２電位差を変数とする定数関数、またはこれら１次関数と定数関数の組み合わせの関数であること、
を特徴とするアーリー効果成分低減方法。
【請求項１２】
３端子デバイスを含むバッファ回路を使用して信号をバッファする信号バッファ方法において、
前記バッファ回路の動作における前記３端子デバイスに関係するアーリー効果成分を低減すること、
を特徴とする信号バッファ方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の方法において、
前記３端子デバイスは、入力端子として機能する第１の端子と、第２の端子と、出力端子として機能する第３の端子とを有し、前記第１端子に入力される入力信号に応答して前記第３端子に出力信号を発生するようになっており、
前記のアーリー効果成分を低減することは、
イ）前記３端子デバイスの前記第１端子に、入力信号を受けるステップと、
ロ）前記入力信号に関係した第１の信号を発生するステップと、
ハ）前記第１信号に応答して、前記デバイスの前記第２端子の電位を制御することによって、前記デバイスの前記第２端子と前記第３端子との間の第１の電位差を実質上一定にするステップと、
ニ）前記第１端子に受けた前記入力信号をバッファした出力信号を、前記３端子デバイスの前記第３端子から発生するステップと、
を含むこと、を特徴とする信号バッファ方法。
【請求項１４】
入力端子として機能する第１の端子と、第２の端子と、出力端子として機能する第３の端子とを有し、前記第１端子に入力される入力信号に応答して前記第３端子に出力信号を発生する３端子デバイスにおいて、該デバイスの出力信号におけるアーリー効果による成分を低減させるアーリー効果成分低減回路であって、
前記入力信号に関係した第１の信号を受け、該第１信号に応答して前記デバイスの前記第２端子の電位を制御する制御手段、
を備え、これにより、前記デバイスの前記第２端子と前記第３端子との間の第１の電位差を実質上一定にすることによってアーリー効果成分を低減すること、を特徴とするアーリー効果成分低減回路。
【請求項１５】
請求項１４記載の回路において、前記３端子デバイスは、
前記第１端子と前記第３端子との間の第２の電位差は、前記第２端子と前記第３端子との間の前記第１電位差に対し第１の関数の関係を有すること、
を特徴とするアーリー効果成分低減回路。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載の回路において、前記制御手段は、
前記第１信号を入力端子に受けて第２の信号を出力端子に発生することにより、前記第１電位差が前記第２電位差に対し第２の関数の関係を有するようにすること、
を特徴とするアーリー効果成分低減回路。
【請求項１７】
請求項１４から１６のいずれかに記載の回路において、前記制御手段は、
イ）前記第１信号を前記３端子デバイスの前記第１端子から得るため、前記３端子デバイスの前記第１端子に接続した前記入力端子と、
ロ）前記３端子デバイスの前記第２端子に接続した前記出力端子と、
を有すること、
を特徴とするアーリー効果成分低減回路。
【請求項１８】
請求項１４から１６のいずれかに記載の回路において、前記制御手段は、
イ）前記第１信号を前記３端子デバイスの前記第３端子から得るため、前記３端子デバイスの前記第３端子に接続した前記入力端子と、
ロ）前記３端子デバイスの前記第２端子に接続した前記出力端子と、
を有すること、
を特徴とするアーリー効果成分低減回路。
【請求項１９】
３端子デバイスを含む回路であって、
該回路の動作における、前記３端子デバイスに関係するアーリー効果の影響を低減したこと、
を特徴とする回路。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月22日(2004.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）  予め歪んだ信号(v(n))を内側予歪み関数（６３）に与えるために信号を調整するために少なくとも１個の外側予歪み関数（７０）を用いるステップと、
（Ｂ）  歪み生成回路（６４）に入力する前に、前記内側予歪み関数（６３）を用いて、前記予め歪んだ信号(v(n))を調整するステップと
を有することを特徴とする入力信号に予め歪みを加えるシステム。
【請求項２】
（Ｃ）  前記内側予歪み関数（６３）の出力(x(n))と、前記歪み生成回路（６４）の出力(y(n))を用いて、前記内側予歪み関数（６３）を生成するステップ
をさらに有することを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項３】
（Ｄ）  前記外側予歪み関数（７０）の出力(v(n))と、前記歪み生成回路（６４）の出力(y(n))を用いて、前記外側予歪み関数（７０）を生成するステップ
をさらに有することを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項４】
（Ｅ）  増幅器を前記歪み生成回路（６４）として用いるステップ
を有することを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項５】
（Ａ）  歪み生成回路（６４）と、
（Ｂ）  信号(u(n))を調整するために、少なくとも１個の外側予歪み関数（７０）を用いるよう構成された予歪み回路（６２，６８）と
を有し、
予め歪んだ信号(v(n))を内側予歪み関数（６３）に与え、前記歪み生成回路（６４）に入力する前に、前記内側予歪み関数（６３）を用いて、前記予め歪んだ信号(v(n))を調整する
ことを特徴とする予歪みシステム（６０）。
【請求項６】
前記予歪み回路（６２，６８）は、前記内側予歪み関数（６３）の出力(x(n))と、前記歪み生成回路（６４）の出力(y(n))を用いて、前記内側予歪み関数（６３）を生成するよう構成されている
ことを特徴とする請求項５記載のシステム。
【請求項７】
前記予歪み回路（６２，６８）は、前記外側予歪み関数（７０）の出力(x(n))と、前記歪み生成回路（６４）の出力(y(n))を用いて、前記外側予歪み関数（７０）を生成するよう構成されている
ことを特徴とする請求項５記載のシステム。
【請求項８】
前記歪み生成回路（６４）は、増幅器である
ことを特徴とする請求項５記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月30日(2004.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージの凹所内に圧電振動素子を気密封止した圧電振動子であって、
前記パッケージの凹所内に設けた段差部の上面には前記パッケージの底面に配置した出力電極と導通した２つのパッドを備えており、
該パッドに夫々導電性シートを導電性接着剤を用いて搭載接着すると共に、
前記各導電性シートの上部に導電性接着剤を塗布して圧電振動素子を片持ち状態で接着固定した後、パッケージの開口部を蓋にて気密封止したことを特徴とする圧電振動子の構造。
【請求項２】
パッケージの凹所内に圧電振動素子を気密封止した圧電振動子であって、
前記パッケージの凹所内に設けた段差部の上面には前記パッケージの底面に配置した出力電極と導通した２つのパッドを備えており、
該パッドに夫々導電性シートを導電性接着剤を用いて搭載接着すると共に、
導電性接着剤の塗布位置を所定の位置だけ凹所中央側にずらせて前記各導電性シートの上部に導電性接着剤を塗布して圧電振動素子を片持ち状態で接着固定した後、パッケージの開口部を蓋によって機密封止したことを特徴とする圧電振動子の構造。
【請求項３】
前記請求項１及び２記載の導電性シートは、ポアソン比０．４５以上の柔軟な素材であることを特徴とする請求項１及び２記載の圧電振動子の構造。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月23日(2004.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内にガスを供給しつつ排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内に配置された電極に高周波電力を印加することにより、プラズマを発生させ、前記電極に載置された被処理物を処理するプラズマ処理方法であって、貴金属或いは強誘電体の少なくとも一方を含む薄膜が形成された被処理物を処理する第１の処理工程と、第１の処理工程とは別にＣ元素とＦ元素を含むガスを導入することで被処理物を処理する第２の処理工程とを有することを特徴とするプラズマ処理方法。
【請求項２】
貴金属または強誘電体は、ロジウム、レニウム、ビスマス、ニッケル、銀、銅、ルテニウム、白金、イリジウム、ストロンチウム、バリウム、ジルコニウム、鉛、ニオブ、金のうち、少なくとも１種類の元素を含むことを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理方法。
【請求項３】
Ｃ元素とＦ元素を含むガスは、ＣＦ4 、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 、Ｃ5 Ｆ8 、ＣＨＦ3 、ＣＨ3 Ｆ、ＣＣｌ2 Ｆ2 の少なくとも１つを含むガスであることを特徴とする請求項１または２に記載のプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明のプラズマ処理方法は、真空容器内にガスを供給しつつ排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、真空容器内に配置された電極に高周波電力を印加することにより、プラズマを発生させ、前記電極に載置された被処理物を処理するプラズマ処理方法であって、貴金属或いは強誘電体の少なくとも一方を含む薄膜が形成された被処理物を処理する第１の処理工程と、第１の処理工程とは別にＣ元素とＦ元素を含むガスを導入することで被処理物を処理する第２の処理工程とを有するものであり、貴金属または強誘電体を含む薄膜が形成された被処理物を連続処理しても、アンテナカバーや誘電体窓など、アンテナと真空容器内のプラズマ発生空間との間に配設される誘電体表面に導電性の小さいＣＦ系の付着物があらかじめ付着するなどの推定原因により導電性付着物が発生するのを低減でき、パーティクルの発生を防止し、または処理レートの低下を防止することができる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【発明の効果】
本発明のプラズマ処理方法によれば、以上のように貴金属或いは強誘電体の少なくとも一方を含む薄膜が形成された被処理物を処理する第１の処理工程と、第１の処理工程とは別に、Ｃ元素とＦ元素を含むガスを導入することで被処理物を処理する第２の処理工程とを有するので、貴金属または強誘電体を含む薄膜が形成された被処理物を連続処理しても、アンテナカバーや誘電体窓など、アンテナと真空容器内のプラズマ発生空間との間に配設される誘電体表面に導電性の小さいＣＦ系の付着物があらかじめ付着するなどの推定原因により導電性付着物が発生するのを低減でき、パーティクルの発生を防止し、または処理レートの低下を防止することができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月11日(2004.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体膜表面において、多方向に分岐しているリッジで分けられた平坦部及び凹部を含む領域が複数存在している不規則な網目模様を有し、前記リッジは凸部が連なって尾根状に延びたものであり、前記領域における任意の２点の間は前記リッジにより阻まれない経路を少なくとも一つ有していることを特徴とする半導体膜。
【請求項２】
請求項１において、前記半導体膜中には金属元素を１×１０16／ｃｍ3〜５×１０18／ｃｍ3の濃度で含むことを特徴とする半導体膜。
【請求項３】
請求項２において、前記金属元素は、珪素の結晶化を助長する金属元素であり、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕのうち一種または複数種であることを特徴とする半導体膜。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記半導体膜の表面は、表面平均粗さ（Ｒａ値）が２ｎｍ以下であることを特徴とする半導体膜。
【請求項５】
チャネル形成領域とドレイン領域とソース領域とを有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを備えたＴＦＴを具備した半導体装置において、
前記半導体層の表面において、多方向に分岐しているリッジで分けられた平坦部及び凹部を含む領域が複数存在している不規則な網目模様を有し、前記リッジは凸部が連なって尾根状に延びたものであり、前記領域における任意の２点の間は前記リッジにより阻まれない経路を少なくとも一つ有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５において、前記半導体膜中には金属元素を１×１０16／ｃｍ3〜５×１０18／ｃｍ3の濃度で含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、前記金属元素は、珪素の結晶化を助長する金属元素であり、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕのうち一種または複数種であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一において、前記半導体膜の表面は、表面平均粗さ（Ｒａ値）が２ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
絶縁表面上に非晶質構造を有する半導体膜を形成する第１工程と、
前記非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を添加する第２工程と、
前記非晶質構造を有する半導体膜を加熱処理して結晶構造を有する半導体膜を形成した後、前記結晶構造を有する半導体膜の表面に形成された酸化膜を除去する第３工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜に酸素を導入し、前記結晶構造を有する半導体膜中の酸素濃度を５×１０18／ｃｍ3〜１×１０21／ｃｍ3とする第４工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜の表面に形成された酸化膜を除去する第５工程と、
不活性気体雰囲気または真空中でレーザー光を照射して前記結晶構造を有する半導体膜の表面を平坦化する第６工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
絶縁表面上に非晶質構造を有する半導体膜を形成する第１工程と、
前記非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を添加する第２工程と、
前記非晶質構造を有する半導体膜を加熱処理して結晶構造を有する半導体膜を形成する第３工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜に酸素を導入し、前記結晶構造を有する半導体膜中の酸素濃度を５×１０18／ｃｍ3〜１×１０21／ｃｍ3とする第４工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜の表面に形成された酸化膜を除去する第５工程と、
不活性気体雰囲気または真空中でレーザー光を照射して前記結晶構造を有する半導体膜の表面を平坦化する第６工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
絶縁表面上に非晶質構造を有する半導体膜を形成する第１工程と、
前記非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を添加する第２工程と、
前記非晶質構造を有する半導体膜を加熱処理して結晶構造を有する半導体膜を形成した後、前記結晶構造を有する半導体膜の表面に形成された酸化膜を除去する第３工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜に酸素を導入し、前記結晶構造を有する半導体膜中の酸素濃度を５×１０18／ｃｍ3〜１×１０21／ｃｍ3とする第４工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜の表面に形成された酸化膜を除去する第５工程と、
不活性気体雰囲気または真空中でレーザー光を照射して前記結晶構造を有する半導体膜の表面を平坦化する第６工程と、
前記金属元素をゲッタリングして前記結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を除去または低減する第７工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか一において、前記第１工程で形成される非晶質構造を有する半導体膜中の酸素濃度を５×１０18／ｃm3未満とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項９乃至１２のいずれか一において、前記第４工程は、オゾン水で前記結晶構造を有する半導体表面を酸化させた後、不活性気体雰囲気または真空中で前記第６工程でのレーザー光よりも３０〜６０ｍＪ／ｃｍ2低いエネルギー密度のレーザー光を照射する工程であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項９乃至１３のいずれか一において、前記第４工程は、酸素または水分子を含む雰囲気下で前記第６工程でのレーザー光よりも３０〜６０ｍＪ／ｃｍ2低いエネルギー密度のレーザー光を照射する工程であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項９乃至１４のいずれか一において、前記第４工程は、前記結晶構造を有する半導体膜中に５×１０18／ｃｍ3〜１×１０21／ｃｍ3の濃度となるように酸素をイオンドーピング法またはイオン注入法により添加した後、不活性気体雰囲気または真空中で前記第６工程でのレーザー光よりも３０〜６０ｍＪ／ｃｍ2低いエネルギー密度のレーザー光を照射する工程であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項９乃至１５のいずれか一において、前記金属元素は、珪素の結晶化を助長する金属元素であり、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕのうち一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、本発明の結晶構造を有する半導体膜において、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）で優れた平坦性を示すデータが得られると同時に、膜表面状態も非常に独特のデータが得られる。結晶化を助長する金属元素を用いなかった場合、リッジ（微小な凸部が連続して連なっている部分）で囲まれた亀甲模様が形成されるが、結晶化を助長する金属元素を用いて結晶化を行った本発明の結晶構造を有する半導体膜の表面状態は、図３に示すように多方向に分岐しているリッジで分けられた平坦部及び凹部を含む領域が複数存在している不規則な網目模様が観察できる。このリッジで挟まれた領域（平坦部及び凹部）が、同じ結晶配向を有している結晶粒の集合（ドメインとも呼ぶ）にほぼ対応している。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月23日(2004.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空反応室内にガスを供給しつつ排気して所定の圧力に制御しながら、真空反応室内の基板を載置する基板電極に対向して設けられたコイルに高周波電力を印加することでプラズマを発生させ、前記基板電極上に配置された基板の多層膜を処理する半導体デバイスの製造方法であって、ＡｌＧａＮ膜上に形成されたＧａＮ膜のエッチングを行う際、真空反応室内にＣｌ原子を含むガスとＦ原子を含むガスを導入し、そのＣｌ原子を含むガスの濃度が６０％から９０％であることを特徴とするＧａＮ系半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
Ｃｌ原子を含むガスが、Ｃｌ2 、ＨＣｌ、ＢＣｌ3 の少なくとも一つのガスを含有することを特徴とする請求項１記載のＧａＮ系半導体デバイスの製造方法。
【請求項３】
Ｆ原子を含むガスが、ＳＦ6 、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 の少なくとも一つのガスを含有することを特徴とする請求項１または２記載のＧａＮ系半導体デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、真空反応室内にガスを供給しつつ排気して所定の圧力に制御しながら、真空反応室内の基板を載置する基板電極に対向して設けられたコイルに高周波電力を印加することでプラズマを発生させ、前記基板電極上に配置された基板の多層膜を処理する半導体デバイスの製造方法であって、ＡｌＧａＮ膜上に形成されたＧａＮ膜のエッチングを行う際、真空反応室内にＣｌ原子を含むガスとＦ原子を含むガスを導入し、そのＣｌ原子を含むガスの濃度が６０％から９０％であるものであり、プラズマ中のＦ原子によってＡｌＧａＮ膜の表面にＡｌＦのエッチングストッパ層が形成され、その結果ＧａＮ／ＡｌＧａＮの高選択比のドライエッチングを行うことができ、ＡｌＧａＮ膜の膜厚減少による電子供給率の低下を防止することができる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【発明の効果】
本発明のＧａＮ系半導体デバイスの製造方法によれば、以上のようにＡｌＧａＮ膜上に形成されたＧａＮ膜のエッチングを行う際、真空反応室内にＣｌ原子を含むガスとＦ原子を含むガスを導入し、そのＣｌ原子を含むガスの濃度が６０％から９０％であるので、プラズマ中のＦ原子によってＡｌＧａＮ膜の表面にＡｌＦのエッチングストッパ層が形成され、その結果ＧａＮ／ＡｌＧａＮの高選択比のドライエッチングを行うことができ、ＡｌＧａＮ膜の膜厚減少による電子供給率の低下を防止することができ、デバイス特性、品質、歩留りの良いＧａＮ系半導体デバイスを得ることができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月24日(2004.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
位置検出すべき物体に設けられたマークからの光を導く対物光学系と、前記マークからの光を光電検出する光電検出器と、該光電検出器の出力信号を信号処理する信号処理系とを備えた位置検出装置において、
前記光電検出器は、第１波長帯域において前記マークからの光を光電検出するための第１光電検出器と、第２波長帯域において前記マークからの光を光電検出するための第２光電検出器とを有し、
前記信号処理系は、前記第１波長帯域の光および前記第２波長帯域の光に対する前記対物光学系の収差に基づいて、前記第１光電検出器の出力信号および前記第２光電検出器の出力信号をそれぞれ補正することを特徴とする位置検出装置。
【請求項２】
前記第１光電検出器および前記第２光電検出器は、前記第１波長帯域の光および前記第２波長帯域の光に対する前記対物光学系の軸上色収差に基づいてそれぞれ位置決めされていることを特徴とする請求項１に記載の位置検出装置。
【請求項３】
前記第１光電検出器または前記第２光電検出器の出力信号を用いて前記マークからの光を光電検出することを特徴とする請求項１または２に記載の位置検出装置。
【請求項４】
前記信号処理系は、前記マークのパターンに関する情報に基づいて、前記第１光電検出器および前記第２光電検出器の出力信号を補正することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の位置検出装置。
【請求項５】
光源からの光に基づいて位置検出すべき物体を照明する照明系と、照明された前記物体に設けられたマークからの光を導く対物光学系と、前記マークからの光を光電検出する光電検出器と、該光電検出器の出力信号を信号処理する信号処理系とを備えた位置検出装置において、
第１波長帯域の光だけを選択的に前記光電検出器へ導くための第１選択手段と、第２波長帯域の光だけを選択的に前記光電検出器へ導くための第２選択手段とを有し、
前記信号処理系は、前記第１波長帯域の光および前記第２波長帯域の光に対する前記対物光学系の収差に基づいて、前記光電検出器の出力信号を補正することを特徴とする位置検出装置。
【請求項６】
前記第１選択手段および前記第２選択手段は、前記照明系の光路中に選択的に配置されることを特徴とする請求項５に記載の位置検出装置。
【請求項７】
前記信号処理系は、前記マークのパターンに関する情報に基づいて、前記光電検出器の出力信号を補正することを特徴とする請求項５または６に記載の位置検出装置。
【請求項８】
位置検出すべき物体に設けられたマークからの光を導く対物光学系と、前記マークからの光を光電検出する光電検出器と、該光電検出器の出力信号を信号処理する信号処理系とを備えた位置検出装置において、
前記マークからの光の分光特性を計測するための計測部と、
前記計測部で計測された前記分光特性と前記対物光学系の軸上色収差とに基づいて、前記マークと前記光電検出器との光学的な位置関係を調整するための調整部とを備えていることを特徴とする位置検出装置。
【請求項９】
位置検出すべき物体に設けられたマークからの光を導く対物光学系と、前記マークからの光を光電検出する光電検出器と、該光電検出器の出力信号を信号処理する信号処理系とを備えた位置検出装置において、
前記マークからの光の分光特性を計測するための計測部と、
前記計測部で計測された前記分光特性に基づいて、所定波長帯域の光に対する前記対物光学系の収差を補正するための補正部とを備えていることを特徴とする位置検出装置。
【請求項１０】
位置検出すべき物体に設けられたマークからの光を導く対物光学系と、前記マークからの光を光電検出する光電検出器と、該光電検出器の出力信号を信号処理する信号処理系とを備えた位置検出装置において、
前記マークからの光の分光特性を計測するための計測部を備え、
前記信号処理系は、前記計測部で計測された前記分光特性と前記対物光学系の色収差とに基づいて、前記光電検出器の出力信号を補正することを特徴とする位置検出装置。
【請求項１１】
前記対物光学系は前記マークの像を形成するための結像光学系を有し、前記光電検出器は前記マーク像を光電検出することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の位置検出装置。
【請求項１２】
所定のパターンを感光性基板上に露光する露光装置において、
前記感光性基板の位置を検出するための請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の位置検出装置を備えていることを特徴とする露光装置。
【請求項１３】
所定のパターンを感光性基板上に露光する露光方法において、
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の位置検出装置を用いて前記感光性基板の位置を検出することを特徴とする露光方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月12日(2004.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
従来、基板１上の配線パターン２は、導通に必要なところのみにライン状に設けられていたが、図４に示すように、配線パターン２が基板１の端面１ｃまで達して設けられている部分と、基板１の四隅のように配線パターン２が設けられていない部分とができ、図３に示すように、筒部５ａの端部の下に隙間Ａが存在していた。レンズ鏡筒５を基板１に接着剤により固着させて取り付けるときに、この配線パターン２が設けられていない部分（隙間Ａ）にレンズ鏡筒５が沈み込み、レンズ鏡筒５が基板１に対して傾いて取り付けられてしまうことがあった。レンズ鏡筒５が傾いて取り付けられてしまうと、レンズ鏡筒５に設けられたレンズ６の光軸が固体撮像素子３からずれて、固体撮像素子３上に被写体の結像ができなくなる不具合が発生する恐れがあった。