【手続補正書】
【提出日】平成17年5月26日(2005.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
補助磁極層８は、主磁極層１３から放出された磁束を記録媒体を経由して環流させるものである。この補助磁極層８は、例えば、パーマロイ（Ｎｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）などの磁性材料により構成されており、その厚さは約１．０μｍ〜２．０μｍである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
ギャップ層９は、補助磁極層８上に配設され、開口９ＡＫが設けられたギャップ層部分９Ａと、このギャップ層部分９Ａ上に配設され、薄膜コイル１０の各巻線間およびその周辺領域を覆うギャップ層部分９Ｂと、ギャップ層部分９Ａ，９Ｂを覆うように配設され、開口９ＣＫが設けられたギャップ層部分９Ｃとを含んで構成されている。ギャップ層部分９Ａは、例えばアルミナやシリコン酸化物（ＳｉＯ2 ）などの非磁性絶縁材料により構成されており、その厚さは約０．１μｍ〜１．０μｍである。ギャップ層部分９Ｂは、例えば、加熱されることにより流動性を示すフォトレジスト（感光性樹脂）やスピンオングラス（ＳＯＧ）などの非磁性絶縁材料により構成されている。ギャップ層部分９Ｃは、例えばアルミナやシリコン酸化物などの非磁性絶縁材料により構成されており、その厚さはギャップ層部分９Ｂの厚さよりも大きくなっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
磁極部分層１３Ａは、磁束の放出部分として機能するものである。この磁極部分層１３Ａは、例えば、ヨーク部分層１３Ｂよりも飽和磁束密度が大きい磁性材料により構成されており、その厚さは約０．１μｍ〜１．０μｍである。この磁極部分層１３Ａの構成材料としては、例えば、鉄および窒素を含む材料や、鉄、ジルコニアおよび酸素を含む材料や、鉄およびニッケルを含む材料などが挙げられ、より具体的にはパーマロイ（Ｎｉ：４５重量％，Ｆｅ：５５重量％）、窒化鉄（ＦｅＮ）、鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）、鉄を含む合金（ＦｅＭ）、ならびに鉄およびコバルトを含む合金（ＦｅＣｏＭ）のうちの少なくとも１種が挙げられる。上記した構造式（ＦｅＭ，ＦｅＣｏＭ）中のＭは、例えば、ニッケル、窒素、炭素（Ｃ）、ホウ素（Ｂ）、珪素、アルミニウム、チタン（Ｔｉ）、ジルコニア、ハフニウム（Ｈｆ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、銅のうちの少なくとも１種である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
次に、図１〜図２４を参照して、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法として、図１〜図３に示した薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明する。図４〜図２４は薄膜磁気ヘッドの製造工程を説明するためのものであり、図４〜図１３は断面構成を示し、図１４〜図２４は平面構成を示している。このうち、図４〜図１３は、それぞれ図１４〜図２３に示したＡ−Ａ線に沿った断面を示している。なお、本発明の「磁性層パターンの形成方法」は、本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造工程において磁極部分層１３Ａのうちの先端部１３Ａ１を形成するために適用されるものであるため、その「磁性層パターンの形成方法」に関しては以下で併せて説明する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
以下では、まず、図１を参照して薄膜磁気ヘッド全体の製造工程の概略について説明したのち、図１〜図２４を参照して薄膜磁気ヘッドの主要部（磁極部分層１３Ａ）の形成工程について詳細に説明する。なお、薄膜磁気ヘッドの一連の構成要素の材質、寸法および構造的特徴に関して既に詳述した事項については、その説明を随時省略するものとする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
続いて、シード層１２の表面にフォトレジストを塗布し、そのフォトレジストを必要に応じて加熱することにより、図４および図１４に示したように、フォトレジスト膜３１を約０．５μｍの厚さとなるように形成する。このフォトレジスト膜３１を形成する際には、例えば、その形成厚さＴ１が後工程において形成される前駆磁極部分層１３ＡＺの形成厚さＴ２（図７参照）よりも大きくなるように調整する（Ｔ１＞Ｔ２）。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
最後に、ヨーク部分層１３Ｂやオーバーコート層１４などの他の構成要素を形成して積層させたのち、図２４に示したように、例えばＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing ）法を使用して、エアベアリング面２０となる側から前駆磁極部分層１３ＡＺ（中央部分１３ＡＺＣ）を含む積層構造体の積層端面を研磨することにより、エアベアリング面２０を形成する。この研磨処理により、エアベアリング面２０に露出し、すなわちエアベアリング面２０の一部を構成するように図３に示した露出面２０Ｍが形成されるため、図１〜図３に示したように、左右非対称の逆台形状の露出面２０Ｍを有すると共にエアベアリング面２０から順に先端部１３Ａ１および後端部１３Ａ２を含む磁極部分層１３Ａが完成する。この露出面２０Ｍでは、例えば、上記したように、フォトレジストパターン３３のうちのフレーム部３３Ｒの幅ＷＲ＝１．８μｍ、フレーム部３３Ｌの幅ＷＬ＝７．５μｍとした場合（ＷＲ＜ＷＬ；図５および図１５参照）には、フレーム部３３Ｒの側面３３ＲＭの傾斜角ωＲがフレーム部３３Ｌの側面３３ＬＭの傾斜角ωＬよりも大きくなることに基づき（ωＲ＞ωＬ；図６参照）、この傾斜角ωＲ，ωＬ間の差異を反映して底角θＲが底角θＬよりも大きくなる（例えば、底角θＲ＝８６°，底角θＬ＝７６°）。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
本実施の形態に係る薄膜磁気ヘッドの製造方法では、開口３３Ｋを画定する２つのフレーム部３３Ｒ，３３Ｌが互いに異なる幅ＷＲ，ＷＬ（ＷＲ≠ＷＬ）を有するようにフォトレジストパターン３３を形成し、そのフォトレジストパターン３３を加熱してフレーム部３３Ｒ，３３Ｌを変形させることにより開口３３Ｋの幅をシード層１２に近づくにしたがって次第に狭めたのち、そのフォトレジストパターン３３の開口３３Ｋに前駆磁極部分層１３ＡＺ（中央部分１３ＡＺＣ）を形成し、その前駆磁極部分層１３ＡＺ（中央部分１３ＡＺＣ）を研磨してエアベアリング面２０を形成することにより露出面２０Ｍを有する磁極部分層１３Ａを形成するようにしている。この場合には、上記したように、フォトレジストパターン３３の加熱に伴うフレーム部３３Ｒ，３３Ｌの変形作用を利用して、その加熱後のフォトレジストパターン３３においてフレーム部３３Ｒ，３３Ｌの傾斜角ωＲ，ωＬが互いに異なることとなるため、そのフォトレジストパターン３３の開口３３Ｋに形成された前駆磁極部分層１３ＡＺに基づいて磁極部分層１３Ａを形成すれば、その磁極部分層１３Ａの露出面２０Ｍでは傾斜角ωＲ，ωＬ間の差異を反映して底角θＲ，θＬが互いに異なることとなり、すなわち露出面２０Ｍが左右非対称の逆台形状となるように磁極部分層１３Ａが形成される。したがって、本実施の形態では、左右非対称の逆台形状を有する露出面２０Ｍの特徴的な形状に基づき、サイドイレーズの発生抑制とオーバーライト特性の確保とを両立させることが可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
また、本実施の形態では、図７に示したように、フォトレジストパターン３３の開口３３Ｋに前駆磁極部分層１３ＡＺ（中央部分１３ＡＺＣ）を形成する際に、その形成厚さＴ２がフォトレジストパターン３３の形成厚さＴ１よりも小さくなるようにしたので（Ｔ２＜Ｔ１）、以下の理由により、その前駆磁極部分層１３ＡＺ（中央部分１３ＡＺＣ）に基づいて磁極部分層１３Ａを高精度に形成することができる。図３０および図３１は、前駆磁極部分層１３ＡＺの形成厚さＴ２に基づく利点および問題点を説明するためのものであり、いずれも図７に対応する断面構成を示している。すなわち、フォトレジストパターン３３を加熱してフレーム部３３Ｒ，３３Ｌを変形させた場合には、上記したように、図７では図示内容を簡略化するためにフレーム部３３Ｒ，３３Ｌの側面３３ＲＭ，３３ＬＭを平面状に示しているが、実際には、図３０および図３１に示したように、フォトレジストの表面張力に起因して側面３３ＲＭ，３３ＬＭが湾曲して曲面状となることが知られている。特に、側面３３ＲＭ，３３ＬＭの曲率はフレーム部３３Ｒ，３３Ｌの下方部よりも上方部において大きくなり、すなわち側面３３ＲＭ，３３ＬＭはフレーム部３３Ｒ，３３Ｌの下方部においてほぼ平面状となる一方で、上方部において曲面状となる。この場合には、図３０に示したように、前駆磁極部分層１３ＡＺを形成する際に、その形成厚さＴ２をフォトレジストパターン３３の形成厚さＴ１に等しくすると（Ｔ２＝Ｔ１）、最終的に形成される磁極部分層１３Ａの露出面２０Ｍ（図３参照）では、フレーム部３３Ｒ，３３Ｌの側面３３ＲＭ，３３ＬＭうちの曲面状を有する上方部分の影響を受けて傾斜角ωＲ，ωＬと底角θＲ，θＬとの間にずれが生じるため、それらの底角θＲ，θＬを高精度に制御することが困難となる。これに対して、図３１に示したように、前駆磁極部分層１３ＡＺの形成厚さＴ２をフォトレジストパターン３３の形成厚さＴ１よりも小さくすると（Ｔ２＜Ｔ１）、フレーム部３３Ｒ，３３の側面３３ＲＭ，３３ＬＭのうちの平面状を有している下方部分を利用して前駆磁極部分層１３ＡＺが形成されるため、最終的に形成される磁極部分層１３Ａの露出面２０Ｍでは、前駆磁極部分層１３ＡＺの形成厚さＴ２をフォトレジストパターン３３の形成厚さＴ１に等しくした場合（図３０参照）とは異なり、底角θＲ，θＬが傾斜角ωＲ，ωＬに基づいて規定され、これにより底角θＲ，θＬを高精度に制御することが可能となる。したがって、本実施の形態では、前駆磁極部分層１３ＡＺに基づいて磁極部分層１３Ａを高精度に形成することができるのである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
表１に示した結果から判るように、紫外線照射の有無に関わらず、底角θＲは幅ＷＲが大きくなるにしたがって次第に小さくなった。特に、幅ＷＲを１．０μｍ〜５０．０μｍの範囲内で変化させたところ、底角θＲは紫外線照射無の場合（「ＵＶ無」）に８９°〜６５°の範囲内で変化し、紫外線照射有の場合（「ＵＶ有」）に９０°〜６８°の範囲内で変化した。このことから、フォトレジストパターン３３のうちのフレーム部３３Ｒの幅ＷＲを調整することにより、最終的に形成される磁極部分層１３Ａの露出面２０Ｍの底角θＲを所望の値となるように制御可能であることが確認された。特に、上記したフレーム部３３Ｒの幅ＷＲと底角θＬとの間の関係はフレーム部３３Ｌの幅ＷＬと底角θＬとの間にも同様に成立するため、これらの関係を利用すれば、フォトレジストパターン３３のうちのフレーム部３３Ｒ，３３Ｌの幅ＷＲ，ＷＬを調整することにより底角θＲ，θＬを調整可能であり、すなわち露出面２０Ｍが左右非対象の逆台形状となるように磁極部分層１３Ａを形成可能であることが確認された。