【手続補正書】
【提出日】平成17年10月4日(2005.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体ウエハ及び半導体チップ及び半導体ウエハのダイシング方法並びに半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体素子が形成された複数のチップ領域と、
各チップ領域の外側に設けられたダイシング領域と、
ダイシング領域に形成された特性評価用素子と、
ダイシング領域に形成され、特性評価用素子と電気接続されたプローブ接触用の測定パッドとを備え、
測定パッドは、ダイシング領域の長手方向と略平行な間隙を介して区分された、２つ以上の露出面を含み、
前記２つ以上の露出面は、前記測定パッドよりも下層の配線によって、互いに電気的に接続されていることを特徴とする半導体ウエハ。
【請求項２】  測定パッドは、複数層のメタル配線で形成され、
最上層のメタル配線が前記露出面を構成し、
内部層のメタル配線のうち少なくとも１層は、該露出面と同一形状で区分されていることを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハ。
【請求項３】  半導体素子が形成されたチップ領域と、
チップ領域の外側に設けられたダイシング領域と、
ダイシング領域に形成されたメタル配線とを備え、
ダイシング切断面にメタル配線が露出していないことを特徴とする半導体チップ。
【請求項４】  半導体素子が形成された複数のチップ領域と、
各チップ領域の外側に設けられたダイシング領域と、
ダイシング領域に形成された特性評価用素子と、
ダイシング領域に形成され、特性評価用素子と電気接続されたメタル配線とを備える半導体ウエハのダイシング方法であって、
ブレードをダイシング領域の長手方向に沿って相対移動させて、ダイシング領域の一部を切断する工程を含み、
ダイシング中心線を座標軸Ｙとし、ダイシング中心線と直交する方向を座標軸Ｘとして、ブレードの刃厚Ｄ、ブレードと半導体ウエハとのＸ方向相対位置決め誤差±σとし、
ダイシング領域を、領域Ａ（−Ｄ／２＋σ＜ｘ＜Ｄ／２−σ）、領域Ｂ１（−Ｄ／２−σ＜ｘ＜−Ｄ／２＋σ）、領域Ｂ２（Ｄ／２−σ＜ｘ＜Ｄ／２＋σ）、領域Ｃ１（ｘ＜−Ｄ／２−σ）、領域Ｃ２（Ｄ／２＋σ＜ｘ）という５つの領域に区分した場合、領域Ａ，Ｃ１，Ｃ２のいずれかにメタル配線を露出させ、領域Ｂ１，Ｂ２にはメタル配線を露出しないことを特徴とする半導体ウエハのダイシング方法。
【請求項５】  ダイシング領域には複数層のメタル配線を形成し、
最上層のメタル配線は、領域Ａ，Ｃ１，Ｃ２のいずれかに配置し、
内部層のメタル配線は、領域Ｂ１，Ｂ２を横断するように配置することを特徴とする請求項４記載の半導体ウエハのダイシング方法。
【請求項６】  ダイシング領域には複数層のメタル配線を形成し、
ダイシング領域の交差点において、Ｘ方向ダイシング領域の領域ＡおよびＹ方向ダイシング領域の領域Ａの重なり領域で、ブリッジ用のメタル配線を露出させることを特徴とする請求項４記載の半導体ウエハのダイシング方法。
【請求項７】  領域Ｃ１，Ｃ２で露出したメタル配線の上に、パッシベーション膜を形成することを特徴とする請求項４記載の半導体ウエハのダイシング方法。
【請求項８】  前記半導体ウエハは、前記ダイシング領域に、前記メタル配線より下層に形成された、別のメタル配線を有し、
前記別のメタル配線は、前記領域Ａ，Ｃ１，Ｃ２のいずれかに形成され、前記領域Ｂ１，Ｂ２には形成されていないことを特徴とする請求項４〜７のいずれかに記載の半導体ウエハのダイシング方法。
【請求項９】  前記半導体ウエハは、前記ダイシング領域に形成された、複数層のメタル配線を有し、
前記複数層のメタル配線はいずれも、前記領域Ａ，Ｃ１，Ｃ２のいずれかに形成され、前記領域Ｂ１，Ｂ２には形成されていないことを特徴とする請求項４〜７のいずれかに記載の半導体ウエハのダイシング方法。
【請求項１０】  半導体素子が形成された複数のチップ領域と、
各チップ領域の外側に設けられたダイシング領域と、
ダイシング領域に形成された特性評価用素子と、
ダイシング領域に形成され、特性評価用素子と電気接続されたメタル配線とを備える半導体ウエハを準備する工程と、
ブレードを前記ダイシング領域の長手方向に沿って相対移動させて、ダイシング領域の一部を切断する工程とを含み、
ダイシング中心線を座標軸Ｙとし、ダイシング中心線と直交する方向を座標軸Ｘとして、
ブレードの刃厚Ｄ、ブレードと半導体ウエハとのＸ方向相対位置決め誤差±σとし、
ダイシング領域を、領域Ａ（−Ｄ／２＋σ＜ｘ＜Ｄ／２−σ）、領域Ｂ１（−Ｄ／２−σ＜ｘ＜−Ｄ／２＋σ）、領域Ｂ２（Ｄ／２−σ＜ｘ＜Ｄ／２＋σ）、領域Ｃ１（ｘ＜−Ｄ／２−σ）、領域Ｃ２（Ｄ／２＋σ＜ｘ）という５つの領域に区分した場合、前記半導体ウエハは、領域Ａ，Ｃ１，Ｃ２のいずれかにメタル配線を露出させ、領域Ｂ１，Ｂ２にはメタル配線を露出しないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】  前記半導体ウエハは、前記ダイシング領域に、前記メタル配線より下層に形成された、別のメタル配線を有し、
前記別のメタル配線は、前記領域Ａ，Ｃ１，Ｃ２のいずれかに形成され、前記領域Ｂ１，Ｂ２には形成されていないことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】  ダイシング領域には複数層のメタル配線を形成し、
最上層のメタル配線は、領域Ａ，Ｃ１，Ｃ２のいずれかに配置し、
内部層のメタル配線は、領域Ｂ１，Ｂ２を横断するように配置することを特徴とする請求項１１〜１２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ダイシング領域に特性評価用素子と測定パッドが形成された半導体ウエハおよびこのウエハを切断した半導体チップに関する。また本発明は、こうしたウエハを切断するためのダイシング方法及び半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の目的は、ダイシング時のバリ発生を防止して、ＩＣ製造の歩留まりを向上できる半導体ウエハ及び半導体チップ及び半導体ウエハのダイシング方法並びに半導体装置の製造方法を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る半導体ウエハは、半導体素子が形成された複数のチップ領域と、
各チップ領域の外側に設けられたダイシング領域と、
ダイシング領域に形成された特性評価用素子と、
ダイシング領域に形成され、特性評価用素子と電気接続されたプローブ接触用の測定パッドとを備え、
測定パッドは、ダイシング領域の長手方向と略平行な間隙を介して区分された、２つ以上の露出面を含み、
前記２つ以上の露出面は、前記測定パッドよりも下層の配線によって、互いに電気的に接続されていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る半導体ウエハのダイシング方法は、半導体素子が形成された複数のチップ領域と、
各チップ領域の外側に設けられたダイシング領域と、
ダイシング領域に形成された特性評価用素子と、
ダイシング領域に形成され、特性評価用素子と電気接続されたメタル配線とを備える半導体ウエハのダイシング方法であって、
ブレードをダイシング領域の長手方向に沿って相対移動させて、ダイシング領域の一部を切断する工程を含み、
ダイシング中心線を座標軸Ｙとし、ダイシング中心線と直交する方向を座標軸Ｘとして、ブレードの刃厚Ｄ、ダイシングブレードと半導体ウエハとのＸ方向相対位置決め誤差±σとし、
ダイシング領域を、領域Ａ（−Ｄ／２＋σ＜ｘ＜Ｄ／２−σ）、領域Ｂ１（−Ｄ／２−σ＜ｘ＜−Ｄ／２＋σ）、領域Ｂ２（Ｄ／２−σ＜ｘ＜Ｄ／２＋σ）、領域Ｃ１（ｘ＜−Ｄ／２−σ）、領域Ｃ２（Ｄ／２＋σ＜ｘ）という５つの領域に区分した場合、領域Ａ，Ｃ１，Ｃ２のいずれかにメタル配線を露出させ、領域Ｂ１，Ｂ２にはメタル配線を露出しないことを特徴とする。
また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体素子が形成された複数のチップ領域と、
各チップ領域の外側に設けられたダイシング領域と、
ダイシング領域に形成された特性評価用素子と、
ダイシング領域に形成され、特性評価用素子と電気接続されたメタル配線とを備える半導体ウエハを準備する工程と、
ブレードを前記ダイシング領域の長手方向に沿って相対移動させて、ダイシング領域の一部を切断する工程とを含み、
ダイシング中心線を座標軸Ｙとし、ダイシング中心線と直交する方向を座標軸Ｘとして、
ブレードの刃厚Ｄ、ブレードと半導体ウエハとのＸ方向相対位置決め誤差±σとし、
ダイシング領域を、領域Ａ（−Ｄ／２＋σ＜ｘ＜Ｄ／２−σ）、領域Ｂ１（−Ｄ／２−σ＜ｘ＜−Ｄ／２＋σ）、領域Ｂ２（Ｄ／２−σ＜ｘ＜Ｄ／２＋σ）、領域Ｃ１（ｘ＜−Ｄ／２−σ）、領域Ｃ２（Ｄ／２＋σ＜ｘ）という５つの領域に区分した場合、前記半導体ウエハは、領域Ａ，Ｃ１，Ｃ２のいずれかにメタル配線を露出させ、領域Ｂ１，Ｂ２にはメタル配線を露出しないことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
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