【手続補正書】
【提出日】平成17年4月14日(2005.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面上に連続記録層、マスク層、レジスト層をこの順で形成してなる被加工体の前記レジスト層を所定のパターン形状に加工するレジスト層加工工程と、前記レジスト層に基づいて前記マスク層を前記パターン形状に加工するマスク層加工工程と、前記マスク層上の前記レジスト層を除去するレジスト層除去工程と、前記マスク層に基づいてドライエッチングにより前記連続記録層を前記パターン形状に加工し、多数の分割記録要素に分割する連続記録層加工工程と、を含んでなり、前記連続記録層加工工程の前に前記レジスト層除去工程を実行するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記マスク層は、前記連続記録層加工工程におけるエッチングレートが前記連続記録層よりも低い層を含む構成とし、この層を前記連続記録層よりも薄く形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記マスク層の、前記連続記録層加工工程におけるエッチングレートが前記連続記録層よりも低い層の厚さｔを、３≦ｔ≦１５ｎｍとしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
請求項２において、
前記マスク層の、前記連続記録層加工工程におけるエッチングレートが前記連続記録層よりも低い層の厚さｔを、３≦ｔ≦１０ｎｍとしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
請求項２乃至４のいずれかにおいて、
前記マスク層の、前記連続記録層加工工程におけるエッチングレートが前記連続記録層よりも低い層の材料をダイヤモンドライクカーボンとしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記連続記録層加工工程は、イオンビームエッチングを用いて前記連続記録層を加工するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記マスク層は、前記連続記録層加工工程におけるエッチングレートが前記連続記録層よりも低い第１のマスク層と、前記レジスト層除去工程におけるエッチングレートが前記第１のマスク層よりも低く、前記第１のマスク層及び前記レジスト層に間に配置された第２のマスク層と、を含む構成とし、前記マスク層加工工程は、前記レジスト層に基づいて前記第２のマスク層を前記パターン形状に加工する第２のマスク層加工工程と、該第２のマスク層に基づいて前記第１のマスク層を前記パターン形状に加工する第１のマスク層加工工程と、を含む構成としたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記レジスト層除去工程が前記第１のマスク層加工工程を兼ねるようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記レジスト層除去工程は、酸素及びオゾンのいずれかを反応ガスとする反応性イオンエッチングを用いて前記レジスト層を除去すると共に前記第１のマスク層を加工するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれかにおいて、
前記連続記録層加工工程で前記第１のマスク層上の前記第２のマスク層が除去されるように、該第２のマスク層は、膜厚が充分に薄い構成、及び／又は材料が前記連続記録層加工工程において前記連続記録層の材料よりも高いエッチングレートを有する材料である構成としたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
請求項７乃至１０のいずれかにおいて、
前記第２のマスク層の材料をケイ素及びケイ素の化合物の少なくとも一方からなるケイ素系材料としたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
請求項７乃至１１のいずれかにおいて、
前記第２のマスク層加工工程は、フッ素系ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングを用いて前記第２のマスク層を加工するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれかにおいて、
前記レジスト層加工工程は、インプリント法を用いて前記レジスト層を加工するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれかにおいて、
前記被加工体を複数同時に加工するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
基板表面上に連続記録層、マスク層、レジスト層をこの順で形成してなる被加工体の前記レジスト層を所定のパターン形状に加工するレジスト層加工工程と、前記レジスト層に基づいて前記マスク層を前記パターン形状に加工するマスク層加工工程と、前記マスク層上の前記レジスト層を除去するレジスト層除去工程と、前記マスク層に基づいてイオンビームエッチングにより前記連続記録層を前記パターン形状に加工し、多数の分割記録要素に分割する連続記録層加工工程と、を含んでなり、前記連続記録層加工工程の前に前記レジスト層除去工程を実行するようにしたことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれかに記載の磁気記録媒体の製造方法を実行するための加工装置と、複数の前記被加工体を同時に保持するためのホルダと、を備え、複数の前記被加工体を同時に加工可能としたことを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記連続記録層を加工するためのイオンビームエッチング装置を備えることを特徴とする磁気記録媒体の製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
更に、本明細書において「磁気記録媒体」という用語は、情報の記録、読み取りに磁気のみを用いるハードディスク、フロッピー（登録商標）ディスク、磁気テープ等に限定されず、磁気と光を併用するＭＯ（Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｏｐｔｉｃａｌ）等の光磁気記録媒体、磁気と熱を併用する熱アシスト型の記録媒体も含む意義で用いることとする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
（２）前記マスク層は、前記連続記録層加工工程におけるエッチングレートが前記連続記録層よりも低い層を含む構成とし、この層を前記連続記録層よりも薄く形成することを特徴とする前記（１）の磁気記録媒体の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
（３）前記マスク層の、前記連続記録層加工工程におけるエッチングレートが前記連続記録層よりも低い層の厚さｔを、３≦ｔ≦１５ｎｍとしたことを特徴とする前記（２）の磁気記録媒体の製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
（４）前記マスク層の、前記連続記録層加工工程におけるエッチングレートが前記連続記録層よりも低い層の厚さｔを、３≦ｔ≦１０ｎｍとしたことを特徴とする前記（２）の磁気記録媒体の製造方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
（５）前記マスク層の、前記連続記録層加工工程におけるエッチングレートが前記連続記録層よりも低い層の材料をダイヤモンドライクカーボンとしたことを特徴とする前記（２）乃至（４）のいずれかの磁気記録媒体の製造方法。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
（６）前記連続記録層加工工程は、イオンビームエッチングを用いて前記連続記録層を加工するようにしたことを特徴とする前記（１）乃至（５）のいずれかの磁気記録媒体の製造方法。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
（７）前記マスク層は、前記連続記録層加工工程におけるエッチングレートが前記連続記録層よりも低い第１のマスク層と、前記レジスト層除去工程におけるエッチングレートが前記第１のマスク層よりも低く、前記第１のマスク層及び前記レジスト層の間に配置された第２のマスク層と、を含む構成とし、前記マスク層加工工程は、前記レジスト層に基づいて前記第２のマスク層を前記パターン形状に加工する第２のマスク層加工工程と、該第２のマスク層に基づいて前記第１のマスク層を前記パターン形状に加工する第１のマスク層加工工程と、を含む構成としたことを特徴とする前記（１）乃至（６）のいずれかの磁気記録媒体の製造方法。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
（９）前記レジスト層除去工程は、酸素及びオゾンのいずれかを反応ガスとする反応性イオンエッチングを用いて前記レジスト層を除去すると共に前記第１のマスク層を加工するようにしたことを特徴とする前記（８）の磁気記録媒体の製造方法。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
（１０）前記連続記録層加工工程で前記第１のマスク層上の前記第２のマスク層が除去されるように、該第２のマスク層は、膜厚が充分に薄い構成、及び／又は材料が前記連続記録層加工工程において前記連続記録層の材料よりも高いエッチングレートを有する材料である構成としたことを特徴とする前記（７）乃至（９）のいずれかの磁気記録媒体の製造方法。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
（１１）前記第２のマスク層の材料をケイ素及びケイ素の化合物の少なくとも一方からなるケイ素系材料としたことを特徴とする前記（７）乃至（１０）のいずれかの磁気記録媒体の製造方法。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
（１２）前記第２のマスク層加工工程は、フッ素系ガスを反応ガスとする反応性イオンエッチングを用いて前記第２のマスク層を加工するようにしたことを特徴とする前記（７）乃至（１１）のいずれかの磁気記録媒体の製造方法
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
又、イオンビームエッチングは、ＣＯガス等を反応ガスとする反応性イオンエッチングよりも磁性材料に対するエッチングの進行が速く、生産効率がよい。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
又、本実施形態において、磁気記録媒体の製造装置４０は、各工程に応じた個別の加工装置を備えているが、本発明はこれに限定されるものではなく、１台の装置で複数の工程の加工を行うようにしてもよい。例えば、溝底面のレジスト層２６を除去する工程と、分割記録要素３１上に残存する第１のマスク層２２を除去する工程は、共通のアッシング装置で行うようにしてもよい。又、連続記録層２０の加工工程と、分割記録要素３１及び非磁性体３２の平坦化工程はＡｒガスを用いた共通のイオンビームエッチング装置で行うようにしてもよい。又、第２のマスク層２４の加工と、第１のマスク層２２の加工及びレジスト層２６の除去と、を共通の反応性イオンエッチング装置を用いて、反応ガスを換えて行うようにしてもよい。このようにすることで、製造装置のコンパクト化、低コスト化を図ることができる。