(57)【要約】  【課題】  反りの発生および絶縁層の層間への水分の浸入が効果的に抑制された多数個取り配線基板およびその製造方法、ならびに反りの発生が抑制された配線基板およびその製造方法を提供する。  【解決手段】  ガラスセラミック焼結体からなる複数の絶縁層11が積層されて形成された母基板１に複数の配線基板領域２が縦横の並びに配列形成されてなる多数個取り配線基板９であって、母基板１の配線基板領域２の境界に沿って、母基板１を厚み方向に貫通する平面視で直線状の、母基板１を形成するガラスセラミック焼結体と焼結温度が異なる第２のガラスセラミック焼結体３が配置されている多数個取り配線基板９である。第２のガラスセラミック焼結体３により、母基板１の厚み方向の収縮を抑えて反りを抑制することができるとともに、絶縁層11の層間を第２のガラスセラミック焼結体３で被覆して水分の浸入を抑制することができる。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスセラミック焼結体からなる複数の絶縁層が積層されて形成された母基板に複数の配線基板領域が縦横の並びに配列形成されてなる多数個取り配線基板であって、前記母基板の前記配線基板領域の境界に沿って、前記母基板を厚み方向に貫通する平面視で直線状の、前記母基板を形成するガラスセラミック焼結体と焼結温度が異なる第２のガラスセラミック焼結体が配置されていることを特徴とする多数個取り配線基板。
【請求項２】
前記第２のガラスセラミック焼結体は、前記配線基板領域の境界同士が交差する部分を除く前記配線基板領域の境界の全長にわたって配置されていることを特徴とする請求項１記載の多数個取り配線基板。
【請求項３】
ガラスセラミック材料の粉末をシート状に成形して複数のセラミックグリーンシートを作製する工程と、
該セラミックグリーンシートのそれぞれに配線基板となる複数の配線基板領域を縦横の並びに配列するとともに、前記配線基板領域の境界に平面視で直線状の打ち抜き部分を、少なくとも前記境界同士が交差する部分を除いて設ける工程と、
前記打ち抜き部分に、前記ガラスセラミック材料と焼結温度が異なる第２のガラスセラミック材料の粉末を用いて作製した充填材を充填する工程と、
該充填材を充填した複数の前記セラミックグリーンシートを積層して、該セラミックグリーンシートの積層体を厚み方向に貫通する平面視で直線状の第２のガラスセラミック材料が前記配線基板領域の境界に沿って配置された積層体とするとともに、該積層体を焼成する工程と
を備えることを特徴とする多数個取り配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２記載の多数個取り配線基板が、前記配線基板領域の境界に沿って前記第２のガラスセラミック焼結体を通るように切断されてなり、前記第２のガラスセラミック焼結体により側面が被覆されていることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
ガラスセラミック材料の粉末をシート状に成形して複数のセラミックグリーンシートを作製する工程と、
該セラミックグリーンシートのそれぞれに配線基板となる複数の配線基板領域を縦横の並びに配列するとともに、前記配線基板領域の境界に平面視で直線状の打ち抜き部分を、少なくとも前記境界同士が交差する部分を除いて設ける工程と、
前記打ち抜き部分に、前記ガラスセラミック材料と焼結温度が異なる第２のガラスセラミック材料の粉末を用いて作製した充填材を充填する工程と、
該充填材を充填した複数の前記セラミックグリーンシートを積層して積層体とするとともに、該積層体を焼成して、ガラスセラミック焼結体からなる複数の絶縁層が積層されて形成された母基板に複数の配線基板領域が縦横の並びに配列形成されてなり、前記母基板の前記配線基板領域の境界に沿って、前記母基板を厚み方向に貫通する平面視で直線状の、前記母基板を形成するガラスセラミック焼結体と焼結温度が異なる第２のガラスセラミック焼結体が配置された多数個取り配線基板を作製する工程と、
該多数個取り配線基板を、前記配線基板領域の境界に沿って前記第２のガラスセラミック焼結体を通るように切断して、前記第２のガラスセラミック焼結体により側面が被覆された個片の配線基板に分割する工程と
を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子や弾性表面波素子等の電子部品を搭載するための配線基板となる配線基板領域が複数個、母基板に縦横の並びに配列されてなる多数個取り配線基板およびその製造方法、ならびに多数個取り配線基板が配線基板領域の境界において分割されてなる配線基板およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子や弾性表面波素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板として、ガラスセラミック焼結体から成る四角形板状の絶縁基体の上面に電子部品を搭載するための搭載部を有し、この搭載部またはその周辺から絶縁基体の側面や下面にかけて銅や銀等の金属材料から成る複数の配線導体が形成されたものが多用されている。
【０００３】
このような配線基板は、一般に、複数の絶縁層が積層されてなる１枚の広面積の母基板から複数個の配線基板を同時集約的に得るようにした、いわゆる多数個取り配線基板の形態で製作されている。多数個取り配線基板は、例えば、平板状の母基板に配線基板となる配線基板領域が縦横の並びに複数個配列形成された構造を有している。
【０００４】
このような多数個取り配線基板は、通常、セラミックグリーンシート積層法により製作されている。すなわち、まず、酸化ケイ素や酸化アルミニウム等の原料粉末を有機溶剤，バインダとともにシート状に成形して複数のセラミックグリーンシートを作製し、次に、このセラミックグリーンシートに複数の配線基板領域を縦横の並びに配列するとともに、銅や銀等の金属粉末に有機溶剤，バインダ等を混合して作製した金属ペーストを各配線基板領域に所定の配線導体のパターンに印刷し、その後、これらのセラミックグリーンシートを積層して積層体として、この積層体を焼成することにより多数個取り配線基板が作製される。
【０００５】
また、配線導体が、セラミック絶縁層を厚み方向に貫通する貫通導体を含む場合には、あらかじめセラミックグリーンシートを厚み方向に貫通する貫通孔を機械的な加工等により形成しておいて、この貫通孔内に金属ペーストを充填することにより、貫通導体を形成することができる。
【０００６】
そして、この多数個取り配線基板を、配線基板領域の境界においてダイシング加工等の方法で分割することにより、個片の配線基板が多数個、製作される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開2000−127123号公報
【特許文献２】特開2002−353623号公報
【特許文献３】特開2008−141082号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記従来技術の多数個取り配線基板は、焼成時に、セラミックグリーンシートの収縮が金属ペーストの収縮に比べて大きいことから、この収縮の差に起因して生じる、セラミックグリーンシートの積層体の一部分を他の部分よりも厚み方向に大きく収縮させようとする応力により、母基板に部分的な反りが発生しやすいという問題点があった。また、このような多数個取り配線基板を分割して作製した配線基板においても、同様に反りが発生しやすいという問題点があった。
【０００９】
また、上記のような応力に起因して、ガラスセラミック焼結体からなる絶縁層の層間に密着不良を生じる可能性があり、外部から絶縁層の層間に水分が浸入して、配線導体間のマイグレーション等の不具合を生じる可能性もあった。
【００１０】
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、反り等の不具合を抑制することが可能な多数個取り配線基板およびその製造方法、ならびに反り等の不具合の抑制が可能な配線基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の多数個取り配線基板は、ガラスセラミック焼結体からなる複数の絶縁層が積層されて形成された母基板に複数の配線基板領域が縦横の並びに配列形成されてなる多数個取り配線基板であって、前記母基板の前記配線基板領域の境界に沿って、前記母基板を厚み方向に貫通する平面視で直線状の、前記母基板を形成するガラスセラミック焼結体と焼結温度が異なる第２のガラスセラミック焼結体が配置されていることを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の多数個取り配線基板は、上記構成において、前記第２のガラスセラミック焼結体は、前記配線基板領域の境界同士が交差する部分を除く前記配線基板領域の境界の全長にわたって配置されていることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の多数個取り配線基板の製造方法は、ガラスセラミック材料の粉末をシート状に成形して複数のセラミックグリーンシートを作製する工程と、該セラミックグリーンシートのそれぞれに配線基板となる複数の配線基板領域を縦横の並びに配列するとともに、前記配線基板領域の境界に平面視で直線状の打ち抜き部分を、少なくとも前記境界同士が交差する部分を除いて設ける工程と、前記打ち抜き部分に、前記ガラスセラミック材料と焼結温度が異なる第２のガラスセラミック材料の粉末を用いて作製した充填材を充填する工程と、該充填材を充填した複数の前記セラミックグリーンシートを積層して、該セラミックグリーンシートの積層体を厚み方向に貫通する平面視で直線状の第２のガラスセラミック材料が前記配線基板領域の境界に沿って配置された積層体とするとともに、該積層体を焼成する工程とを備えることを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明の配線基板は、上記いずれかの構成の多数個取り配線基板が、前記配線基板領域の境界に沿って前記第２のガラスセラミック焼結体を通るように切断されてなり、前記第２のガラスセラミック焼結体により側面が被覆されていることを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明の配線基板の製造方法は、ガラスセラミック材料の粉末をシート状に成形して複数のセラミックグリーンシートを作製する工程と、該セラミックグリーンシートのそれぞれに配線基板となる複数の配線基板領域を縦横の並びに配列するとともに、前記配線基板領域の境界に平面視で直線状の打ち抜き部分を、少なくとも前記境界同士が交差する部分を除いて設ける工程と、前記打ち抜き部分に、前記ガラスセラミック材料と焼結温度が異なる第２のガラスセラミック材料の粉末を用いて作製した充填材を充填する工程と、該充填材を充填した複数の前記セラミックグリーンシートを積層して積層体とするとともに、該積層体を焼成して、ガラスセラミック焼結体からなる複数の絶縁層が積層されて形成された母基板に複数の配線基板領域が縦横の並びに配列形成されてなり、前記母基板の前記配線基板領域の境界に沿って、前記母基板を厚み方向に貫通する平面視で直線状の、前記母基板を形成するガラスセラミック焼結体よりも焼結温度が高い第２のガラスセラミック焼結体が配置された多数個取り配線基板を作製する工程と、該多数個取り配線基板を、前記配線基板領域の境界に沿って前記第２のガラスセラミック焼結体を通るように切断して、前記第２のガラスセラミック焼結体により側面が被覆された個片の配線基板に分割する工程とを備えることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の多数個取り配線基板によれば、配線基板領域の境界に沿って、母基板を厚み方向に貫通する平面視で直線状の、母基板を形成するガラスセラミック焼結体と焼結温度が異なる、つまり母基板よりも焼結温度が高いか、または低い第２のガラスセラミック焼結体が配置されていることから、母基板の焼成時に、焼結温度が母基板の焼結温度と異なる第２のガラスセラミック焼結体には収縮が発生しない。
【００１７】
すなわち、第２のガラスセラミック焼結体の焼結温度が母基板の焼結温度より高い場合には、母基板の焼結時に第２のガラスセラミック焼結体は焼結せず、収縮しない。
【００１８】
また、第２のガラスセラミック焼結体の焼結温度が母基板の焼結温度より低い場合には、母基板が焼結し始める前に、母基板により厚み方向の収縮を抑制された状態で第２のガラスセラミック焼結体が焼結する。そのため、その後の母基板の焼結時には、第２のガラスセラミック焼結体は収縮しない。
【００１９】
このように、第２のガラスセラミック焼結体により母基板となるセラミックグリーンシート（積層体）の厚み方向の収縮が抑制され、セラミックグリーンシートと金属ペーストとの収縮の差に起因して部分的に厚み方向に大きな応力が生じたとしても、この応力による収縮を抑制することができる。したがって、母基板の反りが抑制された多数個取り配線基板とすることができる。
【００２０】
また、この第２のガラスセラミック焼結体が、母基板を厚み方向に貫通して配線基板領域の境界に配置されているので、配線基板領域の境界において絶縁層の層間を第２のガラスセラミック焼結体で被覆しており、個片に分割したときに絶縁層の層間が外部に露出する範囲を小さく抑えることができる。したがって、反りの発生および絶縁層の層間への水分の浸入が効果的に抑制された多数個取り配線基板を提供することができる。
【００２１】
また、本発明の多数個取り配線基板は、上記構成において、第２のガラスセラミック焼結体が、配線基板領域の境界同士が交差する部分を除く配線基板領域の境界の全長にわたって配置されている場合には、配線基板領域の境界において第２のガラスセラミック焼結体が配置されている範囲をより大きくすることができるため、母基板の反りや絶縁層の層間への水分の浸入がより効果的に抑制された多数個取り配線基板とすることができる。
【００２２】
また、本発明の多数個取り配線基板の製造方法によれば、上記各工程を備え、配線基板領域の境界に設けた打ち抜き部分に、ガラスセラミック材料と焼結温度が異なる、つまりガラスセラミック材料よりも焼結温度が高いか、または低い第２のガラスセラミック材料の粉末を用いて作製した充填材を充填して、セラミックグリーンシートの積層体を厚み方向に貫通する平面視で直線状の第２のガラスセラミック材料が配線基板領域の境界に沿って配置された積層体とするとともに、この積層体を焼成することから、焼成時に、焼結温度が互いに異なるガラスセラミック材料および第２のガラスセラミック材料のうち一方が焼結して収縮する温度では、他方は、未だ焼結しないか、または既に焼結しているので収縮しない。
【００２３】
すなわち、第２のガラスセラミック材料の焼結温度がガラスセラミック材料の焼結温度より高い場合には、ガラスセラミック材料の焼結時に第２のガラスセラミック材料が焼結しない。
【００２４】
また、第２のガラスセラミック材料の焼結温度がガラスセラミック材料の焼結温度より低い場合には、ガラスセラミック材料が焼結し始める前に、ガラスセラミック材料により厚み方向の収縮を抑制された状態で第２のガラスセラミック材料が焼結する。そのため、ガラスセラミック材料の焼結時には、第２のガラスセラミック材料は収縮しない。
【００２５】
そのため、積層体を構成するセラミックグリーンシートが焼結する際には、焼結温度が異なる第２のガラスセラミック材料で構成される充填材には収縮が発生せず、この充填材により積層体の厚み方向の収縮を抑制して焼成することができる。したがって、セラミックグリーンシートと金属ペーストとの収縮の差に起因する母基板の反りを効果的に抑制して多数個取り配線基板を製作することができる。
【００２６】
また、この充填材が、セラミックグリーンシートの積層体を厚み方向に貫通して配線基板領域の境界に配置されているので、配線基板領域の境界においてセラミックグリーンシートの層間を充填材で被覆しながら焼成することができ、この層間が外部に露出する範囲を小さく抑えることができる。したがって、反りの発生および絶縁層の層間への水分の浸入が効果的に抑制された多数個取り配線基板を製作することが可能な、多数個取り配線基板の製造方法を提供することができる。
【００２７】
また、本発明の配線基板は、上記いずれかの構成の多数個取り配線基板が、配線基板領域の境界に沿って第２のガラスセラミック焼結体を通るように切断されてなることから、反りの発生が効果的に抑制された配線基板とすることができる。また、第２のガラスセラミック焼結体により側面が被覆されていることから、この側面から絶縁層の層間に水分が浸入することが効果的に抑制される。したがって、反りの発生および絶縁層の層間への水分の浸入が効果的に抑制された配線基板を提供することができる。
【００２８】
また、本発明の配線基板の製造方法によれば、上記各工程を備え、ガラスセラミック焼結体からなる複数の絶縁層が積層されて形成された母基板に複数の配線基板領域が縦横の並びに配列形成されてなり、配線基板領域の境界に沿って、母基板を厚み方向に貫通する平面視で直線状の、母基板を形成するガラスセラミック焼結体と焼結温度が異なる第２のガラスセラミック焼結体が配置された多数個取り配線基板を作製した後、この多数個取り配線基板を個片に分割することにより配線基板を製作することから、第２のガラスセラミック焼結体により多数個取り配線基板の反りを抑制して、個片の配線基板における反りの発生を効果的に抑制することができる。
【００２９】
また、配線基板領域の境界に沿って第２のガラスセラミック焼結体を通るように切断して、第２のガラスセラミック焼結体により側面が被覆された個片の配線基板に分割することから、絶縁層の層間を第２のガラスセラミック焼結体により被覆して、側面からの水分の浸入を抑制することが可能な配線基板を製作することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】（ａ）は本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図であり、（ｃ）はＢ−Ｂ線における断面図である。
【図２】図１に示す多数個取り配線基板が分割されてなる配線基板の平面図である。
【図３】本発明の多数個取り配線基板を切断して個片の配線基板を作製する作業を模式的に示す斜視図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、それぞれ本発明の多数個取り配線基板の製造方法の一例を工程順に示す斜視図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ本発明の配線基板の製造方法の一例を工程順に示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
本発明の多数個取り配線基板について、添付の図面を参照しつつ説明する。
【００３２】
図１（ａ）は、本発明の多数個取り配線基板の実施の形態の一例を示す平面図であり、図１（ｂ）および（ｃ）は、それぞれ図１（ａ）に示す多数個取り配線基板のＡ−Ａ線およびＢ−Ｂ線における断面図である。また、図２は、図１に示す多数個取り配線基板が分割されてなる個片の配線基板の平面図である。図１および図２において、１はガラスセラミック焼結体からなる母基板、２は配線基板領域、３は配線基板領域２の境界に配置された第２のガラスセラミック焼結体である。母基板１に複数の配線基板領域２が縦横の並びに配列されて多数個取り配線基板９が基本的に形成され、多数個取り配線基板９が配線基板領域２の境界において分割されて配線基板８が形成されている。
【００３３】
母基板１を構成するガラスセラミック焼結体としては、ホウケイ酸系ガラスや、酸化リチウム系ガラス等のガラス成分と酸化アルミニウム等のセラミック成分とからなるものが挙げられる。母基板１は、このようなガラスセラミック焼結体からなる複数の絶縁層11が積層されて構成されている。
【００３４】
母基板１は、例えば、ホウケイ酸系ガラス等のガラス粉末と酸化アルミニウム等のセラミック粉末とからなる原料粉末を、有機溶剤，バインダとともにシート状に成形して複数のセラミックグリーンシートを作製し、これを積層した後、約750〜1000℃程度の温度で焼成することにより作製することができる。
【００３５】
母基板１に配列された複数の配線基板領域２は、それぞれが個片の配線基板８となる領域である。母基板１が配線基板領域２の境界において切断されることにより、多数の配線基板８が同時集約的に製作される。
【００３６】
なお、図１に示す例においては、配線基板領域２を取り囲む枠状のダミー領域５が、母基板１の外周部分に設けられている。ダミー領域５は、多数個取り配線基板９の取り扱いを容易とすること等のために設けられている。また、このダミー領域５と配線基板領域２との境界にも第２のガラスセラミック焼結体３が配置されている。
【００３７】
配線基板８が電子部品搭載用基板として使用される場合には、配線基板領域２の上面の中央部や下面等に電子部品の搭載部が設けられる。図１および図２に示す例においては、配線基板領域２の上面の中央部が電子部品の搭載部（符号なし）とされている。なお、配線基板領域２の上面に電子部品を収容する凹部（図示せず）を設け、この凹部の底面を電子部品の搭載部としてもよい。
【００３８】
搭載部に搭載される電子部品（図示せず）としては、ＩＣやＬＳＩ等の半導体集積回路素子、およびＬＥＤ（発光ダイオード）やＰＤ（フォトダイオード）やＣＣＤ（電荷結合素子）等の光半導体素子を含む半導体素子、弾性表面波素子や水晶振動子等の圧電素子、容量素子、抵抗器、半導体基板の表面に微小な電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン（いわゆるＭＥＭＳ素子）等の種々の電子部品が挙げられる。
【００３９】
電子部品は、搭載部に、例えばエポキシ系樹脂，ポリイミド系樹脂，アクリル系樹脂，シリコーン系樹脂，ポリエーテルアミド系樹脂等の樹脂接着剤や、Ａｕ−Ｓｎ，Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｃｕ，Ｓｎ−Ｐｂ等のはんだや、ガラス等で接着される。
【００４０】
また、母基板１に、搭載部の外周部分から配線基板領域２の下面にかけて配線導体４が形成されている。配線導体４は、搭載部に搭載される電子部品と電気的に接続されて、電子部品を外部の電気回路に電気的に接続する導電路として機能する。
【００４１】
また、配線導体４は、絶縁層11を厚み方向に貫通する貫通導体（符号なし）を含んでいる。貫通導体４は、絶縁層を厚み方向に貫通する貫通孔（符号なし）に、配線導体４の他の部分と同様の金属材料が充填されて形成されている。これらの配線導体４は、例えば、銅や銀，パラジウム，白金，金，等の金属材料により形成されている。
【００４２】
電子部品と配線導体４との電気的な接続は、例えば、配線導体４のうち搭載部の周辺に露出している部位に電子部品の電極（図示せず）を、ボンディングワイヤやはんだ等の導電性接続材（図示せず）を介して接続することにより行なうことができる。
【００４３】
このような配線導体４は、例えば、銅の粉末を有機溶剤，バインダと混練して作製した金属ペーストを、母基板１となるセラミックグリーンシートの表面や、あらかじめ機械的な打ち抜き加工等の方法でセラミックグリーンシートに設けておいた貫通孔内に塗布または充填しておいて、一体焼成することにより形成することができる。
【００４４】
また、この多数個取り配線基板９は、母基板１の配線基板領域２の境界に沿って、母基板１を厚み方向に貫通する平面視で直線状の、母基板１を形成するガラスセラミック焼結体と焼結温度が異なる第２のガラスセラミック焼結体３が配置されている。
【００４５】
第２のガラスセラミック焼結体３は、母基板１の反りを抑制するとともに、絶縁層11の層間を被覆するためのものである。
【００４６】
まず、母基板１を形成するガラスセラミック焼結体の焼結温度よりも第２のガラスセラミック焼結体３の焼結温度の方が高い場合について説明する。
【００４７】
この場合、配線基板領域２の境界に沿って、母基板１を厚み方向に貫通する平面視で直線状の、母基板１を形成するガラスセラミック焼結体よりも焼結温度が高い第２のガラスセラミック焼結体３が配置されていることから、母基板１の焼成時に、焼結温度が高い第２のガラスセラミック焼結体３には焼結に伴う収縮が発生しない。
【００４８】
そのため、この第２のガラスセラミック焼結体３により母基板１となるセラミックグリーンシートの厚み方向の収縮が抑制され、セラミックグリーンシートと金属ペーストとの収縮の差に起因して部分的に厚み方向に大きな応力が生じたとしても、この応力による収縮を抑制することができる。したがって、母基板１の反りが効果的に抑制された多数個取り配線基板９とすることができる。
【００４９】
次に、母基板１を形成するガラスセラミック焼結体の焼結温度よりも第２のガラスセラミック焼結体３の焼結温度の方が低い場合について説明する。
【００５０】
この場合、上記のように第２のガラスセラミック焼結体３が配置されていることから、母基板１の焼結が始まる前に、焼結温度がより低い第２のガラスセラミック焼結体３が焼結する。また、この第２のガラスセラミック焼結体３の焼結時には、焼結温度がより高い母基板１は未だ焼結しないため、第２のガラスセラミック焼結体３の厚み方向の収縮は母基板１に拘束されて抑制されたものとなっている。そして、母基板１の焼結時には、既に焼結している第２のガラスセラミック焼結体３は収縮しない。そのため、この場合も、母基板１となるセラミックグリーンシートの厚み方向の収縮が抑制され、母基板１の反りが効果的に抑制された多数個取り配線基板９とすることができる。
【００５１】
なお、母基板１と第２のガラスセラミック焼結体３との焼結温度の差は、一方が焼結する温度で他方が焼結しないようにするために、前述した焼成温度（750〜1000℃程度）の範囲であれば、約150〜250℃程度とすればよい。
【００５２】
ここで、母基板１の焼結温度が例えば約850℃程度以下と低い場合には、それよりも焼結温度が低いガラスセラミック焼結体（図示せず）では、多数個取り配線基板９を形成する材料として抗折強度等の機械的な強度が低くなる可能性がある。そのため、このような場合には、第２のガラスセラミック焼結体３は、母基板１よりも焼結温度が高いものであることが好ましい。
【００５３】
また、この第２のガラスセラミック焼結体３が、母基板１を厚み方向に貫通して配線基板領域２の境界に配置されているので、配線基板領域２の境界において絶縁層11の層間を第２のガラスセラミック焼結体３で被覆して、個片に分割したときに外部に露出する範囲を小さく抑えることができる。したがって、反りの発生および絶縁層11の層間への水分の浸入が効果的に抑制された多数個取り配線基板９を提供することができる。
【００５４】
このような第２のガラスセラミック焼結体３としては、例えば、母基板１を形成するガラスセラミック焼結体と酸化アルミニウム等のセラミック成分の含有量が異なる材料を挙げることができる。すなわち、ガラスセラミック焼結体および第２のガラスセラミック焼結体３は、セラミック成分の含有量を大きくすれば焼結温度を高くすることができ、セラミック成分の含有量を小さくすれば焼結温度を低くすることができる。
【００５５】
母基板１を形成するガラスセラミック焼結体よりも焼結温度が高い第２のガラスセラミック焼結体３は、例えば、母基板１に対してセラミック成分の含有量を約２倍としたガラスセラミックの原料粉末を、有機溶剤，バインダとともに混練してセラミックペースト（図示せず）とし、これを母基板１（セラミックグリーンシート）の配線基板領域２の境界に配置し、焼成することにより形成することができる。
【００５６】
例えば、母基板１が、酸化ケイ素系のガラス成分の含有量が約10質量％で、セラミック成分として酸化アルミニウムを約20質量％含有するガラスセラミック焼結体からなる場合には、焼結温度は約750℃である。これに対して、セラミック成分である酸化アルミニウムの含有量を40質量％（約２倍）とした第２のガラスセラミック焼結体３の場合には、その焼結温度は約950℃になる。したがって、この場合、母基板１の焼結時には第２のガラスセラミック焼結体３の焼結による収縮が発生しない。
【００５７】
また、母基板１を形成するガラスセラミック焼結体よりも焼結温度が低い第２のガラスセラミック焼結体３は、例えば、母基板１に対してセラミック成分の含有量を約１／２としたガラスセラミックの原料粉末を、有機溶剤，バインダとともに混練してセラミックペースト（図示せず）とし、これを母基板１（セラミックグリーンシート）の配線基板領域２の境界に配置し、焼成することにより形成することができる。
【００５８】
例えば、母基板１が、酸化ケイ素系のガラス成分の含有量が約10質量％で、セラミック成分として酸化アルミニウムを約40質量％含有するガラスセラミック焼結体からなる場合には、焼結温度は約950℃である。これに対して、セラミック成分である酸化アルミニウムの含有量を20質量％（約１／２）とした第２のガラスセラミック焼結体３の場合には、その焼結温度は約750℃になる。したがって、この場合、母基板１の焼結時には第２のガラスセラミック焼結体３は焼結しているため収縮しない。
【００５９】
そして、これらの例においては、いずれの場合においても、第２のガラスセラミック焼結体３をそれぞれの配線基板領域２の境界の長さの１／２程度の長さで配置したときに、母基板１の反りを50〜100μｍ程度に抑制することができる。これに対し、このような第２のセラミック焼結体３を配置しない場合には、他の条件が同じときに、母基板１の反りは約100〜200μｍ程度になる。
【００６０】
第２のガラスセラミック焼結体３となるセラミックペーストは、例えば、配線基板領域２の境界に沿って線状に打ち抜き加工を施し、この打ち抜き部分に充填することにより、配線基板領域２の境界に配置することができる。
【００６１】
このような第２のガラスセラミック焼結体３は、母基板１となるセラミックグリーンシートの積層体における厚み方向の収縮を抑制するために、母基板１を厚み方向に貫通するように配置されている。
【００６２】
なお、第２のガラスセラミック焼結体３の幅は、例えば、後述するように多数個取り配線基板９を個片の配線基板８に分割する際に使用するダイシングブレードの幅よりも広く、分割したときに配線基板８の側面を第２のガラスセラミック焼結体３で被覆することができる程度に設定すればよい。
【００６３】
母基板１の反りについては、例えば前述の例のように効果が確認されている。また、前述した、母基板１が、酸化ケイ素系のガラス成分の含有量が約10質量％で、セラミック成分として酸化アルミニウムを約20質量％含有するガラスセラミック焼結体からなり、第２のガラスセラミック焼結体３が、セラミック成分である酸化アルミニウムの含有量を40質量％（約２倍）としたときに、第２のガラスセラミック焼結体３をそれぞれの配線基板領域２の境界の長さの１／２程度の長さで配置した例においては、耐湿試験（85℃、85％、ＤＣ６Ｖ印加、1000時間）において、マイグレーションに起因する配線導体４間の絶縁性の低下や電気的短絡等の不具合が確認されていない。また、母基板１が、酸化ケイ素系のガラス成分の含有量が約10質量％で、セラミック成分として酸化アルミニウムを約40質量％含有するガラスセラミック焼結体からなり、第２のガラスセラミック焼結体３が、セラミック成分である酸化アルミニウムの含有量を20質量％（約１／２）としたときにも、上記と同様の試験条件において、同様に電気的な不具合が確認されていない。
【００６４】
これに対し、このような第２のガラスセラミック焼結体３を配置していない従来技術の多数個取り配線基板（分割した個片の配線基板）（図示せず）においては、同様の条件で約１％の割合で配線導体４間の絶縁性の低下が見られた。この耐湿試験における試験個数は、いずれも500個であった。
【００６５】
なお、この場合、配線基板領域２の境界の全長にわたって第２のガラスセラミック焼結体３を配置しようとすると、例えば打ち抜き加工を施したときに各配線基板領域２が別々のシートに分離してしまう。そのため、第２のガラスセラミック焼結体３は、配線基板領域２の境界同士が交差する部分を除いて（この部分で隣り合う配線基板領域２同士が連結し合えるようにして）配置する必要がある。
【００６６】
このような多数個取り配線基板９は、第２のガラスセラミック焼結体３が、配線基板領域２の境界同士が交差する部分を除く配線基板領域２の境界の全長にわたって配置されている場合には、配線基板領域２の境界において第２のガラスセラミック焼結体３が配置されている範囲をより大きくすることができるため、母基板１の反りや絶縁層11の層間への水分の浸入がより効果的に抑制された多数個取り配線基板９とすることができる。
【００６７】
配線基板領域２の境界同士が交差する部分における第２のガラスセラミック焼結体３を配置しない範囲は、絶縁層11（セラミックグリーンシート）の厚みや配線基板領域２の寸法等に応じて適宜設定すればよい。例えば、セラミックグリーンシートの厚みが約0.1〜0.3ｍｍで、配線基板領域２の寸法が約1.5〜５ｍｍ程度の場合であれば、配線基板領域２の境界同士が交差する部分において、境界同士が交差する点から辺に沿って約0.2〜１ｍｍの幅の範囲を、第２のガラスセラミック焼結体３を配置しない範囲とすればよい。
【００６８】
そして、このような構成を備える多数個取り配線基板９が、配線基板領域２の境界に沿って、第２のガラスセラミック焼結体３を通るように切断されることにより、個片の配線基板８が作製される。
【００６９】
多数個取り配線基板９の切断は、例えば図３に示すように、ダイシング加工により行なわれる。ダイシング加工は、ダイシングブレードＤを高速で回転させながら、配線基板領域２の境界部分において多数個取り配線基板９を切削して行くことにより行なわれる。なお、図３は本発明の多数個取り配線基板９を切断して個片の配線基板８を作製する作業を模式的に示す斜視図である。図３において図１および図２と同様の部位には同様の符号を付している。
【００７０】
この配線基板８は、上記の構成を備えた、反りの発生が抑制された多数個取り配線基板９が配線基板領域２の境界に沿って第２のガラスセラミック焼結体３を通るように切断されてなることから、反りの発生が効果的に抑制された配線基板８とすることができる。また、第２のガラスセラミック焼結体３により側面が被覆されていることから、この側面から絶縁層11の層間に水分が浸入することが効果的に抑制される。したがって、反りの発生および絶縁層11の層間への水分の浸入が効果的に抑制された配線基板８を提供することができる。
【００７１】
なお、水分の浸入を効果的に抑制するために、配線基板８の側面を被覆する第２のガラスセラミック焼結体３の厚さが約0.1ｍｍ以上であることが好ましい。また、第２のガラスセラミック焼結体３の配線基板８に対する接合強度の確保や、配線基板８の小型化，経済性等を考慮すれば、0.1ｍｍ以上で0.25ｍｍ以下であることが好ましい。
【００７２】
次に、本発明の多数個取り配線基板の製造方法について、図４を参照しつつ説明する。図４は、本発明の多数個取り配線基板の製造方法の実施の形態の一例を工程順に示す斜視図である。図４において図１および図２と同様の部位には同様の符号を付している。
【００７３】
まず、図４（ａ）に示すように、ガラスセラミック材料の粉末をシート状に成形して複数のセラミックグリーンシート21を作製する。なお、この図４（ａ）においては、図を見やすくするために、セラミックグリーンシート21を１枚のみ示している。
【００７４】
使用するガラスセラミック材料の粉末としては、前述したような、ホウケイ酸系ガラスや、酸化リチウム系ガラス等のガラス成分と酸化アルミニウム等のセラミック成分とからなるものを用いることができる。
【００７５】
このような粉末を、有機溶剤，バインダとともに混練してスラリーを作製し、このスラリーをドクターブレード法等の成形法でシート状に成形することにより、複数のセラミックグリーンシート21を作製することができる。
【００７６】
次に、図４（ｂ）に示すように、これらのセラミックグリーンシート21のそれぞれに配線基板２となる複数の配線基板領域２を縦横の並びに配列するとともに、配線基板領域２の境界に平面視で直線状の打ち抜き部分22を、少なくとも境界同士が交差する部分を除いて設ける。図４（ｂ）においても、セラミックグリーンシート21を１枚のみ示している。
【００７７】
この打ち抜き部分22は、配線基板領域２の境界に第２のガラスセラミック焼結体３を配置するためのものである。この場合、配線基板領域２の境界の全長にわたって打ち抜き部分22を設けると、セラミックグリーンシート21が打ち抜き部分22において別々のシートに分離してしまうため、上下のセラミックグリーンシート21の位置合わせが難しくなり、その後の積層等の工程の実施が難しくなってしまう。したがって、打ち抜き部分22は、少なくとも配線基板領域２の境界同士が交差する部分を除いて設ける必要がある。
【００７８】
打ち抜き部分22を設ける方法としては、セラミックグリーンシート21に対して、金型を用いた機械的な打ち抜き加工を施す方法や、レーザ加工等の加工方法を挙げることができる。
【００７９】
次に、図４（ｃ）に示すように、打ち抜き部分22に、セラミックグリーンシート21を成形するために用いたガラスセラミック材料と焼結温度が異なる第２のガラスセラミック材料の粉末を用いて作製した充填材（符号なし）を充填する。図４（ｃ）においても、セラミックグリーンシート21を１枚のみ示している。
【００８０】
第２のガラスセラミック材料としては、前述した第２のガラスセラミック焼結体３を構成するガラスセラミック材料を用いることができる。このようなガラスセラミック材料の粉末を有機溶剤，バインダとともに混練してセラミックペースト（図示せず）とし、これを、充填材としてセラミックグリーンシート21に設けた打ち抜き部分22にスクリーン印刷法等の方法で充填する。
【００８１】
そして、図４（ｄ）に示すように、充填材を充填したセラミックグリーンシート21に配線導体４となる金属ペースト23をスクリーン印刷法で印刷した後、複数のセラミックグリーンシート21を積層して、セラミックグリーンシート21の積層体を厚み方向に貫通する平面視で直線状の第２のガラスセラミック材料が配線基板領域２の境界に沿って配置された積層体（符号なし）とするとともに、その積層体を、例えば約750〜1000℃程度の温度で焼成することにより、多数個取り配線基板９を製作することができる。なお、図４（ｄ）では、積層工程を含むことを示すために、積層体を構成する３層のセラミックグリーンシート21を分離して示している。
【００８２】
このような製造方法によれば、上記各工程を備え、配線基板領域２の境界に設けた打ち抜き部分22に、ガラスセラミック材料と焼結温度が異なる第２のガラスセラミック材料の粉末を用いて作製した充填材を充填して、充填材を充填したセラミックグリーンシート21の積層体を厚み方向に貫通する平面視で直線状の第２のガラスセラミック材料が配線基板領域２の境界に沿って配置された積層体とするとともに、この積層体を焼成することから、焼成時に、焼結温度が互いに異なるガラスセラミック材料および第２のガラスセラミック材料のうち一方が焼結して収縮しようとする温度では、他方は、未だ焼結しないか、または既に焼結しているので収縮しない。
【００８３】
すなわち、第２のガラスセラミック材料の焼結温度がガラスセラミック材料の焼結温度より高い場合には、ガラスセラミック材料（セラミックグリーンシート21の積層体）の焼結時に第２のガラスセラミック材料（充填材）が焼結しない。
【００８４】
また、第２のガラスセラミック材料の焼結温度がガラスセラミック材料の焼結温度より低い場合には、ガラスセラミック材料が焼結し始める前に、ガラスセラミック材料により厚み方向の収縮を抑制された状態で第２のガラスセラミック材料が焼結する。そのため、ガラスセラミック材料の焼結時には、第２のガラスセラミック材料は収縮しない。
【００８５】
そのため、積層体を構成する各セラミックグリーンシート21が焼結する際には、焼結温度が異なる充填材には収縮が発生せず、この充填材により積層体の厚み方向の収縮量を抑制して、セラミックグリーンシート21と金属ペースト23との収縮の差に起因する母基板１の反りが効果的に抑制された多数個取り配線基板９を製作することができる。
【００８６】
なお、第１のガラスセラミック材料と第２のガラスセラミック材料との焼結温度の差は、一方が焼結する温度で他方が焼結しないようにするために、前述した焼成温度（750〜1000℃程度）の範囲であれば、約150〜250℃程度とすればよい。
【００８７】
ここで、第１のガラスセラミック材料の焼結温度が例えば約850℃程度以下と低い場合には、それよりも焼結温度が低いガラスセラミック材料（図示せず）では、多数個取り配線基板９を形成する材料として抗折強度等の機械的な強度が低くなる可能性がある。そのため、このような場合には、第２のガラスセラミック材料は、第１のガラスセラミック材料よりも焼結温度が高いものであることが好ましい。
【００８８】
また、この充填材が、セラミックグリーンシート21の積層体を厚み方向に貫通して配線基板領域２の境界に配置されているので、配線基板領域２の境界においてセラミックグリーンシート21の層間を充填材で被覆しながら焼成することができ、この層間が外部に露出する範囲を小さく抑えることができる。したがって、反りの発生、および個片に分割したときの絶縁層11の層間への水分の浸入が効果的に抑制された多数個取り配線基板９を製作することが可能な製造方法を提供することができる。
【００８９】
また、本発明の配線基板の製造方法は、ガラスセラミック材料の粉末をシート状に成形して複数のセラミックグリーンシート21を作製する工程と、セラミックグリーンシート21のそれぞれに配線基板となる複数の配線基板領域２を縦横の並びに配列するとともに、配線基板領域２の境界に平面視で直線状の打ち抜き部分22を、少なくとも境界同士が交差する部分を除いて設ける工程と、打ち抜き部分22に、ガラスセラミック材料と焼結温度が異なる第２のガラスセラミック材料の粉末を用いて作製した充填材を充填する工程と、充填材を充填した複数のセラミックグリーンシート21を積層して積層体とするとともに、積層体を焼成して、ガラスセラミック焼結体からなる複数の絶縁層11が積層されて形成された母基板１に複数の配線基板領域２が縦横の並びに配列形成されてなり、母基板１の配線基板領域２の境界に沿って、母基板１を厚み方向に貫通する平面視で直線状の、母基板１を形成するガラスセラミック焼結体よりも焼結温度が高い第２のガラスセラミック焼結体３が配置された多数個取り配線基板９を作製する工程と、多数個取り配線基板９を、配線基板領域２の境界に沿って第２のガラスセラミック焼結体３を通るように切断して、第２のガラスセラミック焼結体３により側面が被覆された個片の配線基板８に分割する工程とを備える。
【００９０】
上記各工程のうち、多数個取り配線基板９を作製する工程までは、前述した多数個取り配線基板９の製造方法と同様であるので、説明を省略する。
【００９１】
作製した多数個取り配線基板９について、図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、配線基板領域２の境界に沿って第２のガラスセラミック焼結体３を通るように切断して、第２のガラスセラミック焼結体３により側面が被覆された個片の配線基板８を作製する。なお、図５（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ本発明の配線基板の製造方法の実施の形態の一例を示す斜視図である。図５において図１および図２と同様の部位には同様の符号を付している。
【００９２】
この図５に示す例においては、まず、図５（ａ）および（ｂ）に示すように、縦または横の一方向において配線基板領域２の境界に沿ってダイシングブレードＤにより切断加工を施して、多数個取り配線基板９をいわゆる短冊状に分割する。次に、図５（ｃ）に示すように、この短冊状の基板（符号なし）を、最初に切断した方向と直交する方向に切断して、個片の配線基板８を製作している。製作された配線基板８の側面は、第２のガラスセラミック焼結体３により被覆されている。
【００９３】
多数個取り配線基板９を、配線基板領域２の境界に沿って第２のガラスセラミック焼結体３を通るように切断するには、例えば、第２のガラスセラミック焼結体３の幅よりも幅が狭いダイシングブレードＤを用いて、第２のガラスセラミック焼結体３の幅方向の中央部分を、配線基板領域２の境界に沿って回転させながら移動させて、母基板１を切断するようにすればよい。
【００９４】
この場合、ダイシングブレードの幅と第２のガラスセラミック焼結体３の幅との差に応じて、第２のガラスセラミック焼結体３が個片の配線基板８の側面に残り、この側面を被覆する。
【００９５】
このような配線基板の製造方法によれば、上記各工程を備え、ガラスセラミック焼結体からなる複数の絶縁層11が積層されて形成された母基板１に複数の配線基板領域２が縦横の並びに配列形成されてなり、配線基板領域２の境界に沿って、母基板１を厚み方向に貫通する平面視で直線状の、母基板１を形成するガラスセラミック焼結体よりも焼結温度が高い第２のガラスセラミック焼結体３が配置された多数個取り配線基板９を作製した後、この多数個取り配線基板９を個片に分割することにより配線基板８を製作することから、第２のガラスセラミック焼結体３により多数個取り配線基板９の反りを抑制して、個片の配線基板８における反りの発生を効果的に抑制することができる。
【００９６】
また、配線基板領域２の境界に沿って第２のガラスセラミック焼結体３を通るように切断して、第２のガラスセラミック焼結体３により側面が被覆された個片の配線基板８に分割することから、絶縁層11の層間を第２のガラスセラミック焼結体３により被覆して、水分の浸入を抑制することが可能な配線基板８を製作することができる。
【００９７】
配線基板８は、例えば、その上面に電子部品が搭載されるとともに配線導体４が電子部品と電気的に接続された後、必要に応じて蓋体や封止樹脂等による電子部品の気密封止が行われて電子装置となり、コンピュータや携帯電話，デジタルカメラ，加速度センサ等の電子機器に部品として搭載される。
【００９８】
また、多数個取り配線基板９の配線基板８への分割は、配線基板領域２に電子部品を搭載した後で行なってもよい。配線基板領域２に電子部品を搭載した後にダイシング加工を行なうときに、特に電子部品がＭＥＭＳ素子や弾性表面波素子のように機械的な動きをする機構を有するものの場合には、ダイシングに伴う切削屑が電子部品に付着すると、その機械的な動きが妨げられて誤作動する可能性が大きくなる。そのため、この場合には、まず蓋体や封止樹脂等の封止手段（図示せず）で電子部品を封止してから母基板１を切断することが好ましい。
【符号の説明】
【００９９】
１・・・母基板
２・・・配線基板領域
３・・・第２のガラスセラミック焼結体
４・・・配線導体
５・・・ダミー領域
８・・・配線基板
９・・・多数個取り配線基板
21・・・セラミックグリーンシート
22・・・打ち抜き部分
23・・・金属ペースト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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