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【手続補正書】
【提出日】平成17年2月9日(2005.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】管理装置及びオペレーション装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自己の識別情報を有する部品を管理する、上記部品が装着される所定の装置内に配置された管理装置であって、
上記所定の装置に装着されている部品の識別情報を記憶する記憶部と、
上記所定の装置に装着された部品の識別情報を検出し、検出された識別情報と上記記憶部により記憶されている識別情報とを比較する識別情報検出部と、
上記識別情報検出部により比較された結果、検出された識別情報と上記記憶部により記憶されている識別情報とが異なる場合に、検出された識別情報を出力する出力部と
を備えたことを特徴とする管理装置。
【請求項２】
上記識別情報検出部は、比較された結果、検出された識別情報と上記記憶部により記憶されている識別情報とが異なる場合に、検出された識別情報を上記記憶部に出力し、
上記記憶部は、記憶されている部品の識別情報に代わって上記識別情報検出部により出力された識別情報を記憶することを特徴とする請求項１記載の管理装置。
【請求項３】
部品が装着される所定の装置を操作するオペレーション装置において、
上記所定の装置に装着された部品の識別情報を入力する入力部と、
上記所定の装置に装着された部品の識別情報に対応する、上記所定の装置を操作するための所定の設定情報を記憶するデータベースと、
上記入力部により入力された部品の識別情報に基づいて、データベースから部品の識別情報に対応する所定の設定情報を検索する設定情報検索部と、
上記設定情報検索部により検索された所定の設定情報に基づいて処理を行う処理部と
を備えたことを特徴とするオペレーション装置。
【請求項４】
上記入力部は、上記部品の識別情報を上記部品を管理する上記所定の装置内に配置された管理装置から入力し、
上記処理部は、上記設定情報検索部により検索された所定の設定情報を出力する設定情報出力部を備えたことを特徴とする請求項３記載のオペレーション装置。
【請求項５】
上記設定情報出力部は、上記設定情報検索部により検索された所定の設定情報を表示することを特徴とする請求項４記載のオペレーション装置。
【請求項６】
上記処理部は、上記設定情報検索部により検索された所定の設定情報に基づいて、上記オペレーション装置の設定をおこなう設定実行部を備えたことを特徴とする請求項３記載のオペレーション装置。
【請求項７】
上記オペレーション装置は、さらに、
上記所定の装置に過去に装着されていた部品の装着情報の履歴を示す履歴情報を記憶する履歴情報データベースと、
上記入力部により入力された部品の識別情報に基づいて、上記履歴情報データベースに記憶された履歴情報を更新する履歴情報更新部と、
上記履歴情報更新部により更新された履歴情報を表示する表示部と
を備えたことを特徴とする請求項３記載のオペレーション装置。
【請求項８】
上記オペレーション装置は、さらに、
上記所定の装置に装着されていた所定の部品の装着情報と上記入力部により入力された装着された所定の部品の識別情報とを記憶する装着情報データベースと、
上記装着されていた所定の部品を連続使用する場合の耐用期間を示す耐用期間情報を記憶する耐用期間情報データベースと、
上記装着情報データベースにより記憶された上記装着されていた所定の部品の装着情報と上記装着された所定の部品の識別情報と、上記耐用期間情報データベースにより記憶された耐用期間情報とに基づいて、上記装着されていた所定の部品が上記耐用期間を超えているかどうかをチェックする耐用期間チェック部と、
上記耐用期間チェック部によりチェックされた結果、上記装着されていた所定の部品が上記耐用期間を超えている場合に、上記装着されていた所定の部品が上記耐用期間を超えていることを識別する情報を出力する識別情報出力部と
を備えたことを特徴とする請求項３記載のオペレーション装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、部品が装着される所定の装置内に配置された管理装置、或いは、部品が装着される所定の装置を操作するオペレーション装置に関する。特に、装置に実装される基板の交換／増設に対して調整を実施し、基板交換履歴を管理する管理装置とオペレーション装置とを備えた光伝送システムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明の管理装置は、自己の識別情報を有する部品を管理する、上記部品が装着される所定の装置内に配置された管理装置であって、
上記所定の装置に装着されている部品の識別情報を記憶する記憶部と、
上記所定の装置に装着された部品の識別情報を検出し、検出された識別情報と上記記憶部により記憶されている識別情報とを比較する識別情報検出部と、
上記識別情報検出部により比較された結果、検出された識別情報と上記記憶部により記憶されている識別情報とが異なる場合に、検出された識別情報を出力する出力部と
を備えたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明の実施の形態】
実施の形態１．
以下、実施の形態１を図１を用いて説明する。
図１は、障害監視装置の構成図である。
図１において、光伝送システムは、装置１、オペレーションシステム２０７を備えている。装置１は、例えば、光通信装置などの障害が発生および回復する装置全体である。装置１は、障害監視装置１００（管理装置の一例である）、基板１０を備えている。障害監視装置１００は、基板実装状態検出部２、固体番号検出部１１０（識別情報検出部の一例である）、基板製造番号記憶部５（記憶部、記憶装置の一例である）、障害検出部６、通知部７（固体番号出力部の一例である）を備えている。固体番号検出部１１０は、基板製造番号検出部３、基板製造番号比較部４を有している。オペレーションシステム２０７（オペレーション装置の一例である）は、受信部２０３（入力部の一例である）を備えている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮影時の動作モードとして、通常撮影モードと夜景撮影モードとを有し、夜景撮影モード時において夜景撮影に適した動作が可能な撮像装置であって、
複数の画素を有し、被写体からの光を各画素において光電変換することによって電子画像を生成する撮像手段と、
夜景撮影モード時に、露光時間を所定値以下に設定して前記撮像手段における撮影動作を制御する撮像制御手段と、
夜景撮影モード時に前記撮像手段から得られる画像に対し、通常撮影時に適用されるγ変換値よりも低輝度部分のコントラストを強調するγ変換値を適用してγ変換処理を行う画像処理手段と、
を備える撮像装置。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像装置において、
前記撮像手段から得られる画像の各画素信号にゲインを与えるゲイン付与手段、をさらに備え、
前記撮影制御手段は、夜景撮影モード時に前記撮像手段から得られる画像に対し、通常撮影時に適用されるゲインよりも高いゲインを適用するように、前記ゲイン付与手段を制御することを特徴とする撮像装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の撮像装置において、
前記画像処理手段は、夜景撮影モード時に前記撮像手段から得られる画像に対し、所定の信号レベル以下の画素信号を黒レベルに均一化させるγ変換値を適用してγ変換処理を行うことを特徴とする撮像装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の撮像装置において、
被写体を閃光照明するための閃光手段、をさらに備え、
前記撮影制御手段は、夜景撮影モード時に、前記閃光手段を閃光させて前記撮像手段に撮影動作を行わせる第１の撮影制御と、前記閃光手段を閃光させずに撮影動作を行わせる第２の撮影制御とを連続して行い、
前記画像処理手段は、前記第２の撮影制御によって得られる画像に対して低輝度部分のコントラストを強調するγ変換値を適用してγ変換処理を行い、前記第１の撮影制御によって得られる画像と、前記第２の撮影制御によって得られる画像とを合成することを特徴とする撮像装置。
【請求項５】
請求項４に記載の撮像装置において、
前記撮像手段は、全画素同時読み出し可能に構成されることを特徴とする撮像装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の撮像装置において、前記撮像制御手段は、夜景撮影モード時に、前記撮像手段の露光時間を手ぶれ限界値以下に設定することを特徴とする撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の撮像装置において、前記撮像手段が、全画素同時読み出し可能に構成されることを特徴としている。また、請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５のいずれかに記載の撮像装置において、前記撮像制御手段は、夜景撮影モード時に、前記撮像手段の露光時間を手ぶれ限界値以下に設定することを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
請求項５に記載の発明によれば、撮像手段が全画素同時読み出し可能に構成さ
れるので、第１の撮影と第２の撮影とを連続的に行う場合のタイムラグを小さく
することができ、被写体の移動や手ぶれ等が発生することを抑制することができ
る。また、請求項６に記載の発明によれば、撮像装置を手持ちの状態で撮影しても、手ぶれが生じることなく、夜景を良好に撮影することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月10日(2004.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
携帯電話と接続し、公衆回線や専用回線を利用して他の情報装置とデータ通信を行なう情報端末装置において、該情報端末装置から上記携帯電話にシリアル信号を送信するための上りシリアル信号端子の電位を検出して上記携帯電話の存在の有無を検知する手段と、存在が確認された後に上記携帯電話の電話番号等の固有情報を収得する手段とを有することを特徴とする情報端末装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
情報端末装置と携帯電話との接続を検出する方法であって、上記情報端末装置から上記携帯電話にシリアル信号を送信するための上りシリアル信号端子の電位を上記情報端末装置側で検出する第１のステップと、該電位より携帯電話が存在することが確認された後、上記情報端末装置から上記携帯電話に対して携帯電話の固有情報を要求する信号を送出し、携帯電話から該情報を収得する第２のステップとを有することを特徴とする情報端末装置と携帯電話との接続検出方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項２において、フォーマット番号や個人番号等個々の情報に対して上記第２のステップを行って該情報を逐次収得することを特徴とする情報端末装置と携帯電話との接続検出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月9日(2005.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素ごとの属性情報を示す属性ビットを付加した画像データを圧縮する画像圧縮方法であって、
前記属性ビットに応じて、その置換対象となる置換ビットを決定する既定ビット決定工程と、
前記属性ビットと画像データの合計サイズが所定値を超える場合に、前記属性ビットを前記置換ビットに置換する置換工程と、
前記置換ビットに置換された属性ビットと前記画像データを圧縮する圧縮工程と、を有し、
前記置換ビットは、置換前の属性ビットよりも圧縮効率が高いビット列であることを特徴とする画像圧縮方法。
【請求項２】
前記置換工程においては、画像の全画素について前記属性ビットを前記置換ビットに置換することを特徴とする請求項１記載の画像圧縮方法。
【請求項３】
前記既定ビット決定工程においては、画像の全画素について同一の置換ビットを決定することを特徴とする請求項２記載の画像圧縮方法。
【請求項４】
前記既定ビット決定工程においては、画像の所定ライン単位で置換ビットを決定することを特徴とする請求項２記載の画像圧縮方法。
【請求項５】
前記既定ビット決定工程においては、所定の複数種類のビット列から前記置換ビットを選択することを特徴とする請求項２記載の画像圧縮方法。
【請求項６】
前記圧縮工程において、前記置換ビットは予め全画素分が圧縮されていることを特徴とする請求項１記載の画像圧縮方法。
【請求項７】
請求項１記載の画像圧縮方法によって圧縮された画像データについて、前記属性ビットに基づく画像処理を施すことを特徴とする画像処理方法。
【請求項８】
画素ごとの属性情報を示す属性ビットを付加した画像データを圧縮し、該圧縮データに基づく画像処理を行う画像処理装置であって、
前記属性ビットに応じて、その置換対象となる置換ビットを決定する既定ビット決定手段と、
前記属性ビットと画像データの合計サイズが所定値を超える場合に、前記属性ビットを前記置換ビットに置換する置換手段と、
前記置換ビットに置換された属性ビットと前記画像データを圧縮する圧縮手段と、
前記圧縮手段によって圧縮された画像データについて、前記属性ビットに基づく画像処理を施す画像処理手段と、を有し、
前記置換ビットは、置換前の属性ビットよりも圧縮効率が高いビット列であることを特徴とする画像処理装置。
【請求項９】
コンピュータが読み込み実行することで、画素ごとの属性情報を示す属性ビットを付加した画像データを圧縮する画像処理装置として機能するコンピュータプログラムであって、
前記属性ビットに応じて、その置換対象となる置換ビットを決定する既定ビット決定手段と、
前記属性ビットと画像データの合計サイズが所定値を超える場合に、前記属性ビットを前記置換ビットに置換する置換手段と、
前記置換ビットに置換された属性ビットと前記画像データを圧縮する圧縮手段と、
前記圧縮手段によって圧縮された画像データについて、前記属性ビットに基づく画像処理を施す画像処理手段として機能し、
前記置換ビットは、置換前の属性ビットよりも圧縮効率が高いビット列であることを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項１０】
請求項９に記載のコンピュータプログラムを格納することを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像圧縮方法、画像処理装置、コンピュータプログラム、コンピュータ可読記憶媒体
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月13日(2005.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  可逆的にリチウムの吸蔵・放出が可能な活物質を含む電極合剤と集電体とを備えたリチウムイオン二次電池用電極であり、前記集電体表面と前記電極合剤との間に少なくともシス−１，４−ポリイソプレン、ポリイソブチレン、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステルおよびポリビニルエーテルから選ばれる一種と導電剤粉末とを含有する混合物を備えることを特徴とするリチウムイオン二次電池用電極。
【請求項２】  前記ポリアクリル酸エステルが少なくともポリエチルヘキシルアクリレートおよびポリブチルアクリレートから選ばれる一種であることを特徴とする請求項１記載のリチウムイオン二次電池用電極。
【請求項３】  前記電極合剤は少なくともＴｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＮｉおよびＣｕから選ばれる一種の金属とＳｉとを有することを特徴とする請求項１記載のリチウムイオン二次電池用電極。
【請求項４】  正極と負極と非水電解質を備えたリチウムイオン二次電池であり、前記負極は可逆的にリチウムの吸蔵・放出が可能なＴｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＮｉおよびＣｕから選ばれる少なくとも一種の金属とＳｉとの合金を含有する活物質と、集電体とを備えたリチウムイオン二次電池用電極であり、前記集電体表面に少なくともシス−１，４−ポリイソプレン、ポリイソブチレン、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステルおよびポリビニルエーテルから選ばれる一種と導電剤粉末とを含有する混合物を備えることを特徴とするリチウムイオン二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記従来の課題を解決するために、本発明のリチウムイオン二次電池用電極は、可逆的にリチウムの吸蔵・放出が可能な活物質を含む電極合剤と集電体とを備えたリチウムイオン二次電池用電極であり、前記集電体表面と前記電極合剤との間に少なくともシス−１，４−ポリイソプレン、ポリイソブチレン、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステルおよびポリビニルエーテルから選ばれる一種と導電剤粉末とを含有する混合物を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらに、ポリアクリル酸エステルが少なくともポリエチルヘキシルアクリレートおよびポリブチルアクリレートから選ばれる一種である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
さらに、電極合剤は少なくともＴｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＮｉおよびＣｕから選ばれる一種の金属とＳｉとを有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明のリチウムイオン二次電池は、正極と負極と非水電解質を備えたリチウムイオン二次電池であり、前記負極は可逆的にリチウムの吸蔵・放出が可能なＴｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、ＮｉおよびＣｕから選ばれる少なくとも一種の金属とＳｉとの合金を含有する活物質と、集電体とを備えたリチウムイオン二次電池用電極であり、前記集電体表面に少なくともシス−１，４−ポリイソプレンとポリイソブチレンの共重合体、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸エステルおよびポリビニルエーテルから選ばれる一種と導電剤粉末とを含有する混合物を備える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明に用いられる正極材料には、一般式ＬｉＸＣｏＯ２で表される化合物（１．０≧Ｘ≧０．６）、一般式ＬｉＸＮｉＯ２で表される化合物（１．０≧Ｘ≧０．８）、一般式ＬｉＸＭｎ２ Ｏ４で表される化合物（１．０≧Ｘ＞０）をはじめとする一般にリチウム二次電池の正極材料として用いられるリチウム含有化合物、または、非含有の化合物を用いることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
（実施例４）
実施例４として、Ｍ４０ｗｔ％−Ｓｉ６０ｗｔ％合金（ＭはＦｅ、Ｃｏ、ＮｉまたはＣｕ）を負極活物質として用い、シス−１，４−ポリイソプレン、ポリエチルヘキシルアクリレート、ポリビニルエーテルを銅集電体表面に塗布した場合について説明する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
（表５）に示すように、活物質としてＭ４０ｗｔ％−Ｓｉ６０ｗｔ％合金（ＭはＦｅ、Ｃｏ、ＮｉまたはＣｕ）を用いた場合においてもＴｉ４０ｗｔ％−Ｓｉ６０ｗｔ％合金を用いた場合と同様にシス−１，４−ポリイソプレン、ポリエチルヘキシルアクリレート、ポリビニルエーテルを銅集電体表面に塗布することによる、充放電時の集電体からの電極合剤剥離を抑制する効果が得られた。また、サイクル後の電極観察でも剥離のないことが確認された。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月4日(2005.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極で囲まれる空間にイオンを捕捉するイオントラップと、該イオントラップから外側に引き出されたイオンを質量分析する飛行時間型質量分析器と、を具備する質量分析装置において、
a)分析対象であるイオンをイオントラップ内部のイオン捕捉空間に捕捉する電場を形成するために、前記イオントラップの少なくとも一つの電極にイオン捕捉用の高周波電圧を印加する捕捉用電圧印加手段と、
b)前記イオン捕捉空間に捕捉されているイオンをイオントラップの外側に引き出して前記飛行時間型質量分析器に導入する引き出し電場を形成するために、前記イオントラップの少なくとも一つの電極に引き出し用の電圧を印加する引き出し用電圧印加手段と、
c)前記イオン捕捉空間にイオンを捕捉した状態で、前記高周波電圧が所定の位相であるタイミングで以て該高周波電圧の印加を停止し、その後、所定の時間が経過した時点で引き出し用電圧を印加するべく、前記捕捉用及び引き出し用電圧印加手段を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とする質量分析装置。
【請求項２】
複数の電極で囲まれる空間にイオンを捕捉するイオントラップと、該イオントラップから外側に引き出されたイオンを質量分析する飛行時間型質量分析器と、を具備する質量分析装置における質量分析方法であって、
a)前記イオントラップの少なくとも一つの電極にイオン捕捉用の高周波電圧を印加することにより、分析対象であるイオンをイオントラップ内部のイオン捕捉空間に捕捉するイオン捕捉ステップと、
b)前記イオン捕捉空間にイオンを捕捉した状態で、前記高周波電圧が所定の位相であるタイミングで以て該高周波電圧の印加を停止する高周波電圧停止ステップと、
c)前記高周波電圧の印加停止から所定の時間が経過した時点で、前記イオン捕捉空間に捕捉されているイオンをイオントラップの外側に引き出して前記飛行時間型質量分析器に導入する引き出し電場を形成するために、前記イオントラップの少なくとも一つの電極に引き出し用電圧を印加するイオン引き出しステップと、
を順次実行することを特徴とする質量分析方法。
【請求項３】
前記高周波電圧の印加を前記所定の位相位置において停止した後、前記所定の時間が経過した時点で、その高周波電圧が印加されていた電極の電位が電圧印加停止前の該高周波電圧の振幅に拘わらず略一定値となる、という条件の下に、該所定の位相位置及び所定の時間が定められることを特徴とする請求項１に記載の質量分析装置又は請求項２に記載の質量分析方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
典型的なイオントラップ１は、図４に示すように、中央のリング電極１１と、該リング電極１１を挟んで両側に設けられた一対のエンドキャップ電極１２、１３とにより構成される。通常、リング電極１１に高周波電圧を印加してイオントラップ１内部のイオン捕捉空間１４に四重極電場を形成し、該電場によってイオンを捕捉して蓄積する。イオンは、イオントラップ１の外側で生成された後にイオントラップ１内部に導入される場合と、イオントラップ１の内部で生成される場合とがあり得る。なお、イオントラップの理論的な説明は、非特許文献１などに詳しく記載されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この第１及び第２発明においては、前記高周波電圧の印加を前記所定の位相位置において停止した後、前記所定の時間が経過した時点で、その高周波電圧が印加されていた電極の電位が電圧印加停止前の該高周波電圧の振幅に拘わらず略一定値となる、という条件の下に、該所定の位相位置及び所定の時間が定められることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月4日(2004.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体面上のパターンを像面上に縮小投影する反射型投影光学系であって、
前記物体面側から前記像面側にかけて、第１の反射鏡、第２の反射鏡、第３の反射鏡、第４の反射鏡、第５の反射鏡、第６の反射鏡、第７の反射鏡、第８の反射鏡の順に光を反射するような８枚の反射鏡が配置され、前記第６の反射鏡から前記第７の反射鏡の光路の間に中間像を形成し、
主光線の各反射鏡における光軸からの高さ方向位置について、前記第１の反射鏡から前記第４の反射鏡までの変位方向と、前記第５の反射鏡から前記第８の反射鏡までの変位方向を逆方向とし、
前記第２の反射鏡から前記第５の反射鏡までを順次、凹面鏡、凸面鏡、凹面鏡、凹面鏡とし、前記第７の反射鏡及び前記第８の反射鏡をそれぞれ、凸面鏡、凹面鏡とし、
前記第２の反射鏡を最も前記物体面側に配置したことを特徴とする反射型投影光学系。
【請求項２】
前記第１の反射鏡から前記第６の反射鏡までの前記光の有効光線反射面において、子午切断面上の最大入射角が４５度以下であることを特徴とする請求項１記載の反射型投影光学系。
【請求項３】
前記物体面から前記第１の反射鏡までの距離をｄ１、前記第１の反射鏡から前記第２の反射鏡までの距離をｄ２としたとき、
０．４５  ＜  ｜ｄ２／ｄ１｜  ＜  ０．８
を満足することを特徴とする請求項１記載の反射型投影光学系。
【請求項４】
前記第６の反射鏡から前記第７の反射鏡までの距離をｄ７、前記第７の反射鏡から前記第８の反射鏡までの距離をｄ８としたとき、
１．０  ＜  ｜ｄ７／ｄ８｜  ＜  １．２
を満足することを特徴とする請求項１記載の反射型投影光学系。
【請求項５】
前記第５の反射鏡から前記第６の反射鏡までの距離をｄ６、前記第７の反射鏡から前記第８の反射鏡までの距離をｄ８としたとき、
０．７５  ＜  ｜ｄ６／ｄ８｜  ＜  １．２
を満足することを特徴とする請求項１記載の反射型投影光学系。
【請求項６】
前記第２の反射鏡から前記第３の反射鏡までの距離をｄ３、前記第３の反射鏡から前記第４の反射鏡までの距離をｄ４としたとき、
０．３  ＜  ｜ｄ４／ｄ３｜  ＜  １．０
を満足することを特徴とする請求項１記載の反射型投影光学系。
【請求項７】
結像範囲のうち、前記第４の反射鏡から前記第５の反射鏡へ向かう最大像高の主光線の、光軸となす角度α（度）は、前記第５の反射鏡での主光線位置を基点とする前記光軸との平行線から時計回りを正、反時計回りを負として、
−５．０  ＜  α  ＜  １０．０
であることを特徴とする請求項１記載の反射型投影光学系。
【請求項８】
前記第６の反射鏡は、凸面鏡であることを特徴とする請求項１記載の反射型投影光学系。
【請求項９】
前記第６の反射鏡の光軸位置を物理的に前記第１の反射鏡の光軸位置より像面側に配置したことを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか一項記載の反射型投影光学系。
【請求項１０】
前記第２の反射鏡の位置を開口絞り位置としたことを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか一項記載の反射型投影光学系。
【請求項１１】
前記８枚の反射鏡は、基本的に共軸系をなすように配置したことを特徴とする請求項１記載の投影光学系。
【請求項１２】
前記８枚の反射鏡のうち少なくとも１枚は極紫外線光を反射する多層膜を有する非球面ミラーであることを特徴とする請求項１記載の反射型投影光学系。
【請求項１３】
前記８枚の反射鏡はすべて極紫外線光を反射する多層膜を有する非球面ミラーであることを特徴とする請求項１記載の反射型投影光学系。
【請求項１４】
前記光は、波長２０ｎｍ以下の極紫外線であることを特徴とする請求項１記載の反射型投影光学系。
【請求項１５】
前記投影光学系の開口数ＮＡが０．３以上であることを特徴とする請求項１記載の反射型投影光学系。
【請求項１６】
前記像面側がテレセントリックであることを特徴とする請求項１記載の反射型投影光学系。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のうちいずれか一項記載の反射型投影光学系と、
前記物体面上にマスクのパターンを位置付けるべく当該マスクを保持するステージと、
前記像面上に感光層を位置付けるべく被処理体を保持するステージと、
前記反射型投影光学系の円弧状の視野に対応する円弧状のＥＵＶ光により前記マスクを照明する照明装置と、
前記ＥＵＶ光で前記マスクを照明する状態で前記各ステージを同期して走査する手段とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項１８】
請求項１７記載の露光装置を用いて被処理体を露光するステップと、
露光された前記被処理体に所定のプロセスを行うステップとを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月9日(2005.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
（２）また、銅箔８３は、張り合わされたコア基板１２を分離して２分割する工程ではいわゆる離型シートとして機能するばかりでなく、パターニングを経て最終的にはＬＧＡランド３７（即ち片面積層配線基板１１の一部）となる。ゆえに、この製造方法によれば、材料の無駄が少なく、低コスト化を図るうえでも有利である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月29日(2005.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置の処理室の壁面に気密に取り付け可能な観測窓であって，
前記処理室側に開口部を有する孔と，
前記孔の前記処理室と対向する側に設けられた透明部材と，
前記処理室内のプラズマを形成する電子のエネルギに応じて，前記電子が前記孔を介して前記透明部材に到達することを防止するのに十分な磁力強度を有し，前記開口部に取り付けられた互いに異なる磁極を対向させた磁極対と，
を備えたことを特徴とする，プラズマ処理装置の観測窓。
【請求項２】
前記磁極対は，前記処理室の大きさおよび前記処理室内のプラズマを形成する電子のエネルギに応じて，前記電子が前記孔を介して前記透明部材に到達することを防止するのに十分な磁力強度を有することを特徴とする，請求項１に記載のプラズマ処理装置の観測窓。
【請求項３】
前記処理室の直径がおよそ４５０ｍｍであり，前記電子の電子温度が２０ｅＶ以下の場合，前記磁極対の磁力強度を８．７ガウス以上にすることを特徴とする，請求項２に記載のプラズマ処理装置の観測窓。
【請求項４】
前記処理室の直径がおよそ６００ｍｍであり，前記電子の電子温度が２０ｅＶ以下の場合，前記磁極対の磁力強度を６．５ガウス以上にすることを特徴とする，請求項３に記載のプラズマ処理装置の観測窓。
【請求項５】
前記孔の奥部は，前記処理室の観測対象位置からみて，およそ１．５度に相当する高さを有することを特徴とする，請求項１，２，３または４のいずれかに記載のプラズマ処理装置の観測窓。
【請求項６】
前記開口部の高さと前記開口部から前記透明部材までの距離との比率をおよそ１：４にすることを特徴とする，請求項１，２，３，４または５のいずれかに記載のプラズマ処理装置の観測窓。
【請求項７】
前記開口部の高さは前記孔の奥部の高さより低いことを特徴とする，請求項１，２，３，４，５または６のいずれかに記載のプラズマ処理装置の観測窓。
【請求項８】
前記透明部材は，前記処理室の気密性を保持するためのシール部材として機能することを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６または７のいずれかに記載のプラズマ処理装置の観測窓。
【請求項９】
前記透明部材は，少なくともレーザ光を透過する部材からなることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７または８のいずれかに記載のプラズマ処理装置の観測窓。
【請求項１０】
前記透明部材は，少なくとも前記プラズマの発光スペクトルを透過する部材からなることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７，８または９のいずれかに記載のプラズマ処理装置の観測窓。
【請求項１１】
前記孔の断面は，対向する２つの長辺を有するスリット形状であり，前記磁極対は，前記孔の長辺側に取り付けられることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６，７，８，９または１０のいずれかに記載のプラズマ処理装置の観測窓。
【請求項１２】
処理室の壁面に観測窓が気密に取り付けられたプラズマ処理装置であって，前記観測窓は，
前記処理室側に開口部を有する孔と，
前記孔の前記処理室と対向する側に設けられた透明部材と，
前記処理室内のプラズマを形成する電子の電子温度に応じて，前記電子が前記孔を介して前記透明部材に到達することを防止するのに十分な磁力強度を有し，前記開口部に取り付けられた互いに異なる磁極を対向させた磁極対と，
を備えたことを特徴とする，プラズマ処理装置。
【請求項１３】
さらに，前記観測窓の前記処理室と対向する側に，前記観測窓を介して前記処理室にレーザ光を照射するレーザ照射手段を備えたことを特徴とする，請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】
さらに，前記観測窓の前記処理室と対向する側に，前記処理室に照射されたレーザ光を前記観測窓を介して検出するレーザ検出手段を備えたことを特徴とする，請求項１２または１３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１５】
さらに，前記観測窓の前記処理室と対向する側に，前記処理室内に発生するプラズマの発光スペクトルを検出するスペクトル検出手段を備えたことを特徴とする，請求項１２，１３または１４のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【請求項１６】
前記孔の断面は，対向する２つの長辺を有するスリット形状であり，前記磁極対は，前記孔の長辺側に取り付けられることを特徴とする，請求項１２，１３，１４または１５のいずれかに記載のプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月7日(2005.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１電極及び第２電極を有し、前記第１電極と前記第２電極との間に基板を配置し、前記第１電極と前記第２電極との間に薬液及び前記基板を通して電流を流すことにより前記基板を処理する処理装置であって、
前記第１電極と前記基板との間に配置され、前記基板に向かうシャワー状の薬液流を形成するシャワーヘッドを備え、前記シャワーヘッドによって形成されるシャワー状の薬液流によって前記第１電極と前記第２電極との間の電流経路の一部が形成されることを特徴とする処理装置。
【請求項２】  前記シャワーヘッドは、複数の開口が形成された部材を有し、前記複数の開口を通してシャワー状の薬液が噴射或いは放出されることを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】  第１電極と第２電極との間に基板を配置し、前記第１電極と前記第２電極との間に薬液及び前記基板を通して電流を流すことにより前記基板を処理する処理方法であって、
前記第１電極と前記基板との間及び前記第２電極と前記基板との間の少なくとも一方にシャワーヘッドを配置し、前記シャワーヘッドにより前記基板に向かうシャワー状の薬液流を形成し、該シャワー状の薬液流によって前記第１電極と前記第２電極との間の電流経路の一部を形成する工程を含むことを特徴とする処理方法。
【請求項４】
第１電極と第２電極との間に基板を配置し、前記第１電極と前記第２電極との間に薬液及び前記基板を通して電流を流すことにより前記基板を陽極化成する陽極化成方法であって、
前記第１電極と前記基板との間及び前記第２電極と前記基板との間の少なくとも一方にシャワーヘッドを配置し、前記シャワーヘッドにより前記基板に向かうシャワー状の薬液流を形成し、該シャワー状の薬液流によって前記第１電極と前記第２電極との間の電流経路の一部を形成する工程を含むことを特徴とする陽極化成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月3日(2004.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック基板と、
前記セラミック基板上に多層構造を有する複数の導体及び複数の絶縁層と、
前記多層構造の上に設けられた部品とを有する厚膜多層配線基板であって、
前記部品は、前記複数の導体のうち最上部の導体にはんだ接続されており、
前記最上部の導体の少なくとも一部は、前記複数の絶縁層のうち最上部の絶縁層に埋め込まれていることを特徴とする厚膜多層配線基板。
【請求項２】
セラミック基板と、
前記セラミック基板上に多層構造を有する複数の導体及び複数の絶縁層と、
前記多層構造の上に設けられた電子部品及びマルチ・チップ・モジュールとを有する厚膜多層配線基板であって、
前記電子部品及び前記マルチ・チップ・モジュールは、前記複数の導体のうち最上部の導体にはんだ接続されており、
前記複数の絶縁層のうち最上部の絶縁層には穴が設けられ、
前記最上部の導体の少なくとも一部は、前記穴に埋め込まれており、
前記最上部の絶縁層における下側の穴幅は、前記最上部の絶縁層における上側の穴幅より大きいことを特徴とする厚膜多層配線基板。
【請求項３】
請求項１または２記載の厚膜多層配線基板において、
前記最上部の導体は、Ａｇ系導体であることを特徴とする厚膜多層配線基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
同様に内層導体（Ａｇ系）３ｃ，内層抵抗体９，絶縁層７ｅ，７ｆ，コンタクト導体４、及びクサビ導体５を形成する。更にその上に上層導体（Ａｇ系）６及びオーバーコートガラス８を形成した多層厚膜配線基板の部品搭載部にはんだペーストを印刷しチップ電子部品１２，ＭＣＭ（マルチ  チップ  モジュール）１１，ボンディングパッド１３等を搭載しはんだリフロー・接続ワイヤー１４にて電気的接続する構造の厚膜多層配線基板である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月17日(2005.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
本発明の第２の態様に係る不揮発性磁気メモリ装置の製造方法にあっては、上記工程（ｇ）において、積層構造、絶縁膜、導電体層、及び、第１の高透磁性材料層を第１の方向に延びる帯状形状にパターニングするが故に、リソグラフィ工程におけるマスク合わせずれが存在せず、最小セルサイズの実現が可能となる。しかも、上記工程（ｈ）において、積層構造、絶縁膜、導電体層及び第１の高透磁性材料層のそれぞれの側面にサイドウオールを形成し、上記工程（ｉ）において、サイドウオール上に第２の高透磁性材料層を形成するので、第２の強磁性体層へ効果的に磁束を集中させることが可能となり、その結果、消費電流を十分に低下させることが可能となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
トンネル磁気抵抗素子５０は、第１の配線３１上に、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）から成る絶縁膜３３を介して形成されており、下から、第１の強磁性体層５２、ＡｌＯXから成るトンネル絶縁膜５５、Ｎｉ−Ｆｅ合金から成る第２の強磁性体層５６（自由層あるいは記録層とも呼ばれる）の積層構造を有する。第１の強磁性体層５２は、より具体的には、下から、Ｆｅ−Ｍｎ合金から成る反強磁性体層５３、Ｎｉ−Ｆｅ合金から成る磁化固定層５４の２層構成を有する。この磁化固定層５４は、反強磁性体層５３との交換結合によって、磁化の方向がピニング（pinning）される。外部印加磁場によって、第２の強磁性体層（記録層）５６の磁化の方向は、磁化固定層５４の磁化の方向に対して平行又は反平行に変えられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
［工程−１１５］
その後、全面に第２の層間絶縁層２５（下層層間絶縁層の上層）を形成する。具体的には、先ず、第１の層間絶縁層２１上に、第１の接続孔２３と接続されたランディングパッド２４を形成した後、ＨＤＰ（High Density Plasma）ＣＶＤ法に基づき、ＳｉＯ2から成り、厚さ１μｍの第２の層間絶縁層２５を全面に成膜し、次いで、ランディングパッド２４上の第２の層間絶縁層２５の厚さが０．５μｍとなるように第２の層間絶縁層２５の平坦化処理を行う。こうして、図３の（Ａ）に示す構造を得ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２６】
2004214458.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２７】
2004214458.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月16日(2005.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  水素生成反応に関与する液状物質を収容する第１室と、
水素排気口を備え、水素生成反応に関与する固体物質を収容し、かつ該固体物質と前記液状物質とを反応させるための第２室と、
該第２室内に配置される水素吸蔵合金と、
前記第１室から第２室へ液状物質を輸送する液体輸送媒体とからなることを特徴とする燃料電池用燃料カートリッジ。
【請求項２】  水素吸蔵合金が、前記水素生成反応に関与する固体物質を取り囲むように配置されてなる請求項１に記載のカートリッジ。
【請求項３】  液体輸送媒体が、毛細管現象を起こす材料又は液体を浸透もしくは吸収する材料からなる請求項１又は２に記載のカートリッジ。
【請求項４】  請求項１〜３のいずれか１つに記載のカートリッジが接続された燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
実施の形態２
この実施の形態の燃料電池用燃料カートリッジ２１は、図５に示すように、第２室２４に第２の隔壁が形成されておらず、第２室２４内に、水素化カルシウム（CaH2）と水素吸蔵合金であるチタン鉄マンガン（TiFe1-xMnx）とが、１００μｍ程度の径の粒状で均一に混合されて充填されている以外は、実質的に実施の形態１と同様である。つまり、第１室２３と第２室２４との間には隔壁２２が形成され、隔壁２２には液体供給口２５が形成され、液体供給口２５から第１室２３にわたって液体輸送媒体２７が配設されている。また、第２室２４には、液体供給口２５と反対側に、水素排気口３０が形成されている。
このようなカートリッジを、実施の形態１のカートリッジと同様に、携帯電子機器に接続された燃料電池へ接続することにより、実施の形態１と同様な動作が確認された。
また、このカートリッジにおいてはカートリッジ２１の表面温度の上昇を抑制し、外部動力を一切用いずにカートリッジ２１の内圧を低圧で一定に制御することが可能であった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月28日(2005.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
劈開面を表面とする単結晶ウェーハの所定深さ位置に軽元素をイオン注入する工程と、
その後、この単結晶ウェーハを熱処理することにより、このイオン注入領域内に単結晶ウェーハの表面と平行な劈開面に沿って軽元素バブルを形成し、前記単結晶ウェーハのイオン注入側の部分を剥離する工程とを備えた半導体基板の製造方法。
【請求項２】
前記単結晶ウェーハが活性層用ウェーハで、
該活性層用ウェーハの所定深さ位置に軽元素がイオン注入され、
前記活性層用ウェーハと、該活性層用ウェーハを支持する支持基板用ウェーハとを、これらの間に絶縁層を介在して貼り合わせることで貼り合わせウェーハを形成し、
該活性層用ウェーハと支持基板用ウェーハとの貼り合わせ後の熱処理時に、前記活性層用ウェーハの一部を残して、前記イオン注入領域内から活性層用ウェーハを剥離する請求項１に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項３】
前記熱処理は、前記単結晶ウェーハの表面と平行に、該単結晶ウェーハの一端から順に、前記軽元素バブルを連続形成する一方向熱処理である請求項１または請求項２である半導体基板の製造方法。
【請求項４】
前記軽元素が水素である請求項１〜請求項３のうち、何れか１項に記載の半導体基板の製造方法。
【請求項５】
前記単結晶ウェーハが、シリコン単結晶からなる（１１１）ウェーハまたは（１１０）ウェーハである請求項１〜請求項４のうち、何れか１項に記載の半導体基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項５に記載の発明は、前記単結晶ウェーハが、シリコン単結晶からなる（１１１）ウェーハまたは（１１０）ウェーハである請求項１〜請求項４のうち、何れか１項に記載の半導体基板の製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月28日(2005.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の主表面に形成された凸形状の半導体層と、
前記半導体層の一部に形成された第１導電型のチャネル領域と、
前記チャネル領域の両側を挟むように、前記半導体層中に形成された第２導電型のソース領域及びドレイン領域と、
前記半導体層の対向する側壁における前記チャネル領域の表面に形成された１対の第１の絶縁膜と、
前記半導体層の対向する側壁における前記１対の第１の絶縁膜の表面に形成された１対のゲート電極と、
前記半導体層における前記ソース領域の近傍に設けられ、一方の電極が前記ソース領域に電気的に接続されたトレンチキャパシタと、
前記１対のゲート電極における前記第１の絶縁膜が形成された面の反対側の面と前記トレンチキャパシタに隣接して配置されたトレンチキャパシタとの間に形成され、前記第１の絶縁膜より膜厚が厚い第２の絶縁膜と
を具備するメモリセルを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記トレンチキャパシタの上部に形成される第４の絶縁膜と、前記半導体層上に形成され、前記１対のゲート電極に挟まれた第５の絶縁膜と、前記第４の絶縁膜上に形成され前記１対のゲート電極に電気的に接続される第１のワード線と、前記第５の絶縁膜上に形成され前記１対のゲート電極に電気的に接続される第２のワード線とを更に具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
フィンゲート型のダブルゲートトランジスタと、このダブルゲートトランジスタに一方の電極が電気的に接続されたトレンチキャパシタとを有する複数のメモリセルを備え、各メモリセル中のダブルゲートトランジスタとトレンチキャパシタがそれぞれ１対ずつ隣接して配置され、これら一対のダブルゲートトランジスタと１対のトレンチキャパシタが交互に千鳥状に配置されたメモリセルアレイを備えたダイナミック型の半導体記憶装置であって、
前記ダブルゲートトランジスタは、
半導体基板の主表面に形成されたピラーと、
前記ピラーの一部に形成された第１導電型のチャネル領域と、
前記チャネル領域の両側を挟むように、前記ピラー中に形成された第２導電型のソース領域及びドレイン領域と、
前記ピラーの対向する側壁における前記チャネル領域の表面に形成された１対の第１の絶縁膜と、
前記ピラーの対向する側壁における前記１対の第１の絶縁膜の表面に形成された１対のゲート電極とを備え、
前記トレンチキャパシタは、
前記ピラーにおける前記ソース領域の近傍に設けられ、前記ソース領域に電気的に接続された第１の電極と、
前記第１の電極との間にキャパシタ絶縁膜を介在して対向配置された第２の電極と、
前記１対のゲート電極における前記第１の絶縁膜が形成された面の反対側の面と前記トレンチキャパシタに隣接して配置された１対のトレンチキャパシタとの間にそれぞれ形成され、前記第１の絶縁膜より膜厚が厚い１対の第２の絶縁膜とを備える
ことを特徴とするダイナミック型半導体記憶装置。
【請求項４】
半導体基板の主表面をリセスエッチングし、凸形状の複数の半導体層を形成する工程と、
前記リセス領域に第１の絶縁膜を埋め込む工程と、
前記絶縁層の上部をエッチングして除去し、前記リセス領域の下部に前記第１の絶縁膜を残存させる工程と、
前記リセス領域の前記第１の絶縁膜上に第１のゲート電極材料を埋め込む工程と、
前記リセス領域における一部から、前記半導体層の一部及びこの半導体層を挟んで隣接するリセス領域に亙ってエッチングを行い、ディープトレンチを形成する工程と、
前記ディープトレンチの側壁にカラー絶縁膜を形成する工程と、
前記ディープトレンチ内にトレンチキャパシタを形成する工程と、
前記トレンチキャパシタの上部に第２の絶縁膜を埋め込む工程と、
前記第２のゲート電極材料を堆積する工程と、
前記第１のゲート電極材料と前記第２の電極材料とを同時にパターニングしてゲート電極を形成する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ゲート電極を形成する工程の後に、前記ゲート電極をマスクにして前記半導体基板の主表面領域中に不純物を導入し、ソース領域及びドレイン領域を形成する工程と、
前記ソース領域の一部の前記半導体基板、及び前記ディープトレンチの上部をエッチングして除去する工程と、
前記エッチングして除去した領域の側壁に第３の絶縁膜を形成する工程と、
前記除去した前記ソース領域及び前記ディープトレンチの上部、隣接するディープトレンチ間の領域、及び前記ドレイン領域上にそれぞれポリシリコン層を形成する工程と、
サリサイドプロセスにより、前記ポリシリコン層の表面にシリサイド層を形成し、前記除去した前記ソース領域及び前記ディープトレンチの上部にストラップ電極、隣接するディープトレンチ間の領域に分離層、及び前記ドレイン領域上に接続部を同時に形成する工程と
を更に具備することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月26日(2005.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
テトラアルコキシシランの部分加水分解縮合物の塗膜表面への配向度は、Ｘ線電子分光法（以下、ＸＰＳという）で塗膜表面のＳｉの原子比率を測定することにより評価できる。塗膜表層にテトラアルコキシシランの部分加水分解縮合物が配向されたポリフッ化ビニリデン系フッ素樹脂塗膜をＸＰＳで表面分析すると、テトラアルコキシシランの部分加水分解縮合物に含まれるＳｉ原子のピーク強度ＩSiが強く現れ、Ｆ原子の強度ＩF，Ｃ原子の強度ＩCが弱くなる。他方、テトラアルコキシシランの部分加水分解縮合物を含まないポリフッ化ビニリデン系フッ素樹脂塗膜は、ＩF，ＩCが強く現れ、ＩSiが検出されない。したがって、ＸＰＳの分析結果からＳｉ，Ｆ，ＣのＸＰＳ検出原子比率〔ＩSi／(ＩF＋ＩC)〕を求め、接着性に効果を発揮するテトラアルコキシシランの部分加水分解縮合物の塗膜表層における最適配向量を原子比率で定義できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月12日(2004.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体上に、顔料および接着剤を含有するインク吸収層を設けてなるインクジェット被記録媒体において、該支持体が紙基体のインク吸収層を設ける側に有機顔料を含有する被覆層を設けたものであり、かつインク吸収層の顔料が無機超微粒子であることを特徴とするインクジェット被記録媒体。
【請求項２】
該有機顔料が中空有機顔料であることを特徴とする請求項１記載のインクジェット被記録媒体。
【請求項３】
該有機顔料が中密有機顔料であることを特徴とする請求項１記載のインクジェット被記録媒体。
【請求項４】
該有機顔料が中空有機顔料/中密有機顔料＝重量比1/10〜10/1の範囲の混合物であることを特徴とする請求項１記載のインクジェット被記録媒体。
【請求項５】
該中密有機顔料がお椀型であることを特徴とする請求項３または請求項４に記載のインクジェット被記録媒体。
【請求項６】
該中空有機顔料が平均空隙率が20%以上であることを特徴とする請求項２または４に記載のインクジェット被記録媒体。
【請求項７】
該有機顔料の平均粒径が０．３μｍ以上１０μｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載のインクジェット被記録媒体。
【請求項８】
該無機超微粒子が気相法による非晶性合成シリカであることを特徴する請求項１〜７のいずれか一項に記載のインクジェット被記録媒体。
【請求項９】
支持体上に、顔料および接着剤を含有するインク吸収層を設けてなるインク被記録媒体において、該支持体が紙基体のインク吸収層を設ける側に有機顔料を含有する被覆層を設け、熱カレンダー処理をしてから、少なくとも無機超微粒子を含有するインク吸収層を設ける事を特徴とするインクジェット被記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
熱カレンダー処理をした被覆層のＪＩＳ−Ｐ８１４２で測定される７５度鏡面光沢度が６０％以上であることを特徴とする請求項９記載のインクジェット被記録媒体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月6日(2004.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レンズパターンが形成された円筒形レンズ型のレンズパターン形成面と透光性基材との間に活性エネルギー線硬化性組成物を注入し、透光性基材と円筒形レンズ型の間に活性エネルギー線硬化性組成物が挟持された状態で活性エネルギー線を照射して活性エネルギー線硬化性組成物を硬化し透光性基材の一方の面にレンズを形成するレンズシートの製造方法において、透光性基材が活性エネルギー線硬化性組成物を介して円筒形レンズ型に接している状態で透光性基材に張力を付与するとともに、付与される張力に応じて円筒形レンズ型のレンズパターンのピッチをあらかじめ補正しておくことを特徴とするレンズシートの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決させるための手段】
本発明者等は、このような状況に鑑み、レンズシートの製造過程で生じる透光性基材の収縮に注目し、この収縮によるレンズピッチのずれを透光性基材に付与する張力の制御と、この張力に応じたレンズ型でのレンズピッチの補正を行うことにより抑止し、極めて高精度のレンズピッチの制御を行うことができることを見出し、本発明に到達したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
【発明の効果】
本発明は、レンズシートの製造過程で生じる透光性基材の収縮によるレンズピッチのずれを透光性基材に付与する張力の制御と、この張力に応じたレンズ型でのレンズピッチの補正を行うことにより抑止し、レンズピッチの変動が少なく、レンズシート全体にわたって設計通りのピッチを有するレンズシートを提供できる極めて高精度のレンズピッチの制御を行うことができるレンズシートの製造方法を提供できるものである。