【手続補正書】
【提出日】平成17年6月21日(2005.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】        明細書
【発明の名称】  半導体装置及びその製造方法
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の主面において分離絶縁膜に囲まれた半導体領域の略中央部に形成された真性ベース拡散層と、
この真性ベース拡散層の外周と重畳して上記真性ベース拡散層を取囲み上記分離絶縁膜に達する外部ベース拡散層と、
上記半導体領域に形成され、上記真性ベース拡散層と重畳し、かつその外周部分が上記外部ベース拡散層の内周部分と重畳し、上記外部ベース拡散層の深さより深くかつ上記真性ベース拡散層の深さを超えない深さに形成された共通ベース拡散層と、
を備えたことを特徴とするバイポーラ構造の半導体装置。
【請求項２】
上記外部ベース拡散層の不純物濃度が上記真性ベース拡散層の不純物濃度より高く、上記共通ベース拡散層の不純物濃度が上記真性ベース拡散層の不純物濃度より低いことを特徴とする請求項１に記載のバイポーラ構造の半導体装置。
【請求項３】  
半導体基板の主面において分離絶縁膜に囲まれた半導体領域の略中央部に形成された真性ベース拡散層と、
この真性ベース拡散層の外周と重畳して上記真性ベース拡散層を取囲み上記分離絶縁膜に達する外部ベース拡散層と、
上記半導体領域に形成され、上記真性ベース拡散層と重畳し、かつ上記外部ベース拡散層の少なくとも内周部分と重畳して形成され、上記外部ベース拡散層の深さより深くかつ上記真性ベース拡散層の深さを超えない深さに形成された共通ベース拡散層とを備え、
上記共通ベース拡散層が上記真性ベース拡散層および上記外部ベース拡散層と重畳しかつ上記分離絶縁膜に達するように形成され、
上記外部ベース拡散層の不純物濃度が上記真性ベース拡散層の不純物濃度より高く、上記共通ベース拡散層の不純物濃度が上記真性ベース拡散層の不純物濃度より低いことを特徴とするバイポーラ構造の半導体装置。
【請求項４】  
半導体基板の主面において分離絶縁膜に囲まれた第１導電型の半導体領域の略中央部に形成された第２導電型の真性ベース拡散層と、
この真性ベース拡散層の外周と重畳して上記真性ベース拡散層を取囲み上記分離絶縁膜に達する第２導電型の外部ベース拡散層と、
上記半導体領域に形成され、上記真性ベース拡散層と重畳し、かつその外周部分が上記外部ベース拡散層の内周部分と重畳し、上記外部ベース拡散層の深さより深くかつ上記真性ベース拡散層の深さを超えない深さに形成された第２導電型の共通ベース拡散層と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
上記外部ベース拡散層の不純物濃度が上記真性ベース拡散層の不純物濃度より高く、上記共通ベース拡散層の不純物濃度が上記真性ベース拡散層の不純物濃度より低いことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】  
半導体基板の主面において分離絶縁膜に囲まれた第１導電型の半導体領域の略中央部に形成された第２導電型の真性ベース拡散層と、
この真性ベース拡散層の外周と重畳して上記真性ベース拡散層を取囲み上記分離絶縁膜に達する第２導電型の外部ベース拡散層と、
上記半導体領域に形成され、上記真性ベース拡散層と重畳し、かつ上記外部ベース拡散層の少なくとも内周部分と重畳して形成され、上記外部ベース拡散層の深さより深くかつ上記真性ベース拡散層の深さを超えない深さに形成された第２導電型の共通ベース拡散層とを備え、
上記共通ベース拡散層が上記真性ベース拡散層および上記外部ベース拡散層と重畳しかつ上記分離絶縁膜に達するように形成され、
上記外部ベース拡散層の不純物濃度が上記真性ベース拡散層の不純物濃度より高く、上記共通ベース拡散層の不純物濃度が上記真性ベース拡散層の不純物濃度より低いことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】  半導体基板の上に形成された第１導電型の半導体領域の主面において分離絶縁膜に囲まれた半導体領域の中で略中央部を除く外周領域に第２導電型の外部ベース拡散層を形成する工程と、
上記分離絶縁膜に囲まれた半導体領域の上記略中央部に上記外部ベース拡散層より深い真性ベース拡散層を形成する工程と、
上記半導体領域の上記略中央部に対して共通ベース不純物を斜め回転注入し第２導電型の共通ベース拡散層を上記外部ベース拡散層より深く上記真性ベース拡散層を超えない深さで形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】  半導体基板の上に形成された第１導電型の半導体領域の主面において分離絶縁膜に囲まれた半導体領域に共通ベース不純物を斜め回転注入し第２導電型の共通ベース拡散層を形成する工程と、
上記共通ベース拡散層の略中央部を除く外周領域に上記共通ベース拡散層の深さより浅い第２導電型の外部ベース拡散層を形成する工程と、
上記共通ベース拡散層の上記略中央部に上記共通ベース拡散層より深い真性ベース拡散層を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】  上記外部ベース拡散層の不純物濃度を上記真性ベース拡散層の不純物濃度より高くし、上記共通ベース拡散層の不純物濃度を上記真性ベース拡散層の不純物濃度より低くすることを特徴とする請求項７又は８に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、高耐圧、高信頼性を有する半導体装置、特にバイポーラトランジスタの構造とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図５は、従来のダブルポリシリコンセルフアライン(DPSA)構造のnpnトランジスタを示す断面図である。
図５において、１は半導体基板（シリコン基板）、２は半導体領域（エピタキシャル層）、３は分離絶縁膜（フィールド酸化膜）、４は外部ベース電極、５はシリコン酸化膜、６は外部ベース拡散層、７は真性ベース拡散層、８はシリコン酸化膜、９はエミッタ電極、１０はエミッタ拡散層、１１はシリコン酸化膜、１２は外部ベースコンタクト電極、１３はコレクタコンタクト電極、１４はエミッタコンタクト電極、１５は保護膜である。
【０００３】
図６は、従来のダブルポリシリコンセルフアライン(DPSA)構造の npnトランジスタの製造方法を工程に沿って示す断面図である。
製造方法について説明すると、まず、図６（ａ）に示すように、シリコンの半導体基板１上の半導体領域（エピタキシャル層）２において、分離絶縁膜（フィールド酸化膜）３によって分離されたnpn トランジスタ素子領域の上面に外部ベース電極4を形成し、外部ベース不純物を注入する。
【０００４】
次に、図６（ｂ）に示すように、外部ベース電極4のうち真性ベース領域の部分を写真製版によって開口し、熱処理を加え、外部ベース拡散層6を形成する。
次に、図６（ｃ）に示すように、熱処理によって形成された酸化膜越しに、真性ベース不純物を注入し、真性ベース拡散層7を形成する。
次に、図６（ｄ）に示すように、サイドウォール8を形成後、エミッタ電極9を形成し、エミッタ不純物を注入しエミッタ領域10を形成する。
【０００５】
以上のように形成した従来のDPSA構造のnpnトランジスタでは、次のような問題があった。すなわち、
（１）真性ベース拡散層７と外部ベース拡散層６を繋ぐ領域において、電界が集中し、リーク電流が増え、耐圧が低下する。
（２）真性ベース拡散層７は、微少に開口された領域に注入により形成されるため、開口エッジで曲率が急峻なプロファイルになり、リーク電流が増えるため、耐圧が低下する。
（３）外部ベース拡散層６は、外部ベース電極４からの拡散で形成しているため、分離絶縁膜（フィールド酸化膜）３のエッジで浅い接合になり、リーク電流が大きく、耐圧が低下する。
【０００６】
【発明が解決しよとする課題】
本発明は上記のような問題を解決するためになされたもので、
（１）真性ベース拡散層と外部ベース拡散層を繋ぐ領域の電界を緩和し、
（２）真性ベース拡散層の曲率を減少させ、
（３）分離絶縁膜（フィールド酸化膜）エッジでのリーク電流を減少させる事により、
高耐圧、高信頼性化し、安定した性能が得られる半導体装置、特にバイポーラトランジスタ、中でもnpnトランジスタとその製造方法を提供しようとするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明にかかる半導体装置は、半導体基板の主面において分離絶縁膜に囲まれた半導体領域の略中央部に形成された真性ベース拡散層と、この真性ベース拡散層の外周と重畳して上記真性ベース拡散層を取囲み上記分離絶縁膜に達する外部ベース拡散層と、上記半導体領域に形成され、上記真性ベース拡散層と重畳し、かつその外周部分が上記外部ベース拡散層の内周部分と重畳し、上記外部ベース拡散層の深さより深くかつ上記真性ベース拡散層の深さを超えない深さに形成された共通ベース拡散層とを備えたことを特徴とするものである。
【０００８】
請求項２の発明にかかる半導体装置は、請求項１の半導体装置において、上記外部ベース拡散層の不純物濃度が上記真性ベース拡散層の不純物濃度より高く、上記共通ベース拡散層の不純物濃度が上記真性ベース拡散層の不純物濃度より低いことを特徴とするものである。
【０００９】
請求項３の発明にかかる半導体装置は、半導体基板の主面において分離絶縁膜に囲まれた半導体領域の略中央部に形成された真性ベース拡散層と、この真性ベース拡散層の外周と重畳して上記真性ベース拡散層を取囲み上記分離絶縁膜に達する外部ベース拡散層と、上記半導体領域に形成され、上記真性ベース拡散層と重畳し、かつ上記外部ベース拡散層の少なくとも内周部分と重畳して形成され、上記外部ベース拡散層の深さより深くかつ上記真性ベース拡散層の深さを超えない深さに形成された共通ベース拡散層とを備え、上記共通ベース拡散層が上記真性ベース拡散層および上記外部ベース拡散層と重畳しかつ上記分離絶縁膜に達するように形成され、上記外部ベース拡散層の不純物濃度が上記真性ベース拡散層の不純物濃度より高く、上記共通ベース拡散層の不純物濃度が上記真性ベース拡散層の不純物濃度より低いことを特徴とするものである。
【００１０】
請求項４の発明にかかる半導体装置は、半導体基板の主面において分離絶縁膜に囲まれた第１導電型の半導体領域の略中央部に形成された第２導電型の真性ベース拡散層と、この真性ベース拡散層の外周と重畳して上記真性ベース拡散層を取囲み上記分離絶縁膜に達する第２導電型の外部ベース拡散層と、上記半導体領域に形成され、上記真性ベース拡散層と重畳し、かつその外周部分が上記外部ベース拡散層の内周部分と重畳し、上記外部ベース拡散層の深さより深くかつ上記真性ベース拡散層の深さを超えない深さに形成された第２導電型の共通ベース拡散層とを備えたことを特徴とするものである。
【００１１】
請求項５の発明にかかる半導体装置は、請求項４の半導体装置において、上記外部ベース拡散層の不純物濃度が上記真性ベース拡散層の不純物濃度より高く、上記共通ベース拡散層の不純物濃度が上記真性ベース拡散層の不純物濃度より低いことを特徴とするものである。
【００１２】
請求項６の発明にかかる半導体装置は、半導体基板の主面において分離絶縁膜に囲まれた第１導電型の半導体領域の略中央部に形成された第２導電型の真性ベース拡散層と、この真性ベース拡散層の外周と重畳して上記真性ベース拡散層を取囲み上記分離絶縁膜に達する第２導電型の外部ベース拡散層と、上記半導体領域に形成され、上記真性ベース拡散層と重畳し、かつ上記外部ベース拡散層の少なくとも内周部分と重畳して形成され、上記外部ベース拡散層の深さより深くかつ上記真性ベース拡散層の深さを超えない深さに形成された第２導電型の共通ベース拡散層とを備え、上記共通ベース拡散層が上記真性ベース拡散層および上記外部ベース拡散層と重畳しかつ上記分離絶縁膜に達するように形成され、上記外部ベース拡散層の不純物濃度が上記真性ベース拡散層の不純物濃度より高く、上記共通ベース拡散層の不純物濃度が上記真性ベース拡散層の不純物濃度より低いことを特徴とするものである。
【００１３】
請求項７の発明にかかる半導体装置の製造方法は、
半導体基板の上に形成された第１導電型の半導体領域の主面において分離絶縁膜に囲まれた半導体領域の中で略中央部を除く外周領域に第２導電型の外部ベース拡散層を形成する工程と、
上記分離絶縁膜に囲まれた半導体領域の上記略中央部に上記外部ベース拡散層より深い真性ベース拡散層を形成する工程と、
上記半導体領域の上記略中央部に対して共通ベース不純物を斜め回転注入し第２導電型の共通ベース拡散層を上記外部ベース拡散層より深く上記真性ベース拡散層を超えない深さで形成する工程とを含むことを特徴とするものである。
【００１４】
請求項８の発明にかかる半導体装置の製造方法は、
半導体基板の上に形成された第１導電型の半導体領域の主面において分離絶縁膜に囲まれた半導体領域に共通ベース不純物を斜め回転注入し第２導電型の共通ベース拡散層を形成する工程と、
上記共通ベース拡散層の略中央部を除く外周領域に上記共通ベース拡散層の深さより浅い第２導電型の外部ベース拡散層を形成する工程と、
上記共通ベース拡散層の上記略中央部に上記共通ベース拡散層より深い真性ベース拡散層を形成する工程とを含むことを特徴とするものである。
【００１５】
請求項９の発明にかかる半導体装置の製造方法は、請求項７又は８に記載の半導体装置の製造方法において、上記外部ベース拡散層の不純物濃度を上記真性ベース拡散層の不純物濃度より高くし、上記共通ベース拡散層の不純物濃度を上記真性ベース拡散層の不純物濃度より低くすることを特徴とするものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照してこの発明の実施の形態について説明する。なお、図中、同一の符号は、同一または相当する部分を示す。
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１による半導体装置として、ダブルポリシリコンセルフアライン(DPSA)構造のnpnトランジスタを示す断面図である。
図１において、１は半導体基板（シリコン基板）、２は半導体基板１の上に成長させたｎ−型のシリコンエピタキシャル層である半導体領域、３は半導体領域２の主面に素子間を分離するために形成された分離絶縁膜（フィールド酸化膜）、４は外部ベース電極、５はシリコン酸化膜、６はｐ＋型の外部ベース拡散層、７はｐ型の真性ベース拡散層、８はシリコン酸化膜によるサイドウォール、９はエミッタ電極、１０はｎ＋型のエミッタ拡散層、１６はｐ−型の共通ベース拡散層である。
このように、この実施の形態では、共通ベース拡散層１６が、分離絶縁膜３に囲まれた半導体領域２の全体にわたり形成されていることが特徴である。
【００１７】
以上のように、この実施の形態のnpnトランジスタでは、半導体基板１の上にｎ−型（第１導電型）の半導体領域２が形成され、この半導体領域２が分離絶縁膜３により分離されている。
また、ｐ型（第２導電型）の真性ベース拡散層７が、この分離絶縁膜３に囲まれた半導体領域２の略中央部に形成されている。
また、ｐ＋型（第２導電型）の外部ベース拡散層６が、真性ベース拡散層７の外周と重畳して真性ベース拡散層７を取囲み、かつ分離絶縁膜３に達するように形成されている。
【００１８】
さらに、ｐ−型（第２導電型）の共通ベース拡散層１６が、分離絶縁膜３に囲まれた半導体領域２において、真性ベース拡散層７および外部ベース拡散層６に重畳して形成され、かつ分離絶縁膜3に達するように形成され、その拡散層の深さは、外部ベース拡散層６の深さより深く、かつ真性ベース拡散層７の深さを超えない深さに形成されている。
また、ｎ＋型（第１導電型）のエミッタ領域１０が、真性ベース拡散層７の表面に形成されており、ｎ−型（第１導電型）の半導体領域２がコレクタ領域となる。
【００１９】
このように形成したnpnトランジスタでは、次のような効果を奏する。すなわち、
（１）ｐ−型の共通ベース拡散層１６により、図１のＡ部分において、真性ベース拡散層７と外部ベース拡散層６を繋ぐ領域の電界が緩和される。
（２）ｐ−型の共通ベース拡散層１６により、図１のＢ部分において、開口エッジ部分での真性ベース部分７の曲率が緩和される。
（３）図１のＣ部分において、ｐ−型の共通ベース拡散層１６が、フィールド酸化膜３のエッジ部で深く注入されるため、耐圧が向上する。
以上のような効果により、npnトランジスタの耐圧向上、信頼性向上、および性能安定を図ることができる。
【００２０】
実施の形態２．
図２は、この発明の実施の形態２による半導体装置の製造方法を示す図である。これは、実施の形態１で説明した半導体装置を製造する方法として適用できるものである。以下、製造方法について説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、半導体基板１にｎ−型の半導体領域（エピタキシャル層）２を形成し、その表面を分離絶縁膜（フィールド酸化膜）３によって区画・分離し、その中に素子を形成するための半導体領域を形成する。
【００２１】
この分離絶縁膜３で囲まれた半導体領域２に対して、ｐ−型の共通ベース形成用の不純物（Ｂ，BF２など)を20〜80Kev、１×１０１１〜１×１０１３／ｃｍ２（1E11-1E13）で回転注入する。
次に、図２（ｂ）に示すように、分離絶縁膜３で囲まれた半導体領域２の上に外部ベース電極4をポリシリコンなどにより厚さ1000〜5000ÅでCVDにより堆積し、外部ベース不純物(B, BF２など)を10Kev〜50Kev、１×１０１４〜１×１０１６／ｃｍ２（1E14-1E16）で注入する。
【００２２】
次に、図２（ｃ）に示すように、CVDにより外部ベース電極４の上にシリコン酸化膜５を1000〜4000Å堆積し、写真製版により真性ベース部を開口した後、熱処理を800〜900℃で約1時間加え、外部ベース拡散層6を形成する。
このとき、外部ベース拡散層6の深さは、共通ベース拡散層１６より浅く形成される。
またこの時、開口部内面に熱酸化膜が形成される。
【００２３】
次に、図２（ｄ）に示すように、熱処理によって形成された酸化膜越しに、真性ベース不純物を注入し、ｐ型の真性ベース拡散層7を形成する。
このとき、真性ベース拡散層7は、ｐ−型の共通ベース拡散層１６と同じ深さかそれより深く形成される。
【００２４】
次に、図２（ｅ）に示すように、外部ベース電極4とエミッタ電極8を電気的に分離するための酸化膜を堆積し、エッチバックをしてサイドウォール８を形成するとともに、エミッタ拡散領域を開口する。
次に、エミッタ電極９をポリシリコンなどにより形成し、エミッタ拡散層形成用の不純物を注入し、この不純物をエミッタ電極9から拡散してエミッタ領域１０を形成する。
【００２５】
次に、エミッタ電極９を写真製版でパターニングする。その後は図示しないが、通常の半導体装置の製造方法にしたがって、この上に酸化膜を堆積し、コンタクトを形成し、配線を作り、保護膜を形成する。
以上のような方法により、実施の形態１（図１）で説明した構造のnpnトランジスタを製造することができる。
【００２６】
以上のような製造方法によれば、共通ベース拡散層１６を、外部ベース拡散層６よりは深く、真性ベース拡散層７よりは深くならないように適宜にコントロールして形成することができる。
この方法により、実施の形態１で説明した効果を有するnpnトランジスタを得ることができる。
【００２７】
実施の形態３．
図３は、この発明の実施の形態３によるダブルポリシリコンセルフアライン(DPSA)構造のnpnトランジスタを示す断面図である。
図３において、１７はｐ−型の共通ベース拡散層である。その他は図１と同じであるので、重複した説明を省略する。
【００２８】
以上のように、この実施の形態のnpnトランジスタでは、半導体基板１の上にｎ−型（第１導電型）の半導体領域２が形成され、この半導体領域２が分離絶縁膜３により分離されている。
また、ｐ型（第２導電型）の真性ベース拡散層７が、この分離絶縁膜３に囲まれた半導体領域２の略中央部に形成されている。
また、ｐ＋型（第２導電型）の外部ベース拡散層６が、真性ベース拡散層７の外周と重畳して真性ベース拡散層７を取囲み、かつ分離絶縁膜３に達するように形成されている。
【００２９】
さらに、ｐ−型（第２導電型）の共通ベース拡散層１７が、分離絶縁膜３に囲まれた半導体領域２において、真性ベース拡散層７と重畳して形成され、かつ、外部ベース拡散層６の内周部分と重畳して形成されている。また、その拡散層の深さは、外部ベース拡散層６の深さより深く、かつ真性ベース拡散層７の深さを超えない深さに形成されている。
また、ｎ＋型（第１導電型）のエミッタ領域１０が、真性ベース拡散層７の表面に形成されており、ｎ−型（第１導電型）の半導体領域２がコレクタ領域となる。
このように、この実施の形態では、共通ベース拡散層１６が、真性ベース拡散層７とその周囲の外部ベース拡散層６の中途まで重畳するように形成されていることが特徴である。
【００３０】
このように形成したnpnトランジスタでは、次のような効果を奏する。すなわち、
（１）ｐ−型の共通ベース拡散層１６により、図３のＡ部分において、真性ベース拡散層７と外部ベース拡散層６を繋ぐ領域の電界が緩和される。
（２）ｐ−型の共通ベース拡散層１６により、図３のＢ部分において、開口エッジ部分での真性ベース部分７の曲率が緩和される。
以上のような効果により、npnトランジスタの耐圧向上、信頼性向上、および性能安定を図ることができる。
【００３１】
実施の形態４．
図４は、この発明の実施の形態４による半導体装置の製造方法を示す図である。これは、実施の形態３で説明した半導体装置を製造する方法として適用できるものである。以下、製造方法について説明する。
まず、図４（ａ）に示すように、半導体基板（シリコン基板）１にｎ−型の半導体領域（エピタキシャル層）２を形成し、表面を分離絶縁膜（フィールド酸化膜）３によって区画・分離し、その中に素子を形成するための半導体領域を形成する。
【００３２】
次に、この分離絶縁膜３で囲まれた半導体領域２の上に外部ベース電極4をポリシリコンなどにより厚さ1000〜5000ÅでCVDにより堆積し、外部ベース不純物(B, BF2など)を10Kev〜50Kev、１×１０１４〜１×１０１６／ｃｍ２（1E14-1E16）で注入する。
次に、図４（ｂ）に示すように、CVDにより外部ベース電極４の上に酸化膜５を1000〜4000Å堆積し、写真製版により真性ベース部を開口した後、熱処理を800〜900℃で約1時間加え、外部ベース拡散層6を形成する。
またこの時、開口部内面に熱酸化膜が形成される。
【００３３】
次に、図４（ｃ）に示すように、熱処理によって形成された酸化膜越しに、真性ベース不純物を注入し、真性ベース拡散層7を形成する。
さらに、真性ベース不純物注入に加え、ｐ−型の共通ベース不純物（Ｂ，BF２など)を10〜60Kev、１×１０１１〜１×１０１３／ｃｍ２（1E11-1E13）で斜め回転注入（30度〜60度）する。
このとき、ｐ−型の共通ベース拡散層１７の深さは、外部ベース拡散層6より深く形成する。また、真性ベース拡散層7に対しては同じ深さかそれより浅く形成する。
【００３４】
次に、図４（ｄ）に示すように、外部ベース電極4とエミッタ電極8を電気的に分離するための酸化膜を堆積し、エッチバックをしてサイドウォール8を形成するとともに、エミッタ拡散領域を開口する。
次に、エミッタ電極9をポリシリコンなどにより形成し、エミッタ拡散層形成用の不純物を注入し、この不純物をエミッタ電極9から拡散してエミッタ領域10を形成する。
【００３５】
次に、エミッタ電極９を写真製版でパターニングする。その後は図示しないが、通常の半導体装置の製造方法にしたがって、この上に酸化膜を堆積し、コンタクトを形成し、配線を作り、保護膜を形成する。
以上のような製造方法により、実施の形態３（図３）で説明したnpnトランジスタを製造することができる。
【００３６】
以上のような製造方法によれば、共通ベース拡散層１６を、外部ベース拡散層６よりは深く、真性ベース拡散層７よりは深くならないように適宜にコントロールして形成することができる。
この方法により、実施の形態３で説明した効果を有するnpnトランジスタを得ることができる。
【００３７】
【発明の効果】
この発明は以上のように構成されているので、次のような効果を奏する。
この発明によれば、真性ベース拡散層の外周部に外部ベース拡散層を連続させて形成した半導体装置において、（１）真性ベース拡散層と外部ベース拡散層を繋ぐ領域の電界を緩和し、（２）真性ベース拡散層の不純物濃度の曲率を減少させることにより、半導体装置特にバイポーラトランジスタを高耐圧、高信頼性化し、安定した性能が得られるようにすることができる。
【００３８】
また、この発明によれば、真性ベース拡散層の外周部に外部ベース拡散層を連続させて形成した半導体装置において、さらに、（３）外部ベース拡散層が外周で接する分離絶縁膜（フィールド酸化膜）のエッジでのリーク電流を減少させることにより、半導体装置特にバイポーラトランジスタを高耐圧、高信頼性化し、安定した性能が得られるようにすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態1による半導体装置の構造を示す断面図である。
【図２】実施の形態２による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図３】実施の形態３による半導体装置の構造を示す断面図である。
【図４】実施の形態４による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】従来の半導体装置の構造を示す断面図である。
【図６】従来の半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
１  半導体基板、  ２  半導体領域、  ３  分離絶縁膜、  ４  外部ベース電極、  ５  シリコン酸化膜、  ６  外部ベース拡散層、  ７  真性ベース拡散層、  ８  サイドウォール、  ９  エミッタ電極、  １０  エミッタ拡散層、  １６  共通ベース拡散層。