【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年6月14日(2021.6.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１７】
本発明の代替の態様では、誘電破壊を用いて固体膜に開孔を形成する方法が提供され、膜が、膜の一方の側の第１の表面エリアと、膜の他方の側の第２の表面エリアとを備え、膜の第１の表面エリアを、イオン溶液を備える第１の槽と接触させ、第２の表面エリアを、イオン溶液を備える第２の槽と接触させることと、イオン溶液を備える第１及び第２の槽とそれぞれ接触している第１及び第２の電極を介して、膜全体に電圧を印加して、膜に開孔を形成することとを備え、膜と第１または第２の電極との間に、電流制限抵抗器が直列に設けられ、電流制限抵抗器が、開孔の形成後の任意の時点において、開孔の電気抵抗の少なくとも１０％、任意には少なくとも２０％、任意には少なくとも５０％、任意には少なくとも１００％に達する電気抵抗を有する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
代替の態様では、誘電破壊を用いて固体膜に開孔を形成する機器が提供され、固体膜の一方の側の第１の表面エリアと接触しているイオン溶液を保持する第１の槽と、膜の他方の側の第２の表面エリアと接触しているイオン溶液を保持する第２の槽と、第１の槽内のイオン溶液に接触するように構成された第１の電極と、第２の槽内のイオン溶液に接触するように構成された第２の電極とを備える電圧印加部と、を含み、膜と第１または第２の電極との間に、電流制限抵抗器が直列に設けられ、電流制限抵抗器が、開孔の形成後の任意の時点において、開孔の電気抵抗の少なくとも１０％に達する電気抵抗を有する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電破壊を用いて固体膜に複数の開孔を形成する方法であって、前記膜が、前記膜の一方の側の第１の表面エリアと、前記膜の他方の側の第２の表面エリアとを備え、複数の標的領域の各々が、前記膜において、前記第１または第２の表面エリア内へと開口するくぼみまたは流体流路を備え、前記方法が、
前記膜の前記第１の表面エリアの全体を、イオン溶液を備える第１の槽と接触させ、前記第２の表面エリアの全体を、イオン溶液を備える第２の槽と接触させることと、
イオン溶液を備える前記第１及び第２の槽とそれぞれ接触している第１及び第２の電極を介して、前記膜全体に電圧を印加して、前記膜における複数の前記標的領域の各々に開孔を形成することと、を含み、
前記第１及び第２の電極が、電位差が標的領域の全体にわたって同時に印加されることを可能にする、方法。
【請求項２】
前記標的領域の各々に、１つの開孔が形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記開孔の直径が、前記第１の槽を前記第２の槽から分離する、前記標的領域内の膜材料の最小厚さ以上になるまで、各標的領域内の前記開孔が成長される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記膜が、複数の層を備える、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記くぼみまたは流体流路のうちの１つ以上の各々の境界部が、前記層のうちの２つの間の界面に位置する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記膜が、第１の層と第２の層とを備え、
前記くぼみまたは流体流路のうちの１つ以上の各々が、前記第２の層の表面によって境界部が形成されるように、前記第１の層の一部を、前記第１の層と前記第２の層との間の前記界面に至るまで除去することによって形成され、
前記第２の層が、原子層堆積によって形成される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記膜が、第１の層と第２の層とを備え、
前記複数の標的領域の各々での開孔の前記形成が、前記第２の層の少なくとも一部を貫通する誘電破壊によって生じる、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記第２の層が、原子層堆積によって形成される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の層が、複数の副層を備え、各副層が、原子層堆積によって形成される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記複数の副層が、複数回繰り返す連続する副層を備え、各繰り返す連続する副層が、少なくとも第１の副層と、前記第１の副層に直接隣接する第２の副層とを備える、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の副層が、前記第２の副層に対して非エピタキシャルである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の副層が、ＨｆＯ２を含み、前記第２の副層が、Ａｌ２Ｏ３を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記繰り返す連続する副層の各副層が、４サイクル以下の原子層堆積を用いて形成される、請求項１０〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の層が、前記繰り返す連続する副層の一方の側または両方の側の保護層とともに、形成され、
前記保護層が、各標的領域内に前記繰り返す連続する副層を備える自立膜を形成するために、各標的領域内の前記開孔の前記形成の前に除去され、
各標的領域内の前記開孔が、前記自立膜を貫通する誘電破壊によって形成される、請求項１０〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記保護層が、前記第２の層に隣接した前記第１の層の一部を除去するために用いられるエッチングプロセスに耐性がある、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記保護層が、Ａｌ２Ｏ３を含む、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記開孔を形成する前に、前記第２の層をアニーリングすることをさらに含む、請求項８〜１６のいずれかに記載の方法。
【請求項１８】
前記標的領域のうちの１つ以上が、前記くぼみ内のあらゆる開孔の形成の前に、ある深さプロファイルを有するくぼみまたは流体流路を備え、前記深さプロファイルにおいて、前記深さが、前記くぼみまたは流体流路の開口の端から、前記くぼみまたは流体流路の中央領域に向かって次第に増大する、請求項１〜１７のいずれかに記載の方法。
【請求項１９】
前記標的領域のうちの１つ以上が、流体流路を備え、前記流体流路のうちの１つ以上が、１よりも大きいアスペクト比を有し、前記アスペクト比が、前記流体流路の長さと前記流体流路の平均幅との比として定義される、請求項１〜１８のいずれかに記載の方法。
【請求項２０】
前記標的領域のうちの１つ以上が、流体流路を備え、前記流体流路のうちの１つ以上の各々において、前記流体流路の流体電気抵抗の１０倍よりも小さい流体電気抵抗を有する開孔が形成される、請求項１〜１９のいずれかに記載の方法。
【請求項２１】
異なる流体電気抵抗を有する流体流路が、異なる標的領域内に設けられ、異なるサイズにされた対応する複数の開孔が、前記第１及び第２の電極を介して印加された前記電圧を介して、並行して成長される、請求項１〜２０のいずれかに記載の方法。
【請求項２２】
前記標的領域のうちの１つ以上が、平均深さの５倍よりも小さい平均幅を有するくぼみを備える、請求項１〜２１のいずれかに記載の方法。
【請求項２３】
誘電破壊を用いて固体膜に開孔を形成する方法であって、前記方法が、
前記膜全体に電圧を印加し、誘電破壊を用いて前記開孔を形成することを含み、
前記膜が、複数の副層を備え、
前記副層のうちの少なくとも２つが、互いに対して異なる組成を有し、
前記副層の各々が、原子層堆積によって形成される、方法。
【請求項２４】
前記複数の副層が、複数回繰り返す連続する副層を備え、各繰り返す連続する副層が、少なくとも第１の副層と、前記第１の副層に直接隣接する第２の副層とを備える、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記第１の副層が、前記第２の副層に対して非エピタキシャルである、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記第１の副層が、ＨｆＯ２を含み、前記第２の副層が、Ａｌ２Ｏ３を含む、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記繰り返す連続する副層の各副層が、４サイクル以下の原子層堆積を用いて形成される、請求項２４〜２６のいずれかに記載の方法。
【請求項２８】
前記繰り返す連続する副層が、前記繰り返す連続する副層の一方の側または両方の側の保護層とともに形成され、
前記保護層が、前記繰り返す連続する副層を備える自立膜を形成するために、前記開孔の前記形成の前に除去され、
前記開孔が、前記自立膜を貫通する誘電破壊によって形成される、請求項２４〜２７のいずれかに記載の方法。
【請求項２９】
前記保護層が、前記第２の層に隣接した前記第１の層の一部を除去するために用いられるエッチングプロセスに耐性がある、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記保護層が、Ａｌ２Ｏ３を含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
前記開孔を形成する前に、前記複数の副層をアニーリングすることをさらに含む、請求項２３〜３０のいずれかに記載の方法。
【請求項３２】
前記電圧の前記印加が、前記電圧によって前記開孔が成長されている時間中の大半の間、略一定の途切れのない電圧を印加することを含む、請求項１〜３１のいずれかに記載の方法。
【請求項３３】
前記電圧の前記印加が、
開孔形成を開始する第１の電圧を印加することと、
前記第１の電圧より低い第２の電圧を用いて、各形成された開孔を成長させることと、
を含む、請求項１〜３２のいずれかに記載の方法。
【請求項３４】
前記第２の電圧が、開孔形成を開始するために要するよりも低い、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記電圧の前記印加が、前記第２の電圧を用いて各形成された開孔を成長させる前記ステップの後に、前記第１の電圧以上である第３の電圧を用いて、各形成された開孔を成長させることをさらに含む、請求項３３または３４に記載の方法。
【請求項３６】
誘電破壊を用いて固体膜に開孔を形成する方法であって、前記膜が、前記膜の一方の側の第１の表面エリアと、前記膜の他方の側の第２の表面エリアとを備え、
前記膜の前記第１の表面エリアを、イオン溶液を備える第１の槽と接触させ、前記第２の表面エリアを、イオン溶液を備える第２の槽と接触させることと、
イオン溶液を備える前記第１及び第２の槽とそれぞれ接触している第１及び第２の電極を介して、前記膜全体に電圧を印加して、前記膜に開孔を形成することとを備え、
前記膜と前記第１または第２の電極との間に、電流制限抵抗器が直列に設けられ、前記電流制限抵抗器が、前記開孔の形成後の任意の時点において、前記開孔の電気抵抗の少なくとも１０％に達する電気抵抗を有する、方法。
【請求項３７】
前記電流制限抵抗器が、前記第１もしくは第２の槽内に設けられた流体抵抗器、前記第１及び第２の槽の外部に少なくとも部分的に設けられた外部抵抗器、またはこれらの両方を含む、請求項３６に記載の方法。
【請求項３８】
分子実体と開孔との間の相互作用に依存する測定を行うことによって前記分子実体を検知する方法であって、前記開孔が、請求項１〜３７のいずれかに記載の方法によって形成され、前記分子実体がアミノ酸、ペプチド、ポリペプチド、タンパク質またはポリヌクレオチドを含む、方法。
【請求項３９】
複数の開孔が、請求項１〜２２のいずれかに記載の方法を用いて形成されているか、または１つ以上の開孔が、請求項２３〜３７のいずれかに記載の方法を用いて形成されている膜を備える、機器。
【請求項４０】
分子実体と前記開孔との間の相互作用に依存する測定を行うことによって、前記開孔の各々における前記分子実体を検知するように構成された測定システムをさらに含み、前記分子実体がアミノ酸、ペプチド、ポリペプチド、タンパク質またはポリヌクレオチドを含む、請求項３９に記載の機器。
【請求項４１】
第１の槽から第２の槽に物質を送出する方法であって、前記第１及び第２の槽が、最初は固体膜によって互いから分離され、前記方法が、請求項１〜２２のいずれかに記載の方法を用いて、前記固体膜に複数の開孔を形成するか、または請求項２３〜３７のいずれかに記載の方法を用いて、前記固体膜に１つ以上の開孔を形成し、それによって、前記第１の槽から前記第２の槽への前記物質の通過を可能にすることを含む、方法。
【請求項４２】
固体膜を備えるフィルタのろ過特性を修正する方法であって、請求項１〜２２のいずれかに記載の方法を用いて、前記固体膜に複数の開孔を形成することか、または請求項２３〜３７のいずれかに記載の方法を用いて、前記固体膜に１つ以上の開孔を形成することを含む、方法。
【請求項４３】
反応を生じさせるために、第１の反応種を第２の反応種と接触させる方法であって、第１の槽内に前記第１の反応種を設け、第２の槽内に前記第２の反応種を設けることであって、前記第１及び第２の槽が、固体膜によって互いから分離される、設けることと、請求項１〜２２のいずれかに記載の方法を用いて、前記固体膜に複数の開孔を形成することか、または請求項２３〜３７のいずれかに記載の方法を用いて、前記固体膜に１つ以上の開孔を形成することと、を含む、方法。
【請求項４４】
誘電破壊を用いて固体膜に複数の開孔を形成する機器であって、
固体膜の一方の側の第１の表面エリアの全体と接触しているイオン溶液を保持するように構成された第１の槽と、
前記膜の他方の側の前記膜の第２の表面エリアの全体と接触しているイオン溶液を保持するように構成された第２の槽と、
前記第１の槽内の前記イオン溶液に接触するように構成された第１の電極と、前記第２の槽内の前記イオン溶液に接触するように構成された第２の電極とを備える電圧印加部と、を含み、
前記膜が、複数の標的領域を備え、各標的領域が、前記膜において、前記第１または第２の表面エリア内へと開口するくぼみまたは流体流路を備え、
前記標的領域が、前記第１及び第２の電極を介して印加された電圧が、前記標的領域の各々の中に１つの開孔の形成を生じさせることができるように構成され、
前記第１及び第２の電極が、電位差が標的領域の全体にわたって同時に印加されることを可能にするように構成される、機器。
【請求項４５】
前記膜が、複数の層を備える、請求項４４に記載の機器。
【請求項４６】
前記くぼみまたは流体流路のうちの１つ以上の各々の境界部が、前記層のうちの２つの間の界面に位置する、請求項４５に記載の機器。
【請求項４７】
前記膜が、第１の層と第２の層とを備え、
前記くぼみまたは流体流路のうちの１つ以上の各々が、前記第２の層の表面によって前記境界部が形成されるように、前記第１の層の一部を、前記第１の層と前記第２の層との間の前記界面に至るまで除去することによって形成され、
前記第２の層が、原子層堆積によって形成される、請求項４６に記載の機器。
【請求項４８】
前記膜が、第１の層と第２の層とを備え、
前記複数の標的領域の各々での開孔の前記形成が、前記第２の層の少なくとも一部を貫通する誘電破壊によって生じる、請求項４４〜４７のいずれかに記載の機器。
【請求項４９】
前記第２の層が、原子層堆積によって形成される、請求項４８に記載の機器。
【請求項５０】
前記第２の層が、複数の副層を備え、各副層が、原子層堆積によって形成される、請求項４９に記載の機器。
【請求項５１】
前記複数の副層が、複数回繰り返す連続する副層を備え、各繰り返す連続する副層が、少なくとも第１の副層と、前記第１の副層に直接隣接する第２の副層とを備える、請求項５０に記載の機器。
【請求項５２】
前記第１の副層が、前記第２の副層に対して非エピタキシャルである、請求項５１に記載の機器。
【請求項５３】
前記第１の副層が、ＨｆＯ２を含み、前記第２の副層が、Ａｌ２Ｏ３を含む、請求項５２に記載の機器。
【請求項５４】
前記繰り返す連続する副層の各副層が、４サイクル以下の原子層堆積を用いて形成される、請求項５１〜５３のいずれかに記載の機器。
【請求項５５】
前記標的領域のうちの１つ以上が、前記くぼみ内での任意の開孔の形成の前に、前記くぼみまたは流体流路の開口の縁から、前記くぼみまたは流体流路の中央領域に向かって深さが次第に増大する深さプロファイルを有するくぼみまたは流体流路を備える、請求項４４〜５４のいずれかに記載の機器。
【請求項５６】
前記標的領域のうちの１つ以上が、流体流路を備え、前記流体流路のうちの１つ以上が、１よりも大きいアスペクト比を有し、前記アスペクト比が、前記流体流路の長さと前記流体流路の平均幅との比として定義される、請求項４４〜５５のいずれかに記載の機器。
【請求項５７】
前記標的領域のうちの１つ以上が、平均深さの５倍よりも小さい平均幅を有するくぼみを備える、請求項４４〜５６のいずれかに記載の機器。
【請求項５８】
誘電破壊を用いて固体膜に開孔を形成するための機器であって、
前記固体膜の各側と接触しているイオン溶液を保持するための槽システムと、
誘電破壊を用いて前記膜に前記開孔を形成するために、前記イオン溶液を介して前記膜全体に電圧を印加するための電圧印加部と、を含み、
前記膜が、複数の副層を備え、
前記副層のうちの少なくとも２つが、互いに対して異なる組成を有し、
前記副層の各々が、原子層堆積によって形成される、機器。
【請求項５９】
前記複数の副層が、複数回繰り返す連続する副層を備え、各繰り返す連続する副層が、少なくとも第１の副層と、前記第１の副層に直接隣接する第２の副層とを備える、請求項５８に記載の機器。
【請求項６０】
前記第１の副層が、前記第２の副層に対して非エピタキシャルである、請求項５９に記載の機器。
【請求項６１】
前記第１の副層が、ＨｆＯ２を含み、前記第２の副層が、Ａｌ２Ｏ３を含む、請求項６０に記載の機器。
【請求項６２】
前記繰り返す連続する副層の各副層が、４サイクル以下の原子層堆積を用いて形成される、請求項５８〜６１のいずれかに記載の機器。
【請求項６３】
誘電破壊を用いて固体膜に開孔を形成するための機器であって、
固体膜の一方の側の第１の表面エリアと接触しているイオン溶液を保持する第１の槽と、
前記膜の他方の側の第２の表面エリアと接触しているイオン溶液を保持する第２の槽と、
前記第１の槽内の前記イオン溶液に接触するように構成された第１の電極と、前記第２の槽内の前記イオン溶液に接触するように構成された第２の電極とを備える電圧印加部と、を含み、
前記膜と前記第１または第２の電極との間に、電流制限抵抗器が直列に設けられ、前記電流制限抵抗器が、前記開孔の形成後の任意の時点において、前記開孔の電気抵抗の少なくとも１０％に達する電気抵抗を有する、機器。
【請求項６４】
前記電流制限抵抗器が、前記第１または第２の槽内に設けられた流体抵抗器と、前記第１及び第２の槽、または両方の外部に少なくとも部分的に設けられた外部抵抗器とを含む、請求項６３に記載の機器。