Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月7日(2005.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）支持体及び感熱性もしくは感光性コーティングを含む平版印刷版前駆体を準備し；
（ｉｉ）コーティングを熱又は光に画像−通りに露出し；
（ｉｉｉ）段階（ｉｉ）もしくは（ｉｖ）の前に、湿し系及びインキ供給系を含む印刷機の印刷装置内に平版印刷版前駆体を搭載し；
（ｉｖ）湿し系によりコーティングに処理液を供給することによって現像し、それにより平版印刷版を得；
（ｖ）平版印刷版にインキ供給系によって単−流体インキもしくはドライオグラフィーインキを供給することにより印刷する
段階を含んでなる印刷法。
【請求項２】
現像段階の間もしくはその後にコーティングを機械的にこするか又はブラシをかける請求項１に従う方法。
【請求項３】
段階（ｉｖ）と（ｖ）の間に、水又は水溶液の供給によって平版印刷版を濯ぐ請求項１又は２に従う方法。
【請求項４】
処理液及びコーティングから除去される物質を吸引用具により集める請求項１〜３のいずれかに従う方法。
【請求項５】
単−流体インキが
−酸−官能基性ビニル樹脂を含む連続相、及び
−液体ポリオールを含む不連続相
を含んでなるエマルションである請求項１〜４のいずれかに従う方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月31日(2005.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
− 支持材および感熱性または感光性の被膜を備えた印画材料をつくり、
− 該被膜を画像に従って熱または光に露出し、被膜中の一組の露出された区域および被膜中の一組の露出されなかった区域から成る潜在画像を被膜中につくり、
− 該被膜に処理液を供給して該潜在画像を現像し、吸引装置によって該処理液を
（ｉ）露出された区域から除去された物質と共に、露出されなかった区域からはこのような物質を除去することなく除去するか、
（ｉｉ）露出されなかった区域から除去された物質と共に、露出された区域からはこのような物質を除去することなく除去する平板印刷画像をつくる方法。
【請求項２】
吸引装置は処理液を吸着し得る多孔性材料である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
現像工程は、
− 一端に開口部（３９）を取り囲む縁（２９）を有する細長いハウジング（２５）、
− 処理液を印画材料の上に噴射または噴霧するために該ハウジングの中に開口部（３９）から間隔を置いて配置された噴射または噴霧用ノズル（２４）、
− 処理液を該噴射または噴霧用ノズル（２４）に供給するために該噴射または噴霧用ノズル（２４）に連結された供給通路（３０）、
− 該噴射または噴霧用ノズル（２４）を取り囲む吸引室（３２）、
− 吸引室を減圧下に保ち印画材料から処理液を除去するための該吸引室（３２）に連結された排出室（３１）を具備する装置を用いて実施される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
現像工程は− 一端に開口部（３）を取り囲む縁（２）を有する細長いハウジング（１）、− 開口部（３）の一つの周界（６）を有する部分（５）を介して処理液を印画材料の上に噴射または噴霧するために、該ハウジングの中に開口部（３）から間隔を空けて配置された噴射または噴霧用ノズル（４）、
− 処理液を該噴射または噴霧用ノズル（４）に供給するために該噴射または噴霧用ノズル（４）に連結された供給通路（１０）、
− 層を機械的に処理するための摩擦装置（８）であって、該摩擦装置は回転し得るように取り付けられ、ハウジング（１）の内部から開口部（３）の方へ延びて該周界（６）に沿って配置されており、該摩擦装置（８）および該ハウジング（１）は吸引室（９）を規定している摩擦装置（８）、
− 吸引室（９）を減圧下に保ち摩擦装置（８）の間から処理液を除去するための該吸引室（９）に連結された排出室（１１）を具備する装置を用いて実施される請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月1日(2004.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
潤滑剤を含むトナーをトナー供給ローラにより現像ローラへ供給し、現像ローラにより該トナーを静電潜像担持体へ付着させることにより現像を行う画像形成装置において、
トナー供給ローラの硬度がアスカーＦで４０°〜６０°の範囲内にあり、トナー供給ローラの現像ローラへの接触時の圧縮変形量が０．５〜２．０ｍｍの範囲内であり、
前記潤滑剤はワックスであり、結着樹脂に対して２．５〜３０．０重量部含まれ、
前記トナーの粘性は、９５℃における粘性が1ラ１０5〜１×１０6ポアズまたは１０５℃における粘性が１×１０4〜1ラ１０5ポアズであることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月17日(2005.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】管状体とその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
管路全長よりも長さが短く、管路内径よりも小さな外径を有するプラスチックパイプの外周面を、柔軟なプラスチックフィルム、織布又は不織布の内外周面に結合材を溶着、接着又はニードルパンチング結合して成る管状結合部材で覆って構成されることを特徴とする管状体。
【請求項２】
前記プラスチックフィルム、織布又は不織布の外面に溶着、接着又はニードルパンチング結合される結合材を不織布又はマジックテープ（登録商標）で構成し、プラスチックフィルム、織布又は不織布の内面に溶着、接着又はニードルパンチング結合される結合材を不織布で構成したことを特徴とする請求項１記載の管状体。
【請求項３】
前記プラスチックパイプの外径を管路の内径よりも２０ｍｍ以上小さく設定したことを特徴とする請求項１記載の管状体。
【請求項４】
硬化性樹脂を含浸して成る管状樹脂吸着材をその外周面を覆う管状結合部材と共に円筒状の型枠内に挿入し、該管状樹脂吸着材と管状結合部材を流体圧によって管状に押し広げてこれらを前記型枠内に押圧した状態で、管状樹脂吸着材に含浸された硬化性樹脂を硬化させてプラスチックパイプとした後、該プラスチックパイプと管状結合部材を型枠から取り出して管状体を得ることを特徴とする管状体の製造方法。
【請求項５】
前記型枠の内径を管路の内径よりも２０ｍｍ以上小さく設定したことを特徴とする請求項４記載の管状体の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、老朽化した管路の更生又は新設されたコンクリート製又は金属製の管路の防食処理に供せられる管状体とその製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は上記問題に鑑みてなされたもので、その目的とする処は、大口径で長大な管路に対しても、該管路を供用しながら作業性良く短時間でライニングを施してこれを更生又は防食処理することができる管状体とその製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
更に、請求項５記載の発明によれば、管状体のプラスチックパイプの外径を管路の内径よりも２０ｍｍ以上小さく設定したため、管状体と管路との間にグラウト材を注入すべき隙間を確実に形成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月18日(2004.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貯蔵物を収納する収納容器が配された第１貯蔵室と、第１貯蔵室を冷却する冷気を生成する冷却器と、該冷気が流通するとともに第１貯蔵室の背壁を介して第１貯蔵室の背後に配される冷気通路と、前記背壁から該冷気を吐出する吐出口と、第１貯蔵室内の冷気を前記冷却器に導く戻り口とを備え、前記吐出口から吐出された冷気が前記収納容器と前記背壁との間を流通して短絡的に前記戻り口に導かれることを特徴とする冷蔵庫。
【請求項２】
前記吐出口の前方を覆い、下方に開口するカバーを設けたことを特徴とする請求項１に記載の冷蔵庫。
【請求項３】
前記収納容器を複数設け、上下方向に並設した各収納容器内を異なる温度にしたことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の冷蔵庫。
【請求項４】
第１貯蔵室は野菜に適した室内温度に維持される野菜室から成り、第１貯蔵室と室内温度の異なる第２貯蔵室を隔離壁を介して第１貯蔵室の側方に設けたことを特徴とする請求項３に記載の冷蔵庫。
【請求項５】
第１貯蔵室の前面を回動により開閉する開閉扉の背面に、貯蔵物を立てて収納する収納部を設けたことを特徴とする請求項４に記載の冷蔵庫。
【請求項６】
第２貯蔵室は貯蔵物を冷凍保存する冷凍室から成り、前記冷凍室による発露を防止するヒータ線を前記隔離壁に内蔵して、前記ヒータ線を上下方向で異なる密度にしたことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の冷蔵庫。
【請求項７】
第１貯蔵室内の温度を検知して前記ヒータ線の通電を制御する温度検知手段を設けたことを特徴とする請求項６に記載の冷蔵庫。
【請求項８】
前記冷気通路に流入する冷気を前記隔離壁から離れる側に導くことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の冷蔵庫。
【請求項９】
総じた開口面積が異なる複数の前記吐出口を上下方向に並設したことを特徴とする請求項３〜請求項５のいずれかに記載の冷蔵庫。
【請求項１０】
前記背壁に一体化される断熱層が上下方向で異なる厚さを有することを特徴とする請求項３〜請求項５のいずれかに記載の冷蔵庫。
【請求項１１】
下方に配される前記収納容器内の温度を、上方に配される前記収納容器内の温度よりも低くしたことを特徴とする請求項３〜請求項１０のいずれかに記載の冷蔵庫。
【請求項１２】
第１貯蔵室よりも室内温度の低い低温貯蔵室を第１貯蔵室の上方に配置したことを特徴とする請求項１１に記載の冷蔵庫。
【請求項１３】
前記背壁は前記冷気通路内の冷気による冷熱を第１貯蔵室内に放出する冷却板を有することを特徴とする請求項１〜請求項１２のいずれかに記載の冷蔵庫。
【請求項１４】
第１貯蔵室と、該第１貯蔵室の背後に配された冷気通路と、該冷気通路を前記第１貯蔵室に吐出する吐出口と、前記第１貯蔵室の側方に設けられた第２貯蔵室と、該第２貯蔵室の背後に配された冷却器と、該冷却器の下方側方部に前記第１貯蔵室内の冷気を導く戻り口とを備えてなる冷蔵庫。
【請求項１５】
前記吐出口の高さを前記第１貯蔵室内に配される貯蔵物収納容器の上端縁より低くしたことを特徴とする請求項１または１４に記載の冷蔵庫。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月19日(2005.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
複数の目標観測装置から得られた目標の航跡運動情報等を一つに統合し、統合後航跡運動情報を得るとき、特開平６−７５０４１号公報にあるように、目標観測装置の精度に応じて予め重みを定め、その重みを用いて統合後航跡運動情報を生成する方法がとられていた。図１４は航跡が２つの場合の、従来の技術による場合の目標観測装置と統合後航跡の存在範囲の関係、および目標観測装置の航跡の誤差の分布を考慮した場合の等確率楕円との関係を示した図である。ここでX,Yは、任意の2次元座標軸である。図１４のように従来の技術では、統合後航跡の存在範囲が２つの航跡を対角の頂点とした長方形となり、目標観測装置における航跡の誤差の分布を考慮できなかった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【数３】
2003021678.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
次に、ステップＳ２では座標変換処理装置２において、航跡運動情報Ａ'１および共分散行列Ｃ'１、航跡運動情報Ａ'２および共分散行列Ｃ'２を、第１の目標観測装置１ａにおける任意の座標系および第２の目標観測装置１ａにおける任意の座標系から、統合を行う任意の一つの座標系に変換し、座標変換後航跡運動情報Ａ１および座標変換後共分散行列Ｃ１、座標変換後航跡運動情報Ａ２および座標変換後共分散行列Ｃ２を相関処理装置３へ出力する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
【数５】
2003021678.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
【数７】
2003021678.tif 000003
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
【数９】
2003021678.tif 000004
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
１つの目標観測装置のみが航跡を出力した場合、２つの目標観測装置が航跡を出力した場合、３つの目標観測装置が航跡を出力した場合、４つ以上の目標観測装置が航跡を出力した場合について、実施の形態１の説明で示したのと同様に、航跡統合処理装置４が統合後航跡運動情報および統合後共分散行列を出力する。そして、各々の場合において、ステップＳ４で航跡統合処理装置４から出力された統合後航跡運動情報および統合後共分散行列を、テップＳ１０において統合後航跡情報記録装置１５によって記録する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
１つの目標観測装置のみが航跡を出力した場合、２つの目標観測装置が航跡を出力した場合、３つの目標観測装置が航跡を出力した場合、４つ以上の目標観測装置が航跡を出力した場合について、実施の形態１の説明で示したのと同様に、航跡統合処理装置４が統合後航跡運動情報および統合後共分散行列を出力する。そして、各々の場合において、ステップＳ４で航跡統合処理装置４から出力された統合後航跡運動情報および統合後共分散行列を、実施の形態２と同様にステップＳ８において統合後航跡情報表示装置１４によって表示し、実施の形態３と同様にステップＳ１０において統合後航跡情報記録装置１５によって記録する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月22日(2005.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
臨床診断サービスを提供するための方法において：
ａ）  生体標本を収集する段階；
ｂ）  その遺伝物質の組成、その挙動又はタンパク質の少なくとも一部分を決定するべく、前記生体標本を分析する段階；
ｃ）  前記生体標本の分析の結果を報告する段階；及び
ｄ）  前記生体標本の分析を通して得られた情報を生体標本の後続する分析に取込む段階を含んで成る方法。
【請求項２】
前記生体標本から遺伝物質を抽出する段階を内含する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記生体標本からタンパク質を抽出する段階を内含する、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
生体標本の収集及び前記生体標本からの遺伝物質の抽出が研究所サービス又は医療の提供者によって行なわれ、遺伝物質の組成又は挙動を決定するための分析及び後続する分析内へのかかる情報の取込みが、収集及び抽出段階を実施した研究所サービス又は医療の提供者ではない１企業主体によって実施される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
生体標本の収集及び前記生体標本からのタンパク質の抽出が研究所サービス又は医療の提供者によって行なわれ、該タンパク質の組成、濃度又は挙動を決定するための分析及び後続する分析内へのかかる情報の取込みが、収集及び抽出段階を実施した研究所サービス又は医療の提供者ではない１企業主体によって実施される、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
遺伝物質の少なくとも１部分を増幅する段階をさらに含んで成る、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記分析段階が、マイクロアレイと合わせて行なわれる、請求項２に記載の方法。
【請求項８】
収集及び抽出段階が研究所サービス又は医療の提供者によって実施され、遺伝物質の組成又は挙動を決定するための分析及び後続する分析内へのかかる情報の取込みが、収集及び抽出段階を実施した研究所サービス又は医療の提供者ではない１企業主体によって実施される、請求項２に記載の方法。
【請求項９】
後続する生体標本分析内への情報の取込み段階が、分析の結果の統計的妥当性を修正する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
後続する生体標本分析内への情報の取込み段階が、データベースを修正する、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月28日(2004.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に隔壁が形成されたプラズマディスプレイパネルの製造方法であって、無機微粒子ならびに感光性化合物および重合禁止剤を必須成分として含む有機成分からなる感光性ペーストを基板上に塗布した後、フォトマスクを介して露光を行い、露光されていない部分を現像により溶出してパターンを形成した後、焼成により有機成分を除去して前記隔壁を形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
重合禁止剤の量が有機成分に対し、０．０１〜５重量％の範囲にある請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
感光性ペーストがさらに光重合開始剤を含んでなり、光重合開始剤と重合禁止剤との重量比が８／１〜１／３の範囲にある請求項１または２に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月26日(2004.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｐ型IV族半導体層と、
前記Ｐ型IV族半導体層上に形成され、表面を該半導体よりも抵抗率が高い高抵抗膜または絶縁膜で覆われた半導体微結晶を含む半導体微結晶層と、
前記半導体微結晶層上に形成されたＮ型IV族半導体層とを具備し、
前記半導体微結晶層は、量子閉込め効果を発現する大きさで、前記Ｐ型IV族半導体層と前記Ｎ型IV族半導体層間に電圧を印加することによって電子及び正孔が前記高抵抗膜または絶縁膜をトンネルし、前記半導体微結晶層中に注入され、前記電子と前記正孔が再結合することにより発光することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体微結晶が少なくともシリコンを具備することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記Ｐ型またはＮ型IV属半導体が少なくともシリコンを具備することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体微結晶層内で、空孔の占有する体積が層の体積の５％以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体微結晶層の厚さが８０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
第１の導電型を有するIV族半導体層と、
前記IV族半導体層上に形成され、表面を該半導体よりも抵抗率が高い高抵抗膜で覆われた半導体微結晶を含む半導体微結晶層と、
この半導体微結晶層上に形成された金属層とを具備し、
前記半導体微結晶層は、量子閉込め効果を発現する大きさで、前記Ｐ型またはＮ型IV族半導体層と前記金属層間に電圧を印加することによって電子及び正孔が前記高抵抗膜または絶縁膜をトンネルし、前記半導体微結晶層中に注入され、前記電子と前記正孔が再結合することにより発光し、前記前記半導体微結晶層の厚さが８０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記半導体微結晶が少なくともシリコンを具備することを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記IV属半導体が少なくともシリコンを具備することを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項９】
前記高抵抗膜の厚さが５ｎｍ以下、前記半導体微結晶の大きさが１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１または請求項６記載の半導体装置。
【請求項１０】
Ｐ型IV族半導体層と、
前記Ｐ型IV族半導体層上に形成され、表面を絶縁膜で覆われた少なくとも２つの半導体細線を含む半導体細線層と、
前記半導体細線層上に形成されたＮ型IV族半導体層とを具備し、
前記半導体細線は、量子閉込め効果を発現する大きさで、前記Ｐ型IV族半導体層と前記Ｎ型IV族半導体層間に電圧を印加することによって電子及び正孔が前記絶縁膜をトンネルし、前記半導体細線中に注入され、前記電子と前記正孔が再結合することにより発光することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体微結晶層の厚さが８０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
第１の導電型を有するIV族半導体層と、
前記IV族半導体層上に形成され、表面を絶縁膜で覆われた半導体細線を含む半導体細線と、
この半導体細線層上に形成された金属層とを具備し、
前記半導体細線は、量子閉込め効果を発現する大きさで、前記Ｐ型またはＮ型ＩＶ族半導体層と前記金属層間に電圧を印加することによって電子及び正孔が前記絶縁膜をトンネルし、前記半導体微結晶中に注入され、前記電子と前記正孔が再結合することにより発光し、前記半導体微結晶層の厚さが８０ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
前記絶縁膜の厚さが５ｎｍ以下、前記半導体細線の縦横の長さが１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１０或いは請求項１２記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記半導体細線が少なくともシリコンを具備することを特徴とする請求項１０或いは請求項１２記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記IV属半導体が少なくともシリコンを具備することを特徴とする請求項１０或いは請求項１２記載の半導体装置。
【請求項１６】
Ｐ型IV族半導体層と、
前記Ｐ型IV族半導体層上に、厚さ１０ｎｍ以下のIV族半導体層、厚さ５ｎｍ以下の該半導体よりも抵抗率が高い高抵抗層とが交互に積層形成され、かつ積層されたIV族半導体層の厚さの合計が８０ｎｍ以下であるような積層半導体層と、
前記積層半導体層上に形成されたＮ型IV族半導体層とを具備し、
前記Ｐ型IV族半導体層と前記Ｎ型IV族半導体層間に電圧を印加することによって電子及び正孔が前記絶縁層をトンネルし、前記IV族半導体層中に注入され、前記電子と前記正孔が再結合することにより発光することを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
第１の導電型を有する第１のIV族半導体層と、
前記IV族半導体層上に、厚さ１０ｎｍ以下の第２のIV族半導体層と、厚さ５ｎｍ以下の該半導体よりも抵抗率が高い高抵抗層とが交互に積層形成され、かつ積層されたIV族半導体層の厚さの合計が８０ｎｍ以下であるような積層半導体層と、
この積層半導体細線層上に形成された金属層とを具備し、
前記Ｐ型またはＮ型IV族半導体層と前記金属層間に電圧を印加することによって電子及び正孔が前記高抵抗層をトンネルし、前記第２の半導体層に注入され、前記電子と前記正孔が再結合することにより発光することを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
VI族半導体からなる受光素子と、請求項１，２，３，６，７，８，１０，１２，１６，または１７の半導体装置とが、同一半導体基板上に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
VI族半導体からなるトランジスタ、抵抗、キャパシタから構成された集積回路と、VI族半導体からなる受光素子と、請求項１，２，３，６，７，８，１０，１２，１６または１７の半導体装置とが、同一半導体基板上に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
第１の導電型を有するIV族半導体層と、
前記IV族半導体層上に形成され、表面を該半導体よりも抵抗率が高い高抵抗膜で覆われた半導体微結晶を含む半導体微結晶層と、
この半導体微結晶層上に形成された金属層とを具備し、
前記半導体微結晶層は、この体積の５％以下の体積で空孔を含み、量子閉込め効果を発現する大きさで、前記IV族半導体層と前記金属層間に電圧を印加することによって電子及び正孔が前記高抵抗層または絶縁膜をトンネルし、前記半導体微結晶中に注入され、前記電子と前記正孔が再結合することにより発光することを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
VI族半導体からなる受光素子と、請求項１，２，３，６，７，８，１０，１２，１６，または１７の半導体装置とを具備したフォトカプラー。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月22日(2004.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
まず、各ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を成長させるＭＢＥ結晶成長装置を用意する。図４はここで用いるＭＢＥ結晶成長装置の構造を表すものである。このＭＢＥ結晶成長装置は、内部に基板１を保持するための基板ホルダ２２が設けられた真空容器２１を備えている。真空容器２１には、基板１に対向するように複数の粒子線源セル２３が配設されている。この粒子線源セル２３には、例えば、クヌーゼンセル（Ｋセル）やバルブセルが用いられる。Ｋセルは原料が固体の場合に用いられ、バルブセルは原料が液体の場合に用いられる。真空容器２１には、また、窒素をプラズマ化して基板１に向かって照射するためのプラズマ発生室２４が配設されている。このプラズマ発生室２４は、例えばＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）セルやＲＦ（Radio Frequency ）セルにより構成されている。各粒子線源セル２３およびプラズマ発生室２４の照射口近傍にはシャッター２５がそれぞれ配設されており、その開閉により各粒子線の照射をそれぞれ制御するようになっている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
このようにして粒子線源セル２３の加熱を行ったのち、図４に示したＭＢＥ結晶成長装置を用い、成長させる各ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層に応じて各粒子線源セル２３から原料の粒子線を適宜に照射し、基板１の上に各ＩＩ−ＶＩ族化合物半導体層を順次ピタキシャル成長させる（成長工程）。その際、バッファ層２，ｎ型クラッド層３，第１のガイド層４それぞれに対する塩素の添加は、塩素の粒子線を原料の各粒子線と共に粒子線源セル２３から照射することにより行う。一方、第２のガイド層６，ｐ型クラッド層７，下地層８，コンタクト層９，超格子層１０およびキャップ層１１それぞれに対する窒素の添加は、原料の各粒子線に加え、プラズマ発生室２４によってプラズマ化した窒素を照射することにより行う。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の柱状のｐ型熱電半導体とｎ型熱電半導体と、
隣り合った熱電半導体の間隙には絶縁体と、
上面および下面に位置し隣り合ったｐ型とｎ型の熱電半導体に接し、複数の熱電半導体を連続させる電極膜と、
連続した熱電半導体の最端部には引き出しパッドと、
電極膜と引き出しパッドに接する異方性導電シートと、
異方性導電シートに接し、引き出しパッドと相対する位置に接合電極を備えたヒートシンクとを有することを特徴とする熱電素子。
【請求項２】
複数の柱状のｐ型熱電半導体とｎ型熱電半導体と、
隣り合った熱電半導体の間隙には絶縁体と、
上面および下面に位置し隣り合ったｐ型とｎ型の熱電半導体に接し、複数の熱電半導体を連続させる電極膜と、
連続した熱電半導体の最端部には引き出しパッドと、
引き出しパッド以外の電極膜上には絶縁膜と、
引き出しパッド上には導電性接着剤と、
絶縁膜と導電性接着剤または半田材料に接する導電性のヒートシンクとを有することを特徴とする熱電素子。
【請求項３】
前記導電性のヒートシンクを介して外部回路へ接続することを特徴とする請求項２に記載の熱電素子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
棒状の第１の導電型の熱電半導体素片、および第１の導電型の熱電半導体素片と長さが同じで、少なくともこれと異なる端部形状であるものを含む棒状の第２の導電型の熱電半導体素片が、相互に平行な関係で、かつ棒状の熱電半導体素片の端部がそれぞれ上面と下面とで同一面をなすように規則性をもって配置固定されており、上面および下面において、第１の導電型の熱電半導体素片と、第２の導電型の熱電半導体素片が交互に直列になるように端部間を接続する導電体が形成されていることを特徴とする熱電素子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月8日(2005.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路構造において、
ある電圧を受けるための第１の接点パッドを含む複数の接点パッドを備え、上記第１の接点パッドは、より正の電源ラインとより負の電源ラインとの間と、内部コア回路とに機能的に接続され、
上記第１の接点パッドと上記より負の電源ラインとの間に作動的に接続されている過電圧保護回路を更に備え、
上記過電圧保護回路は、
上記接点パッドと上記より負の電源ラインとの間に直列に接続されている第１及び第２のＮＭＯＳデバイスと、
上記第１のＮＭＯＳデバイスの制御端子に作動的に接続されている第１のバイアス回路と、
上記第２のＮＭＯＳデバイスの制御端子に作動的に接続されている第２のバイアス回路と、
を含み、
上記第１及び第２のバイアス回路は、上記より正の電源ラインと上記より負の電源ラインとの間に接続されており、
上記第１及び第２のＮＭＯＳデバイスは何れも、上記第１の接点パッド上に通常存在する電圧には単独では確実に耐えることができないそれぞれのゲート誘電体を含んでいることを特徴とする集積回路構造。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月18日(2005.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通常動作（非試験状態）の配置において印刷回路組立体ユニットをホスト装置に接続するために使用され、前記印刷回路組立体ユニットが主ベース組立体に取付けられたときに前記ホスト装置に接続されるべき位置にある個別コネクタを、前記印刷回路組立体ユニットが有するものであって、前記印刷回路組立体ユニットを主ベース組立体に取付けるための取付け手段を備えている主ベース組立体と、
前記主ベース組立体に取付けられ、前記印刷回路組立体ユニット上の集積回路の試験点に電気接続するピンを備えているプローブ板組立体と、
前記プローブ板組立体の前記ピンが前記試験点と電気接続を行う位置に係合されたときに、前記ピンが前記個別コネクタに直接に物理的な接続を行わないものであって、前記プローブ板組立体に連結され、前記プローブ板組立体の前記ピンを前記試験点へと電気接続を行う位置に係合させる係合装置と
を備える、印刷回路組立体ユニットの動作環境試験において使用するための相互接続アダプタ。
【請求項２】
前記係合装置が、前記主ベース組立体に対して第１の位置にスライドしたときに前記プローブ板組立体の前記ピンが試験点と電気接続を行う位置に置かれ、前記主ベース組立体に対して第２の位置にスライドしたときに前記プローブ板組立体の前記ピンが解放されて試験点との電気接続が切り離されるように動作する２つのカム板を備えている請求項１に記載の相互接続アダプタ。
【請求項３】
前記ピンが、ばねピンである請求項１に記載の相互接続アダプタ。
【請求項４】
前記プローブ板組立体がエミュレータ印刷回路組立体に電気接続するためのコネクタをさらに備える請求項１に記載の相互接続アダプタ。
【請求項５】
前記プローブ板組立体がロジック・アナライザに電気接続するためのロジック・アナライザ・パドル・コネクタをさらに備える請求項１に記載の相互接続アダプタ。
【請求項６】
前記取付け手段が前記印刷回路組立体ユニットの縁に係合する複数のスナップ・フィンガを備える請求項１に記載の相互接続アダプタ。
【請求項７】
前記取付け手段が複数の整列ピンをさらに備える請求項６に記載の相互接続アダプタ。
【請求項８】
前記ホスト装置がネットワーク・インターフェース製品である請求項１に記載の相互接続アダプタ。
【請求項９】
前記印刷回路組立体ユニットがコンピュータ周辺装置である請求項１に記載の相互接続アダプタ。
【請求項１０】
（ａ）主ベース組立体に取付けられたときに印刷回路組立体ユニットがホスト装置に接続される位置に来るように、前記印刷回路組立体ユニットを前記主ベース組立体に取付けるステップと、
（ｂ）プローブ板組立体のピンを前記印刷回路組立体ユニット上の集積回路の試験点に係合させるステップと、
（ｃ）前記印刷回路組立体ユニットは当該印刷回路組立体ユニットの一部である接続部を介してホスト装置に接続され、前記プローブ板組立体の前記ピンが試験点に係合させられるときに前記ピンは前記接続部に直接に物理的な接続をしないピンであって、前記印刷回路組立体ユニットを前記ホスト装置に接続するステップと
を備えている、印刷回路組立体ユニットの動作環境試験に使用する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月28日(2004.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
図１５は、本願の発明に際して本願とは別個に提案されたモジュール１の電気的構成を示すブロックである。モジュール１に備えられる各セル７は互いに直列接続され、マイナス側からプラス側方向に所定の個数ごとに複数のセル群９に分割されている。その各セル群９には、各セル７の出力電圧と逆方向となるようにバイパスダイオード２１が並列接続されており、逆バイアスされた各セル７の電流を各バイパスダイオード２１によってバイパスするようになっている。これによって、特定のセル７、例えばセル７ａが影になった場合に、耐電圧以上の逆起電力がセル７ａに印加されてセル７ａが破損するのを防止することができるようになっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
図１６は、モジュール１に備えられる端子の取付方法が適用された接続箱３の内部構成を示す平面図である。この取付けに関する技術も、本願発明に際して本願とは別個に提案されたものである。図１７はその断面図である。この接続箱３は、接続箱本体３１および蓋３３からなる箱体３５と、その箱体３５内に備えられる複数の中継端子（端子）３７と、複数のバイパスダイオード２１とを備えて構成されている。各セル群９、各バイパスダイオード２１および出力ケーブル１１，１３は、図１５に示されるように、複数の中継端子３７を介して互いに電気接続されるようになっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図１６に示された端子の取付方法では、中継端子３７をネジ止めによって接続箱本体３１に固定するようになっているので、ネジ止めのためのネジ３９等が必要であり、部品点数が嵩み高コストであるとともに、煩雑なネジ止め作業が個々の中継端子３７ごとに必要であり、組立作業が複雑化するという問題がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
端子連続体６５は、図３に示されるように、幅細の切離し部６９を介して複数、ここでは４つの中継端子６３が連続的に連なったものであり、単一の金属板より打ち抜き加工等によって形成されている。この端子連続体６５の各中継端子６３は、接続箱本体６７への取付位置に対応した所定の配列状態で、ここでは一定間隔を開けて一列に連なるように打ち抜かれており、このままの連続した状態で接続箱本体６７への取付けが行われるようになっている。なお、この各中継端子６３が電気回路内で回路接続で果たす役割は、図１６等で示された中継端子３７と同様であり、ここでは詳細な説明は省略する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】  端子の一取付方法が適用された接続箱の内部構成を示す平面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月28日(2004.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質塩としてＬｉＰＦ６およびＬｉＣｌＯ４を備え、かつ非水電解液で膨潤または湿潤する性質を持つ高分子電解質を備えたことを特徴とする非水電解質電池。
【請求項２】
ＬｉＰＦ６の含有量が、全ての電解質塩の含有量に対して、０モル％より大きく、４０モル％以下であることを特徴とする請求項１記載の非水電解質電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明非水電解質電池は、電解質塩としてＬｉＰＦ６およびＬｉＣｌＯ４を備え、かつ非水電解液で膨潤または湿潤する性質を持つ高分子電解質を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【表１】
1999135149.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【表２】
1999135149.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月20日(2004.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と負極の間に発光を司る物質が存在し、電気エネルギーにより発光する素子であって、該素子が、ガラス転移温度（Ｔｇ：単位℃）と分子量（Ｍｗ）の関係式、Ｔｇ＝−ａ（１／Ｍｗ）＋ｂにおいて、ａが７×１０の４乗以上であることを満たす同族有機化合物群より選ばれた化合物を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
正極と負極の間に発光を司る物質が存在し、電気エネルギーにより発光する素子であって、該素子が、ガラス転移温度（Ｔｇ：単位℃）と分子量（Ｍｗ）の関係式、Ｔｇ＝−ａ（１／Ｍｗ）＋ｂにおいて、ａが７×１０の４乗以上であり、ｂが２００以上であることを満たす同族有機化合物群より選ばれた化合物を含むことを特徴とする発光素子。
【請求項３】
同族有機化合物群より選ばれた該化合物が正孔輸送材料であることを特徴とする請求項１または２記載の発光素子。
【請求項４】
同族有機化合物群より選ばれた該化合物が直鎖状であることを特徴とする請求項１または２記載の発光素子。
【請求項５】
同族有機化合物群より選ばれた該化合物がカルバゾール誘導体であることを特徴とする請求項１または２記載の発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月4日(2004.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか１項に記載の加熱装置において、該電磁誘導発熱性部材をフィルム状部材にしたことを特徴とする加熱装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
１０は電磁誘導発熱層（導電体層、磁性体層、抵抗体層）を有する、電磁誘導発熱性の回転体としての円筒状の定着フィルムである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
〔６〕：〔１〕乃至〔５〕の何れか１項に記載の加熱装置において、該電磁誘導発熱性部材をフィルム状部材にしたことを特徴とする加熱装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
絶縁被覆は定着フィルム１０の発熱による熱伝導を考慮して耐熱性を有する被覆を用いるのがよい。本例においてはポリイミドによる被覆を用いており耐熱温度は２２０℃である。また、励磁コイル１８の外部から圧力をかけて密集度を向上させてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
2c-2．定着フィルム１０
図７は本例における定着フィルム１０の層構成模型図である。本例の定着フィルム１０は、基層となる電磁誘導発熱性の発熱層１と、その外面に積層した弾性層２と、その外面に積層した離型層３の複合構造のものである。発熱層１と弾性層２との間や、弾性層２と離型層３との間の接着のため、各層間にプライマー層（不図示）を設けてもよい。このような層構成であって円筒形状である本例の定着フィルム１０は、発熱層１を内面側とし、離型層３を外面側としている。前述したように、発熱層１に交番磁束が作用することで該発熱層１に渦電流が発生して該発熱層１が発熱する。その熱が弾性層２・離型層３を介して定着ニップＮに通紙される被加熱材としての被記録材Ｐを加熱してトナー画像ｔの加熱定着がなされる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】  電磁誘導発熱性の定着フィルムの層構成模型図
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月4日(2004.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクに形成されたパターンを露光ビームを用いて基板上に転写する露光装置において、
前記マスクと前記基板との何れか一方を保持して所定の領域を移動する第１のステージと、
前記第１のステージとは独立した第２のステージと、
該第２のステージに取り付けられて前記露光ビームの状態を計測する計測装置と、を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
請求項１記載の露光装置であって、
前記第２のステージは、前記第１のステージとは独立に移動自在に配置されていることを特徴とする露光装置。
【請求項３】
請求項１記載の露光装置であって、
前記露光ビームが照射される位置と前記露光ビームが照射されない位置との間で前記第１のステージを移動させる制御装置を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項４】
請求項２記載の露光装置であって、
前記露光ビームが照射される位置と前記露光ビームとが照射されない位置との間で前記第２のステージを移動させる制御装置を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項５】
請求項１記載の露光装置であって、
前記第１のステージが前記露光ビームを照射される位置に有るときに、前記第２のステージを前記露光ビームが照射されない位置に位置決めする制御装置を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項６】
マスクに形成されたパターンを投影光学系を介して基板上に投影する露光装置において、
前記基板を保持して所定の領域を移動する第１のステージと、
前記第１のステージとは独立した第２のステージと、
該第２のステージ上に配置されて前記投影光学系の結像特性を計測する計測装置と、を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項７】
請求項６記載の露光装置であって、
前記第２のステージは、前記第１のステージとは独立に移動自在に配置されていることを特徴とする露光装置。
【請求項８】
請求項６記載の露光装置であって、
前記投影光学系による露光領域内の位置と、該露光領域の外側の所定の位置との間で前記第１のステージを移動させる制御装置を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項９】
請求項６記載の露光装置であって、
前記投影光学系による露光領域内の位置と、該露光領域の外側の所定の位置との間で前記第２のステージを移動させる制御装置を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
マスクに形成されたパターンを露光ビームを用いて基板上に転写する露光装置において、
前記露光ビームの状態を計測する計測装置が配置されたステージと、
該ステージに設けられ前記計測装置を冷却する冷却装置と、を有することを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
マスクに形成されたパターンを投影光学系を介して基板上に投影する露光装置において、
前記投影光学系の結像特性を計測する計測装置が配置されたステージと、
該ステージに備えられ前記計測装置を冷却する冷却装置と、を有することを特徴とする露光装置。
【請求項１２】
マスクに形成されたパターンを露光ビームを用いて基板上に転写する露光装置において、
前記マスクと前記基板との何れか一方を保持して所定の領域を移動する第１のステージと、
前記露光ビームの状態を計測する計測装置が搭載された第２のステージと、
前記第１のステージと前記第２のステージとの間に配置され、前記第２のステージから伝導する熱を遮断する断熱部材と、を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の露光装置であって、
前記断熱部材は、熱伝導率の低い固体材料、又は温度調整された気体であることを特徴とする露光装置。
【請求項１４】
マスクに形成されたパターンを投影光学系を介して基板上に投影する露光装置において、
前記基板を保持して所定の領域を移動する第１のステージと、
前記投影光学系の結像特性を計測する計測装置が搭載された第２のステージと、
前記第１のステージと前記第２のステージとの間に配置され、前記第２のステージから伝導する熱を遮断する断熱部材と、を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の露光装置であって、
前記断熱部材は、熱伝導率の低い固体材料、又は温度調整された気体であることを特徴とする露光装置。
【請求項１６】
請求項１から９のいずれか一項記載の露光装置において、
前記第２のステージは、該第２のステージの位置の基準となる基準部材を有していることを特徴とする露光装置。
【請求項１７】
請求項１０または１１記載の露光装置において、
前記ステージは、該ステージの位置の基準となる基準部材を有していることを特徴とする露光装置。
【請求項１８】
請求項６記載の露光装置において、
前記投影光学系による露光領域内において、前記第１のステージの位置と前記第２のステージの位置とは、共通の干渉計により計測されることを特徴とする露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
この場合も、その断熱部材の一例は、熱伝導率の低い固体材料（４８）、又は温度調整された気体である。
また、本発明の第１及び第２の露光装置においては、その第２のステージ（１４）が、この第２ステージの位置の基準となる基準部材を有していれば、この第２ステージの位置を正確に求めることができる。
同様に、本発明の第３及び第４の露光装置においては、ステージ（１４）が、このステージの位置の基準となる基準部材を有していれば、このステージの位置を正確に求めることができる。
また、本発明の第２の露光装置においては、その投影光学系（ＰＬ）による露光領域内において、その第１のステージ（ＷＳＴ）の位置とその第２のステージ（１４）の位置とが、共通の干渉計（１５）により計測されれば、その第１のステージの位置とその第２のステージの位置とを正確に求めることができるとともに、装置構成を簡単にできる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月9日(2004.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
本発明化合物は、利尿剤と組み合わせて用いることもできる。この際、本発明化合物および利尿剤の投与時期は限定されず、これらを、投与対象に対し、同時に投与してもよいし、時間差をおいて投与してもよい。利尿剤の投与量は、臨床上用いられている用量を基準として適宜選択することができる。また、本発明化合物と利尿剤との配合比は、投与対象、投与対象の年齢および体重、症状、投与時間、剤形、投与方法、組み合わせ等により適宜選択することができる。例えば投与対象がヒトである場合、本発明化合物１重量部に対し、利尿剤を通常約０．０１〜約１００重量部、好ましくは約０．１〜約２０重量部用いればよい。
なお、利尿剤としては、例えばキサンチン誘導体製剤（例、サリチル酸ナトリウムテオブロミン、サリチル酸カルシウムテオブロミン等）、チアジド系製剤（例、エチアジド、シクロペンチアジド、トリクロルメチアジド、ヒドロクロロチアジド、ヒドロフルメチアジド、ベンチルヒドロクロロチアジド、ペンフルチジド、ポリチアジド、メチクロチアジド等）、抗アルドステロン製剤（例、スピロノラクトン、トリアムテレン等）、炭酸脱水酵素阻害剤（例、アセタゾラミド等）、クロルベンゼンスルホンアミド系製剤（例、クロルタリドン、メフルシド、インダパミド等）、アゾセミド、イソソルビド、エタクリン酸、ピレタニド、ブメタニド、フロセミド等が挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月31日(2005.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記電圧分圧回路は、抵抗を３つ以上直列に接続して、分圧比可変部と分圧比固定部とを構成し、前記分圧比可変部の一端を前記誤差アンプの出力と前記第一の比較器の入力間に接続し、同じく分圧比可変部の他端を前記第二の比較器の一方の入力に接続してあり、前記分圧比可変部に設けた少なくとも一の抵抗と並列にスイッチを接続し、インダクタ電流が不連続状態になったことを検出して分圧比を自在に変化させるようにしてあることを特徴とする請求項１記載のスイッチング電源。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記電圧分圧回路は、抵抗を３つ以上直列に接続して、分圧比可変部と分圧比固定部とを構成し、前記分圧比可変部の一端を前記誤差アンプの出力と前記第一の比較器の入力間に接続し、同じく分圧比可変部の他端を前記第二の比較器の一方の入力に接続してあり、前記分圧比可変部に設けた少なくとも一の抵抗と並列にスイッチを接続し、インダクタ電流が不連続状態になったことを検出して分圧比を自在に変化させるようにしてある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
第一の比較器１２の出力をフリップフロップ回路１５のリセット側の入力に接続するとともに、第二の比較器１３の出力をフリップフロップ回路１５のセット側の入力に接続してある。このフリップフロップ回路１５の出力をドライバ１７の入力に接続し、このドライバ１７の出力を整流スイッチＳ１並びに転流スイッチＳ２の制御端子に接続し、フィルタ回路２１より得られる三角波形の振幅が第一の比較器１２の一方の入力レベルと第二の比較器１３の一方の入力レベルとの間に収まるように制御する構成にしてある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
第一の比較器１２の出力をフリップフロップ回路１５のリセット側の入力に接続するとともに、第二の比較器１３の出力をフリップフロップ回路１５のセット側の入力に接続してある。このフリップフロップ回路１５の出力をドライバ１７の入力に接続し、このドライバ１７の出力を整流スイッチＳ１並びに転流スイッチＳ２に接続し、フィルタ回路２５より得られる三角波形の振幅が第一の比較器１２の一方の入力レベルと第二の比較器１３の一方の入力レベルとの間に収まるように構成してある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
この実施例では、出力チョークＬ１と平滑コンデンサＣＯＵＴとの間に電流検出用の抵抗Ｒ６を接続してあり、この抵抗Ｒ６の入力側をバッファアンプ２６の正の入力に、出力側を同じくバッファアンプ２６の負の入力にそれぞれ接続してある。このバッファアンプ２６の出力にコンデンサＣＳＡＷ１と２つの抵抗ＲＳＡＷ１，ＲＳＡＷ２とを直列に接続して構成するフィルタ回路２４を接続してある。このフィルタ回路２４の出力を第一の比較器１２の正の入力、並びに第二の比較器１３の負の入力に接続してある。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
第一の比較器１２の出力をフリップフロップ回路１５のリセット側の入力に接続するとともに、第二の比較器１３の出力をフリップフロップ回路１５のセット側の入力に接続してある。このフリップフロップ回路１５の出力をドライバ１７の入力に接続し、このドライバ１７の出力を整流スイッチＳ１並びに転流スイッチＳ２に接続し、フィルタ回路２４より得られる三角波形の振幅が第一の比較器１２の一方の入力レベルと第二の比較器１３の一方の入力レベルとの間に収まるように構成してある。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
この実施例では、出力チョークＬ１と平滑コンデンサＣＯＵＴとの間に電流検出用の抵抗Ｒ６を接続してあり、この抵抗Ｒ６の入力側をバッファアンプ２６の正の入力に、出力側を同じくバッファアンプ２６の負の入力にそれぞれ接続してある。このバッファアンプ２６の出力にコンデンサＣＳＡＷ１と抵抗ＲＳＡＷ１とを直列に接続して構成するフィルタ回路２５を接続してある。このフィルタ回路２５の出力を第一の比較器１２の正の入力、並びに第二の比較器１３の負の入力に接続してある。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
第一の比較器１２の出力をフリップフロップ回路１５のリセット側の入力に接続するとともに、第二の比較器１３の出力をフリップフロップ回路１５のセット側の入力に接続してある。このフリップフロップ回路１５の出力をドライバ１７の入力に接続し、このドライバ１７の出力を整流スイッチＳ１並びに転流スイッチＳ２に接続し、フィルタ回路２５より得られる三角波形の振幅が第一の比較器１２の一方の入力レベルと第二の比較器１３の一方の入力レベルとの間に収まるように構成してある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月16日(2005.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、ペアの設定方式としては、２ｎ−１番目のレイヤにおいてあるｃｈストリップに割り当てられるｃｈと、２ｎ番目のレイヤにおいて同じｃｈストリップに割り当てられるｃｈとをペアにする方式も用いられている。この方式であれば、ペアにした２つのｃｈのパラメータを１つのｃｈストリップで制御することができるので、ｃｈストリップを効率的に使用することができる。そして、このように隣接したレイヤのｃｈをペアにする場合、これらのレイヤは表裏の対応関係にあると言い、その一方のレイヤが選択されている場合、その選択されているレイヤを表のレイヤ、他方のレイヤを裏のレイヤと呼ぶ。
【非特許文献１】「ＤＩＧＩＴＡＬ  ＰＲＯＤＵＣＴＩＯＮ  ＣＯＮＳＯＬＥ  ＤＭ２０００  取扱説明書」，ヤマハ株式会社，２００２年