【手続補正書】
【提出日】平成17年4月13日(2005.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含有することを特徴とするレジスト組成物。
【化１】
2003307839.tif 000001
一般式（Ｉ）中、
Ｙ1及びＹ2は、各々独立に、アルキル基、アリール基、アラルキル基、複素環基、オキソアルキル基、又はオキソアラルキル基を表す。Ｙ1とＹ2が結合して環を形成しても良い。
Ａａは、単結合又は有機基を表す。
Ｂａは、−ＣＯＮ（Ｒａ）−結合を有する基又は−ＳＯ2Ｎ（Ｒａ）−結合を有する基を表す。Ｒａは、水素原子又はアルキル基を表す。
ｍは１〜３の整数を表す。
Ｘ-は、非求核性アニオンを表す。
【請求項２】
（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する一般式（Ｉ）で表される化合物、及び、
（Ｂ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化２】
2003307839.tif 000002
一般式（Ｉ）中、
Ｙ1及びＹ2は、各々独立に、アルキル基、アリール基、アラルキル基、複素環基、オキソアルキル基、又はオキソアラルキル基を表す。Ｙ1とＹ2が結合して環を形成しても良い。
Ａａは、単結合又は有機基を表す。
Ｂａは、−ＣＯＮ（Ｒａ）−結合を有する基又は−ＳＯ2Ｎ（Ｒａ）−結合を有する基を表す。Ｒａは、水素原子又はアルキル基を表す。
ｍは１〜３の整数を表す。
Ｘ-は、非求核性アニオンを表す。
【請求項３】
（Ａ）の化合物が下記一般式（ＩＡ）〜（ＩＣ）で表される化合物のいずれかであることを特徴とする請求項２に記載のポジ型レジスト組成物。
【化３】
2003307839.tif 000003
一般式（ＩＡ）〜（ＩＣ）中、
Ｙ1〜Ｙ2は、各々独立に、アルキル基、アリール基、アラルキル基、複素環基、オキソアルキル基又はオキソアラルキル基を表す。Ｙ1とＹ2が結合して環を形成しても良い。
Ｙ3は、アルキレン基を表す。
Ｙ4は、各々独立に、水素原子、アルキル基、水酸基、アルコキシ基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ｂａは、−ＣＯＮ（Ｒａ）−結合を有する基又は−ＳＯ2Ｎ（Ｒａ）−結合を有する基を表す。
Ｒａは、水素原子又はアルキル基を表す。
ｍは１〜３の整数を表す。
ｎは０〜４の整数を表す。
Ｘ-は、非求核性アニオンを表す。
【請求項４】
（Ａ）の化合物が下記一般式（II）で表される化合物であることを特徴とする請求項２に記載のポジ型レジスト組成物。
【化４】
2003307839.tif 000004
一般式（II）中、
Ｒ1〜Ｒ2は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基を表す。
Ｒ3〜Ｒ4は、各々独立に、水素原子、アルキル基、アリール基を表す。
Ｒ1〜Ｒ4の少なくとも２つが結合して、単環又は多環構造を形成しても良い。
また生成された環がヘテロ原子を含有しても良い。
Ｙ1〜Ｙ2は、各々独立に、アルキル基、アリール基、アラルキル基、複素環基、オキソアルキル基、オキソアラルキル基を表す。Ｙ1とＹ2が結合して環を形成しても良い。
Ｘ-は、非求核性アニオンを表す。
【請求項５】
（Ｂ）の樹脂が、ヒドロキシスチレン構造単位を有することを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項６】
（Ｂ）の樹脂が、単環又は多環の脂環炭化水素構造を有することを特徴とする請求項２〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項７】
（Ｂ）の樹脂が、ポリマー骨格の主鎖及び／又は側鎖にフッ素原子が置換した構造を有し、且つ酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度を増大する樹脂である請求項２〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項８】
更に、（Ｃ）酸の作用により分解して、アルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量３０００以下の溶解阻止化合物を含有することを特徴とする請求項２〜７のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項９】
（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する一般式（Ｉ）で表される化合物、
（Ｃ）酸の作用により分解して、アルカリ現像液中での溶解度が増大する、分子量３０００以下の溶解阻止化合物、
（Ｄ）水に不溶でアルカリ現像液に可溶な樹脂
を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化５】
2003307839.tif 000005
一般式（Ｉ）中、
Ｙ1及びＹ2は、各々独立に、アルキル基、アリール基、アラルキル基、複素環基、オキソアルキル基、又はオキソアラルキル基を表す。Ｙ1とＹ2が結合して環を形成しても良い。
Ａａは、単結合又は有機基を表す。
Ｂａは、−ＣＯＮ（Ｒａ）−結合を有する基又は−ＳＯ2Ｎ（Ｒａ）−結合を有する基を表す。Ｒａは、水素原子又はアルキル基を表す。
ｍは１〜３の整数を表す。
Ｘ-は、非求核性アニオンを表す。
【請求項１０】
更に、（Ｆ）塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項２〜９のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１１】
更に、（Ｇ）フッ素及び／又はシリコン系界面活性剤を含有する請求項２〜１０のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１２】
更に、（Ｈ）水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を含有する請求項２〜１１のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１３】
（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する一般式（Ｉ）で表される化合物、
（Ｄ）水に不溶でアルカリ現像液に可溶な樹脂、
（Ｅ）酸の作用により該アルカリ現像液に可溶な樹脂と架橋する酸架橋剤
を含有することを特徴とするネガ型レジスト組成物。
【化６】
2003307839.tif 000006
一般式（Ｉ）中、
Ｙ1及びＹ2は、各々独立に、アルキル基、アリール基、アラルキル基、複素環基、オキソアルキル基、又はオキソアラルキル基を表す。Ｙ1とＹ2が結合して環を形成しても良い。
Ａａは、単結合又は有機基を表す。
Ｂａは、−ＣＯＮ（Ｒａ）−結合を有する基又は−ＳＯ2Ｎ（Ｒａ）−結合を有する基を表す。Ｒａは、水素原子又はアルキル基を表す。
ｍは１〜３の整数を表す。
Ｘ-は、非求核性アニオンを表す。
【請求項１４】
更に、（Ｆ）塩基性化合物を含有することを特徴とする請求項１３に記載のネガ型レジスト組成物。
【請求項１５】
更に、（Ｇ）フッ素及び／又はシリコン系界面活性剤を含有する請求項１３又は１４のいずれかに記載のネガ型レジスト組成物。
【請求項１６】
更に、（Ｈ）水酸基を含有する溶剤と水酸基を含有しない溶剤とを混合した混合溶剤を含有する請求項１３〜１５のいずれかに記載のネガ型レジスト組成物。
【請求項１７】
一般式（Ｉ）で表される活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物。
【化７】
2003307839.tif 000007
一般式（Ｉ）中、
Ｙ1及びＹ2は、各々独立に、アルキル基、アリール基、アラルキル基、複素環基、オキソアルキル基、又はオキソアラルキル基を表す。Ｙ1とＹ2が結合して環を形成しても良い。
Ａａは、単結合又は有機基を表す。
Ｂａは、−ＣＯＮ（Ｒａ）−結合を有する基又は−ＳＯ2Ｎ（Ｒａ）−結合を有する基を表す。Ｒａは、水素原子又はアルキル基を表す。
ｍは１〜３の整数を表す。
Ｘ-は、非求核性アニオンを表す。
【請求項１８】
請求項１〜１６のいずれかに記載のレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。