【手続補正書】
【提出日】平成17年3月22日(2005.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図２は、本実施形態に係るラインセンサ１００が有する読出部４０の構成を説明する図である。読出部４０は、サミングゲート部４１とアウトプットゲート部４２とフローティングディフュージョン４３と電荷リセット用ＭＯＳＦＥＴ４４と電荷電圧変換用ＭＯＳＦＥＴ４５とを含む。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
サミングゲート部４１は、電荷出力部３０が有する第Ｎの出力部３１Nと接続されており、第Ｎの出力部３１Nから出力された電荷を入力して蓄積する。このサミングゲート部４１を制御するサミングゲート電極５１は、端子ＳＧに接続されている。端子ＳＧは、ラインセンサ１００とは別に設けられたクロック信号Ｐ１ＨSGを出力する信号出力部（図示せず）と接続されている。この読出部４０の動作は、図５（ｂ）を用いて後述する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、サミングゲート部４１は、Ｎ個の集積部２１1〜２１Nそれぞれと同様に、Ｎ個の出力部３１1〜３１Nから出力される電荷を集積可能となっている。たとえば、サミングゲート部４１は、第１の出力部３１1および第２の出力部３１2それぞれに入力された電荷を集積し、第３の出力部３１3および第４の出力部３１4それぞれに入力された電荷を集積し、他の出力部３１5〜３１Nそれぞれに入力された電荷についてもこれと同様に集積する。このように、第ｎの集積部２１nだけでなくサミングゲート部４１で電荷を集積することによって、撮像部１０が有するＭ×Ｎ個の感応部１２1,1〜１２M,Nで発生し蓄積された電荷を垂直方向に集積するだけでなく、水平方向にも集積できるようにしている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、サミングゲート部４１が入力して蓄積した電荷は、クロック信号Ｐ１ＨSGの論理レベルがＨレベルとＬレベルとで切り替えられることによって、サミングゲート部４１からアウトプットゲート４２に出力される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
アウトプットゲート部４２は、サミングゲート部４１と接続されており、サミングゲート部４１から出力された電荷を入力する。このアウトプットゲート部４２を制御するアウトプットゲート電極５２は、端子ＯＧと接続されており、端子ＯＧから一定の電圧値を有する電圧が入力される。また、アウトプットゲート部４２は、自己に入力されている一定の電圧値を有する電圧により、電荷の逆流を防止する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
サミングゲート部４１から出力された電荷は、このアウトプットゲート部４２を通過し、フローティングディフュージョン４３に到達する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
電荷電圧変換用ＭＯＳＦＥＴ４５のドレイン端子は、端子ＯＤに接続されており、この端子ＯＤは、一定の正の電圧値を有する電圧が入力されている。電荷電圧変換用ＭＯＳＦＥＴ４５のソース端子は、接続点Ｂに接続されており、接続点Ｂは、抵抗４６の一端に接続されている。抵抗４６の他端は接地されている。また、接続点Ｂは、端子ＯＳに接続されている。出力としての電気信号ＶOSは、この端子ＯＳから出力される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
次に、時刻ｔcにおいて、端子２０３に入力するクロック信号Ｐ１の論理レベルがＬであり、端子２０４に入力するクロック信号Ｐ２の論理レベルがＨである。このとき、領域２０５ｃ，２０５ｄのポテンシャルが高くなる。そして、電荷は、領域２０５ｃ，２０５ｄのなかでもバリア領域が形成されていないポテンシャルの高い領域２０５ｄに転送されて蓄積される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
そして、時刻ｔ3,1でクロック信号Ｐ１Ｈ，Ｐ２Ｈの論理レベルの切り替えが行われ、Ｎ個の出力部３１1〜３１Nそれぞれに入力するクロック信号Ｐ１Ｈの論理レベルがＨとなり、Ｎ個の出力部３１1〜３１Nそれぞれに入力するクロック信号Ｐ２Ｈの論理レベルがＬとなる。これにより、時刻ｔ3において第１の出力部３１1に蓄積されていた電荷は、第２の出力部３１2に転送されて蓄積され、時刻ｔ3において第２の出力部３１2に蓄積されていた電荷は、第３の出力部３１3に転送されて蓄積される。また、時刻ｔ3において他の（Ｎ−３）個の出力部３１3〜３１N-1に蓄積されていた電荷も同様に転送されて蓄積される。また、時刻ｔ3において、第Ｎの出力部３１Nに蓄積されていた電荷は、読出部４０に出力され、読出部４０のサミングゲート部４１を制御するサミングゲート電極５１に入力される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
次に、時刻ｔ3,2でクロック信号Ｐ１Ｈ，Ｐ２Ｈの論理レベルの切り替えが行われ、Ｎ個の出力部３１1〜３１Nそれぞれに入力するクロック信号Ｐ１Ｈの論理レベルがＬとなり、Ｎ個の出力部３１1〜３１Nそれぞれに入力するクロック信号Ｐ２Ｈの論理レベルがＨとなる。これにより、時刻ｔ3,1において（Ｎ−１）個の出力部３１2〜３１Nそれぞれに転送されて蓄積された電荷は、クロック信号Ｐ２Ｈ（論理レベルがＨ）によって形成されたポテンシャルの高い領域に移動する。なお、この移動は、電荷を転送されて蓄積された（Ｎ−１）個の出力部３１2〜３１Nそれぞれのなかでの移動である。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
また、時刻ｔ3,2ではクロック信号Ｐ１Ｈと同じ信号（クロック信号Ｐ１ＨSG）がサミングゲート部４１を制御するサミングゲート電極５１に入力され、時刻ｔ3,1においてサミングゲート部４１に蓄積された電荷が、アウトプットゲート部４２に出力される。そして、この電荷は、アウトプットゲート部４２を通過し、フローティングディフュージョン４３に流入する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
そして、時刻ｔ3,3でクロック信号Ｐ１Ｈ，Ｐ２Ｈの論理レベルの切り替えが行われ、Ｎ個の出力部３１1〜３１Nそれぞれに入力するクロック信号Ｐ１Ｈの論理レベルがＨとなり、Ｎ個の出力部３１1〜３１Nそれぞれに入力するクロック信号Ｐ２Ｈの論理レベルがＬとなる。これにより、時刻ｔ3,1において第２の出力部３１2に転送されて蓄積された電荷は、第３の出力部３１3に転送されて蓄積され、時刻ｔ3,1において第３の出力部３１3に転送されて蓄積された電荷は、第４の出力部３１4に転送されて蓄積される。時刻ｔ3,1において他の（Ｎ−４）個の出力部３１4〜３１N-1に転送されて蓄積された電荷についても同様に転送されて蓄積される。また、時刻ｔ3,1において、第Ｎの出力部３１Nに転送されて蓄積された電荷は、読出部４０に出力され、読出部４０のサミングゲート部４１に入力される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
また、時刻ｔ3,3においてサミングゲート部４１に入力し蓄積されていた電荷は、クロック信号Ｐ１Ｈと同じ信号（クロック信号Ｐ１ＨSG）が入力されるためアウトプットゲート部４２に出力される。そして、この電荷は、アウトプットゲート部４２を通過し、フローティングディフュージョン４３に流入する。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2004064320.tif 000001
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004064320.tif 000002
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2004064320.tif 000003