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【手続補正書】
【提出日】令和2年7月21日(2020.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のユーザのビデオ人物像が含まれる第１のビデオ情報を取得するステップと、
仮想画像が含まれる第２のビデオ情報を生じるように、前記第１のビデオ情報における前記ビデオ人物像を前記仮想画像に置き換えるステップと、
前記ネットワーク装置により前記第２のビデオ情報が第２のユーザに対応した第２のユーザ装置へ送信されるように、前記第２のビデオ情報をネットワーク装置へ送信するステップと、を備える第１のユーザ装置端における仮想画像に基づくビデオ通話方法。
【請求項２】
前記第１のビデオ情報における前記ビデオ人物像を仮想画像に置き換えることは、
トリガー条件を満足したとき、前記第１のビデオ情報における前記ビデオ人物像を仮想画像に置き換えるステップ、を備え、
トリガー条件は以下のように、
ローカル切り替えの指令情報が取得されたことと、
装置条件は予め設定された値に達したことと、
前記ビデオ人物像を置き換える作業量が閾値より低くなったことの少なくともいずれ一項を備える請求項１に記載したビデオ通話方法。
【請求項３】
前記ネットワーク装置は置き替え請求に基づいて前記第２のユーザ装置により送信されたビデオ情報におけるビデオ人物像を仮想画像に置き換えるように、前記置き替え請求を前記ネットワーク装置へ送信するステップと、
前記ネットワーク装置により送信された、置き替えられた後の前記第２ユーザ装置のビデオ情報を受信するステップと、をさらに備える請求項１または２に記載したビデオ通話方法。
【請求項４】
第１のユーザ装置により送信された、前記第１のユーザ装置に対応した第１のユーザのビデオ人物像が含まれる、第１のビデオ情報を取得するステップと、
前記仮想画像が含まれる第２のビデオ情報を生じるように、前記第１のビデオ情報における前記ビデオ人物像を仮想画像に置き換えるステップと、
前記第２のビデオ情報を第２のユーザ装置へ送信するステップと、を備える第１のユーザ装置端における仮想画像に基づくビデオ通話方法。
【請求項５】
前記第１のユーザ装置により送信された置き換え請求を受信するステップと、
前記置き換え請求に基づいて、前記第２のユーザ装置により送信されたビデオ情報におけるビデオ人物像を仮想画像に置き換えるステップと、をさらに備える請求項４に記載したビデオ通話方法。
【請求項６】
前記第１のビデオ情報における前記ビデオ人物像を仮想画像に置き換える前に、
前記仮想画像を特定するステップ、をさらに備える請求項１から５のいずれか一項に記載したビデオ通話方法。
【請求項７】
前記仮想画像を特定することは、
前記ユーザの選択操作に基づいて、前記仮想画像を特定するステップ、を備える請求項６に記載したビデオ通話方法。
【請求項８】
前記仮想画像を特定することは、
前記ビデオ人物像における気持ち情報を検出するステップと、
前記気持ち情報に基づいて、前記仮想画像を特定するステップと、を備える請求項６に記載したビデオ通話方法。
【請求項９】
前記第１のビデオ情報における前記ビデオ人物像を仮想画像に置き換えることは、
前記第１のビデオ情報のビデオフレームを取得するステップと、
前記ビデオフレームにおける前記ビデオ人物像を検出するステップと、
前記ビデオフレームにおける前記ビデオ人物像を前記仮想画像に置き換えるステップと、を備える請求項１から８のいずれか一項に記載したビデオ通話方法。
【請求項１０】
前記第１のビデオ情報における前記ビデオ人物像を仮想画像に置き換えることは、
前記第１のビデオ情報のビデオフレームを取得するステップと、
前記ビデオフレームにおける前記ビデオ人物像のリアルタイムの動作情報を検出するステップと、
前記ビデオフレームにおける前記ビデオ人物像を前記リアルタイムの動作情報に合わせる仮想画像に置き換えるステップと、を備える、請求項１から８のいずれか一項に記載したビデオ通話方法。
【請求項１１】
前記ビデオフレームにおける後フレームと直前フレームにおいてのリアルタイムの動作情報の差分情報を検出するステップ、をさらに備え、
そのうち、前記ビデオフレームにおける前記ビデオ人物像を前記リアルタイムの動作情報に合わせる仮想画像に置き換えることは、
前記差分情報および前記直前フレームにおいて置き替えられた仮想画像に基づいて、前記後フレームにおけるビデオ人物像の仮想画像を生じるステップ、を備える請求項１０に記載したビデオ通話方法。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか一項に記載したビデオ通話方法を実現するように、プロセッサにより実行され得るコンピュータ可読命令が格納されたコンピュータ可読媒体。
【請求項１３】
単一或いは複数のプロセッサと、
実行されるとき、請求項１から３および請求項６から１１のいずれか一項に記載したビデオ通話方法の操作を前記プロセッサに実行させるコンピュータ可読命令が格納されたメモリと、を備える仮想画像に基づくビデオ通話の第１のユーザ装置。
【請求項１４】
単一或いは複数のプロセッサと、
実行されるとき、請求項４から１１のいずれか一項に記載した前記ビデオ通話方法の操作を前記プロセッサに実行させるコンピュータ可読命令が格納されたメモリ、を備える仮想画像に基づくビデオ通話のネットワーク装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月3日(2020.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
針先に１つ又は２つ以上の固定された放出点を形成し、前記放出点は、針先の表面の金属原子とガス分子とで形成された反応生成物を含む、電子源の製造方法。
【請求項２】
電界の作用により、前記金属原子と前記ガス分子とを反応させて前記放出点を生成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記針先は、基板と、前記基板上の、前記基板の他の箇所よりも電界強度が高い１つ又は２つ以上の高電界強度構造と、を含み、少なくとも１つの前記高電界強度構造の外面に金属原子を含み、かつ／または
前記針先は、基板と、前記基板上の、前記基板の他の箇所よりも反応活性が高い１つ又は２つ以上の活性領域と、を含み、少なくとも１つの前記活性領域の外面に金属原子を含み、かつ／または
前記針先は、基板と、前記基板上の、前記基板の他の箇所よりも電界強度が高い１つ又は２つ以上の高電界強度構造と、を含み、前記高電界強度構造の少なくとも一部の表面は反応活性の高い活性領域である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記高電界強度構造は突起を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記突起のサイズはサブナノから１００ナノメートルオーダーである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記突起は、熱処理、電界印加、熱電界処理、エッチング又はナノ加工のいずれか１種又は２種以上の方法によって形成される、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
突起を含む針先は、真空条件下でガス分子との反応において、前記突起の少なくとも一部の表面の金属原子が、前記基板のその他の表面の部分と同じ反応活性、又はそれよりも高い反応活性を有し、
突起を含まない針先は、真空条件下でガス分子との反応において、前記基板の活性領域の表面の金属原子が、前記基板のその他の表面の部分よりも高い反応活性を有する、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記針先の基板及び／又は高電界強度構造のサイズ及び形状を調節することによって電子ビームのビーム角の大きさを調節し、かつ／または
高電界強度構造及び／又は活性領域のサイズを調節することによって放出点の数を調節し、かつ／または
基板の構造及び／又は高電界強度構造の構造を調節することによって電子源放出電流の電圧の大きさ又は一致性を調節し、かつ／または
針先頂部の形状を調節することによって放出電流の方向を調節することをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項９】
前記ガス分子は、水素含有ガス分子を含む、又は、水素含有ガス分子と、窒素含有ガス分子、炭素含有ガス分子又は酸素含有ガス分子のうちのいずれか１種又は２種以上のガス分子とを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１０】
前記水素含有ガス分子は、導入された水素含有ガス分子で構成されるか、及び／又は真空環境に残存したガス分子で構成され、かつ
水素含有ガス分子の量を調節することで前記放出点の形成速度を調節する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記水素含有ガス分子は水素ガス分子を含み、
前記金属原子はタングステン原子を含み、
前記放出点が水素タングステン化合物である、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記電界はバイアスを印加することで形成され、ただし、前記バイアスの印加は、正のバイアスの印加、負のバイアスの印加又は正のバイアスと負のバイアスとの組み合わせの印加のいずれか１種又は２種以上を含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１３】
正のバイアスを印加する場合、形成した電界強度の範囲が１〜５０Ｖ／ｎｍであり、
負のバイアスを印加する場合、形成した電界強度の範囲が１〜３０Ｖ／ｎｍである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
負のバイアスを印加して放出点を形成する際に、前記針先に負のバイアスを印加して、電流値がマイクロアンペアオーダーの放出電流を生成し、
所定値の放出電流を生成するまで、所定時間維持する又は前記負のバイアスを調節し、
負のバイアスを調節することで前記電子源の放出電流をミリアンペアオーダーより小さくし、針先の形貌変化又は焼損を避ける、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
正のバイアスを印加して放出点を形成する際に、前記針先に正のバイアスを印加して所定時間維持し、前記正のバイアスの値が、前記針先を電界蒸発させるバイアスの値より小さい、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記印加するバイアスの値を調節すること、あるいは所定時間の値を調節することで、形成される放出点の数を調節する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
針先温度≦１０００Ｋの場合、圧力≦１０−３Ｐａ、あるいは、
５００Ｋ≦針先温度≦８００Ｋの場合、圧力≦１０−６Ｐａ、あるいは、
針先温度≦１５０Ｋの場合、圧力≦１０−６Ｐａである、請求項２に記載の方法。
【請求項１８】
放出点の数を調節することで放出点の均一性を調節し、かつ／又は、
放出点の数を調節することで電流の大きさを調節し、かつ／又は、
放出点の数を増加させることで放出電流の安定性を増加させることをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項１９】
針先に１つ又は２つ以上の固定された放出点を形成した後、電界を印加することでガス分子を放出点に吸着させ、少なくとも１つの放出点を除去することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月6日(2020.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項４に記載の自動車両投光装置において、
光出射開口部（１０）の長手延伸方向において、周縁部（１３）の１つの辺部に２０〜４００個の又は５０〜２００個の山部（１５）が形成されていること
を特徴とする自動車両投光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この課題は、冒頭に記載したタイプの自動車両投光装置によって解決される。即ち、本発明の一視点により、入射する太陽光線を遮光するための遮光絞りを備えた自動車両投光装置が提供される。該自動車両投光装置において、遮光絞りは、少なくとも１つの光源を有する照明ユニットと投射光学系との間に配置されており、遮光絞りは、照明ユニットから前方へ放射される光のための光出射開口部を有し、照明ユニットから出射する光は投射光学系によって光像として交通空間へ投射され、遮光絞りは投射光学系の焦点面の外部に配置されており、遮光絞りの光出射開口部の周縁部には、少なくとも部分的に（少なくとも一部の領域に：bereichsweise）、照明ユニットから来る、光像中に不所望の迷光（擾乱光）の偏向を引き起こす偏向構造体が形成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
ここに、本発明の好ましい形態を示す。
（形態１）上記本発明の一視点参照。
（形態２）形態１の自動車両投光装置において、遮光絞りの光出射開口部の周縁部は、偏向構造体として、少なくとも部分的に、面取りされたエッジを有し、
遮光絞りの厚みにわたって延伸する面取部は、光軸及び照明ユニットの方向へ予め設定された角度で傾けられていることが好ましい。
（形態３）形態１の自動車両投光装置において、遮光絞りの光出射開口部の周縁部は、少なくとも部分的に、光軸の反対方向へ予め設定された角度で傾けられて屈曲されたアングル状屈曲部を有することが好ましい。
（形態４）形態１の自動車両投光装置において、偏向構造体は、照明ユニットから到来する擾乱的な辺縁光線を偏向するための複数の山部の形で構成されていることが好ましい。
（形態５）形態４の自動車両投光装置において、光出射開口部の長手延伸方向において、周縁部の１つの辺部に２０〜４００個の又は５０〜２００個の山部が形成されていることが好ましい。
（形態６）形態１〜５の何れかの自動車両投光装置において、光源と遮光絞りとの間には、前置光学系が光路に配置されていることが好ましい。
（形態７）形態１〜６の何れかの自動車両投光装置において、遮光絞りは投射レンズの焦点面の前方に配置されていることが好ましい。
（形態８）形態１〜７の何れかの自動車両投光装置において、光源はマトリックス状に配置された複数のＬＥＤを含むことが好ましい。
（形態９）形態１〜８の何れかの自動車両投光装置において、遮光絞りは金属で構成されていることが好ましい。
（形態１０）形態１〜８の何れかの自動車両投光装置において、遮光絞りはプラスチックで構成されていることが好ましい。
（形態１１）形態９又は１０の自動車両投光装置において、遮光絞りは光線吸収コーティングを有することが好ましい。
本発明は、更なる利点及び従来技術との相違と共に、以下に、実施例も用いてより詳細に説明されかつ図示される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
ここに、本発明の可能な態様を付記する。
［付記１］入射する太陽光線を遮光するための遮光絞りを備えた自動車両投光装置。
遮光絞りは、少なくとも１つの光源を有する照明ユニットと投射光学系との間に配置されている。
遮光絞りは、照明ユニットから前方へ放射される光のための光出射開口部を有する。
照明ユニットから出射する光は投射光学系によって光像として交通空間へ投射される。
遮光絞りは投射光学系の焦点面の外部に配置されている。
遮光絞りの光出射開口部の周縁部には、少なくとも部分的に、照明ユニットから来る、光像中に不所望の迷光の偏向を引き起こす偏向構造体が形成されている。
［付記２］上記の自動車両投光装置において、
遮光絞りの光出射開口部の周縁部は、偏向構造体として、少なくとも部分的に、面取りされたエッジを有する。
遮光絞りの厚みにわたって延伸する面取部は、光軸及び照明ユニットの方向へ予め設定された角度で傾けられている。
［付記３］上記の自動車両投光装置において、遮光絞りの光出射開口部の周縁部は、少なくとも部分的に、光軸の反対方向へ予め設定された角度で傾けられて屈曲されたアングル状屈曲部を有する。
［付記４］上記の自動車両投光装置において、偏向構造体は、照明ユニットから到来する擾乱的な辺縁光線を偏向するための複数の山部の形で構成されている。
［付記５］上記の自動車両投光装置において、光出射開口部の長手延伸方向において、周縁部の１つの辺部に２０〜４００個の、とりわけ５０〜２００個の山部が形成されている。
［付記６］上記の自動車両投光装置において、光源と遮光絞りとの間には、前置光学系が光路に配置されている。
［付記７］上記の自動車両投光装置において、遮光絞りは投射レンズの焦点面の前方に配置されている。
［付記８］上記の自動車両投光装置において、光源はマトリックス状に配置された複数のＬＥＤを含む。
［付記９］上記の自動車両投光装置において、遮光絞りは金属で構成されている。
［付記１０］上記の自動車両投光装置において、遮光絞りはプラスチックで構成されている。
［付記１１］上記の自動車両投光装置において、遮光絞りは光線吸収コーティングを有する。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月3日(2020.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子源に適用される電子源動作方法であって、前記電子源が針先に固定される少なくとも１つの放出点を含み、前記放出点が針先表面の金属原子とガス分子とが電界で形成される反応生成物であり、
前記電子源動作方法は、
前記電子源の動作パラメーターを制御することによって電子を放出することを含む、
電子源動作方法。
【請求項２】
前記電子源の動作パラメーターは、動作バイアスと、動作温度又は前記電子源が位置する環境の動作圧力のいずれか１つまたは複数とを含む、
請求項１に記載の電子源動作方法。
【請求項３】
前記電子源が電子を放出する前又は後に、前記電子源に対して熱処理を行うこと、及び／又は
前記電子源が電子を放出する際に熱処理を行うことをさらに含む、
請求項１に記載の電子源動作方法。
【請求項４】
前記動作温度が電子源の針先構造の損害温度と前記放出点の消失温度の最小値よりも低い、
請求項２に記載の電子源動作方法。
【請求項５】
前記電子源が電子を放出する際に印加する動作バイアスは、連続バイアス又はパルスバイアスのいずれか１つ又は複数を含む、
請求項２に記載の電子源動作方法。
【請求項６】
前記動作温度≦１０００Ｋであり、前記動作圧力≦１０−３Ｐａであり、あるいは、
前記動作温度≦１５０Ｋであり、前記動作圧力≦１Ｅ−６Ｐａであり、あるいは、
５００Ｋ≦前記動作温度≦８００Ｋであり、前記動作圧力≦１Ｅ−６Ｐａである、
請求項２に記載の電子源動作方法。
【請求項７】
前記電子源が電子を放出する前又は後に、前記電子源に対して熱処理を行うことは、連続加熱処理又はパルス加熱処理のいずれか１つ又は複数を含む、
請求項３に記載の電子源動作方法。
【請求項８】
前記電子源が電子を放出する際に熱処理を行うことは、連続加熱処理又はパルス加熱処理のいずれか１つ又は複数を含む、
請求項３に記載の電子源動作方法。
【請求項９】
前記連続加熱処理は、
前記電子源を継続に加熱することと、
第１の設定時間ｔｃまで前記電子源の温度を維持することと、を含み、
加熱の温度が電子源の針先構造の損害温度と前記放出点の消失温度の最小値よりも低い、
請求項７又は８に記載の電子源動作方法。
【請求項１０】
前記電子源の温度≦８００Ｋであり、前記第１の設定時間ｔｃ≦２０ｍｉｎである、
請求項９に記載の電子源動作方法。
【請求項１１】
前記パルス加熱処理は、パルス方式によって前記電子源を加熱することを含み、
パルス時間ｔ１≦パルス時間閾値であり、パルス間の間隔時間ｔ２≧間隔時間閾値であり、
加熱の温度が電子源の針先構造の損害温度と前記放出点の消失温度の最小値よりも低い、
請求項７又は８に記載の電子源動作方法。
【請求項１２】
５００Ｋ≦前記電子源の温度≦１０００Ｋであり、前記パルス時間閾値≦１０ｓであり、前記間隔時間閾値≧３ｓであり、あるいは、
８００Ｋ≦前記電子源の温度≦１０００Ｋであり、２ｓ≦前記パルス時間閾値≦３ｓであり、前記間隔時間閾値≧３ｓである、
請求項１１に記載の電子源動作方法。
【請求項１３】
連続加熱処理又はパルス加熱処理の過程において、電子源にバイアスを印加することをさらに含む、
請求項７に記載の電子源動作方法。
【請求項１４】
前記電子源にバイアスを印加することは、正バイアスを印加し、負バイアスを印加し、あるいは正バイアスと負バイアスとの組合せを印加することのいずれか１つ又は複数を含む、
請求項１３に記載の電子源動作方法。
【請求項１５】
正バイアスを印加する場合、前記正バイアスの値が前記放出点の電界蒸発に対応する電圧値よりも小さく、あるいは、
負バイアスを印加する場合、前記負バイアスの絶対値が前記電子源の第１の放出電流の閾値に対応する電圧値よりも小さい、
請求項１４に記載の電子源動作方法。
【請求項１６】
０．５ＫＶ≦前記正バイアスの値≦２ＫＶであり、あるいは、
−１ＫＶ≦前記負バイアスの値≦−０．５ＫＶである、
請求項１５に記載の電子源動作方法。
【請求項１７】
前記電子源に対して放出点修復を行うことをさらに含み、
前記電子源に対して放出点修復を行うことは、
前記電子源の針先表面における少なくとも１つの放出点を除去することと、
前記針先表面に新たな放出点を形成することとを含み、
前記新たな放出点が針先表面の金属原子とガス分子とが電界で形成される反応生成物である、
請求項７又は８に記載の電子源動作方法。
【請求項１８】
前記電子源の針先表面における少なくとも１つの放出点を除去することは、
加熱又は電界蒸発によって電子源表面における少なくとも１つの放出点を除去することを含み、
加熱によって前記電子源表面における少なくとも１つの放出点を除去する場合、
加熱の温度が電子源の針先構造の損害温度よりも低く、
加熱過程において、電子源にバイアスを印加することができ、前記電子源にバイアスを印加することは、正バイアスを印加し、負バイアスを印加し、あるいは正バイアスと負バイアスとの組合せを印加することのいずれか１つ又は複数を含み、
電界蒸発によって前記電子源表面における少なくとも１つの放出点を除去する場合、
前記電界蒸発に印加される正バイアスの値が電子源の針先構造の損害に対応する正バイアスの値よりも低い、
請求項１７に記載の電子源動作方法。
【請求項１９】
前記放出点が水素タングステン化合物である、
請求項１に記載の電子源動作方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月3日(2020.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
針先に固定された少なくとも１つの放出点を含み、前記放出点は、金属原子とガス分子とで形成された反応生成物を含む電子源の再生方法であって、
前記電子源の放出能が再生条件を満足していれば、電子源を元位置再生することを含む、
電子源の再生方法。
【請求項２】
前記電子源を元位置再生することは、
前記電子源の放出能が再生条件を満足している場合、前記針先の元位置に突起を自ら形成し、ただし、前記突起の外面に金属原子を含み、
前記突起の外面に放出点を形成し、ただし、前記放出点は金属原子とガス分子とで形成された反応生成物を含む、ことであり、
あるいは、
前記電子源を元位置再生することは、
前記電子源の放出能が再生条件を満足している場合、前記針先の基板上の元位置に反応活性の高い活性領域を形成し、ただし、前記活性領域の外面に金属原子を含み、
前記活性領域の外面に放出点を形成し、ただし、前記放出点は金属原子とガス分子とで形成された反応生成物を含む、ことである、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記針先の元位置に突起を自ら形成することは、加熱、バイアス印加又は両者の組み合わせの方式により前記針先の元位置に突起を自ら形成することを含む、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記突起のサイズは、サブナノから１００ナノオーダーである、
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記突起の材料は前記基板の材料と同じ又は異なっており、かつ／又は、
前記針先は、所定の配向に突起を自ら形成し得る材料を用い、かつ／又は、
前記突起の外面の金属原子は、電気めっき及び／又は蒸着の方法により形成される、
請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記放出点は、第１圧力範囲内の水素含有雰囲気において前記針先に電界を印加することによって形成され、
針先の温度≦１０００Ｋの場合、前記第１圧力範囲≦１Ｅ−３Ｐａ、あるいは、
５００Ｋ≦針先の温度≦８００Ｋの場合、前記第１圧力範囲≦１０−６Ｐａ、あるいは、
針先の温度≦１５０Ｋの場合、前記第１圧力範囲≦１０−６Ｐａである、
請求項２に記載の方法。
【請求項７】
電子源を元位置再生する前又は後に、前記電子源に電界を印加することでガス分子を放出点に吸着させて、前記針先の表面の軸心位置に位置しない少なくとも１つの放出点を除去することをさらに含む、
請求項２に記載の方法。
【請求項８】
元位置再生した電子源が再生条件を満足している場合、再び電子源を元位置再生することをさらに含む、
請求項２に記載の方法。
【請求項９】
電子源を元位置再生する前に、前記電子源を熱処理することをさらに含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記電子源を熱処理した後、もし前記電子源の放出能が放出点修復条件を満足していれば、前記電子源に対して放出点修復を行うことをさらに含み、
前記電子源に対して放出点修復を行うことは、
前記電子源の針先の表面の少なくとも１つの放出点を除去することと、
突起又は反応活性の高い活性領域の表面に新しい放出点を形成することと、を含む、
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記電子源に対して放出点修復を行った後、もし前記電子源の放出能が再生条件を満足していれば、電子源を元位置再生することをさらに含む、
請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月3日(2020.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの第１のサイド部分、中央部分及び第２のサイド部分を有する誘導性コンポーネント用のコアであって、前記中央部分が、中央セクション、前記中央セクションに対して平行に配置された第１の端縁セクションと、前記中央セクションに対して平行に配置された第２の端縁セクションとを有しており、前記中央セクションが前記第１の端縁セクションと前記第２の端縁セクションの間に配置されている、ものにおいて、
少なくとも１つのプラスチックコンポーネントが設けられており、前記プラスチックコンポーネントが、前記プラスチックコンポーネントのために使用されるプラスチックの誘電率Ｅｒを適切に選択することによって誘導性コンポーネントの浮遊容量を調節し、かつ前記プラスチックコンポーネントのために使用されるプラスチックの相対的な透磁率μｒを適切に選択することによって誘導性コンポーネントの磁気的な分流を調節するために、少なくとも前記中央セクションと前記第１の端縁セクションとの間に、かつ／又は少なくとも前記中央セクションと前記第２の端縁セクションとの間に、設けられている、ことを特徴とする誘導性コンポーネント用のコア。
【請求項２】
前記プラスチックコンポーネントの誘電率が、１から５０の範囲内に、特に１から１０の範囲内にある、ことを特徴とする請求項１に記載のコア。
【請求項３】
前記プラスチックコンポーネントが、透磁率の小さいプラスチックから形成されている、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のコア。
【請求項４】
前記プラスチックコンポーネントが、シリコン、ポリアミド、イソプレン又はラテックスから形成されている、ことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のコア。
【請求項５】
プラスチックが、添加物として炭素、ガラス細粒、セラミック化合物及び／又はビスコースを含んでいる、ことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のコア。
【請求項６】
前記プラスチックコンポーネントが、前記中央セクション、前記第１の端縁セクション及び前記第２の端縁セクションを互いに対して定められた相対位置に固定している、ことを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載のコア。
【請求項７】
前記プラスチックコンポーネントが、前記中央部分の前記中央セクションを、前記中央セクションの長さの少なくとも一部にわたって包囲している、ことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載のコア。
【請求項８】
前記プラスチックコンポーネントが、プレート形状のウェブとして形成されており、前記ウェブが前記中央部分の前記中央セクション、前記第１の端縁セクション及び前記第２の端縁セクションに対して垂直に配置されており、かつ前記中央部分の前記中央セクション、前記第１の端縁セクション及び前記第２の端縁セクションを収容するための３つの透孔を有している、ことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載のコア。
【請求項９】
前記３つの透孔の第１のものが、前記中央部分の前記中央セクションの横断面に、前記３つの透孔の第２のものが、前記第１の端縁セクションの横断面に、そして前記３つの透孔の第３のものが、前記第２の端縁セクションの横断面に、適合されている、ことを特徴とする請求項８に記載のコア。
【請求項１０】
前記中央部分の前記中央セクション、前記第１の端縁セクション及び／又は前記第２の端縁セクションが、それぞれの透孔内に締めつけ固定されている、ことを特徴とする請求項９に記載のコア。
【請求項１１】
前記第１のサイド部分と前記第２のサイド部分が、一般的に、文字Ｅの形状に似た横断面を有している、ことを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載のコア。
【請求項１２】
前記第１のサイド部分と前記第２のサイド部分が、Ｅコア、ＰＱコア、ＥＴＤコア又はＲＭコアとして形成されている、ことを特徴とする請求項１１に記載のコア。
【請求項１３】
前記プラスチックコンポーネントがベースプレートを有しており、前記ベースプレートからプレート形状のウェブが垂直に張り出しており、前記ベースプレートは、前記コアの前記第１のサイド部分と前記第２のサイド部分を固定するために設けられている、ことを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載のコア。
【請求項１４】
前記ベースプレートのプレート形状のウェブとは逆の側に、固定手段、特に係止手段又はクリップ手段が設けられている、ことを特徴とする請求項１３に記載のコア。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか１項に記載のコアと、前記中央部分の前記中央セクションを少なくとも部分的に包囲する少なくとも１つのコイルとを有する誘導性コンポーネント。
【請求項１６】
前記誘導性コンポーネントの定められた共振周波数を得るために、前記プラスチックコンポーネントのプラスチックの誘電率が、コイルのインダクタンスに合わせられている、ことを特徴とする請求項１５に記載の誘導性コンポーネント。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月29日(2021.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
いくつかの動作モードにおいて、容積測定の間、通気弁４０は閉止されている。このとき、圧力測定装置３８において生じる圧力サージが、通気弁４０が開放されている場合よりも大きくなる。通気弁４０が開放されている場合、測定容積部３４，３６から空気が逃げることができ、圧力損失が小さい。さらに、フィルムチャンバ容積部２０の排気および測定容積部３４，３６のモニターを確実に開始できるようにするために、圧力の閾値を、フィルムチャンバ１０を閉止する際に予測される圧力に合わせる。フィルムチャンバ容積部２０の排気および測定容積部３４，３６のモニターは、位置測定装置６１が閉止位置を示し、かつ、閉止動作により測定容積部３４，３６において生じる圧力サージが測定された場合に、図示されていない制御装置によって自動的に開始される。このため、前記制御装置は、位置測定装置６１および圧力測定装置３８の測定信号を検出して処理するために、これらの装置に接続されている。また、この制御装置は、フィルムチャンバ１０が閉止されたときにフィルムチャンバ容積部２０を排気する真空ポンプ５６を自動的に始動させるために、真空ポンプ５６に接続されている。
以下、本発明に含まれる態様を記す。
〔態様１〕被験体（２２）を収容するフィルムチャンバ（１０）を用いて、漏洩箇所の存在について前記被験体をテストする方法であって、
前記フィルムチャンバ（１０）は、フィルムチャンバ容積部（２０）を囲む壁を備え、前記壁は少なくとも１つの可撓性の壁領域を有し、
前記方法は、
前記被験体（２２）を前記フィルムチャンバ（１０）に配置するステップと、
前記フィルムチャンバ（１０）を閉止するステップと、
を含む方法において、
前記フィルムチャンバ壁の互いの相対位置を検出する位置測定装置（６１）の信号に基づいて、前記フィルムチャンバが完全に閉止されたことを判断することを特徴とする方法。
〔態様２〕態様１に記載の方法において、前記可撓性の壁領域に隣接して測定容積部（３４，３６）が設けられ、前記測定容積部（３４、３６）は、前記フィルムチャンバ容積部（２０）に対置して、前記可撓性の壁領域サイドに配置され、前記フィルムチャンバ容積部（２０）に対して気密にシールされるように構成されており、
前記測定容積部（３４，３６）をモニターすることにより、モニター結果に基づいて前記被験体（２２）に存在し得る漏洩箇所のサイズを取得し、
前記測定容積部（３４，３６）の圧力を測定し、測定された前記圧力が所定の閾値を超えるかどうかモニターすることにより、前記フィルムチャンバ（１０）が完全に閉止されたことを検出し、
圧力測定信号が前記閾値を超え、かつ、前記位置測定装置の位置測定信号が閉状態に対応する場合にのみ、前記フィルムチャンバの閉状態が検出されることを特徴とする方法。
〔態様３〕態様１または２に記載の方法において、前記フィルムチャンバ（１０）が閉止されたと判断された後、前記フィルムチャンバ（１０）を排気するステップおよび／または前記測定容積部（３４，３６）をモニターするステップが自動的に開始されることを特徴とする方法。
〔態様４〕態様１から３のいずれか一態様に記載の方法において、前記位置測定装置（６１）は、接触型スイッチであるか、または、前記フィルムチャンバ（１０）の前記壁の間の距離を測定することを特徴とする方法。
〔態様５〕態様１から４のいずれか一態様に記載の方法において、圧力測定および位置測定において、別々に、かつ、共に、閉状態が検出された場合にのみ、前記フィルムチャンバ（１０）の閉状態が検出されることを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年6月14日(2021.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
量子コンピューティング・デバイス設計ツールのシステムであって、
コンピュータ実行可能コンポーネントを格納するメモリと、
前記メモリに格納されたコンピュータ実行可能コンポーネントを実行するプロセッサと
を備えており、前記コンピュータ実行可能コンポーネントが、
量子コンピューティング・デバイスの量子デバイス素子を電磁回路素子としてモデル化し、前記量子コンピューティング・デバイスの電磁回路データを生成するモデル化コンポーネントと、
前記電磁回路データを使用して前記量子コンピューティング・デバイスをシミュレートし、前記量子コンピューティング・デバイスの応答関数を示す応答関数データを生成するシミュレーション・コンポーネントと
を含んでいる、システム。
【請求項２】
前記量子デバイス素子が、前記量子コンピューティング・デバイスの第１の量子デバイス素子であり、前記モデル化コンポーネントが、前記量子コンピューティング・デバイスの前記第１の量子デバイス素子と第２の量子デバイス素子の間の接続に関連付けられた情報を示す接続データを生成する、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記モデル化コンポーネントが、前記接続データに基づいて前記量子コンピューティング・デバイスの前記電磁回路データを生成する、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記シミュレーション・コンポーネントが前記応答関数データに基づいてハミルトニアン・データを生成する、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
定義された基準を前記ハミルトニアン・データが満たすということの決定に応答して、前記シミュレーション・コンポーネントが、前記電磁回路データを使用して前記量子コンピューティング・デバイスを再シミュレートする、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記コンピュータ実行可能コンポーネントが、
前記ハミルトニアン・データに基づいて、前記量子コンピューティング・デバイスのレイアウトを示す設計データを生成する設計コンポーネントを含んでいる、請求項４に記載のシステム。
【請求項７】
前記モデル化コンポーネントが、電磁回路素子のライブラリに基づいて、前記量子コンピューティング・デバイスの前記量子デバイス素子を前記電磁回路素子としてモデル化する、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記シミュレーション・コンポーネントによって生成された前記応答関数データが、前記量子コンピューティング・デバイスの品質の改善を促進する、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記ハミルトニアン・データが、前記量子コンピューティング・デバイスのエネルギーに関連付けられた情報を示す、請求項４に記載のシステム。
【請求項１０】
コンピュータ実装方法であって、
プロセッサに動作可能なように結合されたシステムによって、量子コンピューティング・デバイスの量子デバイス素子を電磁回路素子としてモデル化し、前記量子コンピューティング・デバイスの電磁回路データを生成することと、
前記システムによって、前記電磁回路データを使用して前記量子コンピューティング・デバイスをシミュレートし、前記量子コンピューティング・デバイスのパラメータのセットを示すパラメータ・データを生成することと、
前記システムによって、前記パラメータ・データに基づいて、前記量子コンピューティング・デバイスのレイアウトを示す設計データを生成することと
を含んでいる、コンピュータ実装方法。
【請求項１１】
前記量子コンピューティング・デバイスを前記シミュレートすることが、前記電磁回路データを使用して前記量子コンピューティング・デバイスをシミュレートし、前記量子コンピューティング・デバイスの応答関数を示す応答関数データを生成することを含んでいる、請求項１０に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１２】
前記量子コンピューティング・デバイスを前記シミュレートすることが、前記応答関数データに基づいてハミルトニアン・データを生成することを含んでいる、請求項１１に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１３】
前記設計データを前記生成することが、前記ハミルトニアン・データに基づいて前記設計データを生成することを含んでいる、請求項１２に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１４】
定義された基準を前記ハミルトニアン・データが満たすということの決定に応答して、前記システムによって、前記電磁回路データを使用して前記量子コンピューティング・デバイスを再シミュレートすることをさらに含んでいる、請求項１２に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１５】
前記システムによって、前記量子コンピューティング・デバイスの量子デバイス素子間の１つまたは複数の接続に関連付けられた情報を示す接続データを生成することをさらに含んでいる、請求項１０に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１６】
前記量子デバイス素子を前記モデル化することが、前記接続データに基づいて前記量子コンピューティング・デバイスの前記電磁回路データを生成することを含んでいる、請求項１５に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１７】
前記量子デバイス素子を前記モデル化することが、電磁回路素子のライブラリに基づいて、前記量子コンピューティング・デバイスの前記量子デバイス素子を前記電磁回路素子としてモデル化することを含んでいる、請求項１０に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１８】
前記設計データを前記生成することが、前記量子コンピューティング・デバイスを改良することを含んでいる、請求項１０に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１９】
量子コンピューティング・デバイス設計のためのコンピュータ・プログラムであって、プロセッサに、
量子コンピューティング・デバイスの１つまたは複数の量子デバイス素子を１つまたは複数の電磁回路素子としてモデル化することと、
前記１つまたは複数の電磁回路素子に基づいて前記量子コンピューティング・デバイスの等価電磁回路を生成することと、
前記等価電磁回路をシミュレートし、前記量子コンピューティング・デバイスのパラメータのセットを示すパラメータ・データを生成することと、
前記パラメータ・データに基づいて、前記量子コンピューティング・デバイスのレイアウトを示す設計データを生成することと
を実行させるためのコンピュータ・プログラム。
【請求項２０】
コンピュータ実装方法であって、
プロセッサに動作可能なように結合されたシステムによって、量子コンピューティング・デバイスの１つまたは複数の量子デバイス素子を１つまたは複数の電磁回路素子としてモデル化することと、
前記システムによって、前記１つまたは複数の電磁回路素子に基づいて前記量子コンピューティング・デバイスの等価電磁回路を生成することと、
前記システムによって、前記等価電磁回路をシミュレートし、前記量子コンピューティング・デバイスの応答関数を示す応答関数データを生成することと、
前記システムによって、前記応答関数を使用して前記量子コンピューティング・デバイスのハミルトニアン・パラメータのセットを生成することと、
前記ハミルトニアン・パラメータのセットに基づいて、前記システムによって、前記量子コンピューティング・デバイスのレイアウトを生成することと
を含んでいる、コンピュータ実装方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月4日(2021.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−カプセル構造内に配置されたエアロジェルと、
−前記エアロジェル内に埋め込まれた、電界に晒されると変更され得る屈折率を提示する、液晶混合物である光学的異方性材料と、
−前記カプセル構造内に電界を生成するように配置された第１及び第２の電極と、
を含む光学デバイスであって、
前記光学デバイスは、眼鏡レンズである、光学デバイス。
【請求項２】
前記光学的異方性材料は、いかなる電界も前記カプセル構造内において印加されない場合には、等方性状態に在る、請求項１に記載の光学デバイス。
【請求項３】
前記エアロジェルは、８０％より大きい気孔率を有する、請求項１又は２に記載の光学デバイス。
【請求項４】
前記光学的異方性材料は、ネマティック液晶混合物である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の光学デバイス。
【請求項５】
前記エアロジェルは、高分子結合剤中に混合された、テトラ−メトキシシラン、テトラエトキシシラン、トリメトキシシラン、又はメチルトリメトキシシランの残余の部分を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の光学デバイス。
【請求項６】
前記エアロジェルは、テトラ−メトキシシラン、テトラエトキシシラン、トリメトキシシラン及びメチルトリメトキシシランからなる群のうちの１つと、高分子結合剤とを混合することにより製造される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の光学デバイス。
【請求項７】
前記高分子結合剤は、５０，０００ｇ／ｍｏｌより大きい、好適には１００，０００ｇ／ｍｏｌより大きい重量平均分子量を有するポリ酢酸ビニル高分子である、請求項５又は６に記載の光学デバイス。
【請求項８】
前記カプセル構造は、前記エアロジェルにより完全に満たされ、前記エアロジェルは、１０μｍより大きい、好適には２０μｍより大きい、より好適には５０μｍより大きい厚さを有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の光学デバイス。
【請求項９】
前記第１及び第２の電極は、前記カプセル構造内で生成された前記電界を制御するように構成された電子デバイスと、電源とにリンクされる、請求項１〜８のいずれか一項に記載の光学デバイス。
【請求項１０】
ａ．カプセル構造を提供する工程と、
ｂ．前記カプセル構造の内部のエアロジェル内に埋め込まれた液晶混合物であって、電界に晒されると変更され得る屈折率を提示する液晶混合物を提供する工程と
を含む、眼鏡レンズを製造する方法。
【請求項１１】
工程ｂは、エアロジェルを形成する第１の副工程と、液晶混合物を前記エアロジェル内へ埋め込む第２の副工程とを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の副工程は、
ａ．溶剤、高分子結合剤及びシリコンベース単量体を含む組成物を提供することと、
ｂ．成形用ゲルを前記カプセル構造に合う形状に整形しながら、前記組成物中の前記シリコンベース単量体の加水分解を引き起こして、ゲル化試料を形成することと、
ｃ．前記ゲル化試料をアルコール雰囲気中に置くことと、
を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の副工程はさらに、
ａ．前記ゲル化試料内に残る前記溶剤を液体ＣＯ２により置換する工程と、
ｂ．前記液体ＣＯ２が超臨界ＣＯ２へ変化するような条件を提供する工程と、
ｃ．得られた試料を冷却しエアロジェル試料にする工程と、
ｄ．前記液晶混合物を前記エアロジェル試料内に埋め込む工程と、
含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の光学デバイスの屈折率を変更する方法であって、
ａ．第１の電圧を提示する第１の電界を生成することにより前記光学物品を第１のモードで操作する工程と、
ｂ．前記第１の電圧とは異なる第２の電圧を提示する第２の電界を生成することにより第２のモードへ切り替える工程と
からなる２つの工程を含み、
前記第１の電圧及び前記第２の電圧の一方は前記液晶混合物の液晶を配向するように選択され、前記第１の電圧及び第２の電圧の他方は０Ｖである、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月29日(2021.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
歯管（１１）に導入するための締結要素（１０）であって、
−平行または円錐形状の本体と、
−平行または先細りされた長手方向のスルーボア（１）と、
−前記締結要素の前記本体の上端部から下端部へ伸びる主長手方向スロット（２）と、を備えることを特徴とする締結要素（１０）。
【請求項２】
前記締結要素（１０）の材料は、ポリママトリクスと、単一の方向または多方向に前記ポリママトリクスに分散された繊維を備える繊維強化複合材料であることを特徴とする、請求項１に記載の締結要素（１０）。
【請求項３】
前記強化複合材料は、前記ポリママトリクスに分散された放射線乳白剤及び顔料を含み、
前記放射線乳白剤及び前記顔料は、シリカ、リン酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ、ジルコニア、酸化スズ、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化チタン、ポリ（メタクリレート）及びそれらの混合物を含む群から選択されることを特徴とする、請求項２に記載の締結要素（１０）。
【請求項４】
前記強化複合材料の前記ポリママトリクスは、ポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリイミド、ポリアクリレート、ポリウレタン、ビニルエステル、例えばエポキシなどの材料ベースのポリマ、スチレン、スチレン、アクリロニトリル、ＡＢＳポリマ、ポリスルホン、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、アクリルモノマ、メタクリルモノマ、及びそれらの混合物を含む群から選択されることを特徴とする、請求項２に記載の締結要素（１０）。
【請求項５】
前記ポリママトリクスは、エポキシ樹脂であることが好ましいことを特徴とする、請求項４に記載の締結要素（１０）。
【請求項６】
前記強化複合材料の前記繊維は、ガラス、石英、カーボン、ポリアミド及びそれらの混合物を含む群から選択される繊維であることを特徴とする、請求項２に記載の締結要素（１０）。
【請求項７】
前記繊維は、ガラス繊維または石英であることが好ましい、請求項６に記載の締結要素（１０）。
【請求項８】
３００から１２００ＭＰａの範囲の曲げ強度を備えることを特徴とする、請求項１に記載の締結要素（１０）。
【請求項９】
締結要素（１０）は、化学セメントによって歯根管（１１）の内壁に接線方向に固定されることを特徴とする、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の締結要素（１０）。
【請求項１０】
歯管（１１）に導入するための締結要素（２０）であって、
−平行または円錐形状の本体と、
−平行または先細りされた長手方向のスルーホール（３）と、
−主長手方向のスリット（４）と、
−前記締結要素の本体の上及び／または下の部分の一部長手方向のスロット（５，６）を備え、
前記一部長手方向のスリット（５，６）は、前記主長手方向のスリット（４）と平行であり、
前記一部長手方向のスロット（５，６）は、前記締結要素の本体の一端を残して、その一部の伸長部分を進める、締結要素（２０）。
【請求項１１】
前記締結要素の材料は、ポリママトリクスと、単一のまたは多方向の方向に前記ポリママトリクスに分散された繊維を備える繊維強化複合材料であることを特徴とする、請求項１０に記載の締結要素（２０）。
【請求項１２】
前記強化複合材料は、前記ポリママトリクスに分散された放射線乳白剤及び顔料を含み、
前記放射線乳白剤及び前記顔料は、シリカ、リン酸カルシウム、硫酸バリウム、アルミナ、ジルコニア、酸化スズ、酸化タンタル、酸化ニオブ、酸化チタン、ポリ（メタクリレート）及びそれらの混合物を含む群から選択されることを特徴とする、請求項１１に記載の締結要素（２０）。
【請求項１３】
前記強化複合材料の前記ポリママトリクスは、ポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリイミド、ポリアクリレート、ポリウレタン、ビニルエステル、例えばエポキシなどの材料ベースのポリマ、スチレン、スチレン、アクリロニトリル、ＡＢＳポリマ、ポリスルホン、ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリフェニレンスルフィド、アクリルモノマ、メタクリルモノマ、及びそれらの混合物を含む群から選択されることを特徴とする、請求項１１に記載の締結要素（２０）。
【請求項１４】
前記ポリママトリクスは、エポキシ樹脂であることが好ましいことを特徴とする、請求項１３に記載の締結要素（２０）。
【請求項１５】
前記強化複合材料の前記繊維は、ガラス、石英、カーボン、ポリアミド及びそれらの混合物を含む群から選択される繊維であることを特徴とする、請求項１１に記載の締結要素（２０）。
【請求項１６】
前記繊維は、ガラス繊維または石英であることが好ましいことを特徴とする、請求項１５に記載の締結要素（２０）。
【請求項１７】
３００から１２００ＭＰａの範囲の曲げ強度を備えることを特徴とする、請求項１１に記載の締結要素（２０）。
【請求項１８】
前記締結要素は、化学セメントによって歯根管（１１）の内壁に接線方向に固定されることを特徴とする、請求項１０乃至１７のいずれか１項に記載の締結要素（２０）。
【請求項１９】
締結要素（１０，２０）とプレハブピン（９）を備え、
そのスルーボア（１，３）を備える前記締結要素（１０，２０）は、前記プレハブピン（９）に挿入されることを特徴とする、歯管（８）に導入するための締結システム。
【請求項２０】
歯管（１１）に導入するためのものであることを特徴とする締結システム（１０，２０）の使用。
【請求項２１】
前記締結要素（１０，２０）は、単独で、または歯に設置されるための義歯の歯根補強及び支持するためのプレハブピン（９）とともに用いられることを特徴とする、請求項２０に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月6日(2021.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サブストレート（５１）の紫外照射用のＵＶ照射器モジュール（１）であって、
水密なハウジング（２）を備え、
前記ハウジング（２）は、それぞれ１つの長手方向軸線を有する複数の低圧水銀ランプ（２１）を含む照射器アッセンブリ（２０）を包囲し、かつ
前記ハウジング（２）は、下面（３）と、上面（４）と、前記下面（３）と前記上面（４）とを互いに結合する少なくとも２つの側壁（５；６）とを有し、さらに前記下面（３）には、ビーム出射窓（７）により閉じられたビーム出射開口を有する、
ＵＶ照射器モジュール（１）において、
前記ハウジング（２）内に、冷却空気の供給用の第１の空気案内ゾーン（９；３１；４１）と、前記第１の空気案内ゾーン（９；３１；４１）から隔てられた、温められた冷却空気の導出用の第２の空気案内ゾーン（１０；３２；４４）とが形成されており、
前記低圧水銀ランプ（２１）の前記長手方向軸線に対して垂直に前記ハウジング（２）を通る横断面において、前記下面（３）から前記上面（４）への視線方向で見て、前記ビーム出射窓（７）、前記照射器アッセンブリ（２０）および前記空気案内ゾーン（９；３１；４１；１０；３２；４４）は、順番に配置されており、
前記第１の空気案内ゾーン（９；３１；４１）は、供給空気通路（３１）を有し、前記供給空気通路（３１）は、冷却空気を前記照射器アッセンブリ（２０）に供給する少なくとも１つの空気ガイド手段（４１）を装備している、
ことを特徴とするＵＶ照射器モジュール。
【請求項２】
前記低圧水銀ランプ（２１）の前記長手方向軸線に対して垂直に前記ハウジング（２）を通る前記横断面において、前記下面（３）から前記上面（４）への視線方向で見て、前記第１の空気案内ゾーン（９；３１；４１）は、前記第２の空気案内ゾーン（１０；３２；４４）に対して前置されていることを特徴とする、請求項１記載のＵＶ照射器モジュール。
【請求項３】
前記第１の空気案内ゾーン（９；３１；４１）は、供給空気通路中心軸線を有し、前記第２の空気案内ゾーン（１０；３２；４４）は、排出空気通路中心軸線を有し、前記供給空気通路中心軸線と前記排出空気通路中心軸線とは、互いに平行に、前記ビーム出射窓（７）に対して垂直に延在する１つの共通のハウジング中央平面（Ｍ）内を延びていることを特徴とする、請求項１または２記載のＵＶ照射器モジュール。
【請求項４】
前記ハウジング（２）は、前記ハウジング中央平面（Ｍ）に関して鏡面対称性を有することを特徴とする、請求項３記載のＵＶ照射器モジュール。
【請求項５】
前記第１の空気案内ゾーン（９；３１；４１）は、供給空気通路内径を有し、前記第２の空気案内ゾーン（１０；３２）は、排出空気通路内径を有し、前記排出空気通路内径の、前記供給空気通路内径に対する偏差は、＋／−１０％未満であることを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載のＵＶ照射器モジュール。
【請求項６】
前記低圧水銀ランプ（２１）の前記長手方向軸線に対して垂直に前記ハウジング（２）を通る前記横断面において、前記ハウジング上面（４）は湾曲を有することを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載のＵＶ照射器モジュール。
【請求項７】
両前記側壁（５）は、前記上面（４）の前記湾曲に密着し、５〜４０度の範囲の角度を互いになすことを特徴とする、請求項６記載のＵＶ照射器モジュール。
【請求項８】
前記ビーム出射開口は、周囲を取り巻くように延びる段部を有し、前記段部に前記ビーム出射窓（７）は接着されていることを特徴とする、請求項１から７までのいずれか１項記載のＵＶ照射器モジュール。
【請求項９】
前記低圧水銀ランプ（２１）の前記長手方向軸線は、１つの共通の照射器平面（Ｅ２）内を延びており、前記照射器アッセンブリ（２０）は、前記照射器平面（Ｅ２）から４８ｍｍの間隔を置いて測定して、前記サブストレート（５１）上に少なくとも１００ｍＷ／ｃｍ２のＵＶ照射強度が生じるように設計されていることを特徴とする、請求項１から８までのいずれか１項記載のＵＶ照射器モジュール。
【請求項１０】
前記照射器アッセンブリ（２０）は、前記照射器アッセンブリ（２０）の、前記ビーム出射窓（７）から背離した側で、少なくとも部分的にリフレクタ（３３）により包囲されていることを特徴とする、請求項１から９までのいずれか１項記載のＵＶ照射器モジュール。
【請求項１１】
前記ハウジング側壁（５）の少なくとも一方は、マーキング（８）が施された可視面を有し、前記マーキング（８）は、レーザ彫刻により生成されており、続いて前記可視面は、電解研磨により平滑化されていることを特徴とする、請求項１から１０までのいずれか１項記載のＵＶ照射器モジュール。
【請求項１２】
請求項１から１１までのいずれか１項記載のＵＶ照射器モジュール（１）の、食物または医薬品用の包装材料の紫外照射用の消毒システムでの使用。