【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年10月11日(2021.10.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置であって、
電磁（ＥＭ）スペクトルの第１波長領域内のプライマリ光を放出するように構成された光源を有するバックライトユニットと、
ピクセルを有する液晶表示（ＬＣＤ）モジュールと、
を有し、
ピクセルは、
前記ＥＭスペクトルの第２波長領域内において、第１輝度を有する、第１光を放出するように構成された第１放出性表面を有する第１サブピクセルであって、基板上に配置された第１燐光体薄膜と前記第１燐光体薄膜上に配置された第１フィルタ要素とを有する、第１サブピクセルと、
前記ＥＭスペクトルの第３波長領域内において、第２輝度を有する、第２光を放出するように構成された第２放出性表面を有する第２サブピクセルであって、前記第１、第２、及び第３波長領域は、相互に異なっており、前記第２サブピクセルは前記基板上に配置された第２燐光体薄膜と前記第２燐光体薄膜上に配置された第２フィルタ要素とを有し、前記第１及び第２燐光体薄膜は連続的な燐光体薄膜の異なる領域であり、前記第１及び第２フィルタ要素は、前記連続的な燐光体薄膜上に配置された連続的なフィルタ要素の異なる領域である、第２サブピクセルと、
前記ＥＭスペクトルの前記第１波長領域内において、第３輝度を有する、第３光を放出するように構成された第３放出性表面を有する第３サブピクセルであって、前記第３輝度は、前記第１輝度及び前記第２輝度よりも大きい、第３サブピクセルと、
を有し、
前記第３サブピクセルは、前記基板上に配置された光学的に透明な薄膜と、前記第１燐光体薄膜及び前記第１フィルタ要素とそれぞれ同一の表面平面上に配置された第１及び第２薄膜と、を有し、前記第３放出性表面の面積は、前記第１放出性表面の面積及び前記第２放出性表面の面積よりも小さい、表示装置。
【請求項２】
前記第１、第２、及び第３放出性表面の前記面積の間の比率は、約２：２：１〜約６：６：１の範囲をとる、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１、第２、及び第３放出性表面の前記面積の間の比率は、約４：４：１である、請求項１に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第１、第２、及び第３放出性表面の前記面積は、相互に異なっている、請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第３光は、前記プライマリ光の一部分を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１燐光体薄膜は、前記第１光を放出するべく前記プライマリ光の第１部分を変換するように構成され、且つ
前記第１燐光体薄膜に光学的に結合された前記第１フィルタ要素は、前記第１光が前記第１フィルタ要素を通過することを許容し、且つ、前記プライマリ光の変換されていない部分が前記第１フィルタ要素を通過することを阻止するように構成される、
請求項１〜５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１フィルタ要素の表面は、前記第１放射性表面を有する、請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１燐光体薄膜は、前記第１光を放出するべく前記プライマリ光の第１部分を変換するように構成され、且つ
前記第１燐光体薄膜の表面は、前記第１放出性表面を有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記第２燐光体薄膜は、前記第２光を放出するべく前記プライマリ光の第２部分を変換するように構成され、且つ
前記第２燐光体薄膜に光学的に結合された前記第２フィルタ要素は、前記第２光が前記第２フィルタ要素を通過することを許容し、且つ、前記プライマリ光の変換されていない部分が前記第２フィルタ要素を通過することを阻止するように構成される、
請求項１〜８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記第２フィルタ要素の表面は、前記第２放出性表面を有する、請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記第１及び第２燐光体薄膜は、それぞれ、第１及び第２マトリックスを有し、且つ、
前記第１及び第２フィルタ要素は、それぞれ、前記第１及び第２マトリックス中において埋め込まれている、請求項９又は１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１及び第２フィルタ要素のそれぞれは、酸化チタニウム、酸化亜鉛、硫化亜鉛、シリコーン、又はこれらの組合せを有する散乱粒子を有する、請求項９〜１１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１燐光体薄膜は、約６２０ｎｍ〜約７５０ｎｍの範囲の波長領域内において前記第１光を放出するように構成された発光ナノ構造の第１群を有し、且つ、
前記第２燐光体薄膜は、約４９５ｎｍ〜約５７０ｎｍの範囲の波長領域内において前記第２光を放出するように構成された発光ナノ構造の第２群を有する、請求項９〜１２のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第２燐光体薄膜は、前記第２光を放出するべく前記プライマリ光の第２部分を変換するように構成され、且つ、
前記第２燐光体薄膜の表面は、前記第２放出性表面を有する、請求項１〜８又は１１〜１３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第３サブピクセルは、発光ナノ構造を排除している、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記ＬＣＤモジュールは、
前記プライマリ光を偏光するように構成された第１偏光フィルタと、
前記偏光されたプライマリ光の偏光の角度を調節するように構成された液晶溶液層と、
前記液晶溶液層から前記第１、第２、及び第３サブピクセルへの前記偏光されたプライマリ光の透過を制御するように構成された、前記液晶溶液層と前記第１、第２、及び第３サブピクセル間において配置された、第２偏光フィルタと、
を更に有する、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１７】
光学空洞を更に有し、前記光源は、前記光学空洞内において位置決めされている、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１８】
光ガイドプレートを更に有し、前記光源は、前記光ガイドプレートに外部的に結合されている、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１９】
表示装置であって、
電磁（ＥＭ）スペクトルの第１波長領域内において、第１輝度を有する、第１光を放出するように構成された第１放出性表面を有する第１サブピクセルであって、基板上に配置された第１燐光体薄膜と前記第１燐光体薄膜上に配置された第１フィルタ要素とを有する、第１サブピクセルと、
前記ＥＭスペクトルの第２波長領域内において、第２輝度を有する、第２光を放出するように構成された第２放出性表面を有する第２サブピクセルと、
前記ＥＭスペクトルの第３波長領域内において、第３輝度を有する、第３光を放出するように構成された第３放出性表面を有する第３サブピクセルであって、前記第３輝度は、前記第１輝度及び前記第２輝度よりも大きい、第３サブピクセルと、
を有し、
前記第３サブピクセルは前記基板上に配置された光学的に透明な薄膜を有し、前記光学的に透明な薄膜は散乱粒子を有し、前記第１、第２、及び第３波長領域は、相互に異なっており、且つ、
前記第３放出性表面の面積は、前記第１放出性表面の面積及び前記第２放出性表面の面積よりも小さい、表示装置。
【請求項２０】
前記第１サブピクセルは、前記第３波長領域内において第１プライマリ光を放出するように構成された第１光源を更に有し、
前記第２サブピクセルは、前記第３波長領域内において第２プライマリ光を放出するように構成された第２光源を更に有し、且つ、
前記第３サブピクセルは、前記第３波長領域内において第３プライマリ光を放出するように構成された第３光源を更に有する、請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２１】
前記第１、第２、及び第３光源のそれぞれは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）を有する、請求項２０に記載の表示装置。
【請求項２２】
前記第１、第２、及び第３放出性表面の前記面積の比率は、約２：２：１〜約６：６：１の範囲をとる、請求項１９〜２１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項２３】
前記第１、第２、及び第３放出性表面の前記面積の間の比率は、約４：４：１である、請求項１９〜２１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項２４】
前記第１、第２、及び第３放出性表面の前記面積は、相互に異なっている、請求項１９〜２２のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項２５】
前記第３光は、前記プライマリ光の一部分を有する、請求項１９〜２４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項２６】
前記第１燐光体薄膜は、前記第１光を放出するべく前記第１プライマリ光の一部分を変換するように構成され、
前記第１燐光体薄膜に光学的に結合された前記第１フィルタ要素は、前記第１光が前記第１フィルタ要素を通過することを許容し、且つ、前記第１プライマリ光の変換されていない部分が前記第１フィルタ要素を通過することを阻止するように構成される、
請求項１９〜２５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項２７】
前記第１フィルタ要素の表面は、前記第１放出性表面を有する、請求項２６に記載の表示装置。
【請求項２８】
前記第１サブピクセルは、前記第１光を放出するべく前記第１プライマリ光の一部分を変換するように構成された第１燐光体薄膜を更に有し、且つ、
前記第１燐光体薄膜の表面は、前記第１放出性表面を有する、請求項１９〜２５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項２９】
前記第２サブピクセルは、
前記第２光を放出するべく前記第２プライマリ光の一部分を変換するように構成された第２燐光体薄膜と、
前記第２燐光体薄膜に光学的に結合された第２フィルタ要素であって、前記第２光が前記第２フィルタ要素を通過することを許容し、且つ、前記第２プライマリ光の変換されていない部分が前記第２フィルタ要素を通過することを阻止するように構成された第２フィルタ要素と、
を更に有する、請求項１９〜２８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項３０】
前記第２フィルタ要素の表面は、前記第２放出性表面を有する、請求項２９に記載の表示装置。
【請求項３１】
前記第１燐光体薄膜は、約６２０ｎｍ〜約７５０ｎｍの範囲の波長領域内において前記第１光を放出するように構成された発光ナノ構造の第１群を有し、且つ、
前記第２燐光体薄膜は、約４９５ｎｍ〜約５７０ｎｍの範囲の波長領域内において前記第２光を放出するように構成された発光ナノ構造の第２群を有する、請求項２９又は３０に記載の表示装置。
【請求項３２】
前記第２サブピクセルは、前記第２光を放出するべく前記第２プライマリ光の一部分を変換するように構成された第２燐光体薄膜を更に有し、且つ、
前記第２燐光体薄膜の表面は、前記第２放射性表面を有する、請求項１９〜２８又は３１のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項３３】
前記第３サブピクセルは、発光ナノ構造を排除している、請求項１９〜３２のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項３４】
表示装置であって、
電磁（ＥＭ）スペクトルの第１波長領域内において、第１輝度を有する、第１光を放出するように構成された第１放出性表面と、
前記ＥＭスペクトルの第２波長領域内において、第２輝度を有する、第２光を放出するように構成された第２放出性表面と、
前記ＥＭスペクトルの第３波長領域内において、第３輝度を有する、第３光を放出するように構成された第３放出性表面であって、前記第３輝度は、前記第１輝度及び前記第２輝度よりも大きい、第３放出性表面と、
を有し、
前記第１、第２、及び第３波長領域は、相互に異なっており、前記第１及び第２放出性表面は連続的なフィルタ要素の異なる領域であり、且つ、
前記第１、第２、及び第３放出性表面の前記面積は、相互に異なっている、表示装置。
【請求項３５】
前記第１、第２、及び第３放出性表面の前記面積の間の比率は、約２：２：１〜約６：６：１の範囲をとる、請求項３４に記載の表示装置。
【請求項３６】
前記第１、第２、及び第３放出性表面の前記面積の比率は、約４：４：１である、請求項３４に記載の表示装置。
【請求項３７】
前記第１放出性表面を有する第１表面を有する第１燐光体薄膜と、
前記第２放出性表面を有する第２表面を有する第２燐光体薄膜と、
前記第３放出性表面を有する第３表面を有する非燐光体薄膜と、
を更に有する、請求項３４〜３６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項３８】
前記第１、第２、及び第３放出性表面は、前記表示装置のピクセルの異なる領域である、請求項３４〜３６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項３９】
前記第３波長領域内においてプライマリ光を放出するように構成された光源を更に有する、請求項３４〜３８のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項４０】
前記第１波長領域は、約６２０ｎｍ〜約７５０ｎｍの範囲をとり、
前記第２波長領域は、約４９５ｎｍ〜約５７０ｎｍの範囲をとり、且つ、
前記第３波長領域は、約４３５ｎｍ〜約４９５ｎｍの範囲をとる、請求項３４〜３９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項４１】
前記第１放出性表面を有する第１表面を有する第１フィルタ要素と、
前記第２放出性表面を有する第２表面を有する第２フィルタ要素と、
を更に有する、請求項３４〜４０のいずれか１項に記載の表示装置。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６９】
[0074]  遮光要素２３８は、セカンダリ光（例えば、上述の第１、第２、及び／又は第３セカンダリ光）が通過することを許容し、且つ、燐光体薄膜２３６によって吸収されず、且つ、セカンダリ光にダウンコンバージョンされない、プライマリ光（例えば、青色光又はＵＶ光）の部分を阻止するように、構成することができる。燐光体薄膜２３６から外に漏洩しうる、プライマリ光の望ましくない部分は、吸収及び／又は散乱させることにより、阻止することができる。燐光体薄膜２３６から表示画面２３０への、変換されていないプライマリ光の漏洩は、ＬＣＤ表示装置２００の色域カバレッジに対して悪影響を及ぼしうる。また、このような漏洩を防止するための遮光要素２３８の使用は、燐光体薄膜２３６内において含まれている発光ナノ構造の密度を低減することにより、ＬＣＤ表示装置２００の製造費用の低減をも支援しうる。プライマリ光の実質的にすべての部分を吸収するべく、発光ナノ構造を使用する代わりに、発光ナノ構造の密度が低減されてもよく、燐光体薄膜２３６内において吸収されないプライマリ光の任意の部分は、遮光要素２３８により、フィルタリングによって除去することができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０４】
[0109]  遮光要素５４８は、図４のカバープレート４３０などのカバープレートへの移動の前に個々の燐光体薄膜５５０、５５２、及び５５４から放出された赤色、緑色、及び青色光をフィルタリングするように構成することができる。遮光要素５４８は、個々の燐光体薄膜５５０、５５２、及び５５４からの赤色、緑色、及び青色光が通過することを許容し、且つ、燐光体薄膜５５０、５５２、及び５５４によって吸収されない、且つ、それぞれ、赤色、緑色、及び青色光にダウンコンバージョンされない、光源５４６からのプライマリ光の部分を阻止するように構成することができる。燐光体薄膜５５０、５５２、及び５５４から外に漏洩しうるプライマリ光の望ましくない部分は、吸収及び／又は散乱させることにより、阻止することができる。また、遮光要素５４８は、ＯＬＥＤ表示装置４００の望ましい色域カバレッジを実現するべく、個々の燐光体薄膜５５０、５５２、及び５５４から放出される赤色、緑色、及び青色光のスペクトル放出幅（放出スペクトルの幅とも呼称される）をチューニングするように構成することもできる。