【手続補正書】
【提出日】平成17年4月20日(2005.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子を制御するためのＴＦＴを有する発光装置において、
前記発光素子は、陽極と、有機化合物層と、陰極とを有し、
前記有機化合物層は、前記陽極と前記陰極とに挟まれて形成され、第１の有機化合物層と、第２の有機化合物層とを有し、
前記第１の有機化合物層は、第１の重合体からなる層と、第２の重合体及び蛍燐光体からなる発光領域とを有し、
前記第１の重合体からなる層は、前記発光領域よりも陽極側に設けられ、
前記第２の有機化合物層は、前記第２の重合体からなり、前記陰極に接して形成され、
前記第１の重合体と前記第２の重合体とは主鎖の構造が同じであり、
前記第１の重合体は、重合度が５０以上であり、
前記第２の重合体は、第１の重合体よりも重合度が低く、蒸着法による成膜が可能である
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
発光素子と、
前記発光素子を制御するためのＴＦＴを有する発光装置において、
前記発光素子は、陽極と、有機化合物層と、陰極とを有し、
前記有機化合物層は、前記陽極と前記陰極とに挟まれて形成され、第１の有機化合物層と、第２の有機化合物層とを有し、
前記第１の有機化合物層は、第１の重合体からなる層と、第２の重合体及び蛍燐光体からなる発光領域とを有し、
前記第１の重合体からなる層は、前記発光領域よりも陽極側に設けられ、
前記第２の有機化合物層は、前記第２の重合体からなり、前記陰極に接して形成され、
前記第１の重合体と前記第２の重合体とは主鎖の構造が同じであり、
前記第１の重合体は、重合度が５０以上であり、
前記第２の重合体は、重合度が２〜５である
ことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
発光素子と、
前記発光素子を制御するためのＴＦＴを有する発光装置において、
前記発光素子は、陽極と、有機化合物層と、陰極とを有し、
前記有機化合物層は、前記陽極と前記陰極とに挟まれて形成され、第１の有機化合物層と、第２の有機化合物層とを有し、
前記第１の有機化合物層は、第１の重合体からなる層と、第２の重合体及び蛍燐光体からなる発光領域とを有し、
前記第１の重合体からなる層は、前記発光領域よりも陽極側に設けられ、
前記第２の有機化合物層は、電子輸送性または正孔阻止性を有する材料からなり、前記陰極に接して形成され、
前記第１の重合体と前記第２の重合体とは主鎖の構造が同じであり、
前記第１の重合体は、重合度が５０以上であり、
前記第２の重合体は、前記第１の重合体よりも重合度が低く、
前記第２の重合体と、前記電子輸送性または正孔阻止性を有する材料とは、それぞれ、蒸着法による成膜が可能である
ことを特徴とする発光装置。
【請求項４】
発光素子と、
前記発光素子を制御するためのＴＦＴを有する発光装置において、
前記発光素子は、陽極と、有機化合物層と、陰極とを有し、
前記有機化合物層は、前記陽極と前記陰極とに挟まれて形成され、第１の有機化合物層と、第２の有機化合物層とを有し、
前記第１の重合体からなる層は、前記発光領域よりも陽極側に設けられ、
前記第１の有機化合物層は、第１の重合体からなる層と、第２の重合体及び蛍燐光体からなる発光領域とを有し、
前記第２の有機化合物層は、電子輸送性または正孔阻止性を有する材料からなり、前記陰極に接して形成され、
前記第１の重合体と前記第２の重合体とは主鎖の構造が同じであり、
前記第１の重合体は、重合度が５０以上であり、
前記第２の重合体は、重合度が２〜５であり、
前記第２の重合体と、前記電子輸送性または正孔阻止性を有する材料とは、それぞれ、蒸着法による成膜が可能である
ことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
前記電子輸送性または正孔阻止性を有する材料は、Ａｌｑ3、Ａｌｍｑ、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＰＢＴ）2、ＰＢＤ、ＢＣＰ、バソフェナントロリン、ＴＡＺの中から選ばれるいずれか一の材料であることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第１の重合体および前記第２の重合体の主鎖の構造は、Ｎ−ビニルカルバゾール、フルオレン、フェニレンのいずれかを繰り返し単位とした構造であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の発光装置を表示部に用いていることを特徴とする電気器具。
【請求項８】
ＴＦＴを形成し、
層間絶縁膜を形成し、
前記ＴＦＴと電気的に接続された陽極を形成し、
前記陽極の上に、重合度が５０以上である第１の重合体からなる層を塗布法によって形成し、
前記第１の重合体からなる層の上に、前記第１の重合体と主鎖の構造が同じであり前記第１の重合体よりも重合度が低い第２の重合体と、蛍燐光体とからなる発光領域を蒸着法によって形成し、
前記発光領域の上に、前記第２の重合体からなる層を蒸着法によって形成し、
前記第２の重合体からなる層の上に陰極を形成する
ことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
ＴＦＴを形成し、
層間絶縁膜を形成し、
前記ＴＦＴと電気的に接続された陽極を形成し、
前記陽極の上に、重合度が５０以上である第１の重合体からなる層を塗布法によって形成し、
前記第１の重合体からなる層の上に、前記第１の重合体と主鎖の構造が同じであり重合度が２〜５である第２の重合体と、蛍燐光体とからなる発光領域を蒸着法によって形成し、
前記発光領域の上に、前記第２の重合体からなる層を蒸着法によって形成し、
前記第２の重合体からなる層の上に陰極を形成する
ことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
ＴＦＴを形成し、
層間絶縁膜を形成し、
前記ＴＦＴと電気的に接続された陽極を形成し、
前記陽極の上に、重合度が５０以上である第１の重合体からなる層を塗布法によって形成し、
前記第１の重合体からなる層の上に、前記第１の重合体と主鎖の構造が同じであり前記第１の重合体よりも重合度が低い第２の重合体と、蛍燐光体とからなる発光領域を蒸着法によって形成し、
前記発光領域の上に、電子輸送性または正孔阻止性を有する材料からなる層を蒸着法によって形成し、
前記電子輸送性または正孔阻止性を有する材料からなる層の上に陰極を形成する
ことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
ＴＦＴを形成し、
層間絶縁膜を形成し、
前記ＴＦＴと電気的に接続された陽極を形成し、
前記陽極の上に、重合度が５０以上である第１の重合体からなる層を塗布法によって形成し、
前記第１の重合体からなる層の上に、前記第１の重合体と主鎖の構造が同じであり重合度が２〜５である第２の重合体と、蛍燐光体とからなる発光領域を蒸着法によって形成し、
前記発光領域の上に、電子輸送性または正孔阻止性を有する材料からなる層を蒸着法によって形成し、
前記電子輸送性または正孔阻止性を有する材料からなる層の上に陰極を形成する
ことを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１２】
前記電子輸送性または正孔阻止性を有する材料は、Ａｌｑ3、Ａｌｍｑ、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＰＢＴ）2、ＰＢＤ、ＢＣＰ、バソフェナントロリン、ＴＡＺの中から選ばれるいずれか一の材料であることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の発光装置の作製方法。
【請求項１３】
前記第１の重合体および前記第２の重合体の主鎖の構造は、Ｎ−ビニルカルバゾール、フルオレン、フェニレンのいずれかを繰り返し単位とした構造であることを特徴とする請求項８乃至請求項１２のいずれか一項に記載の発光装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置、電気器具及び発光装置の作製方法