【手続補正書】
【提出日】平成17年3月30日(2005.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にレジスト液を滴下し、所定の主回転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト膜厚を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる乾燥工程と、を有する回転塗布方法であって、
上記回転塗布方法において、レジスト液の濃度（粘度）を任意の濃度に固定し、かつ、前記乾燥工程における乾燥回転数を任意の回転数に固定し、この条件下で、前記均一化工程における前記主回転数及び前記主回転時間をそれぞれパラメータとしてそれぞれ段階的に変化させて得られる複数の条件でレジストを塗布した複数の試料を作製し、
各試料のレジスト膜厚を、基板内の所望の有効領域内で複数点測定して得られる面内膜厚分布から求めた面内膜厚均一性を求めることによって、各試料の主回転数及び主回転時間の組合せ条件と、各試料の面内膜厚均一性との関係を求め、これを基準データＡとし、
所望の面内膜厚均一性を得るための主回転数及び主回転時間の組合せ条件Ｉを、前記基準データＡから決定し、
この主回転数及び主回転時間の組合せ条件Ｉに従ってレジスト塗布を行うことを特徴とする回転塗布方法。
【請求項２】
前記基準データＡが、縦軸、横軸を前記主回転数、前記主回転時間とし、同じ面内膜厚均一性となる点を等高線で結んだ等高線図、又は、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸に前記主回転数、前記主回転時間、前記面内膜厚均一性の点をプロットして描いた鳥瞰図、であることを特徴とする請求項１に記載の回転塗布方法。
【請求項３】
基板上にレジスト液を滴下し、所定の主回転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト膜厚を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる乾燥工程と、を有する回転塗布方法であって、
請求項１又は２における基準データＡ又は等高線図又は鳥瞰図を、レジスト液の濃度（粘度）を段階的に変化させて複数求め、この複数の基準データ群又は等高線図群又は鳥瞰図群の中から最も高い面内膜厚均一性が得られるレジスト液の濃度（粘度）条件ＩＩを決定し、
このレジスト液の濃度（粘度）条件ＩＩに従ってレジスト塗布を行うことを特徴とする回転塗布方法。
【請求項４】
基板上にレジスト液を滴下し、所定の主回転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト膜厚を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる乾燥工程と、を有する回転塗布方法であって、
請求項１又は２における基準データＡ又は等高線図又は鳥瞰図を、レジスト液の濃度（粘度）は任意の濃度に固定し、前記乾燥工程における乾燥回転数を段階的に変化させて複数求め、この複数の基準データ群又は等高線図群又は鳥瞰図群の中から最も高い面内膜厚均一性が得られる乾燥回転数条件ＩＩＩを決定し、
この乾燥回転数条件ＩＩＩに従ってレジスト塗布を行うことを特徴とする回転塗布方法。
【請求項５】
基板上にレジスト液を滴下し、所定の主回転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト膜厚を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる乾燥工程と、を有する回転塗布方法であって、
前記均一化工程における前記主回転数及び前記主回転時間を、請求項１で決定した主回転数及び主回転時間の条件Ｉに固定した条件下で、前記乾燥工程における乾燥回転数を段階的に変化させて得られる複数の条件でレジストを塗布した複数の試料を作製し、
各試料のレジスト膜厚を、基板内の所望の有効領域内で複数点測定して得られる面内膜厚分布から求めた面内膜厚均一性を求めることによって、各試料の乾燥回転数と、各試料の面内膜厚均一性との関係を求め、これを基準データＢとし、  最も高い面内膜厚均一性を得るための乾燥回転数の条件ＩＶを、前記基準データＢから決定し、
この乾燥回転数の条件ＩＶに従ってレジスト塗布を行うことを特徴とする回転塗布方法。
【請求項６】
基板上にレジスト液を滴下し、所定の主回転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト膜厚を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる乾燥工程と、を有する回転塗布方法であって、
前記均一化工程における前記主回転数及び前記主回転時間を、請求項１で決定した主回転数及び主回転時間の条件Ｉに固定した条件下で、レジスト液の濃度（粘度）を段階的に変化させて得られる複数の条件でレジストを塗布した複数の試料を作製し、
各試料のレジスト膜厚を、基板内の所望の有効領域内で複数点測定して得られるレジスト膜厚の平均値を求めることによって、各試料のレジスト液の濃度（粘度）と、各試料のレジスト膜厚の平均値との関係を求め、これを基準データＣとし、
所望のレジスト平均膜厚を得るためのレジスト液の濃度（粘度）の条件Ｖを、前記基準データＣから決定し、
このレジスト液の濃度（粘度）の条件Ｖに従ってレジスト塗布を行うことを特徴とする回転塗布方法。
【請求項７】
基板上にレジスト液を滴下し、所定の主回転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト膜厚を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる乾燥工程と、を有する回転塗布方法であって、
前記均一化工程における前記主回転数及び前記主回転時間を、請求項１で決定した主回転数及び主回転時間の条件Ｉに固定し、かつ、前記乾燥工程における乾燥回転数を請求項５で決定した乾燥回転数の条件ＩＶに固定した条件下で、レジスト液の濃度（粘度）を段階的に変化させて得られる複数の条件でレジストを塗布した複数の試料を作製し、
各試料のレジスト膜厚を、基板内の所望の有効領域内で複数点測定して得られるレジスト膜厚の平均値を求めることによって、各試料のレジスト液の濃度（粘度）と、各試料のレジスト膜厚の平均値との関係を求め、これを基準データＣ’とし、
所望のレジスト平均膜厚を得るためのレジスト液の濃度（粘度）の条件Ｖ’を、前記基準データＣ’から決定し、
このレジスト液の濃度（粘度）の条件Ｖ’に従ってレジスト塗布を行うことを特徴とする回転塗布方法。
【請求項８】
基板上にレジスト液を滴下し、所定の主回転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、レジスト膜厚を主に均一化させる均一化工程と、前記均一化工程の後、所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転させ、前記均一化されたレジストを主に乾燥させる乾燥工程と、を有する回転塗布方法であって、
まず、請求項１又は２記載の主回転条件の決定方法によって主回転数及び主回転時間の条件Ｉに選択固定し、
次いで、請求項５記載の乾燥回転条件の決定方法によって乾燥回転数の条件ＩＶに選択固定し、
次いで、請求項７記載のレジスト濃度（粘度）の決定方法によってレジスト液の濃度（粘度）の条件Ｖ’に選択固定し、
これらの条件Ｉ、条件ＩＶ及び条件Ｖ’に従ってレジスト塗布を行うことを特徴とする回転塗布方法。
【請求項９】
請求項４記載の回転塗布方法において、前記乾燥回転数の条件ＩＩＩを、前記複数の基準データ群又は等高線図群又は鳥瞰図群から決定するに際し、
実際の塗布プロセスにおける主回転数及び／又は主回転時間の設定値に対する変動、又は所望のレジスト平均膜厚を得るためのレジスト濃度（粘度）の変動に対し、面内膜厚均一性の変動が小さく安定となる乾燥回転数の条件を選択して、レジスト塗布を行うことを特徴とする回転塗布方法。
【請求項１０】
請求項４記載の回転塗布方法において、前記乾燥回転数の条件ＩＩＩを、前記複数の基準データ群又は等高線図群又は鳥瞰図群から決定するに際し、
同じレジスト濃度（粘度）のレジストを用いて複数の膜厚を塗布した場合、一定の面内膜厚均一性の範囲で複数の膜厚を塗布可能な乾燥回転数の条件ＩＩＩを選択して複数の膜厚のレジスト塗布を行うことを特徴とする回転塗布方法。
【請求項１１】
前記基板は方形状基板であることを特徴とする請求項１〜１０の何れかに記載の回転塗布方法。
【請求項１２】
前記請求項１〜７に記載の回転塗布方法において求めた少なくとも一の基準データに基づいて回転塗布条件を決定することを特徴とする回転塗布条件決定方法。
【請求項１３】
遮光機能を有する遮光機能層及び／又は位相シフト層を少なくとも有する基板上に、前記請求項１〜１１に記載の回転塗布方法によってレジスト膜を形成したことを特徴とするマスクブランク。
【請求項１４】
基板上に少なくともレジスト膜が形成されたマスクブランクの製造方法であって、
基板上にレジスト液を滴下し、
所定の主回転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、
レジストの膜厚を主として均一化させる均一化処理と、
所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転させ、
均一化されたレジストを主として乾燥させる乾燥処理と、を有する
回転塗布によるレジスト膜の形成工程を含むマスクブランクの製造方法において、
任意の濃度のレジスト液と、任意の乾燥回転数を選択し、
該選択されたレジスト液と、該選択された乾燥回転数の条件の下で、
予め、複数の主回転数と複数の主回転時間の組み合せからなる均一化処理の処理条件と、
形成されたレジスト膜の基板面内における膜厚の均一性を示す膜厚分布との関係を把握  しておき、
この予め把握された関係を基準として、
基板面内で所望の均一な膜厚のレジスト膜が形成される主回転数と主回転時間の組み合  せからなる均一化処理の処理条件を定めておき、
この定められた処理条件で均一化処理を行うことを特徴とする、マスクブランクの製  造方法。
【請求項１５】
基板上に少なくともレジスト膜が形成されたマスクブランクの製造方法であって、
基板上にレジスト液を滴下し、
所定の主回転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、
レジストの膜厚を主として均一化させる均一化処理と、
所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転させ、
均一化されたレジストを主として乾燥させる乾燥処理と、を有する
回転塗布によるレジスト膜の形成工程を含むマスクブランクの製造方法において、
任意の濃度のレジスト液と、任意の乾燥回転数を選択し、
該選択されたレジスト液と、該選択された乾燥回転数の条件の下で、
予め、複数の主回転数と複数の主回転時間の組み合せからなる均一化処理の処理条件と、
形成されたレジスト膜の基板面内における膜厚の均一性を示す膜厚分布との関係を把握  しておき、
この予め把握された関係を基準として、
基板面内で所望の均一な膜厚のレジスト膜が形成される主回転数と主回転時間の組み合  せからなる均一化処理の処理条件を定め、
この定められた均一化処理の処理条件の下で、
乾燥処理の乾燥回転数と、形成されたレジスト膜の基板面内における膜厚の均一性を示  す膜厚分布との関係を把握し、
この予め把握された関係を基準として、
基板面内で所望の均一な膜厚のレジスト膜が形成される乾燥回転数を定め、
前記定められた処理条件で均一化処理を行うとともに、前記定められた乾燥回転数で  乾燥処理を行うことを特徴とする、マスクブランクの製造方法。
【請求項１６】
基板上に少なくともレジスト膜が形成されたマスクブランクの製造方法であって、
基板上にレジスト液を滴下し、
所定の主回転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、
レジストの膜厚を主として均一化させる均一化処理と、
所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転させ、
均一化されたレジストを主として乾燥させる乾燥処理と、を有する
回転塗布によるレジスト膜の形成工程を含むマスクブランクの製造方法において、
任意の濃度のレジスト液と、任意の乾燥回転数を選択し、
該選択されたレジスト液と、該選択された乾燥回転数の条件の下で、
予め、複数の主回転数と複数の主回転時間の組み合せからなる均一化処理の処理条件と、
形成されたレジスト膜の基板面内における膜厚の均一性を示す膜厚分布との関係を把握  しておき、
この予め把握された関係を基準として、
基板面内で所望の均一な膜厚のレジスト膜が形成される主回転数と主回転時間の組み合  せからなる均一化処理の処理条件を定め、
この定められた均一化処理の処理条件の下で、
乾燥処理の乾燥回転数と、形成されたレジスト膜の基板面内における膜厚の均一性を示  す膜厚分布との関係を把握し、
この予め把握された関係を基準として、
基板面内で所望の均一な膜厚のレジスト膜が形成される乾燥回転数を定め、
前記定められた均一化処理の処理条件と、前記定められた乾燥回転数の下で、
レジスト液の濃度と、形成されたレジスト膜の平均膜厚との関係を把握し、
この予め把握された関係を基準として、
所望の平均膜厚を有するレジスト膜が形成されるレジスト液の濃度を定め、
前記定められた濃度のレジスト液を使用し、前記定められた処理条件で均一化処理を  行うとともに、前記定められた乾燥回転数で乾燥処理を行うことを特徴とする、マスク  ブランクの製造方法。
【請求項１７】
基板上に少なくともレジスト膜が形成されたマスクブランクの製造方法であって、
基板上にレジスト液を滴下し、
所定の主回転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、
レジストの膜厚を主として均一化させる均一化処理と、
所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転させ、
均一化されたレジストを主として乾燥させる乾燥処理と、を有する
回転塗布によるレジスト膜の形成工程を含むマスクブランクの製造方法において、
任意の粘度のレジスト液と、任意の乾燥回転数を選択し、
該選択されたレジスト液と、該選択された乾燥回転数の条件の下で、
予め、複数の主回転数と複数の主回転時間の組み合せからなる均一化処理の処理条件と、
形成されたレジスト膜の基板面内における膜厚の均一性を示す膜厚分布との関係を把握  しておき、
この予め把握された関係を基準として、
基板面内で所望の均一な膜厚のレジスト膜が形成される主回転数と主回転時間の組み合  せからなる均一化処理の処理条件を定めておき、
この定められた処理条件で均一化処理を行うことを特徴とする、マスクブランクの製  造方法。
【請求項１８】
基板上に少なくともレジスト膜が形成されたマスクブランクの製造方法であって、
基板上にレジスト液を滴下し、
所定の主回転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、
レジストの膜厚を主として均一化させる均一化処理と、
所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転させ、
均一化されたレジストを主として乾燥させる乾燥処理と、を有する
回転塗布によるレジスト膜の形成工程を含むマスクブランクの製造方法において、
任意の粘度のレジスト液と、任意の乾燥回転数を選択し、
該選択されたレジスト液と、該選択された乾燥回転数の条件の下で、
予め、複数の主回転数と複数の主回転時間の組み合せからなる均一化処理の処理条件と、
形成されたレジスト膜の基板面内における膜厚の均一性を示す膜厚分布との関係を把握  しておき、
この予め把握された関係を基準として、
基板面内で所望の均一な膜厚のレジスト膜が形成される主回転数と主回転時間の組み合  せからなる均一化処理の処理条件を定め、
この定められた均一化処理の処理条件の下で、
乾燥処理の乾燥回転数と、形成されたレジスト膜の基板面内における膜厚の均一性を示  す膜厚分布との関係を把握し、
この予め把握された関係を基準として、
基板面内で所望の均一な膜厚のレジスト膜が形成される乾燥回転数を定め、
前記定められた処理条件で均一化処理を行うとともに、前記定められた乾燥回転数で  乾燥処理を行うことを特徴とする、マスクブランクの製造方法。
【請求項１９】
基板上に少なくともレジスト膜が形成されたマスクブランクの製造方法であって、
基板上にレジスト液を滴下し、
所定の主回転数と所定の主回転時間で基板を回転させ、
レジストの膜厚を主として均一化させる均一化処理と、
所定の乾燥回転数と所定の乾燥回転時間で基板を回転させ、
均一化されたレジストを主として乾燥させる乾燥処理と、を有する
回転塗布によるレジスト膜の形成工程を含むマスクブランクの製造方法において、
任意の粘度のレジスト液と、任意の乾燥回転数を選択し、
該選択されたレジスト液と、該選択された乾燥回転数の条件の下で、
予め、複数の主回転数と複数の主回転時間の組み合せからなる均一化処理の処理条件と、
形成されたレジスト膜の基板面内における膜厚の均一性を示す膜厚分布との関係を把握  しておき、
この予め把握された関係を基準として、
基板面内で所望の均一な膜厚のレジスト膜が形成される主回転数と主回転時間の組み合  せからなる均一化処理の処理条件を定め、
この定められた均一化処理の処理条件の下で、
乾燥処理の乾燥回転数と、形成されたレジスト膜の基板面内における膜厚の均一性を示  す膜厚分布との関係を把握し、
この予め把握された関係を基準として、
基板面内で所望の均一な膜厚のレジスト膜が形成される乾燥回転数を定め、
前記定められた均一化処理の処理条件と、前記定められた乾燥回転数の下で、
レジスト液の粘度と、形成されたレジスト膜の平均膜厚との関係を把握し、
この予め把握された関係を基準として、
所望の平均膜厚を有するレジスト膜が形成されるレジスト液の粘度を定め、
前記定められた粘度のレジスト液を使用し、前記定められた処理条件で均一化処理を  行うとともに、前記定められた乾燥回転数で乾燥処理を行うことを特徴とする、マスク  ブランクの製造方法。