Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月15日(2021.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）であって、
コレクタメサと、
前記コレクタメサ上のベースメサと、
前記ベースメサ上のエミッタメサであって、複数の開口を有するエミッタメサと、
前記ベースメサに接続された前記複数の開口内の複数の卑金属と、
前記エミッタメサの外部に配置され、前記ベースメサに接続された外側卑金属とを備え、
前記複数の開口が前記複数の卑金属用の窓を構成し、
前記エミッタメサの外部に配置され、前記ベースメサに接続された外側卑金属をさらに備え、前記複数の卑金属と前記外側卑金属は電気的に結合され、
前記外側卑金属は、前記エミッタメサを囲むように配置され、
前記外側卑金属は、金属の別の層を通して前記複数の卑金属に接続されている、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）。
【請求項２】
前記エミッタメサに結合されたエミッタ金属をさらに備える請求項１に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）。
【請求項３】
前記コレクタメサに結合されたコレクタ金属をさらに備える請求項１に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）。
【請求項４】
前記複数の開口の各々は同じサイズを有する、請求項１に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）。
【請求項５】
前記複数の開口の各々は方形状である、請求項４に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）。
【請求項６】
前記複数の開口は少なくとも４つである、請求項４に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）。
【請求項７】
前記複数の開口はアレイ状に配置されている、請求項４に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）。
【請求項８】
前記複数の開口は、２×２アレイ、３×３アレイ、または３×１アレイとして配置されている、請求項７に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）。
【請求項９】
前記複数の開口の各々は六角形状である、請求項４に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）。
【請求項１０】
前記複数の卑金属の各々は六角形状である、請求項９に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）。
【請求項１１】
前記エミッタメサと前記複数の卑金属との間の間隔は、使用されるプロセス技術によって許容される最小サイズである、請求項１に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）。
【請求項１２】
前記ベースメサの面積の前記エミッタメサの面積に対する比は１．８未満である、請求項１に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）。
【請求項１３】
ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）を製造するための方法であって、
コレクタメサスタックと、ベースメサスタックと、エミッタメサスタックとを備えるウエハを準備するステップと、
前記エミッタメサスタックをパターニングして複数の開口を有するエミッタメサを形成するステップと、
前記ベースメサスタックに接続された前記複数の開口内に複数の卑金属を設けるステップと、
前記ベースメサスタックをパターニングしてベースメサを形成するステップと、
前記エミッタメサの外部に配置され、前記ベースメサに接続された外側卑金属を設けるステップとを含み、
前記複数の開口が前記複数の卑金属用の窓を構成し、
前記複数の卑金属と前記外側卑金属が電気的に結合され、
前記外側卑金属は、前記エミッタメサを囲むように配置され、
前記外側卑金属は、金属の別の層を通して前記複数の卑金属に接続される、方法。
【請求項１４】
前記複数の開口の各々は同じサイズを有し、
前記複数の開口が２×２アレイ、３×３アレイまたは３×１アレイとして配置されるか、または、前記エミッタメサが４つ以上の開口を有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ベースメサの面積の前記エミッタメサの面積に対する比は１．８未満である、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月3日(2020.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザであって、
１つまたは複数の半導体チップ（１−１）と、レーザ光共鳴キャビティと、速相軸コリメート素子（ＦＡＣ）とを備え、
各前記半導体チップ（１−１）の発光ユニット（１−１１）の利得領域（１−１１Ａ）の、遅相軸方向に沿う全長は、１ｍｍ〜１０ｃｍであり、
前記レーザ光共鳴キャビティは、前記発光ユニット（１−１１）の利得領域（１−１１Ａ）の遅相軸方向におけるサイズが基本モードスポット半径ω０にマッチングするように、前記発光ユニット（１−１１）から発された半導体レーザ光を調整して共鳴させ、
前記速相軸コリメート素子（ＦＡＣ）は、前記レーザ光共鳴キャビティ内に設けられ、前記発光ユニット（１−１１）から発されたレーザ光を速相軸方向においてコリメートすることを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】
前記発光ユニット（１−１１）の利得領域（１−１１Ａ）の遅相軸方向におけるサイズが基本モードスポット半径ω０にマッチングするとは、
単一の前記発光ユニット（１−１１）から発された光の遅相軸に沿う長さと利得領域（１−１１Ａ）の遅相軸方向における基本モードスポット直径２ω０の投影値との比が１〜４であることを指すことを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項３】
前記速相軸コリメート素子（ＦＡＣ）は、前記発光ユニット（１−１１）の前端面からｆＦＡＣだけ離れた位置に設けられ、前記利得領域（１−１１Ａ）の速相軸方向に沿う焦点距離がｆＦＡＣであり、前記利得領域（１−１１Ａ）の遅相軸方向に沿う焦点距離が∞であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項４】
前記半導体チップの発光ユニットのリッジストライブ幅は、１〜２ｍｍであり、前記レーザ光共鳴キャビティは、遅相軸方向において安定キャビティであることを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の半導体レーザ。
【請求項５】
前記レーザ光共鳴キャビティは、第１キャビティ鏡（２）と第１出力結合鏡（３）とを備え、
前記第１キャビティ鏡（２）は、その表面に入射されたレーザ光を前記半導体チップ（１−１）へ反射し、前記第１出力結合鏡（３）を介して出力することを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザ。
【請求項６】
前記半導体チップ（１−１）の発光ユニット（１−１１）のリッジストライブ幅は、２〜５ｍｍであり、前記レーザ光共鳴キャビティは、遅相軸方向において非安定キャビティであることを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の半導体レーザ。
【請求項７】
前記レーザ光共鳴キャビティは、第２キャビティ鏡（５）と、第３キャビティ鏡（６）と、第２出力結合鏡（７）とを備え、
前記第２キャビティ鏡（５）は、その表面に入射されたレーザ光を前記半導体チップ（１−１）へ反射し、
前記第２出力結合鏡（７）の中心には、空洞が開設され、前記第２出力結合鏡（７）は、その表面に入射されたレーザ光を反射して出力し、
前記第３キャビティ鏡（６）は、前記空洞を通過したレーザ光を前記半導体チップ（１−１）へ反射することを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザ。
【請求項８】
前記複数の半導体チップ（１−１）は、速相軸方向に垂直となるように配列し、遅相軸方向に互いに平行することを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の半導体レーザ。
【請求項９】
前記複数の前記半導体チップ（１−１）の発光ユニット（１−１１）のリッジストライブ幅は、１〜２ｍｍであり、前記レーザ光共鳴キャビティは、遅相軸方向において安定キャビティであることを特徴とする請求項８に記載の半導体レーザ。
【請求項１０】
前記レーザ光共鳴キャビティは、第４キャビティ鏡（８）と第３出力結合鏡（９）とを備え、
前記第４キャビティ鏡（８）は、その表面に入射されたレーザ光を前記半導体チップ（１−１）へ反射し、前記第３出力結合鏡（９）を介して出力することを特徴とする請求項９に記載の半導体レーザ。
【請求項１１】
前記複数の半導体チップ（１−１）のうちの各半導体チップ（１−１）の発光ユニット（１−１１）のリッジストライブ幅は、２〜５ｍｍであり、前記レーザ光共鳴キャビティは、遅相軸方向において非安定キャビティであることを特徴とする請求項８に記載の半導体レーザ。
【請求項１２】
前記レーザ光共鳴キャビティは、第５キャビティ鏡（１０）と、第６キャビティ鏡（１１）と第４出力結合鏡（１２）とを備え、
前記第５キャビティ鏡は、その表面に入射されたレーザ光を前記半導体チップ（１−１）へ反射し、
前記第４出力結合鏡（１２）の中心には、空洞が開設され、前記第４出力結合鏡（１２）は、その表面に入射されたレーザ光を反射して出力し、
前記第６キャビティ鏡（１１）は、前記空洞を通過したレーザ光を前記半導体チップ（１−１）へ反射することを特徴とする請求項１１に記載の半導体レーザ。
【請求項１３】
前記レーザ光共鳴キャビティは、更に、前記複数の半導体チップ（１−１）から発されたレーザ光を調整して速相軸方向においてスペクトル合成を行わせることを特徴とする請求項８に記載の半導体レーザ。
【請求項１４】
レーザ光共鳴キャビティは、シリンドリカル変換レンズ（Ｆ）と回折光学素子（ＤＯＥ）を更に備え、
前記シリンドリカル変換レンズ（Ｆ）は、速相軸方向において所定焦点距離ｆが設定され、遅相軸方向における焦点距離が∞であり、
前記利得領域（１−１１Ａ）と回折光学素子（ＤＯＥ）は、シリンドリカル変換レンズ（Ｆ）の２つの焦点にそれぞれ設けられていることを特徴とする請求項１３に記載の半導体レーザ。
【請求項１５】
前記半導体チップ（１−１）の下に設けられて前記半導体チップ（１−１）を放熱させるためのヒートシンク（１３）を更に備えることを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の半導体レーザ。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月8日(2021.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを製造する方法であって、
基板を用意し、該基板は、
第１のゲートオールアラウンド（ＧＡＡ）トランジスタのチャネルを形成するための第１の積層フィン構造であって、当該第１の積層フィン構造の側面に第１のチャネル材料及び第１の犠牲材料が露出されるように、第１の犠牲材料の上部と下部との間に設けられた初期体積の第１のチャネル材料を有する第１の積層フィン構造と、
第２のＧＡＡトランジスタのチャネルを形成するための第２の積層フィン構造であって、当該第２の積層フィン構造の側面に第２のチャネル材料及び第２の犠牲材料が露出されるように、第２の犠牲材料の上部と下部との間に設けられた初期体積の第２のチャネル材料を有する第２の積層フィン構造と、
を有し、
前記第１の積層フィン構造の側壁をマスクし、
前記マスクした後に、前記初期体積の前記第２のチャネル材料を、前記第２のＧＡＡトランジスタの所定の遅延に対応するトリミング済み体積までトリミングするよう、前記第２の積層フィン構造をエッチングすることにより、前記初期体積の前記第２のチャネル材料を、前記初期体積の前記第１のチャネル材料に対して、前記第１のＧＡＡトランジスタの遅延に対応する所定量だけ縮小させ、そして、
前記第１のチャネル材料及び前記第２のチャネル材料の周囲にそれぞれ第１及び第２のＧＡＡゲート構造を形成する、
ことを有する方法。
【請求項２】
前記第２の積層フィン構造は、共通のベースフィン構造内で前記第１の積層フィン構造の上に積層される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のチャネル材料は、前記第２のチャネル材料の化学組成と同じ化学組成を持つ、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
当該方法は更に、前記第１の積層フィン構造と前記第２の積層フィン構造との間に、所定厚さの犠牲分離材料を設けることを有し、前記所定厚さは、前記第１の積層フィン構造をマスクするためのプロセス許容度を提供するように選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記犠牲分離材料の前記所定厚さは１０ｎｍよりも大きい、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１のチャネル材料は、前記第２のチャネル材料の化学組成とは異なる化学組成を持ち、
前記縮小させることは、前記第１及び第２の積層フィン構造を、前記第１のチャネル材料に対して前記第２のチャネル材料を選択的にエッチングする等方性エッチングプロセスにさらすことを有する、
請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の積層フィン構造は、第１のベースフィン構造内に設けられ、前記第２の積層フィン構造は、前記基板の平坦な表面に沿って前記第１のベースフィン構造から横方向に離間された第２のベースフィン構造内に設けられる、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記縮小させることは、
前記第１のベースフィン構造をマスクし、
前記初期体積の前記第２のチャネル材料を縮小させるように前記第２のベースフィン構造をエッチングする、
ことを有する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の積層フィン構造は、共通のベースフィン構造内で前記第２の積層フィン構造の上に積層される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の積層フィン構造は、共通のベースフィン構造内で前記第２の積層フィン構造の上に積層され、
前記第１の積層フィン構造は、角度付けた堆積を用いたマスク材料の堆積によってマスクされる、
請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
少なくとも１つの隣接したマスク構造を更に有し、
前記少なくとも１つの隣接したマスク構造の陰が、前記角度付けた堆積中に、前記第２の積層フィン構造上への前記マスク材料の堆積を防止する、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
半導体デバイスを製造する方法であって、
基板を用意し、該基板は、
第１のゲートオールアラウンド（ＧＡＡ）トランジスタのチャネルを形成するための第１の積層フィン構造であって、当該第１の積層フィン構造の側面に第１のチャネル材料及び第１の犠牲材料が露出されるように、第１の犠牲材料の上部と下部との間に設けられた初期体積の第１のチャネル材料を有する第１の積層フィン構造と、
第２のＧＡＡトランジスタのチャネルを形成するための第２の積層フィン構造であって、当該第２の積層フィン構造の側面に第２のチャネル材料及び第２の犠牲材料が露出されるように、第２の犠牲材料の上部と下部との間に設けられた初期体積の第２のチャネル材料を有する第２の積層フィン構造と、
を有し、
前記第１の積層フィン構造の側壁をマスクし、
前記マスクした後に、前記初期体積の前記第２のチャネル材料を、前記第２のＧＡＡトランジスタの所定の遅延に対応するトリミング済み体積までトリミングするよう、前記第２の積層フィン構造をエッチングすることにより、前記初期体積の前記第２のチャネル材料を、前記初期体積の前記第１のチャネル材料に対して、前記第１のＧＡＡトランジスタの閾値電圧に対応する所定量だけ縮小させ、そして、
前記第１のチャネル材料及び前記第２のチャネル材料の周囲にそれぞれ第１及び第２のＧＡＡゲート構造を形成する、
ことを有する方法。
【請求項１３】
前記第２の積層フィン構造は、共通のベースフィン構造内で前記第１の積層フィン構造の上に積層される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
当該方法は更に、前記第１の積層フィン構造と前記第２の積層フィン構造との間に、所定厚さの犠牲分離材料を設けることを有し、前記所定厚さは、前記第１の積層フィン構造をマスクするためのプロセス許容度を提供するように選択される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１の積層フィン構造は、共通のベースフィン構造内で前記第２の積層フィン構造の上に積層され、
前記第１の積層フィン構造は、角度付けた堆積を用いたマスク材料の堆積によってマスクされる、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
少なくとも１つの隣接したマスク構造を更に有し、
前記少なくとも１つの隣接したマスク構造の陰が、前記角度付けた堆積中に、前記第２の積層フィン構造上への前記マスク材料の堆積を防止する、
請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月4日(2020.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
添付図面は、本発明の異なる実施形態を明確にし、説明することを意図している。
【図１】本発明による通信装置の実施形態の一部を示す概略斜視図である。
【図２】図１の実施形態の一部を示す概略斜視図である。
【図３ａ】図１の実施形態の３つの給電素子及び基板の周囲の側部の概略斜視図である。
【図３ｂ】図３ａの２つの給電素子及び周囲の側部の上面図である。
【図３ｃ】図１の実施形態の３つの給電素子及び周囲の側部の別の斜視図である。
【図３ｄ】基板上の給電素子及び給電線の代替構成の断面斜視図である。
【図３ｅ】図３ｄの構成の断面斜視図である。
【図３ｆ】図３ｄの構成の断面図である。
【図４】基板を示す概略斜視図である。
【図５】例示の目的で要素が省かれた、図１の実施形態の一部を示す概略斜視図である。
【図６】例示の目的で要素が省かれた、図１の実施形態の裏側の一部の概略斜視図である。
【図７】本発明による通信装置の第２実施形態の一部を示す概略斜視図である。
【図８】図７の実施形態のいくつかの壁の概略図である。
【図９】本発明による複数のモジュールを有する通信装置の実施形態の概略図である。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月8日(2021.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
免疫機能に関連していないがその欠損が炎症および／もしくは免疫反応に関連している遺伝子により引き起こされ、デュシェンヌ型筋ジストロフィー（ＤＭＤ）、嚢胞性線維症、ライソゾーム病、およびα１−アンチトリプシン欠損症から選択される単一遺伝子疾患、ならびに／または、
免疫系に関与しておりその欠損が炎症および／もしくは自己免疫反応をもたらす遺伝子により引き起こされ、ＩＰＥＸ症候群、ＡＰＥＣＥＤ（自己免疫性多腺性内分泌不全症・カンジダ症・外胚葉ジストロフィー）、Ｂ細胞の原発性免疫不全、Ｍｕｃｋｌｅ−Ｗｅｌｌｓ症候群、混合型自己炎症性および自己免疫性症候群、ＮＬＲＰ１２関連の遺伝性周期性発熱症候群、および腫瘍壊死因子受容体１関連周期性症候群から選択される単一遺伝子疾患
を含む群から選択される単一遺伝子疾患の予防および／または処置のための、抗ＣＤ４５ＲＣ抗体を含む医薬組成物。
【請求項２】
前記抗ＣＤ４５ＲＣ抗体がモノクローナル抗体である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記抗ＣＤ４５ＲＣ抗体が抗ヒトＣＤ４５ＲＣモノクローナル抗体である、請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記抗ＣＤ４５ＲＣ抗体がキメラ抗体、二重特異性抗体、ヒト化抗体、または完全にヒトの抗体である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項５】
単一遺伝子疾患の予防および／または処置が、前記単一遺伝子疾患に関連する症状または兆候の低減、軽減、緩和、および／または阻害を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
単一遺伝子疾患の予防および／または処置が、自己免疫性および／または炎症性の症状または兆候の低減、軽減、緩和、および／または阻害を含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記単一遺伝子疾患に関連する症状または兆候が、体重減少、脱力、疲労、微熱、筋肉もしくは関節の疼痛、下痢、糖尿病、ホルモン変化、脱毛症、皮膚色素脱失、およびリンパ球浸潤物を伴う異なる組織の組織構造の悪化、を含む群から選択される、請求項５または６に記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記単一遺伝子疾患に関連する症状または兆候が、ＣＤ４５ＲＣ＋細胞の頻度の増加、ＣＤ４５ＲＣ−細胞の頻度の減少、ＣＤ４＋およびＣＤ８＋のＴエフェクター細胞の頻度の増加、ならびにＦｏｘＰ３＋  Ｔｒｅｇの減少を含む群から選択される、請求項５〜７のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記抗ＣＤ４５ＲＣ抗体が、Ｔ  ＣＤ４５ＲＣｈｉｇｈ細胞を枯渇させる、請求項１〜８のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記抗ＣＤ４５ＲＣ抗体が、ＣＤＲ４５ＲＣに対する第１の抗原結合部位と、直接的な結合、抗体依存性細胞傷害（ＡＤＣＣ）、補体依存性細胞傷害（ＣＤＣ）、および／または抗体依存性貪食作用を介してＴ  ＣＤ４５ＲＣｈｉｇｈ細胞の枯渇を媒介できるエフェクター細胞に対する少なくとも１つの第２の抗原結合部位と、を含む多重特異性抗体である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記抗ＣＤ４５ＲＣ抗体が、細胞傷害性部分にコンジュゲートされている、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
免疫抑制薬および／または抗炎症薬と併用して投与される、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
遺伝子療法または細胞療法と併用して投与される、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
前記遺伝子療法または細胞療法が、前記医薬組成物の投与の前または後に行われる、請求項１３に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
前記遺伝子療法または細胞療法が、前記医薬組成物の投与の前に行われる、請求項１３または１４に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
前記単一遺伝子疾患が、ＤＭＤ、嚢胞性線維症、リソソーム蓄積症、およびα１−アンチトリプシン欠損症を含む群から選択される、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１７】
前記単一遺伝子疾患がＤＭＤである、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１８】
前記単一遺伝子疾患が、ＩＰＥＸ、ＡＰＥＣＥＤ、Ｂ細胞の原発性免疫不全、Ｍｕｃｋｌｅ−Ｗｅｌｌｓ症候群、混合型自己炎症性および自己免疫性症候群、ＮＬＲＰ１２関連の遺伝性周期性発熱症候群、ならびに腫瘍壊死因子受容体１関連周期性症候群を含む群から選択される、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項１９】
前記単一遺伝子疾患がＡＰＥＣＥＤである、請求項１〜１５または１８のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項２０】
（ｉ）免疫機能に関連していないがその欠損が炎症および／もしくは免疫反応に関連している遺伝子により引き起こされる、または（ｉｉ）免疫系に関与しておりその欠損が炎症および／もしくは自己免疫反応をもたらす遺伝子により引き起こされる、単一遺伝子疾患に関連する症状または兆候の低減、軽減、緩和、および／または阻害のための、抗ＣＤ４５ＲＣ抗体を含む医薬組成物。
【請求項２１】
前記単一遺伝子疾患に関連する症状または兆候が、体重減少、脱力、疲労、微熱、筋肉もしくは関節の疼痛、下痢、糖尿病、ホルモン変化、脱毛症、皮膚色素脱失、およびリンパ球浸潤物を伴う異なる組織の組織構造の悪化、を含む群から選択される、請求項２０に記載の医薬組成物。
【請求項２２】
前記単一遺伝子疾患に関連する症状または兆候が、ＣＤ４５ＲＣ＋細胞の頻度の増加、ＣＤ４５ＲＣ−細胞の頻度の減少、ＣＤ４＋およびＣＤ８＋のＴエフェクター細胞の頻度の増加、ならびにＦｏｘＰ３＋  Ｔｒｅｇの減少を含む群から選択される、請求項２０または２１に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月19日(2021.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリシロキサンベースのＵＶフィルタ、ヒドロキシアセトフェノン、及びパンテノールを含む局所組成物。
【請求項２】
前記ポリシロキサンベースのＵＶフィルタは、ベンザルマロネート型の発色基を有する、請求項１に記載の局所組成物。
【請求項３】
前記ポリシロキサンベースのＵＶフィルタは、式Ｉａ又はＩｂによる化合物であり、
【化１】
2021506761.tif 000001
Ｘは、Ｒ又はＡであり、
Ａは、式ＩＩａ、ＩＩｂ、又はＩＩｃから選択され、
【化２】
2021506761.tif 000002
Ｒは、水素、Ｃ１〜６−アルキル、又はフェニルであり、
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ、独立して、水素、ヒドロキシ、Ｃ１〜６−アルキル、又はＣ１〜６−アルコキシであり、
Ｒ３は、Ｃ１〜６−アルキルであり、
Ｒ４は、水素又はＣ１〜６−アルキルであり、
Ｒ５及びＲ６は、それぞれ、独立して、水素又はＣ１〜６−アルキルであり、
ｒは、０〜２５０であり、
ｓは、０〜２０であり、
ｒ＋ｓは、少なくとも３であり、
ｔは、０〜１０であり、
ｖは、０〜１０であり、
ｖ＋ｔは、少なくとも３であり、
ｎは、１〜６である
ただし、ｓが０である場合、少なくとも１つのＸはＡであることを条件とする、請求項１又は２に記載の局所組成物。
【請求項４】
前記ポリシロキサンベースのＵＶフィルタは、ポリシリコーン−１５である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の局所組成物。
【請求項５】
前記ヒドロキシアセトフェノンは、ｐ−ヒドロキシアセトフェノンである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の局所組成物。
【請求項６】
前記ポリシロキサンベースのＵＶフィルタの量は、前記組成物の総重量に基づいて、範囲０．１〜１５重量％から選択される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の局所組成物。
【請求項７】
パンテノールは、前記組成物の総重量に基づいて、０．００１〜１０重量％の範囲から選択される量で使用される、請求項１〜６のいずれか一項に記載の局所組成物。
【請求項８】
ヒドロキシアセトフェノンは、前記組成物の総重量に基づいて、０．００１〜５重量％の範囲から選択される量で使用される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の局所組成物。
【請求項９】
オクトクリレン、サリチル酸エチルヘキシル、及びブチルメトキシジベンゾイルメタン並びにその混合物からなる群から選択される少なくとも１つの追加のＵＶフィルタを含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の局所組成物。
【請求項１０】
前記組成物が、Ｏ／Ｗ乳化剤の存在下において水性相中に分散した油性相を含む水中油型（Ｏ／Ｗ）エマルションの形態をしている、請求項１〜９のいずれか一項に記載の局所組成物。
【請求項１１】
前記Ｏ／Ｗ乳化剤は、セチルリン酸カリウムである、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の局所組成物。
【請求項１２】
日焼け止めとしての請求項１〜１１のいずれか一項に記載の局所組成物の使用。
【請求項１３】
皮膚のべた付き及び／又は皮膚への砂の付着を低下させるための請求項１〜１１のいずれか一項において定義されるパンテノール、ヒドロキシアセトフェノン、及びポリシロキサンベースのＵＶフィルタの使用。
【請求項１４】
局所組成物が塗布された皮膚のべた付き及び／又は皮膚への砂の付着を低下させるための方法であって、前記局所組成物の中に、請求項１〜１１のいずれか一項において定義されるパンテノール、ヒドロキシアセトフェノン、及びポリシロキサンベースのＵＶフィルタを組み込むステップを包含する方法。
【請求項１５】
パンテノールは、前記組成物の総重量に基づいて、０．００１〜１０重量％の範囲から選択される量で使用される、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月11日(2021.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボディトリートメント組成物を調製するための少なくとも２種のベース液を含むキットであって、各ベース液が、アニオン性界面活性剤、両性界面活性剤および非イオン性界面活性剤からなる界面活性剤混合物を少なくとも１０重量％含むキット。
【請求項２】
各ベース液が、アルキルエーテル硫酸塩、アルキルアミドアルキルベタインおよびアルカミドモノエタノールアミンからなる界面活性剤混合物を少なくとも１０重量％含む、請求項１に記載のキット。
【請求項３】
いずれの場合もベース液の総量に基づき、アルキルエーテル硫酸塩の量が７〜１５重量％であり、アルキルアミドアルキルベタインの量が１．５〜４重量％であり、アルカミドモノエタノールアミンの量が１〜２重量％である、請求項１または２に記載のキット。
【請求項４】
界面活性剤混合物がラウリルエーテル硫酸ナトリウム（ＩＮＣＩ：ラウレス硫酸ナトリウム）、コカミドプロピルベタイン（ＩＮＣＩ：コカミドプロピルベタイン）およびＮ−（ヒドロキシエチル）ココナッツ脂肪酸アミド（ＩＮＣＩ：コカミドモノエタノールアミン）を含む、請求項１〜３のいずれかに記載のキット。
【請求項５】
少なくとも１種のベース液が、ジアルキルスルホコハク酸塩およびジアルキルメチルスルホコハク酸塩から選択される物質をさらに含む、請求項１〜４のいずれかに記載のキット。
【請求項６】
前記物質がジオクチルスルホコハク酸ナトリウム（ＩＮＣＩ：ジエチルヘキシルスルホコハク酸ナトリウム）である、請求項５に記載のキット。
【請求項７】
少なくとも１種のベース液が、ＩＮＣＩ名が「グアーヒドロキシプロピルトリモニウムクロリド」である、１．９〜２．４％の窒素含量および／または１５，０００〜２５，０００ダルトンの範囲のモル質量平均値を有する物質をさらに含む、請求項１〜６のいずれかに記載のキット。
【請求項８】
少なくとも４種の、より好ましくは少なくとも８種の、最も好ましくは少なくとも１０種のベース流体を含む、請求項１〜７のいずれかに記載のキット。
【請求項９】
ベース液が、５，０００ｍＰａｓ（ブルックフィールドＤＶ２＋、スピンドル５、２０ｒｐｍ、２０℃および６０秒）以上の粘度を有する、請求項１〜８のいずれかに記載のキット。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載のキットを含む、液体混合物を製造するための混合デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
様々な実施形態において、ベース液は、５，０００ｍＰａｓ（ブルックフィールドＤＶ２＋、スピンドル５、２０ｒｐｍ、２０℃および６０秒）以上の粘度を有する。ベース液はそれぞれ、５，０００〜２０，０００ＭＰａｓの範囲の粘度を有することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月19日(2021.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パンテノール、微粒子化されたＵＶフィルター、及びポリシロキサン系ＵＶフィルターを含む局所組成物であって、前記局所組成物中のパンテノールの量が、前記ポリシロキサン系ＵＶフィルターの量及び／又は前記微粒子化されたＵＶフィルターの量と比べて少なくとも等しい（又はそれより多い）ことを特徴とする局所組成物。
【請求項２】
前記微粒子化されたＵＶフィルターが、光散乱により測定される２００ｎｍ未満の平均粒径分布Ｄｖ５０を有する、請求項１に記載の局所組成物。
【請求項３】
前記微粒子化されたＵＶフィルターが微粒子化された不溶性有機ＵＶフィルターである、請求項１又は２に記載の局所組成物。
【請求項４】
前記微粒子化されたＵＶフィルターが、微粒子化されたＵＶフィルターの粒子を含む水性分散液として使用される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の局所組成物。
【請求項５】
前記微粒子化されたＵＶフィルターを含む前記水性分散液が、Ｃ８〜１６アルキルポリグルコシドをさらに含む、請求項４に記載の局所組成物。
【請求項６】
前記微粒子化されたＵＶフィルターが、メチレンビスベンゾトリアゾリルテトラメチルブチルフェノール又はトリスビフェニルトリアジンである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の局所組成物。
【請求項７】
前記ポリシロキサン系ＵＶフィルターが、式Ｉａ又はＩｂによる化合物である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の局所組成物：
【化１】
2021506840.tif 000001
（式中、
Ｘは、Ｒ又はＡであり；
Ａは、式ＩＩａ、ＩＩｂ、又はＩＩｃから選択され：
【化２】
2021506840.tif 000002
；
Ｒは、水素、Ｃ１〜６−アルキル、又はフェニルであり；
Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素、ヒドロキシ、Ｃ１〜６−アルキル、又はＣ１〜６−アルコキシであり；
Ｒ３はＣ１〜６−アルキルであり；
Ｒ４は、水素又はＣ１〜６−アルキルであり；
Ｒ５及びＲ６は、それぞれ独立に、水素又はＣ１〜６−アルキルであり；
ｒは０〜２５０であり；
ｓは０〜２０であり；
ｒ＋ｓは少なくとも３であり；
ｔは０〜１０であり；
ｖは０〜１０であり；
ｖ＋ｔは少なくとも３であり；且つ
ｎは１〜６であり；
但し、ｓが０である場合、少なくとも１つのＸがＡであることを条件とする）。
【請求項８】
前記ポリシロキサン系ＵＶフィルターがポリシリコーン−１５である、請求項１〜７のいずれか一項に記載の局所組成物。
【請求項９】
前記微粒子化されたＵＶフィルター（実際の量に基づく）が、前記組成物の総重量に対して、０．１〜９重量％の範囲で選択される量で、前記局所組成物中に存在する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の局所組成物。
【請求項１０】
パンテノールが、前記組成物の総重量に対して、０．１〜１０重量％の範囲で選択される量で、前記局所組成物中に存在する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の局所組成物。
【請求項１１】
前記ポリシロキサン系ＵＶフィルターが、前記組成物の総重量に対して、０．１〜９重量％の範囲で選択される量で、前記局所組成物中に存在する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の局所組成物。
【請求項１２】
前記組成物が、Ｏ／Ｗ乳化剤の存在下で水相に分散された油相を含む水中油型（Ｏ／Ｗ）エマルションの形態である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の局所組成物。
【請求項１３】
前記局所組成物が、ブチルメトキシジベンゾイルメタン、オクトクリレン、及びサリチル酸エチルヘキシルをさらに含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の局所組成物。
【請求項１４】
ガラス又はプラスチック表面への局所組成物の移行を減少させるための、パンテノール、微粒子化されたＵＶフィルター、及びポリシロキサン系ＵＶフィルターの前記局所組成物中での使用。
【請求項１５】
特にガラス又はプラスチック表面などの表面への脂肪及び／又は油の移行を減少させる方法であって、パンテノール、微粒子化されたＵＶフィルター、及びポリシロキサン系ＵＶフィルターの、そのような脂肪及び油を含む局所組成物への添加を包含する方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月18日(2021.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パンテノール、ヒドロキシアセトフェノン、及び微粒子化されたＵＶフィルターを含む局所組成物であって、リン酸エステル乳化剤の存在下で水層に分散された油相を含む水中油型（Ｏ／Ｗ）エマルションであることを特徴とする局所組成物。
【請求項２】
前記微粒子化されたＵＶフィルターが、光散乱により測定される２００ｎｍ未満の平均粒径分布Ｄｖ５０を有する、請求項１に記載の局所組成物。
【請求項３】
前記微粒子化されたＵＶフィルターが微粒子化された不溶性有機ＵＶフィルターである、請求項１又は２に記載の局所組成物。
【請求項４】
前記微粒子化されたＵＶフィルターが、微粒子化されたＵＶフィルターの粒子を含む水性分散液として使用される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の局所組成物。
【請求項５】
前記微粒子化されたＵＶフィルターを含む前記水性分散液が、Ｃ８〜１６アルキルポリグルコシドをさらに含む、請求項４に記載の局所組成物。
【請求項６】
前記微粒子化されたＵＶフィルターが、メチレンビスベンゾトリアゾリルテトラメチルブチルフェノール又はトリスビフェニルトリアジンである、請求項１〜５のいずれか一項に記載の局所組成物。
【請求項７】
前記ヒドロキシアセトフェノンがｐ−ヒドロキシアセトフェノンである、請求項１〜６のいずれか一項に記載の局所組成物。
【請求項８】
前記微粒子化されたＵＶフィルター（実際の量に基づく）が、前記組成物の総重量に対して、０．１〜２０重量％の範囲で選択される量で使用される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の局所組成物。
【請求項９】
パンテノールが、前記組成物の総重量に対して、０．００１〜１０重量％の範囲で選択される量で使用される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の局所組成物。
【請求項１０】
前記ヒドロキシアセトフェノンが、前記組成物の総重量に対して、０．００１〜５重量％の範囲で選択される量で使用される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の局所組成物。
【請求項１１】
Ｏ／Ｗ乳化剤がセチルリン酸カリウムである、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の局所組成物。
【請求項１２】
ブチルメトキシジベンゾイルメタン、オクトクリレン、及びサリチル酸エチルヘキシルをさらに含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の局所組成物。
【請求項１３】
ガラス又はプラスチック表面への局所組成物の移行を減少させるための、微粒子化されたＵＶフィルター、パンテノール、及びヒドロキシアセトフェノンの前記局所組成物中での使用の方法。
【請求項１４】
局所組成物中に含まれている脂肪及び油の表面への移行を減少させるための、微粒子化されたＵＶフィルター、パンテノール、及びヒドロキシアセトフェノンの使用。
【請求項１５】
特にガラス又はプラスチック表面などの表面への脂肪及び／又は油の移行を減少させる方法であって、微粒子化されたＵＶフィルター、パンテノール、及びヒドロキシアセトフェノンの、そのような脂肪及び油を含む局所組成物への添加を包含する方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月22日(2021.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
特定の実施形態では、任意選択で上記又は下記の任意の実施形態と組み合わせて、本発明の混合ワクチンの不活性化マイコプラズマ・ハイオニューモニエ細胞は、Ｌａｂｏｒａｔｏｒｉｏｓ  ＨＩＰＲＡ、Ｓ．Ａ．によってＬｅｉｂｎｉｚ−Ｉｎｓｔｉｔｕｔ  Ｄｅｕｔｓｃｈｅ  Ｓａｍｍｌｕｎｇ  ｖｏｎ  Ｍｉｋｒｏｏｒｇａｎｉｓｍｅｎ  ｕｎｄ  Ｚｅｌｌｋｕｌｔｕｒｅｎ（ＤＳＭＺ）に寄託された（そして申請者ＨＩＰＲＡに移された）Ｍｈｙｏの変異株に由来し、受託番号ＤＳＭ  ２６０２０のＭｈｙｏの変異株、受託番号ＤＳＭ２６０３４のＭｈｙｏの変異株、受託番号ＤＳＭ  ２６０２７のＭｈｙｏの変異株、及び受託番号ＤＳＭ２６０３３のＭｈｙｏの変異株から選択される。これらすべての変異株は、２０１２年５月２９日にＤＳＭＺに寄託された。これらは生存が宣言された。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月15日(2021.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのエラストマー化合物から生成されてトレッド（７）の半径方向内側に配置された環状補強構造（１０）を含み、該環状補強構造（１０）が、層として配置された複数の補強ストリップ（１２、１４）を含み、各層の前記補強ストリップ（１２、１４）が、実質的に周方向に並置して配置され、前記補強ストリップが、エラストマー組成物（１３）で被覆され、前記環状補強構造（１０）が、少なくとも３つの層の補強ストリップ（１２、１４）を含む非空気式ホイール（１）であって、
各補強ストリップ（１２、１４）は、少なくとも２つの複合層の積層体で形成され、前記積層体の積層された複合層のそれぞれが、ポリマーマトリクスに被覆された繊維（１５、１５’、１５’’）を含み、該繊維（１５、１５’、１５’’）は、相互に平行に向けられ、かつ、前記周方向と角度αを成し、前記角度αの値は、少なくとも前記角度αのうちの１つに対して非ゼロ値であり、
前記角度αの限界値が、−９０°及び＋９０°である、
ことを特徴とする非空気式ホイール（１）。
【請求項２】
２つの隣接する複合層の前記角度αは、反対符号を有することを特徴とする請求項１に記載の非空気式ホイール（１）。
【請求項３】
前記積層体のそれぞれは、
前記周方向との前記角度αが０°である相互に平行に向けられた繊維（１５）を有するｎ層の内部複合層であって、ｎが、１よりも大きいか又はそれに等しく、好ましくは１から２０の範囲にある数であり、これらのｎ層の内部複合層が、互いに並置され、かつ、ｍ層の外部複合層によってそれぞれ各側で接している前記ｎ層の内部複合層と、
前記周方向との０°以外の角度αを形成する相互に平行に向けられた繊維（１５’、１５’’）を有する各外部複合層であって、ｍが１〜８の範囲にあり、前記内部複合層の各側に１つかつ対称に敷設された２つの外部複合層の前記繊維（１５’、１５’’）の前記角度αが同一である前記外部複合層と、
を含む、
ことを特徴とする請求項１及び請求項２のいずれかに記載の非空気式ホイール（１）。
【請求項４】
前記積層体は、
前記周方向との前記角度が０°である相互に平行に向けられた繊維（１５）を有するｎ層の内部複合層であって、ｎが、３よりも大きいか又はそれに等しく、好ましくは３から２０の範囲であり、これらの内部複合層が、互いに並置され、かつｍ層の外部複合層によってそれぞれ各側で接しているｎ層の内部複合層と、
外部複合層であって、各外部複合層が前記周方向との０°以外の角度αを形成する相互に平行に向けられた繊維（１５’、１５’’）を有し、ｍが、１から８の範囲にあり、前記内部複合層の各側に１つかつ対称に敷設された２つの外部複合層の前記繊維（１５’、１５’’）の前記角度αが、絶対値で同一であるが反対符号のものである外部複合層と、
を含む、
ことを特徴とする請求項１及び請求項２のいずれかに記載の非空気式ホイール（１）。
【請求項５】
前記補強ストリップは、少なくとも３つの複合層の積層体で作られ、各複合層が、ポリマーマトリクスに被覆されて前記周方向との角度αを形成する相互に平行に向けられた高弾性率繊維を含むことを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の非空気式ホイール（１）。
【請求項６】
各補強ストリップ（１４）は、少なくとも３つの複合層の積層体で作られ、各複合層が、相互に平行に向けられた高弾性率繊維（１５、１５’、１５’’）を備え、前記高弾性率繊維（１５、１５’、１５’’）は、５５ＧＰａよりも大きいか又はそれに等しい伸張率を有し、向けられた前記高弾性率繊維（１５、１５’、１５’’）は、ポリマーマトリクスに被覆されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の非空気式ホイール（１）。
【請求項７】
補強ストリップ（１４）の各層が、架橋された時に１０ＭＰａよりも大きいか又はそれに等しい１０％伸長での割線引張係数を有するゴム組成物のマトリクスに埋め込まれることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の非空気式ホイール（１）。
【請求項８】
前記層の数ｎは、１から１２、好ましくは１から６の範囲にあることを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の非空気式ホイール（１）。
【請求項９】
ｎ及びｍが１に等しいことを特徴とする請求項３又は請求項４に記載の非空気式ホイール（１）。
【請求項１０】
前記外部複合層の前記繊維（１５、１５’、１５’’）の前記角度αは、４５°に又は−４５°に等しいことを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の非空気式ホイール（１）。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月8日(2021.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも三つの車輪を備える傾斜モータサイクル（４）であって、
前方キャリッジフレーム（８）と、
ローリング運動学的機構（１６）によって互いにおよび前記前方キャリッジフレーム（８）に運動学的に連結された一対の前輪（１２、１４）と、
操舵およびローリング運動時に前記前方キャリッジフレームに対して固定されている、光線（Ｆ）を照射するのに適した少なくとも一つの前照灯（２０）と、
前記ローリング運動学的機構（１６）の回転角度を測定するのに適しており、前記回転角度は、前記一対の前輪（１２、１４）のローリング角度に対応する、測定手段（４０）と、
前記少なくとも一つの前照灯（２０）によって生成された前記光線（Ｆ）の方向および／または形状を調整する手段（８８）であって、前記測定手段（４０）によって測定された回転の値に基づいて前記光線（Ｆ）の前記方向および／または形状を変更するために前記測定手段（４０）に動作可能に接続されている、前記光線（Ｆ）の方向および／または形状を調整する手段（８８）とを備える、少なくとも三つの車輪を備える傾斜モータサイクル（４）。
【請求項２】
前記ローリング運動学的機構（１６）は、二つの上側横断部品（２４）および下側横断部品（２８）、並びに前記上側横断部品（２４）および前記下側横断部品（２８）にヒンジ連結された二つの側方垂直材（３２、３６）を備える関節接合された四辺形構造であり、前記前輪（１２、１４）のローリングおよび操舵を可能にする、請求項１に記載の傾斜モータサイクル（４）。
【請求項３】
前記回転角度は、
上側横断部品（２４）若しくは下側横断部品（２８）または側方垂直材（３２、３６）と、前記前方キャリッジフレーム（８）の固定部材、
上側横断部品（２４）または下側横断部品（２８）と、側方垂直材（３２、３６）、
前記一対の前輪（１２、１４）、または
それらの組み合わせ、
の間で測定された相対角度である、請求項２に記載の傾斜モータサイクル（４）。
【請求項４】
前記下側横断部品（２８）または前記上側横断部品（２４）の少なくとも一つは、ディスク部（４４）と一体的に結合され、前記測定手段（４０）は、前記前方キャリッジフレーム（８）の固定点に対する前記ディスク部（４４）の印（５２）の回転角度を測定する回転センサ（４８）を備える、請求項２または請求項３に記載の傾斜モータサイクル（４）。
【請求項５】
前記前方キャリッジフレーム（８）の前記固定点は、中心線に沿って前記上側横断部品（２４）または前記下側横断部品（２８）を回転自在に支持する中心垂直材（５６）である、請求項４に記載の傾斜モータサイクル（４）。
【請求項６】
前記ディスク部（４４）は、前記関節接合された四辺形の回転を妨げるように選択的に動作可能である、ブロック手段（６０）と結合されている、請求項４または請求項５に記載の傾斜モータサイクル（４）。
【請求項７】
前記測定手段（４０）は、上側横断部品（２４）または下側横断部品（２８）と垂直材（３２、３６）との間の相対的回転を測定する回転センサ（４８）を備える、請求項２から請求項６のいずれか一項に記載の傾斜モータサイクル（４）。
【請求項８】
前記回転センサ（４８）は、前記上側横断部品（２４）または前記下側横断部品（２８）と前記垂直材（３２、３６）を連結する側方ローリングヒンジ（６４）に配置されている、請求項７に記載の傾斜モータサイクル（４）。
【請求項９】
前記測定手段（４０）は、前記一対の前輪（１２、１４）の間の回転を測定する回転センサ（４８）を備える、請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の傾斜モータサイクル（４）。
【請求項１０】
前記傾斜モータサイクルは、ハンドルバー（７６）に連結された、中心ロッド（７２）を備える操舵装置（６８）、およびそれぞれ対応する前輪（１２、１４）に連結されている一対の伝達装置（７８、８０）を備え、前記回転センサ（４８）は、前記前輪（１２、１４）の前記伝達装置（７８、８０）の回転を測定する、請求項９に記載の傾斜モータサイクル（４）。
【請求項１１】
前記中心ロッド（７２）は、中心ローリングヒンジ（６４）によって前記ハンドルバー（７６）に連結され、前記測定手段（４０）は、前記中心ローリングヒンジ（６４）を中心とする前記中心ロッド（７２）の回転を測定する、請求項１０に記載の傾斜モータサイクル（４）。
【請求項１２】
前記光線（Ｆ）の方向および／または形状を調整する前記手段（８８）は、生成された前記光線（Ｆ）の向きを変えるのに適した少なくとも一つの可動部材（９２）を備え、特に前記可動部材（９２）は、
前記光線（Ｆ）の反射部材、
前記光線（Ｆ）に対して少なくとも部分的に不透明な部材、
の中から選択される、請求項１から請求項１１のいずれか一項に記載の傾斜モータサイクル（４）。
【請求項１３】
前記光線（Ｆ）の方向および／または形状を調整する前記手段（８８）は、前記測定手段（４０）によって測定された回転値に基づいて、前記少なくとも一つの前照灯（２０）の光源の点灯／消灯を制御するように構成されている、請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の傾斜モータサイクル（４）。
【請求項１４】
前記光線（Ｆ）の方向および／または形状を調整する前記手段（８８）は、前記測定手段（４０）によって測定された傾斜値に基づいて、前記少なくとも一つの前照灯（２０）の光源の光強度を調整するように構成されている、請求項１から請求項１３のいずれか一項に記載の傾斜モータサイクル（４）。
【請求項１５】
前記光源は、前記前照灯（２０）の前方の異なる領域を照らすように構成されている、請求項１３または請求項１４に記載の傾斜モータサイクル（４）。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月5日(2021.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成物に基づくマトリックス（３８）及び少なくとも１つの補強要素（３６）を含み、前記補強要素は前記マトリックス（３８）に埋め込まれている、補強された製品（３４）を製造するための方法であって、
・−  融点Ｔ１を示す少なくとも１つの化合物Ａ１、及び
−  融点Ｔ２を示す少なくとも１つの化合物Ａ２
を含む混合物を含む前記組成物を製造する工程を、温度Ｔｍにて少なくとも前記化合物Ａ１及び少なくとも前記化合物Ａ２を混合することにより実施し、
−  Ａ２がＡ１に溶解し、液体状態の前記組成物が得られるように、Ｔ１≦Ｔｍ＜Ｔ２であり、
・次いで、補強要素（３６）を、液体状態の前記組成物に浸漬し、
・次いで、温度Ｔｎから加熱することにより前記化合物Ａ１が前記化合物Ａ２と反応して樹脂を形成するため、前記組成物を少なくとも前記温度Ｔｎに加熱することにより、少なくとも前記化合物Ａ１及び少なくとも前記化合物Ａ２に基づく樹脂を架橋する工程を実施し、前記補強要素（３６）が埋め込まれている前記マトリックス（３８）が形成されるようにＴ１≦Ｔｍ＜Ｔｎである
ことを特徴とする方法。
【請求項２】
組成物に基づくマトリックス（３８）及び少なくとも１つの補強要素（３６）を含み、前記補強要素は前記マトリックス（３８）に埋め込まれている、補強された製品（３４）を製造するための方法であって、
・−  融点Ｔ３を示す少なくとも１つの化合物Ａ３、
−  融点Ｔ４を示す少なくとも１つの化合物Ａ４、及び
−  融点Ｔ５を示す少なくとも１つの化合物Ａ５
を含む混合物を含む前記組成物を製造する工程を、温度Ｔｍにて少なくとも前記化合物Ａ３、Ａ４及びＡ５を混合することにより実施し、
前記化合物Ａ３、Ａ５、Ａ４の少なくとも１つ又は２つを、それぞれ化合物Ａ３、Ａ５、Ａ４の少なくとも他の２つ又は別の１つに溶解して、液体状態の前記組成物を得るために、Ｔｍｉｎ≦Ｔｍ＜Ｔｍａｘであり、
−  Ｔｍｉｎは、Ｔ３、Ｔ４、及びＴ５の中で最も低い温度であり、
−  Ｔｍａｘは、Ｔ３、Ｔ４、及びＴ５の中で最も高い温度であり、
−  Ｔｉｎｔは、Ｔｍｉｎ≦Ｔｉｎｔ≦Ｔｍａｘになるような、Ｔ３、Ｔ４、及びＴ５の中の温度であり、
・次いで、前記補強要素（３６）を、液体状態の前記組成物に浸漬し、
・次いで、温度Ｔｎから加熱することにより前記化合物Ａ３、Ａ４、及びＡ５が共に反応して樹脂を形成するため、前記組成物を少なくとも前記温度Ｔｎに加熱することにより、少なくとも前記化合物Ａ３、Ａ４、及びＡ５に基づく樹脂を架橋する工程を実施し、前記補強要素（３６）が埋め込まれている前記マトリックス（３８）が形成されるようにＴｍｉｎ≦Ｔｍ＜Ｔｎである
ことを特徴とする方法。
【請求項３】
組成物に基づくマトリックス（３８）及び少なくとも１つの補強要素（３６）を含み、前記補強要素は前記マトリックス（３８）に埋め込まれている、補強された製品（３４）を製造するための方法であって、
・−  融点Ｔ３を示す少なくとも１つの化合物Ａ３、
−  融点Ｔ４を示す少なくとも１つの化合物Ａ４、
−  融点Ｔ５を示す少なくとも１つの化合物Ａ５、
−  融点Ｔ６を示す少なくとも１つの化合物Ａ６
を含む混合物を含む前記組成物を製造する工程を、温度Ｔｍにて少なくとも前記化合物Ａ３、Ａ４、Ａ５、及びＡ６を混合することにより実施し、
前記化合物Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６の１つ、２つ、又は３つを、それぞれ前記化合物Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６の３つ、２つ、又は別の１つに溶解して、液体状態の前記組成物を得るために、Ｔｍｉｎ≦Ｔｍ＜Ｔｍａｘであり、
−  Ｔｍｉｎは、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、及びＴ６の中で最も低い温度であり、
−  Ｔｍａｘは、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、及びＴ６の中で最も高い温度であり、
−  Ｔｉｎｔ１は、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、及びＴ６の中の温度であり、
−  Ｔｉｎｔ２は、Ｔ３、Ｔ４、Ｔ５、及びＴ６の中の温度であり、Ｔｍｉｎ≦Ｔｉｎｔ１≦Ｔｉｎｔ２≦Ｔｍａｘであり、
・次いで、前記補強要素（３６）を、液体状態の前記組成物に浸漬し、
・次いで、前記化合物Ａ３、Ａ４、Ａ５、及びＡ６は、温度Ｔｎから加熱することにより共に反応して樹脂を形成するため、前記組成物を少なくとも前記温度Ｔｎに加熱することにより、少なくとも前記化合物Ａ３、Ａ４、Ａ５、及びＡ６に基づく樹脂を架橋する工程を実施し、前記補強要素（３６）が埋め込まれている前記マトリックス（３８）が形成されるようにＴｍｉｎ≦Ｔｍ＜Ｔｎである
ことを特徴とする方法。
【請求項４】
Ｔｎ−Ｔｍ≧５℃である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
Ｔｎ−Ｔｍ≦１００℃である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記樹脂を架橋する工程の後、前記樹脂を最終架橋する工程が、Ｔｎ＜Ｔｐである温度Ｔｐに加熱することにより実施される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記温度Ｔｐ≦２００℃である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記化合物Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６の少なくとも１つは、
・少なくとも２つの官能基を含み、これら官能基の一方はヒドロキシメチル官能基であり、他方はアルデヒド官能基又はヒドロキシメチル官能基である化合物Ａ１１、又は
・少なくとも１つのアルデヒド官能基を含む化合物Ａ１２、又は
・化合物Ａ１１及び化合物Ａ１２の混合物
から選択される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
マトリックス（３８）及び少なくとも１つの補強要素（３６）を含み、前記補強要素は前記マトリックス（３８）に埋め込まれており、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法により得ることが可能である、補強された製品（３４）。
【請求項１０】
請求項９に記載の少なくとも１つの補強された製品（３４）を含むタイヤ（１）。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月22日(2020.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面を有するポリウレタン又はポリイソシアヌレート発泡体と、アルミニウム表面材カバーと、前記発泡体の前記主表面と前記アルミニウム表面材との間に取り付けられたプライマー層と、を含む物品であって、
（Ａ）前記プライマー層が、前記プライマー層中に臭素濃度を有し、プライマー成分と臭素化成分とを含み、前記プライマー成分と前記臭素化成分が同じ又は異なる成分であり；
（Ｂ）前記プライマー層に塩素化成分が含まれておらず；
（Ｃ）前記ポリウレタン又はポリイソシアヌレート発泡体と前記表面材との間に、繊維マット、繊維生地、及び分散繊維の形態の繊維が存在しないことを特徴とする、物品。
【請求項２】
前記プライマー層中の臭素の前記濃度が、前記プライマー成分と前記臭素化成分の固形分の合計重量に対して３０重量パーセントより大きい、請求項１に記載の物品。
【請求項３】
前記プライマー層が摂氏７０度以上のガラス転移温度を有する、請求項１に記載の物品。