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【手続補正書】
【提出日】平成16年4月26日(2004.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の入力ポートから入力される多重化電気信号を複数チャネルのデータ信号に分離するとともに、前記多重化電気信号からクロック信号を生成し、前記分離された複数チャネルのデータ信号及びクロック信号を第１の出力ポートに送出する受信回路部と、
前記受信回路部で分離された複数チャネルのデータ信号の一部を取り出すループバック経路と、
前記ループバック経路を介して帰還された前記分離された複数チャネルのデータ信号と、第２の入力ポートから入力される複数チャネルのデータ信号とを受け、切替ポートから供給される選択信号に基づいて、前記ループバック経路及び前記第２の入力ポートのいずれか一方からの複数チャネルのデータ信号を選択するセレクタと、
前記セレクタから出力された複数チャネルの電気信号を時分割多重化して多重化電気信号を第２の出力ポートに送出する送信回路部と、
を同一基板上に形成してなることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
前記第２の入力ポートは基準クロック入力ポートを含み、
前記受信回路部で生成されたクロック信号を取り出す他のループバック経路と、
前記他のループバック経路を介して帰還された前記クロック信号と、前記基準クロック入力ポートから入力される基準クロック信号とを受け、前記切替ポートから供給される選択信号に基づいて、前記他のループバック経路又は前記基準クロック入力ポートの何れか一方からのクロック信号を選択する他のセレクタと、
を有することを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項３】
前記送信回路部は、
前記他のセレクタからのクロック信号に基づいて動作クロック信号を生成するクロック生成回路と、
前記第２の入力ポートから入力される複数チャネルの電気信号の時間変化タイミングのばらつきを吸収するため、前記クロック生成回路で生成された動作クロック信号に同期化して動作するように配置されたファーストイン・ファーストアウト方式のバッファと、
前記バッファにおいて前記動作クロック信号に同期化された複数チャネルの電気信号を時分割多重化するマルチプレクサと、
を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体集積回路。
【請求項４】
前記第１の出力ポートと前記受信回路部との間に接続された出力バッファと、
前記第２の入力ポートと前記送信回路部との間に接続された入力バッファと、を有し、
前記２つのループバック経路は、ともに前記出力バッファと前記受信回路部との間の点と前記入力バッファと前記送信回路部との間の点とを接続するように設けられていることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の半導体集積回路。
【請求項５】
光ファイバからの多重化光信号を多重化電気信号に変換する光／電気変換部と、
第１の入力ポートから入力される多重化電気信号を複数チャネルのデータ信号に分離するとともに、前記多重化電気信号からクロック信号を生成し、前記分離された複数チャネルのデータ信号及びクロック信号を第１の出力ポートに送出する受信回路部と、前記受信回路部で分離された複数チャネルのデータ信号の一部を取り出すループバック経路と、前記ループバック経路を介して帰還された前記分離された複数チャネルのデータ信号と、第２の入力ポートから入力される複数チャネルのデータ信号とを受け、切替ポートから供給される選択信号に基づいて、前記ループバック経路又は前記第２の入力ポートのいずれか一方からの複数チャネルのデータ信号を選択するセレクタと、前記セレクタから出力された複数チャネルのデータ信号を時分割多重化して多重化電気信号を第２の出力ポートに送出する送信回路部と、を同一基板上に形成してなる半導体集積回路と、
前記半導体集積回路の前記第２の出力ポートからの前記多重化電気信号を多重化光信号に変換する電気／光変換部と、
を有することを特徴とする光通信モジュール。
【請求項６】
多重化電気信号を入力される第１の入力ポートと、
複数チャネルのデータ信号を入力される複数個の第２の入力ポートと、
選択信号を供給される切替ポートと、
前記第１の入力ポートから入力された多重化電気信号を分離して複数チャネルのデータ信号を生成する受信回路部と、
前記受信回路部により生成された複数チャネルのデータ信号を送出するための複数個の第１の出力ポートと、
一端が前記受信回路部の出力に結合されたループバック経路と、
前記切替ポートから供給される前記選択信号に基づいて制御されるように配置され、前記複数個の第２の入力ポートから入力される複数チャネルのデータ信号と、前記ループバック経路の他端に接続されて前記受信回路部により生成された複数チャネルのデータ信号とを受け、常時は前記複数個の第２の入力ポートからの複数チャネルのデータ信号を選択し、前記切替ポートを介して前記選択信号を受けたときは前記受信回路部により生成された複数チャネルのデータ信号を選択するセレクタと、
前記セレクタから出力された複数チャネルのデータ信号を多重化して多重化電気信号を生成する送信回路部と、
前記送信回路部により生成された多重化電気信号を送出するための第２の出力ポートと、
を同一基板上に形成してなることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項７】
多重化光信号を多重化電気信号に変換する装置と、
前記多重化電気信号を入力される第１の入力ポートと、
複数チャネルのデータ信号を入力される複数個の第２の入力ポートと、
選択信号を供給される切替ポートと、
前記第１の入力ポートから入力された多重化電気信号を分離して複数チャネルのデータ信号を生成する受信回路部と、
前記受信回路部により生成された複数チャネルのデータ信号を送出するための複数個の第１の出力ポートと、
一端が前記受信回路部の出力に結合されたループバック経路と、
前記切替ポートから供給される前記選択信号に基づいて制御されるように配置され、前記複数個の第２の入力ポートから入力される複数チャネルのデータ信号と、前記ループバック経路の他端に接続されて前記受信回路部により生成された複数チャネルのデータ信号とを受け、常時は前記複数個の第２の入力ポートからの複数チャネルのデータ信号を選択し、前記切替ポートを介して前記選択信号を受けたときは前記受信回路部により生成された複数チャネルのデータ信号を選択するセレクタと、
前記セレクタから出力された複数チャネルのデータ信号を多重化して多重化電気信号を生成する送信回路部と、
前記送信回路部により生成された多重化電気信号を送出するための第２の出力ポートと、
を同一基板上に形成してなるトランシーバと、
前記トランシーバの第２の出力ポートから送出される前記多重化電気信号を多重化光信号に変換する装置と、
を有することを特徴とする光通信モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月26日(2004.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像入力装置及び画像出力装置あるいはそれらのいずれかと情報の通信が可能な画像処理装置であって、
画像処理を伴う所定の動作が指定された際に、前記所定の動作で使用する画像入力装置及び画像出力装置あるいはそのいずれかを決定する決定手段と、
前記決定手段により決定された装置から、画像処理プログラムを前記画像処理装置にロードする手段と、
前記決定手段により決定された前記装置を使用して画像の入出力を行うと共に、前記ロードされた画像処理プログラムにより画像処理を行う画像処理手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
画像入力装置及び画像出力装置あるいはそれらのいずれかと情報の通信が可能な画像処理装置であって、
画像処理を伴う所定の動作が指定された際に、前記所定の動作で使用する画像入力装置及び画像出力装置あるいはそのいずれかを決定する決定手段と、
前記画像入力装置及び画像出力装置あるいはその組合せに対応して構成された画像処理プログラムを格納する格納手段と、
前記決定手段により決定された装置を使用して画像の入出力を行う際に、前記決定された装置に対応する画像処理プログラムを前記格納手段から読み出し、前記画像に対して前記画像処理プログラムを用いた画像処理を行う画像処理手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項３】
サーバと、画像入力装置及び画像出力装置あるいはそれらのいずれかと情報の通信が可能な画像処理装置であって、
画像処理を伴う所定の動作が指定された際に、前記所定の動作で使用する画像入力装置及び画像出力装置あるいはそのいずれかを決定する決定手段と、
前記決定手段により決定された装置に対応して構成された画像処理プログラムを前記サーバから前記画像処理装置にロードする手段と、
前記決定手段により決定された前記装置を使用して画像の入出力を行うと共に、前記ロードされた画像処理プログラムにより画像処理を行う画像処理手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項４】
前記画像入力装置及び画像出力装置あるいはその組合せに対応して構成された画像処理プログラムを格納する格納手段と、
前記ロードされた画像処理プログラムと、前記決定手段により決定された前記装置に対応する、前記格納手段に格納された画像処理プログラムとの、いずれが適当か判定する判定手段とを更に備え、
前記判定手段により前記格納手段に格納された画像処理プログラムの方が適当であると判定された場合、前記ロードされた前記画像処理プログラムに替えて、前記格納手段に格納された画像処理プログラムを使用することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
画像入力装置及び画像出力装置あるいはそれらのいずれかと情報の通信が可能な画像処理装置の制御方法であって、
画像処理を伴う所定の動作が指定された際に、前記所定の動作で使用する画像入力装置及び画像出力装置あるいはそのいずれかを決定する決定工程と、
前記決定工程により決定された装置から、画像処理プログラムを前記画像処理装置にロードする工程と、
前記決定工程により決定された前記装置を使用して画像の入出力を行うと共に、前記ロードされた画像処理プログラムにより画像処理を行う画像処理工程と
を備えることを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項６】
画像入力装置及び画像出力装置あるいはそれらのいずれかと情報の通信が可能な画像処理装置の制御方法であって、
画像処理を伴う所定の動作が指定された際に、前記所定の動作で使用する画像入力装置及び画像出力装置あるいはそのいずれかを決定する決定工程と、
前記決定工程により決定された装置を使用して画像の入出力を行う際に、前記画像入力装置及び画像出力装置あるいはその組合せに対応して構成された画像処理プログラムを格納した格納手段から、前記決定された装置に対応する画像処理プログラムを読み出し、前記画像に対して前記画像処理プログラムを用いた画像処理を行う画像処理工程と
を備えることを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項７】
サーバと、画像入力装置及び画像出力装置あるいはそれらのいずれかと情報の通信が可能な画像処理装置の制御方法であって、
画像処理を伴う所定の動作が指定された際に、前記所定の動作で使用する画像入力装置及び画像出力装置あるいはそのいずれかを決定する決定工程と、
前記決定工程により決定された装置に対応して構成された画像処理プログラムを前記サーバから前記画像処理装置にロードする工程と、
前記決定工程により決定された前記装置を使用して画像の入出力を行うと共に、前記ロードされた画像処理プログラムにより画像処理を行う画像処理工程と
を備えることを特徴とする画像処理装置の制御方法。
【請求項８】
前記画像処理装置は、前記画像入力装置及び画像出力装置あるいはその組合せに応じた画像処理プログラムを格納する格納手段を備えており、
前記ロードされた画像処理プログラムと、前記決定工程により決定された前記装置に対応する、前記格納手段に格納された画像処理プログラムとの、いずれが適当か判定する判定工程とを更に備え、
前記判定工程により前記格納手段に格納された画像処理プログラムの方が適当であると判定された場合、前記ロードされた前記画像処理プログラムに替えて、前記格納手段に格納された画像処理プログラムを使用することを特徴とする請求項１２に記載の画像処理装置の制御方法。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか１項に記載の画像処理装置の制御方法をコンピュータにより実行させるためのコンピュータプログラムを記録したことを特徴とするコンピュータ可読記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、画像処理プログラム自体を画像入力装置あるいは画像出力装置に対応させて作成・変更することは容易であっても、画像処理装置に接続された画像入力装置及び画像出力装置に合わせて、適切な画像処理プログラムを画像処理装置に用意しておく必要があった。このために、接続された画像入力／出力装置に最適な画像処理プログラムを利用者が選択し、それをロードするといった手間が、画像入力／出力装置の使用に際しては不可欠であった。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月20日(2004.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上述の様に構成されるトロイダル型無段変速機の使用時、入力軸１の回転に伴ってカム板１０が回転すると、カム面１３によって複数個のローラ１２、１２が、入力側ディスク２の外側面のカム面１４に押圧される。この結果、上記入力側ディスク２が上記複数のパワーローラ８、８に押圧されると同時に、上記１対のカム面１３、１４と複数個のローラ１２、１２との押し付け合いに基づいて、上記入力側ディスク２が回転する。そして、この入力側ディスク２の回転が、上記複数のパワーローラ８、８を介して出力側ディスク４に伝達され、この出力側ディスク４に固定の出力軸３が回転する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記トロイダル型無段変速機２０を構成するカム板１０は、上記入力軸１７の中間部で出力側端部寄り（図１の右寄り）部分に固定している。又、入力側ディスク２と出力側ディスク４とは、上記入力軸１７の周囲に、ニードル軸受等、図示しない軸受により、この入力軸１７に対し、互いに独立した回転を自在に支持している。そして、上記カム板１０の片面（図１の左面）に形成したカム面１３と入力側ディスク２の外側面に形成したカム面１４との間にローラ１２、１２を挟持し、押圧装置９を構成している。従って、上記入力側ディスク２は上記入力軸１７の回転に伴い、上記出力側ディスク４に向け押圧されつつ回転する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上述の様に構成する本例の無段変速装置の作用は、次の通りである。先ず、低速走行時には、上記低速用クラッチ３６を接続すると共に、上記高速用クラッチ３７及び後退用クラッチ３０の接続を断つ。この状態で上記発進クラッチ１８を接続し、前記入力軸１７を回転させると、トロイダル型無段変速機２０のみが、上記入力軸１７から出力軸１９に動力を伝達する。即ち、低速用クラッチ３６の接続に伴って、前記リング歯車２３とキャリア２６とが一体的に結合され、前記遊星歯車機構２１を構成する各歯車２２、２３、２５ａ、２５ｂ同士の相対回転が不能になる。又、上記高速用クラッチ３７及び後退用クラッチ４０の接続が断たれる事で、上記リング歯車２３は、前記伝達軸３５の回転速度に関係なく回転自在となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
従って、上記高速走行時には、前記トロイダル型無段変速機２０の変速比を減速側に変化させる程、無段変速装置全体の変速比は増速側に変化する。この様な高速走行時の状態では、上記トロイダル型無段変速機２０に、入力側ディスク２からではなく、出力側ディスク４からトルクが加わる（低速時に加わるトルクをプラスのトルクとした場合にマイナスのトルクが加わる）。即ち、前記高速用クラッチ３７を接続した状態では、前記エンジン１５から入力軸１７に伝達されたトルクは、前記押圧装置９が前記入力側ディスク２を押圧する以前に、前記第二の動力伝達装置３１を介して前記遊星歯車機構２１のリング歯車２３に伝達される。従って、入力軸１７の側から上記押圧装置９を介して入力側ディスク２に伝達されるトルクは殆どなくなる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
1998196759.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月12日(2004.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内燃機関を備えた自動車の排気ガスシステムのための触媒コンバータ装置であって、使用中には排気ガスが第１の供給ラインおよび第２の供給ラインの双方を通って触媒コンバータへと案内され、触媒コンバータは第１の流路ラインおよび第２の流路ラインを備えた、ほぼ回転に関して対称であるハニカム状の本体を有し、第１の流路ラインおよび第２の流路ラインは互いに対して少なくともほぼ気密に閉鎖され、その各々はハニカム状の本体の吸気端とハニカム状の本体の排気口とを接続する複数の流路を有し、第１の供給ラインおよび第２の供給ラインはそれぞれ吸気端において第１の流路ラインおよび第２の流路ラインに接続され、第１の流路ラインは第２の流路ラインの内部にほぼ同軸に配置されており、第１の流路ラインおよび第２の流路ラインの流体直径はほぼ等しい、装置。
【請求項２】
第１の流路ラインまたは第２の流路ライン内に配置される、ハニカム状の本体のほとんどすべての流路はほぼ同じ断面を有し、流路ラインの断面領域はほぼ等しい、請求項１に記載の触媒コンバータ装置。
【請求項３】
ハニカム状の本体は吸気端において環状構造にスロットがついており、第１の供給ラインによってほぼ密封性を有する滑り嵌めを形成する、請求項１または請求項２に記載の触媒コンバータ装置。
【請求項４】
ハニカム状の本体は円筒形の内側管を有し、円管形内側管は第２の流路ラインの内部に同軸に配置され第１の流路ラインを囲みハニカム状の本体の端縁同士を接続し吸気端においてハニカム状の本体から突出する端縁を有する、請求項１または請求項２に記載の触媒コンバータ装置。
【請求項５】
ハニカム状の本体の直接上流側にある第１および第２の供給ラインの少なくとも一部分は、円筒形内側管とこれに関して同軸である円筒形外側管とを備えた同軸の管の中を通り、第１の供給ラインは内側管の中を通る、請求項１から請求項４までのいずれかに記載の触媒コンバータ装置。
【請求項６】
第１および第２の供給ラインは各々その一部分にそれぞれ第１および第２の管路部分を有し、第１および第２の管路部分はほぼ同じ断面を有し、第２の供給ラインは第２の遷移部分を有し、第２の遷移部分は第２の管路部分を第２の流路ラインに外部に対して気密な関係で接続し、第１の供給ラインは第１の遷移部分を有し、第１の遷移部分は第１の遷移部分の壁を通って第１の管路部分を第１の流路ラインに外部に対して気密な関係で接続し、かつ第２の供給ラインに対して少なくともほぼ気密な関係で接続する、請求項１から請求項４までのいずれかに記載の触媒コンバータ装置。
【請求項７】
第１および第２の管路部分が共通の外側管内に配置される、請求項６に記載の触媒コンバータ装置。
【請求項８】
ハニカム状の本体は巻付けられたおよび／または積重ねられたシートメタル層を備えた金属のハニカム状の本体であり、シートメタル層のうちの少なくとも一部分は構造化されたシートメタル層であり、そのためシートメタル層の間に流路が形成される、請求項１から請求項７までのいずれかに記載の触媒コンバータ装置。
【請求項９】
内燃機関は４シリンダインライン内燃機関であり、シリンダは連続的にＩからＩＶとして識別され、シリンダＩおよびＩＶは第１の流路ラインに接続され、シリンダＩＩおよびＩＩＩは第２の流路ラインに接続される、請求項１から請求項８までのいずれかに記載の触媒コンバータ装置を備えた排気ガスシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月14日(2005.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パイプの管端を挟持する内径把持体と、外径把持体とを備え、内径把持体及び外径把持体をそれぞれ押圧することによって内径把持体と外径把持体との間隔を狭める押圧手段を備えたことを特徴とするパイプ材把持装置。
【請求項２】
押圧手段を、内径把持体及び外径把持体をそれぞれ個別に押圧するように構成したことを特徴とする請求項１記載のパイプ材把持装置。
【請求項３】
押圧手段を、内径把持体又は外径把持体の一方を押圧することにより、他方が追随して押圧されるように構成したことを特徴とする請求項１記載のパイプ材把持装置。
【請求項４】
パイプの進入を検知する検知機構を備え、該検知機構の印可信号によって前記押圧手段を動作させるようにしたことを特徴とする請求項１、２又は３記載のパイプ材把持装置。
【請求項５】
押圧手段を、中継プッシュロッドを有する接合部材又は内径継手及び外径継手によって接離可能な分割構造としたことを特徴とする請求項１、２、３又は４記載のパイプ材把持装置。
【請求項６】
内径把持体及び／又は外径把持体を、周方向に分割して構成したことを特徴とする請求項１、２、３、４又は５記載のパイプ材把持装置。
【請求項７】
内径把持体及び外径把持体を、有底の筒形状コレットとし、嵌合させた両コレットの底部間に弾性部材を介在させたことを特徴とする請求項１、２、３、４、５又は６記載のパイプ材把持装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月3日(2004.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自転車又はその他の二輪車、又は三輪車、又は四輪自転車の、後部又は前部の荷台又は荷物籠又は陪乗者用座席又はその他の人・物を乗せる部分（以下前記の如き物を「人・物を乗せる部分」と略称する）が、適宜な指示操作に従いモーター又はエンジン又は電気エンジン又は油圧又は空気力又はチェーン又は滑車又はギヤ又は人力又は磁力又はその他の適宜な作動方法又はそれらの組み合わせに依って作動を開始し地表付近に下りる、又適宜な指示操作に従いモーター又はエンジン又は電気エンジン又は油圧又は空気力又はチェーン又は滑車又はギヤ又は人力又は磁力又はその他の適宜な作動方法又はそれらの組み合わせに依って作動を開始し、地表付近に下りていた人・物を乗せる部分が元の位置に戻る、そのような構造の自転車又はその他の二輪車、又は三輪車、又は四輪自転車。
【請求項２】
人・物を乗せる部分が、バネ又はゴム又はその他の弾性具に連結しており、適宜な操作に従い其れら弾性具が伸張又は収縮又は弾む又はその他の弾性活動をする事により、人・物を乗せる部分が地表付近に下りる、又は地表付近に下りていた人・物を乗せる部分が元の位置に戻る、そのような構造の自転車又はその他の二輪車、又は三輪車、又は四輪自転車。
【請求項３】
自転車又はその他の二輪車、又は三輪車、又は四輪自転車の、既に販売済み又は製作済みのものに取り付ける事が出来る、請求項１又は請求項２の如き動きをする、人・物を乗せる部分、の装置のセット。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月13日(2004.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号伝達手段である内側芯線、および該信号伝達手段を覆う保護材である外側被覆（１）を備える、ダクトまたはチューブ中で使用するためのケーブルであって、
該外側被覆（１）が、該被覆（１）の周囲に離間して配置されかつ該ケーブルの長さに沿って延びるリブ（４）をつけて形成されることを特徴とするケーブル。
【請求項２】
各リブ（４）が、断面で見ると、該被覆（１）に結合された第１の端と、やや丸形の第２の自由端とを有し、断面が該第１の端から該第２の端に向かって細くなる、請求項１に記載のケーブル。
【請求項３】
該リブが０．１〜２ｍｍの範囲の高さを有する、請求項１または２に記載のケーブル。
【請求項４】
該被覆の周囲にある該リブの数が、周囲の長さ１ｃｍにつき５〜２０個であり、該ケーブルの外径が１〜３０ｍｍの範囲内である、請求項１から３のいずれか一項に記載のケーブル。
【請求項５】
前記外側被覆（１）が、諸材料からなるいくつかの層から構成され、前記リブ（４）が最も外側の層に設けられ、少なくとも該最も外側の層の材料がポリエチレン（ＰＥ）である、請求項１から４のいずれか一項に記載のケーブル。
【請求項６】
前記被覆（１）の前記最も外側の層が、肉厚が０．１５〜２ｍｍの押し出し成形した層である、請求項１から５のいずれか一項に記載のケーブル。
【請求項７】
ダクトまたはチューブ中にケーブルを設置する方法であって、
（ａ）該ケーブルに沿って延びるリブ（４）をつけたケーブルを提供するステップと、
（ｂ）該リブつきケーブルの一端をダクトまたはチューブ中に導入し、該ケーブルに押力を加えるステップと、
（ｃ）既に導入された該リブつきケーブルに沿って流れるように圧縮空気を該ダクト又はチューブに入れ、該リブつきケーブルをやや持ち上げるとともに該リブの自由端と該ダクト又はチューブの内壁との間の摩擦を低下させるようリブ（４）の間に流路を確保する空気流によって該リブつきケーブルを引き込むステップと、
を含む方法。
【請求項８】
該ケーブルの速度が所望の値となるように、そしてまた該ケーブルが曲がって行き詰まりそうなときに該押力を低く保つために、該ケーブルを前進させる該押力を制御する請求項７記載の方法。
【請求項９】
該リブつきケーブルの速度が、３５００ｍの距離までは２０〜６５ｍ／秒の範囲内である、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
長さが２０００ｍのリブつきケーブルを設置する時間が、３０〜４５分の範囲内である請求項７に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
それと同時に圧縮空気をダクト中に入れ、リブつきケーブルの長さに沿って流しこむ。これにはケーブルを引き込む効果がある。この効果は、ケーブルの表面がリブで大きくなっていることによって高められる。さらに、流動する空気には、リブと、隣接するダクト内壁の間に流路が生じ、下部の流路は上部の流路よりも狭いので下部流路の圧力は上部流路よりも高くなり、流動する空気の速度は下部流路の方が高くなる。これによりケーブルを持ち上げる効果が生じ、したがって、ケーブルと下部のダクト壁との接触面の圧力が低下する。接触圧力が低下すると、ケーブルとダクト壁間の摩擦が低下することになる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月12日(2004.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
ところで、前記凸部１７は、他の部分（可動電極１２）に比べて対向する固定電極４に接近している。このため、静電引力が大きくなって電界が集中する。そして、周囲に有機物等の異物が存在すれば、この異物は電界の集中する凸部１７に引き寄せられて付着する。この場合、凸部１７の高さが変化して動作特性が不安定となる恐れがある。このため、図２に示すように、凸部１７に対向する部分には固定電極４を除去した非電極部１８が形成されている。但し、前記凸部１７を絶縁物、例えば酸化膜で形成すれば、発生する静電引力が抑制されるので、前記非電極部１８は必ずしも必要ではない。また、前記凸部１７を、例えば半円柱状に形成すれば、電界集中を抑制でき、異物を引き寄せにくい構造とすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月27日(2004.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体薄膜トランジスタの製造方法及び電気光学装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、下地保護層として第一の絶縁膜を形成する工程と、
前記下地保護層の上に半導体層を形成する工程と、
非酸化性雰囲気中で前記半導体層の結晶化を行う工程と、
前記半導体層の上にゲート絶縁層として第二の絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層の上にゲート配線層を堆積する工程と、
前記ゲート配線層をパターニングしてゲート配線を形成する工程と、
ゲート絶縁層および半導体層をパターニングして素子分離する工程と
を少なくとも含み、かつ、これらの工程はこの順番に行うことを特徴とする半導体薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記下地保護層の形成工程から前記ゲート配線層の堆積工程まで基板を装置外の雰囲気に触れさせない状態で連続して行うことを特徴とする請求項１記載の半導体薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記半導体層の結晶化はレーザーを照射することにより行うことを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記半導体層の結晶化は、後にトランジスタの能動層となる部分のみを選択的に結晶化することを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記半導体層の結晶化はレーザーを照射することにより行うことを特徴とする請求項４記載の半導体薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法により製造される薄膜トランジスタを含む電気光学装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月3日(2005.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージング装置であって、
基板と、
前記基板上のアモルファス半導体バイポーラ・フォトトランジスタからなるアレイと、
が含まれており、
前記バイポーラ・フォトトランジスタのそれぞれに、複数のアモルファス半導体層が含まれることと、前記複数のアモルファス半導体層に、少なくとも１つのｐ型層と、少なくとも１つのｎ型層が含まれることと、前記フォトトランジスタが受光する光に応答する出力を各前記バイポーラ・フォトトランジスタが有することを特徴とする、
イメージング装置。
【請求項２】
前記バイポーラ・フォトトランジスタがオープン・ベース素子であることと、各前記バイポーラ・フォトトランジスタが電気的に開放されたアモルファス半導体ベース層を備えていることを特徴とする請求項１に記載のイメージング装置。
【請求項３】
各前記バイポーラ・フォトトランジスタに真性コレクタ層が含まれることを特徴とする請求項２に記載のイメージング装置。
【請求項４】
前記電気的に開放されたアモルファス半導体ベース層の少なくとも一部が前記基板と前記真性コレクタ層との間に位置することと、前記アモルファス半導体ベース層がアモルファス・シリコンであることを特徴とする請求項３に記載のイメージング装置。
【請求項５】
さらに、少なくとも部分的に前記基板内に形成されている処理回路要素が含まれることを特徴とする請求項１に記載のイメージング装置。
【請求項６】
各前記バイポーラ・フォトトランジスタが電極によって前記処理回路要素に電気的に結合されることを特徴とする請求項５に記載のイメージング装置。
【請求項７】
各前記バイポーラ・フォトトランジスタが、ｐ型アモルファス半導体ベース層によって真性コレクタ層から間隔をあけて配置されたｎ型アモルファス半導体エミッタ層を備えるオープン・ベースＮＰＮバイポーラ・トランジスタであることを特徴とする請求項１に記載のイメージング装置。
【請求項８】
各前記バイポーラ・フォトトランジスタに、真性コレクタ層と接触した第２のｎ型アモルファス半導体層が含まれており、さらに、透明上部電極が含まれていることを特徴とする請求項７に記載のイメージング装置。
【請求項９】
各前記バイポーラ・フォトトランジスタが、ｎ型アモルファス半導体ベース層によって真性コレクタ層から間隔をあけて配置されたｐ型アモルファス半導体エミッタ層を備えるオープン・ベースＰＮＰバイポーラ・トランジスタであることを特徴とする請求項１に記載のイメージング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月23日(2004.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、入射光を電気信号に変換する光電変換素子と該光電変換素子に対応して設けられたスイッチング素子とからなる画素を、２次元状に複数有してなる画素部と、
前記画素を駆動させるために各画素行の複数の前記スイッチング素子に接続された複数の駆動配線と、前記光電変換素子で発生した電気信号を読み出すために各画素列の複数の前記スイッチング素子に接続された複数の信号配線と、複数の前記光電変換素子に電荷を印加するために複数の前記光電変換素子に接続された複数の共通バイアス配線と、前記基板と前記画素とを覆って設けられた絶縁層と、を有する光検出装置において、
前記信号配線は、前記絶縁層上であって、且つ前記画素列と隣接する画素列との間隙に配置されていることを特徴とする光検出装置。
【請求項２】
前記間隙の間隔は前記信号配線の幅と同一または実質的に同一であることを特徴とする請求項１記載の光検出装置。
【請求項３】
前記間隙の間隔は前記信号配線の幅より狭いことを特徴とする請求項１記載の光検出装置。
【請求項４】
前記絶縁層はベンゾシクロブテンを含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光検出装置。
【請求項５】
前記絶縁層は有機低誘電率絶縁層であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の光検出装置。
【請求項６】
請求項１に記載の光検出装置と、前記光検出装置上に設けられた放射線を光に変換する蛍光体層と、を有する放射線検出装置。
【請求項７】
請求項６に記載の放射線検出装置と、前記放射線検出装置からの信号を処理する信号処理手段と、前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送手段と、放射線を発生させるための放射線源と、を具備することを特徴とする放射線撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を達成するために、本発明にかかる光検出装置は、入射光を電気信号に変換する光電変換素子を含む画素が基板上に複数形成された光検出装置において、前記基板と前記光電変換素子とを覆って形成された絶縁層上であって、且つ隣接する前記光電変換素子の間隙の上に、前記画素に接続された配線が配置されていることを特徴とする。
本発明は、上記課題を解決するための手段として、基板上に、入射光を電気信号に変換する光電変換素子と該光電変換素子に対応して設けられたスイッチング素子とからなる画素を、２次元状に複数有してなる画素部と、前記画素を駆動させるために各画素行の複数の前記スイッチング素子に接続された複数の駆動配線と、前記光電変換素子で発生した電気信号を読み出すために各画素列の複数の前記スイッチング素子に接続された複数の信号配線と、複数の前記光電変換素子に電荷を印加するために複数の前記光電変換素子に接続された複数の共通バイアス配線と、前記基板と前記画素とを覆って設けられた絶縁層と、を有する光検出装置において、前記信号配線は、前記絶縁層上であって、且つ前記画素列と隣接する画素列との間隙に配置されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月25日(2005.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の上方に形成され、第１導電型の不純物を含有する第１のポリシリコン膜と、該第１のポリシリコン膜上に形成された第１のシリサイド膜と、を含む第１の配線と、
前記半導体基板の上方に形成され、前記第１のポリシリコン膜と繋がり第２導電型の不純物を含有する第２のポリシリコン膜と、該第２のポリシリコン膜上に形成された第２のシリサイド膜と、を含む第２の配線と、
前記第１及び第２の配線を覆う絶縁膜と、
前記第１のポリシリコン膜と第２のポリシリコン膜との境界領域に対応した部分を有し、前記絶縁膜内に形成され、前記第１のシリサイド膜と第２のシリサイド膜とに接続された第１の導電接続部と、
前記第１の導電接続部と同一材料で形成され、前記絶縁膜内に前記第１の導電接続部と離間して形成された第２の導電接続部と、
前記絶縁膜上に形成され、前記第２の導電接続部と接続された上層配線と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１及び第２の配線は、ＭＩＳＦＥＴのゲート電極であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
第１及び第２のシリサイド膜は、Ｃｏ，Ｎｉ、Ｐｄの何れか一つ以上含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板の上方にポリシリコン膜を形成する工程と、
前記ポリシリコン膜の第１の領域に第１導電型の不純物を導入し、前記ポリシリコン膜の第２の領域に第２導電型の不純物を導入する工程と、
前記第１及び第２の領域を含む前記ポリシリコン膜上に金属膜を形成する工程と、
前記ポリシリコン膜と前記金属膜を反応させて、前記第１の領域上に第１のシリサイド膜を、前記第２の領域上に第２のシリサイド膜を形成する工程と、
前記第１及び第２のシリサイド膜を覆う絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の領域と第２の領域との境界領域上で前記絶縁膜内に、第１の導電接続部及び該第１の導電接続部と離間して第２の導電接続部を形成し、第１の導電接続部を前記第１のシリサイド膜と第２のシリサイド膜とに接続する工程と、
前記絶縁膜上に上層配線を形成して、該上層配線を前記第２の導電接続部と接続する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月3日(2004.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ツインＭＯＮＯＳセルから構成された不揮発性メモリの消去方法において、
ａ）チャネル領域の第１の側に位置する第１の導電領域を第１の正電圧にバイアスし、
ｂ）チャネル領域の第２の側に位置する第２の導電領域を第２の正電圧にバイアスし、
ｃ）第１導電ゲートを第１の負電圧にバイアスし、
ｄ）第２導電ゲートを前記第１の負電圧にバイアスし、
ｅ）選択ワードラインに接続された第３導電ゲートをゼロまたは第２の負電圧にバイアスし、
ｆ）非選択ワードラインに接続された第３導電ゲートを第４の正電圧にバイアスし、
ｇ）選択ワードラインに接続されたメモリセルの第１導電ゲート下の絶縁膜内に電界を生成することを含む消去方法。
【請求項２】
前記電界は、前記絶縁膜に捕獲された電子を前記チャネル領域へ放出するのに十分な強度である請求項１の消去方法。
【請求項３】
前記電界は、ホールを前記チャネル領域の接合端から前記絶縁膜へ注入するのに十分な強度である請求項１の消去方法。
【請求項４】
前記第１の導電領域が選択セルのビットラインに接続されている請求項１の消去方法。
【請求項５】
前記第２の導電領域が隣接セルのビットラインに接続されている請求項１の消去方法。
【請求項６】
前記第１および第２導電ゲートが制御ゲートである請求項１の消去方法。
【請求項７】
前記第３導電ゲートが、前記第１および第２導電ゲート間で両者から絶縁されたワードゲートである請求項１の消去方法。
【請求項８】
前記選択ワード線に接続された第３導電ゲートを、前記メモリセルのチャネル領域の接合端から前記第２導電ゲート下の絶縁膜内へのホール注入を加速する負電圧にバイアスする請求項１の消去方法。
【請求項９】
前記非選択ワード線に接続された第３導電ゲートを、前記メモリセルのチャネル領域の接合端から前記第２導電ゲート下の絶縁膜内へのホール注入を禁止する正電圧にバイアスする請求項１の消去方法。
【請求項１０】
前記選択ワード線に接続された第３の導電性ゲートを正電圧にバイアスし、前記第１の導電性ゲート下のホールを減少させることによって消去速度を減少させる請求項１の消去方法。
【請求項１１】
前記選択ワード線を負電圧にバイアスし、前記非選択ワード線を正電圧にバイアスすることにより、消去ブロックサイズを前記選択ワード線規模にする請求項１の消去方法。
【請求項１２】
ツインＭＯＮＯＳセルから構成された不揮発性メモリの単一セルの消去方法において、
ａ）消去される選択セルのビット線を第１の正電圧にバイアスし、
ｂ）消去される選択セルの制御ゲートを第１の負電圧にバイアスし、
ｃ）選択ワードラインに接続されたワードゲートを第２の負電圧にバイアスし、
ｄ）非選択ワードラインに接続されたワードゲートを第４の正電圧にバイアスし、
ｅ）前記選択セルの制御ゲート下の絶縁膜内に電界を生成することを含む消去方法。
【請求項１３】
消去阻止されるべきセルのビット線を第２の正電圧にバイアスする請求項１２の消去方法。
【請求項１４】
前記電界は、前記絶縁膜に捕獲された電子を前記選択セルのチャネル領域へ放出するのに十分な強度である請求項１２の消去方法。
【請求項１５】
前記電界は、ホールを前記チャネル領域の接合端から前記絶縁膜へ注入するのに十分な強度である請求項１の消去方法。
【請求項１６】
前記ワードゲートが、前記選択セルの制御ゲートと前記隣接する非選択セルの制御ゲートとの間に配置され、かつ両者から絶縁されている請求項１２の消去方法。
【請求項１７】
非選択ワード線を、当該非選択ワード線に接続されたセルを消去抑制にする第４の正電圧にバイアスする請求項１２の消去方法。
【請求項１８】
前記選択ワード線に接続された非選択セルの制御ゲートを、当該選択ワード線に接続された非選択セルを消去抑制する第３の正電圧にバイアスする請求項１２の消去方法。
【請求項１９】
選択セルのプログラミング時に非選択セルのプログラムディスターブを改善する方法であって、
ａ）選択セル内の左側または右側をプログラミングするように選択するステップと、
ｂ）選択ビット線を第１の正電圧にバイアスするステップと、
ｃ）前記選択ビット線に隣接する、近い方の隣接ビット線をゼロ・ボルトにバイアスするステップと、
ｄ）前記選択セルの遠い側に隣接する、遠い方の隣接ビット線を第２の正電圧にバイアスするステップと、
ｆ）選択ワード線を第３の正電圧にバイアスするステップと、
ｇ）非選択ワード線を負電圧にバイアスするステップと、
ｈ）非選択セルの負のゲート対ソース電圧を確定するステップと、
を備える方法。
【請求項２０】
前記選択ワード線のバイアスが、プログラミング電流を制御するために、ワードゲートしきい電圧よりも高くされる請求項１９の方法。
【請求項２１】
前記非選択ワード線を負電圧にバイアスし、プログラムディスターブが発生する時間を長くすることによってプログラムディスターブを改善する請求項１９の方法。
【請求項２２】
前記選択ワード線を前記第３の正電圧にバイアスし、前記遠い方の隣接ビット線を前記第２の正電圧にバイアスすることによって、前記選択セルの選択されない側をプログラムディスターブから保護する、負のゲート／ソース間電圧を生成する請求項１９の方法。
【請求項２３】
前記非選択セル内における負のゲート／ソース間電圧の生成によりプログラムディスターブを改善する請求項１９の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の半導体層が形成される第一面と入力光を通過させる第二面を持つ基板と、
上記第一の半導体層上に形成された光吸収層と、
上記光吸収層上に形成された第二の半導体層と、
透明膜と金属膜を含み、その透明膜が上記金属膜と上記第二の半導体層間にストライプの間隙を持つように形成された積層反射膜と、
上記透明膜の上記間隙によって仕切られ、上記第二の半導体層と上記金属膜との間に形成された複数の細線状形状の複数のオーミック接続部とを有する半導体受光素子であって、
上記入力光は、順に上記第二面、上記第一面、上記半導体層及び上記光吸収層を通過し上記光吸収層で吸収され、上記光吸収層を通過した光は上記半導体層にいたり、上記金属膜で反射され、上記複数のオーミック接続部のそれぞれの大きさは上記オーミック接続部が反射された入力光が収束されるのを防ぐように構成されることを特徴とする半導体受光素子。
【請求項２】
上記細線状形状の複数のオーミック接続部のそれぞれは上記細線状形状の幅の最大幅が２μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体受光素子。
【請求項３】
上記透明膜は単層の誘電体絶縁膜又は複数の別種の膜を積層した多層の誘電体絶縁膜あることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体受光素子。
【請求項４】
上記透明膜は導電性を有する膜であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体受光素子。
【請求項５】
上記細線状形状の複数のオーミック接続部は同心円である請求項１、２又は３に記載の半導体受光素子。
【請求項６】
半導体受光素子と上記半導体受光素子を搭載する装置基板を持つ半導体装置であって、
上記半導体受光素子は第一の半導体層が形成される第一面と入力光を通過させる第二面を持つ受光素子器基板と、上記第一の半導体層上に形成された光吸収層と、上記光吸収層上に形成された第二の半導体層と、金属薄膜と上記第二の半導体層との間に形成され、その間に形成された細線条間隙で構成された透明フィルムとをもつ積層反射板と、上記第二の半導体層と上記金属薄膜フとの間に形成され、上記透明フィルム内の上記間隙できまる複数の細線オーミック接続部とを有し、
上記入力光は上記第二表面、上記第一表面、上記半導体層及び上記光吸収層を上記光吸収層によって吸収されるように順に通過し、上記光吸収層を通過する光が上記半導体層を通過し、上記金属薄膜によって反射され、上記複数のオーミック接続部のそれぞれのサイズは上記オーミック接続部を反射された入力光を収束するの阻止するように構成された半導体装置。
【請求項７】
上記装置基板に搭載された上記半導体受光素子が光受信機を構成する請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
出力光を上記入力光として上記半導体受光素子に入射するようにした光ファイバが更に上記装置基板に搭載された請求項６記載の半導体装置。
【請求項９】
出力光を上記入力光として上記半導体受光素子に入射するようにした半導体レーザが更に上記装置基板に搭載された請求項６記載の半導体装置。
【請求項１０】
更に出力光を上記入力光として上記半導体受光素子に入射するようにした光ファイバが上記装置基板に搭載され、光を上記光ファイバに向けるようにした半導体レーザが上記装置基板に搭載された請求項7記載の半導体装置。
【請求項１１】
請求項９記載の半導体装置がセラミック又は樹脂でパケージングされた光モジュール。
【請求項１２】
上記半導体受光素子に電気的に接続され、上記装置基板に設けられた電子回路を更に有する請求項１１記載の半導体装置。
【請求項１３】
プリント基板に搭載され、上記半導体受光素子に電気的に接続され光通信装置を構成する電子回路を更に有する請求項１１記載の半導体装置。
【請求項１４】
上記電子回路が前置増幅器及びクロック抽出回路を持つ請求項１３記載の半導体装置。
【請求項１５】
上記細線状形状の複数のオーミック接続部のそれぞれの幅が２μｍ以下である請求項７，９，１０，１１、又は１3のいずれか一つに記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月16日(2004.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浴槽から吸水配管により浴水を吸水して、浄化後出水配管から浴水を再び浴槽に戻す循環路中に、浴槽から浴水を吸水する循環ポンプと、浴水を濾過する濾過タンクと、浴水を加熱する加熱手段とを設けた浴水浄化装置において、前記吸水側の吸水配管から循環ポンプにより吸水して濾過タンクと、浴水を加熱する加熱手段とを通って前記出水配管から浴槽に出水して浄化する浄化保温モードと、一端を出水配管に設けた管路を切り替える切換Ｌバルブを介して接続して、他端を循環ポンプの吸水側の吸水配管に接続する熱洗浄用配管を設け、熱殺菌指令手段の指令信号により作動して前記熱洗浄用配管を介して濾過タンクと、浴水を加熱する加熱手段を含む閉回路として、閉回路を循環させて所定温度の高温水により熱殺菌する熱殺菌モードと、該熱殺菌モードと前記浄化保温モードとを切換える切換え手段と、前記熱殺菌モードの閉回路中に配置されて、熱殺菌モードの加温上限を越える湯温に対応して動作して警告表示して加熱停止させる熱殺菌温度異常検知手段と、前記閉回路外の浴水循環経路中に配置されて、浄化保温モードの加温上限を越える湯温に対応して動作して警告表示して加熱停止させる保温温度異常検知手段とを備えたことを特徴とする浴水浄化装置。
【請求項２】
前記熱殺菌温度異常検知手段と前記保温温度異常検知手段の検知情報に基づいて更に運転を終了させることを特徴とする請求項１に記載の浴水浄化装置。
【請求項３】
熱殺菌モードにおいては前記熱殺菌温度異常検知手段の検知情報に基づいて加熱中の浴水を排出して、通常浄化運転状態に復帰させることを特徴とする請求項１に記載の浴水浄化装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、浴槽から吸水配管により浴水を吸水して、浄化後出水配管から浴水を再び浴槽に戻す循環路中に、浴槽から浴水を吸水する循環ポンプと、浴水を濾過する濾過タンクと、浴水を加熱する加熱手段とを設けた浴水浄化装置において、前記吸水側の吸水配管から循環ポンプにより吸水して濾過タンクと、浴水を加熱する加熱手段とを通って前記出水配管から浴槽に出水して浄化する浄化保温モードと、一端を出水配管に設けた管路を切り替える切換Ｌバルブを介して接続して、他端を循環ポンプの吸水側の吸水配管に接続する熱洗浄用配管を設け、熱殺菌指令手段の指令信号により作動して前記熱洗浄用配管を介して濾過タンクと、浴水を加熱する加熱手段を含む閉回路として、閉回路を循環させて所定温度の高温水により熱殺菌する熱殺菌モードと、該熱殺菌モードと前記浄化保温モードとを切換える切換え手段と、前記熱殺菌モードの閉回路中に配置されて、熱殺菌モードの加温上限を越える湯温に対応して動作して警告表示して加熱停止させる熱殺菌温度異常検知手段と、前記閉回路外の浴水循環経路中に配置されて、浄化保温モードの加温上限を越える湯温に対応して動作して警告表示して加熱停止させる保温温度異常検知手段とを備えたことにより課題を解決した。
また、本発明は、前記熱殺菌温度異常検知手段と前記保温温度異常検知手段の検知情報に基づいて更に運転を終了させることにより課題を解決した。
さらに、本発明は、熱殺菌モードにおいては前記熱殺菌温度異常検知手段の検知情報に基づいて加熱中の浴水を排出して、通常浄化運転状態に復帰させることにより課題を解決した。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月16日(2004.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浴槽内の湯を循環ポンプにより吸湯管から汲み上げ、濾過タンク、紫外線殺菌装置、ヒータ等の各種清浄化処理機器が管路により接続されて配備された装置本体内を循環させ、清浄化処理の終わった湯を噴湯管から浴槽に再び噴出させる浴槽湯の清浄化装置において、一端を前記装置本体から浴槽に噴出させる前記噴湯管の間の管路に管路を切り換えるバイパスバルブを介して接続して、他端を前記吸湯管と前記循環ポンプの間の管路に接続する再循環用バイパス管を設け、循環ポンプ５の水張り時に、前記バイパスバルブを再循環用バイパス管に切り換えて、濾過タンク上方の開口からの給水により循環ポンプに水張りするようにしたことを特徴とする浴槽湯の清浄化装置。
【請求項２】
前記バイパスバルブは運転停止に対して、前記噴湯管側に切り換えて通常の運転管路とするようにしたことを特徴とする請求項１に記載の浴槽湯の清浄化装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は、浴槽内の湯を循環ポンプにより吸湯管から汲み上げ、濾過タンク、紫外線殺菌装置、ヒータ等の各種清浄化処理機器が管路により接続されて配備された装置本体内を循環させ、清浄化処理の終わった湯を噴湯管から浴槽に再び噴出させる浴槽湯の清浄化装置において、
一端を前記装置本体から浴槽に噴出させる前記噴湯管の間の管路に管路を切り換えるバイパスバルブを介して接続して、他端を前記吸湯管と前記循環ポンプの間の管路に接続する再循環用バイパス管を設け、循環ポンプ５の水張り時に、前記バイパスバルブを再循環用バイパス管に切り換えて、濾過タンク上方の開口からの給水により循環ポンプに水張りするようにしたことを特徴とする浴槽湯の清浄化装置とすることで課題を解決した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また本発明は、前記バイパスバルブは運転停止に対して、前記噴湯管側に切り換えて通常の運転管路とするようにしたことにより課題を解決した。