(57)【要約】【課題】処理液の取り替えサイクルを長くしたり、基板処理効率の低下を防止したり、基板処理コストを抑えることができる基板処理装置などを提供する。【解決手段】基板処理装置１は、貯留槽１１と基板処理機構１２と間で処理液を循環させる第１処理液循環機構２０と、基板処理機構１２における基板処理によって処理液中に含まれるようになった金属イオンを吸着する２つの吸着塔３２，３３と、貯留槽１１内の処理液を吸着塔３２，３３のいずれか一方に選択的に供給して循環させる第２処理液循環機構３４と、処理液の供給される吸着塔３２，３３が所定時間間隔で交互に切り換わるように第２処理液循環機構３４の作動を制御する制御装置２８とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
蓚酸を含んだ処理液を貯留する貯留槽と、
処理チャンバと、この処理チャンバ内に配置され、前記処理液を吐出するノズル体とを有し、酸化インジウムスズ膜が形成された基板を、前記ノズル体から吐出された処理液によって処理する処理手段と、
前記貯留槽内の処理液を前記ノズル体に供給するための第１供給管と、前記第１供給管に設けられた第１供給ポンプと、前記貯留槽と処理チャンバとを接続する第１回収管とを有し、前記第１供給管及び第１供給ポンプにより前記貯留槽内の処理液を前記ノズル体に供給して吐出させ、吐出された処理液を前記第１回収管により該処理チャンバから前記貯留槽内に回収して、前記貯留槽と処理手段との間で処理液を循環させる基板処理用循環手段と、
並設された少なくとも２つの吸着塔を備え、該各吸着塔の内部には、前記処理液中のインジウムイオン及びスズイオンを吸着するキレート剤が充填された吸着手段と、
一端が前記貯留槽に接続するとともに、他端が分岐して前記各吸着塔に接続し、前記貯留槽内の処理液を前記各吸着塔に供給するための第２供給管と、前記第２供給管の一端部と分岐部との間に設けられた第２供給ポンプと、前記第２供給管に設けられ、前記各吸着塔への前記処理液の供給を制御する第１切換弁と、前記各吸着塔内を流通した処理液を前記貯留槽内に回収するための第２回収管とを有し、前記第１切換弁を切り換えることによって前記各吸着塔のいずれか１つに対し選択的に前記処理液を供給して循環させる除去処理用循環手段とを備えてなることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
予め設定された時間間隔で前記第１切換弁を切り換える制御手段を更に備えてなることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理手段によって処理された基板の枚数を計数し、計数した枚数が予め設定された枚数となったときに切換信号を出力する計数手段と、
前記計数手段から出力された前記切換信号を受信して、前記第１切換弁を切り換える制御手段とを更に備えてなることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記貯留槽に貯留された処理液中のインジウムイオン及びスズイオンのうち、少なくとも一方のイオン濃度を検出する濃度検出手段と、
前記濃度検出手段によって検出されるイオン濃度が予め設定された基準値よりも高くなったときに前記第１切換弁を切り換える制御手段とを更に備えてなることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記各吸着塔のキレート剤に吸着されたインジウム及びスズを溶離させる溶離液を該各吸着塔に供給するための溶離液供給管と、前記溶離液供給管に設けられ、前記各吸着塔への前記溶離液の供給を制御する第２切換弁とを有し、前記第２切換弁を切り換えることによって前記各吸着塔のいずれか１つに対し選択的に前記溶離液を供給する溶離液供給手段と、
前記各吸着塔内を流通した溶離液を回収する溶離液回収手段とを更に備え、
前記制御手段は、前記第１切換弁を切り換えると、前記第２切換弁を切り換えて、前記処理液の供給が停止され且つ前記キレート剤がインジウム及びスズを吸着した状態にある前記吸着塔に前記溶離液を供給するように構成されてなることを特徴とする請求項２乃至４記載のいずれかの基板処理装置。
【請求項６】
前記各吸着塔の内部を洗浄する洗浄液を該各吸着塔に供給するための洗浄液供給管と、前記洗浄液供給管に設けられ、前記各吸着塔への前記洗浄液の供給を制御する第３切換弁とを有し、前記第３切換弁を切り換えることによって前記各吸着塔のいずれか１つに対し選択的に前記洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記各吸着塔内を流通した洗浄液を外部に排出するための洗浄液排出管とを更に備え、
前記制御手段は、前記溶離液の供給を終了すると、前記第３切換弁を切り換えて、溶離液供給後の前記吸着塔に前記洗浄液を供給するように構成されてなることを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記貯留槽に貯留された処理液中の、前記基板処理に寄与する成分の濃度を検出する寄与成分濃度検出手段と、
前記寄与成分濃度検出手段によって検出される寄与成分濃度を基に、前記貯留槽に貯留された処理液中の前記寄与成分濃度を調整して予め設定された範囲内に維持する濃度調整手段とを更に備えてなることを特徴とする請求項１乃至６記載のいずれかの基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理用の処理液中に含まれる金属イオン、特にインジウムイオン及びスズイオンを除去する処理液処理装置を備えた基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体（シリコン）ウエハ，液晶ガラス基板，フォトマスク用ガラス基板，光ディスク用基板などの各種基板を製造する工程では、これらの基板にエッチング液や現像液、洗浄液といった各種処理液を供給して当該基板を処理する工程がある。
【０００３】
そして、このような工程に用いられる基板処理装置として、従来、例えば、特開２０００−９６２６４号公報に開示されたエッチング装置が知られている。このエッチング装置は、エッチング液を貯留する貯留槽と、エッチング液によって基板にエッチング処理を行う基板処理機構と、貯留槽に貯留されたエッチング液を基板処理機構に供給し、供給したエッチング液を当該基板処理機構から回収して、貯留槽と基板処理機構との間でエッチング液を循環させるエッチング液循環機構と、貯留槽に貯留されたエッチング液中の、エッチング処理に寄与する成分の濃度を検出する濃度センサと、濃度センサによって検出された濃度が所定の基準濃度から外れると、貯留槽内に新たなエッチング液を補給して当該エッチング液中の前記寄与成分濃度を一定濃度に維持するエッチング液補給機構とを備える。
【０００４】
前記基板処理機構は、閉塞空間を備えた処理チャンバと、処理チャンバ内に配設され、基板を水平に支持して所定方向に搬送する複数の搬送ローラと、搬送ローラの上方に配設され、基板の上面に向けてエッチング液を吐出する複数のノズル体などからなる。
【０００５】
前記エッチング液循環機構は、一端側が貯留槽に接続し、他端側が処理チャンバ内に設けられて当該他端側に前記各ノズル体が固設された供給管と、供給管を介して各ノズル体にエッチング液を供給する供給ポンプと、一端側が前記処理チャンバの底部に接続し、他端側が貯留槽に接続した回収管などからなる。
【０００６】
このエッチング装置によれば、搬送ローラによって基板が所定方向に搬送されるとともに、供給ポンプにより、貯留槽に貯留されたエッチング液が供給管を介し各ノズル体に供給されて当該各ノズル体から基板上面に吐出され、かかるエッチング液によって基板がエッチングされる。
【０００７】
そして、基板上面に吐出されたエッチング液は、回収管内を流通して処理チャンバ内から貯留槽内に回収される。貯留槽に貯留されたエッチング液中の前記寄与成分濃度は、濃度センサによって随時検出されており、当該濃度センサによって検出される寄与成分濃度が所定の基準濃度から外れると、エッチング液補給機構によって新たなエッチング液が貯留槽内に補給され、当該エッチング液中の前記寄与成分濃度が一定濃度に維持される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０００−９６２６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、例えば、基板の上面に形成された酸化インジウムスズ膜などの金属膜に対してエッチングを行うと、当該エッチングにより、当該金属膜を構成するインジウムやスズといった金属がエッチング液に溶解する。したがって、エッチング液を貯留槽と基板処理機構との間で循環させるように構成された上記従来のエッチング装置では、エッチング液中に含まれる前記金属の濃度が徐々に上昇して、この金属濃度が一定レベル以上になると、エッチング速度が低下したり、精度の良いエッチング形状が得られないという不都合を生じる。
【００１０】
このため、上記従来のエッチング装置では、貯留槽内のエッチング液を定期的に取り替えなければならず、また、エッチング液の取り替え中はエッチング処理を行うことができないため、基板処理効率が低下する。また、このような処理効率の低下やエッチング液の取り替えにかかる費用（取り替えたエッチング液の廃棄処理費用や、取り替えるエッチング液の購入費用）によって、エッチング処理のコストが上昇する。
【００１１】
本発明は、以上の実情に鑑みなされたものであって、基板の処理精度や処理効率を高く維持することができ、また、処理液の寿命の延命化を図ることで、処理液の使用量を低減し、基板の処理コストを抑えることができる基板処理装置の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するための本発明は、
蓚酸を含んだ処理液を貯留する貯留槽と、
処理チャンバと、この処理チャンバ内に配置され、前記処理液を吐出するノズル体とを有し、酸化インジウムスズ膜が形成された基板を、前記ノズル体から吐出された処理液によって処理する処理手段と、
前記貯留槽内の処理液を前記ノズル体に供給するための第１供給管と、前記第１供給管に設けられた第１供給ポンプと、前記貯留槽と処理チャンバとを接続する第１回収管とを有し、前記第１供給管及び第１供給ポンプにより前記貯留槽内の処理液を前記ノズル体に供給して吐出させ、吐出された処理液を前記第１回収管により該処理チャンバから前記貯留槽内に回収して、前記貯留槽と処理手段との間で処理液を循環させる基板処理用循環手段と、
並設された少なくとも２つの吸着塔を備え、該各吸着塔の内部には、前記処理液中のインジウムイオン及びスズイオンを吸着するキレート剤が充填された吸着手段と、
一端が前記貯留槽に接続するとともに、他端が分岐して前記各吸着塔に接続し、前記貯留槽内の処理液を前記各吸着塔に供給するための第２供給管と、前記第２供給管の一端部と分岐部との間に設けられた第２供給ポンプと、前記第２供給管に設けられ、前記各吸着塔への前記処理液の供給を制御する第１切換弁と、前記各吸着塔内を流通した処理液を前記貯留槽内に回収するための第２回収管とを有し、前記第１切換弁を切り換えることによって前記各吸着塔のいずれか１つに対し選択的に前記処理液を供給して循環させる除去処理用循環手段とを備えてなることを特徴とする基板処理装置に係る。
【００１３】
この基板処理装置によれば、貯留槽に貯留された処理液が第１供給管及び第１供給ポンプによりノズル体に供給されてこのノズル体から吐出され、吐出された処理液によって基板が処理される。吐出された処理液は、第１回収管により処理チャンバから貯留槽内に回収され、このようにして、処理液が貯留槽と処理手段との間で循環せしめられる。そして、循環する処理液中には、処理手段における処理過程で、基板上の酸化インジウムスズ膜が溶解され、インジウムイオン及びスズイオンが含まれるようになる。
【００１４】
一方、貯留槽に貯留された処理液は、第２供給管，第２供給ポンプ，第１切換弁及び第２回収管によって当該貯留槽と吸着塔のいずれか１つとの間で循環せしめられ、吸着塔内のキレート剤によって処理液中のインジウムイオンやスズイオンが吸着され、当該処理液中から除去される。
【００１５】
処理液の供給される吸着塔は、例えば、キレート剤に吸着されたインジウムイオン及びスズイオンが略飽和状態に達したと判断されたときに第１切換弁が適宜操作されて切り換えられることにより他の吸着塔に変更されるようになっており、これによって、吸着手段における吸着能力が一定に維持される。尚、処理液の供給される吸着塔が切り換えられると、処理液の供給が停止された吸着塔は、キレート剤に吸着されたインジウム及びスズを溶離させる溶離液などを用いてキレート剤が適宜再生される。
【００１６】
斯くして、本発明に係る基板処理装置によれば、貯留槽内の処理液を貯留槽と吸着塔のいずれか１つとの間で循環させることで、処理を行いながら処理液中のインジウムイオン及びスズイオンを吸着，除去しているので、処理液の延命化を図って処理液の取り替えサイクルを長くすることができるとともに、処理液の取り替えサイクルが長くなることにより、新しい処理液の購入費用や使用済の処理液の廃棄費用など、処理液に要する費用を低く抑えることができ、当該処理液を用いた基板処理にかかるコストを低くすることができる。
【００１７】
また、処理手段によって基板を処理している間中、吸着塔に対し絶えず処理液を循環させるようにすれば、処理液中のインジウムイオン及びスズイオンの濃度を常に一定レベル以下に抑えることができる。これにより、エッチング不良が生じるのを防止したり、処理手段を停止させることなく連続的に稼働させることができ、歩留まりや基板処理効率を良くすることができる。
【００１８】
また、処理液の供給される吸着塔を第１切換弁の切換により切り換えながら貯留槽内の処理液を循環させるようにしたので、吸着手段の吸着能力を低下させることなく処理液からインジウムイオン及びスズイオンを除去することができ、効率的に除去することができる。
【００１９】
尚、前記基板処理装置は、前記各吸着塔のキレート剤に吸着されたインジウム及びスズを溶離させる溶離液を該各吸着塔に供給するための溶離液供給管と、前記溶離液供給管に設けられ、前記各吸着塔への前記溶離液の供給を制御する第２切換弁とを有し、前記第２切換弁を切り換えることによって前記各吸着塔のいずれか１つに対し選択的に前記溶離液を供給する溶離液供給手段と、前記各吸着塔内を流通した溶離液を回収する溶離液回収手段とを更に備え、前記第２切換弁を切り換えることにより、前記処理液の供給が停止され且つ前記キレート剤がインジウム及びスズを吸着した状態にある前記吸着塔に前記溶離液を供給するように構成されていても良い。
【００２０】
このようにすれば、処理液の供給される吸着塔が除去処理用循環手段の第１切換弁によって切り換えられると、溶離液供給手段の第２切換弁が適宜操作されて切り換えられることにより、処理液の供給が停止された吸着塔に溶離液が供給される。吸着塔のキレート剤に吸着されたインジウム及びスズは、この溶離液によって溶離し、溶離したインジウムイオン及びスズイオンを含む溶離液が溶離液回収手段によって回収される。これにより、キレート剤を再生することができる。また、処理液中に溶解したインジウムは非常に高価であり、これを回収することができれば好都合であるが、上記のようにして回収した溶離液中のインジウムイオンを適宜回収することで、処理液に溶解した高価な金属を回収することもできる。
【００２１】
また、前記基板処理装置は、前記各吸着塔の内部を洗浄する洗浄液を該各吸着塔に供給するための洗浄液供給管と、前記洗浄液供給管に設けられ、前記各吸着塔への前記洗浄液の供給を制御する第３切換弁とを有し、前記第３切換弁を切り換えることによって前記各吸着塔のいずれか１つに対し選択的に前記洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記各吸着塔内を流通した洗浄液を外部に排出するための洗浄液排出管とを更に備え、前記第３切換弁を切り換えることにより、溶離液供給後の前記吸着塔に前記洗浄液を供給するように構成されていても良い。
【００２２】
このようにすれば、キレート剤に吸着された金属の溶離が終了すると、洗浄液供給手段の第３切換弁が適宜操作されて切り換えられることにより、溶離液供給後の吸着塔に洗浄液が供給される。この洗浄液によって吸着塔の内部が洗浄され、当該洗浄液は、洗浄液排出管から外部に排出される。吸着塔の内部に溶離液が残っていると、貯留槽内の処理液が当該吸着塔に供給されたときに当該処理液と溶離液とが混ざって、処理液を用いた基板処理に悪影響を及ぼす恐れがあるが、洗浄液によって、吸着塔内に残存している溶離液を洗い流すことで、このような不都合を有効に防止することができる。
【００２３】
また、前記基板処理装置は、予め設定された時間間隔で前記第１切換弁を切り換える制御手段を更に備えて構成されていても良い。この場合、制御手段によって、所定の時間間隔で、即ち、吸着塔のキレート剤に吸着されたインジウム及びスズが略飽和状態に達したと推定される時間間隔で、除去処理用循環手段の第１切換弁が切り換えられ、処理液の供給される吸着塔が切り換えられる。したがって、このように構成しても、吸着手段における吸着能力が一定に維持されるので、上記と同様の効果を得ることができる。
【００２４】
或は、前記第１切換弁の切換制御は、処理手段によって処理された基板の枚数を基に行うようにしても良い。即ち、前記処理手段によって処理された基板の枚数を計数し、計数した枚数が予め設定された枚数となったときに切換信号を出力する計数手段と、前記計数手段から前記切換信号を受信したときに前記第１切換弁を切り換える制御手段とを設けても良い。
【００２５】
この場合、処理手段における基板処理枚数が所定枚数となったときに、即ち、吸着塔のキレート剤に吸着されたインジウム及びスズが略飽和状態に達したと推定される枚数となったときに、第１切換弁が切り換えられ、処理液の供給される吸着塔が切り換えられる。したがって、このように構成しても、前記吸着手段における吸着能力が一定に維持されるので、上記と同様の効果を得ることができる。
【００２６】
更に、前記基板処理装置は、前記貯留槽に貯留された処理液中のインジウムイオン及びスズイオンのうち少なくとも一方のイオン濃度を検出する濃度検出手段と、前記濃度検出手段によって検出されるイオン濃度が予め設定された基準値よりも高くなったときに前記第１切換弁を切り換える制御手段とを備えて構成されていても良い。
【００２７】
この場合、制御手段による除去処理用循環手段の第１切換弁の切換制御は、以下のようにして実行される。即ち、吸着塔のキレート剤に吸着されたインジウム及びスズが略飽和状態に達して吸着能力が低下し、貯留槽内の処理液中のインジウムイオン及びスズイオン濃度が上昇して、濃度検出手段により検出されるイオン濃度が所定の基準値よりも高くなると、第１切換弁が切り換えられて、処理液の供給される吸着塔が他の吸着塔に変更される。
【００２８】
したがって、このように構成しても、吸着手段における吸着能力が一定に維持されるので、上記と同様の効果を得ることができる。
【００２９】
また、前記基板処理装置は、前記貯留槽に貯留された処理液中の、前記基板処理に寄与する成分の濃度を検出する寄与成分濃度検出手段と、前記寄与成分濃度検出手段によって検出される寄与成分濃度を基に、前記貯留槽に貯留された処理液中の前記寄与成分濃度を調整して予め設定された範囲内に維持する濃度調整手段とを更に備えて構成されていても良い。
【００３０】
このようにすれば、貯留槽に貯留された処理液中の寄与成分濃度を所定の範囲内に維持することができるので、処理手段における基板処理などにより貯留槽内の処理液の寄与成分濃度が変動して所定の処理能力が得られなくなるといった不都合を防止し、処理液による基板処理能力を最適な状態に維持することができる。
【００３１】
尚、前記基板としては、例えば、半導体（シリコン）ウエハ，液晶ガラス基板，フォトマスク用ガラス基板及び光ディスク用基板などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。また、前記処理液としては、例えば、エッチング液，現像液及び洗浄液などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
【００３２】
また、前記キレート剤とは、一般的には、有機系のアミノカルボン酸塩を総称したものであり、金属イオンを吸着し、吸着された金属は特定の溶液によって溶離するという性質を備えたものである。具体的には、ＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸），ＮＴＡ（ニトリロ三酢酸），ＤＴＰＡ（ジエチレントリアミン五酢酸），ＧＬＤＡ（Ｌ−グルタミン酸二酢酸），ＨＥＤＴＡ（ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸），ＧＥＤＴＡ（グリコールエーテルジアミン四酢酸），ＴＴＨＡ（トリエチレンテトラミン六酢酸），ＨＩＤＡ（ヒドロキシエチルイミノ二酢酸）及びＤＨＥＧ（ヒドロキシエチルグリシン）などが一例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【発明の効果】
【００３３】
以上のように、本発明に係る基板処理装置によれば、処理液中のインジウムイオン及びスズイオンを吸着，除去して当該処理液を再利用可能にすることができ、処理液にかかる費用、ひいては基板処理にかかる費用を抑えることができる。また、吸着能力を低下させることなく処理液からインジウムイオン及びスズイオンを除去することができ、効率的である。また、基板処理中、吸着塔に常に処理液を循環させるようにすれば、処理液中のインジウムイオン及びスズイオン濃度を一定レベル以下に抑えつつ基板処理を連続的に行うことができ、エッチング不良が発生するのを防止したり、より低コストで基板処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示した構成図である。
【図２】カラムに通液したエッチング液の量と、通液後のエッチング液に含まれるインジウムイオンの濃度との関係を示したグラフである。
【図３】カラムに通液した硫酸の量と、通液後の硫酸に含まれるインジウムイオンの濃度及びキレート剤に吸着されたインジウムが硫酸によって溶離した割合（溶離率）との関係を示したグラフである。
【図４】本発明の他の実施形態に係るエッチング液処理装置の概略構成を示した構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
以下、本発明の具体的な実施形態について、添付図面に基づき説明する。尚、図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示した構成図である。
【００３６】
図１に示すように、本例の基板処理装置１は、例えば、蓚酸濃度（重量％）が約３％のエッチング液Ｌを用いて、上面に酸化インジウムスズ膜（金属膜）が形成された基板Ｋにエッチング処理を行うもので、エッチング液Ｌを貯留する貯留槽１１と、エッチング液Ｌによって基板Ｋをエッチングする基板処理機構１２と、貯留槽１１と基板処理機構１２との間でエッチング液Ｌを循環させる第１エッチング液循環機構（エッチング処理用循環機構）２０と、エッチング液Ｌに溶解したインジウムやスズ（金属）を除去する除去機構３０などから構成される。
【００３７】
また、前記基板処理装置１は、貯留槽１１に貯留されたエッチング液Ｌの蓚酸濃度（エッチング処理に寄与する成分の濃度）を検出する濃度センサ２４と、貯留槽１１に貯留されたエッチング液Ｌの蓚酸濃度を調整する濃度調整機構２５と、基板処理機構１２，第１エッチング液循環機構２０及び除去機構３０などの作動を制御する制御装置２８とを備えている。尚、前記制御装置２８は、基板処理機構１２及び第１エッチング液循環機構２０を制御する第１制御部２８ａと、除去機構３０を制御する第２制御部２８ｂとを備える。また、上記構成では、前記貯留槽１１，除去機構３０及び第２制御部２８ｂがエッチング液処理装置５として機能する。
【００３８】
前記基板処理機構１２は、閉塞空間を備えた処理チャンバ１３と、処理チャンバ１３内の下部に配設され、基板Ｋを水平に支持して所定方向（矢示方向）に搬送する複数の搬送ローラ１４と、処理チャンバ１３内の上部に配設され、第１エッチング液循環機構２０によって供給されたエッチング液Ｌが流通する流通管１５と、流通管１５に固設され、搬送ローラ１４によって搬送される基板Ｋの上面に向けてエッチング液Ｌを吐出する複数のノズル体１６などからなり、処理チャンバ１３内のエッチング液Ｌは、当該処理チャンバ１３の底面に形成された排出口１３ａから外部に排出されるようになっている。
【００３９】
前記第１エッチング液循環機構２０は、一端側が貯留槽１１に接続し、他端側が流通管１５に接続した供給管２１と、第１制御部２８ａによって作動が制御され、供給管２１を介して流通管１５内にエッチング液Ｌを供給する供給ポンプ２２と、一端側が処理チャンバ１３の排出口１３ａに接続し、他端側が貯留槽１１に接続した回収管２３などからなる。
【００４０】
前記除去機構３０は、基板処理機構１２でのエッチング処理によってエッチング液Ｌに溶解し、当該エッチング液Ｌに含まれるようになったインジウムイオンやスズイオン（金属イオン）を吸着する金属イオン吸着機構３１と、貯留槽１１と金属イオン吸着機構３１との間でエッチング液Ｌを循環させる第２エッチング液循環機構（除去処理用循環機構）３４と、金属イオン吸着機構３１によって吸着されたインジウムやスズを溶離させるための溶離液を供給する溶離液供給機構４２と、溶離液を金属イオン吸着機構３１から回収する溶離液回収機構４８と、金属イオン吸着機構３１を洗浄するための洗浄液を供給する洗浄液供給機構５４と、洗浄液を金属イオン吸着機構３１から回収する洗浄液回収機構５８とを備える。
【００４１】
前記金属イオン吸着機構３１は、インジウムイオンやスズイオンを吸着するキレート剤（図示せず）が内部に充填された少なくとも２つの吸着塔（第１吸着塔３２及び第２吸着塔３３）を備える。尚、キレート剤（図示せず）とは、一般的には、有機系のアミノカルボン酸塩を総称したものであり、金属イオンを吸着し、吸着された金属は特定の溶液によって溶離するという性質を備えたものである。具体的には、ＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸），ＮＴＡ（ニトリロ三酢酸），ＤＴＰＡ（ジエチレントリアミン五酢酸），ＧＬＤＡ（Ｌ−グルタミン酸二酢酸），ＨＥＤＴＡ（ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸），ＧＥＤＴＡ（グリコールエーテルジアミン四酢酸），ＴＴＨＡ（トリエチレンテトラミン六酢酸），ＨＩＤＡ（ヒドロキシエチルイミノ二酢酸）及びＤＨＥＧ（ヒドロキシエチルグリシン）などが一例として挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００４２】
前記第２エッチング液循環機構３４は、一端側が貯留槽１１に接続し、他端側が分岐して各吸着塔３２，３３に接続したエッチング液供給管３５と、第２制御部２８ｂによって作動が制御され、エッチング液供給管３５を介して各吸着塔３２，３３の内部にエッチング液Ｌを供給する供給ポンプ３６と、一端側が貯留槽１１に接続し、他端側が分岐して各吸着塔３２，３３に接続したエッチング液回収管３７と、エッチング液供給管３５の他端側分岐部にそれぞれ設けられた第１供給側切換弁３８及び第２供給側切換弁３９と、エッチング液回収管３７の他端側分岐部にそれぞれ設けられた第１排出側切換弁４０及び第２排出側切換弁４１などからなる。
【００４３】
前記各切換弁３８，３９，４０，４１は、第１供給側切換弁３８及び第１排出側切換弁４０が開いているときには、第２供給側切換弁３９及び第２排出側切換弁４１が閉じるように、第２供給側切換弁３９及び第２排出側切換弁４１が開いているときには、第１供給側切換弁３８及び第１排出側切換弁４０が閉じるように、第２制御部２８ｂによって制御される。
【００４４】
この第２エッチング液循環機構３４では、供給ポンプ３６が駆動されると、エッチング液Ｌの供給される吸着塔３２，３３が供給側切換弁３８，３９により制御されつつ貯留槽１１内のエッチング液Ｌがエッチング液供給管３５を介して吸着塔３２，３３のいずれか一方に供給される。即ち、第１供給側切換弁３８が開き、第２供給側切換弁３９が閉じているときには、第１吸着塔３２にエッチング液Ｌが供給され、第１供給側切換弁３８が閉じ、第２供給側切換弁３９が開いているときには、第２吸着塔３３にエッチング液Ｌが供給される。
【００４５】
そして、吸着塔３２，３３のいずれか一方に供給され、当該吸着塔３２，３３内を流通したエッチング液Ｌは、エッチング液回収管３７を介して当該吸着塔３２，３３から貯留槽１１内に回収される。
【００４６】
前記溶離液供給機構４２は、第２制御部２８ｂによって作動が制御され、例えば、塩酸や硫酸からなる溶離液を供給する供給部４３と、一端側が供給部４３に接続し、他端側が分岐して各吸着塔３２，３３に接続した溶離液供給管４４と、第２制御部２８ｂによって作動が制御され、溶離液供給管４４の一端側に設けられた溶離液供給弁４５と、溶離液供給管４４の他端側分岐部にそれぞれ設けられた第１供給側切換弁４６及び第２供給側切換弁４７などからなり、前記各切換弁４６，４７は、第１供給側切換弁４６が開いているときには、第２供給側切換弁４７が閉じるように、第２供給側切換弁４７が開いているときには、第１供給側切換弁４６が閉じるように、第２制御部２８ｂによって制御される。
【００４７】
前記溶離液回収機構４８は、溶離液を回収する回収部４９と、一端側が回収部４９に接続し、他端側が分岐して各吸着塔３２，３３に接続した溶離液回収管５０と、溶離液回収管５０の他端側分岐部にそれぞれ設けられた第１排出側切換弁５１及び第２排出側切換弁５２と、第２制御部２８ｂによって作動が制御され、溶離液回収管５０の一端側に設けられた溶離液回収弁５３などからなり、前記各切換弁５１，５２は、第１排出側切換弁５１が開いているときには、第２排出側切換弁５２が閉じるように、第２排出側切換弁５２が開いているときには、第１排出側切換弁５１が閉じるように、第２制御部２８ｂによって制御される。
【００４８】
この溶離液供給機構４２及び溶離液回収機構４８では、供給部４３が駆動されると、溶離液の供給される吸着塔３２，３３が供給側切換弁４６，４７により制御されつつ溶離液が供給部４３から溶離液供給管４４を介して吸着塔３２，３３のいずれか一方に供給される。即ち、第１供給側切換弁４６が開き、第２供給側切換弁４７が閉じているときには、第１吸着塔３２に溶離液が供給され、第１供給側切換弁４６が閉じ、第２供給側切換弁４７が開いているときには、第２吸着塔３３に溶離液が供給される。
【００４９】
そして、吸着塔３２，３３のいずれか一方に供給され、当該吸着塔３２，３３内を流通した溶離液は、溶離液回収管５０を介して当該吸着塔３２，３３から回収部４９内に回収される。尚、第１供給側切換弁４６が開いているときには、第１排出側切換弁５１が開いて、第２排出側切換弁５２は閉じており、第２供給側切換弁４７が開いているときには、第２排出側切換弁５２が開いて、第１排出側切換弁５１は閉じるようになっている。また、供給部４３が駆動されると、溶離液供給弁４５及び溶離液回収弁５３が開くようになっている。
【００５０】
前記洗浄液供給機構５４は、第２制御部２８ｂによって作動が制御され、例えば、純水からなる洗浄液を供給する供給部５５と、一端側が供給部５５に接続し、他端側が溶離液供給管４４の分岐部と一端側との間に接続して、当該溶離液供給管４４を介し各吸着塔３２，３３に接続した洗浄液供給管５６と、第２制御部２８ｂによって作動が制御され、洗浄液供給管５６に設けられた洗浄液供給弁５７と、前記第１供給側切換弁４６及び第２供給側切換弁４７などからなり、前記各切換弁４６，４７は、上記と同様、第１供給側切換弁４６が開いているときには、第２供給側切換弁４７が閉じるように、第２供給側切換弁４７が開いているときには、第１供給側切換弁４６が閉じるように、第２制御部２８ｂによって制御される。
【００５１】
前記洗浄液回収機構５８は、洗浄液を回収する回収部５９と、一端側が回収部５９に接続し、他端側が溶離液回収管５０の分岐部と溶離液回収弁５３との間に接続して、当該溶離液回収管５０を介し各吸着塔３２，３３に接続した洗浄液回収管（洗浄液排出管）６０と、前記第１排出側切換弁５１及び第２排出側切換弁５２と、第２制御部２８ｂによって作動が制御され、洗浄液回収管６０の他端側に設けられた洗浄液回収弁６１などからなり、前記各切換弁５１，５２は、上記と同様、第１排出側切換弁５１が開いているときには、第２排出側切換弁５２が閉じるように、第２排出側切換弁５２が開いているときには、第１排出側切換弁５１が閉じるように、第２制御部２８ｂによって制御される。
【００５２】
この洗浄液供給機構５４及び洗浄液回収機構５８では、供給部５５が駆動されると、洗浄液の供給される吸着塔３２，３３が供給側切換弁４６，４７により制御されつつ洗浄液が供給部５５から洗浄液供給管５６及び溶離液供給管４４を介して吸着塔３２，３３のいずれか一方に供給される。即ち、第１供給側切換弁４６が開き、第２供給側切換弁４７が閉じているときには、第１吸着塔３２に洗浄液が供給され、第１供給側切換弁４６が閉じ、第２供給側切換弁４７が開いているときには、第２吸着塔３３に洗浄液が供給される。
【００５３】
そして、吸着塔３２，３３のいずれか一方に供給され、当該吸着塔３２，３３内を流通した洗浄液は、溶離液回収管５０及び洗浄液回収管６０を介して当該吸着塔３２，３３から回収部５９内に回収される。尚、第１供給側切換弁４６が開いているときには、第１排出側切換弁５１が開いて、第２排出側切換弁５２は閉じており、第２供給側切換弁４７が開いているときには、第２排出側切換弁５２が開いて、第１排出側切換弁５１は閉じるようになっている。また、供給部５５が駆動されると、洗浄液供給弁５７及び洗浄液回収弁５９が開くようになっている。
【００５４】
前記濃度調整機構２５は、例えば、蓚酸や純水などを貯留槽１１内に供給する供給部２６と、一端側が供給部２６に接続し、他端側が貯留槽１１に接続した供給管２７と、濃度センサ２４によって検出される蓚酸濃度を基に供給部２６の作動を制御する前記第１制御部２８ａなどから構成される。
【００５５】
前記第１制御部２８ａは、第１エッチング液循環機構２０の供給ポンプ２２を制御して、貯留槽１１と基板処理機構１２との間でエッチング液Ｌを循環させる。また、第１制御部２８ａは、濃度センサ２４によって検出される蓚酸濃度を基に供給部２６を制御して、貯留槽１１に貯留されたエッチング液Ｌの蓚酸濃度を予め設定された範囲内に維持する。例えば、濃度センサ２４による検出蓚酸濃度が前記予め設定された範囲よりも高い場合には、純水を貯留槽１１に供給させ、濃度センサ２４による検出蓚酸濃度が前記予め設定された範囲よりも低い場合には、蓚酸を貯留槽１１に供給させて、エッチング液Ｌの蓚酸濃度を予め設定された範囲内とする。尚、第１制御部２８ａは、第１エッチング液循環機構２０によるエッチング液Ｌの循環を開始したとき及び終了したときにその旨の信号（開始信号及び終了信号）を第２制御部２８ｂに送信する。
【００５６】
前記第２制御部２８ｂは、第１制御部２８ａから前記開始信号を受信すると、第２エッチング液循環機構３４の供給ポンプ３６及び各切換弁３８，３９，４０，４１を制御して、エッチング液Ｌの供給される吸着塔３２，３３を予め設定された時間間隔で交互に切り換えながら、当該吸着塔３２，３３のいずれか一方に貯留槽１１内のエッチング液Ｌを供給して循環させる処理を実行するとともに、エッチング液Ｌの供給される吸着塔３２，３３を切り換えると、吸着塔３２，３３の切換でエッチング液Ｌの供給が停止された吸着塔３２，３３に、まず、溶離液供給機構４２の供給部４３，溶離液供給弁４５及び各切換弁４６，４７並びに溶離液回収機構４８の各切換弁５１，５２及び溶離液回収弁５３を制御して溶離液を所定時間供給した後、洗浄液供給機構５４の供給部５４，洗浄液供給弁５７及び各切換弁４６，４７並びに洗浄液回収機構５８の各切換弁５１，５２及び洗浄液回収弁６１を制御して洗浄液を所定時間供給する処理を実行する。尚、第２制御部２８ｂは、第１制御部２８ａから前記終了信号を受信すると、第２エッチング液循環機構３４によるエッチング液Ｌの循環を停止する。
【００５７】
以上のように構成された本例の基板処理装置１によれば、貯留槽１１に貯留されたエッチング液Ｌは、第１制御部２８ａによる制御の下、第１エッチング液循環機構２０の供給ポンプ２２により供給管２１及び流通管１５を介して各ノズル体１６に供給され、当該各ノズル体１６から基板Ｋの上面に向けて吐出される。そして、基板Ｋの上面に吐出されたエッチング液Ｌは、処理チャンバ１３の排出口１３ａから回収管２３内を流通して貯留槽１１内に回収され、このようにして貯留槽１１内のエッチング液Ｌが当該貯留槽１１と基板処理機構１２との間で循環する。
【００５８】
前記基板Ｋは、搬送ローラ１４によって所定方向に搬送されており、各ノズル体１６から吐出されたエッチング液Ｌ（当該エッチング液Ｌ中の蓚酸）によってエッチングされる。尚、このエッチング処理により基板Ｋの酸化インジウムスズ膜がエッチング液Ｌに溶解し、当該エッチング液Ｌ中にインジウムイオンやスズイオンが含まれるようになる。
【００５９】
また、貯留槽１１に貯留されたエッチング液Ｌは、第２制御部２８ｂによる制御の下、第２エッチング液循環機構３４の供給ポンプ３６及び各切換弁３８，３９によりエッチング液供給管３５を介して吸着塔３２，３３のいずれか一方に選択的に供給されるとともに、当該吸着塔３２，３３内を流通後、エッチング液回収管３７を介して貯留槽１１内に回収され、当該貯留槽１１と吸着塔３２，３３との間で循環せしめられる。これにより、エッチング液Ｌ中のインジウムイオンやスズイオンが、吸着塔３２，３３の内部に充填されたキレート剤（図示せず）によって吸着される。
【００６０】
エッチング液Ｌの供給される吸着塔３２，３３は、第２制御部２８ｂによって第２エッチング液循環機構３４の各切換弁３８，３９，４０，４１が制御されることにより、所定の時間間隔で、即ち、吸着塔３２，３３のキレート剤（図示せず）に吸着されたインジウムやスズが略飽和状態に達すると推定される時間間隔で交互に切り換えられるようになっており、エッチング液Ｌの供給される吸着塔３２，３３が切り換えられると、以下のような処理が第２制御部２８ｂによって実行される。
【００６１】
即ち、まず、第２制御部２８ｂによって溶離液供給機構４２の供給部４３，溶離液供給弁４５及び各切換弁４６，４７並びに溶離液回収機構４８の各切換弁５１，５２及び溶離液回収弁５３が制御されることにより、吸着塔３２，３３の切換でエッチング液Ｌの供給が停止された吸着塔３２，３３に（第１吸着塔３２から第２吸着塔３３に切り換わったときには第１吸着塔３２に、第２吸着塔３３から第１吸着塔３２に切り換わったときには第２吸着塔３３に）溶離液が供給部４３から溶離液供給管４４を介して供給され、供給された溶離液は、当該吸着塔３２，３３内を流通後、溶離液回収管５０を介して回収部４９内に回収される。これにより、当該吸着塔３２，３３のキレート剤（図示せず）に吸着されたインジウムやスズがこの溶離液によって溶離し、溶離したインジウムイオンやスズイオンを含む溶離液が回収部４９内に回収される。
【００６２】
この後、第２制御部２８ｂによって洗浄液供給機構５４の供給部５４，洗浄液供給弁５７及び各切換弁４６，４７並びに洗浄液回収機構５８の各切換弁５１，５２及び洗浄液回収弁６１が制御されることにより、前記溶離液の供給された吸着塔３２，３３と同じ吸着塔３２，３３に洗浄液が供給部５５から洗浄液供給管５６及び溶離液供給管４４を介して供給され、供給された洗浄液は、当該吸着塔３２，３３内を流通後、溶離液回収管５０及び洗浄液回収管６０を介して回収部５９内に回収される。これにより、当該吸着塔３２，３３の内部に残存した溶離液がこの洗浄液によって洗い流される。
【００６３】
このようにして、エッチング液Ｌの供給が停止された吸着塔３２，３３に溶離液及び洗浄液が順次供給されると、当該吸着塔３２，３３は、この後、待機状態となる。また、このように、エッチング液Ｌが供給される吸着塔３２，３３が切り換えられることで、金属イオン吸着機構３１におけるインジウムイオンやスズイオンの吸着能力が一定に維持され、エッチング液Ｌ中のインジウムイオン濃度やスズイオン濃度が一定レベル以下に抑えられる。
【００６４】
尚、貯留槽１１に貯留されたエッチング液Ｌは、その蓚酸濃度が濃度調整機構２５によって所定範囲内に維持されている。また、第２制御部２８ｂが開始信号を受信してから終了信号を受信するまでの間、即ち、エッチング処理が行われている間、吸着塔３２，３３にも絶えずエッチング液Ｌが循環せしめられており、エッチング液Ｌからインジウムイオンやスズイオンを除去しつつエッチング処理が行われる。
【００６５】
斯くして、本例の基板処理装置１によれば、基板処理機構１２で基板Ｋをエッチングしている間、第２エッチング液循環機構３４により、貯留槽１１内のエッチング液Ｌを、エッチング液Ｌの供給する吸着塔３２，３３を交互に切り換えながら吸着塔３２，３３のいずれか一方との間で常に循環させ、エッチング液Ｌ中のインジウムイオンやスズイオンを当該吸着塔３２，３３内のキレート剤（図示せず）に吸着させるとともに、エッチング液Ｌを供給する吸着塔３２，３３を切り換えると、溶離液供給機構４２により、エッチング液Ｌの供給が停止された吸着塔３２，３３に溶離液を供給して、キレート剤（図示せず）に吸着されたインジウムやスズを溶離させ、当該キレート剤（図示せず）を再生する処理と、洗浄液供給機構５４により、溶離液供給後の吸着塔３２，３３に洗浄液を供給して、当該吸着塔３２，３３の内部に残存した溶離液を洗い流す処理とを行うように構成したので、効率的にインジウムイオンやスズイオンを除去したり、エッチング液Ｌ中のインジウムイオン濃度やスズイオン濃度を一定レベル以下に抑えてエッチング不良が生じるの防止したり、基板処理機構１２を停止させることなく連続的に稼働させたり、エッチング液Ｌの延命化を図ってエッチング液Ｌの取り替えサイクルを長くすることができる。
【００６６】
また、このように、エッチング処理の連続的な実施によりエッチング処理効率が低下せず、また、エッチング液Ｌの取り替えサイクルが長くなることから、エッチング処理コストを低く抑えることもできる。
【００６７】
また、エッチング液Ｌの供給が停止され、キレート剤（図示せず）がインジウムイオンやスズイオンを吸着した状態にある吸着塔３２，３３に溶離液を供給し、溶離したインジウムイオンやスズイオンを含む溶離液を回収部４９内に回収するようにしたので、当該キレート剤（図示せず）を再生することができるとともに、この回収した溶離液中のインジウムイオンやスズイオンを適宜回収することで、エッチング液Ｌに溶解したインジウム（非常に高価な金属である）やスズを効果的に回収することができる。
【００６８】
また、溶離液供給機構４２による溶離液の供給後、洗浄液供給機構５４によって、溶離液の供給された吸着塔３２，３３に洗浄液を供給し、当該吸着塔３２，３３の内部に残存した溶離液を洗い流すようにしたので、貯留槽１１内のエッチング液Ｌが当該吸着塔３２，３３に供給されたときに、当該エッチング液Ｌと吸着塔３２，３３内に残存した溶離液とが混ざってエッチング液Ｌの成分が変わり、基板処理機構１２でのエッチング処理に悪影響を及ぼすのを有効に防止することができる。
【００６９】
また、濃度調整機構２５によって、貯留槽１１に貯留されたエッチング液Ｌの蓚酸濃度を所定の範囲内に維持するようにしているので、基板処理機構１２でのエッチング処理などにより貯留槽１１内のエッチング液Ｌの蓚酸濃度が変動して所定のエッチング能力が得られなくなるといった不都合を防止し、当該エッチング液Ｌによるエッチング処理能力を最適な状態に維持することができる。
【００７０】
因みに、キレート剤として、キレスト株式会社製の「キレストファイバーＧＲＹ−Ｌ（商品名）」を用いて、金属イオンの吸着実験を行った結果を、以下に説明する。
【００７１】
即ち、まず、内径が１．５ｃｍのカラムを用意し、このカラム内に、重さが４ｇ、高さが１１ｃｍ、体積が１９．４ｍＬの前記キレート剤を充填した後、蓚酸含有のエッチング液であって、エッチング処理に供されて金属イオンを含むようになったエッチング液を、前記カラムの一方端側から他方端側に向けて、３ｍＬ／ｍｉｎの流速で所定量通液させた。
【００７２】
このようにして、所定量通液した後に、前記カラムを通過したエッチング液をサンプリングして、金属イオンの含有濃度を測定したところ、通液前のエッチング液のインジウムイオン濃度が２７７ｐｐｍ、スズイオン濃度が３３．７ｐｐｍ、アルミニウムイオン濃度が０．２４ｐｐｍであったのに対し、カラム通液後のエッチング液のインジウムイオン濃度は８ｐｐｍ、スズイオン濃度は０．１ｐｐｍ以下、アルミニウムイオン濃度は０．１ｐｐｍ以下と、いずれの金属イオンも極めて低い濃度に低下した結果が得られた。
【００７３】
このことから、エッチング液中に存在する、インジウムイオン，スズイオン及びアルミニウムイオンといった金属イオンをキレート剤によって効果的に除去可能であることが分かる。
【００７４】
また、上記と同じカラム及びキレート剤を用い、上記と同じエッチング液を上記と同じ流速でカラムに供給して通液させ、一定量通液する毎に通液後のエッチング液をサンプリングして、この通液後のエッチング液に含まれるインジウムイオンの濃度を測定した。その結果を図２に示す。尚、図２において、ＢＶ（Ｂｅｄ  Ｖｏｌｕｍｅ（ベッドボリューム））とはカラム内に充填したキレート剤の体積のことであり、（ｍＬ）／（ｍＬ−ｆｉｂｅｒ）とは、（カラムに通液したエッチング液の量）／（カラム内に充填したキレート剤の体積）のことである。したがって、横軸はキレート剤の体積に相当する量のエッチング液をどれぐらい通液したかを示すものである。
【００７５】
この図２から、エッチング液の通液量が所定量（キレート剤の体積の約１１倍に相当する量）に達するまで、通液後のエッチング液からインジウムイオンが検出されておらず、インジウムイオンがキレート剤によって完全に吸着されていることが分かる。また、エッチング液を多量に供給してもキレート剤の吸着能力が低下していないことが分かる。
【００７６】
次に、上記のようにして金属イオンを吸着させたキレート剤から、当該金属イオンを溶離させる実験を行った結果を、以下に説明する。
【００７７】
即ち、上記と同じカラム及びキレート剤を用い、上記と同じ流速で上記と同じエッチング液を所定量カラムに供給して通液させ、キレート剤にインジウムイオンを吸着させた後、このカラムの一方端側から他方端側に向けて、１．５ｍＬ／ｍｉｎの流速で、１規定の硫酸（１Ｎ−Ｈ２ＳＯ４）を通液させ、一定量通液する毎に通液後の硫酸をサンプリングして、この通液後の硫酸に含まれるインジウムイオンの濃度を測定した。その結果を図３に示す。尚、図３において、ＢＶ（Ｂｅｄ  Ｖｏｌｕｍｅ（ベッドボリューム））とはカラム内に充填したキレート剤の体積のことであり、（ｍＬ）／（ｍＬ−ｆｉｂｅｒ）とは、（カラムに通液した硫酸の量）／（カラム内に充填したキレート剤の体積）のことである。したがって、横軸はキレート剤の体積に相当する量の硫酸をどれぐらい通液したかを示すものである。
【００７８】
また、前項におけるインジウムイオン濃度の測定において、通液後の硫酸にインジウムイオンが認められなくなるまでの各時点におけるインジウムイオン濃度とその時間帯の通液量との積を、それぞれの時点で溶離したインジウム量として計算するとともに、その積算値を全溶離インジウム量として求め、この全溶離インジウム量で各時点における溶離インジウム量を除して得られる値をそれぞれの時点での溶離率（キレート剤に吸着されていたインジウムが硫酸によって溶離した割合）と定義し、これを図３に併せて示す。
【００７９】
この図３から、キレート剤に吸着されたインジウムが硫酸によって溶離し、また、硫酸の通液量が所定量（キレート剤の体積の約２．８倍に相当する量）に達すると、キレート剤に吸着されたインジウムが完全に溶離していることが分かる。また、インジウムを吸着したキレート剤を硫酸によって効果的に再生可能であり、また、キレート剤に吸着された金属を硫酸によって効果的に回収可能であることが分かる。
【００８０】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の採り得る具体的な態様は、何らこれに限定されるものではない。
【００８１】
上例では、エッチング液Ｌの供給する吸着塔３２，３３を所定の時間間隔で交互に切り換えるように構成したが、これに限られるものではなく、例えば、基板処理機構１２でエッチングされた基板Ｋの枚数を基に吸着塔３２，３３の切換制御を行ったり、貯留槽１１に貯留されたエッチング液Ｌ中のインジウムイオン濃度やスズイオン濃度を基に吸着塔３２，３３の切換制御を行うように構成しても良い。
【００８２】
基板Ｋのエッチング枚数を基に切換制御を行う場合、前記基板処理機構１２は、例えば、処理チャンバ１３の外部又は内部などの適宜位置に配設され、処理チャンバ１３内に搬入される基板Ｋ又は処理チャンバ１３から搬出される基板Ｋを検出するセンサ（図示せず）を更に備えるように構成され、前記第１制御部２８ａは、基板処理機構１２でエッチングされた基板Ｋの枚数を計数する計数手段としても機能するように構成されるとともに、前記センサ（図示せず）から得られる出力信号を基に、処理チャンバ１３内に搬入された基板Ｋの枚数又は処理チャンバ１３から搬出された基板Ｋの枚数（基板処理機構１２でエッチングされた基板Ｋの枚数）を計数する処理と、前記開始信号及び終了信号の他、前記計数した枚数が予め設定された枚数となったときにその旨の信号（切換信号）を第２制御部２８ｂに送信する処理とを更に実行するように構成され、前記第２制御部２８ｂは、第２エッチング液循環機構３４の供給ポンプ３６及び各切換弁３８，３９，４０，４１を制御して、第１制御部２８ａから切換信号を受信したときにエッチング液Ｌが供給される吸着塔３２，３３を切り換えながら当該吸着塔３２，３３のいずれか一方に貯留槽１１内のエッチング液Ｌを供給して循環させるように構成される。尚、第１制御部２８ａは、前記計数した枚数が予め設定された枚数になると、計数値をリセットして再び予め設定された枚数まで計数するように構成されている。また、第２制御部２８ｂは、開始信号を受信してから終了信号を受信するまでの間、第２エッチング液循環機構３４によりエッチング液Ｌを循環させる。
【００８３】
このように基板処理装置１を構成すれば、計数した枚数が予め設定された枚数となったときに、即ち、吸着塔３２，３３のキレート剤（図示せず）に吸着されたインジウムやスズが略飽和状態に達すると推定される枚数となったときに、各切換弁３８，３９，４０，４１が切り換えられて、エッチング液Ｌの供給される吸着塔３２，３３が切り換えられる。
【００８４】
したがって、このように基板処理装置１を構成しても、金属イオン吸着機構３１におけるインジウムイオンやスズイオンの吸着能力が一定に維持され、エッチング液Ｌ中のインジウムイオン濃度やスズイオン濃度が一定レベル以下に抑えられるので、上記と同様の効果を得ることができる。
【００８５】
一方、インジウムイオン濃度やスズイオン濃度を基に切換制御を行う場合、前記エッチング液処理装置５は、貯留槽１１に貯留されたエッチング液Ｌ中のインジウムイオン濃度及び／又はスズイオン濃度を検出する金属イオン濃度検出センサ（図示せず）を更に備えるように構成され、前記第２制御部２８ｂは、第２エッチング液循環機構３４の供給ポンプ３６及び各切換弁３８，３９，４０，４１を制御して、金属イオン濃度検出センサ（図示せず）によって検出されるインジウムイオン濃度及び／又はスズイオン濃度が予め設定された基準値よりも高くなったときにエッチング液Ｌが供給される吸着塔３２，３３を切り換えながら当該吸着塔３２，３３のいずれか一方に貯留槽１１内のエッチング液Ｌを供給して循環させるように構成される。
【００８６】
このように基板処理装置１を構成すれば、吸着塔３２，３３のキレート剤（図示せず）に吸着されたインジウムやスズが略飽和状態に達してインジウムイオンやスズイオンの吸着能力が低下し、貯留槽１１に貯留されたエッチング液Ｌ中のインジウムイオン濃度やスズイオン濃度が上昇して、金属イオン濃度検出センサ（図示せず）により検出されるインジウムイオン濃度及び／又はスズイオン濃度が所定の基準値よりも高くなると、各切換弁３８，３９，４０，４１が切り換えられて、エッチング液Ｌの供給される吸着塔３２，３３が切り換えられる。
【００８７】
したがって、このように基板処理装置１を構成しても、金属イオン吸着機構３１におけるインジウムイオンやスズイオンの吸着能力が一定に維持され、エッチング液Ｌ中のインジウムイオン濃度やスズイオン濃度が一定レベル以下に抑えられるので、上記と同様の効果を得ることができる。また、吸着塔３２，３３の切換制御を経過時間やエッチング枚数で行った場合には、基板処理機構１２におけるエッチング条件やエッチング対象となる基板Ｋの種類などによりエッチング液Ｌに溶解するインジウムやスズの溶解量が異なって、吸着塔３２，３３のキレート剤（図示せず）に吸着されたインジウムやスズが略飽和状態に達するまでの時間やエッチング枚数が異なるために当該切換時間やエッチング枚数を設定し難いが、吸着塔３２，３３の切換制御を貯留槽１１内のエッチング液Ｌ中のインジウムイオン濃度及び／又はスズイオン濃度を基に行うことで、吸着塔３２，３３の切換制御をより効率的に実施することができる。
【００８８】
また、上例では、基板処理機構１２で基板Ｋをエッチングしている間、吸着塔３２，３３に絶えずエッチング液Ｌを循環させるようにしたが、これに限られるものではなく、例えば、エッチング処理を開始してからの経過時間が所定時間になったり、基板Ｋのエッチング枚数が所定枚数になったり、貯留槽１１内のエッチング液Ｌ中のインジウムイオン濃度やスズイオン濃度が所定濃度を超えたときにのみ、インジウムイオンやスズイオンを除去すべく吸着塔３２，３３にエッチング液Ｌを循環させるようにしても良い。
【００８９】
また、上例では、エッチング液処理装置５を基板処理装置１に設けたが、これに限られるものではなく、例えば、図４に示すようなエッチング液処理装置６とすることもできる。このエッチング液処理装置６は、除去処理用の貯留槽７０と、前記除去機構３０と、前記第２制御部２８ｂなどから構成されており、前記貯留槽７０には、基板処理機構１２に付設されたエッチング用の貯留槽１１から使用済のエッチング液Ｌが適宜集められるようになっている。尚、図４に示したエッチング液処理装置６において、図１に示した基板処理装置１と同じ構成部分は同一の符号を付してその詳しい説明を省略する。
【００９０】
この場合、貯留槽７０内のエッチング液Ｌが、第２制御部２８ｂによる制御の下、第２エッチング液循環機構３４によって、貯留槽７０と吸着塔３２，３３のいずれか一方との間で循環せしめられ、エッチング液Ｌ中のインジウムイオンやスズイオンが、吸着塔３２，３３のキレート剤（図示せず）によって吸着，除去される。このとき、エッチング液Ｌの供給される吸着塔３２，３３は、例えば、所定の時間間隔で交互に切り換えられる。
【００９１】
そして、吸着塔３２，３３に貯留槽７０内のエッチング液Ｌを供給し始めてから一定時間が経過したり、貯留槽７０内のエッチング液Ｌのインジウムイオン濃度やスズイオン濃度が予め設定された基準値よりも低くなると、エッチング液Ｌの循環が停止され、インジウムイオンやスズイオンの除去処理が終了する。この後、貯留槽７０内の、除去処理後のエッチング液Ｌはエッチング用の貯留槽１１に適宜戻される。
【００９２】
尚、吸着塔３２，３３の切換でエッチング液Ｌの供給が停止された吸着塔３２，３３には、溶離液供給機構４２によって溶離液が供給された後、洗浄液供給機構５４によって洗浄液が供給され、供給された溶離液は溶離液回収機構４８によって、供給された洗浄液は洗浄液回収機構５８によってそれぞれ回収される。
【００９３】
このようなエッチング液処理装置６によっても、貯留槽７０内のエッチング液Ｌを貯留槽７０と吸着塔３２，３３との間で循環させることで、エッチング液Ｌ中のインジウムイオンやスズイオンを吸着，除去して当該エッチング液Ｌを再利用可能にすることができるので、新しいエッチング液Ｌの購入費用や使用済のエッチング液Ｌの廃棄費用などを省いてエッチング液Ｌにかかる費用を抑えることができ、エッチング処理にかかるコストを低くすることができる。
【００９４】
また、エッチング液Ｌの供給される吸着塔３２，３３を切り換えながら貯留槽７０内のエッチング液Ｌを循環させるようにしたので、吸着塔３２，３３のインジウムイオンやスズイオンの吸着能力を低下させることなくエッチング液Ｌからインジウムイオンやスズイオンを除去することができ、効率的にインジウムイオンやスズイオンの除去を行うことができる。
【００９５】
また、上例では、蓚酸濃度が約３％のエッチング液Ｌを用いて、上面に酸化インジウムスズ膜が形成された基板Ｋにエッチング処理を行うとともに、エッチング液Ｋに溶解したインジウムやスズを回収するようにしたが、エッチング液Ｌの種類や回収する金属の種類は、これらに限定されるものではない。
【００９６】
また、上例では、基板Ｋにエッチング処理を行うように構成したが、現像処理や洗浄処理などを行うようにしても良く、また、基板Ｋには、半導体（シリコン）ウエハ，液晶ガラス基板，フォトマスク用ガラス基板及び光ディスク用基板などの各種基板Ｋが含まれる。また、前記金属イオン吸着機構３１は、吸着塔３２，３３を３つ以上備えるように構成しても良い。
【００９７】
また、更に、上例では、第２エッチング液循環機構３４の各切換弁３８，３９，４０，４１、溶離液供給機構４２の供給部４３，溶離液供給弁４５及び各切換弁４６，４７、溶離液回収機構４８の各切換弁５１，５２及び溶離液回収弁５３、洗浄液供給機構５４の供給部５４，洗浄液供給弁５７及び各切換弁４６，４７、洗浄液回収機構５８の各切換弁５１，５２及び洗浄液回収弁６１の作動制御を第２制御部２８ｂにより行うように構成したが、作業者が手動で操作するように構成しても良い。
【００９８】
また、上例では、前記制御装置２８を第１制御部２８ａ及び第２制御部２８ｂから構成したが、これに限られるものではなく、第１制御部２８ａの機能と第２制御部２８ｂの機能を１つの制御部に持たせるようにしても良い。
【符号の説明】
【００９９】
１    基板処理装置
５    エッチング液処理装置
１１  貯留槽
１２  基板処理機構
２０  第１エッチング液循環機構
２４  濃度センサ
２５  濃度調整機構
２８  制御装置
２８ａ  第１制御部
２８ｂ  第２制御部
３０  除去機構
３１  金属イオン吸着機構
３２  第１吸着塔
３３  第２吸着塔
３４  第２エッチング液循環機構
３５  エッチング液供給管
３６  供給ポンプ
３７  エッチング液回収管
３８，３９，４０，４１  切換弁
４２  溶離液供給機構
４３  供給部
４４  溶離液供給管
４５  溶離液供給弁
４６，４７  切換弁
４８  溶離液回収機構
４９  回収部
５０  溶離液回収管
５１，５２  切換弁
５３  溶離液回収弁
５４  洗浄液供給機構
５５  供給部
５６  洗浄液供給管
５７  洗浄液供給弁
５８  洗浄液回収機構
５９  回収部
６０  洗浄液回収管
６１  洗浄液回収弁
Ｋ    基板
Ｌ    エッチング液
【図１】
2010034593.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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