【手続補正書】
【提出日】令和2年11月24日(2020.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）［（ＳｉＲ３）２ＮＳｉＨ２］ｍ−ＮＨ２−ｍ−Ｃ≡Ｎ（ここで、ｍ＝１又は２である）、
（ｂ）［（ＳｉＲ３）２ＮＳｉＨ２］３Ｎ、及び
（ｃ）（ＳｉＲ’３）２Ｎ−ＳｉＨ２−Ｎ（ＳｉＲ’３）２
（式中、
−  各Ｒは、Ｈ、式−ＮＲ１Ｒ２を有するジアルキルアミノ基、又はアミジナートから独立して選択され、
−  各Ｒ’は、全てのＲ’がＨではないことを条件として、Ｈ、式−ＮＲ１Ｒ２を有するジアルキルアミノ基、又はアミジナートから独立して選択され、及び
−  Ｒ１及びＲ２は、Ｒ１及びＲ２が同時にＨに等しいことはできず、且つＲ１がＨである場合、Ｒ２がＣ２−Ｃ１２ヒドロカルビル基であることを条件として、Ｈ又はＣ１−Ｃ１２ヒドロカルビル基から独立して選択され、及びＮＲ１Ｒ２は、一緒にＮ含有ヘテロ環配位子を形成し得る）
からなる群から選択される前駆体を含むケイ素含有膜形成組成物。
【請求項２】
前記前駆体は、（ＳｉＨ３）２Ｎ−ＳｉＨ２−Ｎ（ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２ＮＲ１Ｒ２）、［（ＳｉＨ３）２ＮＳｉＨ２］−ＮＨ−Ｃ≡Ｎ、又は［（ＳｉＨ３）２ＮＳｉＨ２］２Ｎ−Ｃ≡Ｎである、請求項１に記載のケイ素含有膜形成組成物。
【請求項３】
前記前駆体は、［（ＳｉＨ３）２ＮＳｉＨ２］３Ｎである、請求項１に記載のケイ素含有膜形成組成物。
【請求項４】
前記前駆体は、（ＳｉＨ３）２Ｎ−ＳｉＨ２−Ｎ（ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２ＮＭｅ２）、（ＳｉＨ３）２Ｎ−ＳｉＨ２−Ｎ（ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２ＮＥｔ２）、（ＳｉＨ３）２Ｎ−ＳｉＨ２−Ｎ（ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２ＮＥｔＭｅ）、（ＳｉＨ３）２Ｎ−ＳｉＨ２−Ｎ（ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２ＮｉＰｒ２）、（ＳｉＨ３）２Ｎ−ＳｉＨ２−Ｎ（ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２ＮｔＢｕ２）、（ＳｉＨ３）２Ｎ−ＳｉＨ２−Ｎ（ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２ＮｎＢｕ２）、（ＳｉＨ３）２Ｎ−ＳｉＨ２−Ｎ（ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２ＮｓｅｃＢｕ２）、又
は（ＳｉＨ３）２Ｎ−ＳｉＨ２−Ｎ（ＳｉＨ３）（ＳｉＨ２ＮＨｔＢｕ）である、請求項１に記載のケイ素含有膜形成組成物。
【請求項５】
化学気相成長法によって基板上にケイ素含有膜を堆積する方法であって、
請求項１〜４のいずれか一項に記載のＳｉ含有膜形成組成物を含む蒸気を、基板が入っている反応器内に導入すること、
化学気相成長法を使用して、前記前駆体の少なくとも一部を前記基板上に堆積して前記基板上にケイ素含有膜を形成すること
を含む方法。
【請求項６】
前記化学気相成長法は、原子層堆積法又はプラズマ支援原子層堆積法である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ケイ素含有膜は、ケイ素酸化物膜である、請求項５又は６に記載の方法。
【請求項８】
前記ケイ素含有膜は、ケイ素窒化物膜である、請求項５又は６に記載の方法。
【請求項９】
前記基板は、シリコンウェハである、請求項５又は６に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板は、ガラスである、請求項５又は６に記載の方法。
【請求項１１】
前記基板は、有機材料である、請求項５又は６に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
ケイ素含有膜形成組成物が開示される。ケイ素含有膜形成組成物は、
（ａ）［（ＳｉＲ３）２ＮＳｉＨ２］ｎ−ＮＬ３−ｎ（ここで、ｎ＝２又は３である）、
（ｂ）（ＳｉＨ３）２ＮＳｉＨ２−Ｏ−ＳｉＨ２Ｎ（ＳｉＨ３）２、
（ｃ）（ＳｉＲ’３）２Ｎ−ＳｉＨ２−Ｎ（ＳｉＲ’３）２、及び
（ｄ）［（ＳｉＲ３）２ＮＳｉＨ２］ｍ−ＮＨ２−ｍ−Ｃ≡Ｎ（ここで、ｍ＝１又は２である）
（式中、
−  各Ｒは、Ｈ、式−ＮＲ１Ｒ２を有するジアルキルアミノ基、又はアミジナートから独立して選択され、
−  各Ｒ’は、全てのＲ’がＨではないことを条件として、Ｈ、式−ＮＲ１Ｒ２を有するジアルキルアミノ基、又はアミジナートから独立して選択され、
−  Ｒ１及びＲ２は、Ｒ１及びＲ２が同時にＨに等しいことはできず、且つＲ１がＨである場合、Ｒ２がＣ２−Ｃ１２ヒドロカルビル基であることを条件として、Ｈ又はＣ１−Ｃ１２ヒドロカルビル基から独立して選択され、及びＮＲ１Ｒ２は、一緒にＮ含有ヘテロ環配位子を形成し得、及び
−  Ｌは、Ｈ又はＣ１−Ｃ６ヒドロカルビル基から選択される）
からなる群から選択される前駆体を含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本明細書において、Ｒ＝Ｒ’の場合の略語「ＮＲ，Ｒ’Ｒ’’−ａｍｄ」又はＮＲＲ’’−ａｍｄは、アミジナート配位子［Ｒ−Ｎ−Ｃ（Ｒ’’）＝Ｎ−Ｒ’］を指し、式中のＲ、Ｒ’、及びＲ’’は、Ｈ又は定義されたアルキル基（Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｎＢｕ、ｉＢｕ、ｓＢｕ、又はｔＢｕ等）である。Ｒ＝Ｒ’の場合の略語「ＮＲ，Ｒ’−ｆｍｄ」又はＮＲ−ｆｍｄは、ホルムアミジナート配位子［Ｒ−Ｎ−Ｃ（Ｈ）＝Ｎ−Ｒ’］を指し、式中のＲ及びＲ’は、Ｍｅ、Ｅｔ、ｎＰｒ、ｉＰｒ、ｎＢｕ、ｉＢｕ、ｓＢｕ、又はｔＢｕなどの定義されたアルキル基である。アミジナート群において選択された配位子は、まとめて「ＡＭＤ」と略される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
群２
（３）以下の反応：
２（ＳｉＨ３）２ＮＳｉＨ２−Ｘ＋Ｈ２Ｏ→（ＳｉＨ３）２ＮＳｉＨ２−Ｏ−ＳｉＨ２Ｎ（ＳｉＨ３）２＋２ＨＸ
に従う、（ＳｉＨ３）２ＮＳｉＨ２−Ｘ（式中、Ｘは、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＳＣＮ、ＮＣＯ、又はＮＲ１Ｒ２基から選択され、ＮＲ１Ｒ２は、上で定義した通りである）と、Ｈ２Ｏである反応物との反応から、
−  反応は、好ましくは、限定するものではないが、Ｃ３−Ｃ２４炭化水素溶媒、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル、アセトニトリル、又はＴＨＦなど、無水又は非プロトン性の溶媒又は溶媒混合物中で行われる。
−  反応全体を通してシラン部位が絶えず過剰に維持されるように、Ｈ２Ｏは、シラン含有組成物内にゆっくり添加される。
−  反応は、−４０℃〜１００℃の温度、好ましくは−２０℃〜室温で行われる。
−  任意選択的に、水は、キャリアガス中の蒸気として表面下に添加される。
−  任意選択的に、添加される水は、極性非プロトン性溶媒中に典型的には１％〜５０％、より好ましくは５％〜３０％で希釈される。
−  任意選択的に且つ好ましくは、Ｘがハロゲンである場合、反応混合物は、ハライド捕捉剤（限定するものではないが、ピリジン、トリアルキルアミン等）を、モル濃度基準でＨＸの見込まれる放出量よりも多い量で含む。ハライド捕捉剤は、溶媒として使用され得る。反応混合物は、その後、最終生成物の分離前に形成されたＨＸ−捕捉剤塩を除去するために濾過され得る。
−  任意選択的に、群（２）の化合物は、半導体グレードの前駆体に典型的な＞９８％、より好ましくは＞９９％、更に好ましくは＞９９．５％の分析値に達するように真空蒸留によって精製される。
−  任意選択的に、群（２）の生成物は、例えば、生成物を活性炭、乾燥したＡｍｂｅｒｌｙｓｔ樹脂、又は他のそのようなイオン交換樹脂などの固体吸着剤に曝露することにより、溶解している塩の含有量を減らすために更に処理され得る。
−  任意選択的に、生成物は、半導体産業において使用される典型的な製品の仕様に達するように濾過され得る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
ＳｉＨ２［Ｎ（ＳｉＨ３）２］２＋ｎＨＮＲ１Ｒ２→ＳｉＨ２［Ｎ（ＳｉＨ３−ｘ（ＮＲ１Ｒ２）ｘ］［ＳｉＨ３−ｙ（ＮＲ１Ｒ２）ｙ］＋（ｘ＋ｙ）Ｈ２（ここで、ｘ＝０〜３であり、ｙ＝１〜３である）
−  反応は、無溶媒又は非プロトン性溶媒中（限定するものではないが、Ｃ３−Ｃ２４炭化水素溶媒、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル、アセトニトリル、又はＴＨＦ等）で行われる。
−  反応は、室温〜１５０℃、好ましくは３０〜６０℃の温度で行われる。
−  任意選択的に、触媒は、反応混合物から濾過され、残りの液体組成物の成分は、蒸留によって分離される。
−  任意選択的に、反応混合物は、限定するものではないが、三級アミン又は配位化合物（ＸＮＲ４（Ｘ＝Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ；Ｒ＝アルキル）、Ｒ−ＣＮ、Ｒ２Ｓ若しくはＰＲ３等）から選択される触媒を失活させるための試薬で処理される。
−  任意選択的に、群（３）の化合物は、半導体グレードの前駆体に典型的な＞９８％、より好ましくは＞９９％、更に好ましくは＞９９．５％の分析値に達するように蒸留によって精製される。
−  任意選択的に、生成物は、半導体産業において使用される典型的な製品の仕様に達するように濾過され得る。
−  反応物である（ＳｉＲ３）２ＮＳｉＨ２−Ｘは、同時継続出願である米国特許出願公開第２０１８／００７２５７１号明細書に開示の通り、より具体的にはトリシリルアミンをＮＨ３反応物又は熱なしで触媒（Ｂ（Ｃ６Ｆ５）３、ＢＰｈ３、ＰｄＣｌ２、Ｃｏ２（ＣＯ）８、又はゼオライトＹ（Ｈ）、Ｓｉ：Ａｌ等）と混合することによって合成することができる。