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【手続補正書】
【提出日】平成16年9月9日(2004.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ロッドインテグレータホルダ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明光学系において光束の密度を均一化するために配設されるロッドインテグレータを保持するロッドインテグレータホルダにおいて、
前記照明光学系において前記ロッドインテグレータの後段に配設された他の光学部材もしくは該他の光学部材の保持部材と、前記ロッドインテグレータとの間に介在して、該他の光学部材の光入射端と該ロッドインテグレータの光出射端との間の空間を周囲に対して密閉する密閉介在部の少なくとも一部を構成する密閉用壁部を備えてなることを特徴とするロッドインテグレータホルダ。
【請求項２】
前記他の光学部材がレンズであり、前記密閉用壁部は、前記レンズを保持するレンズ鏡胴と共に、前記密閉介在部を構成するものであることを特徴とする請求項１記載のロッドインテグレータホルダ。
【請求項３】
前記ロッドインテグレータが挿入、保持される筒状のケース部と、該ケース部の一端部において該ケース部の軸と略直交する鍔状に形成された密閉用壁部とからなり、該鍔状の密閉用壁部が前記レンズ鏡胴の一端部に当接せしめられることにより、該レンズ鏡胴一端部と前記ケース部一端部との間の空間を密閉する構成であることを特徴とする請求項２記載のロッドインテグレータホルダ。
【請求項４】
前記ケース部の側面に、所定の接着剤が注入される接着剤注入孔が穿設されており、該ケース部内に挿入された前記ロッドインテグレータを、前記接着剤注入孔より注入された前記接着剤によって該ケース部内において固定して保持する構成であることを特徴とする請求項３記載のロッドインテグレータホルダ。
【請求項５】
前記鍔状の密閉用壁部の外周部には、該鍔状の密閉用壁部が前記レンズ鏡胴一端部に当接せしめられた際に、該当接したレンズ鏡胴一端部の外周面を覆う周壁部が形成されていることを特徴とする請求項３または４記載のロッドインテグレータホルダ。
【請求項６】
前記ケース部および前記密閉用壁部は、深絞り成形により一体に形成されていることを特徴とする請求項３から５のうちいずれか１項記載のロッドインテグレータホルダ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、投写型画像表示装置の照明光学系等において、光軸と垂直な面内における光束密度の均一化を図るために光路上に配設されるロッドインテグレータホルダに関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は上記事情に鑑みなされたもので、ロッドインテグレータの光出射面にキズが付いたり塵埃や煙草の煙などが付着したりするのを防止し得るロッドインテグレータホルダを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するため本発明のロッドインテグレータホルダは、照明光学系において光束の密度を均一化するために配設されるロッドインテグレータを保持するロッドインテグレータホルダにおいて、
前記照明光学系において前記ロッドインテグレータの後段に配設された他の光学部材もしくは該他の光学部材の保持部材と、前記ロッドインテグレータとの間に介在して、該他の光学部材の光入射端と該ロッドインテグレータの光出射端との間の空間を周囲に対して密閉する密閉介在部の少なくとも一部を構成する密閉用壁部を備えてなることを特徴とするものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
ロッドインテグレータホルダ６は、図２および図３にも示すように、ロッドインテグレータ３２が挿入される矩形枠状断面のケース部６１と、このケース部６１の軸方向（長さ方向）一端部（挿入されたロッドインテグレータ３２の光出射面３２ａに近い方の端部）に形成された鍔状密閉用壁部６２とを備えている。図１に示すように、ケース部６１は、その上方側面および下方側面に、所定の接着剤が注入される接着剤注入孔６３が各２個ずつ穿設されており、ケース部６１内に挿入されたロッドインテグレータ３２を、接着剤注入孔６３より注入された接着剤によってケース部６１内において固定して保持するように構成されている。また、鍔状密閉用壁部６２は、ケース部６１の軸と略直交する、この軸を中心とする円板状に形成されており、この鍔状密閉用壁部６２のケース部６１を挟んだ上下各１箇所には、図示せぬビスの挿入用のビス孔６４が穿設されている。さらに、鍔状密閉用壁部６２の外周部には、リレーレンズ鏡胴７側に向けて立ち上がる周壁部６５が形成されている。なお、ケース部６１、鍔状密閉用壁部６２、および周壁部６５は、深絞り成形によって互いに一体に形成されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、本発明のロッドインテグレータホルダによれば、照明光学系においてロッドインテグレータの後段に配設された他の光学部材もしくはその保持部材と、ロッドインテグレータもしくはその保持部材との間に介在して、他の光学部材の光入射端とロッドインテグレータの光出射端との間の空間を周囲に対して密閉する密閉介在部を備えていることにより、以下のような効果を奏する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月26日(2004.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】複写帳票
【特許請求の範囲】
【請求項１】３枚以上の帳票を重ね合わせてなり、少なくとも上から３枚目以下の帳票と、この上に重なり合う帳票との対接面には、それぞれアンダーコート層を介して、上位の帳票には染色剤内包マイクロカプセル層を設ける一方、下位の帳票には顕色剤層を設けたことを特徴とする複写帳票。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複写帳票に関し、特に、３枚以上の帳票が重ね合わされてなる複写帳票に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来の複数枚の帳票が重なり合った複写帳票においては、重なり合った帳票同士の対接面に適宜な複写構造を設け、最上位の帳票に記入することで、下位の帳票に複写記入するよう構成している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、この従来例によると、下位にある帳票ほど複写記入を鮮明に行うことは困難となるが、上から３枚目の帳票でも複写記入が不鮮明になるという不都合がある。本発明は、このような不都合を解消した、複写帳票を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために、本発明の請求項１に記載した複写帳票は、３枚以上の帳票を重ね合わせてなり、少なくとも上から３枚目以下の帳票と、この上に重なり合う帳票との対接面には、それぞれアンダーコート層を介して、上位の帳票には染色剤内包マイクロカプセル層を設ける一方、下位の帳票には顕色剤層を設けたものである。
【０００５】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づいて本発明を３枚重ねの領収証綴りに適用した場合の好適な実施形態を説明する。ここにおいて、図１は領収証綴りの概略的な平面図、図２はそのＡ−Ａ線断面図である。
【０００６】
図１及び図２に示すように、領収証綴り１は、折り兼切り用ミシン目２，３を介して連接した３枚の領収証４，５，６を、前記折り兼切り用ミシン目２，３で巻き込むように三つ折りしてなる。上位の領収証４と下位の領収証６とが控えで、中位の領収証５が本証となっている。
【０００７】
各領収証４，５，６の表面、すなわち折り重ね状態における上面側には、領収証４のみしか図示していないが、図１に示すように、上下に対応する位置にそれぞれ、「領収証」という標題７と、宛名記入欄８と、領収金額記入欄９と、領収対象年月記入欄１０と、領収年月日記入欄１１と、「××生命保険相互会社」という発行人表示１２と、担当者名記入捺印欄１３とを印刷により設けている。
【０００８】
図２に示すように、各領収証４，５，６の対接面には、各記入欄８，９，１０，１１，１３に対応するように、ほぼ全面的にそれぞれアンダーコート層１４，１５，１６，１７を設けている。これらアンダーコート層１４，１５，１６，１７は、メジュウムインキやワニスを塗布して形成する。上に重なった領収証４，５のアンダーコート層１４，１６に重ねて、染色剤内包マイクロカプセル層１８，１９を設けている。また、下に重なった領収証５，６のアンダーコート層１５，１７に重ねて、顕色剤層２０，２１を設けている。
【０００９】
領収証綴り１は、展開状態において各領収証４，５，６に標題７や宛名記入欄８などを印刷した後、アンダーコート層１４，１５，１６，１７を設け、さらに染色剤内包マイクロカプセル層１８，１９及び顕色剤層２０，２１を設けて作成する。前記領収証４の表面側から加えられた筆圧によって、前記染色剤内包マイクロカプセル層１８，１９の対応部分のマイクロカプセルが破壊され、染色剤が漏出して対接する顕色剤層２０，２１に作用し、前記各領収証５，６に筆記事項が複写される。
【００１０】
そして、アンダーコート層１４，１５，１６，１７を設けたので、染色剤内包マイクロカプセル層１８，１９及び顕色剤層２０，２１の成分が用紙にしみ込むことが防止され、複写機能が低下することがない。また、アンダーコート層１４，１５，１６，１７により、用紙表面が平滑化されるので、複写機能が向上する。実験により発色能力が２０〜３０％向上したことを確認した。
【００１１】
本実施形態は以上のように構成したので、図１及び図２状態において、上位の領収証４の宛名記入欄８、領収金額記入欄９、領収対象年月記入欄１０、領収年月日記入欄１１、担当者名記入捺印欄１３に所望事項を記入すると、中位の領収証５及び下位の領収証６の各対応欄に複写記入される。また、担当者の捺印は各領収証４，５，６毎に行う。領収証５は保険料支払い者である宛名人に手渡し、領収証４及び領収証６は保険会社の控えとして担当者が持ち帰り、入金処理することができる。
【００１２】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、領収証綴り１は１枚の用紙を三つ折りして重ね合わせるほか、３枚の用紙を重ね合わせるものでもよい。また、重ね合わせる枚数は３枚に限らず、４枚以上であってもよい。さらに、領収証綴り１以外に配送伝票などの各種帳票に適用できることはもちろんである。またさらに、アンダーコート層１４，１５，１６，１７はメジュウムインキやワニスのほか、染色剤内包マイクロカプセル層と顕色剤層との成分が用紙にしみ込むことを防止するとともに、用紙表面を平滑化しうる材料で形成することができる。そして、この材料としては印刷事項を確実に視認するために透明のものが望ましい。また、各領収証４，５の対接面に設けたアンダーコート層１４，１５は必ずしも設ける必要はない。
【００１３】
【発明の効果】
以上説明したように、本願発明の請求項１に記載した複写帳票によれば、アンダーコート層を介して、染色剤内包マイクロカプセル層と顕色剤層とを用紙の対接面に設けたので、染色剤内包マイクロカプセル層と顕色剤層との成分が用紙にしみ込むことを防止するとともに、用紙表面を平滑化して、３枚目以下の帳票における複写機能の向上を図ることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】領収証綴りの概略的な平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図。
【符号の説明】
１      領収証綴り
４，５，６      領収証
１４，１５，１６，１７      アンダーコート層
１８，１９      染色剤内包マイクロカプセル層
２０，２１      顕色剤層
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月1日(2004.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラテンローラに対して対向するようにサーマルヘッドを配設するとともに、内部に収容されたハロゲンランプへの通電により所定温度に加熱されるヒートローラを配設し、前記サーマルヘッドによりインクリボンを介して記録画像のインクを中間転写シートに一時的に転写し、前記中間転写シートに転写されたインクを前記ヒートローラにより記録媒体に再転写するようになしたプリンタにおいて、外部電源から入力される交流電圧が１００Ｖ系であるか２００Ｖ系であるかを判断し、この電圧が１００Ｖ系である場合はそのまま前記ハロゲンランプに対して通電を行ない、前記電圧が２００Ｖ系である場合は、その交流電圧の波長のうちの一部の波長分の電圧を前記ハロゲンランプに通電するように制御する通電制御回路を設けたことを特徴とするプリンタ。
【請求項２】
前記電圧が２００Ｖ系である場合は、その交流電圧の波長のうちの１／４の波長分の電圧を前記ハロゲンランプに通電するように制御することを特徴とする請求項１に記載のプリンタ。
【請求項３】
前記ヒートローラの表面温度を検出して前記通電制御回路に送る温度センサを配設し、前記通電制御回路により、前記ハロゲンランプへの通電により前記ヒートローラの表面温度が上昇しているときに、前記温度センサによる検出温度があらかじめ設定した設定温度に達する前に、前記ハロゲンランプへの通電をＯＦＦにし、前記ヒートローラの表面温度が下降しているときに、前記温度センサによる検出温度が設定温度に達する前に通電をＯＮにするように制御するようにしたことを特徴とする請求項１または２に記載のプリンタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するための第１の解決手段として本発明に係るプリンタは、プラテンローラに対して対向するようにサーマルヘッドを配設するとともに、内部に収容されたハロゲンランプへの通電により所定温度に加熱されるヒートローラを配設し、前記サーマルヘッドによりインクリボンを介して記録画像のインクを中間転写シートに一時的に転写し、前記中間転写シートに転写されたインクを前記ヒートローラにより記録媒体に再転写するようになしたプリンタにおいて、外部電源から入力される交流電圧が１００Ｖ系であるか２００Ｖ系であるかを判断し、この電圧が１００Ｖ系である場合はそのまま前記ハロゲンランプに対して通電を行ない、前記電圧が２００Ｖ系である場合は、その交流電圧の波長のうち一部の波長分、好ましくは１／４波長分の電圧を前記ハロゲンランプに通電するように制御する通電制御回路を設けたことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この発明によれば、通電制御回路により、外部電源から入力される交流電圧が１００Ｖ系であるか２００Ｖ系であるかを判断し、この電圧が１００Ｖ系である場合はそのまま前記ハロゲンランプに対して通電を行ない、前記電圧が２００Ｖ系である場合は、その交流電圧の波長のうち一部の波長分、好ましくは１／４波長分の電圧を前記ハロゲンランプに通電するように制御するようにしているので、電圧が２００Ｖ系の場合でも、ハロゲンランプに対して電圧が１００Ｖ系の場合と同等の通電を行なうことができ、その結果、ハロゲンランプに対して通電による過大な負荷がかかってしまうことがなく、ハロゲンランプの寿命の低下を防止することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、上記課題を解決するための第２の手段として、前記ヒートローラの表面温度を検出して前記通電制御回路に送る温度センサを配設し、前記通電制御回路により、前記ハロゲンランプへの通電により前記ヒートローラの表面温度が上昇しているときに、前記温度センサによる検出温度があらかじめ設定した設定温度に達する前に、前記ハロゲンランプへの通電をＯＦＦにし、前記ヒートローラの表面温度が下降しているときに、前記温度センサによる検出温度が設定温度に達する前に通電をＯＮにするように制御するようにしたことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月13日(2004.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
従って、下記式（３）が成り立つ。
｛２Ｔｃｏｓ（α（ｚ）＋β（ｚ））｝／ｒ（ｚ）＝Ｐａ−Ｐｌ…（３）
この式（３）で求められる位置ｚで、インクの液面は落ち着こうとする。
ここで、ｚ１が吐出時のインク液面の位置であり、ｚ２が保管時のインク液面の位置であるとすると、上記式（３）がｚ＝ｚ１と、ｚ＝ｚ２とで成り立つように、接触角α、形状変化βおよびインク内圧Ｐｌの組み合せを２種類設定しておけば良い。
例えば、図３（Ａ）に示すノズル２０の場合、ノズル２０の形状変化β（ｚ）のグラフは、図３（Ｂ）に、ノズル２０の半径ｒ（ｚ）のグラフは、図３（Ｃ）に、インク側の内圧Ｐｌ（ｚ）のグラフは、図３（Ｄ）に示される。
従って、図３（Ｄ）に示されるように、ｚ１およびｚ２において形成される２つの段差部において、インク液面は、上記式（３）を満たすので、安定化する。例えば、インク内圧Ｐｌが図３（Ｄ）に示すグラフより下側にある（負圧（絶対値）が大きい）時には、インク液面が移動して、インク内圧がｚ＝ｚ１における段差部において安定する。逆に、インク内圧Ｐｌが僅かな負圧の（絶対値が小さい）または正圧時には、インク液面が移動して、インク内圧がｚ＝ｚ２における段差部において安定する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2002337363.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月25日(2005.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷デバイス（３０）内に媒体（３４）を通過させることと、前記印刷デバイス（３０）内の前記媒体（３４）の単一パス中において前記媒体（３４）の対向部（６６、７０）に印刷することとから成る印刷方法。
【請求項２】
前記媒体（３４）は折畳まれ、前記対向部（６６、７０）への印刷は、折畳まれた前記媒体（３４）を開いたときに前記媒体（３４）の一方の部分（６６、７０）に印刷された情報（７４）が前記媒体（３４）の他方の部分（６６、７０）に印刷された情報（７４）と相関するように行われる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記印刷された情報（７４）はデータであり、前記データは時間に対して測定され、前記対向部（６６、７０）の前記データは時間に対して相関する、請求項２記載の方法。
【請求項４】
経時的に収集された生理データに対応する少なくとも２つの波形（７４）を含む画像を印刷する方法であって、印刷デバイス（３０）内に対向部（６６、７０）を有する折畳み媒体（３４）を通過させ、第１の波形（７４）を前記折畳み媒体（３４）の一方の部分（６６）に印刷し、第２の波形（７４）を前記折畳み媒体（３４）の他方の部分（７０）に印刷し、前記第１及び第２の波形（７４）は前記印刷デバイス（３０）内の前記折畳み媒体（３４）の単一パス中において印刷されることからなる印刷方法。
【請求項５】
前記第１及び第２の波形（７４）は、前記折畳み媒体（３４）を開いたときに前記第１及び第２の波形（７４）が互いに対して相関するように印刷される、請求項４記載の方法。
【請求項６】
単一パス中において媒体（３４）の対向部（６６、７０）に印刷する印刷デバイス（３０）であって、前記媒体（３４）を受容する給紙経路（５８）と、前記給紙経路（５８）の第１の側に隣接した第１のプリントヘッド（５０、５０’）と、前記給紙経路（５８）の第２の側に隣接した第２のプリントヘッド（５４、５４’）とを具備する印刷デバイス（３０）。
【請求項７】
前記媒体（３４）は折畳まれ、前記給紙経路（５８）は折畳まれた前記媒体（３４）を受容するサイズに形成される、請求項６記載の印刷デバイス（３０）。
【請求項８】
プロセッサ１４と、前記プロセッサ（１４）に結合され、前記プロセッサ（１４）が収集した患者データ（７４、７８）を印刷する印刷デバイス（３０）とを具備する携帯用医療デバイス（１０）であって、前記印刷デバイス（３０）は対向部（６６、７０）を有する折畳み媒体（３４）を受容する給紙経路（５８）と、前記給紙経路（５８）の第１の側に隣接し、前記折畳み媒体（３４）の一方の部分に前記データ（７４、７８）を印刷する第１のプリントヘッド（５０、５０’）と、前記給紙経路（５８）の第２の側に隣接し、前記折畳み媒体（３４）の他方の部分に前記データ（７４、７８）を印刷する第２のプリントヘッド（５４、５４’）とを具備する携帯用医療デバイス（１０）。
【請求項９】
前記印刷デバイス（３０）の前記第１及び第２のプリントヘッド（５０、５０’、５４、５４’）は前記折畳み媒体（３４）が前記給紙経路（５８）を通過する際にほぼ同時に印刷する、請求項８記載の医療デバイス（１０）。
【請求項１０】
前記プロセッサが収集した患者データは時間の関数であり、前記第２のプリントヘッド（５４’）が第１の期間（ｔ）に対応するデータを印刷する前に前記第１のプリントヘッド（５０’）が前記第１の期間（ｔ）に対応するデータを印刷するため、前記第１及び第２のプリントヘッド（５０’、５４’）は印刷デバイス（３０）内で互いにずれることできる、請求項８記載の医療デバイス（１０）。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月7日(2004.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部との電気的接続を確保する第１の外部端子および第２の外部端子と、
電流を入力する第１の電極、および、入力された電流を出力する第２の電極を有し、前記第１の外部端子から該第１の電極に入力される電流をスイッチングして、第２の電極および前記第２の外部端子から出力される電流を制御するスイッチング素子と、
フリーホイールダイオードとを有する電力用モジュールであって、
前記第１の外部端子に電気的に接続された第１の板状導体と、
前記第２の外部端子に電気的に接続された第２の板状導体とをさらに備え、
前記第１の板状導体、および、前記第２の板状導体が、前記スイッチング素子と前記フリーホイールダイオードとを逆並列接続する電力用モジュール。
【請求項２】
前記スイッチング素子の厚みと、前記フリーホイールダイオードの厚みとが略同一である、請求項１に記載の電力用モジュール。
【請求項３】
前記第１の外部端子と前記第１の板状導体とが、一体化して構成され、前記第２の外部端子と前記第２の板状導体とが、一体化して構成されている、請求項１または２に記載の電力用モジュール。
【請求項４】
前記スイッチング素子、前記フリーホイールダイオード、前記第１の板状導体、および、前記第２の板状導体は、樹脂材料でモールドされている、請求項３に記載の電力用モジュール。
【請求項５】
外部との電気的接続を確保する、板状の第３の外部端子をさらに備え、
前記スイッチング素子は、板状の前記第３の外部端子と接続され、印加された電圧に基づいて、出力される前記電流を制御する第３の電極をさらに備えている、請求項１〜４のいずれか１つに記載の電力用モジュール。
【請求項６】
発生した熱を放出する第１の放熱板と、第２の放熱板とをさらに備え、
第１の放熱板は、一方の面が前記樹脂材料を介して前記第１の板状導体と対向し、他方の面は外部に露出して配置されており、
第２の放熱板は、一方の面が前記樹脂材料を介して前記第２の板状導体と対向し、他方の面は外部に露出して配置されている、請求項５に記載の電力用モジュール。
【請求項７】
前記第１の板状導体、および、前記第２の板状導体は、各々の厚さに応じて、回路抵抗を調節可能である、請求項１〜６のいずれか１つに記載の電力用モジュール。
【請求項８】
前記スイッチング素子は、半導体により構成されている、請求項１〜７に記載の電力用モジュール。
【請求項９】
前記スイッチング素子は、ＩＧＢＴチップである、請求項８に記載の電力用モジュール。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月14日(2004.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
かかるダイオード１で、第１導電型をＮ型とし、第２導電型をＰ型とし、電極膜１８に正電圧を印加するとともに、カソード電極１９に負電圧を印加すると、電極膜１８と半導体基板１０との間のショットキー接合が順バイアスされ、ショットキー接合を通って電極膜１８からカソード電極１９へと電流が流れる。このとき、各細溝耐圧部２５1〜２５3と半導体基板１０との間のＰＮ接合も順バイアスされるが、ＰＮ接合の障壁高さはショットキー接合の障壁高さよりも高いので、ＰＮ接合には電流は流れないか流れても僅かである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
仮に、空乏層の四隅が丸まった状態で外向きの空乏層の端部２５ｄと内向きの空乏層の端部２８ｄの、角部７０1〜７０4を除いた長辺が、距離(ａ／２)の位置で接したと仮定すると、角部７０1〜７０4に近い部分には仮想的な不足分が生じることになる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2003243671.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月25日(2005.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極ブロックの温度を制御し、半導体ウエハの温度を制御する方式の保持ステージを備えたプラズマ処理装置において、
前記電極ブロックに、内側と外側で独立した温度制御手段を設けると共に、これら温度制御手段の間にほぼ同心円状に形成された熱伝達抑制用のスリットを設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
電極ブロックの温度を制御し、半導体ウエハの温度を制御する方式の保持ステージを備えたプラズマ処理装置において、
前記電極ブロックに、内側と外側で独立した温度制御手段を設けると共に、これら温度制御手段の間に熱伝達抑制用のスリットを設け、
前記内側と外側で独立した温度制御手段を、
前記電極ブロックの中で当該電極ブロックの内側と外側で独立して設けられている第１と第２の流路と、これら第１と第２の流路に、温度と流量の少なくとも一方が制御された熱媒を独立して供給する第１と第２の熱媒供給手段で構成したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月16日(2004.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱したサファイア（Ａｌ2Ｏ3）基板上に、Ｖ／ＩＩＩ比を１０００以下（Ｖ／ＩＩＩ比が０の場合を含む）としてＩＩＩ族原料を供給し、ＩＩＩ族窒化物半導体（以下、ＩＩＩ族窒化物半導体はＩｎＧａＡｌＮで表されるものとする。）を形成する第１の工程と、その後ＩＩＩ族原料と窒素原料を用いて、該基板上にＩＩＩ族窒化物半導体結晶を気相成長させる第２の工程を有するＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法。
【請求項２】
Ｖ族原料が、反応炉の壁面や天板やサセプタに付着した付着物の分解から供給されることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法。
【請求項３】
前記第１の工程で供給するＩＩＩ族原料が、少なくともＡｌを含むことを特徴とする請求項１または２に記載のＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法。
【請求項４】
前記第２の工程で、基板上に気相成長させるＩＩＩ族窒化物半導体結晶がＧａＮからなることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法。
【請求項５】
前記第２の工程で、窒素原料としてアンモニア（ＮＨ3）を用いることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法。
【請求項６】
前記第１の工程または第２の工程の少なくとも一方において、気相成長を有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）で行うことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法。
【請求項７】
前記第１の工程で形成したＩＩＩ族窒化物半導体が島状結晶塊であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法。
【請求項８】
前記第１の工程で形成したＩＩＩ族窒化物半導体が柱状結晶であることを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法。
【請求項９】
前記柱状結晶が、その側面が基板面とおおむね垂直であるように基板上に付着していることを特徴とする請求項８に記載のＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法。
【請求項１０】
加熱した基板上に第１のＩＩＩ族窒化物半導体を作製し、その上に第２のＩＩＩ族窒化物半導体結晶を作製するＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法において、第１のＩＩＩ族窒化物半導体が柱状結晶または島状結晶の集合体であることを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法。
【請求項１１】
前記柱状結晶が、その側面が基板面とおおむね垂直であるように基板上に付着していることを特徴とする請求項１０に記載のＩＩＩ族窒化物半導体結晶の製造方法。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の方法で製造したＩＩＩ族窒化物半導体結晶。
【請求項１３】
請求項１２に記載のＩＩＩ族窒化物半導体結晶の上に、さらにＩＩＩ族窒化物半導体結晶層を形成したＩＩＩ族窒化物半導体エピタキシャルウェーハ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月22日(2004.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一方の表面に半導体素子が形成された半導体装置の製造方法において、前記半導体基板の一方の面とは反対側の面から研削加工して、前記半導体基板を所定の厚さにする研削加工工程と、前記研削加工工程を実行した後に、前記反対側の面に対し前記半導体基板の外周部を残して所定深さまでエッチングして薄くするエッチング工程と、前記エッチング工程を実行した後に、前記半導体基板の反対側の面に電極を形成する電極形成工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
低濃度の半導体基板の一方の表面に半導体素子が形成された半導体装置の製造方法において、前記半導体基板の一方の面とは反対側の面から研削加工して、前記半導体基板を所定の厚さにする研削加工工程と、前記研削加工工程を実行した後に、前記反対側の面に対し前記半導体基板の外周部を残して所定深さまでエッチングして薄くするエッチング工程と、前記エッチング工程を実行した後に、前記エッチングが施された前記低濃度の半導体基板の反対側の面に高濃度層を形成する高濃度層形成工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記エッチング工程では、前記半導体基板の外周部に加えて、その外周部によって囲まれる内部領域の一部も、厚さが厚いまま残すようにエッチングを施すことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記エッチング工程では、そのエッチング加工に用いるエッチング液組成によって、エッチング面の表面粗さを制御することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項２に記載の高濃度層形成工程を実行した後に、前記半導体基板の反対側の面に電極を形成する電極形成工程を付加したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体基板における前記半導体素子が形成された素子形成面に保護部材を設けた状態で前記エッチング工程を実行したことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記エッチング工程は、前記半導体基板におけるエッチングにより薄くなった領域の厚さを測定し所望の厚さとなったときにエッチングを終了させるようにしたことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記半導体基板におけるエッチングにより薄くなった領域の厚さを２００μｍ未満としたことを特徴とする請求項１乃至７の何れか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法は、半導体基板の一方の表面に半導体素子が形成された半導体装置の製造方法において、半導体基板における半導体素子が形成された面とは反対側の面から研削加工して、半導体基板を所定の厚さにする研削加工工程と、この研削加工工程を実行した後に、半導体基板の反対側の面に対し半導体基板の外周部を残して所定深さまでエッチングして薄くするエッチング工程と、このエッチング工程を実行した後に、半導体基板の反対側の面に電極を形成する電極形成工程とを備えたことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
特に、請求項１に記載の発明では、エッチングによって半導体基板の内部を薄く形成しているので、研磨によって薄肉化した場合のようなダメージ層が発生することが防止できる。従って、請求項１に記載するように、エッチング工程後に、半導体基板のエッチング面に電極を形成する場合、基板と電極との接触抵抗を低減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月3日(2005.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微細孔を有するプラズマ反応室構成部品の洗浄方法であって、
前記微細孔が前記構成部品を厚さ方向に貫通する深さを有し、
洗浄溶媒中で、前記微細孔の深さ方向の全域に及ぶキャビテーションを発生させることによって、前記微細孔内面に付着したプラズマ反応生成物を除去することを特徴とする洗浄方法。
【請求項２】
洗浄溶媒中で、超音波を、ホーンを使って超音波放射面から、振動子入力電力と前記超音波放射面の面積との比によって定義される超音波パワー密度が５Ｗ／ｃｍ2 以上の条件で、微細孔を有するプラズマ反応室構成部品の該微細孔に向けて照射することによって、前記微細孔内面に付着したプラズマ反応生成物を除去するプラズマ反応室構成部品の洗浄方法であって、
前記微細孔が前記構成部品を厚さ方向に貫通する深さを有し、
前記洗浄溶媒中の前記超音波の波長の２乗の値は、前記超音波放射面の面積の値よりも大きいことを特徴とする洗浄方法。
【請求項３】
前記構成部品は、シリコン製の部品であり、８Ｗ／ｃｍ2 以上の超音波パワー密度で超音波を照射することを特徴とする請求項１または２に記載の洗浄方法。
【請求項４】
１８Ｗ／ｃｍ2 以上の超音波パワー密度で超音波を照射することを特徴とする請求項３に記載の洗浄方法。
【請求項５】
前記プラズマ反応生成物は、ＣＦｘポリマーであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の洗浄方法。
【請求項６】
前記超音波または前記キャビテーションによる洗浄の後に、前記微細孔内面に部分的に残留した前記プラズマ反応生成物を物理洗浄によって除去することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の洗浄方法。
【請求項７】
前記構成部品は、シリコン製の部品であり、
前記超音波または前記キャビテーションによる洗浄が、前記微細孔内面に付着した前記プラズマ反応生成物に加えて、前記微細孔内面と前記プラズマ反応生成物との間に形成された中間反応層を除去するものであり、
前記物理洗浄は、前記超音波または前記キャビテーションによる洗浄の後に、部分的に残留した前記プラズマ反応生成物および前記中間反応層を除去することを特徴とする請求項６に記載の洗浄方法。
【請求項８】
前記物理洗浄がブラスト洗浄であることを特徴とする請求項６または７に記載の洗浄方法。
【請求項９】
フロロカーボン系ガスを使用するプラズマエッチング装置を用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、
前記プラズマエッチング装置内の前記フロロカーボン系ガス供給用ガスノズル孔を前記微細孔として有するプラズマ生成用電極を前記構成部品として、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の洗浄方法で洗浄して前記ガスノズル孔内面に付着したプラズマ生成物を除去することによって繰り返し使用することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本願第１の発明は、微細孔を有するプラズマ反応室構成部品の洗浄方法であって、前記微細孔が前記構成部品を厚さ方向に貫通する深さを有し、洗浄溶媒中で、前記微細孔の深さ方向の全域に及ぶキャビテーションを発生させることによって、前記微細孔内面に付着したプラズマ反応生成物を除去することを特徴とする洗浄方法を提供するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本願第２の発明は、洗浄溶媒中で、超音波を、ホーンを使って超音波放射面から、振動子入力電力と前記超音波放射面の面積との比によって定義される超音波パワー密度が５Ｗ／ｃｍ2 以上の条件で、微細孔を有するプラズマ反応室構成部品の該微細孔に向けて照射することによって、前記微細孔内面に付着したプラズマ反応生成物を除去するプラズマ反応室構成部品の洗浄方法であって、前記微細孔が前記構成部品を厚さ方向に貫通する深さを有し、前記洗浄溶媒中の前記超音波の波長の２乗の値は、前記超音波放射面の面積の値よりも大きいことを特徴とする洗浄方法を提供するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明において、前記構成部品がシリコン製の部品である場合、８Ｗ／ｃｍ2 以上の超音波パワー密度で超音波を照射することが好ましい。この場合、より好ましくは、１８Ｗ／ｃｍ2 以上の超音波パワー密度で超音波を照射する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、前記プラズマ反応生成物は、例えばＣＦｘポリマーである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
前記超音波または前記キャビテーションによる洗浄の後に、前記微細孔内面に部分的に残留した前記プラズマ反応生成物を物理洗浄によって除去することが好ましい。
この場合、前記構成部品は、シリコン製の部品であり、前記超音波または前記キャビテーションによる洗浄が、前記微細孔内面に付着した前記プラズマ反応生成物に加えて、前記微細孔内面と前記プラズマ反応生成物との間に形成された中間反応層を除去するものであり、前記物理洗浄は、前記超音波または前記キャビテーションによる洗浄の後に、部分的に残留した前記プラズマ反応生成物および前記中間反応層を除去するものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、本発明において、前記物理洗浄がブラスト洗浄であることが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
なお、高い清浄度が得られた条件においては、ＣＦｘポリマーの残留が観察されたガスノズル孔１２０においても深さ方向の全域においてほぼ完全な除去が実現されており、剥離しかけた微小なＣＦｘポリマーの残留が認められるのみであった。すなわち、放射面側のガスノズル孔１２０開口部から一定の深さのみにしか洗浄効果が及ばないという状態ではなかった。従って、ある程度の範囲であれば、より厚い電極に形成されたより深いガスノズル孔の洗浄においても、同様のパワー密度において同様の高い洗浄度が得られると推定できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月7日(2004.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筒状ボビンと、該筒状ボビン内に挿入した棒状コアと、前記筒状ボビンの外周に装着した筒状コイル体と、からなるインダクタンス素子において、前記筒状ボビンは、一方の開口端に凹凸嵌合部および鍔片を、また他の開口端に当接片をそれぞれ設けた二個のボビン素体の、それぞれの前記凹凸嵌合部を相互に嵌合して構成し、前記当接片を前記棒状コアの端面に当接して前記筒状ボビン内に前記棒状コアを装着するとともに、前記筒状ボビンの外周に装着した固定リングと前記鍔片との間の前記筒状ボビンの外周に前記筒状コイル体を装着し、前記鍔片に、前記筒状コイル体の巻き始め引き出し線又は巻き終わり引き出し線を係止する第１係止片を設け、前記固定リングに、前記巻き始め引き出し線又は前記巻き終わり引き出し線を係止する第２係止片を設けたことを特徴とするインダクタンス素子。
【請求項２】
前記筒状コイル体の巻き始め引き出し線と巻き終わり引き出し線を外方に向かって拡開状態に構成すると共に前記巻き始め引き出し線と前記巻き終わり引き出し線とを拡開方向に抗して前記第１係止片又は前記第２係止片に係止することを特徴とする請求項１に記載のインダクタンス素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、筒状ボビンと、該筒状ボビン内に挿入した棒状コアと、前記筒状ボビンの外周に装着した筒状コイル体と、からなるインダクタンス素子において、前記筒状ボビンは、一方の開口端に凹凸嵌合部および鍔片を、また他の開口端に当接片をそれぞれ設けた二個のボビン素体の、それぞれの前記凹凸嵌合部を相互に嵌合して構成し、前記当接片を前記棒状コアの端面に当接して前記筒状ボビン内に前記棒状コアを装着するとともに、前記筒状ボビンの外周に装着した固定リングと前記鍔片との間の前記筒状ボビンの外周に前記筒状コイル体を装着し、前記鍔片に、前記筒状コイル体の巻き始め引き出し線又は巻き終わり引き出し線を係止する第１係止片を設け、前記固定リングに、前記巻き始め引き出し線又は前記巻き終わり引き出し線を係止する第２係止片を設けたことを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに本発明は、筒状コイル体の巻き始め引き出し線又は巻き終わり引き出し線が所定位置に固定されるため、インダクタンス素子の端子棒として両引き出し線をそのまま用いることができる。また、従来のように両引き出し線をインダクタンス素子の端子棒に巻き付けて半田付けする作業を行う必要が無くなり、インダクタンス素子の製造工数が減少される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月30日(2004.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上にアモルファスシリコンと、Ｔａ，Ｗ，Ｍｏから選択される選択元素と、周期律表第Ｖ族元素と、を含んだ薄膜層を形成し、前記選択元素を０．５ｐｐｍ〜１５％の原子比率にて、周期律表第Ｖ族元素を１．０ｐｐｍ〜０．５％の原子比率にてそれぞれ含有せしめたことを特徴とする抵抗体。
【請求項２】
前記薄膜層の内部応力が１．７×１０７〜４．６×１０７Ｎ／ｍ２に設定されていることを特徴とする請求項１に記載の抵抗体。
【請求項３】
前記薄膜層が発熱層であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の抵抗体。
【請求項４】
前記薄膜層が帯電防止層であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の抵抗体。
【請求項５】
前記薄膜層が保護層であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の抵抗体。
【請求項６】
基体上にアモルファスシリコン層を触媒ＣＶＤ法により成膜形成した抵抗体であって、前記触媒ＣＶＤ法に用いる触媒体をＴａ，Ｗ，Ｍｏから選択される触媒元素にて成し、前記アモルファスシリコン層に触媒元素を０．５ｐｐｍ〜１５％の原子比率にて、かつ周期律表第Ｖ族元素を１．０ｐｐｍ〜０．５％の原子比率にて含有せしめたことを特徴とする抵抗体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の抵抗体は、基体上にアモルファスシリコンと、Ｔａ，Ｗ，Ｍｏから選択される選択元素と、周期律表第Ｖ族元素と、を含んだ薄膜層を形成し、前記選択元素を０．５ｐｐｍ〜１５％の原子比率にて、周期律表第Ｖ族元素を１．０ｐｐｍ〜０．５％の原子比率にてそれぞれ含有せしめたことを特徴とする。
また本発明の抵抗体は、上記抵抗体において、前記薄膜層の内部応力が１．７×１０７〜４．６×１０７Ｎ／ｍ２に設定されていることを特徴とする。
更に本発明の抵抗体は、上記抵抗体において、前記薄膜層が発熱層または帯電防止層もしくは保護層であることを特徴とする。
また本発明の抵抗体は、基体上にアモルファスシリコン層を触媒ＣＶＤ法により成膜形成した抵抗体であって、前記触媒ＣＶＤ法に用いる触媒体をＴａ，Ｗ，Ｍｏから選択される触媒元素にて成し、前記アモルファスシリコン層に触媒元素を０．５ｐｐｍ〜１５％の原子比率にて、かつ周期律表第Ｖ族元素を１．０ｐｐｍ〜０．５％の原子比率にて含有せしめたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
【発明の効果】
以上の通り、本発明の抵抗体により、密着性に優れた抵抗体を提供することができた。また本発明の抵抗体を発熱抵抗体として用いた場合、優れた発熱特性を得ることができた。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月28日(2005.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体チップと、前記半導体チップが搭載されたダイパッド部と、前記半導体チップの周囲に配置された複数のリードと、前記半導体チップと前記リードを電気的に接続する複数のワイヤと、前記半導体チップ、前記ダイパッド部、前記複数のリードおよび前記複数のワイヤを封止する封止体とを有する半導体装置であって、
前記複数のリードは、前記半導体チップに近い一端部側のピッチが、前記一端部側とは反対側に位置する他端部側のピッチよりも小さくなるように形成され、
前記複数のリードのそれぞれには、前記封止体の裏面から外部に突出する端子が選択的に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】  前記端子は、前記リードの一部を前記封止体の裏面から外部に突出させたものであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】  前記端子は、前記リードとは異なる導電材料からなることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】  前記ダイパッド部の裏面は、前記封止体の裏面から外部に露出していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】  前記端子は、前記封止体の各辺に沿って千鳥状に２列ずつ配置されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】  前記複数のリードのうち、前記一端部側に近い方に前記端子が配置されたリードの幅は、前記他端部側に近い方に前記端子が配置されたリードの幅よりも広いことを特徴とする請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】  前記ダイパッド部の面積は、前記半導体チップの面積よりも小さいことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】  前記ダイパッド部は、複数の吊りリードによって支持されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項９】  半導体チップと、前記半導体チップが搭載されたシート状のチップ支持体と、前記半導体チップの周囲に配置された複数のリードと、前記半導体チップと前記リードを電気的に接続する複数のワイヤと、前記半導体チップ、前記チップ支持体、前記複数のリードおよび前記複数のワイヤを封止する封止体とを有する半導体装置であって、
前記複数のリードは、前記半導体チップに近い一端部側のピッチが、前記一端部側とは反対側に位置する他端部側のピッチよりも小さくなるように形成され、
前記複数のリードのそれぞれには、前記封止体の裏面から外部に突出する端子が電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】  前記チップ支持体は、前記複数のリードによって支持されていることを特徴とする請求項９記載の半導体装置。
【請求項１１】  前記複数のリードは、前記一端部側の長さが交互に異なっていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項１２】  前記半導体チップの主面に形成されたボンディングパッドは、前記半導体チップの辺に沿って２列ずつ千鳥状に配置されていることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置。
【請求項１３】  前記複数のリードは、前記一端部側が前記封止体の厚さ方向に折り曲げられていることを特徴とする請求項１または９記載の半導体装置。
【請求項１４】  前記端子の径は、前記リードの幅よりも大であることを特徴とする請求項１または９記載の半導体装置。
【請求項１５】  前記端子の径は、前記リードの幅と同じであることを特徴とする請求項１または９記載の半導体装置。
【請求項１６】  前記チップ支持体は、ヒートスプレッダであることを特徴とする請求項９記載の半導体装置。