【手続補正書】
【提出日】平成16年6月21日(2004.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
磁束を発生させる薄膜コイルと、
記録媒体に対向する記録媒体対向面に露出するように配設された主磁極層と、前記記録媒体対向面から一端面が後退し、前記主磁極層の一部と対向するように配設された補助磁極層と、前記主磁極層と前記補助磁極層との間に、これらの２つの層により挟まれるように配設された非磁性層と、を含む積層構造を有し、前記薄膜コイルにおいて発生した磁束を前記記録媒体に向けて放出する磁極層と、
を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記補助磁極層を形成する工程が、
前記一端面を含む端面を有するように、前記補助磁極層の前準備層としての第１の前駆補助磁極層パターンを形成する工程と、
この第１の前駆補助磁極層パターンのうちの前記端面に近い側の部分を選択的にエッチングすることにより、前記記録媒体対向面に対して前記端面よりも後退した位置からその端面に向かって次第に膜厚が薄くなる部分を含むように第２の前駆補助磁極層パターンを形成する工程と、
エッチング用のマスクを使用して、前記第２の前駆補助磁極層パターンをエッチングしてパターニングすることにより、前記一端面と、前記記録媒体対向面に対して前記一端面よりも後退した位置から前記一端面に向かって次第に膜厚が薄くなる膜厚変化部分とを含むように前記補助磁極層を形成する工程と
を含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、磁束を発生させる薄膜コイルと、記録媒体に対向する記録媒体対向面に露出するように配設された主磁極層と、記録媒体対向面から一端面が後退し、主磁極層の一部と対向するように配設された補助磁極層と、主磁極層と補助磁極層との間に、これらの２つの層により挟まれるように配設された非磁性層と、を含む積層構造を有し、薄膜コイルにおいて発生した磁束を記録媒体に向けて放出する磁極層と、を備えた薄膜磁気ヘッドを製造する方法であり、補助磁極層を形成する工程が、一端面を含む端面を有するように、補助磁極層の前準備層としての第１の前駆補助磁極層パターンを形成する工程と、この第１の前駆補助磁極層パターンのうちの端面に近い側の部分を選択的にエッチングすることにより、記録媒体対向面に対して端面よりも後退した位置からその端面に向かって次第に膜厚が薄くなる部分を含むように第２の前駆補助磁極層パターンを形成する工程と、エッチング用のマスクを使用して、第２の前駆補助磁極層パターンをエッチングしてパターニングすることにより、一端面と、記録媒体対向面に対して一端面よりも後退した位置から一端面に向かって次第に膜厚が薄くなる膜厚変化部分とを含むように補助磁極層を形成する工程とを含むようにしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の薄膜磁気ヘッドでは、補助磁極層が、さらに、膜厚変化部分の後方に連結され、一定の膜厚を有する膜厚一定部分を含み、膜厚一定部分の膜厚に対する膜厚変化部分のうちの一端面の膜厚の比が、０以上０．８以下の範囲内であるのが好ましい。この場合には、さらに、補助磁極層の一端面が、一定の膜厚を有し、膜厚の比が、０以上０．５以下の範囲内であるのがより好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
この薄膜磁気ヘッドは、例えば、記録・再生の双方の機能を実行可能な複合型ヘッドであり、図１に示したように、例えばアルティック（Ａｌ2 Ｏ3 ・ＴｉＣ）などのセラミック材料よりなる基板１上に、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ2 Ｏ3 ；以下、単に「アルミナ」という。）などの非磁性絶縁材料よりなる絶縁層２と、磁気抵抗（ＭＲ；Magneto-resistive ）効果を利用して再生処理を実行する再生ヘッド１００Ａと、例えばアルミナなどの非磁性材料よりなる非磁性層７と、垂直記録方式により記録処理を実行する単磁極型の記録ヘッド１００Ｂと、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料よりなるオーバーコート層１６とがこの順に積層された構成をなしている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
下部シールド層３および上部シールド層５は，例えば、いずれもニッケル鉄合金（ＮｉＦｅ（例えばＮｉ：８０重量％，Ｆｅ：２０重量％）；以下、単に「パーマロイ（商品名）」という。）などの磁性材料により構成されており、それらの厚さはいずれも約１．０μｍ〜２．０μｍである。シールドギャップ膜４は、ＭＲ素子６を周囲から電気的に分離するものであり、例えばアルミナなどの非磁性絶縁材料により構成されている。ＭＲ素子６は、例えば、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ；Giant Magneto-resistive ）効果またはトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ；Tunneling Magneto-resistive ）効果などを利用して再生処理を実行するものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
主磁極層１２、非磁性層１３および補助磁極層１４がこの順に積層された積層構造体（以下、単に「積層構造体」ともいう。）は、薄膜コイル１０において発生した磁束を収容し、その磁束を記録媒体（図示せず）に向けて放出するものである。この積層構造体は、例えば、図３に示したように、全体として、記録媒体の記録トラック幅を規定する一定幅Ｗ１を有する一定幅領域Ｒ１と、この一定幅領域Ｒ１よりも大きな幅Ｗ２（Ｗ２＞Ｗ１）を有する拡幅領域Ｒ２とを含む平面形状を有している。この「平面形状」とは、主磁極層１２、非磁性層１３および補助磁極層１４よりなる積層構造体の平面構成のシルエット形状の意であり、具体的には、図３において太線で示した領域の形状のことである。この積層構造体の幅が一定幅領域Ｒ１から拡幅領域Ｒ２へと拡がる位置は、薄膜磁気ヘッドの記録性能を決定する重要な因子のうちの１つである「フレアポイントＦＰ」に相当する。主磁極層１２と補助磁極層１４とは、例えば、互いに異なる平面形状を有している。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
また、本実施の形態では、非磁性層７を介して上部シールド層５とリターンヨーク層８とを分離し、これらの上部シールド層５とリターンヨーク層８とが互いに別体をなすようにしたが、必ずしもこれに限られるものではなく、例えば、非磁性層７を設けず、上部シールド層５とリターンヨーク層８とを一体化させるようにしてもよい。この場合、上部シールド層５とリターンヨーク層８との一体化層（上部シールド層兼リターンヨーク）の厚さは、適宜設定可能である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
続いて、再生ヘッド１００Ａ上に非磁性層７を形成したのち、この非磁性層７上に、リターンヨーク層８と、開口９Ｋを有し、薄膜コイル１０を埋設するギャップ層９（ギャップ層部分９Ａ，９Ｂ，９Ｃ）と、開口９Ｋにおいてリターンヨーク層８と連結されたヨーク層１１と、ヨーク層１１を介してリターンヨーク層８と磁気的に連結された主磁極層１２と、非磁性層１３と、補助磁極層１４と、バッファ層１５とをこの順に積層させることにより、記録ヘッド１００Ｂを形成する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
《薄膜磁気ヘッドの要部の形成方法》
薄膜磁気ヘッドの要部を形成する際には、ヨーク層１１を形成し、このヨーク１１とギャップ層部分９Ｃとにより平坦面Ｍを構成したのち、まず、図６および図１２に示したように、平坦面Ｍ上に、例えばスパッタリングを利用して、高飽和磁束密度材料よりなる前駆主磁極層１２Ｘと、例えばアルミナよりなる前駆非磁性層１３Ｘとをこの順に形成して積層させる。前駆主磁極層１２Ｘは、後工程においてパターニングされることにより主磁極層１２となる前準備層であり、同様に、前駆非磁性層１３Ｘは後工程において非磁性層１３となる前準備層である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
図１９に示した結果から判るように、第１の比較例（□）のピーク強度は１１４００×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ、第２の比較例（◇）のピーク強度は１１６３３×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ、本発明（●）のピーク強度は１１４４５×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ〜１１５９５×１０3 ／（４π）Ａ／ｍであった。このことから、第１の比較例よりも、第２の比較例および本発明において、十分な垂直磁界強度が得られることが確認された。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
図２０に示した結果から判るように、第１の比較例（□）のピーク強度は３０３３３×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ、第２の比較例（◇）のピーク強度は３０１７７×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ、本発明（●）のピーク強度は３０３１７×１０3 ／（４π）Ａ／ｍ〜３０４６０×１０3 ／（４π）Ａ／ｍであった。このことから、第２の比較例よりも、第１の比較例および本発明において、十分な磁場勾配が得られることが確認された。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
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【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
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