【手続補正書】
【提出日】平成17年9月13日(2005.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を製造するために試料基板に対して実施される第１の製造プロセスと第２の製造プロセスとを少なくとも含む電子部品製造プロセスの管理システムにおいて、
前記第１の製造プロセスが実施された試料基板が載置された第一のステージと、該試料基板にイオンビームを照射して該試料基板から試料片を摘出し移送する手段と、摘出された該試料片を載せる第二のステージを少なくとも有する試料作製装置と、
前記試料片を解析する解析装置と、
該解析装置による解析結果を前記第１または第２の製造プロセスに反映させる手段とを備え、            
前記試料片の摘出された試料基板に対して前記第２の製造プロセスが実施されることを特徴とする製造プロセスの管理システム。
【請求項２】
試料基板を用いて電子部品を製造する複数の製造プロセスを管理する管理システムにおいて、
試料ステージに載置された前記複数の製造プロセス中の１の製造プロセス後の試料基板から試料片を摘出する試料作製装置と、
摘出された前記試料片を解析する解析装置と、
該解析装置による解析結果を前記製造プロセスに反映させる手段とを備え、
前記試料片の摘出された試料基板が、前記１の製造プロセスの次の製造プロセスに戻されることを特徴とする製造プロセスの管理システム。
【請求項３】
請求項１または２に記載の製造プロセスの管理システムにおいて、
前記解析装置で得られた解析結果を保存する計算処理機と、
該解析結果を前記製造プロセスに反映させるための通信手段とを更に備えることを特徴とする製造プロセスの管理システム。
【請求項４】
試料基板から電子部品を製造する複数の製造プロセスを管理する管理システムにおいて、
前記複数の製造プロセス中の１の製造プロセス後の試料基板を載置する試料ステージと、該試料ステージが設置される試料室と、前記試料基板に対してイオンビームを照射する照射光学系と、前記イオンビームの照射により前記試料基板より分離した試料片を載せる試料ホルダと、前記試料室内で前記試料基板より分離した試料片を摘出し前記試料ホルダへ移送する移送手段とを少なくとも有するイオンビーム装置と、
前記試料片を解析する解析装置と、
前記解析装置で得られた解析結果を保存する計算処理機と、
該解析結果を前記製造プロセスに反映させるための通信手段とを備え、
前記試料基板は前記試料片が摘出された後、前記１の製造プロセスの次の製造プロセスに戻されることを特徴とする製造プロセスの管理システム。
【請求項５】
請求項１または２に記載の製造プロセスの管理システムにおいて、
前記試料作製装置によって前記摘出された試料片が、前記イオンビームの照射により前記解析装置用の試料片に加工されることを特徴とする製造プロセスの管理システム。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の製造プロセスの管理システムにおいて、
前記解析装置は透過電子顕微鏡または走査型透過電子顕微鏡であって、前記試料片の形状、寸法、元素分析、元素濃度のうち少なくともいずれかの解析を行うことを特徴とする製造プロセスの管理システム。
【請求項７】
試料基板から半導体装置を製造する複数の製造プロセスを管理する製造プロセスの管理システムにおいて、
前記複数の製造プロセス中の１の製造プロセス後の前記試料基板を載置する試料ステージと、該試料ステージが設置される試料室と、前記試料基板に対してイオンビームを照射する照射光学系と、該イオンビームの照射により発生する２次粒子を検出する検出器と、前記イオンビームの照射により前記試料基板より分離した試料片を固定可能な試料ホルダと、前記試料基板より分離した試料片を摘出し前記試料ホルダへ移送する前記試料室内に設置された移送手段とを有し、  前記試料ホルダに固定された前記試料片に前記イオンビームを照射して透過電子顕微鏡用試料を作製するイオンビーム装置と、
前記透過電子顕微鏡用試料を解析する透過電子顕微鏡または走査透過電子顕微鏡と、
前記解析結果を前記製造プロセスに反映させる手段とを備え、
前記試料基板は前記試料片が摘出された後、前記第一製造プロセスの次の製造プロセスに戻されることを特徴とする製造プロセスの管理システム。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の製造プロセスの管理システムにおいて、
前記解析結果と、予め定めた基準とを比較し、該基準を満たさない場合、前記製造プロセスを修正することを特徴とする製造プロセスの管理システム。
【請求項９】
請求項４または７に記載の製造プロセスの管理システムにおいて、
前記試料室は真空試料室であることを特徴とする製造プロセスの管理システム。
【請求項１０】
請求項４または７に記載の製造プロセスの管理システムにおいて、
前記試料ホルダを載置可能なホルダカセットを前記試料室内に備えることを特徴とする製造プロセスの管理システム。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の製造プロセスの管理システムにおいて、
前記ホルダカセットは前記試料室内の真空を破らずに取り出し可能であることを特徴とする製造プロセスの管理システム。
【請求項１２】
ロットに複数の試料基板を備え、該ロットを複数の製造プロセスに投入し各々の試料基板から半導体装置を製造する製造プロセスの管理システムにおいて、
ロットより取り出された第一の試料基板を載置する試料ステージと、該試料ステージが設置される試料室と、前記試料基板に対してイオンビームを照射する照射光学系と、該イオンビームの照射により発生する２次粒子を検出する検出器と、前記イオンビームの照射により前記試料基板より分離した試料片を固定可能な試料ホルダと、前記試料基板より分離した試料片を摘出し前記試料ホルダへ移送する前記試料室内に設置された移送手段とを有し、前記試料ホルダに固定された前記試料片に前記イオンビームを照射して透過電子顕微鏡用試料を作製するイオンビーム装置と、
前記透過電子顕微鏡用試料を解析する透過電子顕微鏡または走査型透過電子顕微鏡
と、
前記解析結果を前記製造プロセスに反映させる手段とを備え、
前記試料基板は前記試料片が摘出された後、前記第一の試料基板は前記ロットに戻されることを特徴とする製造プロセスの管理システム。
【請求項１３】
試料基板を用いて電子部品を製造する複数の製造プロセスを管理するシステムにおいて、
前記複数の製造プロセス中の１の製造プロセス後の試料基板から試料片を摘出する第一の試料作製装置と、
前記試料片から解析用試料片を作成する第二の試料作製装置と、
前記解析用試料片を解析する解析装置と、
該解析装置による解析結果を前記製造プロセスに反映させる手段とを備え、
前記試料片の摘出された試料基板が、前記１の製造プロセスの次の製造プロセスに戻されることを特徴とする製造プロセスを管理するシステム。
【請求項１４】
電子部品製造プロセス中の１の製造プロセス後の試料基板を載置する試料ステージと、該試料ステージが設置される試料室と、前記試料基板に対してイオンビームを照射する照射光学系と、前記試料室内で前記イオンビームの照射により前記試料基板より分離した試料片を載せる試料ホルダと、前記試料室内で前記試料基板より分離した試料片を摘出し前記試料ホルダへ移送する移送手段とを少なくとも有する第一のイオンビーム装置と、
前記試料片から解析用試料片を作成する第二のイオンビーム装置と、
前記解析用試料片を解析する解析装置と、
前記解析装置で得られた解析結果を保存する計算処理機とを備え、
前記試料基板は前記試料片が摘出された後、前記１の製造プロセスの次の製造プロセスに戻されることを特徴とするシステム。
【請求項１５】
請求項１２または１４に記載のシステムにおいて、
前記試料室は真空試料室であることを特徴とするシステム。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載のシステムにおいて、
前記試料片を前記第一のイオンビーム装置の真空を破ることなく取り出すことが可能であることを特徴とするシステム。
【請求項１７】
請求項１４に記載のシステムにおいて、
前記解析装置は透過電子顕微鏡または走査型透過電子顕微鏡であって、前記試料片の形状、寸法、元素分析、元素濃度のうち少なくともいずれかの解析を行うことを特徴とするシステム。
【請求項１８】
請求項１４に記載のシステムにおいて、
前記解析結果を前記製造プロセスに反映させるための通信手段を備えることを特徴とするシステム。
【請求項１９】
半導体装置を製造する製造プロセス途中の試料基板から試料片を取り出して該試料片を検査するシステムにおいて、
前記試料基板を載置する試料ステージと、該試料ステージが設置される試料室と、前記試料基板に対してイオンビームを照射する照射光学系と、該イオンビームの照射により発生する２次粒子を検出する検出器と、前記イオンビームの照射により前記試料基板より分離した試料片を固定できる試料ホルダと、前記試料基板より分離した試料片を摘出し前記試料ホルダへ移送する前記試料室内に設置された移送手段とを備えた第一のイオンビーム装置と、
前記試料片に前記イオンビームを照射して透過電子顕微鏡用試料を作製する第二のイオンビーム装置と、
前記透過電子顕微鏡用試料を解析する透過電子顕微鏡または走査透過電子顕微鏡とを備え、
前記試料基板は前記試料片が摘出された後、前記製造プロセスを再開することを特徴とするシステム。
【請求項２０】
請求項１９に記載のシステムにおいて、
前記解析結果を前記製造プロセスに反映させる手段を備えることを特徴とするシステム。
【請求項２１】
請求項１９に記載のシステムにおいて、
前記試料室は真空試料室であることを特徴とするシステム。
【請求項２２】
請求項１９または２１に記載のシステムにおいて、
前記試料片を前記第一のイオンビーム装置の真空を破ることなく取り出すことが可能であることを特徴とするシステム。
【請求項２３】
請求項１９に記載のシステムにおいて、
前記試料ホルダを載置可能なホルダカセットを前記試料室内に備えることを特徴とするシステム。
【請求項２４】
請求項１９、２１、２３のいずれかに記載のシステムにおいて、
前記ホルダカセットは前記試料室内の真空を破らずに取り出し可能であることを特徴とする製造プロセスの管理システム。
【請求項２５】
試料基板を用いて電子部品を製造する複数の製造プロセスを管理する方法において、
試料作製装置によって前記複数の製造プロセス中の１の製造プロセス後の試料基板から試料片を摘出する工程と、
解析装置によって前記試料片を解析する工程と、
前記試料片を解析した結果を前記製造プロセスに反映させる工程とを備え、
前記試料片の摘出された試料基板が、前記１の製造プロセスの次の製造プロセスに戻されることを特徴とする製造プロセスを管理する方法。
【請求項２６】
請求項２５に記載の製造プロセスを管理する方法に用いる試料作製装置であって、
前記試料作製装置は、
前記試料基板を載置する試料ステージと、該試料ステージが設置される試料室と、前記試料基板に対してイオンビームを照射する照射光学系と、該イオンビームの照射により発生する２次粒子を検出する検出器と、前記イオンビームの照射により前記試料基板より分離した試料片を固定できる試料ホルダと、前記試料基板より分離した試料片を摘出し前記試料ホルダへ移送する前記試料室内に設置された移送手段とを備えることを特徴とする製造プロセスを管理する方法に用いる試料作製装置。
【請求項２７】
半導体装置を製造する複数の製造プロセス中の１の製造プロセス後の試料基板から試料片を取り出して該試料片を検査する方法において、
第一のイオンビーム装置によって前記試料基板から試料片を摘出する工程と、
第二のイオンビーム装置によって前記試料片前記試料片から解析用試料片を作成する工程と、
解析装置によって前記解析用試料片を解析する工程と、
前記試料片が摘出された後前記試料基板を前記１の製造プロセスの次の製造プロセスに戻す工程とを備えることを特徴とする方法。
【請求項２８】
請求項２７に記載の半導体装置を製造する複数の製造プロセス中の１の製造プロセス後の試料基板から試料片を取り出して該試料片を検査する方法に用いるイオンビーム装置であって、
前記第一のイオンビーム装置は、
前記試料基板を載置する試料ステージと、該試料ステージが設置される試料室と、前記試料基板に対してイオンビームを照射する照射光学系と、該イオンビームの照射により発生する２次粒子を検出する検出器と、前記イオンビームの照射により前記試料基板より分離した試料片を固定できる試料ホルダと、前記試料基板より分離した試料片を摘出し前記試料ホルダへ移送する前記試料室内に設置された移送手段とを備えることを特徴とするイオンビーム装置。
【請求項２９】
請求項２７に記載の半導体装置を製造する複数の製造プロセス中の１の製造プロセス後の試料基板から試料片を取り出して該試料片を検査する方法に用いるイオンビーム装置であって、
前記第二のイオンビーム装置は、
前記試料基板を載置する試料ステージと、該試料ステージが設置される試料室と、前記試料基板に対してイオンビームを照射する照射光学系と、該イオンビームの照射により発生する２次粒子を検出する検出器とを少なくとも有することを特徴とするイオンビーム装置。
【請求項３０】
請求項２５または２７に記載の方法において、
前記解析装置は、透過電子顕微鏡または走査透過電子顕微鏡であることを特徴とする方法。
【請求項３１】
請求項２に記載の製造プロセスの管理システムにおいて、
前記試料作製装置は、前記試料片を載置する試料ホルダを備えることを特徴とする製造プロセスの管理システム。
【請求項３２】
請求項２に記載の試料作製装置において、
前記試料作製装置は前記試料ステージを内部に備える真空試料室を備え、
前記試料片の摘出が前記真空試料室内で実行可能であることを特徴とする製造プロセスの管理システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】製造プロセスの管理システム及び製造システムの管理方法