【手続補正書】
【提出日】平成16年5月18日(2004.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタの製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上に設けた薄膜半導体層上に、ゲート絶縁膜を介して前記ゲート絶縁膜との密着性及び段差被覆性の良好な第１の導電体層、及び、多孔質陽極酸化膜の形成が可能な第２の導電体層を堆積させたのち、所定の形状にエッチングすることによりゲート電極を形成し、次いで、陽極酸化を施すことによって少なくとも前記第２の導電体層の側部に多孔質陽極酸化膜を形成し、次いで、前記多孔質陽極酸化膜と少なくとも前記第２の導電体層との界面に無孔質陽極酸化膜を形成したのち、前記多孔質陽極酸化膜を除去する工程を有することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
上記エッチングによりゲート電極を形成する前に、上記第１の導電体層の表面に無孔質陽極酸化膜からなる保護層を形成することを特徴とする請求項１記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
上記第１の導電体層が、多孔質陽極酸化膜の形成が可能なＡｌとＴｉとの合金からなり、上記第２の導電体層の側部に多孔質陽極酸化膜を形成する工程において、前記第１の導電体層の側面にも同時に多孔質陽極酸化膜を形成することを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
上記第１の導電体層がＴｉ膜からなり、上記多孔質陽極酸化膜を除去したのち、前記第１の導電体層を介して低不純物濃度ソース・ドレイン領域を形成するためのイオン注入を行うことを特徴とする請求項１または２に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
上記多孔質陽極酸化膜を除去する前に、前記多孔質陽極酸化膜の端部に整合するように上記ゲート絶縁膜をエッチングすることを特徴とする請求項３または４に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は薄膜トランジスタの製造方法に関するものであり、特に、液晶表示装置の画素スイッチング素子、或いは、データドライバ及びゲートドライバ等として用いる多結晶シリコン薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の陽極酸化膜の形成のためのゲート導電体構造に特徴のある薄膜トランジスタの製造方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
図９（ａ）参照
図９（ａ）は、切れ込み部或いは断線部５８の近傍の断面構造を示す透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）写真を模写したものであり、本来は１本に繋がっているゲート電極４８の中央に異常陽極酸化による多孔質陽極酸化膜４９が形成され、多孔質陽極酸化膜４９を除去した場合に、この多孔質陽極酸化膜４９を除去した部分が断線部５８或いは切れ込み部として観察される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成の説明図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１（ａ）及び（ｂ）参照
（１）本発明は、薄膜トランジスタの製造方法において、絶縁性基板１上に設けた薄膜半導体層２上に、ゲート絶縁膜３を介してゲート絶縁膜３との密着性及び段差被覆性の良好な第１の導電体層４、及び、多孔質陽極酸化膜７の形成が可能な第２の導電体層５を堆積させたのち、所定の形状にエッチングすることによりゲート電極を形成し、次いで、陽極酸化を施すことによって少なくとも第２の導電体層５の側部に多孔質陽極酸化膜７を形成し、次いで、多孔質陽極酸化膜７と少なくとも第２の導電体層５との界面に無孔質陽極酸化膜８を形成したのち、多孔質陽極酸化膜７を除去する工程を有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
この様に、ゲート絶縁膜３と、実効的にゲート電極となる第２の導電体層５との間に、ゲート絶縁膜３との密着性及び段差被覆性の良好な第１の導電体層４を介在させることにより、電解液がゲート絶縁膜３との界面からしみ込んで、不所望な陽極酸化が生ずることがなく、異常陽極酸化に伴う断線等を防止することができ、また、設計値通りの厚さの多孔質陽極酸化膜７を形成することができるので、設計値通りの長さのＬＤＤ領域を形成することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、多孔質陽極酸化膜７を除去する前に、無孔質陽極酸化膜８を形成しているので、多孔質陽極酸化膜７を選択的に除去することができ、ゲート電極となる第２の導電体層５を不所望にエッチングすることがない。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
（２）また、本発明は、上記（１）において、エッチングによりゲート電極を形成する前に、第１の導電体層４の表面に無孔質陽極酸化膜からなる保護膜６を形成することを特徴とする。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
（３）また、本発明は、上記（１）または（２）において、第１の導電体層４が、多孔質陽極酸化膜７の形成が可能なＡｌとＴｉとの合金からなり、第２の導電体層５の側部に多孔質陽極酸化膜７を形成する工程において、第１の導電体層４の側面にも同時に多孔質陽極酸化膜７を形成することを特徴とする。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
（４）また、本発明は、上記（１）または（２）において、第１の導電体層４がＴｉ膜からなり、多孔質陽極酸化膜７を除去したのち、第１の導電体層４を介して低不純物濃度ソース・ドレイン領域１０を形成するためのイオン注入を行うことを特徴とする。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
（５）また、本発明は、上記（３）または（４）において、多孔質陽極酸化膜７を除去する前に、多孔質陽極酸化膜７に整合するようにゲート絶縁膜３をエッチングすることを特徴とする。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
なお、上記の場合、低不純物濃度ソース・ドレイン領域１０、即ち、ＬＤＤ領域上の第１の導電体層４をエッチング除去すること、特に、注入したイオンの活性化工程の後にドライ・エッチングを施すことによって、第１の導電体層４とＬＤＤ領域との重なりによる寄生容量を低減することができる。