【手続補正書】
【提出日】平成17年7月5日(2005.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と第２の電極とを有し、前記第１の電極と前記第２の電極の間に電圧を印加することによって電子が放出される電子源素子と、容量素子と、第１のスイッチと、第２のスイッチとを有し、
オン状態となった前記第１のスイッチを介して入力される信号に応じて、前記第２のスイッチのオン状態またはオフ状態が選択され、
前記第２のスイッチがオン状態となっている間、前記第１の電極と前記第２の電極の間に電圧が印加され続け、
前記第２のスイッチのオン状態は、前記容量素子に保持された電圧によって保持されることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
第１の電極と第２の電極とを有し、前記第１の電極と前記第２の電極の間に電圧を印加することによって電子が放出される電子源素子と、
容量素子と、
第１の信号線と、
前記容量素子の一方の電極と前記第１の信号線の接続を選択する第１のスイッチと、
前記容量素子に保持された電圧に応じてオン状態またはオフ状態が切り替えられる第２のスイッチと、
オン状態となった前記第２のスイッチによって前記第１の電極に接続される第２の信号線とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
第１の電極と第２の電極とを有し、前記第１の電極と前記第２の電極の間に電圧を印加することによって電子が放出される電子源素子と、第１の信号線と、第２の信号線と、第３の信号線と、第１の薄膜トランジスタと、第２の薄膜トランジスタとを有し、
前記第１の薄膜トランジスタのゲート電極は、前記第２の信号線に接続され、
前記第１の薄膜トランジスタのソース領域とドレイン領域は、一方は前記第２の薄膜トランジスタのゲート電極に接続され、他方は前記第１の信号線に接続され、
前記第２の薄膜トランジスタのソース領域とドレイン領域は、一方は前記第３の信号線に接続され、他方は前記第１の電極に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４】
第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極の間の絶縁層とを有し、前記第１の電極の電位を前記第２の電極の電位より高くして、前記第１の電極から電子を放出する電子源素子と、第１の信号線と、第２の信号線と、第３の信号線と、第１の薄膜トランジスタと、第２の薄膜トランジスタとを有し、
前記第１の薄膜トランジスタのゲート電極は、前記第２の信号線に接続され、
前記第１の薄膜トランジスタのソース領域とドレイン領域は、一方は前記第２の薄膜トランジスタのゲート電極に接続され、他方は前記第１の信号線に接続され、
前記第２の薄膜トランジスタのソース領域とドレイン領域は、一方は前記第３の信号線に接続され、他方は前記第２の電極に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極の間の絶縁層とを有し、前記第１の電極の電位を前記第２の電極の電位より高くして、前記第１の電極から電子を放出する電子源素子と、第１の信号線と、第２の信号線と、第３の信号線と、第１の薄膜トランジスタと、第２の薄膜トランジスタとを有し、
前記第１の薄膜トランジスタのゲート電極は、前記第２の信号線に接続され、
前記第１の薄膜トランジスタのソース領域とドレイン領域は、一方は前記第２の薄膜トランジスタのゲート電極に接続され、他方は前記第１の信号線に接続され、
前記第２の薄膜トランジスタのソース領域とドレイン領域は、一方は前記第３の信号線に接続され、他方は前記第１の電極に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項３乃至請求項５のいずれか一項において、
第３の電極と第４の電極とを有し、前記第３の電極と前記第４の電極の間に電圧を保持する容量素子を有し、
前記第３の電極は前記第３の信号線と接続され、
前記第４の電極は前記第２の薄膜トランジスタのゲート電極に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記電子源素子は、電界放出型素子、表面伝導型素子、ＭＩＭ型素子のいずれかであることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記表示装置を用いることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
２つの電極の間に電圧を印加することによって電子が放出される電子源素子を有し、
信号線に入力された信号が有する電位を、容量素子の一方の電極に入力し、
前記容量素子に保持された電圧に応じて、電源線と前記電子源素子の２つの電極のうちの一方の電極との間の接続を選択し、
前記電子源素子は、前記電子源素子の２つの電極のうちの一方の電極の電位と、他方の電極の電位との電位差に応じて、電子を放出することを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１０】
第１の電極と第２の電極の間に電圧を印加することによって電子が放出される電子源素子を有し、
第１の信号によって第１のスイッチのオン状態を選択し、
オン状態となった前記第１のスイッチを介して入力された第２の信号によって、第２のスイッチのオン状態を選択し、
前記第２のスイッチのオン状態は保持され、
オン状態の前記第２のスイッチを介して前記第１の電極に第３の信号が入力され、
前記電子源素子は、前記第３の信号が入力された前記第１の電極の電位と前記第２の電極の電位との電位差に応じて、電子を放出することを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１１】
第１の電極と第２の電極の間に電圧を印加することによって電子を放出する電子源素子を有し、
第１のデジタル信号を第１の薄膜トランジスタのゲート電極に入力し、前記第１の薄膜トランジスタのオン状態を選択し、
オン状態となった前記第１の薄膜トランジスタのソース領域とドレイン領域の間を介して、第２のデジタル信号を第２の薄膜トランジスタのゲート電極に入力し、前記第２の薄膜トランジスタのオン状態を選択し、
オン状態となった前記第２の薄膜トランジスタのソース領域とドレイン領域の間を介して前記第１の電極に電源電位を入力し、
前記電源電位が入力された前記電子源素子は電子を放出することを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１２】
第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極の間の絶縁層とを有し、前記第１の電極の電位を前記第２の電極の電位より高くして、前記第１の電極から電子を放出する電子源素子を有し、
第１のデジタル信号を第１の薄膜トランジスタのゲート電極に入力し、前記第１の薄膜トランジスタのオン状態を選択し、
オン状態となった前記第１の薄膜トランジスタのソース領域とドレイン領域の間を介して、第２のデジタル信号を第２の薄膜トランジスタのゲート電極に入力し、前記第２の薄膜トランジスタのオン状態を選択し、
オン状態となった前記第２の薄膜トランジスタのソース領域とドレイン領域の間を介して前記第２の電極に電源電位を入力し、
前記電源電位が入力された前記電子源素子は電子を放出することを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１３】
第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極の間の絶縁層とを有し、前記第１の電極の電位を前記第２の電極の電位より高くして、前記第１の電極から電子を放出する電子源素子を有し、
第１のデジタル信号を第１の薄膜トランジスタのゲート電極に入力し、前記第１の薄膜トランジスタのオン状態を選択し、
オン状態となった前記第１の薄膜トランジスタのソース領域とドレイン領域の間を介して、第２のデジタル信号を第２の薄膜トランジスタのゲート電極に入力し、前記第２の薄膜トランジスタのオン状態を選択し、
オン状態となった前記第２の薄膜トランジスタのソース領域とドレイン領域の間を介して前記第１の電極に電源電位を入力し、
前記電源電位が入力された前記電子源素子は電子を放出することを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記第２のデジタル信号は、１フレーム期間の間に複数回、前記第２の薄膜トランジスタのゲート電極に入力されることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記第２のデジタル信号によって定められた前記第２の薄膜トランジスタのソースに対するゲートの電位差は、前記第２の薄膜トランジスタのゲート電極の寄生容量によって保持されることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１６】
請求項１１乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記第２のデジタル信号によって定められた前記第２の薄膜トランジスタのソースに対するゲートの電位差は、容量素子によって保持されることを特徴とする表示装置の駆動方法。
【請求項１７】
請求項９乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記電子源素子は、電界放出型素子、表面伝導型素子、ＭＩＭ型素子のいずれかであることを特徴とする表示装置の駆動方法。