Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年12月12日(2020.12.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
以下の式１：
【化１】
2018533844.tif 000001
によって表される化合物を含む電子緩衝材料であって、式中、
Ｘ１は、−Ｎ＝、−ＮＲ７−、−Ｏ−、または−Ｓ−を表し、
Ｙ１は、−Ｎ＝、−ＮＲ８−、−Ｏ−、または−Ｓ−を表し、Ｘ１が−Ｎ＝である場合、Ｙ１は−ＮＲ８−、−Ｏ−、または−Ｓ−であり、Ｘ１が−ＮＲ７−である場合、Ｙ１は−Ｎ＝、−Ｏ−、または−Ｓ−であり、Ｘ１及びＹ１の両方が−Ｏ−または−Ｓ−である場合、ならびにＸ１及びＹ１のうちの一方が−Ｏ−であり、もう一方が−Ｓ−である場合は、除外され、
Ｒ１は、置換もしくは非置換の（Ｃ６−Ｃ３０）アリール、または置換もしくは非置換の（３〜３０員）ヘテロアリールを表し、
Ｒ２〜Ｒ４、Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロゲン、シアノ、置換もしくは非置換の（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル、置換もしくは非置換の（Ｃ６−Ｃ３０）アリール、置換もしくは非置換の（３〜３０員）ヘテロアリール、置換もしくは非置換の（Ｃ３−Ｃ３０）シクロアルキル、置換もしくは非置換の（Ｃ１−Ｃ３０）アルコキシ、置換もしくは非置換のトリ（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルシリル、置換もしくは非置換のジ（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル（Ｃ６−Ｃ３０）アリールシリル、置換もしくは非置換の（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルジ（Ｃ６−Ｃ３０）アリールシリル、置換もしくは非置換のトリ（Ｃ６−Ｃ３０）アリールシリル、置換もしくは非置換のモノもしくはジ（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルアミノ、置換もしくは非置換のモノもしくはジ（Ｃ６−Ｃ３０）アリールアミノ、または置換もしくは非置換の（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル（Ｃ６−Ｃ３０）アリールアミノを表すか、あるいは、隣接する置換基（複数可）に連結して、窒素、酸素、及び硫黄から選択される少なくとも１個のヘテロ原子で炭素原子（複数可）が置換され得る、置換または非置換の（Ｃ３−Ｃ３０）、単環式または多環式の脂環式環または芳香族環を形成してもよく、
ａは、１の整数を表し、ｂ及びｃは、それぞれ独立して、１または２の整数を表し、ｄは、１〜４の整数を表し、
前記ヘテロアリールは、Ｂ、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ、及びＰから選択される少なくとも１個のヘテロ原子を含有する、電子緩衝材料。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
式中、
Ｘ１は、−Ｎ＝、−ＮＲ７−、−Ｏ−、または−Ｓ−を表し、
Ｙ１は、−Ｎ＝、−ＮＲ８−、−Ｏ−、または−Ｓ−を表し、Ｘ１が−Ｎ＝である場合、Ｙ１は−ＮＲ８−、−Ｏ−、または−Ｓ−であり、Ｘ１が−ＮＲ７−である場合、Ｙ１は−Ｎ＝、−Ｏ−、または−Ｓ−であり、Ｘ１及びＹ１の両方が−Ｏ−または−Ｓ−である場合、ならびにＸ１及びＹ１のうちの一方が−Ｏ−であり、もう一方が−Ｓ−である場合は、除外され、
Ｒ１は、置換もしくは非置換の（Ｃ６−Ｃ３０）アリール、または置換もしくは非置換の（３〜３０員）ヘテロアリールを表し、
Ｒ２〜Ｒ４、Ｒ７、及びＲ８は、それぞれ独立して、水素、重水素、ハロゲン、シアノ、置換もしくは非置換の（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル、置換もしくは非置換の（Ｃ６−Ｃ３０）アリール、置換もしくは非置換の（３〜３０員）ヘテロアリール、置換もしくは非置換の（Ｃ３−Ｃ３０）シクロアルキル、置換もしくは非置換の（Ｃ１−Ｃ３０）アルコキシ、置換もしくは非置換のトリ（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルシリル、置換もしくは非置換のジ（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル（Ｃ６−Ｃ３０）アリールシリル、置換もしくは非置換の（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルジ（Ｃ６−Ｃ３０）アリールシリル、置換もしくは非置換のトリ（Ｃ６−Ｃ３０）アリールシリル、置換もしくは非置換のモノもしくはジ（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルアミノ、置換もしくは非置換のモノもしくはジ（Ｃ６−Ｃ３０）アリールアミノ、または置換もしくは非置換の（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル（Ｃ６−Ｃ３０）アリールアミノを表すか、あるいは、隣接する置換基（複数可）に連結して、窒素、酸素、及び硫黄から選択される少なくとも１個のヘテロ原子で炭素原子（複数可）が置換され得る、置換または非置換の（Ｃ３−Ｃ３０）、単環式または多環式の脂環式環または芳香族環を形成してもよく、
ａは、１の整数を表し、ｂ及びｃは、それぞれ独立して、１または２の整数を表し、ｄは、１〜４の整数を表し、
ヘテロアリールは、Ｂ、Ｎ、Ｏ、Ｓ、Ｓｉ、及びＰから選択される少なくとも１個のヘテロ原子を含有する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
式１〜４中、Ｘ１は、−Ｎ＝、−ＮＲ７−、−Ｏ−、または−Ｓ−を表してもよく、Ｙ１は、−Ｎ＝、−ＮＲ８−、−Ｏ−、または−Ｓ−を表してもよく、Ｘ１が−Ｎ＝である場合、Ｙ１は−ＮＲ８−、−Ｏ−、または−Ｓ−であり、Ｘ１が−ＮＲ７−である場合、Ｙ１は−Ｎ＝、−Ｏ−、または−Ｓ−であり、好ましくは、Ｘ１及びＹ１の両方が−Ｏ−または−Ｓ−である場合、ならびにＸ１及びＹ１のうちの一方が−Ｏ−であり、もう一方が−Ｓ−である場合は、除外され、Ｒ７及びＲ８は、それぞれ独立して、非置換フェニルを表してもよい。具体的には、Ｘ１及びＹ１のうちの一方は、−Ｎ＝を表してもよく、もう一方は、−Ｏ−、−Ｓ−、または−ＮＲ１３−を表してもよい（Ｒ１３は、置換または非置換の（Ｃ６−Ｃ２０）アリールを表してもよい）。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年7月14日(2021.7.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６１】
プロセッサは、圧力センサによって測定値の移動平均から動的ゼロを計算により決定し、圧力センサを前記動的ゼロに従って動的に較正するように構成されてよい。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０７】
方法は、圧力センサによって測定値の移動平均から動的ゼロを計算により決定し、そして、圧力センサを前記動的ゼロに従って動的に較正するステップをさらに備えてよい。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月30日(2020.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極活物質層を含み、
前記電極活物質層は、
電極活物質と、
ポリビニリデンフルオライドと、
導電材とを含み、
前記導電材は、複数のシングルウォールカーボンナノチューブ単位体が互いに結合したカーボンナノチューブ構造体を含み、
前記カーボンナノチューブ構造体は、前記電極活物質層の中に０．０１重量％〜０．５重量％含まれる、電極。
【請求項２】
前記電極の中で、前記カーボンナノチューブ構造体は互いに連結されて網構造をなす、請求項１に記載の電極。
【請求項３】
前記カーボンナノチューブ構造体の中で、
前記シングルウォールカーボンナノチューブ単位体が一列に配列されて結合している、請求項１または２に記載の電極。
【請求項４】
前記シングルウォールカーボンナノチューブ単位体の平均直径は、０．５ｎｍ〜１０ｎｍである、請求項１から３の何れか一項に記載の電極。
【請求項５】
前記シングルウォールカーボンナノチューブ単位体の平均長さは、１μｍ〜１００μｍである、請求項１から４の何れか一項に記載の電極。
【請求項６】
前記カーボンナノチューブ構造体の平均直径は、１ｎｍ〜３００ｎｍである、請求項１から５の何れか一項に記載の電極。
【請求項７】
前記シングルウォールカーボンナノチューブ単位体の比表面積は、５００ｍ２／ｇ〜１０００ｍ２／ｇである、請求項１から６の何れか一項に記載の電極。
【請求項８】
前記ポリビニリデンフルオライドの重量平均分子量は、１０，０００ｇ／ｍｏｌ〜１，０００，０００ｇ／ｍｏｌである、請求項１から７の何れか一項に記載の電極。
【請求項９】
前記ポリビニリデンフルオライドは、酸官能基およびエステル官能基のうち少なくとも一つの官能基を含む変性ポリビニリデンフルオライドを含む、請求項１から８の何れか一項に記載の電極。
【請求項１０】
前記官能基は、前記変性ポリビニリデンフルオライドの中に０．１重量％〜５重量％含まれる、請求項９に記載の電極。
【請求項１１】
前記変性ポリビニリデンフルオライドは、前記ポリビニリデンフルオライドの全重量を基準として、１重量％〜１００重量％含まれる、請求項９または１０に記載の電極。
【請求項１２】
前記電極は、９０度剥離試験（Ｐｅｅｌ  Ｔｅｓｔ）で測定した接着力が、２０．２ｇｆ／２０ｍｍ以上である、請求項１から１１の何れか一項に記載の電極。
【請求項１３】
前記電極は、正極である、請求項１から１２の何れか一項に記載の電極。
【請求項１４】
束状シングルウォールカーボンナノチューブおよびポリビニリデンフルオライドを分散媒に投入し、混合物を準備するステップと、
前記混合物に対して超音波破砕を行って、複数のシングルウォールカーボンナノチューブ単位体が互いに結合したカーボンナノチューブ構造体を含む導電材分散液を製造するステップと、
前記導電材分散液および電極活物質を含む電極スラリーを形成するステップとを含み、
前記カーボンナノチューブ構造体は、前記電極スラリーの固形分の中に０．０１重量％〜０．５重量％含まれる、電極の製造方法。
【請求項１５】
前記超音波破砕は、８００Ｗ〜１５００Ｗの出力で０．５時間〜５時間行われる、請求項１４に記載の電極の製造方法。
【請求項１６】
前記束状シングルウォールカーボンナノチューブは、前記混合物の中に０．１重量％〜１．０重量％含まれる、請求項１４または１５に記載の電極の製造方法。
【請求項１７】
前記ポリビニリデンフルオライドは、前記混合物の中に０．１重量％〜２０重量％含まれる、請求項１４から１６の何れか一項に記載の電極の製造方法。
【請求項１８】
請求項１から１３のいずれか一項に記載の電極を含む、二次電池。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月19日(2020.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビデオシーケンスの符号化または復号を可能にするブロック分割装置が実行するブロック分割方法であって、
前記ブロック分割装置が、
方形分割パターン、二分木分割パターン、または三分木分割パターンを用いてブロックを分割し、サブブロックのセットを生成するステップであって、前記二分木分割パターンおよび前記三分木分割パターンの前に前記方形分割パターンを使用し得るように、前記方形分割パターン、前記水平二分木分割パターン、および前記水平三分木分割パターンに優先度を割り当てる、ステップと、
前記方形分割パターン、前記二分木分割パターン、または前記三分木分割パターンを用いて前記ブロックを分割することに基づき、前記ビデオシーケンスの符号化または復号を行うステップと、
を含む、ブロック分割方法。
【請求項２】
前記ブロックが前記方形分割パターンを用いて分割されて、前記サブブロックのセットを生成し、
前記ブロックが方形である場合、各サブブロックは方形であり、
前記ブロックが非方形である場合、各サブブロックは同じサイズであり、各サブブロックの幅/高さの何れか一つは、前記ブロックの幅と高さの最大公約数である、
請求項１に記載のブロック分割方法。
【請求項３】
前記ブロック分割装置が、
前記ブロックが垂直方向で画像境界の外側に位置し、かつ水平方向で前記画像境界の内側に位置することを決定するステップと、
垂直分割パターンを用いて分割を阻止するステップと、
をさらに含む、請求項１または２に記載のブロック分割方法。
【請求項４】
前記ブロック分割装置が、
前記ブロックが水平方向で画像境界の外側に位置し、かつ垂直方向で前記画像境界の内側に位置することを決定するステップと、
水平分割パターンを用いて分割を阻止するステップと、
をさらに含む、請求項１または２に記載のブロック分割方法。
【請求項５】
前記ブロック分割装置が、前記方形分割パターンを用いて前記ブロックを分割した後に、前記二分木分割パターンを用いて前記サブブロックのセットにおける少なくとも１つのサブブロックを分割するステップをさらに含む、
請求項１〜４の何れか一項に記載のブロック分割方法。
【請求項６】
前記ブロック分割装置が、前記方形分割パターンを用いて前記ブロックを分割した後に、前記三分木分割パターンを用いて前記サブブロックのセットにおける少なくとも１つのサブブロックを分割するステップをさらに含む、
請求項１〜４の何れか一項に記載のブロック分割方法。
【請求項７】
前記ブロック分割装置が、垂直四分木分割（ＶＱＴ）パターンを用いて少なくとも１つのサブブロックを分割するステップをさらに含む、
請求項１〜６の何れか一項に記載のブロック分割方法。
【請求項８】
前記ブロック分割装置が、水平四分木分割（ＨＱＴ）パターンを用いて少なくとも１つのサブブロックを分割するステップをさらに含む、
請求項１〜６の何れか一項に記載のブロック分割方法。
【請求項９】
前記サブブロックの最大数は、４、８、または１６である、
請求項１〜８の何れか一項に記載のブロック分割方法。
【請求項１０】
コンピュータに、請求項１〜９の何れか一項に記載のブロック分割方法を実行させるためのプログラム。
【請求項１１】
ビデオシーケンスの符号化または復号を可能にするブロック分割装置であって、
プログラムを記憶しているメモリと、
前記メモリに接続されるプロセッサと、
を含み、
前記プロセッサは、前記プログラムを実行して、請求項１〜９の何れか一項に記載のブロック分割方法を実現するように構成される、ブロック分割装置。
【請求項１２】
ブロック分割を行う装置が実行するブロック分割方法であって、
前記装置が、
第一構文要素の値に基づき、現在のブロックを分割するかどうかを決定するステップと、
前記現在のブロックを分割する必要があると決定したとき、方形分割パターンを用いて前記現在のブロックを分割するかどうかを指示する第二構文要素に応じて、前記方形分割パターンを用いて前記現在のブロックを分割すると決定するステップと、
水平木分割パターンまたは垂直木分割パターンを用いて前記現在のブロックの少なくとも一つのサブブロックを分割することを指示する第三構文要素に応じて、前記水平木分割パターンまたは前記垂直木分割パターンを用いて前記現在のブロックの少なくとも一つのサブブロックを分割するステップと、
二分木分割パターンまたは三分木分割パターンを用いることを指示する第四構文要素に応じて、前記二分木分割パターンまたは前記三分木分割パターンを用いて前記少なくとも一つのサブブロックを分割するステップと、
を含み、
前記二分木分割パターン及び前記三分木分割パターンを使用する前に、前記方形分割パターンを使用する、ブロック分割方法。
【請求項１３】
前記第一構文要素の値が0または1を含み、
前記値が1であるとき、前記現在のブロックを分割すると決定し、
前記値が0であるとき、前記現在のブロックを分割しないと決定する、
請求項１２に記載のブロック分割方法。
【請求項１４】
前記第二構文要素の値が0または1を含み、
前記値が1であるとき、前記現在のブロックを複数の方形に分割すると決定し、
前記値が0であるとき，前記現在のブロックを複数の方形に分割しないと決定する、
請求項１２または１３に記載のブロック分割方法。
【請求項１５】
前記第三構文要素の値が0または1を含み、
前記値が1であるとき、前記垂直木分割パターンを用いて前記現在のブロックの少なくとも一つのサブブロックを分割すると決定し、
前記値が0であるとき、前記水平木分割パターンを用いて前記現在のブロックの少なくとも一つのサブブロックを分割すると決定する、
請求項１２〜１４の何れか一項に記載のブロック分割方法。
【請求項１６】
前記第四構文要素の値が0または1を含み、
前記値が1であるとき、前記三分木分割パターンを用いて前記現在のブロックの少なくとも一つのサブブロックを分割すると決定し、
前記値が0であるとき、前記二分木分割パターンを用いて前記現在のブロックの少なくとも一つのサブブロックを分割すると決定する、
請求項１２〜１５の何れか一項に記載のブロック分割方法。
【請求項１７】
前記装置が、
【表１】
2021517393.tif 000001
に基づき、前記ブロック分割を行うステップをさらに含み、
前記ビン０は、前記第一構文要素を表し、前記ビンン１は、前記第二構文要素を表し、前記ビン３は、前記第三構文要素を表し、前記ビン４は、前記第四構文要素を表す、
請求項１２〜１６の何れか一項に記載のブロック分割方法。
【請求項１８】
コンピュータに、請求項１２〜１７の何れか一項に記載のブロック分割方法を実行させるためのプログラム。
【請求項１９】
ブロック分割を行う装置であって、
プログラムを記憶しているメモリと、
前記メモリに接続されるプロセッサと、
を含み、
前記プロセッサは、前記プログラムを実行して、請求項１２〜１７の何れか一項に記載のブロック分割方法を実現するように構成される、装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月2日(2020.10.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁石粉末表面にフッ化物をコーティングして混合粉末を製造する段階、
前記混合粉末に重希土類水素化物を添加する段階、および
前記混合粉末を加熱する段階を含み、
前記磁石粉末は、希土類元素−鉄−ホウ素系粉末を含み、
前記フッ化物は、有機フッ化物および無機フッ化物のうちの少なくとも一つ以上を含む焼結磁石の製造方法。
【請求項２】
前記有機フッ化物は、ペルフルオロカルボン酸（ＰＦＣＡ：Ｐｅｒｆｌｕｏｒｉｎａｔｅｄ  Ｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  Ａｃｉｄ）系物質中の炭素含量がＣ６〜Ｃ１７に該当する化合物のうちの少なくとも一つ以上を含む、請求項１に記載の焼結磁石の製造方法。
【請求項３】
前記有機フッ化物は、ペルフルオロオクタン酸（ＰＦＯＡ：ＰｅｒＦｌｕｏｒｏ  Ｏｃｔａｎｏｉｃ  Ａｃｉｄ）を含む、請求項１または２に記載の焼結磁石の製造方法。
【請求項４】
前記無機フッ化物は、フッ化アンモニウムおよびフッ化カリウムのうちの少なくとも一つを含む請求項１から３のいずれか一項に記載の焼結磁石の製造方法。
【請求項５】
前記希土類元素は、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｍ、ＳｍおよびＥｕのうちの少なくとも一つ以上を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の焼結磁石の製造方法。
【請求項６】
前記重希土類水素化物は、ＧｄＨ２、ＴｂＨ２、ＤｙＨ２、ＨｏＨ２、ＥｒＨ２、ＴｍＨ２、ＹｂＨ２、およびＬｕＨ２のうちの少なくとも一つ以上を含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の焼結磁石の製造方法。
【請求項７】
前記混合粉末に希土類水素化物を添加する段階をさらに含み、
前記希土類水素化物は、ＮｄＨ２、ＰｒＨ２、ＬａＨ２、ＣｅＨ２、ＰｍＨ２、ＳｍＨ２およびＥｕＨ２のうちの少なくとも一つ以上を含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の焼結磁石の製造方法。
【請求項８】
前記混合粉末を製造する段階は、前記磁石粉末と前記フッ化物を有機溶媒中で混合する段階および乾燥する段階を含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の焼結磁石の製造方法。
【請求項９】
前記混合する段階は、前記磁石粉末、前記フッ化物および前記有機溶媒を粉砕する段階をさらに含む、請求項８に記載の焼結磁石の製造方法。
【請求項１０】
前記有機溶媒は、アセトン、メタノール、エタノール、ブタノールおよびノルマルヘキサンのうちの少なくとも一つを含む、請求項８に記載の焼結磁石の製造方法。
【請求項１１】
前記焼結磁石の結晶粒界面に、希土類フッ化物または希土類酸フッ化物の被膜が形成される、請求項１から１０のいずれか一項に記載の焼結磁石の製造方法。
【請求項１２】
前記焼結磁石は、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系焼結磁石であり、
前記焼結磁石の組成は、Ｒ２Ｆｅ１４Ｂであり、
前記Ｒは、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｍ、ＳｍまたはＥｕである、請求項１から１１のいずれか一項に記載の焼結磁石の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月2日(2021.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パーキンソン病または関連するレボドパ（ＬＤ）応答性障害の治療剤であって、カルビドパ−６．２５ｍｇ／レボドパ−２５ｍｇおよびカルビドパ−１２．５ｍｇ／レボドパ−５０ｍｇからなる群より選択される有効量のカルビドパ／レボドパ（ＣＤ／ＬＤ）を、患者に１日当たり最大９回経口投与することにより、ＬＤの連続的な静脈内投与をシミュレートすることを特徴とし、
ＣＤ／ＬＤは、活性成分なしで医薬担体を含む不活性底部層に隣接し、完全に割線を付され３割線により４区分に分割された頂部層によって形成される多割線２層錠剤中に総量２５ｍｇのカルビドパおよび総量１００ｍｇのレボドパの量で含まれ、
完全に割線を付された頂部層の各割線は不活性底部層に部分的に貫通し、かつ完全に割線を付された頂部層の４つの区分の各々がカルビドパ−６．２５ｍｇおよびレボドパ−２５ｍｇを含む、治療剤。
【請求項２】
患者にカルビドパ／レボドパ（ＣＤ／ＬＤ）の有効量として１〜６の単位用量を１日当たり５回〜９回投与し、各単位用量はカルビドパ−６．２５ｍｇおよびレボドパ−２５ｍｇカルビドパを含む、治療剤。
【請求項３】
前記患者が、パーキンソン病の初期において新たに診断された患者である、請求項１に記載の治療剤。
【請求項４】
前記患者が、カルビドパ／レボドパ（ＣＤ／ＬＤ）での標準治療が以前に投与されたパーキンソン病患者である、請求項１に記載の治療剤。
【請求項５】
前記患者が、運動応答合併症に罹患している、請求項４に記載の治療剤。
【請求項６】
前記単位用量が、即時放出のための医薬担体と混合された総量２５ｍｇのカルビドパおよび総量１００ｍｇのレボドパを含む完全に割線を付された頂部層によって形成される多割線２層錠剤の３割線／４区分の１区分としての、カルビドパ−６．２５ｍｇ／レボドパ−２５ｍｇである、請求項２に記載の治療剤。
【請求項７】
ひとつ以上の区分を単回単位用量として、１日当たり５回〜９回投与される、請求項１に記載の治療剤。
【請求項８】
ひとつ以上の区分を単回単位用量として、１日当たり５回〜６回投与される、請求項７に記載の治療剤。
【請求項９】
ＬＤの連続的な静脈内投与をシミュレートするための有効量が、運動応答合併症のない完全な効力のための一定の血漿濃度範囲を提供する、請求項１に記載の治療剤。
【請求項１０】
活性成分なしで医薬担体を含む不活性底部層に隣接した、即時放出のための医薬担体と混合された総量２５ｍｇのカルビドパ（ＣＤ）および総量１００ｍｇのレボドパ（ＬＤ）を含有する、完全に割線を付され３割線により４区分に分割された頂部層によって形成される多割線２層錠剤であって、
完全に割線を付された頂部層の４つの区分の各々がカルビドパ−６．２５ｍｇおよびレボドパ−２５ｍｇの量のカルビドパ／レボドパを含有し、
完全に割線を付された頂部層の各割線は不活性底部層に部分的に貫通する、錠剤。
【請求項１１】
カルビドパおよびレボドパが口腔内崩壊処方物に処方される、請求項１０に記載の錠剤。
【請求項１２】
レボドパ（ＬＤ）に対して過敏性である患者のためのパーキンソン病またはＬＤ応答性障害の治療剤であって、カルビドパ−６．２５ｍｇ／レボドパ−２５ｍｇおよびカルビドパ−１２．５ｍｇ／レボドパ−５０ｍｇからなる群より選択される有効量のカルビドパ／レボドパ（ＣＤ／ＬＤ）を、患者に１日当たり最大９回経口投与することにより、ＬＤの連続的な静脈内投与をシミュレートすることを特徴とし、
ＣＤ／ＬＤは、活性成分なしで医薬担体を含む不活性底部層に隣接し、完全に割線を付され３割線により４区分に分割された頂部層によって形成される多割線２層錠剤中に医薬担体と混合された総量２５ｍｇのカルビドパおよび総量１００ｍｇのレボドパの量で含まれ、
完全に割線を付された頂部層の各割線は不活性底部層に部分的に貫通し、かつ完全に割線を付された頂部層の４つの区分の各々がカルビドパ−６．２５ｍｇおよびレボドパ−２５ｍｇを含む、治療剤。
【請求項１３】
患者が、未成年小児である、請求項１２に記載の治療剤。
【請求項１４】
ＬＤ応答性障害が、全身性ジストニアである、請求項１２に記載の治療剤。
【請求項１５】
カルビドパ／レボドパが、１日２回（ｂ．ｉ．ｄ．）または１日３回（ｔ．ｉ．ｄ．）投与される、請求項１２に記載の治療剤。
【請求項１６】
カルビドパ−１２．５ｍｇ／レボドパ−５０ｍｇの有効量が、１日に２回（ｂ．ｉ．ｄ．）投与される、請求項１２に記載の治療剤。
【請求項１７】
パーキンソン病または関連するレボドパ（ＬＤ）応答性障害に関連する運動応答合併症の治療剤または緩和剤であって、カルビドパ−６．２５ｍｇ／レボドパ−２５ｍｇおよびカルビドパ−１２．５ｍｇ／レボドパ−５０ｍｇからなる群より選択される有効量のカルビドパ／レボドパ（ＣＤ／ＬＤ）を、患者に１日当たり最大９回経口投与することにより、ＬＤの連続的な静脈内投与をシミュレートすることを特徴とし、
ＣＤ／ＬＤは、活性成分なしで医薬担体を含む不活性底部層に隣接し、完全に割線を付され３割線により４区分に分割された頂部層によって形成される多割線２層錠剤中に総量２５ｍｇのカルビドパおよび総量１００ｍｇのレボドパの量で含まれ、
完全に割線を付された頂部層の各割線は不活性底部層に部分的に貫通し、かつ完全に割線を付された頂部層の４つの区分の各々がカルビドパ−６．２５ｍｇおよびレボドパ−２５ｍｇを含む、治療剤または緩和剤。
【請求項１８】
ひとつ以上の区分を単回単位用量として、１日当たり５回〜９回投与される、請求項１７に記載の治療剤または緩和剤。
【請求項１９】
ひとつ以上の区分を単回単位用量として、１日当たり５回〜６回投与される、請求項１８に記載の治療剤または緩和剤。
【請求項２０】
ＬＤの連続的な静脈内投与をシミュレートするための有効量が、運動応答合併症のない完全な効力のための一定の血漿濃度範囲を提供する、請求項１７に記載の治療剤または緩和剤。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月29日(2020.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性成分として、
ＣＤ３００抗原様ファミリーメンバーＥ（ＣＤ３００Ｅ）タンパク質に結合する物質、又は
ＣＤ３００Ｅ遺伝子の発現を阻害する物質
を含む免疫賦活薬。
【請求項２】
ＣＤ３００Ｅタンパク質に結合する前記物質が、前記ＣＤ３００Ｅタンパク質に特異的に結合する化合物、アプタマー、ペプチド又は抗体若しくはその断片である、請求項１に記載の免疫賦活薬。
【請求項３】
前記ＣＤ３００Ｅタンパク質が、配列番号１又は３のアミノ酸配列を有する、請求項１又は２に記載の免疫賦活薬。
【請求項４】
前記抗体又はその断片が、モノクローナル抗体、ｓｃＦｖ、Ｆａｂ、Ｆａｂ’及びＦ（ａｂ）’からなる群から選択されるいずれか１つである、請求項２に記載の免疫賦活薬。
【請求項５】
ＣＤ３００Ｅ遺伝子の発現を阻害する前記物質が、前記ＣＤ３００Ｅ遺伝子のＤＮＡ又はｍＲＮＡに相補的に結合するアンチセンス核酸、ｓｉＲＮＡ、ｓｈＲＮＡ、ｍｉＲＮＡ又はリボザイムである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の免疫賦活薬。
【請求項６】
前記ＣＤ３００Ｅ遺伝子の前記ＤＮＡが、配列番号２又は４の塩基配列を有する、請求項５に記載の免疫賦活薬。
【請求項７】
前記ｓｉＲＮＡが、配列番号７〜１８の塩基配列のうちのいずれか１つである、請求項５に記載の免疫賦活薬。
【請求項８】
活性成分として、
ＣＤ３００Ｅタンパク質に結合する物質、又は
ＣＤ３００Ｅ遺伝子の発現を阻害する物質
を含む、がんを予防又は治療するための医薬組成物。
【請求項９】
ＣＤ３００Ｅタンパク質に結合する前記物質が、前記ＣＤ３００Ｅタンパク質に特異的に結合する化合物、アプタマー、ペプチド又は抗体若しくはその断片である、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記ＣＤ３００Ｅタンパク質が、配列番号１又は３のアミノ酸配列を有する、請求項８又は９に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記抗体又はその断片が、モノクローナル抗体、ｓｃＦｖ、Ｆａｂ、Ｆａｂ’及びＦ（ａｂ）’からなる群から選択されるいずれか１つである、請求項９に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
ＣＤ３００Ｅ遺伝子の発現を阻害する前記物質が、前記ＣＤ３００Ｅ遺伝子のＤＮＡ又はｍＲＮＡに相補的に結合するアンチセンス核酸、ｓｉＲＮＡ、ｓｈＲＮＡ、ｍｉＲＮＡ又はリボザイムである、請求項８〜１１のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
前記ＣＤ３００Ｅ遺伝子の前記ＤＮＡが、配列番号２又は４の塩基配列を有する、請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
前記ｓｉＲＮＡが、配列番号７〜１８の塩基配列のうちのいずれか１つである、請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
前記がんが、膀胱がん、骨がん、血液のがん、乳がん、黒色腫、甲状腺がん、副甲状腺がん、骨髄がん、直腸がん、咽頭がん、喉頭がん、肺がん、食道がん、膵がん、結腸直腸がん、胃がん、舌がん、皮膚がん、脳腫瘍、子宮がん、頭部又は頸部のがん、胆嚢がん、口腔がん、結腸がん、肛門周囲がん、中枢神経系腫瘍及び肝がんからなる群から選択されるいずれか１つである、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
がんの予防用又は治療用の医薬組成物を製造するための、ＣＤ３００Ｅタンパク質に結合する物質、又はＣＤ３００Ｅ遺伝子の発現を阻害する物質の使用。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月29日(2020.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性成分として、
ロイシンリッチ反復免疫グロブリン様ドメイン及び膜貫通ドメイン含有タンパク質２（ＬＲＩＴ２）タンパク質に結合する物質、又は
ＬＲＩＴ２遺伝子の発現を阻害する物質
を含む免疫賦活薬。
【請求項２】
ＬＲＩＴ２タンパク質に結合する前記物質が、前記ＬＲＩＴ２タンパク質に特異的に結合する化合物、アプタマー、ペプチド又は抗体若しくはその断片である、請求項１に記載の免疫賦活薬。
【請求項３】
前記ＬＲＩＴ２タンパク質が、配列番号１のアミノ酸配列を有する、請求項１又は２に記載の免疫賦活薬。
【請求項４】
前記抗体又はその断片が、モノクローナル抗体、ｓｃＦｖ、Ｆａｂ、Ｆａｂ’及びＦ（ａｂ）’からなる群から選択されるいずれか１つである、請求項２に記載の免疫賦活薬。
【請求項５】
ＬＲＩＴ２遺伝子の発現を阻害する前記物質が、前記ＬＲＩＴ２遺伝子のＤＮＡ又はｍＲＮＡに相補的に結合するアンチセンス核酸、ｓｉＲＮＡ、ｓｈＲＮＡ、ｍｉＲＮＡ又はリボザイムである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の免疫賦活薬。
【請求項６】
前記ＬＲＩＴ２遺伝子の前記ＤＮＡが、配列番号２のヌクレオチド配列を有する、請求項５に記載の免疫賦活薬。
【請求項７】
前記ｓｉＲＮＡが、配列番号３〜１４のヌクレオチド配列のうちのいずれか１つである、請求項５に記載の免疫賦活薬。
【請求項８】
活性成分として、
ＬＲＩＴ２タンパク質に結合する物質、又は
ＬＲＩＴ２遺伝子の発現を阻害する物質
を含む、がんを予防又は治療するための医薬組成物。
【請求項９】
ＬＲＩＴ２タンパク質に結合する前記物質が、前記ＬＲＩＴ２タンパク質に特異的に結合する化合物、アプタマー、ペプチド又は抗体若しくはその断片である、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記ＬＲＩＴ２タンパク質が、配列番号１のアミノ酸配列を有する、請求項８又は９に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記抗体又はその断片が、モノクローナル抗体、ｓｃＦｖ、Ｆａｂ、Ｆａｂ’及びＦ（ａｂ）’からなる群から選択されるいずれか１つである、請求項９に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
ＬＲＩＴ２遺伝子の発現を阻害する前記物質が、前記ＬＲＩＴ２遺伝子のＤＮＡ又はｍＲＮＡに相補的に結合するアンチセンス核酸、ｓｉＲＮＡ、ｓｈＲＮＡ、ｍｉＲＮＡ又はリボザイムである、請求項８〜１１のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
前記ＬＲＩＴ２遺伝子の前記ＤＮＡが、配列番号２のヌクレオチド配列を有する、請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
前記ｓｉＲＮＡが、配列番号３〜１４のヌクレオチド配列のうちのいずれか１つである、請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
前記がんが、膀胱がん、骨がん、血液のがん、乳がん、黒色腫、甲状腺がん、副甲状腺がん、骨髄がん、直腸がん、咽頭がん、喉頭がん、肺がん、食道がん、膵がん、結腸直腸がん、胃がん、舌がん、皮膚がん、脳腫瘍、子宮がん、頭部又は頸部のがん、胆嚢がん、口腔がん、結腸がん、肛門周囲がん、中枢神経系腫瘍及び肝がんからなる群から選択されるいずれか１つである、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
がんの予防又は治療用の医薬組成物を製造するための、ＬＲＩＴ２タンパク質に結合する物質、又はＬＲＩＴ２遺伝子の発現を阻害する物質の使用。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月25日(2020.9.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
段階１）３，４−ビス（３−フェニルプロポキシ）ベンズアルデヒドの製造
【化５】
2021517171.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
３，４−ジヒドロキシベンズアルデヒド（５００ｍｇ、３．６２ｍｍｏｌ）をＤＭＦ（１０ｍＬ）で希釈し、無水Ｋ２ＣＯ３（１．５ｇ、１０．８６ｍｍｏｌ）および（３−ブロモプロピル）ベンゼン（１．２ｍＬ、７．９６ｍｍｏｌ）を順次に徐々に添加した。混合物を８０℃まで加熱し２時間攪拌した後、室温に冷却した。混合物を水およびエーテル（それぞれ５０ｍＬ）の間に分割し、有機層を分離し、水をエーテル（３×５０ｍＬ）で抽出した。抽出された有機層を水（２×５０ｍＬ）で洗浄し、ＮａＣｌ水溶液（５０ｍＬ）で飽和させた。薄い淡黄色の抽出物を無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、ヘキサン（７５ｍＬ）で洗浄した後に濃縮させた。残留物は酢酸エチル：ヘキサン（１：４）を用いてシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製してクリーム色固体の３，４−ビス（３−フェニルプロポキシ）ベンズアルデヒド（１．３ｇ、９６％）を製造した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2021517171.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月30日(2020.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔性炭素材；及び
前記多孔性炭素材の内部及び表面のうち、少なくとも一部に硫黄；を含む硫黄−炭素複合体であって、
前記硫黄−炭素複合体の比表面積は７ないし２０ｍ２／ｇで、気孔体積は０．１ないし０．３ｃｍ３／ｇである、硫黄−炭素複合体。
【請求項２】
前記多孔性炭素材は、親水性官能基で表面改質された多孔性炭素材を熱処理して官能基が取り除かれた多孔性炭素材であることを特徴とする請求項１に記載の硫黄−炭素複合体。
【請求項３】
前記官能基が取り除かれた多孔性炭素材の熱重量分析結果、０℃から９００℃まで昇温した時の重量減少率が１％以下で、ラマン測定時のＤ／Ｇの比率が０．８ないし１．５であることを特徴とする請求項２に記載の硫黄−炭素複合体。
【請求項４】
前記多孔性炭素材は、カーボンナノチューブ、グラフェン、黒鉛、非晶質炭素、カーボンブラック及び活性炭からなる群から選択される１種以上であることを特徴とする請求項２に記載の硫黄−炭素複合体。
【請求項５】
前記硫黄−炭素複合体は、多孔性炭素材及び硫黄を１：１ないし１：９の重量比で含んでいることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の硫黄−炭素複合体。
【請求項６】
前記硫黄−炭素複合体の直径は０．１ないし２０μｍであることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の硫黄−炭素複合体。
【請求項７】
（ａ）官能基で表面改質された多孔性炭素材を熱処理して官能基を取り除く段階；
（ｂ）前記官能基が取り除かれた多孔性炭素材を硫黄粉末と複合化して硫黄−炭素複合体を製造する段階；を含む硫黄−炭素複合体の製造方法。
【請求項８】
前記（ａ）段階の熱処理は、５ないし２０℃／ｍｉｎの速度で５００ないし１０００℃まで昇温させた後、１ないし５時間行うことを特徴とする請求項７に記載の硫黄−炭素複合体の製造方法。
【請求項９】
前記（ａ）段階の官能基はヒドロキシ基またはカルボキシ基であることを特徴とする請求項７または８に記載の硫黄−炭素複合体の製造方法。
【請求項１０】
前記官能基で表面改質された多孔性炭素材は、多孔性炭素材を酸で処理して製造されたことを特徴とする請求項７から９のいずれか一項に記載の硫黄−炭素複合体の製造方法。
【請求項１１】
前記酸は、硝酸、硫酸及びこれらの混合溶液から選択される１種以上であることを特徴とする請求項１０に記載の硫黄−炭素複合体の製造方法。
【請求項１２】
前記官能基が取り除かれた多孔性炭素材の熱重量分析結果、０℃から９００℃まで昇温した時の重量減少率が１％以下で、ラマン測定時のＤ／Ｇの比率が０．８ないし１．５であることを特徴とする請求項７から１１のいずれか一項に記載の硫黄−炭素複合体の製造方法。
【請求項１３】
前記硫黄−炭素複合体の比表面積は７ないし２０ｍ２／ｇであることを特徴とする請求項７から１２のいずれか一項に記載の硫黄−炭素複合体の製造方法。
【請求項１４】
前記硫黄−炭素複合体の気孔体積は０．１ないし０．３ｃｍ３／ｇであることを特徴とする請求項７から１３のいずれか一項に記載の硫黄−炭素複合体の製造方法。
【請求項１５】
請求項１から６のいずれか一項に記載の硫黄−炭素複合体を含むリチウム二次電池用正極。
【請求項１６】
前記リチウム二次電池用正極はリチウム−硫黄電池用正極であることを特徴とする請求項１５に記載のリチウム二次電池用正極。
【請求項１７】
正極；負極；前記正極と負極の間に介在される分離膜；及び電解液を含むリチウム二次電池であって、
前記正極は請求項１５または１６に記載の正極であることを特徴とするリチウム二次電池。
【請求項１８】
前記リチウム二次電池はリチウム−硫黄電池であることを特徴とする請求項１７に記載のリチウム二次電池。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月22日(2021.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧縮医薬剤形であって、前記圧縮医薬剤形が、
前記剤形の総重量に基づき、２〜６０ｗ／ｗ％の濃度で存在する１種以上の活性医薬成分、
多孔質粒子であって、ＳＥＭで測定した場合、前記多孔質粒子が１〜１００μｍの直径を有し、前記多孔質粒子が、２００〜１０００ｍ２／ｇの表面積および／または０．２〜３ｃｍ３／ｇの細孔体積および／または２〜２５０ｎｍの平均細孔サイズを有するシリカメソポーラス粒子であり、前記粒子が前記剤形の総重量に基づき、５〜７０ｗ／ｗ％の濃度で存在する、多孔質粒子、および
任意選択的には１種以上の薬学的に許容される賦形剤、
を含み、
前記１種以上の活性医薬成分は、前記粒子と混合および前記粒子中へと充填されており、未充填成分対充填成分の比が１００：１〜１：１００であり、
前記剤形の多孔度が、Ｈｇ侵入および／またはＮ２収着で測定された場合には５％〜２９％であり、
前記剤形の硬度が、Ｓｃｈｌｅｕｎｉｇｅｒ型の硬度試験機を用いると５Ｎ超かつ３０Ｎ未満であり、および
破砕値は、好ましくは２％以下である、圧縮医薬剤形。
【請求項２】
請求項１に記載の圧縮医薬剤形であって、
前記剤形の総重量に基づき、２〜６０ｗ／ｗ％の濃度で存在する１種以上の活性医薬成分であって、前記活性医薬成分が、Ｐｈ．Ｅｕｒ  ９ｔｈＥｄ．によれば、２５℃で１０ｍｇ／ｍｌ以上の水溶性を有する、１種以上の活性医薬成分、
を含む、圧縮医薬剤形。
【請求項３】
未充填成分対充填成分の比が、疎水性活性医薬成分では、１００：１〜５０：５０であり、親水性活性医薬成分では、５０：１〜１０：１である、請求項１または２のいずれか１項に記載の圧縮医薬剤形。
【請求項４】
前記破砕値は、好ましくは約１％以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の圧縮医薬剤形。
【請求項５】
前記多孔質粒子が、１〜３０μｍの直径を有する、請求項１〜４のいずれか１項に記載の圧縮医薬剤形。
【請求項６】
前記剤形が、１５〜２９Ｎの硬度を有する錠剤である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の圧縮医薬剤形。
【請求項７】
前記多孔質粒子の前記濃度が、前記剤形の総重量に基づき１４〜２４ｗ／ｗ％である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の圧縮医薬剤形。
【請求項８】
前記活性医薬成分の前記濃度が、前記剤形の総重量に基づき５〜１０ｗ／ｗ％である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の圧縮医薬剤形。
【請求項９】
前記未充填成分対充填成分の前記比が、１：９９〜５０：５０である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の圧縮医薬剤形。
【請求項１０】
セルロース、微結晶セルロース、デンプンおよびポリビニルピロリドンを含む群から選択される結合剤として前記１種以上の薬学的に許容される賦形剤を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の圧縮医薬剤形。
【請求項１１】
ヒドロキシプロピルメチルセルロース、架橋カルボキシメチルセルロースナトリウム、クロスカルメロース、クロスポビドン、低置換ヒドロキシプロピルセルロースおよびデンプングリコール酸ナトリウムを含む群から選択される崩壊剤として前記１種以上の薬学的に許容される賦形剤を含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の圧縮医薬剤形。
【請求項１２】
結合剤：崩壊剤の比が１０：１〜８：１である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の圧縮医薬剤形。
【請求項１３】
前記１種以上の薬学的に許容される賦形剤が、微結晶セルロース、低置換ヒドロキシプロピルセルロースおよびマンニトールである、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の圧縮医薬剤形。
【請求項１４】
前記活性医薬成分が、メトクロプラミドまたはメラトニンである、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の圧縮医薬剤形。
【請求項１５】
前記活性医薬成分が、ロラタジン、ドネペジル、ジフェンヒドラミン、プソイドエフェドリン、ランソプラゾール、ミルタザピン、リザトリプタン、オンダンセトロン、ゾルミトリプタン、オランザピン、モルヒネ、エリスロマイシン、ドンペリドン、オメプラゾール、アバナフィル、ロデナフィル、ミロデナフィル、シルデナフィル、タダラフィル、バルデナフィル、ウデナフィル、ザプリナスト、ベンズアミドナフィル、ニトログリセリン、エストロゲン、プロゲステロン、アドレナリンおよびダサンタフィルを含む群から選択される、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の圧縮医薬剤形。
【請求項１６】
前記剤形が、５ｍｍの最大厚みを有する、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の圧縮医薬剤形。
【請求項１７】
前記活性医薬成分が、胃不全麻痺といった疾患の防止、予防または治療にて使用されるためのメトクロプラミドである、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の圧縮医薬剤形。
【請求項１８】
前記活性医薬成分が、不眠障害といった疾患の防止、予防または治療にて使用されるためのメラトニンである、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の圧縮医薬剤形。
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月9日(2021.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＭＯＳＰＤ２およびＴ細胞またはＮＫ細胞特異的分子に対する二重特異性抗体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
電子出願された配列表の参照
本願と共に電子出願された配列表（名称：３１８２０８９ＰＣ０１＿ＳｅｑｕｅｎｃｅＬｉｓｔｉｎｇ＿ＳＴ２５．ｔｘｔ；サイズ：３４，５９７バイト；作成日：２０１９年３月１２日）の内容は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
【手続補正書】
【提出日】令和2年9月29日(2020.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ−ブチルアルデヒド（ｎ−ＢＡＬ）及びパラホルムアルデヒド（ＰＦＡ, paraformaldehyde）を水及びアルキルアミン触媒下でアルドール反応させる工程を含み、
前記パラホルムアルデヒド：水の重量比は、１：（０．３５〜０．８５）である、ジメチロールブタナールの製造方法。
【請求項２】
前記ｎ−ブチルアルデヒド：パラホルムアルデヒドのモル比は、１：（２．５〜４）である、請求項１に記載のジメチロールブタナールの製造方法。
【請求項３】
前記ｎ−ブチルアルデヒド：アルキルアミン触媒のモル比は、１ ：（０．１〜０．３）である、請求項１又は２に記載のジメチロールブタナールの製造方法。
【請求項４】
前記アルドール反応させる工程は、ｎ−ブチルアルデヒド、パラホルムアルデヒド及び水を反応器に投入した後に、
前記アルキルアミン触媒を反応器に投入する工程で行われる、請求項１〜３のいずれか一項に記載のジメチロールブタナールの製造方法。
【請求項５】
前記アルドール反応させる工程は、２０℃〜５０℃の温度で行われる、請求項１〜４のいずれか一項に記載のジメチロールブタナールの製造方法。
【請求項６】
前記アルキルアミン触媒は、トリメチルアミン（trimethylamine）、トリエチルアミン（triethylamine, ＴＥＡ）、トリプロピルアミン（tripropylamine）及びジイソプロピルエチルアミン（diisopropylethylamine）のうち１種以上を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のジメチロールブタナールの製造方法。
【請求項７】
前記アルドール反応させる工程の後に、
アルコール溶媒を用いて抽出工程を行うステップをさらに含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載のジメチロールブタナールの製造方法。
【請求項８】
前記アルコール溶媒は、２−エチルヘキサノール（2-ethyl hexanol, ２−ＥＨ）である、請求項７に記載のジメチロールブタナールの製造方法。
【請求項９】
前記アルドール反応させる工程後に生成されるアルドール反応物：アルコール溶媒の重量比は、１ ：（０．３〜１．５）である、請求項７又は８に記載のジメチロールブタナールの製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載のジメチロールブタナールの製造方法によってジメチロールブタナールを製造するステップ；及び
金属触媒下で水素化反応させてトリメチロールプロパン（ＴＭＰ）を製造するステップ
を含む、トリメチロールプロパンの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
本願の一実施態様において、上記水素化反応の反応温度は、８０℃〜１５０℃であってもよく、好ましくは１００℃〜１４０℃であってもよく、より好ましくは１１０℃〜１３０℃であってもよい。上記水素化反応の反応圧力は、２ＭＰａ〜７ＭＰａ（２０ｂａｒ〜７０ｂａｒ）であってもよい。好ましくは２．５ＭＰａ〜５ＭＰａ（２５ｂａｒ〜５０ｂａｒ）であってもよい。上記水素化反応の反応温度及び反応圧力が上述した範囲を満す場合に、高い収率でトリメチロールプロパンを製造することができる。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月2日(2021.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞上のＣＤ１１ｂのＩ−ドメインに特異的に結合する試薬を含む、免疫応答を調節することによるがんの治療における使用のための
医薬組成物。
【請求項２】
前記ＣＤ１１ｂは腫瘍関連骨髄系細胞（ＴＡＭＣ）上にある
請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記試薬は、ＣＤ１１ｂのＩ−ドメインを結合する抗体である
請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
免疫応答調節剤をさらに含む
請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記免疫応答調節剤は、ＰＤ−１、ＰＤ−Ｌ１、ＣＴＬＡ４、ＣＤ４０、ＯＸ４０またはＴｏｌｌ様受容体（ＴＬＲ）に特異的に結合する試薬である
請求項４に記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記免疫応答調節剤は、抗ＰＤ−１抗体、抗ＰＤ−Ｌ１抗体、抗ＣＴＬＡ４抗体、抗ＣＤ４０抗体、抗ＯＸ４０抗体、Ｔｏｌｌ様受容体アゴニスト、腫瘍溶解性ウイルス、放射線療法または化学療法剤である
請求項３に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記免疫応答調節剤は抗ＣＴＬＡ４抗体である
請求項３に記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記Ｔｏｌｌ様（ＴＬＲ）受容体アゴニストはＣｐＧである
請求項６に記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記化学療法剤はタキソールである
請求項６に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年10月9日(2020.10.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（５）：
【化１】
2021517111.tif 000001
で表されるオキサゾール化合物の結晶であって、
ＣｕＫα特性Ｘ線により測定される粉末Ｘ線回折パターンにおいて、回折角２θ（°）＝  ９．６±０．２、１９．１±０．２、及び２１．２±０．２にピークを有する、結晶。
【請求項２】
さらに、ＣｕＫα特性Ｘ線により測定される粉末Ｘ線回折パターンにおいて、１２．６±０．２、２２．８±０．２、及び２６．０±０．２からなる群より選択される１、２、又は３の回折角２θ（°）にピークを有する、請求項１に記載の結晶。
【請求項３】
さらに、ＣｕＫα特性Ｘ線により測定される粉末Ｘ線回折パターンにおいて、１０．４±０．２、１１．９±０．２、１５．０±０．２、１５．９±０．２、１９．７±０．２、２４．７±０．２及び２７．６±０．２からなる群より選択される１又は２以上の回折角２θ（°）にピークを有する、請求項２に記載の結晶。
【請求項４】
式（５）：
【化２】
2021517111.tif 000002
で表されるオキサゾール化合物の結晶であって、
臭化カリウム錠剤法により測定される赤外線吸収スペクトルにおいて、波数（ｃｍ−１）＝３３８０±５、２９８０±５、１６５１±２、１５０１±２、１２５８±２、１１２１±２、及び７５４±２  に赤外線吸収バンドを有する、結晶。
【請求項５】
臭化カリウム錠剤法により測定された赤外線吸収スペクトルにおいて、波数（ｃｍ−１）＝３３８０±５、２９８０±５、１６５１±２、１５０１±２、１２５８±２、１１２１±２、及び７５４±２  に赤外線吸収バンドを有する、請求項１〜３のいずれかに記載の結晶。
【請求項６】
さらに、臭化カリウム錠剤法により測定された赤外線吸収スペクトルにおいて、１６０１±２、１５３７±２、１３０２±２、１２３４±２、１１０７±２、１０２６±２及び６２７±２からなる群より選択される１又は２以上の波数（ｃｍ−１）に赤外線吸収バンドを有する、請求項４又は５に記載の結晶。
【請求項７】
融点が７５〜９０℃である、請求項１〜６のいずれかに記載の結晶。
【請求項８】
式（５）：
【化３】
2021517111.tif 000003
で表されるオキサゾール化合物の結晶であって、
融点が７５〜９０℃である、結晶。