【手続補正書】
【提出日】平成16年3月4日(2004.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）金を含む導体からなる複数の突起電極が形成された半導体チップを用意する工程と、
（ｂ）有機樹脂を含む絶縁体からなる薄膜ベースに、前記半導体チップの複数の突起電極のそれぞれに対応する複数のリードが形成された配線基板を用意する工程と、
（ｃ）前記半導体チップに形成された前記複数の突起電極のそれぞれを、前記配線基板に形成された前記複数のリードのそれぞれに接合する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記（ｂ）工程で用意する前記配線基板は、前記複数の突起電極のピッチが、前記複数の突起電極のそれぞれに対応する箇所における前記リードのピッチよりも大きく、
前記複数のリードのそれぞれは、前記突起電極に接合される部分が、前記薄膜ベースに固着されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記（ｃ）工程における前記突起電極と前記リードとの接合は、両者の間にＡｕ−Ｓｎ共晶接合を形成することによって行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記（ｃ）工程における前記突起電極と前記リードとの接合は、両者の間にＡｕ−Ａｕ接合を形成することによって行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記（ｃ）工程における前記突起電極と前記リードとの接合は、前記薄膜ベースを構成する前記絶縁体のガラス転移温度以上の温度で行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記薄膜ベースは、可撓性を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記（ｃ）工程における前記突起電極と前記リードとの接合は、接合を行う領域の周囲の前記配線基板を治具で挟んだ状態で行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記（ｃ）工程における前記突起電極と前記リードとの接合は、前記半導体チップを前記配線基板よりも高温に加熱した状態で、前記突起電極と前記リードとを接触させることによって行うことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記（ｃ）工程における前記突起電極と前記リードとの接合は、前記半導体チップを治具によって前記配線基板よりも高温に加熱し、前記突起電極と前記リードとを接触させることによって行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記半導体チップを加熱する前記治具の温度は、前記薄膜ベースを構成する前記絶縁体のガラス転移温度以上の温度であることを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記突起電極と前記リードとを接触させる前の前記配線基板の温度は、前記薄膜ベースを構成する前記絶縁体のガラス転移温度以下の温度であることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記（ｃ）工程は、前記配線基板を治具によって押し、前記リードを前記突起電極に接触させる工程を含んでおり、前記配線基板を前記治具によって押す工程は、前記リードと前記突起電極とが接触する部分と、前記治具との間に前記配線基板を介在させた状態で行うことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
（ａ）長方形の主面と、前記主面上に配置された複数の突起電極とを有する半導体チップを用意する工程と、
（ｂ）絶縁体からなる薄膜ベースと、前記半導体チップの複数の突起電極のそれぞれに対応する複数のリードとを有する配線基板を用意する工程と、
（ｃ）前記複数の突起電極のそれぞれを、前記複数のリードのそれぞれに接合する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記（ｂ）工程で用意する前記配線基板は、前記複数の突起電極のピッチが、前記複数の突起電極のそれぞれに対応する箇所における前記リードのピッチよりも小さく、
前記複数のリードのそれぞれは、前記突起電極に接合される部分が、前記薄膜ベースに固着されており、
前記（ｃ）工程は、前記配線基板と前記半導体チップとが離間した状態で両者を所定の位置に位置決めする工程と、前記配線基板と前記半導体チップとが離間した状態で、前記突起電極と前記リードとを接合する領域の周囲の前記配線基板を治具で挟む工程と、前記配線基板と前記半導体チップとが離間した状態で、前記配線基板を前記治具によって押し、前記リードを前記突起電極に接触させる工程を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
（ａ）長方形の主面と、前記長方形の主面の角部の近傍に配置された金を含む第１の複数の突起電極と、前記長方形の主面の長辺の中点の近傍に配置された金を含む第２の複数の突起電極とを有する半導体チップを準備する工程と、
（ｂ）有機樹脂を含む絶縁性の薄膜基板と、前記第１および第２の複数の突起電極に対応してそれぞれ形成された複数のリードとを有する配線基板を準備する工程と、
（ｃ）前記第１および第２の複数の突起電極のそれぞれを、前記複数のリードのそれぞれと接合させる工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記（ｂ）工程において準備する配線基板において、前記第１の複数の突起電極のピッチは、前記複数のリードの、それぞれの突起電極に対応する部分のピッチと比較して小さくなっており、
前記（ｃ）工程において、前記突起電極と接合を形成する部分のリードは、前記薄膜基板上に固定されており、
前記（ｃ）工程は、前記配線基板と前記半導体チップを離して配置する工程と、前記配線基板と前記半導体チップが離れた状態で、前記半導体チップが配置された領域の周囲の配線基板を挟む工程と、前記配線基板を挟む工程の後に、前記配線基板と前記半導体チップが離れた状態で前記配線基板を押し、前記複数のリードと前記複数の突起電極とを接触させる工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
（ａ）主面と、前記主面上に配置された複数の突起電極とを有する半導体チップを用意する工程と、
（ｂ）絶縁体からなる薄膜ベースと、前記半導体チップの複数の突起電極のそれぞれに対応する複数のリードとを有する配線基板を用意する工程と、
（ｃ）前記複数の突起電極のそれぞれを、前記複数のリードのそれぞれに接合する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記（ｂ）工程で用意する前記配線基板は、前記複数のリードのピッチが、前記複数のリードのそれぞれに対応する箇所における前記複数の突起電極のピッチよりも大きく、
前記複数のリードのそれぞれは、前記突起電極に接合される部分が、前記薄膜ベースに固着されており、
前記（ｃ）工程は、前記配線基板と前記半導体チップとが離間した状態で両者を所定の位置に位置決めする工程と、前記配線基板と前記半導体チップとが離間した状態で、前記突起電極と前記リードとを接合する領域の周囲の前記配線基板を治具で挟む工程と、前記配線基板と前記半導体チップとが離間した状態で、前記配線基板を前記治具によって押し、前記リードを前記突起電極に接触させる工程を含んでいることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記（ｃ）工程における前記突起電極と前記リードとの接合は、両者の間にＡｕ−Ｓｎ共晶接合を形成することによって行うことを特徴とする請求項１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記（ｃ）工程における前記突起電極と前記リードとの接合は、両者の間にＡｕ−Ａｕ接合を形成することによって行うことを特徴とする請求項１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記（ｃ）工程における前記突起電極と前記リードとの接合は、前記薄膜ベースを構成する前記絶縁体のガラス転移温度以上の温度で行うことを特徴とする請求項１４、１５または１６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記薄膜ベースは、可撓性を有することを特徴とする請求項１４〜１７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記（ｃ）工程における前記突起電極と前記リードとの接合は、前記半導体チップを前記配線基板よりも高温に加熱した状態で、前記突起電極と前記リードとを接触させることによって行うことを特徴とする請求項１４〜１８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記（ｃ）工程における前記突起電極と前記リードとの接合は、前記半導体チップを治具によって前記配線基板よりも高温に加熱し、前記突起電極と前記リードとを接触させることによって行うことを特徴とする請求項１４〜１９のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記半導体チップを加熱する前記治具の温度は、前記薄膜ベースを構成する前記絶縁体のガラス転移温度以上の温度であることを特徴とする請求項２０記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記突起電極と前記リードとを接触させる前の前記配線基板の温度は、前記薄膜ベースを構成する前記絶縁体のガラス転移温度以下の温度であることを特徴とする請求項１４〜２１のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。