Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月25日(2004.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オリジナルタイム値を生成し、出力可能なオリジナルタイムカウンタと、
外部からネットワークタイム値が入力され、前記オリジナルタイムカウンタから前記オリジナルタイム値が入力され、前記ネットワークタイム値から前記オリジナルタイム値を減算したサイクルタイム差分値を出力可能な減算部と、
前記オリジナルタイム値から生成されるオリジナルタイムスタンプ値が入力され、前記減算部から前記サイクルタイム差分値が入力され、前記オリジナルタイムスタンプ値と前記サイクルタイム差分値とを加算したタイムスタンプ値を出力可能な第１加算部とを、備えることを特徴とするタイムスタンプ補正回路。
【請求項２】
外部からオフセット値が入力され、前記オリジナルタイムカウンタから前記オリジナルタイム値が入力され、前記オフセット値と前記オリジナルタイム値とを加算したオリジナルタイムスタンプ値を出力可能な第２加算部と、
外部からリアルタイムデータが入力され、前記第２加算部から前記オリジナルタイムスタンプ値が入力され、前記リアルタイムデータに前記オリジナルタイムスタンプ値を付加したオリジナルタイムスタンプ値付加リアルタイムデータを出力可能なオリジナルタイムスタンプ値付加部と、
前記オリジナルタイムスタンプ値付加部から前記オリジナルタイムスタンプ値付加リアルタイムデータが入力され、先入れ先出し方式で前記オリジナルタイムスタンプ値付加リアルタイムデータを出力可能な記憶部と、
前記記憶部から前記オリジナルタイムスタンプ値付加リアルタイムデータが入力され、前記オリジナルタイムスタンプ値付加リアルタイムデータを前記オリジナルタイムスタンプ値と前記リアルタイムデータとに分割して出力可能なオリジナルタイムスタンプ値分割部とを、さらに備えることを特徴とする請求項１に記載のタイムスタンプ補正回路。
【請求項３】
前記第１加算部から前記タイムスタンプ値が入力され、前記タイムスタンプ値を含むＣＩＰ(Common Isochronous Packet)ヘッダを生成して
出力するＣＩＰヘッダ生成部と、
外部からＩＳＯ(Isochronous)ヘッダが入力され、前記ＣＩＰヘッダ生成部から前記ＣＩＰヘッダが入力され、前記オリジナルタイムスタンプ値分割部から前記リアルタイムデータが入力され、前記ＩＳＯヘッダと前記ＣＩＰヘッダと前記リアルタイムデータとを含むＩＳＯパケットを生成するＩＳＯパケット生成部とを、さらに備えることを特徴とする請求項２に記載のタイムスタンプ補正回路。
【請求項４】
ＣＩＰ(Common Isochronous Packet)ヘッダを生成して出力するＣＩＰヘッダ生成部と、
外部からＩＳＯ(Isochronous)ヘッダが入力され、前記ＣＩＰヘッダ生成部から前記ＣＩＰヘッダが入力され、前記第１加算部から前記タイムスタンプ値が入力され、前記オリジナルタイムスタンプ値分割部から前記リアルタイムデータが入力され、前記ＩＳＯヘッダと前記ＣＩＰヘッダと前記タイムスタンプ値と前記リアルタイムデータとを含むＩＳＯパケットを生成するＩＳＯパケット生成部とを、さらに備えることを特徴とする請求項２に記載のタイムスタンプ補正回路。
【請求項５】
減算部が、ネットワークタイム値とオリジナルタイム値とを入力され、前記ネットワークタイム値から前記オリジナルタイム値を減算してサイクルタイム差分値を出力し、
第１加算部が、オリジナルタイムスタンプ値と前記サイクルタイム差分値とを入力され、前記オリジナルタイムスタンプ値と前記サイクルタイム差分値とを加算してタイムスタンプ値を出力する、ことを特徴とするタイムスタンプ補正方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月12日(2005.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、他の好適な態様では、部分ストリーム群に対応するパケットは、当該パケット内のデータを、デマルチプレクサへ出力すべきタイミングを示す出力タイミング情報を含み、情報再生装置は、トラックバッファメモリに蓄積された再生データを取得し、当該パケットに含まれる出力タイミング情報に応じて当該パケット内の再生データを第１のデマルチプレクサに入力する第１のデパケッタイザと、再生手段から出力された再生データを、当該パケットに含まれる前記出力タイミング情報と無関係に直ちに第２のデマルチプレクサに入力する第２のデパケッタイザと、を備えることができる。この態様によれば、コンテンツ本体をなす第１の部分ストリームは、出力タイミング情報に従って適切なタイミングでデマルチプレクサへ入力される。一方、再生制御情報である第２の部分ストリームは、出力タイミング情報とは無関係に迅速にデコード処理を進めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月7日(2005.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
電波の届く場所に設置された受信用アンテナで基地局から送信される地上デジタルテレビジョン放送を受信し、ＡＧＣ回路を備えた増幅装置により増幅し、該増幅された信号を基地局からの電波が届きにくい室内に設置された再送信用アンテナより再送信することを特徴とする室内再送信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記送信又は再送信信号は、ＯＦＤＭによる変調信号を使用したことを特徴とする請求項１記載の室内再送システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記送信又は再送信信号は、ＯＦＤＭによる変調信号を用いたことを特徴とする請求項３乃至７何れか記載の室内再送信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月7日(2005.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記送信又は再送信信号は、ＯＦＤＭによる変調信号を使用したことを特徴とする請求項１乃至３何れか記載の室内再送システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記送信又は再送信信号は、ＯＦＤＭによる変調信号を用いたことを特徴とする請求項５乃至８何れか記載の室内再送信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月17日(2005.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極に電界を印加して処理ガスをプラズマ化し、被処理物の表面処理を行なうプラズマ表面処理装置における上記電極の構造であって、
導体からなる電極本体と、固体誘電体からなる誘電ケースを備え、この誘電ケースが、上記電極本体を収容し、この電極本体の固体誘電体層として提供されることを特徴とするプラズマ表面処理装置の電極構造。
【請求項２】
上記誘電ケースが、一面が開口された内部空間に上記電極本体を取り出し可能に収容するケース本体と、上記開口を塞ぐ蓋とを有していることを特徴とする請求項１に記載のプラズマ表面処理装置の電極構造。
【請求項３】
上記電極本体が、長尺状をなすとともに互いに平行をなして対向するように一対設けられ、これら電極本体の対向面間に、上記誘電ケースによって、上記処理ガスを電極本体の延び方向と直交する向きに通すガス通路が画成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のプラズマ表面処理装置の電極構造。
【請求項４】
上記一対の電極本体は、互いに別々の誘電ケースに収容され、これら誘電ケース間に上記ガス通路が形成されていることを特徴とする請求項３に記載のプラズマ表面処理装置の電極構造。
【請求項５】
上記一対の電極本体に共通の誘電ケースを１つ備え、この誘電ケースのケース本体に、上記ガス通路が形成されるとともに、このガス通路を挟むようにして上記一対の電極本体のための２つの内部空間が形成されていることを特徴とする請求項３に記載のプラズマ表面処理装置の電極構造。
【請求項６】
上記ガス通路の流路断面積が、ガスの流れ方向に沿って異なっていることを特徴とする請求項３〜５の何れかに記載のプラズマ表面処理装置の電極構造。
【請求項７】
上記誘電ケースにおける上記ガス通路と上記電極本体を収容する内部空間とを仕切る板の厚さが、ガスの流れ方向に沿って異なることを特徴とする請求項３〜６の何れかに記載のプラズマ表面処理装置の電極構造。
【請求項８】
上記誘電ケースが、上記処理ガスを上記電極本体の延び方向に均一化させたうえで上記ガス通路に導くガス均一化路を有していることを特徴とする請求項３〜７の何れかに記載のプラズマ表面処理装置の電極構造。
【請求項９】
上記電極への電界印加用又は接地用の給電ピンを備え、
上記給電ピンが、先端面へ開口する軸孔を有して上記誘電ケースを貫通して上記電極本体に引き抜き可能に埋め込まれた導電性のピン本体と、このピン本体と電気的に導通するようにして上記軸孔に摺動可能に収容された導電性の芯部材と、軸孔に収容されて上記芯部材を軸孔から押し出すように付勢するばねとを有していることを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載のプラズマ表面処理装置の電極構造。
【請求項１０】
導体の線材を絶縁材で被覆してなる電界印加用又は接地用の被覆導線が、上記誘電ケースを通して上記電極本体に挿し入れられており、しかも、この被覆導線の線材が、上記誘電ケースは勿論、上記電極本体内の手前側においても絶縁材で被覆され、上記電極本体内の奥側に位置する線材の端末のみが、絶縁材から露出され、上記挿し入れ方向と略直交するように捩じ込まれたネジによって押え付けられていることを特徴とする請求項１〜８の何れかに記載のプラズマ表面処理装置の電極構造。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月13日(2005.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相対峙する回路電極間に介在され、相対向する回路電極を加圧し加圧方向の電極間を電気的に接続する回路接続材料であって、下記（１）〜（４）の成分を必須とする接着剤樹脂成分を含み、
（１）加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤
（２）分子量１００００以上の水酸基含有樹脂
（３）ラジカル重合性物質
（４）導電性粒子
示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用いて１０℃／分の測定において、発熱反応の立ち上がり温度（Ｔａ）が７０℃〜１１０℃の範囲内で、ピーク温度（Ｔｐ）がＴａ＋５〜３０℃であり、かつ終了温度（Ｔｅ）が１６０℃以下であり、
上記導電性粒子の含有量は上記接着剤樹脂成分１００体積部に対して０．１〜３０体積部であることを特徴とする回路接続材料。
【請求項２】
加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤の半減期１０時間の温度が４０℃以上かつ、半減期１分の温度が１８０℃以下である請求項１記載の回路接続材料。
【請求項３】
ラジカル重合性物質が下記化学式（ａ）で示されるラジカル重合性物質を含有する請求項１又は２に記載の回路接続材料。
【化１】
（ただし、ｎは１〜３の整数である）
【請求項４】
アクリルゴムを含有する請求項１〜３のいずれかに記載の回路接続材料。
【請求項５】
第一の接続端子を有する第一の回路部材と、第二の接続端子を有する第二の回路部材とが、第一の接続端子と第二の接続端子を対向して配置されており、前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子の間に請求項１〜４のいずれかに記載の回路接続材料が介在されており、前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子が電気的に接続されている回路端子の接続構造。
【請求項６】
第一の接続端子を有する第一の回路部材と、第二の接続端子を有する第二の回路部材とを、第一の接続端子と第二の接続端子を対向して配置し、前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子の間に請求項１〜４のいずれかに記載の回路接続材料を介在させ、加熱加圧して前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子を電気的に接続させる回路端子の接続方法。
【請求項７】
第一の接続端子を有する第一の回路部材と、第二の接続端子を有する第二の回路部材とが、第一の接続端子と第二の接続端子を対向して配置されており、前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子の間にラジカル重合による硬化性を有する回路接続材料が介在されており、前記接続端子の少なくとも一方の表面が金、銀、錫及び白金族から選ばれる金属であり、前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子が電気的に接続されており、
ラジカル重合による硬化性を有する回路接続材料が請求項１〜４のいずれかに記載の回路接続材料である回路端子の接続構造。
【請求項８】
第一の接続端子を有する第一の回路部材と、第二の接続端子を有する第二の回路部材とを、第一の接続端子と第二の接続端子を対向して配置し、前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子の間にラジカル重合による硬化性を有する回路接続材料を介在させ、加熱加圧して前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子を電気的に接続させる回路端子の接続方法であって、前記接続端子の少なくとも一方の表面が金、銀、錫及び白金族から選ばれる金属であり、ラジカル重合による硬化性を有する回路接続材料を表面が金、銀、錫及び白金族から選ばれる金属である一方の接続端子に形成した後、もう一方の回路電極を位置合わせし加熱、加圧して接続し、
ラジカル重合による硬化性を有する回路接続材料が請求項１〜４のいずれに記載の回路接続材料である回路端子の接続方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の第一の回路接続材料は、相対峙する回路電極間に介在され、相対向する回路電極を加圧し加圧方向の電極間を電気的に接続する回路接続材料であって、下記（１）〜（４）の成分を必須とする接着剤樹脂成分を含み、示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用いて１０℃／分の測定において、発熱反応の立ち上がり温度（Ｔａ）が７０℃〜１１０℃の範囲内で、ピーク温度（Ｔｐ）がＴａ＋５〜３０℃であり、かつ終了温度（Ｔｅ）が１６０℃以下であり、導電性粒子の含有量は接着剤樹脂成分１００体積部に対して０．１〜３０体積部である回路接続材料である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（１）加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤
（２）分子量１００００以上の水酸基含有樹脂
（３）ラジカル重合性物質
（４）導電性粒子
加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤として、半減期１０時間の温度が４０℃以上かつ、半減期１分の温度が１８０℃以下である硬化剤が好ましく、パーオキシエステルが使用できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第二の回路接続材料は、相対峙する回路電極間に介在され、相対向する回路電極を加圧し加圧方向の電極間を電気的に接続する回路接続材料であって、下記（５）、（６）の成分を必須とする回路接続材料である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（５）加熱により遊離ラジカルを発生し、半減期１０時間の温度が４０℃以上かつ、半減期１分の温度が１８０℃以下である硬化剤
（６）ラジカル重合性物質
加熱により遊離ラジカルを発生する硬化剤はパーオキシエステルが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月22日(2005.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の主面上に形成された配線と、
前記配線と同層の配線層で構成されるとともに、前記配線間の距離が離れて形成されている空隙領域に配置されたダミー配線と、
前記配線およびダミー配線を覆い、かつ研磨法により平坦化された被膜を含む絶縁膜とを有する半導体集積回路装置であって、
前記ダミー配線は、スクライブ領域にも形成され、
前記ダミー配線は、フォトリソグラフィのためのマーカ部と同一の配線層において、前記マーカ部の周辺に形成されないことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体集積回路装置であって、
チップの９５％以上の領域においては、前記配線およびダミー配線の相互間のパターン間隔が前記配線の高さの２倍以下であり、かつ、前記チップの５％以下の領域においては、前記間隔が前記配線の高さの４倍以下であるように構成されることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体集積回路装置であって、
前記配線は、ＤＲＡＭのビット線を構成することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
半導体集積回路装置の製造方法であって、
半導体基板上に堆積された導電膜をパターニングして、配線およびダミー配線を形成する工程と、
前記配線およびダミー配線により形成される凹部における膜厚が、前記配線およびダミー配線上における膜厚よりも大きくなるように、第１絶縁膜を前記凹部に埋込む工程と、
前記第１絶縁膜上に第２絶縁膜を堆積する工程と、
前記第２絶縁膜の表面を研磨法により平坦化する工程とを含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、
前記ダミー配線および前記配線の部材相互の間隔が、前記配線の高さの２倍以下であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４記載の半導体集積回路装置の製造方法であって、
チップの９５％以上の領域においては、前記配線およびダミー配線の相互間のパターン間隔が前記配線の高さの２倍以下であり、かつ、前記チップの５％以下の領域においては、前記間隔が前記配線の高さの４倍以下であるように構成されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
半導体基板の主面上に形成された配線と、
前記配線と同層の配線層で構成されるとともに、前記配線間の距離が離れて形成されている空隙領域に配置されたダミー配線と、
前記配線およびダミー配線を覆い、かつ研磨法により平坦化された被膜を含む絶縁膜とを有する半導体集積回路装置であって、
前記ダミー配線は、スクライブ領域にも形成されることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項８】
半導体基板の主面上に形成された配線と、
前記配線と同層の配線層で構成されるとともに、前記配線間の距離が離れて形成されている空隙領域に配置されたダミー配線と、
前記配線およびダミー配線を覆い、かつ研磨法により平坦化された被膜を含む絶縁膜とを有する半導体集積回路装置であって、
前記ダミー配線は、ボンディングパッド部と同一の配線層において、前記ボンディングパッド部の周辺に形成されないことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項９】
請求項７記載の半導体集積回路装置において、
前記ダミー配線の幅は、ボンディングパッド間の距離以下で構成されることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１０】
請求項４記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記研磨工程の後、前記第２絶縁膜上に第３絶縁膜を堆積する工程と、
前記第３絶縁膜上に堆積された導電膜をパターニングして、配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記第１絶縁膜は、高密度プラズマＣＶＤ法で形成されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１２】
半導体集積回路装置の製造方法であって、
半導体基板上に堆積された導電膜をパターニングして、第１の配線層である配線を形成する工程と、
前記配線間を埋め込むように第１絶縁膜を形成する工程と、
前記第１絶縁膜上に第２絶縁膜を堆積する工程と、
前記第２絶縁膜の表面を研磨法により平坦化する工程と、
前記研磨工程の後、前記第２絶縁膜上に第３絶縁膜を堆積する工程と、
前記第３絶縁膜上に堆積された導電膜をパターニングして、第２の配線層である配線を形成する工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記第１絶縁膜は高密度プラズマＣＶＤ法を用いて形成されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記第１絶縁膜堆積工程の前に、前記配線およびダミー配線上に第４絶縁膜を堆積する工程を有し、
前記第４絶縁膜上に前記第１絶縁膜が形成されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記第１の配線層である配線を形成する工程で、ダミー配線が形成され、
前記第１絶縁膜上は、前記配線およびダミー配線間を埋め込むように形成されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１６】
半導体基板の主面上に形成された第１の配線層である配線と、
前記配線を覆い、研磨法により平坦化された被膜を含む絶縁膜とを有する半導体集積回路装置であって、
前記絶縁膜は、前記第１の配線層である配線間を埋め込む第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上に形成された第２絶縁膜とを含み、
前記第２絶縁膜の表面は前記研磨法により平坦化され、
前記第２絶縁膜上に第３絶縁膜が形成され、
前記第３絶縁膜上に第２の配線層である配線が形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１７】
請求項１６記載の半導体集積回路装置において、
前記第１絶縁膜は高密度プラズマＣＶＤ法を用いて形成されることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１８】
請求項１６記載の半導体集積回路装置において、
前記配線上に第４絶縁膜が形成され、
前記第４絶縁膜上に前記第１絶縁膜が形成されることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１９】
請求項１６記載の半導体集積回路装置において、
前記第１の配線層である配線を形成する工程で、前記配線間の距離が離れて形成されている空隙領域にダミー配線が形成され、
前記第１絶縁膜は、前記配線およびダミー配線間を埋め込むように形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月28日(2005.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】集積回路チップモジュールおよび携帯電話機
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１の電源電位用の第１電源パッドと、前記第１の電源電位よりも高い電源電位である第２の電源電位用の第２電源パッドとを有し、前記第１電源パッドと第２電源パッドが隣り合わせに配置されている第１集積回路チップと、
第１の電源電位用の第３電源パッドと、第２の電源電位用の第４電源パッドとを有し、前記第３電源パッドと第４電源パッドが隣り合わせに配置されている第２集積回路チップと、
前記第１電源パッドに接続する第１電源配線と、前記第２電源パッドに接続する第２電源配線と、前記第３電源パッドに接続する第３電源配線と、前記第４電源パッドに接続する第４電源配線とを有する配線板とを有し、
前記第１電源配線と前記第２電源配線の間隔は、前記第１電源配線もしくは第２電源配線のいずれかと、前記第３電源配線もしくは第４電源配線のいずれかとの間隔よりも狭くなっており、
前記第３電源配線と前記第４電源配線の間隔は、前記第１電源配線もしくは第２電源配線のいずれかと、前記第３電源配線もしくは第４電源配線のいずれかとの間隔よりも狭くなっていることを特徴とする集積回路チップモジュール。
【請求項２】  前記第１電源配線および第２電源配線からなる２本組電源配線と、前記第３電源配線および第４電源配線からなる２本組電源配線との間隔は、前記第１電源配線と前記第２電源配線との間隔の２倍以上であることを特徴とする請求項１に記載の集積回路チップモジュール。
【請求項３】  前記配線板はフレキシブル配線板であることを特徴とする請求項１または２に記載の集積回路チップモジュール。
【請求項４】  前記第１集積回路チップおよび前記第２集積回路チップは、前記配線板上にフリップチップ実装されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の集積回路チップモジュール。
【請求項５】  第１の電源電位用の第１電源パッドと、前記第１の電源電位よりも高い電源電位である第２の電源電位用の第２電源パッドとを有し、前記第１電源パッドと第２電源パッドが隣り合わせに配置されている第１集積回路チップと、
第１の電源電位用の第３電源パッドと、第２の電源電位用の第４電源パッドとを有し、前記第３電源パッドと第４電源パッドが隣り合わせに配置されている第２集積回路チップと、
前記第１電源パッドに接続する第１電源配線と、前記第２電源パッドに接続する第２電源配線と、前記第３電源パッドに接続する第３電源配線と、前記第４電源パッドに接続する第４電源配線とを有する配線板とを有し、
前記第１電源配線と前記第２電源配線の間隔は、前記第１電源配線もしくは第２電源配線のいずれかと、前記第３電源配線もしくは第４電源配線のいずれかとの間隔よりも狭くなっており、
前記第３電源配線と前記第４電源配線の間隔は、前記第１電源配線もしくは第２電源配線のいずれかと、前記第３電源配線もしくは第４電源配線のいずれかとの間隔よりも狭くなっていることを特徴とする集積回路チップモジュールを搭載する携帯電話機。
【請求項６】  前記第１電源配線および第２電源配線からなる２本組電源配線と、前記第３電源配線および第４電源配線からなる２本組電源配線との間隔は、前記第１電源配線と前記第２電源配線との間隔の２倍以上であることを特徴とする請求項５に記載の携帯電話機。
【請求項７】  前記酎線板はフレキシブル配線板であることを特徴とする請求項５または６に記載の携帯電話機。
【請求項８】  前記第１集積回路チップおよび前記第２集積回路チップは、前記配線坂上にフリップチップ実装されていることを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の携帯電話機。
【請求項９】  画像信号を信号処理する回路を有することを特徴とする請求項５〜８のいずれかに記載の携帯電話機。
【請求項１０】  撮像素子を有することを特徴とする請求項５〜９のいずれかに記載の携帯電話機。
【請求項１１】  前記撮像素子が撮像した動画をリアルタイムで送信する機能を有することを特徴とする請求項１０に記載の携帯電話機。
【請求項１２】  電波を送受信する送受信機を有することを特徴とする請求項５〜１１のいずれかに記載の携帯電話機。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、この発明にかかる集積回路チップモジュールは、第１の電源電位用の第１電源パッドと、前記第１の電源電位よりも高い電源電位である第２の電源電位用の第２電源パッドとを有し、前記第１電源パッドと第２電源パッドが隣り合わせに配置されている第１集積回路チップと、第１の電源電位用の第３電源パッドと、第２の電源電位用の第４電源パッドとを有し、前記第３電源パッドと第４電源パッドが隣り合わせに配置されている第２集積回路チップと、前記第１電源パッドに接続する第１電源配線と、前記第２電源パッドに接続する第２電源配線と、前記第３電源パッドに接続する第３電源配線と、前記第４電源パッドに接続する第４電源配線とを有する配線板とを有し、前記第１電源配線と前記第２電源配線の間隔は、前記第１電源配線もしくは第２電源配線のいずれかと、前記第３電源配線もしくは第４電源配線のいずれかとの間隔よりも狭くなっており、前記第３電源配線と前記第４電源配線の間隔は、前記第１電源配線もしくは第２電源配線のいずれかと、前記第３電源配線もしくは第４電源配線のいずれかとの間隔よりも狭くなっていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月4日(2005.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
基板１１１には、切り欠き(オリエンテーションフラット)等によって、基板１１１表面の｛１  ０  ０｝方向が分かる目印が形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
他方、図示はしないが、例えば充填領域２３ａ上部の一部を絶縁膜４３で覆っておき、その部分を全くエッチングせずに充填領域２３ａのまま残し、他の部分をエッチングして埋込領域２４を形成すると、エッチングされなかった部分は、埋込領域２４とベース領域３３両方に接触するので、埋込領域２４は、残部の充填領域２３ａを介してベース領域３３に接続される。充填領域２３ａの一部表面を絶縁膜４３で覆う位置は、充填領域２３ａの長さ方向の一部又は幅方向の一部でよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
図１９(ａ)、(ｂ)の符号４４は、そのレジスト膜を示しており、活性溝２２ａと活性溝２２ａの間の中央位置に窓開部８３を有している。レジスト膜４４は、ガード溝２２ｂが配置された領域には窓開部を有していない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
次いで、マスクに用いたレジスト膜４４を除去した後、図２０(ａ)、(ｂ)に示すように、別のパターンにパターニングされたレジスト膜４５を薄い酸化膜５５表面に形成する。このレジスト膜４５は、第２導電型の高濃度領域３６の両側に窓開部８４を有しているが、ガード溝２２ｂが配置された領域には窓開部を有していない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
オーミック領域３８とソース領域３９は、ベース領域３３の深さよりも浅くなっており、ベース領域３３内に位置している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
樹脂封止された半導体装置１は、各リードを電気回路に接続し、ソース電極６１を接地電位に接続し、ドレイン電極７１に正電圧を印加し、ゲート電極５４に閾電圧以上の電圧を印加すると、ベース領域３３のうち、ソース領域３９と成長層１２との間に位置し、ゲート絶縁膜５１に接触する部分が第１導電型に反転し、それによって形成された反転層でソース領域３９と成長層１２とが接続され、基板１１、成長層１２、反転層、ソース領域３９を通り、ドレイン電極７１からソース電極６１に電流が流れる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
成長層１２のうち、最内周の内周側補助拡散領域３４よりも内側の領域の内部には、直線状で細長い活性溝２２ａが、ガード溝２２ｂとは非接触に配置されている。活性溝２２ａの内部は、ガード領域２３ｂと同じ導電型で同じ材料の耐圧領域７４が形成されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
その空乏層がガード領域２３ｂや内周側補助拡散領域３４に到達すると、ガード領域２３ｂや内周側及び外周側補助拡散領域３４、３５から外側に向けて空乏層が広がる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
この半導体装置２では、ショットキー電極７５がアノード電極、裏面電極７６がカソード電極であったが、本発明の半導体装置は、ショットキー電極がカソード電極、裏面電極がアノード電極であるような場合も含まれる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月26日(2005.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも一面に第１、第２、第３及び第４電極を有する半導体素子と、前記第１電極は前記半導体素子の前記一面上の外周領域に配置された複数の信号用電極からなり、前記第２、第３及び第４電極は前記半導体素子の前記一面上の中央領域に配置され、且つ前記第３及び第４電極はそれぞれ電源用及びグランド用の電極からなり、
半導体素子が搭載される搭載面に第１、第２、第３及び第４接続パッドを有する配線基板と、
前記半導体素子の前記一面を前記配線基板の搭載面側に向けて配置し、これらの間にわずかな隙間が形成されるように、前記第１電極と前記第１接続パッドとの間を電気的に接続する接続手段と、
前記半導体素子の中央領域と前記配線基板の第２接続パッドの領域との間の前記隙間に配置された極薄型の付加機能を有する素子と、を具備し、
該付加機能素子は一方の面で前記第２電極に接続され、他方の面で前記第２接続パッドに接続されて特定の電気的機能を発揮するようにされており、前記付加機能素子の前記一方の面から他方の面へ貫通する複数の導電性ビアを介して前記第３及び第４電極と前記配線基板上の第３及び第４接続パッドとの間がそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする、付加機能を有する半導体装置。
【請求項２】  前記接続手段は半田バンプであり、前記付加機能素子の一方の面と前記第２電極と間は超音波接続、異方性導電性接着フィルム、又は異方性導電性接着ペーストにより接続され、前記付加機能素子の他方の面と前記接続パッドとの間は半田接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】  前記極薄型の付加機能素子は、受動素子又は能動素子、或いはキャパシタ、抵抗、又はインダクタンスであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】  少なくとも一面に第１、第２、第３及び第４電極を有する半導体素子と、前記第１電極は前記半導体素子の前記一面上の外周領域に配置された複数の信号用電極からなり、前記第２、第３及び第４電極は前記半導体素子の前記一面上の中央領域に配置され、且つ前記第３及び第４電極はそれぞれ電源用及びグランド用の電極からなり、
半導体素子が搭載される搭載面に第１、第２、第３及び第４接続パッドを有する配線基板と、
前記半導体素子の前記一面を前記配線基板の搭載面側に向けて配置し、これらの間にわずかな隙間が形成されるように、前記第１電極と前記第１接続パッドとの間を電気的に接続する接続手段と、
前記半導体素子の一面と前記配線基板の搭載面との間の距離より薄く、且つ前記半導体素子の中央領域と前記配線基板の第２接続パッドの領域との間の前記隙間に配置された付加機能を有する素子と、を具備し、
該付加機能素子は一方の面で前記第２電極に接続され、他方の面で前記第２接続パッドに接続されて特定の電気的機能を発揮するようにされており、前記付加機能素子の前記一方の面から他方の面へ貫通する複数の導電性ビアを介して前記第３及び第４電極と前記配線基板上の第３及び第４接続パッドとの間がそれぞれ電気的に接続されていることを特徴とする、付加機能を有する半導体装置。
【請求項５】  特定の付加機能を有する素子の一方の面を、少なくとも一方の面に第１電極及び第２電極を有する半導体素子の前記第２電極に接続するように、該付加機能素子を前記半導体素子に搭載する工程と、
前記付加機能素子を接続した半導体素子の前記一方の面を、半導体素子搭載面に第１及び第２接続パッドを有する配線基板の前記搭載面に向けて配置することにより、これらの間に前記付加可能素子を挟み込むように、該付加機能素子の他方の面を前記配線基板の第２接続パッドに接続し、同時に前記半導体素子の第１電極を接続手段を介して前記第１接続パッドに接続する工程と、
を含むことを特徴とする付加機能を有する半導体装置の製造方法。
【請求項６】  前記付加機能素子を前記半導体素子に搭載する工程は、前記付加機能素子の前記一方の面と前記半導体素子の前記第２電極とを、超音波接続、異方性導電性接着フィルム、又は異方性導電性接着ペーストにより接続することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】  前記接続手段は半田バンプであり、該半田バンプを介した前記半導体素子の前記第１電極と前記配線基板の第１接続パッドとを接続し、前記付加機能素子の前記他方の面と前記配線基板の前記第２接続パッドとの接続は、フリップチップ工程で同時に半田接続が行われることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】  半導体素子の前記一方の面は、外周領域に前記第１電極としての複数の信号用電極が配置され、中央領域に前記第２電極の他に、第３及び第４電極としての電源用及びグランド用電極が配置されており、前記付加機能素子は前記一方の面から他方の面へ貫通する複数の導電性ビアを有し、
前記電源用及びグランド用電極と前記付加機能素子の前記ビアの一方の側との接続は、超音波接続、異方性導電性接着フィルム、又は異方性導電性接着ペーストにより行なわれ、前記付加機能素子の前記ビアの他方の側と前記配線基板の第３及び第４接続パッドとの接続は半田により、前記フリップチップ工程と同時に行われることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月12日(2005.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  プラズマ発生装置を備えた真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、２つの可変インピーダンス素子として可動部をもたないトロイダルコアを備えたプラズマ発生装置用整合回路を介してプラズマ発生装置に高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の試料電極に載置された試料または試料表面の膜中に不純物を導入するプラズマドーピング方法であって、プラズマを発生させたままの状態でガス種、ガス流量、圧力、高周波電力の大きさのうち少なくとも一つの制御パラメータを変化させること
を特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項２】  プラズマ発生装置を備えた真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、プラズマ発生装置用整合回路を介してプラズマ発生装置に高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の試料電極に載置された試料または試料表面の膜中に不純物を導入するプラズマドーピング方法であって、プラズマを発生させたままの状態でガス種、ガス流量、圧力、高周波電力の大きさのうち少なくとも一つの制御パラメータを変化させ、かつ、制御パラメータの変化を１秒乃至５秒かけて行うこと
を特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項３】  真空容器と、真空容器内にガスを供給するためのガス供給装置と、真空容器内を排気するための排気装置と、真空容器内を所定の圧力に制御するための調圧弁と、真空容器内に試料を載置するための試料電極と、プラズマ発生装置と、２つの可変インピーダンス素子として可動部をもたないトロイダルコアを備えたプラズマ発生装置用整合回路と、プラズマ発生装置にプラズマ発生装置用整合回路を介して高周波電力を供給する高周波電源とを備えたこと
を特徴とするプラズマドーピング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月12日(2005.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  試料または試料表面の膜中に不純物を導入するプラズマドーピング方法であって、真空容器内の試料電極に試料を載置する第一のステップと、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を第一の圧力に制御しながら、プラズマ源に高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させる第二のステップと、プラズマを発生させたままの状態で、真空容器内を第一の圧力よりも低い第二の圧力に制御する第三のステップとを含むこと
を特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項２】  試料または試料表面の膜中に不純物を導入するプラズマドーピング方法であって、真空容器内の試料電極に試料を載置する第一のステップと、真空容器内にヘリウム以外の不活性ガスを含むガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を第一の圧力に制御しながら、プラズマ源に高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させる第二のステップと、プラズマを発生させたままの状態で、真空容器内にヘリウムを含むガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を第二の圧力に制御する第三のステップとを含むこと
を特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項３】  試料または試料表面の膜中に不純物を導入するプラズマドーピング方法であって、真空容器内の試料電極に試料を載置する第一のステップと、真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を第一の圧力に制御しながら、プラズマ源に高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させる第二のステップと、プラズマを発生させたままの状態で、真空容器内を第二の圧力に制御しながら、第二のステップにおける高周波電力よりも大きな高周波電力をプラズマ源に供給する第三のステップとを含むこと
を特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項４】  試料または試料表面の膜中に不純物を導入するプラズマドーピング方法であって、真空容器内の試料電極に試料を載置する第一のステップと、真空容器内にドーピング原料ガスを含まないガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を第一の圧力に制御しながら、プラズマ源に高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させる第二のステップと、プラズマを発生させたままの状態で、真空容器内にドーピング原料ガスを含むガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を第二の圧力に制御する第三のステップとを含むこと
を特徴とするプラズマドーピング方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月12日(2005.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  プラズマ発生装置を備えた真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、プラズマ発生装置に高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の試料電極に高周波電力を供給して、試料電極に載置された試料または試料表面の膜中に不純物を導入するプラズマドーピング方法であって、
プラズマ発生装置または試料電極に供給する高周波電力の進行波をＰｆ、反射波をＰｒとしたとき、Ｐｆ−Ｐｒの値を１ｍｓｅｃ乃至１００ｍｓｅｃ間隔でサンプリングし、Ｐｆ−Ｐｒを時間で積分した値が予め設定した値に達した時点で、高周波電力の供給を停止すること
を特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項２】  プラズマドーピング処理の途中において、プラズマを発生させたままの状態でガス種、ガス流量、圧力、高周波電力の大きさのうち少なくとも一つの制御パラメータを変化させること
を特徴とする請求項１記載のプラズマドーピング方法。
【請求項３】  真空容器と、真空容器内にガスを供給するガス供給装置と、真空容器内を排気する排気装置と、真空容器内を所定の圧力に制御する調圧弁と、真空容器内に試料を載置する試料電極と、プラズマ発生装置と、プラズマ発生装置に高周波電力を供給する高周波電源と、試料電極に高周波電力を供給する高周波電源と、プラズマ発生装置または試料電極に供給する高周波電力の進行波をＰｆ、反射波をＰｒとしたとき、Ｐｆ−Ｐｒの値を１ｍｓｅｃ乃至１００ｍｓｅｃ間隔でサンプリングするサンプラーと、Ｐｆ−Ｐｒを時間で積分した値が予め設定した値に達した時点で高周波電力の供給を停止する制御装置とを備えたこと
を特徴とするプラズマドーピング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月26日(2005.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査体Ｗを真空状態で検査するプローブ装置（１００）、該プローブ装置は
下記を具備する：
プローバ室（２９）を有する本体（１）；
該プローバ室内に配置されたメインチャック（６） ；
該プローバ室内に配置され、該メインチャックをＸ，Ｙ，Ｚ方向に移動させるための移動機構（１６）；
該プローバ室の上部に配置されたヘッドプレート（１２）；
該ヘッドプレートに取り付けられ、その内部に密閉空間（２８）を形成するための筒体（１０）、該筒体の下端部（１０ａ）は該密閉空間を形成するための気密封止機構（８）を具備する、該気密封止機構は、該移動機構によりＺ方向に上昇された該メインチャックの表面と協働して、該筒体と該メインチャックの間に該密閉空間を形成する；
該密閉空間内を排気するための排気機構（１５）。
【請求項２】      
さらに、プローブカードを有し、該プローブカードを該密閉空間内で昇降させるためのプローブカード昇降機構（１７）を具備する、請求項１に記載のプローブ装置。
【請求項３】
該被検査体Ｗは、ウェハ状の基板の上に形成されたマイクロマシン及び集積回路の内の１つである、請求項１に記載のプローブ装置。
【請求項４】
該筒体は、その上部に蓋状部材（１１）を備え、該蓋状部材がヘッドプレートに取り付けられる、請求項１に記載のプローブ装置。
【請求項５】
該プローブカード昇降機構（１７）は該蓋状部材に取り付けられる、請求項４に記載のプローブ装置。
【請求項６】
さらに、該プローブ室内に配置された支持体（２）と、該メインチャックを支持体に取り付けるための取り付け機構（３）とを有し、
該メインチャックを支持体に取り付けるための取り付け機構（３）は、メインチャックのＺ方向の移動を案内するためのガイド（４）及びメインチャックを支持体方向に引きつける弾性機構（５）を備える、
ここで、該密閉空間が該排気機構により真空引きされることにより、該メインチャックは該弾性機構の引き付け力に抗して該ガイドに沿って上昇する、
請求項１に記載のプローブ装置。
【請求項７】
該メインチャックは、メインチャック上に載置された被検査体を固定するための固定機構（１８）を具備する、請求項１に記載のプローブ装置。
【請求項８】
該固定機構は、ウェハ状の基板Ｗを固定するクランプリング（３４）、クランプリングを支持する支柱（３５）、該支柱を支持する支柱支持体（３６ａ）、支柱支持体の下部に固定された昇降軸（３６ｂ）、該昇降軸を昇降させるための駆動機構（４１）を具備する、請求項７に記載のプローブ装置。
【請求項９】
該固定機構は、ウェハ状の基板Ｗの周囲に配置され、該基板を固定する複数の押さえ具３８、該押さえ具が取り付けられた移動体４３、及び該移動体を該基板に向かって進退させるための駆動機構３９を具備する、請求項７に記載のプローブ装置。
【請求項１０】
該プローブカード昇降機構（１７）は、プローブカードに固定されたＺ軸（３９）、該Ｚ軸に固定されたナット部材（２０）、該ナット部材に勘合するボルト部材（２１）、該ボルト部材の一端に固定され、該ボルト部材を回転するための回転駆動機構（２２）、該Ｚ軸の周囲に配置され、Ｚ軸の昇降をガイドするためのＺ軸ガイド（３３）、該回転駆動機構を制御するための制御機構（２３）を具備する、請求項２に記載のプローブ装置。
【請求項１１】
該プローブカード昇降機構は、さらに該Ｚ軸の周囲に配置されたベローズ（２４）を具備する、請求項１０に記載のプローブ装置。
【請求項１２】
該ヘッドプレートは開口部（１３）を有し、該筒体の蓋状部材は該開口部を塞ぐように該ヘッドプレートに取り付けられている、請求項４記載のプローブ装置。
【請求項１３】
下記を具備する、該請求項１に記載されたプローブ装置（１００）において被検査体（Ｗ）を検査する方法：
（ａ）該メインチャック（６）上に被検査体（Ｗ）を載置する；
（ｂ）該移動機構（１６）が該メインチャックを少なくともＸ，Ｙ方向に移動することにより、プローブカード（１４）と被検査体とを位置合わせする；
（ｃ）該移動機構が該メインチャックをＺ方向に上昇させる、この時、気密封止機構（８）により、該筒体と上昇された該メインチャックの表面との間に密閉空間（２８）が形成される；
（ｄ）該密閉空間を真空引きする、該真空引きにより該メインチャックはＺ方向に引き上げられ、該取り付け機構のガイド４に沿って上昇する；
（ｅ）被検査体の電気的特性を検査する；
（ｆ）該排気機構（１５）を介して、密閉空間を大気圧に開放する、この開放によりメインチャックはガイド（４）に沿って下降する；及び、
（ｇ）該メインチャックをＺ方向に下降させる。
【請求項１４】
該(ｄ)に続いて、下記を具備する請求項１３に記載の方法：
（ｄ２）該プローブカード昇降機構（１７）により該プローブカードを下降させ、メインチャック上の被検査体に接触させる；
（ｄ３）該プローブカード昇降機構により、該プローブカードを被検査体に対してさらにオーバードライブさせる；
【請求項１５】
該(ｅ)に続いて、下記を具備する請求項１４に記載の方法：
（ｅ２）検査が終了した後、該プローブカードを昇降機構により上昇させる。
【請求項１６】
該被検査体（Ｗ）は、ウェハ状の基板の上に形成されたマイクロマシン及び集積回路の内の１つである、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月16日(2005.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１、第２のプリント回路板と、該第１、第２のプリント回路板の間に対向して配置され、グラウンドと同じ電位を有する少なくとも２つの導電性部材と、該導電性部材に挟まれた空間に配置され、該第１、第２のプリント回路板を電気的に接続することで電気信号を送受信するケーブルとを有し、該ケーブルはその全域に亙って該導電性部材に挟まれた空間に配置されている事を特徴とするケーブル配線構造。
【請求項２】  前記第１のプリント回路板は第１の開口部を有する第１のシールドボックスにより覆われており、前記第２のプリント回路板は第２の開口部を有する第２のシールドボックスにより覆われており、前記導電性部材は、該第１、第２のシールドボックスの両方と電気的に接続されており、前記ケーブルは該第１、第２の開口部を通過して配置されている事を特徴とする請求項１に記載のケーブル配線構造。
【請求項３】  前記導電性部材の少なくとも１つは、前記ケーブルよりも幅が広くなっている事を特徴とする請求項１または２に記載のケーブル配線構造。
【請求項４】  前記導電性部材の１つは、前記第１、第２のプリント回路板を保持する筐体部である事を特徴とする請求項１または２に記載のケーブル配線構造。
【請求項５】  前記第１、第２の開口部は、前記第１、第２シールドボックスの一部を切り欠き、折り曲げることで形成されており、前記導電性部材少なくとも１つは、前記シールドボックスの折り曲げ部に取り付けられている事を特徴とする請求項２に記載のケーブル配線構造。
【請求項６】  前記導電性部材の少なくとも１つは、ガスケットにより前記シールドボックスに接続されている事を特徴とする請求項２に記載のケーブル配線構造。
【請求項７】  前記導電性部材の少なくとも１つは、前記第１、第２のプリント回路板に設けられたグラウンドパターンと電気的に接続している事を特徴とする請求項１に記載のケーブル配線構造。
【請求項８】  前記請求項１乃至７のいずれか１項に記載のケーブル配線構造を有する事を特徴とするケーブル配線構造を有する電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
以上の課題を解決するため本発明においては、第１、第２のプリント回路板と、該第１、第２のプリント回路板の間に対向して配置され、グラウンドと同じ電位を有する少なくとも２つの導電性部材と、該導電性部材に挟まれた空間に配置した、該第１、第２のプリント回路板を電気的に接続することで電気信号を送受信するケーブルとを有し、該ケーブルはその全域に亙って該導電性部材に挟まれた空間に配置されているケーブル配線構造を提案している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また本発明においては、前記第１のプリント回路板は第１の開口部を有する第１のシールドボックスにより覆われており、前記第２のプリント回路板は第２の開口部を有する第２のシールドボックスにより覆われており、前記導電性部材は、該第１、第２のシールドボックスの両方と電気的に接続されており、前記ケーブルは該第１、第２の開口部を通過して配置されているケーブル配線構造を提案している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また本発明においては、前記導電性部材の１つは、前記第１、第２のプリント回路板を保持する筐体部であるケーブル配線構造を提案している。