【手続補正書】
【提出日】平成17年6月2日(2005.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域を有し、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域をそれぞれ有し、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項３】
第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域と、前記ゲート電極に重ならないＬＤＤ領域を有し、
前記第２のＴＦＴは、前記ゲート電極に一部または全部が重なるＬＤＤ領域を有し、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１のＴＦＴのＬＤＤ領域における不純物の濃度よりも前記第２のＴＦＴのＬＤＤ領域における不純物の濃度が高いことを特徴とする電子装置。
【請求項５】
第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方はゲート配線に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域を有し、
前記保持容量は前記ゲート配線と平行に配置され、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項６】
同一の絶縁体上に画素部と、ＴＦＴを有する駆動回路部とを有し、  
前記画素部は、第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域を有し、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項７】
第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域を有し、
前記保持容量は、前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方と接続された容量形成用半導体領域と、絶縁膜と、前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴのゲート電極と同一材料からなる容量形成用電極と、を有し、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記保持容量の容量形成用半導体領域における不純物の濃度は、前記第２のＴＦＴのＬＤＤ領域における不純物の濃度と同じであることを特徴とする電子装置。
【請求項９】
第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域と、前記ゲート電極に重ならないＬＤＤ領域を有し、
前記第２のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域と、前記ゲート電極に一部または全部が重なるＬＤＤ領域を有し、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第１のＴＦＴのＬＤＤ領域における不純物の濃度よりも前記第２のＴＦＴのＬＤＤ領域における不純物の濃度が高いことを特徴とする電子装置。
【請求項１１】
第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方はゲート配線に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域をそれぞれ有し、
前記保持容量は前記ゲート配線と平行に配置され、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項１２】
同一の絶縁体上に画素部と、ＴＦＴを有する駆動回路部とを有し、  
前記画素部は、第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域をそれぞれ有し、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項１３】
第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域をそれぞれ有し、
前記保持容量は、前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方と接続された容量形成用半導体領域と、絶縁膜と、前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴのゲート電極と同一材料からなる容量形成用電極と、を有し、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記保持容量の容量形成用半導体領域における不純物の濃度は、前記第２のＴＦＴのＬＤＤ領域における不純物の濃度と同じであることを特徴とする電子装置。
【請求項１５】
第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方はゲート配線に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域と、前記ゲート電極に重ならないＬＤＤ領域を有し、
前記第２のＴＦＴは、前記ゲート電極に一部または全部が重なるＬＤＤ領域を有し、
前記保持容量は前記ゲート配線と平行に配置され、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項１６】
同一の絶縁体上に画素部と、ＴＦＴを有する駆動回路部とを有し、  
前記画素部は、第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域と、前記ゲート電極に重ならないＬＤＤ領域を有し、
前記第２のＴＦＴは、前記ゲート電極に一部または全部が重なるＬＤＤ領域を有し、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項１７】
第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域と、前記ゲート電極に重ならないＬＤＤ領域を有し、
前記第２のＴＦＴは、前記ゲート電極に一部または全部が重なるＬＤＤ領域を有し、
前記保持容量は、前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方に接続された容量形成用半導体領域と、絶縁膜と、前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴのゲート電極と同一材料からなる容量形成用電極と、を有し、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記保持容量の容量形成用半導体領域における不純物の濃度は、前記第２のＴＦＴのＬＤＤ領域における不純物の濃度と同じであることを特徴とする電子装置。
【請求項１９】
請求項１５乃至請求項１７のいずれか一において、
前記第１のＴＦＴのＬＤＤ領域における不純物の濃度よりも前記第２のＴＦＴのＬＤＤ領域における不純物の濃度が高いことを特徴とする電子装置。
【請求項２０】
同一の絶縁体上に画素部と、ＴＦＴを有する駆動回路部とを有し、  
前記画素部は、第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方はゲート配線に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域を有し、
前記保持容量は前記ゲート配線と平行に配置され、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項２１】
第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方はゲート配線に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域を有し、
前記保持容量は、前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方に接続された容量形成用半導体領域と、絶縁膜と、前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴのゲート電極と同一材料からなる容量形成用電極と、を有し、且つ前記ゲート配線と平行に配置され、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項２２】
同一の絶縁体上に画素部と、ＴＦＴを有する駆動回路部とを有し、  
前記画素部は、第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域を有し、
前記保持容量は、前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方に接続された容量形成用半導体領域と、絶縁膜と、前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴのゲート電極と同一材料からなる容量形成用電極と、を有し、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項２３】
請求項２１または請求項２２において、
前記保持容量の容量形成用半導体領域における不純物の濃度は、前記第２のＴＦＴのＬＤＤ領域における不純物の濃度と同じであることを特徴とする電子装置。
【請求項２４】
第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方はゲート配線に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域と、前記ゲート電極に重ならないＬＤＤ領域を有し、
前記第２のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域と、前記ゲート電極に一部または全部が重なるＬＤＤ領域を有し、
前記保持容量は前記ゲート配線と平行に配置され、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項２５】
同一の絶縁体上に画素部と、ＴＦＴを有する駆動回路部とを有し、  
前記画素部は、第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域と、前記ゲート電極に重ならないＬＤＤ領域を有し、
前記第２のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域と、前記ゲート電極に一部または全部が重なるＬＤＤ領域を有し、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項２６】
請求項２４または請求項２５において、
前記第１のＴＦＴのＬＤＤ領域における不純物の濃度よりも前記第２のＴＦＴのＬＤＤ領域における不純物の濃度が高いことを特徴とする電子装置。
【請求項２７】
同一の絶縁体上に画素部と、ＴＦＴを有する駆動回路部とを有し、  
前記画素部は、第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方はゲート配線に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域をそれぞれ有し、
前記保持容量は前記ゲート配線と平行に配置され、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項２８】
第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方はゲート配線に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域をそれぞれ有し、
前記保持容量は、前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方に接続された容量形成用半導体領域と、絶縁膜と、前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴのゲート電極と同一材料からなる容量形成用電極と、を有し、且つ前記ゲート配線と平行に配置され、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項２９】
同一の絶縁体上に画素部と、ＴＦＴを有する駆動回路部とを有し、  
前記画素部は、第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域をそれぞれ有し、
前記保持容量は、前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方に接続された容量形成用半導体領域と、絶縁膜と、前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴのゲート電極と同一材料からなる容量形成用電極と、を有し、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項３０】
請求項２８または請求項２９において、
前記保持容量の容量形成用半導体領域における不純物の濃度は、前記第２のＴＦＴのＬＤＤ領域における不純物の濃度と同じであることを特徴とする電子装置。
【請求項３１】
同一の絶縁体上に画素部と、ＴＦＴを有する駆動回路部とを有し、  
前記画素部は、第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方はゲート配線に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域と、前記ゲート電極に重ならないＬＤＤ領域を有し、
前記第２のＴＦＴは、前記ゲート電極に一部または全部が重なるＬＤＤ領域を有し、
前記保持容量は前記ゲート配線と平行に配置され、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項３２】
第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方はゲート配線に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域と、前記ゲート電極に重ならないＬＤＤ領域を有し、
前記第２のＴＦＴは、前記ゲート電極に一部または全部が重なるＬＤＤ領域を有し、
前記保持容量は、前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方に接続された容量形成用半導体領域と、絶縁膜と、前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴのゲート電極と同一材料からなる容量形成用電極と、を有し、且つ前記ゲート配線と平行に配置され、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項３３】
同一の絶縁体上に画素部と、ＴＦＴを有する駆動回路部とを有し、  
前記画素部は、第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域と、前記ゲート電極に重ならないＬＤＤ領域を有し、
前記第２のＴＦＴは、前記ゲート電極に一部または全部が重なるＬＤＤ領域を有し、
前記保持容量は、前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方に接続された容量形成用半導体領域と、絶縁膜と、前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴのゲート電極と同一材料からなる容量形成用電極と、を有し、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項３４】
請求項３１乃至請求項３３のいずれか一において、
前記第１のＴＦＴのＬＤＤ領域における不純物の濃度よりも前記第２のＴＦＴのＬＤＤ領域における不純物の濃度が高いことを特徴とする電子装置。
【請求項３５】
同一の絶縁体上に画素部と、ＴＦＴを有する駆動回路部とを有し、  
前記画素部は、第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方はゲート配線に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域を有し、
前記保持容量は、前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方に接続された容量形成用半導体領域と、絶縁膜と、前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴのゲート電極と同一材料からなる容量形成用電極と、を有し、且つ前記ゲート配線と平行に配置され、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項３６】
請求項３２乃至請求項３５のいずれか一において、
前記保持容量の容量形成用半導体領域における不純物の濃度は、前記第２のＴＦＴのＬＤＤ領域における不純物の濃度と同じであることを特徴とする電子装置。
【請求項３７】
同一の絶縁体上に画素部と、ＴＦＴを有する駆動回路部とを有し、  
前記画素部は、第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方はゲート配線に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域と、前記ゲート電極に重ならないＬＤＤ領域を有し、
前記第２のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域と、前記ゲート電極に一部または全部が重なるＬＤＤ領域を有し、
前記保持容量は前記ゲート配線と平行に配置され、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項３８】
第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方はゲート配線に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域と、前記ゲート電極に重ならないＬＤＤ領域を有し、
前記第２のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域と、前記ゲート電極に一部または全部が重なるＬＤＤ領域を有し、
前記保持容量は、前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方に接続された容量形成用半導体領域と、絶縁膜と、前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴのゲート電極と同一材料からなる容量形成用電極と、を有し、且つ前記ゲート配線と平行に配置され、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項３９】
同一の絶縁体上に画素部と、ＴＦＴを有する駆動回路部とを有し、  
前記画素部は、第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域と、前記ゲート電極に重ならないＬＤＤ領域を有し、
前記第２のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域と、前記ゲート電極に一部または全部が重なるＬＤＤ領域を有し、
前記保持容量は、前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方に接続された容量形成用半導体領域と、絶縁膜と、前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴのゲート電極と同一材料からなる容量形成用電極と、を有し、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項４０】
請求項３７乃至請求項３９のいずれか一において、
前記第１のＴＦＴのＬＤＤ領域における不純物の濃度よりも前記第２のＴＦＴのＬＤＤ領域における不純物の濃度が高いことを特徴とする電子装置。
【請求項４１】
同一の絶縁体上に画素部と、ＴＦＴを有する駆動回路部とを有し、  
前記画素部は、第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域をそれぞれ有し、
前記保持容量は、前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方に接続された容量形成用半導体領域と、絶縁膜と、前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴのゲート電極と同一材料からなる容量形成用電極と、を有し、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項４２】
同一の絶縁体上に画素部と、ＴＦＴを有する駆動回路部とを有し、  
前記画素部は、第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方はゲート配線に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域と、前記ゲート電極に重ならないＬＤＤ領域を有し、
前記第２のＴＦＴは、前記ゲート電極に一部または全部が重なるＬＤＤ領域を有し、
前記保持容量は、前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方に接続された容量形成用半導体領域と、絶縁膜と、前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴのゲート電極と同一材料からなる容量形成用電極と、を有し、且つ前記ゲート配線と平行に配置され、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項４３】
同一の絶縁体上に画素部と、ＴＦＴを有する駆動回路部とを有し、  
前記画素部は、第１のＴＦＴ、第２のＴＦＴ、エレクトロルミネッセンス素子、及び保持容量を同一画素内に有し、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２のＴＦＴのゲート電極と、前記保持容量に接続され、
前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方はゲート配線に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記エレクトロルミネッセンス素子に接続され、
前記第２のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の他方は電流供給線に接続され、
前記第１のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域と、前記ゲート電極に重ならないＬＤＤ領域を有し、
前記第２のＴＦＴは、２以上のゲート電極と、前記ゲート電極のいずれか１つと重なる２以上のチャネル形成領域と、前記ゲート電極に一部または全部が重なるＬＤＤ領域を有し、
前記保持容量は、前記第１のＴＦＴのソース領域またはドレイン領域の一方に接続された容量形成用半導体領域と、絶縁膜と、前記第１のＴＦＴ及び前記第２のＴＦＴのゲート電極と同一材料からなる容量形成用電極と、を有し、且つ前記ゲート配線と平行に配置され、
前記電流供給線の一部は前記保持容量と重なることを特徴とする電子装置。
【請求項４４】
請求項４２または請求項４３において、
前記第１のＴＦＴのＬＤＤ領域における不純物の濃度よりも前記第２のＴＦＴのＬＤＤ領域における不純物の濃度が高いことを特徴とする電子装置。
【請求項４５】
請求項３８乃至請求項４３のいずれか一において、
前記保持容量の容量形成用半導体領域における不純物の濃度は、前記第２のＴＦＴのＬＤＤ領域における不純物の濃度と同じであることを特徴とする電子装置。
【請求項４６】
請求項１乃至請求項４５のいずれか一において、
前記第１のＴＦＴはスイッチング素子として機能するＴＦＴであることを特徴とする電子装置。
【請求項４７】
請求項１乃至請求項４６のいずれか一において、
前記第２のＴＦＴはエレクトロルミネッセンス素子を発光させるスイッチング素子として機能するＴＦＴであることを特徴とする電子装置。
【請求項４８】
請求項１乃至請求項４７のいずれか一において、
前記第２のＴＦＴはエレクトロルミネッセンス素子へ供給する電流量を制御するＴＦＴであることを特徴とする電子装置。
【請求項４９】
請求項１乃至請求項４８のいずれか一に記載の電子装置であることを特徴とする表示装置。
【請求項５０】
請求項１乃至請求項４８のいずれか一に記載の電子装置を表示部に有することを特徴とするビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音楽再生装置、ノート型パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯電話、携帯情報端末又は画像再生装置。