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【手続補正書】
【提出日】令和3年1月18日(2021.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンテインメント（８）と、前記コンテインメント（８）のろ過を伴う圧力逃がしのためのベントシステム（２）とを備えた原子力設備であって、
・前記ベントシステム（２）が前記コンテインメント（８）から周囲に通じるベント管（２８）を有し、前記ベント管（２８）にベントの際に生じるベント流（１０）に対する湿式洗浄器（１２）が接続され、
・前記湿式洗浄器（１２）がベントの前の準備状態中において既に洗浄液（１８）で満たされるプール（２６）を有し、前記プール（２６）の上方にガス空間（４８）が設けられ、
・前記ベント管（２８）が前記湿式洗浄器（１２）に通じるベント流（１０）のための導入管（１４）を有し、前記導入管（１４）が分配器（３４）内で複数の流出ノズル（３８）に分岐し、
・前記複数の流出ノズル（３８）が少なくとも部分的に前記プール（２６）内の洗浄液（１８）に浸漬するようになっており、
少なくとも１つの独立した流出開口（５６）が設けられ、前記流出開口（５６）が分岐管（５４，９０）を介して前記導入管（１４）または前記分配器（３４）に接続され、少なくとも準備状態中は前記プール（２６）内の洗浄液（１８）から熱的に隔離されていることを特徴とする原子力設備。
【請求項２】
前記独立した流出開口（５６）が少なくとも準備状態中は前記プール（２６）の洗浄液（１８）から実質的に隔離されている請求項１記載の原子力設備。
【請求項３】
前記独立した流出開口（５６）がこれを取り囲むガス空間（４８，８６）および／または隔壁（８２）により前記プール（２６）内の洗浄液（１８）から隔離されている請求項１または２記載の原子力設備。
【請求項４】
前記独立した流出開口（５６）が前記プール（２６）の上方のガス空間（４８）内に配置されている請求項１から３の１つに記載の原子力設備。
【請求項５】
前記分岐管（５４）に乾式フィルタ（６０）が接続されている請求項４記載の原子力設備。
【請求項６】
前記分岐管（５４）に閉鎖弁（６２）が接続され、前記閉鎖弁（６２）が準備状態時には開口し、その後前記プール（２６）内の洗浄液（１８）の温度が所定値を超過すると直ちに受動的操作手段により閉鎖される請求項４または５記載の原子力設備。
【請求項７】
前記独立した流出開口（５６）がノズル室（８４）内に配置された流出ノズル（８０）により実現され、前記ノズル室（８４）が隔壁（８２）により前記プール（２６）内の洗浄液（１８）から隔離された空間領域にある請求項１から３の１つに記載の原子力設備。
【請求項８】
前記流出ノズル（８０）がベンチュリノズル（９４）であるとともに喉部（９６）を有し、前記喉部（９６）が洗浄液（１８）の貯槽（１００）と流体連通されている請求項７記載の原子力設備。
【請求項９】
前記貯槽（１００）が前記プール（２６）よりも著しく小さい容積を有する請求項８記載の原子力設備。
【請求項１０】
多数の熱伝達機構が、ベントの際に前記ベント管（２８）内に存在する熱を前記ベンチュリノズル（９４）に導かれる洗浄液に伝導するように配置される請求項８または９に記載の原子力設備。
【請求項１１】
前記ベンチュリノズル（９４）がカプセル（１０６）により囲まれ、前記カプセル（１０６）内に洗浄液（１８，９８）の再循環を引き起こす請求項８から１０の１つに記載の原子力設備。
【請求項１２】
前記独立した流出ノズル（８０）の下流側の前記ノズル室（８４）内に乾式フィルタ（１１８）が配置される請求項７から１１の１つに記載の原子力設備。
【請求項１３】
前記ノズル室（８４）を前記プール（２６）内の洗浄液（１８）から隔離する前記隔壁（８２）に閉鎖板（１１６）で閉鎖される溢流開口（１１４）が前記プール（２６）に向かって設けられ、前記プール（２６）内の洗浄液（１８）の温度が所定値を超過すると直ちに前記閉鎖板（１１６）を開く受動的操作手段が設けられる請求項７から１２の１つに記載の原子力設備。
【請求項１４】
前記独立した流出ノズル（８０）が導管（１２４）を介して前記分配器（３４）に接続され、この導管（１２４）内に破裂板（１２６）が配置され、前記破裂板（１２６）が前記導管（１２４）を準備状態中は閉鎖し、後に前記ベント流（１０）の圧力により開く請求項７から１３の１つに記載の原子力設備。
【請求項１５】
前記プール（２６）内に浸漬する流出ノズル（３８）がベンチュリノズル（４０）として形成され、それぞれ前記プール内の洗浄液（１８）に通じている喉部（４２）を有する請求項１から１４の１つに記載の原子力設備。
【請求項１６】
前記湿式洗浄器（１２）が前記コンテインメント（８）の外側に配置される請求項１から１５の１つに記載の原子力設備。
【請求項１７】
前記ベントシステム（２）の少なくとも始動中は、前記ベント流（１０）の第１の部分流が前記プール（２６）内に浸漬する前記流出ノズル（３８）を介して案内され、第２の部分流が独立した流出ノズル（５６）に案内される請求項１から１６の１つに記載の原子力設備の運転方法。
【請求項１８】
前記第２の部分流の全体流に対する流量比が１０〜３０％の範囲にある請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
始動工程の終了後に、独立した流出開口（５６，１０８）と前記プール（２６）内の洗浄液（１８）との隔離が解除される請求項１７または１８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月15日(2020.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フローセルに流体的に接続する１つ以上の排出流路と、
前記排出流路を通じて使用済み試薬を吸い出す１つ以上のポンプと、
前記１つ以上のポンプから使用済み試薬を排出ライン経由で受け取り、前記使用済み試薬に対して複数の廃棄路の１つを選択するように制御可能な使用済み試薬セレクタバルブと、
前記廃棄路の１つに流体的に接続され、使用済み試薬の流れを検知する流量計と、
前記使用済み試薬セレクタバルブに動作可能に連結され、１つ以上のプロセッサ及び機械が実行可能な命令を記憶するメモリを有する制御回路と、
を備えるシステムであり、
遺伝子のシーケンシング作業中に複数の試薬が前記フローセルを通って吸い出され、前記排出流路は前記フローセルから前記使用済み試薬を受け取り、
前記機械が実行可能な命令は、前記１つ以上のプロセッサによって実行されるときに、前記１つ以上のプロセッサを制御して、前記使用済み試薬セレクタバルブに、どの使用済み試薬が前記排出流路を通って吸い出されているかによって、前記複数の廃棄路のうち所望の１つを選択させ、前記使用済み試薬の前記流れに関する流れデータを前記制御回路に提供する、前記流量計からのフィードバックに基づき、使用済み試薬が前記複数の廃棄路のうちの１つを通って流れているかを決定する、システム。
【請求項２】
前記シーケンシング作業の間、前記複数の廃棄路のうちの第１廃棄路は、前記複数の廃棄路のうちの第２廃棄路よりも多くの使用済み試薬を運び、
前記流量計は前記第１廃棄路に結合される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記メモリは、機械が実行可能な更なる命令を記憶し、前記機械が実行可能な更なる命令は、前記１つ以上のプロセッサによって実行されるときに、前記１つ以上のプロセッサを更に制御して、遺伝シーケンサに関する既定のシーケンシングプロトコルに基づいて、前記使用済み試薬セレクタバルブを制御する、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
試薬及び試薬流路を選択する少なくとも１つのバルブを更に備え、
前記メモリは、機械が実行可能な更なる命令を記憶し、前記機械が実行可能な更なる命令は、前記１つ以上のプロセッサによって実行されるときに、前記１つ以上のプロセッサを更に制御して、前記既定のシーケンシングプロトコルに基づいて、前記少なくとも１つのバルブ及び前記使用済み試薬セレクタバルブを制御する、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記試薬流路と前記排出ラインとの間に流体的に挿入される試薬ポンプを更に備える、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記複数の廃棄路のうちの第１廃棄路から使用済み試薬を受け取る第１使用済み試薬容器と、前記複数の廃棄路のうちの第２廃棄路から使用済み試薬を受け取る第２試薬容器と、を更に備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
第１使用済み試薬容器の取り外し中及び輸送中に前記流体が移動するときに、第１使用済み試薬容器は、前記第１使用済み試薬容器内の流体を、前記第１使用済み試薬容器の開
口部から離れるように導く、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
フローセルと、
試薬を選択し、少なくとも１つが前記フローセルを通過する複数の試薬流路から試薬流路を選択する、少なくとも１つの試薬セレクタバルブと、
作業中に使用済み試薬を導く排出ラインと、
前記排出ラインから使用済み試薬を受け取り、前記使用済み試薬に対して複数の廃棄路の１つを選択するように制御可能な使用済み試薬セレクタバルブと、
前記複数の廃棄路の１つに流体的に接続され、前記複数の廃棄路の前記１つを通る使用済み試薬の流れを検知する流量計と、
前記少なくとも１つの試薬セレクタバルブ及び前記使用済み試薬セレクタバルブに動作可能に連結され、１つ以上のプロセッサ及び機械が実行可能な命令を記憶するメモリを有する制御回路と、を備えるシステムであり、
遺伝子のシーケンシング作業中に複数の試薬が前記フローセルを通じて吸い出されて使用済み試薬を生成し、
前記機械が実行可能な命令は、前記１つ以上のプロセッサによって実行されるときに、前記１つ以上のプロセッサを制御して、前記遺伝子のシーケンシング作業に関する既定のシーケンシングプロトコルに基づき、前記少なくとも１つの試薬セレクタバルブ及び前記使用済み試薬セレクタバルブを制御し、前記使用済み試薬の前記流れに関する流れデータを前記制御回路に提供する、前記流量計からのフィードバックに基づき、前記使用済み試薬の流れが前記複数の廃棄路のうちの前記１つを通って流れているかを決定する、システム。
【請求項９】
前記メモリは、機械が実行可能な更なる命令を記憶し、前記機械が実行可能な更なる命令は、前記１つ以上のプロセッサによって実行されるときに、前記１つ以上のプロセッサを更に制御して、どの試薬が前記フローセルを通って吸い出されているかによって、前記複数の廃棄路のうち所望の１つを選択する、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記シーケンシング作業の間、前記複数の廃棄路のうちの第１廃棄路は、前記複数の廃棄路のうちの第２廃棄路よりも多くの使用済み試薬を運び、
前記流量計は前記第１廃棄路に流体的に結合される、請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
フローセルを通して複数の試薬を吸い出すことによって遺伝子のシーケンシング作業を実施して使用済み試薬を生み出すステップと、
前記遺伝子のシーケンシング作業の間、少なくとも１つの試薬セレクタバルブを制御して、前記遺伝子のシーケンシング作業に関するプロトコルに従って、前記フローセルを通して吸い出される所望の試薬を選択するステップと、
前記遺伝子のシーケンシング作業の間、使用済み試薬セレクタバルブを制御して、前記使用済み試薬が前記フローセルを出た後に、前記使用済み試薬に対して複数の廃棄路の１つを選択するステップと、
前記複数の廃棄路の少なくとも１つを通る流れを前記複数の廃棄路の１つに流体的に接続される流量計を用いて検出し、使用済み試薬が選択された前記廃棄路を通って流れていることを確かめるステップと、
を含む方法であり、
前記遺伝子のシーケンシング作業に関するプロトコルを用いて前記使用済み試薬セレクタバルブを制御する、方法。
【請求項１２】
前記遺伝子のシーケンシング作業の間、前記複数の廃棄路のうちの第１廃棄路は、前記複数の廃棄路のうちの第２廃棄路よりも多くの使用済み試薬を運び、前記流量計は前記第１廃棄路に流体的に結合される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも２つの異なる廃棄容器で前記使用済み試薬を収集するステップを更に含み、
前記少なくとも２つの廃棄容器のそれぞれは、異なる廃棄路から使用済み試薬を受け取るように位置付けられる、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月9日(2020.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のバー部材及び複数の間隙を有する格子構造と、
前記バー部材を安定させるために、前記バー部材間に配置される固定構造と、
を含むＸ線撮像用の格子であって、
前記バー部材は、長さ方向及び高さ方向に延在し、前記高さ方向を横切る方向において、前記間隙の１つによって互いから離間され、前記間隙は、前記長さ方向と平行な間隙方向に配置され、
前記固定構造は、隣接するバー部材間に設けられる複数の架橋のウェブ部材を含み、
前記ウェブ部材は、前記間隙方向に延在し、前記高さ方向に対して傾斜して設けられる長手方向ウェブ部材であり、当該傾斜は、前記間隙方向に与えられており、
前記格子は、
ｉ）位相コントラストＸ線撮像及び／若しくは暗視野Ｘ線撮像用の吸収格子、又は、
ｉｉ）Ｘ線撮像用の散乱線除去グリッドである、Ｘ線撮像用の格子。
【請求項２】
前記ウェブ部材及び前記バー部材は、同じ材料から作られ、前記ウェブ部材及び前記バー部材は、一体構造として作られる、請求項１に記載の格子。
【請求項３】
前記バー部材及び前記ウェブ部材は、構造材料から作られ、Ｘ線吸収材料が前記間隙内に配置され、前記構造材料は、前記Ｘ線吸収材料よりもＸ線吸収が少ない、請求項１又は２に記載の格子。
【請求項４】
前記格子は、吸収格子であり、前記間隙によるＸ線吸収のために、前記間隙が前記Ｘ線吸収材料で充填されるように、前記格子構造は作られ、
前記バー部材は、前記バー部材内の放射Ｘ線透過のために、Ｘ線吸収が少ないように設けられる、請求項３に記載の格子。
【請求項５】
前記格子は、吸収格子であり、前記バー部材によるＸ線吸収のために、前記バー部材がＸ線吸収材料から作られるように、前記格子構造は作られ、前記間隙は、前記間隙内の放射Ｘ線透過のために、Ｘ線吸収が少ないように設けられる、請求項１又は２に記載の格子。
【請求項６】
前記ウェブ部材は、前記ウェブ部材が前記バー部材の対向する部分を接続するように、隣接する前記バー部材の間に配置されるか、及び／又は、
Ｘ線撮像システム内での取付け前の組み立てられていない状態では、前記ウェブ部材は互いと平行に配置される、請求項１から５の何れか一項に記載の格子。
【請求項７】
放射Ｘ線視線方向において、高さに亘って、少なくとも１つの第１の間隙部と、少なくとも１つのウェブセグメント部とが設けられている、請求項１から６の何れか一項に記載の格子。
【請求項８】
前記ウェブ部材は、放射Ｘ線視線方向において、前記間隙に沿って連続的なＸ線減衰度がもたらされるように配置されている、請求項１から７の何れか一項に記載の格子。
【請求項９】
前記ウェブ部材は、前記バー部材の上縁から前記バー部材の下縁まで連続的に延在するか、及び／又は、
前記ウェブ部材は、間隙高さＨに亘って、距離Ｄで間隙方向に繰り返し配置され、前記ウェブ部材は、Ｄ／Ｈの間隙高さ方向に対する傾斜比Ｒを有する、請求項１から８の何れか一項に記載の格子。
【請求項１０】
前記ウェブ部材は、
ｉ）同じ傾斜角を有して繰り返し配置される傾斜ウェブ部材、
ｉｉ）前記間隙に沿ってジグザグウェブパターンをもたらし、同じ傾斜角度値を有するが、傾斜方向が交互になっている傾斜セグメント、
ｉｉｉ）Ｘ型の繰り返しウェブパターンをもたらし、交差するように設けられて繰り返し配置される傾斜ウェブセグメント部、
のうちの１つとして少なくとも配置される、請求項１から９の何れか一項に記載の格子。
【請求項１１】
Ｘ線源と、
Ｘ線検出器と、
前記Ｘ線源と前記Ｘ線検出器との間の放射Ｘ線経路内に配置される、請求項１から１０の何れか一項に記載の格子と、
を含む、Ｘ線撮像システム。
【請求項１２】
前記Ｘ線源は、Ｘ線視線方向において、前記Ｘ線検出器に向けて前記放射Ｘ線を提供し、
前記ウェブ部材は、前記Ｘ線視線方向に対して傾斜して設けられる、請求項１１に記載のＸ線撮像システム。
【請求項１３】
位相コントラストＸ線撮像及び／又は暗視野Ｘ線撮像用の格子構成部が設けられ、
物体を照射するために少なくとも部分的にコヒーレントな放射Ｘ線が提供され、
前記格子構成部は、位相格子及び分析器格子を少なくとも含み、
前記格子は、
前記分析器格子、及び／又は、
前記少なくとも部分的にコヒーレントな放射Ｘ線を提供する線源格子を形成する、
吸収格子として設けられる、請求項１１又は１２に記載のＸ線撮像システム。
【請求項１４】
ａ）複数のバー部材及び複数の間隙を有する格子構造を生成するステップと、
ｂ）前記バー部材を安定させるために、前記バー部材間に配置される固定構造を生成するステップと、
を含む、Ｘ線撮像用の格子を製造する方法であって、
前記バー部材は、長さ方向及び高さ方向に延在し、前記高さ方向を横切る方向において、前記間隙の１つによって互いから離間され、
前記固定構造は、隣接するバー部材間に設けられる複数の架橋ウェブ部材を含み、前記架橋ウェブ部材は、前記間隙の方向に延在し、前記高さ方向に対して傾斜して設けられている長手方向ウェブ部材である、Ｘ線撮像用の格子を製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月15日(2020.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膵管腺癌に対する患者の感受性を決定する方法であって、
前記患者から生体サンプルを得ること、
前記生体サンプル中のＣＡ１９−９抗原のレベルを測定すること、
前記生体サンプル中のＴＩＭＰ１抗原のレベルを測定すること、
前記生体サンプル中のＬＲＧ１抗原のレベルを測定することを含み、
前記ＣＡ１９−９抗原、ＴＩＭＰ１抗原およびＬＲＧ１抗原の量によって、前記患者を膵管腺癌に対して感受性であるかまたは膵管腺癌に対して感受性ではないと分類する方法。
【請求項２】
膵管腺癌に対する患者の感受性を決定する方法であって、
前記患者から生体サンプルを得ること、
前記生体サンプル中のＣＡ１９−９抗原のレベルを測定すること、
前記生体サンプル中のＴＩＭＰ１抗原のレベルを測定すること、
前記生体サンプル中のＬＲＧ１抗原のレベルを測定すること、
第１の標準値に対する前記ＣＡ１９−９抗原のレベルを決定し、その比によって、膵管腺癌を予測し、
第２の標準値に対する前記ＴＩＭＰ１抗原のレベルを決定し、その比によって、膵管腺癌を予測し、
第３の標準値に対する前記ＬＲＧ１抗原のレベルを決定し、その比によって、膵管腺癌を予測し、
前記ＣＡ１９−９、ＴＩＭＰ１およびＬＲＧ１レベルの前記比の統計分析によって、前記患者の状態を膵管腺癌に対して感受性であるかまたは膵管腺癌に対して感受性ではないかのいずれかに割り当てることを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
膵管腺癌に対する感受性を検出する方法であって、
個体から生体サンプルを得ること、
抗ＣＡ１９−９抗体またはその抗原結合断片によるイムノアッセイを実施すること、
抗ＬＲＧ１抗体またはその抗原結合断片によるイムノアッセイを実施すること、
抗ＴＩＭＰ１抗体またはその抗原結合断片によるイムノアッセイを実施すること、
ＣＡ１９−９抗原、ＴＩＭＰ１抗原およびＬＲＧ１抗原のレベルが、膵管腺癌を有する患者であるかどうかを決定することを含む方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法のためのキットであって、
ＣＡ１９−９抗原の検出のための第１の溶質、
ＬＲＧ１抗原の検出のための第２の溶質、および
ＴＩＭＰ１抗原の検出のための第３の溶質を含む試薬溶液を含むキット。
【請求項５】
前記生体サンプル中の（Ｎ１／Ｎ８）−アセチルスペルミジン（ＡｃＳｐｅｒｍ）のレベルを測定すること、
前記生体サンプル中のジアセチルスペルミン（ＤＡＳ）のレベルを測定すること、
前記生体サンプル中のリゾホスファチジルコリン（ＬＰＣ）（１８：０）のレベルを測定すること、
前記生体サンプル中のリゾホスファチジルコリン（ＬＰＣ）（２０：３）のレベルを測定すること、および
前記生体サンプル中のインドール誘導体のレベルを測定することをさらに含み、
前記（Ｎ１／Ｎ８）−アセチルスペルミジン（ＡｃＳｐｅｒｍ）、ジアセチルスペルミン（ＤＡＳ）、リゾホスファチジルコリン（ＬＰＣ）（１８：０）、リゾホスファチジルコリン（ＬＰＣ）（２０：３）および前記インドール誘導体の量によって、前記患者を膵管腺癌に対して感受性であるかまたは膵管腺癌に対して感受性ではないと分類する請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
膵管腺癌に対する患者の感受性を決定する方法であって、
血漿由来バイオマーカーパネルおよびタンパク質マーカーパネルを含み、
前記血漿由来バイオマーカーパネルは、（Ｎ１／Ｎ８）−アセチルスペルミジン（ＡｃＳｐｅｒｍ）、ジアセチルスペルミン（ＤＡＳ）、リゾホスファチジルコリン（ＬＰＣ）（１８：０）、リゾホスファチジルコリン（ＬＰＣ）（２０：３）およびインドール誘導体を含み、
前記タンパク質バイオマーカーパネルは、ＣＡ１９−９、ＬＲＧ１およびＴＩＭＰ１を含み、
前記方法は、
前記患者から生体サンプルを得ること、
前記生体サンプル中の前記血漿由来バイオマーカーおよび前記タンパク質バイオマーカーのレベルを測定することを含み、
前記血漿由来バイオマーカーおよび前記タンパク質バイオマーカーの量によって、前記患者を膵管腺癌に対して感受性であるか、または膵管腺癌に対して感受性ではないと分類する請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記レポーター分子の少なくとも１つは、酵素に連結されている請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記タンパク質マーカーまたは代謝産物マーカーの少なくとも１つは、検出可能なシグナルを生成する請求項７に記載の方法。
【請求項９】
検出可能なシグナルは、分光測定法によって検出可能である請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記分光測定法は、質量分析法である請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
請求項５に記載の方法のためのキットであって、
ＣＡ１９−９抗原の検出のための第１の溶質、
ＬＲＧ１抗原の検出のための第２の溶質、
ＴＩＭＰ１抗原の検出のための第３の溶質、
（Ｎ１／Ｎ８）−アセチルスペルミジン（ＡｃＳｐｅｒｍ）の検出のための第４の溶質、
ジアセチルスペルミン（ＤＡＳ）の検出のための第５の溶質、
リゾホスファチジルコリン（ＬＰＣ）（１８：０）の検出のための第６の溶質、
リゾホスファチジルコリン（ＬＰＣ）（２０：３）の検出のための第７の溶質、および
前記インドール誘導体の検出のための第８の溶質を含む試薬溶液を含むキット。
【請求項１２】
前記ＣＡ１９−９抗原、ＴＩＭＰ１抗原およびＬＲＧ１抗原のレベルは上昇している請求項１〜３、５及び６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記ＣＡ１９−９抗原、ＴＩＭＰ１抗原およびＬＲＧ１抗原のレベルは、ＰＤＡＣを有しない参照患者または参照群でのＣＡ１９−９抗原、ＴＩＭＰ１抗原およびＬＲＧ１抗原のレベルと比較して上昇している請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記ＣＡ１９−９抗原、ＴＩＭＰ１抗原およびＬＲＧ１抗原のレベルは、良性の膵疾患を有する参照患者または参照群でのＣＡ１９−９抗原、ＴＩＭＰ１抗原およびＬＲＧ１抗原のレベルと比較して上昇している請求項１２に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年10月22日(2021.10.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加水分解触媒を備える触媒システムのための方法であって：
前記加水分解触媒に対してディーゼル排出流体（ＤＥＦ）を，第１の特性セットに基づく第１の投与率で投与するステップであって，前記第１の特性セットが，前記加水分解触媒の表面上におけるＤＥＦの有効残留時間を含む，ステップ；
前記加水分解触媒の第２の特性セットを，第１の基準セットに基づいて決定するステップであって，前記第２の特性セットが，前記加水分解触媒の利用可能蓄積容量を含み，前記第１の基準セットが，前記加水分解触媒の初期蓄積容量，及び前記加水分解触媒の表面上におけるＤＥＦの分解率を含む，ステップ；
前記投与率を第２の特性セットに基づいて第２の投与率に変化させるステップ；並びに，
前記投与率を第２の基準セットに基づいて第１の投与率まで復帰させるステップであって，前記第２の基準セットが，前記加水分解触媒の利用可能蓄積量の下限しきい値を含む，ステップ；
を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載された方法であって，前記利用可能蓄積容量がしきい値に達したときに，前記投与率を変化させる，方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された方法であって，前記触媒システムが排出システムの排出通路内で排出ガスを処理するための選択的触媒還元システムを備え，前記ＤＥＦの分解率を，前記排出システムの状態に基づいて導き出す，方法。
【請求項４】
請求項１〜３の何れか一項に記載された方法であって，前記第２の投与率が，前記第１の投与率よりも大きい，方法。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載された方法であって，前記投与率を前記第２の投与率まで変化させるステップが，前記第１の基準セットに基づいて前記第２の投与率の値を決定するステップを含む，方法。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項に記載された方法であって，前記投与率を前記第２の投与率まで変化させるステップが，前記加水分解触媒にＤＥＦを前記第２の投与率で投与する時間を決定するステップを含む，方法。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか一項に記載された方法であって，前記第１の投与率を，ＤＥＦの前記有効残留時間が実質的にゼロとなるように設定する，方法。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか一項に記載された方法であって，前記第１の特性セットが：前記加水分解触媒の表面上におけるＤＥＦの分解率；前記排出ガスの温度；及び，前記排出ガスの流速；の少なくとも１つを含む，方法。
【請求項９】
排出通路内で排出ガスを処理するための選択的触媒還元システムであって：
加水分解触媒；
前記加水分解触媒にＤＥＦを噴射するためのＤＥＦ投与ユニット；並びに，
請求項１〜８の何れか一項に記載された方法を実施するためのコントローラ；
を備える，システム。
【請求項１０】
請求項１〜８の何れか一項に記載された方法を実施するために，機械読み取り可能な指示の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム製品。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
第１の態様において，本発明は，加水分解触媒を備える選択的触媒還元システムのための方法を提供する。この方法は：
前記インパクション装置に対してディーゼル排出流体（ＤＥＦ）を，第１の特性セットに基づく第１の投与率で投与するステップ；
前記インパクション装置の第２の特性セットを，第１の基準セットに基づいて決定するステップ；
前記投与率を第２の特性セットに基づいて第２の投与率に変化させるステップ；並びに，
前記投与率を第２の基準セットに基づいて第１の投与率まで復帰させるステップ；
を備える。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
第３の態様において，本発明は，上述した方法を実施するために，機械読み取り可能な指示の１つ又は複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム製品を提供する。
【手続補正書】
【提出日】令和3年6月4日(2021.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面を有し、エラストマー材料を含む基材と、
前記基材の前記第１主面上の細長いワイヤであって、第１の端部及び第２の端部を備え、前記第１の端部と前記第２の端部との間に少なくとも１つの弓状領域を備え、任意選択で、金属を含み、任意選択で、中実な延伸金属ワイヤ、編組金属ワイヤ、又は複数の編組金属ワイヤストランドを含む、ワイヤと、を備え、
前記弓状領域において、前記ワイヤの前記弓状領域の少なくとも１つの部分は、前記基材の前記第１主面に埋め込まれた第１の表面積部分と、前記基材に埋め込まれておらず、かつ、前記弓状領域内の前記基材の少なくともある範囲が導電性になるのに十分な量で露出されている、第２の表面積部分と、を備える伸縮性導体。
【請求項２】
前記ワイヤは、複数の編組金属ワイヤストランドを含み、更に、前記エラストマー材料は、前記編組金属ワイヤストランド同士の間の中間領域を占有している、請求項１に記載の伸縮性導体。
【請求項３】
前記細長い導体の前記弓状領域は、不規則な曲線パターン、蛇行部分、フラクタル蛇行形状、複数の入れ子状の蛇行領域、又はこれらの組み合わせのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の伸縮性導体。
【請求項４】
前記エラストマー材料は、室温で、約１００ＭＰａ未満のヤング率及び少なくとも約２００％の破断伸度を有し、任意選択で、前記エラストマー材料は、天然ゴム、ポリウレタン、ポリブタジエン、ネオプレン、エポキシ、及びシリコーンから選択される、請求項１に記載の伸縮性導体。
【請求項５】
前記第２の表面積部分は、前記ワイヤの総表面積の約１％〜約８０％を含む、請求項１に記載の伸縮性導体。
【請求項６】
前記ワイヤの前記弓状領域は、前記基材の前記第１主面上にあり、任意選択で、前記弓状領域の一部分は、前記基材の平面よりも上又は下にある、請求項１に記載の伸縮性導体。
【請求項７】
前記第２の表面積部分は、前記基材の前記第１主面上で露出されており、任意選択で、前記第２の表面積部分は、前記第１主面の反対側の前記基材の第２主面上で露出されている、請求項１に記載の伸縮性導体。
【請求項８】
前記第１主面は、構造化されている、請求項１に記載の伸縮性導体。
【請求項９】
前記ワイヤの少なくとも幾つかの領域は、前記基材に完全に埋め込まれている、請求項１に記載の伸縮性導体。
【請求項１０】
前記第１主面と反対側の前記基材の第２主面上の第２の細長いワイヤであって、前記第２のワイヤは第１の端部及び第２の端部を備え、前記第２のワイヤは、前記第１の端部と前記第２の端部との間に少なくとも１つの弓状領域を含み、前記第２のワイヤの前記少なくとも１つの弓状領域の少なくとも１つの部分は、前記基材の前記第２主面に埋め込まれた第１の表面積部分と、前記基材の前記第２主面に埋め込まれておらず、かつ、前記第２のワイヤの前記少なくとも１つの弓状領域内の前記基材の少なくともある範囲を導電性にするのに十分な量で露出されている、第２の表面積部分と、を備える、第２の細長いワイヤと、
前記第１のワイヤと前記基材の前記第１主面との両方と接触している、伸縮性導電フィルムからなる第１の層と、
前記第２のワイヤと前記基材の前記第２主面との両方と接触している、伸縮性導電フィルムからなる第２の層と、を更に備え、
前記伸縮性導電フィルムの前記第１の層と、前記伸縮性導電フィルムの前記第２の層とが、互いに電気的に接触している、請求項１に記載の伸縮性導体。
【請求項１１】
請求項１に記載の伸縮性導体と、
非導電性接着剤を用いて前記基材の前記第１主面に接着された導電性布地であって、前記導電性布地と前記細長いワイヤとが電気的に接触しており、任意選択で、前記導電性布地の一部分と前記細長いワイヤとの間に配置された導電フィルムの一部分を更に備える、導電性布地と、
を備える複合材物品。
【請求項１２】
伸縮性導体の製造方法であって、
蛇行した細長いワイヤを剥離層の表面と接触させることであって、任意選択で、前記剥離層はポリマーフィルムを含む、接触させることと、
前記ワイヤの表面積の第１の部分を、前記ワイヤの前記表面積の第２の部分が前記剥離層の前記表面に埋め込まれないままであるようにして、前記剥離層の前記表面に埋め込むことであって、前記ワイヤの前記表面積の前記第２の部分は、前記ワイヤの総表面積の約１％〜約８０％を含む、埋め込むことと、
前記ワイヤの前記表面積の前記第２の部分の少なくとも一部の上に重なるように液状エラストマー前駆体材料の層を前記剥離層の前記表面上に適用することと、
前記液状エラストマー前駆体材料の層をエラストマー材料の層に変換することと、
前記ワイヤが前記剥離層から分離し、前記ワイヤの前記表面積の前記第２の部分が前記エラストマー材料の層に埋め込まれたままであるようにして、前記エラストマー材料の層を前記剥離層から分離することと、
を含み、
前記方法は、任意選択で、
非導電性接着剤の前駆体を導電性布地に適用することと、
前記ワイヤの前記第２の部分を前記導電性布地の少なくとも一部分と接触させることと、
前記非導電性接着剤前駆体を硬化させながら、少なくとも０．５５ＭＰａの圧力を加えて、非導電性接着剤を生成することと、
を更に含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年6月8日(2021.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＥＤモジュールであって、
電力を受電するための一対の端子と、
照明を放出して環境を照明するための複数のＬＥＤの第１のセットであって、前記ＬＥＤモジュールの第１の回路経路内に配置されており、前記端子を介して受電された前記電力の第１の部分によって、前記照明を放出するように給電される、複数のＬＥＤの第１のセットと、
光を放出するための１つ以上のＬＥＤの第２のセットであって、前記ＬＥＤモジュールの第２の回路経路内に配置されており、前記一対の端子を介して受電された前記電力の第２の部分によって、前記光を放出するように給電され、前記第１の回路経路が前記第２の回路経路よりも長い、１つ以上のＬＥＤの第２のセットと、
前記端子を介して受電された前記電力における変調をフィルタリングするように構成されているフィルタ回路と、を備え、
前記フィルタ回路は、所定の変調周波数での前記変調の第１の成分が前記第２のセットの前記ＬＥＤにのみ渡され、前記第１のセットの前記ＬＥＤには渡されないことにより、対応する第１の信号が、前記第２のセットによって放出される前記光に埋め込まれるが、前記第１のセットによって放出される前記照明には埋め込まれないことを可能にするように構成されていて、
ＬＥＤの前記第１のセットが、可視スペクトル照明を放出するように構成されている可視スペクトルＬＥＤであり、
ＬＥＤの前記第２のセットが、赤外光を放出するように構成されている赤外線ＬＥＤである、ＬＥＤモジュール。
【請求項２】
前記フィルタ回路が、
第１のより低い変調周波数を有する、前記変調の第２の成分が、少なくとも前記第１のセットの前記ＬＥＤに渡されることにより、対応する第２の信号が、放出される前記照明に埋め込まれることを可能にするように構成されていて、前記第１の成分は、第２のより高い変調周波数を有する、請求項１に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項３】
ＬＥＤの前記第１のセットが、蛍光体変換ＬＥＤであり、
ＬＥＤの前記第２のセットが、非蛍光体変換ＬＥＤである、請求項１又は２に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項４】
前記フィルタ回路が、第２のより低い周波数成分がＬＥＤの前記第１のセットに渡されるが、ＬＥＤの前記第２のセットには渡されないことにより、前記第２の信号が、前記第２のセットによって放出される前記光を介して送信されないことを可能にするように構成されている、請求項２又は請求項２に従属する請求項のいずれか一項に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項５】
前記フィルタ回路が、第２のより低い周波数成分がＬＥＤの前記第１のセット及びＬＥＤの前記第２のセットの双方に渡されることにより、前記第２の信号が、ＬＥＤの前記第１のセットによって放出される前記照明に埋め込まれ、ＬＥＤの前記第２のセットによって放出される前記光を介して送信されることを可能にするように構成されている、請求項２又は請求項２に従属する請求項のいずれか一項に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項６】
前記可視スペクトルＬＥＤが、白色ＬＥＤである、請求項１乃至５のいずれか一項に記載のＬＥＤモジュール。
【請求項７】
照明デバイスであって、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載のＬＥＤモジュールと、
電力を供給するように構成されているＬＥＤドライバと、
前記ＬＥＤドライバに結合され、供給された電力に変調を導入するように構成されている、変調器であって、前記ＬＥＤモジュールの前記端子が、前記変調器に接続されて、変調された電力を前記変調器から受電する、変調器と、を備える、照明デバイス。
【請求項８】
前記ＬＥＤモジュールは、請求項２に記載のＬＥＤモジュールであり、前記変調器が、前記第１の信号及び前記第２の信号が同時に送信されるように、前記変調内に前記第１の成分及び前記第２の成分を同時に含めるように構成されている、請求項７に記載の照明デバイス。
【請求項９】
前記ＬＥＤモジュールは、請求項２に記載のＬＥＤモジュールであり、前記変調器が、前記第１の信号と前記第２の信号とが異なる機会に発信されるように、前記変調内に前記第２の成分とは異なる時間で前記第１の成分を含めるように構成されている、請求項７に記載の照明デバイス。
【請求項１０】
前記変調器が、前記可視スペクトルＬＥＤがオフに切り替えられる場合、第１のより高い周波数成分を前記ＬＥＤモジュールに供給し続けるように構成されている、
請求項７、８又は９に記載の照明デバイス。
【請求項１１】
前記変調器が、前記可視スペクトルＬＥＤを使用して、前記第２の信号を含む、副搬送波の第１のより低い搬送周波数群を送信することによって、及び、前記赤外線ＬＥＤを使用して、前記第１の信号を含む、前記副搬送波の第２のより高い搬送周波数群を通過させることによって、前記可視スペクトルＬＥＤ及び前記赤外線ＬＥＤを使用して、前記副搬送波のセットを含む直交周波数分割多重チャネルを実装するように構成されており、前記第１の信号及び前記第２の信号が、前記直交周波数分割多重チャネルの副信号である、請求項１０に記載の照明デバイス。
【請求項１２】
請求項２に記載のＬＥＤモジュールを含む、請求項７乃至１１のいずれか一項に記載の照明デバイスを備えるシステムであって、受信機器を更に備え、前記受信機器が、
可視光変調を感知するための第１の光センサ、及び、赤外光変調を感知するための第２の光センサであって、前記第１の光センサが、前記第２の光センサよりも低い最大変調周波数を感知することが可能である、第１の光センサ及び第２の光センサと、
１つ以上の前記光センサに結合されている復号器であって、感知された前記可視光変調から前記第２の信号を復号するように、及び感知された前記赤外光変調から前記第１の信号を復号するように構成されている、復号器と、を含む、システム。
【請求項１３】
前記第１の光センサが、画像を取り込むためのカメラの形態を取り、前記第２の光センサが、専用の赤外線データ受信機の形態を取る、請求項１２に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月11日(2021.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線を生成するためのエミッタ装置と、
前記エミッタ装置に電力を供給するための少なくとも１つのフィードスルーと、
前記少なくとも１つのフィードスルーの電位を接地電位から隔離するための絶縁体とを備える、Ｘ線源であって、
前記少なくとも１つのフィードスルーは、前記絶縁体を少なくとも部分的に貫通し、
前記絶縁体の少なくとも一部が、前記エミッタ装置の少なくとも一部と熱接触し、
前記絶縁体は、完全に前記絶縁体の内部ボリューム内に形成された少なくとも１つの冷却チャネルを含み、前記冷却チャネルは、前記エミッタ装置からの熱を放散し、
前記絶縁体の外表面と前記冷却チャネルとの間の距離は、前記冷却チャネルの厚さの少なくとも半分の大きさを有し、
前記冷却チャネルは、前記絶縁体の円周方向に沿って前記フィードスルーを少なくとも部分的に包囲し、
前記絶縁体の前記外表面と前記冷却チャネルとの間の前記距離は、前記円周方向に沿って一定であり、
前記冷却チャネルと前記絶縁体の前記外表面との間の前記距離は、前記冷却チャネルの長手伸長方向に沿って一定である、Ｘ線源。
【請求項２】
前記外表面と前記冷却チャネルとの間の前記距離は、前記外表面の表面法線ベクトルに平行に測定された前記外表面と前記冷却チャネルとの間の最小距離であり、
前記冷却チャネルの厚さは、前記外表面の前記表面法線ベクトルに平行に測定される、請求項１に記載のＸ線源。
【請求項３】
前記冷却チャネルの断面は丸みを帯びた形状を有し、かつ／又は
前記冷却チャネルの厚さは、前記冷却チャネルの直径である、請求項１に記載のＸ線源。
【請求項４】
前記冷却チャネルは、冷却剤を介した対流冷却に基づいて前記エミッタ装置からの熱が放散されるように、前記冷却剤をガイドし、かつ／又は
前記冷却チャネルは流体冷却剤を含む、請求項１に記載のＸ線源。
【請求項５】
前記冷却チャネルに流体結合され、前記冷却チャネルに冷却剤を供給するための入口、及び／又は
前記冷却チャネルに流体結合され、前記冷却チャネルから前記冷却剤を排出するための出口をさらに備える、請求項１に記載のＸ線源。
【請求項６】
前記絶縁体の少なくとも一部は、焼結、接着、及び／又は三次元印刷によって製造される、請求項１に記載のＸ線源。
【請求項７】
前記絶縁体は等方性材料の単一均質ブロックであり、かつ／又は
前記絶縁体はセラミック材料及び／又はアルミナを含む、請求項１に記載のＸ線源。
【請求項８】
前記絶縁体は、前記エミッタ装置に面する第１の側と、前記第１の側の反対側の第２の側とを有し、
前記絶縁体は、前記第１の側における第１のセラミック材料と、前記第２の側における第２のセラミック材料とを含み、
前記第１のセラミック材料及び前記第２のセラミック材料は、化学組成、密度、及び導電率のうちの少なくとも１つにおいて互いに異なる、請求項１に記載のＸ線源。
【請求項９】
前記冷却チャネルの表面の少なくとも一部はメタライズされ、かつ／又は
前記冷却チャネルは、前記絶縁体の前記内部ボリューム内に形成された少なくとも１つのチューブから構成される、請求項１に記載のＸ線源。
【請求項１０】
前記エミッタ装置は、アノード、カソード、偏向板、偏向コイル、ロータドライブ、及び電子銃のうちの少なくとも１つの少なくとも一部を含む、請求項１に記載のＸ線源。
【請求項１１】
前記エミッタ装置を少なくとも部分的に取り囲む筐体をさらに備え、
前記絶縁体は前記筐体の側面に配置され、
前記絶縁体の少なくとも一部及び前記筐体は真空コンパートメントを形成し、前記エミッタ装置は前記真空コンパートメント内に配置される、請求項１に記載のＸ線源。
【請求項１２】
Ｘ線を生成するためのエミッタ装置と、
前記エミッタ装置に電力を供給するための少なくとも１つのフィードスルーと、
前記少なくとも１つのフィードスルーの電位を接地電位から隔離するための絶縁体とを備える、Ｘ線源であって、
前記少なくとも１つのフィードスルーは、前記絶縁体を少なくとも部分的に貫通し、
前記絶縁体の少なくとも一部が、前記エミッタ装置の少なくとも一部と熱接触し、
前記絶縁体は、完全に前記絶縁体の内部ボリューム内に形成された少なくとも１つの冷却チャネルを含み、前記冷却チャネルは、前記エミッタ装置からの熱を放散し、
前記絶縁体の外表面と前記冷却チャネルとの間の距離は、前記冷却チャネルの厚さの少なくとも半分の大きさを有し、
前記冷却チャネルは、前記絶縁体の円周方向に沿って前記フィードスルーを少なくとも部分的に包囲し、
前記絶縁体の前記外表面と前記冷却チャネルとの間の前記距離は、前記円周方向に沿って一定であり、
前記冷却チャネルと前記絶縁体の前記外表面との間の前記距離は、前記冷却チャネルの長手伸長方向に沿って一定である、Ｘ線源と、
前記Ｘ線を検出するためのＸ線検出器とを備える、Ｘ線撮像システム。
【請求項１３】
Ｘ線源の製造方法であって、前記方法は
電子又はＸ線を放出するためのエミッタ装置を提供するステップと、
前記エミッタ装置に電力を供給するための少なくとも１つのフィードスルーを提供するステップと、
前記少なくとも１つのフィードスルーの電位を接地電位から隔離する絶縁体を提供するステップと、
少なくとも１つの冷却チャネルを前記絶縁体の内部ボリューム内に形成するステップであって、前記冷却チャネルは完全に、前記絶縁体の前記内部ボリューム内に配置される、ステップと、
前記絶縁体の少なくとも一部が前記エミッタ装置の少なくとも一部と熱接触するように、前記絶縁体を前記エミッタ装置の側面に配置するステップとを含み、
前記冷却チャネルは、前記絶縁体の外表面と前記冷却チャネルとの間のある距離に形成され、前記距離は、前記冷却チャネルの厚さの少なくとも半分の大きさを有し、
前記冷却チャネルは、前記絶縁体の円周方向に沿って前記フィードスルーを少なくとも部分的に包囲し、
前記絶縁体の前記外表面と前記冷却チャネルとの間の前記距離は、前記円周方向に沿って一定であり、
前記冷却チャネルと前記絶縁体の前記外表面との間の前記距離は、前記冷却チャネルの長手伸長方向に沿って一定である、方法。
【請求項１４】
前記絶縁体の少なくとも一部及び前記冷却チャネルは、三次元印刷、焼結、及び／又は接着によって形成される、請求項１３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月5日(2021.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
a.解離性金属塩と、
b.金属イオン導電性高分子系と、
c.ホスホニウム塩と
を含む固体高分子電解質であって、
解離性金属塩が、金属イオン導電性高分子系及びホスホニウム塩に可溶であり、
ホスホニウム塩が、一般式：[PR1R2R3R4]X
(式中、R1、R2、R3及びR4のそれぞれは、C1〜C12炭化水素から独立して選択され、その炭化水素は、N、O及びSから選択された1〜5個のヘテロ原子で任意選択で置換されてもよく、Xはアニオンである)
を有し、
ホスホニウム塩が、80℃未満の融点を有し、
固体高分子電解質が、20℃の温度で固体である、固体高分子電解質。
【請求項２】
解離性金属塩が、リチウム塩、ナトリウム塩、アルミニウム塩又はマグネシウム塩であり、好ましくは、リチウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)イミド(LiTFSI)、リチウムビス(フルオロスルホニル)イミド(LiFSI)、リチウムビス(ペルフルオロエチルスルホニル)イミド(LiBETI)、トリフルオロメタンスルホン酸リチウム(LiCF3SO3)、ヘキサフルオロリン酸リチウム(LiPF6)、ヘキサフルオロホウ酸リチウム(LiBF4)、過塩素酸リチウム(LiClO4)、リチウムビス(オキサラト)ボレート(LiBOB)、又はそれらのうちの2つ以上の混合物を含む、リチウム塩である、請求項１に記載の固体高分子電解質。
【請求項３】
金属イオン導電性高分子系が、単一のポリマー又はコポリマーを含むか、あるいは、金属イオン導電性高分子系が、ポリマー、コポリマー又はそれらの組合せのうちの2つ以上を含み、
ポリマー及び/又はコポリマーのうちの少なくとも1つが架橋されている、請求項１又は２に記載の固体高分子電解質。
【請求項４】
金属イオン導電性高分子系が、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリブチレンオキシド、ペルフルオロスルホン酸官能基を持つポリマー、トリフルオロメタンスルホニルイミド官能基を持つポリマー、それらのうちの1つ若しくは複数のコポリマー、又はそれらのうちの2つ以上の混合物を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の固体高分子電解質。
【請求項５】
金属イオン導電性高分子系が、金属イオン導電性高分子系に含まれる1つ又は複数のポリマー又はコポリマーの結晶化度を低下させる添加剤を更に含み、かつ／あるいは、
金属イオン導電性高分子系が、ポリフッ化ビニリデン(PVDF)、ポリフッ化ビニリデン-co-ヘキサフルオロプロピレン(PVDF-HFP)、ポリフッ化ビニリデン-co-トリフルオロエチレン(PVDF-TrFE)、ポリ(メチルメタクリレート)(PMMA)、ニトリルブタジエンゴム(NBR)、ポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、又はそれらのうちの2つ以上の組合せを更に含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の固体高分子電解質。
【請求項６】
ホスホニウム塩が、25℃未満の融点を有し、かつ／あるいは、
ホスホニウム塩が、160℃の温度で物理的に安定である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の固体高分子電解質。
【請求項７】
ホスホニウム塩が、トリエチルオクチルホスホニウム、トリ-n-ブチルオクチルホスホニウム、トリ-n-ブチルメチルホスホニウム、又はそれらのうちの2つ以上の混合物を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の固体高分子電解質。
【請求項８】
ホスホニウム塩を、約5wt%〜約50wt%の量、好ましくは約15wt%〜約50wt%の量、最も好ましくは約15wt%〜約25wt%の量で含み、かつ／あるいは、
解離性金属塩を、約5mol%〜約25mol%、好ましくは約10mol%の量で含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の固体高分子電解質。
【請求項９】
膜の形態であり、膜が、好ましくは約5μm〜約500μmの厚さ、より好ましくは約10μm〜約100μmの厚さを有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の固体高分子電解質。
【請求項１０】
重合開始剤を更に含み、
重合開始剤が、好ましくは2wt%〜4wt%の量で存在し、
重合開始剤が、好ましくラジカル重合開始剤であり、
ラジカル重合開始剤が、ペンタエリトリトールトリアクリレート、ジアルキルペルオキシド、ベンゾフェノン、(4-ベンゾイルベンジル)トリメチルアンモニウムクロリド、又はそれらのうちの2つ以上の組合せを含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の固体高分子電解質。
【請求項１１】
固体高分子電解質を調製するための方法であって、
a.金属イオン導電性高分子系と、ホスホニウム塩と、解離性金属塩とを含む混合物を準備する工程と、
b.混合物を物体に成形する工程と
を含み、
金属イオン導電性高分子系及びホスホニウム塩が、解離性金属塩を可溶化し、
ホスホニウム塩が、一般式：[PR1R2R3R4]X
(式中、R1、R2、R3及びR4のそれぞれは、C1〜C12炭化水素から独立して選択され、その炭化水素は、N、O及びSから選択された1〜5個のヘテロ原子で任意選択で置換されていてもよく、Xはアニオンである)
を有し、
ホスホニウム塩が、80℃未満の融点を有し、
固体高分子電解質が、20℃の温度で固体である、方法。
【請求項１２】
金属イオン導電性高分子系が、架橋性金属イオン導電性高分子系であり、
混合物を物体に成形する工程の後に金属イオン導電性高分子系を架橋する工程を更に含み、
混合物が重合開始剤を更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
混合物が、溶媒キャスト法又は溶融押出法により物体に成形される、請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項１４】
架橋性導電性高分子を架橋する工程が、物体をUV源に曝露する工程、物体を赤外線源に曝露する工程、又は物体を加熱する工程を含む、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の固体高分子電解質を含む、電気化学電池、好ましくは金属リチウムアノードを備える電気化学電池。