Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月18日(2005.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光動作の前に撮影光路外へ退避し、露光動作終了後に復帰する可動ミラーと、
前記可動ミラーが前記撮影光路内にあるときに、前記可動ミラーで反射された被写体像を繰り返し撮像して電気信号に変換する電子撮像手段と、
前記電子撮像手段による撮像動作が行なわれるたびに前記電子撮像手段の出力信号に基づいて、前記被写体像を表示するモニタ手段と、
を具備し、
前記可動ミラーの退避動作に応じて、前記表示手段での表示を固定するようにしたことを特徴とするモニタ付きカメラ。
【請求項２】
露光動作の前に撮影光路外へ退避し、露光動作終了後に復帰する可動ミラーと、
前記可動ミラーが前記撮影光路内にあるときに、前記可動ミラーで反射された被写体像を繰り返し撮像して電気信号に変換する電子撮像手段と、
前記電子撮像手段による撮像動作が行なわれるたびに前記電子撮像手段の出力信号に基づいて、前記被写体像を表示するモニタ手段と、
を具備し、
前記可動ミラーの退避動作に応じて、前記電子撮像手段の撮像動作を停止するようにしたことを特徴とするモニタ付きカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決し目的を達成するため、本発明の第１のモニタ付きカメラは、露光動作の前に撮影光路外へ退避し、露光動作終了後に復帰する可動ミラーと、前記可動ミラーが前記撮影光路内にあるときに、前記可動ミラーで反射された被写体像を繰り返し撮像して電気信号に変換する電子撮像手段と、前記電子撮像手段による撮像動作が行なわれるたびに前記電子撮像手段の出力信号に基づいて、前記被写体像を表示するモニタ手段と、を具備し、前記可動ミラーの退避動作に応じて、前記表示手段での表示を固定する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明の第２のモニタ付きカメラは、露光動作の前に撮影光路外へ退避し、露光動作終了後に復帰する可動ミラーと、前記可動ミラーが前記撮影光路内にあるときに、前記可動ミラーで反射された被写体像を繰り返し撮像して電気信号に変換する電子撮像手段と、前記電子撮像手段による撮像動作が行なわれるたびに前記電子撮像手段の出力信号に基づいて、前記被写体像を表示するモニタ手段と、を具備し、前記可動ミラーの退避動作に応じて、前記電子撮像手段の撮像動作を停止する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月9日(2005.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記当接部材は、前記ダンパー機構の弾性部材を回転方向に支持する支持部をさらに有している、請求項６又は７に記載のクラッチ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項２に記載のクラッチ装置では、請求項１において、曲げ方向変位抑制機構は、レリーズ装置によるクラッチカバー組立体に対する軸方向エンジン側への荷重によって、フライホイールをクランクシャフト側の部材に対して軸方向トランスミッション側から押し付ける。
このクラッチ装置では、曲げ方向変位抑制機構は、レリーズ装置がクラッチカバー組立体に軸方向エンジン側への荷重を付与する際に、フライホイールをクランクシャフト側の部材に対して軸方向トランスミッション側から押し付ける。ここでは、曲げ方向の変位のロックがクラッチレリーズ時におけるレリーズ装置からの荷重を利用しているため、構造が簡単になる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月9日(2005.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
フロントカバー２の内周部の軸方向トランスミッション側面６３と、タービンハブ２３の軸方向エンジン側面２３ｂとは、軸方向に隙間を空けて対向している対向部分である。トランスミッション側面６３と軸方向エンジン側面２３ｂとの間には他の部材は配置されておらず、つまり軸方向トランスミッション側面６３と軸方向エンジン側面２３ｂは軸方向に直接対向している。図１は、ロックアップクラッチ６が連結を解除した状態、特に、ピストン４１がフロントカバー２から最も離れた状態（軸方向トランスミッション側に最も移動した状態）を示しており、そこではクラッチ連結部６６において摩擦面６２と摩擦フェーシング６１との間には第１軸方向隙間７１（大きさはＧ１）が確保され、軸方向トランスミッション側面６３と軸方向エンジン側面２３ｂとの間には第２軸方向隙間７２（大きさはＧ２）が確保されている。Ｇ１はＧ２より十分に小さいため、ピストン４１にたわみが生じたとしても、クラッチ連結時には、フロントカバー２の内周部の軸方向トランスミッション側面６３とタービンハブ２３の軸方向エンジン側面２３ｂとの間には、軸方向隙間が確保されることになる。なお、この実施形態では、ピストン４１の内周側筒状部４３の先端の軸方向位置は、タービンハブ２３の軸方向エンジン側面２３ｂの軸方向位置と一致している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月28日(2005.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のスターリング機関を備えたスターリング機関制御システムであって、
前記システムは、前記複数のスターリング機関それぞれを別個独立して制御する制御装置を備え、
該制御装置は、複数のスターリング機関それぞれに対して、運転を制御するコマンドを別個独立して出力し、前記コマンドは、前記スターリング機関のピストンの往復運動のタイミングを特定するタイミング情報を有している、スターリング機関制御システム。
【請求項２】
前記タイミング情報は、前記複数のスターリング機関のピストンそれぞれの往復運動のタイミングを互いにずらす非同期情報を含む、請求項１に記載のスターリング機関制御システム。
【請求項３】
前記コマンドは、前記複数のスターリング機関それぞれの負担能力設定情報を有している、請求項１に記載のスターリング機関制御システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月12日(2004.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
半導体基板の主面表面内に形成されたトレンチの深さを測定する方法であって、
(ａ)酢酸セルロースのアセトン溶解液に、粒径が前記トレンチの幅より小さく、前記粒径の大きさが揃った標準粒子を混入した型取り溶液を準備する工程と、
(ｂ)前記トレンチが形成された状態の前記半導体基板上に前記型取り溶液を滴下し、乾燥固化して前記トレンチの形状に対応した形状の突出部と、前記半導体基板の前記主面に対応する基台とを有するネガレプリカを形成する工程と、
(ｃ)前記ネガレプリカを、前記半導体基板から引き剥がす工程と、
(ｄ)前記ネガレプリカの前記突出部の高さを、顕微鏡のレンズと前記ネガレプリカとの相対距離を変化させることで得られる前記顕微鏡の合焦位置に基いた高低差を利用して測定する工程とを備える、半導体装置のトレンチ深さ測定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る請求項１記載の半導体装置のトレンチ深さ測定方法は、半導体基板の主面表面内に形成されたトレンチの深さを測定する方法であって、酢酸セルロースのアセトン溶解液に、粒径が前記トレンチの幅より小さく、前記粒径の大きさが揃った標準粒子を混入した型取り溶液を準備する工程(ａ)と、前記トレンチが形成された状態の前記半導体基板上に前記型取り溶液を滴下し、乾燥固化して前記トレンチの形状に対応した形状の突出部と、前記半導体基板の前記主面に対応する基台とを有するネガレプリカを形成する工程(ｂ)と、前記ネガレプリカを、前記半導体基板から引き剥がす工程(ｃ)と、前記ネガレプリカの前記突出部の高さを、顕微鏡のレンズと前記ネガレプリカとの相対距離を変化させることで得られる前記顕微鏡の合焦位置に基いた高低差を利用して測定する工程(ｄ)とを備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
標準粒子ＳＰとしては、例えば、Ｄｕｋｅ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ製のポリスチレン粒子を用いれば良い。当該ポリスチレン粒子は、２０ｎｍ〜９００ｎｍの範囲で、種々の大きさの粒径のものを選択でき、純水中に分散した状態で提供される。本実施の形態においては、トレンチＴＲの幅が０．３５μｍであるので、粒径２０ｎｍ〜１００ｎｍのポリスチレン粒子を用いれば、トレンチＴＲ内で目詰まりを起こすことを確実に防止でき、トレンチＴＲ内に均一に分散させることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
なお、ポリスチレン粒子は白色をしており、型取り溶液ＳＬは不透明白色となる。Ｄｕｋｅ社のポリスチレン粒子には、緑色、赤色、青色の蛍光色を有するものもあるので、それらを使用しても良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
【発明の効果】
本発明に係る請求項１記載の半導体装置のトレンチ深さ測定方法によれば、トレンチの形状に対応した形状の突出部を有するネガレプリカに標準粒子が混入されているので、ネガレプリカが不透明となる。従って、顕微鏡のレンズの合焦位置の判別が容易になり、顕微鏡の合焦位置に基いた高低差を利用してネガレプリカの突出部の高さを測定することが容易になり、トレンチの深さを正確に取得できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2003124279.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月28日(2004.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料に対し、荷電粒子ビームを所定の間隔で複数回照射する工程と、
前記荷電粒子ビームの照射により前記試料から二次的に発生する荷電粒子を検出する工程と、
検出された前記荷電粒子を基にして電位コントラスト信号を取得する工程と、
前記電位コントラスト信号の分布の標本平均および分散の大きさを求める工程と、
前記標本平均と分散の大きさから前記試料の電気的特性を特定する工程とを有することを特徴とする検査方法。
【請求項２】
試料に対し、荷電粒子ビームを所定の間隔で複数回照射する工程と、
前記荷電粒子ビームの照射により前記試料から二次的に発生する荷電粒子を検出する工程と、
検出された前記荷電粒子を基にして電位コントラスト信号を取得する工程と、
前記荷電粒子とリーク電流との関係を求める工程と、
前記荷電粒子と前記リーク電流との関係から、前記試料に含まれる均一接合分布と不均一接合分布を求める工程と、
前記リーク電流の大きさからデータ保持時間を特定する工程と
前記接合の分布とデータ保持時間の関係から、前記試料の電気的特性を特定する工程とを有することを特徴とする検査方法。
【請求項３】
請求項２に記載の検査方法において、
前記電位コントラスト信号を、前記試料中の複数箇所から抽出し、電位コントラスト信号分布を求める工程と、
前記電位コントラスト分布から、前記接合の逆バイアス電流分布を特定する工程とを含み、
前記逆バイアス電流に基づき前記試料の電気的特性を特定することを特徴とする検査方法。
【請求項４】
請求項１、２又は３に記載の検査方法において、
前記試料は、ｐｎ接合を有する回路パターンが形成されていることを特徴とする検査方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月7日(2004.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装対象部材にフリップチップ実装される半導体装置であって、
前記実装対象部材に当接する当接面に、前記実装対象部材との電気的接続に用いられる接続材料が接着する接着部を設ける、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記接着部を、この半導体装置の端子電極と同一材料から構成する、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記接着部を、この半導体装置の拡散領域に電気的に接続されない擬似電極から構成する、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置において、
この半導体装置の端子電極を前記当接面の周縁部に設け、前記接着部を前記当接面の中央部に設ける、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置において、
当該半導体装置は矩形状を有しており、前記接着部を前記当接面の対角線方向に沿って設ける、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置において、
前記半導体装置は矩形状をしており、前記接着部を前記当接面の四隅に設ける、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置において、
前記接着部を前記当接面の周縁部に設け、この半導体装置の端子電極を前記当接面の中央部に設ける、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項４ないし７のいずれかに記載の半導体装置において、
前記接着部それぞれの面積を、この半導体装置の端子電極それぞれの面積より大きくする、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
半導体装置を実装対象部材に実装してなる半導体装置の実装構造であって、
前記半導体装置の実装対象部材当接面と前記実装対象部材の実装面とに、半導体装置と実装対象部材との電気的接続で用いられる接続材料が接着する接着部をそれぞれ設け、
前記接着部どうしを前記接続材料により接着する、
ことを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置の実装構造において、
半導体装置側の前記接着部を、前記半導体装置の拡散領域に電気的に接続される半導体装置の端子電極と同一材料から構成する、
ことを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項１１】
請求項９に記載の半導体装置の実装構造において、
半導体装置側の前記接着部を、半導体装置の拡散領域に電気的に接続されない擬似電極から構成する、
ことを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項１２】
請求項９ないし１１のいずれかに記載の半導体装置の実装構造において、
前記接着部どうしを拡散接合する、
ことを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項１３】
請求項９ないし１２のいずれかに記載の半導体装置の実装構造において、
前記半導体装置と前記実装対象部材との間に封止樹脂を設ける、
ことを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項１４】
請求項９ないし１３のいずれかに記載の半導体装置の実装構造において、
前記実装対象部材はもう一つの半導体装置であり、このもう一つの半導体装置を、もう一つの実装対象部材に接着剤を介して接着し、
前記もう一つの半導体装置と前記もう一つの実装対象部材とを、ワイヤボンディングにより電気的に接続する、
ことを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項１５】
請求項９ないし１４のいずれかに記載の半導体装置の実装構造において、
前記実装対象部材はもう一つの半導体装置であり、このもう一つの半導体装置がもう一つの実装対象部材に当接する当接面に、このもう一つの半導体装置の電気的接続で用いられる接続材料が接着する接着部を設ける、
ことを特徴とする実装構造体。
【請求項１６】
請求項９ないし１４のいずれかに記載の半導体装置の実装構造において、
前記実装対象部材はもう一つの半導体装置であり、このもう一つの半導体装置を、もう一つの実装対象部材に実装するとともに、
前記もう一つの実装対象部材に当接する前記もう一つの半導体装置の実装対象部材当接面と前記もう一つの実装対象部材の実装面とに、前記もう一つの半導体装置と前記もう一つの実装対象部材との電気的接続に用いられる接続材料が接着する接着部をさらに設け、これら接着部どうしを前記接続材料により接着する、
ことを特徴とする半導体装置の実装構造。
【請求項１７】
請求項１６に記載の半導体装置の実装構造を製造する製造方法であって、
絶縁樹脂フィルム材を用意したうえで、この絶縁樹脂フィルム材に、前記実装対象部材の端子電極と前記半導体装置の端子電極との間の接続部位に対して位置合わせされた貫通孔と、前記実装対象部材の接着部と前記半導体装置の接着部との間の接着部位に対して位置合わせされた貫通孔とを形成する貫通孔形成工程と、
前記絶縁樹脂フィルム材を間にして、前記実装対象部材上に半導体装置を搭載し、前記貫通孔内において、端子電極どうし、および接着部どうしを前記接続材料によって接続ないし接着する接着工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の実装構造の製造方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の半導体装置の実装構造を製造する製造方法であって、
絶縁樹脂フィルム材を用意したうえで、この絶縁樹脂フィルム材を実装対象部材の実装面に配置する絶縁樹脂フィルム材配置工程と、
前記実装面に配置された前記絶縁樹脂フィルム材に、前記実装対象部材の前記端子電極と前記接着部とに達する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記半導体装置を前記実装対象部材の実装面に搭載し、前記貫通孔内において、前記端子電極どうし、および前記接着部どうしを前記接続材料により接続ないし接着する接着工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の実装構造の製造方法。
【請求項１９】
請求項１６に記載の半導体装置の実装構造を製造する製造方法であって、
前記半導体装置として、複数の半導体装置が設けられた半導体ウエハを用意し、この半導体ウエハの前記半導体装置の実装面に相当する面に絶縁樹脂フィルム材を配置するフィルム配置工程と、
前記実装面に配置された絶縁樹脂フィルム材に、各半導体装置の端子電極と前記接着部とに達する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、
前記実装対象部材を構成するもう一つの半導体装置として、複数の半導体装置が設けられたもう一つの半導体ウエハを用意し、このもう一つの半導体ウエハの前記半導体装置の実装面に相当する面に前記半導体ウエハを搭載し、前記貫通孔内において、前記端子電極どうし、および前記接着部どうしを接続材料により接続ないし接着する接着工程と、
一体となった両半導体ウエハを個々の半導体装置の実装構造に切断する切断工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の実装構造の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月23日(2004.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、この処理室に隣接して設けられた大気圧未満の圧力を維持可能な待機室と、この待機室に隣接して設けられたバッファ室とを備えており、前記基板を収納するキャリアから前記バッファ室への前記基板の搬送時には前記バッファ室内の雰囲気を大気圧とし、前記バッファ室から待機室への基板の搬送時には前記バッファ室の雰囲気を大気圧未満の圧力とする基板処理装置であって、
前記キャリアを載置する載置部が前記バッファ室の上方または側方に設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記バッファ室と前記待機室との間で前記基板を搬送する第一基板移載装置と、前記載置部に載置されたキャリアと前記バッファ室との間で前記基板を搬送する第二基板移載装置とを備えており、前記第二基板移載装置は前記第一基板移載装置の上方に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板を処理する処理室と、この処理室に隣接して設けられた大気圧未満の圧力を維持可能な待機室と、この待機室に隣接して設けられたバッファ室とを備えており、前記基板を収納するキャリアから前記バッファ室への前記基板の搬送時には前記バッファ室内の雰囲気を大気圧とし、前記バッファ室から前記待機室への前記基板の搬送時には前記バッファ室内の雰囲気を大気圧未満の圧力とする基板処理装置であって、
前記待機室には製品となる基板または／およびダミー基板を保管するストッカが設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
基板を処理する処理室と、この処理室に隣接して設けられた待機室と、この待機室内に設けられ基板を処理室に対し搬入搬出するエレベータとを備えている基板処理装置であって、
前記エレベータの向きがデットスペースが小さくなる方向に傾けられて配置されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
基板を処理する処理室と、この処理室に隣接して設けられた大気圧未満の圧力を維持可能な待機室と、前記処理室と前記待機室との間で前記基板を支持した状態で搬送するボートとを備えている基板処理装置であって、
前記待機室には製品となる基板または／およびダミー基板を保管する少なくとも一つのストッカと、前記待機室を大気圧未満の圧力に維持した状態で、前記ボートと前記ストッカとの間で前記基板を搬送する移載装置と、が設けられていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
基板を処理する処理室と、この処理室に隣接して設けられた大気圧未満の圧力を維持可能な待機室と、この待機室に隣接して設けられたバッファ室とを備えており、前記基板を収納するキャリアを載置する載置部が前記バッファ室の上方または側方に設けられた基板処理装置を使用して基板を処理する半導体装置の製造方法であって、
前記基板が前記バッファ室から前記処理室まで大気圧未満の圧力を維持した雰囲気において搬送されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するための基板処理装置は、基板を処理する処理室と、この処理室に隣接して設けられた大気圧未満の圧力を維持可能な待機室と、この待機室に隣接して設けられたバッファ室とを備えており、前記基板を収納するキャリアから前記バッファ室への前記基板の搬送時には前記バッファ室内の雰囲気を大気圧とし、前記バッファ室から待機室への基板の搬送時には前記バッファ室の雰囲気を大気圧未満の圧力とする基板処理装置であって、
前記キャリアを載置する載置部が前記バッファ室の上方または側方に設けられていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月27日(2004.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセス装置が備えられたベイと、各ベイに備えられた保管棚と、これら保管棚を巡回し保管棚から保管棚へと半製品を搬送する台車とを有する工程間搬送システムであって、
プロセス装置の稼動状況および保管棚内の半製品の数にもとづいて搬送時期を決定する工程間搬送システム。
【請求項２】
半製品の一時退避用保管棚をさらに有してなる請求項１記載の工程間搬送システム。
【請求項３】
プロセス装置が備えられたベイと、各ベイに備えられた保管棚と、複数の半製品を積載可能な台車とを有し、該台車にて、前工程のプロセス装置が属するベイの保管棚から、次工程のプロセス装置が属するベイの保管棚へと半製品を搬送する工程間搬送システムにおいて、
次工程のプロセス装置の処理終了までの時間と保管棚間の搬送時間を比較し、前記処理終了までの時間が保管棚間の搬送時間に等しくなるまで、該台車による搬送を待ち合わせ、該待ち合わせ期間に前工程での処理を終えて前工程の保管棚に集まった半製品を、一括して次工程の保管棚へと搬送する工程間搬送方法。
【請求項４】
プロセス装置が備えられたベイと、各ベイに備えられた保管棚と、複数の半製品を積載可能な台車とを有し、該台車にて、前工程のプロセス装置が属するベイの保管棚から、次工程のプロセス装置が属するベイの保管棚へと半製品を搬送する工程間搬送システムにおいて、
次工程のプロセス装置が稼動していないことを検知した場合、前工程の処理を終えた半製品を１回だけ前工程の保管棚から次工程の保管棚へと搬送し、以降の半製品は前工程の保管棚に留め置く工程間搬送方法。
【請求項５】
プロセス装置が備えられたベイと、各ベイに備えられた保管棚と、複数の半製品を積載可能な台車と、半製品の一時退避のための保管棚とを有し、前記台車にて、前工程のプロセス装置が属するベイの保管棚から、次工程のプロセス装置が属するベイの保管棚へと半製品を搬送する工程間搬送システムにおいて、
次工程のプロセス装置が稼動していない場合または次工程の保管棚が満杯である場合、それを検知し、次工程の保管棚へと搬送する半製品を、前記一時退避のための保管棚に一時退避させる工程間搬送方法。
【請求項６】
プロセス装置が備えられたベイと、各ベイに備えられた保管棚と、複数の半製品を積載可能な台車と、半製品の一時退避のための保管棚とを有し、前記台車にて、前工程のプロセス装置が属するベイの保管棚から、次工程のプロセス装置が属するベイの保管棚へと半製品を搬送する工程間搬送システムにおいて、
次工程の保管棚内の半製品の数が所定数以上である場合に、次工程の保管棚内の半製品の数が所定数未満となるまでの時間と、一時退避のための保管棚を経由する場合と直接次工程の保管棚へと搬送する場合の搬送時間の差とを比較し、次工程の保管棚内の半製品の数が所定数未満となるまでの時間の方が長い場合に、半製品を一時退避のための保管棚へと搬送する工程間搬送方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明による工程間搬送システムは、半製品の一時退避用保管棚をさらに有してなることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月22日(2004.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
次に、コンデンサ３が収容保持されたケース本体２のリード線絡げ部１０にリード線５が絡げられる。リード線５はリード線絡げ部１０によりリード線間の距離が保たれた状態で絡げられる。これにより、半田槽へディッピングした際のコンデンサ３の電極４が半田によって短絡することを防ぐことができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003124056.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2003124056.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月12日(2005.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク制御された局所的な相転移を使用することによって、潜在的な磁性体を磁気的にパターン化されたナノ構造に変える方法。
【請求項２】
潜在的な磁性体が非磁性膜もしくは弱い磁性膜である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
非磁性膜もしくは弱い磁性膜が単層によって形成される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
非磁性膜もしくは弱い磁性膜が多層によって形成される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
相転移が、局所的なアニール処理および／または混合によって行なわれる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
アニール処理および／または混合が、潜在的な磁性体を放射ビームに晒すことによって行なわれる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ビームが集束される請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ビームが集束されない請求項６に記載の方法。
【請求項９】
パターン化された磁性ナノ構造を形成する方法であって、
アニール処理および／または混合によって磁性状態に変化可能な、非磁性単層膜もしくは非磁性多層膜を有する基板を準備することと、
パターン化された磁性ナノ構造に関連する所望のパターンおよび分解能を有するマスクで基板をカバーすることと、
アニール処理および／または混合によって、非磁性膜の所望部分を磁性状態に変えることによって、所望のパターンをマスクから膜に移すこととを含む、パターン化された磁性ナノ構造を形成する方法。
【請求項１０】
アニール処理および／または混合によって、非磁性膜の選択部分を磁性状態に変えることにより、非磁性領域によって分離された磁性領域の規則的な配列を備えたパターン化された磁性膜が形成される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
規則的な配列が二次元配列である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
アニール処理および／または混合することが、マスクでカバーされた基板を放射ビームに晒すことによって行なわれる、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
放射ビームが、電子ビーム、イオンビーム、Ｘ線ビーム、またはレーザビームである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
放射ビームが、非磁性膜をアニール処理および／または混合することができる十分なエネルギーを与えるように構成されている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
放射ビームが、マスクでカバーされた基板を横切って走査される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
マスクでカバーされた基板が移動され、マスクでカバーされた基板を横切って放射ビームを走査する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
マスクでカバーされた基板が固定され、マスクでカバーされた基板を横切って放射ビームを走査する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
小さな基板および大きなビームスポットについては、マスクでカバーされた基板および放射ビームが固定される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
マスクが、膜表面から一定の距離に置かれる、請求項９に記載の方法。
【請求項２０】
マスクが、所定のパターンで一列に並べられた複数の穴を有し、マスクの穴は、最終的なナノ構造を形成するようにラインで接続されている、請求項９に記載の方法。
【請求項２１】
非磁性膜は、アニール処理時に、バリウムフェライトまたは置換バリウムフェライト、スロンチウムフェライトまたは置換スロンチウムフェライト、コバルトフェライトまたは置換コバルトフェライト、またはガーネットに変化する材料によって形成されている、請求項９に記載の方法。
【請求項２２】
非磁性膜が、アニール処理および／または混合時に、磁性ＭｎＡｌ合金またはＭｎＡｌＣ合金に変化するＡｌ／ＭｎまたはＡｌ／Ｍｎ／Ｃの多層膜である、請求項９に記載の方法。
【請求項２３】
非磁性膜が、アニール処理および／または混合時に、磁性ＭｎＢｉ合金またはＭｎＢｉＡｌ合金に変化するＢｉ／ＭｎまたはＢｉ／Ｍｎ／Ａｌの多層膜である、請求項９に記載の方法。
【請求項２４】
非磁性膜が、アニール処理および／または混合時に、磁性（Ｃｒ１−ＸＭＸ）Ｐｔ３化合物に変化するＣｒ／Ｍ／Ｐｔの多層膜であり、Ｍは、コバルト、ニッケル、鉄、マンガン、Ｐｔ、Ｙ、およびＰｄから選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項２５】
非磁性膜が、ＮｉＸＰ１−Ｘ合金、ＦｅＸＰｔ１−Ｘ合金、ＦｅＸＺｒ１−Ｘ合金、またはＦｅＸＣｒ１−Ｘ合金から成る、請求項９に記載の方法。
【請求項２６】
基板が、非磁性膜の下側に配置された下層を更に備えている、請求項９に記載の方法。
【請求項２７】
下層が、非磁性の結晶化したＦｅＺｒ合金の層であり、非磁性膜はアモルファスＦｅＸＺｒ１−Ｘ合金である、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
下層が、導電性が高い金属膜から成る第１の層と、結晶化したＺｎ−フェライトから成る第２の層とを有しており、非磁性膜はコバルトフェライトまたはコバルト置換フェライトである、請求項２６に記載の方法。
【請求項２９】
下層が、非磁性の結晶化したＭｎＡｌ合金であり、非磁性膜はＭｎ／Ａｉ多層膜である、請求項２６に記載の方法。
【請求項３０】
パターン化された磁性ナノ構造が、記憶媒体の一部である、請求項９に記載の方法。
【請求項３１】
基板が、パターン化された磁性ナノ構造の上側に配置された上層を更に備えている、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
上層が、パターン化された磁性ナノ構造上に形成される電荷の蓄積を除去することができる、請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】
基板が、上層の上側に配置される潤滑層を更に備えている、請求項３０に記載の方法。
【請求項３４】
パターン化された磁性ナノ構造を形成する方法であって、
アニール処理および／または混合によって磁性状態に変化可能な、単層膜もしくは多層膜を有する基板を準備することと、
パターン化された磁性ナノ構造に関連する所望のパターンおよび分解能を有するマスクを膜上もしくは膜の上側に位置決めすることと、
マスクでカバーされた基板を、非磁性もしくは弱い磁性の単層膜または多層膜を局所的にアニール処理および／または混合することができる十分なエネルギーを有する放射ビームに晒し、これによって、マスクにより非磁性膜の所望部分だけを放射ビームに晒して、非磁性マトリクス内に磁性要素の配列を形成することとを含む、パターン化された磁性ナノ構造を形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月3日(2004.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明実施例に係る面実装電子部品の断面図である。
【図２】  リードフレーム部材の平面図である。
【図３】  従来例に係る面実装電子部品の断面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月10日(2004.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の量子ドットを有する光半導体装置であって、
前記複数の量子ドットの大きさが不均一であり、
前記複数の量子ドットは、Ｓ−Ｋモードにより自己形成された３次元成長島より成る
ことを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の光半導体装置において、
電流注入領域の面積をＡとし、前記電流注入領域内に形成された前記複数の量子ドットの面積の総和をＢとすると、前記複数の量子ドットの面積比率Ｂ／Ａが０．４以下である
ことを特徴とする光半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の光半導体装置において、
前記量子ドットは、ＳＣＨ層上に形成されており、
前記量子ドットの材料の格子定数が、前記ＳＣＨ層の材料の格子定数より大きい
ことを特徴とする光半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の光半導体装置において、
前記量子ドットは、ＩｎＡｓより成り、
前記ＳＣＨ層は、ＧａＡｓより成る
ことを特徴とする光半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光半導体装置において、
前記量子ドットは、半導体増幅器の活性層である
ことを特徴とする光半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の光半導体装置において、
前記量子ドットは、半導体レーザの活性層である
ことを特徴とする光半導体装置。
【請求項７】
半導体基板上に、不均一な大きさの複数の量子ドットを形成する工程を有し、
前記量子ドットを形成する工程では、Ｓ−Ｋモードにより３次元成長島より成る前記複数の量子ドットを自己形成する
ことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の光半導体装置の製造方法において、
前記量子ドットを形成する工程では、電流注入領域の面積をＡとし、前記電流注入領域内に形成された前記複数の量子ドットの面積の総和をＢとすると、前記複数の量子ドットの面積比率Ｂ／Ａが０．４以下になるように、前記複数の量子ドットを形成する
ことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は８記載の光半導体装置の製造方法において、
前記量子ドットを形成する工程の前に、前記半導体基板上に、前記量子ドットより格子定数の小さい材料より成るＳＣＨ層を形成する工程を更に有する
ことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、複数の量子ドットを有する光半導体装置であって、前記複数の量子ドットの大きさが不均一であり、前記複数の量子ドットは、Ｓ−Ｋモードにより自己形成された３次元成長島より成ることを特徴とする光半導体装置により達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、上記目的は、半導体基板上に、不均一な大きさの複数の量子ドットを形成する工程を有し、前記量子ドットを形成する工程では、Ｓ−Ｋモードにより３次元成長島より成る前記複数の量子ドットを自己形成することを特徴とする光半導体装置の製造方法により達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月3日(2004.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオードチップと、
該発光ダイオードチップを収容する凹部を含む基体と、
前記凹部内に置かれる透光性樹脂部材と、
前記発光ダイオードチップからの光を集光するよう前記基体の上側に置かれ、少なくとも中心近傍で前記発光ダイオードチップに向けて突出する内面を備えるレンズ部材とを備え、
前記レンズ部材が前記基体の上側に置かれるときに、前記レンズ部材と前記凹部の内面の間に画定される空間を通るようにして、前記透光性樹脂の一部が外部空間に向けて移動するよう構成されることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記内面は、曲面とされることを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記レンズ部材は、外縁に沿った位置に、前記基体に係合するための肩部を備えることを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記レンズ部材の頂端から底端までの距離よりも、前記レンズ部材の前記底端から前記発光ダイオードチップまでの距離が短くされることを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記空間は、溝形状を成すことを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記レンズ部材は、前記内面の外側縁に沿う位置に、前記カップ部の内面の一部と係合する係合面を有することを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記レンズ部材は、前記内面を構成する前記曲面よりも曲率の小さな曲面を構成する外面を有することを特徴とする、請求項２に記載の発光装置。
【請求項８】
発光ダイオードチップと、該発光ダイオードチップを被覆する透光性樹脂材料と、該樹脂材料の上方に載置されるレンズ部材とを有する発光装置であって、前記レンズ部材は前記発光素子方向へ突出する内凸面を有することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
前記内凸面は、一点で前記発光ダイオードチップに接近することを特徴とする、請求項８に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記内凸面は、曲面を有することを特徴とする、請求項８に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記レンズ部材は、外端縁に沿う位置で前記内凸面の外側に下向きの肩を有することを特徴とする、請求項８に記載の発光装置。
【請求項１２】
凹部内に発光ダイオードチップを収納する基体と、少なくとも前記凹部を被覆する透光性樹脂部材と、該樹脂部材の上方に載置されるレンズ部材とを有する発光装置であって、前記凹部の内面は、周方向に沿って前記レンズ部材と近接する部分と、外側表面位置まで達する空間を構成するよう前記レンズ部材と離間する部分とを含み、前記空間に入り込む樹脂部材は、前記発光ダイオード近傍の樹脂部材とは、変形移動により連続的とされることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
前記レンズ部材は、外端縁に沿う位置で前記内凸面の外側に下向きの肩を有することを特徴とする、請求項１２に記載の発光装置。
【請求項１４】
凹部内に発光ダイオードチップを収納する基体と、少なくとも前記凹部を被覆する透光性樹脂部材と、該樹脂部材の上方に載置されるレンズ部材とを有する発光装置の形成方法であって、前記凹部内に前記発光素子を配置し、該発光素子を覆うように前記樹脂部材を注入する第１の工程と、前記樹脂部材上に前記レンズ部材を下方に押しつけ、前記樹脂部材の一部を変形させ、前記レンズ部材と前記基体との間に形成される空間を介して外側へ移動させる第２の工程を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１５】
発光ダイオードチップと、該発光ダイオードチップが配置されるカップ部を含む基体と、前記カップ部内に注入される樹脂材料と、前記カップ部に重ねて置かれ、前記発光ダイオードチップから発光された光を集光するためのレンズ部材とを有し、蛍光材料を一部に配置して発光ダイオードチップからの発光の少なくとも一部を前記蛍光材料によって波長変換する発光ダイオードにおいて、
前記レンズ部材は、前記発光ダイオードチップへ向けて前記カップ部内へと張り出し、少なくとも前記発光ダイオードチップ近傍で前記樹脂材料と隙間無く密着される内凸面を有し、前記蛍光材料は前記内凸面上に被着されて置かれることを特徴とする発光ダイオード。
【請求項１６】
前記カップ部内には樹脂材料が配置され、該樹脂材料は、前記内凸面又は該内凸面上に被着される蛍光材料と前記カップ部とにより画定される空間内に隙間無く充填されることを特徴とする、請求項１５に記載の発光ダイオード。
【請求項１７】
前記レンズ部材は、前記内凸面の外端縁に沿う位置に、前記カップ部の内面の一部と係合する係合面を有することを特徴とする、請求項１５に記載の発光ダイオード。
【請求項１８】
前記レンズ部材は、外縁に沿って前記基体に係合するための肩部を備えることを特徴とする、請求項１５に記載の発光ダイオード。
【請求項１９】
前記レンズ部材は、前記レンズ部材が前記基体に係合する際に前記樹脂材料の一部が通過できるよう前記内凸面の位置から外縁まで延びる溝を有することを特徴とする、請求項１５に記載の発光ダイオード。
【請求項２０】
基体に設けられるカップ部内に発光ダイオードチップを実装して配置する工程と、内凸面を備え、前記基体に係合されるレンズ部材を形成する工程と、前記内凸面上に沿って蛍光材料を被着させる工程と、前記カップ部内に樹脂材料を充填する工程と、前記レンズ部材を前記基体に装着して、前記蛍光材料が被着された前記内凸面によって前記樹脂材料を押圧して前記樹脂材料の一部を変形移動させる工程とを有することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項２１】
前記レンズ部材は、前記内凸面の外端縁に沿う位置に前記カップ部の内面の一部と係合する係合面を備え、前記レンズ部材を装着するときに、前記係合面と前記カップ部との係合によって前記レンズ部材を位置決めすることを特徴とする、請求項２０に記載の発光ダイオードの製造方法。
【請求項２２】
前記レンズ部材は、前記内凸面の位置から外縁まで延びる溝を有し、前記レンズ部材を前記基体に装着する際に、前記樹脂材料の一部が該溝に入り込むようにすることを特徴とする、請求項２０の発光ダイオードの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月10日(2004.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項１及び２のいずれか一項に記載の中継装置において、
前記通信切断手段では、通信先側に対して、リリースコンプリート・メッセージを出力する、
ことを特徴とする中継装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月26日(2005.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  多段直列化マルチプレクサの出力に結合された入力と、所定の周波数における前記多段マルチプレクサの前記出力の電力レベルを示す帰還信号を発生する出力と、を有する帰還回路と、
前記帰還回路の前記出力に結合された入力と、前記多段マルチプレクサのデータ入力に結合された第１の出力のセットと、を有し、前記多段マルチプレクサの前記データ入力にテストパターンを選択的に印加し、前記帰還信号の値に基づいて種々の状態に前記多段マルチプレクサを置く制御器と、
を備えている、多段マルチプレクサを同期化する装置。
【請求項２】  前記多段マルチプレクサが、その第１の段に複数のマルチプレクサ回路を有し、前記制御器が、前記帰還信号の前記値に基づいて、実質的にランダムな状態に前記マルチプレクサ回路を個別的に置く、請求項１に記載の装置。
【請求項３】  前記制御器の第１の出力の前記セットと前記多段マルチプレクサの前記データ入力との間に接続され、前記制御器の第１の出力の前記セットを前記多段マルチプレクサの前記データ入力に選択的に接続するように前記制御器によって制御されるスイッチング回路をさらに備えている、請求項１または２に記載の装置。
【請求項４】  前記多段マルチプレクサが、第１の段に複数の第１のマルチプレクサ回路を、及び第２の段に第２のマルチプレクサ回路を有し、かつ同一の値を有する前記テストパターンの連続するビットが、前記制御器によって第１のマルチプレクサ回路のデータ入力に選択的に印加される、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】  前記多段マルチプレクサが、第１の段に複数の第１のマルチプレクサ回路を、及び第２の段に第２のマルチプレクサ回路を有し、
前記制御器が、
前記多段マルチプレクサを通して第１のテストパターンを送信し、
少なくとも１つの第１のマルチプレクサ回路を異なった状態に選択的に置き、かつ前記帰還信号が所定のレベルに達するまで、前記多段マルチプレクサを通して前記第１のテストパターンの送信を繰返す、
ようになっている、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】  前記制御器がさらに、
前記多段マルチプレクサを通して第２のテストパターンを送信し、
前記帰還信号が前記所定のレベルに達するまで、少なくとも１つの第１のマルチプレクサ回路以外の第１のマルチプレクサ回路を異なった状態に選択的に置く、
ようになっている、請求項５に記載の装置。
【請求項７】  前記帰還回路が、
前記制御器によって前記多段マルチプレクサに供給される前記テストパターンのデータ速度の周波数に中心を有するフィルタ、
を備えている、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】  前記所定の周波数が、前記テストパターンのデータ速度に対応する周波数である、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】  多段マルチプレクサを通して第１のテストパターンを送信するステップと、
１つ又は複数のマルチプレクサ回路を異なった状態に選択的に置き、前記多段マルチプレクサによって発生される出力信号の電力レベルが所定のレベルに達するまで、前記送信するステップを繰返すステップと、
を含む、複数のマルチプレクサ回路を第１の段に有する多段マルチプレクサを同期化する方法。
【請求項１０】  前記送信するステップが、前記１つ又は複数の第１のマルチプレクサ回路以外の少なくとも１つのマルチプレクサ回路に、同一の前記第１のテストパターンの連続するビットを送信するステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】  前記多段マルチプレクサを通して第２のテストパターンを送信するステップと、
少なくとも１つの第２のマルチプレクサ回路を異なった状態に選択的に置き、前記多段マルチプレクサによって発生される前記出力信号の電力レベルが前記所定のレベルに達するまで、前記第２のテストパターンを送信する前記ステップを繰返すステップと、
をさらに含む、請求項９または１０に記載の方法。
【請求項１２】  前記置くステップが、
前記１つ又は複数の第１のマルチプレクサ回路を実質的にランダムな状態に置くステップを含む、請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】  前記多段マルチプレクサによって発生される前記出力信号の前記電力レベルが、低下して、前記第１のテストパターンの前記入力データ速度に対応する周波数において前記所定のレベルに達するまで、前記送信する及び前記置くステップが繰返される、請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】  前記多段マルチプレクサを通してテストパターンを送信するステップと、
前記多段マルチプレクサの出力に現われる電力レベルが、前記送信するステップの間に所定のレベルに達し得なかった場合、前記テストパターンを異なったテストパターンに変更して前記送信するステップを繰返すステップと、
を含む、複数のマルチプレクサ回路を第１の段に有する多段マルチプレクサを同期化する方法。
【請求項１５】  少なくとも１つのマルチプレクサを通して送信される前記テストパターンのビットが、同一である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】  前記変更するステップが、マルチプレクサ回路に印加される前記テストパターンのビットをシフトするステップを含む、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１７】  前記変更するステップが、少なくとも１つの前記マルチプレクサ回路に印加される前記テストパターンのビットを遅延するステップを含む、請求項１４または１５に記載の方法。
【請求項１８】  前記多段マルチプレクサを通して第２のテストパターンを送信するステップと、
前記多段マルチプレクサの出力に現われる電力レベルが、前記第２のテストパターンを送信する前記ステップの間に所定のレベルに達し得なかった場合、前記テストパターンを異なったテストパターンに変更して前記第２のテストパターンを送信する前記ステップを繰返すステップと、
をさらに含む、請求項１４乃至１７のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月15日(2005.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の同期シンボルを含む同期ブロック（３１−３５）を有しかつデータシンボルを含むデータブロックを有するバースト信号（３）を受信するための受信機であって、前記バースト信号（３）が同一でない距離の位置に少なくとも３つの同期ブロック（３１−３５）を有し、前記受信機が前記同一でない距離の同期ブロックを位置決めするためのロケータ（６３）を有していることを特徴とする受信機。
【請求項２】
同期ブロックのフェーズを決定するため前記ロケータ（６３）に接続された決定器（６５）を有することを特徴とする、請求項１に記載の受信機。
【請求項３】
隣接する並びに隣接しない、同じ距離でない同期ブロックに応じて検出器もしくは復調器（６６）を同期させるため、前記ロケータ（６３）にかつ前記決定器（６５）に結合されたシンクロナイザ（６４）を有することを特徴とする、請求項２に記載の受信機。
【請求項４】
位置および／またはフェーズに応じて周波数を計算するためのプロセッサシステム（６０）を有することを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の受信機。
【請求項５】
前記プロセッサシステム（６０）が、計算された周波数、位置、および／又はフェーズに応じてメイン周波数を推定するための推定器を有することを特徴とする、請求項４に記載の受信機。
【請求項６】
所定の同期シンボルを含む同期ブロック（３１−３５）を有しかつデータシンボルを含むデータブロックを有するバースト信号（３）を送信するための送信機であって、前記バースト信号（３）が、同一の距離でない位置に少なくとも３つの同期ブロック（３１−３５）を有し、前記送信機が前記同一の距離でない同期ブロックを生成するためのジェネレータ（５２）を有することを特徴とする送信機。
【請求項７】
前記バースト信号（３）の中央から左に位置し、前記中央への距離と掛け合わされた同期シンボルから生じる第１の積の第１の合計が、前記中央から右に位置し、前記中央への距離と掛け合わされた同期シンボルから生じる第２の積の第２の合計と、大概等しい、ことを特徴とする請求項６に記載の送信機。
【請求項８】
所定の同期シンボルを含む同期ブロック（３１−３５）を有しかつデータシンボルを含むデータブロックを有するバースト信号（３）を受信および／または送信するための方法であって、前記バースト信号（３）が同一でない距離の位置に少なくとも３つの同期ブロック（３１−３５）を有し、前記方法が、前記同一の距離でない同期ブロック（３１−３５）を位置決めするステップを有することを特徴とする方法。
【請求項９】
所定の同期シンボルを含む同期ブロック（３１−３５）を有しかつデータシンボルを含むデータブロックを有するバースト信号（３）であって、同一でない距離の位置に少なくとも３つの同期ブロック（３１−３５）を有することを特徴とするバースト信号（３）。
【請求項１０】
前記バースト信号（３）の中央から左に位置し、前記中央への距離と掛け合わされた同期シンボルから生じる第１の積の第１の合計が、前記中央から右に位置し、前記中央への距離と掛け合わされた同期シンボルから生じる第２の積の第２の合計と、大概等しい、ことを特徴とする請求項９に記載のバースト信号（３）。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月25日(2005.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体内部に搭載された半導体素子と、この半導体素子と熱的に接続された受熱部材と、この受熱部材からの熱を放熱する放熱部材と、この放熱部材と前記受熱部材との間で液媒体を駆動させる液駆動手段とを備え、この液駆動手段と前記受熱部材と前記放熱部材とが配管で接続された冷却装置を備えた電子機器装置において、
前記筐体内で前記冷却装置の下方に位置し、前記冷却装置からの漏洩液媒体を受けるための液保持部材を設け、前記液保持部材は発熱体で加熱されることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
請求項1記載の電子装置において、
前記発熱体は、前記筐体内に搭載された電子部品であることを特徴とする電子装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、筐体内部に搭載された半導体素子と、この半導体素子と熱的に接続された受熱部材と、この受熱部材からの熱を放熱する放熱部材と、この放熱部材と前記受熱部材との間で液媒体を駆動させる液駆動手段とを備え、この液駆動手段と前記受熱部材と前記放熱部材とが配管で接続された冷却装置を備えた電子機器装置において、前記筐体内で前記冷却装置の下方に位置し、前記冷却装置からの漏洩液媒体を受けるための液保持部材を設け、前記液保持部材は発熱体で加熱されることにより達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、上記目的は、前記発熱体は、前記筐体内に搭載された電子部品であることにより達成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】