【手続補正書】
【提出日】平成17年4月22日(2005.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた導電体層と、前記導電体層を、前記半導体基板に対して電気的に絶縁する第１の絶縁層と、前記半導体基板上に設けられてＮ相（ただしＮは２以上の正の整数）の信号が供給されるＮ本の配線と、前記配線を、前記導電体層と前記半導体基板とに対して電気的に絶縁する第２の絶縁層と、が備えられ、前記導電体層の一方面側にＮ1本（ただし、Ｎ1はＮ以下の０または正の整数）の前記配線が設けられ、前記導電体層の他方面側にＮ2本（ただし、Ｎ2は、Ｎ1＋Ｎ2＝Ｎとなる０または正の整数）の前記配線が設けられている、ことを特徴とする高周波半導体装置。
【請求項２】
前記配線は前記導電体層に対向して配置されていることを特徴とする請求項１記載の高周波半導体装置。
【請求項３】
前記導電体層と接地との間に前記導電体層と前記接地との間に流れる高周波成分を分離する高周波信号分離部が設けられていることを特徴とする請求項１記載の高周波半導体装置。
【請求項４】
前記配線は、前記半導体基板上で前記導電体層に対向して設けられた渦巻き型配線であり、前記渦巻き型配線に対向する前記導電体層の部位には切り欠きが設けられており、この切り欠きは、前記渦巻き型配線に対向する部位を中心にして放射線状に設けられていることを特徴とする請求項３記載の高周波半導体装置。
【請求項５】
前記配線層は、前記導電体層に対向して設けられた第１の配線と、前記第１の配線上に設けられた誘電体層と、前記誘電体層上で前記第１の配線に対向して設けられた第２の配線とで構成されることを特徴と請求項３記載の高周波半導体装置。
【請求項６】
前記高周波信号分離部は絶縁体であることを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載の高周波半導体装置。
【請求項７】
前記高周波信号分離部は抵抗体であることを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載の高周波半導体装置。
【請求項８】
前記高周波信号分離部はインダクタであることを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載の高周波半導体装置。
【請求項９】
前記高周波信号分離部は、インダクタとキャパシタとが並列に接続された構成であり、この高周波信号分離部の共振周波数は前記配線に供給される信号の周波数帯であることを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載の高周波半導体装置。
【請求項１０】
前記高周波信号分離部は、前記配線に供給される信号の波長の４分の１の奇数倍の線路長を有する分布定数線路であることを特徴とする請求項３〜５のいずれかに記載の高周波半導体装置。
【請求項１１】
前記配線どうしの間にインダクタが接続されていることを特徴とする請求項１記載の高周波半導体装置。
【請求項１２】
請求項３〜１０のいずれかに記載の高周波半導体装置を複数備え、各高周波半導体装置の前記導電体層どうしが、前記導電体層と前記接地との間に流れる高周波成分を分離する前記高周波信号分離部を介して接続されていることを特徴とする高周波半導体回路。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれかに記載の高周波半導体装置の少なくとも２つと、スイッチ回路部とを備え、前記少なくとも２つの高周波半導体装置は、前記スイッチ回路部を介して接続されており、前記スイッチ回路部は、制御電圧に基づいて前記少なくとも２つの高周波半導体装置間を電気的に隔離する制御を行う回路部であることを特徴とする高周波半導体回路。
【請求項１４】
請求項１〜１１のいずれかに記載の高周波半導体装置の少なくとも２つと、増幅回路部とを備え、前記少なくとも２つの高周波半導体装置は前記増幅回路部を介して接続されており、前記増幅回路部は、前記少なくとも２つの高周波半導体装置の内の入力ノードに接続された高周波半導体装置から入力される信号を増幅して、前記少なくとも２つの高周波半導体装置の内の出力ノードに接続された高周波半導体装置に出力する回路部であることを特徴とする高周波半導体回路。
【請求項１５】
請求項１〜１１のいずれかに記載の高周波半導体装置の少なくとも３つと、周波数変換回路部とを備え、前記高周波半導体装置は前記周波数変換回路部に接続されており、前記周波数変換回路部は、前記高周波半導体装置のうち、少なくとも２つの高周波半導体装置から入力される入力信号を周波数変換して、残りの高周波半導体装置に出力する回路部であることを特徴とする高周波半導体回路。
【請求項１６】
請求項１〜１１のいずれかに記載の高周波半導体装置と、前記高周波半導体装置に接続された発振回路部とを備えることを特徴とする高周波半導体回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この高周波半導体装置は、好ましくは、前記導電体層と接地との間に、前記導電体層と接地との間に流れる高周波成分を分離する信号分離部が設けられている。
この高周波半導体装置は、好ましくは、前記配線は、前記半導体基板上で前記導電体層に対向して設けられた渦巻き型配線であり、前記渦巻き型配線に対向する前記導電体層の部位には切り欠きが設けられており、この切り欠きは、前記渦巻き型配線に対向する部位を中心にして放射線状に設けられている。
この高周波半導体装置は、前記配線層は、前記導電体層に対向して設けられた第１の配線と、前記第１の配線上に設けられた誘電体層と、前記誘電体層上で前記第１の配線に対向して設けられた第２の配線で構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
この高周波半導体回路は、次のように構成するのが好ましい。すなわち、この高周波半導体回路の少なくとも２つと、スイッチ回路部とが備えられている。前記少なくとも２つの高周波半導体装置は、前記スイッチ回路部を介して接続されている。前記スイッチ回路部は、制御電圧に基づいて前記少なくとも２つの高周波半導体装置間を電気的に隔離する制御を行う回路部である。この場合、信号損失の小さい高周波差動スイッチ回路が実現できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
この高周波半導体回路は、次のように構成するのが好ましい。すなわち、この高周波半導体装置の少なくとも２つと、増幅回路部とが備えられている。前記少なくとも２つの高周波半導体装置は前記増幅回路部を介して接続されている。前記増幅回路部は、前記少なくとも２つの高周波半導体装置の内の入力ノードに接続された高周波半導体装置から入力される信号を増幅して、前記少なくとも２つの高周波半導体装置の内の出入力ノードに接続された高周波半導体装置に出力する回路部である。この場合、低雑音で出力電力損失が小さく安定した差動増幅回路が実現できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】