Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月4日(2004.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モジュールを組み込むための一端開放の中空部を有し、該中空部を形成する内側面に接触端子を設けたモジュール用コネクタであって、該モジュール用コネクタの前記中空部内側面に前記接触端子と離間させてアース用のグランド端子を設けたことを特徴とするモジュール用コネクタ。
【請求項２】
上記中空部は４内側面で被包されて形成され、上記グランド端子は該４内側面に夫々設けられていることを特徴とする請求項１記載のモジュール用コネクタ。
【請求項３】
上記グランド端子及び上記接触端子は夫々上記モジュールの接触パッドと接触する接触用突部を有し、該グランド端子の接触用突部は該接触端子の接触用突部よりも上記中空部の上記モジュールの挿入側に配置され、該モジュールが挿入された時、該グランド端子の接触用突部が該接触端子の接触用突部よりも先に該モジュールの接触パッドに接触するように構成したことを特徴とする請求項１又は２記載のモジュール用コネクタ。
【請求項４】
上記モジュールに係合部を設け、上記グランド端子の上記接触用突部を該係合部に係合させることにより、該モジュールの抜け止めを行うように構成したことを特徴とする請求項１，２又は３記載のモジュール用コネクタ。
【請求項５】
上記モジュールは、カメラモジュールであることを特徴とする請求項１，２，３又は４記載のモジュール用コネクタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、モジュールを組み込むための一端開放の中空部を有し、該中空部を形成する内側面に接触端子を設けたモジュール用コネクタであって、該モジュール用コネクタの前記中空部内側面に前記接触端子と離間させてアース用のグランド端子を設けたモジュール用コネクタ、
及び、上記中空部は４内側面で被包されて形成され、上記グランド端子は該４内側面に夫々設けられているモジュール用コネクタ、
及び、上記グランド端子及び上記接触端子は夫々上記モジュールの接触パッドと接触する接触用突部を有し、該グランド端子の接触用突部は該接触端子の接触用突部よりも上記中空部の上記モジュールの挿入側に配置され、該モジュールが挿入された時、該グランド端子の接触用突部が該接触端子の接触用突部よりも先に該モジュールの接触パッドに接触するように構成したモジュール用コネクタ、  
並びに、上記モジュールに係合部を設け、上記グランド端子の上記接触用突部を該係合部に係合させることにより、該モジュールの抜け止めを行うように構成したモジュール用コネクタ、
及び、上記モジュールは、カメラモジュールであるモジュール用コネクタを提供するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
而して、前記カメラモジュール２１を前記コネクタ２５の上方から該コネクタ２５の中空部２５ａ内に挿入すると、該カメラモジュール２１の接触パッド２４，２４…が、先ず、該中空部２５ａの内側面の何れかの前記グランド端子２７の前記接触用突部２７ａに接触して静電気が除去された後、図３に示す如く、該接触パッド２４，２４…が前記コンタクトピン２６，２６…に形成された接触用突部２６ｂ，２６ｂ…に圧接状態で接触すると共に、前記凹溝２２ａ，２２ａ，２２ａ，２２ａに前記グランド端子２７，２７，２７，２７の前記接触用突部２７ａ，２７ａ，２７ａ，２７ａが係合して前記カメラモジュール２１の抜け止めがなされ、前記カメラモジュール２１が前記コネクタ２５へ組み込まれる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
更に又、請求項４記載の発明は、上記モジュールに係合部を設け、上記グランド端子の上記接触用突部を該係合部に係合させることにより、該モジュールの抜け止めを行うように構成したので、請求項１，２又は３記載の発明の効果に加え、簡素な構成でモジュールの抜け止めが行える。
又、請求項５記載の発明は、上記モジュールは、カメラモジュールであるから請求項１，２，３又は４記載の発明の効果に加え、特に、静電気が除去を図ったカメラモジュールとして効果的に用いられる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月6日(2005.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
この構造では図１２（ａ）および（ｂ）に示すように、集電板７０は、ニッケル製の平板の折り曲げにより形成されており、円形状の平面部７３と集電板７０の中心位置からずれた位置に、集電板７０の中心軸を軸とする回転対象位置に袋状断面を有する二文字状に形成された突起部７１とで構成されている。７２は円板の中心孔であり、缶底の負極側の集電板と缶底とを溶接するための溶接棒を挿通するための孔である。
かかる構成によれば、一枚の平板を折り曲げ加工して形成されているため、部品点数が１つですむ上、集電板の平面部に集電された電流が突起部に流れ込むまでの平均距離が短いため、二次電池の内部抵抗を低減することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本発明をニッケル−カドミウム蓄電池に適用した場合について図面を参照しつつ詳細に説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本実施形態による、打ち抜き加工により一体形成された集電体を装着したニッケル−カドミウム蓄電池の要部を示す斜視図、図２（ａ）および（ｂ）は、この集電体１の平面図および断面図である。この集電体は、ニッケルめっきのなされた厚み０．３ｍｍの鉄板からなり、平坦部２と、打ち抜き加工により高さ２．０ｍｍ程度に突出せしめられた突起部３とで構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
このようにして得られた比較例の電池と、前記第１の実施の形態の電池の各種放電電流に
おける放電時の作動電圧を測定した結果を図１３に示す。第１の実施の形態の電池の作動電圧を実線、比較例の電池の作動電圧を破線で示す。ここで測定は周囲温度２５℃において２．４Ａで７２分間充電した後、６０分間休止し、２，１０，２０，４０Ａの定電流で放電して電池電圧が０．８Ｖに達した時点で放電を停止するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月25日(2005.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に第１のゲート絶縁膜を形成し、
前記第１のゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜のチャネル形成領域に不純物を添加し、
前記第１の半導体膜上に第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に第３の半導体膜を形成し、
前記第３の半導体膜のチャネル形成領域に不純物を添加し、
前記第１乃至第３の半導体膜にソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記チャネル形成領域上に第２のゲート絶縁膜を形成し、
前記第２のゲート絶縁膜上に第２の導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上にｎチャネル型薄膜トランジスタとｐチャネル型薄膜トランジスタを有する薄膜トランジスタの作製方法において、
絶縁表面上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に第１のゲート絶縁膜を形成し、
前記第１のゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記ｎチャネル薄膜トランジスタを形成する領域において、前記第１の半導体膜のチャネル形成領域にｐ型の不純物を添加し、
前記ｐチャネル薄膜トランジスタを形成する領域において、前記第１の半導体膜のチャネル形成領域にｎ型の不純物を添加し、
前記第１の半導体膜上に第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に第３の半導体膜を形成し、
前記ｎチャネル薄膜トランジスタを形成する領域において、前記第３の半導体膜のチャネル形成領域にｐ型の不純物を添加し、
前記ｐチャネル薄膜トランジスタを形成する領域において、前記第３の半導体膜のチャネル形成領域にｎ型の不純物を添加し、
前記第１乃至第３の半導体膜にソース領域及びドレイン領域を形成し、
前記チャネル形成領域上に第２のゲート絶縁膜を形成し、
前記第２のゲート絶縁膜上に第２の導電膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
加熱又はレーザ照射により前記第１の半導体膜を結晶化し、
レーザ照射により前記第２の半導体膜を結晶化し、
加熱又はレーザ照射により前記第３の半導体膜を結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、
前記第１の半導体膜のチャネル形成領域に不純物を添加する方法は、イオンインプランテーション法、イオンドーピング法、プラズマドーピング法及び熱拡散法のいずれかであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、
前記第３の半導体膜のチャネル形成領域に不純物を添加する方法は、イオンインプランテーション法、イオンドーピング法及びプラズマドーピング法のいずれかであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記第２の導電膜をエッチングして端部にテーパーを有する電極を形成し、
前記電極をマスクとしてドーピング処理を行い、前記第１の半導体膜および前記第３の半導体膜の前記チャネル形成領域に添加された不純物の導電型とは異なる導電型を付与する不純物元素を、前記第１の半導体膜、前記第２の半導体膜および前記第３の半導体膜に添加して前記ソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に第１のゲート絶縁膜を形成し、
前記第１のゲート絶縁膜上にｐ型を付与する不純物元素が添加された第１の結晶性シリコン膜を成膜し、
前記不純物元素が添加された結晶性シリコン膜上に不純物が添加されない第２の結晶性シリコン膜を成膜し、
前記不純物元素が添加されない結晶性シリコン膜上にｐ型を付与する不純物元素が添加された第３の結晶性シリコン膜を成膜し、
前記第３の結晶性シリコン膜上に第２のゲート絶縁膜を形成し、
前記第２のゲート絶縁膜上に第２の導電膜を形成し、
前記第１乃至第３の結晶性シリコン膜にｎ型を付与する不純物元素を注入し、ソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面上に第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜上に第１のゲート絶縁膜を形成し、
前記第１のゲート絶縁膜上にｎ型を付与する不純物元素が添加された第１の結晶性シリコン膜を成膜し、
前記不純物元素が添加された結晶性シリコン膜上に不純物が添加されない第２の結晶性シリコン膜を成膜し、
前記不純物元素が添加されない結晶性シリコン膜上にｎ型を付与する不純物元素が添加された第３の結晶性シリコン膜を成膜し、
前記第３の結晶性シリコン膜上に第２のゲート絶縁膜を形成し、
前記第２のゲート絶縁膜上に第２の導電膜を形成し、
前記第１乃至第３の結晶性シリコン膜にｐ型を付与する不純物元素を注入し、ソース領域及びドレイン領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月26日(2005.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の半導体チップが実装された半導体装置であって、
前記基板の一方の面に設けられた導電パターンと、
前記基板の他方の面に実装された第１の半導体チップと、
前記基板に設けられた開口部を通り、一端が前記第１の半導体チップの前記基板と対向する面に接続され、他端が前記導電パターンと接続された第１のボンディングワイヤと、
前記導電パターンからなり、複数の前記第１のボンディングワイヤがそれぞれ接続された複数のボンディング用パターンと、
前記複数のボンディング用パターンの少なくとも２つを接続する第２のボンディングワイヤを備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２のボンディングワイヤは、前記開口部を介して対向する少なくとも２つの前記ボンディング用パターンを接続していることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記基板上に実装された第２の半導体チップを更に有することを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２の半導体チップは、前記導電パターンの一部と電気的に接続していることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この発明の半導体装置は、基板上に第１の半導体チップが実装された半導体装置であって、前記基板の一方の面に設けられた導電パターンと、前記基板の他方の面に実装された第１の半導体チップと、前記基板に設けられた開口部を通り、一端が前記第１の半導体チップの前記基板と対向する面に接続され、他端が前記導電パターンと接続された第１のボンディングワイヤと、前記導電パターンからなり、複数の前記第１のボンディングワイヤがそれぞれ接続された複数のボンディング用パターンと、前記複数のボンディング用パターンの少なくとも２つを接続する第２のボンディングワイヤを備えたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、前記第２のボンディングワイヤは、前記開口部を介して対向する少なくとも２つの前記ボンディング用パターンを接続しているものである。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、前記基板上に実装された第２の半導体チップを更に有するものである。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また、前記第２の半導体チップは、前記導電パターンの一部と電気的に接続しているものである。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月27日(2005.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に露出している第１の端子上にはんだを載せる工程と、該第１の端子及びはんだ上に、カメラモジュールを組み込むための一端開放の四内側面で被包されて形成された中空部を有し、該中空部を形成する前記四内側面に第２の端子を弾性を付与できるようにして突設したコネクタを実装する工程と、前記第２の端子と接続される第３の端子を有するカメラモジュールを該第２の端子と第３の端子とを弾性的に接続させることにより、該カメラモジュールをコネクタを用いて回路基板に実装する工程とから成ることを特徴とするカメラモジュールの基板への実装方法。
【請求項２】
上記基板は印刷回路基板であることを特徴とする請求項１記載のカメラモジュールの基板への実装方法。
【請求項３】
上記基板はフレキシブル印刷回路基板であることを特徴とする請求項１又は２記載のカメラモジュールの基板への実装方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するために提案されたものであり、基板上に露出している第１の端子上にはんだを載せる工程と、該第１の端子及びはんだ上に、カメラモジュールを組み込むための一端開放の四内側面で被包されて形成された中空部を有し、該中空部を形成する前記四内側面に第２の端子を弾性を付与できるようにして突設したコネクタを実装する工程と、前記第２の端子と接続される第３の端子を有するカメラモジュールを該第２の端子と第３の端子とを弾性的に接続させることにより、該カメラモジュールをコネクタを用いて回路基板に実装する工程とから成るカメラモジュールの基板への実装方法。
及び、上記基板は印刷回路基板であるカメラモジュールの基板への実装方法。  並びに、上記基板はフレキシブル印刷回路基板であるカメラモジュールの基板への実装方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態を図１乃至図３に従って詳述する。図１はカメラモジュール１１を印刷回路基板１２に実装する方法を示し、印刷回路基板１２上に印刷回路（図示せず）の第１の端子１３を露出させて設け、該端子１３上にコネクタ１４をはんだ付けにて固着し、該コネクタ１４に前記カメラモジュール１１を組み込んで該カメラモジュール１１を印刷回路基板１２に実装するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
図２は前述したカメラモジュール１１を印刷回路基板１２に実装する工程を工程順に詳細に示したものであり、工程１に於て、印刷回路基板１２上に露出されて設けられた第１の端子１３上にはんだ１５を載せ、該端子１３及びはんだ１５上にコネクタ１４を載置する。該コネクタ１４は図１乃至図４に明示されているように、前記端子１３とはんだ結合される第２の端子１３ａが設けられており、該第２の端子１３ａと前記回路基板１２に露出している端子１３とをリフローによる自動実装を行って工程２に示すように該コネクタ１４が前記印刷回路基板１２に実装される。そして、工程３で該コネクタ１４にカメラモジュール１１を組み込むと、工程４に示す如く、該カメラモジュール１１が前記印刷回路基板１２に実装される。即ち、該カメラモジュール１１は図１乃至図３に明示されているように、前記コネクタ１４の第２の端子１３ａと接続するための第３の端子１３ｂを有し、該第３の端子１３ｂを前記第２の端子１３ａに接続することにより該カメラモジュール１１が前記印刷回路基板１２に実装される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
而して、前述した前記カメラモジュール１１を印刷回路基板１２に実装する方法は、コネクタ１４を介してカメラモジュール１１を実装するので、該コネクタ１４を該印刷回路基板１２に実装する際にリフローによる自動実装が可能となり、従来の手はんだによる手実装に比較して、作業効率を大幅に高めることができると共に、実装精度の向上を図ることが可能となる。又、該コネクタ１４は図に明示されているように、前記カメラモジュール１１を組み込むための一端開放の四内側面で被包されて形成された中空部Ｅを有し、該中空部Ｅを形成する内側面に前記第２の端子１３ａが弾性的に突設されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【発明の効果】
本発明は上記一実施の形態に詳述したように、請求項１記載の発明は、基板上に、カメラモジュールを組み込むためのコネクタを実装し、該コネクタにカメラモジュールを組み込むようにしたので、該コネクタを該基板に実装する際、該基板上に露出している第１の端子上にはんだを載せているためリフローによる自動実装が可能となり、従来の手実装に比較して、作業効率を大幅に高めることができると共に、実装精度の向上を図ることが可能となる。更に、コネクタを用いてカメラモジュールを組み立てるため、該カメラモジュールが脱着自在となり、該カメラモジュールに不良が発見された場合等、該カメラモジュールの交換が容易に行える。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
更に、請求項２記載の発明は、上記基板は印刷回路基板であるので、基板に印刷回路基板を用いた場合に於て、請求項１記載の発明の効果と同様の効果が期待できる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
更に又、請求項３記載の発明は上記基板はフレキシブル印刷回路基板であるので、基板にフレキシブル印刷回路基板を用いた場合に於て、請求項１又は２記載の発明の効果と同様の効果が期待できる等、正に著大なる効果を奏する発明である。                    
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004063787.tif 000001
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2004063787.tif 000002
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004063787.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月22日(2004.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部を光が通過可能にされた棒状部材のうち、一端が光の出射部とされるとともに、前記一端以外の面が光の反射面とされており、前記反射面のうち前記棒状部材の長手方向の側面には、複数個の発光ダイオードが前記棒状部材の長手方向に沿って配置されていることを特徴とする光源装置。
【請求項２】
請求項１に記載の光源装置において、
前記発光ダイオードが略等間隔に配置されることを特徴とする光源装置。
【請求項３】
請求項２に記載の光源装置において、
前記発光ダイオードのうち前記出射部とは反対側の前記棒状部材の端面に最も近い発光ダイオードと該端面との距離が前記発光ダイオード同士の間隔の略半分になっていることを特徴とする光源装置。
【請求項４】
光源からの光を光変調素子に照射し、映像信号に応じて前記光変調素子で変調した光を投射レンズから投射するようにした投射型表示装置において、
前記光源は、
内部を光が通過可能にされた棒状部材のうち、一端が光の出射部とされるとともに、前記一端以外の面の内側が光の反射面とされており、前記反射面上に、複数個の発光ダイオードが前記棒状部材の長手方向に沿って配置されて成っていることを特徴とする投射型表示装置。
【請求項５】
請求項４に記載の投射型表示装置において、
前記発光ダイオードが略等間隔に配置されることを特徴とする投射型表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載の投射型表示装置において、
前記発光ダイオードのうち前記出射部とは反対側の前記棒状部材の端面に最も近い発光ダイオードと該端面との距離が前記発光ダイオード同士の間隔の略半分になっていることを特徴とする請求の範囲第１０項記載の投射型表示装置。
【請求項７】
光源からの光を光変調素子に照射し、映像信号に応じて前記光変調素子で変調した光を投射レンズから投射するようにした投射型表示装置において、
前記光源は、第１の光源と、前記第１の光源の発光スペクトルとは異なる発光スペクトルを有する第２の光源とから成り、
前記第１の光源からの光束のうち特定波長帯の光を、前記第２の光源からの光束によって置き換える置換光学系を備え、
前記第２の光源は、内部を光が通過可能にされた棒状部材のうち、一端が光の出射部とされるとともに、前記一端以外の面の内側が光の反射面とされており、前記反射面上に、複数個の発光ダイオードが前記棒状部材の長手方向に沿って配置されて成っていることを特徴とする投射型表示装置。
【請求項８】
請求項７に記載の投射型表示装置において、
前記発光ダイオードが略等間隔に配置されることを特徴とする投射型表示装置。
【請求項９】
請求項８に記載の投射型表示装置において、
前記発光ダイオードのうち前記出射部とは反対側の前記棒状部材の端面に最も近い発光ダイオードと該端面との距離が前記発光ダイオード同士の間隔の略半分になっていることを特徴とする投射型表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するために、本出願人は、内部を光が通過可能にされた棒状部材のうち、一端が光の出射部とされるとともに、この一端以外の面が光の反射面とされており、この反射面のうちこの棒状部材の長手方向の側面には、複数個の発光ダイオードがこの棒状部材の長手方向に沿って配置されている光源装置を提案する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この光源装置では、内部を光が通過可能にされた棒状部材のうち、一端が光の出射部とされ、残りの面が光の反射面とされている。そして、この反射面のうちこの棒状部材の長手方向の側面に、複数個のＬＥＤがこの棒状部材の長手方向に沿って配置されている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
なお、この光源装置において、一例として、ＬＥＤを略等間隔に配置したり、さらには、出射部とは反対側の棒状部材の端面に最も近いＬＥＤとその端面との距離をＬＥＤ同士の間隔の略半分にすることが好適である。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、出射部とは反対側の棒状部材の端面に最も近いＬＥＤとその端面との距離をＬＥＤ同士の間隔の略半分にすることにより、ＬＥＤからの光束がこの端面で反射した後別のＬＥＤに吸収されたことによる影も、さらに別のＬＥＤと重なるようになる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
なお、この投射型表示装置においても、一例として、やはり、ＬＥＤを略等間隔に配置したり、さらには、出射部とは反対側の棒状部材の端面に最も近いＬＥＤとその端面との距離をＬＥＤ同士の間隔の略半分にすることが好適である。それにより、光源内部での光の吸収によるロスを最小限に抑えて、投射型表示装置全体としての光の利用効率を高めることができるようになる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
次に、本出願人は、光源からの光を光変調素子に照射し、映像信号に応じてこの光変調素子で変調した光を投射レンズから投射するようにした投射型表示装置において、この光源は、第１の光源と、この第１の光源の発光スペクトルとは異なる発光スペクトルを有する第２の光源とから成り、この第１の光源からの光束のうち特定波長帯の光を、この第２の光源からの光束によって置き換える置換光学系を備え、この第２の光源は、内部を光が通過可能にされた棒状部材のうち、一端が光の出射部とされるとともに、この一端以外の面の内側が光の反射面とされており、この反射面上に、複数個のＬＥＤがこの棒状部材の長手方向に沿って配置されて成っている投射型表示装置を提案する。この投射型表示装置は、特定波長帯の光のみを、前述の本発明に係る光源装置としての構成を有する第２の光源によって得るようにしたものである。なお、この投射型表示装置においても、一例として、やはり、ＬＥＤを略等間隔に配置したり、さらには、出射部とは反対側の棒状部材の端面に最も近いＬＥＤとその端面との距離をＬＥＤ同士の間隔の略半分にすることが好適である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月18日(2004.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極活物質としてオキシ水酸化ニッケルを含む正極と、負極活物質として亜鉛を含む負極と、アルカリ電解液を有するアルカリ一次電池であって、正極活物質の充填理論放電電気容量と負極活物質の充填理論放電電気容量との比率が１：０．５〜１：０．９５であることを特徴とするアルカリ一次電池。
【請求項２】
正極活物質の充填理論放電電気容量と負極活物質の充填理論放電電気容量との比率が１：０．７〜１：０．９５である請求項１記載のアルカリ一次電池。
【請求項３】
正極活物質の充填理論放電電気容量と負極活物質の充填理論放電電気容量との比率が１：０．９〜１：０．９５である請求項２記載のアルカリ一次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月26日(2005.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属外環と、この金属外環内部に配置したガラスと、このガラスを貫通させて気密封着したリード部材とを具備する気密端子において、前記金属外環およびリード部材に純度９９．５重量％以上のＢｉめっき層を形成した気密端子。
【請求項２】
円筒形金属外環の内部にガラスを貫通して一対のリード部材を気密的に封着する端子形成工程と、前記金属外環およびリード部材に純度９９．５重量％以上のＢｉめっき層を設けるめっき工程と、前記リード部材のインナリードに回路素子を装着するマウント工程と、前記回路素子を気密的に囲繞するキャップ部材を前記金属外環に圧入する封止工程と、前記リード部材のアウタリードを基板の所定位置で実装するはんだ工程とを含み、前記Ｂｉめっき層により前記インナリードと回路素子のはんだ接合および前記金属外環とキャップ部材の冷間接合をした気密端子を用いる回路部品組立方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月26日(2004.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
なお、図６ないし図９には、第２フレーム層４Ｂの壁部が、基板１の上面に対して垂直であり、その結果、線状部分７１の第１の部分７１ａの側壁も基板１の上面に対して垂直になっている例を示している。しかし、本実施の形態は、図１０および図１１に示した各例も含む。図１０および図１１は、いずれも、フレーム６を用いて、めっきによってパターン化薄膜７を形成した直後の状態を示している。図１０および図１１に示した各例では、いずれも、第２フレーム層４Ｂの壁部および第１の部分７１ａの側壁が、基板１の上面に垂直な方向に対して傾いている。図１０に示した例では、第２フレーム層４Ｂにおいて、フレーム６の溝部を挟んで対向する２つ壁部の間隔は上側ほど小さくなっている。その結果、図１０に示した例では、第１の部分７１ａの幅は上側ほど小さくなっている。図１０に示した例では、第２の部分７１ｂの幅Ｗ２は、第１の部分７１ａと第２の部分７１ｂとの境界位置における第１の部分７１ａの幅Ｗ１よりも大きくなっている。図１１に示した例では、第２フレーム層４Ｂにおいて、フレーム６の溝部を挟んで対向する２つ壁部の間隔は上側ほど大きくなっている。その結果、図１１に示した例では、第１の部分７１ａの幅は上側ほど大きくなっている。図１１に示した例では、第２の部分７１ｂの幅Ｗ２は、第１の部分７１ａと第２の部分７１ｂとの境界位置における第１の部分７１ａの幅Ｗ１よりも大きくなっている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月17日(2005.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、上記半導体基板上に設けられた複数の半導体素子と、上記半導体基板及び上記半導体素子の上方に設けられた第１絶縁膜と、上記第１絶縁膜の上に設けられた第２の絶縁膜と、複数の配線層とを備える半導体装置であって、
上記配線層は、
上記第１絶縁膜に設けられた第１トレンチを埋める導電体からなる第１の配線と、
上記第１の配線の一部と異なる配線幅を有し、少なくとも上記第２絶縁膜に設けられた第２トレンチを埋めて、上記第２の配線と電気的に接続される導電体からなる第２の配線とを有している半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記第２の配線のうち少なくとも一部はボンディングパッド、電源ライン及び接地ラインのうちのいずれかであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、
上記第１の配線と上記第２の配線は共に上記配線層のうち最上の配線層内に設けられており、
上記第２の配線のうち少なくとも一部はボンディングパッドであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の半導体装置において、
上記第１の配線の少なくとも一部と上記第２の配線の少なくとも一部は互いに接触していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置において、
上記第１の配線は互いに分離された複数箇所に設けられており、
上記第１の配線のうち少なくとも２つの配線は、上記第２の配線を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項２または３に記載の半導体装置において、
上記半導体基板は下層配線をさらに有しており、
上記第１絶縁膜を貫通して設けられ、上記第１の配線と上記下層配線とを結ぶ第１プラグと、
上記第１絶縁膜を貫通して設けられ、上記第２の配線と上記下層配線とを結ぶ第２プラグと
をさらに備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項２または３に記載の半導体装置において、
上記半導体基板は不純物拡散層をさらに有しており、
上記第１絶縁膜を貫通して設けられ、上記第１の配線と上記不純物拡散層とを電気的に接続する第１プラグと、
上記第１絶縁膜を貫通して設けられ、上記第２の配線と上記不純物拡散層とを電気的に接続する第２プラグと
をさらに備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記第１の配線のうち少なくとも一部はボンディングパッド、電源ライン及び接地ラインのうちのいずれかであることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置において、
上記第１の配線と上記第２の配線は共に上記配線層のうち最上の配線層内に設けられており、
上記第１の配線のうち少なくとも一部はボンディングパッドであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置において、
上記第２絶縁膜の上には第３絶縁膜がさらに設けられており、
上記第１埋め込み配線のうち、ボンディングパッドとなる部分の上には、上記第３絶縁膜を貫通して設けられた導電体からなる接続部材がさらに設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項８または９に記載の半導体装置において、
上記半導体基板は不純物拡散層をさらに有しており、
上記第１絶縁膜を貫通して設けられ、上記第１の配線と上記不純物拡散層とを電気的に接続する第１プラグと、
上記第１絶縁膜を貫通して設けられ、上記第２の配線と上記不純物拡散層とを電気的に接続する第２プラグと
をさらに備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項８または９に記載の半導体装置において、
上記半導体素子はゲート電極を有しており、
上記第１絶縁膜を貫通して設けられ、上記第１の配線と上記ゲート電極とを電気的に接続する第１プラグと、
上記第１絶縁膜を貫通して設けられ、上記第２の配線と上記ゲート電極とを電気的に接続する第２プラグと
をさらに備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のうちいずれか１つに記載の半導体装置において、
上記第１の配線及び上記第２の配線は、タンタル、窒化タンタル、チタン、窒化チタン、タングステン、窒化タングステン、アルミニウム、銅、銀、金、白金のうち少なくとも１つを含む金属から構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
複数の配線層を有する半導体基板の上方に設けられた第１絶縁膜に第１トレンチを形成する工程（ａ）と、
上記第１トレンチを含む上記第１絶縁膜上に第１導電体を堆積する工程（ｂ）と、
化学的機械的研磨により上記第１導電体を研磨し、少なくとも上記第１トレンチを埋める第１の導電膜を形成する工程（ｃ）と、
上記第１絶縁膜及び上記第１の導電膜の上に第２絶縁膜を形成する工程（ｄ）と、
少なくとも上記第２絶縁膜に第２トレンチを形成する工程（ｅ）と、
上記第２トレンチを含む上記第２絶縁膜上に第２導電体を堆積する工程（ｆ）と、
上記第２導電体を加工することにより、少なくとも上記第２トレンチを埋め、且つ上記第１の導電膜と電気的に接続される第２の導電膜を、上記第１の導電膜と同じ配線層内に形成する工程（ｇ）と
を含む半導体装置の製造方法であって、
上記第１の導電膜のうち少なくとも一部はボンディングパッド、電源ライン及び接地ラインのうちのいずれかとして機能することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
複数の配線層を有する半導体基板の上方に設けられた第１絶縁膜に第１トレンチを形成する工程（ａ）と、
上記第１トレンチを含む上記第１絶縁膜上に第１導電体を堆積する工程（ｂ）と、
化学的機械的研磨により上記第１導電体を研磨し、少なくとも上記第１トレンチを埋める第１の導電膜を形成する工程（ｃ）と、
上記第１絶縁膜及び上記第１の導電膜の上に第２絶縁膜を形成する工程（ｄ）と、
少なくとも上記第２絶縁膜に第２トレンチを形成する工程（ｅ）と、
上記第２トレンチを含む上記第２絶縁膜上に第２導電体を堆積する工程（ｆ）と、
上記第２導電体を加工することにより、少なくとも上記第２トレンチを埋め、且つ上記第１の導電膜と電気的に接続された第２の導電膜を、上記第１の導電膜と同じ配線層内に形成する工程（ｇ）と
を含む半導体装置の製造方法であって、
上記第２の導電膜のうち少なくとも一部はボンディングパッド、電源ライン及び接地ラインのうちのいずれかとして機能することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の半導体装置の製造方法において、
上記第１の導電膜と上記第２の導電膜とは上記配線層のうち最上の配線層内に設けられ、上記第１の導電膜のうち少なくとも一部はボンディングパッドとして機能することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月17日(2005.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、上記半導体基板上に設けられた複数の半導体素子と、上記半導体基板及び上記半導体素子の上方に設けられた第１絶縁膜と、複数の配線層とを備える半導体装置であって、
上記配線層は、
上記第１絶縁膜に設けられた第１トレンチを埋める導電体からなる第１の配線と、
上記第１絶縁膜に設けられた第２トレンチを埋める導電体からなり、上記第１の配線とは別工程により設けられた第２の配線と
を有している半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
上記第１絶縁膜及び上記第１の配線の上に設けられた第２絶縁膜をさらに備え、
上記第２トレンチは上記第１絶縁膜から上記第２絶縁膜に亘って設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置において、
上記第１の配線と上記第２の配線とは互いに異なる材料から構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１〜３のうちいずれか１つに記載の半導体装置において、
上記第１の配線の膜厚と上記第２の配線の膜厚とは互いに異なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜４のうちいずれか１つに記載の半導体装置において、
上記第１絶縁膜を貫通して設けられ、上記第１トレンチ及び上記第２トレンチの少なくとも１つと上記半導体素子とを結ぶ第１のスルーホールと、
上記第１のスルーホールを埋めるプラグと
をさらに備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１〜４のうちいずれか１つに記載の半導体装置において、
上記半導体素子に接続された下層配線と、
上記第１絶縁膜を貫通して設けられ、上記第１トレンチまたは上記第２トレンチと上記下層配線とを結ぶ第２のスルーホールと、
上記第２のスルーホールを埋めるプラグと
をさらに備えていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１〜６のうちいずれか１つに記載の半導体装置において、
上記第１の配線と上記第２の配線とは少なくとも一部が直接接触していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１〜７のうちいずれか１つに記載の半導体装置において、
上記第１の配線及び上記第２の配線は、タンタル、窒化タンタル、チタン、窒化チタン、タングステン、窒化タングステン、アルミニウム、銅、銀、金、白金のうち少なくとも１つを含む金属から構成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
半導体基板の上方に第１絶縁膜を堆積する工程（ａ）と、
上記第１絶縁膜に第１トレンチを形成する工程（ｂ）と、
上記第１トレンチを含む上記第１絶縁膜上に第１導電体を堆積する工程（ｃ）と、
化学的機械的研磨により上記第１導電体を研磨し、少なくとも上記第１トレンチを埋め、且つ配線として機能する第１の導電膜を形成する工程（ｄ）と、
上記第１絶縁膜に第２トレンチを形成する工程（ｅ）と、
上記第２トレンチを含む上記第１絶縁膜上に第２導電体を堆積する工程（ｆ）と、
化学的機械的研磨により上記第２導電体を研磨し、少なくとも上記第２トレンチを埋め、且つ上記第１の導電膜と同じ配線層内の配線として機能する第２の導電膜を形成する工程（ｇ）と
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ｄ）の後、工程（ｅ）の前に、上記第１絶縁膜及び上記第１の導電膜上に第２絶縁膜を形成する工程をさらに含み、
上記工程（ｅ）では、上記第２トレンチが上記第１絶縁膜から上記第２絶縁膜に亘って設けられることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の半導体装置の製造方法において、
上記工程（ｅ）では、上記第２トレンチは上記第１トレンチの一部と重なって設けられ、
上記工程（ｇ）で形成される上記第２の導電膜は、上記第１の導電膜の一部と直接接触していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項９〜１１のうちいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法において、
上記第１の導電膜と上記第２の導電膜とは、配線幅を基準として分離して形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項９〜１２のうちいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法において、
上記第１の導電膜と上記第２の導電膜とは、配線密度を基準として分離して形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項９〜１３のうちいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法において、
上記第１の導電膜及び上記第２の導電膜は、タンタル、窒化タンタル、チタン、窒化チタン、タングステン、窒化タングステン、アルミニウム、銅、銀、金、白金のうち少なくとも１つを含む金属から構成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月23日(2005.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記第２の低透磁率層の形成が印刷により行われる請求項５に記載の積層型トランスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記第２の低透磁率層の形成が低透磁率のシートの積層により行われる請求項５に記載の積層型トランスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月14日(2004.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本実施例のチャックステージ５０には、更に４個のねじ穴５４Ａ−５４Ｄが設けられている。４個のねじ穴５４Ａ−５４Ｄの下部には、更に４個の穴９０Ａ，９０Ｂ（ここでは２個のみ示している。）がそれぞれ設けられており、ねじ穴５４Ａ−５４Ｄにそれぞれ４個のスイッチ９１Ａ−９１Ｄ（ここでは２個のみ示している。）がねじ合わされて固定されている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月24日(2005.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
ユニットは、前記ラックに固定具によって固定されるものとすることができる。この場合、開閉スイッチは、外部から操作可能な接点を有する常開スイッチに構成する。固定具によるユニットのラックへの固定及び取り外しに応じて固定具によって接点が開閉可能なラック上の位置に、開閉スイッチは設けられている。固定具は、例えばユニットのラックへの固定、取り外しに応じて、その先端位置が進退するように構成することが望ましく、その先端によって、開閉スイッチの接点が開放されるように構成することが望ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図４に第２の実施の形態のユニットへの電源供給装置を示す。この電源供給装置では、タクトスイッチ２２が、バックボード１２に設けられている。即ち、バックボード１２上に設けた支持台２６上に、接点２２ａが正面側を向くように取り付けられ、その隣に電源コネクタ１４が取り付けられている。この電源コネクタ１４は、ピン１４ａ、１４ａを有している。これらピン１４ａ、１４ａも正面側を向いている。電源コネクタ１４と接続されるユニット６の電源コネクタ２０は、ピン１４ａ、１４ａが挿通されるリセプタクル（図示せず）を有している。この電源コネクタ２０は、ユニット本体６ａの背面よりも幾分奥まった位置に取り付けられている。この電源コネクタ２０の位置及びピン１４ａ、１４ａの長さは、ピン１４ａ、１４ａが電源コネクタ２０のリセプタクルに挿通された状態、即ち、電源コネクタ１４、２０が電気的に接続された状態において、まだ、タクトスイッチ２２の接点は、ユニット本体６ａの背面に接触しないように、かつ未だピン１４ａ、１４ａがリセプタクルの内部に進入可能に選択されている。そして、ユニット本体６ａの背面がタクトスイッチ２２の接点２２ａに接触したときに、正面パネル６ｂが上側フレーム８及び下側フレーム１０に接触し、かつピン１４ａ、１４ａがリセプタクルの内奥に位置するようにも選択されている。他の構成は、第１の実施の形態の電源供給装置と同一であるので、詳細な説明は省略する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
上記の各実施の形態では、開閉スイッチとしてタクトスイッチを使用して、機械的にタクトスイッチを開閉したが、これに限ったものではなく、電気的に開閉スイッチを開閉することもできる。例えば電源コネクタ１４と電源コネクタ２０とが完全に接続された状態にある位置から両者が接続されているが、ユニット本体６ａが僅かに移動した位置にあることを検出する検出器、例えば光学検出器を、サブラック４内のバックボード１２の近傍に設け、この検出器によってユニット本体６ａが検出されていない状態では、電源コネクタ１４に直列に接続した開閉スイッチを開放し、この検出器によってユニット本体６ａが検出されている状態において、開閉スイッチを閉成するように構成してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
ここで本実施形態では、板材貫通孔１５内に落ち込む樹脂の量は、板材貫通孔１５の密集度が相対的に高い基板中央部領域９１のほうが多く、板材貫通孔１５の密集度が相対的に低い基板外周部領域９２のほうが少ない。よって、基板中央部領域９１における樹脂絶縁層２１，２２の層厚は、基板外周部領域９２の樹脂絶縁層２１，２２の層厚に比べて当然に薄くなる。具体的には、前者の層厚が約４０μｍとなり、後者の層厚が約６５μｍとなる。つまり、上記工程を経た時点では、樹脂絶縁層２１，２２の厚さにばらつきができ、基板中央部領域９１に深さ２５μｍ程度の凹部９５が生じてしまう（図３参照）。ただし、最低厚み部分であったとしても、必要厚み（３０μｍ）より１０μｍほど厚くなっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
（１）本実施形態の製造方法では、積層圧着・一括充填工程を経ると、板材貫通孔１５内への樹脂の落ち込みによって樹脂絶縁層２１，２２の厚さにばらつきが生じる。しかしながら、樹脂の落ち込み量が大きい基板中央部領域９１についても、樹脂絶縁層２１，２２に必要厚みを確保することができる。従って、本実施形態のようないわゆるメタルコア基板であったとしても、導電性を有する圧延アンバー板１２と配線層３１，３２との間に、所望の絶縁信頼性を確保することができる。