【手続補正書】
【提出日】令和3年1月6日(2021.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カーボンナノチューブベース材料を処理する方法であって、
カーボンナノチューブベース材料を提供する工程、
前記カーボンナノチューブベース材料を酸化雰囲気中で吊す工程、
前記カーボンナノチューブベース材料の照射部分に電磁放射を照射して、前記照射部分を加熱する工程であって、前記照射部分は、いかなる支持面とも直接接触しておらず、熱は、前記カーボンナノチューブベース材料の前記照射部分から離れて非照射部分に連続的に伝導され、前記酸化雰囲気中での前記加熱は、前記カーボンナノチューブベース材料中のアモルファスカーボン、部分的に秩序化された非チューブ状炭素及び／又は欠陥ナノチューブの少なくとも部分的な酸化及び少なくとも部分的な除去を生じさせ、残りのカーボンナノチューブの配置を含む処理された材料を残す、工程
を含む方法。
【請求項２】
前記酸化雰囲気中での前記加熱は、十分な熱伝導経路の一部ではないナノチューブの少なくとも部分的な酸化及び少なくとも部分的な除去を生じさせ、前記ナノチューブの酸化前に熱を輸送して排除することを可能にする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記カーボンナノチューブベース材料は、少なくとも０．１ｃｍ２のフットプリント面積を有する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記カーボンナノチューブベース材料は、少なくとも５０重量％のカーボンナノチューブを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記カーボンナノチューブベース材料は、単層カーボンナノチューブ、２層カーボンナノチューブ及び３層カーボンナノチューブの１つ以上から選択される、少なくとも５重量％のカーボンナノチューブを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記カーボンナノチューブベース内の単層、２層及び３層カーボンナノチューブは、少なくとも１００μｍの平均長さを有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記カーボンナノチューブベース材料の密度は、少なくとも０．０５ｇｃｍ−３である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記カーボンナノチューブベース材料は、浮遊触媒粒子に対する化学気相成長法によって製作される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記カーボンナノチューブベース材料の前記非照射部分は、処理中の所与の瞬間に前記照射部分の面積の少なくとも５倍の面積を有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記電磁放射は、前記照射部分を前記カーボンナノチューブベース材料に沿って継続的に移動させるために前記カーボンナノチューブベース材料に対して移動される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記カーボンナノチューブベース材料は、前記カーボンナノチューブの優先整列の方向を有し、及び前記照射部分の相対移動の方向は、前記カーボンナノチューブの前記優先整列の方向に実質的に平行である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記電磁放射による前記照射部分の前記照射は、前記少なくとも部分的な酸化に対応する酸化化学反応の持続時間よりも長くない時間スケールにわたって起こる、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記電磁放射は、前記電磁放射の各パルスの持続時間が、前記少なくとも部分的な酸化に対応する酸化化学反応の持続時間よりも長くないような時間でパルスされる、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
照射される前記材料の領域について、前記電磁放射は、前記電磁放射のパルスの積算持続時間が、前記少なくとも部分的な酸化に対応する酸化化学反応の持続時間よりも長くないような時間でパルスされる、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記照射部分の温度は、少なくとも３００℃である、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記照射部分の前記温度は、最大で２５００℃である、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記照射部分における前記電磁放射のフルエンス及び／又は強度は、前記カーボンナノチューブベース材料を、前記照射部分における全ての存在する炭素種の少なくとも最低発火温度に達するように加熱するのに十分である、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
プロセス前の前記照射部分の質量に対する前記プロセス後の前記照射部分の質量の比は、最大で０．９及び少なくとも０．０１である、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
前記処理された材料は、一次処理後に残った少なくともいくらかの残留触媒粒子及び／又はいくらかのアモルファスカーボンを除去するために更に処理される、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
前記処理された材料において、前記カーボンナノチューブは、
（ｉ）前記処理された材料が、マイクロ構造整列の目的軸に対するマイクロ構造不整列が別の方向と比べてある方向に拘束されないようなモルフォロジーを有する場合、前記処理された材料が少なくとも０．５のヘルマン配向パラメータを有するか、又は
（ｉｉ）前記処理された材料が、マイクロ構造整列の目的軸に対するマイクロ構造不整列が１つの平面に主に拘束されるようなモルフォロジーを有する場合、前記処理された材料が少なくとも０．５のチェビシェフの多項式を有する
程度まで整列される、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記処理された材料において、前記カーボンナノチューブは、前記材料が、Ｇピークの振幅に対するＤピークの振幅のＤ：Ｇ比を測定するために非偏光ラマン分光法を受け、振幅が、非偏光ラマンスペクトルのピーク下でベースライン減算及び積分を実施することによって計算され、ラマンレーザ強度が、前記計算されたＤ：Ｇ比をラマンレーザ強度から独立したままにするために１０％以内で十分に低く、波長５２３ｎｍ及び７８５ｎｍの光を使用する場合、前記Ｄ：Ｇ比が５２３ｎｍの光では最大で０．０２５及び７８５ｎｍの光では最大で０．１である程度までのグラファイト結晶性を有する、請求項１〜２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
前記処理された材料において、前記カーボンナノチューブは、前記材料が、Ｇピークの振幅に対するＤピークの振幅のＤ：Ｇ比を測定するために非偏光ラマン分光法を受け、振幅が、非偏光ラマンスペクトルのピーク下でベースライン減算及び積分を実施することによって計算され、ラマンレーザ強度が、前記計算されたＤ：Ｇ比をラマンレーザ強度から独立したままにするために１０％以内で十分に低く、異なる波長の光を使用する場合、前記Ｄ：Ｇ比が前記ラマンレーザ励起波長の４乗に対してプロットされ、且つ直線にフィットされ、前記直線が原点に数値的に拘束されるとき、調整されたＲ２が少なくとも０．７である程度までのグラファイト結晶性を有する、請求項１〜２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
カーボンナノチューブベース材料を製作及び処理する方法であって、
少なくともカーボンナノチューブ、アモルファスカーボン、部分的に秩序化された非チューブ状炭素及び触媒粒子を含むエアロゲルを、炭素材料の原料及び反応器内の浮遊触媒粒子からのカーボンナノチューブの核形成及び成長によって形成する工程、
前記エアロゲルをカーボンナノチューブベース材料に抽出し且つ固める工程、
前記カーボンナノチューブベース材料を酸化雰囲気中で吊す工程、
前記カーボンナノチューブベース材料の照射部分に電磁放射を照射して、前記照射部分を加熱する工程であって、前記照射部分は、いかなる支持面とも直接接触しておらず、熱は、前記カーボンナノチューブベース材料の前記照射部分から離れて非照射部分に連続的に伝導され、前記酸化雰囲気中での前記加熱は、前記カーボンナノチューブベース材料中のアモルファスカーボン、部分的に秩序化された非チューブ状炭素及び／又は欠陥ナノチューブの少なくとも部分的な酸化及び少なくとも部分的な除去を生じさせ、残りのカーボンナノチューブの配置を含む処理された材料を残す、工程
を含む方法。