(57)【要約】【課題】反射層の光反射率が製造工程で低下しても画素間で明るさのばらつきの少ない有機ＥＬ装置を提供すること。【解決手段】有機ＥＬ装置１００は、基体２０と、基体２０上に配列された３つの異なる波長の光のいずれかを射出する画素２と、画素２に対応して設けられた第１の反射層４２および第２の反射層４４と、第１の反射層４２および第２の反射層４４上に配置された画素電極２３ｂ，２５ａと、画素電極２３ｂ，２５ａ上に配置された、発光層３４を含む有機機能層３０と、有機機能層３０上に配置された、陰極３８と、を備えている。第１の反射層４２は第１の金属材料からなり、第２の反射層４４は第１の金属材料よりもパターン加工に対する耐性が高い第２の金属材料からなる。画素２には、射出される光の波長に応じて、第１の反射層４２または第２の反射層４４のいずれか一方が配置されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、
前記基体上に配列された、少なくとも３つの異なる波長の光のいずれかを射出する画素と、
前記基体上に前記画素に対応して設けられた、光反射性を有する反射層と、
前記反射層上に配置された、光透過性を有する第１の電極と、
前記第１の電極上に配置された、少なくとも発光層を含む有機機能層と、
前記有機機能層上に配置された、光透過性を有する第２の電極と、を備え、
前記反射層は、第１の金属材料からなる第１の反射層と、前記第１の金属材料よりもパターン加工に対する耐性が高い第２の金属材料からなる第２の反射層と、を少なくとも有し、
前記画素には、射出される前記光の波長に応じて、前記第１の反射層または前記第２の反射層のいずれか一方が配置されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第１の金属材料は、銀または銀を含む合金からなることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第２の金属材料は、アルミニウムまたはアルミニウムを含む合金からなることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第１の反射層が配置された前記画素に設けられた第１の導電層をさらに備え、
前記第１の導電層は、前記第１の反射層の前記第１の電極とは反対側に、前記第１の反射層に平面的に重なるように配置されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第１の反射層が配置された前記画素に設けられた第２の導電層と、前記第２の導電層の表面を覆う絶縁層と、をさらに備え、
前記第２の導電層は、前記第１の反射層と前記第１の電極との間に、前記第１の反射層に平面的に重なるように配置されており、
前記絶縁層は、前記第１の導電層および前記第１の反射層の側面をさらに覆っていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記３つの異なる波長は、赤色光に対応する波長と、緑色光に対応する波長と、青色光に対応する波長と、であり、
前記赤色光を射出する前記画素および前記緑色光を射出する前記画素に対応して前記第１の反射層が配置され、
前記青色光を射出する前記画素に対応して前記第２の反射層が配置されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項７】
請求項６に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記第２の電極は、光反射性をさらに有し、
前記第１の反射層と前記第２の電極との間、および前記第２の反射層と前記第２の電極との間に、前記有機機能層からの光を共振させる光共振器が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項８】
請求項７に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記緑色光を射出する前記画素における前記第１の電極の層厚は、前記青色光を射出する前記画素における前記第１の電極の層厚よりも厚く、
前記赤色光を射出する前記画素における前記第１の電極の層厚は、前記緑色光を射出する前記画素における前記第１の電極の層厚よりも厚いことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項９】
請求項７または８に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記画素の前記光を射出する側に配置された、前記赤色光に対応するカラーフィルターと、前記緑色光に対応するカラーフィルターと、前記青色光に対応するカラーフィルターと、をさらに備えたことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
基体上に配列された少なくとも３つの異なる波長の光を射出する画素と、
光反射性を有する第１の反射層および第２の反射層と、
光透過性を有する第１の電極と、
光反射性および光透過性を有する第２の電極と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間に挟持された少なくとも発光層を含む有機機能層と、を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記画素から射出される前記光の波長に応じて、銀または銀を含む合金からなる前記第１の反射層と、アルミニウムまたはアルミニウムを含む合金からなる前記第２の反射層と、のいずれか一方を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記３つの異なる波長は、赤色光に対応する波長と、緑色光に対応する波長と、青色光に対応する波長と、であり、
前記赤色光を射出する前記画素および前記緑色光を射出する前記画素に対応して前記第１の反射層を形成し、
前記青色光を射出する前記画素に対応して前記第２の反射層を形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記基体上に、前記青色光を射出する前記画素に対応して前記第２の反射層を形成する工程と、
前記第２の反射層上に前記第１の電極を形成するとともに、前記基体上に前記赤色光を射出する前記画素および前記緑色光を射出する前記画素に対応して第１の導電層を形成する工程と、
前記第１の導電層上に、前記第１の反射層を形成する工程と、
前記第１の反射層上に、前記第１の反射層に平面的に重なるように前記第１の電極を形成する工程と、
前記第１の電極上に、前記有機機能層を形成する工程と、
前記有機機能層上に、前記第２の電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記基体上に、前記赤色光を射出する前記画素および前記緑色光を射出する前記画素に対応して第１の導電層を形成する工程と、
前記第１の導電層上に、前記第１の導電層に平面的に重なるように前記第１の反射層を形成する工程と、
前記第１の反射層上に、前記第１の反射層に平面的に重なるように第２の導電層を形成する工程と、
前記基体および前記第２の導電層の表面と、前記第１の導電層および前記第１の反射層の側面と、を覆うように絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上に、前記青色光を射出する前記画素に対応して前記第２の反射層を形成する工程と、
前記絶縁層上の前記第１の反射層に平面的に重なる領域と、前記第２の反射層上と、に前記第１の電極を形成する工程と、
前記第１の電極上に、前記有機機能層を形成する工程と、
前記有機機能層上に、前記第２の電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記第１の電極を形成する工程は、
前記絶縁層上に、前記赤色光を射出する前記画素に対応して、前記第１の反射層に平面的に重なるように第１の電極層を形成する工程と、
前記絶縁層上に前記緑色光を射出する前記画素に対応して前記第１の反射層に平面的に重なるように、かつ、前記第１の電極層上に前記第１の電極層に平面的に重なるように、第２の電極層を形成する工程と、
前記絶縁層上に前記青色光を射出する前記画素に対応して前記第２の反射層に平面的に重なるように、かつ、前記第２の電極層上に前記第２の電極層に平面的に重なるように、第３の電極層を形成する工程と、を含むことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１３から１５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記第２の電極を形成する工程の後に、前記画素の前記光を射出する側に、前記赤色光に対応するカラーフィルターと、前記緑色光に対応するカラーフィルターと、前記青色光に対応するカラーフィルターと、を配置する工程をさらに有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置および有機ＥＬ装置の製造方法、ならびに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネセンス装置（以下有機ＥＬ装置と呼ぶ）は、陽極と、少なくとも発光層を含む有機機能層と、陰極とが積層された構成を有している。有機ＥＬ装置では、発光層で発生した光は、陽極側または陰極側へ射出される。発光層で発生した光が陰極側へ射出される、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ装置の場合、陽極には光反射性を有する金属、例えば銀が好適に用いられる。
【０００３】
銀は、光反射率が高い一方で、極めて反応性に富むため、製造工程における成膜やパターン加工等で、化学的あるいは物理的な損傷を受け易い。このような損傷を受けた場合、光反射率の低下を招くこととなる。銀に他の金属を加えた合金を用いることで損傷を受けにくくすることは可能であるが、十分な耐性を得ることは困難である。これに対して、銀または銀を含む合金からなる薄膜層上に金属酸化物を積層することで、反射特性の劣化を抑える方法が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２、および特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１３９７８０号公報
【特許文献２】特開２００４−１９２８９０号公報
【特許文献３】特開２００４−３５５９１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記のような方法であっても、銀または銀を含む合金からなる薄膜層上に金属酸化物を積層する工程において、薄膜層の表面に少なからず損傷を受けることがあり、このため光反射率が低下してしまうという課題があった。また、反射する光の波長によって光反射率が低下する度合いが大きい場合があり、異なる波長の光を射出する画素間で明るさがばらついてしまうという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、基体と、前記基体上に配列された、少なくとも３つの異なる波長の光のいずれかを射出する画素と、前記基体上に前記画素に対応して設けられた、光反射性を有する反射層と、前記反射層上に配置された、光透過性を有する第１の電極と、前記第１の電極上に配置された、少なくとも発光層を含む有機機能層と、前記有機機能層上に配置された、光透過性を有する第２の電極と、を備え、前記反射層は、第１の金属材料からなる第１の反射層と、前記第１の金属材料よりもパターン加工に対する耐性が高い第２の金属材料からなる第２の反射層と、を少なくとも有し、前記画素には、射出される前記光の波長に応じて、前記第１の反射層または前記第２の反射層のいずれか一方が配置されていることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、有機ＥＬ装置は、第１の反射層または第２の反射層のいずれか一方を各画素に備えている。第２の反射層は、第１の反射層の第１の金属材料よりもパターン加工に対する耐性が高い第２の金属材料からなる。したがって、第２の反射層では第１の反射層よりも、有機ＥＬ装置の製造工程において反射層が損傷を受けることによる光反射率低下が少ない。ところで、反射層の光反射率が低下した場合、光反射率が低下する度合いは反射する光の波長によって異なる。そこで、他の波長の光よりも光反射率が低下する度合いが大きい波長の光を射出する画素に対応して第２の反射層を配置することで、光反射率が低下した第１の反射層よりも高い光反射率が得られ、この波長の光の光反射率と他の波長の光の光反射率との差を小さくすることができる。これにより、異なる波長の光を射出する画素間で明るさがより均一な有機ＥＬ装置を提供できる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第１の金属材料は、銀または銀を含む合金からなっていてもよい。
【００１０】
この構成によれば、第１の金属材料は光反射率の高い銀または銀を含む合金からなる。このため、反射層の光反射率を高めることができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第２の金属材料は、アルミニウムまたはアルミニウムを含む合金からなっていてもよい。
【００１２】
この構成によれば、第２の金属材料はアルミニウムまたはアルミニウムを含む合金からなる。このため、銀または銀を含む合金からなる第１の金属材料よりも、パターン加工に対する耐性を高めることができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第１の反射層が配置された前記画素に設けられた第１の導電層をさらに備え、前記第１の導電層は、前記第１の反射層の前記第１の電極とは反対側に、前記第１の反射層に平面的に重なるように配置されていてもよい。
【００１４】
この構成によれば、第１の反射層と基体との間に第１の導電層が配置されている。このため、第１の反射層の基体への密着性が向上する。これにより、有機ＥＬ装置の製造工程においてパターン加工等により第１の反射層が基体から剥離するのを抑えることができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第１の反射層が配置された前記画素に設けられた第２の導電層と、前記第２の導電層の表面を覆う絶縁層と、をさらに備え、前記第２の導電層は、前記第１の反射層と前記第１の電極との間に、前記第１の反射層に平面的に重なるように配置されており、前記絶縁層は、前記第１の導電層および前記第１の反射層の側面をさらに覆っていてもよい。
【００１６】
この構成によれば、第１の反射層は第１の導電層と第２の導電層との間に配置され、さらにその側面が第２の導電層を覆う絶縁層で覆われる。これにより、第１の反射層が製造工程で損傷を受けるのをより効果的に抑えることができる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記３つの異なる波長は、赤色光に対応する波長と、緑色光に対応する波長と、青色光に対応する波長と、であり、前記赤色光を射出する前記画素および前記緑色光を射出する前記画素に対応して前記第１の反射層が配置され、前記青色光を射出する前記画素に対応して前記第２の反射層が配置されていてもよい。
【００１８】
この構成によれば、赤色光、緑色光、青色光によるフルカラー表示またはフルカラー発光が可能な有機ＥＬ装置を提供できる。ところで、反射層の光反射率が低下すると、青色の波長の光では、赤色および緑色の波長の光に比べて光反射率が低下する度合いが大きい。このような青色の波長の光を射出する画素に対応して、第１の反射層よりも製造工程における光反射率低下が少ない第２の反射層が配置される。これにより、青色の波長の光に対して光反射率が低下した第１の反射層よりも高い光反射率が得られるので、赤色および緑色に対応する波長の光の光反射率との差を小さくすることができる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記第２の電極は、光反射性をさらに有し、前記第１の反射層と前記第２の電極との間、および前記第２の反射層と前記第２の電極との間に、前記有機機能層からの光を共振させる光共振器が形成されていてもよい。
【００２０】
この構成によれば、光共振器により共振波長の光が増幅される。これにより、反射層の光反射率が低下しても、射出される光の輝度を高めることができる。また、光共振器における共振波長を赤色光、緑色光、青色光のいずれかの波長に調整することにより、画素が射出する光の波長に関わらず、有機機能層の発光材料として白色発光材料を共通使用することが可能となる。
【００２１】
［適用例８］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記緑色光を射出する前記画素における前記第１の電極の層厚は、前記青色光を射出する前記画素における前記第１の電極の層厚よりも厚く、前記赤色光を射出する前記画素における前記第１の電極の層厚は、前記緑色光を射出する前記画素における前記第１の電極の層厚よりも厚くてもよい。
【００２２】
この構成によれば、第１の電極の層厚により、画素が射出する赤色光、緑色光、青色光の波長に応じて、共振器の共振波長を調整することができる。
【００２３】
［適用例９］上記適用例に係る有機ＥＬ装置であって、前記画素の前記光を射出する側に配置された、前記赤色光に対応するカラーフィルターと、前記緑色光に対応するカラーフィルターと、前記青色光に対応するカラーフィルターと、をさらに備えていてもよい。
【００２４】
この構成によれば、光共振器から出力される光のうち、赤色光、緑色光、青色光がカラーフィルターを透過するので、より色再現性に優れた有機ＥＬ装置を提供できる。
【００２５】
［適用例１０］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする。
【００２６】
この構成によれば、電子機器は上記の有機ＥＬ装置を備えているので、表示部において画素間でより均一な明るさが得られる電子機器を提供できる。
【００２７】
［適用例１１］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、基体上に配列された少なくとも３つの異なる波長の光を射出する画素と、光反射性を有する第１の反射層および第２の反射層と、光透過性を有する第１の電極と、光反射性および光透過性を有する第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極との間に挟持された少なくとも発光層を含む有機機能層と、を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記画素から射出される前記光の波長に応じて、銀または銀を含む合金からなる前記第１の反射層と、アルミニウムまたはアルミニウムを含む合金からなる前記第２の反射層と、のいずれか一方を形成することを特徴とする。
【００２８】
この方法によれば、銀または銀を含む合金からなる第１の反射層と、アルミニウムまたはアルミニウムを含む合金からなる第２の反射層とのいずれか一方を各画素に形成する。アルミニウムは銀よりもパターン加工に対する耐性が高いので、第２の反射層では第１の反射層よりも製造工程において反射層が損傷を受けることによる光反射率低下が少ない。ところで、反射層の光反射率が低下した場合、光反射率が低下する度合いは反射する光の波長によって異なる。そこで、他の波長の光よりも光反射率が低下する度合いが大きい波長の光を射出する画素に対応して第２の反射層を形成することで、光反射率が低下した第１の反射層よりも高い光反射率が得られ、この波長の光の光反射率と他の波長の光の光反射率との差を小さくすることができる。これにより、異なる波長の光を射出する画素間で明るさがより均一な有機ＥＬ装置を製造できる。
【００２９】
［適用例１２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記３つの異なる波長は、赤色光に対応する波長と、緑色光に対応する波長と、青色光に対応する波長と、であり、前記赤色光を射出する前記画素および前記緑色光を射出する前記画素に対応して前記第１の反射層を形成し、前記青色光を射出する前記画素に対応して前記第２の反射層を形成してもよい。
【００３０】
この方法によれば、赤色光、緑色光、青色光によるフルカラー表示またはフルカラー発光が可能な有機ＥＬ装置を製造できる。ここで、反射層の光反射率が低下すると、青色の波長の光は赤色および緑色の波長の光に比べて光反射率が低下する度合いが大きい。青色の波長の光を射出する画素に対応して、第１の反射層よりも製造工程における光反射率低下が少ない第２の反射層を形成する。これにより、青色の波長の光に対して光反射率が低下した第１の反射層よりも高い光反射率が得られるので、赤色および緑色の波長の光の光反射率との差を小さくすることができる。
【００３１】
［適用例１３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記基体上に、前記青色光を射出する前記画素に対応して前記第２の反射層を形成する工程と、前記第２の反射層上に前記第１の電極を形成するとともに、前記基体上に前記赤色光を射出する前記画素および前記緑色光を射出する前記画素に対応して第１の導電層を形成する工程と、前記第１の導電層上に、前記第１の反射層を形成する工程と、前記第１の反射層上に、前記第１の反射層に平面的に重なるように前記第１の電極を形成する工程と、前記第１の電極上に、前記有機機能層を形成する工程と、前記有機機能層上に、前記第２の電極を形成する工程と、を有していてもよい。
【００３２】
この方法によれば、第１の反射層を形成する前に第２の反射層を形成するので、第２の反射層を形成する工程におけるパターン加工等により、第１の反射層が損傷を受けるのを避けることができる。また、第１の反射層と基体との間に第１の導電層を形成するので、第１の反射層の基体への密着性が向上する。これにより、パターン加工等により第１の反射層が基体から剥離するのが抑えられる。さらに、第１の反射層を形成する前に第２の反射層上に第１の電極を形成するので、第１の反射層を形成する工程において第２の反射層の表面が第１の電極により保護される。これにより、第１の反射層を形成する工程および第１の反射層上に第１の電極を形成する工程におけるパターン加工等により、第２の反射層が損傷を受けるのを抑えることができる。
【００３３】
［適用例１４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記基体上に、前記赤色光を射出する前記画素および前記緑色光を射出する前記画素に対応して第１の導電層を形成する工程と、前記第１の導電層上に、前記第１の導電層に平面的に重なるように前記第１の反射層を形成する工程と、前記第１の反射層上に、前記第１の反射層に平面的に重なるように第２の導電層を形成する工程と、前記基体および前記第２の導電層の表面と、前記第１の導電層および前記第１の反射層の側面と、を覆うように絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層上に、前記青色光を射出する前記画素に対応して前記第２の反射層を形成する工程と、前記絶縁層上の前記第１の反射層に平面的に重なる領域と、前記第２の反射層上と、に前記第１の電極を形成する工程と、前記第１の電極上に、前記有機機能層を形成する工程と、前記有機機能層上に、前記第２の電極を形成する工程と、を有していてもよい。
【００３４】
この方法によれば、第１の反射層と基体との間に第１の導電層を形成するので、第１の反射層の基体への密着性が向上する。また、第１の反射層上に第２の導電層を形成するので、第１の反射層の表面が保護される。さらに、第２の反射層を形成する前に、積層された第１の導電層と第１の反射層と第２の導電層との表面および側面を絶縁層で覆うので、第２の反射層を形成する工程において第１の反射層の表面が保護される。これにより、第２の反射層を形成する工程および第１の電極を形成する工程におけるパターン加工等により、第１の反射層が損傷を受けるのを抑えることができる。
【００３５】
［適用例１５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第１の電極を形成する工程は、前記絶縁層上に、前記赤色光を射出する前記画素に対応して、前記第１の反射層に平面的に重なるように第１の電極層を形成する工程と、前記絶縁層上に前記緑色光を射出する前記画素に対応して前記第１の反射層に平面的に重なるように、かつ、前記第１の電極層上に前記第１の電極層に平面的に重なるように、第２の電極層を形成する工程と、前記絶縁層上に前記青色光を射出する前記画素に対応して前記第２の反射層に平面的に重なるように、かつ、前記第２の電極層上に前記第２の電極層に平面的に重なるように、第３の電極層を形成する工程と、を含んでいてもよい。
【００３６】
この方法によれば、赤色光を射出する画素には第１の電極層と第２の電極層と第３の電極層とを積層して第１の電極を形成し、緑色光を射出する画素には第２の電極層と第３の電極層とを積層して第１の電極を形成し、青色光を射出する画素には第３の電極層により第１の電極を形成する。これにより、第１の電極の層厚は、青色光を射出する画素よりも緑色光を射出する画素の方が厚く、緑色光を射出する画素よりも赤色光を射出する画素の方が厚く形成される。したがって、第１の電極の層厚により、画素が射出する赤色光、緑色光、青色光の波長に応じて、共振器の共振波長を調整することができる。
【００３７】
［適用例１６］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記第２の電極を形成する工程の後に、前記画素の前記光を射出する側に、前記赤色光に対応するカラーフィルターと、前記緑色光に対応するカラーフィルターと、前記青色光に対応するカラーフィルターと、を配置する工程をさらに有していてもよい。
【００３８】
この構成によれば、光共振器から出力される光のうち、赤色光、緑色光、青色光がカラーフィルターを透過するので、より色再現性に優れた有機ＥＬ装置を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的構成を示すブロック図。
【図２】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置を模式的に示す平面図。
【図３】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図。
【図４】銀とＡｌＣｕとの光反射率Ｒを比較したグラフ。
【図５】銀の光反射率Ｒの理想値とＩＴＯを積層した場合の光反射率Ｒの実測値とを比較したグラフ。
【図６】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明するフローチャート。
【図７】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。
【図８】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。
【図９】第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。
【図１０】第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図。
【図１１】第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明するフローチャート。
【図１２】第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。
【図１３】第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。
【図１４】第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図。
【図１５】第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明するフローチャート。
【図１６】第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。
【図１７】第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図。
【図１８】電子機器としての携帯電話機を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
以下に、本実施の形態について図面を参照して説明する。なお、参照する図面において、構成をわかりやすく示すため、構成要素の膜厚や寸法の比率等は適宜異ならせてある。また、説明に必要な構成要素以外は図示を省略する場合がある。
【００４１】
（第１の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
まず、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成について図を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的構成を示すブロック図である。図２は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置を模式的に示す平面図である。詳しくは、図３に示す封止部５０側から見たときの平面図である。図３は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。詳しくは、図２のＡ−Ａ’線に沿った部分断面図である。
【００４２】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１００は、スイッチング素子として薄膜トランジスター（Thin Film Transistor、以下、ＴＦＴと呼ぶ）を用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。有機ＥＬ装置１００は、基板１０と、基板１０上に設けられた走査線１６と、走査線１６に対して交差する方向に延びる信号線１７と、信号線１７に並列に延びる電源線１８とを備えている。有機ＥＬ装置１００において、これら走査線１６と信号線１７とに囲まれた領域に画素２が配置されている。画素２は、例えば、走査線１６の延在方向と信号線１７の延在方向とに沿ってマトリクス状に配列されている。
【００４３】
画素２には、スイッチング用ＴＦＴ１１と、駆動用ＴＦＴ１２と、保持容量１３と、陽極２４と、第２の電極としての陰極３８と、有機機能層３０と、を備えている。有機機能層３０は、順に積層された正孔輸送層３２（図３参照）と、発光層３４（図３参照）と、電子輸送層３６（図３参照）とで構成されている。陽極２４と、陰極３８と、有機機能層３０とによって有機エレクトロルミネセンス素子（有機ＥＬ素子）８が構成される。有機ＥＬ素子８では、正孔輸送層３２から注入される正孔と、電子輸送層３６から注入される電子とが、有機機能層３０の発光層３４で再結合することにより発光が得られる。
【００４４】
信号線１７には、シフトレジスター、レベルシフター、ビデオライン、およびアナログスイッチを備えたデータ線駆動回路１４が接続されている。また、走査線１６には、シフトレジスターおよびレベルシフターを備えた走査線駆動回路１５が接続されている。
【００４５】
有機ＥＬ装置１００では、走査線１６が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１がオン状態になると、信号線１７を介して供給される画像信号が保持容量１３に保持され、保持容量１３の状態に応じて駆動用ＴＦＴ１２のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２を介して電源線１８に電気的に接続したとき、電源線１８から陽極２４に駆動電流が流れ、さらに有機機能層３０を通じて陰極３８に電流が流れる。有機機能層３０の発光層３４は、陽極２４と陰極３８との間に流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００４６】
図２に示すように、画素２は、例えば略矩形の平面形状を有している。画素２の矩形形状の４つの角は丸く形成されていてもよい。画素２は、有機ＥＬ装置１００の表示の最小単位であり、少なくとも３つの異なる波長の光のうちのいずれかを射出する。なお、ここでいう波長はピーク波長を意味しており、実際に画素２から射出される光の波長はこのピーク波長を中心として分散性を有していてもよい。
【００４７】
本実施形態では、有機ＥＬ装置１００は、赤色（Ｒ）光を射出する画素２Ｒと、緑色（Ｇ）光を射出する画素２Ｇと、青色（Ｂ）光を射出する画素２Ｂとを有している（以下では、対応する色を区別しない場合には単に画素２とも呼ぶ）。また、有機ＥＬ装置１００は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応して、有機ＥＬ素子８Ｒ，８Ｇ，８Ｂを有している（以下では、対応する色を区別しない場合には単に有機ＥＬ素子８とも呼ぶ）。
【００４８】
有機ＥＬ装置１００では、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから一つの画素群４が構成され、それぞれの画素群４において画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれの輝度を適宜変えることで、種々の色の表示を行うことができる。したがって、フルカラー表示またはフルカラー発光が可能な有機ＥＬ装置を提供できる。
【００４９】
なお、基板１０上には、画素２が配置された領域外に、有機ＥＬ装置１００に駆動電圧を印加するための端子部６０（図３参照）、陰極用配線（図示しない）、検査回路（図示しない）等が配置されている。
【００５０】
図３に示すように、有機ＥＬ装置１００は、基板１０上に、駆動用ＴＦＴ１２と、層間絶縁層２２と、保護層２６と、平坦化層２８と、第１の反射層４２と、第２の反射層４４と、陽極２４と、隔壁４８と、有機機能層３０と、陰極３８と、封止部５０とを備えている。有機ＥＬ装置１００は、有機機能層３０から発した光が封止部５０側に射出されるトップエミッション型である。
【００５１】
基板１０は、有機ＥＬ装置１００がトップエミッション型であることから、透光性材料および不透光性材料のいずれを用いてもよい。透光性材料としては、例えば、ガラス、石英、樹脂（プラスチック、プラスチックフィルム）等があげられる。不透光性材料としては、例えば、アルミナ等のセラミックス、ステンレススチール等の金属シートに表面酸化等の絶縁処理を施したもの、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂、およびそのフィルム（プラスチックフィルム）等があげられる。基板１０は、例えば酸化ケイ素（ＳｉＯ2）等からなる保護層に覆われていてもよい。
【００５２】
駆動用ＴＦＴ１２は、基板１０上に、画素２に対応して設けられている。駆動用ＴＦＴ１２は、半導体膜１２ａと、ゲート絶縁層２１と、ゲート電極１２ｇと、ドレイン電極１２ｄと、ソース電極１２ｓとを備えている。半導体膜１２ａには、ソース領域と、ドレイン領域と、チャネル領域とが形成されている。半導体膜１２ａは、ゲート絶縁層２１に覆われている。ゲート電極１２ｇは、ゲート絶縁層２１を間に挟んで半導体膜１２ａのチャネル領域に平面的に重なるように位置している。
【００５３】
図３では図示を省略しているが、ゲート絶縁層２１とゲート電極１２ｇとドレイン電極１２ｄとは、例えば、基板１０側から順に、チタン（または窒化チタン）とアルミニウムとチタン（または窒化チタン）が積層された構成を有している。下層側のチタンはアルミニウムを保護し、上層側のチタンは陽極２４との導電性を向上する役割を果たす。なお、ゲート絶縁層２１とゲート電極１２ｇとドレイン電極１２ｄとは、アルミニウムにモリブデン等他の金属が積層された構成を有していてもよいし、単層のアルミニウムや他の金属であってもよい。
【００５４】
層間絶縁層２２は、ゲート電極１２ｇとゲート絶縁層２１とを覆っている。ドレイン電極１２ｄは、層間絶縁層２２に設けられたコンタクトホールを介して、半導体膜１２ａのドレイン領域に導電接続されている。ソース電極１２ｓは、同様にコンタクトホールを介して、半導体膜１２ａのソース領域に導電接続されている。
【００５５】
保護層２６は、層間絶縁層２２とドレイン電極１２ｄとソース電極１２ｓとを覆っている。保護層２６は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮ）からなる。平坦化層２８は、保護層２６を覆うように形成されている。平坦化層２８は、ドレイン電極１２ｄおよびソース電極１２ｓやその他の配線部による凹凸を反映しないほぼ平坦な表面を有している。平坦化層２８は、例えば感光性のアクリル樹脂等からなる。なお、以降の説明では、基板１０と、基板１０上に形成された駆動用ＴＦＴ１２と層間絶縁層２２と保護層２６と平坦化層２８とを含めて基体２０と呼ぶ。
【００５６】
基体２０上には、画素２から射出される光の波長に対応して、第１の反射層４２および第２の反射層４４のうちのいずれか一方が設けられている。より具体的には、画素２Ｒ，２Ｇに第１の反射層４２が設けられており、画素２Ｂに第２の反射層４４が設けられている。第１の反射層４２および第２の反射層４４は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂから高い輝度の光が射出されるように、高い光反射率を有していることが好ましい。
【００５７】
第１の反射層４２は、銀または銀を含む合金からなり、例えばＡＰＣ（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕの合金）からなる。したがって、第１の反射層４２は高い光反射率を有している。第１の反射層４２の層厚は、例えば１２０ｎｍ程度である。
【００５８】
第２の反射層４４は、アルミニウムまたはアルミニウムを含む合金からなり、例えばアルミニウムと銅との合金（ＡｌＣｕ）からなる。したがって、第２の反射層４４は、パターン加工等に対して、第１の反射層４２よりも高い耐性を有している。ここで、パターン加工とは、フォトリソグラフィ法を用いてパターン加工を行う際のレジスト塗布、露光、現像、エッチング、レジスト剥離等の一連のプロセスを指す。第２の反射層４４の材料は、アルミニウムとネオジウムとの合金（ＡｌＮｄ）であってもよい。第２の反射層４４の層厚は、例えば８０ｎｍ程度である。
【００５９】
陽極２４は、画素２毎に設けられている。陽極２４は、画素２に対応して構成が異なっている。画素２Ｒ，２Ｇでは、第１の導電層としての導電層２３ａと、第１の反射層４２と、第１の電極としての画素電極２３ｂとが積層されて、陽極２４が構成されている。また、画素２Ｂでは、第２の反射層４４と、第１の電極としての画素電極２５ａとが積層されて、陽極２４が構成されている。なお、以降の説明において、構成要素が異なる場合を含め、陽極としての機能を有する構成単位を陽極２４と呼ぶ。
【００６０】
導電層２３ａは、基体２０と第１の反射層４２との間に位置している。導電層２３ａは、第１の反射層４２よりも一回り大きい平面形状を有している。導電層２３ａは、平坦化層２８と保護層２６とを貫通するコンタクトホール２８ａを介してドレイン電極１２ｄに導電接続されている。導電層２３ａは、例えば多結晶のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる。導電層２３ａの層厚は、例えば５０ｎｍ程度である。
【００６１】
第１の反射層４２は、導電層２３ａ上に設けられている。第１の反射層４２と基体２０との間に導電層２３ａが位置しているので、第１の反射層４２の基体２０への密着性が向上する。
【００６２】
画素電極２３ｂは、第１の反射層４２上に、第１の反射層４２に平面的に重なるように設けられている。画素電極２３ｂは、光透過性を有するとともに、有機機能層３０への正孔注入効率が高められるように、仕事関数の高い材料により構成されていることが好ましい。画素電極２３ｂは、例えば非晶質のＩＴＯからなる。画素電極２３ｂの材料は、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）であってもよい。画素電極２３ｂの層厚は、例えば１０ｎｍ程度である。
【００６３】
第２の反射層４４は、基体２０上に設けられている。画素電極２５ａは、第２の反射層４４上に、第２の反射層４４を覆うように設けられている。画素電極２５ａは、平坦化層２８と保護層２６とを貫通するコンタクトホール２８ａを介してドレイン電極１２ｄに導電接続されている。画素電極２５ａは、光透過性を有するとともに、仕事関数の高い材料により構成されていることが好ましい。画素電極２５ａは、例えば多結晶のＩＴＯからなる。画素電極２５ａの材料は、ＩＺＯであってもよい。画素電極２５ａの層厚は、例えば５０ｎｍ程度である。
【００６４】
隔壁４８は、基体２０と陽極２４とを覆うように設けられている。隔壁４８は、画素２の領域を区画する開口部４８ａを有している。開口部４８ａは、平面視で陽極２４よりも一回り小さく形成されている。隔壁４８は、アクリル樹脂等からなる。
【００６５】
有機機能層３０は、隔壁４８の開口部４８ａ内に設けられており、陽極２４上に位置している。有機機能層３０は、順に積層された正孔輸送層３２と発光層３４と電子輸送層３６とで構成されている。正孔輸送層３２は、例えば、トリフェニルアミン誘導体（ＴＰＤ）、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体等によって形成されている。発光層３４は、例えば、アルミノウムキノリノール錯体（Ａｌｑ3）等をホスト材料とし、ルブレン等をドーパントとして形成されている。電子輸送層３６は、例えば、Ａｌｑ3等によって形成されている。
【００６６】
本実施形態に係る有機機能層３０では、正孔輸送層３２から注入される正孔と、電子輸送層３６から注入される電子とが発光層３４で再結合することにより、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかの発光が得られるようになっている。なお、有機機能層３０は、上記の構成に限定されず、発光層３４を含む４層以上の機能層で構成されていてもよい。
【００６７】
陰極３８は、有機機能層３０と隔壁４８とを覆うように設けられている。陰極３８は、光透過性と光反射性とを有している。つまり、陰極３８は、半透過反射性を有するハーフミラー状である。陰極３８は、例えばマグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ）からなる。陰極３８の材料は、カルシウム、ナトリウム、リチウム、またはこれらの金属化合物等であってもよい。
【００６８】
有機ＥＬ装置１００では、第１の反射層４２と陰極３８との間、および第２の反射層４４と陰極３８との間に、有機機能層３０で発せられた光を共振させる光共振器が形成されている。有機機能層３０で発せられた光は、第１の反射層４２と陰極３８との間、および第２の反射層４４と陰極３８との間で往復し、その光学的距離に対応した共振波長の光が増幅されて、陰極３８側に射出される。このため、射出される光の輝度を高めることができるとともに、幅が狭いスペクトルを有する光を取り出すことができる。
【００６９】
光共振器における共振波長は、第１の反射層４２または第２の反射層４４と陰極３８との間の光学的距離Ｌを変えることによって調整が可能である。有機機能層３０で発せられた光のうち取り出したい光のスペクトルのピーク波長をλとすると、次のような関係式が成り立つ。Φ（ラジアン）は、有機機能層３０で発せられた光が光共振器の両端（例えば、第１の反射層４２または第２の反射層４４と陰極３８と）で反射する際に生じる位相シフトを表す。
（２Ｌ）／λ＋Φ／（２π）＝ｍ（ｍは整数）
【００７０】
画素２Ｒ，２Ｇにおいては、第１の反射層４２上に位置する画素電極２３ｂの層厚と有機機能層３０の層厚とで光学的距離Ｌが決まる。また、画素２Ｂにおいては、第２の反射層４４上に位置する画素電極２５ａの層厚と有機機能層３０の層厚とで光学的距離Ｌが決まる。有機ＥＬ装置１００では、Ｒ、Ｇ、Ｂの波長の光を射出する画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいて、光共振器におけるそれぞれの共振波長が所定の波長λとなるように、有機機能層３０の層厚を適宜設定することにより光学的距離Ｌを調整する構成となっている。
【００７１】
陰極３８上には、封止部５０が配置されている。封止部５０は、封止基板５２と接着層５４とを含む。封止基板５２および接着層５４は、有機ＥＬ素子８を保護する機能を有している。接着層５４は、陰極３８を覆うように形成されており、陰極３８上に封止基板５２を固定させている。接着層５４は、例えば、透光性を有するウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリオレフィン系樹脂等からなる。封止基板５２は、透光性を有するガラス、またはアクリル系樹脂やスチレン系樹脂等の樹脂類からなる。
【００７２】
なお、陰極３８と接着層５４との間に、酸素や水分が浸入することによる有機ＥＬ素子８の劣化を防止するために、例えばＳｉＯ2、ＳｉＮ、酸化窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）等からなるガスバリア層等が設けられていてもよい。
【００７３】
画素２が配置された領域外には、端子部６０が設けられている。端子部６０は、層間絶縁層２２上に位置する配線部６２と、平坦化層２８上に位置する電極部６４とで構成されている。配線部６２は、保護層２６に覆われている。電極部６４は、平坦化層２８と保護層２６とを貫通するコンタクトホールを介して配線部６２に導電接続されている。
【００７４】
＜反射層＞
ここで、有機ＥＬ装置１００が備える第１の反射層４２および第２の反射層４４について、図を参照してさらに説明する。図４は、銀（Ａｇ）とＡｌＣｕとの光反射率Ｒを比較したグラフである。図４には、Ａｇ、ＡｌＣｕ、およびＡｇにＩＴＯを５ｎｍ、７．５ｎｍ、１０ｎｍ、１２．５ｎｍの異なる厚さで積層した場合の光反射率Ｒの実測値が示されている。縦軸は光反射率Ｒ（％）であり、横軸は光の波長λ（ｎｍ）である。
【００７５】
図５は、Ａｇの光反射率Ｒの理想値とＩＴＯを積層した場合の光反射率Ｒの実測値とを比較したグラフである。図５には、Ａｇの光反射率Ｒの理想値（シミュレーション値）に対する、ＡｇにＩＴＯを積層した場合の光反射率Ｒの実測値の乖離（光反射率Ｒの低下率）が示されている。縦軸は光反射率Ｒの低下率（％）であり、横軸は光の波長λ（ｎｍ）である。なお、図４および図５では、光共振器による共振波長の光の増幅効果は加味されていない。
【００７６】
上述の通り、有機ＥＬ装置１００では、画素２Ｒ，２ＧにはＡＰＣ等の銀または銀を含む合金からなる第１の反射層４２が設けられており、画素２ＢにはＡｌＣｕ等のアルミニウムまたはアルミニウムを含む合金からなる第２の反射層４４が設けられている。
【００７７】
銀は、光反射率Ｒが高い一方で極めて反応性に富む特性を有しており、耐薬品、耐光、耐ガス等における安定性が低く、加工精度や密着性も低い。このため、有機ＥＬ装置の製造工程における成膜プロセスやパターン加工の一連のプロセス等で、化学的あるいは物理的な損傷を受け易い。銀がこのような損傷を受けた場合、反射層の光反射率Ｒの低下を招くこととなる。銀に他の金属を加えた合金を用いることで損傷を受けにくくすることは可能であるが、十分な耐性を得ることは困難である。
【００７８】
そのため、銀または銀を含む合金からなる反射層上にＩＴＯ等の金属酸化物を積層して表面を保護する構成が取られることが多い。しかしながら、このような構成においても、銀または銀を含む合金からなる反射層上に金属酸化物からなる層を成膜する工程において、反射層の表面が少なからず損傷を受け、このため反射層の光反射率Ｒが低下してしまう場合がある。
【００７９】
一方、アルミニウムは、光反射率Ｒは銀よりも劣るが、製造工程における成膜プロセスやパターン加工の一連のプロセス等に対する耐性は銀よりも高い。したがって、アルミニウムまたはアルミニウムを含む合金からなる第２の反射層４４は、銀または銀を含む合金からなる第１の反射層４２よりも、製造工程において化学的あるいは物理的な損傷を受けにくく光反射率Ｒの低下が少ない。
【００８０】
図４に実線で示すように、銀（Ａｇ）は波長λが４００ｎｍ〜５００ｎｍの光に対して９０％以上の光反射率Ｒを示し、波長λが大きくなるほど光反射率Ｒも大きくなっている。Ａｇの光反射率Ｒは、波長λが４７０ｎｍのＢ（Ｂｌｕｅ）光では９４％を超え、図示しないが、波長λが５３０ｎｍのＧ光や６１０ｎｍのＲ光では、さらに高くなる。
【００８１】
一方、図４に太い実線で示すように、ＡｌＣｕは波長λが４００ｎｍ〜５００ｎｍの光に対して９２％前後でほぼ同じ光反射率Ｒを示す。Ａｇの光反射率Ｒは、波長λが４２０ｎｍを超えるとＡｌＣｕの光反射率Ｒを上回り、波長λが４７０ｎｍのＢ（Ｂｌｕｅ）光ではＡｌＣｕの光反射率Ｒよりも２％以上高くなっている。
【００８２】
これに対して、図４に破線で示すように、Ａｇに５ｎｍ、７．５ｎｍ、１０ｎｍ、１２．５ｎｍの異なる厚さでＩＴＯを積層すると、光反射率ＲはＡｇのみの場合に比べて大幅に低下する。光反射率Ｒが低下する度合いは、ＩＴＯの厚さが厚いほど大きく、また、波長λが小さいほど大きい。例えば、ＩＴＯの厚さが１０ｎｍの場合、波長λが４７０ｎｍのＢ（Ｂｌｕｅ）光では、光反射率Ｒは、Ａｇのみの場合に比べて８％以上低下し、８６％程度となる。
【００８３】
ＡｇにＩＴＯを積層した場合の光反射率ＲをＡｌＣｕの光反射率Ｒと比較すると、波長λが４７０ｎｍのＢ（Ｂｌｕｅ）光では、ＩＴＯの厚さがいずれの場合においても光反射率ＲはＡｌＣｕよりも低くなる。例えば、ＩＴＯの厚さが１０ｎｍの場合、波長λが４７０ｎｍのＢ（Ｂｌｕｅ）光では光反射率ＲがＡｌＣｕよりも６％近く低くなっている。
【００８４】
次に、図５に示すように、光共振器を備えている場合でも、Ａｇに５ｎｍ、１０ｎｍ、２７ｎｍの異なる厚さでＩＴＯを積層すると、光反射率ＲはＡｇのみの場合に比べて低下し、波長λが小さいほど大幅に低下する。例えば、図５に２点鎖線で示すように、Ａｇに１０ｎｍの厚さでＩＴＯを積層した場合、波長λが４７０ｎｍのＢ（Ｂｌｕｅ）光では、実線で示すＡｇのみの場合に比べて光反射率Ｒは１２％程度低下する。したがって、ＡｇにＩＴＯを積層した場合、光共振器を備えた構成であっても、光反射率ＲをＡｇのみのレベルに向上させるのは困難である。なお、図５において、Ａｇのみの場合の光反射率Ｒの理想値に対する実測値の差異は測定誤差等によるものと考えられる。
【００８５】
上述の結果より、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに、銀または銀を含む合金からなる反射層上にＩＴＯ等の金属酸化物を積層して配置する構成では、画素２Ｒ，２Ｇに比べて画素２Ｂにおける光反射率Ｒが大きく低下し、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ間で明るさがばらついてしまう。また、画素２Ｂでは、ＡｌＣｕからなる反射層を配置する場合よりも光反射率Ｒが低くなってしまう。
【００８６】
本実施形態に係る有機ＥＬ装置１００では、画素２ＢにＡｌＣｕ等からなる第２の反射層４４が設けられているので、上述のように光反射率が低下した第１の反射層４２よりも高い光反射率Ｒが得られる。このため、画素２Ｂにおける光反射率Ｒと、画素２Ｒ，２Ｇにおける光反射率Ｒとの差を小さくすることができる。これにより、画素２Ｂにおける明るさが向上し、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ間で明るさがより均一な有機ＥＬ装置を提供できる。
【００８７】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法について図を参照して説明する。図６は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明するフローチャートである。図７、図８および図９は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図である。
【００８８】
図６に示すように、有機ＥＬ装置の製造方法は、基体準備工程Ｓ１０と、第２の反射層形成工程Ｓ２０と、画素電極・導電層形成工程Ｓ３１と、第１の反射層形成工程Ｓ４０と、画素電極形成工程Ｓ３２と、有機機能層形成工程Ｓ５０と、陰極形成工程Ｓ６０と、封止部形成工程Ｓ７０と、を含んでいる。
【００８９】
基体準備工程Ｓ１０では、基板１０上に駆動用ＴＦＴ１２と層間絶縁層２２と保護層２６と平坦化層２８とを公知の方法で形成し、基体２０を準備する。なお、基体２０において、画素電極・導電層形成工程Ｓ３１でコンタクトホール２８ａが形成される位置には、平坦化層２８を貫通する開口部２８ｂが設けられる。
【００９０】
次に、第２の反射層形成工程Ｓ２０では、図７（ａ）に示すように、基体２０上の画素２Ｂの領域に第２の反射層４４を形成する。まず、例えばスパッタリング法により、基体２０上にＡｌＣｕからなる反射膜を成膜する。続いて、フォトリソグラフィ法を用いてＡｌＣｕのパターン加工を行い、画素２Ｂの領域に第２の反射層４４を形成する。パターン加工の際は、エッチング液として、例えば硝酸等の酸溶液を用いる。
【００９１】
次に、画素電極・導電層形成工程Ｓ３１では、図７（ｂ）に示すように、画素２Ｒ，２Ｇの領域に導電層２３ａを形成し、画素２Ｂの領域に画素電極２５ａを形成する。まず、例えばスパッタリング法により、基体２０と第２の反射層４４とを覆うように、多結晶のＩＴＯからなる導電膜を成膜する。この導電膜を成膜する前に、平坦化層２８の開口部２８ｂ内の保護層２６を開口し、保護層２６の開口部と開口部２８ｂとが連通されたコンタクトホール２８ａを形成しておく。これにより、成膜された導電膜は、コンタクトホール２８ａを介してドレイン電極１２ｄに導電接続される。また、導電膜は、コンタクトホールを介して配線部６２にも導電接続される。
【００９２】
続いて、フォトリソグラフィ法を用いて導電膜のパターン加工を行う。パターン加工の際は、エッチング液として、例えば王水（塩酸と硝酸との混合液）等の強酸溶液を用いる。これにより、画素２Ｒ，２Ｇの領域に導電層２３ａが形成される。画素２Ｂの領域には、第２の反射層４４上に画素電極２５ａが形成され、第２の反射層４４と画素電極２５ａとで陽極２４が構成される。また、配線部６２上に電極部６４が形成され、配線部６２と電極部６４とで端子部６０が構成される。
【００９３】
次の第１の反射層形成工程Ｓ４０および画素電極形成工程Ｓ３２では、図８（ａ）に示すように、第１の反射層４２となる反射膜４２ａの成膜と、画素電極２３ｂとなる導電膜２３ｃの成膜とを連続して行い、反射膜４２ａと導電膜２３ｃとを一緒にパターン加工する。まず、例えばスパッタリング法により、基体２０と導電層２３ａと画素電極２５ａとを覆うように、ＡＰＣからなる反射膜４２ａを成膜する。続いて、例えばスパッタリング法により、反射膜４２ａを覆うように、非晶質のＩＴＯからなる導電膜２３ｃを成膜する。
【００９４】
次に、図８（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法を用いて、反射膜４２ａと導電膜２３ｃとを一緒にパターン加工する。パターン加工の際は、エッチング液として、例えば燐酸と硝酸と酢酸との混合液等の弱酸溶液を用いる。これにより、画素２Ｒ，２Ｇの領域に、導電層２３ａに平面的に重なるように第１の反射層４２と画素電極２３ｂとが形成され、導電層２３ａと第１の反射層４２と画素電極２３ｂとで陽極２４が構成される。この工程では、エッチング液として弱酸溶液を用いるので、先に画素２Ｂに形成された画素電極２５ａの損傷が抑えられる。
【００９５】
なお、非晶質のＩＴＯからなる画素電極２３ｂを後で焼成することにより結晶化させてもよい。また、パターン加工の際に、電極部６４に平面的に重なる領域に反射膜４２ａと導電膜２３ｃとを残してもよい。このようにすれば、電極部６４の電気抵抗を小さくすることができる。
【００９６】
なお、第１の反射層形成工程Ｓ４０において反射膜４２ａをパターン加工して第１の反射層４２を形成した後、画素電極形成工程Ｓ３２において第１の反射層４２上に導電膜２３ｃを成膜しパターン加工する方法をとることも可能である。しかしながら、このような方法をとる場合、第１の反射層形成工程Ｓ４０で形成された第１の反射層４２が、画素電極形成工程Ｓ３２において再びパターン加工の一連のプロセスに晒されることで損傷を受けるおそれがある。
【００９７】
次に、有機機能層形成工程Ｓ５０では、図９（ａ）に示すように、各画素２の領域に、陽極２４に積層して有機機能層３０を形成する。まず、基体２０上に隔壁４８を形成する。例えばスピンコート法を用いて、基体２０と陽極２４とを覆うようにアクリル樹脂等からなる隔壁層を形成する。そして、フォトリソグラフィ法により、各画素２の領域を区画する開口部４８ａを形成する。これにより、隔壁４８が形成され、開口部４８ａにおいて陽極２４が露出する。
【００９８】
次に、例えば真空蒸着法により、開口部４８ａ内に正孔輸送層３２と発光層３４と電子輸送層３６とを順に積層して成膜する。これにより、開口部４８ａ内に有機機能層３０が形成される。この工程では、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれに、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかの発光が得られる有機機能層３０を形成する。また、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれにおける光共振器の共振波長が所定の波長λになるように、有機機能層３０の層厚を調整する。このため、形成される有機機能層３０の層厚は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂで異なり、画素２Ｇでは画素２Ｂよりも厚く、画素２Ｒでは画素２Ｇよりも厚く形成される。なお、正孔輸送層３２と発光層３４と電子輸送層３６とを形成する方法として、インクジェット法やスピンコート法等により塗布する方法を適用してもよい。
【００９９】
次に、陰極形成工程Ｓ６０では、図９（ｂ）に示すように、例えば真空蒸着法により、有機機能層３０と隔壁４８とを覆うように、ＭｇＡｇ等からなる陰極３８を形成する。これにより、画素２Ｒに有機ＥＬ素子８Ｒが形成され、画素２Ｇに有機ＥＬ素子８Ｇが形成され、画素２Ｂに有機ＥＬ素子８Ｂが形成される。
【０１００】
次に、封止部形成工程Ｓ７０では、図３に示すように、陰極３８上に接着層５４を介して封止基板５２を配置し、封止部５０を形成する。以上により、有機ＥＬ装置１００が完成する。
【０１０１】
上記第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成および製造方法によれば、以下の効果が得られる。
【０１０２】
（１）第１の反射層４２上に画素電極２３ｂを積層して画素２Ｂに配置した場合、Ｂ光を射出する画素２Ｂでは、画素２Ｒ，２Ｇに比べて光反射率Ｒが低下する度合いが大きい。有機ＥＬ装置１００では、画素２ＢにＡｌＣｕ等からなる第２の反射層４４が設けられているので、光反射率が低下した第１の反射層４２よりも高い光反射率Ｒが得られる。このため、画素２Ｂにおける光反射率Ｒと、画素２Ｒ，２Ｇにおける光反射率Ｒとの差を小さくすることができる。これにより、画素２Ｂにおける明るさが向上し、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ間で明るさがより均一な有機ＥＬ装置を提供できる。
【０１０３】
（２）第１の反射層４２を形成する前に第２の反射層４４を形成するので、第２の反射層形成工程Ｓ２０におけるパターン加工等により、第１の反射層４２が損傷を受けるのを避けることができる。
【０１０４】
（３）第１の反射層４２と基体２０との間に導電層２３ａが配置されるので、第１の反射層４２の基体２０への密着性が向上する。これにより、パターン加工等により第１の反射層４２が基体２０から剥離するのが抑えられる。
【０１０５】
（４）第１の反射層形成工程Ｓ４０の前に、画素電極・導電層形成工程Ｓ３１で第２の反射層４４上に画素電極２５ａを形成するので、第２の反射層４４の表面が画素電極２５ａにより保護される。これにより、第１の反射層形成工程Ｓ４０および画素電極形成工程Ｓ３２におけるパターン加工等により、第２の反射層４４が損傷を受けるのを抑えることができる。
【０１０６】
（第２の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
次に、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成について図を参照して説明する。図１０は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。図１０は、図２のＡ−Ａ’線に沿った断面に対応している。
【０１０７】
第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置２００は、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００に対して、画素２Ｒ，２Ｇにおいて、第１の反射層の上下に導電層が配置された３層の積層構造を有している点、およびその積層構造と陽極との間に絶縁層が配置されている点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１０８】
第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置２００は、図１０に示すように、基体２０上に、第１の導電層としての導電層４６ａと、第１の反射層４２と、第２の導電層としての導電層４６ｂと、絶縁層４０と、第２の反射層４４と、陽極２４と、隔壁４８と、有機機能層３０と、陰極３８と、封止部５０とを備えている。
【０１０９】
導電層４６ａと導電層４６ｂとは、画素２Ｒ，２Ｇに対応して設けられている。導電層４６ａは、基体２０と第１の反射層４２との間に、第１の反射層４２に平面的に重なるように配置されている。また、導電層４６ｂは、第１の反射層４２上に、第１の反射層４２に平面的に重なるように配置されている。つまり、有機ＥＬ装置２００は、基体２０上に、導電層４６ａと第１の反射層４２と導電層４６ｂとの３層が積層された積層構造を有している。
【０１１０】
導電層４６ａと導電層４６ｂとは、例えば非晶質のＩＴＯからなる。導電層４６ａは、第１の反射層４２の基体２０への密着性を向上する役割を果たす。また、導電層４６ｂは、第１の反射層４２の表面を保護する役割を果たす。
【０１１１】
絶縁層４０は、画素２Ｒ，２Ｇに対応して設けられた導電層４６ａと第１の反射層４２と導電層４６ｂとの積層構造と、基体２０との表面を覆うように形成されている。絶縁層４０は、導電層４６ａと第１の反射層４２と導電層４６ｂとの積層構造の表面を保護する役割を果たす。絶縁層４０は、例えばＳｉＮやＳｉＯ2等からなる。絶縁層４０の層厚は、例えば２００ｎｍ程度である。第２の反射層４４は、絶縁層４０上に配置されている。
【０１１２】
画素２Ｒ，２Ｇには、絶縁層４０上に、第１の反射層４２に平面的に重なるように、第１の電極としての画素電極２５ａが設けられている。画素電極２５ａは、例えば多結晶のＩＴＯからなる。画素電極２５ａは、絶縁層４０と平坦化層２８と保護層２６とを貫通するコンタクトホール２８ａを介してドレイン電極１２ｄに導電接続されている。画素電極２５ａは、陽極２４として機能する。
【０１１３】
画素２Ｂには、第２の反射層４４上に、第２の反射層４４を覆うように、第１の電極としての画素電極２５ａが設けられている。第２の反射層４４と画素電極２５ａとで、陽極２４が構成される。画素電極２５ａは、例えば多結晶のＩＴＯからなる。画素電極２５ａは、絶縁層４０と平坦化層２８と保護層２６とを貫通するコンタクトホール２８ａを介してドレイン電極１２ｄに導電接続されている。
【０１１４】
なお、端子部６０には、絶縁層４０上に電極部６４が設けられている。電極部６４は、絶縁層４０と平坦化層２８と保護層２６とを貫通するコンタクトホールを介して配線部６２に導電接続されている。
【０１１５】
第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置２００では、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００と同様に、Ｒ光を射出する画素２Ｒ、およびＧ光を射出する画素２Ｇに対応して銀または銀を含む合金からなる第１の反射層４２が配置され、Ｂ光を射出する画素２Ｂにアルミニウムまたはアルミニウムを含む合金からなる第２の反射層４４が配置される。したがって、第１の実施形態に係る有機ＥＬ装置１００と同様に、画素２Ｂにおける明るさが向上し、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ間で明るさがより均一な有機ＥＬ装置を提供できる。
【０１１６】
また、有機ＥＬ装置２００においても、有機ＥＬ装置１００と同様に、第１の反射層４２と陰極３８との間、および第２の反射層４４と陰極３８との間に、有機機能層３０で発せられた光を共振させる光共振器が形成されている。ただし、有機ＥＬ装置２００では、画素２Ｒ，２Ｇにおいては導電層４６ｂと絶縁層４０と画素電極２５ａと有機機能層３０との層厚で光学的距離Ｌが決まり、画素２Ｂにおいては画素電極２５ａと有機機能層３０との層厚で光学的距離Ｌが決まる。したがって、画素２Ｂにおいては、導電層４６ｂと絶縁層４０との層厚分だけ、光共振器の光学的距離Ｌに占める有機機能層３０の層厚を厚くできることになる。
【０１１７】
画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのうち最も波長の短いＢ光を射出する画素２Ｂでは、光共振器の光学的距離Ｌが最も小さいので、有機機能層３０の層厚は最も薄くなる。ここで、画素２Ｒ，２Ｇと同様に画素２Ｂにも導電層４６ａと第１の反射層４２と導電層４６ｂとの３層の積層構造が配置された構成とする場合、第２の反射層４４が配置された構成に比べて、光共振器の光学的距離Ｌに占める有機機能層３０の層厚は導電層４６ｂと絶縁層４０との層厚分だけ薄くなることになる。
【０１１８】
有機機能層３０の層厚がより薄くなると、有機機能層３０への異物の混入や有機機能層３０の層厚のばらつき等により陽極２４と陰極３８との間で短絡が生じるリスクがより大きくなる。有機ＥＬ装置２００の構成によれば、画素２Ｂにおいて導電層４６ｂと絶縁層４０との層厚分だけ有機機能層３０の層厚を厚くできるので、陽極２４と陰極３８との間で短絡が生じるリスクを小さくすることができる。
【０１１９】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法について図を参照して説明する。図１１は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明するフローチャートである。図１２および図１３は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図である。
【０１２０】
図１１に示すように、有機ＥＬ装置の製造方法は、基体準備工程Ｓ１０と、導電層形成工程Ｓ４１と、第１の反射層形成工程Ｓ４０と、導電層形成工程Ｓ４２と、絶縁層形成工程Ｓ４３と、第２の反射層形成工程Ｓ２０と、画素電極形成工程Ｓ３０と、有機機能層形成工程Ｓ５０と、陰極形成工程Ｓ６０と、封止部形成工程Ｓ７０と、を含んでいる。第１の実施形態と共通する工程については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１２１】
導電層形成工程Ｓ４１、第１の反射層形成工程Ｓ４０、および導電層形成工程Ｓ４２では、導電層４６ａを形成する導電膜の成膜と、第１の反射層４２を形成する反射膜の成膜と、導電層４６ｂを形成する導電膜の成膜とを連続して行い、導電層４６ａと第１の反射層４２と導電層４６ｂとを一緒にパターン加工する。これにより、図１２（ａ）に示すように、画素２Ｒ，２Ｇの領域に、導電層４６ａと第１の反射層４２と導電層４６ｂとの３層の積層構造が形成される。このパターン加工の際、第１の反射層４２の上下層に導電層４６ａと導電層４６ｂとが位置しているので、第１の反射層４２の基体２０からの剥離、および第１の反射層４２の表面の損傷を抑えることができる。
【０１２２】
次に、絶縁層形成工程Ｓ４３では、図１２（ｂ）に示すように、基体２０上に、絶縁層４０を形成する。絶縁層４０は、例えばＣＶＤ法により、基体２０と、導電層４６ａと第１の反射層４２と導電層４６ｂとの３層の積層構造とを覆うように、ＳｉＮで成膜される。絶縁層４０は、ＣＶＤ法により成膜されるので、３層の積層構造の上面および側面にほぼ同じ膜厚で形成される。これにより、導電層４６ａと導電層４６ｂとの間に配置された第１の反射層４２の側面が、絶縁層４０により保護される。また、導電層４６ａおよび導電層４６ｂも、絶縁層４０により保護される。
【０１２３】
次に、第２の反射層形成工程Ｓ２０では、図１３（ａ）に示すように、絶縁層４０上の画素２Ｂの領域に第２の反射層４４を形成する。このとき、導電層４６ａと第１の反射層４２と導電層４６ｂとの３層の積層構造は、絶縁層４０に覆われているので、この工程におけるパターン加工等による損傷から保護される。
【０１２４】
次に、画素電極形成工程Ｓ３０では、図１３（ｂ）に示すように、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの領域に画素電極２５ａを形成する。まず、平坦化層２８の開口部２８ｂ内の絶縁層４０と保護層２６とを、例えばドライエッチングにより開口し、コンタクトホール２８ａを設ける。このとき、端子部６０にも同様に開口部を設ける。なお、絶縁層４０と保護層２６とにコンタクトホール２８ａを設ける工程は、第２の反射層形成工程Ｓ２０の前に行ってもよい。
【０１２５】
次に、例えばスパッタリング法により、絶縁層４０と第２の反射層４４と端子部６０とを覆うように、多結晶のＩＴＯからなる導電膜を成膜する。続いて、フォトリソグラフィ法を用いて導電膜のパターン加工を行う。これにより、画素２Ｒ，２Ｇの領域には、絶縁層４０上に画素電極２５ａが形成される。画素電極２５ａは、陽極２４として機能する。画素２Ｂの領域には、第２の反射層４４上に画素電極２５ａが形成される。第２の反射層４４と画素電極２５ａとで、陽極２４が構成される。端子部６０には、電極部６４が形成される。
【０１２６】
画素電極形成工程Ｓ３０では、導電層４６ａと第１の反射層４２と導電層４６ｂとの３層の積層構造は、絶縁層４０に覆われているので、この工程におけるパターン加工等による損傷から保護される。これにより、第１の反射層４２が損傷を受けるのをより効果的に抑えることができる。
【０１２７】
（第３の実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
次に、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成について図を参照して説明する。図１４は、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の概略構成を示す断面図である。図１４は、図２のＡ−Ａ’線に沿った断面に対応している。
【０１２８】
第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置３００は、第２の実施形態に係る有機ＥＬ装置２００に対して、画素２Ｒ，２Ｇにおいて画素電極が積層されている点、カラーフィルターが配置されている点が異なっているが、その他の構成はほぼ同じである。第２の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１２９】
第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置３００は、図１４に示すように、基体２０上に、導電層４６ａと、第１の反射層４２と、導電層４６ｂと、絶縁層４０と、第２の反射層４４と、陽極２４と、隔壁４８と、有機機能層３０と、陰極３８と、カラーフィルター５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂと、封止部５０とを備えている。
【０１３０】
画素２Ｒにおいては、絶縁層４０上に、第１の電極層２５ｃと第２の電極層２５ｂと第３の電極層２５ａとが順に積層され形成されている。第１の電極層２５ｃと第２の電極層２５ｂと第３の電極層２５ａとで、画素電極２５ｄが構成される。画素電極２５ｄは、陽極２４として機能する。第１の電極層２５ｃは、絶縁層４０上に、第１の反射層４２に平面的に重なるように設けられている。第１の電極層２５ｃは、絶縁層４０と平坦化層２８と保護層２６とを貫通するコンタクトホール２８ａを介してドレイン電極１２ｄに導電接続されている。第２の電極層２５ｂは、第１の電極層２５ｃを覆うように設けられている。第３の電極層２５ａは、第２の電極層２５ｂを覆うように設けられている。
【０１３１】
画素２Ｇにおいては、絶縁層４０上に、第２の電極層２５ｂと第３の電極層２５ａとが順に積層され形成されている。第２の電極層２５ｂと第３の電極層２５ａとで、画素電極２５ｅが構成される。画素電極２５ｅは、陽極２４として機能する。第２の電極層２５ｂは、絶縁層４０上に、第１の反射層４２に平面的に重なるように設けられている。第２の電極層２５ｂは、絶縁層４０と平坦化層２８と保護層２６とを貫通するコンタクトホール２８ａを介してドレイン電極１２ｄに導電接続されている。第３の電極層２５ａは、第２の電極層２５ｂを覆うように設けられている。
【０１３２】
画素２Ｂにおいては、絶縁層４０上に、第２の反射層４４を覆うように画素電極２５ａが設けられている。第２の反射層４４と画素電極２５ａとで、陽極２４が構成される。画素電極２５ａは、絶縁層４０と平坦化層２８と保護層２６とを貫通するコンタクトホール２８ａを介してドレイン電極１２ｄに導電接続されている。画素電極２５ａは、第３の電極層２５ａと同一の工程で形成されており、第３の電極層２５ａと同じ層厚を有している。
【０１３３】
第１の電極層２５ｃの層厚と、第２の電極層２５ｂの層厚と、第３の電極層２５ａ（画素電極２５ａ）の層厚とは、それぞれ異なっていてもよい。第１の電極層２５ｃと第２の電極層２５ｂと第３の電極層２５ａ（画素電極２５ａ）とは、例えば非晶質のＩＴＯからなる。なお、第３の電極層２５ａ（画素電極２５ａ）は、多結晶のＩＴＯで形成されていてもよい。
【０１３４】
有機ＥＬ装置３００では、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂで画素電極の層厚が異なっており、画素電極２５ｅは画素電極２５ａよりも第２の電極層２５ｂの層厚分だけ厚く、画素電極２５ｄは画素電極２５ｅよりも第１の電極層２５ｃの層厚分だけ厚く形成されている。
【０１３５】
端子部６０には、絶縁層４０上に、第１の電極層６４ｃと第２の電極層６４ｂと第３の電極層６４ａとが順に積層され形成されている。第１の電極層６４ｃと第２の電極層６４ｂと第３の電極層６４ａとで、電極部６４が構成される。第１の電極層６４ｃ、第２の電極層６４ｂ、第３の電極層６４ａは、それぞれ第１の電極層２５ｃ、第２の電極層２５ｂ、第３の電極層２５ａと同じ層厚を有している。
【０１３６】
有機ＥＬ装置３００では、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいて、同一色に発光する有機機能層３０を有している。有機機能層３０では、例えば白色の発光が得られる。したがって、有機ＥＬ装置３００は、白色に発光する有機ＥＬ素子８を画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに備えている。有機機能層３０は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいてほぼ同じ層厚で形成されている。
【０１３７】
有機ＥＬ装置３００では、有機機能層３０で発せられた光を共振させる光共振器が形成されているので、有機機能層３０が白色の発光する構成であっても、Ｒ、Ｇ、Ｂの３つの異なる光を射出することができる。有機ＥＬ装置３００では、光共振器が形成されているので、有機機能層３０の発光材料として白色発光材料を共通使用することが可能であるとも言える。
【０１３８】
カラーフィルター５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂは、封止基板５２の有機ＥＬ素子８側に、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂに対応してそれぞれの有機ＥＬ素子８に平面的に重なるように設けられている。有機ＥＬ素子８により発光し、光共振器から出力される光のうち、Ｒ、Ｇ、Ｂの３つの異なる光がそれぞれカラーフィルター５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂを透過する。これにより、色再現性に優れた有機ＥＬ装置を提供できる。
【０１３９】
なお、隣り合うカラーフィルター５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂ同士の間に、遮光層が設けられていてもよい。また、カラーフィルター５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂの有機ＥＬ素子８側の表面を覆うとともにその表面の凹凸を緩和する平坦化層が設けられていてもよい。
【０１４０】
第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置３００では、上記実施形態に係る有機ＥＬ装置１００，２００と同様に、画素２Ｒ，２Ｇに対応して銀または銀を含む合金からなる第１の反射層４２が配置され、画素２Ｂにアルミニウムまたはアルミニウムを含む合金からなる第２の反射層４４が配置される。したがって、有機ＥＬ装置１００，２００と同様に、画素２Ｂにおける明るさが向上し、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂ間で明るさがより均一な有機ＥＬ装置を提供できる。
【０１４１】
また、有機ＥＬ装置３００においても、有機ＥＬ装置１００，２００と同様に、有機機能層３０で発せられた光を共振させる光共振器が形成されている。ただし、有機ＥＬ装置３００では、有機機能層３０は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいてほぼ同じ層厚で形成されている。有機ＥＬ装置３００では、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂにおいて、光共振器におけるそれぞれの共振波長が所定の波長λとなるように、画素電極２５ｄ，２５ｅ，２５ａの層厚で光学的距離Ｌを調整する構成となっている。
【０１４２】
画素２Ｒでは、画素電極２５ｄ、すなわち第１の電極層２５ｃと第２の電極層２５ｂと第３の電極層２５ａと、導電層４６ｂと絶縁層４０と有機機能層３０との層厚で光学的距離Ｌが決まる。画素２Ｇでは、画素電極２５ｅ、すなわち第２の電極層２５ｂと第３の電極層２５ａと、導電層４６ｂと絶縁層４０と有機機能層３０との層厚で光学的距離Ｌが決まる。画素２Ｂでは、画素電極２５ａと有機機能層３０との層厚で光学的距離Ｌが決まる。したがって、第１の電極層２５ｃ、第２の電極層２５ｂ、第３の電極層２５ａ（画素電極２５ａ）のそれぞれの層厚を適宜設定することにより、光共振器の光学的距離Ｌが調整される。
【０１４３】
ここで、有機ＥＬ装置３００では、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのうち光共振器の光学的距離Ｌが最も小さくなる画素２Ｂでも、有機機能層３０の層厚はほぼ同じである。しかしながら、画素２Ｒ，２Ｇに比べて画素２Ｂでは、第１の電極層２５ｃと第２の電極層２５ｂとの層厚分に加え、第２の反射層４４を配置することにより導電層４６ｂと絶縁層４０との層厚分だけ薄くできる。これにより、光学設計における光共振器の光学的距離Ｌの調整を容易に行うことができる。
【０１４４】
＜有機ＥＬ装置の製造方法＞
次に、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法について図を参照して説明する。図１５は、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明するフローチャートである。図１６および図１７は、第３の実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を説明する図である。
【０１４５】
図１５に示すように、有機ＥＬ装置の製造方法は、基体準備工程Ｓ１０と、導電層形成工程Ｓ４１と、第１の反射層形成工程Ｓ４０と、導電層形成工程Ｓ４２と、絶縁層形成工程Ｓ４３と、第２の反射層形成工程Ｓ２０と、画素電極形成工程Ｓ３３と、有機機能層形成工程Ｓ５１と、陰極形成工程Ｓ６０と、カラーフィルター形成工程Ｓ８０と、封止部形成工程Ｓ７０と、を含んでいる。上記実施形態と共通する工程については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【０１４６】
画素電極形成工程Ｓ３３は、第１の電極層２５ｃを形成する工程と、第２の電極層２５ｂを形成する工程と、第３の電極層２５ａを形成する工程とを含んでいる。第１の電極層２５ｃを形成する工程では、図１６（ａ）に示すように、画素２Ｒの領域に第１の電極層２５ｃを形成する。まず、保護層２６を開口してコンタクトホール２８ａを設け、例えばスパッタリング法により、絶縁層４０と第２の反射層４４とを覆うように、非晶質のＩＴＯからなる導電膜を成膜する。そして、フォトリソグラフィ法を用いて導電膜のパターン加工を行い、画素２Ｒの領域に第１の電極層２５ｃを形成する。また、配線部６２上に、第１の電極層６４ｃを形成する。
【０１４７】
続いて、第２の電極層２５ｂを形成する工程では、図１６（ｂ）に示すように、画素２Ｒ，２Ｇの領域に第２の電極層２５ｂを形成する。例えばスパッタリング法により、絶縁層４０と第１の電極層２５ｃと第２の反射層４４とを覆うように非晶質のＩＴＯからなる導電膜を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いて導電膜のパターン加工を行い第２の電極層２５ｂを形成する。また、第１の電極層６４ｃ上に、第２の電極層６４ｂを形成する。
【０１４８】
なお、画素２Ｒにおいて、第２の電極層２５ｂを、下に位置する第１の電極層２５ｃを覆うように形成することが好ましい。第２の電極層２５ｂをこのように形成すれば、第２の電極層２５ｂを形成する工程でのパターン加工において、第１の電極層２５ｃを保護できる。第２の電極層６４ｂについても同様である。
【０１４９】
続いて、第３の電極層２５ａを形成する工程では、図１７（ａ）に示すように、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂの領域に第３の電極層２５ａを形成する。例えばスパッタリング法により、絶縁層４０と第２の電極層２５ｂと第２の反射層４４とを覆うように非晶質のＩＴＯからなる導電膜を成膜し、フォトリソグラフィ法を用いて導電膜のパターン加工を行い第３の電極層２５ａを形成する。
【０１５０】
なお、画素２Ｒ，２Ｇにおいて、第３の電極層２５ａを、下に位置する第２の電極層２５ｂを覆うように形成することが好ましい。第３の電極層２５ａをこのように形成すれば、第３の電極層２５ａを形成する工程でのパターン加工において、第２の電極層２５ｂを保護できる。第３の電極層６４ａについても同様である。
【０１５１】
これにより、画素２Ｒの領域に画素電極２５ｄ（陽極２４）が形成され、画素２Ｇの領域に画素電極２５ｅ（陽極２４）が形成される。画素２Ｂの領域には、第２の反射層４４上に第３の電極層２５ａからなる画素電極２５ａが形成され、第２の反射層４４と画素電極２５ａとで陽極２４が構成される。また、第２の電極層６４ｂ上に、第３の電極層６４ａが形成され、第１の電極層６４ｃと第２の電極層６４ｂと第３の電極層６４ａとで電極部６４が構成される。
【０１５２】
第３の電極層２５ａ（画素電極２５ａ）と第３の電極層６４ａとを、多結晶のＩＴＯで形成してもよい。また、第１の電極層２５ｃ、第２の電極層２５ｂ、第３の電極層２５ａ（画素電極２５ａ）、および第１の電極層６４ｃ、第２の電極層６４ｂ、第３の電極層６４ａを後で焼成することにより、多結晶化させてもよい。
【０１５３】
画素電極形成工程Ｓ３３において、第１の電極層２５ｃ、第２の電極層２５ｂ、第３の電極層２５ａのそれぞれの層厚は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれにおける光共振器の共振波長が所定の波長λになるよう所定の層厚に形成される。
【０１５４】
ここで、第２の反射層４４は、第１の電極層２５ｃを形成する工程および第２の電極層２５ｂを形成する工程において、２回のパターン加工の一連のプロセスに晒されることになる。しかしながら、これらの工程におけるパターン加工ではエッチング液として弱酸溶液を用いるので、第２の反射層４４が損傷を受けるのを抑えることができる。
【０１５５】
また、導電層４６ａと第１の反射層４２と導電層４６ｂとの３層の積層構造は、絶縁層４０に覆われているので、画素電極形成工程Ｓ３３における３回のパターン加工による損傷から保護される。これにより、第１の反射層４２が損傷を受けるのを抑えることができる。
【０１５６】
次に、有機機能層形成工程Ｓ５１では、図１７（ｂ）に示すように、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂのそれぞれに、白色の発光が得られる有機機能層３０を形成する。有機機能層３０は、画素２Ｒ，２Ｇ，２Ｂでほぼ同じ層厚に形成される。
【０１５７】
次に、カラーフィルター形成工程Ｓ８０では、図１４に示すように、封止基板５２の有機ＥＬ素子８側にカラーフィルター５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂを形成する。カラーフィルター５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂは、例えばＲ、Ｇ、Ｂの異なる色の光を透過させるような顔料を含む感光性樹脂を塗布してパターン加工を行うことにより形成する。
【０１５８】
なお、互いに隣り合うカラーフィルター５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂ同士の間に、例えばクロム（Ｃｒ）等からなる遮光層を形成してもよい。また、カラーフィルター５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂの有機ＥＬ素子８側の表面を覆うとともにその表面の凹凸を緩和する平坦化層をさらに形成してもよい。
【０１５９】
＜電子機器＞
上述した有機ＥＬ装置１００，２００，３００は、例えば、図１８に示すように、電子機器としての携帯電話機５００に搭載して用いることができる。携帯電話機５００は、表示部５０２に有機ＥＬ装置１００，２００，３００を備えている。この構成により、表示部５０２を有する携帯電話機５００は、画素間でより均一な明るさが得られる。
【０１６０】
また、電子機器は、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置の車載モニター等であってもよい。
【０１６１】
以上、本発明の実施形態について説明したが、上記実施形態に対しては、本発明の趣旨から逸脱しない範囲で様々な変形を加えることができる。変形例としては、例えば以下のようなものが考えられる。
【０１６２】
（変形例１）
上記実施形態の有機ＥＬ装置は、画素２からＲ、Ｇ、Ｂの３色の光を射出する構成であったが、上記の形態に限定されない。有機ＥＬ装置は、画素２から、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の他に、例えば白色やシアン等他の色の光を射出する構成であってもよい。このような構成であっても、Ｂ光や、Ｂ光と同様に他の波長の光よりも光反射率が低下する度合いが大きい波長の光を射出する画素２に対応して第２の反射層４４を配置することで、この波長の光を射出する画素２における明るさが向上し、異なる波長の光を射出する画素２間で明るさがより均一な有機ＥＬ装置を提供できる。
【０１６３】
（変形例２）
上記実施形態の有機ＥＬ装置は、光共振器を備えた構成であったが、上記の形態に限定されない。有機ＥＬ装置は、光共振器を備えていない構成であってもよい。このような構成であっても、他の波長の光よりも光反射率が低下する度合いが大きい波長の光を射出する画素２に対応して第２の反射層４４を配置することで、この波長の光を射出する画素２における明るさが向上し、異なる波長の光を射出する画素２間で明るさがより均一な有機ＥＬ装置を提供できる。
【０１６４】
（変形例３）
上記実施形態の有機ＥＬ装置では、画素２は、略矩形の平面形状を有しており、マトリクス状に配列されていたが、上記の形態に限定されない。画素２は、円形や楕円形等の他の平面形状を有していてもよい。また、画素２は、千鳥格子状等に配列されていてもよい。
【符号の説明】
【０１６５】
２…画素、２０…基体、２３ａ，４６ａ…第１の導電層としての導電層、２３ｂ，２５ａ，２５ｄ，２５ｅ…第１の電極としての画素電極、２５ａ…第３の電極層、２５ｂ…第２の電極層、２５ｃ…第１の電極層、３０…有機機能層、３４…発光層、３８…第２の電極としての陰極、４０…絶縁層、４２…第１の反射層、４４…第２の反射層、４６ｂ…第２の導電層としての導電層、５６Ｒ，５６Ｇ，５６Ｂ…カラーフィルター、１００，２００，３００…有機ＥＬ装置、５００…電子機器としての携帯電話機。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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