【手続補正書】
【提出日】平成17年10月17日(2005.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層と、ゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁膜とを含む薄膜トランジスタを有し、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域と、第３の不純物領域とを有し、
前記第１の不純物領域は、前記第２の不純物領域及び前記第３の不純物領域よりも濃度が高く、
前記第２の不純物領域は前記第１の不純物領域と前記第３の不純物領域との間に設けられ、
前記第３の不純物領域は前記第１の不純物領域よりも前記チャネル形成領域に近く設けられ、
前記ゲート電極は側面に傾斜を有すると共に、前記チャネル形成領域及び前記第２の不純物領域と重なっている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記薄膜トランジスタはｎチャネル型であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタとを有し、
前記第１の薄膜トランジスタと前記第２の薄膜トランジスタとは、それぞれ、半導体層と、ゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁膜とを含み、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域と、第３の不純物領域とを有し、
前記第１の不純物領域は、前記第２の不純物領域及び前記第３の不純物領域よりも濃度が高く、
前記第２の不純物領域は前記第１の不純物領域と前記第３の不純物領域との間に設けられ、
前記第３の不純物領域は前記第１の不純物領域よりも前記チャネル形成領域に近く設けられ、
前記ゲート電極は側面に傾斜を有すると共に、前記チャネル形成領域及び前記第２の不純物領域と重なり、
前記第１の薄膜トランジスタに含まれる前記第２の不純物領域のチャネル長方向の長さと、前記第２の薄膜トランジスタに含まれる前記第２の不純物領域のチャネル長方向の長さとは異なる
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記第１の薄膜トランジスタ及び前記第２の薄膜トランジスタは共にｎチャネル型であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ゲート電極は、第１の導電層と、前記第１の導電層と積層する第２の導電層とを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタとを有し、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、第１のゲート電極と、前記第１の半導体層と前記第１のゲート電極との間に設けられた第１のゲート絶縁膜とを含み、
前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域と、第３の不純物領域とを有し、
前記第１の不純物領域は、前記第２の不純物領域及び前記第３の不純物領域よりも濃度が高く、
前記第２の不純物領域は前記第１の不純物領域と前記第３の不純物領域との間に設けられ、
前記第３の不純物領域は前記第１の不純物領域よりも前記第１のチャネル形成領域に近く設けられ、
前記第１のゲート電極は、前記第１のチャネル形成領域及び前記第２の不純物領域と重なり、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、第２のゲート電極と、前記第２の半導体層と前記第２のゲート電極との間に設けられた第２のゲート絶縁膜とを含み、
前記第２の半導体層は第２のチャネル形成領域と第４の不純物領域とを有し、
前記第２のゲート電極は前記第２のチャネル形成領域と重なり、
前記第１のゲート電極の側面と前記第１のゲート絶縁膜とがなす角度は、前記第２のゲート電極の側面と前記第２のゲート絶縁膜とがなす角度よりも小さい
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記第１の薄膜トランジスタはｎチャネル型であることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２の薄膜トランジスタはｐチャネル型であることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタと第３の薄膜トランジスタとを有し、
前記第１の薄膜トランジスタと前記第２の薄膜トランジスタとは、それぞれ、第１の半導体層と、第１のゲート電極と、前記第１の半導体層と前記第１のゲート電極との間に設けられた第１のゲート絶縁膜とを含み、
前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域と、第３の不純物領域とを有し、
前記第１の不純物領域は、前記第２の不純物領域及び前記第３の不純物領域よりも濃度が高く、
前記第２の不純物領域は前記第１の不純物領域と前記第３の不純物領域との間に設けられ、
前記第３の不純物領域は前記第１の不純物領域よりも前記第１のチャネル形成領域に近く設けられ、
前記第１のゲート電極は、前記第１のチャネル形成領域及び前記第２の不純物領域と重なり、
前記第３の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、第２のゲート電極と、前記第２の半導体層と前記第２のゲート電極との間に設けられた第２のゲート絶縁膜とを含み、
前記第２の半導体層は第２のチャネル形成領域と第４の不純物領域とを有し、
前記第２のゲート電極は前記第２のチャネル形成領域と重なり、
前記第１の薄膜トランジスタに含まれる前記第２の不純物領域のチャネル長方向の長さと、前記第２の薄膜トランジスタに含まれる前記第２の不純物領域のチャネル長方向の長さとは異なり、
前記第１のゲート電極の側面と前記第１のゲート絶縁膜とがなす角度は、前記第２のゲート電極の側面と前記第２のゲート絶縁膜とがなす角度よりも小さい
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記第１の薄膜トランジスタ及び前記第２の薄膜トランジスタは共にｎチャネル型であることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第３の薄膜トランジスタはｐチャネル型であることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第１のゲート電極と前記第２のゲート電極とは、それぞれ、第１の導電層と、前記第１の導電層と積層する第２の導電層とを含むことを特徴とする請求項６乃至請求項１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
半導体層と、ゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁膜とを含む薄膜トランジスタを有し、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域と、第３の不純物領域とを有し、
前記第１の不純物領域は、前記第２の不純物領域及び前記第３の不純物領域よりも濃度が高く、
前記第２の不純物領域は前記第１の不純物領域と前記第３の不純物領域との間に設けられ、
前記第３の不純物領域は前記第１の不純物領域よりも前記チャネル形成領域に近く設けられ、
前記ゲート電極は、第１の導電層と、前記第１の導電層上の第２の導電層とを含み、
前記第２の導電層の幅は前記第１の導電層の幅よりも短く、
前記第１の導電層は、前記チャネル形成領域及び前記第２の不純物領域と重なり、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層及び前記チャネル形成領域と重なる
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
前記薄膜トランジスタはｎチャネル型であることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタとを有し、
前記第１の薄膜トランジスタと前記第２の薄膜トランジスタとは、それぞれ、半導体層と、ゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極との間に設けられたゲート絶縁膜とを含み、
前記半導体層は、チャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域と、第３の不純物領域とを有し、
前記第１の不純物領域は、前記第２の不純物領域及び前記第３の不純物領域よりも濃度が高く、
前記第２の不純物領域は前記第１の不純物領域と前記第３の不純物領域との間に設けられ、
前記第３の不純物領域は前記第１の不純物領域よりも前記チャネル形成領域に近く設けられ、
前記ゲート電極は、第１の導電層と、前記第１の導電層上の第２の導電層とを含み、
前記第２の導電層の幅は前記第１の導電層の幅よりも短く、
前記第１の導電層は、前記チャネル形成領域及び前記第２の不純物領域と重なり、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層及び前記チャネル形成領域と重なり、
前記第１の薄膜トランジスタに含まれる前記第２の不純物領域のチャネル長方向の長さと、前記第２の薄膜トランジスタに含まれる前記第２の不純物領域のチャネル長方向の長さとは異なる
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
前記第１の薄膜トランジスタ及び前記第２の薄膜トランジスタは共にｎチャネル型であることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置。
【請求項１７】
第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタとを有し、
前記第１の薄膜トランジスタは、第１の半導体層と、第１のゲート電極と、前記第１の半導体層と前記第１のゲート電極との間に設けられた第１のゲート絶縁膜とを含み、
前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域と、第３の不純物領域とを有し、
前記第１の不純物領域は、前記第２の不純物領域及び前記第３の不純物領域よりも濃度が高く、
前記第２の不純物領域は前記第１の不純物領域と前記第３の不純物領域との間に設けられ、
前記第３の不純物領域は前記第１の不純物領域よりも前記第１のチャネル形成領域に近く設けられ、
前記第１のゲート電極は、第１の導電層と、前記第１の導電層上の第２の導電層とを含み、
前記第２の導電層の幅は前記第１の導電層の幅よりも短く、
前記第１の導電層は、前記第１のチャネル形成領域及び前記第２の不純物領域と重なり、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層及び前記チャネル形成領域と重なり、
前記第２の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、第２のゲート電極と、前記第２の半導体層と前記第２のゲート電極との間に設けられた第２のゲート絶縁膜とを含み、
前記第２の半導体層は第２のチャネル形成領域と第４の不純物領域とを有し、
前記第２のゲート電極は、第３の導電層と、前記第３の導電層上の第４の導電層とを含み、
前記第３の導電層と前記第４の導電層とは共に前記第２のチャネル形成領域と重なり、
前記第３の導電層と前記第４の導電層とは同じ長さである
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
前記第１の薄膜トランジスタはｎチャネル型であることを特徴とする請求項１７に記載の半導体装置。
【請求項１９】
前記第２の薄膜トランジスタはｐチャネル型であることを特徴とする請求項１７または請求項１８に記載の半導体装置。
【請求項２０】
第１の薄膜トランジスタと第２の薄膜トランジスタと第３の薄膜トランジスタとを有し、
前記第１の薄膜トランジスタと前記第２の薄膜トランジスタとは、それぞれ、第１の半導体層と、第１のゲート電極と、前記第１の半導体層と前記第１のゲート電極との間に設けられた第１のゲート絶縁膜とを含み、
前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域と、第１の不純物領域と、第２の不純物領域と、第３の不純物領域とを有し、
前記第１の不純物領域は、前記第２の不純物領域及び前記第３の不純物領域よりも濃度が高く、
前記第２の不純物領域は前記第１の不純物領域と前記第３の不純物領域との間に設けられ、
前記第３の不純物領域は前記第１の不純物領域よりも前記第１のチャネル形成領域に近く設けられ、
前記第１のゲート電極は、第１の導電層と、前記第１の導電層上の第２の導電層とを含み、
前記第２の導電層の幅は前記第１の導電層の幅よりも短く、
前記第１の導電層は、前記第１のチャネル形成領域及び前記第２の不純物領域と重なり、
前記第２の導電層は、前記第１の導電層及び前記チャネル形成領域と重なり、
前記第１の薄膜トランジスタに含まれる前記第２の不純物領域のチャネル長方向の長さと、前記第２の薄膜トランジスタに含まれる前記第２の不純物領域のチャネル長方向の長さとは異なり、
前記第３の薄膜トランジスタは、第２の半導体層と、第２のゲート電極と、前記第２の半導体層と前記第２のゲート電極との間に設けられた第２のゲート絶縁膜とを含み、
前記第２の半導体層は第２のチャネル形成領域と第４の不純物領域とを有し、
前記第２のゲート電極は、第３の導電層と、前記第３の導電層上の第４の導電層とを含み、
前記第３の導電層と前記第４の導電層とは共に前記第２のチャネル形成領域と重なり、
前記第３の導電層と前記第４の導電層とは同じ長さであり、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
前記第１の薄膜トランジスタ及び前記第２の薄膜トランジスタは共にｎチャネル型であることを特徴とする請求項２０に記載の半導体装置。
【請求項２２】
前記第３の薄膜トランジスタはｐチャネル型であることを特徴とする請求項２０または請求項２１に記載の半導体装置。
【請求項２３】
前記第１の導電層は側面に傾斜を有することを特徴とする請求項１３乃至請求項２２のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項２４】
請求項１乃至請求項２３のいずれか一項に記載の半導体装置を用いていることを特徴とする電気器具。