Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月30日(2005.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】静電浮上搬送装置および静電浮上搬送装置付ロボット
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板からなる電極プレートと、前記電極プレート上に複数に分割配置されると共に、正電圧または負電圧の少なくとも何れかが印加される靜電浮上用電極と、前記靜電浮上用電極と対向する被搬送物と、前記被搬送物が目標位置に浮上できるように前記靜電浮上用電極へ印加する電圧を制御する制御器と、を備え、 前記靜電浮上用電極への電圧の印加により前記被搬送物を静電吸引力により吸引して非接触で保持して前記被搬送物を予定された位置に搬送させる静電浮上搬送装置において、前記複数に分割された静電浮上用電極は、前記電極プレートと空隙を介して対向配置され、前記電極プレートは、前記靜電浮上用電極との間を接続するように設けた可撓性を有する梁部と、前記梁部に設けられると共に、前記梁部が前記靜電浮上用電極の静電吸引力で可動する際に生じる前記梁部の歪み量を検出する歪み検出素子とよりなる力センサが設けられ、前記力センサの検出信号に応じて前記制御器にフィードバックするようにしたことを特徴とする静電浮上搬送装置。
【請求項２】
前記電極プレートに、前記電極プレートの加速度を検出する加速度センサが設けられ、前記加速度センサにより得た加速度検出値に比例した前記被搬送物の慣性力を検出するようにした請求項１記載の静電浮上搬送装置。
【請求項３】
前記電極プレートに、前記電極プレートが浮上した際に基準面となる床からの変位を検出する変位センサが設けられ、前記変位センサの変位検出値から演算により加速度を求めるようにした請求項１記載の静電浮上搬送装置。
【請求項４】
前記電極プレートは、ロボットのマニピュレータに取付けられ、前記ロボットに内蔵されたモータのエンコーダの回転速度から前記電極プレートの加速度を検出するようにした請求項１記載の静電浮上搬送装置。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか１項に記載の静電浮上搬送装置と、前記静電浮上搬送装置の電極プレートを先端部に装着したマニピュレータと、を備えたことを特徴とする静電浮上搬送装置付ロボット
ロボット。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、被搬送物を静電吸引力により非接触で浮上させて搬送する静電浮上搬送装置および静電浮上搬送装置付ロボットに関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、従来技術では、以下に示すような問題があった。
（１）特に、被搬送物がガラス基板の場合、光量測定方式の変位センサは、レーザ光がガラスを透過してしまいガラス表面からの反射光の光量が少ないため靜電浮上搬送装置に使用することができなかった。また、三角測量方式の変位センサは、レーザ光のガラス裏面から反射の影響や、床などのガラスの下方にある物体からの反射の影響により該装置に使用することができなかった。
（２）静電浮上搬送装置が用いられるクリーンルームは、高真空に保たれている場合が多いが、高真空中では変位センサに用いられる半導体レーザの放熱が困難であるため、安定にレーザの発振ができなかった。
（３）変位センサを電極プレートの各々の靜電浮上用電極の上方に設置する構成から取り付けスペースの確保が必要なため、省スペース化に不向きという問題があった。
そこで、本発明は、被搬送物の材質または光学特性に影響することなく被搬送物を安定に浮上することができると共に、高真空中で発熱のない、小形に構成し得る静電浮上搬送装置および静電浮上搬送装置付ロボットを提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するため、請求項１の本発明は、絶縁基板からなる電極プレートと、前記電極プレート上に複数に分割配置されると共に、正電圧または負電圧の少なくとも何れかが印加される靜電浮上用電極と、前記靜電浮上用電極と対向する被搬送物と、前記被搬送物が目標位置に浮上できるように前記靜電浮上用電極へ印加する電圧を制御する制御器と、を備え、 前記靜電浮上用電極への電圧の印加により前記被搬送物を静電吸引力により吸引して非接触で保持して前記被搬送物を予定された位置に搬送させる静電浮上搬送装置において、前記複数に分割された静電浮上用電極は、前記電極プレートと空隙を介して対向配置され、前記電極プレートは、前記靜電浮上用電極との間を接続するように設けた可撓性を有する梁部と、前記梁部に設けられると共に、前記梁部が前記靜電浮上用電極の静電吸引力で可動する際に生じる前記梁部の歪み量を検出する歪み検出素子とよりなる力センサが設けられ、前記力センサの検出信号に応じて前記制御器にフィードバックするようにしたものである。
請求項２の本発明は、請求項１記載の静電浮上搬送装置において、前記電極プレートに、前記電極プレートの加速度を検出する加速度センサが設けられ、前記加速度センサにより得た加速度検出値に比例した前記被搬送物の慣性力を検出するようにしたものである。
請求項３の本発明は、請求項１記載の静電浮上搬送装置において、前記電極プレートに、前記電極プレートが浮上した際に基準面となる床からの変位を検出する変位センサが設けられ、前記変位センサの変位検出値から演算により加速度を求めるようにしたものである。
請求項４の本発明は、請求項１記載の静電浮上搬送装置において、前記電極プレートは、ロボットのマニピュレータに取付けられ、前記ロボットに内蔵されたモータのエンコーダの回転速度から前記電極プレートの加速度を検出するようにしたものである。
請求項５の発明は、請求項１〜４の何れか１項に記載の静電浮上搬送装置と、前記静電浮上搬送装置の電極プレートを先端部に装着したマニピュレータと、を備えた静電浮上搬送装置付ロボットを特徴としている。
上記手段により、力センサの信号をフィードバック信号として浮上電極への印加電圧を制御し、静電浮上力をコントロールすることにより被搬送物を非接触に浮上させることができる。そのため、光学式の変位センサが不要となり、高真空のクリーンルーム内で使用できるし、被搬送物がガラスの場合も浮上搬送することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月19日(2005.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体を案内する給紙搬送ガイドにおいて、
記録媒体を案内する非可撓性のガイド本体と、
該ガイド本体のうち搬送方向下流側の部分に一端部が固定されると共に他端部が搬送方向下流に向かって突出した、可撓性かつ非塑性変形性を有する２層構造のガイド補助板とを備えたことを特徴とする給紙搬送ガイド。
【請求項２】
前記ガイド補助板は、
記録媒体が接触する、低い摩擦抵抗を有する接触面が形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載の給紙搬送ガイド。
【請求項３】
前記ガイド補助板は、
接着あるいは一体に成型された２層構造であって、下層がゴム等の可撓性を有し、上層は樹脂等の非可撓性を有するものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の給紙搬送ガイド。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明の給紙搬送ガイドは、記録媒体を案内する給紙搬送ガイドにおいて、
（１）記録媒体を案内する非可撓性のガイド本体と、
（２）該ガイド本体のうち搬送方向下流側の部分に一端部が固定されると共に他端部が搬送方向下流に向かって突出した、可撓性かつ非塑性変形性を有する２層構造のガイド補助板とを備えたことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
ここで、前記ガイド補助板は、
（３）記録媒体が接触する、低い摩擦抵抗を有する接触面が形成されたものであってもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、前記ガイド補助板は、
（４）接着あるいは一体に成型された２層構造であって、下層がゴム等の可撓性を有し、上層は樹脂等の非可撓性を有するものであってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月11日(2005.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】エスカレータ及び引張曲げ成形方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
曲がっている部分のある第一の部品と曲がっていない第二の部品とが連結されているか又は隣接して配置されているデッキボード又は欄干を有するエスカレータであって、
前記第一の部品の鏡面光沢度と前記第二の部品に対する鏡面光沢度の差が２０％以内であることを特徴とするエスカレータ。
【請求項２】
請求項１において、
前記鏡面光沢度の差は、光源及び受光器の開き角を２０°として鏡面光沢度を測定した場合の差であることを特徴とするエスカレータ。
【請求項３】
曲がっている部分のある第一の部品と曲がっていない第二の部品とが連結されているか又は隣接して配置されているデッキボード又は欄干を有するエスカレータであって、
前記第一の部品の平均表面粗さと前記第二の部品の平均表面粗さの差が２０％以内であることを特徴とするエスカレータ。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかにおいて、
前記第一の部品は第二の部品に対する伸び歪みが２％以下であることを特徴とするエスカレータ。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかにおいて、
前記第一の部品及び前記第二の部品は、ステンレス、メッキ鋼板及びアルミのいずれかであることを特徴とする引張曲げ成形方法。
【請求項６】
張力を付加しながら成形対象を曲げる成形方法であって、
張力を付加しながら成形対象を曲げた後、さらに張力を付加する引張曲げ成形方法。
【請求項７】
請求項６において、
前記成形対象の曲げ部と型との間に弾性材料を挿入して曲げていることを特徴とする引張曲げ成形方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記弾性材料は、ウレタン又はナイロンであることを特徴とする引張曲げ成形方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月17日(2005.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
上記給紙台（１２）の用紙搬送側に隣接して配置され、上記無端循環ベルト部材（２４）の給紙台（１２）に対向する部分の下側に、略用紙搬送方向とは反対方向に空気を吹き込む空気吹き込み手段（６２）と、
上記無端循環ベルト部材（２４）の給紙台（１２）に対向する部分の間から下方に所定距離突出した押さえ部材（１８）と、
給紙台（１２）の用紙搬送側に隣接して上記押さえ部材（１８）の用紙幅方向両側に配置され、用紙搬送経路に下方から延在して接近するさばき部材（１６）とをさらに備えたことを特徴とする、請求項１に記載の用紙裁断装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月21日(2005.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記の方法において、ヒドロシリル化反応用触媒は、付加重合を促進して、シロキサン結合とシルアルキレン結合を有する有機ケイ素重合体を調製するための触媒である。このヒドロシリル化反応用触媒としては、白金系触媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒が例示され、この付加重合を著しく促進できることから白金系触媒であることが好ましい。この白金系触媒としては、微粒子状白金、白金担持シリカ微粉末、白金担持活性炭、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金−アルケニルシロキサン錯体、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニル錯体が例示され、特に、白金−アルケニルシロキサン錯体であることが好ましい。このアルケニルシロキサンとしては、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、これらのアルケニルシロキサンのメチル基の一部をエチル基、フェニル基等に置換したアルケニルシロキサン、これらのアルケニルシロキサンのビニル基をアリル基、ヘキシニル基等に置換したアルケニルシロキサンが例示され、この白金−アルケニルシロキサン錯体としての安定性が良好であることから、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサンであることが好ましい。また、この白金−アルケニルシロキサン錯体の安定性を向上させることができることから、この錯体に１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジアリル−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジビニル−１，３−ジメチル−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，３−ジビニル−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラビニルシクロテトラシロキサン等のアルケニルシロキサンやジメチルシロキサンオリゴマー等のオルガノシロキサンオリゴマーを添加することが好ましく、特に、アルケニルシロキサンを添加することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月27日(2005.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ａｌ：９９．８wt％以上を含むとともに、Ｓｃ：１〜１０００ｐｐｍを含み、残部が不可避不純物からなることを特徴とする高強度アルミニウム合金。
【請求項２】
Ａｌ：９９．８wt％以上を含むとともに、Ｓｃ：１〜１０００ｐｐｍ、Ｆｅ５〜６０ｐｐｍおよびＳｉ：５〜８０ｐｐｍを含み、残部が不可避不純物からなることを特徴とする高強度アルミニウム合金。
【請求項３】
Ａｌ：９９．８wt％以上を含むとともに、Ｓｃ：１〜１０００ｐｐｍ、Ｆｅ：５〜６０ｐｐｍ、Ｓｉ：５〜８０ｐｐｍを含み、さらにＧａ：５〜５０ｐｐｍおよびＺｎ：５〜５０ｐｐｍのうちの１種以上を含み、残部が不可避不純物からなることを特徴とする高強度アルミニウム合金。
【請求項４】
Ａｌ：９９．８wt％以上を含むとともに、Ｓｃ：１〜１０００ｐｐｍ、Ｆｅ：５〜６０ｐｐｍ、Ｓｉ：５〜８０ｐｐｍおよびＺｒ：５〜８００ｐｐｍを含み、さらにＧａ：５〜５０ｐｐｍおよびＺｎ：５〜５０ｐｐｍのうちの１種以上を含み、残部が不可避不純物からなることを特徴とする高強度アルミニウム合金。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載された高強度アルミニウム合金からなることを特徴とする電線。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれか１項に記載された高強度アルミニウム合金からなることを特徴とする反射板。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月7日(2004.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
すなわち、まず、本発明で用いる熱可塑性ポリウレタン（ｂ）は、数平均分子量が１，５００〜５，０００のポリエステルジオール、有機ジイソシアネートおよび鎖伸長剤の反応により得られる熱可塑性ポリウレタンである。
熱可塑性ポリウレタンの製造に用いられるポリエステルジオールの数平均分子量が１，５００未満であると、熱可塑性エラストマー組成物の耐ブロッキング性が低下し膠着を生じ易くなる。一方、該ポリエステルジオールの数平均分子量が５，０００を超えると、熱可塑性ポリウレタンの流動性が低下して、エチレン−α−オレフィン共重合体（ａ）中での分散性が悪くなり、得られる熱可塑性エラストマー組成物の溶融成形性が不良となる。熱可塑性ポリウレタン（ｂ）の製造に用いられるポリエステルジオールは、その数平均分子量が１，８００〜４，０００の範囲内であることが好ましい。
なお、本明細書でいうポリエステルジオールの数平均分子量は、ＪＩＳ  Ｋ−１５５７に準拠して測定した水酸基価に基づいて算出した数平均分子量である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
熱可塑性ポリウレタン（ｂ）の製造に用いられる鎖伸長剤としては特に制限はなく、熱可塑性ポリウレタンの製造に従来から使用されている鎖伸長剤のいずれを使用してもよく、そのうちでもイソシアネート基と反応し得る活性水素原子を分子中に２個有する低分子化合物が好ましく用いられる。
そのような鎖伸長剤の例としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、１，４−ビス（β−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン、１，４−シクロヘキサンジオール、ビス（β−ヒドロキシエチル）テレフタレート、キシリレングリコールなどのジオール類；ヒドラジン、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、キシリレンジアミン、イソホロンジアミン、ピペラジンおよびその誘導体、フェニレンジアミン、トリレンジアミン、アジピン酸ジヒドラジド、イソフタル酸ジヒドラジドなどのジアミン類；アミノエチルアルコール、アミノプロピルアルコールなどのアミノアルコール類などを挙げることができる。これらの低分子化合物は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。そのうちでも、炭素数２〜１０の脂肪族ジオールが好ましく用いられ、１，４−ブタンジオールがより好ましく用いられる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月21日(2005.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性エステルポリマー相及び、１つが、エチレン−アルキルアクリレート−不飽和カルボン酸ターポリマーである、硬化剤を用いて動的に加硫された少なくとも２つの官能化されたアクリルゴムを含む架橋されたゴム相を含み、単一の低温脆化点を有する熱可塑性エラストマー組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月12日(2004.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
比較例１
実施例1〜7において、カルボキシル基含有ジアミン化合物を用いない場合、得られたポリイミドはいずれも、紫外領域においては著しい光透過率を示すものの、アルカリ水溶液に可溶性となるカルボキシル基を有しないので、アルカリ水溶液での現像ができなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月7日(2005.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エステル化工程と重縮合工程を含むポリエステルの製造工程において、重縮合工程から回収される重縮合触媒を含んだグリコールを、下記の工程順で処理し、重縮合触媒を分離回収することを特徴とする重縮合触媒の回収方法。
（１）蒸留工程
（２）熱水溶解工程
（３）濾過工程
（４）濃縮工程
【請求項２】
蒸留工程は、回収グリコールを用いて１５０〜２１０℃の温度で１３３０〜６６５００Ｐａの減圧下、１〜１０時間行われることを特徴とする請求項１記載の重縮合触媒の回収方法。
【請求項３】
熱水溶解工程は、蒸留工程後の固形物に純水を加えた後、５０〜１１０℃の温度で１〜５時間行われることを特徴とする請求項１又は２に記載の重縮合触媒の回収方法。
【請求項４】
濃縮工程は、濾過工程後の濾過液を用いて９０〜１１０℃の温度で１３３０〜６６５００Ｐａの減圧下、１〜５時間行われることを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載の重縮合触媒の回収方法。
【請求項５】
重縮合触媒がゲルマニウム化合物であることを特徴とする請求項１〜４いずれかに記載の重縮合触媒の回収方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月4日(2005.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パイプ材からなる親綱支柱（10）が挟着治具（20）を介して被取付け体（1a）に上方突出状に取り付けられている親綱支柱の取付け構造であって、
前記挟着治具（20）は、断面Ｃ字状に形成されるとともにその開口部（21）において前記被取付け体（1a）に挟着固定され、
かつ前記挟着治具（20）には、対向状に配置された一対の取付け片（31）（31）が上方突出状に連設される一方、前記親綱支柱（10）の下端部の中空部（10a）内には、補強用中子（40）が嵌入されており、
前記両取付け片（31）（31）間に前記親綱支柱（10）の下端部が嵌入されるとともに、前記補強用中子（40）の下端部が前記挟着治具（20）に凹凸嵌合（32）（42）によって連結され、
この状態で、前記両取付け片（31）（31）と親綱支柱（10）と補強用中子（40）とが、締結部材（50）（51）によって締結されていることを特徴とする親綱支柱の取付け構造。
【請求項２】
前記挟着治具（20）は、トラス構造を有する金属押出形材からなる請求項１記載の親綱支柱の取付け構造。
【請求項３】
前記両取付け片（31）（31）は、前記挟着治具（20）の背面側に傾斜し、
挟着治具（20）が前記被取付け体（1a）に挟着固定された状態のもとで、前記親綱支柱（10）が前記被取付け体（1a）の外側に傾斜した状態となっている請求項１又は２記載の親綱支柱の取付け構造。
【請求項４】
前記締結部材は、ボルト（50）とナット（51）であり、
前記ボルト（50）が前記両取付け片（31）（31）と親綱支柱（10）と補強用中子（40）とを貫通した態様のもとで、該ボルト（50）に前記ナット（51）が螺合されることにより、前記両取付け片（31）（31）と親綱支柱（10）と補強用中子（40）とが締結されている請求項１〜３のいずれか１項記載の親綱支柱の取付け構造。
【請求項５】
前記親綱支柱（10）はアルミニウム押出形材製のパイプ材からなる請求項１〜４のいずれか１項記載の親綱支柱の取付け構造。
【請求項６】
前記挟着治具（20）はアルミニウム押出形材製である請求項１〜５のいずれか１項記載の親綱支柱の取付け構造。
【請求項７】
前記補強用中子（40）はアルミニウム押出形材製である請求項１〜６のいずれか１項記載の親綱支柱の取付け構造。
【請求項８】
パイプ材からなる親綱支柱（10）を被取付け体（1a）に上方突出状に取り付けるための挟着治具（20）を備えた親綱支柱であって、
前記挟着治具（20）は、断面Ｃ字状に形成されるとともにその開口部（21）において前記被取付け体（1a）に挟着固定されるものであり、
かつ前記挟着治具（20）には、対向状に配置された一対の取付け片（31）（31）が上方突出状に連設される一方、前記親綱支柱（10）の下端部の中空部（10a）内には、補強用中子（40）が嵌入されており、
前記両取付け片（31）（31）間に前記親綱支柱（10）の下端部が嵌入されるとともに、前記補強用中子（40）の下端部が前記挟着治具（20）に凹凸嵌合（32）（42）によって連結され、
この状態で、前記両取付け片（31）（31）と親綱支柱（10）と補強用中子（40）とが、締結部材（50）（51）によって締結されていることを特徴とする親綱支柱。
【請求項９】
前記挟着治具（20）は、トラス構造を有する金属押出形材からなる請求項８記載の親綱支柱。
【請求項１０】
前記両取付け片（31）（31）は、前記挟着治具（20）の背面側に傾斜し、
挟着治具（20）が前記被取付け体（1a）に挟着固定された状態のもとで、前記親綱支柱（10）が前記被取付け体（1a）の外側に傾斜した状態となるように構成されている請求項８又は９記載の親綱支柱。
【請求項１１】
前記締結部材は、ボルト（50）とナット（51）であり、
前記ボルト（50）が前記両取付け片（31）（31）と親綱支柱（10）と補強用中子（40）とを貫通した態様のもとで、該ボルト（50）に前記ナット（51）が螺合されることにより、前記両取付け片（31）（31）と親綱支柱（10）と補強用中子（40）とが締結されている請求項８〜１０のいずれか１項記載の親綱支柱。
【請求項１２】
前記親綱支柱（10）はアルミニウム押出形材製のパイプ材からなる請求項８〜１１のいずれか１項記載の親綱支柱。
【請求項１３】
前記挟着治具（20）はアルミニウム押出形材製である請求項８〜１２のいずれか１項記載の親綱支柱。
【請求項１４】
前記補強用中子（40）はアルミニウム押出形材製である請求項８〜１３のいずれか１項記載の親綱支柱。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
一方、親綱支柱（１０）を挟着治具（２０）から取り外す場合には、この組付け作業を逆に行えば良い。この取り外し作業を簡単に説明すると、ナット（５１）を外して締結用ボルト（５０）を引き抜き、両取付け片（３１）（３１）と親綱支柱（１０）と補強用中子（４０）との締結を解除する。そして、がたつき防止用ピン（４３）（４３）を引き抜いた後、親綱支柱（１０）の下端部を補強用中子（４０）とともに幅方向にスライドさせることにより、補強用中子（４０）のＴ形溝（４２）と挟着治具（２０）の係合用突片（３２）（３２）との凹凸嵌合を解除する。こうして親綱支柱（１０）を挟着治具（２０）から取り外すことができ、このため親綱支柱（１０）と挟着治具（２０）とを別々に保管することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月13日(2004.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記水分含有ガスが、水分を０．００８ｋｇ／ｍ３以上含むことを特徴とする請求項１記載の光ファイバ素線の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明においては、線引きした裸光ファイバを、シランカップリング剤を添加した合成樹脂液を充填したコーティング装置に導入し、前記裸光ファイバの外周上に被覆層を形成する光ファイバ素線の製造方法であって、前記コーティング装置導入前の裸光ファイバの表面に水分含有ガスを供給することを特徴とする光ファイバ素線の製造方法を提案する。
前記水分含有ガスは、水分を０．００８ｋｇ／ｍ３以上含むと好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の光ファイバ素線の製造方法の一例を示したものである。最初に加熱炉でファイバ母材を加熱し、線引きした裸光ファイバ１１ａを、上方から水分含有ガス供給装置１に供給する。前記裸光ファイバ１１ａは、石英系ガラスからなる外径約１２５μｍの一般的なものである。
前記水分含有ガス供給装置１にはガス供給管１ｂから連続的に水分含有ガス１ａが供給されている。水分含有ガス１ａは水分を０．００８ｋｇ／ｍ３以上、さらに好ましくは０．００９〜０．０１６ｋｇ／ｍ３含む空気である。水分含有量が０．００８ｋｇ／ｍ３未満であると水分供給量が不十分となり、０．０１６ｋｇ／ｍ３をこえると逆に水分供給量が多すぎ、結露してしまうこともあるため不都合である。
水分含有ガス１ａの主成分であるガスは空気に限定するものではないが、通常は空気が安価で好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【実施例】
以下、本発明を実施例を示して詳しく説明する。
シランカップリング剤を１重量％含む紫外線硬化型樹脂液を、乾燥空気と加湿によって、重量比で４００ｐｐｍ，２００ｐｐｍ，２０ｐｐｍの水分量にそれぞれ調整した。
また、水分含有ガスは乾燥空気の水分量を調整し、それぞれ水分量が０．００１ｋｇ／ｍ３，０．００４ｋｇ／ｍ３，０．００８ｋｇ／ｍ３のものを用意した。これらの樹脂液と水分含有ガスとの組み合わせにより、図１に示した方法で光ファイバ素線を製造した。
そして、各条件毎に２０サンプルずつ、図２に示した方法で、図３に示したグラフの水平部分の荷重を引き抜き力として測定した。
表１には、それぞれの条件毎に、２０サンプルの測定値を被覆層部分の長さで除して規格化した値（ｇ／ｃｍ）の平均値と、標準偏差を示した。この結果より、水分含有ガスの水分量が０．００８ｋｇ／ｍ３の場合は引き抜き力が大きく、裸光ファイバと被覆層との密着性が良好で、また樹脂液の水分量に関わらず、引き抜き力のばらつきが少なく、特性が安定していることが明らかとなった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月7日(2005.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変性ブロックコポリマー、該変性ブロックコポリマーと反応性のあるシランカップリング剤ならびに溶剤とからなることを特徴とする接着剤。
【請求項２】
前記変性ブロックコポリマーは、カルボン酸あるいはそれらの酸無水物ならびにグリシジル基を含有するビニルモノマー等のグラフト反応にて変性されたブロックコポリマーであることを特徴とする請求項１に記載の接着剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【課題を解決するための手段および発明の効果】上記の如き課題を解決すべく検討がなされた結果、本発明になる接着剤が開発されたものである。請求項１に記載の発明は、変性ブロックコポリマー、反応性のあるシランカップリング剤、ならびに溶剤を必須成分とする接着剤である。必要により粘着付与剤、老化防止剤、充填剤等を配合したものからなる。また、請求項２に記載の発明は、前記変性ブロックコポリマーは、カルボン酸あるいはそれらの酸無水物ならびにグリシジル基を含有するビニルモノマー等のグラフト反応にて変性されたブロックコポリマーであることを特徴とする請求項１に記載の接着剤である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月21日(2005.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリアミド熱可塑性相及び、１つが、エチレン-アルキルアクリレート-不飽和カルボン酸ターポリマーであるターポリマーである、硬化剤を用いて動的に加硫された少なくとも２つの官能化されたアクリルゴムを含む架橋されたゴム相を含み、単一の低温脆化点を有する熱可塑性エラストマー組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月25日(2005.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
以上の方法により、一素子上に複数の感度領域を有する感熱発色素子が製造されている。他、先行例として特開平６−１１６０７号公報を挙げることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月17日(2005.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】  さらに、前記Ｃｏ含有のＦｅ‐Ｂ‐Ｒ系希土類永久磁石と同等以上のキュリー点並びにより高い（ＢＨ）ｍａｘを有し、その温度特性、特にｉＨｃを向上させるため、希土類元素（Ｒ）としてＮｄやＰｒ等の軽希土類を中心としたＣｏ含有のＦｅ‐Ｂ‐Ｒ系希土類永久磁石のＲの一部にＤｙ、Ｔｂ等の重希土類のうち少なくとも１種を含有することにより、２５ＭＧＯｅ以上の極めて高い（ＢＨ）ｍａｘを保有したままで、ｉＨｃをさらに向上させたＣｏ含有のＦｅ‐Ｂ‐Ｒ系希土類永久磁石が提案（特開昭６０−３４００５号公報）されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】  この発明は、Ｆｅ‐Ｂ‐Ｒ系永久磁石下地との密着性にすぐれ、耐摩耗性、耐食性の改善向上を目的とし、特に温度８０℃、相対湿度９０％の雰囲気条件下で長時間放置した場合の初期磁気特性からの劣化を極力少なくし、安定した高磁石特性、耐摩耗性、電気絶縁性、耐食性を有するＦｅ‐Ｂ‐Ｒ系永久磁石及びその製造方法の提供を目的としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】  この発明において、永久磁石に用いる希土類元素Ｒは、組成の１０原子％〜３０原子％を占めるが、Ｎｄ、Ｐｒ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｔｂのうち少なくとも１種、あるいはさらに、Ｌａ、Ｃｅ、Ｓｍ、Ｇｄ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｙのうち少なくとも１種を含むものが好ましい。また、通常Ｒのうち１種をもって足りるが、実用上は２種以上の混合物（ミッシュメタル、ジジム等）を入手上の便宣等の理由により用いることができる。なお、このＲは純希土類元素でなくてもよく、工業上入手可能な範囲で製造上不可避な不純物を含有するものでも差支えない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】  Ｒは、上記系永久磁石における必須元素であって、１０原子％未満では結晶構造がα‐鉄と同一構造の立方晶組織となるため、高磁気特性、特に高保磁力が得られず、３０原子％を超えるとＲリッチな非磁性相が多くなり、残留磁束密度（Ｂｒ）が低下してすぐれた特性の永久磁石が得られない。よって、Ｒ１０原子％〜３０原子％の範囲が望ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】  さらに、Ａｌ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｂｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｚｎ、Ｈｆ、のうち少なくとも１種は、Ｆｅ‐Ｂ‐Ｒ系永久磁石材料に対してその保磁力、減磁曲線の角型性を改善あるいは製造性の改善、低価格化に効果があるため添加することができる。なお、添加量の上限は、磁石材料の（ＢＨ）ｍａｘを２０ＭＧＯｅ以上とするには、Ｂｒが少なくとも９ｋＧ以上必要となるため、該条件を満たす範囲が望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月7日(2005.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】    【課題を解決するための手段】  発明者らは、配向磁界強度を高めて、型内の原料粉末の配向性を向上させるために、種々研究した結果、超電導コイルを極低温状態に保つことにより、導電体となる超電導マグネットは超電導状態を発現し、従来の磁界コイルによる配向磁界をはるかに上回る磁界強度が得られ、また、従来の常磁界のごとく寸法的制限がないため、超電導コイルを用いることにより配向磁界強度を大幅に増加させることが実現でき、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系原料粉末の配向度を大きく向上させることが可能であることを知見し、この発明を完成した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】    【発明の効果】  この発明は、原料粉末を装填する型の外周に配置した超電導コイルを極低温状態に保つことにより、導電体となる超電導マグネットは超電導状態を発現し、２０ｋＯｅをはるかに上回る磁界強度が得られ、この均一磁界空間の寸法的制限がないため、超電導コイルを用いることにより配向磁界強度を大幅に増加させることが実現でき、Ｒ−Ｆｅ−Ｂ系原料粉末の配向度を大きく向上させて、高性能永久磁石を容易に製造できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月9日(2004.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体回路装置が、光学的に異方性の溶融相を形成し得るポリマーから形成されるフィルムを介して、配線基板上に保持されていることを特徴とする半導体回路装置を搭載したプリント回路装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記フィルムがほぼ等方な性質を有することを特徴とする半導体回路装置を搭載したプリント回路装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記半導体回路装置が前記フィルムを介して配線基板上で熱圧着により保持されるとき、このフィルムが、熱圧着前の引張り強さをＫ０、伸度をＥ０とし、熱圧着後の引張り強さをＫ、伸度をＥとすると、熱圧着の前後において以下の関係を満たすものであることを特徴とする半導体回路装置を搭載したプリント回路装置。
Ｋ＜０．９×Ｋ０、およびＥ＞１．１×Ｅ０
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記フィルムの吸水率が０．１％以下であることを特徴とする半導体回路装置を搭載したプリント回路装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記半導体回路装置が前記フィルムを介して配線基板上で熱圧着により保持されるとき、このフィルムが、その融点より５℃以上の温度で１００秒以内の時間に保持された状態で熱圧着されていることを特徴とする半導体回路装置を搭載したプリント回路装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明では、液晶ポリマーフィルムが熱圧着により柔軟化することが特徴であり、引張り強さの減少、伸度の増加を柔軟化の程度の指標とすることができる。柔軟化の程度としては、半導体回路装置が液晶ポリマーフィルムを介して配線基板上で熱圧着（接着）により保持されるときに、この液晶ポリマーフィルムは、熱圧着前の引張り強さをＫ０、伸度をＥ０とし、熱圧着後の引張り強さをＫ、伸度をＥとすると、熱圧着の前後において以下の関係を満たすものであることが望ましい。
Ｋ＜０．９×Ｋ０、およびＥ＞１．１×Ｅ０
上記において、Ｋ≧０．９×Ｋ０である場合、またはＥ≦１．１×Ｅ０である場合には、液晶ポリマーフィルムの柔軟化が充分ではなく、実装時の熱履歴により発生する応力が緩和できなくなる部位で断線するという欠点を有する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
半導体回路装置を配線基板に搭載させる好ましい方法としては、該フィルムを配線基板と半導体回路装置の間にセットし、融点より５℃以上高い温度で１〜１００秒の滞在時間、０．５〜５０kg/cm２の圧力で熱圧着する。
該フィルムを短時間で熱圧着させることにより、接合時に液晶ポリマーフィルム断面方向に該層中心部ほど圧着温度が低く、配線基板、半導体回路装置と接着層界面で高い温度分布を生じさせ、引張弾性率の低下、伸度の増加はフィルム中心ほど小さく、界面程大きくなり、回路製造における熱等により生じる応力を緩和するのに適した緩衝層としての機能をより発現することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月5日(2004.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素質材料と結合材とを含んでなる電気二重層キャパシタ用電極において、結合材が、ポリテトラフルオロエチレンとポリテトラフルオロエチレンに対して１〜５０重量％の溶融成形可能な含フッ素重合体樹脂とからなることを特微とする電気二重層キャパシタ用電極。
【請求項２】
炭素質材料が、比表面積７００〜３０００ｍ２／ｇの活性炭とカーボンブラックとからなり、かつカーボンブラックは電極中に５〜２０重量％含まれる請求項１記載の電気二重層キャパシタ用電極。
【請求項３】
電極中に、炭素質材料に対してポリテトラフルオロエチレンが１〜５０重量％、かつ前記含フッ素重合体樹脂が０．１〜５重量％含まれる請求項１又は２記載の電気二重層キャパシタ用電極。
【請求項４】
前記含フッ素重合体が、エチレン／テトラフルオロエチレン系共重合体又はフッ化ビニリデン系重合体である請求項１、２又は３記載の電気二重層キャパシタ用電極。
【請求項５】
炭素質材料と結合材とを含んでなる電気二重層キャパシタ用電極において、結合材が、ポリテトラフルオロエチレンと、ポリテトラフルオロエチレンに対して１〜５０重量％のエチレン／テトラフルオロエチレン系共重合体又はフッ化ビニリデン系重合体とからなることを特微とする電気二重層キャパシタ用電極。
【請求項６】
炭素質材料と結合材とを含んでなる電極からなる正極及び負極と、有機系電解液とを有する電気二重層キャパシタにおいて、前記電極が請求項１、２、３、４又は５記載の電極からなることを特徴とする電気二重層キャパシタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、炭素質材料と結合材とを含んでなる電気二重層キャパシタ用電極において、結合材が、ポリテトラフルオロエチレンとポリテトラフルオロエチレンに対して１〜５０重量％の溶融成形可能な含フッ素重合体樹脂とからなることを特微とする電気二重層キャパシタ用電極、及び該電極を有する電気二重層キャパシタを提供する。
また、本発明は、炭素質材料と結合材とを含んでなる電気二重層キャパシタ用電極において、結合材が、ポリテトラフルオロエチレンと、ポリテトラフルオロエチレンに対して１〜５０重量％のエチレン／テトラフルオロエチレン系共重合体又はフッ化ビニリデン系重合体とからなることを特微とする電気二重層キャパシタ用電極を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月1日(2005.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に対して所定の処理を施すための処理空間を提供する処理容器と、
この処理容器により提供される前記処理空間にガスを供給するガス供給ラインと、
前記処理容器により提供される前記処理空間のガスを排出するガス排出ラインと、
このガス排出ラインに挿入され、このガス排出ラインの排ガス圧力を制御する排ガス圧力制御手段と、
前記ガス排出ラインに前記排ガス圧力制御手段と並列に接続され、装置の非常状態が発生したときに導通状態に設定されるバイパスラインと
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
基板に対して所定の処理を施すための処理空間を提供する処理容器と、
この処理容器により提供される前記処理空間にガスを供給するガス供給ラインと、
前記処理容器により提供される前記処理空間のガスを排出するガス排出ラインと、
このガス排出ラインに挿入され、このガス排出ラインの排ガス圧力を制御する排ガス圧力制御手段と、
前記ガス排出ラインに前記排ガス圧力制御手段と並列に接続され、装置の非常状態が発生したときに導通状態に設定されるバイパスラインと
を備える基板処理装置を用いて処理する半導体装置の処理方法であって、
前記ガス供給ラインから前記処理空間に前記ガスを供給する工程と、
前記処理空間にて前記基板に対して所定の処理を施す工程と、
前記排ガス圧力制御手段が排ガス圧力を制御しつつ前記ガス排出ラインにより前記処理空間から前記ガスを排出する工程と、
前記装置の非常状態が発生したときには前記バイパスラインが導通する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月29日(2005.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光体基板と、該蛍光体基板上に位置して半導体層からなる光源とを含み、
該光源からの光によって前記蛍光体基板中の賦活体が励起され、該賦活体からの光が前記蛍光体基板から出射されるよう構成されることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記賦活体からの光と、前記光源からの光とが混ざり合って出射されることを特徴とする、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記賦活体からの光と、前記光源からの光とが混ざり合って出射される光が白色光であることを特徴とする、請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記蛍光体基板は、Ａｌ２Ｏ３結晶を母材とし、Ｃｒ３＋またはＴｉ３＋を賦活体とすることを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれかに記載の発光装置。
【請求項５】
前記蛍光体基板は、ＢｅＡｌ２Ｏ４結晶を母材とし、Ｃｒ３＋またはＴｉ３＋を賦活体とすることを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれかに記載の発光装置。
【請求項６】
前記蛍光体基板は、ＭｇＦ２結晶を母材とし、Ｖ２＋を賦活体とすることを特徴とする、請求項１から請求項３のいずれかに記載の発光装置。
【請求項７】
前記蛍光体基板中の賦活体濃度は、１０１７ｃｍ−３から１０２１ｃｍ−３であることを特徴とする、請求項４から請求項６のいずれかに記載の発光装置。
【請求項８】
蛍光体基板と、該蛍光体基板上に位置して半導体層からなる光源とを含み、
前記蛍光体基板は、非線形光学結晶からなる波長変換構造を有し、前記蛍光体基板が前記光源からの光を波長変換して出射することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
前記光源は、発光ダイオード、半導体レーザまたは電界発光素子であることを特徴とする、請求項８に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記光源は、ＩＩＩ−Ｖ族半導体からなることを特徴とする、請求項８に記載の発光装置。
【請求項１１】
発光装置を製造するために用いる方法であって、
１種または２種以上の賦活体を賦活体ノンドープ結晶からなる基板の一方の面からドープし、その後、前記基板の前記賦活体をドープした側の面に半導体からなる光源を形成し、前記賦活体が前記光源からの光によって励起されて波長の異なる光を出射するようにすることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１２】
発光装置を製造するために用いる方法であって、
賦活体ノンドープ結晶からなる基板の一方の面に半導体からなる光源を形成し、その後、１種または２種以上の賦活体を、前記光源を形成した側とは反対側の面からドープし、前記賦活体が前記光源からの光によって励起されて波長の異なる光を出射するようにすることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１３】
発光装置を製造するために用いる方法であって、
賦活体ドープ結晶と賦活体ノンドープ結晶とを積層して蛍光体基板を形成し、その後、前記蛍光体基板の賦活体ノンドープ結晶側に半導体からなる光源を形成し、前記賦活体が前記光源からの光によって励起されて波長の異なる光を出射するようにすることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１４】
複数個の発光装置が集合して成るディスプレイ装置であって、
蛍光体を含むディスプレイ基板材上に前記複数の発光装置の光源となる半導体層が形成されて、前記ディスプレイ基板材が前記発光装置に対して共通の蛍光体基板としての役割を成すよう構成されることを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項１５】
前記各発光装置は、２種以上の異なる色の光を出射する発光装置であることを特徴とする、請求項１４に記載のディスプレイ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月19日(2005.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の素子が形成された窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を一方の主面に有する第１の基板の上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層側の表面を第２の基板の一方の主面と貼り合わせる工程と、
上記貼り合わされた上記第１の基板および上記第２の基板を複数に分割する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
上記貼り合わされた上記第１の基板および上記第２の基板を上記素子毎に分割するようにしたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
上記複数の素子は上記第１の基板に達する溝により互いに分割されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
上記第１の基板を他方の主面側から少なくとも上記溝に達するまで研磨する工程をさらに有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
上記第１の基板を他方の主面側から少なくとも上記溝に達するまでダイシングする工程をさらに有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
上記第１の基板の上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上に上記素子の電極が形成されているとともに、上記第２の基板の上記一方の主面上の上記素子の上記電極に対応した位置にはんだ電極が形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
上記第１の基板の上記素子の上記電極と上記第２の基板の上記はんだ電極とを接合することにより上記第１の基板と上記第２の基板とを貼り合わせるようにしたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
上記素子は半導体レーザ、発光ダイオードまたは電子走行素子であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
上記第１の基板はサファイア基板、ＳｉＣ基板、Ｓｉ基板、スピネル基板またはＺｎＯ基板であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
上記第２の基板はＳｉ基板、ＳｉＣ基板、ダイヤモンド基板、ＡｌＮ基板、ＧａＮ基板、ＺｎＯ基板またはスピネル基板であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
上記素子は半導体レーザであり、上記第２の基板は上記半導体レーザの光出力モニター用のフォトダイオードが上記素子毎に形成されたＳｉ基板であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
複数の素子が第１の基板に達する溝により互いに分離されて形成された窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層であってその表面に上記溝に平行に延びる第１の突起部および第２の突起部が互いに分離して形成されたものを一方の主面に有する第１の基板の上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層側の表面を第２の基板の一方の主面と貼り合わせる工程と、
上記貼り合わされた上記第１の基板および上記第２の基板を複数に分割する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
一つの素子が形成された窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を一方の主面に有する第１の基板の上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層側の表面を第２の基板の一方の主面と貼り合わせる工程と、
上記貼り合わされた上記第１の基板および上記第２の基板を複数に分割する工程とを有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
基板の一方の主面に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を有し、上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層上にｐ側電極およびｎ側電極が互いに異なる高さで形成された半導体装置であって、
上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層の表面に突起部を有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
上記突起部は上記ｐ側電極および上記ｎ側電極のうちの高さが低い方の電極に関して上記ｐ側電極および上記ｎ側電極のうちの高さが高い方の電極と反対側に形成されていることを特徴とする請求項１４記載の半導体装置。
【請求項１６】
上記突起部は上記ｐ側電極および上記ｎ側電極のうちの高さが高い方の電極の下面とほぼ同一の高さを有することを特徴とする請求項１４記載の半導体装置。