Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月8日(2004.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を伴って説明する。
図１は本発明の第１の実施形態を示す概略構成図であり、図中、１はインターネット及びローカルエリアネットワークに接続されたパーソナルコンピュータ等で構成される情報処理装置であって、この情報処理装置１にキーボード２、マウス３、ディスプレイ４、印刷手段としてプリンタ５及びイメージスキャナ６が接続されている。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ここで、画像処理部２１は、情報処理装置１から入力されるデジタルコンテンツの画像情報を記憶する印刷情報メモリ２３と、プリンタ自身の機種名、製造番号、印刷順番等で構成される固有情報を記憶した固有情報メモリ２４と、プリンタに固有の秘密鍵を格納した秘密鍵メモリ２６と、現在時刻情報を出力する内蔵時計部２５と、プリンタ部２２の印刷枚数を計数する印刷回数カウンタ２７と、固有情報メモリ２４に記憶された固有情報と印刷回数カウンタ２７で計数された印刷回数データと内蔵時計部２５で発生される現在時刻情報とが入力され、これらを組み合わせて固有情報を作成する固有情報作成部２８と、この固有情報作成部２８で作成された固有情報に対してハッシュ関数などの所定の関数を適用することにより、メッセージ・ダイジェスト（Message  Digest）と称されるコードを作成するメッセージ・ダイジェスト作成部２９と、このメッセージ・ダイジェスト作成部２９で作成されたメッセージ・ダイジェストを秘密鍵メモリ２６に記憶された秘密鍵を用いて暗号化したメッセージ認証コード（Message  Authentication  Code）でなる改竄検知用データを作成する改竄検知用データ作成部３０と、この改竄検知用データ作成部３０で作成された改竄検知用データを固有情報作成部２８で作成した固有情報に付加して印刷手段検出用データを作成する印刷手段検出用データ作成部３１と、この印刷手段検出用データ作成部３１で作成された印刷手段検出用データと印刷情報メモリ２３に記憶されたデジタルコンテンツの画像情報とが入力され、画像情報に印刷手段検出用データを電子透かし情報として埋め込んだ画像情報を作成し、これをプリンタ部２２に出力する電子透かし挿入部３２とを備えている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
この印刷画像情報確認部４１は、イメージスキャナ６で読込んだ印刷用紙に印刷されたデジタルコンテンツの画像情報が入力され、この画像情報から電子透かし情報即ち改竄検知用データＭＡＣを付加した印刷手段検出用データＰＤを抽出し、解析する電子透かしリーダ４２と、この電子透かしリーダ４２で抽出された改竄検知用データＭＡＣを付加した印刷手段検出用データＰＤが入力され、改竄検知用データＭＡＣと固有情報ＩＤとを分離するデータ分離部４３と、このデータ分離部４３で分離された改竄検知用データＭＡＣを公開鍵メモリ４４に記憶されているプリンタ５の公開鍵を使用して復号処理することにより、メッセージ・ダイジェストコードＭＤを復号する復号化部４５と、データ分離部４３で分離した固有情報ＩＤをハッシュ関数を使用してメッセージ・ダイジェストコードＭＤ′を作成するメッセージ・ダイジェスト作成部４６と、復号化部４５で復号されたメッセージ・ダイジェストコードＭＤとメッセージ・ダイジェスト作成部４６で作成されたメッセージ・ダイジェストＭＤ′とを比較して両者が一致するか否かを判定する比較判定部４７と、この比較判定部４７の判定結果がメッセージ・ダイジェストＭＤ及びＭＤ′が一致するときに、改竄が行われていないものと判断して、印刷手段検出用データを表示情報として情報処理装置１に出力し、メッセージ・ダイジェストＭＤ及びＭＤ′が不一致であるときに改竄が行われていることを表すメッセージを情報処理装置１に出力する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
したがって、第２の実施形態によると、正規のプリンタ５で印刷されたデジタルコンテンツの画像情報については、イメージスキャナ６で読取った画像情報に乱れがないので、電子透かしリーダ４２で抽出した改竄検知用データＭＡＣを付加した印刷手段検出用データＰＤをデータ分離部４３に入力することにより、改竄検知用データＭＡＣと固有情報ＩＤとを分離する。そして、改竄検知用データＭＡＣを復号化部４５に入力することにより、公開鍵を使用して元の印刷手段検出用データから作成したメッセージ・ダイジェストコードＭＤを復号する一方、データ分離部４３で分離した固有情報をメッセージ・ダイジェストコード作成部４６に入力して、ハッシュ関数を使用してメッセージ・ダイジェストコードＭＤ′を作成し、復号したメッセージ・ダイジェストコードＭＤと作成したメッセージ・ダイジェストコードＭＤ′とを比較判定部４７で比較判定することにより、両者が一致することになり、改竄されていないことを確認することができ、印刷手段検出用データを表示情報として情報処理装置１に出力することにより、情報処理装置１のディスプレイ４で機種、製造番号、印刷回数、印刷時刻が表示されることにより、正規のプリンタ５で印刷された画像情報であることを確認することができる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
なお、上記第２の実施形態においては、情報処理装置１に印刷画像情報確認部４１を設けた場合について説明したが、これに限定されるものではなく、イメージスキャナ６に印刷画像情報確認部４１を設けるようにしてもよい。
また、上記第２の実施形態では、印刷用紙に印刷されたデジタルコンテンツの画像情報が正規のプリンタ５で印刷されたものであるか否かを判定する際に、イメージスキャナ６で読取る場合について説明したが、これに限定されるものではなく、印刷用紙に印刷されたデジタルコンテンツの画像情報を電子スチルカメラで撮像し、撮像した画像情報を印刷用紙のサイズに対応する画像情報に変換してから印刷画像情報確認部４１に入力するようにしてもよく、要は印刷用紙に印刷されたデジタルコンテンツの画像情報を電子情報として読込可能な手段を適用することができる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2002158865.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月7日(2004.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インピーダンス制御されたストリップ線路フレキシブル回路アセンブリにおいて電気信号伝送を実現する機構であって、
導電体パッド（８００）と、
前記導電体パッドに結合された個別導体（１００１）と、
前記導電体パッド（８００）の一層を貫通して突出するめっきされたビア（８０２）と、
前記個別導体（１００１）の上側に配置された第１のストリップ線路シールド層（１４０１）と、
前記個別導体（１００１）の下側に配置された第２のストリップ線路シールド層（１４０２）と、
を含む機構。
【請求項２】
インピーダンス制御されたストリップ線路フレキシブル回路において電気的かつ機械的な結合を提供するシステムであって、
ビアに導電体パッド（８００）を接続する手段と、
前記導電体パッドに配線（１００１）を固定する手段と、
配線の長手方向に沿っての電気信号伝送の質を最適にする手段と、
配線の上側に配置された第１のストリップ線路シールド層（１４０１）と、
配線の下側に配置された第２のストリップ線路シールド層（１４０２）と、
を備えたシステム。
【請求項３】
高性能な電気特性を有するインピーダンス制御されたストリップ線路フレキシブル回路において、
少なくとも一つの導電体パッド（８００）と、
少なくとも一つの前記導電体パッドに結合された少なくとも一つの個別導体（１００１）と、
少なくとも一つの前記導電体パッド（８００）に電気的かつ機械的に結合するビア（８０２）と、
フレキシブル回路の略全体にわたって配置された柔軟な誘電体材料（１４０３）であって、少なくとも一つの前記個別導体がその長さの大部分にわたって結合されている柔軟な誘電体材料と、
前記個別導体（１００１）の上側に配置された第１のストリップ線路シールド層（１４０１）と、
前記個別導体（１００１）の下側に配置された第２のストリップ線路シールド層（１４０２）と、  を備え、
第１のストリップ線路シールド層と、少なくとも一つの前記導電体パッドに結合された少なくとも一つの前記個別導体と、第２のストリップ線路シールド層とが、前記フレキシブル回路の第１の回路層を形成することを特徴とするフレキシブル回路。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月9日(2004.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
一定周期のクロック信号から特定のパルス信号を生成するための回路であって、
前記クロック信号の立ち上がりエッジと立ち下がりエッジとを検出するエッジ検出部と、
第１の遅延量を有する少なくとも１つの第１の遅延素子を有し、前記クロック信号の立ち上がりエッジから前記第１の遅延量で遅延した第１の遅延エッジを有する少なくとも１つの第１の遅延信号を生成する第１の遅延信号生成部と、
第２の遅延量を有する少なくとも１つの第２の遅延素子を有し、前記クロック信号の立ち下がりエッジから前記第２の遅延量で遅延した第２の遅延エッジを有する少なくとも１つの第２の遅延信号を生成する第２の遅延信号生成部と、
前記少なくとも１つの第１の遅延信号と、前記少なくとも１つの第２の遅延信号との論理演算を行うことによって前記パルス信号を生成する論理演算部と、
を備えることを特徴とするパルス信号生成回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】
上記目的を達成するために、本発明は、一定周期のクロック信号から特定のパルス信号を生成するための回路であって、前記クロック信号の立ち上がりエッジと立ち下がりエッジとを検出するエッジ検出部と、第１の遅延量を有する少なくとも１つの第１の遅延素子を有し、前記クロック信号の立ち上がりエッジから前記第１の遅延量で遅延した第１の遅延エッジを有する少なくとも１つの第１の遅延信号を生成する第１の遅延信号生成部と、第２の遅延量を有する少なくとも１つの第２の遅延素子を有し、前記クロック信号の立ち下がりエッジから前記第２の遅延量で遅延した第２の遅延エッジを有する少なくとも１つの第２の遅延信号を生成する第２の遅延信号生成部と、前記少なくとも１つの第１の遅延信号と、前記少なくとも１つの第２の遅延信号との論理演算を行うことによって前記パルス信号を生成する論理演算部と、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月23日(2004.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データベースにおいてタイムスタンプ付き正規化事象データを指標付け、記憶する方法であって、所定の保存時間Ｈにわたりある量の正規化事象データを保存するに十分なデータベース記憶領域を割り当てるステップと、前記データベース記憶領域をＨ／Ｐ数の一意の記憶場所に分割するステップであって、一意の記憶場所はそれぞれ、一意の指標数によってアドレス指定可能であり、Ｐはデータチャンクの持続期間に対応する、ステップと、Ｐ持続時間チャンクにおいてタイムスタンプ付き正規化事象データを収集するステップであって、Ｐ持続時間チャンクにはそれぞれ、ある固定時点から測定された総時間を示すタイムスタンプＴが関連付けられる、ステップと、指標数＝Ｔ／ＰモジュロＨ／Ｐ＋オフセットに従って、前記収集するステップにおいて収集されたＰ持続時間チャンクそれぞれに前記一意の指標数の１つを割り当てるステップであって、オフセットは定数値または周期Ｈの周期関数の一方である、ステップと、前記割り当てるステップにおいて割り当てられた前記指標数に従って、Ｐ持続時間データチャンクをそれぞれデータベースにおいて前記データベース記憶領域に記憶するステップと、を含む、方法。
【請求項２】
前記ＨおよびＰは、選択可能な量を含み、前記割り当てるステップは、前記ＨおよびＰの選択後に行われる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記オフセットは１に等しい、請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記一意の指標数に従って、ソフトウェアアプリケーションによる前記データベースへのアクセスを許容するステップをさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記ソフトウェアアプリケーションは、統計学的解析ソフトウェアを含む、請求項４記載の方法。
【請求項６】
前記ソフトウェアアプリケーションは、管理照会ソフトウェアを含む、請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記ソフトウェアアプリケーションは、補助記憶ソフトウェアを含む、請求項５記載の方法。
【請求項８】
コンピュータ使用可能媒体において具現されるコンピュータ読み取り可能プログラムコードを有するコンピュータ使用可能媒体を含むコンピュータプログラム製品であって、前記コンピュータ読み取り可能プログラムコードは、実行されると、コンピュータが、それぞれ、ある固定時点から測定される総時間を示すタイムスタンプＴを含む、固定Ｐ持続時間チャンクにおいて正規化事象データを収集し、前記収集するコードにおいて収集された前記Ｐ持続時間データチャンクそれぞれに、少なくとも前記Ｐ持続時間チャンクの１つの記憶に十分であり、かつ総保存時間Ｈ中に複数の前記Ｐ持続時間チャンクについて一意の記憶場所を有する所定の記憶場所の集まりから、前記一意の記憶場所の１つに対応する指標数であって前記タイムスタンプは、指標数＝Ｔ／ＰモジュロＨ／Ｐ＋オフセットに従って指標数を生成するために使用され、前記オフセットは、定数値または周期Ｈの周期関数の一方である、指標数を割り当て、前記割り当てるコードにおいて割り当てられた前記指標数に従って、前記収集するコードにおいて収集された前記データチャンクそれぞれを記憶するようにする、コンピュータプログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月4日(2004.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リモートユーザから要求を受信するステップと、
前記要求に基づいてアプリケーションサービスプロバイダを選択するステップと、
前記要求を前記アプリケーションサービスプロバイダに送信するステップと、
前記アプリケーションサービスプロバイダから前記ユーザに提供される文書の情報を示す情報を前記アプリケーションサービスプロバイダから受信するステップと、
当該文書を透かし情報とともに印刷することを要求する併合命令を印刷統合機に送信するステップと、
を備えることを特徴とする文書管理方法。
【請求項２】
前記透かし情報を前記印刷統合機に送信するステップをさらに備える、
ことを特徴とする請求項１に記載の文書管理方法。
【請求項３】
前記文書がタグ付けされているか否かをチェックするステップをさらに備え、
前記併合命令の送信は、タグ付けされた前記文書に基づいて行う、
ことを特徴とする請求項１に記載の文書管理方法。
【請求項４】
前記文書がデジタル署名されているか否かをチェックするステップをさらに備え、
前記併合命令の送信は、デジタル署名された前記文書に基づいて行う、
ことを特徴とする請求項１に記載の文書管理方法。
【請求項５】
文書と、前記ユーザからの前記透かし情報の少なくとも一部とを抽出するステップをさらに備える、
ことを特徴とする請求項１に記載の文書管理方法。
【請求項６】
リモートユーザから要求を受信する手段と、
前記要求に基づいてアプリケーションサービスプロバイダを選択する手段と、
前記要求を前記アプリケーションサービスプロバイダに送信する手段と、
前記アプリケーションサービスプロバイダから前記ユーザに提供される文書の情報を示す情報を前記アプリケーションサービスプロバイダから受信する手段と、
当該文書を透かし情報とともに印刷することを要求する併合命令を印刷統合機に送信する手段と、
を備えることを特徴とする文書管理システム。
【請求項７】
前記透かし情報を前記印刷統合機に送信する手段をさらに備える、
ことを特徴とする請求項６に記載の文書管理システム。
【請求項８】
前記透かし情報が受信されたか否かをチェックする手段をさらに備え、
前記併合命令の送信は、受信される前記透かし情報に基づいて行う、
ことを特徴とする請求項６に記載の文書管理システム。
【請求項９】
前記文書がタグ付けされているか否かをチェックする手段をさらに備え、
前記併合命令の送信は、タグ付けされた前記文書に基づいて行う、
ことを特徴とする請求項６に記載の文書管理システム。
【請求項１０】
前記文書がデジタル署名されているか否かをチェックする手段をさらに備え、
前記併合命令の送信は、デジタル署名された前記文書に基づいて行う、
ことを特徴とする請求項６に記載の文書管理システム。
【請求項１１】
前記要求を受信する手段と、前記アプリケーションサービスプロバイダを選択する手段と、前記要求を前記アプリケーションサービスプロバイダに送信する手段と、前記アプリケーションサービスプロバイダから前記情報を受信する手段と、前記併合命令を送信する手段とを有する文書マネジャーに、前記要求を送信する手段をさらに備える、
ことを特徴とする請求項６に記載の文書管理システム。
【請求項１２】
コンピュータにコンピュータネットワーク上で文書を管理させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
リモートユーザから要求を受信する第１の手段、
前記要求に基づいて、アプリケーションサービスプロイバイダを選択する第２の手段、
前記要求を前記アプリケーションサービスプロバイダに送信する第３の手段、
前記アプリケーションサービスプロバイダから前記ユーザに提供される文書の情報を示す情報を前記アプリケーションサービスプロバイダから受信する第４の手段、
当該文書を透かし情報とともに印刷することを要求する併合命令を印刷統合機に送信する第５の手段、
として機能させるコンピュータプログラム。
【請求項１３】
リモートユーザから要求を受信するステップと、
前記要求に基づいてアプリケーションサービスプロバイダを選択するステップと、
文書を抽出するステップと、
前記文書を透かし情報と併合するステップと、
前記透かし情報と併合された前記文書を印刷統合機に送信するステップと、
を備えることを特徴とする文書管理方法。
【請求項１４】
前記文書の抽出は、前記リモートユーザから前記文書を抽出することにより行われる、
ことを特徴とする請求項１３に記載の文書管理方法。
【請求項１５】
前記文書の抽出は、前記アプリケーションサービスプロバイダから前記文書を抽出することにより行われる、
ことを特徴とする請求項１３に記載の文書管理方法。
【請求項１６】
リモートユーザから要求を受信する手段と、
前記要求に基づいてアプリケーションサービスプロバイダを選択する手段と、
文書を抽出する手段と、
前記文書を透かし情報と併合する手段と、
前記透かし情報と併合された前記文書を印刷統合機に送信する手段と、
を備えることを特徴とする文書管理システム。
【請求項１７】
前記文書抽出手段は、前記リモートユーザから前記文書を抽出する手段を有する、
ことを特徴とする請求項１６に記載の文書管理システム。
【請求項１８】
前記文書抽出手段は、前記アプリケーションサービスプロバイダから前記文書を抽出する手段を有する、
ことを特徴とする請求項１６に記載の文書管理システム。
【請求項１９】
コンピュータにコンピュータネットワーク上で文書を管理させるためのプログラムであって、
コンピュータを、
リモートユーザから要求を受信する第１の手段、
前記要求に基づいて、アプリケーションサービスプロイバイダを選択する第２の手段、
文書を抽出する第３の手段、
前記文書を透かし情報と併合する第４の手段、
前記透かし情報と併合された前記文書を印刷統合機に送信する第５の手段、
として機能させるコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月10日(2004.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜の両側に隣接して配置された磁区制御層と、磁区制御層上に積層されて磁気抵抗効果膜と電気的に接続された一対の電極とを備え、
前記磁気抵抗効果膜は、磁気記録媒体からの磁界により磁化方向が変化する単層又は複数層の第一の強磁性膜と、磁化方向が固定された単層又は複数層の第二の強磁性膜と、前記第一の強磁性膜と第二の強磁性膜との間に挿入された非磁性導体膜とを有し、
更に、前記第二の強磁性膜の下部に形成された反強磁性膜もしくは永久磁石膜とを有し、
前記一対の電極は前記磁気抵抗効果膜の中心部にのみ電流を流す位置に配置されていることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項２】
磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗効果膜の両側に隣接して配置された磁区制御層と、磁区制御層上に積層されて磁気抵抗効果膜と電気的に接続された一対の電極とを備え、
前記磁気抵抗効果膜は、磁気記録媒体からの磁界により磁化方向が変化する単層又は複数層の第一の強磁性膜と、磁化方向が固定された単層又は複数層の第二の強磁性膜と、前記第一の強磁性膜と第二の強磁性膜との間に挿入された非磁性導体膜と、前記第二の強磁性膜上に積層された反強磁性膜もしくは永久磁石膜とを有し、
前記一対の電極は前記磁気抵抗効果膜の中心部にのみ電流を流す位置に配置されていることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項３】
磁気記録媒体のトラック幅に対応した大きさの複数の膜が積層された磁気抵抗効果膜と、磁気抵抗効果膜の両側に隣接して配置された磁区制御層と、該磁区制御層上に積層されて磁気抵抗効果膜と電気的に接続された一対の電極とを備え、
前記磁気抵抗効果膜は、磁気記録媒体からの磁界により磁化方向が変化する単層又は複数層の第一の強磁性膜と、磁化方向が固定された単層又は複数層の第二および第三の強磁性膜と、前記第一の強磁性膜と第二の強磁性膜との間に挿入された第一の非磁性導体膜と、前記第一の強磁性膜と第三の強磁性膜との間に挿入された第二の非磁性導体膜とを有し、前記第一の強磁性膜は第二の強磁性膜の上に積層され、第三の強磁性膜は第一の強磁性膜の上に積層され、
更に、前記第二および第三の強磁性膜の磁化方向を固定する反強磁性膜もしくは永久磁石膜とを有し、
前記一対の電極は前記磁気抵抗効果膜の中心部にのみ電流を流す位置に配置されていることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項４】
前記一対の電極の間隔は、該磁気抵抗効果膜の両側に隣接して配置された磁区制御層の間隔よりも狭いことを特徴とする請求項１〜３に記載の磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項１から４の何れか１項に記載の磁気ヘッドと、情報を磁気的に記録する磁気記録媒体と、前記磁気ヘッドからの電気信号を処理する再生処理回路とを備えたことを特徴とする磁気再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月2日(2005.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板上に形成された第１導電型の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層の表層部に選択的に形成され、前記第１導電型とは逆の第２導電型のベース層および前記ベース層の表層部に選択的に形成された第１導電型のソース領域を有する縦型ＭＯＳＦＥＴ領域と、
前記ソース領域と前記第１の半導体層との間で前記ベース層に対してゲート絶縁膜を介して対向するように設けられたゲート電極と、
前記第１の半導体層の表層部で前記ベース層の周囲を囲むように配置されたＳＢＤ形成領域と、
前記ＳＢＤ形成領域の周囲を取り囲むように形成された第２導電型のガードリング領域と、
前記第１の半導体層の表面側でＭＯＳＦＥＴのソース電極およびＳＢＤのアノード電極として共通に形成された第１の主電極と、
前記第１の半導体層の表面側で絶縁膜により第１の主電極とは絶縁分離されて形成され、前記ゲート電極に電気的に接続された表面ゲート電極と、
前記ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極および前記ＳＢＤのカソード電極として共通に形成された第２の主電極
とを具備することを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
ＳＢＤ形成領域は、前記ＭＯＳＦＥＴ形成領域のベース層の周囲を連続的あるいは間欠的に囲むように配置されており、
前記ガードリング領域は、前記ＳＢＤ形成領域の周囲を取り囲むように前記半導体基板上の周辺領域の全周にわたって形成されており、
前記第１の主電極は、前記ＳＢＤ形成領域のバリアメタル上に堆積されるとともに前記ソース領域および前記ベース層に電気的に接続されたメタルからなり、
前記第２の主電極は、前記半導体基板の裏面側に形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記バリアメタルは、前記ガードリング領域の一部の表面上、前記ソース領域の一部の表面上および前記ベース層の一部の表面上にコンタクトするように連続的に形成されており、
前記第１の主電極は、前記バリアメタル上に堆積されたメタルからなることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、第１導電型の半導体基板上に形成された第１導電型の第１の半導体層と、前記第１の半導体層の表層部に選択的に形成され、前記第１導電型とは逆の第２導電型のベース層および前記ベース層の表層部に選択的に形成された第１導電型のソース領域を有する縦型ＭＯＳＦＥＴ領域と、前記ソース領域と前記第１の半導体層との間で前記ベース層に対してゲート絶縁膜を介して対向するように設けられたゲート電極と、
前記第１の半導体層の表層部で前記ベース層の周囲を囲むように配置されたＳＢＤ形成領域と、前記ＳＢＤ形成領域の周囲を取り囲むように形成された第２導電型のガードリング領域と、前記第１の半導体層の表面側でＭＯＳＦＥＴのソース電極およびＳＢＤのアノード電極として共通に形成された第１の主電極と、前記第１の半導体層の表面側で絶縁膜により第１の主電極とは絶縁分離されて形成され、前記ゲート電極に電気的に接続された表面ゲート電極と、前記ＭＯＳＦＥＴのドレイン電極および前記ＳＢＤのカソード電極として共通に形成された第２の主電極とを具備することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
即ち、図１に示す半導体チップでは、ＦＥＴが形成されるＦＥＴ形成領域の周囲を連続的に囲むようにＳＢＤ形成領域が配置されている。そして、チップ表面側には、ＮＭＯＳＦＥＴのソース電極およびＳＢＤ形成領域に形成されるＳＢＤのアノード電極として共通に第１の主電極１が設けられている。また、チップ表面側には、ＮＭＯＳＦＥＴの表面ゲート電極２が、絶縁膜3 により前記第１の主電極１とは絶縁分離された状態で設けられている。そして、チップ裏面側には、ＮＭＯＳＦＥＴのドレイン電極およびＳＢＤのカソード電極として共通に第２の主電極（図示せず）が設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月21日(2005.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インジウムカルコゲニドとガリウムカルコゲニドとインジウム−ガリウムカルコゲニドの中から選択された半導体化合物を含む１以上の半導体フィルムより製造されている相変化に基づく超高密度データ記憶媒体。
【請求項２】
テルルとセレンの中から選択されたカルコゲン成分を含む請求項１に記載の超高密度データ記憶媒体。
【請求項３】
セレン化インジウム（II）（InSe）、セレン化インジウム（III）（In2Se3）、テルル化インジウム（II）（InTe）、テルル化インジウム（III）（In2Te3）、インジウム−セレン−テルル（InSeTe）、セレン化ガリウム（II）（GaSe）、セレン化ガリウム（III）（Ga2Se3）、テルル化ガリウム（II）（GaTe）、テルル化ガリウム（III）（Ga2Te3）、ガリウム−セレン−テルル（GaSeTe）、インジウム−ガリウム−セレン（InGaSe2）、インジウム−ガリウム−テルル（InGaTe2）、インジウム−ガリウム−セレン−テルル（InGaSeTe）の中から選択された半導体化合物を含む１以上の半導体フィルムより製造されている請求項１に記載の超高密度データ記憶媒体。
【請求項４】
前記半導体化合物が、Ｉ、II、IV及びVII族元素より選択された１以上の元素を前記半導体化合物にドープすることによって、あるいはII、III、Ｖ及びVI族元素より選択された１以上の元素とともに前記半導体化合物を合金とすることによって改善されている請求項１に記載の超高密度データ記憶媒体。
【請求項５】
データビットが、前記超高密度データ記憶媒体のビット記憶領域（904）に格納され、該ビット記憶領域（904）内の前記半導体化合物が第１の固相にあるとき、前記ビット記憶領域が第１のビット値を有するビットを含み、前記ビット記憶領域内の前記半導体化合物が第２の固相にあるとき、前記ビット記憶領域が第２のビット値を有するビットを含み、前記固相がアモルファス相と結晶相とを含む請求項１に記載の超高密度データ記憶媒体。
【請求項６】
データビットが、前記超高密度データ記憶媒体のデータエンティティ記憶領域（904）に格納され、該データエンティティ記憶領域内の前記半導体化合物が、多数の異なる区別可能な固相を示し、この異なる区別可能な固相がそれぞれ、固有のデータエンティティ値に関連付けられている請求項１に記載の超高密度データ記憶媒体。
【請求項７】
前記媒体内の前記データ記憶領域が、光導電性素子と、光起電性素子と、光輝性素子と、陰極線導電性素子と、陰極線起電性素子と、陰極線輝性素子のうちの１つとして動作する請求項１に記載の超高密度データ記憶媒体。
【請求項８】
モリブデン（Mo）、ニオブ（Nb）、タンタル（Ta）、チタン（Ti）、タングステン（Ｗ）、クロム（Cr）、バナジウム（Ｖ）の中から選択された金属のような高融点金属から形成され、
電子又は光子ビームが入射することと、電磁放射が入射することのうちの一方に応答して電気信号を生成する電極を備え、
さらに前記電極が、インジウム−スズ酸化物（ITO）のような透明な導体から形成されている電極を含む請求項１に記載の超高密度データ記憶媒体。
【請求項９】
前記半導体フィルムが、熱蒸着と、スパッタリングと、液相エピタキシーと、化学気相成長とを含む標準的な付着技術を利用して、ガラス基板及びシリコンを用いた基板のうちの一方の上に付着されている請求項１に記載の超高密度データ記憶媒体。
【請求項１０】
前記半導体フィルムが、
多結晶フィルムとして、熱い基板上に前記半導体フィルムを付着するステップと、
アモルファスフィルムとして、冷たい又は室温の基板上に前記半導体フィルムを付着するステップと、
アモルファスフィルムとして、室温の基板上に前記半導体フィルムを付着するステップと、
アモルファスフィルムとして、室温の基板上に前記半導体フィルムを付着し、その後この付着された半導体フィルムを加熱、冷却して、多結晶フィルムを生成するステップとの中から選択された方法によって付着されている請求項１に記載の超高密度データ記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月24日(2005.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
論理回路又は電子エミッタアレイの少なくとも一つの回路素子を含む第１の表面と、緩やかな斜面を介して前記第１の表面より高くされた第２の表面とを有し、前記第１の表面から前記第２の表面まで延びる一組の連続した導電性トレースを含む第１の基板と、
一組の導電性トレースを有する第２の基板であって、前記第１の基板の一組の導電性トレースが前記第２の基板の一組の導電性トレースに接触して電気的接続を形成するように前記第１の基板に接着された第２の基板と、
を備えることを特徴とする微細加工システム。
【請求項２】
前記接着された第１及び第２の基板の周囲を囲む気密シールをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の微細加工システム。
【請求項３】
前記気密シールは前記第１及び第２の基板の接着中に形成されることを特徴とする請求項２に記載の微細加工システム。
【請求項４】
前記第１の基板の前記第１及び第２の表面間の高低差と前記第２の基板とによって隙間領域が形成され、前記隙間領域は前記気密シールが形成される前に排気されることを特徴とする請求項２に記載の微細加工システム。
【請求項５】
前記第２の基板は、回路素子を含む第１の表面と、前記第１の表面より高くされた第２の表面とを有することを特徴とする請求項１に記載の微細加工システム。
【請求項６】
前記第２の基板は、前記第２の基板の前記第１の表面から前記第２の表面まで延びる一組の導電性トレースを含むことを特徴とする請求項５に記載の微細加工システム。
【請求項７】
前記第１の基板の緩やかな斜面は、少なくとも部分的に前記第１の基板の＜３１１＞結晶面に沿って形成されることを特徴とする請求項１に記載の微細加工システム。
【請求項８】
前記第１の基板は第１の領域を有し、前記第２の基板は前記第１の領域より小さな第２の領域を有することを特徴とする請求項１に記載の微細加工システム。
【請求項９】
前記第１の基板上に配置され、前記第２の基板の周辺端部を取り囲むシールをさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の微細加工システム。
【請求項１０】
前記第１の基板の一組の導電性トレースは、前記第２の基板の端部を超えて延びることで前記回路素子の外部との電気的接触を可能にすることを特徴とする請求項８に記載の微細加工システム。
【請求項１１】
前記第１及び第２の基板の間に気密シールを与える手段をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の微細加工システム。
【請求項１２】
前記第１及び第２の基板の少なくとも一方は、少なくともマイクロプロセッサを形成する回路素子を有することを特徴とする請求項１に記載の微細加工システム。
【請求項１３】
前記第１及び第２の基板の少なくとも一方は、少なくとも記憶回路配列を形成する回路素子を有することを特徴とする請求項１２に記載の微細加工システム。
【請求項１４】
前記第１及び第２の基板の少なくとも一方は、少なくともコンピュータシステムのための入出力回路を形成する回路素子を有することを特徴とする請求項１２に記載の微細加工システム。
【請求項１５】
前記第１の基板は電子エミッタを含み、前記第２の基板は前記電子エミッタによって整列されるリン化合物のパターンを有するガラス基板であることを特徴とする請求項１に記載の微細加工システム。
【請求項１６】
前記第１の基板上の回路素子内に形成される電子エミッタと、
前記第２の基板に接着され、前記第１及び第２の基板の間に配置される第３の基板であって、前記第３の基板は書き込み及び読み出し可能な媒体を含み、前記媒体は前記第１の基板の前記第１の表面から第１の距離だけ離れて第１の向きに固定される、第３の基板と、
前記第３の基板上で前記媒体に連結する、前記第２の基板上の電子回路であって、前記媒体は前記電子エミッタの下方で第２及び第３の向きに配置されることが可能である、電子回路と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の微細加工システム。
【請求項１７】
前記第１の基板は前記第１の基板上の圧力を検出する第１のセンサを含み、前記第２の基板は前記第２の基板上の圧力を検出する第２のセンサを含むことを特徴とする請求項１に記載の微細加工システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月17日(2004.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の複数の要素を含むシステムにおいて信頼性の高いデータ通信を保証するマルチプロセッサシステムであって、
一連の送信シーケンス番号を生成し記憶するための送信シーケンス番号テーブルであって、該送信シーケンス番号のそれぞれが前記第１の複数の要素のうちの一要素に送信された以前のメッセージに関連するものである、送信シーケンス番号テーブルと、
トランザクション要求に対応するデータベースエントリを作成するためのトランザクションデータベースユニットであって、該トランザクション要求が宛先アドレスに関連するものである、トランザクションデータベースユニットと、
前記シーケンス番号テーブルを参照して次の送信シーケンス番号を取得するための手段と、
前記次の送信シーケンス番号と前記宛先アドレスとを含むトランザクションメッセージを送信するための送信手段と、
からなるマルチプロセッサシステム。
【請求項２】
前記第１の複数の要素が複数のシーケンス番号ドメインのうちの１つのシーケンス番号ドメインに配置され、前記宛先アドレスが前記１つのシーケンス番号ドメインに配置された要素に関連するものでない場合、前記トランザクションメッセージはブリッジユニットにルーティングされ、
前記トランザクションデータベースユニットは、前記宛先アドレスが前記１つのシーケンス番号ドメインに配置された要素に関連するものでない場合、入ってくるメッセージをエンド・ツー・エンドの肯定応答について監視するための手段を含む、請求項１のマルチプロセッサシステム。
【請求項３】
第１のシーケンス番号ドメインと第２のシーケンス番号ドメインとの間の通信を容易にするためのブリッジユニットであって、
前記第１のシーケンス番号ドメインのメッセージを受信するための第１の受信部と、
前記第２のシーケンス番号ドメインのメッセージを受信するための第２の受信部と、
一連の送信シーケンス番号を含むシーケンス番号テーブルであって、該送信シーケンス番号が前記第１のシーケンス番号ドメインおよび前記第２のシーケンス番号ドメインのうちのいずれか一方に含まれる要素に送信された以前のパケットに関連するものである、送信シーケンス番号テーブルと、
前記第１のシーケンス番号ドメインおよび前記第２のシーケンス番号のうちのいずれか一方に配置された要素からの受信メッセージに応答してデータベースエントリを作成する手段と、次の送信シーケンス番号を取得する手段と、前記受信メッセージから得られた情報と前記次の送信シーケンス番号とを含むトランザクションメッセージを他方のシーケンス番号ドメインに配置された要素へ送信する手段とを含む、ブリッジデータベース部と
からなるブリッジユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月5日(2005.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の温度で絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第２の温度で半導体膜を形成し、
前記半導体膜に金属元素を添加し、
前記金属元素が添加された前記半導体膜に第３の温度で熱処理を行って結晶質半導体膜を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第３の温度を、前記第１の温度および前記第２の温度より高くすることにより、前記絶縁膜の応力を増大させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
第１の温度で絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第２の温度で半導体膜を形成し、
前記半導体膜に金属元素を添加し、
前記金属元素が添加された前記半導体膜に第３の温度で熱処理を行うことにより前記絶縁膜の応力を増大させて、結晶核の生成密度が増加された結晶質半導体膜を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第３の温度は、前記第１の温度および前記第２の温度より高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１の温度で絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上に第２の温度で半導体膜を形成し、
前記半導体膜に金属元素を添加し、
前記金属元素が添加された前記半導体膜に第３の温度で熱処理を行うことにより、前記絶縁膜の応力を増大させて結晶核の生成密度を増加させ、粒径が２０〜６０μｍのグレインを有する結晶質半導体膜を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第３の温度は、前記第１の温度および前記第２の温度より高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
第１の温度で第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の温度で第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に第３の温度で半導体膜を形成し、
前記半導体膜に金属元素を添加し、
前記金属元素が添加された前記半導体膜に第４の温度で熱処理を行って結晶質半導体膜を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の温度は、前記第４の温度より高く、
前記第４の温度を、前記第２の温度および前記第３の温度より高くすることにより、前記第２の絶縁膜の応力を増大させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
第１の温度で第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の温度で第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に第３の温度で半導体膜を形成し、
前記半導体膜に金属元素を添加し、
前記金属元素が添加された前記半導体膜に第４の温度で熱処理を行うことにより前記第２の絶縁膜の応力を増大させて、結晶核の生成密度が増加された結晶質半導体膜を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の温度は、前記第４の温度より高く、
前記第４の温度は、前記第２の温度および前記第３の温度より高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
第１の温度で第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に第２の温度で第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に第３の温度で半導体膜を形成し、
前記半導体膜に金属元素を添加し、
前記金属元素が添加された前記半導体膜に第４の温度で熱処理を行うことにより、前記第２の絶縁膜の応力を増大させて結晶核の生成密度を増加させ、粒径が２０〜６０μｍのグレインを有する結晶質半導体膜を形成する半導体装置の作製方法であって、
前記第１の温度は、前記第４の温度より高く、
前記第４の温度は、前記第２の温度および前記第３の温度より高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記絶縁膜は、窒素を含む膜とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項４乃至６のいずれか一項において、前記第２の絶縁膜は、窒素を含む膜とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１、２、４又は５のいずれか一項において、前記結晶質半導体膜に形成されるグレインの粒径は、２０〜６０μｍであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月9日(2004.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
ここで、超臨界流体とは、臨界圧力Ｐｃ以上かつ臨界温度Ｔｃ以上で得られる物質の状態をいう。この超臨界流体は、液体と気体の中間的性質を有するため、精密な洗浄に適しているといえる。すなわち、超臨界流体は、液体に近い密度を持ち溶解性が高いため、有機成分の洗浄に有効であり、気体のように拡散性が優れるため、短時間に均一な洗浄が可能であり、気体のように粘度が低いため、微細な部分の洗浄に適しているのである。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
第６の発明の高圧処理装置によれば、被処理体の処理によって生じた化学物質の残留物等が構造的に最も蓄積しやすい処理部に清浄な高圧流体を直接供給することが可能であるため、クリーニング後の処理工程では、より清浄度の高い処理結果を得ることができる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
ボンベ１には、基板の洗浄に用いられる液化状の二酸化炭素が封入されている。凝縮器２は、分離回収槽９から供給される気体の二酸化炭素を冷却して液化させる。昇圧手段３−１および３−２は、ポンプや圧縮機で構成され、昇圧手段３−１は凝縮器２で液化された液体二酸化炭素を、臨界圧力Ｐｃ以上の所定の圧力まで昇圧させる。すなわち、液体二酸化炭素は、昇圧手段３−１を通じてバイパス切替部１００に送られる。このボンベ１からバイパス切替部１００までの流路が、本発明の供給系に相当する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
また、バイパス切替部１００は、バルブ１０１−２のみを開き、他のバルブ１０１−１および１０１−３を閉じる。したがって、循環流路１１からの助剤含有超臨界二酸化炭素は、加熱器４に送られる。このようにして、助剤含有超臨界二酸化炭素の循環処理の場合、昇圧手段３−２を作動させ、切替部１０およびバイパス切替部１００の接続を変更することにより、本発明の循環系が流路形成される。そして、回収工程を通さずに循環系の助剤含有超臨界二酸化炭素を継続して基板洗浄に使用することができる。なお、循環処理において、薬液含有率が安定している場合、薬液供給部６からの薬液の供給を行わなくてもかまわない。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
そして、上記の基板洗浄及びクリーニング処理に使用された処理流体の回収／再利用が行われる。汚染物質が溶解した助剤含有超臨界二酸化炭素は、減圧器８において減圧されて気化された後、分離回収槽９において気体の二酸化炭素ガスと薬液と汚染物質とに分離される。分離された薬液及び汚染物質は排出され、二酸化炭素ガスは、回収されて凝縮器２で再利用される。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
まず、超臨界流体回収工程を含んだ当該高圧処理装置の各構成の動作について説明する。ボンベ１には、液化状の二酸化炭素が封入されている。凝縮器２は、分離回収槽９から供給される気体の二酸化炭素を冷却して液化させる。昇圧手段３−１は、凝縮器２で液化された液体二酸化炭素を、臨界圧力Ｐｃ以上の所定の圧力まで昇圧させる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
（３）上記高圧処理装置は、基板洗浄について説明したが、基板乾燥や基板現像に用いられるものであっても良い。即ち、 ＳＣＦチャンバ７にリンス洗浄（水洗）後の基板を搬入設置する。このＳＣＦチャンバ７内で基板に付着した水分を、超臨界または亜臨界状態にある高圧状態の処理流体中に溶解し除去する。この後、処理流体は、上記実施形態と同様に回収され再利用される。なお、乾燥や現像のために本発明の高圧処理装置を用いる場合は、乾燥または現像すべきレジストの性質に応じて、キシレン、メチルイソブチルケトン、第四級アンモニウム化合物、フッ素系ポリマー等を薬液とすればよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月9日(2005.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
ところで、局部発振回路４４は、第１の局部発振信号だけではなく、周波数が１２５７ＭＨｚである第２局部発振信号も発生する必要がある。そのため、制御電圧の値を変化させる必要があるが、制御電圧の値をその最大値、例えば＋５Ｖまで変化させたとしても、可変容量ダイオード７４の容量は、１２５７ＭＨｚを発振するために必要な容量まで変化しない。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月30日(2004.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
また、例えば、IEEE1394などの小規模なネットワークにおけるコンテンツデータの通信については、認証を実行し、その後、コンテンツデータを暗号化して通信することにより、不正な機器にコンテンツデータを供給しないような仕組みも導入されている（例えば、非特許文献１参照）。
【非特許文献１】Digital Transmission Content Protection Specification Volume1(Informational Version), Hitachi, Ltd., Intel Corporation, Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Sony Corporation, Toshiba Corporation, Revision1.2a, February 25,2002
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音声と画像を他の装置との間で送受する通信手段と、画像を表示する表示手段を備える通信端末装置であって、
使用者による画像の一部の領域の指定を受け付ける入力手段を備え、
画像を他の装置に送信したときに、送信した画像を表示した状態で、その装置との間で音声を送受し、
画像を他の装置から受信したときに、受信した画像を表示した状態で、その装置との間で音声を送受し、
画像を表示した状態で他の装置との間で音声を送受している間に、表示している画像の領域の指定を受け付けて、指定された領域を示す情報をその装置に送信するとともに、指定された領域を表す画像を表示している画像に重ねて表示し、画像の領域を示す情報をその装置から受信したときに、受信した情報が示す領域を表す画像を表示している画像に重ねて表示することを特徴とする通信端末装置。
【請求項２】
画像を撮影する撮像手段を備え、撮影した画像を他の装置に送信することを特徴とする請求項１に記載の通信端末装置。
【請求項３】
画像を表示した状態で他の装置との間で送受した音声と領域を示す情報とを、その画像と共に記憶しておくことを特徴とする請求項１に記載の通信端末装置。
【請求項４】
請求項１に記載の通信端末装置を複数含むことを特徴とする通信システム。
【請求項５】
音声と画像を送受する通信の処理が記されている通信プログラムであって、
画像を送信し、送信した画像を表示した状態で音声を送受する処理と、
画像を受信し、受信した画像を表示した状態で音声を送受する処理と、
画像を表示した状態で音声を送受している間に、使用者による表示している画像の一部の領域の指定を受け付けて、指定された領域を示す情報を送信するとともに、指定された領域を表す画像を表示している画像に重ねて表示し、画像の領域を示す情報を受信したときに、受信した情報が示す領域を表す画像を表示している画像に重ねて表示する処理を実行する命令が記されていることを特徴とする通信プログラム。
【請求項６】
音声と画像を送受する通信の処理が記されている通信プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体であって、
前記通信プログラムが請求項５に記載のプログラムであることを特徴とするコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月19日(2004.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
【数２】
2004208079.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
まず、使用するチャート及び照明光の決定を行ない（ステップＳ５０）、つぎに色再現性指標ΔＥ（Ｍ）の定義を行ない（ステップＳ５１）、つぎにノイズ低減性指標σＮ（Ｍ）の定義を行ない（ステップＳ５２）、つぎに評価指数ＥＥＶ（Ｍ）（Error Evaluation Value）の定義を行ない（ステップＳ５３）、そして、評価指数ＥＥＶ（Ｍ）に基づきリニアマトリクス係数Ｍを決定する（ステップＳ５４）。なお、ステップ５では、評価指数ＥＥＶ（Ｍ）の係数を撮像条件等により適応的に変化させ、対応するリニアマトリクス係数Ｍを決定する。以下に、各ステップの詳細について説明する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７５】
また、撮像装置のリニアマトリクス処理部９５によるリニアマトリクス処理後の信号RGBcam_kをL*a*b*cam_kに変換するためには、RGB空間からXYZ空間への変換処理（以下、RGB→XYZ変換処理という。）を行ない、その後、XYZ空間からL*a*b*空間への変換処理（以下、XYZ→L*a*b*変換処理という。）を行なう必要がある。RGB→XYZ変換処理は、式（３４）に示す７０９系マトリクスＭ７０９を使用して線形変換を行なうことができるが、XYZ→L*a*b*変換処理は、式（３１）に示すように非線形変換を行なう必要がある。しかし、XYZ→L*a*b*変換処理は、ノイズ量が微小量であることから、JacobianマトリクスJL*a*b*_kを使用して線形近似することができ、RGB→XYZ変換処理と同様に線形変換により行なうことができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０５】
このように構成された撮像装置は、図１２に示すフローチャートに従って画像センサ４５の前段部に形成される４色カラーフィルタ６１が決定されるので、「色再現性」のうちの「色の判別性」を改善させることができ、また、信号処理部７１で輝度を線形変換により表すことができる信号（Ｒ，Ｇ１，Ｇ２，Ｂ）に対してマトリクス処理を行うので、図２に示す信号処理部１１における処理のように、ガンマ処理を施した後に得られる信号に対してマトリクス処理を行う場合に較べて、色彩工学的に、より忠実な色を再現することができ、さらに、信号処理部７１のリニアマトリクス処理部９５で行なうリニアマトリクス処理において、リニアマトリクス係数Ｍの決定を撮像条件等に応じて決定するので、撮像画像の色再現性及びノイズの低減性を向上させることができる。