【手続補正書】
【提出日】平成16年10月13日(2004.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１またはそれ以上の金属塩、１またはそれ以上の銅錯生成剤、１またはそれ以上の有機バインダー、１またはそれ以上の還元剤および塩基を含む組成物と基体を接触させる段階を含む、１μｍ以下の開口部を有する基体上に無電解メッキ触媒を堆積させる方法。
【請求項２】
開口部が０．５μｍ以下である請求項１記載の方法。
【請求項３】
不連続金属シード層を含む基体を、１またはそれ以上の金属塩、１またはそれ以上の銅錯生成剤、１またはそれ以上の有機バインダー、１またはそれ以上の還元剤および塩基を含む組成物と接触させる段階；触媒を活性化させる段階；および触媒を無電解メッキ溶液と接触させる段階を含む、不連続シード層をエンハーンスする方法。
【請求項４】
１またはそれ以上の金属塩、１またはそれ以上の銅錯生成剤、１またはそれ以上の有機バインダー、１またはそれ以上の還元剤および塩基を含む組成物と基体を接触させる段階；触媒を活性化させる段階；および触媒を無電解メッキ溶液と接触させる段階を含む、金属シード層を基体上に堆積させる方法。
【請求項５】
１またはそれ以上の金属塩、１またはそれ以上の銅錯生成剤、１またはそれ以上の有機バインダー、１またはそれ以上の還元剤および塩基を含む組成物と基体を接触させる段階；触媒を活性化させる段階；および触媒を無電解メッキ溶液と接触させる段階を含む、集積回路を製造する方法。
【請求項６】
基体が１μｍ以下の開口部を含む請求項３から５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
活性化される段階が、加熱、二酸化炭素またはエキシマーレーザーへの暴露、または紫外線への暴露を含む請求項３から６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
堆積した組成物を乾燥させる段階をさらに含む請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
本発明は以下の態様を包含する。
（１）  １またはそれ以上の金属塩、１またはそれ以上の銅錯生成剤、１またはそれ以上の有機バインダー、１またはそれ以上の還元剤および塩基を含む、１μｍ以下の開口部を有する基体上に無電解メッキ触媒を堆積させるのに適した組成物。
（２）  １またはそれ以上の金属塩が銅塩またはパラジウム塩から選択される前記（１）に記載の組成物。
（３）  １またはそれ以上の錯生成剤が有機酸から選択される前記（１）に記載の組成物。
（４）  有機酸が、（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルカルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルキルジカルボン酸、（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルトリカルボン酸、置換（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）アルキルジカルボン酸、置換（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルトリカルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルカルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルジカルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルトリカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルジカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルトリカルボン酸、アミンカルボン酸、アリールカルボン酸または置換アリールカルボン酸から選択される前記（３）に記載の組成物。
（５）  有機酸が、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸、グルタル酸、アジピン酸、グルコール酸、乳酸、酒石酸、クエン酸またはリンゴ酸、ＥＤＴＡ、フタル酸、ベンゼントリカルボン酸またはサリチル酸から選択される前記（４）に記載の組成物。
（６）  １またはそれ以上の有機バインダーが、セルロース、ヒドロキシセルロース、ヒドロキシアルキルセルロース、例えばヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロースおよびヒドロキシプロピルセルロース、ポリサッカライドポリマー、セルロースポリマー、誘導化セルロースポリマー、酸化エチレンと酸化プロピレンのポリマーおよびコポリマー、交互に疎水性部分および親水性部分を有するポリウレタンポリマー、ポリ（無水マレイン酸／メチルビニルエーテル）、ポリメタクリル酸、ポリ（ビニルアルコール）またはナフタレンホルムアルデヒド縮合物から選択される前記（１）に記載の組成物。
（７）  塩基が、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウムまたは水酸化テトラ（Ｃ１−Ｃ４）アルキルアンモニウムから選択される前記（１）に記載の組成物。
（８）  １またはそれ以上の金属塩、１またはそれ以上の銅錯生成剤、１またはそれ以上の有機バインダー、１またはそれ以上の還元剤および塩基を含む組成物と基体を接触させる段階を含む、１μｍ以下の開口部を有する基体上に無電解メッキ触媒を堆積させる方法。
（９）  １またはそれ以上の金属塩が、銅塩またはパラジウム塩から選択される前記（８）に記載の方法。
（１０）  １またはそれ以上の銅錯生成剤が有機酸から選択される前記（８）に記載の方法。
（１１）  有機酸が、（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルカルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルキルジカルボン酸、（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルトリカルボン酸、置換（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）アルキルジカルボン酸、置換（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルトリカルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルカルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルジカルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルトリカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルジカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルトリカルボン酸、アミンカルボン酸、アリールカルボン酸または置換アリールカルボン酸から選択される前記（１０）に記載の方法。
（１２）  １またはそれ以上の有機酸が、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸、グルタル酸、アジピン酸、グルコール酸、乳酸、酒石酸、クエン酸またはリンゴ酸、ＥＤＴＡ、フタル酸、ベンゼントリカルボン酸またはサリチル酸から選択される前記（１１）に記載の方法。
（１３）  １またはそれ以上の有機バインダーが、セルロース、ヒドロキシセルロース、ヒドロキシアルキルセルロース、例えばヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロースおよびヒドロキシプロピルセルロース、ポリサッカライドポリマー、セルロースポリマー、誘導化セルロースポリマー、酸化エチレンと酸化プロピレンのポリマーおよびコポリマー、交互に疎水性部分および親水性部分を有するポリウレタンポリマー、ポリ（無水マレイン酸／メチルビニルエーテル）、ポリメタクリル酸、ポリ（ビニルアルコール）またはナフタレンホルムアルデヒド縮合物から選択される前記（８）に記載の方法。
（１４）  塩基が、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウムまたは水酸化テトラ（Ｃ１−Ｃ４）アルキルアンモニウムから選択される前記（８）に記載の方法。
（１５）  開口部が０．５μｍ以下である前記（８）に記載の方法。
（１６）  不連続金属シード層を含む基体を、１またはそれ以上の金属塩、１またはそれ以上の銅錯生成剤、１またはそれ以上の有機バインダー、１またはそれ以上の還元剤および塩基を含む組成物と接触させる段階；触媒を活性化させる段階；および触媒を無電解メッキ溶液と接触させる段階を含む、不連続シード層をエンハーンスする方法。
（１７）  基体が１μｍ以下の開口部を含む前記（１６）に記載の方法。
（１８）  活性化される段階が、加熱、二酸化炭素またはエキシマーレーザーへの暴露、または紫外線への暴露を含む前記（１６）に記載の方法。
（１９）  １またはそれ以上の金属塩が、銅塩またはパラジウム塩から選択される前記（１６）に記載の方法。
（２０）  １またはそれ以上の錯生成剤が有機酸から選択される前記（１６）に記載の方法。
（２１）  有機酸が、（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルカルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルキルジカルボン酸、（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルトリカルボン酸、置換（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）アルキルジカルボン酸、置換（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルトリカルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルカルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルジカルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルトリカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルジカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルトリカルボン酸、アミンカルボン酸、アリールカルボン酸または置換アリールカルボン酸から選択される前記（２０）に記載の方法。
（２２）  １またはそれ以上の有機酸が、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸、グルタル酸、アジピン酸、グルコール酸、乳酸、酒石酸、クエン酸またはリンゴ酸、ＥＤＴＡ、フタル酸、ベンゼントリカルボン酸またはサリチル酸から選択される前記（２１）に記載の組成物。
（２３）  １またはそれ以上の有機バインダーが、セルロース、ヒドロキシセルロース、ヒドロキシアルキルセルロース、例えばヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロースおよびヒドロキシプロピルセルロース、ポリサッカライドポリマー、セルロースポリマー、誘導化セルロースポリマー、酸化エチレンと酸化プロピレンのポリマーおよびコポリマー、交互に疎水性部分および親水性部分を有するポリウレタンポリマー、ポリ（無水マレイン酸／メチルビニルエーテル）、ポリメタクリル酸、ポリ（ビニルアルコール）またはナフタレンホルムアルデヒド縮合物から選択される前記（１６）に記載の方法。
（２４）  塩基が、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウムまたは水酸化テトラ（Ｃ１−Ｃ４）アルキルアンモニウムから選択される前記（１６）に記載の方法。
（２５）  １またはそれ以上の金属塩、１またはそれ以上の銅錯生成剤、１またはそれ以上の有機バインダー、１またはそれ以上の還元剤および塩基を含む組成物と基体を接触させる段階；触媒を活性化させる段階；および触媒を無電解メッキ溶液と接触させる段階を含む、金属シード層を基体上に堆積させる方法。
（２６）  基体が１μｍ以下の開口部を含む前記（２５）に記載の方法。
（２７）  活性化される段階が、加熱、二酸化炭素またはエキシマーレーザーへの暴露、または紫外線への暴露を含む前記（２５）に記載の方法。
（２８）  １またはそれ以上の金属塩が、銅塩またはパラジウム塩から選択される前記（２５）に記載の方法。
（２９）  １またはそれ以上の錯生成剤が有機酸から選択される前記（２５）に記載の方法。
（３０）  １またはそれ以上の有機酸が、（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルカルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルキルジカルボン酸、（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルトリカルボン酸、置換（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）アルキルジカルボン酸、置換（Ｃ１−Ｃ１２）アルキルトリカルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルカルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルジカルボン酸、（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルトリカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルジカルボン酸、置換（Ｃ２−Ｃ１２）アルケニルトリカルボン酸、アミンカルボン酸、アリールカルボン酸または置換アリールカルボン酸から選択される前記（２９）に記載の方法。
（３１）  １またはそれ以上の有機酸が、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸、グルタル酸、アジピン酸、グルコール酸、乳酸、酒石酸、クエン酸、リンゴ酸、ＥＤＴＡ、フタル酸、ベンゼントリカルボン酸またはサリチル酸から選択される前記（２５）に記載の方法。
（３２）  １またはそれ以上の有機バインダーが、セルロース、ヒドロキシセルロース、ヒドロキシアルキルセルロース、例えばヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロースおよびヒドロキシプロピルセルロース、ポリサッカライドポリマー、セルロースポリマー、誘導化セルロースポリマー、酸化エチレンと酸化プロピレンのポリマーおよびコポリマー、交互に疎水性部分および親水性部分を有するポリウレタンポリマー、ポリ（無水マレイン酸／メチルビニルエーテル）、ポリメタクリル酸またはナフタレンホルムアルデヒド縮合物から選択される前記（２５）に記載の方法。
（３３）  塩基が、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウムまたは水酸化テトラ（Ｃ１−Ｃ４）アルキルアンモニウムから選択される前記（２５）に記載の方法。
（３４）  １またはそれ以上の金属塩、１またはそれ以上の銅錯生成剤、１またはそれ以上の有機バインダー、１またはそれ以上の還元剤および塩基を含む組成物と基体を接触させる段階；触媒を活性化させる段階；および触媒を無電解メッキ溶液と接触させる段階を含む、集積回路を製造する方法。
（３５）  無電解メッキ触媒を含む電子デバイスであって、触媒が、１またはそれ以上の金属塩、１またはそれ以上の銅錯生成剤、１またはそれ以上の有機バインダー、１またはそれ以上の還元剤および塩基を含む組成物から堆積されているデバイス。
以下の実施例は本発明のさまざまな態様を説明するために提示されたものであって、どの態様においても本発明の範囲を制限するものではない。