(57)【要約】【課題】高い耐熱性、実用レベルの低伝送損失（＠８５０ｎｍ）を有し、さらに光導波路形成性に優れたドライフィルムおよびこれを用いた光導波路を提供すること。【解決手段】（Ａ）分子中に３個以上のシアネート基を有するシアネートエステル樹脂、（Ｂ）分子中に２個のシアネート基を有するシアネートエステル化合物、（Ｃ）金属アレーン錯体からなるカチオン系光重合開始剤を含有する組成物からなることを特徴とする光導波路形成用ドライフィルム、およびそれを用いてなる光導波路である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）分子中に３個以上のシアネート基を有するシアネートエステル樹脂、（Ｂ）分子中に２個のシアネート基を有するシアネートエステル化合物、（Ｃ）金属アレーン錯体からなるカチオン系光重合開始剤を含有する組成物からなることを特徴とする光導波路形成用ドライフィルム。
【請求項２】
（Ａ）が分子中に２個以上のシアネート基を有するシアネートエステル化合物を重合して得られたシアネートエステル樹脂であることを特徴とする請求項１記載の光導波路形成用ドライフィルム。
【請求項３】
（Ａ）が一般式（１）および／または一般式（２）で表されることを特徴とする請求項１記載の光導波路形成用ドライフィルム。
【化１】
2010191156.tif 000014
【化２】
2010191156.tif 000015
（式中、ｎは１〜２０の整数である）
【請求項４】
（Ｂ）が一般式（３）で表されることを特徴とする請求項１〜３記載の光導波路形成用ドライフィルム。
【化３】
2010191156.tif 000016
（ここで式（３）中のR1は同一または異なっていてもよく、水素、重水素、フッ素、メチル基、パーフルオロアルキル基から選ばれる少なくとも一種であり、式中Ｘは直結または下記一般式（４）から選ばれる少なくとも一種を示す）
【化４】
2010191156.tif 000017
【請求項５】
（Ｂ）のシアネートエステル化合物の融点が１２０℃以下であることを特徴とする請求項１〜４記載の光導波路形成用ドライフィルム。
【請求項６】
（Ｃ）の金属アレーン錯体からなるカチオン系光開始剤が一般式（５）で表されることを特徴とする請求項１記載の光導波路形成用ドライフィルム。
【化５】
2010191156.tif 000018
（ここで式（５）中のMは鉄またはルテニウム、Lはアリール基、Xは非求核性アニオンを示し、ＢＦ４、ＰＦ６、ＳｂＦ６、ＡｓＦ６，から選ばれる少なくとも一種である）
【請求項７】
（Ａ）成分と（Ｂ）成分の総重量に対し、（Ａ）成分の含有量が１０〜９５重量％、（Ｂ）成分の含有量が５〜９０重量％であり、かつ（Ａ）成分と（Ｂ）成分の総量１００重量部に対し（Ｃ）のカチオン光開始剤の含有量が０．００１重量部〜０．１重量部であることを特徴とする請求項１〜６記載の光導波路形成用ドライフィルム。
【請求項８】
クラッドとコアからなり、クラッドよりもコアの平均屈折率が高い光導波路において、コア部分が請求項１〜７のいずれかに記載の光導波路形成用ドライフィルムの硬化物から形成されてなり、そのガラス転移温度が１８０℃〜３００℃であることを特徴とする光導波路。
【請求項９】
下部クラッド層、コア部分、上部クラッド層からなる光導波路の製造方法であって、下部クラッド層の上に請求項１〜７のいずれかに記載の光導波路形成用ドライフィルムをラミネートする工程、活性エネルギー線による露光工程、熱処理工程、および現像による未硬化部の除去工程を含むことを特徴とする光導波路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は耐熱性、光伝送特性、加工性等に優れた光導波路形成用ドライフィルム、およびそれを用いた光導波路に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットやLAN（Local Area Network）の普及に伴う情報容量の増大に対応するため、光信号を用いる光インターコネクション技術の開発が進められている。現在、高速の光ファイバー通信網の敷設が幹線網を中心に進行中であるが、大陸間、都市間、LANなどで用いられる長距離通信では、伝送特性に優れた石英系光ファイバー材料が用いられている。しかしながら、プリント基板内や基板間といった比較的短距離用の光伝送媒体としては、接続プロセスが複雑なこと、狭い空間における効率的な配線には不向きなことなどから光ファイバーは適していない。そのため現在、これらの伝送媒体としては、より低コストでより簡便に接続・実装可能な高分子系光導波路が盛んに研究されている。
【０００３】
高分子系光導波路は下部クラッドと上部クラッドによって囲まれたコアにより構成され（コアの屈折率はクラッド屈折率よりも高い）、コア中に通信光を閉じ込めて伝送するシステムであるが、高分子系光導波路材料において最も重要な点の１つは通信波長におけるコア材料の透過率であり、できるだけ低い伝搬損失を有する高分子系導波路の開発が行われている。基板間の光インターコネンクションでは、結合部で光路を直角に変換して基板外に光信号を取り出すために、光信号の光源としてコンパクトで低消費電力性に優れた面発光型半導体レーザーが用いられる。現在最も普及している面発光レーザーの発振波長は０．８５μｍ（８５０ｎｍ）であり、導波路材料の設計指針として、この波長におけるコア材料の低光伝搬損失（実用的にはおよそ０．５ｄＢ／ｃｍ以下）が課題となっている。高分子系光導波路はフレキシブルなフィルム形態で使用されるだけでなく、基板上あるいは基板内に直接、リジッドな状態で搭載され、金属配線と混載されて使用される場合もある。後者の場合、鉛フリー半田リフロー実装工程に耐える耐熱性が高分子系光導波路に要求される。このように高い透明性と高い耐熱性の両方を有する光導波路材料としてフッ素化ポリイミド（例えば特許文献１参照）やエポキシ樹脂／エチレン性二重結合含有樹脂（例えば特許文献２参照）、エポキシ樹脂／アクリレート樹脂（例えば特許文献３参照）、ラジカル重合性化合物／エチレン性不飽和基含有化合物（例えば特許文献４参照）などが開発されている。
【０００４】
しかしながら、フッ素化ポリイミドの場合、製膜には３００℃以上で数十分から数時間の加熱条件が必要だが、既存の電気配線板の耐熱性が不十分のため、電気配線板上での製膜が困難であった。またフッ素化ポリイミドは液状の材料を基板に塗布して製膜する方法を用いて光導波路を作製するため、膜厚管理が煩雑であったり、膜厚の均一性を保つことが困難であるなど、光導波路の作製、すなわち加工性に起因する課題があった。
【０００５】
一方、特許文献２〜５はドライフィルムによる光導波路製造に関するものであり、膜厚に関する上記加工性の問題は改善されている。またいずれも優れた耐熱性、透明性が得られている。しかしながら、これらは光重合開始剤によるラジカル重合に基づく硬化反応によりコアパターンを形成しており、一般的に酸素による反応阻害の影響を受けやすいプロセスである。すなわち、これらの光導波路製造プロセスにおいては、より精度の高いコアパターンを形成するためには酸素の遮蔽が必要になるなど、工程管理が煩雑になるという問題がある。
【０００６】
上記のように、高分子光導波路の物性において高い耐熱性と低い伝搬損失を両立し、かつ光導波路成形性に優れるドライフィルムを用いた光導波路の製造において、酸素の遮蔽等のような煩雑な生産管理を必要とせず生産性に優れるものは従来にはなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平９−４０７７４号公報
【特許文献２】特開２００６−７１８８０号公報
【特許文献３】特開２００７−８４７７３号公報
【特許文献４】特開２００８−３３２３９号公報
【特許文献５】特開２００７−８４７７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は上記問題点に鑑み、高い耐熱性、実用レベルの低い伝搬損失（＠８５０ｎｍ）を有し、さらに光導波路形成性に優れたドライフィルムおよびこれを用いてなる光導波路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、以上の問題を鑑み、鋭意検討を積み重ねた結果、分子中に３個以上のシアネート基を有するシアネートエステル樹脂、分子中に２個のシアネート基を有するシアネートエステル化合物および金属アレーン錯体からなるカチオン系光重合開始剤を含有する樹脂組成物によって上記課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち本発明は、
１．（Ａ）分子中に３個以上のシアネート基を有するシアネートエステル樹脂、（Ｂ）分子中に２個のシアネート基を有するシアネートエステル化合物、（Ｃ）金属アレーン錯体からなるカチオン系光重合開始剤を含有する組成物からなることを特徴とする光導波路形成用ドライフィルム、
２．（Ａ）が分子中に２個以上のシアネート基を有するシアネートエステル化合物を重合して得られたシアネートエステル樹脂であることを特徴とする上記１記載の光導波路形成用ドライフィルム、
３．（Ａ）が一般式（１）および／または一般式（２）で表されることを特徴とする上記１記載の光導波路形成用ドライフィルム、
【化１】
2010191156.tif 000002
【化２】
2010191156.tif 000003
（式中、ｎは１〜２０の整数である）
４．（Ｂ）が一般式（３）で表されることを特徴とする上記１〜３記載の光導波路形成用ドライフィルム、
【化３】
2010191156.tif 000004
（ここで式（３）中のR1は同一または異なっていてもよく、水素、重水素、フッ素、メチル基、パーフルオロアルキル基から選ばれる少なくとも一種であり、式中Ｘは直結または下記一般式（４）から選ばれる少なくとも一種を示す）
【化４】
2010191156.tif 000005
５．（Ｂ）のシアネートエステル化合物の融点が１２０℃以下であることを特徴とする上記１〜４記載の光導波路形成用ドライフィルム、
６．（Ｃ）の金属アレーン錯体からなるカチオン系光重合開始剤が一般式（５）で表されることを特徴とする上記１記載の光導波路形成用ドライフィルム、
【化５】
2010191156.tif 000006
（ここで式（５）中のMは鉄またはルテニウム、Lはアリール基、Xは非求核性アニオンを示し、ＢＦ４、ＰＦ６、ＳｂＦ６、ＡｓＦ６，から選ばれる少なくとも一種である）
７．（Ａ）成分と（Ｂ）成分の総重量に対し、（Ａ）成分の含有量が１０〜９５重量％、（Ｂ）成分の含有量が５〜９０重量％であり、かつ（Ａ）成分と（Ｂ）成分の総量１００重量部に対し（Ｃ）のカチオン光開始剤の含有量が０．００１重量部〜０．１重量部であることを特徴とする上記１〜６記載の光導波路形成用ドライフィルム、
８．クラッドとコアからなり、クラッドよりもコアの平均屈折率が高い光導波路において、コア部分が上記１〜７のいずれかに記載の光導波路形成用ドライフィルムの硬化物から形成されてなり、そのガラス転移温度が１８０℃〜３００℃であることを特徴とする光導波路、
９．下部クラッド層、コア部分、上部クラッド層からなる光導波路の製造方法であって、下部クラッド層の上に上記１〜７のいずれかに記載の光導波路形成用ドライフィルムをラミネートする工程、活性エネルギー線による露光工程、熱処理処理工程、および現像による未硬化部の除去工程を含むことを特徴とする光導波路の製造方法、
を提供するものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の光導波路形成用ドライフィルムを用いれば、高い耐熱性と実用レベルの低い伝搬損失（＠８５０ｎｍ）を有する優れた物性の光導波路を提供することが可能になる。さらには高精度な膜厚制御が容易で、さらにコアパターン形成時には酸素等による硬化反応阻害要因がほとんど無いことから光導波路製造プロセスにおいて煩雑な工程管理を必要とせず、生産性良く光導波路を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に本発明の実施の形態について詳細に説明するが、これらは本発明の実施形態の一例であり、これらの内容に限定されない。
【００１２】
本発明の光導波路形成用ドライフィルムは、（Ａ）分子中に３個以上のシアネート基を有するシアネートエステル樹脂、（Ｂ）分子中に２個のシアネート基を有するシアネートエステル化合物、（Ｃ）金属アレーン錯体からなるカチオン系光重合開始剤を含有する。
ここで用いる（Ａ）分子中に３個以上のシアネート基を有するシアネートエステル樹脂は、ドライフィルムを基板に熱ラミネートする際に塗膜の形態を保持し、また、硬化物を形成する際、その強度や耐熱性、透明性を確保するためのものであり、該目的を達成し得るものであれば特に限定されない。
【００１３】
（Ａ）の分子中に３個以上のシアネート基を有するシアネートエステル樹脂を得る方法としては、下記の２個以上のシアネート基を有するシアネートエステル化合物を重合する方法が挙げられる。
【００１４】
上記した２個以上のシアネート基を有するシアネートエステル化合物としては公知のものを含め特に限定はされないが、例えば、１，３−ジシアネートベンゼン、１，４−ジシアネートベンゼン、２−ｔｅｒｔ−ブチル−１，４−ジシアネートベンゼン、２，４−ジメチル−１，３−ジシアネートベンゼン、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，４−ジシアネートベンゼン、テトラメチル−１，４−ジシアネートベンゼン、４−クロロ−１，３−ジシアネートベンゼン、１，３，５−トリシアネートベンゼン、２，２’−ジシアネートビフェニル、４，４’−ジシアネートビフェニル、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジシアネートビフェニル、３，３’，５，５’−テトラクロロ−４，４’−ジシアネートビフェニル、３，３’，５，５’−テトラクロロ−２，２’−ジシアネートビフェニル、１，３−ジシアネートナフタレン、１，４−ジシアネートナフタレン、１，５−ジシアネートナフタレン、１，６−ジシアネートナフタレン、１，８−ジシアネートナフタレン、２，６−ジシアネートナフタレン、２，７−ジシアネートナフタレン、１，３，６−トリシアネートナフタレン、４，４’−ビス−〔（３−シアネート)−フェノキシ〕−ジフェニル、４，４’−ビス−〔（４−シアネート)−フェノキシ〕−ジフェニル、２，２’−ジシアネート−１，１’−ビナフチル、４，４’−ジシアネートジフェニルエーテル、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジシアネートエーテル、３，３’，５，５’−テトラクロロ−４，４’−ジシアネートフェニルエーテル、４，４’−ビス−〔ｐ−シアネートフェノキシ〕−ジフェニルエーテル、４，４’−ビス−〔ｐ−シアネートフェニルイソプロピル〕−ジフェニルエーテル、４，４’−ビス−〔ｐ−シアネートフェノキシ〕−ベンゼン、４，４’−ビス−〔ｍ−シアネートフェノキシ〕−ジフェニルエーテル、４，４’−ビス−〔４−（４−シアネートフェノキシ）フェニルスルホン〕−ジフェニルエーテル、４，４’−ジシアネートジフェニルスルホン、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジシアネートジフェニルスルホン、３，３’，５，５’−テトラクロロ−４，４’−ジシアネートジフェニルスルホン、４，４’−ビス−〔ｐ−シアネートフェニルイソプロピル〕−ジフェニルスルホン、４，４’−ビス−〔（４−シアネート）−フェノキシ〕−ジフェニルスルホン、４，４’−ビス−〔（３−シアネート）−フェノキシ〕−ジフェニルスルホン、４，４’−ビス−〔４−（４−シアネートフェニルイソプロピル）−フェノキシ〕−ジフェニルスルホン、４，４’−ビス−〔４−（４−シアネートフェニルスルホン）−フェノキシ〕−ジフェニルスルホン、４，４’−ビス−〔４−（４−シアネート）−ジフェノキシ〕−ジフェニルスルホン、４，４’−ジシアネートジフェニルメタン、４，４’−ビス−（ｐ−シアネートフェニル）−ジフェニルメタン、２，２’−ビス−（ｐ−シアネートフェニル）−プロパン、２，２’−ビス−（３，５−ジメチル−４−シアネートフェニル）−プロパン、２，２’−ビス−（３，５−ジクロロ−４−シアネートフェニル）−プロパン、２，２’−ビス−（３，５−ジブロモ−４−シアネート���ェニル）−プロパン、１，１’−ビス−（ｐ−シアネートフェニル）−エタン、１，１’−ビス−（ｐ−シアネートフェニル）−シクロヘキサン、ビス−（２−シアネート−１−ナフチル）−メタン、１，２−ビス−（ｐ−シアネートフェニル）−１，１，２，２−テトラメチルエタン、４，４’−ジシアネートベンゾフェノン、４，４’−ビス−（４−シアネート）−フェノキシベンゾフェノン、１，４−ビス−（ｐ−シアネートフェニルフェニルイソプロピル）−ベンゼン、ジアリルビスフェノールＡシアネートエステル、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、２，２’−ビス−（ｐ−シアネートフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル等が挙げられる。またこれらを２種類以上併用することもできる。
【００１５】
これら分子中に２個以上のシアネート基を有するシアネートエステル化合物を重合して分子中に３個以上のシアネート基を有するシアネートエステル樹脂を得る方法としては、所望の樹脂を得ることができる条件であれば特に限定はない。シアネートエステル化合物の重合反応とは、シアネート基が３量化し、トリアジン環を形成する反応のことである。シアネート基は約２３０℃以上の温度で反応することが知られているが、この反応を促進するために触媒を添加することができる。例えば、塩酸、リン酸に代表されるプロトン酸；塩化アルミニウム、塩化亜鉛に代表されるルイス酸；フェノール、ピロカテコール、ジヒドロキシナフタレンに代表される芳香族ヒドロキシ化合物；ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、オクチル酸スズ、オクチル酸コバルト、オクチル酸亜鉛、２−エチルヘキサン酸亜鉛などの有機金属塩；銅アセチルアセトナート、アルミニウムアセチルアセトナート、鉄アレーン錯体、ルテニウムアレーン錯体などに代表される有機金属錯体；トリエチルアミン、トリブチルアミンなどの３級アミン類；塩化テトラエチルアンモニウム、臭化テトラブチルアンモニウムに代表される４級アンモニウム塩；イミダゾール類、水酸化ナトリウム、トリフェニルホスフィン、およびこれらの混合系などを挙げることができる。これらの触媒の中で好ましくはオクチル酸亜鉛、２−エチルヘキサン酸亜鉛などの有機金属塩を挙げることができる。これらの触媒はシアネートエステル化合物に対して任意の割合で添加することができるが、０．００５〜５重量部、好ましくは０．０１〜１重量部である。重合反応温度は１００〜２５０℃、好ましくは１００〜２００℃である。
【００１６】
重合反応において、必要に応じ、これらと共重合反応することが知られている化合物を添加し、シアネートエステル樹脂を変性することもできる。例えばエポキシ基含有化合物、ビスマレイミド化合物、フェノール基含有化合物、カルボン酸基含有化合物、アミド基含有化合物などを挙げることができる。これらの添加量に限定はないが、シアネートエステル化合物に対して５０ｍｏｌ％以下であることが好ましい。
【００１７】
重合反応はシアネートエステル化合物のみでも可能であるが、有機溶媒中で重合することもできる。使用する有機溶媒はシアネートエステル化合物を十分に溶解できるものであれば特に限定されないが、例えば、アセトン、ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ―ブチロラクトン、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、メチルグリコールアセテート、クロロホルムなどを挙げることができる。これらは２種類以上を併用して用いることができる。
【００１８】
このようにして得られた分子中に３個以上のシアネート基を有するシアネートエステル樹脂は、少なくともトリアジン環が１個以上形成した化合物、すなわちシアネートエステル化合物の３量体以上であることが好ましい。形成したトリアジン環数の上限は重合反応に用いたシアネートエステル化合物の特性等にもよるので特に限定はないが、６個以下であることが好ましく、さらに好ましくは４個以下である。著しく重合が進行すると有機溶媒に不溶となってしまうので好ましくない。つまり本発明における（Ａ）分子中に３個以上のシアネート基を有するシアネートエステル樹脂とは、特定の有機溶媒に可溶である必要がある。ここで使用する有機溶媒とは公知のものであれば特に限定はないが、例えば上記重合に使用できる有機溶媒を挙げることができ、これらは２種類以上を併用して用いることができる。
【００１９】
また、（Ａ）分子中に３個以上のシアネート基を有するシアネートエステル樹脂として、下記一般式（１）で表されるノボラック型のシアネートエステル樹脂や、下記一般式（２）で表されるジシクロペンタジエンビスフェノール型のシアネートエステル樹脂も好適に用いることができる。これらは単独で用いてもよく、２種類以上を併用することもできる。
【化１】
2010191156.tif 000007
【化２】
2010191156.tif 000008
（式中、ｎは１〜２０の整数である）
【００２０】
（Ａ）分子中に３個以上のシアネート基を有するシアネートエステル樹脂の配合量は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の総重量に対して１０〜９５重量％とすることが好ましい。１０重量％よりも少ない場合、ドライフィルムを熱ラミネートする際に塗膜の熱流動性が顕著に高くなってしまい均一にラミネートすることが困難となり好ましくない。９５重量％を超えるとドライフィルムを熱ラミネートする際に、塗膜の粘着性が不十分となってしまうので好ましくない。以上の観点から、（Ａ）成分の配合量は２０〜８０重量％とすることがさらに好ましい。
【００２１】
本発明の（Ｂ）分子中に２個のシアネート基を有するシアネートエステル化合物としては公知のものを含め特に限定はされないが、例えば、１，３−ジシアネートベンゼン、１，４−ジシアネートベンゼン、２−ｔｅｒｔ−ブチル−１，４−ジシアネートベンゼン、２，４−ジメチル−１，３−ジシアネートベンゼン、２，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−１，４−ジシアネートベンゼン、テトラメチル−１，４−ジシアネートベンゼン、４−クロロ−１，３−ジシアネートベンゼン、２，２’−ジシアネートビフェニル、４，４’−ジシアネートビフェニル、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジシアネートビフェニル、３，３’，５，５’−テトラクロロ−４，４’−ジシアネートビフェニル、３，３’，５，５’−テトラクロロ−２，２’−ジシアネートビフェニル、１，３−ジシアネートナフタレン、１，４−ジシアネートナフタレン、１，５−ジシアネートナフタレン、１，６−ジシアネートナフタレン、１，８−ジシアネートナフタレン、２，６−ジシアネートナフタレン、２，７−ジシアネートナフタレン、１，３，６−トリシアネートナフタレン、４，４’−ビス−〔（３−シアネート)−フェノキシ〕−ジフェニル、４，４’−ビス−〔（４−シアネート)−フェノキシ〕−ジフェニル、２，２’−ジシアネート−１，１’−ビナフチル、４，４’−ジシアネートジフェニルエーテル、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジシアネートエーテル、３，３’，５，５’−テトラクロロ−４，４’−ジシアネートフェニルエーテル、４，４’−ビス−〔ｐ−シアネートフェノキシ〕−ジフェニルエーテル、４，４’−ビス−〔ｐ−シアネートフェニルイソプロピル〕−ジフェニルエーテル、４，４’−ビス−〔ｐ−シアネートフェノキシ〕−ベンゼン、４，４’−ビス−〔ｍ−シアネートフェノキシ〕−ジフェニルエーテル、４，４’−ビス−〔４−（４−シアネートフェノキシ）フェニルスルホン〕−ジフェニルエーテル、４，４’−ジシアネートジフェニルスルホン、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ジシアネートジフェニルスルホン、３，３’，５，５’−テトラクロロ−４，４’−ジシアネートジフェニルスルホン、４，４’−ビス−〔ｐ−シアネートフェニルイソプロピル〕−ジフェニルスルホン、４，４’−ビス−〔（４−シアネート）−フェノキシ〕−ジフェニルスルホン、４，４’−ビス−〔（３−シアネート）−フェノキシ〕−ジフェニルスルホン、４，４’−ビス−〔４−（４−シアネートフェニルイソプロピル）−フェノキシ〕−ジフェニルスルホン、４，４’−ビス−〔４−（４−シアネートフェニルスルホン）−フェノキシ〕−ジフェニルスルホン、４，４’−ビス−〔４−（４−シアネート）−ジフェノキシ〕−ジフェニルスルホン、４，４’−ジシアネートジフェニルメタン、４，４’−ビス−（ｐ−シアネートフェニル）−ジフェニルメタン、２，２’−ビス−（ｐ−シアネートフェニル）−プロパン、２，２’−ビス−（３，５−ジメチル−４−シアネートフェニル）−プロパン、２，２’−ビス−（３，５−ジクロロ−４−シアネートフェニル）−プロパン、２，２’−ビス−（３，５−ジブロモ−４−シアネートフェニル）−プロパン、１，���’−ビス−（ｐ−シアネートフェニル）−エタン、１，１’−ビス−（ｐ−シアネートフェニル）−シクロヘキサン、ビス−（２−シアネート−１−ナフチル）−メタン、１，２−ビス−（ｐ−シアネートフェニル）−１，１，２，２−テトラメチルエタン、４，４’−ジシアネートベンゾフェノン、４，４’−ビス−（４−シアネート）−フェノキシベンゾフェノン、１，４−ビス−（ｐ−シアネートフェニルフェニルイソプロピル）−ベンゼン、ジアリルビスフェノールＡシアネートエステル、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、２，２’−ビス−（ｐ−シアネートフェニル）−ヘキサフルオロプロパン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル等が挙げられる。好ましくは下記一般式（３）で表される化合物である。
【化３】
2010191156.tif 000009
（ここで式（３）中のR1は同一または異なっていてもよく、水素、重水素、フッ素、メチル基、パーフルオロアルキル基から選ばれる少なくとも一種であり、式中Ｘは直結または下記一般式（４）から選ばれる少なくとも一種を示す）
【化４】
2010191156.tif 000010
【００２２】
一般にドライフィルムの熱ラミネート温度は１００〜１２０℃であり、高くても１５０℃程度である。この温度範囲においてドライフィルム樹脂組成物はある程度の熱流動性を示し、基板への粘着性を発現することが望ましい。１５０℃以下での熱ラミネート温度において、ドライフィルム樹脂組成物の中の（Ｂ）成分が溶融状態にあれば、これらの機能を発現することができるようになる。熱ラミネートに要する時間が短いことも考慮すると、（Ｂ）成分の融点が１２０℃以下であることが好ましい。より好ましくは１１０℃以下である。具体的には、１，１’−ビス−（ｐ−シアネートフェニル）−エタン、２，２’−ビス−（ｐ−シアネートフェニル）−プロパン、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、２，２’−ビス−（ｐ−シアネートフェニル）−ヘキサフルオロプロパンなどを挙げることができる。これらは単独でまたは２種類以上組み合わせて用いることができる。
【００２３】
（Ｂ）分子中に２個のシアネート基を有するシアネートエステル化合物の配合量は、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の総重量に対して５〜９０重量％とすることが好ましい。５重量％よりも少ない場合、ドライフィルムを熱ラミネートする際に塗膜の粘着性が不十分となってしまうので好ましくない。９０重量％を超えるとドライフィルムの熱ラミネートする際に、塗膜の熱流動性が顕著に高くなってしまい均一にラミネートすることが困難になり好ましくない。以上の観点から、（Ｂ）成分の配合量は２０〜８０重量％とすることがさらに好ましい。
【００２４】
本発明の（Ｃ）金属アレーン錯体からなるカチオン系光重合開始剤は、公知のものを含め特に限定はないが、具体的には一般式（５）で表すことができる。これらは単独で、または２種類以上組み合わせて用いることができる。
【化５】
2010191156.tif 000011
（ここで式（５）中のMは鉄またはルテニウム、Lはアリール基、Xは非求核性アニオンを示し、ＢＦ４、ＰＦ６、ＳｂＦ６、ＡｓＦ６，から選ばれる少なくとも一種である）
ここで、活性エネルギー線とは、例えば、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、電子線、α線、β線、γ線のような電離放射線を意味する。
【００２５】
（Ｃ）金属アレーン錯体からなるカチオン系光重合開始剤の配合量は、成分（Ａ）と成分（Ｂ）の総量１００重量部に対し０．００１〜０．１重量部とすることが好ましい。０．００１重量部より少ないと光感度が不十分となり、十分な硬化反応が進まずコアパターン形成ができない。また０．１重量部よりも多いと、カチオン系開始剤に起因する着色が大きくなり透明性を損ねてしまうので好ましくない。以上の観点から、より好ましい金属アレーン錯体からなるカチオン系光重合開始剤の配合量は０．００５〜０．０５重量部である。
【００２６】
また、このほかに必要に応じて、本発明の光導波路形成用ドライフィルムの組成の中に、酸化防止剤、黄変防止剤、紫外線吸収剤、可視光吸収剤、光増感剤、着色剤、可塑剤、安定剤、無機充填剤、内部離型剤、シアネートエステル熱硬化触媒などの添加剤を本発明の効果に悪影響を及ぼさない割合で添加しても構わない。
【００２７】
次に、本発明の光導波路形成用ドライフィルムについて詳述する。
本発明の光導波路形成用ドライフィルムとは、上記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する未硬化の感光性樹脂組成物層を有するものである。この樹脂組成物層は液状でなく例えば乾燥した状態であり、本発明におけるドライフィルムの形態には、該未硬化の感光性樹脂組成物層を支持するためのベースフィルムが備わっている。さらに、上記未硬化の感光性樹脂組成物層の上に該層を保護するためのカバーフィルムが積層させてなる形態も包含するものである。
【００２８】
ベースフィルムの材料について特に限定はされないが、透明で耐熱性、耐溶剤性、柔軟性および強靭性を有することが好ましく、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリプロピレン、ポリエチレンなどのポリオレフィン、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイト、ポリエーテルサルファイト、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリエーテルエーテルケトンなど挙げることができる。中でもコストや物性バランスに優れている観点でポリエチレンテレフタレートが好適である。ベースフィルムの厚みは特に限定はないが、５〜１００μｍであることが好ましい。５μｍより小さいと支持体としての力学強度が不足してしまい好ましくなく、１００μｍを超えると露光におけるパターン形成時のマスクとのギャップが大きくなり、微細なパターン形成が困難になり好ましくない。以上の観点から、より好ましいベースフィルムの厚みは１０〜５０μｍである。
ベースフィルムには滑り性を向上させるための滑剤や酸化防止剤、熱安定剤、粘度調整剤、可塑剤、色素改良剤、核剤などの添加剤を加えることができる。また本発明の効果に悪影響を及ぼさない程度に該ベースフィルムの両面または片面にコロナ処理、プラズマ処理、紫外線照射、電子線照射、化学処理などによる疎水性付与、親水性付与、帯電防止性付与、離型性付与などの表面改質処理を行なっても構わない。
【００２９】
カバーフィルムの材料について特に限定はされないが、柔軟で未硬化の感光性樹脂組成物層との良好な剥離性を有することが好ましく、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル、ポリプロピレン、ポリエチレンなどのポリオレフィン、ポリアミドなど挙げることができる。中でもコストや物性バランスに優れているという点でポリオレフィンが好適である。カバーフィルムの厚みは特に限定はないが、１〜５０μｍであることが好ましい。１μｍより小さいと支持体としての力学強度が不足してしまい好ましくなく、５０μｍを超えると柔軟性が不足し好ましくない。カバーフィルムには滑り性を向上させるための滑剤や酸化防止剤、熱安定剤、粘度調整剤、可塑剤、色素改良剤、核剤などの添加剤を加えることができる。また本発明の効果に悪影響を及ぼさない程度に該ベースフィルムの両面または片面にコロナ処理、プラズマ処理、紫外線照射、電子線照射、化学処理などによる疎水性付与、親水性付与、帯電防止性付与、離型性付与などの表面改質処理を行なっても構わない。
【００３０】
本発明の光導波路形成用ドライフィルムは、上記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する未硬化の感光性樹脂組成物を有機溶媒に溶解し、これをベースフィルムに塗布し、溶媒を除去することにより容易に製造することができる。
ここで用いる有機溶媒としては該樹脂組成物を溶解することができるものであれば特に限定されず、例えば、アセトン、ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ―ブチロラクトン、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、メチルグリコールアセテートなどを挙げることができる。これらは２種類以上を併用して用いることができる。樹脂溶液中の樹脂分濃度としては、２０〜８０重量％であることが好ましい。
【００３１】
ベースフィルム上に感光性樹脂組成物層を形成する方法としては、スピンコート法、ディッピング法、スプレー法、バーコート法、ロールコート法、カーテンコート法、グラビア印刷法、シルクスクリーン法、インクジェット法等の方法を用いてベースフィルム上に塗布した後、乾燥機等を用いて溶剤を飛散させる方法などが挙げられる。塗布する膜厚は製造される光導波路の設計構造や樹脂溶液濃度に応じ、適宜選択すればよいが、通常、１μｍ〜１０００μｍの範囲が好ましい。乾燥は常圧でも減圧雰囲気でもよく、有機溶剤を飛散させる温度条件は５０〜１５０℃である。
乾燥後に残留する有機溶媒の含有量は、有機溶剤を完全に飛散させた後の感光性樹脂組成物を１００重量部として、１０重量部以下であることが好ましい。１０重量部を超えるとドライフィルムの保存安定性に悪影響を与えたり、露光によるパターン形成の精度を悪化させるなどの問題があり好ましくない。
乾燥後の感光性樹脂組成物層の膜厚は、通常、１〜２５０μｍである。
このようにして得られたドライフィルムは、例えばロール状に巻き取ることによって容易に貯蔵、保管することが出来るようになる。また必要に応じて、形成した感光性樹脂組成物層の上層に上記カバーフィルムを積層することもできる。
【００３２】
次に、本発明の光導波路形成用ドライフィルムを用いて光導波路を形成する方法について詳述する。本発明の光導波路は、上部クラッド／コア／下部クラッドから構成される。
本発明の光導波路形成用ドライフィルムは光導波路を構成するコア層を形成する材料である。上記ドライフィルムにカバーフィルムが積層してある場合には、そのカバーフィルムを剥離後、下部クラッドの上に感光性樹脂組成物層の面を密着させ、加熱しながら圧着（ラミネート）することで積層する方法を挙げることができる。下部クラッドへの密着性、追従性を良好にするために減圧下で加熱ラミネートすることもできる。ドライフィルムのラミネート温度は５０〜１５０℃とすることが好ましく、圧着圧力は０．１〜１．０ＭＰａとすることが好ましいが、これらの条件には特に制限はない。
【００３３】
なお下部クラッドの材料としては、その屈折率が本発明の光導波路形成用ドライフィルムを構成する樹脂組成物の硬化物（コア）のそれよりも小さいものであれば、特に限定されるものではないが、コア層と同じシアネートエステル化合物を主成分とする材料であることが好ましい。シアネートエステル化合物を主成分とする樹脂組成物からなる硬化物の屈折率を制御する方法としては、硬化率の制御、フッ素や臭素などのハロゲンを含有するシアネートエステル化合物の配合量制御、エポキシ化合物やビスマレイミド化合物などとの共重合比の制御などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
下部クラッドの作製方法は特に限定されるものではなく、樹脂組成物を有機溶剤に溶解し、これを基板に塗布した後、溶媒を除去する溶液法や上記したドライフィルム法などを挙げることができる。導波路製造における工程の簡便さ、基板形状の制約を軽減できることなどの観点からドライフィルムによる作製が好ましい。
【００３４】
下部クラッドに本発明の光導波路形成用ドライフィルムをラミネートした後、該ドライフィルムを構成するベースフィルムの上にネガマスクを載せ、該ネガマスクを介して活性エネルギー線を照射する。必要に応じ、ドライフィルムを構成するベースフィルムを剥離し、ドライフィルムの感光性樹脂組成物層に直接、該ネガマスクを載せ、活性エネルギー線を照射することもできる。
活性エネルギー線としては、紫外線、可視光線、赤外線、Ｘ線、電子線、α線、β線、γ線のような電離放射線を挙げることができるが、特に紫外線が好ましい。紫外線の光源としては公知のものを含め特に限定されるものではないが、カーボンアーク灯、水銀蒸気アーク灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハライドランプ、エキシマランプ、ＬＥＤなどを挙げることができる。
【００３５】
活性エネルギー線を照射した後、加熱処理（以下、「ポストベーク」と言う。）を行なう。このポストベーク条件は光導波路形成用ドライフィルムの樹脂組成、添加剤の種類、配合量等によって異なるが、通常、５０〜２００℃、好ましくは８０〜１８０℃で、例えば５分間〜５時間の加熱条件とすれば良い。本発明における（Ｃ）金属アレーン錯体からなるカチオン系光重合開始剤は、シアネートエステル化合物の熱硬化触媒としても作用することが知られている。ところが（Ｃ）金属アレーン錯体からなるカチオン系光重合開始剤は活性エネルギー線の照射によりルイス酸が発生し、その触媒活性が向上する。そのためポストベークにおいては、活性エネルギー線が照射された部分は、照射されていない部分に比べシアネートエステル化合物の熱硬化反応が速やかに進行することになる。つまり、ポストベーク条件を適正化することにより、活性エネルギー線が照射されなかった部分の硬化反応を進めることなく、活性エネルギー線を照射した部分のみを硬化せしめることができる。
【００３６】
ポストベーク後、ウェット現像処理を行い、活性エネルギー線の未照射部、すなわち未硬化部を除去することでコアパターンを形成する。現像液としてはコア形成用の光導波路形成用ドライフィルムの樹脂組成に適した有機溶剤を用い、静置浸漬法、揺動浸漬法、パドル法、スプレー法、ブラッシング法、スクラッピング法、超音波法等の公知の方法により現像を行なうが、これらに限定されるものではない。
現像液に用いる有機溶媒としてはコア形成用の光導波路形成用ドライフィルムの樹脂組成物を分散、溶解するものであれば特に制限はないが、例えば、アセトン、ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルアミルケトン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、γ―ブチロラクトン、エチレンカーボネート、スルホラン、ジメチルスルホキシド、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、メチルグリコールアセテートなどを挙げることができる。これらは２種類以上を併用して用いることができる。また引火防止のため、これらの有機溶剤に０．５〜２０重量％の範囲で水を添加することもできる。
現像時間は通常５〜６００秒である。必要に応じ、現像後に洗浄を行なっても構わない。洗浄液に特に限定はないが、水を含め現像に用いた上記有機溶媒を挙げることができる。これらは２種類以上併用して用いることができる。
現像または洗浄後の処理として、必要に応じ、５０〜２５０℃の加熱処理を行ない、コアパターンをさらに硬化しても構わない。
【００３７】
本発明の光導波路形成用ドライフィルムの樹脂組成物を硬化して形成されてなるコアは、そのガラス転移温度が１８０℃以上であることが好ましい。ガラス転移温度が１８０℃よりも低いと、鉛フリー半田リフロー工程の温度において、コアの変形が生じたり、コア／クラッドとの界面に歪みが起こるなどして光伝搬性が低下する可能性あり好ましくない。コアのガラス転移温度の上限は特に限定されるものではないが、３００℃以下であることが好ましい。これは熱硬化処理温度の上限の制約によるものである。一般に熱硬化樹脂のガラス転移温度は、その硬化温度に強く依存する傾向があり、高いガラス転移温度を得ようとすると、より高温での熱硬化処理が必要になる場合がある。このような場合、生産性が低下するだけでなく、光導波路を搭載する基板材料や基板上の電子部品にも物性低下の悪影響を及ぼす可能性があり好ましくない。
なお下部クラッドおよび上部クラッドのガラス転移温度は特に限定されるものではないが、コアと同等以上であることが好ましい。これにより光導波路全体として耐熱性を高めることが可能になる。
【００３８】
次いで、上部クラッドを形成する。上部クラッドの材料としては、その屈折率が形成されたコアのそれよりも小さいものであれば特に限定されるものではないが、下部クラッドと同じ材料であることが好ましい。
上部クラッドの作製方法は特に限定されるものではなく、樹脂組成物を有機溶剤に溶解し、これをコア層の上に塗布した後、溶媒を除去する溶液法や上記したドライフィルム法などを挙げることができる。導波路製造における工程の簡便さ、コア層も含めた基板形状の制約を軽減できることなどの観点からドライフィルムによる作製が好ましい。
【実施例】
【００３９】
以下、本発明を実施例により具体的に説明するが、これら実施例に限定されるものではない。＜光導波路形成用ドライフィルムの組成物の調整方法＞
［シアネートエステル樹脂（Ａ−１）の合成例］
還流器の付いたフラスコに２，２−ビス（４−シアネートフェニル）プロパンを５ｇ入れ、２２０℃で３．５時間、攪拌しながら反応させた。フラスコより反応物を回収し、薄黄色のシアネートエステル樹脂（Ａ−１）を得た。
［シアネートエステル樹脂（Ａ−２）の合成例］
還流器の付いたフラスコに２，２−ビス（４−シアネートフェニル）プロパンを４．４ｇ、ｐ−クミルフェノールを０．６ｇ、メチルエチルケトンを２．１ｇ入れ、さらに反応触媒として２−エチルヘキサン酸亜鉛を２００ｐｐｍ添加し、攪拌しながら１５０℃で０．５時間反応させた。エバポレーターによりメチルエチルケトンを除去し、白色のシアネートエステル樹脂（Ａ−２）を得た。
【００４０】
（実施例１〜４、比較例1〜２、参考例１〜２）
＜光導波路形成用ドライフィルム（コア用）の作製と評価＞
表１に示す、成分（Ａ）：分子中に３個以上のシアネート基を有するシアネートエステル樹脂、成分（Ｂ）：分子中に２個のシアネート基を有するシアネートエステル化合物、成分（Ｃ）：カチオン系光開始剤を１，４−ジオキサンに溶解して光導波路形成用ドライフィルム作製用の樹脂ワニスを得た。これをポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ２５μｍ）にアプリケーターを用いて塗布し、８０℃で１０分間、常圧で乾燥し、次いで８０℃で２０分間、減圧乾燥した。このとき、乾燥後のドライフィルムの樹脂組成物層の厚さが２０〜３０μｍになるようにアプリケーターの間隔を調整した。
なお、以下の例における特性は次の方法により評価した。
［ラミネート性］
光導波路形成用ドライフィルムを熱ロール圧着法（１１０℃）にて基板へ転写した。このとき、基板に均一に転写できた場合を「○」、基板に転写できなかったり、未硬化の感光性樹脂組成物層の厚みが不均一だったものを「×」とした。なおここで使用した基板は、１，１−ビス（４−シアネートフェニル）エタンに２−エチルヘキサン酸亜鉛を添加（Zn濃度；２００ｐｐｍ）し、１８０℃で１時間、熱硬化することによって得た、１ｍｍ厚の硬化物プレートとした。
［パターン形成性］
上記基板に光導波路形成用ドライフィルムを熱ラミネートし、マスク（５０μｍ幅コアパターン）を介して紫外線露光機にて波長３６０ｎｍ、照度１０ｍW／ｃｍ２の紫外線を６０秒間照射した。次いで所定の条件でポストベークを行なった。これをＮ−メチル−２−ピロリドン／エタノール＝５／５混合溶媒中で１５秒間超音波処理して現像を行なった後、エタノールで洗浄した。顕微鏡観察により５０μｍコア形状が精度良く形成されているものを「○」、コア形状やコア幅が著しく変化してコア形状が精度よく形成されていなかったものを「×」としてパターン形成性を評価した。
［融点］
ティー・エイ・インスツルメント社製の示差走査熱量計（Ｑ１００）を用いて、融解に伴う吸熱ピークから融解温度（融点）を求めた。窒素雰囲気中、昇温速度１０℃／分にて測定を行なった。
【００４１】
【表１】
2010191156.tif 000012
（表中の各成分配合量は重量部を示す）
【００４２】
上記評価の結果、実施例１〜４はラミネート性およびパターン形成性に優れた光導波路形成用ドライフィルムが得られた。しかし、比較例１では成分（Ｂ）が配合されていなかったため、粘着性が不十分となり、十分なラミネート性が得られなかった。比較例２では成分（Ａ）が配合されていなかったため、ラミネート時の熱流動性が著しく大きく、樹脂組成物層の形態が保持されなかった。またそのため、パターン形成も不可能であった。また参考例１ではラミネート性は十分であったが、紫外線露光後のポストベーク条件が不適切で、コア部の熱硬化が不十分だったためパターン形成性が不十分であった。また参考例２で使用したカチオン系光重合開始剤は、この樹脂組成においては、紫外線露光によってルイス酸が発生しなかったため、パターン形成することが出来なかった。
（実施例５、比較例５）
＜ドライフィルムによる光導波路の作製と評価＞
１，１−ビス（４−シアネートフェニル）エタンと３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート（７０／３０モル比）に２−エチルヘキサン酸亜鉛を添加（Zn濃度；２００ｐｐｍ）し、これを１mm厚のスペーサーを介した型枠に入れて１８０℃で１時間、熱硬化することによって、1ｍｍ厚の下部クラッド基板を作製した。
この基板に実施例２で作製した光導波路形成用ドライフィルム（コア用）を熱ロール圧着法（１１０℃）にてラミネートした。次にマスク（５０μｍ幅コアパターン）を介して紫外線露光機にて波長３６０ｎｍ、照度１０ｍW／ｃｍ２の紫外線を６０秒間照射し、１２０℃、３０分の条件でポストベークを行なった。これをＮ−メチル−２−ピロリドン／エタノール＝５／５混合溶媒中で１５秒間超音波処理して現像を行なった後、エタノールで洗浄した。
コアパターンを形成した基板上に、１，１−ビス（４−シアネートフェニル）エタンと３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート混合液（７０／３０モル比）に２−エチルヘキサン酸亜鉛を添加（Zn濃度；２００ｐｐｍ）した溶液を塗布し、所定温度で熱硬化を行なって上部クラッド層を形成した。
なお、以下の例における物性値は次の方法により測定した。
＜ガラス転移温度：Ｔｇ＞
ＴＡインスツルメント社製の示差走査熱量計（Ｑ１００）を用い、昇温速度１０℃／分における熱フロー曲線からガラス転移温度を求めた。
コア層の樹脂硬化物のＴｇ測定はコア用の光導波路形成用ドライフィルムを用い、上記と全く同じ導波路作製履歴、即ち、紫外線露光、ポストベーク、現像処理、その後の熱処理を経た後、示差走査熱量計にて測定した。
＜屈折率；ｎ＞
メトリコン社製プリズムカプラ（モデル２０１０）を用いて、結合プリズムを通してサンプルに波長８５０ｎｍのレーザー光を入射し、ＴＥ偏光およびＴＭ偏光における屈折率を測定した。
コア層の屈折率測定は下部クラッド用基板にコア用の光導波路形成用ドライフィルムをラミネートした後、上記と全く同じ導波路作製履歴、即ち、紫外線露光、ポストベーク、現像処理、その後の熱処理を経た後、コア層表面の屈折率測定を行なった。
＜複屈折；Δｎ＞
メトリコン社製プリズムカプラ（モデル２０１０）を用いて、結合プリズムを通してサンプルに波長８５０ｎｍのレーザー光を入射し、ＴＥ偏光およびＴＭ偏光における屈折率を測定し、ＴＥ偏光での屈折率からＴＭ偏光での屈折率を減じることで複屈折を算出した。
＜比屈折率差＞
下記計算式から比屈折率差を算出した。
比屈折率差＝１００×（ｎａｖコア−ｎａｖクラッド）／ｎａｖコア（％）
ここで、ｎａｖコアはコアの平均屈折率、ｎａｖクラッドはクラッドの平均屈折率を表す。平均屈折率は、〔２×（ＴＥ偏光での屈折率）＋（ＴＭ偏光での屈折率）〕／３より求めた。
＜光伝搬損失＞
作製した導波路の端面を光学研磨し、波長８３０ｎｍのレーザー光を導波路の一端から入射させ、他端から出射する光量をアンリツ社製光パワーメータ（ＭＬ９１０Ｂ）で測定することにより、単位長さ当たりの光伝搬損失量をカットバック法により求めた。
以上の結果を表２に示す。
【００４３】
【表２】
2010191156.tif 000013
【００４４】
表２から、実施例５はコア部のガラス転移温度（Ｔｇ）が１９０℃と高耐熱性を示し、また８３０ｎｍにおける伝搬損失も０．５ｄＢ／ｃｍと実用レベル上、問題ない程度の低い値を示した。つまり実施例５は、高耐熱性、高透明性の両方を満足していることが分かる。
一方、比較例５では上部クラッド層の硬化条件が不十分だったため、シアネートエステル化合物の硬化反応が十分に進まず、上部クラッド層およびコア層のガラス転移温度（Ｔｇ）がそれぞれ低い値に止まったことが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明によれば、高い耐熱性と低い伝搬損失を両立する光導波路を製造するこが可能であり、かつ、酸素の遮蔽等のような煩雑な生産管理を必要としない、光導波路の生産性に優れる光導波路形成用ドライフィルムを提供できる。さらにこの光導波路形成用ドライフィルムを用い、高い耐熱性と低い伝搬損失を両立した光導波路を提供できる。
本発明の光導波路は、光伝送体、光合波器や光分波器、光変調器、光スイッチなどの光デバイス、タッチパネル用途などに好適である。