【手続補正書】
【提出日】平成17年3月8日(2005.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面及びこれと反対側に位置する裏面並びにこれらの間に位置する側面とを有する配線基板と、
前記配線基板の主面に固定された半導体素子と、
前記半導体素子の電極と前記配線基板の主面の配線を電気的に接続する接続手段と、
前記半導体素子及び前記接続手段を覆う絶縁性樹脂からなる封止体と、
前記配線基板の主面の配線に接続されるとともに前記配線基板の裏面に設けられた外部電極端子とを有し、
前記半導体素子の厚さは前記配線基板よりも厚く、前記配線基板の厚さは前記外部電極端子よりも厚く、
前記封止体は前記配線基板の側面と同一面となる側面を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記半導体素子の厚さは１００μｍ程度以下であり、前記配線基板の厚さは７０μｍ程度以下であり、前記外部電極端子の厚さは３０μｍ程度以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体素子に重なる前記封止体部分の厚さは前記半導体素子の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体素子の電極の配列ピッチは前記配線基板の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体素子の電極の配列ピッチは８０〜１００μｍ程度であり、前記配線基板の厚さは７０μｍ程度以下であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記配線基板は絶縁樹脂製のフィルム配線基板であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体素子は接着材を介して前記配線基板に固定され、前記半導体素子の電極と前記配線基板主面の配線は導電性のワイヤで接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ワイヤは前記配線基板の主面に第１ボンディングで接続され、前記半導体素子の電極に第２ボンディングで接続されたものであることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記外部電極端子は表面が円弧状となりボールグリッドアレイを構成していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記外部電極端子は表面が平坦となりランドグリッドアレイを構成していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体素子の電極が前記配線基板の主面の配線に接続されて前記半導体素子が前記配線基板に固定されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１２】
第１の主面及びこれと反対側に位置する第２の主面並びにこれらの間に位置して側面となる第３の主面とを有する配線基板と、
前記配線基板の第１の主面に固定された半導体素子と、
前記配線基板の第１の主面に形成された複数の配線と、
前記半導体素子の電極と前記第１の主面に形成された複数の配線とを電気的に接続する接続手段と、
前記半導体素子、前記接続手段及び前記複数の配線を覆う絶縁性樹脂からなる封止体と、
前記配線基板の第２の主面に設けられるとともに前記第１の主面の複数の配線と接続される複数の外部電極端子とを有し、
さらに、前記複数の外部電極端子表面から前記封止体表面までの厚さは０．５ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
主面と、これと反対側に位置する裏面と、側面と、前記主面の周辺に沿って配置された多数の配線層と、前記配線層に接続され、貫通孔を介して前記裏面に突出して外部端子を構成する導体とを有する配線基板と、
多数の電極端子が形成された主面と、前記配線基板の中央部に固定される裏面とを有する半導体チップと、
前記電極端子と前記配線層とを接続するボンディングワイヤと、
前記半導体チップと、前記配線基板の主面と、前記ボンディングワイヤとを封止する絶縁材料からなる封止体とを有し、
前記半導体チップは前記配線基板よりも厚く、前記配線基板は前記外部端子よりも厚く、前記半導体チップ上の前記封止体は前記半導体チップよりも厚く、前記封止体表面と前記外部端子の先端との間の距離は０．５ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
半導体素子部が主面に縦横に整列形成された半導体母基板と、補強枠に周縁が支持されかつ製品形成部が主面に縦横に整列形成された配線母基板をそれぞれ準備する工程と、
前記半導体母基板を縦横に切断して複数の半導体素子を形成する工程と、
前記配線母基板の各製品形成部に前記半導体素子を固定するとともに前記半導体素子の電極を接続手段を介して前記配線母基板の主面の配線と接続する工程と、
前記半導体素子及び前記接続手段を被うように前記配線母基板の主面に絶縁性樹脂層を形成する工程と、
前記絶縁性樹脂層の表面を支持体に貼り付けて前記配線母基板を前記支持体に固定するとともに、ダイシングブレードによって前記製品形成部の境界に沿い、かつ前記配線母基板から前記絶縁性樹脂層を経て前記支持体の途中深さまで切断して複数の半導体装置を形成する工程と、
前記支持体から各半導体装置を分離する工程とによって半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記配線母基板の主面には各製品形成部において所定パターンの配線を設けるとともに所定の前記配線に繋がるメッキ膜が形成された孔を設けておき、
前記絶縁性樹脂層を形成した後、前記配線母基板の裏面側に前記孔を塞ぐように所定のパターンに導体を印刷し、かつこの導体を硬化処理して外部電極端子を形成することを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記導体の印刷の後、熱処理して突起電極からなる前記外部電極端子を製造することを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記補強枠付き配線母基板の補強枠の内縁は前記印刷において印刷用マスクが前記補強枠に密着するように傾斜面になっていることを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記半導体母基板を縦横に切断して複数の半導体素子を形成する工程では、
最初に半導体母基板の裏面に接着材を形成した後、この接着材の表面側にダイシングテープを貼り付け、
その後、ダイシングブレードによって前記半導体素子部の境界に沿い、かつ前記半導体素子部から前記ダイシングテープの途中深さまで切断して複数の半導体素子を形成し、
前記配線母基板の各製品形成部に前記半導体素子を固定するとともに前記半導体素子の電極を接続手段を介して前記配線母基板の主面の配線と接続する工程では、
前記ダイシングテープに支持された各半導体素子を一個ずつ前記ダイシングテープからピックアップして裏面の接着材を介して前記配線母基板に固定し、導電性のワイヤで前記半導体素子の電極と配線母基板の配線を接続することを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記ワイヤの接続は前記配線母基板の配線に第１ボンディングして接続し、つぎに前記半導体素子の電極に第２ボンディングして接続することを特徴とする請求項１８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記配線母基板の各製品形成部に前記半導体素子を固定するとともに前記半導体素子の電極を接続手段を介して前記配線母基板の主面の配線と接続する工程では、
前記半導体素子を裏返して半導体素子の電極を前記配線母基板の主面の配線に接続することを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
前記配線母基板として絶縁樹脂製のフィルム配線基板を使用することを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記配線母基板の厚さは７０μｍ程度以下とし、前記半導体母基板の厚さは１００μｍ程度以下とし、前記外部電極端子の厚さを３０μｍ程度以下とし、前記配線母基板上の絶縁性樹脂層部分の厚さを４００μｍ程度以下として半導体装置の厚さを０．５ｍｍ程度以下に製造することを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。