Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月4日(2004.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】イオン源及びこれを用いる質量分析計
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料が導入される開口部と、該開口部から導入された前記試料のイオンを生成する電圧が印加される電極とを有し、前記開口部を通過する前記試料の進行方向と前記開口部を通過する前記イオンの進行方向とが異なることを特徴とするイオン源。
【請求項２】
試料が導入される開口部と、該開口部から導入された前記試料のイオンを生成する電圧が印加される電極とを有し、前記開口部を通過する前記試料の進行方向と前記開口部を通過する前記イオンの進行方向とが逆方向であることを特徴とするイオン源。
【請求項３】
試料が導入される開口部と、該開口部から導入された前記試料のイオンを生成する電圧が印加される針電極とを有し、前記開口部への前記試料の導入方向と前記開口部から前記イオンを引き出す方向とが逆方向であることを特徴とするイオン源。
【請求項４】
電圧を印加することにより先端にコロナ放電を生成する針電極を有するイオン源において、該イオン源のコロナ放電の領域への試料の導入方向とコロナ放電により生成したイオンを引き出す方向とが逆方向であることを特徴とするイオン源。
【請求項５】
針電極が配置され放電により試料ガスのイオンを生成する室と、該室に形成され前記試料ガスを前記針電極の先端の側から導入する導入開口部と、前記針電極の先端の反対側で前記室に形成され前記試料ガスを前記室から排出する排出開口部とを有することを特徴とするイオン源。
【請求項６】
試料が導入される開口部を備え、導入された前記試料のイオンを生成するイオン源と、前記イオンを質量分析する質量分析部とを有し、前記開口部を通過する前記試料の進行方向と前記開口部を通過する前記イオンの進行方向とが異なることを特徴とする質量分析計。
【請求項７】
試料が導入される開口部を備え、導入された前記試料のイオンを生成するイオン源と、前記イオンを質量分析する質量分析部とを有し、前記開口部を通過する前記試料の進行方向と前記開口部を通過する前記イオンの進行方向とが逆方向であることを特徴とする質量分析計。
【請求項８】
開口部と電圧が印加される針電極とを具備し、前記開口部から導入される試料のイオンを生成するイオン源と、前記イオンを質量分析する質量分析部とを有し、前記開口部への前記試料の導入方向と前記開口部から前記イオンを引き出す方向とが逆方向であることを特徴とする質量分析計。
【請求項９】
電圧を印加することにより針電極先端にコロナ放電を生じさせて試料のイオンを生成するイオン源と、前記イオンを質量分析する質量分析部とを有し、前記イオン源のコロナ放電領域への試料の導入方向と前記イオン源のコロナ放電領域から前記イオンを引き出す方向とが逆方向であることを特徴とする質量分析計。
【請求項１０】
針電極が配置され放電により試料ガスのイオンを生成するイオン源と、生成された前記イオンを質量分析する質量分析部とを具備し、前記イオン源は、前記試料ガスを前記針電極の先端の側から導入する導入開口部を前記針電極の先端の側に有し、前記針電極の先端の反対側から前記試料ガスを排出する排出開口部を前記針電極の先端の反対側に有することを具備する質量分析計。
【請求項１１】
針電極が配置され放電により試料ガスのイオンを生成し、第１の開口部を具備する第１の室と、前記試料ガスが導入される第２の室と、前記第１の室で生成された前記イオンを前記第２の室を経由して質量分析部に取り込む第２の開口部とを有し、前記試料ガスは前記第２の室から前記第１の開口部を通して前記第１の室に導入され、前記第１の開口部を通過する前記イオンの方向と、前記第１の開口部を通過する前記試料ガスの方向とが反対方向であることを特徴とする質量分析装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の質量分析装置において、前記第１の室の前記針電極の先端の反対側に形成された排出口を有し、前記第１の室に導入された前記試料ガスが前記排出口から排出されることを特徴とする質量分析装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月8日(2005.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
基板１２が所定温度に昇温したところでガス導入系１３からエッチングガスを導入すると共にカソード電極２３に電圧を印加し、基板１２表面にプラズマを生成させ、基板１２のエッチングを行う。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月18日(2004.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電ビームを発生させて基板に照射する荷電ビーム出射手段と、
所望の描画パターンに対応した形状の絞り孔を有するセルアパーチャと、
前記荷電ビームが前記所望の断面形状を有するように前記荷電ビームを電界により偏向して前記セルアパーチャの所望の絞り孔に入射させる第１の偏向手段と、
前記セルアパーチャを通過した前記荷電ビームを電界により縮小させて前記基板上に結像させる縮小投影手段と、
前記セルアパーチャを通過した前記荷電ビームを電界により偏向して前記基板上での照射位置を調整する第２の偏向手段と、
前記荷電ビームの照射を受けた前記基板の表面から発生する二次電子および反射電子が近接する描画パターンの露光量に影響を及す近接効果が発生する量を下回る加速電圧で前記荷電ビームが発生するように前記荷電ビーム出射手段を制御するとともに、前記荷電ビームが前記セルアパーチャと前記基板との間でＸ方向とＹ方向で略同一の縮小率で縮小し、かつ、Ｘ方向とＹ方向とで異なる軌道を通過して前記基板上で結像するように前記縮小投影手段に光軸に非対称な電界を形成させる制御手段と、を備える荷電ビーム描画装置。
【請求項２】
前記縮小投影手段は、前記縮小投影手段へ入射した前記荷電ビームを加速する加速電界と、加速された前記荷電ビームを減速する減速電界とを形成することを特徴とする請求項１に記載の荷電ビーム描画装置。
【請求項３】
前記縮小投影手段は、前記荷電ビームの速度を前記縮小投影手段への入射速度である第１の速度を上回る第２の速度に引上げる加速電界と、この第２の速度を維持する等速電界と、前記第２の速度を下回る第３の速度に引下げる減速電界とを形成することを特徴とする請求項１または２に記載の荷電ビーム描画装置。
【請求項４】
前記縮小投影手段が前記等速電界を形成する領域は、前記荷電ビームとその光軸との距離が最大となる領域を少なくとも含むことを特徴とする請求項３に記載の荷電ビーム描画装置。
【請求項５】
前記縮小投影手段は、Ｎ重（Ｎは自然数）のマルチポールレンズを含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の荷電ビーム描画装置。
【請求項６】
前記Ｎは、３以上の自然数であり、
第１重目から第２重目の前記マルチポールレンズは、前記荷電ビームを加速し、
第（Ｎ−１）重目から第Ｎ重目の前記マルチポールレンズは、前記荷電ビームを減速することを特徴とする請求項５に記載の荷電ビーム描画装置。
【請求項７】
前記Ｎは、４以上の自然数であり、
第１重目から第２重目の前記マルチポールレンズは、前記荷電ビームの速度を前記第１の速度から前記第２の速度に引上げる加速電界を形成し、
第２重目から第（Ｎ−１）重目の前記マルチポールレンズは、前記第２の速度で前記荷電ビームを等速移動させる電界を形成し、
第（Ｎ−１）重目から第Ｎ重目の前記マルチポールレンズは、前記荷電ビームの速度を前記第２の速度から前記第３の速度に引上げる減速電界を形成することを特徴とする請求項５または６に記載の荷電ビーム描画装置。
【請求項８】
前記マルチポールレンズは、静電型であることを特徴とする請求項５ないし７のいずれかに記載の荷電ビーム描画装置。
【請求項９】
発生された荷電ビームを所望のパターンに応じた断面形状を有するように整形して基板に照射し、この基板に前記所望のパターンを描画する荷電ビーム描画装置を用いるパターン描画方法であって、
前記荷電ビームの照射を受けた前記基板の表面から発生する二次電子および反射電子が近接する描画パターンの露光量に影響を及す近接効果が発生する量を下回る加速電圧で前記荷電ビームを発生させる第１の手順と、
整形された前記荷電ビームがＸ方向とＹ方向とで異なる軌道を通過するように前記荷電ビームを制御するとともに、Ｘ方向とＹ方向とで略同一の縮小率をもって前記基板上で結像するように前記荷電ビームを縮小投影する第２の手順と、を備えるパターン描画方法。
【請求項１０】
前記第２の手順は、整形された前記荷電ビームの荷電粒子の移動速度を引上げてより高速で等速移動させ、その後前記荷電粒子の速度を引下げて前記基板上で収束させる手順を含むことを特徴とする請求項９に記載のパターン描画方法。
【請求項１１】
前記荷電粒子を前記高速で等速移動させる領域は、前記荷電ビームからその光軸までの距離が最大となる領域を少なくとも含むことを特徴とする請求項１０に記載のパターン描画方法。
【請求項１２】
発生された荷電ビームを所望のパターンに応じた断面形状を有するように整形して基板に照射し、この基板に前記所望のパターンを描画する荷電ビーム描画装置に用いられ、
前記荷電ビームの照射を受けた前記基板の表面から発生する二次電子および反射電子が近接する描画パターンの露光量に影響を及す近接効果が発生する量を下回る加速電圧で前記荷電ビームを発生させる第１の手順と、
整形された前記荷電ビームがＸ方向とＹ方向とで異なる軌道を通過するように前記荷電ビームのビーム軌道を制御するとともに、Ｘ方向とＹ方向とで略同一の縮小率をもって前記基板上で結像するように前記荷電ビームを縮小投影する第２の手順と、を備えるパターン描画方法を前記荷電ビーム描画装置に実行させるプログラムを記録したコンピュータ読取り可能な記録媒体。
【請求項１３】
前記第２の手順は、整形された前記荷電ビームの荷電粒子の速度を引上げてより高速で等速移動させ、その後前記荷電粒子の速度を引下げて前記基板上で結像させる手順を含むことを特徴とする請求項１２に記載の記録媒体。
【請求項１４】
前記荷電粒子を前記高速で等速移動させる領域は、前記荷電ビームとその光軸との距離が最大となる領域を少なくとも含むことを特徴とする請求項１３に記載の記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
即ち、本発明の第１の態様によれば、
荷電ビームを発生させて基板に照射する荷電ビーム出射手段と、所望の描画パターンに対応した形状の絞り孔を有するセルアパーチャと、上記荷電ビームが上記所望の断面形状を有するように上記荷電ビームを電界により偏向して上記セルアパーチャの所望の絞り孔に入射させる第１の偏向手段と、上記セルアパーチャを通過した上記荷電ビームを電界により縮小させて上記基板上に結像させる縮小投影手段と、上記セルアパーチャを通過した上記荷電ビームを電界により偏向して上記基板上での照射位置を調整する第２の偏向手段と、上記荷電ビームの照射を受けた上記基板の表面から発生する二次電子および反射電子が近接する描画パターンの露光量に影響を及す近接効果が発生する量を下回る加速電圧で上記荷電ビームが発生するように上記荷電ビーム出射手段を制御するとともに、上記荷電ビームが上記セルアパーチャと上記基板との間でＸ方向とＹ方向で略同一の縮小率で縮小し、かつ、Ｘ方向とＹ方向とで異なる軌道を通過して上記基板上で結像するように上記縮小投影手段に光軸に非対称な電界を形成させる制御手段と、を備える荷電ビーム描画装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月28日(2005.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された駆動回路と、
前記基板上に形成され、薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたＥＬ素子を有する画素部と、
前記ＥＬ素子を覆うように設けられた充填材と、
前記充填材に接着したカバー材とを有することを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項２】
駆動回路、及び薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたＥＬ素子を有する画素部が形成されたアクティブマトリクス基板と、
前記アクティブマトリクス基板上の充填材と、
前記充填材を介して前記アクティブマトリクス基板と貼り合わされたカバー材とを有することを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項３】
第１のガラス基板と、
前記第１のガラス基板上の駆動回路と、
前記第１のガラス基板上にあり、薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたＥＬ素子とを有する画素部と、
前記ＥＬ素子を挟むように接着材で前記第１のガラス基板と貼り合わされた第２のガラス基板とを有することを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項４】
第１のガラス基板と、
前記第１のガラス基板上の駆動回路と、
前記第１のガラス基板上にあり、薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたＥＬ素子とを有する画素部と、
前記ＥＬ素子上の樹脂と、
前記ＥＬ素子を挟むように前記樹脂で前記第１のガラス基板と貼り合わされた第２のガラス基板とを有することを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項５】
基板上に形成された駆動回路と、
前記基板上に形成され、薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたＥＬ素子を有する画素部と、
前記ＥＬ素子上のパッシべーション膜と、
前記パッシべーション膜上の充填材と、
前記充填材に接着したカバー材とを有することを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項６】
駆動回路、及び薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたＥＬ素子とを有する画素部が形成されたアクティブマトリクス基板と、
前記ＥＬ素子上のパッシべーション膜と、
前記パッシべーション膜上の充填材と、
前記充填材を介して前記アクティブマトリクス基板と貼り合わされたカバー材とを有することを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項７】
第１のガラス基板と、
前記第１のガラス基板上の駆動回路と、
前記第１のガラス基板上にあり、薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたＥＬ素子とを有する画素部と、
前記ＥＬ素子上のパッシべーション膜と、
前記ＥＬ素子及び前記パッシべーション膜を挟むように、接着材で前記第１のガラス基板と貼り合わされた第２のガラス基板とを有することを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項８】
第１のガラス基板と、
前記第１のガラス基板上の駆動回路と、
前記第１のガラス基板上にあり、薄膜トランジスタと前記薄膜トランジスタに電気的に接続されたＥＬ素子とを有する画素部と、
前記ＥＬ素子上のパッシべーション膜と、
前記パッシべーション膜上の樹脂と、
前記ＥＬ素子及び前記パッシべーション膜を挟むように、前記樹脂で前記第１のガラス基板と貼り合わされた第２のガラス基板とを有することを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項９】
請求項１、２、５または６において、前記カバー材に遮光膜及びカラーフィルターが設けられていることを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項１０】
請求項３、４、７または８において、前記第２のガラス基板に遮光膜及びカラーフィルターが設けられていることを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項１１】
請求項５乃至請求項８のいずれか一において、前記パッシべーション膜は窒化珪素膜であることを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項１２】
請求項１、２、５、６または９において、前記充填材の材料は、ポリビニルクロライド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリビニルブチラル、またはエチレンビニルアセテートであることを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項１３】
請求項１、２、５、６、９または１２において、前記充填材の側面を覆うシール材と、前記シール材により接着されたフレーム材とを有することを特徴とするＥＬ表示装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一に記載のＥＬ表示装置を表示部に用いたことを特徴とする電子装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一に記載のＥＬ表示装置を表示部に用いたことを特徴とする携帯電話。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月19日(2005.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】多孔質セラミック材料の切断方法、多孔質セラミックの製造方法及び多孔質セラミック材料の切断装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一端部に砥石が形成された円筒形状の切断用部材を用い、円筒の中心を回転軸として回転させながら多孔質セラミック材料を円筒形状に切断することを特徴とする多孔質セラミック材料の切断方法。
【請求項２】
一端部に砥石が形成された円筒形状の切断用部材を用い、円筒の中心を回転軸として回転させながら多孔質セラミック材料を円筒形状に切断する切断工程を有することを特徴とする多孔質セラミックの製造方法。
【請求項３】
切断用部材を回転周速度１００〜１５００ｍ／分で回転させながら前記多孔質セラミック材料を切断する請求項２に記載の多孔質セラミックの製造方法。
【請求項４】
一端部に砥石が形成された円筒形状の切断用部材を用い、円筒の中心を回転軸として回転させながら、多孔質セラミック材料に切断用部材を浸入させ、多孔質セラミック材料を円筒形状に切断する切断工程を有することを特徴とする多孔質セラミックの製造方法。
【請求項５】
前記切断用部材の移動速度を、切断の開始時と終了時には遅くする請求項４に記載の多孔質セラミックの製造方法。
【請求項６】
前記多孔質セラミック材料の切断開始と終了時の移動速度が０．１５〜０．７ｍｍ／秒である請求項４又は５に記載の多孔質セラミックの製造方法。
【請求項７】
前記多孔質セラミック材料の中央部の移動速度が１００〜１５００ｍｍ／秒である請求項４〜６のいずれか１に記載の多孔質セラミックの製造方法。
【請求項８】
前記砥石は、幅が１〜２０ｍｍである請求項２〜７のいずれか１に記載の多孔質セラミックの製造方法。
【請求項９】
前記砥石は、ダイヤモンド砥粒を含んで構成されている請求項２〜８のいずれか１に記載の多孔質セラミックの製造方法。
【請求項１０】
前記砥石は、＃１０〜＃４００の粒度である請求項２〜９のいずれか１に記載の多孔質セラミックの製造方法。
【請求項１１】
前記砥石の集中度は、１００以下である請求項２〜１０のいずれか１に記載の多孔質セラミックの製造方法。
【請求項１２】
前記多孔質セラミックは、セラミックフィルタである請求項２〜１１のいずれか１に記載の多孔質セラミックの製造方法。
【請求項１３】
前記多孔質セラミック材料は、複数個の多孔質セラミック部材を結束させることにより形成されたものである請求項２〜１２のいずれか１に記載の多孔質セラミックの製造方法。
【請求項１４】
前記切断工程後に、多孔質セラミックスの周囲にシール材層を設けるシール材層形成工程を行う請求項２〜１３のいずれか１に記載の多孔質セラミックの製造方法。
【請求項１５】
壁面に固定された板状の固定台の下方に配設され、切断前後の多孔質セラミック材料を載置し、昇降させることができるように構成された載置台と、水平方向に移動可能な棒状部材を備え、切断前の前記多孔質セラミック材料が前記載置台に載置され、固定台正面まで上昇した際、前記棒状部材を移動させ、その先端に形成された押さえ部を多孔質セラミック材料に当接し、所定の力を加えることにより固定台に固定する固定部材と、端部に砥石が形成された円筒部材の円筒の中心を回転軸として回転させながら、水平方向に前記円筒部材を移動させることにより、前記固定台に固定された前記多孔質セラミック材料を円筒形状に切断する切断部材とを備えたことを特徴とする多孔質セラミック材料の切断装置。
【請求項１６】
切断が完了する前に、切断されることにより廃材となる部分を固定台に押さえつけて固定する廃材押さえ部材を備えたことを特徴とする請求項１５に記載の多孔質セラミック材料の切断装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、多孔質セラミック材料を円筒形状に切断する多孔質セラミック材料の切断方法、多孔質セラミックの製造方法及び多孔質セラミック材料の切断装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、これらの問題を解決するためになされたもので、多孔質セラミック材料を切断する際に、欠け、チッピング等を生じさせることなく、切断した材料の寸法にバラツキが生じることもなく、精密な寸法の製品を作製することができ、しかも、砥石の寿命を長く延ばすことができる多孔質セラミック材料の切断方法、該方法を用いた多孔質セラミックの製造方法及び多孔質セラミック材料の切断装置を提供することを目的とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の多孔質セラミック材料の切断方法は、一端部に砥石が形成された円筒形状の切断用部材を用い、円筒の中心を回転軸として回転させながら多孔質セラミック材料を円筒形状に切断することを特徴とするものである。
本発明の多孔質セラミックの製造方法は、一端部に砥石が形成された円筒形状の切断用部材を用い、円筒の中心を回転軸として回転させながら多孔質セラミック材料を円筒形状に切断することを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月23日(2005.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スプリンクラ消火設備において、逆止弁と、火災時に開弁制御される開閉弁と、流水検知器と、複数のスプリンクラ配管を接続可能なヘッダとを結合したヘッダユニットを有することを特徴とするスプリンクラ消火設備。
【請求項２】
前記ヘッダには排水器が設けられていることを特徴とする請求項１記載のスプリンクラ消火設備。
【請求項３】
前記開閉弁は、開弁してから所定時間経過後に前記流水検知器が流水を検知していないときに閉弁制御されることを特徴とする請求項２または３に記載のスプリンクラ消火設備。
【請求項４】
スプリンクラ消火設備において、火災時に開弁制御される開閉弁と、前記開閉弁の二次側に設けられた複数のスプリンクラ配管を接続可能なヘッダと、前記ヘッダに接続された排水器と、とを有することを特徴とするスプリンクラ消火設備。
【請求項５】
流水検知器が前記開閉弁の一次側もしくは二次側に設けられ、前記開閉弁が開弁してから所定時間経過後に前記流水検知器が流水を検知していないときは前記開閉弁が閉弁制御されることを特徴とする請求項４記載のスプリンクラ消火設備。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、前記ヘッダには排水器が設けられていることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
また、前記ヘッダには排水器が設けられていることにより、誤ってヘッダユニットに消火用水が流入しても自動又は手動で排水することができ、事故による水損を大幅に軽減できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月17日(2004.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
これに対し、本発明の特定化学成分のフェライト系ステンレス鋼管の場合は、Ｍｎが０．０２％以下、Ｓが０．００２％以下、ｓｏｌ．Ａｌが０．０１０％以下と少なく、Ｃｒが２５〜２７．５％と多いため、酸化不動態処理によって溶接部ならびにＨＡＺに１００％Ｃｒ2Ｏ3皮膜による不活性表面が形成される。この結果、溶接部ならびにＨＡＺのＣｒ2Ｏ3表面では、ハロゲンガスの吸着のみで腐食しない。また、水分吸着エネルギーが小さいため、物理吸着のみで水分放出量が少ない。さらに、Ｎｉの触媒作用がなく、シラン系ガスの変質もない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
実施例２
実施例１で使用したと同じ内表面に１００％Ｃｒ2Ｏ3皮膜を形成した外径６．３５ｍｍ、肉厚１．０ｍｍのフェライト系ステンレス鋼管の短管の溶接を行った。溶接機としては、ダイメトリクス社製のダイメトリクスセンター３（Ａ−１ヘッド）を用いた。溶接中のアークガスおよびバックシールドガスとしては、２０ｐｐｍの酸素を含むアルゴンガスを、アークガスとして７ｌ／ｍｉｎ、バックシールドガスとして５ｌ／ｍｉｎ使用した。得られた各溶接管は、管内面に雰囲気ガスとしてバックシールドガスと同じ２０ｐｐｍの酸素を含むアルゴンガスを５ｌ／ｍｉｎで流しながら、溶接機の電流を調整して溶接部の平均温度を５５０〜１０５０℃の範囲で変化させ、３０秒間酸化不動態処理して溶接時に消失した溶接部ならびにＨＡＺのＣｒ2Ｏ3皮膜の修復を行った。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月28日(2005.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
摩擦撹拌接合ツールの加工ヘッドを埋入状態で回転しつつ相対的に進行させて被接合材同士を接合一体化する摩擦撹拌接合において、接合終端での前記加工ヘッドの引き上げによって生じた抜き孔に、はんだ又はろう材を充填し、これらはんだ又はろう材を融解、固化させて被接合材と一体化させることを特徴とする摩擦撹拌接合終端の処理方法。
【請求項２】
前記抜き孔にＺｎを主体とするＺｎ−Ａｌ系のはんだを充填する請求項１記載の摩擦撹拌接合終端の処理方法。
【請求項３】
前記抜き孔にＡｌ−Ｓｉ系又はＡｌ−Ｃｕ系のろう材を充填して加熱溶融させる請求項１記載の摩擦撹拌接合終端の処理方法。
【請求項４】
前記被接合材に残留した摩擦撹拌接合の余熱のみで、あるいはこの余熱と外部加熱によって前記はんだ又はろう材を融解させる請求項１〜３のいずれか１項記載の摩擦撹拌接合終端の処理方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項記載の摩擦撹拌接合終端の処理方法により処理された接合終端を有する接合品。
【請求項６】
摩擦撹拌接合により被接合材同士が接合一体化された接合品であって、
接合終端では、溶融、固化されたはんだ又はろう材が被接合材と一体化されていることを特徴とする接合品。
【請求項７】
被接合材として金属板同士が接合一体化された請求項５又は６記載の接合品。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月9日(2004.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔性支持膜上にポリアミド系分離機能層を設けた逆浸透複合膜であって、前記分離機能層が親水基である第２アミン、水酸基およびエーテル基からなる群から選ばれる少なくとも１つを含み、前記分離機能層が親水基であるカルボキシル基を含み、かつ、Ｘ線光電子分光法（ＥＳＣＡ）を用いて分析した前記分離機能層の親水基濃度が０．１６１〜０．６の範囲内にあり、かつ、カルボキシル基濃度が０．００１〜０．０３の範囲内にある逆浸透複合膜。
【請求項２】
造水量低下率が３０％以下である、請求項１に記載の逆浸透複合膜。
【請求項３】
請求項１または２に記載の逆浸透複合膜を用いて原水中の不純物を除去することを特徴とする造水方法。
【請求項４】
原水中の不純物として界面活性剤が含まれている、請求項３に記載の造水方法。
【請求項５】
操作圧力が０．１〜３．０ＭＰａの範囲内にある、請求項３または４に記載の造水方法。
【請求項６】
請求項１または２に記載の逆浸透複合膜を有していることを特徴とする流体分離素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
ここで、前記分離機能層が親水基であるカルボキシル基を含み、かつ、Ｘ線光電子分光法（ＥＳＣＡ）を用いて分析した前記分離機能層の親水基濃度が、０．１６１〜０．６の範囲内にあり、かつ、カルボキシル基濃度が０．００１〜０．０３の範囲内にあることが必要である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、分離機能層が親水基であるカルボキシル基を含み、かつ、Ｘ線光電子分光法（ＥＳＣＡ）を用いて分析した分離機能層の親水基濃度が、０．１６１〜０．６の範囲内にあり、かつ、カルボキシル基濃度が０．００１〜０．０３の範囲内とすることで、膜の脱塩率を高く維持しつつ、透水性を高めることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
分離機能層の親水基濃度が高いと、透水性は増加するが、脱塩率は低下する傾向にある。逆に、親水基濃度が低いと、膜が疎水性となって透水性が低下する。この場合、特に、原水中にカチオン系有機物が含まれている場合の透水性低下が大きい。このため、親水基濃度の総和は０．１６１〜０．６の範囲内にあることが必要であり、０．１６１〜０．５の範囲内にあるとさらに好ましい。同時に、カルボキシル基濃度は、０．００１〜０．０３の範囲内にあることが必要であり、０．００１〜０．０２の範囲内にあるとさらに好ましい。親水基濃度およびカルボキシル濃度が上記の範囲にあれば、高い脱塩率を維持しつつ、高い透過水量を得ることができ、さらに原水中にカチオン系有機物（界面活性剤）が含まれている場合においても造水量低下率を３５％以下とすることができ、親水基濃度およびカルボキシル基濃度をさらに調節することにより造水量低下率を３０％以下にすることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月11日(2004.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】鋳物砂再生装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の通気口が設けられた流動床と、古砂の投入管および再生砂の送出管が設けられた側壁とを有した撹拌槽と、
前記撹拌槽の上方部分と連絡し排気口が設けられた分級槽と、
前記撹拌槽内に投入された古砂を流動化させるとともに、前記古砂から分離された付着物を前記分級槽に送るための圧力空気を前記通気口に供給する空気圧源と、
前記撹拌槽内に配置され駆動源によって回転される水平方向に配置された駆動軸と、
前記駆動軸の回転に連動して回転する回転ドラムとを備え、
前記回転ドラムは、前記駆動軸に同軸上に固定された円板部と、前記円板部の円周に内周面が連結されてなる円筒部とを有し、かつ該ドラムの中央部断面がほぼエ字形に形成されており、
前記通気口から供給される圧力空気の作用と、前記回転ドラムの回転とにより、前記撹拌槽内の古砂から、該古砂に付着している付着物が剥離されることを特徴とする鋳物砂再生装置。
【請求項２】
複数の放射孔が前記円筒部に形成されており、前記ドラムが回転されるとき、前記放射孔を通して古砂が前記ドラムの内側から外側へ放射される、請求項１記載の鋳物砂再生装置。
【請求項３】
前記撹拌槽において、前記投入管が前記送出管より高く位置されている、請求項１または２に記載の鋳物砂再生装置。
【請求項４】
前記投入管および前記送出管が、前記撹拌槽の垂直軸に対して傾斜されている、請求項１から３のいずれかに記載の鋳物砂再生装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するため手段】
本発明の鋳物砂再生装置は、複数の通気口が設けられた流動床と、古砂の投入管および再生砂の送出管が設けられた側壁とを有した撹拌槽と、前記撹拌槽の上方部分と連絡し排気口が設けられた分級槽と、前記撹拌槽内に投入された古砂を流動化させるとともに、前記古砂から分離された付着物を前記分級槽に送るための圧力空気を前記通気口に供給する空気圧源と、前記撹拌槽内に配置され駆動源によって回転される水平方向に配置された駆動軸と、前記駆動軸の回転に連動して回転する回転ドラムとを備え、前記回転ドラムは、前記駆動軸に同軸上に固定された円板部と、前記円板部の円周に内周面が連結されてなる円筒部とを有し、かつ該ドラムの中央部断面がほぼエ字形に形成されており、前記通気口から供給される圧力空気の作用と、前記回転ドラムの回転とにより、前記撹拌槽内の古砂から、該古砂に付着している付着物が剥離されることを特徴とする。
また、複数の放射孔が前記円筒部に形成されており、前記ドラムが回転されるとき、前記放射孔を通して古砂が前記ドラムの内側から外側へ放射されることを特徴とする。
また、前記撹拌槽において、前記投入管が前記送出管より高く位置されていることを特徴とする。
さらに、前記投入管および前記送出管が、前記撹拌槽の垂直軸に対して傾斜されていることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月22日(2004.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】多列フレームの樹脂成形装置及び半導体パッケージの形成方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金型の複数列のキャビティにスルーゲートを通してプランジャーによりモールド樹脂を充填して成形する多列フレームの樹脂成形装置において、
前記スルーゲートのそれぞれに補助プランジャーを設けたことを特徴とする多列フレームの樹脂成形装置。
【請求項２】
前記補助プランジャー毎に補助プランジャー制御ユニットを設けたことを特徴とする請求項１記載の多列フレームの樹脂成形装置。
【請求項３】
前記プランジャーと補助プランジャーに共通に１個のプランジャー制御ユニットを設け、前記プランジャーから離れるにつれて前記補助プランジャーの長さを短く設定したことを特徴とする請求項１記載の多列フレームの樹脂成形装置。
【請求項４】
金型の複数列のキャビティにスルーゲートを通してプランジャーによりモールド樹脂を充填して成形する多列フレームの樹脂成形装置において、
樹脂溜りとして、最終列のキャビティの端部に可動式の樹脂溜り用プランジャーを設けたことを特徴とする多列フレームの樹脂成形装置。
【請求項５】
前記樹脂溜り用プランジャーの先端の位置を任意に設定して固定したことを特徴とする請求項４記載の多列フレームの樹脂成形装置。
【請求項６】
前記樹脂溜り用プランジャーの先端の位置を所定以上の圧力により自動的に変動させるように構成したことを特徴とする請求項４記載の多列フレームの樹脂成形装置。
【請求項７】
カルからランナーを介して第１のキャビティにモールド樹脂を注入し、前記第１のキャビティから第１のスルーゲートを介して第２のキャビティに前記モールド樹脂を注入する半導体パッケージの形成方法において、
前記第１のキャビティに前記モールド樹脂が充填された後、前記第１のスルーゲートに前記モールド樹脂が流れ込むのに伴い、前記第１のスルーゲートに圧力を加えることによって前記第２のキャビティ内に前記モールド樹脂を注入することを特徴とする半導体パッケージの形成方法。
【請求項８】
請求項７記載の半導体パッケージの形成方法において、
前記第２のキャビティに第２のスルーゲートを介して第３のキャビティが連結されており、前記第２のキャビティに前記モールド樹脂が充填された後、前記第２のスルーゲートに前記モールド樹脂が流れ込むのに伴い、前記第２のスルーゲートに圧力を加えることによって前記第３のキャビティ内に前記モールド樹脂を注入することを特徴とする半導体パッケージの形成方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造において使用される多列フレームの樹脂成形装置及び半導体パッケージの形成方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、第１の手段として、金型の複数列のキャビティにスルーゲートを通してプランジャーによりモールド樹脂を充填して成形する多列フレームの樹脂成形装置において、スルーゲートのそれぞれに補助プランジャーを設け、２列目以降のキャビティにモールド樹脂を充填する際、スルーゲートにモールド樹脂が流れ込んだら補助プランジャーを動作させてモールド樹脂を充填するようにしたものである。
また、第２の手段として最終列のキャビティの端部に可動式の樹脂溜り用プランジャーを設けて樹脂溜りとしたものである。
更に、第３の手段として、カルからランナーを介して第１のキャビティにモールド樹脂を注入し、第１のキャビティから第１のスルーゲートを介して第２のキャビティにモールド樹脂を注入する半導体パッケージの形成方法において、第１のキャビティにモールド樹脂が充填された後、第１のスルーゲートにモールド樹脂が流れ込むのに伴い、第１のスルーゲートに圧力を加えることによって第２のキャビティ内にモールド樹脂を注入するようにしたものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
この実施形態は各スルーゲート１０に補助プランジャーを設けずに、樹脂溜り２０として、最終列（この例では３列）のキャビティ２の端部に可動式の樹脂溜り用プランジャー２１を設けたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月22日(2005.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の識別情報を可変表示可能な可変表示装置を備え、該可変表示装置における可変表示遊技の停止結果態様が特別停止態様であった場合に、特別遊技状態を発生可能に制御する遊技制御装置を有する遊技機において、
前記遊技制御装置は、前記始動入賞口への球の入賞に基づき、前記可変表示装置で、各種図柄が入れ替わるよう変化した後に、何れかの図柄が様々な組み合わせで停止する図柄変動遊技を実行し、
前記可変表示遊技の停止結果態様が前記複数の識別情報のいずれか１つを遊技者が認識可能な所定確率であることを表示する前記識別情報以外の識別情報を含む特別表示となった場合、あるいは、前記複数の識別情報の中で同一識別情報が２つ揃ったリーチ状態で、残る１つの識別情報の停止結果が遊技者が認識可能な所定確率であることを表示する前記識別情報以外の識別情報を含む特別表示となった場合、のいずれかの前記可変表示遊技の停止結果態様の場合、前記可変表示遊技の停止結果態様の全ての識別情報を再変動、あるいは前記識別情報以外の識別情報を再変動させ、前記所定確率の乱数に基いて特別遊技状態を発生させることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
前記フィーバー機では、遊技盤面上に開設された始動入賞口に球が入賞すると、前記可変表示装置に各種図柄がスクロール表示される。そして、スクロール停止後の図柄の組み合わせが大当たり表示（特別停止態様）になると、特賞（いわゆるフィーバー・特別遊技状態）が発生して、可変入賞口が所定回数だけ開閉するように設定されていた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
前記可変表示装置は、一般には横一列やマトリックス状に並ぶ複数の表示部を備え、何れか１列上に並ぶ各表示部に停止表示された図柄が、例えば「１，１，１」の如く総て同一に揃う（特別停止態様）と、大当たり表示となって特賞（特別遊技状態）が発生するようになっていた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するための本発明の要旨とするところは、次の発明に存する。
［１］複数の識別情報を可変表示可能な可変表示装置（３０）を備え、該可変表示装置（３０）における可変表示遊技の停止結果態様が特別停止態様であった場合に、特別遊技状態を発生可能に制御する遊技制御装置（１００）を有する遊技機（１０）において、
前記遊技制御装置（１００）は、前記始動入賞口（２０）への球の入賞に基づき、前記可変表示装置（３０）で、各種図柄が入れ替わるよう変化した後に、何れかの図柄が様々な組み合わせで停止する図柄変動遊技を実行し、
前記可変表示遊技の停止結果態様が前記複数の識別情報のいずれか１つを遊技者が認識可能な所定確率であることを表示する前記識別情報以外の識別情報を含む特別表示となった場合、あるいは、前記複数の識別情報の中で同一識別情報が２つ揃ったリーチ状態で、残る１つの識別情報の停止結果が遊技者が認識可能な所定確率であることを表示する前記識別情報以外の識別情報を含む特別表示となった場合、のいずれかの前記可変表示遊技の停止結果態様の場合、前記可変表示遊技の停止結果態様の全ての識別情報を再変動、あるいは前記識別情報以外の識別情報を再変動させ、前記所定確率の乱数に基いて特別遊技状態を発生させることを特徴とする遊技機（１０）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づき本発明を代表する実施の形態を説明する。
図１〜図１０は本発明の一実施の形態に係る遊技機１０を示している。
本実施の形態に係る遊技機１０は、遊技盤面１１上に球を打ち出す遊技で所定条件が成立する（特別停止態様）と、遊技者に有利な特賞（特別遊技状態）が発生するパチンコ機である。本パチンコ機はいわゆるフィーバー機であるが、他の機種のパチンコ機等に適用してもよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
第２抽選実行手段１１４は、前記図柄変動遊技で特別表示となった場合に、各特別表示に対応した図柄乱数テーブル１〜５（図６参照）を用いて、最終的に大当たりとなるか否かを再度図柄変動遊技を開始（再変動）して再抽選するものである。この第２抽選手段１１４による再抽選は、前記第１抽選手段１１１から出力された特別当たりに相当する信号に基づき実行される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月7日(2005.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】  上記エアーブローノズルと共に移動し、吸引ダクトを介して排気装置に接続された吸引フードを、ブースの内壁面に備える請求項１記載の静電粉体塗装用ブースの壁面清掃装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】  上記エアーブローノズルが、パイプ本体と、このパイプ本体に所定間隙毎に穿けられた噴出口とからなり、上記除電装置電極の電極ピンが、パイプ本体外面の上記噴出口間に設置されている請求項１又は２に記載の静電粉体塗装用ブースの壁面清掃装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】  上記噴出口に、ガイドノズルが設置されている請求項３に記載の静電粉体塗装用ブースの壁面清掃装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月7日(2005.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】  上記壁面清掃装置が、側面パネルと天井パネルの内面に対向する吸引口を有する吸引フードと、側面パネルと天井パネルの内面に向けてエアーを噴出するエアーブローノズルとからなる請求項１記載の静電粉体塗装用ブース。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月7日(2004.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板洗浄装置及び方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持し回転させて洗浄する第１洗浄機構と、
前記基板を前記第１洗浄機構による回転よりも高速で回転させることが可能な運動機構を備えた第２洗浄機構と、
前記第１洗浄機構と第２洗浄機構を選択的に切り換える切換手段とを有することを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項２】
前記第１洗浄機構は、基板の周囲に配置され、該基板の周縁部に当接して該基板を保持し回転を与える複数のローラを有することを特徴とする請求項１記載の基板洗浄装置。
【請求項３】
前記第２洗浄機構は前記基板と同軸の回転軸を有する回転把持体を備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板洗浄装置。
【請求項４】
前記第１洗浄機構は、基板の表裏面に接離可能に設けられた一対のスクラブ洗浄部材を備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板洗浄装置。
【請求項５】
前記切換手段は、前記第１洗浄機構又は第２洗浄機構の一方の構成部材を退避位置に退けることにより他方を使用位置に置くものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板洗浄装置。
【請求項６】
基板収容部と、基板研磨部と、請求項１乃至５のいずれかに記載の基板洗浄装置と、これらの装置機器間で基板を搬送する基板搬送機とを有することを特徴とする基板の研磨装置。
【請求項７】
基板をローラで保持し回転させながら洗浄部材を基板に接触させて基板のスクラブ洗浄を行なう第１洗浄機構と、
基板をローラからチャックに持ち替えて基板の仕上げ洗浄を行なうとともに、基板をチャックで保持したまま高速で回転させて基板の脱水・乾燥を行なう第２洗浄機構とを有することを特徴とする基板洗浄装置。
【請求項８】
基板をローラで保持し回転させながら洗浄部材を基板に接触させて基板のスクラブ洗浄を行ない、
基板をローラからチャックに持ち替えて基板の仕上げ洗浄を行ない、
基板をチャックで保持したまま高速で回転させて基板の脱水・乾燥を行なうことを特徴とする基板洗浄方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板洗浄装置及び方法に係り、特に、半導体ウエハ、ガラス基板、液晶パネル等の高度の清浄度が要求される基板を洗浄するのに好適な基板洗浄装置及び方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、かかる実情に鑑みて、複数の洗浄工程を１台の装置構成で行なうことによって、装置の規模を縮小して設備コストを低減し、かつ処理時間を短縮することによりスループットを向上させるとともに、清浄度の高い基板を提供することができるような基板洗浄装置及び方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、基板を保持し回転させて洗浄する第１洗浄機構と、前記基板を前記第１洗浄機構による回転よりも高速で回転させることが可能な運動機構を備えた第２洗浄機構と、前記第１洗浄機構と第２洗浄機構を選択的に切り換える切換手段とを有することを特徴とする基板洗浄装置である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項２に記載の発明は、前記第１洗浄機構は、基板の周囲に配置され、該基板の周縁部に当接して該基板を保持し回転を与える複数のローラを有することを特徴とする請求項１記載の基板洗浄装置である。
請求項３に記載の発明は、前記第２洗浄機構は前記基板と同軸の回転軸を有する回転把持体を備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板洗浄装置である。なお、この他に、ベルヌーイチャック機構、非接触回転機構等を用いることもできる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項４に記載の発明は、前記第１洗浄機構は、基板の表裏面に接離可能に設けられた一対のスクラブ洗浄部材を備えていることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板洗浄装置である。それぞれが自転可能な複数のローラで基板を保持し回転させているので、基板の表裏面ともに開放されており、この空間をローラを出し入れさせてスクラブ洗浄することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項５に記載の発明は、前記切換手段は、前記第１洗浄機構又は第２洗浄機構の一方の構成部材を退避位置に置くことにより他方を使用位置に置くものであることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板洗浄装置である。第１洗浄機構の複数のローラは基板に対して開閉可能とし、不要のときは外側に退避させ、第２洗浄機構の回転把持体は昇降可能とし、不要のときは下方に退避させる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項６に記載の発明は、基板収容部と、基板研磨部と、請求項１乃至５のいずれかに記載の基板洗浄装置と、これらの装置機器間で基板を搬送する基板搬送機とを有することを特徴とする基板の研磨装置である。
請求項７に記載の発明は、基板をローラで保持し回転させながら洗浄部材を基板に接触させて基板のスクラブ洗浄を行なう第１洗浄機構と、基板をローラからチャックに持ち替えて基板の仕上げ洗浄を行なうとともに、基板をチャックで保持したまま高速で回転させて基板の脱水・乾燥を行なう第２洗浄機構とを有することを特徴とする基板洗浄装置である。
請求項８に記載の発明は、基板をローラで保持し回転させながら洗浄部材を基板に接触させて基板のスクラブ洗浄を行ない、基板をローラからチャックに持ち替えて基板の仕上げ洗浄を行ない、基板をチャックで保持したまま高速で回転させて基板の脱水・乾燥を行なうことを特徴とする基板洗浄方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月23日(2004.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技盤に設けられ、パチンコ球が入球または通過する始動口と、
前記遊技盤に設けられた図柄表示装置と、
前記遊技盤に設けられ、開閉可能な扉を有する可変入賞口と、
前記可変入賞口内に設けられた特定入賞孔と、
前記始動口内にパチンコ球が入球したり、または、前記始動口内をパチンコ球が通過することに基づいて前記図柄表示装置に図柄を変動表示する手段と、
前記始動口内にパチンコ球が入球したり、または、前記始動口内をパチンコ球が通過することに基づいて大当りリングカウンタの計測値を取得する手段と、
大当りリングカウンタの取得結果を数値と比較することに基いて大当りおよび外れを判定する手段と、
大当りの判定時および外れの判定時に大当り図柄および外れ図柄を設定する手段と、
大当りの判定時および外れの判定時に図柄の変動表示を大当り図柄の設定結果および外れ図柄の設定結果で停止させる手段と、
図柄の変動表示が大当り図柄の設定結果で停止することに基いて前記扉の開閉を繰返す大当り状態を生成する手段と、
大当り状態の生成回数を計測する手段と、
大当り状態での前記可変入賞口に対するパチンコ球の入賞個数を計測する手段と、
大当り状態での前記扉の開閉回数を計測する手段と、
大当り状態で前記特定入賞孔内にパチンコ球が入賞したことを検出する手段と、
大当り状態での前記可変入賞口に対するパチンコ球の入賞個数および大当り状態での前記扉の開閉回数のいずれかが上限値に到達することに基いて今回の大当り状態を終える手段と、
今回の大当り状態でパチンコ球が前記特定入賞孔内に入賞したときには大当り状態の生成回数が上限値に到達していないことを条件に次回の大当り状態を生成する手段と
を備えたことを特徴とするパチンコ機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明のパチンコ機は、遊技盤に設けられパチンコ球が入球または通過する始動口と、前記遊技盤に設けられた図柄表示装置と、前記遊技盤に設けられ開閉可能な扉を有する可変入賞口と、前記可変入賞口内に設けられた特定入賞孔と、前記始動口内にパチンコ球が入球したり前記始動口内をパチンコ球が通過することに基づいて前記図柄表示装置に図柄を変動表示する手段と、前記始動口内にパチンコ球が入球したり前記始動口内をパチンコ球が通過することに基づいて大当りリングカウンタの計測値を取得する手段と、大当りリングカウンタの取得結果を数値と比較することに基いて大当りおよび外れを判定する手段と、大当りの判定時および外れの判定時に大当り図柄および外れ図柄を設定する手段と、大当りの判定時および外れの判定時に図柄の変動表示を大当り図柄の設定結果および外れ図柄の設定結果で停止させる手段と、図柄の変動表示が大当り図柄の設定結果で停止することに基いて前記扉の開閉を繰返す大当り状態を生成する手段と、大当り状態の生成回数を計測する手段と、大当り状態での前記可変入賞口に対するパチンコ球の入賞個数を計測する手段と、大当り状態での前記扉の開閉回数を計測する手段と、大当り状態で前記特定入賞孔内にパチンコ球が入賞したことを検出する手段と、大当り状態での前記可変入賞口に対するパチンコ球の入賞個数および大当り状態での前記扉の開閉回数のいずれかが上限値に到達することに基いて今回の大当り状態を終える手段と、今回の大当り状態でパチンコ球が前記特定入賞孔内に入賞したときには大当り状態の生成回数が上限値に到達していないことを条件に次回の大当り状態を生成する手段とを備えたところに特徴を有している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
尚、上記実施例においては、７セグメント形のＬＥＤ表示器を有する図柄表示装置を図柄表示装置１２に換えて装着しても良い。
また、上記実施例においては、始動口１７に換えてパチンコ球３３が通過するゲートタイプの始動口を装着しても良い。この場合、パチンコ球３３が始動口内に入球する時間的なタイミングまたは始動口内を通過する時間的なタイミングに基づいて大当り，外れの判定動作等を行うと良い。
また、上記実施例においては、扉２６が１６ラウンドのうち所定の１ラウンド〜１５ラウンドで開閉動作を繰返し、残りの１ラウンドで開放状態に保持される構成としても良い。