(57)【要約】【課題】基板処理装置の温度管理に要するコストを低減することができる温調装置およびそれを備えた基板処理システムを提供する。【解決手段】温調装置２００は、複数の管継手４、複数の管継手５および冷却水流通路２２１，２２２を備える。冷却水流通路２２２には、冷却器２２４が設けられる。管継手４から基板処理装置に供給された冷却水は、管継手５により回収される。管継手５により回収された冷却水は、冷却水流通路２２２により冷却された後、管継手４から基板処理装置に供給される。複数の管継手４に対応するように複数の電磁弁４０１がそれぞれ設けられる。【選択図】図１０
2010034214.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置に温度調整された第１の冷却流体を供給する温調装置であって、
前記基板処理装置に前記第１の冷却流体を供給するための複数の冷却流体供給部と、
前記基板処理装置から前記第１の冷却流体を回収するための冷却流体回収部と、
前記冷却流体回収部において回収された前記第１の冷却流体を前記冷却流体供給部へ流通させる第１の冷却流体流通路と、
前記第１の冷却流体流通路内の前記第１の冷却流体を冷却する第１の冷却器と、
前記複数の冷却流体供給部に対応して設けられ、対応する冷却流体供給部における前記第１の冷却流体の流量をそれぞれ調整する複数の第１の流量調整部とを備えることを特徴とする温調装置。
【請求項２】
前記複数の冷却流体供給部に対応して設けられ、対応する冷却流体供給部における前記第１の冷却流体の流量をそれぞれ検出する複数の流量検出部と、前記複数の流量検出部の検出値に基づいてそれぞれ対応する前記第１の流量調整部を制御する制御部とをさらに備えることを特徴とする請求項１記載の温調装置。
【請求項３】
前記第１の冷却流体流通路内の前記第１の冷却流体を加温する第１の加温器と、
前記第１の冷却器に供給される第１の冷媒が流通する第１の冷媒流通路と、
第２の冷却流体が流通する第２の冷却流体流通路と、
前記第１の冷媒流通路内を流通する前記第１の冷媒と前記第２の冷却流体流通路内を流通する前記第２の冷却流体との間で熱交換を行う第１の熱交換器と、
前記第１の熱交換器における熱交換後の前記第２の冷却流体を前記第１の加温器に導く第１の誘導通路とをさらに備えることを特徴とする請求項２記載の温調装置。
【請求項４】
前記第１の冷却流体流通路において前記第１の冷却器および前記第１の加温器よりも下流側に設けられ前記第１の冷却流体流通路内の前記第１の冷却流体の温度を検出する第１の温度検出部と、
前記第１の誘導通路内の前記第２の冷却流体の流量を調整する第２の流量調整部とをさらに備え、
前記制御部は、前記第１の温度検出部の検出値に基づいて前記第２の流量調整部を制御することを特徴とする請求項３記載の温調装置。
【請求項５】
前記基板処理装置に空気を供給するための空気供給部と、
外部から流入する空気を前記空気供給部に流通させる空気流通路と、
前記空気流通路内の空気を冷却する第２の冷却器と、
前記第２の冷却器に供給される第２の冷媒が流通する第２の冷媒流通路と、
前記第２の冷却流体流通路内の前記第１の熱交換器における熱交換前の前記第２の冷却流体が流入して流通する第３の冷却流体流通路と、
前記第２の冷媒流通路内を流通する前記第２の冷媒と前記第３の冷却流体流通路内を流通する前記第２の冷却流体との間で熱交換を行う第２の熱交換器とをさらに備えることを特徴とする請求項３または４記載の温調装置。
【請求項６】
前記空気流通路に設けられ前記空気流通路内の空気を加温する第２の加温器と、
前記第３の冷却流体流通路内の前記第２の熱交換器における熱交換後の前記第２の冷却流体を前記第２の加温器に導く第２の誘導通路とをさらに備えることを特徴とする請求項５記載の温調装置。
【請求項７】
前記空気供給部は、第１の空気供給部と第２の空気供給部とを含み、
前記空気流通路は、
外部から流入する空気が流通する流入通路と、
前記流入通路と前記第１の空気供給部とを連通させる第１の連通路と、
前記流入通路と前記第２の空気供給部とを連通させる第２の連通路と、
前記第１の連通路内の空気を加熱する第１の加熱器と、
前記第２の連通路内の空気を加熱する第２の加熱器とをさらに備え、
前記第２の冷却器は、前記流入通路に設けられることを特徴とする請求項５または６記載の温調装置。
【請求項８】
基板に処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置と、
請求項１〜７に記載の温調装置とを備え、
前記基板処理装置の各処理部には、前記温調装置の各冷却流体供給部から前記第１の冷却流体がそれぞれ供給されることを特徴とする基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、冷却水の温度調整を行う温調装置およびそれを備えた基板処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
一般に、基板処理装置には、複数の熱処理ユニット、複数の薬液処理ユニットおよび搬送機構が設けられている。各処理ブロック内においては、搬送機構により基板が熱処理ユニットおよび薬液処理ユニットに搬送される。そして、熱処理ユニットおよび薬液処理ユニットにおいて基板に所定の処理が行われる。
【０００４】
ところで、上記のような基板処理装置においては、各構成要素（例えば、熱処理ユニットおよび薬液処理ユニット）の信頼性の維持および処理不良の低減のために、各構成要素に冷却水が供給されている。例えば、特許文献１記載の処理液供給装置においては、温調配管およびその内部に設けられる処理液配管が設けられている。処理液配管には、基板に供給される処理液が流通する。また、温調配管の内面と処理液配管の外面との間には、温調ユニットから供給される恒温流体（冷却水）が流通する。このような構成において、恒温流体により処理液配管内の処理液の温度が一定に保たれる。
【特許文献１】特開平７−２６３３２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１記載の構成では、１つの構成要素（例えば、熱処理ユニットまたは薬液処理ユニット）に対して１つの温調ユニットが必要になる。そのため、複数の温調ユニットを基板処理装置に設けなければならない。それにより、基板処理装置の温度管理に要するコストを低減することができない。
【０００６】
本発明の目的は、基板処理装置の温度管理に要するコストを低減することができる温調装置およびそれを備えた基板処理システムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）第１の発明に係る温調装置は、基板処理装置に温度調整された第１の冷却流体を供給する温調装置であって、基板処理装置に第１の冷却流体を供給するための複数の冷却流体供給部と、基板処理装置から第１の冷却流体を回収するための冷却流体回収部と、冷却流体回収部において回収された第１の冷却流体を冷却流体供給部へ流通させる第１の冷却流体流通路と、第１の冷却流体流通路内の第１の冷却流体を冷却する第１の冷却器と、複数の冷却流体供給部に対応して設けられ、対応する冷却流体供給部における第１の冷却流体の流量をそれぞれ調整する複数の第１の流量調整部とを備えるものである。
【０００８】
この温調装置においては、複数の冷却流体供給部から第１の冷却流体が基板処理装置に供給される。また、冷却流体回収部により基板処理装置から第１の冷却流体が回収される。基板処理装置から回収された第１の冷却流体は、第１の冷却流体流通路を介して複数の冷却流体供給部へ流通する。第１の冷却器は、第１の冷却流体流通路内の第１の冷却流体を冷却する。このように、この温調装置によれば、基板処理装置への第１の冷却流体の供給、基板処理装置からの第１の冷却流体の回収およびその回収した第１の冷却流体の冷却が周期的に行われる。それにより、所定の温度以下に冷却された第１の冷却流体を基板処理装置に継続的に供給することができる。
【０００９】
また、この温調装置においては、複数の冷却流体供給部にそれぞれ対応するように複数の第１の流量調整部が設けられている。それにより、冷却流体供給部ごとに第１の冷却流体の流量を調整することができる。この場合、１台の温調装置により基板処理装置の各部に適切な流量で冷却水を供給することが可能になるので、複数の温調装置を設けなくてよい。それにより、基板処理装置の温度管理に要するコストを低減することができる。
【００１０】
（２）温調装置は、複数の冷却流体供給部に対応して設けられ、対応する冷却流体供給部における第１の冷却流体の流量をそれぞれ検出する複数の流量検出部と、複数の流量検出部の検出値に基づいてそれぞれ対応する第１の流量調整部を制御する制御部とをさらに備えてもよい。
【００１１】
この場合、複数の流量検出部の検出値に基づいて複数の冷却流体供給部における第１の冷却流体の流量がそれぞれ調整されるので、基板処理装置の各部により適切な流量で第２の冷却流体を供給することができる。
【００１２】
（３）温調装置は、第１の冷却流体流通路内の第１の冷却流体を加温する第１の加温器と、第１の冷却器に供給される第１の冷媒が流通する第１の冷媒流通路と、第２の冷却流体が流通する第２の冷却流体流通路と、第１の冷媒流通路内を流通する第１の冷媒と第２の冷却流体流通路内を流通する第２の冷却流体との間で熱交換を行う第１の熱交換器と、第１の熱交換器における熱交換後の第２の冷却流体を第１の加温器に導く第１の誘導通路とをさらに備えてもよい。
【００１３】
この温調装置においては、第１の加温器により第１の冷却流体流通路内の第１の冷却流体が加温される。それにより、第１の冷却流体の温度を調整することができる。
【００１４】
また、この温調装置においては、第１の熱交換器において、第１の冷媒流通路内の第１の冷媒と第２の冷却流体流通路内の第２の冷却流体との間で熱交換が行われる。そして、第１の熱交換器において第２の冷却流体に熱量を放出することにより温度低下した第１の冷媒が第１の冷媒流通路を介して第１の冷却器に供給される。このように、この温調装置によれば、所定の温度以下に冷却された第１の冷媒を第１の冷却器に継続的に供給することができる。それにより、第１の冷却流体流通路内の第１の冷却流体の冷却を継続的に行うことができる。
【００１５】
また、この温調装置においては、第１の熱交換器において第１の冷媒と熱交換した後の第２の冷却流体が第１の誘導通路により第１の加温器に導かれる。すなわち、第１の冷媒から熱量を受け取ることにより温度上昇した第２の冷却流体が第１の加温器に導かれる。この場合、第１の冷媒から受け取った熱量を第１の冷却流体流通路内の第１の冷却流体の温度調整に用いることができるので、第１の冷却流体の温度調整を効率よく行うことができる。
【００１６】
（４）温調装置は、第１の冷却流体流通路において第１の冷却器および第１の加温器よりも下流側に設けられ第１の冷却流体流通路内の第１の冷却流体の温度を検出する第１の温度検出部と、第１の誘導通路内の第２の冷却流体の流量を調整する第２の流量調整部とをさらに備え、制御部は、第１の温度検出部の検出値に基づいて第２の流量調整部を制御してもよい。
【００１７】
この場合、第１の温度検出部の検出値に基づいて第１の加温器に導かれる第２の冷却流体の量が調整される。それにより、第１の加温器における第１の冷却流体の加温の程度を調整することができる。その結果、より適切な温度の第１の冷却流体を基板処理装置に供給することが可能になる。
【００１８】
（５）温調装置は、基板処理装置に空気を供給するための空気供給部と、外部から流入する空気を空気供給部に流通させる空気流通路と、空気流通路内の空気を冷却する第２の冷却器と、第２の冷却器に供給される第２の冷媒が流通する第２の冷媒流通路と、第２の冷却流体流通路内の第１の熱交換器における熱交換前の第２の冷却流体が流入して流通する第３の冷却流体流通路と、第２の冷媒流通路内を流通する第２の冷媒と第３の冷却流体流通路内を流通する第２の冷却流体との間で熱交換を行う第２の熱交換器とをさらに備えてもよい。
【００１９】
この温調装置によれば、第２の冷却器により、外部から空気流通路内に流入した空気が冷却される。第２の冷却器により冷却された空気は、空気供給部から基板処理装置に供給される。それにより、基板処理装置の温度管理を行うことができる。
【００２０】
また、この温調装置においては、第２の熱交換器において、第２の冷媒流通路内の第２の冷媒と第３の冷却流体流通路内の第１の冷却流体との間で熱交換が行われる。そして、第２の熱交換器において第１の冷却流体に熱量を放出することにより温度低下した第２の冷媒が第２の冷媒流通路を介して第２の冷却器に供給される。このように、この温調装置によれば、所定の温度以下に冷却された第２の冷媒を第２の冷却器に継続的に供給することができる。それにより、空気流通路内の空気の冷却を継続的に行うことができる。その結果、基板処理装置に適切な温度の空気を供給することができる。
【００２１】
また、この温調装置においては、第１の冷却流体が第１の熱交換器における熱交換および第２の熱交換器における熱交換に用いられる。この場合、１つの供給源から第１の冷却流体を第１および第２の熱交換器に供給することが可能になる。それにより、温調装置内の配管構造を簡略化することができる。
【００２２】
また、１台の温調装置により温度調整された空気および温度調整された第１の冷却流体を基板処理装置に供給することができる。この場合、空気用の温調装置と第１の冷却流体用の温調装置とを別個に設けなくてよい。それにより、温調装置を設置するためのスペースを十分に低減することができるとともに、基板処理の低コスト化が可能になる。
【００２３】
（６）温調装置は、空気流通路に設けられ空気流通路内の空気を加温する第２の加温器と、第３の冷却流体流通路内の第２の熱交換器における熱交換後の第２の冷却流体を第２の加温器に導く第２の誘導通路とをさらに備えてもよい。
【００２４】
この温調装置においては、第２の加温器により空気流通路内の空気が加温される。それにより、空気流通路内の空気の温度を調整することができる。
【００２５】
また、この温調装置においては、第２の熱交換器において第２の冷媒と熱交換した後の第１の冷却流体が第２の誘導通路により第２の加温器に導かれる。すなわち、第２の冷媒から熱量を受け取ることにより温度上昇した第１の冷却流体が第２の加温器に導かれる。この場合、第２の冷媒から受け取った熱量を空気流通路内の空気の温度調整に用いることができるので、空気流通路内の空気の温度調整を効率よく行うことができる。
【００２６】
（７）空気供給部は、第１の空気供給部と第２の空気供給部とを含み、空気流通路は、外部から流入する空気が流通する流入通路と、その流入通路と第１の空気供給部とを連通させる第１の連通路と、その流入通路と第２の空気供給部とを連通させる第２の連通路と、第１の連通路内の空気を加熱する第１の加熱器と、第２の連通路内の空気を加熱する第２の加熱器とをさらに備え、第２の冷却器は、流入通路に設けられてもよい。
【００２７】
この温調装置によれば、第１の連通路内の空気が第１の加熱器により加熱され、第２の連通路内の空気が第２の加熱器により加熱される。この場合、第１および第２の加熱器による加熱量を調整することにより、第１の空気供給部および第２の空気供給部から異なる温度の空気を基板処理装置に供給することができる。それにより、温調装置の汎用性が向上する。
【００２８】
（８）第２の発明に係る基板処理システムは、基板に処理を行う複数の処理部を備えた基板処理装置と、第１の発明に係る温調装置とを備え、基板処理装置の各処理部には、温調装置の各冷却流体供給部から第１の冷却流体がそれぞれ供給されるものである。
【００２９】
この基板処理システムにおいては、基板処理装置の複数の処理部において基板に所定の処理が行われる。各処理部には、上記の温調装置の各冷却流体供給部から第１の冷却流体がそれぞれ供給される。ここで、上記の温調装置においては、冷却流体供給部ごとに第１の冷却流体の流量を調整することができる。この場合、１台の温調装置により基板処理装置の各部に適切な流量で冷却水を供給することが可能になるので、基板処理システムに複数の温調装置を設けなくてよい。それにより、基板処理装置の温度管理に要するコストを低減することができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、１台の温調装置により基板処理装置の各部に適切な流量で冷却水を供給することが可能になるので、複数の温調装置を設けなくてよい。それにより、基板処理装置の温度管理に要するコストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態に係る温調装置について図面を用いて説明する。なお、以下においては、温調装置を備えた基板処理システムについて説明する。また、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００３２】
（１）基板処理システムの構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る温調装置を備えた基板処理システムを示す概略斜視図である。
【００３３】
図１および図２以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。
【００３４】
図１に示すように、基板処理システム１０００は、基板処理装置１００および温調装置２００を備える。基板処理システム１０００は、例えば、クリーンルーム内に設置される。基板処理装置１００と温調装置２００とは図示しない複数の配管により接続される。基板処理装置１００は、後述する露光装置１５（図２参照）に隣接するように設けられる。
【００３５】
本実施の形態においては、基板処理装置１００において露光処理前の基板に対してレジスト膜の塗布処理が行われるとともに、露光処理後の基板に対して現像処理が行われる。温調装置２００は、温度調整された冷却水および温湿度調整された空気を基板処理装置１００に供給する。以下、基板処理装置１００および温調装置２００について詳細に説明する。
【００３６】
（２）基板処理装置
図２は、図１の基板処理装置１００の平面図である。
【００３７】
図１および図２に示すように、基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、塗布ブロック１２、現像ブロック１３およびインターフェイスブロック１４を備える。インターフェイスブロック１４に隣接するように露光装置１５が設けられる。露光装置１５においては、基板に露光処理が行われる。
【００３８】
図２に示すように、インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。本実施の形態においては、キャリア１１３としてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。
【００３９】
搬送部１１２には、制御部１１４および搬送機構１１５が設けられる。制御部１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。搬送機構１１５は、基板Ｗを保持するためのハンド１１６を有する。搬送機構１１５は、ハンド１１６により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。
【００４０】
塗布ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４（図６参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７および後述する搬送機構１２８（図６参照）が設けられる。
【００４１】
現像ブロック１３は、現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ６〜ＰＡＳＳ８（図６参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７および後述する搬送機構１３８（図６）が設けられる。
【００４２】
インターフェイスブロック１４には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。搬送機構１４１は、基板Ｗを保持するためのハンド１４３を有する。搬送機構１４１は、ハンド１４３により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。また、搬送機構１４２は、基板Ｗを保持するためのハンド１４４を有する。搬送機構１４２は、ハンド１４４により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。
【００４３】
搬送機構１４１と搬送機構１４２との間には、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備えた基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰ、後述する基板載置部ＰＡＳＳ１３（図６）および後述する複数のバッファＢＦ（図６）が設けられる。基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰにおいては、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。
【００４４】
（２−１）塗布処理部および現像処理部の構成
図３は、図２の塗布処理部１２１および現像処理部１３１を＋Ｙ方向側から見た図である。また、図４は、図２の塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を−Ｘ方向側から見た図である。
【００４５】
図３および図４に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。また、図３に示すように、現像処理部１３１には、現像処理室３１，３２，３３，３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１〜３４には、現像処理ユニット１３９が設けられる。
【００４６】
各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５、そのスピンチャック２５を回転させる駆動装置２６、およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。本実施の形態においては、スピンチャック２５、駆動装置２６およびカップ２７は、各塗布処理ユニット１２９に２つずつ設けられる。駆動装置２６は、例えば、電動モータを含む。
【００４７】
また、図２に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、処理液を吐出する複数のノズル２８およびそのノズル２８を搬送するノズル搬送機構２９を備える。
【００４８】
塗布処理ユニット１２９においては、複数のノズル２８のうちのいずれかのノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動される。そして、そのノズル２８から処理液が吐出されることにより、基板Ｗ上に処理液が塗布される。なお、ノズル２８から基板Ｗに処理液が供給される際には、駆動装置２６によりスピンチャック２５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。
【００４９】
本実施の形態においては、塗布処理室２１および塗布処理室２３の塗布処理ユニット１２９において、反射防止膜用の処理液がノズル２８から基板Ｗに供給される。また、塗布処理室２２および塗布処理室２４の塗布処理ユニット１２９において、レジスト膜用の処理液がノズル２８から基板Ｗに供給される。
【００５０】
図３に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、スピンチャック３５、駆動装置３６およびカップ３７を備える。また、図２および図３に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそのスリットノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９（図２）を備える。
【００５１】
現像処理ユニット１３９においては、まず、一方のスリットノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。その後、他方のスリットノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。なお、スリットノズル３８から基板Ｗに現像液が供給される際には、駆動装置３６によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。また、本実施の形態においては、２つのスリットノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。それにより、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。
【００５２】
図３および図４に示すように、各塗布処理室２１〜２４において塗布処理ユニット１２９の上方には、各塗布処理室２１〜２４内に清浄な空気を供給するための給気ユニット４１が設けられる。また、図３に示すように、各現像処理室３１〜３４において現像処理ユニット１３９の上方には、給気ユニット４１が設けられる。給気ユニット４１は、例えば、ファンおよびＵＬＰＡ（Ultra Low Penetration Air）フィルタにより構成される。
【００５３】
また、図４に示すように、塗布処理室２１〜２４内において塗布処理ユニット１２９の下方には、塗布処理室２１〜２４の排気を行うための排気ユニット４２が設けられる。また、図示していないが、現像処理ユニット１３９（図３）の下方にも、排気ユニット４２が同様に設けられる。
【００５４】
図２および図３に示すように、塗布処理部１２１において現像処理部１３１に隣接するように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、現像処理部１３１においてインターフェイスブロック１４に隣接するように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９への薬液の供給ならびに塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９からの廃液および排気等に関する導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等の流体関連機器が収納される。
【００５５】
図３には、流体ボックス部５０内に設けられる流通管５１〜５３および流体ボックス部６０内に設けられる流通管６１〜６５が示されている。
【００５６】
図３に示すように、流通管５１は塗布処理室２１〜２４の各給気ユニット４１に接続され、流通管５２，５３は各駆動装置２６に接続される。また、流通管６１は現像処理室３１〜３４の各給気ユニット４１に接続され、流通管６２，６３は各駆動装置３６に接続され、流通管６４，６５は各スリットノズル３８に接続される。
【００５７】
本実施の形態においては、温調装置２００（図１）において温湿度調整された空気が流通管５１，６１を介して各給気ユニット４１に供給される。それにより、給気ユニット４１から塗布処理室２１〜２４内および現像処理室３１〜３４内に温湿度調整された清浄な空気が供給される。その結果、塗布処理室２１〜２４内および現像処理室３１〜３４内の雰囲気が適切な温湿度および清浄な状態に維持される。
【００５８】
また、温調装置２００において温度調整された冷却水が流通管５２を介して各駆動装置２６に供給される。それにより、駆動装置２６の温度上昇が防止される。また、温調装置２００において温度調整された冷却水が流通管６２を介して駆動装置３６に供給される。それにより、駆動装置３６の温度上昇が防止される。以上の結果、駆動装置２６，３６の信頼性が向上する。駆動装置２６，３６に供給された冷却水は、流通管５３，６３を介して温調装置２００に回収される。
【００５９】
また、温調装置２００において温度調整された冷却水は、流通管６４を介してスリットノズル３８に供給される。それにより、スリットノズル３８から吐出される現像液の温度を調整することができる。その結果、基板Ｗの処理不良の発生を防止することができる。スリットノズル３８に供給された冷却水は、流通管６５を介して温調装置２００に回収される。
【００６０】
温調装置２００から塗布処理部１２１，１３１への空気および冷却水の供給経路の詳細については後述する。
【００６１】
なお、図示していないが、排気ユニット４２（図４）には、排気ユニット４２と基板処理装置１００の外部とを連通させる排気管が接続されている。塗布処理室２１〜２４，３１〜３４（図２）内の空気は、排気ユニット４２およびその排気管を介して外部に排出される。
【００６２】
また、図示していないが、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、塗布処理ユニット１２９（図３）ごとに恒温水循環装置（ＥＴＵ）が設けられている。この恒温水循環装置により、塗布処理ユニット１２９のノズル２８から吐出される処理液が所定の温度に調整される。それにより、各塗布処理ユニット１２９において適切な温度の処理液を基板Ｗに塗布することができる。恒温水循環装置は、例えば、塗布ブロック１２の上面に設置される。
【００６３】
（２−２）熱処理部の構成
図５は、図２の熱処理部１２３，１３３を−Ｙ方向側から見た図である。
【００６４】
図４および図５に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段処理部３０１および下方に設けられる下段処理部３０２を有する。図５に示すように、上段処理部３０１および下段処理部３０２には、複数の冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよび複数の密着強化処理ユニットＡＨＬが設けられる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＡＨＬにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための処理が行われる。なお、密着強化処理ユニットＡＨＬにおいては、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布される。
【００６５】
熱処理部１３３は、上方に設けられる上段処理部３０３および下方に設けられる下段処理部３０４を有する。上段処理部３０３および下段処理部３０４には、複数の冷却ユニットＣＰ、複数の加熱ユニットＨＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理が行われる。
【００６６】
また、上段処理部３０３においてインターフェイスブロック１４に隣接するように基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０が設けられ、下段処理部３０４においてインターフェイスブロック１４に隣接するように基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２が設けられる。
【００６７】
本実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ９および基板載置部ＰＡＳＳ１１には、現像ブロック１３からインターフェイスブロック１４へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ１０および基板載置部ＰＡＳＳ１２には、インターフェイスブロック１４から現像ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置される。
【００６８】
図４に示すように、各熱処理ユニットＰＨＰは、加熱処理部１０１および冷却処理部１０２を有する。また、各冷却ユニットＣＰは、冷却処理部１０２を有する。加熱処理部１０１は、例えば、加熱プレートを有し、その加熱プレート上に載置された基板Ｗを加熱する。冷却処理部１０２は、例えば、冷却プレートを有し、その冷却プレート上に載置された基板Ｗを冷却する。
【００６９】
図４に示すように、冷却処理部１０２には、流通管７１，７２が接続される。本実施の形態においては、温調装置２００（図１）において温度調整された冷却水が流通管７１を介して各冷却処理部１０２に供給される。それにより、各熱処理ユニットＰＨＰの冷却処理部１０２および各冷却ユニットＣＰの冷却処理部１０２が所定の温度に維持される。その結果、熱処理ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗを所定の温度に冷却することができる。冷却処理部１０２に供給された冷却水は、流通管７２を介して温調装置２００に回収される。
【００７０】
なお、流通管７１，７２は、図５に示す熱処理部１２３の全ての熱処理ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰに接続される。また、後述するように、図５の熱処理部１３３の熱処理ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰには、流通管７６，７７（図９参照）が接続される。熱処理部１３３の熱処理ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰには、その流通管７６を介して温調装置２００（図１）から冷却水が供給される。また、熱処理部１３３の熱処理ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰに供給された冷却水は、流通管７７を介して温調装置２００に回収される。温調装置２００から熱処理部１２３，１３３への冷却水の供給経路の詳細については後述する。
【００７１】
（２−３）搬送部の構成
（ａ）概略構成
図６は、図２の搬送部１２２，１３２の構成を説明するための図である。なお、図６は、搬送部１２２，１３２を−Ｙ方向側から見た図である。
【００７２】
図４および図６に示すように、搬送部１２２の上下方向における略中央部に仕切り板１２４が設けられる。搬送部１２２は、その仕切り板１２４により上部空間１２５および下部空間１２６に分割される。また、図６に示すように、搬送部１３２の上下方向における略中央部に仕切り板１３４が設けられる。搬送部１３２は、その仕切り板１３４により上部空間１３５および下部空間１３６に分割される。
【００７３】
図６に示すように、上部空間１２５には搬送機構１２７が設けられ、下部空間１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上部空間１３５内には搬送機構１３７が設けられ、下部空間１３６には搬送機構１３８が設けられる。
【００７４】
図４に示すように、塗布処理室２１，２２と上段処理部３０１とは上部空間１２５を挟んで対向するように設けられ、塗布処理室２３，２４と下段処理部３０２とは下部空間１２６を挟んで対向するように設けられる。同様に、現像処理室３１，３２（図３）と上段処理部３０３（図５）とは上部空間１３５（図６）を挟んで対向するように設けられ、現像処理室３３，３４（図３）と下段処理部３０４（図５）とは下部空間１３６（図６）を挟んで対向するように設けられる。
【００７５】
図６に示すように、搬送部１１２と上部空間１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下部空間１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。また、上部空間１２５と上部空間１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下部空間１２６と下部空間１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。
【００７６】
本実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から塗布ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、塗布ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。
【００７７】
また、基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、塗布ブロック１２から現像ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、現像ブロック１３から塗布ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。
【００７８】
図４および図６に示すように、上部空間１２５内において搬送機構１２７の上方に給気ユニット４３が設けられ、下部空間１２６内において搬送機構１２８の上方に給気ユニット４３が設けられる。また、図６に示すように、上部空間１３５内において搬送機構１３７の上方に給気ユニット４３が設けられ、下部空間１３６内において搬送機構１３８の上方に給気ユニット４３が設けられる。給気ユニット４３は、例えば、ファンおよびＵＬＰＡ（Ultra Low Penetration Air）フィルタにより構成される。
【００７９】
また、図４および図６に示すように、上部空間１２５内において搬送機構１２７の下方には上部空間１２５の排気を行うための排気ユニット４４が設けられ、下部空間１２６内において搬送機構１２８の下方には下部空間１２６の排気を行うための排気ユニット４４が設けられる。
【００８０】
同様に、図６に示すように、上部空間１３５内において搬送機構１３７の下方には上部空間１３５の排気を行うための排気ユニット４４が設けられ、下部空間１３６内において搬送機構１３８の下方には下部空間１３６の排気を行うための排気ユニット４４が設けられる。
【００８１】
図６に示すように、搬送部１２２の２つの給気ユニット４３には流通管７３の一端側が接続され、搬送部１３２の２つの給気ユニット４３には流通管７４の一端側が接続される。図４に示すように、流通管７３の他端側は基板処理装置１００の外部において流通管５１に接続される。同様に、流通管７４（図６）の他端側は基板処理装置１００の外部において流通管６１（図２）に接続される。
【００８２】
本実施の形態においては、温調装置２００（図１）において温湿度調整された空気が流通管５１，５２（図２）および流通管７３，７４（図６）を介して各給気ユニット４３（図６）に供給される。それにより、給気ユニット４３から上部空間１２５，１３５（図６）および下部空間１２６，１３６（図６）に温湿度調整された清浄な空気が供給される。その結果、上部空間１２５，１３５および下部空間１２６，１３６の雰囲気が適切な温湿度および清浄な状態に維持される。
【００８３】
なお、図示していないが、排気ユニット４４には、排気ユニット４４と基板処理装置１００の外部とを連通させる排気管が接続されている。上部空間１２５，１３５および下部空間１２６，１３６の空気は、排気ユニット４４およびその排気管を介して外部に排出される。
【００８４】
（ｂ）搬送機構の構成
次に、搬送機構１２７について説明する。図７は、搬送機構１２７を示す斜視図である。
【００８５】
図６および図７に示すように、搬送機構１２７は、長尺状のガイドレール３１１，３１２を備える。図６に示すように、ガイドレール３１１は、上部空間１２５内において上下方向に延びるように搬送部１１２側に固定される。ガイドレール３１２は、上部空間１２５内において上下方向に延びるように上部空間１３５側に固定される。
【００８６】
図６および図７に示すように、ガイドレール３１１とガイドレール３１２との間には、長尺状のガイドレール３１３が設けられる。ガイドレール３１３は、上下動可能にガイドレール３１１，３１２に取り付けられる。ガイドレール３１３に移動部材３１４が取り付けられる。移動部材３１４は、ガイドレール３１３の長手方向に移動可能に設けられる。
【００８７】
移動部材３１４の上面には、長尺状の回転部材３１５が回転可能に設けられる。回転部材３１５には、基板Ｗを保持するためのハンドＨ１およびハンドＨ２が取り付けられる。ハンドＨ１，Ｈ２は、回転部材３１５の長手方向に移動可能に設けられる。
【００８８】
上記のような構成により、搬送機構１２７は、上部空間１２５内においてＸ方向およびＺ方向に自在に移動することができる。また、ハンドＨ１，Ｈ２を用いて塗布処理室２１，２２（図３）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図６）および上段処理部３０１（図５）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。
【００８９】
なお、図６に示すように、搬送機構１２８，１３７，１３８は搬送機構１２７と同様の構成を有する。
【００９０】
（２−４）インターフェイスブロックの構成
図８は、インターフェイスブロック１４の内部構成を示す図である。なお、図８は、インターフェイスブロック１４を＋Ｘ方向側から見た図である。
【００９１】
図８に示すように、インターフェイスブロック１４の略中央部に２つのバッファＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ１３および基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰが階層的に設けられる。また、基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰの−Ｙ方向側に搬送機構１４１が設けられ、基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰの＋Ｙ方向側に搬送機構１４２が設けられる。
【００９２】
本実施の形態においては、基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに露光処理前の基板Ｗが載置され、基板載置部ＰＡＳＳ１３に露光処理後の基板Ｗが載置される。
【００９３】
また、図６および図８に示すように、インターフェイスブロック１４内の上部には、給気ユニット４５が設けられる。給気ユニット４５には、流通管７５の一端が接続される。流通管７５の他端は、図１の温調装置２００に接続される。
【００９４】
本実施の形態においては、温調装置２００において温湿度調整された空気が流通管７５を介して給気ユニット４５に供給される。それにより、給気ユニット４５からインターフェイスブロック１４内に温湿度調整された清浄な空気が供給される。その結果、インターフェイスブロック１４内の雰囲気が適切な温湿度および清浄な状態に維持される。
【００９５】
（３）基板処理装置の各構成要素の動作
以下、本実施の形態に係る基板処理装置１００の各構成要素の動作について説明する。
【００９６】
（３−１）インデクサブロック１１の動作
以下、図２および図６を主に用いてインデクサブロック１１の動作を説明する。
【００９７】
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、まず、インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１に、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、そのキャリア１１３から１枚の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送する。その後、搬送機構１１５はキャリア１１３から他の１枚の未処理の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３（図６）に搬送する。
【００９８】
なお、基板載置部ＰＡＳＳ２に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ２からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、搬送機構１１５は、その処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。同様に、基板載置部ＰＡＳＳ４に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ３に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ４からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、搬送機構１１５は、その処理済み基板Ｗをキャリア１１３へ搬送するとともにキャリア１１３に収容する。
【００９９】
（３−２）塗布ブロック１２の動作
以下、図２、図３、図５および図６を主に用いて塗布ブロック１２の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構１２７のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。
【０１００】
搬送機構１１５（図６）により基板載置部ＰＡＳＳ１（図６）に載置された基板Ｗは、搬送機構１２７（図６）のハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される基板Ｗは、現像処理後の基板Ｗである。
【０１０１】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段処理部３０１（図５）の所定の冷却ユニットＣＰ（図５）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている未処理の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、反射防止膜形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【０１０２】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により塗布処理室２１（図３）のスピンチャック２５（図３）上から反射防止膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２１においては、塗布処理ユニット１２９（図３）により、基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。
【０１０３】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段処理部３０１の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている反射防止膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰ（図５）に搬入する。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、加熱処理部１０１（図４）および冷却処理部１０２（図４）により基板Ｗの加熱処理および冷却処理が連続的に行われる。
【０１０４】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により上段処理部３０１（図５）の所定の冷却ユニットＣＰ（図５）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている熱処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、レジスト膜形成処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【０１０５】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により塗布処理室２２（図３）のスピンチャック２５（図３）からレジスト膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２２においては、塗布処理ユニット１２９（図３）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。
【０１０６】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されているレジスト膜形成後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５（図６）に載置するとともに、そのハンドＨ２により基板載置部ＰＡＳＳ６（図６）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。その後、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６から取り出した現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図６）に搬送する。
【０１０７】
搬送機構１２７が上記の処理を繰り返すことにより、塗布ブロック１２内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。
【０１０８】
搬送機構１２８は、搬送機構１２７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図６）、塗布処理室２３，２４（図３）および下段処理部３０２（図５）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。
【０１０９】
このように、本実施の形態においては、搬送機構１２７によって搬送される基板Ｗは、塗布処理室２１，２２および上段処理部３０１において処理され、搬送機構１２８によって搬送される基板Ｗは、塗布処理室２３，２４および下段処理部３０２において処理される。この場合、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（塗布処理室２１，２２および上段処理部３０１）および下方の処理部（塗布処理室２３，２４および下段処理部３０２）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構１２７,１２８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、塗布ブロック１２のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１２７,１２８が上下に設けられているので、基板処理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。
【０１１０】
（３−３）現像ブロック１３の動作
以下、図２、図３、図５および図６を主に用いて現像ブロック１３の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構１３７のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。
【０１１１】
搬送機構１２７により基板載置部ＰＡＳＳ５（図６）に載置された基板Ｗは、搬送機構１３７（図６）のハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される基板Ｗは、現像ブロック１３における処理が終了した基板Ｗである。
【０１１２】
次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により上段処理部３０３（図５）のエッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されているレジスト膜形成後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部の露光処理が行われる。
【０１１３】
次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されているエッジ露光処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９（図５）に載置するとともに、そのハンドＨ２により基板載置部ＰＡＳＳ１０（図５）から露光処理後の基板Ｗを取り出す。なお、基板載置部ＰＡＳＳ１０から取り出される基板Ｗは、露光装置１５における露光処理が終了した基板Ｗである。
【０１１４】
次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段処理部３０３（図５）の所定の冷却ユニットＣＰ（図５）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている露光処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。
【０１１５】
次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により現像処理室３１（図３）または現像処理室３２（図３）のスピンチャック３５（図３）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。現像処理室３１，３２においては、現像処理ユニット１３９により基板Ｗの現像処理が行われる。
【０１１６】
次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段処理部３０３（図５）の所定の加熱ユニットＨＰから加熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている現像処理後の基板Ｗを加熱ユニットＨＰに搬入する。加熱ユニットＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理が行われる。
【０１１７】
次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により上段処理部３０３（図５）の所定の冷却ユニットＣＰから冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されている基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。その後、搬送機構１３７は、冷却ユニットＣＰから取り出した基板Ｗを基板Ｗ基板載置部ＰＡＳＳ６（図６）に搬送する。
【０１１８】
搬送機構１３７が上記の処理を繰り返すことにより、現像ブロック１３内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。
【０１１９】
搬送機構１３８は、搬送機構１３７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図６）、基板載置部ＰＡＳＳ１１，ＰＡＳＳ１２（図５）、塗布処理室３３，３４（図３）および下段処理部３０４（図５）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。
【０１２０】
このように、本実施の形態においては、搬送機構１３７によって搬送される基板Ｗは、現像処理室３１，３２および上段処理部３０３において処理され、搬送機構１３８によって搬送される基板Ｗは、現像処理室３３，３４および下段処理部３０４において処理される。この場合、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（現像処理室３１，３２および上段処理部３０３）および下方の処理部（現像処理室３３，３４および下段処理部３０４）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構１３７,１３８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、現像ブロック１３のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１３７,１３８が上下に設けられているので、基板処理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。
【０１２１】
（３−４）インターフェイスブロック１４の動作
以下、図８を主に用いてインターフェイスブロック１４の動作について説明する。
【０１２２】
まず、搬送機構１４１の動作について説明する。搬送機構１３７（図６）により基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された露光処理前（エッジ露光後）の基板Ｗは、搬送機構１４１により取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送される。基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰにおいては、露光装置１５（図２）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【０１２３】
その後、搬送機構１４１は、基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置されている露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像ブロック１３（図６）の上段処理部３０３の所定の熱処理ユニットＰＨＰに搬送する。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、露光処理後の基板Ｗに熱処理が行われる。
【０１２４】
次に、搬送機構１４１は、上段処理部３０３の他の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置された基板Ｗは、上述したように、現像ブロック１３（図６）の搬送機構１３７（図６）により取り出される。これにより、露光処理後の基板Ｗのインターフェイスブロック１４から現像ブロック１３への受け渡しが完了する。
【０１２５】
次に、搬送機構１４１は、搬送機構１３８（図６）により基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された露光処理前（エッジ露光後）の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送する。その後、搬送機構１４１は、基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置されている露光処理後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを現像ブロック１３（図６）の下段処理部３０４の所定の熱処理ユニットＰＨＰに搬送する。
【０１２６】
次に、搬送機構１４１は、下段処理部３０４の他の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理済みの基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１２に載置された基板Ｗは、現像ブロック１３（図６）の搬送機構１３８（図６）により取り出される。これにより、露光処理後の基板Ｗのインターフェイスブロック１４から現像ブロック１３への受け渡しが完了する。
【０１２７】
搬送機構１４１は、上記の動作を繰り返す。それにより、インターフェイスブロック１４と上段処理部３０３との間での基板Ｗの受け渡しおよびインターフェイスブロック１４と下段処理部３０４との間での基板Ｗの受け渡しが交互に行われる。
【０１２８】
ここで、本実施の形態においては、キャリア１１３（図６）に収容されている基板Ｗは、搬送機構１１５（図６）により基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図３）に交互に搬送される。また、塗布処理室２１，２２（図３）および上段処理部３０１（図５）における基板Ｗの処理速度と、塗布処理室２３，２４（図３）および下段処理部３０２（図５）における基板Ｗの処理速度とは略等しい。また、搬送機構１２７（図６）の動作速度と搬送機構１２８（図６）の動作速度とは略等しい。また、現像処理室３１，３２（図３）および上段処理部３０３（図５）における基板Ｗの処理速度と、現像処理室３３，３４（図３）および下段処理部３０４（図５）における基板Ｗの処理速度とは略等しい。また、搬送機構１３７（図６）の動作速度と搬送機構１３８（図６）の動作速度とは略等しい。
【０１２９】
したがって、上記のように上段処理部３０３および下段処理部３０４から基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに基板Ｗが交互に搬送されることにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、現像ブロック１３（図６）から基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送される基板Ｗの順序とが一致する。この場合、基板処理装置１００における各基板Ｗの処理履歴の管理が容易になる。
【０１３０】
なお、バッファＢＦは、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１１から基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰへ基板Ｗを交互に搬送することができない場合に用いられる。具体的には、例えば、塗布処理室２１，２２（図３）の塗布処理ユニット１２９（図３）に不具合が発生することにより基板載置部ＰＡＳＳ９への基板Ｗの搬送が停止されている場合にバッファＢＦが用いられる。この場合、搬送機構１４１は、基板載置部ＰＡＳＳ９に基板Ｗが搬送されるまで、基板載置部ＰＡＳＳ１１に載置された基板ＷをバッファＢＦに搬送する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ９への基板Ｗの搬送が再開された場合には、搬送機構１４１は、基板載置部ＰＡＳＳ９から基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰへの基板Ｗの搬送およびバッファＢＦから基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰへの基板Ｗの搬送を交互に行う。それにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、現像ブロック１３から基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに搬送される基板Ｗの順序とを一致させることができる。なお、基板載置部ＰＡＳＳ１１への基板Ｗの搬送が停止されている場合には、搬送機構１４１は、基板載置部ＰＡＳＳ１１への基板Ｗの搬送が再開されるまで、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板ＷをバッファＢＦに搬送する。
【０１３１】
次に、搬送機構１４２の動作について説明する。
【０１３２】
搬送機構１４１により基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに載置された基板Ｗは、所定の温度に冷却された後、搬送機構１４２により取り出される。搬送機構１４２は、その基板Ｗを露光装置１５（図２）に搬入する。
【０１３３】
次に、搬送機構１４２は、露光装置１５から露光処理後の基板Ｗを搬出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１３に載置された基板Ｗは、上述したように、搬送機構１４１により熱処理ユニットＰＨＰへ搬送される。
【０１３４】
搬送機構１４２は上記の処理を繰り返す。ここで、上述したように搬送機構１４１によって基板載置部ＰＡＳＳ−ＣＰに載置される基板Ｗの順序は、キャリア１１３（図６）から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序に等しい。それにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、搬送機構１４２により露光装置１５に搬入される基板Ｗの順序とを一致させることができる。それにより、露光装置１５における各基板Ｗの処理履歴の管理が容易になる。また、一のキャリア１１３から基板処理装置１００に搬入された複数の基板Ｗ間において、露光処理の状態にばらつきが生じることを防止することができる。
【０１３５】
（４）温調装置から基板処理装置への空気および冷却水の供給経路
図９は、温調装置２００から基板処理装置１００への空気および冷却水の供給経路を示す概略図である。なお、図９の上部には、塗布ブロック１２の＋Ｘ方向（図２参照）から見た概略図、現像ブロック１３の＋Ｘ方向（図２参照）から見た概略図およびインターフェイスブロック１４の＋Ｙ方向（図２参照）から見た概略図が示され、図９の下部には、温調装置２００の上面図が示されている。
【０１３６】
図１に示すように、温調装置２００は、略直方体の筐体２０１を有する。図１および図９に示すように、筐体２０１の上面の一方側に空気供給部２０２が設けられ、他方側に冷却水供給部２０３および冷却水回収部２０４が設けられる。
【０１３７】
空気供給部２０２には、ダクト１，２，３が設けられる。ダクト１，２，３からは、温調装置２００において温湿度調整された空気が送出される。冷却水供給部２０３には、複数（本実施の形態においては６個）の管継手４が設けられる。各管継手４からは、温調装置２００において温度調整された冷却水が送出される。冷却水回収部２０４には、複数（本実施の形態においては６個）の管継手５が設けられる。管継手５には、基板処理装置１００において使用された冷却水が導かれる。
【０１３８】
図９に示すように、ダクト１には、流通管７５が接続される。また、上述したように、流通管７５には、インターフェイスブロック１４の給気ユニット４５が接続される。したがって、ダクト１から送出される空気は、流通管７５を介してインターフェイスブロック１４の給気ユニット４５に供給される。それにより、給気ユニット４５から温湿度調整された空気がインターフェイスブロック１４内に供給される。
【０１３９】
ダクト２には、流通管５１が接続される。上述したように、流通管５１には塗布処理部１２１の各給気ユニット４１が接続されるとともに、流通管７３が接続される。また、流通管７３は、搬送部１２２の各給気ユニット４３に接続される。したがって、ダクト２から送出される空気は、流通管５１を介して塗布処理部１２１の各給気ユニット４１に供給されるとともに、流通管５１および流通管７３を介して搬送部１２２の各給気ユニット４３に供給される。それにより、塗布処理部１２１の各給気ユニット４１および搬送部１２２の各給気ユニット４３から同じ温度および同じ湿度に調整された空気が塗布処理部１２１内および搬送部１２２内に供給される。
【０１４０】
ダクト３には、流通管６１が接続される。上述したように、流通管６１には塗布処理部１３１の各給気ユニット４１が接続されるとともに、流通管７４が接続される。また、流通管７４は、搬送部１３２の各給気ユニット４３に接続される。したがって、ダクト３から送出される空気は、流通管６１を介して塗布処理部１３１の各給気ユニット４１に供給されるとともに、流通管６１および流通管７４を介して搬送部１３２の各給気ユニット４３に供給される。それにより、塗布処理部１３１の各給気ユニット４１および搬送部１３２の各給気ユニット４３から同じ温度および同じ湿度に調整された空気が塗布処理部１３１内および搬送部１３２内に供給される。
【０１４１】
冷却水供給部２０３の管継手４には、流通管５２、流通管７１、流通管６２、流通管６４および流通管７６が接続される。上述したように、流通管５２には、塗布処理部１２１の各駆動装置２６が接続される。したがって、冷却水供給部２０３の一の管継手４から送出される冷却水は、流通管５２を介して各駆動装置２６に供給される。それにより、駆動装置２６の温度上昇が防止される。
【０１４２】
また、流通管７１には、塗布ブロック１２の熱処理ユニットＰＨＰ（図４）および冷却ユニットＣＰ（図４）の各冷却処理部１０２が接続される。したがって、冷却水供給部２０３の一の管継手４から送出される冷却水は、流通管７１を介して塗布ブロック１２の各冷却処理部１０２に供給される。それにより、塗布ブロック１２の各冷却処理部１０２が所定の温度に維持される。
【０１４３】
また、流通管６２には、現像処理部１３１の各駆動装置３６が接続される。したがって、冷却水供給部２０３の一の管継手４から送出される冷却水は、流通管６２を介して各駆動装置３６に供給される。それにより、駆動装置３６の温度上昇が防止される。
【０１４４】
また、流通管６４には、現像処理部１３１の各スリットノズル３８が接続される。したがって、冷却水供給部２０３の一の管継手４から送出される冷却水は、管継手４を介して各スリットノズル３８に供給される。それにより、スリットノズル３８から吐出される処理液の温度が所定の温度に維持される。
【０１４５】
また、流通管７６には、塗布ブロック１３の熱処理ユニットＰＨＰ（図５）および冷却ユニットＣＰ（図５）の各冷却処理部１０２が接続される。したがって、冷却水供給部２０３の一の管継手４から送出される冷却水は、流通管７６を介して塗布ブロック１３の各冷却処理部１０２に供給される。それにより、塗布ブロック１３の各冷却処理部１０２が所定の温度に維持される。
【０１４６】
冷却水回収部２０４の管継手５には、流通管５３、流通管７２、流通管６３、流通管６５および流通管７７が接続される。上述したように、流通管５２には、塗布処理部１２１の各駆動装置２６が接続される。したがって、温調装置２００から駆動装置２６に供給された冷却水は、流通管５３を介して冷却水回収部２０４の一の管継手５に導かれる。それにより、駆動装置２６の冷却に用いられた冷却水が温調装置２００に回収される。
【０１４７】
また、流通管７２には、塗布ブロック１２の熱処理ユニットＰＨＰ（図４）および冷却ユニットＣＰ（図４）の各冷却処理部１０２が接続される。したがって、温調装置２００から塗布ブロック１２の各冷却処理部１０２に供給された冷却水は、流通管７２を介して冷却水回収部２０４の一の管継手５に導かれる。それにより、冷却処理部１０２において冷却処理に用いられた冷却水が温調装置２００に回収される。
【０１４８】
また、流通管６３には、現像処理部１３１の各駆動装置３６が接続される。したがって、温調装置２００から駆動装置３６に供給された冷却水は、流通管６３を介して冷却水回収部２０４の一の管継手５に導かれる。それにより、駆動装置３６の冷却に用いられた冷却水が温調装置２００に回収される。
【０１４９】
また、流通管６５には現像処理部１３１の各スリットノズル３８が接続される。したがって、温調装置２００からスリットノズル３８に供給された冷却水は、流通管６５を介して冷却水回収部２０４の一の管継手５に導かれる。それにより、スリットノズル３８において冷却処理に用いられた冷却水が温調装置２００に回収される。
【０１５０】
また、流通管７７には、塗布ブロック１３の熱処理ユニットＰＨＰ（図５）および冷却ユニットＣＰ（図５）の各冷却処理部１０２が接続される。したがって、温調装置２００から塗布ブロック１３の各冷却処理部１０２に供給された冷却水は、流通管７７を介して冷却水回収部２０４の一の管継手５に導かれる。それにより、冷却処理部１０２において冷却処理に用いられた冷却水が温調装置２００に回収される。
【０１５１】
（５）温調装置の構成
図１に示すように、筐体２０１の一側面に制御部２０５が設けられる。制御部２０５は、温調装置２００の種々の構成要素を制御する。なお、図１には、制御部２０５の制御パネルが示されている。使用者は、制御パネル上で温調装置２００の各構成要素の状態を調整することができる。以下、図面を用いて温調装置２００の内部構成について詳細に説明する。
【０１５２】
（５−１）空気の温湿度調整
まず、空気供給部２０２から送出される空気の温湿度調整のための構成について説明する。
【０１５３】
図１０は、温調装置２００の内部構成を示す図である。
【０１５４】
図１および図１０に示すように、筐体２０１の一側面には、フィルタボックス２０６が設けられる。図１０に示すように、筐体２０１内には、フィルタボックス２０６とダクト１，２，３とを連通させるように空気流通路２０７，２０８，２０９，２１０，２１１が設けられる。
【０１５５】
空気流通路２０７の一端は、フィルタボックス２０６に接続される。空気流通路２０７の他端には、空気流通路２０８の一端および空気流通路２０９の一端が接続される。空気流通路２０９の他端には、空気流通路２１０の一端および空気流通路２１１の一端が接続される。空気流通路２０８の他端はダクト１に接続され、空気流通路２１０の他端はダクト２に接続され、空気流通路２１１の他端はダクト３に接続される。
【０１５６】
空気流通路２０７には、フィルタボックス２０６側から順に冷却器２１２、加温器２１３、加湿器２１４および送風ポンプ２１５が設けられる。また、空気流通路２０８には加熱器２１６および温度センサＴ１が設けられ、空気流通路２０９には加熱器２１７、湿度センサＨ１および温度センサＴ２が設けられる。加熱器２１６，２１７としては、例えば、電熱式の加熱器を用いることができる。温度センサＴ１、温度センサＴ２および湿度センサＨ１の検出値は、制御部２０５（図１）に与えられる。制御部２０５の制御動作の詳細は後述する。
【０１５７】
本実施の形態においては、送風ポンプ２１５が駆動されることにより、筐体２０１の外部の空気がフィルタボックス２０６を介して空気流通路２０７内に流入する。空気流通路２０７内に流入した空気は、冷却器２１２、加温器２１３および加湿器２１４において温湿度調整された後、空気流通路２０８および空気流通路２０９に流入する。冷却器２１２、加温器２１３および加湿器２１４における温湿度調整については後述する。
【０１５８】
空気流通路２０８に流入した空気は、加熱器２１６において加熱された後、ダクト１から流通管７５（図９）に送出される。このように、加熱器２１６において空気の温度がさらに調整されることにより、インターフェイスブロック１４（図９）に適切な温度の空気を供給することができる。
【０１５９】
また、空気流通路２０９に流入した空気は、加熱器２１７において加熱された後、空気流通路２１０を介してダクト２から流通管５１（図９）に送出されるとともに、空気流通路２１１を介してダクト３から流通管６１（図９）に送出される。このように、加熱器２１７において空気の温度がさらに調整されることにより、塗布処理部１２１，１３１（図９）および搬送部１２２，１３２（図９）に適切な温度の空気を供給することができる。
【０１６０】
このように、本実施の形態に係る温調装置２００においては、加熱器２１６および加熱器２１７において温度調整を行うことにより、基板処理装置１００に供給される空気の温度を目的に応じてより適切に調整することができる。また、冷却器２１２、加温器２１３および加湿器２１４において空気の温度を所定の温度に調整することにより、加熱器２１６および加熱器２１７における温度調整範囲を小さくすることができる。それにより、加熱器２１６および加熱器２１７における空気の温度調整が容易になる。
【０１６１】
次に、冷却器２１２、加温器２１３および加湿器２１４における温湿度調整について説明する。
【０１６２】
図１０に示すように、冷却器２１２には、第１の冷却ユニット８０が取り付けられる。第１の冷却ユニット８０は、圧縮機８１、凝縮器８２、膨張弁８３および循環通路８４を有する。循環通路８４は、圧縮機８１、凝縮器８２、膨張弁８３および冷却器２１２内を通るように設けられる。循環通路８４内には、所定の冷媒が封入される。
【０１６３】
循環通路８４内の冷媒は、圧縮機８１、凝縮器８２および膨張弁８３を順に通過するように循環通路８４内を循環する。また、循環通路８４内を循環する冷媒は、冷却器２１２において空気流通路２０７内の空気と熱交換する。それにより、空気流通路２０７内の空気の温度が低下する。
【０１６４】
冷却器２１２において空気流通路２０７内の空気と熱交換することにより温度上昇した冷媒は、圧縮機８１、凝縮器８２および膨張弁８３において圧縮、凝縮および膨張される。それにより、冷媒の温度が再び低下される。その結果、冷却器２１２において空気流通路２０７内の空気の冷却を継続的に行うことが可能になる。
【０１６５】
凝縮器８２には、冷却水流通路８５が設けられる。冷却水流通路８５の一端は、筐体２０１に設けられる流入口８５１に接続され、他端は、筐体２０１に設けられる流出口８５２に接続される。冷却水流通路８５には、図示しない供給源から流入口８５１を介して冷却水が供給される。凝縮器８２における冷媒の凝縮は、冷却水流通路８５内の冷却水と循環通路８４内の冷媒とが熱交換することにより行われる。凝縮器８２において循環通路８４内の冷媒と熱交換した冷却水は、流出口８５２を介して温調装置２００の外部に排出される。
【０１６６】
なお、以下の説明においては、冷却水流通路８５の流入口８５１と凝縮器８２との間の部分を冷却水供給通路８５３と称し、冷却水流通路８５の凝縮器８２と流出口８５２との間の部分を冷却水排出路８５４と称する。冷却水排出路８５４には、凝縮器８２において循環通路８４内の冷媒と熱交換した後の冷却水が流れる。したがって、冷却水排出路８５４内の冷却水の温度は、冷却水供給通路８５３内の冷却水の温度よりも高い。
【０１６７】
冷却水排出路８５４において凝縮器８２に近い位置には、迂回通路８５５が接続される。迂回通路８５５は、加温器２１３内を通るように設けられる。迂回通路８５５において加温器２１３よりも上流側には、電磁弁８５６が設けられる。また、迂回通路８５５の上流端と下流端とに挟まれるように、冷却水排出路８５４に電磁弁８５７が設けられる。
【０１６８】
本実施の形態においては、制御部２０５（図１）は、温度センサＴ１および温度センサＴ２のうちの少なくとも一方の検出値に基づいて電磁弁８５６，８５７の開閉動作を制御する。例えば、電磁弁８５６が開放され、電磁弁８５７が閉止されている場合には、凝縮器８２内を通過した冷却水は迂回通路８５５を流通する。それにより、加温器２１３内において、迂回通路８５５内の冷却水と空気流通路２０７内の空気との間で熱交換が行われる。この場合、凝縮器８２内を通過することにより冷却水の温度が上昇しているので、加温器２１３において空気流通路２０７内の空気の温度を効率よく上昇させることができる。
【０１６９】
一方、電磁弁８５６が閉止され、電磁弁８５７が開放されている場合には、凝縮器８２内を通過した冷却水は、迂回通路８５５を流通することなく、冷却水排出路８５４を流通する。この場合、加温器２１３内において熱交換が行われないので、空気流通路２０７内の空気の温度は上昇されない。
【０１７０】
このように、本実施の形態においては、電磁弁８５６および電磁弁８５７を選択的に開放および閉止することにより、空気流通路２０７内の空気の温度を容易に調整することができる。また、凝縮器８２における熱交換により得た熱を空気流通路２０７内の空気の温度上昇に用いることができるので、空気流通路２０７内の空気の温度調整を効率よく行うことができる。
【０１７１】
なお、制御部２０５による制御により電磁弁８５６の開度を調整してもよい。この場合、迂回通路８５５内を流通する冷却水の量を調整することができるので、空気流通路２０７内の空気の温度の微調整が可能になる。
【０１７２】
加湿器２１４には、純水流通路８６が設けられる。純水流通路８６の一端は、筐体２０１に設けられる流入口８６１に接続され、他端は、図示しない排水トレイ上で開口している。純水流通路８６には、図示しない供給源から流入口８６１を介して純水が供給される。
【０１７３】
純水流通路８６において加湿器２１４よりも上流側に、電磁弁８６２が設けられる。本実施の形態においては、制御部２０５（図１）は、湿度センサＨ１の検出値に基づいて電磁弁８６２の開閉動作を制御する。例えば、電磁弁８６２が開放されている場合には、純水流通路８６内の純水が加湿器２１４に供給される。それにより、加湿器２１４内において純水が蒸発し、空気流通路２０７内の空気の湿度が上昇する。一方、電磁弁８６２が閉止されている場合には、加湿器２１４に純水が供給されない。この場合、加湿器２１４内において純水が蒸発しないので、空気流通路２０７内の空気の湿度は変化しない。
【０１７４】
このように、本実施の形態においては、電磁弁８６２の開閉動作を制御することにより、空気流通路２０７の空気の湿度を容易に調整することができる。
【０１７５】
（５−２）冷媒の温度調整
次に、冷却水供給部２０３から送出される冷媒の温度調整のための構成について説明する。
【０１７６】
図１０に示すように、筐体２０１内には、冷却水回収部２０４の管継手５と冷却水供給部２０３の管継手４とを接続するように冷却水流通路２２１，２２２が設けられる。冷却水流通路２２１と冷却水流通路２２２との間には、貯留層２２３が設けられる。
【０１７７】
冷却水流通路２２１の一端側には、複数（本実施の形態においては６つ）の分岐通路２５０が設けられる。各分岐通路２５０は、管継手５にそれぞれ接続される。また、冷却水流通路２２３の一端側には、複数（本実施の形態においては６つ）の分岐通路２４０が設けられる。各分岐通路２４０は、管継手４にそれぞれ接続される。
【０１７８】
冷却水流通路２２２には、冷却器２２４、加温器２２５および温度センサＴ３が設けられる。また、各分岐通路２４０には、電磁弁４０１および流量センサＦ１が設けられる。
【０１７９】
本実施の形態においては、基板処理装置１００から回収される冷却水は、管継手５を介して分岐通路２５０（冷却水流通路２２１）に流入した後、貯留層２２３に流入する。冷却水流通路２２３に貯留された冷却水は、図示しないポンプにより冷却水流通路２２２に送出される。冷却水流通路２２２に送出された冷却水は、冷却器２２４および加温器２２５において温度調整された後、管継手４から再び基板処理装置１００へ送出される。
【０１８０】
このように、温調装置２００においては、基板処理装置１００から回収された冷却水が冷却器２２４および加温器２２５において所定の温度に冷却される。それにより、基板処理装置１００に所定の温度の冷却水を供給することができる。
【０１８１】
なお、電磁弁４０１は、使用者が制御部２０５（図１）の制御パネルを操作することにより、任意に開閉することができる。本実施の形態においては、６つの管継手４のうち５つの管継手４が使用されている。この場合、それら５つの管継手４に対応する５つの電磁弁４０１は開放され、他の１つの電磁弁４０１は閉止される。このように、本実施の形態に係る温調装置２００においては、冷却水の使用状況に応じて電磁弁４０１を開放および閉止することができる。それにより、温調装置２００の汎用性が向上する。
【０１８２】
また、本実施の形態においては、制御部２０５（図１）は、各流量センサＦ１の検出値に基づいて各電磁弁４０１の開度を調整する。それにより、各管継手４から送出される冷却水の流量を適切に調整することが可能になる。その結果、基板処理装置１００の各部に適切な流量で冷却水を供給することができる。
【０１８３】
以下、冷却器２２４および加温器２２５における温度調整について説明する。
【０１８４】
図１０に示すように、冷却器２２４には、第２の冷却ユニット９０が取り付けられる。第２の冷却ユニット９０は、アキュムレータ９１、圧縮機９２、凝縮器９３、膨張弁９４および循環通路９５を有する。循環通路９５は、アキュムレータ９１、圧縮機９２、凝縮器９３、膨張弁９４および冷却器２２４内を通るように設けられる。循環通路９５内には、所定の冷媒が封入される。
【０１８５】
循環通路９５内の冷媒は、アキュムレータ９１、圧縮機９２、凝縮器９３および膨張弁９４を順に通過するように循環通路９５内を循環する。また、循環通路９５内を循環する冷媒は、冷却器２２４において冷却水流通路２２２内の冷却水と熱交換する。それにより、冷却水流通路２２２内の冷却水の温度が低下する。
【０１８６】
冷却器２２４において冷却水流通路２２２内の冷却水と熱交換することにより温度上昇した冷媒は、圧縮機９２、凝縮器９３および膨張弁９４において圧縮、凝縮および膨張される。それにより、冷媒の温度が再び低下される。その結果、冷却器２２４において冷却水流通路２２２内の冷却水の冷却を継続的に行うことが可能になる。
【０１８７】
凝縮器９３には、冷却水流通路８５８が設けられる。冷却水流通路８５８の一端は、冷却水供給通路８５３に接続され、他端は、冷却水排出路８５４に接続される。このような構成により、冷却水供給通路８５３から冷却水流通路８５８に冷却水が流入する。凝縮器９３における冷媒の凝縮は、冷却水流通路８５８内の冷却水と循環通路９５内の冷媒とが熱交換することにより行われる。このように、本実施の形態に係る温調装置２００においては、共通の供給源（冷却水流通路８５）から第１の冷却ユニット８０の凝縮器８２および第２の冷却ユニット９０の凝縮器９３に冷却水を供給することができる。それにより、温調装置２００内における冷却水の流通経路を簡略化することができる。
【０１８８】
冷却水流通路８５８において凝縮器９３よりも下流側には、電磁弁８０１が設けられる。また、冷却水流通路８５８の凝縮器９３よりも下流側でかつ電磁弁８０１よりも上流側の部分と、冷却水排出路８５４の冷却水供給通路８５３との接続部よりも下流側の部分とを連通させるように、迂回通路８５９が設けられる。迂回通路８５９は、加温器２２５内を通るように設けられる。迂回通路８５９において加温器２２５よりも上流側には、電磁弁９０１が設けられる。
【０１８９】
本実施の形態においては、制御部２０５（図１）は、温度センサＴ３の検出値に基づいて電磁弁８０１，９０１の開閉動作を制御する。例えば、電磁弁９０１が開放され電磁弁８０１が閉止されている場合には、凝縮器９３内を通過した冷却水は、迂回通路８５９を流通した後、冷却水排出路８５４に流入する。
【０１９０】
この場合、加温器２２５内において、迂回通路８５９内の冷却水と冷却水流通路２２２内の冷却水との間で熱交換が行われる。ここで、迂回通路８５９には、凝縮器９３における熱交換により温度上昇した冷却水が流通する。それにより、加温器２２５において冷却水流通路２２２内の冷却水の温度を効率よく上昇させることができる。
【０１９１】
一方、電磁弁９０１が閉止され、電磁弁８５８が開放されている場合には、凝縮器９３内を通過した冷却水は、迂回通路８５９を流通することなく、冷却水排出路８５４に流入する。この場合、加温器２２５内において熱交換が行われないので、冷却水流通路２２２内の冷却水の温度は上昇されない。
【０１９２】
このように、本実施の形態においては、電磁弁８０１および電磁弁９０１を選択的に開放および閉止することにより、冷却水流通路２２２内の冷却水の温度を容易に調整することができる。また、凝縮器９３における熱交換により得た熱を冷却水流通路２２２内の冷却水の温度上昇に用いることができるので、冷却水流通路２２２内の冷却水の温度調整を効率よく行うことができる。
【０１９３】
なお、制御部２０５による制御により電磁弁９０１の開度を調整してもよい。この場合、迂回通路８５９内を流通する冷却水の量を調整することができるので、冷却水流通路２２２内の冷却水の温度の微調整が可能になる。
【０１９４】
（６）本実施の形態の効果
本実施の形態においては、基板処理装置１００に冷却水を供給するための複数のチャネル（管継手５）が温調装置２００に設けられている。そして、チャネルごとに電磁弁４０１が設けられている。この場合、各電磁弁４０１を制御することにより、各チャネルから送出される冷却水の流量を調整することができる。それにより、基板処理装置１００の各部に適切な流量で冷却水を供給することができる。また、１台の温調装置２００により、基板処理装置１００の各部に冷却水を供給することができるので、複数の温調装置２００を設けなくてよい。それにより、基板処理装置１００の温度管理に要するコストを低減することができる。
【０１９５】
また、本実施の形態においては、チャネルごとに流量センサＦ１が設けられている。この場合、各流量センサＦ１の検出結果に基づいて、各チャネルから創出される冷却水の流量を調整することができる。それにより、基板処理装置１００の各部により適切な流量で冷却水を供給することができる。その結果、基板処理装置１００における基板Ｗの処理精度を向上させることができる。
【０１９６】
また、本実施の形態においては、高精度の温度管理が必要な反射防止膜およびレジスト膜の処理液については、塗布処理ユニット１２９ごとに恒温水循環装置を設けて温度管理を行い、高精度の温度管理を要しない駆動装置２６,３６、現像液（スリットノズル３８）、および冷却処理部１０２については温調装置２００から供給される冷却水により温度管理を行っている。この場合、基板処理装置１００に設けられる恒温水循環装置の数を低減することができる。それにより、基板処理装置１００の温度管理に要するコストを十分に低減することができるとともに、基板処理装置１００の構成を簡略化することができる。
【０１９７】
本実施の形態に係る温調装置２００においては、ダクト１とダクト２,３とから異なる温度の空気を送出することができる。それにより、１台の温調装置２００により、インターフェイスブロック１４内の温度管理および塗布ブロック１２，１３内の温度管理を行うことができる。この場合、複数の温調装置２００を設ける必要がないので、基板処理システム１０００のコスト低下およびフットプリントの低減が可能になる。
【０１９８】
また、本実施の形態においては、１台の温調装置２００により温湿度調整された空気および温度調整された冷却水を基板処理装置１００に供給することができる。この場合、空気用の温調装置と冷却水用の温調装置とを別個に設けなくてよいので、基板処理システム１０００のフットプリントを低減することができる。また、空気供給に関する各構成要素（電磁弁８５６，８６２等）の制御および冷却水供給に関する各構成要素（電磁弁４０１，９０１等）の制御を１つの制御部２０５によって行うことができる。それにより、温調装置２００の制御システムを低コストで構築することができる。
【０１９９】
（７）他の実施の形態
上記実施の形態では、空気流通路２０７において冷却器２１２の下流側に加温器２１３および加湿器２１４が設けられているが、空気流通路２０７において冷却器２１２、加温器２１３および加湿器２１４が設けられる位置は上記の例に限定されない。例えば、加温器２１３が冷却器２１２よりも上流側に設けられてもよく、加湿器２１４が冷却器２１２の上流側に設けられてもよい。また、加湿器２１４が加温器２１３の上流側に設けられてもよい。
【０２００】
また、上記実施の形態では、冷却水流通路２２２において冷却器２２４の下流側に加温器２２５が設けられているが、冷却器２２４の上流側に加温器２２５が設けられてもよい。
【０２０１】
また、上記実施の形態においては、凝縮器８２，９３における熱交換後の冷却水を用いて加温を行う加温器２１３，２２５が用いられているが、加温器２１３，２２５の代わりに電熱式の加熱器を設けてもよい。
【０２０２】
また、上記実施の形態においては、基板処理装置１００と温調装置２００とが別個の装置として設けられているが、基板処理装置１００と温調装置２００とが一体的に設けられてもよい。
【０２０３】
（８）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０２０４】
上記実施の形態では、管継手４が冷却流体供給部の例であり、管継手５が冷却流体回収部の例であり、冷却水流通路２２１，２２２が第１の冷却流体流通路の例であり、冷却器２２４が第１の冷却器の例であり、電磁弁４０１が第１の流量調整部の例であり、流量センサＦ１が流量検出部の例であり、制御部２０５が制御部の例であり、加温器２２５が第１の加温器の例であり、循環通路９５が第１の冷媒流路の例であり、冷却水流通路８５８が第２の冷却流体流通路の例であり、凝縮器９３が第１の熱交換器の例であり、迂回通路８５９が第１の誘導通路の例であり、温度センサＴ３が第１の温度検出部の例であり、電磁弁９０１が第２の流量調整部の例である。
【０２０５】
また、ダクト１，２，３が空気供給部の例であり、冷却器２１２が第２の冷却器の例であり、循環通路８４が第２の冷媒流通路の例であり、冷却水流通路８５が第３の冷却流体流通路の例であり、凝縮器８２が第２の熱交換器の例であり、加温器２１３が第２の加温器の例であり、迂回通路８５５が第２の誘導通路の例であり、ダクト１が第１の空気供給部の例であり、ダクト２，３が第２の空気供給部の例であり、空気流通路２０７が流入通路の例であり、空気流通路２０８が第１の連通路の例であり、空気流通路２０９，２１０，２１１が第２の連通路の例であり、加熱器２１６が第１の加熱器の例であり、加熱器２１７が第２の加熱器の例である。
【０２０６】
また、塗布処理部１２１、現像処理部１３１および熱処理部１２３，１３３が処理部の例である。
【０２０７】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０２０８】
本発明は、種々の基板処理システムに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０２０９】
【図１】本発明の一実施の形態に係る温調装置を備えた基板処理システムを示す概略斜視図である。
【図２】図１の基板処理装置の平面図である。
【図３】図２の塗布処理部および現像処理部を＋Ｙ方向側から見た図である。
【図４】図２の塗布処理部、搬送部および熱処理部を−Ｘ方向側から見た図である。
【図５】図２の熱処理部を−Ｙ方向側から見た図である。
【図６】図２の搬送部の構成を説明するための図である。
【図７】搬送機構を示す斜視図である。
【図８】インターフェイスブロックの内部構成を示す図である。
【図９】温調装置から基板処理装置への空気および冷却水の供給経路を示す概略図である。
【図１０】温調装置の内部構成を示す図である。
【符号の説明】
【０２１０】
１，２，３    ダクト
４，５  管継手
１１  インデクサブロック
１２  塗布ブロック
１３  現像ブロック
１４  インターフェイスブロック
１５  露光装置
２１〜２４  塗布処理室
３１〜３４  現像処理室
４１，４３，４５  給気ユニット
４２，４４  排気ユニット
５１〜５３，６１〜６５，７１〜７７  流通管
８０  第１の冷却ユニット
８２  凝縮器
８４  循環通路８４
８５  冷却水流通路
９０  第２の冷却ユニット
９３  凝縮器
９５  循環通路
１００  基板処理装置
２００  温調装置
２０５  制御部
２０７〜２１１  空気流通路
２１２，２２４  冷却器
２１３，２２５  加温器
２１４  加湿器
２１６，２１７  加熱器
２２１，２２２，８５８  冷却水流通路
４０１，８０１，８５６，８６２，９０１  電磁弁
８５５，８５９  迂回通路
１０００  基板処理システム
Ｆ１  流量センサ
Ｈ１  湿度センサ
Ｔ１〜Ｔ３  温度センサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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