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【手続補正書】
【提出日】平成17年6月7日(2005.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被照射物を設置することが可能なレーザ照射用ステージであって、
前記レーザ照射用ステージは、当該レーザ照射用ステージに入射されるレーザビームの光軸に対して直交する方向に曲率を有し、前記レーザビームの光軸に対して凹面を有する形状であることを特徴とするレーザ照射用ステージ。
【請求項２】
請求項１において、前記曲率の半径は、１００００〜１０００００ｍｍであることを特徴とするレーザ照射用ステージ。
【請求項３】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から射出するレーザビームの断面形状を当該レーザビームの光軸に対して交差する第１の方向に広げる第１手段と、
前記第１手段を通過したレーザビームを前記第１の方向に直交する第２の方向に集光する第２手段と、
前記第１の方向と平行な方向に曲率を有するステージとを有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
レーザ発振器と、
前記レーザ発振器から射出するレーザビームの断面形状を当該レーザビームの光軸に対して交差する第１の方向に広げる第１手段と、
前記第１手段を通過したレーザビームを前記第１の方向に直交する第２の方向に集光する第２手段と、
前記第１の方向と平行な方向に曲率を有し、前記第２の方向に移動させることが可能なステージとを有することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
請求項３または４において、前記第１手段に、前記第１の方向において前記レーザビームのエネルギー分布を均一化する手段が付加されていることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
請求項３乃至５のいずれか一項において、前記第２手段に、前記第２の方向において前記レーザビームのエネルギー分布を均一化する手段が付加されていることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】
請求項３乃至６のいずれか一項において、前記レーザ発振器は、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザまたはガラスレーザであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項８】
請求項３乃至７のいずれか一項において、前記第２手段を通過したレーザビームは線状ビームであり、前記線状ビームの長辺は、５００ｍｍを越えることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項９】
請求項３乃至８のいずれか一項において、前記ステージは、レーザビームの光軸に対して凹面を有する形状であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１０】
請求項３乃至９のいずれか一項において、前記曲率の半径は、１００００〜１０００００ｍｍであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１１】
レーザ発振器から放射されたレーザビームの断面形状を当該レーザビームの光軸に対して交差する第１の方向に広げ、
前記第１の方向に広げられたレーザビームを当該第１の方向と直交する第２の方向に集光し、
前記集光されたレーザビームを、ステージ上に設置された前記第１の方向と平行な方向に曲率を有する被照射物に対し、前記第２の方向に相対的に移動させながら照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１２】
請求項１１において、前記第１の方向に広げられたレーザビームは、エネルギー分布が均一であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１３】
請求項１１または１２において、前記集光されたレーザビームは、エネルギー分布が均一であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１４】
請求項１１乃至１３のいずれか一項において、前記レーザビームは、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザまたはガラスレーザを光源とすることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１５】
請求項１１乃至１３のいずれか一項において、前記レーザビームは、波長が６００ｎｍ以下であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１６】
レーザ発振器から放射されたレーザビームの断面形状を当該レーザビームの光軸に対して交差する第１の方向に広げ、
前記第１の方向に広げられたレーザビームを前記第１の方向と直交する第２の方向に集光し、
前記集光されたレーザビームを、ステージ上に設置された前記第１の方向と平行な方向に曲率を有する半導体膜が形成された基板に対し、前記第２の方向に相対的に移動させながら照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１６において、前記集光されたレーザビームを前記半導体膜が形成された基板に対し、前記第２の方向に相対的に移動させながら照射することにより結晶化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１６において、前記集光されたレーザビームを前記半導体膜が形成された基板に対し、前記第２の方向に相対的に移動させながら照射することにより結晶性を向上させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項１６において、前記集光されたレーザビームを前記半導体膜が形成された基板に対し、前記第２の方向に相対的に移動させながら照射することにより前記半導体膜に添加した一導電型不純物元素を活性化することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１６乃至１９のいずれか一項において、前記レーザビームは、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザまたはガラスレーザを光源とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１６乃至１９のいずれか一項において、前記レーザビームは、波長６００ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月23日(2005.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビーム光学系が収容された鏡筒部、鏡筒部に接続された描画室、及び描画室内に配置されワークが保持されるＸＹステージを備えた電子ビーム描画装置において、電子ビーム光学系に対するＸＹステージの位置測定を行う際に使用されるレーザ測長システムであって、
前記描画室の内部または外部に設けられたレーザ光源と、
このレーザ光源に隣接し、前記描画室内に設けられ、前記レーザ光源からレーザ光が射された後、測定対象物により反射されて戻ったレーザ光を受けて、前記レーザ光源から測定対象物までの距離を検出するレーザ干渉計と、
前記ＸＹステージ上に取り付けられ、レーザ光を反射し、前記ＸＹステージの位置の測定に使用される測定用ミラーと、
前記鏡筒部との接続部の近傍で前記描画室の内壁面に取り付けられ、レーザ光を反射し、前記ＸＹステージの位置測定の際の基準位置として使用されるリファレンスミラーと、
前記描画室の内壁面に取り付けられ、前記レーザ光源から発射されたレーザ光を前記リファレンスミラーへ導くとともに、前記リファレンスミラーにより反射されたレーザ光を前記レーザ干渉計へ導くオフセットミラーと、
を備え、
前記リファレンスミラーは、レーザ光の光軸に対してヨー角度及びピッチ角度を独立に調整することが可能な取付け台を介して、前記描画室の内壁面に取り付けられていることを特徴とする電子ビーム描画装置のレーザ測長システム。
【請求項２】
前記オフセットミラーは、二つの反射面の中間部において前記描画室の内壁面に固定され、その両端部において弾性体を介して前記描画室の内壁面に保持されていることを特徴とする請求項１に記載の電子ビーム描画装置のレーザ測長システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子ビーム描画装置のレーザ測長システムは、
電子ビーム光学系が収容された鏡筒部、鏡筒部に接続された描画室、及び描画室内に配置されワークが保持されるＸＹステージを備えた電子ビーム描画装置において、電子ビーム光学系に対するＸＹステージの位置測定を行う際に使用されるレーザ測長システムであって、
前記描画室の内部または外部に設けられたレーザ光源と、
このレーザ光源に隣接し、前記描画室内に設けられ、前記レーザ光源からレーザ光が射された後、測定対象物により反射されて戻ったレーザ光を受けて、前記レーザ光源から測定対象物までの距離を検出するレーザ干渉計と、
前記ＸＹステージ上に取り付けられ、レーザ光を反射し、前記ＸＹステージの位置の測定に使用される測定用ミラーと、
前記鏡筒部との接続部の近傍で前記描画室の内壁面に取り付けられ、レーザ光を反射し、前記ＸＹステージの位置測定の際の基準位置として使用されるリファレンスミラーと、
前記描画室の内壁面に取り付けられ、前記レーザ光源から発射されたレーザ光を前記リファレンスミラーへ導くとともに、前記リファレンスミラーにより反射されたレーザ光を前記レーザ干渉計へ導くオフセットミラーと、
を備え、
前記リファレンスミラーは、レーザ光の光軸に対してヨー角度及びピッチ角度を独立に調整することが可能な取付け台を介して、前記描画室の内壁面に取り付けられていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の電子ビーム描画装置のレーザ測長システムによれば、上記のように、リファレンスミラーを、ヨー角度及びピッチ角度の調整が可能な取付け台を介して、描画室の内壁面に取り付けることにより、レーザ光の光軸合わせの作業を、従来と比べて容易に行うことが可能になる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
好ましくは、上記のレーザ測長システムにおいて、オフセットミラーを、二つの反射面の中間部において前記描画室の内壁面に固定し、その両端部において弾性体を介して前記描画室の内壁面に保持させる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
このように構成すれば、これらの弾性体によってオフセットミラーの振動が吸収され、速やかに減衰する。このように、描画室の振動がそのままオフセットミラーに伝わる現象が防止される結果、振動に起因する測長精度の低下を防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月13日(2004.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化セリウム粒子、界面活性剤及び水を含有する液Ａを準備し、界面活性剤及び水を含有する液Ｂを準備し、研磨に先立ち、液Ａと液Ｂとを容器に仕込み、攪拌羽根を回転させて容器内で攪拌して得た混合液を研磨パッド上に供給して基板を研磨することを特徴とするＣＭＰ研磨方法。
【請求項２】
２０分間以上容器内で攪拌を継続して混合液を得る請求項１記載のＣＭＰ研磨方法。
【請求項３】
容器の直径の１／５以上の直径を有する攪拌羽根を周速度毎分２０００cm以上で回転させ攪拌する請求項１又は２記載のＣＭＰ研磨方法。
【請求項４】
酸化セリウム粒子、界面活性剤及び水を含有する液Ａと、界面活性剤及び水を含有する液Ｂを、研磨に先立ち別々に準備し、提供することを特徴とするＣＭＰ研磨液材料提供方法。
【請求項５】
酸化セリウム粒子、界面活性剤及び水を混合する工程を含む、請求項１〜３のいずれか１項記載のＣＭＰ研磨方法または請求項４記載のＣＭＰ研磨液材料提供方法に用いられる、酸化セリウム粒子、界面活性剤及び水を含有する液Ａの製造方法。
【請求項６】
界面活性剤及び水を混合する工程を含む、請求項１〜３のいずれか１項記載のＣＭＰ研磨方法または請求項４記載のＣＭＰ研磨液材料提供方法に用いられる、界面活性剤及び水を含有する液Ｂの製造方法。
【請求項７】
請求項１〜３のいずれか１項記載のＣＭＰ研磨方法または請求項４記載のＣＭＰ研磨液材料提供方法に用いられる、酸化セリウム粒子、界面活性剤及び水を含有する液Ａの使用方法。
【請求項８】
請求項１〜３のいずれか１項記載のＣＭＰ研磨方法または請求項４記載のＣＭＰ研磨液材料提供方法に用いられる、界面活性剤及び水を含有する液Ｂの使用方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、安定した研磨速度で被研磨面を選択的に研磨することができ、高平坦化することが可能であるＣＭＰ研磨方法を提供するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【発明の効果】
本発明に係るＣＭＰ研磨方法は、安定した研磨速度で被研磨面を選択的に研磨することができ、高平坦化することが可能なものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月22日(2004.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルの抵抗性交点アレイからなるデータ記憶デバイスであって、各メモリセルが、メモリエレメントと、前記メモリエレメント上に導電性硬質マスク材料とを含む、データ記憶デバイス。
【請求項２】
前記マスク材料がダイヤモンドライクカーボンからなる、請求項１に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項３】
前記マスク材料が、前記メモリエレメントの設計抵抗の約１０％〜５０％の抵抗を有する、請求項１に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項４】
各メモリエレメントがスピン依存トンネル接合を含む、請求項１に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項５】
前記アレイのための複数のワード線およびビット線と、及び
選択されたメモリセルに対する読出し操作中に前記選択されたメモリセルの抵抗状態をセンシングするための回路とをさらに含み、その回路が、選択されたビット線に第１の電位を印加し、選択されたワード線に第２の電位を印加し、選択されないワード線および選択されないビット線のサブセットに第３の電位を印加し、その第３の電位が前記第１の電位に等しい、請求項１に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項６】
前記マスク材料上にメタライゼーションをさらに含む、請求項１に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項７】
データ記憶デバイスのメモリセルであって、
メモリエレメントと、及び
前記メモリエレメントの表面上のダイヤモンドライクカーボンの薄膜とを含む、メモリセル。
【請求項８】
前記メモリエレメントがスピン依存トンネル接合を含む、請求項７に記載のメモリセル。
【請求項９】
前記薄膜が、前記メモリエレメントの設計抵抗の約１０％〜５０％の抵抗を有する、請求項７に記載のメモリセル。
【請求項１０】
磁気ランダムアクセスメモリデバイスを製作する方法であって、
メモリエレメント層のスタックを形成すること、
前記スタック上に導電性硬質マスク材料を堆積すること、
前記マスクを用いて前記スタックをメモリエレメントへとパターニングすること、及び
前記メモリエレメント上に前記マスクを残すことを含む、磁気ランダムアクセスメモリデバイスを製作する方法。
【請求項１１】
前記硬質マスクがダイヤモンドライクカーボンからなる、請求項１０に記載の磁気ランダムアクセスメモリデバイスを製作する方法。
【請求項１２】
前記マスク材料の抵抗が、堆積条件によって設定される、請求項１０に記載の磁気ランダムアクセスメモリデバイスを製作する方法。
【請求項１３】
前記抵抗が窒素のドーピングに依存する、請求項１２に記載の磁気ランダムアクセスメモリデバイスを製作する方法。
【請求項１４】
前記マスク材料の抵抗が、前記メモリエレメントの設計抵抗の約１０％〜５０％の間である、請求項１０に記載の磁気ランダムアクセスメモリデバイスを製作する方法。
【請求項１５】
パターニング後に前記マスク材料上にメタライゼーションを形成することをさらに含む、請求項１０に記載の磁気ランダムアクセスメモリデバイスを製作する方法。
【請求項１６】
前記スタックが、磁気メモリ層を堆積することにより形成される、請求項１０に記載の磁気ランダムアクセスメモリデバイスを製作する方法。
【請求項１７】
データ記憶デバイスのメモリセルを製作する方法であって、
メモリエレメント層のスタックを形成すること、
前記スタック上にダイヤモンドライクカーボンのマスクを堆積すること、
前記マスクを用いて前記スタックにおいてメモリエレメントをパターンニングすること、及び
前記マスク上にメタライゼーションを形成することを含む、データ記憶デバイスのメモリセルを製作する方法。
【請求項１８】
前記マスクの抵抗が、堆積条件によって設定される、請求項１７に記載のデータ記憶デバイスのメモリセルを製作する方法。
【請求項１９】
前記抵抗が窒素のドーピングに依存する、請求項１８に記載のデータ記憶デバイスのメモリセルを製作する方法。
【請求項２０】
前記マスクの抵抗が、前記メモリエレメントの設計抵抗の約１０％〜５０％の間である、請求項１７に記載のデータ記憶デバイスのメモリセルを製作する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月3日(2004.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
上記半導体基板上に形成された層間絶縁膜中に設けられたコンタクトプラグと、
上記層間絶縁膜上に、上記コンタクトプラグと電気的に接続するように設けられた第１電極と、
上記第１電極上に形成された容量絶縁膜と、
上記容量絶縁膜上に設けられた第２電極とを有するデータ記憶用のメモリセルキャパシタと、
上記メモリセルキャパシタを上方および側方から被覆する段差緩和用膜と、
上記段差緩和用膜を被覆する被覆水素バリア膜と、
を備える半導体記憶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体記憶装置において、
上記段差緩和用膜は、Ｏ3およびＴＥＯＳを使用した常圧熱ＣＶＤ法により形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体記憶装置において、
上記被覆水素バリア膜は、スパッタ法により形成されていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１つに記載の半導体記憶装置において、
上記第１電極の下方に設けられた下敷き水素バリア膜をさらに備えることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体記憶装置において、
上記第１電極は、上記下敷き水素バリア膜に埋め込まれていることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体記憶装置において、
上記第１電極は、下部に導電性水素バリア膜を備えることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項７】
半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程（ａ）と、
上記層間絶縁膜中にコンタクトプラグを形成する工程（ｂ）と、
上記層間絶縁膜上に、上記コンタクトプラグと電気的に接続するように形成された第１電極と、上記第１電極上に形成された容量絶縁膜と、上記容量絶縁膜上に設けられた第２電極とを有するメモリセルキャパシタを形成する工程（ｃ）と、
上記工程（ｃ）の後に、基板上に、上記メモリセルキャパシタを被覆する段差緩和用膜を形成する工程（ｄ）と、
基板上に、上記段差緩和用膜を被覆する被覆水素バリア膜を形成する工程（ｅ）と、
を含む半導体記憶装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体記憶装置の製造方法において、
上記工程（ａ）と上記工程（ｂ）との間に、上記層間絶縁膜上に下敷き水素バリア膜を形成する工程（ｆ）をさらに含み、
上記工程（ｂ）では、上記下敷き水素バリア膜を貫通するように上記層間絶縁膜中にコンタクトプラグを形成し、
上記工程（ｃ）では、上記下敷き水素バリア膜の上に上記第１電極を形成することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７または８に記載の半導体記憶装置の製造方法において、
上記工程（ｄ）では、上記段差緩和用膜をＯ3およびＴＥＯＳを使用した常圧熱ＣＶＤ法によって形成することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項１０】
請求項７または８に記載の半導体記憶装置の製造方法において、
上記工程（ｅ）では、上記被覆水素バリア膜をスパッタ法によって形成することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項１１】
半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程（ａ）と、
上記層間絶縁膜中にコンタクトプラグを形成する工程（ｂ）と、
上記層間絶縁膜上に、上記コンタクトプラグと電気的に接続するように形成された第１電極を形成する工程（ｃ）と、
上記工程（ｃ）の後に、上記層間絶縁膜上に下敷き水素バリア膜を形成する工程（ｄ）と、
上記下敷き水素バリア膜を上記第１電極の表面が露出するまで除去して、上記下敷き水素バリア膜中に上記第１電極を埋め込む工程（ｅ）と、
上記第１電極上に容量絶縁膜を形成する工程（ｆ）と、
上記容量絶縁膜上に第２電極用膜を形成する工程（ｇ）と、
上記容量絶縁膜と上記第２電極用膜とをパターニングすることによってメモリセルキャパシタを形成する工程（ｈ）と、
上記工程（ｈ）の後に、基板上に、上記メモリセルキャパシタを被覆する段差緩和用膜を形成する工程（ｉ）と、
基板上に、上記段差緩和用膜を被覆する被覆水素バリア膜を形成する工程（ｊ）と、
を含む半導体記憶装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体記憶装置の製造方法において、
上記工程（ｉ）では、上記段差緩和用膜をＯ3およびＴＥＯＳを使用した常圧熱ＣＶＤ法によって形成することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載の半導体記憶装置の製造方法において、
上記工程（ｊ）では、上記被覆水素バリア膜をスパッタ法によって形成することを特徴とする半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月18日(2005.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体領域に形成されたソース領域、ドレイン領域、及びそれらの間のチャネル領域と、前記チャネル領域の上に設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の上に設けられた半導体膜と、前記半導体膜の上に設けられた第２絶縁膜と、前記第２絶縁膜の上に設けられたゲート電極とを有し、
前記第２絶縁膜は電荷トラップ膜であり、
電荷を前記第２絶縁膜のトラップに捕獲することで電荷蓄積が行われ、
前記半導体膜の膜厚は前記第２絶縁膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする不揮発性記憶素子。
【請求項２】
電荷トラップ膜を電荷保持に用いる不揮発性記憶素子であって、
半導体領域にソース領域、ドレイン領域、及びそれらの間のチャネル領域とが形成され、
前記チャネル領域上に第１絶縁膜が設けられ、
前記第１絶縁膜上に半導体膜が設けられ、
前記半導体膜上に前記電荷トラップ膜である第２絶縁膜が設けられ、
前記第２絶縁膜上にゲート電極が設けられ、
前記半導体膜の膜厚は前記第２絶縁膜の膜厚よりも薄いことを特徴とする不揮発性記憶素子。
【請求項３】
前記第１絶縁膜はシリコン酸化膜、前記第２絶縁膜はシリコン窒化膜であることを特徴とする請求項１又は２に記載の不揮発性記憶素子。
【請求項４】
前記第２絶縁膜と前記ゲート電極との間に第３絶縁膜が設けられることを特徴とする請求項１又は２に記載の不揮発性記憶素子。
【請求項５】
前記電荷トラップ膜に捕獲された電荷は前記第１絶縁膜を介してトンネル放出されることを特徴とする請求項１記載の不揮発性記憶素子。
【請求項６】
前記電荷トラップ膜に捕獲された電荷は前記第１絶縁膜を介してトンネル放出されることを特徴とする請求項２記載の不揮発性記憶素子。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月25日(2004.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保持対象物を下方から支持した状態で保持するための一対の保持部位が相互に間隔を隔てて配置され、
前記一対の保持部位のうち少なくとも一方の前記保持部位に保持対象物を吸着保持するための吸着部が設けられ、
前記吸着部の前記保持対象物に対する吸着面が少なくとも所定角度範囲内で他方の前記保持部位の側に傾斜可能に構成されている
ことを特徴とする吸着保持器。
【請求項２】
前記吸着部は前記一対の保持部位のいずれにも設けられていることを特徴とする請求項１に記載の吸着保持器。
【請求項３】
前記吸着部を有しない前記保持部位には、支持突起が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の吸着保持器。
【請求項４】
保持対象物を保持するための一対の保持部位が相互に間隔を隔てて配置され、
前記一対の保持部位には保持対象物を吸着保持するための吸着部が設けられ、
前記吸着部の前記保持対象物に対する吸着面が、前記一対の保持部位の間に最下点を有する湾曲面に沿う方向に、少なくとも所定角度範囲内で傾斜可能に構成されている
ことを特徴とする吸着保持器。
【請求項５】
前記吸着部は、前記吸着面が少なくとも所定角度範囲内で全方位に向けて傾斜自在に構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の吸着保持器。
【請求項６】
複数の前記保持部位がそれぞれ並列してなる一対の保持列が相互に間隔を隔てて配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の吸着保持器。
【請求項７】
前記一対の保持部位は、相互に間隔を隔てて配置された一対のアーム上に配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の吸着保持器。
【請求項８】
前記保持部位は、前記アームの幅方向中央から外側にシフトした位置に配置されていることを特徴とする請求項７に記載の吸着保持器。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の吸着保持器と、該吸着保持器を移動させる移動手段とを有する搬送装置。
【請求項１０】
前記吸着保持器及び前記移動手段を制御する制御手段を有し、
前記制御手段は、
前記吸着保持器を前進させるステップ、前記吸着保持器を上昇させるステップ、前記吸着保持器の前記吸着部により保持対象物を下方から吸着保持させるステップ、及び、前記吸着保持器を後退させるステップを順次実行する引き取り動作モードと、
前記吸着保持器を前進させるステップ、前記吸着保持器の前記吸着部による保持対象物の吸着保持状態を解除させるステップ、前記吸着保持器を下降させるステップ、及び、前記吸着保持器を後退させるステップを順次実行する引き渡し動作モードと、
を実行可能に構成されていることを特徴とする請求項９に記載の搬送装置。
【請求項１１】
基板を保持して搬送する基板の搬送方法であって、
相互に間隔を隔てて配置された一対の保持部位により、前記基板の対向する一対の外縁の近傍を支持し、
前記基板を前記一対の外縁間が下方に湾曲した状態で搬送することを特徴とする基板の搬送方法。
【請求項１２】
電気光学装置の一部を構成する基板を搬送する工程を有する電気光学装置の製造方法であって、
相互に間隔を隔てて配置された一対の保持部位により、前記基板の対向する一対の外縁の近傍を支持し、
前記基板を前記一対の外縁間が下方に湾曲した状態で搬送することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
前記湾曲した状態は、前記基板の対向する一対の外縁を支持した場合に前記基板が自重で湾曲する自然湾曲状態と実質的に等しい状態であることを特徴とする請求項１２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
前記保持部位により前記基板を下方から支持することを特徴とする請求項１２又は請求項１３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
前記一対の保持部位は、外側から前記基板の全幅の１／４の距離だけ内側に移動した位置にある４半部位よりも外側で前記基板を保持することを特徴とする請求項１２乃至請求項１４のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１６】
複数の前記保持部位がそれぞれ並列してなる一対の保持列を相互に間隔を隔てて配置し、
前記一対の保持列にそれぞれ含まれる複数の保持部位により前記基板を保持することを特徴とする請求項１２乃至請求項１５のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１７】
基板収容部内において前記基板の対向する一対の外縁を支持し、前記基板を前記一対の外縁間で下方に湾曲させた状態で収容された状態とし、
前記保持部位を前記基板収容部内に導入し、前記基板の前記一対の外縁の近傍を前記保持部位にて保持し、前記基板を湾曲させたままで引き取り、前記基板収容部から搬出することを特徴とする請求項１２乃至請求項１６のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項１８】
前記保持部位にて保持された前記基板を基板収容部内に導入し、
前記基板収容部内において前記基板を湾曲させた状態のまま引き渡し、前記基板の前記一対の外縁が支持された状態で収容することを特徴とする請求項１２乃至請求項１７のいずれか１項に記載の電気光学装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月16日(2004.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
焦電型コンデンサを含む調節電源からなる集積回路。
【請求項２】
前記コンデンサに熱結合されたヒータと、前記焦電型コンデンサに対する熱パルスの印加を前記ヒータに行なわせるための回路とをさらに含む、請求項１の集積回路。
【請求項３】
前記ヒータが前記焦電型コンデンサのプレート上に薄膜放熱要素を含む、請求項２の集積回路。
【請求項４】
基板および該基板に対する熱障壁をさらに含み、前記薄膜放熱要素が該熱障壁上に形成される、請求項３の集積回路。
【請求項５】
前記回路が、前記電源の出力電圧を検出するための電圧センサと、前記出力電圧を基準電圧と比較するためのコンパレータと、前記出力電圧が前記基準電圧未満であるときに前記ヒータにパルスを供給するためのパルス発生器とを含む、請求項２の集積回路。
【請求項６】
前記電圧センサが抵抗器ラダ−を含み、
前記電源が前記コンデンサの出力を整流するための整流器をさらに含み、
前記抵抗器ラダ−が前記整流器の一部をさらに形成する、請求項５の集積回路。
【請求項７】
冷却中に電源出力電圧が回復電圧未満になったときに前記焦電型コンデンサ上の電荷の平衡をとるための回路をさらに含む、請求項１の集積回路。
【請求項８】
前記回路は前記コンデンサと回復電圧端子との間に接続されたダイオードを含む、請求項７の集積回路。
【請求項９】
焦電型コンデンサと、
前記焦電型コンデンサに熱を伝達する放熱要素と、
前記放熱要素に電気パルスを送信し、該パルスを調節することによって前記電源の出力を調節するためのフィードバック回路と
からなる調節電源。
【請求項１０】
前記ヒータは前記焦電型コンデンサのプレート上に薄膜放熱要素を含む、請求項９の調節電源。
【請求項１１】
前記フィードバック回路は、前記電源出力に接続された電圧センサと、前記電圧センサの出力を基準電圧と比較するためのコンパレータと、前記出力電圧が前記基準電圧未満のときに前記放熱要素へパルスを供給するためのパルス発生器とを含む、請求項９の調節電源。
【請求項１２】
前記電圧センサが抵抗器ラダ−を含み、
前記電源が前記コンデンサの出力を整流するための整流器をさらに含み、
前記抵抗器ラダ−が前記整流器の一部をさらに形成する、請求項１１の調節電源。
【請求項１３】
冷却中に出力電圧が回復電圧未満になったときに前記焦電型コンデンサ上の電荷の回復をするための回路をさらに含む、請求項９の調節電源。
【請求項１４】
前記回路は前記焦電型コンデンサと回復電圧端子との間に接続されたダイオードを含む、請求項１３の調節電源。
【請求項１５】
焦電型コンデンサと、
前記焦電型コンデンサに熱パルスを送信する手段と、
コンデンサ電圧を基準電圧と比較する手段と、
前記比較に応じて前記熱パルスを調節する手段と
からなる調節電源。
【請求項１６】
焦電型コンデンサを調節電源として使用する方法であって、
前記コンデンサに熱パルスを送信するステップと、
コンデンサ電圧を基準電圧と比較するステップと、
前記比較に応じて前記熱パルスを調節するステップと
からなる方法。
【請求項１７】
パルス幅が調節される、請求項１６の方法。
【請求項１８】
前記熱パルスの周波数が調節される、請求項１６の方法。
【請求項１９】
前記熱パルスの振幅が調節される、請求項１６の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月31日(2005.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ガラス管の内壁に蛍光体層が形成され、前記ガラス管の内部に希ガスと水銀とが封入され、前記ガラス管の両端に導入線が気密に封着され、前記導入線の内端部それぞれに略筒状の電極が接続された冷陰極低圧放電管において、
前記電極の内壁面にＣｓを含む化合物を形成したことを特徴とする冷陰極低圧放電管。
【請求項２】  前記化合物は、Ｃｓ２ＣｒＯ４により形成されたことを特徴とする請求項１記載の冷陰極低圧放電管。
【請求項３】  前記電極は、カップ形状又はスリーブ形状であることを特徴とする請求項１又は２記載の冷陰極低圧放電管。
【請求項４】  前記化合物は、金属物質パウダーであり、前記電極は、側壁に少なくとも一箇所以上の間隙を備えたものであって、金属物質パウダーを塗布するための溶液に前記電極を浸漬するとき、この溶液が電極内部を通過可能として金属物質パウダーが内壁面に塗布されるようにしたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の冷陰極低圧放電管。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１記載の本発明は、ガラス管の内壁に蛍光体層が形成され、前記ガラス管の内部に希ガスと水銀とが封入され、前記ガラス管の両端に導入線が気密に封着され、前記導入線の内端部それぞれに略筒状の電極が接続された冷陰極低圧放電管において、前記電極の内壁面にＣｓを含む化合物を形成したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明にあっては、冷陰極低圧放電管の略筒状の電極の少なくとも内壁面にＣｓを含む化合物を形成するようにしたことで、放電開始が容易になるようにして放電遅れ時間を短縮するとともに電極部の温度上昇を抑えるようにしている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項２記載の本発明は、請求項１記載の冷陰極低圧放電管において、前記化合物は、Ｃｓ２ＣｒＯ４により形成されたことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項４記載の本発明は、請求項１乃至３のいずれかに記載の冷陰極低圧放電管において、前記化合物は、金属物質パウダーであり、前記電極は、側壁に少なくとも一箇所以上の間隙を備えたものであって、金属物質パウダーを塗布するための溶液に前記電極を浸漬するとき、この溶液が電極内部を通過可能として金属物質パウダーが内壁面に塗布されるようにしたことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
電極３は、その開口部が互いに対向するようにガラス管１の両端内部に配置されるとともに、内壁面のみ又は内壁面および外壁面の双方に金属物質パウダー５が塗布される。この金属物質パウダー５には、Ｃｓ２ＣｒＯ４等により形成されたものを用いるようにする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【発明の効果】
以上、説明したように、本発明に係る冷陰極低圧放電管によれば、略筒状の電極の少なくとも内壁面にＣｓを含む化合物を形成するようにしたことで、放電遅れ時間を短縮することができ、また電極部の温度上昇を抑えることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月27日(2004.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】セラミック成形体乾燥用治具及びセラミック成形体の乾燥方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック粉末とバインダーと分散媒液との混合組成物からなり、多数の貫通孔が隔壁を隔てて長手方向に並設された柱状のセラミック成形体を乾燥する際に使用するセラミック成形体乾燥用治具であって、
前記セラミック成形体乾燥用治具は、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の材料からなることを特徴とするセラミック成形体乾燥用治具。
【請求項２】
セラミック成形体乾燥用治具は、アルミニウム製の上治具と下治具とから構成されている請求項１記載のセラミック成形体乾燥用治具。
【請求項３】
上治具と下治具とに、アルマイト処理が施されている請求項２記載のセラミック成形体乾燥用治具。
【請求項４】
セラミック粉末とバインダーと分散媒液との混合組成物からなり、多数の貫通孔が隔壁を隔てて長手方向に並設された柱状のセラミック成形体を、２枚の板状体がV字形状に接合されたセラミック成形体乾燥用治具で挟持して乾燥させることを特徴とするセラミック成形体の乾燥方法。
【請求項５】
前記乾燥は、熱風乾燥である請求項４に記載のセラミック成形体の乾燥方法。
【請求項６】
前記セラミック成形体の側面全体に、セラミック成形体乾燥用治具によって所定の圧力が印加される請求項４又は５に記載のセラミック成形体の乾燥方法。
【請求項７】
前記圧力は、０．１〜０．６ＭＰａである請求項６に記載のセラミック成形体の乾燥方法。
【請求項８】
前記熱風乾燥の風速は、５〜４０ｍ／ｓである請求項４〜７のいずれか１に記載のセラミック成形体の乾燥方法。
【請求項９】
前記熱風乾燥の温度は、常温〜１２０℃である請求項４〜８のいずれか１に記載のセラミック成形体の乾燥方法。
【請求項１０】
前記セラミック成形体乾燥用治具は、ガラスエポキシ製である請求項４〜９のいずれか１に記載のセラミック成形体の乾燥方法。
【請求項１１】
前記セラミック成形体乾燥用治具と成形体との間には弾性部材が介装されてなる請求項４〜１０のいずれか１に記載のセラミック成形体の乾燥方法。
【請求項１２】
前記弾性部材は、シリコンスポンジである請求項４〜１１のいずれか１に記載のセラミック成形体の乾燥方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、セラミック粉末及びバインダー等を含み、多数の貫通孔が長手方向に並設された柱状のセラミック成形体を乾燥する際に使用するセラミック成形体乾燥用治具及びセラミック成形体の乾燥方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、これらの問題を解決するためになされたもので、セラミック成形体の乾燥工程において、セラミック成形体を乾燥する際に、セラミック成形体内の水分の不均一な蒸発による反りやクラック等を発生させず、全体を均一に、かつ、短時間で乾燥させることができるセラミック成形体乾燥用治具セラミック成形体乾燥用治具及びセラミック成形体の乾燥方法を提供することを目的とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明のセラミック成形体乾燥用治具は、セラミック粉末とバインダーと分散媒液との混合組成物からなり、多数の貫通孔が隔壁を隔てて長手方向に並設された柱状のセラミック成形体を乾燥する際に使用するセラミック成形体乾燥用治具であって、上記セラミック成形体の乾燥用治具は、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の材料からなることを特徴とする。
また、本発明のセラミック成形体の乾燥方法は、セラミック粉末とバインダーと分散媒液との混合組成物からなり、多数の貫通孔が隔壁を隔てて長手方向に並設された柱状のセラミック成形体を、２枚の板状体がV字形状に接合されたセラミック成形体乾燥用治具で挟持させて乾燥させることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明のセラミック成形体乾燥用治具及びセラミック成形体の乾燥方法の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
本発明のセラミック成形体乾燥用治具は、セラミック粉末とバインダーと分散媒液との混合組成物からなり、多数の貫通孔が隔壁を隔てて長手方向に並設された柱状のセラミック成形体を乾燥する際に使用するセラミック成形体乾燥用治具であって、上記セラミック成形体乾燥用治具は、熱伝導率が５０Ｗ／ｍ・Ｋ以上の材料からなることを特徴とする。
また、本発明のセラミック成形体の乾燥方法は、セラミック粉末とバインダーと分散媒液との混合組成物からなり、多数の貫通孔が隔壁を隔てて長手方向に並設された柱状のセラミック成形体を、２枚の板状体がV字形状に接合されたセラミック成形体乾燥用治具で挟持させて乾燥させることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月14日(2005.2.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
処理する前記材料ウェブ（１６）の両側に配置された前記シート案内部（３１，３２，３５，３６）は機械中心（１１）に関して対称に移動可能である、請求項２に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月2日(2004.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
【化１】
2002255990.tif 000001
［式中、
Ｒ1は、核酸合成の保護基で保護されたリン酸基、又は、式−Ｐ（Ｒ4a）Ｒ4b（式中、Ｒ4a及びＲ4bは、同一又は異なって、水酸基、核酸合成の保護基で保護された水酸基、メルカプト基、核酸合成の保護基で保護されたメルカプト基、アミノ基、核酸合成の保護基で保護されたアミノ基、炭素数１乃至６個のアルコキシ基、炭素数１乃至６個のアルキルチオ基、炭素数１乃至７個のシアノアルコキシ基又は炭素数１乃至６個のアルキル基で置換されたアミノ基を示す）で表される基を示し、
Ｒ2は、式ＮＨ−Ｒ3（Ｒ3は、アミノ基の核酸合成の保護基）で表される基を示し、
Ｂは、下記α群から選択される任意の置換基を１以上有していてもよいプリン−９−イル又は２−オキソ−１，２−ジヒドロピリミジン−１−イル基を示す。］
で表される化合物又はその薬理上許容される塩。
（α群）
水酸基、
核酸合成の保護基で保護された水酸基、
炭素数１乃至６個のアルコキシ基、
メルカプト基、
核酸合成の保護基で保護されたメルカプト基、
炭素数１乃至６個のアルキルチオ基、
アミノ基、
核酸合成の保護基で保護されたアミノ基、
炭素数１乃至６個のアルキル基で置換されたアミノ基、
炭素数１乃至６個のアルキル基、及び、
ハロゲン原子。
【請求項２】
請求項１において、Ｒ1が、式−Ｐ（Ｒ4a）Ｒ4b（式中、Ｒ4a及びＲ4bは、同一又は異なって、水酸基、炭素数１乃至６個のアルコキシ基、炭素数１乃至７個のシアノアルコキシ基又は炭素数１乃至６個のアルキル基で置換されたアミノ基を示す）で表される基であり、Ｒ2が、式ＮＨ−Ｒ3（Ｒ3は、アミノ基の核酸合成の保護基）で表される基である化合物。
【請求項３】
請求項１において、Ｒ1が、式−Ｐ（Ｒ4a）Ｒ4b（式中、Ｒ4a及びＲ4bは、同一又は異なって、水酸基、炭素数１乃至６個のアルコキシ基、炭素数１乃至７個のシアノアルコキシ基又は炭素数１乃至６個のアルキル基で置換されたアミノ基を示す）で表される基であり、Ｒ2が、式ＮＨ−Ｒ3（Ｒ3は、アミノ基の核酸合成の保護基）で表される基であり、Ｂが、６−ベンゾイルアミノプリン−９−イル基、アデニニル基、２−イソブチリルアミノ−６−ヒドロキシプリン−９−イル基、グアニニル基、２−オキソ−４−ベンゾイルアミノ−１，２−ジヒドロピリミジン−１−イル基、シトシニル基、２−オキソ−５−メチル−４−ベンゾイルアミノ−１，２−ジヒドロピリミジン−１−イル基、５−メチルシトシニル基、ウラシニル基又はチミニル基、である化合物。
【請求項４】
請求項１において、Ｒ1が、式−Ｐ（ＯＣＨ3）（Ｎ（ＣＨ（ＣＨ3）2）2）、又は、式−Ｐ（ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＮ）（Ｎ（ＣＨ（ＣＨ3）2）2）で表される基であり、Ｒ2が、式ＮＨ−Ｒ3（Ｒ3は、トリフルオロアセチル基、ベンジルオキシカルボニル基、４，４’−ジメトキシトリチル基、又は、４−モノメトキシトリチル基）で表される基であり、Ｂが、６−ベンゾイルアミノプリン−９−イル基、アデニニル基、２−イソブチリルアミノ−６−ヒドロキシプリン−９−イル基、グアニニル基、２−オキソ−４−ベンゾイルアミノ−１，２−ジヒドロピリミジン−１−イル基、シトシニル基、２−オキソ−５−メチル−４−ベンゾイルアミノ−１，２−ジヒドロピリミジン−１−イル基、５−メチルシトシニル基、ウラシニル基又はチミニル基、である化合物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
バンド（８）の使用によって、その端部がロック（６）を介してガイドされ、前記バンドの端部のためにロック（６）ありを確認するためのセンサー（１５）を設けられているロック台（２）を工具に設け、前記センサーがロック（６）なしの第１検出位置、および、ロック（６）ありの第２検出位置を占め、ロック（６）がバンド（１２）を保持する場合に、前記センサー（１５）が第３検出位置を占めることを特徴とするケーブルハーネス等の対象物を結束するための工具配置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月16日(2005.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理するための中間皿部を有する排紙手段を有し、その下流に用紙を積載する排紙皿を有し、かつ前記排紙手段でソートモード時に、直進とオフセットの繰返しのシフト動作を行なう用紙後処理装置において、ソートモードの排紙動作時、直進して排紙する場合は、前記中間皿部に用紙を積載させることなく排出し、オフセット排紙させる場合のみ前記中間皿部に用紙を積載させシフト動作後に前記排紙皿へ排出することを特徴とする用紙後処理装置。
【請求項２】
前記排紙手段で、シフト動作後排出する場合、少数枚の紙束として排出することを特徴とする請求項１に記載の用紙後処理装置。
【請求項３】
前記少数枚は、所定枚数であることを特徴とする請求項２に記載の用紙後処理装置。
【請求項４】
前記シフト動作する場合、紙束としてシフトする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の用紙後処理装置。
【請求項５】
前記シフト動作する場合、１枚毎にシフトする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の用紙後処理装置。
【請求項６】
前記直進して排出する場合、前記中間皿部とは別経路で排出することを特徴とする請求項１に記載の用紙後処理装置。
【請求項７】
前記請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の用紙後処理装置を備えてなることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
このような用紙後処理装置に関しては、例えば特許第３０５１６８５号公報による提案が開示され、ソートモード時、直進とオフセットの繰返しのシフト動作を行なう場合、直進とシフト動作共に、中間皿部に少数毎に小分けして一時積載し、紙幅方向を整合板で整合させ排紙皿に排出している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項２に記載の発明は、『前記排紙手段で、シフト動作後排出する場合、少数枚の紙束として排出することを特徴とする請求項１に記載の用紙後処理装置。』である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この請求項２に記載の発明によれば、シフト動作後排出する場合、少数枚の紙束として排出することで、用紙全体としての自重があるためにズレが少なくなり、低コストで排紙皿上に積載する用紙の不揃いをなくすことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項３に記載の発明は、『前記少数枚は、所定枚数であることを特徴とする請求項２に記載の用紙後処理装置。』である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この請求項３に記載の発明によれば、少数枚は、所定枚数であり、排紙時間の短縮化が可能である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
また、中間皿部２４で、シフト動作後排出する場合、中間皿部２４の最大枚数以下の少数枚の紙束として排出するため、用紙全体としての自重があるためにズレが少なくなり、低コストで排紙皿４１上に積載する用紙の不揃いをなくすことができる。また、少数枚は、所定枚数であり、排紙時間の短縮化が可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月8日(2005.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】テープ基体の裏面に粘着剤層を介して剥離シートが貼着された印字テープの表面に対して略直角に進退するカッター刃を押接させ、テープ基体のみを切断する印字テープの半切り装置において、テープ基体を切断後、カッター刃がテープ基体から離脱するまで印字テープを押さえる押さえ部材を、カッター刃の近傍に隣接させて設けたことを特徴とする印字テープの半切り装置。
【請求項２】 上記押さえ部材はカッター刃が後退位置にある状態で刃先より前方に位置し、カッター刃に対するガードとして機能することを特徴とすることを特徴とする請求項１記載の印字テープの半切り装置。
【請求項３】上記押さえ部材をカッター刃より印字テープの搬送方向に対して下流側に設置したことを特徴とする請求項１記載の印字テープの半切り装置。
【請求項４】上記カッター刃及び押さえ部材は共にテープ印字装置に対して着脱自在なホルダーに保持されており、ホルダーをテープ印字装置から取り外した状態でカッター刃の先端がホルダー外に露出しないように格納させる格納手段を押さえ部材と一体に形成したことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の印字テープの半切り装置。
【請求項５】上記押さえ部材は弾性を有する金属材料からなることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の印字テープの半切り装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明による印字テープの半切り装置は、テープ基体の裏面に粘着剤層を介して剥離シートが貼着された印字テープの表面に対して略直角に進退するカッター刃を押接させ、テープ基体のみを切断する印字テープの半切り装置において、テープ基体を切断後、カッター刃がテープ基体から離脱するまで印字テープを押さえる押さえ部材を、カッター刃の近傍に隣接させて設けたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月20日(2004.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２−アセトキシ−５−（α−シクロプロピルカルボニル−２−フルオロベンジル）−４，５，６，７−テトラヒドロチエノ［３，２−ｃ］ピリジン又はその薬理上許容される塩と、アスピリンを有効成分として含有する医薬組成物。
【請求項２】
２−アセトキシ−５−（α−シクロプロピルカルボニル−２−フルオロベンジル）−４，５，６，７−テトラヒドロチエノ［３，２−ｃ］ピリジンの薬理上許容される塩が塩酸塩又はマレイン酸塩である請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
２−アセトキシ−５−（α−シクロプロピルカルボニル−２−フルオロベンジル）−４，５，６，７−テトラヒドロチエノ［３，２−ｃ］ピリジン又はその塩酸塩と、アスピリンを有効成分として含有する医薬組成物。
【請求項４】
血栓もしくは塞栓によって引き起こされる疾病の予防又は治療のための請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項５】
血小板凝集によって誘発される疾患の予防又は治療のための請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項６】
血管形成術、血管内膜切除術もしくはステント留置後の再狭窄、安定もしくは不安定狭心症、脳虚血発作、梗塞、末梢動脈疾患、心房性細動の予防又は治療のための請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項７】
脳血管系の疾患の予防又は治療のための請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項８】
血管形成術、血管内膜切除術もしくはステント留置後の再狭窄の予防又は治療のための請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項９】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の医薬組成物を含有する血小板凝集抑制剤。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の医薬組成物を含有する血栓形成抑制剤。