【手続補正書】
【提出日】平成17年4月14日(2005.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
劈開性を備える基板と、該基板の劈開面と等しい劈開面を備えるとともに該基板上に堆積されたIII族元素と窒素を含む化合物で構成される窒化物半導体層と、該窒化物半導体層内に形成されたストライプ状光導波路とを有し、前記窒化物半導体層を劈開した端面と前記ストライプ状光導波路とで共振器を構成する窒化物半導体素子において、
前記端面に対して、前記ストライプ状光導波路の直上以外の位置に、前記窒化物半導体層の表面側から形成される劈開導入溝を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】
前記基板の裏面側から形成される劈開補助溝を有することを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体素子。
【請求項３】
劈開性を備える基板と、該基板の劈開面と等しい劈開面を備えるとともに該基板上に堆積されたIII族元素と窒素を含む化合物で構成される窒化物半導体層と、該窒化物半導体層内に形成されたストライプ状光導波路とを有し、前記窒化物半導体層を劈開した端面と前記ストライプ状光導波路とで共振器を構成する窒化物半導体素子において、
前記端面に対して、前記ストライプ状光導波路の直下の位置以外に、前記窒化物半導体基板の裏面側から形成される劈開導入溝を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項４】
前記窒化物半導体素子の表面又は裏面から前記劈開導入溝の最深部分までの深さｄが、１≦ｄ≦１０μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
【請求項５】
前記基板と前記窒化物半導体層との界面から前記劈開導入溝の最深部分までの深さｄが、１≦ｄ≦１０μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の窒化物半導体素子。
【請求項６】
前記劈開導入溝が、前記窒化物半導体素子を前記基板を下として２次元に投影したとき、前記ストライプ状光導波路に対して垂直な方向において、前記ストライプ状光導波路から少なくとも５０μｍ離れた位置に形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
【請求項７】
前記劈開導入溝が、前記窒化物半導体素子を前記基板を下として２次元に投影したとき、前記ストライプ状光導波路に対して垂直な方向において、前記ストライプ状光導波路から少なくとも１００μｍ離れた位置に形成されていることを特徴とする請求項６に記載の窒化物半導体素子。
【請求項８】
前記窒化物半導体素子の厚さが８０〜１６０μｍであることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
【請求項９】
前記基板が、III族元素と窒素を含む化合物で構成される窒化物半導体基板であることを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれかに記載の窒化物半導体素子。
【請求項１０】
劈開性を備える基板上に、該基板の劈開面と等しい劈開面を備えるとともにIII族元素と窒素を含む化合物で構成される窒化物半導体層を堆積して構成されるとともに、前記窒化物半導体層において複数のストライプ状光導波路が等間隔に構成された窒化物半導体ウェハから窒化物半導体素子を得るための窒化物半導体素子の製造方法において、
前記窒化物半導体ウェハを８０〜１６０μｍの厚さに調整する工程と、
前記窒化物半導体ウェハに対して、前記窒化物半導体層の表面側に断続的な破線状に複数の劈開導入溝を形成する工程と、
前記劈開導入溝に沿って前記窒化物半導体ウェハを分割する工程と、
を含み、
前記劈開導入溝を形成する際、前記劈開導入溝が前記ストライプ状光導波路直上以外の位置に形成されることを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
前記窒化物半導体層において、前記基板との界面に、窒化物半導体と劈開方向の異なる物質による半導体層が設けられるとき、
まず、前記窒化物半導体層の表面側から前記窒化物半導体層の厚さの半分の深さまで、断続的な破線状に複数の劈開補助溝を形成した後、
該劈開補助溝の底面から罫書きすることによって、前記劈開導入溝を形成することを特徴とする請求項１０に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
前記窒化物半導体ウェハを分割する工程以前に、前記窒化物半導体ウェハに対して、前記窒化物半導体基板の裏面側に劈開補助溝を形成する工程を有し、
前記劈開補助溝の中心軸に、前記劈開導入溝が位置するように、前記劈開導入溝及び前記劈開補助溝を形成することを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１３】
劈開性を備える基板上に、該基板の劈開面と等しい劈開面を備えるとともにIII族元素と窒素を含む化合物で構成される窒化物半導体層を堆積して構成されるとともに、前記窒化物半導体層において複数のストライプ状光導波路が等間隔に構成された窒化物半導体ウェハから窒化物半導体素子を得るための窒化物半導体素子の製造方法において、
前記窒化物半導体ウェハを８０〜１６０μｍの厚さに調整する工程と、
前記窒化物半導体ウェハに対して、前記窒化物半導体基板の裏面側に断続的な破線状に複数の劈開導入溝を形成する工程と、
前記劈開導入溝に沿って前記窒化物半導体ウェハを分割する工程と、
を含み、
前記劈開導入溝を形成する際、前記劈開導入溝が前記ストライプ状光導波路直下以外の位置に形成されることを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１４】
前記窒化物半導体ウェハの表面側又は裏面側から前記劈開導入溝の最深部分までの深さｄが、１≦ｄ≦１０μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１０〜請求項１３のいずれかに記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１５】
前記基板と前記窒化物半導体層との界面から前記劈開導入溝の最深部分までの深さｄが、１≦ｄ≦１０μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１０〜請求項１２のいずれかに記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１６】
前記劈開導入溝が同一の破線上において、１ｍｍ以下の間隔毎に設けられることを特徴とする請求項１０〜請求項１５のいずれかに記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１７】
前記劈開導入溝が同一の破線状において、前記ストライプ状光導波路の間毎に設けられることを特徴とする請求項１０〜請求項１６のいずれかに記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１８】
劈開導入溝自身が連続的な直線状に形成されることを特徴とする請求項１０〜請求項１７のいずれかに記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項１９】
劈開導入溝自身が断続的な破線状に形成されることを特徴とする請求項１０〜請求項１７のいずれかに記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項２０】
前記劈開導入溝が、前記窒化物半導体素子を前記基板を下として２次元に投影したとき、前記ストライプ状光導波路に対して垂直な方向において、前記ストライプ状光導波路から少なくとも５０μｍ離れた位置に形成されることを特徴とする請求項１０〜請求項１９のいずれかに記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項２１】
前記劈開導入溝が、前記窒化物半導体素子を前記基板を下として２次元に投影したとき、前記ストライプ状光導波路に対して垂直な方向において、前記ストライプ状光導波路から少なくとも１００μｍ離れた位置に形成されることを特徴とする請求項２０に記載の窒化物半導体素子の製造方法。
【請求項２２】
前記基板が、III族元素と窒素を含む化合物で構成される窒化物半導体基板であることを特徴とする請求項１０〜請求項２１のいずれかに記載の窒化物半導体素子の製造方法。