【手続補正書】
【提出日】平成17年8月29日(2005.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気光学装置、電気光学装置用の駆動基板、及びこの駆動基板の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画素電極が配された表示部と、この表示部の周辺に配された周辺駆動回路部とを第１の基板上に有し、この第１の基板と第２の基板との間に所定の光学材料を介在させてなる電気光学装置において、
前記第１の基板の一方の面上に、単結晶シリコンの如き単結晶半導体と格子整合の良  い物質層が形成され、
この物質層を含む前記第１の基板上に単結晶シリコン層の如き単結晶半導体層が形成  され、
この単結晶半導体層が能動素子及び受動素子のうちの少なくとも能動素子を構成して  いる
ことを特徴とする、電気光学装置。
【請求項２】  前記単結晶シリコン層をチャンネル領域、ソース領域及びドレイン領域とし、前記チャンネル領域の上部にゲート部を有するトップゲート型の第１の薄膜トランジスタが前記周辺駆動回路部の少なくとも一部を構成している、請求項１に記載した電気光学装置。
【請求項３】  前記第１の基板と前記単結晶シリコン層との間に拡散バリア層が設けられている、請求項１に記載した電気光学装置。
【請求項４】  前記単結晶シリコン層下の前記ゲート部がその側端部にて台形状となっている、請求項１に記載した電気光学装置。
【請求項５】  前記周辺駆動回路部において、前記第１の薄膜トランジスタ以外に、多結晶又はアモルファスシリコン層をチャンネル領域とし、このチャンネル領域の上部及び／又は下部にゲート部を有するトップゲート型、ボトムゲート型又はデュアルゲート型の薄膜トランジスタ、或いは、前記単結晶シリコン層又は多結晶シリコン層又はアモルファスシリコン層を用いたダイオード、抵抗、キャパシタンス、インダクタンス素子などが設けられている、請求項１に記載した電気光学装置。
【請求項６】  前記第１の薄膜トランジスタが、チャンネル領域の上部及び／又は下部にゲート部を有するトップゲート型、ボトムゲート型又はデュアルゲート型の中から選ばれた少なくともトップゲート型からなり、かつ、前記表示部において前記画素電極をスイッチングするためのスイッチング素子が前記第１の基板上に設けられ、前記スイッチング素子が、前記トップゲート型、前記ボトムゲート型又は前記デュアルゲート型の第２の薄膜トランジスタである、請求項２に記載した電気光学装置。
【請求項７】  前記周辺駆動回路部及び／又は前記表示部のｎ又はｐチャンネル型の薄膜トランジスタがデュアルゲート型であるときには、上部又は下部ゲート電極が電気的にオープンとされるか或いは任意の負電圧（ｎチャンネル型の場合）又は正電圧（ｐチャンネル型の場合）が印加され、ボトムゲート型又はトップゲート型の薄膜トランジスタとして動作される、請求項６に記載した電気光学装置。
【請求項８】  前記第１の基板上に段差が形成され、この段差を含む前記第１の基板上に前記物質層が形成され、この物質層上に前記単結晶シリコン層が形成されている、請求項１に記載した電気光学装置。
【請求項９】  前記段差が、前記能動素子である薄膜トランジスタのチャンネル領域、ソース領域及びドレイン領域で形成される素子領域の少なくとも一辺に沿って形成されている、請求項８に記載した電気光学装置。
【請求項１０】  前記第１の基板の前記一方の面上に段差が形成され、この段差を含む前記第１の基板上に単結晶、多結晶又はアモルファスシリコン層が形成され、前記第２の薄膜トランジスタが、前記単結晶、多結晶又はアモルファスシリコン層をチャンネル領域、ソース領域及びドレイン領域とし、前記チャンネル領域の上部及び／又は下部にゲート部を有する、請求項６に記載した電気光学装置。
【請求項１１】  断面において底面に対し側面が直角状若しくは下端側へ傾斜状となるような凹部として前記段差が形成され、この段差が前記単結晶シリコン層のエピタキシャル成長時のシードとなっている、請求項１０に記載した電気光学装置。
【請求項１２】  画素電極が配された表示部と、この表示部の周辺に配された周辺駆動回路部とを基板上に有する、電気光学装置用の駆動基板において、
前記第１の基板の一方の面上に、単結晶シリコンの如き単結晶半導体と格子整合の良  い物質層が形成され、
この物質層を含む前記第１の基板上に単結晶シリコン層の如き単結晶半導体層が形成  され、
この単結晶半導体層が能動素子及び受動素子のうちの少なくとも能動素子を構成して  いる
ことを特徴とする、電気光学装置用の駆動基板。
【請求項１３】  画素電極が配された表示部と、この表示部の周辺に配された周辺駆動回路部とを基板上に有する、電気光学装置用の駆動基板の製造方法において、
前記基板の一方の面上に、単結晶シリコンの如き単結晶半導体と格子整合の良い物質  層を形成する工程と、
この物質層を含む前記基板上に触媒ＣＶＤ法又は高密度プラズマＣＶＤ法等により前  記物質層をシードとして単結晶シリコン層の如き単結晶半導体層をヘテロエピタキシャ  ル成長させる工程と、
この単結晶半導体層に所定の処理を施して能動素子及び受動素子のうちの少なくとも  能動素子を形成する工程と
を有することを特徴とする、電気光学装置用の駆動基板の製造方法。
【請求項１４】  前記単結晶シリコン層の成長後に、
この単結晶シリコン層に所定の処理を施してチャンネル領域、ソース領域及びドレイ  ン領域を形成する工程と、
前記チャンネル領域の上部にゲート部を有し、前記周辺駆動回路部の少なくとも一部  を構成するトップゲート型の第１の薄膜トランジスタを形成する工程と
を有する、請求項１３に記載した電気光学装置用の駆動基板の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置用の駆動基板、及びこの駆動基板の製造方法に関し、特に絶縁基板上にヘテロエピタキシャル成長させた単結晶シリコン層を能動領域に用いるトップゲート型の薄膜絶縁ゲート型電界効果トランジスタ（以降、トップゲート型ＭＯＳＴＦＴと呼ぶ。尚、トップゲート型にはスタガー型とコプラナー型が含まれる。）と受動領域を有する液晶表示装置などに好適な構造及び方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、前記電気光学装置用の駆動基板の製造方法において、
前記第１の基板の一方の面上に、単結晶シリコンの如き単結晶半導体と格子整合の良  い物質層を形成する工程と、
この物質層を含む前記第１の基板上に触媒ＣＶＤ法又は高密度プラズマＣＶＤ法等に  より前記物質層をシードとして単結晶シリコン層の如き単結晶シリコン層をヘテロエピ  タキシャル成長させる工程と、
この単結晶半導体層に所定の処理を施して能動素子及び受動素子のうちの少なくとも  能動素子を形成する工程（例えば前記単結晶シリコン層の析出後に、この単結晶シリコ  ン層に所定の処理を施してチャンネル領域、ソース領域及びドレイン領域を形成する工  程と、前記チャンネル領域の上部にゲート絶縁膜及びゲート電極からなるゲート部、更  にはソース及びドレイン電極を形成して、前記周辺駆動回路部の少なくとも一部を構成  するトップゲート型の第１の薄膜トランジスタ（特にＭＯＳＴＦＴ：以下、同様）を能  動素子として形成する工程とを行う工程、又は、抵抗、キャパシタンス、インダクタン  ス等の受動素子を形成する工程）と
を有することを特徴とする、電気光学装置用の駆動基板の製造方法も提供するものである。