【手続補正書】
【提出日】平成16年6月22日(2004.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に、画素電極の形成されたアクティブマトリクス回路と、前記アクティブマトリクス回路を駆動するためのデータドライバ回路とを有し、
前記データドライバ回路を構成するシフトレジスタ回路をp系列、前記基板の外部より前記データドライバ回路に入力するビデオ端子の数をq、前記データドライバ回路により駆動される前記画素電極の数をRとするとき、R/pqが5万以上300万以下であり、
前記データドライバ回路を構成する薄膜トランジスタの活性層は、結晶化を促進する金属元素を1×1014〜5×1018原子個/cm3の濃度で含む結晶性珪素膜からなることを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に、画素電極の形成されたアクティブマトリクス回路と、前記アクティブマトリクス回路を駆動するためのデータドライバ回路とを有し、
前記データドライバ回路を構成するシフトレジスタ回路をp系列、前記基板の外部より前記データドライバ回路に入力するビデオ端子の数をq、前記データドライバ回路により駆動される前記画素電極の数をRとするとき、R/pqが5万以上300万以下であり、
前記データドライバ回路を構成する薄膜トランジスタの活性層は、結晶化を促進する金属元素を1×1014〜5×1018原子個/cm3の濃度で含み、且つハロゲン元素を含む結晶性珪素膜からなることを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に、画素電極の形成されたアクティブマトリクス回路と、前記アクティブマトリクス回路を駆動するためのデータドライバ回路とを有し、
前記データドライバ回路を構成するシフトレジスタ回路をp系列、前記基板の外部より前記データドライバ回路に入力するビデオ端子の数をq、前記データドライバ回路により駆動される前記画素電極の数をRとするとき、R/pqが5万以上300万以下であり、
前記データドライバ回路を構成する薄膜トランジスタの活性層は、結晶化を促進する金属元素を1×1014〜5×1018原子個/cm3の濃度で含む結晶性珪素膜からなり、
前記結晶性珪素膜は、前記結晶性珪素膜の表面または裏面に向かってハロゲン元素の含有濃度が高くなる濃度分布を有することを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に、画素電極の形成されたアクティブマトリクス回路と、前記アクティブマトリクス回路を駆動するためのデータドライバ回路とを有し、
前記データドライバ回路を構成するシフトレジスタ回路をp系列、前記基板の外部より前記データドライバ回路に入力するビデオ端子の数をq、前記データドライバ回路により駆動される前記画素電極の数をRとするとき、R/pqが5万以上300万以下であり、
前記データドライバ回路を構成する薄膜トランジスタの活性層は、結晶化を促進する金属元素を1×1014〜5×1018原子個/cm3の濃度で含む結晶性珪素膜からなり、
前記結晶性珪素膜は、前記結晶性珪素膜の表面または裏面に向かって前記結晶化を促進する金属元素の含有濃度が高くなる濃度分布を有することを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。
【請求項５】
請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、前記結晶化を促進する金属元素は、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、又はAuであることを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。
【請求項６】
請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、前記活性層表面には熱酸化膜が形成されており、該熱酸化膜の膜厚は前記活性層の膜厚より厚いことを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。
【請求項７】
請求項6において、前記熱酸化膜上には気相法により成膜された絶縁膜が形成され、前記絶縁膜上には前記薄膜トランジスタのゲイト電極が形成されていることを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。
【請求項８】
請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、前記活性層は前記結晶化を促進する金属元素を1×1016〜5×1017原子個/cm3の濃度で含む結晶性珪素膜からなることを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。
【請求項９】
請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、前記活性層の膜厚は10nm〜75nmであることを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。
【請求項１０】
請求項1乃至請求項9のいずれか一項において、p＝q＝1であることを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。
【請求項１１】
絶縁表面を有する基板上に、画素電極の形成されたアクティブマトリクス回路と、前記アクティブマトリクス回路を駆動するためのデータドライバ回路とを有し、
前記アクティブマトリクス回路およびデータドライバ回路は薄膜トランジスタで構成され、前記データドライバ回路を構成するシフトレジスタ回路をp系列、前記基板の外部より前記データドライバ回路に入力するビデオ端子の数をq、前記データドライバ回路により駆動される前記画素電極の数をRとするとき、R/pqが5万以上300万以下であるアクティブマトリクス表示装置の作製方法であって、
前記絶縁表面に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に結晶化を促進する金属元素を添加して、第一の加熱処理により結晶化して結晶性珪素膜を形成し、
第二の加熱処理により、前記結晶性珪素膜中の前記結晶化を促進する金属元素をゲッタリングし、
前記結晶性珪素膜を島状にパターニングして、前記データドライバ回路を構成する薄膜トランジスタの活性層を形成することを特徴とするアクティブマトリクス表示装置の作製方法。
【請求項１２】
絶縁表面を有する基板上に、画素電極の形成されたアクティブマトリクス回路と、前記アクティブマトリクス回路を駆動するためのデータドライバ回路とを有し、
前記アクティブマトリクス回路およびデータドライバ回路は薄膜トランジスタで構成され、前記データドライバ回路を構成するシフトレジスタ回路をp系列、前記基板の外部より前記データドライバ回路に入力するビデオ端子の数をq、前記データドライバ回路により駆動される前記画素電極の数をRとするとき、R/pqが5万以上300万以下であるアクティブマトリクス表示装置の作製方法であって、
前記絶縁表面に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に結晶化を促進する金属元素を添加して、第一の加熱処理により結晶化して結晶性珪素膜を形成し、
第二の加熱処理により、前記結晶性珪素膜中の前記結晶化を促進する金属元素をゲッタリングし、
前記結晶性珪素膜を島状にパターニングして、前記データドライバ回路を構成する薄膜トランジスタの活性層を形成し、
前記活性層の表面を酸化して、熱酸化膜を形成することを特徴とするアクティブマトリクス表示装置の作製方法。
【請求項１３】
絶縁表面を有する基板上に、画素電極の形成されたアクティブマトリクス回路と、前記アクティブマトリクス回路を駆動するためのデータドライバ回路とを有し、
前記アクティブマトリクス回路およびデータドライバ回路は薄膜トランジスタで構成され、前記データドライバ回路を構成するシフトレジスタ回路をp系列、前記基板の外部より前記データドライバ回路に入力するビデオ端子の数をq、前記データドライバ回路により駆動される前記画素電極の数をRとするとき、R/pqが5万以上300万以下であるアクティブマトリクス表示装置の作製方法であって、
前記絶縁表面に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜に結晶化を促進する金属元素を添加して、第一の加熱処理により結晶化して結晶性珪素膜を形成し、
第二の加熱処理により、前記結晶性珪素膜中の前記結晶化を促進する金属元素をゲッタリングし、
前記結晶性珪素膜を島状にパターニングして、前記データドライバ回路を構成する薄膜トランジスタの活性層を形成し、
前記活性層に接して、気相法により絶縁膜を形成し、
前記活性層の表面を酸化して、熱酸化膜を形成することを特徴とするアクティブマトリクス表示装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項12又は請求項13において、前記熱酸化膜の膜厚は前記活性層の膜厚より厚いことを特徴とするアクティブマトリクス表示装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項11乃至請求項14のいずれか一項において、ハロゲン元素を含む雰囲気中での前記第二の加熱処理により、前記結晶化を促進する金属元素をゲッタリングすることを特徴とするアクティブマトリクス表示装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項11乃至請求項14のいずれか一項において、リン又はリンに加えてボロンを前記結晶性珪素膜に選択的に添加して、不純物領域を形成した後、前記第二の加熱処理により、前記不純物領域中に前記結晶化を促進する金属元素をゲッタリングさせることを特徴とするアクティブマトリクス表示装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項11乃至請求項16のいずれか一項において、前記結晶化を促進する金属元素は、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Cu、又はAuであることを特徴とするアクティブマトリクス表示装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項11乃至請求項17のいずれか一項において、前記活性層は前記結晶化を促進する金属元素を1×1014〜5×1018原子個/cm3の濃度で含む結晶性珪素膜からなることを特徴とするアクティブマトリクス表示装置の作製方法。
【請求項１９】
請求項11乃至請求項18のいずれか一項において、前記活性層は前記結晶化を促進する金属元素を1×1016〜5×1017原子個/cm3の濃度で含む結晶性珪素膜からなることを特徴とするアクティブマトリクス表示装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項11乃至請求項19のいずれか一項において、前記活性層の膜厚は10nm〜75nmであることを特徴とするアクティブマトリクス表示装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項11乃至請求項20のいずれか一項において、p＝q＝1であることを特徴とするアクティブマトリクス表示装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
高温ポリシリコンＴＦＴは、結晶性珪素膜の作製手段として、８００℃や９００℃以上というような比較的高温の加熱処理を利用する技術である。この技術は、単結晶シリコンウエハーを利用したＩＣの作製プロセスの派生技術といえる。当然、高温ポリシリコンＴＦＴが作製される基板としては、上記加熱温度に耐える石英基板が利用される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
【実施例】
本実施例は絶縁表面を有する基板上に画素電極の形成されたアクティブマトリクス回路と、前記アクティブマトリクス回路を駆動するためのデータドライバ回路とを有するモノリシック型アクティブマトリクス回路に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０４】
ここで再度の陽極酸化を行う。実施例１と同様に、多孔質陽極酸化膜５０８と緻密な陽極酸化膜５０９を得る。緻密な陽極酸化膜５０９の膜厚は１０００Åとする。そして、陽極酸化膜をマスクとして、露呈した酸化珪素膜５０４と熱酸化膜４１１をエッチングし、新たにゲイト絶縁膜５１０を得る。（図５（Ｃ））