Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年4月30日(2021.4.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニトリル化合物が、式（Ａ）:
【化１】
2019527228.tif 000001
（式中：
Ｒ１およびＲ２が、同一または異なり、それぞれ独立して、Ｃ１−Ｃ６アルキル基またはＣ２−Ｃ７アシル基であり、またはＲ１およびＲ２は、一緒になってＣ１−Ｃ６アルキレン基を形成する；
Ｒ３およびＲ４が、同一または異なり、それぞれ独立して、水素、ハロゲンまたはＣ１−Ｃ６アルキル基；
Ｒ５およびＲ６が、同一または異なり、それぞれ独立して、水素、ハロゲンまたはＣ１−Ｃ６アルキル基；
Ｘが、ＣＨＲ７、ＯまたはＮＲ７；
Ｒ７が、水素またはＣ１−Ｃ６アルキル基；および
Ａｒが、０〜４個の置換基で置換されたＣ６−Ｃ１０アリール基であり、各置換基は独立してハロゲンまたはＣ１−Ｃ６アルキル基である。）の化合物である、ニトリル化合物またはその塩。
【請求項２】
ニトリル化合物が、式（Ｄ）：
【化２】
2019527228.tif 000002
の化合物である、請求項１に記載のニトリル化合物またはその塩。
【請求項３】
式（Ｉ）の化合物を式（ＩＩ）の化合物と反応させることを含む、請求項１または２に定義の式（Ａ）のニトリル化合物の製造方法:
【化３】
2019527228.tif 000003
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、ＸおよびＡｒが、請求項１に定義される通りであり、Ｙが脱離基である）。
【請求項４】
Ｒ１およびＲ２がメチル、
Ｒ３およびＲ４が水素、
Ｒ５およびＲ６が水素、
ＸがＣＨ２、ならびに
Ａｒが２，４，６−トリメチルフェニルである、
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
Ｙが、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、−ＯＣ（Ｏ）ＲＹ、−ＯＳ（Ｏ）２ＲＹおよび−Ｓ（Ｏ）２ＲＹ（式中、ＲＹが水素、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基またはＣ６−Ｃ１０アリール基であり、アルキル、アルコキシまたはアリール基はニトロおよびハロゲン化物から選択される１〜６個の基で任意に置換される）である脱離基であり、好ましくはＹがＢｒ、Ｉ、ＯＭｓ、ＯＴｓ、ＯＮｓ、ＯＡｃまたはＯＴｆである脱離基であり、より好ましくはＹがＢｒである脱離基である、請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
式（ＩＩ）の化合物の量が、式（Ｉ）の化合物の０．５〜１０．０当量であり、好ましくは、式（ＩＩ）の化合物の量が、式（Ｉ）の化合物の１．０〜２．５当量である、請求項３〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
塩基の存在下で式（Ｉ）の化合物および式（ＩＩ）の化合物を反応させることを含む、請求項３〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
塩基が、炭酸塩、炭酸水素塩、アルコキシド、カルボン酸塩またはアミンを含み、好ましくは塩基が炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、酢酸リチウム、酢酸ナトリウムまたは酢酸カリウムであり、より好ましくは塩基が炭酸リチウムまたは酢酸ナトリウムである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
塩基の量が、式（Ｉ）の化合物の１．０〜１０．０当量であり、好ましくは、塩基の量が、式（Ｉ）の化合物の１．５〜３．０当量である、請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
溶媒の存在下で式（Ｉ）の化合物および式（ＩＩ）の化合物を反応させることを含み、好ましくは溶媒が極性非プロトン性溶媒を含み、より好ましくは溶媒がアセトニトリル、テトラヒドロフランまたはジオキサンを含む、請求項３〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
式（Ｉ）の化合物および式（ＩＩ）の化合物を少なくとも５時間反応させることを含む、請求項３〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
５０〜１００℃の温度で式（Ｉ）の化合物および式（ＩＩ）の化合物を反応させることを含み、好ましくは還流下で溶媒の存在下で式（Ｉ）の化合物および式（ＩＩ）の化合物を反応させることを含む、請求項３〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
式（Ｂ）:
【化４】
2019527228.tif 000004
の化合物の製造方法であって、前記方法は、請求項１または２に定義される式（Ａ）の化合物（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、ＸおよびＡｒが請求項１〜４のいずれか一項に定義される）を還元することを含む方法。
【請求項１４】
式（Ａ）の化合物の還元が、ニッケル、ラネーニッケル、パラジウム、パラジウムブラック、水酸化パラジウム、白金および二酸化白金、好ましくはラネーニッケルの存在下で式（Ａ）の化合物を水素化することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
請求項３〜１２のいずれか一項に記載の方法により式（Ａ）の化合物を製造することをさらに含む、請求項１３または１４に記載の方法。
【請求項１６】
式（Ｃ）:
【化５】
2019527228.tif 000005
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ５、Ｒ６、ＸおよびＡｒは、請求項１〜４のいずれか一項で定義され、ＱはＯ、ＮＲ８、ＣＲ８およびＲ８は水素またはＣ１−Ｃ６アルキル基）の化合物の製造方法であって、
(ｉ)請求項３〜１２のいずれか一項に定義の式（Ａ）の化合物の製造方法、および/また
は
(ｉｉ)請求項１３〜１５のいずれか一項に定義の式（Ａ）の化合物を還元することによって式（Ｂ）の化合物を調製する方法、
を含む製造方法。
【請求項１７】
(ａ)請求項１３〜１５のいずれか一項に定義の式（Ａ）の化合物を還元することによって式（Ｂ）の化合物を調製すること、および
(ｂ)さらに式（Ｂ）の化合物を反応させて式（Ｃ）の化合物を得ること、
を含む請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
工程（ｂ）が尿素化反応であり、好ましくは式（Ｂ）の化合物を化合物Ｏ＝Ｃ＝Ｎ−Ｚ＋（式中、Ｚ＋は金属カチオンであり、より好ましくはＺ＋はナトリウムまたはカリウムである）と反応させることにより尿素化反応が行われる、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
Ｒ１およびＲ２がメチル、
Ｒ３およびＲ４が水素、
Ｒ５およびＲ６が水素、
ＸがＣＨ２、
Ａｒが２，４，６−トリメチルフェニル、および
ＱがＯである、
請求項１６〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
脱離基、例えば式（ＩＩ）中の部分Ｙは、当業者に周知である。典型的には、脱離基は、２５℃の水中で１０．０未満または５．０未満のｐＫａを有する酸の共役塩基に対応する。脱離基の例としては、ハロゲン化物、ペルフルオロアルキルスルホネート、アリールスルホネート、アルキルスルホネート、カルボキシレート、アルキルチオレート、ニトレート、ホスフェートおよびホスフェートエステルが挙げられる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
Ｙは、例えば、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、−ＯＣ（Ｏ）ＲＹ、−ＯＳ（Ｏ）２ＲＹおよび−Ｓ（Ｏ）２ＲＹから選択され得、ここで、ＲＹは、水素、Ｃ１−Ｃ６アルキル基、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ基またはＣ６−Ｃ１０アリール基であり、これらのアルキル、アルコキシまたはアリール基は、ニトロおよびハロゲン化物から選択される１〜６個の基で任意に置換される。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年4月20日(2021.4.20)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１から５重量％のマグネシウムと、
１から３重量％のジルコニウムと、
任意に、合計の含有量が０．３から１．５重量％の、チタニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオビウム、及びタンタルのうちの少なくとも１つと、
残りのアルミニウムとからなるアルミニウム合金であり、
前記合金は、０．０５μｍから１．５μｍの範囲の平均直径を有するＡｌ３Ｚｒ粒子の分散を含み、
前記合金は、亜鉛、銅、マンガン、クロム、シリコン、及び鉄のうちの少なくとも１つを含む、不可避の不純物を更に含み、
前記合金は、スカンジウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテチウムのうちのいずれも意図的に加えられることはない、
アルミニウム合金。
【請求項２】
前記合金は、３ｎｍから５０ｎｍの範囲の平均直径を有する、アルミニウム母材内にＬｌ２結晶構造を有するＡｌ３Ｚｒナノ粒子の分散を含む、請求項１に記載のアルミニウム合金。
【請求項３】
合計の含有量が０．３から１．５重量％で、チタニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオビウム、及びタンタルのうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載のアルミニウム合金。
【請求項４】
前記合金は、４重量％のＭｇと１．７重量％のＺｒ、又は３．６重量％のＭｇと１．２重量％のＺｒを含む、請求項１に記載のアルミニウム合金。
【請求項５】
前記合金は、意図せずに添加された、スカンジウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテチウムのうちのいずれかを０．０５重量％以下で含む、請求項１に記載のアルミニウム合金。
【請求項６】
前記合金は、４５０℃までの作業温度範囲での押し出しに適合する、請求項１に記載のアルミニウム合金。
【請求項７】
前記合金は、積層造形法の使用に適合した粉末である、請求項１に記載のアルミニウム合金。
【請求項８】
前記合金は、２００ｎｍから２μｍの間の平均粒子直径を備える微粒子構造を有する、請求項２に記載のアルミニウム合金。
【請求項９】
請求項１に記載のアルミニウム合金から形成される、押し出しコンポーネント。
【請求項１０】
前記押し出しコンポーネントは、航空宇宙、自動車、及び船舶適用例からなるグループから選択される適用例において使用するために適合される、請求項９に記載の押し出しコンポーネント。
【請求項１１】
請求項１に記載のアルミニウム合金から製作される、リボン。
【請求項１２】
前記リボンは、チップに切断された後、熱間等静圧圧縮成形、一軸高温圧縮、又は、任意の他の圧力支援法によって圧縮され、最終的に押し出されてコンポーネントとなるように適合される、請求項１１に記載のリボン。
【請求項１３】
請求項１に記載のアルミニウム合金から製作される、粉末。
【請求項１４】
前記粉末は、熱間等静圧圧縮成形、一軸高温圧縮、又は、任意の他の圧力支援法によって圧縮され、最終的に押し出されてコンポーネントとなるように適合される、請求項１３に記載の粉末。
【請求項１５】
前記粉末は、マグネシウム又はアルミニウムコンポーネントのための保護コーティングを形成するために、コールドスプレー法によって用いられるように適合される、請求項１３に記載の粉末。
【請求項１６】
請求項１に記載のアルミニウム合金から製造される、チップ、ワイヤ、シート、プレート、又はホイル。
【請求項１７】
コンポーネントを製造するための方法であって、
（ａ）急速凝固プロセスによってアルミニウム合金の粉末を製作することであって、前記合金は、
１から１０重量％のマグネシウムと、
０．４５から３重量％のジルコニウムと、
任意に、合計の含有量が０．３から１．５重量％の、チタニウム、ハフニウム、バナジウム、ニオビウム、及びタンタルのうちの少なくとも１つと、
残りのアルミニウムとからなり、
前記急速凝固プロセスは、０．０５μｍから１．５μｍの範囲の平均直径を有するＡｌ３Ｚｒ粒子の分散を提供し、前記合金は、亜鉛、銅、マンガン、クロム、シリコン、及び鉄のうちの少なくとも１つを含む、不可避の不純物を更に含み、前記合金は、スカンジウム、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、及びルテチウムのうちのいずれも意図的に加えられることはないことと、
（ｂ）前記コンポーネントを製造するために、積層造形プロセスを実行する際に（ｂ）の前記粉末を利用することと、
を含む、方法。
【請求項１８】
前記急速凝固プロセスは、ガス噴霧法、噴霧堆積法、溶融紡糸、溶融抽出、及びビーム艶出しからなるグループから選択される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記積層造形プロセスは、粉末床法、粉末供給有向エネルギー堆積、選択的レーザ溶融、選択的レーザ焼結、直接金属レーザ焼結、及びレーザ工学ネット形状化からなるグループから選択される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
３５０℃から４５０℃の温度で、０．５時間から２４時間の持続期間の間、前記コンポーネントを熱処理することを更に含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
コンポーネントを製造するための方法であって、
請求項１に記載のアルミニウム合金からリボンを製作することと、
前記リボンをチップに切断することと、
熱間等静圧圧縮成形、一軸高温圧縮、又は任意の他の圧力支援法によって、前記チップを圧縮することと、
前記コンポーネントを製造するために前記圧縮されたチップを押し出すことと、
を含む、方法。
【請求項２２】
コンポーネントを製造する方法であって、
請求項１に記載のアルミニウム合金から粉末を製作することと、
熱間等静圧圧縮成形、一軸高温圧縮、又は任意の他の圧力支援法によって、前記粉末を圧縮することと、
前記コンポーネントを製造するために前記圧縮された粉末を押し出すことと、
を含む、方法。
【請求項２３】
請求項１に記載のアルミニウム合金から粉末を製作することと、
熱間等静圧圧縮成形、一軸高温圧縮、又は任意の他の圧力支援法によって、前記粉末をニアネットシェイプに圧縮することと、
前記圧縮された粉末をその最終形状に機械加工することと、
を含む、コンポーネントを製造する方法。
【請求項２４】
マグネシウム又はアルミニウムコンポーネントのための保護コーティングを形成する方法であって、
請求項１に記載のアルミニウム合金から粉末を製作することと、
ぜ粉末を用いるコールドスプレー法によって、前記マグネシウム又はアルミニウムコンポーネントをコーティングすることと、
を含む、方法。
【請求項２５】
（ａ）の前記粉末を熱処理して、３ｎｍから５０ｎｍの範囲の平均直径を有する、アルミニウム母材内にＬｌ２結晶構造を有するＡｌ３Ｚｒナノ粒子の分散を提供することをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年7月6日(2021.7.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−  第１のプレス軸（Ａ）に沿って、互いに向かってかつ互いから離れて移動可能に配置されている第１のポンチ（８）および第２のポンチ（９）と、
−  前記第１のプレス軸（Ａ）に非平行である少なくとも第２の軸（Ｂ）に沿って、端部位置に向かってかつこれから離れて移動可能に配置されている第１のダイ部材（１００）および第２のダイ部材（２００）とを備える、切削インサート素地体（２）を製造するためのプレス工具（１）であって、
−  前記第１のダイ部材（１００）は第１のダイキャビティ面（１０３）を含み、前記第２のダイ部材（２００）は第２のダイキャビティ面（２０３）を含み、前記ダイ部材（１００、２００）は、前記端部位置に、前記第１のポンチ（８）および前記第２のポンチ（９）を受容する第１の開口部（４）および第２の開口部（５）を有するダイキャビティ（３）を形成するように構成されており、さらに、
−  前記第１のダイ部材（１００）および前記第２のダイ部材（２００）が前記端部位置にある場合、前記ダイキャビティ（３）を貫通して、前記第１のダイキャビティ面（１０３）と前記第２のダイキャビティ面（２０３）との間に延在しているコア（６）と、
−  前記コア（６）の少なくとも部分を形成する第１のコア部分（４０）と
を備え、
前記第１のコア部分（４０）は、前記第１のダイ部材（１００）または前記第２のダイ部材（２００）内に配置されており、前記第１のコア部分（４０）は、前記第１のダイ部材（１００）または前記第２のダイ部材（２００）と一緒に前記端部位置へ移動させられるように、前記第１のダイ部材（１００）または前記第２のダイ部材（２００）に結合されており、前記第１のコア部分（４０）は、前記第１のダイ部材（１００）または前記第２のダイ部材（２００）に解除可能に取り付けられている、プレス工具（１）。
【請求項２】
前記第１のコア部分（４０）は前記第１のダイ部材（１００）内に配置されている、請求項１に記載のプレス工具（１）。
【請求項３】
前記第１のダイ部材（１００）は、前記第１のダイキャビティ面（１０３）から前記第１のダイ部材（１００）の後端部（１１０）に向かって延在している第１の穴部（１０５）を含み、前記第１のコア部分（４０）は、前記第１の穴部（１０５）内に配置されている第１のピン（４２）を含む、請求項２に記載のプレス工具（１）。
【請求項４】
前記第１のピン（４２）の少なくとも部分が、前記第１のダイ部材（１００）の前記穴部（１０５）に接着でまたは機械的に結合されている、請求項３に記載のプレス工具（１）。
【請求項５】
前記第１のダイ部材（１００）は第１の凹部（１０７）を含み、前記第１のコア部分（４０）は、前記第１のダイ部材（１００）の前記第１の凹部（１０７）内に嵌合するように構成されている第１のロック部材（４５）を含み、これにより、前記ロック部材（４５）と前記第１の凹部（１０７）とは、前記第１のコア部分（４０）の回転移動および／または並進移動が制限されるように、前記第１のロック部材（４５）が前記第１の凹部（１０７）内に保持されるように構成されている、請求項２から４のいずれか一項に記載のプレス工具（１）。
【請求項６】
前記コア（６）の少なくとも部分を形成する第２のコア部分（５０）を含み、前記第２のコア部分（５０）は前記第２のダイ部材（２００）内に配置されている、請求項１から５のいずれか一項に記載のプレス工具（１）。
【請求項７】
前記第２のダイ部材（２００）は、前記第２のダイキャビティ面（２０３）から前記第２のダイ部材（２００）の後端部（２１０）に向かって延在している第２の穴部（２０５）を含み、前記第２のコア部分（５０）は、前記第２の穴部（２０５）内に配置されている第２のピン（５２）を含む、請求項６に記載のプレス工具（１）。
【請求項８】
前記第２のピン（５２）の少なくとも部分が前記第２のダイ部材（２００）の前記第２の穴部（２０５）に接着でまたは機械的に結合されている、請求項７に記載のプレス工具（１）。
【請求項９】
前記第２のダイ部材（２００）は第２の凹部（２０７）を含み、前記第２のコア部分（５０）は、前記第２のダイ部材（２００）の前記凹部（２０７）内に嵌合するように構成されている第２のロック部材（５５）を含み、これにより、前記第２のロック部材（５５）と前記第２の凹部（２０７）とは、前記第２のコア部分（５０）の回転移動および／または並進移動が制限されるように、前記第２のロック部材（５５）が前記第２の凹部（２０７）内に保持されるように構成されている、請求項６から８のいずれか一項に記載のプレス工具（１）。
【請求項１０】
前記第１のコア部分（４０）が前記第１のダイ部材（１００）と一緒に前記端部位置へ移動させられ、かつ前記第２のコア部分（５０）が前記第２のダイ部材（２００）と一緒に前記端部位置へ移動させられ、前記ダイキャビティ（３）を貫通する前記コア（６）を形成するように、前記第１のコア部分（４０）は前記第１のダイ部材（１００）内に配置されており、かつこれに結合されており、前記第２のコア部分（５０）は、前記第２のダイ部材（２００）内に配置されており、かつこれに結合されている、請求項６から９のいずれか一項に記載のプレス工具（１）。
【請求項１１】
前記第１のコア部分（４０）は第１の前部（４１）を含み、前記第２のコア部分（５０）は第２の前部（５１）を含み、前記第１の前部（４１）と前記第２の前部（５１）とは互いに相互係合して、前記ダイキャビティ（３）を貫通する連続コア（６）形成するように適合している、請求項６から１０のいずれか一項に記載のプレス工具（１）。
【請求項１２】
前記第１のコア部分（４０）と前記第２のコア部分（５０）の一方の全圧縮剛性が前記第１のコア部分（４０）と前記第２のコア部分（５０）の他方の全圧縮剛性より高い、請求項６から１１のいずれか一項に記載のプレス工具（１）。
【請求項１３】
前記第１のコア部分（４０）は、前記ダイキャビティ面（１０３、２０３）上に載るように構成されている肩状部（４４、５４）を含む、請求項１から１２のいずれか一項に記載のプレス工具（１）。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年8月16日(2021.8.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
血液入口（２）、血液出口（３）、ガス入口（４）、およびガス出口（５）を有するハウジングチャンバ（１２）を画定するハウジング壁（１１）と、印加される電圧により熱を発生する加熱のための電気抵抗器（１４）を有し、前記血液入口（２）と前記血液出口（３）との間で酸素付加装置のハウジングチャンバ（１２）内に配置されて、前記ハウジングチャンバ（１２）を通って流れる血液の温度を制御する加熱要素と、電気接続部（１５、１６）と、温度制御デバイス（２５）とを有する酸素付加装置（１０）であって、前記加熱要素が、前記ハウジングチャンバ（１２）内の異なる位置に異なる加熱パワーを送達することを特徴とする酸素付加装置（１０）。
【請求項２】
特に中空繊維などのメンブレンを有することを特徴とする請求項１に記載の酸素付加装置。
【請求項３】
流体ラインを保持するための封入層を有し、前記加熱要素が前記封入層内に配置されていることを特徴とする請求項１から２のいずれか一項に記載の酸素付加装置。
【請求項４】
少なくとも１つの温度センサ（２４）を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の酸素付加装置。
【請求項５】
前記温度制御デバイス（２５）が、前記加熱要素の温度を様々な位置で個別に設定または制御することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の酸素付加装置。
【請求項６】
前記加熱要素が、前記酸素付加装置の様々な位置に位置決め可能な複数の加熱部分要素（２８、２９、３０）を有することを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の酸素付加装置。
【請求項７】
前記加熱要素が、互いに別々に作動可能な複数の加熱部分要素（２８、２９、３０）を有することを特徴とする請求項６に記載の酸素付加装置。
【請求項８】
前記加熱要素が、前記ガス入口（４）と前記ガス出口（５）との間で前記酸素付加装置内に配置されて、前記ハウジングチャンバ（１２）を通って流れるガスの温度を制御することを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の酸素付加装置。
【請求項９】
前記加熱要素に熱を伝導するための熱伝導構成を有することを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の酸素付加装置。
【請求項１０】
前記ハウジングチャンバ（１２）内の前記加熱要素からの熱を分散するための熱伝導構成を有することを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の酸素付加装置。
【請求項１１】
前記ハウジングチャンバ内を流れる血液を断熱するために断熱層を有することを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の酸素付加装置。
【請求項１２】
前記ハウジングチャンバ内を流れる血液からの熱放射を反射するために反射層を有することを特徴とする請求項１から１１のいずれか一項に記載の酸素付加装置。
【請求項１３】
前記断熱層及び前記反射層の少なくともいずれかが透明または一部透明であることを特徴とする請求項１１または１２に記載の酸素付加装置。
【請求項１４】
前記抵抗器（１４）が金属、好ましくは銅または銅ニッケル合金であることを特徴とする請求項１から１３のいずれか一項に記載の酸素付加装置。
【請求項１５】
前記抵抗器（１４）が、プラスチック、またはカーボンもしくはグラファイトを含むことを特徴とする請求項１から１４のいずれか一項に記載の酸素付加装置。
【請求項１６】
前記加熱要素が、電気抵抗器（１４）として電熱ワイヤを含むことを特徴とする請求項１から１５のいずれか一項に記載の酸素付加装置。
【請求項１７】
マンドレル形状の保持要素を備えた中央開口部を有することを特徴とする請求項１から１６のいずれか一項に記載の酸素付加装置。
【請求項１８】
前記マンドレル形状の保持要素が前記加熱要素を含むことを特徴とする請求項１７に記載の酸素付加装置。
【請求項１９】
請求項１から１８のいずれか一項に記載の酸素付加装置（１０）の加熱要素での放熱を制御するための方法であって、前記酸素付加装置（１０）を通る血液の流量、または前記流量に影響を及ぼすポンプのパワーが測定され、それに基づいて加熱パワーが調節される方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
この目的は、電気接続部を有し、加熱要素が電気抵抗器を有する、本発明による酸素付加装置によって実現される。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明は、血液入口もしくはガス入口または血液出口もしくはガス出口で血液またはガスの流れを加熱するのでは十分ではないという知見、および酸素付加装置における流体伝達パイプによる血液入口と血液出口との間での加熱には複雑な補助機器が必要であるという知見に基づく。本発明の酸素付加装置内の加熱要素が電気抵抗器を有するので、加熱要素の抵抗器を使用して、印加電圧によって酸素付加装置の電気接続部を介して加熱要素を加熱することができる。加熱に電気抵抗器が使用されるので、ＨＣデバイスをなくすことが可能であり、電圧源のみが必要とされる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
取り得る単純な実施形態は、抵抗器が金属、好ましくは銅または銅−ニッケル合金を含むことを企図する。抵抗器が、加熱時に電気抵抗が低下する金属を含むと特に有利である。このために、材料関連の規制基準を達成するためにＰＴＣサーミスタまたはＰＴＣ加熱要素が提案されている。これは、酸素付加装置内の血液の過熱を避けるのに役立つ。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
さらなる変形形態は、抵抗器がプラスチックまたはカーボンもしくはグラファイトを含むことを企図する。加熱要素が電熱ワイヤを含む場合、酸素付加装置における効果的な単純な熱分散が実現される。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
図２に概略的に示されている酸素付加装置では、基本設計が実質的に保たれており、水入口８、水出口９、および水が通過する中空繊維は省略されている。酸素付加装置１０は、ハウジング壁１１を有し、ハウジング壁１１は、ハウジングチャンバ１２を取り囲む。このハウジングチャンバ１２は、図１に示されるように、血液入口２および血液出口３、ならびにガス入口４およびガス出口５を有する。加熱要素１３として電熱ワイヤ１４が使用され、電熱ワイヤ１４は、ハウジング壁１１内に配置され、ハウジングチャンバ１２の周囲に等間隔に巻かれている。電熱ワイヤ１４は、電気接続部１５、１６に電圧が印加される場合に熱を発生する電気抵抗器を形成する。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月16日(2020.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリ材料のサーマルバジェット未満の温度で、前記メモリ材料の上に１つ又は複数の第１の前駆体を流すことによって、前記メモリ材料の上に第１の材料を熱的に堆積することと、
前記第１の材料に窒素を取り込むために、前記第１の材料を窒素プラズマに曝露することと、
前記メモリ材料の上に所定の厚さを有する誘電体封入層を形成するために、前記第１の材料を熱的に堆積すること、及び前記第１の材料を前記窒素プラズマに曝露することを繰り返すことと
を含む方法。
【請求項２】
前記温度が摂氏約３００度未満である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記１つ又は複数の第１の前駆体が、ケイ素含有前駆体及びホウ素含有前駆体のうちの１つ又は複数を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ケイ素含有前駆体が、シラン（ＳｉＨ４）及びジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）のうちの１つ又は複数を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記窒素プラズマが、窒素ガス（Ｎ２）及びアンモニア（ＮＨ３）のうちの１つ又は複数を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
Ｎ２の流量が約５リットル／分から約８リットル／分の間である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記誘電体封入層が、窒素がドープされたホウ化ケイ素（ＳｉＢＮ）を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記誘電体封入層の前記所定の厚さが、約２００オングストロームから約３００オングストロームの間である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
熱化学気相堆積プロセスによってメモリ材料の上に第１の材料を堆積することであって、
シラン及びジシランのうちの１つ又は複数を含むケイ素含有の第１の前駆体を流すこと、
摂氏約３００度未満の温度で、前記メモリ材料の上にジボランを含むホウ素含有の第１の前駆体を流すこと、並びに
前記第１の材料を堆積するために、前記ケイ素含有の第１の前駆体と前記ホウ素含有の第１の前駆体とを反応させること
を含む、第１の材料を堆積することと、
窒素ガス及びアンモニアからなる群から選択された１つ又は複数の窒素含有ガスを含む窒素プラズマに、前記第１の材料を曝露することと、
前記メモリ材料の上に共形の窒素がドープされたホウ化ケイ素誘電体封入層を形成するために、前記第１の材料を堆積すること及び前記第１の材料を前記窒素プラズマに曝露することを繰り返すことと
を含む方法。
【請求項１０】
前記温度が摂氏約２００度から約２５０度の間である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の材料を堆積すること及び前記第１の材料を前記窒素プラズマに曝露することが、約１０回から約１５回の間で繰り返される、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記ケイ素含有の第１の前駆体の流量が、約１００標準立方センチメートル／分（ｓｃｃｍ）から約７００ｓｃｃｍの間である、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の材料を窒素プラズマに曝露するためのプラズマ出力が、約１００ワットから約５００ワットの間である、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
基板と、
前記基板の一部の上に配置されたメモリ材料の１つ又は複数の高アスペクト比特徴と、
前記メモリ材料の１つ又は複数の高アスペクト比特徴及び前記基板の露出部分の上に配置された、窒素がドープされたホウ化ケイ素（ＳｉＢＮ）を含む誘電体封入層と
を含むメモリデバイス。
【請求項１５】
前記誘電体封入層の厚さが、約２００オングストロームから約３００オングストロームの間である、請求項１４に記載のメモリデバイス。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月18日(2020.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバ内で基板を処理するための方法であって、
（ａ）第１のＲＦ電力を使用して、第１のチャンバ圧力で第１の基板上に誘電体層を堆積することと、
（ｂ）第２のチャンバ圧力で、前記第１の基板の後にＮ個の基板上に誘電体層を順次堆積することであって、ここでＮは５〜１０の整数で、Ｎ個の基板の各基板に堆積することは、前記第１のＲＦ電力の電力密度よりも、約０．２１Ｗ／ｃｍ２から約０．３５Ｗ／ｃｍ２だけ低い電力密度を有する第２のＲＦ電力を使用することを含む、堆積することと、
（ｃ）基板がない状態でチャンバ洗浄処理を実施することと、
（ｄ）（ａ）から（ｃ）までを反復することと、
を含む方法。
【請求項２】
前記チャンバ洗浄処理は、約２００ミルから約８００ミルまでの第１の電極間隔で実行される第１の洗浄段階、及び、約９００ミルから約１２００ミルまでの第２の電極間隔で実行される第２の洗浄段階を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
処理チャンバ内で基板を処理するための方法であって、
（ａ）第１の高周波数ＲＦ電力と第１の低周波数ＲＦ電力を使用して、第１のチャンバ圧力で第１の基板を処理して、第１の基板上に誘電体層を堆積することと、
（ｂ）第２のチャンバ圧力で、第１の基板の後にＮ個の基板を順次処理して、Ｎ個の基板上に誘電体層を堆積することであって、ここでＮは５〜１０の整数で、Ｎ個の基板の各基板を処理することは、第２の高周波数ＲＦ電力と第２の低周波数ＲＦ電力を使用することを含み、第２の高周波数ＲＦ電力は、直前の基板上での前記誘電体層の堆積に使用された第１の高周波数ＲＦ電力の電力密度よりも、約０．２１Ｗ／ｃｍ２から約０．３５Ｗ／ｃｍ２だけ低い電力密度を有する、堆積することと、
（ｃ）基板がない状態でチャンバ洗浄処理を実施することと、
（ｄ）基板の束のすべての基板が処理されるまで、（ａ）から（ｃ）までを反復することと、
を含む方法。
【請求項４】
前記第２の低周波数ＲＦ電力は、前記第１の低周波数ＲＦ電力と同一である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第２のチャンバ圧力は前記第１のチャンバ圧力よりも低い、請求項１または３に記載の方法。
【請求項６】
前記チャンバ洗浄処理は、約２００ミルから約８００ミルまでの第１の電極間隔で約１０秒間継続して実行される第１の洗浄段階、及び、約９００ミルから約１２００ミルまでの第２の電極間隔で約２０秒間継続して実行される第２の洗浄段階を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
チャンバ洗浄処理の後に、前記処理チャンバの処理領域に配置されたチャンバ構成要素の表面上にシーズニング層を堆積することを更に含み、前記シーズニング層は約８，０００オングストロームから約２０，０００オングストロームの厚みを有する、請求項１または３に記載の方法。
【請求項８】
前記シーズニング層が二酸化ケイ素又はアモルファスシリコンである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記誘電体層は、シリコン、酸化ケイ素、窒化ケイ素、又は酸窒化ケイ素前駆体混合物から形成されたプラズマを使用して堆積される、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
基板支持体の温度は、（ａ）及び（ｂ）の間において約４００°Ｃから約６５０°Ｃまでの温度で維持される、請求項１または３に記載の方法。
【請求項１１】
前記処理チャンバが、（ｃ）の間において約４００°Ｃから約５５０°Ｃまでの温度で維持される、請求項１または３に記載の方法。
【請求項１２】
処理チャンバ内で基板を処理するための方法であって、前記方法は、
Ｎ番目の基板を処理することであって、ここでＮは１よりも大きい整数であり、
第１のチャンバ圧力で、第１の高周波数ＲＦ電力と第１の低周波数ＲＦ電力を使用して、Ｎ番目の基板上に誘電体層の第１の部分を堆積することと、
第２のチャンバ圧力で、第２の高周波数ＲＦ電力と第２の低周波数ＲＦ電力を使用して、Ｎ番目の基板上に前記誘電体層の第２の部分を堆積することであって、ここで第２の高周波数ＲＦ電力は、前記第１の高周波数ＲＦ電力の電力密度よりも、約０．２１Ｗ／ｃｍ２から約０．３５Ｗ／ｃｍ２だけ低い電力密度を有し、前記第２のチャンバ圧力は前記第１のチャンバ圧力よりも低い、堆積することと、
前記処理チャンバから前記Ｎ番目の基板を取り除くことと、
を含む、Ｎ番目の基板を処理することと、
（Ｎ＋１）番目の基板を処理することであって、
前記第２のチャンバ圧力で、前記第２の高周波数ＲＦ電力と前記第２の低周波数ＲＦ電力を使用し、前記（Ｎ＋１）番目の基板上に誘電体層を堆積することであって、ここで前記第２の高周波数ＲＦ電力は、前記Ｎ番目の基板上の前記誘電体層の前記第１の部分の堆積に使用される前記第１の高周波数ＲＦ電力の電力密度よりも、約０．２１Ｗ／ｃｍ２から約０．３５Ｗ／ｃｍ２だけ低い電力密度を有する、堆積することと、
前記（Ｎ＋１）番目の基板を前記処理チャンバから取り除くことと、
を含む、（Ｎ＋１）番目の基板を処理することと、
前記処理チャンバの温度を約５５０°Ｃの第１の温度に維持し、その後、洗浄ガスが前記処理チャンバに導入される前に、前記処理チャンバを約６０秒間冷却することによってチャンバ洗浄処理を実行することと、
を含む、基板を処理するための方法。
【請求項１３】
前記洗浄ガスは、フッ素及び／又はフッ素ラジカル（Ｆ＊）を含む、請求項１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記チャンバ洗浄処理の実行後に、前記処理チャンバの処理領域に配置されたチャンバ構成要素の表面上にシーズニング層を堆積することを更に含み、前記シーズニング層は約８，０００オングストロームから約２０，０００オングストロームまでの厚みを有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記シーズニング層が二酸化ケイ素又はアモルファスシリコンである、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月16日(2020.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ドア、窓、シャッタなどの閉鎖要素（Ｄ）を少なくとも１つの閉位置と少なくとも１つの開位置との間で回転可能に移動させるための油圧式のヒンジであって、前記閉鎖要素は、壁、床、フレームなどの静止支持構造体（Ｓ）にアンカー固定可能であり、前記ヒンジは、
−前記静止支持構造体にアンカー固定可能な固定要素（２０）と、
−前記閉鎖要素にアンカー固定可能な可動要素（１０）であって、前記固定要素（２０）および可動要素（１０）は、前記可動要素（１０）が前記固定要素（２０）に対して、第１の長手方向軸周り（Ｘ）を回転するように相互に結合される、可動要素とを備え、
前記固定要素（２０）および前記可動要素（１０）の一方は、第２の長手方向軸（Ｙ）を画定する少なくとも１つの作用チャンバ（１１）を含み、前記少なくとも１つの作用チャンバ（１１）は、少なくとも１つの油圧シール要素（３５）を含む仕切り手段（３５）によって、相互に分離された少なくとも１つの第１の半チャンバおよび少なくとも１つの第２の半チャンバ（１４、１５）になるように分割され、それにより、前記作用流体は、前記少なくとも１つの第１の半チャンバおよび少なくとも１つの第２の半チャンバ（１４、１５）の一方にのみ位置し、前記少なくとも１つの第１の半チャンバおよび少なくとも１つの第２の半チャンバ（１４、１５）の他方は、反作用弾性手段（４０）を含み、
前記少なくとも１つの第１の半チャンバおよび少なくとも１つの第２の半チャンバ（１４、１５）の前記一方は、
前記第２の軸（Ｙ）に沿って摺動可能であるプランジャ要素（３０）であって、前記可動要素（１０）の回転が前記プランジャ要素（３０）の摺動に対応するように、前記固定要素（２０）および可動要素（１０）の他方と動作可能に結合される、プランジャ要素と、
前記可動要素（１０）の移動を油圧式に減衰させるための作用流体とを含み、
前記プランジャ要素（３０）は、前記少なくとも１つの第１の半チャンバおよび前記少なくとも１つ第２の半チャンバ（１４、１５）の前記一方を、互いに流体連通して、好ましくは互いに隣接して置かれた少なくとも２つの可変容積コンパートメント（１８、１９）になるように仕切り、
前記少なくとも１つの作用チャンバ（１１）が、前記固定要素（２０）および可動要素（１０）の前記他方と動作可能に結合される第１の端部と、前記プランジャ要素（３０）と動作可能に連結される第２の端部とを有する少なくとも１つのシャフト（３４）をさらに備え、
前記少なくとも１つの第１の半チャンバおよび少なくとも１つの第２の半チャンバ（１４、１５）の前記他方が、前記第１の長手方向軸（Ｘ）の近位にあり、前記少なくとも１つの第１の半チャンバおよび少なくとも１つの第２の半チャンバ（１４、１５）の前記一方が、前記第１の長手方向軸（Ｘ）から遠位にあり、
前記少なくとも１つの油圧シール要素（３５）は、前記少なくとも１つの作用チャンバ（１１）に摺動可能に挿入され、前記反作用弾性手段（４０）は、前記油圧シール要素を前記作用流体に押し付けるように前記油圧シール要素上に作用し、
前記少なくとも１つのシャフト（３４）は、前記少なくとも１つの油圧シール要素（３５）を通過して前記第１の半チャンバ（１４）および前記第２の半チャンバ（１５）内に配置される、油圧式のヒンジ。
【請求項２】
前記少なくとも１つの作用チャンバ（１１）の内壁が、前記少なくとも１つの油圧シール要素（３５）のための軸方向当接要素を有さない、請求項１に記載のヒンジ。
【請求項３】
前記少なくとも１つの油圧シール要素（３５）が、前記少なくとも１つの作用チャンバ（１１）の内径と実質的に等しいかまたはそれよりわずかに大きい最大外径を有する実質的にディスク形状である、請求項１または２に記載のヒンジ。
【請求項４】
前記少なくとも１つの油圧シール要素（３５）が、前記少なくとも１つの作用チャンバ（１１）の内壁と接触しやすいエラストマー環状周囲シール要素（３５´´）を含む、請求項１、２または３に記載のヒンジ。
【請求項５】
前記弾性反作用手段（４０）が、前記少なくとも１つの油圧シール要素（３５）と接触する第１の端部と、前記少なくとも１つのシャフト（３４）に動作可能に結合された当接壁（３１´）と接触する第２の端部とを有する前記少なくとも１つのシャフト（３４）上に嵌合された、らせんばねを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載のヒンジ。
【請求項６】
前記固定要素（２０）および可動要素（１０）の前記他方が、カム手段（２１）を含み、前記固定要素（２０）および可動要素（１０）の前記一方は、前記少なくとも１つのシャフト（３４）によって前記プランジャ要素（３０）と一体的に結合されるカム従動手段（３２）を含み、前記カム従動手段（３２）は、前記当接壁（３１´）をさらに含み、それにより、前記カム手段（２１）とカム従動手段（３２）との間の相互作用は、前記プランジャ要素（３０）の前記第２の軸（Ｙ）に沿った摺動と、前記らせんばね（４０）の圧縮および／または選択的弾性戻りとを同時に促進する、請求項５に記載のヒンジ。
【請求項７】
前記閉鎖要素（Ｄ）の開閉の一方が起こると、前記作用流体は、前記第１のコンパートメント（１８）および第２のコンパートメント（１９）の一方から、前記第１のコンパートメント（１８）および第２のコンパートメント（１９）の他方に流れ、前記閉鎖要素（Ｄ）の開閉の他方が起こると、作用流体は、前記第１のコンパートメント（１８）および第２のコンパートメント（１９）の他方から、前記第１のコンパートメント（１８）および第２のコンパートメント（１９）の前記一方に流れる、請求項１から６のいずれか一項に記載のヒンジ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月14日(2020.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポンプであって；
運動エネルギーを提供して前記ポンプを通って流体を流すように構成され、複数の幾何寸法を有するインペラと；
前記インペラに関連付けられて、前記インペラによって提供された前記運動エネルギーを静圧エネルギーに変換して前記ポンプを通って前記流体を流すように構成されたディフューザと；
前記インペラに取り付けられた適応材料であって、前記ポンプの運転中に、前記複数の幾何寸法のうちの少なくとも一つの幾何寸法を変えて前記ポンプを通る流体流を変えるように構成された適応材料と；
前記インペラに接続され、前記幾何寸法を変えるために電荷を提供するように構成された電荷源と；を備える、
ポンプ。
【請求項２】
ポンプであって；
運動エネルギーを提供して前記ポンプを通って流体を流すように構成され、複数の幾何寸法を有するインペラと；
前記インペラに関連付けられて、前記インペラによって提供された前記運動エネルギーを静圧エネルギーに変換して前記ポンプを通って前記流体を流すように構成されたディフューザと；
前記インペラに取り付けられた適応材料であって、前記ポンプの運転中に、前記複数の幾何寸法のうちの少なくとも一つの幾何寸法を変えて前記ポンプを通る流体流を変えるように構成された適応材料と； 
前記インペラに接続され、前記幾何寸法を変えるために磁場を提供するように構成された磁場源と；を備える、
ポンプ。
【請求項３】
前記複数の幾何寸法は、インペラの外径と、インペラブレード後縁角度とを含む、
請求項１又は請求項２に記載のポンプ。
【請求項４】
前記インペラは、インペラブレード後縁角度を有するインペラブレードを備え、前記適応材料は、前記ポンプの運転中に前記インペラブレード後縁角度を増減するように構成されている、
請求項１又は請求項２に記載のポンプ。
【請求項５】
前記インペラブレードの前縁部又は後縁部は前記適応材料でできている、
請求項４に記載のポンプ。
【請求項６】
前記インペラブレードの後端領域は前記適応材料でできている、
請求項４に記載のポンプ。
【請求項７】
前記適応材料は、応力、温度、湿度、ｐＨ、電場又は磁場のうちの少なくとも１つを含む外部刺激に応じて変化するよう構成された特性を備える、
請求項１又は請求項２に記載のポンプ。
【請求項８】
前記適応材料は、外部刺激に応じて前記幾何寸法を変えるように構成された、圧電材料、磁歪材料、又は形状記憶材料を備える、
請求項１又は請求項２に記載のポンプ。
【請求項９】
前記適応材料が前記幾何寸法を変える、前記ポンプの運転中のポンプ条件は、前記ポンプの前記運転中のポンプ温度を含む、
請求項１又は請求項２に記載のポンプ。
【請求項１０】
前記適応材料は、ｐＨ感受性ポリマ、温度応答性ポリマ、磁性流体、電気活性ポリマ、及び熱電材料、のうちの少なくとも１つを含む、
請求項１又は請求項２に記載のポンプ。
【請求項１１】
前記インペラは第１のインペラであり、前記ディフューザは第１のディフューザであり、前記第１のインペラと前記第１のディフューザとが第１のポンプ段を形成し、前記ポンプは前記第１のポンプ段と直列に接続される第２のポンプ段を更に備え、前記第２のポンプ段は：
運動エネルギーを提供して前記ポンプを通って流体を流すように構成され、複数の幾何寸法を有する第２のインペラと；
前記第２のインペラに関連付けられて、前記第２のインペラによって提供された前記運動エネルギーを静圧エネルギーに変換して前記ポンプを通って前記流体を流すように構成された第２のディフューザと；を備える、
請求項１又は請求項２に記載のポンプ。
【請求項１２】
前記第２のポンプ段は適応材料を含まない、
請求項１１に記載のポンプ。
【請求項１３】
前記ディフューザに取り付けられた適応材料を更に備え、前記ディフューザに取り付けられた前記適応材料は、前記ポンプの運転中に、前記ディフューザの幾何寸法を変えて前記ポンプを通る流体流を変えるように構成されている、
請求項１又は請求項２に記載のポンプ。
【請求項１４】
ポンプのインペラに適応材料を取り付けるステップを備え、前記インペラは運動エネルギーを提供して前記ポンプを通って流体を流すように構成されていると共に複数の幾何寸法を有し、前記適応材料は前記ポンプの運転中に前記複数の幾何寸法のうちの少なくとも一つの幾何寸法を変えて前記ポンプを通る流体流を変えるように構成され、前記インペラは、前記インペラによって提供された前記運動エネルギーを静圧エネルギーに変換して前記ポンプを通って前記流体を流すように構成されたディフューザに関連付けられており；
前記ポンプの前記運転中に前記適応材料を作動させて前記インペラの前記幾何寸法を変えるステップを更に備え；
前記ポンプの前記運転中に前記適応材料を作動させて前記インペラの前記幾何寸法を変えるステップは、前記適応材料に電荷又は磁場を印加して前記幾何寸法を変えるステップを備える、
方法。
【請求項１５】
前記複数の幾何寸法は、インペラの外径と、インペラブレード後縁角度とを含む、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記インペラは、インペラブレード後縁角度を有するインペラブレードを備え、前記適応材料は、前記ポンプの運転中に前記インペラブレード後縁角度を増減するように構成されている、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記インペラは、インペラブレード前縁角度を有するインペラブレードを備え、前記適応材料は、前記ポンプの運転中に前記インペラブレード前縁角度を増減するように構成されている、
請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ディフューザは、ディフューザブレード後縁角度を有するディフューザブレードを備え、前記適応材料は、前記ポンプの運転中に前記ディフューザブレード後縁角度を増減するように構成されている、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記ディフューザは、ディフューザブレード前縁角度を有するディフューザブレードを備え、前記適応材料は、前記ポンプの運転中に前記ディフューザブレード前縁角度を増減するように構成されている、
請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記適応材料は、温度に応じて変化するように構成された特性を備える、
請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
前記適応材料は、前記ポンプの運転中のポンプ条件に応じて変化するように構成された特性を備える、
請求項１４に記載の方法。
【請求項２２】
前記適応材料は、外部刺激に応じて前記幾何寸法を変えるように構成された、圧電材料、磁歪材料、又は形状記憶材料を備える、
請求項１４に記載の方法。
【請求項２３】
前記適応材料は、ｐＨ感受性ポリマ、温度応答性ポリマ、磁性流体、電気活性ポリマ、及び熱電材料、のうちの少なくとも１つを含む、
請求項２２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月12日(2020.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＭＰ基板から残留物を除去する方法であって、前記方法が、
（ａ）ＣＭＰ基板を提供すること、
（ｂ）パッドを含むプラテンを提供すること、
（ｃ）液体キャリア、及び
シクロデキストリン化合物、
を含む洗浄溶液を提供すること、ならびに
（ｄ）前記基板の表面に前記パッド及び前記洗浄溶液を動かしながら接触させて前記表面から前記残留物を除去すること、
を含む、前記方法。
【請求項２】
前記洗浄溶液が、洗浄溶液の総重量を基準として１０〜５０，０００ｐｐｍのシクロデキストリン化合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記洗浄溶液が、本質的に水及びシクロデキストリン化合物からなる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記洗浄溶液が、本質的に水、シクロデキストリン化合物、及び１つ以上のキレート剤、ｐＨ調整剤、及び殺生物剤からなる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記洗浄溶液が、実質的に研磨粒子を含有しない、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記洗浄溶液が、キレート剤を更に含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記表面が、有機物質、ならびに有機物質及び無機物質の沈殿、凝集、または凝固した組み合わせを含む残留物粒子から選択される残留物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記残留物が、有機物質及び金属含有研磨粒子を含む残留物粒子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記金属含有研磨粒子が、アルミナ粒子である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記基板が、タングステン、銅、またはコバルトを含む表面層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
ＣＭＰ後の基板を処理するための洗浄溶液であって、前記洗浄溶液が、
液体キャリア、及び
洗浄溶液の総重量を基準として１０〜５０，０００ｐｐｍのシクロデキストリン化合物、
を含む、前記洗浄溶液。
【請求項１２】
本質的に水及びシクロデキストリン化合物からなる、請求項１１に記載の洗浄溶液。
【請求項１３】
キレート剤を更に含む、請求項１１に記載の洗浄溶液。
【請求項１４】
前記洗浄溶液が、実質的に研磨粒子を含有しない、請求項１１に記載の洗浄溶液。
【請求項１５】
前記キレート剤が、カルボン酸基含有キレート剤である、請求項１３に記載の洗浄溶液。
【請求項１６】
前記キレート剤が、マロン酸、マレイン酸、線状もしくは分岐状Ｃ１〜Ｃ６カルボン酸化合物、フタル酸、コハク酸、クエン酸、酒石酸、リンゴ酸、グルコン酸、またはそれらの組み合わせから選択される化合物である、請求項１３に記載の洗浄溶液。
【請求項１７】
前記キレート剤が、カルボン酸基含有ポリマーである、請求項１３に記載の洗浄溶液。
【請求項１８】
前記洗浄溶液が、実質的に界面活性剤を含有しない、請求項１１に記載の洗浄溶液。