【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年11月25日(2020.11.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
特定の実施形態では、バルク音波共振器構造体は基板の一面から主に非平行（非垂直であってもよい）の配向分布を有するＣ軸を含む六方晶構造の圧電材料（例えば、窒化アルミニウムまたは酸化亜鉛）を含む。特定の実施形態では、音響反射構造体は基板とバルク音波共振器構造体の間に配置されており、ここでバルク音波共振器構造体はソリッドマウントバルク音波共振器（solidly mounted bulk acoustic wave resonator）構造体を含む。特定の実施形態では、基板は窪みを規定し、ＭＥＭＳ共振器装置はバルク音波共振器構造体と窪みの間に配置された支持層をさらに含み、ここで少なくとも１つの活性領域は支持層の少なくとも一部と窪みの少なくとも一部の上に配置される（例えば、これにより薄膜バルク音波共振器（ＦＢＡＲ）構造体を形成するように）。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
特定の実施形態では、基板の少なくとも一部の上に配置されたバルク音波共振器構造体は圧電材料、圧電材料の一部の上に配置された上面電極、および圧電材料と基板の間に配置された下面電極を含み、ここで圧電材料の一部は上面電極と下面電極の間に配置されて活性領域を形成する。特定の実施形態では、圧電材料は基板の一面から法線に対して主に非平行（かつ非垂直であってもよい）の配向分布を有するＣ軸を含む、六方晶構造の圧電材料（例えば、窒化アルミニウムまたは酸化亜鉛）を含む。基板の一面から法線に対して主に非平行の配向分布を示すＣ軸を含む六方晶構造の圧電材料を形成する方法は２０１６年１０月１３日に出願された米国特許出願第１５／２９３，０６３号に開示されており、この米国特許出願は本明細書に参照により組み込まれる。傾斜Ｃ軸の配向を有する圧電材料を形成するさらなる方法は１９８７年２月３日に出願された米国特許第４，６４０，７５６号に開示されており、この米国特許は本明細書に参照により組み込まれる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
一実施形態による生物学的感知機能を提供する複数の層を上層に形成した例示的なＭＥＭＳ共振器装置を図１に示す。図１は圧電材料２２および上面電極２８を含むＭＥＭＳ共振器装置の上部の概略断面図であり、少なくとも１つの上面電極２８の上には気密性層３２、界面層３４、自己組織化単層３６、および機能化層（例えば、特異的結合材料）３８が形成されている。特定の実施形態では、ＭＥＭＳ共振器装置はバルク音波共振器装置を含む。圧電材料２２は基板の一面から法線に対して主に非平行（非垂直であってもよい）の配向分布を有するＣ軸を含む窒化アルミニウム材料または酸化亜鉛材料を含む。このような配向分布はせん断変位を発生させることができ、これによってＭＥＭＳ共振器装置をセンサー内および／またはマイクロ流体装置内で用いるなど、液体とともに用いることができるという利点がある。特定の実施形態では、圧電材料は長手方向の配向を有するＣ軸を含む。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６５】
本開示を検討すれば当業者は理解するように、特定の実施形態では、図６のＦＢＡＲ構造体１００を図２Ａ〜図３Ｄに開示するソリッドマウントＢＡＷ構造体（solidly mounted BAW structures）に置き換えてもよく、が、機能化材料（例えば、特異的結合材料または非特異的結合材料）を受けるのに好適な界面層と自己組織化単層で覆われているバルク音波構造体の少なくとも一部を有する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）共振器装置であって、
基板；
前記基板の少なくとも一部の上に配置され、少なくとも１つの上面電極を含むバルク音波共振器構造体；
前記少なくとも１つの上面電極の少なくとも一部の上に配置され、０．１（ｇ／ｍ２／日）以下の水蒸気透過率を有する誘電材料を含む気密性層；
前記気密性層の少なくとも一部の上に配置された界面層；および
前記界面層の少なくとも一部の上に配置された少なくとも１種類の特異的又は非特異的結合材料
を含み、
ここで前記バルク音波共振器構造体は前記少なくとも１つの上面電極の下に少なくとも１つの活性領域を含み、前記気密性層、前記界面層、および前記少なくとも１種類の特異的又は非特異的結合材料のそれぞれの少なくとも一部は、前記少なくとも１つの活性領域の上に配置される、ＭＥＭＳ共振器装置。
【請求項２】
前記界面層と前記少なくとも１種類の特異的又は非特異的結合材料の間に配置された自己組織化単層をさらに含む、請求項１に記載のＭＥＭＳ共振器装置。
【請求項３】
前記界面層は水酸化酸化物表面を含み、前記自己組織化単層はオルガノシラン材料を含む、請求項２に記載のＭＥＭＳ共振器装置。
【請求項４】
前記界面層は金または金以外の貴金属を含み、前記自己組織化単層はチオール材料を含む、請求項２に記載のＭＥＭＳ共振器装置。
【請求項５】
前記気密性層は酸化物、窒化物、またはオキシ窒化物の材料を含む、請求項１に記載のＭＥＭＳ共振器装置。
【請求項６】
前記界面層はＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＨｆＯ２、およびＡｌ２Ｏ３の少なくとも１種類を含む、請求項１に記載のＭＥＭＳ共振器装置。
【請求項７】
前記少なくとも１つの上面電極は非貴金属を含む、請求項１に記載のＭＥＭＳ共振器装置。
【請求項８】
前記気密性層の厚さは５ｎｍ〜１５０ｎｍの範囲であり、前記界面層の厚さは５ｎｍ〜１５ｎｍの範囲である、請求項１に記載のＭＥＭＳ共振器装置。
【請求項９】
前記バルク音波共振器構造体は、前記基板の一面の法線に対して主に非平行の配向分布を有するＣ軸を含む六方晶構造の圧電材料を含む、請求項１に記載のＭＥＭＳ共振器装置。
【請求項１０】
前記基板と前記バルク音波共振器構造体の間に配置された音響反射構造体をさらに含み、ここで前記バルク音波共振器構造体はソリッドマウントバルク音波共振器（solidly mounted bulk acoustic wave resonator）構造体を含む、請求項１に記載のＭＥＭＳ共振器装置。
【請求項１１】
前記基板は窪みを規定し、支持層が前記バルク音波共振器構造体と前記窪みの間に提供され、前記少なくとも１つの活性領域は前記支持層の少なくとも一部と前記窪みの少なくとも一部の上に配置される、請求項１に記載のＭＥＭＳ共振器装置。
【請求項１２】
請求項１に記載のＭＥＭＳ共振器装置を含むセンサー。
【請求項１３】
請求項１に記載のＭＥＭＳ共振器装置と、液体を導いて前記少なくとも１種類の特異的又は非特異的結合材料に接触させるよう配置された流路とを含む、流体装置。
【請求項１４】
生物学的検知または化学的検知の方法であって、前記方法が：
請求項１３に記載の流体装置の前記流路に、標的種を含む流体を供給する工程であって、ここで前記供給する工程は、前記標的種のうちの少なくとも一部が前記少なくとも１種類の特異的又は非特異的結合材料に結合するよう構成されている、工程；、
前記少なくとも１つの活性領域にバルク音波を誘導する工程；ならびに
前記バルク音波共振器構造体の周波数特性、振幅特性、または位相特性の少なくとも１種類の変化を検知して、前記少なくとも１種類の特異的又は非特異的結合材料に結合した標的種の存在または量の少なくとも１つを示す工程、
を含む、方法。
【請求項１５】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）共振器装置を製造する方法であって、前記方法は：
基板の少なくとも一部の上に配置された圧電材料の少なくとも一部の上に少なくとも１つの上面電極を形成する工程；
前記少なくとも１つの上面電極の少なくとも一部の上に気密性層を堆積する工程であって、前記気密性層は０．１（ｇ／ｍ２／日）以下の水蒸気透過率を含む誘電材料を含む、工程；
前記気密性層の少なくとも一部の上に界面層を堆積する工程；および
前記界面層の少なくとも一部の上に少なくとも１種類の特異的又は非特異的結合材料を堆積する工程
を含み、
ここで前記微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）共振器装置は前記少なくとも１つの上面電極の下に少なくとも１つの活性領域を含み、前記気密性層、前記界面層、および前記少なくとも１種類の特異的又は非特異的結合材料のそれぞれの少なくとも一部は前記少なくとも１つの活性領域の上に配置される、方法。
【請求項１６】
前記気密性層を堆積する工程は原子層堆積を含み、前記界面層を堆積する工程は化学蒸着、原子層堆積、または物理蒸着の少なくとも１つを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記界面層を堆積する工程は前記気密性層を堆積する工程の後に真空環境で順次行われる、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記少なくとも１種類の特異的又は非特異的結合材料を堆積する工程の前に、前記界面層の少なくとも一部の上に自己組織化単層を形成する工程をさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記少なくとも１種類の特異的又は非特異的結合材料と一致しない前記自己組織化単層の一部の上にブロッキング材を堆積する工程をさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記界面層の一部の上に少なくとも１つの壁を形成して、流路を規定する工程をさらに含む、請求項１５に記載の方法。