【手続補正書】
【提出日】平成16年6月14日(2004.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｕを主成分とした電子部品用金属材料であって、Ｍｏを0.1〜3.0ｗｔ％含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、残部がＣｕである合金からなることを特徴とする電子部品用金属合金材料。
【請求項２】
Ｃｕを主成分とした電子部品用金属材料であって、Ｍｏを0.1〜3.0ｗｔ％の範囲で抵抗率より耐候性に優位性を持たせるよう含有した２元合金からなることを特徴とする電子部品用金属合金材料。
【請求項３】
Ｃｕを主成分とした電子部品用金属材料であって、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、更にＡｌ、Ａｕ、Aｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、残部がＣｕである合金からなることを特徴とする電子部品用金属合金材料。
【請求項４】
前記電子部品用金属材料が10μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有することを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の電子部品用金属材料。
【請求項５】
Ｃｕを主成分とした電子部品用金属材料であって、Ｍｏを0.1〜3.0ｗｔ％含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１の元素を0.1〜3.0ｗｔ％含有してなる３元合金からなることを特徴とする電子部品用金属材料。
【請求項６】
前記電子部品用金属材料が1.5μΩｃｍ以上、7.0μΩｃｍ以下の電気抵抗率を有することを特徴とする請求項５に記載の電子部品用金属材料。
【請求項７】
前記電子部品用金属材料が、配線材料、電極材料、接点材料及びスパッタリングのターゲット材のうちのいずれかであることを特徴とする請求項１〜３及び請求項５のうちいずれか１項に記載の電子部品用金属合金材料。
【請求項８】
金属材料により配線パターン、電極又は接点が形成された電子部品であって、前記金属材料が、Ｃｕを主成分とし、Ｍｏを0.1〜3.0ｗｔ％含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、残部がＣｕである合金からなることを特徴とする電子部品。
【請求項９】
金属材料により配線パターン、電極又は接点が形成された電子部品であって、前記金属材料が、Ｃｕを主成分とした電子部品用金属材料であって、Ｍｏを0.1〜3.0ｗｔ％の範囲で抵抗率より耐候性に優位性を持たせるよう含有した２元合金からなることを特徴とする電子部品。
【請求項１０】
金属材料により配線パターン、電極又は接点が形成された電子部品であって、前記金属材料が、Ｃｕを主成分とした電子部品用金属材料であって、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、更にＡｌ、Ａｕ、Aｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、残部がＣｕである合金からなることを特徴とする電子部品。
【請求項１１】
前記配線パターン、電極又は接点が、りん酸および硝酸を含む溶液によるエッチング工程を経て形成されたことを特徴とする請求項８〜１０のうちいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１２】
前記配線パターン、電極又は接点が、塩素を含むガス雰囲気中でのエッチング工程を経て形成されたことを特徴とする請求項８〜１０のうちいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１３】
前記配線パターン、電極及び接点以外の部分を、フッ素を含むガス雰囲気中でのエッチングにより加工する工程を経て形成されたことを特徴とする請求項８〜１０のうちいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１４】
前記配線パターン、電極又は接点を、１００℃以上、７５０℃以下の温度範囲により加熱処理する工程を経て形成されたことを特徴とする請求項８〜１３のうちいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１５】
前記配線パターン、電極又は接点が、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、インジウムすず酸化物、窒化チタニウム、酸化珪素、窒化シリコンのうちのいずれかからなる下地の上に形成されていることを特徴とする請求項８〜１４のうちいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１６】
前記配線パターン、電極又は接点が、ガラス、又はプラスティックの樹脂成形の基板上に直接形成されていることを特徴とする請求項８〜１４のうちいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項１７】
金属材料により配線パターン、電極又は接点が形成された電子機器であって、前記金属材料が、Ｃｕを主成分とし、Ｍｏを0.1〜3.0ｗｔ％含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、残部がＣｕである合金からなることを特徴とする電子機器。
【請求項１８】
金属材料により配線パターン、電極又は接点が形成された電子機器であって、前記金属材料が、Ｃｕを主成分とした電子部品用金属材料であって、Ｍｏを0.1〜3.0ｗｔ％の範囲で抵抗率より耐候性に優位性を持たせるよう含有した２元合金からなることを特徴とする電子機器。
【請求項１９】
金属材料により配線パターン、電極又は接点が形成された電子機器であって、前記金属材料が、Ｃｕを主成分とした電子部品用金属材料であって、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、更にＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、残部がＣｕである合金からなることを特徴とする電子機器。
【請求項２０】
前記配線パターン、電極又は接点が、りん酸および硝酸を含む溶液によるエッチング工程を経て形成されたことを特徴とする請求項１７〜１９のうちいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項２１】
前記配線パターン、電極又は接点が、塩素を含むガス雰囲気中でのエッチング工程を経て形成されたことを特徴とする請求項１７〜１９のうちいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項２２】
前記配線パターン、電極及び接点以外の他の部分を、フッ素を含むガス雰囲気中でのエッチングにより加工する工程を経て形成されたことを特徴とする請求項１７〜１９のうちいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項２３】
前記配線パターン、電極又は接点を、１００℃以上、７５０℃以下の温度範囲により加熱処理する工程を経て形成されたことを特徴とする請求項１７〜２２のうちいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項２４】
前記配線パターン、電極又は接点が、Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、インジウムすず酸化物、窒化チタニウム、酸化珪素、窒化シリコンのうちのいずれかからなる下地の上に形成されていることを特徴とする請求項１７〜２３のうちいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項２５】
前記配線パターン、電極又は接点が、ガラス、又はプラスチックの樹脂成形の基板上に直接形成されていることを特徴とする請求項１７〜２３のうちいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項２６】
Ｃｕを主成分とした金属膜であって、Ｍｏを0.1〜3.0ｗｔ％含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、残部がＣｕである合金からなる金属膜を、りん酸および硝酸を含む溶液によりエッチングして配線パターン、電極又は接点を形成することを特徴とする金属材料の加工方法。
【請求項２７】
Ｃｕを主成分とした電子部品用金属材料であって、Ｍｏを0.1〜3.0ｗｔ％の範囲で抵抗率より耐候性に優位性を持たせるよう含有した２元合金からなる金属膜を、りん酸および硝酸を含む溶液によりエッチングして配線パターン、電極又は接点を形成することを特徴とする金属材料の加工方法。
【請求項２８】
Ｃｕを主成分とした電子部品用金属材料であって、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、更にＡｌ、Ａｕ、Aｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、残部がＣｕである合金からなる金属膜を、りん酸および硝酸を含む溶液によりエッチングして配線パターン、電極又は接点を形成することを特徴とする金属材料の加工方法。
【請求項２９】
Ｃｕを主成分とした金属膜であって、Ｍｏを0.1〜3.0ｗｔ％含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、残部がＣｕである合金からなる金属膜を、塩酸を含むガス雰囲気中でエッチングして配線パターン、電極又は接点を形成することを特徴とする金属材料の加工方法。
【請求項３０】
Ｃｕを主成分とした電子部品用金属材料であって、Ｍｏを0.1〜3.0ｗｔ％含有した２元合金からなる金属膜を、塩酸を含むガス雰囲気中でエッチングして配線パターン、電極又は接点を形成することを特徴とする金属材料の加工方法。
【請求項３１】
Ｃｕを主成分とした電子部品用金属材料であって、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、更にＡｌ、Ａｕ、Aｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、残部がＣｕである合金からなる金属膜を、塩酸を含むガス雰囲気中でエッチングして配線パターン、電極又は接点を形成することを特徴とする金属材料の加工方法。
【請求項３２】
Ｃｕを主成分とし、Ｍｏを0.1〜3.0ｗｔ％含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、残部がＣｕである合金からなる金属膜を有する電子部品の製造方法であって、前記金属膜以外の膜を、フッ素を含むガス雰囲気中でのエッチングにより加工することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項３３】
Ｃｕを主成分とした電子部品用金属材料であって、Ｍｏを0.1〜3.0ｗｔ％の範囲で抵抗率より耐候性に優位性を持たせるよう含有した２元合金からなる金属膜を有する電子部品の製造方法であって、前記金属膜以外の膜を、フッ素を含むガス雰囲気中でのエッチングにより加工することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項３４】
Ｃｕを主成分とした電子部品用金属材料であって、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、更にＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、残部がＣｕである合金からなる金属膜を有する電子部品の製造方法であって、前記金属膜以外の膜を、フッ素を含むガス雰囲気中でのエッチングにより加工することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項３５】
Ｃｕを主成分とした金属膜であって、Ｍｏを0.1〜3.0ｗｔ％含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、残部がＣｕである合金からなる金属膜を、１００℃以上、７５０℃以下の温度範囲により加熱処理して配線パターン、電極又は接点を形成することを特徴とする金属材料の加工方法。
【請求項３６】
Ｃｕを主成分とした電子部品用金属材料であって、Ｍｏを0.1〜3.0ｗｔ％含有した２元合金からなる金属膜を、１００℃以上、７５０℃以下の温度範囲により加熱処理して配線パターン、電極又は接点を形成することを特徴とする金属材料の加工方法。
【請求項３７】
Ｃｕを主成分とした電子部品用金属材料であって、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、更にＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、残部がＣｕである合金からなる金属膜を、１００℃以上、７５０℃以下の温度範囲により加熱処理して配線パターン、電極又は接点を形成することを特徴とする金属材料の加工方法。
【請求項３８】
Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、インジウムすず酸化物、窒化チタニウム、酸化珪素、窒化シリコンのうちのいずれかからなる下地の上に、Ｃｕを主成分とした金属膜であって、Ｍｏを0.1〜3.0ｗｔ％含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、残部がＣｕである合金からなる金属膜を形成して配線パターン、電極又は接点を形成することを特徴とする金属材料の加工方法。
【請求項３９】
Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、インジウムすず酸化物、窒化チタニウム、酸化珪素、窒化シリコンのうちのいずれかからなる下地の上に、Ｃｕを主成分とした電子部品用金属材料であって、Ｍｏを0.1〜3.0ｗｔ％含有した２元合金からなる金属膜を形成して配線パターン、電極又は接点を形成することを特徴とする金属材料の加工方法。
【請求項４０】
Ｔｉ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、インジウムすず酸化物、窒化チタニウム、酸化珪素、窒化シリコンのうちのいずれかからなる下地の上に、Ｃｕを主成分とした電子部品用金属材料であって、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、更にＡｌ、Ａｕ、Aｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、残部がＣｕである合金からなる金属膜を形成して配線パターン、電極又は接点を形成することを特徴とする金属材料の加工方法。
【請求項４１】
Ｃｕを主成分とした金属膜であって、Ｍｏを0.1〜3.0ｗｔ％含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、残部がＣｕである合金からなる金属膜を、ガラス、又はプラスティック等の樹脂成形の基板上に直接形成して配線パターン、電極又は接点を形成することを特徴とする金属材料の加工方法。
【請求項４２】
Ｃｕを主成分とした電子部品用金属材料であって、Ｍｏを0.1〜3.0ｗｔ％の範囲で抵抗率より耐候性に優位性を持たせるよう含有した２元合金からなる金属膜を、ガラス、又はプラスティック等の樹脂成形の基板上に直接形成して配線パターン、電極又は接点を形成することを特徴とする金属材料の加工方法。
【請求項４３】
Ｃｕを主成分とした電子部品用金属材料であって、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、更にＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、残部がＣｕである合金からなる金属膜を、ガラス、又はプラスティック等の樹脂成形の基板上に直接形成して配線パターン、電極又は接点を形成することを特徴とする金属材料の加工方法。
【請求項４４】
Ｃｕを主成分とした金属膜であって、Ｍｏを0.1〜3.0ｗｔ％含有し、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、残部がＣｕである合金からなる金属膜を、反射膜、電極又は配線材料として用いたことを特徴とする電子光学部品。
【請求項４５】
Ｃｕを主成分とした電子部品用金属材料であって、Ｍｏを0.1〜3.0ｗｔ％含有した２元合金からなる金属膜を反射膜、電極又は配線材料として用いたことを特徴とする電子光学部品。
【請求項４６】
Ｃｕを主成分とした電子部品用金属材料であって、Ｃｒ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、更にＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉからなる群から選ばれた１又は複数の元素を合計で0.1〜3.0ｗｔ％含有し、残部がＣｕである合金からなる金属膜を反射膜、電極又は配線材料として用いたことを特徴とする電子光学部品。