(57)【要約】【課題】  太陽電池組み立てをより簡易化でき、インターコネクター若しくは集電電極又はこれらの両方のための金属配線層を有する電極基材を提供するものである。【解決手段】  樹脂層及び、集電電極又はインターコネクターのための金属配線層を有する電極基材であって、金属配線層は、断面形状が台形形状であるもの又は断面形状が台形形状の上部を有するものであって、少なくとも、上記金属配線の最大幅となる部分が、上記樹脂層に埋没している太陽電池用電極基材。太陽電池の取出電極のそれぞれに対応するその金属配線層上に、取出電極を接続するための導電性を有する接続部材層が形成されていることが好ましい。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂層及び、集電電極又はインターコネクターのための金属配線層を有する電極基材であって、金属配線層は、断面形状が台形形状であるもの又は断面形状が台形形状の上部を有するものであって、少なくとも、上記金属配線層の最大幅となる部分が、上記樹脂層に埋没している太陽電池用電極基材。
【請求項２】
太陽電池の取出電極のそれぞれに対応するその金属配線層上に、取出電極を接続するための導電性を有する接続部材層が形成されている請求項１に記載の太陽電池用電極基材。
【請求項３】
金属配線層がｐ（正）とｎ（負）の取出電極パターンのそれぞれに対応する金属配線層である請求項１又は２のいずれかに記載の太陽電池用電極基材。
【請求項４】
ｐ（正）とｎ（負）の電極を有する基板の複数を相互に直列接続するためのインターコネクト部を有する請求項１又は２のいずれかに記載の太陽電池用電極基材。
【請求項５】
樹脂層及び金属配線層を有する電極基材であって、金属配線層は、断面形状が台形形状であるもの又は断面形状が台形形状の上部を有するものであって、少なくとも、上記金属配線の最大幅となる部分が、上記樹脂層に埋没している、半導体基板の裏面上にｐ（正）とｎ（負）の電極が形成される裏面電極型の太陽電池用電極基材。
【請求項６】
金属配線層が、ｐ（正）とｎ（負）のフィンガー電極パターンのそれぞれに対応する複数の概略長方形形状を有するパターン状に形成されており、その金属配線層上に、金属配線層と半導体基板の裏面に形成されたｐ（正）部とｎ（負）部を接続するための導電性を有する接着剤層が形成されている請求項５に記載の裏面電極型の太陽電池用電極基材。
【請求項７】
金属配線層が、ｐ（正）とｎ（負）の電極を有する前記基板の複数を相互に直列接続するためのインターコネクト部を有する請求項５又は６に記載の裏面電極型太陽電池用の電極基材。
【請求項８】
上記金属配線層を形成する形態において、（Ａ）導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広となった、めっきを形成するための凹部のパターンが形成されているめっき用導電性基材にめっきをする金属配線層作製工程、（Ｂ）上記導電性基材の凹部に析出した金属を樹脂層を含む別の基材に転写する転写工程を含み、上記転写工程において又はその後に、少なくとも金属配線層の最大幅となる部分から下の部分を上記樹脂層に埋没させることを特徴とする太陽電池用電極基材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池用の集電電極又はインターコネクターとして有用な太陽電池用電極基材に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽光エネルギを直接的に電気エネルギに変換する太陽電池は、近年では特に地球環境問題の観点から、次世代のエネルギ源としての期待が急激に高まっている。太陽電池としては、化合物半導体または有機材料を使ったもののように様々な種類もあるが、現在において主流となっているのはシリコン結晶を用いたものである。現在において最も多く生産されて販売されている太陽電池では、太陽光を受ける受光面にｎ（負）電極が設けられ、裏面にはｐ（正）電極が設けられている。受光面側に設けられたｎ（負）電極は電流の取り出しのために必要不可欠であるが、その電極下の基板には太陽光が入射しないので、その領域では発電を生じない。したがって、ｎ（負）電極面積が大きければ、光電変換効率
が低下する。このような受光面側の電極による光損失は、シャドウロスと呼ばれている。
【０００３】
受光面側に電極が設けられていない裏面電極型太陽電池（なお、バックコンタクト型太陽電池とも言われる）では、受光面電極によるシャドウロスがなく、入射する太陽光の１００％を太陽電池内に取り込むことができるので、原理的に高い光の利用効率の実現が可能である。このような太陽電池の公知例として米国特許第４，９２７，７７０号明細書があるが、その太陽電池の構造が、特許文献１の図５（ａ）の模式的断面図において図解されており、次の説明がある。
【０００４】
上記「図５（ａ）の太陽電池では、シリコン基板１０の裏面側において、複数のｐ拡散層１２と複数のｎ拡散層１３とが交互に設けられている（図５（ａ）においては、一対のｐ拡散層１２とｎ拡散層１３のみが示されている）。基板１０の両主面上にはパッシベーション層１１が形成されており、これによって電荷キャリアの表面再結合が抑制されている。裏面側に設けられたコンタクトホール１６、１７を介してｐ拡散層１２にはｐ（正）電極１４が接続され、ｎ拡散層１７にはｎ（負）電極１５が接続されており、これらの電極１４、１５から電流が取り出される。受光面上にあるパッシベーション層１１は、反射防止膜としての働きも兼ねている。図５（ａ）からわかるように、ｐ（正）電極１４と（負）電極１５の両方が基板１０の裏面側に形成されており、基板１０の表面（受光面）側には光を遮るものがないので、入射する太陽光の１００％を基板１０内に取り込むことができる。」
【０００５】
集光型の裏面電極型太陽電池では、太陽光を数十〜数百倍の強度に集光するので、非常に大きな光電流が発生する。そこで、裏面電極は配線抵抗による損失を最小限にするために２層金属構造にされることが多く、特許文献１の裏面電極型太陽電池においてもそのような構造が採用されている。２層金属構造の形成においては、まずｐとｎの各拡散層と接続するように拡散層のパターンに合わせて微細なパターニングを施した１層目の金属層を形成し、そしてｐ（正）電極とｎ（負）電極とが短絡しないように絶縁層を形成して、１層目の金属層上に外部回路の接続をするための２層目の金属層が形成される。このような２層金属構造を採用することによって、電極金属の配線抵抗による損失を最小限にすることができる。しかし、この２層金属構造は、その形成工程が複雑になる。
【０００６】
他方、集光型でない場合は、発生する光電流がそれほど大きくないので、配線抵抗による損失も比較的少ない。その場合は、複雑な工程を要する２層金属構造を採用する必要性は少なく、１層だけで電極層を形成した方がコスト的に有利である。そのような場合の電極パターンの例が、特許文献１の図５（ｂ）の模式的平面図に示されている。この図５（ｂ）において、ｐとｎの拡散層パターンに対応したｐとｎのフィンガー電極２１、２３が交互に配置され、それぞれがｐとｎのバスバー電極２２、２４に接続されており、概略的に櫛歯状のｐ電極とｎ電極がかみ合ったような電極パターンとなっている。
【０００７】
さらに、「太陽電池はその一枚だけで得られる電力が小さいので、複数の太陽電池を相互に接続して使うことが普通である。一般に、一枚の太陽電池をセルと呼び、セルの数枚〜数十枚を接続したものをモジュールと呼ぶ。複数のセルを並列に接続すればモジュール全体の電流が大きくなって配線抵抗による損失が大きくなるので、複数のセルを直列に接続するのが普通である。図５（ｃ）の模式的平面図において、裏面電極型太陽電池セルを直列接続した例が示されている。ｐバスバー電極２２とｎバスバー電極２４がインターコネクタ２０を介して接続されており、これによってセル同士が相互に直列に接続されている。インターコネクタは太陽電池セル同士を接続するための導電材であり、銅などの低抵抗金属箔にハンダメッキなどを施して形成されている。そのようなインターコネクタとバスバー電極とをハンダ付けすることによって、セル間で物理的かつ電気的な接続が行われる。」ことが特許文献１に開示される。
【０００８】
特許文献１の図６（ａ）〜（ｅ）において、パターン化された金属電極を形成するリフトオフ法の一例が模式的断面図で図解されている。この方法では、図６（ａ）において、基板１０の裏側のパターン面５１の全面にレジスト５２を均一にコーティングする。次に、図６（ｂ）において、パターン面５１に対面してマスクを正確にセットして金属電極形成箇所５４のみを露光すれば、その露光によってレジスト５２が台形状に重合する。そして、図６（ｃ）において、非露光部分を除いてレジストのエッチング除去を行えば、電極形成箇所５４が露出されて、電極非形成箇所５３がレジスト５２で覆われたままになる。さらに、図６（ｄ）において、パターン面５１の全面上に金属を蒸着またはスパッタリングし、電極形成箇所５４とレジスト５２の上に金属膜５５、５６が形成される。最後に、図６（ｅ）において、レジスト溶解用薬液をパターン面５１上に散布して、レジスト５２が溶解除去される。その結果、レジスト５２の支持がなくなった金属蒸着膜５６は、パターン面５１から浮き上がった状態になって脱離する。すなわち、図６（ｅ）においては、電極非形成箇所５３上の金属膜５６が脱離して、電極形成箇所５４上に金属膜５５が電極として形成されている状態が示されている。
【０００９】
特許文献１には、半導体基板の裏面上にｐ（正）とｎ（負）の電極が形成される裏面電極型太陽電池の製造方法は、ｐ（正）とｎ（負）のフィンガー電極パターンのそれぞれに対応する概略長方形形状の複数の開口部を有するメタルマスクを位置合せして半導体基板の裏面に相対して配置する工程と、メタルマスクの開口部を介して半導体基板の裏面上に電極金属膜を蒸着またはスパッタリングによって形成する工程と、それらの工程によって形成されたｐ（正）とｎ（負）の電極を有する基板の複数をインターコネクタを介して相互に直列接続する工程を含む方法が提案されている。
【００１０】
また、特許文献２には、両面に電極を有する太陽電池の裏面電極として、出力取出電極と集電電極からなるものが記載されているが、非受光面に出力取り出し電極を設けたバックコンタクト構造であってもよいとされる。
電極形成は、「半導体基板１の表面側および裏面側には、表面電極と裏面電極とを形成する電極形成工程にて表面電極６と裏面電極７とを形成する。これらの電極の製法としては、主にＡｇなどの金属粉末、ガラスフリット、有機溶剤、バインダーを含んだペーストを用いた印刷法などの厚膜による成膜プロセスや、スパッタ法、蒸着法などの真空プロセスを用いた成膜プロセスを用いることができる。」と記載され、裏面の集電電極の形成は、具体的には、アルミニウムペーストの全面塗布が開示される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００６−３２４５９０号公報
【特許文献２】特開２００８−３４５８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
特許文献１及び特許文献２の記載からも明らかなように、太陽電池における集電のための電極の形成は、従来、蒸着又はスパッタリング、塗布などにより行われており、さらに生産性の良い電極形成法が望まれている。また、太陽電池における集電のための電極及びそれを含む構造体には、過酷な条件で使用されるものとして、さらなる信頼性の向上が望まれる。
【００１３】
本発明は、太陽電池の組み立てをより簡易化でき、その生産性向上に役立ち、高い性能と信頼性を有する金属配線層を含む電極基材を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は次のものに関する。
１．  樹脂層及び、集電電極又はインターコネクターのための金属配線層を有する電極基材であって、金属配線層は、断面形状が台形形状であるもの又は断面形状が台形形状の上部を有するものであって、少なくとも、上記金属配線層の最大幅となる部分が、上記樹脂層に埋没している太陽電池用電極基材。
２．  太陽電池の取出電極のそれぞれに対応するその金属配線層上に、取出電極を接続するための導電性を有する接続部材層が形成されている項１に記載の太陽電池用電極基材。
３．  金属配線層がｐ（正）とｎ（負）の取出電極パターンのそれぞれに対応する金属配線層である項１又は２のいずれかに記載の太陽電池用電極基材。
４．  ｐ（正）とｎ（負）の電極を有する基板の複数を相互に直列接続するためのインターコネクト部を有する項１又は２のいずれかに記載の太陽電池用電極基材。
５．  樹脂層及び金属配線層を有する電極基材であって、金属配線層は、断面形状が台形形状であるもの又は断面形状が台形形状の上部を有するものであって、少なくとも、上記金属配線の最大幅となる部分が、上記樹脂層に埋没している、半導体基板の裏面上にｐ（正）とｎ（負）の電極が形成される裏面電極型の太陽電池用電極基材。
６．  金属配線層が、ｐ（正）とｎ（負）のフィンガー電極パターンのそれぞれに対応する複数の概略長方形形状を有するパターン状に形成されており、その金属配線層上に、金属配線層と半導体基板の裏面に形成されたｐ（正）部とｎ（負）部を接続するための導電性を有する接着剤層が形成されている項５に記載の裏面電極型の太陽電池用電極基材。
７．  金属配線層が、ｐ（正）とｎ（負）の電極を有する前記基板の複数を相互に直列接続するためのインターコネクト部を有する項５又は６に記載の裏面電極型太陽電池用の電極基材。
８．  上記金属配線層を形成する形態において、（Ａ）導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広となった、めっきを形成するための凹部のパターンが形成されているめっき用導電性基材にめっきをする金属配線層作製工程、（Ｂ）上記導電性基材の凹部に析出した金属を樹脂層を含む別の基材に転写する転写工程を含み、上記転写工程において又はその後に、少なくとも金属配線層の最大幅となる部分から下の部分を上記樹脂層に埋没させることを特徴とする太陽電池用電極基材の製造方法。
【発明の効果】
【００１５】
本発明に係る、太陽電池用電極基材を使用すれば、太陽電池の集電電極やインターコネクタ等の配線構造を太陽電池に容易に組み込むことができ、太陽電池の生産性の向上に役立つ。また、該電極基材は、配線自体の密着性、耐湿試験等に対する信頼性が高くなり、さらに、太陽電池の要素である正又は負の電極や取出電極に対する金属配線層の密着性も優れているので、この点からも太陽電池の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】電極基材又は取出電極の一例示す一部平面図。
【図２】太陽電池の一部断面図。
【図３】金属配線層の一部を切り取った斜視図。
【図４】図３（ｂ）に示す金属層配線層の幅方向の断面図。
【図５】図３（ｂ）に示す金属層配線層の幅方向の他の例の断面図。
【図６】金属配線層の横断面図。
【図７】金属配線層の横断面図。
【図８】金属配線層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図。
【図９】金属配線層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図。
【図１０】本発明のめっき用導電性基材の一例を示す斜視図。
【図１１】図１のＡ−Ａ断面図。
【図１２】めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を断面図。
【図１３】中間層を有するめっき用導電性基材とその前駆体の断面図。
【図１４】金属配線層付き基材の作製例の前半を示す断面図。
【図１５】金属配線層付き基材の作製例の後半を示す断面図。
【図１６】めっき用導電性基材の凹部内にめっきにより金属配線層を形成した状態を示す断面図。
【図１７】図１６に示す凹部内の金属配線層を転写して得られた金属配線層付き基材の断面図。
【図１８】回転体を用いて金属配線層付き基材を連続的に作製するための装置の概念断面図。
【図１９】フープ状のめっき用導電性基材を用いて金属配線層付き基材を連続的に作製するための装置の概念断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明に係る電極基材は、樹脂層及び集電電極又はインターコネクターのための金属配線層を有するものであるが、その電極基材の一例を図面を用いて説明する。図１は、電極基材又は取出電極の一例示す一部平面図である。図１（ａ）は、本発明に係る取出電極のための金属配線を有する電極基材の一例を示す平面図である。電極基材１は樹脂層２上に取出電極３，４（二重斜線部分）が形成されている。これらの電極で図面で横方向の配線は主に集電電極の役割を担い、縦方向の配線は集電電極をインターコネクトする役目を担っている。図１（ｂ）は本発明に係る電極基材の一例が、集電電極に積層されている平面図を示す。樹脂層２上にインターコネクトのための配線５（二重斜線部分）が形成されている。インターコネクトのための配線は、その下の集電電極に接している。図１（ｃ）はこの集電電極（二重斜線部分）の平面図を示している。
図２は、太陽電池の一部断面図である。図２（ａ）は裏面電極型太陽電池である。シリコン基板１０の裏面側において、ｐ拡散層１２とｎ拡散層１３が設けられている。全体の太陽電池としては、これらは交互に複数個設けらる。基板１０の両主面上にはパッシベーション層１１が形成され、裏面側に設けられたコンタクトホールを介してｐ拡散層１２にはｐ（正）電極１４が接続され、ｎ拡散層１３にはｎ（負）電極１５が接続されており、これらの電極１４、１５から電流が取り出される。図２（ｂ）は、汎用型の太陽電池で、アモルファスシリコン層１６の上下にｎ型層１７及びｐ型層１８が形成されており、それぞれに接して表面取出電極１９及び裏面取出電極２０が複数個形成されている。ｎ型層１７の表面には反射防止層２１が形成されている。
図２（ａ）（ｂ）に示すような太陽電池の取出電極と図１（ａ）、（ｂ）に示すような本発明に係る電極基材の配線とが導電ペースト、導電性を有する接着剤、ハンダ等の導電性を有する接続部材を介して接続されることが好ましい。
本発明の電極基材における金属配線層は、太陽電池の裏面又は表面の取出電極を含むものであってもよく、その場合は、取出電極と太陽電池のｐ拡散層（ｐ型層）又はｎ拡散層（ｎ型層）は導電ペースト、導電性を有する接着剤、ハンダ等の導電性を有する接続部材で導通的に接合されることが好ましい。
本発明の電極基材は太陽電池の表面又は裏面に適用される。
【００１８】
本発明における電極基材のための基材は、その表面のうち金属配線層を埋設する側に金属配線層を埋設するための樹脂層を有する。
この樹脂層は、熱可塑性樹脂でもよいが、硬化性樹脂が硬化した硬化樹脂であることが好ましい。
また、この樹脂層は、支持基材上に積層されていることが好ましいが、樹脂層だけで基材を構成していてもよい。
【００１９】
支持基材としては、ソーダガラス、耐熱ガラス、石英ガラス等のガラス、プラスチック板、樹脂フィルム等がある。中でも、フレキシブル性を有する樹脂フィルムは、色素増感型太陽電池のセルやモジュールの取扱い性が優れている点で、好適に用いられる。
樹脂フィルムの材質としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ジアセテート樹脂、トリアセテート樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリスルフォン樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、環状ポリオレフィン樹脂等の透明な樹脂が使用される。
樹脂フィルムとしては、厚さ５０〜３００μｍの単層フィルム又は前記樹脂からなる複数層の複合フィルムが挙げられる。
また、支持基材の金属配線層を埋設する樹脂層を形成する面とは反対の面には、耐候性や耐擦傷性を付与するための樹脂を積層していてもよい。
【００２０】
樹脂層を形成するための樹脂としては、前記の通り、熱可塑性樹脂又は硬化性樹脂が使用される。
上記の熱可塑性樹脂として代表的なものとして以下のものがあげられる。たとえば天然ゴム、ポリイソプレン、ポリ−１，２−ブタジエン、ポリイソブテン、ポリブテン、ポリ−２−ヘプチル−１，３−ブタジエン、ポリ−２−ｔ−ブチル−１，３−ブタジエン、ポリ−１，３−ブタジエン）などの（ジ）エン類のポリマー、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルヘキシルエーテル、ポリビニルブチルエーテルなどのポリエーテル類、ポリビニルアセテート、ポリビニルプロピオネートなどのポリビニルエステル類、ポリウレタン、エチルセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリスルホン、ポリスルフィド、フェノキシ樹脂、ポリエチルアクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリ−２−エチルヘキシルアクリレート、ポリ−ｔ−ブチルアクリレート、ポリ−３−エトキシプロピルアクリレート）、ポリオキシカルボニルテトラメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリイソプロピルメタクリレート、ポリドデシルメタクリレート、ポリテトラデシルメタクリレート、ポリ−ｎ−プロピルメタクリレート、ポリ−３，３，５−トリメチルシクロヘキシルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリ−２−ニトロ−２−メチルプロピルメタクリレート、ポリ−１，１−ジエチルプロピルメタクリレート、ポリメチルメタクリレートなどのポリ（メタ）アクリル酸エステル、熱可塑性ポリエステル樹脂、熱可塑性ポリアミド樹脂などが使用可能である。これらのポリマを構成するモノマーは、必要に応じて、２種以上共重合させて得られるコポリマとして用いてもよいし、以上のポリマ又はコポリマを２種類以上ブレンドして使用することも可能である。
【００２１】
前記硬化性樹脂のうち、活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等をベースポリマとし、各々にラジカル重合性あるいはカチオン重合性官能基を付与させた材料が例示できる。ラジカル重合性官能基として、アクリル基（アクリロイル基）、メタクリル基（メタクリロイル基）、ビニル基，アリル基などの炭素−炭素二重結合があり、反応性の良好なアクリル基（アクリロイル基）が好適に用いられる。カチオン重合性官能基としては、エポキシ基（グリシジルエーテル基、グリシジルアミン基）が代表的であり、高反応性の脂環エポキシ基が好適に用いられる。具体的な材料としては、アクリルウレタン、エポキシ（メタ）アクリレート、エポキシ変性ポリブタジエン、エポキシ変性ポリエステル、ポリブタジエン（メタ）アクリレート、アクリル変性ポリエステル等が挙げられる。活性エネルギー線としては、紫外線、電子線等が利用される。
活性エネルギー線が紫外線の場合、紫外線硬化時に添加される光増感剤あるいは光開始剤としては、ベンゾフェノン系、アントラキノン系、ベンゾイン系、スルホニウム塩、ジアゾニウム塩、オニウム塩、ハロニウム塩等の公知の材料を使用することができる。
【００２２】
また、前記硬化性樹脂のうち、熱硬化性樹脂としては、天然ゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、ポリイソブチレン、ブチルゴム、ハロゲン化ブチル、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、ポリイソブテン、カルボキシゴム、ネオプレン、ポリブタジエン等の樹脂と架橋剤としての硫黄、アニリンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂、リグリン樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、アニリン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ホルマリン樹脂、金属酸化物、金属塩化物、オキシム、アルキルフェノール樹脂等の組み合わせで用いられるものがある。なおこれらには、架橋反応速度を増加する目的で、汎用の加硫促進剤等の添加剤を使用することもできる。
【００２３】
熱硬化性樹脂として、硬化剤を利用するものとしては、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミノ基、不飽和炭化水素基等の官能基を有する樹脂とエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、チオール基等の官能基を有する硬化剤あるいは金属塩化物、イソシアネート、酸無水物、金属酸化物、過酸化物等の硬化剤との組み合わせで用いられるものがある。なお、硬化反応速度を増加する目的で、汎用の触媒等の添加剤を使用することもできる。具体的には、硬化性アクリル樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂組成物、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂組成物、ポリウレタン樹脂組成物等が例示される。
【００２４】
さらに、熱硬化性樹脂又は活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル酸又はメタクリル酸の付加物が好ましいものとして例示できる。
アクリル酸又はメタクリル酸の付加物としては、エポキシアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．６０）、ウレタンアクリレート（ｎ＝１．５〜１．６）、ポリエーテルアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．４９）、ポリエステルアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．５４）なども使うこともできる。特に接着性の点から、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエーテルアクリレートが優れており、エポキシアクリレートとしては、１、６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、アリルアルコールジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジルエステル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、ソルビトールテトラグリシジルエーテル等の（メタ）アクリル酸付加物が挙げられる。エポキシアクリレートなどのように分子内に水酸基を有するポリマは接着性向上に有効である。これらの共重合樹脂は必要に応じて、２種以上併用することができる。
【００２５】
なお、熱硬化性樹脂又は活性エネルギー線で硬化する樹脂には、汎用の熱可塑性樹脂がブレンドされていてもよい。
また、樹脂層には、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤などの添加剤が配合されていてもよい。
前記樹脂層の厚さは、少なくとも、金属配線層を埋設させる厚さよりも厚いことが必要である。より確実に金属配線層を樹脂中に埋没させるためには、樹脂層の厚さは、金属配線層を埋設させる厚さの１．５倍以上であることがさらに好ましい。また、樹脂層の厚さは、１００μｍ以下が好ましい。必要以上に厚くしても無駄になるだけある。
【００２６】
本発明における金属配線層は、断面形状が台形状のもの又は断面形状が台形状の上部とこれに連続した下部からなる。
図面を用いて説明する。図３は、金属配線層の一部を切り取った斜視図である。図３（ａ）は、断面形状が台形状の金属配線層であり、図３（ｂ）は、断面形状が台形状の上部とこの上部より幅広の下部からなる金属配線層３０である。図４は、図３（ｂ）に示す金属配線層３０の幅方向の断面図であり、断面が台形状の上部３１とこの上部に連続しており、この上部より幅広な摧円形状の下部３２からなり、上部３１の台形状の底辺と下部３２の摧円形の弦の部分で一体となっている。図３（ｂ）及び図４において、下部は断面形状が摧円形であるが、これにかぎらない。図３（ｂ）及び図４に示されるような場合には、下部３２の上部底辺から突出したような肩部３３は、一つの特徴となりうる。なお、上記の摧円形とは、必ずしも真円を切り取った形だけでなく、楕円又は楕円や真円を変形させたような形状を切り取ったものを包含する。例えば、図５（図３（ｂ）に示す金属層配線層の幅方向の断面図の他の例）の（ａ）、（ｂ）又は（ｃ）であらわされるような形状であってもよい。
また、図３及び図４において、下部の最大幅（したがって金属配線層の最大幅）は、平面部にそってあるが、肩部より下部に最大幅が存在する形状であってもよい。
さらに、金属配線層は、その横断面において、前記したような上部に対し連続している下部が、上部の最大幅よりも狭い最大幅を有するものであってもよい。また、下部の断面形状が矩形状であってもよい。
【００２７】
金属配線層の寸法として、金属配線層全体の厚さは０．１〜３０μｍであることが好ましい。１μｍ未満では、十分に低い抵抗を得ることが困難となる傾向があり、３０μｍを越えると、抵抗はほとんど変化しないため、材料費、工程時間が増え、コスト的に不利になる。また、以上を考慮して３〜１５μｍの範囲であることがさらに好ましい。
また、金属配線層の上面幅は３０μｍ以上が好ましく５０μｍ以上がさらに好ましい。金属配線層の幅が狭すぎると取出電極との接触が不十分になる傾向があり、表面抵抗が上昇する傾向がある。また、金属配線層の上面幅及びその最大幅は、取出電極、インターコネクター等の配線や太陽電池自体の設計によって適宜決定される。特に制限はないが、最大値として上面幅又は最大幅は５ｍｍ以下であることが好ましい。
【００２８】
金属配線層の寸法を図面を用いてさらに説明する。
図６は、金属配線層の横断面図を示す。図６（ａ）は台形状であり、図６（ｂ）は、台形状の上部とこの上部より幅広な摧円形状の下部が一体となったものである。両者において、上面幅（台形状の上辺の長さ）Ｌ１、金属配線層の断面形状における最大幅Ｌは、それぞれ前記したとおりである。
【００２９】
金属配線層の厚さＴは、前記の通り、０．１〜３０μｍであることが好ましく、３〜１５μｍの範囲であることがさらに好ましい。
図６（ｂ）における形状である場合、台形形状の上部の厚さＴ１と下部の厚さＴ２の合計厚さＴが０．１〜３０μｍの範囲となっていれば、Ｔ１とＴ２の値に制限はないが、樹脂層と金属配線層との密着性をより高めるためには、Ｔ２が０．５μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがさらに好ましい。
【００３０】
また、図６の（ａ）又は（ｂ）における形状である場合、金属配線層の最大幅Ｌ及び上面の幅Ｌ１は、前記したとおりである上部台形形状の上底の幅（上面の幅）Ｌ１と下底の幅Ｌ２は、Ｌ１が前記の通りであれば、台形形状の側辺の角度が後記する条件を満たすようにＬ２が決定される。図６（ｂ）における形状である場合、下部が完全に埋没し、樹脂層が肩部及び上部の一部を被覆するようになると、金属配線層と樹脂層の密着性が向上することになるが、この観点からは、最大幅Ｌと上部台形形状の下底の幅Ｌ２の差は、１．０μｍ以上であることが好ましい。
【００３１】
図６の（ａ）及び（ｂ）において、台形状であることは、条件としてその側辺が内側に傾きを持つということであるが、樹脂層に金属配線層を埋設した場合に、上面のみが露出している場合だけでなく、上部の一部が露出している場合にも、その上に積層される透明導電層を、いわゆる、段切れによる未被覆部分の形成がなく、良好な被覆状態が実現されているので、電解液に対する耐腐食性、電極の低抵抗化にとって好ましい。台形状の側辺の傾きは、左右のぞれぞれの内角αが３０°以上９０°未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、３０度以上６０度以下がさらに好ましく、４０度以上６０度以下が特に好ましい。台形形状の角度が小さいと、台形形状の高さに対して幅が広くなるため、最大幅が広く成りすぎる傾向がある。また、角度が大きくなるほど、製法上、下記するように不具合の出る可能性がある。台形状の側辺の傾きは、左右のぞれぞれの内角は、等しくなくてもよい。
【００３２】
また、金属配線層の断面形状が台形の部分は、その幅が、上面に向かって全体として狭まっていればよい。上記図面のよう勾配αで一定勾配で狭まっている必要は必ずしもなく、上面に向かって広がっておらず全体として狭まっていればよい。特に、側面が上面に対して垂直となっている部分がないようにすることが好ましい。
【００３３】
前記の金属配線層の断面形状が台形状の部分に相当する側面は、必ずしも平面ではない。この場合には、図７にその金属配線層の横断面図を示すように、前記の勾配αは、台形の高さｈと台形の側辺の幅ｓ（水平方向で台形の側辺の幅方向）を求め、
【数１】
2010034540.tif 000003
によってαを決定する。
αは、角度で３０度以上９０度未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、３０度以上６０度以下がさらに好ましく、４０度以上６０度以下が特に好ましい。
【００３４】
金属配線層のライン間隔は５０μｍ以上の範囲とすることが好ましい。ライン間隔は、大きいほど開口率は向上し、可視光透過率は向上する。本発明における金属配線層の開口率は５０％以上が好ましく、６０％以上がさらに好ましい。ライン間隔が大きくなり過ぎると、表明抵抗の低下効果が低下するため、ライン間隔は２０００μｍ（２ｍｍ）以下とするのが好ましく、特に１００〜１０００μｍであることが好ましい。
【００３５】
本発明における、金属配線層は、少なくとも上面が露出した状態で全体又は一部が樹脂層に埋設されていることが好ましい。これにより、アンカー効果が発現するので金属配線層の透明基材への密着性が向上する。
図８及び図９に、金属配線層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図である。
図８（ａ）では、段目形状が台形の金属配線層３０が一部、樹脂層３４に埋設されている状態を示し、図８（ｂ）は、上面が樹脂層３４からは露出しながら金属配線層３０全体が樹脂層３４に埋設されている状態を示す。図９（ａ）は、断面が台形状の上部３１とこの上部より幅広な下部３２が、上部３１の台形状の底辺と下部３２の摧円形の弦の部分で一体となっている金属配線層の下部３２全体が樹脂層１２に埋設されている状態を示す。図９（ｂ）は、同様の金属配線層が上部３２の上面を含む一部が樹脂層３４からは露出した状態で樹脂層３４に埋設されている状態を示す。また、図９（ｃ）は、同様の金属配線層が上部３１の上面のみ樹脂層１２からは露出した状態で樹脂層３４に埋設されている状態を示す。これらの何れの場合も金属配線層の最大幅の部分は、樹脂層３４に埋設されている。
【００３６】
本発明に係る電極基材の製造法について、説明する。
本発明に係る電極基材は、まず、めっき用導電性基材上に金属配線層をめっきにより形成する金属配線層作製工程、その後、めっき用導電性基材上に形成された金属配線層を前記の透明基材に転写する転写工程を含む方法により行われる。樹脂層に金属配線層を埋設する工程は、前記の転写工程において行われるか又は転写工程の後に行われる。
【００３７】
上記金属配線層作製工程に使用されるめっき用導電性基材は、パターン状のめっき部を有する導電性基材であって、導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部（めっき部）が形成されている。この凹部の底面には導電性材料が露出している。
【００３８】
上記導電性基材に用いられる導電性材料は、その露出表面に電解めっきで金属を析出させるために十分な導電性を有するものであり、金属であることが特に好ましい。また、その基材は表面に電解めっきにより形成された金属層を接着性支持体に転写させることができるように、その上に形成された金属層との密着力が低く、容易に剥離できるものであることが好ましい。このような導電性基材の材料としてはステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料、ニッケルなどが特に好ましい。
【００３９】
前記の導電性基材の形状としては、シート状、プレート状、ロール状、フープ状等がある。ロール状の場合は、シート状、プレート状のものを回転体（ロール）に取り付けたものであってもよい。フープ状の場合は、フープの内側の２箇所から数箇所にロールを設置し、そのロールにフープ状の導電性基材を通すような形態等が考えられる。ロール状、フープ状ともに金属箔を連続的に生産することが可能であるため、シート状、プレート状に比較すると、生産効率が高く、好ましい。導電性基材をロールに巻きつけて使用する場合、ロールとして導電性のものを使用し、ロールと導電性基材が容易に導通するようにしたものが好ましい。
【００４０】
絶縁層の厚さは、凹部の深さに対応する。凹部の深さは、析出するめっきの厚さとも関係するため、目的に応じて適宜決定される。絶縁層の厚さは、０．１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であることが好ましく、０．５μｍ以上１０μｍ以下の範囲であることがより好ましい。絶縁層が薄すぎると絶縁層にピンホールが発生しやすくなるため、めっきした際に、絶縁層を施した部分にも金属が析出しやすくなる。絶縁層の厚さは、１〜５μｍであることが特に好ましい。
【００４１】
上記の絶縁層は、ダイヤモンドに類似したカーボン薄膜、いわゆるダイヤモンドライクカーボン（以下、ＤＬＣとする）薄膜のうち、絶縁性を有するものにて形成することができる。ＤＬＣ薄膜は、特に、耐久性、耐薬品性に優れているため、特に好ましい。
さらに、絶縁層をＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２のような無機材料で形成することもできる。
【００４２】
凹部又は絶縁層の形状は、目的応じて適宜決定されるが、平面形状が、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形（ｎは３以上の整数）、円、だ円、星型などの幾何学図形があり、これらを適宜組み合わせた模様としてもよい、これらの単位は、単独で又は２種類以上組み合わせて繰り返されることが可能である。一つのめっき用導電性基材において、凹部の形状と絶縁層の形状は、互いに対応した形状となる。
太陽電池用の電極基材の作製の観点からは、溝状の凹部がストライプ状、格子状又は櫛形状になるように絶縁層を形成することが好ましい。
【００４３】
本発明の一例を図面を用いて説明する。
図１０は、本発明におけるめっき用導電性基材の一例を示す部分斜視図である。図１１は、図１０のＡ−Ａ断面図を示す。図１１の（ａ）は凹部の側面が平面的であるが、（ｂ）は凹部の側面になだらかな凹凸がある場合を示す。めっき用導電性基材５１は、導電性基材５２の上に絶縁層５３が積層されており、絶縁層５３に凹部５４が形成されており、凹部５４の底部は、導電性基材５２が露出している。凹部５４の底部は、導電性基材に導通している導体層であってもよい。
この例においては、絶縁層５３は、幾何学図形としては正方形であり、この正方形の周りに溝状の凹部５４が格子状に形成されている。しかし、この形状は、目的に応じて適宜決定される。例えば、図１（ａ）の金属配線層、（ｂ）のインターコネクターのためのは緯線に対応した凹部の形状が施される。
導電性基材５２と絶縁層５３の間には、絶縁層５３の接着性の改善等を目的として、導電性又は絶縁性の中間層（図示せず）が積層されていてもよい。または、凹部５４は、その幅が、開口方向に向かって全体として幅広になっている。図面のよう勾配αで一定に幅広になっている必要は必ずしもない。めっきにより形成される金属配線層の剥離に問題がなければ、凹部は、開口方向に向かって幅が狭くなっている部分があってもよいが、このような部分がない方が良く、凹部は開口方向に向かって狭まっておらず全体として広がっていることが好ましい。特に、凹部の一側面がその対面と共に、底面に対して垂直となっている部分がないようにすることが好ましいが、高さ方向で１μｍ以上そのような部分が続かないようにすることでもよい。このようなめっき用導電性基材であれば、それを用いてめっきを行った後、析出した金属層をめっき用導電性基材から剥離するに際し、金属配線層と絶縁層との間の摩擦又は抵抗を小さくすることができ、その剥離がより容易になる。
【００４４】
凹部の側面は、必ずしも平面ではない。この場合には、図１１（ｂ）に示すように、前記の勾配αは、凹部の高さｈ（図１１（ｂ）において、これは、絶縁層の厚さとなる）と凹部の側面の幅ｓ（水平方向で凹部の側面の幅方向）を求め、
【数２】
2010034540.tif 000004
によってαを決定する。
αは、角度で３０度以上９０度未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、３０度以上６０度以下が特に好ましい。この角度が小さいと作製が困難となる傾向があり、大きいと凹部にめっきにより形成し得た金属配線層（導体層パターン）を剥離する際、又は、透明基材に転写する際の抵抗が大きくなる傾向がある。
【００４５】
本発明のめっき用導電性基材における絶縁層の平面形状及びその厚さ若しくは凹部の深さは、本発明のめっき用導電性基材を用いて得られる金属配線層にとって好ましい形状を考慮して適宜決定される。
【００４６】
また、絶縁層の厚さは、前記と同様であるが、これに対応するように、本発明のめっき用導電性基材における凹部４の深さは、０．１〜２０μｍであることが好ましく、０．５〜１０μｍであることがより好ましく、１〜５μｍであることが特に好ましい。
【００４７】
本発明のめっき用導電性基材において、図１１に示すような凹部５４の幅は、底部の幅ｄ′が１〜４０μｍで有ることが好ましい。ｄ′が小さすぎると作製が難しくなり、大きすぎると線福が大きくなる傾向がある。開口部の幅ｄは、ｄ′、絶縁層の厚さ及び角度αから決まるが、１〜４０μｍが好ましい。また、凹部５４の開口部の幅ｄは１０〜２５μｍ、底部の幅ｄ′は５〜２０μｍであることが特に好ましい。凹部５４の中心間隔（ラインピッチ）は５０〜２０００μｍであることが好ましく、特に１００〜１０００μｍであることが好ましい。
【００４８】
本発明におけるめっき用導電性基材の製造方法としては、導電性基材の表面に、導電性基材を露出させている凹部によって幾何学図形が描かれるように絶縁層を形成する工程を含む。
この工程は、（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程、（Ｂ）除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程及び
（Ｃ）絶縁層が付着している凸状のパターンを除去する工程を含む。
【００４９】
上記（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程は、フォトリソグラフ法を利用して、レジストパターンを形成する方法を利用することができる。
この方法（ａ法）は、
（ａ−１）導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
（ａ−２）感光性レジスト層を金属配線層（導体層パターン）に対応したマスクを通して露光する工程及び
（ａ−３）露光後の感光性レジスト層を現像する工程
を含む。
【００５０】
また、上記（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程は、レーザを利用する方法により行うことができる。この方法（ｂ法）は、
（ｂ−１）導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
（ｂ−２）感光性レジスト層に導体層パターンに対応した部分にマスクをせずレーザー光を照射する工程及び
（ｂ−３）レーザー光を照射後の感光性レジスト層を現像する工程を含む。
【００５１】
感光性レジストとしては、よく知られたネガ型レジスト（光が照射された部分が硬化する）を使用することができる。また、このとき、マスクもネガ型マスク（凹部に対応する部分は光が通過する）が使用される。また、感光性レジストとしてはポジ型レジストを用いることができる。これらの方式に対応して上記ａ法及びｂ法における光照射部分が適宜決定される。
【００５２】
具体的方法として、導電性基材上にドライフィルムレジスト（感光性樹脂層）をラミネートし、マスクを装着して露光することにより、凸状パターンとして残存させる部分を硬化状態に不要部を現像可能状態とし、不要部を現像して除去することにより形成することができる。また、凸状パターンは、導電性基材に液状レジストを塗布した後に溶剤を乾燥するかあるいは仮硬化させた後、マスクを装着して露光することにより、凸状パターンとして残存させる部分を硬化状態に不要部を現像可能状態とし、不要部を現像して除去することにより形成することもできる。液状レジストは、スプレー、ディスペンサー、ディッピング、ロール、スピンコート等により塗布できる。
【００５３】
上記において、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後に、マスクを介して露光する代わりにレーザー光などでマスクを使用せず直接に露光する方法を採用することもできる。光硬化性樹脂にマスクを介して又は介さずして活性エネルギー線を照射することでパターニングできればその態様は問わない。
導電性基材のサイズが大きい場合などはドライフィルムレジストを用いる方法が生産性の観点からは好ましく、導電性基材がめっきドラムなどの場合は、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後にマスクを介さずにレーザー光などで直接に露光する方法が好ましい。
【００５４】
前記において、感光性レジストの代わりに熱硬化性樹脂を用い、レーザー光の照射により熱硬化性樹脂の不要部を除去する方法によっても行うことができる。
【００５５】
印刷法を用いてレジストパターン（凸状パターン）を形成することができるが、この場合には、レジストパターンの印刷方法としては様々な方法を用いることができる。例えば、スクリーン印刷、凸版印刷、凸版オフセット印刷、凸版反転オフセット印刷、凹版印刷、凹版オフセット印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷などを用いることができる。レジストとしては光硬化性又は熱硬化性の樹脂が使用できる。印刷後、光照射又は熱によりレジストを硬化させる。
【００５６】
本発明におけるめっき用導電性基材の製造方法の一例を図面を用いて説明する。
図１２は、めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を断面図で示したものである。
【００５７】
導電性基材５２の上に感光性レジスト層（感光性樹脂層）５５形成されている（図１２（ａ））。この積層物の感光性レジスト層（感光性樹脂層）５５に対し、フォトリソグラフ法を適用して感光性レジスト層５５をパターン化する（図１２（ｂ））。パターン化は、パターンが形成されたフォトマスクを感光性レジスト層５５の上に載置し、露光した後、現像して感光性レジスト層５５の不要部を除去して突起部５６を残すことにより行われる。突起部５６の形状とそれからなる凸状パターンは、導電性基材５２上の凹部５４とそのパターンに対応するよう考慮される。
【００５８】
この時、突起部５６の断面形状において、その側面は、導電性基材に対して垂直であること、又は、突起部６が導電性基材５２に接する端部に対して、突起部５６の側面上方の少なくとも一部がその端部に覆い被さるような位置にあることが好ましい。突起部５６の幅で言う場合は、凸状パターン幅の最大値ｄ１は、凸状パターンと導電性基材５２に接する幅ｄ０と等しいか大きくすることが好ましい。これは、形成される密着性のよい絶縁層の凹部幅はｄ１によって決定されるからである。ここで、突起部５６の断面形状で、突起部５６の幅の最大値ｄ１が突起部６と導電性基材２に接する幅ｄ０と等しいか大きくする方法としては、突起部６の現像時にオーバ現像するか、形状がアンダーカットとなる特性を有するレジストを使用すれば良い。ｄ１は凸部の上部で実現されていることが好ましい。
除去可能な凸部のパターンを形成する突起部５６の形状は、凹部の形状に対応づけられるが、その作製の容易性から、最大幅１μｍ以上、間隔が１μｍ以上、高さが１〜５０μｍであることが好ましい。めっき用導電性基材を、光透過性電磁波遮蔽部材用の導体層パターンを作製するために使用するときは、突起部６は、最大幅１〜４０μｍ、間隔が５０〜１０００μｍ及び高さ１〜３０μｍであることがそれぞれ好ましい。特に最大幅３〜１０μｍ、間隔が１００〜４００μｍであることが好ましい。また、めっき用導電性基材を、穴明き金属箔を作製するために使用するときは、前記したような絶縁層５３が形成されるように、平面形状が適宜の大きさの円形又は矩形である突起部を適当な間隔に配置する。
【００５９】
前記した（Ｂ）除去可能な凸状パターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程について、説明する。
突起部５６からなる凸状パターンを有する導電性基材５２の表面に絶縁層５７を形成する（図３（ｃ））。
【００６０】
絶縁層としてＤＬＣ薄膜を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、アーク放電法、イオン化蒸着法等の物理気相成長法、プラズマＣＶＤ法等の化学気相成長法等のドライコーティング法を採用し得るが、成膜温度が室温から制御できる高周波やパルス放電を利用するプラズマＣＶＤ法が特に好ましい。
【００６１】
上記ＤＬＣ薄膜をプラズマＣＶＤ法で形成するために、原料となる炭素源として炭化水素系のガスが好んで用いられる。例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン系ガス類、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン系ガス類、ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス類、アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス類、ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香族炭化水素系ガス類、シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン系ガス類、シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン系ガス類、メタノール、エタノール等のアルコール系ガス類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系ガス類、メタナール、エタナール等のアルデヒド系ガス類等が挙げられる。上記
ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。また、元素として炭素と水素を含有する原料ガスとして上記した炭素源と水素ガスとの混合物、上記した炭素源と一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみから構成される化合物のガスと水素ガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスと酸素ガスまたは水蒸気との混合物等が挙げられる。更に、これらの原料ガスには希ガスが含まれていてもよい。希ガスは、周期律表第０属の元素からなるガスであり、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等が挙げられる。これらの希ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。
【００６２】
絶縁層は、その全体を、上述した絶縁性のＤＬＣ薄膜によって形成してもよいが、当該ＤＬＣ薄膜の、金属板等の導電性基材に対する密着性を向上させて、絶縁層の耐久性をさらに向上させるためには、この両者の間に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉもしくはそれらの窒化物又は炭化物から選ばれる一種以上の成分又はその他よりなる中間層を介挿することが好ましい。
上記ＳｉまたはＳｉＣの薄膜は、例えば、ステンレス鋼などの金属との密着性に優れる上、その上に積層する絶縁性のＤＬＣ薄膜との界面においてＳｉＣを形成して、当該ＤＬＣ薄膜の密着性を向上させる効果を有している。
中間層は、前記したようなドライコーティング法により形成させることができる。
中間層の厚みは、１μｍ以下であることが好ましく、生産性を考慮すると０．５μｍ以下であることが更に好ましい。１μｍ以上コーティングするには、コーティング時間が長くなると共に、コーティング膜の内部応力が大きくなるため適さない。
【００６３】
絶縁層をＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２のような無機材料で形成する場合にも、スパッタリング法、イオンプレーティング法といった物理的気相成長法やプラズマＣＶＤといった化学気相成長法を用いることができる。例えばスパッタリング法で形成する場合には、ターゲットをＳｉまたはＡｌにして反応性ガスとして酸素、窒素などの導入することでＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４などの酸化物、窒化物を成膜することができる。また、イオンプレーティング
法を用いる場合にはＳｉやＡｌを原料とし、電子ビームをこれらに照射することで蒸発させ、基板に成膜することができる。その際に、酸素、窒素、アセチレンといった反応性ガスを導入することで酸化物、窒化物、炭化物を成膜することができる。
また、ＣＶＤ法で成膜する場合には金属塩化物、金属水素化物、有機金属化合物などのような化合物ガスを原料とし、それらの化学反応を利用して成膜することでできる。酸化シリコンのＣＶＤは、例えばＴＥＯＳ、オゾンを用いたプラズマＣＶＤで行える。窒化シリコンのＣＶＤは、例えばアンモニアとシランを用いたプラズマＣＶＤで行える。
【００６４】
次に、前記した（Ｃ）絶縁層が付着している凸状パターンを除去する工程について説明する。絶縁層５７が付いている状態（図１２（ｃ）参照）で、突起部５６からなる凸状パターンを除去する（図１２（ｄ）参照）。
絶縁層の付着しているレジストの除去には、市販のレジスト剥離液や無機、有機アルカリ、有機溶剤などを用いることができる。また、パターンを形成するのに使用したレジストに対応する専用の剥離液があれば、それを用いることもできる。
剥離の方法としては、例えば薬液に浸漬することでレジストを膨潤、破壊あるいは溶解させた後これを除去することが可能である。液をレジストに十分含浸させるために超音波、加熱、撹拌等の手法を併用しても良い。また、剥離を促進するためにシャワー、噴流等で液をあてることもできるし、柔らかい布や綿棒などでこすることもできる。
また、絶縁層の耐熱が十分高い場合には高温で焼成してレジストを炭化させて除去することもできるし、レーザーを照射して焼き飛ばす、といった方法も利用できる。
剥離液としては、例えば、３％ＮａＯＨ溶液を用い、剥離法としてシャワーや浸漬が適用できる。
【００６５】
導電性基材５２上に形成される絶縁層と、突起部５６の側面に形成される絶縁層とでは、性質又は特性が異なるようにする。すなわち、硬度が、前者の方が後者より大きい。ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法で形成するときは、このようになる。一般に絶縁膜を形成するときに、絶縁材料の移動速度が例えば９０度の角度で異なるような場合に、上記のように形成される膜の性質又は特性が異なるようになる。
導電性基材に形成される絶縁層と凸状パターンの側面に形成される絶縁層との境界面の凸状パターンの側面（基材に対して垂直面として）からの距離が、凸状パターンの立位方向に向かって小さくなっておらず、全体として大きくなっていることが好ましい。
凸状パターンの側面（導電性基材に対して垂直面として）とは、凸状パターンの側面が基材に対して垂直面であれば、その面であるが、凸状パターンの側面が基材側に覆い被さるような場合は、凸状パターンの側面が導電性基材で終わる地点から垂直に立ち上げた垂直面である。
突起部５６を除去するとき、絶縁層は、この境界で分離され、その結果、凹部の側面が、傾斜角αを有するようになる。傾斜角αは、角度で３０度以上９０度未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、３０度以上６０度以下がさらに好ましく、４０度以上６０度以下が特に好ましく、ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤで作製する場合、ほぼ４０〜６０度に制御することが容易になる。すなわち、凹部５４は、開口方向に向かって幅広になるように形成される。傾斜角αの制御方法としては、突起部５６の高さを調整する方法が好ましい。突起部５６の高さが大きくなるほど、傾斜角αを大きく制御しやすくなる。
【００６６】
上記の絶縁層の形成において、導電性基材はレジストの影にならないので、導電性基材上の絶縁層は性質が均一である。これに対し、凸状パターンの側面への絶縁層の形成は、凸状パターンの側面が導電性基材上の膜厚方向に対し角度を有しているため、形成される絶縁層（特にＤＬＣ膜）は、導電性基材上の絶縁層と同じ特性（例えば、同じ硬度）の絶縁層が得られない。このような異質な絶縁層の接触面においては、絶縁層の成長に伴い絶縁層の境界面が形成され、しかも、その境界面は絶縁層の成長面であることから、滑らかである。このため、突起部からなる凸状パターンを除去するとき、絶縁層（特にＤＬＣ膜）は、この境界で容易に分離される。さらに、この境界面、即ち、凹部側面となる傾斜角αは、導電性基材上の膜厚方向に対し突起部の側面で絶縁層の成長が遅れるため、結果として、境界面の傾斜角は、上記のように制御される。
【００６７】
本発明において導電性基材上に形成された絶縁層の硬度は、１０〜４０ＧＰａであることが好ましい。硬度が１０ＧＰａ未満の絶縁層は軟質であり、本導電性基材をめっき用版として用いる際に、繰り返し使用における耐久性が低くなる。硬度が４０ＧＰａ以上では、導電性基材を折り曲げ等の加工をした際に基材の変形に追随できなくなり、絶縁層にひびや割れが発生しやすくなる。導電性基材上に形成される絶縁層の硬度は、より好ましくは１２〜３０ＧＰａである。
これに対して、凸部側面に形成される絶縁層の硬度は１〜１５ＧＰａであることが好ましい。凸部側面に形成される絶縁層は、少なくとも導電性基材上に形成される絶縁層の硬度よりも低くなるように形成しなければならない。そうすることにより両者間に境界面が形成され、後の絶縁層の付着した突起部からなる凸状パターンを剥離する工程を経た後に、幅広な凹部が形成されることになる。突起部側面に形成される絶縁層の硬度は１〜１０ＧＰａであることがより好ましい。
【００６８】
絶縁層の硬度は、ナノインデンテーション法を用いて測定することができる。ナノインデンテーション法とは、先端形状がダイヤモンドチップから成る正三角錐（バーコビッチ型）の圧子を薄膜や材料の表面に押込み、そのときの圧子にかかる荷重と圧子の下の射影面積から硬度を求める。ナノインデンテーション法による測定として、ナノインデンターという装置が市販されている。導電性基材上に形成された膜の硬度はそのまま導電性基材上から圧子を押し込んで測定することができる。また、凸部側面に形成される膜の硬度を測定するためには、導電性基材の一部を切り取って樹脂で注型し、断面から凸部側面に形成された絶縁層に圧子を押し込んで測定することができる。通常ナノインデンテーション法では圧子に１〜１００ｍＮの微少荷重をかけて硬度測定を行うが、本発明では３ｍＮの荷重で１０秒間負荷をかけて測定した値を硬度の値として記載している。
このようにして、めっき用導電性基材１を作製することができる。
【００６９】
図１３は、中間層を有するめっき用導電性基材とその前駆体の断面図を示す。
突起部６からなる凸状パターンが形成された導電性基材５２の表面に、絶縁層５７を形成する前に、中間層５８を形成することが好ましい（図１３（ｃ′））。中間層としては、前記したものが使用でき、その形成方法も前記したとおりである。中間層５８を形成した場合、得られるめっき用導電性基材は、凹部５４の底部は、導電性基材５２が露出しており、それ以外では、中間層５８の上に絶縁層５７が形成されている（図１３（ｄ′））。また、中間層は、凸状パターン５６の形成前に、導電性基材５２の表面に形成しても良い。この後、その表面に、前記したように導電性基材を露出させている凹部によって幾何学図形が描かれるように絶縁層を形成する工程を行っても良い。この場合、中間層として、電界めっきが十分可能な程度に導電性のものを使用した場合、凹部の底部はその中間層のままでよいが、十分な導電性を有していない場合は、ドライエッチング等の方法により、凹部の底部の中間層を除去し、導電性基材５２を露出させる。
【００７０】
前記金属配線層作製工程において適用されるめっき法は公知の方法を採用することができる。めっき法としては、電解めっき法、無電解めっき法その他のめっき法を適用することができるが、めっき速度や材料コストを考慮すると、電解めっき法が最も好ましい。
電解めっきについてさらに説明する。例えば、電解銅めっきであれば、めっき用の電解浴には硫酸銅浴、ほうふっ化銅浴、ピロリン酸銅浴、または、シアン化銅浴などを用いることができる。このときに、めっき浴中に有機物等による応力緩和剤（光沢剤としての効果も有する）を添加すれば、より電着応力のばらつきを低下させることができることが知られている。また、電解ニッケルめっきであれば、ワット浴、スルファミン酸浴などを使用することができる。これらの浴にニッケル箔の柔軟性を調整するため、必要に応じてサッカリン、パラトルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、ナフタリントリスルホン酸ナトリウムのような添加剤、及びその調合剤である市販の添加剤を添加して
もよい。さらに、電解金めっきの場合は、シアン化金カリウムを用いた合金めっきや、クエン酸アンモニウム浴やクエン酸カリウム浴を用いた純金めっきなどが用いられる。合金めっきの場合は、金−銅、金−銀、金−コバルトの２元合金や、金−銅−銀の３元合金が用いられる。他の金属に関しても同様に公知の方法を用いることができる。電界めっき法としては、例えば、「現場技術者のための実用めっき」（日本プレーティング協会編、１９８６年槇書店発行）第８７〜５０４頁を参照することができる。
【００７１】
めっきによって出現又は析出する金属としては、銀、銅、金、アルミニウム、タングステン、ニッケル、鉄、クロム等の導電性を有するものが使用されるが、２０℃での体積抵抗率（比抵抗）が２０μΩ／ｃｍ以下の金属を少なくとも１種類以上含むことが望ましい。本発明により得られる構造体を電磁波遮蔽シートとして用いる場合には電磁波を電流としてアースするためにこれを構成する金属は導電性が高い方が電磁波遮蔽性に優れるためである。このような金属としては、銀（１．６２μΩ／ｃｍ）、銅（１．７２μΩ／ｃｍ）、金（２．４μΩ／ｃｍ）、アルミニウム（２．７５μΩ／ｃｍ）、タングステン（５．５μΩ／ｃｍ）、ニッケル（７．２４μΩ／ｃｍ）、鉄（９．０μΩ／ｃｍ）、クロム（１７μΩ／ｃｍ、全て２０℃での値）などがあるが特にこれらに限定するものではない。できれば体積抵抗率が１０μΩ／ｃｍであることがより好ましく、５μΩ／ｃｍであることがさらに好ましい。金属の価格や入手の容易さを考慮すると銅を用いることが最も好ましい。これらの金属は単体で用いてもよく、さらに機能性を付与するために他の金属との合金でも構わないし、金属の酸化物であってもよい。ただし、体積抵抗率が２０μΩ／ｃｍである金属が成分として最も多く含まれていることが導電性の観点から好ましい。
【００７２】
前記した導電性基材の凹部にめっきにより形成される金属配線層の厚さ（めっき厚さ）、幅、間隔等の調整は、前記した金属配線層について説明したとおりである。凹部へのめっきの程度は、めっき液の選択、めっき液組成（例えば、光沢剤の選択や使用量）、めっき時間、電流密度等を適宜調整することによって行うことができる。
【００７３】
本発明における金属配線層は、前記しためっき用導電性基材の表面形状に対応した形状となる。その形状及び寸法については前記したとおりである。
【００７４】
析出する金属層の厚さに対して相対的に凹部がより深くなることにより、析出する金属層をより形状的に規正することができるという観点から、めっきにより形成される金属箔の厚さを絶縁層の高さの２倍以下とすることが好ましく、特に１．５倍以下、さらに１．２倍以下とすることが好ましいが、これに制限されるものではない。
めっきの程度を、析出する金属層（金属配線層）が凹部内に存在する程度とすることができる。このような場合であっても、凹部形状が開口方向に幅広であるため、さらには、絶縁層により形成される凹部側面の表面を平滑にできるため、金属箔パターンの剥離時のアンカー効果を小さくできる。また、析出する金属層の幅に対する高さの割合を高くすることが可能となり、透過率をより向上させることができる。
【００７５】
本発明における金属配線層は、前記しためっき用導電性基材の表面形状に対応した形状となる。その形状及び寸法については前記したとおりである。
【００７６】
前記した導体層のＬ３とＴ１の関係が式（２）〔より好ましくは式（３）〕の関係になるようにするためには、例えば、めっき液として、硫酸銅浴を使用する場合、次の配合からなるものが好ましい。
【００７７】
硫酸銅（五水和物）    ５０〜４００  ｇ／Ｌ（銅分として１２〜１００  ｇ／Ｌ）
硫酸                  ５０〜２００  ｇ／Ｌ
を含み、必要に応じて、
塩素イオン（塩酸または塩化ナトリウム）  ２０〜１００  ｍｇ／Ｌ
光沢剤（３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸塩など）  適量
界面活性剤（ポリエチレングリコール類など）    適量
を溶解・配合した水溶液が用いられる。
光沢剤及び界面活性剤に替わる薬剤として
高分子多糖類
低分子膠
を用いても対応可能である。
【００７８】
前記した金属配線層作成工程において、めっき用導電性基材上に作製された金属配線層は、次の転写工程において、基材に転写される。
【００７９】
基材については前記したとおりであるが、転写工程においては、その樹脂層は、粘着性を有しているもの又は粘着性を示すもの（以下、これらを、「粘着剤」という）からなる。この粘着剤には、必要に応じて、架橋剤、硬化剤、希釈剤、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤や粘着付与剤などの添加剤を配合していてもよい。なお、上記「粘着性」とは、「接着性」を包含する。
【００８０】
粘着材層（樹脂層）の厚さは、薄すぎると十分な強度が得られないため、めっきで形成された金属配線層を転写する際に、金属配線層が粘着材層に密着せず、転写不良が発生することがある。したがって、粘着材層の厚みは、１μｍ以上であることが好ましく、量産時の転写信頼性を確保するためには３μｍ以上であることが更に好ましい。また、粘着材層の厚さが厚いと、粘着材層の製造コストが高くなるとともに、ラミネートした際に、粘着材層の変形量が多くなるため、粘着材層の厚みは３０μｍ以下が好ましく、１５μｍ以下がさらに好ましい。
透明基材を、めっき用導電性基材の金属配線層が形成されている面に貼り合わせる際には、粘着剤層の特性に応じて、特に、粘着剤層が適度な流動性又は粘着性を発揮するために、必要ならば加熱される。透明基材を粘着剤層を保持する支持基材を有する場合、支持基材は、このような加熱に際しても形状を維持する程度に十分な耐熱性を有することが好ましい。
【００８１】
上記のめっき用導電性基材を用いた電極基材の作製例を次に示す。
図１４は、電極基材の作製例の前半を示す断面図である。また、図１５はその後半を示す断面図である。
上記のめっき用導電性基材１上に、前記しためっき工程により、凹部５４内にめっきを施し、金属配線層５９を形成する（図１４（ｅ））。ついで、別個に準備された転写用基材である透明基材６０、これは、透明な支持基材６１に粘着剤層６２が積層されている。金属配線層（導体層パターン）５８が形成されためっき用導電性基材５１に透明基材６０を粘着剤層６２を向けて圧着する準備を行う（図１４（ｆ））。
ついで、導体層パターンが形成されためっき用導電性基材５１に透明基材６０を粘着剤層６２を向けて圧着する（図１５（ｇ））。このとき、粘着剤層６２が絶縁層５７に接触してもよい。
ついで、支持基材６０を引きはがすと金属配線層５９は、その粘着剤層６２に接着してめっき用導電性基材５１の凹部５４から剥離され、この結果、金属配線層付き基材６３が得られる（図１５（ｈ））。
【００８２】
図１６は、めっき用導電性基材の凹部内にめっきにより金属配線層５９を形成した状態を示す断面図、図１７は、その凹部内の金属配線層５９を転写して得られた金属配線層付き基材６３の断面図を示す。
めっき用導電性基材にめっきした際、めっきは等方的に生長するため、導電性基材の露出部分から始まっためっきの析出は、それが進むと凹部からあふれて絶縁層に覆い被さるように突出して析出する。透明基材への貼着の観点から、突出するようにめっきを析出させることが好ましい。しかし、このとき、めっきの析出を凹部５４内に収まる程度に施しても良い。この状態を図１６に示す。この場合でも、図１７に示すように、透明基材を圧着することにより、金属配線層５９を粘着剤層６２に転着して、めっき用導電性基材５１から金属配線層５９を剥離して、金属配線層付き基材６３を作製することができる。
【００８３】
図１５（ｈ）又は図１６で得られた金属配線層付き基材６３の別の基材６１を他の基材に交換してもよい。このときには、金属配線層付き基材６３の金属配線層が存在する面にフィルムその他の剥離可能な基材を貼り付け、その面を保護することが好ましい。このとき、粘着剤層６２の粘着性は適宜調整される。交換される基材としては、初期の別の基材６１としては、プラスチックフィルムを使用することが、ロールトゥロール方式を利用することができるなどの理由により金属配線層付き基材６３の製造上好ましく、作製された金属配線層付き基材６３のプラスチックフィルムを適宜ガラス板、プラスチック板等に使用目的に応じて交換して使用に供すことができる。また、交換される新しい基材を貼り合わせるに際して別個の粘着剤を介して行っても良い。このような支持基材の交換は、金属配線層付き基材６３を太陽電池の要素に貼り合わせるなどして太陽電池に組み込んだ後に行うこともできる。また、図１５（ｈ）又は図１６で得られた金属配線層付き基材６３において別の基材６１を剥離したものを新たに金属配線層付き基材としてもよい。別の基材６１の剥離は、太陽電池に組み込んだ後で行ってもよい。
【００８４】
本発明により得られる金属配線層付き基材の金属配線層を黒化処理して、黒化処理された金属配線層を有する金属配線層付き基材とすることができる。このためには、上記図１４（ｈ）又は図１６に示すような金属配線層付き基材６３又はこれらの金属配線層付き基材で金属配線層の埋設厚さを調整したものの金属配線層５９を黒化処理する方法、導電性基材５２の凹部５４に形成された金属配線層５９をそれが剥離・転写される前に黒化処理する方法及びこれらの両方の黒化処理を行う方法がある。
【００８５】
上記の黒化処理の方法は、金属パターンに黒色層を形成する手法であるが、このためには、金属層にめっきや酸化処理、印刷などの様々な手法を用いることができる。
【００８６】
また、本発明で用いられるめっき用導電性基材として、回転体（ロール）を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。回転体（ロール）は金属製が好ましい。さらに、回転体としてはドラム式電解析出法に用いるドラム電極などを用いることが好ましい。ドラム電極の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめっき付着性が比較的低い材料を用いることが好ましい。導電性基材として回転体を用いることにより連続的に作製して巻物として金属配線層付き基材を得ることが可能となるため、この場合、生産性が飛躍的に大きくなる。
【００８７】
回転体を用いて、電界めっきにより形成されたパターンを連続的に剥離しながら、構造体を巻物として得る工程を、図１８を用いて説明する。図１８は、導電性基材としてドラム電極を用いた場合に、ドラム電極を回転させつつ、金属を電界めっきにより連続的に析出させ、また、析出した金属を連続的に剥離する装置の概念を示す断面図（一部正面図）である。
【００８８】
すなわち、電解浴１００内の電解液１０１が陽極１０２とドラム電極などの回転体１０３の間のスペースに配管１０４とポンプ１０５により供給されるようになっている。陽極１０２と回転体１０３の間に電圧をかけ、回転体１０３を一定速度で回転させると、回転体１０３の表面に金属が電解析出し、電解液１０１の外で、回転体１０３表面の導電性の凹部に析出した金属配線層１０６に、粘着材層を積層した可撓性で透明な支持基材（例えば、フィルム）である透明基材１０７の粘着材層を圧着ロール１０８で圧着し、連続的に回転体１０３から金属配線層１０６を剥離しつつ粘着層を形成した支持基材１０７にその金属配線層１０６を転写し、金属配線層付き基材１０９とする。これはロール（図示せず）に巻き取ることができる。このようにして金属配線層付き基材１０９を製造することができる。なお、上記の回転体１０３の表面には、凹部とそれにより描かれている幾何学図形状の絶縁層が形成されている。また、回転中の回転体１０３から、凹部に析出した金属配線層１０６が剥離させられた後で、電解液１０１に浸かる前に、回転体１０３表面をエッチング洗浄したり（図示せず）してもよい。なお、図示していないが陽極１０２の上端には高速で循環している電解液が上方へ噴出するのを防ぐために水切りロールを設置しても良く、水切りロールによってせき止められた電解液は陽極１０２の外部から下の電解液の浴槽へと戻り、ポンプにより循環される。また、図示しないがこの循環の間に消費された銅イオン源や添加剤等を必要に応じて追加する態様を加えることが好ましい。
【００８９】
さらに、本発明で用いられるめっき用導電性基材として、フープ状のめっき用導電性基材を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。
フープ状のめっき用導電性基材は、帯状の導電性基材の表面に絶縁層と凹部を形成した後、端部をつなぎ合わせるなどして作製できる。導電性基材の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめっき付着性が比較的小さい材料を用いることが好ましい。フープ状の導電性基材を用いた場合には、黒化処理、防錆処理、転写等の工程を、１つの連続した工程で処理可能となるため導電性パターン付き基材の生産性が高く、また、導電性パターン付き基材を連続的に作製して巻物として製品とすることができる。フープ状の導電性基材の厚さは適宜決定すればよいが、１００〜１０００μｍであることが好ましい。
【００９０】
フープ状の導電性基材を用いて、電界めっきにより形成された金属配線層を連続的に剥離しながら、構造体を巻物として得る工程を、図１９を用いて説明する。図１９は、導電性基材としてフープ状導電性基材を用いた場合に、連続的に金属配線層を電界めっきにより析出させながら剥離する装置の概念図である。
【００９１】
フープ状の導電性基材１１０を、搬送ロール１１１〜１２８を用い、前処理槽１２９、めっき槽１３０、水洗槽１３１、黒化処理槽１３２、水洗槽１３３、防錆処理槽１３４、水洗槽１３５を順次とおり、周回運動するように設置する。前処理槽１２９で導電性基材１１０の脱脂もしくは酸処理等の前処理を行う。その後、めっき槽１３０で、導電性基材１１０上に金属を析出させる。この後に、水洗槽１３１、黒化処理槽１３２、水洗槽１３３、防錆処理槽１３４、水洗槽１３５を順次通して、それぞれで、導電性基材１１０上に析出した金属の表面を黒化し、さらに防錆処理する。各処理工程後にある水洗槽は、１槽しか図示していないが、必要に応じて複数の槽を用いたり、各処理工程の前に他の前処理槽等があってもよい。次いで、接着層（樹脂層）を積層した可撓性で透明は支持基材（例えば、プラスチックフィルム）である透明基材１３６を導電性基材１１０の導電性の凹部に析出した金属配線層が転写されるように搬送ロール１２８上の導電性基材１１０と圧着ロール１３７の間を通し、上記金属配線層を透明基材１３６に転写して、金属配線層付き基材１３８を連続的に製造することができる。得られる金属配線層付き基材１３８は、ロール状に巻き取ることができる。必要に応じて、圧着ロール１３７を加熱することもできるし、図示はしないが、透明基材１３６を、圧着ロールを通過させる前にプレヒート槽を通して予備加熱してもよい。また、金属配線層が転写された透明基材の巻取りには、必要に応じて、離型ＰＥＴ等を挿入してもよい。さらに、金属が転写された後、フープ状導電性基材は、上記の工程を繰り返すこととなる。このようにして、連続的に、高い生産性で金属配線層付き基材を製造することができる。
【００９２】
また、本発明における金属配線層付き基材は、上記のような回転ロールやフープを利用した連続的なめっき方法に限らず枚葉で作製することも可能である。枚葉で行った場合、めっき用導電性基材の作製時の取扱が容易であり、同一のめっき用導電性基材を繰り返し使用した後に一箇所だけ絶縁層が剥離した、といった場合でもドラム状やフープ状の基材であると特定部分だけの抜き取りあるいは交換は困難であるが、枚葉であれば不良が発生しためっき用導電性基材のみを抜き取りあるいは交換することが可能である。このように枚葉で作製することにより、めっき用導電性基材に不具合が発生したときの対応が容易である。枚葉状の導電性基材の厚みは適宜決定すればよいが、めっき槽内で液の攪拌等に左右されない十分な強度を持たせることを考慮すると厚みは２０μｍ以上が好ましい。厚すぎると重量が増え取扱が困難であるため１０ｃｍ以下の厚みであることが好ましい。
【００９３】
透明基材に転写された金属配線層は、その一部又は上面を露出した状態で全部が透明基材の樹脂層に埋設されていることが好ましい。その態様は前記したとおりであるが、そのために、前記転写工程において、金属配線層を樹脂層に埋設するか又は転写工程の後で金属配線層を樹脂層に埋設する工程を行う。
【００９４】
本発明における金属配線層の樹脂層への埋設方法を記載するが、これに限るものではない。上記の金属配線層付き基材は、樹脂層への埋設状態を調節されて、本発明おける電極基材とされる。
まず、めっき用導電性基材の凹部に析出しためっきを透明基材に転写した直後においては、金属配線層の少なくとも最大幅となる部分以下が既に樹脂層に埋没していてもよいし、埋没していなくてもよい。転写した直後において金属配線層の少なくとも最大幅となる部分以下を既に埋没させるためには、転写時における透明基材の樹脂層の流動性を高くする必要がある。それには、例えば、ラミネート温度を高くする方法、樹脂層の組成として反応性の低分子量物を添加しておく方法、樹脂層として液状樹脂を使用する方法等がある。また、この場合、透明基材がめっき用導電性基材に接触している状態で、樹脂層を硬化反応又は個化させてから、透明基材を剥離することが好ましい。硬化反応は、加熱、紫外線等の活性エネルギー線の照射などによるものであるが、瞬時に硬化させた方が生産性が向上するので、紫外線等の活性エネルギー線の照射による硬化が好ましい。
また、金属配線層を透明基材に転写した直後において、未だ金属配線層の最大幅となる部分が樹脂層に埋没していない場合（全く又はほとんど埋設されていない場合を含む）には、別工程で金属配線層を樹脂層中に少なくとも金属配線層の最大幅となる部分以下を樹脂層に埋没させる必要がある。そのためには、金属配線層を透明基材に転写後、金属配線層の付いている透明基材をロールラミネータやプレスなどで、必要に応じて加熱又は活性エネルギー線を照射しながら、加圧して少なくとも金属配線層の少なくとも最大幅の部分以下を樹脂中に埋没させる。このとき、必要に応じて加熱又はエネルギー線を照射して硬化反応を同時に行ってもよく、加熱は流動性を高めるために行ってもよい。また、この場合、表面を保護したり、加圧工程又は後工程で樹脂を紫外線硬化する場合の酸素遮断を目的に、別途フィルムその他の剥離可能な基材を金属配線層の付いている透明基材の金属配線層の上から積層しても良い。樹脂層に硬化性樹脂を使用した場合は、加圧と同時に硬化させない場合は、上記の加圧後に加熱又は活性エネルギー線を照射するなどして樹脂層を硬化させることが好ましい。
また、樹脂層に硬化性樹脂を用いた場合には、基材を上記の転写に供する前、転写後の埋設工程に供する前に、樹脂層の流動性を調整するために、部分的に硬化反応を行っても良いが、転写前に行うときには、転写に必要な粘着性を損なわない程度に行われる。
【００９５】
基材の樹脂層は、転写の際にめっき用導電性基材の絶縁層に接触するため、樹脂厚が厚くなると密着性が高くなり、引き剥がしが困難になったり、引き剥がし時にハンチングが発生しめっき折れが発生することがあるので、厚さとしては、１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がさらに好ましいといえるが、この場合樹脂層が硬化性樹脂であるなら、透明基材を転写に供する前に密着性又は流動性を調整するために部分硬化させてもよい。
また、図８（ａ）、（ｂ）、図９の（ｂ）、（ｃ）において、金属配線層の上部の台形形状の全部（上面を除く）又はその一部までが樹脂層に覆われれている。これは転写時又は転写後の埋設工程で、加圧して（さらに、必要に応じて加熱して）樹脂を流動させることにより行うことができる。このためには、樹脂が金属配線層の形状に沿って回り込むように流動することが必要である。従って、金属配線層が図６（ａ）のような形状をしている場合の厚さＴ、また、金属配線層が図６（ｂ）のような形状をしている場合の上部の厚さＴ１が厚いと、樹脂の流動量が大きくなるため、完全に被覆することが困難であったり、あるいは、加熱加圧工程の時間が長くなり生産性が低下することがあるが、これを回避するためには、上記のＴ又はＴ１は、１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがさらに好ましい。また、金属配線層が図６（ｂ）のような形状をしている場合、Ｔ１が薄いと、下部の上方に存在する樹脂厚が薄くなり、密着性向上効果が小さくなるため、Ｔ１の厚みは１．０μｍ以上が好ましい。
【実施例１】
【００９６】
（パターン仕様１）
以下の仕様で、パターン形成用のネガフィルムを作製した。ライン幅３８５μｍ、間隔２１５μｍで、櫛形状のフィンガー電極パターン及び、インターコネクタに接続する部分に相当する部分が幅広に概略Ｔ字形状になっているパターンを形成した。
【００９７】
（凸状パターンの形成）
レジストフィルム（フォテックＲＹ３３１５、１５μｍ厚、日立化成工業株式会社製）を１５０ｍｍ角のステンレス板（ＳＵＳ３１６Ｌ、＃４００研磨仕上げ、厚さ５００μｍ、日新製鋼（株）製）の両面に貼り合わせた（図１２（ａ）に対応するが同一ではない）。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、パターン仕様１のネガフィルムを、ステンレス板の片面に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムを載置したステンレス板の上下から、紫外線を１２０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに、１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、ＳＵＳ板の上に櫛形形状のフィンガー電極パターン部に相当するライン幅３８５μｍ、間隔２１５μｍ、の突起部レジスト膜（突起部；高さ１５μｍ）を得た。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため、現像されず、全面にレジスト膜が形成されている（図１２（ｂ）に対応するが同一ではない）。
【００９８】
（絶縁層の形成）
ＰＢＩＩ／Ｄ装置（ＴｙｐｅＩＩＩ、株式会社栗田製作所製）によりＤＬＣ膜を形成する。チャンバー内にレジスト膜が付いたままのステンレス基板を入れ、チャンバー内を真空状態にした後、アルゴンガスで基板表面のクリーニングを行った。次いで、チャンバー内にヘキサメチルジシロキサンを導入し、膜厚０．１μｍとなるように中間層を成膜した。次いで、トルエン、メタン、アセチレンガスを導入し、膜厚が２〜３μｍとなるように、中間層の上にＤＬＣ層を形成した（図１２（ｃ）に対応するが同一ではない）。
【００９９】
（凹部の形成；絶縁層の付着した凸状パターンの除去）
絶縁層が付着したステンレス基板を水酸化ナトリウム水溶液（１０％、５０℃）に浸漬し、時々揺動を加えながら８時間放置した。凸状パターンを形成するレジスト膜とそれに付着したＤＬＣ膜が剥離してきた。一部剥がれにくい部分があったため、布で軽くこすることにより全面剥離し、めっき用導電性基材を得た（図１２（ｄ）に対応するが同一ではない）。
【０１００】
（銅めっき）
さらに、上記で得られためっき用導電性基材のパターンが形成されていない面（裏面）に粘着フィルム（ヒタレックスＫ−３９４０Ｂ、日立化成工業（株）製）を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）２５０ｇ／Ｌ、硫酸７０ｇ／Ｌ、キューブライトＡＲ（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）４ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を１０Ａ／ｄｍ２として、めっき用導電性基材の凹部に析出した金属の厚さがほぼ１０μｍになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部の中とそれからあふれるようにめっき（金属配線層）が形成された。
【０１０１】
（基材の作製）
厚さ１００μｍ、１２０ｍｍ角の支持基材であるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の表面に粘着剤であるバイロンＵＲ−１４００（東洋紡（株）製、熱可塑性樹脂であるポリエステルポリウレタン樹脂がトルエンとメチルエチルケトンの混合溶媒で希釈されている。樹脂のガラス転移点は８０℃であった。）を塗布し、１００℃乾燥後の膜厚が２５μｍになるように塗布して支持基材上に粘着剤層を形成して透明基材を作製した。乾燥条件は１００℃１０分間であった。
【０１０２】
（転写及び埋設）
上記透明基材を、１００℃５分間プレヒートしてから、粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度１５０℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード０．１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた透明基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が透明基材の粘着剤層に転写されていた。さらに、金属配線層を転写した面にＥ−７００２（離型ＰＥＴ、３８μｍ厚、東洋紡（株）製）の離型処理面をロールラミネータを用いて圧着した後、離型ＰＥＴを剥離して金属配線層付き基材（電極基材）を得た。
得られた金属配線層付き基材（電極基材）を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、金属配線層の断面形状が図６（ｂ）のような形状であった。上部の上底の幅Ｌ１は３８３〜３８７μｍ、下底の幅Ｌ２は３８８〜３９２μｍ、角度αは４５°、最大幅Ｌは３９５〜４０２μｍ、ＬとＬ２の差は６〜１０μｍで、上部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、下部層の厚みＴ２は６〜１０μｍ、全体の厚みは９〜１２μｍ、ラインピッチ２００μｍの櫛形状のフィンガー電極パターン及び概略Ｔ字形状のインターコネクタ部からなる電極基材がえられていることを確認した。また、同時に図９（ｃ）に示すように、金属配線層の全部が、その上面が樹脂層から露出した状態で樹脂層に埋設されていることを確認した。
【０１０３】
（導電性接着剤層の形成）
上記で得られた電極基材の金属配線層の面上に、厚みが２０μｍとなるように、市販の銀ペーストをスクリーン印刷で形成した。銀ペースト部と太陽電池用半導体基板の裏面に形成されているｐ（正）とｎ（負）の部分圧着し接続した後、１６０℃で２時間加熱硬化して、電極基材が接続された半導体基板を得た。櫛形電極部は、樹脂層に埋没されているため、銀ペーストによる半導体基板との接続後、半導体基板と櫛形電極パターンの隙間は無かった。
ついで、ガラス板、シート状のＥＶＡフィルム（０．５ｍｍ厚）、上記電極基材が接続された半導体基板（電極基材側がガラス板に向いている）、シート状のＥＶＡフィルム（０．５ｍｍ厚）及びフッ素樹脂フィルムテドラー（ＤＵＰＯＮＴ社製、１００μｍ厚）を順に積層させた構成物を、オートクレーブ中、１５０℃、０．５ＭＰａ、３０分の条件下に置き、電極基材が接続された半導体基板が封止された太陽電池を得た。
【実施例２】
【０１０４】
（パターン仕様２）
以下の仕様で、パターン形成用のネガフィルムを作製した。ライン幅３３０μｍ、間隔４２０μｍで、櫛形状のフィンガー電極パターン及び、インターコネクタに接続する部分に相当する部分が幅広に概略Ｔ字形状になっているパターンを形成した。
【０１０５】
（凸状パターンの形成）
レジストフィルム（フォテックＲＹ３５２５、２５μｍ厚、日立化成工業株式会社製）を１５０ｍｍ角のチタン板（ＪＩＳ３種、片面バフ研磨仕上げ、厚さ０．５ｍｍ、（株）神戸製鋼所製）ステンの両面に貼り合わせた（図１２（ａ）に対応する）。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、パターン仕様２のネガフィルムを、チタン板の片面に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムを載置したステンレス板の上下から、紫外線を８０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに、１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、ＳＵＳ板の上にライン幅３３０μｍ、間隔４２０μｍの突起部レジスト膜（突起部；高さ２５μｍ）を得た。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため、現像されず、全面にレジスト膜が形成されている（図１２（ｂ）に対応する）。
【０１０６】
（絶縁層の形成）
ＰＢＩＩ／Ｄ装置（ＴｙｐｅＩＩＩ、株式会社栗田製作所製）によりＤＬＣ膜を形成した。チャンバー内にレジスト膜が付いたままのステンレス基板を入れ、チャンバー内を真空状態にした後、アルゴンガスで基板表面のクリーニングを行った。次いで、トルエン、メタン、アセチレンガスを導入し、膜厚が３μｍとなるように、チタン板の上にＤＬＣ層を形成した（図１２（ｃ）に対応する）。
【０１０７】
（凹部の形成；絶縁層の付着した凸状パターンの除去）
絶縁層が付着したチタン基板を、６０℃に加温したレジスト剥離液ソルファインＴＡ−１１００（昭和電工（株）製）に浸漬し、時々揺動を加えながら８時間放置した。凸状パターンを形成するレジスト膜とそれに付着したＤＬＣ膜が剥離してきた。一部剥がれにくい部分があったため、布で軽くこすることにより全面剥離し、めっき用導電性基材を得た（図１２（ｄ）に対応する）。
【０１０８】
（銅めっき）
さらに、上記で得られためっき用導電性基材のパターンが形成されていない面（裏面）に粘着フィルム（ヒタレックスＫ−３９４０Ｂ、日立化成工業（株）製）を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）１５０ｇ／Ｌ、硫酸１５０ｇ／Ｌ、キューブライトＡＲ（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）４ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を１０Ａ／ｄｍ２として、めっき用導電性基材の凹部に析出した金属の厚さがほぼ２０μｍになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部の中とそれからあふれるようにめっき（金属配線層）が形成された。
【０１０９】
（透明基材の作製）
（配合組成物１）
２−エチルヘキシルメタクリレート  ７０重量部
ブチルアクリレート      １５重量部
２−ヒドロキシエチルメタクリレート  １０重量部
アクリル酸    ５重量部
アゾビスイソブチロニトリル  ０．１重量部
トルエン  ６０重量部
酢酸エチル  ６０重量部
温度計、冷却管、窒素導入管を備えた５００ｃｍ３の三つ口フラスコに、上記した配合組成物１を投入し、穏やかに撹拌しながら、６０℃に加熱して重合を開始させ、窒素でバブリングさせながら、６０℃で８時間、還流中で攪拌を行い、側鎖にヒドロキシル基を有するアクリル樹脂を得た。その後、カレンズ  ＭＯＩ（２−イソシアナトエチルメタクリレート；昭和電工（株）製）５質量部を添加し、穏やかに撹拌しながら５０℃で反応させ、側鎖に光重合性官能基を有する反応性ポリマーの溶液１を得た。
得られた反応性ポリマー１は、側鎖にメタクリロイル基を有しており、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにて測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は８００，０００であった。
反応性ポリマーの溶液１を１００重量部（固形分）に光重合開始剤として２−メチル−１［４−メチルチオ］フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン（商品名イルガキュア９０７、チバガイギー（株））を１重量部、イソシアネート系架橋剤（商品名コロネートＬ−３８ＥＴ、日本ポリウレタン（株）製）を３重量部、トルエンを５０重量部添加し、樹脂組成物１とした。
得られた樹脂組成物を、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の表面（易接着処理を施した面）に、１００℃乾燥後の膜厚が３５μｍになるように塗布して、支持基材上にＵＶ硬化性を有する粘着剤層を形成して、透明基材を作製した。乾燥条件は、１００℃１０分間であった。
【０１１０】
（転写及び埋設）
上記透明基材のＵＶ硬化性を有する粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度３０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた透明基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が透明基材に転写されていた。
さらに、上記で得た銅が転写されている透明基材の銅の上から厚さ５０μｍのカバーフィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の易接着層とは反対面をロールラミネートで貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度８０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎとした。この後、導体層パターンが形成された面とは反対の面から、照射量１Ｊ／ｃｍ２となるように、紫外線を照射した後カバーフィルムを剥離して、金属配線層付き基材（電極基材）を得た。
得られた金属配線層付き基材（電極基材）を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図６（ｂ）のような形状であった。上部の上底の幅Ｌ１は３２８〜３３３μｍ、下底の幅Ｌ２は３３３〜３３８μｍ、角度αは４５°、最大幅Ｌは３４９〜３５７μｍ、ＬとＬ２の差は１６〜２１μｍで、上部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、下部層の厚みＴ２は１６〜２１μｍ、全体の厚みは１８〜２３μｍ、ラインピッチ２００μｍの櫛形状のフィンガー電極パターン及び概略Ｔ字形状のインターコネクタ部からなる電極基材がえられていることを確認した。また、同時に図９（ｃ）に示すように、金属配線層の全部が、その上面が樹脂層から露出した状態で樹脂層に埋設されていることを確認した。
【０１１１】
（導電性接着剤の形成）
上記で得られた電極基材の金属配線層の面上に、厚みが２０μｍとなるように、市販の銀ペーストをスクリーン印刷で形成した。銀ペースト部と太陽電池用半導体基板の裏面に形成されているｐ（正）とｎ（負）の部分圧着し接続した後、１６０℃で２時間加熱硬化して、電極基材が接続された半導体基板を得た。櫛形電極部は、樹脂層に埋没されているため、銀ペーストによる太陽電池用半導体基板との接続後、半導体基板と櫛形電極パターンの間に隙間はなかった。
ついで、ガラス板、シート状のＥＶＡフィルム（０．５ｍｍ厚）、上記電極基材が接続された半導体基板（電極基材側がガラス板に向いている）、シート状のＥＶＡフィルム（０．５ｍｍ厚）及びフッ素樹脂フィルムテドラー（ＤＵＰＯＮＴ社製、１００μｍ厚）を順に積層させた構成物を、オートクレーブ中、１５０℃、０．５ＭＰａ、３０分の条件下に置き、電極基材が接続された半導体基板が封止された太陽電池を得た。
得られた構成物を裏面のガラス板側から肉眼観察してみたところ、気泡等の巻き込みはほとんどなく、電極基材と半導体基板は良好に密着していた。
【実施例３】
【０１１２】
実施例１において、透明ＰＥＴの代わりに白色ＰＥＴ（製品名ｄｙＭａｔ  ＰＹＥ  、ＣＯＶＥＭＥ社製）を使用し、転写用樹脂のバイロンＵＲ−１４００（東洋紡（株）製）の乾燥塗布厚を４０μｍ、めっき厚をほぼ２０μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして金属配線層付き基材（電極基材）を作製した。
金属配線層付き基材（電極基材）を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図６（ｂ）のような形状であった。上部の上底の幅Ｌ１は３８３〜３８８μｍ、下底の幅Ｌ２は３８７〜３９２μｍ、角度αは４５°、最大幅Ｌは４０３〜４１０μｍ、ＬとＬ２の差は１６〜２１μｍで、上部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、下部層の厚みＴ２は１６〜２１μｍ、全体の厚みは１８〜２３μｍ、ラインピッチ２００μｍの櫛形状のフィンガー電極パターン及び概略Ｔ字形状のインターコネクタ部からなる電極基材がえられていることを確認した。また、同時に図９（ｃ）に示すように、金属配線層の全部が、その上面が樹脂層から露出した状態で樹脂層に埋設されていることを確認した。
さらに、実施例１と同様に、電極基材の金属配線層の面上に銀ペーストをスクリーン印刷で形成し、櫛形電極パターンと太陽電池用半導体基板を接続して、電極基材を接続した半導体基板を得た。櫛形電極部は、樹脂層に埋没されているため、銀ペーストによる半導体基板との接続後、半導体基板と櫛形電極パターンの間に隙間はなかった。
さらに、ガラス板、シート状のＥＶＡフィルム（０．５ｍｍ厚）及び上記で作製した電極基材を接続した半導体基板（電極基材側をＥＶＡシートに向ける）を順に積層させた構成物を、オートクレーブ中、１５０℃、０．５ＭＰａ、３０分の条件下に置き、電極基材を接続した半導体基板を封止して、太陽電池を得た。
ガラス板側から観察したところ、泡等の巻き込みは観察されなかった。また白色ＰＥＴを使うことにより、太陽電池全体の反射特性が明らかに向上していた。
【実施例４】
【０１１３】
実施例３において、透明ＰＥＴの代わりに防湿処理ＰＥＴ（製品名ｄｙＭａｔ  ＰＹＥ  、ＣＯＶＥＭＥ社製）を使用したこと以外は、実施例３と同様にして、金属配線層付き基材（電極基材）、電極基材が接続された半導体基板及びこれを含む構成物を作製した。
金属配線層付き基材（電極基材）の金属配線層の樹脂層への埋設状態は実施例３におけるのと同様であった。また、得られた構成物に気泡等の巻き込みは観察されなかった。また防湿処理ＰＥＴを使うことにより、加熱・加湿試験（８５℃８５％５００時間）後でも電極基材と半導体基板は良好に密着していた。
【実施例５】
【０１１４】
実施例２にける透明基材の作製において、樹脂組成物１の塗布面を、１００μｍ厚の透明ＰＥＴ（Ａ−４１００、東洋紡（株）製）の易接着処理を施した面とは反対の面としたこと以外は実施例２と同様にして透明基材を得た。
この透明基材を使用したこと以外は、実施例２と同様にして、金属配線層付き基材（電極基材）及び電極基材が接続された半導体基板を作製した。
ＰＥＴフィルムの易接着処理を施した面とは反対の面は、密着性が低いため、上記で得られた電極基材が接続された半導体基板の電極基材から支持基材であるＰＥＴフィルムのみ剥離除去することができた。
次いで、ガラス板、シート状のＥＶＡフィルム（０．５ｍｍ厚）、電極基材が接続された半導体基板からＰＥＴフィルムを剥離しもの（電極基材側をガラス板に向ける）、シート状のＥＶＡフィルム（０．５ｍｍ厚）及びフッ素樹脂フィルムテドラー（ＤＵＰＯＮＴ社製、１００μｍ厚）を順に積層した構成物を、オートクレーブ中、１５０℃、０．５ＭＰａ、３０分の条件下におき、電極基材が接続された半導体基板を封止して、太陽電池を得た。
得られた太陽電池をガラス側から肉眼観察してみたところ、気泡等の巻き込みはほとんどなく、電極基材と半導体基板は良好に密着していた。
【符号の説明】
【０１１５】
１：電極基材
２：樹脂層
３，４：金属配線層
５：インターコネクターのための配線
１０：シリコン基板  １１：パッシベーション層
１２：ｐ拡散層
１３：ｎ拡散層
１４、１５：電極導体層
１６：アモルファスシリコン層
１７：ｎ型層
１８：ｐ型層
１９：表面取出電極
２０：裏面取出電極
２１：反射防止層
３０：金属配線層
３１：上部
３２：下部
３３：肩部
３４：樹脂層
５１：めっき用導電性基材
５２：導電性基材
５３：絶縁層
５４：凹部
５５：感光性レジスト層（感光性樹脂層）
５６：突起部
５７：ＤＬＣ膜
５８：中間層
５９：金属配線層
６０：転写用基材
６１：別の基材
６２：粘着剤層
６３：他の基材
６４：保護樹脂
６５：粘着剤
６６：他の基材
６７：接着剤又は粘着剤
６８：保護フィルム
１００：電解浴
１０１：電解液
１０２：陽極
１０３：回転体
１０４：配管
１０５：ポンプ
１０６：金属
１０７：透明基材
１０８：圧着ロール
１０９：金属配線層付き基材
１１０：フープ状の導電性基材
１１１〜１２８：搬送ロール
１２９：前処理槽
１３０：めっき槽（電解浴槽）
１３１：水洗槽
１３２：黒化処理槽
１３３：水洗槽
１３４：防錆処理槽
１３５：水洗槽
１３６：透明基材
１３７：圧着ロール
１３８：金属配線層付き基材
【図１】
2010034540.tif 000005
【図２】
2010034540.tif 000006
【図３】
2010034540.tif 000007
【図４】
2010034540.tif 000008
【図５】
2010034540.tif 000009
【図６】
2010034540.tif 000010
【図７】
2010034540.tif 000011
【図８】
2010034540.tif 000012
【図９】
2010034540.tif 000013
【図１０】
2010034540.tif 000014
【図１１】
2010034540.tif 000015
【図１２】
2010034540.tif 000016
【図１３】
2010034540.tif 000017
【図１４】
2010034540.tif 000018
【図１５】
2010034540.tif 000019
【図１６】
2010034540.tif 000020
【図１７】
2010034540.tif 000021
【図１８】
2010034540.tif 000022
【図１９】
2010034540.tif 000023