【手続補正書】
【提出日】令和3年3月26日(2021.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
６−(シクロプロパンカルボキサミド)−４−((２−メトキシ−３−(１−メチル−１Ｈ−１,２,４−トリアゾール−３−イル)フェニル)アミノ)−Ｎ−(メチル−ｄ３)ピリダジン−３−カルボキサミドの結晶体Ａ。
【請求項２】
(ｉ)以下のパラメーターと実質的に等しい単位胞パラメーター：
ａ＝８.９０±０.０５Å
ｂ＝１０.４８±０.０５Å
ｃ＝１１.３４±０.０５Å
α＝９６.７±０.５°
β＝９０.８±０.５°
γ＝１００.４±０.５°
空間群：Ｐ−１
単位胞あたりの分子数(Ｚ)：２
(ここで、化合物(Ｉ)の結晶体Ａの単位胞パラメーターは、約２５℃の温度で測定されている)；
(ｉｉ)７.８±０.２；８.７±０.２；１０.１±０.２；１２.０±０.２；１２.４±０.２；１３.０±０.２；１５.８±０.２；１８.９±０.２；１９.３±０.２；および２０.４±０.２から選択される４以上の２θ値(ＣｕＫα λ＝１.５４１８Å)を含む、粉末Ｘ線回折パターン(ここで、該結晶体ＡのＰＸＲＤパターンは、約２５℃の温度で測定されている)；
(ｉｉｉ)図１に実質的に示される実測粉末Ｘ線回折パターン；または
(ｉｖ)２６４℃〜２６９℃の範囲における吸熱
の内の少なくとも一つにより特徴付けられる、請求項１に記載の結晶体。
【請求項３】
７.８±０.２；８.７±０.２；１０.１±０.２；１２.０±０.２；１２.４±０.２；１３.０±０.２；１５.８±０.２；１８.９±０.２；１９.３±０.２；および２０.４±０.２から選択される５以上の２θ値(ＣｕＫα λ＝１.５４１８Å)を含む、粉末Ｘ線回折パターンを特徴とし、ここで該結晶体ＡのＰＸＲＤパターンは、約２５℃の温度で測定されている、請求項１に記載の結晶体。
【請求項４】
１０.１±０.２および１５.８±０.２の２θ値(ＣｕＫα λ＝１.５４１８Å)；ならびに、７.８±０.２、８.７±０.２、１２.０±０.２、１２.４±０.２、１３.０±０.２、１５.８±０.２、１８.９±０.２および１９.３±０.２から選択される３以上の２θ値(ＣｕＫα λ＝１.５４１８Å)を含む粉末Ｘ線回折パターンを特徴とし、ここで該結晶体ＡのＰＸＲＤパターンは約２５℃の温度で測定されている、請求項１に記載の結晶体。
【請求項５】
(ｉ)約２５℃の温度で測定された１０.１±０.２および１５.８±０.２の２θ値(ＣｕＫα λ＝１.５４１８Å)を含む粉末Ｘ線回折パターン；ならびに
(ｉｉ)２６４℃〜２６９℃の範囲の吸熱
を特徴とする、請求項１に記載の結晶体。
【請求項６】
(ｉ)約２５℃の温度で測定された１０.１±０.２および１５.８±０.２の２θ値(ＣｕＫα λ＝１.５４１８Å)を含む粉末Ｘ線回折パターン；ならびに
(ｉｉ)図２に実質的に示される示差走査熱量測定(ＤＳＣ)サーモグラム
を特徴とする、請求項１に記載の結晶体。
【請求項７】
主に結晶体Ａからなる、請求項１に記載の結晶体。
【請求項８】
結晶体Ａが、実質的に純粋な形態である、請求項１に記載の結晶体。
【請求項９】
６−(シクロプロパンカルボキサミド)−４−((２−メトキシ−３−(１−メチル−１Ｈ−１,２,４−トリアゾール−３−イル)フェニル)アミノ)−Ｎ−(メチル−ｄ３)ピリダジン−３−カルボキサミドを含む組成物であって、該６−(シクロプロパンカルボキサミド)−４−((２−メトキシ−３−(１−メチル−１Ｈ−１,２,４−トリアゾール−３−イル)フェニル)アミノ)−Ｎ−(メチル−ｄ３)ピリダジン−３−カルボキサミドの少なくとも９５重量％が結晶体Ａである、組成物。
【請求項１０】
６−(シクロプロパンカルボキサミド)−４−((２−メトキシ−３−(１−メチル−１Ｈ−１,２,４−トリアゾール−３−イル)フェニル)アミノ)−Ｎ−(メチル−ｄ３)ピリダジン−３−カルボキサミドの結晶体Ａの製造方法であって、
(ａ)６−(シクロプロパンカルボキサミド)−４−((２−メトキシ−３−(１−メチル−１Ｈ−１,２,４−トリアゾール−３−イル)フェニル)アミノ)−Ｎ−(メチル−ｄ３)ピリダジン−３−カルボキサミドである化合物(Ｉ)(２ｇ)を、化合物(Ｉ)が溶解するまでＴＨＦ(１４３ｍＬ)および水(７ｍＬ)中で混合し、それによって溶液を形成し；
(ｂ)該溶液をポリッシュ濾過し；
(ｃ)ポリッシュ濾過した溶液を乾燥し、固体を得て；
(ｄ)該固体をＥｔＯＡｃ(１２ｍＬ)に懸濁し、スラリーを得て；
(ｅ)スラリーを濾過し、湿性ケーキを得て；
(ｆ)湿性ケーキをＥｔＯＡｃ(５ｍＬ)で洗浄し；および
(ｇ)洗浄した湿性ケーキを乾燥し、６−(シクロプロパンカルボキサミド)−４−((２−メトキシ−３−(１−メチル−１Ｈ−１,２,４−トリアゾール−３−イル)フェニル)アミノ)−Ｎ−(メチル−ｄ３)ピリダジン−３−カルボキサミドの結晶体Ａを得る
ことを特徴とする方法。
【請求項１１】
(ａ)の混合を２５℃で行う、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
(ｂ)のポリッシュ濾過を２５℃で行う、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
(ｄ)の懸濁を６０℃で行い、得られたスラリーを濾過の前に６０℃でエージングする、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
(ｇ)の乾燥を真空オーブン中、５０℃〜６０℃の温度で行う、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
請求項１０に記載の方法で生成し、９０重量％より高い純度を有する、６−(シクロプロパンカルボキサミド)−４−((２−メトキシ−３−(１−メチル−１Ｈ−１,２,４−トリアゾール−３−イル)フェニル)アミノ)−Ｎ−(メチル−ｄ３)ピリダジン−３−カルボキサミドの結晶体Ａ。
【請求項１６】
６−(シクロプロパンカルボキサミド)−４−((２−メトキシ−３−(１−メチル−１Ｈ−１,２,４−トリアゾール−３−イル)フェニル)アミノ)−Ｎ−(メチル−ｄ３)ピリダジン−３−カルボキサミドの結晶体Ａの製造方法であって、
(ａ)１−メチルイミダゾール(１.９ｇ)、ＡＣＮ(１７ｍＬ)、(２Ｈ３)メタンアミン(３.３ｇ)、６−シクロプロパンアミド−４−{[２−メトキシ−３−(１−メチル−１Ｈ−１,２,４−トリアゾール−３−イル)フェニル]アミノ}ピリダジン−３−カルボン酸・半亜鉛塩(１７.０ｇ)、ＡＣＮ(１７ｍＬ)、およびＮＭＰ(８.５ｍＬ)を、ＮＭＰ(３４ｍＬ)に加え、溶液を得て；
(ｂ)該溶液を加熱し；
(ｃ)加熱した溶液をエージングし；
(ｄ)ＨＯＢｔ(３.３ｇ)およびＥＤＣ ＨＣｌ(１０.３ｇ)をエージングした加熱溶液に加え；
(ｅ)得られた(ｄ)をエージングし；
(ｆ)ＡＣＮ(１７ｍＬ)を得られた(ｅ)に加え、スラリーを得て；
(ｇ)該スラリーをエージングし；
(ｈ)水(１７ｍＬ)およびＡＣＮ(５１ｍＬ)をエージングしたスラリーに加え；
(ｉ)得られた(ｈ)を冷却し、冷スラリーを得て；
(ｊ)冷スラリーをエージングし；
(ｋ)エージングした冷スラリーを濾過し、結晶固体を得て；
(ｌ)結晶固体を２:１ 水:ＡＣＮ(５１ｍＬ)、次いでＡＣＮ(５１ｍＬ)で洗浄し、湿性ケーキを得て；および
(ｍ)湿性ケーキを乾燥し、６−(シクロプロパンカルボキサミド)−４−((２−メトキシ−３−(１−メチル−１Ｈ−１,２,４−トリアゾール−３−イル)フェニル)アミノ)−Ｎ−(メチル−ｄ３)ピリダジン−３−カルボキサミドの結晶体Ａを得る
ことを特徴とする方法。
【請求項１７】
(ｂ)において、該溶液を６５℃に加熱し、(ｃ)において、加熱した溶液を１時間６５℃でエージングする、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
(ｅ)において、エージングが１５分間起こる、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
(ｇ)において、スラリーを３０分間６５℃でエージングする、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
(ｉ)において、得られた(ｈ)を２時間かけて−１０℃に冷却し、(ｊ)において、冷スラリーを１２時間エージングする、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
(ｍ)において、乾燥を真空オーブン中、５０℃〜１００℃の温度で行う、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
６−(シクロプロパンカルボキサミド)−４−((２−メトキシ−３−(１−メチル−１Ｈ−１,２,４−トリアゾール−３−イル)フェニル)アミノ)−Ｎ−(メチル−ｄ３)ピリダジン−３−カルボキサミドの結晶体Ａの製造方法であって、
(ａ)６−(シクロプロパンカルボキサミド)−４−((２−メトキシ−３−(１−メチル−１Ｈ−１,２,４−トリアゾール−３−イル)フェニル)アミノ)−Ｎ−(メチル−ｄ３)ピリダジン−３−カルボキサミドである化合物(Ｉ)(１０ｇ)を、ＮＭＰ(５５ｍＬ)中で混合し、それによってスラリーを形成し；
(ｂ)該スラリーを加熱し、ＮＭＰ中で化合物(Ｉ)の溶液を得て；
(ｃ)該溶液をポリッシュ濾過し、濾液を得て；
(ｄ)該濾液を加熱し；
(ｅ)加熱した濾液にＩＰＡ(３０ｍＬ)を加え；
(ｆ)得られた(ｅ)の温度を冷却し、次いで１重量％の化合物(Ｉ)の種晶を加え；
(ｇ)得られた(ｆ)をエージングし；
(ｈ)得られた(ｇ)にＩＰＡ(６０ｍＬ)を加え；
(ｉ)得られた(ｈ)を冷却し、冷スラリーを得て；
(ｊ)冷スラリーをエージングし；
(ｋ)エージングした冷スラリーを濾過し、結晶固体を得て；
(ｌ)該結晶固体を２回、ＩＰＡ(４０ｍＬ)で洗浄し、湿性ケーキを得て；および
(ｍ)湿性ケーキを乾燥し、６−(シクロプロパンカルボキサミド)−４−((２−メトキシ−３−(１−メチル−１Ｈ−１,２,４−トリアゾール−３−イル)フェニル)アミノ)−Ｎ−(メチル−ｄ３)ピリダジン−３−カルボキサミドの結晶体Ａを得る
ことを特徴とする方法。
【請求項２３】
(ｂ)において、スラリーを７０℃に加熱する、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
(ｃ)において、６２.５℃〜８５℃の範囲の温度でポリッシュ濾過を行う、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
(ｄ)において、該濾液を７０℃に加熱し、(ｆ)において、得られた(ｅ)の温度を７０℃に冷却する、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
(ｇ)において、得られた(ｆ)を１時間７０℃でエージングする、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
(ｈ)において、ＩＰＡを１時間かけて加える、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
(ｉ)において、得られた(ｈ)を３.５時間かけて−１０℃に冷却し、(ｊ)において、冷スラリーを−１０℃で１２時間エージングする、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
(ｍ)において、乾燥を真空オーブン中、５０℃〜１００℃の温度で行う、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
請求項２２に記載の方法で生成し、９０重量％より高い純度を有する、６−(シクロプロパンカルボキサミド)−４−((２−メトキシ−３−(１−メチル−１Ｈ−１,２,４−トリアゾール−３−イル)フェニル)アミノ)−Ｎ−(メチル−ｄ３)ピリダジン−３−カルボキサミドの結晶体Ａ。