【手続補正書】
【提出日】平成17年11月4日(2005.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体記憶装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数のメモリセルと、各メモリセルに対応して設けられたメモリセル選択線とを備え、各メモリセルに固有のアドレス信号が割当てられた半導体記憶装置であって、
電源電位が与えられる主電源線、
その第１の電極が前記主電源線に接続され、前記アドレス信号が入力されたことに応じて導通する第１のトランジスタ、
前記第１のトランジスタの第２の電極に接続された副電源線、
各メモリセル選択線に対応して設けられて前記副電源線から与えられる電源電位によって駆動され、対応のアドレス信号が入力されたことに応じて対応のメモリセル選択線を選択電位にし、対応のメモリセルを活性化させるデコーダ、および
前記デコーダによって活性化されたメモリセルと外部との間でデータの入出力を行なうためのデータ入出力回路を備える、半導体記憶装置。
【請求項２】  前記複数のメモリセルはそれぞれが少なくとも１つのメモリセルを含む複数のグループに分割され、前記アドレス信号に含まれる固有のグループ選択信号が各グループに割当てられ、
前記第１のトランジスタは、各グループに対応して設けられて対応のグループ選択信号が入力されたことに応じて導通し、
前記副電源線は、各グループに対応して設けられて対応の第１のトランジスタの第２の電極に接続され、
前記デコーダは、対応の副電源線から与えられる電源電位によって駆動される、請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】  前記複数のメモリセルはそれぞれが少なくとも１つのメモリセルを含む複数のグループに分割され、前記アドレス信号に含まれる固有のグループ選択信号が各グループに割当てられ、
さらに、各グループに対応して設けられ、前記副電源線のうちの対応のデコーダの近傍の部分と前記主電源線との間に接続され、対応のグループ選択信号が入力されたことに応じて導通する第２のトランジスタを備える、請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】  前記デコーダは、
対応のアドレス信号が入力されたことに応じてメモリセル選択信号を出力する論理回路、および
前記副電源線と対応のメモリセル選択線との間に接続され、前記論理回路から前記メモリセル選択信号が出力されたことに応じて導通する第３のトランジスタを含む、請求項１から請求項３のいずれかに記載の半導体記憶装置。
【請求項５】  前記第３のトランジスタのしきい値電圧は、前記第１のトランジスタのしきい値電圧よりも小さい、請求項４に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】  前記第３のトランジスタのしきい値電圧は、前記第１のトランジスタのしきい値電圧と等しい、請求項４に記載の半導体記憶装置。
【請求項７】  複数の前記メモリセル選択線は、予め定められたピッチで配置され、
複数の前記第３のトランジスタは、前記予め定められたピッチで配置され、
前記第１のトランジスタは、複数の前記第３のトランジスタの間に分散配置される、請求項４から請求項６のいずれかに記載の半導体記憶装置。
【請求項８】  前記第１のトランジスタは、さらに、前記主電源線に前記電源電位が与えられたことに応じて予め定められた時間だけ導通する、請求項１から請求項７のいずれかに記載の半導体記憶装置。
【請求項９】  それぞれが、複数のメモリセルを含み、複数のメモリブロックに分割された複数のメモリアレイと、各メモリセルに対応して設けられたメモリセル選択線とを備え、各メモリアレイに固有のメモリアレイ選択信号が割当てられ、各メモリアレイにおいて各メモリセルに固有のアドレス信号が割当てられ、前記アドレス信号に含まれる固有のブロック選択信号が各メモリブロックに割当てられた半導体記憶装置であって、
電源電位が与えられる主電源線、
各メモリブロックに対応して設けられてその第１の電極が前記主電源線に接続され、対応のメモリアレイ選択信号およびブロック選択信号が入力されたことに応じて導通する第１のトランジスタ、
各メモリブロックに対応して設けられ、対応の第１のトランジスタの第２の電極に接続された第１の副電源線、
各メモリセル選択線に対応して設けられて対応の第１の副電源線から与えられる電源電位によって駆動され、対応のメモリアレイ選択信号およびアドレス信号が入力されたことに応じて対応のメモリセル選択線を選択電位にし、対応のメモリセルを活性化させる第１のデコーダ、および
前記第１のデコーダによって活性化されたメモリセルと外部との間でデータの入出力を行なうためのデータ入出力回路を備える、半導体記憶装置。
【請求項１０】  前記第１のデコーダは、
対応のメモリアレイ選択信号およびアドレス信号が入力されたことに応じてメモリセル選択信号を出力する論理回路、および
対応の第１の副電源線と対応のメモリセル選択線との間に接続され、前記論理回路から前記メモリセル選択信号が出力されたことに応じて導通する第２のトランジスタを含む、請求項９に記載の半導体記憶装置。
【請求項１１】  前記第２のトランジスタのしきい値電圧は、前記第１のトランジスタのしきい値電圧よりも小さい、請求項１０に記載の半導体記憶装置。
【請求項１２】  前記第２のトランジスタのしきい値電圧は、前記第１のトランジスタのしきい値電圧と等しい、請求項１０に記載の半導体記憶装置。
【請求項１３】  複数の前記メモリセル選択線は、予め定められたピッチで配置され、
複数の前記第２のトランジスタは、前記予め定められたピッチで配置され、
前記第１のトランジスタは、複数の前記第２のトランジスタの間に分散配置される、請求項１０から請求項１２のいずれかに記載の半導体記憶装置。
【請求項１４】  さらに、各少なくとも２つのメモリブロックに対応して設けられてその第１の電極が前記主電源線に接続され、対応のメモリアレイ選択信号およびブロック選択信号のうちの少なくとも１つが入力されたことに応じて導通する第３のトランジスタ、および
各少なくとも２つのメモリブロックに対応して設けられ、対応の第３のトランジスタの第２の電極に接続された第２の副電源線を備え、
前記論理回路は、前記第２の副電源線から与えられる電源電位によって駆動される、請求項１０から請求項１３のいずれかに記載の半導体記憶装置。
【請求項１５】  さらに、各メモリアレイに対応して設けられ、対応のメモリアレイ選択信号および前記アドレス信号に従って前記ブロック選択信号を生成し、対応の第１のトランジスタの入力電極に与える第２のデコーダを備える、請求項９から請求項１４のいずれかに記載の半導体記憶装置。
【請求項１６】  前記第１のトランジスタは、さらに、前記主電源線に前記電源電位が与えられたことに応じて予め定められた時間だけ導通する、請求項９から請求項１５のいずれかに記載の半導体記憶装置。
【請求項１７】  複数のメモリセルと、各メモリセルに対応して設けられたメモリセル選択線と、前記複数のメモリセルのうちの不良なメモリセルと置換するためのスペアメモリセルと、前記スペアメモリセルに対応して設けられたスペアメモリセル選択線とを備え、各メモリセルに固有のアドレス信号が割当てられた半導体記憶装置であって、
電源電位が与えられる主電源線、
それぞれの第１の電極がともに前記主電極線に接続され、前記アドレス信号が入力されたことに応じて導通する第１および第２のトランジスタ、
それぞれが前記第１および第２のトランジスタの第２の電極に接続された第１および第２の副電源線、
各メモリセル選択線に対応して設けられて前記第１の副電源線から与えられる電源電位によって駆動され、対応のアドレス信号が入力されたことに応じて対応のメモリセル選択線を選択電位にし、対応のメモリセルを活性化させるデコーダ、
前記不良なメモリセルに割当てられたアドレス信号を記憶し、そのアドレス信号が入力されたことに応じてヒット信号を出力する判定回路、
前記第２の副電源線から与えられる電源電位によって駆動され、前記判定回路から前記ヒット信号が出力されたことに応じて前記スペアメモリセル選択線を選択電位にし、前記スペアメモリセルを活性化させる冗長デコーダ、および
前記判定回路から前記ヒット信号が出力された場合は前記冗長デコーダによって活性化されたスペアメモリセルと外部との間でデータの入出力を行ない、前記判定回路から前記ヒット信号が出力されない場合は前記デコーダによって活性化されたメモリセルと外部との間でデータの入出力を行なうデータ入出力回路を備える、半導体記憶装置。
【請求項１８】  前記デコーダは、対応の判定回路から前記ヒット信号が出力されたことに応じて非活性化される、請求項１７に記載の半導体記憶装置。
【請求項１９】  前記デコーダは、
対応のアドレス信号が入力されたことに応じてメモリセル選択信号を出力する論理回路、および
前記第１の副電源線と対応のメモリセル選択線との間に接続され、前記論理回路から前記メモリセル選択信号が出力されたことに応じて導通する第３のトランジスタを含み、
前記冗長デコーダは、前記第２の副電源線と前記スペアメモリセル選択線との間に接続され、前記判定回路から前記ヒット信号が出力されたことに応じて導通する第４のトランジスタを含む、請求項１７または請求項１８に記載の半導体記憶装置。
【請求項２０】  前記第３のトランジスタのしきい値電圧は、前記第１のトランジスタのしきい値電圧よりも小さく、
前記第４のトランジスタのしきい値電圧は、前記第２のトランジスタのしきい値電圧よりも小さい、請求項１９に記載の半導体記憶装置。
【請求項２１】  前記第３のトランジスタのしきい値電圧は、前記第１のトランジスタのしきい値電圧と等しく、
前記第４のトランジスタのしきい値電圧は、前記第２のトランジスタのしきい値電圧と等しい、請求項１９に記載の半導体記憶装置。
【請求項２２】  前記第１および第２のトランジスタは、さらに、前記主電源線に前記電源電位が与えられたことに応じて予め定められた時間だけ導通する、請求項１７から請求項２１のいずれかに記載の半導体記憶装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
それゆえに、この発明の主たる目的は、消費電流が小さな半導体記憶装置を提供することである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３４８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３４９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３５０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３５１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３５２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３５３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３５４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３５５
【補正方法】削除
【補正の内容】