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【手続補正書】
【提出日】平成17年4月15日(2005.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
処理容器内に収容された被処理基板を加熱処理しながら高濃度オゾンガスを供給することを特徴とする基板処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項１に示された加熱処理とは、常温から２５０℃程度まで２０秒間程度で昇温しながら高濃度オゾンガスを供給する傾斜昇温処理を含む処理であることを特徴とする基板処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
請求項１に示された高濃度オゾンガス中のオゾン濃度は１５％以上１００％未満であることを特徴とする基板処理方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
請求項１ないし４に示された基板処理を経た被処理基板はその他の処理容器に移送され、前記被処理基板に形成された酸化膜をオゾン添加希弗酸、オゾン添加アンモニア水、オゾン添加希塩酸のうちの一つでエッチング除去処理する工程と、前記被処理基板にリンス液を供給して被処理基板表面を洗浄するリンス工程と、前記被処理基板に乾燥気体を供給して被処理表面に付着する水分を除去する乾燥工程とを有することを特徴とする基板処理方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
請求項１ないし４に示された基板処理を経た被処理基板は、その他の処理容器等への移送工程を経て、前記被処理基板に形成された酸化膜をオゾン添加希弗酸、オゾン添加アンモニア水、オゾン添加希塩酸のうちの一つでエッチング除去処理する工程と、前記被処理基板にリンス液を供給して被処理基板表面を洗浄するリンス工程と、前記被処理基板に乾燥気体を供給して被処理表面に付着する水分を除去する乾燥工程とを具備することを特徴とする基板処理装置。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決し、上記目的を達成するために、請求項１記載の発明は、窒素ガスベースの処理装置内の処理容器内に収容された被処理基板を加熱処理しながら高濃度オゾンガスを供給することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項３記載の発明は、請求項１に示された加熱処理とは、常温から２５０℃程度まで２０秒間程度で昇温しながら高濃度オゾンガスを供給する傾斜昇温処理を含む処理であることを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項４記載の発明は、請求項１に示された高濃度オゾンガス中のオゾン濃度は１５％以上１００％未満であることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項５記載の発明は、請求項１ないし４に示された基板処理を経た被処理基板はその他の処理容器に移送され、前記被処理基板に形成された酸化膜をオゾン添加希弗酸、オゾン添加アンモニア水、オゾン添加希塩酸のうちの一つでエッチング除去処理する工程と、前記被処理基板にリンス液を供給して被処理基板表面を洗浄するリンス工程と、前記被処理基板に乾燥気体を供給して被処理表面に付着する水分を除去する乾燥工程とを有することを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項６記載の発明は、請求項１ないし４に示された基板処理を経た被処理基板は、その他の処理容器等への移送工程を経て、前記被処理基板に形成された酸化膜をオゾン添加希弗酸、オゾン添加アンモニア水、オゾン添加希塩酸のうちの一つでエッチング除去処理する工程と、前記被処理基板にリンス液を供給して被処理基板表面を洗浄するリンス工程と、前記被処理基板に乾燥気体を供給して被処理表面に付着する水分を除去する乾燥工程とを具備することを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
前記基板処理装置は、ウエハＷを保持する支持基板２０１と、概支持基板に回転２０２を付与する機構と、ウエハＷ表面に希弗酸（ＤＨＦ：ＨＦ／Ｈ２Ｏ）等のエッチング液と超純水（Ｈ２Ｏ）２０６や窒素ガス２０７を配管２０６及び２０７を通して連結された散布部２０３から散布する機構と、該散布部２０３から供給されたガス及び水等を配管２０８に通して排出した排出物２０９とから構成されて成るエッチング処理と洗浄処理及び乾燥処理部である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月25日(2005.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソレノイドであって、
導線が巻かれた単コイルを有した導磁性殻体と、
該単コイルの空洞内に提供されており、該単コイルに通電されると磁力を受けるように設計されている可動磁性体と、
固定磁極を有しており、前記単コイルに通電されたときに前記可動磁性体を反発し、該単コイルに通電されていないときに該可動磁性体を引寄せる永久磁石と、
この永久磁石と可動磁性体との間の非磁性スペーサと、
を含んで構成されていることを特徴とするソレノイド。
【請求項２】
前記可動磁性体はプランジャを含んでいることを特徴とする請求項１記載のソレノイド。
【請求項３】
前記単コイルに通電されていないときに可動磁性体を前記非磁性スペーサに対抗して戻りポジションに戻す圧力を提供する戻りバネをさらに含んでいることを特徴とする請求項１記載のソレノイド。
【請求項４】
前記戻りバネの反対側に提供されたエンドプレートと、該エンドプレートに接続された引寄スタッドとをさらに含んでおり、該引寄スタッドは単コイルに通電されたときに可動磁性体が有する磁極性と反対の磁極性を有することを特徴とする請求項３記載のソレノイド。
【請求項５】
前記単コイル、プランジャ、スペーサ、及びボビンを収容した容器をさらに含んでいることを特徴とする請求項４記載のソレノイド。
【請求項６】
前記ボビンに接続した複数のシャント部材をさらに含んでおり、これらの前記シャント部材は永久磁石からのシャント部材の距離が増加するとプランジャと永久磁石との間の保持力が減少するように設計されていることを特徴とする請求項５記載のソレノイド。
【請求項７】
前記シャント部材と容器との間に空隙をさらに含んでいることを特徴とする請求項６記載のソレノイド。
【請求項８】
電磁式スイッチ装置であって、
導線が巻かれた単コイルを有したボビンと、
単コイル内に提供された可動プランジャと、
非磁性スペーサで該プランジャから分離されている永久磁石と、
を含んで構成されており、前記永久磁石は前記単コイルが脱エネルギー状態となったときに前記プランジャを引寄せ、該単コイルが有エネルギー状態となったときに該プランジャを反発することを特徴とする電磁スイッチ装置。
【請求項９】
前記エンドプレートとボビンの１端に接続された引寄スタッドとをさらに含んでおり、単コイルが有エネルギー状態となると該引寄スタッドはプランジャを引き寄せることを特徴とする請求項８記載の電磁スイッチ装置。
【請求項１０】
前記単コイルが脱エネルギー状態となるとプランジャにスペーサに対抗する圧力を付与するように設計された戻りバネをさらに含んでいることを特徴とする請求項９記載の電磁スイッチ装置。
【請求項１１】
前記プランジャは単コイルが脱エネルギー状態になると第１磁極性を有し、該単コイルが有エネルギー状態となると第２磁極性を有することを特徴とする請求項１０記載の電磁スイッチ装置。
【請求項１２】
前記第２磁極性は永久磁石に磁極性と合致することを特徴とする請求項１１記載の電磁スイッチ装置。
【請求項１３】
前記第２磁極性はエンドプレートの磁極性とは反対であることを特徴とする請求項１２記載の電磁スイッチ装置。
【請求項１４】
前記単コイルと永久磁石との間でプランジャ周囲に放射状に提供された複数のシャント部材をさらに含んでいることを特徴とする請求項８記載の電磁スイッチ装置。
【請求項１５】
単コイルソレノイドであって、
導電線の単コイルが脱エネルギー状態にあるときに提供される第１電磁状態において、非磁性スペーサによってプランジャから離されている永久磁石と、プランジャとの間の第１磁力回路と、
導電線の該単コイルが有エネルギー状態にあるときに提供される第２電磁状態にある、該プランジャと引寄部材との間の第２磁力回路と、
を含んで構成されていることを特徴とするソレノイド。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月9日(2005.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎy Ａｓ1-y-z Ｓｂz （０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０≦ｚ＜１）を活性層に用いた長波長半導体発光素子において、
上記活性層中に含まれるＡｌ不純物のピーク濃度が１×１０19ｃｍ-3以下である
ことを特徴とする長波長半導体発光素子。
【請求項２】
上記活性層中に含まれるＡｌ不純物のピーク濃度が５×１０18ｃｍ-3以下であることを特徴とする請求項１記載の長波長半導体発光素子。
【請求項３】
上記活性層は井戸層が上記Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎy Ａｓ1-y-z Ｓｂz からなる単一量子井戸構造または多重量子井戸構造を有し、上記井戸層中に含まれるＡｌ不純物のピーク濃度が１×１０19ｃｍ-3以下であることを特徴とする請求項１記載の長波長半導体発光素子。
【請求項４】
Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎy Ａｓ1-y-z Ｓｂz （０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０≦ｚ＜１）を活性層に用い、活性層中に含まれるＡｌ不純物のピーク濃度が１×１０19ｃｍ-3以下である長波長半導体発光素子の製造方法において、
上記活性層の直前の層の成長中または上記活性層を成長させる直前に、ＩＩＩ族元素の原料の供給を停止した状態で、Ａｓの原料とともに、反応性の高いガスを空流しするようにした
ことを特徴とする長波長半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
上記反応性の高いガスが、ジメチルヒドラジン、アンモニアまたは窒素ラジカルであることを特徴とする請求項４記載の長波長半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
上記Ａｓの原料がアルシンまたはターシャリーブチルヒ素であることを特徴とする請求項４記載の長波長半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
上記活性層の直前の層は光導波層であることを特徴とする請求項４記載の長波長半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
上記活性層中に含まれるＡｌ不純物のピーク濃度が５×１０18ｃｍ-3以下であることを特徴とする請求項４記載の長波長半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この発明の第２の発明は、
Ｇａ1-x Ｉｎx Ｎy Ａｓ1-y-z Ｓｂz （０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０≦ｚ＜１）を活性層に用い、活性層中に含まれるＡｌ不純物のピーク濃度が１×１０19ｃｍ-3以下である長波長半導体発光素子の製造方法において、
活性層の直前の層の成長中または活性層を成長させる直前に、ＩＩＩ族元素の原料の供給を停止した状態で、Ａｓの原料とともに、反応性の高いガスを空流しするようにした
ことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月24日(2004.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する処理室と、該基板を加熱する加熱部材とを有し、互いに反応し合う少なくとも２つのガスを交互に前記処理室内に供給して前記基板の表面に所望の膜を生成する基板処理装置であって、
前記２つのガスが互いに独立してそれぞれ流れる２つの供給管と、
前記処理室内にガスを供給する単一のガス供給部材であって、前記２つのガスのうちの少なくとも１つのガスの分解温度以上の領域にその一部が延在している前記単一のガス供給部材と、を備え、
前記２つの供給管を、前記少なくとも１つのガスの分解温度未満の場所で、前記ガス供給部材に連結させて、前記２つのガスを前記ガス供給部材を介して前記処理室内にそれぞれ供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記ガス供給部材が、多数のガス噴出口を有したノズルであることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理室を形成し、積層された複数の基板を収容可能な反応管をさらに備え、前記ノズルが、前記反応管の下部より上部にわたり前記基板の積載方向に沿って設けられていることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記２つの供給管と前記ガス供給部材との連結個所は、前記処理室内であることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ガス供給部材の内壁に、前記少なくとも２つのガスの反応により生成される膜が付着することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項６】
クリーニングガスを前記ガス供給部材を介して前記処理室内に供給して、前記処理室のクリーニングと前記ガス供給部材に付着した膜の除去とを実施することを特徴とする請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記ガスは、トリメチルアルミニウムとオゾンであって、前記基板の表面にアルミニウム酸化膜を生成することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記ガスは、テトラキス（Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアミノ）ハフニウムとオゾンであって、前記基板の表面にハフニウム酸化膜を生成することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項９】
基板を収容する処理室と、前記処理室の外側に配置され、前記基板を加熱する加熱部材とを有し、互いに反応し合う少なくとも２つのガスを交互に前記処理室内に供給して前記基板の表面に所望の膜を生成するホットウォール式の処理炉を備えた基板処理装置であって、
前記２つのガスが互いに独立してそれぞれ流れる２つの供給管と、
前記処理室内にガスを供給する単一のガス供給部材であって、その一部が前記加熱部材の内側に配置された前記単一のガス供給部材と、を備え、
前記２つの供給管を、前記処理室内の前記基板付近の温度よりも低い温度の領域で、前記ガス供給部材に連結させて、前記２つのガスを前記ガス供給部材を介して前記処理室内にそれぞれ供給することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
基板を収容する処理室と、該基板を加熱する加熱部材とを有し、互いに反応し合う少なくとも２つのガスを交互に前記処理室内に供給して前記基板の表面に所望の膜を生成する基板処理装置であって、
前記２つのガスが互いに独立してそれぞれ流れる２つの供給管と、
前記処理室内にガスを供給する単一のガス供給部材であって、前記２つのガスのうちの少なくとも１つのガスの分解温度以上の領域にその一部が延在している前記単一のガス供給部材と、を備え、
前記２つの供給管を、前記少なくとも１つのガスの分解温度未満の場所で、前記ガス供給部材に連結させて、前記２つのガスを前記ガス供給部材を介して前記処理室内にそれぞれ供給する基板処理装置を用いて、
前記２つのガスを前記ガス供給部材を介して前記処理室内に交互に供給して、前記基板の表面に前記所望の膜を生成することを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
好ましくは、前記ガス供給部材が、多数のガス噴出口を有したノズルである。
また、好ましくは、前記処理室を形成し、積層された複数の基板を収容可能な反応管をさらに備え、前記ノズルが、前記反応管の下部より上部にわたり前記基板の積載方向に沿って設けられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、好ましくは、前記２つの供給管と前記ガス供給部材との連結個所は、前記処理室内である。
また、好ましくは、前記ガス供給部材の内壁に、前記少なくとも２つのガスの反応により生成される膜が付着する基板処理装置である。
また、好ましくは、クリーニングガスを前記ガス供給部材を介して前記処理室内に供給して、前記処理室のクリーニングと前記ガス供給部材に付着した膜の除去とを実施する。
また、好ましくは、前記ガスは、トリメチルアルミニウムとオゾンであって、前記基板の表面にアルミニウム酸化膜を生成する。
また、好ましくは、前記ガスは、テトラキス（Ｎ−エチル−Ｎ−メチルアミノ）ハフニウムとオゾンであって、前記基板の表面にハフニウム酸化膜を生成する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月9日(2005.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の容量を構成する第１、および第２の電極と、
第２の容量を構成する第３、および第４の電極と、
前記第１、および第３の電極を設けた振動子と、
前記第２、および第４の電極を設けた電極用台座と、
前記振動子を前記電極用台座に固定する振動子支持台座と、
前記第１〜第４の電極にそれぞれ接続され、外部から電荷の出し入れを行う電極用端子とを備え、
前記振動子は、
自由振動を行うおもりと、
前記おもりを支持する２枚の振動板とよりなり、
前記振動板は、互いに平行をなすように、前記おもりの第１の面、およびそれに対向する第２の面を挟み込んで支持し、
前記振動子は、振動エネルギーで動作することによって前記振動子に設けられた第１、および第３の電極と、前記第２、および第４の電極との距離がそれぞれ変化することで容量を変化させることを特徴とする振動発電用振動子。
【請求項２】
請求項１記載の振動発電用振動子において、
前記第１の電極は、前記振動子の第１の面に設けられ、
前記第３の電極は、前記第１の面に対向する前記振動子の第２の面に設けられ、
前記第２の電極は、前記第１の電極に対向するように前記電極用台座に設けられ、
前記第４の電極は、前記第３の電極に対向するように前記電極用台座に設けられたことを特徴とする振動発電用振動子。
【請求項３】
請求項１記載の振動発電用振動子において、
前記第１、および第３の電極は、前記振動子の第１の面に設けられ、
前記第２、ならびに第４の電極は、前記第１の電極と前記第３の電極とにそれぞれ対向するように前記電極用台座に設けられたことを特徴とする振動発電用振動子。
【請求項４】
請求項１記載の振動発電用振動子において、
前記第１の電極は、前記振動子の第１の面に設けられ、
前記第３の電極は、前記第１の面に対向する前記振動子の第２の面に設けられ、
前記第２の電極は、前記第１の電極に対向するように前記電極用台座に設けられ、
前記第４の電極は、前記第３の電極に対向するように前記電極用台座に設けられ、
前記電極用台座は、前記振動子が振動エネルギーで動作する際に、前記第１、および第３の電極と前記第２、ならびに第４の電極との接触を防止する接触防止突起を設けたことを特徴とする振動発電用振動子。
【請求項５】
請求項１記載の振動発電用振動子において、
前記第１、および第３の電極は、前記振動子の第１の面に設けられ、
前記第２、ならびに第４の電極は、前記第１の電極と前記第３の電極とにそれぞれ対向するように前記電極用台座に設けられ、
前記電極用台座は、
前記振動子が振動エネルギーで動作する際に、前記第１、および第３の電極と前記第２、ならびに第４の電極との接触を防止する接触防止突起と、
前記振動子が振動エネルギーで動作する際に、前記振動板の過振動を抑制する振動抑制用突起とを備えたことを特徴とする振動発電用振動子。
【請求項６】
第１の容量を構成する第１、および第２の電極と、
前記第１、および第２の電極を設けた振動子と、
前記振動子を電極用台座に固定する振動子支持台座と、
前記第１、ならびに第２の電極にそれぞれ接続され、外部から電荷の出し入れを行う電極用端子とを備え、
前記振動子は、
自由振動を行うおもりと、
前記おもりを支持する２枚の振動板とよりなり、
前記振動板は、互いに平行をなすように、前記おもりの第１の面、およびそれに対向する第２の面を挟み込んで支持し、
前記振動子は、振動エネルギーで動作することによって前記振動子に設けられた第１、および第２の電極との距離がそれぞれ変化することで容量を変化させることを特徴とする振動発電用振動子。
【請求項７】
第１の容量を構成する第１、および第２の電極と、
前記第１、および第２の電極を設けた振動子と、
前記振動子を電極用台座に固定する振動子支持台座と、
前記第１、ならびに第２の電極にそれぞれ接続され、外部から電荷の出し入れを行う電極用端子とを備え、
前記振動子は、
自由振動を行うｎ−１個のおもりと、
前記ｎ−１個のおもりを支持するｎ枚の振動板とよりなり、
前記ｎ個の振動板は、互いに平行をなすように、前記ｎ−１個のおもりにおける第１の面、およびそれに対向する第２の面をそれぞれ挟み込んで支持し、
前記振動子は、振動エネルギーで動作することによって前記振動子に設けられた第１、および第２の電極との距離がそれぞれ変化することで容量を変化させることを特徴とする振動発電用振動子。
【請求項８】
請求項６または７記載の振動発電用振動子において、
前記電極用台座は、前記振動子が振動エネルギーで動作する際に、前記第１の電極と前記第２の電極との接触を防止する接触防止突起を備えたことを特徴とする振動発電用振動子。
【請求項９】
請求項６または７記載の振動発電用振動子において、
前記電極用台座は、
前記振動子が振動エネルギーで動作する際に、前記第１の電極と前記第２の電極との接触を防止する接触防止突起と、
前記振動子が振動エネルギーで動作する際に、前記振動板の過振動を抑制する振動抑制用突起とを備えたことを特徴とする振動発電用振動子。
【請求項１０】
請求項６、８、または９のいずれか１項に記載の振動発電用振動子において、
前記振動板は、
前記おもりの第１の面を支持する２枚以上からなる第１の振動板と、
前記おもりの第２の面を支持する２枚以上からなる第２の振動板とから構成されていることを特徴とする振動発電用振動子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月17日(2005.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
Ｖma＝ｔhi（Ｖdd−Ｉo・Ｒhi）
−ｔlow・Ｉo・Ｒlow−２ｔdt・Ｖｆ…（２）
ここで、ＶｏとＶmaの電位差を計算すると、（１）（２）式より、
Ｖｏ−Ｖma＝−Ｉo・Ｒind…（３）
となる。したがって、出力電流Ｉｏの大きさはインダクタＬの寄生抵抗成分Ｒindを利用して、負荷４への出力電圧Ｖｏと検出端子６から取り出した出力電圧Ｖmaとの差電圧とから簡単に演算できることがわかる。なお、この演算は制御回路１において行わせることが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月16日(2005.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
また、巻線各部の対地分布静電容量に比し巻線間の分布静電容量を大きく設計すれば、初期電位分布は直線に近づき巻線間の分担電圧は低下する。このため、高圧誘導機器では、巻線各部の対地分布静電容量に比し巻線間の分布静電容量が大きくなるように設計されている。さらに、高圧モータでは、巻線の外部から巻線間の分布静電容量調整用のコンデンサを接続し、巻線間の分担電圧を緩和する方法も提案されている（例えば、特許文献１参照）。なお、三相巻線機器では、図６に示すように、各相の巻線３０、４０、５０の巻き始め３１、４１、５１と巻き終わり３２、４２、５２のコイルの分担電圧が大きくなるため、上記特許文献１では、これらのコイルに巻線間分布静電容量調整用コンデンサを接続することが提案されている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月8日(2005.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記第２の増幅手段に設定すべき色成分毎のゲインを複数種記憶した第２の記憶手段を更に備え、
前記可変手段は、この第２の記憶手段に記憶されている複数種のゲインを前記第２の増幅手段に順次設定することにより、前記色成分毎のゲインを順次変化させることを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、請求項２に係る撮像装置にあっては、前記第２の増幅手段に設定すべき色成分毎のゲインを複数種記憶した第２の記憶手段を更に備え、前記可変手段は、この第２の記憶手段に記憶されている複数種のゲインを前記第２の増幅手段に順次設定することにより、前記色成分毎のゲインを順次変化させる。
したがって、第２の増幅手段のゲインは、予め第２の記憶手段に記憶されている複数種のゲインで順次変化する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月4日(2005.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記入力データがビデオデータであり、
前記休止期間が、水平ブランキング期間又は垂直ブランキング期間である
ことを特徴とする請求項２に記載のデータ処理回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このように正しくデータをラッチできない場合、液晶表示装置においては、上述したように、階調データを偶数列と奇数列とに分離して高解像度の表示部を駆動する場合、垂直ブランキング期間の直後において、局所的に誤った階調により画素を駆動することになる。また例えば黒色の背景の中にウィンドウ形状により白色の領域を表示する場合に、この白色の領域の走査開始端側でも、同様に誤った階調により画素を駆動することになる。また液晶表示装置においては、このような階調データＤ１が表示部の階調数に対応する例えば６ビットパラレルにより入力され、このような遅延時間の変化においては、階調データの各ビットで発生することにより、階調データの特定ビットだけ誤ったデータをラッチする場合も発生し、これらにより表示に供する画像によっては、著しく見苦しくなる。
【特許文献１】特開平１０−１７３７１号公報
【特許文献２】特開平１０−１７７３６８号公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（１）遅延時間補正原理
図１は、図１１との対比により本発明に係る遅延時間補正原理の説明に供するブロック図である。この補正原理においては、一定の周期で、一定期間の間、一定の論理レベルに保持される入力データを処理するデータ処理回路に対して、この一定の論理レベルに保持される期間の間の所定のタイミングで、この一定の論理レベルとは逆の論理レベルによるダミーデータを入力データに介挿する。なおここでこのように一定の周期で、一定期間の間、一定の論理レベルに保持される期間は、例えばビデオデータにおける水平ブランキング期間のように、有意なデータの伝送に供していない期間であり、以下においては、この期間を適宜、休止期間と呼ぶ。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
すなわち図１３との対比により図３に示すように、このような論理回路出力をサブクロックＳＣＫ（図３（Ａ））でサンプリングする場合にあっても、垂直ブランキング期間ＶＢＬの間の水平ブランキング期間でダミーデータＤＤが介挿されていることにより、垂直ブランキング期間ＶＢＬに続く論理レベルの立ち上がりにおける出力データＤ２の遅延時間を短くし得、有効映像期間における場合と同様のタイミングにより出力データＤ２をサンプリングしてラッチすることができ（図３（Ｂ１）〜（Ｃ２））、これにより垂直ブランキング期間ＶＢＬの立ち上がりに対応する画素を正しい階調により表示することができる。また黒レベルが数ライン連続して白レベルに立ち上がるような場合、さらには複数ビットの特定ビットが数ライン連続してＬレベルに保持されて立ち上がるような場合でも、正しく入力データＤ１をラッチし得、これにより液晶表示装置に適用して各画素の階調を正しく表示することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
ところで図１２について上述した遅延時間の変化においては、入力データＤ１が長時間論理Ｌレベルに保持された直後に、論理レベルが立ち上がった場合に、この立ち上がった論理レベルの立ち下がりが遅延するものである。しかしながらこのような論理レベルの立
ち上がりのタイミングを詳細に検討したところ、入力データＤ１が長時間論理Ｌレベルに保持された場合、立ち上がりのタイミングにあっては、図１１との対比により図４に示すように、立ち下がりのタイミングとは逆に、遅延時間が短くなることが判った（図４（Ａ）〜（Ｃ２））。これにより入力データＤ１をサンプリングするタイミングが、論理レベルが切り換わる直前に設定されている場合であって、サンプリングに係る位相余裕が少ない場合、この立ち上がりのタイミングに係る遅延時間の変化によっても、データを正しく処理できなくなる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
ここで表示部１２は、液晶セルと、この液晶セルのスイッチング素子であるＴＦＴと、保持容量とにより各画素が形成され、この各画素をマトリックス状に配置して矩形形状により形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月28日(2005.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記ゾーンは、前記特殊なゲーム状態において与える特典の種類に応じてそれぞれ設けられており、
前記ゾーン分割されたリールの停止により表示されたゾーンの種類により、前記特殊ゲームで与える特典の種類を変化させることを特徴とする請求項１又は５記載の遊技機用シンボル表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
各リールの停止後に入賞の有無が判定される。内リール２５のシンボルは入賞に関与するものであり、入賞ライン１０〜１４上に同一のシンボルが並んで表示されている場合には当たりとなる。また、シンボル「ターゲット」４１は入賞用シンボルであり、シンボル上にシンボル「ターゲット」４１が表示されることによって形成される合成シンボルもまた入賞に関与するものである。そして、図１１に示すように、同一の合成シンボルが第１〜第３リール６〜８にそれぞれ１つずつ表示されている場合には、入賞ラインに関わらず当たりとなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
外リール２６が停止すると、第１〜第３リール６〜８の内リール２５の停止位置が抽選により決定される。そして、内リール２５は正方向に回転を開始して、一定時間回転した後停止する。内リール２５が停止すると、外リール２６が再び回転する。このとき、外リール２６では、Ａゾーン４６及びＣゾーン４８が使い分けられて用いられる。そして、図１４に示すように、外リール２６は内リール２５に表示された全てのシンボル上にシンボル「ターゲット」４１が表示されるように回転した後に停止する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
なお、上記実施形態では、入賞ラインを５本設ける例で説明をしたが、これに限定する必要はなく、入賞ラインは５本未満でもよいし、６本以上でもよい。入賞ラインを６本以上設ける場合には、図２２で示すように、上記実施形態で用いた入賞ライン５本に加えて、山型の入賞ライン１０３、１０５や、谷型の入賞ライン１０７、１０９を設けて入賞ラインを９本にするといったことが考えられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
【図１】スロットマシンの外観図である。
【図２】入賞ラインを表す説明図である。
【図３】内リールと外リールの外観図である。
【図４】シンボルシートの展開図である。
【図５】合成シンボルを表す説明図である。
【図６】シンボル「ＨＩＴ」がシンボルを装飾する様子を表す説明図である。
【図７】シンボル「ＳＮＩＰＥＲ  ＳＨＯＴ」がシンボルを遮蔽する様子を表す説明図である。
【図８】スロットマシンの電気的な構成を表すブロック図である。
【図９】ゲームの流れを表すフローチャートである。
【図１０】シンボル「ターゲット」の動きを表す説明図である。
【図１１】合成シンボルの組み合わせによって当たりとなった様子を表す説明図である。
【図１２】当たりのシンボルが装飾される様子を表す説明図である。
【図１３】特殊ゲーム開始時の様子を表す説明図である。
【図１４】特殊ゲーム終了時の様子を表す説明図である。
【図１５】内リールと外リールの外観図である。
【図１６】シンボルシートの展開図である。
【図１７】合成シンボルを表す説明図である。
【図１８】フリーゲームへの移行条件を満たした状態を表す説明図である。
【図１９】フリーゲームへの移行条件を満たした状態を表す説明図である。
【図２０】オールマイティシンボルにより当たりとなった状態を表す説明図である。
【図２１】フリーゲームの回数が追加される場合のシンボルの組み合わせを表す説明図である。
【図２２】入賞ラインを表す説明図である。
【図２３】パチンコ機の正面図である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2005065892.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月15日(2005.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
パーキンソン病は、神経変性疾患としてはアルツハイマー病と並び頻度の高い疾患であり、中脳の黒質においてドーパミンを産生する神経細胞が進行性に脱落するために運動障害や感情障害をきたす疾患である。現在、ドーパミンの補充療法が主として用いられているが、これはあくまで対処療法であるため神経細胞死を止めることはできず、病状は進行してゆく。この疾患の病態を理解し、治療薬を開発又は治療の経過を見るためには、この病気のモデル動物、特にモデルマウスの開発が急務とされてきた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
一方、アルツハイマー病、パーキンソン病、ポリグルタミン病など神経変性疾患は、原因タンパク質の立体構造異常とそれに伴う不溶性亢進を共通の基盤として考えることができる。これらの異常状態は、βアミロイドタンパク質やアルファシヌクレインの変異、ポリグルタミンの異常伸長などによっても起こるが、これに拮抗するタンパク質構造維持機構としてのシャペロンタンパク質群とユビキチン・プロテアソーム系の破綻によってもたらされると考えられている。この見解は、軸索変性マウス（gadマウス）の検証から導き出された（非特許文献１及び２参照）。このマウスは、ヒトのユビキチンＣ末端水解酵素１型（ＵＣＨＬ１）のマウスホモログであり、軸索変性により生後９週頃から感覚失調、運動麻痺で発症し、２０週頃から衰弱死する自然発症神経変性マウスである。
一方、パーキンソン病の発症の解明と治療を目的として、中脳ドーパミン産生細胞を破壊する薬物を用いて病態を再現することが試みられている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
ユビキチンＣ末端水解酵素Ｌ１（ＵＣＨＬ１）は、神経細胞特異的な脱ユビキチン化酵素である。近年、優性遺伝形式をとる家族性パーキンソン病の１家族で、ユビキチンＣ末端水解酵素（ＵＣＨＬ１）の９３番目のアミノ酸のイソロイシンからメチオニンへの変異（Ｉ９３Ｍ変異）が報告された。本発明者らは、このＵＣＨＬ１I93Mを有する遺伝子導入動物を作製し、この遺伝子導入動物が、黒質線状体ドーパミン産生細胞に対する選択的な病理を有するパーキンソン病のための研究ツールとして有用であることを見出し、本発明を完成させた。
ここで、「遺伝子導入動物」とは、特定遺伝子配列を強制的に発現させるために、遺伝子導入技術に基づいて特定の細胞へ遺伝子配列を導入して得られた動物及びその子孫をいい、この遺伝子導入動物及びその子孫は、導入された特定遺伝子配列を有している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
遺伝子が導入された細胞を用いて遺伝子導入動物を得るには、対象動物の雌を偽妊娠させ、その卵管に導入細胞を移植し遺伝子導入動物を作製する。この方法については、技術的に既に確立されており、例えばメディカルサイエンスインターナショナル出版社:ジーンターゲティング (1996)；ＭＥＤＳＩバイオ実験法シリーズ： Alexandra L. Joyner, 野田 哲生 (翻訳)に詳細に記載されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
ＵＣＨＬ１は遺伝性パーキンソン病のみならず孤発型パーキンソン病の発症因子となることが明らかとなっているので、遺伝性であるか孤発型であるかを問わずパーキンソン病に普遍的な病態理解と有効な治療方法開発にすることができる。従って、本発明の遺伝子導入動物は、パーキンソン病の治療薬の開発ツールとして使用することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
導入遺伝子の発現
ＵＣＨＬ１I93Mの導入は、定量的ＲＴ−ＰＣＲを用いてｍＲＮＡレベルでの発現を確認した（図２）。ｍＲＮＡレベルでの発現量は、＃５Ａの発現量を１としたときに、＃５Ｃでは９０倍程度の発現量が認められた。
次に、ＵＣＨＬ１I93Mを過剰発現していることが認められた＃５Ｃマウスと、遺伝子導入マウスの対照例として軸索変性マウス（ｇａｄ）と、野生型マウス（ＷＴ）との脳におけるＵＣＨＬ１の発現を、抗ＵＣＨＬ１抗体（ケミコン社製）を用いて免疫染色した。ｇａｄマウスでの脳ではＵＣＨＬ１の発現は認められず（図３上段）、また野生型では脳全体にわたって弱く発現している（図３下段）のに対して、＃５Ｃマウスでは、視床、視床下部、線条体、海馬、黒質などでその発現が強く認められた（図３中段）。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【図１】ＵＣＨＬ１I93M遺伝子（配列番号１）導入マウスを作製するために用いた導入遺伝子構築物の構築図である。
【図２】定量的ＲＴ−ＰＣＲによる外来遺伝子特異的な遺伝子の発現量を、＃５Ａにおける発現量を１としたときの相対量として示したグラフである。
【図３】各マウスにおける脳でのＵＣＨＬ１の発現を確認した免疫染色像を示す図である。
【図４】８週齢及び２０週齢におけるマウスの黒質における抗ＴＨ抗体による免疫染色の相対量を示すグラフである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】配列表
【補正方法】変更
【補正の内容】
【配列表】
2005065646000001.app
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月15日(2005.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、この矩形状の圧電基板１０を構成する水晶基板は、ＳＴＷが励振されるようにその表面の切り出し角及び伝搬方向が図３に示すようなオイラー角（０°，１２５〜１４２°，９０°）の範囲であり、また、ＩＤＴ電極２０はＡｌで構成され、その膜厚Ｈにより周波数温度係数ＴＣＦが図５のラインＬ１と、ラインＬ２と、ラインＬ３で囲まれた塗り潰し領域Ｒ内でマイナスになるように設定されている。尚、図３はこの水晶基板の切り出し方位を示す図であり、Ｚ軸を中心に反時計方向を正として回転した第一回転角φと、回転後のＸ軸を中心に反時計方向を正として回転した第二回転角θで切断面Ｍを表示し、回転後のＺ軸を中心に反時計方向を正として回転した第三回転角ψを基板面内の表面伝搬方向とした場合に、オイラー角表示で（φ、θ、ψ）と表す。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月11日(2005.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
取り付けプラットフォームの構造において、
プラットフォーム・プリント回路基板を有するプラットフォーム・トップであって、前記プラットフォーム・プリント回路基板が、前記プラットフォーム・プリント回路基板の第１の表面に形成された第１の電気接点と、前記プラットフォーム・プリント回路基板の第２の表面に形成された第２の電気接点とを有する、プラットフォーム・トップと、
前記プラットフォーム・プリント回路基板の前記第１の表面に取り付けられ、前記プラットフォーム・プリント回路基板に電気的に接続される第１の装置と、
ベース・プリント回路基板であって、前記ベース・プリント回路基板の第２の表面に形成された第１の電気接点と、前記ベース・プリント回路基板の第１の表面に形成された第２の電気接点とを有する、ベース・プリント回路基板と、
前記ベース・プリント回路基板の前記第１の表面に取り付けられた第２の装置と、
複数の導電性脚であって、前記プラットフォーム・プリント回路基板の前記第２の表面が少なくとも前記第２の装置の厚さに等しい距離だけ前記ベース・プリント回路基板の前記第１の表面よりも上方に位置するように、前記プラットフォーム・プリント回路基板を前記ベース・プリント回路基板の上方位置に機械的に支持する少なくとも一つの出力脚を有し、前記出力脚が第１の出力導体及び第２の出力導体を有している、複数の導電性脚と、
を備え、
前記第１の出力導体が前記第２の出力導体と略平行であり、
前記第１の出力導体が前記第２の出力導体から絶縁されており、
前記第１の出力導体が、前記プラットフォーム・プリント回路基板の前記第１の電気接点及び前記ベース・プリント回路基板の前記第１の電気接点と電気的に接続されており、
前記第２の出力導体が、前記プラットフォーム・プリント回路基板の前記第２の電気接点及び前記ベース・プリント回路基板の前記第２の電気接点と電気的に接続されており、
前記出力脚と前記プラットフォーム・トップが固定手段によって電気的及び機械的に接続されている、
ことを特徴とする取り付けプラットフォームの構造。
【請求項２】
前記プラットフォーム・プリント回路基板が第３の電気接点及び第４の電気接点をさらに有しており、
前記ベース・プリント回路基板が第３の電気接点及び第４の電気接点をさらに有しており、
前記複数の導電性脚が、第１の入力導体及び第２の入力導体を有する少なくとも一つの入力脚をさらに有しており、
前記第１の入力導体が前記第２の入力導体と略平行であり、
前記第１の入力導体が前記第２の入力導体から絶縁されており、
前記第１の入力導体が、前記プラットフォーム・プリント回路基板の前記第３の電気接点及び前記ベース・プリント回路基板の前記第３の電気接点と電気的に接続されており、
前記第２の入力導体が、前記プラットフォーム・プリント回路基板の前記第４の電気接点及び前記ベース・プリント回路基板の前記第４の電気接点と電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の取り付けプラットフォームの構造。
【請求項３】
前記第１の装置が電圧レギュレータであり、前記第２の装置がマイクロプロセッサであることを特徴とする請求項２に記載の取り付けプラットフォームの構造。
【請求項４】
前記取り付けプラットフォームが、前記マイクロプロセッサに隣接するが前記マイクロプロセッサの真上にならないよう配置されることを特徴とする請求項３に記載の取り付けプラットフォームの構造。
【請求項５】
前記出力脚が前記電圧レギュレータから前記マイクロプロセッサに電力を伝送する脚であり、前記出力脚が前記マイクロプロセッサに近接して配置されることを特徴とする請求項３に記載の取り付けプラットフォームの構造。
【請求項６】
前記第１の入力導体と前記第２の入力導体の間に配置される入力脚絶縁体をさらに備えたことを特徴とする請求項２に記載の取り付けプラットフォームの構造。
【請求項７】
前記第１の出力導体と前記第２の出力導体が高周波数における低インピーダンス伝送ラインを形成することを特徴とする請求項２に記載の取り付けプラットフォームの構造。
【請求項８】
前記第１の出力導体と前記第２の出力導体の間に配置される出力脚絶縁体をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の取り付けプラットフォームの構造。
【請求項９】
前記出力脚絶縁体が高誘電率を有することを特徴とする請求項８に記載の取り付けプラットフォームの構造。
【請求項１０】
前記プラットフォーム・プリント回路基板が、前記プラットフォーム・プリント回路基板の第２の電気接点に電気的に接続される接地面を有することを特徴とする請求項１に記載の取り付けプラットフォームの構造。
【請求項１１】
プラットフォーム導電性フレームをさらに備え、
前記出力脚の前記第２の出力導体が前記プラットフォーム導電性フレームから延びていることを特徴とする請求項１に記載の取り付けプラットフォームの構造。
【請求項１２】
機械的な支持をさらに与えるために、少なくとも一つの支持脚が前記プラットフォーム導電性フレームから延びていることを特徴とする請求項１に記載の取り付けプラットフォームの構造。
【請求項１３】
前記プラットフォーム導電性フレームが接地面に電気的に接続されていることを特徴とする請求項１１に記載の取り付けプラットフォームの構造。
【請求項１４】
前記固定手段がネジであることを特徴とする請求項１１に記載の取り付けプラットフォームの構造。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月26日(2004.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型窒化ガリウム系化合物半導体層、第２導電体型窒化ガリウム系化合物半導体層が積層されている窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、第２導電型層表面に透光性電極が形成され、該透光性電極の上に透明導電体膜が形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項２】
上記透明導電体膜の厚さｔは、０．３μｍ≦ｔ≦３０μｍであることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項３】
上記透明導電体膜の厚さｔはほぼλ／４ｎ（ただし、ｎは該透明導電体膜の屈折率、λは、発光波長）の奇数倍となるように設定されていることを特徴とする請求項２に記載の窒化ガリウム系化合物発光素子。
【請求項４】
上記透光性電極は単層または積層された金属膜より構成され、かつ該金属膜の全体の厚みが１ｎｍ以上５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項５】
上記透明導電体膜の上に反射防止膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項６】
前記透明導電体膜の上にパッド電極が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項７】
前記透明導電体膜にＡｕワイヤーが接続されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項８】
前記透光性電極はＮｉ、Ｐｔ、およびＰｄのいずれかであることを特徴とする請求項１から７のいずれかに記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項９】
前記透明導電体膜の材料として、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＺｎＯ、Ｃｄ2ＳｎＯ4、およびＣｄＳｎＯ3の少なくとも１種を用いていることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項１０】
前記反射防止膜の材料として、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、およびＬｉＦのうち１種を用いていることを特徴とする請求項１から９のいずれかに記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の請求項５に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、前記透明導電体膜の上に反射防止膜が形成されていることを特徴とする。反射防止膜（屈折率ｎｌｏｗ、膜厚ｄｌｏｗ）は、透明導電体膜（屈折率ｎ）、発光波長λとの間に、ｎｌｏｗ＝ｎ１／２、λ／４＝ｎｌｏｗ・ｄｌｏｗ（λ：波長）の関係であることが好ましい。透明導電体膜の屈折率が２程度の時、ＳｉＯ2，ＭｇＦ2，ＬｉＦ膜等を用いることにより、任意な波長に対して透過率を９０％以上にすることが可能となり、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の光の取り出し効率が増加する。
なお、透明導電体膜の上には、パッド電極が形成されていることが好ましい。そして、透明導電体膜には、Ａｕワイヤーが接続され得る。また、透光性電極は、Ｎｉ、Ｐｔ、およびＰｄのいずれかで形成され得る。透明導電体膜の材料としては、Ｉｎ2Ｏ3、ＳｎＯ2、ＺｎＯ、Ｃｄ2ＳｎＯ4、およびＣｄＳｎＯ3の少なくとも１種を用いることができる。反射防止膜の材料としては、ＳｉＯ2、ＭｇＦ2、およびＬｉＦのうち１種を用いることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月22日(2004.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、直接もしくは間接的に設けられた第１導電型半導体層、該第１導電型半導体層上の一部に設けられた、一体の第２導電型半導体層、該第１導電型半導体層上の、該第２導電型半導体層の無い部分に設けられた第１電極、該第２導電型半導体層上に、概略全面を覆うように設けられた第２電極を有することにより、上面視において、第２導電型半導体層の部分が、発光部を構成している半導体発光素子において、
該第１電極は、少なくとも、該発光部の片側と、その対向する側に設けられており、かつ、少なくとも、それらのうちのひとつは、ボンディングに要する領域の幅よりも狭く形成されており、かつ、それぞれが、発光素子表面に設けられた配線層により、電気的に接続されていることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記配線層は、前記発光部の横に設けられたことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記配線層は、前記第２導電型半導体層の上方に設けられたことを特徴とする、請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
基板上に、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層が順次設けられ、該第１導電型半導体層上の、該第２導電型半導体層の無い部分に設けられた第１電極、該第２導電型半導体層上に設けられた第２電極を有し、上面視において、該第１電極は、該第２導電型層の設けられた部分の両側に配置され、該両側に配置された第１電極は、互いに、絶縁層を介して該第２電極上に設けられた配線層により、電気的に接続されていることを特徴とする発光素子。
【請求項５】
前記第２電極に接合する、前記第１電極の一部を覆うボンディングパッド部が設けられていることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれかに記載の発光素子。
【請求項６】
前記配線層に接合する、前記第２電極の一部を覆うボンディングパッド部が設けられていることを特徴とする、請求項３または４に記載の発光素子。
【請求項７】
前記両側に配置された第１電極の一方に、ボンディングパッド部が設けられていることを特徴とする請求項４に記載の発光素子。
【請求項８】
上記第１導電型半導体層が、１層以上のＩＩＩ族元素窒化物半導体で構成されており、さらに、上記第２導電型半導体層が、１層以上のＩＩＩ族元素窒化物半導体で構成されることを特徴とする、請求項１ないし７のいずれかに記載の発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、別の構成では、前記配線層は、前記第２導電型半導体層の上方に設けられる。
さらに、本発明のもう一つの態様による発光素子は、基板上に、第１導電型半導体層、第２導電型半導体層が順次設けられ、該第１導電型半導体層上の、該第２導電型半導体層の無い部分に設けられた第１電極、該第２導電型半導体層上に設けられた第２電極を有し、上面視において、該第１電極は、該第２導電型層の設けられた部分の両側に配置され、該両側に配置された第１電極は、互いに、絶縁層を介して該第２電極上に設けられた配線層により、電気的に接続されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、好ましくは、本発明の発光素子には、前記配線層に接合する、前記第２電極の一部を覆うボンディングパッドが設けらる。
なお、前記第１電極が前記第２導電型層の設けられた部分の両側に配置される場合には、前記両側に配置された第１電極の一方にボンディングパッド部が設けられればよい。