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【手続補正書】
【提出日】平成17年10月7日(2005.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  入力された楽音の音高を検出し、検出された音高の、所定の基準音高からの偏差を検出して報知する電子調律器において、
前記偏差が所定の範囲以内であるとき前記検出された音高を記憶する音高記憶手段と、
前記検出された音高を前記音高記憶手段に記憶した後に、入力された楽音の音高と前記音高記憶手段から読み出した音高に対して２倍の周波数を持つ音高との偏差を検出して報知する偏差報知手段とを備えたことを特徴とする電子調律器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明の電子調律器は、入力された楽音の音高を検出し、検出された音高の、所定の基準音高からの偏差を検出して報知する電子調律器において、
上記偏差が所定の範囲以内であるとき上記検出された音高を記憶する音高記憶手段と、
上記検出された音高を上記音高記憶手段に記憶した後に、入力された楽音の音高と上記音高記憶手段から読み出した音高に対して２倍の周波数を持つ音高との偏差を検出して報知する偏差報知手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の電子調律器によれば、所定の弦番号の開放音を、その弦番号の基準音高の所定の範囲に入るよう糸巻を調整する。開放音を入力すると音高記憶手段にその音高が記憶される。次に１２フレットを押さえて弾弦すると、音高記憶手段から読み出した音高に対して２倍の周波数を持つ音高との差を偏差報知手段により報知するように成されている。この報知に基づいて弦の音高が、音高記憶手段から読み出した音高に対して２倍の周波数を持つ音高になるようにブリッジを移動して調整する。このとき１２フレット音は、上記所定の範囲には入らないので、記憶手段を書き換えることはない。つぎにブリッジの移動により弦の長さが変わるので、ユーザは、再度開放弦を弾くが、その音高が所定の範囲に入ればメモリに記憶されるので、糸巻きを操作しなくてもよい。再びユーザは１２フレットを押さえて弾弦するとメモリに更新された音高に対して２倍の周波数を持つ音高と１２フレット音が比較され、その差に応じてブリッジを移動して調整する。この作業を繰り返せば、ブリッジを１２フレット音が開放音の２倍の周波数になる位置に設定することができる。したがって、ブリッジ位置を合わせる作業において、ブリッジを移動するたびに糸巻きを操作して基準音に合わせる必要がなくなり、作業性が向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月9日(2005.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板の間に液晶層を挟持する透過型の液晶表示パネルと、
前記液晶表示パネルの背面に配置され、光源と反射板とを有するバックライトとを備え、
前記光源からの光を用いる透過表示と、前記液晶表示パネルの前面側から入射する外光を前記反射板で反射させて用いる反射表示とが可能な液晶表示装置であって、
前記一対の基板のうちの背面側の基板と前記バックライトの反射板との間に配置された少なくとも２つ以上の光拡散層を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記光拡散層のうちの少なくとも１つは拡散板または拡散シートであることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記光拡散層のうちの少なくとも１つは拡散粘着材であることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記光拡散層のうちの少なくとも１つは拡散フィルムであることを特徴とする請求項１から３の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
一対の基板の間に液晶層を挟持する透過型の液晶表示パネルと、
光源と、
前記液晶表示パネルの背面側に配置され前記光源からの光が入射される導光体と、
前記導光体の背面に配置された反射板とを備え、
前記光源からの光を用いる透過表示と、前記液晶表示パネルの前面側から入射する外光を前記反射板で反射させて用いる反射表示とが可能な液晶表示装置であって、
前記一対の基板のうちの背面側の基板と前記導光体との間に配置された少なくとも２つ以上の光拡散層を備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
前記一対の基板のうちの前記背面側の基板と前記導光体との間に配置された偏光板と、
前記背面側の基板と前記偏光板との間に配置された前記光拡散層とを備えることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記一対の基板のうちの前記背面側の基板と前記導光体との間に配置された偏光板と、
前記背面側の基板と前記偏光板との間に配置され前記光拡散層として作用する拡散粘着材とを備えることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記一対の基板のうちの前記背面側の基板と前記導光体との間に配置された偏光板と、
前記偏光板の前記導光体の位置する側の表面に配置された前記光拡散層とを備えることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記一対の基板のうちの前記背面側の基板と前記導光体との間に配置され、光拡散層として作用するＡＧ付き偏光板を備えることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記一対の基板のうちの前記背面側の基板と前記導光体との間に配置された偏光板と、
前記偏光板と前記導光体との間に配置された反射偏光板と、
前記偏光板と前記反射偏光板との間に配置された光拡散層とを備えることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記一対の基板のうちの前記背面側の基板と前記導光体との間に配置された偏光板と、
前記偏光板と前記導光体との間に配置された反射偏光板と、
前記偏光板と前記反射偏光板との間に配置され前記光拡散層として作用する拡散粘着材とを備えることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記一対の基板のうちの前記背面側の基板と前記導光体との間に配置された偏光板と、
前記偏光板と前記導光体との間に配置された反射偏光板と、
前記背面側の基板と前記偏光板との間に配置された前記光拡散層と、
前記偏光板と前記反射偏光板との間に配置された前記光拡散層とを備えることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記光拡散層の１つとして作用する拡散板または拡散シートを備えるとともに、
前記拡散板または前記拡散シートは前記少なくとも２つ以上の光拡散層のうち最も前記導光体に近い位置に配置されていることを特徴とする請求項５から１２の何れかに記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月21日(2005.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示すべき画像信号に応じて供給される信号電流にもとづいて、各画素の発光素子に駆動電流を供給する画素マトリクス回路と、上記画素マトリクス回路へ信号電流を供給する信号線と、表示すべき画像信号を上記信号電流として上記信号線へ出力する信号線駆動手段と、上記画素マトリクス回路の各列の上記信号線へ供給される上記信号電流を検出し、検出結果として順次出力する信号電流検出手段と、上記信号電流検出手段により検出された検出結果に基づいて上記表示すべき画像信号を補正する補正手段とを備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
上記信号電流検出手段は、上記各列の信号線のそれぞれに一端が接続され各列毎に設けられたスイッチ回路と、上記スイッチ回路の他端が共通に接続された電流検出線と、上記スイッチ回路を順次導通するよう制御するスイッチ制御手段とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
上記信号電流検出手段は、上記電流検出線に現れる各列の信号電流を所定の電流比により増幅した後、電圧に変換する電流−電圧変換手段を備えたことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
第１及び第２のレベルの上記表示すべき画像信号をそれぞれ入力したときの上記検出結果と上記第１及び第２のレベルに対応した基準検出結果との差分を誤差検出結果として出力する誤差検出手段を備え、上記補正手段は、上記第１及び第２のレベルに対応した各列の上記誤差検出結果に基づいて、上記表示すべき画像信号を補正することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項５】
Ｎ種類のレベル（３≦Ｎ≦表示階調数）の上記表示すべき画像信号をそれぞれ入力したときの上記検出結果と上記Ｎ種類のレベルに対応した基準検出結果との差分を誤差検出結果として出力する誤差検出手段を備え、上記補正手段は、上記表示すべき画像信号のレベルが、上記Ｎ種類のレベルうちの隣接する２つのレベルの間におけるいずれの区間にあるかを判別し、該隣接する２つのレベルに対応した各列の上記誤差検出結果に基づいて、上記表示すべき画像信号を補正することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項６】
上記補正手段は、上記表示すべき画像信号の取り得る全てのレベルをそれぞれ入力したときの各列の上記誤差検出結果に基づいて、上記表示すべき画像信号を補正することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項７】
上記画素マトリクス回路を順次走査する走査手段を備え、上記信号電流検出手段により上記信号電流を検出するときには上記走査手段を停止することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項８】
上記誤差検出結果を保持するメモリ手段を備えたことを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記載の表示装置。
【請求項９】
表示すべき画像信号に応じて供給される信号電流にもとづいて、各画素の発光素子に駆動電流を供給する画素マトリクス回路と、上記画素マトリクス回路へ信号電流を供給する信号線と、表示すべき画像信号を上記信号電流として上記信号線へ出力する信号線駆動手段と、上記画素マトリクス回路の各列の上記信号線へ供給される上記信号電流を検出し、検出結果として順次出力する信号電流検出手段を備えたことを特徴とする表示パネル。
【請求項１０】
上記信号電流検出手段は、上記各列の信号線のそれぞれに一端が接続され各列毎に設けられたスイッチ回路と、上記スイッチ回路の他端が共通に接続された電流検出線と、上記スイッチ回路を順次導通するよう制御するスイッチ制御手段とを備えたことを特徴とする請求項９に記載の表示パネル。
【請求項１１】
上記信号電流検出手段は、上記電流検出線に現れる各列の信号電流を所定の電流比により増幅した後、電圧に変換する電流−電圧変換手段を備えたことを特徴とする請求項１０に記載の表示パネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の構成に係る表示装置は、表示すべき画像信号に応じて供給される信号電流にもとづいて、各画素の発光素子に駆動電流を供給する画素マトリクス回路と、上記画素マトリクス回路へ信号電流を供給する信号線と、表示すべき画像信号を上記信号電流として上記信号線へ出力する信号線駆動手段と、上記画素マトリクス回路の各列の上記信号線へ供給される上記信号電流を検出し、検出結果として順次出力する信号電流検出手段と、上記信号電流検出手段により検出された検出結果に基づいて上記表示すべき画像信号を補正する補正手段とを備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、別の発明の表示パネルは、表示すべき画像信号に応じて供給される信号電流にもとづいて、各画素の発光素子に駆動電流を供給する画素マトリクス回路と、上記画素マトリクス回路へ信号電流を供給する信号線と、表示すべき画像信号を上記信号電流として上記信号線へ出力する信号線駆動手段と、上記画素マトリクス回路の各列の上記信号線へ供給される上記信号電流を検出し、検出結果として順次出力する信号電流検出手段とを備えたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
本発明による表示パネルは、表示すべき画像信号に応じて供給される信号電流にもとづいて、各画素の発光素子に駆動電流を供給する画素マトリクス回路と、画素マトリクス回路へ信号電流を供給する信号線と、表示すべき画像信号を信号電流として信号線へ出力する信号線駆動手段と、画素マトリクス回路の各列の信号線へ供給される信号電流を検出し、検出結果として順次出力する信号電流検出手段を備えたので、信号線駆動電流のばらつきの度合いにより、アレイ基板の良品／不良品の検査を行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月14日(2004.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】シリコンウエハの加工方法、シリコンウエハおよびシリコンウエハの加工装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウエハ製造用のシリコンブロックまたはシリコンスタックの側面に存在する微小な凹凸を平坦化することからなるシリコンウエハの加工方法。
【請求項２】
平坦化が、シリコンブロックまたはシリコンスタックの側面上に砥粒と媒体との混合物を散布し、研磨加工部を前記側面上に近接ないしは接触させた状態で、シリコンブロックまたはシリコンスタックと研磨加工部とを砥粒の存在下で相対運動させることにより、シリコンブロックまたはシリコンスタックの側面を機械的に研磨することからなる請求項１に記載のシリコンウエハの加工方法。
【請求項３】
平坦化が、シリコンブロックまたはシリコンスタックの側面上に媒体を散布し、表面および／または内部に砥粒を有する研磨加工部を前記側面上に近接ないしは接触させた状態で、シリコンブロックまたはシリコンスタックと研磨加工部とを相対運動させることにより、シリコンブロックまたはシリコンスタックの側面を機械的に研磨することからなる請求項１に記載のシリコンウエハの加工方法。
【請求項４】
研磨が、砥粒と媒体との混合物または媒体のみを散布しつつ行われる請求項２または３に記載のシリコンウエハの加工方法。
【請求項５】
平坦化した後のシリコンブロックまたはシリコンスタックの側面の表面粗さＲｙが８μｍ以下である請求項１〜４のいずれか１つに記載のシリコンウエハの加工方法。
【請求項６】
シリコンブロックまたはシリコンスタックの断面形状が、主となる４つの直線により構成され、かつ隣接する各々の２直線の角度が９０度近傍である請求項１〜５のいずれか１つに記載のシリコンウエハの加工方法。
【請求項７】
シリコンウエハ製造用のシリコンブロックの側面に存在する微小な凹凸を機械的に研磨して、加工することからなるシリコンウエハの加工方法。
【請求項８】
シリコンウエハ製造用のシリコンブロックの側面に存在する微小な凹凸を機械的に研磨して、スライスすることからなるシリコンウエハの加工方法。
【請求項９】
断面形状が矩形または略矩形のシリコンブロックをスライスしてシリコンウエハに加工するシリコンウエハの加工方法において、シリコンブロックの側面を研磨加工した後、スライスすることを特徴とするシリコンウエハの加工方法。
【請求項１０】
角柱状のシリコンブロックをスライスしてシリコンウエハに加工するシリコンウエハの加工方法において、後工程でシリコンウエハの外周面に相当するシリコンブロックの側面に存在する微小な凹凸を研磨加工した後、スライスすることを特徴とするシリコンウエハの加工方法。
【請求項１１】
シリコンブロックが、シリコンインゴットを四角形型に切り出したものである請求項７〜１０のいずれか１つに記載のシリコンウエハの加工方法。
【請求項１２】
研磨後のシリコンブロックの側面の表面粗さＲｙが８μｍ以下である請求項７〜１１のいずれか１つに記載のシリコンウエハの加工方法。
【請求項１３】
研磨が、シリコンブロックの側面上に媒体を散布し、表面および／または内部に砥粒を有する研磨加工部を前記側面上に近接ないしは接触させた状態で、シリコンブロックと研磨加工部とを相対運動させることにより、シリコンブロックの側面を機械的に研磨することからなる請求項７〜１２のいずれか１つに記載のシリコンウエハの加工方法。
【請求項１４】
研磨が、媒体のみを散布しつつ行われる請求項７〜１３のいずれか１つに記載のシリコンウエハの加工方法。
【請求項１５】
相対運動が、シリコンブロックの往復運動と研磨加工部の回転運動とからなる請求項１３または１４に記載のシリコンウエハの加工方法。
【請求項１６】
研磨加工部が、スチール、樹脂、布およびスポンジから選択された部材からなる請求項１３〜１５のいずれか１つに記載のシリコンウエハの加工方法。
【請求項１７】
研磨加工部が、樹脂ブラシからなる請求項１６に記載のシリコンウエハの加工方法。
【請求項１８】
樹脂ブラシが、砥粒が混入されたものである請求項１７に記載のシリコンウエハの加工方法。
【請求項１９】
スライスが、ワイヤーソーを用いたスライス加工である請求項８〜１８のいずれか１つに記載のシリコンウエハの加工方法。
【請求項２０】
シリコンブロックの側面を研磨加工した後、スライスしてなることを特徴とするシリコンウエハ。
【請求項２１】
断面形状が矩形または略矩形のシリコンブロックの側面を研磨加工した後、スライスしてなることを特徴とするシリコンウエハ。
【請求項２２】
シリコンブロックが、シリコンインゴットを切り出したものである請求項２０または２１に記載のシリコンウエハ。
【請求項２３】
研磨後のシリコンブロックの側面の表面粗さＲｙが８μｍ以下である請求項２０〜２２のいずれか１つに記載のシリコンウエハ。
【請求項２４】
シリコンウエハが、矩形または略矩形である請求項２０〜２３のいずれか１つに記載のシリコンウエハ。
【請求項２５】
シリコンウエハ製造用のシリコンブロックの側面に存在する微小な凹凸を研磨し加工する研磨加工部を備えてなることを特徴とするシリコンウエハの加工装置。
【請求項２６】
シリコンブロックを往復運動させる一軸ステージと、シリコンブロックの研磨加工面となる側面上に近接ないしは接触するように設置されて回転運動し、かつ表面および／または内部に砥粒を有する研磨加工部と、前記側面上に媒体を散布するノズルとを備え、砥粒の存在下での一軸ステージの往復運動と研磨加工部の回転運動との相対運動により、シリコンブロックの側面を研磨させるシリコンウエハの加工装置。
【請求項２７】
研磨加工部が、スチール、樹脂、布およびスポンジから選択された部材からなる請求項２５または２６に記載のシリコンウエハの加工装置。
【請求項２８】
研磨加工部が、樹脂ブラシからなる請求項２７に記載のシリコンウエハの加工装置。
【請求項２９】
樹脂ブラシが、砥粒が混入されたものである請求項２８に記載のシリコンウエハの加工装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
かくして、本発明によれば、シリコンウエハ製造用のシリコンブロックまたはシリコンスタックの側面に存在する微小な凹凸を平坦化することからなるシリコンウエハの加工方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
半導体層と、
前記半導体層上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された第１の電極層と、
前記第１の電極層及び前記第１の絶縁膜を貫通して前記半導体層内に至るまで形成され、前記第１の電極層と自己整合的に形成され、素子領域を分離し、素子分離絶縁膜からなる複数の素子分離領域と、
前記素子分離領域を跨いで前記第１の電極層上に形成され、前記第１の電極層の表面を露出する開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上及び前記第１の電極層の露出された前記表面上に形成され、前記開口部を介して前記第１の電極層と電気的に接続される第２の電極層と
を具備し、
前記第１及び第２の電極層でゲート電極が形成され、
前記開口部は、前記ゲート電極のゲート長方向における第１の幅と前記ゲート長方向に対して垂直方向における第２の幅とを有し、
前記第２の幅は、前記第１の幅より長く、
前記開口部は、前記素子分離領域を跨いで前記第２の幅の方向に延在し、
前記開口部は、前記第２の電極層の中央部に位置し、
前記素子分離絶縁膜は、前記開口部下に位置し、前記開口部と同じ形状の溝を有する
ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記ゲート電極は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの選択トランジスタのゲート電極であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記半導体層と、
前記半導体層上に形成された前記第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された前記第１の電極層と、
前記第１の電極層及び前記第１の絶縁膜を貫通して前記半導体層内に至るまで形成され、前記第１の電極層と自己整合的に形成され、前記素子領域を分離し、前記素子分離絶縁膜からなる複数の前記素子分離領域と、
前記第１の電極層及び前記素子分離領域上に形成された前記第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成された前記第２の電極層と
を具備するメモリセルアレイ領域を備えた半導体装置であって、
前記メモリセルアレイ領域の前記素子分離領域の表面は前記第１の電極層の表面よりも下に位置することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２９】
前記第２の電極層は、前記第１の電極層よりも低抵抗な層であり、高融点金属層又は高融点金属シリサイド層と多結晶シリコン層との積層膜であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３２】
前記ゲート電極の端部に前記第２の絶縁膜が存在することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の第１の視点による半導体装置は、半導体層と、前記半導体層上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された第１の電極層と、前記第１の電極層及び前記第１の絶縁膜を貫通して前記半導体層内に至るまで形成され、前記第１の電極層と自己整合的に形成され、素子領域を分離し、素子分離絶縁膜からなる複数の素子分離領域と、前記素子分離領域を跨いで前記第１の電極層上に形成され、前記第１の電極層の表面を露出する開口部を有する第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上及び前記第１の電極層の露出された前記表面上に形成され、前記開口部を介して前記第１の電極層と電気的に接続される第２の電極層とを具備し、前記第１及び第２の電極層でゲート電極が形成され、前記開口部は、前記ゲート電極のゲート長方向における第１の幅と前記ゲート長方向に対して垂直方向における第２の幅とを有し、前記第２の幅は、前記第１の幅より長く、前記開口部は、前記素子分離領域を跨いで前記第２の幅の方向に延在し、前記開口部は、前記第２の電極層の中央部に位置し、前記素子分離絶縁膜は、前記開口部下に位置し、前記開口部と同じ形状の溝を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月12日(2004.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳＯＩ基板と、前記ＳＯＩ基板に形成されたアンプ部と、前記ＳＯＩ基板に形成されたフォトダイオード部とを有する光半導体集積回路装置において、
前記フォトダイオード部のＳＯＩ層は、前記ＳＯＩ基板の表面側の不純物濃度が前記ＳＯＩ基板の絶縁膜側の不純物濃度よりも小さいことを特徴とする光半導体集積回路装置。
【請求項２】
情報を記録した光ディスクと、半導体レーザ光源と、前記半導体レーザ光源からの出射光を前記光ディスクに集光する光学系と、前記光ディスクからの反射光を検出する光検出器と、前記光検出器で検出された信号を処理する信号処理部とを含む光記憶再生装置において、
請求項１記載の光半導体集積回路装置により前記反射光の検出と、前記検出された信号の少なくとも一部の処理を行うことを特徴とする光記憶再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月25日(2005.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが半導体集積回路チップを含み且つ仕様を有する半導体集積回路デバイスが複数積層された積層型半導体デバイスであって、
少なくとも３以上の半導体集積回路デバイスは、その少なくとも２つがサイズ以外の前記仕様の値で異なり、前記サイズ以外の仕様の値の順にしたがって積層されている
ことを特徴とする積層型半導体デバイス。
【請求項２】
それぞれが半導体集積回路チップを含み且つ仕様を有する半導体集積回路デバイスが少なくとも３以上積層された積層型半導体デバイスであって、
前記半導体集積回路デバイスのなかで、その少なくとも２つがサイズ以外の前記仕様の値で異なり、最下層又は最上層の半導体集積回路デバイスのサイズ以外の仕様の値が、最小又は最大である
ことを特徴とする積層型半導体デバイス。
【請求項３】
それぞれが半導体集積回路チップを含み且つ仕様を有する半導体集積回路デバイスが少なくとも２以上積層された積層型半導体デバイスであって、
前記半導体集積回路デバイスは前記半導体集積回路デバイスを貫通する導電材を含み、前記半導体集積回路デバイスどうしは前記導電材によって電気的に接続され、
最下層又は最上層の半導体集積回路デバイスのサイズ以外の仕様の値が、最小又は最大である
ことを特徴とする積層型半導体デバイス。
【請求項４】
それぞれが半導体集積回路チップを含み且つ仕様を有する半導体集積回路デバイスが複数積層され、その少なくとも２つがサイズ以外の前記仕様の値で異なる積層型半導体デバイスであって、
少なくとも２以上であって且つ総個数より少ない前記半導体集積回路デバイスによってグループが構成され、前記グループ内の半導体集積回路デバイスはそれらのサイズ以外の仕様の値が所定の範囲内であり且つ連続して積層されている
ことを特徴とする積層型半導体デバイス。
【請求項５】
前記半導体集積回路デバイスは、さらに基板を含み、前記基板上に前記半導体集積回路チップが搭載されている
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の積層型半導体デバイス。
【請求項６】
前記半導体集積回路チップが前記仕様を有する
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の積層型半導体デバイス。
【請求項７】
前記半導体集積回路デバイスは前記半導体集積回路デバイスを貫通する導電材を含み、前記半導体集積回路デバイスどうしは前記導電材によって電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項１、２又は４に記載の積層型半導体デバイス。
【請求項８】
前記少なくとも３以上の半導体集積回路デバイスは、連続して積層されている
ことを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体デバイス。
【請求項９】
前記少なくとも３以上の半導体集積回路デバイスは、前記少なくとも３以上の半導体集積回路デバイス以外の半導体集積回路デバイスを挟んでいる
ことを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体デバイス。
【請求項１０】
前記少なくとも３以上の半導体集積回路デバイスは、前記半導体集積回路デバイスのなかの最下層及び最上層の少なくとも一方の半導体集積回路デバイスを含む
ことを特徴とする請求項１に記載の積層型半導体デバイス。
【請求項１１】
前記導電材は、前記半導体集積回路チップ又は前記半導体集積回路チップが搭載された基板を貫通する
ことを特徴とする請求項３に記載の積層型半導体デバイス。
【請求項１２】
前記仕様は、消費電力、動作電圧、動作電圧数、動作電流、保証動作温度、発生電磁波量、動作周波数、接続端子数、接続端子ピッチ、厚さ、前記半導体集積回路デバイスが搭載されるベース基板との信号の送受量、及び外部との信号の送受量、の中から選択される
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の積層型半導体デバイス。
【請求項１３】
前記少なくとも２以上の半導体集積回路デバイス以外の半導体集積回路デバイスによって別のグループが構成され、前記別のグループを構成する半導体集積回路デバイスの仕様の値は前記所定の範囲以外の範囲にある
ことを特徴とする請求項４に記載の積層型半導体デバイス。
【請求項１４】
前記半導体集積回路デバイスのなかで前記仕様の値の差が最も小さい二つの半導体集積回路デバイスが、前記グループに含まれる
ことを特徴とする請求項４に記載の積層型半導体デバイス。
【請求項１５】
それぞれが半導体集積回路チップを含む半導体集積回路デバイスが複数積層された積層型半導体デバイスであって、
前記半導体集積回路デバイスのなかで相互間での信号の送信量が最も多い二つの半導体集積回路デバイスが連続して積層されている
ことを特徴とする積層型半導体デバイス。
【請求項１６】
それぞれが半導体集積回路チップを含み且つ仕様を有する半導体集積回路デバイスが少なくとも２以上積層された積層型半導体デバイスであって、
前記半導体集積回路デバイスは前記半導体集積回路デバイスを貫通する導電材を含み、前記半導体集積回路デバイスどうしは前記導電材によって電気的に接続され、
大きなサイズを有する半導体集積回路デバイスが、小さなサイズを有する半導体集積回路デバイス上に積層されている
ことを特徴とする積層型半導体デバイス。
【請求項１７】
半導体集積回路チップを含む第１の半導体集積回路デバイスと、
半導体集積回路チップを含み前記第１の半導体集積回路デバイスから第１の方向に離間した第２の半導体集積回路デバイスと、
それぞれが半導体集積回路チップを含み、前記第１の方向に対して垂直な面内に配置され且つ前記第１及び第２の半導体集積回路デバイスに挟まれた複数の半導体集積回路デバイスと、
が積層されてなることを特徴とする積層型半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月27日(2004.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
クロック信号およびデータ信号がそれぞれ差動信号で入力される差動アンプを備え、上記クロック信号の立上りと立下りのそれぞれに同期して上記データ信号を内部に取り込む入力回路を有する半導体集積回路において、
上記入力回路には、上記クロック信号が入力される差動アンプが２個設けられ、これらの差動アンプの各正相入力端子と負相入力端子には前記差動クロック信号の正相信号と負相信号がそれぞれ逆の関係で入力されるとともに、両差動アンプからはともに正相側入力と同相或いは負相側入力と同相の信号がデータ取込み用のタイミング信号として出力されるように構成されていることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
上記クロック信号が入力される２個の差動アンプの差動増幅段は同一の回路構成であることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路。
【請求項３】
タイミング信号の立上り或いは立上りに基づいて上記データ信号をラッチする第１のラッチ回路と第２のラッチ回路が設けられ、これらのうち第１のラッチ回路には上記クロック信号が入力される２個の差動アンプのうちの一方の差動アンプより出力されたタイミング信号が入力され、第２のラッチ回路には他方の差動アンプより出力されたタイミング信号が入力されるように構成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体集積回路。
【請求項４】
上記第１のラッチ回路および第２のラッチ回路はともに各々に入力されるタイミング信号の立上り、或いは立下りでデータ信号をそれぞれラッチするように構成されていることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の半導体集積回路。
【請求項５】
デジタル表示データが入力され、該表示データに基づき液晶駆動用信号を生成して出力する液晶駆動装置において、
請求項１〜４の何れかに記載の入力回路が上記表示データを取り込む入力手段として設けられていることを特徴とする液晶駆動装置。
【請求項６】
正相端子に正相クロックを受け、負相端子に負相クロックを受ける第一差動アンプと、負相端子に上記正相クロックを受け、正相端子に上記負相クロックを受ける第二差動アンプと、外部からのデータを受ける外部端子とを有し、
上記第一差動アンプから出力される第一クロック及び上記第二差動アンプから出力される第ニクロックの立ち上がりエッジ又は立ち下がりエッジに同期して上記データを取り込む半導体集積回路。
【請求項７】
上記第一差動アンプから出力される上記第一クロックにより上記データをラッチする第一ラッチと、上記第二差動アンプから出力される上記第ニクロックにより上記データをラッチする第ニラッチとを有する請求項６に半導体集積回路。
【請求項８】
上記外部端子は正相外部端子と負相外部端子とで構成され、上記データは小振幅差動信号インターフェースに入力されるよう形成されたものであり、上記データは正相データと負相データで構成され、上記正相データ及び負相データを上記正相外部端子と上記負相外部端子とを介して差動で受ける第三アンプを有する請求項７に記載の半導体集積回路。
【請求項９】
上記第三アンプの出力データに基づいて液晶表示装置を駆動する液晶駆動回路を備える事を特徴とする請求項８に記載の半導体集積回路。
【請求項１０】
差動の外部クロックを入力する２個のクロック入力回路と、差動信号を受ける差動増幅段と該差動増幅段の出力に基づき出力信号を生成する出力段とが設けられた差動型の入力回路を備え、
これらのうち一方のクロック入力回路の中にある差動入力回路には、正相入力端子に外部クロックの正相信号が、負相入力端子に負相信号がそれぞれ入力され、他方のクロック入力回路の中にある差動入力回路には、正相入力端子に外部クロックの負相信号が、負相入力端子に正相信号がそれぞれ入力される一方、上記入力回路には１個の上記外部クロック毎に２個の入力信号がシリアルに入力され、且つ、これら２個の入力信号の取り込みタイミングが、一方のクロック入力回路の中にある差動入力回路の出力と、他方のクロック入力回路の中にある差動入力回路の出力とでそれぞれ与えられるように構成され、
上記２個のクロック入力回路を介して入力された２個のクロック信号は、共に立上り或いは立下りの何れか一方により、上記のタイミングを与えるように構成されていることを特徴とする液晶駆動装置。
【請求項１１】
１個の上記外部クロック毎にシリアルに入力される上記２個の入力信号のうち一方をラッチする第１ラッチと他方をラッチする第２ラッチとを備え、
これら第１ラッチと第２ラッチの各ラッチタイミングが、上記２個のクロック入力回路を介して入力された上記一方のクロック入力回路の中にある上記差動入力回路の出力である上記クロック信号と、上記他方のクロック入力回路の中にある上記差動入力回路の出力である上記クロック信号に基づいてそれぞれ与えられるように構成されていることを特徴とする請求項１０に記載の液晶駆動装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月4日(2005.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】  前記第１の論理値は、１であり、
前記縮退回路は、
前記第１部分の保持データに対応する入力信号を受けるＯＲ回路を有し、
前記一致検出回路は、
前記ＯＲ回路の出力と前記第１の保持回路の出力とが一致したときに前記リセット信号を出力するエクスクルッシブＮＯＲ回路を有する、請求項４に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
請求項５に記載の半導体装置は、請求項４に記載の半導体装置の構成に加えて、第１の論理値は、１であり、縮退回路は、第１部分の保持データに対応する入力信号を受けるＯＲ回路を有し、一致検出回路は、ＯＲ回路の出力と第１の保持回路の出力とが一致したときにリセット信号を出力するエクスクルッシブＮＯＲ回路を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
すなわち、図５で示したリセット回路１６ｂの構成は、フリップフロップの出力を４本ずつに分けてそれぞれＯＲ回路２２、２４で受けていた。そしてＯＲ回路２２、２４の出力が一致するか否かをエクスクルシブＮＯＲ回路２６でチェックしていたが、フリップフロップの出力は必ずしも４対４に分割してそれぞれＯＲ回路で受ける必要はない。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月28日(2004.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ヘテロダイン検波のための装置において、
第１の光信号が第２の光信号と結合される前で前記第１の光信号の一部分を測定し、前記測定された前記一部分に相当する第１の電気信号を発生し、前記第１、第２の光信号の一方が局発信号で他方が入力信号である受信装置と、
第１の入力と第２の入力とを備えた光カプラであって、前記第１の入力が、前記第１の光信号を受信するように光学的に接続され、前記第２の入力が、前記第２の光信号を受信するように光学的に接続され、前記第１、第２の光信号を含む結合光信号を出力するための出力を備えた光カプラと、
前記光カプラから前記結合光信号を受信する入力と、該結合光信号に相当する第３の電気信号を出力する出力とを備え、前記第３の電気信号が、ヘテロダイン信号を含むようにしたヘテロダイン受信装置と、
前記第１、第３の電気信号を受信し、前記ヘテロダイン信号と前記第１の電気信号に応じて前記入力信号の光パラメータを示す出力信号を発生するプロセッサと
を有することを特徴とする装置。
【請求項２】
前記プロセッサが、前記第１の電気信号を利用する手段を備えて前記第１の光信号に起因する、前記第３の電気信号に含まれる信号雑音を少なくするようにしたことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記プロセッサが、前記第１の電気信号を利用する手段を備えて前記第３の電気信号に含まれる前記第１の光信号に起因する信号雑音を計算するようにしたことを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記プロセッサが、さらに、前記第３の電気信号から前記第１の光信号に関連する前記計算された信号雑音を減算して前記ヘテロダイン信号における信号対雑音比を改善するようにしたことを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
さらに、前記第２の光信号が前記第１の光信号と結合される前で前記第２の光信号の一部分を測定し、該測定された一部分に相当する第２の電気信号を発生する第２の受信装置を有し、前記プロセッサが、さらに、前記第２の電気信号を利用する手段を備えて前記第２の光信号に起因する、前記第３の電気信号に含まれる信号雑音を少なくするようにしたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の装置。
【請求項６】
さらに、前記光カプラの上流にある光路において前記入力信号を遮断するために前記入力信号に関連する光スイッチを有するようにしたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の装置。
【請求項７】
光ヘテロダイン検波を利用して光信号を監視する方法であって、
第１の光信号を供給し、
第２の光信号を供給し、前記第１の光信号と前記第２の光信号の一方が局発信号で他方が入力信号であるようにし、
前記第１の光信号が前記第２の光信号と結合される前で前記第１の光信号の一部分を測定し、
前記測定された前記第１の光信号の一部分に相当する第１の電気信号を発生させ、
前記第１、第２の光信号を結合して結合光信号を発生させ、
前記結合光信号に相当する第３の電気信号を発生させ、
前記入力信号の光パラメータを示す出力信号を発生させ、前記出力信号を発生させる前記工程が、前記第３の電気信号に含まれる前記第１の光信号に起因する信号雑音を少なくするように前記第１の電気信号を使う工程を含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
前記信号雑音を少なくするように前記第１の電気信号を使う前記工程が、前記第１の光信号から前記第３の電気信号に与えた雑音を前記第１の電気信号を使って計算するとともに該計算された雑音を前記第３の電気信号から減算する工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
さらに、前記第２の光信号が前記第１の光信号と結合される前で前記第２の光信号の一部分を測定し、
前記第２の光信号の前記測定された前記一部分に相当する第２の電気信号を発生させ、
前記第１の光信号から前記第３の電気信号に与えた雑音を前記第１の電気信号を使って計算し、該計算された雑音を前記第３の電気信号から減算し、
前記第２の光信号から前記第３の電気信号に与えた雑音を、前記第２の電気信号を使って計算し、該計算された雑音を前記第３の電気信号から減算するようにしたことを特徴とする請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
さらに、前記入力信号が前記局発信号と結合される前で前記入力信号の伝達を阻止し、かつ、前記出力信号を発生させるために使われる校正情報を発生させるようにしたことを特徴とする請求項７〜９のいずれか１つに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月31日(2005.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像信号及び音声信号を伝送するシステムにおいて、受信側に、伝送路から入力されたトランスポート・ストリーム(ＴＳ)またはプログラム・ストリーム(ＰＳ)をＭＰＥＧビデオ・ストリーム及びＭＰＥＧオーディオ・ストリームに分離するデマルチプレクサと、上記ＭＰＥＧビデオ・ストリームを復号化するプレゼンテーション・タイム・スタンプ(ＰＴＳ)を抽出可能なＭＰＥＧビデオ・デコーダと、上記ＭＰＥＧオーディオ・ストリームを復号化するＭＰＥＧオーディオ・デコーダと、抽出された上記ＰＴＳをホールドするＰＴＳホールド部と、表示制御器のフレーム同期信号で、ホールドされた上記ＰＴＳをシステム・タイム・クロック(ＳＴＣ)にロード可能な受信側カウンタを有することを特徴とする映像及び音声復号処理における映像及び音声の同期再生方式。
【請求項２】
映像信号及び音声信号を伝送するシステムにおいて、受信側に、伝送路から入力されたトランスポート・ストリーム(ＴＳ)またはプログラム・ストリーム(ＰＳ)をＭＰＥＧビデオ・ストリーム及びＭＰＥＧオーディオ・ストリームに分離するデマルチプレクサと、上記ＭＰＥＧビデオ・ストリームを復号化するプレゼンテーション・タイム・スタンプ(ＰＴＳ)を抽出可能なＭＰＥＧビデオ・デコーダと、上記ＭＰＥＧオーディオ・ストリームを復号化するＭＰＥＧオーディオ・デコーダと、抽出された上記ＰＴＳをホールドするＰＴＳホールド部と、表示制御器のフレーム同期信号でシステム・タイム・クロック(ＳＴＣ)をホールドするＳＴＣホールド部と、上記ＰＴＳとＳＴＣとの差分をとる減算器と、復号された音声信号出力を遅延させる遅延器を有することを特徴とする映像及び音声復号処理における映像及び音声の同期再生方式。
【請求項３】
映像信号及び音声信号を伝送するシステムにおいて、受信側に、伝送路から入力されたトランスポート・ストリーム(ＴＳ)またはプログラム・ストリーム(ＰＳ)をＭＰＥＧビデオ・ストリーム及びＭＰＥＧオーディオ・ストリームに分離するデマルチプレクサと、上記ＭＰＥＧビデオ・ストリームを復号化するＭＰＥＧビデオ・ストリームの出力タイミングが検出可能なＭＰＥＧビデオ・デコーダと、上記ＭＰＥＧオーディオ・ストリームを復号化するＭＰＥＧオーディオ・デコーダと、上記ＭＰＥＧビデオ・デコーダの出力タイミングでフレーム同期信号をリセットする表示制御器と、受信側システム・タイム・クロック(ＳＴＣ)を発生する受信側カウンタを有することを特徴とする映像及び音声復号処理における映像及び音声の同期再生方式。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月26日(2004.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介して情報を受信可能な通信端末装置において、
前記ネットワークから受信した情報を表示する表示手段と、
この表示手段を照明する照明手段と、
前記ネットワークからの情報受信の完了を検出する受信完了検出手段と、
この受信完了検出手段による情報受信の完了の検出後に、前記照明手段を制御して前記表示手段を照明する制御手段とを具備したことを特徴とする通信端末装置。
【請求項２】
通信システムのネットワークを介して情報を受信可能な通信端末装置において、
前記ネットワークから受信した情報を表示する表示手段と、
この表示手段を照明する照明手段と、
照度を検出する照度検出手段と、
前記ネットワークからの情報受信の完了を検出する受信完了検出手段と、
この受信完了検出手段が情報受信の完了を検出し、かつ前記照度検出手段が検出した照度が予め設定した照度以下の場合に、前記照明手段を制御して前記表示手段を照明する制御手段とを具備したことを特徴とする通信端末装置。
【請求項３】
通信システムのネットワークを介して情報を受信可能な通信端末装置において、
前記ネットワークから受信した情報を表示する表示手段と、
この表示手段を照明する照明手段と、
時刻を計時する時計手段と、
前記ネットワークからの情報受信の完了を検出する受信完了検出手段と、
この受信完了検出手段が情報受信の完了を検出し、かつ前記時計手段が計時する時刻が予め設定した時間であった場合に、前記照明手段を制御して前記表示手段を照明する制御手段とを具備したことを特徴とする通信端末装置。
【請求項４】
音を発する発音手段を備え、
前記制御手段は、前記照明手段の制御にあわせて、前記発音手段を制御して、前記ネットワークからの情報受信の完了を音により報知する制御を行うことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の通信端末装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月29日(2004.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
従来、インターネットが全世界を網羅する状況にあるが、このインターネットにおけるインターネットプロトコル（以下、単にＩＰと称す）アドレスは、世界的にユニーク性を保つグローバルアドレスは米国のＩｎｔｅｒＮＩＣが一元的に配布及び管理している。一方、日本のユーザーむけには、日本ネットワークインフォメーションセンター（ＪＰＮＩＣ）がＩｎｔｅｒＮＩＣから割り当てられたアドレスの中から配布している。一方、インターネット上のホストの名前を示す文字列としてドメイン名が設定されている。このドメイン名は、文字列が階層的に割り当てられており、「．」でつないで表記する。夫々の階層は、ラベルと呼ばれ、各ラベルごとに特定の組織が責任を持って管理し、文字列の右側にあるほど、階層が上位となる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
階層の頂上はＴＬＤ（Ｔｏｐ  Ｌｅｖｅｌ  Ｄｏｍａｉｎ）と呼び、あらかじめ決められた夫々の文字列について割り当てを監視するネットワーク・インフォメーションセンターが存在する。現在止め印名は、世界的にはＩＣＡＮＮ（Ｉｎｔｅｒｎｅｔ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ  ｆｏｒ  Ａｓｓｉｇｎｅｄ  Ｎｕｍｂｅｒｓ）という非営利組織が管理している。日本の国別ドメイン名である「ＪＰ」をＴＬＤに持つドメイン名は、日本ネットワークインフォメーションセンターＪＰＮＩＣが登録・管理している。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、企業ネットワーク１４は、バックボーンＬＡＮ１５を有し、このバックボーンＬＡＮ１５にルータ１６ａ〜１６ｃを介してメールサーバ１７ａ、ＷＷＷサーバ１７ｃ、ＤＮＳサーバ１７ｂが接続されている共に、ルータ１８を介して社内ＬＡＮ１９が接続され、この社内ＬＡＮ１９にサーバ２０や多数の情報処理端末２１が接続されている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また、上記第１の実施形態では、全地球測位システムを使用して現在位置を測定する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、移動通信機器で複数の基地局との電界強度から現在位置を特定したり、その他任意の現在位置測定手段を使用することができる。
さらに、上記第１の実施形態においては、現在位置情報から郵便番号を検索する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、緯度・経度情報から直接現在位置を特定可能な重複することなく固有のＩＰアドレスを生成するようにしてもよい。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
さらにまた、上記第１の実施形態においては、ＩＰアドレスをＩＰアドレス管理サーバ３で生成して情報処理装置１１に通知する場合について説明したが、これに限定されるものではなく、インターネットサービスプロバイダに予め郵便番号毎のＩＰアドレスを割付けておき、インターネットサービスプロバイダでＩＰアドレスの割付を行うようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月26日(2005.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の組の内歯スプライン（２８）を形成された内側円筒面を定める第１部品（１２）と、
第２の組の内歯スプライン（３０）を形成された内側円筒面を定める第２部品（１４）と、
第１及び第２の組の外歯スプライン（３８、４０）を形成されたコネクタスリーブ（３２）と、を含み、
前記第１の組の外歯スプライン（３８）は前記第１の組の内歯スプライン（２８）に係合し、また前記第２の組の外歯スプライン（４０）は第２の組の内歯スプライン（３０）に係合し、
前記第１部品（１２）に回転するように取り付けられ、前記コネクタスリーブ（３２）に螺合するねじボルト（４２）を更に含んでおり、該ねじボルト（４２）の回転により前記コネクタスリーブ（３２）を前記第１及び第２部品（１２、１４）に対して摺動させる
ことを特徴とするスプライン継手（１０）。
【請求項２】
前記第１部品（１２）と前記第２部品（１４）との間のラベット継手、前記第１部品（１２）と前記コネクタスリーブ（３２）との間のラベット継手、及び前記第２部品（１４）と前記コネクタスリーブ（３２）との間のラベット継手を更に含むことを特徴とする、請求項１に記載のスプライン継手（１０）。
【請求項３】
中空の内部を定める内側円筒面を有する第１部品（１２）と、
該第１部品（１２）の前記内側円筒面上に形成された第１の組の内歯スプライン（２８）と、
中空の内部を定める内側円筒面を有する第２部品（１４）と、
該第２部品（１４）の前記内側円筒面上に形成された第２の組の内歯スプライン（３０）と、
第１及び第２の組の外歯スプライン（３８、４０）を形成されたコネクタスリーブ（３２）と、を含み、
該コネクタスリーブ（３２）は、完全に前記第２部品（１４）の前記中空の内部の中に配置される第１の位置と、前記第１の組の外歯スプライン（３８）が前記第１の組の内歯スプライン（２８）に係合しかつ前記第２の組の外歯スプライン（４０）が前記第２の組の内歯スプライン（３０）に係合する第２の位置との間で、摺動可能であることを特徴とするスプライン継手（１０）。
【請求項４】
前記第１部品（１２）に回転するように取り付けられ、前記コネクタスリーブ（３２）に螺合するねじボルト（４２）を更に含んでおり、該ねじボルト（４２）の回転により前記コネクタスリーブ（３２）を前記第１の位置と第２の位置との間で摺動させることを特徴とする、請求項９に記載のスプライン継手（１０）。
【請求項５】
前記コネクタスリーブ（３２）は、前記第１の外歯スプライン（３８）を形成された第１の円筒形セクション（３４）と前記第２の外歯スプライン（４０）を形成された第２の円筒形セクション（３６）とを含んでおり、前記第２の円筒形セクション（３６）は、前記第１の円筒形セクション（３４）より直径がわずかに大きいことを特徴とする、請求項１又は請求項３に記載のスプライン継手（１０）。
【請求項６】
前記コネクタスリーブ（３２）から突出する表示ピン（５９）と前記第１部品（１２）に形成された穴（６０）とを更に含んでおり、前記表示ピン（５９）は、前記コネクタスリーブ（３２）が前記第２の位置にあるとき、前記穴（６０）に受け入れられることを特徴とする、請求項３に記載のスプライン継手（１０）。
【請求項７】
第１の組の内歯スプライン（２８）を形成された第１部品（１２）と第２の組の内歯スプライン（３０）を形成された第２部品（１４）との間のスプライン継手（１０）を組立てる方法であって、
第１及び第２の組の外歯スプライン（３８、４０）を形成されたコネクタスリーブ（３２）を準備する段階と、
前記第２の内歯スプライン（３０）が前記第２の外歯スプライン（４０）に係合した状態で、前記コネクタスリーブ（３２）を完全に前記第２部品（１４）の中に置く段階と、
前記第１部品（１２）の１端を前記第２部品（１４）の１端に隣接させて配置する段階と、
前記第１の内歯スプライン（２８）が前記第１の外歯スプライン（３８）に係合した状態で、前記コネクタスリーブの１部分が前記第１部品（１２）の中に移動するように、前記第１及び第２部品（１２、１４）に対して前記コネクタスリーブ（３２）を摺動させる段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
前記コネクタスリーブ（３２）を摺動させる段階は、前記第１部品（１２）に回転するように取り付けられたねじボルト（４２）によって行われることを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記コネクタスリーブ（３２）を摺動させる段階に先立って、前記第１の内歯スプライン（２８）が前記第１の外歯スプライン（３８）と適切に噛み合うように、前記第１及び第２部品（１２、１４）を周方向に位置合わせする段階を更に含むことを特徴とする、請求項７に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
一般的に、スプライン継手は、内歯スプラインが各外歯スプライン間の空間と周方向に位置合わせされるように、２つの部品を長手方向に端と端を向かい合わせて置き、次に２つの組のスプラインが相互に組み合わされるように、部品を軸方向に摺動させて重なり係合させることによって組立てられる。継手は、部品を軸方向に摺動させて離すことによって分解される。この手法では、部品の組立て及び分解に必要とされるアクセス空間は、スプライン係合の長さに依存する。必要とされるスプライン係合の長さが長ければ長いほど、組立て工程の間に長手方向に端と端を向かい合わせて置くとき、部品の組み合わされた軸方向長さに適応するために、ますます広いアクセス空間が必要とされる。その上に、組立て及び分解の間に適切な位置合わせ及び力を得るには特殊な治工具がしばしば必要とされ、このことがまたアクセス空間を増大させる必要性を生じる。この手法では、十分なアクセス空間が利用できて、部品をスプライン係合の長さよりも大きい距離だけ離すことができることが必要である。
【特許文献１】特開２００１−２２１２４５号公報