(57)【要約】【課題】半導体素子の電極が微小であっても回路基板電極に対する接触面積を十分に確保して接続信頼性を確保できる実装構造体および実装方法を提供する。【解決手段】半導体素子101と、この半導体素子101の電極102に対向する配置の電極302を有した回路基板301と、導電性の２段バンプ213とを有する実装構造体において、回路基板301の電極302に接合した第２のバンプ210を、半導体素子101の電極102に接合した第１のバンプ209よりも大きく形成している。第１のバンプ209の中心軸と第２のバンプ210の中心軸とは一致していない。【選択図】図５
2010034527.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子の電極に対向する配置の電極を有した回路基板と、
前記半導体素子の電極に接合した第１のバンプと前記回路基板の電極に接合した第２のバンプとからなる導電性の２段バンプとを有しており、
前記第２のバンプは前記第１のバンプよりも大きく、前記第１のバンプの中心軸と前記第２のバンプの中心軸とは一致していないことを特徴とする実装構造体。
【請求項２】
回路基板の電極が半導体素子の電極よりも大きく、第２のバンプが前記回路基板の電極と同等かより小さく、第１のバンプが前記半導体素子の電極と同等かより小さいことを特徴とする請求項１記載の実装構造体。
【請求項３】
第２のバンプの重心を通る仮想の線が第１のバンプを通ることを特徴とする請求項１記載の実装構造体。
【請求項４】
第１のバンプの直径が第２のバンプの直径の２分の１以上であることを特徴とする請求項１または請求項３のいずれかに記載の実装構造体。
【請求項５】
半導体素子に第１のバンプの側面に沿う弾性体が形成されており、第２のバンプは前記第１のバンプおよび前記弾性体の上に位置していることを特徴とする請求項１記載の実装構造体。
【請求項６】
第１のバンプは半導体素子の電極のいずれかの端部寄りに片寄せして配置されていることを特徴とする請求項１記載の実装構造体。
【請求項７】
第２のバンプは第１のバンプよりもさらに半導体素子の電極の端部寄りに片寄せして配置されていることを特徴とする請求項６記載の実装構造体。
【請求項８】
キャピラリに通したワイヤの先端に第１の金属ボールを形成する工程と、
前記キャピラリで前記第１の金属ボールを半導体素子の電極上に押圧しながら超音波を印加することにより第１のバンプを形成する工程と、
キャピラリに通したワイヤの先端に前記第１の金属ボールより大きい第２の金属ボールを形成する工程と、
前記キャピラリで前記第２の金属ボールを前記第１のバンプ上に互いの中心軸が一致しないように配置し押圧しながら超音波を印加することにより第２のバンプを形成する工程と、
前記第１のバンプと第２のバンプとからなる２段バンプが形成された半導体素子を前記第２のバンプにおいて回路基板の電極に接続する工程とを含むことを特徴とする実装方法。
【請求項９】
第１の金属ボールを形成するキャピラリと第２の金属ボールを形成するキャピラリとが異なることを特徴とする請求項８記載の実装方法。
【請求項１０】
第１の金属ボールを形成するワイヤと第２の金属ボールを形成するワイヤとが異なることを特徴とする請求項８または請求項９のいずれかに記載の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子をプリント基板等の回路基板に実装する実装構造体および実装方法に関し、特に半導体素子の電極上に設けるバンプの構造およびその形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１７は非特許文献１に記載された従来のバンプ形成方法を示す。このバンプ形成方法はワイヤボンディング技術を利用する。図１７（ａ）に示すように、キャピラリ２０３に通したＡｕ線２０１の先端にスパーク放電を用いてＡｕボール２０２を形成する。図１７（ｂ）に示すように、Ａｕボール２０２を加熱ステージ（図示せず）により加熱された半導体素子１０１の電極１０２に接触させ、加圧力と超音波の印加により接合させる。図１７（ｃ）に示すように、キャピラリ２０３を一定量のＡｕ線２０１を引き出しつつ上昇させることで、Ａｕ線２０１を引きちぎる。これにより、スタッドバンプ２０８が形成される。
【０００３】
図１８（ａ）（ｂ）は特許文献１に記載されたフリップチップ実装構造体の全体構成および接続部分の断面を示す。上述のように半導体素子１０１の電極１０２上に形成したスタッドバンプ２０８をプリント基板３０１の電極３０２に接続させている。
【０００４】
図１９および図２０は特許文献２に記載されたバンプ形成方法を示す。このバンプ形成方法もワイヤボンディング技術を利用する。図１９（ａ）に示すように、キャピラリ２０３に通したワイヤ２０４の先端に金属ボール２０５を形成し、図１９（ｂ）に示すように、金属ボール２０５をキャピラリ２０３の先端で半導体素子１０１の電極１０２に押圧しつつ超音波を印加することで接合させる。図１９（ｃ）および図１９（ｄ）に示すように、キャピラリ２０３の先端を横方向に移動させてから金属ボール２０５の接合物に押圧しつつ超音波を印加することで、図１９（ｅ）に示すように、ワイヤ２０４を切断する。これにより第１のバンプ２０６が形成される。
【０００５】
その後に、同様にして、金属ボール２０５を形成し、図１９（ｆ）に示すように、第１のバンプ２０６の上に接合させ、図２０（ａ）および図２０（ｂ）に示すように、キャピラリ２０３の先端を横方向に移動させてから金属ボール２０５の接合物に押圧しつつ超音波を印加することで、ワイヤ２０４を切断する。これにより、第２のバンプ２０７が形成され、２段バンプ２１８が完成する。
【０００６】
この２段バンプ２１８は、第１のバンプ２０６と第２のバンプ２０７とがほぼ同一の形状とされるか、第２のバンプ２０７が第１のバンプ２０６の縮小形状とされる。２段バンプ２１８を用いたフリップチップ実装構造体の接続部分の断面を図２１に示す。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】Matsushita Technical Journal, Vol.47, No.3, June 2001, 松下電器産業株式会社発行
【特許文献１】特許第３１５０３４７号公報
【特許文献２】特開平８−２６４５４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記のスタッドバンプ２０８や２段バンプ２１８はいずれも半導体素子１０１の電極１０２上に形成されるので、電極１０２の高密度化、微小化が進むにしたがってバンプ径も小さくなってきている。バンプ径が小さくなると、フリップチップ実装時にスタッドバンプ２０８あるいは２段バンプ２１８と回路基板電極３０２との接触面積が小さくなり、接続信頼性が悪化するという問題がある。
【０００９】
本発明は、上記問題を解決するもので、半導体素子の電極が微小であっても回路基板電極に対する接触面積を十分に確保することができ、それにより接続信頼性を確保できる実装構造体および実装方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明の実装構造体は、半導体素子と、前記半導体素子の電極に対向する配置の電極を有した回路基板と、前記半導体素子の電極に接合した第１のバンプと前記回路基板の電極に接合した第２のバンプとからなる導電性の２段バンプとを有しており、前記第２のバンプが前記第１のバンプよりも大きく、前記第１のバンプの中心軸と前記第２のバンプの中心軸とは一致しないことを特徴とする。
【００１１】
上記のように２段バンプの内の第２のバンプをより大きくすることで、半導体素子の電極が微小であっても、バンプと回路基板電極との接触面積を十分に確保し、接続信頼性を確保できる。また第１のバンプの中心軸と前記第２のバンプの中心軸とが一致しないことで、冷熱衝撃試験等で発生する熱応力を小さくできる。
【００１２】
回路基板の電極が半導体素子の電極よりも大きく、第２のバンプが前記回路基板の電極と同等かより小さく、第１のバンプが前記半導体素子の電極と同等かより小さいことを特徴とする。
【００１３】
第２のバンプの重心を通る仮想の線が第１のバンプを通ることを特徴とする。第１のバンプの直径が第２のバンプの直径の２分の１以上であることを特徴とする。半導体素子に第１のバンプの側面に沿う弾性体が形成されており、第２のバンプは前記第１のバンプおよび前記弾性体の上に位置していることを特徴とする。
【００１４】
第１のバンプは半導体素子の電極のいずれかの端部寄りに片寄せして配置されていることを特徴とする。第２のバンプは第１のバンプよりもさらに半導体素子の電極の端部寄りに片寄せして配置されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の実装方法は、キャピラリに通したワイヤの先端に第１の金属ボールを形成する工程と、前記キャピラリで前記第１の金属ボールを半導体素子の電極上に押圧しながら超音波を印加することにより第１のバンプを形成する工程と、キャピラリに通したワイヤの先端に前記第１の金属ボールより大きい第２の金属ボールを形成する工程と、前記キャピラリで前記第２の金属ボールを前記第１のバンプ上に互いの中心軸が一致しないように配置し押圧しながら超音波を印加することにより第２のバンプを形成する工程と、前記第１のバンプと第２のバンプとからなる２段バンプが形成された半導体素子を前記第２のバンプにおいて回路基板の電極に接続する工程とを含むことを特徴とする。
【００１６】
第１の金属ボールを形成するキャピラリと第２の金属ボールを形成するキャピラリとが異なることを特徴とする。第１の金属ボールを形成するワイヤと第２の金属ボールを形成するワイヤとが異なることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の実装構造体および実装方法によれば、半導体素子の電極が微小であっても、バンプと回路基板電極との接触面積を十分に確保することができ、接続信頼性、高品質を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施形態の実装構造体を示す断面図
【図２】図１の実装構造体を構成する半導体素子の電極部分の断面図
【図３】図２の半導体素子における２段バンプの形成方法を工程順に示す断面図
【図４】図２の半導体素子をフリップチップ実装する方法を工程順に示した断面図
【図５】図１の実装構造体における半導体素子と回路基板電極との接合部分を拡大して示す図
【図６】半導体素子の電極部分の他の例を示した断面図
【図７】半導体素子上の複数の電極の配置を示した平面図
【図８】図７の電極上に形成される２段バンプの配置例を示した平面拡大図
【図９】図７の電極上に形成される２段バンプの他の配置例を示した平面拡大図
【図１０】半導体素子上の複数の電極の他の配置を示した平面図
【図１１】図１０の電極上に形成される２段バンプの配置例を示した平面拡大図
【図１２】半導体素子の電極部分のさらに他の例を示した断面図
【図１３】半導体素子の電極部分のさらに他の例を示した断面図
【図１４】半導体素子の電極部分のさらに他の例を示した断面図
【図１５】半導体素子の電極部分のさらに他の例を示した断面図
【図１６】半導体素子の電極部分のさらに他の例を示した断面図
【図１７】従来よりあるスタッドバンプの形成方法を工程順に示す断面図
【図１８】図１７のスタッドバンプを用いた実装構造体の全体構成および接続部分の断面図
【図１９】従来よりある２段バンプの形成方法の前半工程を工程順に示す断面図
【図２０】図１９の２段バンプの形成方法の後半工程を工程順に示す断面図
【図２１】図１９および図２０の２段バンプを用いた実装構造体の接続部分の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
図１に示すように、本発明の実装構造体は、半導体素子１０１と、この半導体素子１０１の電極１０２に対向する配置の電極３０２を有した回路基板３０１と、半導体素子１０１の電極１０２と回路基板３０１の電極３０２とを接合した導電性の２段バンプ２１３とを有している。
【００２０】
２段バンプ２１３において、回路基板３０１の電極３０２に接合した第２のバンプ２１０は、半導体素子１０１の電極１０２に接合した第１のバンプ２０９よりも大きい。
図２（ａ）（ｂ）は、図１の実装構造体に用いられた半導体素子１０１の電極部分を９０度ずつ異なる２方向から示したものである。第１のバンプ２０９は概ね円盤状であり電極１０２の電極面内の中央に形成されている。第２のバンプ２１０は第１のバンプ２０９上に凸状に形成されており、その円盤状の台座部２１２の直径は第１のバンプ２０９の直径よりも大きい。ここでいう直径は電極１０２の最大径である。第１のバンプ２０９の中心軸と第２のバンプ２１０の中心軸とは一致していない。第２のバンプ２１０の重心を通る仮想の線（中心軸にほぼ一致する）は第１のバンプを通っている。
【００２１】
たとえば、電極１０２の外形寸法が５４μｍであって配列ピッチが１２０μｍである場合に、第１のバンプ２０９は、直径４５μｍ、高さ１０μｍとし、第２のバンプ２１０は、台座部２１２の直径が８５μｍ、高さが２５μｍとする。このときには、第１のバンプ２０９の中心軸と第２のバンプ２１０の中心軸とのズレをたとえば２０μｍとする。これらの寸法は、バンプの材質、バンプ形成条件、ボンディング条件により、±３〜１０μｍ程度は調整することができる。
【００２２】
電極１０２は一般に、Ａｌを主材料としＳｉやＣｕを含んでいるＡｌ化合物で形成される。第１のバンプ２０９および第２のバンプ２１０はＡｕ（純度９９％以上）で形成される。半導体素子１０１の電極１０２以外の表面には保護膜１０３が形成される。保護膜１０３には一般に、感光性もしくは非感光性のポリイミドやポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）などの絶縁性と耐熱性とを有した材料が用いられる。
【００２３】
図３を参照して２段バンプ２１３を上述の寸法で形成するものとして説明する。
図３（ａ）に示すように、直径２３μｍのＡｕ線２０１を先端の穴径２８μｍのキャピラリ２０３に通し、先端にφ３８μｍの第１のＡｕボール２１４を形成する。図３（ｂ）に示すように、キャピラリ２０３を、加熱ステージ（図示せず）上にて１７０℃〜３００℃に加熱されている半導体素子１０１の電極１０２に位置合わせし、キャピラリ２０３の先端で第１のＡｕボール２１４を電極１０２上に荷重３０〜８０ｇｆで押圧および超音波印加することで塑性変形させて接合する。図３（ｃ）に示すように、３００μｍ〜５００μｍのＡｕ線２０１を引き出しつつキャピラリ２０３を上昇させて、Ａｕ線２０１を引きちぎる。これにより台座部２１１と突起部２１６とを持った第１のバンプ２０９が形成される。
【００２４】
次に、図３（ｄ）に示すように、キャピラリ２０３の先端にφ６０μｍの第２のＡｕボール２１５を形成する。このときには、第１のＡｕボール２１４の形成時とはスパーク電流およびスパーク時間を変更することにより、第１のＡｕボール２１４より大きい第２のＡｕボール２１５を形成する。
その後に、図３（ｅ）に示すように第２のＡｕボール２１５を第１のバンプ２０９上に接合させ、図３（ｆ）に示すようにＡｕ線２０１を引きちぎることで、第２のバンプ２１０を形成する。これにより、２段バンプ２１３が完成する。
【００２５】
形成される２段バンプ２１３において、第１のバンプ２０９は台座部２１１にほぼ相応する円盤状となり、第２のバンプ２１０は第１のバンプ２０９よりも直径が大きい台座部１１２を持った凸状となる。
【００２６】
なおここでは、第１のバンプ２０９と第２のバンプ２１０とを、同じＡｕ線２０１とキャピラリ２０３とを用いて形成したが、直径の異なるＡｕ線２０１とキャピラリ２０３とを用いて形成してもよい。また第２のバンプ２１０を、低価格で放熱性を良好とするために、Ｃｕを主材料としＰｄを含有するＣｕ化合物よりなる金属線を用いて形成してもよい。
【００２７】
図４を参照して、上述の半導体素子１０１をフリップチップ実装する方法を説明する。
図４（ａ）に示す回路基板３０１上に、図４（ｂ）に示すように熱硬化性樹脂シート３０９を配置し、内蔵のヒーター３０６にて７０〜１２０℃に加熱された貼り付けツール３０５により５〜１０ｋｇｆ／ｃｍ２程度の圧力で貼り付ける。３０４は、貼り付けツール３０５等の貼り付きを防止するために熱硬化性樹脂シート３０９に剥離可能に配置されているセパレータである。
【００２８】
熱硬化性樹脂シート３０９は、シリカなどの無機系フィラーを含有するか或いは全く含有しない絶縁性材料（例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミドなど）からなるもので、後に行うリフロー工程での高温に耐えうる耐熱性（例えば、２６０℃下で１０秒間耐えうる程度の耐熱性）を有するものが好適に使用できる。半導体素子１０１の大きさより１ｍｍ程度大きな寸法にてカットして用いる。貼り付け終了後に熱硬化性樹脂シート３０９からセパレータ３０４を剥離する。
【００２９】
次に、図４（ｃ）に示すように、２段バンプ２１３が形成された半導体素子１０１を、吸着ツール３０７を用いて、上述の熱硬化性樹脂シート３０９が貼り付けられた回路基板３０１に対して、２段バンプ２１３が回路基板電極３０２に対応するように位置合わせし、しかる後に熱硬化性樹脂シート３０９上に押圧して搭載する。吸着ツール３０７の温度は、周囲環境とほぼ同程度の温度で、熱硬化性樹脂シート３０９が熱硬化反応を開始する温度以下とする。その後に、図４（ｄ）に示すように、ヒーター３０６にて加熱された圧着ツール３０８により半導体素子１０１を押圧、加熱して、２段バンプ２１３を介して回路基板３０１に電気的に接続させる。
【００３０】
このとき、２段バンプ２１３は、回路基板３０１の回路基板電極３０２上に押し付けられて変形しながら接合していくことになる。このためには圧着ツール３０８による押圧は最低でも２０ｇｆ必要である。半導体素子１０１、２段バンプ２１３、回路基板３０１を損傷しない程度の荷重とする。一方、熱硬化性樹脂シート３０９は、半導体素子１０１を介して圧着ツール３０８により１７０℃〜２５０℃程度の熱が数秒〜３０秒程度印加されることにより、熱硬化していき、硬化した熱硬化性樹脂３０３により半導体素子１０１が回路基板３０１上に固定される。これにより、図４（ｅ）に示す実装構造体が得られる。
【００３１】
図５（ａ）（ｂ）は半導体素子１０１と回路基板電極３０２との接合部分を拡大して示している。２段バンプ２１３の内の第２のバンプ２１０が回路基板電極３０２と接続しており、その接続面積は、従来のバンプ（図１７、図２０参照）が回路基板電極３０２に接続する接続面積より大きい。第１のバンプ２０９の中心軸と第２のバンプ２１０の中心軸とは一致していない。
【００３２】
２段バンプ２１３においては、先に図２を参照して説明したように、半導体素子１０１上への形成時には、第１のバンプ２０９は半導体素子１０１の電極１０２の電極面内にあり、第２のバンプ２１０の台座部２１２の直径は第１のバンプ２０９の直径よりも大きい。
【００３３】
この寸法関係は、２段バンプ２１３の変形後も同じであり、第１のバンプ２０９は半導体素子１０１の電極１０２の電極面内にあり、第２のバンプ２１０の直径は第１のバンプ２０９の直径よりも大きい。そして、第２のバンプ２１０の直径は回路基板電極３０２と同等かより大きい。第１バンプの直径は回路基板電極３０２よりも小さい。
【００３４】
このように、２段バンプ２１３の寸法を適宜に設定しておくことで、半導体素子１０１の電極１０２が小さくても、それよりも大きな回路基板電極３０２に安定して接合できることとなる。少なくとも、第１のバンプ２０９の直径を第２のバンプ２１０の直径の半分よりも大きくする。第２のバンプ２１０の重心を必ず第１のバンプ２０９の上（上方）に位置させるためである。
【００３５】
以上のような２段バンプ２１３によれば、半導体素子１０１を回路基板３０１上にフリップチップ実装する際に、回路基板電極３０２との接合面積を従来のバンプによるよりも広く確保することができ、高品質な接続信頼性を確保することができる。
【００３６】
また、第１のバンプの中心軸と第２のバンプの中心軸とを一致させないことで、具体的には、第２のバンプを半導体素子１０２の中心軸寄りにずらすことで、半導体素子１０１を、その中心軸に近い位置で回路基板３０１に接合させることができる。このように半導体素子１０１の中心軸から接合部分までの距離を小さくすることで、冷熱衝撃試験等で発生する熱応力を小さくできる。
【００３７】
図６は他の半導体素子１０１の電極部分を示す。この半導体素子１０１が図２に示したものと異なるのは、２段バンプ２１３を電極１０２の片側に片寄せして形成している点である。第１のバンプ２０９は電極１０２の周縁部（図では右側周縁部）に片寄せして形成し、第２のバンプ２１０は第１のバンプ２０９と同一方向にさらに片寄せして形成している。第２のバンプ２１０の一部は電極１０２の外側にはみ出している。
【００３８】
たとえば、電極１０２の外形寸法が５４μｍであって配列ピッチが１２０μｍである場合に、第１のバンプ２０９を、直径４５μｍ、高さ１０μｍとし、第２のバンプ２１０を、台座部２１２の直径８５μｍ、高さ２５μｍとするとき、電極１０２の中心軸と第１のバンプ２０９の中心軸とのズレを４．５μｍとし、第１のバンプ２０９の中心軸と第２のバンプ２１０の中心軸とのズレを２０μｍとすることができる。
【００３９】
図７は半導体素子１０１上の複数の電極１０２の配置を示している。半導体素子１０１の片面の周縁部に四方の端辺のそれぞれに沿う方向に電極１０２が配列されている。
図８は電極１０２上に形成される２段バンプ２１３の配置の第一例を示している。全ての２段バンプ２１３を電極１０２の片側に片寄せして、つまり半導体素子１０１の中央方向（端辺と直交する方向）にずらしている。
【００４０】
このようにすることにより、半導体素子１０１は、電極１０２の中央に２段バンプ２１３を形成する場合よりも半導体素子１０２の中心軸に近い位置で回路基板３０１に接合されることになる。半導体素子１０１の中心軸から接合部分までの距離が近いほど、冷熱衝撃試験等で発生する熱応力を小さくできることは一般的に知られている。
【００４１】
よって、かかる２段バンプ２１３の配置によれば、半導体素子１０１を回路基板３０１に対してフリップチップ実装した際に、２段バンプ２１３と回路基板電極３０２との接合面積を従来形状のバンプよりも広く確保できるだけでなく、図２に示した２段バンプ２１３よりも冷熱衝撃試験等で発生する熱応力を低減することができ、さらに接続信頼性を高めることができる。
【００４２】
好ましくは、図２について説明したように、第１のバンプ２０９の直径を第２のバンプ２１０の直径の半分よりも大きくする。第２のバンプ２１０の重心を必ず第１のバンプ２０９の上（上方）に位置させるためである。
【００４３】
図９は電極１０２上に形成される２段バンプ２１３の配置の第二例を示している。半導体素子１０１上の電極１０２間の距離が局所的に狭いため、その部分の２段バンプ２１３のみを相反する方向にずらして、つまり端辺に沿う方向にずらしている。このようにすることにより、図８の配置で得られる効果に加えて、バンプ形成時およびフリップチップ実装時のショートを防止することが可能となる。
【００４４】
図１０に示すように半導体素子１０１上に電極１０２が同心状等に複数列に配置されている場合には、図１１に示すように、内側の列の電極１０２上の２段バンプ２１３と外側の列の電極１０２上の２段バンプ２１３とを相反する方向に、つまり端辺から離れる方向と近づく方向とにずらしてもよい。これにより、バンプ形成時およびフリップチップ実装時のショートを防止することができる。
【００４５】
図１２は半導体素子１０１の電極部分の他の例を示す。この半導体素子１０１が図２に示したものと異なるのは、半導体素子１０１の電極１０２と第２のバンプ２１０の台座部２１２とで形成される空隙に、第１のバンプ２０９の側面を被覆する形状で弾性体２１７が設けられている点である。
【００４６】
弾性体２１７は、第２のバンプ２１０の形成前に、感光性もしくは非感光性のポリイミドやエポキシ樹脂のように耐熱性と絶縁性を兼ね備えている材料を塗布などすることで形成される。弾性体２１７の外形寸法は第２のバンプ２１０の外形寸法と概略同一とされる。
【００４７】
かかる構成によれば、図２に示した半導体素子１０１について述べた効果に加えて、第２のバンプの下の空隙に弾性体２１７が存在することで、フリップチップ実装体に対する信頼性試験での熱的な応力が第１のバンプ２０９と第２のバンプ２１０の接続部に集中するのを緩和することができ、それによりさらに接続信頼性を高めることができる。
【００４８】
図１３に示すように、２段バンプ２１３を電極１０２の片側に片寄せして形成する場合には、弾性体２１７によって第１のバンプの一部のみを被覆してもよい。弾性体２１７の外形寸法は第２のバンプ２１０と概略同一寸法とする。
【００４９】
図１４に示すように、弾性体２１７を、半導体素子１０１の電極１０２と第２のバンプ２１０の台座部２１２とで形成される空隙を埋めるように、半導体素子１０１の全面あるいは広範な領域に形成してもよい。
【００５０】
以上、２段バンプ２１３について、第１のバンプ２０９の中心軸と第２のバンプ２１０の中心軸とが一致していないとして説明したが、図１５、図１６に示すように両者の中心軸が一致していても、回路基板電極３０２との接合面積を従来のバンプによるよりも広く確保できることは言うまでもない。
【００５１】
また、半導体素子１０１に２段バンプ２１３を形成するとして説明したが、回路基板３０１に２段バンプ２１３を形成して半導体素子１０１に接合させることも可能である。半導体素子１０１以外の電子部品に適用することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明によれば、半導体素子の電極が微小であっても、バンプと回路基板電極との接触面積を十分に確保し、高品質な接続信頼性を確保できる。よって、半導体素子の電極のさらなる微小化に対応可能であり、電子機器の小型化等に広く有用である。
【符号の説明】
【００５３】
１０１    半導体素子
１０２    電極
１０３    保護膜
２０１    Ａｕ線
２０２    Ａｕボール
２０３    キャピラリ
２０４    ワイヤ
２０５    金属ボール
２０９    第１のバンプ
２１０    第２のバンプ
２１３    ２段バンプ
２１４    第１のＡｕボール
２１５    第２のＡｕボール
２１７    弾性体
３０１    回路基板
３０２    回路基板電極
【図１】
2010034527.tif 000003
【図２】
2010034527.tif 000004
【図３】
2010034527.tif 000005
【図４】
2010034527.tif 000006
【図５】
2010034527.tif 000007
【図６】
2010034527.tif 000008
【図７】
2010034527.tif 000009
【図８】
2010034527.tif 000010
【図９】
2010034527.tif 000011
【図１０】
2010034527.tif 000012
【図１１】
2010034527.tif 000013
【図１２】
2010034527.tif 000014
【図１３】
2010034527.tif 000015
【図１４】
2010034527.tif 000016
【図１５】
2010034527.tif 000017
【図１６】
2010034527.tif 000018
【図１７】
2010034527.tif 000019
【図１８】
2010034527.tif 000020
【図１９】
2010034527.tif 000021
【図２０】
2010034527.tif 000022
【図２１】
2010034527.tif 000023