【手続補正書】
【提出日】令和2年12月18日(2020.12.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンタクトパッド（Ｂ）上のはんだ付け可能なはんだ堆積物の形成方法であって、以下の段階：
（ｉ）  第１の非導電性レジスト層（Ｃ）の開口部（Ｆ）の下に前記コンタクトパッドが露出している有機の非導電性基板（Ａ）を準備または製造する段階、
（ｉｉ）  前記開口部の内側（Ｇ’’）および外側（Ｇ’）に導電性層（Ｇ）を堆積して、活性化された表面をもたらすことにより、活性化された開口部（Ｆ’）を形成する段階、
を含む前記方法であって、さらに以下の段階：
（ｉｉｉ）  ニッケル（Ｄ）またはニッケル合金（Ｄ）を前記活性化された開口部内に電解堆積して、ニッケル／ニッケル合金を前記活性化された表面上に堆積する段階、
（ｉｖ）  段階（ｉｉｉ）において堆積された前記ニッケル／ニッケル合金上にスズ（Ｅ）またはスズ合金（Ｅ）を電解堆積する段階を含み、
ただし、段階（ｉｉｉ）または（ｉｖ）の電解堆積は、完全に充填された活性化された開口部をもたらし、
前記完全に充填された活性化された開口部は、前記ニッケル／ニッケル合金で全て充填されているか、または前記完全に充填された活性化された開口部内で、前記完全に充填された活性化された開口部の総容積に対して、ニッケル／ニッケル合金の総容積はスズおよびスズ合金の総容積よりも大きいことを特徴とする、前記方法。
【請求項２】
前記有機の非導電性基板が、回路板、好ましくはプリント回路板である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
開口部を呈する前記第１の非導電性レジスト層が、層厚２００μｍ以下、好ましくは１００μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下、さらにより好ましくは３５μｍ以下、最も好ましくは２０μｍ以下、さらに最も好ましくは１５μｍ以下を有する、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
段階（ｉ）における開口部の最大幅が１０００μｍ以下、好ましくは５００μｍ以下、より好ましくは２００μｍ以下、最も好ましくは５０μｍ以下、さらに最も好ましくは３０μｍ以下である、請求項１から３までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記導電性層が、２００ｎｍ〜２５００ｎｍの範囲、好ましくは３００ｎｍ〜２０００ｎｍの範囲、より好ましくは３５０ｎｍ〜１５００ｎｍの範囲、さらにより好ましくは４００ｎｍ〜１２００ｎｍの範囲、最も好ましくは５００ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲の層厚を有する、請求項１から４までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
段階（ｉｉｉ）において、ニッケル／ニッケル合金を前記活性化された開口部内にコンフォーマルではなく堆積して、コンフォーマルではないニッケル／ニッケル合金を前記活性化された表面上に堆積する、請求項１から５までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
段階（ｉｉｉ）におけるニッケル／ニッケル合金が、ニッケルめっき浴の総容積に対して１ｇ／Ｌ〜１６０ｇ／Ｌ、好ましくは１ｇ／Ｌ〜７０ｇ／Ｌ、より好ましくは２０ｇ／Ｌ〜７０ｇ／Ｌ、最も好ましくは３０ｇ／Ｌ〜６０ｇ／Ｌの総量のニッケルイオンを含むニッケルめっき浴を通じて堆積される、請求項１から６までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記ニッケルめっき浴が、１つ以上のレベラー化合物、
好ましくはピリジンおよび置換ピリジンからなる群から選択される、
より好ましくは式（Ｉ）および（ＩＩ）の化合物
【化１】
2020517088.tif 000001
［式中、
Ｒ1は独立して水素、置換または非置換のアルキル、または置換または非置換のアルケニルであり、
Ｒ2は独立して
−（ＣＨ2）n−ＳＯ3-（ここでｎは１、２、３、４、５または６である）、または
−（ＣＨ2）n−ＳＯ3-（ここでｎは１、２、３、４、５または６であり、且つ−（ＣＨ2）n−ＳＯ3-内の１つ以上の水素原子が置換基によって置換されている）である］
からなるレベラー化合物の群から選択される、
さらにより好ましくは、式（Ｉａ）および（ＩＩａ）の化合物
【化２】
2020517088.tif 000002
［式中、
Ｒ1は独立して
・  式（Ｉａ）においてはメチル、エチル、直鎖または分枝鎖のプロピルまたは直鎖または分枝鎖のブチルであり、
・  式（ＩＩａ）においては−（ＣＨ2）m−ＣＨ＝ＣＨ2（ここでｍは０、１、２、３または４である）であり、且つ
Ｒ2は独立して（ＣＨ2）n−ＳＯ3-（ここでｎは１、２、３または４である）である］
からなるレベラー化合物の群から選択される、
最も好ましくは、式（Ｉｂ）および（ＩＩｂ）の化合物
【化３】
2020517088.tif 000003
からなるレベラー化合物の群から選択される、１つ以上のレベラー化合物を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
段階（ｉｖ）が段階（ｉｉｉ）の直後に行われる、請求項１から８までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
段階（ｉｖ）においてスズおよびスズ合金がそれぞれ、段階（ｉｉｉ）において堆積されたニッケル／ニッケル合金上にコンフォーマルに堆積される、請求項１から９までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
スズおよびスズ合金が、レベリング化合物を含有しない堆積浴を通じて電解堆積される、請求項１から１０までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
コンタクトパッド上にはんだ付け可能なはんだ堆積物を形成する、請求項１から１１までのいずれか１項に記載の方法であって、以下の段階：
（ｉ）  第１の非導電性永久レジスト層の開口部の下に前記コンタクトパッドが露出している有機の非導電性基板を準備または製造する段階、
（ｉｉ）  前記開口部の内側および外側に導電性層を堆積して、活性化された表面をもたらすことにより、活性化された開口部を形成する段階、
（ｉｉａ）  前記活性化された開口部の外側で、活性化された表面上に第２の非導電性レジスト層を形成し、それをパターニングして、拡張された活性化された開口部をもたらす段階、
（ｉｉｉ）  前記拡張された活性化された開口部内にニッケルまたはニッケル合金をコンフォーマルではなく電解堆積して、前記活性化された表面上にコンフォーマルではないニッケル／ニッケル合金を堆積する段階、
（ｉｖ）  段階（ｉｉｉ）において堆積されたコンフォーマルではないニッケル／ニッケル合金上にスズまたはスズ合金をコンフォーマルに電解堆積する段階、
を含み、
ただし、段階（ｉｉｉ）の電解堆積が、前記ニッケル／ニッケル合金で全て充填された、完全に充填された活性化された開口部をもたらし、且つ、
前記活性化された開口部の外側で、前記ニッケル／ニッケル合金を、活性化された表面上にさらに堆積する、前記方法。
【請求項１３】
段階（ｉｖ）の後に、スズまたはスズ合金上に金が堆積されない、好ましくはスズまたはスズ合金上に金およびパラジウムが堆積されない、請求項１から１２までのいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
活性化されたコンタクトパッド（Ｂ、Ｇ）上にはんだ付け可能なはんだ堆積物が露出しているプリント回路板であって、前記堆積物が永久はんだマスク内に部分的に埋め込まれており、且つ前記堆積物が、前記活性化されたコンタクトパッド（Ｂ、Ｇ）から出発して
（ａ）ニッケル（Ｄ）またはニッケル合金（Ｄ）層、
（ｂ）前記ニッケル／ニッケル合金層上のスズ（Ｅ）またはスズ合金（Ｅ）層
の連続する層（Ｄ、Ｅ）を有し、その際、永久はんだマスク内に埋め込まれているはんだ堆積物の部分において、ニッケル／ニッケル合金の総容積がスズおよびスズ合金の総容積よりも大きいことを特徴とする、前記プリント回路板。
【請求項１５】
前記ニッケル／ニッケル合金層中のニッケル／ニッケル合金がコンフォーマルではないニッケル／ニッケル合金である、請求項１４のプリント回路板。