【手続補正書】
【提出日】令和3年3月11日(2021.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイサイドスイッチのスルーレート制御のための回路であって、
前記ハイサイドスイッチに接続されたサンプル及びレベルシフト回路と、
電荷制限回路と、
サンプリングコンデンサであって、前記サンプリングコンデンサが、
前記サンプル及びレベルシフト回路に対応する入力電圧をサンプリングし、かつ
前記ハイサイドスイッチのゲート容量を充電する
ように構成されている、サンプリングコンデンサと、を備え、
前記電荷制限回路が、
電荷を制限するように構成されている電流シンクを含み、
前記電流シンクと並列に接続されたトランジスタであって、前記電流シンクに対応するいずれの電荷制限も除去するように構成されているトランジスタを含み、かつ
単位時間当たりの前記ハイサイドスイッチの前記ゲート容量に移される電荷の速度を制限するように構成されており、
前記サンプル及びレベルシフト回路は、前記ハイサイドスイッチのソース及びゲートに接続されている、回路。
【請求項２】
前記電荷制限回路が、前記サンプリングコンデンサに対応する電流を制限するように更に構成されている、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
前記電荷制限回路が、前記サンプリングコンデンサに対応する電圧を制限するように更に構成されている、請求項１に記載の回路。
【請求項４】
前記電荷制限回路が、前記サンプル及びレベルシフト回路に対応するサンプリング容量を制限するように更に構成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路。
【請求項５】
前記電荷制限回路が、前記サンプル及びレベルシフト回路に対応する周波数を制限するように更に構成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路。
【請求項６】
前記ハイサイドスイッチが、ｎチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の回路。
【請求項７】
前記ハイサイドスイッチ用の前記スルーレート制御回路が、単一チップ上の集積回路である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の回路。
【請求項８】
前記電荷制限回路が、調節可能な電圧源を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の回路。
【請求項９】
前記電荷制限回路が、前記サンプリングコンデンサを含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の回路。
【請求項１０】
前記サンプリングコンデンサが、調節可能なサンプリングコンデンサであり、
前記電荷制限回路が、前記サンプリングコンデンサを含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の回路。
【請求項１１】
ハイサイドスイッチのスルーレートを制御するための方法であって、
サンプル及びレベルシフト回路に入力電流を供給することと、
入力電圧をサンプリングコンデンサを用いてサンプリングすることであって、前記サンプリングコンデンサは、前記入力電圧の前記サンプリングのために構成されている、ことと、
前記入力電圧をレベルシフトすることと、
前記サンプリングコンデンサを使用して、前記ハイサイドスイッチのゲート容量を充電することと、
前記サンプリングコンデンサに供給される電荷を制限することであって、前記電荷が、少なくとも１つの電流シンクによって制限される、ことと、
トランジスタを前記少なくとも１つの電流シンクと並列に接続することと、
前記トランジスタをオンにして、前記少なくとも１つの電流シンクに対応するいずれの電荷制限も除去することと
を含む、方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの電流シンク、又は異なるハイサイドスイッチスルーレートに対応する前記少なくとも１つの電流シンクのうちの１つを選択することを更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記サンプリングコンデンサに対応する電流を制限することを更に含む、請求項１１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記サンプリングコンデンサに対応する電圧を制限することを更に含む、請求項１１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記サンプル及びレベルシフト回路に対応するサンプリング容量を制限することを更に含む、請求項１１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
前記サンプル及びレベルシフト回路に対応する周波数を制限することを更に含む、請求項１１〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記ハイサイドスイッチが、ｎチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）である、請求項１１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１８】
前記スルーレートが、単一チップ上の集積回路から制御される、請求項１１〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
電荷制限が、調節可能な電圧源によって実施される、請求項１１〜１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
電荷制限が、前記サンプリングコンデンサによって更に実施される、請求項１１〜１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
スイッチ装置であって、
ハイサイドスイッチと、
請求項１〜１０に記載の回路のうちのいずれかと、を備える、スイッチ装置。
【請求項２２】
マイクロコントローラであって、
ハイサイドスイッチと、
請求項１〜１０に記載の回路のうちのいずれかと、を備える、マイクロコントローラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
ハイサイドスイッチのスルーレートを制御するための例示的な方法が開示される。本方法は、入力電流をサンプル及びレベルシフト回路に供給することを含む。本方法は、入力電圧をサンプリングすることを更に含む。サンプリングコンデンサは、入力電圧のサンプリングのために構成されている。加えて、本方法は、入力電圧をレベルシフトすることを含む。本方法は、サンプリングコンデンサを使用して、ハイサイドスイッチのゲート容量を充電することを含む。更に、本方法は、サンプリングコンデンサに供給される電荷を制限することを含み、電荷は、少なくとも１つの電流シンクによって制限される。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
ハイサイドスイッチのスルーレート制御のための回路であって、
前記ハイサイドスイッチに接続されたサンプル及びレベルシフト回路と、
電荷制限回路と、
サンプリングコンデンサであって、前記サンプリングコンデンサが、
前記サンプル及びレベルシフト回路に対応する入力電圧をサンプリングし、かつ
前記ハイサイドスイッチのゲート容量を充電するように構成されている、サンプリングコンデンサと、を備え、
前記電荷制限回路が、単位時間当たりの前記ハイサイドスイッチの前記ゲート容量に移される電荷の速度を制限するように構成されている、回路。
（項目２）
前記電荷制限回路が、前記サンプリングコンデンサに対応する電流を制限するように更に構成されている、項目１に記載の回路。
（項目３）
前記電荷制限回路が、前記サンプリングコンデンサに対応する電圧を制限するように更に構成されている、項目１に記載の回路。
（項目４）
前記電荷制限回路が、前記サンプル及びレベルシフト回路に対応するサンプリング容量を制限するように更に構成されている、項目１〜３のいずれか一項に記載の回路。
（項目５）
前記電荷制限回路が、前記サンプル及びレベルシフト回路に対応する周波数を制限するように更に構成されている、項目１〜３のいずれか一項に記載の回路。
（項目６）
前記ハイサイドスイッチが、ｎチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）である、項目１〜５のいずれか一項に記載の回路。
（項目７）
前記ハイサイドスイッチ用の前記スルーレート制御回路が、単一チップ上の集積回路である、項目１〜６のいずれか一項に記載の回路。
（項目８）
前記電荷制限回路が、調節可能な電圧源を含む、項目１〜７のいずれか一項に記載の回路。
（項目９）
前記電荷制限回路が、前記サンプリングコンデンサを含む、項目１〜８のいずれか一項に記載の回路。
（項目１０）
前記サンプリングコンデンサが、調節可能なサンプリングコンデンサであり、
前記電荷制限回路が、前記サンプリングコンデンサを含む、項目１〜９のいずれか一項に記載の回路。
（項目１１）
ハイサイドスイッチのスルーレートを制御するための方法であって、
サンプル及びレベルシフト回路に入力電流を供給することと、
入力電圧を、前記入力電圧の前記サンプリングのために構成されたサンプリングコンデンサを用いてサンプリングすることと、
前記入力電圧をレベルシフトすることと、
前記サンプリングコンデンサを使用して、前記ハイサイドスイッチのゲート容量を充電することと、
前記サンプリングコンデンサに供給される電荷を制限することであって、前記電荷が、少なくとも１つの電流シンクによって制限される、制限することと、を含む、方法。
（項目１２）
トランジスタを前記少なくとも１つの電流シンクと並列に接続することと、前記トランジスタをオンにして、前記少なくとも１つの電流シンクに対応するいずれの電荷制限も除去することと、を更に含む、項目１１に記載の方法。
（項目１３）
前記少なくとも１つの電流シンク、又は異なるハイサイドスイッチスルーレートに対応する前記少なくとも１つの電流シンクのうちの１つを選択することを更に含む、項目１１又は１２に記載の方法。
（項目１４）
前記サンプリングコンデンサに対応する電流を制限することを更に含む、項目１１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
（項目１５）
前記サンプリングコンデンサに対応する電圧を制限することを更に含む、項目１１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
（項目１６）
前記サンプル及びレベルシフト回路に対応するサンプリング容量を制限することを更に含む、項目１１〜１５のいずれか一項に記載の方法。
（項目１７）
前記サンプル及びレベルシフト回路に対応する周波数を制限することを更に含む、項目１１〜１６のいずれか一項に記載の方法。
（項目１８）
前記ハイサイドスイッチが、ｎチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）である、項目１１〜１７のいずれか一項に記載の方法。
（項目１９）
前記スルーレートが、単一チップ上の集積回路から制御される、項目１１〜１８のいずれか一項に記載の方法。
（項目２０）
電荷制限が、調節可能な電圧源によって実施される、項目１１〜１９のいずれか一項に記載の方法。
（項目２１）
電荷制限が、前記サンプリングコンデンサによって更に実施される、項目１１〜２０のいずれか一項に記載の方法。
（項目２２）
スイッチ装置であって、
ハイサイドスイッチと、
項目１〜１０に記載の回路のうちのいずれかと、を備える、スイッチ装置。
（項目２３）
マイクロコントローラであって、
ハイサイドスイッチと、
項目１〜１０に記載の回路のうちのいずれかと、を備える、マイクロコントローラ。