Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月29日(2005.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】複合基板、基板製造方法および半導体基板
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状に形成された炭素系基板と、前記炭素系基板の片面または両面に一体に接合される半導体基板とを有し、
前記半導体基板は、複数の半導体分割基板片を前記炭素系基板の接合面に並列に配置し、加熱溶融によって結合して一体化した、
ことを特徴とする複合基板。
【請求項２】
前記炭素系基板と半導体基板との間に、多結晶シリコン層が配置されることを特徴とする請求項１記載の複合基板。
【請求項３】
前記炭素系基板と半導体基板との間に、シリコンとカーボンの混合物の層が配置されることを特徴とする請求項１記載の複合基板。
【請求項４】
前記複数の半導体分割基板片の継ぎ目が加熱溶融によって結合されていることを特徴とする請求項１記載の複合基板。
【請求項５】
板状に形成された炭素系基板と、前記炭素系基板の片面または両面に一体に接合される半導体基板とを有する複合基板を作製する基板製造方法であって、
前記半導体基板を構成する複数の半導体分割基板片を前記炭素系基板の接合面に並列に配置し、加熱溶融によって炭素系基板に接合する工程と、
を有することを特徴とする基板製造方法。
【請求項６】
前記半導体分割基板片を前記炭素系基板の接合面に配置する前に、前記半導体分割基板片または炭素系基板の接合面を親水性にする工程を有することを特徴とする請求項５記載の基板製造方法。
【請求項７】
前記半導体分割基板片を前記炭素系基板の接合面に配置する前に、前記炭素系基板の接合面または半導体分割基板片の接合面にアモルファス半導体層を成膜する工程を有することを特徴とする請求項５記載の基板製造方法。
【請求項８】
前記半導体分割基板片を前記炭素系基板の接合面に配置する前に、前記炭素系基板の接合面または半導体分割基板片の接合面に多結晶半導体層を成膜する工程を有することを特徴とする請求項５記載の基板製造方法。
【請求項９】
前記半導体分割基板片を炭素系基板の接合面に加熱溶融する工程は、ランプ加熱方式の高温炉を用いて行うことを特徴とする請求項５記載の基板製造方法。
【請求項１０】
前記半導体分割基板片を炭素系基板の接合面に加熱溶融する工程は、抵抗加熱方式の高温炉を用いて行うことを特徴とする請求項５記載の基板製造方法。
【請求項１１】
前記半導体分割基板片を炭素系基板の接合面に加熱溶融する工程は、レーザ照射を用いて行うことを特徴とする請求項５記載の基板製造方法。
【請求項１２】
前記複数の半導体分割基板片の継ぎ目を加熱溶融によって結合する工程を有することを特徴とする請求項５記載の基板製造方法。
【請求項１３】
前記複数の半導体分割基板片の継ぎ目を加熱溶融によって結合する工程は、レーザ照射を用いて行うことを特徴とする請求項１２記載の基板製造方法。
【請求項１４】
前記炭素系基板に一体に接合される半導体基板の表面にアモルファス半導体層を成膜する工程と、前記アモルファス半導体層を加熱して前記半導体基板と単結晶になるように再結晶化する工程とを有することを特徴とする請求項５記載の基板製造方法。
【請求項１５】
板状に形成された炭素系基板の片面または両面に、複数の半導体分割基板片を前記炭素系基板の接合面に並列に配置し、加熱溶融によって結合することにより、前記炭素系基板に半導体基板を一体化した複合基板を作製する工程と、
前記半導体基板の表面に陽極化成を行うことにより、多孔質半導体層を形成する工程と、
前記多孔質半導体層上にエピタキシャル成長層を形成する工程と、
前記エピタキシャル成長層を支持基板に貼り合わせる工程と、
前記多孔質半導体層を分断することにより、前記エピタキシャル成長層および支持基板を半導体基板から剥離して、前記エピタキシャル成長層による薄膜単結晶半導体基板を作製する工程と、
を有することを特徴とする基板製造方法。
【請求項１６】
前記半導体基板の表面に陽極化成を行い、多孔質半導体層を形成した後、その表面に水素アニール処理を行い、その後、前記エピタキシャル成長層を形成することを特徴とする請求項１５記載の基板製造方法。
【請求項１７】
前記半導体基板の表面に陽極化成を行い、多孔質半導体層を形成した後、その表面に酸化処理を行い、その後、前記エピタキシャル成長層を形成することを特徴とする請求項１５記載の基板製造方法。
【請求項１８】
板状に形成された炭素系基板の片面または両面に、複数の半導体分割基板片を前記炭素系基板の接合面に並列に配置し、加熱溶融によって結合することにより、前記炭素系基板に半導体基板を一体化した複合基板を作製する工程と、
前記半導体基板の表面に陽極化成を行うことにより、多孔質半導体層を形成する工程と、
前記多孔質半導体層上にエピタキシャル成長層を形成する工程と、
前記エピタキシャル成長層を支持基板に貼り合わせる工程と、
前記多孔質半導体層を分断することにより、前記エピタキシャル成長層および支持基板を半導体基板から剥離して、前記エピタキシャル成長層による薄膜単結晶半導体基板を作製する工程とを経て形成された、
ことを特徴とする薄膜単結晶半導体基板。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に大面積薄膜半導体基板を形成するための製造工程に用いること
が可能な複合基板、基板製造方法および半導体基板に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
そこで本発明の目的は、大面積の炭素系基板上にシリコン基板を容易に接合することが可能な複合基板と、その複合基板を作製するための基板製造方法、さらには、その複合基板を用いて薄膜半導体を作製するための基板製造方法および半導体基板を提供することにある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月12日(2005.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製造時に発生する物理的特徴に関する情報である特徴情報が予め記録されている光ディスク。
【請求項２】
複数の領域を有し、前記複数の領域それぞれに対する特徴情報が予め記録されている請求項１記載の光ディスク。
【請求項３】
前記特徴情報は、前記光ディスクに記録される他の情報よりも低い密度で記録されている請求項１または２に記載の光ディスク。
【請求項４】
前記特徴情報が記録された、かつ光ピックアップによって読み取り可能なバーコード（以下ＢＣＡ）が形成されている請求項１から３のいずれかに記載の光ディスク。
【請求項５】
前記特徴情報は、前記光ディスクにおける透明保護層の厚みむらに係る物理定数である請求項１から３のいずれかに記載の光ディスク。
【請求項６】
前記特徴情報は、前記光ディスクの反り量に係る物理定数である、請求項１から３のいずれかに記載の光ディスク。
【請求項７】
前記複数の領域は、前記光ディスクの少なくとも半径方向あるいは円周方向のどちらかに分割されている、請求項１から３のいずれかに記載の光ディスク。
【請求項８】
円周方向に分割された前記複数の領域は、前記ＢＣＡの形成開始位置を基準として分割されている、請求項４または７記載の光ディスク。
【請求項９】
円周方向に分割された前記複数の領域は、前記ＢＣＡの形成終了位置を基準として分割されている、請求項４または７記載の光ディスク。
【請求項１０】
前記複数の領域は、前記物理的特徴毎に異なる方法で分割されている、請求項１から３のいずれかに記載の光ディスク。
【請求項１１】
前記複数の領域の分割方法が前記光ディスクに予め記録されている、請求項１から３のいずれかに記載の光ディスク。
【請求項１２】
前記複数の領域の分割方法は、前記光ディスクのＢＣＡに記録されている、請求項１１記載の光ディスク。
【請求項１３】
光ディスクに記録された、前記光ディスクの製造時に発生する物理的特徴に関する情報に応じて、前記光ディスクに照射するスポット形状を補正する工程を有する、スポット形状補正方法。
【請求項１４】
光ディスクに記録された、前記光ディスクの製造時に発生する物理的特徴に関する情報に応じて、前記光ディスクに照射するスポット形状を補正する工程を有する、スポット形状補正プログラム。
【請求項１５】
光ディスクに記録された、前記光ディスクの製造時に発生する物理的特徴に関する情報に応じて、前記光ディスクに照射するスポット形状を補正する手段を有する、スポット形状補正装置。
【請求項１６】
製造時に発生する物理的特徴に関する情報である特徴情報が予め記録された光ディスクを再生する装置であって、
前記特徴情報を再生する手段と、
前記再生した特徴情報を保持する手段と、
前記特徴情報に応じて前記光ディスクに照射するスポット形状を補正する手段を有するスポット形状補正装置と、
を備える光ディスク装置。
【請求項１７】
前記光ディスクは、複数の領域を有し、前記複数の領域それぞれに対する特徴情報が予め記録されたである、請求項１６記載の光ディスク装置。
【請求項１８】
前記複数の領域毎に前記特徴情報の補正量を切り替え、前記光ディスクに記録されている前記物理的特徴を初期値として、前記複数の領域毎の最適な補正量を探索する、請求項１７記載の光ディスク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
請求項１〜７のいずれかに記載の磁気記録媒体において、前記中間層は、ＷＲｈ３，Ｎｉ３Ｓｎ，Ｎｉ３ＺｒおよびＣｏ３Ｗからなる群から選択される金属間化合物を主成分とすることを特徴とする磁気記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、前記中間層は、ＷＲｈ３，Ｎｉ３Ｓｎ，Ｎｉ３ＺｒおよびＣｏ３Ｗからなる群から選択されることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
従って、下地層１０２と中間層１０３の格子整合の関係は、
（下地層のｄ（１１０））−（中間層のｄ（００２））
＜（下地層のｄ（１１０））−（中間層のｄ（１０１））
となる。すなわち、
ｄ１−ｄ２  ＜  ｄ１−（中間層のｄ（１０１））
である。そのため、下地層１０２の結晶粒の中の基板１０１に垂直な（１１０）面に対し、中間層１０３の（１０１）面の格子整合は、中間層１０３の（００２）面の格子整合よりも悪い。その結果、中間層１０３は、（１０１）面よりも（００２）面の方が、下地層１０２の（１１０）面に連続して基板１０１に垂直になるような傾向をもって結晶粒が初期成長すると考えられる。すなわち、中間層１０３の結晶は、ｃ軸が基板１０１に平行になるように優先配向して初期成長する、と言い換えることができる。さらに、
（下地層のｄ（１１０））＞（中間層のｄ（００２））
の関係において、層間の面間隔ミスフィットΔ１が
０．０＜Δ１＝（ｄ１−ｄ２）／ｄ１＜０．１
というように、格子不整合（ミスフィット）が１０％以下であるため、中間層１０３は、ｃ軸が水平方向に優先的に配向しながら、ある程度の大きさまで結晶成長することができると考えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月14日(2005.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高位領域と、前記高位領域に対して段差を有する低位領域と、前記高位領域の表面に形成された、情報信号に対応する強磁性薄膜パターンとをディスク状基体の表面に備え、磁気ディスクと重ね合わされて、前記強磁性薄膜パターンを前記磁気ディスクの表面に密着させた状態で、外部磁界を印加することにより、前記情報信号を前記磁気ディスクに転写記録するためのマスター情報担体であって、
前記高位領域を複数備え、前記磁気ディスクと重ね合わされたときに、前記複数の高位領域はすべて、その内方端縁部が、磁気ディスクの内孔端縁より半径方向の外側に位置し、かつ前記複数の高位領域の少なくとも一部は、その内方端縁部と磁気ディスクの内孔端縁との距離が０．２ｍｍ以上、６ｍｍ以下であることを特徴とするマスター情報担体。
【請求項２】
略同一平面を形成する第１及び第２の高位領域と、前記第１及び第２の高位領域に対して段差を有する低位領域と、前記第１の高位領域の表面に形成された、情報信号に対応する強磁性薄膜パターンとをディスク状基体の表面に備え、磁気ディスクと重ね合わされて、前記強磁性薄膜パターンを前記磁気ディスクの表面に密着させた状態で、外部磁界を印加することにより、前記情報信号を前記磁気ディスクに転写記録するためのマスター情報担体であって、
前記磁気ディスクと重ね合わされたときに、前記第２の高位領域の内方端縁部が、前記磁気ディスクの内孔端縁より半径方向の外側に位置し、かつ両者間の半径方向の距離が０．２ｍｍ以上、６ｍｍ以下であることを特徴とするマスター情報担体。
【請求項３】
前記第２の高位領域は、前記第１の高位領域の内方端縁部よりも半径方向の中心側に配置されていることを特徴とする請求項２に記載のマスター情報担体。
【請求項４】
前記第１及び第２の高位領域をそれぞれ複数備え、前記第２の高位領域の個数が、前記第１の高位領域の個数以下、且つ、前記第１の高位領域の個数の１／４以上であることを特徴とする請求項２に記載のマスター情報担体。
【請求項５】
請求項１又は２に記載のマスター情報担体と磁気ディスクとを重ね合わせる工程と、
前記磁気ディスクの内孔より排気し、前記マスター情報担体と前記磁気ディスクとの間の空間を負圧にすることにより、前記マスター情報担体と前記磁気ディスクとを密着する工程と、
外部磁界を印加することにより、前記マスター情報担体に形成された前記強磁性薄膜パターンに対応する情報信号を前記磁気ディスクに転写記録する工程と
を備えることを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月25日(2004.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の基体上に、銀と金、銀と白金、あるいは銀と金と白金のいずれか一組を担持した糖の電解酸化用電極。
【請求項２】
導電性の基体上に、銀と金、銀と白金、あるいは銀と金と白金のいずれか一組を担持した糖の電解酸化用電極の製造方法であって、
前記銀と金、銀と白金、あるいは銀と金と白金のいずれか一組のコロイド粒子を溶媒に分散する工程、前記工程で得た溶液を基材に塗布する工程、さらに、溶媒の全部あるいは一部を除去する工程を含む糖の電解酸化用電極の製造方法。
【請求項３】
正極、負極および電解質を有し、前記負極が請求項１に記載の糖の電解酸化用電極であり、前記電解質が糖を含み、糖の酸化反応により前記正極と前記負極との間に起電力が発生する電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
糖は、たんぱく質、脂質と並び動物の重要なエネルギー源である。例えば、代表的な糖であり、化学式Ｃ6Ｈ12Ｏ6で表されるグルコースを完全に酸化すると、グルコース１分子当たり２４個の電子を放出して、炭酸ガスと水が生成する。動物の体内では、この２４個の電子がエネルギー源として利用されている。熱力学計算によれば、グルコース１モル当たり２８７２ｋＪ、１ｇ当たり４．４３Ｗｈのエネルギーを持っている。これは、高エネルギー密度電池として知られているリチウム電池の負極に用いられる金属リチウムの重量エネルギー密度３．８Ｗｈ／ｇ以上のエネルギー密度である。先行技術文献として、特開２００１−２０２９７２号公報（特に段落番号００１９〜００２１）が挙げられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
前記従来の課題を解決する本発明の糖の電解酸化用電極は、導電性の基体上に、銀と金、銀と白金、あるいは銀と金と白金のいずれか一組を担持した電極である。この糖の電解酸化用電極は、銀と金、銀と白金、あるいは銀と金と白金のいずれか一組のコロイド粒子を溶媒に分散し、これで得た溶液を基材に塗布し、さらに、溶媒の全部あるいは一部を除去することにより得ることができる。また、正極、負極および電解質を有し、負極が請求項１に記載の糖の電解酸化用電極であり、電解質が糖を含み、糖の酸化反応により前記正極と前記負極との間に起電力が発生する電池もまた、本発明に含まれる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
上記の正極の反応としては、水あるいは酸素の還元反応、ＮｉＯＯＨ、ＭｎＯＯＨ、Ｐｂ（ＯＨ）2、ＰｂＯ、ＭｎＯ2、Ａｇ2Ｏ、ＬｉＣｏＯ2、ＬｉＭｎ2Ｏ4、ＬｉＮｉＯ2などの水酸化物あるいは酸化物の還元反応、ＴｉＳ2、ＭｏＳ2、ＦｅＳ、Ａｇ2Ｓなどの硫化物の還元反応、ＡｇＩ、ＰｂＩ2、ＣｕＣｌ2などの金属ハロゲン化物の還元反応、キノン類、有機ジスルフィド化合物などの有機硫黄化合物類の還元反応、ポリアニリン、ポリチオフェンなど導電性高分子類の還元反応などを用いることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記酸素極としては、酸素還元能のある物質であれば用いることができる。このような物質としては、活性炭、Ｍｎ2Ｏ3などのマンガン低級酸化物、白金、パラジウム、酸化イリジウム、白金アンミン錯体、コバルトフェニレンジアミン錯体、金属ポルフィリン（金属：コバルト、マンガン、亜鉛、マグネシウムなど）、Ｌａ（Ｃａ）ＣｏＯ3やＬａ（Ｓｒ）ＭｎＯ3などのペロブスカイト酸化物などが挙げられる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
電解質としては、アニオンまたは／およびカチオンを正極から負極へ、または／および負極から正極へ移動させ、正極および負極での酸化・還元反応を連続的に進行させることができるものであれば、有機物質、無機物質、液体、固体を問わず用いることができる。これらの電解質としては、水にＺｎＣｌ2、ＮＨ4Ｃｌ等の金属塩、ＫＯＨ、ＮａＯＨ等のアルカリ、Ｈ3ＰＯ4、Ｈ2ＳＯ4等の酸を溶解したものや、プロピレンカーボネートとエチレンカーボネートの混合有機溶媒にＬｉＢＦ4、ＬｉＰＦ6等の金属塩を溶解したものや、スルホン酸基、アミド基、アンモニウム基、ピリジニウム基等を有するフッ素樹脂等の高分子材料よりなるイオン交換膜や、ＬｉＢＦ4、ＬｉＣｌ4、（Ｃ4Ｈ9）4ＮＢＦ4等を溶解したポリプロピレンオキサイド、ポリエチレンオキサイド等の高分子電解質を用いることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
全量スプレー後、30分そのままヒートプレートに放置したのち、３００℃のオーブンで、60分ベーキングすることでAg, Ptを含有する試験電極２を作製した。スプレー前、ベーキング後のITOガラス基板の重量差より求めたPt+Agの担持量は、０．０３ｍｇ／ｃｍ2であった。同様にして、溶液−Pt−1を用いて、Ptの担持量が０．０４ｍｇ／ｃｍ2の比較電極３、溶液−Ag−2を用いて、Agの担持量が０．０３ｍｇ／ｃｍ2の比較電極２を作製した。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月5日(2004.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
強磁性金属薄膜と反強磁性酸化物薄膜から成る積層膜を有することを特徴とする高周波デバイス。
【請求項２】
前記強磁性金属薄膜は、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉのうちの少なくとも１種を含む材料、あるいはこれらからなる合金を含む材料、あるいはこれらとその他の元素を含む多元系合金材料から形成されることを特徴とする請求項１に記載の高周波デバイス。
【請求項３】
前記反強磁性酸化物薄膜は、α−Ｆｅ２Ｏ３，ＣｏＯ，ＮｉＯのうち少なくとも１種を含む、あるいはこれらのうちの２種以上を組み合わせたものを含むことを特徴とする請求項１に記載の高周波デバイス。
【請求項４】
前記積層膜は、強磁性金属磁性薄膜層と反強磁性酸化物薄膜層を多層に積層したことを特徴とする請求項１に記載の高周波デバイス。
【請求項５】
強磁性金属薄膜と反強磁性酸化物薄膜から成る積層膜と導体コイルを有することを特徴とする高周波用プレーナインダクタ。
【請求項６】
前記導体コイルがスパイラルコイルであることを特徴とする請求項５に記載の高周波用プレーナインダクタ。
【請求項７】
前記導体コイルがつづら折れコイルであることを特徴とする請求項５に記載の高周波用プレーナインダクタ。
【請求項８】
前記導体コイルが前記積層膜を取り囲んで巻回されるソレノイドコイルであることを特徴とする請求項５に記載の高周波用プレーナインダクタ。
【請求項９】
強磁性金属薄膜と反強磁性酸化物薄膜から成る積層膜と導体コイルを有することを特徴とする高周波用プレーナトランス。
【請求項１０】
前記導体コイルが複数のスパイラルコイルであることを特徴とする請求項９に記載の高周波用プレーナトランス。
【請求項１１】
前記導体コイルが複数のつづら折れコイルであることを特徴とする請求項９に記載の高周波用プレーナトランス。
【請求項１２】
前記導体コイルが、磁心を取り囲んで巻回される複数のソレノイドコイルであることを特徴とする請求項９に記載の高周波用プレーナトランス。
【請求項１３】
強磁性金属薄膜と反強磁性酸化物薄膜から成る積層膜と導体ラインを有することを特徴とする伝送線路。
【請求項１４】
前記導体ラインがストリップラインであり、前記積層膜の上部に位置するストリップラインと該積層膜の下部に位置する接地電極とで構成されることを特徴とする請求項１３に記載の伝送線路。
【請求項１５】
前記導体ラインが一対の平行導体ラインであり、該一対の平行導体ラインを前記積層膜の上部と下部に配置して構成されることを特徴とする請求項１３に記載の伝送線路。
【請求項１６】
前記積層膜が一対の前記積層膜であり、該一対の前記積層膜で導体ラインを上下からサンドイッチして、かつ、上部の該積層膜の上面と、下部の該積層膜の下面に接地電極を設けて構成されることを特徴とする請求項１３に記載の伝送線路。
【請求項１７】
前記積層膜と、該積層膜の上部に位置するストリップラインとストリップラインの同一面上の周囲に位置する接地電極で構成されることを特徴とする請求項１３に記載の伝送線路。
【請求項１８】
前記積層膜の下部にも接地電極を構成することを特徴とする請求項１７に記載の伝送線路。
【請求項１９】
請求項１３から１８に記載の伝送線路を用いた終端短絡スタブおよびあるいは終端開放スタブを有することを特徴とする高周波共振器ならびに高周波フィルタ。
【請求項２０】
請求項１３から１８に記載の伝送線路を用いることを特徴とする１／４波長変成器。
【請求項２１】
強磁性金属薄膜と反強磁性酸化物薄膜から成る積層膜を有し、該積層膜の強磁性共鳴を用いることを特徴とする高周波フィルタ。
【請求項２２】
伝送線路がマイクロストリップライン型伝送線路またはパラレルライン型伝送線路または内部導体ライン型伝送線路またはコプレーナ型伝送線路であって、
強磁性金属薄膜と反強磁性酸化物薄膜から成る積層膜と対の導体ラインを具備し、該対の導体ラインは幾何学的に平衡する位置にかつ導体ライン同士が電磁結合する位置に配置したことを特徴とする結合型伝送線路。
【請求項２３】
請求項２２に記載の結合型伝送線路を用いたことを特徴とする分布定数型コモンモードフィルタ。
【請求項２４】
強磁性金属薄膜と反強磁性酸化物薄膜から成る積層膜を有し、該積層膜を記録ヨークとして用いることを特徴とする磁気記録用薄膜磁気ヘッド。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月12日(2005.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
得られた薄膜BIT薄膜のＸ線回折チャートを図１５に示すが、(100)cCaRuO3//(100)SrTiO3基板上に(001) Ba4Ti3O12がエピタキシャル成長していることが認められる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
基板上に成長したSrBi2Ta2O9結晶が上記の如くa,b軸配向していることはＸ線回折で確認した（図１６）。図１７はＸ線極点図形であるが、エピタキシャル成長していることが確認される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
図１８のＸ線回折チャートに示す如く、a,b軸配向していることが確認される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
この薄膜に電圧を印加して分極特性及び絶縁特性を調べた結果を図１９、図２０に示す。優れた分極ヒステリシス特性及び絶縁特性が得られていることが見られる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月21日(2004.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図１乃至 図４よりインダクタンス素子１はドラムコア２と、コイル７と、リングコア３と電極１５とを備えている。ドラムコア２は巻芯部１４の両端に一体形成された略円形の第１フランジ部５および第２フランジ部６が設けられている。第１フランジ部５は第２フランジ部６よりも直径が大きく形成されている。また、ドラムコア２は導電性をもつＭｎ系フェライトにより形成されており、このドラムコア２の表面に電気絶縁性をもつ非磁性材料であるポリイミド系の絶縁塗料を塗布して非磁性絶縁層１３を形成している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
リングコア３は略四角柱をなし電気絶縁性をもつＮｉ系フェライトにより形成されている。また、中央にドラムコア２およびコイル７を収容するための略円形の収容部８を有している。リングコア３の底面には電極１５が互いに離間されて設けられおり、コイルの始端または終端がそれぞれ接続されている。また、リングコア３の上面には四隅に突起１０が設けられており、この突起１０およびリングコア３の上面により段部４が形成されている。そして、突起１０の内周の直径は第１フランジ部５より大きく形成されており、リングコア３の内周の直径は第１フランジ部５より小さく、かつ、第２フランジ部６より大きく形成されている。また、突起１０の内周面および第２フランジ部６の外周面はドラムコア２の収容部８への収容を容易にするためにテーパ状となっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記構成によりドラムコア２とリングコア３のコア間は非磁性絶縁層１３が形成されているために互いに直接接触することない。この実施形態によればドラムコア２とリングコア３の固定位置に左右されることなく非磁性絶縁層１３による磁気ギャップが形成されるので、一定のインダクタンス値および直流重畳特性をもつインダクタンス素子の生産が可能となる。また、ギャップ１１の幅を狭くしてもドラムコア２およびリングコア３が直接接することがなく小型化に対応できる。さらに、ドラムコア２には電気絶縁性を有するポリイミド系の絶縁塗料を塗布するので、磁気飽和特性の良いＭｎ系フェライトの使用が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月13日(2004.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムイオンを吸蔵、放出する正極と、リチウムイオンを吸蔵、放出する負極と、電解質塩と非水溶媒とを含む非水電解質と、を有する非水電解質二次電池において、
前記非水溶媒がエチレンカーボネートと、プロピレンカーボネートまたはブチレンカーボネートの少なくとも１種からなる溶媒Ａと、エチレンカーボネートと溶媒Ａとの混合溶媒より粘性が低いカーボネート類、ラクトン類、エーテル類、ケトン類、ニトリル類、アミド類、スルホン系化合物、エステル類、芳香族炭化水素からなる群の少なくとも１種からなる低粘性溶媒Ｂと、を含有し、
前記エチレンカーボネートと前記溶媒Ａとの質量比（エチレンカーボネート／溶媒Ａ）が０．７５以上６．０以下であり、
前記非水電解質に下記式（Ｉ）〔式中Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立であり、水素原子または炭素数１〜４のアルキル基〕で表されるビニルエチレンカーボネート誘導体の少なくとも１種が添加されている、
ことを特徴とする非水電解質二次電池。
【化１】
2003257477.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月12日(2005.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】燃料電池システム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、水素などの燃料ガスと酸素などの酸化剤ガスとを用いて発電を行う燃料電池システムに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
水素生成器２は、燃料電池１で残った燃料ガスを燃焼させる改質用のバーナー（図示せず）を備えており、必要に応じてこれに天然ガスなどが加えられ、水素生成器２内を水蒸気改質に必要な温度に維持する。そして、水素生成器２に天然ガスなどの原料ガスが供給され、水蒸気が加えられて水蒸気改質されることにより、水素リッチな燃料ガスを生成し、燃料電池１に供給する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
一方、空気などの酸化剤が、必要に応じて空気加湿器３を経由して、燃料電池１に導入される。そして、燃料電池１内において、水素リッチなガスに含まれる水素と、空気に含まれる酸素とが反応して、電気を発生させる。反応に使用されず残った空気は、空気側水凝縮器４に導入され、貯湯水と熱交換することにより、含まれる水蒸気が凝縮水として回収される。回収された凝縮水は、空気側凝縮水用タンク５へ導かれ、改質用の水などとして再利用される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
燃料側凝縮水用タンク９内の凝縮水の水位が、設定した水位を下回ると、水位センサー１１から電磁弁１２を閉じるように電気信号が発せられる。この電気信号を受けることにより、電磁弁１２が閉じ、凝縮水の移動は停止する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
なお、熱媒の流れは、図１では、燃料側水凝縮器８、空気側水凝縮器４、燃料電池１で発生した反応熱を放熱する熱交換器７の順に図示しているが、別の順序で流しても良い。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
（実施の形態２）
実施の形態２における燃料電池システムの部分構成について、図２、３を参照しながら説明する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
なお、図３では凝縮水通路２１が鉛直部２４と、水平部２５と短鉛直部２６とから構成されるとして示したが、これらに限定されることなく、凝縮水通路２１の少なくとも一部が、燃料側凝縮水用タンク９内の凝縮水の液面よりも高い位置にあれば、どのような構成の凝縮水通路２１であってもよい。例えば凝縮水通路２１は、凝縮水の液面に対して斜め方向に配置されていてもよいし、凝縮水通路２１自体に抵抗を持たせるために曲がりくねっていてもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
従って凝縮水通路３１は、燃料側凝縮水用仕切り３４と、空気側凝縮水用仕切り３５と、燃料側凝縮水用タンク９および空気側凝縮水用タンク５の側壁（図示せず）とにより形成されている。さらに、凝縮水通路３１のうち少なくとも上部開口３３付近の凝縮水通路３１は、燃料側凝縮水の液面よりも高い位置にある。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
（実施の形態３）
実施の形態３における燃料電池システムの構成について、図４、５、６、７を参照しながら説明する。なお、実施の形態１および実施の形態２と同一の部品には同一番号を付し、部品の説明を省略する。また、以下の燃料側凝縮水用タンク９内のガス圧が、空気側凝縮水用タンク５内のガス圧よりも高いものとして説明を行う。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
従って、燃料側凝縮水用タンク９内に凝縮水が少し貯まった段階で、凝縮水を空気側凝縮水用タンク５に移動できるので、燃料側凝縮水用タンク９の容量をより小さくすることができる。従って、コンパクトで簡単な構成で効率的に凝縮水を回収し、水自給率を高め、フィルターやイオン交換樹脂の必要量および取替えなどのメンテナンス回数を少なくした、メンテナンスコストが安い燃料電池システムを得ることができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
なお、以上の説明では、燃料側凝縮水用タンク９にかかる圧力が空気側凝縮水用タンク５にかかる圧力よりも高いとして説明したが、空気側凝縮水用タンク５にかかる圧力の方が燃料側凝縮水用タンク９にかかる圧力よりも高い場合もあり得る。その場合には、燃料側凝縮水用タンク９と空気側凝縮水用タンク５との記載を入れ替えて構成される。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
図１は、本発明の第１の実施の形態における燃料電池システムを示す構成を示す模式図である。
【図２】
図２は、本発明の第２の実施の形態における燃料電池システムの部分構成を示す断面図である。
【図３】
図３は、本発明の第２の実施の形態における燃料電池システムの部分構成を示す断面図である。
【図４】
図４は、本発明の第３の実施の形態における燃料電池システムの部分構成を示す断面図である。
【図５】
図５は、本発明の第３の実施の形態における燃料電池システムの部分構成を示す断面図である。
【図６】
図６は、本発明の第３の実施の形態における燃料電池システムの部分構成を示す断面図である。
【図７】
図７は、本発明の第３の実施の形態における燃料電池システムの部分構成を示す断面図である。
【図８】
図８は、従来の固体高分子型燃料電池発電システムの構成を示す模式図である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月15日(2004.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】機能性素子基板、該機能性素子基板を用いた画像表示装置および機能性素子基板の製造装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に機能性材料を含有する溶液の液滴を噴射付与し、機能性素子群を形成した機能性素子基板において、前記基板の形状は矩形であるとともに、角部をＣ１あるいはＲ１以上、もしくはそれらと同等の面取りを施したことを特徴とする機能性素子基板。
【請求項２】
基板上に機能性材料を含有する溶液の液滴を噴射付与し、機能性素子群を形成した機能性素子基板において、前記基板形状は矩形であるとともに、少なくとも１つの角部は他の角部と識別できる程度に角部の形状を他の角部の形状と異ならせたことを特徴とする機能性素子基板。
【請求項３】
基板上に機能性材料を含有する溶液の液滴を噴射付与し、機能性素子群を形成した機能性素子基板において、前記基板形状は矩形であるとともに、少なくとも１つの辺に切り欠きを設けたことを特徴とする機能性素子基板。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１に記載の機能性素子基板と、該機能性素子基板に対向して配置されたカバープレートからなることを特徴とする画像表示装置。
【請求項５】
基板上に機能性材料を含有する溶液の液滴が付与される基板と、該基板を保持する基板保持手段と、前記基板に相対する位置に配置され前記溶液を噴射する噴射ヘッドと、該噴射ヘッドに液滴付与情報を入力する情報入力手段と、入力された前記液滴付与情報に基づいて前記噴射ヘッドから前記溶液を噴射させ前記基板上に前記溶液の液滴を付与して機能性素子群を形成する機能性素子基板の製造装置であって、前記噴射ヘッドは、前記基板と対向する領域で前記基板と相対的な移動が可能なキャリッジ上に搭載されるとともに、前記噴射ヘッドの溶液噴射口面と前記基板の機能性素子群が形成される基板表面とが、一定の距離を保ちつつ、前記相対的な移動を行って、前記溶液の液滴付与を行う機能性素子基板の製造装置において、該機能性素子基板の製造装置を使用して製作される機能性素子基板は、ガラス、セラミックス，もしくはプラスチックからなり、その形状を矩形にするとともに、その角部にＣ１あるいはＲ１以上、もしくはそれらと同等の面取りを有する機能性素子基板であり、前記基板保持手段に対して装着、交換されることを特徴とする機能性素子基板の製造装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、機能性素子基板、該機能性素子を用いた画像表示装置および機能性素子基板の製造装置に関し、特に、吐出装置を用いて機能性材料の膜形成を行うことによって形成された機能性素子基板、該機能性素子基板を用いた画像表示装置および機能性素子基板の製造装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、このような機能性素子を用いた機能性素子基板、それを用いた画像表示装置および機能性素子基板の製造装置に関するものであり、その第１の目的は、高精度、低コストな機能性素子基板を提案することにある。
また第２の目的は、このような機能性素子基板製作時における作業者の製作効率を上げるとともに製作ミスを防ぐことにある。
さらに第３の目的は、このような機能性素子基板製作時における作業者の製作効率を上げるとともに製作ミスを防ぐのみならず、この機能性素子基板をアセンブルする際の位置／方向の間違いを防止することにある。
また第４の目的は、このような機能性素子基板を用いた画像表示装置を提案することにある。
また第５の目的は、このような機能性素子基板を製造する製造装置を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記目的を達成するために第１に、基板上に機能性材料を含有する溶液の液滴を噴射付与し、機能性素子群を形成した機能性素子基板において、前記基板の形状は矩形であるとともに、角部をＣ１あるいはＲ１以上、もしくはそれらと同等の面取りを施したことを特徴とする。
また第２に、基板上に機能性材料を含有する溶液の液滴を噴射付与し、機能性素子群を形成した機能性素子基板において、前記基板形状は矩形であるとともに、少なくとも１つの角部は他の角部と識別できる程度に角部の形状を他の角部の形状と異ならせたことを特徴とする。
さらに第３に、基板上に機能性材料を含有する溶液の液滴を噴射付与し、機能性素子群を形成した機能性素子基板において、前記基板形状は矩形であるとともに、少なくとも１つの辺に切り欠きを設けたことを特徴とする。
また第４に、上記第１〜３のいずれか１の機能性素子基板と、該機能性素子基板に対向して配置されたカバープレートからなる画像表示装置であることを特徴とする。
また第５に、基板上に機能性材料を含有する溶液の液滴が付与される基板と、該基板を保持する基板保持手段と、前記基板に相対する位置に配置され前記溶液を噴射する噴射ヘッドと、該噴射ヘッドに液滴付与情報を入力する情報入力手段と、入力された前記液滴付与情報に基づいて前記噴射ヘッドから前記溶液を噴射させ前記基板上に前記溶液の液滴を付与して機能性素子群を形成する機能性素子基板の製造装置であって、前記噴射ヘッドは、前記基板と対向する領域で前記基板と相対的な移動が可能なキャリッジ上に搭載されるとともに、前記噴射ヘッドの溶液噴射口面と前記基板の機能性素子群が形成される基板表面とが、一定の距離を保ちつつ、前記相対的な移動を行って、前記溶液の液滴付与を行う機能性素子基板の製造装置において、該機能性素子基板の製造装置を使用して製作される機能性素子基板は、ガラス、セラミックス，もしくはプラスチックからなり、その形状を矩形にするとともに、その角部にＣ１あるいはＲ１以上、もしくはそれらと同等の面取りを有する機能性素子基板であり、前記基板保持手段に対して装着、交換されることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
請求項４に対応した効果
機能性素子基板は製造時に作業効率の向上が図れるため、低コストな機能性素子基板が得られ、このような低コストの機能性素子基板を画像表示装置に使用するようにしたので、低コストの画像表示装置が得られる。
請求項５に対応した効果
機能性素子基板の製造装置において、基板保持手段に対して装着、交換される機能性素子基板は、その形状が矩形であるとともに、その角部にＣ１あるいはＲ１以上、もしくはそれらと同等の面取りを有する機能性素子基板であるので、作業者が作業時（基板搬送時、交換時、製造装置への装着時等）に、基板のコーナー部で怪我をするという不慮の事故を防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月7日(2004.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加熱物を収容する加熱室と、
高周波を発振するマグネトロンと、
前記マグネトロンの発振する高周波を、前記加熱室内に当該加熱室の底面から導入する導波管と、
前記被加熱物を載置して前記加熱室内に収納されるとともに、裏面に、高周波を吸収して発熱する高周波発熱体を配置した加熱皿と、
前記加熱室に収納した前記加熱皿の下方から当該加熱皿の上方に、前記導波管から導入された高周波を到達させる到達用経路とを含む、高周波加熱装置。
【請求項２】
前記加熱室は、内部に設置された前記加熱皿に隣接する部分に、前記加熱皿と内壁との間に隙間ができるように凹部を形成される、請求項１に記載の高周波加熱装置。
【請求項３】
前記加熱皿は、当該加熱皿の外端縁部を除いて前記高周波発熱体を備える、請求項１または請求項２に記載の高周波加熱装置。
【請求項４】
前記加熱皿の上方に設けられたヒータをさらに含む、請求項１〜請求項３のいずれか１項に記載の高周波加熱装置。
【請求項５】
前記到達用経路の、前記高周波の進行方向に交わる方向の寸法は、当該高周波の波長の１／４以上とされる、請求項１〜請求項４のいずれかに記載の高周波加熱装置。
【請求項６】
前記加熱室の内壁には、第１の面と、当該第１の面と異なる方向を向く第２の面とを備え、
前記第１の面および前記第２の面上に形成された、前記加熱皿を支持するためのレールをさらに含み、
前記第１の面または前記第２の面上のレールは、同一面上に間隔を設けて備えられた複数の部材により構成されている、請求項１〜請求項５のいずれかに記載の高周波加熱装置。
【請求項７】
前記加熱皿は、前記被加熱物を載置される面の外端部分に溝を形成されている、請求項１〜請求項６のいずれかに記載の高周波加熱装置。
【請求項８】
前記加熱皿の最下部は、前記高周波発熱体よりも下方に位置する、請求項１〜請求項７のいずれかに記載の高周波加熱装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月24日(2005.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、紫外線照射時のチャンバー内の真空度は１０-2〜１０-6ｔｏｒｒであることが好ましい。必要な除電時間はおよそ１秒以内である。この範囲より低真空では紫外線照射によるイオンの動きが遅くなり、除電時間が長くなってしまう。また、これ範囲より高真空ではイオン化に寄与する分子が少なくなり、やはり除電時間が長くなってしまう。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
次に、図６に示すように、ガラス基板１３０は搬送機構によりシャドウマスク１１１から剥離され、次工程の作業位置まで搬送される。この時も、剥離帯電により、ガラス基板１３０上には、例えばプラスの電荷が生じる。そこで、同様に、紫外線照射装置２００から紫外線を真空蒸着装置１００のチャンバー内に照射することにより、ガラス基板１３０の除電を行った後に、次工程の作業位置まで搬送する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月21日(2004.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の半導体デバイスの製造方法において、上記半導体基板は、シリコンウェーハであることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月10日(2004.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ＳＡＷフィルターのようなＳＡＷデバイスは、基板上に形成される２つ（入力・出力）の櫛型電極が核となっている。櫛型電極はフォトリソグラフィーによって形成されるため、デバイス製造時の歩留まりを向上させるためには、酸化物ウエハーの厚みのばらつきを低減させる必要がある。また、使用周波数が高くなるに伴い、電極ピッチが狭くなるため、平坦度への要求はさらに厳しくなる。このような高平坦度を得るためには、酸化物ウエハーの鏡面研磨加工が重要となってくる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2003257916.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月29日(2005.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体を吸引し吐出する機器の複数の計測量を計測する計測手段と、計測された複数の計測量の相関関係等を演算する演算手段と、運転が正常と判断される際に計測された前記計測量から求められた平均値などの演算値である状態量であって、少なくとも演算された複数の計測量の相関関係を含む状態量を前記機器の正常状態の状態量として記憶する正常状態量記憶手段と、を備え、前記正常状態量記憶手段の記憶する正常状態の状態量から演算して異常状態の状態量を求めることを特徴とする機器診断装置。
【請求項２】
流体を吸引し吐出する機器の複数の計測量を計測する計測手段と、計測された複数の計測量の相関関係等を演算する演算手段と、運転が正常と判断される際に計測された前記計測量から求められた平均値などの演算値である状態量であって、少なくとも演算された複数の計測量の相関関係を含む状態量を前記機器の正常状態の状態量として記憶する正常状態量記憶手段と、異常状態の状態量と判断する閾値を予め設定する異常状態量記憶手段と、前記機器の現在の運転中に前記演算手段にて前記流体の複数の計測量を変数として相関関係を演算し得られた状態量を少なくとも含む現在の状態量と前記正常状態量記憶手段の記憶する正常状態の状態量もしくは前記閾値と比較して現在の状態量が正常の段階、異常の段階、正常と異常の中間段階という少なくとも３以上の段階を判断する判断手段と、とを備えることを特徴とする機器診断装置。
【請求項３】
流体を吸引し吐出する機器の複数の計測量を計測する計測手段と、計測された複数の計測量の相関関係等を演算する演算手段と、運転が正常と判断される際に計測され前記計測量から求められた平均値などの演算値である状態量であって、少なくとも演算された複数の計測量の相関関係を含む状態量を前記機器の正常状態の状態量として記憶すると共に、前記機器が異常状態と判断される際に計測されたもしくは異常状態が得られるように設定された複数の計測量から前記演算手段にて演算された前記複数の計測量の相関関係を少なくとも含む状態量を前記機器の異常状態の状態量として記憶する状態量記憶手段と、前記機器の現在の運転中に前記演算手段にて前記流体の複数の計測量を変数として相関関係を演算し得られた状態量を少なくとも含む現在の状態量と、前記状態量記憶手段にて記憶されている正常状態の状態量及び異常状態の状態量の少なくとも一方とを比較して、前記現在の運転状態が正常状態でないと判断した場合に異常の程度もしくは異常原因の推測を行う判断手段と、を備えたことを特徴とする機器診断装置。
【請求項４】
前記機器が現在運転しているときに計測されこの計測量から求められた平均値などの演算値を含めることが可能な状態量であって、少なくとも前記計測量を複数の変数として相関関係を演算し得られた状態量を含む現在の運転状態の状態量と記憶された前記正常状態の状態量もしくは異常状態の状態量との間の距離を比較する比較手段と、を備え、運転状態における前記比較手段での比較を繰り返して、前記正常状態の状態量との距離もしくは前記異常状態の状態量との距離の変化から運転状態の異常の度合いを判断することを特徴とする請求項１又は２又は３記載の機器診断装置。
【請求項５】
前記現在の運転状態の状態量もしくは前記異常状態の状態量は、異なる計測量もしくは変数を有する異なる集合体を複数設けることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の機器診断装置。
【請求項６】
前記正常状態の状態量と前記異常状態の状態量との間の距離を区分けして、現在の運転の状態量の異常の度合いを表示可能であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の機器診断装置。
【請求項７】
計測した計測量もしくは前記計測量から求められた平均値等の演算値を有し、前記計測量もしくは演算値のうちの少なくともいずれか１つを強制的に別の値に変換し、その変換後の値を含む複合変数にて演算して、正常な運転状態と設定する範囲もしくは異常状態と判断する閾値を得ることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の機器診断装置。
【請求項８】
前記判断手段は、可燃性流体や人体に有害な流体を取り扱う圧縮機、ポンプ、送風機などの流体機器、又はこの流体機器の駆動機器の運転状態が正常か異常かを判断するものであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の機器診断装置。
【請求項９】
前記機器は流体を循環させる流体機器であって、前記判断手段は、前記流体が前記機器もしくはこの機器に接続される装置から漏れたり、前記機器へ液体状態で吸入されたり、前記機器が劣化したり、前記流体を循環させる流路のいずれかの位置が詰まったりもしくは折れたりもしくは破損したり、前記流体が劣化したり、前記機器の前記流体の流路に接続されている別の構成機器の動作が不調だったりしたときに生ずる不具合状況を示す流体物理量の変化を判別する、あるいはこれらの異常のいずれかが含まれていると言う判断を行うことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の機器診断装置。
【請求項１０】
前記機器の運転中に計測する計測量は、流体の物理量又は前記機器駆動手段を駆動する電気量又は前記機器運転中に前記機器から発生する電気量であって、この前記機器の運転中に発生する電気量は、電磁力、電波、漏れ電流、軸電圧などの電気量であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の機器診断装置。
【請求項１１】
前記判断手段は現在の運転状態の状態量が正常と判断される範囲を示す閾値の範囲かどうかもしくは異常状態の状態量を示す閾値の範囲には含まれないかどうかで前記機器が正常な運転状態かどうかを判断するものであって、現在の運転状態の状態量と閾値との関係により前記機器の故障時期を推測するものであることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の機器診断装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれかに記載の前記機器診断装置により運転中の機器の運転状態を監視する機器監視システムであって、前記機器診断装置にて計測された計測量、演算された演算値、及び前記演算値が設定された閾値内かどうかを比較して前記機器が正常な運転状態かどうかの判断結果の少なくとも一つを通信線もしくは無線通信を介して機器の運転状態を監視する遠隔監視装置に伝送されることを特徴とする機器監視システム。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれかに記載の前記機器診断装置の現在の運転状態から得られた複数の計測量から演算される現在の演算結果に対して、正常運転時の演算結果およびこの演算結果が記憶された時からの経過時間から、機器の故障を起すであろう迄の時間を推測する故障予知手段が設けられ、前記故障予知手段にて予知された時間が通信を介して遠隔監視装置に伝送されることを特徴とする機器監視システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】機器診断装置および機器監視システム