【手続補正書】
【提出日】令和3年6月7日(2021.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の誘導性入力及び第１の誘導性出力を有する第１のインダクタと、
第２の誘導性入力及び第２の誘導性出力を有する第２のインダクタと、
前記第１の誘導性出力に結合された第１のスイッチと、
前記第２の誘導性出力に結合された第２のスイッチとを備え、
前記第１のスイッチと前記第２のスイッチは位相がずれて駆動され、
前記第１のインダクタは、前記第１のスイッチに関連する第１のキャパシタンスと共振するように構成され、
前記第２のインダクタは、前記第２のスイッチに関連する第２のキャパシタンスと共振するように構成される、
共振増幅器。
【請求項２】
前記第１のスイッチの第１の端子及び前記第２のスイッチの第１の端子は、電源に結合される、
請求項１に記載の共振増幅器。
【請求項３】
第１の出力及び第２の出力を有する電源をさらに備える、
請求項１又は２に記載の共振増幅器。
【請求項４】
前記第１の出力は前記電源の負の出力を備え、
前記第２の出力は前記電源の正の出力を備え、
前記正の出力は、前記第１の誘導性入力及び前記第２の誘導性入力に並列に結合される、
請求項３に記載の共振増幅器。
【請求項５】
前記電源の負出力は、前記第１のスイッチの第１の端子と、前記第２のスイッチの第１の端子とに並列に結合される、
請求項４に記載の共振増幅器。
【請求項６】
前記第１の誘導性出力は、前記第１のスイッチの第２端子と、第１の外部キャパシタンスとに並列に連結される、
請求項１〜５のうちのいずれかに記載の共振増幅器。
【請求項７】
前記第２の誘導性出力は、前記第２のスイッチの第２端子と、第２の外部キャパシタンスとに並列に接続される、
請求項６に記載の共振増幅器。
【請求項８】
前記電源の負出力はさらに、第１の外部キャパシタンス及び／又は第２の外部キャパシタンスに並列に結合される請求項４に記載の共振増幅器。
【請求項９】
前記第１のキャパシタンスは、前記第１のスイッチの第１の端子及び第２の端子の間における第１キャパシタンス値を有し、
前記第２のキャパシタンスは、前記第２のスイッチの第１の端子及び第２の端子の間における第２キャパシタンス値を有する、
請求項１〜８のうちのいずれかに記載の共振増幅器。
【請求項１０】
前記第１のキャパシタンスは、前記第１のスイッチの第１の固有キャパシタンスを備え、
前記第２のキャパシタンスは、前記第２のスイッチの第２の固有キャパシタンスを備える、
請求項１〜９のうちのいずれかに記載の共振増幅器。
【請求項１１】
前記第１の固有キャパシタンスは、前記第１のスイッチのドレイン−ソース間のキャパシタンスと、前記第１のスイッチのゲート−ドレイン間のキャパシタンスである、
請求項１０に記載の共振増幅器。
【請求項１２】
前記第１のキャパシタンスは、第３の外部キャパシタンスをさらに備え、
前記第２のキャパシタンスは、第４の外部キャパシタンスをさらに備える、
請求項１〜１１のうちのいずれかに記載の共振増幅器。
【請求項１３】
前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチはそれぞれ電界効果トランジスタを備える、
請求項１〜１２のうちのいずれかに記載の共振増幅器。
【請求項１４】
前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチはそれぞれ、高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）ＨＥＭＴ、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）ＨＥＭＴ、バイポーラ接合型トランジスタ（ＢＪＴ）、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、接合ゲート型電界効果トランジスタ、サイリスタ、金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）（ＭＯＳＦＥＴ）、シリコン（Ｓｉ）（ＭＯＳＦＥＴ）、ダイオード、及び／又はシリコン制御整流器である、
請求項１〜１３のうちのいずれかに記載の共振増幅器。
【請求項１５】
前記第１のスイッチと前記第２のスイッチとの間に結合された負荷をさらに備える、
請求項１〜１４のうちのいずれかに記載の共振増幅器。
【請求項１６】
前記負荷は複数の負荷を備え、
前記電源の出力は、前記複数の負荷の少なくとも一部に結合される、
請求項２〜５及び８のうちのいずれか１つに従属する請求項１５に記載の共振増幅器。
【請求項１７】
前記第１の誘導性出力及び前記第２の誘導性出力に結合された負荷整合回路をさらに備える、
請求項１〜１６のうちのいずれかに記載の共振増幅器。
【請求項１８】
前記負荷整合回路は、少なくとも１つのブロッキングキャパシタにさらに結合される、
請求項１７に記載の共振増幅器。
【請求項１９】
前記負荷整合回路は、少なくとも１つのインダクタ、少なくとも１つのキャパシタ、及び／又は少なくとも１つのトランスを備える、
請求項１７に記載の共振増幅器。
【請求項２０】
負荷に直流出力を提供するように構成された整流回路をさらに備える、
請求項１〜１９のうちのいずれかに記載の共振増幅器。
【請求項２１】
第１のブロッキング入力及び第１のブロッキング出力を有する第１のブロッキングキャパシタであって、前記第１のブロッキング入力が少なくとも前記第１のスイッチに結合されかつ前記第１のブロッキング出力が負荷に結合される、前記第１のブロッキングキャパシタ、及び／又は
第２のブロッキング入力及び第２のブロッキング出力を有する第２のブロッキングキャパシタであって、前記第２のブロッキング入力が少なくとも前記第２のスイッチに結合されかつ前記第２のブロッキング出力が負荷に結合される、前記第２のブロッキングキャパシタを備える、
請求項１〜２０のうちのいずれかに記載の共振増幅器。
【請求項２２】
前記第１のインダクタ及び／又は第２のインダクタはそれぞれトランスを備える、
請求項１〜２１のうちのいずれかに記載の共振増幅器。
【請求項２３】
前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチは１８０度だけ位相がずれて駆動される、
請求項１〜２２のうちのいずれかに記載の共振増幅器。
【請求項２４】
前記共振増幅器は、並列及び／又は直列に接続された複数の共振増幅器のアレイを備える、
請求項１〜２３のうちのいずれかに記載の共振増幅器。
【請求項２５】
前記第１のスイッチは複数の第１のスイッチを備える、
請求項１〜２４のうちのいずれかに記載の共振増幅器。
【請求項２６】
前記複数の第１のスイッチは、前記複数の第１のスイッチを同時にオン及び／又はオフするように構成された共通クロックを共有する、
請求項２５に記載の共振増幅器。
【請求項２７】
前記第２のスイッチは複数の第２のスイッチを備える、
請求項１〜２６のうちのいずれかに記載の共振増幅器。
【請求項２８】
前記複数の第２のスイッチは、前記複数の第２のスイッチを同時にオン及び／又はオフするように構成された共通クロックを共有する、
請求項２７に記載の共振増幅器。
【請求項２９】
前記第１のスイッチは複数の第１のスイッチを備え、
前記第２のスイッチは複数の第２のスイッチを備える、
請求項１〜２８のうちのいずれかに記載の共振増幅器。
【請求項３０】
前記複数の第１のスイッチのうちの複数のスイッチの１つと、前記複数の第２スイッチにおける別のスイッチは時間間隔を共有し、
前記時間間隔の第１の部分において、前記複数の第１のスイッチのうちの複数のスイッチの１つはオン及びオフされるようにゲート制御され、
次いで、前記時間間隔の第２の部分において、前記複数の第２のスイッチにおける別のスイッチがオン及びオフされるようにゲート制御される、
請求項２９に記載の共振増幅器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
トレース９０１Ｅ−Ｆは、スイッチＳ１（ＩＤＳ１  ９０１Ｅ）及びスイッチＳ２（ＩＤＳ２，９０１Ｆ）のそれぞれに流れる電流を示す。トレース９０１Ｇは、実質的に正弦波であるスイッチＳ１とＳ２の合成電圧（ＶＳ１−ＶＳ２）を示す。トレース９０１Ｈは、低域通過整合回路網８５０によるフィルタリング後の結果の出力電圧（Ｖｏｕｔ  ９０１Ｈ）を示す。低域通過整合回路網８５０の後段の対応する出力電流（Ｉｏｕｔ，９０１Ｉ）も示される。時点Ｔ０、Ｔ２、及びＴ４は、最大出力電圧の時間を表す。時間期間（Ｔ２−Ｔ０）は、動作周波数の逆数に等しくなる。例として、１３．５６ＭＨｚの動作周波数の場合、時間期間は７３．７４ｎｓであり、半周期（Ｔ１−Ｔ０）は３６．９ｎｓである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
設計１１００と１１２０の両方には、同じ又は類似の品質係数（Ｑ）の低域通過整合回路網が含まれている。どちらの設計も５０Ωの負荷に１０００Ｗを供給するが、回路１１００のより高い利得では、同じ又は同様の出力電力を実現するためにはるかに低い入力電圧（７３ボルト（Ｖ）対２８９Ｖ）が必要になる場合がある。さらに、回路１１００の効率はより高く（９２％対８５％）、Ｅ級１１２０に比較して、回路１１００の出力信号における最大の高調波は（４１ｄＢ対３０ｄＢで）著しく低い。さらに、回路１１００は、より高い電力密度（両方の設計についてヒートシンクなしで計算される）を有してもよい。Ｅ級回路１１２０と比較した場合、一部には、従来のＥ級１１２０で必要なより大きな値の誘導素子が必要であるためである。より具体的には、回路１１００の最大のインダクタは１８０ｎＨであり、インダクタ１１０７を空芯インダクタとして実装し、ＰＣＢに埋め込むことができる。一方、Ｅ級回路１１２０における最大インダクタは（２０，０００ｎＨで）非常に大きすぎる。図１１はパフォーマンス結果の例を示すが、これらは一例であるため、結果は実施例によって異なる場合がある。