【手続補正書】
【提出日】平成16年5月28日(2004.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空下において密封された電子デバイス（100、101、105、112、200、300、400）であって、
基板（140、540）と、
前記基板（140、540）上に形成されているトランジスタ（120、420）と、
前記トランジスタ（120、420）の少なくとも一部分を覆う誘電体層（150）と、
前記誘電体層（150）の一部分の上に配置されている非蒸発性ゲッタ材料の層（181）と、
前記基板（140、540）の一部分の上に配置されている真空デバイス（130）とからなり、前記非蒸発性ゲッタ材料（181）が、電力パルスによって活性化されることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記真空デバイス（130）がトランジスタ（120、420）に結合されていることを特徴とする１項に記載の電子デバイス。
【請求項３】
さらに第２のトランジスタが含まれることと、この第２のトランジスタ（120、420）が、前記非蒸発性ゲッタ材料の層（181）に結合されていることを特徴とする１項に記載の電子デバイス。
【請求項４】
さらに前記非蒸発性ゲッタ材料の層（181）と熱的に連絡している電気抵抗材料の層（270）が含まれていることを特徴とする１項に記載の電子デバイス。
【請求項５】
さらに基板（140、540）上に配置されている基板温度センサ（104）を含み、この基板温度センサ（104）が基板温度をモニタし、前記非蒸発性ゲッタ材料（181）の加熱時に、前記トランジスタ（120、420）に対する損傷を制限することを特徴とする１項に記載の電子デバイス。
【請求項６】
さらに圧力感応装置（106）を含み、この圧力感応装置（106）が圧力をモニタして、前記非蒸発性ゲッタ材料（181）の再活性化する時を判定することを特徴とする１項に記載の電子デバイス。
【請求項７】
ポンプ駆動デバイス（121）が、電力パルスを発生するためパルス発生器（102）を備え、このポンプ駆動デバイス（121）が、電力パルスを供給して、前記非蒸発性ゲッタ材料（181）を活性化することを特徴とする９項に記載の電子デバイス。
【請求項８】
トランジスタ（120、140）を有する電子デバイス基板（140、540）上に配置されている非蒸発性ゲッタポンプを操作する方法であって、
電子デバイス（100、101、105、112、200、300、400）を第１の圧力になるまで真空排気するステップ（610）と、
前記電子デバイス（100、101、105、112、200、300、400）にエネルギーを印加して、露出表面から粒子を放出させるステップ（612）と、
前記電子デバイス（100、101、105、112、200、300、400）を密封するステップ（622）と、
電力パルスを適用して、非蒸発性ゲッタ材料（181）を活性化温度まで加熱するステップ（618）を含み、前記トランジスタ（120、140）が換算温度に維持されることを特徴とする方法。
【請求項９】
さらに所定の時間が経過した後の、前記非蒸発性ゲッタ材料（181）を再活性化するステップ（710）を含むことを特徴とする８項に記載の方法。
【請求項１０】
さらに基準温度を選択するステップ（712）と、
基板温度を測定するステップ（722）と、
前記基準温度と前記基板温度を比較して、前記基板温度が、第１の所定の要素だけ前記基準温度を下回るか否かを判定するステップ（724、824）と、下回る場合には、
第１の所定の幅及び第１の所定の繰り返し率を有する電力パルスを加えて（726、828）、前記非蒸発性ゲッタ材料（181）を活性化温度になるまで加熱するステップが含まれることを特徴とする８項に記載の方法。
【請求項１１】
さらに前記基板（140、540）上の圧力センサ（106）を利用して、前記電子デバイス（100、101、105、112、200、300、400）内の圧力を測定するステップ（716）と、
前記基準温度と前記基板温度を比較して、前記基板温度が、前記第１の所定の要素未満の第２の所定の要素だけ前記基準温度を下回るか否かを判定するステップ（826）と、下回る場合には、
前記第１の所定の幅未満の第２の所定の幅と、前記第１の所定の繰り返し率を超える第２の所定の繰り返し率を有する電力パルスを加えて（830）、前記非蒸発性ゲッタ材料（181）を活性化温度になるまで加熱するステップが含まれることを特徴とする１０項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
導電層160によって、トランジスタ120及び他のロジカルデバイスから真空デバイス130へ、及びボンドパッド164からNEGポンプ180及び真空デバイス130への信号が経路指定される。一般に「ダイレクトドライブ（直接駆動）」と呼ばれるこの実施態様の場合、導電層160によって、ボンドパッド164と第１オーバラップ領域163及び第２オーバラップ領域165との間が電気的に接続される。望ましい実施態様の場合、導電層160は、アルミニウム、銅又は金から構成することが可能であるが、アルミニウムから構成することが好ましい。さらに導電層160の形成に利用される金属に、銅及び／又はシリコンを含む他の材料をドープしあるいは組み合わせることが可能である。一般に導電層160は、約200 nm〜700 nm（約2000〜7000オングストローム)（約500nm（約5000オングストローム）であることが好ましい）の均一な厚みを備え、従来のスパッタリングまたは蒸着技法を利用して付着される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図６は、図１Ａ〜１Ｄに示すNEGポンプ180を起動、活性化するための方法の流れ図を示す。ステップ610では、80℃未満の温度の真空室内に電子デバイス100が配置され、この電子デバイスは13Pa（0.1Torr）未満の圧力まで真空排気される。ステップ612では、熱エネルギが利用される場合、真空室又はチャンバの温度が、好ましくは100℃を超える温度まで上昇させられる。当業者には明らかなように、他のエネルギ源を利用して、電子デバイス100の露出表面から、吸着又は吸収された材料を脱着、放出させることが可能である。例えば、フォトン（特にスペクトルの紫外領域におけるフォトン）あるいは、電子、イオン又は他の荷電粒子を利用することも可能である。100℃を超える温度では、水のような吸着物質は、電子デバイス100の露出表面からより容易に放出される。100℃未満の温度を利用することも可能であるが、しかしながら所望の圧力を得るのに必要な時間は、一般に室温に近づくにつれて、甚だしく長くなる。温度が高くなるほど、吸着物質の放出はより迅速に生じることになる。したがって望ましい条件は、利用される特定の真空室によって左右される。各ポンプダウン又は真空排気毎の真空室内のデバイスの数、ポンプダウン時間、加熱速度に対する制御の度合いは、実験に基づいて決定される必要があるほんのわずかなパラメータでしかない。最適な条件は、妥当な時間内に所望の定常状態圧力が得られるように、時間、ポンピング速度及び温度をバランス、比較考量することによって得られる。ポンピング速度及び／または温度が上昇するほど、定常状態に達する時間が短縮される。