【手続補正書】
【提出日】平成17年8月5日(2005.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された絶縁膜と、
該絶縁膜の上に形成された比誘電率が３．０以下の第１の誘電体膜と、
該第１の誘電体膜中に前記絶縁膜に接する配線層とを有し、
前記配線層の上面が前記第１の誘電体膜の上面よりも高く形成されている、
半導体装置。
【請求項２】
前記配線層および前記第１の誘電体膜上に、比誘電率が３．０以下の第２の誘電体膜を積層してなる、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
配線パターンに対して少なくとも３倍ピッチ以上の配線間隔部分の前記第１の誘電体膜中に、ダミーの配線を有する、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板上に形成された絶縁膜と、
該絶縁膜の上にキセロゲルを含有する膜と、
該キセロゲルを含有する膜中に前記絶縁膜に接する配線層とを有する、
半導体装置。
【請求項５】
前記キセロゲルを含有する膜は、配線パターンに対して少なくとも３倍ピッチ以下の配線間隔部分の前記絶縁膜の上に形成されている、
請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体基板上に形成された絶縁膜と、
該第１の絶縁膜上に、比誘電率が３．０以下の第１の誘電体膜と、
該誘電体膜上に、キセロゲルを含有する膜と、
該キセロゲルを含有する膜上に、比誘電率が３．０以下の第２の誘電体膜と、
前記キセロゲルを含有する膜中に前記絶縁膜に接する配線層を有する、
半導体装置。
【請求項７】
前記比誘電率が３．０以下の第２の誘電体膜中に、配線間を接続するための接続孔を有する、
請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記配線層の上面が前記誘電体膜の上面よりも高く形成されている、
請求項４あるいは６に記載の半導体装置。
【請求項９】
配線パターンに対して、少なくとも３倍ピッチ以上の配線間隔部分の前記キセロゲルを含有する膜中に、ダミーの配線を有する、
請求項４あるいは６に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記ダミーの配線は、少なくとも３倍ピッチ以上の配線間隔の部分に、全ての配線間隔が１ミクロン以下になるように形成されている、
請求項３あるいは９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記ダミーの配線の下の絶縁膜中で、且つ、下層導電層と接続していないダミーの接続孔を有する、
請求項３あるいは９に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記キセロゲルを含有する膜上又は下に、シランカップリング剤を含有する膜を有する、
請求項４あるいは６に記載の半導体装置。
【請求項１３】
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜の上に比誘電率が３．０以下の誘電体膜を形成する工程と、
該誘電体膜の上に無機膜を形成する工程と、
前記無機膜上に配線層を形成するためのパターンを形成する工程と、
前記配線層を全面に形成する工程と、
前記配線層を研磨する工程と、
前記無機膜を除去する工程とを有する、
半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜の上に比誘電率が３．０以下の誘電体膜を形成する工程と、
該誘電体膜の上に無機膜を形成する工程と、
前記無機膜上に配線層を形成するためのパターンを形成する工程と、
前記配線層を全面に形成する工程と、
前記配線層を研磨する工程と、
前記無機膜を除去する工程と、
配線パターンに対して、少なくとも３倍ピッチ以上の配線間隔部分の前記誘電体膜中に、ダミーの配線を形成する工程とを有する、
半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜の上に比誘電率が３．０以下の誘電体膜を形成する工程と、
該誘電体膜の上に無機膜を形成する工程と、
前記無機膜上に、配線層およびダミーの配線層を形成するためのパターンを形成する工程と、
前記配線層および前記ダミーの配線層を全面に形成する工程と、
前記配線層を研磨する工程と、
前記無機膜を除去する工程とを有する、
半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜の上に比誘電率が３．０以下の誘電体膜を形成する工程と、
該誘電体膜の上に無機膜を形成する工程と、
前記無機膜上に、配線層およびダミーの配線層を形成するためのパターンを形成する工程と、
前記配線層および前記ダミーの配線層を全面に形成する工程と、
前記配線層を研磨する工程と、
前記無機膜を除去する工程とを有する、
前記絶縁膜中に上層配線と下層導電層を接続するための接続孔、及び前記ダミーの配線の下の絶縁膜中に下層導電層と接続していないダミーの接続孔を形成する工程を有する、
半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記無機膜上に、配線層およびダミーの配線層を形成するためのパターンを形成する工程は、配線パターン、および配線パターンに対して、少なくとも３倍ピッチ以上の配線間隔部分に前記ダミーの配線を形成するためのパターンを同時に形成する工程である、
請求項１６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜の上に比誘電率が３．０以下の誘電体膜を形成する工程と、
該誘電体膜の上にキセロゲルを含有する膜を形成する工程と、
前記キセロゲルを含有する膜上に無機膜を形成する工程と、
前記無機膜上に、配線層を形成するためのパターンを形成する工程と、
前記配線層を形成する工程と、
前記配線層を研磨する工程と、
前記無機膜を除去する工程とを有する、
半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記誘電体膜上にキセロゲルを含有する膜を形成する工程は、
前記誘電体膜上に、前記配線パターンに対して、少なくとも３倍ピッチ以下の配線間隔部分に、前記キセロゲルを含有する膜を形成する工程である、
請求項１８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜の上に比誘電率が３．０以下の誘電体膜を形成する工程と、
該誘電体膜の上にキセロゲルを含有する膜を形成する工程と、
前記キセロゲルを含有する膜上に無機膜を形成する工程と、
前記無機膜上に、配線層およびダミーの配線を形成するためのパターンを形成する工程と、
前記配線層およびダミーの配線層を全面に形成する工程と、
前記配線層およびダミーの配線層を研磨する工程と、
前記無機膜を除去する工程とを有する、
半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
該絶縁膜の上に比誘電率が３．０以下の誘電体膜を形成する工程と、
該誘電体膜の上にキセロゲルを含有する膜を形成する工程と、
前記キセロゲルを含有する膜上に無機膜を形成する工程と、
前記無機膜上に、配線層およびダミーの配線を形成するためのパターンを形成する工程と、
前記配線層およびダミーの配線層を全面に形成する工程と、
前記配線層およびダミーの配線層を研磨する工程と、
前記無機膜を除去する工程と、および、
前記絶縁膜中に上層配線と下層導電層を接続するためのビアコンタクト、及び前記ダミーの配線の下の絶縁膜中に下層導電層と接続していないダミーのビアコンタクトを形成する工程とを有する、
半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記無機膜上に、配線層およびダミーの配線を形成するためのパターンを形成する工程は、前記無機膜上に、配線パターン、および前記配線パターンに対して、少なくとも３倍ピッチ以下の配線間隔部分の前記キセロゲルを含有する膜中に、配線層およびダミーの配線を形成するためのパターンを同時に形成する工程である、
請求項２０あるいは２１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
前記誘電体膜上にキセロゲルを含有する膜を形成する工程は、
前記配線パターンに対して、少なくとも３倍ピッチ以下の配線間隔部分に、前記キセロゲルを含有する膜を形成する工程である、
請求項２０あるいは２１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
前記キセロゲルを含有する膜を形成する工程の前あるいは後に、シランカップリング剤を含有する層を形成する工程をさらに有する、
請求項１８，２０あるいは２１に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
前記本発明の半導体装置及びその製造方法において、前記誘電体膜は、好ましくは、環状フッ素樹脂、ポリ四フッ化エチレン、ポリフッ化エチレンプロピレン、四フッ化エチレン−パーフロロアルコキシエチレン共重合体、ポリフッ化ビニリデン、ポリ三フッ化塩化エチレン、フッ化アリールエーテル樹脂、フッ化ポリイミド、ベンゾシクロブテンポリマー（ＢＣＢ）、ポリイミド、アモルファスカーボン、モノメチルトリヒドロキシシラン縮合物（有機ＳＯＧ）、分子中に化１、
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【化１】
1999307633.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
で表される繰り返し単位構造を有す高分子、分子中に化２、
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【化２】
1999307633.tif 000002
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
で表される繰り返し単位構造を有する高分子、分子中に化３、
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【化３】
1999307633.tif 000003
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
で表される繰り返し単位構造を有する高分子、または分子中に化４、
【化４】
1999307633.tif 000004