【手続補正書】
【提出日】平成16年10月4日(2004.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体発光素子の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の平均転位密度を有する結晶からなる第１の領域中に上記第１の平均転位密度より高い第２の平均転位密度を有する複数の第２の領域が規則的に配列している窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の主面上に発光素子構造を形成する窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させることにより半導体発光素子を製造するようにした半導体発光素子の製造方法であって、
上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の主面上で上記第２の領域と直接接触しないようにした
ことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる前に上記第２の領域を上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の主面から少なくとも一部除去しておくようにした
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる前に上記第２の領域を上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の主面から所定の深さまで除去しておくようにした
ことを特徴とする請求項２記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
上記所定の深さは１μｍ以上である
ことを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
上記所定の深さは１０μｍ以上である
ことを特徴とする請求項３記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる前に上記第２の領域を全部除去しておくようにした
ことを特徴とする請求項２記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
エッチングにより上記第２の領域を除去するようにした
ことを特徴とする請求項２記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
上記エッチングはウエットエッチングである
ことを特徴とする請求項７記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
上記エッチングはドライエッチングである
ことを特徴とする請求項７記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
上記エッチングは熱化学エッチングである
ことを特徴とする請求項７記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】
上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる前に上記第２の領域の表面を被覆層で覆っておくようにした
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】
上記第２の領域が上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の主面から所定の深さまで除去されている
ことを特徴とする請求項１１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１３】
上記第２の領域が除去された部分が上記被覆層により埋められている
ことを特徴とする請求項１２記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】
上記被覆層の表面は上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の主面より高い位置にある
ことを特徴とする請求項１１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１５】
上記被覆層の表面は上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の主面と一致している
ことを特徴とする請求項１１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１６】
上記複数の第２の領域は周期的に配列している
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１７】
上記複数の第２の領域は六方格子状に周期的に配列している
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１８】
上記複数の第２の領域は長方形格子状に周期的に配列している
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１９】
上記複数の第２の領域は正方格子状に周期的に配列している
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２０】
互いに隣接する二つの上記第２の領域の間隔は２０μｍ以上である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２１】
互いに隣接する二つの上記第２の領域の間隔は５０μｍ以上である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２２】
互いに隣接する二つの上記第２の領域の間隔は１００μｍ以上である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２３】
上記第２の領域の配列周期は２０μｍ以上である
ことを特徴とする請求項１６記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２４】
上記第２の領域の配列周期は５０μｍ以上である
ことを特徴とする請求項１６記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２５】
上記第２の領域の配列周期は１００μｍ以上である
ことを特徴とする請求項１６記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２６】
上記第２の領域は不定多角柱状の形状を有する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２７】
上記第１の領域と上記第２の領域との間に上記第１の平均転位密度より高く、かつ上記第２の平均転位密度より低い第３の平均転位密度を有する第３の領域が設けられている
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２８】
上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層が上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の主面上で上記第２の領域および上記第３の領域と直接接触しないようにした
ことを特徴とする請求項２７記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項２９】
上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層を成長させる前に上記第２の領域および上記第３の領域を上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板の主面から少なくとも一部除去しておくようにした
ことを特徴とする請求項２８記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項３０】
上記第２の領域の直径は１０μｍ以上１００μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項３１】
上記第２の領域の直径は２０μｍ以上５０μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項３２】
上記第３の領域の直径は上記第２の領域の直径より２０μｍ以上２００μｍ以下大きい
ことを特徴とする請求項２７記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項３３】
上記第３の領域の直径は上記第２の領域の直径より４０μｍ以上１６０μｍ以下大きい
ことを特徴とする請求項２７記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項３４】
上記第３の領域の直径は上記第２の領域の直径より６０μｍ以上１４０μｍ以下大きい
ことを特徴とする請求項２７記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項３５】
上記第２の領域の平均転位密度は上記第１の領域の平均転位密度の５倍以上である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項３６】
上記第２の領域の平均転位密度は１×１０8 ｃｍ-2以上である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項３７】
上記第１の領域の平均転位密度は２×１０6 ｃｍ-2以下、上記第２の領域の平均転位密度は１×１０8 ｃｍ-2以上である
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項３８】
上記第１の領域の平均転位密度は２×１０6 ｃｍ-2以下、上記第２の領域の平均転位密度は１×１０8 ｃｍ-2以上、上記第３の領域の平均転位密度は１×１０8 ｃｍ-2より小さく、２×１０6 ｃｍ-2より大きい
ことを特徴とする請求項２７記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項３９】
上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板はＡｌX Ｂy Ｇａ1-x-y-z Ｉｎz Ａｓu Ｎ1-u-v Ｐv （ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、０≦ｕ≦１、０≦ｖ≦１、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜１、０≦ｕ＋ｖ＜１）からなる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項４０】
上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板はＡｌX Ｂy Ｇａ1-x-y-z Ｉｎz Ｎ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ＜１）からなる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項４１】
上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板はＡｌX Ｇａ1-x-z Ｉｎz Ｎ（ただし、０≦ｘ≦１、０≦ｚ≦１）からなる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項４２】
上記窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体基板はＧａＮからなる
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項４３】
上記半導体発光素子は半導体レーザである
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項４４】
上記半導体発光素子は発光ダイオードである
ことを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体発光素子の製造方法に関し、例えば、窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を用いた半導体レーザや発光ダイオードあるいは電子走行素子の製造に適用して好適なものである。