【手続補正書】
【提出日】令和3年9月3日(2021.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を処理するための装置であって、
（ａ）前記半導体基板を保持するための台座を備える少なくとも１つのプロセスチャンバと、
（ｂ）真空に結合するための少なくとも１つの出口と、
（ｃ）１つ以上のプロセスガス源に結合されている１つ以上のプロセスガス入口と、
（ｄ）前記装置の動作を制御するためのコントローラであって、
（ｉ）ケイ素含有前駆体および酸化剤を導入して、前記半導体基板上のフィーチャを充填するには不十分な期間、前記半導体基板上に第１の量の酸化シリコンを堆積させ、前記フィーチャはフィーチャ開口部および側壁トポグラフィを有し、前記側壁トポグラフィは前記フィーチャの前記側壁にスタブを有し、
（ｉｉ）前記第１の量の前記酸化シリコンの少なくとも一部をエッチングする期間、前記少なくとも１つのプロセスチャンバにエッチング剤を導入し、
（ｉｉｉ）前記少なくとも１つのプロセスチャンバに前記エッチング剤を導入した後、前記ケイ素含有前駆体および前記酸化剤を導入して、前記エッチングされた第１の量の前記酸化シリコン上に第２の量の酸化シリコンを堆積させるための機械が読み取り可能な命令を含むコントローラと
を備える、装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記コントローラは、（ｉｉｉ）の前記期間を（ｉ）の前記期間よりも長くするための機械が読み取り可能な命令をさらに含む、装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置であって、
前記コントローラは、真空を破ることなく（ｉ）および（ｉｉ）を実施させるための機械が読み取り可能な命令をさらに含む、装置。
【請求項４】
請求項１に記載の装置はさらに、
プラズマを発生させるためのプラズマ発生器を備える、装置。
【請求項５】
請求項１に記載の装置であって、
前記コントローラは、前記酸化剤が導入されるときにプラズマを発生させるための命令をさらに備える、装置。
【請求項６】
半導体基板を処理するための装置であって、
（ａ）前記半導体基板を保持するための台座を備える少なくとも１つのプロセスチャンバと、
（ｂ）真空に結合するための少なくとも１つの出口と、
（ｃ）１つ以上のプロセスガス源に結合されている１つ以上のプロセスガス入口と、
（ｄ）前記装置の動作を制御するためのコントローラであって、
（ｉ）堆積前駆体および反応剤を導入して、前記半導体基板上のフィーチャを充填するには不十分な期間、第１の量の材料を堆積させ、
（ｉｉ）エッチング剤を導入して前記フィーチャ内の前記第１の量の前記材料の少なくとも一部をエッチングし、
（ｉｉｉ）前記エッチング剤を導入した後、前記堆積前駆体および前記反応剤を導入して、前記エッチングされた第１の量の前記材料上に第２の量の前記材料を堆積させるための機械が読み取り可能な命令を含むコントローラと
を備え、
前記材料は、炭化シリコン、窒化シリコン、シリコン、タングステン、ルテニウム、銅、コバルト、およびモリブデンのいずれか１つである、
装置。
【請求項７】
請求項６に記載の装置であって、
前記コントローラは、（ｉｉｉ）の前記期間を（ｉ）の前記期間よりも長くするための命令をさらに含む、装置。
【請求項８】
請求項６に記載の装置であって、
前記コントローラは、真空を破ることなく（ｉ）および（ｉｉ）を実施させるための機械が読み取り可能な命令をさらに含む、装置。
【請求項９】
請求項６に記載の装置はさらに、
プラズマを発生させるためのプラズマ発生器を備える、装置。
【請求項１０】
請求項６に記載の装置であって、
前記コントローラは、前記反応剤が導入されるときにプラズマを発生させるための命令をさらに含む、装置。
【請求項１１】
半導体基板を処理するための装置であって、
（ａ）前記半導体基板を保持するための台座を備える少なくとも１つのプロセスチャンバと、
（ｂ）真空に結合するための少なくとも１つの出口と、
（ｃ）１つ以上のプロセスガス源に結合されている１つ以上のプロセスガス入口と、
（ｄ）前記装置の動作を制御するためのコントローラであって、
（ｉ）ケイ素含有前駆体および酸化剤を導入して、前記半導体基板上のフィーチャを充填するには不十分な期間、前記半導体基板上に第１の量の酸化シリコンを堆積させ、前記フィーチャはフィーチャ開口部および側壁トポグラフィを有し、前記側壁トポグラフィは前記フィーチャの前記側壁にスタブを有し、
（ｉｉ）過剰堆積部を形成する犠牲ヘルメットを前記半導体基板のフィールド表面上に堆積させるための１つ以上のプロセスガスを導入し、
（ｉｉｉ）前記第１の量の前記酸化シリコンの少なくとも一部をエッチングする期間、前記少なくとも１つのプロセスチャンバにエッチング剤を導入し、
（ｉｖ）前記少なくとも１つのプロセスチャンバに前記エッチング剤を導入した後、前記ケイ素含有前駆体および前記酸化剤を導入して、前記エッチングされた第１の量の前記酸化シリコン上に第２の量の酸化シリコンを堆積させるための機械が読み取り可能な命令を含むコントローラと
を備える、装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の装置であって、
前記コントローラは、（ｉｉ）の間に第２のケイ素含有前駆体および窒素含有反応剤を供給させて前記犠牲ヘルメットを堆積させるための命令を含み、前記犠牲ヘルメットは窒化シリコンを含む、装置。
【請求項１３】
半導体基板を処理するための装置であって、
（ａ）前記半導体基板を保持するための台座を備える少なくとも１つのプロセスチャンバと、
（ｂ）真空に結合するための少なくとも１つの出口と、
（ｃ）１つ以上のプロセスガス源に結合されている１つ以上のプロセスガス入口と、
（ｄ）前記装置の動作を制御するためのコントローラであって、
（ｉ）第１の材料を堆積させるための第１のセットの堆積前駆体を導入して、前記半導体基板上のフィーチャを充填するには不十分な期間、前記半導体基板上に第１の量の前記第１の材料を堆積させ、
（ｉｉ）過剰堆積部を形成する犠牲ヘルメットを前記半導体基板のフィールド表面上に堆積させるための１つ以上のプロセスガスを導入し、前記犠牲ヘルメットは第２の材料を含み、
（ｉｉｉ）前記第１の量の前記第１の材料の少なくとも一部をエッチングする期間、前記少なくとも１つのプロセスチャンバにエッチング剤を導入し、
（ｉｖ）前記少なくとも１つのプロセスチャンバに前記エッチング剤を導入した後、第１のセットの堆積前駆体を導入して、前記エッチングされた第１の量の前記第１の材料上に第２の量の前記第１の材料を堆積させるための機械が読み取り可能な命令を含むコントローラと
を備える、装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載の装置であって、
前記第１の材料は前記第２の材料とは異なる、装置。
【請求項１５】
請求項１３に記載の装置であって、
前記第１の材料は前記第２の材料と組成的に同じである、装置。
【請求項１６】
基板上のフィーチャを充填する方法であって、
前記フィーチャを備える前記基板をプロセスチャンバに供給し、前記フィーチャはフィーチャ開口部および側壁を備え、前記側壁は、前記側壁の表面のスタブおよび前記スタブ間の領域を含む側壁トポグラフィを有し、
前記側壁トポグラフィを有する第１の量の材料を形成するため、前駆体および第２の反応剤を使用して、前記フィーチャを充填するには不十分な期間、前記第１の量の前記材料を前記側壁トポグラフィ上の前記フィーチャ内に共形的に堆積させ、
前記第１の量の前記材料の前記側壁トポグラフィを平滑化し、エッチングされた第１の量の前記材料を形成するため、エッチング剤に前記第１の量の前記材料を曝露して前記第１の量の前記材料の一部をエッチングし、
前記第１の量の前記材料をエッチングした後、前記エッチングされた第１の量の前記材料上に第２の量の前記材料を堆積させ、
前記材料は、炭化シリコン、窒化シリコン、シリコン、酸化シリコン、タングステン、ルテニウム、銅、コバルト、およびモリブデンからなる群から選択されること
を備える、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、
前記第１の量の前記材料を堆積させる前の前記表面の前記スタブは、前記側壁の平面に垂直な２０Åから３００Åの寸法を有する、方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の方法であって、
前記第１の量の前記材料を前記フィーチャ内に堆積させるには不十分な前記期間は、前記基板のフィールド表面上に材料の過剰堆積部を形成する、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、
前記エッチング剤に前記第１の量の前記材料を曝露することは、前記フィーチャの内部よりも前記フィーチャ開口部の前記スタブ間の領域またはその付近で前記第１の量の前記材料の前記一部を優先的にエッチングすることを含む、方法。
【請求項２０】
請求項１６に記載の方法であって、
前記第２の量の前記材料は、プラズマ強化化学気相堆積によって堆積される、方法。
【請求項２１】
請求項２０に記載の方法はさらに、
前記第２の量の前記材料を堆積させた後、前記エッチング剤に前記第１の量の前記材料を曝露するために使用される前記期間よりも長い期間、前記エッチング剤に前記第２の量の前記材料を曝露することを備える、方法。
【請求項２２】
請求項１６に記載の方法であって、
前記フィーチャの前記側壁は、スタックに積層された２つ以上の材料を含む、方法。
【請求項２３】
請求項１６に記載の方法であって、
前記第１の量の前記材料の前記堆積および前記エッチング剤への前記第１の量の前記材料の前記曝露は、真空を破ることなく実施される、方法。
【請求項２４】
請求項１６に記載の方法であって、
前記エッチング剤への前記第１の量の前記材料の前記曝露および前記第２の量の前記材料の前記堆積は、真空を破ることなく実施される、方法。
【請求項２５】
請求項１６に記載の方法であって、
前記第１の量の前記材料は、原子層堆積の１つ以上のサイクルによって堆積され、原子層堆積の各サイクルは、前記第２の反応剤と前記前駆体の交互のパルスを含む、方法。
【請求項２６】
請求項２５に記載の方法であって、
プラズマは、前記第２の反応剤のパルス中に点火される、方法。
【請求項２７】
請求項１６に記載の方法であって、
前記エッチング剤は、三フッ化窒素、フルオロホルム（ＣＨＦ3）、オクタフルオロシクロブタン（Ｃ4Ｆ8）、テトラフルオロメタン（ＣＦ4）、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、方法。
【請求項２８】
請求項１６に記載の方法であって、
前記フィーチャは、少なくとも６：１のアスペクト比を有する、方法。
【請求項２９】
基板上のフィーチャを充填する方法であって、
前記フィーチャを備える前記基板をプロセスチャンバに供給し、前記フィーチャはフィーチャ開口部および側壁を備え、前記側壁は、前記側壁の表面のスタブおよび前記スタブ間の領域を含む側壁トポグラフィを有し、
前記側壁トポグラフィを有する第１の量の材料を形成するため、ケイ素含有前駆体および酸化剤を使用して、前記フィーチャを充填するには不十分な期間、前記第１の量の前記材料を前記側壁トポグラフィ上の前記フィーチャ内に共形的に堆積させ、
前記第１の量の材料を堆積させた後、かつエッチング剤に前記第１の量の材料を曝露する前に、過剰堆積部を形成する犠牲ヘルメットを前記基板のフィールド表面上に堆積させ、
前記第１の量の前記材料の前記側壁トポグラフィを平滑化し、エッチングされた第１の量の前記材料を形成するため、前記エッチング剤に前記基板を曝露して前記第１の量の前記材料の一部をエッチングし、
前記第１の量の前記材料をエッチングした後、前記エッチングされた第１の量の前記材料上に第２の量の前記酸化物を堆積させて前記フィーチャを少なくとも部分的に充填し、
前記材料は、炭化シリコン、窒化シリコン、シリコン、酸化シリコン、タングステン、ルテニウム、銅、コバルト、およびモリブデンからなる群から選択されること
を備える、方法。
【請求項３０】
請求項２９に記載の方法であって、
犠牲ヘルメットは、プラズマ強化化学気相堆積によって堆積される、方法。
【請求項３１】
請求項２９に記載の方法であって、
前記犠牲ヘルメットは、前記フィーチャ内に堆積される前記材料とは別の材料を含む、方法。
【請求項３２】
請求項２９に記載の方法はさらに、
前記第２の量の前記材料を堆積させた後、前記エッチング剤に前記第１の量の前記材料を曝露するために使用される前記期間よりも短い期間、前記エッチング剤に前記第２の量の前記材料を曝露することを備える、方法。
【請求項３３】
請求項２９に記載の方法であって、
前記フィーチャは、少なくとも１５：１のアスペクト比を有する、方法。