【手続補正書】
【提出日】令和2年12月15日(2020.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積デバイスであって、
複数の導波路と、
格子領域を有する格子カプラと、
前記格子カプラと光学的に結合するように構成された複数の出力導波路であって、前記格子領域の側面に配置されるとともに異なる幅を有する前記複数の出力導波路と、
複数の光スプリッタと、を備え、
前記複数の光スプリッタのうちの少なくとも１つは、前記複数の出力導波路のうちの１つと前記複数の導波路のうちの少なくとも２つとの間に位置している、集積デバイス。
【請求項２】
前記複数の出力導波路の各々は、前記格子領域の前記側面にて前記格子領域に結合されている、請求項１に記載の集積デバイス。
【請求項３】
前記格子領域は、前記集積デバイスの表面に対して実質的に平面方向に配向された複数の格子を含む、請求項１または２に記載の集積デバイス。
【請求項４】
前記複数の出力導波路は、第１の出力導波路および第２の出力導波路を含み、前記第１の出力導波路は、前記第２の出力導波路よりも前記格子領域の前記側面の中心に近接して位置しており、前記格子領域の前記側面において前記第２の出力導波路よりも小さな幅を有している、請求項１または２に記載の集積デバイス。
【請求項５】
前記複数の出力導波路は、第１の出力導波路および第２の出力導波路を含み、前記第１の出力導波路は、前記第２の出力導波路よりも前記格子領域の前記側面の中心に近接して位置しており、前記格子カプラの前記側面において前記第２の出力導波路よりも小さな幅を有している、請求項１または２に記載の集積デバイス。
【請求項６】
前記第２の出力導波路と前記複数の導波路のうちの１つとの間に光学的に結合される光スプリッタの数は、前記第１の出力導波路と前記複数の導波路のうちの別の１つとの間に光学的に結合される光スプリッタの数よりも多い、請求項５に記載の集積デバイス。
【請求項７】
前記複数の出力導波路および前記複数の光スプリッタは前記格子領域から放射状に分布している、請求項１または２に記載の集積デバイス。
【請求項８】
前記複数の導波路の各々は、前記格子領域内の格子に対して実質的に垂直に配置されている、請求項１または２に記載の集積デバイス。
【請求項９】
前記複数の光スプリッタのうちの少なくとも１つは、前記格子カプラから１ｍｍ未満の位置に配置されている、請求項１または２に記載の集積デバイス。
【請求項１０】
前記複数の導波路の各々は、前記複数の導波路のうちの１つに沿った光伝播方向に対して垂直な方向に、遠位位置よりも前記格子カプラに近接した位置でより小さくなるテーパ寸法を有している、請求項１または２に記載の集積デバイス。
【請求項１１】
前記複数の導波路の各々は、複数の試料ウェルと光学的に結合するように配置されている、請求項１または２に記載の集積デバイス。
【請求項１２】
前記複数の導波路のうちの少なくとも１つは、前記複数の試料ウェルのうちの少なくとも１つの試料ウェルと重なる位置において第１の厚さを有するとともに、前記少なくとも１つの試料ウェルと重ならない位置において第２の厚さを有し、前記第１の厚さは前記第２の厚さよりも大きい、請求項１１に記載の集積デバイス。
【請求項１３】
前記複数の試料ウェルのうちの少なくとも１つの試料ウェルの表面は、前記複数の導波路のうちの第１の導波路の表面と接している、請求項１１または１２に記載の集積デバイス。
【請求項１４】
前記複数の導波路のうちの少なくとも１つはマルチモード導波路であり、前記マルチモード導波路は、当該マルチモード導波路に沿った複数の光モードの伝播をサポートするように構成されている、請求項１１または１２に記載の集積デバイス。
【請求項１５】
前記複数の試料ウェルのうちの少なくとも１つと重なる第１の領域では、当該第１の領域とは別の第２の領域よりも前記マルチモード導波路に沿ったパワー分布が広い、請求項１４に記載の集積デバイス。
【請求項１６】
前記複数の導波路の各々は、前記複数の試料ウェルのうちの少なくとも１つの試料ウェルと光学的に結合する前記複数の導波路のうちの１つから延びるエバネッセント場を有する励起エネルギーの伝播をサポートするように構成されている、請求項１１または１２に記載の集積デバイス。
【請求項１７】
前記複数の試料ウェルのうちの少なくとも１つの試料ウェルは、当該少なくとも１つの試料ウェルの側壁の少なくとも一部に形成された側壁スペーサを含む、請求項１１または１２に記載の集積デバイス。
【請求項１８】
前記集積デバイスは少なくとも１つの金属層をさらに含み、前記複数の試料ウェルのうちの少なくとも１つの表面は前記少なくとも１つの金属層から凹んでいる、請求項１１または１２に記載の集積デバイス。
【請求項１９】
前記集積デバイスは、前記複数の試料ウェルのうちの１つから光を受け取るように構成されたセンサをさらに備えている、請求項１１または１２に記載の集積デバイス。
【請求項２０】
１つの試料ウェルと前記センサとの間の距離は１０μｍ未満である、請求項１９に記載の集積デバイス。
【請求項２１】
前記集積デバイスは、前記集積デバイスの表面上に形成された金属層をさらに備えており、前記金属層は、前記複数の試料ウェルのうちの１つのアパーチャと重なる開口部を有している、請求項１１または１２に記載の集積デバイス。
【請求項２２】
前記複数の導波路のうちの第１の導波路は、前記複数の試料ウェルのうちの第１の試料ウェルのセットの一部と光学的に結合するように構成されており、
前記複数の導波路のうちの第２の導波路は、前記複数の試料ウェルのうちの第２の試料ウェルのセットの一部と光学的に結合するように構成されており、
前記複数の光スプリッタのうちの１つが前記第１の試料ウェルのセットと前記第２の試料ウェルのセットとの間に配置されるとともに、前記第１および第２の導波路のうちの少なくとも１つに光学的に結合するように構成されている、請求項１１または１２に記載の集積デバイス。
【請求項２３】
前記集積デバイスは、前記格子カプラを通過する励起エネルギーを受け取るように配置された１つまたは複数の光検出器をさらに備えている、請求項１または２に記載の集積デバイス。
【請求項２４】
前記集積デバイスは、前記格子カプラに近接した領域を通過する励起エネルギーを受け取るように配置された１つまたは複数の光検出器をさらに備えている、請求項１または２に記載の集積デバイス。
【請求項２５】
集積デバイスを形成する方法であって、
複数の導波路を形成すること、
格子領域を有する格子カプラを形成すること、
前記格子カプラと光学的に結合するように構成された複数の出力導波路を形成することであって、前記格子領域の側面に配置されるとともに異なる幅を有する前記複数の出力導波路を形成すること、
複数の光スプリッタを形成すること、を備え、
前記複数の光スプリッタのうちの少なくとも１つは、前記複数の出力導波路のうちの１つと前記複数の導波路のうちの少なくとも２つとの間に位置している、方法。
【請求項２６】
前記複数の出力導波路を形成することは、第１の出力導波路と第２の出力導波路を形成することを含み、前記第１の出力導波路は、前記第２の出力導波路よりも前記格子領域の側面の縁に近接しており、前記第２の出力導波路よりも小さな幅を有している、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記複数の光スプリッタを形成することは、前記第２の出力導波路と前記複数の導波路のうちの１つとの間に、前記第１の出力導波路と前記複数の導波路のうちの別の１つとの間の光スプリッタの数よりも多い数の光スプリッタを形成することをさらに含む、請求項２６に記載の方法。