(57)【要約】  【課題】  大型の基板であっても撓みが少なく確実に基板を吸着して搬送できる剛性の優れた吸着搬送部材およびこれを用いた基板搬送装置ならびにこの基板搬送装置を用いた基板処理装置または基板検査装置を提供する。  【解決手段】  先端側が二股に分岐した板状体７の各先端部に基板８を吸着する第１の吸着部３（１）を備えるとともに、第１の吸着部３（１）と連通する吸引路４を内設してなる吸着搬送部材１において、板状体７は酸化アルミニウムの含有量が99.5質量％以上のセラミックスからなり、このセラミックスは、酸化カルシウム，酸化珪素および酸化マグネシウムを含み、酸化カルシウム，酸化珪素および酸化マグネシウムの合計100質量％に対して、酸化カルシウムおよび酸化珪素の含有量はそれぞれ20質量％以上37.5質量％以下であって残部が酸化マグネシウムであるとともに、酸化アルミニウムの平均結晶粒径が2.5μｍ以下である吸着搬送部材１である。【選択図】  図１
2010135744.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
先端側が二股に分岐した板状体の各先端部に基板を吸着する第１の吸着部を備えるとともに、該第１の吸着部と連通する吸引路を内設してなる吸着搬送部材において、前記板状体は酸化アルミニウムの含有量が９９．５質量％以上のセラミックスからなり、該セラミックスは、酸化カルシウム，酸化珪素および酸化マグネシウムを含み、前記酸化カルシウム，前記酸化珪素および前記酸化マグネシウムの合計１００質量％に対して、前記酸化カルシウムおよび前記酸化珪素の含有量はそれぞれ２０質量％以上３７．５質量％以下であって残部が酸化マグネシウムであるとともに、前記酸化アルミニウムの平均結晶粒径が２．５μｍ以下（但し、０μｍを除く。）であることを特徴とする吸着搬送部材。
【請求項２】
前記先端部の表面に存在する気孔の面積占有率が２％以下であることを特徴とする請求項１に記載の吸着搬送部材。
【請求項３】
前記先端部の端面が研磨または研削されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の吸着搬送部材。
【請求項４】
前記第１の吸着部の外側面が研磨または研削されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の吸着搬送部材。
【請求項５】
前記板状体の分岐部に前記吸引路と連通して前記基板を吸着する第２の吸着部を備え、該第２の吸着部の外側面が研磨または研削されていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の吸着搬送部材。
【請求項６】
前記先端部の端面，前記第１の吸着部の外側面および前記第２の吸着部の外側面の算術平均高さＲａが０．４μｍ以下であることを特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれかに記載の吸着搬送部材。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の吸着搬送部材を前記基板を吸着して搬送するのに用いることを特徴とする基板搬送装置。
【請求項８】
請求項７に記載の基板搬送装置を前記基板を処理室に搬送するのに用いることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項７に記載の基板搬送装置を前記基板を検査室に搬送するのに用いることを特徴とする基板検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ，液晶表示パネル用ガラス基板，半導体製造装置用マスク基板等を吸着して搬送するのに用いられる吸着搬送部材およびこれを用いた基板搬送装置ならびにこの基板搬送装置を用いた基板処理装置または基板検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＰＵ（Central Processing Unit：中央処理装置），ＭＰＵ（Microprocessor Unit：超小型演算処理装置）やフラッシュメモリ等に用いられる半導体ウエハの１種であるシリコンエピタキシャルウエハは、シリコン単結晶基板の表面にシリコンエピタキシャル層を気相成長させることによって作製することができる。このような気相成長は、例えば、枚葉式の気相成長装置を用いて行なわれる。この枚葉式の気相成長装置は、シリコン単結晶基板を１枚ずつ処理する装置であり、シリコン単結晶基板を載置するサセプタと、周囲にハロゲンランプ等の加熱手段を配した反応室と、サセプタ上にシリコン単結晶基板を搬送する吸着搬送部材とを内部に備えている。
【０００３】
この枚葉式の気相成長装置を用いてシリコンエピタキシャルウエハを作製する場合には、まず、反応室の外部からシリコン単結晶基板を吸着搬送部材で吸着して搬送し、反応室の内部のサセプタに載置する。次に、反応室内を窒素ガス，水素ガス等で順次置換して加熱手段によって反応室内の温度を上げることにより、シリコン部分が空気に曝されてシリコン単結晶基板の表面に形成されている酸化膜（自然酸化膜）が除去される。
【０００４】
その後、反応室内の温度を最適温度に調整した状態でモノシラン（ＳｉＨ４），ジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）等のエピタキシャルガスやホスフィン（ＰＨ３），ジボラン（Ｂ２Ｈ６）等のドーピングガスを所定時間，所定流量で供給してシリコン単結晶を成長させた後、水素ガスで置換し、反応室内の温度を約600〜900℃まで下げて窒素ガスで置換することにより、シリコンエピタキシャル層を備えたシリコンエピタキシャルウエハを得ることができる。得られたシリコンエピタキシャルウエハは、再び吸着搬送部材で吸着されて、反応室の外部に搬送される。
【０００５】
このように、反応室の外部から気相成長装置へ、または気相成長装置から反応室の外部への基板の搬送に、吸着搬送部材が用いられている。この吸着搬送部材は、ここで一例として挙げた半導体ウエハの１種であるシリコンエピタキシャルウエハに限らず、液晶表示パネル用ガラス基板や半導体製造装置用マスク基板等の搬送にも用いられている。
【０００６】
図８は、特許文献１で提案されている吸着搬送部材である真空ピンセットを示す、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ’線での断面図である。
【０００７】
この真空ピンセット50は、板状体の先端側に形成した吸着面51ａに開口部52ａを有し、該開口部52ａと連通する連通孔53を内設してなる真空ピンセットにおいて、上記板状体が複数のシート状セラミック成形体を焼成一体化したセラミックスからなり、該セラミックスがＡｌ２Ｏ３含有量99.5重量％以上のアルミナセラミックスである真空ピンセットである。
【０００８】
図８に示す真空ピンセット50は、セラミック層51，54が結合してなるものであり、先端側に半導体ウエハＷを吸着するための滑らかな吸着面51ａを備え、吸着面51ａに開口部52ａを有し、かつ後端にて吸入口52ｂとなる連通孔53を内設している。
【０００９】
また、真空ピンセット50を構成するセラミックスとしては、例えばＡｌ２Ｏ３含有量が99.5重量％以上で、残部がＳｉＯ２，ＭｇＯ，ＣａＯ等の焼結助剤からなるアルミナセラミックスであることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特許第3193034号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
特許文献１で提案された真空ピンセット50は、上記板状体が複数のシート状セラミック成形体を焼成一体化したセラミックスにより形成するとともに、上記セラミックスにＡｌ２Ｏ３含有量が99.5重量％以上のアルミナセラミックスを用いたことにより、耐熱性，耐食性に優れているものの、昨今のように、直径が304.8ｍｍ（12インチ）のような大型の基板を搬送しようとすると、真空ピンセット50の剛性が不足して吸着面51ａが水平に保てなくなり、基板を吸着できなかったり、搬送の途中で基板を落下させたりするおそれがあった。
【００１２】
本発明は、上記課題を解決すべく案出されたものであり、大型の基板であっても撓みが少なく確実に基板を吸着して搬送できる剛性の優れた吸着搬送部材およびこれを用いた基板搬送装置ならびにこの基板搬送装置を用いた基板処理装置または基板検査装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の吸着搬送部材は、先端側が二股に分岐した板状体の各先端部に基板を吸着する第１の吸着部を備えるとともに、該第１の吸着部と連通する吸引路を内設してなる吸着搬送部材において、前記板状体は酸化アルミニウムの含有量が99.5質量％以上のセラミックスからなり、該セラミックスは、酸化カルシウム，酸化珪素および酸化マグネシウムを含み、前記酸化カルシウム，前記酸化珪素および前記酸化マグネシウムの合計100質量％に対して、前記酸化カルシウムおよび前記酸化珪素の含有量はそれぞれ20質量％以上37.5質量％以下であって残部が酸化マグネシウムであるとともに、前記酸化アルミニウムの平均結晶粒径が2.5μｍ以下（但し、０μｍを除く。）であることを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明の吸着搬送部材は、上記構成において、前記先端部の表面に存在する気孔の面積占有率が２％以下であることを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明の吸着搬送部材は、上記いずれかの構成において、前記先端部の端面が研磨または研削されていることを特徴とするものである。
【００１６】
また、本発明の吸着搬送部材は、上記いずれかの構成において、前記第１の吸着部の外側面が研磨または研削されていることを特徴とするものである。
【００１７】
また、本発明の吸着搬送部材は、上記いずれかの構成において、前記板状体の分岐部に前記吸引路と連通して前記基板を吸着する第２の吸着部を備え、該第２の吸着部の外側面が研磨または研削されていることを特徴とするものである。
【００１８】
また、本発明の吸着搬送部材は、上記いずれかの構成において、前記先端部の端面，前記第１の吸着部の外側面および前記第２の吸着部の外側面の算術平均高さＲａが0.4μｍ以下であることを特徴とするものである。
【００１９】
また、本発明の基板搬送装置は、上記いずれかの構成の吸着搬送部材を前記基板を吸着して搬送するのに用いることを特徴とするものである。
【００２０】
また、本発明の基板処理装置は、上記構成の基板搬送装置を前記基板を処理室に搬送するのに用いることを特徴とするものである。
【００２１】
さらに、本発明の基板検査装置は、上記構成の基板搬送装置を前記基板を検査室に搬送するのに用いることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の吸着搬送部材によれば、先端側が二股に分岐した板状体の各先端部に基板を吸着する第１の吸着部を備えるとともに、第１の吸着部と連通する吸引路を内設してなる吸着搬送部材において、板状体は酸化アルミニウムの含有量が99.5質量％以上のセラミックスからなり、このセラミックスは、酸化カルシウム，酸化珪素および酸化マグネシウムを含み、酸化カルシウム，酸化珪素および酸化マグネシウムの合計100質量％に対して、酸化カルシウムおよび酸化珪素の含有量はそれぞれ20質量％以上37.5質量％以下であって残部が酸化マグネシウムであるとともに、酸化アルミニウムの平均結晶粒径が2.5μｍ以下（但し、０μｍを除く。）であることから、セラミックスのかさ密度が高くなり、剛性を高めることができるので、大型化した半導体ウエハ，液晶表示パネル用ガラス基板，半導体製造装置用マスク基板等の基板の搬送効率および処理効率を向上させることができる。また、セラミックスの強度を低下させる原因となるヒボナイトがほとんど析出せず、大型化した基板を繰り返し搬送してもクラックが発生するおそれが少ないので、信頼性の高い吸着搬送部材とすることができる。
【００２３】
また、本発明の吸着搬送部材によれば、先端部の表面に存在する気孔の面積占有率が２％以下であるときには、先端部における破壊源が減少するため、さらに吸着搬送部材の剛性を高めることができる。
【００２４】
また、本発明の吸着搬送部材によれば、先端部の端面が研磨または研削されているときには、半導体ウエハ等の基板の吸着時に端面を構成する組成物の結晶粒子が脱落するのを低減することができるので、半導体ウエハ等の基板が汚染されにくくなる。併せて、端面からの脱落する粒子の数が少ないので、塵埃となって、第１の吸着部の吸着面に付着することも少なく、吸着面に塵埃が付着することによって基板の吸着のバランスを崩して吸着不具合を起こすことがほとんどない。また、基板を吸着して搬送するのに本発明の吸着搬送部材を用いる基板搬送装置内の他の部品、例えばセンサー等に端面から脱落した粒子が塵埃となって付着したとしても、その数量は少ないので、センサーが誤作動を起こす回数は減少する。また、端面から脱落する粒子が塵埃となって吸引路を介して吸引機構に吸い込まれる量は少ないので、吸引機構を損傷しにくくすることができる。
【００２５】
また、本発明の吸着搬送部材によれば、第１の吸着部の外側面が研磨または研削されているときには、第１の吸着部の外側面から脱落する粒子の数を少なくすることができるので、半導体ウエハ等の基板をさらに汚染されにくくすることができる。
【００２６】
また、本発明の吸着搬送部材によれば、板状体の分岐部に吸引路と連通して基板を吸着する第２の吸着部を備え、第２の吸着部の外側面が研磨または研削されているときには、第２の吸着部の外側面から脱落する粒子の数を少なくすることができるので、半導体ウエハ等の基板をさらに汚染されにくくすることができる。
【００２７】
また、本発明の吸着搬送部材によれば、先端部の端面，第１の吸着部の外側面および第２の吸着部の外側面の算術平均高さＲａが0.4μｍ以下であるときには、端面および外側面から脱落する粒子はより低減し、半導体ウエハ等の基板をさらに汚染されにくくすることができる。
【００２８】
また、本発明の基板搬送装置によれば、基板を吸着して搬送するのに上記いずれかの構成の本発明の吸着搬送部材を用いることから、剛性に優れており撓みが少なく確実に吸着して基板を搬送することができるので、搬送の途中で基板を落下させるおそれが少なくなるため、大型化した半導体ウエハ，液晶表示パネル用ガラス基板，半導体製造装置用マスク基板等の基板についても搬送効率を向上させることができる。
【００２９】
また、本発明の基板処理装置によれば、基板の搬送効率の高い上記構成の本発明の基板搬送装置を基板を処理室に搬送するのに用いることから、基板処理の歩留まりおよび信頼性が高まり、大型化した半導体ウエハ，液晶表示パネル用ガラス基板，半導体製造装置用マスク基板等の基板についてもその処理効率を高くすることができる。
【００３０】
また、本発明の基板検査装置によれば、基板の搬送効率の高い上記構成の本発明の基板搬送装置を基板を検査室に搬送するのに用いることから、基板検査の効率および信頼性が高まり、大型化した半導体ウエハ，液晶表示パネル用ガラス基板，半導体製造装置用マスク基板等の基板についてもその検査効率を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の吸着搬送部材の実施の形態の一例を示す、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’線での断面図であり、（ｃ）は吸着搬送部材１を（ｂ）におけるＢ−Ｂ’線の位置で切断したときの断面図である。
【図２】本発明の吸着搬送部材の実施の形態の他の例を示す、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＣ−Ｃ’線での断面図であり、（ｃ）は吸着搬送部材１を（ｂ）におけるＤ−Ｄ’線の位置で切断したときの断面図である。
【図３】本発明の吸着搬送部材の実施の形態のさらに他の例を示す、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＥ−Ｅ’線での断面図であり、（ｃ）は吸着搬送部材１を（ｂ）におけるＦ−Ｆ’線の位置で切断したときの断面図である。
【図４】本発明の吸着搬送部材を用いた基板搬送装置およびこの基板搬送装置を用いた基板処理装置の例を示す平面図である。
【図５】本発明の吸着搬送部材を用いた基板搬送装置およびこの基板搬送装置を用いた基板検査装置の例を示す平面図である。
【図６】図２の本発明の吸着搬送部材の各部材を示す、それぞれ（ａ）は吸着部の、（ｂ）〜（ｄ）は板状体の成形体の平面図である。
【図７】図６（ａ）〜（ｄ）の各部材の積層状態を示す図である。
【図８】従来の吸着搬送部材である真空ピンセットを示す、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＸ−Ｘ’線での断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の吸着搬送部材およびこれを用いた基板搬送装置ならびにこの基板搬送装置を用いた基板処理装置または基板検査装置の実施の形態の例について説明する。
【００３３】
図１は、本発明の吸着搬送部材の実施の形態の一例を示す、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’線での断面図であり、（ｃ）は吸着搬送部材を（ｂ）におけるＢ−Ｂ’線の位置で切断したときの断面図である。
【００３４】
この吸着搬送部材１は、図１（ａ）に平面図で示すように、板状体７の一方の端部の先端側が二股状に分岐しており、二股に分岐した板状体７の各先端部に基板を吸着する吸着孔２を有する第１の吸着部３（１）を備えている。また、他方の端部には、５カ所に孔が開口しており、中央に吸引機構に接続する吸気孔を有する吸引部５を備え、他の４カ所にボルトで基板搬送装置のシャフト等に締結するための貫通孔６を備えている。また、図１（ｂ）に図１（ａ）におけるＡ−Ａ’線での断面図で示すように、第１の吸着部３（１）は吸着面３ａおよび外側面３ｂを備えている。また、図１（ｂ）および図１（ａ）の吸着搬送部材１を図１（ｂ）におけるＢ−Ｂ’線の位置で切断したときの断面図である図１（ｃ）に示すように、吸着搬送部材１の内部には第１の吸着部３（１）と吸引部５とを連通する吸引路４を内設している。
【００３５】
図２は、本発明の吸着搬送部材の実施の形態の他の例を示す、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＣ−Ｃ’線での断面図であり、（ｃ）は吸着搬送部材を（ｂ）におけるＤ−Ｄ’線の位置で切断したときの断面図である。なお、以下の図面においては、図１と同様の部材には同じ符号を用いて示す。
【００３６】
この吸着搬送部材１は、図２（ａ）に平面図で示すように、板状体７の一方の端部の先端側が二股状に分岐しており、板状体７の各先端部に基板を吸着する吸着孔２を有する第１の吸着部３（１）と、板状体の分岐部に第２の吸着部３（２）とを備えている。また、他方の端部には、５カ所に孔が開口しており、中央に吸引機構に接続する吸気孔を有する吸引部５を備え、他の４カ所にボルトで基板搬送装置のシャフト等に締結するための貫通孔６を備えている。また、図２（ｂ）に図２（ａ）におけるＣ−Ｃ’線での断面図で示すように、第１の吸着部３（１）および第２の吸着部３（２）には、吸着面３ａおよび外側面３ｂを備えている。また、図２（ｂ）および図２（ａ）の吸着搬送部材１を図２（ｂ）におけるＤ−Ｄ’線の位置で切断したときの断面図である図２（ｃ）に示すように、吸着搬送部材１の内部には第１の吸着部３（１）および第２の吸着部３（２）と吸引部５とを連通する吸引路４を内設している。
【００３７】
図３は、本発明の吸着搬送部材の実施の形態のさらに他の例を示す、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）におけるＥ−Ｅ’線での断面図であり、（ｃ）は吸着搬送部材を（ｂ）におけるＦ−Ｆ’線の位置で切断したときの断面図である。
【００３８】
この吸着搬送部材１は、図３（ａ）に平面図で示すように、板状体７の一方の端部の先端側が二股状に分岐しており、二股に分岐した板状体７の各先端部に基板を吸着する吸着孔２を有する第１の吸着部３（１）を備えている。また、他方の端部には、吸引機構に接続する２つの吸気孔を有する吸引部５およびボルトで基板搬送装置のシャフト等に締結するための４つの貫通孔６を備えている。また、図３（ｂ）に図３（ａ）におけるＥ−Ｅ’線での断面図で示すように、第１の吸着部３（１）は吸着面３ａおよび外側面３ｂを備えている。また、図３（ｂ）および図３（ａ）の吸着搬送部材１を図３（ｂ）におけるＦ−Ｆ’線の位置で切断したときの断面図である図３（ｃ）に示すように、吸着搬送部材１の内部にはそれぞれの吸着部３（１）と吸引部５とを連通する吸引路４を内設している。
【００３９】
これらの図１〜図３に示す例の本発明の吸着搬送部材１を用いた基板８の搬送は、この吸着搬送部材１に接続された吸引機構（図示せず）を作動させることによって、吸引部５と吸引路４とを介して２乃至３カ所の吸着孔２で吸引して、このときに発生する吸着力によって吸着面３ａに基板８を吸着し、次工程に搬送するものである。
【００４０】
そして、本発明の吸着搬送部材１の板状体７は、酸化アルミニウムの含有量が99.5質量％以上のセラミックスからなり、このセラミックスは、酸化カルシウム，酸化珪素および酸化マグネシウムを含み、酸化カルシウム，酸化珪素および酸化マグネシウムの合計100質量％に対して、酸化カルシウムおよび酸化珪素の含有量はそれぞれ20質量％以上37.5質量％以下であって残部が酸化マグネシウムであるとともに、酸化アルミニウムの平均結晶粒径が2.5μｍ以下（但し、０μｍを除く。）であることが重要である。
【００４１】
ここで、酸化アルミニウムの含有量が99.5質量％以上のセラミックスで板状体７を形成したのは、酸化アルミニウムの含有量が99.5質量％未満では、吸着搬送部材１に要求される特性の一つである剛性が不足するからである。また、例えば蒸気圧の低いアルカリ金属酸化物が多く含まれているような場合には、吸着して搬送するときの接触によって基板８を汚染するおそれが高くなる。酸化アルミニウムの含有量が99.5質量％以上のセラミックスで板状体７を形成することにより、蒸気圧の低いアルカリ金属酸化物の含まれる量は少なくなるので、吸着して搬送するときの接触によって基板８を汚染するおそれは著しく低くなり、アルカリ金属酸化物の消失に伴って発生する気孔自体が減少するため、板状体７の剛性を高めることができる。
【００４２】
そして、焼結助剤として含ませる酸化カルシウム，酸化珪素および酸化マグネシウムの含有量が板状体７の剛性に影響を与えることを見出し、本発明の吸着搬送部材１では、酸化カルシウム，酸化珪素および酸化マグネシウムの合計100質量％に対して、酸化カルシウムおよび酸化珪素の含有量はそれぞれ20質量％以上37.5質量％以下であって残部を酸化マグネシウムとすることにより、板状体７即ち吸着搬送部材１の剛性を高められることを突き止めたのである。
【００４３】
つまり、酸化カルシウムおよび酸化珪素の含有量がそれぞれ20質量％以上37.5質量％以下であって残部が酸化マグネシウムであることにより、酸化アルミニウムを主成分とするセラミックスのかさ密度を上げることができる。これに対し、酸化カルシウムの含有量が20質量％未満では、吸着搬送部材１を形成するセラミックスのかさ密度を上げることが困難となる。また、酸化カルシウムの含有量が37.5質量％を超えると、β型アルミナの一種であり、酸化アルミニウムを主成分とするセラミックス中の酸化カルシウム（ＣａＯ）と酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）とが１：６の比率で結合することで生成されるアスペクト比の高い柱状のヒボナイト（ＣａＡｌ１２Ｏ１９）が多く析出し、吸着搬送部材１の剛性を高めることが困難となる。また、このヒボナイト（ＣａＡｌ１２Ｏ１９）の含有量は、多くなるとセラミックスの強度が低下するため、セラミックス100質量％に対して0.04質量％以下であることが好適である。
【００４４】
ここで、ヒボナイト（ＣａＡｌ１２Ｏ１９）の含有量の測定方法は、以下のようにして求めることができる。まず、板状体７の表面または断面から200μｍ×200μｍの観察領域を10カ所とり、エネルギー分散型Ｘ線分光分析法を用いて各観察領域におけるヒボナイト（ＣａＡｌ１２Ｏ１９）結晶を特定する。次に、走査型電子顕微鏡または透過型電子顕微鏡を用いて各観察領域に占めるヒボナイト（ＣａＡｌ１２Ｏ１９）結晶のそれぞれの面積比率を求め、これら面積比率の平均値を算出して平均面積比率を得る。この平均面積比率を平均体積比率とみなし、得られた平均体積比率にヒボナイト（ＣａＡｌ１２Ｏ１９）の理論密度（3.784ｇ／ｃｍ３）を積算することで、ヒボナイト（ＣａＡｌ１２Ｏ１９）結晶の含有量（質量％）とすればよい。
【００４５】
また、酸化珪素の含有量が20質量％未満および37.5質量％を超えると、吸着搬送部材１を形成するセラミックスのかさ密度を上げることが困難となり、吸着搬送部材１の剛性を高めることが困難となる。
【００４６】
なお、吸着搬送部材１を形成するセラミックスの主成分である酸化アルミニウムおよび添加成分である酸化カルシウム，酸化珪素ならびに酸化マグネシウムの各含有量は、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）発光分析法により求めることができる。具体的には、前処理として吸着搬送部材１を形成する板状体７の一部を超硬乳鉢にて粉砕した試料にホウ酸および炭酸ナトリウムを加えて融解する。そして、放冷した後に塩酸溶液にて溶解し、溶解液をフラスコに移して水で標線まで薄めて定容とし、検量線用溶液とともにＩＣＰ発光分析装置で測定することにより、Ａｌ，Ｃａ，ＳｉおよびＭｇの各含有量を求めることができる。この値を基にそれぞれ酸化物へ換算することにより、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３），酸化カルシウム（ＣａＯ），酸化珪素（ＳｉＯ２）および酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の含有量を求めることができる。もしくは、Ｃａ，ＳｉおよびＭｇの各含有量を測定して、それぞれ酸化カルシウム（ＣａＯ），酸化珪素（ＳｉＯ２）および酸化マグネシウム（ＭｇＯ）に換算し、100質量％から酸化カルシウム（ＣａＯ），酸化珪素（ＳｉＯ２）および酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の含有量を引いた値を酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の含有量としてもよい。
【００４７】
また、このセラミックスに含まれる不可避不純物としては、酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ），酸化チタン（ＴｉＯ２），酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５），酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３），酸化硼素（Ｂ２Ｏ３），酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ），酸化ウラン（ＵＯ２），酸化トリウム（ＴｈＯ２）が挙げられ、酸化ナトリウム（Ｎａ２Ｏ）および酸化チタン（ＴｉＯ２）は、それぞれ0.09質量％以下、酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）および酸化イットリウム（Ｙ２Ｏ３）は、それぞれ0.04質量％以下、酸化硼素（Ｂ２Ｏ３）は0.004質量％以下、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）は0.001質量％以下、酸化ウラン（ＵＯ２）および酸化トリウム（ＴｈＯ２）はそれぞれ45質量ｐｐｂ以下であることが好適である。これらの酸化ウラン（ＵＯ２）および酸化トリウム（ＴｈＯ２）を除く不可避不純物は、前述同様のＩＣＰ発光分析法で測定することができる。酸化ウラン（ＵＯ２）および酸化トリウム（ＴｈＯ２）は、波長分散型全反射蛍光Ｘ線分析法で測定することができる。
【００４８】
また、本発明の吸着搬送部材１を形成するセラミックスは、酸化アルミニウムを構成する結晶粒子の平均結晶粒径の大きさによって、剛性に影響を与える。この平均結晶粒径が小さければ、異常に粒成長した結晶粒子が少なくなり、結晶粒子径のばらつきが小さくなるためセラミックスの剛性は高くなり、平均結晶粒径が大きいと異常に粒成長した結晶粒子が多くなるため、セラミックスの剛性は低くなる。
【００４９】
このような観点から、本発明の吸着搬送部材１は、酸化アルミニウムの平均結晶粒径が2.5μｍ以下（但し、０μｍを除く。）であることが重要である。酸化アルミニウムの平均結晶粒径が2.5μｍ以下（但し、０μｍを除く。）であれば、異常に粒成長した結晶粒子が少なくなるため、吸着搬送部材１を形成するセラミックスの剛性を高くすることができる。なお、この平均結晶粒径の測定は、ＪＩＳ  Ｒ  1670−2006に準拠して求めることができる。
【００５０】
また、吸着搬送部材１の先端部の表面に存在する気孔の面積占有率が、吸着搬送部材１の剛性に影響を与えるため、本発明の吸着搬送部材１は、先端部の表面に存在する気孔の面積占有率が２％以下であることが好ましい。この先端部の表面に存在する気孔の面積占有率が２％以下であれば、先端部における破壊源が減少するのでさらに剛性を高めることができる。
【００５１】
なお、本発明における吸着搬送部材１の先端部とは、分岐した板状体７の先端の第１の吸着部３（１）の近傍のことであり、例えば、板状体７の先端の吸着面３ａを含む。ここで、先端部の表面に存在する気孔の面積占有率は、以下のようにして求めればよい。まず、吸着搬送部材１の先端部を切り出し、算術平均高さＲａが0.1μｍ以下となるように表面を研磨した後、金属顕微鏡を用いて、倍率を200倍にしてＣＣＤカメラで画像を取り込み、画像解析装置（（株）ニレコ製  ＬＵＺＥＸ−ＦＳ等）により画像内の１視野の測定面積を2.25×10−２ｍｍ２，測定視野数を20，つまり測定総面積が4.5×10−１ｍｍ２における開気孔の面積を求めて測定総面積における割合を気孔の面積占有率とすればよい。
【００５２】
また、本発明の吸着搬送部材１は、板状体７の先端部の端面７ｄ，７ｅが研磨または研削されていることが好適である。なお、先端部の端面とは、図１〜図３の（ａ）〜（ｃ）に示す７ｄおよび７ｅのことをいい、先端部の端面７ｄ，７ｅが研磨または研削されているときには、半導体ウエハ等の基板８の吸着時に端面７ｄ，７ｅを構成する組成物の結晶粒子が脱落するのを低減することができるので、半導体ウエハ等の基板８は汚染されにくくなる。併せて、端面７ｄ，７ｅからの脱落する粒子の数が少ないので、塵埃となって、第１の吸着部３（１）の吸着面３ａに付着することも少なく、吸着面３ａに塵埃が付着することによって基板８の吸着のバランスを崩して吸着不具合を起こすことがほとんどない。また、基板８を吸着して搬送するのに本発明の吸着搬送部材１を用いる基板搬送装置内の他の部品、例えばセンサー等に端面７ｄ，７ｅから脱落した粒子が塵埃となって付着したとしてもその数量は少ないので、センサーが誤作動を起こす回数は減少する。また、端面７ｄ，７ｅから脱落した粒子が塵埃となって吸引路４を介して吸引機構に吸い込まれる量は少ないので、吸引機構は損傷しにくくなる。
【００５３】
また、本発明の吸着搬送部材１は、第１の吸着部３（１）および第２の吸着部３（２）の外側面３ｂが研磨または研削されていることが好適である。第１の吸着部３（１）および第２の吸着部３（２）の外側面３ｂが研磨または研削されているときには、第１の吸着部３（１）および第２の吸着部３（２）の外側面３ｂから脱落する粒子の数を少なくすることができるので、半導体ウエハ等の基板８はさらに汚染されにくくなる。
【００５４】
特に、本発明の吸着搬送部材１は、端面７ｄ，７ｅおよび外側面３ｂの算術平均高さＲａが0.4μｍ以下であることが好適である。端面７ｄ，７ｅおよび外側面３ｂの算術平均高さＲａが0.4μｍ以下であるときには、端面７ｄ，７ｅおよび外側面３ｂから脱落する粒子はより低減し、半導体ウエハ等の基板８はさらに汚染されにくくなる。
【００５５】
端面７ｄ，７ｅおよび外側面３ｂの算術平均高さＲａについては、ＪＩＳ  Ｂ  0601−2001（ＩＳＯ  4287−1997）に準拠して測定すればよく、測定長さおよびカットオフ値をそれぞれ５ｍｍおよび0.8ｍｍとし、触針式の表面粗さ計を用いて測定する場合であれば、例えば、端面７ｄ，７ｅおよび外側面３ｂに、触針先端半径が２μｍの触針を当て、触針の走査速度は0.5ｍｍ／秒に設定し、この測定で得られた５箇所の平均値を算術平均高さＲａの値とする。
【００５６】
なお、研磨または研削されている端面７ｄ，７ｅおよび外側面３ｂとは、それぞれの面のすべてが研磨または研削されていなくてもよく、それぞれの面の１／３以上が研磨または研削されていることをいう。
【００５７】
また、本発明の吸着搬送部材１は、樹脂の耐熱温度を超えない使用環境で用いるときには、吸着面３ａが樹脂で被覆されていることが好適である。吸着面３ａが樹脂で被覆されているときには、基板８の材質より樹脂は柔らかいので、基板８を傷つけるおそれを少なくすることができ、吸着時の基板８と吸着面３ａとの接触によってパーティクルが発生するのも抑制することができる。
【００５８】
加えて、本発明の吸着搬送部材１は、第１の吸着部３（１）および第２の吸着部３（２）の吸着面３ａとともに外側面３ｂが樹脂で被覆されていることが好適である。外側面３ｂが樹脂で被覆されているときには、基板８を搬送しているときに外側面３ｂから塵埃等の粒子が離脱することがなくなるので、粒子の付着によって基板８を汚染するおそれを少なくすることができる。
【００５９】
この吸着面３ａや外側面３ｂを被覆する樹脂としては、ポリイミド樹脂，ポリテトラフロロエチレン樹脂，ポリ三フッ化塩化エチレン樹脂およびポリビニリデンフルオライド樹脂等のフッ素樹脂が好適である。これらの中でもポリイミド樹脂は、真空中でガスの発生がほとんどなく、耐熱性に優れている。また、フッ素樹脂は、化学的に安定で、耐熱性に優れている。これら樹脂の厚みは、例えば0.5ｍｍ以上1.0ｍｍ以下である。
【００６０】
また、本発明の吸着搬送部材１は、吸着面３ａが導電性を有する成分、例えば、非晶質硬質炭素，炭化珪素，炭化チタン，窒化チタン，炭窒化チタンまたはシリコンを主成分とする膜で被覆されていることが好適である。基板８の吸着を繰り返すと、静電気が吸着面３ａに発生して、浮遊するパーティクルが吸着面３ａに吸着しやすくなるが、上記導電性を有する成分を主成分とする膜で吸着面３ａが被覆されていることにより、パーティクルの吸着を抑制することができる。なお、ここでいう主成分とは、膜を構成する全成分100質量％に対して50質量％以上を占める成分であり、80質量％以上であることがより好適である。また、上記導電性を有する成分を主成分とする膜で外側面３ｂまで被覆されていてもよいことはいうまでもない。
【００６１】
図４は、本発明の吸着搬送部材を用いた基板搬送装置およびこの基板搬送装置を用いた基板処理装置の実施の形態の一例を示す平面図である。
【００６２】
図４に示す例の基板処理装置19は、搬送室９のほぼ中央に基板搬送装置10を設置し、搬送室９の周囲にゲートバルブ16を介して複数の処理室14ａ〜14ｄおよび処理前後の基板８を収納する基板カセット17を備えた２個の基板カセット室15を配置して、基板８を１枚ごとに連続的に処理するマルチチャンバ方式の基板処理装置19である。
【００６３】
ここで、各処理室14ａ〜14ｄでは、例えば以下のような処理が行なわれる。処理室14ａでは、基板８としてのシリコン単結晶基板に対して酸化処理が施され、その表面にシリコン酸化膜が形成される。また、処理室14ｂでは、プラズマドライエッチング装置を用いて、基板８上に形成された酸化膜が除去される。また、処理室14ｃでは、エピタキシャル層を形成するためのエピタキシャル処理が行なわれる。また、処理室14ｄでは、例えば、アルミニウム，チタン，窒化チタン等からなる層がスパッタリング法により基板８上に形成される。
【００６４】
そして、搬送室９のほぼ中央に設置されている本発明の基板搬送装置10は、軸方向に回転するシャフト11と、シャフト11に対して回転可能に取り付けられた第１のアーム12と、第１のアーム12の先端に同じく回転可能に取り付けられた第２のアーム13と、第２のアーム13の先端に固定された吸着搬送部材１とを備えた多関節型の基板搬送装置10である。
【００６５】
この基板搬送装置10は、処理室14および基板カセット室15のゲートバルブ16が開口した後、第２のアーム13を伸長させ、処理室14内に進入させるまたは基板カセット室15内の基板カセット17に収納された基板８の間隙に吸着搬送部材１を進入させて、その搬出および搬入を行なう。
【００６６】
そして、これらを備えた本発明の基板処理装置19を用いた基板８の処理は、まず処理前の基板８がカセット単位で基板カセット室15内に運び込まれる。そして、基板カセット室15内で真空引きまたは不活性ガスとの置換が行なわれた後、搬送室９と基板カセット室15との間のゲートバルブ16が開き、基板搬送装置10によって基板カセット17に複数収納された基板８同士の間隙に吸着搬送部材１を進入させて基板８を１枚取り出し、搬送室９内に搬送する。
【００６７】
次に、所定の処理室14ａ〜14ｄ内で真空引きまたは不活性ガスとの置換が行なわれた後、搬送室９と処理室14ａ〜14ｄとの間のゲートバルブ16が開き、基板８が各処理室14ａ〜14ｄ内に搬入されて、成膜やエッチング等の処理が行なわれる。そして、最終的に処理が終わった基板８は、基板搬送装置10により搬送されて基板カセット室15内の基板カセット17に収納される。このようにして、基板８は外気に晒されることなく、所定の雰囲気中で一連の処理が行なわれる。
【００６８】
また、本発明の基板処理装置19は、本発明の吸着搬送部材１を用いた基板８の搬送効率が高い本発明の基板搬送装置10を、基板８を吸着して処理室14ａ〜14ｄに搬送する機構として設置していることにより、基板８の処理効率を高くすることができる。
【００６９】
図５は、本発明の吸着搬送部材を用いた基板搬送装置およびこの基板搬送装置を用いた基板検査装置の実施の形態の一例を示す平面図である。
【００７０】
図５に示す例の基板検査装置20は、製造工程における半導体ウエハ，液晶表示パネル用ガラス基板や半導体製造装置用マスク基板等に付着する異物の有無を検査するためのものである。
【００７１】
図５に示す基板検査装置20は、位置決めのためのノッチ８ｎが形成された複数の基板８を所定の間隔で収納したカセット21を備え、このカセット21が搬入および搬出されるロードポート22と、カセット21に収納された基板８を吸着する吸着搬送部材１，先端側で吸着搬送部材１を支持するハンドリングアーム23およびサーボモータ（図示しない）によってハンドリングアーム23を移動させたり回転させたりする搬送アセンブリ24を有する基板搬送装置10を備える搬送部26と、搬送部26によって搬送された基板８を吸着して固定するとともに、モータ（図示しない）により回転可能にされている真空チャック27および基板８に形成されたノッチ８ｎの位置を検出する検出装置28を有する基板位置決め部29と、基板８を搭載する回転テーブル32を備える検査ステージ30を有する検査部31とを備えている。
【００７２】
ここで、検出装置28は、レーザー光等の光を発生する発光部とＣＣＤラインセンサ等からなる受光部とを備え、発光部から発生して受光部へ到達する光の位置と強度を検出することにより、真空チャック27に固定された基板８のノッチ８ｎの位置を検出する。真空チャック27により基板８を回転させながら、検出装置28の検出結果に基づいて、ノッチ８ｎが一定の方向へ向く位置で基板８の回転を停止させることにより、基板８のノッチ８ｎの位置決めを行なう。そして、基板８のノッチ８ｎの位置決めが終了すると、真空チャック27は基板８の吸着を解除し、基板８は吸着搬送部材１により、基板位置決め部29から検査部31に搬送される。
【００７３】
検査ステージ30は、基板８を搭載してサーボモータ（図示しない）により、Ｘ，Ｙ，Ｚおよびθ方向に移動させるための回転テーブル32を備えており、検査ステージ30の上方には、回転テーブル32に搭載された基板８の表面にレーザー光等の光ビームを照射する投光系装置と、基板８の表面で発生した反射光または散乱光を検出する受光系装置（いずれも図示しない）が配置されている。
【００７４】
そして、回転テーブル32により基板８を回転させながら、検査ステージ30をＸ方向およびＹ方向へ移動することによって、投光系装置から照射された光ビームは基板８の表面をスパイラル状に走査し、受光系装置による検出結果を画像信号処理装置（図示しない）で処理することにより、基板８の表面に付着している異物を検出することができる。
【００７５】
次に、本発明の吸着搬送部材１を得るための製造方法について図６および図７を用いて説明する。なお、図６および図７において、第１の吸着部３（１）および第２の吸着部３（２）は同じ構成であるので吸着部３と称して説明する。
【００７６】
図６は、図２の本発明の吸着搬送部材１の各部材を示す、それぞれ（ａ）は吸着部３の、（ｂ）は板状体７ａの、（ｃ）は板状体７ｂの、（ｄ）は板状体７ｃの成形体の平面図である。図７は、図６（ａ）〜（ｄ）の各部材の積層状態を示す図である。
【００７７】
このように、本発明の吸着搬送部材１は、吸着部３や板状体７ａ〜７ｃのように、複数の部材に分けて成形した成形体を積層して焼成することが好適であり、とりわけ各成形体を積層して焼成した後にセラミックスとなるものであることが好適である。このような方法によれば、積層構造の吸着部３や板状体７ａ〜７ｃの各層が有機系の接着剤によらずに接合されているものとなるので、半導体素子や半導体装置の製造工程において用いられる薬品やフッ素系ガス，塩素系ガス等の腐食性ガスに対する耐食性にも優れたものとなり、使用条件の制約を受けないものとすることができる。
【００７８】
この本発明の吸着搬送部材１の製造方法は、まず純度が99.9質量％以上で、平均粒径が0.2μｍ以上1.3μｍ以下の酸化アルミニウムの粉末と、酸化カルシウム，酸化珪素および酸化マグネシウムの各粉末とを用意する。そして、酸化アルミニウムの含有量が99.5質量％以上であり、酸化カルシウム，酸化珪素および酸化マグネシウムの各粉末の合計100質量％に対して、酸化カルシウムおよび酸化珪素の含有量がそれぞれ20質量％以上37.5質量％以下であって残部が酸化マグネシウムとなるように秤量した混合粉末を水などの溶媒ともに回転ミルに投入して、純度が99.5質量％以上99.99質量％以下の酸化アルミニウムからなるセラミックボールで混合を行なう。
【００７９】
次に、ポリビニルアルコール，ポリエチレングリコールやアクリル樹脂などの成形用バインダを溶媒に添加した後、混合してスラリーを得る。ここで、成形用バインダの添加量は混合粉末100質量％に対して合計２質量％以上10質量％以下とする。成形用バインダの添加量が２質量％未満であれば、成形体に求められる強度や可とう性が得られず脆い成形体となる。また、成形用バインダの添加量が10質量％を超えると焼成でバインダが焼失しにくくなり、クラックなどの不具合が発生するおそれが大きくなる。成形用バインダの添加量を混合粉末100質量％に対して合計２質量％以上10質量％以下とすることにより、成形体に求められる強度や可とう性が得られ、クラックなどの不具合が発生しにくい成形体を得ることができる。
【００８０】
次に、混合粉末，成形用バインダ等を混合したスラリーをドクターブレード法で成形したシートを成形体の形状に打ち抜くか、または混合粉末，成形用バインダ等を混合したスラリーを噴霧乾燥した顆粒を用いてプレス成形する。さらに、必要に応じて切削加工を施して、円筒状の吸着部３と、吸引部５および貫通孔６を有する板状体７ａと、吸着孔２，吸引部５，および貫通孔６を備えた吸引路４となる溝を有する板状体７ｂと、貫通孔６を有する板状体７ｃとを得る。
【００８１】
次に、吸着部３，板状体７ａ，板状体７ｂおよび板状体７ｃが互いに対向する面に密着液を塗布し、吸着孔２，吸引部５および貫通孔６の位置を合わせて、図７に示すように積層する。なお、これらを積層するときの向きは、図６（ａ），（ｂ）および（ｄ）に示す部材は図示している面が上向きとなるように、図６（ｃ）に示す部材は図示している面が下向きとなるように積層する。そして、この積層体を加圧した後、1580℃以上1650℃以下で焼成することにより、図２に示す本発明の吸着搬送部材１を得ることができる。また、1600℃以上1650℃以下の温度で焼成することにより、表面の面積占有率を２％以下とすることができる。
【００８２】
また、端面７ｄ，７ｅ，外側面３ｂに研磨または研削を施す場合は、市販の研磨材や研削材を用いて研磨または研削すればよく、端面７ｄ，７ｅ，外側面３ｂの算術平均高さＲａを0.4μｍ以下にするには、粒度が♯400以上のダイヤモンドからなる研磨材を用いて研磨すればよい。
【００８３】
また、吸着面３ａや外側面３ｂを樹脂で被覆する場合は、プライマー（下地剤）を塗装後に乾燥させてから、ポリイミド樹脂およびポリテトラフルオロエチレン樹脂，ポリ三フッ化塩化エチレン樹脂，ポリビニリデンフルオライド樹脂等のフッ素樹脂のいずれかをスプレーにより塗布し、塗布した樹脂のガラス転位点や融点を超える温度で熱処理すればよい。なお、樹脂の被覆が不要な部分については、プライマー（下地剤）を塗装する前にマスキングを施し、熱処理後にマスキングを取り除けばよい。
【００８４】
また、吸着面３ａを非晶質硬質炭素，炭化珪素，炭化チタン，窒化チタン，炭窒化チタンまたはシリコンを主成分とする膜で被覆する場合は、熱化学気相成長法およびプラズマ化学気相成長法等の化学気相成長法を用いればよい。
【００８５】
このようにして作製された本発明の吸着搬送部材１を構成する板状体７ａ〜７ｃは、酸化アルミニウムの含有量が99.5質量％以上のセラミックスからなり、このセラミックスは、酸化カルシウム，酸化珪素および酸化マグネシウムを含み、酸化カルシウム，酸化珪素および酸化マグネシウムの合計100質量％に対して、酸化カルシウムおよび酸化珪素の含有量はそれぞれ20質量％以上37.5質量％以下であって残部が酸化マグネシウムであるとともに、酸化アルミニウムの平均結晶粒径が2.5μｍ以下(但し、０μｍを除く)となる。従って、板状体７ａ〜７ｃを形成するセラミックスのかさ密度は上がり、吸着搬送部材１の剛性を高めることができるので、大型化した半導体ウエハ，液晶表示パネル用ガラス基板，半導体製造装置用マスク基板等の基板の搬送効率および処理効率を向上させることができる。
【００８６】
また、このように優れた本発明の吸着搬送部材１を基板８を吸着して搬送するのに用いた本発明の基板搬送装置10は、剛性に優れ撓みの少ない本発明の吸着搬送部材１を用いることから、基板８を確実に吸着して搬送することができるので、大型化した半導体ウエハ，液晶表示パネル用ガラス基板，半導体製造装置用マスク基板等の基板８であっても搬送効率を高くすることができる。さらに、この基板８の搬送効率の高い本発明の基板搬送装置10を用いた本発明の基板処理装置19や基板検査装置20は、大型化した半導体ウエハ，液晶表示パネル用ガラス基板，半導体製造装置用マスク基板等の基板についても基板８の処理効率や検査効率を高くすることができる。
【実施例１】
【００８７】
以下、本発明の実施例を具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００８８】
まず、平均粒径が表１および表２に示す酸化アルミニウムの粉末と、酸化カルシウム，酸化珪素および酸化マグネシウムの各粉末とを用意した。そして、表１および表２に示す含有量のセラミックスとなるように秤量した混合粉末を溶媒である水とともに回転ミルに投入して、純度が99.5質量％の酸化アルミニウムからなるセラミックスボールで３時間混合した。
【００８９】
次に、成形用バインダとして、ポリビニルアルコール，ポリエチレングリコールおよびアクリル樹脂を混合粉末100質量％に対して合計６質量％となるように添加した後、混合してスラリーを得た。そして、得られたスラリーを用いてドクターブレード法でシートを成形し、得られたシートを金型で打ち抜くことにより、吸引部５および４つの貫通孔６を有する板状体７ａと、一方の端部の先端側が二股状に分岐し、他方の端部に４つの貫通孔６を有する板状体７ｃとを得た。板状体７ｂについては、金型でシートを打ち抜いて外辺，吸着孔２，吸引部５および４つの貫通孔６を形成した後に、切削加工を施して吸引路４を形成した。また、所定の厚みとするための切削加工を板状体７ａ〜７ｃに施した。
【００９０】
次に、混合粉末，成形用バインダ等を混合したスラリーを噴霧乾燥した顆粒を用いてプレス成形することにより、第１の吸着部３（１）および第２の吸着部３（２）の各成形体を得た。そして、第１の吸着部３（１），第２の吸着部３（２），板状体７ａ，板状体７ｂ，板状体７ｃの各成形体の互いに対向する面に密着液を塗布し、板状体７ｂの吸着孔２に第１の吸着部３（１）および第２の吸着部３（２）の位置を合わせ、板状体７ａ〜７ｃの外辺および貫通孔６の位置を合わせて積層して加圧した後、試料Ｎｏ．41，48，55については1590℃，試料Ｎｏ．40，47，54については1600℃，その他の試料については1650℃の焼成温度で２時間焼成することにより、厚みが３ｍｍで長さが300ｍｍの図２に示す例の本発明の吸着搬送部材１の実施例の各試料を得た。また、表１に示すように含有量や酸化アルミニウムの平均結晶粒径が本発明の範囲外である試料Ｎｏ．１〜10，16〜25についても同様の方法で作製した。
【００９１】
そして、それぞれの試料の各成分の含有量については、ＩＣＰ発光分析法により求めた。測定方法としては、まず、前処理として、吸着搬送部材１を形成する板状体７の一部を超硬乳鉢にて粉砕した。次に、白金るつぼにホウ酸（Ｍｅｒｃｋ製  純度99.9999％）２ｇを入れてバーナーにて加熱し、ガラス状に融解させ放冷した後に、試料0.1ｇおよび炭酸ナトリウム（Ｍｅｒｃｋ製  純度99.999％）３ｇを加えてバーナーにて加熱して融解した。そして、放冷した後に塩酸溶液に溶解し、溶解液をフラスコに移して水で標線まで薄めて定容とし、検量線用溶液とともにＩＣＰ発光分析装置で測定した。求められたＡｌ，Ｃａ，ＳｉおよびＭｇの含有量を酸化物に換算することにより、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３），酸化カルシウム（ＣａＯ），酸化珪素（ＳｉＯ２）および酸化マグネシウム（ＭｇＯ）の含有量を求め、結果を表１および表２に示した。
【００９２】
また、酸化アルミニウムの平均結晶粒径およびヤング率を測定するために吸着搬送部材１を形成する板状体７から試験片を切り出し、それぞれＪＩＳ  Ｒ  1670−2006，ＪＩＳ  Ｒ  1602−1995に準拠して測定した。なお、平均結晶粒径を求めるための試験片については、算術平均高さＲａが0.1μｍ以下となるように表面を研磨した後、大気雰囲気中において1450℃で１時間サーマルエッチングを行ない、走査型電子顕微鏡を用いて1000倍で撮影した100μｍ×100μｍの範囲の画像から平均結晶粒径を算出した。
【００９３】
また、先端部の表面に存在する気孔の面積占有率は、以下のようにして求めた。まず、吸着搬送部材１の分岐した板状体７の先端部の第１の吸着部３（１）の近傍から試験片を切り出し、算術平均高さＲａが0.1μｍ以下となるように表面を研磨した後、金属顕微鏡を用いて、倍率を200倍にしてＣＣＤカメラで画像を取り込み、画像解析装置（（株）ニレコ製  ＬＵＺＥＸ−ＦＳ）により画像内の１視野の測定面積を2.25×10−２ｍｍ２，測定視野数を20，つまり測定総面積が4.5×10−１ｍｍ２における開気孔の面積を求めて測定総面積における割合を気孔の面積占有率として、表１および表２に示した。
【００９４】
またヒボナイトの確認は、Ｘ線回折装置（Ｂｒｕｋｅｒ  ＡＸＳ（株）製  Ｄ８−ＡＤＶＡＮＣＥ）を用いて試料の表面を分析し、ヒボナイト(ＣａＡｌ１２Ｏ１９)結晶が検出された試料には「有」、検出されなかった試料には「無」と表１および表２に示した。
【００９５】
【表１】
2010135744.tif 000003
【００９６】
【表２】
2010135744.tif 000004
【００９７】
表１および表２に示す結果から分かる通り、酸化アルミニウムの平均結晶粒径が2.5μｍを超える試料Ｎｏ．１〜５，14，16，17は、ヤング率が380ＧＰａ未満と低かった。また、酸化カルシウム，酸化珪素および酸化マグネシウムの合計100質量％に対する酸化カルシウムおよび酸化珪素の含有量が20質量％未満であるか、もしくは37.5質量％を超える試料Ｎｏ．11〜20は、ヤング率が385ＧＰａ未満であった。また、酸化アルミニウムの含有量が99.5質量％未満である試料Ｎｏ．30〜34も、ヤング率が385ＧＰａ未満であった。さらに、ヒボナイト(ＣａＡｌ１２Ｏ１９)結晶が検出された試料Ｎｏ．14，16は、ヤング率が370ＧＰａ，372ＧＰａであり、剛性に影響を与えることが分かった。
【００９８】
これに対し、本発明の範囲である試料Ｎｏ．６〜10，21〜29，35〜55は、酸化アルミニウムの含有量が99.5質量％以上のセラミックスからなり、このセラミックスは、酸化カルシウム，酸化珪素および酸化マグネシウムを含み、酸化カルシウム，酸化珪素および酸化マグネシウムの合計100質量％に対して、酸化カルシウムおよび酸化珪素の含有量はそれぞれ20質量％以上37.5質量％以下であって残部が酸化マグネシウムであるとともに、酸化アルミニウムの平均結晶粒径が2.5μｍ以下（但し、０μｍを除く。）であることから、ヒボナイト(ＣａＡｌ１２Ｏ１９)結晶も検出されず、板状体７のヤング率が386ＧＰａ以上となり、剛性を高められることが分かった。
【００９９】
また、酸化アルミニウム，酸化カルシウム，酸化珪素および酸化マグネシウムの各含有量が同じである試料Ｎｏ．39〜41，46〜48，53〜55を比べると、先端部の表面に存在する気孔の面積占有率が２％を超える試料Ｎｏ．41に対する試料Ｎｏ．39，40、同様に試料Ｎｏ，48に対する試料Ｎｏ．46，47および試料Ｎｏ．55に対する試料Ｎｏ．53，54は、先端部の表面に存在する気孔の面積占有率が２％以下であることによってヤング率を高められることが分かった。
【実施例２】
【０１００】
まず、平均粒径が1.3μｍの酸化アルミニウムの粉末と、酸化カルシウム，酸化珪素および酸化マグネシウムの各粉末とを用意した。そして、セラミックスにおける酸化アルミニウムの含有量が99.5質量％であって、酸化カルシウム，酸化珪素および酸化マグネシウムを含み、酸化カルシウム，酸化珪素および酸化マグネシウムの合計100質量％に対して、酸化カルシウムおよび酸化珪素の含有量がそれぞれ28質量％であって残部が酸化マグネシウムとなるように秤量した混合粉末を溶媒である水とともに回転ミルに投入して、純度が99.8質量％の酸化アルミニウムからなるセラミックスボールで３時間混合した。
【０１０１】
次に、成形用バインダとして、ポリビニルアルコール，ポリエチレングリコールおよびアクリル樹脂を混合粉末100質量％に対して合計６質量％となるように添加した後、混合してスラリーを得た。そして、得られたスラリーを用いてドクターブレード法でシートを成形し、得られたシートを金型で打ち抜くことにより、吸引部５および４つの貫通孔６を有する板状体７ａと、一方の端部の先端側が二股状に分岐し、他方の端部に４つの貫通孔６を有する板状体７ｃとを得た。板状体７ｂについては、金型でシートを打ち抜いて外辺，吸着孔２，吸引部５および４つの貫通孔６を形成した後に、切削加工を施して吸引路４を形成した。また、所定の厚みとするための切削加工を板状体７ａ〜７ｃに施した。
【０１０２】
次に、混合粉末，成形用バインダ等を混合したスラリーを噴霧乾燥した顆粒を用いてプレス成形することにより、第１の吸着部３（１）および第２の吸着部３（２）の各成形体を得た。そして、第１の吸着部３（１），第２の吸着部３（２），板状体７ａ，板状体７ｂ，板状体７ｃの各成形体の互いに対向する面に密着液を塗布し、板状体７ｂの吸着孔２に第１の吸着部３（１）および第２の吸着部３（２）の位置を合わせ、板状体７ａ〜７ｃの外辺および貫通孔６の位置を合わせて積層して加圧した後、1650℃の焼成温度で２時間焼成することにより、厚みが３ｍｍで長さが300ｍｍの図２に示す例の本発明の吸着搬送部材１の実施例の各試料を得た（試料Ｎｏ．56〜60）。
【０１０３】
そして、試料Ｎｏ．57〜60については、表３に示す粒度（ＪＩＳ  Ｒ  6001−1998に準拠）の研磨材または研削材を用いて、板状体７の先端部の端面７ｄ，７ｅを研磨または研削加工した。その後、研磨または研削加工を行なわなかった試料Ｎｏ．56を含めて得られた試料すべてを超音波洗浄により洗浄した。
【０１０４】
また、酸化アルミニウムの平均結晶粒径を実施例１で示した方法で測定した結果、いずれの試料も2.5μｍであった。
【０１０５】
【表３】
2010135744.tif 000005
【０１０６】
表３に示す結果から、板状体７の先端部の端面７ｄ，７ｅが研磨または研削されていない試料Ｎｏ.56に比べて、端面７ｄ，７ｅが研磨または研削されている試料Ｎｏ．57〜60は、半導体ウエハの表面に脱落している吸着搬送部材１の主成分である酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の粒子の個数が少ないことが分かった。
【０１０７】
特に、試料Ｎｏ．59，60は、端面７ｄ，７ｅの算術平均高さＲａが0.4μｍ以下であることから、半導体ウエハの表面に脱落している酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の粒子の個数がさらに少なかった。これにより、板状体７の端面の先端部７ｄ，７ｅが研磨または研削されていることが半導体ウエハの汚染抑制に有効であり、算術平均高さＲａが0.4μｍ以下であれば、さらに半導体ウエハの汚染抑制に有効であることが分かった。
【実施例３】
【０１０８】
実施例２に示した方法と同じ方法で、厚みが３ｍｍで長さが300ｍｍの図２に示す例の本発明の吸着搬送部材１の実施例の各試料を得た（試料Ｎｏ．61〜68）。
【０１０９】
そして、試料Ｎｏ．62〜68については、表４に示す粒度（ＪＩＳ  Ｒ  6001−1998に準拠）の研磨材または研削材を用いて、表４に示す第１の吸着部３（１）や第２の吸着部３（２）の外側面３ｂを研磨または研削加工した。その後、第１の吸着部３（１）および第２の吸着部３（２）の外側面３ｂのいずれも研磨または研削加工を行なわなかった試料Ｎｏ．61を含めて得られた試料すべてを超音波洗浄により洗浄した。
【０１１０】
また、酸化アルミニウムの平均結晶粒径を実施例１で示した方法と同じ方法で測定した結果、いずれの試料も2.5μｍであった。
【０１１１】
【表４】
2010135744.tif 000006
【０１１２】
表４に示す結果から、第１の吸着部３（１）の外側面３ｂが研磨または研削されていない試料Ｎｏ．61に比べて、第１の吸着部３（１）の外側面３ｂが研磨または研削されている試料Ｎｏ．62〜68は、半導体ウエハの表面に脱落している吸着搬送部材１の主成分である酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の粒子の個数が少ないことが分かった。
【０１１３】
特に、試料Ｎｏ．64〜68は、第１の吸着部３（１）の外側面３ｂの算術平均高さＲａが0.4μｍ以下であることから、半導体ウエハの表面に脱落している酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の粒子の個数がさらに少なかった。これにより、第１の吸着部３（１）の外側面３ｂが研磨または研削されていることが半導体ウエハの汚染抑制に有効であり、算術平均高さＲａが0.4μｍ以下であれば、さらに半導体ウエハの汚染抑制に有効であることが分かった。
【０１１４】
また、第２の吸着部３（２）の外側面３ｂの結果も上記結果と同様であり、第２の吸着部３（２）の外側面３ｂが研磨または研削されていることが半導体ウエハの汚染抑制に有効であり、算術平均高さＲａが0.4μｍ以下であれば、さらに半導体ウエハの汚染抑制に有効であることが分かった。
【０１１５】
さらに、試料Ｎｏ．68の本発明の吸着搬送部材１の第１の吸着部３（１）および第２の吸着部３（２）の吸着面３ａとともに外側面３ｂをポリイミド樹脂で被覆し、同様に半導体ウエハを吸着搬送して、半導体ウエハの表面に脱落している吸着搬送部材１の主成分である酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の粒子の個数を数えたところ、粒子の脱落は見られず、粒子の付着による半導体ウエハの汚染がないことがわかった。
【０１１６】
また、上記本発明の吸着搬送部材１を基板搬送装置10に用いて、基板カセット室15内の基板カセット17に収納された基板８を各処理室14ａ〜14ｄへ吸着して搬送を繰り返し行なったところ、剛性に優れているので撓みが少なく確実に吸着して基板８を搬送することができるので、大型化した半導体ウエハ，液晶表示パネル用ガラス基板，半導体製造装置用マスク基板等の基板の搬送についても対応できることが分かった。
【０１１７】
また、本発明の吸着搬送部材１を用いた基板搬送装置10の搬送効率は従来のものよりも高く、この基板搬送装置10を用いた基板処理装置19および基板検査装置20は、基板８の処理効率および検査効率が高まり、大型化した半導体ウエハ，液晶表示パネル用ガラス基板，半導体製造装置用マスク基板等の基板を扱う場合においても好適であることが分かった。
【符号の説明】
【０１１８】
１：吸着搬送部材
２：吸着孔
３：吸着部
３（１）：第１の吸着部
３（２）：第２の吸着部
３ａ：吸着面
３ｂ：外側面
４：吸引路
５：吸引部
６：貫通孔
７：板状体
８：基板
９：搬送室
10：基板搬送装置
14ａ〜14ｄ：処理室
19：基板処理装置
20：基板検査装置
【図１】
2010135744.tif 000007
【図２】
2010135744.tif 000008
【図３】
2010135744.tif 000009
【図４】
2010135744.tif 000010
【図５】
2010135744.tif 000011
【図６】
2010135744.tif 000012
【図７】
2010135744.tif 000013
【図８】
2010135744.tif 000014