Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月5日(2005.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
契約端末又はメッセージ発信端末と通信接続する通信接続部と、この通信接続部によるメッセージ発信端末との通信接続に応じて、このメッセージ発信端末の発信者番号を検出する発信者番号検出部と、この発信者番号毎にメッセージ発信端末からの音声メッセージを記憶する音声メッセージメモリ部と、特定の発信者番号毎に保存条件データを予め記憶した保存条件メモリ部と、前記音声メッセージメモリ部に記憶中の音声メッセージに関わる発信者番号に対応する保存条件データが前記保存条件メモリ部内にあるか否かを判定し、この発信者番号に対応する保存条件データがあると判定されると、この保存条件データに基づいて、この保存条件データに対応する発信者番号に関わる音声メッセージをメモリ制御する制御部とを有することを特徴とする音声蓄積装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記音声メッセージメモリ部に記憶中の音声メッセージ関わる発信者番号に対応する保存条件データが前記保存条件メモリ部内にないと判定されると、この音声メッセージメモリ部に記憶中の、当該発信者番号に関わる音声メッセージの保存継続期間が所定時間に達しているか否かを判定し、この音声メッセージの保存継続期間が所定時間に達していると判定されたのであれば、この音声メッセージを前記音声メッセージメモリ部から自動消去することを特徴とする請求項１記載の音声蓄積装置。
【請求項３】
契約端末又はメッセージ発信端末と通信接続する通信接続部と、このメッセージ発信端末からの音声メッセージを記憶する音声メッセージメモリ部と、このメッセージ発信端末から音声メッセージに関わる保存条件データを受信すると、この音声メッセージと対応づけて保存条件データを記憶する保存条件メモリ部と、前記音声メッセージメモリ部に記憶中の音声メッセージ毎に、この音声メッセージに対応する保存条件データが前記保存条件メモリ部内にあるか否かを判定し、この音声メッセージに対応する保存条件データがあると判定されると、この音声メッセージに対応する保存条件データに基づいて、この音声メッセージをメモリ制御する制御部とを有することを特徴とする音声蓄積装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記音声メッセージメモリ部に記憶中の音声メッセージ毎に、この音声メッセージに対応する保存条件データがないと判定されると、この音声メッセージの保存継続期間が所定時間に達しているか否かを判定し、この音声メッセージの保存継続期間が所定時間に達していると判定されたのであれば、この音声メッセージを前記音声メッセージメモリ部から自動消去することを特徴とする請求項３記載の音声蓄積装置。
【請求項５】
前記メッセージ発信端末は、保存条件データの内容を書換可能とすることを特徴とする請求項３又は４記載の音声蓄積装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記音声メッセージメモリ部に記憶中の音声メッセージを前記契約端末に伝送すると、この伝送された音声メッセージに関わる保存継続期間の計時動作を開始することを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の音声蓄積装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2000261549.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月23日(2004.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成式Ｉｎｘ１Ａｌｙ１Ｇａ１−ｘ１−ｙ１Ｎ（０＜ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１）により表されるＩｎリッチ領域と、組成式Ｉｎｘ２Ａｌｙ２Ｇａ１−ｘ２−ｙ２Ｎ（０＜ｘ２＜ｘ１≦１、ｙ１＜ｙ２≦１）で表されるＡｌリッチ領域と、が混在してなることを特徴とする窒化物半導体。
【請求項２】
組成式Ｉｎｘ１Ａｌ１−ｘ１Ｎ（０＜ｘ１＜１）により表される領域と、組成式Ｉｎｘ２Ａｌ１−ｘ２Ｎ（０≦ｘ２＜ｘ１＜１）により表される他の領域と、を含む混合組成物を有する窒化物半導体であって、
前記組成式Ｉｎｘ１Ａｌ１−ｘ１Ｎ（０＜ｘ１＜１）により表される領域は赤色光を発光する、窒化物半導体。
【請求項３】
前記組成式Ｉｎｘ１Ａｌ１−ｘ１Ｎ（０＜ｘ１＜１）により表される領域と、前記組成式Ｉｎｘ２Ａｌ１−ｘ２Ｎ（０≦ｘ２＜ｘ１＜１）により表される他の領域と、を含む前記混合組成物に接してＡｌＧａＮで形成されたキャップ層を備える請求項２に記載の窒化物半導体。
【請求項４】
組成式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）により表される複数の層を積層してなる半導体発光素子であって、
前記複数の層のうちの発光層は、組成式Ｉｎｘ１Ａｌｙ１Ｇａ１−ｘ１−ｙ１Ｎ（０＜ｘ１≦１、０≦ｙ１≦１）により表されるＩｎリッチ領域と、組成式Ｉｎｘ２Ａｌｙ２Ｇａ１−ｘ２−ｙ２Ｎ（０＜ｘ２＜ｘ１≦１、ｙ１＜ｙ２≦１）で表されるＡｌリッチ領域と、が面内方向に分離して存在することを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
混合組成物を有する活性層を含む積層を備える窒化物半導体発光素子であって、
各層は、組成式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）により表され、
前記混合組成物を有する活性層は、組成式Ｉｎｘ１Ａｌ１−ｘ１Ｎ（０＜ｘ１＜１）により表される領域と、組成式Ｉｎｘ２Ａｌ１−ｘ２Ｎ（０≦ｘ２＜ｘ１＜１）により表される他の領域と、を含み、
前記組成式Ｉｎｘ１Ａｌ１−ｘ１Ｎ（０＜ｘ１＜１）により表される領域は赤色光を発光する、窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
ＡｌＧａＮを含み前記活性層に接して形成されたキャップ層をさらに備える請求項５に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
組成式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）により表される半導体を第１の温度で基板の上に成長させてＩｎとＡｌとを同時に含む不完全結晶層を形成する工程と、
前記第１の温度よりも高い第２の温度で熱処理をし、結晶化させるとともに相分離を発生させて前記第１の不完全結晶層を活性層とする工程と、
前記不完全結晶層を形成する工程と、前記不完全結晶層を活性層とする工程との間に、前記第２の温度においても熱的に安定する材料を前記第１の温度以下の温度である第３の温度で成長させて前記不完全結晶層を覆うキャップ層を形成する工程と、を備える窒化物半導体の製造方法。
【請求項８】
前記熱的に安定した材料は、
組成式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）により表される材料であることを特徴とする請求項７に記載の窒化物半導体の製造方法。
【請求項９】
組成式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）により表される半導体を第１の温度で成長させてＩｎとＡｌとを同時に含む不完全結晶層を形成する工程と、
前記第１の温度よりも高い第２の温度で熱処理をして前記不完全結晶層を活性層とする工程と、
前記不完全結晶層を形成する工程と、前記不完全結晶層を活性層とする工程との間に、前記第２の温度においても熱的に安定した材料を前記第１の温度以下の温度である第３の温度で成長させて前記不完全結晶層を覆うキャップ層を形成する工程と、を備える窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】
第１のクラッド層の上に、組成式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１）により表される半導体を第１の温度で成長させてＩｎとＡｌとを同時に含む不完全結晶層を形成する工程と、
前記第１の温度よりも高い第２の温度で熱処理をして前記不完全結晶層を活性層とする工程と、
前記不完全結晶層を形成する工程と、前記不完全結晶層を活性層とする工程との間に、前記第２の温度においても熱的に安定した材料を前記第１の温度以下の温度である第３の温度で成長させて前記不完全結晶層を覆う第２のクラッド層を形成する工程と、を備える窒化物半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】
前記熱的に安定した材料は、組成式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）により表される材料であることを特徴とする請求項９または１０に記載の窒化物半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明によれば、組成式Ｉｎｘ１Ａｌ１−ｘ１Ｎ（０＜ｘ１＜１）により表される領域と、組成式Ｉｎｘ２Ａｌ１−ｘ２Ｎ（０≦ｘ２＜ｘ１＜１）により表される他の領域と、を含む混合組成物を有する窒化物半導体であって、前記組成式Ｉｎｘ１Ａｌ１−ｘ１Ｎ（０＜ｘ１＜１）により表される領域は赤色光を発光する、窒化物半導体が提供される。  
さらに、本発明によれば、混合組成物を有する活性層を含む積層を備える窒化物半導体発光素子であって、各層は、組成式ＩｎｘＡｌｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）により表され、前記混合組成物を有する活性層は、組成式Ｉｎｘ１Ａｌ１−ｘ１Ｎ（０＜ｘ１＜１）により表される領域と、組成式Ｉｎｘ２Ａｌ１−ｘ２Ｎ（０≦ｘ２＜ｘ１＜１）により表される他の領域と、を含み、前記組成式Ｉｎｘ１Ａｌ１−ｘ１Ｎ（０＜ｘ１＜１）により表される領域は赤色光を発光する、窒化物半導体発光素子が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月21日(2004.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の高電位電源−低電位電源間で動作する論理回路と、この論理回路の出力を相補信号でトランスファー制御する第１導電型の第１のＭＯＳトランジスタ及び第２導電型の第２のＭＯＳトランジスタを含むスイッチ回路とを具備し、
前記論理回路は、前記第１のＭＯＳトランジスタを含む第１の電流経路と接続された第１のノードと、前記第２のＭＯＳトランジスタを含む第２の電流経路と接続された第２のノードと、前記第１のノードと前記第２のノードとの間に挿入された常時導通状態の第１のバリアＭＯＳトランジスタを具備する第３の電流経路と、を含み、
前記スイッチ回路の前記第１、第２の電流経路の少なくとも１つは、前記第１の電流経路または前記第２の電流経路にそれぞれ含まれる前記第１、第２のＭＯＳトランジスタの少なくとも１つと同じ導電型の常時導通状態の第２のバリアＭＯＳトランジスタを含む、
ことを特徴とするＭＯＳ型半導体集積回路。
【請求項２】
前記第１のバリアＭＯＳトランジスタが前記第２導電型であり、前記第２のバリアＭＯＳトランジスタが前記第２導電型であることを特徴とする請求項１記載のＭＯＳ型半導体集積回路。
【請求項３】
前記第１のバリアＭＯＳトランジスタが前記第１導電型であり、前記第２のバリアＭＯＳトランジスタが前記第１導電型であることを特徴とする請求項１記載のＭＯＳ型半導体集積回路。
【請求項４】
前記論理回路の前記第１のノードと前記第２のノード間に挿入された前記第３の電流経路は、前記第１のバリアＭＯＳトランジスタと直列接続された常時導通状態の第３のバリアＭＯＳトランジスタにより構成され、前記第１のバリアＭＯＳトランジスタは前記第１導電型であり、前記第３のバリアＭＯＳトランジスタは前記第２導電型であり、
前記スイッチ回路の前記第１の電流経路は前記第１のＭＯＳトランジスタと直列接続された前記第２のバリアＭＯＳトランジスタを含み、前記第２の電流経路は前記第２のＭＯＳトランジスタと直列接続された第４のバリアＭＯＳトランジスタを含み、前記第２のバリアＭＯＳトランジスタは前記第１導電型であり、前記第４のバリアＭＯＳトランジスタは前記第２導電型である、
ことを特徴とする請求項１記載のＭＯＳ型半導体集積回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【課題を解決するための手段】
本発明のＭＯＳ型半導体集積回路は、所定の高電位電源−低電位電源間で動作する論理回路と、この論理回路の出力を相補信号でトランスファー制御する第１導電型の第１のＭＯＳトランジスタ及び第２導電型の第２のＭＯＳトランジスタを含むスイッチ回路とを具備し、前記論理回路は、前記第１のＭＯＳトランジスタを含む第１の電流経路と接続された第１のノードと、前記第２のＭＯＳトランジスタを含む第２の電流経路と接続された第２のノードと、前記第１のノードと前記第２のノードとの間に挿入された常時導通状態の第１のバリアＭＯＳトランジスタを具備する第３の電流経路と、を含み、前記スイッチ回路の前記第１、第２の電流経路の少なくとも１つは、前記第１の電流経路または前記第２の電流経路にそれぞれ含まれる前記第１、第２のＭＯＳトランジスタの少なくとも１つと同じ導電型の常時導通状態の第２のバリアＭＯＳトランジスタを含む、ことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月10日(2005.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
熱可塑性液晶ポリマーは、(1) 金属と直接熱接着できること、(2) 耐熱性であること、(3) 低吸湿性であること、(4) 熱寸法安定性に優れること、(5) 湿度寸法安定性に優れること、(6) 高周波特性に優れること、(7) 有毒なハロゲン、燐、アンチモン等の難燃剤を含有しなくても難燃性であること、(8) 耐放射線性に優れること、(9) 熱膨張係数が制御できること、(10) 低温でもしなやかであること、などの特長を有するために、電気絶縁材、耐熱性材、回路基板材、ガスバリア材などの理想的な材料の一つであるとされている。そして、そのフィルムまたはシートの実用化が強く要望されていた。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月24日(2004.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子中に少なくとも一種の有機溶媒に可溶な有機溶媒可溶開始剤を含む第１の種ポリマー（Ｐ１）と、粒子の平均粒径が第１の種ポリマー（Ｐ１）の平均粒径よりも小さい第２の種ポリマー（Ｐ２）と、水と、アニオン乳化剤と、可溶性金属塩と、還元剤との存在下で、金属塩／有機溶媒可溶開始剤のモル比を0.09以下にして、対応するモノマーをマイクロ懸濁液重合させ、その際に重合反応を少なくとも一種の水溶性開始剤の存在下で行って、平均粒径がそれぞれ 0.9〜1.3μｍおよび0.15〜0.3μｍで、平均粒径が大きい方の粒子群に対する平均粒径が小さい方の粒子群の重量比が0.4 〜0.7となる２つの粒子分布群を含む塩化ビニルのホモポリマーまたはコポリマーのラテックスを製造する方法。
【請求項２】
水溶性開始剤が過硫酸アンモニウムである請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１種ポリマーに対する第２の種ポリマーの重量比を0.7〜1.8にする請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
還元剤がアスコルビン酸またはアルカリ金属のメタ重亜硫酸塩である請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のラテックスをベースにしたプラスチゾル。
【請求項６】
優れた気泡品質を有する請求項５に記載のプラスチゾルをベースにしたフォーム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月28日(2005.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、
前記基体上に形成され、温度変化により不可逆的に成長する金属微粒子が分散した固体マトリックスからなる感熱発色層と、
前記感熱発色層を覆う保護層とを含む感熱発色素子であって、
前記保護層が樹脂からなることを特徴とする感熱発色素子。
【請求項２】
前記樹脂は、フッ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合物、ポリビニルブチラール、エチレン−ビニルアルコール共重合物およびポリエチレンテレフタレートから選ばれる少なくとも一つである請求項１に記載の感熱発色素子。
【請求項３】
前記フッ素系樹脂は、ポリ４フッ化エチレン、ポリ３フッ化エチレンおよびポリフッ化ビニルから選ばれる少なくとも一つである請求項２に記載の感熱発色素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【従来の技術】
従来、金属イオンの表面プラズモン吸収を利用した感熱発色素子としては、例えばＷＯ９７／２８２２８（特に第７図およびその説明を参照）に記載されている素子が知られている。この感熱発色素子は、図３に示すように、マトリックス１０２中に金属微粒子１０１を分散した構造からなり、マトリックス中での金属微粒子の拡散・凝集反応による金属微粒子の成長反応の温度依存性を応用している。すなわち、低温ではマトリックス中の金属微粒子は、粒径が数ｎｍ以下のクラスター状態で時間とともにほとんど変化しないが（図３（ａ））、一度温度が上昇すると粒径が数ｎｍ以上に成長し、表面プラズモン吸収を示すようになって発色する（図３（ｂ））。金属微粒子は不可逆的に成長するため、上記感熱発色素子も不可逆的に発色する。その他、先行例として特開平７−８９９１１号公報を挙げることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の感熱発色素子は、基体と、この基体上に形成され、温度変化により不可逆的に成長する金属微粒子が分散した固体マトリックスからなる感熱発色層と、前記感熱発色層を覆う保護層とを含む感熱発色素子であって、前記保護層が樹脂からなることを特徴とする。
前記樹脂は、フッ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合物、ポリビニルブチラール、エチレン−ビニルアルコール共重合物およびポリエチレンテレフタレートから選ばれる少なくとも一つであることが好ましい。
前記フッ素系樹脂は、ポリ４フッ化エチレン、ポリ３フッ化エチレンおよびポリフッ化ビニルから選ばれる少なくとも一つであることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
保護層４には、樹脂を用いることができる。樹脂としては、撥水性樹脂、低透湿性ないし非透湿性の樹脂が好ましい。これらの樹脂としては、具体的には、ポリ４フッ化エチレン、ポリ３フッ化エチレン、ポリフッ化ビニル等のフッ素系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、塩化ビニリデン−塩化ビニル共重合物（例えばSaran樹脂（商品名））、ポリビニルブチラール、エチレン−ビニルアルコール共重合物（例えばエバール樹脂（商品名））、ポリエチレンテレフタレートが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月25日(2005.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 ＢＥＴ法によって測定した比表面積が８０〜４００ｍ2／ｇのシリカ、シュウ酸、酸化剤及び水よりなることを特徴とする金属膜用研磨剤。
【請求項２】 半導体基板表面に金属配線用の凹部を有する絶縁膜を形成し、その上にバリア膜を介して該凹部を埋めるように金属膜を形成した後、金属膜及びバリア膜を研磨することにより除去して絶縁膜と凹部に存在する金属膜との平坦化された面を形成するに際し、請求項１に記載の金属膜用研磨剤によって上記金属膜の研磨を選択的に行うことを特徴とする研磨方法。
【請求項３】 金属膜を選択的に研磨した後、次いで、シリカと水よりなる研磨剤を使用して金属膜及びバリア膜を同時研磨し、さらに、金属膜及び絶縁膜を同時研磨する、請求項２記載の研磨方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の金属膜用研磨剤において、酸としてシュウ酸を使用することが極めて重要である。即ち、シュウ酸を使用することにより、金属膜の研磨速度を十分維持しながら、研磨がバリア膜に達した際における、金属膜の溶解を効果的に防止でき、前記絶縁膜凹部における金属膜のディッシングを防止することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
上記選択比が０．８未満ではバリア膜よりも金属膜が研磨されすぎる場合があり、ディッシングが発生する可能性がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
また、バリア膜と金属膜との研磨、即ち、第二段研磨に次いで、必要に応じて、第三段研磨が行われる。かかる研磨に使用される第三の研磨剤は、金属膜、バリア膜及び絶縁膜をほぼ等しい研磨速度で研磨できることが好ましい。特に好ましくは、絶縁膜に対する金属膜とバリア膜との選択比（金属膜／絶縁膜研磨速度比及びバリア膜／絶縁膜研磨速度比）は、好ましくは、０．３〜３、さらに好ましくは０．５〜２、特に、０．８〜１．２である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月7日(2005.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
官能基含有オレフィン系共重合体ゴム（Ａ）
本発明で用いられる官能基含有オレフィン系共重合体ゴム（Ａ）は、オレフィン系共重合体ゴムが、官能基含有ビニル単量体で変性されてなるオレフィン系共重合体ゴムである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
【比較例４】
［エチレン・プロピレン・5-エチリデン-2-ノルボルネン共重合体(1)／ＥＢＲ-1／Ｎｙ６-1組成物の調製］
実施例１の変性ＥＰＴ-1を未変性のエチレン・プロピレン・5-エチリデン-2-ノルボル
ネン共重合体(1)に変えたこと以外は実施例１と同様の操作により、熱可塑性エラストマ
ー組成物を得た。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月18日(2005.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
５０重量％以上の熱硬化性樹脂を含み、かつ５００〜１４５００ｐｐｍの吸湿量を有す
る樹脂と、
前記樹脂に含有された金属微粒子と、
から成ることを特徴とする金属含有樹脂粒子。
【請求項２】
５０重量％以上の熱硬化性樹脂を含み、かつ５００〜１４５００ｐｐｍの吸湿量を有す
る樹脂から成ることを特徴とする樹脂粒子。
【請求項３】
基材と、
前記基材上に形成され、請求項１記載の金属含有樹脂粒子を使用して形成された金属含有樹脂層と、
前記金属微粒子を核とすることにより、前記金属含有樹脂層上に形成されためっき層と、
を具備することを特徴とする電子回路基板。
【請求項４】
基材と、
前記基材上に形成されためっき層と、
前記めっき層上に形成され、請求項２記載の樹脂粒子を使用して形成された樹脂層と、
を具備することを特徴とする電子回路基板。
【請求項５】
静電潜像が形成された感光体の表面に、５０重量％以上の熱硬化性樹脂を含み、かつ５００〜１４５００ｐｐｍの吸湿量を有する樹脂と前記樹脂に含有された金属微粒子とから成る金属含有樹脂粒子を静電的に付着させて可視像を形成する工程と、
前記感光体の表面に形成された前記金属含有樹脂粒子から成る可視像を、基材上に転写する工程と、
を備えた金属含有樹脂層を形成する工程を、相対湿度が７０％以下の環境で行うことを特徴とする電子回路の製造方法。
【請求項６】
静電潜像が形成された感光体の表面に、５０重量％以上の熱硬化性樹脂を含み、かつ５００〜１４５００ｐｐｍの吸湿量を有する樹脂から成る樹脂粒子を静電的に付着させて可視像を形成する工程と、
前記感光体の表面に形成された前記樹脂粒子から成る可視像を、基材上に転写する工程と、
を備えた樹脂層を形成する工程を、相対湿度が７０％以下の環境で行うことを特徴とする電子回路の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】金属含有樹脂粒子、樹脂粒子、電子回路基板、及び電子回路の製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、金属含有樹脂粒子、樹脂粒子、電子回路基板、及び電子回路の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものである。即ち、精度良く金属含有樹脂層を形成することが可能な金属含有樹脂粒子及び電子回路の製造方法を提供することを目的とする。また、精度良く樹脂層を形成することが可能な樹脂粒子、電子回路基板、及び電子回路の製造方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の他の態様によれば、基材と、前記基材上に形成され、請求項１記載の金属含有樹脂粒子を使用して形成された金属含有樹脂層と、前記金属微粒子を核とすることにより、前記金属含有樹脂層上に形成されためっき層とを具備することを特徴とする電子回路基板が提供される。本発明の他の態様によれば、基材と、前記基材上に形成されためっき層と、前記めっき層上に形成され、請求項２記載の樹脂粒子を使用して形成された樹脂層とを具備することを特徴とする電子回路基板が提供される。本発明の他の態様によれば、静電潜像が形成された感光体の表面に、５０重量％以上の熱硬化性樹脂を含み、かつ５００〜１４５００ｐｐｍの吸湿量を有する樹脂と前記樹脂に含有された金属微粒子とから成る金属含有樹脂粒子を静電的に付着させて可視像を形成する工程と、前記感光体の表面に形成された前記金属含有樹脂粒子から成る可視像を、基材上に転写する工程と、を備えた金属含有樹脂層を形成する工程を、相対湿度が７０％以下の環境で行うことを特徴とする電子回路の製造方法が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の他の態様の電子回路の製造方法及び電子回路基板によれば、金属含有樹脂粒子の帯電量を最適範囲に制御することができるので、精度良く金属含有樹脂層を形成することができる。本発明の他の態様の電子回路の製造方法及び電子回路基板によれば、樹脂粒子の帯電量を最適範囲に制御することができるので、精度良く樹脂層を形成することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月29日(2005.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
三角波形状のＦＭ−ＣＭ波の上昇時と下降時のピーク周波数からターゲットとの相対距離及び相対速度を求めるＦＭ−ＣＷレーダの信号処理方法であって、前記ターゲットが検出されている場合、前回検出したターゲットとの相対距離及び相対速度から今回検出される上昇時及び下降時のピーク周波数の予測値を求め、該予測値が検出帯域を超えたかどうか判断し、該検出帯域を超えたピーク周波数が存在する場合にはその周波数を折り返して予測値とし、今回検出したピーク周波数の中から前記予測値とほぼ同じ上昇時及び下降時のピーク周波数が存在するかどうか判断し、存在した場合には前記折り返した予測値とほぼ同じピーク周波数を折り返して用いる、ＦＭ−ＣＷレーダの信号処理方法。
【請求項２】
前記予測値の値が負であるピーク周波数の場合、符号反転して予測値とし、今回検出したピーク周波数の中から前記予測値とほぼ同じ上昇時及び下降時のピーク周波数が存在するかどうか判断し、存在した場合には前記符号反転した予測値とほぼ同じピーク周波数を符号反転して用いる、請求項１に記載のＦＭ−ＣＷレーダの信号処理方法。
【請求項３】
前記予測値の値が検出帯域の上限周波数を超えたピーク周波数の場合、該上限周波数を中心に折り返して予測値とし、今回検出したピーク周波数の中から前記予測値とほぼ同じ上昇時及び下降時のピーク周波数が存在するかどうか判断し、存在した場合には前記折り返した予測値とほぼ同じピーク周波数を前記上限周波数を中心に折り返して用いる、請求項１に記載のＦＭ−ＣＷレーダの信号処理方法。
【請求項４】
前回ターゲットが検出されていない場合、上昇時及び下降時のピーク周波数に基き相対距離（ｒa）及び相対速度（ｖa）を求め、
前記上昇時及び下降時のピーク周波数の一方を折り返して相対距離（ｒb）及び相対速度（ｖb）を算出し、
前記相対速度（ｖb）が所定の範囲内であって、前記相対距離（ｒb）の値が所定の範囲内でない場合、前記相対距離（ｒa、ｒb）の瞬間誤差（Δｒa、Δｒb）を求め、
前記瞬間誤差の積算値（ΣΔｒa、ΣΔｒb）をそれぞれ求め、
Δｒb≧Δｒa でなく、かつΣΔｒb≧ΣΔｒa でない場合には、折り返して算出した相対距離（ｒb）及び相対速度（ｖb）を採用する、請求項１に記載のＦＭ−ＣＷレーダの信号処理方法。
【請求項５】
前記上昇時及び下降時のピーク周波数の一方を折り返して相対距離（ｒb）及び相対速度（ｖb）を算出するに際し、前記相対距離（ｒa）が所定の値（ｒ0）以下の場合には、ピーク周波数のうち低い方のピーク周波数を折り返し、前記相対距離（ｒa）が所定の値（ｒ0）以下でない場合には、ピーク周波数のうち高い方のピーク周波数を折り返して相対距離（ｒb）及び相対速度（ｖb）を算出する、請求項４に記載のＦＭ−ＣＷレーダの信号処理方法。
【請求項６】
Δｒb≧Δｒa であり、かつΣΔｒb≧ΣΔｒa である場合には、折り返さないで求めた相対距離（ｒa）及び相対速度（ｖa）を採用する、請求項４又は５に記載のＦＭ−ＣＷレーダの信号処理方法。
【請求項７】
Δｒb≧Δｒa、及びΣΔｒb≧ΣΔｒaのいずれか一方が成り立たなければ、どのデータを採用するかについての判断は行わず次回のサイクルで判断する、請求項４又は５に記載のＦＭ−ＣＷレーダの信号処理方法。
【請求項８】
前記相対距離（ｒa、ｒb）の瞬間誤差（Δｒa、Δｒb）を下記の式により求める、請求項４又は５に記載のＦＭ−ＣＷレーダの信号処理方法。
Δｒa＝｛（ｖai＋ｖai-1）／２｝ｔ−（ｒai−ｒai-1）
Δｒb＝｛（ｖbi＋ｖbi-1）／２｝ｔ−（ｒbi−ｒbi-1）
（ｒai、ｒbiは今回求めた相対距離、ｒai-1、ｒbi-1は前回求めた相対距離、ｖai、ｖbiは今回求めた相対速度、ｖai-1、ｖbi-1は前回求めた相対速度、ｔは前回から今回までの経過時間）
【請求項９】
前回ターゲットが検出されていない場合、上昇時及び下降時のピーク周波数に基き相対距離（ｒa）及び相対速度（ｖa）を求め、
前記上昇時及び下降時のピーク周波数の一方を折り返して相対距離（ｒb）及び相対速度（ｖb）を算出し、
前記相対速度（ｖb）が所定の範囲内であって、前記相対距離（ｒb）の値が所定の範囲内の場合、折り返さないで求めた前記相対距離（ｒa）及び相対速度（ｖa）を採用する、請求項１に記載のＦＭ−ＣＷレーダの信号処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
〔実施例２−既存ターゲットの場合〕
図７は、既存ターゲットの場合における本発明による別の実施例を示すフローチャートである。なお、フローチャートに示された動作はレーダ装置に含まれるＣＰＵ、例えば図３のＣＰＵ５により制御される。
図７において、Ｓ１−Ｓ４までの動作は図６に示されたものと同じである。このフローチャートでは、算出された予測値ｆbupi又はｆbdniが検出帯域ｆxを超えたかどうか判断する（Ｓ５）。超えていれば（Ｙｅｓ）、例えば、図５（ｃ）に示されているような状態となっていると予測された場合、予測値として算出された周波数ｆbupiを周波数ｆxで折り返した周波数ｆ′bupiを、以下の式で求める（Ｓ６）。
ｆbupi＝ｆx＋（ｆx−ｆ′bupi）
ｆ′bupi ＝２ｆx−ｆbupi
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月28日(2005.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】明細書    【発明の名称】レーザーポイント    【発明の詳細な説明】    【０００１】    【技術分野】  本発明は床に書いた墨を天井に出す為と立ち墨を出す為の装置である。    【０００２】    【背景技術】  従来のレーザーポイントは高価で衝撃に弱く取り扱いに慎重が要求されている。    【０００３】    【発明が解決しよとする課題】  従来の装置は高価であり取り扱いが荒いと狂いがくるが生じた。    【０００４】  従来のものは支点を有する為支点の方向に対する立ち墨は本体を待って動かすか、回転させる機種でも水平を調整し直すという不便さがあった。    【０００５】  従来のものは支点を有する為振動及び持ち運びに注意が必要であった。    【０００６】  従来のものは水準器を合わせるには調整ツマミを回していた為時間を要した。    【０００７】  従来のものは床墨にレーザー光を合わせるに時間を要していた。    【０００８】    【課題を解決するための手段】  上記の目的を達成するために、液体に浮きを浮かすだけのシンプルにより３６０度立ち墨が出せ、安価で、取り扱いが簡単になる。    【０００９】球の上にその球の外径を内径に持つ半球を乗せスライドさせてレーザ光軸と重心軸と中心軸の３軸を同軸にする。    【００１０】本体を球形にしてドーナツ上のベースに乗せるだけでベースの中心と本体の中心とが合致することを利用しているため床の凸凹がかなりあっても水準器なしで目的の墨がえられるのである。    【００１１】重心剤を流し込み固形になる前に遠心力でレーザー光軸と重心軸を同軸して固まらせることで調整がかなり省け安価に出来るようにする。    【００１２】    【発明を実施するための最良の形態】  発明の実施の形態を実施例に基づき図面を参照して説明する。図２は浮き（４）を円錐型にし、本体との接触部分が自由に動くように線か点にし、墨の狂いを少なくする為に出来る限り本体の内面近付けるようにする。その浮き（４）の中心から垂直にレーザー光を発生するように半導体レーザーを取り付ける。つぎに重心剤（７）を流し込み、回転させて遠心力で重心を作り重心軸、中心軸、レーザー光軸の３軸を同軸にして固まらせる。狂っている場合は重心調整ビス（１１）を回して同軸にする。三軸を同じくした浮きを垂直で固定し、液面に対しても水平にレーザー光が発生するように半導体レーザーを取り付ける。こうして作った浮き（４）を液体のはいった本体（１）に浮かべ、床墨に中心表示板（９）を合わせたベース（２）に乗せ、目的の墨を得るのである。浮き（４）は、外部から電池（６）が充電できるようになっている。図３は半球の中心軸と垂直レーザー光軸を同軸にした半球を、この半球の内径を外径とする球に乗せてスライド出来るようにする。球の浮きに重心剤と電池を入れ、スライドさせ、中心軸、垂直レーザー光軸、重心軸の３軸を同軸にする方法である。又本体の内面との接触部分に紙のように薄い案内板（１０）を使うことで自由に動くようにした。    【００１３】    【発明の効果】  装置の効果としては次のような効果がある。    【００１４】  浮きが円錐又は球だから重心剤（７）を液体の状態で流し込み遠心力をかけ、固まらすのでレーザー光軸、重心軸、浮きの中心軸の３軸を同軸にしやすく、支点がない分���整も少なく安価に出来るようになった。    【００１５】セットし直さなくても３６０度立ち墨が出せるようになった。    【００１６】球形にした本体（１）を床墨に中心表示板（９）を合わせたベース（２）の上に乗せるだけで墨が得られるようになった。    【００１７】    【図面の簡単な説明】    【図１】本発明の本体の斜視図である。    【図２】遠心力で重心軸とレーザー光軸を同軸にした浮きを持つ本発明の縦断面図で ある。    【図３】案内板を持ち重心軸とレーザー光軸をスライドさせて同軸にした浮きを持つ 本発明の縦断面図である。    【符号の説明】  １  本体  ２、  ベース  ３  半導体レーザー  ４  浮き  ５  基板  ６  電池  ７  重心剤  ８  液体  ９  中心表示板１０  案内板１１重心調整ビス【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体（１）の内面との接触面を小さくした浮き（４）の中心軸、垂直レーザー光軸、重心軸、を同軸にし、液体（８）面に対し垂直、水平にレーザー光を発生させ、液体（８）の入った本体（１）に浮かべ、ベース（２）に乗せたこれらからなるレーザーポイント。
【請求項２】
本体（１）の内面と浮き（４）との接触面を線か点で接触させ、垂直レーザー光軸を一定の位置に案内する案内板（１０）を持つ請求項１のレーザーポイント。
【請求項３】
液体（８）面に対し垂直と水平にレーザー光を発生する浮き（４）を常温で液体の物質に浮かした請求項１のレーザーポイント。
【請求項４】
球の外径を内径に持つ半球をスライドさせて、垂直レーザー光軸と重心軸と同軸にした、浮き（４）を内在する[請求項１]のレーザーポイント。
【請求項５】
全体又は一部が球形した本体（１）と、ドーナツ状のベース（２）の中心に中心表示板（９）を持ち、リモコンで回転するベース（２）を内在する請求項１のレーザーポイント。
【請求項６】
常温で固体、加熱して液体、または液体から時間とともに固形する重心剤（７）を遠心力を利用して回転させ重心軸とレーザー光軸を同軸にした請求項１記載の浮き。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月4日(2005.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射性の内周面を備えたインテグレータと、リフレクタおよび、その中心に位置するランプを備え、前記インテグレータの入射側の開口に光を供給する光源と、前記インテグレータの入射側の開口の外周で前記光源の側に前記光を反射するアウターミラーとを有する照明装置。
【請求項２】
請求項１において、前記アウターミラーは平坦な鏡面である照明装置。
【請求項３】
請求項１において、前記アウターミラーは、前記光源の側に凸の円錐台状である照明装置。
【請求項４】
請求項１において、前記アウターミラーは凸面鏡である照明装置。
【請求項５】
請求項１において、前記アウターミラーの中心側は平坦な鏡面であり、周辺側は凸面または前記光源の側に凸の円錐台状である照明装置。
【請求項６】
請求項１において、前記アウターミラーは、前記インテグレータの出射側に凸の円錐台状である照明装置。
【請求項７】
請求項１において、前記アウターミラーは、凹面鏡である照明装置。
【請求項８】
請求項１において、前記アウターミラーの中心側は平坦な鏡面であり、周辺側は凹面またはインテグレータの出射側に凸の円錐台状である照明装置。
【請求項９】
請求項１において、前記インテグレータの出射側に、３原色の光の内、１つの色の光を透過し他の色の光を反射する半透過部分を備え、各々の色の前記半透過部分が前記インテグレータの出射側の開口を分割するように回転するカラーホイールを有する照明装置。
【請求項１０】
請求項９において、前記インテグレータは、前記カラーホイールにより反射された光を前記カラーホイールの側に反射する端面を備えている照明装置。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の照明装置と、この照明装置から出力された各色の光束に基づいて画像データを形成するライトバルブと、このライトバルブからの光を投影するレンズシステムとを有するプロジェクタ。
【請求項１２】
光源から入射側の開口に入射した光を出力側の開口から出力する、反射性の内周面を備えたインテグレータであって、前記入射側の開口の外周で前記光源の側に反射するアウターミラーを有するインテグレータ。
【請求項１３】
請求項１２において、前記入射側と出射側との間に出射側に反射する端面を有するインテグレータ。
【請求項１４】
請求項１記載の照明装置を有するプロジェクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月6日(2004.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
図１ないし図５の双眼鏡用ブレ防止アダプタの双眼鏡筒状部受入筒の正面形状を説明する側面図である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月23日(2005.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レンズ系と、基準位置を示す指標を備えた指標部材とを有し、
前記指標部材が、前記レンズ系の前側焦点位置又はその近傍に配置されていることを特徴とする対物レンズ。
【請求項２】
少なくとも第１の対物レンズと第２の対物レンズとを備え、前記第１の対物レンズが、レンズ系のみで構成され、
前記第２の対物レンズが、レンズ系と、基準位置を示す指標を備えた指標部材とを有し、かつ、前記指標部材を、前記第２の対物レンズの前記レンズ系の前側焦点位置又はその近傍に配置して構成され、
前記第１の対物レンズが、前記第２の対物レンズにおける前記基準位置を示す指標位置に対応する位置での収差が所定の収差状態となるように調整されていることを特徴とする対物レンズの組合せ。
【請求項３】
レンズ系と基準位置を示す指標を備えた指標部材とを有し、かつ、前記指標部材を、前記レンズ系の前側焦点位置又はその近傍に配置して構成された対物レンズを、撮像装置を有する装置に装着し、前記基準位置を示す指標の像を前記撮像装置で撮像する過程と、
撮像された画像における前記基準位置を示す指標の位置を算出して該位置を記憶する過程と、
所定の光学系を前記対物レンズと交換して前記撮像装置を有する装置に装着し、該光学系の収差を測定する過程と、
該測定に基づいて前記記憶した位置に対応する位置における収差が所定の収差状態となるように、前記光学系を調整する過程とを備えていることを特徴とする光学系の調整方法。
【請求項４】
前記対物レンズは取付基準面を有し、該取付基準面に対して垂直に平行光束を入射させたときの集光位置と、前記基準位置を示す指標とが一致するように、前記指標部材が前記取付基準面に対して位置決めされていることを特徴とする請求項１に記載の対物レンズ。
【請求項５】
前記対物レンズは取付基準面を有し、該取付基準面に対して垂直な軸を回転軸として前記対物レンズを回転させたときに、前記対物レンズを介して形成される前記基準位置を示す指標の像が常に同じ位置に位置するように、前記指標部材が位置決めされていることを特徴とする請求項１に記載の対物レンズ。
【請求項６】
前記第２の対物レンズは取付基準面を有し、該取付基準面から前記指標部材までの距離が、前記第１の対物レンズの同焦距離よりも短いことを特徴とする請求項２に記載の対物レンズの組合せ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本第３の発明による対物レンズを用いた光学系の調整方法は、レンズ系と基準位置を示す指標を備えた指標部材とを有し、かつ、前記指標部材を、前記レンズ系の前側焦点位置又はその近傍に配置して構成された対物レンズを、撮像装置を有する装置に装着し、前記基準位置を示す指標の像を前記撮像装置で撮像する過程と、撮像された画像における前記基準位置を示す指標の位置を算出して該位置を記憶する過程と、所定の光学系を前記対物レンズと交換して前記撮像装置を有する装置に装着し、該光学系の収差を測定する過程と、該測定に基づいて前記記憶した位置に対応する位置における収差が所定の収差状態となるように、前記光学系を調整する過程とを備えていることを特徴とする。
また、本第４の発明による対物レンズは、前記対物レンズは取付基準面を有し、該取付基準面に対して垂直に平行光束を入射させたときの集光位置と、前記基準位置を示す指標とが一致するように、前記指標部材が前記取付基準面に対して位置決めされていることを特徴とする。
また、本第５の発明による対物レンズは、前記対物レンズは取付基準面を有し、該取付基準面に対して垂直な軸を回転軸として前記対物レンズを回転させたときに、前記対物レンズを介して形成される前記基準位置を示す指標の像が常に同じ位置に位置するように、前記指標部材が位置決めされていることを特徴とする。
更に、本第６の発明による対物レンズの組合せは、前記第２の対物レンズは取付基準面を有し、該取付基準面から前記指標部材までの距離が、前記第１の対物レンズの同焦距離よりも短いことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月17日(2005.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示パネルと、
表示データを取り込むラッチ回路と、表示データから階調電圧を生成するデコーダ回路と、前記ラッチ回路の表示データを時分割で選択して前記デコーダ回路に供給するセレクタ回路とを有する第２の駆動回路と、
前記第２の駆動回路の１本の出力を、前記液晶表示パネルの複数本の映像信号線に時分割で供給する分配回路を有する第１の駆動回路とを有し、
前記セレクタ回路と前記分配回路とには、時分割を制御する信号が共通に供給されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記時分割を制御する信号は、前記第２の駆動回路の内部で生成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第２の駆動回路はフレキシブル基板上に設けられており、
前記時分割を制御する信号は、前記フレキシブル基板上の、前記液晶表示パネルに対向電極信号を供給する配線と前記第２駆動回路の階調電圧の出力配線との間に設けられた配線を介して、前記第１の駆動回路に供給されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記時分割を制御する信号を出力するために前記フレキシブル基板上に設けられた端子は、前記第２駆動回路の階調電圧を出力するために前記フレキシブル基板上に設けられた端子よりも幅広であることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１の駆動回路は、前記液晶表示パネルに設けられる画素と同様の工程で形成されることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記セレクタ回路と前記デコーダ回路との間には、レベルシフタ回路が設けられていることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
液晶表示パネルと、
表示データを取り込むラッチ回路と、表示データから階調電圧を生成するデコーダ回路と、前記ラッチ回路の表示データを時分割で選択して前記デコーダ回路に供給するセレクタ回路とを有する第２の駆動回路と、
前記第２の駆動回路の１本の出力を、前記液晶表示パネルの複数本の映像信号線に時分割で供給する分配回路を有する第１の駆動回路とを有し、
前記複数の映像信号線には、１水平走査期間において、同極性の階調電圧が供給されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
前記１水平期間の開始の際は、前記複数本の映像信号線の全てに前記第２の駆動回路の１本の出力を供給することを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月11日(2005.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟持する一対の基板間にスペーサーが配置され、複数のドット表示領域と各ドット表示領域周辺に設けられた非表示領域とを有して構成される液晶装置であって、前記一対の基板のいずれか一方の基板には、前記ドット表示領域内において前記一対の基板間で挟持する前記液晶層の層厚を領域的に異ならせる絶縁層が形成され、前記スペーサーは前記液晶層の層厚を薄くする領域に選択的に配設されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
液晶層を挟持する一対の基板間にスペーサーが配置され、複数のドット表示領域と各ドット表示領域周辺に設けられた非表示領域とを有して構成される液晶装置であって、前記一対の基板のいずれか一方の基板には、前記ドット表示領域内において前記一対の基板間で挟持する前記液晶層の層厚を領域的に異ならせる絶縁層が形成され、
前記液晶層の層厚が薄い領域における前記液晶層の層厚よりも大きな高さを有する前記スペーサが、前記液晶層の層厚が厚い領域に選択的に配設されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
前記基板の前記ドット表示領域にはそれぞれ電極が設けられる一方、前記非表示領域には、前記電極にそれぞれ接続されたスイッチング素子が設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記液晶層厚の異なる個々の領域が反射表示部又は透過表示部のいずれかに対応して配置されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記スペーサーの表面には、配向規制手段が具備されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の液晶装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項７】
基板上にスペーサーを選択的に配設する液晶装置の製造方法であって、
前記基板上に段差部を生じさせる絶縁膜を形成する工程と、
前記スペーサーを所定の溶媒に分散させたスペーサー分散溶液を、液滴吐出方式により、前記基板上の前記段差部の段上又は段下の所定の領域にのみ吐出し、さらに前記溶媒を蒸発させることにより、前記スペーサーを前記基板上に選択的に配設するスペーサ配設工程と、を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月28日(2005.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された一対の基板と、該基板上に形成された一対の電極と、該基板間に充填された誘電性液体と複数の誘電体粒子とからなる混合物とを備え、前記電極間にＤＣ成分を含まない電気信号を印加して、前記誘電体粒子を前記基板間で凝集させた凝集状態と、前記電極間にＤＣ成分を含む電気信号を印加して前記誘電体粒子を前記基板間で分散させた分散状態とを、それぞれ異なる表示状態とする表示素子であって、
前記誘電体粒子が帯電した誘電体粒子であり、前記誘電性液体が、比誘電率が前記誘電体粒子の比誘電率より大きい有極性液体であることを特徴とする表示素子。
【請求項２】
前記有極性液体の比誘電率が前記誘電体粒子の比誘電率より５以上大きい事を特徴とする請求項１に記載の表示素子。
【請求項３】
前記有極性液体の比誘電率が前記誘電体粒子の比誘電率より１８以上大きい事を特徴とする請求項１に記載の表示素子。
【請求項４】
前記有極性液体の粘性率が１７ｃｐｓ未満である事を特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の表示素子。
【請求項５】
前記有極性液体が、双極性非プロトン性溶媒を構成成分に含む事を特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の表示素子。
【請求項６】
前記ＤＣ成分を含まない電気信号がパルス信号であり、プラス側のパルス波高値がマイナス側のパルス波高値と等しく、デューティ比が３０％以上７０％以下である事を特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の表示素子。
【請求項７】
前記ＤＣ成分を含む電気信号がパルス信号であり、プラス側の波高値がマイナス側の波高値と等しく、デューティ比が３０％未満及び／又は７０％以上である事を特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示素子。
【請求項８】
前記ＤＣ成分を含む電気信号が、プラス側の波高値がマイナス側の波高値に等しく、デューティ比が５０％のパルス信号に、ＤＣ信号を重畳した信号である事を特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示素子。
【請求項９】
前記ＤＣ成分を含む電気信号がＤＣ信号である事を特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示素子。
【請求項１０】
前記ＤＣ成分を含まない電気信号および前記ＤＣ成分を含む電気信号の印加時、前記基板間に不均一電界が形成される事を特徴とする請求項１ないし９のいずれか１項に記載の表示素子。
【請求項１１】
前記凝集状態が形成される位置が、前記不均一電界内の電界強度の弱い領域に含まれる事を特徴とする請求項１ないし１０のいずれか１項に記載の表示素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記有極性液体の比誘電率が前記誘電体粒子の比誘電率より５以上大きいことが好ましく，さらに１８以上大きいことが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月27日(2005.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
核酸試料から得た種々の長さの核酸断片を電気泳動して得られた４種類の塩基の蛍光強度波形データのピーク情報を元に前記核酸試料の塩基配列を仮決定するステップと、
前記仮決定した塩基配列と既知塩基配列に対してホモロジー検索を行い、前記仮決定した塩基配列に相同性が高い既知塩基配列を並置するステップと、
前記並置した核酸試料の蛍光強度波形データの信号強度と既知塩基配列の対応する蛍光強度波形データの信号強度とを、横軸を揃えて比較するステップとを含み、
前記核酸試料の第１の塩基の蛍光強度波形データの所定のピークの信号強度が、既知塩基配列の前記第１の塩基の蛍光強度波形データの前記所定のピークに対応するピークの信号強度に対して所定の割合以下である場合に、当該ピーク位置に塩基変異が生じている可能性があると判定することを特徴とする核酸試料の塩基配列決定方法。