【手続補正書】
【提出日】令和3年11月5日(2021.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦なポリマースタックを製造するための方法であって、前記方法が、基材（１０）に非架橋（コ）ポリマーの第１の層（２０）、次いで、（コ）ポリマーの第２の層（３０）を堆積することからなり、（コ）ポリマー層のうちの少なくとも１つが、初期には液体又は粘性状態にあり、第１の層（２０）への上層（３０）の堆積時に、上層が、溶解した１つ又は複数のモノマー及び／又はダイマー及び／又はオリゴマー及び／又はポリマーを含むプレポリマー組成物（ｐｒｅ−ＴＣ）の形態にあり、並びにさらなる工程は、前記プレポリマー層（３０、ｐｒｅ−ＴＣ）内の分子鎖の架橋反応を引き起こすことが可能であるとともに、架橋されたトップコート（ＴＣ）層の生成を可能にする熱処理に、前記上層（３０）を供することからなる、方法。
【請求項２】
熱処理が、２０〜１５０℃の間の温度範囲で、好ましくは１５分未満、より好ましくは１０分未満、さらにより好ましくは５分未満の時間にわたり、スタックを加熱することからなる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
プレポリマー組成物（ｐｒｅ−ＴＣ）が、溶媒中に配合された又は溶媒なしで使用される組成物であり、全体として又は部分的に同一の化学的性質の、少なくとも１種のモノマー、ダイマー、オリゴマー、若しくはポリマー化学種、又はこれらの様々な種の任意の混合物を含み、それぞれが、熱刺激の効果の下で架橋反応を確実にすることが可能な少なくとも１つの化学官能基を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
プレポリマー組成物（ｐｒｅ−ＴＣ）が、ラジカル発生剤、又は酸発生剤、又は塩基発生剤から選択される、熱活性化可能な触媒も含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
プレポリマー組成物の化学種の少なくとも１種が、その化学式中に、少なくとも１個のフッ素及び／又はケイ素及び／又はゲルマニウム原子、及び／又は少なくとも２個の炭素原子の脂肪族炭素系鎖を含有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
架橋がラジカル経路を介して行われる場合、プレポリマー組成物（ｐｒｅ−ＴＣ）は、有機過酸化物型の誘導体、あるいはアゾビスイソブチロニトリルなどのアゾ型の化学官能基を含む誘導体、あるいはアルキルハロゲン化物型の誘導体から選択される、熱活性化可能な触媒も含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
プレポリマー組成物が、好ましくはエポキシ／オキシラン官能基を含むモノマー及び／又はダイマー及び／又はオリゴマー及び／又はポリマーと、酸を発生させるための触媒及び／又はエポキシ官能基上で付加反応を行うための試薬を発生させるための共試薬との混合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
プレポリマー組成物が、周囲の水分の存在下、周囲又は適度な温度で架橋反応を自発的に引き起こすことが可能な、シアノアクリレート型の１種又は複数の多官能性アクリルモノマーの混合物を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
プレポリマー組成物（ｐｒｅ−ＴＣ）の層の架橋温度が、第１のポリマー層（２０）のガラス転移温度Ｔｇよりも低く、第１のポリマー層（２０）の最高ガラス転移温度Ｔｇが、２５℃よりも高い、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
プレポリマー組成物（ｐｒｅ−ＴＣ）が、そのハンセン溶解度パラメーターがδｐ≧１０ＭＰａ１／２及び／又はδｈ≧１０ＭＰａ１／２になるような、かつδｄ＜２５ＭＰａ１／２であるような、溶媒又は溶媒混合物から選択される溶媒も含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、第１のポリマー層（２０）が、組織化温度でナノ構造化することが可能なブロックコポリマー（ＢＣＰ）であり、及び該方法が、ブロックコポリマーの第１の層（２０）を堆積する工程の前に、下層基材（１０）の表面を中和する工程を含み、並びに該方法が、上層（３０）を架橋して架橋トップコート層を形成する工程の後に、得られたスタックを組織化温度にかけることによって、第１の層（２０）を構成するブロックコポリマーをナノ構造化する工程であって、前記組織化温度が、トップコート（ＴＣ）材料が粘弾性流体のように挙動する温度よりも低く、前記温度が、前記トップコート材料のガラス転移温度よりも高く、好ましくは、前記組織化温度が、その架橋形態にあるトップコート（ＴＣ）層（３０）のガラス転移温度よりも低い、ブロックコポリマーをナノ構造化する工程を含む、方法。
【請求項１２】
下層基材（１０）の表面を中和する予備工程が、基材の表面にパターンを事前に引くことからなり、前記パターンが、ブロックコポリマー（ＢＣＰ）の第１の層（２０）を堆積する工程の前に、リソグラフィー工程又は任意の性質の一連のリソグラフィー工程によって事前に引かれ、前記パターンが、中和又は偽中和表面を得るために、化学エピタキシー若しくはグラフォエピタキシーとして公知の技術、又はこれら２つの技術の組合せによって、前記ブロックコポリマー（ＢＣＰ）の組織を誘導することを意図される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ブロックコポリマーが、そのブロックの１つにケイ素を含むことを特徴とする、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
プレポリマー組成物が、シアノアクリレート型の１種又は複数の多官能性アクリルモノマーの混合物を含む場合、プレポリマー組成物（ｐｒｅ−ＴＣ）の層の架橋温度は、ブロックコポリマー（ＢＣＰ）層（２０）の最高ガラス転移温度Ｔｇよりも低く、ブロックコポリマーは、組成物の少なくとも４０％が２５℃よりも高いガラス転移温度を有する少なくとも１つのブロックを有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
第１のブロックコポリマー（ＢＣＰ）層（２０）が、ブロックコポリマーの最小厚さの少なくとも１．５倍に等しい厚さ（ｅ＋Ｅ）の上に堆積される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
ブロックコポリマーの組織化を誘導することによって、ナノリソグラフィーマスクを製造するための方法であって、前記方法が、請求項１１に記載の工程を含み、かつ第１の層（２０）を構成するブロックコポリマーをナノ構造化する工程の後に、さらなる工程が、トップコート（ＴＣ）層を除去して、最小厚さ（ｅ）のナノ構造化ブロックコポリマーのフィルムとし、次いで、接触面に垂直に配向された前記ブロックコポリマーのブロック（２１、２２）のうちの少なくとも１つを除去して、ナノリソグラフィーマスクとして使用するのに好適な多孔質フィルムを形成することからなる、方法。
【請求項１７】
ブロックコポリマーが最小厚さ（ｅ）よりも大きい厚さに堆積された場合、トップコート（ＴＣ）層（３０）の除去と同時に、又はこれに続いて、前記ブロックコポリマーの超過厚さ（Ｅ）を除去して、最小厚さ（ｅ）のナノ構造化ブロックコポリマーの被膜が残るようにし、次いで、接触面に垂直に配向された前記ブロックコポリマーのブロックの少なくとも１つを除去して、ナノリソグラフィーマスクとして作用することが可能な多孔質被膜を形成するようにする、請求項１６に記載のナノリソグラフィーマスクを製造するための方法。
【請求項１８】
トップコート（ＴＣ）層（３０）を架橋する工程の時点で、スタックを、トップコート層の一部の領域に限局された熱処理に供して、下層ブロックコポリマーに関して中性の親和性を有する架橋トップコート（ＴＣ）領域及び下層ブロックコポリマーに関して非中性の親和性を有する非架橋（ｐｒｅ−ＴＣ）領域を創出するようにする、請求項１６に記載のナノリソグラフィーマスクを製造するための方法。
【請求項１９】
下層ブロックコポリマーに対して中性ではない別のプレポリマー材料が、予め熱処理されておらずかつトップコート層がない領域に堆積され、次いで前記非中性プレポリマー材料が、所定の場所で架橋／重合されるように限局化熱処理に供され、
ブロックコポリマー（ＢＣＰ）の組織化温度（Ｔａｓｓ）でスタックをアニーリングする工程の時点で、ナノドメイン（２０、２１、４１、４２）が、中性架橋トップコート（ＴＣ）層の領域に相対する領域の接触面に垂直に形成され、ナノドメインが、架橋中性トップコート層を含まない領域に相対するブロックコポリマーの領域の接触面に平行に形成される、請求項１６に記載のナノリソグラフィーマスクを製造するための方法。
【請求項２０】
互いにスタックされた少なくとも２つのポリマー層（２０、３０）を含むポリマースタックであって、第１のポリマー層（２０）上に堆積された、トップコート（ＴＣ）として公知の上層（３０）が、ｉｎ  ｓｉｔｕで請求項１に記載の架橋することにより得られ、前記スタックが、航空宇宙又は航空又は自動車又は風力タービンセクター用のコーティング、インク、塗料、膜、生体適合性インプラント、包装材料、又は光学フィルターなどの光学部品、マイクロエレクトロニクス、又は光電子若しくは微小流体の部品の生産から選択される用途で使用することが意図される、ポリマースタック。