【手続補正書】
【提出日】平成16年12月21日(2004.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応管と、前記反応管内に気体を供給すると共に当該気体を加熱する気体供給手段と、前記反応管内に設置される被処理体を加熱するための光源と、前記光源をパルス状に点滅させる手段とを有し、前記光源は前記反応管の外側に備えられ、前記気体供給手段により加熱された気体を供給しながら前記光源をパルス状に点滅して被処理体を加熱する機能を有することを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
反応管と、前記反応管内に気体を供給すると共に当該気体を加熱及び冷却する気体供給手段と、前記反応管内に設置される被処理体を加熱するための光源と、前記光源をパルス状に点滅させる手段とを有し、前記光源は前記反応管の外側に備えられ、前記気体供給手段により加熱された気体を供給しながら前記光源をパルス状に点滅して被処理体を加熱した後、前記気体供給手段により室温又は前記室温以下の温度に冷却された気体を供給して、前記被処理体を冷却する機能を有することを特徴とする熱処理装置。
【請求項３】
反応管と、前記反応管内に気体を供給すると共に当該気体を加熱する気体供給手段と、前記反応管内に設置される被処理体を加熱するための光源と、前記光源を周期１秒以下でパルス状に点滅して被処理体を加熱する第１の手段と、前記光源を周期１秒以上でパルス状に点滅して被処理体を加熱する第２の手段とを有することを特徴とする熱処理装置。
【請求項４】
反応管と、前記反応管内を減圧にする排気手段と、前記反応管内に気体を供給すると共に当該気体を加熱する気体供給手段と、前記反応管内に設置される被処理体を加熱するための光源と、前記光源をパルス状に点滅させる手段とを有し、前記光源は前記反応管の外側に備えられ、前記反応管内を減圧に保持した状態で、前記気体供給手段により加熱された気体を供給しながら前記光源をパルス状に点滅して被処理体を加熱する機能を有することを特徴とする熱処理装置。
【請求項５】
反応管と、前記反応管内を減圧にする排気手段と、前記反応管内に気体を供給すると共に当該気体を加熱及び冷却する気体供給手段と、前記反応管内に設置される被処理体を加熱するための光源と、前記光源をパルス状に点滅させる手段とを有し、前記光源は前記反応管の外側に備えられ、前記反応管内を減圧に保持した状態で、前記気体供給手段により加熱された気体を供給しながら前記光源をパルス状に点滅して被処理体を加熱した後、前記気体供給手段により室温又は前記室温以下の温度に冷却された気体を供給して、前記被処理体を冷却する機能を有することを特徴とする熱処理装置。
【請求項６】
反応管と、前記反応管内を減圧にする排気手段と、前記反応管内に気体を供給すると共に当該気体を加熱する気体供給手段と、前記反応管内に設置される被処理体を加熱するための光源と、前記光源を周期１秒以下でパルス状に点滅して被処理体を加熱する第１の手段と、前記光源を周期１秒以上でパルス状に点滅して被処理体を加熱する第２の手段とを有することを特徴とする熱処理装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記光源はハロゲンランプ、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、高圧ナトリウムランプ、キセノンランプから選ばれた一つであることを特徴とする熱処理装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記気体は、窒素、ヘリウム、アルゴン、クリプトン、キセノンから選ばれた一つであることを特徴とする熱処理装置。
【請求項９】
前記反応管内に加熱された気体を供給し、且つ、前記反応管の外側に備えられた光源をパルス状に点滅して前記反応管内に置かれた被処理体を加熱した後、前記反応管内に室温又は前記室温以下の温度に冷却された気体を供給して、前記被処理体を冷却することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
反応管の外側に光源が備えられ、前記光源を周期１秒以下でパルス状に点滅して被処理体を加熱する第１の段階と、前記光源を周期１秒以上でパルス状に点滅して被処理体を加熱する第２の段階とにより前記反応管内に置かれた被処理体を加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
反応管の外側に光源が備えられ、前記反応管内に加熱された気体を供給し、前記光源を周期１秒以下でパルス状に点滅して被処理体を加熱する第１の段階と、前記光源を周期１秒以上でパルス状に点滅して被処理体を加熱する第２の段階とにより前記反応管内に置かれた被処理体を加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
反応管内を減圧状態として前記反応管内に加熱された気体を供給し、且つ、前記反応管の外側に備えられた光源をパルス状に点滅して前記反応管内に置かれた被処理体を加熱した後、前記反応管内に室温又は前記室温以下の温度に冷却された気体を供給して、前記被処理体を冷却することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
反応管の外側に光源が備えられ、前記反応管内を減圧に保持すると共に、前記光源を周期１秒以下でパルス状に点滅して被処理体を加熱する第１の段階と、前記光源を周期１秒以上でパルス状に点滅して被処理体を加熱する第２の段階とにより前記反応管内に置かれた被処理体を加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
反応管の外側に光源が備えられ、前記反応管内を減圧に保持すると共に、前記反応管内に加熱された気体を供給し、前記光源を周期１秒以下でパルス状に点滅して被処理体を加熱する第１の段階と、前記光源を周期１秒以上でパルス状に点滅して被処理体を加熱する第２の段階とにより前記反応管内に置かれた被処理体を加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項９乃至請求項１４のいずれか一において、前記光源はハロゲンランプ、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、高圧ナトリウムランプ、キセノンランプから選ばれた一つであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
一導電型の不純物領域を形成された半導体膜を反応管内に設置して、前記反応管内に加熱された気体を供給し、且つ、前記反応管の外側に備えられた光源をパルス状に点滅して前記反応管内に置かれた被処理体を加熱した後、前記反応管内に室温又は前記室温以下の温度に冷却された気体を供給して、前記被処理体を冷却することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
一導電型の不純物領域を形成された半導体膜を反応管内に設置して、前記反応管の外側に光源が備えられ、前記光源を周期１秒以下でパルス状に点滅して被処理体を加熱する第１の段階と、前記光源を周期１秒以上でパルス状に点滅して被処理体を加熱する第２の段階とにより前記反応管内に置かれた被処理体を加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
一導電型の不純物領域を形成された半導体膜を反応管内に設置して、前記反応管の外側に光源が備えられ、前記反応管内に加熱された気体を供給し、前記光源を周期１秒以下でパルス状に点滅して被処理体を加熱する第１の段階と、前記光源を周期１秒以上でパルス状に点滅して被処理体を加熱する第２の段階とにより前記反応管内に置かれた被処理体を加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
一導電型の不純物領域を形成された半導体膜を反応管内に設置して、前記反応管内を減圧状態として前記反応管内に加熱された気体を供給し、且つ、前記反応管の外側に備えられた光源をパルス状に点滅して前記反応管内に置かれた被処理体を加熱した後、前記反応管内に室温又は前記室温以下の温度に冷却された気体を供給して、前記被処理体を冷却することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
一導電型の不純物領域を形成された半導体膜を反応管内に設置して、前記反応管の外側に光源が備えられ、前記反応管内を減圧に保持すると共に、前記光源を周期１秒以下でパルス状に点滅して被処理体を加熱する第１の段階と、前記光源を周期１秒以上でパルス状に点滅して被処理体を加熱する第２の段階とにより前記反応管内に置かれた被処理体を加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
一導電型の不純物領域を形成された半導体膜を反応管内に設置して、前記反応管の外側に光源が備えられ、前記反応管内を減圧に保持すると共に、前記反応管内に加熱された気体を供給し、前記光源を周期１秒以下でパルス状に点滅して被処理体を加熱する第１の段階と、前記光源を周期１秒以上でパルス状に点滅して被処理体を加熱する第２の段階とにより前記反応管内に置かれた被処理体を加熱することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１６乃至請求項２１のいずれか一において、前記光源はハロゲンランプ、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、高圧ナトリウムランプ、キセノンランプから選ばれた一つであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図５（Ｂ）は冷却手段の一例を示し、気体を通過させるシリンダー１５３内に高純度のチタンやタングステンで形成されたフィン１５４が設けられ、ヒートパイプにより熱交換器１５５と接続している。気体はフィン１５４に接触して冷却される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
図９において、基板２０１はアルミノホウケイ酸ガラスまたはバリウムホウケイ酸ガラスなどによる透光性の基板である。厚さは０．３〜１．１mmのものを用いる。この基板２０１上に非晶質シリコン膜２０３をプラズマＣＶＤ法で形成する。また、基板２０１から非晶質シリコン膜２０３に熱処理などにより不純物元素が混入しないようにブロッキング層２０２を形成する。通常はシリコンを成分とする絶縁膜を用いて形成するが、本実施例では、ＳｉＨ4、Ｎ2Ｏ、ＮＨ3からプラズマＣＶＤ法で作製される第１酸化窒化シリコン膜を５０nm、ＳｉＨ4、Ｎ2ＯからプラズマＣＶＤ法で作製される第２酸化窒化シリコン膜を１００nmの厚さに形成し、これらを積層させてブロッキング層２０２としている。