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【手続補正書】
【提出日】令和3年1月22日(2021.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピューティング環境内の処理を容易にするためのコンピュータ・プログラムであって、
メモリ内構成状態レジスタへのアクセスの要求を取得することであって、前記メモリ内構成状態レジスタがメモリにマッピングされている、前記取得することと、
前記メモリのエラー訂正符号を使用して前記メモリ内構成状態レジスタへの前記アクセスを保護することとを、コンピュータに実行させる、コンピュータ・プログラム。
【請求項２】
前記要求が、書き込み要求であり、前記書き込み要求が、前記メモリ内構成状態レジスタに格納される値を含んでいる、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項３】
前記メモリ内構成状態レジスタを格納するメモリのユニットのメモリ・アドレスを決定することと、
前記値を前記メモリ・アドレスに格納することとをさらに含んでいる、請求項２に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項４】
前記値を前記格納することが、前記値のエラー訂正符号を計算することであって、前記値が受信されたメモリ内構成状態レジスタ値である、前記計算することと、前記計算されたエラー訂正符号を前記受信されたメモリ内構成状態レジスタ値と共に格納することとを含んでいる、請求項３に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項５】
前記要求が読み取り要求であり、前記読み取り要求が、データが読み取られる前記メモリ内構成状態レジスタの指示を含んでいる、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項６】
前記メモリ内構成状態レジスタの前記指示に基づいて、前記データが取得されるメモリ・アドレスを決定することと、
前記データを前記メモリ・アドレスから読み取ることとをさらに含んでいる、請求項５に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項７】
前記読み取ることが、
前記エラー訂正符号を少なくとも一部において使用することによって、前記データが破損している破損が発生したかどうかを判定することと、
前記データが破損しているということの決定に基づいて１つまたは複数のアクションを実行することとを含んでいる、請求項６に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項８】
前記１つまたは複数のアクションが、回復を実行することを含んでいる、請求項７に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項９】
前記回復が、前記エラー訂正符号を使用して、前記破損したデータに対して、修正された値を計算することを含んでいる、請求項８に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項１０】
コンピューティング環境内の処理を容易にするためのコンピュータ・システムであって、
メモリと、
前記メモリと通信するプロセッサとを備えており、前記コンピュータ・システムが方法を実行するように構成されており、前記方法が、
メモリ内構成状態レジスタへのアクセスの要求を取得することであって、前記メモリ内構成状態レジスタがメモリにマッピングされている、前記取得することと、
前記メモリのエラー訂正符号を使用して前記メモリ内構成状態レジスタへの前記アクセスを保護することとを含んでいる、コンピュータ・システム。
【請求項１１】
コンピューティング環境内の処理を容易にするコンピュータ実装方法であって、
メモリ内構成状態レジスタへのアクセスの要求を取得することであって、前記メモリ内構成状態レジスタがメモリにマッピングされている、前記取得することと、
前記メモリのエラー訂正符号を使用して前記メモリ内構成状態レジスタへの前記アクセスを保護することとを含んでいる、コンピュータ実装方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月9日(2021.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピューティング環境内の処理を容易にするためのコンピュータ・プログラムであって、
共通の特徴を有している構成状態レジスタのグループに対して一括動作を実行するための命令を実行することと、
前記命令を実行することに基づいて、前記構成状態レジスタのグループに対して前記一括動作を実行するための複数の動作を実行することと、
前記複数の動作を実行することに基づいて前記命令を完了することとを、コンピュータに実行させる、コンピュータ・プログラム。
【請求項２】
前記命令が、構成状態レジスタ格納命令を含んでおり、前記複数の動作が、前記複数の構成状態レジスタのうちの１つの構成状態レジスタの内容をレジスタに読み込むための読み込み動作、および前記レジスタの前記内容をメモリに格納するための格納動作を含んでいる、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項３】
前記複数の動作が、前記一括動作の前記構成状態レジスタのグループの構成状態レジスタごとに、前記読み込み動作および前記格納動作を含んでいる、請求項２に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項４】
前記構成状態レジスタのグループがプロセッサ内レジスタであり、前記命令の実行に基づいて、一括格納動作を介して前記プロセッサ内レジスタの内容がメモリに格納される、請求項３に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項５】
前記命令が、構成状態レジスタ読み込み命令を含んでおり、前記複数の動作が、前記構成状態レジスタのグループの１つの構成状態レジスタの内容をメモリからレジスタに読み込むための読み込み動作、および前記レジスタの前記内容をプロセッサ内レジスタに格納するための格納動作を含んでいる、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項６】
前記複数の動作が、前記一括動作の前記構成状態レジスタのグループの構成状態レジスタごとに、前記読み込み動作および前記格納動作を含んでいる、請求項５に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項７】
前記構成状態レジスタのグループがメモリ内レジスタであり、前記命令の実行に基づいて、一括読み込み動作を介して前記メモリ内レジスタの内容がプロセッサに格納される、請求項６に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項８】
前記完了することが、前記命令を順序通りに完了することを含んでいる、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項９】
前記方法が、前記命令を実行することに基づいて処理の順序通りの位置に達することをさらに含んでおり、前記実行が、前記処理の順序通りの位置に達することに基づいて実行される、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項１０】
前記処理の順序通りの位置に前記達すること、および前記命令を前記完了することが、前記一括動作に対して１回実行される、請求項９に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項１１】
ページ・フォールトが発生せずに前記複数の動作が実行される、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項１２】
レジスタの数値範囲、同じアクセス許可を有していること、同じ機能的目的を有していること、および特定の実装の特性を有していることから成る共通の特徴のグループから、前記共通の特徴が選択される、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項１３】
コンピューティング環境内の処理を容易にするためのコンピュータ・システムであって、前記コンピュータ・システムが、
メモリと、
前記メモリと通信するプロセッサとを備えており、前記コンピュータ・システムが方法を実行するように構成されており、前記方法が、
共通の特徴を有している構成状態レジスタのグループに対して一括動作を実行するための命令を実行することと、
前記命令を実行することに基づいて、前記構成状態レジスタのグループに対して前記一括動作を実行するための複数の動作を実行することと、
前記複数の動作を実行することに基づいて前記命令を完了することとを含んでいる、コンピュータ・システム。
【請求項１４】
コンピューティング環境内の処理を容易にするコンピュータ実装方法であって、前記コンピュータ実装方法が、
共通の特徴を有している構成状態レジスタのグループに対して一括動作を実行するための命令を実行することと、
前記命令を実行することに基づいて、前記構成状態レジスタのグループに対して前記一括動作を実行するための複数の動作を実行することと、
前記複数の動作を実行することに基づいて前記命令を完了することとを含んでいる、コンピュータ実装方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月26日(2021.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動作時に超電導状態であるコイル巻線、及び電圧源の接続ポートを有する界磁コイルアセンブリと、
前記界磁コイルアセンブリの前記コイル巻線のサブセクションを超電導状態と電気抵抗状態との間で切り替えるスイッチングモジュールと、
を含み、
前記界磁コイルアセンブリの前記コイル巻線は、前記接続ポート間で回路接続され、
前記サブセクションは、前記接続ポート間で回路接続されるスイッチングコイルを形成する、超電導磁石装置。
【請求項２】
前記スイッチングコイルのインダクタンスは、前記界磁コイルアセンブリのインダクタンスよりも小さい、請求項１に記載の超電導磁石装置。
【請求項３】
前記界磁コイルアセンブリを担持する支持構造体を含み、
前記スイッチングコイルと前記支持構造体との間に熱絶縁が提供される、請求項１又は２に記載の超電導磁石装置。
【請求項４】
前記超電導状態にあるとき、前記スイッチングコイルは、前記界磁コイルアセンブリと直列に回路接続される、請求項１から３のいずれか一項に記載の超電導磁石装置。
【請求項５】
前記界磁コイルアセンブリは、共通の縦軸に沿って前記スイッチングコイルと同軸に配置される複数の界磁コイルを含み、前記界磁コイルの前記コイル巻線及び前記スイッチングコイルのコイル巻線は、前記縦軸の周りに方位角方向にある、請求項１から４のいずれか一項に記載の超電導磁石装置。
【請求項６】
前記スイッチングコイルのインダクタンスの前記界磁コイルアセンブリのインダクタンスに対する比が、１／２０から１／２の範囲、好適には０．０８から０．１２の範囲である、請求項２に記載の超電導磁石装置。
【請求項７】
前記界磁コイルアセンブリの界磁コイル及び前記スイッチングコイルは、２０から８０Ｋの範囲の臨界温度を有する高温超電導材料のコイル巻線を含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の超電導磁石装置。
【請求項８】
前記高温超電導材料は、ＭｇＢ２である、請求項７に記載の超電導磁石装置。
【請求項９】
前記スイッチングコイルは、１６００〜２４００ｍの範囲の長さの超電導ワイヤを含む、請求項８に記載の超電導磁石装置。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載の超電導磁石装置を含む、磁気共鳴撮像システム。
【請求項１１】
請求項１から９のいずれか一項に記載の超電導磁石装置の界磁コイルアセンブリをランプアップする方法であって、
前記スイッチングコイルを前記電気抵抗状態に設定し、前記電圧源を前記接続ポートに接続するステップと、
界磁コイルを流れる電流が事前設定された最終値に達したときに、前記スイッチングコイルを前記超電導状態に設定するステップと、
前記電圧源をオフするステップと、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月14日(2020.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に導電性パターンを調製する方法であって、
―受容層（２００）を基材（１００）上に適用し、
―金属ナノ粒子分散物を受容層の少なくとも一部の上に適用し、これにより金属パターン（３００）を形成し、そして
―金属パターンを焼結する
工程を含んでなり、受容層が１から７５μｍの間の粗さＲｚを有することを特徴とする前記方法。
【請求項２】
受容層が白色受容層である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
金属パターンの焼結が、近赤外線（ＮＩＲ）照射により行われる請求項１に記載の方法。
【請求項４】
受容層が第１画像（２００’）に従い基材上に適用され、そして金属ナノ粒子分散物がその第１画像の少なくとも一部の上に適用され、それにより金属パターン（３００’）を形成する請求項１に記載の方法。
【請求項５】
受容層の厚さが１０から５００μｍの間である請求項１に記載の方法。
【請求項６】
グラフィックデザイン（４００）が基材（１００）と受容層（２００）との間に印刷される請求項１に記載の方法。
【請求項７】
金属パターンが銀パターンである請求項１に記載の方法。
【請求項８】
銀パターンが銀インクジェットインクを噴射することにより適用される請求項７に記載の方法。
【請求項９】
基材が透明基材である請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
基材が１８０℃より低いガラス転移温度（Ｔｇ）を有する請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
受容層が、ＵＶ硬化型インクジェットインクを噴射し、そして硬化することにより適用される請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
ＵＶ硬化型インクが酸化チタン顔料を含んでなる請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ＵＶ硬化型インクジェットインクが、イソボルニルアクリレート、フェノキシエチルアクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、２−（２−ビニルオキシ―エトキシ）エチル（メタ）クリレートおよびＮ−ビニルカプロラクタムからなる群から選択される重合性化合物を含んでなる請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１に定義した方法により得られる導電性パターンを含んでなる電子装置。
【請求項１５】
電子装置がタッチパネルまたはメンブレンスイッチである請求項１４に記載の電子装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月5日(2021.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フラッシュメモリ部分と電気的消去可能ＰＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）部分とに分割された不揮発性メモリ（ＮＶＭ）アレイであって列及び行で配置された電荷トラップメモリセルを含む不揮発性メモリ（ＮＶＭ）アレイを含むメモリデバイスであって、各メモリセルは、
ソース及びドレイン領域内に傾斜型低ドープドレイン（ＬＤＤ）インプラントを含むメモリトランジスタであって、前記傾斜型ＬＤＤインプラントは前記メモリトランジスタの酸化物−窒化物−酸化物（ＯＮＯ）積層の下に少なくとも部分的に延びる、メモリトランジスタと、
ハローインプラントを有する共有ソース領域を含む選択トランジスタであって、前記共有ソース領域は前記ＮＶＭアレイの同じ行の２つの隣接メモリセル間で共有される、選択トランジスタと、を含み、
前記フラッシュメモリ部分及び前記ＥＥＰＲＯＭ部分は１つの単一半導体ダイ内に配置される、メモリデバイス。
【請求項２】
前記メモリセルは２トランジスタ（２Ｔ）アーキテクチャを有する、請求項１に記載のメモリデバイス。
【請求項３】
それぞれが電荷トラップ酸窒化層を含む前記メモリトランジスタはシリコン−酸化物−窒化物−酸化物−シリコン（ＳＯＮＯＳ）に基づく、請求項１に記載のメモリデバイス。
【請求項４】
前記電荷トラップ酸窒化層は約４０〜６０％の範囲内のシリコン含有量と約１０〜４０％の範囲内の酸素含有量とを有する、請求項３に記載のメモリデバイス。
【請求項５】
前記ハローインプラントは前記２つの隣接メモリセルの前記共有ソース領域を少なくとも部分的に囲む、請求項１に記載のメモリデバイス。
【請求項６】
前記選択トランジスタは非対称トランジスタであり、前記選択トランジスタのドレイン領域は前記ハローインプラントを含まない、請求項１に記載のメモリデバイス。
【請求項７】
前記メモリトランジスタの前記傾斜型ＬＤＤインプラントは約１ｅ１２〜１ｅ１４原子／ｃｍ２の範囲内のドーパントドーズを含む、請求項１に記載のメモリデバイス。
【請求項８】
前記メモリセルは、ｎ型トランジスタを含み、ｐ型ウェル内に少なくとも部分的に配置され、前記ｐ型ウェルは約１ｅ１２〜１ｅ１４原子／ｃｍ２の範囲内のドーパントドーズを含む、請求項１に記載のメモリデバイス。
【請求項９】
前記ｐ型ウェルは傾斜接合のために前記メモリトランジスタの前記ソース領域との接合の周囲でボロン原子によりドープされる、請求項８に記載のメモリデバイス。
【請求項１０】
前記選択トランジスタの前記共有ソース領域は第１のＬＤＤを含み、前記第１のＬＤＤと前記ハローインプラントは反対の型のドーパントによりインプラントされる、請求項１に記載のメモリデバイス。
【請求項１１】
前記メモリデバイスの前記ＥＥＰＲＯＭ部分はワードプログラミングを行うように構成され、複数のワードが、複数のプログラム動作を使用して前記ＮＶＭアレイの前記ＥＥＰＲＯＭ部分の１つの選択された行へ順次書き込まれ、いかなる消去動作も前記複数のプログラム動作の各プログラム動作間に行われない、請求項１に記載のメモリデバイス。
【請求項１２】
行及び列で配置されたメモリセルを含む電気的消去可能ＰＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）部分を含むメモリアレイであって、
前記ＥＥＰＲＯＭ部分では、各メモリセルは電荷トラップ不揮発性メモリ（ＮＶＭ）トランジスタを含み、同じ行内のメモリセルはＳＯＮＯＳワード線を共有し、同じ列内のメモリセルはビット線を共有し、２つの隣接列内のメモリセルは共通ソース線へ結合し、
前記ＥＥＰＲＯＭ部分の選択された行のワードプログラミング中、複数のワードが、複数のプログラム動作を使用して、選択された行のメモリセルへ順次書き込まれ、いかなる消去動作も前記複数のプログラム動作の各プログラム動作間に行われなく、
前記選択された行の第１の部分への第１のワードのプログラミング中、正電圧が前記選択された行に関連するＳＯＮＯＳワード線へ印加され、約１．５Ｖ〜２．５Ｖの範囲内の高い禁止電圧が前記第１の部分のメモリセルに関連するビット線へ印加され、消去状態が書き込まれ、前記高い禁止電圧はさらに、前記第１の部分以外の前記選択された行の部分内のメモリセルに関連するビット線へ印加される、メモリアレイ。
【請求項１３】
前記選択された行の第２の部分への第２のワードのプログラミング中、前記高い禁止電圧は前記第２の部分のメモリセルに関連するビット線へ印加され、消去状態が書き込まれ、前記第１及び第２の部分以外の前記選択された行の部分内のメモリセル、請求項１２に記載のメモリアレイ。
【請求項１４】
前記第１と第２の部分は重ならない、請求項１３に記載のメモリアレイ。
【請求項１５】
フラッシュメモリ部分をさらに含む請求項１２に記載のメモリアレイであって、前記フラッシュメモリ部分及び前記ＥＥＰＲＯＭ部分は１つの単一半導体ダイ内に配置される、メモリアレイ。
【請求項１６】
前記ＥＥＰＲＯＭ部分の前記メモリセルのそれぞれは非対称選択トランジスタをさらに含み、前記非対称選択トランジスタの前記ソースはハローインプラントを含む、請求項１２に記載のメモリアレイ。
【請求項１７】
フラッシュメモリ部分と電気的消去可能ＰＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）部分とに分割された不揮発性メモリ（ＮＶＭ）アレイを含む埋め込み型システムであって、
前記フラッシュ及びＥＥＰＲＯＭ部分のそれぞれは行及び列で配置された電荷トラップメモリセルを含み、各メモリセルは、
ソース及びドレイン領域内に傾斜型低ドープドレイン（ＬＤＤ）インプラントを含むシリコン−酸化物−窒化物−酸化物−シリコン（ＳＯＮＯＳ）ベースメモリトランジスタであって、前記ドレイン領域はビット線へ結合され且つ制御ゲートはＳＯＮＯＳワード線へ結合される、メモリトランジスタと、
ハローインプラントを有する共有ソース領域を含む選択トランジスタであって、前記共有ソース領域は前記ＮＶＭアレイの同じ行の２つの隣接メモリセル間で共有される、選択トランジスタと、
前記ＥＥＰＲＯＭ部分へ結合されたプログラマブル制御回路系であって、前記ＥＥＰＲＯＭ部分の１つの選択された行のワードプログラミングを可能にする動作電圧を提供するように構成されたプログラマブル制御回路系と、を含む、埋め込み型システム。
【請求項１８】
前記メモリトランジスタの前記傾斜型ＬＤＤインプラントは約１ｅ１２〜１ｅ１４原子／ｃｍ２の範囲内のドーパントドーズを含む、請求項１７に記載の埋め込み型システム。
【請求項１９】
前記ワードプログラミングは、複数のプログラム動作を使用することにより複数のワードを前記選択された行へ順次に書き込むことを含み、いかなる消去動作も前記複数のプログラム動作の各プログラム動作間に行われない、請求項１７に記載の埋め込み型システム
。
【請求項２０】
前記動作電圧は、
前記選択された行のメモリセルに関連するＳＯＮＯＳワード線へ提供される第１の高電圧と；
禁止されるメモリセルに関連するビット線へ提供される第２の高電圧と
を含み、前記第２の高電圧は禁止擾乱を低減するために約１．５Ｖ〜２．５Ｖの範囲内の禁止電圧である、請求項１９に記載の埋め込み型システム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月15日(2020.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上に配置される発光素子と、
前記基板の上に配置される第１反射層と、
前記第１反射層の上に配置される樹脂層と、
前記樹脂層の上に配置される第２反射層と、
を含み、
前記樹脂層は、前記発光素子から発生した光が放出される前面を含み、
前記樹脂層の前面は、複数の凸部と複数の凹部を含む、照明モジュール。
【請求項２】
前記発光素子は、第１方向に複数個が配置され、
前記樹脂層は、前記複数の発光素子の周りに配置され、
前記樹脂層は、前記前面と対向する後面、及び前記前面と前記後面を連結する相互反対側の第１側面及び第２側面を含み、
前記第１反射層と前記第２反射層との間の距離は、前記樹脂層の前記前面と前記後面との間の距離より小さく、
前記複数の凸部のそれぞれは、前記発光素子から前記前面方向に凸状に突出し、
前記複数の凹部のそれぞれは、前記複数の凸部の間の領域から後面方向に凹む、請求項１に記載の照明モジュール。
【請求項３】
前記第１反射層は、前記複数の発光素子が貫通する孔を有し、
前記第１及び第２反射層は、前記樹脂層の上面及び下面で相互対向する、請求項１または２に記載の照明モジュール。
【請求項４】
前記樹脂層の第１及び第２側面の間の距離は、前記凸部の頂点と前記後面との間の距離より大きく、
前記樹脂層の前面、後面、第１側面及び第２側面は、前記第１及び第２反射層の間の側面であり、
前記凸部は、前記発光素子の出射面と対向する、請求項１から３のいずれか一項に記載の照明モジュール。
【請求項５】
前記凸部は、前記樹脂層から前記前面方向に突出した曲面を有するレンズ部であり、
前記レンズ部の頂点は、前記発光素子の中心との距離が最大である、請求項１から４のいずれか一項に記載の照明モジュール。
【請求項６】
前記レンズ部は、前記第１及び第２反射層の間で前記樹脂層の厚さと同じ厚さを有し、
前記樹脂層の厚さは、前記発光素子の厚さの２倍以下である、請求項５に記載の照明モジュール。
【請求項７】
前記複数の凸部は、前記複数の発光素子と第２方向と重なる第２方向に重なり、
前記凹部は、前記複数の発光素子の間の領域と前記第２方向に重なり、
前記第１及び第２反射層は、前記凸部と垂直方向に重なる、請求項１から６のいずれか一項に記載の照明モジュール。
【請求項８】
前記第１及び第２反射層は、前記樹脂層の前面に配置された前記凸部と前記凹部の形状と同じ形状を有し、
前記基板は、前記樹脂層の前面に配置された前記凸部及び前記凹部の形状と同じ形状を有する、請求項１から７のいずれか一項に記載の照明モジュール。
【請求項９】
前記複数の凸部は、第１及び第２凸部を含み、
前記複数の発光素子は、相互隣接した第１及び第２発光素子を含み、
前記樹脂層の後面から前面に向かう第２方向に、前記第１凸部は、前記第１発光素子と重なり、前記第２凸部は、前記第２発光素子と重なり、
前記凹部は、前記第１及び第２凸部の間に前記後面方向に凹む曲面を有し、前記第１及び第２発光素子の間の領域と対応する、請求項１から８のいずれか一項に記載の照明モジュール。
【請求項１０】
基板と、
前記基板の上に配置される複数個の発光素子と、
前記基板の上に配置される第１反射層と、
前記第１反射層の上に配置される樹脂層と、
前記樹脂層の上に配置される第２反射層と、
を含み、
前記樹脂層は、前記複数個の発光素子から発生した光が放出される前面を含み、
前記樹脂層の前面は、複数の凸部と複数の凹部を含み、
前記複数の凸部と前記複数の凹部は、同じ高さを有し、
前記複数個の発光素子は、第１発光素子、第２発光素子及び前記第１発光素子と前記第２発光素子との間に配置される第３発光素子を含み、
前記複数の凸部は、前記第１発光素子と対向する第１凸部、前記第２発光素子と対向する第２凸部及び前記第３発光素子と対向する第３凸部を含む、照明モジュール。
【請求項１１】
前記複数の凹部は、前記複数の凸部の間に連結され、隣接した２つの凸部から前記樹脂層の後面に向かって凹むように配置される、請求項１０に記載の照明モジュール。
【請求項１２】
前記樹脂層の厚さは、前記発光素子の厚さの２倍以下である、請求項１０または１１に記載の照明モジュール。
【請求項１３】
前記樹脂層の厚さは、前記第１反射層と前記第２反射層との間の間隔であり、前記複数の凸部のそれぞれの高さと同一である、請求項１０から１２のいずれか一項に記載の照明モジュール。
【請求項１４】
前記樹脂層の前面は、前記第２反射層の一側面及び前記基板の一側面と同一平面である、請求項１０から１３のいずれか一項に記載の照明モジュール。
【請求項１５】
前記樹脂層の前面には、前記第２反射層の一側面及び前記基板の一側面が配置され、
前記第２反射層の一側面、前記基板の一側面は、前記複数の凸部及び前記複数の凹部の形状と同じ形状を有する、請求項１０から１４のいずれか一項に記載の照明モジュール。
【請求項１６】
基板と、
前記基板の上に配置された複数の発光素子と、
前記基板の上に配置される第１反射層と、
前記第１反射層の上に配置される樹脂層と、
前記樹脂層の上に配置される第２反射層と、
を含み、
前記複数の発光素子は、前記基板と前記第２反射層との間に配置され、
前記樹脂層は、前記第１反射層と前記第２反射層との間に配置され、
前記樹脂層は、前記複数の発光素子の表面を覆い、
前記複数の発光素子のそれぞれは、いずれか１つの側面に出射面を有し、
前記樹脂層は、前記複数の発光素子のうち少なくとも１つの出射面と対向する前面を有し、
前記樹脂層は、前記複数の凸部と複数の凹部を含み、
前記複数の凸部のそれぞれは、前記複数の発光素子のそれぞれの出射面と対向する照明装置。
【請求項１７】
前記凸部のうち少なくとも１つの曲率半径は、前記凹部のうち少なくとも１つの曲率半径より大きい、請求項１６に記載の照明装置。
【請求項１８】
前記複数の発光素子を連結する方向に、前記樹脂層の幅は、前記樹脂層の前面と後面の間の間隔より大きい、請求項１６または１７に記載の照明装置。
【請求項１９】
前記複数の凸部のそれぞれは、凸状の曲面を有し、
前記複数の凹部は、前記発光素子の間の領域に凹むように配置される、請求項１６から１８のいずれか一項に記載の照明装置。
【請求項２０】
前記基板の下面から前記第２反射層の上面までの距離は３mm以下であり、
前記樹脂層の厚さは、前記発光素子の厚さの２倍以下である、請求項１６から１９のいずれか一項に記載の照明装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月10日(2021.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイ装置であって、
ディスプレイ部と、
信号受信部と、
ユーザ入力部と、
通信部と、
処理部と、を備え、
前記処理部は、
前記信号受信部から受信された映像信号を処理して映像を前記ディスプレイ部に表示するように制御し、
前記映像を表示中に前記ユーザ入力部から客体に関する関連情報を含んで前記客体に関する情報を要請するユーザ入力が受信されると、前記映像の少なくとも一部を含む映像情報と、外部装置が前記ユーザ入力に含まれる客体に関する関連情報を用いて前記映像情報から前記客体を識別するように前記客体に関する情報を提供するユーザ入力情報とを、前記通信部を通じて前記外部装置に伝送し、
前記映像情報及び前記ユーザ入力情報に基づく情報として前記外部装置から受信された前記客体に関する関連情報を前記ディスプレイ部に表示するように制御することを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項２】
前記処理部は、ユーザに関する個人情報、前記映像のコンテンツに関するコンテンツ情報、又は視聴環境に関する状況情報のうちの少なくとも一つを含む追加情報を前記外部装置に伝送することを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項３】
前記信号受信部は、オーディオ信号を更に受信し、
前記映像情報は、前記オーディオ信号を処理して得られたオーディオの少なくとも一部を含むことを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項４】
記憶部を更に備え、
前記処理部は、
第１ユーザ入力に基づく第１関連情報を前記外部装置から受信して前記記憶部に保存し、
第２ユーザ入力が入力されると、前記保存された第１関連情報を前記ディスプレイ部に表示するように制御することを特徴とする請求項１に記載のディスプレイ装置。
【請求項５】
サーバーであって、
通信部と、
処理部と、を備え、
前記処理部は、
映像情報と、前記映像情報の探索対象に関する関連情報を要請するユーザ入力情報とを、前記通信部を通じて外部装置から受信し、
前記受信されたユーザ入力情報に基づいて前記映像情報から探索対象を識別し、
前記探索対象に関する関連情報を収集して前記外部装置に伝送することを特徴とするサーバー。
【請求項６】
前記処理部は、
前記受信されたユーザ入力情報からキーワードを抽出し、
前記映像情報から前記キーワードに対応する探索対象を決定することを特徴とする請求項５に記載のサーバー。
【請求項７】
前記処理部は、
ユーザに関する個人情報、映像に関するコンテンツ情報、又は視聴環境に関する状況情報のうちの少なくとも一つを含む追加情報を受信し、
前記ユーザ入力情報及び前記受信された追加情報に基づいて前記映像情報から探索対象を決定することを特徴とする請求項５に記載のサーバー。
【請求項８】
前記処理部は、
ユーザに関する個人情報、映像に関するコンテンツ情報、又は視聴環境に関する状況情報のうちの少なくとも一つを含む追加情報を受信し、
前記受信された追加情報に基づいて前記探索対象に関する関連情報を収集することを特徴とする請求項５に記載のサーバー。
【請求項９】
前記処理部は、自動推薦モードを設定するユーザ入力が受信されると、ユーザに対する関連情報提供履歴に基づいて前記受信された映像情報から前記探索対象を決定することを特徴とする請求項５に記載のサーバー。
【請求項１０】
前記処理部は、所定区間の映像に対して関連情報の提供を要請するユーザ入力が受信されると、前記受信された映像情報のうちの前記所定区間に対応する映像情報から前記探索対象を決定することを特徴とする請求項５に記載のサーバー。
【請求項１１】
ディスプレイ装置であって、
ディスプレイ部と、
信号受信部と、
ユーザ入力部と、
処理部と、を備え、
前記処理部は、
前記信号受信部から受信された映像信号を処理して映像を前記ディスプレイ部に表示するように制御し、
前記映像を表示中に前記ユーザ入力部から探索対象に関する関連情報を要請するユーザ入力情報を含むユーザ入力が受信されると、
前記受信されたユーザ入力情報に基づいて前記映像の少なくとも一部を含む映像情報から前記探索対象を決定し、
前記探索対象に関する関連情報を収集し、
前記関連情報を前記ディスプレイ部に表示するように制御することを特徴とするディスプレイ装置。
【請求項１２】
ディスプレイ装置の制御方法であって、
映像信号を受信する段階と、
前記受信された映像信号を処理して映像を表示する段階と、
前記映像を表示中に客体に関する関連情報を含んで前記客体に関する情報を要請するユーザ入力が受信されると、前記映像の少なくとも一部を含む映像情報と、外部装置が前記ユーザ入力に含まれる客体に関する関連情報を用いて前記映像情報から前記客体を識別するように前記客体に関する情報を提供するユーザ入力情報とを、前記外部装置に伝送する段階と、
前記映像情報及び前記ユーザ入力情報に基づく情報として前記外部装置から受信された前記客体に関する関連情報を表示する段階と、を有することを特徴とするディスプレイ装置の制御方法。
【請求項１３】
前記伝送する段階では、ユーザに関する個人情報、前記映像のコンテンツに関するコンテンツ情報、又は視聴環境に関する状況情報のうちの少なくとも一つを含む追加情報を前記外部装置に更に伝送することを特徴とする請求項１２に記載のディスプレイ装置の制御方法。
【請求項１４】
前記受信する段階では、オーディオ信号を更に受信し、
前記映像情報は、前記オーディオ信号を処理して得られたオーディオの少なくとも一部を含むことを特徴とする請求項１２に記載のディスプレイ装置の制御方法。
【請求項１５】
前記関連情報を表示する段階では、
第１ユーザ入力に基づく第１関連情報を前記外部装置から受信して保存し、
第２ユーザ入力が入力されると、前記保存された第１関連情報を表示することを特徴とする請求項１２に記載のディスプレイ装置の制御方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月9日(2021.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
縫合技術を訓練するための外科訓練モデルであって、
縫合パッドを定める模擬組織材料のシートを備え、該シートは、
複数のマーキングによって定められる第１の模擬組織材料層と、
前記第１の模擬組織材料層に対して硬化された第２の模擬組織材料層と、
前記模擬組織材料のシートに形成された少なくとも１つの切断部と、
を含み、
前記第１の層の前記複数のマーキングは、前記少なくとも１つの切断部の両側に配置される、
ことを特徴とする外科訓練モデル。
【請求項２】
前記第１の模擬組織材料層は第１の色を有し、前記第２の模擬組織材料層は第２の色を有し、前記第１の色は前記第２の色と対照的である、
請求項１に記載の外科訓練モデル。
【請求項３】
前記第２の模擬組織材料層は肌色で形成され、前記第１の模擬組織材料層は、前記肌色と対照的な暗色で形成される、
請求項２に記載の外科訓練モデル。
【請求項４】
前記模擬組織材料のシートに埋め込まれたファブリック層をさらに備える、
請求項１に記載の外科訓練モデル。
【請求項５】
前記複数のマーキングは、複数の円形ドットを含む、
請求項１に記載の外科訓練モデル。
【請求項６】
前記模擬組織材料のシートは、シリコーン材料を含む、
請求項１に記載の外科訓練モデル。
【請求項７】
前記模擬組織材料のシートは、上面、下面、及び該上面と該下面との間の厚みを有し、前記第１の模擬組織材料層の前記複数のマーキングは、前記模擬組織材料のシートの前記上面に対して盛り上がっている、
請求項１に記載の外科訓練モデル。
【請求項８】
前記第２の模擬組織材料層はテクスチャ加工される、
請求項１に記載の外科訓練モデル。
【請求項９】
前記模擬組織材料のシートは、内部に複数のアパーチャがさらに形成され、前記複数のアパーチャは、ベースに取り付けられるように配置される、
請求項１に記載の外科訓練モデル。
【請求項１０】
前記模擬組織材料のシートは矩形を有し、前記複数のアパーチャは、１つのアパーチャが前記矩形の各隅部に隣接して形成された４つのアパーチャを含む、
請求項９に記載の外科訓練モデル。
【請求項１１】
前記模擬組織材料のシートは、前記第１の層及び前記第２の層の両方を貫通する３つの異なる切断部を有し、前記３つの異なる切断部の各々は、両側に配置される各々のマーキングを有する、
請求項１に記載の外科訓練モデル。
【請求項１２】
前記３つの異なる切断部の１又は２以上は、直線である、
請求項１１に記載の外科訓練モデル。
【請求項１３】
前記３つの異なる切断部の１又は２以上は、曲線である、
請求項１１に記載の外科訓練モデル。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの切断部の両側に配置された前記複数のマーキングの各々は、隣接するマーキングから約５ｍｍであり、前記少なくとも１つの切断部から５ｍｍ離れている、
請求項１に記載の外科訓練モデル。
【請求項１５】
前記複数のマーキングの各々は、前記第１の模擬組織材料層と対照的な色を有する、
請求項１に記載の外科訓練モデル。
【請求項１６】
前記模擬組織材料のシートの厚みは、実質的に均一であり、該厚みは、５ｍｍである、
請求項１に記載の外科訓練モデル。
【請求項１７】
前記模擬組織材料のシートは、低デュロメータを有する材料で形成される、
請求項１に記載の外科訓練モデル。
【請求項１８】
前記第１の模擬組織材料層と前記第２の模擬組織材料層との間に埋め込まれた前記模擬組織材料のシートを補強するように構成された第３の層をさらに含み、前記第３の層は、ファブリック、メッシュ、又は繊維を含む、
請求項１に記載の外科訓練モデル。
【請求項１９】
前記第１の模擬組織材料層に関連する前記複数のマーキングは、前記第１の模擬組織材料層にインクで描いたもの、型打ちしたもの、又は印刷したものである、
請求項１に記載の外科訓練モデル。
【請求項２０】
前記第１の模擬組織材料層に関連する前記複数のマーキングは、前記第１の模擬組織材料層の上面の下に可視的に設けられ、前記第１の模擬組織材料層は、透明又は半透明である、
請求項１に記載の外科訓練モデル。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月15日(2020.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムにおいて端末（ＵＥ）がビーム失敗復旧（ｂｅａｍ  ｆａｉｌｕｒｅ  ｒｅｃｏｖｅｒｙ）を行う方法であって、
ビーム失敗を検出するステップと、
前記ビーム失敗復旧のための新しいビーム（ｎｅｗ  ｂｅａｍ）を識別するステップと、
ビーム失敗復旧要求（ｂｅａｍ  ｆａｉｌｕｒｅ  ｒｅｃｏｖｅｒｙ  ｒｅｑｕｅｓｔ）をＰＲＡＣＨ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｃｈａｎｎｅ）リソースを利用して基地局（ＢＳ）に送信するステップと、を含み、
前記ＰＲＡＣＨリソースは、ＳＳＢ（Ｓｙｎｃｈｒｏｎｉｚａｔｉｏｎ  Ｓｉｇｎａｌ  ｂｌｏｃｋ）と関連する第１ＰＲＡＣＨリソース及び第２ＰＲＡＣＨリソースを含み、
前記ＳＳＢが前記新しいビームとして識別されることに基づいて、前記ビーム失敗復旧要求は前記第１ＰＲＡＣＨリソースを利用して送信され、
ＣＳＩ（Ｃｈａｎｎｅｌ  Ｓｔａｔｅ  Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ）−ＲＳ（ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  ｓｉｇｎａｌ）リソースが前記新しいビームとして識別されることに基づいて、前記ビーム失敗復旧要求は前記第２ＰＲＡＣＨリソースを使用して送信される、方法。
【請求項２】
前記ＣＳＩ−ＲＳリソースは、前記ＳＳＢと空間的にＱＣＬ（Ｑｕａｓｉ−ｃｏｌｏｃａｔｅｄ）される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記新しいビームは、予め定義された条件を満たす少なくとも１つのＲＳ（ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  ｓｉｇｎａｌ）である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ＳＳＢ及び前記ＣＳＩ−ＲＳリソースの両方が前記予め定義された条件を満たす時、前記ＣＳＩ−ＲＳリソースは前記新しいビームとして識別される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
無線通信システムにおいて基地局（ＢＳ）がビーム失敗復旧（ｂｅａｍ  ｆａｉｌｕｒｅ  ｒｅｃｏｖｅｒｙ）を行う方法であって、
前記ビーム失敗復旧のための新しいビーム識別に関連する情報を端末（ＵＥ）に送信するステップと、
ビーム失敗復旧要求（ｂｅａｍ  ｆａｉｌｕｒｅ  ｒｅｃｏｖｅｒｙ  ｒｅｑｕｅｓｔ）をＰＲＡＣＨ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｃｈａｎｎｅ）リソース（ｒｅｓｏｕｒｃｅ）を利用して前記端末から受信するステップと、を含み、
前記ＰＲＡＣＨリソースは、第１ＰＲＡＣＨリソース及び第２ＰＲＡＣＨリソースを含み、
前記第１ＰＲＡＣＨリソース及び前記第２ＰＲＡＣＨリソースはＳＳＢ（Ｓｙｎｃｈｒｏｎｉｚａｔｉｏｎ  Ｓｉｇｎａｌ  ｂｌｏｃｋ）と関連し、
前記新しいビームが前記ＳＳＢであることに基づいて、前記ビーム失敗復旧要求は前記第１ＰＲＡＣＨリソースを利用し、
前記新しいビームがＣＳＩ（Ｃｈａｎｎｅｌ  Ｓｔａｔｅ  Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ）−ＲＳ（ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  ｓｉｇｎａｌ）リソースであることに基づいて、前記ビーム失敗復旧要求は前記第２ＰＲＡＣＨリソースを利用する、方法。
【請求項６】
前記ＣＳＩ−ＲＳリソースは前記ＳＳＢと空間的にＱＣＬ（Ｑｕａｓｉ−ｃｏｌｏｃａｔｅｄ）される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記新しいビームは、予め定義した条件を満たす少なくとも１つのＲＳ（ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  ｓｉｇｎａｌ）である、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記ＳＳＢ及び前記ＣＳＩ−ＲＳリソースの両方が前記予め定義した条件を満たす時、前記ＣＳＩ−ＲＳリソースは前記端末により前記新しいビームとして識別される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
無線通信システムにおいてビーム失敗復旧（ｂｅａｍ  ｆａｉｌｕｒｅ  ｒｅｃｏｖｅｒｙ）を行う端末であって、
無線信号を送受信するように構成された少なくとも一つのトランシーバと、
前記少なくとも一つのトランシーバと機能的に接続される少なくとも一つのプロセッサと、を含み、
前記少なくとも一つのプロセッサは、
ビーム失敗を検出し、
前記ビーム失敗復旧のための新しいビーム（ｎｅｗ  ｂｅａｍ）を識別し、
ビーム失敗復旧要求（ｂｅａｍ  ｆａｉｌｕｒｅ  ｒｅｃｏｖｅｒｙ  ｒｅｑｕｅｓｔ）をＰＲＡＣＨ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｃｈａｎｎｅ）リソース（ｒｅｓｏｕｒｃｅ）を利用して基地局に送信し、
前記ＰＲＡＣＨリソースは、第１ＰＲＡＣＨリソース及び第２ＰＲＡＣＨリソースを含み、
前記第１ＰＲＡＣＨリソース及び前記第２ＰＲＡＣＨリソースはＳＳＢ（Ｓｙｎｃｈｒｏｎｉｚａｔｉｏｎ  Ｓｉｇｎａｌ  ｂｌｏｃｋ）と関連し、
前記ＳＳＢが前記新しいビームとして識別したことに基づいて、前記ビーム失敗復旧要求は送信され、
ＣＳＩ（Ｃｈａｎｎｅｌ  Ｓｔａｔｅ  Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ）−ＲＳ（ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  ｓｉｇｎａｌ）リソースが前記新しいビームとして識別された時、前記ビーム失敗復旧要求は前記第２ＰＲＡＣＨリソースを利用して送信される、端末。
【請求項１０】
前記ＣＳＩ−ＲＳリソースは前記ＳＳＢと空間的にＱＣＬ（Ｑｕａｓｉ−ｃｏｌｏｃａｔｅｄ）される、請求項９に記載の端末。
【請求項１１】
前記新しいビームは、予め定義した条件を満たす少なくとも１つのＲＳ（ｒｅｆｅｒｅｎｃｅ  ｓｉｇｎａｌ）である、請求項９に記載の端末。
【請求項１２】
前記ＳＳＢ及び前記ＣＳＩ−ＲＳリソースの両方が前記予め定義した条件を満たす時、前記ＣＳＩ−ＲＳリソースは前記新しいビームとして識別される、請求項１１に記載の端末。
【請求項１３】
無線通信システムにおいてビーム失敗復旧（ｂｅａｍ  ｆａｉｌｕｒｅ  ｒｅｃｏｖｅｒｙ）を行う端末であって、
無線信号を送受信するように構成された少なくとも一つのトランシーバと、
前記少なくとも一つのトランシーバと機能的に接続される少なくとも一つのプロセッサと、を含み、
前記少なくとも一つのプロセッサは、
複数のＰＤＣＣＨ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｄｏｗｎｌｉｎｋ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｃｈａｎｎｅｌ）に関連するビーム失敗を検出し、
前記ビーム失敗に基づいてＰＲＡＣＨ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  ＣＨａｎｎｅｌ）又はＰＵＣＣＨ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｕｐｌｉｎｋ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｃｈａｎｎｅｌ）を利用して、ビーム失敗復旧要求を基地局（ＢＳ）へ送信し、
前記複数のＰＤＣＣＨビームの一部が失敗することに基づいて、前記ビーム失敗復旧要求は、予め定義した条件を満足するＰＤＣＣＨと関連する第１ＰＵＣＣＨを利用して送信され、
前記複数のＰＤＣＣＨビームが失敗することに基づいて、前記ビーム失敗復旧要求は、前記ＰＲＡＣＨ又は第２ＰＵＣＣＨを利用して送信される、端末。
【請求項１４】
前記第１ＰＵＣＣＨは、ＰＵＣＣＨフォーマット２、ＰＵＣＣＨフォーマット３又はＰＵＣＣＨフォーマット４に基づき、
前記第２ＰＵＣＣＨは、ＰＵＣＣＨフォーマット０又はＰＵＣＣＨフォーマット１に基づく、請求項１３に記載の端末。
【請求項１５】
前記複数のＰＤＣＣＨビームが失敗した時、前記ＰＲＡＣＨは前記第２ＰＵＣＣＨに優先して利用される、請求項１３に記載の端末。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月5日(2021.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の単離されたＴ細胞エピトープポリペプチドを含むＴ細胞エピトープ組成物であって、少なくとも１つの単離されたＴ細胞エピトープポリペプチドが配列番号１の配列からなる、組成物。
【請求項２】
請求項１に記載のＴ細胞エピトープ組成物および薬学的に許容される担体を含む医薬組成物。
【請求項３】
対象における抗原特異的免疫応答を抑制するためのキットであって、
１つ以上の単離されたＴ細胞エピトープポリペプチドを含むＴ細胞エピトープ組成物を含み、少なくとも１つのＴ細胞エピトープポリペプチドは、配列番号１の配列からなる、キット。
【請求項４】
制御性Ｔ細胞の集団を拡大するための方法であって、
（ａ）対象から提供された生物学的サンプルから制御性Ｔ細胞を単離すること；および
（ｂ）前記単離された制御性Ｔ細胞を、Ｔ調節性細胞の数が増加して拡張された制御性Ｔ細胞組成物を生じる条件下で、有効量の請求項１に記載のＴ細胞エピトープ組成物と接触させることを含み、それにより前記生物学的サンプル中の前記制御性Ｔ細胞を拡張する、方法。
【請求項５】
生物学的サンプル中の制御性Ｔ細胞を刺激するための方法であって、
（ａ）対象から提供された生物学的サンプルから制御性Ｔ細胞を単離すること；および
（ｂ）前記単離された制御性Ｔ細胞を、前記Ｔ調節性細胞が刺激される条件下で、有効量の請求項１に記載のＴ細胞エピトープ組成物と接触させることを含み、それによって生物学的サンプル中の調節性Ｔ細胞を刺激する方法。
【請求項６】
対象における標的抗原に対する抗原特異的免疫応答を抑制するための薬剤の製造における請求項１に記載のＴ細胞エピトープ組成物の使用であって、少なくとも１つのＴ細胞エピトープポリペプチドが、前記標的抗原と、共有結合され、非共有結合され、または混合されて、前記標的抗原に対する免疫応答を低下させる、使用。
【請求項７】
前記抑制効果が天然のＴｒｅｇによって媒介される、請求項６に記載の使用。
【請求項８】
前記抑制効果が適応性Ｔｒｅｇによって媒介される、請求項６に記載の使用。
【請求項９】
前記Ｔ細胞エピトープ組成物はエフェクターＴ細胞応答を抑制する、請求項６に記載の使用。
【請求項１０】
前記Ｔ細胞エピトープ組成物はヘルパーＴ細胞応答を抑制する、請求項６に記載の使用。
【請求項１１】
前記Ｔ細胞エピトープ組成物はＢ細胞応答を抑制する、請求項６に記載の使用。
【請求項１２】
有効量の抗原またはアレルゲンをさらに含む、請求項３に記載のキット。
【請求項１３】
有効量の抗原またはアレルゲンをさらに含む、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
配列番号２〜１４からなる群から選択される１つまたは複数の単離されたＴ細胞エピトープポリペプチドをさらに含む、請求項１、２、または１３に記載の組成物。
【請求項１５】
前記Ｔ細胞エピトープ組成物が、配列番号２〜１４からなる群から選択される１つまたは複数の単離されたＴ細胞エピトープポリペプチドをさらに含む、請求項３または１２に記載のキット。
【請求項１６】
前記Ｔ細胞エピトープ組成物が、配列番号２〜１４からなる群から選択される１つまたは複数の単離されたＴ細胞エピトープポリペプチドをさらに含む、請求項６〜１１に記載の使用。
【請求項１７】
前記Ｔ細胞エピトープ組成物は、配列番号２〜１４からなる群から選択される１つまたは複数の単離されたＴ細胞エピトープポリペプチドをさらに含む、請求項４または５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月3日(2021.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セッションコンテンツの同期のためのシステムであって
コンテンツ配信サーバであって、
各ゲームセッションがゲーム環境内のゲームプレイと関連付けられた複数の異なるゲームセッションをホストし、
前記異なるゲームセッションのそれぞれに対して前記ゲーム環境内の前記ゲームプレイのゲーム内セッションビデオをキャプチャすることであって、各ゲームセッションの各キャプチャされたゲーム内セッションビデオは前記各ゲームセッションの識別子に関連付けられる、前記ゲーム内セッションビデオをキャプチャし、
通信ネットワークを介して送信されたコンテンツを受信することであって、前記受信したコンテンツは、前記ゲームセッションの１つの外部でキャプチャされる、前記コンテンツを受信し、
前記外部コンテンツが前記ゲームセッション識別子に関連付けられていることを識別し、
前記受信した外部コンテンツに関連付けられた前記ゲームセッション識別子に一致するゲームセッション識別子に関連付けられているとして、前記キャプチャされたゲーム内セッションビデオの１つを識別し、
前記一致するゲームセッション識別子に基づいて、前記受信した外部コンテンツを前記識別されたゲーム内セッションビデオに同期し、且つ、
前記識別されたゲーム内セッションビデオに同期された前記受信した外部コンテンツを含む合成コンテンツを生成する、前記コンテンツ配信サーバと、
前記一致するゲームセッション識別子に関連付けられた前記ゲームセッションに従事するメディアプレーヤと、
を含む、システム。
【請求項２】
前記コンテンツ配信サーバは、複数の異なるデバイスから複数の異なる外部コンテンツを受信する、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記外部コンテンツは、モバイルデバイスによってキャプチャされる、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記コンテンツ配信サーバは、前記モバイルデバイスにダウンロードするためのモバイルアプリケーションをさらに提供する、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記モバイルデバイスは、前記識別されたゲーム内セッションビデオがプレイされるゲームコンソールと通信し、前記通信は、前記モバイルアプリケーションを介して生じる、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記通信は、前記ゲームコンソールから前記モバイルアプリケーションを介して前記モバイルデバイスに前記ゲームセッション識別子を提供することを含む、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記ゲームコンソールが前記ゲームセッション識別子を生成する、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記モバイルデバイスは、前記外部コンテンツをキャプチャし、前記ゲームセッション識別子を前記外部コンテンツに関連付ける、請求項３に記載のシステム。
【請求項９】
前記コンテンツ配信サーバは、前記外部コンテンツと前記ゲーム内セッションビデオとに関連付けられた各タイムスタンプ情報にさらに基づいて、前記受信した外部コンテンツを前記識別されたゲーム内セッションビデオに同期する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記コンテンツ配信サーバは前記合成コンテンツをさらに記憶し、前記記憶された合成コンテンツは、その後の視聴のためにアクセス可能にされる、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
セッションコンテンツの同期のための方法であって、
複数の異なるゲームセッションのそれぞれのゲーム内セッションビデオをコンテンツ配信サーバでキャプチャすることであって、各ゲームセッションは、ゲーム環境内のゲームプレイに関連付けられ、各キャプチャされたゲーム内セッションビデオは、前記ゲーム環境内の前記ゲームプレイのビデオをキャプチャし、各ゲームセッションの各キャプチャされたゲーム内セッションビデオは、前記各ゲームセッションの識別子に関連付けられる、前記ゲーム内セッションビデオをキャプチャすることと、
通信ネットワークを介して前記コンテンツ配信サーバに送信されたコンテンツを受信することであって、前記受信したコンテンツは、前記ゲームセッションの１つの外部でキャプチャされる、前記コンテンツを受信することと、
メモリに記憶された命令を実行することと、を含み、プロセッサによる前記命令の実行は、
前記外部コンテンツが前記ゲームセッション識別子に関連付けられていることを識別し、
前記受信した外部コンテンツに関連付けられた前記ゲームセッション識別子に一致するゲームセッション識別子に関連付けられているとして、前記キャプチャされたゲーム内セッションビデオの１つを識別し、
前記一致するゲームセッション識別子に基づいて、前記受信した外部コンテンツを前記識別されたゲーム内セッションビデオに同期し、且つ、
前記識別されたゲーム内セッションビデオに同期された前記受信した外部コンテンツを含む合成コンテンツを生成する、
方法。
【請求項１２】
前記外部コンテンツを受信することは、複数の異なるデバイスからの複数の異なる外部コンテンツを受信することを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記外部コンテンツは、モバイルデバイスによってキャプチャされる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記受信した外部コンテンツを前記識別されたゲーム内セッションビデオに同期させることは、前記外部コンテンツと前記ゲーム内セッションビデオとに関連付けられた各タイムスタンプ情報にさらに基づく、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
非一時的コンピュータ可読記憶媒体であって、セッションコンテンツの同期のための方法を行うようにプロセッサによって実行可能なプログラムを具体化し、前記方法は、
複数の異なるゲームセッションのそれぞれのゲーム内セッションビデオをコンテンツ配信サーバでキャプチャすることであって、各ゲームセッションは、ゲーム環境内のゲームプレイに関連付けられ、各キャプチャされたゲーム内セッションビデオは、前記ゲーム環境内の前記ゲームプレイのビデオをキャプチャし、各ゲームセッションの各キャプチャされたゲーム内セッションビデオは、前記各ゲームセッションの識別子に関連付けられる、前記ゲーム内セッションビデオをキャプチャすることと、
通信ネットワークを介して前記コンテンツ配信サーバに送信されたコンテンツを受信することであって、前記受信されたコンテンツは、前記ゲームセッションの１つの外部でキャプチャされる、前記コンテンツを受信することと、
前記外部コンテンツがゲームセッション識別子に関連付けられていることを識別することと、
前記受信された外部コンテンツに関連付けられた前記ゲームセッション識別子に一致するゲームセッション識別子に関連付けられているとして、前記キャプチャされたゲーム内セッションビデオの１つを識別することと、
前記一致するゲームセッション識別子に基づいて、前記受信した外部コンテンツを前記識別されたゲーム内セッションビデオに同期することと、
前記識別されたゲーム内セッションビデオに同期された前記受信した外部コンテンツを含む合成コンテンツを生成することと、を含む、
非一時的コンピュータ可読記憶媒体。