【手続補正書】
【提出日】平成17年4月15日(2005.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
保護回路を有する半導体表示装置であって、
前記保護回路はＴＦＴと、容量とを有し、
前記ＴＦＴは島状の半導体膜と、前記島状の半導体膜に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接するゲート電極とを有し、
前記ＴＦＴは第１無機絶縁膜で覆われており、
前記第１無機絶縁膜に接するように、第１の開口部と第２の開口部を有するポジ型の感光性の有機樹脂膜が形成されており、
前記有機樹脂膜を覆って第２無機絶縁膜が形成されており、
前記第１及び第２無機絶縁膜は、前記第１の開口部において接しており、
前記第１の開口部において、前記ゲート絶縁膜と前記第１及び第２無機絶縁膜とに、前記島状の半導体膜が露出するようにコンタクトホールが形成されており、
前記第２無機絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して前記島状の半導体膜に接している配線が形成されており、
前記容量は前記ゲート電極と同じ導電膜から形成された第１の電極と、前記配線と同じ導電膜から形成された第２の電極と、前記第２の開口部において前記第１の電極及び前記第２の電極と重なっている前記第１及び第２無機絶縁膜の一部を有しており、
前記有機樹脂膜の表面の曲率半径は、前記第１及び第２の開口部から離れるに従って連続的に長くなっていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項２】
保護回路を有する半導体表示装置であって、
前記保護回路はＴＦＴと、容量とを有し、
前記ＴＦＴは島状の半導体膜と、前記島状の半導体膜に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接するゲート電極とを有し、
前記ＴＦＴは第１無機絶縁膜で覆われており、
前記第１無機絶縁膜に接するように、第１の開口部と第２の開口部を有するポジ型の感光性の有機樹脂膜が形成されており、
前記有機樹脂膜を覆って第２無機絶縁膜が形成されており、
前記第１及び第２無機絶縁膜は、前記第１の開口部において接しており、
前記第１の開口部において、前記ゲート絶縁膜と前記第１及び第２無機絶縁膜とに、前記島状の半導体膜が露出するようにコンタクトホールが形成されており、
前記第２無機絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して前記島状の半導体膜に接している配線が形成されており、
前記容量は前記ゲート電極と同じ導電膜から形成された第１の電極と、前記配線と同じ導電膜から形成された第２の電極と、前記第２の開口部において前記第１の電極及び前記第２の電極と重なっている前記第１及び第２無機絶縁膜の一部を有しており、
前記有機樹脂膜表面の、前記第１及び第２の開口部の端部における断面形状は、基板と平行な面内に主軸を有する放物線を描いていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項３】
画素部と、保護回路とを有する半導体表示装置であって、
前記画素部と前記保護回路はＴＦＴと、容量とを有し、
前記ＴＦＴは島状の半導体膜と、前記島状の半導体膜に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接するゲート電極とを有し、
前記ＴＦＴは第１無機絶縁膜で覆われており、
前記第１無機絶縁膜に接するように、第１の開口部と第２の開口部を有するポジ型の感光性の有機樹脂膜が形成されており、
前記有機樹脂膜を覆って第２無機絶縁膜が形成されており、
前記第１及び第２無機絶縁膜は、前記第１の開口部において接しており、
前記第１の開口部において、前記ゲート絶縁膜と前記第１及び第２無機絶縁膜とに、前記島状の半導体膜が露出するようにコンタクトホールが形成されており、
前記第２無機絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して前記島状の半導体膜に接している配線が形成されており、
前記容量は前記ゲート電極と同じ導電膜から形成された第１の電極と、前記配線と同じ導電膜から形成された第２の電極と、前記第２の開口部において前記第１の電極及び前記第２の電極と重なっている前記第１及び第２無機絶縁膜の一部を有しており、
前記有機樹脂膜の表面の曲率半径は、前記第１及び第２の開口部から離れるに従って連続的に長くなっていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項４】
画素部と、保護回路とを有する半導体表示装置であって、
前記画素部と前記保護回路はＴＦＴと、容量とを有し、
前記ＴＦＴは島状の半導体膜と、前記島状の半導体膜に接するゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接するゲート電極とを有し、
前記ＴＦＴは第１無機絶縁膜で覆われており、
前記第１無機絶縁膜に接するように、第１の開口部と第２の開口部を有するポジ型の感光性の有機樹脂膜が形成されており、
前記有機樹脂膜を覆って第２無機絶縁膜が形成されており、
前記第１及び第２無機絶縁膜は、前記第１の開口部において接しており、
前記第１の開口部において、前記ゲート絶縁膜と前記第１及び第２無機絶縁膜とに、前記島状の半導体膜が露出するようにコンタクトホールが形成されており、
前記第２無機絶縁膜上に前記コンタクトホールを介して前記島状の半導体膜に接している配線が形成されており、
前記容量は前記ゲート電極と同じ導電膜から形成された第１の電極と、前記配線と同じ導電膜から形成された第２の電極と、前記第２の開口部において前記第１の電極及び前記第２の電極と重なっている前記第１及び第２無機絶縁膜の一部を有しており、
前記有機樹脂膜表面の、前記第１及び第２の開口部の端部における断面形状は、基板と平行な面内に主軸を有する放物線を描いていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記半導体表示装置に入力される信号は、前記保護回路においてその波形が整形されていることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記保護回路は抵抗を有することを特徴とする半導体表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、前記有機樹脂膜はアクリルであることを特徴とする半導体表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、前記第１または第２無機絶縁膜は、窒化珪素、酸化窒化珪素または酸化窒化アルミニウムであることを特徴とする半導体表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０８】
図２２（Ａ）に示す発光装置は、第２無機絶縁膜７６１０を形成した後、陰極よりも抵抗の低い金属材料からなる導電膜を成膜した後、パターニングすることで補助電極７６３４を形成する。そして、ゲート絶縁膜７６１２、第１無機絶縁膜７６１３及び第２無機絶縁膜７６１０を、有機樹脂膜７６１４の開口部においてエッチングしてコンタクトホールを形成し、ＴＦＴ及び補助電極７６３４と電気的に接続する配線７６１６を形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003308027.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
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【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
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【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２２】
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【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２５】
2003308027.tif 000005
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２７】
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