【手続補正書】
【提出日】令和3年9月24日(2021.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
着目化合物に関する多重反応モニタリング（ＭＲＭ）遷移測定値が干渉を含むかどうかを判定するためのシステムであって、
着目化合物をイオン化し、１つ以上の前駆イオンのイオンビームを生産する、イオン源デバイスと、
質量フィルタと、断片化デバイスと、質量分析器とを含み、かつ前記イオン源デバイスから前記イオンビームを受光する、タンデム質量分析計であって、前記質量フィルタは、前記イオンビームから前駆イオンの同位体を分解させることが可能である、質量選択ウィンドウを生産するように適合され、前記タンデム質量分析計は、前記質量フィルタを使用して前記ＭＲＭ遷移の前駆イオンを選択し、前記断片化デバイスを使用して前記前駆イオンを断片化し、前記質量分析器を使用して前記ＭＲＭ遷移のプロダクトイオンの強度を測定することによって、ＭＲＭ遷移の強度を測定するように適合される、タンデム質量分析計と、
前記タンデム質量分析計と通信するプロセッサであって、前記プロセッサは、
前記タンデム質量分析計に、第１の前駆イオンと、第１のプロダクトイオンとを含む、第１のＭＲＭ遷移の第１の強度を測定するように命令することと、
前記タンデム質量分析計に、第２の前駆イオンと、同一の第１のプロダクトイオンとを含む、第２のＭＲＭ遷移の第２の強度を、前記第１のＭＲＭ遷移として測定するように命令することであって、前記第２の前駆イオンは、前記第１の前駆イオンの同位体である、ことと、
前記第１の強度と前記第２の強度の比率を計算することと、
第１の前駆イオンと前記第２の前駆イオンの数の理論比を、それらの同位体関係に従って計算することと、
前記比率と前記理論比との間の差異を計算することと、
前記差異を閾値と比較することと、
前記差異が前記閾値未満である場合、前記第１のＭＲＭ遷移の前記第１の強度を、前記着目化合物のための干渉を含むものとして識別することと
を行う、プロセッサと
を備える、システム。
【請求項２】
前記質量フィルタは、０．２ｍ／ｚ未満の幅の質量選択ウィンドウを生産するように適合される、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記質量フィルタは、０．１５ｍ／ｚ未満の幅の質量選択ウィンドウを生産するように適合される、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記質量フィルタは、四重極を備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記質量フィルタは、イオントラップを備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記質量フィルタは、ノッチフィルタを備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記質量フィルタは、ロッドの双曲線セットを備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
着目化合物に関する多重反応モニタリング（ＭＲＭ）遷移測定値が干渉を含むかどうかを判定するための方法であって、
プロセッサを使用して、タンデム質量分析計に、イオンビームから、第１の前駆イオンと、第１のプロダクトイオンとを含む、着目化合物に関して、第１のＭＲＭ遷移の第１の強度を測定するように命令することであって、前記タンデム質量分析計は、質量フィルタと、断片化デバイスと、質量分析器とを含み、かつイオン源デバイスから前記イオンビームを受光し、前記質量フィルタは、前記イオンビームから前駆イオンの同位体を分解させることが可能である、質量選択ウィンドウを生産するように適合され、前記タンデム質量分析計は、前記質量フィルタを使用して前記ＭＲＭ遷移の前駆イオンを選択し、前記断片化デバイスを使用して前記前駆イオンを断片化し、前記質量分析器を使用して前記ＭＲＭ遷移のプロダクトイオンの強度を測定することによって、ＭＲＭ遷移の強度を測定するように適合され、前記イオンビームは、前記着目化合物をイオン化する、イオン源デバイスによって生産される、ことと、
前記プロセッサを使用して、前記タンデム質量分析計に、前記イオンビームから、第２の前駆イオンと、同一の第１のプロダクトイオンとを含む、前記着目化合物に関して、第２のＭＲＭ遷移の第２の強度を、前記第１のＭＲＭ遷移として測定するように命令することであって、前記第２の前駆イオンは、前記第１の前駆イオンの同位体である、ことと、
前記プロセッサを使用して、前記第１の強度と前記第２の強度の比率を計算することと、
前記プロセッサを使用して、第１の前駆イオンと前記第２の前駆イオンの数の理論比を、それらの同位体関係に従って計算することと、
前記プロセッサを使用して、前記比率と前記理論比との間の差異を計算することと、
前記プロセッサを使用して、前記差異を閾値と比較することと、
前記差異が前記閾値未満である場合、前記プロセッサを使用して、前記第１のＭＲＭ遷移の前記第１の強度を、前記着目化合物のための干渉を含むものとして識別することと
を含む、方法。
【請求項９】
前記質量フィルタは、０．２ｍ／ｚ未満の幅の質量選択ウィンドウを生産するように適合される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記質量フィルタは、０．１５ｍ／ｚ未満の幅の質量選択ウィンドウを生産するように適合される、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記質量フィルタは、四重極を備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記質量フィルタは、イオントラップを備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記質量フィルタは、ノッチフィルタを備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１４】
前記質量フィルタは、ロッドの双曲線セットを備える、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
非一過性かつ有形のコンピュータ可読記憶媒体を備えるコンピュータプログラム製品であって、前記コンピュータ可読記憶媒体のコンテンツは、着目化合物に関する多重反応モニタリング（ＭＲＭ）遷移測定値が干渉を含むかどうかを判定するための方法を実施するように、プロセッサ上で実行されている命令を伴うプログラムを含む、前記方法は、
システムを提供することであって、前記システムは、１つ以上の明確に異なるソフトウェアモジュールを備え、前記明確に異なるソフトウェアモジュールは、測定モジュールと、分析モジュールとを含む、ことと、
タンデム質量分析計に、前記測定モジュールを使用して、イオンビームから、第１の前駆イオンと、第１のプロダクトイオンとを含む、着目化合物に関して、第１のＭＲＭ遷移の第１の強度を測定するように命令することであって、前記タンデム質量分析計は、質量フィルタと、断片化デバイスと、質量分析器とを含み、かつイオン源デバイスから前記イオンビームを受光し、前記質量フィルタは、前記イオンビームから前駆イオンの同位体を分解させることが可能である、質量選択ウィンドウを生産するように適合され、前記タンデム質量分析計は、前記質量フィルタを使用して前記ＭＲＭ遷移の前駆イオンを選択し、前記断片化デバイスを使用して前記前駆イオンを断片化し、前記質量分析器を使用して前記ＭＲＭ遷移のプロダクトイオンの強度を測定することによって、ＭＲＭ遷移の強度を測定するように適合され、前記イオンビームは、前記着目化合物をイオン化する、イオン源デバイスによって生産される、ことと、
前記タンデム質量分析計に、前記測定モジュールを使用して、前記イオンビームから、第２の前駆イオンと、同一の第１のプロダクトイオンとを含む、前記着目化合物に関して、第２のＭＲＭ遷移の第２の強度を、前記第１のＭＲＭ遷移として測定するように命令することであって、前記第２の前駆イオンは、前記第１の前駆イオンの同位体である、ことと、
前記分析モジュールを使用して、前記第１の強度と前記第２の強度の比率を計算することと、
前記分析モジュールを使用して、第１の前駆イオンと前記第２の前駆イオンの数の理論比を、それらの同位体関係に従って計算することと、
前記分析モジュールを使用して、前記比率と前記理論比との間の差異を計算することと、
前記分析モジュールを使用して、前記差異を閾値と比較することと、
前記差異が前記閾値未満である場合、前記分析モジュールを使用して、前記第１のＭＲＭ遷移の第１の強度を、前記着目化合物のための干渉を含むものとして識別することと
を含む、コンピュータプログラム製品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本出願人の教示のこれらおよび他の特徴が、本明細書に記載される。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
（項目１）
着目化合物に関する多重反応モニタリング（ＭＲＭ）遷移測定値が干渉を含むかどうかを判定するためのシステムであって、
着目化合物をイオン化し、１つ以上の前駆イオンのイオンビームを生産する、イオン源デバイスと、
質量フィルタと、断片化デバイスと、質量分析器とを含み、かつ前記イオン源デバイスから前記イオンビームを受光する、タンデム質量分析計であって、前記質量フィルタは、前記イオンビームから前駆イオンの同位体を分解させることが可能である、質量選択ウィンドウを生産するように適合され、前記タンデム質量分析計は、前記質量フィルタを使用して前記ＭＲＭ遷移の前駆イオンを選択し、前記断片化デバイスを使用して前記前駆イオンを断片化し、前記質量分析器を使用して前記ＭＲＭ遷移のプロダクトイオンの強度を測定することによって、ＭＲＭ遷移の強度を測定するように適合される、タンデム質量分析計と、
前記タンデム質量分析計と通信するプロセッサであって、前記プロセッサは、
前記タンデム質量分析計に、第１の前駆イオンと、第１のプロダクトイオンとを含む、第１のＭＲＭ遷移の第１の強度を測定するように命令することと、
前記タンデム質量分析計に、第２の前駆イオンと、同一の第１のプロダクトイオンとを含む、第２のＭＲＭ遷移の第２の強度を、前記第１のＭＲＭ遷移として測定するように命令することであって、前記第２の前駆イオンは、前記第１の前駆イオンの同位体である、ことと、
前記第１の強度と前記第２の強度の比率を計算することと、
第１の前駆イオンと前記第２の前駆イオンの数の理論比を、それらの同位体関係に従って計算することと、
前記比率と前記理論比との間の差異を計算することと、
前記差異を閾値と比較することと、
前記差異が前記閾値未満である場合、前記第１のＭＲＭ遷移の前記第１の強度を、前記着目化合物のための干渉を含むものとして識別することと
を行う、プロセッサと
を備える、システム。
（項目２）
前記質量フィルタは、０．２ｍ／ｚ未満の幅の質量選択ウィンドウを生産するように適合される、項目１に記載のシステム。
（項目３）
前記質量フィルタは、０．１５ｍ／ｚ未満の幅の質量選択ウィンドウを生産するように適合される、項目１に記載のシステム。
（項目４）
前記質量フィルタは、四重極を備える、項目１に記載のシステム。
（項目５）
前記質量フィルタは、イオントラップを備える、項目１に記載のシステム。
（項目６）
前記質量フィルタは、ノッチフィルタを備える、項目１に記載のシステム。
（項目７）
前記質量フィルタは、ロッドの双曲線セットを備える、項目１に記載のシステム。
（項目８）
着目化合物に関する多重反応モニタリング（ＭＲＭ）遷移測定値が干渉を含むかどうかを判定するための方法であって、
プロセッサを使用して、タンデム質量分析計に、イオンビームから、第１の前駆イオンと、第１のプロダクトイオンとを含む、着目化合物に関して、第１のＭＲＭ遷移の第１の強度を測定するように命令することであって、前記タンデム質量分析計は、質量フィルタと、断片化デバイスと、質量分析器とを含み、かつイオン源デバイスから前記イオンビームを受光し、前記質量フィルタは、前記イオンビームから前駆イオンの同位体を分解させることが可能である、質量選択ウィンドウを生産するように適合され、前記タンデム質量分析計は、前記質量フィルタを使用して前記ＭＲＭ遷移の前駆イオンを選択し、前記断片化デバイスを使用して前記前駆イオンを断片化し、前記質量分析器を使用して前記ＭＲＭ遷移のプロダクトイオンの強度を測定することによって、ＭＲＭ遷移の強度を測定するように適合され、前記イオンビームは、前記着目化合物をイオン化する、イオン源デバイスによって生産される、ことと、
前記プロセッサを使用して、前記タンデム質量分析計に、前記イオンビームから、第２の前駆イオンと、同一の第１のプロダクトイオンとを含む、前記着目化合物に関して、第２のＭＲＭ遷移の第２の強度を、前記第１のＭＲＭ遷移として測定するように命令することであって、前記第２の前駆イオンは、前記第１の前駆イオンの同位体である、ことと、
前記プロセッサを使用して、前記第１の強度と前記第２の強度の比率を計算することと、
前記プロセッサを使用して、第１の前駆イオンと前記第２の前駆イオンの数の理論比を、それらの同位体関係に従って計算することと、
前記プロセッサを使用して、前記比率と前記理論比との間の差異を計算することと、
前記プロセッサを使用して、前記差異を閾値と比較することと、
前記差異が前記閾値未満である場合、前記プロセッサを使用して、前記第１のＭＲＭ遷移の前記第１の強度を、前記着目化合物のための干渉を含むものとして識別することと
を含む、方法。
（項目９）
前記質量フィルタは、０．２ｍ／ｚ未満の幅の質量選択ウィンドウを生産するように適合される、項目８に記載の方法。
（項目１０）
前記質量フィルタは、０．１５ｍ／ｚ未満の幅の質量選択ウィンドウを生産するように適合される、項目８に記載の方法。
（項目１１）
前記質量フィルタは、四重極を備える、項目１に記載の方法。
（項目１２）
前記質量フィルタは、イオントラップを備える、項目１に記載の方法。
（項目１３）
前記質量フィルタは、ノッチフィルタを備える、項目１に記載の方法。
（項目１４）
前記質量フィルタは、ロッドの双曲線セットを備える、項目１に記載の方法。
（項目１５）
非一過性かつ有形のコンピュータ可読記憶媒体を備えるコンピュータプログラム製品であって、前記コンピュータ可読記憶媒体のコンテンツは、着目化合物に関する多重反応モニタリング（ＭＲＭ）遷移測定値が干渉を含むかどうかを判定するための方法を実施するように、プロセッサ上で実行されている命令を伴うプログラムを含む、前記方法は、
システムを提供することであって、前記システムは、１つ以上の明確に異なるソフトウェアモジュールを備え、前記明確に異なるソフトウェアモジュールは、測定モジュールと、分析モジュールとを含む、ことと、
タンデム質量分析計に、前記測定モジュールを使用して、イオンビームから、第１の前駆イオンと、第１のプロダクトイオンとを含む、着目化合物に関して、第１のＭＲＭ遷移の第１の強度を測定するように命令することであって、前記タンデム質量分析計は、質量フィルタと、断片化デバイスと、質量分析器とを含み、かつイオン源デバイスから前記イオンビームを受光し、前記質量フィルタは、前記イオンビームから前駆イオンの同位体を分解させることが可能である、質量選択ウィンドウを生産するように適合され、前記タンデム質量分析計は、前記質量フィルタを使用して前記ＭＲＭ遷移の前駆イオンを選択し、前記断片化デバイスを使用して前記前駆イオンを断片化し、前記質量分析器を使用して前記ＭＲＭ遷移のプロダクトイオンの強度を測定することによって、ＭＲＭ遷移の強度を測定するように適合され、前記イオンビームは、前記着目化合物をイオン化する、イオン源デバイスによって生産される、ことと、
前記タンデム質量分析計に、前記測定モジュールを使用して、前記イオンビームから、第２の前駆イオンと、同一の第１のプロダクトイオンとを含む、前記着目化合物に関して、第２のＭＲＭ遷移の第２の強度を、前記第１のＭＲＭ遷移として測定するように命令することであって、前記第２の前駆イオンは、前記第１の前駆イオンの同位体である、ことと、
前記分析モジュールを使用して、前記第１の強度と前記第２の強度の比率を計算することと、
前記分析モジュールを使用して、第１の前駆イオンと前記第２の前駆イオンの数の理論比を、それらの同位体関係に従って計算することと、
前記分析モジュールを使用して、前記比率と前記理論比との間の差異を計算することと、
前記分析モジュールを使用して、前記差異を閾値と比較することと、
前記差異が前記閾値未満である場合、前記分析モジュールを使用して、前記第１のＭＲＭ遷移の第１の強度を、前記着目化合物のための干渉を含むものとして識別することと
を含む、コンピュータプログラム製品。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2020535599.tif 000001