(57)【要約】【課題】圧電素子からなるＡＥセンサを磁気ヘッドスライダに組み込むに当り、ＡＥの検出感度よく、駆動電圧が小さく、低ノイズで、磁気ヘッドへの悪影響を抑制するように構成した磁気ヘッドスライダを提供する。【解決手段】導電性のスライダ基板上の浮上面近傍の媒体対向面側に、薄膜ＡＥセンサ、ヒーター及び薄膜磁気ヘッドを順に一体形成したことを特徴とする薄膜ＡＥセンサ内蔵型薄膜磁気ヘッド。【選択図】図１
2010146629.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性のスライダ基板上の浮上面近傍の媒体対向面側に、薄膜ＡＥセンサ、ヒーター及び薄膜磁気ヘッドを一体形成したことを特徴とする薄膜ＡＥセンサ内蔵型薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項1記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、複数個の前記薄膜ＡＥセンサを同一プロセスで形成したことを特徴とする薄膜ＡＥセンサ内蔵型薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項1記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、複数個の前記薄膜ＡＥセンサを浮上面から奥行き方向に並べて形成したことを特徴とする薄膜ＡＥセンサ内蔵型薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項1記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、複数個の前記薄膜ＡＥセンサを浮上面近傍で且つスライダ短軸方向に並べて形成したことを特徴とする薄膜ＡＥセンサ内蔵型薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項1記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、複数個の前記薄膜ＡＥセンサを浮上面近傍で且つスライダ外側端部近傍に形成したことを特徴とする薄膜ＡＥセンサ内蔵型薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
請求項1〜請求項５のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記スライダは導電性部材からなり、前記薄膜ＡＥセンサの片側端子は該導電性基板に直接接続されてグランドされていることを特徴とする薄膜ＡＥセンサ内蔵型薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
請求項1〜請求項５のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記薄膜ＡＥセンサは基板厚さ方向に分極処理された圧電素子からなることを特徴とする薄膜ＡＥセンサ内蔵型薄膜磁気ヘッド。
【請求項８】
請求項1〜請求項５のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記薄膜ＡＥセンサを前記スライダ基板上に形成し、その上にヒーター、記録再生素子を順次形成する構成としたことを特徴とする薄膜ＡＥセンサ内蔵型薄膜磁気ヘッド。
【請求項９】
請求項1〜請求項５のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記薄膜ＡＥセンサを構成する圧電素子はチタン酸ジルコン酸鉛もしくはチタン酸バリウムもしくはチタン酸鉛の圧電セラミックスであることを特徴とする薄膜ＡＥセンサ内蔵型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】
請求項1〜請求項５のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記薄膜ＡＥセンサによって記録媒体である磁気ディスクとスライダとの接触を検知し、これを基点として前記ヒーターを用いてスライダと磁気ディスク間の浮上量を制御するように構成されることを特徴とする薄膜ＡＥセンサ内蔵型薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】
請求項1〜請求項５のいずれか一項記載の薄膜磁気ヘッドを備えた磁気ディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク装置（ＨＤＤ）用薄膜磁気ヘッドにおいて、導電材料から成るスライダ基板、浮上量制御に供するヒーター素子と記録再生用素子からなるヘッド構成に係り、該基板上に圧電素子からなるＡＥセンサを形成し、このＡＥセンサによってヘッドスライダと対向する記録媒体との接触を検知し、これを基点としてヒーター素子によって記録再生素子部と記録媒体間の浮上量を一定に制御するよう構成された薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
図２５に磁気ディスク装置の概略を示す。同図に示すとおり、磁気ディスク装置は筺体３１の中に記録媒体である磁気ディスク３２と同媒体に記録再生するための磁気ヘッドアセンブリ３３が主要なコンポーネントとして使用され、これに信号処理回路及びメカ駆動機構が搭載されたものである。
【０００３】
磁気ディスク装置の構成部品である記録媒体において、媒体表面の平滑性を高めることは重要である。媒体表面の平滑性のチェック、つまり表面の凸凹、異常突起検知のためにグライドテストが行われ、例えば特許文献１、特許文献２、特許文献３、非特許文献１、非特許文献２にあるようにスライダに圧電素子を貼り付け、圧電素子の電圧変化を読み取ることによって、記録媒体との接触を検知することが可能である。ただ、スライダの表面に外から圧電素子を貼り付ける方式は、圧電素子の特性のばらつき、貼り付けに要するタクトタイムを考慮すると問題が多く、圧電素子が剥がれる懸念もある。そこで例えば特許文献４のように絶縁基板上に圧電素子部を一体的に形成する方法も提案されている。
【０００４】
一方、磁気ディスク装置の構成部品である磁気ヘッド/記録媒体において、記録密度を向上させるには出力、エラーレート等に代表されるリードライト特性を向上させる必要がある。リードライト特性は磁気ヘッドと記録媒体の間の浮上量に強く依存する。リードライト特性を向上させ磁気ディスク装置の記録密度を向上させるためには、信頼性が保たれる限り浮上量を可能な限り小さくするとともに、各々の磁気ヘッドにおいて浮上量を一定の値に設定する必要がある。
【０００５】
各々のスライダは同じように設計されていたとしても、記録媒体に対向する浮上面の加工に依存して、1つ1つのスライダの絶対的な浮上量は異なっている。浮上量の変化は出力の変化として感知できるため、実際の磁気ディスク装置ではサーボ信号やPES(Position Error Signal)の出力の変化から浮上量の変化を感知し、浮上量を制御している。しかしこの方法では浮上量の絶対値を検知できないためスライダごとの加工ばらつきによる浮上量絶対値のばらつきを補正するのは難しい。そこで、出力変化を読み取るのではなく、スライダに圧電素子を貼り付け、信頼性が損なわれない程度に意図的にスライダを記録媒体に接触させ、その接触点を原点にして浮上量を設定することによって、スライダの絶対浮上量を補正する方式が使われている。
【０００６】
近年、かかる浮上量はスライダと磁気ディスク間の空気膜剛性とヘッドスライダを取り付けるサスペンションのバネ剛性のバランスでの制御のみでは困難なほどの低浮上量の制御が必要であり、薄膜磁気ヘッド形成工程において記録再生素子近傍で且つ媒体対向部近傍に同時に形成されるヒーターへの通電加熱による素子部材の熱弾性変形（局所的な突出）を活用した方法が適用されている。
【０００７】
図２６は、かかるヒーターを搭載した薄膜磁気ヘッドの素子部のレイアウトの概略図である。同図は、スライダ基板における浮上面４１を上面としてその端面に薄膜磁気ヘッドの平面形状の概略と電極端子の概略を示したものである。浮上面近傍には記録再生素子部7が該素子の一部をなす導体コイル７gと共に示されている。これら記録素子、再生素子はそれぞれが独立に信号処理部と電気的に接続される必要があり、それぞれ１０a,１０bに示す配線パターンによってスライダ端部近傍に配列された電極パッド９a,９bに接続されている。記録再生の電気信号はかかる電極パッドを介して、図２５に示した磁気ヘッドアセンブリ３３に形成されている導通部を経て、信号処理回路に導かれる。同図には記録再生素子用電極パッド９a、９bの外側に電極パッド９ｄが形成されている。このパッド９ｄは配線パターン１０ｄを介してヒーターの両端子に接続されている。
【０００８】
図２７は、かかるヒーターとその配線パターンを透視的に重ねて示したものである。同図はヒーター８が記録再生素子部７の後方に形成された例を示すものである。なお、配線パターン１０a、１０b、及び１０ｄは絶縁層を介して形成されており、相互には接触していない。
【０００９】
図２８は、上述の薄膜ヘッド記録再生素子及びヒーターの横方向からみた断面図である。同図において、基板１のすぐ上の近傍にヒーター８が形成されており、その上にアルミナ等の絶縁層５、再生素子部７a〜７c、分離層７d、記録素子部７e〜７h、及び保護用の絶縁層５が順次成膜形成されており、これによりヒーター内蔵薄膜磁気ヘッドが構成されている。ヒーター８に電流を印加することによって、ヒーターの発熱効果で記録再生素子近傍が浮上面に突出し、実効的に対向する磁気ディスクとのスペーシングが狭まり、浮上量が低減する。この方法は熱弾性変形の範囲で十分制御可能な浮上量の変化を得ることができ、従来の浮上量制御のブレークスルー技術として今後も有効に適用される画期的な方法である。
【００１０】
しかし、このような方法においては、絶対浮上量の同定はそれ自体では困難であり、基準が必要とされている。この基準は上記同様にスライダと磁気ディスクとの接触によって実現可能であり、実用化されている。かかるスライダと磁気ディスクの接触の検知はまさに浮上量制御のキーポイントであり、接触検知の高精度化こそが磁気ディスク装置の高記録密度向上の最重要課題のひとつとなっている。現状では上記したとおり、圧電素子からなるＡＥセンサによる検出が最も高精度であり、特性評価においては必須のデバイスとして活用されている。しかし、磁気ディスク装置においては、このような既存のＡＥセンサを装置に搭載することは装置の製造コストに大幅な増額を招くとともに、工業製品としての信頼性の確保も不明であり、既存ＡＥセンサはあくまでも特性評価用としての用途に限定されているのが実情である。現状の磁気ディスク装置においては、接触の検出方法として各種方法が適用されているが、上記のとおり、サーボ信号や、ＰＥＳ信号の変化などの利用の域にとどまっており、今後の高記録密度化に対しては、更なる接触検知精度の改善が期待されている。
【００１１】
【特許文献１】特開平５−２５０６４３号公報
【特許文献２】特開２０００−５５８８３号公報
【特許文献３】特開２００７−３０５２８６号公報
【特許文献４】特開２００１−２３０４６４号公報
【非特許文献１】日本機会学会論文集Ｃ編６２巻５９５号（１９９６）ｐｐ. ９２８−９３５
【非特許文献２】日本機会学会論文集Ｃ編６３巻６１３号（１９９７)ｐｐ. ３０７５−３０８１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、上記背景技術におけるヘッドスライダと対向する記録媒体との接触を高精度に検知し、これを基点としてヒーター素子によって前記記録再生素子部と記録媒体間の低浮上量をヘッド間の製造ばらつきも含めて一定に制御する薄膜磁気ヘッドを提供し、この薄膜磁気ヘッドを適用した磁気ディスク装置の記録密度の更なる向上を図ることを目的とする。
【００１３】
記録媒体との接触検知を行うにあたって、上記のとおり圧電素子又は圧電素子からなるＡＥセンサが有効であることは周知であり、磁気ヘッドに一体化する方法として圧電素子をスライダの外側から貼り付ける例が開示されている。しかし、この方法は信頼性の観点、またタクトタイムなどの量産性の観点から不安要素が多く実用には供していない。また、圧電素子を基板内に形成する一体化の試みも開示の例があるが、かかる開示例においては圧電体自体座布団のようにして磁気ヘッド素子の基板として使用する方法であり、圧電素子の電歪効果を利用した変形効果も可能な方法として特徴を提示している。この方法は、変形による浮上制御、トラッキング制御などを単一機能を有する各デバイスに機能分散させる手法とは逆の発想であり、それらの機能をすべて兼ね備えることを特徴としているが、現状の磁気ディスク装置においては上記の各々の機能に対する最良の構成がなければ性能全体の向上は困難な状況になっており、機能分散こそが今後の性能改善に必須の構成と考えられる。更に、かかる広い面積を有する圧電素子上に記録再生素子全体を形成する構成では、駆動時に磁気ヘッドにノイズが重畳したり、記録再生信号の波形に悪影響を及ぼすことも懸念され、実用に供するには解決すべき多くの課題がある。
【００１４】
本発明が解決しようとする課題は、圧電素子をスライダと磁気ディスクの接触検知に有効活用する周知の技術を実際の磁気ヘッド及び磁気ディスク装置に具現化するために、かかる圧電素子からなるＡＥセンサをＩＣプロセス技術の応用によってヒーター及び記録再生素子と一体形成して、磁気ヘッドのコストアップを招かない構成とすることであり、その結果として磁気ディスク装置への応用を可能とすることである。また、ＡＥセンサの駆動電圧を少なくし、低ノイズ且つ高感度な動作が可能な構成とすることも本発明の課題である。これらの課題の克服により、製造が容易で駆動電圧が小さく低ノイズである圧電素子一体型の基板を実現し、かつそこから切断されて作成されたスライダを用いることで、高精度な接触検知、衝撃検知が可能な磁気ヘッドが具現化する。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の各種の課題を克服すべく、本発明は導電性を有する基板上に圧電素子からなる薄膜ＡＥセンサを形成し、このセンサを絶縁層にて覆ったウエハ基板上にヒーター及び記録再生素子をＩＣ技術により一体形成してなる薄膜磁気ヘッドを構成し、かつ該ＡＥセンサの片側端子を基板と接続しグランドとすることを特徴とする。接触感度及び精度の向上を図る手段として、ＡＥセンサをスライダの媒体対向面近傍に形成することを特徴とする。また、更なるＡＥセンサの接触検知感度を向上するための手段として、該ＡＥセンサを複数個形成し、これらを並列に接続する構成とすることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
導電性の基板を薄膜ＡＥセンサのグランド端子として用いることで作製プロセスが容易になり、外部から圧電素子を貼り付ける必要がないので量産性が高まる。また、ＡＥセンサの駆動電圧を下げることができるため、投入電力が少なくすることができ、低ノイズ化できることで接触検出感度及び検出精度が向上する。結果として磁気ディスク装置の省エネ化ができ、地球温暖化対策の観点でも有効である。この基板上に磁気ヘッドを作成し、そこから切断分離されたスライダを用いることによって、薄膜ＡＥセンサが内蔵された磁気ヘッドスライダが実現できる。ＡＥセンサが低ノイズであるため、磁気ヘッドへの悪影響も抑制できる。この磁気ヘッドは記録媒体への接触点を基準として、別に内蔵された浮上量制御用のヒーターとの連携動作により低浮上量を安定に制御することにより、磁気ヘッド間の浮上量ばらつきを低減し安定なヘッド特性を実現することが可能となる。
【００１７】
このように、磁気ヘッド、ヒーターおよびＡＥセンサを一体に形成した本発明の磁気ヘッドスライダは、各機能デバイスの性能を最大限発揮できる構造である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
図１は、本実施形態のＡＥセンサ、ヒーター及び薄膜ヘッド素子部の浮上面近傍における断面概略図である。同図において、スライダの基板１は導電性部材からなり、基板１の上に薄膜のＡＥセンサ２が直接成膜形成される。このような方法により基板１はＡＥセンサの片側の電極と電気的グランドを兼ねている。ＡＥセンサ２を形成後、アルミナなどの絶縁層５を成膜形成して平坦化し、その上にヒーター８、絶縁層５、再生素子７a〜７ｃ、分離層７d、記録素子７e〜７ｈ、保護用の絶縁層５を順次成膜とパターニングを繰り返して形成し、薄膜ＡＥセンサ及びヒーターを搭載した薄膜磁気ヘッドが形成される。
【００１９】
図２は、本実施形態のスライダ浮上及び磁気ディスクとの接触の状況を表した模式図である。同図において、スライダ２０は点線部で示す記録再生素子が形成された先端部を円板１２にわずかな間隔（浮上量）を隔てて対向している。右下に示した先端の拡大図において、スライダ２０の先端にアルミナなどの絶縁性部材を介してＡＥセンサ２、記録再生素子部７及びヒーター８が形成されており、ヒーター８の通電による発熱効果によって、例えば丸い点線部にてスライダ２０と磁気ディスク１２が接触した場合にこの接触点を基点として弾性波がスライダ中を伝播する。この弾性波はＡＥセンサ２に対して矢印の方向に伝播し、ＡＥセンサ２の膜厚方向（分極方向）及びその直行方向のベクトル分散量によってかかるＡＥセンサにて電気信号に変換され、接触が検知される。かかる検出感度は接触点からの距離が近いほど、更にＡＥセンサを構成する圧電素子の分極方向のベクトル成分が大きいほど高いため、センサの形成位置としてはスライダの浮上面対向部近傍で且つ磁気ディスクとの接触が最も起こりやすい部位の近くが望ましいが、記録再生素子、ヒーター、浮上量設定及びメカニック機構などの設計も勘案した磁気ディスク装置としての総合的観点での配置が望ましい。このようにＡＥセンサをスライダの適切な場所に配置することにより、磁気ヘッドと磁気ディスクの異常な接触有無をモニターすることも可能となる。
【００２０】
図３は、本実施形態の薄膜ＡＥセンサ、ヒーター、記録再生素子部及び電極パッドのレイアウトの例を示す概略図、また、図４は、スライダ２０の先端平面部分の模式図であり、薄膜ＡＥセンサ及び浮上制御用ヒーターを内蔵した薄膜磁気ヘッドの各種電気信号の取り出し方法を示す図である。図３、図４において、ＡＥセンサ２の電極パッド９ｃ、及び配線パターン１０ｃがスライダの外側に配置される。これは、図２６、図２７に示す従来の電極パッド配列に対して新たに追加したデバイス（ＡＥセンサ）が、記録再生素子７に対して仮に悪影響を及ぼす事態が生じた場合でも、ＡＥセンサの信号ラインを記録再生信号ラインからなるべく遠くに離すことで一定の予防策としての効果を発揮することを考慮したものである。
【００２１】
図４において、パッド９aは再生素子用、パッド９bは記録素子用の電極であり、それぞれ独立にヘッドアセンブリの外に設けたプリアンプまで接続される。また、パッド９ｄはヒーター用であり、パッド９ｃが新たに追加したＡＥセンサ用電極である。同図に示すように、この例においては９c ,９dの片側パッドはいずれもグランドと接続され、信号品質の安定化を図っている。
【００２２】
図５及び図９は、本実施形態の薄膜ＡＥセンサを２個形成した例を模式的に表したものである。同図では、図１に示したＡＥセンサ２が浮上面から奥行き方向に２個（２a、２b）形成されている例が示されている。
【００２３】
図１０は、図９の例に対応してスライダ浮上及び円板との接触の状況を表した模式図である。同図において、スライダ２０は点線部で示す記録再生素子が形成された先端部を磁気ディスク１２にわずかな間隔（浮上量）を隔てて対向している。右下に示した先端の拡大図において、スライダ２０の先端にアルミナなどの絶縁性部材を介して２個のＡＥセンサ２a、２bと記録再生素子部７及びヒーター８が形成されており、ヒーター８の通電による発熱効果によって、例えば丸い点線部にてスライダと磁気ディスク１２が接触した場合にこの接触点を基点として弾性波がスライダ中を伝播する。この弾性波はＡＥセンサ２a、２bに対してそれぞれ矢印の方向に伝播し、ＡＥセンサ２a、２bの膜厚方向（分極方向）及びその直行方向のベクトル分散量によってかかるＡＥセンサにてそれぞれ電気信号に変換され、両者の総和によって接触が検知され、単一の場合に比べて検出効率を向上できる。かかる検出感度は接触点からの距離が近いほど、更にＡＥセンサ構成する圧電素子の分極方向のベクトル成分が大きいほど高いため、センサの形成位置としてはスライダの浮上面対向部近傍で且つ円板との接触が最も起こりやすい部位の近くが望ましく、更には２個のＡＥセンサは可能な限り接近して配置する方が望ましい。この場合においても、記録再生素子、ヒーター、浮上量設定及びメカニック機構などの設計も勘案した磁気ディスク装置としての総合的観点での配置が望ましい。
【００２４】
このほかにも、複数個のＡＥセンサを形成する方法が可能であり、例えば電極パッド配列に沿った方向で且つ浮上面近傍側に複数個のＡＥセンサを配置する方法（例えばスライダ短軸方向）も有効と考えられる。この場合は複数個のＡＥセンサに対して弾性波の伝播到達距離の差を少なく配置できるために更なる接触検知の高感度化、高精度化が期待できる（図６参照）。なお、図７および図８に示すように、１個のＡＥセンサの平面形状をスライダ短軸方向を長辺とした矩形とする（図７）、またはスライダ厚さ方向（浮上面から奥行き方向）を長辺とした矩形とする（図８）方法など、各種の形態が可能である。これらも磁気ディスク装置としての総合的な観点から適正化することが望ましい。
【実施例１】
【００２５】
以下、本実施形態のウエハ、スライダの実施例について、図を用いて説明する。
【００２６】
図１１の（ａ）に本実施例の薄膜ＡＥセンサ成膜形成済みウエハの基板レイアウトの例を概略で示す。同図において、薄膜ＡＥセンサは該ウエハ基板から磁気ヘッドスライダを切り出したときに、各スライダのすべてに形成されるように成膜されている。かかるウエハは薄膜ＡＥセンサを形成後、このＡＥセンサの導通用として導電体からなるスタッドが表面近傍まで形成された状態でアルミナなどの絶縁性保護部材によって覆われ、且つ平坦化処理を施されている。これにより、通常の薄膜磁気ヘッドの製造工程とほとんど変わらない技術を適用できる。図１１（ｂ）は各スライダチップの断面図、図１１（ｃ）は同平面図である。
【００２７】
図１２は、本実施例の薄膜ＡＥセンサ成膜済みウエハ基板を用いた薄膜ヘッド製造工程の概略を示している。上記のとおり、ＡＥセンサ２の上部電極３及び基板１の双方に導通用のスタッド４があらかじめ形成されている。従って、まず最初にかかるスタッド４と接合するための導通用スルーホール及び導電スタッド４aを形成する。次に、ヒーター８、再生素子７a〜７c及び記録素子７e〜７h、そして絶縁保護アルミナを成膜形成する。その後で、各素子及びデバイスと電極パッド間の配線パターンを形成し、電極パッドを配置して完成する。図１２（ｃ）は、スライダ２０の先端平面部分の図であり、電極パッドの配置を示す。図１２（ｂ）はそのＡ−Ａ断面を示す図である。
【００２８】
以下、薄膜ＡＥセンサの成膜プロセスの一例を図１３〜図１９に示す。
【００２９】
図１３は、基板にＡＥセンサを形成する工程を示す。例えばＡｌＴｉＣから成る導電性の基板１の上に圧電素子からなるＡＥセンサ２を作成する。このＡＥセンサ２は基板厚さ方向に分極処理を施されている。
【００３０】
図１４は、ＡＥセンサ２の上部にアルミナなどの絶縁層５と共にパターニングされた電極３を作成する工程を示している。
【００３１】
図１５は、全体をアルミナなどの絶縁層５で被覆した後、導通端子としてのスタッドを形成するためのスルーホールを例えばリフトオフなどの既存のＩＣ技術によって形成する工程を示している。
【００３２】
図１６は、このスルーホールに金属部材を充填したスタッド４を作成する工程を示す。導電性のスタッド４は、片側はＡＥセンサ２の上部に設定してある電極３に接続し、もう一方のスタッド４ａは導電性の基板１に直接接続する。６はスタッド４，４ａを含む全体を覆うフォトレジストである。ＡＥセンサ２の分極方向は、その厚さ方向である。
【００３３】
図１７は、全体をアルミナ等の絶縁層５で覆う工程を示す。
【００３４】
図１８は、最後にウエハ表面全体をＣＭＰ（化学機械ポリッシュ）などの方法によって平坦化する工程を示している。
【００３５】
図１９は、上記の図１８に示す平坦化処理後のスライダの平面的な模式図を示している。図の点線は、図１８の断面に沿った線であり、検出電流の流れも示す。
【００３６】
上記の図１３〜図１９を要約すると、圧電素子は例えば、チタン酸ジルコン酸鉛もしくはチタン酸バリウムもしくはチタン酸鉛などの圧電セラミックスを用いることができる。厚さは０．１２μｍ程度にすることが望ましい。ＡＥセンサ２の両側にアルミナなどの絶縁層５をデポした後、電極３をパターンニングするが、このとき電極の厚さは０．１３μｍ程度が望ましい。その後、その上部にアルミナを０．５μm程度デポする。スタッド４が配置される部分がリフトオフにより除去され、その上にフォトレジスト６を塗布しパターンニングする。その後、スタッド４とスタッド４ａをめっきによって作製し、導通を取る。最後にアルミナなどの絶縁層５をデポし、スタッド４の上部までアルミナで覆う。表面は凸凹になるため、全面にＣＭＰをかけ、スタッド４の頭が出てくるまで平坦化する。このようなプロセスを経ることで、スタッド４ａをグランドとしスタッド４を端子とする薄膜ＡＥセンサ内蔵の導電性基板を作製することができる。
【実施例２】
【００３７】
図２０〜図２２に本発明の他の応用例１を示す。同図において、ＡＥセンサ２は浮上面から奥行き方向に２個形成されており、それらは上部の端面同士が電極３で接続されており、下部は共に直接基板１に導通してグランドに接続されている。２個のＡＥセンサ２は、薄膜ＡＥセンサ成膜の同一プロセスで形成される。図２０は、図２１に示すスライダの平面的な模式図をＡ方向からみた浮上面近傍の断面図である。図のスタッド４ａから電極３に至る点線は、図２０の断面に沿った線である。同図において、基板に接続されたスタッド４ａは薄膜ヘッド製造工程で形成されるスタッド４ｂ及び表面の電極パッド９ｃに接続され、グランドとＡＥセンサの片側電極を兼ねている。図２２は、図２１に円状点線で示す浮上面近傍の２個のＡＥセンサの接続の状況を拡大したものである。
【実施例３】
【００３８】
図２３、図２４に本発明の他の応用例２を示す。図２３は、スライダ２０の先端平面部分を示し、本発明の薄膜ＡＥセンサをスライダ２０の両端近傍に形成する例を示す。ＡＥセンサ２は同図に示すとおり、スライダの両端近傍で且つ浮上面４１の近傍に形成する。かかる構成をとることにより、例えば、図２３に模式的に示すように、スライダが通常の浮上姿勢から逸脱して、片側が当たるなどの円板との異常な接触をした場合には、その接触点からの弾性波の伝播時間差によってそれを検知することができる。これにより、異常スライダの廃棄が容易となり、装置への不良品混入を未然に防止できる効果が見込める。また、前記したヒーター８との組合せを考慮することにより、異常接触スライダの浮上補正も可能である。このように、薄膜ＡＥセンサの配置を考慮することにより、磁気ディスク装置としての性能及び信頼性の改善に寄与し得る各種の効用が期待される。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
ハードディスクドライブに内蔵されている磁気ヘッドに適用可能である。また、媒体の突出検出検査用サーティファイヘッドに適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】実施例のＡＥセンサ、ヒーター及び薄膜ヘッド素子部の浮上面近傍の断面概略図（１）
【図２】実施例のスライダ浮上及び磁気ディスク接触時のＡＥ伝播の模式図（１）
【図３】実施例の薄膜ＡＥセンサ、ヒーター、薄膜ヘッド素子部及び電極パッドレイアウトの概略図
【図４】実施例の薄膜ＡＥセンサ、ヒーター及び電極パッドレイアウト概略図
【図５】実施例の薄膜ＡＥセンサ、ヒーター及び電極パッドレイアウト概略図（続き）
【図６】実施例の薄膜ＡＥセンサ、ヒーター及び電極パッドレイアウト概略図（続き）
【図７】実施例の薄膜ＡＥセンサ、ヒーター及び電極パッドレイアウト概略図（続き）
【図８】実施例の薄膜ＡＥセンサ、ヒーター及び電極パッドレイアウト概略図（続き）
【図９】実施例のＡＥセンサ、ヒーター及び薄膜ヘッド素子部の浮上面近傍の断面概略図（２）
【図１０】実施例のスライダ浮上及び磁気ディスクとの接触時のＡＥ伝播の模式図（２）
【図１１】実施例の薄膜ＡＥセンサ成膜済みウエハ基板レイアウト例の概略図
【図１２】実施例の本発明の薄膜ＡＥセンサ成膜済みウエハ基板を用いた薄膜ヘッド製造工程の概略図
【図１３】実施例の薄膜ＡＥセンサ製造工程の概略図
【図１４】実施例の薄膜ＡＥセンサ製造工程の概略図（続き）
【図１５】実施例の薄膜ＡＥセンサ製造工程の概略図（続き）
【図１６】実施例の薄膜ＡＥセンサ製造工程の概略図（続き）
【図１７】実施例の薄膜ＡＥセンサ製造工程の概略図（続き）
【図１８】実施例の薄膜ＡＥセンサ製造工程の概略図（続き）
【図１９】実施例の薄膜ＡＥセンサ製造工程の概略図（続き）
【図２０】実施例の２個の薄膜ＡＥセンサ接続の一例及びヒーター、薄膜ヘッド素子部の浮上面近傍の概略図
【図２１】実施例の２個の薄膜ＡＥセンサ接続の一例及びヒーター、薄膜ヘッド素子部の浮上面近傍の概略図（続き）
【図２２】実施例の２個の薄膜ＡＥセンサ接続の一例及びヒーター、薄膜ヘッド素子部の浮上面近傍の概略図（続き）
【図２３】実施例の２個の薄膜ＡＥセンサのスライダ外側近傍への形成例を示す図
【図２４】実施例のスライダ異常接触の検知例を示す図
【図２５】従来のＨＤＤの概略図
【図２６】通常の薄膜ヘッド素子部レイアウト概略図
【図２７】通常の薄膜ヘッド及びヒーターの素子部レイアウト概略図
【図２８】通常の薄膜ヘッド及びヒーターの素子部断面の概略図
【符号の説明】
【００４１】
１：基板、２：ＡＥセンサ、３：電極、４：スタッド、４ａ：スルーホール＆導電スタッド、５：絶縁層、７：記録再生素子、８：ヒーター。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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