【手続補正書】
【提出日】令和3年3月29日(2021.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）原子又は分子の蒸気流を形成するステップと、
ｂ）真空下にある間に、前記蒸気流を基板表面に向けて、前記原子又は分子が前記基板表面に衝突するように誘導するステップであって、前記基板表面が−１００℃以下の温度であり、以て前記原子又は分子のアモルファス固体層が前記基板表面に形成され、前記アモルファス固体層が２マイクロメートル以下の厚さを有するステップと、
ｃ）荷電又は非荷電分析物粒子を含む分析物ビームを形成するステップと、
ｄ）前記アモルファス固体層を前記分析物ビームと接触させて、前記分析物粒子を前記堆積されたアモルファス固体層の上又は中に埋め込むステップと
を含む、低温電子顕微鏡（低温ＥＭ）の試料を調製する方法。
【請求項２】
前記分析物粒子が前記アモルファス固体層に埋め込まれた後に、前記アモルファス固体層を前記蒸気流からの原子又は分子と追加的に接触させるステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記基板表面を前記蒸気流からの前記原子又は分子と接触させるのと同時に、前記基板表面を前記分析物ビームと接触させるステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記蒸気流が、アモルファス固体を形成できる分子又は原子を含み、前記分子又は原子が、シクロヘキサノール、メタノール、エタノール、イソペンタン、水、Ｏ２、Ｓｉ、ＳｉＯ２、Ｓ、Ｃ、Ｇｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、及びＢｉのうちの１つ又は複数を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記基板が電子顕微鏡（ＥＭ）グリッドであり、前記ＥＭグリッドは、上面又は底面の全体にわたって連続フィルム又は膜を備える、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記蒸気流の前記原子又は分子が、１０−４トル以下の圧力において前記基板表面に接触する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記アモルファス固体層を前記分析物ビームと接触させる前記ステップが１０−４トルの圧力において実行される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記アモルファス固体層の上又は中の前記分析物粒子を、低温電子顕微鏡を使用して分析するステップをさらに含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記分析物ビームが、エレクトロスプレーイオン化又はレーザ脱離を用いて生成されるイオンビームである、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記分析物ビームが分子ビーム又は粒子ビームである、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記分析物分子ビームが、溶液を含む分析物粒子のエアロゾルを生成することによって、及び前記エアロゾルを真空システムの中に導入することによって生成される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記蒸気流が、クヌーセン型浸出セル、分子ビーム投与器、又はシステムの中への、分析物と一緒の基質の共浸出を用いて生成される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記アモルファス固体層の形成をリアルタイムで観察するステップをさらに含む、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板表面が−１７５℃以下の温度である、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
ａ）水分子の分子ビームを形成するステップと、
ｂ）真空下にある間に、基板の表面を前記分子水ビームと接触させるステップであって、前記基板表面が−１００℃以下の温度であり、以てアモルファス氷の層が前記基板表面に形成され、前記堆積された氷層が２マイクロメートル以下の厚さを有するステップと、
ｃ）荷電又は非荷電分析物粒子を含む分析物ビームを形成するステップと、
ｄ）前記堆積された氷層を前記分析物ビームと接触させて、前記分析物粒子を前記氷層の上又は中に埋め込むステップと、
を含む、低温電子顕微鏡（低温ＥＭ）の試料を調製する方法。
【請求項１６】
前記分析物粒子が前記氷層に埋め込まれた後に、前記堆積された氷層を前記分子水ビームと追加的に接触させるステップをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記堆積された氷層を前記分子水ビームと接触させるのと同時に、前記堆積された氷層を前記分析物ビームと接触させるステップをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記基板表面を前記分子水ビームと接触させるステップ及び前記堆積された氷層を前記分析物ビームと接触させるステップが、１０−４トル以下の圧力において実行される、請求項１５〜１７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１９】
ａ）真空チャンバと、
ｂ）前記真空チャンバと共に配置された低温ＥＭプローブであり、受け面を備える低温ＥＭプローブと、
ｃ）制御可能な分子ビームを生成し、前記分子ビームを前記低温ＥＭプローブの前記受け面に接触するように誘導できるビーム投与器と、
ｄ）前記低温ＥＭプローブの前記受け面を−１００℃以下の温度にすることができる温度制御手段と、
ｅ）前記真空チャンバと流体連通している分析物供給源と、
を具備する低温電子顕微鏡（低温ＥＭ）試料調製システムであって、
前記分析物供給源が、荷電又は非荷電分析物粒子を含む制御可能な分析物ビームを生成し、前記分析物ビームを前記低温ＥＭプローブの前記受け面に接触するように誘導することができる、低温電子顕微鏡（低温ＥＭ）試料調製システム。
【請求項２０】
前記温度制御手段が、前記低温ＥＭプローブの前記受け面の局部的な温度制御を行うことができるコールドフィンガを備える、請求項１９に記載のシステム。
【請求項２１】
前記温度制御手段が、前記低温ＥＭプローブの前記受け面の温度を−１７５℃以下にすることができる、請求項１９又は２０に記載のシステム。
【請求項２２】
前記分析物供給源が、荷電分析物イオンを含む制御可能なイオンビームを生成し、前記イオンビームを前記低温ＥＭプローブの前記受け面に接触するように誘導することができる、請求項１９〜２１のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項２３】
イオンを前記分析物供給源に供給できる修正された質量分析計をさらに備える、請求項１９〜２２のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項２４】
前記低温ＥＭプローブと接触している微量天秤をさらに備え、前記微量天秤が、前記低温ＥＭプローブの前記受け面に堆積された氷を測定することができる、請求項１９〜２３のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項２５】
前記低温ＥＭプローブの前記受け面に堆積された氷層を照射できる光源と、前記氷層から送出又は反射された光を受光できる光検出セル又は赤外光検出セルとをさらに備える、請求項１９〜２４のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項２６】
前記ビーム投与器が、制御可能な分子水ビームを生成することができる、請求項１９〜２５のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項２７】
ａ）水分子の分子ビームを形成するステップと、
ｂ）真空下にある間に、基板を前記分子水ビームと接触させるステップであり、前記基板が−１００℃以下の温度であり、以てアモルファス氷の層が前記基板に形成され、前記堆積された氷層が２マイクロメートル以下の厚さを有するステップと、
を含む、基板にアモルファス氷の層を形成する方法。
【請求項２８】
前記基板が−１７５℃以下の温度である、請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】
前記基板を前記分子水ビームと接触させる前に、前記分子水ビームを１つ又は複数の表面から反射するステップをさらに含む、請求項２７又は２８に記載の方法。
【請求項３０】
前記堆積された氷層の前記表面をミリング又はエッチングして前記氷層の変形を除去するステップをさらに含む、請求項２７〜２９のいずれか一項に記載の方法。