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【手続補正書】
【提出日】平成17年4月15日(2005.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液への溶解度を増大させる基を有し、且つポリマー骨格の主鎖にフッ素原子が置換した構造を有するフッ素含有樹脂及び
（Ｂ）活性光線の照射により、酸を発生する化合物
を含有するポジ型レジスト組成物に於いて、（Ａ）成分の樹脂として、少なくとも下記（Ａ−１）の樹脂と、下記（Ａ−２）の樹脂とを含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
（Ａ−１）  下記一般式（１）で表される基を有し、酸の作用により分解し、アルカリ現像液への溶解度を増大させる基として、一般式（１）中の−ＯＬ基を有する樹脂。
【化１】
2004226559.tif 000001
一般式（１）中、
Ｒa〜Ｒfは、同じでも異なっていてもよく、フッ素原子又は水素原子を表す。
但し、Ｒa〜Ｒfの内の少なくとも１つは、フッ素原子である。Ｒa〜Ｒfの内の１つが、単結合となって又は炭素鎖となって（Ａ）成分の樹脂の主鎖につながっていてもよい。
Ｌは、酸の作用により分解する基を表す。
（Ａ−２）  酸の作用により分解し、アルカリ現像液への溶解度を増大させる基として、カルボン酸の３級エステルを有する樹脂。
【請求項２】
（Ａ−１）の樹脂及び（Ａ−２）の樹脂が、それぞれ、重量平均分子量が１０００〜２０００００、且つ分子量１０００以下の成分の含有量が１０質量％以下であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項３】
（Ａ−１）の樹脂の重量平均分子量が１００００以上であり、且つ（Ａ−２）の樹脂の重量平均分子量が６０００以下であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項４】
（Ａ−１）の樹脂の重量平均分子量が６０００以下であり、且つ（Ａ−２）の樹脂の重量平均分子量が１００００以上であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項５】
（Ａ−１）の樹脂が、下記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位の群から選ばれる少なくとも１種と、下記一般式（ＩＶ）〜（ＶＩＩ）で表される繰り返し単位の群から選ばれる少なくとも１種とを有する樹脂であり、且つ（Ａ−２）の樹脂が、下記一般式（Ｉ）〜（ＩＩＩ）で表される繰り返し単位の群から選ばれる少なくとも１種と、下記一般式（ＶＩＩＩ）〜（ＩＸ）で表される繰り返し単位の群から選ばれる少なくとも１種とを有する樹脂であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化２】
2004226559.tif 000002
一般式（Ｉ）〜（ＩＸ）中、
Ｒ0、Ｒ1は、同じでも異なっていても良く、水素原子、フッ素原子、アルキル基、パーフルオロアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。
Ｒ2〜Ｒ4は、同じでも異なっていても良く、アルキル基、パーフルオロアルキル基、シクロアルキル基又はアリール基を表す。  また、Ｒ0とＲ1、Ｒ0とＲ2、Ｒ3とＲ4が結合し環を形成しても良い。
Ｒ5は、ヒドロキシアルキル基、アルキル基、パーフルオロアルキル基、シクロアルキル基、アシル基、アルコキシカルボニル基又はアルコキシメチル基を表す。
Ｒ6、Ｒ7、Ｒ8は、同じでも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、パーフルオロアルキル基又はアルコキシ基を表す。
Ｒ9、Ｒ10は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表す。
Ｒ11、Ｒ12は、同じでも異なっていても良く、水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、シアノ基、アルコキシ基、アシル基、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基又はアリール基を表す。
Ｒ13、Ｒ14は、同じでも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表す。
Ｒ15は、−Ｃ（Ｒ36）（Ｒ37）（Ｒ38）、−Ｃ（Ｒ36）（Ｒ37）（ＯＲ39）又は下記一般式（ＸＩＶ）の基を表す。
【化３】
2004226559.tif 000003
Ｒ36、Ｒ37、Ｒ38、Ｒ39は、同じでも異なっていても良く、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アラルキル基又はアリール基を表す。Ｒ36、Ｒ37、Ｒ38の内の２つ、又はＲ36、Ｒ37、Ｒ39の内の２つが結合して環を形成しても良い。
Ｒ40は、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アラルキル基又はアリール基を表す。
Ｚは、炭素原子とともに単環又は多環の脂環式基を構成する原子団を表す。
Ｒ16、Ｒ17、Ｒ18は、同じでも異なっていても良く、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基、パーフルオロアルキル基、アルコキシ基、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ15を表す。
Ａ1、Ａ2は、単結合、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、アリーレン基、２価の脂環基若しくはそれらを２個以上組み合わせてできる２価の連結基又は−Ｏ−ＣＯ−Ｒ22−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ23−、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ24）−Ｒ25−を表す。
Ｒ22、Ｒ23、Ｒ25は、単結合、又はエーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基もしくはウレイド基を有しても良い、２価のアルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基又はアリーレン基を表す。
Ｒ24は、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基又はアリール基を表す。
ｎは０又は１を表し、ｍは１又は２を表す。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月15日(2005.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のサーボ領域を有する磁気ディスクと、前記複数のサーボ領域からヘッド位置信号を復調するためのサーボ復調回路とを備える磁気ディスク装置において、
前記サーボ領域のうち少なくとも一つは、他のサーボ領域よりも多い個数のバースト部を含んでいる書きつなぎ部を有し、
前記他のサーボ領域よりも多い個数のバースト部を含むサーボ領域は、サーボトラックライタにより前記磁気ディスクのｎ回転目（ｎは正の整数）に書き込まれたバースト部と（ｎ＋１）回転目に書き込まれたバースト部とを含むことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項２】
請求項１記載の磁気ディスク装置において、前記他のサーボ領域よりも多い個数のバースト部を含むサーボ領域のバースト部は、パターンもしくはギャップを隔てて複数のグループに分離されていることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項３】
請求項１記載の磁気ディスク装置において、前記他のサーボ領域よりも多い個数のバースト部を含むサーボ領域のバースト部は、サーボアドレスマークとは異なるパターンによって複数のグループに分離されていることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項４】
請求項１記載の磁気ディスク装置において、前記サーボ領域は含んでいるバースト部の個数に応じてパターンの異なるサーボアドレスマークを備えることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項５】
請求項１記載の磁気ディスク装置において、前記他のサーボ領域よりも多い個数のバースト部を含むサーボ領域の個数は、２の乗数から１を減じた個数であることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項６】
請求項１記載の磁気ディスク装置において、前記サーボ復調回路は、前記他のサーボ領域よりも多い個数のバースト部を含むサーボ領域からヘッド位置信号を復調する際、当該バースト部から復調した複数の位置信号を平均化する処理を行うことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項７】
請求項１記載の磁気ディスク装置において、前記複数のサーボ領域は、第１のサーボ領域と、前記第１のサーボ領域よりも個数の多いバースト部を含む第２のサーボ領域とを組み合わせて構成されていることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項８】
請求項１記載の磁気ディスク装置において、前記複数のサーボ領域のうち少なくとも一つはバースト部が２重化されていることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項９】
請求項１記載の磁気ディスク装置において、前記サーボ領域のうち少なくとも一つは前記バースト部に加えて追加されたバースト部を含むことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項１０】
請求項１記載の磁気ディスク装置において、前記サーボ復調回路は、サーボトラックライタが前記サーボ領域を書きこむ際に１周に１箇所生じる書きつなぎ部におけるヘッド位置信号をなめらかに接続する機能を備えることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項１１】
記録部と再生部を有する磁気ヘッドと、複数の同心円状トラックのトラック中心を定めるバーストパターンを含むサーボ領域が複数設けられた磁気ディスクと、前記磁気ヘッドによる前記バーストパターンの再生信号に基づいてトラック中心と前記磁気ヘッドとの位置関係を表す信号を発生するサーボ復調回路とを備える磁気ディスク装置において、
前記サーボ領域はトラック方向のバーストパターンの数が異なる複数種類のサーボ領域からなり、
他のサーボ領域よりも多い個数のバースト部を含むサーボ領域は、サーボトラックライタにより前記磁気ディスクのｎ回転目（ｎは正の整数）に書き込まれたバースト部と（ｎ＋１）回転目に書き込まれたバースト部とを含むことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の磁気ディスク装置において、前記サーボ領域は、トラック中心を定めるバーストパターンがトラック方向に１セット記録されたサーボ領域と、トラック中心を定めるバーストパターンがトラック方向に２セット記録されたサーボ領域とからなることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項１３】
請求項１１記載の磁気ディスク装置において、トラック方向のバーストパターンの数が多いサーボ領域はトラック方向に互いに隣接して存在していることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項１４】
請求項１記載の磁気ディスク装置において、前記書きつなぎ部は、前記サーボ領域の書き始めと書き終わりで生じる不連続部分であることを特徴とする磁気ディスク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月4日(2005.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
ステップ１１７では、ステップ１０４において得られた合焦距離データとステップ１１４において求められた３次元画像データとに基づいて、１つの画像領域が抽出される。例えば、合焦距離データによって示される距離を中心として所定の距離範囲内にある画素を、ステップ１０９においてメモリ４０に格納された撮像信号から抽出することにより、その画素によって構成される画像領域が得られる。このような画像領域は、図４の例において被写体Ｐ１の像のみが合焦状態にあるとき、被写体Ｐ１と略同じ距離にある像から成る画像である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
ステップ２１８では、第１の画像領域Ｐ１０の撮像信号が抽出される。ステップ２１９では、ステップ２１８において抽出された撮像信号に基づいて得られる色差信号の値が所定の範囲に入っている部分、すなわち無彩色の画像が抽出される。ステップ２２０では、ステップ２１９において得られた無彩色の画像のみに対応した色差信号の平均値が求められ、この平均値を補正量として、ホワイトバランス調整が行なわれる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
ステップ２１４において得られた３次元画像データを構成する全ての画素について、距離情報のヒストグラムが作成される。撮影される画像には無限遠の画素も含まれていることが多いため、ヒストグラムの横軸として距離をとると、ヒストグラムの横軸は無限遠まで広がってしまう。そこで横軸として距離ｄの逆数がとられ、横座標の最大値が有限値に定められる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月2日(2004.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】センサ部を有する装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された複数のセンサ部を有する基板と、
光源と、
を有し、
前記センサ部は、光電変換素子と、薄膜トランジスタとを有し、
全ての前記センサ部が被写体を読みとる期間を１フレーム期間としたとき、前記１フレーム期間は３つのサブフレーム期間を有し、
前記３つのサブフレーム期間の一つにおいて、赤の光を前記被写体に照射して前記被写体上で反射された赤の光を読みとり、
前記３つのサブフレーム期間の一つにおいて、緑の光を前記被写体に照射して前記被写体上で反射された緑の光を読みとり、
前記３つのサブフレーム期間の一つにおいて、青の光を前記被写体に照射して前記被写体上で反射された青の光を読みとり、
赤、緑、青の光を読みとる前記サブフレーム期間は互いに異なるサブフレーム期間であることを特徴とするセンサ部を有する装置。
【請求項２】
請求項１において、
赤の光を読みとる前記サブフレーム期間では、前記光源は赤の光を点灯し、
緑の光を読みとる前記サブフレーム期間では、前記光源は緑の光を点灯し、
青の光を読みとる前記サブフレーム期間では、前記光源は青の光を点灯することを特徴とするセンサ部を有する装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記光源はＬＥＤであることを特徴とするセンサ部を有する装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記サブフレーム期間はそれぞれ前記１フレーム期間の１／３であることを特徴とするセンサ部を有する装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、
前記基板は透光性を有する基板であることを特徴とするセンサ部を有する装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記薄膜トランジスタは、
前記基板上に形成された半導体層と、
前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、
前記ゲイト絶縁膜上に設けられたゲイト電極と、を有し、
前記半導体層は、ソース領域と、ドレイン領域と、チャネル領域と、前記チャネル領域に接して設けられ、前記ゲイト電極とオーバーラップしている第１の不純物領域と、前記第１の不純物領域と前記ソース領域またはドレイン領域の一方との間に設けられ、前記ゲイト電極とオーバーラップしていない第２の不純物領域と、を有することを特徴とするセンサ部を有する装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記薄膜トランジスタは、
前記半導体層、前記ゲイト絶縁膜及び前記ゲイト電極上に設けられた第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、前記ソース領域またはドレイン領域の一方と電気的に接続された電極と、
を有し
前記光電変換素子は、
前記第１の絶縁膜上に形成され、前記電極と電気的に接続された第１の導電膜と、
前記第１の導電膜上に形成された光電変換層と、
前記光電変換層上に形成された第２の導電膜と、
を有することを特徴とするセンサ部を有する装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記ゲイト電極は、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、から選ばれた一種または複数種の元素、あるいは前記元素を含んでいる化合物を有することを特徴とするセンサ部を有する装置。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一において、前記半導体層は、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、シリコンゲルマニウム合金、炭化シリコンまたはガリウム砒素などの化合物半導体材料を有することを特徴とするセンサ部を有する装置。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一において、前記半導体層は結晶性半導体膜であることを特徴とするセンサ部を有する装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項において、ＯＣＲ機能を有することを特徴とするセンサ部を有する装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項において、読み込んだ画像を合成する機能を有することを特徴とするセンサ部を有する装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項において、携帯型ハンドスキャナーであることを特徴とするセンサ部を有する装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか１項において、前記センサ部を有する基板上には周辺駆動回路も配置されることを特徴とするセンサ部を有する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月9日(2004.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属材料よりなる第１の導電領域、第１のトンネル絶縁膜、第１の半導体領域、および第２の導電領域とを有する半導体領域と、前記第１の半導体領域に設けた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の膜面に設けられた第３の導電領域と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
金属材料よりなる第１の導電領域、第１のトンネル絶縁膜、第１の半導体領域、および第２の導電領域とが積層された半導体積層領域と、少なくとも前記第１の半導体領域の前記半導体積層領域の積層方向とは交差する側面に設けた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の膜面に設けられた第３の導電領域と、を有する半導体装置。
【請求項３】
ソースとドレインとゲート電極およびチャネル領域を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタであって、ソースまたはドレイン電極となる金属材料よりなる第１の導電領域上に第１のトンネル絶縁物層を有し、前記第１のトンネル絶縁膜の上部にチャネル領域となる半導体材料層を有し、前記半導体材料層上にドレインまたはソース電極となる第２の導電領域を有し、前記チャネル領域側面に第２の絶縁膜層を有し、前記第２の絶縁膜層を介して電界効果を前記チャネル領域におよぼすゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記第１の導電領域と第１のトンネル絶縁膜は耐熱金属とその金属酸化物あるいは耐熱金属とその窒化物のいずれかから形成されていることを特徴とする請求項１より請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の導電領域はチタン、チタンシリサイド、タングステン、タングステンシリサイド、コバルト、コバルトシリサイド、白金、白金シリサイド、ニッケル、ニッケルシリサイドのいずれかからなり、第１のトンネル絶縁膜はシリコン酸化膜、シリコン窒化膜のいずれかからなることを特徴とする請求項１より請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
ソースとドレインとゲート電極およびチャネル領域を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタであって、ソースまたはドレイン電極となる高濃度に不純物をドーピングすることで金属化された第１の導電領域上に第１のトンネル絶縁物層を有し、前記第１のトンネル絶縁膜の上部にチャネル領域となる半導体材料層を有し、前記半導体材料層上にドレインまたはソース電極となる第２の導電領域を有し、前記チャネル領域側面に第２の絶縁膜層を有し、前記第２の絶縁膜層を介して電界効果を前記チャネル領域におよぼすゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
ソースとドレインとゲート電極およびチャネル領域を有する絶縁ゲート型電界効果トランジスタであって、ソースまたはドレイン電極となる金属材料あるいは高濃度に不純物をドーピングすることで金属化された第１の導電領域上に第１のトンネル絶縁物層を有し、前記第１のトンネル絶縁膜の上部にチャネル領域となる半導体材料層を有し、前記半導体材料層上にドレインまたはソース電極となる高濃度に不純物をドーピングすることで金属化された第２の導電領域を有し、前記チャネル領域側面に第２の絶縁膜層を有し、前記第２の絶縁膜層を介して電界効果を前記チャネル領域におよぼすゲート電極を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
チタンよりなる第１の導電領域、チタンオキサイドよりなる第１のトンネル絶縁膜、シリコンよりなる第１の半導体領域、チタンオキサイドよりなる第２のトンネル絶縁膜およびチタンよりなる第２の導電領域とを積層した積層領域と、前記第１の半導体領域の前記積層領域の積層方向とは交差する側面に設けた第１のゲート絶縁膜と、前記第１のゲート絶縁膜の膜面に設けられた第３の導電領域と、を有し、前記第１の導電領域に電荷を蓄積することにより情報を保持する書き込みトランジスタと、前記第１の導電領域の下に設けられた第２にゲート絶縁膜の両側に形成されたソース、ドレインからなる読み出しトランジスタからなることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項９】
半導体基板と、当該半導体基板に相対して設けられた第１不純物領域及び第２の不純物領域と、少なくとも前記第１不純物領域及び第２の不純物領域に挟まれた第１のチャネルとなる第１の半導体領域を覆う第１のゲート絶縁膜とからなる読み出しトランジスタと、当該第１のゲート絶縁膜の上部に設けられた金属材料よりなる第１の導電領域、金属酸化膜よりなる第１のトンネル絶縁膜、第１のチャネル領域と交差する方向に設けられた第２のチャネルとなる第２の半導体領域、第２の導電領域と、前記第２の半導体領域の側面に設けられた第２のゲート絶縁膜、および前記第２のゲート絶縁膜の膜面に設けられた第３の導電領域とからなる書き込みトランジスタ、とを有することを特徴とする半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月16日(2005.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１方向に延在する１つのワード線と、
半導体基板上に形成され、かつ、前記ワード線と交差し、かつ、書き込み動作の際にホットエレクトロンを発生させる第１の機能と、前記半導体基板表面のチャネルをオフさせる第２の機能とを有する複数の補助ゲートとを有し、
前記ワード線に接続され、かつ、前記補助ゲートによって発生するホットエレクトロンによって電子注入が行なわれる浮遊ゲートとをそれぞれ有し、
複数の前記浮遊ゲートへの電子注入の際に、前記ワード線に交差する前記補助ゲートのうち奇数番目の補助ゲートは前記第１の機能を有し、偶数番目の補助ゲートは第２の機能を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】  請求項１記載の半導体集積回路装置において、
前記電子注入の際に、前記奇数番目の補助ゲートは前記第１の機能をし、前記偶数番目の補助ゲートは前記第２の機能をすることによって前記ワード線に接続された複数の浮遊ゲートに書き込みを行ない、前記奇数番目の補助ゲートは前記第２の機能をし、前記偶数番目の補助ゲートは前記第１の機能をすることによって、前記ワード線に接続された書き込み、及び、消去可能なメモリセルのすべてに書き込みを行なうことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】  請求項１記載の半導体集積回路装置において、
消去の際に、前記ワード線に接続されたすべての浮遊ゲートに対して消去が行なわれることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】  請求項３記載の半導体集積回路装置において、
前記消去は、前記浮遊ゲートから前記半導体基板側へ電子を放出することにより行なわれることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項５】  請求項１記載の半導体集積回路装置において、
前記ワード線、前記浮遊ゲート、及び、前記補助ゲートで構成されたメモリセルアレイは、仮想接地型メモリセルアレイであることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項６】  第１方向に延在する１つのワード線と、
前記ワード線に接続された書き込み、及び、消去可能な複数のメモリセルとを有し、
前記メモリセルは、各々、半導体基板上に形成された、書き込み動作の際にホットエレクトロンを発生させる第１の機能と前記半導体基板表面のチャネルをオフさせる第２の機能とを有する補助ゲートと、前記補助ゲートによって発生するホットエレクトロンによって電子注入が行なわれる浮遊ゲートとを有し、
奇数番目の前記補助ゲートは前記第１の機能を有し、偶数番目の前記補助ゲートは前記第２の機能を有する第１の状態で前記書き込み動作を行ない、奇数番目の前記補助ゲートは前記第２の機能を有し、偶数番目の前記補助ゲートは前記第１の機能を有する第２の状態で前記書き込み動作を行なうことによって前記メモリセルのすべてに書き込みを行なうことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項７】  請求項６記載の半導体集積回路装置において、
消去は、前記浮遊ゲートから前記半導体基板側へ電子を放出することにより行なわれることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項８】  請求項６記載の半導体集積回路装置において、
前記メモリセルで構成されたメモリセルアレイは、仮想接地型メモリセルアレイであることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項９】  半導体基板上に形成された、複数の浮遊ゲートと、
前記浮遊ゲート上に形成され、第１方向に延在する複数の制御ゲートと、
前記半導体基板上に形成された、前記第１方向と交わる第２方向に延在する複数の補助ゲートとを有し、
前記補助ゲートは、前記浮遊ゲートの隙間に埋め込んで形成され、
前記補助ゲートは、スプリットチャネルを制御するためのゲートであることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１０】  請求項９記載の半導体集積回路装置において、
前記浮遊ゲートが、前記補助ゲートに対して対称に、前記補助ゲートが、前記浮遊ゲートに対して対称に形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１１】  請求項９記載の半導体集積回路装置において、
さらに、前記半導体基板内に、前記第２方向に延在する半導体領域を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１２】  請求項１１記載の半導体集積回路装置において、
前記半導体領域は、前記補助ゲートの前記第１方向と交わる２つの端面の一方のみとオーバーラップしていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１３】  請求項９記載の半導体集積回路装置において、
前記補助ゲートの上面が、前記浮遊ゲートの上面より低い位置に存在することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１４】  請求項９記載の半導体集積回路装置において、
前記浮遊ゲートと前記制御ゲートとは絶縁膜を介して形成され、前記第２方向を含む断面において、前記浮遊ゲートの上面には、窪みが形成され、前記制御ゲートの一部は前記窪み内に形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１５】  請求項９記載の半導体集積回路装置において、
さらに、前記浮遊ゲートと前記補助ゲートとの間に、窒素が添加された絶縁膜を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１６】  請求項９記載の半導体集積回路装置において、
前記制御ゲートは、ポリシリコン膜と金属珪化物膜との積層膜であることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１７】  半導体基板上に形成された、複数の浮遊ゲートと、
前記浮遊ゲート上に形成された、第１方向に延在する複数の制御ゲートと、
前記半導体基板上に形成された、前記第１方向と交わる第２方向に延在する複数の補助ゲートとを有し、
前記補助ゲートのうち奇数番目の補助ゲートは互いに電気的に接続され、前記補助ゲートのうち偶数番目の補助ゲートは互いに電気的に接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１８】  請求項１７記載の半導体集積回路装置において、
前記奇数番目の補助ゲートは前記第１方向に延在する第１結束部により接続され、前記偶数番目の補助ゲートは前記第１方向に延在する第２結束部により接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項１９】  請求項１８記載の半導体集積回路装置において、
さらに、前記半導体基板内に、前記第２方向に延在する半導体領域を有することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２０】  請求項１９記載の半導体集積回路装置において、
さらに、前記半導体領域の前記第２方向の両端にはソース線またはデータ線を選択する選択トランジスタを有し、前記第１結束部は一方の前記選択トランジスタと前記制御ゲートとの間に配置され、前記第２結束部は他方の前記選択トランジスタと前記制御ゲートとの間に配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２１】  請求項２０記載の半導体集積回路装置において、
さらに、前記制御ゲートと前記第１結束部との間、および、前記制御ゲートと前記第２結束部との間にそれぞれダミーパターンが配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月22日(2005.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的に素子特性を不可逆的に変化させることによって情報がプログラムされる記憶素子と、
不可逆的に変化させた前記記憶素子の状態を、変化していない状態と区別して検知するように構成された状態検知回路と、
前記状態検知回路の検知能力を変化させるように構成された制御回路と
を具備することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
前記記憶素子にプログラムすべきデータを記憶するように構成されたヒューズデータレジスタと、前記ヒューズデータレジスタ中の情報と、前記状態検知回路により前記記憶素子から読み出した情報とを比較し、比較結果が不一致であったビットを不良ビットとして個別に特定し、一致、不一致の比較結果を出力するように構成されたコンパレータとを更に具備し、
前記コンパレータで特定した不良ビットの情報に基づいて、前記記憶素子に対して再プログラムすることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路装置。
【請求項３】
前記状態検知回路は、前記記憶素子の抵抗値を対応するレベルの電圧に変換し、変換された電圧を参照電圧と比較することにより、前記記憶素子の状態を検出することを特徴とする請求項１及び２のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】
前記制御回路は、前記参照電圧を変化させることにより、前記状態検知回路の検知能力を変化させることを特徴とする請求項３に記載の半導体集積回路装置。
【請求項５】
通常の読み出し動作時に、不可逆的に変化させた記憶素子の状態を、変化していない状態と区別して検知することにより、前記記憶素子から情報が読み出される半導体集積回路装置のプログラム方法において、
電気的に素子特性を不可逆的に変化させることによって記憶素子に情報をプログラムするステップと、
不可逆的に変化させた前記記憶素子の状態を、前記通常の読み出し動作時の検知能力よりも検知能力を低くして、変化していない状態と区別して検知することにより、前記記憶素子から情報を読み出すステップと、
前記記憶素子にプログラムした情報と、前記記憶素子から読み出した情報とを比較し、一致、不一致の比較結果を出力するステップと、
前記比較結果が不一致であったビットを不良ビットとして個別に特定するステップと、
前記特定した不良ビットの情報に基づいて、前記記憶素子を再プログラムするステップと
を具備することを特徴とする半導体集積回路装置のプログラム方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月26日(2005.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
従来より、特開平８−１９４４２号公報において、棒状化粧料を収容、保持し、下端部に突起を突設した中皿体と、この中皿体を上下摺動自在に内装し、下部に前記中皿体の突起が貫通して中皿体を回転不能に案内する摺動孔を長手方向に穿設した本体と、この本体下部が挿入され、内壁に前記中皿体の突起が螺合する螺旋溝を螺設した外筒体と、を具備し、上記本体の外周面に鍔状の嵌合部を周設し、外筒体先端に中具を止着することによって、本体の嵌合部を外筒体と中具の間に挟持させ、本体を回転自在に脱落不能に連結させた棒状化粧料容器が提案されている。この種の構成は、外筒体内壁に螺旋溝を螺設してあるため、螺旋溝を螺設した螺旋筒を１パーツ少なくすることができ、部品コストを削減できた。更に、部品が１パーツ減少した点に加え、中具を本体筒に止着するだけで棒状化粧料容器を構成する全ての部品を脱落不能に連結させることができるため、組立の省力化がはかれた。等、量産性を向上させる利点を数多く有していた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、下部スリーブ１３ｂの下方に弾性を有した摺接突部３５を突設して、スリーブ１３を上方に弾発しているため、スリーブ１３、本体筒１４、嵌合筒１５の寸法の誤差より発生するがたつきを吸収できる。また、回転繰り出し操作時には、摺接突部３５が相対回転する本体筒１４底面に弾性を有して当接しているため、摺動抵抗が発生し、繰り出し操作感を高級感のあるものにしている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月8日(2005.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車輪に動力を伝達する第１の動力源および第２の動力源と、この第１の動力源または第２の動力源のうちの少なくとも一方と前記車輪との間に配置されている動力伝達装置と、前記第１の動力源の動力により駆動され、かつ、前記動力伝達装置の油を冷却する機能を有する冷却装置とを備え、少なくとも第１の動力源を駆動する第１の制御パターンと、少なくとも第１の駆動力源を停止する第２の制御パターンとを相互に変更することの可能な車両の動力源制御装置において、
前記油の温度が所定範囲外である場合は、前記第２の制御パターンの選択を禁止する動力源制御手段を備えていることを特徴とする車両の動力源制御装置。
【請求項２】
前記動力源制御手段は、高油温である場合に、前記第２の制御パターンの選択を禁止する手段を含むことを特徴とする請求項１に記載の車両の動力源制御装置。
【請求項３】
前記動力源制御手段は、油温を検出するセンサがフェールしている場合に、前記第２の制御パターンの選択を禁止する手段を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の車両の動力源制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段およびその作用】
上記の目的を達成するために、請求項１の発明は、車輪に動力を伝達する第１の動力源および第２の動力源と、この第１の動力源または第２の動力源のうちの少なくとも一方と前記車輪との間に配置されている動力伝達装置と、前記第１の動力源の動力により駆動され、かつ、前記動力伝達装置の油を冷却する機能を有する冷却装置とを備え、少なくとも第１の動力源を駆動する第１の制御パターンと、少なくとも第１の駆動力源を停止する第２の制御パターンとを相互に変更することの可能な車両の動力源制御装置において、前記油の温度が所定範囲外である場合は、前記第２の制御パターンの選択を禁止する動力源制御手段を備えていることを特徴とするものである。また、請求項２の発明は、請求項１の構成に加えて、前記動力源制御手段は、高油温である場合に、前記第２の制御パターンの選択を禁止する手段を含むことを特徴とするものである。さらに、請求項３の発明は、請求項１または２の構成に加えて、前記動力源制御手段は、油温を検出するセンサがフェールしている場合に、前記第２の制御パターンの選択を禁止する手段を含むことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項１の発明によれば、油の温度が所定範囲外にある場合は、少なくとも第１の動力源の駆動を停止する第２の制御パターンの選択が禁止される。また、請求項２の発明によれば、請求項１の発明と同様の作用が生じる他に、高油温である場合に、第２の制御パターンの選択が禁止される。また、請求項３の発明によれば、請求項１または２の発明と同様の作用が生じる他に、油温を検出するセンサがフェールしている場合に、第２の制御パターンの選択が禁止される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
ここで、図１のフローチャートに示された機能的手段と、この発明の構成との対応関係を説明する。図１のステップ２０２，２０３，２０９，２１０がこの発明の動力源制御手段に相当する。以上のように、図１の制御例によれば、車両の状態が、エンジン１の駆動が停止される第３の駆動モードを選択するべき状態になったとしても、ＡＴＦ温度が所定値を越えている場合は、第３の駆動モードの選択が禁止される。このため、ウォーターポンプ１１１が駆動状態に制御されてラジエータ１１４の冷却機能が保持され、自動変速機６の内部に配置されている摩擦材の耐久性の低下や、ＡＴＦ自体の劣化を回避することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
【発明の効果】
以上のように請求項１の発明によれば、第２の制御パターンを選択するための条件が成立した場合でも、動力伝達装置の油の温度が所定範囲外である際には、第２の制御パターンの選択が禁止される。このため、冷却装置の冷却機能により油が冷却され、動力伝達装置の機能の低下や油自体の劣化を回避することができる。また、請求項２の発明によれば、請求項１の発明と同様の効果を得られる他に、高油温である場合に、第２の制御パターンの選択が禁止される。また、請求項３の発明によれば、請求項１または２の発明と同様の効果を得られる他に、油温を検出するセンサがフェールしている場合に、第２の制御パターンの選択が禁止される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月18日(2005.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】マンガン乾電池用正極集電体およびそれを備えたマンガン乾電池
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素棒と、前記炭素棒に含浸させた分子量が３００〜５００の炭化水素化合物を含むパラフィンワックス、または分子量が５００〜８００の炭化水素化合物を含むマイクロクリスタリンワックスとからなり、
前記パラフィンワックスまたはマイクロクリスタリンワックスの示差走査熱量測定法により得られる４５℃までの吸熱量が１．０Ｊ／ｇ以下であることを特徴とするマンガン乾電池用正極集電体。
【請求項２】
関係式：  ９０＜Ｙ＋５０．５Ｘ＜１００
（式中、Ｘは前記炭素棒の密度（ｇ／ｃｍ３）、Ｙは前記正極集電体の示差走査熱量測定法により得られる２０〜１００℃の全吸熱量（Ｊ／ｇ）を表し、Ｙ＞０を満たす。）を満たすことを特徴とする請求項１記載のマンガン乾電池用正極集電体。
【請求項３】
前記炭素棒の密度が１．５５〜１．７５ｇ／ｃｍ３である請求項１または２記載のマンガン乾電池用正極集電体。
【請求項４】
前記正極集電体の示差走査熱量測定法により得られる２０〜１００℃の全吸熱量に対して、２０〜５５℃の吸熱量が２５％以下であり、かつ２０〜６０℃の吸熱量が２５％を超えて４０％以下である請求項１記載のマンガン乾電池用正極集電体。
【請求項５】
前記正極集電体の示差走査熱量測定法により得られる２０〜１００℃の全吸熱量に対して、２０〜６５℃の吸熱量が４０％を超えて７０％以下である請求項４記載のマンガン乾電池用正極集電体。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の正極集電体を備えたマンガン乾電池。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月7日(2005.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極と、負極と、これらの正極と負極を隔離するセパレータと、電解液とを外装缶内に備え、該外装缶の開口を封口体により密閉した密閉型電池であって、
前記外装缶の一部あるいは前記封口体の一部に電池内で発生した水素ガスを排気する排気部を備え、
前記排気部内に水素ガスを選択的に透過する水素選択透過性合金膜を備え、
前記水素選択透過性合金膜の電池内部側には、気体透過性でありかつ電解液の透過を阻止する薄膜を形成したことを特徴とする密閉型電池。
【請求項２】
正極と、負極と、これらの正極と負極を隔離するセパレータと、電解液とを外装缶内に備え、該外装缶の開口を封口体により密閉した密閉型電池であって、
前記外装缶の一部あるいは前記封口体の一部に電池内で発生した水素ガスを排気する排気部を備え、
前記排気部内に水素ガスを選択的に透過する水素選択透過性合金膜を備え、
前記水素選択透過性合金膜の上部に、電池内部と電池外部を隔離する膜が配置されている
ことを特徴とする密閉型電池。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月28日(2004.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体ウエハの上部に導電性膜を形成し前記導電性膜のパターニングを行う工程と、
（ｂ）前記導電性膜上に絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記パターニングによる凹凸を有する絶縁膜上に４ＭＰａ以上の圧力で洗浄液を噴射しながら、前記絶縁膜をブラッシングする工程と、
（ｄ）前記パターニングによる凹凸を有する絶縁膜上に凹部を埋め込むように平坦な埋め込み膜を形成する工程と、
（ｅ）前記埋め込み膜上に１ＭＰａ程度の圧力の洗浄液を供給しながら前記埋め込み膜をブラッシングする工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
（ａ）半導体ウエハの上部に導電性膜を形成し前記導電性膜のパターニングを行う工程と、
（ｂ）パターニングされた前記導電性膜上に、前記導電性膜間を埋め込まない程度の膜厚の絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記絶縁膜上に４ＭＰａ以上の圧力で洗浄液を噴射しながら、前記絶縁膜表面を洗浄する工程と、
（ｄ）前記絶縁膜上の凹部を埋め込むように平坦な埋め込み膜を形成する工程と、
（ｅ）前記埋め込み膜上に１ＭＰａ程度の圧力の洗浄液を供給しながら前記埋め込み膜をブラッシングする工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
（ａ）半導体ウエハの上部に導電性膜を形成し前記導電性膜のパターニングを行う工程と、
（ｂ）前記導電性膜上に絶縁膜を形成する工程であって、前記導電性膜の膜厚の１／２以上の凹凸を有する絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記絶縁膜上に４ＭＰａ以上の圧力で洗浄液を噴射しながら、前記絶縁膜表面を洗浄する工程と、
（ｄ）前記凹凸を有する絶縁膜上の凹部を埋め込むように平坦な埋め込み膜を形成する工程と、
（ｅ）前記埋め込み膜上に１ＭＰａ程度の圧力の洗浄液を供給しながら前記埋め込み膜をブラッシングする工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁膜において、
前記導電性膜上の絶縁膜の膜厚は、前記導電性膜の側壁の絶縁膜の膜厚より大きいことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
半導体装置の製造歩留まりには、異物の増減が大きく関与している。従って、半導体装置の製造工程においては、異物の除去工程が不可欠である。特開平８−３１７８０号公報には、ブラシを螺旋状に回転させながら、また複数のジェットノズルの多方向からの噴射水によりシリコンウエハの基板洗浄を行う方法の開示がある。特開平６−１２０１９２号公報には、ウエハにジェット洗浄液を噴きつけながら回転ブラシにより洗浄を行い、ウエハ表面にパターンが形成されている場合はブラシをウエハ表面から離して洗浄する開示がある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月30日(2005.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板に半導体膜を形成し、この半導体膜に薄膜素子を形成する半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁基板にエッチングの保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記保護膜に複数の突起が配列されたスタンパを当接して、前記保護膜に前記突起の形状を転写する穴開け工程と、
前記保護膜をマスクとして前記絶縁基板をエッチングし、該絶縁基板に複数の穴を形成するエッチング工程と、
前記絶縁基板に半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、
前記絶縁基板の複数の穴の中の半導体膜に非溶融部分が残り、他の部分が溶融するように熱処理を行う結晶化工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
絶縁基板に半導体膜を形成し、この半導体膜に薄膜素子を形成する半導体装置の製造方法であって、
前記絶縁基板にエッチングの第１の保護膜を形成する第１の保護膜形成工程と、
前記第１の保護膜の上にエッチングの第２の保護膜を形成する第２の保護膜形成工程と、
前記第２の保護膜に複数の突起が配列されたスタンパを当接して、前記第２の保護膜に前記突起の形状を転写する穴開け工程と、
前記第１及び第２の保護膜をマスクとして前記絶縁基板をエッチングし、該絶縁基板に複数の穴を形成するエッチング工程と、
前記絶縁基板に半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、
前記絶縁基板の複数の穴の中の半導体膜に非溶融部分が残り、他の部分が溶融するように熱処理を行う結晶化工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記保護膜形成工程又は前記第２の保護膜形成工程は、樹脂を前記絶縁基板に塗布して硬化させることにより樹脂膜を形成する工程であり、
前記穴開け工程は、前記樹脂膜に前記スタンパを押し付けて前記複数の突起の形状を前記樹脂膜に転写する工程である、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記保護膜形成工程又は前記第２の保護膜形成工程は、光硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂を前記絶縁基板に塗布する工程であり、
前記穴開け工程は、前記スタンパと前記絶縁基板とによって挟持される前記光硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂の膜に光又は熱を加えて硬化させる工程である、請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の保護膜は、金属薄膜を含む、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記結晶化工程における熱処理は、レーザ照射によって行われる、請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体膜は、非晶質又は多結晶質のシリコン膜である、請求項１乃至６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記スタンパに設けられる前記突起は、延在方向における断面形状が針状、円錐状、角錐状、角柱状、円錐台状、角錐台状のいずれかである、請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記薄膜素子は、薄膜トランジスタを含む、請求項１乃至８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の製造方法により製造された薄膜トランジスタを表示画素の駆動素子として備える、電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電気光学装置を備える電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、絶縁基板に半導体膜を形成し、この半導体膜に薄膜素子を形成する半導体装置の製造方法であって、絶縁基板にエッチングの保護膜を形成する保護膜形成工程と、保護膜に複数の突起が配列されたスタンパを当接して、保護膜に突起の形状を転写する穴開け工程と、保護膜をマスクとして絶縁基板をエッチングし、絶縁基板に複数の穴を形成するエッチング工程と、絶縁基板に半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、絶縁基板の複数の穴の中の半導体膜に非溶融部分が残り、他の部分が溶融するように熱処理を行う結晶化工程と、を含む。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明は、絶縁基板に半導体膜を形成し、この半導体膜に薄膜素子を形成する半導体装置の製造方法であって、絶縁基板にエッチングの第１の保護膜を形成する第１の保護膜形成工程と、第１の保護膜の上にエッチングの第２の保護膜を形成する第２の保護膜形成工程と、第２の保護膜に複数の突起が配列されたスタンパを当接して、第２の保護膜に突起の形状を転写する穴開け工程と、第１及び第２の保護膜をマスクとして絶縁基板をエッチングし、該絶縁基板に複数の穴を形成するエッチング工程と、絶縁基板に半導体膜を形成する半導体膜形成工程と、絶縁基板の複数の穴の中の半導体膜に非溶融部分が残り、他の部分が溶融するように熱処理を行う結晶化工程と、を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
好ましくは、結晶化工程における熱処理は、レーザ照射によって行う。レーザを用いることにより、熱処理を効率よく行うことが可能となる。用いるレーザとしては、エキシマレーザ、固体レーザ、ガスレーザなど種々のものが考えられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
好ましくは、半導体膜形成工程において形成される半導体膜は、非晶質又は多結晶質のシリコン膜である。これを再結晶化することにより、絶縁基板に形成された穴を略中心とした範囲に大きな結晶粒を含むシリコン膜を形成し、この良質なシリコン膜を用いて、特性のよい薄膜素子を形成することが可能になる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
［第１の実施形態］
本実施形態の半導体装置の製造方法は、（１）ガラス基板（絶縁基板）上に、シリコン膜の結晶化に用いる穴（以下、「グレイン・フィルタ」と称する。）を形成する工程と、（２）薄膜トランジスタの活性領域として用いるためのシリコン膜をガラス基板上に形成する工程と、（３）形成したシリコン膜を用いて薄膜トランジスタを形成する工程とに分けられる。以下、それぞれの工程について詳細に説明する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
図３は、シリコン膜をガラス基板１０上に形成する工程について説明する説明図である。図３（ａ）に示すように、ＬＰＣＶＤ法などの製膜法によって、酸化シリコン膜１２上およびグレイン・フィルタ５２内に非晶質のシリコン膜１４を形成する。この非晶質のシリコン膜１４は、２５０〜３００ｎｍ程度の膜厚に形成することが好適である。なお、非晶質のシリコン膜１４に代えて、多結晶質のシリコン膜を形成してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月29日(2005.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性半導体層にアルゴン、ゲルマニウム、シリコン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノンから選ばれた一種または複数種の元素を導入し、前記元素導入による結晶欠陥を半導体膜中に均一な密度で分布させたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体層に金属元素を１×１０15〜５×１０17／ｃｍ3の濃度で含み、かつ、シリコン、アルゴン、ゲルマニウム、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノンから選ばれた一種または複数種の元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体層に金属元素を１×１０15〜５×１０17／ｃｍ3の濃度で含み、かつ、シリコン、アルゴン、ゲルマニウム、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノンから選ばれた一種または複数種の元素を１×１０16〜５×１０18／ｃｍ3の濃度で含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体層に金属元素を１×１０15〜５×１０17／ｃｍ3の濃度で含み、かつ、前記半導体層のすべての領域にシリコン、アルゴン、ゲルマニウム、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノンから選ばれた一種または複数種の元素を１×１０16〜５×１０18／ｃｍ3の濃度で含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一において、前記金属元素は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕのいずれか一種または複数種の元素であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
非晶質半導体膜を形成する工程と、
前記非晶質半導体膜に金属元素を添加し、加熱処理して結晶性半導体膜を形成する工程と、
前記結晶性半導体膜にシリコン、アルゴン、ゲルマニウム、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノンから選ばれた元素を添加する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
非晶質半導体膜を形成する工程と、
前記非晶質半導体膜上にマスク絶縁膜を形成する工程と、
前記マスク絶縁膜の開口部から露出した前記非晶質半導体膜の選択された領域に金属元素を添加する工程と、
加熱処理を行い、結晶性半導体膜を形成する工程と、
前記結晶性半導体膜にシリコン、アルゴン、ゲルマニウム、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノンから選ばれた元素を添加する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
非晶質半導体膜を形成する工程と、
前記非晶質半導体膜に金属元素を添加し、加熱処理して結晶性半導体膜を形成する工程と、
前記結晶性半導体膜上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記結晶性半導体膜に前記ゲート絶縁膜を介してシリコン、アルゴン、ゲルマニウム、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノンから選ばれた元素を添加する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
非晶質半導体膜を形成する工程と、
前記非晶質半導体膜に金属元素を添加し、加熱処理して結晶性半導体膜を形成する工程と、
前記結晶性半導体膜上に絶縁膜を形成する工程と、
酸化雰囲気中で加熱処理し、熱酸化を行う工程と、
前記結晶性半導体膜にシリコン、アルゴン、ゲルマニウム、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノンから選ばれた元素を添加する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一において、前記結晶性半導体膜上にマスク絶縁膜を形成し、前記マスク絶縁膜の開口部から露出した前記結晶性半導体膜の選択された領域にゲッタリング作用を有する元素を添加した後加熱処理することにより前記結晶性半導体膜に含まれる金属元素を前記結晶性半導体膜の選択された領域に移動させる工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、前記ゲッタリング作用を有する元素は、周期表の１３族、周期表の１５族、もしくは周期表の１８族に属する元素の少なくとも一種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項６乃至請求項９のいずれか一において、前記結晶性半導体膜上にバリア層を形成する工程と、
前記バリア層上に希ガス元素もしくは炭素を含む半導体膜を形成して加熱処理して前記結晶性半導体膜に含まれる金属元素を前記半導体膜に移動させる工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項６乃至請求項１２のいずれか一において、前記金属元素は、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕのいずれか一種または複数種の元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。