(57)【要約】【課題】  リン脂質からなる脂質二重層構造を有するリポソームを含むポリシロキサン組成物に関する。【解決手段】  液体を内包するリポソームを含むポリシロキサン組成物。リポソームが、グリセロリン脂質又はスフィンゴリン脂質を有するものである。リポソームが、ホスファチジルコリン、又はホスファチジルエタノールアミンである。（Ａ）成分：上記記載のリポソーム、（Ｂ）成分：加水分解性シラン、その加水分解物、その加水分解縮合物、又はそれらの混合物、を含むポリシロキサン組成物。（Ｂ）成分が、式（１）及び式（２）：【化１】2010100775.tif 000008 及び【化２】2010100775.tif 000009 からなる群より選ばれた少なくとも１種の加水分解性シラン、それらの加水分解物、それらの加水分解縮合物、又はそれらの混合物であるポリシロキサン組成物。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を内包するリポソームを含むポリシロキサン組成物。
【請求項２】
リポソームが、リポソームが、グリセロリン脂質又はスフィンゴリン脂質を有するものである請求項１に記載のポリシロキサン組成物。
【請求項３】
リポソームが、ホスファチジルコリン、又はホスファチジルエタノールアミンである請求項１に記載のポリシロキサン組成物。
【請求項４】
下記（Ａ）成分、及び（Ｂ）成分：
（Ａ）成分：請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のリポソーム、
（Ｂ）成分：加水分解性シラン、その加水分解物、その加水分解縮合物、又はそれらの混合物、を含むポリシロキサン組成物。
【請求項５】
（Ｂ）成分が、式（１）及び式（２）：
【化１】
2010100775.tif 000006
（式中Ｒ１はアルキル基、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、アルケニル基、又はエポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アミノ基、カルボキシル基、リン酸基、アミド基、ニトロ基、アシル基、スルホン基、シアノ基、若しくはそれらの組み合わせを有する有機基で且つＳｉ−Ｃ結合によりケイ素原子と結合しているものであり、Ｒ２はアルコキシ基、アシルオキシ基、又はハロゲン基を示し、ａは０〜３の整数を示す。）、及び
【化２】
2010100775.tif 000007
（式中Ｒ３はアルキル基、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、アルケニル基、又はエポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アミノ基、カルボキシル基、リン酸基、アミド基、ニトロ基、アシル基、スルホン基、シアノ基、若しくはそれらの組み合わせを有する有機基で且つＳｉ−Ｃ結合によりケイ素原子と結合しているものであり、Ｒ４はアルコキシ基、アシルオキシ基、又はハロゲン基を示し、Ｙはアルキレン基又はアリーレン基を示し、ｂは０又は１の整数を示し、ｃは０又は１の整数である。）からなる群より選ばれた少なくとも１種の加水分解性シラン、それらの加水分解物、それらの加水分解縮合物、又はそれらの混合物である請求項４に記載のポリシロキサン組成物。
【請求項６】
（Ｂ）成分が、上記式（１）のａが０〜２となる群より選ばれた少なくとも１種の加水分解性シラン、その加水分解物、その加水分解縮合物、又はそれらの混合物である請求項４に記載のポリシロキサン組成物。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか1項に記載のポリシロキサン組成物を含む被膜形成組成物から作成された膜を備える電子デバイス。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか1項に記載のポリシロキサン組成物を含む被膜形成組成物から作成された膜を備えた電荷結合素子（ＣＣＤ）又は相補性金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）からなる固体撮像素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか1項に記載のポリシロキサン組成物を含む被膜形成組成物から作成された膜をカラーフィルター上の平坦化層として備えた固体撮像素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項６のいずれか1項に記載のポリシロキサン組成物を含む被膜形成組成物から作成された膜をマイクロレンズ上の平坦化層又はコンフォーマル層として備えた固体撮像素子。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項６のいずれか1項に記載のポリシロキサン組成物を含む被膜形成組成物から作成された膜を光取り出し材料として備えたフラットパネルディスプレイ。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項６のいずれか1項に記載のポリシロキサン組成物を含む被膜形成組成物から作成された膜を反射防止材料として備えたフラットパネルディスプレイ。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項６のいずれか1項に記載のポリシロキサン組成物を含む被膜形成組成物から作成された膜を備えた光導波路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リン脂質からなる脂質二重層構造を有するリポソームを含むポリシロキサン組成物に関し、さらに詳述すると、脂質二重層に内包した水又は有機液体が、加熱等の処理により蒸発することで空孔を生成するリポソーム、それを含むポリシロキサン組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
ポリシロキサンはＳｉ−Ｏ結合に起因する高透明性及び高耐熱性を活かし、電子デバイス、特に固体撮像素子の一部材として利用するために研究開発がなされている。ポリシロキサンをデバイスに組み込む際はスピンコート法などのウェットプロセスにより、任意の基材上に被膜する工程を経るため、ポリシロキサンワニスとすることが必須である。また、ポリシロキサンは製膜後、任意の焼成機器を用いて焼成することが一般的である。
【０００３】
電子デバイスに設けられるポリシロキサンの要求特性として、屈折率があげられる。特に固体撮像素子のマイクロレンズのオーバーコート材料に用いられるポリシロキサンは、外部から入射した光を効率良くフォトダイオードまで誘導する必要があり、低屈折率を有していることが求められている。低屈折率化を達成するために、例えば、第４級アンモニウム塩などの界面活性剤をポリシロキサン組成物に添加することが知られている（特許文献１を参照）。この方法は、界面活性剤が空孔形成用材料として働き、膜中に空気を含ませることで低屈折率化を達成した技術である。しかしながら、この技術内で添加されている第４級アンモニウム塩はカウンターイオンとして、ハロゲンが含まれている。  
一方、リポソームは薬剤保持、放出能力を活かし、ドラッグデリバリーシステムなどに応用すべく、その詳細な製造方法が種々報告されている（特許文献２と特許文献３を参照）。リポソームを構成するリン脂質は両親媒性で且つ、カウンターイオンとしてハロゲンを含まない。
電子デバイスの永久膜の一部材として用いる際に、ハロゲンを含んでいる場合、長期の信頼性が乏しいことが指摘されている。また、近年の温暖化現象などの地球環境問題を考慮し、ハロゲンフリーな電子デバイス材料としてポリシロキサン組成物の実用化が期待されている。
【特許文献１】特開２００６−３５００２５号公報
【特許文献２】特開平７−２４１４８７号公報
【特許文献３】特開２００３−２４７６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
低屈折率なポリシロキサンを提供するための手段として、ハロゲンを含んだ界面活性剤を添加した材料は、電子デバイスの一部剤として長期信頼性を獲得することが困難である。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、ハロゲンを含まないポリシロキサン組成物を用いた低屈折率を発現する被膜形成用組成物を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、ポリシロキサンにリポソームを加えたポリシロキサン組成物が焼成後の膜中で空孔を形成し、低屈折率化することを見出し、本発明を完成した。
本願発明は第1観点として、液体を内包するリポソームを含むポリシロキサン組成物、
第２観点として、リポソームが、グリセロリン脂質又はスフィンゴリン脂質を有するものである第１観点に記載のポリシロキサン組成物、
第３観点として、リポソームが、ホスファチジルコリン、又はホスファチジルエタノールアミンである第１観点に記載のポリシロキサン組成物、
第４観点として、下記（Ａ）成分、及び（Ｂ）成分：
（Ａ）成分：第１観点乃至第３観点のいずれか一つに記載のリポソーム、
（Ｂ）成分：加水分解性シラン、その加水分解物、その加水分解縮合物、又はそれらの混合物、を含むポリシロキサン組成物、
第５観点として、（Ｂ）成分が、式（１）及び式（２）：
【０００７】
【化１】
2010100775.tif 000002
【０００８】
（式中Ｒ１はアルキル基、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、アルケニル基、又はエポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アミノ基、カルボキシル基、リン酸基、アミド基、ニトロ基、アシル基、スルホン基、シアノ基、若しくはそれらの組み合わせを有する有機基で且つＳｉ−Ｃ結合によりケイ素原子と結合しているものであり、Ｒ２はアルコキシ基、アシルオキシ基、又はハロゲン基を示し、ａは０〜３の整数を示す。）、及び
【０００９】
【化２】
2010100775.tif 000003
【００１０】
（式中Ｒ３はアルキル基、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、アルケニル基、又はエポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アミノ基、カルボキシル基、リン酸基、アミド基、ニトロ基、アシル基、スルホン基、シアノ基、若しくはそれらの組み合わせを有する有機基で且つＳｉ−Ｃ結合によりケイ素原子と結合しているものであり、Ｒ４はアルコキシ基、アシルオキシ基、又はハロゲン基を示し、Ｙはアルキレン基又はアリーレン基を示し、ｂは０又は１の整数を示し、ｃは０又は１の整数である。）からなる群より選ばれた少なくとも１種の加水分解性シラン、それらの加水分解物、それらの加水分解縮合物、又はそれらの混合物である第４観点に記載のポリシロキサン組成物、
第６観点として、（Ｂ）成分が、上記式（１）のａが０〜２となる群より選ばれた少なくとも１種の加水分解性シラン、その加水分解物、その加水分解縮合物、又はそれらの混合物である第４観点に記載のポリシロキサン組成物、
第７観点として、第１観点乃至第６観点のいずれか一つに記載のポリシロキサン組成物を含む被膜形成組成物から作成された膜を備える電子デバイス、
第８観点として、第１観点乃至第６観点のいずれか一つに記載のポリシロキサン組成物を含む被膜形成組成物から作成された膜を備えた電荷結合素子（ＣＣＤ）又は相補性金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）からなる固体撮像素子、
第９観点として、第１観点乃至第６観点のいずれか一つに記載のポリシロキサン組成物を含む被膜形成組成物から作成された膜をカラーフィルター上の平坦化層として備えた固体撮像素子、
第１０観点として、第１観点乃至第６観点のいずれか一つに記載のポリシロキサン組成物を含む被膜形成組成物から作成された膜をマイクロレンズ上の平坦化層又はコンフォーマル層として備えた固体撮像素子、
第１１観点として、第１観点乃至第６観点のいずれか一つに記載のポリシロキサン組成物を含む被膜形成組成物から作成された膜を光取り出し材料として備えたフラットパネルディスプレイ、
第１２観点として、第１観点乃至第６観点のいずれか一つに記載のポリシロキサン組成物を含む被膜形成組成物から作成された膜を反射防止材料として備えたフラットパネルディスプレイ、及び
第１３観点として、第１観点乃至第６観点のいずれか一つに記載のポリシロキサン組成物を含む被膜形成組成物から作成された膜を備えた光導波路である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のリポソームを含むポリシロキサン被膜形成組成物は、それらにより被膜が形成された時にリポソームの脂質二重層に内包された水又は有機液体等の液体が焼成などの工程で蒸発し、膜中に空孔を形成するためこれらのポリシロキサンを含む膜の低屈折率化が達成できる。また、リポソームはハロゲンを含まないため、電子デバイスの一部材として適用した際に、永久膜として長期の信頼性を獲得できる。
【００１２】
本発明のリポソームを含むポリシロキサン被膜形成組成物はリポソームの種類を変更することで、屈折率を変化させることができることから製造するデバイス種と各種の焼成プロセスに対応したポリシロキサン組成物の設計が可能であり、プロセスマージンを拡大できるため、電子デバイス、特に固体撮像素子の一部材として好適に用いることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本願発明に用いられるリポソームはグリセリンを骨格とするグリセロリン脂質と、スフィンゴシンを骨格とするスフィンゴリン脂質からなるリン脂質を有するリポソームを用いることができる。例えば、ホスファチジルコリン（即ち、レシチン）、ホスファチジルエタノールアミン（即ちセファリン）、ホスファチジルイノシトール、ホスファチジルセリン、ホスファチジルグリセロール（即ちカルジオリピン）、スフィンゴミエリンなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００１４】
例えばホスファチジルコリン（即ち、レシチン）は、２つの脂肪酸（オレイン酸とパルミチン酸）、グリセリン、リン酸、及びコリンの各部が結合した構成を有する。
また、ホスファチジルエタノールアミン（即ちセファリン）は、２つの脂肪酸（オレイン酸とパルミチン酸）、グリセリン、リン酸、及びエタノールアミンの各部が結合した構成を有する。これらのリン脂質は本願発明に用いられるリポソームとして有用である。
【００１５】
リポソームの調製方法は、膨潤法、超音波処理法、マイクロシリンジ注入方法、フレンチプレス法、エーテル注入法、コール酸法、カルシウム融合法、凍結融解法、逆相蒸発法など種々挙げられるが、特に限定されるものではない。
【００１６】
リポソームは親水部の頭部と疎水部の２本の尻尾から形成され、内側に水のプールをもつ脂質２分子膜の球状の構造を形成する。疎水部の構成割合が大きいため水には溶けない。従って、水性媒体又は親水性有機溶剤中では、水又は（親水性）有機液体を内包したリポソームの球状物質が分散した状態を形成することができる。
液体内包リポソームの調整法の一つで、例えば膨潤法はリポソームに水又は（親水性）有機液体を加え膨潤させる方法である。膨潤は室温で行うことができるが、８０℃程度に加熱膨潤させることもできる。水又は親水性有機液体を加えた場合は球状内部にリポソームの親水基が、外側にリポソームの疎水基が形成される。内部の親水部に水又は親水性有機液体を保持する。また場合によっては、２分子膜の膜間に疎水性有機液体を保持させることもできる。
【００１７】
作成される液体内包リポソームの直径は使用目的に合わせて調整すれば良く、１〜５０００ｎｍの直径に制御されており、１〜１０００ｎｍの大きさに制御されていることがより好ましい。液体内包リポソームを含むポリシロキサン組成物を被膜形成組成物として基材に塗布し被膜を形成することにより、この液体内包リポソームの内包液体が被膜形成の焼成段階で該液体の蒸発により被膜中に空孔を形成する。その空孔径も１〜５０００ｎｍ、好ましくは１〜１０００ｎｍであり、一例として５０〜２００ｎｍの空孔を形成することが可能である。
【００１８】
リポソームに内包される液体は、焼成後に空孔を形成させる目的を達成できれば特に限定されるものではないが、水又は有機液体が挙げられる。有機液体としては上述の通り親水性有機液体が好ましい。内包される水はｐＨを変化させても良い。内包される有機液体はリン脂質を分解しない一般的な有機液体から選択でき、リポソームの脂質二重層を形成させる効果を発現しない欠陥を持たなければ特に限定されるものではない。内包される親水性有機液体とは例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（以下、ＤＭＦと略記）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン及びジメチルスルホキシド、Ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリジノン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、１−オクタノール、エチレングリコール、ヘキシレングリコール、トリメチレングリコール、シクロヘキサノール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、ベンジルアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、γ−ブチルラクトン、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテル、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルノーマルブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、酢酸イソプロピルケトン、酢酸ノーマルプロピル、酢酸イソブチル、酢酸ノーマルブチル、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、アリルアルコール、ノーマルプロパノール、２−メチル−２−ブタノール、イソブタノール、ノーマルブタノール、２−メチル−１−プロパノール、２−メチル−１−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−１−ペンタノール、２−エチルヘキサノール、１−メトキシ−２−ブタノール、ジアセトンアルコール、イソプロピルエーテル、１，４−ジオキサン等が挙げられる。
【００１９】
これら親水性有機液体には親水性を阻害しない範囲で疎水性有機液体を含有することができる。その疎水性有機液体は、例えばスチレン、トルエン、ｐ−キシレン、ｏ−キシレン、m−キシレン、クロロホルム、ジクロロメタン、モノクロロベンゼン、ジクロロエタン等が挙げられ、親水性有機液体に対して０．１〜１０質量％の割合で含有させることができる。
これらのリポソームは例えば、日油株式会社製又は東京化成工業株式会社製の市販品として入手することができる。
【００２０】
本願発明は上記リポソームを含むポリシロキサン組成物である。
更には、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分を含むポリシロキサン組成物であり、（Ａ）成分は上記リポソーム、（Ｂ）成分は加水分解性シラン、その加水分解物、その加水分解縮合物、又はそれらの混合物である。
【００２１】
（Ｂ）成分は、式（１）及び式（２）からなる群より選ばれた少なくとも１種の加水分解性シラン、それらの加水分解物、それらの加水分解縮合物、又はそれらの混合物を用いることができる。加水分解縮合物はポリシロキサンであって、ポリオルガノシロキサン部分を含むポリシロキサンであっても良い。加水分解物はＲ２及びＲ４の加水分解基が加水分解を生じシラノール基を生成したものである。その加水分解縮合物は加水分解物中のシラノール基同士が脱水縮合を起こし、ポリシロキサン、又はポリオルガノシロキサンを形成したものであり、縮合物の末端はシラノール基を有している。
【００２２】
式（１）において、Ｒ１はアルキル基、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、アルケニル基、又はエポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アミノ基、カルボキシル基、リン酸基、アミド基、ニトロ基、アシル基、スルホン基、シアノ基、若しくはそれらの組み合わせを有する有機基で且つＳｉ−Ｃ結合によりケイ素原子と結合しているものであり、Ｒ２は加水分解基でありアルコキシ基、アシルオキシ基、又はハロゲン基を示し、ａは０〜３の整数を示す。
【００２３】
また式（２）において、Ｒ３はアルキル基、アリール基、ハロゲン化アルキル基、ハロゲン化アリール基、アルケニル基、又はエポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、メルカプト基、アミノ基、カルボキシル基、リン酸基、アミド基、ニトロ基、アシル基、スルホン基、シアノ基、若しくはそれらの組み合わせを有する有機基で且つＳｉ−Ｃ結合によりケイ素原子と結合しているものであり、Ｒ４は加水分解基でありアルコキシ基、アシルオキシ基、又はハロゲン基を示し、Ｙはアルキレン基又はアリーレン基を示し、ｂは０又は１の整数を示し、ｃは０又は１の整数である。
【００２４】
アルキル基としては炭素数１〜１０のアルキルが挙げられ、例えばメチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、シクロプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓ−ブチル、t−ブチル、シクロブチル、１−メチル−シクロプロピル、２−メチル−シクロプロピル、ｎ−ペンチル、１−メチル−ｎ−ブチル、２−メチル−ｎ−ブチル、３−メチル−ｎ−ブチル、１,１−ジメチル−ｎ−プロピル、１,２−ジメチル−ｎ−プロピル、２,２−ジメチル−ｎ−プロピル、１−エチル−ｎ−プロピル、シクロペンチル、１−メチル−シクロブチル、２−メチル−シクロブチル、３−メチル−シクロブチル、１,２−ジメチル−シクロプロピル、２,３−ジメチル−シクロプロピル、１−エチル−シクロプロピル、２−エチル−シクロプロピル、ｎ−ヘキシル、１−メチル−ｎ−ペンチル、２−メチル−ｎ−ペンチル、３−メチル−ｎ−ペンチル、４−メチル−ｎ−ペンチル、１,１−ジメチル−ｎ−ブチル、１,２−ジメチル−ｎ−ブチル、１,３−ジメチル−ｎ−ブチル、２,２−ジメチル−ｎ−ブチル、２,３−ジメチル−ｎ−ブチル、３,３−ジメチル−ｎ−ブチル、１−エチル−ｎ−ブチル、２−エチル−ｎ−ブチル、１,１,２−トリメチル−ｎ−プロピル、１,２,２−トリメチル−ｎ−プロピル、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロピル、１−エチル−２−メチル−ｎ−プロピル、シクロヘキシル、１−メチル−シクロペンチル、２−メチル−シクロペンチル、３−メチル−シクロペンチル、１−エチル−シクロブチル、２−エチル−シクロブチル、３−エチル−シクロブチル、１,２−ジメチル−シクロブチル、１,３−ジメチル−シクロブチル、２,２−ジメチル−シクロブチル、２,３−ジメチル−シクロブチル、２,４−ジメチル−シクロブチル、３,３−ジメチル−シクロブチル、１−ｎ−プロピル−シクロプロピル、２−ｎ−プロピル−シクロプロピル、１−イソプロピル−シクロプロピル、２−イソプロピル−シクロプロピル、１,２,２−トリメチル−シクロプロピル、１,２,３−トリメチル−シクロプロピル、２,２,３−トリメチル−シクロプロピル、１−エチル−２−メチル−シクロプロピル、２−エチル−１−メチル−シクロプロピル、２−エチル−２−メチル−シクロプロピル及び２−エチル−３−メチル−シクロプロピル等が挙げられる。
【００２５】
アリール基としては炭素数６〜４０のアリール基が挙げられ、例えばフェニル基、ｏ−メチルフェニル基、ｍ−メチルフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ｏ−クロルフェニル基、ｍ−クロルフェニル基、ｐ−クロルフェニル基、ｏ−フルオロフェニル基、ｐ−フルオロフェニル基、ｏ−メトキシフェニル基、ｐ−メトキシフェニル基、ｐ−ニトロフェニル基、ｐ−シアノフェニル基、α−ナフチル基、β−ナフチル基、ｏ−ビフェニリル基、ｍ−ビフェニリル基、ｐ−ビフェニリル基、１−アントリル基、２−アントリル基、9−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基及び9−フェナントリル基が挙げられる。
【００２６】
アルケニル基としては炭素数２〜１０のアルケニル基であり、例えばエテニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−メチル−１−エテニル、１−ブテニル、２−ブテニル、３−ブテニル、２−メチル−１−プロペニル、２−メチル−２−プロペニル、１−エチルエテニル、１−メチル−１−プロペニル、１−メチル−２−プロペニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、４−ペンテニル、１−ｎ−プロピルエテニル、１−メチル−１−ブテニル、１−メチル−２−ブテニル、１−メチル−３−ブテニル、２−エチル−２−プロペニル、２−メチル−１−ブテニル、２−メチル−２−ブテニル、２−メチル−３−ブテニル、３−メチル−１−ブテニル、３−メチル−２−ブテニル、３−メチル−３−ブテニル、１,１−ジメチル−２−プロペニル、１−イソプロピルエテニル、１,２−ジメチル−１−プロペニル、１,２−ジメチル−２−プロペニル、１−シクロペンテニル、２−シクロペンテニル、３−シクロペンテニル、１−ヘキセニル、２−ヘキセニル、３−ヘキセニル、４−ヘキセニル、５−ヘキセニル、１−メチル−１−ペンテニル、１−メチル−２−ペンテニル、１−メチル−３−ペンテニル、１−メチル−４−ペンテニル、１−ｎ−ブチルエテニル、２−メチル−１−ペンテニル、２−メチル−２−ペンテニル、２−メチル−３−ペンテニル、２−メチル−４−ペンテニル、２−ｎ−プロピル−２−プロペニル、３−メチル−１−ペンテニル、３−メチル−２−ペンテニル、３−メチル−３−ペンテニル、３−メチル−４−ペンテニル、３−エチル−３−ブテニル、４−メチル−１−ペンテニル、４−メチル−２−ペンテニル、４−メチル−３−ペンテニル、４−メチル−４−ペンテニル、１,１−ジメチル−２−ブテニル、１,１−ジメチル−３−ブテニル、１,２−ジメチル−１−ブテニル、１,２−ジメチル−２−ブテニル、１,２−ジメチル−３−ブテニル、１−メチル−２−エチル−２−プロペニル、１−s−ブチルエテニル、１,３−ジメチル−１−ブテニル、１,３−ジメチル−２−ブテニル、１,３−ジメチル−３−ブテニル、１−イソブチルエテニル、２,２−ジメチル−３−ブテニル、２,３−ジメチル−１−ブテニル、２,３−ジメチル−２−ブテニル、２,３−ジメチル−３−ブテニル、２−イソプロピル−２−プロペニル、３,３−ジメチル−１−ブテニル、１−エチル−１−ブテニル、１−エチル−２−ブテニル、１−エチル−３−ブテニル、１−ｎ−プロピル−１−プロペニル、１−ｎ−プロピル−２−プロペニル、２−エチル−１−ブテニル、２−エチル−２−ブテニル、２−エチル−３−ブテニル、１,１,２−トリメチル−２−プロペニル、１−t−ブチルエテニル、１−メチル−１−エチル−２−プロペニル、１−エチル−２−メチル−１−プロペニル、１−エチル−２−メチル−２−プロペニル、１−イソプロピル−１−プロペニル、１−イソプロピル−２−プロペニル、１−メチル−２−シクロペンテニル、１−メチル−３−シクロペンテニル、２−メチル−１−シクロペンテニル、２−メチル−２−シクロペンテニル、２−メチル−３−シクロペンテニル、２−メチル−４−シクロペンテニル、２−メチル−５−シクロペンテニル、２−メチレン−シクロペンチル、３−メチル−���−シクロペンテニル、３−メチル−２−シクロペンテニル、３−メチル−３−シクロペンテニル、３−メチル−４−シクロペンテニル、３−メチル−５−シクロペンテニル、３−メチレン−シクロペンチル、１−シクロヘキセニル、２−シクロヘキセニル及び３−シクロヘキセニル等が挙げられる。
【００２７】
ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素原子が挙げられる。
アシル基としては、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、バレリル基、イソバレリル基、ベンゾイル基等が挙げられる。
エポキシ基を有する有機基としては、グリシドキシメチル、グリシドキシエチル、グリシドキシプロピル、グリシドキシブチル、エポキシシクロヘキシル等が挙げられる。
アクリロイル基を有する有機基としては、アクリロイルメチル、アクリロイルエチル、アクリロイルプロピル等が挙げられる。
メタクリロイル基を有する有機基としては、メタクリロイルメチル、メタクリロイルエチル、メタクリロイルプロピル等が挙げられる。
メルカプト基を有する有機基としては、エチルメルカプト、ブチルメルカプト、ヘキシルメルカプト、オクチルメルカプト等が挙げられる。
シアノ基を有する有機基としては、シアノエチル、シアノプロピル等が挙げられる。
【００２８】
アルコキシ基としては炭素数１〜２０のアルコキシ基が例示され、直鎖、分岐、環状のアルキル部分を有するアルコキシ基が挙げられ、例えばメトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、イソプロポキシ、ｎ−ブトキシ、イソブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−ペントキシ、１−メチル−ｎ−ブトキシ、２−メチル−ｎ−ブトキシ、３−メチル−ｎ−ブトキシ、１，１−ジメチル−ｎ−プロポキシ、１，２−ジメチル−ｎ−プロポキシ、２，２−ジメチル−ｎ−プロポキシ、１−エチル−ｎ−プロポキシ、ｎ−ヘキシルオキシ、１−メチル−ｎ−ペンチルオキシ、２−メチル−ｎ−ペンチルオキシ、３−メチル−ｎ−ペンチルオキシ、４−メチル−ｎ−ペンチルオキシ、１，１−ジメチル−ｎ−ブトキシ、１，２−ジメチル−ｎ−ブトキシ、１，３−ジメチル−ｎ−ブトキシ、２，２−ジメチル−ｎ−ブトキシ、２，３−ジメチル−ｎ−ブトキシ、３，３−ジメチル−ｎ−ブトキシ、１−エチル−ｎ−ブトキシ、２−エチル−ｎ−ブトキシ、１，１，２−トリメチル−ｎ−プロポキシ、１，２，２，−トリメチル−ｎ−プロポキシ、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロポキシ、及び１−エチル−２−メチル−ｎ−プロポキシ等が挙げられる。
アシルオキシ基としては炭素数２〜２０のアシルオキシ基が例示され、例えばメチルカルボニルオキシ、エチルカルボニルオキシ、ｎ−プロピルカルボニルオキシ、イソプロピルカルボニルオキシ、ｎ−ブチルカルボニルオキシ、イソブチルカルボニルオキシ、s−ブチルカルボニルオキシ、t−ブチルカルボニルオキシ、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ、１−メチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ、２−メチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ、３−メチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ、１,１−ジメチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ、１,２−ジメチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ、２,２−ジメチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ、１−エチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ、１−メチル−ｎ−ペンチルカルボニルオキシ、２−メチル−ｎ−ペンチルカルボニルオキシ、３−メチル−ｎ−ペンチルカルボニルオキシ、４−メチル−ｎ−ペンチルカルボニルオキシ、１,１−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ、１,２−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ、１,３−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ、２,２−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ、２,３−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ、３,３−ジメチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ、１−エチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ、２−エチル−ｎ−ブチルカルボニルオキシ、１,１,２−トリメチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ、１,２,２−トリメチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ、１−エチル−１−メチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ、１−エチル−２−メチル−ｎ−プロピルカルボニルオキシ、フェニルカルボニルオキシ、及びトシルカルボニルオキシ等が挙げられる。
【００２９】
また、加水分解基としてのハロゲン基はフッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
式（２）におけるアルキレン基としては炭素数１〜１０のアルキレン基が挙げられ、例えばメチレン、エチレン、プロピレン、イソプロピレン、ブチレン、オクチレン等が挙げられる。また上記例示の鎖状又は分岐状アルキル基から誘導される二価の有機基をアルキレン基として用いることができる。
アリーレン基としては炭素数６〜２０のアリーレン基が挙げられ、例えばフェニレン、ナフチレン、アントラレン等が挙げられる。また上記例示のアリール基から誘導される二価の有機基をアリーレン基として用いることができる。
【００３０】
上記式（１）の加水分解性シランは例えば以下に例示される。
テトラメトキシシラン、テトラクロルシラン、テトラアセトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラｎ−プロポキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラｎ−ブトキシシラン、テトラアセトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリクロロシラン、メチルトリアセトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリアセチキシシラン、メチルトリブトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリアミロキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、メチルトリベンジルオキシシラン、メチルトリフェネチルオキシシラン、グリシドキシメチルトリメトキシシラン、グリシドキシメチルトリエトキシシラン、αーグリシドキシエチルトリメトキシシラン、α−グリシドキシエチルトリエトキシシラン、β−グリシドキシエチルトリメトキシシラン、β−グリシドキシエチルトリエトキシシラン、α−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、α−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、β−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリプロポキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリブトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリフェノキシシラン、α−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、α−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、β−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、δ−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、δ−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルトリメトキシシラン、（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルトリエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリプロポキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリブトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリフェノキシシラン、γ−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピルトリメトキシシラン、γ−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピルトリエトキシシラン、δ−（３，４−エポキシシクロヘキシル）ブチルトリメトキシシラン、δ−（３，４−エポキシシクロヘキシル）ブチルトリエトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジメトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジエトキシシラン、α−グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、α−グリシドキシエチルメチルジエトキシシラン、β−グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、β−グリシドキシエチルエチルジメトキシシラン、α−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、α−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−グリシドキシプロピルエチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジプロポキシシラン、γ−��リシドキシプロピルメチルジブトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジフェノキシシラン、γ−グリシドキシプロピルエチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルエチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルビニルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルビニルジエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリクロロシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリクロロシラン、フェニルトリアセトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリアセトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピルトリアセトキシシラン、３、３、３−トリフロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、β−シアノエチルトリエトキシシラン、クロロメチルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトメチルジエトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン等が挙げられる。
【００３１】
また式（２）の加水分解性シランは例えばメチレンビストリメトキシシラン、メチレンビストリクロロシラン、メチレンビストリアセトキシシラン、エチレンビストリエトキシシラン、エチレンビストリクロロシラン、エチレンビストリアセトキシシラン、プロピレンビストリエトキシシラン、ブチレンビストリメトキシシラン、フェニレンビストリメトキシシラン、フェニレンビストリエトキシシラン、フェニレンビスメチルジエトキシシラン、フェニレンビスメチルジメトキシシラン、ナフチレンビストリメトキシシラン、ビストリメトキシジシラン、ビストリエトキシジシラン、ビスエチルジエトキシジシラン、ビスメチルジメトキシジシラン等が挙げられる。
【００３２】
（Ｂ）成分が、上記式（１）のａが０〜２となる群より選ばれた少なくとも１種の加水分解性シラン、それらの加水分解物、それらの加水分解縮合物、又はそれらの混合物を用いることが好ましい。
式（１）及び式（２）で示される加水分解性シランは、市販品を用いることができる。
式（１）の加水分解性シラン、又は式（１）と式（２）の加水分解性シランを加水分解しその加水分解物を縮合したポリシロキサンは重量平均分子量１０００〜１００００００、又は１０００〜１０００００の縮合物を得ることができる。これらの分子量はＧＰＣ分析によるポリスチレン換算で得られる分子量である。
【００３３】
ポリシロキサンを合成する際の触媒の種類は、金属キレート化合物、有機酸、無機酸、有機塩基、無機塩基を挙げることができる。
加水分解触媒としての金属キレート化合物は、例えばトリエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−イソプロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−イソプロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−イソプロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、テトラキス（アセチルアセトナート）チタン、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−イソプロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−イソプロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−イソプロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、テトラキス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテート）チタン、ビス（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテート）チタン、トリス（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテート）チタン、等のチタンキレート化合物；トリエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−イソプロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−イソプロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−イソプロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、テトラキス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−イソプロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−イソプロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−イソプロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、テトラキス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ビス（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリス（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、等のジルコニウムキレート化合物；トリス（アセチルアセトナート）アルミニウム、トリス（エチルアセトアセテート）アルミニウム等のアルミニウムキレート化合物；などを挙げることができる。
【００３４】
加水分解触媒としての有機酸は、例えば酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、アジピン酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラキドン酸、２−エチルヘキサン酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン酸、酒石酸等を挙げることができる。
加水分解触媒としての無機酸は、例えば塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸等を挙げることができる。
加水分解触媒としての有機塩基は、例えばピリジン、ピロール、ピペラジン、ピロリジン、ピペリジン、ピコリン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ジメチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジアザビシクロオクタン、ジアザビシクロノナン、ジアザビシクロウンデセン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、１，８−ジアザビシクロ［５，４，０］−７−ウンデセン等を挙げることができる。
無機塩基としては、例えばアンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、水酸化カルシウム等を挙げることができる。これら触媒の内、金属キレート化合物、有機酸、無機酸が好ましく、これらは１種あるいは２種以上を同時に使用しても良い。
【００３５】
アルコキシシリル基、アシロキシシリル基、ハロゲン化シリル基の加水分解には、上記加水分解基の１モル当たり、０．１〜１００モル、又は０．１〜１０モル、又は１〜５モル、又は２〜３．５モルの水を用いる。
【００３６】
また、加水分解基の1モル当たり０．０００１〜１０モル、好ましくは０．００１〜２モルの加水分解触媒を用いることができる。
【００３７】
加水分解と縮合を行う際の反応温度は、通常は２０℃（室温）から加水分解に用いられる溶剤の常圧下の還流温度の範囲で行われる。
【００３８】
加水分解は完全に加水分解を行うことも、または部分加水分解することでも良い。即ち、加水分解縮合物中に加水分解物やモノマーが残存していても良い。
ポリシロキサンを得る方法としては特に限定されないが、例えば、珪素化合物、溶剤及び蓚酸の混合物を加熱する方法が挙げられる。具体的には、あらかじめアルコールに蓚酸を加えて蓚酸のアルコール溶液とした後、当該溶液と珪素化合物を混合し、加熱する方法である。その際、蓚酸の量は、珪素化合物が有する全アルコキシ基の１モルに対して０．２〜２モルとすることが一般的である。この方法における加熱は、液温５０〜１８０℃で行うことができ、好ましくは、液の蒸発、揮散等が起こらないように、例えば、密閉容器中の還流下で数十分から十数時間行われる。また、ポリシロキサンの合成は珪素化合物中に溶剤及び蓚酸の混合物を加え反応させる順序でも良く、溶剤及び蓚酸の混合物中に珪素化合物を加えて反応させる順序でも良い。
【００３９】
ポリシロキサンを合成する際の反応温度は、均一なポリマーを安定して合成する目的で０〜５０℃の反応温度で２４〜２０００時間反応させても良い。
加水分解に用いられる有機溶剤としては、例えばｎ−ペンタン、イソペンタン、ｎ−ヘキサン、イソヘキサン、ｎ−ヘプタン、イソヘプタン、２，２，４−トリメチルペンタン、ｎ−オクタン、イソオクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶剤；ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、ｎ−プロピルベンセン、イソプロピルベンセン、ジエチルベンゼン、イソブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ−イソプロピルベンセン、ｎ−アミルナフタレン、トリメチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤；メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、イソブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、イソペンタノール、２−メチルブタノール、ｓｅｃ−ペンタノール、ｔ−ペンタノール、３−メトキシブタノール、ｎ−ヘキサノール、２−メチルペンタノール、ｓｅｃ−ヘキサノール、２−エチルブタノール、ｓｅｃ−ヘプタノール、ヘプタノール−３、ｎ−オクタノール、２−エチルヘキサノール、ｓｅｃ−オクタノール、ｎ−ノニルアルコール、２，６−ジメチルヘプタノール−４、ｎ−デカノール、ｓｅｃ−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、ｓｅｃ−テトラデシルアルコール、ｓｅｃ−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、３，３，５−トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、フェニルメチルカルビノール、ジアセトンアルコール、クレゾール等のモノアルコール系溶剤；エチレングリコール、プロピレングリコール、１，３−ブチレングリコール、ペンタンジオール−２，４、２−メチルペンタンジオール−２，４、ヘキサンジオール−２，５、ヘプタンジオール−２，４、２−エチルヘキサンジオール−１，３、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、グリセリン等の多価アルコール系溶剤；アセトン、メチルエチルケトン、メチル−ｎ−プロピルケトン、メチル−ｎ−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−イソブチルケトン、メチル−ｎ−ペンチルケトン、エチル−ｎ−ブチルケトン、メチル−ｎ−ヘキシルケトン、ジ−イソブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、２，４−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン、フェンチョン等のケトン系溶剤；エチルエーテル、イソプロピルエーテル、ｎ−ブチルエーテル、ｎ−ヘキシルエーテル、２−エチルヘキシルエーテル、エチレンオキシド、１，２−プロピレンオキシド、ジオキソラン、４−メチルジオキソラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ−２−エチルブチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−ｎ−ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤；ジエチルカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、酢酸ｎ−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸ｓｅｃ−ブチル、酢酸ｎ−ペンチル、酢酸ｓｅｃ−ペンチル、酢酸３−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸２−エチルブチル、酢酸２−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸ｎ−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ｎ−ブチル、プロピオン酸イソアミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−ｎ−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−ブチル、乳酸ｎ−アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル等のエステル系溶剤；Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルプロピオンアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の含窒素系溶剤；硫化ジメチル、硫化ジエチル、チオフェン、テトラヒドロチオフェン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、１，３−プロパンスルトン等の含硫黄系溶剤等を挙げることができる。これらの溶剤は１種又は２種以上の組み合わせで用いることができる。
【００４０】
上記溶剤としては一般的には、加水分解性シランの加水分解物と縮重合反応によりアルコールが生成するため、アルコール類やアルコール類と相溶性の良好な有機溶剤が用いられる。このような有機溶剤の具体例としては、特にメタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ｎ−プロピルアセテート、エチルラクテート、メチルエチルケトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテル、シクロヘキサノン等が好ましく挙げられる。
【００４１】
加水分解性シランを溶剤中で加水分解し、その加水分解物を縮合反応することによって縮合物（ポリシロキサン）が得られ、その縮合物は加水分解溶剤中に溶解しているポリシロキサンワニスとして得られる。
得られたポリシロキサンワニスは溶剤置換しても良い。具体的には、加水分解と縮合時の溶剤（合成時溶剤）にエタノールを選択した場合、エタノール中でポリシロキサンが得られた後にその合成の際の溶剤と同量の置換用溶剤を加え、エバポレーターなどで共沸させエタノールを留去しても良い。溶剤置換の際の合成時溶剤は共沸して留去するため置換用溶剤よりも沸点が低いことが好ましい。例えば、加水分解と縮合時の溶剤はメタノール、エタノール、イソプロパノール等が挙げられ、置換用溶剤はプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン等が挙げられる。    
【００４２】
上記ポリシロキサンワニスの希釈や置換等に用いる溶剤は、加水分解性シランの加水分解と縮重合に用いた溶媒と同じでも良いし別の溶剤でも良い。この溶剤は、ポリシロキサン及びアミノ酸発生剤との相溶性を損なわなければ特に限定されず、一種でも複数種でも任意に選択して用いることができる。
【００４３】
このような溶剤の具体例としては、トルエン、ｐ−キシレン、ｏ−キシレン、スチレン、エチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、エチレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、１−オクタノール、エチレングリコール、ヘキシレングリコール、トリメチレングリコール、１−メトキシー２−ブタノール、シクロヘキサノール、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、プロピレングリコール、ベンジルアルコール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、γ−ブチルラクトン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソプロピルケトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メチルノーマルブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸エチル、酢酸イソプロピルケトン、酢酸ノーマルプロピル、酢酸イソブチル、酢酸ノーマルブチル、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ｔｅｒｔ−ブタノール、アリルアルコール、ノーマルプロパノール、２−メチル−２−ブタノール、イソブタノール、ノーマルブタノール、２−メチル−１−ブタノール、１−ペンタノール、２−メチル−１−ペンタノール、２−エチルヘキサノール、１−オクタノール、エチレングリコール、ヘキシレングリコール、トリメチレングリコール、１−メトキシー２−ブタノール、ジアセトンアルコール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、プロピレングリコール、ベンジルアルコール、イソプロピルエーテル、１,４−ジオキサン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド、Ｎ−シクロヘキシル−２−ピロリジノンが挙げられるが、ポリシロキサンワニスの保存安定性及びアミノ酸発生剤との相溶性の観点から、より好ましくは、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、ジアセトンアルコール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、エチレングリコール、プロピレングリコール、へキシレングリコール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、エチルカルビトール、ブチルカルビトール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテル、シクロヘキサノン、酢酸メチルエステル、酢酸エチルエステル、乳酸エチルエステル等が挙げられる。
液体内包リポソームをポリシロキサンワニス（即ち、ポリシロキサンと溶剤）に加える量は特に制限されるものではない。
【００４４】
ポリシロキサンのＳｉＯ２固形分１００質量部に対して、内包液体は８．３〜２５０質量部、好ましくは８．３〜１６７質量部の割合で用いることができ、そしてリポソームは８．３〜２５０質量部、好ましくは８．３〜１６７質量部の割合で用いることができ、その範囲で顕著な効果を示す。また、リポソーム１００質量部に対して内包液体は１〜３００質量部、好ましくは１０〜２００質量部の割合で含有することができる。そして溶解性及び保存安定性の観点から、ポリシロキサンのＳｉＯ２固形分１００質量部に対して、液体内包リポソームを０．１〜２５０質量部、好ましくは１６〜２５０質量部、好ましくは５０〜２５０質量部の割合で含有することができる。ポリシロキサンがポリオルガノシロキサンを含む場合は、測定の容易さからＳｉＯ２固形分で表現することもできる。
【００４５】
液体内包リポソームを含むポリシロキサンワニスとしては、被膜形成用塗布液の安定性の観点から、ｐＨ又はｐＫａが３〜７に調整されていることが好ましい。より好ましくは３〜５である。
【００４６】
本発明の被膜形成組成物を調製する方法は特に限定されない。ポリシロキサンと液体内包リポソームとが均一に混合した状態又はミセルを形成した状態であれば良い。通常、ポリシロキサンは溶剤中で縮重合されるので、溶剤中にポリシロキサンが溶解したポリシロキサンワニスの状態で得られる。そのため、ポリシロキサンワニスをそのまま用いて、液体内包リポソームと混合する方法が簡便である。また、必要に応じて、ポリシロキサンワニスを、濃縮したり、溶剤を加えて希釈したり又は他の溶剤に置換してから、液体内包リポソームと混合しても良い。更に、ポリシロキサンワニスと液体内包リポソームとを混合した後に、溶媒を加えることもできる。
【００４７】
その際、被膜形成組成物中のＳｉＯ２固形分換算濃度は、０．１〜３０質量％が好ましいが、ＳｉＯ２濃度が０．５質量％より低いと、一回の塗布で所望の膜厚を得ることが難しく、３０質量％より高いと、溶液の保存安定性が悪くなる場合があり、より好ましくは０．５〜１５質量％の濃度範囲が良い。
【００４８】
本発明においては、本発明の効果を損なわない限りにおいて、ポリシロキサン、上記リポソーム、及び溶剤以外にその他の成分、例えばレベリング剤、界面活性剤等の成分が含まれていてもよい。
界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフエノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフエノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリルエーテル類、ポリオキシエチレン・ポリオキシプロピレンブロツクコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート、ソルビタンモノオレエート、ソルビタントリオレエート、ソルビタントリステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル類等のノニオン系界面活性剤、商品名エフトップＥＦ３０１、ＥＦ３０３、ＥＦ３５２（（株）トーケムプロダクツ製）、商品名メガファックＦ１７１、Ｆ１７３、Ｒ−０８、Ｒ−３０（大日本インキ化学工業（株）製）、フロラードＦＣ４３０、ＦＣ４３１（住友スリーエム（株）製）、商品名アサヒガードＡＧ７１０，サーフロンＳ−３８２、ＳＣ１０１、ＳＣ１０２、ＳＣ１０３、ＳＣ１０４、ＳＣ１０５、ＳＣ１０６（旭硝子（株）製）等のフッ素系界面活性剤、及びオルガノシロキサンポリマ−ＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）等を挙げることができる。これらの界面活性剤は単独で使用してもよいし、また二種以上の組み合わせで使用することもできる。界面活性剤が使用される場合、その割合としては、縮合物（ポリシロキサン）１００質量部に対して０．０００１〜５質量部、または０．００１〜１質量部、または０．０１〜０．５質量部である。
上記の他の成分を混合する方法は、ポリシロキサンワニスに上記リポソームを添加すると同時でも、ポリシロキサンワニスに及び上記リポソームを混合後であっても良く、特に限定されない。
【００４９】
＜被膜の形成＞
本発明の被膜形成組成物は、基材に塗布し熱硬化することで所望の被膜を得ることができる。塗布方法は、公知又は周知の方法を採用できる。例えば、スピンコート法、ディップ法、フローコート法、インクジェット法、スプレー法、バーコート法、グラビアコート法、ロールコート法、転写印刷法、刷毛塗り、ブレードコート法、エアーナイフコート法等の方法を採用できる。その際に用いる基材は、シリコン、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ、プラスチック、ガラス、セラミックス等からなる基材を挙げることができる。
焼成機器としては、特に限定されるものではなく、例えば、ホットプレート、オーブン、ファーネスを用いて、適切な雰囲気下、すなわち大気、窒素等の不活性ガス、真空中等で焼成させればよい。これにより、均一な製膜面を有する被膜を得ることが可能である。
膜厚としては１０ｎｍ〜１０μｍの範囲とすることが可能であり、電子デバイス用途には５０ｎｍ〜１μｍの範囲で用いることが可能である。
【００５０】
焼成温度は、溶媒を蒸発させる目的では、特に限定されないが、例えば４０〜２００℃で行うことができる。また、ポリシロキサンの重縮合を熱で促進する目的では特に限定されないが例えば２００〜４００℃で行うことができる。これらの場合、より高い均一製膜性を発現させたり、基材上で反応を進行させたりする目的で２段階以上の温度変化をつけてもよい。
【００５１】
焼成温度及び焼成時間は目的とする電子デバイスのプロセス工程に適合した条件を選択すれば良く、ポリシロキサン被膜の物性値が電子デバイスの要求特性に適合した焼成条件を選択できる。
【００５２】
このようにして得られた本発明の被膜は、ポリシロキサンワニスの保存安定性が良好で、且つ残留Ｓｉ−ＯＨの重縮合の促進させる効果を発現し、任意の基材上で形成することができ、電子デバイス、特に固体撮像素子用のフォトダイード上のギャップフィル平坦化材料、カラーフィルター上の平坦化材料、マイクロレンズ上の平坦化又はコンフォーマル材料、フラットパネルディスプレイ用の光取り出し材料、反射防止材料、光導波路として好適である。
【００５３】
本発明の被膜形成組成物では、ポリシロキサンワニスは空孔を設ける成分として液体内包リポソームが含まれ、加熱によりリポソームに内包された液体が放出され、この部分が空孔となる。膜中で空孔が形成されると、膜全体に空気層を含むことから屈折率が空気に近づき、低屈折率化する。
【実施例】
【００５４】
以下、実施例および比較例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、実施例で用いた各測定装置は以下のとおりである。
ポリマーの分子量測定（以下、ＧＰＣと略す）は昭和電工株式会社製、商品名Ｓｈｏｄｅｘ ＧＰＣ−１０４／１０１システムを使用した。
【００５５】
ガスクロマトグラフ測定（以下、ＧＣと略す）は、島津製作所（株）製、商品名Ｓｈｉｍａｄｚｕ  ＧＣ−１４Ｂを用い、下記の条件で測定した。
カラム：キャピラリーカラム  ＣＢＰ１−Ｗ２５−１００（２５ｍｍ×０．５３ｍｍφ×１μｍ）
カラム温度：開始温度５０℃から１５℃／分で昇温して到達温度２９０℃（３分）とした。
【００５６】
サンプル注入量：１μＬ、インジェクション温度：２４０℃、検出器温度：２９０℃、キャリヤーガス：窒素（流量３０ｍＬ／ｍｉｎ）、検出方法：ＦＩＤ法で行った。
【００５７】
屈折率はn＆ｋ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社製n＆ｋ Ａｎａｌｙｚｅｒ１５１２ＲＴを用いて測定した。屈折率は全て６３３ｎｍにおける屈折率を測定した。
【００５８】
［１］ポリシロキサンの合成
［合成例１］ＴＥＯＳを用いたポリシロキサンの合成
還流管を備えつけた４つ口反応フラスコに、０．３６ｇの蓚酸（４ｍｍｏｌ、全加水分解性シランに対して０．０１等量）を秤量し、窒素置換後、９４．８４ｇの脱水エタノール、２８．８０ｇの純水（１．６ｍｏｌ）を加え、室温で３０分攪拌させ、蓚酸を完全に溶解させた。次いで、蓚酸のエタノール溶液を攪拌させながらオイルバス浴で過熱し、還流を確認後、８３．２０ｇのテトラエトキシシラン（０．４ｍｏｌ、ＴＥＯＳと略す）を内圧平衡型の滴下ロートを用い、一定の滴下速度で２０分かけて滴下した。滴下後、還流下で２時間反応させた。反応終了後、オイルバス浴を除き、２３℃まで放冷し、ポリシロキサンワニス（以下、ＰＳＶ１と略す）を得た。ＰＳＶ１は溶剤としてエタノールを含み、ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％であり、ＧＰＣ測定による分子量はＭｗが２５００、Ｍｎが１７００であった。
ＰＳＶ１をＧＣで測定したところ、アルコキシシランモノマーは検出されなかった。
【００５９】
［合成例２］ＴＥＯＳとＭＴＥＳとを共重合したポリシロキサンの合成
還流管を備えつけた４つ口反応フラスコに、０．３６ｇの蓚酸（４ｍｍｏｌ、全加水分解性シランに対して０．０１等量）を秤量し、窒素置換後、１００．７８ｇの脱水エタノール、２８．８０ｇの純水（１．６ｍｏｌ）を加え、室温で３０分攪拌させ、蓚酸を完全に溶解させた。次いで、蓚酸のエタノール溶液を攪拌させながらオイルバス浴で過熱し、還流を確認後、４１．６０ｇのＴＥＯＳ（０．２ｍｏｌ）及び３５．６６ｇのメチルトリエトキシシラン（０．２ｍｏｌ、ＭＴＥＳと略す）の混合溶液を内圧平衡型の滴下ロートを用い、一定の滴下速度で２０分かけて滴下した。滴下後、還流下で２時間反応させた。反応終了後、オイルバス浴を除き、２３℃まで放冷し、ポリシロキサンワニス（以下、ＰＳＶ２と略す）を得た。ＰＳＶ２は溶剤としてエタノールを含み、ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％であり、ＧＰＣ測定による分子量はＭｗが２１００、Ｍｎが１７００であった。
ＰＳＶ２をＧＣで測定したところ、アルコキシシランモノマーは検出されなかった。
【００６０】
［合成例３］ＴＥＯＳとＭＴＥＳとＤＭＤＥＳとを共重合したポリシロキサンの合成
還流管を備えつけた４つ口反応フラスコに、０．３６ｇの蓚酸（４ｍｍｏｌ、全加水分解性シランに対して０．０１等量）を秤量し、窒素置換後、１０２．５８ｇの脱水エタノール、２８．８０ｇの純水（１．６ｍｏｌ）を加え、室温で３０分攪拌させ、蓚酸を完全に溶解させた。次いで、蓚酸のエタノール溶液を攪拌させながらオイルバス浴で過熱し、還流を確認後、４１．６０ｇのＴＥＯＳ（０．２ｍｏｌ）、２４．９６ｇのＭＴＥＳ（０．１４ｍｏｌ）及び８．９０ｇのジメチルジエトキシシラン（０．０６ｍｏｌ、ＤＭＤＥＳ）の混合溶液を内圧平衡型の滴下ロートを用い、一定の滴下速度で２０分かけて滴下した。滴下後、還流下で２時間反応させた。反応終了後、オイルバス浴を除き、２３℃まで放冷し、ポリシロキサンワニス（以下、ＰＳＶ３と略す）を得た。ＰＳＶ３は溶剤としてエタノールを含み、ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％であり、ＧＰＣ測定による分子量はＭｗが２２００、Ｍｎ１７００がであった。
ＰＳＶ３をＧＣで測定したところ、アルコキシシランモノマーは検出されなかった。
【００６１】
［合成例４］ＭＴＥＳを用いたポリシロキサンの合成
還流管を備えつけた４つ口反応フラスコに、０．３６ｇの蓚酸（４ｍｍｏｌ、全加水分解性シランに対して０．０１等量）を秤量し、窒素置換後、１０６．７２ｇの脱水エタノール、２８．８０ｇの純水（１．６ｍｏｌ）を加え、室温で３０分攪拌させ、蓚酸を完全に溶解させた。次いで、蓚酸のエタノール溶液を攪拌させながらオイルバス浴で過熱し、還流を確認後、７１．３２ｇのＭＴＥＳ（０．４ｍｏｌ）を内圧平衡型の滴下ロートを用い、一定の滴下速度で２０分かけて滴下した。滴下後、還流下で２時間反応させた。反応終了後、オイルバス浴を除き、２３℃まで放冷し、ポリシロキサンワニス（以下、ＰＳＶ４と略す）を得た。ＰＳＶ４は溶剤としてエタノールを含み、ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％であり、ＧＰＣ測定による分子量はＭｗが２１００、Ｍｎが１７００であった。
ＰＳＶ４をＧＣで測定したところ、アルコキシシランモノマーは検出されなかった。
【００６２】
＜リポソームを含むポリシロキサンの屈折率＞
［実施例１］
純水５ｇに式（３）の構造を有するホスファチジルコリン１０ｇを加え液体内包リポソームを作成した。
合成例１で得た１００ｇのポリシロキサンワニスＰＳＶ１（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）に、上記の液体内包リポソーム１５ｇを加え、室温で１時間スターラーを用いて攪拌させ、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ１−Ｐ１０−Ｗ５と略す）とした。
【００６３】
ＰＳＶ１−Ｐ１０−Ｗ５はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４２７１であり、膜厚は２１０ｎｍであった。その結果を表１に示す。
【００６４】
【化３】
2010100775.tif 000004
【００６５】
［実施例２］
純水５ｇに式（３）のホスファチジルコリン１０ｇを加え液体内包リポソームを作成した。
合成例１で得た１００ｇのポリシロキサンワニスＰＳＶ１（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）に、上記の液体内包リポソーム１５ｇを加え、１０００Ｗの超音波ホモジナイザーで１分間処理し、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ１ＵＳ−Ｐ１０−Ｗ５と略す）とした。
【００６６】
ＰＳＶ１ＵＳ−Ｐ１０−Ｗ５はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４１７９であり、膜厚は１９２ｎｍであった。その結果を表１に示す。
【００６７】
［比較例１］
合成例１で得たポリシロキサンワニスＰＳＶ１（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４５１２であり、膜厚は２０２ｎｍであった。その結果を表１に示す。
【００６８】
［比較例２］
水を加える工程を除いた以外は、全て実施例１と同様にワニスを調製し、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ１−Ｐ１０と略す）とした。即ち、合成例１で得た１００ｇのポリシロキサンワニスＰＳＶ１（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）に、式（３）のホスファチジルコリン（水を内包していないリポソーム）１０ｇを加え、室温で１時間スターラーを用いて攪拌させ、被膜形成組成物とした。
【００６９】
ＰＳＶ１−Ｐ１０はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４４６１であり、膜厚は１９９ｎｍであった。その結果を表１に示す。
【００７０】
［比較例３］
ホスファチジルコリンを加える工程を除いた以外は、全て実施例１と同様にワニスを調製し、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ１−Ｗ５と略す）とした。即ち、合成例１で得た１００ｇのポリシロキサンワニスＰＳＶ１（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）に、水５ｇを加え、室温で１時間スターラーを用いて攪拌させ、被膜形成組成物とした。
【００７１】
ＰＳＶ１−Ｗ５はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４５１２であり、膜厚は１８０ｎｍであった。その結果を表１に示す。
【００７２】
［表１］
表１
――――――――――――――――――――――――――――――――――
名称                        屈折率
実施例１      ＰＳＶ１−Ｐ１０−Ｗ５            １．４２７１
実施例２      ＰＳＶ１ＵＳ−Ｐ１０−Ｗ５        １．４１７９
比較例１      ＰＳＶ１                          １．４５１２
比較例２      ＰＳＶ１−Ｐ１０                  １．４４６１
比較例３      ＰＳＶ１−Ｗ５                    １．４５１２
――――――――――――――――――――――――――――――――――
表１の結果から、リポソーム（リン脂質）と水とを加え液体内包リポソームを形成し、それをＰＳＶ１に加え得られた組成物から膜を形成することで、屈折率を低下できることが明確化した。比較例２乃至３のように、リポソーム（リン脂質）乃至水のどちらか一方が欠けると、屈折率を低下させる効果がないことが分かった。また、液体内包リポソームを作成する際に、スターラーを用いる場合と、超音波を用いる方法とでは、屈折率の低下能力に違いがあることが分かった。これは、作成されたリポソームのサイズが異なり、焼成した後に作成される空孔サイズが異なることに起因すると考えられる。
【００７３】
＜水の添加量を変更した際の屈折率＞
［実施例３］
水の添加量をポリシロキサンワニスＰＳＶ１に対して１質量％とした以外は、全て実施例１と同様にワニスを調製し、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ１−Ｐ１０−Ｗ１と略す）とした。
【００７４】
即ち、純水１ｇに式（３）のホスファチジルコリン１０ｇを加え液体内包リポソームを作成した。
合成例１で得た１００ｇのポリシロキサンワニスＰＳＶ１（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）に、上記の液体内包リポソーム１１ｇを加え、室温で１時間スターラーを用いて攪拌させ、被膜形成組成物とした。
【００７５】
ＰＳＶ１−Ｐ１０−Ｗ１はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４２７１であり、膜厚は１９８ｎｍであった。その結果を表２に示す。
【００７６】
［実施例４］
水の添加量をポリシロキサンワニスＰＳＶ１に対して１０質量％とした以外は、全て実施例１と同様にワニスを調製し、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ１−Ｐ１０−Ｗ１０と略す）とした。
即ち、純水１０ｇに式（３）のホスファチジルコリン１０ｇを加え液体内包リポソームを作成した。
合成例１で得た１００ｇのポリシロキサンワニスＰＳＶ１（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）に、上記の液体内包リポソーム２０ｇを加え、室温で１時間スターラーを用いて攪拌させ、被膜形成組成物とした。
【００７７】
ＰＳＶ１−Ｐ１０−Ｗ１０はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４２７１であり、膜厚は２０４ｎｍであった。その結果を表２に示す。
【００７８】
［実施例５］
水の添加量をポリシロキサンワニスＰＳＶ１に対して２０質量％とした以外は、全て実施例１と同様にワニスを調製し、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ１−Ｐ１０−Ｗ２０と略す）とした。
即ち、純水２０ｇに下式（３）のホスファチジルコリン１０ｇを加え液体内包リポソームを作成した。
合成例１で得た１００ｇのポリシロキサンワニスＰＳＶ１（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）に、上記の液体内包リポソーム３０ｇを加え、室温で１時間スターラーを用いて攪拌させ、被膜形成組成物とした。
【００７９】
ＰＳＶ１−Ｐ１０−Ｗ２０はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４２７１であり、膜厚は１７８ｎｍであった。その結果を表２に示す。
【００８０】
［参考例１］
水の添加量をポリシロキサンワニスＰＳＶ１に対して３０質量％とした以外は、全て実施例１と同様にワニスを調製し、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ１−Ｐ１０−Ｗ３０と略す）とした。
即ち、純水３０ｇに式（３）のホスファチジルコリン１０ｇを加え液体内包リポソームを作成した。
合成例１で得た１００ｇのポリシロキサンワニスＰＳＶ１（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）に、上記の液体内包リポソーム４０ｇを加え、室温で１時間スターラーを用いて攪拌させ、被膜形成組成物とした。
【００８１】
ＰＳＶ１−Ｐ１０−Ｗ３０はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜は製膜面が著しく荒れており、測定することが出来なかった。その結果を表２に示す。
【００８２】
[表２]
表２
――――――――――――――――――――――――――――――――――
名称                    屈折率        製膜面
実施例３      ＰＳＶ１−Ｐ１０−Ｗ１        １．４２７１      良好
実施例４      ＰＳＶ１−Ｐ１０−Ｗ１０      １．４２７１      良好
実施例５      ＰＳＶ１−Ｐ１０−Ｗ２０      １．４２７１      良好
参考例１      ＰＳＶ１−Ｐ１０−Ｗ３０      測定不能          不良
――――――――――――――――――――――――――――――――――
表２の結果から、水の添加量はポリシロキサンワニスＰＳＶ１に対して１質量％から効果を発揮するが、３０質量％とするとスピンコート後の製膜面が著しく悪くなり、焼成後は膜荒れとなることが分かった。これは水の添加量はポリシロキサンのＳｉＯ２の１００質量部に対して８．３質量部から効果を発揮し、２５０質量部以上ではポリシロキサンが十分に硬化されないためと考えられる。均一な製膜面を得られないと、屈折率を正確に測定することができないため、屈折率を測定できなかった。
【００８３】
したがって、リポソームを含むポリシロキサン組成物を調製するときの水の量には最適値が存在し、本実施例の結果から水の添加量はポリシロキサンのＳｉＯ２の１００質量部に対して８．３質量部から効果を発揮し、２５０質量部の範囲が好ましいことが分かった。
【００８４】
＜リン脂質の添加量を変更した際の屈折率＞
［実施例６］
リン脂質であるホスファチジルコリンの添加量をポリシロキサンワニスＰＳＶ１に対して１質量％とした以外は、全て実施例１と同様にワニスを調製し、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ１−Ｐ１−Ｗ５と略す）とした。
純水５ｇに式（３）のホスファチジルコリン１ｇを加え液体内包リポソームを作成した。
合成例１で得た１００ｇのポリシロキサンワニスＰＳＶ１（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）に、上記の液体内包リポソーム６ｇを加え、室温で１時間スターラーを用いて攪拌させ、被膜形成組成物とした。
【００８５】
ＰＳＶ１−Ｐ１−Ｗ５はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４２７１であり、膜厚は２０９ｎｍであった。その結果を表３に示す。
【００８６】
［実施例７］
リン脂質であるホスファチジルコリンの添加量をポリシロキサンワニスＰＳＶ１に対して５質量％とした以外は、全て実施例１と同様にワニスを調製し、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ１−Ｐ５−Ｗ５と略す）とした。
即ち、純水５ｇに式（３）のホスファチジルコリン５ｇを加え液体内包リポソームを作成した。
合成例１で得た１００ｇのポリシロキサンワニスＰＳＶ１（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）に、上記の液体内包リポソーム１０ｇを加え、室温で１時間スターラーを用いて攪拌させ、被膜形成組成物とした。
【００８７】
ＰＳＶ１−Ｐ５−Ｗ５はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４２７１であり、膜厚は２１１ｎｍであった。その結果を表３に示す。
【００８８】
［実施例８］
リン脂質であるホスファチジルコリンの添加量をポリシロキサンワニスＰＳＶ１に対して２０質量％とした以外は、全て実施例１と同様にワニスを調製し、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ１−Ｐ２０−Ｗ５と略す）とした。
即ち、純水５ｇに式（３）のホスファチジルコリン２０ｇを加え液体内包リポソームを作成した。
合成例１で得た１００ｇのポリシロキサンワニスＰＳＶ１（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）に、上記の液体内包リポソーム２５ｇを加え、室温で１時間スターラーを用いて攪拌させ、被膜形成組成物とした。
【００８９】
ＰＳＶ１−Ｐ２０−Ｗ５はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４２７２であり、膜厚は２１５ｎｍであった。その結果を表３に示す。
【００９０】
［参考例２］
リン脂質であるホスファチジルコリンの添加量をポリシロキサンワニスＰＳＶ１に対して３０質量％とした以外は、全て実施例１と同様にワニスを調製し、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ１−Ｐ３０−Ｗ５と略す）とした。
即ち、純水５ｇに式（３）のホスファチジルコリン３０ｇを加え液体内包リポソームを作成した。
合成例１で得た１００ｇのポリシロキサンワニスＰＳＶ１（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）に、上記の液体内包リポソーム３５ｇを加え、室温で１時間スターラーを用いて攪拌させ、被膜形成組成物とした。
【００９１】
ＰＳＶ１−Ｐ３０−Ｗ５はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜は製膜面が著しく荒れており、測定することが出来なかった。その結果を表３に示す
【００９２】
［表３］
表３
――――――――――――――――――――――――――――――――――
名称                      屈折率        製膜面
実施例６      ＰＳＶ１−Ｐ１−Ｗ５          １．４２７１      良好
実施例７      ＰＳＶ１−Ｐ５−Ｗ５          １．４２７１      良好
実施例８      ＰＳＶ１−Ｐ２０−Ｗ５        １．４２７２      良好
参考例２      ＰＳＶ１−Ｐ３０−Ｗ５        測定不能          不良
――――――――――――――――――――――――――――――――――
表３の結果から、リン脂質であるホスファチジルコリンの添加量はポリシロクサンワニスＰＳＶ１に対して１質量％から効果を発現するが、３０質量％とすると、スピンコート後の製膜面が著しく悪くなり、焼成後は膜荒れとなることが分かった。これはホスファチジルコリンの添加量ポリシロキサンのＳｉＯ２の１００質量部に対して８．３質量部から効果を発揮し、２５０質量部以上ではポリシロキサンが十分に硬化されないためと考えられる。
【００９３】
したがって、リポソームを含むポリシロキサン組成物を調製するときのホスファチジルコリンの量には最適値が存在し、本実施例の結果からホスファチジルコリンの添加量はポリシロキサンのＳｉＯ２の１００質量部に対して８．３質量部から効果を発揮し、２５０質量部の範囲が好ましいことが分かった。
【００９４】
＜焼成温度の依存性＞
［実施例９］
実施例１で得られたＰＳＶ１−Ｐ１０−Ｗ５を焼成温度１２０℃で３０分間焼成し、屈折率を測定した。その結果を表４に示す。
［実施例１０］
実施例１で得られたＰＳＶ１−Ｐ１０−Ｗ５を焼成温度１５０℃で３０分間焼成し、屈折率を測定した。その結果を表４に示す。
［実施例１１］
実施例１で得られたＰＳＶ１−Ｐ１０−Ｗ５を焼成温度２００℃で３０分間焼成し、屈折率を測定した。その結果を表４に示す。
［参考例３］
実施例１で得られたＰＳＶ１−Ｐ１０−Ｗ５を焼成温度５０℃で３０分間焼成し、屈折率を測定した。その結果を表４に示す。
［参考例４］
実施例１で得られたＰＳＶ１−Ｐ１０−Ｗ５を焼成温度１００℃で３０分間焼成し、屈折率を測定した。その結果を表４に示す。
【００９５】
［表４］
表４
――――――――――――――――――――――――――
焼成条件            屈折率
実施例９        １２０℃３０分      １．４２８１
実施例１０      １５０℃３０分      １．４２７５
実施例１１      ２００℃３０分      １．４２７１
参考例３        ５０℃３０分        １．４５１５
参考例４        １００℃３０分      １．４５１２
――――――――――――――――――――――――――
表４の結果から、焼成温度は１２０℃以上であれば効果を発現することが分かった。この結果は、リポソーム内に含まれる水が蒸発する温度よりも高い温度で焼成することで、水の部分が空孔となり低屈折率化することを示している。
【００９６】
＜空孔サイズの依存性＞
［実施例１２］
超音波処理の時間を２０秒とした以外は、全て実施例２と同様にワニスを調製し、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ１ＵＳ２０−Ｐ１０−Ｗ５と略す）とした。
【００９７】
ＰＳＶ１ＵＳ２０−Ｐ１０−Ｗ５はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４１７８であり、膜厚は２０７ｎｍであった。その結果を表５に示す。
［実施例１３］
超音波処理の時間を１０秒とした以外は、全て実施例２と同様にワニスを調製し、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ１ＵＳ１０−Ｐ１０−Ｗ５と略す）とした。
【００９８】
ＰＳＶ１ＵＳ１０−Ｐ１０−Ｗ５はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４１８０であり、膜厚は２０９ｎｍであった。その結果を表５に示す。
［参考例５］
超音波処理の時間を３秒とした以外は、全て実施例２と同様にワニスを調製し、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ１ＵＳ３−Ｐ１０−Ｗ５と略す）とした。
【００９９】
ＰＳＶ１ＵＳ３−Ｐ１０−Ｗ５はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４５９８であり、膜厚は２１１ｎｍであった。その結果を表５に示す。
【０１００】
［表５］
――――――――――――――――――――――――――――
超音波処理時間          屈折率
実施例１２            ２０秒           １．４１７８
実施例１３            １０秒           １．４１８０
参考例５                ３秒           １．４５９８
――――――――――――――――――――――――――――
表５の結果から、超音波処理時間の差により空孔サイズを変更することで屈折率に変化をつけられることが分かった。
【０１０１】
＜ポリマー種類の変更＞
［実施例１４］
純水５ｇに式（３）のホスファチジルコリン１０ｇを加え液体内包リポソームを作成した。
合成例２で得た１００ｇのポリシロキサンワニスＰＳＶ２（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）に、上記の液体内包リポソーム１５ｇを加え、室温で１時間スターラーを用いて攪拌させ、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ２−Ｐ１０−Ｗ５と略す）とした。
【０１０２】
ＰＳＶ２−Ｐ１０−Ｗ５はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４１９１であり、膜厚は１５６６ｎｍであった。その結果を表６に示す。
［実施例１５］
純水５ｇに式（３）のホスファチジルコリン１０ｇを加え液体内包リポソームを作成した。
合成例２で得た１００ｇのポリシロキサンワニスＰＳＶ２（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）に、上記の液体内包リポソーム１５ｇを加え、１０００Ｗの超音波ホモジナイザー１分間照射し、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ２ＵＳ−Ｐ１０−Ｗ５と略す）とした。
【０１０３】
ＰＳＶ２ＵＳ−Ｐ１０−Ｗ５はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４０９８であった。その結果を表６に示す。
［比較例４］
ＰＳＶ２はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４４３２であり、膜厚は１５５１ｎｍであった。その結果を表６に示す。
［比較例５］
水を加える工程を除いた以外は、全て実施例１４と同様にワニスを調製し、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ２−Ｐ１０と略す）とした。
即ち、合成例２で得た１００ｇのポリシロキサンワニスＰＳＶ２（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）に、式（３）のホスファチジルコリン（水を内包していないリポソーム）１０ｇを加え、室温で１時間スターラーを用いて攪拌させ、被膜形成組成物とした。
【０１０４】
ＰＳＶ２−Ｐ１０はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４６２２であり、膜厚は１５４９ｎｍであった。その結果を表６に示す。
【０１０５】
［表６］
表６
―――――――――――――――――――――――――――――――
名称                    屈折率
実施例１４      ＰＳＶ２−Ｐ１０−Ｗ５        １．４１９１
実施例１５      ＰＳＶ２ＵＳ−Ｐ１０−Ｗ５    １．４０９８
比較例４        ＰＳＶ２                      １．４４３２
比較例５        ＰＳＶ２−Ｐ１０              １．４６２２
―――――――――――――――――――――――――――――――
表６の結果から、ポリマーの種類をＰＳＶ１からＰＳＶ２に変更しても、屈折率が低下する効果を得られることが分かった。
［実施例１６］
純水５ｇに式（３）の構造を有するホスファチジルコリン１０ｇを加え液体内包リポソームを作成した。
合成例３で得た１００ｇのポリシロキサンワニスＰＳＶ３（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）に、上記の液体内包リポソーム１５ｇを加え、室温で１時間スターラーを用いて攪拌させ、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ３−Ｐ１０−Ｗ５と略す）とした。
【０１０６】
ＰＳＶ３−Ｐ１０−Ｗ５はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４１６６であり、膜厚は３５０ｎｍであった。その結果を表７に示す。
［実施例１７］
純水５ｇに式（３）の構造を有するホスファチジルコリン１０ｇを加え液体内包リポソームを作成した。
合成例３で得た１００ｇのポリシロキサンワニスＰＳＶ３（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）に、上記の液体内包リポソーム１５ｇを加え、１０００Ｗの超音波ホモジナイザー１分間照射し、攪拌させ、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ３ＵＳ−Ｐ１０−Ｗ５と略す）とした。
【０１０７】
ＰＳＶ３ＵＳ−Ｐ１０−Ｗ５はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４０７４であり、膜厚は３４１ｎｍであった。その結果を表７に示す。
［比較例６］
ＰＳＶ３はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４４０７であり、膜厚は３５５ｎｍであった。その結果を表７に示す。
［比較例７］
水を加える工程を除いた以外は、全て実施例１６と同様にワニスを調製し、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ３−Ｐ１０と略す）とした。
【０１０８】
即ち、合成例３で得た１００ｇのポリシロキサンワニスＰＳＶ３（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）に、式（３）のホスファチジルコリン（水を内包していないリポソーム）１０ｇを加え、室温で１時間スターラーを用いて攪拌させ、被膜形成組成物とした。
【０１０９】
ＰＳＶ３−Ｐ１０はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４５９８であり、膜厚は３７０ｎｍであった。その結果を表７に示す。
【０１１０】
［表７］
表７
―――――――――――――――――――――――――――――――
名称                      屈折率
実施例１６      ＰＳＶ３−Ｐ１０−Ｗ５        １．４１６６
実施例１７      ＰＳＶ３ＵＳ−Ｐ１０−Ｗ５    １．４０７４
比較例６        ＰＳＶ３                      １．４４０７
比較例７        ＰＳＶ３−Ｐ１０              １．４５９７
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表７の結果から、ポリマーの種類をＰＳＶ１及びＰＳＶ２からＰＳＶ３に変更しても、屈折率が低下する効果を得られることが分かった。
［実施例１８］
純水５ｇに式（３）の構造を有するホスファチジルコリン１０ｇを加え液体内包リポソームを作成した。
合成例４で得た１００ｇのポリシロキサンワニスＰＳＶ４（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）に、上記の液体内包リポソーム１５ｇを加え、室温で１時間スターラーを用いて攪拌させ、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ４−Ｐ１０−Ｗ５と略す）とした。
【０１１１】
ＰＳＶ４−Ｐ１０−Ｗ５はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．３９８０であり、膜厚は１１１ｎｍであった。その結果を表８に示す。
［実施例１９］
純水５ｇに式（３）の構造を有するホスファチジルコリン１０ｇを加え液体内包リポソームを作成した。
合成例４で得た１００ｇのポリシロキサンワニスＰＳＶ４（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）に、上記の液体内包リポソーム１５ｇを加え、１０００Ｗの超音波ホモジナイザー１分間照射し、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ４ＵＳ−Ｐ１０−Ｗ５と略す）とした。
【０１１２】
ＰＳＶ４ＵＳ−Ｐ１０−Ｗ５はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．３８８８であり、膜厚は１０３ｎｍであった。その結果を表８に示す。
［比較例８］
ＰＳＶ４はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４２２１であり、膜厚は１０１ｎｍであった。その結果を表８に示す。
［比較例９］
水を加える工程を除いた以外は、全て実施例１８と同様にワニスを調製し、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ４−Ｐ１０と略す）とした。
即ち、合成例４で得た１００ｇのポリシロキサンワニスＰＳＶ４（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）に、式（３）のホスファチジルコリン（水を内包していないリポソーム）１０ｇを加え、室温で１時間スターラーを用いて攪拌させ、被膜形成組成物とした。
【０１１３】
ＰＳＶ４−Ｐ１０はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４４１１であり、膜厚は１０６ｎｍであった。その結果を表８に示す。
【０１１４】
［表８］
表８
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名称                      屈折率
実施例１８      ＰＳＶ４−Ｐ１０−Ｗ５        １．３９８０
実施例１９      ＰＳＶ４ＵＳ−Ｐ１０−Ｗ５    １．３８８８
比較例８        ＰＳＶ４                      １．４２２１
比較例９        ＰＳＶ４−Ｐ１０              １．４４１１
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表８の結果から、ポリマーの種類をＰＳＶ１、２及び３からＰＳＶ４に変更しても、屈折率が低下する効果を得られることが分かった。
【０１１５】
＜リン脂質の種類の変更＞
［実施例２０］
純水５ｇに式（４）の構造を有するホスファチジルエタノールアミン１０ｇを加え液体内包リポソームを作成した。
合成例１で得た１００ｇのポリシロキサンワニスＰＳＶ１（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）に、上記の液体内包リポソーム１５ｇを加え、室温で１時間スターラーを用いて攪拌させ、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ１−Ｅ１０−Ｗ５と略す）とした。
【０１１６】
ＰＳＶ１−Ｅ１０−Ｗ５はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４２７１であり、膜厚は２０３ｎｍであった。その結果を表９に示す。
【０１１７】
【化４】
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【０１１８】
［実施例２１］
純水５ｇに式（４）の構造を有するホスファチジルエタノールアミン１０ｇを加え液体内包リポソームを作成した。
合成例１で得た１００ｇのポリシロキサンワニスＰＳＶ１（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）に、上記の液体内包リポソーム１５ｇを加え、１０００Ｗの超音波ホモジナイザー１分間照射し、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ１ＵＳ−Ｅ１０−Ｗ５と略す）とした。
【０１１９】
ＰＳＶ１ＵＳ−Ｅ１０−Ｗ５はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４１７９であり、膜厚は２００ｎｍであった。その結果を表９に示す。
［比較例１０］
水を加える工程を除いた以外は、全て実施例２０と同様にワニスを調製し、被膜形成組成物（以下、ＰＳＶ１−Ｅ１０と略す）とした。
即ち、合成例１で得た１００ｇのポリシロキサンワニスＰＳＶ１（ＳｉＯ２固形分換算濃度が１２質量％）に、式（４）の構造を有するホスファチジルエタノールアミン（水を内包していないリポソーム）１０ｇを加え、室温で１時間スターラーを用いて攪拌させ、被膜形成組成物とした。
【０１２０】
ＰＳＶ１−Ｅ１０はシリコン基板上でスピンコートし、２５０℃で３０分間ホットプレートを用いて焼成した。焼成後、得られた膜の屈折率を測定したところ、１．４７０２であり、膜厚は２１７ｎｍであった。その結果を表９に示す。
【０１２１】
［表９］
表９
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名称                          屈折率
実施例２０      ＰＳＶ１−Ｅ１０−Ｗ５          １．４２７１
実施例２１      ＰＳＶ１ＵＳ−Ｅ１０−Ｗ５      １．４１７９
比較例１０      ＰＳＶ１−Ｅ１０                １．４７０２
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表９の結果から、リン脂質の種類をホスファチジルコリンからホスファチジルエタノールアミンに変更しても、屈折率が低下する効果を得られることが分かった。
【０１２２】
以上に示したように、本発明のリポソームを含むポリシロキサン被膜形成組成物は、リポソームの脂質二重層に内包された水又は有機液体が焼成などの工程が加わった際に蒸発し、空孔を形成するためポリシロキサンの低屈折率化が達成できる。また、リポソームはハロゲンを含まないため、電子デバイスの一部材として適用した際に、永久膜として長期の信頼性を獲得できる。
【０１２３】
本発明の液体内包リポソームを含むポリシロキサン被膜形成組成物はリポソームの種類を変更することで、屈折率を変化させることができることから製造するデバイス種と各種の焼成プロセスに対応したポリシロキサン組成物の設計が可能であり、プロセスマージンを拡大できるため、電子デバイス、特に固体撮像素子の一部材として好適に用いることができる。
本発明の被膜形成組成物を用いて得られた膜を備えた電荷結合素子（ＣＣＤ）又は相補性金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）からなる固体撮像素子に利用することや、上記膜をカラーフィルター上の平坦化層として備えた固体撮像素子に利用することや、上記膜をマイクロレンズ上の平坦化層又はコンフォーマル層として備えた固体撮像素子に利用することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【０１２４】
本願発明では液体を内包するリポソームを含むポリシロキサン組成物であって、それらポリシロキサン組成物を含む皮膜形成組成物はから得られた膜は電子デバイス、例えば電荷結合素子（ＣＣＤ）又は相補性金属酸化膜半導体（ＣＭＯＳ）からなる固体撮像素子、カラーフィルター上の平坦化層として備えた固体撮像素子、マイクロレンズ上の平坦化層又はコンフォーマル層として備えた固体撮像素子、光取り出し材料として備えたフラットパネルディスプレイ、反射防止材料として備えたフラットパネルディスプレイ、光導波路等の用途に利用することができる。