【手続補正書】
【提出日】平成17年8月23日(2005.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ロードロックであって：
チャンバボディと；
第一の基板を支持するように適合された前記チャンバボディ内の第一の支持構造と；
第二の基板を支持するように適合された前記チャンバボディ内の第二の支持構造と；
前記第一の支持構造および前記第二の支持構造の垂直位置を制御する為のエレベーターと；
前記ロードロックから基板の挿入および取り外しを許容する為に前記チャンバボディを貫通して形成された第一のアパーチャーと；
前記ロードロックから基板の挿入および取り外しを許容する為に前記チャンバボディを貫通して形成された第二のアパーチャーと；
上部に前記第二の基板を支持するように適合された表面を含む冷却プレートと；
前記第一の支持構造の上方に置かれた加熱装置と；
前記第一の支持構造および前記第二の構造間の中間プレートと；
を備え、
前記第一の支持構造は、前記第二の支持構造の上方に配置されている、前記ロードロック。
【請求項２】  前記冷却プレートは前記冷却プレートから延びている少なくとも１つの構造を有し、前記中間プレートは前記冷却プレートから延びている前記少なくとも１つの構造を収容できる大きさに作られた少なくとも１つの開口部を有する、請求項１記載のロードロック。
【請求項３】  前記第一の支持構造は、前記中間プレートに対して移動可能である、請求項１記載のロードロック。
【請求項４】  前記中間プレートは、前記中間プレート付近の基板受容スロット内に位置決めされた基板の温度を調整するように適合された冷却層を含む、請求項１記載のロードロック。
【請求項５】  前記第一の支持構造は複数のピンを備え、前記第二の支持構造は複数のピンを備える、請求項１記載のロードロック。
【請求項６】  少なくとも１つのプロセス・チャンバと；前記少なくとも１つのプロセス・チャンバに接続されたトランスファー・チャンバと；
前記トランスファー・チャンバに接続されたロードロックであって、前記ロードロックは：単一基板上部支持体及び単一基板下部支持体と、前記トランスファー・チャンバと前記ロードロックの間で、単一基板を搬送する搬送アパーチャーと、前記単一基板上部支持体と前記単一基板下部支持体を上下させるエレベーターと、前記ロードロック内に配置され、前記単一基板下部支持体から単一基板を受け入れるように位置決めされた冷却プレートとを備える、前記ロードロックと；
前記単一基板上部支持体の上方に配置された加熱素子と；
を備える、半導体処理装置。
【請求項７】  前記ロードロックは、前記冷却プレートの上方かつ前記加熱素子の下方に配置された中間プレートを更に備える、請求項６記載の半導体処理装置。
【請求項８】  前記単一基板上部支持体は、前記中間プレートに接続されている、請求項７記載の半導体処理装置。
【請求項９】  前記ロードロックにガスを供給する為のガス取り入れ口を更に備える、請求項８記載の半導体処理装置。
【請求項１０】  前記ロードロックは、上部領域を含み、前記ガス取り入れ口は、前記ロードロックの前記上部領域内に配置されている、請求項９記載の半導体処理装置。
【請求項１１】  前記第一の支持構造、前記第二の支持構造の少なくとも一つは、上部に基板を支持する為の複数の部材を含む、請求項１記載の半導体処理装置。
【請求項１２】  前記複数の部材は、基板トランスファーロボットと共にハンドオフを可能にする第一のアパーチャー、第二のアパーチャーの少なくとも一つと整列して位置している、請求項１１記載の半導体処理装置。
【請求項１３】  前記中間プレートは、前記基板を熱的に調整するように構成されている、請求項１記載の半導体処理装置。
【請求項１４】  ロードロックチャンバであって：
第一の基板アクセスポートおよび第二の基板アクセスポートを有するチャンバボディと；
前記チャンバボディ内に配置され、上部に第一の基板を支持するように適合された上部基板支持構造と；
前記チャンバボディ内に配置され、上部に第二の基板を支持するように適合された下部基板支持構造と；
前記上部基板支持構造の下方で前記チャンバボディ内に配置された基板温度調整プレートであって、前記下部基板支持構造は、前記基板温度調整プレートに対し移動可能である、前記基板温度調整プレートと；
を備える、ロードロックチャンバ。
【請求項１５】  前記基板温度調整プレートを貫通して、平行かつ離間関係で配置された複数の基板支持ピンを更に備える、請求項１４記載のロードロックチャンバ。
【請求項１６】  前記上部基板支持構造に最も近い前記支持ピンの各々の端部は、前記上部基板支持構造に面する前記基板温度調整プレートの表面の上下で移動可能である、請求項１５記載のロードロックチャンバ。
【請求項１７】  前記上部支持構造は、前記基板温度調整プレートに対し移動可能である、請求項１４記載のロードロックチャンバ。
【請求項１８】  前記基板温度調整プレートは、前記下部支持構造から処理済み基板を受けるように位置している、請求項１４記載のロードロックチャンバ。
【請求項１９】  前記基板温度調整プレートは、移動アームを受ける為の表面上に少なくとも一つの溝を含む、請求項１４記載のロードロックチャンバ。
【請求項２０】  前記基板温度調整プレートは、少なくとも一つの冷却液輸送チャネルを更に含む、請求項１４記載のロードロックチャンバ。
【請求項２１】  前記下部支持構造および前記上部支持構造の垂直位置を制御する為にエレベーターを更に備える、請求項１４記載のロードロックチャンバ。
【請求項２２】  前記上部構造の上方に配置された加熱装置を更に備える、請求項１４記載のロードロックチャンバ。
【請求項２３】  前記チャンバボディ内に画成され、前記ロードロック内に基板を受けるように適合された第一のアパーチャーおよび第二のアパーチャーを更に備える、請求項１４記載のロードロックチャンバ。
【請求項２４】  前記上部基板支持構造および前記基板温度調整プレートの各々は、第一の放射率を有する第一の表面領域、前記第一の放射率より大きい第二の放射率を有する第二の表面領域を含む、請求項１４記載のロードロックチャンバ。
【請求項２５】  前記基板温度調整プレートの下方に置かれ、前記下部支持構造を起動する為に移動可能なリフトピンを更に備える、請求項１４記載のロードロックチャンバ。
【請求項２６】  前記基板温度調整プレートは、その近傍に位置された基板を冷却するように適合されている、請求項１４記載のロードロックチャンバ。
【請求項２７】  前記基板温度調整プレートは、その近傍に位置された基板を加熱するように適合されている、請求項１４記載のロードロックチャンバ。
【請求項２８】  ロードロックであって：
チャンバボディと；
第一の基板を支持するように適合された、第一の位置まで移動可能な前記チャンバボディ内の下部支持構造と；
第二の基板を支持するように適合された、前記下部支持構造の上方にある前記チャンバボディ内の上部支持構造と；
前記下部支持構造の垂直位置を制御するエレベーターと；
前記チャンバボディを貫通して形成され、前記チャンバボディ内で基板の配置および後退を許容するように構成された第一のアパーチャーおよび第二のアパーチャーと；
前記下部支持構造が第二の位置にあるとき、上部で前記第一の基板を支持するように適合された表面を含む、冷却プレートと；
前記上部支持構造の上方に置かれた加熱装置と；
を備える、前記ロードロック。
【請求項２９】  前記下部支持構造は、前記第一の位置にあるとき、前記冷却プレートを通って伸びる、請求項２８記載のロードロック。
【請求項３０】  前記下部支持構造及び前記上部支持構造は、前記冷却プレートに対して移動可能である、請求項２８記載のロードロック。
【請求項３１】  前記冷却プレートは、前記チャンバボディに取り付けられている、請求項２８記載のロードロック。
【請求項３２】  前記下部支持構造が前記冷却プレートを通って動くのを可能にするために、前記冷却プレートは前記冷却プレートの中に複数の穴を有する、請求項２８記載のロードロック。
【請求項３３】  前記下部支持構造と前記上部支持構造の間に中間プレートをさらに備える、請求項２８記載のロードロック。
【請求項３４】  前記下部支持構造は、複数のピンを備え、前記上部支持構造は、プレートから伸びる複数のピンを備える、請求項２８記載のロードロック。
【請求項３５】  前記プレートから伸びる複数のピンは、前記下部支持構造および基板トランスファーロボット間のハンドオフを容易にする前記第一のアパーチャーおよび第二のアパーチャーの少なくとも一つに整列して位置されている、請求項３４記載のロードロック。
【請求項３６】  ロードロックチャンバであって：
チャンバボディと；
前記チャンバボディの内部容積にアクセスを与える第一の基板アクセスポートおよび第二の基板アクセスポートと；
前記チャンバボディ内に配置された第一の基板支持プレートと；
前記チャンバボディ内に配置された第二の基板支持プレートと；
前記第一の基板支持プレートと前記第二の基板支持プレートを分離する前記チャンバボディ内の固定位置に配置された冷却プレートと；
を備える、前記ロードロックチャンバ。
【請求項３７】  前記第二の基板支持プレートと前記第一の基板支持プレートは、前記冷却プレートに対し垂直に移動可能である、請求項３６記載のロードロックチャンバ。
【請求項３８】  前記第二の基板支持プレートは、前記チャンバボディ内で垂直に位置することができる、請求項３６記載のロードロックチャンバ。
【請求項３９】  前記第一の基板支持プレートは、基板温度調整プレートである、請求項３６記載のロードロックチャンバ。
【請求項４０】  前記第二の基板支持プレートの基板支持構造は、前記冷却プレートの上面の上下位置間で位置することができる、請求項３６記載のロードロックチャンバ。
【請求項４１】  前記基板支持構造は、前記冷却プレート内に形成されたアパーチャーを通って伸びる複数のピンを更に備える、請求項４０記載のロードロックチャンバ。
【請求項４２】  前記第一の基板支持プレートの位置は、前記冷却プレートおよび前記第一の基板支持プレート間で画成された間隙の高さを調節する為に選択可能であり、前記第一の基板支持プレートは第二の冷却プレートである、請求項３６記載のロードロックチャンバ。
【請求項４３】  ロードロックチャンバであって：
第一の基板アクセルポートおよび第二の基板アクセスポートを有するチャンバボディと；
前記チャンバボディ内に配置され、上部に第一の基板を支持するように適合された上部基板支持構造と；
前記チャンバボディ内に配置され、上部に第二の基板を支持するように適合された複数の基板支持ピンと；
前記上部基板支持構造の下方で前記チャンバボディ内に配置された基板温度調整プレートであって、前記複数の基板支持ピンは、前記基板温度調整プレート上方の第一の位置と前記基板温度調整プレートの上面下方の第二の位置との間を移動可能である、前記基板温度調整プレートと；
前記上部基板支持構造の上方に置かれた加熱装置と；
前記基板温度調整プレートおよび前記上部基板支持構造間に配置された中間プレートと；
を備える、前記ロードロックチャンバ。
【請求項４４】  前記基板温度調整プレートは、冷却プレートである、請求項４３記載のロードロックチャンバ。
【請求項４５】  ロードロックチャンバであって：
チャンバボディと；
前記チャンバボディの内部容積にアクセスを与える第一の基板アクセスポートおよび第二の基板アクセスポートと；
前記内部容積内に配置された第一のプレートと；
前記第一のプレートの第一の側部で前記内部容積内に画成された第一の基板受容スロットと；
前記内部容積内に配置された第二のプレートと；
前記内部容積内に画成され、前記第一のプレートおよび前記第二のプレート間の相対間隔により画成された変更可能な高さを有する、第二の基板受容スロットと；
を備える、ロードロックチャンバ。
【請求項４６】  前記第一のプレートは、基板温度調整プレートである、請求項４５記載のロードロックチャンバ。
【請求項４７】  前記基板温度調整プレートの温度分布は、前記基板温度調整プレートの平面エリアを横切って制御可能である、請求項４６記載のロードロックチャンバ。
【請求項４８】  前記第二のプレートは、基板冷却プレートである、請求項４６記載のロードロックチャンバ。
【請求項４９】  前記基板温度調整プレートは、基板冷却プレートである、請求項４６記載のロードロックチャンバ。
【請求項５０】  前記内部容積の上部領域内に配置されたヒーターを更に備える、請求項４５記載のロードロックチャンバ。
【請求項５１】  ロードロックチャンバであって：
チャンバボディと；
前記チャンバボディの内部容積にアクセスを与える第一の基板アクセスポートおよび第二の基板アクセスポートと；
前記内部容積内に配置された第一の基板支持プレートと；
前記内部容積内に配置された第二の基板支持プレートと；
前記内部容積内に配置された第三の基板支持プレートと；
少なくとも一つの支持プレートを他の基板支持プレートに対し移動させる駆動装置と；
を備える、ロードロックチャンバ。
【請求項５２】  前記第一の基板支持プレートと第二の基板支持プレートは、前記第三の基板支持プレートに対し移動する、請求項５１記載のロードロックチャンバ。
【請求項５３】  前記第三の基板支持プレートは、冷却プレートである、請求項５２記載のロードロックチャンバ。
【請求項５４】  前記第三の基板支持プレートは、前記第三の基板支持プレートの近傍に位置された基板を冷却するように適合された流体導管を更に備える、請求項５３記載のロードロックチャンバ。
【請求項５５】  前記冷却プレートの温度分布は、前記冷却プレートの平面エリアにわたり制御可能である、請求項５３記載のロードロックチャンバ。
【請求項５６】  前記基板支持プレートの少なくとも一つは、基板冷却プレートである、請求項５１記載のロードロックチャンバ。
【請求項５７】  前記第一の基板支持プレートは、第一の基板冷却プレートであり、前記第二の基板支持プレートは、第二の基板冷却プレートである、請求項５１記載のロードロックチャンバ。
【請求項５８】  変更可能な高さの基板受容スロットは、前記第一の冷却プレートと第二の冷却プレート間で画成されている、請求項５７記載のロードロックチャンバ。
【請求項５９】  前記基板受容スロットは、前記第一の冷却プレートが前記第二の冷却プレートに対し第一の位置にあるとき第一の高さを有し、前記第一の冷却プレートが第一の位置より前記第二の冷却プレートに近い第二の位置にあるとき第二の高さを有する、請求項５８記載のロードロックチャンバ。
【請求項６０】  基板ヒーターと；
前記冷却プレート付近に画成された第一の基板受容スロットと；
前記ヒーター付近に画成された第二の基板受容スロットと；
を更に備える、請求項５６記載のロードロックチャンバ。
【請求項６１】  前記第二の基板支持プレートは、第二の冷却プレートである、請求項６０記載のロードロックチャンバ。
【請求項６２】  前記第二の冷却プレートは、前記内部容積内で位置することができる、請求項６１記載のロードロックチャンバ。
【請求項６３】  ロードロックを使用する方法であって：
前記ロードロック内の開口部を通ってロードロック内で配置された第一の基板支持プレートに第一の基板を送出するステップと；
前記ロードロックの外側でチャンバに前記第一の基板を搬送するステップと；
前記開口部を閉じて前記ロードロックを排気するステップと；
前記ロードロックの外側の前記チャンバから、前記ロードロック内に配置された第二の基板支持プレートまで第二の基板を送出するステップであって、前記第一の基板支持プレートおよび第二の基板支持プレートは、冷却プレートにより分離されている、前記ステップと；
前記第二の基板支持プレート上に配置された前記第二の基板を前記冷却プレートに向かって移動させるステップと；
前記第二の基板を冷却するステップと；
を備える、前記方法。
【請求項６４】  前記ロードロックの外側の前記チャンバまで前記第一の基板を搬送する前に前記ロードロック内の前記第一の基板を加熱するステップを更に備える、請求項６３記載の方法。
【請求項６５】  前記第二の基板を移動させるステップは：
前記冷却プレートを通して前記第二の基板支持プレートから伸びる基板支持構造を下げる工程を更に備える、請求項６３記載の方法。
【請求項６６】  前記第二の基板を移動させるステップは：
前記冷却プレートの上面より低い位置まで、前記第二の基板支持プレートの基板支持構造を下げる工程を更に備える、請求項６３記載の方法。
【請求項６７】  ロードロックを使用する方法であって：
ロードロックチャンバ内に配置された冷却プレート上に基板を配置するステップであって、前記ロードロックチャンバは、上部基板支持プレートと、前記冷却プレートで分離された下部基板支持プレートとを有する、前記ステップと；
前記冷却プレートに向かって前記基板の近傍に、前記上部基板支持プレートを移動させるステップと；
前記基板を冷却するステップと；
を備える、前記方法。
【請求項６８】  前記上部基板支持プレートを通って流体を循環させるステップを更に備える、請求項６７記載の方法。
【請求項６９】  基板を処理する為の方法であって：
ロードロック内の第一の開口部を通って前記ロードロック内で上部支持構造まで第一の基板を送出するステップと；
前記第一の開口部を閉じ、前記ロードロックを排気するステップと；
前記ロードロック内の第二の開口部を通って、前記ロードロックの外側のチャンバまで第一の基板を送出するステップと；
前記ロードロック内の第二の開口部を通って、前記ロードロックの外側のチャンバから第二の基板を送出するステップと；
前記ロードロック内で冷却プレートまで前記第二の基板を送出するステップと；
を備える、前記方法。
【請求項７０】  前記冷却プレートまで前記第二の基板を送出するステップは、前記冷却プレートに対し前記下部支持構造を下げる工程を備える、請求項６９記載の方法。
【請求項７１】  前記冷却プレート上の前記第二の基板を冷却するステップと；
前記冷却プレートから前記第二の基板を取り出す為に前記冷却プレートに対し前記下部支持構造を持ち上げるステップと；
前記第一の開口部を通して前記ロードロックから前記第二の基板を取り出すステップと；
を更に備える、請求項６９記載の方法。
【請求項７２】  前記ロードロックを通気する前に前記ロードロック内で前記第二の基板を加熱するステップを更に備える、請求項６９記載の方法。
【請求項７３】  前記第一の開口部を通って前記ロードロックから前記第二の基板を取り出した後、前記第一の開口部に対し前記下部支持構造を下げるステップと；
前記第一の開口部を通って前記上部支持構造上で前記第一の基板を受け入れる為に前記上部支持構造を整列させるステップと；
を更に備える、請求項７１記載の方法。
【請求項７４】  前記上部支持構造および下部支持構造は、前記冷却プレートに対し移動できる、請求項６９記載の方法。
【請求項７５】  基板を処理する為の方法であって：
基板トランスファーロボット上の基板を真空環境から、ロードロックチャンバ内で画成された複数の基板用スロットの第一の基板用スロットまで搬送するステップと；
前記基板の近傍の位置まで、前記ロードロックチャンバ内に配置された第一の基板温度調整プレートを移動させるステップと；
を備える、前記方法。
【請求項７６】  前記第一の基板用スロットを狭くするステップを更に備える、請求項７５記載の方法。
【請求項７７】  前記第一の基板用スロットを狭くするステップは：
前記第一の基板温度調整プレートおよび第二の基板温度調整プレートの距離を減少する工程であって、前記第一の基板用スロットは、前記第一の基板温度調整プレートと前記第二の基板温度調整プレート間に画成されている、前記工程を更に備える、請求項７６記載の方法。
【請求項７８】  前記第一の基板温度調整プレート上に前記基板を置くステップを更に備える、請求項７５記載の方法。
【請求項７９】  第二の基板温度調整プレート上に前記基板を置くステップを更に備える、請求項７５記載の方法。
【請求項８０】  前記基板温度調整プレートの少なくとも一つは、冷却プレートである、請求項７９記載の方法。
【請求項８１】  前記基板温度調整プレートの両方は、冷却プレートである、請求項７９記載の方法。
【請求項８２】  前記第一の基板温度調整プレートは、冷却プレートである、請求項７５記載の方法。
【請求項８３】  ロードロックチャンバを通気するステップと；
第二の基板を前記ロードロックチャンバの外側の環境から前記ロードロックチャンバ内に画成される第二の基板用スロットまで搬送するステップと；
を更に備える、請求項７５記載の方法。
【請求項８４】  前記第二の基板用スロット内に配置された前記第二の基板を加熱するステップを更に備える、請求項７５記載の方法。
【請求項８５】  ヘリウムガスが、前記チャンバボディの内側に送出される、請求項３６記載のロードロックチャンバ。
【請求項８６】  ヘリウムガスが、前記チャンバボディの内側に送出される、請求項５１記載のロードロックチャンバ。
【請求項８７】  ヘリウムガスが、前記チャンバボディの内側に送出される、請求項６０記載のロードロックチャンバ。
【請求項８８】  ヘリウムガスで前記ロードロックを通気するステップを更に備える、請求項６３記載の方法。
【請求項８９】  前記通気するステップは、前記ヘリウムガスと混合された窒素で前記ロードロックを通気する工程を更に備える、請求項８８記載の方法。
【請求項９０】  ヘリウムガスで前記ロードロックを通気するステップを更に備える、請求項６７記載の方法。
【請求項９１】  前記通気するステップは、前記ヘリウムガスと混合された窒素で前記ロードロックを通気する工程を更に備える、請求項９０記載の方法。
【請求項９２】  ヘリウムガスで前記ロードロックを通気するステップを更に備える、請求項６９記載の方法。
【請求項９３】  前記通気するステップは、前記ヘリウムガスと混合された窒素で前記ロードロックを通気する工程を更に備える、請求項９２記載の方法。
【請求項９４】  ヘリウムガスで前記ロードロックを通気するステップを更に備える、請求項７５記載の方法。
【請求項９５】  前記通気するステップは、前記ヘリウムガスと混合された窒素で前記ロードロックチャンバを通気する工程を更に備える、請求項９４記載の方法。