【手続補正書】
【提出日】平成17年9月13日(2005.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板支持体において：
大領域基板を上部に支持するように構成された基板支持面を有する電気的導電性本体と；
前記本体内に埋め込まれたヒータと；
前記本体に配置された電気絶縁性被膜と；
前記基板支持面の中央部を覆って配置された前記被膜の少なくとも一部は、約８０〜約２００ミクロインチ（２５．４×１０−６ミリ）の表面仕上げ処理部と；
を有する、前記基板支持体。
【請求項２】
前記本体は、アルミニウムから少なくとも部分的に製造され、前記被膜は、メッキ処理された層である、請求項１記載の基板支持体。  
【請求項３】
前記メッキ処理された被膜の厚さは、約０．３〜約２．１６ミルである、請求項２記載の基板支持体。
【請求項４】
前記基板支持面の表面仕上げは、約８８〜約２３０ミクロインチの間である、請求項１記載の基板支持体。  
【請求項５】
前記基板支持面は、ビードブラスト処理されている、請求項４記載の基板支持体。  
【請求項６】
前記基板支持面上に配置された前記被膜は：
前記基板支持面上の中央に置かれた前記被膜の一部に外接し、約１３０ミクロインチ未満の表面仕上げを有するストリップを更に備える、請求項１記載の基板支持体。
【請求項７】
前記基板支持面は：
約８８から約２３０ミクロインチの間の表面仕上げ処理部を持つ中央領域と；
前記中央領域に外接させ、約１３０ミクロインチ未満の表面仕上げ処理部を有する周辺領域と；
を更に備える、請求項１記載の基板支持体。  
【請求項８】
基板支持面を有する電気的に導電性の本体と；
堆積後に約８０〜２００ミクロインチの表面仕上げに処置された前記基板支持面上に堆積された電気的に絶縁性の被膜と；
を備える、基板支持体。  
【請求項９】
前記本体は、アルミニウムであり、前記被膜はメッキ処理された層である、請求項８記載の基板支持体。  
【請求項１０】
約８８〜約２３０ミクロインチの表面仕上げに処置された基板支持面を有するアルミニウム本体と；
前記本体内に埋め込まれたヒータと；
窒化珪素、二酸化珪素、五酸化タンタル、シリコンカーバイド、ポリイミドから成るグループから選択され、前記処置された基板支持面上に堆積された被膜と；
を備える、基板支持体。
【請求項１１】
前記基板支持面は、ビードブラスト処理、研磨材ブラスト処理、研削、エンボス加工、サンディング、テクスチャリング、エッチングの少なくとも一つにより処置される、請求項１０記載の基板支持体。  
【請求項１２】
前記基板支持体は、約１２５から約３７５ミクロンを平均径とするアルミニウム酸化物媒体でブラスト処理される、請求項１０記載の基板支持体。  
【請求項１３】
以下の方法で製造される基板支持体であって、前記方法は：
大領域の基板を支持するのに適し、内部に加熱素子が埋め込まれた導電性本体を提供するステップと；
約８８〜約２３０ミクロインチの間の表面粗さで前記基板支持面を準備するステップと；
前記粗さの基板支持面を被膜するステップと；
を備える、前記基板支持体。  
【請求項１４】
前記被膜するステップは：
アルミニウムから構成される本体をメッキ処理するステップを更に備える、請求項１３記載の基板支持体。
【請求項１５】
以下の方法で
製造される基板支持体であって、前記方法は：
大領域の基板を支持するのに適し、内部に加熱素子が埋め込まれた導電性本体を提供するステップと；
前記基板支持面を被覆するステップと；
表面粗さを約８０〜約２００ミクロインチにする為に前記被膜を処置するステップと；
を備える、前記基板支持体。  
【請求項１６】
前記被膜を処置するステップは：
前記メッキ処理された被膜を、ビードブラスト処理、研磨材ブラスト処理、研削、エンボス加工、サンディング、テクスチャリング、エッチングの少なくとも一つにより処置するステップを更に備える、請求項１５記載の基板支持体。
【請求項１７】
前記基板支持面を処置するステップは：
ビードブラスト処理、研磨材ブラスト処理、研削、エンボス加工、サンディング、テクスチャリング、エッチングの少なくとも一つを更に備える、請求項１３記載の基板支持体。
【請求項１８】
前記基板支持面を処置するステップは：
前記基板支持面をビードブラスト処理するステップを更に備える、請求項１３記載の基板支持体。  
【請求項１９】
前記基板支持面をビードブラスト処理するステップは：
約１２５から約３７５ミクロンを平均径とするビーズで前記基板支持面に衝撃を与えるステップを更に備える、請求項１８記載の基板支持体。
【請求項２０】
前記基板支持面をビードブラスト処理するステップは：
約２５０ミクロンを平均径とするアルミニウム酸化物製ビーズで前記基板支持面に衝撃を与えるステップを更に備える、請求項１８記載の基板支持体。
【請求項２１】
前記アルミニウム本体内に剛性素子を封入するステップを更に備える、請求項１３記載の基板支持体。  
【請求項２２】
以下の方法により製造される基板支持体であって、前記方法は：
約８８〜約２３０ミクロインチの表面仕上げを得る為に、大領域基板を支持するように適合されたアルミニウム基板支持面を酸化アルミニウム研磨材でブラスト処理するステップと；
前記基板支持面を約０．３から約２．１６ミルの厚さにメッキ処理するステップであって、前記基板支持面の中央部分を少なくとも覆って配置された前記メッキ被膜の表面仕上げは、約８０〜約２００ミクロインチの間の表面仕上げを有する、前記ステップと；
を備える、前記基板支持体。
【請求項２３】
前記本体内に配置された補強部材を更に備える、請求項１記載の基板支持体。
【請求項２４】
前記補強部材は、酸化アルミニウム製ファイバを更に備える、請求項１記載の基板支持体。
【請求項２５】
前記被膜は、窒化珪素、二酸化珪素、五酸化タンタル、シリコンカーバイド、ポリイミドから成るグループから選択される、請求項１記載の基板支持体。
【請求項２６】
前記被膜するステップは、窒化珪素、二酸化珪素、五酸化タンタル、シリコンカーバイド又はポリイミドを前記粗さの表面に適用するステップを更に備える、請求項１３記載の基板支持体。
【請求項２７】
前記被膜するステップは、前記粗さの表面をメッキ処理するステップを更に備える、請求項１３記載の基板支持体。
【請求項２８】
前記ブラスト処理するステップは、
大領域基板を支持するように構成された基板支持面の中央部分をブラスト処理するステップであって、前記中央部分が、前記基板支持面の周辺部分より粗い表面仕上げを有する、前記ステップを更に備える、請求項２２記載の基板支持面。
【請求項２９】
局所的な厚みの非均一性を減じる方法であって：
約８８から約２３０ミクロインチの表面仕上げを得る為に、酸化アルミニウム製研磨材で、大領域基板を支持するように適合されたアルミニウム製基板支持面をブラスト処理するステップと；
前記基板支持面を約０．３から約２．１６ミルの厚さにメッキ処理するステップであって、前記基板支持面の中央部分を少なくとも覆って配置された前記メッキ被膜の表面仕上げは、約８０〜約２００ミクロインチの間の表面仕上げを有する、前記ステップと；
基板支持体をプラズマコンディショニングすることなく、上部に大領域基板を処理するステップと；
を備える、前記基板支持体。
【請求項３０】
各大領域基板で実行される堆積処理の間で基板支持体をプラズマコンディショニングすることなく、基板支持体上で大領域基板をバッチ処理するステップを更に備える、請求項２９記載の方法。
【請求項３１】
上部に大領域ガラス基板を支持するように構成された基板支持面を有するアルミニウム製の本体と；
前記本体上に配置されたメッキ被膜と；
約８０〜約２００ミクロンインチの間の表面仕上げを有する基板支持面の中央部にわたり配置された被膜の少なくとも一部と；
を備える、基板支持体。