Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月14日(2005.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
加熱時の原料漆液の品温は、原料漆液中に含まれる酸化酵素（ラッカーゼ、ＥＣ  １．１０．３．２）が酸素存在下でウルシオールに作用する温度であって、当該酵素が著しく失活しない温度に設定する。通常、５０℃以下、望ましくは、４０℃以下の温度が望ましい。５０℃を超える温度は、ウルシオール二量体以上の成分の生成及び漆液の漆塗膜形成に関与するラッカーゼの失活が顕著となり好ましくない。又、原料漆液及び最終製品としての漆液が得られる前後に、適量のラッカーゼを添加して、酵素反応を調節することも可能である。又、加熱温度の下限は、ラッカーゼがウルシオール二量体以上の成分を生成し得る温度であればよく、通常、品温で０℃以上、望ましくは、１０℃以上とするのが好ましい。加熱するに際しては、例えば、常圧、加圧又は減圧下で、原料漆液を入れた容器を加熱する方法、原料漆液をプレートヒータ上で加熱する方法、更には、原料漆液を収容、塗布又は付着させたガラス製、プラスチック製、セラミック製、金属製、又は木製の容器乃至板状体の上で、原料漆液を温風、白熱電球、蛍光灯、ハロゲンランプなどの発熱性の光源、赤外線、遠赤外線、マイクロ波、太陽光等により加熱する方法等、斯界に於いて通常一般に用いられる加熱手段を適宜採用することができる。加熱時間は、原料漆液を加熱、乾燥するときの加熱手段、加熱温度、攪拌乃至混練条件、雰囲気中の圧力と湿度、又雰囲気中の酸素濃度等により変動するも、原料漆液を加熱して得られる漆液を経時的にサンプリングしつつ、当該漆液中のウルシオール二量体以上の成分含量（Ｄ）（％（ｗ／ｗ））と水分含量（Ｗ）（％（ｗ／ｗ））とが、重量比（Ｄ／Ｗ比）で１．７乃至１２．９の範囲となる時間を適宜採用すればよい。この際、得られる漆液の水分含量を１．４乃至９．１％（ｗ／ｗ）とすると共に、ウルシオール二量体以上の成分含量（Ｄ）（％（ｗ／ｗ））と水分含量（Ｗ）（％（ｗ／ｗ））とを重量比（Ｄ／Ｗ比）で１．７乃至１２．９の範囲に調節するために、当該漆液を前記加熱手段に準ずる方法で常圧下又は減圧下で乾燥したり、或いは、水分及び／又は別途調製したウルシオール二量体以上の成分を添加することも可能である。本発明の漆液中のウルシオール二量体以上の成分含量は、通常、本発明の漆液中に含まれる全ウルシオール重量の１％（ｗ／ｗ）以上、好ましくは、５％（ｗ／ｗ）以上、より好ましくは、５．３乃至１８．５％（ｗ／ｗ）とするのが望ましい。又、本発明の漆液中の水分含量は、通常、１．４乃至９．１％（ｗ／ｗ）の範囲とするのが望ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【実験例】
原料漆液として、阿波産、備中産、丹波産、及び浄法寺産の生漆（備中産生漆を２種類用いた以外は、各１種類）を用い、それらを４０乃至４５℃で攪拌しながら加熱（くろめ処理）しつつ、経時的にサンプリングして、得られる漆液の水分含量、ウルシオール二量体以上の成分含量、漆塗膜の乾燥速度、及び乾燥後の漆塗膜の光沢度について測定した。水分含量は、得られた漆液の所定量を容器にとり、常圧下、１０５℃で加熱乾燥し、その減量に基づいて求めた。ウルシオール含量は、漆液１ｇ当たり１０ｍｌのアセトンを氷冷しながら加え、得られる混合物を十分混合した後、Ｎｏ．６の濾紙を用いて濾過し、濾液を所定濃度に調整して、以下に述べる条件下、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）分析に供して、ウルシオール単量体とウルシオール二量体以上の成分含量を求めた。即ち、ＧＰＣ分析に於ける内部標準としては、標準ポリスチレン（東ソー株式会社製）を用い、ＧＰＣ分析用カラムとしては、『ＴＳＫ−ｇｅｌ  Ｇ２０００ＨＨＲ』（東ソー株式会社製）を用い、又移動相の溶媒としてはクロロホルム／メタノール混液（体積比で９：１）を用いて、ウルシオール単量体とウルシオール二量体以上の成分含量を測定した。ＧＰＣ分析でのチャートを図１に示す。図１中、保持時間が１７．００乃至２０．０５分のピークはウルシオール単量体の成分のピークを、１２．４０乃至１６．５２分の比較的ブロードなピークは、ウルシオール二量体以上の成分のピークを表す。ウルシオール単量体の成分含量と、ウルシオール二量体以上の成分含量は、前記ＧＰＣ分析でのチャートに於ける前記各ピーク面積に基づいて計算した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月1日(2005.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の各成分を必須成分として含有することを特徴とする多層プリント配線板用層間絶縁接着剤。
（イ）重量平均分子量１０3〜１０5であり、末端が水酸基変性の硫黄成分含有熱可塑性樹脂、
（ロ）無機充填材、
（ハ）エポキシ当量５００以下のエポキシ樹脂、及び
（ニ）エポキシ樹脂硬化剤、
【請求項２】
（イ）成分が、（イ）成分及び（ハ）成分の合計重量の３０〜９０重量％である請求項１記載の多層プリント配線板用層間絶縁接着剤。
【請求項３】
（ロ）成分が、（ハ）成分の５〜５０重量％である請求項１又は２記載の多層プリント配線板用層間絶縁接着剤。
【請求項４】
（イ）成分の硫黄成分含有熱可塑性樹脂が、ポリフェニレンサルファイド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ビスフェノールＳ型フェノキシ樹脂である請求項１、２又は３記載の多層プリント配線板用層間絶縁接着剤。
【請求項５】
（ハ）成分が、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、及びアミノフェノール型エポキシ樹脂から選ばれた１種又は２種以上である請求項１、２、３又は４記載の多層プリント配線板用層間絶縁接着剤。
【請求項６】
請求項１、２、３、４又は５記載の層間絶縁接着剤を銅箔にコーティングしてなる多層プリント配線板用銅箔。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】【課題を解決するための手段】  本発明は、下記の各成分を必須成分として含有することを特徴とする多層プリント配線板用層間絶縁接着剤及びそれをコーティングしてなる銅箔である。（イ）量平均分子量１０3〜１０5であり、末端が水酸基変性の硫黄成分含有熱可塑性樹脂、（ロ）無機充填材（ハ）エポキシ当量５００以下のエポキシ樹脂、及び（ニ）エポキシ樹脂硬化剤、
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月15日(2005.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
US5610217（‘217特許）は、エチレン-プロピレン非共役ジエンターポリマー（EPDM）およびエチレンビニルアセテート（EVM）エラストマーがベルト用のポリマー組成物における一次エラストマーとして作用しうることを開示している。‘217特許は、α-β-不飽和有機酸の金属塩（約1〜30phrの量）の使用が、高温および低温動荷重における、耐摩耗性、耐ピリング性、引張強度、耐切傷生長性、弾性率、強化物質への付着性を維持するのを補助することも開示している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
加硫系が有機パーオキシドを含んでなる場合、それと一緒に補助剤を含有することが既知である。好ましくは、補助剤は多官能性モノマーとして作用する。好適なそのような補助剤の非限定的な例は、α,β-不飽和有機酸の塩（例えば、ジアクリル酸亜鉛およびジメタクリル酸亜鉛）、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアヌレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、エチレンジメタクリレート、トリレンビスマレイミド等からなる群から選択され得る。好ましくは、補助剤は約1〜約10重量部の量で使用される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月15日(2004.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンオリゴマーとシルセスキオキサンオリゴマーからなる液状混合物を供給するステップと、
第１及び第２のポリマーの組成物を生成するために、前記液状混合物を硬化させるステップとからなり、前記第１のポリマーは、シロキサン結合により架橋された前記シルセスキオキサンオリゴマーの部分からなる第１の相互接続網状結合を生成し、そして前記第２のポリマーは、前記シリコンオリゴマーの部分から部分的に生成された第２の相互接続網状結合からなり、
前記第１と第２の相互接続網状結合は物理的な相互浸透であることを特徴とするポリマー組成物の製造方法。
【請求項２】
前記第２の網状結合は、前記シリコンオリゴマー上のビニルシランに対するシラン水素化物の付加により生成されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
硬化前に前記液状混合物を表面に塗布するステップと、
前記表面と前記第１のポリマーとの間でシロキサン結合を生成するステップとを更に有することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記表面は光導管の外面であり、被覆面を介して光を透過させるステップを更に有し、前記光は紫外光であり、前記透過は前記光導管内に格子を生成させることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
液状混合物の供給は、シリコン架橋剤分子とシリコンオリゴマーとの混合を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
第１のシリコンポリマーと第２のシルセスキオキサンポリマーを含有する組成物からなり、前記第１のポリマーは第１の相互接続網状結合からなり、前記第２のポリマーは第２の相互接続網状結合からなり、
前記第１と第２の相互接続網状結合は物理的な相互浸透であることを特徴とする製品。
【請求項７】
表面を有する物体をさらに有し、
前記組成物が前記表面を被覆することを特徴とする請求項６に記載の製品。
【請求項８】
前記物体が光導管であり、前記表面が前記導管の外面であることを特徴とする請求項６に記載の製品。
【請求項９】
前記光導管は格子を含み、前記組成物が紫外光のある選択された波長範囲に対して透過であることを特徴とする請求項７に記載の製品。
【請求項１０】
前記物体は半導体集積回路を含み、前記組成物が集積回路の周りに封入ハウジングを生成することを特徴とする請求項７に記載の製品。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月3日(2004.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
技術の状況を具体的に参照すると、現在では、管板は単一部品で製造されるか、もしくは互いに溶接されその後仕上げ加工、例えば穴明け加工及び／又は機械加工される幾つかの部片で製造されることが分かる。
【特許文献１】米国特許５，４７２，９２８号公報
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月14日(2005.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
室外ユニットの熱交換器に散水や噴霧を行う空気調和機用散水装置において、
前記室外ユニットの上部に設置される散水や噴霧の実行や停止を制御する制御部本体と、この制御部本体で制御された水を吐出させる散水スプレーと、前記散水スプレーを固定して前記散水スプレーを前記熱交換器に散水や噴霧が広がる所定の間隔をあけて対向した位置で配置されるスプレー取付部材とを備え、前記スプレー取付部材を前記制御部本体の幅よりも狭い幅に設けるとともに前記制御部本体の電源を前記室外ユニットの圧縮機の電源供給部へ接続するようにしたことを特徴とする空気調和機用散水装置。
【請求項２】
前記スプレー取付部材の前記散水スプレーが取り付けられるスプレー取付台を上下に位置を変えられるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の空気調和機用散水装置。
【請求項３】
前記散水スプレーを上下に２基設けたことを特徴とする請求項１または２に記載の空気調和機用散水装置。
【請求項４】
前記制御部本体には、前記室外ユニットの設置位置にて当該室外ユニットの端部へ当接する当接片を設けたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の空気調和機用散水装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、空気調和機の室外ユニットの熱交換器に水の散水や噴霧を行い、熱交換器の熱交換を促進させる空気調和機の散水装置において、前記室外ユニットの上部に設置される散水や噴霧の実行と停止の運転を制御する制御部本体と、この制御部本体で制御された水を吐出させる散水スプレーと、前記散水スプレーを固定して前記散水スプレーを前記熱交換器に散水や噴霧が広がる所定の間隔をあけて対向した位置で配置されるスプレー取付部材とを備え、前記スプレー取付部材を前記制御部本体の幅よりも狭い幅に設けるとともに前記制御部本体の電源を前記室外ユニットの圧縮機の電源供給部へ接続するようにした。また前記スプレー取付部材の前記散水スプレーが取り付けられるスプレー取付台を上下に位置を変えられるようにした。また、前記散水スプレーを上下に２基設けた。また、前記制御部本体には、室外ユニットの設置位置にて当該室外ユニットの端部へ当接する当接片を設けたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
【発明の効果】
本発明は、室外ユニットの熱交換器に散水や噴霧を行う空気調和機用散水装置において、前記室外ユニットの上部に設置される散水や噴霧の実行や停止を制御する制御部本体と、この制御部本体で制御された水を吐出させる散水スプレーと、前記散水スプレーを固定して前記散水スプレーを前記熱交換器に散水や噴霧が広がる所定の間隔をあけて対向した位置で配置されるスプレー取付部材とを備え、前記スプレー取付部材を前記制御部本体の幅よりも狭い幅に設けるとともに前記制御部本体の電源を前記室外ユニットの圧縮機の電源供給部へ接続するようにしたので、スプレー取付部材をコンパクトに形成できるとともに空気調和機が運転されると室外ユニットが運転され空気調和機用散水装置へ電源が供給されるようにできる。
また、前記スプレー取付部材の前記散水スプレーが取り付けられるスプレー取付台を上下に位置を変えられるようにしたので、散水スプレーの上下位置を調節して散水位置を適切にすることができる。
また、前記散水スプレーを上下に２基設けたので、散水範囲を広くすることができる。
また、前記制御部本体には、室外ユニットの設置位置にて当該室外ユニットの端部へ当接する当接片を設けたので、制御部本体の室外ユニット上部への取付けが容易となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月6日(2004.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次電子ビームと該ビームを試料表面に照射して、該試料の観察および又は評価を行う電子ビーム装置であって、該試料の観察および又は評価の前工程、または、同一工程にて、該一次電子ビームとは別の電子源により、試料に電子を照射して、該試料のチャージアップを中和する装置を含む電子ビーム装置であって、当該別電子源にカーボンナノチューブ冷陰極を使用する事を特徴とする電子ビーム装置。
【請求項２】
該カーボンナノチューブ冷陰極からのエミッション電流制御を、該試料の陽極電位と、カーボンナノチューブ冷陰極との間の電界強度の制御により行う事を特徴とする請求項１の電子ビーム装置。
【請求項３】
上記カーボンナノチューブ冷陰極は、試料に対向する板状、または、円筒上の鉄固体上面に、該カーボンナノチューブをＨ2＋ＣＨ4プラズマＣＶＤ（化学的気相成長）法により垂直配向成長（固体上面に対して該カーボンナノチューブを垂直に成長）させる事を特徴とする請求項１または２の電子ビーム装置。
【請求項４】
上記プラズマＣＶＤ（化学的気相成長）法において、該カーボンナノチューブの成長を促進するＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉなどの触媒の添加量を増減させる事で、基板上の単位面積あたりのカーボンナノチューブの形成密度を制御した事を特徴とする請求項１〜３のいずれかによる電子ビーム装置。
【請求項５】
該カーボンナノチューブ冷陰極の使用前に、加熱処理を行って、カーボンナノチューブ表面上に形成された水蒸気、ハイドロカーボンなどの吸着分子を脱離し、該表面からの電子放出を容易にした事を特徴とする請求項１〜４のいずれかによる電子ビーム装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかによる電子ビーム装置を用いてプロセス途中或いは終了後のウェーハの評価を行うことを特徴とするデバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月1日(2005.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】微細構造体の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  予め定められた形状及び寸法を有する突起パターンを基板の表面に備えた微細構造体を製造する方法であって、下記の工程：
前記突起パターンに対応する形状及び寸法を有する溝パターンを表面に備えるとともに、１０〜８０℃で粘度が３，０００〜１００，０００ｃｐｓである第１硬化性材料からなる基層と、前記基層の表面を被覆した、１０〜８０℃で粘度が２００ｃｐｓ以下である第２硬化性材料からなる被覆層とを備えた可とう性成形型を用意する工程、
前記基板と前記成形型の被覆層との間に硬化性の成形材料を配置して、前記成形材料を前記成形型の溝パターンに充填する工程、
前記成形材料を硬化させ、前記基板とそれに一体的に結合した突起パターンとからなる微細構造体を形成する工程、
前記微細構造体を前記成形型から取り去る工程、
を含んでなることを特徴とする微細構造体の製造方法。
【請求項２】  前記基層及び前記被覆層が透明である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】  前記基層の裏面に透明な支持層をさらに含む、請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】  前記溝パターンが、一定の間隔をあけて互いに交差しながら略平行に配置された複数本の溝部をもって構成された格子状パターンである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】  前記成形材料が光硬化性材料である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項６】  前記微細構造体がプラズマディスプレイパネル用背面板である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月20日(2004.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記軽金属塩は、化１に示したリチウムビス［１，２−ベンゼンジオラト（２−）−Ｏ，Ｏ’］ボレート、または化２に示したリチウムトリス［１，２−ベンゼンジオラト（２−）−Ｏ，Ｏ’］フォスフェートであることを特徴とする請求項１記載の電池。
【化１】
2004047231.tif 000001
【化２】
2004047231.tif 000002
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
出発原料となる有機材料としては、石炭あるいはピッチを用いることができる。ピッチには、例えば、コールタール，エチレンボトム油あるいは原油などを高温で熱分解することにより得られるタール類、アスファルトなどを蒸留（真空蒸留，常圧蒸留あるいはスチーム蒸留），熱重縮合，抽出，化学重縮合することにより得られるもの、木材乾留時に生成されるもの、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート、ポリビニルブチラートまたは３，５−ジメチルフェノール樹脂がある。これらの石炭あるいはピッチは、炭化の途中最高４００℃程度において液体として存在し、その温度で保持されることで芳香環同士が縮合・多環化し、積層配向した状態となり、そののち約５００℃以上で固体の炭素前駆体、すなわちセミコークスとなる（液相炭素化過程）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
中でも、Ｂ−Ｏ結合またはＰ−Ｏ結合を有するリチウム塩が好ましく、Ｏ−Ｂ−Ｏ結合またはＯ−Ｐ−Ｏ結合を有するリチウム塩であればより好ましい。より高い効果を得ることができるからである。このようなリチウム塩としては、化３に示したリチウムビス［１，２−ベンゼンジオラト（２−）−Ｏ，Ｏ’］ボレート、または化４に示したリチウムトリス［１，２−ベンゼンジオラト（２−）−Ｏ，Ｏ’］フォスフェートなどの環式化合物が好ましく挙げられる。環式の部分も被膜の形成に関与していると考えられ、安定した被膜を得ることができるからである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
また、リチウム塩の含有量は、電解液の場合と同様である。但し、ここで溶媒というのは、液状の溶媒のみを意味するのではなく、電解質塩を解離させることができ、イオン伝導性を有するものを広く含む概念である。よって、高分子化合物にイオン伝導性を有するものを用いる場合には、その高分子化合物も溶媒に含まれる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
その際、実施例１〜６で、リチウム塩の種類および含有量を表１に示したように変化させた。このうち実施例１は化３に示したリチウムビス［１，２−ベンゼンジオラト（２−）−Ｏ，Ｏ’］ボレートを用いたものであり、実施例２〜５は化３に示したリチウムビス［１，２−ベンゼンジオラト（２−）−Ｏ，Ｏ’］ボレートと他のリチウム塩とを混合して用いたものであり、実施例６は化４に示したリチウムトリス［１，２−ベンゼンジオラト（２−）−Ｏ，Ｏ’］フォスフェートを用いたものである。電解質塩の含有量は、実施例１〜６のいずれについても、０．５ｍｏｌ／ｌとした。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
電池缶１１の内部に電解液を注入したのち、表面にアスファルトを塗布したガスケット１７を介して電池蓋１４を電池缶１１にかしめることにより、実施例１〜６について直径１４ｍｍ、高さ６５ｍｍの円筒型二次電池を得た。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月8日(2005.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記Ｉ群から選ばれた少なくとも１つのアンモニウムカチオンと下記ＩＩ群から選ばれた少なくとも１つのアニオンから成る塩構造を含有する化合物を（Ａ），Ａと共通のカチオン構造又は／およびアニオン構造を有し，且つ重合性官能基を含有する単量体を（Ｂ）とするとき，Ａ／Ｂ（重量比）＝９９．９／０．１〜０／１００からなるイオン性化合物が含浸されているシート状樹脂成形物中および表面の単量体Ｂを重合させて得られることを特徴とするイオン性樹脂シート。
（Ｉ群）ピロリウムカチオン，イミダゾリウムカチオン，ピラゾリウムカチオン，ベンズイミダゾリウムカチオン，ビリジニウムカチオン，インドリウムカチオン，カルバゾリウムカチオン，キノリニウムカチオン，ピペリジニウムカチオン，ピペラジニウムカチオン、アルキルアンモニウムカチオン（但し，炭素数１〜３０のアルキル）
（いずれも，Ｎおよび／又は環が炭素数１〜１０の炭化水素基で置換されているものを含む）
（ＩＩ群）ＢＦ４，ＰＦ６，ＣｎＦ２ｎ＋１ＣＯ２（但しｎは１〜４の整数），ＣｎＦ２ｎ＋１ＳＯ３（但しｎは１〜４の整数），（ＦＳＯ２）２Ｎ（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ，（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ，（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ，ＣＦ３ＳＯ２−Ｎ−ＣＯＣＦ３，ＲＳＯ３（Ｒは脂肪族基），ＡｒＳＯ３（Ａｒは芳香族基），Ｒ−ＳＯ２−Ｎ−ＳＯ２ＣＦ３（Ｒは脂肪族基），ＡｒＳＯ２−Ｎ−ＳＯ２ＣＦ３（Ａｒは芳香族基）
【請求項２】
イオン性化合物において、更に単量体（Ｂ）と共重合可能な重合性官能基を２個以上有する単量体（Ｃ）を単量体（Ｂ）に対して０．５モル％以上含有することを特徴とする請求項１記載のイオン性樹脂シート。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために，下記Ｉ群から選ばれた少なくとも１つのアンモニウムカチオンと下記ＩＩ群から選ばれた少なくとも１つのアニオンから成る塩構造を含有する化合物を（Ａ），Ａと共通のカチオン構造又は／およびアニオン構造を有し，且つ重合性官能基を含有する単量体を（Ｂ）とするとき，Ａ／Ｂ（重量比）＝９９．９／０．１〜０／１００からなるイオン性化合物が含浸されているシート状樹脂成形物中および表面の単量体Ｂを重合させて得られることを特徴とするイオン性樹脂シートを用いる。
（Ｉ群）ピロリウムカチオン，イミダゾリウムカチオン，ピラゾリウムカチオン，ベンズイミダゾリウムカチオン，ピリジニウムカチオン，インドリウムカチオン，カルバゾリウムカチオン，キノリニウムカチオン，ピペリジニウムカチオン，ピペラジニウムカチオン、アルキルアンモニウムカチオン（但し，炭素数１〜３０のアルキル）
（いずれも，Ｎおよび／又は環が炭素数１〜１０の炭化水素基で置換されているものを含む）
（ＩＩ群）ＢＦ４，ＰＦ６，ＣｎＦ２ｎ＋１ＣＯ２（但しｎは１〜４の整数），ＣｎＦ２ｎ＋１ＳＯ３（但しｎは１〜４の整数），（ＦＳＯ２）２Ｎ（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ，（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ，（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ，ＣＦ３ＳＯ２−Ｎ−ＣＯＣＦ３，ＲＳＯ３（Ｒは脂肪族基），ＡｒＳＯ３（Ａｒは芳香族基），Ｒ−ＳＯ２−Ｎ−ＳＯ２ＣＦ３（Ｒは脂肪族基），ＡｒＳＯ２−Ｎ−ＳＯ２ＣＦ３（Ａｒは芳香族基）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明において，アンモニウムカチオンと塩構造を形成する特定のアニオン種は次に示す通りである。
ＢＦ４，ＰＦ６，ＣｎＦ２ｎ＋１ＣＯ２（但しｎは１〜４の整数），ＣｎＦ２ｎ＋１ＳＯ３（但しｎは１〜４の整数），（ＦＳＯ２）２Ｎ（ＣＦ３ＳＯ２）２Ｎ，（Ｃ２Ｆ５ＳＯ２）２Ｎ，（ＣＦ３ＳＯ２）３Ｃ，ＣＦ３ＳＯ２−Ｎ−ＣＯＣＦ３，ＲＳＯ３（Ｒは脂肪族基），ＡｒＳＯ３（Ａｒは芳香族基），Ｒ−ＳＯ２−Ｎ−ＳＯ２ＣＦ３（Ｒは脂肪族基），ＡｒＳＯ２−Ｎ−ＳＯ２ＣＦ３（Ａｒは芳香族基）
これら特定のアニオン種は耐熱性，耐酸化性に優れ，電池やキャパシターに用いるために好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月21日(2005.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
Ｅ＝［３×Ｐ１０×（１−Ｋ２）］／［２０．５×Ｓ１．５×Ｒ０．５］
［ただし、Ｅは圧縮弾性率（ＭＰａ）、Ｐ10は圧縮荷重（Ｎ）、Ｋは粒子のポアソン比（定数０．３８）、Ｓは圧縮変位（ｍｍ）、Ｒは粒子の半径（ｍｍ）である。］
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月4日(2004.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】磁気抵抗効果型磁気ヘッド及び記録再生装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テープ状記録媒体に対して摺接して用いられる磁気抵抗効果型の磁気ヘッドであって、
一対の磁気シールド部材のシールド間ギャップに磁気抵抗効果素子が配されてなり、
上記一対の磁気シールド部材のうち、当該磁気抵抗効果型磁気ヘッドが上記テープ状記録媒体に対して摺接したときに、上記テープ状記録媒体が進入する側に位置する一方の磁気シールド部材が、上記テープ状記録媒体が退出する他方の磁気シールド部材と比較して、硬度が低く、かつ膜質が粗く、かつ引っ張り応力が強い薄膜よりなることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項２】
上記他方の磁気シールド部材は、第１の基板上に成膜された薄膜よりなり、上記一方の磁気シールド部材は、上記磁気抵抗効果素子を間に挟んで上記他方の磁気シールド部材上に成膜されてなると共に、上記一方の磁気シールド部材上に、接着剤を介して第２の基板材が接合されていることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項３】
回転ドラムに搭載されて、テープ状記録媒体に対してヘリカルスキャン方式により再生動作を行うことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
【請求項４】
テープ状記録媒体に対して磁気ヘッドを摺接させて、上記テープ状記録媒体に対する信号の記録及び／又は再生を行う記録再生装置において、
再生用の磁気ヘッドとして、一対の磁気シールド部材間のシールド間ギャップに磁気抵抗効果素子が配されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを備え、
上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、上記一対の磁気シールド部材のうち、一方に比し硬度が低く、かつ膜質が粗く、かつ引っ張り応力が強い薄膜よりなる磁気シールド部材が、当該磁気ヘッドに摺接するテープ状記録媒体の進入側に位置するように配設されていることを特徴とする記録再生装置。
【請求項５】
上記一対の磁気シールド部材のうち、一方の磁気シールド部材は第１の基板上に成膜された薄膜よりなり、他方の磁気シールド部材は上記磁気抵抗効果素子を間に挟んで上記一方の磁気シールド部材上に成膜され、上記他方の磁気シールド部材上に、接着剤を介して第２の基板材が接合されていることを特徴とする請求項４記載の記録再生装置。
【請求項６】
上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは回転ドラムに搭載されてなり、テープ状記録媒体に対してヘリカルスキャン方式により再生動作を行うことを特徴とする請求項４記載の記録再生装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、テープ状記録媒体に対して摺接して用いられる磁気抵抗効果型の磁気ヘッドであって、一対の磁気シールド部材のシールド間ギャップに磁気抵抗効果素子が配されてなり、上記一対の磁気シールド部材のうち、当該磁気抵抗効果型磁気ヘッドが上記テープ状記録媒体に対して摺接したときに、上記テープ状記録媒体が進入する側に位置する一方の磁気シールド部材が、上記テープ状記録媒体が退出する他方の磁気シールド部材と比較して、硬度が低く、かつ膜質が粗く、かつ引っ張り応力が強い薄膜よりなることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、本発明に係る記録再生装置は、テープ状記録媒体に対して磁気ヘッドを摺接させて、上記テープ状記録媒体に対する信号の記録及び／又は再生を行う記録再生装置において、再生用の磁気ヘッドとして、一対の磁気シールド部材間のシールド間ギャップに磁気抵抗効果素子が配されてなる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを備え、上記磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、上記一対の磁気シールド部材のうち、一方に比し硬度が低く、かつ膜質が粗く、かつ引っ張り応力が強い薄膜よりなる磁気シールド部材が、当該磁気ヘッドに摺接するテープ状記録媒体の進入側に位置するように配設されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月11日(2005.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光学的情報記録媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録レーザが照射されることにより情報の記録が行われる光学的情報記録媒体であって、記録レーザ光波長である波長λにおける推奨記録パワーＰｏの波長依存性を示すパラメータγｐとして、
γｐ＝ｄ｛ｌｏｇ（Ｐｏ）｝／ｄ｛ｌｏｇ（λ）｝
により求まる当該パラメータγｐが、前記波長λと、該波長λにおける推奨記録パワーＰｏ（λ）とともに予め記録されていることを特徴とする光学的情報記録媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスクなどの光学的情報記録媒体に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、上述のごとき従来技術の欠点を改善し、少ないパラメータで推奨記録パワーの記録光波長依存性を効率的に表し、この少ないパラメータを有効に利用し、記録光波長の多少の変化に対して実用十分なレベルで記録パワーを校正できる光学的情報記録媒体を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１の光学的情報記録媒体の発明は、記録レーザが照射されることにより情報の記録が行われる光学的情報記録媒体であって、記録レーザ光波長である波長λにおける推奨記録パワーＰｏの波長依存性を示すγｐとして、
γｐ＝ｄ｛ｌｏｇ（Ｐｏ）｝／ｄ｛ｌｏｇ（λ）｝
により求まる、当該パラメータγｐが、前記波長λと、該波長λにおける推奨記録パワーＰｏ（λ）とともに予め記録されていることを特徴としたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月4日(2005.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
陽極及び蛍光体を内面に有する前面基板と、
電子源を有する複数本の陰極配線と、表示領域内で前記陰極配線と非接触で、かつ前記電子源からの電子を前記前面基板側に通過させるように複数本の帯状電極素子を平行配列した板部材制御電極を内面に有して前記前面基板と所定の間隔をもって対向する背面基板と、
前記前面基板と背面基板の対向する内面外周に介挿した外枠とを有する表示装置であって、
前記背面基板に有する板部材制御電極を構成する前記複数本の帯状電極素子の配列方向かつ前記表示領域内の隣接する側縁の一部に溶融切断痕を有することを特徴とする表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004047158.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月31日(2005.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一定のピッチ間隔で電子回路を形成した電子回路キャリア部を有するテープが巻回された供給リールがセットされるテープ供給部と、このテープの電子回路を打ち抜いて電子回路部品をテープから分離する打ち抜き部とを備えた電子回路部品の打ち抜き装置において、
前記テープ供給部には、前記供給リールが着脱可能に装着されるリール装着部が少なくとも２箇所設けられ、
かつ一方の供給リールからテープが供給されている間は他方の供給リールを待機させ、この待機中のテープの先端を係脱可能に保持させ、使用中の供給リールから供給されるテープの最後の電子回路部形成位置より後方位置に、待機中の供給リールからのテープ先端を接続して、この待機中の供給リールからテープを供給するように切り換える経路切換手段を備える
構成としたことを特徴とする電子回路部品の打ち抜き装置。
【請求項２】
前記テープ供給部から前記打ち抜き部までのテープ走行経路の途中に、前記使用中の供給リールから供給される前記テープの最後に打ち抜かれる電子回路部の位置を検出する終端検出手段を設け、この終端検出手段からの信号に基づいて前記経路切換手段を作動させる構成としたことを特徴とする請求項１記載の電子回路部品の打ち抜き装置。
【請求項３】
前記テープは前記電子回路キャリア部の前後に電子回路部が設けられていないリーダテープ部を有するものであり、前記経路切換手段は、前記使用中の供給リールから送り出された後端側リーダテープ部の連結部より後方側の位置を切断する切断手段と、この切断手段により切断されたテープ後端を保持して待機中のテープの先端部分と所定長さ重ね合わせるためのテープ保持手段と、両テープを固着するテープ連結手段とを含む構成としたことを特徴とする請求項１記載の電子回路部品の打ち抜き装置。
【請求項４】
テープ供給部にセットされ、一定のピッチ間隔で電子回路を形成した電子回路キャリア部を有するテープが巻回された供給リールから供給されるテープを打ち抜き部で電子回路を打ち抜いて電子回路部品をテープから分離する装置において、１つの供給リールからのテープが使い切られた後に、新たな供給リールからテープを供給できるように供給リールを交換する方法であって、
１つの供給リールからテープの供給が行われている間に、前記テープ供給部に新たな供給リールをセットして、この新たな供給リールのテープ先端を経路切換手段に接続し、
前記１つの供給リールのテープが使い切られたことを検出したときに、前記経路切換手段によって、この供給中のテープに新たな供給リールからのテープを連結・固着して、使用済みのテープへの新たなテープの連結部よりテープの送り方向の後方部を切断することを特徴とする電子回路部品の打ち抜き装置の供給リール交換方法。
【請求項５】
フィルム基板に形成した配線パターンにＩＣ回路素子からなる電子部品を搭載した電子回路部品を製造する方法において、
テープ供給部に２箇所設けたリール支軸のそれぞれに、配線パターンが形成され、かつこれらの配線パターンに電子部品を接続した電子回路部を一定のピッチ間隔で形成したテープを巻回した供給リールをセットし、
これら２つの供給リールのうち、一方の供給リールから打ち抜き部にテープをピッチ送りする間に、センサにより前記電子部品を検出し、かつ前記電子回路部をこの打ち抜き部で位置決めした後、この打ち抜き部に設けたカッタを作動させて、前記電子部品部毎に打ち抜くことにより前記電子回路部品を順次前記テープから分離して取り出し、
この一方の供給リールから供給されたテープが使い切られたことを前記センサで検出したときに、他方の供給リールからのテープの先端を前記使い切ったテープにおける最後の電子回路部より後部側に連結・固着して、使用済みテープの新たなテープの連結部よりテープの送り方向の後方部を切断し、この他方の供給リールから供給されたテープからの電子回路部が前記打ち抜き部に供給されたときに、前記電子回路部品の打ち抜きを開始し、
この他方の供給リールでの電子回路部品の打ち抜きを行っている間に、テープが使い切られた前記一方の供給リールを新たな供給リールと交換することを特徴とする電子回路部品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、テープ供給部にセットされ、一定のピッチ間隔で電子回路部を形成した電子回路キャリア部を有するテープが巻回された供給リールから供給されるテープを打ち抜き部で電子回路部を打ち抜いて電子回路部品をテープから分離する装置において、１つの供給リールからのテープが使い切られた後に、新たな供給リールからテープを供給できるように供給リールを交換する方法についての発明は、１つの供給リールからテープの供給が行われている間に、前記テープ供給部に新たな供給リールをセットして、この新たな供給リールのテープ先端を経路切換手段に接続し、前記１つの供給リールのテープが使い切られたことを検出したときに、前記経路切換手段によって、この供給中のテープに新たな供給リールからのテープを連結・固着して、使用済みのテープへの新たなテープの連結部よりテープの送り方向の後方部を切断することをその特徴とするものである。
さらに、フィルム基板に形成した配線パターンにＩＣ回路素子からなる電子部品を搭載した電子回路部品を製造する方法としては、テープ供給部に２箇所設けたリール支軸のそれぞれに、配線パターンが形成され、かつこれらの配線パターンに電子部品を接続した電子回路部を一定のピッチ間隔で形成したテープを巻回した供給リールをセットし、これら２つの供給リールのうち、一方の供給リールから打ち抜き部にテープをピッチ送りする間に、センサにより前記電子部品を検出し、かつ前記電子回路部をこの打ち抜き部で位置決めした後、この打ち抜き部に設けたカッタを作動させて、前記電子部品部毎に打ち抜くことにより前記電子回路部品を順次前記テープから分離して取り出し、この一方の供給リールから供給されたテープが使い切られたことを前記センサで検出したときに、他方の供給リールからのテープの先端を前記使い切ったテープにおける最後の電子回路部より後部側に連結・固着して、使用済みテープの新たなテープの連結部よりテープの送り方向の後方部を切断し、この他方の供給リールから供給されたテープからの電子回路部が前記打ち抜き部に供給されたときに、前記電子回路部品の打ち抜きを開始し、この他方の供給リールでの電子回路部品の打ち抜きを行っている間に、テープが使い切られた前記一方の供給リールを新たな供給リールと交換することを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月4日(2005.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された電極と、
前記電極を覆うように形成され、前記電極の表面を露出させ、その平面形状の外形が、巨視的にほぼ円形である開口部が形成された絶縁膜とを有する半導体チップが複数個形成された半導体ウェハを準備する工程と、
前記開口部の内部で、プローブ針と前記電極とを接触させ、前記半導体チップの検査をする工程と、
前記半導体ウェハをダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、
配線を有するパッケージ基板を準備する工程と、
前記半導体チップの前記電極と、前記パッケージ基板の前記配線とを電気的に接続する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体装置の製造方法に関し、より特定的には、絶縁膜の開口部から露出する電極を備える半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明は、上記のような課題を解決するために成されたものであり、この発明の目的は、半導体装置の製造工程におけるウェハテスト工程でのプローブ針の位置合せにおける精度余裕を大きくすることが可能な半導体装置の製造方法を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この発明に従った半導体装置の製造方法は、半導体基板と電極と絶縁膜とを有する半導体チップが複数個形成された半導体ウェハを準備する工程と、前記半導体チップの検査をする工程と、半導体ウェハをダイシングし、個々の半導体チップに分割する工程と、配線を有するパッケージ基板を準備する工程と、半導体チップの電極と、パッケージ基板の配線とを電気的に接続する工程とを備える。半導体チップにおいて電極は半導体基板上に形成されている。絶縁膜は電極を覆うように形成されている。絶縁膜には電極の表面を露出させ、その平面形状の外形が、巨視的にほぼ円形である開口部が形成されている。半導体チップの検査をする工程では、開口部の内部で、プローブ針と電極とを接触させる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月4日(2005.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に搭載された複数の半導体チップと、
前記複数の半導体チップを一括して封止する封止樹脂と、
前記基板の裏面に形成された複数の端子であって、隣り合う前記半導体チップの最も近接する該端子の間隔が、前記半導体チップにおける該端子の間隔の整数倍である端子と、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
隣り合う前記半導体チップの間の前記樹脂に、２つの切断部分をそれぞれ設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置において、
前記端子は、前記半導体チップと電気的に接続されたランドを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置において、
前記端子は、前記ランド上に形成された半田ボールを更に含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
基板の表面に複数の半導体チップを搭載する工程と、
前記複数の半導体チップを一括して封止樹脂で封止する工程と、
前記基板の裏面に複数の端子を形成する工程であって、隣り合う半導体チップの最も近接する端子の間隔が、半導体チップにおける端子の間隔の整数倍となるように端子を形成する工程と、
前記複数の半導体チップの電気的試験を行う工程と、
前記樹脂および前記基板を切断して、前記半導体チップを個片化する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の製造方法において、
前記電気的試験は、前記半導体チップにおける端子の間隔と同じ間隔でグリッド状に配置したテストコンタクトピンを用いて行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５又は６に記載の製造方法において、
前記半導体チップを個片化する工程は、隣り合う半導体チップの間を２回切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項５から７の何れかに記載の製造方法において、
前記複数の端子を形成する工程は、前記半導体チップと電気的に接続された複数のランドを形成する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の製造方法において、
前記複数の端子を形成する工程は、前記ランド上に半田ボールを形成する工程を更に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
表面と、裏面と、前記裏面上に形成された第１の複数のランドと、前記裏面上に形成された第２の複数のランドとを有する基板であって、前記第１の複数のランドと前記第２の複数のランドが最も近接する部分の間隔が、前記第１の複数のランドの中で互いに最も近接する部分の間隔の整数倍となっている基板を準備する工程と、
第１の半導体チップ及び第２の半導体チップを前記基板の表面上に配置し、前記第１の半導体チップと前記第１の複数のランドとを電気的に接続し、前記第２の半導体チップと前記第２の複数のランドとを電気的に接続する工程と、
前記第１及び第２の半導体チップを電気的に接続した後に、前記第１の半導体チップと前記第２の半導体チップとを一括して封止する樹脂封止部を形成する工程と、
前記樹脂封止部を形成した後に、前記第１の複数のランドを介して前記第１の半導体チップに電気的試験を行い、前記第２の複数のランドを介して前記第２の半導体チップに電気的試験を行う工程と、
前記電気的試験を行った後に、前記第１の複数のランドと前記第２の複数のランドとの間の前記基板及び前記樹脂封止部に２つの切断部分を形成することで、前記基板及び前記樹脂封止部を、前記第１の半導体チップを含む部分と、前記第２の半導体チップを含む部分と、前記２つの切断部分の間の切り残し部とに分離する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記分離する工程の前に、前記第１の複数のランドと前記第２の複数のランドのそれぞれの上に、半田ボールを形成する工程を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０に記載の半導体装置の製造方法において、
前記切断部分の形成は、ダイサーによる切断によって行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月16日(2005.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
図７、図８を参照して、内部電源電位ＩＮＴＶＤＤが３．０Ｖであるときに基板電位ＶＢＢは−１．０Ｖとなる。このときにノードＮ２２の電位は１．０Ｖ、ノードＮ２１の電位は２．０Ｖとなっている。つまり、基板電位ＶＢＢが−（１／３）×ＩＮＴＶＤＤの場合に電源電位ＩＮＴＶＤＤをほぼ正確に３分の１に分圧していることがわかる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月14日(2005.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光素子と、
前記発光素子の上方および下方の各々に設けられ、窒素および珪素を含み、且つＮＨ４ＨＦ２を７．１３％とＮＨ４Ｆを１５．４％とを含むエッチング液に対するエッチング速度が９ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する無機絶縁膜と、
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの上方および下方の各々に設けられ、窒素および珪素を含み、且つアルカリ金属に対してのブロッキング性を有する無機絶縁膜と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
発光素子と、
前記発光素子の上方および下方の各々に設けられ、窒素および珪素を含み、且つＮＨ４ＨＦ２を７．１３％とＮＨ４Ｆを１５．４％とを含むエッチング液に対するエッチング速度が９ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する無機絶縁膜と、
平坦化の機能を有する有機樹脂膜と、
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの上方および下方の各々に設けられ、窒素および珪素を含み、且つアルカリ金属に対してのブロッキング性を有する無機絶縁膜と、を有し、
前記発光素子と前記薄膜トランジスタとの間に前記有機樹脂膜が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に有機化合物層を含む発光素子と、
前記発光素子の上方、下方、および前記陽極の端部上の各々に設けられ、窒素および珪素を含み、且つＮＨ４ＨＦ２を７．１３％とＮＨ４Ｆを１５．４％とを含むエッチング液に対するエッチング速度が９ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する無機絶縁膜と、
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの上方および下方の各々に設けられ、窒素および珪素を含み、且つアルカリ金属に対してのブロッキング性を有する無機絶縁膜と、を有することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に有機化合物層を含む発光素子と、
前記発光素子の上方、下方、および前記陽極の端部上の各々に設けられ、窒素および珪素を含み、且つＮＨ４ＨＦ２を７．１３％とＮＨ４Ｆを１５．４％とを含むエッチング液に対するエッチング速度が９ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する無機絶縁膜と、
平坦化の機能を有する有機樹脂膜と、
薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの上方および下方の各々に設けられ、窒素および珪素を含み、且つアルカリ金属に対してのブロッキング性を有する無機絶縁膜と、を有し、
前記発光素子と前記薄膜トランジスタとの間に前記有機樹脂膜が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記窒素および珪素を含み、且つＮＨ４ＨＦ２を７．１３％とＮＨ４Ｆを１５．４％とを含むエッチング液に対するエッチング速度が９ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する無機絶縁膜は、水素を１×１０２１ａｔｏｍｉｃｓ／ｃｍ−３以下の濃度で含むことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記窒素および珪素を含み、且つＮＨ４ＨＦ２を７．１３％とＮＨ４Ｆを１５．４％とを含むエッチング液に対するエッチング速度が９ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する無機絶縁膜は、水素を１×１０２１ａｔｏｍｉｃｓ／ｃｍ−３以下の濃度で含み、酸素を５×１０１８〜５×１０２１ａｔｏｍｉｃｓ／ｃｍ−３の濃度で含むことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記窒素および珪素を含み、且つＮＨ４ＨＦ２を７．１３％とＮＨ４Ｆを１５．４％とを含むエッチング液に対するエッチング速度が９ｎｍ／ｍｉｎ以下の特性を有する無機絶縁膜は、アルゴンを含むことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記発光素子はアルカリ金属を含むことを特徴とする発光装置。