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【手続補正書】
【提出日】平成16年6月22日(2004.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬＳＩチップ本体と、
前記ＬＳＩチップ本体の表面上に設けられた複数のパッドと、
前記ＬＳＩチップ本体に内蔵され、信号の入出力制御を行う通信制御部と、
前記複数のパッドにそれぞれ内蔵され、電磁波信号を送受信する送受信用アンテナと、
前記ＬＳＩチップ本体に内蔵され、前記送受信用アンテナと通信制御部との間で信号のやりとりをする無線送受信部と、
を備えたことを特徴とするＬＳＩチップ。
【請求項２】
前記複数のパッドの各々に内蔵されている前記送信用アンテナと前記受信用アンテナとでは反射率のピークが異なる周波数を用いて前記電磁波信号を区別することを特徴とする請求項１記載のＬＳＩチップ。
【請求項３】
前記送受信用アンテナは逆Ｆ形であることを特徴とする請求項１又は２記載のＬＳＩチップ。
【請求項４】
前記複数のパッドは、前記ＬＳＩチップ本体の外周表面上に設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載されたＬＳＩチップ。
【請求項５】
ＬＳＩチップ本体と、
前記ＬＳＩチップ本体の表面上に設けられたパッドと、
前記パッドに内蔵され、電磁波信号を送受信する送受信用アンテナと、
前記ＬＳＩチップ本体に内蔵され、前記電磁波信号をデジタル信号に変換、あるいは、前記デジタル信号を前記電磁波信号に変換する信号変換部とを備えたことを特徴とするＬＳＩチップ。
【請求項６】
前記デジタル信号の伝送を制御する通信制御部を備えたことを特徴とする請求項５記載のＬＳＩチップ。
【請求項７】
前記送受信用アンテナは逆Ｆ形であることを特徴とする請求項５又は６記載のＬＳＩチップ。
【請求項８】
前記パッドは前記ＬＳＩチップの外周表面上に形成されていることを特徴とする請求項５〜７のいずれか一つに記載されたＬＳＩチップ。
【請求項９】
前記送受信用アンテナでは、反射率のピークが互いに異なる周波数の前記電磁波信号が送受信されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一つに記載されたＬＳＩチップ。
【請求項１０】
プリント基板に複数のＬＳＩチップを搭載し、前記複数のＬＳＩチップの各々はＬＳＩチップ本体と、前記ＬＳＩチップ本体外周表面に設けられた複数のパッドと、前記ＬＳＩチップ本体に内蔵され、信号の入出力制御を行う通信制御部と、前記複数のパッドにそれぞれ内蔵された送受信用アンテナと、前記ＬＳＩチップ本体に内蔵され、前記複数のパッドの各々の前記送受信用アンテナと前記通信制御部との間で信号のやり取りをする無線送受信部とを備え、前記複数のＬＳＩチップの各々のパッド相互環及び１つのＬＳＩチップのパッドとそれ以外のＬＳＩチップのパッドとの間で信号の伝送を電磁波で行うようにしたことを特徴とするＬＳＩチップ感の伝送方法。
【請求項１１】
前記複数のプリント基板をそれぞれシールドして複数のローカルシステムを形成し、各ローカルシステムにその内部と外部との信号の伝送を電磁波で行うための内外通信用アンテナを設け、１つのローカルシステム内のＬＳＩチップのパッドとそれ以外のローカルシステム内のＬＳＩチップのパッドとの間で信号の伝送を前記電磁波で行うようにしたことを特徴とする請求項１０記載のＬＳＩチップ間の伝送方法。
【請求項１２】
前記ローカルシステムに電源送信用アンテナを設け、その電源送信用アンテナに電磁変換部が直流電源をＤＣ−ＡＣ変換により電磁波変換して伝送し、電源送信用アンテナから送信された電磁波により前記ローカルシステム内のＬＳＩチップに電源を供給するようにしたことを特徴とする請求項１１記載のＬＳＩチップ間の伝送方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るＬＳＩは、ＬＳＩ本体と、ＬＳＩ本体の表面上に設けられた複数のパッドと、ＬＳＩチップ本体に内蔵され、信号の入出力制御を行う通信制御部と、複数のパッドにそれぞれ内蔵され、送受信用アンテナと通信制御部との間で信号のやり取りをする無線送受信部とを備えている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明においては、プリント基板に複数のＬＳＩチップが搭載され、その１つのＬＳＩチップ内の通信制御部がある１つのパッドに対応する無線送受信部に信号を伝送し、その無線送受信部はその信号を所定の周波数の電磁波信号に変換してパッドに内蔵された送受信用アンテナに伝送し、その送受信用アンテナから電磁波信号が送信され、その電磁波信号を受信可能な別のパッド或いはプリント基板に搭載された別のＬＳＩチップのパッドに内蔵されている送受信用アンテナで受信されて無線送受信部に電磁波信号が伝送され、その無線送受信部がその電磁波信号を直流の信号に変換して通信制御部に伝送することにより、ＬＳＩチップのパッド相互間或いは各々のＬＳＩチップのパッド同士の間において信号の無線による伝送が行われるようにしたので、プリント基板に搭載されたＬＳＩチップにワイヤーボンディングをしなくて良いため、実装面積を小さくすることができ、また組立工程も削減できるためコストダウンにもなり、さらに、伝送線路を持たないため、信号のやりとりのスピードアップができ、しかもワイヤーボンディング工程を削除できるため、ワイヤーボンディング工程によるパッド間隔の制限がなくなり、多数のパッドを取ることができ、またＬＳＩチップの４辺のみでなく内部にもパッドを取ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、プリント基板に複数のＬＳＩチップが搭載され、その１つのＬＳＩチップ内の通信制御部がある１つのパッドに対応する無線送受信部に信号を伝送し、その無線送受信部はその信号を所定の周波数の電磁波信号に変換してパッドに内蔵された送受信用アンテナに伝送し、その送受信用アンテナから電磁波信号が送信され、その電磁波信号を受信可能な別のパッド或いはプリント基板に搭載された別のＬＳＩチップのパッドに内蔵されている送受信用アンテナで受信されて無線送受信部に電磁波信号が伝送され、その無線送受信部がその電磁波信号を直流の信号に変換して通信制御部に伝送することにより、ＬＳＩチップのパッド相互間或いは各々のＬＳＩチップのパッド同士の間において信号の無線による伝送が行われるようにしたので、プリント基板に搭載されたＬＳＩチップにワイヤーボンディングをしなくて良いため、実装面積を小さくすることができ、また組立工程も削減できるためコストダウンにもなり、さらに、伝送線路を持たないため、信号のやりとりのスピードアップができ、しかもワイヤーボンディング工程を削除できるため、ワイヤーボンディング工程によるパッド間隔の制限がなくなり、多数のパッドを取ることができ、またＬＳＩチップの４辺のみでなく内部にもパッドを取ることができるという効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月18日(2005.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトリソグラフィでパターンを形成するためにウエハーにフォトレジスト液を塗布する方法において、外周縁に傾斜面を有するウエハー配置溝を形成したベースプレートにウエハーを配置する工程と、ウエハー押さえ部を有するマスクで該ウエハーを保持した後にフォトレジスト液を塗布する工程を有することを特徴とするウエハーのフォトレジスト液塗布方法。
【請求項２】
前記ウエハー配置溝が前記ウエハーとほぼ同じ外形である請求項１記載のウエハーのフォトレジスト液塗布方法。
【請求項３】
前記ウエハー配置溝の深さが前記ウエハーの厚みより１０ないし２０μｍ浅く形成されている請求項１または２記載のウエハーのフォトレジスト液塗布方法。
【請求項４】
前記ウエハーが円板状である請求項１ないし３のいずれか１項記載のウエハーのフォトレジスト液塗布方法。
【請求項５】
前記ウエハーが楕円板状である請求項１ないし３のいずれか１項記載のウエハーのフォトレジスト液塗布方法。
【請求項６】
前記ウエハーが水晶である請求項１ないし５のいずれか１項記載のウエハーのフォトレジスト液塗布方法。
【請求項７】
前記ウエハーがシリコンである請求項１ないし５のいずれか１項記載のウエハーのフォトレジスト液塗布方法。
【請求項８】
フォトリソグラフィでパターンを形成するためにウエハーにフォトレジスト液を塗布する装置において、外周縁に傾斜面を有するウエハー配置溝を形成したベースプレートを有することを特徴とするウエハーのフォトレジスト液塗布装置。
【請求項９】
前記ウエハー配置溝が前記ウエハーとほぼ同じ外形である請求項８記載のウエハーのフォトレジスト液塗布装置。
【請求項１０】
前記ウエハー配置溝の深さが前記ウエハーの厚みより１０ないし２０μｍ浅い請求項８または９記載のウエハーのフォトレジスト液塗布装置。
【請求項１１】
フォトリソグラフィでパターンを形成するためにウエハーにフォトレジスト液を塗布する装置用の部品としてのベースプレートであって、外周縁に傾斜面を有しウエハーとほぼ同じ外形のウエハー配置溝を有することを特徴とするウエハーのフォトレジスト液塗布装置用部品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
（２） ベースプレート２はアルミニュウム製であって、上記水晶ウエハー１を配置することができるような外形および寸法に形成されたウエハー配置溝８を複数個（通常は１ないし２）有する。該溝８の深さは、配置するウエハーより１０ないし２０μｍ浅く形成する。溝の外周縁は、図面で示すように、断面の上部から下部にかけての傾斜面９が形成されている。また、ベースプレート２には、複数のサマリウム・コバルト製焼結磁石５が配置されており、ウエハー押さえマスク３を磁力により固定する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
塗布終了後、ベースプレート２よりウエハー押さえマスク３を取り外してフォトレジスト液を塗布した水晶ウエハー１を容器などに収納する。この後、ベースプレート２などを清掃すればよい。
なお、本発明は、円板状や楕円板状のウエハーへのフォトレジスト液の塗布において特に顕著な効果を発揮する方法並びに装置および部品であるが、本発明の主旨に沿うものであれば上記実施例に限定されない。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月8日(2004.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二つの電極と、電極間に介在する誘電体とから構成されたコンデンサにおいて、電極の一方がニオブであり、該電極に電気的に付着した外部引出しリードがタンタルであるコンデンサ。
【請求項２】
電極の一方としてのニオブが、一部窒化された窒化ニオブであることを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項３】
誘電体が酸化ニオブであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のコンデンサ。
【請求項４】
電極の一方のニオブが、板、箔、棒、焼結体である請求項１乃至３のいずれかひとつに記載のコンデンサ。
【請求項５】
誘電体が、高分子物質またはセラミックスである請求項１乃至４のいずれかひとつに記載のコンデンサ。
【請求項６】
他方の電極が、電解液、有機半導体及び無機半導体から
選ばれた少なくとも一種を用いたものである請求項１乃至５のいずれかひとつに記載のコンデンサ。
【請求項７】
有機半導体が、ポリアニリン、ポリオキシフェニレン、ポリフェニレンサルファイド、ポリチオフェン、ポリフラン、ポリピロール、ポリメチルピロールから選ばれた少なくとも一種である請求項６記載のコンデンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月31日(2004.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ波発振回路が配置された回路基板と、該回路基板を覆うように配置されて接地導体に接続されたシールドとを備え、前記マイクロ波発振回路が発するマイクロ波を制御信号で変調して送信するリモコン送信部となる送信装置において、前記シールドにおけるマイクロ波発振用配線パターン近傍に形成した孔状のスロットを送信アンテナとすることを特徴とする送信装置。
【請求項２】
前記スロットが、長さ方向の異なる複数個のスロットであって、送信周波数波長の１／２以下の距離内に各々配置されており、偏波方向の異なるマイクロ波を切り替えて発振する複数のアンテナとなっている請求項１に記載の送信装置。
【請求項３】
前記スロットが２個であり、これら２個のスロットをそれぞれ主たる送信アンテナとするマイクロ波発進回路が発生するマイクロ波の主たる偏波方向を前記スロットに対して略直交させるために、該回路を流れる主たるマイクロ波電流の方向が略直交するよう
にして同一のシールドケース内に配置されている請求項２に記載の送信装置。
【請求項４】
前記回路基板が略四角形状であって、その直交する２辺の各々に沿って２個のマイクロ波発振用配線パターンがそれぞれ配置されているとともに、前記回路基板における、前記マイクロ波発振用配線パターンが配置されていない２辺によって形成されるコーナーに当たる位置に前記マイクロ波発振回路の制御信号端子部が設けられており、前記回路基板を１個で覆うシールドケースの、前記コーナーに当たる部分が切り欠き部となっている請求項３に記載の送信装置。
【請求項５】
天板と、この天板を支える台であってヒーターを内蔵する本体とを備え、前記天板はマイクロ波を制御信号で変調して送信するリモコン送信部を内蔵し、前記本体は前記リモコン送信部から送信されたマイクロ波を受信し制御信号を復調して前記内蔵ヒーターを制御するリモコン受信部を内蔵するやぐらこたつにおいて、前記送信部が、マイクロ波発振回路が配置された回路基板と、該回路基板を覆うように配置されて接地導体に接続されたシールドとを備え、前記シールドにおけるマイクロ波発振用配線パターン近傍に形成した孔状のスロットを送信アンテナとすることを特徴とするやぐらこたつ。
【請求項６】
前記スロットが、偏波方向の異なる複数個のスロットであって、送信周波数波長の１／２以下の距離内に各々配置されており、偏波方向の異なるマイクロ波を切り替えて発振する複数のアンテナとなっている請求項５に記載のやぐらこたつ。
【請求項７】
前記スロットが２個であり、これら２個のスロットをそれぞれ主たる送信アンテナとするマイクロ波発進回路が発生するマイクロ波の主たる偏波方向を前記スロットに対して略直交させるために、該回路を流れる主たるマイクロ波電流の方向が略直交するようにして同一のシールドケース内に配置されている請求項６に記載のやぐらこたつ。
【請求項８】
前記回路基板が略四角形状であって、その直交する２辺の各々に沿って２個のマイクロ波発振用配線パターンがそれぞれ配置されているとともに、前記回路基板における、前記マイクロ波発振用配線パターンが配置されていない２辺によって形成されるコーナーに当たる位置に前記マイクロ波発振回路の制御信号接続端子部が設けられており、前記回路基板を１個で覆うシールドケースの、前記コーナーに当たる部分が切り欠き部となっている請求項７に記載のやぐらこたつ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明にかかる送信装置とこれを利用したやぐらこたつは、マイクロ波発振回路が配置された回路基板と、該回路基板を覆うように配置されて接地導体に接続されたシールドとを備え、前記マイクロ波発振回路が発するマイクロ波を制御信号で変調して送信する構成において、前記シールドにおけるマイクロ波発振用配線パターン近傍に形成された孔状のスロットが送信アンテナとなっていることを特徴とする。前記スロットは、シールドケース自体の覆壁や側壁などに形成するほか、シールドケースではないが遮蔽効果を有するシールドの一部となるプリント基板接地導体面などに形成することも可能である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記構成において、前記スロットが、偏波方向の異なる複数個のスロットであって、送信周波数波長の１／２以下の距離内に各々配置されており、偏波方向の異なるマイクロ波を切り替えて発振する複数のアンテナとなっていることが好ましい。
上記構成において、前記スロットが２個であり、これら２個のスロットをそれぞれ主たる送信アンテナとするマイクロ波発進回路が発生するマイクロ波の主たる偏波方向を前記スロットに対して略直交させるために、該回路を流れる主たるマイクロ波電流の方向が略直交するようにして同一のシールドケース内に配置されていることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月11日(2005.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の主面上の一部に接する第１の金属層を選択的に形成する第１の工程と、
該第１金属層の表面を含む該半導体基板の主面側全ての表面を覆う保護膜を形成する第２の工程と、
該第１の金属層に接する保護膜の一部の表面を露出させるフォトレジスト膜を形成し、露出した保護膜を除去し第１の金属層の一部を露出させる第３の工程と、
露出した第１の金属層表面とフォトレジスト膜に、少なくともニッケル膜を含む多層膜からなる第２の金属層を堆積する第４の工程と、
該フォトレジスト膜をフォトレジスト剥離液により除去し、かつ同時にフォトレジスト膜表面に堆積した第２の金属層を除去する第５の工程を備え、
前記保護膜を有機保護膜にて形成し、かつ有機保護膜の膜厚を第２の金属層の膜厚に対し少なくとも２倍以上の膜厚にて形成する半導体装置の電極形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の電極形成方法において、前記有機保護膜がポリイミド膜であり、該ポリイミド膜の膜厚が前記第２の金属層の膜厚の２倍から５倍であることを特徴とする半導体装置の電極形成方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の電極形成方法において、前記第４の工程で堆積する第２の金属層が、ダイオードのアノード電極であることを特徴とする半導体装置の電極形成方法。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体装置の電極形成方法において、前記第５の工程の後に、前記半導体基板の裏面にアルミニウムとニッケルとを含む第３の金属層を堆積する第６の工程を備えることを特徴とする半導体装置の電極形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月23日(2005.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化絶縁膜を形成した試料を３５０〜６００℃に加熱するとともに、濃度１０〜２００ｇ／ｍ3 のオゾン雰囲気中で前記試料に紫外線を照射することを特徴とする酸化絶縁膜の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の処理を行った後、ガスを窒素に切り替え、試料温度が３００℃以下に低下するまで一定時間冷却することを特徴とする酸化絶縁膜の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月28日(2005.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ＨＦ水溶液浸漬工程と、
（ｂ）ＨＦ水溶液の表面張力で半導体ウエハ上に水滴が残らないように該半導体ウエハを引き上げる工程とを順に施すことを特徴とする半導体ウエハ乾燥方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体ウエハ乾燥方法において、前記ＨＦ水溶液を７０℃以上とすることにより、疎水性、親水性を問わずウエハを高速で乾燥させることを特徴とする半導体ウエハ乾燥方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体ウエハ乾燥方法において、乾燥時の雰囲気温度をＨＦ水溶液の液温以下にし、低温ＨＦ水溶液の使用により、ウエハの膜の均一性を確保することを特徴とする半導体ウエハ乾燥方法。
【請求項４】
（ａ）半導体ウエハをＨＦ水溶液に浸漬する工程と、
（ｂ）前記ＨＦ水溶液から、１〜２ｍｍ／ｓｅｃの速度で前記半導体ウエハを引き上げる工程と、
を含むことを特徴とする半導体ウエハ乾燥方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
〔２〕上記〔１〕記載の半導体ウエハ乾燥方法において、前記ＨＦ水溶液を７０℃以上とすることにより、疎水性、親水性を問わずウエハを高速で乾燥させるようにしたものである。
〔３〕上記〔１〕記載の半導体ウエハ乾燥方法において、乾燥時の雰囲気温度をＨＦ水溶液の液温以下にして、低温ＨＦ水溶液の使用により、ウエハの膜の均一性を確保するようにしたものである。
〔４〕半導体ウエハ乾燥方法において、半導体ウエハをＨＦ水溶液に浸漬する工程と、前記ＨＦ水溶液から、１〜２ｍｍ／ｓｅｃの速度で前記半導体ウエハを引き上げる工程とを含むようにしたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月3日(2005.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の電子回路パックを互いから電磁気的にシールドするための装置であって、
前記電子回路パックとは別個のものであって該電子回路パックとは区別される導電性シート部材と、
前記一対の電子回路パックを受け、該回路パックを空間的に互いに平行に配置するための平行な縦方向の第１の一対の回路パック・スロットであって、前記電子回路パックをそこに差込可能であるように、該電子回路パックと係合する回路パック・スロットと、さらに、前記導電性シート部材を受け、前記回路パックの間に該シート部材を配置するために、前記第１の対の回路パック・スロットの間に配置され、前記回路パック・スロットとは別個のものであって該回路パック・スロットとは区別される縦方向の第１のシールド・スロットであって、前記導電性シート部材をそこに差込可能であるように、該導電性シート部材と係合するシールド・スロットと、を有する回路パック・ケージと、
前記回路パック・ケージに機械的に結合されて、該ケージと前記回路パックとを支持する導電性シャシーと、
前記第１のシールド・スロットに配置され、前記導電性シート部材と前記導電性シャシーとを直接電気的に結合するように配置された少なくとも１つの別個の分離した独立の導電性弾性部材と、
を備えて成る装置。
【請求項２】
前記導電性弾性部材が、ほぼＵ字形の断面を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記導電性弾性部材が、前記導電性シート部材の端部と柔軟に係合する中央部分を有し、該中央部分から一対のアームが外方向に延びて前記導電性シャシーと係合することを特徴とする請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記回路パック・ケージが、前記第１の対の回路パック・スロットに対向し該一対の回路パックを受けるための平行で縦方向の第２の対の回路パック・スロットと、前記第１の縦方向シールド・スロットに対向し前記導電性シート部材を受けるため、前記第２の対の回路パック・スロットの間に配置された縦方向の第２のシールド・スロットと、をさらに有して成り、
前記第２のシールド・スロットに配置され、前記導電性シート部材と前記導電性シャシーとを電気的に結合するために配置されたもう１つの導電性弾性部材をさらに備えて成ることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記一対の電子回路パックを備え、該回路パックが、ＶＸＩ計測モジュールであるときに、前記導電性シート部材と、前記回路パック・ケージと、前記導電性シャシーとが、前記電磁気的にシールドすることのために適合され配置されることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
複数の電子回路パックを互いから電磁気的にシールドするための装置であって、
前記電子回路パックとは別個のものであって該電子回路パックとは区別される複数の導電性シート部材と、
前記回路パックを受け、該回路パックを空間的に互いに平行に配置するための平行で縦方向の第１組の回路パック・スロットと、前記導電性シート部材を受け、回路パックの各対の間に前記各導電性シート部材を配置するため、前記第１組の回路パック・スロットと相互に組み合わされ、前記回路パック・スロットとは別個のものであって該回路パック・スロットとは区別される平行で縦方向の第１組のシールド・スロットと、をさらに有して成る回路パック・ケージと、
前記回路パック・ケージに機械的に結合されて、該ケージと前記回路パックとを支持する導電性シャシーと、
前記第１のシールド・スロットの各１つにそれぞれ配置され、前記各導電性シート部材と前記導電性シャシーとを独立して電気的に結合するためにそれぞれ配置された第１組の独立した導電性弾性部材と、
を備えて成る装置。
【請求項７】
前記導電性弾性部材がそれぞれ、ほぼＵ字形の断面を有することを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項８】
前記導電性弾性部材がそれぞれ、前記導電性シート部材の端部と柔軟に係合する中央部分を有し、該中央部分から一対のアームが外方向に延びて前記導電性シャシーと係合することを特徴とする請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記回路パック・ケージが、前記第１組の回路パック・スロットに対向し該一対の回路パックを受けるための平行で縦方向の第２組の回路パック・スロットと、前記第１組の縦方向シールド・スロットに対向し前記導電性シート部材を受けるため、前記第２組の回路パック・スロットと相互に組み合わされた第２組の縦方向シールド・スロットと、をさらに有して成り、
前記第２組のシールド・スロットの各１つにそれぞれ配置され、前記導電性シート部材の各１つと前記導電性シャシーとを電気的に結合するために配置された第２組の独立した導電性弾性部材をさらに備えて成ることを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項１０】
前記複数の電子回路パックを備え、該回路パックが、ＶＸＩ計測モジュールであるときに、前記複数の導電性シート部材と、前記回路パック・ケージと、前記導電性シャシーとが、前記電磁気的にシールドすることのために適合され配置されることを特徴とする請求項６に記載の装置。
【請求項１１】
一対の電子回路パックを互いにシールドする方法であって、
前記電子回路パックとは別個のものであって該電子回路パックとは区別される導電性シート部材と、導電性シャシーと、回路パック・ケージとを準備するステップであって、該回路パック・ケージは、第１の一対の平行な縦方向回路パック・スロットを有し、該第１の一対の回路パック・スロットの間に配置され、前記回路パック・スロットとは別個のものであって該回路パック・スロットとは区別される第１の縦方向シールド・スロットをさらに有しているステップと、
前記回路パックを互いに平行に配置するために、対をなす前記回路パックを前記回路パック・スロットに差し込むステップと、
少なくとも１つの独立した導電性弾性部材を前記第１のシールド・スロットに、前記導電性シャシーと独立して電気的に結合する状態で配置するステップと、
前記独立した導電性弾性部材と柔軟に係合し、前記導電性シート部材と前記導電性シャシーとが前記独立した導電性弾性部材を介して電気的に結合するよう、前記一対の回路パックの間の前記シールド・スロットに前記導電性シート部材を差し込むステップと、
を備えて成る方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月7日(2005.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１  内径測定具
２  カバー本体
３  測定ヘッド
４  測定子
６  固定部
１１  回転部
１３  棒部
１４  押圧部
１４ａ  テーパ部
１５  （測定ヘッド）端面
３６  固定部
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2004226296.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月20日(2005.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質膜と検知極と対極とからなるＭＥＡを備えたセンサ本体に、水溜から水蒸気を供給するようにしたセンサにおいて、
分散媒の水中に分散質の無機微粒子を分散させたゲルで、前記水溜に水を蓄えるようにしたことを特徴とする、プロトン導電体ガスセンサ。
【請求項２】
前記ゲル中の無機微粒子がシリカの微粒子であることを特徴とする、請求項１のプロトン導電体ガスセンサ。
【請求項３】
前記シリカの微粒子が珪素化合物を気相で熱分解して得たものであることを特徴とする、請求項２のプロトン導電体ガスセンサ。
【請求項４】
前記センサ本体が、前記ＭＥＡの他に、水溜側の開口付き金属板を備え、かつＭＥＡと前記金属板とを直接に接触させたことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかのプロトン導電体ガスセンサ。
【請求項５】
前記金属板のＭＥＡ側表面に、ガス分配用の凹凸を設けたことを特徴とする、請求項４のプロトン導電体ガスセンサ。
【請求項６】
前記ＭＥＡの水溜とは反対側に、周囲の雰囲気を導入するための開口を備えたキャップを設け、該キャップとＭＥＡとの間に、キャップの開口と連通しかつキャップの開口よりも小径の拡散制御孔を備えた薄板を配置したことを特徴とする、請求項１のプロトン導電体ガスセンサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明の課題】
この発明の課題は、高温でもゾル化しないゲルを水溜に用いることにより、プロトン導電体ガスセンサの高温耐久性を向上させることにある（請求項１〜６）。
請求項２，３の発明での追加の課題は、ゲル化剤の具体的な組成を提供することにある。
請求項４の発明での追加の課題は、ＭＥＡと水溜側の金属板との間の、疎水性炭素シートを不要にすることにある。
請求項５の発明での追加の課題は、ＭＥＡと金属板の間の疎水性炭素シートを除いた際に、水溜側の金属板を利用してガスの分配経路を設けることにある。
請求項６の発明での追加の課題は、プロトン導電体ガスセンサの出力ばらつきを小さくすることにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明の構成】
この発明は、電解質膜と検知極と対極とからなるＭＥＡを備えたセンサ本体に、水溜から水蒸気を供給するようにしたセンサにおいて、分散媒の水中に分散質の無機微粒子を分散させたゲルで、前記水溜に水を蓄えるようにしたことを特徴とする（請求項１）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
無機微粒子の組成は任意であるが、好ましくは無機微粒子を製造が容易なシリカの微粒子とし（請求項２）、特に保水量が大きいゲル化剤として、珪素の化合物を気相で熱分解した、いわゆる乾式法のシリカが好ましい（請求項３）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
特に好ましくは、前記金属板のＭＥＡ側表面に、ガス分配用の凹凸を設ける（請求項５）。凹凸の形状は任意で、例えば金属板の周辺側と中心側との間に、ガス流路を設けるものとする。
また好ましくは、前記ＭＥＡの水溜とは反対側に、周囲の雰囲気を導入するための開口を備えたキャップを設け、該キャップとＭＥＡとの間に、キャップの開口と連通しかつキャップの開口よりも小径の拡散制御孔を備えた薄板を配置する（請求項６）。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
ＭＥＡの水溜側に対極を配置する場合、対極を金属板に直接接触させ、かつ金属板表面が鏡面ないしは平滑であると、対極と金属板との間に水素の拡散経路が生じ難い。これに対して、金属板の表面に凹凸を設けると、この凹凸が水素の拡散経路となり、対極側に回り込んだ水素は凹凸を介して対極のほぼ全面に拡散し、検知極側の水素感度と打ち消しあって、水素感度を小さくできる。また水溜側に検知極を設ける場合、金属板表面の凹凸を用いて、検知対象ガスを検知極のほぼ全面に分配できる（請求項５）。
発明者の経験によると、プロトン導電体ガスセンサの感度のばらつきは、プロトン導電体膜やその電極が正しい位置にない、プロトン導電体膜へのガスの拡散が均一に制御されていない、などにより生じる。これらの内で、プロトン導電体膜などの位置ずれは、センサ出力の変動が激しいので、ばらつきというよりもガスセンサの不良となる。拡散の制御が不均一であることは、ガスセンサ出力が拡散の容易さに比例するため、センサ出力のばらつきの原因となる。この要素が、センサ出力のばらつきでの最大の原因となる。
ここでキャップに均一に小径のガス導入孔を設けて拡散を制御することは難しいが、キャップと別体にした金属板に正確な径のガス導入孔を設けて、拡散を制御することは比較的容易である。このためこの発明では、ガスセンサの出力ばらつきを小さくできる（請求項６）。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月25日(2005.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電極が設けられた基板と、前記電極の上に形成されたエレクトロクロミック材料層と、対向電極が形成された対向基板を備えるとともに、前記エレクトロクロミック材料層を介して前記電極と前記対向電極が交差することにより画素を構成するエレクトロクロミック表示装置であって、
前記画素の領域には、前記対向電極と前記エレクトロクロミック材料層との間に電解質が設けられ、前記電解質は隣接する前記電極から電気的に絶縁された状態で設けられたことを特徴とするエレクトロクロミック表示装置。
【請求項２】  前記電解質は、前記画素の一部の領域に設けられたことを特徴とする請求項１に記載のエレクトロクロミック表示装置。
【請求項３】  電極が設けられた基板と、
前記電極の上に形成されたエレクトロクロミック材料層と、
対向電極が形成された対向基板と、
前記対向電極と前記エレクトロクロミック材料層との間に設けられ、微細な貫通孔が多数形成されたセパレータと、
前記貫通孔に充填された電解質と、
を備えることを特徴とするエレクトロクロミック表示装置。
【請求項４】  前記貫通孔の直径が前記電極、および前記対向電極の幅よりも小さく、かつ前記電極、および前記対向電極の電極間隔よりも小さいことを特徴とする請求項３に記載のエレクトロクロミック表示装置。
【請求項５】  前記貫通孔のそれぞれが、単一の前記電極および単一の前記対向電極のみと接するように配列されたことを特徴とする請求項３に記載のエレクトロクロミック表示装置。
【請求項６】  前記電解質が、液体電解質、ゲル状電解質、固体電解質のいずれかである請求項３から請求項５のいずれか一項に記載のエレクトロクロミック表示装置。
【請求項７】  第一の基板の上に電極を形成する工程と、
前記電極の上にエレクトロクロミック材料層を形成する工程と、
前記エレクトロクロミック材料層の上に複数の微細な貫通孔を有する絶縁性の樹脂層を形成するセパレータ層形成工程と、
前記貫通孔に電解質を充填する電解質充填工程と、
対向基板の上に対向電極を形成する工程と、
前記電極と前記対向電極が前記エレクトロクロミック材料層を介して対向するとともに、前記電極と前記対向電極が交差するように、前記第一の基板と前記対向基板を密着させる工程と、
を備えることを特徴とするエレクトロクロミック表示装置の製造方法。
【請求項８】  前記セパレータ層形成工程が、
前記エレクトロクロミック材料層を液体状の樹脂材料で均一な厚みで被覆する工程と、
前記貫通孔の直径と前記樹脂層の厚みに応じた微小な複数の突起が前記貫通孔の配列と同一に配されたセパレータ穿孔治具を、前記液体状の樹脂材料に押し付ける工程と、
前記液体状の樹脂材料を硬化させる工程と、
前記セパレータ穿孔治具を硬化した樹脂材料と分離する工程を含むことを特徴とする請求項７に記載のエレクトロクロミック表示装置の製造方法。
【請求項９】  前記セパレータ層形成工程が、
前記エレクトロクロミック材料層を感光性樹脂材料で均一な厚みで被覆する工程と、
前記貫通孔に準じた直径および配列パターンを有するマスクを用いて、前記感光性樹脂材料を露光・現像する工程を含むことを特徴とする請求項７に記載のエレクトロクロミック表示装置の製造方法。
【請求項１０】  前記セパレータ層形成工程が、
前記貫通孔の直径以上の開口で、前記貫通孔と同一の配列パターンを有するマスクを前記エレクトロクロミック材料層上に密着させる工程と、
前記マスク上から樹脂材料を塗布し、前記エレクトロクロミック材料層上の前記マスクの開口部のみに選択的に樹脂材料を付着させる工程と、
前記樹脂材料を硬化させる工程を含む請求項７に記載のエレクトロクロミック表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月23日(2005.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
請求項１または２記載の広角レンズ系において、以下の条件
式（８）ないし（１０）を満足する広角レンズ系。
（８）０．７＜ｆ１／ｒ１２＜１．２
（９）０．７＜ｆ１／ｒ２１＜１．２
（１０）｜（ｒ１２-ｒ２１）／（ｒ１２＋ｒ２１）｜＜０．１
但し、
ｒ１２；第１レンズ群の最も像側のレンズ面の曲率半径、
ｒ２１；第２レンズ群の最も物体側のレンズ面の曲率半径。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の広角レンズ系は、次の条件式（８）ないし（１０）を満足することが
望ましい。
（８）０．７＜ｆ１／ｒ１２＜１．２
（９）０．７＜ｆ１／ｒ２１＜１．２
（１０）｜（ｒ１２-ｒ２１）／（ｒ１２＋ｒ２１）｜＜０．１
但し、
ｒ１２；第１レンズ群の最も像側のレンズ面の曲率半径、
ｒ２１；第２レンズ群の最も物体側のレンズ面の曲率半径、
である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月3日(2005.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
［実施例２］
図３は、実施例２のレンズ構成を示し、図４は図３のレンズ構成での諸収差を示す。表２はその数値データである。絞りＳはｒ５面から物体側に０．１９の位置に設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月16日(2005.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の詳細な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
この発明は、時針を一番長くする事に依り、近眼等目の見えにくい人でも現在何時であるかを適切に、わかりやすく表示するものである。
従来の時計の時針は最も短く何時であるかを知るのに不便であった。又秒針が一番長いと時針、分針が見づらかった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004226417.tif 000001
【図２】
2004226417.tif 000002
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明腕時計の時針，分針，秒針
【図２】
本発明掛時計の時針，分針，秒針
【符号の説明】
Ａ時針、Ｂ分針、Ｃ秒針
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月15日(2005.8.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示層、表示層を支持する基材及び基材と組み合わされる保持層の少なくとも３層を有する表示体であって、保持層の引張弾性率が基材の１／１０以下である表示体。
【請求項２】
保持層の厚さが基材の厚さの１倍〜２０倍であることを特徴とする請求項１に記載の表示体。
【請求項３】
保持層と基材の間に更に接着剤層を有する請求項１または２に記載の表示体。
【請求項４】
前記接着剤層の引張弾性率が基材の１／１０以下で、保持層が実質的に前記接着剤層を含む請求項３項に記載の表示体。
【請求項５】
実質的な保持層の引張弾性率が５ＭＰａ以上、１００ＭＰａ以下である請求項１〜４のいずれか一項に記載の表示体。
【請求項６】
基材の引張弾性率が１０００ＭＰａ以上、５０００ＭＰａ以下である請求項１〜５項のいずれか一項に記載の表示体。
【請求項７】
表示層がサーモリライト方式の感熱記録層である請求項１〜６のいずれか一項に記載の表示体。
【請求項８】
保持層の主成分がポリエステル系エラストマーである請求項１〜７のいずれか一項に記載の表示体。
【請求項９】
前記ポリエステル系エラストマーが芳香族ポリエステルのハードセグメントと脂肪族ポリエーテルのソフトセグメントとから構成されるブロック共重合体である請求項８に記載の表示体。
【請求項１０】
前記ポリエステル系エラストマーが芳香族ポリエステルのハードセグメントと、ジカルボン酸類とジオール類のソフトセグメントとから構成されるブロック共重合体である請求項８に記載の表示体。
【請求項１１】
更に識別タグを保持してなる請求項１〜１０のいずれか一項に記載の表示体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の表示体は、表示層、表示層を支持する基材及び基材と組み合わされる保持層の少なくとも３層を有する表示体であって、保持層の引張弾性率が基材の１／１０以下であることを特徴としている。
また、本発明の表示体は、保持層の厚さが基材の厚さの１倍〜２０倍であることを特徴としている。
また、本発明の表示体は、保持層と基材の間に更に接着剤層を有することを特徴としている。
また、本発明の表示体は、前記接着剤層の引張弾性率が基材の１／１０以下で、保持層が実質的に前記接着剤層を含むことを特徴としている。
また、本発明の表示体は、実質的な保持層の引張弾性率が５ＭＰａ以上、１００ＭＰａ以下であることを特徴としている。
また、本発明の表示体は、基材の引張弾性率が１０００ＭＰａ以上、５０００ＭＰａ以下であることを特徴としている。
また、本発明の表示体は、表示層がサーモリライト方式の感熱記録層であることを特徴としている。
また、保持層の主成分がポリエステル系エラストマーであることを特徴としている。
さらに、ポリエステル系エラストマーが芳香族ポリエステルのハードセグメントと脂肪族ポリエーテルのソフトセグメントとから構成されるブロック共重合体であることが好ましい。
また、ポリエステル系エラストマーが芳香族ポリエステルのハードセグメントと、ジカルボン酸類とジオール類のソフトセグメントとから構成されるブロック共重合体であることも好ましい。
また、本発明の表示体は更に識別タグを保持してなるものであることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月7日(2005.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の波長域の光を射出する光源と、この光源から射出した不均一な光強度分布をもつ光を、略均一な光強度分布をもつ光に変換するインテグレータ光学系とを備え、
このインテグレータ光学系によって複数の集光像（光源像）が離散して形成される位置の近傍に、所定の波長域の光を射出する補助光源を配置したことを特徴とする照明装置。
【請求項２】  請求項１に記載された照明装置において、前記補助光源が、発光素子及び集光素子を有することを特徴とする照明装置。
【請求項３】  請求項１又は２に記載された照明装置において、前記補助光源が、前記光源における光軸の周辺部であって、前記集光像（光源像）のうち外形寸法が相対的に小さい集光像（光源像）の近傍に配置されていることを特徴とする照明装置。
【請求項４】  請求項１〜３のいずれかに記載された照明装置において、前記補助光源が、前記光源の光軸に関して対称な位置に配置された複数の補助光源とされることを特徴とする照明装置。
【請求項５】  請求項１〜４のいずれかに記載された照明装置において、前記インテグレータ光学系が、前記光源から入射した光を界面又は反射面で反射させて照明対象側に射出する導光体と、この導光体からの射出光を照明対象側に導く伝達レンズとを有することを特徴とする照明装置。
【請求項６】  請求項５に記載された照明装置において、前記伝達レンズがレンズアレイであることを特徴とする照明装置。
【請求項７】  請求項５又は６に記載された照明装置において、前記補助光源が、前記伝達レンズの入射側及び射出側の少なくとも一方側に配置されていることを特徴とする照明装置。
【請求項８】  請求項１〜４のいずれかに記載された照明装置において、前記インテグレータ光学系が、前記光源からの光を中間光に分割する第一レンズアレイと、この第一レンズアレイによって分割された中間光を集光する第二レンズアレイとを有することを特徴とする照明装置。
【請求項９】  請求項８に記載された照明装置において、前記補助光源が、前記第二レンズアレイの入射側及び射出側の少なくとも一方側に配置されていることを特徴とする照明装置。
【請求項１０】  請求項１〜９のいずれかに記載された照明装置において、前記補助光源の射出側に偏光変換素子が配置されていることを特徴とする照明装置。
【請求項１１】  請求項１０に記載された照明装置において、前記偏光変換素子は、前記集光像（光源像）及び前記補助光源のそれぞれが前記各偏光分離面に対応して配置されるよう構成されていることを特徴とする照明装置。
【請求項１２】  請求項１〜１１のいずれかに記載された照明装置において、前記補助光源が、赤色光を放射する補助光源であることを特徴とする照明装置。
【請求項１３】  請求項１〜１１のいずれかに記載された照明装置において、前記補助光源が、青色光を放射する補助光源であることを特徴とする照明装置。
【請求項１４】  請求項１〜１３のいずれかに記載された照明装置において、前記補助光源がＬＥＤ（発光ダイオード）光源であることを特徴とする照明装置。
【請求項１５】  請求項１〜１４のいずれかに記載された照明装置と、この照明装置からの照明光を変調して画像を表示する電気光学変調装置と、この電気光学変調装置によって変調された光を投写する投写光学系と、を備えたことを特徴とするプロジェクタ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
図５は、本発明の第２の実施の形態に係る到来方位測定装置の構成を示すブロック図である。この到来方位測定装置は、コンピュータ１、第１〜第４アンテナ１１〜１４、第１〜第４帯域制限ろ波器２１〜２４、ベクトル生成部２７、相関量算出部２８、サンプリング部３０及び到来方位演算部４７から構成されている。コンピュータ１は、センサ配置最適化装置であり、偽像の発生程度の最小のものを最適なセンサ配置パターンとする。即ち、センサ配置最適化装置により決定されたアンテナ配置を有するアレイアンテナが使用される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月21日(2005.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図４は、画像のｘｙ座標位置における補正量を示す模式図である。本実施の形態では、図３に示すように、画像の中央部が周辺部に比べて輝度が高い状態となっている場合、図４に示すような図３とは輝度が逆となる補正を行う。これにより、補正後の画像の輝度は、ｘｙ座標位置によらずにほぼ均一な値となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
指示入力部１５０は、輝度調節パラメータＰを、補正指示を示す指示情報として入力する。なお、輝度調節パラメータＰは、例えば、−１００〜１００までの整数値を適用してもよい。この場合、Ｐ＝０の場合が通常状態で画像の中央部の輝度が周辺部の輝度よりもやや高い状態を示す。また、Ｐが負の値の場合、通常よりも中央部の輝度が低い状態を示す。また、Ｐが正の値の場合、通常よりも周辺部の輝度が低い状態を示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
RGB'xy=RGBxy*(1-ADJxy*(|P|/100))また、輝度調節部１２０は、Ｐが０以上の場合、すなわち、通常よりも周辺部の輝度が低い場合、ｘｙ座標ごとの輝度調節前の色情報ＲＧＢｘｙから、輝度調節後の色情報ＲＧＢ’ｘｙを、例えば、以下の式で演算する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
RGB'xy=RGBxy*(1-(1-ADJxy)*(P/100))信号出力部１３０は、輝度調節後のデジタル形式の色情報ＲＧＢ’ｘｙをアナログ形式の画像信号に変更し、画像投写部１９０は、当該画像信号に基づき、輝度を調節した画像を投写する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】  画像のｘｙ座標位置における補正量を示す模式図である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月20日(2005.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
＾をベキ乗演算と定義し、Ｐを素数とし、ｘ＞Ｐであるｘに対して、ｘ＊（２＾ｎ）  mod P を計算する情報処理方法に於いて、法をＰ、入力値をｘ、法Ｐを格納するために必要充分なビット数をｎ、入力値ｘを格納するために必要なビット長をｍとし、入力値をｘ＊（２＾ｎ） mod Pに変換する際に、２＾(２ｍ+ｎ) mod Pを計算するか、あるいは予め用意しておき、モンゴメリ剰余乗算によりｘ１＝ｘ＊２＾（２ｍ＋ｎ）＊（２＾（−ｍ））mod P＝ｘ＊２＾（ｍ＋ｎ） mod Pを計算し、さらにｘ２＝ｘ１＊（２＾（−ｍ））mod P＝ｘ＊（２＾ｎ）  mod Pを計算することにより、ｘ mod Pを陽に求めること無しにｘ＊（２＾ｎ）  mod P を計算することを特徴とする情報処理方法。
【請求項２】
＾をベキ乗演算と定義し、Ｐを素数とし、ｘ＞Ｐであるｘに対して、ｘ＊（２
＾ｎ）  mod P を計算する情報処理方法に於いて、法をＰ、入力値をｘ、法Ｐを
格納するために必要充分なビット数をｎ、入力値ｘを格納するために必要なビッ
ト長をｍとし、入力値をｘ＊（２＾ｎ） mod Pに変換する際に、２＾(ｍ+２ｎ) m
od Pを計算するか、あるいは予め用意しておき、モンゴメリ剰余乗算方式により
ｘ１＝ｘ＊２＾（ｍ＋２ｎ）＊（２＾（−ｍ））mod P＝ｘ＊２＾（２ｎ） mod 
Pを計算し、さらにｘ２＝ｘ１＊（２＾（−ｎ））mod P＝ｘ＊（２＾ｎ）  mo
d Pを計算することにより、ｘ mod Pを陽に求めること無しにｘ＊（２＾ｎ）  m
od P を計算することを特徴とする情報処理方法。
【請求項３】
ＣＲＴ（Chinese Remainder Theorem）を用いてＲＳＡ暗号により暗号化をおこなう暗号方法であって、
暗号化のために入力値ｘを入力するステップと、
mod Pの演算を用い、前記入力値ｘを暗号化するステップと、
暗号化されたデータを格納するステップとを有し、
前記mod Pの演算を請求項１記載の情報処理方法により演算することを特徴とする暗号方法。
【請求項４】
ＣＲＴを用いてＲＳＡ暗号により暗号化をおこなう暗号方法であって、
暗号化のために入力値ｘを入力するステップと、
mod Pの演算を用い、前記入力値ｘを暗号化するステップと、
暗号化されたデータを格納するステップとを有し、
前記mod Pの演算を請求項２記載の情報処理方法により演算することを特徴とする暗号方法。
【請求項５】
モンゴメリ剰余乗算装置を有し、Ｐを素数とし、ｘ＞Ｐであるｘに対して、ｘ＊（２＾ｎ）  mod P を計算する情報処理装置に於いて、入力値ｘをｘ＊（２＾ｎ） mod Pに変換する情報処理装置であって（ただし、法をＰ、法Ｐを格納するために必要充分なビット数をｎ、入力値ｘを格納するために必要なビット長をｍとする）、
２＾(２ｍ+ｎ) mod Pを計算する手段と、
前記モンゴメリ剰余乗算装置により、ｘ１＝ｘ＊２＾（２ｍ＋ｎ）＊（２＾（−ｍ））mod P＝ｘ＊２＾（ｍ＋ｎ） mod Pを計算する手段と、
ｘ２＝ｘ１＊（２＾（−ｍ））mod P＝ｘ＊（２＾ｎ）  mod Pを計算する手段とを有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項６】
モンゴメリ剰余乗算装置を有し、Ｐを素数とし、ｘ＞Ｐであるｘに対して、ｘ＊（２＾ｎ）  mod P を計算する情報処理装置に於いて、入力値ｘをｘ＊（２＾ｎ） mod Pに変換する情報処理装置であって（ただし、法をＰ、法Ｐを格納するために必要充分なビット数をｎ、入力値ｘを格納するために必要なビット長をｍとする）、
２＾(ｍ+２ｎ) mod Pを計算する手段と、
前記モンゴメリ剰余乗算装置により、ｘ１＝ｘ＊２＾（ｍ＋２ｎ）＊（２＾（−ｍ））mod P＝ｘ＊２＾（２ｎ） mod Pを計算する手段と、
ｘ２＝ｘ１＊（２＾（−ｎ））mod P＝ｘ＊（２＾ｎ）  mod Pを計算する手段を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項７】
ＣＲＴを用いてＲＳＡ暗号により暗号化をおこなう暗号化装置であって、
暗号化のために入力値ｘを入力する手段と、
mod Pの演算を用い、前記入力値ｘを暗号化する手段と、
暗号化されたデータを格納する手段とを有し、
前記mod Pの演算を請求項５記載の情報処理装置により演算することを特徴とする暗号化装置。
【請求項８】
ＣＲＴを用いてＲＳＡ暗号により暗号化をおこなう暗号化装置であって、
暗号化のために入力値ｘを入力する手段と、
mod Pの演算を用い、前記入力値ｘを暗号化する手段と、
暗号化されたデータを格納する手段とを有し、
前記mod Pの演算を請求項６記載の情報処理装置により演算することを特徴とする暗号化装置。