(57)【要約】【課題】液晶装置等の電気光学装置において、好適なラビング処理を行えるようにすることで、高品質な画像を表示可能とする。【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）と、基板上の画素領域（１０ａ）に設けられた画素部と、前記画素部に設けられた透明導電膜（７１）、透明導電膜の上層に形成された誘電体膜（７１ａ）、及び誘電体膜の上層に形成された透明な画素電極（９）からなる蓄積容量（７０）と、基板上の画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられており、透明導電膜（７１ａ）及び画素電極と同一膜からなる第１導電膜（９ａ）が、互いに電気的に接続されるように積層されてなる複数の外部回路接続端子（１０２）とを備える。【選択図】図１０
2010191134.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上の画素領域に設けられた画素部と、
前記画素部に設けられた透明導電膜、該透明導電膜の上層に形成された誘電体膜、及び該誘電体膜の上層に形成された透明な画素電極からなる蓄積容量と、
前記基板上の前記画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられており、前記透明導電膜及び前記画素電極と同一膜からなる第１導電膜が、互いに電気的に接続されるように積層されてなる接続端子と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記誘電体膜は、前記周辺領域にまで設けられると共に、前記接続端子の各々に対応した複数の第１開口部を有しており、
前記透明導電膜及び前記第１導電膜は、前記第１開口部を介して互いに電気的に接続される
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記透明導電膜の下層側に設けられると共に、平坦化処理の施された第１層間絶縁膜と、
前記第１層間絶縁膜の上層に設けられたデータ線と
を更に備え、
前記画素電極は、前記データ線と電気的に接続されており、
前記接続端子は、前記データ線と同一膜からなる第２導電膜と電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記周辺領域において、前記透明導電膜及び前記第１導電膜を含むように設けられており、前記第２導電膜と電気的に接続されないダミー端子を更に備えることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記透明導電膜及びデータ線間に設けられた第２層間絶縁膜を更に備え、
前記接続端子は、前記透明導電膜及び前記第１導電膜が、前記第２層間絶縁膜に開口された第２開口部に沿うように設けられることで、前記第２導電膜と電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１層間絶縁膜の下層側に設けられた半導体層と、
前記半導体層及び前記データ線間に設けられた遮光性を有する第３導電膜と
を更に備えることを特徴とする請求項３から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記半導体層の下層側に設けられた遮光膜を更に備えることを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクター等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置として、例えば一対の基板間に液晶層を挟持してなる液晶装置がある。このような液晶装置では、一対の基板の液晶層に接する面に、電圧無印加時における液晶分子の配列を揃えるためのラビング処理が施された配向膜が設けられる。
【０００３】
ラビング処理は、例えばラビングクロスを表面に備えるラビングローラーで、基板上に配置された配向膜の表面を擦ることによって施される。この際、基板上に段差が生じていると、配向膜に意図しないスジが発生したり、削りカスが発生したりする可能性が高くなる。このため、基板の表面付近に積層される絶縁膜は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理等により平坦化される（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３５４９６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、電気光学装置を他の回路基板等と接続するための外部回路接続端子等の部位では、例えば絶縁膜上より下層の導電層を露出させるような形態がとられるため、絶縁膜に平坦化処理を施したとしても、基板表面に比較的大きな段差が発生してしまう。即ち、上述した技術には、ラビング処理を好適に行えなくなってしまうおそれがあるという技術的問題点がある。また、仮に平坦化処理を施すことで基板表面の段差を小さくできたとしても、平坦化処理に対する精度が求められてしまう分、製造工程が複雑化してしまうという技術的問題点がある。
【０００６】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、好適なラビング処理を行えるようにすることで、高品質な画像を表示可能な電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、基板と、前記基板上の画素領域に設けられた画素部と、前記画素部に設けられた透明導電膜、該透明導電膜の上層に形成された誘電体膜、及び該誘電体膜の上層に形成された透明な画素電極からなる蓄積容量と、前記基板上の前記画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられており、前記透明導電膜及び前記画素電極と同一膜からなる第１導電膜が、互いに電気的に接続されるように積層されてなる接続端子とを備える。
【０００８】
本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、例えば基板上の画素領域に設けられた複数の画素部に対して、複数の走査線から走査信号が供給されると共に、複数のデータ線から画像信号が供給される。これにより各画素部が制御され、画素領域に様々な画像を表示することが可能となる。より具体的には、複数の画素部が制御されることによって、基板及び該基板と対向する対向基板間に挟持された液晶等の電気光学物質に対して画像信号に応じた電圧が印加され、各画素において表示される色調が制御される。
【０００９】
複数の画素部は、典型的には、画素領域にマトリクス状に設けられており、例えばトランジスター、容量電極及び画素電極等として機能する複数の導電層が積層されることにより形成されている。即ち、ここでの「画素部」は、画素毎に設けられた各部材によって形成されている部位全体を包括する概念である。
【００１０】
本発明に係る電気光学装置では、複数の画素部は、透明導電膜、透明導電膜の上層に形成された誘電体膜、及び誘電体膜の上層に形成された透明な画素電極が積層されることによって構成されている。そして、上述した透明導電膜、誘電体膜及び画素電極は蓄積容量を構成している。
【００１１】
具体的には、透明導電膜は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料から構成されており、画素領域における光を透過する開口領域（即ち、表示に寄与する領域）に延びるように設けられている。
【００１２】
誘電体膜は、透明導電膜及び画素電極間に設けられた透明な膜であり、蓄積容量の容量値を大きくするためにも、誘電率が高い材料を用いて薄く形成されていることが望ましい。
【００１３】
画素電極は、透明導電膜と同様に、例えばＩＴＯ等の透明導電材料から構成されており、開口領域に延びるように設けられている。画素電極は、典型的には、基板上の積層構造における最表面に位置しており、配向膜を介して電気光学物質と対向するように設けられている。
【００１４】
画像を表示するための画像信号は、例えば外部の回路基板等から、基板上の周辺領域に設けられた回路接続端子を介して供給される。尚、接続端子は、典型的には、フレキシブル基板を介して外部の回路基板と電気的に接続されている。
【００１５】
本発明に係る電気光学装置では、接続端子は、複数の画素部を構成する透明導電膜及び画素電極と同一膜からなる第１導電膜が、互いに電気的に接続されるように積層されることで構成されている。尚、ここでの「同一膜」とは、同一の成膜工程によって形成される膜を意味しており、画素電極及び第１導電層が完全に同一の膜であることを意味するものではなく、同一の導電膜を同時にパターニングして形成された膜を意味する。即ち、画素電極及び第１導電層は、互いに電気的に接続されるようなものでなくともよく、厚さ等の各種条件が異なっていてもよい。
【００１６】
本発明では特に、接続端子が２つの透明な導電層（即ち、透明導電膜及び第１導電層）を含んで構成されている。よって、例えば接続端子が１つの導電層によって構成される場合と比較して、積層構造の表面における段差を小さくすることができる。具体的には、より多くの層が積層されることにより、表面の起伏がなだらかなものとされている。
【００１７】
基板上には、上述したような積層構造が形成された後、電気光学物質の配向方向を揃えるための配向膜が配置され、ラビング処理が施される。この際、仮に基板上に段差が生じていると、配向膜に意図しないスジが発生したり、削りカスが発生したりする可能性が高くなる。
【００１８】
しかるに本発明では、接続端子が２つの透明な導電層を含んで構成されることで、表面における段差が小さくされている。よって、上述したラビング処理における様々な不都合を回避することが可能である。また本発明では、複数の画素部も２つの透明な導電層（即ち、透明導電膜及び画素電極）を含んで構成されている。このため、画素領域において複数の画素部を構成している透明な導電層を周辺領域まで延在させることにより、上述した接続端子の構成を容易に実現することができる。
【００１９】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、ラビング処理を好適に行うことが可能となる。これにより、スジムラ等の表示不良を防止することができるため、高品質な画像を表示することが可能である。
【００２０】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記誘電体膜は、前記周辺領域にまで設けられると共に、前記接続端子の各々に対応した複数の第１開口部を有しており、前記透明導電膜及び前記第１導電膜は、前記第１開口部を介して互いに電気的に接続される。
【００２１】
この態様によれば、画素領域だけでなく周辺領域にまで設けられている。誘電体膜には、接続端子の各々に対応した複数の第１開口部が形成されている。即ち、基板上で平面的に見て、接続端子に重なる箇所が、部分的に取り除かれたようになっている。
【００２２】
そして本態様では特に、透明導電膜及び第１導電膜は、誘電体膜に設けられた第１開口部を介して互いに電気的に接続されている。このように構成すれば、透明導電膜及び第１導電膜を、確実に電気的に接続することができる。従って、接続端子における積層構造を容易に形成することができる。
【００２３】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記透明導電膜の下層側に設けられると共に、平坦化処理の施された第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜の上層に設けられたデータ線とを更に備え、前記画素電極は、前記データ線と電気的に接続されており、前記接続端子は、前記データ線と同一膜からなる第２導電膜と電気的に接続されている。
【００２４】
この態様によれば、透明導電膜の下層側（即ち、より基板に近い側）に、平坦化処理の施された第１層間絶縁膜が設けられている。更に、第１層間絶縁膜の上層には、画像信号を供給するデータ線が設けられている。尚、データ線は、典型的には遮光性を有する導電層（例えば、アルミニウム等）によって構成されており、画素領域における光を透過しない非開口領域に設けられる。
【００２５】
本態様では、複数の画素部における画素電極の各々は、例えばコンタクトホール等を介してデータ線と電気的に接続されている。このため、画素電極に対して、確実に画像信号を供給することが可能となる。また、接続端子も同様に、データ線と同一膜からなる第２導電膜と電気的に接続されている。このため、接続端子から入力された各種信号を、第２導電膜を介して、確実にデータ線駆動回路や走査線駆動回路等の周辺回路に伝達することが可能となる。
【００２６】
更に本態様では、第１層間絶縁膜に平坦化処理が施されているため、基板表面に生じてしまう段差を極めて小さいものとすることができる。従って、より好適にラビング処理を行うことが可能である。
【００２７】
上述した第１層間絶縁膜及びデータ線を備える態様では、前記周辺領域において、前記透明導電膜及び前記第１導電膜を含むように設けられており、前記第２導電膜と電気的に接続されないダミー端子を更に備えるように構成してもよい。
【００２８】
この場合には、周辺領域に透明導電膜及び第１導電膜を含むダミー端子が設けられる。ダミー端子は、概ね接続端子と同様の構成とされるが、第２導電膜とは電気的に接続されない。よって、ダミー端子による信号の入出力は行われない。
【００２９】
ダミー端子は、上述したように、第２導電膜とは電気的にされないため、接続端子とは部分的に構成が異なる。具体的には、ダミー端子は、接続端子が有している一部の層やコンタクトホール等を有さないように構成される場合がある。このため、仮に何らの対策も施さなければ、接続端子における表面とダミー端子における表面とで段差が生じてしまう場合がある。
【００３０】
しかるに上述した構成によれば、ダミー端子が透明導電膜及び第１導電膜を含むように構成されているため、接続端子とダミー端子との間に生じる段差を小さくすることができる。よって、基板表面をよりなだらかなものとすることができる。従って、より好適にラビング処理を行うことが可能である。
【００３１】
或いは第１層間絶縁膜及びデータ線を備える態様では、前記透明導電膜及びデータ線間に設けられた第２層間絶縁膜を更に備え、前記接続端子は、前記透明導電膜及び前記第１導電膜が、前記第２層間絶縁膜に開口された第２開口部に沿うように設けられることで、前記第２導電膜と電気的に接続されるように構成してもよい。
【００３２】
この場合には、透明導電膜及びデータ線間に、第２層間絶縁膜が設けられる。即ち、透明導電膜と、データ線と同一膜からなる第２導電膜との間に、第２層間絶縁膜が設けられる。第２層間絶縁膜には、接続端子の各々に対応するように、第２開口部が形成されている。即ち、基板上で平面的に見て、接続端子に重なる箇所が、部分的に取り除かれたようになっている。
【００３３】
このように構成すれば、透明導電膜及び第１導電膜が、上述した第２開口部に沿って設けられることによって、第２導電膜と電気的に接続されることとなる。具体的には、第２層間絶縁膜の上層に設けられている透明導電膜及び第１導電膜が、第２開口部を介して、第２導電膜まで延在するように設けられることにより、接続端子と第２導電膜とが互いに電気的に接続されている。上述した構成によれば、接続端子及び第２導電膜を、容易且つ確実に電気的に接続することができる。
【００３４】
或いは第１層間絶縁膜及びデータ線を備える態様では、前記第１層間絶縁膜の下層側に設けられた半導体層と、前記半導体層及び前記データ線間に設けられた遮光性を有する第３導電膜とを更に備えるように構成してもよい。
【００３５】
この場合、第１層間絶縁膜の下層側には、例えば複数の画素部においてスイッチング制御を行うトランジスターの一部をなす半導体層が設けられる。また、半導体層及びデータ線間には、例えばアルミニウム等を含んでなる遮光性を有する第３導電膜が設けられる。
【００３６】
このような構成によれば、半導体層に上層側から入射しようとする光が、第３導電膜によって遮光される。よって、半導体層に光が入射することによってリーク電流が発生してしまうことを防止することができる。従って、リーク電流に起因する装置の不具合を低減することが可能である。また、第３導電膜が周辺領域にまで延びるように設けられていれば、周辺領域についても遮光能力を向上させることが可能である。
【００３７】
更に半導体層及び第３導電膜を備えるでは、前記半導体層の下層側に設けられた遮光膜を更に備えるように構成してもよい。
【００３８】
このように構成すれば、半導体層の下層側に遮光膜が設けられるため、半導体層に対して基板側から入射しようとする光を遮光することができる。よって、半導体層に光が入射することによってリーク電流が発生してしまうことを効果的に防止することができる。従って、リーク電流に起因する装置の不具合を低減することが可能である。また、第遮光膜が周辺領域にまで延びるように設けられていれば、周辺領域についても遮光能力を向上させることが可能である。
【００３９】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を備える。
【００４０】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品質な表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサー、ビューファインダー型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパーなどの電気泳動装置等も実現することも可能である。
【００４１】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【図３】本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【図４】本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域における電極及び配線等の位置関係を図式的に示した平面図である。
【図５】画像表示領域の一部の構成を詳細に示した平面図（その１）である。
【図６】画像表示領域の一部の構成を詳細に示した平面図（その２）である。
【図７】図４から図６の各々におけるＡ−Ａ´線断面図である。である。
【図８】外部回路接続端子及びダミー端子の構成を示す平面図である。
【図９】外部回路接続端子の具体的な構成を示す平面図である。
【図１０】図９のＢ−Ｂ´線断面図である。
【図１１】ダミー端子の具体的な構成を示す平面図である。
【図１２】図１１のＢ−Ｂ´線断面図である。
【図１３】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクターの構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。
【００４４】
＜電気光学装置＞
本実施形態に係る電気光学装置について、図１から図１２を参照して説明する。尚、以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００４５】
先ず、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´線断面図である。
【００４６】
図１及び図２において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板や、シリコン基板等である。対向基板２０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、一対の配向膜間で所定の配向状態をとる。
【００４７】
ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素電極９が設けられた画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により、相互に接着されている。尚、ここでの画像表示領域は、本発明の「画素領域」の一例である。
【００４８】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。尚、ギャップ材を、シール材５２に混入されるものに加えて若しくは代えて、画像表示領域１０ａ又は画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、配置するようにしてもよい。
【００４９】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。尚、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００５０】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び本発明の「接続端子」の一例である外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。尚、ここでは説明の便宜上、後述するダミー端子の図示を省略している。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００５１】
ＴＦＴアレイ基板１０上における対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域には、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００５２】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成される。この積層構造の詳細な構成については図２では図示を省略してあるが、この積層構造の上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる画素電極９が、画素毎に所定のパターンで島状に形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造については、後に詳述する。
【００５３】
画素電極９は、対向電極２１に対向するように、ＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａに形成されている。ＴＦＴアレイ基板１０における液晶層５０の面する側の表面、即ち画素電極９上には、配向膜１６が画素電極９を覆うように形成されている。
【００５４】
対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上には、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば対向基板２０における対向面上に平面的に見て、格子状に形成されている。対向基板２０において、遮光膜２３によって非開口領域が規定され、遮光膜２３によって区切られた領域が、例えばプロジェクター用のランプや直視用のバックライトから出射された光を透過させる開口領域となる。尚、遮光膜２３をストライプ状に形成し、該遮光膜２３と、ＴＦＴアレイ基板１０側に設けられたデータ線等の各種構成要素とによって、非開口領域を規定するようにしてもよい。
【００５５】
遮光膜２３上には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９と対向するように形成されている。また遮光膜２３上には、画像表示領域１０ａにおいてカラー表示を行うために、開口領域及び非開口領域の一部を含む領域に、図２には図示しないカラーフィルターが形成されるようにしてもよい。対向基板２０の対向面上における、対向電極２１上には、配向膜２２が形成されている。
【００５６】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、上述したデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。
【００５７】
次に、本実施形態に係る電気光学装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００５８】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素部の各々には、画素電極９及びＴＦＴ３０が夫々形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９に電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置の動作時に画素電極９をスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６は、ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、この順に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５９】
ＴＦＴ３０のゲートには、走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る電気光学装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９を介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、・・・、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。
【００６０】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００６１】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９と対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９の電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の構成については、後に詳述する。
【００６２】
次に、上述の動作を実現する画素部の具体的な構成について、図４及び図５を参照して説明する。ここに図４は、本実施形態に係る電気光学装置の画像表示領域における、電気光学動作を行うために配置された電極及び配線等の位置関係を図式的に示した平面図である。図５及び図６は夫々、画像表示領域の一部の構成を詳細に示した平面図である。尚、図５及び図６は夫々、ＴＦＴアレイ基板１０上において互いに異なる層を実線で示しており、図４より若干広い領域における平面構造を示している。図７は、図４から図６の各々におけるＡ−Ａ´線断面図である。尚、図４から図７では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００６３】
図４において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、走査線１１と、データ線６とが、Ｘ方向及びＹ方向の夫々に沿って延びている。データ線６及び走査線１１の交差付近において、走査線１１に重なるようにＴＦＴ３０（即ち、半導体層３０ａ及びゲート電極３０ｂ）が形成されている。
【００６４】
走査線１１は、例えばＴｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属を含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、或いはこれらを積層したもの等の遮光性材料から形成されている。また走査線１１は、ＴＦＴ３０の半導体層３０ａより幅広に形成されている。ここで、後述するように、走査線１１は半導体層３０ａより下層側に配置されているので、このように走査線１１をＴＦＴ３０の半導体層３０ａよりも幅広に形成することによって、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクター等で他の電気光学装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域３０ｂを殆ど或いは完全に遮光できる。その結果、電気光学装置の動作時に、ＴＦＴ３０における光リーク電流が低減され、コントラスト比を向上させることができ、高品位の画像表示が可能となる。即ち、走査線１１は、本発明の「遮光膜」の一例である。
【００６５】
走査線１１は、遮光性を有しているため、データ線６と共に、画像表示領域１０ａにおける非開口領域を規定している。但し、走査線１１及びデータ線６の各々は、走査線１１及びデータ線６の夫々の縁が非開口領域を規定していなくともよい。言い換えれば、走査線１１及びデータ線６の各々は、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された他の遮光性の膜等によって規定された非開口領域に形成されていればよい。
【００６６】
ＴＦＴ３０は、半導体層３０ａと、ゲート電極３０ｂとを有して構成されている。半導体層３０ａは、ソース領域３０ａ１、チャネル領域３０ａ２、ドレイン領域３０ａ３含んで形成されている。ここで、チャネル領域３０ａ２とソース領域３０ａ１、又は、チャネル領域３０ａ２とドレイン領域３０ａ３との界面にはＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域が形成されていてもよい。即ち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造とされてもよい。
【００６７】
ゲート電極３０ｂは、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、半導体層３０ａのチャネル領域と重なる領域にゲート絶縁膜を介して形成されている。ゲート電極３０ｂは、下層側に配置された走査線１１にコンタクトホール３４を介して電気的に接続されており、走査信号が印加されることによってＴＦＴ３０をオン／オフ制御している。
【００６８】
データ線６は、例えば、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ、Ａｌ−Ｃｕ等のＡｌ（アルミニウム）含有材料、又はＡｌ単体、若しくはＡｌ層とＴｉＮ層等との多層膜からなる。データ線６は、ＴＦＴ３０上においてＴＦＴ３０に重なっているため、ＴＦＴ３０をその上側から遮光可能である。
【００６９】
図５において、本発明の「透明導電膜」の一例である容量電極７１は、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料から構成されており、画素電極９と共に、蓄積容量７０における一対の容量電極を構成している。容量電極７１は、画像表示領域１０ａの略全体に重なっており、光が透過可能な開口領域においてデータ線６の上層側に延びている。
【００７０】
容量電極７１は、画素電極９（図５において図示省略）より下層側に形成されており、画素毎に開口部５ａを有している。開口部５ａの内側には、画素電極９及びドレイン領域３０ａ３（図７参照）間を電気的に接続するコンタクトホール３３が、図中上下方向、即ち、ＴＦＴアレイ基板１０の厚み方向に沿って形成されている。従って、コンタクトホール３３によれば、画素電極９の下層側に形成された容量電極７１に電気的に短絡することなく、画素電極９にドレイン領域３０ａ３から出力される画像信号電位を供給可能である。その結果、画素電極９の下層側に容量電極７１を設けつつ、画素電極９をオン／オフ駆動することができるので、極めて効率的な配線レイアウトを有する電気光学装置を実現することができる。
【００７１】
図６において、画素電極９は、画素毎に島状に形成されている。本実施形態では、各画素はデータ線６及び走査線１１によってマトリクス状に区分けされている。そして、図４において点線のライン９ｂで示したように、画素電極９は各画素において、その端部がＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見たときに、データ線６及び走査線１１に部分的に重なるように形成されている。蓄積容量７０は、容量電極７１及び画素電極９が相互に重なる領域に形成されている。
【００７２】
図７において、上述した各導電層は、図に示すように層間絶縁膜１２、１３、１４、１５及び１７、並びに誘電体膜７２と共に積層されている。
【００７３】
具体的には、先ずＴＦＴアレイ基板１０上に走査線１１が積層され、その上に層間絶縁膜１２が積層されている。層間絶縁膜１２は、走査線１１とＴＦＴ３０とを互いに絶縁する機能の他、ＴＦＴアレイ基板１０の全面に形成されることにより、ＴＦＴアレイ基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用ＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。
【００７４】
層間絶縁膜１２の上層には、半導体層３０ａとゲート電極３０ｂが層間絶縁膜１３を介して対向するように積層されている。即ち、層間絶縁膜１３は、ＴＦＴ３０におけるゲート絶縁膜として機能する。
【００７５】
層間絶縁膜１２の上層には、下層側から順に、層間絶縁膜１４、中継層７、層間絶縁膜１７、データ線６、層間絶縁膜１５が積層されている。データ線６は、コンタクトホール３４、中継層７及びコンタクトホール３１を介して、ＴＦＴ３０のソース領域３０ａ１に電気的に接続されている。一方、ＴＦＴ３０のドレイン領域３０ａ３は、コンタクトホール３２、中継層７、及びコンタクトホール３３、３５、３６を介して画素電極９に電気的に接続されている。中継層７は、データ線６及びＴＦＴ３０間を電気的に接続するという機能の他に、ＴＦＴ３０に対して上層側から入射しようとする光を遮光するという機能も有している。
【００７６】
層間絶縁膜１５の上層には、容量電極７１、誘電体膜７２及び画素電極９が順に積層され、蓄積容量７０を構成している。誘電体膜７２は、光が透過可能な開口領域において、容量電極７１上に形成された透明な膜である。蓄積容量７０は、各々が透明な容量電極７１、誘電体膜７２及び画素電極９によって構成されているため、開口領域を狭めることもなく、画素のうち開口領域が占める割合である開口率を低下させることもない。加えて、このような蓄積容量７０によれば、非開口領域と比べて非常に大きい領域である開口領域に容量を形成可能であるため、非開口領域にのみに蓄積容量を形成する場合に比べて、その容量値を効果的に増大させることが可能である。
【００７７】
尚、ここでの図示は省略しているが、画素電極９の上側表面には、ラビング処理が施された配向膜１６（図２参照）が設けられている。以上に説明した画素部の構成は、図４等に示すように、各画素部に共通である。画像表示領域１０ａ（図１参照）には、かかる画素部が周期的に形成されている。
【００７８】
次に、周辺領域に形成される外部回路接続端子１０２の構成について、図８から図１２を参照して詳細に説明する。ここに図８は、外部回路接続端子及びダミー端子の構成を示す平面図である。また図９は、外部回路接続端子の具体的な構成を示す平面図であり、図１０は、図９のＢ−Ｂ´線断面図である。更に図１１は、ダミー端子の具体的な構成を示す平面図であり、図１２は、図１１のＢ−Ｂ´線断面図である。尚、図９から図１２では、説明の便宜上、図７に示した各層のうち必要なもののみを図示しており、その他の層を省略している。
【００７９】
図８において、外部回路接続端子１０２は、配線２００を介して、夫々データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４等の周辺回路に電気的に接続されている。また、本実施形態に係る電気光学装置では、外部回路接続端子１０２を模擬するように構成されたダミー端子１０２ｄが設けられている。ダミー端子１０２ｄは、外部回路接続端子１０２とは異なり、配線２００を介して周辺回路と電気的に接続されていない。このため、ダミー端子１０２ｄでは、電気光学装置の動作時において、各種信号の入出力が行われない。
【００８０】
ダミー端子１０２ｄは、例えば製造工程の途中において検査用配線（図示せず）と電気的に接続され、検査用の信号を入出力するのに用いられる。検査用配線は、典型的には検査終了後に切断される。このため、製品としての電気光学装置では、ダミー端子１０２ｄには検査用配線は電気的に接続されていない状態となる。
【００８１】
図９及び図１０において、外部回路接続端子１０２は、半導体層３０ｃと、中継層７ａと、第１中継層７ａと、第２中継層６ａと、第１透明導電膜７１ａと、第２透明導電膜９ａとが積層されることによって形成されている。
【００８２】
半導体層３０ｃは、画素部におけるＴＦＴ３０を構成する層と同一膜で構成されており、コンタクトホール８１を介して、第１中継層７ａと電気的に接続されている。
【００８３】
第１中継層７ａは、半導体層３０ｃの上層に、層間絶縁膜１４を介して積層されている。第１中継層７ａは、画素部における中継層７と同一膜で構成されている。ここでの、第１中継層７ａは、本発明の「第３導電膜」の一例である。
【００８４】
第２中継層は、第１中継層７ａの上層に、絶縁膜１７を介して積層されている。第２中継層６ａは、画素部におけるデータ線６と同一膜で構成されており、コンタクトホール８２によって、第１中継層７ａと電気的に接続されている。コンタクトホール８２は、図９に示すように、端子部の外周を囲うように複数設けられている。また、層間絶縁膜１７には、成膜後に平坦化処理が施されている。ここでの、第２中継層６ａは、本発明の「第２導電層」の一例であり、層間絶縁膜１７は、本発明の「第１層間絶縁膜」の一例である。
【００８５】
第２中継層６ａの上層には、層間絶縁膜１５を介して、第１透明導電膜７１ａが設けられている。第１透明導電膜７１ａは、画素部における容量電極７１と同一膜で構成されており、コンタクトホール８３を介して、第２中継層６ａと電気的に接続されている。ここでの層間絶縁膜１５は、本発明の「第２層間絶縁膜」の一例であり、コンタクトホール８３は、本発明の「第２開口部」の一例である。
【００８６】
第１透明導電膜７１ａの上層には、誘電体膜７２ａを介して、第２透明導電膜９ａが設けられている。第２透明導電膜９ａは、画素部における画素電極９と同一膜で構成されており、コンタクトホール８４を介して、第１透明導電膜７１ａと電気的に接続されている。ここでの第２透明導電膜９ａは、本発明の「第１導電膜」の一例であり、コンタクトホール８４は、本発明の「第１開口部」の一例である。
【００８７】
上述したように、本実施形態に係る電気光学装置では、外部回路接続端子１０２が２つの透明な導電層（即ち、第１透明導電膜７１ａ及び第２透明導電膜９ａ）を含んで構成されている。よって、例えば外部回路接続端子１０２が１つの導電層によって構成される場合と比較して、ＴＦＴアレイ基板１０表面における段差を小さくすることができる。具体的には、より多くの層が積層されることにより表面の起伏がなだらかなものとされている。
【００８８】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、上述したような積層構造が形成された後、液晶層５０の配向方向を揃えるための配向膜１６（図２参照）が配置され、ラビング処理が施される。この際、仮にＴＦＴアレイ基板１０上に段差が生じていると、配向膜１６に意図しないスジが発生したり、削りカスが発生したりする可能性が高くなる。
【００８９】
これに対し、本実施形態に係る電気光学装置では、外部回路接続端子１０２が２つの透明な導電層を含んで構成されることで、表面における段差が小さくされている。よって、上述したラビング処理における様々な不都合を回避することが可能である。
【００９０】
また本実施形態に係る電気光学装置では、上述したように、各画素部も２つの透明な導電層（即ち、容量電極７１及び画素電極９）を含んで構成されている。このため、画像表示領域１０ａにおいて画素部を構成している透明な導電層を周辺領域まで延在させることにより、上述した外部回路接続端子１０２の構成を容易に実現することができる。
【００９１】
図１１及び図１２において、ダミー端子１０２ｄは、外部回路接続端子１０２と同様に、半導体層３０ｃと、中継層７ａと、第１中継層７ａと、第２中継層６ａと、第１透明導電膜７１ａと、第２透明導電膜９ａとが積層されることによって形成されている。但し、ダミー端子１０２ｄでは、外部回路接続端子１０２のように、半導体層３０ｃと第１中継層７ａとを電気的に接続するコンタクトホール８１、及び第１中継層７ａと第２中継層６ａとを電気的に接続するコンタクトホール８２が形成されていない。
【００９２】
ダミー端子１０２ｄは、上述したように、ＴＦＴアレイ基板１０の表面に位置する端子部分（即ち、第２透明導電膜９ａ）が、第１中継層７ａ及び半導体層３０ｃとは電気的にされないため、その分が積層構造の起伏の差となって、外部回路接続端子１０２との間に段差が生じてしまう場合がある。
【００９３】
これに対し本実施形態に係る電気光学装置では、ダミー端子１０２ｄが第１透明導電膜７１ａと、第２透明導電膜９ａを含むように構成されているため、外部回路接続端子１０２とダミー端子１０２ｄとの間に生じる段差を小さくすることができる。よって、ＴＦＴアレイ基板１０表面をよりなだらかなものとすることができる。従って、より好適にラビング処理を行うことが可能である。
【００９４】
尚、ここでは、外部回路接続端子１０２とダミー端子１０２ｄとの相違点を、コンタクトホール８１及び８２の有無として説明したが、例えば外部回路接続端子１０２における一部の層が、ダミー端子１０２ｄには設けられないような場合であっても、上述した効果は同様に得られる。
【００９５】
以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置によれば、ＴＦＴアレイ基板１０上の段差を小さくすることができるため、ラビング処理を好適に行うことが可能となる。これにより、スジムラ等の表示不良を防止することができるため、高品質な画像を表示することが可能である。
【００９６】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図１３は、プロジェクターの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクターについて説明する。
【００９７】
図１３に示されるように、プロジェクター１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【００９８】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００９９】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【０１００】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルターを設ける必要はない。
【０１０１】
尚、図１３を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダー型、モニタ直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【０１０２】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【０１０３】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【０１０４】
６…データ線、６ａ…第２中継層、７…中継層、７ａ…第１中継層、９…画素電極、９ａ…第２透明導電膜、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１１…走査線、１２，１３，１４，１５，１７…層間絶縁膜、２０…対向基板、３０…ＴＦＴ、３０ａ、３０ｃ…半導体層、３０ｂ…ゲート電極、５０…液晶層、７０…蓄積容量、７１…容量電極、７１ａ…第１透明導電膜、７２ａ…誘電体膜、８１，８２，８３，８４…コンタクトホール、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部回路接続端子、１０２ｄ…ダミー端子、１０４…走査線駆動回路
【図１】
2010191134.tif 000003
【図２】
2010191134.tif 000004
【図３】
2010191134.tif 000005
【図４】
2010191134.tif 000006
【図５】
2010191134.tif 000007
【図６】
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【図７】
2010191134.tif 000009
【図８】
2010191134.tif 000010
【図９】
2010191134.tif 000011
【図１０】
2010191134.tif 000012
【図１１】
2010191134.tif 000013
【図１２】
2010191134.tif 000014
【図１３】
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