(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子を気密に封止することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】有機ＥＬ素子を備えたアクティブエリアを有するアレイ基板と、アレイ基板の有機ＥＬ素子と向かい合う封止基板と、アクティブエリアを囲む枠状に形成され、アレイ基板と封止基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材と、封止基板の有機ＥＬ素子と向かい合う第１面またはこの第１面とは反対側の第２面に配置され、アクティブエリアの上方に設けられた検出電極と、検出電極に接続されるとともにシール部材と交差してアクティブエリアからその外側に引き出され、シール部材と交差する交差部の線幅がシール部材の幅より小さい配線と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。【選択図】      図２
2010198849.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ素子を備えたアクティブエリアを有するアレイ基板と、
前記アレイ基板の前記有機ＥＬ素子と向かい合う封止基板と、
アクティブエリアを囲む枠状に形成され、前記アレイ基板と前記封止基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材と、
前記封止基板の前記有機ＥＬ素子と向かい合う第１面またはこの第１面とは反対側の第２面に配置され、アクティブエリアの上方に設けられた検出電極と、
前記検出電極に接続されるとともに前記シール部材と交差してアクティブエリアからその外側に引き出され、前記シール部材と交差する交差部の線幅が前記シール部材の幅より小さい配線と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
有機ＥＬ素子を備えたアクティブエリアを有するアレイ基板と、
前記アレイ基板の前記有機ＥＬ素子と向かい合う封止基板と、
アクティブエリアを囲む枠状に形成され、前記アレイ基板と前記封止基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材と、
前記封止基板の前記有機ＥＬ素子と向かい合う第１面またはこの第１面とは反対側の第２面に配置され、アクティブエリアの上方に設けられた検出電極と、
前記検出電極に接続されるとともに前記シール部材と交差してアクティブエリアからその外側に引き出され、前記シール部材と交差する交差部でくびれた配線と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記配線の交差部の線幅は、前記シール部材の幅の１／２以下であることを特徴とする請求項１乃至２のいずれか1項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
有機ＥＬ素子を備えたアクティブエリアを有するアレイ基板と、
前記アレイ基板の前記有機ＥＬ素子と向かい合う封止基板と、
アクティブエリアを囲む枠状に形成され、前記アレイ基板と前記封止基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材と、
前記封止基板の前記有機ＥＬ素子と向かい合う第１面またはこの第１面とは反対側の第２面に配置され、アクティブエリアの上方に設けられた検出電極と、
前記検出電極に接続されるとともに前記シール部材と交差してアクティブエリアからその外側に引き出され、前記シール部材と交差する交差部に開口が形成された配線と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記配線の交差部の総面積に対して、交差部に形成された開口の総面積が５０％以上であることを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラストの特徴を有し、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。
【０００３】
この有機ＥＬ素子は、水分や酸素の影響により劣化しやすい薄膜を含んでいる。このため、有機ＥＬ素子が水分や酸素に曝されないように気密に封止する必要がある。近年では、より気密性を高めるために、有機ＥＬ素子を囲むように配置されたフリットガラスを用いてアレイ基板と封止基板とを接合する技術が提案されている。
【０００４】
例えば、特許文献１によれば、第１基板と第２基板とを接合するフリットと、第１基板に形成された走査線、データ線、電源供給ラインなどの電極ラインとが重畳する交差部領域において、電極ラインがフリットに照射されるレーザーの熱によって加熱され電極ラインの変形や割れが発生するといった課題や、レーザーがフリットを経由して電極ラインに供給される際に電極ラインで反射されたレーザーがフリットに再供給されることにより、フリットが過熱され、電極ラインとフリットの間の接着力が低下するといった課題が記載されている。この特許文献１は、上述した課題に対して、電極ラインがフリットと交差する交差部領域で少なくとも１つの開口部を備える構成を開示している。
【０００５】
一方で、特許文献２によれば、表示画面上に指やペンなどの物体を接触させることにより入力操作を行う、いわゆるタッチパネル機能が付加された有機ＥＬ装置が開示されている。この特許文献２には、タッチパネルとして静電容量方式を採用した構成では、表示装置側で発生した電界が検出電極に到達することでノイズとなって検出精度が低下するといった課題が記載されている。上記課題に対して、特許文献２は、有機層を挟持する一対の電極のうち、タッチパネル側に配置された電極が面状に形成され、有機層を挟持する一対の電極間で発生した電界成分を遮蔽するシールド電極として機能する構成を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２００８３５号公報
【特許文献２】特開２００８−２１６５４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、有機ＥＬ素子を気密に封止することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、
有機ＥＬ素子を備えたアクティブエリアを有するアレイ基板と、前記アレイ基板の前記有機ＥＬ素子と向かい合う封止基板と、アクティブエリアを囲む枠状に形成され、前記アレイ基板と前記封止基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材と、前記封止基板の前記有機ＥＬ素子と向かい合う第１面またはこの第１面とは反対側の第２面に配置され、アクティブエリアの上方に設けられた検出電極と、前記検出電極に接続されるとともに前記シール部材と交差してアクティブエリアからその外側に引き出され、前記シール部材と交差する交差部の線幅が前記シール部材の幅より小さい配線と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、
有機ＥＬ素子を備えたアクティブエリアを有するアレイ基板と、前記アレイ基板の前記有機ＥＬ素子と向かい合う封止基板と、アクティブエリアを囲む枠状に形成され、前記アレイ基板と前記封止基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材と、前記封止基板の前記有機ＥＬ素子と向かい合う第１面またはこの第１面とは反対側の第２面に配置され、アクティブエリアの上方に設けられた検出電極と、前記検出電極に接続されるとともに前記シール部材と交差してアクティブエリアからその外側に引き出され、前記シール部材と交差する交差部でくびれた配線と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【００１０】
本発明の他の態様によれば、
有機ＥＬ素子を備えたアクティブエリアを有するアレイ基板と、前記アレイ基板の前記有機ＥＬ素子と向かい合う封止基板と、アクティブエリアを囲む枠状に形成され、前記アレイ基板と前記封止基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材と、前記封止基板の前記有機ＥＬ素子と向かい合う第１面またはこの第１面とは反対側の第２面に配置され、アクティブエリアの上方に設けられた検出電極と、前記検出電極に接続されるとともに前記シール部材と交差してアクティブエリアからその外側に引き出され、前記シール部材と交差する交差部に開口が形成された配線と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、有機ＥＬ素子を気密に封止することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置に適用可能な有機ＥＬ素子を備えたアレイ基板の構成を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す断面図である。
【図４】図４は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の他の構成を概略的に示す断面図である。
【図５】図５は、封止基板の構成を概略的に示す平面図である。
【図６】図６は、図５に示した封止基板をアレイ基板に接合した際の、配線とシール部材との位置関係の一例を説明するための概略平面図である。
【図７】図７は、図５に示した封止基板をアレイ基板に接合した際の、配線とシール部材との位置関係の他の例を説明するための概略平面図である。
【図８】図８は、シール部材によるアレイ基板と封止基板との接合方法を説明するための概略断面図である。
【図９】図９は、封止基板の第１面に配置された配線とシール部材との交差部の概略断面図である。
【図１０】図１０は、封止基板の第２面に配置された配線とシール部材との交差部の概略断面図である。
【図１１】図１１は、シール部材と交差する配線の交差部におけるレーザースポットの関係を説明するための封止基板の側から見た平面図である。
【図１２】図１２は、第１実施形態に係る配線とシール部材と位置関係を説明するための封止基板の側から見た平面図である。
【図１３】図１３は、第２実施形態に係る配線とシール部材と位置関係を説明するための封止基板の側から見た平面図である。
【図１４】図１４は、第３実施形態に係る配線とシール部材と位置関係を説明するための封止基板の側から見た平面図である。
【図１５】図１５は、第３実施形態のバリエーションを説明するための封止基板の側から見た平面図である。
【図１６】図１６は、第３実施形態のバリエーションを説明するための封止基板の側から見た平面図である。
【図１７】図１７は、第３実施形態のバリエーションを説明するための封止基板の側から見た平面図である。
【図１８】図１８は、第３実施形態のバリエーションを説明するための封止基板の側から見た平面図である。
【図１９】図１９は、配線に形成される開口の均一性を説明するための封止基板の側から見た平面図である。
【図２０】図２０は、第２実施形態と第３実施形態とを組み合わせた構成例を説明するための封止基板の側から見た平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１４】
図１は、有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。
【００１５】
すなわち、有機ＥＬ表示装置は、アレイ基板１００及び封止基板２００を備えている。アレイ基板１００は、画像を表示するアクティブエリア１０２において、マトリクス状に配置された複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを備えている。この有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、発生した光を封止基板２００の側から出射するトップエミッション型として構成されている。
【００１６】
アレイ基板１００は、アクティブエリア１０２の外側において、封止基板２００の端部２００Ｅから外方に向かって延在した延在部１１０を備えている。この延在部１１０には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電源や各種制御信号を供給する駆動ＩＣチップ１２０やフレキシブル・プリンテッド・サーキット（以下、ＦＰＣと称する）１３０などが接続されている。
【００１７】
封止基板２００は、アクティブエリア１０２において、アレイ基板１００の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと向かい合っている。この封止基板２００は、アクティブエリア１０２の外側において、アレイ基板１００の端部１００Ｅから外方に向かって延在した延在部２１０を備えている。この延在部２１０は、アクティブエリア１０２を挟んで延在部１１０の反対側に形成されている。
【００１８】
これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、アクティブエリア１０２を囲むように枠状に配置されたシール部材３００により接合されている。このシール部材３００は、フリットガラスによって形成されている。有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、アレイ基板１００と封止基板２００との間に封止されている。
【００１９】
図２は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを備えたアレイ基板１００の構成を概略的に示す断面図である。
【００２０】
アレイ基板１００は、ガラスなどの絶縁基板１０１、絶縁基板１０１の上に形成されたスイッチングトランジスタＳＷ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤなどを有している。絶縁基板１０１の上には、アンダーコート層１１１が配置されている。このアンダーコート層１１１は、例えば、シリコン酸化物によって形成されている。
【００２１】
アンダーコート層１１１の上には、スイッチングトランジスタＳＷの半導体層ＳＣが配置されている。この半導体層ＳＣは、例えばポリシリコンによって形成されている。この半導体層ＳＣには、チャネル領域ＳＣＣを挟んでソース領域ＳＣＳ及びドレイン領域ＳＣＤが形成されている。半導体層ＳＣは、ゲート絶縁膜１１２によって被覆されている。また、このゲート絶縁膜１１２は、アンダーコート層１１１の上に配置されている。このゲート絶縁膜１１２は、例えば、シリコン窒化物によって形成されている。
【００２２】
ゲート絶縁膜１１２の上には、チャネル領域ＳＣＣの直上にスイッチングトランジスタＳＷのゲート電極Ｇが配置されている。この例では、スイッチングトランジスタＳＷは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。ゲート電極Ｇは、パッシベーション膜１１３によって被覆されている。また、このパッシベーション膜１１３は、ゲート絶縁膜１１２の上に配置されている。このパッシベーション膜１１３は、例えば、シリコン窒化物によって形成されている。
【００２３】
パッシベーション膜１１３の上には、スイッチングトランジスタＳＷのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄが配置されている。ソース電極Ｓは、半導体層ＳＣのソース領域ＳＣＳにコンタクトしている。ドレイン電極Ｄは、半導体層ＳＣのドレイン領域ＳＣＤにコンタクトしている。ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、有機絶縁膜１１４によって被覆されている。また、この有機絶縁膜１１４は、パッシベーション膜１１３の上に配置されている。
【００２４】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する画素電極ＰＥは、有機絶縁膜１１４の上に配置されている。画素電極ＰＥは、スイッチングトランジスタＳＷのドレイン電極Ｄに接続されている。この画素電極ＰＥは、この例では陽極に相当する。この画素電極ＰＥは、反射電極ＰＥＲ及び透過電極ＰＥＴが積層された２層構造である。つまり、反射電極ＰＥＲは、有機絶縁膜１１４の上に配置されている。透過電極ＰＥＴは、反射電極ＰＥＲの上に積層されている。反射電極ＰＥＲは、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する導電材料によって形成されている。透過電極ＰＥＴは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。なお、画素電極ＰＥは、上記した２層構造に限らず、反射電極ＰＥＲ単層であっても良い。
【００２５】
有機絶縁膜１１４の上には、隔壁ＰＩが配置されている。この隔壁ＰＩは、画素電極ＰＥの周縁に沿って配置されている。この隔壁ＰＩは、例えば樹脂材料をパターニングすることによって形成可能である。
【００２６】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する有機層ＯＲＧは、画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、少なくとも発光層を含み、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などを含んでも良い。
【００２７】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この例では、対向電極ＣＥは、陰極に相当する。この対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧのみならず隔壁ＰＩも被覆している。このような対向電極ＣＥは、例えば、マグネシウム・銀などによって形成されている。
【００２８】
図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す断面図である。なお、図３では、説明に必要な構成のみを図示している。
【００２９】
アレイ基板１００の延在部１１０において、封止基板２００と向かい合う側の面には、駆動ＩＣチップ１２０やＦＰＣ１３０などが接続されている。封止基板２００の延在部２１０には、ＦＰＣ２１１などが接続されている。このＦＰＣ２１１は、封止基板２００のアレイ基板１００と向かい合う第１面２０１に配置されている。また、封止基板２００のアレイ基板１００と向かい合う第１面２０１とは反対側の第２面２０２には、偏光板などを含む各種光学素子ＯＤが配置されている。
【００３０】
図４は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の他の構成を概略的に示す断面図である。なお、図４では、説明に必要な構成のみを図示している。この図４に示した例は、図３に示した例と比較して、封止基板２００の延在部２１０に接続されるＦＰＣ２１１が第２面２０２に配置されている点で相違する。アレイ基板１００の延在部１１０には、図３に示した例と同様に、駆動ＩＣチップ１２０やＦＰＣ１３０などが接続されている。
【００３１】
図５は、封止基板２００の構成を概略的に示す平面図である。
【００３２】
封止基板２００は、ガラスなどの光透過性を有する絶縁基板である。この封止基板２００には、物体の接触を検出する検出ユニット４００が搭載されている。検出ユニット４００は、例えば、人間の指やペンで接触によって形成された静電容量を介して微弱な電流を流し、この電流量から接触位置を検出する静電容量方式を採用している。
【００３３】
検出ユニット４００を構成する検出電極４１０は、封止基板２００の第１面２０１または第２面２０２に配置されている。この検出電極４１０は、アクティブエリア１０２の上方に設けられている。図５に示した例では、検出電極４１０は、各々三角形状に形成され、複数個配置されているが、検出電極４１０の各々の形状や配置される個数についてはここに示した例に限らない。このような検出電極４１０は、アクティブエリア１０２の上方に設けられているため、表示された画像に影響を与えないように、ＩＴＯやＩＺＯなどの光透過性を有する導電材料によって形成されている。
【００３４】
アクティブエリア１０２の外側において、封止基板２００の検出電極４１０が配置された面と同一面には、電極パッド４２０が配置されている。この電極パッド４２０は、検出電極４１０の個数と同数以上設けられている。このような電極パッド４２０は、封止基板２００の延在部２１０に並んで配置されている。この図５には図示していないが、電極パッド４２０には、図３及び図４に示したようなＦＰＣ２１１が接続される。ＦＰＣ２１１は、封止基板２００の検出電極４１０が配置された面と同一面に接続される。
【００３５】
検出電極４１０に接続された配線４３０は、アクティブエリア１０２から引き出され、電極パッド４２０に接続されている。このような配線４３０は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などの比較的低抵抗な導電材料を用いて形成されている。上述した電極パッド４２０についても、配線４３０と同様の導電材料を用いて形成されている。
【００３６】
図６は、図５に示した封止基板２００をアレイ基板１００にシール部材３００を用いて接合した際の、配線４３０とシール部材３００との位置関係の一例を説明するための概略平面図である。
【００３７】
配線４３０は、アクティブエリア１０２の検出電極４１０に接続され、検出電極４１０に近接したシール部材３００と交差してアクティブエリア１０２の外側に引き出されている。この配線４３０は、アクティブエリア１０２の外側において、シール部材３００に沿って延在している。
【００３８】
図７は、図５に示した封止基板２００をアレイ基板１００にシール部材３００を用いて接合した際の、配線４３０とシール部材３００との位置関係の他の例を説明するための概略平面図である。なお、図７において、配線４３０の長さは正確ではない。
【００３９】
配線４３０は、アクティブエリア１０２の検出電極４１０に接続され、アクティブエリア１０２において、シール部材３００に沿って延在している。この配線４３０は、電極パッド４２０に近接したシール部材３００と交差してアクティブエリア１０２の外側に引き出され、電極パッド４２０に接続されている。
【００４０】
図８は、シール部材３００によるアレイ基板１００と封止基板２００との接合方法を説明するための概略断面図である。
【００４１】
図８に示したシール部材３００は、例えば以下のようにして形成される。すなわち、封止基板２００の上に、粉状のガラスをペースト状にしたフリットガラスペーストをスクリーン印刷法などにより塗布する。そして、フリットガラスペーストを塗布した封止基板２００を焼成し、フリットガラスペーストを硬化させる。このようにして硬化したフリットガラスがシール部材３００に相当する。
【００４２】
そして、シール部材３００を備えた封止基板２００は、アレイ基板１００とアライメントして重ね合わせられる。そして、封止基板２００の側からシール部材３００に向けて、例えば波長８００ｎｍのレーザー光Ｌを照射し、シール部材３００であるフリットガラスを溶融して、アレイ基板１００に接着される。これにより、アレイ基板１００と封止基板２００とが接合される。
【００４３】
図９は、封止基板２００の第１面２０１に配置された配線４３０とシール部材３００との交差部の概略断面図である。ここでは、封止基板２００の同一面つまり第１面２０１において、配線４３０とシール部材３００とが交差している。つまり、交差部において、シール部材３００は配線４３０の上に重なっている。なお、シール部材３００と配線４３０との間に他の部材が介在していても良い。
【００４４】
図９に示したような交差部において、封止基板２００の側からシール部材３００に向けて照射されたレーザー光Ｌは、配線４３０によって反射され、散乱されるため、配線４３０の直下のシール部材３００に到達しない、もしくは十分に到達しない。
【００４５】
図１０は、封止基板２００の第２面２０２に配置された配線４３０とシール部材３００との交差部の概略断面図である。ここでは、封止基板２００の第１面２０１に配置されたシール部材３００と、封止基板２００の第２面２０２に配置された配線４３０とが交差している。つまり、シール部材３００と配線４３０との間には、封止基板２００が介在しているが、レーザー光Ｌが照射される封止基板２００の側から投影したときに、交差部においてシール部材３００と配線４３０とが重なっている。
【００４６】
図１０に示したような交差部においても、図９に示した場合と同様に、封止基板２００の側からシール部材３００に向けて照射されたレーザー光Ｌは、配線４３０によって反射され、散乱されるため、配線４３０の直下のシール部材３００に到達しない、もしくは十分に到達しない。
【００４７】
図１１は、シール部材３００及び配線４３０と、レーザースポットＳＰとの関係を説明するための封止基板２００の側から見た平面図である。レーザースポットＳＰは、シール部材３００が延在する方向、例えば図１１の上から下に向かう方向に沿ってスキャンされ、シール部材３００を順次加熱する。ここに示したレーザースポットＳＰは、一辺の長さがシール部材３００の幅Ｗ１と同等以上の略矩形状であるが、直径が幅Ｗ１と同等以上の円形状であっても良い。なお、シール部材３００の幅Ｗ１は、シール部材３００が延在する方向に対して直交する方向の長さに相当する。
【００４８】
配線４３０は、シール部材３００と交差する交差部４３１を有している。配線４３０の交差部４３１は、線幅Ｗ２を有するように形成されている。この線幅Ｗ２は、配線４３０の延在する方向に対して直交する方向の長さとする。線幅Ｗ２が幅Ｗ１より大きい場合、レーザースポットＳＰの全体が配線４３０と重なる。この場合、配線４３０の直下のシール部材３００を溶融するのに十分な温度に加熱することができず、アレイ基板１００とシール部材３００との接着不良を招くおそれがある。このようなアレイ基板１００とシール部材３００との接着不良は、アレイ基板１００と封止基板２００との間の空間への酸素や水分の浸入を許容してしまうおそれがある。
【００４９】
そこで、第１実施形態によれば、図１２に示すように、配線４３０の交差部４３１における線幅Ｗ２は、シール部材３００の幅Ｗ１より小さく形成されている。以下に、寸法の一例を示すが、各寸法についてはこの例に限らない。シール部材３００の幅Ｗ１は、例えば０．５ｍｍ〜０．７ｍｍ程度である。この場合、レーザースポットＳＰの一辺の長さは、幅Ｗ１と同等以上であり、例えば０．５ｍｍ〜１．０ｍｍ程度である。
【００５０】
これに対して、配線４３０の線幅Ｗ２は、０．１ｍｍ〜０．２５ｍｍ程度である。この配線４３０は、シール部材３００より内側のアクティブエリア１０２における線幅Ｗ３が線幅Ｗ２と略同等であり、また、シール部材３００より外側の線幅Ｗ４が線幅Ｗ２と略同等であって、電極パッド４２０に接続されている。つまり、配線４３０は、略一定の線幅で形成されている。なお、ここでの線幅とは、いずれも配線４３０の延在する方向に対して直交する方向の長さに相当する。電極パッド４２０の幅Ｗ５は、配線４３０の線幅Ｗ４と略同等もしくは線幅Ｗ４以上に形成されている。
【００５１】
このような構成によれば、レーザースポットＳＰの全体が配線４３０と重なることはない。このため、配線４３０の直下のシール部材３００については、配線４３０に重ならないシール部材３００に照射されたレーザースポットＳＰの熱が伝導し、溶融するのに十分な温度に加熱することが可能となる。これにより、配線４３０と交差するシール部材３００は、アレイ基板１００との接着が可能となる。したがって、アレイ基板１００と封止基板２００との間の空間への酸素や水分の浸入が防止され、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを気密に封止することが可能となる。
【００５２】
上述した配線４３０の線幅Ｗ２については、シール部材３００の幅Ｗ１の１／２以下に設定することが望ましい。配線４３０の直下のシール部材３００を確実に溶融するためには、配線４３０を介することなくレーザースポットＳＰとシール部材３００とが重なる面積が、レーザースポットＳＰの面積の５０％以上であることが望ましい。換言すると、配線４３０の交差部４３１の面積は、レーザースポットＳＰの面積の５０％未満とすることが望ましい。
【００５３】
図１２に示した例のように、レーザースポットＳＰの一辺の長さが幅Ｗ１と略同等である場合、レーザースポットＳＰの面積の５０％以上がシール部材３００と重なるためには、線幅Ｗ２は幅Ｗ１の１／２以下に設定される。これにより、配線４３０の直下のシール部材３００とアレイ基板１００とを確実に接着することが可能となる。
【００５４】
なお、上述した第１実施形態において、配線４３０は、少なくとも交差部４３１の線幅Ｗ２がシール部材３００の幅Ｗ１より小さく形成されていればよく、一定の線幅で形成されていなくても良い。例えば、シール部材３００より内側の線幅Ｗ３及びシール部材３００より外側の線幅Ｗ４は、線幅Ｗ２より大きくても良いし、線幅Ｗ２より小さくても良い。また、シール部材３００より内側の線幅Ｗ３及びシール部材３００より外側の線幅Ｗ４は、シール部材３００の幅Ｗ１より大きくても良いし、幅Ｗ１より小さくても良い。
【００５５】
次に、第２実施形態について説明する。図１３に示すように、配線４３０は、シール部材３００と交差する交差部４３１においてくびれている。つまり、配線４３０において、交差部４３１の線幅Ｗ２は、シール部材３００より内側の線幅Ｗ３より小さく、また、シール部材３００より外側の線幅Ｗ４より小さい。この線幅Ｗ２は、第１実施形態と同様に、シール部材３００の幅Ｗ１より小さく形成されている。線幅Ｗ３及び線幅Ｗ４については、特に制限は無く、シール部材の幅Ｗ１より大きくても良い。
【００５６】
このような構成によれば、第１実施形態と同様に、レーザースポットＳＰの全体が配線４３０と重なることはない。つまり、レーザースポットＳＰの一部は、配線４３０によって遮光されることなく、シール部材３００に到達する。このため、配線４３０と交差するシール部材３００は、アレイ基板１００との接着が可能となる。したがって、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００５７】
この第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、配線４３０の線幅Ｗ２は、シール部材３００の幅Ｗ１の１／２以下に設定することが望ましい。
【００５８】
次に、第３実施形態について説明する。図１４に示すように、配線４３０の交差部４３１には、複数の開口ＡＰのそれぞれが形成されている。各開口ＡＰは、配線４３０の交差部４３１において、シール部材３００と交差するように形成されている。複数の開口ＡＰは、交差部４３１において略平行に一列に並んで配置されている。これにより、交差部４３１には、シール部材３００と交差する複数の細線部４３１Ａが形成される。細線部４３１Ａの各々線幅Ｗ６は、シール部材３００の幅Ｗ１よりも小さい。なお、交差部４３１に形成される開口ＡＰの個数や形状は、この例に限定されない。
【００５９】
このような構成によれば、第１実施形態と同様に、レーザースポットＳＰの全体が配線４３０と重なることはない。つまり、レーザースポットＳＰの一部は、細線部４３１Ａによって遮光されることなく、シール部材３００に到達する。このため、配線４３０と交差するシール部材３００は、アレイ基板１００との接着が可能となる。したがって、第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００６０】
なお、この第３実施形態においては、交差部４３１の線幅Ｗ２は、シール部材３００の幅Ｗ１より大きく形成されても良いし、幅Ｗ１より小さく形成されても良い。すなわち、交差部４３１には、レーザースポットＳＰの一部がシール部材３００に到達するように開口ＡＰが形成されているため、線幅Ｗ２についての制限は特にない。シール部材３００より内側の線幅Ｗ３、並びに、シール部材３００より外側の線幅Ｗ４についても、特に制限は無く、シール部材の幅Ｗ１より大きくても良い。
【００６１】
この第３実施形態において、配線４３０に形成された開口ＡＰは、シール部材３００に到達するレーザースポットＳＰの面積の拡大を図るものである。開口ＡＰを形成したことにより、配線４３０の交差部４３１における実質的な線幅は、シール部材３００より内側あるいは外側の部分と比較して細い。しかしながら、この配線４３０は、検出ユニット４００の検出電極４１０に接続された配線であるため、この配線４３０には電界変化に伴って瞬間的に微弱電流が流れるものの、線幅が細いことによる高抵抗化の影響はほとんどない。つまり、配線４３０は、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを駆動するのに必要な各種信号や電源を供給するための配線とは異なり、電流の容量変化（差分）が検出できれば接触を検出するのに十分機能する。したがって、配線４３０に開口ＡＰを形成することによる影響はほとんど無視できる。
【００６２】
次に、交差部４３１に形成される開口ＡＰのバリエーションについて説明する。
【００６３】
図１５に示した例では、配線４３０の交差部４３１には、複数の開口ＡＰが２列に並んで形成されている。これにより、交差部４３１には、格子状の細線部４３１Ａが形成されている。細線部４３１Ａはシール部材３００の幅Ｗ１より細く形成されているため、レーザースポットＳＰの一部は確実にシール部材３００に到達する。なお、複数の開口ＡＰは、３列以上に並んで配置されても良い。
【００６４】
図１６に示した例では、配線４３０の交差部４３１には、複数の開口ＡＰが千鳥状あるいは市松模様状に形成されている。各開口ＡＰは、略正方形状である。これにより、交差部４３１には、格子状の細線部４３１Ａが形成されている。細線部４３１Ａはシール部材３００の幅Ｗ１より細く形成されているため、レーザースポットＳＰの一部は確実にシール部材３００に到達する。
【００６５】
図１７に示した例では、シール部材３００と交差する配線４３０の交差部４３１には、複数の開口ＡＰがマトリクス状に形成されている。各開口ＡＰは、略正方形状である。これにより、交差部４３１には、格子状の細線部４３１Ａが形成される。細線部４３１Ａはシール部材３００の幅Ｗ１より細く形成されているため、レーザースポットＳＰの一部は確実にシール部材３００に到達する。
【００６６】
図１８に示した例では、シール部材３００と交差する配線４３０の交差部４３１の略中央には、単一の開口ＡＰが形成されている。交差部４３１において開口ＡＰを挟む細線部４３１Ｂ及び４３１Ｃは、それぞれシール部材３００の幅Ｗ１よりも小さい線幅Ｗ７及びＷ８に形成されている。これにより、レーザースポットＳＰの一部は、確実にシール部材３００に到達する。
【００６７】
これらのバリエーションにおいても、第１実施例と同様の効果が得られる。
【００６８】
なお、この第３実施形態において、開口ＡＰの形状は、図示した例に限らず、円形状、三角形状、菱形状などいずれの形状であっても良い。
【００６９】
上述した配線４３０の交差部４３１に形成された開口ＡＰの総面積は、交差部４３１の総面積に対して５０％以上に設定することが望ましい。第１実施形態で説明したのと同様に、配線４３０の直下のシール部材３００を確実に溶融するためには、配線４３０を介することなくレーザースポットＳＰとシール部材３００とが重なる面積が、レーザースポットＳＰの面積の５０％以上であることが望ましい。
【００７０】
また、開口ＡＰは、交差部４３１において偏在することなく、均一あるいは規則的に形成されることが望ましい。例えば、図１９に示すように、シール部材３００と交差する配線４３０の交差部４３１が第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２によって構成される場合について説明する。第１領域Ｒ１及び第２領域Ｒ２は、交差部４３１において配線４３０の線幅方向に並んだ領域であり、同一面積である。第１領域Ｒ１に形成される開口ＡＰは、その総面積が第１領域Ｒ１の総面積に対して５０％以上となるように形成される。同様に、第２領域Ｒ２に形成される開口ＡＰは、その総面積が第２領域Ｒ２の総面積に対して５０％以上となるように形成される。この場合、開口ＡＰは、交差部４３１において略均一に形成されたとみなすことができる。このように開口ＡＰを形成することにより、開口ＡＰをパスしたレーザー光の熱がシール部材３００に均一に伝わり、アレイ基板１００とシール部材３００とのより確実な接着が可能となる。
【００７１】
以上説明したように、有機ＥＬ素子を気密に封止することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【００７２】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００７３】
本実施形態では、封止基板２００の延在部２１０がアクティブエリア１０２を挟んでアレイ基板１００の延在部１１０の反対側に配置された例について説明したが、この例に限らず、封止基板２００の延在部２１０は、アレイ基板１００の延在部１１０の直上であっても良いし、他の向きに配置しても良い。
【００７４】
また、本実施形態で説明した第１実施形態と第３実施形態とを組み合わせても良い。すなわち、図示を省略するが、シール部材３００と交差する交差部４３１の線幅Ｗ２がシール部材３００の幅Ｗ１より小さい配線４３０について、交差部４３１に開口ＡＰを形成しても良い。
【００７５】
同様に、本実施形態で説明した第２実施形態と第３実施形態とを組み合わせても良い。すなわち、図２０に示すように、シール部材３００と交差する交差部４３１においてくびれた配線４３０について、交差部４３１に開口ＡＰを形成しても良い。この場合、交差部４３１の線幅Ｗ２は、シール部材３００の幅Ｗ１より小さくても良いし、シール部材３００の幅Ｗ１より大きくても良い。
【００７６】
本実施形態では、フリットガラスからなるシール部材３００を溶融する熱源として、波長８００ｎｍのレーザー光を使用する場合について説明したが、熱源はこれに限らない。
【００７７】
本実施形態において、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの有機層ＯＲＧの材料については、蛍光材料を含んでいても良いし、燐光材料を含んでいても良い。
【符号の説明】
【００７８】
１…表示パネル
１００…アレイ基板  ２００…封止基板  ３００…シール部材
ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子
ＰＥ…画素電極（ＰＥＲ…反射電極  ＰＥＴ…透過電極）
ＯＲＧ…有機層
ＣＥ…対向電極
４００…検出ユニット
４１０…検出電極
４２０…電極パッド
４３０…配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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