【手続補正書】
【提出日】令和3年8月26日(2021.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホログラム（１）、特に、セキュリティ要素（１ａ）及び／又はセキュリティ文書（１ｂ）のためのホログラム（１）の製造方法であって、
１つ以上の仮想ホログラム面（１０）は、１つ以上の仮想モデル（２０）の前及び／又は後に配置され、及び／又は、１つ以上の仮想ホログラム面（１０）は、１つ以上の仮想モデル（２０）と交差するように配置され、
１つ以上の仮想光源（３０）は、１つ以上の前記仮想モデル（２０）の表面（２１）の１つ以上の部分領域に配置され、
１つ以上の仮想電磁界（４０）は、前記１つ以上の仮想ホログラム面（１０）の１つ以上のゾーン（１１）における少なくとも１つの前記仮想光源（３０）から計算され、
前記１つ以上のゾーン（１１）において、それぞれの場合において、仮想全電磁界（４１）は、前記それぞれのゾーン（１１）における２つ以上、特に、全ての前記仮想電磁界（４０）の合計に基づいて計算され、
１つ以上の位相画像（５０）は、前記１つ以上のゾーン（１１）における前記仮想全電磁界（４１）から計算され、
前記ホログラム（１）の高さプロファイル（６０）は、前記１つ以上の位相画像（５０）から計算され、前記ホログラム（１）の前記高さプロファイル（６０）は、基板（２）に組み込まれ、前記ホログラム（１）を設けることを特徴とする、方法。
【請求項２】
１つ以上の前記仮想モデル（２０）は、それぞれの場合において、仮想２Ｄモデルとして又は仮想３Ｄモデルとして形成されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
２つ以上の前記仮想光源（３０）、特に、全ての前記仮想光源（３０）からの前記仮想電磁界（４０）は、立体角の１つ以上の範囲に亘って同じ強度及び／又は同じ強度分布を有し、及び／又は、２つ以上の前記仮想光源（３０）、特に、全ての前記仮想光源（３０）からの前記仮想電磁界（４０）は、立体角の１つ以上の範囲に亘って異なる強度及び／又は異なる強度分布を有し、及び／又は、１つ以上の前記仮想光源（３０）、特に、全ての前記仮想光源（３０）からの前記仮想電磁界（４０）は、立体角の１つ以上の範囲に亘って等方性又は異方性強度分布を有することを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
１つ以上の前記仮想光源（３０）、特に、全ての前記仮想光源（３０）は、仮想点光源（３１）を形成し、前記仮想点光源（３１）は、好ましくは仮想球面波を出射することを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記仮想光源（３０）、特に、前記仮想点光源（３１）のビームコーンは、±４５°の立体角の範囲、好ましくは±３５°の立体角の範囲、さらに好ましくは±２５°、さらに好ましくは±１５°に仮想開口を用いて規制されることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記仮想モデル（２０）の１つの前記表面（２１）の１つ以上の前記部分領域に配置された前記仮想光源（３０）は、前記仮想モデル（２０）の前記表面（２１）に少なくとも１つの方向に周期的に配置され、及び／又は、前記仮想モデル（２０）の前記表面（２１）に少なくとも１つの方向にランダム又は擬似ランダムに配置されることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記仮想モデル（２０）は、２つ以上の前記仮想ホログラム面（１０）に割り当てられ、前記割り当てられた仮想モデル（２０）又は前記割り当てられた仮想モデル（２０）の前記１つ以上の仮想光源（３０）からの前記１つ以上の仮想電磁界（４０）は、前記それぞれの仮想ホログラム面（１０）の前記１つ以上のゾーン（１１）において計算されることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記１つ以上の位相画像（５０）を計算するために、前記仮想全電磁界（４１）は、２つ以上の前記ゾーン（１１）によって、特に、前記仮想ホログラム面（１０）のうちの異なる仮想ホログラム面のゾーン（１１）である２つ以上のゾーン（１１）によって、特に、所定の基準方向（４２）に基づいて、重ね合わされ、特に、前記１つ以上の位相画像（５０）を計算するために重ね合わされた前記２つ以上のゾーン（１１）は、前記所定の基準方向（４２）に関して少なくとも部分的、好ましくは完全に重なり、その結果、前記設けられたホログラム（１）の異なるゾーン（１１）によって設けられた２つ以上のモチーフ（２２）は、好ましくは、前記所定の基準方向（４２）に関して前記設けられたホログラム（１）の表面の交差領域に生成され、及び／又は、前記１つ以上の位相画像（５０）を計算するために重ね合わされた前記２つ以上のゾーン（１１）は、前記所定の基準方向（４２）に関して重ならず、その結果、前記設けられたホログラム（１）の異なるゾーン（１１）によって提供された２つ以上のモチーフ（２２）は、好ましくは、前記所定の基準方向（４２）に関して前記設けられたホログラム（１）の表面のそれぞれの領域に生成されることを特徴とする、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
１つ以上の前記ゾーン（１１）における１つ以上の前記仮想ホログラム面（１０）は、少なくとも基準方向（４２）に沿ってゼロとは異なる曲率を有し、特に、凸状若しくは凹状に屈曲し又は局所的な曲率を有し、前記局所的な曲率に割り当てられた曲率半径は、特に、５ｍｍ〜５０ｍｍの間、好ましくは１０ｍｍ〜３０ｍｍの間であり、及び／又は、１つ以上の前記ゾーン（１１）における１つ以上の前記仮想ホログラム面（１０）は、所定の曲率を有し、前記１つ以上のゾーン（１１）における前記仮想全電磁界（４１）は、それぞれの場合において、前記１つ以上の仮想モデル（２０ａ）の１つ以上の第１仮想モデルの前記仮想電磁界（４０）に基づいて計算され、その結果、前記基板（２）が前記１つ以上のゾーン（１１）の前記曲率に従って曲げられ又は屈曲されたとき、前記設けられたホログラム（１）は、観察者（７０）及び／又はセンサ（７１）にとって部分的又は完全に検出可能であり、特に、前記基板（２）が前記１つ以上のゾーン（１１）の前記曲率に従って曲げられ又は屈曲されたとき、前記１つ以上の第１仮想モデル（２０ａ）に割り当てられた１つ以上の第１モチーフ（２２ａ）は、観察者（７０）又はセンサ（７１）にとって部分的又は完全に検出可能になり、特に、前記基板（２）が前記１つ以上のゾーン（１１）の前記曲率に従って曲げられ又は屈曲されたとき、前記１つ以上の第１モチーフ（２２ａ）は、観察者（７０）及び／又はセンサ（７１）にとって、前記基板（２）による前記面の上及び／又は下及び／又は内部で検出可能であり、１つ以上の前記第１モチーフ（２２ａ）と前記基板（２）による前記面との間の距離は、好ましくは−３０ｍｍ〜＋３０ｍｍの間であり、好ましくは−１５ｍｍ〜＋１５ｍｍの間であり、さらに好ましくは−５ｍｍ〜＋５ｍｍの間であり、さらに好ましくは−３ｍｍ〜＋３ｍｍの間であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記１つ以上の第１ゾーン（１１）における前記仮想全電磁界（４１）は、ぞれぞれの場合において、前記１つ以上の第１仮想モジュール（２０ａ）の前記仮想電磁界（４０）に基づいて計算され、前記１つ以上の第２ゾーン（１１ｂ）における前記仮想全電磁界（４１）は、それぞれの場合において、前記１つ以上の第２仮想モデル（２０ｂ）の前記仮想電磁界（４０）に基づいて計算され、その結果、前記基板（２）が前記１つ以上の第１ゾーン（１１ａ）の前記曲率に従って曲げられ又は屈曲されたとき、前記１つ以上の第１仮想モデル（２０ａ）に割り当てられた１つ以上の第１モチーフ（２２ａ）は、観察者（７０）及び／又はセンサ（７１）にとって部分的又は完全に検出可能になり、前記基板（２）が前記１つ以上の第２ゾーン（１１）の前記曲率に従って曲げられ又は屈曲されたとき、前記１つ以上の第２仮想モデル（２０ｂ）に割り当てられた１つ以上の第２モチーフ（２２ｂ）は、観察者（７０）及び／又はセンサ（７１）にとって部分的又は完全に検出可能になり、及び／又は、前記１つ以上の第１ゾーン（１１ａ）における前記仮想全電磁界（４１）は、それぞれの場合において、前記１つ以上の第１仮想モデル（２０ａ）の前記仮想全電磁界（４０）に基づいて計算され、及び／又は、前記１つ以上の第２ゾーン（１１ｂ）における前記仮想全電磁界（４１）は、それぞれの場合において、前記１つ以上の第２仮想モデル（２０ｂ）の前記仮想電磁界（４０）に基づいて計算され、その結果、前記基板（２）が前記１つ以上のゾーン（１１）、第１ゾーン（１１ａ）及び／又は第２ゾーン（１１ｂ）の特に前記曲率に従って曲げられ及び／又は屈曲されたとき、前記１つ以上の第１仮想モデル（２０ａ）に割り当てられた前記１つ以上の第１モチーフ（２２ａ）の第１部分及び／又は前記１つ以上の第２仮想モデル（２０ｂ）に割り当てられた前記１つ以上の第２モチーフ（２２ｂ）の第２部分は、観察者（７０）及び／又はセンサ（７１）にとって検出可能であり、及び／又は、前記１つ以上のゾーン（１１）、第１ゾーン（１１ａ）及び／又は第２ゾーン（１１ｂ）の特に前記曲率に従って、前記基板（２）の前記平坦若しくは曲げられていない又は非屈曲状態において、観察者（７０）及び／又はセンサ（７１）にとって検出可能ではない、前記１つ以上の第１モチーフ（２２ａ）は、好ましくは、前記１つ以上の第１モチーフ（２２ａ）の前記第１部分を備える第１全モチーフを生成し、及び／又は、前記１つ以上の第２モチーフ（２２ｂ）は、好ましくは、前記１つ以上の第２モチーフ（２２ｂ）の前記第２部分を備える第２全モチーフを生成し、及び／又は、前記１つ以上の第１ゾーン（１１ａ）における前記仮想全電磁界（４１）は、それぞれの場合において、前記１つ以上の第１仮想モデル（２０ａ）の前記仮想電磁界（４０）に基づいて計算され、及び／又は、前記１つ以上の第２ゾーン（１１ｂ）における前記仮想全電磁界（４１）は、それぞれの場合において、前記１つ以上の第２仮想モデル（２０ｂ）の前記仮想電磁界（４０）に基づいて計算され、その結果、特に、非コリメート光、好ましくは拡散照明の下で照明されると、前記１つ以上の第１仮想モデル（２０ａ）に割り当てられた１つ以上の第１モチーフ（２２ａ）及び／又は前記１つ以上の第２仮想モデル（２０ｂ）に割り当てられた１つ以上の第２モチーフ（２２ｂ）は、特に、前記１つ以上のゾーン（１１）、第１ゾーン（１１ａ）、及び／又は、第２ゾーン（１１ｂ）の曲率に従って観察者（７０）及び／又はセンサ（７１）にとって検出可能ではない、及び／又は、コリメート光によって証明されると、好ましくはＬＥＤ光によって証明されると、特に好ましくはスマートフォンのＬＥＤ光によって証明されると、検出可能であり、及び／又は、前記１つ以上の第１ゾーン（１１ａ）における前記仮想全電磁界（４１）は、それぞれの場合において、前記１つ以上の第１仮想モデル（２０ａ）の前記仮想電磁界（４０）に基づいて計算され、前記１つ以上の第２ゾーン（１１ｂ）における前記仮想全電磁界（４１）は、前記１つ以上の第２仮想モデル（２０ｄ）の前記仮想電磁界（４０）に基づいて計算され、その結果、前記基板（２）が前記１つ以上の第１ゾーン（１１ａ）の前記位置合わせに従って位置合わせされたとき、前記１つ以上の第１仮想モデル（２０ａ）に割り当てられた前記１つ以上の第１モチーフ（２２ａ）は、観察者（７０）及び／又はセンサ（７１）にとって部分的又は完全に検出可能になり、前記基板（２）が前記１つ以上の第２ゾーン（１１ｂ）の前記位置合わせに従って位置合わせされたとき、前記１つ以上の第２仮想モデル（２０ｂ）に割り当てられた前記１つ以上の第２モチーフ（２２ｂ）は、観察者（７０）及び／又はセンサ（７１）にとって部分的又は完全に検出可能になることを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
１つ以上のゾーン（１１）、特に、全てのゾーン（１１）において、それぞれの場合において、仮想全電磁界（４１）は、前記１つ以上のゾーン（１１）において１つ以上の仮想基準光源（３３）の１つ以上の仮想基準磁界（４３）によって乗算されたそれぞれのゾーン（１１）における２つ以上、特に、全ての前記仮想電磁界（４０）の合計に基づいて計算されることを特徴とする、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
１つ以上の前記仮想基準磁界（４３）の伝播方向は、１つ以上の前記仮想ホログラム面（１０）の前記表面法線又は前記平均表面法線に対して、１０°〜５０°の間、特に、１５°〜４５°の間、さらに好ましくは３０°〜４０°の間の角度を有し、及び／又は、１つ以上の前記仮想基準光源（３３）の前記ビームコーンは、０°〜４５°の間、さらに好ましくは０°〜１５°の間の開口角度を有し、及び／又は、１つ以上の前記仮想基準光源（３３）は、１つ以上の前記仮想ホログラム面（１０）からの間隔を有し、前記間隔は、０．０１ｍ〜１０ｍの間、好ましくは０．１ｍ〜２ｍｍの間、さらに好ましくは０．２ｍ〜１ｍの間であることを特徴とする、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記設けられたホログラム（１）の前記高さプロファイル（６０）の計算中、１つ以上の前記位相画像（５０）は、１つ以上の割り当てられた高さプロファイル（６２）に変換され、特に、線状に変換され、特に、前記設けられたホログラム（１）の前記高さプロファイル（６０）は、前記１つ以上の位相画像（５０）に割り当てられた前記高さプロファイル（６２）の重ね合わせ及び／又は格子化によって計算され、特に、１つ以上の前記割り当てられた高さプロファイル（６２）は、基板（２）に組み込まれ、前記ホログラム（１）を設け、前記割り当てられた高さプロファイル（６２）は、好ましくは、前記基板（２）に重ね合わされ及び／又は格子状にされて存在することを特徴とする、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記設けられたホログラム（１）の前記割り当てられた高さプロファイル（６２）及び／又は前記高さプロファイル（６０）は、グレースケール画像（６１）として符号化され、グレースケール値は、好ましくは最小高さ値０及び最大高さ値２πを有する高さ値、特に、標準高さ値に割り当てられ、特に、前記基板（２）に組み込まれた前記高さプロファイル（６０）の前記最小高さ値と前記基板（２）に組み込まれた前記高さプロファイル（６２）の前記最大高さ値との間の差は、前記設けられたホログラム（１）が反射ホログラムとして形成される場合の基準波長の半分又は半分の倍数の光路差に対応する、又は、前記基板（２）に組み込まれた前記高さプロファイルの前記最小高さ値と前記基板（２）に組み込まれた前記高さプロファイルの前記最大高さ値との間の差は、前記設けられたホログラム（１）が透過ホログラムとして形成される場合の基準波長の光路差又は基準波長の倍数に対応することを特徴とする、請求項１〜１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記設けられたホログラム（１）の前記割り当てられた高さプロファイル（６２）及び／又は前記高さプロファイル（６０）は、レーザービームリソグラフィ、電子ビームリソグラフィから選択される方法によって、前記基板（２）、特に、フォトレジスト層を有する基板（２）に組み込まれ、及び／又は、前記設けられたホログラム（１）の前記割り当てられた高さプロファイル（６２）及び／又は前記高さプロファイル（６０）は、複製方法によって、特に、熱複製又はＵＶ複製によって、前記基板（２）に組み込まれ、及び／又は、前記設けられたホログラム（１）の前記割り当てられた高さプロファイル（６２）及び／又は前記高さプロファイル（６０）は、電気めっき、再結合、及び、ロール・ツー・ロール複製の方法によって、フィルム、特に、少なくとも１つの金属層を有するフィルム、及び／又は、少なくとも１つの透明層を有するフィルムに組み込まれ、前記フィルムは、特に、ＨＲＩ層を有し、及び／又は、前記設けられたホログラム（１）の前記割り当てられた高さプロファイル（６２）及び／又は前記高さプロファイル（６０）は、薄膜構造、特に、ファブリーペロー層構造に組み込まれ、前記ファブリーペロー層構造は、好ましくは、少なくとも１つの第１半透明吸収体層、少なくとも１つの透明スペーサ層、及び、少なくとも１つの第２半透明吸収体層又は不透明反射層を有することを特徴とする、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
前記ホログラム（１）の前記割り当てられた高さプロファイル（６２）及び／又は前記高さプロファイル（６０）は、体積ホログラム材料の露光によって前記基板（２）に組み込まれ、前記ホログラム（１）の前記割り当てられた高さプロファイル（６０）及び／又は前記高さプロファイル（６０）は、ここでは、これにより生成された前記体積ホログラムのブラッグ面の前記進行によって決まることを特徴とする、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記ホログラム（１）の前記割り当てられた高さプロファイル（６２）及び／又は前記高さプロファイル（６０）に加えて、回折レリーフ構造、特に、回折格子、キネグラム(登録商標）及び／又はトラストシール（登録商標）、０次回折構造、ブレーズド格子、マイクロミラー構造、等方性若しくは異方性マット構造、マイクロレンズ構造から選択される少なくとも１つの別の光学可変構造体（６３）の前記高さプロファイルは、前記基板（２）に組み込まれ、特に、前記ホログラム（１）の前記割り当てられた前記高さプロファイル（６２）及び／又は前記高さプロファイル（６０）は、前記基板（２）の１つ以上の第１領域（２ａ）に組み込まれ、前記少なくとも１つの別の光学可変構造体（６３）の前記高さプロファイルは、前記基板（２）の１つ以上の第２領域（２ｂ）に組み込まれ、好ましくは、少なくとも１つ以上の前記第２領域（２ｂ）は、１つ以上の前記第１領域（２ａ）と少なくとも部分的に重なり合い、更に好ましくは、前記１つ以上の第１領域（２ａ）は、前記１つ以上の第２領域（２ｂ）と重ならず、前記１つ以上の第１領域（２ａ）及び前記１つ以上の第２領域（２ｂ）は、好ましくは互いに隣接して配置され、さらに好ましくは互いに入れ子に配置され、及び／又は、前記第１若しくは第２領域（２ａ、２ｂ）の一方は、前記第１若しくは第２領域（２ａ、２ｂ）の他方を囲むことを特徴とする、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
特に、請求項１〜１７のいずれか１項に従って製造されたセキュリティ要素（１ａ）であって、
前記セキュリティ要素（１ａ）は、基板（２）を有し、ホログラム（１）の前記高さプロファイル（６０）は、前記基板に組み込まれ、前記高さプロファイルは、１つ以上の位相画像（５０）から計算され、前記１つ以上の位相画像（５０）は、１つ以上の仮想ホログラム面（１０）の１つ以上のゾーン（１１）において、１つ以上の仮想全電磁界（４１）から計算され、前記仮想全電磁界（４１）のぞれぞれは、前記それぞれの１つ以上のゾーン（１１）において２つ以上の仮想電磁界（４０）の合計に基づいて計算され、前記２つ以上の仮想電磁界（４０）は、それぞれの場合において、少なくとも１つの仮想光源（３０）から計算され、１つ以上の前記仮想光源（３０）は、１つ以上の仮想モデル（２０）の前記表面（２１）の１つ以上の部分領域に配置され、１つ以上の前記仮想ホログラム面（１０）は、１つ以上の前記仮想モデル（２０）の前及び／又は後に配置され、及び／又は、１つ以上の前記仮想ホログラム面（１０）は、１つ以上の前記仮想モデル（２０）と交差することを特徴とする、セキュリティ要素（１ａ）。
【請求項１９】
前記基板（２）が平坦又は屈曲されずに配置されたとき、第１量のモチーフ（２２ｃ）からの１つ以上のモチーフは、観察者（７０）及び／又はセンサ（７１）にとって検出可能であり、前記基板（２）が前記ゾーン（１１）若しくは前記ゾーン（１１）の１つにおいて前記仮想ホログラム面（１０）若しくは前記仮想ホログラム面（１０）の１つの前記曲率に基づいて曲げられ又は屈曲されたとき、第２量のモチーフ（２ｄ）からの１つ以上のモチーフは、観察者（７０）及び／又はセンサ（７１）にとって部分的又は完全に検出可能であり、前記第１量のモチーフ（２２ｃ）からの前記モチーフと前記第２量のモチーフ（２２ｄ）からの前記モチーフとは、部分的又は完全に異なることを特徴とする、請求項１８に記載のセキュリティ要素（１ａ）。
【請求項２０】
１つ以上の前記仮想モデル（２０）に割り当てられた前記１つ以上のモチーフ（２２）は、前記基板（２）による面に垂直に見たとき、白に現れ、４４０ｎｍ〜４６０ｎｍの波長を有する光の入射角に対して３０°〜３４°の視野角で青に検出可能であり、５３０ｎｍ〜５５０ｎｍの波長を有する光の入射角に対して３８°〜４２°の視野角で緑に検出可能であり、及び／又は、６４０ｎｍ〜６６０ｎｍの波長を有する光の入射角に対して４９°〜５３°の視野角で赤に検出可能であり、及び／又は、前記基板（２）が傾斜及び／又は回転されたとき、１つ以上の仮想モデル（２０）に割り当てられた前記１つ以上のモチーフ（２２）の前記色は、変化することを特徴とする、請求項１８又は１９に記載のセキュリティ要素。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２０９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２０９】
図６は、図５に示された高さプロファイル６０ａを３Ｄ斜視図として示す。ｘ、ｙ、及び、ｚ方向への高さプロファイル６０ａの横方向の広がりは、それぞれ、９６μｍ、７２．２μｍ、及び、０．６μｍである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２２８】
さらに、セキュリティストリップ６５は、設けられたホログラム１を備えるセキュリティ要素１ａを有する。セキュリティ要素１ａは、ホログラム１の高さプロファイル６０が組み込まれる複製層を有するキャリア基板を有する。ホログラム１は、１つ以上の位相画像から計算される。１つ以上の位相画像は、１つ以上の仮想ホログラム面１０の１つ以上のゾーン１１における１つ以上の仮想全電磁界４１から計算される。仮想全電磁界４１のそれぞれは、２つ以上の仮想電磁界４０の合計に基づいて、１つ以上のゾーン１１において計算される。少なくとも１つの仮想光源３０からの１つ以上の仮想電磁界４０は、１つ以上のゾーン１１において計算される。１つ以上の仮想光源３０は、１つ以上の仮想モデル２０の表面２１の１つ以上の部分領域上に配置される。１つ以上の仮想ホログラム面１０は、１つ以上の仮想モデル２０の前及び／又は後に配置され、及び／又は、１つ以上の仮想ホログラム面１０は、１つ以上の仮想モデル２０と交差する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３０】
基板２による面からのモチーフ２２の距離、又は、仮想ホログラム面からのハンドルの仮想モデルの距離は、−５０ｍｍ〜＋５０ｍｍの間、特に−２５ｍｍ〜＋２５ｍｍの間、好ましくは−１５ｍｍ〜＋１５ｍｍの間である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３８】
設けられたホログラム１の割り当てられた高さプロファイル及び／又は１つ以上の高さプロファイル６０、６０ａ、６０ｂは、好ましくは、薄膜システム、特に、ファブリーペロー薄膜システムに組み込まれ、ファブリーペロー薄膜システムは、少なくとも１つの第１半透明吸収層、少なくとも１つの透明スペーサ層、及び、少なくとも１つの第２半透明吸収層又は不透明反射層を有する。第１半透明吸収層は、好ましくは、アルミニウム、銀、銅、スズ、ニッケル、インコネル（米国ウェストバージニア州ハンティントンのスペシャルメタルズコーポレーション（Special Metals Corporation）製の耐食性ニッケル基合金）、チタン、又は、クロムからなり、及び／又は、５ｎｍ〜１５ｎｍの厚さを有する。透明スペーサ層は、好ましくは、３００ｎｍ〜６００ｎｍの厚さを有し、及び／又は、ポリマー、ＳｉＯ２又はＭｇＦ２からなる。不透明反射層は、好ましくは５ｎｍ〜５０ｎｍの厚さを有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４１】
図１０は、観察者及び／又はセンサによって検出可能な円形線の形状のモチーフ２２１を有する薄膜システムにおける設けられたホログラム１の写真を示す。内側領域２ｃ及び外側領域２ｄでは、ホログラム１の高さプロファイルが存在しないので、設けられたホログラム１のモチーフ２２１は、観察者及び／又はセンサにとって検出可能ではない。したがって、フィルムシステムは、内側領域２ｃ及び外側領域２ｄに規定されたワニス層を有する。その結果、観察者及び／又はセンサは、内側領域２ｃ及び外側領域２ｄにおいてフィルムシステムの色効果を検出する。一方、設けられたホログラム１のモチーフ２２１の領域では、薄膜システムの色効果が減衰又は抑制される。それによって、モチーフ２２１は、色がはるかに弱く、又は、無色の灰色若しくは無彩色の白色にさえ見える。モチーフ２２１は、特に、内側領域２ｃ及び外側領域２ｄと完全に位置合わせされて配置される。内側領域２ｃ及び／又は外側領域２ｄは、視線方向が薄膜システムに対して変化したとき及び／又は傾斜したとき、観察者及び／又はセンサに対する薄膜システムの干渉効果によって提供される色変化効果を有する。ここで、円形線の形状のモチーフ２２１の領域は、特に、傾斜したとき及び／又は視野角が変化したとき、薄膜システムの干渉効果によって提供される色変化効果を有さない。例えば、緑の干渉色は、内側領域２ｃ及び外側領域２ｄにおいて観察者及び／又はセンサにとって検出可能であり、円形線の形状のモチーフ２２１の領域においては検出可能ではない。傾斜させると、緑の干渉色が例えば青に変わる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６１】
観察者及び／又はセンサは、好ましくは、セキュリティ文書１ｂによる面の上又は下の第１及び／又は第２モチーフ２２２、２２３を検出する。第１モチーフ２２２及び／又は第２モチーフ２２３は、セキュリティ文書１ｂによる面の上で検出可能であり、又は、第２モチーフ２２３及び／又は第１モチーフ２２２は、セキュリティ文書１ｂによる面の下で検出可能である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６２】
３つのデザイン要素３ａは、特に好ましくは、セキュリティ文書１ｂによる面において観察者及び／又はセンサにとって検出可能である。したがって、これらのデザイン要素３ａは、観察者及び／又はセンサにとって光学基準を表す。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６５】
さらに、セキュリティ文書１ｂがセキュリティ文書１ｂによる面の表面法線を中心に回転されたとき、第１モチーフ２２２及び／又は第２モチーフ２２３は、観察者及び／又はセンサにとって検出可能である。ここで、セキュリティ文書１ｂがセキュリティ文書１ｂの面で回転されたとき、設けられたホログラムは、少なくとも２つのモチーフ若しくはモチーフのシーケンス又は第１及び第２モチーフ２２２、２２３の間の変化若しくはフリップを表示する。第１モチーフ２２２及び／又は第２モチーフ２２３は、セキュリティ文書１ｂによる面の下又は上で観察者及び／又はセンサにとって検出可能である。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２６８】
特に、１つ以上の第１ゾーン１１ａの仮想全電磁界４１は、それぞれの場合において、１つ以上の第１仮想モデル２０ａの仮想電磁界４０に基づいて計算される。１つ以上の第２ゾーン１１ｂの仮想全電磁界４１は、好ましくは、それぞれの場合において、１つ以上の第２仮想モデル２０ｂの仮想電磁界４０に基づいて計算される。基板２又はセキュリティ文書１ｂが１つ以上の第１ゾーン１１ａの位置合わせに従って位置合わせされると、１つ以上の仮想モデル２０ａに割り当てられた第１モチーフ２２２は、好ましくは、観察者及び／又はセンサにとって部分的又は完全に検出可能になる。基板２又はセキュリティ文書１ｂが１つ以上の第２ゾーン１１ｂの位置合わせに従って位置合わせされると、１つ以上の第２仮想モデル２０ｂに割り当てられた第２モチーフ２２３は、好ましくは、観察者及び／又はセンサにとって部分的又は完全に検出可能になる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２８８】
軸ｙに沿って圧縮されたモチーフ２２６は、セキュリティ要素１ａの曲げにより、別のモチーフ２２７と２２８との間で検出可能である。セキュリティエレメント１ａをセキュリティエレメント１ａの平坦な状態で垂直に見たとき、モチーフ２２７及び２２８は、観察者及び／又はセンサによって検出可能ではない。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９３】
１つ以上の第１ゾーン１１ａの仮想全電磁界４１は、好ましくは、それぞれの場合において、１つ以上の第１仮想モデル２０ａの仮想電磁界４０に基づいて計算される。１つ以上の第２ゾーン１１ｂにおける仮想全電磁界４１は、好ましくは、それぞれの場合において、１つ以上の第２仮想モデル２０ｂの仮想電磁界４０に基づいて計算される。ここで、基板２又はセキュリティ要素１ａが１つ以上の第１ゾーン１１ａの曲率に従って曲げられ又は屈曲されたとき、第１仮想モデル２０ｂに割り当てられたモチーフ２２６は、観察者及び／又はセンサにとって部分的又は完全に検出可能になる。特に、２つの第２仮想モデル２０ｂに割り当てられたモチーフ２２７及び２２８は、基板２又はセキュリティ要素１ａが１つ以上の第２ゾーン１１ｂの曲率に従って曲げられ又は屈曲されたとき、観察者及び／又はセンサにとって部分的又は完全に検出可能になる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３２４】
１  ホログラム
１ａ  セキュリティエレメント
１ｂ  セキュリティ文書
２  基板
２ａ  第１領域
２ｂ  第２領域
２ｃ  後領域
２ｄ  外側領域
３  デザイン要素
３ａ  デザイン要素
３ｂ  デザイン
１０  仮想ホログラム面
１０ａ  仮想ホログラム面
１０ｂ  仮想ホログラム面
１０ｃ  仮想ホログラム面
１０ｄ  仮想ホログラム面
１０ｅ  仮想ホログラム面
１０ｆ  仮想ホログラム面
１１  ゾーン
１１ａ 第１ゾーン
１１ｂ  第２ゾーン
２０  仮想モデル
２００  仮想モデル
２０１  仮想モデル
２０ａ  第１仮想モデル
２０ｂ  第２仮想モデル
２０ｃ  第３仮想モデル
２０ｄ  第４仮想モデル
２０ｅ  第５仮想モデル
２１  表面の部分領域
２２  モチーフ
２２０  モチーフ
２２１  モチーフ
２２２  モチーフ
２２３  モチーフ
２２４  モチーフ
２２５  モチーフ
２２６  モチーフ
２２７  モチーフ
２２８  モチーフ
２２９  モチーフ
２２９ａ  モチーフ
２３０  モチーフ
２４０  モチーフ
２２ａ  第１モチーフ
２２ｂ  第２モチーフ
２２ｃ  第１量のモチーフ
２２ｄ  第２量のモチーフ
２２ｅ  第３量のモチーフ
２２ｆ  第４量のモチーフ
２２ｇ  第５量のモチーフ
２２ｈ  第６量のモチーフ
２２ｉ  第７量のモチーフ
２２ｊ  第８量のモチーフ
２２ｋ  赤色モチーフ
２２ｌ  緑色モチーフ
２２ｍ  青色モチーフ
３０  仮想光源
３００  仮想光源
３０１  仮想光源
３１  仮想点光源
３２  マイクロシンボル
３３  仮想基準光源
４０  仮想電磁界
４１  仮想全電磁界
４２  基準方向
４３  基準磁界
４４  伝播方向
４５  露光方向
５０  位相画像
６０  高さプロファイル
６１  グレースケール画像
６２  割り当てられた高さプロファイル
６３  光学可変構造体
６５  セキュリティストリップ
７０  観察者
７１  センサ
７２  光源
α  角度
α１  角度
α２  角度
α３  角度
α１’角度
α２’角度
α３’角度
ｈ１  距離
ｈ２  距離
ｈ３  距離
ｈ４  距離
Ω  立体角
Ω１  立体角
Ω２  立体角
Ｎ  表面法線
β１  角度
β２  角度
Ｋ  曲線