Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月14日(2005.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ストライプを読み取る磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドが読み取った読取アナログデータをディジタル化するＡ／Ｄコンバータと、
前記Ａ／Ｄコンバータによってディジタル化された読取ディジタルデータを波形整形するディジタルフィルタと、
前記ディジタルフィルタによって整形された波形を二値化処理するプロセッサを有し、
前記プロセッサは前記ディジタルフィルタが前記読取ディジタルデータを整形する方向と逆方向から二値化処理をおこなうことを特徴とする磁気ストライプリーダ。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気ストライプリーダにおいて、
前記ディジタルフィルタによる波形整形を、前記磁気ヘッドによる磁気ストライプの読み取り方向と同一方向で行い、
前記プロセッサによる二値化処理を、前記磁気ヘッドによる磁気ストライプの読み取り方向と逆方向から行なうことを特徴とする磁気ストライプリーダ。
【請求項３】
請求項１に記載の磁気ストライプリーダにおいて、
前記ディジタルフィルタによる波形整形を、前記磁気ヘッドによる磁気ストライプの読み取り方向と逆方向で行い、
前記プロセッサによる二値化処理を、前記磁気ヘッドによる磁気ストライプの読み取り方向と同一方向から行なうことを特徴とする磁気ストライプリーダ。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の磁気ストライプリーダにおいて、
さらに前記読取アナログデータと前記読取ディジタルデータを格納するメモリを有し、
前記プロセッサは、前記整形された波形がメモリに格納されたアドレスの末尾から二値化処理をおこなうことを特徴とする磁気ストライプリーダ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
ここで、従来の技術では、図４に示すように、ディジタルフィルタによる波形整形は、メモリ２７に格納されたディジタル波形データ３１を格納した先頭アドレスから順に読み出して行なっていた。すなわち、従来技術の波形整形方向４６は、磁気ストライプ読み取り方向４５と同じ方向で行われていた。また、波形の２値化についても、波形整形後の微分波形４２をメモリ２７に格納した先頭アドレスから順に読み出して行なっていた。従って、波形の二値化の方向４７も、磁気ストライプ読み取り方向４５と同じ順番で処理が行われていた。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月9日(2004.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
パスメモリ部１００４は、各状態のパスに対応した復号データを保持するメモリである。図１２にパスメモリ部の制御の概要を示す。図１２において、状態Ｓ００、Ｓ０１、Ｓ１０、Ｓ１１に対応した４×ｎ個の復号データ候補が保持されている。前記４つのパスメモリの値は、前記メトリック選択部１００３から出力される制御信号を基に更新される。同図において１２０１は前述した最尤復号器のトレリス線図である。また１２０２〜１２０５は、時刻k時点での状態Ｓ００
、Ｓ０１、Ｓ１０、Ｓ１１に対応するパスメモリの値である。さらに１２０７〜１２１０は、時刻k+1時点の各パスメモリの値である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
ここで、本発明の“評価指標”算出原理について説明する。最尤復号においては図９に示すブランチの合流点である状態Ｓ００及びＳ１１においてエラーが発生する。すなわち、図９の状態Ｓ００に至るブランチにおいて、正しいブランチが９０１のときに、ブランチ９０５を選択した場合にエラーとなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
カウンタ３０５は、メトリック差算出毎にカウントを行う。ここでは、メトリック差算出が１０２４となった時、換言すれば、入力再生信号のエッジ数が１０２４毎にタイミング信号をデータ分割部３０４に出力する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
図４は、異常値検知器１０８の具体的構成例である。図４の（４−１）において、４０１はピークホールド器、４０２はオフセット設定器、４０３は比較器である。入力信号４０４は、センサ入射光量に比例する和信号である。いま、ディスク上にキズ、あるいはホコリといった何らかの欠陥があると、図４の（４−２）に示すように、欠陥部分の光量が低下する。これに対して信号４０５は、光量のピーク値をホールドし、オフセット値を供与した信号である。信号４０４と信号４０５を比較することで、光量低下を示す信号４０６を得る。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
図１６の（１６−１）は、異常値検知器１０８の第２の実施の形態の構成を示すものである。図１６の（１６−１）において、１６０２は判定器、１６０３はしきい値である。図１６の（１６−１）及び、（１６−２）を用いて、本実施の形態の動作を説明する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
入力信号１６０１は、ＰＬＬ部の位相誤差信号である。図１６の（１６−２）に位相誤差信号の波形を例示する。通常のＰＬＬ安定動作状態では、ＰＬＬ位相誤差信号は、ほぼ一定値を保つ。しかしながら、何らかの要因によってＰＬＬ動作に異常が生じると、時刻“Ａ”に示すように、ＰＬＬ位相誤差信号が大きく振られる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
しかしながら、データ保持部１４０１にて保持される期間の全データが信頼できるデータであるとは限らない。そこで、本発明では、図４の異常値検知器１０８から得られる異常値検知信号を併用することによって、データの信頼性確保を実現している。すなわち、除外処理部１４０４では、異常値検知器１０８から異常値検知信号を受信すると、該当する個所の入力データ列全てを除外する。以上から、入力されるメトリック差データ列が、データ保持部１４０１を超える期間に渡って異常が発生しても、その異常データを除外する機能を有し、信頼性の高いデータを抽出することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
なお、これまで詳述した実施形態においては、最尤復号器から得られるメトリック差を用いることによって、再生信号の品質を判定するものであった。これは、より少ないデータ量で再生信号品位を適切に判断することができる利点を備えるからであった。しかしながら本発明の主旨によれば、再生信号の品質を判定する指標には、前記メトリック差に限らず、エラー率（エラーレート）やジッタ（時間軸変動）など、所定区間長毎にデータの細分化が可能な指標すべてに適応し得ることは勿論である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月25日(2005.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
配向膜２６ａ、２６ｂの材料としては、液晶分子２８のプレチルト角が２〜１０゜となれば好ましく、ポリイミド膜を図３の紙面に平行で左右方向にラビングしたものや、シリカ膜を斜め蒸着したものなどがよい。電極２４ａ、２４ｂの材質は透過率が高い方が望ましく、ＩＴＯ膜などの透明導電膜を使用すればよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月5日(2004.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の光記録媒体では、高い耐腐食性を備えることで良好な保存安定性と高線速における良好な記録特性とを達成可能な反射放熱層を備える光記録媒体を提供することができる。さらに、初期化が容易で均一な初期化を行なうことが可能な記録層を持つ光記録媒体を提供することができる。
また、本発明の光記録媒体では、耐食性を向上させ、従来実現できなかった優れた半透明反射膜を実現し、コストを低減し、かつ信頼性の高い光記録媒体を提供することができる。
また、本発明の光記録媒体の製造方法では、良好な保存安定性と記録特性・信頼性とを両立する光記録媒体を、精度良く大量に、さらに低コストで製造することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月21日(2005.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク状基板と、実質的に柱状構造を有する多結晶粒で構成された磁性層とを含む磁気記録媒体において、
前記磁性層は容易磁化方向が基板面と略垂直方向を向き、前記基板と磁性層との間に軟磁性層を有し、
前記磁性層を構成する結晶粒の基板円周方向の平均径＜Ｄｃ＞と基板半径方向の平均径＜Ｄｒ＞との比＜Ｄｃ＞／＜Ｄｒ＞が１より小さいことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１記載の磁気記録媒体において、前記比＜Ｄｃ＞／＜Ｄｒ＞が０．５以上０．９以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
請求項１記載の磁気記録媒体において、前記比＜Ｄｃ＞／＜Ｄｒ＞が、少なくとも磁気記録パターンの記録される最内周トラック位置において、０．５以上０．９以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項４】
ディスク状基板と、前記基板上に形成された第１の下地層と、前記第１の下地層の上部に接して形成された実質的に柱状構造を有する多結晶粒で構成された第２の下地層と、前記第２の下地層の上に形成された実質的に柱状構造を有する多結晶粒で構成された磁性層とを含み、
前記磁性層は容易磁化方向が基板面と略垂直方向を向き、前記基板と第１の下地層との間に軟磁性層を有し、
前記第１の下地層は前記第２の下地層との界面に前記基板の円周方向に沿った微細溝を有し、該微細溝の基板半径方向に測定した凹凸の平均周期が、前記磁性層の結晶粒を基板面に垂直方向から測定した平均結晶粒径の２倍以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項５】
請求項４記載の磁気記録媒体において、前記微細溝の基板半径方向に測定した凹凸の平均周期が、前記磁性層の結晶粒を基板面に垂直方向から測定した平均結晶粒径以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項６】
請求項４記載の磁気記録媒体において、前記第１の下地層は実質的にアモルファスであることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項７】
請求項４記載の磁気記録媒体において、前記磁性層の結晶粒の基板円周方向の平均径＜Ｄｃ＞と基板半径方向の平均径＜Ｄｒ＞との比＜Ｄｃ＞／＜Ｄｒ＞が１より小さいことを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項８】
請求項４記載の磁気記録媒体において、前記磁性層の結晶粒の基板円周方向の平均径＜Ｄｃ＞と基板半径方向の平均径＜Ｄｒ＞との比＜Ｄｃ＞／＜Ｄｒ＞が０．５以上０．９以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項９】
請求項４記載の磁気記録媒体において、前記磁性層の結晶粒の基板円周方向の平均径＜Ｄｃ＞と基板半径方向の平均径＜Ｄｒ＞との比＜Ｄｃ＞／＜Ｄｒ＞が、少なくとも磁気記録パターンの記録される最内周トラック位置において０．５以上０．９以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１０】
請求項４記載の磁気記録媒体において、前記第１の下地層と第２の下地層の界面にある微細溝の凹凸の中心線平均粗さが、０．３ｎｍ以上３ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１１】
請求項４記載の磁気記録媒体において、前記磁性層の結晶粒の基板円周方向の平均径＜Ｄｃ＞が、１０ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１２】
ディスク状基板上に、実質的にアモルファスの第１の下地層と、前記第１の下地層に接する実質的に多結晶で構成された第２の下地層と、磁性層とを積層する工程を含む磁気記録媒体の製造方法において、
前記第１の下地層の表面に、凹凸の平均周期が前記磁性層の平均結晶粒径の２倍以下である微細溝を、基板の略円周方向に形成する工程を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記凹凸の平均周期が前記磁性層の平均結晶粒径以下であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記微細溝の凹凸は中心線平均粗さが０．３ｎｍ以上３ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記第１の下地層及び第２の下地層をスパッタリング法によって形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
請求項１２記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記微細溝を形成した第１の下地層の表面をスパッタリングによってエッチングする工程を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
請求項１２記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記微細溝を形成した第１の下地層の表面を洗浄液を用いてエッチングする工程を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１８】
請求項１２記載の磁気記録媒体の製造方法において、前記基板と第１の下地層との間に軟磁性層を形成し、前記磁性層は容易磁化方向が基板面と略垂直方向を向いていることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
さて、媒体ノイズを低減するためは、磁性結晶粒の粒径を微細化し、隣接する結晶粒間の交換相互作用を低減することが有効である。なぜなら、媒体ノイズの原因の一つである隣接する記録ビット境界部分の磁化遷移領域の幅は、交換相互作用が小さい場合は、磁性層の結晶粒径に強く依存するためである。結晶粒径の微細化を行うためには、下地層の結晶粒径を微細化する方法が有効である。なぜなら先に説明したように、磁性結晶粒はＣｒ合金結晶粒上に略エピタキシャル成長するため、磁性層の結晶粒径が下地層の影響を強く受けるためである。下地結晶粒の微細化には、ＣｏＣｒＺｒシード層の表面酸化を行ったり（IEEE Tran. Magn. Vol.35, No.5, (1999) 2640)、Ｃｒ合金にＢを添加する（IEEE Tran. Magn. Vol.33, No.5, (1997) 2980）などの手段が報告されている。これらの手法によりＣｒ合金結晶粒の結晶粒径を微細化することで、磁性層結晶粒を微細化することが可能である。一方、粒子間の交換相互作用の低減には、結晶粒界にＣｒを偏析させる手法や結晶粒間に物理的空間を形成する手法などが報告されている。前者の手法を実現するため、磁性層としてＣｏＣｒＰｔ合金にＢやＳｉＯ2などの材料を添加することが検討され（特開平７−３１１９２９号公報）、実用化されている。Ｂの磁性層への添加は、磁性層の結晶粒自身を微細化する効果もあり、微細な下地結晶粒と組み合わせることで効果的に磁性粒径の微細化と粒子間の交換相互作用を低減することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月18日(2005.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＥＬ装置、及びその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＬ素子が形成された基板と、前記基板と積重して前記ＥＬ素子を封止するための平板を備えるＥＬ装置であって、前記平板の前記ＥＬ素子と対向する面には厚さ０．００１〜５０μｍの乾燥剤膜が設けられたことを特徴とするＥＬ装置。
【請求項２】
蒸着法、又はスパッタ法で、平板に厚さ０．００１〜５０μｍの乾燥剤膜を成膜する工程と、
ＥＬ素子を基板上に設ける工程と、
前記乾燥剤膜と前記ＥＬ素子が対向するように、前記平板と前記基板を所定の間隔で密閉接合する工程と、を備えることを特徴とするＥＬ装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月16日(2005.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
（Ａ−Ｒ）−が、色素分子の最高被占軌道の分布する部分に結合し、−[（CH2)α−Ｂ]が、色素分子の最低空軌道の分布する部分に結合してなる請求項１〜３のいずれか１つに記載の色素増感太陽電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
増感色素が、電子供与基又は電子供与基を有する少なくとも１つの芳香環と電子吸引基又は電子吸引基を有する少なくとも１つの芳香環とを有し、かつ、（Ａ−Ｒ）−が、電子供与基又は電子供与基を有する芳香環に結合し、−[（CH2)α−Ｂ]が、電子吸引基又は電子吸引基を有する芳香環に結合してなる請求項１〜５のいずれか１つに記載の色素増感太陽電池。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月25日(2005.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ搭載パッケージが配置され、半田付けランドが配置されない中央部の絶縁基板上に形成されたベタパターンと、
上記ベタパターンを被覆すると共に、上部が開口されたソルダレジストと、
上記開口されたソルダレジストのベタパターン上に施された硬質部材とを備えたプリント配線板。
【請求項２】
硬質部材上に施されたクリーム半田を備えたことを特徴とするプリント配線板。
【請求項３】
半導体チップ搭載パッケージが配置され、半田付けランドが配置されない中央部の絶縁基板上に形成されたベタパターンと、
上記ベタパターンを被覆すると共に、上部が開口されたソルダレジストと、
上記開口されたソルダレジストのベタパターン上に施された半田コートとを備えたプリント配線板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明に係るプリント配線板は、開口されたソルダレジストのベタパターン上に施された硬質部材を備えたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明に係るプリント配線板は、硬質部材上に施されたクリーム半田を備えたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、開口されたソルダレジストのベタパターン上に施された硬質部材を備えるように構成したので、硬質部材を施すことにより、ソルダレジストと比較して硬質のニッケルが表面に存在することになり、曲げ剛性を得ることができる。したがって、半導体チップ搭載パッケージを半田ボールでプリント配線板に接続する場合において、プリント配線板側の半田付けランドが配置されない中央部にこの構造を適用することで、この部分へのプリント配線板の裏面からの外力に対して曲げ剛性が上昇し、近傍の接合部への応力緩和を実現することができる効果がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
この発明によれば、硬質部材上に施されたクリーム半田を備えるように構成したので、硬質部材上にクリーム半田を施すことで、外力に対してさらに曲げ剛性が上昇し、近傍の接合部へのさらなる応力緩和を実現することができる。
また、クリーム半田の硬質部材上への供給は、半田付けランドへの供給時に行われるので、製造工程が増えることなく、したがって、製造コストの増大を抑えることができる効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月18日(2004.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上記耐熱性絶縁繊維の形状は、特に限定されるものではないが、直径は５０μｍ以下が好ましく、長さは０．１〜２０ｍｍが好ましい。直径が５０μｍを超えて大きいと薄いシートを作成しにくくなる。長さが０．１ｍｍ未満では寸法安定性の効果が出にくく、２０ｍｍを超えて大きいと均一に分散しにくくなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明において用いられる凝集剤は、通常の製紙や産業排水や生活廃水の凝集処理などに使用される一般的な凝集剤が適用できる。具体的には、硫酸バンド、ポリ塩化アルミニウム、塩化第２鉄、ポリ硫酸第２鉄、硫酸第１鉄、ジメチルジアリルアンモニウムクロライド、アルキルアミン・エピクロルヒドリン縮合物、エチレンイミン・アルキレンジクロライドとポリアルキレンポリアミンの縮合物、ジシアンジアミド・ホルマリン縮合物、ポリアクリルアミド系、ポリアクリル酸ナトリウム、ポリ（メタ）アクリル酸アミノアルキルエステル系、ポリアクリルアミドのマンニッヒ変性物、キトサン、その他の無機凝集剤、有機凝集剤、高分子凝集剤があり、フッ素樹脂繊維一次シートに含有させる無機微粒子の種類に応じて、それに適した凝集剤を選択して用いることができる。
また、無機微粒子の凝集効果を上げて歩溜まりを向上させるためには、特に、無機凝集剤と有機凝集剤あるいは高分子凝集剤の併用、さらにはポリアクリルアミド系、ポリエチレンオキサイド系などの合成粘剤の添加が好ましい。また、凝集剤の添加量は微粒子の凝集状態に応じて決定される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明のフッ素樹脂プリント配線板において、金属箔の密着力が特に大きいことが要求７得される場合は、一次シートの少なくとも一方の表面部分にフッ素樹脂を付着させる。その付随的作用として、一次シート表面からの無機微粒子の脱離を防ぎ、またプリント配線板の吸水率を下げる効果もある。その工程は脱水パートで脱水した一次シートの乾燥前であっても、乾燥後であってもよい。また、一次シート全面を覆う事は必ずしも必要ではなく、均一に存在するスポット状、網状、格子状などでもよい。一次シート表面部分にフッ素樹脂を付着させる方法としては、フッ素樹脂ディスパージョンのスプレーによる塗工、塗布機によるコーティング及び含浸、印刷、フッ素樹脂フィルムとの貼り合わせやその他の方法がある。例えば、フッ素樹脂ディスパージョンを湿紙にスプレーし、その後多筒式ドライヤー、ャンキードライヤー、エアードライヤーや赤外線ドライヤー等の乾燥機で乾燥してフッ素樹脂が付着した一次シートを得る。なお表面部分にフッ素樹脂を付着させる方法は、前記の方法に限定されるものではなく、また、フッ素樹脂ディスパージョンやフッ素樹脂フィルムを使用することに限定されない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
＜実施例１＞
水中に無機微粒子としてチタン酸ストロンチウム微粒子（堺化学工業社製、商品名：ＳＴ−０３、平均粒子径０．３μｍ）と無機凝集剤（日本軽金属社製、商品名：硫酸バンド）を上記微粒子に対して２．０重量％、高分子凝集剤（栗田工業社製、商品名：ハイホルダー１０９）を上記微粒子に対して１．０重量％と合成粘剤（ダイヤフロック社製、商品名：ＡＣＲＹＰＥＲＳＥ  ＰＭＰ）を上記微粒子に対して１．５重量％添加して、攪拌し、チタン酸ストロンチウム微粒子を凝集させた懸濁液とした。該懸濁液に、フッ素樹脂繊維としてＰＴＦＥ繊維（東レファインケミカル社製、商品名：トヨフロン、直径１５μｍ、繊維長３ｍｍ）と耐熱性絶縁繊維としてガラス繊維（ユニチカグラスファイバー社製、商品名：ＰＤＥ１／８ＺＡ５０９、直径６μｍ、繊維長３ｍｍ）を、重量比でＰＴＦＥ繊維：チタン酸ストロンチウム微粒子：耐熱性絶縁繊維＝４５：５０：５となるように添加し、攪拌し、均一に分散させる。この原材料分散液をスラリー濃度０．５％に調整し、傾斜式湿式抄紙機を用いて抄造し、脱水した後、ＰＴＦＥ樹脂ディスパージョン液（三井デュポンフロロケミカル社製、商品名：３０−Ｊ、濃度３０％）をスプレーを用いて片面に固形分で１０ｇ／ｍ２のＰＴＦＥ樹脂が付着するように吹き付け、１３０℃に加熱調整したヤンキー式ドライヤーを用いての乾燥工程を経て一次シートを得た。その後、該一次シートを３５０℃に加熱調整した電気炉を通して熱処理し、繊維間を融着して、坪量２５０／ｍ２のフッ素樹脂繊維を主成分とした紙状物を得た。その得られた紙状物から３００×３００ｍｍの大きさのシートを縦方向に２枚切り出し、それらを縦方向を基準として９０°に直交させて重ね合わせた。その際、フッ素樹脂を付着させた面を最外層とし、フッ素樹脂を付着させなかった面同士を向かい合わせた。さらにその上下に金属箔として電解銅箔（福田金属箔工業社製、商品名：ＣＦ−Ｔ９、厚さ１８μｍ）を重ねて配置し、真空下で、１ＭＰａの加圧、３８０℃の加熱で９０分間プレスを行い本発明のプリント配線板用フッ素樹脂積層板を得た。引き続き、銅箔表面にアルカリ現像型ホトレジスト膜を形成し、ホトマスクを介してパターンを露光し、銅箔の露出部をエッチングで除去し、ホトレジストの露光部を溶解除去して、回路パターンを有する本発明のフッ素樹脂プリント配線板を得た。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月13日(2005.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
半導体ウェーハの表面に析出された汚染金属の量を測定することにより、当該半導体ウェーハの内部の金属汚染を評価する半導体ウェーハの金属汚染評価方法において、
前記半導体ウェーハの内部の汚染金属の拡散を促進して表面に析出させる脱ガス成分を有するケースを用意し、前記半導体ウェーハを、前記ケース内に収容する工程と、
前記ケースからの脱ガスを促進して、脱ガス成分を前記半導体ウェーハの表面に付着させる工程と、
前記半導体ウェーハの表面に析出された汚染金属の量を測定する工程とを含むことを特徴とする半導体ウェーハの金属汚染評価方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
半導体ウェーハの表面に析出された汚染金属をエッチングにより除去することにより、半導体ウェーハを製造する半導体ウェーハの製造方法において、
前記半導体ウェーハの内部の汚染金属の拡散を促進して表面に析出させる脱ガス成分を有するケースを用意し、前記半導体ウェーハを、前記ケース内に収容する工程と、
前記ケースからの脱ガスを促進して、脱ガス成分を前記半導体ウェーハの表面に付着させる工程と、
前記半導体ウェーハの表面に析出された汚染金属をエッチングにより除去する工程とを含むことを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記ケースを加熱することにより、前記ケースからの脱ガスを促進することを特徴とする請求項１記載の半導体ウェーハの金属汚染評価方法または請求項２記載の半導体ウェーハの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月14日(2005.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体基板上にアルミニウムを主成分とする第１導電性膜を第１温度で形成する工程、
（ｂ）前記第１導電性膜をパターニングして配線を形成する工程、
（ｃ）前記配線上を含む前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程、
（ｄ）前記絶縁膜に前記配線に達する孔を形成する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程後、前記半導体基板を第２温度で加熱し、前記絶縁膜の前記孔の部分を含み脱ガス処理を行う工程、
（ｆ）前記孔の側面および底面に第２導電性膜を第３温度で形成する工程、
を含み、
前記第１温度は前記第２温度以上であり、
前記第２温度は前記第３温度以上であり、
前記第３温度は前記第１温度より低いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記第１温度と前記第３温度との温度差は５０℃以上であり、
前記第３温度は１００℃以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
（ａ）半導体基板上にアルミニウムを主成分とする第１導電性膜を第１温度で形成する工程、
（ｂ）前記第１導電性膜をパターニングして配線を形成する工程、
（ｃ）前記配線上を含む前記半導体基板上に絶縁膜を形成する工程、
（ｄ）前記絶縁膜に前記配線に達する孔を形成する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程後、前記半導体基板を第２温度で加熱し、前記絶縁膜の前記孔の部分を含み脱ガス処理を行う工程、
（ｆ）前記孔の側面および底面に第２導電性膜を第３温度で形成する工程、
を含み、
前記第１温度は前記第２温度以上であり、
前記第２温度は前記第３温度以上であり、
前記第３温度は１００℃以上であり且つ前記第１温度より５０℃以上低いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記第２導電性膜上に前記孔内部を埋め込む第３導電性膜を形成する工程を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記第１温度は３００℃〜４００℃であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記第２温度は２５０℃〜３５０℃であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記第３温度は５０℃〜２５０℃であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記第１導電性膜及び前記第２導電性膜はスパッタリング法で形成されることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】
（ａ）半導体基板上にアルミニウムを主成分とする第１導電性膜を第１温度で形成する工程、
（ｂ）前記第１導電性膜をパターニングして配線を形成する工程、
（ｃ）前記配線上を含む前記半導体基板上に第１絶縁膜を形成する工程、
（ｄ）前記第１絶縁膜上に第２絶縁膜を形成する工程、
（ｅ）前記第１絶縁膜に前記配線に達する孔を形成する工程、
（ｆ）前記第２絶縁膜に前記孔と接続する配線溝を形成する工程、
（ｇ）前記（ｆ）工程後、前記半導体基板を第２温度で加熱し、前記絶縁膜の前記配線溝および前記孔を含み脱ガス処理を行う工程、
（ｈ）前記孔および前記配線溝の側面および底面に第２導電性膜を第３温度で形成する工程、
（ｉ）前記第２導電性膜上に前記孔内部および前記配線溝内部を埋め込む第３導電性膜を形成する工程、
を含み、
前記第１温度は前記第２温度以上であり、
前記第２温度は前記第３温度以上であり、
前記第３温度は前記第１温度より低いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記第１温度と前記第３温度との温度差は５０℃以上であり、
前記第３温度は１００℃以上であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９または１０に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記第１温度は３００℃〜４００℃であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項９〜１１のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記第２温度は２５０℃〜３５０℃であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項９〜１２のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置の製造方法において、
前記第３温度は５０℃〜２５０℃であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月28日(2005.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路を備えた半導体基板上に形成されて前記半導体集積回路と電気的に接続される電極と、前記半導体基板上に形成されて前記電極を露出させる開口部を有する有機絶縁膜と、前記電極上にバンプ下地金属膜を介して形成されたバンプ電極とを有する半導体装置において、
前記バンプ下地金属膜は、第１の無電解めっき法によって形成された第１のめっき膜と、前記第１の無電解めっき法とめっき液が異なる第２の無電解めっき法によって前記第１のめっき膜上に形成された第２のめっき膜とを有し、
前記第１のめっき膜の膜厚は前記有機絶縁膜の膜厚よりも大きく、前記第１のめっき膜の周縁部が前記有機絶縁膜の上に重なって形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記有機絶縁膜の膜厚は３〜１４μｍであり、
前記第１のめっき膜の膜厚は４〜１５μｍである請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記電極はアルミニウム電極であり、
前記有機絶縁膜はポリイミド膜であり、
前記第１のめっき膜はニッケル−リン膜であり、
前記第２のめっき膜は金膜である請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体集積回路が形成されている半導体基板上に前記半導体集積回路と電気的に接続される電極を形成する工程と、前記半導体基板上に前記電極を露出させる開口部を有する有機絶縁膜を形成する工程と、前記開口部に第１のめっき膜と第２のめっき膜からなるバンプ下地金属膜を形成する工程と、前記バンプ下地金属膜上にバンプ電極を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記バンプ下地金属膜の形成は、前記半導体基板を第１のめっき液に浸漬する第１の無電解めっき工程と、該第１のめっき工程後に前記半導体基板を洗浄液で洗浄する工程と、該洗浄後に前記半導体基板を第２のめっき液に浸漬する第２の無電解めっき工程とを有し、
前記第１のめっき液、前記洗浄液および前記第２のめっき液の温度差が１５℃以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記電極はアルミニウム電極であり、
前記有機絶縁膜はポリイミド膜であり、
前記第１のめっき膜はニッケル−リン膜であり、
前記第２のめっき液はニッケルめっき液であり、
前記第２のめっき膜は金膜であり、
前記第２のめっき液は金めっき液であり、
前記洗浄液は水である請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ニッケルめっき液の温度が７５℃以下である請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記水および前記金めっき液の温度が６５℃以上である請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記洗浄後から前記金めっき液に浸漬するまでの間に前記ポリイミド膜および前記ニッケル−リン膜の温度が６５℃より低くならない請求項５〜７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
半導体集積回路と、
前記半導体集積回路と電気的に接続される電極と、
前記電極を露出させる開口部を有する有機絶縁膜とを備えた半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板を第１のめっき液に浸漬し、前記電極の前記開口部から露出する部分に、無電解めっき法によって第１のめっき膜を形成する工程とを有し、
前記第１のめっき膜の膜厚は前記有機絶縁膜の膜厚よりも大きく、前記第１のめっき膜の周囲部が前記有機絶縁膜の上に重なって形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第１のめっき膜を形成する工程の後に、前記半導体基板を第２のめっき液に浸漬し、前記第１のめっき膜の上に、無電解めっき法によって第２のめっき膜を形成する工程をさらに有する請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１のめっき液は、前記第２のめっき液よりも高温である請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記電極はアルミニウム電極である請求項９〜１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記有機絶縁膜はポリイミド膜である請求項９〜１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１のめっき膜はニッケルーリン膜である請求項９〜１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第２のめっき膜は金膜である請求項９〜１４に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月27日(2005.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
主面に前記半導体チップが配置された配線基板と、
前記半導体チップの主面にその一辺に沿って配置された複数の電極パッドと、
前記配線基板の主面に前記半導体チップの一辺に沿って配置された複数の接続部と、
前記半導体チップの複数の電極パッドと前記配線基板の複数の接続部とを夫々電気的に接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップ及び前記複数のワイヤを封止する樹脂封止体とを有し、
前記複数のワイヤは、前記複数の電極パッドのうちの第１の電極パッドに一端部が接続され、前記複数の接続部のうちの第１の接続部に前記一端部とは反対側の他端部が接続された第１のワイヤと、前記複数の電極パッドのうちの前記第１の電極パッドと隣り合う第２の電極パッドに一端部が接続され、前記複数の接続部のうちの前記第１の接続部と隣り合う第２の接続部に前記一端部とは反対側の他端部が接続され、かつ前記第１のワイヤよりもループ高さが高い第２のワイヤとを含み、
前記第２のワイヤの一端部は、前記第１のワイヤの一端部よりも前記半導体チップの一辺から遠く離れた位置で接続され、
前記第２のワイヤの他端部は、前記第１のワイヤの他端部よりも前記半導体チップの一辺から遠く離れた位置で接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記複数の電極パッドは、互いに反対側に位置する２つの長辺が前記半導体チップの一辺から遠ざかる方向に沿って延在する長方形の平面形状になっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記複数の電極パッドは、前記第１の電極パッド及び第２の電極パッドを交互に並列に繰り返し配置した直線配列になっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記複数の電極パッドは、正方形の平面形状になっており、
前記第２の電極パッドは、前記第１の電極パッドよりも前記半導体チップの一辺から遠く離れた位置に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置において、
前記複数の電極パッドは、前記第１の電極パッド及び前記第２の電極パッドを交互に繰り返し配置した千鳥配列になっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第２の接続部は、前記第１の接続部よりも前記半導体チップの一辺から遠く離れた位置に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置において、
前記複数の接続部は、前記第１の接続部及び前記第２の接続部を交互に繰り返し配置した千鳥配列になっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記複数の電極パッドの配列ピッチは、前記複数の接続部の配列ピッチよりも狭いことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第１のワイヤは、前記第２のワイヤよりも短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記複数のワイヤは、前記電極パッドを第１ボンディング点とし、前記接続部を第２ボンディング点とするネイルヘッドボンディング法によって接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記樹脂封止体は、トランスファモールディング法で形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記複数の電極パッドは、互いに反対側に位置する２つの長辺が前記半導体チップの一辺から遠ざかる方向に沿って延在する長方形の平面形状になっており、
前記複数の電極パッドは、前記ワイヤが接続されるボンディング面にプローブ針の接触跡部を有し、
前記接触跡部は、前記第１のワイヤの一端部よりも前記半導体チップの一辺から遠く離れ、かつ前記第２のワイヤの一端部よりも前記半導体チップの一辺に近い位置に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置において、
前記複数の電極パッドの夫々の長辺の長さは、前記電極パッドと前記ワイヤの一端部との接続領域の前記電極パッドの長辺方向に沿う長さの二倍以上になっていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
近年、携帯電話、携帯型パーソナルコンピュータ等の電子機器の小型化が進み、これらの電子機器に組み込まれるＢＧＡ型半導体装置においても小型化が要求されている。そこで、本発明者は、既存の製造設備が流用でき、低コストで製造が可能なフェースアップボンディング構造を有するＢＧＡ型半導体装置の小型化について検討した結果、以下の問題点を見出した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月18日(2005.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置用接着剤シート、半導体接続用基板ならびに半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平行光線透過率が５％以上、ヘイズ値が１０〜８０％であることを特徴とする少なくとも１層の接着剤層と、少なくとも１層の剥離可能な保護フィルム層を有する半導体装置用接着剤シート。
【請求項２】
接着剤層のＬａｂ表色系指標におけるａ値が−１．５〜４でありｂ値が−６〜９である請求項１に記載の半導体装置用接着剤シート。
【請求項３】
接着剤層に加硫剤および／または加硫促進剤を含有する請求項１に記載の半導体装置用接着剤シート。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置用接着剤シートを用いた半導体接続用基板。
【請求項５】
請求項４記載の半導体接続用基板を用いた半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明はこのような問題点を解決し、優れた透明性および識別性を保持しつつ、優れた接着性、耐熱性を同時に達成し得る半導体装置用接着剤シート、半導体接続用基板ならびに半導体装置を提供することを目的とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
すなわち本発明は、平行光線透過率が５％以上、ヘイズ値が１０〜８０％であることを特徴とする少なくとも１層の接着剤層と、少なくとも１層の剥離可能な保護フィルム層を有する半導体装置用接着剤シートであり、さらに、それを用いた半導体接続用基板ならびに半導体装置である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【発明の実施の形態】
本発明の半導体装置用接着剤組成物（以下、単に接着剤組成物と言う）から形成される接着剤層は、平行光線透過率が５％以上、ヘイズ値が１０〜８０％である必要がある。好ましくは平行光線透過率１０％以上、ヘイズ値２５〜７０％、より好ましくは平行光線透過率２０％以上、ヘイズ値２５〜５０％である。平行光線透過率が５％より低いかまたはヘイズ値が８０％より大きいと視認性が悪く、被着体との貼り合わせ時の位置合わせおよび欠点検査に支障を来す。また、ヘイズ値が１０％より小さいと、被着体と貼り合わせたかどうかの識別が困難である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の接着剤層は、Ｌａｂ表色系指標において、ａ値が−１．５〜４かつｂ値が−６〜９であることが好ましい。より好ましくは、ａ値が１．４〜４かつｂ値が１〜９、さらに好ましくはａ値が２．５〜３かつｂ値が５〜９である。ａ値が−１．５〜４かつｂ値が−６〜９の範囲を外れると被着体との識別性が悪いので貼り合わせ作業後の工程でミスを生じやすく好ましくない。ここでいうａ、ｂ値はＪＩＳＫ７１０５に準じて求められる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、本発明の接着剤層のＬ値（上記ＪＩＳにより求められる）は、２０〜６０であることが好ましく、より好ましくは３０〜４０である。２０より小さいとａ，ｂ値同様、被着体との識別性が悪いので貼り合わせ作業後の工程でミスを生じやすく好ましくない。また、６０を超えると被着体、特に銅光沢面との識別性が悪くなる傾向があり好ましくない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月12日(2005.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿の画像を読み取る原稿読取部と、
表示器を有するとともにジョブデータを含む情報を受け付ける操作部と、
外部装置からの画像データおよびジョブデータを含む情報を受け付ける外部インタフェース部と、
前記外部インタフェース部を介して入力される画像データおよびジョブデータに基づいて画像形成処理を行なう第１の動作モード、または、前記原稿読取部を介して入力される画像データと前記操作部を介して入力されるジョブデータとに基づいて画像形成処理を行なう第２の動作モードのいずれかの動作モードで動作する画像形成部と、
前記第１の動作モードに関するジョブデータを前記表示器に表示させる動作状態表示処理、および、前記操作部における入力操作中のジョブデータを前記表示器に表示させる入力内容表示処理を行う制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記操作部に対するジョブデータの入力操作中は、前記動作状態表示処理を無効にすることを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】前記制御手段は、前記操作部に対するジョブデータの入力操作の完了後から入力操作に係る前記ジョブデータについてのジョブが開始されるまでの間においても前記動作状態表示処理を無効にすることを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】前記制御手段は、前記操作部に対するジョブデータの入力操作の完了後に前記第１の動作モードに係る画像形成処理で動作不良が生じたときには、その旨を前記表示器に表示することを特徴とする請求項１または２に記載の画像形成装置。
【請求項４】前記制御手段は、前記操作部に対するジョブデータの入力操作の完了後の所定の時間において前記表示器に入力されたジョブデータを通常と異なる表示態様で表示することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（１）  原稿の画像を読み取る原稿読取部と、
表示器を有するとともにジョブデータを含む情報を受け付ける操作部と、
外部装置からの画像データおよびジョブデータを含む情報を受け付ける外部インタフェース部と、
前記外部インタフェース部を介して入力される画像データおよびジョブデータに基づいて画像形成処理を行なう第１の動作モード、または、前記原稿読取部を介して入力される画像データと前記操作部を介して入力されるジョブデータとに基づいて画像形成処理を行なう第２の動作モードのいずれかの動作モードで動作する画像形成部と、
前記第１の動作モードに関するジョブデータを前記表示器に表示させる動作状態表示処理、および、前記操作部における入力操作中のジョブデータを前記表示器に表示させる入力内容表示処理を行う制御手段と、
を備え、
前記制御手段は、前記操作部に対するジョブデータの入力操作中は、前記動作状態表示処理を無効にすることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
（３）前記制御手段は、前記操作部に対するジョブデータの入力操作の完了後に前記第１の動作モードに係る画像形成処理で動作不良が生じたときには、その旨を前記表示器に表示することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
この構成においては、第２の動作モードで実行すべきジョブデータの入力操作が完了した後に表示部がこのジョブデータの表示を行っている際に、第１の動作モードにおいて用紙詰まりや用紙切れ等の動作不良が生じると、この動作不良に関する情報が表示器に優先的に表示される。したがって、用紙エラーが発生した給紙部等の動作不良に関する情報が適正にユーザに伝わり、動作不良発生時の対応の便宜が図られる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
この構成においては、ジョブデータの入力操作が完了して確定された、第２の動作モードにより実行すべきジョブデータの内容が、入力操作が完了した後しばらくの間、点滅しながら表示されたり、実行中のジョブデータとは異なる色彩を用いて表示される等、表示中のジョブデータが完了した入力操作に関するジョブデータである旨がユーザに視認される態様で表示され、所定時間後に画像形成部で実行中のジョブデータに関する表示に切り替わることから、入力したジョブデータがユーザの意図どおりであるか否かが容易に確認されるとともに、実行中のジョブの内容が把握される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月26日(2005.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データと、当該画像データに対する画像処理内容を含む属性データとに基づいて当該画像データに対する画像処理を行う画像処理装置であって、
画像データ及び属性データの入出力を行う入力部及び出力部を有し、画像データに対して画像処理を行うための第１の画像処理手段及び第２の画像処理手段と、
画像データ及び属性データの入出力を行う入力部及び出力部を有し、前記第１及び第２の画像処理手段の動作及び前記画像データに付加する属性データの値を指示する制御を行う制御手段と、を有し、
前記第１の画像処理手段と前記第２の画像処理手段は直列に接続されるとともに、前記制御手段の出力部からの出力が前記第１の画像処理手段の入力部に入力され、かつ前記第２の画像処理手段の出力部からの出力が前記制御手段の入力部に入力されるように構成され、
各画像処理手段は、入力部から入力された属性データに基づいて、前記画像データに対して画像処理を内部で行うか、他の画像処理手段に転送するかを切り換えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記属性データは、各画像処理手段を表わすＩＤ情報を含み、各画像処理手段は、入力された属性データに含まれるＩＤ情報がその画像処理手段を示すＩＤ情報であるときは、入力された画像データを処理し、その画像処理手段を示すＩＤ情報でないときは、入力された画像データを処理せず転送することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記各画像処理手段は、前記属性データを変更する変更手段を有し、前記属性データを変更することで、前記画像データの送信制御を行うことを特徴とする請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記属性データはさらに、前記画像データに対する画像処理の種類を示す情報を含み、前記画像処理手段は、当該種類を示す情報に対応する処理が終了した場合、当該情報を削除することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記第１の目的を達成するために請求項１に記載の画像処理装置は、画像データと、当該画像データに対する画像処理内容を含む属性データとに基づいて当該画像データに対する画像処理を行う画像処理装置であって、
画像データ及び属性データの入出力を行う入力部及び出力部を有し、画像データに対して画像処理を行うための第１の画像処理手段及び第２の画像処理手段と、
画像データ及び属性データの入出力を行う入力部及び出力部を有し、前記第１及び第２の画像処理手段の動作及び前記画像データに付加する属性データの値を指示する制御を行う制御手段と、を有し、
前記第１の画像処理手段と前記第２の画像処理手段は直列に接続されるとともに、前記制御手段の出力部からの出力が前記第１の画像処理手段の入力部に入力され、かつ前記第２の画像処理手段の出力部からの出力が前記制御手段の入力部に入力されるように構成され、
各画像処理手段は、入力部から入力された属性データに基づいて、前記画像データに対して画像処理を内部で行うか、他の画像処理手段に転送するかを切り換えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記属性データは、各画像処理手段を表わすＩＤ情報を含み、各画像処理手段は、入力された属性データに含まれるＩＤ情報がその画像処理手段を示すＩＤ情報であるときは、入力された画像データを処理し、その画像処理手段を示すＩＤ情報でないときは、入力された画像データを処理せず転送することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記各画像処理手段は、前記属性データを変更する変更手段を有し、前記属性データを変更することで、前記画像データの送信制御を行うことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記各画像処理手段は、前記属性データを変更する変更手段を有し、前記属性データを変更することで、前記画像データの送信制御を行うことを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記属性データはさらに、前記画像データに対する画像処理の種類を示す情報を含み、前記画像処理手段は、当該種類を示す情報に対応する処理が終了した場合、当該情報を削除することを特徴とする。