【手続補正書】
【提出日】平成16年12月27日(2004.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空槽の内部に、設置される処理対象の基板に対向するようにターゲットを配置し、前記ターゲットの基板対向面側に、前記基板の所定領域を囲むように且つ基板に接触するように配置されアース電位から絶縁される内マスク部材と、前記内マスク部材の外周縁部に絶縁材を介して結合されアース電位に接地される外マスク部材とからなるマスクを設置し、前記マスクに背反するターゲットの背面近傍に磁気回路を移動自在に設置して、前記磁気回路をターゲットの一側から他側にわたって往復移動させながらスパッタリングを行なう薄膜形成装置において、
前記内マスク部材の電位を測定する電位計と、
前記磁気回路の位置を検知する位置センサと、
前記電位計と位置センサとに接続して設けられ、前記位置センサより予め決めた範囲内の磁気回路位置を示す出力が行なわれる時のみ前記電位計の出力値を読み取り、読み取った出力電圧値の絶対値を予め決めた基準電圧値と比較し、前記出力電圧値の絶対値が基準電圧値より小さい時にエラー信号を出力する比較器と
を設置したことを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】
予め決めた範囲内の磁気回路位置は、磁気回路の折り返し点およびその近傍を除外した位置であることを特徴とする請求項１記載の薄膜形成装置。
【請求項３】
真空槽の内部に、設置される処理対象の基板に対向するようにターゲットを配置し、前記ターゲットの基板対向面側に、前記基板の所定領域を囲むように且つ基板に接触するように配置されアース電位から絶縁される内マスク部材と、前記内マスク部材の外周縁部に絶縁材を介して結合されアース電位に接地される外マスク部材とからなるマスクを設置し、前記マスクに背反するターゲットの背面近傍に磁気回路を移動自在に設置して、前記磁気回路をターゲットの一側から他側にわたって往復移動させながらスパッタリングを行なう薄膜形成装置において、
前記内マスク部材の電位を測定する電位計と、
前記ターゲットに電圧を印加する電源について予め決めた放電パラメータを測定する測定手段と、
前記電位計と測定手段とに接続して設けられ、前記測定手段からの出力値が予め決めた範囲内にある時のみ前記電位計の出力値を読み取り、読み取った出力電圧値の絶対値を予め決めた基準電圧値と比較し、前記出力電圧値の絶対値が基準電圧値より小さい時にエラー信号を出力する比較器と
を設置したことを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項４】
放電パラメータがターゲット電流であることを特徴とする請求項３記載の薄膜形成装置。
【請求項５】
真空槽の内部に、設置される処理対象の基板に対向するようにターゲットを配置し、前記ターゲットの基板対向面側に、前記基板の所定領域を囲むように且つ基板に接触するように配置されアース電位から絶縁される内マスク部材と、前記内マスク部材の外周縁部に絶縁材を介して結合されアース電位に接地される外マスク部材とからなるマスクを設置し、前記マスクに背反するターゲットの背面近傍に磁気回路を移動自在に設置して、前記磁気回路をターゲットの一側から他側にわたって往復移動させながらスパッタリングを行ない、前記基板のターゲット対向面に薄膜形成するに際し、
前記内マスク部材の電位を測定するとともに、前記磁気回路の位置を位置センサによりあるいは予め決めた放電パラメータをモニターすることにより検出し、前記磁気回路の位置が予め決めた範囲内にある時に前記電位計の出力値を読み取り、読み取った出力電圧値の絶対値を予め決めた基準電圧値と比較し、前記出力電圧値の絶対値が基準電圧値より小さい時に薄膜形成を停止することを特徴とする薄膜形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項１に記載の発明は、真空槽の内部に、設置される処理対象の基板に対向するようにターゲットを配置し、前記ターゲットの基板対向面側に、前記基板の所定領域を囲むように且つ基板に接触するように配置されアース電位から絶縁される内マスク部材と、前記内マスク部材の外周縁部に絶縁材を介して結合されアース電位に接地される外マスク部材とからなるマスクを設置し、前記マスクに背反するターゲットの背面近傍に磁気回路を移動自在に設置して、前記磁気回路をターゲットの一側から他側にわたって往復移動させながらスパッタリングを行なう薄膜形成装置において、前記内マスク部材の電位を測定する電位計と、前記磁気回路の位置を検知する位置センサと、前記電位計と位置センサとに接続して設けられ、前記位置センサより予め決めた範囲内の磁気回路位置を示す出力が行なわれる時のみ前記電位計の出力値を読み取り、読み取った出力電圧値の絶対値を予め決めた基準電圧値と比較し、前記出力電圧値の絶対値が基準電圧値より小さい時にエラー信号を出力する比較器とを設置したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
請求項３に記載の発明は、真空槽の内部に、設置される処理対象の基板に対向するようにターゲットを配置し、前記ターゲットの基板対向面側に、前記基板の所定領域を囲むように且つ基板に接触するように配置されアース電位から絶縁される内マスク部材と、前記内マスク部材の外周縁部に絶縁材を介して結合されアース電位に接地される外マスク部材とからなるマスクを設置し、前記マスクに背反するターゲットの背面近傍に磁気回路を移動自在に設置して、前記磁気回路をターゲットの一側から他側にわたって往復移動させながらスパッタリングを行なう薄膜形成装置において、前記内マスク部材の電位を測定する電位計と、前記ターゲットに電圧を印加する電源について予め決めた放電パラメータを測定する測定手段と、前記電位計と測定手段とに接続して設けられ、前記測定手段からの出力値が予め決めた範囲内にある時のみ前記電位計の出力値を読み取り、読み取った出力電圧値の絶対値を予め決めた基準電圧値と比較し、前記出力電圧値の絶対値が基準電圧値より小さい時にエラー信号を出力する比較器とを設置したことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項４に記載の発明は、請求第３項記載の薄膜形成装置において、放電パラメータがターゲット電流であることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明は、真空槽の内部に、設置される処理対象の基板に対向するようにターゲットを配置し、前記ターゲットの基板対向面側に、前記基板の所定領域を囲むように且つ基板に接触するように配置されアース電位から絶縁される内マスク部材と、前記内マスク部材の外周縁部に絶縁材を介して結合されアース電位に接地される外マスク部材とからなるマスクを設置し、前記マスクに背反するターゲットの背面近傍に磁気回路を移動自在に設置して、前記磁気回路をターゲットの一側から他側にわたって往復移動させながらスパッタリングを行ない、前記基板のターゲット対向面に薄膜形成するに際し、前記内マスク部材の電位を測定するとともに、前記磁気回路の位置を位置センサによりあるいは予め決めた放電パラメータをモニターすることにより検出し、前記磁気回路の位置が予め決めた範囲内にある時に前記電位計の出力値を読み取り、読み取った出力電圧値の絶対値を予め決めた基準電圧値と比較し、前記出力電圧値の絶対値が基準電圧値より小さい時に薄膜形成を停止することを特徴とする。