【手続補正書】
【提出日】平成16年8月23日(2004.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】メモリカード、不揮発性メモリ及び不揮発性メモリのデータ書き込み方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
書き換え可能な不揮発性メモリを搭載したメモリカードにおいて、
上記不揮発性メモリのデータ書き込み状態を管理するブロック使用管理テーブルと、シングルライト処理により上記不揮発性メモリへブロック単位でデータを書き込む手段と、上記データの書き込みが正常に実行されたか否かを判定し、データの書き込みが正常に実行された場合に上記ブロック使用管理テーブルを更新し、対応するブロックへの再書き込みを禁止する手段と、上記データの書き込みが正常に実行されなかった場合に上記不揮発性メモリの異なるブロックへデータの書き込みをリトライする手段と、上記リトライによってデータの書き込みが正常に実行された場合に前回の書き込み時に利用したアドレスを不良ブロックとして上記ブロック使用管理テーブルを更新する手段とを具備することを特徴とするメモリカード。
【請求項２】
書き換え可能な不揮発性メモリを搭載したメモリカードにおいて、
上記不揮発性メモリのデータ書き込み状態を管理するブロック使用管理テーブルと、マルチプルライト処理により上記不揮発性メモリへブロック単位でデータを書き込む手段と、上記データの書き込みが正常に実行されたか否かを判定し、データの書き込みが正常に実行された場合に上記ブロック使用管理テーブルを更新し、対応するブロックへの再書き込みを禁止する手段と、上記データの書き込みが正常に実行されなかった場合にエラーデータが登録されるエラー管理テーブルと、ホストデバイスからの再書き込み要求により上記エラー管理テーブルを参照して空きブロックを選択しデータの書き込みをリトライする手段と、上記リトライによってデータの書き込みが正常に実行された場合に上記エラー管理テーブルに登録されているエラー管理データをクリアする手段とを具備することを特徴とするメモリカード。
【請求項３】
シングルライト処理により不揮発性メモリへブロック単位でデータを書き込む第１のステップと、データの書き込みが正常に実行されたか否かを判定する第２のステップと、上記データの書き込みが正常に実行された場合にブロック使用管理テーブルを更新し、そのブロックへの再書き込みを禁止する第３のステップと、上記データの書き込みが正常に実行されなかった場合に異なるブロックへリトライする第４のステップと、上記リトライによってデータの書き込みが正常に実行された場合に前回の書き込み時に利用したアドレスを不良ブロックとして上記ブロック使用管理テーブルを更新する第５のステップとを具備することを特徴とする不揮発性メモリのデータ書き込み方法。
【請求項４】
マルチプルライト処理により不揮発性メモリへデータを書き込む第１のステップと、データの書き込みが正常に実行されたか否かを判定する第２のステップと、上記データの書き込みが正常に実行された場合にブロック使用管理テーブルを更新し、そのブロックへの再書き込みを禁止する第３のステップと、上記データの書き込みが正常に実行されなかった場合にエラーデータをエラー管理テーブルに登録する第４のステップと、ホストデバイスからの再書き込み要求により上記エラー管理テーブルを参照して空きブロックを選択してリトライする第５のステップと、上記リトライによってデータの書き込みが正常に実行された場合に上記エラー管理テーブルに登録されているエラー管理データをクリアする第６のステップとを具備することを特徴とする不揮発性メモリのデータ書き込み方法。
【請求項５】
不揮発性メモリのブロック単位の使用状態を管理するブロック使用管理テーブルと、
前記不揮発性メモリのブロックへデータを書き込む書込み部と、
データが上記ブロックへ正常に書き込まれたか否かを判定する判定部と、
前記判定部がデータがブロックに正常に書込まれなかったことを判定すると、データを他のブロックに書き込む再書き込み部と、
前記再書き込み部がデータを他のブロックへ書き込んだ後、前記判定部が他のブロックへデータが正常に書込まれたことを判定すると、前記書き込み部によりデータが正常に書き込まれなかったブロックの使用状態と前記再書き込み部によりデータが正常に書き込まれたブロックの使用状態を書込み状態とする管理テーブル更新部と、
を具備する書き換え可能な不揮発性メモリ。
【請求項６】
書き換え可能で、ブロック単位の使用状態を管理するブロック使用管理テーブルを具備する不揮発性メモリのデータ書き込み方法において、
前記ブロック使用管理テーブルに基づいて未書込み状態のブロックを見つけるステップと、
見つけた未書込み状態のブロックへデータを書き込むステップと、
上記未書込み状態のブロックへデータが正常に書き込まれたか否かを判定するステップと、
データが未書込み状態のブロックへ正常に書き込まれなかったことを判定すると、データを他の未書込み状態のブロックに書き込み、データが正常に書き込まれなかった未書込み状態のブロックのアドレスを不良ブロック候補のアドレスとして記憶する再書込みステップと、
再書き込み回数が所定回数に達したら再書込みを終了するステップと、
未書込み状態のブロックへデータが正常に書き込まれたことを判定すると、不良ブロック候補のアドレスが記憶されているか否かを判定するステップと、
データが正常に書き込まれた未書込み状態のブロックの使用状態と不良ブロック候補の使用状態を書込み状態とし、書き込み処理を終了するステップと、
を具備する不揮発性メモリのデータ書き込み方法。
【請求項７】
書き換え可能で、ブロック単位の使用状態を管理するブロック使用管理テーブルを具備する不揮発性メモリのデータ書き込み方法において、
前記ブロック使用管理テーブルに基づいて未書込み状態のブロックを見つけるステップと、
未書込み状態のブロックへデータを書き込むステップと、
データが未書込み状態のブロックへ正常に書込まれたか否かを判定するステップと、
データが未書込み状態のブロックへ正常に書込まれなかったことを判定すると、当該ブロックアドレスを不良ブロック候補のアドレスとして記憶し、書込み処理を終了するステップと、
データが未書込み状態のブロックへ正常に書込まれたことを判定すると、不良ブロック候補のアドレスが記憶されているか否かを判定するステップと、
データが正常に書き込まれた未使用状態のブロックの使用状態と不良ブロック候補の使用状態とを書込み状態に変更するステップと、
書込むべきデータがある場合は未書込み状態のブロックを見つけるステップに戻り、書込むべきデータが無い場合は書込み処理を終了するステップと、
を具備する不揮発性メモリのデータ書き込み方法。
【請求項８】
一定サイズのブロック単位でデータの書き換えが可能なフラッシュメモリと、
前記フラッシュメモリに接続されるコントローラとを具備し、
前記コントローラは、
各ブロックの使用状態を示すブロック使用管理テーブルと、
データが正常に書込まれなかったブロックのアドレスをセットするフラグと、
データがブロックに正常に書込まれたか否かを判定し、データがブロックに正常に書込まれなかったことを判定すると、ブロックのアドレスを記憶し、書き込み処理を所定回数だけ実行し、データがブロックに正常に書込まれたことを判定すると、当該ブロックの使用状態とフラグがセットされたアドレスを有するブロックの使用状態とを書き込み状態とするようにブロック使用管理テーブルを更新するステップと、
を具備するメモリカード。