(57)【要約】【課題】エピタキシャル膜にゲッタリング層が接したエピタキシャルウェーハを容易に作製することができ、高いゲッタリング効果が得られるエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】エピタキシャル膜１１に接して炭素拡散層からなるゲッタリング層１２を形成するので、例えばデバイス形成工程での熱処理時、エピタキシャル膜１１内の重金属汚染物質を効果的にゲッタリング層１２にゲッタリングすることができる。シリコンウェーハＷの表面には、炭素拡散層からなるゲッタリング層１２が形成されているので、従来の炭素イオン注入法では困難であった、エピタキシャル膜１１に接してのゲッタリング層１２の形成が容易となる。これにより、高いゲッタリング効果が得られる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜が形成されたエピタキシャルウェーハにおいて、
前記エピタキシャル膜が形成される前記シリコンウェーハの表面に炭素拡散層が形成されたエピタキシャルウェーハ。
【請求項２】
前記エピタキシャル膜が形成されない前記シリコンウェーハの裏面にも前記炭素拡散層が形成された請求項１記載のエピタキシャルウェーハ。
【請求項３】
炭素を含む溶液中にシリコンウェーハを浸漬し、シリコンウェーハの表面に炭素含有膜を形成する炭素含有膜形成工程と、
前記炭素含有膜が形成されたシリコンウェーハを熱処理し、前記炭素含有膜中の炭素を前記シリコンウェーハの表層部に熱拡散させて炭素拡散層を形成する炭素拡散層形成工程と、
前記炭素拡散層が形成されたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜を形成するエピタキシャル成長工程とを備えたエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記エピタキシャル膜が形成されない前記シリコンウェーハの裏面にも前記炭素拡散層を形成する請求項３記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記炭素含有膜は、炭素を含有する自然酸化膜である請求項３または請求項４に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項６】
炭素を含むガス雰囲気中でシリコンウェーハを熱処理し、前記ガス中の炭素をシリコンウェーハの表層部に熱拡散させて炭素拡散層を形成する炭素拡散層形成工程と、
前記炭素拡散層が形成されたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜を形成するエピタキシャル成長工程とを備えたエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項７】
前記エピタキシャル膜が形成されない前記シリコンウェーハの裏面にも前記炭素拡散層を形成する請求項６記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はエピタキシャルウェーハおよびその製造方法、詳しくは大口径のエピタキシャルウェーハにおいても、高いゲッタリング効果が得られるエピタキシャルウェーハおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコンウェーハは年々大口径化が進み、現在では、直径３００ｍｍのウェーハが主流となっている。将来は、さらに大口径のウェーハの生産も予想される。
シリコンウェーハの製造は、まずＣＺ法により単結晶インゴットを引き上げ、このインゴットに対してスライス、面取り、ラッピング、エッチング、鏡面研磨、洗浄等の各工程を施すことで行われている。しかしながら、ウェーハの大口径化が進むほど、ＣＺ法で引き上げられた単結晶インゴット、これから作製されたシリコンウェーハには、インゴット引き上げでの技術的問題、その歩留まり、ウェーハ加工での技術的な課題等により結晶欠陥が増加していた。
そこで、今後は、デバイスが形成されるウェーハ表面の無欠陥化を図るため、例えば特許文献１に開示されたような気相エピタキシャル法を利用し、直径３００ｍｍを超える大口径ウェーハの表面（鏡面）にエピタキシャル膜を成長させる方法が考えられる。このエピタキシャル膜をデバイス形成に使用するのである。
【０００３】
しかしながら、エピタキシャルウェーハの場合、鏡面研磨ウェーハに比べてイントリンシックゲッタリング（ＩＧ）能力が低いという課題があった。これは、エピタキシャル膜の成長温度が１０５０〜１１５０℃と高く、昇温速度もはやいことから、エピタキシャル膜の成長中にウェーハ内の酸素析出核が減少または消失し、その後の熱処理時において、ウェーハの内部にゲッタリングサイトとなる酸素析出物が形成され難くなることによる。
【０００４】
そこで、これを解消する従来技術として、例えば特許文献２に開示されたものが知られている。これは、シリコンウェーハの表面に炭素イオンを注入することで、ウェーハ表層部に炭素をゲッタリングサイトとするゲッタリング層を形成し、その後、シリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜をエピタキシャル成長させる半導体基板の製造方法である。ゲッタリングサイトが炭素であれば、上述した酸素析出核の場合のようにエピタキシャル成長時の熱により、そのサイトが減少または消失することはない。
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２７８７９１号公報
【特許文献２】特開平５−１５２３０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２では、炭素をゲッタリングサイトとするゲッタリング層の形成方法として、イオン注入法を採用したため、シリコンウェーハの表面から所定の深さ位置まで達するゲッタリング層を形成する制御が困難であった。そのため、ゲッタリング層は、シリコンウェーハの表面から例えば数μｍ離れた位置に形成されてしまい、エピタキシャル膜にゲッタリング層を接触状態で形成させることは難しかった。したがって、エピタキシャル膜からゲッタリング層が離れた分だけ、ゲッタリング層のゲッタリング能力が低下していた。
【０００７】
そこで、この発明は、エピタキシャル膜にゲッタリング層が接触したものを容易に得ることができ、これにより、大口径のエピタキシャルウェーハにおいても、高いゲッタリング効果が得られるエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に記載の発明は、シリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜が形成されたエピタキシャルウェーハにおいて、前記エピタキシャル膜が形成される前記シリコンウェーハの表面に炭素拡散層が形成されたエピタキシャルウェーハである。
【０００９】
請求項１に記載の発明によれば、エピタキシャル膜に接して炭素拡散層からなるゲッタリング層（イントリンシックゲッタリング層；以下「ＩＧ層」と言う）が形成されているので、例えばデバイス形成工程での熱処理時に、エピタキシャル膜内のニッケル、銅といった重金属汚染物質を効果的にＩＧ層にゲッタリング（捕獲）することができる。しかも、シリコンウェーハ内の重金属汚染物質もＩＧ層にゲッタリングすることができる。
【００１０】
シリコンウェーハとしては、単結晶シリコンウェーハまたは多結晶シリコンウェーハ等を採用することができる。シリコンウェーハには、ドーパントとして例えばボロンを添加することができる。ボロンの添加量は、シリコンウェーハの比抵抗値が０．００１Ω・ｃｍ〜１０Ω・ｃｍとなるように調整することができる。ただし、ボロンの添加によるゲッタリング能力向上の観点からは、ボロンの量は多くすることが好ましい。
シリコンウェーハの口径は任意である。例えば１５０ｍｍ、２００ｍｍまたは３００ｍｍ以上でもよい。
【００１１】
エピタキシャル膜の素材は、ウェーハと同じシリコンでも、ウェーハと異なる例えばガリウム・ヒ素等でもよい。
エピタキシャル膜の厚さは、デバイスの種類に応じて数μｍ〜数百μｍの範囲に設定される。例えばバイポーラデバイス用で数μｍ〜数１０μｍ、ＭＯＳデバイス用では数μｍ以下である。
炭素拡散層の厚さは任意で、例えば１００ｎｍ〜１μｍである。この範囲の厚さであれば、エピタキシャル膜内の重金属汚染物質を効果的にゲッタリングすることができる。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、前記エピタキシャル膜が形成されない前記シリコンウェーハの裏面にも前記炭素拡散層が形成された請求項１記載のエピタキシャルウェーハである。
【００１３】
請求項２に記載の発明によれば、シリコンウェーハの表面だけでなく裏面にも炭素拡散層からなるゲッタリング層（エクストリンシックゲッタリング層；以下「ＥＧ層」と言う）が形成されている。このため、デバイス形成工程での熱処理時に、エピタキシャル膜内の重金属汚染物質はＩＧ層にゲッタリングされる一方、シリコンウェーハの外部の熱処理雰囲気中に存在する重金属汚染物質はＥＧ層にゲッタリングされる。しかも、前記熱処理時に、シリコンウェーハ内の重金属汚染物質も前記ＩＧ層に捕らえることができる。その結果、ウェーハの口径の大小に拘わらず、エピタキシャルウェーハにおいて、高いゲッタリング効果が得られる。
【００１４】
請求項３に記載の発明は、炭素を含む溶液中にシリコンウェーハを浸漬し、シリコンウェーハの表面に炭素含有膜を形成する炭素含有膜形成工程と、前記炭素含有膜が形成されたシリコンウェーハを熱処理し、前記炭素含有膜中の炭素を前記シリコンウェーハの表層部に熱拡散させて炭素拡散層を形成する炭素拡散層形成工程と、前記炭素拡散層が形成されたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜を形成するエピタキシャル成長工程とを備えたエピタキシャルウェーハの製造方法である。
【００１５】
請求項３に記載の発明によれば、エピタキシャルウェーハには、エピタキシャル膜に接する炭素拡散層からなるＩＧ層が形成されているので、例えばデバイス形成工程での熱処理時に、エピタキシャル膜内のニッケル、銅といった重金属汚染物質を効果的にＩＧ層にゲッタリング（捕獲）することができる。しかも、シリコンウェーハ内の重金属汚染物質もＩＧ層にゲッタリングすることができる。
【００１６】
炭素を含む溶液としては、塩化炭化水素類、アルコール類、酢酸エステル類、またはエーテル類等の有機物の溶液を採用することができる。この中でも、ウェーハの表面に吸着し易いという理由で、Ｎ−メチル−２−ピロリドン溶液を使用することが好ましい。また、炭素含有膜中の炭素濃度は１×１０１２〜５×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ２が好ましい。
炭素濃度が１×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ２未満では、炭素含有膜中の炭素をシリコンウェーハの表層部に熱拡散させて形成される炭素拡散層からなるゲッタリング層に十分なイントリンシックゲッタリング能力を付与することができない。炭素濃度が５×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ２を超えれば、炭素含有膜中の炭素をシリコンウェーハの表層部に熱拡散させる際に、炭素濃度が過剰であるため、一部の炭素がシリコンと反応して炭化珪素（ＳｉＣ）が形成される。炭素含有膜中の炭素濃度が上記の範囲になるように、炭素を含む溶液中の炭素濃度、温度、炭素を含む溶液中にシリコンウェーハを浸漬する時間等を適宜変更してもよい。
【００１７】
請求項４に記載の発明は、前記エピタキシャル膜が形成されない前記シリコンウェーハの裏面にも前記炭素拡散層を形成する請求項３記載のエピタキシャルウェーハの製造方法である。
【００１８】
請求項４に記載の発明によれば、シリコンウェーハの裏面にも炭素拡散層からなるＥＧ層が形成されている。このため、デバイス形成工程での熱処理時に、エピタキシャル膜内の重金属汚染物質はＩＧ層にゲッタリングされる一方、シリコンウェーハの外部の熱処理雰囲気中に存在する重金属汚染物質はＥＧ層にゲッタリングされる。しかも、前記熱処理時に、シリコンウェーハ内の重金属汚染物質も前記ＩＧ層に捕らえることができる。その結果、ウェーハの口径の大小に拘わらず、エピタキシャルウェーハにおいて高いゲッタリング効果が得られる。
【００１９】
請求項５に記載の発明は、前記炭素含有膜は、炭素を含有する自然酸化膜である請求項３または請求項４に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法である。
【００２０】
自然酸化膜は、１×１０１２〜５×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ２の濃度の炭素を含有することが好ましい。
また、炭素を含有する自然酸化膜を形成する方法は、炭素を含有する溶液にシリコンウェーハを浸漬する方法の他に、炭素を含む雰囲気中でシリコンウェーハを洗浄する方法、洗浄後のシリコンウェーハを炭素を含む雰囲気中で乾燥する方法等を採用することができる。要は、１×１０１２〜５×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ２の濃度の炭素を含有する自然酸化膜が形成できれば、これらの方法に限定されない。
【００２１】
請求項６に記載の発明は、炭素を含むガス雰囲気中でシリコンウェーハを熱処理し、前記ガス中の炭素をシリコンウェーハの表層部に熱拡散させて炭素拡散層を形成する炭素拡散層形成工程と、前記炭素拡散層が形成されたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル膜を形成するエピタキシャル成長工程とを備えたエピタキシャルウェーハの製造方法である。
【００２２】
請求項６に記載の発明によれば、シリコンウェーハを、炭素を含むガス雰囲気中で熱処理する。これにより、ガス中の炭素がシリコンウェーハの表層部からウェーハ内部に熱拡散し、ウェーハ表層部に炭素拡散層が形成される。その後、炭素拡散層が形成されたウェーハの表面にエピタキシャル膜をエピタキシャル成長させ、エピタキシャルウェーハが作製される。
このように、炭素を含むガス雰囲気中でのシリコンウェーハの熱処理によるゲッタリング層の形成方法を採用したので、従来の炭素イオン注入法では困難であった、エピタキシャル膜に接して炭素拡散層からなるＩＧ層を形成することが容易となる。これにより、例えばデバイス形成工程での熱処理時において、エピタキシャル膜内の重金属汚染物質を効果的にＩＧ層にゲッタリングすることができる。しかも、前記熱処理時に、シリコンウェーハ内の重金属汚染物質もＩＧ層にゲッタリングすることができる。その結果、ウェーハの口径の大小に拘わらず、エピタキシャルウェーハにおいて、高いゲッタリング効果が得られる。
【００２３】
炭素を含むガスは、メタン、エチレン等の炭素を含む物質のガスのみでも、それにキャリヤガスを混合したガスでもよい。キャリヤガスとしては、アルゴンガス等の不活性ガス、水素ガス、窒素ガス等を採用することができる。
炭素拡散層の厚さは任意で、例えば１００ｎｍ〜１μｍである。この範囲の厚さであれば、炭素拡散層の形成に長時間を要せず、しかも、エピタキシャル膜内の重金属汚染物質を効果的にゲッタリングすることができる。
熱処理温度は５００〜７５０℃である。５００℃未満では炭素拡散層の形成に長時間を要する。逆に７５０℃を超えればＳｉＣ（炭化珪素）が形成される。
熱処理時間は、５００〜７５０℃の温度で熱処理を行って、炭素拡散層の厚さが例えば１００ｎｍ〜１μｍになるような時間であれば、任意である。
【００２４】
請求項７に記載の発明は、前記エピタキシャル膜が形成されない前記シリコンウェーハの裏面にも前記炭素拡散層を形成する請求項６記載のエピタキシャルウェーハの製造方法である。  
【００２５】
請求項７に記載の発明によれば、シリコンウェーハの裏面にも炭素拡散層からなるＥＧ層が形成される。このため、デバイス形成時の熱処理時に、エピタキシャル膜内の重金属汚染物質はＩＧ層にゲッタリングされる一方、シリコンウェーハの外部の熱処理雰囲気中に存在する重金属汚染物質は、ＥＧ層にゲッタリングされる。しかも、前記熱処理時に、シリコンウェーハ内の重金属汚染物質も前記ＩＧ層に捕らえることができる。その結果、ウェーハの口径の大小に拘わらず、エピタキシャルウェーハにおいて、高いゲッタリング効果が得られる。
【発明の効果】
【００２６】
請求項１、請求項３および請求項６に記載の発明によれば、シリコンウェーハの表面には、エピタキシャル膜に接して炭素拡散層からなるゲッタリング層（ＩＧ層）が形成されている。そのため、例えばデバイス形成工程での熱処理時、エピタキシャル膜内のニッケル、銅といった重金属汚染物質を効果的にＩＧ層にゲッタリングすることができる。
また、従来の炭素イオン注入法では困難であった、エピタキシャル膜に接してのＩＧ層の形成が容易となる。これにより、例えばデバイス形成工程での熱処理時において、エピタキシャル膜内の重金属汚染物質を効果的にＩＧ層にゲッタリングすることができる。しかも、シリコンウェーハ内の重金属汚染物質もＩＧ層にゲッタリングすることができる。これにより、ウェーハの口径の大小に拘わらず、エピタキシャルウェーハにおいて、高いゲッタリング効果が得られる。
【００２７】
特に、請求項２、請求項４および請求項７に記載の発明によれば、エピタキシャル膜が形成されない前記シリコンウェーハの裏面にも前記炭素拡散層からなるゲッタリング層（ＥＧ層）を形成する。そのため、エピタキシャル膜内の重金属汚染物質はウェーハ表面の炭素拡散層からなるＩＧ層にゲッタリングされる。かつ、熱処理雰囲気中に存在する重金属汚染物質は、ウェーハ裏面の炭素拡散層からなるＥＧ層にゲッタリングされる。しかも、前記熱処理時に、シリコンウェーハ内の重金属汚染物質も前記ＩＧ層に捕らえることができる。これにより、シリコンウェーハの裏面にＥＧ層が形成されていない場合に比べて、さらに高いゲッタリング効果を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、この発明の実施例を具体的に説明する。まず、図１〜図４を参照して、実施例１に係るエピタキシャルウェーハおよびその製造方法を説明する。
【実施例１】
【００２９】
図１において、１０はこの発明の実施例１に係るエピタキシャルウェーハである。エピタキシャルウェーハ１０は、エピタキシャル膜１１が形成されたシリコンウェーハＷの表面に、炭素拡散層からなるゲッタリング層（ＩＧ層）１２が形成されたものである。
以下、図２のフローシートを参照して、このエピタキシャルウェーハ１０の製造方法を説明する。
まず、ＣＺ法により引き上げられた単結晶シリコンインゴットからスライスしたシリコンウェーハＷを準備する。このシリコンウェーハＷには、ドーパントとしてボロンが、シリコンウェーハＷの比抵抗が０．０１Ω・ｃｍになるまで添加されている。
【００３０】
次に、スライスされたシリコンウェーハＷは面取り工程で、その周縁部が面取り用の砥石を用いて所定形状に面取りされる。その結果、シリコンウェーハＷの周縁部は、断面が所定の丸みを帯びた形状となっている。
続くラッピング工程においては、ラップ盤により面取りしたウェーハのラップ加工を施す。
次のエッチング工程では、ラップ加工したウェーハを所定のエッチング液（混酸またはアルカリ＋混酸）に浸漬し、ラップ加工での歪み、面取り工程等の歪み等を除去する。この場合、通常片面で２０μｍ、両面で４０μｍ程度をエッチングする。
その後、このシリコンウェーハＷを研磨盤に固定し、シリコンウェーハＷの表面に片面鏡面研磨を施す。
【００３１】
そして、鏡面研磨を施したシリコンウェーハＷの表面をＮ−メチル−２−ピロリドン溶液中に浸漬して、シリコンウェーハＷの表面に、２×１０１２ａｔｏｍｓ／ｃｍ２の炭素を含有する炭素含有膜１３を形成する（図３）。
次に、表面に炭素含有膜１３を形成したシリコンウェーハＷをアニール炉に挿入し、アルゴンガスの雰囲気中で、１０００℃で２時間アニールする。これにより、シリコンウェーハＷの表面に形成された炭素含有膜１３中の炭素がシリコンウェーハＷの表層部に熱拡散し、ウェーハ表層部に炭素拡散層からなるゲッタリング層１２が形成される（図４）。
【００３２】
その後、シリコンウェーハＷを約８５０℃の水素ガス雰囲気に保持された枚葉式のエピタキシャル成長装置の反応室内に設置する。そして、約５℃／秒の昇温速度で反応室内を略１１５０℃まで昇温した後、６０秒の水素ベークを行う。これにより、シリコンウェーハＷ表面の自然酸化膜およびパーティクルが除去されシリコンウェーハＷ表面が清浄化される。
【００３３】
水素ベークに連続して、シリコンウェーハＷの表面にエピタキシャル膜１１を成長させる。すなわち、シリコンソースガスであるＳｉＨＣｌ３を水素ガスで希釈した混合ガスを反応室へ導入する。圧力を１００±２０ＫＰａとし、１０００℃〜１１５０℃の高温に熱せられたシリコンウェーハＷ上に、原料ガスの熱分解または還元によって生成されたシリコンを、反応速度３．５〜４．５μｍ／分で析出させる。これにより、ゲッタリング層１２が形成されたシリコンウェーハＷの表面に膜厚３〜１０μｍのエピタキシャル膜１１が成長する（図１）。このとき、エピタキシャル膜１１と、炭素拡散層からなるゲッタリング層１２とは接している。
以上の工程により、エピタキシャルウェーハ１０が作製される。
【００３４】
このように、アニールによるシリコンウェーハＷへの炭素拡散層からなるゲッタリング層１２の形成方法を採用したので、従来の炭素イオン注入法では困難であった、エピタキシャル膜１１に接してのゲッタリング層１２の形成が容易となる。これにより、エピタキシャルウェーハ１０が鏡面研磨ウェーハに比べてイントリンシックゲッタリング能力が低くなるという問題が解消される。すなわち、例えば出荷先のデバイス形成工程での熱処理時において、エピタキシャル膜１１内のニッケル、銅等の重金属汚染物質を効果的にゲッタリング層１２（ＩＧ層）にゲッタリングすることができる。しかも、このときシリコンウェーハＷ内の重金属汚染物質もゲッタリング層１２にゲッタリングすることができる。このようなゲッタリング効果は、シリコンウェーハＷの口径の大小に拘わらず得ることができる。その結果、直径３００ｍｍを超えるような大口径のエピタキシャルウェーハ１０に対して、高いゲッタリング能力を与えることができる。
【実施例２】
【００３５】
次に、図５〜図７を参照して、この発明の実施例２に係るエピタキシャルウェーハの製造方法を説明する。
実施例２のエピタキシャルウェーハ２０は、シリコンウェーハＷの表面に、エピタキシャル膜１１が形成されたもので、エピタキシャル膜１１が形成されたシリコンウェーハＷの表面およびエピタキシャル膜１１が形成されないシリコンウェーハＷの裏面に、炭素拡散層からなるゲッタリング層１２がそれぞれ形成されたものである。
【００３６】
以下、図６のフローシートを参照して、実施例２のエピタキシャルウェーハ２０の製造方法を説明する。
実施例１と同じ各工程を経て得られたエッチング後のシリコンウェーハＷを研磨盤に固定し、ウェーハの表面に片面鏡面研磨を施す。
その後、シリコンウェーハＷをドーナツ形のサセプタに載置し、炉内温度を約８５０℃に保持し、炭化水素化合物（メタン（ＣＨ４）ガス）を６０％含む水素ガス雰囲気に保持された枚葉式のエピタキシャル成長装置の反応室内に設置する。そして、約５℃／秒の昇温速度で反応室内を略１１５０℃まで昇温した後、６０秒の水素ベークを行う。これにより、シリコンウェーハＷ表面および裏面の自然酸化膜およびパーティクルがそれぞれ除去され、シリコンウェーハＷの表裏面が清浄化される。これと同時に、ガス中の炭素がウェーハ表面およびウェーハ裏面からシリコンウェーハＷ内へ熱拡散し、シリコンウェーハＷの表面および裏面に厚さ０．８μｍの炭素拡散層からなるゲッタリング層１２がそれぞれ形成される（図７）。
【００３７】
水素ベーク後、ＳｉＨＣｌ３を水素ガスで希釈した混合ガスを反応室へ導入し、上述したエピタキシャル成長条件でシリコンウェーハＷの表面にエピタキシャル膜１１を成長させる。これにより、シリコンウェーハＷの表面にエピタキシャル膜１１が成長する（図５）。その結果、シリコンウェーハＷの表面側のゲッタリング層１２がＩＧ層となり、シリコンウェーハＷの裏面側のゲッタリング層１２がＥＧ層となったエピタキシャルウェーハ２０が得られる。
【００３８】
このように、炭素を含むガス雰囲気でのシリコンウェーハＷの熱処理によるゲッタリング層１２の形成方法を採用したので、エピタキシャル膜１１に接してゲッタリング層１２を形成することが容易となる。これにより、例えばデバイス形成工程での熱処理時において、エピタキシャル膜１１内の重金属汚染物質を効果的にＩＧ層１２にゲッタリングすることができる。しかも、シリコンウェーハの外部の熱処理雰囲気中に存在する重金属汚染物質はＥＧ層１２にゲッタリングすることができる。さらに、このときシリコンウェーハＷ内の重金属汚染物質もＩＧ層１２にゲッタリングすることができる。その結果、エピタキシャルウェーハ２０内でのゲッタリング効果を高めることができる。
その他の構成、作用および効果は、実施例１と略同じであるので説明を省略する。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】この発明の実施例１に係るエピタキシャルウェーハの断面図である。
【図２】この発明の実施例１に係るエピタキシャルウェーハの製造方法のフローシートである。
【図３】この発明の実施例１に係るエピタキシャルウェーハの製造方法における炭素含有膜形成工程を示す断面図である。
【図４】この発明の実施例１に係るエピタキシャルウェーハの製造方法におけるアニール工程を示す断面図である。
【図５】この発明の実施例２に係るエピタキシャルウェーハの断面図である。
【図６】この発明の実施例２に係るエピタキシャルウェーハの製造方法のフローシートである。
【図７】この発明の実施例２に係るエピタキシャルウェーハの製造方法における炭素を含むガス雰囲気での水素ベーク工程を示す断面図である。
【符号の説明】
【００４０】
１０，２０  エピタキシャルウェーハ、
１１  エピタキシャル膜、
１２  ゲッタリング層（炭素拡散層）、
１３  炭素含有膜、
Ｗ  シリコンウェーハ。
【図１】
2010034330.tif 000003
【図２】
2010034330.tif 000004
【図３】
2010034330.tif 000005
【図４】
2010034330.tif 000006
【図５】
2010034330.tif 000007
【図６】
2010034330.tif 000008
【図７】
2010034330.tif 000009