(57)【要約】【課題】液晶表示パネル、液晶表示装置、光検出装置及び光強度の調節方法を提供する。【解決手段】液晶表示パネルにおいて、複数の第１走査線と、複数の第１データ線、複数の薄膜トランジスタと、複数の液晶画素単元と、内蔵式光検出モジュールとを含む。複数の第１薄膜トランジスタは、複数の第１走査線と、複数の第１データ線との交差箇所に設けられ、各第１薄膜トランジスタは第１データ線と第１走査線とを接続する。各第１薄膜トランジスタは、液晶画素単元を駆動するに用いられる。内蔵式光検出モジュールは、光線を検出し、光線の光強度に対応する多ビットデジタル信号を出力する。【選択図】図１０
2010244009.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示パネルであって、
複数の第１走査線と、
複数の第１データ線と、
該複数の第１データ線と、該複数の第１走査線との交差箇所に設けられ、該第１データ線と該第１走査線とを接続する各複数の第１薄膜トランジスタと、
各該第１薄膜トランジスタより駆動させる各複数の液晶画素単元と、
光線を検出した上、該光線の光強度に対応する多ビットデジタル信号を出力する内蔵式光検出モジュールと、
を含むことを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項２】
該内蔵式光検出モジュールにおいて、
少なくとも一つの第２走査線と、
少なくとも一つの第２データ線と、
第２薄膜トランジスタと、少なくとも一つの蓄積キャパシタと、少なくとも一つの受光素子とを有する複数の光検出単元と、
を含む液晶表示パネルであって、
各該複数の光検出単元は、該第２薄膜トランジスタと、該蓄積キャパシタと、該受光素子とを電気的接続し、
各該第２薄膜トランジスタは、該第２走査線と、該第２データ線とを電気的接続することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項３】
該第２走査線が複数である場合、該複数の第２薄膜トランジスタは、各該第２走査線と、各該第２データ線とをそれぞれ接続することを特徴とする請求項２に記載の液晶表示パネル。
【請求項４】
該第２データ線が複数である場合、該複数の第２薄膜トランジスタは、各該第２走査線と、各該第２データ線とを接続することを特徴とする請求項２に記載の液晶表示パネル。
【請求項５】
該内蔵式光検出モジュールであって、
第２走査線と、
複数の第３走査線と、
第２データ線と、
第３データ線と、
第２薄膜トランジスタと、第３薄膜トランジスタと、少なくとも一つの蓄積キャパシタと、少なくとも一つの受光素子とを有する複数の光検出単元と、
を含む内蔵式光検出モジュールであって、
該第２薄膜トランジスタと、該第３薄膜トランジスタと、該蓄積キャパシタと、該受光素子とを電気接続し、
各該第２薄膜トランジスタは、該第２走査線と、該第２データ線とをそれぞれ接続し、各該第３薄膜トランジスタは各該第３走査線と各該第３データ線とを接続することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示パネル。
【請求項６】
該複数の光検出単元の該蓄積キャパシタは、それぞれ異なる容量値を有することを特徴とする請求項２ないし５のうちいずれか一項に記載の液晶表示パネル。
【請求項７】
該複数の光検出単元の該蓄積キャパシタの数量が非一致であることを特徴とする請求項２ないし５のうちいずれか一項に記載の液晶表示パネル。
【請求項８】
該複数の光検出単元の該受光素子は、それぞれ異なる光感知面積を有することを特徴とする請求項２ないし５のうちいずれか一項に記載の液晶表示パネル。
【請求項９】
該複数の光検出単元の受光素子の数量が非一致であることを特徴とする請求項２ないし５のうちいずれか一項に記載の液晶表示パネル。
【請求項１０】
さらにカラーフィルタを含む液晶表示パネルであって、
該カラーフィルタは該複数の第１薄膜トランジスタと、該複数の光検出単元上に設けられ、該カラーフィルタは複数のサイズが異なる透明孔径（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ａｐｅｒｔｕｒｅ）を有し、該複数の透明孔径の位置は、該複数の光検出単元にそれぞれ対応することを特徴とする請求項２ないし５のうちいずれか一項に記載の液晶表示パネル。
【請求項１１】
液晶表示装置であって、
請求項１ないし５のうちいずれか一項に記載の液晶表示パネルと、
第１制御信号を該複数の第１走査線に出力する第１ゲート駆動回路と、
表示データを該複数の第１データ線に出力するデータ駆動回路と、
内蔵式光検出モジュールとを電気的接続し、該光検出駆動回路は少なくとも一つの第２制御信号を該内蔵式光検出モジュールに伝送した上、該内蔵式光検出モジュールより多ビットデジタル信号を読み取る光検出駆動回路と、
該光検出駆動回路と電気的接続し、該多ビットデジタル信号の受信および演算を行うことによって、光線の光強度を獲得する計算回路と、
を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
該第２制御信号は、データ書き込みイネーブルパルス（ｐｕｌｓｅ）と、データ読み取りイネーブルパルスとを有することを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
該第２制御信号の数量が複数である場合、該複数のデータ読み取りイネーブルパルスが非同期の状態であることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
さらにバックライトモジュールを有し、該計算回路は該バックライトモジュールと電気的接続し、獲得した該光線の光強度に基づき、該バックライトモジュールを制御することを特徴とする請求項１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
光線を検出し、該光線の光強度に対応する多ビットデジタル信号を出力する光検出装置であって、
トランジスタと、少なくとも一つの蓄積キャパシタと、少なくとも一つの受光素子とを有する各複数の光検出単元と、
少なくとも一つの制御信号と、参照信号とを複数のトランジスタに出力する光検出駆動回路と、
を含む光検出装置において、
当該トランジスタと、該蓄積キャパシタと、該受光素子とを電気的接続し、
当該制御信号は、データ書き込みイネーブルパルス（ｐｕｌｓｅ）と、データ読み取りイネーブルパルスとを有し、
当該複数のトランジスタより、該データ書き込みイネーブルパルスを受信する場合、各該光検出単元の少なくとも一つの該蓄積キャパシタは、該参照信号に基づき、充電を行い、
当該複数のトランジスタより、該データ読み取りイネーブルパルスを受信する場合、該光検出駆動回路は、各該光検出単元の少なくとも一つの該蓄積キャパシタの電圧値を読み取った後、当該複数の電圧値に基づき、多ビットデジタル信号を生成することを特徴とする光検出装置。
【請求項１６】
該複数の光検出装置の該蓄積キャパシタが、異なる容量値を有することを特徴とする請求項１５に記載の光検出装置。
【請求項１７】
該複数の光検出装置の該蓄積キャパシタの数量が、非一致であることを特徴とする請求項１５に記載の光検出装置。
【請求項１８】
該複数の光検出装置の該受光素子は、異なる光感知面積を有することを特徴とする請求項１５に記載の光検出装置。
【請求項１９】
該複数の光検出装置の受光素子の数量が、非一致であることを特徴とする請求項１５に記載の光検出装置。
【請求項２０】
該制御信号の数量が複数であり、該複数のデータ読み取りイネーブルパルスが非同期の状態であることを特徴とする請求項１５に記載の光検出装置。
【請求項２１】
液晶表示装置に適用する光強度の調節方法において、
請求項１ないし５のうちいずれか一項に記載の液晶表示パネルを提供するステップと、
第１ゲート駆動回路より、第１制御信号を該複数の第１走査線に出力するステップと、
データ駆動回路より、表示データを該複数の第１データ線に出力するステップと、
該光検出駆動回路を介して、内蔵式光検出モジュールと電気的接続するステップと、
該光検出駆動回路より、少なくとも一つの第２制御信号を該内蔵式光検出モジュールに出力させるステップと、
該内蔵式光検出モジュールより、該多ビットデジタル信号を読み取るステップと、
計算回路により光検出駆動回路と電気的接続し、該光線の光強度を獲得するため、該多ビットデジタル信号の受信および演算を行うステップと、
を含むことを特徴とする光強度の調節方法。
【請求項２２】
該第２制御信号は、データ書き込みイネーブルパルス（ｐｕｌｓｅ）と、データ読み取りイネーブルパルスとを有することを特徴とする請求項２１に記載の光強度の調節方法。
【請求項２３】
該第２制御信号の数量が複数である場合、該複数のデータ読み取りイネーブルパルスが非同期の状態であることを特徴とする請求項２２に記載の液晶表示装置。
【請求項２４】
該計算回路を介して該バックライトモジュールと電気的接続し、獲得した該光線の光強度に基づき、該バックライトモジュールを制御することを特徴とする請求項２１記載の光強度の調節方法。
【請求項２５】
光線を検出し、該光線強度に対応する多ビットデジタル信号を出力する光検出装置に適用する光強度の調節方法であって、
複数の光検出単元を提供するステップと、
光検出駆動回路より少なくとも一つの制御信号と、参照信号とを複数のトランジスタに出力するステップと、
を含む光強度の調節方法において、
各該光検出単元は、トランジスタと、少なくとも一つの蓄積キャパシタと、少なくとも一つの受光素子とを有し、また該トランジスタ、該蓄積キャパシタと、該受光素子とを電気接続し、
当該制御信号は、データ書き込みイネーブルパルス（ｐｕｌｓｅ）と、データ読み取りイネーブルパルスとを含み、
当該複数のトランジスタより、該データ書き込みイネーブルパルスを受信する場合、各該光検出単元の少なくとも一つの該蓄積キャパシタは、該参照信号に基づき、充電を行い、
当該複数のトランジスタより、該データ読み取りイネーブルパルスを受信する場合、該光検出駆動回路は、各該光検出単元の少なくとも一つの該蓄積キャパシタの電圧値を読み取った後、当該複数の電圧値に基づき、多ビットデジタル信号を生成することを特徴とする光強度の調節方法。
【請求項２６】
該複数の光検出装置の該蓄積キャパシタは、異なる容量値を有することを特徴とする請求項２５に記載の光強度の調節方法。
【請求項２７】
該複数の光検出装置の該蓄積キャパシタの数量が、非一致であることを特徴とする請求項２５に記載の光強度の調節方法。
【請求項２８】
該複数の光検出装置の該受光素子は、異なる光感知面積を有することを特徴とする請求項２５に記載の光強度の調節方法。
【請求項２９】
該複数の光検出装置の受光素子の数量が、非一致であることを特徴とする請求項２５に記載の光強度の調節方法。
【請求項３０】
該制御信号の数量が複数である場合、該複数のデータ読み取りイネーブルパルスが非同期の状態であることを特徴とする請求項２５に記載の光強度の調節方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一種の液晶表示パネル、液晶表示装置、光検出装置及び光強度の調節方法に関し、特に一種の光源を検出し光源強度に対応した多ビットデジタル信号を出力する液晶表示パネル、液晶表示装置、光検出装置及び光強度の調節方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
環境光検出技術（Ａｍｂｉｅｎｔ  Ｌｉｇｈｔ  Ｓｅｎｓｉｎｇ，  ＡＬＳ）は、表示装置のエネルギー管理効率を向上でき、テレビ、モニタ、デジタルフォトフレーム（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｐｈｏｔｏ−Ｆｒａｍｅ，  ＤＰＦ）、ノートパソコン、携帯電話、個人用ナビゲーション装置およびメディアプレーヤーなど鑑賞品質の改善、電気消費の軽減、電池使用寿命の延長などに応用されている。一例として、液晶表示装置のバックライトの発光時間が長くなるにつれ、消費電力も大きくなるから、環境光を自動的に検出し、また環境光の改変に従い、バックライトの輝度を調節することにより、知能型制御を達成し、消費電力も軽減できる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
環境光自動検出管理の特長は、設定された光源特性データに従い、自動的に明るい過ぎているまた暗い過ぎているスクリーンの明るさを調整することにより、電流消費を軽減できた上、電池の使用寿命を延長でき、特に携帯式電子装置の電源効率を改善し、並びに使用者に清楚なスクリーンを鑑賞できる。従来技術において、表示装置に環境光検出機能を備えるには、外付けセンサーモジュールを表示装置に取り付けることが必要となる。そのような技術手段は部品数とコストが増加するほか、表示装置の小型化、薄型化が難しくなりつつである。
【０００４】
従来技術の環境光センサーは、フォートダイオード（Ｐｈｏｔｏ  Ｄｉｏｄｅ）を光励起されて、光電流を発生する。それで、アンプ（Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）により、ゲイン（Ｇａｉｎ）を稼働可能な範囲までに高める。また、アナログデジタル変換器（Ａｎａｌｏｇ−ｔｏ−ｄｉｇｉｔａｌ  ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ，  ＡＤＣ）の演算を経て、バックライトコントローラー（Ｂａｃｋｌｉｇｈｔ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）に伝送し調光を行う。
【０００５】
しかしながら、従来の光源センサーは暗電流（Ｄａｒｋ  Ｃｕｒｒｅｎｔ）が生成し、信号対ノイズ比（Ｓ／Ｎ  Ｒａｔｉｏ）に影響を与えてしまうのである。その影響は極弱い入射光（Ｌｏｗ  ｌｕｘ  Ｌｅｖｅｌｓ）が目立つである。さらに、周囲温度の変化により暗電流が影響を受け易いという特性で、高温環境での使用には信号対ノイズ比が悪い。よって、この種の高感度光源センサー信号を有効に読み取るため、複雑な増幅とアナログデジタル変換回路設計が必要となり、例えば、外付け補償回路の追加または暗電流を取り除くための回路が必要となると、コストが大幅に増加する恐れとなる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記公知技術の課題を鑑み、暗電流と温度変化により信号対ノイズ比が劣る課題を解決するために、本発明の目的は、一種の液晶表示パネル、液晶表示装置、光検出装置及び光強度の調節方法を提供する。
【０００７】
本発明の一つの目的によれば、一種の液晶表示パネルを提供する。この液晶表示パネルにおいて、複数の第１走査線、複数の第１データ線、複数の第１薄膜トランジスタ、複数の液晶画素単元と、内蔵式光検出モジュールとを含む。複数の第１薄膜トランジスタは、複数の第１走査線と複数の第１データ線との交差箇所に設けられ、各第１薄膜トランジスタは第１データ線と第１走査線とを接続する。各第１薄膜トランジスタは、液晶画素単元をそれぞれ駆動する。内蔵式光検出モジュールは光線を検出し、光線に対応する光強度の多ビットデジタル信号を出力する。
【０００８】
なお、内蔵式光検出モジュールは、少なくとも一つの第２走査線と、少なくとも一つの第２データ線と、複数の光検出単元とを含む。各光検出単元は、第２薄膜トランジスタと、少なくとも一つの蓄積キャパシタと、少なくとも一つの受光素子とを含む。第２薄膜トランジスタは、蓄積キャパシタと受光素子とを電気的接続する。各第２薄膜トランジスタは、第２走査線と、第２データ線とを接続する。
【０００９】
また、内蔵式光検出モジュールは、一つの第２走査線と、複数の第３走査線と、第２データ線と、第３データ線と、複数の光検出単元とを含む。各光検出単元は、第２薄膜トランジスタと、第３薄膜トランジスタと、少なくとも一つの蓄積キャパシタと、少なくとも一つの受光素子とを含む。第２薄膜トランジスタと、第３薄膜トランジスタと、蓄積キャパシタと受光素子とを電気的接続する。各第２薄膜トランジスタは、第２走査線と、第２データ線とを接続する。各第３薄膜トランジスタは、第３走査線と、第３データ線とを接続する。
【００１０】
なお、複数の光検出単元の蓄積キャパシタは、それぞれ異なる容量値を有する。
【００１１】
また、複数の光検出単元の蓄積キャパシタの数量は、非一致である。
【００１２】
さらに、複数の光検出単元の受光素子は、それぞれ異なる光感知面積を有する。
【００１３】
そして、複数の光検出単元の受光素子の数量は、非一致である。
【００１４】
なお、液晶表示パネルはさらにカラーフィルタを含み、このカラーフィルタは複数の第１薄膜トランジスタと複数の光検出単元上に設けられる。それに、カラーフィルタは、複数のサイズが異なる透明孔径（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ａｐｅｒｔｕｒｅ）を有し、複数の透明孔径は、複数の光検出単元にそれぞれ対応する。
【００１５】
本発明の別の目的によれば、一種の液晶表示装置を提供する。この液晶表示装置において、液晶表示パネルと、第１ゲート駆動回路、データ駆動回路、光検出駆動回路と、計算回路とを含む。第１ゲート駆動回路は、第１制御信号を複数の第１走査線に出力する。データ駆動回路は、表示データを複数の第１データ線に出力する。光検出駆動回路は、内蔵式光検出モジュールと電気的接続し、少なくとも一つの第２制御信号を内蔵式光検出モジュールに伝送し、また内蔵式光検出モジュールより多ビットデジタル信号を読み取る。計算回路は光検出駆動回路と電気的接続し、多ビットデジタル信号の受信および演算を行うことによって、光線の光強度を獲得する。
【００１６】
なお、この第２制御信号は、データ書き込みイネーブルパルス（ｐｕｌｓｅ）と、データ読み取りイネーブルパルスとを含む。
【００１７】
また、この第２制御信号の数量が複数である場合、複数のデータ読み取りイネーブルパルスは非同期の状態である。
【００１８】
さらに、液晶表示装置は、バックライトモジュールを含み、計算回路はバックライトモジュールと電気的接続し、受信された光線強度に基づき、バックライトモジュールの制御を行う。
【００１９】
本発明のさらに別の目的によれば、一種の光検出装置を提供し、光線を検出して、光線の光強度に対応する多ビットデジタル信号を出力する。この光検出装置において、複数の光検出単元と、一つの光検出駆動回路とを含む。各光検出単元は、トランジスタと、少なくとも一つの蓄積キャパシタと、少なくとも一つの受光素子とを含み、かつトランジスタ、蓄積キャパシタと、受光素子とを電気的接続する。光検出駆動回路より、少なくとも一つの制御信号と、参照信号を複数のトランジスタに出力する。この制御信号は、データ書き込みイネーブルパルス（ｐｕｌｓｅ）と、データ読み取りイネーブルパルスとを含む。複数のトランジスタにより、データ書き込みイネーブルパルスを受信する場合、各光検出単元の少なくとも一つの蓄積キャパシタは、参照信号に基づき、充電を行う。複数のトランジスタよりデータ書き込みイネーブルパルスを受信する場合、光検出駆動回路は、各光検出単元の少なくとも一つの蓄積キャパシタの電圧値を読み込んだ後、複数の電圧値に基づき、多ビットデジタル信号を生成する。
【００２０】
そのほか、本発明は、さらに一種の光強度の調節方法を提供し、液晶表示装置に用いられ、以下のステップを含む。まず、液晶表示パネルを提供する。引き続き、第１ゲート駆動回路より第１制御信号を複数の第１走査線に出力する。そして、データ駆動回路より表示データを複数の第１データ線に出力する。それで、光検出駆動回路を介して、内蔵式光検出モジュールと電気的接続する。光検出駆動回路より、少なくとも第２制御信号を内蔵式光検出モジュールに出力する。内蔵式光検出モジュールより、多ビットデジタル信号を読み取り。計算回路より光検出駆動回路と電気的接続し、多ビットデジタル信号の受信および演算を行い、光線の光強度を獲得する。
【００２１】
なお、計算回路はバックライトモジュールと電気的接続し、獲得した光線の光強度に基づき、バックライトモジュールの制御を行う。
【００２２】
そのほか、本発明は、さらに一種の光強度の調節方法を提供し、光検出装置に用いられ、光検出装置が光線を検出し、光線の光強度に対応する多ビットデジタル信号を出力し、以下のステップを含む。複数の光検出単元を提供し、各光検出単元はトランジスタ、少なくとも一つの蓄積キャパシタと、少なくとも一つの受光素子を含み、かつトランジスタ、蓄積キャパシタと、受光素子とを電気的接続する。光検出駆動回路より少なくとも一つの制御信号と、参照信号を複数のトランジスタに出力し、制御信号はデータ書き込みイネーブルパルス（ｐｕｌｓｅ）と、データ読み取りイネーブルパルスとを含む。また、複数のトランジスタにより、データ書き込みイネーブルパルスを受信する場合、各光検出単元の少なくとも一つの蓄積キャパシタは、参照信号を基づき充電を行う。また、複数のトランジスタよりデータ読み取りイネーブルパルスを受信する場合、光検出駆動回路は各光検出単元の少なくとも一つの蓄積キャパシタの電圧値を読み取った後、複数の電圧値に基づき、多ビットデジタル信号を生成する。
【発明の効果】
【００２３】
前記説明した通り、本発明に係る液晶表示パネル、液晶表示装置、光検出装置と光強度の調節方法は、以下の一つまたは複数の長所を有する。
イ、本発明に係る液晶表示パネル、液晶表示装置、光検出装置と、光強度の調節方法は、光線を検出し、光線の光強度に対応する多ビットデジタル信号を出力できる。
ロ、本発明に係る液晶表示パネル、液晶表示装置、光検出装置と、光強度の調節方法は、光検出単元により、液晶または有機発光ダイオードパネル内部に直接に組み込まれ、異なる光検出単元のリーク電流と蓄積キャパシタに基づき、外部環境の光源の光強度を感知できる。
ハ、本発明に係る液晶表示パネル、液晶表示装置、光検出装置と、光強度の調節方法は、新たに光源感知のプリント回路板や機構設計変更の必要がない。光センサー器を表示装置に組み込まれているため、部品数が軽減でき、設計の複雑度とコストとも軽減でき、製品開発速度の加速化が図れる。
ニ、本発明に係る液晶表示パネル、液晶表示装置、光検出装置と、光強度の調節方法は、カスタマイズし易い、軽量、薄型化、狭ベゼル（Ｎａｒｒｏｗ  Ｂｅｚｅｌ）及びエコで省エネの環境にやさしい長所を有する。
【００２４】
本発明に係る光検出装置の構造は、液晶表示パネル、液晶表示装置に限らず、アクティブマトリクス（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ）を有する表示パネル、表示装置、例えば、アクティブマトリクス有機発光ダイオード（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ，  ＡＭＯＬＥＤ）、アクティブマトリクス式電子ペーパー（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｐａｐｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ，  ＡＭＥＰＤ）の表示パネル、表示装置など、すべてにこの光検出装置の構造を応用できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の液晶表示パネルに係る実施例１の態様図である。
【図２】本発明の液晶表示パネルに係る実施例２の態様図である。
【図３】本発明の液晶表示パネルに係る実施例３の態様図である。
【図４】本発明の液晶表示パネルに係る回路レイアウトの態様図である。
【図５】本発明の液晶表示パネルに係るカラーフィルタの態様図である。
【図６】本発明の液晶表示パネルに係る実施例４の態様図である。
【図７】本発明の液晶表示パネルに係る実施例５の態様図である。
【図８】本発明の液晶表示パネルに係る実施例６の態様図である。
【図９】本発明の液晶表示パネルに係る実施例７の態様図である。
【図１０】本発明の液晶表示装置に係る実施例１の態様図である。
【図１１】本発明の液晶表示装置に係る実施例１のクロック信号図である。
【図１２ａ】本発明の液晶表示装置に係る実施例２のクロック信号図である。
【図１２ｂ】フォトトランジスタ感光素子に係る実施例の環境光照射電気信号図である。
【図１３】本発明の液晶表示装置に係る実施例３のクロック信号図である。
【図１４】本発明の光検出装置の態様図である。
【図１５】本発明の光強度の調節方法に係る実施例１の流れ図である。
【図１６】本発明の光強度の調節方法に係る実施例２の流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
図１は、本発明の液晶表示パネルに係る実施例１の態様図である。この図を参照し、液晶表示パネル１は、複数の第１走査線１１、複数の第１データ線１２、複数の第１薄膜トランジスタ１３、複数の液晶画素単元１４と、内蔵式光検出モジュール１５とを含む。複数の第１薄膜トランジスタ１３は、複数の第１走査線１１と、複数の第１データ線１２との交差箇所に設けられ、各第１薄膜トランジスタ１３は、第１走査線１１と、第１データ線１２とを接続する。各第１薄膜トランジスタ１３は、各液晶画素単元１４を駆動する。内蔵式光検出モジュール１５は、光線を検出し、光線の光強度に対応する多ビットデジタル信号を出力する。
【００２７】
内蔵式光検出モジュール１５は、少なくとも一つの第２走査線１５１と、少なくとも一つの第２データ線１５２と、複数の光検出単元１５３とを含む。各光検出単元１５３は、第２薄膜トランジスタ１５３１、少なくとも一つの蓄積キャパシタ１５３２と、少なくとも一つの受光素子１５３３とを含み、第２薄膜トランジスタ１５３１、蓄積キャパシタ１５３２と受光素子１５３３とを電気的接続する。なお、各第２薄膜トランジスタ１５３１は、第２走査線１５１と、第２データ線１５２とを接続する。また、第２走査線１５１は、複数である場合、複数の第２薄膜トランジスタ１５３１は、各第２走査線１５１と、第２データ線１５２と接続する。このほか、第２データ線１５２は複数であっても良い。この場合、複数の第２薄膜トランジスタ１５３１は、第２走査線１５１と第２データ線１５２とを接続する。
【００２８】
図２は、本発明の液晶表示パネルに係る実施例２の態様図である。この図を参照し、複数の光検出単元１５３の蓄積キャパシタ１５３２の数量が非一致であっても良い。また複数の光検出単元１５３の蓄積キャパシタは、それぞれ異なる容量値を持たせていると、同じ効果が達成できる。
【００２９】
図３は、本発明の液晶表示パネルに係る実施例３の態様図である。この図を参照し、複数の光検出単元１５３の受光素子１５３３の数量が非一致であっても良い。また複数の光検出単元１５３の受光素子は、それぞれ異なる光感知面積を持たせていると、同じ効果が達成できる。なお、受光素子１５３３は、フォトトランジスタ（Ｐｈｏｔｏ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）またはフォートダイオード（Ｐｈｏｔｏ  Ｄｉｏｄｅ）のいずれかであっても良い。
【００３０】
図４は、本発明の液晶表示パネルに係る回路レイアウトの態様図である。この図を参照し、複数の第１薄膜トランジスタ４１と、複数の光検出単元４２とを有する。図５は、本発明の液晶表示パネルに係る回路レイアウトの態様図である。この図において、一つのカラーフィルタ５１を示す図である。このカラーフィルタ５１は、複数のサイズが異なる透明孔径５１１（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ａｐｅｒｔｕｒｅ）を有する。異なるサイズの透明孔径５１１を利用して、異なる光検出単元４２に異なる露光面積を持たせる。図６は、本発明の液晶表示パネルに係る実施例４の態様図である。この図を参照し、液晶表示パネル６はさらに、カラーフィルタ５１を含み、かつこのカラーフィルタ５１は、複数の第１薄膜トランジスタ４１と、複数の光検出単元４２の上に設置し、複数の透明孔径５１１の位置は、複数の光検出単元４３にそれぞれ対応する。
【００３１】
図７は、本発明の液晶表示パネルに係る実施例５の態様図である。この図を参照し、この実施例において、第１薄膜トランジスタ７１、液晶画素単元７２、内蔵式光検出モジュール７３と、カラーフィルタ７４とを含む。なお、液晶画素単元７２は、画素電極７２１、コモン電極７２２および画素電極７２１とコモン電極７２２との間に挟まれた液晶分子７２３とを含む。また、内蔵式光検出モジュール７３の受光素子７５は、フォートダイオード（Ｐｈｏｔｏ  Ｄｉｏｄｅ）がより好ましい。
【００３２】
図８は、本発明の液晶表示パネルに係る実施例６の態様図である。この図を参照し、この実施例において、第１薄膜トランジスタ８１、液晶画素単元８２、内蔵式光検出モジュール８３と、カラーフィルタ８４とを含む。なお、液晶画素単元８２は画素電極８２１、コモン電極８２２および画素電極８２１とコモン電極８２２との間に挟まれた液晶分子８２３とを含む。また、内蔵式光検出モジュール８３の受光素子８５は、フォトトランジスタ（Ｐｈｏｔｏ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）である。
【００３３】
図９は、本発明の液晶表示パネルに係る実施例７の態様図である。この図を参照し、液晶表示パネル９は、複数の第１走査線９１、複数の第１データ線９２、複数の第１薄膜トランジスタ９３、複数の液晶画素単元９４と、内蔵式光検出モジュール９５とを含む。複数の第１薄膜トランジスタ９３は、複数の第１走査線９１と、複数の第１データ線９２との交差箇所に設けられ、各第１薄膜トランジスタ９３は、第１走査線９１と、第１データ線９２とを接続する。各第１薄膜トランジスタ９３は、液晶画素単元９４を駆動する。内蔵式光検出モジュール９５は、光線を検出し、光線の光強度に対応する多ビットデジタル信号を出力する。
【００３４】
内蔵式光検出モジュール９５は、第２走査線９５１と、複数の第３走査線９５２と、第２データ線９５３と、第３データ線９５４と、複数の光検出単元９５５とを含む。各光検出単元９５５は、第２薄膜トランジスタ９５５１、第３薄膜トランジスタ９５５２、少なくとも一つの蓄積キャパシタ９５５３と、少なくとも一つの受光素子９５５４とを含み、かつ第２薄膜トランジスタ９５５１、第３薄膜トランジスタ９５５２、蓄積キャパシタ９５５３と受光素子９５５４とを電気的接続する。各第２薄膜トランジスタ９５５１は、第２走査線９５１と、第２データ線９５３とをそれぞれ接続し、それに各第３薄膜トランジスタ９５５２は、各第３走査線９５２と第３データ線９５４とをそれぞれ接続する。
【００３５】
複数の光検出単元９５５の蓄積キャパシタ９５５３の数量が非一致の状態であっても良い。また複数の光検出単元９５５の蓄積キャパシタ９５５３は、それぞれ異なる容量値を持たせることを利用して、同じ効果が達成できる。複数の光検出単元９５５の受光素子９５５４の数量が非一致の状態であっても良い。また複数の光検出単元９５５の受光素子が異なる光感知面積を持たせることを利用して、同じ効果が達成できる。なお、受光素子９５５４は、フォトトランジスタ（Ｐｈｏｔｏ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）またはフォートダイオード（Ｐｈｏｔｏ  Ｄｉｏｄｅ）のいずれかであっても良い。液晶表示パネル９は、さらにカラーフィルタを含み、このカラーフィルタは複数サイズが異なる透明孔径（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  ａｐｅｒｔｕｒｅ）を有し、複数の透明孔径の配置する位置では、複数の光検出単元９５５にそれぞれ対応する。
【００３６】
図１０は、本発明の液晶表示装置に係る実施例１の態様図である。この図を参照し、液晶表示装置１０は、液晶表示パネル１０１、第１ゲート駆動回路１０２、データ駆動回路１０３、光検出駆動回路１０４と、計算回路１０５とを含む。第１ゲート駆動回路１０２は、第１制御信号を複数の第１走査線１０２１に出力する。データ駆動回路１０３は、表示データを複数の第１データ線１０３１に出力する。光検出駆動回路１０４は、内蔵式光検出モジュール１０６に電気的接続し、光検出駆動回路１０４は、少なくとも一つの第２制御信号を内蔵式光検出モジュール１０６に伝送して、内蔵式光検出モジュール１０６より多ビットデジタル信号を読み取る。計算回路１０５は、光検出駆動回路１０４に電気的接続し、多ビットデジタル信号の受信および演算を行い、光線の光強度を獲得する。液晶表示装置１０はさらに、バックライトモジュール１０７を含む場合、計算回路１０５は、バックライトモジュール１０７に電気接続し、計算回路１０５は獲得した光線の光強度に基づき、バックライトモジュール１０７の制御を行う。
【００３７】
図１１は、本発明の液晶表示装置に係る実施例１のクロック信号図である。この図と図１０とを併せて参照する。第Ｎのタイムフレーム（Ｔｉｍｅ  Ｆｒａｍｅ）において、第１ゲート駆動回路１０２より、第１制御信号を複数の第１走査線Ｇ１−Ｇｎに送信し、順をおって、第１データ線１０３１と第１走査線１０２１との間に設けられる各薄膜トランジスタを起動させる。なお、第１制御信号はｎ個のパルス信号である。この際に、データ駆動回路１０３より、表示データを複数の第１データ線Ｄ１−Ｄｍに出力し、液晶表示パネルの表示画面を更新させる。引き続き、Ｎ＋１のタイムフレームにおいて、第１ゲート駆動回路１０２は順次にｎ個のパルス信号を生成し、複数の第１走査線Ｇ１−Ｇｎに出力して、第１データ線１０３１と第１走査線１０２１との間に設けられる各薄膜トランジスタを順次に起動させる。この際に、データ駆動回路１０３より、表示データを複数の第１データ線Ｄ１−Ｄｍに出力し、液晶表示パネルの画面を更新させる。引き続き、Ｎ＋２のタイムフレームにおいて、第１ゲート駆動回路１０２は再び順次にｎ個のパルス信号を生成し、複数の第１走査線Ｇ１−Ｇｎに出力して、第１データ線１０３１と第１走査線１０２１との間に設けられる各薄膜トランジスタを順次に起動させる。この際に、データ駆動回路１０３より、表示データを複数の第１データ線Ｄ１−Ｄｍに出力し、液晶表示パネルの画面を再び更新させる。続いて、Ｎ＋３のタイムフレームにおいて、第１ゲート駆動回路１０２は再び順次にｎ個のパルス信号を生成し、複数の第１走査線Ｇ１−Ｇｎに出力して、第１データ線１０３１と第１走査線１０２１との間に設けられる各薄膜トランジスタを順次に起動させる。この際に、データ駆動回路１０３より、表示データを複数の第１データ線Ｄ１−Ｄｍに出力し、液晶表示パネルの画面を再び更新させる。
【００３８】
図１２ａは、本発明の液晶表示装置に係る実施例２のクロック信号図である。この図と図１と図１０とを併せて参照し、単元参照データを提供する場合、光検出駆動回路１０４は、少なくとも一つの第２制御信号を内蔵式光検出モジュール１５、１０６に出力し、この第２制御信号はデータ書き込みイネーブルパルス（ｐｕｌｓｅ）とデータ読み取りイネーブルパルスとを有する。複数のトランジスタ１５３１より、データ書き込みイネーブルパルスを受信するとき、各光検出単元１５３の少なくとも一つの蓄積キャパシタ１５３２は、参照信号により、充電を行った上、少なくとも一つの第２走査線１５１、１０２１を介して、各第２薄膜トランジスタ１５３１を起動する共に、参照データを蓄積キャパシタ１５３２に書き込むことができる。
【００３９】
外部環境の環境光照射ｔ１−ｔ４により、蓄積キャパシタ１５３２は、受光素子１５３３を介して放電する。複数のトランジスタＴ１−Ｔ４よりデータ読み取りイネーブルパルスを受信するときに、光検出駆動回路１０４は、各光検出単元１５３の蓄積キャパシタ１５３２の電圧値を読み取った後、当該電圧値に基づき、多ビットデジタル信号を生成する。ｔ１の露光時間を経過した後、第２走査線１５１１より、薄膜トランジスタＴ４を起動させ、第２データ線１５２より、接続している蓄積キャパシタ１５３２の電圧値を読み取る。ｔ２の露光時間を経過した後、第２走査線１５１２より、薄膜トランジスタＴ３を起動させ、第２データ線１５２より、接続している蓄積キャパシタ１５３２の電圧値を読み取る。ｔ３の露光時間を経過した後、第２走査線１５１３より薄膜トランジスタＴ２を起動させ、第２データ線１５２より、接続していた蓄積キャパシタ１５３２の電圧値を読み取る。ｔ４の露光時間を経過した後、第２走査線１５１４より薄膜トランジスタＴ１を起動させ、第２データ線１５２より、接続している蓄積キャパシタ１５３２の電圧値を読み取り、これはデータ読み取りイネーブルパルスが非同期状態を示すでもある。
【００４０】
図１２ｂは、フォトトランジスタ（Ｐｈｏｔｏ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）感光素子に係る実施例の環境光照射電気信号図である。この図を参照し、外部環境の環境光照射を受け、受光素子より光信号を電気信号に変更する。よって、一定のバイアス電圧下にて、異なる環境光の強さは、異なる光電流値にそれぞれ対応する。この実施例において、光強度が０ ｌｕｘ、５００ ｌｕｘ、１０００ ｌｕｘ、５０００ ｌｕｘ、１００００ ｌｕｘ、５００００ｌｕｘ、１０００００ ｌｕｘの場合、光強度が強いほど、大きい光電流値が出力される。
【００４１】
表１は、計算回路１０５ロジック設計実施例の調光の度合いの関係表である。この表を参照し、光検出駆動回路１０４は、電圧値に従い、多ビットデジタル信号が生成される。計算回路１０５より、多ビットデジタル信号を受信及び演算を行い、ロジックの高さに従い、光線調光（Ｄｉｍｍｉｎｇ）の度合いを判断する。この実施例において、環境が真っ暗（Ｐｉｔｃｈ  Ｂｌａｃｋ）、非常に暗い（Ｖｅｒｙ  ｄａｒｋ）、室内暗い（Ｄａｒｋ  Ｉｎｄｏｏｒｓ）、室内薄暗い（Ｄｉｍ  Ｉｎｄｏｏｒｓ）、室内正常（Ｎｏｒｍａｌ  Ｉｎｄｏｏｒｓ）、室内明るい（Ｂｒｉｇｈｔ  Ｉｎｄｏｏｒｓ）、室外薄暗い（Ｄｉｍ  Ｏｕｔｄｏｏｒｓ）、室外曇り（Ｃｌｏｕｄｙ  Ｏｕｔｄｏｏｒｓ）や直射日光（Ｄｉｒｅｃｔ  Ｓｕｎｌｉｇｈｔ）などの状態に従い、様々な光強度範囲に対応し、さらに、光強度範囲の平均値に基づき、光線調光の度合いとする。たとえば、（Ｈ，Ｈ，Ｈ，Ｈ）を０階調光で、（Ｌ，Ｈ，Ｈ，Ｈ）を第１階調光で、（Ｌ，Ｌ，Ｈ，Ｈ）を第２階調光で、（Ｌ，Ｌ，Ｌ，Ｈ）を第３階調光で、（Ｌ，Ｌ，Ｌ，Ｌ） を第４階調光であることをそれぞれ表す。バックライトモジュール１０７を電気的接続する場合、獲得した光線の光強度に従って、バックライトモジュール１０７を制御できる。一例として、検出された光強度が２０００ ｌｕｘの場合、計算回路は、その環境状況に対応する表１の室内明るいという環境状況に基づき、第２階調の調光が判断される。計算回路１０７によるバックライトモジュール１０７と電気的接続する場合、読み込まれた演算ルールに従い、バックライトモジュール１０７のバックライトを調節できる。
【００４２】
【表１】
2010244009.tif 000003
【００４３】
図１３は、本発明の液晶表示装置に係る実施例３のクロック信号図である。この図と図９と図１０とを併せて参照する。単元参照データを提供される場合、光検出駆動回路１０４は、少なくとも一つの第２制御信号を内蔵式光検出モジュール１０６、９５に出力する。この第２制御信号は、データ書き込みイネーブルパルス（ｐｕｌｓｅ）とデータ読み取りイネーブルパルスとを有する。複数のトランジスタＴ１−Ｔ４よりデータ書き込みイネーブルパルスを受信する場合、各光検出単元９５５の蓄積キャパシタ９５５３は、参照信号に基づき、充電を行った上、少なくとも一つの第２走査線９５１を介して、各第２薄膜トランジスタ９５５１を起動すると共に、参照データを蓄積キャパシタ９５５３に書き込む。
【００４４】
外部環境の環境光の照射ｔ１−ｔ４により、蓄積キャパシタ９５５３は、受光素子９５５４を介し、放電する。複数のトランジスタＴ１−Ｔ４よりデータ読み取りイネーブルパルスを受信する場合、光検出駆動回路１０４は、各光検出単元９５５の蓄積キャパシタ９５５３の電圧値を読み取った後、当該電圧値に基づき、多ビットデジタル信号を生成する。ｔ１の露光時間を経過した後、第３走査線９５２４より薄膜トランジスタＴ８を起動させると同時に、第３データ線９５４より、接続していた蓄積キャパシタ９５５３の電圧値を読み取る。ｔ２の露光時間を経過した後、第３走査線９５２３より薄膜トランジスタＴ７を起動させると同時に、第３データ線９５４より、接続していた蓄積キャパシタ９５５３の電圧値を読み取る。ｔ３の露光時間を経過した後、第３走査線９５２２より薄膜トランジスタＴ６を起動させると同時に、第３データ線９５４より、接続していた蓄積キャパシタ９５５３の電圧値を読み取る。ｔ４の露光時間を経過した後、第３走査線９５２１より薄膜トランジスタＴ５を起動させると同時に、第３データ線９５４より、接続していた蓄積キャパシタ９５５３の電圧値を読み取り、これらは、データ読み取りイネーブルパルスが非同期の状態を示す。
【００４５】
これにより、光検出駆動回路１０４は電圧値に従い、多ビットデジタル信号が生成される。計算回路１０５より多ビットデジタル信号を受信及び演算を行う際して、ロジックの高さにより、光線の調光（Ｄｉｍｍｉｎｇ）の度合いを判断できる。一例として、（Ｈ，Ｈ，Ｈ，Ｈ）を第０階調の調光で、（Ｌ，Ｈ，Ｈ，Ｈ） を第１階調の調光で、（Ｌ，Ｌ，Ｈ，Ｈ） を第２階調の調光で、（Ｌ，Ｌ，Ｌ，Ｈ） を第３階調の調光で、（Ｌ，Ｌ，Ｌ，Ｌ） を第４階調の調光であることをそれぞれ表す。バックライトモジュール１０７を電気的接続する場合、獲得した光線の光強度に基づき、バックライトモジュール１０７を制御できる。
【００４６】
図１４は、本発明の光検出装置の態様図である。この図を参照し、光検出装置は、光線を検出して、光線の光強度に対応する多ビットデジタル信号を出力する。光検出装置において、複数の光検出単元１４１と、光検出駆動回路１４２とを含む。各光検出単元１４１は、トランジスタ１４１１と、少なくとも一つの蓄積キャパシタ１４１２と、少なくとも一つの受光素子１４１３とを含む。このトランジスタ１４１１において、蓄積キャパシタ１４１２と、受光素子１４１３とを電気的接続する。光検出駆動回路１４２より、少なくとも一つの制御信号と、参照信号を複数のトランジスタ１４１１に出力し、この制御信号は、データ書き込みイネーブルパルス（ｐｕｌｓｅ）と、データ読み取りイネーブルパルスとを含む。複数のトランジスタ１４１１により、データ書き込みイネーブルパルスを受信する場合、各光検出単元１４１の少なくとも一つの蓄積キャパシタ１４１２は、参照信号に基づき、充電を行う。複数のトランジスタ１４１１より、データ読み取りイネーブルパルスを受信するときに、光検出駆動回路１４２は、各光検出単元１４１の少なくとも一つの蓄積キャパシタ１４１２の電圧値を読み取った後、当該複数の電圧値に基づき、多ビットデジタル信号を生成する。制御信号の数量が複数である場合、複数のデータ読み取りイネーブルパルスが非同期の状態を示す。
【００４７】
なお、複数の光検出単元１４１の蓄積キャパシタ１４１２の数量が非一致であっても良い。また複数の光検出単元１４１の蓄積キャパシタ１４１２は、それぞれ異なる容量値を持たせていると、同じ効果も達成できる。複数の光検出単元１４１の受光素子１４１３の数量が非一致であっても良い。また複数の光検出単元１４１の受光素子１４１３は、それぞれ異なる光感知面積を持たせていると、同じ効果も達成できる。また、受光素子１４１３は、フォトトランジスタ（Ｐｈｏｔｏ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）またはフォートダイオード（Ｐｈｏｔｏ  Ｄｉｏｄｅ）のいずれかであっても良い。
【００４８】
図１５は、本発明の光強度の調節方法に係る実施例１の流れ図である。この図を参照し、液晶表示装置に使用される光強度の調節方法は、以下のステップを含む。ステップＳ１：液晶表示パネルを提供する。ステップＳ２：第１ゲート駆動回路より、第１制御信号を複数の第１走査線に出力する。ステップＳ３：データ駆動回路より表示データを複数の第１データ線に出力する。ステップＳ４：光検出駆動回路を介して、内蔵式光検出モジュールと電気的接続する。ステップＳ５：光検出駆動回路より、少なくとも一つの第２制御信号を内蔵式光検出モジュールに出力させ、この第２制御信号は、データ書き込みイネーブルパルス（ｐｕｌｓｅ）と、データ読み取りイネーブルパルスとを有し、この第２制御信号の数量が複数である場合、複数のデータ読み取りイネーブルパルスが非同期の状態を示す。ステップＳ６：内蔵式光検出モジュールより、多ビットデジタル信号を読み取る。ステップＳ７：計算回路により光検出駆動回路と電気的接続し、光線の光強度を獲得するため、多ビットデジタル信号の受信および演算を行う。ステップＳ８：計算回路は、バックライトモジュールと電気的接続し、獲得した光線の光強度に基づき、バックライトモジュールの制御を行う。
【００４９】
図１６は、本発明の光強度の調節方法に係る実施例２の流れ図である。この図を参照し、光検出装置に適用し、この光検出装置は光線を検出し、光線の光強度に対応する多ビットデジタル信号を出力し、以下のステップを含む。ステップＳ１１：複数の光検出単元を提供し、各光検出単元はトランジスタ、少なくとも一つの蓄積キャパシタと、少なくとも一つの受光素子を含み、またトランジスタ、蓄積キャパシタと、受光素子とを電気的接続する。ステップＳ１２：光検出駆動回路より少なくとも一つの制御信号と、参照信号を複数のトランジスタに出力する。制御信号はデータ書き込みイネーブルパルス（ｐｕｌｓｅ）と、データ読み取りイネーブルパルスとを含む。制御信号の数量が複数である場合、複数のデータ読み取りイネーブルパルスが非同期の状態を示す。
【００５０】
なお、複数のトランジスタより、データ書き込みイネーブルパルスを受信する場合、各光検出単元の少なくとも一つの蓄積キャパシタは、参照信号に基づき、充電を行う。複数のトランジスタよりデータ読み取りイネーブルパルスを受信する場合、光検出駆動回路は各光検出単元の少なくとも一つの蓄積キャパシタの電圧値を読み取った後、複数の電圧値に基づき、多ビットデジタル信号を生成する。
【００５１】
また、複数の光検出単元の蓄積キャパシタの数量が非不一致であっても良い。また複数の光検出単元の蓄積キャパシタは、それぞれ異なる容量値を持たせていると、同じ効果が達成できる。複数の光検出単元の受光素子の数量が非一致であっても良い。また複数の光検出単元の受光素子は、それぞれ異なる光感知面積を持たせていると、同じ効果が達成できる。また、受光素子は、フォトトランジスタ（Ｐｈｏｔｏ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）またはフォートダイオード（Ｐｈｏｔｏ  Ｄｉｏｄｅ）のいずれかであっても良い。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明に係る光検出装置の構造は、液晶表示パネル、液晶表示装置に限らず、アクティブマトリクス（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ）を有する表示パネル、表示装置、例えば、アクティブマトリクス有機発光ダイオード（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ，  ＡＭＯＬＥＤ）、アクティブマトリクス式電子ペーパー（Ａｃｔｉｖｅ  Ｍａｔｒｉｘ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｐａｐｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ，  ＡＭＥＰＤ）の表示パネル、表示装置など、すべてにこの光検出装置の構造を応用できる。
【００５３】
以上は実施例の列挙であり、本発明になんらの制限を加わるものではない。本発明の精神と範囲を逸脱しない限り、それらの効果修正又は変更は、なお、本明細書の特許請求範囲に含まれるものとする。
【符号の説明】
【００５４】
１、１０１、９  液晶表示パネル
１０  液晶表示装置
１０２  第１ゲート駆動回路
１０３  データ駆動回路
１０４、１４２  光検出駆動回路
１０５  計算回路
１０７  バックライトモジュール
１１、９１、１０２１  第１走査線
１２、９２、１０３１  第１データ線
１３、４１、７１、８１、９３、１４１１  第１薄膜トランジスタ
１４、７２、８２、９４  液晶画素単元
１５、７３、８３、９５、１０６  内蔵式光検出モジュール。
１５１、１５１１-１５１４、９５１  第２走査線
１５２、９５３  第２データ線
１５３、４２、９５５、１４１  光検出単元
１５３１、９５５１  第２薄膜トランジスタ
１５３２、９５５３、１４１２  蓄積キャパシタ
１５３３、７５、８５、９５５４、１４１３  受光素子
５１、７４、８４  カラーフィルタ
５１１  透明孔径
７２１、８２１  画素電極
７２２、８２２  コモン電極
７２３、８２３  液晶分子
９５２、９５２１-９５２４  第３走査線
９５４  第３データ線
９５５２  第３薄膜トランジスタ
Ｓ１-Ｓ８、Ｓ１１-Ｓ１２  ステップ
【図１】
2010244009.tif 000004
【図２】
2010244009.tif 000005
【図３】
2010244009.tif 000006
【図５】
2010244009.tif 000007
【図７】
2010244009.tif 000008
【図８】
2010244009.tif 000009
【図９】
2010244009.tif 000010
【図１０】
2010244009.tif 000011
【図１１】
2010244009.tif 000012
【図１２ａ】
2010244009.tif 000013
【図１２ｂ】
2010244009.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2010244009.tif 000018
【図４】
2010244009.tif 000019
【図６】
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