Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月31日(2005.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
住所情報に基づいて位置座標を対応づける座標付与装置であって、
住所情報を入力する入力部と、
住所情報と位置座標とを予め対応づけたデータベースを参照して、前記入力された住所情報に対応する代表点の位置座標を、部分一致も許容して検索する座標特定部と、
前記特定結果の正確性を表す正確性指標を設定する指標設定部と、
前記位置座標および正確性指標とを出力する出力部と、
を備え、
前記指標設定部は、前記検索における条件を満足する住居数を前記データベースから取得し、該住居数に基づいて前記正確性指標を設定することを特徴とする座標付与装置。
【請求項２】
住所情報に基づいて位置座標を対応づける座標付与装置であって、
住所情報を入力する入力部と、
住所情報と位置座標とを予め対応づけたデータベースを参照して、前記入力された住所情報に対応する代表点の位置座標を、部分一致も許容して検索する座標特定部と、
前記特定結果の正確性を表す正確性指標を設定する指標設定部と、
前記位置座標および正確性指標とを出力する出力部と、
を備え、
前記住所情報は、行政区画に基づき階層的に構成されており、
前記指標設定部は、前記検索に使用された行政区画の層に基づいて前記正確性指標を設定することを特徴とする座標付与装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の座標付与装置であって、
前記座標付与装置は、ネットワークに接続されたサーバとして構築されており、
前記入力部は、前記ネットワークを介して他のコンピュータから前記サーバに送信された前記住所情報を受信し、
前記出力部は、前記位置座標および正確性指標を前記ネットワークを介して他のコンピュータに出力する、座標付与装置。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか記載の座標付与装置であって、
地図データベースを参照して、前記代表点の近傍において、予め設定された特定種別の拠点名を抽出する拠点抽出部を備え、
前記出力部は、該拠点名を併せて出力する座標付与装置。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか記載の座標付与装置であって、
前記座標特定部は、更に、住所情報と電話番号とを予め対応づけた電話番号データベースを参照して、前記入力された住所情報に対応する電話番号を併せて検索し、
前記出力部は、前記電話番号を併せて出力する座標付与装置。
【請求項６】
コンピュータを用いて、住所情報に基づいて位置座標を対応づける座標付与方法であって、
住所情報を入力する工程と、
住所情報と位置座標とを予め対応づけたデータベースを参照して、前記入力された住所情報に対応する代表点の位置座標を、部分一致も許容して検索する工程と、
前記特定結果の正確性を表す正確性指標を設定する工程と、
前記位置座標および正確性指標とを出力する工程と、
を備え、
前記正確性指標を設定する工程は、前記検索における条件を満足する住居数を前記データベースから取得し、該住居数に基づいて前記正確性指標を設定する工程を含むことを特徴とする地図表示方法。
【請求項７】
コンピュータを用いて、住所情報に基づいて位置座標を対応づける座標付与方法であって、
住所情報を入力する工程と、
住所情報と位置座標とを予め対応づけたデータベースを参照して、前記入力された住所情報に対応する代表点の位置座標を、部分一致も許容して検索する工程と、
前記特定結果の正確性を表す正確性指標を設定する工程と、
前記位置座標および正確性指標とを出力する工程と、
を備え、
前記住所情報は、行政区画に基づき階層的に構成されており、
前記正確性指標を設定する工程は、前記検索に使用された行政区画の層に基づいて前記正確性指標を設定する工程を含むことを特徴とする座標付与方法。
【請求項８】
コンピュータを用いて、住所情報に基づいて位置座標を対応づけるためのコンピュータプログラムであって、
住所情報を入力する機能と、
住所情報と位置座標とを予め対応づけたデータベースを参照して、前記入力された住所情報に対応する代表点の位置座標を、部分一致も許容して検索する機能と、
前記特定結果の正確性を表す正確性指標を設定する機能と、
前記位置座標および正確性指標とを出力する機能と、
をコンピュータにより実現するためのコンピュータプログラムであり、
前記正確性指標を設定する機能は、前記検索における条件を満足する住居数を前記データベースから取得し、該住居数に基づいて前記正確性指標を設定することを特徴とするコンピュータプログラム。
【請求項９】
コンピュータを用いて、住所情報に基づいて位置座標を対応づけるためのコンピュータプログラムであって、
住所情報を入力する機能と、
住所情報と位置座標とを予め対応づけたデータベースを参照して、前記入力された住所情報に対応する代表点の位置座標を、部分一致も許容して検索する機能と、
前記特定結果の正確性を表す正確性指標を設定する機能と、
前記位置座標および正確性指標とを出力する機能と、
をコンピュータにより実現するためのコンピュータプログラムであり、
前記住所情報は、行政区画に基づき階層的に構成されており、
前記正確性指標を設定する機能は、前記検索に使用された行政区画の層に基づいて前記正確性指標を設定することを特徴とするコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月31日(2005.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
住所情報の管理を行う住所管理装置であって、
管理対象となる住所情報を入力する入力部と、
住所情報について予め設定された正規表記と、該正規表記と等価な情報を表す表記として実用されている実用表記とを対応づけた表記データベースを参照する参照部と、
前記住所情報に含まれる実用表記を、前記参照部から得られる前記正規表記に修正する正規化部と、
前記修正された住所情報を出力する出力部と、を備える住所管理装置。
【請求項２】
住所情報の管理を行う住所管理装置であって、
ネットワークを介して前記住所管理装置に接続されたクライアントから、前記ネットワークを介して、管理対象となる住所情報を入力する入力部と、
住所情報について予め設定された正規表記と、該正規表記と等価な情報を表す表記として実用されている実用表記とを対応づけた表記データベースを参照する参照部と、
前記住所情報に含まれる実用表記を、前記参照部から得られる前記正規表記に修正する正規化部と、
前記修正された住所情報を、前記ネットワークを介して前記クライアントへと出力する出力部と、を備える住所管理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２のいずれかに記載の住所管理装置であって、
前記表記データベースは、行政区画単位で前記表記が対応づけられたデータベースであり、
前記正規化部は、前記実用表記を前記行政区画単位で修正する住所管理装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２のいずれかに記載の住所管理装置であって、
前記表記データベースは、前記正規表記として複数種類の表記が対応づけられており、
該複数種類の表記のいずれを選択するかを指定する選択指示を入力する指示入力部を備え、
前記正規化部は、該選択指示に応じて前記修正を行う住所管理装置。
【請求項５】
住所情報の管理を行う住所管理装置であって、
管理対象となる住所情報を入力する入力部と、
住所情報について行政区画の階層ごとの区切りを示す区切り文字の省略の有無を判断する省略判定部と、
該区切り文字の省略があると判断された場合に、その箇所に所定の区切り文字を挿入して、前記住所情報を修正する正規化部と、
前記修正された住所情報を出力する出力部と、を備える住所管理装置。
【請求項６】
請求項２記載の住所管理装置であって、
前記表記データベースは、前記正規表記として複数種類の表記が対応づけられており、
前記住所管理装置は、前記複数種類の表記のいずれを利用するかを指定する前記クライアントからの選択指示を、前記ネットワークを介して入力する指示入力部を備え、
前記正規化部は、前記選択指示に応じて前記修正を行う、住所管理装置。
【請求項７】
コンピュータを用いて住所情報の管理を行う住所管理方法であって、
管理対象となる住所情報を入力する工程と、
住所情報について予め設定された正規表記と、該正規表記と等価な情報を表す表記として実用されている実用表記とを対応づけた表記データベースを参照する工程と、
前記住所情報に含まれる実用表記を前記表記データベースから得られる正規表記に修正する工程と、
前記修正された住所情報を出力する工程と、を備える住所管理方法。
【請求項８】
コンピュータを用いて住所情報の管理を行う住所管理方法であって、
管理対象となる住所情報を入力する工程と、
住所情報について行政区画の階層ごとの区切りを示す区切り文字の省略の有無を判断する工程と、
該区切り文字の省略があると判断された場合に、その箇所に所定の区切り文字を挿入して、前記住所情報を修正する工程と、
前記修正された住所情報を出力する工程と、を備える住所管理方法。
【請求項９】
住所情報の管理を行うためのコンピュータプログラムであって、
管理対象となる住所情報を入力する機能と、
住所情報について予め設定された正規表記と、該正規表記と等価な情報を表す表記として実用されている実用表記とを対応づけた表記データベースを参照する機能と、
前記住所情報に含まれる実用表記を前記表記データベースから得られる正規表記に修正する機能と、
前記修正された住所情報を出力する機能と、を、コンピュータにより実現するためのコンピュータプログラム。
【請求項１０】
住所情報の管理を行うためのコンピュータプログラムであって、
管理対象となる住所情報を入力する機能と、
住所情報について行政区画の階層ごとの区切りを示す区切り文字の省略の有無を判断する機能と、
該区切り文字の省略があると判断された場合に、その箇所に所定の区切り文字を挿入して、前記住所情報を修正する機能と、
前記修正された住所情報を出力する機能と、を、コンピュータにより実現するためのコンピュータプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】
上記課題の少なくとも一部を解決するために、本発明では、入力部、参照部、正規化部、出力部を備えることにより、住所情報の管理を行う住所管理装置を構成した。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月30日(2004.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気テープを巻装したリールハブと、前記リールハブを回転可能に収納するカートリッジ本体とを備えた磁気テープカートリッジにおいて、
前記リールハブが導電性材料で形成されるとともに、
前記リールハブに接続される前記磁気テープの一端部が、１０の７乗オーダ以下の表面抵抗率［Ω／ｓｑ］を有し、
前記磁気テープが、プラスチックフィルムと磁性層との間に非磁性導電材料からなる非磁性導体層を介在させてなり、
前記一端部が、前記磁性層を除去して露出した前記非磁性導体層を前記リールハブに対して電気的に接続され、
前記磁気テープは前記リールハブを介して電気的に接地されたリール駆動軸を含む外部の接地回路へ接続されている
ことを特徴とする磁気テープカートリッジ。
【請求項２】
磁気テープを巻装したリールハブと、前記リールハブを回転可能に収納するカートリッジ本体とを備えた磁気テープカートリッジにおいて、
前記リールハブが導電性材料で形成されるとともに、
前記リールハブに接続される前記磁気テープの一端部が、１０の７乗オーダ以下の表面抵抗率［Ω／ｓｑ］を有し、
前記磁気テープの磁性面側とは反対側の面に非磁性導電材料からなるバックコート層が設けられ、
前記一端部が、前記バックコート層を前記リールハブに対して電気的に接続され、
前記磁気テープは前記リールハブを介して電気的に接地されたリール駆動軸を含む外部の接地回路へ接続されている
ことを特徴とする磁気テープカートリッジ。
【請求項３】
磁気テープを巻装したリールハブと、前記リールハブを回転可能に収納するカートリッジ本体とを備えた磁気テープカートリッジにおいて、
前記カートリッジ本体が導電性材料で形成されるとともに、
前記磁気テープの各面がそれぞれ１０の７乗オーダ以下の表面抵抗率［Ω／ｓｑ］を有し、
前記磁気テープが、前記カートリッジ本体に対して電気的に接続され、
前記カートリッジ本体の内部には、一端が前記カートリッジ本体に固定され、他端が前記磁気テープに接触される導電性材料からなるアーム部材が設けられ、
前記他端が前記磁気テープに弾接されている
ことを特徴とする磁気テープカートリッジ。
【請求項４】
前記磁気テープが、プラスチックフィルムと磁性層との間に非磁性導電材料からなる非磁性導体層を介在させてなり、
前記アーム部材が、前記磁気テープの磁性面側に接触される
ことを特徴とする請求項３に記載の磁気テープカートリッジ。
【請求項５】
前記磁気テープの磁性面側とは反対側の面に非磁性導電材料からなるバックコート層が設けられ、
前記アーム部材が、前記磁性面とは反対側の面に接触される
ことを特徴とする請求項３に記載の磁気テープカートリッジ。
【請求項６】
磁気テープを巻装したリールハブと、前記リールハブを回転可能に収納するカートリッジ本体とを備えた磁気テープカートリッジを記録、再生するための記録再生装置であって、
前記磁気テープに対する情報の記録、又は前記磁気テープに記録された情報の再生を行うための磁気ヘッドと、前記磁気テープの走行をガイドするための複数のガイドローラとを少なくとも含み、
前記ガイドローラのうち前記磁気ヘッドの直前および直後に配置されるガイドローラの少なくとも１つは記録再生装置の接地回路に接続され、
前記接地されるガイドローラに接触される前記磁気テープの走行面が、１０の７乗オーダ以下の表面抵抗率［Ω／ｓｑ］を有し、
前記磁気テープが、プラスチックフィルムと磁性層との間に非磁性導電材料からなる非磁性導体層を介在させてなり、
前記磁気テープの走行面が、その磁性面である
ことを特徴とする磁気テープカートリッジの記録再生装置。
【請求項７】
前記磁気ヘッドが、磁気抵抗効果型の磁気ヘッドである
ことを特徴とする請求項６に記載の磁気テープカートリッジの記録再生装置。
【請求項８】
磁気テープを巻装したリールハブと、前記リールハブを回転可能に収納するカートリッジ本体とを備えた磁気テープカートリッジを記録、再生するための記録再生装置であって、
前記磁気テープに対する情報の記録、又は前記磁気テープに記録された情報の再生を行うための磁気ヘッドと、前記磁気テープの走行をガイドするための複数のガイドローラとを少なくとも含み、
前記ガイドローラのうち前記磁気ヘッドの直前および直後に配置されるガイドローラの少なくとも１つは記録再生装置の接地回路に接続され、
前記接地されるガイドローラに接触される前記磁気テープの走行面が、１０の７乗オーダ以下の表面抵抗率［Ω／ｓｑ］を有し、
前記磁気テープの磁性面とは反対側の面に非磁性導電材料からなるバックコート層が設けられ、
前記磁気テープの走行面が、その磁性面とは反対側の面である
ことを特徴とする磁気テープカートリッジの記録再生装置。
【請求項９】
前記磁気ヘッドが、磁気抵抗効果型の磁気ヘッドである
ことを特徴とする請求項８に記載の磁気テープカートリッジの記録再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
一方、磁気テープ６のバック面６Ｂをテープリール７に導通させる形態は、磁気テープ６のバックコート層２４をリールハブ７Ａに接触させた状態でクランパ３０により保持する構成である。本実施の形態では、リールハブ７Ａに接続されるバック面６Ｂの表面抵抗率［Ω／ｓｑ］が、１０の７乗オーダ以下となるようにバックコート層２４が調整される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月30日(2005.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１の情報を表した第１のウォブル形状を有する参照ウォブルブロックと、該参照ウォブルブロックに続いて設けられ、前記第１のウォブル形状、および、前記第１のウォブル形状と異なる第２の情報を表した第２のウォブル形状の少なくとも一方を有する情報ウォブルブロックとを備えた情報記録媒体から当該情報を再生する方法であって、
前記参照ウォブルブロックを読み出すステップと、
前記情報ウォブルブロックを読み出すステップと、
読み出した前記情報ウォブルブロックのウォブル形状と、読み出した前記参照ウォブルブロックの前記第１のウォブル形状とを比較するステップと、
前記情報ウォブルブロックのウォブル形状が前記第１のウォブル形状と一致した場合には、前記情報ウォブルブロックには、前記第１の情報と同じ情報が記録されていると判断し、前記情報ウォブルブロックのウォブル形状が前記第１のウォブル形状と異なっていた場合には、前記情報ウォブルブロックには、前記第２の情報が記録されていると判断するステップと、
判断の結果に応じて、前記第１の情報および前記第２の情報の一方を出力するステップと
を有する再生方法。
【請求項２】  前記第１のウォブル形状は、少なくともフーリエ級数における１次基本波と２次高調波とを用いて表され、
前記第２のウォブル形状は、少なくともフーリエ級数における１次基本波と２次高調波とを用いて表され、かつ、前記２次高調波の極性は、前記第１のウォブルパターンの２次高調波の極性と逆である、請求項１に記載の再生方法。
【請求項３】  前記比較するステップは、
前記第１のウォブル形状の周期に基づいて、前記２次高調波に相当する周波数を有する２次高調波キャリアを生成するステップと、
前記参照ウォブルブロックを読み出して得られた波形から、前記２次高調波成分を抽出するステップと、
前記２次高調波キャリアの位相および前記２次高調波成分の位相を比較して位相誤差を検出するステップと
を含み、
前記判断するステップは、
検出された前記位相誤差に基づいて、前記２次高調波キャリアの位相を変更するステップと、
前記情報ウォブルブロックを読み出して得られた波形から、新たに２次高調波成分を抽出するステップと、
新たに抽出した前記２次高調波成分、および、位相を変更した前記２次高調波キャリアをヘテロダイン検波して検出信号を生成するステップと、
前記検出信号の符号が正であれば、前記情報ウォブルブロックのウォブル形状が前記第１のウォブル形状と一致したと判断し、前記検出信号の符号が負であれば、前記情報ウォブルブロックのウォブル形状が前記第１のウォブル形状と異なっていたと判断する、請求項２に記載の再生方法。
【請求項４】  前記位相誤差は、前記参照ウォブルブロックの期間中の累積位相誤差の平均値である、請求項３に記載の再生方法。
【請求項５】  前記比較するステップは、
前記第１のウォブル形状の周期に基づいて、前記２次高調波に相当する周波数を有する２次高調波キャリアを生成するステップと、
前記参照ウォブルブロックを読み出して得られた波形から、前記２次高調波成分を抽出するステップと、
前記２次高調波キャリアの位相および前記２次高調波成分の位相を比較して位相誤差を検出するステップと
を含み、
前記判断するステップは、
検出された前記位相誤差に基づいて、前記２次高調波キャリアの位相を変更するステップと、
前記第１のウォブル形状の周期に基づいて、前記２次高調波に相当する周波数を有する２次高調波キャリアを生成するステップと、
前記参照ウォブルブロックを読み出して得られた波形から、前記２次高調波成分を抽出するステップと、
前記２次高調波成分、および、前記２次高調波キャリアをヘテロダイン検波して第１の検出信号を生成するステップと、
前記第１の検出信号に基づいて、２次高調波キャリアの位相極性を判定するステップと、
判定結果に基づいて２次高調波キャリアの正転処理および反転処理の一方を行い、新たに２次高調波キャリアを生成するステップと、
前記情報ウォブルブロックを読み出して得られた波形から、新たに２次高調波成分を抽出するステップと、
新たに抽出した前記２次高調波成分、および、新たに生成した前記２次高調波キャリアをヘテロダイン検波して第２の検出信号を生成するステップと、
前記第２の検出信号の符号に応じて、前記情報ウォブルブロックのウォブル形状が前記第１のウォブル形状と一致したか否かを判断するステップと
を含む、請求項２に記載の再生方法。
【請求項６】  前記位相誤差を検出するステップは、前記２次高調波キャリアの立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの位相、および、前記２次高調波成分の立ち上がりエッジおよび立ち下がりエッジの位相を比較して位相誤差を検出する、請求項５に記載の再生方法。
【請求項７】  第１の情報を表した第１のウォブル形状を有する参照ウォブルブロックと、該参照ウォブルブロックに続いて設けられ、前記第１のウォブル形状、および、前記第１のウォブル形状と異なる第２の情報を表した第２のウォブル形状の少なくとも一方を有する情報ウォブルブロックとを備えた情報記録媒体から当該情報を再生する装置であって、
前記参照ウォブルブロックおよび前記情報ウォブルブロックを読み出すヘッドと、
前記情報ウォブルブロックに記録された情報を出力する情報検出回路を備え、
該情報検出回路は、
ヘッドにより読み出した前記情報ウォブルブロックのウォブル形状と、読み出した前記参照ウォブルブロックの前記第１のウォブル形状とをヘテロダイン検波するヘテロダイン検出器と、
前記情報ウォブルブロックのウォブル形状が前記第１のウォブル形状と一致した場合には、前記情報ウォブルブロックには、前記第１の情報と同じ情報が記録されていると判断し、前記情報ウォブルブロックのウォブル形状が前記第１のウォブル形状と異なっていた場合には、前記情報ウォブルブロックには、前記第２の情報が記録されていると判断して、前記第１の情報および前記第２の情報の一方を出力する２値化回路と
を有する再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月31日(2005.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】【請求項１】  データが格納されたデータ記憶エリアを有するデータ記憶層と、  前記データ記憶エリアから前記データを読み出すために、前記データ記憶層に向けて光のビームを選択的に誘導するための光ビーム放出器であって、前記記憶層が前記光のビームに対して部分的に透過性を有し、前記記憶エリアが前記記憶層を通過する光の量をフィルタリングする、光ビーム放出器と、  前記データ記憶層に隣接する層（ＬＡＳＬ）であって、前記ＬＡＳＬに到達する光の量に応じてキャリアが生成される、隣接する層（ＬＡＳＬ）と、  前記ＬＡＳＬとの間でキャリアが移動可能である検出領域であって、前記記憶エリアの状態を判定するために、当該検出領域内のキャリア輸送が測定される、検出領域と、を含むデータ記憶ユニット。【請求項２】  前記記憶層が、前記ＬＡＳＬより前記光ビーム放出器に近い、請求項１に記載のデータ記憶ユニット。【請求項３】  前記記憶層が、当該記憶層の状態に応じて可変の光吸収体として機能する、請求項１に記載のデータ記憶ユニット。【請求項４】  前記記憶層が、当該記憶層の状態に応じて可変の反射体として機能する、請求項１に記載のデータ記憶ユニット。【請求項５】  前記ＬＡＳＬの下にある別のフォトダイオード層をさらに含み、前記ＬＡＳＬが、該フォトダイオード層とともにフォトダイオードを形成し、前記検出領域が、前記ＬＡＳＬと前記フォトダイオード層との間の接合部となっている、請求項２に記載のデータ記憶ユニット。【請求項６】  光電圧または光電流検出器が、前記フォトダイオード接合部間に接続されている、請求項５に記載のデータ記憶ユニット。【請求項７】  前記ＬＡＳＬが、その中に第１および第２の電極を有する光導伝体であり、前記検出領域が、前記第１の電極と前記第２の電極との間のエリアである、請求項２に記載のデータ記憶ユニット。【請求項８】  電流検出器が、前記第１の電極と前記第２の電極との間に接続されている、請求項７に記載のデータ記憶ユニット。【請求項９】  前記ＬＡＳＬがフォトルミネセンス層であり、前記検出領域が、前記ＬＡＳＬとの間で光を伝送することができる光子検出器である、請求項１に記載のデータ記憶ユニット。【請求項１０】  前記記憶層が、前記ＬＡＳＬに到達する光の可変のフィルタであって、フィルタリングされる光の量が、前記記憶エリアの状態に依存している、請求項９に記載のデータ記憶ユニット。【請求項１１】  前記ＬＡＳＬが、前記ビーム放出器からの光の波長を、前記検出領域内での検出を可能にするような波長へと変化させる変換器となっている、請求項９に記載のデータ記憶ユニット。【請求項１２】  前記ＬＡＳＬが、前記記憶層より前記光ビーム放出器に近い、請求項９に記載のデータ記憶ユニット。【請求項１３】  前記ＬＡＳＬが、前記ビーム放出器からの光の波長を、前記記憶エリアの状態に応じて、前記記憶層が導伝光の量の差異を与えることを可能にするような波長へと変化させる変換器となっている、請求項９に記載のデータ記憶ユニット。【請求項１４】  前記記憶層が、前記ＬＡＳＬより前記光ビーム放出器に近い、請求項９に記載のデータ記憶ユニット。【請求項１５】  その上にデータを有するデータ記憶エリアを有するデータ記憶層を含むデータ記憶ユニットにおいてデータを読み出すための方法であって、  記憶層に隣接する層（ＬＡＳＬ）を配置すること、  光ビーム検出器から前記ＬＡＳＬと前記データ記憶層とに向けて光ビームを誘導すること、  前記データ記憶層内の前記データ記憶エリアの状態に応じて、可変の量だけ、前記データ記憶層を通過する光の一部をフィルタリングすること、  前記ビーム放出器から前記ＬＡＳＬに到達する光の量に応じて、前記ＬＡＳＬにおいてキャリア流を生成すること、  前記ＬＡＳＬとの間でキャリアが移動可能である検出領域において、キャリア輸送を測定すること、を含む方法。【請求項１６】  前記記憶層が、読出し光ビームからＬＡＳＬに到達する光の量をフィルタリングすることによって、前記ＬＡＳＬで生成されたキャリア流に作用し、フィルタリングの度合いが、前記記憶エリアの状態を表す、請求項１５に記載の方法。【請求項１７】  前記記憶層が、前記ＬＡＳＬより前記ビーム放出器に近い、請求項１５に記載の方法。【請求項１８】  前記ＬＡＳＬが、フォトダイオード層とともにフォトダイオードを形成し、前記検出領域が、前記ＬＡＳＬと前記フォトダイオード層との間の接合部である、請求項１７に記載の方法。【請求項１９】  前記ＬＡＳＬが、その中に第１および第２の電極を有する光導伝体であり、前記検出領域が、前記第１の電極と前記第２の電極との間のエリアである、請求項１７に記載の方法。【請求項２０】  前記ＬＡＳＬがフォトルミネセンス層であり、前記検出領域が、前記ＬＡＳＬとの間で光を伝送することができる光子検出器である、請求項１５に記載の方法。【請求項２１】  少なくとも２つの状態を有するデータ記憶エリアを含む、データを格納するためのデータ記憶層を有するデータ記憶ユニットであって、前記記憶エリアの状態を判定するためのキャリアが生成される前記データ記憶層に隣接する層（ＬＡＳＬ）を含む、データ記憶ユニット。【請求項２２】  キャリアが、前記ＬＡＳＬに向かう光ビームに応答して、当該ＬＡＳＬ内で生成される、請求項２１に記載のデータ記憶ユニット。【請求項２３】  前記データ記憶層が、前記光ビームからの光のための可変の光フィルタであって、フィルタリングされる光の量が、前記データ記憶エリアの状態に依存している、請求項２２に記載のデータ記憶ユニット。【請求項２４】  前記ＬＡＳＬが、前記データ記憶層のための保護被覆を提供する、請求項２１に記載のデータ記憶ユニット。【請求項２５】  前記ＬＡＳＬが、前記データ記憶層のための拡散障壁を提供する、請求項２１に記載のデータ記憶ユニット。【請求項２６】  前記ＬＡＳＬが、前記データ記憶層のための熱特性改善層を提供する、請求項２１に記載のデータ記憶ユニット。【請求項２７】  前記ＬＡＳＬが、当該ＬＡＳＬ上のデータ記憶層の成長を促進する、請求項２１に記載のデータ記憶ユニット。【請求項２８】  その上にデータを格納するためのデータ記憶エリアを含むデータ記憶層を有するデータ記憶ユニットであって、少なくとも２つの状態の間で変化することができる前記データ記憶エリア内に媒体を含み、該媒体が、光フィルタリング特性に関して、前記状態間で実質的な差異を与えることを可能にするような、データ記憶ユニット。【請求項２９】  前記媒体が、光吸収特性に関して前記状態間で実質的な差異を与えることを可能にする、請求項２８に記載のデータ記憶ユニット。【請求項３０】  前記媒体が、光反射特性に関して前記状態間で実質的な差異を与えることを可能にする、請求項２８に記載のデータ記憶ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月25日(2004.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニューラルネットワークの要素であるニューロンを構成するシナプスの機能を実現するシナプス素子であって、
内部ノードと第１の電圧の間に接続されて、制御ゲートの電位に応じて利得係数をアナログ変調可能なＭＯＳトランジスタを備え、
前記ＭＯＳトランジスタのゲートは、他の前記ニューロンの出力信号を与えられ、かつ、その前記制御ゲートの電位は、シナプス荷重値に相当して設定され、
前記ＭＯＳトランジスタのソースドレイン電流は、前記シナプス素子の出力信号を示す、シナプス素子。
【請求項２】
前記制御ゲートに蓄積された電荷量は、ホットキャリアおよびホットホールのいずれかの注入によって修正される、請求項１記載のシナプス素子。
【請求項３】
ニューラルネットワークを構成する半導体集積回路であって、
前記ニューラルネットワークの要素であるニューロンを構成するシナプスの機能を実現するシナプス素子を備え、
前記シナプス素子は、内部ノードと第１の電圧の間に電気的に結合されて、制御ゲートの電位に応じて利得係数をアナログ変調可能な第１のＭＯＳトランジスタを含み、
前記第１のＭＯＳトランジスタのゲートは、他の前記ニューロンの出力信号を与えられ、かつその前記制御ゲートの電位は、シナプス荷重値に相当して設定され、
前記第１のＭＯＳトランジスタのソースドレイン電流は、前記シナプス素子の出力信号を示す、半導体集積回路装置。
【請求項４】
前記内部ノードを共有し、かつ前記共有ノードおよび前記第１の電圧の間に並列に接続された複数個の前記シナプス素子を備え、
前記複数個のシナプス素子の各前記制御ゲートと、前記複数個のシナプス素子に共通の電圧ノードとの間に接続された容量素子をさらに備える、請求項３記載の半導体集積回路装置。
【請求項５】
前記内部ノードに対応して設けられた荷重値修正部をさらに備え、
前記荷重値修正部は、対応する前記内部ノードに接続された前記第１のＭＯＳトランジスタの前記制御ゲートに蓄積された電荷量を、ホットキャリアおよびホットホールのいずれかの注入によって調整する、請求項４記載の半導体集積回路装置。
【請求項６】
前記内部ノードの電圧と所定のしきい値電圧との比較に基づいて、前記複数個のシナプス素子によって構成されるニューロンの出力信号を生成するコンパレータと、
前記コンパレータの出力を所定時間遅延して出力する遅延回路と、
前記遅延回路の出力をゲートに受けて、前記内部ノードおよび第２の電圧の間に電気的に結合された第２のＭＯＳトランジスタと、
前記第２の電圧および前記内部ノードの間に電気的に結合されて、前記内部ノードと接続されたゲートを有する第３のＭＯＳトランジスタとをさらに備える、請求項４記載の半導体集積回路装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明の実施の形態】
本発明は、ニューラルネットワークを構成するシナプス回路にA-MOSを用いることを特徴としている。本発明の回路構成では、A-MOS制御ゲートの電位によって、シナプス荷重値を表現している。A-MOSのβ可変特性によって、シナプス荷重値（制御ゲート電圧）とニューロン信号（入力ゲート電圧）との積が実現されている。A-MOS制御ゲートは、フローティングであり、それと容量結合された学習制御電圧を調整することで、ホットエレクトロンの注入によるシナプス荷重値の修正を可能にして、学習機能を実現している。
図１にA-MOSシナプスの回路構成例を示す。A-MOSの入力ゲートには他ニューロンの出力信号Sjを接続し、A-MOSの制御ゲートの蓄積電荷によってシナプス荷重値Wijを表現する。この回路構成の結果、A-MOSトランジスターを流れるソースドレイン電流Isdは、ニューロンの出力信号Sjとシナプス荷重値Wijの積値に対応して変化する。図２に示すように、A-MOSの制御ゲートはフローティングにして、学習制御電圧Vcノードとの間に容量結合させ、また、A-MOSのドレインノードを複数のA-MOSで共通接続して、そのノードを軸索信号線としその電流和をニューロンの入力信号とする回路構成によって、ニューラルネットワークを構成できる。図２内に示した、ニューロンの出力信号を判定出力するコンパレータには、しきい値Vrefと共通ノードと接続されたp-MOSトランジスターTr.Bで生じる電圧とが与えられている。また、共通ノードMには、p-MOSトランジスターTr.Rのドレインも接続されている。Tr.Rのゲートにニューロン信号Siの反転遅延信号（遅延時間：td）を与える構成によって、ニューロン信号がONになって、一定の遅延時間後にTr.RがONとなり、共通ノードの電位は上昇し、ニューロンの出力は強制的にOFFとなる。さらにその後の一定の遅延時間後には、Tr.RはOFFとなり、共通ノードに接続されているA-MOSシナプスの駆動能力に対応した時間後に、再びニューロンiの出力がONとなり、一連の動作が繰り返される。すなわち、共通ノードに流れる電流の総和に従って、ニューロンの出力信号のパルス発生頻度が変調されることになる。図３に、ニューロンの信号出力に関する各種信号の挙動の例を示す。ニューロンの出力信号Siのパルス信号周期Tは次式で与えられる。
T＝2td+tr+tw
ここで、trはTr.Rによる共通ノードMに対する遅延時間に対応し、twは全シナプスによる共通ノードMに対する遅延時間に対応している。従って、シナプスからの合計信号が多くなる（電流が増える）ほどtwは小さくなり、Tも短くなるので、ニューロンの出力パルス信号の発生頻度がシナプスからの合計信号で多くなることを実現している。
次に、連想パターンを記憶する為のニューラルネットワーク学習時、即ち、シナプス荷重値を修正する時の各種信号状態を図４に示す。シナプス荷重値を修正することは、各A-MOSシナプスの制御ゲートに蓄積された電荷量を修正することに対応している。制御ゲートに蓄積された電荷量を修正するには、制御電圧VcとTr.Rおよび遅延回路の電源電圧VdHとを適宜制御することで、学習則（ΔWij=±ηSiSj）に従った制御ゲートの蓄積電荷量修正を実行することができる。まず、学習時には電源電圧VdHをVdより十分高い値にする。このことによって、A-MOSのドレイン付近のホットキャリアー注入を可能にする。またこの時、コンパレータのしきい値電圧Vrefも制御電圧Vcに対応してVrefMへ変更する。hebbの学習則（ΔWij=+ηSiSj）を実行する場合は、制御電圧Vcを”Low”（〜GND）にする。そうすることで制御ゲートの電位は低い値にシフトし、図５に示したホットキャリアー注入特性例で分かるように、アバランシェによるホールの注入が支配的となり、SiとSjが共にONの時にのみシナプス荷重値は増加することになる。次に、反hebbの学習則（ΔWij=-ηSiSj）を実行する場合は、制御電圧Vcを”High”（〜VdH）にし、制御ゲートの電位を高い値にシフトすることで、チャネルホットエレクトロンの注入を支配的とし、SiとSjが共にONの時にのみシナプス荷重値を減少させることができる。各学習則実行時のシナプス素子における電位状態を、各々図６内に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月20日(2005.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１  リ−ド線
２  空芯コイル
３  コイル支持部材
３ａ  凸形状部
３ｂ  凹部
４  貫通孔
５  ガイド孔
６  リード線ガイド体
７  天面
８  底面
９  樹脂成形後の空芯コイル
１０  斜面（リード線ガイド体）
１１  斜面（金型）
１２、１１２  アクチュエ−タ金型
１３  ア−ム
１４  樹脂製のボス
１５  第１のスライドコア
１６  第２のスライドコア
１７  つるまきスプリング
１８  つるまきスプリング
１９  載置台
２０ａ  凹部
２０ｂ  溝
２３  カム
１１１  凹部
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月31日(2004.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のコアと前記第１のコアに巻かれた第１のコイルとを有し、電子ビームを偏向する第１の偏向手段と、
第２のコアと、前記第２のコアに巻かれた第２のコイルと、前記第２のコイルに直列に接続された第３のコイルとを有し、電子ビームを偏向する第２の偏向手段と、を有する偏向ヨークにおいて、
前記第３のコイルを前記第１のコイルとは電気的に接続せずに前記第１のコアに巻くことを特徴とする偏向ヨーク。
【請求項２】
蛍光面側に配置され、第１のコアと前記第１のコアに巻かれた第１のコイルとを有し、電子ビームを偏向する第１の偏向手段と、
前記第１の偏向手段よりも電子銃側の位置に配置され、第２のコアと、前記第２のコアに巻かれた第２のコイルと、前記第２のコイルに直列に接続された第３のコイルとを有し、電子ビームを偏向する第２の偏向手段と、を有する偏向ヨークにおいて、
前記第１の偏向手段から前記第２のコイルへ流れ込む漏れ磁界により前記第２のコイルに発生する電圧を打ち消す方向に電圧を発生させるように前記第３のコイルを前記第１のコアに巻くことを特徴とする偏向ヨーク。
【請求項３】
前記第１のコアの径は、前記第２のコアの径よりも大きく、電子ビームは、前記第２の偏向手段、前記第１の偏向手段の順に通過することを特徴とする請求項１または２に記載の偏向ヨーク。
【請求項４】
請求項１または２に記載の偏向ヨークにおいて、前記第３のコイルは前記第１のコアにトロイダルに巻回していることを特徴とする偏向ヨーク。
【請求項５】
請求項１または２に記載の偏向ヨークにおいて、前記第３のコイルは前記第１のコアにサドル巻されていることを特徴とする偏向ヨーク。
【請求項６】
請求項１または２に記載の偏向ヨークにおいて、前記第３のコイル近傍の前記第１のコアの厚みがその他の厚みに比べ薄くなっていることを特徴とする偏向ヨーク。
【請求項７】
前記第１のコイル、第２のコイル、および第３のコイルは、電子ビームを水平方向に偏向するコイルであることを特徴とする請求項１または２に記載の偏向ヨーク。
【請求項８】
請求項１または２に記載の偏向ヨークにおいて、前記第２の偏向手段は前記第１偏向の手段より感度が良いことを特徴とする偏向ヨーク。
【請求項９】
電子ビームを制御する偏向ヨークであって，
水平及び垂直方向に電子ビームを偏向する第１の偏向手段と、
水平及び垂直方向に電子ビームを偏向する第２の偏向手段と、を備え、
該第２の偏向手段を構成する水平及び垂直偏向コイルは第１副コイルと第２副コイルとを備えてなり，該第１副コイルは該第１の偏向手段に巻かれ，該第２副コイルは該第２の偏向手段に巻かれ，該第１副コイルと該第２副コイルは接続されており、該第１副コイルのインダクタンスをＬＳ１、該第２副コイルのインダクタンスをＬＳ２とした時、
０．００５≦ＬＳ１／ＬＳ２≦０．７
を満たすことを特徴とした偏向ヨーク。
【請求項１０】
さらに、０．００７≦ＬＳ１／ＬＳ２≦０．６
を満たすことを特徴とする請求項９に記載の偏向ヨーク
【請求項１１】
ビデオ信号を入力するビデオ信号入力端子と、
前記ビデオ信号を処理するビデオ回路と、
前記ビデオ回路により処理した信号が供給される陰極線管と、
第１のコアと前記第１のコアに巻かれた第１のコイルとを有し電子ビームを偏向する第１の偏向手段と、第２のコアと前記第２のコアに巻かれた第２のコイルと前記第２のコイルに直列に接続され、かつ、前記第１のコイルとは電気的に接続せずに前記第１のコアに巻かれた第３のコイルとを有し電子ビームを偏向する第２の偏向手段と、を有する偏向ヨークと、
前記第１の偏向手段に信号を供給する偏向回路と、
前記偏向回路に接続され、前記第２の偏向手段に信号を供給する駆動回路と、
を備えてなることを特徴とする陰極線管装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月11日(2004.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、射出成形用金型４１において、樹脂溜り部５８ａとキャビティ５６ａの間に設けられる連絡部５７ａ、ならびに樹脂溜り部５８ｂとキャビティ５６ｂの間に設けられる連絡部５７ｂは、カットパンチ６０ａおよび６０ｂの移動方向において、樹脂溜り部の深さが、連絡部の開口距離よりも大となるように形成される。すなわち、カットパンチ６０ａおよび６０ｂが作動されず、可動側型板４３ｅの側に保持されている状態で、樹脂溜り部５８ａの側面１０１における固定側型板４２ｃの成形面５４ａとカットパンチ６０ａまたは６０ｂの先端部６７ａまたは６７ｂとの距離Ｌ3 は、連絡部５７ａまたは５７ｂのカットパンチの移動方向に沿った開口距離、すなわち、固定側型板４３ｅの成形面５４ａと、カットパンチ６０ａの先端部６７ａとの距離Ｌ4 よりも大である（Ｌ3 ＞Ｌ4 ）ように形成される。このように構成することにより、カットパンチ６０ａが作動され、矢印Ａの方向に移動されると、カットパンチ６０ａの側面１０２ａによって、連絡部５７ａが閉塞されるとともに、キャビティ５６ａに形成される樹脂成形品と、樹脂溜り部５８ａに形成される樹脂固化物とが、連絡部５７ａにおいて切り離される。また、樹脂溜り部５８ｂおよびキャビティ５６ｂにおいても同様である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
次に、樹脂溜り部５８ａ、連絡部５７ａおよびキャビティ５６ａにおける作用を例にして説明する。樹脂溜り部５８ｂ、連絡部５７ｂおよびキャビティ５７ｂにおける作用も同様である。
溶融状態の樹脂材料の充填が完了した後、充填された樹脂材料は、図１０に示すとおり、固定側型板４２ｃの成形面５４ａと、可動側型板４３ｅの成形面５５ａに接する外側部分から冷却して固化し、まず、成形面５４ａと、成形面５５ａとが近接している連絡部５７ａにおける樹脂材料は、固化または半固化の状態となる。一方、連絡部５７ａよりも深い、すなわち、固定側型板４２ｃの成形面５４ａと可動側型板４３ｅの成形面５５ａとの間の距離が大きい樹脂溜り部５８ａにおいては、成形面５４ａまたは５５ａと接する樹脂材料の外側は固化または半固化の状態となるが、内部には、未だ溶融状態の樹脂材料１０３ａが存在している状態となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
次に、ニードルピン５３ａが駆動され、ゲート５２ａが閉塞され、キャビティ５６ａおよび樹脂溜り部５８ａの樹脂材料が冷却されて固化し、キャビティ５６ａには樹脂成形品１０５ａが形成され、樹脂溜り部５８ａには、凹部１０７ａ、ならびにアンダーカット部６９ａにおける樹脂材料の固化分を含む樹脂固化物１０６ａが形成された後、図１２に示すとおり、可動側金型４３を駆動して、射出成形用金型を開く。このとき、樹脂溜り部に形成された樹脂固化物１０６ａは、樹脂成形品１０５ａと分離され、カットパンチ６０ａの先端部側に係止めされている。また、アンダーカット部６９ａに形成された固化物は、樹脂固化物１０６ａをカットパンチ６０ａの先端部に係止しておく係止部の作用をなす部分である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月12日(2005.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固定配置されたヘッドフランジ（３）を備え、このヘッドフランジに複数の押出機（５）が接続され、更に、流路（９）、カセット（１０）及び成形具（１１）を有する閉じたヘッド（２）を備え、該ヘッド（２）がヘッドフランジ（３）に対して締付け固定可能にかつヘッドフランジ（３）から離れるように旋回可能に配置されている、特にタイヤ製造用の成形材を製造する多重押出ヘッドにおいて、閉じたヘッド（２）がヘッドフランジ（３）の方に開放した収容部（７）を有し、その収容部（７）内に少なくとも一つの開放した流路インサート（８）が取り外し可能に配置されていることを特徴とする成形材を製造する多重押出ヘッド（１）。
【請求項２】
ヘッドフランジ（３）の方向に開放した、閉じたヘッド（２）の収容部（７）がカセット（１０）の方向に楔形に先細に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の多重押出ヘッド（１）。
【請求項３】
閉じたヘッド（２）が垂直な回転軸線（１２）を中心としてヘッドフランジ（３）から離れるように旋回可能であることを特徴とする請求項１に記載の多重押出ヘッド（１）。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月10日(2004.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で示されるアミド若しくはアミン誘導体又はその製薬学的に許容される塩を含有することを特徴とするカルシウム放出依存性カルシウムチャンネル阻害剤。
【化１】
1999240832.tif 000001
（式中の記号は以下の意味を表す。
Ｄ：−Ａｌｋ、−低級アルケニル、−低級アルキニル、−ハロゲノ低級アルキル、−Ａｌｋ−シクロアルキル、−Ａｌｋ−Ｏ−Ａｌｋ、−シクロアルキル、−Ｏ−Ａｌｋ、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯ−Ａｌｋ、及び−Ｈａｌからなる群から選択される置換基１乃至３個を有していてもよいピラゾリル、
Ｙ：結合又はメチレン、
Ｂ：１，３−もしくは１，４−フェニレン、含窒素飽和環の２価基又はＡｌｋで置換されていてもよい単環芳香族ヘテロ環の２価基、
Ｘ：−ＮＨ−ＣＯ−又は−ＣＯ−ＮＨ−、
Ａ：置換基を有していてもよいアリール；置換基を有していてもよい単環若しくは２乃至３環式縮合ヘテロアリール；置換基を有していてもよいシクロアルキル；置換基を有していてもよい含窒素飽和環；置換基を有していてもよい低級アルキニル；置換基を有していてもよい低級アルケニル；又は置換基を有していてもよいＡｌｋ。）
【請求項２】
アレルギー性、炎症性又は自己免疫疾患の予防若しくは治療剤である請求項１記載の医薬。
【請求項３】
気管支喘息又は関節リウマチの予防若しくは治療剤である請求項１記載の医薬。
【請求項４】
下記一般式（Ｉ）で示されるアミド若しくはアミン誘導体又はその製薬学的に許容される塩。
【化２】
1999240832.tif 000002
（式中の記号は以下の意味を表す。
Ｄが、−Ａｌｋ、−低級アルケニル、−低級アルキニル、−ハロゲノ低級アルキル、−Ａｌｋ−シクロアルキル、−Ａｌｋ−Ｏ−Ａｌｋ、−シクロアルキル、−Ｏ−Ａｌｋ、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯ−Ａｌｋ、及び−Ｈａｌからなる群から選択される置換基１乃至３個を有していてもよいピラゾリルであり、
Ｙがメチレン又は結合であり、
Ｂが、１，３−もしくは１，４−フェニレン、含窒素飽和環の２価基又はＡｌｋで置換されていてもよい単環芳香族ヘテロ環の２価基であり、
Ｘが、−ＮＨ−ＣＯ−又は−ＣＯ−ＮＨ−であり、
Ａが、置換基を有していてもよいアリール、置換基を有していてもよい単環若しくは２乃至３環式縮合ヘテロアリール、置換基を有していてもよいシクロアルキル、置換基を有していてもよい含窒素飽和環、置換基を有していてもよい低級アルケニル、置換基を有していてもよい低級アルキニル、又は置換基を有していてもよいＡｌｋである、
但し、
（１）Ｄが３，５−ビス（トリフルオロメチル）−１Ｈ−ピラゾール−１−イル、Ｙが結合、Ｂが１，４−フェニレン、且つＸがＮＨＣＯのとき、Ａは４−メチル−１，２，３−チアジアゾール−５−イル以外の基を、
（２）Ｄが１−メチル−５−トリフルオロメチル−１Ｈ−ピラゾール−３−イル、Ｙが結合、Ｂがチオフェン−２，５−ジイル、且つＸがＣＯＮＨのとき、Ａは４−クロロフェニル以外の基を、
（３）Ｄが１−メチル−３−トリフルオロメチル−１Ｈ−ピラゾール−５−イル、Ｙが結合、Ｂがチオフェン−２，５−ジイル、且つＸがＣＯＮＨのとき、Ａはベンジル以外の基を、
（４）Ｄが４−エトキシカルボニル−５−トリフルオロメチル−１Ｈ−ピラゾール−１−イル、Ｙが結合、Ｂが１，４−フェニレン、且つＸがＮＨＣＯのとき、Ａはトリクロロビニル以外の基を、
（５）Ｄが１Ｈ−ピラゾール−１−イル、Ｙが結合、Ｂが１，４−フェニレン、且つＸがＮＨＣＯのとき、Ａは２−エトキシビニル、メチル及び１−［２，４−ビス（１，１−ジメチルプロピル）フェノキシ］ペンチルから選択される基以外の基を、
（６）Ｄが３，５−ジメチル−１Ｈ−ピラゾール−１−イル、Ｙが結合、Ｂが１，４−フェニレン、且つＸがＣＯＮＨのとき、Ａはメチル以外の基を、
（７）Ｄが３−メチル−１Ｈ−ピラゾール−１−イル、Ｙが結合、Ｂが１，４−フェニレン、且つＸがＣＯＮＨのとき、Ａは６−（ニコチノイルアミノ）へキシル以外の基を、
（８）Ｄが１−メチル−３−トリフルオロメチル−１Ｈ−ピラゾール−５−イル、Ｙが結合、Ｂがチオフェン−２，５−ジイル、且つＸがＣＯＮＨのとき、Ａは３，３−ジメチルブチル、３，５−ビス（トリフルオロメチル）ベンジル、２−（２，４−ジフルオロフェニル）−２−ヒドロキシ−１−メチル−３−（１Ｈ−１，２，４−トリアゾール−１−イル）プロピル及び１−［４−（９−｛［（２，２，２−トリフルオロエチル）アミノ］カルボニル｝−９Ｈ−フルオレン−９−イル）ブチル］ピペリジン−４−イルから選択される基以外の基を、
（９）Ｙがメチレンのとき、Ｄは少なくとも１つのトリフルオロメチル基で置換された１Ｈ−ピラゾール−５−イル又は少なくとも１つのトリフルオロメチル基で置換された１Ｈ−ピラゾール−１−イルを、
（１０）Ｄが３，５−ジメチル−１Ｈ−ピラゾール−１−イル、Ｙが結合、Ｂが１，４−フェニレン、且つＸがＮＨＣＯのとき、Ａはメチル、クロロメチル、シアノメチル、２−オキソプロピル及びエトキシカルボニルメチルから選択される基以外の基を、
（１１）Ｄが３−メチル−４−ブロム−１Ｈ−ピラゾール−１−イル、Ｙが結合、Ｂが１，４−フェニレン、且つＸがＮＨＣＯのとき、Ａはメチル以外の基を、及び、
（１２）Ｄが４−カルボキシ−３−メトキシ−１Ｈ−ピラゾール−１−イル、Ｙが結合、Ｂが１，４−フェニレン、且つＸがＮＨＣＯのとき、Ａはプロピル以外の基をそれぞれ示す。）
【請求項５】
Ｄが、−Ａｌｋ、−ハロゲノ低級アルキル、−ＣＯＯＨ及び−ＣＯＯ−Ａｌｋからなる群から選択される置換基１乃至３個を有していてもよいピラゾリルであり、Ｂが、１，４−フェニレン又はＡｌｋで置換されていてもよい、チオフェン、フラン、チアゾール、ピリジン及びピリミジンからなる群から選択される単環芳香族ヘテロ環の２価基であり、且つＡが、−Ａｌｋ、−Ｈａｌ、−ＮＨ2、−Ｎ（Ａｌｋ）2、−ＮＯ2、−ＣＮ、−ＯＨ、−Ｏ−Ａｌｋ及び−ＣＯＯ−Ａｌｋからなる群から選択される１個以上の置換基を有していてもよいフェニル；Ａｌｋで置換されていてもよい、チエニル、ピロリル、イミダゾリル、チアゾリル、オキサゾリル、テトラゾリル、トリアゾリル、チアジアゾリル、ピリジル、ピラジニル及びイソキノリルからなる群から選択される単環若しくは２乃至３環式縮合ヘテロアリール；シクロアルキル；１個以上のＨａｌで置換されていてもよい低級アルケニル；又はＡｌｋである請求項４記載のアミド若しくはアミン誘導体又はその製薬学的に許容される塩。
【請求項６】
Ｄが１−メチル−３−トリフルオロメチル−１Ｈ−ピラゾール−５−イル、且つＡがＨａｌで置換されていてもよいフェニルである請求項４記載のアミド若しくはアミン誘導体又はその製薬学的に許容される塩。
【請求項７】
Ｄが３，５−ビス（トリフルオロメチル）−１Ｈ−ピラゾール−１−イル、且つＡがＡｌｋで置換されていてもよい、チアゾリル、チアジアゾリル、チエニル及びピリジルからなる群から選択される単環ヘテロアリールである請求項４記載のアミド若しくはアミン誘導体又はその製薬学的に許容される塩。
【請求項８】
請求項４記載のアミド若しくはアミン誘導体又はその製薬学的に許容される塩を含有することを特徴とする医薬。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月5日(2004.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
【実施例６−３】
〈可溶性ポリペプチドの製造〉
平底培養瓶に味の素製無血清培地『ＡＳＦ１０４』をとり、これに実施例６−２の方法により得た形質転換体を１×１０５個／ｍｌの割合で接種し、常法にしたがって５％ＣＯ２インキュベーター中、３７℃で３日間培養した。培養物から培養上清を採取し、実施例１−５の方法により得たモノクローナル抗体ＭＡｂ＃１１７−１０Ｃを固定化したカラムに負荷し、１２ｍＭ  ＣＨＡＰＳを含むＰＢＳを通液して非吸着画分を除いた。その後、カラムに２ｍＭ  ＣＨＡＰＳを含む３５ｍＭエチルアミン（ｐＨ１０．８）を通液し、溶出液を分画採取した。そして、それぞれの画分におけるヒト由来の可溶性ポリペプチドの有無を実施例１−１に示した１２５Ｉ標識ヒトＩＬ−１８を用いる方法により判定し、選別し、合一したところ、配列表における配列番号２２に示すアミノ酸配列のポリペプチドを含む水溶液が原料細胞１０８個当り約２ｍｌ得られた。なお、この水溶液の蛋白質含量は約１０μｇ／ｍｌであった。