(57)【要約】【課題】レジストを溶剤で除去することで、レジストを簡単かつ確実に除去することができるため、表面に露出する層にダメージを与えずに磁気トラックパターンを形成することを目的とする。【解決手段】本発明にかかる垂直磁気記録媒体１００の製造方法は、ディスク基体１１０上に、磁気記録層１２２を成膜し、磁気記録層の上に保護層１２６を成膜し、保護層の上にＳＯＧによってレジスト層１３０を成膜し、レジスト層を加工することで当該レジスト層の厚さを部分的に変化させ所定のパターンを形成し、レジスト層を介在させた状態で所定のパターンに基づいて磁気記録層にイオンを注入し、レジスト層を溶剤で除去することを特徴としている。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に、磁気記録層を成膜する磁気記録層成膜工程と、
前記磁気記録層の上に保護層を成膜する保護層成膜工程と、
前記保護層の上にＳＯＧによってレジスト層を成膜するレジスト層成膜工程と、
前記レジスト層を加工することで該レジスト層の厚さを部分的に変化させ所定のパターンを形成するパターニング工程と、
前記レジスト層を介在させた状態で前記所定のパターンに基づいて前記磁気記録層にイオンを注入するイオン注入工程と、
前記レジスト層を溶剤で除去する除去工程と、
を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
前記レジスト層を除去する溶剤は、有機溶剤であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記保護層は、カーボンであることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記イオン注入工程において、Ｂ、Ｐ、Ｓｉ、Ｆ、Ｃ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｋｒ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｗ、Ａｓ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｎ２、Ｏ２からなる群から選択された１または複数のイオンを注入することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記磁気記録層は、柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性物質からなる粒界部を形成したグラニュラー構造の強磁性層であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
請求項１から５に記載の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）などに搭載される磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に磁気記録技術を用いたＨＤＤの面記録密度は年率１００％程度の割合で増加し続けている。最近では、ＨＤＤ等に用いられる２．５インチ径磁気ディスクにして、１枚あたり１６０ＧＢｙｔｅを超える情報記録容量が求められるようになってきており、このような要請にこたえるためには１平方インチあたり２５０ＧＢｉｔを超える情報記録密度を実現することが求められる。
【０００３】
ＨＤＤ等に用いられる磁気ディスクにおいて高記録密度を達成するために、近年、垂直磁気記録方式の磁気ディスク（垂直磁気記録ディスク）が提案されている。従来の面内磁気記録方式は磁気記録層の磁化容易軸が基体面の平面方向に配向されていたが、垂直磁気記録方式は磁化容易軸が基体面に対して垂直方向に配向するよう調整されている。垂直磁気記録方式は面内記録方式に比べて、高密度記録時に、より熱揺らぎ現象を抑制することができるので、高記録密度化に対して好適である。
【０００４】
さらに記録密度および熱揺らぎ耐性を向上させた技術として、記録用の磁性トラックの間に非磁性トラックを平行させるようにパターニングして隣接した記録トラックの干渉を防ぐディスクリートトラックメディアや、任意のパターンを人工的に規則正しく並べたビットパターンメディアと呼ばれる磁気記録媒体が提案されている。
【０００５】
上述したディスクリートトラックメディアやビットパターンメディアといったパターンドメディアは、非磁性基体の上に磁気記録層を形成した後、部分的にイオンを注入することにより、非磁性化もしくは非晶質化することにより磁気的に分離した磁性パターンを形成する技術や、非磁性基体の上に磁気記録層を形成した後、部分的に当該磁気記録層をミリングすることにより凹凸を形成し、物理的に磁気記録層を分離させ、磁性パターンを形成する技術が提案されている。
【０００６】
具体的には、まず、磁気記録層の上にレジストを成膜し所望する凹凸パターンが形成されたスタンパをインプリントしてレジストに凹凸パターンを転写したり、磁気記録層の上にフォトレジストを成膜しフォトリソグラフィ技術により所望する凹凸パターンをフォトレジストに形成したりする。そして、形成された凹部を介して、磁気記録層にイオンを注入したり、凹部の表面に露出した磁気記録層をエッチングによってミリングしたりすることにより、磁気記録層を分離する。
【０００７】
一方、磁気記録技術の高密度化に伴い、磁気ヘッドも薄膜ヘッドから、磁気抵抗型ヘッド（ＭＲヘッド）、大型磁気抵抗型ヘッド（ＧＭＲヘッド）へと推移してきており、磁気ヘッドの基板からの浮上量が５ｎｍ程度にまで狭くなってきている。このような磁気抵抗効果型素子を搭載した磁気ヘッドは、固有の障害としてヘッドクラッシュやサーマルアスペリティ障害を引き起こす場合がある。
【０００８】
サーマルアスペリティ障害とは、磁気ディスク面上の微小な凸形状あるいは凹形状上を磁気ヘッドが浮上飛行しながら通過するときに、空気の断熱圧縮または接触により磁気抵抗効果型素子が加熱されることにより、読み出しエラーを生じる障害である。したがって磁気抵抗型素子を搭載した磁気ヘッドに対しては、磁気ディスク表面は極めて高度な平滑度および平坦度が求められる。
【０００９】
上述したパターンドメディアにおいては、ミリングによって物理的に磁気記録層に凹凸を形成した場合には、レジストの除去を行い、凹部に非磁性物質を充填した後に、平滑化を行っている。一方、イオン注入によってパターンを形成した場合には、レジストの除去を行うのみで平滑化が達成される。したがって、パターンドメディアの製造方法において、工程が少なく、磁気ディスク表面の平滑度の高いイオン注入によるパターニングが注目を集めている（例えば、特許文献１）。
【００１０】
ところで、上述したように、イオン注入によりパターンドメディアを作成する場合にも、磁気記録層の上にレジストを成膜する必要があるが、磁気記録層のパターン化が完了した後すなわちイオン注入が完了した後は、不必要となる。そして、不必要なレジストの残渣が磁気記録層の表面に残存すると、磁気ディスクの表面に凹凸が生じるため、上述のヘッドクラッシュやサーマルアスペリティ障害を引き起こす原因となる。
【００１１】
そこで、従来もイオン注入による磁気記録層のパターン化後に残存するレジストを除去するために、特許文献１に記載されるように、ドライエッチング、反応性イオンエッチング、イオンミリング等の技術が開示されている。
【特許文献１】特開２００８−７７７８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、上述した磁気記録層のパターン化後に残存するレジストをエッチング等で除去する技術では、過度なエッチングによりレジストの直下の層を削ってしまったり、逆にレジストの直下の層を削らないようにするために早めにエッチングを終了させてしまいレジストを完全に除去できなかったりと、最適にエッチングを停止するポイントを見極めるのが困難である。
【００１３】
したがって、上述のような従来のエッチング等では、平滑度に優れたイオン注入によるパターニングの特徴を十分に活かしつつ迅速かつ最適にレジストの除去をすることは容易ではないという問題があった。
【００１４】
本発明は、このような問題に鑑み、レジストを溶剤で除去することで、レジストを簡単かつ確実に除去することができるため、表面に露出する層にダメージを与えずに磁気トラックパターンを形成することが可能な磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するために、本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法の代表的な構成は、基体上に、磁気記録層を成膜する磁気記録層成膜工程と、磁気記録層の上に保護層を成膜する保護層成膜工程と、保護層の上にＳＯＧによってレジスト層を成膜するレジスト層成膜工程と、レジスト層を加工することで当該レジスト層の厚さを部分的に変化させ所定のパターンを形成するパターニング工程と、レジスト層を介在させた状態で所定のパターンに基づいて磁気記録層にイオンを注入するイオン注入工程と、レジスト層を溶剤で除去する除去工程と、を含むことを特徴とする。
【００１６】
ＳＯＧによって成膜されたレジスト層をイオン注入による磁気記録層のパターン化後に溶剤で除去する構成により、不要なレジスト層を簡単かつ最適に除去することができる。したがって、表面に露出する層（保護層）に損傷を与えることがなく、容易かつ迅速にレジスト層を除去することができる。また、従来必要であったレジスト層を除去するためのエッチング（例えば反応性イオンエッチング）を行う必要がなくなるため、電力消費量を大幅に削減することができる。
【００１７】
上記レジスト層を除去する溶剤は、有機溶剤であってもよい。有機溶剤は、安価であるため好適に利用することができる。
【００１８】
上記保護層はカーボンが好ましい。カーボンであればレジスト層を除去する際に用いられる溶剤による影響を受けず、保護層の損傷を防止することができる。
【００１９】
また、保護層は、真空を保ったままカーボンをＣＶＤ法により成膜して形成することができる。一般にＣＶＤ法によって成膜されたカーボンはスパッタ法によって成膜したものと比べて膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に磁気記録層を防護することができる。
【００２０】
上記イオン注入工程において、Ｂ、Ｐ、Ｓｉ、Ｆ、Ｃ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｋｒ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｗ、Ａｓ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｎ２、Ｏ２からなる群から選択された１または複数のイオンを注入してもよい。
【００２１】
上記磁気記録層は、柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性物質からなる粒界部を形成したグラニュラー構造の強磁性層であってもよい。磁気記録層にディスクリートパターンを形成する場合、磁気記録層がグラニュラー構造であると、ＳＮＲが向上する。
【００２２】
上記課題を解決するために、本発明にかかる磁気記録媒体の代表的な構成は、上記の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造されたことを特徴とする。
【００２３】
上述した磁気記録媒体の製造方法の技術的思想に基づく構成要素やその説明は、当該磁気記録媒体にも適用可能である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法は、レジストを溶剤で除去することで、レジストを迅速かつ確実に除去することができることとなり、表面に露出する層にダメージを与えることがなく磁気トラックパターンを形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。かかる実施形態に示す寸法、材料、その他具体的な数値などは、発明の理解を容易とするための例示にすぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能、構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略し、また本発明に直接関係のない要素は図示を省略する。
【００２６】
（実施形態）
本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法の実施形態について説明する。図１は本実施形態にかかる磁気記録媒体としてのディスクリート型垂直磁気記録媒体１００（以下、単に垂直磁気記録媒体１００と称する。）の構成を説明する図である。図１に示す垂直磁気記録媒体１００は、基体としてのディスク基体１１０、付着層１１２、第１軟磁性層１１４ａ、スペーサ層１１４ｂ、第２軟磁性層１１４ｃ、前下地層１１６、第１下地層１１８ａ、第２下地層１１８ｂ、非磁性グラニュラー層１２０、第１磁気記録層１２２ａ、第２磁気記録層１２２ｂ、連続層１２４、保護層１２６、潤滑層１２８で構成されている。なお第１軟磁性層１１４ａ、スペーサ層１１４ｂ、第２軟磁性層１１４ｃは、あわせて軟磁性層１１４を構成する。第１下地層１１８ａと第２下地層１１８ｂはあわせて下地層１１８を構成する。第１磁気記録層１２２ａと第２磁気記録層１２２ｂとはあわせて磁気記録層１２２を構成する。
【００２７】
以下に説明するように、本実施形態に示す垂直磁気記録媒体１００は、磁気記録層１２２の第１磁気記録層１２２ａおよび第２磁気記録層１２２ｂのいずれかまたは両方に複数の種類の酸化物（以下、「複合酸化物」という。）を含有させることにより、非磁性の粒界に複合酸化物を偏析させている。
【００２８】
[基体成型工程]
ディスク基体１１０は、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円板状に成型したガラスディスクを用いることができる。なおガラスディスクの種類、サイズ、厚さ等は特に制限されない。ガラスディスクの材質としては、例えば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノケイ酸ガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラス、石英ガラス、チェーンシリケートガラス、又は、結晶化ガラス等のガラスセラミックなどが挙げられる。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性のディスク基体１１０を得ることができる。
【００２９】
[成膜工程]
上述した基体成型工程で得られたディスク基体１１０上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にて付着層１１２、軟磁性層１１４、前下地層１１６、下地層１１８、非磁性グラニュラー層１２０、磁気記録層１２２(磁気記録層成膜工程)、連続層１２４を順次成膜し、保護層１２６(保護層成膜工程)はＣＶＤ法により成膜することができる。なお、生産性が高いという点で、インライン型成膜方法を用いることも好ましい。以下、各層の構成および本実施形態の特徴である、レジスト層成膜工程、パターニング工程、イオン注入工程、除去工程を含む磁気トラックパターン形成工程について説明する。
【００３０】
付着層１１２は非晶質の下地層であって、ディスク基体１１０に接して形成され、この上に成膜される軟磁性層１１４とディスク基体１１０との剥離強度を高める機能を備えている。付着層１１２は、ディスク基体１１０がアモルファスガラスからなる場合、そのアモルファスガラス表面に対応させる為にアモルファスの合金膜とすることが好ましい。付着層１１２としては、例えばＣｒＴｉ系非晶質層を選択することができる。
【００３１】
軟磁性層１１４は、垂直磁気記録方式において記録層に垂直方向に磁束を通過させるために、記録時に一時的に磁路を形成する層である。軟磁性層１１４は第１軟磁性層１１４ａと第２軟磁性層１１４ｃの間に非磁性のスペーサ層１１４ｂを介在させることによって、ＡＦＣ（Antiferro-magnetic exchange coupling：反強磁性交換結合）を備えるように構成することができる。これにより軟磁性層１１４の磁化方向を高い精度で磁路（磁気回路）に沿って整列させることができ、磁化方向の垂直成分が極めて少なくなるため、軟磁性層１１４から生じるノイズを低減することができる。第１軟磁性層１１４ａ、第２軟磁性層１１４ｃの組成としては、ＣｏＴａＺｒなどのコバルト系合金、ＣｏＣｒＦｅＢなどのＣｏ−Ｆｅ系合金、［Ｎｉ−Ｆｅ／Ｓｎ］ｎ多層構造のようなＮｉ−Ｆｅ系合金などを用いることができる。
【００３２】
前下地層１１６は非磁性の合金層であり、軟磁性層１１４を防護する作用と、この上に成膜される下地層１１８に含まれる六方細密充填構造（ｈｃｐ構造）の磁化容易軸をディスク垂直方向に配向させる機能を備える。前下地層１１６は面心立方構造（ｆｃｃ構造）の（１１１）面がディスク基体１１０の主表面と平行となっていることが好ましい。前下地層の材質としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂから選択することができる。さらにこれらの金属を主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗのいずれか１つ以上の添加元素を含む合金としてもよい。例えばｆｃｃ構造としてはＮｉＷ、ＣｕＷ、ＣｕＣｒを好適に選択することができる。
【００３３】
下地層１１８はｈｃｐ構造であって、磁気記録層１２２のＣｏのｈｃｐ構造の結晶をグラニュラー構造として成長させる作用を有している。したがって、下地層１１８の結晶配向性が高いほど、すなわち下地層１１８の結晶の（０００１）面がディスク基体１１０の主表面と平行になっているほど、磁気記録層１２２の配向性を向上させることができる。下地層１１８の材質としてはＲｕが代表的であるが、その他に、ＲｕＣｒ、ＲｕＣｏから選択することができる。Ｒｕはｈｃｐ構造をとり、また結晶の格子間隔がＣｏと近いため、Ｃｏを主成分とする磁気記録層１２２を良好に配向させることができる。
【００３４】
下地層１１８をＲｕとした場合において、スパッタ時のガス圧を変更することによりＲｕからなる２層構造とすることができる。具体的には、上層側の第２下地層１１８ｂを形成する際に、下層側の第１下地層１１８ａを形成するときよりもＡｒのガス圧を高くする。ガス圧を高くするとスパッタリングされるＲｕイオンの自由移動距離が短くなるため、成膜速度が遅くなり、結晶分離性を改善することができる。また高圧にすることにより、結晶格子の大きさが小さくなる。Ｒｕの結晶格子の大きさはＣｏの結晶格子よりも大きいため、Ｒｕの結晶格子を小さくすればＣｏのそれに近づき、Ｃｏのグラニュラー層の結晶配向性をさらに向上させることができる。
【００３５】
非磁性グラニュラー層１２０は非磁性のグラニュラー層である。下地層１１８のｈｃｐ結晶構造の上に非磁性のグラニュラー層を形成し、この上に第１磁気記録層１２２ａのグラニュラー層を成長させることにより、磁性のグラニュラー層を初期成長の段階（立ち上がり）から分離させる作用を有している。非磁性グラニュラー層１２０の組成は、Ｃｏ系合金からなる非磁性の結晶粒子の間に、非磁性物質を偏析させて粒界を形成することにより、柱状のグラニュラー構造とすることができる。特にＣｏＣｒ−ＳｉＯ２、ＣｏＣｒＲｕ−ＳｉＯ２を好適に用いることができ、さらにＲｕに代えてＲｈ（ロジウム）、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｇ（銀）、Ｏｓ（オスミウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ａｕ（金）も利用することができる。また非磁性物質とは、磁性粒（磁性グレイン）間の交換相互作用が抑制、または、遮断されるように、磁性粒の周囲に粒界部を形成しうる物質であって、コバルト（Ｃｏ）と固溶しない非磁性物質であればよい。例えば酸化珪素（ＳｉＯｘ）、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（ＣｒＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコン（ＺｒＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を例示できる。
【００３６】
磁気記録層１２２は、Ｃｏ系合金、Ｆｅ系合金、Ｎｉ系合金から選択される硬磁性体の磁性粒の周囲に非磁性物質を偏析させて粒界を形成した柱状のグラニュラー構造を有した強磁性層である。この磁性粒は、非磁性グラニュラー層１２０を設けることにより、そのグラニュラー構造から継続してエピタキシャル成長することができる。本実施形態では組成および膜厚の異なる第１磁気記録層１２２ａと、第２磁気記録層１２２ｂとから構成されている。第１磁気記録層１２２ａと第２磁気記録層１２２ｂは、いずれも非磁性物質としてはＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３等の酸化物や、ＢＮ等の窒化物、Ｂ４Ｃ３等の炭化物を好適に用いることができる。本実施形態にかかる垂直磁気記録媒体１００は、ディスクリート型であるため、磁気記録層１２２がグラニュラー構造をとる構成により、ＳＮＲを向上させることが可能となる。
【００３７】
連続層１２４はグラニュラー構造を有する磁気記録層１２２の上に、面内方向に磁気的に連続した層（連続層とも呼ばれる）である。連続層１２４を設けることにより磁気記録層１２２の高密度記録性と低ノイズ性に加えて、逆磁区核形成磁界Ｈｎの向上、耐熱揺らぎ特性の改善、オーバーライト特性の改善を図ることができる。本実施形態において、垂直磁気記録媒体１００は、ディスクリート型であるため連続層１２４を備える構成をとっているが、ビットパターン型磁気記録媒体である場合には、連続層を備えなくともよい。
【００３８】
保護層１２６は、真空を保ったままカーボンをＣＶＤ法により成膜して形成することができる。保護層１２６は、磁気ヘッドの衝撃から垂直磁気記録層を防護するための保護層である。一般にＣＶＤ法によって成膜されたカーボンはスパッタ法によって成膜したものと比べて膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に垂直磁気記録層を防護することができる。
【００３９】
（磁気トラックパターン形成工程）
次に、本実施形態の磁気記録層に磁気的に分離した記録領域としてのトラック部およびサーボ情報を記憶するサーボパターン部を形成する磁気トラックパターン形成工程について詳述する。ここで、磁気トラックパターン形成工程は、上記磁気記録層成膜工程の直後に行ってもよいが、連続層成膜工程および保護層成膜工程の後に行ってもよい。なお、ここでは理解を容易にするために、特に記載がない場合は、トラック部およびサーボパターン部をあわせて磁気トラック部と称する。
【００４０】
本実施形態で磁気トラックパターン形成工程は、保護層成膜工程の後に行う。これにより、磁気トラックパターン形成工程を行った後に保護層を成膜する必要がなくなり、製造工程が簡便になることで、生産性の向上および垂直磁気記録媒体１００の製造工程における汚染の低減を図ることができる。
【００４１】
図２は、本実施形態にかかる磁気トラックパターン形成工程について説明するための説明図である。なお、図２において、理解を容易にするために磁気記録層１２２よりディスク基体１１０側の層の記載を省略する。磁気トラックパターン形成工程は、レジスト層成膜工程、パターニング工程、イオン注入工程、除去工程を含んで構成される。以下、磁気トラックパターン形成工程における各工程について説明する。
【００４２】
＜レジスト層成膜工程＞
図２（ａ）に示すように、保護層１２６の上に、ＳＯＧ（Spin On Glass）を用いてスピンコート法によりレジスト層１３０を成膜する。ＳＯＧは、ケイ素（Ｓｉ）化合物と添加剤（拡散用不純物、ガラス質形成剤、有機バインダー等）とを有機溶剤（アルコール、エステル、ケトン等）に溶解した液状質であり、例えば、シリカガラス、水素化シルセスキオキサンポリマー（ＨＳＱ）、水素化アルキルシロキサンポリマー（ＨＯＳＰ）、アルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー（ＭＳＱ）等である。
【００４３】
このように、ＳＯＧによってレジスト層１３０を成膜することで、イオン注入による磁気記録層１２２のパターニング工程の後であっても、レジスト層１３０を溶剤によって容易かつ確実に除去することができる。
【００４４】
＜パターニング工程＞
図２（ｂ）に示すように、レジスト層１３０にスタンパ１３２を押し当てることによって、磁性トラックパターンを転写する（インプリント法）。スタンパ１３２には転写しようとする記録領域としてのトラック部と、プリアンブル部、アドレス部、およびバースト部等のサーボ情報を記憶するためのサーボパターン部と、トラック部とサーボパターン部を離隔するブロック部と、のそれぞれのパターンに対応する凹凸パターンを有する。
【００４５】
スタンパ１３２によってレジスト層１３０に磁性トラックパターンを転写した後、スタンパ１３２をレジスト層１３０から取り除くことにより、レジスト層１３０に凹凸パターンが形成される。
【００４６】
また、本実施形態において、スタンパ１３２の表面にはフッ素系剥離剤を塗布している。これにより、レジスト層１３０から良好にスタンパ１３２を剥離することが可能となる。
【００４７】
＜イオン注入工程＞
図２（ｃ）に示すように、パターニング工程で所定のパターンにパターニングされたレジスト層１３０の凹部から、保護層１２６を介して、磁気記録層１２２へ、イオンビーム法を用いてイオンを注入する。これにより、レジスト層１３０の凹部の下にある磁気記録層１２２の領域（磁気記録層１２２におけるイオンが注入された部分）、すなわち、ガードバンド領域１３４の結晶を非晶質化することができ、レジスト層１３０の凸部の下にある部分を磁気的に分離することが可能となる。
【００４８】
本実施形態では、注入するイオンとして、Ｂ、Ｐ、Ｓｉ，Ｆ、Ｃ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｋｒ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｗ、Ａｓ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｎ２、Ｏ２からなる群から選択されたいずれか１または複数のイオンを注入する。
【００４９】
＜除去工程＞
図２（ｄ）に示すように、溶剤を用いることにより、レジスト層１３０を除去する。本実施形態において、溶剤として有機溶剤または無機溶剤を用いる。有機溶剤は、ＳＯＧの種類によって適宜選定され、特に限定されるものではないが、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、乳酸エチル、エステル、プロピレングリコール・モノメチル・エーテル・アセテート等が挙げられる。無機溶剤は、ＳＯＧの種類によって適宜選定され、特に限定されるものではないが、例えば、ＫＯＨ含有液、ＮａＯＨ含有液、ＨＣｌ含有液、Ｈ２ＳＯ４含有液、Ｃｒ混酸（ＣｒＯ３と硝酸、酢酸、リン酸等の混合液）等が挙げられる。なお、有機溶剤または無機溶剤は１種又は２種以上組み合わせて用いることができる。
【００５０】
このように、溶剤を用いることにより、容易かつ最適にＳＯＧからなるレジスト層１３０を除去することができ、従来のエッチング等のように表面に露出する保護層１２６にダメージを与えるおそれがない。よって、垂直磁気記録媒体１００の表面を高度に平滑化することが容易に可能となる。
【００５１】
（潤滑層成膜工程）
潤滑層１２８は、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）をディップコート法により成膜することができる。ＰＦＰＥは長い鎖状の分子構造を有し、保護層１２６表面のＮ原子と高い親和性をもって結合する。この潤滑層１２８の作用により、垂直磁気記録媒体１００の表面に磁気ヘッドが接触しても、保護層１２６の損傷や欠損を防止することができる。
【００５２】
（実施例と評価）
以下、実施例および比較例を用いて、本発明の有効性について説明する。なお、以下の説明では、実施例として、上記実施形態にかかる垂直磁気記録媒体の製造方法、すなわち、ＳＯＧによって成膜されたレジスト層をイオン注入による磁気記録層のパターン化後に溶剤で除去する場合を例に挙げる。比較例として、ＳＯＧによって成膜されたレジスト層をＳｉＦ４によるアッシングによって除去する場合を例に挙げる。
【００５３】
実施例および比較例において、ディスク基体１１０上に、真空引きを行った成膜装置を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にてＡｒ雰囲気中で、付着層１１２から連続層１２４まで順次成膜を行った。付着層１１２は、ＣｒＴｉとした。軟磁性層１１４は、第１軟磁性層１１４ａ、第２軟磁性層１１４ｃの組成はＣｏＣｒＦｅＢとし、スペーサ層１１４ｂの組成はＲｕとした。前下地層１１６の組成はｆｃｃ構造のＮｉＷ合金とした。下地層１１８は、第１下地層１１８ａは高圧Ａｒ下でＲｕを成膜し、第２下地層１１８ｂは低圧Ａｒ下でＲｕを成膜した。非磁性グラニュラー層１２０の組成は非磁性のＣｏＣｒ−ＳｉＯ２とした。磁気記録層１２２は、少なくともＰｔを含むＣｏＣｒＰｔで形成した。連続層１２４の組成はＣｏＣｒＰｔＢとした。保護層１２６はＣＶＤ法によりＣ２Ｈ４およびＣＮを用いて成膜した。
【００５４】
その後、実施例および比較例の双方において、保護層１２６の表面にレジスト層１３０としてＳＯＧであるＨＳＱ(水素化シルセスキオキサンポリマー)をスピンコート法で成膜した。
【００５５】
その上で、実施例、比較例ともに、インプリント法で、レジスト層１３０にスタンパ１３２を押し当てることによって、磁性トラックパターンを転写した。スタンパ１３２には転写しようとする記録領域としてのトラック部と、プリアンブル部、アドレス部、およびバースト部等のサーボ情報を記憶するためのサーボパターン部と、トラック部とサーボパターン部との間に形成されるブロック部と、のそれぞれのパターンに対応する凹凸パターンを有している。
【００５６】
スタンパ１３２によってレジスト層１３０に磁性トラックパターンを転写した後、スタンパ１３２をレジスト層１３０から取り除くことにより、レジスト層１３０に凹凸パターンを転写した。
【００５７】
さらに、所定のパターンにパターニングされたレジスト層１３０の凹部から、保護層１２６を介して、磁気記録層１２２へ、イオンビーム法を用いてイオンを注入した。この際、注入するイオンとしてＮ２イオン、エネルギー量約２０ｋｅＶ、ドーズ量２Ｅ１６ａｔｏｍ／ｃｍ２としてイオン注入を行った。
【００５８】
その後、実施例では、無機溶剤であるＫＯＨ含有液を用いてレジスト層１３０の除去を行った。比較例では、フッ素ガスを用いたＲＩＥによってレジスト層１３０の除去を行った。
【００５９】
この結果、実施例では、保護層１２６に損傷を与えることもなく最適にレジスト層１３０を除去することができ、その後ディップコート法によりＰＦＰＥを用いて潤滑層１２８を形成することにより、そのディスク表面が極めて高度な平滑度を有する良好な垂直磁気記録媒体１００を得ることができた。一方、比較例では、磁気特性（例えば保磁力）が大きく変化し、あまり好ましくなかった。これは、磁性層がアッシング時に反応性の高いガスに曝され、変質してしまったことが理由と考えられる。
【００６０】
上述した如く、本実施形態にかかる垂直磁気記録媒体１００の製造方法では、ＳＯＧによって成膜されたレジスト層１３０をイオン注入による磁気記録層１２２のパターン化後に溶剤で除去する構成により、不要なレジスト層１３０を簡単かつ最適に除去することができる。したがって、表面に露出する層（保護層１２６）に損傷を与えることがなく、容易かつ迅速にレジスト層１３０を除去することができる。また、従来必要であったレジスト層１３０を除去するためのエッチングを行う必要がなくなるため、電力消費量を大幅に削減することができる。
【００６１】
また、磁気記録層１２２とレジスト層１３０との間に保護層１２６を備える構成により、レジスト層１３０を溶剤で除去する際に磁気記録層１２２が溶剤に接触するのを防ぐことが可能となり、磁気記録層１２２にダメージを与えるおそれを回避することができる。
【００６２】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００６３】
例えば、上記実施形態において、ＳＯＧによってレジスト層１３０を成膜するのにスピンコート法を用いているが、これに限定されず、ＳＯＧを用いるのであればディップコート法やスプレイ法によってレジスト層１３０を成膜してもよい。
【００６４】
また、上記実施形態では、ディスクリート型磁気記録媒体について説明したが、これに限定されず、ビットパターン型磁気記録媒体においても好適に利用することができる。
【００６５】
また、上記実施形態では、磁気記録層がグラニュラー構造を有する２層で構成しているが、これに限定されず、１層もしくは複数層で構成されてもよく、グラニュラー構造を有しなくてもよい。
【００６６】
さらに上記実施形態において、磁気記録媒体として、垂直磁気記録媒体について説明したが、面内磁気記録媒体においても好適に用いることができる。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明は、磁気記録方式のＨＤＤなどに搭載される磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体として利用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６８】
【図１】実施形態にかかる垂直磁気記録媒体の構成を説明する図である。
【図２】本実施形態にかかる磁気トラックパターン形成工程について説明するための説明図である。
【符号の説明】
【００６９】
１００  …垂直磁気記録媒体
１１０  …ディスク基体
１１２  …付着層
１１４  …軟磁性層
１１４ａ  …第１軟磁性層
１１４ｂ  …スペーサ層
１１４ｃ  …第２軟磁性層
１１６  …前下地層
１１８  …下地層
１１８ａ  …第１下地層
１１８ｂ  …第２下地層
１２０  …非磁性グラニュラー層
１２２  …磁気記録層
１２２ａ  …第１磁気記録層
１２２ｂ  …第２磁気記録層
１２４  …連続層
１２６  …保護層
１２８  …潤滑層
１３０  …レジスト層
１３２  …スタンパ
１３４  …ガードバンド領域
【図１】
2010086588.tif 000003
【図２】
2010086588.tif 000004