【手続補正書】
【提出日】平成16年10月5日(2004.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
その後、真空槽内に設けられたアノード３１に直流電源２７から直流正電圧を印加し、フィラメント３３には交流電源２９から交流電圧を印加する。さらに円筒状部材１１には、直流電源２５から直流の負電圧を印加する。それによって真空槽１３内にプラズマを発生させて、円筒状部材１１の内周面の中間層上に硬質カーボン膜を形成する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
例えば、真空槽１３内の圧力が３×１０-3torr以上のときは、円筒状部材１１の周囲に発生するプラズマが主になって、炭素を含むガスを分解して硬質カーボン膜を形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
これに対して、真空槽１３内の圧力が３×１０-3torrより低いときは、円筒状部材１１の周囲のプラズマより、フィラメント３３とアノード３１の近傍に発生するプラズマが主に寄与して硬質カーボン膜を形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前述の真空槽１３内の圧力が３×１０-3torrより高いときは、硬質カーボン膜が化学気相成長的に形成されるのに対して、圧力が３×１０-3torrより低いときは、硬質カーボン膜が物理気相成長的に形成される。このために、フィラメント３３とアノード３１の近傍に発生するプラズマが主に寄与する硬質カーボン膜形成のときは、真空蒸着法などの物理的気相成長法による場合と同様に、円筒状部材１１の内周面１１ｂでは開口１１ａの開口端から奥側に向かうに従って、硬質カーボン膜の膜厚が薄くなる。その結果、円筒状部材１１の内周面には硬質カーボン膜を全面に均一な膜厚で形成することができなかった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
図２に示すように、ガス導入口１５と排気口１７とを備えた真空槽１３の中に、基材として円筒状の開口１１ａを有する円筒状部材１１を、絶縁支持具１０によって下部を真空槽１３に固定して配置する。この円筒状部材１１は、各種のブッシュやシリンダ，ベアリング等の部品であり、例えば合金工具鋼（ＳＫ鋼）等の金属で形成されており、真空槽１３と共にアースに接続して接地電位に保持する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
そして、この円筒状部材１１の開口１１ａ内の中心軸上に、中間層材料であるチタン材料からなるロッド状の補助電極２３を挿入するように配置する。
そして、図示しない排気手段によって真空槽１３内を３×１０-5torrの真空度になるまで排気する。その後、ガス導入口１５からスパッタガスとしてアルゴンガスを真空槽１３内に導入して、真空度を５×１０-3torrになるように制御する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
そして、真空槽１３内を３×１０-5torrの真空度になるように排気した後、アルゴンガスを真空槽１３内に導入することなく、交流電源３７によって交流電圧を、例えば電流が２Ａ流れるように補助電極２３に印加する。
すると、円筒状部材１１の開口１１ａ内に配設されている補助電極２３が抵抗加熱されてその表面が溶融し、真空槽１３内の真空度が高いため蒸発する。その蒸発したチタン分子が、円筒状部材１１の内周面１１ｂに抵抗加熱蒸着法により付着して、チタン膜からなる第１の中間層を形成する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
そして、図示しない排気手段によって、真空槽１３内を真空度が３×１０-5torrになるように排気口１７から排気する。
その後、ガス導入口１５からシリコンを含むガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4 ）を真空槽１３内に導入して、この真空槽１３内の真空度が５×１０-3torrになるように制御する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
そして、この真空槽１３内に、開口１１ａ内に補助電極２３′を挿入して、内周面１１ｂに第１の中間層１２ａを形成した円筒状部材１１を配置し、その真空度が３×１０-5torrになるように排気した後、ガス導入口１５からシリコンを含むガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4 ）を導入し、真空度を０.１torr になるように調整する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
そして、この真空槽１３内をその真空度が３×１０-5torrになるように排気した後、ガス導入口１５からシリコンを含むガスとしてモノシラン（ＳｉＨ4 ）を真空槽１３内に導入し、真空度を０.１torrになるように調整する。
さらに、円筒状部材１１には直流電源２５からマイナス６００Ｖの直流電圧を印加して、真空槽１３内にプラズマを発生させる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
そして、図示しない排気手段によって、真空槽１３内を真空度が３×１０-5torrになるように排気口１７から排気する。
その後、ガス導入口１５から炭素を含むガスとしてベンゼン（Ｃ6 Ｈ6 ）を真空槽１３内に導入して、真空槽１３内の圧力を５×１０-3torrになるように制御する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
そして、真空槽１３内を真空度が３×１０-5torrになるように排気した後、ガス導入口１５から炭素を含むガスとしてメタン（ＣＨ4 ）を真空槽１３内に導入し、真空度を０.１torr になるように調整する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
そして、この真空槽１３内をその真空度が３×１０-5torrになるように排気した後、ガス導入口１５から炭素を含むガスとしてメタン（ＣＨ4 ）を真空槽１３内に導入し、真空度を０.１torr になるように調整する。
そして、円筒状部材１１には直流電源２５からマイナス６００Ｖの直流電圧を印加して、真空槽１３内にプラズマを発生させ、プラズマＣＶＤプロセスにより円筒状部材１１の全面に硬質カーボン膜を形成する。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
円筒状部材の内周面に従来の方法で中間層を形成した場合の膜厚分布を示す線図である。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
３：硬質カーボン膜    １０：絶縁支持具
１１：円筒状部材    １１ａ：開口
１１ｂ：内周面      １２：二層の中間層
１２ａ：第１の中間層（下層）
１２ｂ：第２の中間層（上層）
１３：真空槽    １５：ガス導入口
１７：排気口    １９，４９：マッチング回路
２１，３６：高周波電源
２３，２３′：補助電極    ２５，２７，３５：直流電源
２９，３７：交流電源      ３１：アノード
３３：フィラメント