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【手続補正書】
【提出日】平成17年1月19日(2005.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
次に蒸着された基板を取り出し、赤色発光層用統合マスクが装着されている別の蒸着装置に移載し、緑色発光層の場合と同じく基板と統合マスクの位置合わせを行った後、１×１０−４Ｐａの真空下で赤色発光層として１ｗｔ％の４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６（ジュロリジルスチリル）ピラン（ＤＣＪＴ）をドーピングしたＡｌｑ３を１５ｎｍ蒸着した。つづいて、基板を青色発光層用統合マスクが装着されているさらにまた別の蒸着装置に移載し、同様に基板と統合マスクの位置合わせを行った後、１×１０−４Ｐａの真空下で青色発光層として４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ジフェニル（ＤＰＶＢｉ）を２０ｎｍ蒸着した。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月21日(2004.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子およびそれを用いた表示装置、電気器具
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極間に、正孔輸送領域と、電子輸送領域と、混合領域とを有し、
前記混合領域は、
前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に設けられ、正孔輸送材料と電子輸送材料と、三重項励起状態からの赤色発光を呈する材料を含む
ことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
電極間に、正孔輸送領域と、電子輸送領域と、混合領域とを有し、
前記混合領域は、
前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に設けられ、正孔輸送材料と、電子輸送材料と、前記正孔輸送材料及び前記電子輸送材料よりも励起エネルギーレベルが小さく三重項励起状態からの赤色発光を呈する材料と、を含む
ことを特徴とする発光素子。
【請求項３】
電極間に、正孔輸送領域と、電子輸送領域と、混合領域とを有し、
前記混合領域は、
前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に設けられ、
正孔輸送材料と、
電子輸送材料と、
前記正孔輸送材料及び前記電子輸送材料よりも励起エネルギーレベルが小さく、三重項励起状態からの赤色発光を呈する発光材料と、
前記正孔輸送材料及び前記電子輸送材料、前記発光材料のいずれよりも大きい励起エネルギーを有する材料と、を含む
ことを特徴とする発光素子。
【請求項４】
電極間に、正孔輸送領域と、電子輸送領域と、混合領域とを有し、
前記混合領域は、
前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に設けられ、
正孔輸送材料と、
電子輸送材料と、
前記正孔輸送材料及び前記電子輸送材料よりも励起エネルギーレベルが小さく、三重項励起状態からの赤色発光を呈する発光材料と、
ブロッキング性材料とを含み、
前記ブロッキング性材料は、前記混合領域の一部に含まれている
ことを特徴とする発光素子。
【請求項５】
電極間に、正孔輸送領域と、電子輸送領域と、混合領域とを有し、
前記混合領域は、
前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に設けられ、
正孔輸送材料と、
電子輸送材料と、
前記正孔輸送材料及び前記電子輸送材料よりも励起エネルギーレベルが小さく、三重項励起状態からの赤色発光を呈する発光材料と、
ブロッキング性材料とを含み、
前記ブロッキング性材料は、前記混合領域の端部に含まれている
ことを特徴とする発光素子。
【請求項６】
前記混合領域において、前記正孔輸送材料と前記電子輸送材料とは、
前記正孔輸送領域から前記電子輸送領域に向かって前記正孔輸送材料の濃度が減少すると共に、前記正孔輸送領域から前記電子輸送領域に向かって前記電子輸送材料の濃度が増加するように含まれている
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項７】
赤色の発光素子と、緑色の発光素子と、青色の発光素子とを含み、
前記赤色の発光素子は、
電極間に、正孔輸送領域と、電子輸送領域と、混合領域とを有し、
前記混合領域は、
前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に設けられ、正孔輸送材料と電子輸送材料と、三重項励起状態からの赤色発光を呈する材料を含む
ことを特徴とする表示装置。
【請求項８】
赤色の発光素子と、緑色の発光素子と、青色の発光素子とを含み、
前記赤色の発光素子は、
電極間に、正孔輸送領域と、電子輸送領域と、混合領域とを有し、
前記混合領域は、
前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に設けられ、
正孔輸送材料と電子輸送材料と、前記正孔輸送材料及び前記電子輸送材料よりも励起エネルギーレベルが小さく三重項励起状態からの赤色発光を呈する材料とを含む
ことを特徴とする表示装置。
【請求項９】
赤色の発光素子と、緑色の発光素子と、青色の発光素子とを含み、
前記赤色の発光素子は、
電極間に、正孔輸送領域と、電子輸送領域と、混合領域とを有し、
前記混合領域は、
前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に設けられ、
正孔輸送材料と、
電子輸送材料と、
前記正孔輸送材料及び前記電子輸送材料よりも励起エネルギーレベルが小さく、三重項励起状態からの赤色発光を呈する発光材料と、
前記正孔輸送材料及び前記電子輸送材料、前記発光材料のいずれよりも大きい励起エネルギーを有する材料とを含む
ことを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
赤色の発光素子と、緑色の発光素子と、青色の発光素子とを含み、
前記赤色の発光素子は、
電極間に、正孔輸送領域と、電子輸送領域と、混合領域とを有し、
前記混合領域は、
前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に設けられ、
正孔輸送材料と、
電子輸送材料と、
前記正孔輸送材料及び前記電子輸送材料よりも励起エネルギーレベルが小さく、三重項励起状態からの赤色発光を呈する発光材料と、
ブロッキング性材料とを含み、
前記ブロッキング性材料は、前記混合領域の一部に含まれている
ことを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
赤色の発光素子と、緑色の発光素子と、青色の発光素子とを含み、
前記赤色の発光素子は、
電極間に、正孔輸送領域と、電子輸送領域と、混合領域とを有し、
前記混合領域は、
前記正孔輸送領域と前記電子輸送領域との間に設けられ、
正孔輸送材料と、
電子輸送材料と、
前記正孔輸送材料及び前記電子輸送材料よりも励起エネルギーレベルが小さく、三重項励起状態からの赤色発光を呈する発光材料と、
ブロッキング性材料とを含み、
前記ブロッキング性材料は、前記混合領域の端部に含まれている
ことを特徴とする表示装置。  
【請求項１２】
前記混合領域において、前記正孔輸送材料と前記電子輸送材料とは、
前記正孔輸送領域から前記電子輸送領域に向かって前記正孔輸送材料の濃度が減少すると共に、前記正孔輸送領域から前記電子輸送領域に向かって前記電子輸送材料の濃度が増加するように含まれている
ことを特徴とする請求項７乃至請求項１１のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項１３】
請求項７乃至請求項１２のいずれか一項に記載の表示装置を含む電気器具。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月1日(2005.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
燃料電池を始動する際、イグニッションスイッチをＯＮにすると（Ｓ１）、空気圧縮器２１が駆動する（Ｓ２）。空気圧縮器２１が駆動する際、温度センサＴ１，Ｔ２によって燃料電池１の入側における供給空気Ａの温度および燃料電池１の出側における排出空気Ａｅの温度を検出する（Ｓ３）。続いて、温度センサＴ２で検出された排出空気Ａｅの温度Ｔ２が１５℃を超えるかを判断するとともに、温度センサＴ１で検出された供給空気Ａの温度Ｔ１よりも排出空気の温度Ｔ２の方が高いかを判断する（Ｓ４）。排出空気Ａｅの温度が１５℃を超えて入れば、燃料電池１が暖まっていることを示すので、燃料電池１の暖機は特に必要ないと判断できる。一方、供給空気Ａの温度よりも排出空気Ａｅの温度の方が高い場合も同様に、燃料電池１が暖まっていると考えられるので、燃料電池１の暖機は不要と判断できる。そこで、排出空気Ａｅの温度が１５℃を超えるか、あるいは排出空気Ａｅの温度Ｔ２が供給空気Ａの温度Ｔ１よりも高いかのいずれかの条件を満たすときに、燃料電池１の暖機は不要と判断する。そして、空気圧縮器２１の駆動を継続しながら、燃料電池１のアイドル運転を開始する（Ｓ５）。ここまでの処理が、イグニッションスイッチをＯＮにした直後に行われる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
ステップＳ１９では、燃料電池１が低温始動モードにあるか否かを判断している。低温判断の結果、低温始動モードにない場合は、ステップＳ２０を飛び越してステップＳ２１に進む。一方、ステップＳ１９で低温始動モードにあると判断された場合には、低温始動モードを解除する（Ｓ２０）。低温始動モードを解除したらバイパス弁２２をＯＦＦにして（Ｓ２１）、空気圧縮器２１から供給される空気を主通路Ｗ１に流す。主通路Ｗ１を流れる供給空気Ａは、放熱器２３によって所定の温度に温度調整させられてから、燃料電池１に供給される。そして、空気圧縮器２１の駆動を継続するとともに、燃料電池１のアイドル運転を行う（Ｓ２２）。そして、燃料電池１の暖機が終了する（Ｓ２３）。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月31日(2004.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）導電層、
（Ｂ）シリコン製基板、
（Ｃ）前記導電層とシリコン製基板との間に形成されてた誘電体層
を有し、
前記誘電体層（Ｃ）は、
（Ｃ１）誘電率が３．９以上１２以下である酸化シリコン（SiOｘ≦２ ）製の層、
（Ｃ２）前記酸化シリコン製の層の上に配置された充填誘電体層
を含むことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２】
前記（Ｃ２）充填誘電体層は、誘電率が酸化シリコン製の層よりも高い
ことを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記（Ｃ２）充填誘電体層は、アルミ酸塩、ケイ酸塩、ZrO２, HfO２, TiO２, Gd２O３, Y２O３, Si３N４, Ta２O５, Al２O３ の内の少なくとも一つの材料を含む
ことを特徴とする請求項２記載の半導体デバイス。
【請求項４】
（Ａ）半導体基板上に形成され、誘電率が３．９以上１２以下である前記酸化シリコン（SiOｘ≦２ ）製の層と、
（Ｂ）前記酸化シリコン製の層の上に配置された充填誘電体層と
を含む
ことを特徴とする半導体デバイス。
【請求項５】
ゲート誘電体組み合わせ層を形成する方法において、
（Ａ）酸化シリコン（SiOｘ≦２ ）製層上に充填誘電体層を形成するステップを有し、
酸化シリコン（SiOｘ≦２ ）製層の厚さは、５Å以下で、誘電率が３．９以上１２以下である
を有することを特徴とするゲート誘電体組み合わせ層を形成する方法。
【請求項６】
前記（Ａ）のステップは、
（Ａ１）原子層気相成長、有機金属気相成長、低圧気相成長の内の少なくとも一つの成長方法を用いて、シリコン製基板上に第１の酸素モノレイヤを形成するステップ、
（Ａ２）原子層気相成長、有機金属気相成長、低圧気相成長の内の少なくとも一つの成長方法を用いて、前記第１酸素モノレイヤの上に、シリコン・モノレイヤを形成するステップ、
（Ａ３）原子層気相成長、有機金属気相成長、低圧気相成長の内の少なくとも一つの成長方法を用いて、前記シリコン・モノレイヤの上に、第２の酸素モノレイヤを形成するステップ、
（Ａ４）前記第２の酸素モノレイヤの上に前記充填誘電体層を成長させるステップ、
を有することを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記（Ａ）ステップは、
（Ａ５）シリコン基板上の二酸化シリコン製の層を成長させるステップ、
（Ａ６）前記二酸化シリコン製層内に遷移金属を注入するステップ、
（Ａ７）前記酸化シリコン製層と前記充填誘電体層を形成するために、前記注入された二酸化シリコン層をアニールするステップ
を有することを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項８】
前記（Ａ）のステップは、
（Ａ８）シリコン基板上に金属ケイ酸塩を形成させるステップ、
（Ａ９）前記シリコン基板の上に酸化シリコン製の層と、前記酸化シリコン製層の上に前記充填誘電体層を形成するために、前記金属ケイ酸塩をアニールするステップ
を含むことを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項９】
前記（Ａ８）ステップは、
（Ａ８１）Ｏ２  雰囲気内に金属原子を解放するために、前記金属ケイ酸塩を加熱するステップを含む
ことを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記（Ａ８）ステップは、
（Ａ８２）Ｏ２  雰囲気内で金属原子をスパッタリングするステップ
（Ａ８３）Ｏ２  雰囲気内で金属原子を蒸着するステップ
（Ａ８４）Ｏ２  雰囲気内で金属原子を気相成長させるステップ
の内の少なくとも１つのステップを含む
ことを特徴とする請求項８記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月26日(2004.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み方向で連続的に変化する不純物濃度勾配を持つ第１導電型ベース層と、
前記第１導電型ベース層の一方の表面に選択的に形成された第２導電型ベース層と、
前記第２導電型ベース層の表面に選択的に形成された第１導電型エミッタ層と、
前記第１導電型ベース層の他方の表面上に形成された厚さが１μｍ以下の第２導電型コレクタ層と、
前記第２導電型ベース層上に設けられた第１の主電極と、
前記第２導電型コレクタ層上に設けられた第２の主電極と、
少なくとも前記第２導電型ベース層と前記第１導電型エミッタ層上に連続して設けられたゲート電極と
を具備したことを特徴とする電力用半導体装置。
【請求項２】
厚み方向で連続的に変化する不純物濃度勾配を持つ第１導電型ベース層と、
前記第１導電型ベース層の一方の表面に選択的に形成された第２導電型ベース層と、
前記第２導電型ベース層の表面から前記第２導電型ベース層を貫通して前記第１導電型ベース層に達する深さに形成されたトレンチと、
前記第２導電型ベース層の表面に、前記トレンチに接するように選択的に形成された第１導電型エミッタ層と、
前記トレンチ内に形成されたゲート電極と、
前記第１導電型ベース層の他方の表面上に形成された厚さが１μｍ以下の第２導電型コレクタ層と、
前記第１導電型エミッタ層上と前記第２導電型ベース層上に連続して設けられた第１の主電極と、
前記第２導電型コレクタ層上に設けられた第２の主電極と
を具備したことを特徴とする電力用半導体装置。
【請求項３】
前記第１導電型ベース層の前記第２導電型コレクタ層側部分の不純物濃度が1e15／cm3 以上から5e16／cm3 以下であることを特徴とする請求項１または２記載の電力用半導体装置。
【請求項４】
前記第１導電型ベース層の前記第２導電型ベース層側部分の比抵抗が１００Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする請求項１または２記載の電力用半導体装置。
【請求項５】
前記第２導電型コレクタ層は、その表面の不純物濃度が1e17／cm3 以上であることを特徴とする請求項１または２記載の電力用半導体装置。
【請求項６】
前記第１導電型ベース層の前記第２導電型ベース層側部分は、その表面から３０μｍの深さ以下において比抵抗が１００Ω・ｃｍ以上で一定であることを特徴とする請求項１または２記載の電力用半導体装置。
【請求項７】
前記第１導電型ベース層は、前記第１導電型エミッタ層側よりも前記第２導電型コレクタ層側の不純物濃度が濃くなるように連続的に変化する不純物濃度勾配を持つことを特徴とする請求項１または２記載の電力用半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
このトレンチＩＧＢＴにおいて、高抵抗のｎ- ベース層101 の表面側にはｐベース(base)層107 が形成され、この表面からｎ- 型ベース層101 に達する深さのトレンチ104 が複数形成され、このトレンチ104 の内部には、ゲート絶縁膜105を介してトレンチゲート電極106 が埋め込み形成されている。各トレンチ104 で挟まれた領域のｐベース層107 の表面には、トレンチ104 の側面に接するように選択的に高不純物濃度のｎ+ エミッタ層108 が形成されている。なお、各トレンチゲート電極106 は、例えばゲート電極コンタクト用の広いパッド（図示せず）まで引き出されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
【課題を解決するための手段】
本発明の電力用半導体装置は、厚み方向で連続的に変化する不純物濃度勾配を持つ第１導電型ベース層と、前記第１導電型ベース層の一方の表面に選択的に形成された第２導電型ベース層と、前記第２導電型ベース層の表面に選択的に形成された第１導電型エミッタ層と、前記第１導電型ベース層の他方の表面上に形成された厚さが１μｍ以下の第２導電型コレクタ層と、前記第２導電型ベース層上に設けられた第１の主電極と、前記第２導電型コレクタ層上に設けられた第２の主電極と、少なくとも前記第２導電型ベース層と前記第１導電型エミッタ層上に連続して設けられたゲート電極とを具備したことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月30日(2005.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体レーザ素子、その製造方法及び光ディスク装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型半導体層と、
ｐ型半導体層と、
前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層に挟まれたIII−Ｖ族窒化物半導体からなる活性層と、
前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に配置され前記活性層を含む共振器と、
前記共振器の端面に配置され酸化ニオブを含む反射膜とを有する半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記活性層は、Ｉｎを含む請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記反射膜は、前記共振器の端面を覆っている請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
発振波長は、０．４μｍ又は０．４μｍよりも短い請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記反射膜は、第１の誘電体層と、酸化ニオブを含む第２の誘電体層とを有する請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記第２の誘電体層の屈折率は、前記第１の誘電体層の屈折率よりも大きい請求項５に記載の半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記第１の誘電体層は、酸化シリコン又は酸化アルミニウムを含む請求項５に記載の半導体レーザ素子。
【請求項８】
基板の上に複数の半導体層を成長させる工程と、
前記複数の半導体層を成長させた基板を劈開又はエッチングすることにより共振器の端面を形成する工程と、
前記共振器の端面に酸化ニオブを含む反射膜を形成する工程とを備えた半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項９】
前記反射膜は、スパッタ法又は反応性スパッタ法により形成する請求項８に記載の半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１０】
半導体レーザ素子を含む発光部と、
前記発光部から出射されたレーザ光をデータが記録された記録媒体上に集光する集光光学部と、
前記記録媒体によって反射された光を検出する光検出部とを備え、
前記半導体レーザ素子は、ｎ型半導体層と、ｐ型半導体層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層に挟まれたIII−Ｖ族窒化物半導体からなる活性層と、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に配置され前記活性層を含む共振器と、前記共振器の端面に配置され酸化ニオブを含む反射膜とを有する光ディスク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月25日(2004.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各種計測装置を接続した分電盤と、各種計測装置の計測結果を表示できる表示部及び操作部を備えたインターホンと、前記インターホン及び分電盤間で信号を送受する伝送手段とを備え、前記インターホンの操作部は表示部の各種計測装置の計測結果である表示内容の切替もしくは各種計測装置の設定が可能なものであることを特徴とする住宅監視システム。
【請求項２】
インターホンの操作部が、各種計測装置の設定情報を伝送手段を介して入力可能なものである請求項１記載の住宅監視システム。
【請求項３】
インターホン及び分電盤は固有の装置識別番号を持ち、信号を送信する時に前記装置識別番号を同時に送信するものである請求項１または２記載の住宅監視システム。
【請求項４】
インターホンの操作部は各種計測装置に優先順位を設定可能であり、インターホンに内蔵された制御部は記憶手段に計測結果を記憶するとともに、優先順位に従って信号を処理することを特徴とする請求項１または２または３に記載の住宅監視システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するためになされた本発明の住宅監視システムは、各種計測装置を接続した分電盤と、各種計測装置の計測結果を表示できる表示部及び操作部を備えたインターホンと、前記インターホン及び分電盤間で信号を送受する伝送手段とを備え、前記インターホンの操作部が表示部の各種計測装置の計測結果である表示内容の切替もしくは各種計測装置の設定が可能なものであることを特徴とするものである。なお、インターホンの操作部が、各種計測装置の設定情報を伝送手段を介して入力可能なものであることが好ましく、インターホン及び分電盤は固有の装置識別番号を持ち、信号を送信する時に該固有の装置識別番号を同時に送信するものであることが好ましい。また、インターホンの操作部は各種計測装置に優先順位を設定可能であり、インターホンに内蔵された制御部は記憶手段に計測結果を記憶するとともに、優先順位に従って信号を処理するものであることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月24日(2004.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜に金属元素を導入し、
前記第１の半導体膜に第１の加熱処理を行なって第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜にレーザ光を照射して複数の凸部を有する第３の半導体膜を形成し、
前記第３の半導体膜に赤外光、可視光、または紫外光を照射して、前記第３の半導体膜の温度を７００〜７５０℃にする第２の加熱処理をし、第４の半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に金属元素を導入し、
前記非晶質半導体膜に第１の加熱処理を行なって第１の結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜にレーザ光を照射して複数の凸部を有する結晶質半導体膜を形成し、
前記凸部を有する結晶質半導体膜に赤外光、可視光、または紫外光を照射して、前記凸部を有する結晶質半導体膜の温度を７００〜７５０℃にする第２の加熱処理をし、第２の結晶質半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記赤外光、可視光、または紫外光は、前記基板の上方から、前記基板の下方からもしくは前記基板の上方および下方から照射されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記第２の加熱処理の加熱時間は、５分以内であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記赤外光、可視光、または紫外光は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記赤外光、可視光、または紫外光を照射するときの処理室内の雰囲気は、還元性ガスであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記レーザ光は、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＡｌＯ3レーザ、またはＹＬＦレーザから射出された光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、前記金属元素は、ニッケルであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月22日(2004.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された珪素を主体とする結晶性半導体膜を能動層として用いる薄膜半導体装置の製造において、
基板上に堆積された前記半導体膜に３７０ｎｍ以上７１０ｎｍ以下の波長を有するレーザ光を照射する工程を含み、
その際に前記半導体膜上の前記レーザ光の照射領域には検査光を照射し、
前記レーザ光の照射により生じる前記検査光の反射光の強度の変化を検出し、
前記反射光の強度の変化から所定の半導体膜の結晶化状態が得られたか確認し、
前記半導体膜に対して所定の結晶化状態が得られたら、レーザ光照射位置に対する半導体膜の位置を相対的に移動させる工程を具備していることを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記レーザ光はＮｄイオンドープあるいはＹｂイオンドープの結晶あるいはガラスを励起媒質としたＱスイッチ発振固体レーザの高調波であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記レーザ光はＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波であることを特徴とする請求項１または２記載の薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記レーザ光の波長が約５３２ｎｍであることを特徴とする請求項１または２記載の薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項５】
基板上に形成された珪素を主体とする結晶性半導体膜を能動層として用いる薄膜半導体装置の製造において、
基板上に堆積された前記半導体膜に３７０ｎｍ以上７１０ｎｍ以下の波長を有するレーザ光を照射する手段と、
前記レーザ光の照射位置に対する半導体膜の位置を相対的に移動させる駆動手段と、
前記半導体膜上の前記レーザ光の照射領域に検査光を照射する手段と、
前記レーザ光の照射により生じる前記検査光の反射光の強度の変化を検出する手段と、
前記反射光の強度の変化から所定の半導体膜の結晶化状態が得られたか確認する半導体膜結晶化状態確認手段と、
前記半導体膜結晶化状態確認手段によって前記半導体膜の所定の結晶化状態が得られたら、前記駆動手段によってレーザ光の照射位置に対する半導体膜の位置を相対的に移動させる制御手段を具備していることを特徴とする薄膜半導体装置の製造装置。
【請求項６】
前記レーザ光はＮｄイオンドープあるいはＹｂイオンドープの結晶あるいはガラスを励起媒質としたＱスイッチ発振固体レーザの高調波であることを特徴とする請求項５に記載の薄膜半導体装置の製造装置。
【請求項７】
前記レーザ光はＱスイッチＮｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波であることを特徴とする請求項５または６記載の薄膜半導体装置の製造装置。
【請求項８】
前記レーザ光の波長が約５３２ｎｍであることを特徴とする請求項５または６記載の薄膜半導体装置の製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本願発明の薄膜半導体装置の製造方法は、基板上に形成された珪素を主体とする結晶性半導体膜を能動層として用いる薄膜半導体装置の製造において、基板上に堆積された前記半導体膜に３７０ｎｍ以上７１０ｎｍ以下の波長を有するレーザ光を照射する工程を含み、その際に前記半導体膜上の前記パルスレーザ光の照射領域には検査光を照射し、前記レーザ光の照射により生じる前記検査光の反射光の強度の変化を検出し、前記反射光の強度の変化から所定の半導体膜の結晶化状態が得られたか確認し、前記半導体膜に対して所定の結晶化状態が得られたら、レーザ光照射位置に対する半導体膜の位置を相対的に移動させる工程を具備していることを特徴としているものである。この様に半導体膜の結晶化状態を確認し、確認が得られたらレーザ光照射位置に対する半導体膜の位置を相対的に移動させることにより、所望の半動体膜の結晶化状態が安定かつ効率的に得られ、半導体膜全体が均一に結晶化される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
この様なレーザ光として最も優れているのがＮｄ：ＹＡＧレーザの第２高調波（ＹＡＧ２ωと略称する。その波長は５３２ｎｍ）である。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本願発明の薄膜半導体装置の製造装置は、基板上に形成された珪素を主体とする結晶性半導体膜を能動層として用いる薄膜半導体装置の製造において、基板上に堆積された前記半導体膜に３７０ｎｍ以上７１０ｎｍ以下の波長を有するレーザ光を照射する手段と、前記レーザ光の照射位置に対する半導体膜の位置を相対的に移動させる駆動手段と、前記半導体膜上の前記レーザ光の照射領域に検査光を照射する手段と、前記レーザ光の照射により生じる前記検査光の反射光の強度の変化を検出する手段と、前記反射光の強度の変化から所定の半導体膜の結晶化状態が得られたか確認する半導体膜結晶化状態確認手段と、前記半導体膜結晶化状態確認手段によって前記半導体膜の所定の結晶化状態が得られたら、前記駆動手段によってレーザ光の照射位置に対する半導体膜の位置を相対的に移動させる制御手段を具備していることを特徴とするものである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この様な薄膜半導体装置の製造装置におけるレーザ光として最も優れているのがＹＡＧ２ωレーザである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月17日(2004.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線構造を形成する方法において、少なくとも１つのエッチストップ開口（２４）を規定する周囲部分（２２）を有する少なくとも１つのエッチストップ（１２）を含む第１のメタライゼーションパターン（１１）を誘電体層（１０）の上に塗布する工程と、接着剤（１４）を使用して、前記第１のメタライゼーションパターン及び前記誘電体層の上に保護カバーシート（２６）を装着する工程と、マスク（２８）の少なくとも１つの開口（３０）を前記少なくとも１つのエッチストップ開口と整列させる工程と、前記少なくとも１つのマスク開口を通して前記接着剤の第１の部分（３６）を除去する工程と、前記カバーシートを除去する工程と、前記接着剤の第２の部分（３８）を使用して、少なくとも１つの電気デバイス（１６）の活性領域（２０）が前記エッチストップ周囲部分と整列されるように少なくとも１つの電気デバイス（１６）を装着する工程と、前記接着剤の第２の部分を硬化させる工程とから成る方法。
【請求項２】
前記誘電体層を通って前記少なくとも１つの電気デバイスの少なくとも２つのデバイスパッド（１８）に至る少なくとも２つのビア（４０）を形成する工程と、前記少なくとも２つのデバイスパッドと接触するように前記少なくとも２つのビアの中へ延出する第２のメタライゼーションパターン（４２）を塗布する工程と、前記少なくとも１つの電気デバイスの前記活性領域の少なくとも一部の上にある前記誘電体層を除去する工程とを更に含む請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つのマスク開口を通して前記接着剤の第１の部分を除去する工程は、前記カバーシート及び前記接着剤の第１の部分を化学線（３４）にさらすことから成る請求項２記載の方法。
【請求項４】
誘電体層（１０）と、前記誘電体層の上にあり、少なくとも１つのエッチストップ開口（２４）を規定する周囲部分（２２）を有する少なくとも１つのエッチストップを含む第１のメタライゼーションパターン（１２）と、前記誘電体層の一部分の上にあり、前記少なくとも１つのエッチストップと整列する領域には存在しない硬化接着剤（３８）と、少なくとも１つの電気デバイス（１６）の活性領域（２０）が前記エッチストップ周囲部分と整列されるように前記接着剤により前記誘電体層に装着される前記少なくとも１つの電気デバイス（１６）とを具備する配線構造。
【請求項５】
活性領域（２２０）と、少なくとも２つのデバイスパッド（１８）とを含む少なくとも１つのエネルギー指向プローブ電気デバイス（１６）と、前記電気デバイスの活性領域と整列された開口を有する誘電体層（２１０）と、前記誘電体層と、前記電気デバイスの非活性領域とを結合する接着剤（３８）と、前記誘電体層を貫通して前記少なくとも２つのデバイスパッド（１８）に至る少なくとも２つのビア（４０）と、前記電気デバイスのデバイスパッドをプローブ機器に結合するために前記少なくとも２つのデバイスパッドと接触するように前記少なくとも２つのビアの中へ延出するメタライゼーションパターン（２４２）とを具備するプローブ。
【請求項６】
配線構造を製造する方法において、誘電体層（１１０）の上に接着剤（１１４）を塗布する工程と、少なくとも１つのマスク開口を通して前記接着剤の第１の部分（１５０）を硬化させる工程と、前記接着剤の第２の部分（１５２）を使用して、少なくとも１つの電気デバイス（１１６）の活性領域（１２０）が前記接着剤の第１の部分と整列されるように少なくとも１つの電気デバイス（１１６）を装着する工程と、前記接着剤の第２の部分を硬化させる工程とから成る方法。
【請求項７】
前記誘電体層と、前記接着剤の第２の部分とを通って前記少なくとも１つの電気デバイスの前記少なくとも２つのデバイスパッド（１１８）に至る少なくとも２つのビア（１４０）を形成する工程と、前記少なくとも２つのデバイスパッドと接触するように前記少なくとも２つのビアの中へ延出するメタライゼーションパターン（１４２）を塗布する工程と、前記電気デバイスの前記活性領域の少なくとも一部の上にある前記誘電体層及び前記接着剤の第１の部分を除去する工程とを更に含む請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つのマスク開口を通して前記接着剤の第１の部分を硬化させる工程は、前記接着剤の第１の部分を化学線（３４）にさらすことから成る請求項７記載の方法。
【請求項９】
誘電体層（１０）と、硬化接着剤の第１の部分（１５０）と、硬化接着剤の第２の部分（１５２）と、少なくとも１つの電気デバイス（１６）の活性領域（２０）が前記硬化接着剤の第１の部分により規定される少なくとも１つの所定の領域と整列するように前記硬化接着剤の第２の部分により前記誘電体層に装着される前記少なくとも１つの電気デバイス（１６）とを具備し、前記硬化接着剤の第１の部分は前記誘電体層には接着されているが、前記少なくとも１つの電気デバイスには接着されていない配線構造。
【請求項１０】
前記誘電体層の上にあり、前記硬化接着剤の第１の部分と整列された少なくとも１つのエッチストップ開口を規定する周囲部分を有する少なくとも１つのエッチストップ（１１２）を含むメタライゼーションパターンを更に含む請求項９記載の配線構造。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月4日(2004.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図４及び図５に示すように、主母線４２Ａに対してブッシング８４Ａ側に横置形遮断器４５Ａを含むブッシング引出回線４３Ａを配置し、他電力機器引出部側に縦置形遮断器４６Ａを含むケーブル引出回線４４Ａを配置している。ブッシング引出回線４５Ａと主母線４２Ａは母線４７Ａで接続されており、母線４７Ａとケーブル引出回線の母線４８Ａを主母線４２Ａに対して直交させ、直線上に配置している。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
このように、ブッシング引出回線４３Ａの遮断器４５Ａを横置形とし、ブッシング引出回線４３Ａの母線４７Ａは主母線４２Ａの側方に接続されているため、母線４７Ａ上部とブッシング頭部の距離が長くなり、ブッシングを主母線に近づけて配置可能であり、設置面積の縮小化が可能となる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、ブッシング引出回線４４Ａの遮断器４６Ａを縦置形とすることにより、遮断器４６Ａをブッシング側に配置でき、他電力機器引出部側にケーブル引出回線４４Ａを配置することができるため、ケーブル引出回線４４Ａとケーブル引出回線４４Ｃの間にスペースが出来る。このスペースは図６に示すように他回線の増設用として活用することが可能である。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
４２Ａ…主母線、
４３Ａ…ブッシング引出回線、
４５Ａ…横置形遮断器、
４４Ａ…ケーブル引出回線、
４４Ｃ…ケーブル引出回線、
４５Ａ…ブッシング引出回線、
４６Ａ…縦置形遮断器、
４７Ａ…母線、
４８Ａ…ケーブル引出回線の母線、
８３Ａ…主母線引出部、
８４Ａ…ブッシング、
８１Ａ、８２Ａ…ブッシング引出回線の母線。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カラーフィルタアレイ画像を再構成するための装置であって、
カラーフィルタアレイから出力されるサンプル値の画像を生成するための画像記録モジュールを備え、前記画像中の各画素が複数のカラーチャネルの内の一つのサンプル値が記録される位置を有し、
前記画像中の選択された画素の位置のサンプル値を線形変換して前記画像中の前記選択された画像の位置に前記画像記録モジュールによって記録されなかったカラーチャネルを推定する画像再構成モジュールを備え、該画像再構成モジュールは、前記画像記録モジュールにより前記画像中に記録されていない他のカラーチャネルの値を補間することなしに、前記画像中の画素のサンプル値のカラーチャネルを用いる線形変換の係数を演算する、カラーフィルタアレイ画像の再構成装置。
【請求項２】
前記画像再構成モジュールは、前記画像のウィンドウ内の少なくとも二つのサンプルの前記サンプル値に依存するが位置には依存しない統計量を演算することによって前記線形変換の係数を演算する、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記画像再構成モジュールは、前記画像のウィンドウを通るラインに沿って少なくとも一セットのカラーチャネルの合計に一つのラインを当てはめることによって前記線形変換の係数を計算する、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記画像再構成モジュールは、前記カラーチャネルの合計の信頼性測度及び分散測度の一つ以上を決定する、請求項３の装置。
【請求項５】
前記画像再構成モジュールは、カラーチャネルの合計内で低い変動を有するウインドウのロー又はコラムを選択し、前記ウインドウの前記選択したロー又はコラムのどちらの合計がラインに当てはまるかを、信頼性測度により決定する、請求項４の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月29日(2004.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）  無線データネットワークに接続するステップと、
（Ｂ）  前記無線データネットワークとの非対称トラフィッククラスネゴシエーションを実行するステップと
を有することを特徴とする移動局で用いられる方法。
【請求項２】
前記（Ｂ）ステップは、
（Ｂ１）  要求している非対称トラフィッククラスを表すトラフィッククラスインディケータを含むクオリティオブサービス情報要素を前記無線データネットワークに送信するステップ
を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記（Ｂ）ステップは、
（Ｂ２）  少なくとも２つのトラフィッククラスフィールドを含むクオリティオブサービス情報要素を前記無線データネットワークに送信するステップであって、前記少なくとも２つのトラフィッククラスフィールドのうち、１つは移動局に関連するアップリンク方向用であり、１つは移動局に関連するダウンリンク方向用である
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記クオリティオブサービス情報要素は、
１つはアップリンク用であり、１つはダウンリンク用である、少なくとも２つの残留ビットエラーレートフィールドと、
１つはアップリンク用であり、１つはダウンリンク用である、少なくとも２つのサービスデータユニットエラー比率フィールドと、
１つはアップリンク用であり、１つはダウンリンク用である、少なくとも２つの転送遅延フィールドと
を含むことを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
（Ｃ）  第１のネゴシエートされたトラフィッククラスに従ってデータを受信するステップと、
（Ｄ）  第２のネゴシエートされたトラフィッククラスに従ってデータを送信するステップと
をさらに有し、
前記第１のネゴシエートされたトラフィッククラスと第２のネゴシエートされたトラフィッククラスとは異なる
ことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
無線ネットワークの第１パケットサーバで使用される方法において、
（Ａ）  少なくとも１つのサービスを移動局に提供するために、第２パケットサーバとメッセージを交換するステップ
を有し、
前記（Ａ）ステップは、
（Ａ１）  前記移動局に関連するアップリンク方向用とダウンリンク方向用に非対称トラフィッククラスを要求するフィールドを含む、クオリティオブサービス情報要素を含むメッセージを第２パケットサーバに送信するステップ
を含むことを特徴とする方法。
【請求項７】
前記クオリティオブサービス情報要素は、
１つはアップリンク用であり、１つはダウンリンク用である、少なくとも２つの残留ビットエラーレートフィールドと、
１つはアップリンク用であり、１つはダウンリンク用である、少なくとも２つのサービスデータユニットエラー比率フィールドと、
１つはアップリンク用であり、１つはダウンリンク用である、少なくとも２つの転送遅延フィールドと
を含むことを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
（Ａ）  少なくとも１つのサービスを移動局に提供するために、第２パケットサーバとメッセージを交換するトランシーバと、
（Ｂ）  移動局に関連するアップリンク方向用とダウンリンク方向用に非対称トラフィッククラスを要求するフィールドを含むクオリティオブサービス情報要素を含む、メッセージを、前記第２パケットサーバに送信するプロセッサと
を含むことを特徴とする無線ネットワークの第１パケットサーバで使用される方法。
【請求項９】
前記クオリティオブサービス情報要素は、
１つはアップリンク用であり、１つはダウンリンク用である、少なくとも２つの残留ビットエラーレートフィールドと、
１つはアップリンク用であり、１つはダウンリンク用である、少なくとも２つのサービスデータユニットエラー比率フィールドと、
１つはアップリンク用であり、１つはダウンリンク用である、少なくとも２つの転送遅延フィールドと
を含むことを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
無線伝送信号中のデータを表す伝送フレームにおいて、
（Ａ）  移動局に関連するアップリンク方向用とダウンリンク方向用に非対称トラフィッククラスを要求するフィールドと、
（Ｂ）  ダウンリンクトラフィッククラスフィールドと、
（Ｃ）  アップリンクトラフィッククラスフィールドと
を有することを特徴とする伝送フレーム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月4日(2004.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）  ワイヤレスデータネットワークに接続するステップと、
（Ｂ）  前記ワイヤレスデータネットワークとの可変のクオリティオブサービスのネゴシエーションを実行するステップとを有することを特徴とする、移動局で使用される方法。
【請求項２】
前記（Ｂ）ステップは、
（Ｂ１）  優先順位に従って複数のトラフィッククラスを要求することを表す格下げ可能なクオリティオブサービスのクラスフィールドを含む、クオリティオブサービス情報要素を、前記ワイヤレスデータネットワークに送信するステップ
を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記（Ｂ）ステップは、
（Ｂ２）  現在のトラフィッククラスよりも高いトラフィッククラスを要求することを表す格上げ可能なクオリティオブサービスのクラスフィールドを含む、クオリティオブサービス情報要素を、前記ワイヤレスデータネットワークに送信するステップ
を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記（Ｂ）ステップは、
（Ｂ３）  優先順位に従って複数のトラフィッククラスまたは単一のトラフィッククラスのいずれかに対するリクエストを搬送する少なくとも１つのトラフィッククラスフィールドを含む、クオリティオブサービス情報要素を、前記ワイヤレスデータネットワークに送信するステップ
を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記（Ｂ）ステップは、
（Ｂ４）  格下げ可能なＱｏＳ要件をサポートする活性化データパケットプロトコール（ＰＤＰ）コンテキスト手順を用いるステップ
を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
ワイヤレスネットワークの第１パケットサーバで用いられる方法において、
（Ａ）  少なくとも１つのサービスを移動局に提供するために第２パケットサーバとメッセージを交換するステップを含み、
前記（Ａ）ステップは、
（Ａ１）  前記メッセージ内の複数のトラフィッククラスの要求を表すクオリティオブサービスクラスフィールドを含むクオリティオブサービス情報要素を含む、メッセージを、前記第２パケットサーバに送信するステップを含む
ことを特徴とする方法。
【請求項７】
前記クオリティオブサービスクラスフィールドは、格下げ可能なクオリティオブサービスクラスフィールドを要求することを表し、前記複数のトラフィッククラスは、優先順位に従って要求されることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記クオリティオブサービスクラスフィールドは、格上げ可能なクオリティオブサービスクラスフィールドを要求することを表すことを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項９】
前記（Ａ）ステップは、
（Ａ２）  可変のＱｏＳ要件をサポートする活性化データパケットプロトコル（ＰＤＰ）コンテキスト手順を用いるステップを含むことを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項１０】
（Ａ）  少なくとも１つのサービスを移動局に提供するために第２パケットサーバとメッセージを交換するトランシーバと、
（Ｂ）  単一のトラフィッククラスまたは複数のトラフィッククラスのいずれかに対するリクエストを搬送する少なくとも１つのトラフィッククラスフィールドを含むクオリティオブサービス情報要素を含む、メッセージを、前記第２パケットサーバに送信するプロセッサとを有することを特徴とするパケットサーバ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の一実施例によれば、ＵＭＴＳコアネットワークが下級（格下げ可能な、ｄｏｗｎｇｒａｄｅａｂｌｅ）ＱｏＳのネゴシエーションをサポートする。特に、新たなＱｏＳ  ＩＥが、複数のトラフィッククラスが優先順位に従って指定されるようにして、下級ＱｏＳ要件を指定する。この特徴により、ＱｏＳネゴシエーションを再トライするためにＭＳに必要なことは、ネットワークにより否定された元のＱｏＳリクエストである。本発明の他の実施例によれば、ＵＭＴＳコアネットワークは、上級の（格上げ可能な、ｕｐｇｒａｄｅａｂｌｅ）ＱｏＳネゴシエーションをサポートする。特に新たなＱｏＳ  ＩＥが複数のトラフィッククラスが優先順位に従って特定されるようにして上級のＱｏＳ要件をサポートするよう規定される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月26日(2004.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像ファイル記憶方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画像ファイルを記憶装置に記憶するための画像ファイル記憶方法であって、
前記複数の画像ファイルを集合的に表す少なくとも１つの識別マーカを形成する段階であって、複数のデータ・キーを形成する段階を含み、各データ・キーが前記画像ファイルの１つを示す段階と、
プルーフ・シートを印刷する段階とを含み、
前記プルーフ・シートが、
それぞれが、前記複数の画像ファイルの対応する１つを識別する複数の画像表現と、
前記複数の画像表現と関連付けられ、記憶のために前記複数の画像ファイルのうちのいくつかを選択するためにユーザがマークすることができる少なくとも１つのユーザ指定領域と、
前記少なくとも１つの識別マーカにおいて、それぞれが前記データ・キーの１つを示す複数のデータ・キー表現と、
前記少なくとも１つの識別マーカと、
を備える画像ファイル記憶方法。
【請求項２】
記憶される前記画像ファイルのそれぞれを指定するマークされたプルーフ・シートを形成するために、前記少なくとも１つのユーザ指定領域にマークする段階と、
マーキングを検出するために前記マークされたプルーフ・シートを走査する段階と、
前記マーキングに対応する前記画像ファイルの前記それぞれの画像ファイルを記憶する段階と、を備える請求項1に記載の画像ファイル記憶方法。
【請求項３】
さらに、
画像ソース装置から前記画像ファイルを得る段階と、
前記マークする段階に先立ち、前記記憶された画像ファイルを将来取り出す際に使用するコピーを作成するために、前記プルーフ・シートをコピーする段階と、
を備える請求項２に記載の画像ファイル記憶方法。
【請求項４】
前記記憶する段階が、さらに、
ハード・ディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ書込み可能ディスク及びファイル・サーバからなる群より選ばれた記憶装置／媒体に前記画像ファイルを記憶する段階を含む、
請求項２に記載の画像ファイル記憶方法。
【請求項５】
さらに、前記記憶装置にデータ・キーを記憶する段階を備える請求項２に記載の画像ファイル記憶方法。
【請求項６】
前記記憶されたデータ・キーのそれぞれを前記記憶装置に記憶された対応する前記画像ファイルの１つづつに関連づける段階をさらに備える請求項５に記載の画像ファイル記憶方法。
【請求項７】
前記画像ファイルを記憶する前記段階が、さらに
前記データ・キーのそれぞれを対応するそれぞれの前記画像ファイルのそれぞれに埋め込む段階を備える請求項５に記載の画像ファイル記憶方法。
【請求項８】
前記データ・キーを記憶する段階が、さらに
前記データ・キーのそれぞれを対応する前記画像ファイルの１つづつとは別に記憶する段階を備える請求項５に記載の画像ファイル記憶方法。
【請求項９】
プルーフ・シートを印刷する前記段階が、さらに
各データ・キーを前記複数のデータ・キー表現の１つに変換することで前記複数のデータ・キー表現を形成する段階を備える請求項５に記載の画像ファイル記憶方法。
【請求項１０】
プルーフ・シートを印刷する前記段階が、さらに
前記少なくとも１つの識別マーカに前記印刷装置を識別するのに充分な識別情報を印刷する段階を備える請求項９に記載の画像ファイル記憶方法。