(57)【要約】【課題】信頼性の高い磁気ヘッドを効率良く製造できるようにする。【解決手段】磁気ヘッドの主磁極を形成する際には、基板１上にめっき下地層３１を形成する。めっき下地層３１上に磁性膜３２と、マスク層３３〜３５からなるハードマスクと、フォトレジスト膜３７を積層し、これらを用いて磁性膜３２をエッチングする。この後、フォトレジスト膜４１を形成し、開口部４２を設けた後にリフロー処理によりテーパーをつける。テーパー形状を有する開口部を用いて犠牲層４５をめっき法により析出させ、フォトレジスト膜４１を除去した後、イオンビームを斜めに照射して犠牲層４５と磁性膜３２とを加工する。【選択図】図３Ｇ
2010086572.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上方に磁性膜を形成する工程と、
前記磁性膜上にマスク層を積層する工程と、
前記マスク層を使って前記磁性膜をエッチングする工程と、
前記磁性膜の側部を覆う犠牲層を形成する工程と、
基板面の法線に交差する方向からイオンビームを照射し、前記犠牲層及び前記磁性膜を加工する工程と、
を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記犠牲層を前記磁性膜と略同じミリングレートを有する材料から形成することを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記犠牲層は、前記基板側の幅が狭くなる逆テーパー形を有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記基板と前記磁性膜の間にめっき下地層を設け、前記マスク層を使って前記磁性膜をエッチングした後にレジスト膜を塗布し、前記レジスト膜に前記磁性層を露出させるように上側が広く開いた開口部を形成し、前記開口部にめっき法によって犠牲層を析出させることを特徴とする請求項３に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記めっき下地層は、非磁性導電膜であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気的なデータの読み書きを行う磁気記録装置の磁気ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータ、オーディオ等において使用される種々の記録装置のうち磁気記録装置は、歴史的に古くから用いれ、一般に広く普及している。磁気記録装置の１つとしては、円盤状の磁気記録媒体とその上を浮上する磁気ヘッドとを有する磁気ディスク装置がある。
【０００３】
現在まで市場に供給されている磁気ディスク装置の記録方式の大部分は、記録層に記録される磁化の方向が面方向に向いた面内磁気記録方式と呼ばれるものである。この面内磁気記録方式において高記録密度を得るためには、磁気記録媒体の記録層を薄くすると共に、記録層を構成する磁性結晶粒を微細化することが必要となる。
【０００４】
しかしながら、磁気記録媒体の記録層を薄くすると磁気ディスクに熱が加わったときに情報が消失する現象、即ち熱揺らぎ現象が起きてしまい、高記録密度化を阻む一つの要因となっている。
これに対して、記録層における磁化の方向を記録層の面に垂直方向に向ける垂直磁気記録方式があり、近年実用化されてきている。
【０００５】
垂直磁気記録方式は、面内磁気記録方式と比較して、記録層の表面における一つ一つの磁区の面積を小さくできる。このため、より大きな記録密度を達成することが可能となる。さらに、記録層の膜面に対して垂直方向に記録磁化が向いているので、記録層を薄膜化した場合に発生する熱揺らぎ現象の発生が防止され、記録層を厚くすることによる不都合がなくなる。
【０００６】
垂直磁気記録方式では、高密度記録化及びサイドイレーズ効果抑制のため、主磁極の先端部を逆台形状で形成する。従来のイオンミリング法を使用する主磁極の形成方法では、予め磁性膜上に非磁性材料を積層させて比較的エッチングレートの遅いマスクを形成し、このマスクを用いて磁性膜を垂直にエッチングし、主磁極の基本的なパターンを形成していた。この際、磁性膜をエッチングしたときに生じる磁性材料を含むエッチング生成物が磁性膜の側壁に付着しないように、イオン照射角度を３５°〜４５°に設定していた。次いで、イオンビームの角度を変えて磁性膜の側部に所定のテーパーを設けて逆台形形状になるように加工する。このときのイオンビームの入射角度は基板面の法線方向に対して４０°〜７０°程度に設定していた。（例えば、特許文献１、２、３参照）
【特許文献１】特開２００５−４２１４３号公報
【特許文献２】特開２００６−１１４０７６号公報
【特許文献３】特開２００７−１８４０３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、従来の製造方法では、磁性膜の幅方向のエッチング量が大きくなり、加工前後の寸法変化（シフト量）が大きかった。イオンミリング時の磁性膜の寸法変化が大きくなると、最終パターンの幅方向の寸法誤差が生じ易くなったり、主磁極を１つの基板に多数形成する場合に基板面内における各主磁極の形状のばらつきが生じ易くなったりする。
本発明は、このような事情を鑑みてなされたものであり、信頼性の高い磁気ヘッドを効率良く製造できるようにすることを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願の一観点によれば、基板の上方に磁性膜を形成する工程と、前記磁性膜上にマスク層を積層する工程と、前記マスク層を使って前記磁性膜をエッチングする工程と、前記磁性膜の側部を覆う犠牲層を形成する工程と、基板面の法線に交差する方向からイオンビームを照射し、前記犠牲層及び前記磁性膜を加工する工程と、を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法とした。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、磁性膜をパターニングした後に犠牲層と磁性膜をイオンビームで加工することにより、磁性膜の加工量を少なく抑えながら、磁性膜を所望のテーパー形状に容易に形成できるようになる。従って、イオンビームによる整形を犠牲層を用いて容易に行えると共に、磁性膜のシフト量を抑制できるので、加工時のばらつきが防止され、信頼性の高い磁気ヘッドを製造できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドを示す断面図である。磁気ヘッドは、例えば、垂直磁気記録方式に適用される構造を有し、アルチック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）のような非磁性材からなる基板１と、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などの絶縁層２を介して基板１上に形成された磁気再生ヘッド１０と、アルミナなどの絶縁分離層３を介して磁気再生ヘッド１０上に形成された磁気記録ヘッド２０とを有している。
【００１１】
非磁性の基板１は、磁気ヘッドの形成後に切断、研磨等によってスライダ形状に加工される。スライダ加工後には、磁気再生ヘッド１０と磁気記録ヘッド２０から構成される磁気ヘッドは磁気記録媒体５の記録面に対向して配置される。
【００１２】
基板１上において、磁気再生ヘッド１０は磁気記録媒体５に対してリーディング側となるように配置され、磁気記録ヘッド２０はトレーリング側に配置される。
磁気再生ヘッド１０は、絶縁層２の上に順に形成された下部磁気シールド層１１、絶縁ギャップ層１２及び上部磁気シールド層１４から構成され、絶縁ギャップ層１２の中には再生用素子１３が形成されている。
【００１３】
下部磁気シールド層１１と上部磁気シールド層１４は磁性材、例えばＦｅＮｉ（例えば、Ｆｅ：２０質量％、Ｎｉ：８０質量％）合金層から構成されている。また、絶縁ギャップ層１２はアルミナのような絶縁材から構成されている。再生用素子１３は、絶縁ギャップ層１２内に形成される一対の電極（不図示）に接続されるが、その素子構造によっては下部及び上部磁気シールド層１１、１４が一対の電極として兼用されることもある。
【００１４】
再生用素子１３として、例えば磁気抵抗（MagnetoResistance:ＭＲ）効果素子、巨大磁気抵抗（Giant Magneto Resistance: ＧＭＲ）効果素子又はトンネル磁気抵抗（Tunneling Magneto Resistance:ＴＭＲ）効果素子が形成される。
再生用素子１３は、磁気記録媒体５に対する磁気ヘッドの浮上面（ＡＢＳ面：Air Bearing Surface）、即ち媒体対向面となる領域に形成される。
【００１５】
磁気記録ヘッド２０は、絶縁分離層３上に主磁極２１が形成されており、主磁極２１上には非磁性ギャップ層２３が設けられている。さらに、主磁極２１及び非磁性ギャップ層２３の周囲には、平坦化絶縁層２２が形成されており、非磁性ギャップ層２３及び平坦化絶縁層２２上には下地絶縁層２４ａが設けられている。
【００１６】
下地絶縁層２４ａ上には励磁コイル２５が形成されており、励磁コイル２５は被覆絶縁層２４ｂに覆われている。そして、被覆絶縁層２４ｂのトレーリング側の上には、磁性膜からなるリターンヨーク２６が設けられている。また、リターンヨーク２６の媒体対向面側の先端部には、トレーディング側磁気シールド層２７が接続されている。トレーディング側磁気シールド層２７が非磁性ギャップ層２３上に形成された主磁極２１に近接して設けられている。さらに、磁気記録ヘッド２０には、主磁極２１のクロストラック側に近接して配置されるサイド磁気シールド（不図示）等も設けられている。
【００１７】
なお、磁気記録ヘッド２０においては、主磁極２１のトレーリング側だけでなく、リーディング側にも励磁コイルとリターンヨークが配置される構造もある。
主磁極２１は、図２の斜視図に示すように、四角形のヨーク部２１ａと、ヨーク部２１ａからＡＢＳ面（媒体対向面）側に突出するテーパー状の絞り（フレア）部２１ｂと、絞り部２１ｂのうちＡＢＳ面側の先端から突出するストライプ状の先端部２１ｃとから構成されている。
【００１８】
主磁極２１のヨーク部２１ａは、励磁コイル２５のほぼ中央の隙間を通して形成されるコンタクトホール２８を通してリターンヨーク２６に磁気的に接続されている。先端部２１ｃの上面は、例えば、幅５０ｎｍ〜１２０ｎｍ、長さ２００ｎｍ〜２５０ｎｍの平面形状を有している。
【００１９】
次に、主磁極２１の形成工程を図３Ａ〜図３Ｉに基づいて説明する。なお、図３Ａ〜図３Ｉは、図２のＩ−Ｉ線から見た形成工程の断面図を示す。
まず、図３Ａに示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
最初に基板１上に非磁性のめっき下地層３１をスパッタ法にて形成する。なお、基板１とめっき下地層３１の間には、図１に示すように、通常、絶縁層２、磁気再生ヘッド１０、絶縁分離層３等が形成されているが、ここでは、これらの形成工程についての説明を省略する。めっき下地層３１には、ＴａやＲｕ等が用いられる。なお、Ｔａを用いると、次に成膜する磁性材料層の結晶性が良好になる。
【００２０】
めっき下地層３１の上には、主磁極２１となる磁性膜３２を形成する。磁性膜３２は、例えば、ＦｅＣｏから構成され、スパッタ法にて所定の厚さ、例えば、２００ｎｍ〜２５０ｎｍに形成する。さらに、磁性膜３２上に、Ａｌ２Ｏ３等の非磁性材料からなる第１のマスク層３３をスパッタ法にて例えば、厚さ７００ｎｍ〜８００ｎｍに形成する。第１のマスク層３３には、磁性膜３２よりエッチングレートを小さくできる材料を用いることが好ましい。
【００２１】
ここで、磁性膜３２としては、例えば、鉄（Ｆｅ）を７０質量％、コバルト（Ｃｏ）を３０質量％含むＦｅＣｏ層を形成する。磁性膜３２として高飽和磁束密度層と反強磁性体層を交互にスパッタ法により複数層形成する多層構造を採用しても良い。多層構造における高飽和磁束密度層として例えばＦｅＣｏ、鉄・コバルト・ニッケル（ＦｅＣｏＮｉ）等を採用し、また、反強磁性体層としてクロム（Ｃｒ）を採用する。さらに、反強磁性体層の代わりにアルミナ、ルテニウム等の非磁性層を形成しても良い。なお、磁性膜３２は、めっき法で形成するよりもスパッタ法などのＰＶＤ法で形成した方が磁性特性が良好になる。
【００２２】
さらに、第１のマスク層３３の上に、ＮｉＦｅ等からなる第２のマスク層３４を形成する。第２のマスク層３４は、第１のマスク層３３よりエッチングレートを小さくできる材料が用いられ、第１のマスク層３３のエッチングに十分な膜厚、例えば、１００ｎｍ〜１５０ｎｍに形成する。
【００２３】
次に、第２のマスク層３４の上に、Ｔａ等からなる第３のマスク層３５を形成する。第３のマスク層３５は、第２のマスク層３４よりエッチングレートを小さくできる材料が用いられ、第２のマスク層３４のエッチングに十分な膜厚、例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍに形成する。
【００２４】
さらに、第３のマスク層３５の上にフォトレジスト膜３７をスピンコート法等で塗布する。フォトレジスト膜は、第３のマスク層３５のエッチングに十分な膜厚に形成する。なお、フォトレジスト膜３７は、リソグラフィ技術により主磁極２１の平面形状に合わせてパターニングされる。
【００２５】
このようにして、第１のマスク層３３、第２のマスク層３４、第３のマスク層３５の積層構造を有するハードマスクと、フォトレジスト膜３７とを形成した後、図示を省略するＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置のチャンバ内に基板１を搬入し、エッチングを行う。
【００２６】
まず、図３Ｂに示すように、チャンバ内にＣＦ４ガスを供給しながら電極に高周波を印加し、フォトレジスト膜３７をマスクにして第３のマスク層３５をエッチングする。ここでのエッチングでは、フォトレジスト膜３７で覆われてない部分の第３のマスク層３５をエッチングし、下地の第２のマスク層３４を露出させる。この結果、第３のマスク層３５は、主磁極２１の形状に略相当するパターンとして残される。
【００２７】
次に、チャンバ内に供給するガスをＣＨ３ＯＨガスに切り替え、第３のマスク層３５をマスクにして第２のマスク層３４をエッチングする。図３Ｃに示すように、ここでのエッチングでは、第３のマスク層３５で覆われてない部分の第２のマスク層３４をエッチングし、下地の第１のマスク層３３を露出させる。この結果、第２のマスク層３４は、主磁極２１の形状に略相当するパターンとして残される。
【００２８】
さらに、チャンバ内に供給するガスをＢＣｌ３ガスに切り替え、第２のマスク層３４をマスクにして第１のマスク層３３をエッチングする。図３Ｄに示すように、第２のマスク層３４で覆われてない部分の第１のマスク層３３をエッチングして下地となる磁性膜を露出させる。この結果、少なくとも第１のマスク層３３は、主磁極２１の形状に略相当するパターンとして残される。なお、第１、第２及び第３のマスク層３３〜３５を異なるチャンバによりエッチングしても良い。
【００２９】
ＲＩＥ装置から基板１を取り出した後、基板１をイオンミリング装置に搬入する。そして、図３Ｅに矢印で示すように、イオンビームを基板面の法線に略平行に、即ち直入射させ、第１のマスク層３３をマスクにして磁性膜３２をエッチングする。第１のマスク層３３で覆われてない部分の磁性膜３２がエッチングされてめっき下地層３１が露出したらエッチングを終了する。この結果、磁性膜３２は、主磁極２１の形状に略相当するパターンとして残される。なお、磁性膜３２のパターンの側面にエッチング生成物が付着することを防止するために、基板面の法線方向に対して交差する方向からイオンビームを照射しても良い。
【００３０】
次に、図３Ｆに示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
基板１をイオンミリング装置から一旦取り出し、その表面の全面にフォトレジスト膜４１をスピンコート法により形成する。フォトレジスト膜４１は、リソグラフィ技術によって所定の形状、この場合は主磁極２１のパターンの周囲に、所定の大きさのスペースを加えた開口部４２を形成する。即ち、フォトレジスト膜４１の開口部４２からは、磁性膜３２及び第１のマスク層３３並びに磁性膜３２の周囲のめっき下地層３１が露出する。なお、フォトレジスト膜４１の開口部４２は、少なくとも図２に示すような主磁極２１の先端部２１Ｃとその周囲を露出させる形状にする。
【００３１】
フォトレジスト膜４１をパターニングしたら、図示を省略するリフロー炉に基板１を搬入し、フォトレジスト膜４１を加熱処理する。これにより、フォトレジスト膜４１が熱収縮して開口部４２の側壁が基板面の法線に対して所定のテーパー角度αを持って傾斜する。テーパー角度αは、主磁極２１のテーパー角度に対応させて１０°〜１５°にすることが好ましい。開口部４２の側壁のテーパー角度αは、リフロー温度で制御できる。例えば、１５４℃で３００秒加熱すると、基板面の法線に対して１０°傾斜させることができる。
【００３２】
この後、図３Ｇに示すように、電解めっきによってフォトレジスト膜４１から露出するめっき下地層３１上に犠牲層４５を析出させる。犠牲層４５には、例えば、ＮｉＦｅやＦｅＣｏ、Ｃｒ等、イオンミリング時のミリングレートが磁極膜３２と同程度の材料を使用する。
【００３３】
次に、図３Ｈに示すように、フォトレジスト膜３７を除去すると、磁極膜３２の先端部２１Ｃでは、その両側部３２Ａのそれぞれに逆テーパーを持つ犠牲層４５が残る。つまり、磁性膜３２を挟んで犠牲層４５が左右に１つずつ配列され、全体として逆台形になる。各犠牲層４５の配列方向（幅方向）の端部に相当する側壁４５Ａは、フォトレジスト膜４１のテーパー角度αに一致して傾斜している。各犠牲層４５の上面の幅方向の長さは、例えば２０ｎｍ〜５０ｎｍであることが望ましい。犠牲層４５の幅方向の長さがこれより大きいと、この後に実施する磁性膜３２のイオンミリングに時間がかかりすぎる。犠牲層４５の幅方向の長さがこれより短いと、磁性膜３２のエッチング量（シフト量）が大きくなってしまう。なお、本実施例では、理解を容易にするために、犠牲層４５の幅を、実際の値よりも厚く記載している。前述したように、磁極膜３２は、スパッタ法により、例えば、２００ｎｍ〜２５０ｎｍの厚さに形成されているため、図３Ｈの犠牲層４５の厚さ（高さ）も、同様に、２００ｎｍ〜２５０ｎｍ程度である。それに対して、図３Ｈの犠牲層４５の幅は、例えば、２０ｎｍ〜５０ｎｍであり、正確に描写すると、犠牲層４５の幅は、図３Ｈに図示されたものよりも実際には薄くなる。
【００３４】
次に、図３Ｉに示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
エッチング装置に基板１を搬入し、イオンビームを犠牲層４５及び磁性膜３２に照射する。イオンビームの照射角度βは、基板面の法線に対する角度、即ち直入射角度で６０°から８０°、より好ましくは約７０°とする。このとき、磁性膜３２の側部３２Ａは、犠牲層４５で覆われているので、初期段階では磁性膜３２は加工されずに、犠牲層４５のみが徐々に加工される。なお、イオンビームが照射されない第１のマスク層３３は加工されない。
【００３５】
イオンビームが傾斜して入射され、且つイオンビームに曝される犠牲層４５の側壁４５Ａが逆テーパー形状を有することから、犠牲層４５の基板１側が先に除去される。そして、犠牲層４５が除去されたところから、磁性膜３２が徐々にイオンビームで加工され始める。言い換えると、基板１側の磁性膜３２の加工が開始された時点では、第１のマスク層３３側には犠牲層４５がまだ残留しており、この領域の磁性膜３２は加工されていない。
【００３６】
ここで、イオンビームを約６０°〜８０°に傾斜して入射したときに、側壁４５Ａの基板側が、基板１側の反対側（第１のマスク層３３側）が若干多めに削れられる。これは、側壁４５Ａの基板１側のイオンビームが、基板１から反射するなどの要因により、基板１側のイオンビームの濃度が高くなるからであると考えられる。
【００３７】
その結果、磁性膜３２は第１のマスク層３３側に比べて基板１側がより加工され、基板１側の部分の幅がより小さくなる。これにより、図３Ｉに示すように磁性膜３２は主磁極２１となる。即ち、先端部２１Ｃの断面が逆テーパー形状の主磁極２１が形成される。主磁極２１の側面２１Ｄの角度γは、基板面の法線に対して１０°〜１５°程度になる。なお、主磁極２１の先端部２１Ｃの断面形状は逆台形に限定されず、例えば逆三角形でも良い。
【００３８】
次に、図３Ｊに示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
まず、めっき下地層３１及び主磁極２１及び第１のマスク層３３を覆うように非磁性材料からなる平坦化絶縁層２２をスパッタ法等により堆積させる。平坦化絶縁層２２を堆積させた後は、再びＣＭＰ法により研磨して表面を平坦化させる。
【００３９】
その後、主磁極２１及び平坦化絶縁層２２の上に、アルミナからなる非磁性ギャップ層２３をスパッタ法により形成する。
次に、平坦化絶縁層２２及び非磁性ギャップ層２３の上に、図１に示す下地絶縁膜２４ａ、励磁コイル２５、被服絶縁層２４ｂ、リターンヨーク２６等を形成し、これにより磁気ヘッド用ウェハを完成させる。
【００４０】
以上、説明したように、本実施の形態に係る製造方法では、磁性膜３２の加工しようとする面を覆うように、逆テーパーを有する犠牲層４５を設け、最初に犠牲層４５をイオンミリングによりエッチングするようにしたので、磁性膜３２を最小限の加工により所望の形状にできる。特に、イオンビームを照射する対象物を予め逆テーパー形にすることで、加工がより容易になる。このため、面内分布の差が大きくなることや、基板１間のばらつきを防止できる。
例えば、従来の方法では、主磁極２１の幅を１００ｎｍにするときには、イオンミリング前の磁性膜及び第１のマスク層の幅を１８０ｎｍ程度にしなければならなかった。これに対し、本実施の形態に係る製造方法では、イオンミリング前の磁性膜３２及び第１のマスク層３３の幅は、主磁極２１として必要な幅と同程度にできる。
【００４１】
また、本実施形態に係る製造方法では、１回目のイオンミリングにより生じたパターニングの形状不良を犠牲層４５により修正することができるので、２回目のイオンミリング後のパターニング精度を高めることができる。
【００４２】
なお、磁性膜３２をエッチングするためのハードマスクの構成は、実施の形態に限定されない。
犠牲層４５は、めっき法で析出させる代わりに、スパッタで形成することもできる。この場合、めっき下地層は不要になる。また、犠牲層４５は、逆テーパー形状を有さずに、基板面に対して略垂直な側壁を有しても良い。犠牲層４５のミリングレートは磁性膜３２のミリングレートと異なっても良い。
【００４３】
（付記１）  基板の上方に磁性膜を形成する工程と、前記磁性膜上にマスク層を積層する工程と、前記マスク層を使って前記磁性膜をエッチングする工程と、前記磁性膜の側部を覆う犠牲層を形成する工程と、基板面の法線に交差する方向からイオンビームを照射し、前記犠牲層及び前記磁性膜を加工する工程と、を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
（付記２）  前記犠牲層を前記磁性膜と略同じミリングレートを有する材料から形成することを特徴とする付記１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記３）  前記犠牲層は、前記基板側の幅が狭くなる逆テーパー形を有することを特徴とする付記１又は付記２に記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記４）  前記基板と前記磁性膜の間にめっき下地層を設け、前記マスク層を使って前記磁性膜をエッチングした後にレジスト膜を塗布し、前記レジスト膜に前記磁性層を露出させるように上側が広く開いた開口部を形成し、前記開口部にめっき法によって犠牲層を析出させることを特徴とする付記３に記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記５）  前記レジスト膜に前記開口部を形成した後、前記レジスト膜を加熱して前記開口部の側壁を傾斜させ、前記基板側の前記開口部の幅が狭くなる逆テーパー形にすることを特徴とする付記４に記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記６）  前記レジスト膜の前記開口部の側壁の傾斜角度を基板面の法線に対して１０°〜１５°にすることを特徴とする付記５に記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記７）  前記めっき下地層は、非磁性導電膜であることを特徴とする付記１乃至付記６のいずれか一項に記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記８）  前記犠牲層は、ＮｉＦｅ、ＦｅＣｏ、Ｃｒのいずれかの材料から形成されることを特徴とする付記１乃至付記７のいずれか一項に記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記９）  前記めっき下地層は、Ｔａ又はＲｕから形成されることを特徴とする付記４に記載の磁気ヘッドの製造方法。
（付記１０）  前記磁性膜を加工するときのイオンビームの照射角度が６０°〜８０°であることを特徴とする付記１乃至付記９のいずれか一項に記載の磁気ヘッドの製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドを示す断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドにおける磁気記録ヘッドに適用される主磁極を示す斜視図である。
【図３Ａ】図３Ａは、図２のＩ−Ｉに沿った断面構造を得るための製造工程を示す断面図（その１）である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図２のＩ−Ｉに沿った断面構造を得るための製造工程を示す断面図（その２）である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、図２のＩ−Ｉに沿った断面構造を得るための製造工程を示す断面図（その３）である。
【図３Ｄ】図３Ｄは、図２のＩ−Ｉに沿った断面構造を得るための製造工程を示す断面図（その４）である。
【図３Ｅ】図３Ｅは、図２のＩ−Ｉに沿った断面構造を得るための製造工程を示す断面図（その５）である。
【図３Ｆ】図３Ｆは、図２のＩ−Ｉに沿った断面構造を得るための製造工程を示す断面図（その６）である。
【図３Ｇ】図３Ｇは、図２のＩ−Ｉに沿った断面構造を得るための製造工程を示す断面図（その７）である。
【図３Ｈ】図３Ｈは、図２のＩ−Ｉに沿った断面構造を得るための製造工程を示す断面図（その８）である。
【図３Ｉ】図３Ｉは、図２のＩ−Ｉに沿った断面構造を得るための製造工程を示す断面図（その９）である。
【図３Ｊ】図３Ｊは、図２のＩ−Ｉに沿った断面構造を得るための製造工程を示す断面図（その１０）である。
【符号の説明】
【００４５】
１      基板
２１      主磁極
３１      めっき下地層
３２      磁性膜
３３      第１のマスク層
３４      第２のマスク層
３５      第３のマスク層
３７      フォトレジスト層
４１      フォトレジスト層
４２      開口部
４５      犠牲層
【図１】
2010086572.tif 000003
【図２】
2010086572.tif 000004
【図３Ａ】
2010086572.tif 000005
【図３Ｂ】
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【図３Ｃ】
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【図３Ｄ】
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【図３Ｅ】
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【図３Ｆ】
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【図３Ｇ】
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【図３Ｈ】
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【図３Ｉ】
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【図３Ｊ】
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