【手続補正書】
【提出日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投影光学系の収差量を測定する収差測定方法であって、
同一ライン幅のラインを有するラインアンドスペースパターンを施したマスクを該投影光学系の光路中に配置する工程と、
レジストが塗布された基板を該投影光学系の投影位置に配置する工程と、
前記ラインアンドスペースパターンを該投影光学系で所定の露光量をもって該基板のレジスト上に投影して露光する工程と、
前記基板上に形成されたラインアンドスペースパターンの像のピッチ方向の両端のパターンのライン幅差に基づいて収差量を求める工程とを備える収差測定方法。
【請求項２】
前記収差量は、既知の収差量に対する前記ライン幅差の関係に基づいて求められることを特徴とする請求項１に記載の収差測定方法。
【請求項３】
投影光学系の収差量を測定する収差測定方法であって、
同一ライン幅のラインを有するラインアンドスペースパターンを施したマスクを該投影光学系の光路中に配置する工程と、
レジストが塗布された基板を該投影光学系の投影位置に配置する工程と、
前記ラインアンドスペースパターンを該投影光学系で露光量を変えながら且つ露光位置を変えながら該基板のレジスト上に投影して露光する工程と、
前記基板上に形成された各露光位置におけるラインアンドスペースパターンの像において、該パターンのピッチ方向の両端のパターンの一方のラインの像が消失する露光量と、他方のラインの像も消失する露光量との比に基づいて、収差量を求める工程とを備える収差測定方法。
【請求項４】
前記収差量は、既知の収差量に対する前記露光量の比に基づいて求められることを特徴とする請求項３に記載の収差測定方法。
【請求項５】
投影光学系の収差量を測定する収差測定方法であって、
お互いにライン幅に差がある複数のラインを含むラインアンドスペースパターンを複数組施したマスクを、該投影光学系の光路中に配置する工程と、
レジストが塗布された基板を該投影光学系の投影位置に配置する工程と、
前記パターンを該投影光学系で所定の露光量をもって該基板のレジスト上に投影して露光する工程と、
前記基板上に形成された前記複数組のラインアンドスペースパターンの像の各組のピッチ方向の幅を調べることにより収差量を求める工程とを備える収差測定方法。
【請求項６】
前記ライン幅に差がある複数のラインが、同一ライン幅のラインを有するラインアンドスペースパターンのピッチ方向両側に配されたラインである請求項５に記載の収差測定方法。
【請求項７】
投影光学系の収差量を測定する収差測定方法であって、
同一ライン幅のラインを有するラインアンドスペースパターンと、そのピッチ方向両側にラインの幅がラインの長手方向に徐々に変化する楔状パターンを配したパターンとを施したマスクを、該投影光学系の光路中に配置する工程と、
レジストが塗布された基板を該投影光学系の投影位置に配置する工程と、
前記パターンを該投影光学系で所定の露光量をもって該基板のレジスト上に投影して露光する工程と、
前記基板上に形成された前記パターンの像において前記楔状パターンの形状に関する情報に基づいて、収差量を求める工程とを備える収差測定方法。
【請求項８】
前記楔状パターンの形状に関する情報が、楔状パターンのライン幅が同一になるライン長手方向位置である請求項７に記載の収差測定方法。
【請求項９】
前記楔状パターンの形状に関する情報が、楔状パターンのライン長さである請求項７に記載の収差測定方法。
【請求項１０】
投影光学系の収差量を測定する収差測定方法であって、
同一ライン幅のラインを有するラインアンドスペースパターンと、そのピッチ方向両側にラインの幅がラインの長手方向に徐々に変化する楔状パターンを配したパターンとを施したマスクを、該投影光学系の光路中に配置する工程と、
レジストが塗布された基板を該投影光学系の投影位置に配置する工程と、
前記パターンを該投影光学系で露光量を変えながら且つ露光位置を変えながら該基板のレジスト上に投影して露光する工程と、
前記基板上に形成された各露光位置における該パターンの像において、該楔状パターンの一方のパターンの像が消失する露光量と、他方のパターンの像も消失する露光量との比に基づいて、収差量を求める工程とを備える、収差測定方法。
【請求項１１】
投影光学系の収差量を測定する収差測定方法であって、
複数の計測用パターン像を前記投影光学系により形成する工程と、
前記複数の計測用パターン像のうち、両端の計測用パターンの形状を比較して、収差量を求める工程とを備える収差測定方法。
【請求項１２】
投影光学系の収差量を測定する収差測定方法であって、
所定ピッチで配置された計測用パターン像を前記投影光学系により形成する工程と、
前記計測用パターン像のうち、ピッチ方向の両端のパターン像の幅を調べて、収差量を求める工程とを備えることを特徴とする投影光学系の収差測定方法。
【請求項１３】
前記計測用パターンは、同一幅のラインを有するラインアンドスペースパターンであり、
前記ラインアンドスペースパターンのピッチ方向の両側のパターンのライン幅の差に基づいて、前記収差を求めることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の収差測定方法。
【請求項１４】
同一ライン幅のラインを有するラインアンドスペースパターンのピッチ方向両側に、お互いにライン幅に差があるラインを配したラインアンドスペースパターンを複数組施した投影光学系用マスク。
【請求項１５】
同一ライン幅のラインを有するラインアンドスペースパターンと、そのピッチ方向両側にラインの幅がラインの長手方向に徐々に変化する楔状パターンを配したパターンとを施した投影光学系用マスク。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明による投影光学系の収差量を測定する収差測定方法は、同一ライン幅のラインを有するラインアンドスペースパターンを施したマスクを該投影光学系の光路中に配置する工程と、レジストが塗布された基板を該投影光学系の投影位置に配置する工程と、前記ラインアンドスペースパターンを該投影光学系で所定の露光量をもって該基板のレジスト上に投影して露光する工程と、前記基板上に形成されたラインアンドスペースパターンの像のピッチ方向の両端のパターンのライン幅差に基づいて収差量を求める工程とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明による投影光学系の収差量を測定する収差測定方法は、同一ライン幅のラインを有するラインアンドスペースパターンを施したマスクを該投影光学系の光路中に配置する工程と、レジストが塗布された基板を該投影光学系の投影位置に配置する工程と、前記ラインアンドスペースパターンを該投影光学系で露光量を変えながら且つ露光位置を変えながら該基板のレジスト上に投影して露光する工程と、前記基板上に形成された各露光位置におけるラインアンドスペースパターンの像において、該パターンのピッチ方向の両端のパターンの一方のラインの像が消失する露光量と、他方のラインの像も消失する露光量との比に基づいて、収差量を求める工程とを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明による投影光学系の収差量を測定する収差測定方法は、お互いにライン幅に差がある複数のラインを含むラインアンドスペースパターンを複数組施したマスクを、該投影光学系の光路中に配置する工程と、レジストが塗布された基板を該投影光学系の投影位置に配置する工程と、前記パターンを該投影光学系で所定の露光量をもって該基板のレジスト上に投影して露光する工程と、前記基板上に形成された前記複数組のラインアンドスペースパターンの像の各組のピッチ方向の幅を調べることにより収差量を求める工程とを備える。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明による投影光学系の収差量を測定する収差測定方法は、同一ライン幅のラインを有するラインアンドスペースパターンと、そのピッチ方向両側にラインの幅がラインの長手方向に徐々に変化する楔状パターンを配したパターンとを施したマスクを、該投影光学系の光路中に配置する工程と、レジストが塗布された基板を該投影光学系の投影位置に配置する工程と、前記パターンを該投影光学系で所定の露光量をもって該基板のレジスト上に投影して露光する工程と、前記基板上に形成された前記パターンの像において前記楔状パターンの形状に関する情報に基づいて、収差量を求める工程とを備える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、本発明による投影光学系の収差量を測定する収差測定方法は、 同一ライン幅のラインを有するラインアンドスペースパターンと、そのピッチ方向両側にラインの幅がラインの長手方向に徐々に変化する楔状パターンを配したパターンとを施したマスクを、該投影光学系の光路中に配置する工程と、レジストが塗布された基板を該投影光学系の投影位置に配置する工程と、前記パターンを該投影光学系で露光量を変えながら且つ露光位置を変えながら該基板のレジスト上に投影して露光する工程と、前記基板上に形成された各露光位置における該パターンの像において、該楔状パターンの一方のパターンの像が消失する露光量と、他方のパターンの像も消失する露光量との比に基づいて、収差量を求める工程とを備える。