【手続補正書】
【提出日】平成16年7月9日(2004.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極膜と、前記第１の電極膜上に形成された異常ホール効果を示す磁性膜と、前記磁性膜上に形成された第２の電極膜と、前記磁性膜の膜面方向で互いに離間した２つの領域にそれぞれ接続された第３及び第４の電極とを備え、
前記磁性膜は、鉄、コバルト、ニッケル、マンガンから選択された少なくとも１種類の元素を含有する強磁性体膜あるいは反強磁性膜であることを特徴とする磁界センサー。
【請求項２】
第１の電極膜と、前記第１の電極膜上に形成された異常ホール効果を示す磁性膜と、前記磁性膜上に形成された第２の電極膜と、前記磁性膜の膜面方向で互いに離間した２つの領域にそれぞれ接続された第３及び第４の電極とを備え、
前記磁性膜は、鉄、コバルト、ニッケル、マンガン、バナジウム、クロムから選択された少なくとも１種類の元素と、ガリウム、砒素、インジウム、アンチモン、シリコン、ゲルマニウム、テルル、酸化亜鉛、チタン酸化物から選択された少なくとも一つを含有する閃亜鉛構造をもつ半導体材料との化合物からなる強磁性体膜あるいは反強磁性膜であることを特徴とする磁界センサー。
【請求項３】
第１の電極膜と、前記第１の電極膜上に形成された異常ホール効果を示す磁性膜と、前記磁性膜上に形成された第２の電極膜と、前記磁性膜の膜面方向で互いに離間した２つの領域にそれぞれ接続された第３及び第４の電極とを備え、
前記磁性膜は、鉄、コバルト、ニッケル、マンガン、バナジウム、クロムから選択された少なくとも１種類の元素と、ガリウム、砒素、インジウム、アンチモン、シリコン、ゲルマニウム、テルル、酸化亜鉛、酸化チタンの少なくとも一つを含有する半導体材料とを積層することで作製した強磁性体膜あるいは反強磁性膜であることを特徴とする磁界センサー。
【請求項４】
第１の電極膜と、前記第１の電極膜上に形成された異常ホール効果を示す磁性膜と、前記磁性膜上に形成された第２の電極膜と、前記磁性膜の膜面方向で互いに離間した２つの領域にそれぞれ接続された第３及び第４の電極とを備え、
前記磁性膜は、ランタン、ストロンチウム、カルシウム、マンガン、ホウ素、銅、酸素から選択された３種類以上の元素を含有するペロブスカイト構造を持つ強磁性体膜あるいは反強磁性膜であることを特徴とする磁界センサー。
【請求項５】
第１の電極膜と、前記第１の電極膜上に形成された異常ホール効果を示す磁性膜と、前記磁性膜上に形成された第２の電極膜と、前記磁性膜の膜面方向に互いに離間した２つの領域にそれぞれ接続された第３及び第４の電極とを備え、前記第１の電極と第２の電極の間に電流を流し、前記第３の電極と第４の電極の間に発生する電圧を検出することを特徴とする磁界センサー。
【請求項６】
第１の電極膜と、前記第１の電極膜上に形成された異常ホール効果を示す磁性膜と、前記磁性膜上に形成された第２の電極膜と、前記磁性膜の膜面方向に互いに離間した２つの領域にそれぞれ接続された第３及び第４の電極とを備え、
前記第３の電極と第４の電極の間に電流を流し、前記第１の電極と第２の電極の間に発生する電圧を検出することを特徴とする磁界センサー。
【請求項７】
第１の電極膜と、前記第１の電極膜上に形成された異常ホール効果を示す磁性膜と、前記磁性膜上に形成された第２の電極膜と、前記磁性膜の膜面方向に互いに離間した２つの領域にそれぞれ接続された第３及び第４の電極とを備え、前記第１の電極と第２の電極の間に電流を流し、前記第３の電極と第４の電極の間に発生する電圧を検出する素子を複数含み、
各素子の電圧を検出する電極が直列に接続され、少なくとも１つの素子の電流が他の素子と逆方向に流れるように各電極が接続されていることを特徴とする磁界センサー。
【請求項８】
第１の電極膜と、前記第１の電極膜上に形成された異常ホール効果を示す磁性膜と、前記磁性膜上に形成された第２の電極膜と、前記磁性膜の膜面方向に互いに離間した２つの領域にそれぞれ接続された第３及び第４の電極とを備え、前記第３の電極と第４の電極の間に電流を流し、前記第１の電極と第２の電極の間に発生する電圧を検出する素子を複数含み、
各素子の電圧を検出する電極が直列に接続され、少なくとも１つの素子の電流が他の素子と逆方向に流れるように各電極が接続されていることを特徴とする磁界センサー。
【請求項９】
下部磁気シールドと上部磁気シールドからなる一対の磁気シールドと、前記一対の磁気シールド間に配置された磁界センサーとを含む磁気ヘッドにおいて、
前記磁界センサーとして請求項１〜６のいずれか１項記載の磁界センサーを用いたことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項１０】
下部磁気シールドと上部磁気シールドからなる一対の磁気シールドと、前記一対の磁気シールド間に配置された磁界センサーとを含む磁気ヘッドにおいて、
前記磁界センサーは、第１の電極膜と、前記第１の電極膜上に形成された異常ホール効果を示す第１の磁性膜と、前記第１の磁性膜上に形成された第２の電極膜と、前記第２の電極膜上に形成された異常ホール効果を示す第２の磁性膜と、前記第２の磁性膜上に形成された第３の電極膜とを備え、前記第１の磁性膜と第２の磁性膜に媒体対向面に略平行な方向の電流を流し、前記第１の電極膜と第３の電極膜の間に発生する電圧を検出することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項１１】
下部磁気シールドと上部磁気シールドからなる一対の磁気シールドと、前記一対の磁気シールド間に配置された磁界センサーとを含む磁気ヘッドにおいて、
前記磁界センサーは、第１の電極膜と、前記第１の電極膜上に形成された異常ホール効果を示す第１の磁性膜と、前記第１の磁性膜上に形成された第２の電極膜と、前記第２の電極膜上に形成された異常ホール効果を示す第２の磁性膜と、前記第２の磁性膜上に形成された第３の電極膜とを備え、前記第１の電極膜と第３の電極膜の間に電流を印加し、前記第１の磁性膜と第２の磁性膜に発生する媒体対向面に略平行な方向の電圧を合成して検出することを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項１２】
下部磁気シールドと上部磁気シールドからなる一対の磁気シールドと、前記一対の磁気シールド間に配置され媒体対向面に露出した位置から素子高さ方向に伸び磁界を内部に導く磁気ヨーク膜と、磁界センサーとを含む磁気ヘッドにおいて、
前記磁気センサーは、第１の電極膜と、前記第１の電極膜上に形成された異常ホール効果を示す磁性膜と、前記磁性膜上に形成された第２の電極膜と、前記磁性膜の膜面方向に互いに離間した２つの領域にそれぞれ接続された第３及び第４の電極とを備え、前記磁気ヨーク膜の媒体対向面より後退した位置で前記磁気ヨーク膜の切断部に配置されていることを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項１３】
請求項１０，１１又は１２記載の磁気ヘッドにおいて、前記磁界センサーは、媒体面に平行な方向の長さが媒体面に垂直な方向の長さより長いことを特徴とする磁気ヘッド。
【請求項１４】
情報を記録する磁界センサー膜と、前記磁界センサー膜に接続したビット線と、前記磁界センサー膜から離れた位置にあって前記磁界センサー膜を挟んで前記ビット線と対向し、かつ、前記ビット線に直交し、前記磁界センサー膜に対して記録動作を行うワード線と、記録信号を増幅する増幅系と、読み出し書き込みのスイッチを行う読み出しワード線とを備えたセルが複数個並列している構造を持つ磁気記憶素子において、
前記磁界センサーが異常ホール効果を示す強磁性膜を含む請求項１〜８のいずれか１項記載の磁界センサーであることを特徴とする磁気記憶素子。