Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月21日(2005.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバＬＡＮに通信を生じさせる装置において、
第１波長の電磁波の光学的部分の第１送信器と、
第２波長の電磁波の光学的部分の第２検出器と、
上記第１送信器、第２検出器及び光ファイバＬＡＮに接続された光学的カプラーとを備えたことを特徴とする装置。
【請求項２】
上記第２検出器及び第１送信器に接続された衝突検出器を更に備え、この衝突検出器は、上記第１送信器が電磁波を送信する間に上記第２検出器のエネルギーレベルがスレッシュホールド値を越えるときを決定する請求項１に記載の装置。
【請求項３】
上記衝突検出器は、第１波長の電磁波の第１検出器を通して上記第１送信器に光学的に接続される請求項２に記載の装置。
【請求項４】
第２波長の電磁波の第２送信器と、
第１波長の電磁波の第１検出器とを更に備え、上記衝突検出器は、これら第２送信器及び第１検出器に接続され、そして上記衝突検出器は、第１検出器のエネルギーレベルが第２送信器の送信中にスレッシュホールドを越えるかどうか決定する請求項２に記載の装置。
【請求項５】
上記衝突検出器は、第２検出器を経て第２送信器に光学的に接続される請求項２に記載の装置。
【請求項６】
上記第１及び第２検出器は、バンドパスフィルタより成る請求項４に記載の装置。
【請求項７】
上記第１及び第２波長は、電磁スペクトルの赤外線部分である請求項１に記載の装置。
【請求項８】
光ファイバＬＡＮに通信を生じさせる装置において、
第１波長の電磁波の第１送信器と、
第２波長の電磁波の第２送信器と、
第１波長の電磁波の第１検出器と、
第２波長の電磁波の第２検出器と、
上記第１送信器、第２検出器及び光ファイバＬＡＮに接続された光学的カプラーとを備えたことを特徴とする装置。
【請求項９】
光ファイバネットワークでの通信における衝突検出方法において、
光学的カプラーを、第１波長の電磁波の送信器に、第１波長の電磁波の第１検出器および第２波長の電磁波の第２検出器に、および光ファイバネットワークに、独立的に結合し、
上記送信器が電磁波を送信する間に上記第２検出器のエネルギーレベルがスレッシュホールド値を越えるときを決定することにより衝突を検出する、
という段階を含むことを特徴とする衝突検出方法。
【請求項１０】
上記光学的カプラーを第２波長の電磁波の第２送信器に独立的に結合し、
上記第２送信器の送信中に上記第１検出器のエネルギーレベルがスレッシュホールドを越えるかどうか決定することにより衝突を検出する、
という段階を更に含む請求項９に記載の衝突検出方法。
【請求項１１】
光ファイバネットワークでの通信における衝突検出方法において、
光ファイバネットワークを通して結合される波を送信することなく、第１波長の電磁波の第１送信器から第１波長の電磁波を第１波長の電磁波の第１検出器に結合し且つ第２波長の電磁波の第２送信器から第２波長の電磁波を第２波長の電磁波の第２検出器に結合するように光学的カプラーを構成し、
上記第１送信器が電磁波を送信する間に上記第２検出器のエネルギーレベルがスレッシュホールド値を越えるときを決定することにより衝突を検出する、
という段階を含むことを特徴とする衝突検出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月27日(2004.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
画像出力装置と画像入力装置とを接続してなる画像入出力システムであって、
前記画像出力装置は、前記画像入力装置からの画像信号を受信して出力すると共に、前記画像入力装置に電力を供給する電源部を有し、
前記画像入力装置は、前記画像出力装置に画像データを送信し、かつ前記画像出力装置から電源電力の供給を受けるための接続ケーブルにより前記画像出力装置と接続され、
前記画像出力装置から電力供給を受けることの可否を判定する判定手段と、電源部とを有し、前記判定手段により、前記画像出力装置から電力供給を受けられると判定された場合は、前記画像出力装置からの電力を用い、電力供給を受けられないと判定された場合は、前記電源部からの電力を用いることを特徴とする画像入出力システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記画像入力装置は、電力供給を受けられないと判定された場合は、残りのバッテリ量を検出し、所定値以下であれば、その旨メッセージを出力することを特徴とする請求項１乃至３に記載の画像入出力システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記画像入力装置は、前記画像出力装置から電力の供給を受けられる場合に、前記表示手段を、前記電源手段からの電力で駆動する場合より明るくすることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の画像入出力システム。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
前記画像入力装置は、前記画像出力装置から電力の供給を受けられる場合には、供給される電力量を計測し、計測して得られた電力値に応じて前記画像入力装置の画像処理演算の演算速度を最適化することを特徴とする請求項１に記載の画像入出力システム。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
前記画像入力装置および前記画像出力装置は、それぞれ電源スイッチを有し、どちらか一方の電源がオフになった場合に両方の電源がオフになることを特徴とする請求項１に記載の画像入出力システム。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
画像出力装置と画像入力装置とを接続してなる画像入出力システムであって、前記画像出力装置は、前記画像入力装置からの画像信号を受信して出力すると共に、前記画像入力装置に電力を供給する電源部を有し、前記画像入力装置は、前記画像出力装置に画像データを送信し、かつ前記画像出力装置から電源電力の供給を受けるための接続ケーブルにより前記画像出力装置と接続され、前記画像出力装置から電力供給を受けることの可否を判定する判定手段と、電源部とを有し、前記判定手段により、前記画像出力装置から電力供給を受けられると判定された場合は、前記画像出力装置からの電力を用い、電力供給を受けられないと判定された場合は、前記電源部からの電力を用いる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月28日(2005.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性のある親水性材料から構成され、流体を吸収すると全ての方向に拡張する創傷パッド（５）に液体不浸透性シート（７）を固定する方法において、パッド（５）を前記パッドの平面の縦方向及び横方向に所定の範囲で伸張し、その後平らな液体不浸透性シート（７）を伸張されたパッドに固定し、パッドに対する荷重を除去することを特徴とする方法。
【請求項２】
パッド（５）を、パッドが最大吸収量で拡張している程度に相当する程度まで伸張することを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
流体を取り込むと拡張する弾性のある親水性創傷パッド（１４）
、及び包帯が使用されるときに創傷に近接して横たわることを意図した創傷パッドの側に固定された液体不浸透性シート（１５）を含む吸収性包帯（１３）において、液体不浸透性シート（１５）が平らなときのシートの領域に相当するサイズに前記シートの平面において機械的に創傷パッドを拡張した後に液体不浸透性シートを固定する弾性創傷パッド（１４）が緩和状態に戻るときに形成される相対的に多数の突起を含むことを特徴とする吸収性包帯。
【請求項４】
平らなときの液体不浸透性シート（１５）の領域が最大流体吸収後の拡張された状態の創傷パッドの領域に相当することを特徴とする請求項３記載の吸収性包帯。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は弾性のある親水性材料から構成され、流体を吸収すると全ての方向に拡張（膨張）する創傷パッドに液体不浸透性シートを固定する方法に関する。また、本発明は液体不浸透性シートが前記方法を利用して固定される創傷パッドを含む包帯に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月13日(2004.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相互に対向する第１基板および第２基板と、両基板間に介挿されるシール部と、前記第１基板、第２基板およびシール部によって囲まれる領域に封入された液晶とを具備する液晶表示装置であって、
前記第１基板は、複数の第１電極を備え、
前記第２基板は、前記第１基板と対向する対向領域に複数の第２電極を備えるとともに、前記第１基板の縁部から張り出した張出領域を備え、
前記張出領域に、前記複数の第１電極に接続される第１駆動回路と、前記複数の第２電極に接続される第２駆動回路とを備えることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１駆動回路および第２駆動回路のうち、前記複数の第１電極および複数の第２電極のうちの電極の数が多い方に接続されるものは前記張出領域の中央部近傍に配設されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１駆動回路は前記張出領域の中央部近傍に配設され、前記第１電極は、前記シール部内の導電性材料を介して当該第１駆動回路に導通されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記複数の第１電極は、前記複数の第２電極よりも電極の数が多く、前記第１基板および前記第２基板に分割して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１の請求項に記載の液晶表示装置を表示部として備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前記第１駆動回路は前記張出領域の中央部近傍に配設され、前記第１電極は、前記シール部内の導電性材料を介して前記第１駆動回路に導通されるようにしてもよい。この場合には、第１電極と第１駆動回路とが確実に導通されるように、優先的に第１電極を形成することができるという利点がある。また、前記複数の第１電極は、前記複数の第２電極よりも電極の数が多く、前記第１基板および前記第２基板に分割して形成されていることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明は、上記いずれかの液晶表示装置を表示部として備えたことを特徴とする電子機器を提供するものである。かかる電子機器によれば、表示部たる液晶表示装置の大きさを小さくすることができるから、電子機器自体の小型化を図ることができる。さらに、液晶表示装置の電極の形成を容易に行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月25日(2004.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザ走査型顕微鏡及びそのレーザ光源制御方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光源からのレーザ光を観察対象に照射し走査するとともに、該観察対象からの光に基づく観察像の走査画像を得るレーザ走査型顕微鏡において、
前記走査画像を得るための状態を検出する状態検出手段と、
この状態検出手段により検出される状態情報により前記レーザ光源をスタンバイ状態に制御可能な制御手段とを具備したことを特徴とするレーザ走査型顕微鏡。
【請求項２】
上記状態検出手段は、前記レーザ光を走査する手段にレーザ光を入射させるシャッタの開閉状態を検出するものであることを特徴とする請求項１記載のレーザ走査型顕微鏡。
【請求項３】
上記制御手段は、前記レーザ光の走査が指示されて所定時間前記走査が開始されないと前記レーザ光源を強制的にスタンバイ制御に移行させるタイマ手段を有することを特徴とする請求項１または２記載のレーザ走査型顕微鏡。
【請求項４】
レーザ光源からのレーザ光を観察対象に照射し走査するとともに、この観察対象からの光に基づく観察像の走査画像を得るレーザ走査型顕微鏡におけるレーザ光源の制御方法であって、
前記走査画像を得るための状態を検出するステップと、
検出された状態情報に基づいて前記レーザ光源をスタンバイ状態に制御するステップと、を具備したことを特徴とするレーザ走査型顕微鏡におけるレーザ光源制御方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、レーザ光源の長寿命化を実現したレーザ走査型顕微鏡及びそのレーザ光源制御方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、レーザ光源の長寿命化を実現できるレーザ走査型顕微鏡及びそのレーザ光源制御方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項３記載の発明は、請求項１または２記載の発明において、制御手段は、前記レーザ光の走査が指示されて所定時間前記走査が開始されないと前記レーザ光源を強制的にスタンバイ制御に移行させるタイマ手段を有することを特徴としている。
請求項４記載の発明は、レーザ光源からのレーザ光を観察対象に照射し走査するとともに、この観察対象からの光に基づく観察像の走査画像を得るレーザ走査型顕微鏡におけるレーザ光源の制御方法であって、前記走査画像を得るための状態を検出するステップと、検出された状態情報に基づいて前記レーザ光源をスタンバイ状態に制御するステップと、を具備したことを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月9日(2004.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光源と、
前記レーザ光源からのレーザ光を試料に対して集束させる対物レンズと、
前記対物レンズの瞳と共役な位置に配置され、前記対物レンズを介したレーザ光を前記試料表面に沿って相対的に走査させる光走査機構と、
前記対物レンズの集光位置と共役な位置に配置された微小開口部と、
前記微小開口部を通過する光の強度を検出する光検出器と、
を備えた共焦点レーザ走査型光学顕微鏡であって、
前記レーザ光源からのレーザ光を受光し、輪帯状光束を生成する輪帯状光束生成手段と、
この輪帯状光束生成手段により生成した輪帯状光束を前記光走査機構の走査面に投影する投影光学系と、を設けたことを特徴とする共焦点レーザ走査型光学顕微鏡。
【請求項２】
レーザ光源と、
前記レーザ光源からのレーザ光を試料に対して集束させる対物レンズと、
前記対物レンズの瞳と共役な位置に配置され、前記対物レンズを介したレーザ光を前記試料表面に沿って相対的に走査させる光走査機構と、
前記対物レンズの集光位置と共役な位置に配置された微小開口部と、
前記微小開口部を通過する光の強度を検出する光検出器と、を備えた共焦点レーザ走査型光学顕微鏡であって、
前記レーザ光源からのレーザ光を受光し、輪帯状光束を生成する輪帯マスクと、
この輪帯マスクにより生成した輪帯状光束を前記光走査機構の走査面に投影する投影光学系と、を設けたことを特徴とする共焦点レーザ走査型光学顕微鏡。
【請求項３】
レーザ光源と、
前記レーザ光源からのレーザ光を試料に対して集束させる対物レンズと、
前記集束光を前記試料表面に沿って相対的に走査させる前記対物レンズの瞳と共役な位置に走査面を配置した光走査機構と、
前記対物レンズの集光位置と共役な位置に配置された微小開口部と、
前記微小開口部を通過する光の強度を検出する光検出器と、を備えた共焦点レーザ走査型光学顕微鏡であって、
前記レーザ光源からのレーザ光を受光し、輪帯状光束を生成する一対のアキシコンプリズムと、
この一対のアキシコンプリズムにより生成した輪帯状光束を前記光走査機構の走査面に投影する投影光学系と、を設けたことを特徴とする共焦点レーザ走査型光学顕微鏡。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の発明は、レーザ光源と、前記レーザ光源からのレーザ光を試料に対して集束させる対物レンズと、前記対物レンズの瞳と共役な位置に配置され、前記対物レンズを介したレーザ光を前記試料表面に沿って相対的に走査させる光走査機構と、前記対物レンズの集光位置と共役な位置に配置された微小開口部と、前記微小開口部を通過する光の強度を検出する光検出器とを備えた共焦点レーザ走査型光学顕微鏡であって、前記レーザ光源からのレーザ光を受光し、輪帯状光束を生成する輪帯状光束生成手段と、この輪帯状光束生成手段により生成した輪帯状光束を前記光走査機構の走査面に投影する投影光学系とを設けたことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項２記載の発明は、レーザ光源と、前記レーザ光源からのレーザ光を試料に対して集束させる対物レンズと、前記対物レンズの瞳と共役な位置に配置され、前記対物レンズを介したレーザ光を前記試料表面に沿って相対的に走査させる光走査機構と、前記対物レンズの集光位置と共役な位置に配置された微小開口部と、前記微小開口部を通過する光の強度を検出する光検出器とを備えた共焦点レーザ走査型光学顕微鏡であって、前記レーザ光源からのレーザ光を受光し、輪帯状光束を生成する輪帯マスクと、この輪帯マスクにより生成した輪帯状光束を前記光走査機構の走査面に投影する投影光学系とを設けたことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月18日(2004.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定流体が流れる主空気通路を形成する主空気通路体と、前記主空気通路体内に挿入されて前記被測定流体の流量を測定する発熱抵抗体等を包含する測定モジュールとを備える発熱抵抗体式空気流量測定装置において、
前記測定モジュールは、前記被測定流体の入口開口部と出口開口部とを含む曲がりを持った副空気通路を形成している副空気通路体の内部に、前記発熱抵抗体等を有し、
前記主空気通路体は、前記副空気通路体の上流側に位置する内部側壁周囲に前記主空気通路の内側に突出した絞りを有し、
前記副空気通路体は前記入口開口部と前記出口開口部が、前記被測定流体が前記絞りの先端から前記被測定流体の主流線に平行方向に延展して形成する流束領域の内側に位置するように配設され、前記入口開口部と前記出口開口部の圧力差を大きくして前記副空気通路を流れる前記被測定流体の流速を大きくするようにしたことを特徴とする発熱抵抗体式空気流量測定装置。
【請求項２】
被測定流体を吸気するエアエアクリーナと、前記エアエアクリーナから前記被測定流体が流入する主空気通路を形成する主空気通路体と、前記主空気通路体内に挿入されて前記被測定流体の流量を測定する発熱抵抗体等を包含する測定モジュールとを備える発熱抵抗体式空気流量測定装置において、
前記測定モジュールは、前記被測定流体の入口開口部と出口開口部とを含む曲がりを持った副空気通路を形成している副空気通路体の内部に、前記発熱抵抗体等を有し、
前記エアエアクリーナは、前記副空気通路体の上流側に位置する吸気出口開口部に前記主空気通路の有効断面積より小さい有効断面積の絞りを形成され、
前記副空気通路体は前記入口開口部と前記出口開口部が、前記被測定流体が前記絞りの先端から前記被測定流体の主流線に平行方向に延展して形成する流束領域の内側に位置するように配設され、前記入口開口部と前記出口開口部の圧力差を大きくして前記副空気通路を流れる前記被測定流体の流速を大きくするようにしたことを特徴とする発熱抵抗体式空気流量測定装置。
【請求項３】
請求項１、２のいずれか１項において、前記絞りの寸法は、前記絞り位置における前記主空気通路の有効断面積に対する前記絞りの有効断面積の比の関係が７０〜９０(％)の範囲となっていることを特徴とする発熱抵抗体式空気流量測定装置。
【請求項４】
請求項１、２のいずれか１項において、前記絞りの形状は、当該絞りの上流側半分がほぼ円弧形状であり、下流側半分が前記主流線方向に対しほぼ垂直形状であることを特徴とする発熱抵抗体式空気流量測定装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月5日(2004.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状部材の中空部分に同心的に挿入されたコルゲートフィンと、前記中空部分に同心的に挿入され前記コルゲートフィンを前記円筒状部材側へ圧着するリング状部材とからなることを特徴とするスターリング機関用熱交換器。
【請求項２】
前記リング状部材の側面の一端は先細に形成されたテーパ状の構造を有することを特徴とする請求項１に記載のスターリング機関用熱交換器。
【請求項３】
高温側熱交換器に使用されるものであって、前記リング状部材の熱膨張率を前記コルゲートフィンの熱膨張率と同程度若しくはそれより大きくしたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のスターリング機関用熱交換器。
【請求項４】
低温側熱交換器に使用されるものであって、前記リング状部材の熱膨張率を前記コルゲートフィンの熱膨張率と同程度若しくはそれより小さくしたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のスターリング機関用熱交換器。
【請求項５】
前記リング状部材は熱伝導性の高い材質で形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載のスターリング機関用熱交換器。
【請求項６】
前記コルゲートフィンの前記リング状部材及び前記円筒状部材との接触する部分の面積を大きくしたことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載のスターリング機関用熱交換器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
そして、高温側熱交換器に使用されるものにおいては、前記リング状部材の熱膨張率を前記コルゲートフィンの熱膨張率と同程度若しくはそれより大きくすれば、周辺温度の上昇によって熱交換機が高温になっても、前記リング状部材は前記コルゲートフィンに対し充分な圧接力をもって圧着するため、両者の間に隙間ができる恐れがなくなる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
逆に、低温側熱交換器に使用されるものにおいては、前記リング状部材の熱膨張率を前記コルゲートフィンの熱膨張率と同程度若しくはそれより小さくすれば、周辺温度の下降によって熱交換機が低温になっても、前記リング状部材は前記コルゲートフィンに対し充分な圧接力をもって圧着するため、両者の間に隙間ができる恐れがなくなる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
＜第４の実施形態＞
本発明の第４の実施形態について説明する。上記第１の実施形態においては、熱交換器１を構成するコルゲートフィン２及びリング３の材質としては特に限定しなかった。しかし、低温側熱交換器１ｂの場合、図７に示すように膨張空間１０に流入する作動ガスは再生器１１により予冷されて低温になっており、逆に膨張空間１０から流出する作動ガスも膨張過程で温度が下降しているため、いずれにしても低温側熱交換器１ｂは通過する作動ガスを通じての冷却により低温になる。従って、図１（ａ）においてリング３がコルゲートフィン２より熱膨張率の大きな材質からなる場合、温度が下降すると、熱膨張率の違いによりリング３とフィン２との間に隙間が生ずる可能性がある。その結果、リング３はコルゲートフィン２を吸熱器５側に充分圧着できず、コルゲートフィン２と吸熱器５との接触面積を充分に確保することができなくなるため、低温側熱交換器１ｂの熱交換性能の低下を招く可能性がある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月28日(2004.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
前記座標検出手段が、ＧＰＳ（Global Positioning System）を利用して前記絶対座標を検出することを特徴とする請求項１に記載の測距装置の地図座標検出システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
例えば座標検出手段は、ＧＰＳ（Global Positioning System）を利用して絶対座標を検出する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
カメラ本体１０の前面において、撮影レンズ１１の左上にはファインダ窓１２が設けられ、右上にはストロボ１３が設けられている。カメラ本体１０の上面において、撮影レンズ１１の真上には、測距光であるレーザ光を照射する発光装置１４が配設されている。発光装置１４の左側にはレリーズスイッチ１５、液晶表示パネル１６が設けられ、右側にはモード切替ダイヤル１７が設けられている。カメラ本体１０の側面には、ＩＣメモリカード等の記録媒体を挿入するためのカード挿入口１９が形成され、また、ビデオ出力端子２０、インターフェースコネクタ２１、ＧＰＳ（Global Positioning System）アンテナ用コネクタ１８が設けられている。また、カメラ本体１０の背面（図１０参照）には画像表示ＬＣＤ液晶パネル３７と、撮像モードと再生モードを切り替えるＲＥＣ／ＰＬＡＹ切替スイッチ２９が設けられている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
ステップ１１２では、方位センサー４６により撮像レンズの向いている方位が検出され、ステップ１１３では、カメラの傾斜角度が傾斜角度センサー４８により検出される。ステップ１１４では、ＧＰＳアンテナ５０で受信された衛星からの信号をＧＰＳ受信回路２２で解析して、カメラの位置座標である経度、緯度、高度を求める。ステップ１１５では、ステップ１０９、ステップ１１１においてメモリ３４に一時的に記憶された距離データおよび画像データがステップ１１２〜ステップ１１４で得られた方位データ、傾斜角度データ、位置座標データ（経度、緯度、高度）とともに１つのファイルとして記録倍媒体Ｍに記録されこのルーチンは終了する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
したがって式（８）〜式（１１）から、点Ｓp の経緯度（φp ，ψp）は
φp ＝φ＋α・Ｄp ×ｓｉｎ（θn ＋ｔａｎ-1（Ｗp ／ｆ））  ・・・（１２）
ψp ＝ψ＋β・Ｄp ×ｃｏｓ（θn ＋ｔａｎ-1（Ｗp ／ｆ））  ・・・（１３）
で算出される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
点Ｐに対応する被写体の経緯度（φp ’，ψp ’）は、式（１２）、（１３）のＤp にＤp ’を、θn にθn ’を代入した式
φp ’＝φ＋α・Ｄp ’×ｓｉｎ（θn ’＋ｔａｎ-1（Ｗp ／ｆ））
・・・（１４）
ψp ’＝ψ＋β・Ｄp ’×ｃｏｓ（θn ’＋ｔａｎ-1（Ｗp ／ｆ））
・・・（１５）
によって求められる。ここでＤp ’は、
Ｄp ’＝Ｄp ×ｃｏｓθZ                                 ・・・（１６）
で表されるので、経緯度（φp ’，ψp ’）は
φp ’＝φ＋α・Ｄp×ｃｏｓθZ ×ｓｉｎ（θn ’＋ｔａｎ-1（Ｗp ／ｆ））
・・・（１７）
ψp ’＝ψ＋β・Ｄp×ｃｏｓθZ ×ｃｏｓ（θn ’＋ｔａｎ-1（Ｗp ／ｆ））
・・・（１８）
によって算出される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月28日(2004.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有限長磁性体の群を磁界内にすだれ状に並べ、前記各磁性体の横断面の面積（Ｓm）と該磁性体の比透磁率μsとの積（Ｓm・μs）に対する隣接磁性体間間隙の断面積（Ｓa）の割合を（Ｓm・μs）／Ｓa＞１になるように選び、前記すだれ状に並べた磁性体群の対向面間に磁束密度減衰を生じさせてなるすだれ型磁気シールド方法。
【請求項２】
請求項１のシールド方法において、有限長磁性体の長さ方向を、前記磁界の磁力線の方向と実質上平行にしてなるすだれ型磁気シールド方法。
【請求項３】
請求項１又は２のシールド方法において、前記有限長磁性体を、長手方向透磁率が横断面方向透磁率より大きい方向性磁性材料製としてなるすだれ型磁気シールド方法。
【請求項４】
請求項１−３の何れかのシールド方法において、前記有限長磁性体を横断面が矩形又は円形の短冊形としてなるすだれ型磁気シールド方法。
【請求項５】
請求項４のシールド方法において、前記有限長磁性体の矩形横断面の長短二辺中の何れか一方を、前記すだれ状に並べる向きに対し所定の角度だけ傾斜させてなるすだれ型磁気シールド方法。
【請求項６】
請求項４のシールド方法において、前記有限長磁性体の矩形横断面の長短二辺中の何れか一方を、一つおきの前記有限長磁性体ごとに前記すだれ状に並べる向きに対し平行にし、残余の前記有限長磁性体ごとに前記すだれ状に並べる向きに対し直角にしてなるすだれ型磁気シールド方法。
【請求項７】
すだれ状に並べた有限長磁性体の群を備えてなり、前記各磁性体の横断面の面積（Ｓm）と該磁性体の比透磁率μsとの積（Ｓm・μs）に対する隣接磁性体間間隙の断面積（Ｓa）の割合を（Ｓm・μs）／Ｓa＞１になるように選び、磁界内に設置された時に前記すだれ状磁性体群の対向面間に磁束密度減衰を生じるすだれ型磁気シールド装置。
【請求項８】
請求項７のシールド装置において、前記有限長磁性体を長手方向透磁率が横方向透磁率より大きい方向性磁性材料製としてなるすだれ型磁気シールド装置。
【請求項９】
請求項７又は８のシールド装置において、前記有限長磁性体を矩形横断面の短冊形とし、その矩形横断面の長短二辺中の何れか一方を、前記すだれ状に並べる向きに対し所定の角度だけ傾斜させてなるすだれ型磁気シールド装置。
【請求項１０】
請求項７又は８のシールド装置において、前記有限長磁性体の群中の各有限長磁性体を中央に貫通孔が穿たれた環状磁性体板とし、前記環状磁性体板を前記貫通孔で位置合わせし且つ前記隣接磁性体間間隙を介して並べ、電線又は大電流使用装置を前記有限長磁性体の位置合わせした前記貫通孔に挿通してなる電線のすだれ型磁気シールド装置。
【請求項１１】
請求項７又は８のシールド装置において、前記有限長磁性体を矩形横断面の短冊形とし、各有限長磁性体の一定位置に貫通孔を穿ち、前記有限長磁性体の群中の各有限長磁性体を前記貫通孔で位置合わせし、電線を前記有限長磁性体の位置合わせした前記貫通孔に挿通してなる電線のすだれ型磁気シールド装置。
【請求項１２】
請求項７又は８のシールド装置において、前記すだれ状磁性体群の複数を、各磁性体群の長手方向端縁で相互に列状に結合してなるすだれ型磁気シールド装置。
【請求項１３】
請求項７又は８のシールド装置において、前記すだれ状磁性体群の複数を、相互に櫛状に噛合わせてなるすだれ型磁気シールド装置。
【請求項１４】
請求項７又は８のシールド装置において、前記すだれ状磁性体群の複数を、各すだれ状磁性体群の長手方向が相互に直交するように積層してなるすだれ型磁気シールド装置。
【請求項１５】
すだれ状に並べた有限長磁性体の群を壁、床及び／又は天井に設け、前記各磁性体の横断面の面積（Ｓm）と該磁性体の比透磁率μsとの積（Ｓm・μs）に対する隣接磁性体間間隙の断面積（Ｓa）の割合を（Ｓm・μs）／Ｓa＞１になるように選び、壁、床及び／又は天井に磁束密度減衰を生じさせてなる磁気暗室。
【請求項１６】
請求項１５の磁気暗室において、前記壁、床及び／又は天井の磁性板群のすだれ状磁性体群を、各々の長手方向端縁で相互に結合してなる磁気暗室。
【請求項１７】
請求項１５の磁気暗室において、前記壁、床及び／又は天井に、前記すだれ状磁性板の複数を、各すだれ状磁性体群の長手方向が相互に直交するように積層してなる磁気暗室。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図１６は、磁気シールドの目的に供する短冊形磁性体のすだれ状配列の他の態様を示す。図中、（Ａ）は平行に並べた同一形状の短冊型磁性体のすだれ状配列の二つを相互に櫛状に噛合わせる配列態様、（Ｂ）は広い幅の短冊型磁性体のすだれ状配列と狭い幅の短冊型磁性体のすだれ状配列とを相互に櫛状に噛合わせる配列態様、（Ｃ）は同一形状の短冊型磁性体を平行に並べたすだれ状配列と同様に同一形状の短冊型磁性体を平行に並べた他のすだれ状配列とを、各すだれ状配列中の磁性板の長手方向が相互に直交するように積層した配列態様、（Ｄ）は可撓性幕体の両面に平行に並べた同一形状の短冊型磁性体の二つのすだれ状配列をそれぞれ取付けた配列態様、（Ｅ）は平行に並べた同一形状の短冊型磁性体のすだれ状配列の両側面に可撓性幕体が取付けられた配列態様を、それぞれ示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図１７は、磁気暗室（磁気シールド室）の壁、床及び／又は天井を、短冊形磁性体利用の壁面により構成する方法の説明図である。図中、（Ａ）は垂直に並べた同一形状の短冊型磁性体のすだれ状配列を外側に設けた周囲壁を持つ磁気暗室、（Ｂ）は垂直に並べた同一形状の短冊型磁性体のすだれ状配列を内側及び外側に設けた周囲壁を持つ磁気暗室、（Ｃ）は同一形状の短冊型磁性体を平行に並べた一つのすだれ状配列と同様に同一形状の短冊型磁性体を平行に並べた他のすだれ状配列とを周囲壁の内側及び外側に各すだれ状配列中の磁性板の長手方向が相互に直交するように積層して取付けた磁気暗室、（Ｄ）は水平に並べた同一形状の短冊型磁性体のすだれ状配列を外側に設けた周囲壁を持ち且つ各すだれ状配列をその端縁で相互に列状に結合した磁気暗室、（Ｅ）は平行に並べた同一形状の短冊型磁性体のすだれ状配列により全周囲壁を磁気シールドした磁気暗室を、それぞれ示す。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月21日(2005.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】  前記遅延ずれ量を伝送するサイクルタイマ遅延伝送手段をさらに備え、
サイクルマスタのノードは、前記サイクルタイマ遅延補正手段を有し、
前記サイクルマスタのノード以外の所定のノードは、前記サイクルタイマ遅延計測手段および前記サイクルタイマ遅延伝送手段を有し、
前記所定のノードが、該所定のノードで計測した遅延ずれ量を前記サイクルマスタのノードに伝送し、あるいは前記所定のノードから遅延ずれ量を取得し、その後該所定のノードに伝送された遅延ずれ量あるいは取得した遅延ずれ量をもとに前記サイクルマスタのノードのサイクルマスタの遅延ずれを補正することを特徴とする請求項１〜１４のいずれか一つに記載のＩＥＥＥ１３９４を用いた同期システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
つぎの発明にかかるＩＥＥＥ１３９４を用いた同期システムは、上記の発明において、前記遅延ずれ量を転送するサイクルタイマ遅延伝送手段をさらに備え、サイクルマスタのノードは、前記サイクルタイマ遅延補正手段を有し、前記サイクルマスタのノード以外の所定のノードは、前記サイクルタイマ遅延計測手段および前記サイクルタイマ遅延伝送手段を有し、前記所定のノードが、該所定のノードで計測した遅延ずれ量を前記サイクルマスタのノードに伝送し、あるいは前記所定のノードから遅延ずれ量を取得し、その後該所定のノードに伝送された遅延ずれ量あるいは取得した遅延ずれ量をもとに前記サイクルマスタのノードのサイクルマスタの遅延ずれを補正することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０７】
サイクルスレーブが自信の有するサイクルタイマ値と、基準となるノード（サイクルマスタの場合もあればサイクルスレーブの場合もある）が有するサイクルタイマ値の遅延ずれを、サイクルスレーブ自身で知ることができたならば、サイクルスレーブ側自身でタイマ遅延を補償することができる。このタイマ遅延補償態様には、つぎの３つの態様がある。以下に説明する３つの態様では、基準となるノードがサイクルマスタの場合について説明しているが、基準となるノードがサイクルスレーブの場合でも同様に実施できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１４】
一方、第２のタイマ遅延補償態様では、ＩＥＥＥ１３９４に関わる変更は全くなく、上位層（アプリケーション）のみ変更すれば良いので、容易に実現が可能である。しかしながら、このタイマを使った割込は、遅延を補償したタイマが発生する割込とはならない。この代替手段としてアプリケーションからタイマをポーリングして正確な時刻の割込を実現することも可能である。ただし、ポーリングによる負荷が生じることになる。さらに、第１のタイマ遅延補償態様と同様に、サイクルタイマ値の更新がいつ起こるか判らないことによる、タイマの精度の保証の問題が残る。ポーリングによる負荷や、タイマ更新に関わる誤差が問題ない範囲で用いるシステムに適用するのであれば、この第２のタイマ遅延補償態様は、十分用いることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2002164903.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月20日(2004.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と活性層との間に、
アンドープ若しくはｎ型不純物が少なくドープされた第１の窒化物半導体層と、
ｎ型不純物が多くドープされた第２の窒化物半導体層と、
アンドープ若しくはｎ型不純物が少なくドープされ、第１の窒化物半導体層より膜厚の小さい第３の窒化物半導体層と、が順に積層された３層構造を有すると共に、
前記第２の窒化物半導体層にｎ電極が設けられる窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
前記第２の窒化物半導体層にｎ型不純物が３×１０１８／ｃｍ３以上ドープされていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記第２の窒化物半導体層の膜厚が１μｍ以上２０μｍ以下である請求項１又は２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記第３の窒化物半導体層の膜厚が０．５μｍ以下である請求項１乃至３のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
前記第１の窒化物半導体層、第２の窒化物半導体層、第３の窒化物半導体層が、同一組成である請求項１乃至４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
前記同一組成が、ＧａＮである請求項５記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
前記３層構造と活性層との間に窒化物半導体層を有し、該窒化物半導体層が超格子構造である請求項１乃至４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項８】
前記超格子構造が、互いに異なる不純物濃度の窒化物半導体層を交互に積層した構造である請求項７記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項９】
前記３層構造と活性層との間に窒化物半導体層を有し、該窒化物半導体層がＧａＮ、ＩｎＧａＮである請求項１乃至４のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１０】
前記３層構造と活性層との間に窒化物半導体層を有し、該窒化物半導体層がＡｌを含む窒化物半導体であり、前期第３の窒化物半導体層がＩｎＧａＮである請求項１〜４，７〜９のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１１】
前記第１の窒化物半導体層が、Ｘ値が０．２以下のＡｌｘＧａ１−ｘＮであることを特徴とする請求項１〜４，７〜９のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１２】
前記第３の窒化物半導体層が、Ｉｎ混晶比ｙが０．１以下であるＩｎｙＧａ１−ｙＮであることを特徴とする請求項１〜４，７〜９のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、次の（１）〜（１２）の構成により本発明の目的を達成するものである。
（１）基板と活性層との間に、
アンドープ若しくはｎ型不純物が少なくドープされた第１の窒化物半導体層と、
ｎ型不純物が多くドープされた第２の窒化物半導体層と、
アンドープ若しくはｎ型不純物が少なくドープされ、第１の窒化物半導体層より膜厚の小さい第３の窒化物半導体層と、が順に積層された３層構造を有すると共に、
前記第２の窒化物半導体層にｎ電極が設けられる窒化物半導体発光素子。
（２）前記第２の窒化物半導体層にｎ型不純物が３×１０１８／ｃｍ３以上ドープされていることを特徴とする（１）に記載の窒化物半導体発光素子。
（３）前記第２の窒化物半導体層の膜厚が１μｍ以上２０μｍ以下である（１）又は（２）に記載の窒化物半導体発光素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
（４）前記第３の窒化物半導体層の膜厚が０．５μｍ以下である（１）乃至（３）のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
（５）前記第１の窒化物半導体層、第２の窒化物半導体層、第３の窒化物半導体層が、同一組成である（１）乃至（４）のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
（６）前記同一組成が、ＧａＮである（５）に記載の窒化物半導体発光素子。
（７）前記３層構造と活性層との間に窒化物半導体層を有し、該窒化物半導体層が超格子構造である（１）乃至（４）のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
（８）前記超格子構造が、互いに異なる不純物濃度の窒化物半導体層を交互に積層した構造である（７）に記載の窒化物半導体発光素子。
（９）前記３層構造と活性層との間に窒化物半導体層を有し、該窒化物半導体層がＧａＮ、ＩｎＧａＮである（１）乃至（４）のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
（１０）前記３層構造と活性層との間に窒化物半導体層を有し、該窒化物半導体層がＡｌを含む窒化物半導体であり、前期第３の窒化物半導体層がＩｎＧａＮである（１）〜（４），（７）〜（９）のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
（１１）前記第１の窒化物半導体層が、Ｘ値が０．２以下のＡｌｘＧａ１−ｘＮであることを特徴とする（１）〜（４），（７）〜（９）のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
（１２）前記第３の窒化物半導体層が、Ｉｎ混晶比ｙが０．１以下であるＩｎｙＧａ１−ｙＮであることを特徴とする（１）〜（４），（７）〜（９）のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月20日(2004.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と活性層との間に、基板側から順に、アンドープの第１の窒化物半導体層と、ｎ型不純物がドープされたｎ導電型の第２の窒化物半導体層と、アンドープの第３の窒化物半導体層とを有し、
前記第２の窒化物半導体層が単層であり、第２の窒化物半導体層にｎ電極が形成され、
前記第１の窒化物半導体層、第２の窒化物半導体層、第３の窒化物半導体層が同一組成であることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
前記第１の窒化物半導体層、第２の窒化物半導体層、第３の窒化物半導体層が、ＧａＮであることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
基板と活性層との間に、基板側から順に、アンドープの第１の窒化物半導体層と、ｎ型不純物がドープされたｎ導電型の第２の窒化物半導体層と、アンドープの第３の窒化物半導体層とを有し、
前記第２の窒化物半導体層が単層であり、第２の窒化物半導体層にｎ電極が形成され、
前記前記第３の窒化物半導体層の抵抗率が、０．１Ω・ｃｍより大きいことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記第３の窒化物半導体層がＩｎＧａＮであると共に、Ｉｎ混晶比ｙが０．１以下であるＩｎｙＧａ１−ｙＮであることを特徴とする請求項３記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
基板と活性層との間に、基板側から順に、アンドープの第１の窒化物半導体層と、ｎ型不純物がドープされたｎ導電型の第２の窒化物半導体層と、アンドープの第３の窒化物半導体層とを有し、
前記第２の窒化物半導体層が単層であり、第２の窒化物半導体層にｎ電極が形成され、
前記第１の窒化物半導体層がＡｌＧａＮであることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
前記第１の窒化物半導体層が、Ｘ値が０．２以下のＡｌｘＧａ１−ｘＮであることを特徴とする請求項５記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
前記第３の窒化物半導体層の抵抗率が、０．１Ω・ｃｍより大きいことを特徴とする請求項５又は６に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項８】
前記第３の窒化物半導体層の膜厚が０．１５μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の窒化物半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る請求項１に記載の窒化物半導体素子は、基板と活性層との間に、基板側から順にアンドープの第１の窒化物半導体層と、ｎ型不純物がドープされたｎ導電型の第２の窒化物半導体層と、アンドープの第３の窒化物半導体層とを有し、
前記第２の窒化物半導体層が単層であり、その第２の窒化物半導体層にｎ電極が形成され、
前記第１の窒化物半導体層、前記第２の窒化物半導体層、前記第３の窒化物半導体層が同一組成であることを特徴とする。
また、本発明に係る請求項２に記載の窒化物半導体発光素子は、請求項１記載の窒化物半導体発光素子において、前記第１の窒化物半導体層、前記第２の窒化物半導体層、前記第３の窒化物半導体層がＧａＮからなることを特徴とする。
さらに、本発明に係る請求項３に記載の窒化物半導体発光素子は、基板と活性層との間に、基板側から順にアンドープの第１の窒化物半導体層と、ｎ型不純物がドープされたｎ導電型の第２の窒化物半導体層と、アンドープの第３の窒化物半導体層とを有し、
前記第２の窒化物半導体層が単層であり、その第２の窒化物半導体層にｎ電極が形成され、
前記第３の窒化物半導体層の抵抗率が、０．１Ω・ｃｍより大きいことを特徴とする。
またさらに、本発明に係る請求項４に記載の窒化物半導体発光素子は、請求項３記載の窒化物半導体発光素子において、前記第３の窒化物半導体層がＩｎｙＧａ１−ｙＮで表されるＩｎＧａＮであり、そのＩｎ混晶比ｙが０．１以下であることを特徴とする。
また、本発明に係る請求項５に記載の窒化物半導体発光素子は、基板と活性層との間に、基板側から順にアンドープの第１の窒化物半導体層と、ｎ型不純物がドープされたｎ導電型の第２の窒化物半導体層と、アンドープの第３の窒化物半導体層とを有し、
前記第２の窒化物半導体層が単層であり、その第２の窒化物半導体層にｎ電極が形成され、
前記第１の窒化物半導体層がＡｌＧａＮであることを特徴とする。
また、本発明に係る請求項６に記載の窒化物半導体発光素子は、請求項５記載の窒化物半導体発光素子において、前記第１の窒化物半導体層が、Ｘ値が０．２以下のＡｌＸＧａ１−ＸＮであることを特徴とする。
また、本発明に係る請求項７に記載の窒化物半導体発光素子は、請求項５又は６記載の窒化物半導体発光素子において、前記第３の窒化物半導体層の抵抗率が、０．１Ω・ｃｍより大きいことを特徴とする。
本発明に係る請求項８に記載の窒化物半導体発光素子は、請求項１〜７のうちのいずれか１つに記載の窒化物半導体発光素子において、前記第３の窒化物半導体層の膜厚が０．１５μｍ以下であることを特徴とする。
なお本発明でアンドープの窒化物半導体層とは意図的に不純物をドープしない窒化物半導体層を指し、例えば原料に含まれる不純物、反応装置内のコンタミネーション、意図的に不純物をドープした他の層からの意図しない拡散により不純物が混入した層及び微量なドーピングにより実質的にアンドープとみなせる層（例えば抵抗率３×１０-1Ω・cm以上）も本発明ではアンドープと定義する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月13日(2005.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
(４)半導体微粒子への色素の吸着
半導体微粒子に色素を吸着させるためには、色素の溶液中に良く乾燥した半導体微粒子層を有する導電性支持体を浸漬するか、色素の溶液を半導体微粒子層に塗布する方法を用いることができる。前者の場合、浸漬法、ディップ法、ローラ法、エアーナイフ法等が使用可能である。浸漬法の場合、色素の吸着は室温で行ってもよいし、特開平7-249790号に記載されているように加熱還流して行ってもよい。また後者の塗布方法としては、ワイヤーバー法、スライドホッパー法、エクストルージョン法、カーテン法、スピン法、スプレー法等がある。これらの方法においては例えばマスクとの組み合わせにより少なくとも２種の異なる可視光吸収特性を有する領域を形成することが可能である。更に優れた方法として色素の溶液をノズルを備えた吐出装置を用いて吹き付ける方法がある。この方法において、ノズルまたは無機半導体が塗布された基板のいずれか一方、あるいは両者を動かしつつ、少なくとも１種の可視光吸収特性を有する色素の溶液をそれぞれノズルから無機半導体に吹き付けて領域ごとに色素の溶液を塗り分けることにより少なくとも２種の異なる可視光吸収特性を有する領域を形成することが可能である。２種以上の色素を用いる場合、これらの色素を同時に吹き付けてもよいし、１種類ずつ吹き付けてもよいが、色素吸着工程に要する時間を短縮する観点からは前者の方法が好ましい。代表的な例としてインクジェット法が挙げられる。この場合、必ずしも半導体微粒子層の全面に色素を吸着させる必要はなく、例えば（ｉ）半導体微粒子層の一部のみを色素増感することにより、色素増感した領域と色素増感しない領域とで２種の異なる可視光吸収特性を有する領域を形成してもよいし、（ii）複数の色素を用いて領域ごとに塗り分けることにより２種以上の異なる可視光吸収特性を有する領域を形成してもよい。色素を溶解する溶媒として、例えば、アルコール類、ニトリル類、ニトロメタン、ハロゲン化炭化水素、エーテル類、ジメチルスルホキシド、アミド類、N-メチルピロリドン、1,3-ジメチルイミダゾリジノン、3-メチルオキサゾリジノン、エステル類、炭酸エステル類、ケトン類、炭化水素類やこれらの混合溶媒が挙げられる。色素の溶液を吐出する装置としては、色素の溶液を保持するタンク、インクを吐出させるノズル、タンクとノズルとを連結する配管、及び色素の溶液をタンクからノズルに圧送するための吐出動力部からなる。吐出動力部としては、例えばポンプ等を用いることが可能であるが、更にインクジェット法に用いられている電荷制御方式、圧力パルス方式、音響インクジェット方式、バブルジェット（登録商標）方式を用いることも可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月29日(2004.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
送信テレスコープにおいて、
受信テレスコープに光ビームを送信するための手段と、
前記受信テレスコープと前記送信テレスコープとの間の位置ずれ状態を示す信号に応答して、前記受信テレスコープに入射する送信されたビームの断面積を増大させる手段とを有する送信テレスコープ。
【請求項２】
前記送信されたビームの断面積を増大させる手段は、前記受信テレスコープの光学系の焦点面にまたはその近くに配置された受信光ファイバに前記光ビームの少なくとも一部が入射するまで、前記送信手段により前記光ビームが送信される際に前記光ビームが発散するように、前記送信される光ビームを調節するための手段を含む請求項１記載の送信テレスコープ。
【請求項３】
前記光ビームを調節するための手段は、前記光ビームを前記送信テレスコープに送り、前記送信テレスコープの光学系の焦点面においてまたはその近くにおいて終端する送信テレスコープ光ファイバを、送信テレスコープの光学系の縦軸に沿って、前記焦点面の前方にある点に移動させるための手段を含む請求項２記載の送信テレスコープ。
【請求項４】
前記位置ずれ状態を示す信号が、前記受信テレスコープにより受信される送信された光ビームに関連する少なくとも１つの測定可能な信号パラメータに応答して生成される請求項１記載の送信テレスコープ。
【請求項５】
受信テレスコープにおいて、
送信テレスコープからの光ビームを受信するための手段と、
前記受信テレスコープに入射する送信されたビームの断面積を増大させるために、前記受信テレスコープと前記送信テレスコープとの間の位置ずれ状態を示す信号を生成するための手段とを有する受信テレスコープ。
【請求項６】
前記信号を生成するための手段は、前記受信テレスコープの光学系の焦点面にまたはその近くに配置された受信テレスコープ光ファイバに前記光ビームの少なくとも一部が入射されるまで、前記光ビームの断面積を調節するように動作可能である請求項５記載の受信テレスコープ。
【請求項７】
受信テレスコープと送信テレスコープとの間の位置ずれ状態を示す信号に応答して、受信テレスコープに入射する送信された光ビームの断面積を増大させるステップを有する自由空間光通信システムにおける方法。
【請求項８】
前記送信された光ビームの断面積を増大させるステップが、前記受信テレスコープの光学系の焦点面にまたはその近くに配置された受信テレスコープ光ファイバに前記送信された光ビームの少なくとも一部が入射されるまで、前記光ビームが前記送信テレスコープにより送信される際に、前記光ビームが発散するように、前記光ビームを調節するステップを含む請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記光ビームを調節するステップが、前記光ビームを前記送信テレスコープに送り、前記送信テレスコープの光学系の焦点面においてまたはその近くにおいて終端する送信テレスコープ光ファイバを、前記送信テレスコープの光学系の縦軸に沿って前記焦点面の前方にある点に移動させるステップを含む請求項８記載の方法。
【請求項１０】
光ビームを送信するための手段と、
送信された前記光ビームを受信するための手段と、
前記光ビームを送信するための手段と前記光ビームを受信するための手段との間の位置ずれ状態を示す信号に応答して、前記光ビームを受信するための手段に入射する光ビームの断面積を増大させる手段とを有する自由空間光通信システム。