【手続補正書】
【提出日】平成16年9月15日(2004.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に、露光光を散乱する微粒子状物質と、バインダーとを少なくとも含む遮光体パターンを有することを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】
請求項１記載のフォトマスクにおいて、前記遮光体パターンは露光光に対する吸光剤を含むことを特徴とするフォトマスク。
【請求項３】
請求項１に記載のフォトマスクにおいて、上記ガラス基板が部分的に露光光の位相を反転する位相シフタの構造を有し、前記位相シフタの上に前記微粒子状物質とバインダーとを少なくとも含む遮光体パターンを有することを特徴とするフォトマスク。
【請求項４】
請求項１、２または３記載のフォトマスクにおいて、前記遮光体パターン中には粒径の異なる複数の微粒子状物質が含まれていることを特徴とするフォトマスク。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のフォトマスクにおいて、前記微粒子状物質の露光光に対する屈折率が、前記バインダーとは異なることを特徴とするフォトマスク。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載のフォトマスクにおいて、前記微粒子状物質が無機物であることを特徴とするフォトマスク。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のフォトマスクにおいて、前記微粒子状物質がカーボンであることを特徴とするフォトマスク。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載のフォトマスクにおいて、前記遮光体パターンの透過率が、露光波長１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下において１６％以下であることを特徴とするフォトマスク。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれかに記載のフォトマスクにおいて、前記遮光体パターンの透過率が、露光波長１００ｎｍ以上、７００ｎｍ以下において１６％以下であることを特徴とするフォトマスク。
【請求項１０】
請求項１〜７のいずれかに記載のフォトマスクにおいて、前記遮光体パターンの透過率が、露光波長１００ｎｍ以上、５００ｎｍ以下において１％以下であることを特徴とするフォトマスク。
【請求項１１】
請求項１〜７のいずれかに記載のフォトマスクにおいて、前記遮光体パターンの透過率が、露光波長１００ｎｍ以上、７００ｎｍ以下において１％以下であることを特徴とするフォトマスク。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載のフォトマスクにおいて、前記微粒子状物質の粒径が２００ｎｍ以下であることを特徴とするフォトマスク。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれかに記載のフォトマスクにおいて、前記遮光体パターンにおける前記微粒子状物質の含量が、１０％以上、９９％以下であることを特徴とするフォトマスク。
【請求項１４】
請求項３〜１３のいずれかに記載のフォトマスクにおいて、前記位相シフタが塗布形成ガラスであることを特徴とするフォトマスク。
【請求項１５】
請求項３〜１３のいずれかに記載のフォトマスクにおいて、前記位相シフタが前記ガラス基板を掘り込む構造で達成されることを特徴とするフォトマスク。
【請求項１６】
ガラス基板上に、露光光を散乱する微粒子状物質と、バインダーとを少なくとも含む膜を形成する工程と、前記膜を露光する工程と、前記膜を現像して遮光体パターンを形成する工程とを有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１７】
請求項１５記載のフォトマスクの製造方法において、前記微粒子状物質とバインダーとを少なくとも含む膜は、さらに露光光に対する吸光剤を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１８】
部分的に露光光の位相を反転する位相シフタの構造と、前記露光光が透過することを遮る遮光体とを透明なマスク基体に有するフォトマスクの製造方法において、前記マスク基体上に感光性ガラスを形成する工程、該感光性ガラスを露光、現像して位相シフタを形成する工程、該位相シフタ上に、露光光を散乱する微粒子状物質と、バインダーとを少なくとも含む膜を形成する工程、該微粒子状物質とバインダーとを少なくとも含む膜を露光、現像して遮光体パターンを形成する工程を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項１９】
部分的に露光光の位相を反転する位相シフタの構造と、前記露光光が透過することを遮る遮光体とを透明なマスク基体に有するフォトマスクの製造方法において、前記マスク基体上に塗布ガラス膜を形成する工程、該塗布ガラス膜上にレジストを塗布する工程、該レジストを露光、現像しレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンをマスクに塗布ガラス膜をエッチングする工程、該レジストパターンを除去して位相シフタパターンを形成する工程、該位相シフタパターン上に、露光光を散乱する微粒子状物質と、バインダーとを少なくとも含む膜を形成する工程、該微粒子状物質とバインダーとを少なくとも含む膜を露光、現像して遮光体パターンを形成する工程を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２０】
部分的に露光光の位相を反転する位相シフタの構造と、前記露光光が透過することを遮る遮光体とを透明なマスク基体に有するフォトマスクの製造方法において、前記マスク基体上にレジストを塗布する工程、該レジストに所望のシフタパターンを露光、現像しレジストパターンを形成する工程、該レジストパターンをマスクにマスク基体を加工する工程、該レジストパターンを除去して位相シフタパターンを形成する工程、該位相シフタパターン上に、露光光を散乱する微粒子状物質と、バインダーとを少なくとも含む膜を形成する工程、該微粒子状物質とバインダーとを少なくとも含む膜を露光、現像して遮光体パターンを形成する工程を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２１】
請求項１８〜２０のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法において、露光位置合わせを行なうための基準マークを金属膜で予め前記マスク基体上に形成しておき、該基準マークの位置を参照してシフタパターンの形成のための露光処理と、微粒子状物質とバインダーとを少なくとも含む膜からなる遮光体パターンの形成のための露光処理とを行なうことを特徴としたフォトマスクの製造方法。
【請求項２２】
請求項１６〜２１のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法において、前記微粒子状物質が無機物であることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２３】
請求項１６〜２２のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法において、前記微粒子状物質がカーボンであることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２４】
請求項１６〜２３のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法において、前記微粒子状物質とバインダーとを少なくとも含む膜を露光する工程は、電子線による描画であることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２５】
請求項１６〜２４のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法において、チャージアップ防止処理を施してシフタパターン及び微粒子状物質とバインダーとを少なくとも含む膜からなる遮光体パターンを形成するための露光を行なうことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２６】
請求項１６〜２５のいずれかに記載のフォトマスクの製造方法において、前記微粒子状物質とバインダーとを少なくとも含む遮光体パターンの形成後に、前記遮光体パターンにエネルギーを与えることを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項２７】
被加工基板上に感光性組成物からなる膜を形成する工程、所定のパターンが形成された請求項１〜１５のいずれかに記載のフォトマスクを介して前記感光性組成物からなる膜を露光する工程、前記感光性組成物からなる膜を現像することにより、前記被加工基板上に感光性組成物のパターンを形成する工程を有することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２８】
請求項２７に記載のパターン形成方法において、露光光の波長が１００ｎｍ以上、７００ｎｍ未満であることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２９】
請求項２７または２８に記載のパターン形成方法において、前記現像において水性アルカリ現像液を用いることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項３０】
請求項２７、２８または２９に記載のパターン形成方法により、半導体基板上にレジストパターンを形成する工程、前記レジストパターンをもとに、前記半導体基板をエッチング加工する工程、もしくはイオンを打ち込む工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３１】
マスク基体上に、露光光を散乱する微粒子状物質と、バインダーとを少なくとも含む膜を形成する工程と、前記膜を露光する工程と、前記膜を現像して遮光体パターンを形成する工程と、前記マスク基体にエネルギーを供給することでバインダーを低減し、前記遮光体パターン中において、前記微粒子状物質の方が、前記バインダーよりも相対的に多くなるように構成する工程とを有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項３２】
マスク基体上に、露光光を散乱する微粒子状物質と、バインダーとを少なくとも含む膜を形成する工程と、前記膜を露光する工程と、前記膜を現像して遮光体パターンを形成する工程と、前記マスク基体にエネルギーを供給することでバインダーを除去し、前記遮光体パターンを前記微粒子状物質で構成する工程とを有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。