【手続補正書】
【提出日】平成17年9月1日(2005.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学増幅型のレジスト膜の上に成膜する水溶性膜を形成するための水溶性材料であって、
水溶性ポリマー、酸発生剤及び該酸発生剤を包接する包接化合物を形成する化合物を含むことを特徴とする水溶性材料。
【請求項２】
前記包接化合物を形成する化合物は環状オリゴ糖であることを特徴とする請求項１に記載の水溶性材料。
【請求項３】
前記環状オリゴ糖はシクロデキストリンであることを特徴とする請求項２に記載の水溶性材料。
【請求項４】
前記シクロデキストリンは、α−シクロデキストリン、β−シクロデキストリン、γ−シクロデキストリン又はδ−シクロデキストリンであることを特徴とする請求項３に記載の水溶性材料。
【請求項５】
前記水溶性ポリマーは、ポリビニールアルコール、ポリビニールピロリドン、ポリスチレンスルフォン酸、ポリアクリル酸又はプルランであることを特徴とする請求項１に記載の水溶性材料。
【請求項６】
界面活性剤を含むことを特徴とする請求項１に記載の水溶性材料。
【請求項７】
前記界面活性剤は、陽イオン系界面活性剤又は非イオン系界面活性剤であることを特徴とする請求項６に記載の水溶性材料。
【請求項８】
前記陽イオン系界面活性剤は、塩化セチルメチルアンモニウム、塩化ステアリルメチルアンモニウム、塩化セチルトリメチルアンモニウム、塩化ステアリルトリメチルアンモニウム、塩化ジステアリルジメチルアンモニウム、塩化ステアリルジメチルベンジルアンモニウム、塩化ドデシルメチルアンモニウム、塩化ドデシルトリメチルアンモニウム、塩化ベンジルメチルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモニウム又は塩化ベンザルコニウムであり、前記非イオン系界面活性剤は、ノニルフェノールエトキシレート、オクチルフェニルポリオキシエチレンエーテル、ラウリルポリオキシエチレンエーテル、セチルポリオキシエチレンエーテル、ショ糖脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンラノリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレングリコールモノ脂肪酸エステル、脂肪酸モノエタノールアミド、脂肪酸ジエタノールアミド又は脂肪酸トリエタノールアミドであることを特徴とする請求項７に記載の水溶性材料。
【請求項９】
酸発生剤及び該酸発生剤を包接する包接化合物を形成する化合物を含むことを特徴とする化学増幅型レジスト。
【請求項１０】
前記包接化合物を形成する化合物は環状オリゴ糖であることを特徴とする請求項９に記載の化学増幅型レジスト。
【請求項１１】
前記環状オリゴ糖はシクロデキストリンであることを特徴とする請求項１０に記載の化学増幅型レジスト。
【請求項１２】
前記シクロデキストリンは、α−シクロデキストリン、β−シクロデキストリン、γ−シクロデキストリン又はδ−シクロデキストリンであることを特徴とする請求項１１に記載の化学増幅型レジスト。
【請求項１３】
基板上に化学増幅型のレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の上に、水溶性ポリマー、酸発生剤及び該酸発生剤を包接する包接化合物を形成する化合物を含む水溶性材料よりなる水溶性膜を形成する工程と、
前記水溶性膜を介して前記レジスト膜に露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、
前記水溶性膜を除去した後、パターン露光が行なわれた前記レジスト膜に対して現像を行なうことにより、前記レジスト膜からレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１４】
基板上に化学増幅型のレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜の上に、水溶性ポリマー、酸発生剤及び該酸発生剤を包接する包接化合物を形成する化合物を含む水溶性材料よりなる水溶性膜を形成する工程と、
前記水溶性膜を介して前記レジスト膜に露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、
パターン露光が行なわれた前記レジスト膜に対して現像を行なって、前記水溶性膜を除去することにより、前記レジスト膜からレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１５】
酸発生剤及び該酸発生剤を包接する包接化合物を形成する化合物を含む化学増幅型のレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に露光光を選択的に照射してパターン露光を行なう工程と、
パターン露光が行なわれた前記レジスト膜に対して現像を行なうことにより、前記レジスト膜からレジストパターンを形成する工程とを備えていることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１６】
前記包接化合物を形成する化合物は環状オリゴ糖であることを特徴とする請求項１３〜１５に記載のパターン形成方法。
【請求項１７】
前記環状オリゴ糖はシクロデキストリンであることを特徴とする請求項１６に記載のパターン形成方法。
【請求項１８】
前記シクロデキストリンは、α−シクロデキストリン、β−シクロデキストリン、γ−シクロデキストリン又はδ−シクロデキストリンであることを特徴とする請求項１７に記載のパターン形成方法。
【請求項１９】
前記水溶性ポリマーは、ポリビニールアルコール、ポリビニールピロリドン、ポリスチレンスルフォン酸、ポリアクリル酸又はプルランであることを特徴とする請求項１３又は１４に記載のパターン形成方法。
【請求項２０】
前記水溶性材料は界面活性剤を含むことを特徴とする請求項１３又は１４に記載のパターン形成方法。
【請求項２１】
前記界面活性剤は、陽イオン系界面活性剤又は非イオン系界面活性剤であることを特徴とする請求項２０に記載のパターン形成方法。
【請求項２２】
前記陽イオン系界面活性剤は、塩化セチルメチルアンモニウム、塩化ステアリルメチルアンモニウム、塩化セチルトリメチルアンモニウム、塩化ステアリルトリメチルアンモニウム、塩化ジステアリルジメチルアンモニウム、塩化ステアリルジメチルベンジルアンモニウム、塩化ドデシルメチルアンモニウム、塩化ドデシルトリメチルアンモニウム、塩化ベンジルメチルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモニウム又は塩化ベンザルコニウムであり、前記非イオン系界面活性剤は、ノニルフェノールエトキシレート、オクチルフェニルポリオキシエチレンエーテル、ラウリルポリオキシエチレンエーテル、セチルポリオキシエチレンエーテル、ショ糖脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンラノリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレングリコールモノ脂肪酸エステル、脂肪酸モノエタノールアミド、脂肪酸ジエタノールアミド又は脂肪酸トリエタノールアミドであることを特徴とする請求項２１に記載のパターン形成方法。
【請求項２３】
前記露光光は、ＫｒＦエキシマレーザ光、ＡｒＦエキシマレーザ光、Ｆ2 レーザ光、ＡｒＫｒレーザ光、Ａｒ2 レーザ光、１ｎｍ以上且つ３０ｎｍ以下の波長帯の極紫外線又は電子線であることを特徴とする請求項１３〜１５のうちのいずれか１項に記載のパターン
形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
次に、ベークされたレジスト膜２に対して、２．３８ｗｔ％のテトラメチルアンモニウムハイドロキサイド現像液（アルカリ現像液）により現像を行なうと、図７（ｄ）に示すように、レジスト膜２の未露光部よりなり０．１４μｍのライン幅を有するレジストパターン２ａを得られる。