【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年2月22日(2021.2.22)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光性ガラス上に、電力調整のための集積大キャパシタンスを、小さいフォームファクタで作製する方法であって、
感光性ガラス基板上に、前記感光性ガラスにおいて１又は２以上のビア開口部を形成するように加工された導電性シード層を堆積させるステップと、
前記感光性ガラス基板を、金属を電気めっきする金属化シード層とともに配置して、前記感光性ガラス基板における１又は２以上の開口部を充填してビアを形成するステップと、
前記感光性ガラス基板の前面及び後面を、充填されたビアまで、化学機械的に研磨するステップと、
少なくとも１対の隣接する充填されたビアの周囲で、前記感光性ガラス基板の少なくとも１つの矩形部分を露出及び変換するステップと、
前記矩形部分をエッチングして、前記少なくとも１対の隣接する充填されたビアを露出させて、金属ポストを形成するステップと、
第１の電極を形成する前記金属ポスト上に非酸化層をフラッシュコートするステップと、
前記金属ポスト上又はその周囲に誘電層を堆積させるステップと、
前記誘電層を金属コーティングして、第２の電極を形成するステップと、
第１の金属層を、前記第１の電極のすべてに対して並列に接続して、コンデンサ用の単一電極を形成するステップと、
第２の金属層を、前記第２の電極のすべてに対して並列に接続して、前記コンデンサ用の第２の電極を形成するステップと
を含む、前記方法。
【請求項２】
誘電層が、厚さ０．５ｎｍ〜１０００ｎｍの薄膜であるか、又は厚さ０．０５μｍ〜１００μｍの焼結ペーストである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
誘電層が、１０〜１０，０００の誘電率を有するか、又は２〜１００の誘電率を有する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
誘電層が、ＡＬＤによって、又はドクターブレードによって堆積される、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
コンデンサが、１，０００ｐｆ／ｍｍ２を超えるキャパシタンス密度を有する、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
感光性ガラス基板上に、電力調整のための集積大キャパシタンスを、小さいフォームファクタで作製する方法であって、
前記感光性ガラス基板上で、円形パターンをマスクするステップと、
前記感光性ガラス基板の少なくとも一部分を、活性化ＵＶエネルギー源に対して露光するステップと、
前記感光性ガラス基板を、そのガラス転移温度よりも高い温度の少なくとも１０分間の加熱フェーズに加熱するステップと、
前記感光性ガラス基板を冷却して、露光されたガラスの少なくとも一部を結晶性物質に変換して、ガラス−セラミック結晶性基板を形成するステップと、
前記感光性ガラス基板のセラミック相を、エッチング溶液で、部分的にエッチングして取り除くステップと、
前記感光性ガラス基板上に、導電性シード層を堆積させるステップと、
前記感光性ガラス基板を、金属を電気めっきする金属化シード層とともに配置して、前記感光性ガラス基板における１又は２以上の開口部を充填してビアを形成するステップと、
前記感光性ガラス基板の前面及び後面を、充填されたビアまで、化学機械的に研磨するステップと、
少なくとも１対の隣接する充填されたビアの周囲で、前記感光性ガラス基板の少なくとも１つの矩形部分を露出及び変換するステップと、
前記矩形部分をエッチングして、前記少なくとも１対の隣接する充填されたビアを露出させて、金属ポストを形成するステップと、
第１の電極を形成する前記金属ポスト上に非酸化層をフラッシュコートするステップと、
前記金属ポスト上又はその周囲に誘電層を堆積させるステップと、
前記誘電層を金属コーティングして、第２の電極を形成するステップと、
第１の金属層を、前記第１の電極のすべてに対して並列に接続して、コンデンサ用の単一電極を形成するステップと、
第２の金属層を、前記第２の電極のすべてに対して並列に接続して、前記コンデンサ用の第２の電極を形成するステップと
を含む、前記方法。
【請求項７】
誘電層が、厚さ０．５ｎｍ〜１０００ｎｍの薄膜であるか、又は厚さ０．０５μｍ〜１００μｍの焼結ペーストである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
誘電層が、１０〜１０，０００の誘電率を有するか、又は２〜１００の誘電率を有する、請求項６又は７に記載の方法。
【請求項９】
誘電層が、ＡＬＤによって、又はドクターブレードによって堆積される、請求項６〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
コンデンサが、１，０００ｐｆ／ｍｍ２を超えるキャパシタンス密度を有する、請求項６〜９のいずれかに記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
本発明の別の実施形態においては、感光性ガラス基板上に、電力調整のための集積大キャパシタンスを、小さいフォームファクタで作製する方法は、光感受性ガラス基板上で、円形パターンをマスクするステップと、光感受性ガラス基板の少なくとも一部分を、活性化ＵＶエネルギー源に対して露光するステップと、光感受性ガラス基板を、そのガラス転移温度よりも高い温度の少なくとも１０分間の加熱フェーズに加熱するステップと、光感受性ガラス基板を冷却して、露光されたガラスの少なくとも一部を結晶性物質に変換して、ガラス−セラミック結晶性基板を形成するステップと、感光性ガラス基板のセラミック相を、エッチング溶液で、部分的にエッチングして取り除くステップと、感光性ガラス上に、導電性シード層を堆積させるステップと、感光性ガラス基板を、金属を電気めっきする金属化シード層とともに配置して、感光性ガラス基板における１又は２以上の開口部を充填してビアを形成するステップと、感光性ガラス基板の前面及び後面を化学機械的に研磨して、充填されたビアのみを残すステップと、２つの隣接する充填されたビアの周囲で、光感受性ガラス基板の少なくとも１つの矩形部分を露出及び変換するステップと、矩形パテントをエッチングして、少なくとも１対の隣接する充填されたビアを露出させて、金属ポストを形成するステップと、第１の電極を形成する金属ポスト上に非酸化層をフラッシュコートするステップと、ポスト上又はその周囲に誘電層を堆積させるステップと、誘電層を金属コーティングして、第２の電極を形成するステップと、第１の金属層を、第１の電極のすべてに対して並列に接続して、コンデンサ用の単一電極を形成するステップと、第２の金属層を、第２の電極のすべてに対して並列に接続して、コンデンサ用の第２の電極を形成するステップとを含む。一態様においては、誘電層は、厚さ０．５ｎｍ〜１０００ｎｍの薄膜である。別の態様においては、誘電層は、厚さ０．０５μｍ〜１００μｍの焼結ペーストである。別の態様においては、誘電層は、１０〜１０，０００の誘電率を有する。別の態様においては、誘電層は、２〜１００の誘電率を有する。別の態様においては、誘電層は、ＡＬＤによって堆積される。別の態様においては、誘電層は、ドクターブレードによって堆積される。別の態様においては、コンデンサは、１，０００ｐｆ／ｍｍ２を超えるキャパシタンス密度を有する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
本発明のなおも別の実施形態は、光感受性ガラス基板上で、円形パターンをマスクするステップと、光感受性ガラス基板の少なくとも一部分を、活性化ＵＶエネルギー源に対して露光するステップと、光感受性ガラス基板を、そのガラス転移温度よりも高い温度の少なくとも１０分間の加熱フェーズに加熱するステップと、光感受性ガラス基板を冷却して、露光されたガラスの少なくとも一部を結晶性物質に変換して、ガラス−セラミック結晶性基板を形成するステップと、感光性ガラス基板のセラミック相を、エッチング溶液で、部分的にエッチングして取り除くステップと、感光性ガラス上に、導電性シード層を堆積させるステップと、感光性ガラス基板を、金属を電気めっきする金属化シード層とともに配置して、感光性ガラス基板における１又は２以上の開口部を充填してビアを形成するステップと、感光性ガラス基板の前面及び後面を化学機械的に研磨して、充填されたビアのみを残すステップと、２つの隣接する充填されたビアの周囲で、光感受性ガラス基板の少なくとも１つの矩形部分を露出及び変換するステップと、矩形パテントをエッチングして、少なくとも１対の隣接する充填されたビアを露出させて、金属ポストを形成するステップと、第１の電極を形成する金属ポスト上に非酸化層をフラッシュコートするステップと、ポスト上又はその周囲に誘電層を堆積させるステップと、誘電層を金属コーティングして、第２の電極を形成するステップと、第１の金属層を、第１の電極のすべてに対して並列に接続して、コンデンサ用の単一電極を形成するステップと、第２の金属層を、第２の電極のすべてに対して並列に接続して、コンデンサ用の第２の電極を形成するステップとを含む方法によって作製される、集積コンデンサを包含する。一態様においては、誘電層は、厚さ０．５ｎｍ〜１０００ｎｍの薄膜である。別の態様においては、誘電層は、厚さ０．０５μｍ〜１００μｍの焼結ペーストである。別の態様においては、誘電物質は、１０〜１０，０００の誘電率を有する。別の態様においては、誘電薄膜は、２〜１００の誘電率を有する。別の態様においては、誘電薄膜は、ＡＬＤによって堆積される。別の態様においては、誘電ペースト物質は、ドクターブレードによって堆積される。別の態様においては、コンデンサは、１，０００ｐｆ／ｍｍ２を超えるキャパシタンス密度を有する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
銀イオンは、熱処理プロセス中に銀のナノクラスターへと合体し、周囲のガラスにおいて、結晶性セラミック相を形成するための核形成部位を誘発する。この熱処理は、ガラス転移温度付近の温度で行わなければならない。セラミック結晶相は、露光されていないガラス質の非晶質ガラス状領域よりも、例えばフッ化水素酸（ＨＦ）などのエッチング液に対して溶解性である。具体的には、ＦＯＴＵＲＡＮ（登録商標）の結晶性［セラミック］領域は、１０％ＨＦで、非晶質領域よりも約２０倍速くエッチングされ、露光された領域を取り除いた際に約２０：１の壁斜面比を有するマイクロ構造体を可能にする。T. R. Dietrich et al., "Fabrication technologies for microsystems utilizing photoetchable glass," Microelectronic Engineering 30, 497 (1996)を参照されたい。これは、参照によって本明細書に援用される。他の組成の感光性ガラスは、異なる速度でエッチングされることになる。