Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月24日(2021.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ビスホスホネート（ｂｉｓｐｈｏｓｐｈｏｎａｔｅ）を有効成分として含む、慢性移植腎機能不全（ｃｈｒｏｎｉｃ  ａｌｌｏｇｒａｆｔ  ｄｙｓｆｕｃｔｉｏｎ）の予防または治療用医薬組成物。
【請求項２】
前記ビスホスホネートが、骨粗鬆症治療用途に用いられるものである、請求項１に記載の慢性移植腎機能不全の予防または治療用医薬組成物。
【請求項３】
前記ビスホスホネートは、リセドロネート（ｒｉｓｅｄｒｏｎａｔｅ；ｒｉｓｅｄｒｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、イバンドロネート（Ｉｂａｎｄｒｏｎａｔｅ；ｉｂａｎｄｒｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、エチドロネート（Ｅｔｉｄｒｏｎａｔｅ；ｅｔｉｄｒｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、アレンドロネート（Ａｌｅｎｄｒｏｎａｔｅ；ａｌｅｎｄｒｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、パミドロネート（Ｐａｍｉｄｒｏｎａｔｅ；ｐａｍｉｄｒｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、クロドロネート（Ｃｌｏｄｒｏｎａｔｅ；ｃｌｏｄｒｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、チルドロネート（Ｔｉｌｕｄｒｏｎａｔｅ；ｔｉｌｕｄｒｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、インカドロネート（Ｉｎｃａｄｒｏｎａｔｅ；ｉｎｃａｄｒｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、ミノドロネート（Ｍｉｎｏｄｒｏｎａｔｅ；ｍｉｎｏｄｒｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、オルパドロネート（Ｏｌｐａｄｒｏｎａｔｅ；ｏｌｐａｄｒｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、およびネリドロネート（Ｎｅｒｉｄｒｏｎａｔｅ；ｎｅｒｉｄｒｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）からなる群から選択された何れか１つ以上である、請求項２に記載の慢性移植腎機能不全の予防または治療用医薬組成物。
【請求項４】
前記移植腎機能不全は、腎臓、骨髄、心臓、角膜、腸、肝、肺、膵臓、および皮膚からなる群から選択された何れか１つの組織または臓器移植によるものである、請求項１に記載の慢性移植腎機能不全の予防または治療用医薬組成物。
【請求項５】
前記医薬組成物は、移植手術後における長期生存率（ｌｏｎｇ−ｔｅｒｍ  ｓｕｒｖｉｖａｌ）を増加させる、請求項１に記載の慢性移植腎機能不全の予防または治療用医薬組成物。
【請求項６】
前記医薬組成物は、懸濁液、散剤、粉末剤、顆粒剤、錠剤、徐放性製剤、注射剤、軟膏剤、または点眼剤の形態である、請求項１に記載の慢性移植腎機能不全の予防または治療用医薬組成物。
【請求項７】
ビスホスホネート（ｂｉｓｐｈｏｓｐｈｏｎａｔｅ）を有効成分として含む、慢性移植腎機能不全（ｃｈｒｏｎｉｃ  ａｌｌｏｇｒａｆｔ  ｄｙｓｆｕｃｔｉｏｎ）の予防または改善用食品組成物。
【請求項８】
前記ビスホスホネートが、骨粗鬆症治療用途に用いられるものである、請求項７に記載の慢性移植腎機能不全（ｃｈｒｏｎｉｃ  ａｌｌｏｇｒａｆｔ  ｄｙｓｆｕｃｔｉｏｎ）の予防または改善用食品組成物。
【請求項９】
前記ビスホスホネートは、リセドロネート（ｒｉｓｅｄｒｏｎａｔｅ；ｒｉｓｅｄｒｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、イバンドロネート（Ｉｂａｎｄｒｏｎａｔｅ；ｉｂａｎｄｒｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、エチドロネート（Ｅｔｉｄｒｏｎａｔｅ；ｅｔｉｄｒｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、アレンドロネート（Ａｌｅｎｄｒｏｎａｔｅ；ａｌｅｎｄｒｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、パミドロネート（Ｐａｍｉｄｒｏｎａｔｅ；ｐａｍｉｄｒｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、クロドロネート（Ｃｌｏｄｒｏｎａｔｅ；ｃｌｏｄｒｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、チルドロネート（Ｔｉｌｕｄｒｏｎａｔｅ；ｔｉｌｕｄｒｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、インカドロネート（Ｉｎｃａｄｒｏｎａｔｅ；ｉｎｃａｄｒｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、ミノドロネート（Ｍｉｎｏｄｒｏｎａｔｅ；ｍｉｎｏｄｒｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、オルパドロネート（Ｏｌｐａｄｒｏｎａｔｅ；ｏｌｐａｄｒｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）、およびネリドロネート（Ｎｅｒｉｄｒｏｎａｔｅ；ｎｅｒｉｄｒｏｎｉｃ  ａｃｉｄ）からなる群から選択された何れか１つ以上である、請求項８に記載の慢性移植腎機能不全（ｃｈｒｏｎｉｃ  ａｌｌｏｇｒａｆｔ  ｄｙｓｆｕｃｔｉｏｎ）の予防または改善用食品組成物。
【請求項１０】
前記移植腎機能不全は、腎臓、骨髄、心臓、角膜、腸、肝、肺、膵臓、および皮膚からなる群から選択された何れか１つの組織または臓器移植によるものである、請求項７に記載の慢性移植腎機能不全（ｃｈｒｏｎｉｃ  ａｌｌｏｇｒａｆｔ  ｄｙｓｆｕｃｔｉｏｎ）の予防または改善用食品組成物。
【請求項１１】
前記食品組成物は、移植手術後における長期生存率（ｌｏｎｇ−ｔｅｒｍ  ｓｕｒｖｉｖａｌ）を増加させる、請求項７に記載の慢性移植腎機能不全（ｃｈｒｏｎｉｃ  ａｌｌｏｇｒａｆｔ  ｄｙｓｆｕｃｔｉｏｎ）の予防または改善用食品組成物。
【請求項１２】
前記食品組成物は、カプセル剤、錠剤、顆粒剤、粉末剤、または飲料の形態である、請求項７に記載の慢性移植腎機能不全（ｃｈｒｏｎｉｃ  ａｌｌｏｇｒａｆｔ  ｄｙｓｆｕｃｔｉｏｎ）の予防または改善用食品組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月8日(2021.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー光回折によって測定すると、４０μｍ〜約７５μｍの範囲のＰＳＤ９０を有するゲムカベンの薬学的に許容される塩であって、約５０ｍｇ〜約９００ｍｇの用量でヒト対象に投与すると、定常状態において約２００μｇ時／ｍＬから定常状態において約６０００μｇ時／ｍＬの範囲の血漿中ゲムカベンＡＵＣ（０−２４）を実現する、ゲムカベンの薬学的に許容される塩。
【請求項２】
レーザー光回折によって測定すると、４０μｍ〜約７５μｍの範囲のＰＳＤ９０を有するゲムカベンの薬学的に許容される塩であって、ヒト対象への約５０ｍｇ〜約９００ｍｇの単回用量投与後に、約５０μｇ時／ｍＬ〜約７５００μｇ時／ｍＬの範囲の血漿中ゲムカベンＡＵＣｌａｓｔを実現する、ゲムカベンの薬学的に許容される塩。
【請求項３】
（１）２１０ｎｍの検出波長を使用する高速液体クロマトグラフィーによって測定すると、３７℃±５℃、ｐＨ５．０の酢酸カリウム緩衝液中で、４５分以内に少なくとも８０％、または（２）２１０ｎｍの検出波長を使用する高速液体クロマトグラフィーによって測定すると、３７℃±５℃、ｐＨ５．０の酢酸カリウム緩衝液中で、３０分以内に少なくとも７０％の％溶出値を特徴とする溶出プロファイルを有する、請求項１または２に記載の薬学的に許容される塩。
【請求項４】
カルシウム塩である、請求項１または２に記載の薬学的に許容される塩。
【請求項５】
肝疾患もしくは肝臓状態の異常を処置または予防するための医薬の製造における、請求項１から４のいずれか一項に記載の薬学的に許容される塩の使用。
【請求項６】
対象の血漿または血清における、対象の総コレステロール濃度、低密度リポタンパク質コレステロール濃度、低密度リポタンパク質濃度、超低密度リポタンパク質コレステロール濃度、超低密度リポタンパク質濃度、非ＨＤＬコレステロール濃度、非ＨＤＬ濃度、アポリポタンパク質Ｂ濃度、トリグリセリド濃度、アポリポタンパク質Ｃ−ＩＩＩ濃度、Ｃ反応性タンパク質濃度、フィブリノゲン濃度、リポタンパク質（a）濃度、インターロイキン−６濃度、アンジオポエチン様タンパク質３濃度、アンジオポエチン様タンパク質４濃度、ＰＣＳＫ９濃度、または血清アミロイドＡ濃度を低下させるための医薬の製造における、請求項１から４のいずれか一項に記載の薬学的に許容される塩の使用。
【請求項７】
障害または状態を処置または予防するための医薬の製造における、請求項１から４のいずれか一項に記載の薬学的に許容される塩の使用あって、障害または状態が、血栓症、血液凝塊、原発性心血管事象、続発性心血管事象、非アルコール性脂肪性肝疾患への進行、非アルコール性脂肪性肝炎、肝硬変  肝細胞癌、肝不全、すい臓炎、肺線維症及びＩＩＢ型高リポタンパク血症から選択される、使用。
【請求項８】
炎症を処置または予防するための医薬の製造における、請求項１から４のいずれか一項に記載の薬学的に許容される塩の使用。
【請求項９】
炎症が、患者の血漿または血清中のＣ反応性タンパク質の濃度向上によって示される、請求項８に記載の使用。
【請求項１０】
ウイルス性疾患を治療するための医薬の製造における、請求項１から４のいずれか一項に記載の薬学的に許容される塩の使用。
【請求項１１】
前記ウイルス性疾患がインフルエンザである、請求項１０に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月12日(2021.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式Ｉの固体形態であって、
【化１】
2020516637.tif 000001
前記固形形態が、Ａ−２、Ａ−３、Ａ−４、Ａ−５、Ａ−６、Ａ−７、Ａ−８、Ａ−９、Ａ−１０、Ａ−１２及びＡ−１３から成る群から選択される１種である、前記固体形態。
【請求項２】
腎臓尿管イメージングの方法であって、
【化２】
2020516637.tif 000002
式Ｉの多形体の診断的有効量を含む組成物を対象に投与すること、
ここで前記多形体は、Ａ−２、Ａ−３、Ａ−４、Ａ−５、Ａ−６、Ａ−７、Ａ−８、Ａ−９、Ａ−１０、Ａ−１２及びＡ−１３から成る群から選択され、前記投与は、処置前、処置中、処置後及びそれらの組み合わせからなる群から選択される１又は複数回実施され、
前記対象の腎臓系の組織を電磁放射線に曝露すること、及び
前記化合物からの蛍光放射線を検出することを含む、前記方法。
【請求項３】
前記投与が静脈内投与である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記医薬的に許容されるカチオンが、カリウム又はナトリウムからなる群から選択される、請求項２又は３に記載の方法。
【請求項５】
前記組成物が、滅菌生理食塩水、滅菌水溶液、発熱物質を含まない水溶液、等張性又は０．５Ｎ食塩水、及びリン酸緩衝液からなる群から選択される医薬的に許容される担体を含む、請求項２〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
およそ０．０１μｇ／ｋｇ〜およそ３０００．０μｇ／ｋｇの範囲内の前記化合物の診断的有効量で、前記投与が実施される、請求項２〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
投与後の期間に、前記対象の腎臓系の前記組織に残留する前記投与した化合物の蛍光強度を測定すること、をさらに含む、請求項２〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記投与した化合物の前記測定した蛍光強度が、投与後およそ２４時間のバックグラウンド蛍光である、請求項２〜７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記処置が、腹腔鏡手術、ロボット手術、ロボット腹腔鏡手術、及び開放術からなる群から選択される、請求項２〜８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記投与後およそ６時間までは、腎臓における前記投与した化合物の前記測定した蛍光強度が、１又は複数の脾臓、腸、心臓、肺、筋肉、又はそれらの組み合わせにおける前記投与した化合物の前記測定した蛍光強度よりも高い、請求項７〜９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
式Ｉの多形体の画像診断量及び医薬的に許容される担体を含む医薬組成物。
【請求項１２】
前記医薬的に許容される担体が、塩類を含む、請求項１１に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
前記多形体が、Ａ−２、Ａ−３、Ａ−４、Ａ−５、Ａ−６、Ａ−７、Ａ−８、Ａ−９、Ａ−１０、Ａ−１２及びＡ−１３から成る群から選択される多形体である、請求項１１に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
前記製剤が、糖又は糖アルコール及び有機酸を有する凍結乾燥ケークの再構成物を含む、請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
前記酸が、クエン酸、リンゴ酸、酒石酸、乳酸、ギ酸、アスコルビン酸、フマル酸、グルコン酸、コハク酸、マレイン酸、アジピン酸、及びそれらのいずれかの混合物からなる群から選択される１種である、請求項１４に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
前記糖又は糖アルコールが、エリスリトール、タガトース、スクロース、フルクトース、グルコース、ソルビトール、マンニトール、マルチトール、キシリトール、グリチルリチン、マリトール、マルトース、ラクトース、キシロース、アラビノース、イソマルト、ラクチトール、トレハルロース、リボース、及びそれらのいずれかの組み合わせからなる群から選択される１種である、請求項１４に記載の医薬組成物。
【請求項１７】
請求項１１〜１３のいずれか一項に記載の医薬組成物及び取扱説明書を含むキット。
【請求項１８】
式ＩのＡ−２、Ａ−３、Ａ−４、Ａ−５、Ａ−６、Ａ−７、Ａ−８、Ａ−９、Ａ−１０、Ａ−１２及びＡ−１３から成る群から選択される化合物を製造する方法であって、
【化１７】
2020516637.tif 000003
式Ｉの形態を溶媒系に溶解して混合物を生成すること、
所望により前記混合物を播種すること、
貧溶媒を添加してスラリーを生成すること、及び
前記最終スラリーをろ過して式ＩのＡ−２、Ａ−３、Ａ−４、Ａ−５、Ａ−６、Ａ−７、Ａ−８、Ａ−９、Ａ−１０、Ａ−１２及びＡ−１３から成る群から選択される形態の前記化合物を製造すること、を含む前記方法。
【請求項１９】
前記溶媒系が、有機溶媒及び水を含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記溶媒系が、約５％（ｖ／ｖ）〜約９５％（ｖ／ｖ）の有機溶媒を含む、請求項１８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月18日(2021.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
糖尿病を罹患している被験体における炎症及び慢性疼痛を治療する方法であって、ＡＰＥ１のアミノ末端部分を選択的に阻害する、３−［（５−（２，３−ジメトキシ−６−メチル１，４−ベンゾキノイル）］−２−ノニル−２−プロピオン酸（ＡＰＸ３３３０）、［（２Ｅ）−２−［（３−メトキシ−１，４−ジオキソ−１，４−ジヒドロナフタレン−２−イル）メチリデン］−Ｎ，Ｎ−ジエチルペンタンアミド］（ＡＰＸ２００９）、（２Ｅ）−２−［（３−メトキシ−１，４−ジオキソ−１，４−ジヒドロナフタレン−２−イル）メチリデン］−Ｎ，Ｎ−ジメチルペンタンアミド］（ＡＰＸ２００７）、（２Ｅ）−２−［（３−メトキシ−１，４−ジオキソ−１，４−ジヒドロナフタレン−２−イル）メチリデン］−Ｎ−メトキシペンタンアミド］（ＡＰＸ２０１４）、（２Ｅ）−２−（３−メトキシ−１，４−ジオキソ−１，４−ジヒドロナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ，２−トリメチルプロパ−２−エンアミド（ＡＰＸ２０３２）、これらの薬学的に許容し得る塩、及び薬学的に許容し得る溶媒和物、並びにこれらの組み合わせからなる群から選択される脱プリン／脱ピリミジン部位エンドヌクレアーゼ１酸化還元因子１（ＡＰＥ１／Ｒｅｆ−１）阻害剤の有効量を前記被験体に投与する工程を含む方法。
【請求項２】
前記ＡＰＥ１／Ｒｅｆ−１阻害剤が、３−［（５−（２，３−ジメトキシ−６−メチル１，４−ベンゾキノイル）］−２−ノニル−２−プロピオン酸（ＡＰＸ３３３０）、［（２Ｅ）−２−［（３−メトキシ−１，４−ジオキソ−１，４−ジヒドロナフタレン−２−イル）メチリデン］−Ｎ，Ｎ−ジエチルペンタンアミド］（ＡＰＸ２００９）、（２Ｅ）−２−［（３−メトキシ−１，４−ジオキソ−１，４−ジヒドロナフタレン−２−イル）メチリデン］−Ｎ−メトキシペンタンアミド］（ＡＰＸ２０１４）、これらの薬学的に許容し得る塩及び薬学的に許容し得る溶媒和物、並びにこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
白金薬剤、タキサン、ドキソルビシン、アルカロイド、サリドマイド、レナリドミド、ポマリドミド、ボルテゾミブ、カルフィルゾミブ、エリブリン、電離放射線、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの追加の治療剤を投与する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
シスプラチン、及びオキサリプラチンから選択される少なくとも１つの追加の治療剤を前記被験体に投与する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ＡＰＥ１／Ｒｅｆ−１阻害剤がＡＰＸ３３３０であり、前記被験体に約５μＭ〜約５０μＭのＡＰＸ３３３０を投与する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
糖尿病を罹患している被験体におけるＤＮＡ塩基除去修復（ＢＥＲ）経路を強化する方法であって、ＡＰＥ１のアミノ末端部分を選択的に阻害する、３−［（５−（２，３−ジメトキシ−６−メチル１，４−ベンゾキノイル）］−２−ノニル−２−プロピオン酸（ＡＰＸ３３３０）、［（２Ｅ）−２−［（３−メトキシ−１，４−ジオキソ−１，４−ジヒドロナフタレン−２−イル）メチリデン］−Ｎ，Ｎ−ジエチルペンタンアミド］（ＡＰＸ２００９）、（２Ｅ）−２−［（３−メトキシ−１，４−ジオキソ−１，４−ジヒドロナフタレン−２−イル）メチリデン］−Ｎ，Ｎ−ジメチルペンタンアミド］（ＡＰＸ２００７）、（２Ｅ）−２−［（３−メトキシ−１，４−ジオキソ−１，４−ジヒドロナフタレン−２−イル）メチリデン］−Ｎ−メトキシペンタンアミド］（ＡＰＸ２０１４）、（２Ｅ）−２−（３−メトキシ−１，４−ジオキソ−１，４−ジヒドロナフタレン−２−イル）−Ｎ，Ｎ，２−トリメチルプロパ−２−エンアミド（ＡＰＸ２０３２）、これらの薬学的に許容し得る塩、及び薬学的に許容し得る溶媒和物からなる群から選択される、脱プリン／脱ピリミジン部位エンドヌクレアーゼ１酸化還元因子１（ＡＰＥ１／Ｒｅｆ−１）阻害剤、その薬学的に許容し得る塩又は薬学的に許容し得る溶媒和物の有効量を前記被験体に投与する工程を含む方法。
【請求項７】
前記ＡＰＥ１／Ｒｅｆ−１阻害剤が、３−［（５−（２，３−ジメトキシ−６−メチル１，４−ベンゾキノイル）］−２−ノニル−２−プロピオン酸（ＡＰＸ３３３０）、［（２Ｅ）−２−［（３−メトキシ−１，４−ジオキソ−１，４−ジヒドロナフタレン−２−イル）メチリデン］−Ｎ，Ｎ−ジエチルペンタンアミド］（ＡＰＸ２００９）、（２Ｅ）−２−［（３−メトキシ−１，４−ジオキソ−１，４−ジヒドロナフタレン−２−イル）メチリデン］−Ｎ−メトキシペンタンアミド］（ＡＰＸ２０１４）、これらの薬学的に許容し得る塩及び薬学的に許容し得る溶媒和物、並びにこれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
白金薬剤、タキサン、ドキソルビシン、アルカロイド、サリドマイド、レナリドミド、ポマリドミド、ボルテゾミブ、カルフィルゾミブ、エリブリン、電離放射線、及びこれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの追加の治療剤を投与する工程をさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
シスプラチン、及びオキサリプラチンから選択される少なくとも１つの追加の治療剤を前記被験体に投与する工程をさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＡＰＥ１／Ｒｅｆ−１阻害剤がＡＰＸ３３３０であり、前記被験体に約５μＭ〜約５０μＭのＡＰＸ３３３０を投与する、請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月8日(2021.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非婦人科癌を予防又は処置する為のヒトＡＭＨＲＩＩ結合性剤。
【請求項２】
前記非婦人科癌が、結腸癌、肝臓癌、肝細胞癌、精巣癌、甲状腺癌、胃癌、胃腸癌、膀胱癌、膵癌、頭頸部癌、腎臓癌、脂肪肉腫、線維肉腫、胸膜中皮腫、メラノーマ、肉腫、脳癌、骨癌、乳癌、前立腺癌、及び白血病を含む群から選択される、請求項１に記載のヒトＡＭＨＲＩＩ結合性剤。
【請求項３】
モノクロナール抗ＡＭＨＲＩＩ抗体及びそのＡＭＨＲＩＩ結合性フラグメントからなる群から選択される、請求項１又は２に記載のヒトＡＭＨＲＩＩ結合性剤。
【請求項４】
下記の抗体からなる群から選択されるモノクロナール抗体である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のヒトＡＭＨＲＩＩ結合性剤：
ａ）配列番号２を含む軽鎖及び配列番号４を含む重鎖（リーダーを有さない３Ｃ２３  ＶＬ及びＶＨ配列）；
ｂ）配列番号６を含む軽鎖及び配列番号８を含む重鎖（リーダーを有さない３Ｃ２３Ｋ  ＶＬ及びＶＨ配列）；
ｃ）配列番号１０を含む軽鎖及び配列番号１２を含む重鎖（リーダーを有さない３Ｃ２３軽鎖及び重鎖）；
ｄ）配列番号１４を含む軽鎖及び配列番号１６を含む重鎖（リーダーを有さない３Ｃ２３Ｋ軽鎖及び重鎖）。
【請求項５】
下記の配列を含む複数のＣＤＲを含むモノクロナール抗体である、請求項１に記載のヒトＡＭＨＲＩＩ結合性剤：
ＣＤＲＬ−１：ＲＡＳＸ１Ｘ２ＶＸ３Ｘ４Ｘ５Ａ（配列番号６５）、ここで、Ｘ１及びＸ２は独立してＳ又はＰであり、Ｘ３はＲ又はＷ又はＧであり、Ｘ４はＴ又はＤであり、及びＸ５はＩ又はＴである；
ＣＤＲＬ−２は、ＰＴＳＳＬＸ６Ｓ（配列番号６６）であり、ここで、Ｘ６はＫ又はＥである；並びに
ＣＤＲＬ−３は、ＬＱＷＳＳＹＰＷＴ（配列番号６７）である；
ＣＤＲＨ−１は、ＫＡＳＧＹＸ７ＦＴＸ８Ｘ９ＨＩＨ（配列番号６８）であり、ここで、Ｘ７はＳ又はＴであり、Ｘ８はＳ又はＧであり、及びＸ９はＹ又はＮである；
ＣＤＲＨ−２は、ＷＩＹＰＸ１０ＤＤＳＴＫＹＳＱＫＦＱＧ（配列番号６９）であり、ここで、Ｘ１０はＧ又はＥである、並びに
ＣＤＲＨ−３は、ＧＤＲＦＡＹ（配列番号７０）である。
【請求項６】
上記結合性剤が、抗体薬物コンジュゲートからなる、請求項１〜５のいずれか１項に記載のヒトＡＭＨＲＩＩ結合性剤。
【請求項７】
ＡＭＨＲＩＩ結合性の操作された受容体である、請求項１に記載のヒトＡＭＨＲＩＩ結合性剤。
【請求項８】
ＡＭＨＲＩＩ結合性の操作された受容体を発現する細胞である、請求項１に記載のヒトＡＭＨＲＩＩ結合性剤。
【請求項９】
ＡＭＨＲＩＩ結合性の操作された受容体を発現するＣＡＲ  Ｔ細胞又はＮＫ  Ｔ細胞である、請求項８に記載のヒトＡＭＨＲＩＩ結合性剤。
【請求項１０】
１以上の他の抗癌活性剤をさらに含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載のヒトＡＭＨＲＩＩ結合性剤。
【請求項１１】
個体が、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のヒトＡＭＨＲＩＩ結合性剤での癌処置に応答性であるかを判断する方法であって、上記個体から予め得られた腫瘍組織サンプルが、細胞表面においてＡＭＨＲＩＩタンパク質を発現するかを決定する工程を含む上記方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月8日(2021.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
細胞分離における使用のためのヒト化モノクローナル終末糖化産物抗体であって、
前記抗体が、重鎖及び軽鎖を含み、
前記重鎖が、配列番号２、配列番号３、配列番号４、及び配列番号５からなる群から選択される少なくとも１つのアミノ酸配列を含み、
前記軽鎖が、配列番号１２、配列番号１３、配列番号１４、及び配列番号１５からなる群から選択される少なくとも１つのアミノ酸配列を含み、かつ、
前記抗体がカルボキシメチルリシン修飾タンパク質又はペプチドに結合する、前記抗体。
【請求項２】
ＣＭＬ−オボアルブミンに結合する、請求項１に記載の抗体。
【請求項３】
最大で６×１０−３（秒−１）の解離速度（Ｋｄ）を有する、請求項１又は２に記載の抗体。
【請求項４】
細胞分離が、少なくとも１つの疾患若しくは障害を有する対象から得られた組織試料又は液体試料からＡＧＥ修飾細胞を除去することを含む、請求項１〜３のいずれかに記載の抗体であって、前記疾患若しくは障害が、アルツハイマー病、筋委縮性側索硬化症、慢性閉塞性肺疾患、ハンチントン舞踏病、特発性肺線維症、筋ジストロフィー、黄斑変性症、白内障、糖尿病性網膜症、パーキンソン病、早老症、白斑症、嚢胞性線維症、アトピー性皮膚炎、湿疹、関節炎、アテローム性動脈硬化症、がん、転移性がん、がん治療関連障害又はがん治療副作用、高血圧症、緑内障、骨粗鬆症、サルコペニア、悪液質、脳卒中、心筋梗塞、心房細動、移植拒絶反応、Ｉ型糖尿病、II型糖尿病、放射線被曝、ＨＩＶ治療副作用、化学兵器被曝、中毒症、炎症、腎症、レビー小体認知症、プリオン病、脊椎湾曲症、自己免疫疾患、脂肪組織の減少、乾癬、クローン病、喘息、加齢による生理作用、特発性ミオパシー、多発性硬化症、視神経脊髄炎、てんかん、及び副腎白質ジストロフィーからなる群から選択される、前記抗体。
【請求項５】
カルボキシメチルリシン修飾タンパク質又はペプチドが、老化細胞上にある、請求項１〜４のいずれかに記載の抗体。
【請求項６】
細胞分離が、
組織試料又は液体試料を磁気ビーズ上でコーティングされた抗体と接触させること；
ＡＧＥ修飾細胞を前記抗体と結合させること、及び
磁場を印加すること；
を含む、請求項１〜５のいずれかに記載の抗体。
【請求項７】
ヒト化モノクローナル終末糖化産物抗体でコーティングされた磁気ビーズであって、
前記抗体が、重鎖及び軽鎖を含み、
前記重鎖が、配列番号２、配列番号３、配列番号４、及び配列番号５からなる群から選択される少なくとも１つのアミノ酸配列を含み、
前記軽鎖が、配列番号１２、配列番号１３、配列番号１４、及び配列番号１５からなる群から選択される少なくとも１つのアミノ酸配列を含み、かつ、
前記抗体がカルボキシメチルリシン修飾タンパク質又はペプチドに結合する、前記磁気ビーズ。
【請求項８】
組織培養物、細胞培養物又は血液中の細胞を精製する方法であって、
ＡＧＥ修飾細胞を、前記組織培養物、細胞培養物又は血液から、磁気細胞分離、
イムノパニング、又は免疫吸着法によって単離することを含み、
前記組織培養物、細胞培養物又は血液中のＡＧＥ修飾細胞をヒト化モノクローナル終末糖化産物抗体と接触させることを含み、
前記抗体が、重鎖及び軽鎖を含み、
前記重鎖が、配列番号２、配列番号３、配列番号４、及び配列番号５からなる群から選択される少なくとも１つのアミノ酸配列を含み、
前記軽鎖が、配列番号１２、配列番号１３、配列番号１４、及び配列番号１５からなる群から選択される少なくとも１つのアミノ酸配列を含み、かつ、
前記抗体がカルボキシメチルリシン修飾タンパク質又はペプチドに結合する、
前記方法。
【請求項９】
磁気細胞分離、イムノパニング、又は免疫吸着法による、患者への輸注用の血液の精製における使用のための、ヒト化モノクローナル終末糖化産物抗体であって、
前記精製が、
ａ）患者血液を、前記抗体とエックスビボで接触させること；
ｂ）前記血液内のＡＧＥ修飾細胞を、前記抗体と結合させること；
ｃ）結合したＡＧＥ修飾細胞を、前記血液から選択的に除去し、精製された血液を提供すること；及び任意で
ｄ）前記精製された血液を前記患者に戻すこと；
を含み、
前記抗体が、重鎖及び軽鎖を含み、
前記重鎖が、配列番号２、配列番号３、配列番号４、及び配列番号５からなる群から選択される少なくとも１つのアミノ酸配列を含み、
前記軽鎖が、配列番号１２、配列番号１３、配列番号１４、及び配列番号１５からなる群から選択される少なくとも１つのアミノ酸配列を含み、かつ、
前記抗体がカルボキシメチルリシン修飾タンパク質又はペプチドに結合する、
前記抗体。
【請求項１０】
重鎖が、配列番号４を含み、かつ
軽鎖が、配列番号１３を含む、
請求項１〜９のいずれかに記載の磁気ビーズ、方法又は抗体。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月12日(2021.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１１】
上記の明細書は、説明を目的として与えられる実施例と共に本発明の原理を教示するものであるが、本発明の実施には、以下の特許請求の範囲及びその均等物の範囲内に含まれる全ての通常の変形例、適合例及び／又は改変例が包含される点が理解されるであろう。
以下の態様を包含し得る。
［１］  前立腺癌の治療を必要とする患者に、治療有効量のニラパリブ、治療有効量の酢酸アビラテロン、及び治療有効量のプレドニゾンを投与することを含む、前立腺癌を治療するための方法。
［２］  前記前立腺癌が、ホルモン感受性又は去勢抵抗性前立腺癌である、上記［１］に記載の方法。
［３］  ニラパリブ及び酢酸アビラテロンが、前記患者に単一組成物で投与される、上記［２］に記載の方法。
［４］  ニラパリブが、酢酸アビラテロンとは別個の組成物で投与される、上記［２］に記載の方法。
［５］  ニラパリブ及び酢酸アビラテロンがそれぞれ、前記患者に１日１回投与される、上記［１］に記載の方法。
［６］  ニラパリブが、前記酢酸アビラテロン及びプレドニゾンとは別個の組成物で投与される、上記［１］のいずれか一項に記載の方法。
［７］  ニラパリブ、酢酸アビラテロン、及びプレドニゾンがそれぞれ、別個の組成物で投与される、上記［１］のいずれか一項に記載の方法。
［８］  前記患者に、約５００〜約１５００ｍｇ／日の酢酸アビラテロンを投与することを含む、上記［２］に記載の方法。
［９］  前記患者に、約６００〜約１３００ｍｇ／日の酢酸アビラテロンを投与することを含む、上記［８］に記載の方法。
［１０］  前記患者に、約９００〜約１１００ｍｇ／日の酢酸アビラテロンを投与することを含む、上記［９］に記載の方法。
［１１］  前記患者に、約１０００ｍｇ／日の酢酸アビラテロンを投与することを含む、上記［１０］に記載の方法。
［１２］  前記患者に、約５００ｍｇ／日の酢酸アビラテロンを投与することを含む、上記［１１］に記載の方法。
［１３］  前記患者に、約３０〜約４００ｍｇ／日のニラパリブを投与することを含む、上記［８］に記載の方法。
［１４］  前記患者に、約１００〜約３００ｍｇ／日のニラパリブを投与することを含む、上記［１３］に記載の方法。
［１５］  前記患者に、約１７５〜約２２５ｍｇ／日のニラパリブを投与することを含む、上記［１４］に記載の方法。
［１６］  前記患者に、約２００ｍｇ／日のニラパリブを投与することを含む、上記［１１］に記載の方法。
［１７］  前記患者に、約２００ｍｇ／日のニラパリブを投与することを含む、上記［１２］に記載の方法。
［１８］  前記患者に、約１〜約２５ｍｇ／日のプレドニゾンを投与することを含む、上記［１３］に記載の方法。
［１９］  前記患者に、約５〜約１５ｍｇ／日のプレドニゾンを投与することを含む、上記［１４］に記載の方法。
［２０］  前記患者に、約９〜約１１ｍｇ／日のプレドニゾンを投与することを含む、上記［１５］に記載の方法。
［２１］  前記患者に、約１０ｍｇ／日のプレドニゾンを投与することを含む、上記［１６］に記載の方法。
［２２］  前記患者に、約１０ｍｇ／日のプレドニゾンを投与することを含む、上記［１７］に記載の方法。
［２３］  前記患者に、約５ｍｇ／日のプレドニゾンを投与することを含む、上記［１６］に記載の方法。
［２４］  前記患者に、約５ｍｇ／日のプレドニゾンを投与することを含む、上記［１７］に記載の方法。
［２５］  前記患者に、複数日にわたってニラパリブ及び酢酸アビラテロンを１日１回投与することと、前記ニラパリブ及び酢酸アビラテロンの一方又は両方の用量を経時的に少なくとも１回増加させることと、を含む、上記［１］に記載の方法。
［２６］  前記ニラパリブの投与が、経時的に少なくとも１回増加される、上記［５］に記載の方法。
［２７］  前記患者に、複数日にわたってプレドニゾンを１日２回投与することと、前記プレドニゾンの用量を経時的に少なくとも１回増加させることと、を含む、上記［２５］に記載の方法。
［２８］  前記患者に、ニラパリブ、酢酸アビラテロン、及びプレドニゾンを経口投与することを含む、上記［１］に記載の方法。
［２９］  前記患者が、ニラパリブ及び酢酸アビラテロンの第１の用量を投与する前にタキサン系化学療法を受けた、前記いずれかの上記［１］に記載の方法。
［３０］  前記患者が、ニラパリブ及び酢酸アビラテロンの第１の用量を投与する前に少なくとも１種類のアンドロゲン受容体標的療法を受けた、上記［１］に記載の方法。
［３１］  ニラパリブと、酢酸アビラテロンと、プレドニゾンと、を、単一の経口剤形中に、ヒト患者における前立腺癌の治療に対し治療的に有効な総量で含む、医薬組成物。
［３２］  前記組成物が、経口投与用に構成されている、上記［１］に記載の組成物。
［３３］  前記組成物が、約１００〜約３５０ｍｇのニラパリブと、約１００〜約１５００ｍｇの酢酸アビラテロンと、約２〜約１５ｍｇのプレドニゾンと、を含む、上記［３１］又は上記［３２３２］に記載の組成物。
［３４］  ニラパリブと、酢酸アビラテロンと、プレドニゾンと、を、複数の経口剤形中に、ヒト患者における前立腺癌の治療に対し治療的に有効な総量で含む、医薬組成物。
［３５］  前記組成物が、経口投与用に構成されている、上記［３３］に記載の組成物。
［３６］  前記組成物が、約１００〜約３５０ｍｇのニラパリブと、約１００〜約１５００ｍｇの酢酸アビラテロンと、約２〜約１５ｍｇのプレドニゾンと、を含む、上記［３４］又は上記［３５］に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月14日(2021.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リピート非ＡＴＧタンパク質（ＲＡＮタンパク質）翻訳を阻害する方法であって、リピート非ＡＴＧタンパク質（ＲＡＮタンパク質）を発現する細胞を、有効量の真核生物開始因子２（ｅＩＦ２）モジュレート剤またはプロテインキナーゼＲ（ＰＫＲ）モジュレート剤に接触させることを含む、前記方法。
【請求項２】
リピート非ＡＴＧタンパク質（ＲＡＮタンパク質）翻訳と関連する疾患を処置する方法であって、リピート非ＡＴＧタンパク質（ＲＡＮタンパク質）を発現している対象へ、有効量の真核生物開始因子２（ｅＩＦ２）モジュレート剤またはＰＫＲモジュレート剤を投与することを含む、前記方法。
【請求項３】
ＲＡＮタンパク質が、ポリ−アラニン、ポリ−ロイシン、ポリ−セリン、ポリ−システイン、ポリ−グルタミン、ポリ−Ｌｅｕ−Ｐｒｏ−Ａｌａ−Ｃｙｓ、ポリ−Ｇｌｎ−Ａｌａ−Ｇｌｙ−Ａｒｇ、ポリ−Ｇｌｙ−Ｐｒｏ、ポリ−Ｇｌｙ−Ａｒｇ、ポリ−Ｇｌｙ−Ａｌａ、またはポリ−Ｐｒｏ−Ａｌａ、ポリ−Ｐｒｏ−Ａｒｇ、ポリ−Ｇｌｙ−Ｐｒｏである、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
ＲＡＮタンパク質が、ハンチントン病（ＨＤ、ＨＤＬ２）、脆弱Ｘ症候群（ＦＲＡＸＡ）、球脊髄性筋萎縮症（ＳＢＭＡ）、歯状核赤核淡蒼球ルイ体萎縮症（ＤＲＰＬＡ）、脊髄小脳失調症１（ＳＣＡ１）、脊髄小脳失調症２（ＳＣＡ２）、脊髄小脳失調症３（ＳＣＡ３）、脊髄小脳失調症６（ＳＣＡ６）、脊髄小脳失調症７（ＳＣＡ７）、脊髄小脳失調症８（ＳＣＡ８）、脊髄小脳失調症１２（ＳＣＡ１２）または脊髄小脳失調症１７（ＳＣＡ１７）、筋萎縮性側索硬化症（ＡＬＳ）、脊髄小脳失調症３６型（ＳＣＡ３６）、脊髄小脳失調症２９型（ＳＣＡ２９）、脊髄小脳失調症１０型（ＳＣＡ１０）、筋強直性ジストロフィー１型（ＤＭ１）、筋強直性ジストロフィー２型（ＤＭ２）、またはフックス角膜内皮ジストロフィー（例として、CTG181）と関連する遺伝子によってコードされる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
（ｉ）ｅＩＦ２モジュレート剤が、ｅＩＦ２αのリン酸化を阻害するか、ｅＩＦ２Ａの発現もしくは活性を阻害するか、または、ｅＩＦ２αのリン酸化およびｅＩＦ２Ａの発現もしくは活性を阻害するか、または、（ｉｉ）ｅｉＦ２モジュレート剤またはＰＫＲモジュレート剤が、プロテインキナーゼＲ（ＰＫＲ）発現もしくは活性を阻害する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
ｅＩＦ２モジュレート剤またはＰＫＲモジュレート剤が、タンパク質、核酸、または小分子である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
ｅＩＦ２モジュレート剤またはＰＫＲモジュレート剤が、式（Ｉ）
【化１】
2020516674.tif 000001
で表される化合物、またはその薬学的に許容し得る塩、溶媒和物、水和物、互変異性体、立体異性体、誘導体、またはプロドラッグであり、ここで：Ｒ１は、水素、任意に置換されたアルキル、または窒素保護基であり；および Ｒ２は、水素、任意に置換されたアルキル、または窒素保護基である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
化合物が、式：
【化２】
2020516674.tif 000002
（メトホルミン）、
【化３】
2020516674.tif 000003
（ブホルミン）、
【化４】
2020516674.tif 000004
（フェンホルミン）、
で表されるものであるか、またはその薬学的に許容し得る塩、溶媒和物、水和物、互変異性体、立体異性体、誘導体、またはプロドラッグである、請求項７に記載の化合物。
【請求項９】
ｅＩＦ２モジュレート剤が、阻害性核酸である、請求項１〜8のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
阻害性核酸が、ｄｓＲＮＡ、ｓｉＲＮＡ、ｓｈＲＮＡ、ｍｉ−ＲＮＡ、人工ｍｉＲＮＡ（ａｍｉ−ＲＮＡ）、アンチセンスオリゴヌクレオチド（ＡＳＯ）、またはＲＮＡアプタマーである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
ＰＫＲモジュレート剤が、プロテインキナーゼＲ（ＰＫＲ）のドミナントネガティブバリアントである、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
ドミナントネガティブバリアントが、Ｋ２９６Ｒ突然変異を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
ｅｉＦ２モジュレート剤が、ベクターによって細胞へ送達される、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
ウイルスベクターが、組換えアデノ随伴ウイルス（ｒＡＡＶ）である、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
ｒＡＡＶが、ＡＡＶ９カプシドタンパク質またはそれらのバリアントを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
（ｉ）カプシドタンパク質；および（ｉｉ）プロモーターに作動可能に連結されたｅＩＦ２モジュレート剤をコードする導入遺伝子を含む核酸を含む、組換えアデノ随伴ウイルス（ｒＡＡＶ）。
【請求項１７】
カプシドタンパク質が、ＡＡＶ９カプシドタンパク質またはそのバリアントである、請求項１６に記載のｒＡＡＶ。
【請求項１８】
導入遺伝子が、プロテインキナーゼＲ（ＰＫＲ）のドミナントネガティブバリアントをコードする、請求項１７に記載のｒＡＡＶ。
【請求項１９】
ドミナントネガティブバリアントが、Ｋ２９６Ｒ突然変異を含む、請求項１８に記載のｒＡＡＶ。
【請求項２０】
請求項１６〜１９のいずれか一項に記載のｒＡＡＶおよび薬学的に許容し得る賦形剤を含む、医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月24日(2020.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電池セルであって：
中空コアの周囲に一緒に巻かれる電極の対と；
各電極タブが前記電極のうちの別個の１つに結合される、複数の電極タブと；
前記電極の対を包囲する可撓性外側ラッパーであって、該可撓性外側ラッパーは、前記中空コアに対応する開口を形成し、前記複数の電極タブの各々が、該可撓性外側ラッパーの外面を通って半径方向に突出する、可撓性外側ラッパーと；
を含む、電池セル。
【請求項２】
前記中空コアは可撓性である、
請求項１に記載の電池セル。
【請求項３】
前記中空コアはアルミニウム箔を含む、
請求項１又は２に記載の電池セル。
【請求項４】
前記中空コアは円筒形である、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電池セル。
【請求項５】
前記可撓性外側ラッパーは、積層アルミニウム箔を含む、
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電池セル。
【請求項６】
前記中空コアの外面上に被覆されたポリマー層を更に含む、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電池セル。
【請求項７】
前記可撓性外側ラッパーは、ナイロン外層と、積層アルミニウム箔層と、該積層アルミニウム箔層の内面上に被覆されたポリマー層を含む、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の電池セル。
【請求項８】
電池セルであって、
リング形状の断面を有する剛性円筒形コアと；
前記剛性円筒形コアの外面に被覆された第１ポリマー層と；
反極性の電極の対及び該電極の間に配置される絶縁性セパレータであって、前記第１ポリマー層で被覆された前記剛性円筒形コアの前記外面の周囲に一緒に巻かれる、前記電極の対及び前記絶縁性セパレータと；
前記電極の対を囲む可撓性外側ラッパーであり、該可撓性外側ラッパーは、前記剛性円筒形コアに対応する開口を形成する、可撓性外側ラッパーと；
各電極タブが前記電極のうちの別個の１つに結合されて、前記可撓性外側ラッパーから半径方向に突出する、複数の電極タブと；
を含む、電池セル。
【請求項９】
前記剛性円筒形コアは、ポリマー被覆ステンレス鋼を含む、
請求項８に記載の電池セル。
【請求項１０】
電池セルを製造する方法であって：
電極間に配置される絶縁性セパレータとともに電極の対を剛性コアの周囲に巻くステップであって、前記電極の各々は、それに接合される複数の電極タブのうちの別個の１つを有するステップと；
前記電極及び前記絶縁性セパレータから前記剛性コアを除去するステップと；
前記電極及び前記絶縁性セパレータのための可撓性筐体を形成するように、前記電極及び前記絶縁性セパレータの周囲を可撓性ラッパーの層でラップするステップであって、前記複数の電極タブは前記可撓性筐体から半径方向に突出するステップと；
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月13日(2021.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラチナをパターニングするための方法であって、
半導体基板の上に接着層を堆積することと、
前記接着層の上に犠牲層を堆積することと、
前記犠牲層の上にパターニングされたフォトレジスト層を形成することと、
前記接着層の第１の部分を露出させるために前記フォトレジスト層をマスクとして用いて前記犠牲層の一部を除去することと、
前記犠牲層の頂部表面と側壁表面と、前記接着層の前記第１の部分との上にプラチナ層を堆積することと、
前記犠牲層と、前記犠牲層の頂部表面と側壁表面とを覆う前記プラチナ層の一部とをエッチングし、それによって、前記半導体基板の上にパターニングされたプラチナ層を形成するために前記プラチナ層の残っている部分を残すことと、
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記犠牲層と、前記犠牲層の頂部表面と側壁表面とを覆う前記プラチナ層の一部とをエッチングすることが、単一の処理工程において実施される、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記犠牲層の頂部表面と側壁表面と、前記接着層の前記第１の部分との上にプラチナ層を堆積することが、スパッタ堆積プロセスを実施することを含む、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記犠牲層と、前記犠牲層の頂部表面と側壁表面とを覆う前記プラチナ層の一部とをエッチングすることが、前記頂部表面を覆う前記プラチナ層が完全にエッチングされる前に、前記側壁表面を覆う前記プラチナ層の一部に開口を形成するように、或る時間期間の間にウェットエッチングプロセスを実施することを含む、方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、
前記犠牲層が前記側壁表面を覆う前記プラチナ層の開口から前記ウェットエッチングプロセスのエッチャント材料に曝され、前記犠牲層が前記プラチナ層よりも速い速度でエッチングされる、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、
前記エッチャント材料が王水化学物質を含む、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記パターニングされたプラチナ層によって覆われていない前記接着層の部分を除去することを更に含む、方法。
【請求項８】
プラチナをパターニングするための方法であって、
基板の上に犠牲層を堆積することと、
前記犠牲層の上にパターニングされたフォトレジスト層を形成することと、
前記基板の頂部表面の一部を露出するために前記フォトレジスト層をマスクとして用いることによって前記犠牲層をパターニングすることと、
前記基板上にプラチナ層をスパッタ堆積することであって、前記プラチナ層が前記パターニングされた犠牲層と前記基板の頂部表面の前記露出された部分とを覆う、前記プラチナ層をスパッタ堆積することと、
前記パターニングされた犠牲層と前記パターニングされた犠牲層を覆う前記プラチナ層の一部とを除去し、それによって、前記基板上にパターニングされたプラチナ層を形成するために前記プラチナ層の残っている部分を残すことと、
を含む、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、
前記パターニングされた犠牲層と前記パターニングされた犠牲層を覆う前記プラチナ層の一部とを除去することが、単一の処理工程において実施される、方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記パターニングされた犠牲層と前記パターニングされた犠牲層を覆う前記プラチナ層の一部とを除去することが、前記犠牲層の側壁表面を覆う前記プラチナ層の一部に開口を形成するように、或る時間期間の間にウェットエッチングプロセスを実施することを含む、方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の方法であって、
前記パターニングされた犠牲層と前記パターニングされた犠牲層を覆う前記プラチナ層の一部とを除去することが、王水エッチャントを用いるウェットエッチングプロセスを含む、方法。
【請求項１２】
請求項８に記載の方法であって、
前記基板上にプラチナ層をスパッタ堆積することが、前記犠牲層の頂部表面上にプラチナのより厚い層を形成し、前記犠牲層の側壁表面上にプラチナのより薄い層を形成する、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
前記犠牲層の頂部表面上の前記プラチナ層の厚みが、前記犠牲層の側壁表面上の前記プラチナ層の厚みの少なくとも２倍である、方法。
【請求項１４】
プラチナをパターニングするための方法であって、
半導体基板の上にチタン層を堆積することと、
前記チタン層の上にアルミニウム層を堆積することと、
前記アルミニウム層の上にパターニングされたフォトレジスト層を形成することと、
前記チタン層の第１の部分を露出させるために前記フォトレジスト層をマスクとして用いて前記アルミニウム層の一部を除去することと、
前記アルミニウム層の頂部表面と側壁表面と、前記チタン層の第１の部分との上にプラチナ層を堆積することと、
前記アルミニウム層と、前記アルミニウム層の頂部表面と側壁表面とを覆う前記プラチナ層の一部とをエッチングし、それによって、パターニングされたプラチナを形成するために前記チタン層の第１部分を覆う前記プラチナ層の残っている部分を残すことと、
を含む、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
前記アルミニウム層と、前記アルミニウム層の頂部表面と側壁表面とを覆う前記プラチナ層の一部とをエッチングすることが、単一の処理工程において実施される、方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、
前記アルミニウム層と、前記アルミニウム層の頂部表面と側壁表面とを覆う前記プラチナ層の一部とをエッチングすることが、王水エッチャントを用いるウェットエッチングプロセスを含む、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、
前記アルミニウム層と、前記アルミニウム層の頂部表面と側壁表面とを覆う前記プラチナ層の一部とをエッチングすることが、前記頂部表面を覆う前記プラチナ層が完全にエッチングされる前に、前記側壁表面を覆う前記プラチナ層の一部に開口を形成するように、或る時間期間の間に前記ウェットエッチングプロセスを実施することを含む、方法。
【請求項１８】
請求項１４に記載の方法であって、
前記プラチナ層を堆積することが、スパッタ堆積工程によって行われる、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、
前記スパッタ堆積工程が、前記アルミニウム層の頂部表面上により厚い前記プラチナ層を形成し、前記アルミニウム層の側壁表面上により薄いプラチナ層を形成する、方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、
前記アルミニウム層の頂部表面上の前記プラチナ層の厚みが、前記アルミニウム層の側壁表面上の前記プラチナ層の厚みの少なくとも２倍である、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月1日(2021.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマチャンバ内のプラズマ源を遠隔から非侵襲的に監視するためのシステムであって、前記システムは、
前記プラズマ源の近傍電磁界に使用時に置かれた磁界アンテナを有し、ここで、前記磁界アンテナは、前記近傍電磁界に使用時に置かれ、前記プラズマチャンバの遠隔にあり、前記プラズマ源に誘導的に結合する磁界ループアンテナであり、該磁界ループアンテナは、前記プラズマ源から放射された近接場信号を測定するために構成される、システム。
【請求項２】
前記システムが、電波発光分光分析（ＲＥＳ）を用いて前記プラズマ源の近接場の電波放射を分析するように構成された、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記近接場信号が、近接Ｈ場の信号を含む、請求項１または２に記載のシステム。
【請求項４】
前記近接Ｈ場の信号強度が、使用時に、前記磁界アンテナと前記プラズマ源との間の距離に関する関数で、距離に従って低下する、請求項１〜３のいずれかに記載のシステム。
【請求項５】
前記近接Ｈ場の信号強度が、使用時に、関数１／ｒ３で、距離に従って低下し、ｒは前記磁界アンテナと前記プラズマ源との間の距離である、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記システムがモジュールを有し、該モジュールが、前記近接場信号内に存在する高調波の周波数に関して周波数分析を実行し、これにより前記プラズマ源のプラズマパラメータに依存する共振動作が示されるように構成され、前記システムが、前記周波数分析に基づく前記プラズマ源の状態が出力されるように構成される、請求項１〜５のいずれかに記載のシステム。
【請求項７】
前記モジュールが、前記周波数分析を様々な動作圧力に対して実行するように構成される、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記システムがモジュールを有し、該モジュールが、前記近接場から離れた適切なポイントで選択されたオンラインによるバックグラウンド減算を行うことにより、前記近接場信号からノイズを除去するように構成される、請求項１〜７のいずれかに記載のシステム。
【請求項９】
前記システムが、前記プラズマに関連する電流と誘導アンテナ信号との間の周波数依存の結合係数の計算を可能にするように、前記磁界ループアンテナを較正するように構成される、請求項１〜８のいずれかに記載のシステム。
【請求項１０】
前記システムが、広い周波数帯域にわたって低電力近接場信号レベルを分析するように構成される電波システムを有し、任意に、前記磁界ループアンテナが、前記プラズマ源への信号分離を可能にするために、プラズマチャンバ内のビューポートの近傍に局所化される近接場信号を測定するように構成される、請求項１〜９のいずれかに記載のシステム。
【請求項１１】
前記システムが、共振プラズマ周波数と電子−中性衝突周波数を測定し、測定された周波数を駆動周波数の高調波に存在する共振特性のフィッティングを介して相関させるように構成され、任意に、前記システムが、前記プラズマ源に関連するアーク放電、ポンプ、またはマッチング障害イベントのうちの１つまたは複数を識別するための要因を示すために、測定された共振プラズマ周波数と測定された電子−中性衝突周波数を相関させるように構成される、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記近接場信号が、近接Ｅ場の信号を含む、請求項１〜１１のいずれかに記載のシステム。
【請求項１３】
前記システムが、近接Ｈ場の信号を測定する第１の磁界ループアンテナと、近接Ｅ場の信号を測定する第２の磁界ループアンテナと、を備え、近接Ｈ場信号およびＥ場信号内に存在する高調波の周波数分析を実行し、プラズマ源のプラズマパラメータに依存する共振動作を示すように構成されるモジュールと、を備える、請求項１〜１２のいずれかに記載のシステム。
【請求項１４】
プラズマチャンバ内のプラズマ源を遠隔から非侵襲的に監視する方法であって、該方法が、
前記プラズマ源の近傍電磁界に磁界アンテナを置くステップであって、ここで前記磁界アンテナは磁界ループアンテナであるステップと、
前記磁界ループアンテナを前記プラズマチャンバの遠隔にある前記近傍電磁界に置き、前記磁界ループアンテナを前記プラズマ源に誘導的に結合するステップと、
プラズマ源から放射される近接場信号を、前記磁界ループアンテナを用いて測定するステップと、を含む方法。
【請求項１５】
前記方法が、共振プラズマ周波数および電子−中性衝突周波数を測定するステップと、駆動周波数の高調波に存在する共振特性のフィッティングを介して、前記周波数測定値を相関させるステップを含む、請求項１４に記載の方法。