【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年4月26日(2021.4.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
別の実施形態において、図１ＡのＣＥＭデバイスは、窒素含有配位子等の他の遷移金属酸化物型可変インピーダンス材料を含んでいてもよいが、これらは、例示的なものにすぎず、特許請求された主題を限定することを意図されていないことを理解すべきである。酸化ニッケル（ＮｉＯ）は、特定の１種のＴＭＯとして開示されている。本明細書において論述されたＮｉＯ材料は、可変インピーダンス特性を安定化することができる置換型の窒素含有配位子をドープされてもよい。特に、本明細書において開示されたＮｉＯ可変インピーダンス材料は、例えばアンモニア（ＮＨ３）、シアノ（ＣＮ−）、アジ化物イオン（Ｎ３−）、エチレンジアミン（Ｃ２Ｈ８Ｎ２）、ｐｈｅｎ（１，１０−フェナントロリン）（Ｃ１２Ｈ８Ｎ２）、２，２’−ビピリジン（Ｃ１０Ｈ８Ｎ２）、エチレンジアミン（（Ｃ２Ｈ４（ＮＨ２）２）、ピリジン（Ｃ５Ｈ５Ｎ）、アセトニトリル（ＣＨ３ＣＮ）及びシアノスルファニド、例えばチオシアネート（ＮＣＳ−）、ニトロソニウム（ＮＯ）、イソシアニド（ＲＮＣ−。有機フラグメント（Ｒ）が窒素原子によってイソシアニド基に結合した官能基Ｎ≡Ｃを有する有機化合物）、アルケン及びアルキン等、形態ＣｘＨｙＮｚ（式中、ｘ≧０、ｙ≧０、ｚ≧０であり、少なくともｘ、ｙ又はｚが、０より大きい値を含む。）の窒素含有分子を含んでいてもよい。本明細書において開示されたＮｉＯ可変インピーダンス材料は、酸素窒化物系列（ＮｘＯｙ。式中、ｘ及びｙが、整数を含み、ｘ≧０及びｙ≧０であり、少なくともｘ又はｙが、より大きい値を含む。）の構成要素を含み得るが、これらの酸素窒化物系列の構成要素としては、例えば、一酸化窒素（ＮＯ）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、又は、ＮＯ３−配位子を有する前駆物質を挙げることができる。複数の実施形態において、金属前駆物質は、価数を釣り合わせることによってＮｉＯに対する配位子となったアミン、アミド、アルキルアミドの窒素含有配位子等の窒素含有配位子を含む。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１０６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１０６】
図１４〜図１８は、相関電子材料を製作するための更なる方法の実施形態の流れ図である。図１４（実施形態１４００）の方法は、ブロック１４１０において開始してもよく、ブロック１４１０は、Ｎｉ等のｄブロック元素又はｆブロック元素を含むフィルムを堆積させる工程を含んでいてもよい。複数の実施形態において、堆積させる工程は、例えば、ＰＶＤ（例えば、プラズマを含んでいてもよく、及び／又は反応性気体を含んでいてもよい、スパッタリング）、ＣＶＤ、ＭＯＣＶＤ、ＡＬＤ、ガスクラスターイオンビーム（ＧＣＩＢ）成長、プラズマＡＬＤ、プラズマＣＶＤ及びプラズマＭＯＣＶＤを含んでいてもよい。図１４の方法は、ブロック１４２０において留まってもよく、ブロック１４２０は、例えばＮｉを酸化して、例えばＮｉＯを形成すること、又は、Ｏ２、Ｏ３、Ｏ＊、Ｈ２Ｏ、ＮＯ、Ｎ２Ｏ若しくはＮＯ＊供給源（「＊」が、任意の整数を含む。）を利用して酸化若しくは酸窒化物化することによって、ｄブロック元素又はｆブロック元素及び支配的な配位子を含むフィルムを形成する工程を含んでいてもよい。ブロック１４２０において、フィルムは、例えばＯ２２−（ペルオキシド）、Ｉ−（ヨウ化物イオン）、Ｂｒ−（臭化物イオン）、Ｓ２−（硫黄）、ＳＣＮ−（チオシアン酸イオン、［ＳＣＮ］−（炭素が間に入っている状態の硫黄−炭素−窒素配位子）、Ｃｌ−（塩化物イオン）、Ｎ３−アジド、Ｆ−（フッ化物イオン）、ＮＣＯ−（シアネート）、ＯＨ−（ヒドロキシド）、Ｃ２Ｏ４２−オキサレート、Ｈ２Ｏ（水）、ＮＣＳ−（イソチオシアネート）、ＣＨ３ＣＮ（アセトニトリル）、Ｃ５Ｈ５Ｎ（ｐｙ又はピリジン）、ＮＨ３、エチレンジアミン（Ｃ２Ｈ４（ＮＨ２）２）、ｂｉｐｙ（２，２’−ビピリジン）、Ｃ１０Ｈ８Ｎ２（ｐｈｅｎ（１，１０−フェナントロリン））、Ｃ１２Ｈ８Ｎ２（フェナントロリン）、ＮＯ２−（ニトリト）、ＰＰｈ３（トリフェニルホスフィン又はＰ（Ｃ６Ｈ５）３）、ＣＮ−（シアン化物イオン）及びＣＯ等のスペクトル系列配位子等の分子ドーパントをドープされてもよい。分子ドーパントは、ＣｘＨｙＯｚ（式中、ｘ、ｙ及びｚが、整数であり、少なくともｘ又はｙ又はｚが≧１である。）、ＣｘＨｙＮｚ（式中、ｘ、ｙ及びｚが整数であり、少なくともｘ又はｙ又はｚが、≧１である。）及びＮｘＯｙ（式中、ｘ及びｙが、整数であり、少なくともｘ又はｙが、≧１である。）の分子等の炭化水素、カルボネート、ヒドロキシド及び窒素錯体を含んでいてもよい。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバ内において、遷移金属及び支配的な配位子から形成されており、ＣＥＭを形成する配位圏中にある濃度の欠陥を有する、相関電子材料（ＣＥＭ）からできた１つ又は複数の層を基材上に形成する工程、並びに
ＣｘＨｙＯｚ（式中、ｘ、ｙ及びｚが、整数であり、少なくともｘ及びｙ及びｚが、≧１である。）、ＣｘＨｙＮｚ（式中、ｘ、ｙ及びｚが、整数であり、少なくともｘ又はｙ又はｚが、≧１である。）及びＮｘＯｙ（式中、ｘ及びｙが、整数であり、少なくともｘ又はｙが、≧１である。）の分子を含む分子ドーパントである、置換型配位子を含む分子ドーパントにＣＥＭからできた１つ又は複数の層を曝露して、Ｐ型ＣＥＭを形成する工程
を含む、デバイスを構築する方法であって、
形成されたＣＥＭからできた１つ又は複数の層が、０．１％〜１０．０％の範囲である分子ドーパントの原子濃度を含む方法。
【請求項２】
置換型配位子が、ＣＥＭを形成する配位圏中における欠陥の濃度を低減するように動作し、配位圏中における欠陥の濃度の低減が、ＣＥＭからできた１つ又は複数の層中における導電性フィラメント形成を阻害する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
遷移金属が、ニッケルを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
支配的な配位子が、酸素、硫黄、セレン若しくはテルル又はこれらの組合せを含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
置換型配位子が、カルボニル、エチレン、ニトロソニウム若しくはアンモニア又はこれらの任意の組合せを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
ＣＥＭからできた１つ又は複数の層が、導電性基材上に形成される、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
置換型配位子が、ＣＥＭを形成する配位圏中における欠陥の濃度を低減するように動作し、配位圏中における欠陥の濃度の低減が、ＣＥＭからできた１つ又は複数の層の導電性を増大させる、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
ＣＥＭからできた１つ又は複数の層が、遷移金属と分子ドーパントとのσ結合を介した電子供与を示し、ＣＥＭが、遷移金属のπ結合を利用する電子逆供与を更に示す、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
導電性基材、及び
基材上に形成された相関電子材料（ＣＥＭ）からできた１つ又は複数の層であって、支配的な配位子と結合した遷移金属又は遷移金属酸化物から形成された１つ又は複数の層、
を含む相関電子デバイスであって、
ＣＥＭからできた１つ又は複数の層が、分子ドーパントとして置換型配位子を含み、分子ドーパントが、Ｏ２２−（ペルオキシド）、Ｉ−（ヨウ化物イオン）、Ｂｒ−（臭化物イオン）、Ｓ２−（硫黄）、ＳＣＮ−（チオシアン酸イオン）、［ＳＣＮ］−（炭素が間に入っている状態の硫黄−炭素−窒素配位子）、Ｃｌ−（塩化物イオン）、Ｎ３−（アジド）、Ｆ−（フッ化物イオン）、ＮＣＯ−（シアネート）、ＯＨ−（ヒドロキシド）、Ｃ２Ｏ４２−（オキサレート）、Ｈ２Ｏ（水）、ＮＣＳ−（イソチオシアネート）、ｂｉｐｙ（２，２’−ビピリジン）、ＮＯ２−（ニトリト）、Ｐ（Ｃ６Ｈ５）３（トリフェニルホスフィン）、ＣＮ−（シアン化物イオン）並びにＣｘＨｙＯｚ（式中、ｘ、ｙ及びｚが、整数であり、少なくともｘ及びｙ及びｚが、≧１である。）、ＣｘＨｙＮｚ（式中、ｘ、ｙ及びｚが、整数であり、少なくともｘ又はｙ又はｚが、≧１である。）及びＮｘＯｙ（式中、ｘ及びｙが、整数であり、少なくともｘ又はｙが、≧１である。）の分子のうちの１つ又は複数を含む、相関電子デバイス。
【請求項１０】
分子ドーパントが、印加電圧下において、遷移金属酸化物フィルムの１つ又は複数の層中における導電性フィラメントの形成を阻害するように働く、請求項９に記載のデバイス。
【請求項１１】
ＣＥＭからできた１つ又は複数の層が、遷移金属と置換型配位子とのσ結合を介した１個又は複数の電子の供与を含む電子供与を示す、請求項９又は１０に記載のデバイス。
【請求項１２】
ＣＥＭからできた１つ又は複数の層が、遷移金属又は遷移金属酸化物と配位子又はドーパントとのπ結合を介して起きる電子逆供与相互作用を示す、請求項１１に記載のデバイス。
【請求項１３】
遷移金属が、ニッケルを含む、請求項９から１２のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１４】
支配的な配位子が、酸素、硫黄、セレン若しくはテルル又はこれらの組合せを含む、請求項９から１３のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１５】
置換型配位子が、カルボニル、エチレン、ニトロソニウム若しくはアンモニア又はこれらの任意の組合せを含む、請求項９から１４のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１６】
基材上に形成された相関電子材料（ＣＥＭ）からできた１つ又は複数の層であって、支配的な配位子と結合した遷移金属又は遷移金属酸化物から形成された１つ又は複数の層、
を含むスイッチングデバイスであって、
ＣＥＭからできた１つ又は複数の層が、スイッチングデバイスの両端間に印加された電圧に少なくとも部分的に応答してＣＥＭがインピーダンス状態を変化させることを可能にするｐ型分子ドーパントとしての置換型配位子を含み、分子ドーパントが、Ｏ２２−（ペルオキシド）、Ｉ−（ヨウ化物イオン）、Ｂｒ−（臭化物イオン）、Ｓ２−（硫黄）、ＳＣＮ−（チオシアン酸イオン）、［ＳＣＮ］−（炭素が間に入っている状態の硫黄−炭素−窒素配位子）、Ｃｌ−（塩化物イオン）、Ｎ３−（アジド）、Ｆ−（フッ化物イオン）、ＮＣＯ−（シアネート）、ＯＨ−（ヒドロキシド）、Ｃ２Ｏ４２−（オキサレート）、Ｈ２Ｏ（水）、ＮＣＳ−（イソチオシアネート）、ｂｉｐｙ（２，２’−ビピリジン）、ＮＯ２−（ニトリト）、Ｐ（Ｃ６Ｈ５）３（トリフェニルホスフィン）、ＣＮ−（シアン化物イオン）並びにＣｘＨｙＯｚ（式中、ｘ、ｙ及びｚが、整数であり、少なくともｘ及びｙ及びｚが、≧１である。）、ＣｘＨｙＮｚ（式中、ｘ、ｙ及びｚが、整数であり、少なくともｘ又はｙ又はｚが、≧１である。）及びＮｘＯｙ（式中、ｘ及びｙが、整数であり、少なくともｘ又はｙが、≧１である。）の分子のうちの１つ又は複数を含む、スイッチングデバイス。
【請求項１７】
電子供与が、遷移金属と置換型配位子とのσ結合を介した供与を含む、請求項１６に記載のスイッチングデバイス。
【請求項１８】
スイッチングデバイスが、遷移金属又は遷移金属酸化物と配位子又はドーパントとのπ結合を介した電子逆供与によってスイッチング機能を発揮する、請求項１６又は１７に記載のスイッチングデバイス。
【請求項１９】
置換型配位子が、カルボニル、エチレン、ニトロソニウム若しくはアンモニア又はこれらの任意の組合せを含む、請求項１８に記載のスイッチングデバイス。
【請求項２０】
チャンバ内において、金属酸化物、金属、若しくは金属化合物又はこれらの組合せ及び第１の配位子を含む気体状態の第１の前駆物質に基材を曝露する工程、
相関電子材料のフィルムの第１の層を形成するように酸化物を含む気体状態の第２の前駆物質に基材を曝露する工程、並びに
相関電子材料のフィルムの更なる層を形成するように、第１の前駆物質及び第２の前駆物質に基材を曝露する工程を繰り返す工程であって、相関電子材料のフィルムが、第１のインピーダンス状態及び第２のインピーダンス状態を示し、第１のインピーダンス状態及び第２のインピーダンス状態が、互いに実質的に相違する、工程
を含み、
前記相関電子材料のフィルムが、０．１％〜１０．０％の間の原子濃度の電子逆供与性材料を含む、相関電子材料を製作するための方法。
【請求項２１】
電子逆供与性材料が、カルボニルを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
０．５秒〜１８０．０秒の間にわたって第１の前駆物質のチャンバをパージする工程を更に含む、請求項２０又は２１に記載の方法。
【請求項２３】
第１の前駆物質に基材を曝露する工程が、０．５秒〜１８０．０秒の間の持続期間にわたって実施される、請求項２０から２２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２４】
基材を曝露する工程を５０〜９００回の間で繰り返す工程を更に含む、請求項２０から２３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２５】
相関電子材料のフィルムの厚さが１．５ｎｍ〜１５０．０ｎｍの間に到達するまで、基材を曝露する工程を繰り返す工程を更に含む、請求項２０から２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
第１の前駆物質が、気体状態のニッケルアミジネート（Ｎｉ（ＡＭＤ））、ニッケルジ（シクロペンタジエニル）（Ｎｉ（Ｃｐ）２）、ニッケルジ（エチルシクロペンタジエニル）（Ｎｉ（ＥｔＣｐ）２）、ビス（２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオナト）Ｎｉ（ＩＩ）（Ｎｉ（ｔｈｄ）２）、ニッケルアセチルアセトネート（Ｎｉ（ａｃａｃ）２）、ビス（メチルシクロペンタジエニル）ニッケル（Ｎｉ（ＣＨ３Ｃ５Ｈ４）２）、ニッケルジメチルグリオキシメート（Ｎｉ（ｄｍｇ）２）、ニッケル２−アミノ−ペンタ−２−エン−４−オナト（Ｎｉ（ａｐｏ）２）、Ｎｉ（ｄｍａｍｂ）２（式中、ｄｍａｍｂ＝１−ジメチルアミノ−２−メチル−２−ブタノレート）、Ｎｉ（ｄｍａｍｐ）２（式中、ｄｍａｍｐ＝１−ジメチルアミノ−２−メチル−２−プロパノレート）、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ニッケル（Ｎｉ（Ｃ５（ＣＨ３）５）２）若しくはニッケルカルボニル（Ｎｉ（ＣＯ）４）又はこれらの組合せのうちの１つ又は複数を含む、請求項２０から２５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２７】
第２の前駆物質が、酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、水（Ｈ２Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）若しくは過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）又はこれらの組合せを含む、請求項２０から２６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２８】
第１の前駆物質に基材を曝露する工程、第２の前駆物質に基材を曝露する工程又はこれらの任意の組合せが、２０．０℃〜１０００．０℃の間の温度で実施される、請求項２０から２７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２９】
曝露された基材をチャンバ内でアニーリングする工程を更に含む、請求項２０から２８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項３０】
アニーリングを開始する前に、２０．０℃〜９００．０℃の間にチャンバの温度を上昇させる工程を更に含む、請求項２９に記載の方法。
【請求項３１】
曝露された基材が、気体状の窒素（Ｎ２）、水素（Ｈ２）、酸素（Ｏ２）、水又は水蒸気（Ｈ２Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、オゾン（Ｏ３）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、アンモニア（ＮＨ３）、一酸化炭素（ＣＯ）、メタン（ＣＨ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）若しくはブタン（Ｃ４Ｈ１０）又はこれらの組合せのうちの１つ又は複数を含む環境下でアニーリングされる、請求項２９又は３０に記載の方法。
【請求項３２】
１．０ｎｍ〜１００．０ｎｍの間の厚さを有する相関電子材料を含む、基材に堆積されたフィルムであって、少なくとも部分的にフィルムの厚さ寸法にわたって印加される０．１Ｖ〜１０．０Ｖの間の電圧に応答して、少なくとも５．０：１．０である第１のインピーダンス状態の第２のインピーダンス状態に対する比を示し、
前記相関電子材料が、０．１％〜１０．０％の間の原子濃度の電子逆供与性材料を含む、フィルム。
【請求項３３】
印加される電圧が、０．１Ｖ〜２．０Ｖの間であり、相関電子材料が、１．５ｎｍ〜１５０．０ｎｍの間の厚さを占める、請求項３２に記載のフィルム。
【請求項３４】
相関電子材料が、１０〜１０００の間の原子層を構成する、請求項３２又は３３に記載のフィルム。
【請求項３５】
基材の少なくとも５０．０％が、窒化物材料を含む、請求項３２から３４のいずれか一項に記載のフィルム。
【請求項３６】
２個以上の導電性電極の間に配置された、１．０ｎｍ〜１００．０ｎｍの間の厚さを有する相関電子材料を含むスイッチングデバイスであって、２個以上の導電性電極のうちの少なくとも２個の間に印加される０．１Ｖ〜１０．０Ｖの間の電圧に少なくとも部分的に応答して、少なくとも５．０：１．０である第１のインピーダンス状態の第２のインピーダンス状態に対する比を示し、
前記相関電子材料が、０．１％〜１０．０％の間の原子濃度の電子逆供与性材料を含む、スイッチングデバイス。
【請求項３７】
相関電子材料が、１．５ｎｍ〜１５０．０の間の厚さを占め、２個以上の導電性電極のうちの少なくとも２個の間に印加される電圧が、０．６Ｖ〜１．５Ｖの間にされる、請求項３６に記載のスイッチングデバイス。
【請求項３８】
相関電子材料が、１．５ｎｍ〜１５０．０の間の厚さを占め、窒化チタン、白金、チタン、銅、アルミニウム、コバルト、ニッケル、タングステン、窒化タングステン、ケイ化コバルト、酸化ルテニウム、クロム、金、パラジウム、酸化インジウムスズ、タンタル、銀若しくはイリジウム又はこれらの任意の組合せを含む電極材料に堆積される、請求項３６又は３７に記載のスイッチングデバイス。
【請求項３９】
チャンバ内において、第１の堆積期間中に、遷移金属酸化物若しくは遷移金属又はこれらの任意の組合せ及び第１の配位子を含む、１種又は複数の気体に基材を曝露する工程であって、１種又は複数の気体が、製作された電子逆供与性で実質的にバルクスイッチの相関電子材料中において０．１％〜１０．０％の間である窒素の原子濃度をもたらすように窒素を含む配位子原子濃度を含む、工程
前記第１の堆積期間中に、気体状酸化物に基材を曝露して、少なくとも相関電子材料のフィルムの第１の層を形成する工程、
第１のアニーリング期間中に、前記曝露された基材をアニーリングする工程、
前記第１のアニーリング期間に続いて、第２の堆積期間中に、互いに実質的に相違する第１のインピーダンス状態及び第２のインピーダンス状態を示す相関電子材料のフィルムの少なくとも１つの更なる層を形成するように、１種又は複数の気体及び気体状酸化物に基材を曝露する工程を繰り返す工程、並びに、
第２のアニーリング期間中に前記曝露された基材をアニーリングする工程であって、前記相関電子材料のフィルムに更なる材料を少なくとも部分的に導入し、前記相関電子材料のフィルムにおける電子逆供与を促進する、工程、
を含む方法。
【請求項４０】
電子逆供与性で実質的にバルクスイッチの相関電子材料が、アンモニア（ＮＨ３）、エチレンジアミン（Ｃ２Ｈ８Ｎ２）、一酸化窒素（ＮＯ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、ＮＯ３−配位子、アミン、アミド若しくはアルキルアミド又はこれらの任意の組合せを含む、請求項３９に記載の方法。
【請求項４１】
前記第１の堆積期間中に、５．０秒〜１８０．０秒の間にわたって１種又は複数の気体のチャンバをパージする工程を更に含む、請求項３９又は４０に記載の方法。
【請求項４２】
前記第１の堆積期間中に、１種又は複数の気体に基材を曝露する工程が、５．０秒〜１８０．０秒の間の持続期間にわたって実施される、請求項３９から４１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４３】
前記第１の堆積期間中に、基材を曝露する工程を５０〜９００回の間で繰り返す工程を更に含む、請求項３９から４２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４４】
前記第１の堆積期間中に、相関電子材料のフィルムの厚さが１．５ｎｍ〜１５０．０ｎｍの間に到達するまで基材を曝露する工程を繰り返す工程を更に含む、請求項３９から４３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４５】
１種又は複数の気体が、気体状態のニッケルアミジネート（Ｎｉ（ＡＭＤ））、ニッケルジ（シクロペンタジエニル）（Ｎｉ（Ｃｐ）２）、ニッケルジ（エチルシクロペンタジエニル）（Ｎｉ（ＥｔＣｐ）２）、ビス（２，２，６，６−テトラメチルヘプタン−３，５−ジオナト）Ｎｉ（ＩＩ）（Ｎｉ（ｔｈｄ）２）、ニッケルアセチルアセトネート（Ｎｉ（ａｃａｃ）２）、ビス（メチルシクロペンタジエニル）ニッケル（Ｎｉ（ＣＨ３Ｃ５Ｈ４）２）、ニッケルジメチルグリオキシメート（Ｎｉ（ｄｍｇ）２）、ニッケル２−アミノ−ペンタ−２−エン−４−オナト（Ｎｉ（ａｐｏ）２）、Ｎｉ（ｄｍａｍｂ）２（式中、ｄｍａｍｂ＝１−ジメチルアミノ−２−メチル−２−ブタノレート）、Ｎｉ（ｄｍａｍｐ）２（式中、ｄｍａｍｐ＝１−ジメチルアミノ−２−メチル−２−プロパノレート）、ビス（ペンタメチルシクロペンタジエニル）ニッケル（Ｎｉ（Ｃ５（ＣＨ３）５）２）若しくはニッケルカルボニル（Ｎｉ（ＣＯ）４）又はこれらの任意の組合せを含む、請求項３９から４４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４６】
気体状酸化物が、酸素（Ｏ２）、オゾン（Ｏ３）、水（Ｈ２Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）若しくは過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）又はこれらの任意の組合せのうちの１つ又は複数を含む、請求項３９から４５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４７】
前記第１の堆積期間中に、１種又は複数の気体に基材を曝露する工程及び気体状酸化物に基材を曝露する工程が、２０．０℃〜１０００．０℃の間の温度で実施される、請求項３９から４６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４８】
第２のアニーリング期間中に前記曝露された基材をアニーリングする工程が、チャンバ内において、曝露された基材をアニーリングする工程を含む、請求項３９から４７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４９】
前記第１のアニーリング期間中に前記曝露された基材のアニーリングを開始する前に、２０．０℃〜９００．０℃の間にチャンバの温度を上昇させる工程を更に含む、請求項４８に記載の方法。
【請求項５０】
曝露された基材が、気体状窒素（Ｎ２）、水素（Ｈ２）、酸素（Ｏ２）、水若しくは水蒸気（Ｈ２Ｏ）、一酸化窒素（ＮＯ）、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）、二酸化窒素（ＮＯ２）、オゾン（Ｏ３）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、アンモニア（ＮＨ３）、一酸化炭素（ＣＯ）、メタン（ＣＨ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、エタン（Ｃ２Ｈ６）、プロパン（Ｃ３Ｈ８）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）若しくはブタン（Ｃ４Ｈ１０）又はこれらの任意の組合せのうちの１つ又は複数を含む環境下で前記第２のアニーリング期間中にアニーリングされる、請求項３９から４９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５１】
電子逆供与を達成するために窒素を利用する第１及び第２の別々に堆積された層のセットを含む相関電子材料フィルムを含む、基材に堆積されたフィルムであって、窒素が０．１％〜１０．０％の間の原子濃度を占め、前記相関電子材料フィルムが、１．０ｎｍ〜１００．０ｎｍの間の概算厚さを有し、フィルムの厚さ寸法にわたって印加される０．１Ｖ〜１０．０Ｖの間の電圧に少なくとも部分的に応答して、少なくとも５．０：１．０である第１の抵抗状態の第２の抵抗状態に対する比を示す、フィルム。
【請求項５２】
印加される電圧が、０．６Ｖ〜１．５Ｖの間であり、相関電子材料フィルムが、１０．０ｎｍ〜５０．０ｎｍの間の厚さを占める、請求項５１に記載のフィルム。
【請求項５３】
相関電子材料の別々に堆積された層の第１のセットが、１０〜１０００の間の原子層を含む、請求項５１又は５２に記載のフィルム。
【請求項５４】
基材の少なくとも５０．０％が、窒化物材料を含む、請求項５１から５３のいずれか一項に記載のフィルム。
【請求項５５】
電子逆供与性材料として０．１％〜１０．０％の間の原子濃度の窒素を主体とした材料を利用する相関電子材料を含むスイッチングデバイスであって、相関電子材料が、２個以上の導電性電極の間に配置された相関電子材料の第１及び第２の別々に堆積された層のセットを含み、相関電子材料が１．０ｎｍ〜１００．０ｎｍの間の厚さを有し、２個以上の導電性電極のうちの少なくとも２個の間に印加される０．１Ｖ〜１０．０Ｖの間の電圧に少なくとも部分的に応答して、少なくとも５．０：１．０である第１の抵抗状態の第２の抵抗状態に対する比を示す、スイッチングデバイス。
【請求項５６】
相関電子材料が、１０．０ｎｍ〜５０．０ｎｍの間の厚さを占め、２個以上の導電性電極のうちの少なくとも２個の間に印加される電圧が、０．６Ｖ〜１．５Ｖの間にされる、請求項５５に記載のスイッチングデバイス。
【請求項５７】
相関電子材料が、１．５ｎｍ〜１５０．０ｎｍの間の厚さを占め、窒化チタン、白金、チタン、銅、アルミニウム、コバルト、ニッケル、タングステン、窒化タングステン、ケイ化コバルト、酸化ルテニウム、クロム、金、パラジウム、酸化インジウムスズ、タンタル、銀、イリジウム又はこれらの任意の組合せの電極材料に堆積される、請求項５５に記載のスイッチングデバイス。