Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月7日(2005.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  軸方向に往復移動自在に設けられたピンと、
前記ピンの側面に当接して設けられ、圧電素子の変形により振動して当該ピンを往復両方向に駆動させる振動体と、
前記軸方向と交差する方向への前記ピンの移動を規制する規制手段と、
前記振動体を前記ピンに向かって押圧する付勢手段とを備え、
前記ピンと前記振動体をそれぞれ複数備え、
前記複数のピンが前記軸方向について互いに平行に並べられ、
前記複数の振動体が前記複数のピンに対して所定方向側方に、かつ、この所定方向と交差する方向について互いに重ならない位置に配置されていることを特徴とするピンアクチュエータ。
【請求項２】  軸方向に往復移動自在に設けられたピンと、
圧電素子の変形により振動して前記ピンを往復両方向に駆動させる振動体と、
前記ピンの側面に当接して設けられ、前記振動体の振動を前記ピンに伝達する伝達手段と、
前記軸方向と交差する方向への前記ピンの移動を規制する規制手段と、
前記振動体、前記伝達手段および前記ピンの間に所定の押圧力を生じさせる付勢手段と、
を備え、
前記ピンと前記振動体をそれぞれ複数備え、
前記複数のピンが前記軸方向について互いに平行に並べられ、
前記複数の振動体が前記複数のピンに対して所定方向側方に、かつ、この所定方向と交差する方向について互いに重ならない位置に配置されていることを特徴とするピンアクチュエータ。
【請求項３】  請求項１または請求項２において、前記振動体は、往復振動と屈曲振動とを組み合わせた楕円軌道を描く振動モードを有していることを特徴とするピンアクチュエータ。
【請求項４】  請求項１〜３のいずれかにおいて、前記規制手段は、前記ピンの側面に当接して設けられ、かつ、当該ピンの往復移動に伴って回転する回転体であることを特徴とするピンアクチュエータ。
【請求項５】  請求項１〜４のいずれかにおいて、前記複数のピンおよび前記複数の振動体がユニット化されていることを特徴とするピンアクチュエータ。
【請求項６】  請求項１または請求項２において、
前記複数のピンのうち、３本のピンは、互いに同一平面上に並設され、当該３本のピンのうち中央に配置されたピンは、他の２本のピンより長く延ばされ、
前記３本のピンを各々駆動する前記複数の振動体は、当該３本のピンの並設方向に沿ったいずれかの側に配置され、
前記複数の振動体のうち、前記中央に配置されたピンを駆動する振動体は、当該ピンの他の２本より長く延びた位置に沿って配置されていることを特徴とするピンアクチュエータ。
【請求項７】  請求項１〜６のいずれかに記載のピンアクチュエータと、前記ピンアクチュエータを構成するピンの駆動を制御する制御回路とを備えたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明のピンアクチュエータは、軸方向に往復移動自在に設けられたピンと、前記ピンの側面に当接して設けられ、圧電素子の変形により振動して当該ピンを往復両方向に駆動させる振動体と、前記軸方向と交差する方向への前記ピンの移動を規制する規制手段と、  前記振動体を前記ピンに向かって押圧する付勢手段とを備え、前記ピンと前記振動体をそれぞれ複数備え、前記複数のピンが前記軸方向について互いに平行に並べられ、前記複数の振動体が前記複数のピンに対して所定方向側方に、かつ、この所定方向と交差する方向について互いに重ならない位置に配置されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明のピンアクチュエータは、軸方向に往復移動自在に設けられたピンと、圧電素子の変形により振動して前記ピンを往復両方向に駆動させる振動体と、前記ピンの側面に当接して設けられ、前記振動体の振動を前記ピンに伝達する伝達手段と、前記軸方向と交差する方向への前記ピンの移動を規制する規制手段と、前記振動体、前記伝達手段および前記ピンの間に所定の押圧力を生じさせる付勢手段と、を備え、
前記ピンと前記振動体をそれぞれ複数備え、前記複数のピンが前記軸方向について互いに平行に並べられ、前記複数の振動体が前記複数のピンに対して所定方向側方に、かつ、この所定方向と交差する方向について互いに重ならない位置に配置されているという構成を採用することも可能である。
なお、ここで、所定方向側方とは、ピンの軸方向と交差する一方向に関しての当該ピンの側方を意味する。すなわち、複数のピンの各々に対して同一方向の側面、あるいは、それと対向する側面に振動体が配置されることとなる。
この発明によれば、複数のピンに対して所定方向の側面に、かつ、互いに重ならないように振動体を配置することにより、所定方向と交差する方向に関して、当該ピンアクチュエータの幅寸法を小さくすることができる。      
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、本発明では、前記複数のピンのうち、互いに並設された２本のピンを各々駆動する前記複数の振動体は、当該２本のピンの並設方向と交差する一方の側で、かつ、当該ピンの軸方向に沿って異なる位置に配置されているという構成を採用することも可能である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
これらの発明によれば、２本のピンの並設方向と交差して両側に、または、片側でピンの軸方向に沿って異なる位置に、各々のピンを駆動する振動体を配置することにより、これらの振動体がピンの並設方向について重ならず、２本のピンを密接して配置することができる。さらに、ピンの並設方向について、同様にユニット化されたピンおよび振動体を連続的に並べることで、密接したピン配列とすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
そして、２本のピンの並設方向と交差して両側に振動体を配置する場合には、振動体をピンの軸方向について略同一位置に配置することで、ピンの軸方向に沿った当該ピンアクチュエータのサイズを小さくすることができる。
また、２本のピンの並設方向と交差する一方の側で、かつ、当該ピンの軸方向に沿って異なる位置に振動体を配置する場合には、ピンの並設方向と交差する方向の当該ピンアクチュエータのサイズを小さくすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月21日(2005.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ３相直流モータのいずれか２つの相コイルにロータが反応しないような電流を順次流して非通電相に誘起される電圧の極性を検出してロータを回転させるために電流を流す相コイルと通電の方向を決定し、該決定に従って電流を流してロータを回転させる３相直流モータの回転駆動制御装置であって、
３相の誘起電圧検出結果のうち２相の誘起電圧検出結果が所定のレベルよりも大きいときに、上記所定のレベルよりも大きい２相の検出結果を用いてロータを回転させるために上記電流を流す相コイルと通電の方向を決定し、該決定に従って電流を流してロータを回転させるように構成されていることを特徴とする３相直流モータの回転駆動制御装置。
【請求項２】  非通電相に誘起される電圧の極性の検出と、該誘起電圧が上記所定のレベルよりも大きいかどうかの判定とを行ない、誘起電圧の極性検出結果とレベル判定結果とに基づいて上記電流を流す相コイルと通電の方向を決定することを特徴とする請求項１に記載の３相直流モータの回転駆動制御装置。
【請求項３】  上記誘起電圧のレベルが上記所定のレベルよりも大きいか小さいか判定するコンパレータもしくは演算回路と、該判定結果を各相毎に保持するレジスタとを有することを特徴とする請求項２に記載の３相直流モータの回転駆動制御装置。
【請求項４】  上記極性検出結果を示す信号と上記レベル判定結果を示す信号をデコードして通電相を示す信号を出力するデコーダを備えることを特徴とする請求項２または３に記載の３相直流モータの回転駆動制御装置。
【請求項５】  上記デコーダの出力を記憶するレジスタと、該レジスタに記憶されている前回の通電相を示す信号と上記デコーダの現在の出力信号とを比較してロータの正転または逆転を判定する回転判定手段を備えることを特徴とする請求項４に記載の３相直流モータの回転駆動制御装置。
【請求項６】  いずれか２つの相コイルにロータが反応しないような電流を順次流して非通電相に誘起される電圧の極性を検出するとともに誘起電圧のレベルを判定してロータを回転させるために電流を流す相コイルと通電の方向を決定し、該決定に従って電流を流してモータを起動させる３相直流モータの起動方法であって、
起動開始当初は３相すべてのコイルについて上記誘起電圧の極性検出とレベル判定を行なってロータを回転させるために上記電流を流す相コイルおよび通電の方向の決定と該決定に従った通電とを行ない、ロータが正転していると判定した後はいずれか１相のコイルについて上記誘起電圧の極性検出とレベル判定を行なってロータを回転させるために電流を流す相コイルおよび通電の方向の決定と該決定に従った通電とを行なうことを特徴とする３相直流モータの起動方法。
【請求項７】  第一の時間に行なった３相のコイルについての誘起電圧極性検出結果と、上記第一の時間よりも後に行なった３相のコイルについての誘起電圧極性検出結果とを比較して上記ロータの正転判定を行なうことを特徴とする請求項６に記載の３相直流モータの起動方法。
【請求項８】  上記ロータが所定の電気角もしくは所定の回数以上回転したことを確認した後に、いずれか１相のコイルについて上記誘起電圧の極性検出とレベル判定を行なってロータを回転させるために上記電流を流す相コイルおよび通電の方向の決定と該決定に従った通電制御へ移行することを特徴とする請求項６または７に記載の３相直流モータの起動方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月14日(2005.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スイッチング回路および電源装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直流電源から負荷への電力の供給をスイッチングするスイッチ素子と、
前記スイッチ素子のゲート端子へ供給する、前記直流電源の電圧よりも大きい電圧の駆動信号を生成する駆動手段と、
前記駆動手段と前記ゲート端子の間に接続され、前記駆動手段から前記ゲート端子へ向かう電流を通過させ、前記ゲート端子から前記駆動手段へ向かう電流を遮断する逆流防止手段と、
前記ゲート端子と前記直流電源の間に接続され、前記駆動手段が、前記スイッチ素子を導通状態にする前記駆動信号を出力する間は非導通状態になり、前記スイッチ素子を非導通状態にする前記駆動信号を出力する間は導通状態になる回生手段とを有することを特徴とするスイッチング回路。
【請求項２】
請求項1に記載されたスイッチング回路と、
前記スイッチング回路のスイッチ素子を導通状態にするゲート電圧よりも小さい出力電圧の直流電源とを有することを特徴とする電源装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電力変換装置等で使用されるスイッチング回路および電源装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、低電圧の直流電源に向くスイッチング回路、および、そのスイッチング回路を使用する電源装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明のスイッチング回路は、直流電源から負荷への電力の供給をスイッチングするスイッチ素子と、前記スイッチ素子のゲート端子へ供給する、前記直流電源の電圧よりも大きい電圧の駆動信号を生成する駆動手段と、前記駆動手段と前記ゲート端子の間に接続され、前記駆動手段から前記ゲート端子へ向かう電流を通過させ、前記ゲート端子から前記駆動手段へ向かう電流を遮断する逆流防止手段と、前記ゲート端子と前記直流電源の間に接続され、前記駆動手段が、前記スイッチ素子を導通状態にする前記駆動信号を出力する間は非導通状態になり、前記スイッチ素子を非導通状態にする前記駆動信号を出力する間は導通状態になる回生手段とを有することを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の電源装置は、上記のスイッチング回路と、前記スイッチング回路のスイッチ素子を導通状態にするゲート電圧よりも小さい出力電圧の直流電源とを有することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このようにすると、スイッチ素子の駆動電力の一部を直流電源あるいは負荷に回生（再利用）することができ、スイッチ素子の駆動に伴う電力の損失を減少することができる。さらに、スイッチ素子が非導通状態時のゲート電圧は直流電源電圧まで降下するだけで、導通時と非導通時のゲート電圧の差が小さくなり、スイッチ素子を導通状態にするまでに必要な駆動電力も減少する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
従って、スイッチング回路およびそのスイッチング回路を使用する電源装置の電力損失を低減することができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、低電圧の直流電源に向くスイッチング回路、および、そのスイッチング回路を使用する電源装置を提供することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月23日(2005.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
特定の相手先名を指定して記憶する特定相手先名記憶手段と、送信時に受信側の発端末情報を解析して受信元を識別する受信元識別手段と、送信時に受信元識別手段により識別された受信元に対応する相手先名を前記特定相手先名記憶手段から検索する特定相手先識別手段と、識別された受信元に対応する相手先名がある場合に、特定相手先への通信結果を送信終了後にユーザーに通知する通知手段と、を備えたことを特徴とするファクシミリ装置。
【請求項２】
前記受信元識別手段において受信側の発信元情報が未登録の場合、テンキー入力による電話番号情報やクイック登録により指定された宛名名称の情報にもとづいて特定の相手先かどうかを判断することを特徴とする請求項１記載のファクシミリ装置。
【請求項３】
前記通知手段が、指定された特定相手先毎に、通信結果レポートを出力する通信結果レポート出力手段からなることを特徴とする請求項１記載のファクシミリ装置。
【請求項４】
前記通知手段が、指定された特定相手先毎に、異なる通信終了音を送出する送信終了音送出手段からなることを特徴とする請求項１記載のファクシミリ装置。
【請求項５】
前記通知手段が、指定された特定相手先毎に、送信済み原稿のユーザーが設定した任意の位置においてスタンプ印字する済みスタンプマーク印字手段からなることを特徴とする請求項１記載のファクシミリ装置。
【請求項６】
前記通知手段による通信結果レポート出力、送信終了音出力、済みスタンプ印字の何れかを、ユーザーが自由に指定もしくは併用するようにしたことを特徴とする請求項１記載のファクシミリ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
上述の目的を達成するために、請求項１記載の発明は、特定の相手先名を指定して記憶する特定相手先名記憶手段と、送信時に受信側の発端末情報を解析して受信元を識別する受信元識別手段と、送信時に受信元識別手段により識別された受信元に対応する相手先名を特定相手先名記憶手段から検索する特定相手先識別手段と、識別された受信元に対応する相手先名がある場合に、特定相手先への通信結果を送信終了後にユーザーに通知する通知手段と、を備えたことを特徴とする。
したがって、特定相手先への送信終了時だけは即座に通信結果レポートを出力するようにしたので、オフィスなどのようにファクシミリの利用者が複数いる場合でも、セキュリティを確保しながら、素早く特定相手先への通信結果情報を入手することができるようになる。
また、請求項２記載の発明は、請求項１に記載のファクシミリ装置において、前記受信元識別手段において受信側の発信元情報が未登録の場合、テンキー入力による電話番号情報やクイック登録により指定された宛名名称の情報にもとづいて特定の相手先かどうかを判断することを特徴とする。
したがって、特定相手先として登録する際に電話番号や、ある特定のユーザーグループ全てに対してクイック登録された宛名名称を一括指定することも可能となるため、特定相手先における指定を容易に行うことができる。
また、請求項３記載の発明は、請求項１に記載のファクシミリ装置において、前記通知手段が、指定された特定相手先毎に通信結果レポートを出力する通信結果レポート出力手段からなることを特徴とする。
したがって、特定相手先への送信途中で場所を離れてしまう場合などでは、通信結果レポートを印刷することにより視覚的に特定相手先への送信結果を正確に判断することが可能となる。従って、もし間違って別の人へ送信するなどの人為的操作ミスが発生した場合でも、レポート上の通信履歴により原因究明を素早く行うことが出来るようになる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明の効果】
以上の説明から理解されるように、本発明によれば、送信画像情報が正常に送られたかどうかの判断を即座に確認したい相手先に通信結果通知を行う様にしたので、セキュリティを保護しながら結果通知を素早く判断することが出来る。
また、特定相手先への送信終了時だけは即座に通信結果レポートを出力するようにしたので、オフィスなどのようにファクシミリの利用者が複数いる場合でも、セキュリティを確保しながら、素早く特定相手先への通信結果情報を入手することが出来る。
また、特定相手先として登録する際に電話番号や、ある特定のユーザーグループ全てに対してクイック登録された宛名名称を一括指定することも可能となるため、特定相手先における指定を容易に行うことが出来る。
また、特定相手先への送信途中で場所を離れてしまう場合などでは、通信結果レポートを印刷することにより視覚的に特定相手先への送信結果を正確に判断することが可能となる。従って、もし間違って別の人へ送信するなどの人為的操作ミスが発生した場合でも、レポート上の通信履歴により原因究明を素早く行うことが出来るようになる。
また、ファクシミリ装置から離れた場所にいたために送信開始を全く気が付かなかった場合でも、通信終了後に送出されるメロディー音を聞くことにより即座に正常終了となったことに気付くことが出来る。
また、スタンプマークをチェックすれば読み取り異常による送信ミスを最小限に防止することが可能となるため、各自が必要とする情報を常に正常な状態で入手することが容易となり、情報のやり取りを円滑に行うことが出来る。
また、緊急性の高いケースでの特定相手先への送信画像情報の場合では、結果通知の手段をユーザーが自由に指定できるので、より安心して情報の送信が出来る。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月21日(2005.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブロック毎に符号化された画像を復号し、復号画像のブロック境界を滑らかに接続するためにブロック境界を挟む画素値を変化させフィルタ後の画素値とするフィルタ手段と、
前記フィルタ手段のフィルタの強度を決定するフィルタ強度決定手段を備え、
ブロックの予測符号化モードがフレーム間予測であるブロックにおいて、前記ブロック内に変換係数を含む場合は変換係数を含まない場合よりも必ず強いフィルタ強度を設定し、前記フィルタ強度にしたがってブロック境界をフィルタリングすることを特徴とするフィルタ装置。
【請求項２】
前記ブロックの予測符号化モードがフレーム内予測の場合は、フレーム間予測の場合よりも必ず強いフィルタを設定し、前記フィルタ強度に従ってブロック境界をフィルタリングすることを特徴とする前記請求項１に記載のフィルタ装置。
【請求項３】
前記フィルタ後の復号画像を記憶するフレームメモリ手段を備え、
前記フィルタ後の復号画像を前フレームとして前記フレームメモリ手段に記憶し、
前記ブロックの予測符号化モードがフレーム間予測で、かつ前記ブロック内に変換関数を含まない場合は、前記フレームメモリに格納された復号画像に対して動きベクトルに従い動き補償を行った位置の画像を出力することを特徴とする前記請求項１に記載のフィルタ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】フィルタ装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ブロック分割して、直交変換・量子化・符号化された符号化データを復号し、逆量子化・逆直交変換して得られる復号画像に発生するブロックひずみとモスキート雑音を低減するフィルタ装置に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月24日(2004.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波の共振状態を生じさせることが可能な少なくとも１つの誘電部材と、
上記誘電部材の周囲を取り囲む誘電率が該誘電部材よりも小さな支持部材と、
上記支持部材の周囲を取り囲む遮蔽導体と、
上記誘電部材の一部に対向して配置されるストリップ導体，該ストリップ導体に対向する接地導体層，及びストリップ導体−接地導体層間に介在する誘電体層を有する少なくとも１つの伝送線路と、
上記伝送線路に接続され、上記誘電部材との間で電磁波の入力結合機能又は出力結合機能を有する結合プローブと
を備えており、
上記誘電部材は、矩形断面におけるＴＭ11δ モード、あるいは円形断面におけるＴＭ01δ モードで励振されるものであり、
前記結合プローブは、前記誘電部材の外面であって、前記矩形断面または円形断面に略平行な面の近傍に配置されている高周波回路素子。
【請求項２】
請求項１の高周波回路素子において、
上記伝送線路は、ストリップ線路，マイクロストリップ線路，コプレーナ線路及びマイクロワイヤ線路のうち少なくともいずれか１つを含むことを特徴とする高周波回路素子。
【請求項３】
請求項１の高周波回路素子において、
上記遮蔽導体は、上記支持部材の外表面に形成された導体被膜から形成され、
上記ストリップ導体は、上記遮蔽導体とは分離するように上記導体被膜から形成されていて、
上記導体被膜のうち上記ストリップ導体に対向する部分が上記接地導体層として機能することを特徴とする高周波回路素子。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一つの高周波回路素子において、
上記少なくとも１つの伝送線路は１対設けられており、帯域通過フィルタとして機能することを特徴とする高周波回路素子。
【請求項５】
請求項４の高周波回路素子において、
上記ストリップ導体の先端部は上記伝送線路基板の外方に延びていて、この先端部が上記結合プローブとして機能することを特徴とする高周波回路素子。
【請求項６】
請求項４の高周波回路素子において、
上記ストリップ導体の先端部は、上記伝送線路基板の上に位置しており、この先端部が上記結合プローブとして機能することを特徴とする高周波回路素子。
【請求項７】
請求項５又は６の高周波回路素子において、
上記ストリップ導体の先端部は、上記誘電部材との結合が高くなる方向に曲げられていることを特徴とする高周波回路素子。
【請求項８】
請求項１から３のいずれか一つの高周波回路素子において、
上記ストリップ導体の端部を除く一部が上記誘電部材の直下方に配置されており、上記一部が上記結合プローブとして機能し、
上記少なくとも１つの伝送線路は、１つの連続した線路であり、帯域阻止フィルタとして機能することを特徴とする高周波回路素子。
【請求項９】
請求項８の高周波回路素子において、
上記ストリップ導体の上記一部は、上記誘電部材との結合が大きくなる方向に曲げられていることを特徴とする高周波回路素子。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一つの高周波回路素子において、
誘電体基板と、
上記誘電体基板の上記誘電部材に対向する面上に形成され、上記遮蔽導体の一部となる第１の導体膜とをさらに備えていることを特徴とする高周波回路素子。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれか一つの高周波回路素子において、
上記誘電部材が、四角柱又は円柱であることを特徴とする高周波回路素子。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれか一つの高周波回路素子において、
上記誘電部材の長手方向に垂直な方向における誘電部材の断面形状が、その面積が中央部で最大になるように変化していることを特徴とする高周波回路素子。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一つの高周波回路素子において、
上記少なくとも１つの誘電部材は、互いに結合している複数の誘電部材であることを特徴とする高周波回路素子。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか一つの高周波回路素子において、
上記遮蔽導体を貫通して上記遮蔽導体に囲まれる領域に挿入され、先端で上記誘電部材に対向する周波数調整ねじをさらに備えていることを特徴とする高周波回路素子。
【請求項１５】
請求項１から１３のいずれか一つの高周波回路素子において、
上記少なくとも１つの誘電部材は、互いに結合している複数の誘電部材であり、
上記遮蔽導体を貫通して上記遮蔽導体に囲まれる領域に挿入され、先端で上記各誘電部材間の間隙部に対向する段間結合調整ねじをさらに備えていることを特徴とする高周波回路素子。
【請求項１６】
複数の高周波回路素子と、
上記複数の高周波回路素子間に設けられた位相回路とを備え、
上記各高周波回路素子は、
電磁波の共振状態を生じさせることが可能な少なくとも１つの誘電部材と、
上記誘電部材の周囲を取り囲む誘電率が該誘電部材よりも小さな支持部材と、
上記支持部材の周囲を取り囲む遮蔽導体と、
上記誘電部材の一部に対向して配置されるストリップ導体，該ストリップ導体に対向する接地導体層，及びストリップ導体−接地導体層間に介在する伝送線路基板を有する少なくとも１つの伝送線路と、
上記伝送線路に接続され、上記誘電部材との間で電磁波の入力結合機能又は出力結合機能を有する結合プローブと
を備えており、
上記誘電部材は、矩形断面におけるＴＭ11δ モード、あるいは円形断面におけるＴＭ01δ モードで励振されるものであり、
上記各高周波回路素子の伝送線路が、上記位相回路に接続されていることを特徴とする高周波回路モジュール。
【請求項１７】
請求項１６の高周波回路モジュールにおいて、
上記複数の高周波回路素子の共振状態における中心周波数が互いに異なることを特徴とする高周波回路モジュール。
【請求項１８】
請求項１６又は１７の高周波回路モジュールにおいて、
上記位相回路はアンテナに接続されていることを特徴とする高周波回路モジュール。
【請求項１９】
請求項１又は２の高周波回路素子において、
上記伝送線路は、上記遮蔽導体の一部に形成された溝内に埋め込まれていることを特徴とする高周波回路素子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月1日(2005.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルがマトリクス状に配置されたメモリセルアレイと、
前記メモリセルから読み出された信号を増幅する、ＮチャネルＭＯＳトランジスタから構成されたＮチャネルセンスアンプとＰチャネルＭＯＳトランジスタから構成されたＰチャネルセンスアンプとを含むセンスアンプと、
前記センスアンプに隣接して配置され、前記センスアンプが含む前記Ｎチャネルセンスアンプ及びＰチャネルセンスアンプをそれぞれ駆動するＮチャネルＭＯＳトランジスタを有する第１、第２の駆動回路と、
前記第１、第２の駆動回路が有する各々の前記ＮチャネルＭＯＳトランジスタのゲート電極に共通の制御信号を供給するセンスアンプ制御回路と、
を具備することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
メモリセルが行方向及び列方向にマトリクス状に配置され、ビット線対に接続されたメモリセルアレイと、
前記列方向に連続して配置され、前記メモリセルから読み出され前記ビット線対間に現われた微小信号を増幅する、ＰチャネルＭＯＳトランジスタから構成されたＰチャネルセンスアンプを含むセンスアンプと、
前記センスアンプに隣接して前記列方向に連続して配置され、前記センスアンプが含む前記Ｐチャネルセンスアンプを駆動するＮチャネルＭＯＳトランジスタを有する駆動回路と、
前記駆動回路が有する前記ＮチャネルＭＯＳトランジスタのゲート電極に制御信号を供給するセンスアンプ制御回路と、
を具備することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項３】
メモリセルが行方向及び列方向にマトリクス状に配置され、ビット線対に接続されたメモリセルアレイと、
前記列方向に連続して配置され、前記メモリセルから読み出され前記ビット線対間に現われた微小信号を増幅する、ＮチャネルＭＯＳトランジスタから構成されたＮチャネルセンスアンプとＰチャネルＭＯＳトランジスタから構成されたＰチャネルセンスアンプとを含むセンスアンプと、
前記センスアンプに隣接して前記列方向に連続して配置され、前記センスアンプが含む前記Ｎチャネルセンスアンプ及びＰチャネルセンスアンプをそれぞれ駆動するＮチャネルＭＯＳトランジスタを有する第１、第２の駆動回路と、
前記第１、第２の駆動回路が有する各々の前記ＮチャネルＭＯＳトランジスタのゲート電極に共通の制御信号を供給するセンスアンプ制御回路と、
を具備することを特徴とする半導体集積回路。
【請求項４】
前記Ｎチャネルセンスアンプを駆動する前記第１の駆動回路が有するＮチャネルＭＯＳトランジスタと、前記Ｐチャネルセンスアンプを駆動する前記第２の駆動回路が有するＮチャネルＭＯＳトランジスタとが、前記列方向に一列に配置されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体集積回路。
【請求項５】
前記列方向に連続して配置された前記センスアンプのうち、２個のセンスアンプ毎に、前記Ｐチャネルセンスアンプを駆動する駆動回路が1個ずつ配置されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体集積回路。
【請求項６】
前記第１の駆動回路が有するＮチャネルＭＯＳトランジスタと、前記第２の駆動回路が有するＮチャネルＭＯＳトランジスタとが、前記列方向に伸びる共通のゲート電極を有することを特徴とする請求項４に記載の半導体集積回路。
【請求項７】
前記第１の駆動回路が有するＮチャネルＭＯＳトランジスタのソースに接続されたソースコンタクトと、前記第２の駆動回路が有するＮチャネルＭＯＳトランジスタのソースに接続されたソースコンタクトとが、前記列方向に伸びる共通のゲート電極に対して、互いに反対側に配置されることを特徴とする請求項６に記載の半導体集積回路。
【請求項８】
前記Ｎチャネルセンスアンプを構成する前記ＮチャネルＭＯＳトランジスタのソース電位と、前記Ｐチャネルセンスアンプを構成する前記ＰチャネルＭＯＳトランジスタのソース電位とをイコライズするイコライズトランジスタをさらに具備し、
前記イコライズトランジスタは、前記第１、第２の駆動回路が連続して配置された列内に配置されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月1日(2005.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
層の厚さ方向に積層された２以上のメモリ層と２以上のトンネル層とを含み、
前記２以上のメモリ層が電気的に直列に接続され、
前記２以上のメモリ層から選ばれる少なくとも１つからなる第１層群における磁化反転により生じる抵抗変化と、前記２以上のメモリ層から選ばれる少なくとも１つからなる第２層群における磁化反転により生じる抵抗変化とが互いに相違する磁気メモリであって、
前記２以上のメモリ層が、層の厚さ方向に隣接し、磁化容易軸方向が互いに相違する一対のメモリ層を含む、磁気メモリ。
【請求項２】
前記磁化容易軸方向がなす角度が２０°以上９０°以下である請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項３】
前記一対のメモリ層の少なくとも一方が、２以上の磁性膜を含む積層体である請求項１に記載の磁気メモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月8日(2004.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に裏面電極層を形成し、その裏面電極層上にプリカーサ膜を形成して、ＳｅまたはＳ雰囲気中で熱処理することによってＣＩＧＳ系の光吸収層を作製し、その光吸収層上にバッファ層を介して透明電極層を形成するようにした薄膜太陽電池の製造方法にあって、前記基板にアルカリ成分を含む基板を用いるとともに、裏面電極層とプリカーサ膜との間にアルカリ層を形成して、前記熱処理時にその基板およびアルカリ層からそれぞれアルカリ金属元素が光吸収層に拡散するようにしたうえで、前記裏面電極をＰＶＤ法にて成膜することにより前記基板からのアルカリ金属元素が光吸収層に拡散する拡散量をＰＶＤ法の成膜圧力の変化により膜質を変化させて制御するようにしたことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項２】
基板側に固定の第１の裏面電極層を形成したうえで、その上にアルカリ金属元素の拡散量を制御する第２の裏面電極層を形成するようにしたことを特徴とする請求項１の記載による薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項３】
Ｉａ族元素を含む水溶液に裏面電極層を浸漬したのち乾燥させて裏面電極層上にアルカリ層を形成するようにしたことを特徴とする請求項１の記載による薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項４】
Ｉａ族元素を含む化合物による水和物を溶解させた水溶液であることを特徴とする請求項３の記載による薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項５】
基板に、ソーダライムガラスを用いたことを特徴とする請求項１の記載による薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項６】
基板と裏面電極層との間に応力緩和層を形成したうえで、熱処理を施すようにしたことを特徴とする請求項１の記載による薄膜太陽電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、基板上に裏面電極層を形成して、その裏面電極層上にプリカーサ膜を形成して、ＳｅまたはＳ雰囲気中で熱処理することによってＣＩＧＳ系の光吸収層を作製し、その光吸収層上にバッファ層を介して透明電極層を形成するようにした薄膜太陽電池の製造方法にあって、その熱処理時に効率良く効果的に光吸収層にアルカリ金属元素を拡散させることができるようにするべく、前記基板にアルカリ成分を含む基板を用いるとともに、裏面電極層とプリカーサ膜との間にアルカリ層を形成して、熱処理時にその基板およびアルカリ層からそれぞれアルカリ金属元素が光吸収層に拡散するようにしたうえで、前記裏面電極をＰＶＤ法にて成膜することにより前記基板からのアルカリ金属元素が光吸収層に拡散する拡散量をＰＶＤ法の成膜圧力の変化により膜質を変化させて制御するようにしている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
【効果】
以上、本発明によれば、基板上に裏面電極層を形成し、その裏面電極層上にプリカーサ膜を形成して、ＳｅまたはＳ雰囲気中で熱処理することによってＣＩＧＳ系の光吸収層を作製し、その光吸収層上にバッファ層を介して透明電極層を形成するに際して、前記基板にアルカリ成分を含む基板を用いるとともに、裏面電極層とプリカーサ膜との間にアルカリ層を形成して、熱処理時にその基板およびアルカリ層からそれぞれアルカリ金属元素が光吸収層に拡散するようにしたうえで、前記裏面電極をＰＶＤ法にて成膜することにより前記基板からのアルカリ金属元素が光吸収層に拡散する拡散量をＰＶＤ法の成膜圧力の変化により膜質を変化させて制御するようにしているので、効率良く適正に光吸収層にアルカリ金属元素を拡散させることができるようになり、エネルギー変換効率の良い太陽電池を容易に得ることができるという利点を有している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月12日(2005.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】多軸用サーボアンプモジュールの実装方法とこれを用いた多軸用サーボアンプ装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】半導体パワー素子が搭載された同一形状及び同一機能を有するモータ駆動用のサーボアンプモジュールを複数台備えた多軸サーボアンプ装置における多軸用サーボアンプモジュールの実装方法において、
前記多軸用サーボアンプモジュールを複数実装し、上位コントローラに対して多軸サーボアンプ機能部を構成するための多軸用インターフェイス基板をベースプレートとし、前記多軸用インターフェイス基板面に前記多軸用サーボアンプモジュールを平行に実装し、前記多軸用インターフェイス基板に前記多軸用サーボアンプモジュールを両面実装し、前記多軸用インターフェイス基板上に前記多軸用サーボアンプモジュールを効率的に複数台実装することを特徴とする多軸用サーボアンプモジュールの実装方法。
【請求項２】前記多軸用サーボアンプモジュール上に前記多軸用インターフェイス基板との接続コネクタを対角領域に配置し、前記多軸用インターフェイス基板の表面と裏面の両面それぞれに前記多軸用サーボアンプモジュールとの接続コネクタをちどり状に配置し、かつ、前記多軸用インターフェイス基板の表面と裏面の前記多軸用サーボアンプモジュールとの接続コネクタが干渉しないように交互配置し、前記多軸用インターフェイス基板上の同位置両面に、前記多軸用サーボアンプモジュールをそれぞれ一つずつ対で挟み込むように両面実装し、かつ、前記多軸用インターフェイス基板上に前記多軸用サーボアンプモジュールを並べて並置実装し、前記多軸用インターフェイス基板上に前記多軸用サーボアンプモジュールを効率的に複数台実装することを特徴とする請求項１記載の多軸用サーボアンプモジュールの実装方法。
【請求項３】前記多軸用サーボアンプモジュールに固定用の貫通穴を設け、前記多軸用インターフェイス基板上の同位置両面に前記多軸用サーボアンプモジュールをそれぞれ一つずつ対で挟み込むように両面実装することによって出来る連続する貫通穴を用い、前記多軸用インターフェイス基板上に前記多軸用サーボアンプモジュールを対で挟み込み固定することを特徴とする請求項１記載の多軸用サーボアンプモジュールの実装方法。
【請求項４】前記多軸用サーボアンプモジュール自身に平面度及び平行度と強度を持った取り付け平面及び構造を設け、機械装置可動部の搭載面に対する前記多軸サーボアンプ装置全体の厚さが小さくなるように、前記多軸サーボアンプ装置を前記機械装置可動部上に直接取り付け搭載することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の多軸用サーボアンプモジュールの実装方法。
【請求項５】請求項１〜４のいずれか１項記載の多軸用サーボアンプモジュールの実装方法を用いて実装した多軸用サーボアンプモジュールを有することを特徴とする多軸用サーボアンプ装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記問題を解決するため、請求項１記載の多軸用サーボアンプモジュールの実装方法の発明は、半導体パワー素子が搭載された同一形状及び同一機能を有するモータ駆動用のサーボアンプモジュールを複数台備えた多軸サーボアンプ装置における多軸用サーボアンプモジュールの実装方法において、前記多軸用サーボアンプモジュールを複数実装し上位コントローラに対して多軸サーボアンプ機能部を構成するための多軸用インターフェイス基板をベースプレートとし、前記多軸用インターフェイス基板面に前記多軸用サーボアンプモジュールを平行に実装し、前記多軸用インターフェイス基板に前記多軸用サーボアンプモジュールを両面実装し、前記多軸用インターフェイス基板上に前記多軸用サーボアンプモジュールを効率的に複数台実装するものである。
請求項２記載の発明は、請求項１記載の多軸用サーボアンプモジュールの実装方法において、前記多軸用サーボアンプモジュール上に前記多軸用インターフェイス基板との接続コネクタを対角領域に配置し、前記多軸用インターフェイス基板の表面と裏面の両面それぞれに前記多軸用サーボアンプモジュールとの接続コネクタをちどり状に配置し、かつ、前記多軸用インターフェイス基板の表面と裏面の前記多軸用サーボアンプモジュールとの接続コネクタが干渉しないように交互配置し、前記多軸用インターフェイス基板上の同位置両面に、前記多軸用サーボアンプモジュールをそれぞれ一つずつ対で挟み込むように両面実装し、かつ、前記多軸用インターフェイス基板上に前記多軸用サーボアンプモジュールを並べて並置実装し、前記多軸用インターフェイス基板上に前記多軸用サーボアンプモジュールを効率的に複数台実装するものである。
請求項３記載の発明は、請求項１記載の多軸用サーボアンプモジュールの実装方法において、前記多軸用サーボアンプモジュールに固定用の貫通穴を設け、前記多軸用インターフェイス基板上の同位置両面に前記多軸用サーボアンプモジュールをそれぞれ一つずつ対で挟み込むように両面実装することによって出来る連続する貫通穴を用い、前記多軸用インターフェイス基板上に前記多軸用サーボアンプモジュールを対で挟み込み固定するものである。
請求項４記載の発明は、請求項１〜３のいずれか１項記載の多軸用サーボアンプモジュールの実装方法において、前記多軸用サーボアンプモジュール自身に平面度及び平行度と強度を持った取り付け平面及び構造を設け、機械装置可動部の搭載面に対する前記多軸サーボアンプ装置全体の厚さが小さくなるように、前記多軸サーボアンプ装置を機械装置可動部上に直接取り付け搭載するものである。
請求項５に記載の多軸用サーボアンプモジュール装置の発明は、請求項１〜４のいずれか１項記載の多軸用サーボアンプモジュールの実装方法を用いて多軸用インターフェイス基板上に多軸用サーボアンプモジュールを実装して多軸用サーボアンプ装置を構成するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【発明の効果】
以上述べたように、請求項１〜３および５に記載の方法によれば、ベースプレート平面に対して多軸用サーボアンプモジュールを平行に実装可能とし、かつ、ベースプレートの両面に効率的に実装可能としたため、従来の多軸サーボアンプ装置より、ベースプレート厚さ方向に低い、薄型の多軸サーボアンプ装置が実現可能となる。
これにより、薄型スペースへ設置可能な多軸サーボアンプ装置を提供できる効果がある。また、請求項１〜５に記載の方法によれば、薄型の多軸サーボアンプ装置を機械搭載面に対して多軸サーボアンプ装置全体の厚さが小さくなるように搭載可能としたため、耐振動衝撃性と機械的剛性が増大する多軸サーボアンプ装置が実現可能になる。これにより、高速動作を要する機械装置可動部へ搭載可能な多軸サーボアンプ装置を提供できる効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月29日(2005.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】積層圧電体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック層からなるセラミック基板の主面に、一対の電極が圧電層を挟持してなる変位素子が複数設けられた積層圧電体において、前記セラミック層及び前記圧電層の厚みがそれぞれ５０μｍ以下、全体厚みが１００μｍ以下、該全体厚みの面内バラツキが１０％以下であることを特徴とする積層圧電体。
【請求項２】
前記電極の厚みが０．５〜５μｍであることを特徴とする請求項１記載の積層圧電体。
【請求項３】
前記セラミック層及び前記圧電層の厚みがそれぞれ５〜１５μｍ、全体厚みが２０〜６０μｍであることを特徴とする請求項１又は２記載の積層圧電体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、微細なインク吐出孔からインク滴を吐出して文字や画像を印刷する各種プリンタや記録計、ファクシミリ、あるいは捺染分野や窯業分野で文様形成等に用いられる印刷機等の記録装置に搭載されるインクジェット印刷ヘッド等に、アクチュエータとして好適に使用される積層圧電体に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の目的は、厚みの面内バラツキを低減し、且つ１００μｍ以下の薄層の積層圧電体を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
【発明の効果】
本発明は、圧電積層体の厚みの面内バラツキが少なく、且つ高速応答可能な１００μｍ以下の薄層の積層圧電体を提供することが可能となった。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】化学的機械研磨装置および半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨面に複数条の溝と複数個の孔とを有する研磨パッドを備えた化学的機械研磨装置であって、前記複数条の溝は同心円の環状溝に形成され、かつ、これら環状溝の隣り合うもの同士の間隔が前記孔の隣り合うもの同士の間隔以下に設定されていることを特徴とする化学的機械研磨装置。
【請求項２】
前記環状溝の隣り合うもの同士の間隔が、１．５〜５ｍｍに設定されていることを特徴とする請求項１に記載の化学的機械研磨装置。
【請求項３】
前記環状溝の幅が、０．２５〜２ｍｍに設定されていることを特徴とする請求項１または２に記載の化学的機械研磨装置。
【請求項４】
前記環状溝の深さが、０．１５〜１．８ｍｍに設定されていることを特徴とする請求項１、２または３に記載の化学的機械研磨装置。
【請求項５】
前記孔の口径が、１〜４ｍｍに設定されていることを特徴とする請求項１、２、３または４に記載の化学的機械研磨装置。
【請求項６】
パターン付きウエハのパターニング側主面の凹凸を平坦化する半導体装置の製造方法において、
前記パターニング側主面を複数条の溝と複数個の孔とを有する研磨パッドに押圧して化学的機械研磨を行い、かつ前記複数条の溝は同心円の環状溝に形成され、かつ、これら環状溝の隣り合うもの同士の間隔が前記孔の隣り合うもの同士の間隔以下に設定されている研磨パッドを用いて化学的機械研磨を行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記環状溝の隣り合うもの同士の間隔が、１．５〜５ｍｍに設定されている研磨パッドを用いることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
銅ダマシン配線のための銅膜を化学的機械研磨する半導体装置の製造方法において、
前記銅膜を複数条の溝と複数個の孔とを有する研磨パッドに押圧して化学的機械研磨を行い、かつ前記複数条の溝は同心円の環状溝に形成され、かつ、これら環状溝の隣り合うもの同士の間隔が前記孔の隣り合うもの同士の間隔以下に設定されている研磨パッドを用いて化学的機械研磨を行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の目的は、スクラッチの発生やワークの吸着および研磨速度の低下を防止しつつ、被研磨面を高い精度をもって均一に研磨することができる化学的機械研磨装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
次に、前記構成に係る化学的機械研磨装置の作用および効果を説明する。
この説明により、本発明の一実施の形態である半導体装置の製造方法におけるパターン付きウエハの平坦化工程が共に説明される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月22日(2004.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１、第２、第３および第４の抵抗素子を有し、
前記第１から第４の抵抗素子のそれぞれ第１端が第１のノードにおいて互いに接続され、
第１および第２のモードを切り替えて動作する半導体装置において、
前記第１および第２の抵抗素子のそれぞれの第２端がそれぞれ第２および第３のノードに接続され、
前記第３および第４の抵抗素子のそれぞれの第２端が第４および第５のノードにそれぞれ第１および第２のスイッチを介して接続され、
前記第１の動作モードにおいては前記第１および第２のスイッチは開放され、前記第２の動作モードにおいては前記第１および第２のスイッチは短絡され、
前記第２のノードと第３のノードの間に第１の電圧が印加され、
前記第２の動作モードにおいては前記第４および第５のノードの間に前記第１の電圧と略同じ電圧が印加されること
を特徴とする抵抗素子を有する半導体装置。
【請求項２】
前記第１の抵抗素子の抵抗値と前記第２の抵抗素子の抵抗値の比率が、前記第３の抵抗素子の抵抗値と前記第４の抵抗素子の抵抗値の比率と略等しいこと
を特徴とする請求項１に記載の抵抗素子を有する半導体装置。
【請求項３】
前記抵抗素子は半導体基板上に形成され、
前記第３の抵抗素子の寄生容量と前記第４の抵抗素子の寄生容量が略等しいこと
を特徴とする請求項１に記載の抵抗素子を有する半導体装置。
【請求項４】
一定電位が供給される第１の入力端子と参照ノードからの参照電位が供給される第２の入力端子と出力端子とを有し、スタンバイモードとアクティブモードとで動作する出力調整回路と、
前記参照ノードと基準電位端子との間に接続される第１の出力設定回路と、前記出力端子と前記参照ノードとの間に接続される第２の出力設定回路とを有する出力設定装置とを具備し、
前記第１の出力設定回路は、前記スタンバイモード時に前記参照ノードと前記基準電位端子との間に第１の分圧ノードを介して直列に接続される少なくとも第１、第２の抵抗素子と、前記アクティブモード時に前記参照ノードと前記基準電位端子との間に前記第１の分圧ノードに接続された第２の分圧ノードを介して直列に接続される少なくとも第３、第４の抵抗素子とを有し、前記第１、第２の抵抗素子の抵抗値の比が前記第３、第４の抵抗素子の抵抗値の比と略等しく設定されており、
前記第２の出力設定回路は、前記スタンバイモード時に前記出力端子と参照ノードとの間に第３分圧ノードを介して直列に接続される少なくとも第５、第６の抵抗素子と、前記アクティブモード時に前記出力端子と参照ノードとの間に前記第３の分圧ノードに接続された第４の分圧ノードを介して直列に接続される少なくとも第７、第８の抵抗素子とを有し、前記第５、第６の抵抗素子の抵抗値の比が前記第７、第８の抵抗素子の抵抗値の比と略等しく設定されていること
を特徴とする抵抗素子を有する半導体装置。
【請求項５】
更に前記出力設定装置は、第１から第ｎの出力設定回路から成るｎ個の出力設定回路を有し（ｎ：自然数、ｎ≧２）、
前記第ｎの出力設定回路は、前記スタンバイモード時に前記出力端子と前記参照ノードとの間に第２ｎ−１の分圧ノードを介して直列に接続される少なくとも第４ｎ−３、第４ｎ−２の抵抗素子と、
前記アクティブモード時に前記出力端子と前記参照ノードとの間に前記第２ｎ−１の分圧ノードに接続された第２ｎの分圧ノードを介して直列に接続される少なくとも第４ｎ−１、第４ｎの抵抗素子とを有し、前記第４ｎ−３、第４ｎ−２の抵抗素子の抵抗値の比が前記第４ｎ−１、第４ｎの抵抗素子の抵抗値の比と略等しく設定されていること
を特徴とする請求項４に記載の抵抗素子を有する半導体装置。
【請求項６】
第１、第２の電源端子と、
少なくとも１個の抵抗素子と、
一端が前記第１の電源端子に接続され、他端が前記抵抗素子の一端に接続された第１の充電回路と、
一端が前記抵抗素子の他端に接続され、他端が前記第２の電源端子に接続された放電回路と、
一端が前記抵抗素子の一端に接続され、他端が前記第２の電源端子に接続されたキャパシタと、
一端が前記第１の電源端子に接続され、他端が前記抵抗素子の他端に接続された第２の充電回路とを具備すること
を特徴とする抵抗素子を有する半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明の一態様によれば、第１、第２、第３および第４の抵抗素子を有し、前記第１から第４の抵抗素子のそれぞれ第１端が第１のノードにおいて互いに接続され、第１および第２のモードを切り替えて動作する半導体装置において、前記第１および第２の抵抗素子のそれぞれの第２端がそれぞれ第２および第３のノードに接続され、前記第３および第４の抵抗素子のそれぞれの第２端が第４および第５のノードにそれぞれ第１および第２のスイッチを介して接続され、前記第１の動作モードにおいては前記第１および第２のスイッチは開放され、前記第２の動作モードにおいては前記第１および第２のスイッチは短絡され、前記第２のノードと第３のノードの間に第１の電圧が印加され、前記第２の動作モードにおいては前記第４および第５のノードの間に前記第１の電圧と略同じ電圧が印加される抵抗素子を有する半導体装置を提供できる。