(57)【要約】【課題】本件は、磁気記録媒体を作製する磁気記録媒体作製方法および基板上に成膜する成膜装置に関し、非磁性材料の必要以上の成膜を抑える。【解決手段】非磁性材料の成膜の途中で成膜を中断して、又は成膜を実行しつつ、媒体表面にレーザビーム等のビームを照射して表面でのビームの散乱強度を測定し、一方、散乱強度と表面の平坦度との対応関係をあらかじめ求めておき、測定された散乱強度が所定の平坦度に対応する所定の散乱強度にまで下がった段階で非磁性材料の成膜を終了する。【選択図】        図７
2010146609.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に成膜された磁性材料からなる記録層表面に凹凸パターンを形成するパターン形成工程と、
前記パターン形成工程で形成された凹凸パターンの凹部に非磁性材料を充填しつつ表面が所定の平坦度に達するまで、該凹凸パターン上に該非磁性材料を成膜する凹部充填工程と、
前記凹部充填工程で成膜された非磁性材料層のうちの、厚さ方向について前記凹部に充填された部分よりも表面側の部分を除去して、磁性材料と非磁性材料の、前記凹凸パターンに応じた平坦なパターンを露出させる平坦化工程とを有し、
前記凹部充填工程が、非磁性材料の成膜の途中で表面にビームを照射して該表面での該ビームの散乱強度を測定し、測定される散乱強度が前記所定の平坦度に対応する所定の散乱強度にまで下がった段階で非磁性材料の成膜を終了することを特徴とする磁気記録媒体作製方法。
【請求項２】
前記凹部充填工程が、非磁性材料が成膜されつつある表面にレーザビームを照射して該表面での該レーザビームの散乱強度を測定し、測定される散乱強度が前記所定の平坦度に対応する所定の散乱強度にまで下がった段階で非磁性材料の成膜を終了することを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体作製方法。
【請求項３】
前記レーザビームが、真空紫外光からなるレーザビームであることを特徴とする請求項２記載の磁気記録媒体作製方法。
【請求項４】
前記基板が円板形状の基板であって、前記凹部充填工程では、前記ビームを、前記基板表面に対し斜めに、かつ該ビームを該表面へ投影したときの該ビームの進行方向が該円板形状の半径方向となる向きに、該基板に入射させることを特徴とする請求項１から３のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体作製方法。
【請求項５】
基板上に成膜された磁性材料からなる記録層表面に形成された凹凸パターン上に、該凹凸パターンの凹部に非磁性材料を充填しつつ表面が所定の平坦度に達するまで該非磁性材料を成膜する成膜装置であって、
非磁性材料が成膜されつつある表面にビームを照射するビーム照射部と、
前記表面での前記ビームの散乱強度を測定するセンサと、
前記センサで測定される散乱強度が前記所定の平坦度に対応する所定の散乱強度にまで下がった段階で非磁性材料の成膜を終了させる制御部とを有することを特徴とする成膜装置。
【請求項６】
前記ビーム照射部が、非磁性材料が成膜されつつある表面にレーザビームを照射するレーザ光源であり、前記センサが、前記レーザビームの散乱強度を測定するセンサであることを特徴とする請求項５記載の成膜装置。
【請求項７】
前記レーザ光源が、真空紫外光からなるレーザビームを照射するレーザ光源であることを特徴とする請求項６記載の成膜装置。
【請求項８】
前記基板が円板形状の基板であって、前記ビーム照射部が、前記ビームを、前記基板表面に対し斜めに、かつ該ビームを該表面へ投影したときの該ビームの進行方向が該円板形状の半径方向となる向きに該基板に入射させることを特徴とする請求項５から７のうちいずれか１項記載の成膜装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件は、磁気記録媒体を作製する磁気記録媒体作製方法および基板上に成膜する成膜装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
デジタルデータのストレージ装置であるハードディスク装置は、年々増加するデジタル情報の増大により常にその記憶容量の増大を求められている。この要求に応えるため、１９９０年からは磁気抵抗効果を使用した読取りヘッドの開発、ＳＦＭ（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ Ｆｅｒｒｉｍａｇｎｅｔｉｃ Ｍｅｄｉａ）媒体の開発及び信号処理技術の発展により、年率６０％の記録密度の向上を達成してきた。
【０００３】
また２００７年頃から、それまで媒体に記録される磁気ビットの磁化方向が基板に対して水平である「面内記録方式」から、磁化方向が基板に対して垂直である「垂直磁気記録方式」への転換が行われ、現在１００Ｇｂｉｔ／ｉｎ２の記録密度を可能としている。
【０００４】
しかし、高密度化を進めた場合、磁気ヘッドからの書き込み磁界の広がりが原因とされる隣接トラックへの影響や再生時のクロストーク問題などが顕著化するため、現状の垂直磁気記録技術の延長では５００Ｇｂｉｔ／ｉｎ２程度が限界となる。また、磁気記録媒体単体の記録能力も連続膜構造では「熱揺らぎ問題」により１Ｔｂｉｔ／ｉｎ２程度が限界といわれており、新しいテクノロジーの採用が必要不可欠である。
【０００５】
以上の問題を解決する方法として、磁気媒体に半導体プロセスで用いられる加工技術を応用して、磁気記録部分とそれ以外の部分が物理的に区切られた媒体が提案されており、パターンドメディアと呼ばれている。
【０００６】
パターンドメディアは、パターンの形式により名称が異なり、ランド／グルーブでトラック毎に区切られたディスクリートパターンドメディア（ＤＴＭ）、記録ビット毎に区切られたビットパターンドメディア（ＢＰＭ）がある。
【０００７】
パターンドメディアの作製において、代表的な磁気記録部分の形成方法は、フォトリソプロセス又はインプリントプロセスを使って媒体表面の上にレジストパターンを形成した後、エッチング法を用いて磁性材料の記録部分以外を除去して凹凸をつくり、その後非磁性材料を凹の部分に埋めこみ、最後に平坦化する方法である。
【０００８】
ここで、このパターンドメディアの作製にあたり、困難な工程は、磁性材料の記録部分以外を除去して作った凹凸の凹の部分に非磁性材料を埋め込んで表面を平坦化する工程である。
【０００９】
パターンドメディアは、記録密度５００  Ｇｉｂｔ／ｉｎ２以上の超高記録密度用磁気記録媒体に用いられるため、磁気情報の書込み読取り時に必要なヘッド浮上高さは４ｎｍ以下となる。そのため、ヘッドを安定浮上させるためにはパターンドメディア表面の凹凸が浮上高さ以下であることが必要不可欠となる。
【００１０】
また、十分な平坦化を行うには凹の部分に非磁性材料を充填した段階で既に表面がある程度平坦であり、且つ媒体間のバラツキがないことが重要である。
【００１１】
充填方法としてスパッタ法が用いられるが、ＤＣマグネトロンスパッタ法の場合凹部への充填が充分に行われない可能性がある。一方、バイアススパッタ法（例えば：特許文献１参照）を用いた場合は、凹部への良好な充填成膜が可能となる。凹部への充填後成膜を続けると、膜厚（凸部上面から充填膜上面）は厚くなるが、凸高さ（凹と凸の差）は減少する。さらに成膜を続けると凸高さはさらに低くなり成膜表面は平坦になる。従って、充分に厚い膜をバイアススパッタ法により凹凸に上に成膜し、その後ＩＢＥ法により凹部より溢れた充填材料を除去すれば平坦な表面を得ることが出来る。しかし、この方法の場合、必要以上の厚さに充填成膜を行う恐れがあり、充填時間及びその後の平坦化プロセス時のエッチング時間が掛かってしまい、量産性が落ちる問題がある。
【００１２】
尚、充填後の平坦化プロセス時のエッチングストップは、例えば質量分析機を用いて磁性材料のスペクトルの感知によりタイミングを得ることが出来る。
【特許文献１】特開２００５−７１５４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本件開示の磁気記録媒体作製方法および成膜装置の課題は必要以上の非磁性材料の充填成膜を抑えることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本件開示の磁気記録媒体作製方法は、パターン形成工程と凹部充填工程と平坦化工程とを有する。
【００１５】
パターン形成工程は、基板上に成膜された磁性材料からなる記録層表面に凹凸パターンを形成する工程である。
【００１６】
また、凹部充填工程は、パターン形成工程で形成された凹凸パターンの凹部に非磁性材料を充填しつつ表面が所定の平坦度に達するまで、その凹凸パターン上に非磁性材料を成膜する工程である。
【００１７】
また、平坦化工程は、凹部充填工程で成膜された非磁性材料層のうちの、厚さ方向について上記凹部に充填された部分よりも表面側の部分を除去して、磁性材料と非磁性材料の、上記凹凸パターンに応じた平坦なパターンを露出させる工程である。
【００１８】
ここで、凹部充填工程では、非磁性材料の成膜の途中で表面にビームを照射して表面でのビームの散乱強度を測定する。そして、測定される散乱強度が上記所定の平坦度に対応する所定の散乱強度にまで下がった段階で非磁性材料の成膜を終了する。
【００１９】
また、本件開示の成膜装置は、基板上に成膜された磁性材料からなる記録層表面に形成された凹凸パターン上に、その凹凸パターンの凹部に非磁性材料を充填しつつ表面が所定の平坦度に達するまで非磁性材料を成膜する成膜装置である。ここで、本件開示の成膜装置は、ビーム照射部と、センサと、制御部とを有する。
【００２０】
ビーム照射部は、非磁性材料が成膜されつつある表面にビームを照射する。
【００２１】
またセンサは、表面での前記ビームの散乱強度を測定する。
【００２２】
また制御部は、センサで測定される散乱強度が上記所定の平坦度に対応する所定の散乱強度にまで下がった段階で非磁性材料の成膜を終了させる。
【発明の効果】
【００２３】
本件開示の磁気記録媒体作製方法および成膜装置によれば、非磁性材料の必要以上の充填成膜を避けることができる。このため、充填材料の使用量の抑制、充填時間の短縮化およびその後のエッチング時間の短縮化が図られ、低製造コスト化が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下では先ず、後述する実施形態と対比すべき比較例を説明する。
【００２５】
図１は、比較例としてのエッチング法によるパターンドメディアの典型的な加工工程を示す図である。
（ａ）磁気記録材料の成膜
ハードディスク基板上にスパッタ法により磁気記録材料を成膜して磁気記録層１を形成し、その上にナノインプリント法などによりレジストパターン２を形成する。
（ｂ）レジスト底だし：
反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）により、レジストパターン２の凹部２ａの底のレジストを除去する。このとき、エッチングガスには酸素を用いている。
（ｃ）磁気記録層エッチング：
イオンミリング法又はイオンビームエッチング（ＩＢＥ）法により磁気記録層１に凹部１ａを形成する。
（ｄ）レジスト除去：
凸部の上に残ったレジスト及をＲＩＥ法により酸素ガスで除去を行う。
（ｅ）充填：
スパッタ法により磁気記録層１の凹部に非磁性材料３を充填する。
（ｆ）平坦化：
溢れた非磁性材料３をＩＢＥ法により除去し、且つ表面平坦化を行う。
（ｇ）保護膜形成：
最後に再度保護膜としてダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）膜４を成膜する。
【００２６】
尚、各プロセスに於いて、上記以外の装置を用いることも数多く報告されている。
【００２７】
上記工程で、最も困難なのが（ｅ）（ｆ）の充填及び平坦化である。
【００２８】
図２は、図１の（ｅ）（ｆ）の充填および平坦化プロセスの詳細説明図である。
【００２９】
図２（ａ）の充填前の状態から出発し、バイアススパッタ法等により磁気記録層１上に非磁性材料３の成膜を開始する（図２（ｂ））。成膜を設けていくと、前述したように、非磁性材料３が磁気記録層１の凹部１ａに充填され、さらに成膜を続けると膜厚（凸部上面から充填膜上面）は厚くなるが、凸高さは減少する。さらに成膜を続けると凸高さもさらに低くなり成膜表面は平坦になる。
【００３０】
このように、磁気記録層１の凹凸の上にバイアススパッタ法により表面が充分に平坦になるまで充分に厚い非磁性材料の膜を成膜し、その後ＩＢＥ法により磁気記録層１の凹部より溢れた非磁性材料を除去することにより平坦な表面を得ることができる（図２（ｃ））。
【００３１】
ただし前述したように、この方法の場合、非磁性材料の充填成膜をどの段階で止めればよいか分からず、充填成膜を必要以上に行なう恐れがある。その場合、充填プロセス（図２（ｂ））での充填時間および平坦化プロセス（図２（ｃ））でのエッチング時間がかかってしまい量産性の低下につながる。
【００３２】
以上の比較例を踏まえ、以下、本件の実施形態について説明する。
【００３３】
図３は、本件の一実施形態としての成膜装置の基本原理図である。
【００３４】
この図３に示す成膜装置２０は、スパッタ法により非磁性充填材料を成膜する装置である。この成膜装置２０は、さらに、レーザ光源３１と検出器３２を有する表面平坦性検出装置３０を備えている。
【００３５】
この表面平坦性検出装置３０は、成膜の途中で媒体表面の平坦性を計る装置である。レーザ光源３１からは、媒体表面に向けてレーザビームを照射する。媒体は円板形状を有しており、レーザビームは、媒体表面に対し斜めに、かつそのレーザビームを媒体表面へ投影したときのレーザビームの進行方向がその円板形状の半径方向となる向きである。
【００３６】
媒体表面の凹凸は、媒体上のトラックを横切る向き、すなわち媒体の半径方向に並んでいる。レーザビームをこの凹凸が並ぶ方向に照射することにより大きな散乱を得ることができ、検出精度が高まる。
【００３７】
検出器３２は、その検出器に入射してきたレーザ光の強度を測定するセンサである。ここでは検出器３２は、レーザビームの媒体表面での正反射光を捉える位置に配置されている。媒体表面に大きな凹凸があるとレーザ光が媒体表面で大きく散乱し、正反射光は減少する。媒体表面の凹凸が小さくなるにつれ、媒体表面でのレーザ光の散乱が減少し、正反射光が強まる。すなわち検出器３２によるにレーザ光の検出強度は凹凸の程度を表わしている。
【００３８】
図３の成膜装置２０に備えられている表面平坦性検出装置３０は、上記の原理を利用して成膜途中の媒体表面の平坦度を測定する装置である。
【００３９】
ここで、レーザビームは成膜チャンバの外から窓を通して媒体表面に照射し、散乱光も窓を通して、チャンバ外に設置されている検出器３２で検出される。また、平坦化された表面の状態を見るためレーザビームの波長は短いほうが望ましく、必要であれば真空紫外光を用いる。この場合、レーザ照射口及び検出器は真空槽内に設置される。この成膜装置１０では、表面平坦性検出装置２０で媒体表面の平坦度が所定の平坦度まで平坦化されたタイミングで成膜を停止させる。これにより  平坦性を得るために必要な膜厚を最小限に抑えることができ、スパッタ時間が短縮化されるとともに充填材料の使用量が抑制され、低製造コスト化が可能となる。また、各媒体の表面平坦性を一定に保つことが出来ることから、媒体間のバラツキが抑制され歩留まりが改善される。
【００４０】
尚、ここでの成膜方法として、スパッタ法の他にイオンビーム成膜（ＩＢＤ）法、ＣＶＤ法などのドライプロセス法を用いても良い。
【００４１】
図４〜図９は、表面平坦化検出装置付き成膜装置を用いて作製されるパターンドメディアの作製方法の各工程を示す図である。尚、図４〜図９の各図において（Ａ）は媒体の断面、（Ｂ）は媒体の上面を表わしている。
【００４２】
また、図１０、図１１は、ＩＢＥ法による平坦化プロセスにおける、質量分析装置（ＳＩＭＳ）による表面材料の検出強度を示す図である。
（ａ）ここでは、先ず、φ２．５インチＨＤＤ用ガラス基板１０上に、スパッタ法により、基板１０／下地層（非磁性層）１１／ＡＰＳ（Ａｎｔｉｐａｒａｌｌｅｌ-ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）-ＳＵＬ（Ｓｏｆｔ ｕｎｄｅｒ Ｌａｙｅｒ）層１２／非磁性層１３／磁性グラニュラ層（磁気記録層）１４の順で成膜を行う（図４）。
（ｂ）上記のスパッタ済み媒体の上に、レジスト１５を塗布しナノインプリント法によりレジストパターン１５ａを形成する。ここで使用するレジストパターンは、１００ ｎｍピッチでランド／グルーブ比１：１の同心円パターンであり、媒体全面にパターンが形成される（図５）。
（ｃ）ＲＩＥ法によりレジストの底だしを行う。
（ｄ）ＩＢＥ法により磁性グラニュラ層のエッチングを行い、凹部１４ａを形成する。
（ｅ）ＲＩＥ法により凸部上に残ったレジストを除去する（図６）。
（ｆ）表面平坦性検出装置付き成膜装置により上記凹部に非磁性材料を充填する。
（ｆ−１）本実形態では、非磁性材料としてＴａを用いている。
（ｆ−２）スパッタ時の投入電力を５００Ｗとし、スパッタガスにＡｒを、バイアス電圧を−１００Ｖとして充填を行う。
（ｆ−３）充填成膜中、又は充填成膜を一次停止して媒体表面にレーザビームを当てて、その散乱光強度を光電子倍増管により測定する。このとき、レーザビームが基板表面で散乱されやすいように、レーザビーム光の入射方向は凸パターンに対して垂直、すなわちトラック方向に対して垂直に入射する。充填初期は表面の凹凸が大きく、レーザ光の散乱が大きく、検出される正反射光強度は弱い（図７）。
【００４３】
ここで、詳細は図１２を参照して後述するが、本実施形態では表面平坦度検出装置にも工夫が施されている。すなわち、ここでは、検出感度を上げるために、レーザビームはパルス光とし、光電子倍増管からの出力をロックインアンプにより増幅している。光電子倍増管からの信号はコンピュータ（ＰＣ）に取り込まれ、信号強度が所定の値になったときに成膜を終了する。
（ｆ−４）スパッタにより成膜を続けると共に、膜厚は厚くなるが凸高さは低くなり正反射光強度が上がる（図８）。
（ｆ−５）目標とされる凸高さに対応した正反射光強度の検出時に成膜を停止する（図９）。今回の凸高さは１０ ｎｍとしている。尚、検出器３２で検出されるレーザ光の強度と凸高さとの関係は予め測定されている。
（ｇ）充填後の媒体について、ＩＢＥ法により充填したＴａ層のエッチングを行う。エッチングはＩＢＥ装置内に設置された二次イオン質量分析装置（ＳＩＭＳ）を用いてエッチング材料をモニタしている（図１０）。質量分析器で磁性グラニュラ材料（ここではＣｏ合金）が検出された時にエッチング終了とする（図１１）。また、エッチング後の凸高さは２ｎｍである。
（ｈ）保護膜としてＤＬＣ膜をスパッタ法により成膜する。
【００４４】
以上のように、充填時に表面の平坦性をモニタすることにより、充填時間、平坦化時間を抑制し、さらに媒体毎の表面平坦性のバラツキを抑えたパターンドメディアの提供が可能となる。
【００４５】
図１２は、表面平坦度検出装置付き成膜装置の一例を示す図である。
【００４６】
成膜装置４０を構成する真空槽４１内に表面に凹凸が形成された媒体５０を置き、その媒体５０の表面の凹部に充填材料５１を充填しつつ成膜する。その真空槽４０内に、真空紫外光からなるレーザビームを発するレーザ光源６１と、媒体５０の表面で散乱された後のレーザ光強度を検出するフォトマルチプライヤ（光電子増倍管）６２が配置されている。また、真空槽４０の外部には発振器６３と、ロックインアンプ６４と、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）６５が置かれている。ここに示す例では、これらレーザ光源６１、フォトマルチプライヤ６２、発振器６３、ロックインアンプ６４、およびＰＣ６５により表面平坦性検出装置６０が構成されている。
【００４７】
発振器６３は、周波数ｆの発振信号を生成し、その発振信号はレーザ光源６１とロックインアンプ６４に入力される。レーザ光源６１は、その発振信号により制御されて繰り返し周波数ｆのレーザパルスビームを出射する。このレーザパルスビームは、図３を参照して説明した方向から媒体５０の表面に照射され媒体表面で散乱を受ける。散乱後のパルスレーザ光はフォトマルチプライヤ６２で受光され電気信号に変換されてロックインアンプ６４に入力される。ロックインアンプ６４は、発振器６３からの周波数ｆの発振信号の入力を受け、周波数ｆの信号強度のみを抽出するアンプである。こうすることにより、周波数ｆで点滅する光以外の光が除去され、周囲の様々な光による外乱の混入が抑えられる。このロックインアンプ６４から出力された信号はＰＣ６５に入力され、その信号により表わされるレーザ光強度により、媒体表面の平坦度があらかじめ目標とした平坦度に達したか否かがモニタされる。
【００４８】
尚、図３を参照した説明では、検出器３２（図１２のフォトマルチプレイヤ６２に対応する）は、レーザビームの正反射光成分を検出する位置に配置されている旨、説明したが、正反射光成分ではなく、散乱光成分を検出するように構成してもよい。その場合、媒体表面が平坦化されるにつれ、検出されるレーザ光強度は低下することになる。散乱光成分を検出するように構成すると、検出精度を高めることができる。
【００４９】
尚、以上の説明では、媒体片面のみ、プロセスを行なっているが、通常は基板両面に成膜・プロセスが施される。
【００５０】
また、ここでは、媒体表面の平坦度を測定するにあたり、レーザ光源を用い媒体表面にレーザビームを照射しているが、レーザビームに代えて電子線ビームを照射し、その電子線の散乱強度を検出する構成としてもよい。
【００５１】
図１３は、磁気ディスク装置を示す図である。
【００５２】
上述のプロセスを経て作製された媒体は、一例として、図１３に示すような磁気ディスク装置に組み込まれる。
【００５３】
この図１３に示す磁気ディスク装置７０のハウジング７１内には、回転軸７２の回りに回転する磁気ディスク媒体８０が備えられている。
この磁気ディスク媒体８０は、上記のプロセスを経て作製された媒体である。
【００５４】
また、このハウジング７１内には、磁気ディスク媒体８０に対して情報記録と情報再生とを行なう磁気ヘッド７３を先端に保持したアーム７４が備えられている。このアーム７４は、アーム軸７５に固定され、アーム軸７５を中心に磁気ディスク媒体８０の表面に沿って回動する。このアーム軸７５は、アームアクチュエータ７６によって駆動される。
【００５５】
磁気ディスク媒体８０に対する情報の記録や再生に当たっては、アームアクチュエータ７６によってアーム７４が駆動されて、磁気ヘッド７３が、回転する磁気ディスク媒体８０上に位置決めされる。情報の記録時には、磁気ヘッド７３に電気的な記録信号が入力され、磁気ヘッド７３により、その記録信号に応じた磁界が印加されて、その記録信号に担持された情報が磁気ディスク媒体８０に記録される。また、情報の再生時には、磁気ヘッド７３によって、磁気ディスク媒体８０に磁気的に記録されていた情報が、電気的な再生信号として取り出される。
【００５６】
図１４は、ノート型パーソナルコンピュータ（以下、「ノートＰＣ」と称する）の外観斜視図である。
【００５７】
図１３に示す磁気ディスク装置は、一例として、この様なノートＰＣに組み込まれる。
【００５８】
このノートＰＣ９０は、本体ユニット９１と表示ユニット９２を備えており、表示ユニット９２はヒンジ９３により開閉自在に本体ユニット９１に連結されている。
【００５９】
本体ユニット９１は、上面にキーボード９１１等を有し、内部にＣＰＵ（図示せず）や、図１３に示す磁気ディスク装置７０等が備えられている。また、表示ユニット９２には、表示画面９２１が備えられている。ノートＰＣ９０自体の構成は広く知られており、ノートＰＣ自体についてのこれ以上の詳細説明は省略する。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】比較例としてのエッチング法によるパターンドメディアの典型的な加工工程を示す図である。
【図２】図１の（ｅ）（ｆ）の充填および平坦化プロセスの詳細説明図である。
【図３】本件の一実施形態としての成膜装置の基本原理図である。
【図４】表面平坦性検出装置付き成膜装置を用いて作製されるパターンドメディアの作製方法の一工程を示す図である。
【図５】表面平坦性検出装置付き成膜装置を用いて作製されるパターンドメディアの作製方法の一工程を示す図である。
【図６】表面平坦性検出装置付き成膜装置を用いて作製されるパターンドメディアの作製方法の一工程を示す図である。
【図７】表面平坦性検出装置付き成膜装置を用いて作製されるパターンドメディアの作製方法の一工程を示す図である。
【図８】表面平坦性検出装置付き成膜装置を用いて作製されるパターンドメディアの作製方法の一工程を示す図である。
【図９】表面平坦性検出装置付き成膜装置を用いて作製されるパターンドメディアの作製方法の一工程を示す図である。
【図１０】ＩＢＥ法による平坦化プロセスにおける、質量分析装置（ＳＩＭＳ）による表面材料の検出強度を示す図である。
【図１１】ＩＢＥ法による平坦化プロセスにおける、質量分析装置（ＳＩＭＳ）による表面材料の検出強度を示す図である。
【図１２】表面平坦度検出装置付き成膜装置の一例を示す図である。
【図１３】磁気ディスク装置を示す図である。
【図１４】ノート型パーソナルコンピューター（以下、「ノートＰＣ」と称する）の外観斜視図である。
【符号の説明】
【００６１】
１    磁気記録層
１ａ，２ａ    凹部
２    レジストパターン
３    非磁性材料
４    ＤＬＣ膜
１０    ガラス基板
１１    下地層（非磁性層）
１２    ＡＰＳ-ＳＵＬ層
１３    非磁性中層
１４    磁性グラニュラ層
１５    レジスト
１５ａ    レジストパターン
２０，４０    成膜装置
３０，６０    表面平坦性検出装置
３１，６１    レーザ光源
３２    検出器
４０    真空槽
５０    媒体
６２    フォトマルチプライヤ（光電子増倍管）
６３    発振器
６４    ロックインアンプ
６５    ＰＣ
７０    磁気ディスク装置
８０    磁気ディスク媒体
９０    ノートＰＣ
９１    本体ユニット
９２    表示ユニット
【図１】
2010146609.tif 000003
【図２】
2010146609.tif 000004
【図３】
2010146609.tif 000005
【図４】
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【図５】
2010146609.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
2010146609.tif 000010
【図９】
2010146609.tif 000011
【図１０】
2010146609.tif 000012
【図１１】
2010146609.tif 000013
【図１２】
2010146609.tif 000014
【図１３】
2010146609.tif 000015
【図１４】
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