(57)【要約】【課題】ＩＣを三次元的に積層してなるメモリーモジュールをワイヤーボンデイングを用いずに容易に製造すること。【解決手段】電極９が一辺または隣接する二辺に集中してなる半導体チップを積層し、半導体チップの側面を覆うように絶縁性樹脂を塗布・硬化させた後、各半導体チップの電極問に導電性樹脂６を塗布していくことで電気的な接続をとり三次元積層型の半導体装置とする。さらに、前記半導体チップの前記導電性樹脂と接するコーナー部に平端部または丸み部を設けた半導体装置とする。【選択図】図１
2010034119.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を有する基板と、
前記基板に配置され電極を有する第一半導体チップと、
前記第一半導体チップの前記電極部分を避けて前記第一半導体チップの上に配置された第二半導体チップと、
前記第一半導体チップの電極と前記基板の電極との間を連結する第一導電性樹脂と、
前記第一半導体チップの電極と前記第二半導体チップの電極とを連結する第二導電性樹脂とからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１の半導体装置に、さらに、
前記基板と前記第一半導体チップの側面との間に設けられた第一絶縁性樹脂と、
前記第一半導体チップと前記第二半導体チップの側面との間に設けられた第二絶縁性樹脂とからなる半導体装置。
【請求項３】
第一絶縁性樹脂が第一半導体チップの上面まで覆い、かつ、第二絶縁性樹脂が第二半導体チップの上面まで覆っていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
請求項１の半導体装置に、さらに、
前記基板と前記第一半導体チップとの間、かつ、前記基板と前記第一半導体チップの側面との間に設けられた第一接着剤と、
前記第一半導体チップと前記第二半導体チップとの間、かつ、前記第一半導体チップと前記第二半導体チップの側面との間に設けられた第二接着剤とからなる半導体装置。
【請求項５】
電極を有する基板と、
各電極の部分をずらして前記基板上に積層されたｎ個の半導体チップと、
前記基板に直接配置された第一の半導体チップの側面との間に設けられた第１の絶縁性樹脂と、
各半導体チップの側面と、各半導体チップの下部の半導体チップとの間に設けられた（ｎ―１）個の絶縁性樹脂と、
前記半導体チップの電極部分と前記基板の電極とを前記絶縁樹脂を介して連結する第一の導電性樹脂と、
各半導体チップの電極と、前記各半導体チップの下部の半導体チップの電極とを、前記（ｎ―１）個の絶縁性樹脂を介して連結する（ｎ―１）個の導電性樹脂
とからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
電極を有する基板と、
各電極の部分をずらして前記基板上に積層されたｎ個の半導体チップと、
前記基板と前記基板に直接配置された第一の半導体チップとの間、かつ、前記基板と前記基板に直接配置された第一の半導体チップの側面との間に設けられた第一の絶縁性接着剤と、
前記半導体チップ間、かつ、前記半導体チップの側面と前記半導体チップの下部の半導体チップとの間に設けられた（ｎ―１）個の絶縁性接着剤と、
前記半導体チップの電極部分と前記基板に直接配置された第一の半導体チップの電極とを前記第一の絶縁性接着剤を介して連結する第一の導電性樹脂と、
各半導体チップの電極と前記各半導体チップの下部の半導体チップの電極とを前記（ｎ―１）個の絶縁性接着剤を介して連結する（ｎ―１）個の導電性樹脂
とからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記導電性ペースト間に絶縁性ペーストの層を設けた請求項１ないし６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体チップの前記導電性樹脂と接するコーナー部に平端部または丸み部を設けた請求項１ないし７記載の半導体装置。
【請求項９】
半導体チップがメモリチップであることを特徴とする請求項１ないし８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
積層された半導体装置の最上部の半導体チップの電極と、
基板上の配線とを導電性樹脂で直接接続することを特徴とする請求項１ないし８に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置とその製造方法に関するものであり、特に複数の半導体チップを積層した構造の半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体チップを積層する方法としては、複数の半導体チップを、活性面（回路面）を上向きに積層した後、金属ワイヤを介してそれぞれのチップの電極と回路基板の電極の間の電気的な接続をとるものがあった（例えば、特許文献１参照）。図９（ａ）は、前記特許文献１に記載された従来の積層方法の半導体装置の上面図を示すものであり、図９（ｂ）は、その断面図を示すものである。以下、図９（ａ）と図９（ｂ）を用いて従来の技術について説明する。図９（ａ）において、主面の一辺に沿って電極９が形成された第一の半導体チップ１Ａが回路基板２上に主面を上に向けて実装され、第一の半導体チップ１Ａと同様に主面の一辺に沿って電極９が形成された第二の半導体チップ１Ｂが前記第一の半導体チップ１Ａの主面上に積層されている。これら第一の半導体チップ１Ａ、第二の半導体チップ１Ｂは接着ペーストまたはシート状の接着剤を用いて接合されており、回路基板２と第一の半導体チップ１Ａの間、第一の半導体チップ１Ａと第二の半導体チップ１Ｂの間には接着層４が形成されている。前記第一の半導体チップ１Ａおよび第二の半導体チップ１Ｂの電極９と前記回路基板２上の電極９とがワイヤ３を介して電気的に接続されている。
【特許文献１】特許第３７６８７６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、前記従来の構成における電気的な接合を行うワイヤには一般に高価な金ワイヤを使用すること、また、高価な超音波ワイヤボンディング装置を用いて１箇所ずつ接合していくことから製造コストが高くなるという課題を有していた。
【０００４】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、複数の半導体チップを積層してなる薄型の半導体装置の製造コストを低減する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置は、電極を有する基板と、前記基板に配置され、電極を有する第一半導体チップと、前記第一半導体チップの前記電極部分を避けて前記第一半導体チップの上に配置された第二半導体チップと、前記第一半導体チップの電極と前記基板の電極間を連結する第一導電性樹脂と、前記第一半導体チップの電極と前記第二半導体チップの電極とを連結する第二導電性樹脂とからなることを特徴とする半導体装置を用いる。
【０００６】
または、請求項１の半導体装置に、さらに、前記基板と前記第一半導体チップの側面との間に設けられた第一絶縁性樹脂と、前記第一半導体チップと前記第二半導体チップの側面との間に設けられた第二絶縁性樹脂とからなる半導体装置を用いる。
【０００７】
または、第一絶縁性樹脂が、第一半導体チップの上面まで覆い、かつ、第二絶縁性樹脂が、第二半導体チップの上面まで覆っていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置を用いる。
【０００８】
または、請求項１の半導体装置に、さらに、前記基板と前記第一半導体チップとの間、かつ、前記基板と前記第一半導体チップの側面との間に設けられた第一接着剤と、前記第一半導体チップと前記第二半導体チップとの間、かつ、前記第一半導体チップと前記第二半導体チップの側面との間に設けられた第二接着剤とからなる半導体装置を用いる。
【０００９】
または、電極を有する基板と、各電極の部分をずらして前記基板上に積層されたｎ個の半導体チップと、前記基板に直接配置された第一の半導体チップの側面との間に設けられた第１の絶縁性樹脂と、各半導体チップの側面と、各半導体チップの下部の半導体チップとの間に設けられた（ｎ―１）個の絶縁性樹脂と、前記半導体チップの電極部分と前記基板の電極とを前記絶縁樹脂を介して連結する第一の導電性樹脂と、各半導体チップの電極と、前記各半導体チップの下部の半導体チップの電極とを、前記（ｎ―１）個の絶縁性樹脂を介して連結する（ｎ―１）個の導電性樹脂とからなることを特徴とする半導体装置を用いる。
【００１０】
電極を有する基板と、各電極の部分をずらして前記基板上に積層されたｎ個の半導体チップと、前記基板と、前記基板に直接配置された第一の半導体チップとの間、かつ、前記基板と、前記基板に直接配置された第一の半導体チップの側面との間に設けられた第一の絶縁性接着剤と、前記半導体チップ間、かつ前記半導体チップの側面と、前記半導体チップの下部の半導体チップとの間に設けられた（ｎ―１）個の絶縁性接着剤と、前記半導体チップの電極部分と、前記基板に直接配置された第一の半導体チップの電極とを前記第一の絶縁性接着剤を介して連結する第一の導電性樹脂と、各半導体チップの電極と、前記各半導体チップの下部の半導体チップの電極とを、前記（ｎ―１）個の絶縁性接着剤を介して連結する（ｎ―１）個の導電性樹脂とからなることを特徴とする半導体装置を用いる。
【００１１】
または、前記導電性ペースト間に、絶縁性ペーストの層を設けた請求項１ないし６記載の半導体装置を用いる。
【００１２】
または、前記半導体チップの前記導電性樹脂と接するコーナー部に平端部または丸み部を設けた請求項１ないし７記載の半導体装置を用いる。
【００１３】
または、半導体チップがメモリチップであることを特徴とする請求項１ないし７に記載の半導体装置を用いる。
【００１４】
または、積層された半導体装置の最上部の半導体チップの電極と、基板上の配線とを導電性樹脂で直接接続することを特徴とする請求項１ないし８に記載の半導体装置を用いる。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように、本発明の半導体装置によれば、高価な金の細線を使用することも、高価な超音波ワイヤボンディング装置を用いることもなく、高密度な積層型の半導体装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１７】
（実施の形態１）
図１（ａ）は、本発明の実施の形態１における半導体装置の上面図であり、図１（ｂ）は、その断面図である。図１（ａ）と図１（ｂ）においては、図９と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。
【００１８】
図１（ａ）と図１（ｂ）において、まず、実施の形態１の半導体装置は、回路基板２と、第一の半導体チップ１Ａと、第二の半導体チップ１Ｂと、導電性樹脂６と、電極９と、絶縁性樹脂５と、接着層４と、導電性樹脂６とからなる。第一の半導体チップ１Ａは、その主面の１辺に電極９が設けられており、その主面（回路が形成されていない面）を回路基板２の反対側にして接着剤または接着シート用いて回路基板２に固定されている。そのため、回路基板２と第一の半導体チップ１Ａとの面間には接着層４が形成される。通常、第一の半導体チップ１Ａを回路基板２に加圧し、場合によっては、熱を加えて接着固定を確実なものとするため、第一の半導体チップ１Ａと回路基板２を固定している境界部（回路基板と第１半導体チップの側面との間）には不規則な形状の接着層の染み出し部４ａが形成される。
【００１９】
さらに、第一の半導体チップ１Ａ上に、第二の半導体チップ１Ｂがあり、第一の半導体チップ１Ａの電極９を覆わぬように主面を第一の半導体チップ１Ａの反対面にして接着剤または接着シートを用いて第一の半導体チップ１Ａに対して固定（配置）されている。そのため、第一の半導体チップ１Ａの表面と第二の半導体チップ１Ｂの側面の間には接着層４が形成される。回路基板２の表面と、第一の半導体チップ１Ａの側面との前記境界部と同様に、第一の半導体チップ１Ａの表面と第二の半導体チップ１Ｂの側面と境界部にも不規則な形状の接着層の染み出し部４ａが形成される。
【００２０】
図１（ａ）と図１（ｂ）において、半導体装置は、さらに、絶縁性樹脂５を有する。絶縁性樹脂５は、塗布時は液状またはペースト状の状態をしている。回路基板２と第一の半導体チップ１Ａの接合境界部の接着層の染み出し部４ａ、および、半導体チップの側面と上面の境の境界線を覆い、その一部が、第一の半導体チップ１Ａの上面まではみ出すように絶縁性樹脂５を塗布する。硬化前は液状またはペースト状の絶縁性樹脂５はその表面張力により、不規則な形状をした接着層の染み出し部４ａや第一の半導体チップ１Ａの稜線の角部を滑らかに覆う。同様に第一の半導体チップ１Ａと第二の半導体チップ１Ｂの接合境界部についても、同様に、絶縁性樹脂５が塗布により形成され、接着層の染み出し部４ａと第二の半導体チップ１Ｂの稜線の角部を滑らかに覆う。塗布された後、硬化させることで絶縁性樹脂５は滑らかな形状で固化する。
【００２１】
この絶縁性樹脂５を介して、導電性樹脂６が、回路基板２の電極９、第１の半導体チップの電極９、第２の半導体チップ９とを、必要に応じて連結する。
【００２２】
図３に、断面部の拡大したものを模式的に示すが、接着層の染み出し部４ａは第一の半導体チップ１Ａ，第二の半導体チップ１Ｂを加圧して接合するため、半導体チップの側面に一部盛り上がるような形状で形成され、半導体チップの側面との間に鋭角な谷間を形成することが多く、絶縁性樹脂５の塗布を行わずに導電性樹脂による電気的な接続を行おうとすると導電性樹脂６の亀裂の原因となる。
【００２３】
そこで、半導体チップ、基板との間に絶縁性樹脂５を設ける。絶縁性樹脂５の塗布方法としては、例えば、図５（ａ）に示すように回路基板を集合基板として積層した半導体チップのユニットが複数一枚の回路基板２上に配置された状態で絶縁性樹脂５をシリンジ１０にいれて空気圧などで押し出すタイプのディスペンサ装置を使用して積層高さに合わせて絶縁性樹脂を塗布することが可能である。また、積層型の半導体装置においてはその積層体の厚さを低減するために半導体チップ自身の裏面を研削し薄くするという技術が使われることが多く、現在においては一枚の半導体チップの厚さ５０μｍ程度までは実用的な範囲であり、一部３０μｍまで可能とされている。このような薄型の半導体チップを使用する場合、図６（ａ）に模式的に示すように孔や網目の開いた印刷マスク８１を通じて絶縁性樹脂５を一度に塗布（印刷）することも可能である。
【００２４】
さらに、図３に示すように、第一の半導体チップ１Ａ、第二の半導体チップ１Ｂ間に生じる段差をなくすように、半導体チップの側面だけでなく、半導体チップの上面にもかかるように、絶縁性樹脂５を設けると、段差がなくなり、さらによい。
【００２５】
上記に示したように、図１（ｂ）において電極９の間を導電性樹脂６で接続している。塗布時は液状またはペースト状の状態をしている。回路基板２上の電極９から第一の半導体チップ１Ａ、第二の半導体チップ１Ｂの主面上に構成された電極９までを、回路構成に応じて、前記塗布された絶縁性樹脂５を横断するように導電性樹脂６を塗布される。導電性樹脂６の塗布方法としては前記絶縁性樹脂５の塗布方法と同様に、図５（ｂ）や図６（ｂ）に示すようなディスペンサ装置やマスク印刷装置、印刷マスク８２が適用可能である。
【００２６】
また、導電性樹脂６としては、銀や銅粉を導電粒子として含むエポキシ樹脂からなるペースト（銀ペースト）が使用できる。導電性樹脂６は塗布後、たとえば１５０℃から２５０℃程度の温度で加熱することで導電性を有した状態で固化し、電気的な接続をとることができる。絶縁性樹脂５は、エポキシなどの樹脂材料を溶剤でペーストにしたものを用いることができ、塗布後、たとえば１５０℃から２５０℃程度の温度で加熱することで絶縁性を有した状態で固化する。
【００２７】
例えば、半導体チップの例としてｍｉｃｒｏＳＤカードなどにも使用可能な１０ｍｍ×８ｍｍのフラッシュメモリチップの場合、電気的な接合が必要な電極９は２０個程度である。短辺である８ｍｍの辺に全ての電極９がある場合、パッドサイズが９０μｍ×９０μｍの場合、パッド間のスペースは平均２８０μｍあり、導電性樹脂６を７０μｍの幅として塗布して電気的接合をとる場合には、電極９間のスペースに２本の配線をとることが可能である。また、フラッシュメモリチップではデータ記録する半導体チップの選択信号などの一部の信号を除き、複数のチップを接続する場合において同一の電極９に対して同一の配線を接続すればよいことが多く、この場合、第二の半導体チップ１Ｂの電気的な接続は第一の半導体チップ１Ａの電極９を介して回路基板２と接続すればよく、導電性樹脂６の塗布による電気的接続は容易になる。
【００２８】
本構成によって、高価な金ワイヤや、高価な超音波ワイヤボンディング装置を使用することなく、高密度化可能な積層型の半導体装置を構成することができる。特に、半導体チップが、メモリチップの場合は、その電極間に、上記の間隔があり、本願を適用することは有効である。また、メモリチップの場合、同じ種類のチップを複数枚用いる場合が多く、本願の積層構造は有効である。さらに、これらの構造は、空間密度が高いので、メモリカードに用いると有効である。
【００２９】
なお、本実施の形態において、第一の半導体チップ１Ａおよび第二の半導体チップ１Ｂの電極９は主面の１辺に配置されている事例を示したが、主面上の隣接する二辺に配置されている場合についても、第二の半導体チップ１Ｂを、第一の半導体チップ１Ａに固定する際に２方向に、ずらして第一の半導体チップ１Ａ電極９を覆わないように配置しても良い。
【００３０】
なお、導電性樹脂６は、図１（ａ）に示すが、第一の半導体チップ１Ａおよび第二の半導体チップ１Ｂの電極９を１つの連続したラインとして接続する必要はない、電極９上で途絶えていてもよい。電極９間を電気的に接続するので、連続である必要はない。
【００３１】
なお、図１（ｃ）に示すが、接着層４を厚く形成することで、絶縁性樹脂５をなくすこともできる。ただし、接着層４の絶縁性接着剤の量を高精度に制御することが必要である。また、絶縁性樹脂が、半導体チップの側面につくように、別途、１工程もうけると安定して製造できる。はけなどで、絶縁性接着剤を半導体チップの側面につくようにすればよい。
【００３２】
なお、図１（ｄ）に示すが、接着層の染み出し部４ａ、絶縁性樹脂５をなくし、導電性樹脂６のみで、電極９間を接続することもできる。ただし、半導体チップ間の段差に導電性樹脂６を多く塗布するような制御をする必要がある。そうしないと、半導体チップの側面で導電性樹脂６が途切れる場合が生じる。
【００３３】
なお、半導体チップ間の段差ななくすために、上記の接着層の染み出し部４ａ、絶縁性樹脂５、導電性接着剤６を組み合わせて使用してもよい。各段ごとで使用するものを変えてもよい。段の部分ごとで変えてもよい。
【００３４】
（実施の形態２）
図２（ａ）は、本発明の実施の形態２の半導体装置の上面図である。図２（ｂ）は、その断面図である。実施の形態２は、実施の形態１において、半導体チップを２つから４つへ積層枚数を増加されたものである。回路基板２上の第一の半導体チップ１Ａ、その上の第二の半導体チップ１Ｂ、その上の第三の半導体チップ１Ｃ、その上の第四の半導体チップ１Ｄからなる。回路基板２、電極９、絶縁性樹脂５、導電性樹脂６は、実施の形態１と同様である。さらに、４つ以上の半導体チップがあってもよい。
【００３５】
つまり、電極を有する基板と、各電極の部分をずらして前記基板上に積層されたｎ個の半導体チップと、前記基板に直接配置された第一の半導体チップの側面（階段状の部分）との間に設けられた第１の絶縁性樹脂と、各半導体チップの側面と各半導体チップの下部の半導体チップとの間（階段状の部分）に設けられた（ｎ―１）個の絶縁性樹脂と、前記半導体チップの電極部分と前記基板の電極とを前記絶縁樹脂を介して（上部に接触して）連結する第一の導電性樹脂と、各半導体チップの電極と前記各半導体チップの下部の半導体チップの電極とを前記（ｎ―１）個の絶縁性樹脂を介して連結する（ｎ―１）個の導電性樹脂とからなることを特徴とする半導体装置である。ここで、ｎ個は、３個以上の整数である。
【００３６】
または、電極を有する基板と、各電極の部分をずらして前記基板上に積層されたｎ個の半導体チップと、前記基板と前記基板に直接配置された第一の半導体チップとの間（階段状の部分）、かつ、前記基板と前記基板に直接配置された第一の半導体チップの側面との間（階段状の部分）に設けられた第一の絶縁性接着剤と、前記半導体チップ間、かつ、前記半導体チップの側面と前記半導体チップの下部の半導体チップとの間（階段状の部分）に設けられた（ｎ―１）個の絶縁性接着剤と、前記半導体チップの電極部分と、前記基板に直接配置された第一の半導体チップの電極とを前記第一の絶縁性接着剤を介して連結する第一の導電性樹脂と、各半導体チップの電極と前記各半導体チップの下部の半導体チップの電極とを前記（ｎ―１）個の絶縁性接着剤を介して（上部に接触して）連結する（ｎ―１）個の導電性樹脂とからなることを特徴とする半導体装置である。ここで、ｎ個は、３個以上の整数である。ここで、ｎ個の半導体チップを一方向へずらしたが、２方向へずらして積層してもよい。
【００３７】
（実施の形態３）
図４は、本発明の実施の形態３の半導体装置の外形図である。図４において、図１および図２および図３と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。
【００３８】
図２（ａ）に示した実施の形態２のように積層する半導体チップを増やす場合、各層の同一の電極９に対して同一の配線を接続すればよい場合は、順次、下層の半導体チップの電極９を介して回路基板２まで電気的な接続をとればよいが、回路基板２から積層された各半導体チップに独立に信号を接続する場合、配線スペースが不足するという課題が生じる場合がある。図４に示す実施の形態３はそれらの課題を防止するために考案されたものである。
【００３９】
図４において、回路基板２上に、第一の半導体チップ１Ａ、第二の半導体チップ１Ｂ、第三の半導体チップ１Ｃ、第四の半導体チップ１Ｄがあり、それぞれ、下部の半導体チップに対して、２方向にずらして積層されている。各半導体チップの固定は接着剤または接着シートを用いてそれぞれ下層の回路基板２や半導体チップに固定されている。
【００４０】
図４において、絶縁性樹脂５により、回路基板２と最下層の第一の半導体チップ１Ａや第二の半導体チップ１Ｂ、第三の半導体チップ１Ｃ、第四の半導体チップ１Ｄとその下層の半導体チップとの接合境界部の接着剤染み出し部４ａおよび半導体チップの側面と上面の境の境界線を覆い、一部、上層の半導体チップ上面まではみ出すように絶縁性樹脂５を塗布する。これらの構成は、図１〜図３と同様である。
【００４１】
図４においては各半導体チップを２方向にずらして積層しており、絶縁性樹脂５も二辺に塗布している。ただし、全ての辺について塗布する必要はなく、必要に応じて辺の一部の塗布でも良い。
【００４２】
硬化前は液状またはペースト状の絶縁性樹脂５はその表面張力により、不規則な形状をした接着層の染み出し部４ａや各半導体チップの稜線の角部を滑らかに覆い、塗布後、硬化させることで絶縁性樹脂５は滑らかな形状で固化する。上記実施の形態１と同様に、絶縁性樹脂５の代わりに、接着層の染み出し部４ａのみで滑らかな形状にしてもよく、導電性樹脂６のみで電極９間を接続してもよい。
【００４３】
図４において、各半導体チップの電極９に対して同一の配線を接続すればよい場合は、導電性樹脂６で、回路基板２より順次、下層の半導体チップの電極９を介して電気的な接続をとることで効率の良い電気的な接続が構成される。
【００４４】
回路基板２から積層された各半導体チップに独立に信号を接続する場合、配線スペースが不足するという課題に対し、図４では第三の半導体チップ１Ｃおよび第四の半導体チップ１Ｄの一部の電極９の信号を一旦、最上層である第四の半導体チップ１Ｄの上面に引き出し、最上層である第四の半導体チップ１Ｄの主面上に導電性樹脂で配線を形成することでスペース上の制約の少ない部分に再レイアウトしている。図４では電極９の形成されていない隣接する辺上に２本の信号を引き出し、そこから、絶縁性樹脂５と第四の半導体チップ１Ｄ〜第一の半導体チップ１Ａの面を横断して回路基板２上の電極９まで導電性樹脂による電気的な接続をおこなっている。
【００４５】
このように本実施の形態３においては最上層の半導体チップの上面に導電性樹脂６で配線を形成することで半導体チップを積層することによる配線スペースが不足するという課題を解決している。
【００４６】
本実施例では半導体チップを二方向にずらした例を示したが、一方向のみにずらして電極９の間隔に余裕のある部分を用いて最上面より導電性樹脂を用いて信号を回路基板に接続しても良い。また、本説明では各半導体チップに独立に信号を配線することを事例としてあげたが、回路基板との半導体チップのパッドレイアウト順番の違いを補正する目的で使用しても良い。
【００４７】
なお、上記複数の実施形態で、絶縁性樹脂、導電性樹脂を用いたが、これらの材料は、実装分野で一般に使用されているものから、選択して用いることができる。
【００４８】
（実施の形態４）
ここで、実施の形態１から３の導電性樹脂６は、ペーストで形成され、塗布後広がるので、図７に示すように、各導電性樹脂６の間に、絶縁性樹脂層６１を設けると、狭い電極間を連結する場合に時によい。図７は、図１（ａ）に対応するものである。絶縁性樹脂層以外は、図１（ａ）〜図１（ｄ）と同じである。絶縁性樹脂層６１と導電性樹脂６は接触してもよい。
【００４９】
上記実施の形態１から３に適用できる。すべての導電性樹脂６の間に、絶縁性樹脂層６１を設けてもよいが、とくに、その間隔が狭いところに設けると、ショートなどが防げる。
【００５０】
絶縁性樹脂層６１は、導電性樹脂６と同様に、デイスペンサー装置により、絶縁性樹脂からなるペーストを塗布することや、印刷などで形成できる。材料としては、エポキシ系の樹脂などでよい。
【００５１】
（実施の形態５）
ここで、実施の形態１から４の半導体チップでは、そのコーナー部がとがっていると、導電性樹脂６が、切断されやすい。そこで、実施の形態５では、図８に示すように、半導体チップのコーナーをなくした平坦部１１を有する第１の半導体チップ１Ａ、第二の半導体チップ１Ｂを用いるものである。その他、図８は、図３に対応するものであり、同じである。平坦部１１は、導電性樹脂６と半導体チップが接する部分に設けるとよい。
【００５２】
上記実施の形態１から４に適用できる。すべての半導体チップに平坦部１１を設けるとよいが、一部の半導体チップのみに用いてもよい。平坦部１１は、半導体チップをウエハから切り出すときに、作製すると、半導体チップに傷、かけが生じずにできる。また、コーナー部をエッチング液などで丸みを帯びさせると尚よい。
【００５３】
特に、半導体チップのコーナー部のとがりを無くしているので、図８では、図３と比較して、導電性樹脂６の、上下の触れが小さくスムーズである。安定して、電極間を導電性樹脂６で連結できる。
【００５４】
なお、平坦部１１を、２段の平坦部としても、それ以上の平端部としてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明の半導体装置は、高価な金ワイヤや高価な超音波ワイヤボンディング装置をしようすることなく半導体装置を構成することが可能であり、複数の半導体チップを三次元的に積層した高密度な半導体装置の製造に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１における半導体装置の上面図、（ｂ）本発明の実施の形態１における半導体装置の断面図、（ｃ）本発明の実施の形態１における半導体装置の断面図、（ｄ）本発明の実施の形態１における半導体装置の断面図
【図２】（ａ）本発明の実施の形態２における半導体装置の上面図、（ｂ）本発明の実施の形態１における半導体装置の断面図
【図３】本発明の実施の形態１の断面の拡大図
【図４】本発明の実施の形態３の上面図
【図５】（ａ）本発明の半導体装置の製造方法を説明する図、（ｂ）本発明の半導体装置の製造方法を説明する図
【図６】（ａ）本発明の半導体装置の製造方法を説明する図、（ｂ）本発明の半導体装置の製造方法を説明する図
【図７】本発明の実施の形態４における半導体装置の上面図
【図８】本発明の実施の形態５における半導体装置の断面図
【図９】（ａ）従来例における半導体装置の上面図、（ｂ）従来例における半導体装置の断面図
【符号の説明】
【００５７】
１Ａ    第一の半導体チップ
１Ｂ    第二の半導体チップ
１Ｃ    第三の半導体チップ
１Ｄ    第四の半導体チップ
２      回路基板
３      ワイヤ
４      接着層
４ａ    接着層の染み出し部
５      絶縁性樹脂
６      導電性樹脂
９      電極
１０    シリンジ
１１    平坦部
６１    絶縁性樹脂層
８１    印刷マスク
８２    印刷マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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