(57)【要約】【課題】磁性層からなるパターンを磁気的に分離している領域における磁気特性のばらつきが小さく、磁性層からなるパターン形状の全てが高精度で形成されることにより歩留まりよく製造できる磁気記録媒体を提供する。【解決手段】円盤状の非磁性基板の記録再生領域５０ａ上に、磁気的に分離された磁性層からなる規則的に配置された複数の磁気記録パターン５１ａが備えられ、前記複数の磁気記録パターン５１ａに、磁気記録トラック幅および磁気記録ビット幅を規定する情報を含むサーボ情報が磁気的に書き込まれており、前記複数の磁気記録パターン５１ａは、前記非磁性基板の半径方向の間隔が前記磁気記録トラック幅の１／２以下であり、前記非磁性基板の円周方向の間隔が前記円周方向の前記磁気記録ビット幅の１／２以下である磁気記録媒体５０とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円盤状の非磁性基板の記録再生領域上に、磁気的に分離された磁性層からなる規則的に配置された複数の磁気記録パターンが備えられ、
前記複数の磁気記録パターンに、磁気記録トラック幅および磁気記録ビット幅を規定する情報を含むサーボ情報が磁気的に書き込まれており、
前記複数の磁気記録パターンは、前記非磁性基板の半径方向の間隔が前記磁気記録トラック幅の１／２以下であり、前記非磁性基板の円周方向の間隔が前記円周方向の前記磁気記録ビット幅の１／２以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
各磁気記録パターンが、平面視円形状であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記複数の磁気記録パターンが、千鳥状に配置されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
各磁気記録ビットが、４個以上の磁気記録パターンによって形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
前記記録再生領域上の全域に、前記磁気記録パターンが規則的に配列されていることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、記録部と再生部とを備える磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対運動させるヘッド駆動部と、前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドからの出力信号再生を行うための記録再生信号処理手段とを具備する磁気記録再生装置であって、
前記磁気記録媒体が請求項１〜請求項５のいずれかに記載の磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスク装置等に用いられる磁気記録媒体および磁気記録媒体を備えた磁気記録再生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク装置等の磁気記録装置の適用範囲は著しく増大され、その重要性が増すと共に、これらの装置に用いられる磁気記録媒体について、その記録密度の著しい向上が図られつつある。特に、ＭＲ(magnet resistive)ヘッドおよびＰＲＭＬ技術の導入以来、面記録密度の上昇はさらに激しさを増し、近年ではさらにＧＭＲ（giant magnet resistive）ヘッド、ＴＭＲ(tunneling magnet resistive）ヘッドなども導入され、１年に約５０％ものペースで増加を続けている。これらの磁気記録媒体については、今後更に高記録密度を達成することが要求されており、そのために磁性層の高保磁力化と高信号対雑音比（ＳＮＲ）、高分解能を達成することが要求されている。また、近年では線記録密度の向上と同時にトラック密度の増加によって面記録密度を上昇させようとする努力も続けられている。
【０００３】
最新の磁気記録装置において、トラック密度は１１０ｋＴＰＩにも達している。しかし、トラック密度を上げていくと、隣接するトラック間の磁気記録情報が互いに干渉し合い、その境界領域の磁化遷移領域がノイズ源となりＳＮＲを損なうという問題が生じやすくなる。このことはそのままＢｉｔ  Ｅｒｒｏｒ  ｒａｔｅの低下につながるため記録密度の向上に対して障害となっている。
面記録密度を上昇させるためには、磁気記録媒体上の各記録ビットのサイズをより微細なものとし、各記録ビットに可能な限り大きな飽和磁化と磁性膜厚を確保する必要がある。しかし、記録ビットを微細化していくと、１ビット当たりの磁化最小体積が小さくなり、熱揺らぎによる磁化反転で記録データが消失するという問題が生じる。
【０００４】
また、トラック密度を上げていくと、トラック間距離が近づくため、磁気記録装置には極めて高精度のトラックサーボ技術が要求されている。また、隣接トラックからの影響をできるだけ排除するため、記録を幅広く実行し、再生を記録時よりも狭く実行する方法が一般的に用いられている。この方法では、トラック間の影響を最小限に抑えることができる反面、再生出力を十分得ることが困難である。そのため、十分なＳＮ比（ＳＮＲ）を確保することが難しいという問題がある。
【０００５】
上述した熱揺らぎの問題を解決し、十分なＳＮ比の確保、あるいは十分な出力の確保を達成する方法の一つとして、記録媒体表面にトラックに沿った凹凸を形成し、記録トラック同士を物理的または磁気的に分離することによってトラック密度を上げようとする試みがなされている。このような技術を以下にディスクリートトラック法、それによって製造された磁気記録媒体をディスクリートトラック媒体と呼ぶ。
【０００６】
ディスクリートトラック媒体の一例として、複数の凸部と各凸部を囲む凹部とを有する非磁性基板上に、軟磁性層と強磁性層を積層し、非磁性基板の形状を反映した凹凸が軟磁性層および強磁性層に形成され、磁気的に分断された強磁性層の凸部のみを記録領域とする磁気記録媒体が知られている（例えば、特許文献１参照）。
この磁気記録媒体によれば、軟磁性層での磁壁発生を抑制できるため、熱揺らぎの影響が出にくく、隣接する信号間の干渉もないので、ノイズの少ない高密度磁気記録媒体を形成できるとされている。
【０００７】
ディスクリートトラック媒体は、一般に、非磁性基板上に連続した磁性層を形成し、磁性層の上にパターニングしたレジスト層を形成し、これを用いて磁性層を磁気的に分離する方法を用いて形成されている。また、レジスト層をパターニングする方法としては、フォトリソグラフィー法や、液状のレジストにスタンプを用いてパターン転写するナノインプリント法がなど用いられている。
【０００８】
また、ディスクリートトラック媒体の製造方法としては、何層かの薄膜からなる磁気記録媒体を形成した後にトラックを形成する方法や、あらかじめ基板表面に直接、あるいはトラック形成のための薄膜層に凹凸パターンを形成した後に、磁気記録媒体の薄膜形成を行う方法がある（例えば、特許文献２，特許文献３参照）。
【０００９】
また、ディスクリート方式の磁気記録媒体の製造方法として、外部からのイオン注入あるいはレーザ照射などを行うことにより、非磁性基体上の連続した磁性層の所望の箇所の磁気的特性を局所的に変えて記録トラックを形成する方法もある（例えば、特許文献４参照）。
また、例えば、特許文献５には、磁性層に、ランド間のギャップ代わりに、イオン注入によって磁化されない領域のあるものが開示されている。
【００１０】
また、例えば、特許文献６には、基板上に、磁性層、イオンバッファ層をこの順に形成して、イオンバッファ層を介在させた状態で磁性層に対してイオンを注入し、熱処理することで、イオンの注入領域の磁気特性を改質する磁性パターン形成方法が開示されている。
【特許文献１】特開２００４−１６４６９２号公報
【特許文献２】特開２００４−１７８７９３号公報
【特許文献３】特開２００４−１７８７９４号公報
【特許文献４】特開平５−２０５２５７号公報
【特許文献５】特開２００６−２０９９５２号公報
【特許文献６】特開２００６−３０９８４１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、従来のディスクリートトラック媒体の製造方法では、磁性層からなるパターンを磁気的に分離している領域における磁気特性のばらつきを小さくすることが要求されていた。
【００１２】
また、従来のディスクリートトラック媒体の製造方法では、磁気的に分離された磁性層からなるパターン形状の精度が不十分で歩留まりが低いため、磁性層のパターン形状を精度よく形成することにより、歩留まりを向上させることが要求されていた。
【００１３】
磁性層のパターン形状の精度を低下させる原因として、ディスクリートトラック媒体に用いられる非磁性基板が、一般に半導体基板に用いられる単結晶基板と比較して、以下に示すように、微細加工しにくい点が挙げられる。すなわち、ディスクリートトラック媒体の製造方法においても、半導体分野において一般的に用いられているフォトグラフィー法やナノインプリント法を用いて、非磁性基板や磁性層に微細加工を施している。しかしながら、ディスクリートトラック媒体に用いられる多結晶のアルミ合金基板や非晶質のガラス基板などの非磁性基板は、容易に等方的にエッチングなどの加工を行うことができないものであるため、微細加工の精度を向上させることは困難である。
【００１４】
また、磁性層のパターン形状の精度を低下させる原因として、磁性層からなるパターン形状を形成する際に用いられるレジストパターンの厚さのバラツキやエッジダレなどレジストパターンの形状不良が挙げられる。
【００１５】
ここで従来の磁気記録媒体の課題について、図４を用いて説明する。図４は、従来のディスクリート型の磁気記録媒体の一例を説明するための平面図であり、図４（ａ）はディスクリート型の磁気記録媒体の全体を示した模式図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）において矩形で示したディスクリート型の磁気記録媒体の一部の領域のみを拡大して示した拡大模式図である。
【００１６】
図４に示す磁気記録媒体４０は、図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、円盤状の基板の一方の表面に、データ領域４１とサーボ情報領域４２とが備えられたものである。なお、図４（ａ）においては、中心から放射状に延びる線で示された領域がサーボ情報領域４２に該当し、放射状の線と線との間の領域がデータ領域４１に該当する。
データ領域４１を構成する磁性層からなるデータ記録パターン４１ａは、磁気記録トラックを構成するものであり、図４（ｂ）に示すように、円環状の規則的な形状とされている。
【００１７】
また、図４（ｂ）に示すように、サーボ情報領域４２には、バースト情報領域４３、アドレス情報領域４４、プリアンブル情報領域４５が備えられ、サーボパターンとして、バーストパターン４３ａ、アドレスパターン４４ａ、プリアンブルパターン４５ａが形成されている。
バースト情報領域４３には、バースト情報として、バーストパターン４３ａが形成されている。バーストパターン４３ａは、バースト情報領域４３を構成する磁性層からなるものであり、隣接する磁気記録トラック間に設けられた細かなドット状の形状とされている。
【００１８】
また、アドレス情報領域４４には、アドレス情報として、アドレスパターン４４ａが形成されている。アドレスパターン４４ａは、アドレス情報領域４４を構成する磁性層からなるものであり、データ記録パターン４１ａと直交する方向に延在する不規則な線状の形状とされている。
また、プリアンブル情報領域４５には、プリアンブル情報として、プリアンブルパターン４５ａが形成されている。プリアンブルパターン４５ａは、プリアンブル情報領域４５を構成する磁性層からなるものであり、データ記録パターン４１ａと直交する方向に延在する長さの揃った線状の形状とされている。
【００１９】
図４（ａ）に示す磁気記録媒体４０では、表面上を円周方向に移動する磁気ヘッド（不図示）が、サーボ情報領域４２のプリアンブル情報とアドレス情報とバースト情報とを読み込んで、データ領域４１の特定位置のデータ記録パターン４１ａに磁気ヘッドを位置づけ、情報の読み書きを行うことができるようになっている。
【００２０】
図４（ｂ）に示すように、磁性層からなる各パターン４１ａ、４３ａ、４４ａ、４５ａの密度は、データ領域４１、バースト情報領域４３、アドレス情報領域４４、プリアンブル情報領域４５の各領域で異なっている。このように、図４に示すディスクリート型磁気記録媒体４０の磁性層は、ピッチやパターン幅等の相違する複数のパターン形状が混在した複雑な形状を有している。
【００２１】
図４に示す磁気記録媒体４０を製造する工程において、磁性層からなるパターン形状を形成する際に用いられるレジストパターンの形状不良の原因としては、レジストの粘度、レジストの硬化温度、硬化時間、湿度、露光時間、露光強度等のさまざまなパターニング条件が挙げられる。これらのパターニング条件は、磁性層のパターン形状に応じて適宜決定される。
【００２２】
しかしながら、図４に示す磁気記録媒体４０のように、磁性層が複数のパターン形状の混在している複雑な形状を有するものである場合、レジストパターンを形成するための最適なパターニング条件を、パターン形状が異なることに起因する精度のバラツキが生じないように最適化することは困難であった。
具体的には例えば、レジストパターンを形成するためのパターニング条件を、データ記録パターン４１ａのパターン形状に対応するように決定すると、バーストパターン４３ａやアドレスパターン４４ａ、プリアンブルパターン４５ａのパターン形状が不完全となってしまう。また、レジストパターンを形成するためのパターニング条件を、バーストパターン４３ａやアドレスパターン４４ａ、プリアンブルパターン４５ａのパターン形状に対応するように決定すると、データ記録パターン４１ａのパターン形状が不完全となってしまう。
【００２３】
このように、磁性層が複雑な形状を有している場合には、レジストパターンを形成するためのパターニング条件を十分に最適化することができず、磁気記録媒体上に形成される磁性層からなるパターン形状の全てを十分に高い精度で形成しうる高精度のレジストパターンを形成することは困難である。したがって、図４に示す従来の磁気記録媒体４０においては、磁性層からなるパターン形状の全てを高精度で形成することは困難であった。
【００２４】
また、図４に示す磁気記録媒体４０では、磁性層が複雑な形状を有しているので、磁性層からなるパターンを磁気的に分離している領域の広さが不均一なものとなる。このため、磁性層の一部にイオンを注入する方法などにより磁性層の磁気特性を改質して磁性層からなるパターンを磁気的に分離する場合に、改質される領域の広さがまちまちとなり、磁性層の磁気特性を改質に差が生じやすくなり、磁性層からなるパターンを磁気的に分離している領域における磁気特性のばらつきが大きくなりやすかった。
【００２５】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、磁性層からなるパターンを磁気的に分離している領域における磁気特性のばらつきが小さく、磁性層からなるパターン形状の全てが高精度で形成されることにより歩留まりよく製造できる磁気記録媒体を提供することを課題とする。
また、本発明は、本発明の磁気記録媒体を備え、歩留まりよく製造できる磁気記録再生装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
本発明者は、レジストパターンの形状不良を改善して、磁性層のパターン形状を精度よく形成するために、以下に示すように、鋭意研究した。
すなわち、本発明者は、磁気記録媒体の磁性層が複雑な形状を有していることが、レジストパターンの形状の精度を低下させる主な原因であることを考慮し、磁性層の形状に着目して検討を重ねた。その結果、本発明者は、磁気記録パターンを磁気的に分離された磁性層からなる規則的に配置された複数のものとし、複数の磁気記録パターンの非磁性基板の半径方向の間隔を磁気記録トラック幅の１／２以下とし、非磁性基板の円周方向の間隔を前記円周方向の磁気記録ビット幅の１／２以下とし、複数の磁気記録パターンに、磁気記録トラック幅および磁気記録ビット幅を規定する情報を含むサーボ情報を磁気的に書き込むことにより、磁気記録媒体を構成する磁性層の形状を１つのパターン形状のみからなる単純なものとすることが可能になることを見出し、本発明を想到した。
【００２７】
より詳細には、磁気記録パターンを、磁気的に分離された磁性層からなる規則的に配置された複数のものとし、複数の磁気記録パターンの間隔を上記の範囲のものとした場合、磁気記録パターン上の如何なる領域に磁気ヘッドを浮上させても、磁気ヘッドにより記録再生させることが可能なものとなるので、特定位置の磁気記録パターンに磁気ヘッドを位置づけすることなく、磁気ヘッドにより記録再生させることができるものとなる。したがって、このような磁気記録パターンを有する磁気記録媒体においては、特定位置の磁気記録パターンに磁気ヘッドを位置づけすることなく、複数の磁気記録パターンに、磁気記録トラック幅および磁気記録ビット幅を規定する情報を含むサーボ情報を磁気的に書き込むことができる。よって、このような磁気記録パターンを有する磁気記録媒体においては、従来の磁気記録媒体において磁性層に設けられていたサーボパターン形状を形成しなくて済むようになり、磁気記録媒体を構成する磁性層の形状を１つのパターン形状のみからなる単純なものとすることができる。
【００２８】
磁性層が単純なパターン形状を有するものである場合、パターン形状を形成するために一部の磁性層の磁気特性を改質しても、改質された磁性層の磁気特性に差が生じにくいので、磁性層からなる磁気記録パターンを磁気的に分離している領域における磁気特性のばらつきが小さいものとなる。
また、磁性層が単純なパターン形状を有するものである場合、フォトリソグラフィー法やナノインプリント法を用いて、磁性層や非磁性基板を容易に高精度で微細加工することができ、磁気的に分離された磁性層からなるパターン形状の全てを容易に高精度で形成できる。
【００２９】
すなわち本発明は次の構成を採用する。
（１）円盤状の非磁性基板の記録再生領域上に、磁気的に分離された磁性層からなる規則的に配置された複数の磁気記録パターンが備えられ、前記複数の磁気記録パターンに、磁気記録トラック幅および磁気記録ビット幅を規定する情報を含むサーボ情報が磁気的に書き込まれており、前記複数の磁気記録パターンは、前記非磁性基板の半径方向の間隔が前記磁気記録トラック幅の１／２以下であり、前記非磁性基板の円周方向の間隔が前記円周方向の前記磁気記録ビット幅の１／２以下であることを特徴とする（１）に記載の磁気記録媒体。
（３）前記複数の磁気記録パターンが、千鳥状に配置されていることを特徴とする（１）または（２）に記載の磁気記録媒体。
（４）各磁気記録ビットが、４個以上の磁気記録パターンによって形成されていることを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
（５）前記記録再生領域上の全域に、前記磁気記録パターンが規則的に配列されていることを特徴とすることを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載の磁気記録媒体。
【００３０】
（６）磁気記録媒体と、前記磁気記録媒体を記録方向に駆動する媒体駆動部と、記録部と再生部とを備える磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気記録媒体に対して相対運動させるヘッド駆動部と、前記磁気ヘッドへの信号入力と前記磁気ヘッドからの出力信号再生を行うための記録再生信号処理手段とを具備する磁気記録再生装置であって、前記磁気記録媒体が（１）〜（５）のいずれかに記載の磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記録再生装置。
【発明の効果】
【００３１】
本発明の磁気記録媒体は、円盤状の非磁性基板の記録再生領域上に、磁気的に分離された磁性層からなる規則的に配置された複数の磁気記録パターンが備えられ、前記複数の磁気記録パターンに、磁気記録トラック幅および磁気記録ビット幅を規定する情報を含むサーボ情報が磁気的に書き込まれており、前記複数の磁気記録パターンは、前記非磁性基板の半径方向の間隔が前記磁気記録トラック幅の１／２以下であり、前記非磁性基板の円周方向の間隔が前記円周方向の前記磁気記録ビット幅の１／２以下であるものであるので、磁気記録媒体を構成する磁性層の形状を１つのパターン形状のみからなる単純なものとすることができる。
したがって、本発明の磁気記録媒体においては、磁性層からなる磁気記録パターンを磁気的に分離している領域における磁気特性のばらつきが小さいものとなるとともに、磁気的に分離された磁性層からなるパターン形状の全てを容易に高精度で形成できる。その結果、本発明の磁気記録媒体は、歩留まりよく形成できるものとなる。
【００３２】
また、本発明の磁気記録再生装置は、本発明の磁気記録媒体を備えたものであるので、歩留まりよく製造できるものとなり、製造コストを低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
次に、本発明の磁気記録媒体およびその製造方法、磁気記録再生装置について、図面を参照して詳細に説明する。尚、以下の説明において参照する図面において、図示される各部の大きさや厚さや寸法等は、実際の磁気記録媒体および磁気記録再生装置の寸法関係と異なっている場合がある。
【００３４】
＜磁気記録媒体＞
まず、本発明の磁気記録媒体について例を挙げて説明する。
図１は、本発明の磁気記録媒体の一例を説明するための平面図であり、図１（ａ）は磁気記録媒体の全体を示した模式図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）において矩形で示した磁気記録媒体の一部の領域のみを拡大して示した拡大模式図である。
また、図２（ｉ）は、図１に示す磁気記録媒体の断面構造を説明するための拡大断面図である。なお、図２（ｉ）においては、説明を容易にするために基板と磁性層と保護膜層のみを示す。また、図２（ａ）〜図２（ｈ）は、図１に示す磁気記録媒体の製造工程の一部を説明するための工程図であり、図２（ｉ）に示された領域と同じ領域のみを拡大して示した拡大断面図である。
【００３５】
図１（ａ）に示す磁気記録媒体５０は、中央に開口部のある円盤状（ドーナッツ形状）の非磁性基板１上に、記録再生領域５０ａが設けられたものである。本実施形態においては、図１（ｂ）に示すように、記録再生領域５０ａ上の全域に、磁気的に分離された磁性層２からなる規則的に配置された複数の磁気記録パターン５１ａが備えられている。
記録再生領域５０ａには、データ領域とサーボ領域とが設けられている。データ領域は、磁気ヘッドにより情報の読み書きが行われる領域であり、磁気記録媒体５０の回転中心から一定角度間隔で記録再生領域５０ａの全面に放射状に形成されている。サーボ領域は、隣接するデータ領域間の領域であり、磁気記録トラック幅および磁気記録ビット幅を規定する情報を含むサーボ情報が磁気的に書き込まれている。本実施形態においては、全てのデータ領域上および全てのサーボ領域上（言い換えると記録再生領域５０ａ上の全域））に、磁気記録パターン５１ａが規則的に配列されている。
【００３６】
本実施形態の磁気記録パターン５１ａは、平面視円形状の凸部からなるものであり、図１（ｂ）および図２（ｉ）に示すように、記録再生領域５０ａの磁気記録パターン５１ａの配置されている領域以外の領域が凹部５１ｂとされている。そして、記録再生領域５０ａの凹部５１ｂを構成する磁性層２の磁気特性が改質されて非磁性化されていることにより、隣接する磁気記録パターン５１ａ間が磁気的に分離されている。
ここで、磁性層２が「磁気的に分離されている」とは、少なくとも磁性層２の表面において磁気的に分離されていればよく、磁性層２の底部においては分離されていなくてもよい。
【００３７】
本実施形態においては、磁気記録パターン５１ａの平面形状を平面視円形状としたが、磁気記録パターン５１ａの平面形状は、例えば、平面視多角形状やライン状としてもよく、特に限定されるものではない。しかし、図１（ｂ）に示すように、磁気記録パターン５１ａの平面形状を平面視円形状とした場合、多角形状やライン状など他の形状とした場合と比較して、フォトリソグラフィー法やナノインプリント法による加工をより一層容易に行うことができるものとなり、記録再生領域５０ａに磁気記録パターン５１ａをより一層高い精度で規則的に配置でき、好ましい。
なお、磁気記録パターン５１ａの密度は、磁気記録パターン５１ａの配置されている領域全域で略同一であることが好ましい。また、磁気記録パターン５１ａは、同心円状に配置されていることが好ましいが、同心円状でなくてもよい。
【００３８】
また、図１（ａ）に示す複数の磁気記録パターン５１ａは、非磁性基板１の半径方向の間隔ｄ１が磁気記録トラック幅の１／２以下であり、非磁性基板１の円周方向の間隔ｄ２が円周方向の磁気記録ビット幅の１／２以下であるものである。したがって、複数の磁気記録パターン５１ａの設けられている図１（ａ）に示す記録再生領域５０ａの全域が、磁気ヘッドによって読み書き可能な領域となっている。このため、本実施形態の磁気記録媒体５０においては、例えば、図４（ｂ）に示すようなサーボパターン形状を形成しなくても、磁気ヘッドを用いて磁気記録パターン５１ａに情報を書き込むことができる。
【００３９】
よって、図１（ａ）に示す磁気記録媒体５０においては、サーボパターン形状が形成されていなくても、一般のサーボライターを用いて、サーボ領域となる領域に配置された磁気記録パターン５１ａに、磁気記録トラック幅および磁気記録ビット幅を規定する情報を含むサーボ情報を磁気的に書き込むことができ、磁気記録パターン５１ａにサーボ情報を書き込むことにより、記録再生領域５０ａにデータ領域およびサーボ領域を形成できる。磁気記録パターン５１ａにサーボ情報が磁気的に書き込まれている磁気記録媒体５０とすることで、磁気ヘッドにより、サーボ情報を用いて記録再生領域５０ａの特定の領域に情報の読み書きを行うことができるものとなる。
【００４０】
サーボ領域に配置された磁気記録パターン５１ａに書き込まれているサーボ情報は、磁気記録トラック幅および磁気記録ビット幅を規定する情報を含むものであり、バースト情報、アドレス情報、プリアンブル情報から選ばれる少なくとも１つを含むものとすることが好ましい。バースト情報とは、磁気ヘッドを磁気記録トラックの中央に位置付けさせるための情報である。また、アドレス情報とは、データ領域の番地を示すトラック情報及びセクタ情報を含む情報であり、プリアンブル情報とは、磁気記録トラック内でデータ領域からサーボ領域に移る箇所の識別に用いられる情報である。
【００４１】
また、本実施形態の磁気記録媒体５０において、各磁気記録ビットは、より一層安定して磁気ヘッドに記録再生させることが可能なものとするために、記録再生領域５０ａに配置された隣接する４個以上の磁気記録パターンによって形成されていることが好ましい。
【００４２】
また、本実施形態においては、複数の磁気記録パターン５１ａは、千鳥状に配置されている。なお、磁気記録パターン５１ａは、図１（ｂ）に示すように、千鳥状に配置されていることが好ましいが、非磁性基板１の半径方向の間隔が磁気記録トラック幅の１／２以下であり、非磁性基板１の円周方向の間隔が円周方向の磁気記録ビット幅の１／２以下であるものであればよく、例えば、格子状に配置されていてもよい。しかし、図１（ｂ）に示すように、複数の磁気記録パターン５１ａが千鳥状に配置されている場合、格子状など他の配置とした場合と比較して、磁気記録パターン５１ａを高密度で配置しても隣接する磁気記録パターン５１ａ間の間隔を十分に確保できるので、フォトリソグラフィー法やナノインプリント法による加工を容易に行うことができるものとなり、磁気記録パターン５１ａを高い精度で記録再生領域５０ａに規則的に配置できるため、好ましい。
【００４３】
また、図１に示す磁気記録媒体５０は、図２（ｉ）に示すように、非磁性基板１上に磁性層２が形成され、磁性層２の上に保護膜層９が形成され、保護膜層９上に潤滑層（図２においては図示略）が形成されているものである。なお、本実施形態においては、保護膜層および潤滑層が設けられている磁気記録媒体を例に挙げて説明するが、保護膜層および潤滑層は設けられていなくてもよい。
【００４４】
非磁性基板１としては、Ａｌを主成分とした例えばＡｌ−Ｍｇ合金等のＡｌ合金基板や、通常のソーダガラス、アルミノシリケート系ガラス、結晶化ガラス類、シリコン、チタン、セラミックス、各種樹脂からなる基板など任意のものを用いることができる。これらの中でも、非磁性基板１として、Ａｌ合金基板や結晶化ガラス等のガラス製基板またはシリコン基板を用いることが好ましい。また、非磁性基板１の平均表面粗さ（Ｒａ）は、１ｎｍ以下、さらには０．５ｎｍ以下であることが好ましく、０．１ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００４５】
磁性層２は、Ｃｏを主成分とする合金から形成することが好ましい。また、磁性層２は、面内磁性層であっても垂直磁性層であってもかまわないが、より高い記録密度を実現するためには垂直磁性層であることが好ましい。
例えば、面内磁性層用の磁性層２としては、非磁性のＣｒＭｏ下地層と強磁性のＣｏＣｒＰｔＴａ磁性層とからなる積層構造などを用いることができる。
また、例えば、垂直磁性層用の磁性層２としては、軟磁性のＦｅＣｏ合金（ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＢ、ＦｅＣｏＺｒ、ＦｅＣｏＺｒＢ、ＦｅＣｏＺｒＢＣｕなど）、ＦｅＴａ合金（ＦｅＴａＮ、ＦｅＴａＣなど）、Ｃｏ合金（ＣｏＴａＺｒ、ＣｏＺｒＮＢ、ＣｏＢなど）等からなる軟磁性層と、必要に応じて設けられるＰｔ、Ｐｄ、ＮｉＣｒ、ＮｉＦｅＣｒなどの配向制御膜と、必要に応じて設けられるＲｕ等の中間層と、６０Ｃｏ−１５Ｃｒ−１５Ｐｔ合金や７０Ｃｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ2合金などからなる磁性膜とからなる積層構造の磁性層などを用いることができる。
【００４６】
磁性層２としては、特に、グラニュラ構造の磁性層２を用いることが好ましい。グラニュラ構造の磁性層２とは、磁性粒子の周囲を酸化物で覆った構造を有する磁性層である。グラニュラ構造を構成する酸化物としては、ＳｉＯ２、Ｔｉ酸化物、Ｗ酸化物、Ｃｒ酸化物、Ｃｏ酸化物、Ｔａ酸化物、Ｒｕ酸化物などが挙げられる。
なお、磁性層２は、グラニュラ構造の磁性層と、グラニュラ構造の磁性層の上に設けられた非グラニュラ構造の磁性層とからなる２層構造を有するものであってもよい。
【００４７】
磁性層２としてグラニュラ構造の磁性層２を用いた場合、磁性層２を非磁性化して磁性層２の磁気特性の改質を行う際の反応性を高めることができる。より詳細には、グラニュラ構造の磁性層２では、酸素やオゾンを用いて非磁性化処理する場合に、フッ素系ガスを用いた反応性イオンエッチング装置などを用いるエッチング処理により、粒界に存在するグラニュラ構造を構成する酸化物からなる層を選択的にエッチングできるので、磁性層２中に含まれるＣｏなどの金属と酸素やオゾンとの酸化反応を促進できる。よって、グラニュラ構造の磁性層２では、効率よく磁性層２の磁気特性を変化させることができ、磁性層２を効率よく非磁性化できる。
【００４８】
また、グラニュラ構造の磁性層２は、磁性結晶粒子が非磁性相で分離されているものであるため磁性粒子間の磁気的相互作用が微弱である。また、グラニュラ構造の磁性層２は、磁性結晶粒子が微細なものであるので、極めて低ノイズの磁性層２を形成できる。
【００４９】
磁性層２の膜厚は、磁性層２に用いられる磁性材料の種類や積層構造などに応じて、十分なヘッド出入力が得られる厚みとなるように決定される。磁性層２は、磁気記録媒体５０から情報を再生する際に一定以上の出力を得るために、ある程度以上の膜厚が必要である。しかし、磁気記録再生装置の記録再生特性を表す諸パラメーターは、出力の上昇とともに劣化するのが通例であるため、磁性層２の膜厚を最適に設定する必要がある。具体的には、磁性層２の磁気記録層（磁性膜）の膜厚は、３ｎｍ以上２０ｎｍ以下とされることが好ましく、５ｎｍ以上１５ｎｍ以下とすることがより好ましい。
【００５０】
保護膜層９としては、Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎなどの炭素（Ｃ）、水素化炭素（ＨxＣ）、窒素化炭素（ＣＮ）、アルモファスカーボン、炭化珪素（ＳｉＣ）等の炭素質層やＳｉＯ2、Ｚｒ2Ｏ3、ＴｉＮなど、通常用いられる保護膜層材料を用いることができる。また、保護膜層９は、２層以上の層から構成されていてもよい。
保護膜層９の膜厚は１０ｎｍ以下とすることが好ましい。保護膜層９の膜厚が１０ｎｍを越えると磁気ヘッドと磁性層２との距離が大きくなり、十分な出入力信号の強さが得られなくなる恐れがある。
【００５１】
また、保護膜層９の上には潤滑層（図示略）を形成することが好ましい。潤滑層に用いる潤滑剤としては、フッ素系潤滑剤、炭化水素系潤滑剤及びこれらの混合物等が挙げられる。潤滑層の厚みは、通常１〜４ｎｍとされる。
【００５２】
＜磁気記録媒体の製造方法＞
次に、図１および図２（ｉ）に示す本実施形態の磁気記録媒体の製造方法を詳細に説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、円盤状の非磁性基板１上に、スパッタ法などにより磁性層２を形成する。
次いで、図２（ｂ）に示すように、磁性層２上に炭素マスク層３を形成する。炭素マスク層３は、スパッタリング法やＣＶＤ法などにより成膜することができるが、ＣＶＤ法を用いることで、より緻密性の高い炭素膜からなる炭素マスク層３を成膜することができる。
【００５３】
炭素マスク層３の膜厚は、５ｎｍ〜４０ｎｍの範囲内とするのが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ〜３０ｎｍの範囲内とする。炭素マスク層３の膜厚が５ｎｍ未満であると、炭素マスク層３のエッジ部分がだれて磁気記録パターン５１ａの形成精度が不十分となる恐れがある。また、炭素マスク層３の膜厚が５ｎｍ未満であると、磁性層２を非磁性化する際に、炭素マスク層３と後述するレジスト層４とを透過したイオンが磁性層２に侵入して、磁気記録パターン５１ａとなる磁性層２の磁気特性を悪化させてしまう恐れがある。一方、炭素マスク層３の膜厚が４０ｎｍを超えると、炭素マスク層３のエッチング時間が長くなり生産性が低下する。また、炭素マスク層３の膜厚が４０ｎｍを超えると、炭素マスク層３をエッチングする際に発生する残渣が磁性層２の表面に残留しやすくなる。
【００５４】
次に、図２（ｃ）に示すように、炭素マスク層３の上にレジスト層４を形成する。レジスト層４は、スピンコート法により炭素マスク層３上にレジストを塗布する方法などにより形成できる。
【００５５】
本実施形態においては、レジスト層４として、ＳｉＯ２系レジストを用いることが特に好ましい。ＳｉＯ２系レジストは、一般に、加熱することなどによりＳｉＯ２系レジスト中に含まれる有機溶媒などの溶媒を除去することにより硬化される。ＳｉＯ２系レジストは、酸素ガスを用いたドライエッチングに対して耐性が高いものである。このため、ＳｉＯ２系レジストからなるレジスト層４をマスクとし、イオンミリングなどのドライエッチングを用いて炭素マスク層３をエッチングすることにより、炭素マスク層３に磁気記録パターン５１ａのネガパターンを形成する場合に、得られるネガパターン像のぼけを低減することができる。すなわち、炭素マスク層３が、酸素ガスを用いたドライエッチングによって容易に加工できるものであるのに対し、ＳｉＯ２系レジストが、酸素ガスを用いたドライエッチングに対して高い耐性を有するものであるため、ＳｉＯ２系レジストからなるレジスト層４をマスクとして、炭素マスク層３をドライエッチングすることで、炭素マスク層３を垂直に切り立った形状に容易に加工することができ、シャープな形状の磁気記録パターン５１ａを形成できる。
【００５６】
また、レジスト層４に用いる材料は、ＳｉＯ２系レジストに限定されるものではなく、放射線照射により硬化する材料などを用いてもよい。
レジスト層４として、放射線照射により硬化する材料を用いた場合、図２（ｄ）に示すように、レジスト層４にスタンプ５を用いてパターンを転写する工程に際して、または、レジスト層４にパターンを転写する工程の後に、レジスト層４に放射線を照射して、レジスト層４を硬化させることが好ましい。このような方法を用いることにより、レジスト層４に、スタンプ５の形状を精度良く転写することができる。また、後述するマスク層３の一部を除去する工程において、マスク層３のエッジの部分にダレが発生することを防止でき、図２（ｆ）に示す磁性層２の一部を除去する工程におけるマスク層３の遮蔽性を向上させるとともに、磁気記録パターン５１ａの形成精度を向上させることができる。
【００５７】
なお、本実施形態において、レジスト層４の硬化に用いられる放射線とは、熱線、可視光線、紫外線、Ｘ線、ガンマ線等の広い概念の電磁波である。また、放射線照射により硬化するレジストとしては、例えば、熱線により硬化する熱硬化樹脂、紫外線により効果する紫外線硬化樹脂などが挙げられる。紫外線硬化樹脂としては、例えば、ノボラック系樹脂、アクリル酸エステル類、脂環式エポキシ類等が挙げられる。
【００５８】
次に、炭素マスク層３およびレジスト層４のパターニングを行う。炭素マスク層３およびレジスト層４をパターニングするには、まず、図２（ｄ）に示すように、非磁性基板１上に形成される磁性層２からなる磁気記録パターン５１ａのネガパターンを、レジスト層４に形成する。ここで形成するネガパターンとは、磁気記録パターン５１ａを構成する分離領域（凹部５１ｃ）に対応する領域のレジスト層４に凹部を形成したものである。
【００５９】
レジスト層４にネガパターンを形成する方法としては、通常のフォトリソグラフィー技術を用いてもよいが、レジスト層４にスタンプ５を用いて、パターンの形状を転写する方法を用いることが作業効率の点から好ましい。スタンプ５としては、磁気記録パターン５１ａに対応する形状を有するパターンの形成されたものが用いられる。スタンプ５を用いてレジスト層４にパターンの形状を転写する方法としては、例えば、図２（ｄ）における矢印で示すように、レジスト層４にスタンプ５を所定の圧力で押圧することによりパターンを転写した後、レジスト層４からスタンプ５を分離する方法が挙げられる。
【００６０】
また、本実施形態の製造方法におけるレジスト層４にスタンプ５を用いてパターンを転写する工程においては、レジスト層４の流動性が高い状態で、レジスト層４にスタンプ５を押圧し、レジスト層４にスタンプ５を押圧した状態でレジスト層４に放射線を照射することによりレジスト層４を硬化させ、その後、スタンプ５をレジスト層４から分離する方法を用いてもよい。このような製造方法とした場合、スタンプ５の形状をより一層精度良く、レジスト層４に転写することができ、好ましい。
【００６１】
ここで、レジスト層４にスタンプ５を押圧した状態で、レジスト層４に放射線を照射する方法としては、例えば、スタンプ５の反対側、すなわち非磁性基板１側から放射線を照射する方法や、スタンプ５の材料として放射線を透過できる物質を選択し、スタンプ５側から放射線を照射する方法、スタンプ５の側面から放射線を照射する方法、熱線のように固体に対して伝導性の高い放射線を用いて、スタンプ材料または非磁性基板１からの熱伝導により放射線を照射する方法などを用いることができる。
中でも特に、レジスト材料として紫外線硬化樹脂を用いるとともに、スタンプ材料として紫外線の透過性に優れたガラスや樹脂を用い、レジスト層４にスタンプ５を押圧した状態で、スタンプ５側から紫外線を照射することにより、レジスト層４を硬化させることが好ましい。
【００６２】
次に、図２（ｄ）に示すネガパターンを形成した後に残ったレジスト層８と、磁気記録パターン５１ａの凹状の分離領域（凹部５１ｃ）に対応する領域の炭素マスク層３とを除去する。このことにより、図２（ｅ）に示すように、磁性層２上の磁気記録パターン５１ａとなる領域に残存する炭素マスク層３と、パターニングされたレジスト層４であるレジストパターン４ａとからなるマスクが形成される。
【００６３】
スタンプ５を用いてネガパターンを形成した後に残ったレジスト層８は、反応性イオンエッチング、イオンミリングなどのドライエッチングにより除去できる。
ネガパターンを形成した後に残ったレジスト層８の厚みは０〜２０ｎｍの範囲内であることが好ましい。レジスト層８の厚みを上記範囲とすることで、磁気記録パターン５１ａを分離する凹状の分離領域（凹部５１ｂ）に対応する領域のマスク層３を除去する工程において、マスク層３のエッジの部分にダレが発生することを防止でき、図２（ｆ）に示す磁性層２の一部を除去する工程におけるマスク層３の遮蔽性を向上させるとともに、磁気記録パターン５１ａの形成精度を向上させることができる。
【００６４】
また、磁気記録パターン５１ａを分離する凹状の分離領域（凹部５１ｂ）に対応する領域のマスク層３は、例えば、反応性イオンエッチング、イオンミリングなどのドライエッチングにより除去できる。本実施形態の製造方法においては、炭素マスク層３を、酸素ガスを用いる反応性イオンエッチングにより行うことが好ましい。
【００６５】
次に、図２（ｆ）に示すように、マスク層３が除去されて露出した磁気記録パターン５１ａを分離する凹状の分離領域（凹部５１ｂ）となる領域の磁性層２の表層部を、０.１ｎｍ〜１５ｎｍの範囲の深さｄで除去する。磁性層２の表層部は、磁性層２の上に積層した炭素マスク層３や大気の影響などによって変質している場合がある。磁性層２の表層部が変質していると、磁性層２の非磁性化反応を効果的に行うことができない場合がある。
【００６６】
磁性層２の表層部の除去は、例えば、炭素マスク層３を反応性イオンエッチング、イオンミリングなどのドライエッチングにより除去した後に、引き続き、図２（ｆ）に示すように、磁性層２をイオンミリングのミリングイオン６にてドライエッチングする方法などにより行うことができる。このような方法を採用した場合、除去される磁性層２上の炭素マスク層３が垂直に切り立った形状を有するものとなるため、炭素マスク層３の下の磁性層２のエッジ部が垂直に切り立った形状となる。したがって、磁性層２の表層部の除去後に残された磁性層２（磁気記録パターン５１ａとなる磁性層２）のエッジ部の形状を垂直に形成することができ、フリンジ特性の優れた磁気記録パターン５１ａを形成することができる。
【００６７】
なお、磁性層２の表層部を除去するためのイオンミリングは、アルゴン、窒素等の不活性ガスを用いて行うことが好ましい。また、本実施形態においては、炭素マスク層３をドライエッチングにより除去した後に、引き続き、磁性層２をドライエッチングにより除去する場合、炭素マスク層３のドライエッチング条件と磁性層２のドライエッチング条件とを、それぞれ最適なものに変えることが好ましい。
【００６８】
次に、図２（ｆ）に示すように、磁性層２の表層部の除去された領域７の磁性層２の磁気特性を改質する。
ここで、磁性層２の磁気特性の改質を行う前に、表層部の除去された領域７の磁性層２の表面をフッ素系ガスに暴露することが好ましい。このことにより、磁性層２の磁気特性を改質する際における磁性層２の表面の反応性を高め、磁性層２の非磁性化反応をより効率的に行うことができる。
【００６９】
次に、表層部の除去された領域７の磁性層２の磁気特性を、酸素やオゾンを暴露する方法や、レーザを照射する方法などにより改質する。磁性層２の磁気特性の改質された領域は、磁気記録パターン５１ａをそれぞれ磁気的に分離する領域となる。
ここで、磁気記録パターン５１ａを形成するための磁性層２の改質とは、磁性層２をパターン化するために、磁性層２の保磁力や残留磁化等の磁気特性を部分的に変化させることを意味する。本実施形態においては、磁性層２を改質することにより、磁性層２の保磁力を低下させるととともに、残留磁化を低下させる。
【００７０】
なお、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、上述した実施形態においては、磁性層２の表層の一部を改質することにより磁気的に分離された磁性層を形成したが、磁性層（または、磁性層および非磁性基板の一部）を物理的に加工して凹部を形成し、凹部内を非磁性材料で埋めた後、磁気記録媒体の表面を平滑化する方法によって磁気的に分離された磁性層を形成してもよい。
【００７１】
このようにして磁性層２の一部の磁気特性を改質した後、図２（ｇ）に示すように、磁性層２の上に設けられているレジストパターン４ａおよび炭素マスク層３を除去する。レジストパターン４ａおよび炭素マスク層３は、ドライエッチング、反応性イオンエッチング、イオンミリングなどの手法を用いて除去することが好ましい。炭素マスク層３は、酸素ガスを用いたドライエッチング（反応性イオンエッチングまたは反応性イオンミリング）により容易に除去できるものであるため、炭素マスク層３を除去することによって発生する残留物が少なく、炭素マスク層３の残留物によって磁気記録媒体５０の表面が汚染されることを防止できる。
【００７２】
レジストパターン４ａおよびマスク層３を除去した後、図２（ｈ）に示すように、磁性層２にＡｒなどの不活性ガス１１を照射して、磁性層２の表層部を１〜２ｎｍの範囲内でエッチング除去することが好ましい。このことにより、磁性層２の一部の磁気特性を改質することなどによって、磁性層２の表面が粗面化されている場合であっても、粗面化された磁性層２の表面を除去することができる。
【００７３】
次いで、図２（ｉ）に示すように、磁性層２上に保護膜層９を形成することが好ましい。通常、保護膜層９はスパッタ法もしくはＣＶＤ法により形成される。
さらに、保護膜層９の上には潤滑層（図示略）を形成することが好ましい。
【００７４】
続いて、磁気記録媒体５０の磁気記録パターン５１ａに、磁気記録トラック幅および磁気記録ビット幅を規定する情報を含み、バースト情報、アドレス情報、プリアンブル情報から選ばれる少なくとも１つを含むサーボ情報を、磁気ヘッドにより磁気的に書き込ませる。
【００７５】
本実施形態の磁気記録媒体５０は、磁気記録パターン５１ａ上の如何なる領域に磁気ヘッドを浮上させても、磁気ヘッドにより記録再生させることが可能なものであるので、特定位置の磁気記録パターン５１ａに磁気ヘッドを位置づけさせることなく、磁気ヘッドにより記録再生させることができる。したがって、磁気記録パターン５１ａにサーボ情報を書き込む際には、磁気ヘッドを備える周知のサーボライターを用いて容易に行うことができる。
このようにして、図１および図２に示す磁気記録媒体５０が製造される。
【００７６】
本実施形態の磁気記録媒体５０は、円盤状の非磁性基板１の記録再生領域５０ａ上に、磁気的に分離された磁性層２からなる規則的に配置された複数の磁気記録パターン５１ａが備えられ、複数の磁気記録パターン５１ａに、磁気記録トラック幅および磁気記録ビット幅を規定する情報を含むサーボ情報が磁気的に書き込まれており、複数の磁気記録パターン５１ａは、非磁性基板１の半径方向の間隔ｄ１が磁気記録トラック幅の１／２以下であり、非磁性基板１の円周方向の間隔が円周方向の磁気記録ビット幅の１／２以下であるものであるので、磁気記録パターン５１ａ上の如何なる領域に磁気ヘッドを浮上させても、磁気ヘッドにより記録再生させることが可能なものとなり、磁気記録媒体を構成する磁性層２の形状を１つのパターン形状のみからなる単純なものとすることができる。
したがって、本実施形態の磁気記録媒体５０においては、磁性層２からなるパターン形状を形成する際に用いられるレジストパターン４ａを形成するためのパターニング条件を最適化して、高精度のレジストパターン４ａを形成することができる。よって、本発明の磁気記録媒体においては、非磁性基板上に形成される磁性層からなるパターン形状の全てを、高精度のレジストパターンを用いて十分に高い精度で形成できる。その結果、本発明の磁気記録媒体は、歩留まりよく形成できるものとなる。
【００７７】
また、本実施形態の磁気記録媒体５０においては、磁気記録媒体を構成する磁性層２の形状が磁気記録パターン５１ａからなる単純なものであるので、磁気記録パターン５１ａを形成するために一部の磁性層２の磁気特性を改質することにより、磁気特性の差の小さい改質された磁性層２が得られる。
また、本実施形態の磁気記録媒体５０では、磁気記録パターン５１ａにサーボ情報が磁気的に書き込まれているので、サーボ情報として磁性層からなるパターンが形成されている場合のように、磁性層からなるパターン形状の精度によってサーボ情報の品質が変化することはなく、高精度で信頼性に優れたサーボ情報が書き込まれたものなる。
【００７８】
＜磁気記録再生装置＞
次に、本発明の磁気記録再生装置について例を挙げて説明する。
図３は、本発明の磁気記録再生装置の一例であるハードディスクドライブを示した概略斜視図である。図３に示すハードディスクドライブは、図１に示す磁気記録媒体５０と、磁気記録媒体５０を記録方向に駆動する媒体駆動部３４と、記録部と再生部とを備える磁気ヘッド２７と、磁気ヘッド２７を磁気記録媒体５０に対して相対運動させるヘッド駆動部２８と、磁気ヘッド２７への信号入力と磁気ヘッド２７からの出力信号再生を行うための記録再生信号系２９（記録再生信号処理手段）とを具備するものである。
【００７９】
媒体駆動部３４は、磁気記録媒体５０を１枚或いは複数枚積層して同心円で回転させる（複数枚の場合は、同期回転させる）シャフトと、該シャフトにベアリングを介して接合され、磁気記録媒体５０を回転させるためのモータとを有している。
また、ヘッド駆動部２８は、磁気ヘッド２７が取り付けられた支持アームと、支持アームを複数本以上重ねて同期して可動させ、磁気ヘッド２７を磁気記録媒体５０上の任意の位置に移動させることのできるヘッドスタック機構と、ヘッドスタック機構を駆動するボイスコイルモータ（ＶＣＭ）とを備えている。
【００８０】
本実施形態のハードディスクドライブは、図１に示す磁気記録媒体５０を備えたものであるので、磁気ヘッド２７によって信頼性に優れたサーボ情報が得られるものとなるとともに、歩留まりよく製造できるものとなる。
【００８１】
また、本実施形態のハードディスクドライブは、図１に示す磁気記録媒体５０を備えたものであり、磁気記録媒体５０を構成する磁気記録パターン５１ａが、磁気的に分離された磁性層からなる規則的に配置された複数のものであり、非磁性基板１の半径方向の間隔ｄ１が磁気記録トラック幅の１／２以下であり、非磁性基板１の円周方向の間隔が円周方向の磁気記録ビット幅の１／２以下であるものであるので、磁気記録パターン５１ａのエッジ部の磁化遷移領域の影響を排除するために再生部のヘッド幅を記録部のヘッド幅よりも狭くする必要はなく、両者をほぼ同じ幅にして動作させることができ、十分な再生出力と高いＳＮＲを得ることができる。
これに対し、従来の磁気記録媒体が備えられたハードディスクドライブでは、トラックエッジ部の磁化遷移領域の影響を排除するために、再生ヘッド幅を記録ヘッド幅よりも狭くして対応していた。
【００８２】
さらに、上述の磁気ヘッド２７の再生部をＧＭＲヘッドあるいはＴＭＲヘッドで構成することにより、高記録密度においても十分な信号強度を得ることができ、高記録密度を持ったハードディスクドライブを実現することができる。
また、この磁気ヘッド２７の浮上量を０．００５μｍ〜０．０２０μｍと従来よりも低い高さで浮上走行させると、出力が向上して高い装置ＳＮＲが得られ、大容量で高信頼性のハードディスクドライブを提供することができる。
また、最尤復号法による信号処理回路を備えたハードディスクドライブとすることで、さらに記録密度を向上させることができる。例えば、トラック密度１００ｋトラック／インチ以上、線記録密度１０００ｋビット／インチ以上、１平方インチ当たり１００Ｇビット以上の記録密度で記録・再生する場合にも十分なＳＮＲが得られるハードディスクドライブとなる。
【実施例】
【００８３】
以下、実施例を示して本発明を具体的に説明する。
（実施例）
まず、真空チャンバ内に、円盤状のハードディスク（ＨＤ）用のガラス基板を設置して、１．０×１０―５Ｐａ以下に真空排気した。なお、ガラス基板としては、Ｌｉ2Ｓｉ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3−Ｋ2Ｏ、Ａｌ2Ｏ3−Ｋ2Ｏ、ＭｇＯ−Ｐ2Ｏ5、Ｓｂ2Ｏ3−ＺｎＯを構成成分とする結晶化ガラスからなり、外径６５ｍｍ、内径２０ｍｍ、平均表面粗さ（Ｒａ）２オングストロームのものを用いた。
【００８４】
このガラス基板にＤＣスパッタリング法を用いて、６０Ｆｅ−３０Ｃｏ−１０Ｂ軟磁性膜からなる軟磁性層と、Ｒｕからなる中間層と、グラニュラ構造の７０Ｃｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ2合金からなる磁性膜とをこの順で積層してなる磁性層を形成した。続いて、Ｐ−ＣＶＤ法を用いて、磁性層上に炭素マスク層を積層し、炭素マスク層の上にスピンコート法によりＳｉＯ2レジストを塗布し、レジスト層を形成した。
それぞれの層の膜厚は、軟磁性層６０ｎｍ、中間層１０ｎｍ、磁性膜１５ｎｍ、炭素マスク層３０ｎｍ、レジスト層１００ｎｍであった。
【００８５】
次いで、磁気記録媒体の磁気記録パターンに対応するパターンの形成されたガラス製のスタンプを、レジスト層に１ＭＰａ（約８．８ｋｇｆ／ｃｍ2）の圧力で押圧し、その後、スタンプをレジスト層から分離することにより、レジスト層にパターンを転写した。
このようにして転写された磁気記録パターンに対応するレジスト層のネガパターンは、直径２０ｎｍの平面視円形状であった。また、この平面視円形状のパターンは、磁気記録媒体の記録再生領域となる領域上に設けられたレジスト層の全面に千鳥状に配置されており、非磁性基板の半径方向の間隔が２０ｎｍであり、非磁性基板の円周方向の間隔が２５ｎｍであった。また、レジスト層のネガパターンにおいて、レジスト層の凸部の層厚（高さ）は８０ｎｍ、凹部の深さは５ｎｍであった。また、凹部の基板面に対する角度は、ほぼ９０度であった。
【００８６】
次に、レジスト層のネガパターンを形成した後に、レジスト層の凹部に残っていたレジスト層をドライエッチングにより除去した。ドライエッチング条件は、ＣＦ４ガスを４０ｓｃｃｍ、圧力０．５Ｐａでプラズマ電力２００Ｗ、バイアス２０Ｗ、エッチング時間１０秒とした。
その後、レジスト層を除去することにより露出した磁気記録パターンの凹状の分離領域に対応する領域の炭素マスク層をドライエッチングにより除去した。ドライエッチング条件は、Ｏ２ガスを４０ｓｃｃｍ、圧力０．３Ｐａ、高周波プラズマ電力３００Ｗ、ＤＣバイアス３０Ｗ、エッチング時間３０秒とした。このことにより、磁性層上の磁気記録パターンとなる領域に残存する炭素マスク層と、パターニングされたレジスト層であるレジストパターンとからなるマスクを形成した。
【００８７】
その後、炭素マスク層が除去されて露出した磁性層の表層部をイオンエッチングにより除去した。イオンエッチングの条件は、Ｎ２ガスを１０ｓｃｃｍ、圧力０．１Ｐａ、加速電圧３００Ｖ、エッチング時間５秒とした。また、イオンエッチングにより除去された磁性層の表層部の深さは１ｎｍであった。
【００８８】
次に、表層部の除去された領域の磁性層をオゾンガスに暴露して磁性層の磁気特性を改質した。オゾンガスに暴露は、チャンバ内にオゾンガスを４０ｓｃｃｍで流し、圧力１Ｐａ、暴露時間１０秒、基板温度１５０℃の条件にて行った。
磁性層の磁気特性を改質した後、磁性層の上に設けられているレジストパターンおよびマスク層をドライエッチングにより除去し、磁気記録パターンを露出させた。
【００８９】
その後、磁気記録パターンの露出された表面上を、イオンミリング装置にてＡｒガスを１０ｓｃｃｍ、圧力０．５Ｐａ、エッチング時間５秒の条件にて、１〜２ｎｍの深さ範囲でエッチングした。
続いて、ＣＶＤ法によりカーボンからなる厚み５ｎｍの保護膜を成膜し、保護膜層の上に、フッ素系潤滑膜を２ｎｍの厚みで塗布して潤滑層を形成した。
潤滑層を形成した後の磁気記録パターンの凹状の分離領域の深さは平均で１ｎｍであった。
【００９０】
その後、サーボライターを用いて、磁気記録トラック幅および磁気記録ビット幅を規定するサーボ情報を、磁気記録パターンに磁気的に書き込んだ。このことにより、磁気記録トラック幅を５０ｎｍ、１周当たりのセクター数を２５５個、円周方向の磁気記録ビット幅（１ビット長）を５０ｎｍとし、約５個の磁気記録パターンによって、各磁気記録ビット（１ビット）が形成されているものとした。また、以上の方法で製造した磁気記録媒体の磁気記録パターンの非磁性基板の半径方向の間隔（２０ｎｍ）は、磁気記録トラック幅（５０ｎｍ）の１／２以下、非磁性基板の円周方向の間隔（２５ｎｍ）は、円周方向の磁気記録ビット幅（５０ｎｍ）の１／２以下となった。
【００９１】
以上の方法で製造した磁気記録媒体について、電磁変換特性（ＳＮＲおよび３Ｔ−ｓｑｕａｓｈ）を測定した。電磁変換特性の評価はスピンスタンドを用いて実施した。なお、評価用の磁気ヘッドには、記録用として垂直記録ヘッド、読み込み用としてＴｕＭＲヘッド（Tunneling Magneto Resistive head, ＴＤＫ株式会社製）を用い、７５０ｋＦＣＩの信号を記録したときのＳＮＲ値および３Ｔ−ｓｑｕａｓｈを測定した。ここで、３Ｔ−ｓｑｕａｓｈ（３トラックスカッシュ）とは、センタートラックに信号を記録した後、センターの両隣に信号を記録し、両隣に信号を記録する前と後とにおけるセンタートラックの信号強度の割合（％）である。
【００９２】
その結果、上記の方法により製造された磁気記録媒体は、ＳＮＲが１３．６ｄＢ、３Ｔ−ｓｑｕａｓｈ（フリンジ）が９２％であり、電磁変換特性に優れていた。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】図１は、本発明の磁気記録媒体の一例を説明するための平面図であり、図１（ａ）は磁気記録媒体の全体を示した模式図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）において矩形で示した磁気記録媒体の一部の領域のみを拡大して示した拡大模式図である。
【図２】図２（ｉ）は、図１に示す磁気記録媒体の断面構造を説明するための拡大断面図である。また、図２（ａ）〜図２（ｈ）は、図１に示す磁気記録媒体の製造工程の一部を説明するための工程図であり、図２（ｉ）に示された領域と同じ領域のみを拡大して示した拡大断面図である。
【図３】図３は、本発明の磁気記録再生装置の一例であるハードディスクドライブを示した概略斜視図である。
【図４】図４は、従来のディスクリート型の磁気記録媒体の一例を説明するための平面図であり、図４（ａ）はディスクリート型の磁気記録媒体の全体を示した模式図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）において矩形で示したディスクリート型の磁気記録媒体の一部の領域のみを拡大して示した拡大模式図である。
【符号の説明】
【００９４】
１…非磁性基板、２…磁性層、３…炭素マスク層、４…レジスト層、４ａ…レジストパターン、５…スタンプ、６…ミリングイオン、８…レジスト層、９…保護膜層、１１…不活性ガス、２７…磁気ヘッド、２８…ヘッド駆動部、２９…記録再生信号系、３４…媒体駆動部、４０、５０…磁気記録媒体、４１…データ領域、４１ａ…データ記録パターン、４２…サーボ情報領域、４３…バースト情報領域、４３ａ…バーストパターン、４４…アドレス情報領域、４４ａ…アドレスパターン、４５…プリアンブル情報領域、４５ａ…プリアンブルパターン、５１ａ…磁気記録パターン、５１ｂ…凹部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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