【手続補正書】
【提出日】令和3年4月12日(2021.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軟磁性材料多層堆積装置であって、
軸の周りの真空輸送室の円形の内部空間と、
前記軸に対して垂直な平面に沿っての、前記内部空間において、前記軸と同軸の複数の基板運搬装置の円形の配置と、
前記軸に対して垂直な平面に沿っての、前記内部空間へと処理動作する基板処理ステーションの円形の配置と、
前記複数の基板運搬装置の前記円形の配置と、処理ステーションの前記円形の配置との間に相対回転を確立するように、前記複数の基板運搬装置の前記円形の配置と、処理ステーションの前記円形の配置との間で動作可能に結合される回転駆動部と
を備え、
前記複数の基板運搬装置の前記円形の配置と、処理ステーションの前記円形の配置とは相互に並べられ、
基板処理ステーションの前記配置は、
各々が単一のターゲットを伴う少なくとも１つの第１のスパッタ堆積ステーションおよび少なくとも１つの第２のスパッタ堆積ステーションを備え、
前記第１のスパッタ堆積ステーションは、基板における層材料として堆積される第１の軟磁性材料の第１のターゲットを有し、
前記第２のスパッタ堆積ステーションは、前記基板における層材料として堆積される前記第１の軟磁性材料と異なる第２の軟磁性材料のターゲットを有し、
前記装置は、
処理ステーションの前記配置のうちの前記ステーションと、前記回転駆動部とに動作可能に結合され、前記軸の周りでの処理ステーションの前記配置に対する前記複数の基板運搬装置の前記配置の少なくとも１回の３６０°を超える回転運動の間に、前記基板運搬装置に向けて連続的なスパッタ堆積を可能とさせるように、前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび前記第２のスパッタ堆積ステーションを制御するように構成された制御ユニットであって、前記３６０°の回転運動は互いと直接的に後に続く、制御ユニットをさらに備える、軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項２】
前記円形の内部空間は環状または円筒状であり、前記複数の基板運搬装置の前記配置または処理ステーションの前記配置は、前記環状の内部空間の径方向外側の円形のまたは径方向内側の円形の表面、または、前記環状の内部空間の上面もしくは下面に備え付けられる、請求項１に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項３】
処理ステーションの前記配置は静止しており、前記複数の基板運搬装置の前記配置は回転可能である、請求項１または２に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項４】
前記第１のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群からの１つ以上の元素を含むかまたはその元素から成り、前記第２のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群の１つ以上の元素を含むかまたはその元素から成る、または、前記第１のターゲット及び前記第２のターゲットのうちの少なくとも一方は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群からの１つ以上の元素と、少なくとも１つの非強磁性元素とから成る、請求項１から３いずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項５】
前記少なくとも１つの非強磁性元素は、周期系のＩＩＩＡ族、ＩＶＢ族、およびＶＢ族（ＩＵＡＰＣの第１３族、第４族、第５族に従う）からの少なくとも１つの元素である、請求項４に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項６】
前記第１のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群の１つ以上の元素を含むかまたはその元素から成り、前記第２のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群の１つ以上の元素を含むかまたはその元素から成り、前記装置は、前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび前記第２のスパッタ堆積ステーションのうちの少なくとも一方に隣接し、少なくとも１つの非強磁性元素のターゲットを有する少なくとも１つのさらなるスパッタ堆積ステーションをさらに備える、請求項１から５のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項７】
前記少なくとも１つの非強磁性元素は、周期系のＩＩＩＡ族、ＩＶＢ族、およびＶＢ族（ＩＵＡＰＣの第１３族、第４族、第５族に従う）からの少なくとも１つの元素である、請求項６に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項８】
前記少なくとも１つの非強磁性元素は、Ｂ、Ｔａ、Ｚｒの群からの少なくとも１つである、請求項５または７に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項９】
前記制御ユニットは、
−互いと直接的に後に続く前記少なくとも１回の３６０°を超える回転運動のうちの少なくとも一部について、前記軸に対して一定の角速度での連続的な相対回転のために、
−段階的な手法で、
−前記回転駆動部の相対回転の方向を逆にするように、
のうちの少なくとも１つの態様で、前記回転駆動部を制御するように構成されている、請求項１から８のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項１０】
前記制御ユニットは、それぞれ前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび前記第２のスパッタ堆積ステーションの各々によって、それぞれの所望の厚さｄ１、ｄ２の前記第１の材料および前記第２の材料の層をスパッタ堆積させるように、前記基板運搬装置の各々が前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび前記第２のスパッタ堆積ステーションにそれぞれ暴露される暴露時間に依存して、前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび前記第２のスパッタ堆積ステーションのスパッタリング出力を制御するように構成されている、請求項１から９のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項１１】
１０ｎｍ≧（ｄ１、ｄ２）≧０．１ｎｍ、
５ｎｍ≧（ｄ１、ｄ２）≧０．１ｎｍ、
１ｎｍ≧（ｄ１、ｄ２）≧０．１ｎｍ、
０．５ｎｍ≧（ｄ１、ｄ２）≧０．１ｎｍ、
０．５ｎｍ≧（ｄ１、ｄ２）≧０．２ｎｍ
ｄ１およびｄ２の少なくとも一方は１ｎｍ未満、
ｄ１およびｄ２は等しい、
ｄ１およびｄ２の少なくとも一方は１ｎｍ未満、
０．１ｎｍ≦（ｄ１、ｄ２）≦３ｎｍ、
０．３ｎｍ≦（ｄ１、ｄ２）≦２ｎｍ、および
０．５ｎｍ≦（ｄ１、ｄ２）≦１．５ｎｍ、
のうちの少なくとも１つが有効であるように制御される、請求項１０に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項１２】
前記第１の層と前記第２の層とは一方が他方の上に直接的に位置するように制御される、請求項１０または１１に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項１３】
前記第１のスパッタリングステーションはＦｅＣｏＢを堆積させるように構成され、前記第２のスパッタリングステーションはＣｏＴａＺｒを堆積させるように構成される、請求項１０から１２のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項１４】
前記基板運搬装置は複数の回数にわたって前記第１のスパッタリングステーションと前記第２のスパッタリングステーションとを繰り返し通るように制御される、請求項１０から１３のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項１５】
処理ステーションの前記配置は少なくとも１つのさらなる層堆積ステーションを備え、前記制御ユニットは、少なくとも前記１回の３６０°を超える回転運動の間に連続的に堆積を行うように、前記さらなる層堆積ステーションを制御するように構成され、前記制御ユニットは、前記さらなる層堆積ステーションによって所望の厚さｄ３の層を堆積させるために、前記基板運搬装置の各々が前記さらなる層堆積ステーションに暴露される暴露時間に依存して、前記さらなる層堆積ステーションの材料堆積速度を制御するとさらに構成され、前記さらなる層堆積ステーションは、らなる材料を前記基板保持体に向けてスパッタ堆積させるように構成され、前記さらなる材料は、非磁性金属、金属合金、または誘電材料である、請求項１から１４のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項１６】
前記所望の厚さｄ３について、
１０ｎｍ≧（ｄ３）≧０．１ｎｍ、および
５ｎｍ≧ｄ３≧２ｎｍ
のうちの少なくとも一方が有効であるように制御される、請求項１５に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項１７】
前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび前記第２のスパッタ堆積ステーションのうちの少なくとも一方の２つ以上を備える、請求項１から１６のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項１８】
前記第１のスパッタ堆積ステーションと前記第２のスパッタ堆積ステーションとは前記内部空間に沿って相互に隣接するステーションの対である、請求項１から１７のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項１９】
前記対を複数で備え、前記第１のスパッタ堆積ステーションと前記第２のスパッタ堆積ステーションとは交互に配置される、請求項１８に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項２０】
前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび前記第２のスパッタ堆積ステーションは、３つ以上の層堆積ステーションの群のうちの２つのステーションであり、前記群のうちの前記層堆積ステーションは、前記内部空間に沿って一方が他方に隣接して設けられ、前記群のうちの前記ステーションは、前記制御ユニットの制御によって同時に堆積活性化させられる、請求項１から１９のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項２１】
２つ以上の前記群および／または異なる前記群を備える、請求項２０に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項２２】
前記第１のターゲットおよび前記第２のターゲットの一方はＦｅｘ１Ｃｏｙ１のものであり、処理ステーションの前記配置は、前記１つのスパッタリングステーションに続いて隣接すると共にホウ素のターゲットを有するさらなるスパッタリングステーションを備え、前記さらなるスパッタリングステーションは、前記１つのスパッタリングステーションと同じ時間の間に堆積可能とされるように前記制御ユニットによって制御され、ｘ１＋ｙ１＝１００および２０＜ｙ１＜５０が有効である、請求項１から２１のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項２３】
前記第１のターゲットおよび前記第２のターゲットの一方はＣｏのものであり、処理ステーションの前記配置は、前記１つのスパッタリングステーションに隣接すると共にＴａおよびＺｒのターゲットをそれぞれ有する少なくとも２つのさらなるスパッタリングステーションを備え、前記さらなるスパッタリングステーションは、前記１つのスパッタリングステーションと同じ時間の間に堆積が可能とされるように前記制御ユニットによって制御される、請求項１から２２のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項２４】
前記第１のターゲットおよび前記第２のターゲットの少なくとも一方はＦｅｘ２Ｃｏｙ２Ｂｚ２のものであり、ここで、ｘ２＋ｙ２＋ｚ２＝１００である、請求項１から２３のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項２５】
前記第１のターゲットおよび前記第２のターゲットの少なくとも一方はＮｉｘ３Ｆｅｙ３のものであり、ここで、ｘ３＋ｙ３＝１００であり、５０＜ｙ３＜６０または１７．５＜ｙ３＜２２．５が有効である、請求項１から２４のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項２６】
前記第１のターゲットはＦｅｘ４Ｃｏｙ４のものであり、前記第２のターゲットはＮｉｘ５Ｆｅｙ５のものであり、ｘ４＋ｙ４＝１００と、ｘ５＋ｙ５＝１００と、５＜ｙ４＜２０と、１７．５＜ｙ５＜２２．５または５０＜ｙ５＜６０とが有効である、請求項１から２５のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項２７】
前記第１のターゲットはＦｅｘ６Ｃｏｙ６Ｂｚ６のものであり、前記第２のターゲットはＣｏｘ７Ｔａｙ７Ｚｒｚ７のものであり、ここで、ｘ６＋ｙ６＋ｚ６＝１００およびｘ７＋ｙ７＋ｚ７＝１００である、請求項１から２６のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項２８】
ｘ６＞ｙ６、
４５≦ｘ６≦６０、
５０≦ｘ６≦５５、
ｘ６＝５２、
ｙ６≧ｚ６、
２０≦ｙ６≦４０、
２５≦ｙ６≦３０、
ｙ６＝２８、
ｙ７≧ｚ７、
８５≦ｘ７≦９５、
９０≦ｘ７≦９３、
ｘ７＝９１．５、
ｙ７≧ｚ７
３≦ｙ７≦６、
４≦ｙ７≦５、
ｙ７＝４．５、
１０≦ｚ６≦３０、
１５≦ｚ６≦２５、
ｚ６＝２０、
ｙ７＝４．５、
２≦ｚ７≦６、
３≦ｚ７≦５、
ｚ７＝４、
のうちの少なくとも１つ以上が有効である、請求項２７に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項２９】
前記制御ユニットは、前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび前記第２のスパッタ堆積ステーションの各々と、可能であれば少なくとも１つのさらなる層堆積ステーションとによって、それへの基板暴露につき、
０．１ｎｍ≦ｄ≦３ｎｍ
０．３ｎｍ≦ｄ≦２ｎｍ
０．５ｎｍ≦ｄ≦１．５ｎｍ
のうちの少なくとも１つが有効であるそれぞれ厚さｄの層を堆積させるように、前記相対回転を、および／または、少なくとも前記第１のターゲットと前記第２のターゲットとに加えられる出力と、可能であれば処理ステーションの前記配置のうちのさらなる層堆積ステーションに加えられる出力とを制御するように構成されている、請求項１から２８のいずれか一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
【請求項３０】
誘導デバイスのためのコアを伴う基板を製造するまたはコアを備える誘導デバイスを製造する方法であって、前記コアは、スパッタリングによって堆積させられた薄い層を備え、前記薄い層の少なくとも一部は、請求項１から２９のいずれか一項に記載の装置を用いて堆積させられる、方法。
【請求項３１】
第１の軟磁性材料の第１の層と第２の軟磁性材料の第２の層とを備える軟磁性多層積層体であって、前記第２の軟磁性材料は前記第１の軟磁性材料と異なり、前記第１の層は厚さｄ１を各々有し、前記第２の層は厚さｄ２を各々有し、
５ｎｍ≧（ｄ１、ｄ２）≧０．１ｎｍ、
１ｎｍ≧（ｄ１、ｄ２）≧０．１ｎｍ、
０．１ｎｍ≦（ｄ１、ｄ２）≦３ｎｍ、
０．３ｎｍ≦（ｄ１、ｄ２）≦２ｎｍ、
０．５ｎｍ≦（ｄ１、ｄ２）≦１．５ｎｍ、
０．５ｎｍ≧（ｄ１、ｄ２）≧０．１ｎｍ、
０．５ｎｍ≧（ｄ１、ｄ２）≧０．２ｎｍ、
の１つが有効である、軟磁性多層積層体。
【請求項３２】
厚さｄ１とｄ２とは等しい、請求項３１に記載の軟磁性多層積層体。
【請求項３３】
ｄ１およびｄ２の少なくとも一方は１ｎｍより小さい、請求項３１または３２に記載の軟磁性多層積層体。
【請求項３４】
前記第１の層と前記第２の層とは一方が他方の上に直接的に位置する、請求項３１から３３のいずれか一項に記載の軟磁性多層積層体。
【請求項３５】
前記第１の層はＦｅＣｏＢのものであり、前記第２の層はＣｏＴａＺｒのものである、請求項３１から３４のいずれか一項に記載の軟磁性多層積層体。
【請求項３６】
前記第１の層と前記第２の層とは一方が他方の上に直接的に位置し、前記積層体は複数の前記第１の層および前記第２の層を備え、前記複数は非強磁性材料の層によって覆われる、請求項３１から３５のいずれか一項に記載の軟磁性多層積層体。
【請求項３７】
前記非強磁性材料はＡｌＯ２である、請求項３６に記載の軟磁性多層積層体。
【請求項３８】
複数のＦｅＣｏＢ層と、
複数のＣｏＴａＺｒ層と
を備え、
ＦｅＣｏＢの前記層は、交互の手法で、ＣｏＴａＺｒの前記層に直接的に位置し、
複数のＦｅＣｏＢ層およびＣｏＴａＺｒ層は共通してＡｌＯ２の層によって覆われる、請求項３１から３７のいずれか一項に記載の軟磁性多層積層体。
【請求項３９】
ＦｅＣｏＢの前記層は厚さｄ１を有し、ＣｏＴａＺｒの前記層は厚さｄ２を有し、ｄ１とｄ２とは等しいまたは異なる、請求項３８に記載の軟磁性多層積層体。
【請求項４０】
ｄ１およびｄ２は０．２ｎｍまでで１ｎｍより小さい、請求項３８または３９に記載の軟磁性多層積層体。
【請求項４１】
請求項３１から４０のいずれか一項に記載の軟磁性多層積層体を少なくとも１つ備えるコアを伴う誘導デバイスのためのコアまたは誘導デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５５】
それでもなお、図１〜図３および図５の実施形態に関して提供されているすべての説明は、図４による実施形態についても実施される。
［付記項１］
軟磁性材料多層堆積装置であって、
軸の周りの円形の内部空間の真空輸送室と、
前記軸に対して垂直な平面に沿っての、前記内部空間において、前記軸と同軸の複数の基板運搬装置の円形の配置と、
前記軸に対して垂直な平面に沿っての、前記内部空間へと処理動作する基板処理ステーションの円形の配置と、
前記複数の基板運搬装置の前記円形の配置と、処理ステーションの前記円形の配置との間に相対回転を確立するように、前記複数の基板運搬装置の前記円形の配置と、処理ステーションの前記円形の配置との間で動作可能に結合される回転駆動部と
を備え、
前記複数の基板運搬装置の前記円形の配置と、処理ステーションの前記円形の配置とは相互に並べられ、
基板処理ステーションの前記配置は、
各々が単一のターゲットを伴う少なくとも１つの第１のスパッタ堆積ステーションおよび少なくとも１つの第２のスパッタ堆積ステーションを備え、
前記第１のスパッタ堆積ステーションは、基板における層材料として堆積される第１の軟磁性材料の第１のターゲットを有し、
前記第２のスパッタ堆積ステーションは、前記基板における層材料として堆積される前記第１の軟磁性材料と異なる第２の軟磁性材料のターゲットを有し、
前記装置は、
処理ステーションの前記配置のうちの前記ステーションと、前記回転駆動部とに動作可能に結合され、前記軸の周りでの処理ステーションの前記配置に対する前記複数の基板運搬装置の前記配置の少なくとも１回の３６０°を超える回転運動の間に、前記基板運搬装置に向けて連続的なスパッタ堆積を可能とさせるように、前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび前記第２のスパッタ堆積ステーションを制御すると解釈される制御ユニットであって、前記３６０°の回転運動は互いと直接的に後に続く、制御ユニットをさらに備える、軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項２］
前記円形の内部空間は環状であり、前記複数の基板運搬装置の前記配置または処理ステーションの前記配置は、前記環状の内部空間の径方向外側の円形の表面、または、前記環状の内部空間の上面もしくは下面に備え付けられる、少なくとも付記項１に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項３］
前記円形の内部空間は環状であり、前記複数の基板運搬装置の前記配置または処理ステーションの前記配置は、前記環状の内部空間の径方向内側の円形の表面に備え付けられる、少なくとも付記項１に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項４］
前記円形の内部空間は円筒状であり、前記複数の基板運搬装置の前記配置または処理ステーションの前記配置は、前記円筒状の内部空間の周囲表面である円形の表面、または、前記円筒状の内部空間の下面もしくは上面に備え付けられる、少なくとも付記項１に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項５］
処理ステーションの前記配置は静止しており、前記複数の基板運搬装置の前記配置は回転可能である、付記項１から４の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項６］
前記第１のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群からの１つ以上の元素を含むかまたはその元素から成り、前記第２のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群の１つ以上の元素を含むかまたはその元素から成る、付記項１から５の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多
層堆積装置。
［付記項７］
前記第１のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群の１つ以上の元素と、少なくとも１つの非強磁性元素とから成り、および／または、前記第２のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群からの１つ以上の元素と、少なくとも１つの非強磁性元素とから成る、付記項１から６の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項８］
前記少なくとも１つの非強磁性元素は、周期系のＩＩＩＡ族、ＩＶＢ族、およびＶＢ族（ＩＵＡＰＣの第１３族、第４族、第５族に従う）からの少なくとも１つの元素である、少なくとも付記項７に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項９］
前記第１のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群の１つ以上の元素を含むかまたはその元素から成り、前記第２のターゲットは、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの群の１つ以上の元素を含むかまたはその元素から成り、前記装置は、前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび／または前記第２のスパッタ堆積ステーションに隣接し、少なくとも１つの非強磁性元素のターゲットを有する少なくとも１つのさらなるスパッタ堆積ステーションをさらに備える、付記項１から８の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項１０］
前記少なくとも１つの非強磁性元素は、周期系のＩＩＩＡ族、ＩＶＢ族、およびＶＢ族（ＩＵＡＰＣの第１３族、第４族、第５族に従う）からの少なくとも１つの元素である、少なくとも付記項９に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項１１］
前記少なくとも１つの非強磁性元素は、Ｂ、Ｔａ、Ｚｒの群からの少なくとも１つである、少なくとも付記項８または１０に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項１２］
前記制御ユニットは前記回転駆動部を段階的な手法で制御すると解釈される、付記項１から１１の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項１３］
前記制御ユニットは、互いと直接的に後に続く前記少なくとも１回の３６０°を超える回転運動のうちの少なくとも一部について、前記軸に対して一定の角速度での連続的な相対回転のために前記回転駆動部を制御すると解釈される、付記項１から１２の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項１４］
前記制御ユニットは、それぞれ前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび前記第２のスパッタ堆積ステーションの各々によって、それぞれの所望の厚さｄ１、ｄ２の前記第１の材料および前記第２の材料の層をスパッタ堆積させるように、前記基板運搬装置の各々が前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび前記第２のスパッタ堆積ステーションにそれぞれ暴露される暴露時間に依存して、少なくとも前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび前記第２のスパッタ堆積ステーションのスパッタリング出力を制御すると解釈される、付記項１から１３の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項１５］
１０ｎｍ≧（ｄ１、ｄ２）≧０．１ｎｍ
が有効であるように制御される、付記項１４に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項１６］
５ｎｍ≧（ｄ１、ｄ２）≧０．１ｎｍ
が有効であるように制御される、付記項１４または１５に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項１７］
１ｎｍ≧（ｄ１、ｄ２）≧０．１ｎｍ
が有効であるように制御される、付記項１４から１６の少なくとも一項に記載の軟磁性
材料多層堆積装置。
［付記項１８］
０．５ｎｍ≧（ｄ１、ｄ２）≧０．１ｎｍ、または、
０．５ｎｍ≧（ｄ１、ｄ２）≧０．２ｎｍ
が有効であるように制御される、付記項１４から１７の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項１９］
厚さｄ１とｄ２とは等しくなるように制御される、付記項１４から１８の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項２０］
ｄ１およびｄ２は１ｎｍとなるように制御される、付記項１４から１９の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項２１］
ｄ１およびｄ２の少なくとも一方は１ｎｍ未満となるように制御される、付記項１４から２０の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項２２］
０．１ｎｍ≦（ｄ１、ｄ２）≦３ｎｍ
０．３ｎｍ≦（ｄ１、ｄ２）≦２ｎｍ
０．５ｎｍ≦（ｄ１、ｄ２）≦１．５ｎｍ
のうちの少なくとも１つが有効であるように制御される、付記項１４から２１の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項２３］
前記第１の層と前記第２の層とは一方が他方の上に直接的に位置するように制御される、付記項１４から２１の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項２４］
前記第１のスパッタリングステーションはＦｅＣｏＢを堆積させるように構成され、前記第２のスパッタリングステーションはＣｏＴａＺｒを堆積させるように構成される、付記項１４から２３の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項２５］
前記基板運搬装置は複数の回数にわたって前記第１のスパッタリングステーションと前記第２のスパッタリングステーションとを繰り返し通るように制御される、付記項１４から２４の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項２６］
処理ステーションの前記配置は少なくとも１つのさらなる層堆積ステーションを備え、前記制御ユニットは、少なくとも前記１回の３６０°を超える回転運動の間に連続的に堆積を行うように、前記さらなる層堆積ステーションを制御すると解釈され、前記制御ユニットは、前記さらなる層堆積ステーションによって所望の厚さｄ３の層を堆積させるために、前記基板運搬装置の各々が前記さらなる層堆積ステーションに暴露される暴露時間に依存して、前記さらなる層堆積ステーションの材料堆積速度を制御するとさらに解釈される、付記項１から２５の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項２７］
前記所望の厚さｄ３について、
１０ｎｍ≧（ｄ３）≧０．１ｎｍ
が有効であるように制御される、付記項２６に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項２８］
ｄ３について、
５ｎｍ≧ｄ３≧２ｎｍ
が有効であるように制御される、少なくとも付記項２７に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項２９］
前記第１のスパッタ堆積ステーションのうちの２つ以上を備える、付記項１から２８の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項３０］
前記第２のスパッタ堆積ステーションのうちの２つ以上を備える、付記項１から２９の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項３１］
前記第１のスパッタ堆積ステーションと前記第２のスパッタ堆積ステーションとは前記内部空間に沿って相互に隣接するステーションの対である、付記項１から３０の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項３２］
前記対を複数で備え、前記第１のスパッタ堆積ステーションと前記第２のスパッタ堆積ステーションとは交互に配置される、少なくとも付記項３１に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項３３］
前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび前記第２のスパッタ堆積ステーションは、３つ以上の層堆積ステーションの群のうちの２つのステーションであり、前記群のうちの前記層堆積ステーションは、前記内部空間に沿って一方が他方に隣接して設けられ、前記群のうちの前記ステーションは、前記制御ユニットの制御によって同時に堆積活性化させられる、付記項１から３２の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項３４］
２つ以上の前記群および／または異なる前記群を備える、少なくとも付記項３３に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項３５］
基板処理ステーションの前記配置は、さらなる材料を前記基板保持体に向けてスパッタ堆積させると解釈される少なくとも１つのさらなるスパッタ堆積ステーションを備える、付記項１から３４の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項３６］
前記さらなる材料は非磁性金属、金属合金、または誘電材料である、少なくとも付記項３５に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項３７］
前記制御ユニットは、処理ステーションの前記配置のうちの前記ステーションのうちの選択されたものまたはすべてによって、前記基板の処理を制御可能に可能または不可能にすると解釈される、付記項１から３６の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項３８］
前記制御ユニットは、互いと直接的に後に続く前記１回の３６０°を超える相対回転運動のうちの少なくとも１回について、前記軸に対して一定の角速度での連続的な相対回転のために前記回転駆動部を制御すると、および、さらには前記回転駆動部の相対回転の方向を逆にすると、解釈される、付記項１から３７の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項３９］
前記第１のスパッタ堆積室および前記第２のスパッタ堆積室の少なくとも一方は、それぞれの前記ターゲットの下流にコリメータを備える、付記項１から３８の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項４０］
前記第１のターゲットおよび前記第２のターゲットの一方はＦｅｘ１Ｃｏｙ１のものであり、処理ステーションの前記配置は、前記１つのスパッタリングステーションに続いて隣接すると共にホウ素のターゲットを有するさらなるスパッタリングステーションを備え、前記さらなるスパッタリングステーションは、前記１つのスパッタリングステーションと同じ時間の間に堆積可能とされるように前記制御ユニットによって制御され、ｘ１＋ｙ
１＝１００および２０＜ｙ１＜５０が有効である、付記項１から３９の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項４１］
前記第１のターゲットおよび前記第２のターゲットの一方はＣｏのものであり、処理ステーションの前記配置は、前記１つのスパッタリングステーションに隣接すると共にＴａおよびＺｒのターゲットをそれぞれ有する少なくとも２つのさらなるスパッタリングステーションを備え、前記さらなるスパッタリングステーションは、前記１つのスパッタリングステーションと同じ時間の間に堆積が可能とされるように前記制御ユニットによって制御される、付記項１から４０の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項４２］
前記第１のターゲットおよび前記第２のターゲットの少なくとも一方はＦｅｘ２Ｃｏｙ２Ｂｚ２のものであり、ここで、ｘ２＋ｙ２＋ｚ２＝１００である、付記項１から４１の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項４３］
処理ステーションの前記配置は、誘電材料層を堆積させると解釈される少なくとも１つのさらなる層堆積ステーションを備える、少なくとも付記項４２に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項４４］
前記第１のターゲットおよび前記第２のターゲットの少なくとも一方はＮｉｘ３Ｆｅｙ３のものであり、ここで、ｘ３＋ｙ３＝１００であり、５０＜ｙ３＜６０または１７．５＜ｙ３＜２２．５が有効である、付記項１から４３の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項４５］
前記第１のターゲットはＦｅｘ４Ｃｏｙ４のものであり、前記第２のターゲットはＮｉｘ５Ｆｅｙ５のものであり、ｘ４＋ｙ４＝１００と、ｘ５＋ｙ５＝１００と、５＜ｙ４＜２０と、１７．５＜ｙ５＜２２．５または５０＜ｙ５＜６０とが有効である、付記項１から４３の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項４６］
前記第１のターゲットはＦｅｘ６Ｃｏｙ６Ｂｚ６のものであり、前記第２のターゲットはＣｏｘ７Ｔａｙ７Ｚｒｚ７のものであり、ここで、ｘ６＋ｙ６＋ｚ６＝１００およびｘ７＋ｙ７＋ｚ７＝１００である、付記項１から４３の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項４７］
ｘ６＞ｙ６が有効である、少なくとも付記項４６に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項４８］
ｙ６≧ｚ６が有効である、少なくとも付記項４６または４７に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項４９］
ｘ７＞ｙ７が有効である、付記項４６から４８の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項５０］
ｙ７≧ｚ７が有効である、付記項４６から４９の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項５１］
４５≦ｘ６≦６０、
５０≦ｘ６≦５５、
ｘ６＝５２、
２０≦ｙ６≦４０、
２５≦ｙ６≦３０、
ｙ６＝２８、
１０≦ｚ６≦３０、
１５≦ｚ６≦２５、
ｚ６＝２０
のうちの少なくとも１つ以上が有効である、付記項４６から５０の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項５２］
８５≦ｘ７≦９５、
９０≦ｘ７≦９３、
ｘ７＝９１．５、
３≦ｙ７≦６、
４≦ｙ７≦５、
ｙ７＝４．５、
２≦ｚ７≦６、
３≦ｚ７≦５、
ｚ７＝４
のうちの少なくとも１つ以上が有効である、付記項４６から５１の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項５３］
前記制御ユニットは、前記第１のスパッタ堆積ステーションおよび前記第２のスパッタ堆積ステーションの各々と、可能であれば少なくとも１つのさらなる層堆積ステーションとによって、それへの基板暴露につき、
０．１ｎｍ≦ｄ≦３ｎｍ
０．３ｎｍ≦ｄ≦２ｎｍ
０．５ｎｍ≦ｄ≦１．５ｎｍ
のうちの少なくとも１つが有効であるそれぞれ厚さｄの層を堆積させるように、前記相対回転を、および／または、少なくとも前記第１のターゲットと前記第２のターゲットとに加えられる出力と、可能であれば処理ステーションの前記配置のうちのさらなる層堆積ステーションに加えられる出力とを制御すると解釈される、付記項１から５２の少なくとも一項に記載の軟磁性材料多層堆積装置。
［付記項５４］
コアを備える誘導デバイスを伴う基板を製造する方法であって、前記コアは、スパッタリングによって堆積させられた薄い層を備え、前記薄い層の少なくとも一部は、付記項１から５３の少なくとも一項に記載の装置を用いて堆積させられる、方法。
［付記項５５］
誘導デバイスのためのコアを伴う基板を製造する方法であって、前記コアは、スパッタリングによって堆積させられた薄い層を備え、前記薄い層の少なくとも一部は、付記項１から５３の少なくとも一項に記載の装置を用いて堆積させられる、方法。
［付記項５６］
第１の軟磁性材料の第１の層と第２の軟磁性材料の第２の層とを備える軟磁性多層積層体であって、前記第２の軟磁性材料は前記第１の軟磁性材料と異なり、前記第１の層は厚さｄ１を各々有し、前記第２の層は厚さｄ２を各々有し、
５ｎｍ≧（ｄ１、ｄ２）≧０．１ｎｍ
が有効である、軟磁性多層積層体。
［付記項５７］
１ｎｍ≧（ｄ１、ｄ２）≧０．１ｎｍ
が有効である、付記項５６に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項５８］
０．１ｎｍ≦（ｄ１、ｄ２）≦３ｎｍ、
０．３ｎｍ≦（ｄ１、ｄ２）≦２ｎｍ、
０．５ｎｍ≦（ｄ１、ｄ２）≦１．５ｎｍ
のうちの少なくとも１つが有効である、付記項５６または５７に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項５９］
０．５ｎｍ≧（ｄ１、ｄ２）≧０．１ｎｍ
または
０．５ｎｍ≧（ｄ１、ｄ２）≧０．２ｎｍ
が有効である、付記項５６から５８の少なくとも一項に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項６０］
厚さｄ１とｄ２とは等しい、付記項５６から５９の少なくとも一項に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項６１］
ｄ１とｄ２とは１ｎｍである、付記項５６から６０の少なくとも一項に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項６２］
ｄ１およびｄ２の少なくとも一方は１ｎｍより小さい、付記項５６から６１の少なくとも一項に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項６３］
前記第１の層と前記第２の層とは一方が他方の上に直接的に位置する、付記項５６から６２の少なくとも一項に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項６４］
前記第１の層はＦｅＣｏＢのものであり、前記第２の層はＣｏＴａＺｒのものである、付記項５６から６３の少なくとも一項に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項６５］
前記第１の層と前記第２の層とは一方が他方の上に直接的に位置し、前記積層体は複数の前記第１の層および前記第２の層を備え、前記複数は非強磁性材料の層によって覆われる、付記項５６から６４の少なくとも一項に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項６６］
前記非強磁性材料はＡｌＯ２である、付記項６５に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項６７］
前記複数のうちの２つ以上と、それぞれの非強磁性材料の層とを備える、少なくとも付記項６５または６６に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項６８］
複数のＦｅＣｏＢ層と、
複数のＣｏＴａＺｒ層と
を備え、
ＦｅＣｏＢの前記層は、交互の手法で、ＣｏＴａＺｒの前記層に直接的に位置し、
共通の複数のＦｅＣｏＢ層およびＣｏＴａＺｒ層はＡｌＯ２の層によって覆われる、軟磁性多層積層体。
［付記項６９］
ＦｅＣｏＢの前記層は厚さｄ１を有し、ＣｏＴａＺｒの前記層は厚さｄ２を有し、ｄ１とｄ２とは等しい、付記項６８に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項７０］
０．１ｎｍ≦（ｄ１、ｄ２）≦３ｎｍ、
０．３ｎｍ≦（ｄ１、ｄ２）≦２ｎｍ、
０．５ｎｍ≦（ｄ１、ｄ２）≦１．５ｎｍ
のうちの少なくとも１つが有効である、付記項６８または６９に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項７１］
ｄ１およびｄ２は０．２ｎｍまでで１ｎｍより小さい、付記項６８から７０のいずれか一項に記載の軟磁性多層積層体。
［付記項７２］
付記項５６から７１の少なくとも一項に記載の軟磁性多層積層体を少なくとも１つ備えるコアを伴う誘導デバイスのためのコアまたは誘導デバイス。