Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月12日(2004.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正弦波信号を所定の信号レベルになるように調整し出力する自動レベル制御装置であって、
前記正弦波信号を飽和増幅する手段と、
前記飽和増幅手段の出力信号から高調波を濾波する手段と、
前記濾波手段の出力信号を、所定の信号レベルになるよう調整する手段と、
を備えることを特徴とする自動レベル制御装置。
【請求項２】
前記信号レベル調整手段は、
前記濾波手段の出力信号を増幅する可変利得増幅手段と、
前記増幅手段の出力信号レベルを検出する手段と、
前記検出した信号レベルを基準値と比較する手段と、
を備え、
前記可変利得増幅手段の利得は、前記比較手段の出力信号に応じて変化することを特徴とする請求項１に記載の自動レベル制御装置。
【請求項３】
前記可変利得増幅手段は、
直列接続されたＰＩＮダイオードおよび可変利得増幅器と、
前記比較手段の出力信号に応じて前記ＰＩＮダイオードに流れる電流量を制御する手段と、
前記比較手段の出力信号に応じて前記可変利得増幅器の利得を制御する手段と、
を備え、
前記電流制御手段と前記利得制御手段は、前記比較手段の結果に応答する範囲を分担することを特徴とする請求項２に記載の自動レベル制御装置。
【請求項４】
直列接続されたＰＩＮダイオードおよび可変利得増幅器と、
外部信号に応じて前記ＰＩＮダイオードに流れる電流量を制御する手段と、
前記外部信号に応じて前記可変利得増幅器の利得を制御する手段と、
を備え、
前記電流制御手段と前記利得制御手段は、前記外部信号に応答する範囲を分担することを特徴とする可変利得増幅装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月6日(2004.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
本実施形態では、映像コンテンツ販売会社１４０から提供する電子カタログに、ダイジェスト映像作成局１２０から取得したダイジェスト映像、又は、このダイジェスト映像へのリンクを添付する。これにより、ユーザサイド２００では、携帯電話機（次世代携帯電話機も含む）２０１やパーソナルコンピュータ（以下、ＰＣという）２０２やテレビジョン（以下、ＴＶという）２０３等に表示される電子カタログにおいて、映像コンテンツの内容を容易に把握することが可能となる。なお、携帯電話機２０１、ＰＣ２０２及びＴＶ２０３をクライアント端末と総称する。ＰＣ２０２にはいわゆる小型のコンピュータであるＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄａｔａ Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）が含まれ、ＴＶ２０３には車載ＴＶが含まれる。クライアント端末は、それぞれに好適な通信手段によりネットワーク１〜３に接続可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月15日(2004.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板上にシリコンを含む電極を形成する工程と、前記基板内に不純物拡散領域を形成する工程と、前記電極および前記不純物拡散領域の少なくとも一方の表面に、コバルトおよびニッケルを含む金属層を形成する工程と、熱処理によって前記基板または前記電極に含まれるシリコンと前記金属層とを反応させて、コバルトおよびニッケルを含むダイシリサイドを含むシリサイド層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記シリサイド層を形成する工程において、前記熱処理温度が７５０℃以下である請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記金属層が、コバルトおよびニッケルを含む合金で形成されている請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記金属層におけるコバルトとニッケルとの原子比（Ｃｏ：Ｎｉ）が、９５：５〜５０：５０の範囲である請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記金属層を形成する工程が、コバルトおよびニッケルを含む合金をターゲットとしたスパッタリングを実施する工程である請求項３または４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記金属層が、コバルト層とニッケル層とを含む多層構造で形成されている請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記金属層において、コバルト層の層厚（ＴCo）とニッケル層の層厚（ＴNi）との比（ＴCo：ＴNi）が、９５：５〜５０：５０の範囲である請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記金属層を形成する工程が、コバルトをターゲットとしたスパッタリングを実施する工程と、ニッケルをターゲットとしたスパッタリングを実施する工程とを含む請求項６または７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記シリサイド層を形成する工程において、前記熱処理が２段階以上で実施される請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
シリコン基板と、前記基板上に形成されたシリコンを含む電極と、前記基板内に形成された不純物拡散領域とを備えた半導体装置であって、前記電極および前記不純物拡散領域の少なくとも一方の表面に、コバルトおよびニッケルを含むダイシリサイドを含むシリサイド層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
前記シリサイド層が、（ＮｉＳｉ2）x（ＣｏＳｉ2）1-x（但し、０．０５≦ｘ≦０．５である。）の組成式で表される請求項１０に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
前記目的を達成するため、本発明の半導体装置は、シリコン基板と、前記基板上に形成されたシリコンを含む電極と、前記基板内に形成された不純物拡散領域とを備えた半導体装置であって、前記電極および前記不純物拡散領域の少なくとも一方の表面に、コバルトおよびニッケルを含むダイシリサイドを含むシリサイド層が形成されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
前記半導体装置においては、前記シリサイド層が、（ＮｉＳｉ2）x（ＣｏＳｉ2）1-x（但し、０．０５≦ｘ≦０．５である。）の組成式で表されることが好ましい。この好ましい例によれば、コンタクト抵抗を上昇させることなく、電極の細線抵抗を小さくできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記目的を達成するため、本発明の半導体装置の製造方法は、シリコン基板上にシリコンを含む電極を形成する工程と、前記基板内に不純物拡散領域を形成する工程と、前記電極および前記不純物拡散領域の少なくとも一方の表面に、コバルトおよびニッケルを含む金属層を形成する工程と、熱処理によって前記基板または前記電極に含まれるシリコンと前記金属層とを反応させて、コバルトおよびニッケルを含むダイシリサイドを含むシリサイド層を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体装置によれば、電極および不純物拡散領域の少なくとも一方の表面に、コバルトおよびニッケルを含むダイシリサイドを含むシリサイド層を備えるため、前記電極の低抵抗化と、前記拡散領域における接合リーク電流の低減とを両立することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月12日(2004.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、ローラコンベアは、それを構成するローラの上面に基板を載置して、ローラの回転により基板を搬送するものであり、搬送中に振動が生じるのを防止できない。特に、液処理槽内では基板が処理液内に完全に浸漬されて浮力が作用する状態となり、かつ処理液を循環させることから、液処理槽内では処理液は常に流動状態となり、基板が極めて不安定になる。このように、基板が槽内での位置や姿勢を制御できないことから、基板を確実に搬入側及び搬出側の開口を通過させるために、これらの開口部のうち、特に搬出側の開口部は、基板の厚み寸法と比較してかなり広くしなければならない。このように広い開口を形成すると、当然、処理液の流出量が多くなる。しかも、内槽は常に一定の液面レベルを保持させなければならないから、流出による液面変動分を十分カバーするには、処理液補給タンクに多量の処理液を貯留しなければならず、このために大型のタンクを用いる必要があり、また流出量に見合った量の処理液を常時内槽に補給する必要があるので、ポンプの吐出容量を大きくする必要もある。このために、装置全体が大型化、複雑化する等の問題点がある。   
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
ところで、液処理槽２の内部から流出量制限チャンバ１４内に流れる処理液の流路は、図３から明らかなように、実質的に搬出部ローラ６Ｒと仕切り壁１５の鉛直部１５Ｂとの間の隙間からなる間隔Ｄ１と、搬出部ローラ６Ｒとゲートローラ１６との間に形成したスリット状通路１７を構成する間隔Ｄ２との合計の寸法となる。搬出部ローラ６Ｒと仕切り壁１５との間の間隔Ｄ１は、搬出部ローラ６Ｒの回転に支障を来さないことを条件として、できるだけ間隔を狭くするようにしている。一方、スリット状通路１７は基板１を通過させる通路であるから、その間隔Ｄ２は、当然、基板１の厚み寸法より大きくなっていなければならない。ただし、この間隔Ｄ２をあまり大きくすると、処理液の流出量が増大することになる。そこで、間隔Ｄ２は、基板１を搬出部ローラ６Ｒに当接させた時に、その上面がゲートローラ１６に対して非接触状態であり、つまりその間に確実に液膜が介在する状態を確保できることを条件として可及的に狭くする。   
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
以上のように構成することによって、基板１は基板搬送手段５を構成するローラ６上に当接し、このローラ６が回転することによって、液処理槽２に送り込まれ、この液処理槽２における液面下を通過する間に、所定の液処理、つまりディッピング処理が行われる。基板１は、液処理槽２の手前位置までは重力の作用によりローラ６に当接しているので、スリップ等が生じることなく、確実に搬送され、またその位置や姿勢が乱れることなく、またこの位置のローラ６には基板押え部材７が装着されているので、より正確に直進性が保持される。従って、狭い開口８を通って確実に液処理槽２内に導かれる。基板１が液処理槽２内に入り込むと、この基板１に対して浮力が作用することになる。また、液処理槽２内では、基板１はローラ６と、その上部に配置した基板押え部材７の押えローラ７ｂとにより挾持されている。従って、たとえ基板１の比重が小さいものであっても、基板搬送手段５により十分な搬送力を作用させることができ、しかも処理液内で安定した姿勢を保持することができ、基板１が浮き上がってその表面が外部に露出する等のおそれはない。このようにして液処理槽２内で処理液に浸漬させることにより液処理が行われた基板１は搬出部ローラ６Ｒとゲートローラ１６との間のスリット状通路１７を通って液処理槽２から導出されることになる。   
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
まず、基板１の先端部からスリット状通路１７への進入が開始する。基板１はローラ６と押えローラ７ｂとによって直進性を持たせているが、スリット状通路１７を構成する搬出部ローラ６Ｒとその手前位置のローラ６との間には間隔があることから、浮力の作用で僅かではあるが、基板１の先端部が浮き上がることもある。しかしながら、ゲートローラ１６は搬出部ローラ６Ｒに対して上下方向に変位可能となっているので、たとえ基板１の先端部がゲートローラ１６に接触したとしても、このゲートローラ１６が搬出部ローラ６Ｒから離間する方向に変位することから、スリット状通路１７内に確実に導かれる。そして、基板１の先端部には余白部分が存在することから、この先端部ゲートローラ１６に接触したとしても、液処理に悪影響を及ぼすことはない。   
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
そして、搬出部ローラ６Ｒ及びゲートローラ１６は処理液槽２の内部で回転しており、この回転により処理液が基板１の搬送方向の前方に引き込まれるようになり、しかも処理液槽２内では処理液がこの方向への流れを形成している。また基板１には浮力が作用するものの、少なくとも処理液の比重より大きいので、基板１がスリット状通路１７内に進入した後は、前述した処理液の流れの作用によって、搬出部ローラ６Ｒ側に押し付けられ、基板１の表面とゲートローラ１６との間を処理液が流れるようになる。従って、スリット状通路１７の間隔Ｄ２を基板１の厚み寸法より僅かに大きくしただけであっても、基板１の表面はゲートローラ１６に対して非接触状態、つまりその間に少なくとも処理液の液膜が介在した状態で進行する。   
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
基板１が搬出部ローラ６Ｒの直前に位置するローラ６から離脱する前の段階で処理液槽２の直後に位置するローラ６による搬送力が及ぶようになり、しかもこのローラ６には押えローラ７ｂが対面しているので、基板１の先端部分はこれらローラ６と押えローラ７ｂとの間に挾持されることから、その搬送における直進性が確保される。従って、基板１がスリット状通路１７を抜けるまで、その表面はゲートローラ１６とは非接触状態に保たれる。   
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003168674.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月7日(2005.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】リアルタイムでフォトリアルなシーンをプレビューするための方法であって、
合成オブジェクトを定義するステップと、
画像合成ツールを使用して、前記合成オブジェクトをオフラインでレンダリングし、所定の一組のパラメータに従って該合成オブジェクトの表現を生成するステップと、
前記表現をサンプリングして、複数の基本画像を生成するステップと、
前記複数の基本画像に基づいて、方向依存性のテクスチャマップを作成するステップと、
前記方向依存性のテクスチャマップに従って、前記シーンにおける前記合成オブジェクトをリアルタイムにレンダリングするステップと、
を含む、方法。
【請求項２】前記合成オブジェクトの表現を生成するステップは、さらに、
或る環境における前記合成オブジェクトをレンダリングするステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】前記環境において合成オブジェクトをレンダリングするステップは、さらに、
前記環境に対して前記合成オブジェクトの向きを変更するステップを含む、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】前記表現の前記サンプリングは、
前記合成オブジェクトの該表現のそれぞれをデジタル化したものを取得することを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】前記表現の前記サンプリングは、
画素に関連した複数の画像パラメータを記録することを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】前記所定の一組のパラメータは、前記合成オブジェクトに対する光源の角度を含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】前記所定の一組のパラメータは、前記合成オブジェクトをビューする視線の角度を含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項８】前記光源は、見かけ上の光源を含む、
請求項６に記載の方法。
【請求項９】リアルタイムでシーンをプレビューするためのシステムであって、
前記シーンに関連付けられた合成オブジェクトのレンダリングされた表現を、画像合成ツールを用いて作成するよう構成されるオブジェクト生成器と、
所定のパラメータに従って、前記表現に応じて基本画像を生成するよう構成される画像サンプラーと、
前記基本画像を格納する記憶装置と、
前記基本画像に従って、方向依存性のテクスチャマップを生成するよう構成されるコントローラと、
前記方向依存性のテクスチャマップに従って、前記シーンをリアルタイムのレンダリングするレンダリングユニットと、
を備えるシステム。
【請求項１０】前記レンダリングユニットは、グラフィックスプロセッサを含む、
請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】前記基本画像は、前記合成オブジェクトを表す、
請求項９に記載のシステム。
【請求項１２】前記基本画像は、ある環境内の前記合成オブジェクトを表す、
請求項９に記載のシステム。
【請求項１３】前記基本画像は、デジタル表現によって生成される、
請求項９に記載のシステム。
【請求項１４】前記基本画像は、環境パラメータおよびオブジェクトパラメータのうちの少なくとも一方に応じて生成される、
請求項９に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月17日(2004.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
描画命令に従った出力画像を形成する画像処理装置において、
描画命令中のパターン塗りつぶし命令にかかるパターンが、通常処理による画像形成において反映されるかを予測判定するパターン反映予測手段と、
前記予測判定において、スクリーン処理に用いるマトリックスとの干渉により前記パターンが反映されないと判定された場合に、前記パターンが反映されるように当該パターンに変更を加えるパターン変更手段と、
を有する、画像処理装置。
【請求項２】
描画命令に従った出力画像を形成する画像処理装置において、
描画命令中の、パターンの繰り返しで構成されたラスタデータの命令にかかるパターンが、通常処理による画像形成において反映されるかを予測判定するパターン反映予測手段と、
前記予測判定において、スクリーン処理に用いるマトリックスとの干渉により前記パターンが反映されないと判定された場合に、前記パターンが反映されるように当該パターンに変更を加えるパターン変更手段とを有する、画像処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の画像処理装置において、前記パターン反映予測手段は、前記パターン中の白画素の割合が所定値以上である場合に当該パターンが反映されないと判定する、画像処理装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の画像処理装置において、前記パターン反映予測手段は、前記パターン中の白画素の割合が所定値以上であり、かつ白画素以外の画素の濃度値の平均が所定値以下である場合に、当該パターンが反映されないと判定する、画像処理装置。
【請求項５】
請求項１または２に記載の画像処理装置において、前記パターン反映予測手段は、前記パターンが白画素および孤立点のみで構成されているとき、当該パターンが反映されないと判定する、画像処理装置。
【請求項６】
請求項１または２に記載の画像処理装置において、前記パターン反映予測手段は、前記パターンが白画素および孤立点のみで構成され、かつ孤立点を構成する画素の濃度値の平均が所定値以下である場合に、当該パターンが反映されないと判定する、画像処理装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の画像処理装置において、前記パターン変更手段は、白画素以外の画素について、その画素の濃度値を増加する、画像処理装置。
【請求項８】
請求項５または６に記載の画像処理装置において、前記パターン変更手段は、前記パターン中の孤立点の周囲の画素の少なくとも１個の濃度値を増加させる、画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように、スクリーン処理を行った場合、処理に用いるマトリックスとの干渉によりパターンの形状や色によっては、出力画像上のそのパターンが反映されず、消えてしまうことがあるという問題があった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前述の課題を解決するために、本発明にかかる画像処理装置は、描画命令中のパターン塗りつぶし命令にかかるパターンが、通常処理による画像形成において反映されるかを予測判定するパターン反映予測手段と、前記予測判定において、スクリーン処理に用いるマトリックスとの干渉により前記パターンが反映されないと判定された場合に、前記パターンが反映されるように当該パターンに変更を加えるパターン変更手段と、を有している。これによって、通常のスクリーン処理ではパターンが出力画像に反映されないような場合においても、パターンを形成することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明にかかる他の画像処理装置は、描画命令中の、パターンの繰り返しで構成されたラスタデータの命令にかかるパターンが、通常処理による画像形成において反映されるかを予測判定するパターン反映予測手段と、前記予測判定において、スクリーン処理に用いるマトリックスとの干渉により前記パターンが反映されないと判定された場合に、前記パターンが反映されるように当該パターンに変更を加えるパターン変更手段と、を有している。これによって、通常のスクリーン処理ではパターンが出力画像に反映されないような場合においても、パターンを形成することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月17日(2004.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
制御部２０における移動体検出手段２３は、背景等の基準画像及び被監視体の判定画像を取込む画像入力手段２３０、画像領域を所定のブロック、例えば８×８のブロックに分割する領域分割手段２３１、各画像から複数の周波数成分、例えば４つの周波数成分をフィルタリングにより抽出する抽出手段２３２、抽出された各周波数成分からフィルタリングによりエッジ量を算出するエッジ量算出手段２３３、各周波数成分のエッジ量からエッジ量の比率を算出する比率算出手段２３４、算出した基準画像のエッジ量比率値を記憶する基準比率記憶手段２３５を備え、更に基準画像におけるエッジ量比率と判定画像におけるエッジ量比率値とを比較し、所定の閾値を越えるか否かを判定する判定手段２３６、及びこの判定手段２３６の結果に基づいて、所定の出力を送出する出力手段２３７からなる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月10日(2004.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
得られた多孔質半導体膜（2-B-1）の膜厚および窒素吸着法によって求めた細孔容積と
平均細孔径を表１に示す。
分光増感色素の吸着（可視・赤外光用）
次に、分光増感色素として Ru(tc-terpyH3)(NCS)3 で表されるルテニウム錯体(B-1)の
濃度３×１０-4モル／リットルのエタノール溶液を調製した。この分光増感色素溶液を、rpm100スピナーを用いて、多孔質半導体膜(2-B)上へ塗布して乾燥した。この塗布および
乾燥工程を５回行った。得られた金属酸化物半導体膜の分光増感色素の吸着量を表１に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月1日(2004.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発電要素を収納するセル室を備え、前記セル室は隔壁によって区画され、隣接する前記セル室に収納された発電要素同士を、前記隔壁に設けられた透孔を介して接続する鉛蓄電池において、前記透孔の形状が横長の長円形であることを特徴とする鉛蓄電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【問題を解決するための手段】
上記課題を解決するためになした発明は、複数の発明要素を収納するセル室を備え、前記セル室は隔壁によって区画され、隣接する前記セル室に収納された発電要素同士を、前記隔壁に設けられた透孔を介して接続する鉛蓄電池において、前記透孔の形状が横長の長円形であることを特徴とする鉛蓄電池である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【問題を解決するための手段】
前記発明は、透孔の縦方向の高さに対する横方向の高さの比が１より大きく５以下とすると効果的である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月12日(2004.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式がＬｉｘＮｉｙＭｎ２−ｙＯ４（０≦ｘ≦１、０．４５≦ｙ≦０．６）である活物質を備えた正極と、負極と、非水電解質を備えた非水電解質電池であって、前記負極が難黒鉛化性炭素を含み、前記非水電解質中にプロピレンカーボネートを含むことを特徴とする非水電解質電池。
【請求項２】
非水電解質中の溶媒に占めるプロピレンカーボネートの重量比が１０％以上であることを特徴とする請求項１記載の非水電解質電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明においては、上記非水電解質電池において、正極または負極の少なくとも一方の活物質粒子間に高分子電解質を備えることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
正極または負極の少なくとも一方の活物質粒子間に高分子電解質を備えることにより、正極または負極活物質と電解液との接触面積が小さくなり、また正極または負極近傍の電解液量が大幅に減少するため、正極からのＭｎまたはＮｉの溶出、それらの負極への析出、および正極での電解液の分解を抑制することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明においては、上記請求項３の非水電解質電池において、高分子電解質が、多孔性高分子電解質であることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
多孔性高分子電解質を用いることにより、正極または負極活物質と電解液との接触面積が小さくなり、また正極または負極近傍の電解液量が大幅に減少するため、正極からのＭｎまたはＮｉの溶出、それらの負極への析出、および正極での電解液の分解を抑制することができる。さらに、高分子電解質が多孔性であるために、孔中の電解液を通ってイオンが速やかに拡散することができるため、高率充放電性能に優れた電池となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
本発明においては、正極または負極の少なくとも一方の活物質粒子間に高分子電解質を備えることが好ましい。液体の電解質のみを用いた従来の電池では、正極および負極の活物質粒子間は導電材および結着材を除いてすべて電解液で占められているのに対し、正極活物質粒子間に高分子電解質を備えることによって、高分子の体積に相当する分だけ確実に正極中の電解液量を減少させることができる。さらに、正極または負極の活物質粒子と高分子電解質との接触面積に相当する分だけ活物質粒子と電解液との直接の接触面積が減少する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
本発明で用いる多孔性高分子電解質とは、高分子の多孔体であって、孔以外の高分子の部分がリチウムイオン伝導性を有する電解質となっているものである。この孔中に有機電解液を保持させることによって高いリチウムイオン拡散係数が得られるため、多孔性高分子電解質を用いた電池は、孔のない高分子電解質を用いた場合と比較して非常にすぐれた高率放電性能を示す。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
また、本発明において、「活物質粒子間に高分子電解質を備えた」とは、高分子電解質が、活物質粒子間に均一に分布していても、また活物質粒子の表面に膜状に存在していてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月25日(2004.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に設けられた透孔内に基板の表面側から嵌入され、嵌入された後に拡径して前記透孔に係合する矢尻型をした一対のスナップ片を有するスナップ部と、前記一対のスナップ片にそれぞれ連結され、前記基板の表面側において所要の間隔を置いて対向配置された一対の係合解除片を有する係合解除部とを備え、前記係合解除片は手操作されたときに前記一対のスナップ片を縮径するように弾性変形可能に構成され、少なくとも前記係合解除部は前記基板に実装する実装用部品を保持する保持部の直下から外れた位置に配置されていることを特徴とするスナップ構造。
【請求項２】
前記係合解除部は中央片と、前記中央片の両側にそれぞれ所要の間隔を置いて配置され、一部に摘み片を一体に有する前記係合解除片を備える枠体を有し、前記スナップ部は前記中央片から突出されたポストと、前記ポストの先端部に矢尻型に形成された一対のスナップ片と、前記両スナップ片の末端部と前記係合解除片とを連結する連結片とを有することを特徴とする請求項１に記載のスナップ構造。
【請求項３】
前記係合解除片にはそれぞれ両側に突出され、かつ先端部に傾斜面が形成された突片状の補助摘み片を有することを特徴とする請求項２に記載のスナップ構造。
【請求項４】
前記スナップ部及び係合解除部は前記基板に延設するケーブルを保持するためのケーブルクランプの一部として構成されていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のスナップ構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明のスナップ構造は、基板に設けられた透孔内に基板の表面側から嵌入され、嵌入された後に拡径して前記透孔に係合する矢尻型をした一対のスナップ片を有するスナップ部と、前記一対のスナップ片にそれぞれ連結され、前記基板の表面側において所要の間隔を置いて対向配置された一対の係合解除片を有する係合解除部とを備え、前記係合解除片は手操作されたときに前記一対のスナップ片を縮径するように弾性変形可能に構成され、少なくとも前記係合解除部は前記基板に実装する実装用部品を保持する保持部の直下から外れた位置に配置されていることを特徴とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
一方、以上のようにして取着したケーブルクランプ１を基板１００から取り外すときには、図３（ｂ）に示すように、クランプ部１０側、すなわち基板１００の表面側に存在している係合解除部３０の両係合解除片３３の各摘み片３４を指で摘み、枠体３１の弾性力に抗して両係合解除片３３の間隔幅を縮小させる。各係合解除片３３には連結片２４を介して各スナップ片２２の末端部が連結されているため、係合解除片３３の縮幅によってスナップ片２２の末端部の間隔幅も縮小され、各スナップ片２２において段部２３と透孔１０１の内縁部との係合が解除される。したがって、摘み片３４を摘んだ状態でケーブルクランプ１を基板１００の表面側に引き上げれば、スナップ部２０を透孔１０１から引き出すことが可能になり、手作業での取り外しが可能になり、特殊な工具や治具を必要とすることはない。なお、ケーブルは係合解除片３３が延長される方向に沿って延長されるので、係合解除片３３の摘み片３４を摘む際にケーブルが邪魔になることはなく、しかも係合解除部３０はケーブルの下側に配置されるので基板上で余分なスペースをとることがない。また、基板１００からケーブルクランプ１を取り外すときにケーブルと一緒に取り外すことも可能である。以上のことから、基板１００の表面側において係合解除部３０を操作することによってスナップ部２０での係合を解除してケーブルクランプ１を容易に基板１００から取り外すことが可能であり、基板１００の裏面側での操作は不要となり、ケーブルクランプ１におけるグリーン化を図る上で有効なものとなる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【発明の効果】
以上説明したように本発明は、基板の表面側から操作可能な係合解除片を有する係合解除部を設け、基板に設けられた透孔に係合するスナップ部のスナップ片を係合解除片に連結し、係合解除片は手操作されたときにスナップ片を縮径する方向に弾性変形可能に構成しているので、基板の表面側から係合解除部の係合解除片を指で摘むことで、基板の裏面側に存在しているスナップ部のスナップ片を縮径して基板の透孔から引き出すことが可能になり、基板の表面側から手作業による実装用部品の取着及び離脱が可能になり、作業が簡易化できるとともに特殊な治具等も不要になり、グリーン化を実現する上でも有効なものになる。また、係合解除部はケーブルクランプ等の実装用部品を保持する保持部の直下から外れた位置に配置されているので、係合解除部の操作が実装用部品によって邪魔されることも少なくなり、作業性を改善することも可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月4日(2004.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
論理回路と、薄膜トランジスタとを有し、
前記薄膜トランジスタは前記論理回路と電源との接続を制御しており、
前記薄膜トランジスタは、第１の電極と、前記第１の電極上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に形成された第２の電極とを有し、
前記第１の電極と前記第２の電極は、前記半導体膜を間に挟んで重なり合っていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
論理回路と、第１の薄膜トランジスタとを有し、
前記論理回路は第２の薄膜トランジスタを有し、
前記第１の薄膜トランジスタは前記論理回路と電源との接続を制御しており、  前記第１及び第２の薄膜トランジスタは、第１の電極と、前記第１の電極上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成された半導体膜と、前記半導体膜上に形成された第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜上に形成された第２の電極とをそれぞれ有し、
前記第１の電極と前記第２の電極は、前記半導体膜を間に挟んで重なり合っていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、前記第１の薄膜トランジスタの第１の電極と、前記第２の薄膜トランジスタの第１の電極とをそれぞれ独立に制御する構造を特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月26日(2004.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置及びＬＥＤアレイ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層の半導体層からなる半導体エピタキシャルウエハを有する半導体装置であり、
第1導電型の活性層を構成する第１の半導体層と、
該第１の半導体層に対して、前記半導体エピタキシャルウエハの表面と反対側にあって、半絶縁性、又は前記第1導電型と反対導電型の第２導電型の第２の半導体層と
を有し、
前記表面から前記第２の半導体層に達するブロック分離領域を形成することにより、電気的に分離した複数の単位ブロックを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１の半導体層に隣接するクラッド層を構成する第３の半導体層を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記クラッド層を構成する第３の半導体層は、前記活性層を挟むように配置され、第１の導電型の第１と第２のクラッド層からなり、それらのエネルギーバンドギャップが前記活性層のエネルギーバンドギャップより大きいことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記クラッド層を構成する第３の半導体層は、前記活性層を挟むように配置され、第２の導電型で前記表面と反対側に位置する第１クラッド層と、第１の導電型で前記表面側に位置する第２クラッド層とからなり、それらのエネルギーバンドギャップが前記活性層のエネルギーバンドギャップより大きく設定されると共に、前記第１のクラッド層が前記第２の半導体層を兼ねることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記クラッド層を構成する第３の半導体層は、第１の導電型で前記活性層の表面側のみに位置し、そのエネルギーバンドギャップが前記活性層のエネルギーバンドギャップより大きいことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項６】
前記クラッド層を構成する第３の半導体層は、第１の導電型で前記活性層の表面と反対側のみに位置し、そのエネルギーバンドギャップが前記活性層のエネルギーバンドギャップより大きいことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２の半導体層を半絶縁性のバッファ層とし、該バッファ層に隣接して半導体基板を配設したことを特徴とする請求項３、５、６の何れかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２の半導体層を第２導電型のバッファ層とし、該バッファ層に隣接して半導体基板を配設したことを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項９】
更に、前記第１クラッド層に隣接するバッファ層と、該バッファ層を介して半導体基板とを配設したことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記バッファ層を半絶縁性又は第２導電型の半導体としたことを特徴とする請求項９記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体基板を半絶縁性の半導体で構成したことを特徴とする請求項７乃至１０の何れかに記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体基板を第２導電型の半導体で構成したことを特徴とする請求項７乃至１０の何れかに記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記半導体基板を第１導電型の半導体で構成したことを特徴とする請求項７乃至１０の何れかに記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記半導体エピタキシャルウエハの表面層を、Ａｕ系の電極材料とオーミックコンタクトが形成できる半導体コンタクト層で形成した事を特徴とする請求項1乃至１３の何れかに記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記半導体コンタクト層を第１導電型の半導体で構成したことを特徴とする請求項１４記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記第１、第３の各半導体層をＡｌtＧａ1-tＡｓ（ｔ≧０）で形成したことを特徴とする請求項２乃至１５の何れかに記載の半導体装置。
【請求項１７】
前記バッファ層と前記半導体基板とをＧａＡｓで形成したことを特徴とする請求項７乃至１０の何れかに記載の半導体装置。
【請求項１８】
前記半導体コンタクト層をＧａＡｓで形成したことを特徴とする請求項１４又は１５に記載の半導体装置。
【請求項１９】
多層の半導体層からなる半導体エピタキシャルウエハ中にＬＥＤを集積したＬＥＤアレイであり、
第1導電型の活性層を構成する第１の半導体層と、
該第１の半導体層に対して、前記半導体エピタキシャルウエハの表面と反対側にあって、半絶縁性、又は前記第1導電型と反対導電型の第２導電型の第２の半導体層と
を有し、
前記表面から前記第２の半導体層に達するブロック分離領域を形成することにより、電気的に分離した複数の単位ブロックを有することを特徴とするＬＥＤアレイ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、請求項１６の半導体装置は、請求項２乃至１５の何れかに記載の半導体装置において、前記第１、第３の各半導体層をＡｌtＧａ1-tＡｓ（ｔ≧０）で形成したことを特徴とする。
また、請求項１７の半導体装置は、請求項７乃至１０の何れかに記載の半導体装置において、前記バッファ層と前記半導体基板とをＧａＡｓで形成したことを特徴とする。
また、請求項１８の半導体装置は、請求項１４又は１５に記載の半導体装置において、前記半導体コンタクト層をＧａＡｓで形成したことを特徴とする。
更に請求項１９のＬＥＤアレイは、多層の半導体層からなる半導体エピタキシャルウエハ中にＬＥＤを集積したＬＥＤアレイであり、第1導電型の活性層を構成する第１の半導体層と、該第１の半導体層に対して、前記半導体エピタキシャルウエハの表面と反対側にあって、半絶縁性、又は前記第1導電型と反対導電型の第２導電型の第２の半導体層とを有し、前記表面から前記第２の半導体層に達するブロック分離領域を形成することにより、電気的に分離した複数の単位ブロックを有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
発熱層を有する回転加熱部材と、前記回転加熱部材と圧接してニップ部を形成する回転加圧部材と、前記発熱層に渦電流を生じさせるための交番磁場を発生させる励磁コイルと、前記励磁コイルからの磁束を前記発熱層の周方向に導く閉磁路を形成する高透磁率部材とを有し、前記ニップ部に被記録材を挟持搬送することで該被記録材の加熱処理を行う加熱装置において、前記高透磁率部材は複数個の部材で閉磁路を形成し、前記回転加熱部材と前記回転加圧部材の回転方向と直交する方向に前記高透磁率部材間の空間距離を変化させたことを特徴とする加熱装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（１）  発熱層を有する回転加熱部材と、前記回転加熱部材と圧接してニップ部を形成する回転加圧部材と、前記発熱層に渦電流を生じさせるための交番磁場を発生させる励磁コイルと、前記励磁コイルからの磁束を前記発熱層の周方向に導く閉磁路を形成する高透磁率部材とを有し、前記ニップ部に被記録材を挟持搬送することで該被記録材の加熱処理を行う加熱装置において、前記高透磁率部材は複数個の部材で閉磁路を形成し、前記回転加熱部材と前記回転加圧部材の回転方向と直交する方向に前記高透磁率部材間の空間距離を変化させたことを特徴とする加熱装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
図６に示すように、磁性コア１７ａ・１７ｂは、励磁コイル１８からの磁束を定着フィルム１０の発熱層１０ａに導いて実質的に周方向に閉磁路を形成するように配置されている。本実施例は、閉磁路を形成するように、２つの磁性コア１７ａ・１７ｂを配置しているが、２つに限るものではなく、複数個の磁性コアで構成することができる。そして、磁性コア１７ａ・１７ｂは、それぞれ同一の高透磁率部材で構成されている。これら磁性コア１７ａ・１７ｂの空間距離が短いほど、磁気結合が強くなり、発熱量が多くなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、発熱層を有する回転加熱部材と、前記回転加熱部材と圧接してニップ部を形成する回転加圧部材と、前記発熱層に渦電流を生じさせるための交番磁場を発生させる励磁コイルと、前記励磁コイルからの磁束を前記発熱層の周方向に導く閉磁路を形成する高透磁率部材とを有し、前記ニップ部に被記録材を挟持搬送することで該被記録材の加熱処理を行う加熱装置において、前記高透磁率部材は複数個の部材で閉磁路を形成し、前記回転加熱部材と前記回転加圧部材の回転方向と直交する方向に前記高透磁率部材間の空間距離を変化させて構成したので、発熱層と励磁コイルもしくは磁性コアとの距離を変えることなく、長手方向における発熱量を調整して均一な温度分布を得られる誘導加熱方式の加熱装置を、量産性良く、安価に、提供することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
本発明によれば、被記録材上に直接または間接に未定着トナー画像を形成する画像形成手段と、前記被記録材上に形成された未定着トナー画像を該被記録材上に加熱定着する加熱定着手段とを有する画像形成装置において、前記加熱定着手段として本発明の加熱定着装置を備える構成としたので、ウオームアップタイムの短く、常に安定して高精度のプリントができる画像形成装置を得ることができる効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月24日(2004.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層を有する有機層を少なくとも一方が透光性の一対の電極によって挟持してなる積層体と、透光性の電極の少なくとも２個所以上から引き出すように設けられる引き出し部と、前記引き出し部に接続され前記積層体に定電流を供給する電流駆動源と、を備えてなることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項２】
前記透光性の電極から少なくとも２つ以上の引き出し部を引き出し形成し、この各引き出し部にそれぞれ電流駆動源を接続することを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項３】
発光層を有する有機層を少なくとも一方が透光性の一対の電極によって挟持してなる積層体と、前記積層体の全周もしくは周囲の一部に形成されるとともに前記積層体の透光性の電極に接する前記透光性の電極よりも導電率のよい金属層と、前記金属層から引き出すように設けられる引き出し部と、前記引き出し部に接続され前記積層体に定電流を供給する電流駆動源と、を備えてなることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項４】
前記金属層から少なくとも２つ以上の引き出し部を引き出し形成し、この各引き出し部にそれぞれ電流駆動源を接続することを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬパネル。
【請求項５】
前記引き出し部は、前記積層体側に前記電流駆動源側よりも幅の広い広域部を形成してなることを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の有機ＥＬパネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、前記課題を解決するため、発光層を有する有機層を少なくとも一方が透光性の一対の電極によって挟持してなる積層体と、透光性の電極の少なくとも２個所以上から引き出すように設けられる引き出し部と、前記引き出し部に接続され前記積層体に定電流を供給する電流駆動源と、を備えてなるものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、前記透光性の電極から少なくとも２つ以上の引き出し部を引き出し形成し、この各引き出し部にそれぞれ電流駆動源を接続するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、発光層を有する有機層を少なくとも一方が透光性の一対の電極によって挟持してなる積層体と、前記積層体の全周もしくは周囲の一部に形成されるとともに前記積層体の透光性の電極に接する前記透光性の電極よりも導電率のよい金属層と、前記金属層から引き出すように設けられる引き出し部と、前記引き出し部に接続され前記積層体に定電流を供給する電流駆動源と、を備えてなるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月16日(2004.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極、陰極、及び有機化合物層を有する発光装置であって、
前記陽極と前記陰極との間に前記有機化合物層を有し、
前記有機化合物層は、発光層、電子伝達層、および分離層を有し、
前記分離層は、前記発光層と前記電子伝達層が接しないように、前記発光層と前記電子伝達層の間に設けられており、
前記電子伝達層は、前記陰極と接して形成されることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
絶縁表面上に設けられたＴＦＴと、
前記ＴＦＴ上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された第１の電極と、
前記第１の電極の端部を覆って形成された絶縁層と、
前記第１の電極上に形成された有機化合物層と、
前記有機化合物層上に形成された第２の電極とを有する発光装置であって、
前記ＴＦＴは、ソース領域およびドレイン領域を有し、
前記第１の電極は、前記ソース領域または前記ドレイン領域のいずれか一方と電気的に接続され、
前記有機化合物層は、発光層、電子伝達層、および分離層を有し、
前記分離層は、前記発光層と前記電子伝達層が接しないように、前記発光層と前記電子伝達層の間に設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１の電極は陽極であり、前記第２の電極は陰極であり、
前記電子伝達層は、前記第２の電極と接して形成されることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項２おいて、
前記第１の電極は陰極であり、前記第２の電極は陽極であり、
前記電子伝達層は、前記第１の電極と接して形成されることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記有機化合物層は、正孔輸送層、前記発光層、前記分離層、および前記電子伝達層を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記電子伝達層に３，３’，５，５’−テトラメチルベンジジンを含むことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記発光装置は、表示装置、デジタルスチルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、モバイルコンピュータ、記録媒体を備えた携帯型の画像再生装置、ゴーグル型ディスプレイ、ビデオカメラ、または携帯電話の表示部に用いられることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記表示装置は、ＴＶ放送受信用、または広告表示用に用いられることを特徴とする発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、有機化合物層１０３は、発光層１１２、分離層１１３および電子伝達層１１４を少なくとも含み、キャリアに対する機能の異なる層のいずれか一つ、もしくは複数を組み合わせて積層することにより形成される。なお、具体的には、正孔注入層、および正孔輸送層等があり、分離層１１３としてブロッキング層、および電子輸送層などが形成される。なお、本実施の形態においては、有機化合物層１０３が正孔輸送層１１１、発光層１１２、分離層１１３及び電子伝達層１１４からなる積層構造を有する場合について説明する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
次に、陰極１０４が形成される。陰極１０４を形成する材料としては、陰極１０４からの電子の注入性を向上させるために仕事関数が３．８ｅＶ以下の仕事関数の小さい材料を用いる。なお、陰極１０４が透光性を有する場合には、陰極１０４の可視光に対する透過率は４０％以上であることが好ましい。一方、陰極１０４が遮光性を有する場合には、陰極を形成する膜に対する可視光の透過率が１０％未満となるように形成する。例えばＡｌ、Ｔｉ、Ｗ、等からなる単層膜や、仕事関数の小さい材料との積層膜により形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図２（Ａ）において、基板２０１上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されている。なお、ここでは、発光素子２１５の第１の電極２１１と電気的に接続され、発光素子２１５に供給される電流を制御する機能を有する電流制御用ＴＦＴ２２２と、電流制御用ＴＦＴ２２２のゲート電極に印加されるビデオ信号を制御するためのスイッチング用ＴＦＴ２２１を示す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
また、第１の電極（陽極）２１１の端部、および配線２０７等を覆って絶縁層２１２が形成される。次に、第１の電極（陽極）２１１上に有機化合物層２１３が形成され、その上に、陰極となる第２の電極２１４を形成することにより発光素子２１５を完成させることができる。なお、本実施の形態では、第２の電極（陰極）２１４が光透過性を有するように形成する必要があることから、第２の電極（陰極）２１４は、光（可視光）を透過する程度の膜厚で形成される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７１】
以上の様にして、ｎチャネル型ＴＦＴ７０１、ｐチャネル型ＴＦＴ７０２を有する駆動回路７０５と、ｎチャネル型ＴＦＴからなるスイッチング用ＴＦＴ７０３、ｐチャネル型ＴＦＴからなる電流制御用ＴＦＴ７０４とを有する画素部７０６を同一基板上に形成することができる（図１０（Ｃ））。本明細書中ではこのような基板を便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。