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【手続補正書】
【提出日】令和3年7月1日(2021.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱間等方圧加圧法（ＨＩＰ）のためのカプセルであって、
積層造形（ＡＭ）要素と、熱間等方圧加圧法（ＨＩＰ）を受けるように配置された粉末（「粉末（ＸＸ）」と呼ばれる）を収容する空隙の少なくとも一部を画定するように配置されるカプセル要素（Ａ）と、を含むカプセル。
【請求項２】
前記ＡＭ要素は選択表面を含む、請求項１に記載のカプセル。
【請求項３】
前記ＡＭ要素は、前記ＡＭ要素上の第１の位置から前記ＡＭ要素上の第２の位置まで延びる開口部を含み、空隙が前記第１の位置から前記第２の位置の間に画定される、請求項１または２に記載のカプセル。
【請求項４】
前記ＡＭ要素は、同一の部品の配列を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のカプセル。
【請求項５】
前記ＡＭ要素は、完全密度の９８％またはそれ以上の密度を有する第１容積を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載のカプセル。
【請求項６】
前記ＡＭ要素は、均質であること、および単一の材料塊を含むことの少なくとも１つに該当する、請求項１〜５のいずれか一項に記載のカプセル。
【請求項７】
前記ＡＭ要素は、均質ではないこと、および単一の材料塊を含まないこと、および前記ＡＭ要素に組み込まれる材料塊の密度はその全体にわたって一定ではないことの少なくとも１つに該当する、請求項１〜５のいずれか一項に記載のカプセル。
【請求項８】
前記ＡＭ要素は、前記ＡＭ要素の固体壁によって完全に囲まれ、前記ＡＭ要素で規定される容積（Ａ）内で流動可能な未固結粉末を含む、請求項１〜５、７のいずれか一項に記載のカプセル。
【請求項９】
前記容積（Ａ）は、前記容積（Ａ）を画定する上壁と下壁との間に延び、前記ＡＭ要素の製造中に、前記ＡＭ要素の一部を支持するように配置される支持要素を含む、請求項８に記載のカプセル。
【請求項１０】
前記容積（Ａ）および／または前記容積（Ａ）を画定するそれぞれの壁は、選択的表面を組み込まない、請求項８または９に記載のカプセル。
【請求項１１】
ＨＩＰ用の前記カプセルの前記ＡＭ要素は、ＡＭ要素を作るためのＡＭプロセスの直接生成物（「直接ＡＭ要素」と呼ばれる）を含むか、ＡＭプロセスの直接生成物であるＡＭ要素に追加の粉末が組み込まれているＡＭ要素（「補足ＡＭ要素」と呼ばれる）を含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のカプセル。
【請求項１２】
前記ＡＭ要素は、気密シールを保持し、および／または高温および高圧でのＨＩＰ中に気密膜を保持できるよう設計および構成されている、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のカプセル。
【請求項１３】
前記ＡＭ要素の外側形状および／または外面全体は、ＡＭ製造技術の直接生成物である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のカプセル。
【請求項１４】
前記ＡＭ要素は、粉末（ＸＸ）を収容するための空隙の少なくとも一部を画定するように配置される、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のカプセル。
【請求項１５】
前記カプセル要素（Ａ）は前記ＡＭ要素に固定され、前記ＡＭ要素の材料と比較して異なる材料から作られる、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のカプセル。
【請求項１６】
前記カプセル要素（Ａ）は、前記ＡＭ要素に固定されたシート材料を含み、前記カプセルは前記ＡＭ要素に固定されるシート材料を含むカプセル要素（Ｂ）を備える、請求項１〜１５のいずれか一項に記載のカプセル。
【請求項１７】
前記ＡＭ要素は、前記カプセルの外面である表面を含み、前記ＡＭ要素は、前記カプセルの他の領域によって完全にカプセル化されていない、請求項１〜１６のいずれか一項に記載のカプセル。
【請求項１８】
粉末（ＸＸ）を収容するための空隙は、少なくとも部分的に、カプセル要素（Ａ）、カプセル要素（Ｂ）、前記ＡＭ要素によって規定される、請求項１〜１７のいずれか一項に記載のカプセル。
【請求項１９】
前記カプセルの総重量の少なくとも１０重量パーセントを構成する粉末（ＸＸ）を含む、請求項１〜１８のいずれか一項に記載のカプセル。
【請求項２０】
構成要素を製造する方法であって、
請求項１〜１９のいずれか一項に記載のカプセルを選択するステップ（ｉ）と、前記カプセルをＨＩＰにさらすステップ（ｉｉ）と、を含む方法。
【請求項２１】
前記ステップ（ｉｉ）に続いて、前記カプセルの一部を前記ＡＭ要素との結合から除去する、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記構成要素の外表面積の５０％未満が、前記構成要素に含まれない前記カプセルの一部を除去した後に処理される、請求項２０または２１に記載の方法。
【請求項２３】
請求項１〜１９のいずれか一項に記載のカプセルを製造する方法であって、
積層造形（ＡＭ）要素を選択するステップと（ｉ）、前記カプセルの第１の領域は、少なくとも部分的に前記ＡＭ要素によって規定されるカプセルを構築するステップ（ｉｉ）と、を含む方法。
【請求項２４】
ステップ（ｉ）の前に、レーザーまたは電子ビーム溶接（ＥＢＷ）粉末床、またはワイヤ送りビルド技術を使用して前記ＡＭ要素を製造する、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記方法のステップ（ｉｉ）は、前記ＡＭ要素の周囲に前記カプセルの領域を構築することを含み、前記カプセルの前記第１の領域は前記ＡＭ要素によって規定される、請求項２３または２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記ステップ（ｉｉ）は、少なくとも３つのシートメタルから作られる個別および／または別個の要素を選択することにより前記カプセルを構築し、前記３つの要素をＡＭ要素と関連付けて、前記ＡＭ要素によって少なくとも部分的に画定された空隙を有するカプセルを画定することを含み、前記ステップ（ｉｉ）に続き、粉末（ＸＸ）を前記カプセル内の空隙に導入する、請求項２３〜２５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２７】
ＡＭプロセスでＡＭ要素を製造した後に得られる製品であるＡＭ要素（「製造時ＡＭ要素」と呼ばれる）を含む補足ＡＭ要素であって、前記製造時ＡＭ要素は、未固結粒子状物質が含まれ、前記補足ＡＭ要素は、前記製造時ＡＭ要素内の前記未固結粒子状物質に加えて、粒子状物質を含む補足ＡＭ要素。
【請求項２８】
請求項２７に記載の前記補足ＡＭ要素を作成する方法であって、
レーザーまたはＥＢＷ粉末床またはワイヤ送りビルド技術を使用してＡＭプロセスで前記ＡＭ要素（製造時ＡＭ要素）を製造した後に得られる製品であるＡＭ要素を選択するステップであって、前記製造時ＡＭ要素には、未固結粒子状物質が含まれているステップ（ｉ）と、
追加の粒状材料を、前記製造時ＡＭ要素に組み込み、前記補足ＡＭ要素を規定するステップ（ｉｉ）と、を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月24日(2021.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−２．５乃至３である水ＬＳＩ値の範囲にわたってスケールを抑制するために水を有する水システムを処理する方法であって、
アミノ酸系ポリマー又はその水溶性塩と、ヒドロキシホスホノ酢酸又はその水溶性塩と、第２のホスホン酸又はその水溶性塩とを水システムの水に加える工程を含んでおり、
前記加える工程は、２ｐｐｍ〜５０ｐｐｍのアミノ酸系ポリマー又はその水溶性塩の有効濃度と、２ｐｐｍ〜５０ｐｐｍのヒドロキシホスホノ酢酸又はその水溶性塩の有効濃度と、１．５ｐｐｍ〜２０ｐｐｍの第２のホスホン酸又はその水溶性塩の有効濃度とを、水システムの水にもたらしてスケールを抑制し、
亜鉛又はモリブデンが、或いは亜鉛及びモリブデンを含む化合物が、水システムの水に加えられない、方法。
【請求項２】
第２のホスホン酸は、ＨＥＤＰ、ＰＢＴＣ、又はそれらの両方であって、水のＬＳＩは、前記加える工程の前で０．２〜０．３であり、
スケールを形成させることなく、前記加える工程後の水のＬＳＩを前記加える工程の前のＬＳＩよりも増加させることを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
−２．５乃至３である水ＬＳＩ値の範囲にわたって腐食を抑制する工程を更に含んでおり、
前記加える工程は、
（１）水システムの水の量において、３ｐｐｍ〜５０ｐｐｍのアミノ酸系ポリマー又はその水溶性塩の有効濃度と、２ｐｐｍ〜２０ｐｐｍのヒドロキシホスホノ酢酸又はその水溶性塩の有効濃度と、１．５ｐｐｍ〜１０ｐｐｍのホスホノカルボン酸又はその水溶性塩の有効濃度とをもたらしてスケールを抑制する、或いは、
（２）アミノ酸系ポリマー又はその水溶性塩の３ｐｐｍ〜５０ｐｐｍの有効濃度と、ヒドロキシホスホノ酢酸又はその水溶性塩の３ｐｐｍ〜５０ｐｐｍの有効濃度と、２ｐｐｍ〜２０ｐｐｍの第２ホスホン酸又はその水溶性塩の有効濃度とをもたらして腐食を抑制する、請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記加える工程は、アミノ酸系ポリマーとして少なくとも５．２ｐｐｍのポリアスパラギン酸又はその水溶性塩の有効濃度と、少なくとも５．０ｐｐｍのヒドロキシホスホノ酢酸又はその水溶性塩の有効濃度と、第２のホスホン酸として少なくとも１．５ｐｐｍのＨＥＤＰ又はその水溶性塩の有効濃度、或いは、第２のホスホン酸として少なくとも３．４ｐｐｍのＰＢＣＴ又はその水溶性塩の有効濃度とをもたらす、請求項１乃至３の何れかに記載の方法。
【請求項５】
前記加える工程は、水システムにおいて少なくとも６．５ｐｐｍであるアミノ酸系ポリマー又はその水溶性塩、ヒドロキシホスホノ酢酸又はその水溶性塩、及び第２ホスホン酸又はその水溶性塩の総有効濃度をもたらす、請求項１乃至４の何れかに記載の方法。
【請求項６】
アミノ酸系ポリマーがポリアスパラギン酸又はポリアスパラギン酸の水溶性塩である、請求項１乃至５の何れかに記載の方法。
【請求項７】
アミノ酸系ポリマー又はその水溶性塩、ヒドロキシホスホノ酢酸又はその水溶性塩、第２ホスホン酸又はその水溶性塩、及びトレーサが、前記加える工程の前に処理用組成物中で組み合わされ、
トレーサの測定に基づいて、水システムの処理用組成物の量を定期的に測定する工程を含む、請求項１乃至３の何れかに記載の方法。
【請求項８】
必要に応じて追加の処理用組成物を加えて、少なくとも２ｐｐｍのアミノ酸系ポリマー又はその水溶性塩の有効濃度と、少なくとも２ｐｐｍのヒドロキシホスホノ酢酸又はその水溶性塩の有効濃度とを維持する工程を更に含んでおり、 ここで、これらの濃度は、水システムの水に加えられたときのものである、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
水システムの水は殺生物剤を含む、請求項１乃至８の何れかに記載の方法。
【請求項１０】
水システムの水は７を超えるｐＨを有する、請求項１乃至９の何れかに記載の方法。
【請求項１１】
前記加える工程前のＬＳＩ値は、０．２乃至３．０であり、
前記加える工程前のＬＳＩと比較して、スケール形成なしで前記加える工程後の水のＬＳＩを増加させる工程を更に含む、請求項１乃至１０の何れかに記載の方法。
【請求項１２】
第２のホスホン酸はＨＥＤＰ又はその水溶性塩であり、アミノ酸系ポリマーはポリアスパラギン酸又はその水溶性塩である、請求項１乃至１１の何れかに記載の方法。
【請求項１３】
水システムの水にスズが加えられない、請求項１乃至１２の何れかに記載の方法。
【請求項１４】
第２のホスホン酸は、ＨＥＤＰ、ＰＢＴＣ、又はそれらの両方であって、水のＬＳＩは０．２より小さい、請求項３に記載の方法。
【請求項１５】
水システムは再循環水システムである、請求項１乃至１４の何れかに記載の方法。
【請求項１６】
前記加える工程は、２．６〜５．２ｐｐｍのアミノ酸系ポリマー又はその水溶性塩の有効濃度と、２．５〜５．０ｐｐｍのヒドロキシホスホノ酢酸又はその水溶性塩の有効濃度と、３．２〜８．５のｐｐｍの第２ホスホン酸又はその水溶性塩の活性濃度をもたらし、
第２のホスホン酸は、ＰＢＴＣ又はその水溶性塩、或いは、ＨＥＤＰ又はその水溶性塩であり、
（１）前記加える工程後のＬＳＩ値は、スケールが形成されることなく前記加える工程のＬＳＩ値と比較して少なくとも１増加する、及び／又は、（２）水システムが再循環水システムであって、濃縮サイクルは、スケールが形成されることなく前記加える工程後４を超えて増加する、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
水システムは冷却塔又はボイラーシステムである、請求項１乃至１６の何れかに記載の方法。
【請求項１８】
スケールを抑制するために、水システムの水の量におけるアミノ酸系ポリマー又はその水溶性塩と、ヒドロキシホスホノ酢酸又はその水溶性塩と、第２のホスホン酸又はその水溶性塩の総有効濃度は、５．５ｐｐｍ〜１３．６ｐｐｍであって、
第２のホスホン酸はＨＥＤＰである、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年6月25日(2021.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）下記を含む第１の硬化性組成物
（１）少なくとも２つのペンダント（メタ）アクリロイル基を有し、３５，０００〜３００，０００ダルトンの範囲の重量平均分子量を有する（メタ）アクリレートコポリマー、及び
（２）第１の波長の化学線放射に感応性であるフリーラジカル光開始剤、並びに、
（ｂ）下記を含む第２の硬化性組成物
（１）エポキシ樹脂、
（２）ポリエーテルポリオール、及び
（３）第２の波長の化学線放射に感応性であり、前記第１の波長の化学線放射には感応性でない光酸発生剤
を含む、硬化性混合物。
【請求項２】
（ａ）下記を含む第１の硬化性組成物の反応生成物である、第１の硬化組成物
（１）少なくとも２つのペンダント（メタ）アクリロイル基を有し、３５，０００〜３００，０００ダルトンの範囲の重量平均分子量を有する（メタ）アクリレートコポリマー、及び
（２）第１の波長の化学線放射に感応性であるフリーラジカル光開始剤、並びに、
（ｂ）下記を含む第２の硬化性組成物
（１）エポキシ樹脂、
（２）ポリエーテルポリオール、及び
（３）第２の波長の化学線放射に感応性であり、前記第１の波長の化学線放射には感応性でない光酸発生剤
を含み、感圧接着剤である、部分硬化組成物。
【請求項３】
（ａ）下記を含む第１の硬化性組成物の反応生成物である、第１の硬化組成物
（１）少なくとも２つのペンダント（メタ）アクリロイル基を有し、３５，０００〜３００，０００ダルトンの範囲の重量平均分子量を有する（メタ）アクリレートコポリマー、及び
（２）第１の波長の化学線放射に感応性であるフリーラジカル光開始剤、並びに
（ｂ）下記を含む第２の硬化性組成物の反応生成物である、第２の硬化組成物
（１）エポキシ樹脂、
（２）ポリエーテルポリオール、及び
（３）第２の波長の化学線放射に感応性であり、前記第１の波長の化学線放射には感応性でない光酸発生剤
を含み、半構造用接着剤又は構造用接着剤である、硬化組成物。
【請求項４】
第１の基材又は第１の剥離ライナー；並びに
前記第１の基材に隣接して、又は前記第１の剥離ライナーに隣接して配置される部分硬化組成物であって、
（ａ）下記を含む第１の硬化性組成物の反応生成物である、第１の硬化組成物
（１）少なくとも２つのペンダント（メタ）アクリロイル基を有し、３５，０００〜３００，０００ダルトンの範囲の重量平均分子量を有する（メタ）アクリレートコポリマー、及び
（２）第１の波長の化学線放射に感応性であるフリーラジカル光開始剤、並びに
（ｂ）下記を含む第２の硬化性組成物
（１）エポキシ樹脂、
（２）ポリエーテルポリオール、及び
（３）第２の波長の化学線放射に感応性であり、前記第１の波長の化学線放射には感応性でない光酸発生剤
を含む、部分硬化組成物
を含み、前記部分硬化組成物が感圧接着剤である、第１の物品。
【請求項５】
前記部分硬化組成物が、前記第１の基材と第２の剥離ライナーとの間、又は前記第１の剥離ライナーと第２の剥離ライナーとの間に配置される、請求項４に記載の第１の物品。
【請求項６】
第１の基材；
第２の基材；並びに
第１の基材を第２の基材に接着する硬化組成物であって、
（ａ）下記を含む第１の硬化性組成物の反応生成物である、第１の硬化組成物
（１）少なくとも２つのペンダント（メタ）アクリロイル基を有し、３５，０００〜３００，０００ダルトンの範囲の重量平均分子量を有する（メタ）アクリレートコポリマー、及び
（２）第１の波長の化学線放射に感応性であるフリーラジカル光開始剤、並びに
（ｂ）下記を含む第２の硬化性組成物の反応生成物である、第２の硬化組成物
（１）エポキシ樹脂、
（２）ポリエーテルポリオール、及び
（３）第２の波長の化学線放射に感応性であり、前記第１の波長の化学線放射には感応性でない光酸発生剤
を含む、硬化組成物
を含み、前記硬化組成物が半構造用接着剤又は構造用接着剤である、第２の物品。
【請求項７】
接着する方法であって、
（ａ）下記を含む第１の硬化性組成物
（１）少なくとも２つのペンダント（メタ）アクリロイル基を有し、３５，０００〜３００，０００ダルトンの範囲の重量平均分子量を有する（メタ）アクリレートコポリマー、及び
（２）第１の波長の化学線放射に感応性であるフリーラジカル光開始剤、並びに
（ｂ）下記を含む第２の硬化性組成物
（１）エポキシ樹脂、
（２）ポリエーテルポリオール、及び
（３）第２の波長の化学線放射に感応性であり、前記第１の波長の化学線放射には感応性でない光酸発生剤
を含む硬化性混合物を準備することと、
前記硬化性混合物を第１の基材又は第１の剥離ライナーに適用し、前記硬化性混合物を前記第１の波長の化学線放射に曝露して、前記第１の基材に隣接した又は前記第１の剥離ライナーに隣接した部分硬化組成物を形成すること、ここで前記硬化性混合物が前記第１の剥離ライナーに適用される場合、前記方法は、前記部分硬化組成物を前記第１の剥離ライナーから前記第１の基材に移すことを更に含む、と、
前記部分硬化組成物を前記第２の波長の化学線放射に曝露して照射済み組成物を形成することと、
第２の基材を前記照射済み組成物に隣接して配置することと、
前記第１の基材を前記第２の基材に接着する硬化組成物を形成することと
を含む、方法。
【請求項８】
前記硬化性混合物を適用することが、前記硬化性混合物を印刷すること又は分注することを含む、請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月2日(2020.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アンテナ素子の配列を備える位相配列アンテナシステムを使用して複数の通信装置（ユーザ端末）と通信する方法であって、
複数のポート信号ストリームを受信する受信工程であって、複数のデータストリームをプリコードすることによって前記複数のポート信号ストリームを取得し、前記複数のデータストリームの各データストリームは前記複数のユーザ端末のうち対応する異なるユーザ端末に対するものである受信工程と、
前記位相配列アンテナシステム内において、前記複数のポート信号ストリームを処理して、（１）前記複数のデータストリームに対して行ったプリコーディングを取り消し、（２）前記アンテナ素子の配列を介して複数の送信ビームを生成する処理工程であって、各送信ビームは、前記複数のユーザ端末のうち対応する異なるユーザ端末に向かい、前記複数のデータストリームのうち前記ユーザ端末に対するデータストリームのみから派生する対応の送信信号を搬送する処理工程と、
を備える方法。
【請求項２】
プリコーディングは、前記複数のデータストリームに対してレイヤ−ポートプリコーディング行列を適用して、各ポート信号ストリームが前記複数のデータストリームの線形結合である前記複数のポート信号ストリームを生成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数のポート信号ストリームの処理は、前記複数のポート信号ストリームに対してポート−ビームプリコーディング行列を効果的に適用し、前記ポート−ビームプリコーディング行列と前記レイヤ−ポートプリコーディング行列とは、両者を掛け合わせた場合に対角行列を生成する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記対角線行列は単位行列である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ポート−ビームプリコーディング行列は、デジタル領域内の複数のポート信号ストリームに対して適用される、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記ポート−ビームプリコーディング行列は、アナログ領域内の前記複数のポート信号ストリームに対して適用される、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
前記処理工程は、前記位相配列アンテナシステムに対してビームフォーミング重みを適用して前記複数の送信ビームを生成することを備える、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記処理工程は、前記複数のポート信号ストリームをデジタルからアナログへ変換して複数のアナログ信号ストリームを生成することと、アナログ領域においてビームフォーミング重みを前記位相配列アンテナシステムに対して適用して前記複数の送信ビームを生成することと、を備える、請求項２に記載の方法。
【請求項９】
前記ビームフォーミング重みは、前記複数のデータストリームに対して行われた前記プリコーディングを前記位相配列アンテナシステムに取り消させる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ビームフォーミング重みは、前記位相配列アンテナシステムに、前記複数のアナログ信号ストリームに対してポート−ビームプリコーディング行列を効果的に適用させ、前記ポート−ビームプリコーディング行列と前記レイヤ−ポートプリコーディング行列とは、両者を掛け合わせた場合に対角行列を生成する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ポート−ビームプリコーディング行列は、相互に直交するＮ個のプリコーディングベクトルで構成され、ここで、Ｎは、前記複数のデータストリーム内のデータストリームの数と同じ整数である、請求項３に記載の方法。
【請求項１２】
Ｎ個のプリコーディングベクトルは、ＭＵ−ＭＩＭＯコードブックから選択されたものである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記レイヤ−ポートプリコーディング行列は非対角行列であり、前記ポート−ビームプリコーディング行列は非対角行列であり、前記レイヤ−ポートプリコーディング行列と前記ポート−ビームプリコーディング行列との積は対角行列である、請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月10日(2021.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
低雑音増幅器（ＬＮＡ）デバイスであって、
セミコンダクタオンインシュレータ（ＳＯＩ）層上の第１のトランジスタであって、ソース領域、ドレイン領域およびゲートを含む、第１のトランジスタと、
前記ゲートの第１の面のコンタクト層に結合された第１の面のゲートコンタクトと、
前記ソース領域に結合された第２の面のソースコンタクトと、
前記ドレイン領域に結合された第２の面のドレインコンタクトとを含む、ＬＮＡデバイス。
【請求項２】
第１の面が前記第１のトランジスタの前面を含み、第２の面が前記第１のトランジスタの裏面を含む、請求項１に記載のＬＮＡデバイス。
【請求項３】
第２の面が前記第１のトランジスタの前面を含み、第１の面が前記第１のトランジスタの裏面を含む、請求項１に記載のＬＮＡデバイス。
【請求項４】
前記第２の面のソースコンタクトおよび／または前記第２の面のドレインコンタクトがシリサイドコンタクト層を含む、請求項１に記載のＬＮＡデバイス。
【請求項５】
前記第１の面のゲートコンタクトに結合され、第１の面の誘電体層内に配置された第１の面の配線工程（ＢＥＯＬ）相互接続をさらに含む、請求項１に記載のＬＮＡデバイス。
【請求項６】
前記第１のトランジスタが、
前記第２の面のソースコンタクトを通して前記ソース領域に結合された第１のビアであって、第２の面の誘電体層の方に延びる、第１のビアと、
前記第２の面のドレインコンタクトを通して前記ドレイン領域に結合された第２のビアであって、前記第２の面の誘電体層の方に延びる、第２のビアと、
第１の面の誘電体層または前記第２の面の誘電体層上のハンドル基板とをさらに含む、請求項１に記載のＬＮＡデバイス。
【請求項７】
前記第２の面のソースコンタクトおよび／または前記第２の面のドレインコンタクトに結合された少なくとも１つの無線周波数（ＲＦ）構成要素をさらに含む、請求項１に記載のＬＮＡデバイス。
【請求項８】
前記少なくとも１つのＲＦ構成要素が、抵抗器、インダクタ、キャパシタ、またはアンテナのうちの少なくとも１つを含む、請求項７に記載のＬＮＡデバイス。
【請求項９】
ＲＦフロントエンドモジュールに統合され、前記ＲＦフロントエンドモジュールが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定ロケーションデータユニット、モバイル電話、およびポータブルコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる、請求項１に記載のＬＮＡデバイス。
【請求項１０】
低雑音増幅器（ＬＮＡ）デバイスを構築する方法であって、
犠牲基板によって支持される絶縁層の第１の表面上に第１のトランジスタを製作するステップであって、前記第１のトランジスタは、第１の面のコンタクト層を介して第１の面のゲートコンタクトに結合されたゲートを含む、ステップと、
第１の面の誘電体層を前記第１のトランジスタ上に堆積させるステップと、
ハンドル基板を前記第１の面の誘電体層に接合するステップと、
前記犠牲基板を除去するステップと、
前記絶縁層の前記第１の表面と反対の第２の表面を通して、前記第１のトランジスタのソース領域の第２の面およびドレイン領域の第２の面を露出させるステップと、
第２の面のソースコンタクトを前記ソース領域の前記第２の面上に堆積させるステップと、
第２の面のドレインコンタクトを前記ドレイン領域の前記第２の面上に堆積させるステップとを含む、方法。
【請求項１１】
少なくとも１つの無線周波数（ＲＦ）構成要素を、前記第２の面のソースコンタクトおよび／または前記第２の面のドレインコンタクトに結合するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つのＲＦ構成要素が、抵抗器、インダクタ、キャパシタ、またはアンテナのうちの少なくとも１つを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第２の面のソースコンタクトを通して前記ソース領域に結合される第１のビアを製作するステップであって、前記第１のビアは、前記絶縁層を通って、前記絶縁層を支持しかつ前記第１の面の誘電体層から遠位にある第２の面の誘電体層の中に延びる、ステップと、
前記第２の面のドレインコンタクトを通して前記ドレイン領域に結合される第２のビアを製作するステップであって、前記第２のビアは、前記絶縁層を通って前記第２の面の誘電体層の中に延びる、ステップとをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の面の誘電体層の中に、前記第１のビアおよび／または前記第２のビアを通して前記第１のトランジスタの前記第２の面のソースコンタクトおよび／または前記第２の面のドレインコンタクトに結合された層転写後金属被覆層を製作するステップをさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ＬＮＡデバイスをＲＦフロントエンドモジュールに統合するステップをさらに含み、前記ＲＦフロントエンドモジュールが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定ロケーションデータユニット、モバイル電話、およびポータブルコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる、請求項１０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月3日(2021.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
下の表１及び表２は、合成グラファイト粉末の粒径に応じて様々な物理的性質をまとめたものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
粒径に応じて合成グラファイト粉末の選別が篩を用いて実施され得る。例えば、格子篩が使用され得る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
しかしながら、第１の酸化剤が単独で使用される場合、硫酸のＳＯ３等の水分子に強く結合したイオンが存在し得るため、インターカレーションは困難になり得る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
グラファイトの一般的な結晶構造では、図６に示すように、６つの炭素からなる環（又はリング；ring）が、ｃ軸値（層間隔の２倍）が約６．６５７オングストロームである層を形成するために接続され、炭素間の結合長は約１．４２オングストロームである。さらに、炭素の単位格子は４つの炭素原子を含み、格子定数は約２．４５６オングストロームである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
実施例１：熱伝導性薄膜の作製
１．１．合成グラファイト粉末の選定
球状の合成グラファイト粉末（サングラフ株式会社）を、最初に、篩を用いて粒径５０〜５００μｍを有する粉末に選定し、次に、粒径１００〜３００μｍの粒径を有する粉末に選定した。最終的に選定された合成グラファイト粉末の平均粒径は、１００〜２００μｍであった。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月21日(2021.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための基板処理システムであって、
マニホールドと、
処理チャンバに設置される複数のインジェクタアセンブリであって、
前記複数のインジェクタアセンブリの各々は、前記マニホールドと流体連通し、入口および出口を含む弁を含む複数のインジェクタアセンブリと、
ドーズコントローラと
を備えており、
前記ドーズコントローラが、
前記複数のインジェクタアセンブリの各々に含まれる前記弁と連通するように構成され、かつ、
前記複数のインジェクタアセンブリの各々に含まれる前記弁間の製造上の差異と前記複数のインジェクタアセンブリの各々に含まれる前記弁間の不均一性との少なくとも１つに基づいて、前記複数のインジェクタアセンブリの各々に含まれる前記弁に供給されるパルス幅を調整し、前記複数のインジェクタアセンブリの各々に含まれる前記弁から所望のドーズが供給されるように構成される、
基板処理システム。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理システムであって、
前記複数のインジェクタアセンブリの各々は、前記複数のインジェクタアセンブリの各々に含まれる前記弁における圧力を感知する圧力センサをさらに含む、基板処理システム。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理システムであって、
前記ドーズコントローラは、対応する感知された前記圧力に基づいて各弁の前記それぞれのパルス幅を調整するように構成される、基板処理システム。
【請求項４】
請求項１に記載の基板処理システムであって、
前記複数のインジェクタアセンブリの各々は、前記複数のインジェクタアセンブリの各々に含まれる前記弁におけるガス温度を感知する温度センサをさらに含む、基板処理システム。
【請求項５】
請求項４に記載の基板処理システムであって、
前記ドーズコントローラは、対応する感知された前記ガス温度に基づいて各弁の前記それぞれのパルス幅を調整するように構成される、基板処理システム。
【請求項６】
請求項１に記載の基板処理システムであって、
前記ドーズコントローラは、前記基板に対する前記複数のインジェクタアセンブリの対応する場所に基づいて前記パルス幅を変化させるように構成される、基板処理システム。
【請求項７】
請求項１に記載の基板処理システムであって、
前記ドーズコントローラは、前記複数のインジェクタアセンブリの対応する経験的データに基づいて前記パルス幅を変化させるように構成される、基板処理システム。
【請求項８】
請求項１に記載の基板処理システムであって、
前記マニホールド内の圧力を調節する圧力レギュレータをさらに備える、基板処理システム。
【請求項９】
請求項１に記載の基板処理システムであって、
前記ドーズコントローラは、前記弁のそれぞれがほぼ同じドーズを提供するように前記パルス幅を調整するように構成される、基板処理システム。
【請求項１０】
請求項１に記載の基板処理システムであって、
前記ドーズコントローラは、前記弁のそれぞれが異なるドーズを提供するように前記パルス幅を調整するように構成される、基板処理システム。
【請求項１１】
請求項１に記載の基板処理システムであって、
前記複数のインジェクタアセンブリの各々は、制限オリフィスをさらに含む、基板処理システム。
【請求項１２】
請求項１に記載の基板処理システムであって、
前記複数のインジェクタアセンブリの各々は、さらにバイパス弁を含んでおり、前記バイパス弁の入口が前記弁の前記入口に接続されている、基板処理システム。
【請求項１３】
請求項１２に記載の基板処理システムであって、
前記複数のインジェクタアセンブリの各々は、前記複数のインジェクタアセンブリの各々に含まれる対応する前記弁における圧力を感知する圧力センサをさらに含み、前記ドーズコントローラは、対応する感知された前記圧力に基づいて前記弁および前記バイパス弁の前記パルス幅を調整するように構成される、基板処理システム。
【請求項１４】
請求項１２に記載の基板処理システムであって、
前記複数のインジェクタアセンブリの各々は、前記複数のインジェクタアセンブリの各々に含まれる対応する前記弁におけるガス温度を感知する温度センサをさらに含み、前記ドーズコントローラは、対応する感知された前記ガス温度に基づいて前記弁および前記バイパス弁の前記パルス幅を調整するように構成される、基板処理システム。
【請求項１５】
請求項１２に記載の基板処理システムであって、
前記ドーズコントローラは、前記複数のインジェクタアセンブリの各々について、前記弁と前記バイパス弁の所望の重なりに基づいて前記それぞれのパルス幅を変化させるように構成される、基板処理システム。
【請求項１６】
請求項１に記載の基板処理システムであって、
前記ドーズコントローラは、前記複数のインジェクタアセンブリによって出力されるドーズを変化させ、空間的スキューを提供するように構成される、基板処理システム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月27日(2021.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第1の誘電体材料を成膜し、前記第1の誘電体材料を第1の温度で硬化させることにより、前記基板上に第1の誘電体層を形成するステップと、
前記第1の誘電体層上に、第1の組のパターン化された超伝導トレースを有する第1の超伝導層を形成するステップと、
前記第1の超伝導層上に第2の誘電体材料を成膜し、前記第2の誘電体材料を第2の温度で硬化させることにより、前記第1の超伝導層上に第２の誘電体層を形成するステップであって、前記第2の温度は、前記第1の温度よりも低く、前記第1の誘電体材料および前記第2の誘電体材料の各々は、感光性ポリイミドを有する、ステップと、
前記第2の誘電体層上に、第2の組のパターン化された超伝導トレースを有する第2の超伝導層を形成するステップであって、前記第1の組のパターン化された超伝導トレースおよび前記第2の組のパターン化された超伝導トレースの各々は、近接リソグラフィーを用いて形成され、前記第1の超伝導層および前記第2の超伝導層の各々は、超伝導金属を有し、前記第1の温度および前記第2の温度の各々は、前記超伝導金属の損傷により前記超伝導金属に悪影響が生じないように選定される、ステップと、
を有する方法。
【請求項２】
前記第2の温度は、前記第1の温度よりも少なくとも50℃低い、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記基板上に前記第1の誘電体材料を成膜するステップは、液体ポリマー系の誘電体を前記基板上にスピンオンするステップを有する、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記基板に前記第2の誘電体材料を成膜するステップは、前記第1の超伝導層上に、液体ポリマー系の誘電体をスピンオンするステップを有する、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記第2の超伝導層を形成するステップは、さらに、少なくとも一つの超伝導材料を成膜しパターン化して、前記第2の組のパターン化された超伝導トレース、および少なくとも一つのインターコネクト構造を形成するステップを有し、
前記インターコネクト構造により、前記第2の組のパターン化された超伝導トレースの少なくとも一つが、前記第1の組のパターン化された超伝導トレースの少なくとも一つと接続される、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記超伝導材料は、ニオブを含む、請求項5に記載の方法。
【請求項７】
基板上に第1の誘電体材料を成膜し、前記第1の誘電体材料を第1の温度で硬化させることにより、前記基板上に第1の誘電体層を形成するステップと、
前記第1の誘電体層上に、第1の組のパターン化されたニオブトレースを有する第1のニオブ層を形成するステップと、
前記第1のニオブ層上に第2の誘電体材料を成膜し、前記第2の誘電体材料を第2の温度で硬化させることにより、前記第1のニオブ層上に第2の誘電体層を形成するステップであって、前記第2の温度は、前記第1の温度とほぼ等しく、または前記第1の温度よりも少なくとも25℃低く、前記第1の誘電体材料および前記第2の誘電体材料の各々は、感光性ポリイミドを有する、ステップと、
前記第2の誘電体層上に、第2の組のパターン化されたニオブトレースを有する第2のニオブ層を形成するステップであって、前記第1の組のパターン化されたニオブトレースおよび前記第2の組のパターン化されたニオブトレースの各々は、近接リソグラフィーを用いて形成され、前記第1の温度および前記第2の温度の各々は、275℃未満で選定される、ステップと、
を有する方法。
【請求項８】
前記基板上に前記第1の誘電体材料を成膜するステップは、液体ポリマー系の誘電体を前記基板上にスピンオンするステップを有する、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
前記基板上に前記第2の誘電体材料を成膜するステップは、前記第1のニオブ層上に、液体ポリマー系の誘電体をスピンオンするステップを有する、請求項8に記載の方法。
【請求項１０】
前記第2のニオブ層を形成するステップは、さらに、ニオブを成膜しパターン化して、前記第2の組のパターン化されたニオブトレース、および少なくとも一つのニオブビアを形成するステップを有し、
前記ニオブビアにより、前記第2の組のパターン化されたニオブトレースの少なくとも一つが、前記第1の組のパターン化されたニオブトレースの少なくとも一つと接続される、請求項7に記載の方法。
【請求項１１】
基板上にポリイミドをスピンオンし、前記ポリイミドを第1の温度で硬化させることにより、前記基板上に第1の誘電体層を形成するステップと、
前記第1の誘電体層上に、第1の組のパターン化されたニオブトレースを有する第1のニオブ層を形成するステップと、
前記第1のニオブ層上に感光性ポリイミドをスピンオンし、前記感光性ポリイミドを第2の温度で硬化させることにより、前記第1のニオブ層上に第2の誘電体層を形成するステップであって、前記第2の温度は、前記第1の温度よりも低い、ステップと、
前記第2の誘電体層上に、第2の組のパターン化されたニオブトレースを有する第2のニオブ層を形成するステップと、
前記第2のニオブ層上に感光性ポリイミドをスピンオンし、前記感光性ポリイミドを第3の温度で硬化させることにより、前記第2のニオブ層上に第3の誘電体層を形成するステップであって、前記第3の温度は、前記第2の温度よりも低く、前記第1の温度、前記第2の温度、および前記第3の温度の各々は、前記ニオブの損傷により前記ニオブに悪影響が生じないように選定される、ステップと、
を有する方法。
【請求項１２】
前記第2のニオブ層を形成するステップは、さらに、ニオブを成膜しパターン化して、第2の組のパターン化されたニオブトレース、および少なくとも一つのニオブビアを形成するステップを有し、
前記第2の組のパターン化されたニオブトレースの少なくとも一つが、前記第1の組のパターン化されたニオブトレースの少なくとも一つと接続される、請求項11に記載の方法。
【請求項１３】
前記第2の温度は、前記第1の温度よりも少なくとも25℃低く、
前記第3の温度は、前記第2の温度よりも少なくとも25℃低い、請求項11に記載の方法。
【請求項１４】
さらに、前記第2の誘電体層に少なくとも一つのビアを形成するステップを有し、
前記ビアは、ニオブを有する、請求項11に記載の方法。
【請求項１５】
前記少なくとも一つのビアは、前記第2のニオブ層を形成するステップと同じステップで形成され、
前記少なくとも一つのビアは、前記ニオブの共形成膜により形成される、請求項14に記載の方法。
【請求項１６】
前記第1の温度および前記第2の温度の各々は、275℃未満で選定される、請求項1に記載の方法。
【請求項１７】
前記第2の温度は、前記第1の温度よりも少なくとも50℃低い、請求項7に記載の方法。
【請求項１８】
前記第1の温度、前記第2の温度、および前記第3の温度の各々は、275℃未満で選定される、請求項11に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月31日(2021.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハのバッチを受け取りおよび温度調節するためのサーマル装置（１００）を監視するための方法であって、
前記サーマル装置（１００）の複数の加熱ゾーン（１’、２’、３’、４’、５’）のうちの少なくとも１つの加熱ゾーン（１’）における抵抗値（Ｒ１）の継続的に適用される検出が行われ、
関連する前記加熱ゾーン（１’）における抵抗器（１）の、それぞれの現在の測定値（Ｒ１（ｉ））が、同一の前記抵抗器（１）の、その前の測定値（Ｒ１（ｉ−１））と比較され、かつ、前記抵抗器（１）は加熱コイルであり、
前記比較によって検出された２つの時間的に間隔を置いた抵抗値（Ｒ１（ｉ）；Ｒ１（ｉ１））の偏差（ΔＲ１）は、同じ加熱ゾーンに由来する抵抗差（ΔＲ１）の少なくとも２．５％であり、前記抵抗差（ΔＲ１）は同じ加熱ゾーン（１'）に由来し、加熱コイルの隣接する点（１．３、１．４）の電気的接触（Ｆ１）によって発生し、
その結果、前記サーマル装置（１００）に対して警告または警報（９０）が生成され、これは、前記加熱コイル（１）の電流遮断（３１０、３２０）の時間より前である、
方法。
【請求項２】
前記抵抗器（１）の電圧（２１）および電流（３１）の複数の測定、および前記抵抗器（１）の前記値（Ｒ１）のそれぞれの計算から、抵抗の永続的な検出がなされる、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記抵抗値（Ｒ１）の前記継続的に適用される検出は、前記抵抗器（１）の前記値（Ｒ１（ｉ））の時間プロファイルを生成する、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記サーマル装置のための、前記発せられた警告または前記発せられた警報（９０）は、前記加熱ゾーン（１’）における前記抵抗器（１）の交換をもたらす、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記抵抗値（Ｒ１）の前記継続的に適用される検出は、前記サーマル装置（１００）の実際の運転前の時間的範囲にまで及ぶ、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記時間的間隔をおいた２つの抵抗値の前記比較によって検出される前記偏差（ΔＲ１）は、無傷の損傷されていないヒートコイル（１）の前記抵抗値（Ｒ１）の１０％未満である、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記時間的間隔をおいた２つの抵抗値の前記比較によって検出される前記偏差（ΔＲ１）は、無傷の損傷されていないヒートコイル（１）の値の７％未満、または５％未満である、
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
ヒートコイル（１）の破断は、前記時間的間隔をおいた、かつ測定された２つの抵抗値（Ｒ１（ｉ）、Ｒ１（ｉ−１））の前記比較によって検出された偏差（ΔＲ１）の認識の１時間より後である、
請求項２〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記検出された偏差（ΔＲ１）は、ヒートコイル（１）としての関連する加熱抵抗器を有する前記加熱ゾーン（１’）の破損の遥か以前にある、
請求項１または請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
複数のサーマル装置（１００）の複数のヒートゾーン（１’、２’、３’、４’、５’）において、前記それぞれの抵抗が継続的に検出されて比較される、
請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記長期間適用される測定は、前記サーマル装置（１００）が冷却しているとき、または冷却モードにある場合にも行われる、
請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
アラームまたは警告のトリガー（９０）を自動的に結論付ける（１５１ａ）ために、前記検出の過程で克服されなければならない少なくとも１つまたは複数の閾値が設けられる（１２２、１４２、１５１）、
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
（ａ）前記それぞれの抵抗器（１）に給電する電圧の周期の最低数が、関連する電力制御器（４０）、特にサイリスタ制御器によって順次切り替えられなければならず、
および／または
（ｂ）前記検出された抵抗から、ならびにそれぞれ前記測定電圧および前記測定電流から有効電力が算出され（１４０）、かつ比較され（１４４）、
および／または
（ｃ）前記検出された抵抗差（ΔＲ１）がコントロール窓にかけられ、またはさらされ、前記抵抗差は前記コントロール窓から離さなければならない、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
少なくとも４つの周期が切り替えられ、および／または前記算出された有効電力を互いに比較したとき２％未満の偏差しか逸脱しない、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記１つの抵抗器または前記複数の抵抗器の電流および電圧の正確なＲＭＳを求めるために、ゼロ通過がフィルタリングされ、評価のために半波のみ、特に負の半波が利用される、
請求項１〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
複数のゾーンが監視される場合、この模式図を複数のゾーンに適用することもでき、または多次元的に、複数のサーマル設備、たとえば、それぞれが５つのヒートゾーンを有する７つの設備１００、１００．１から１００．６などの複数の設備が監視される場合、サーマル設備１００内または設備全体のいずれかで、サーマル設備で測定される抵抗が存在するのと同じ頻度で存在する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
差分ΔＲｊ（ｉ）は、閾値スイッチ５６に出力され、その閾値スイッチ５６は、所定の差分値ΔＲを上回ると応答し（さらに上限と下限とを有する窓とも呼ばれる）、そして、閾値スイッチ５６は、ＳＳＲリレー６０の１つ６１に信号を送信し、それは、警報信号９０をトリガする。いくつかのＳＳＲリレー６０は、図５（６１から６８として）に見られ、そのうちの１つ、ＳＳＲ６１は、ここでは、サーマル設備１００の加熱コイル１でアクティブである。他のＳＳＲリレー６２、６３、６４、・・・は、他の設備１００．１から１００．６でアクティブであり、これもまた、警報信号９０をトリガする。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月10日(2021.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バルク半導体ダイの第１の面上の第１の能動／受動デバイス、および前記バルク半導体ダイの前記第１の面から前記第１の面と反対の第２の面に延びる第１のディープトレンチアイソレーション領域を含むバルク半導体ダイと、
前記バルク半導体ダイの前記第２の面上のコンタクト層と、
前記コンタクト層上の第２の面の誘電体層であって、前記第１のディープトレンチアイソレーション領域は、前記コンタクト層を通って前記第２の面の誘電体層の中に延びる、第２の面の誘電体層とを含む、無線周波数集積回路（ＲＦＩＣ）。
【請求項２】
前記第１の能動／受動デバイス上の第１の面の誘電体層と、
前記第１の面の誘電体層上のハンドル基板とをさらに含む、請求項１に記載のＲＦＩＣ。
【請求項３】
前記第１の面の誘電体層から前記第１のディープトレンチアイソレーション領域を通って前記第２の面の誘電体層の中に延びるトレンチ相互接続と、
前記第２の面の誘電体層の中の、前記トレンチ相互接続に結合された第２の面の金属被覆層であって、前記第２の面の誘電体層は、前記第１の面の誘電体層から遠位にある、第２の面の金属被覆層とをさらに含む、請求項２に記載のＲＦＩＣ。
【請求項４】
前記バルク半導体ダイの前記第１の面上の第２の能動／受動デバイスと、
前記第１の能動／受動デバイスと前記第２の能動／受動デバイスとの間にある、前記バルク半導体ダイの前記第１の面上のシャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）領域と、
前記第２の能動／受動デバイスに近接した、前記バルク半導体ダイの前記第１の面から前記第２の面に延びる第２のディープトレンチアイソレーション（ＤＴＩ）領域とをさらに含む、請求項１に記載のＲＦＩＣ。
【請求項５】
前記コンタクト層が、前記バルク半導体ダイの前記第２の面の全長にシリサイド層を含む、請求項１に記載のＲＦＩＣ。
【請求項６】
前記第１の能動／受動デバイスがＣＭＯＳトランジスタを含む、請求項１に記載のＲＦＩＣ。
【請求項７】
ＲＦフロントエンドモジュールに統合され、前記ＲＦフロントエンドモジュールが、音楽プレーヤ、ビデオプレーヤ、エンターテインメントユニット、ナビゲーションデバイス、通信デバイス、携帯情報端末（ＰＤＡ）、固定ロケーションデータユニット、モバイル電話、およびポータブルコンピュータのうちの少なくとも１つに組み込まれる、請求項１に記載のＲＦＩＣ。
【請求項８】
無線周波数（ＲＦ）集積回路を構築する方法であって、
バルク半導体ウエハの第１の面上に第１のトランジスタを製作するステップと、
第１のディープトレンチアイソレーション領域を前記バルク半導体ウエハ内に、前記第１のトランジスタに近接して形成するステップと、
第１の面の誘電体層を前記第１のトランジスタ上に堆積させるステップと、
ハンドル基板を前記第１の面の誘電体層に接合するステップと、
前記第１のディープトレンチアイソレーション領域を前記バルク半導体ウエハの第２の面において露出させるステップと、
前記バルク半導体ウエハの前記第２の面上、および前記第１のディープトレンチアイソレーション領域の露出された側壁上にコンタクト層を堆積させるステップとを含む、方法。
【請求項９】
前記第１のディープトレンチアイソレーション領域を露出させるステップが、
前記バルク半導体ウエハの前記第２の面をバックグラインドするステップと、
前記バルク半導体ウエハの前記第２の面を所定の表面変化まで研磨するステップとを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のディープトレンチアイソレーション領域を露出させるステップが、前記第１のディープトレンチアイソレーション領域の一部分を露出させるために前記バルク半導体ウエハの前記第２の面をエッチングするステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記コンタクト層を堆積させるステップが、前記コンタクト層を形成するために前記バルク半導体ウエハの前記第２の面上にシリサイド層を堆積させるステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の面の誘電体層から前記第１のディープトレンチアイソレーション領域を通って前記バルク半導体ウエハの前記第２の面に延びるトレンチ相互接続を製作するステップと、
前記バルク半導体ウエハの前記第２の面上、および前記第１のディープトレンチアイソレーション領域の前記露出された側壁上に第２の面の誘電体層を堆積させるステップであって、前記第２の面の誘電体層は、前記第１の面の誘電体層から遠位にある、ステップとをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
層転写後金属被覆層を前記第２の面の誘電体層内に製作するステップであって、前記層転写後金属被覆層は前記トレンチ相互接続に結合される、ステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
第２のトランジスタを前記バルク半導体ウエハの前記第１の面上に製作するステップと、
シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）領域を、前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとの間の、前記バルク半導体ウエハの前記第１の面上に形成するステップと、
前記第２のトランジスタに近接して、前記バルク半導体ウエハの前記第１の面から前記第２の面に延びる第２のディープトレンチアイソレーション（ＤＴＩ）領域を形成するステップとをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１のディープトレンチアイソレーション領域を露出させるステップが、前記バルク半導体ウエハ内のエッチストップ層を露出させるために前記バルク半導体ウエハの前記第２の面をエッチングするステップを含む、請求項８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年3月26日(2020.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二次電池用活物質を含む被焼成物を焼成するための耐火匣鉢であって、
前記耐火匣鉢は、側壁の上部から陥没して側壁の一部が開放されたノッチ部を含み、
前記側壁の面積に対するノッチ部の面積の割合が３０〜７０％であり、
前記耐火匣鉢の側壁と下面が接する端がラウンド部からなる、耐火匣鉢。
【請求項２】
前記ラウンド部の曲率半径が２５ｍｍ以上である、請求項１に記載の耐火匣鉢。
【請求項３】
前記ノッチ部は、耐火匣鉢の上面から６０〜９０％の深さを有する、請求項１又は２に記載の耐火匣鉢。
【請求項４】
前記耐火匣鉢は、少なくとも１対の対向する側壁を含み、前記少なくとも１対の対向する側壁上に前記ノッチ部が形成される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の耐火匣鉢。
【請求項５】
前記耐火匣鉢の下面には貫通孔が形成される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の耐火匣鉢。
【請求項６】
前記耐火匣鉢は、被焼成物の流出入のために開放された上面を覆うための覆いをさらに備える、請求項１〜５のいずれか一項に記載の耐火匣鉢。
【請求項７】
前記覆いには貫通孔が形成される、請求項６に記載の耐火匣鉢。
【請求項８】
前記耐火匣鉢は、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３２ＳｉＯ２）、コージライト（（Ｍｇ、Ｆｅ＋３）２Ａｌ４Ｓｉ５Ｏ１８）、スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４）、及びジルコン（ＺｒＳｉＯ４）から選択された１種以上からなる、請求項１〜７のいずれか一項に記載の耐火匣鉢。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項による耐火匣鉢に原料物質を積載し、焼成炉に投入して焼成する段階と、
前記焼成後、耐火匣鉢の原料物質を回収し、冷却及び粉砕して二次電池用活物質を製造する段階と、を含む、二次電池用活物質の製造方法。
【請求項１０】
前記原料物質は、粉末を成形して、耐火匣鉢に積載される原料のサイズを増大させたものである、請求項９に記載の二次電池用活物質の製造方法。
【請求項１１】
前記焼成は、酸素雰囲気又は不活性ガス雰囲気下で行われる、請求項９又は１０に記載の二次電池用活物質の製造方法。
【請求項１２】
前記焼成炉内に２つ以上の耐火匣鉢が配置される、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の二次電池用活物質の製造方法。
【請求項１３】
前記焼成炉内に２つ以上の耐火匣鉢を２層以上に積み上げて焼成される、請求項９〜１２のいずれか一項に記載の二次電池用活物質の製造方法。