(57)【要約】【課題】本発明は、構造を簡素化した有機発光表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の実施形態による有機発光表示装置は、基板本体と、前記基板本体上に形成されてチャンネル領域とソース領域とドレイン領域に区分される半導体層と、前記半導体層を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を間において前記半導体層のチャンネル領域上に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成されて前記半導体層のソース領域及びドレイン領域に各々接続されるソース電極及びドレイン電極と、前記ドレイン電極から伸びて前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同一層に形成される画素電極と、を含み、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は透明な導電性物質で構成される第１導電膜と前記第１導電膜上に形成されて金属物質で構成される第２導電膜を含み、前記画素電極は前記第１導電膜だけで形成される。【選択図】図２
2010183051.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板本体と、
前記基板本体上に形成されてチャンネル領域とソース領域及びドレイン領域に区分される半導体層と、
前記半導体層を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜を間において前記半導体層のチャンネル領域上に形成されるゲート電極と、
前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成されて前記半導体層のソース領域及びドレイン領域に各々接続されるソース電極及びドレイン電極と、それに
前記ドレイン電極から伸びて前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同一層に形成される画素電極と、を含み、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は透明な導電性物質で作られた第１導電膜と前記第１導電膜上に形成されて金属物質で作られた第２導電膜を含み、前記画素電極は前記第１導電膜だけで形成されることを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第１導電膜はインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）またはインジウム酸化物Ｉｎ２Ｏ３のうち一つ以上の物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第１導電膜は結晶化されることを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記ゲート絶縁膜と前記層間絶縁膜は前記半導体層のソース領域及びドレイン領域を各々露出する接続孔を有し、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極は各々前記接続孔を通して前記半導体層のソース領域及びドレイン領域と接続されることを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記画素電極を露出する開口部を有して前記ソース電極及び前記ドレイン電極を覆う画素定義膜をさらに含むことを特徴とする請求項１乃至４のうち何れか一つに記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
前記画素定義膜の開口部内において前記画素電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層及び前記画素定義膜上に形成された共通電極をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記有機発光層は前記画素電極方向に光を放出することを特徴とする請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記共通電極は、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ／Ｃａ）、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または金（Ａｕ）のうち一つ以上の物質を含む反射膜で形成されたことを特徴とする請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
基板本体上に非晶質シリコン層を形成する段階と、
前記非晶質シリコン層を覆うゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜を間において前記非晶質シリコン層上にゲート電極を形成する段階と、
前記非晶質シリコン層を結晶化した後に選択的にドーピングしてチャンネル領域、ソース領域、及びドレイン領域に区分される半導体層を形成する段階と、
前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜に前記半導体層のソース領域及びドレイン領域を各々露出する接続孔を形成する段階と、
前記接続孔を介して前記半導体層のソース領域及びドレイン領域と接触するように前記層間絶縁膜上に第１導電膜を形成する段階と、
前記第１導電膜上に第２導電膜を形成する段階と、それに
前記第１導電膜及び前記第２導電膜を写真エッチング工程を通してパターニングして、前記第１導電膜及び前記第２導電膜を含む二重膜に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記第１導電膜のみを含む単一膜に形成された画素電極を形成する段階とを、含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記写真エッチング工程はハーフトーン露光工程を通して形成された感光膜パターンを利用することを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１１】
前記感光膜パターンは前記ソース電極と前記ドレイン電極が作られる位置上に形成された第１部分と、前記第１部分より薄い厚さを有して前記画素電極が作られる位置上に形成された第２部分と、前記第２導電膜を露出する第３部分を含むことを特徴とする請求項１０に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記写真エッチング工程は、
前記第２導電膜上に前記感光膜パターンを形成する段階と、
前記感光膜パターンを利用して前記第３部分と対応される前記第２導電膜及び前記第１導電膜を順次にエッチングして除去する段階と、
前記第２部分の感光膜パターンを除去する段階と、それに
前記第２部分が除去された感光膜パターンを利用して前記第２部分と対応される前記第２導電膜だけエッチングして除去する段階と、を含むことを特徴とする請求項１１に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１導電膜はインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）またはインジウム酸化物Ｉｎ２Ｏ３のうち一つ以上の物質を含むことを特徴とする請求項９に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１導電膜を結晶化する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記画素電極を露出する開口部を有して前記ソース電極及び前記ドレイン電極を覆う画素定義膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項９乃至１４のうち何れか一つに記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記画素定義膜の開口部内において前記画素電極上に有機発光層を形成する段階と、前記有機発光層及び前記画素定義膜上に共通電極を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記有機発光層は前記画素電極方向に光を放出することを特徴とする請求項１６に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記共通電極はリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ／Ｃａ）、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または金（Ａｕ）のうち一つ以上の物質を含む反射膜で形成されることを特徴とする請求項１６に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機発光表示装置及びその製造方法に関し、より詳しくは構造を簡素化して製造工程を短縮させた有機発光表示装置及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機発光表示装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ  ｄｉｓｐｌａｙ）は自発光特性を有し、液晶表示装置とは異なって別途の光源を要しないため厚さと重量を減らすことができる。また、有機発光表示装置は低い消費電力、高い輝度及び高い反応速度などの高品位特性を発揮するため、携帯用電子機器の次世代表示装置として注目されている。
【０００３】
有機発光表示装置は光を放出する有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）と、有機発光素子を駆動する薄膜トランジスターなどを備える。有機発光素子は正孔注入電極、有機発光層、及び電子注入電極を有し、薄膜トランジスターは半導体層、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を有する。
【０００４】
このように有機発光表示装置を製造するためには、各電極、配線、及びその他多数の層を形成するためマスクを用いる多くの順番からなる薄膜工程を経なければならない。従って、有機発光表示装置の構造が複雑になるほど経なければならない薄膜工程数が増加し不良の発生率が増加して生産性が低下し製造費用が増加する問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は前述した背景技術の問題を解決するためのものであって、本発明の第１の目的は、構造を簡素化した有機発光表示装置を提供することである。
【０００６】
本発明の第２の目的は、製造工程を短縮させた有機発光表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施形態による有機発光表示装置は、基板本体と、前記基板本体上に形成されてチャンネル領域とソース領域とドレイン領域に区分される半導体層と、前記半導体層を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜を間において前記半導体層のチャンネル領域上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成されて前記半導体層のソース領域及びドレイン領域と各々接続されたソース電極及びドレイン電極と、それに前記ドレイン電極から伸びて前記ソース電極及び前記ドレイン電極と同一層に形成された画素電極と、を含み、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は透明な導電性物質で作られた第１導電膜と、前記第１導電膜上に形成されて金属物質で作られた第２導電膜を含み、前記画素電極は前記第１導電膜のみで形成される。
【０００８】
前記第１導電膜は、インジウム錫酸化物（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）またはインジウム酸化物Ｉｎ２Ｏ３（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｏｘｉｄｅ）のうち一つ以上の物質を含むことができる。
【０００９】
前記第１導電膜は結晶化できる。
【００１０】
前記ゲート絶縁膜と前記層間絶縁膜は前記半導体層のソース領域及びドレイン領域を各々露出する接続孔を有し、前記ソース電極及び前記ドレイン電極は各々前記接続孔を通して前記半導体層のソース領域及びドレイン領域と接続できる。
【００１１】
前記の有機発光表示装置の製造方法において、前記画素電極を露出する開口部を有して前記ソース電極及び前記ドレイン電極を覆う画素定義膜をさらに含むことができる。
【００１２】
前記画素定義膜の開口部内において前記画素電極上に形成された有機発光層と、前記有機発光層及び前記画素定義膜上に形成された共通電極をさらに含むことができる。
【００１３】
前記有機発光層は前記画素電極方向に光を放出できる。
【００１４】
前記共通電極は、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ／Ｃａ）、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または金（Ａｕ）のうち一つ以上の物質を含む反射膜で作成できる。
【００１５】
また、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の製造方法は、基板本体上に非晶質シリコン層を形成する段階と、前記非晶質シリコン層を覆うゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜を間において前記非晶質シリコン層上にゲート電極を形成する段階と、前記非晶質シリコン層を結晶化した後に選択的にドーピングしてチャンネル領域とソース領域及びドレイン領域に区分される半導体層を形成する段階と、前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜を形成する段階と、前記層間絶縁膜及び前記ゲート絶縁膜に前記半導体層のソース領域及びドレイン領域を各々露出する接続孔を形成する段階と、前記接続孔を通して前記半導体層のソース領域及びドレイン領域と接触するように前記層間絶縁膜上に第１導電膜を形成する段階と、前記第１導電膜上に第２導電膜を形成する段階と、それに前記第１導電膜及び前記第２導電膜を写真エッチング工程を通してパターニングして前記第１導電膜及び前記第２導電膜を含む二重膜に形成されたソース電極及びドレイン電極と、前記第１導電膜のみを含む単一膜に形成された画素電極を形成する段階と、を含む。
【００１６】
前記写真エッチング工程はハーフトーン露光工程を通して形成された感光膜パターンを利用できる。
【００１７】
前記感光膜パターンは、前記ソース電極と前記ドレイン電極が備えられる位置上に形成された第１部分と、前記第１部分より薄い厚さを有して前記画素電極が備えられる位置上に形成された第２部分と、前記第２導電膜を露出する第３部分と、を含むことができる。
【００１８】
前記写真エッチング工程は、前記第２導電膜上に前記感光膜パターンを形成する段階と、前記感光膜パターンを利用して前記第３部分に対応する前記第２導電膜及び前記第１導電膜を順次にエッチングして除去する段階と、前記第２部分の感光膜パターンを除去する段階と、それに前記第２部分が除去された感光膜パターンを利用して前記第２部分に対応する前記第２導電膜だけをエッチングして除去する段階と、を含むことができる。
【００１９】
前記第１導電膜は、インジウム錫酸化物（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）またはＩｎ２Ｏ３（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｏｘｉｄｅ）のうち一つ以上の物質を含むことができる。
【００２０】
前記第１導電膜を結晶化させる段階をさらに含むことができる。
【００２１】
前記有機発光表示装置の製造方法において、前記画素電極を露出する開口部を有して前記ソース電極及び前記ドレイン電極を覆う画素定義膜を形成する段階をさらに含むことができる。
【００２２】
前記画素定義膜の開口部内において前記画素電極上に有機発光層を形成する段階と、前記有機発光層及び前記画素定義膜上に共通電極を形成する段階をさらに含むことができる。前記有機発光層は前記画素電極方向に光を放出することができる。
【００２３】
前記共通電極は、リチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ／Ｃａ）、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または金（Ａｕ）のうち一つ以上の物質を含む反射膜で形成できる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明により、構造を簡素化した有機発光表示装置及びその製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の第１実施形態による有機発光表示装置の配置図である。
【図２】図１のＩＩ-ＩＩ線に沿った断面図である。
【図３】図２の有機発光表示装置の製造工程を順次に示した断面図である。
【図４】図２の有機発光表示装置の製造工程を順次に示した断面図である。
【図５】図２の有機発光表示装置の製造工程を順次に示した断面図である。
【図６】図２の有機発光表示装置の製造工程を順次に示した断面図である。
【図７】図２の有機発光表示装置の製造工程を順次に示した断面図である。
【図８】図２の有機発光表示装置の製造工程を順次に示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、添付図を参照して、本発明の実施形態について本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。本発明は多様に相違する形態に具現でき、ここで説明する実施形態に限られることはない。
【００２７】
本発明を明確に説明するため説明上不要な部分は省略し、明細書全体にわたって同一または類似する構成要素については同じ参照符号を統一して付ける。
【００２８】
また、図面に表示された各構成の大きさ及び厚さは説明のために任意に示したため、本発明が必ずしも図示されたことに限定されるものではない。
【００２９】
図面から多くの層及び領域を明確に表示するために厚さを拡大して示した。そして図面では、説明の便宜上、一部の層および領域の厚さを過剰に示している。層、膜、領域、板などの部分がある部分の「上に」または「上部に」あるという時、これはある部分の「直ぐ上に」ある場合だけでなく、その中間にまた他の部分がある場合も含む。一方、ある部分が他の部分の「直ぐ上に」あるという時には中間に他の部分がないことを意味する。
【００３０】
また、添付図からは、一つの画素に二つの薄膜トランジスター（ＴＦＴ）と一つの蓄電素子（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）を備えた２Ｔｒ-１Ｃａｐ構造の能動駆動（ａｃｔｉｖｅ  ｍａｔｒｉｘ、ＡＭ）型有機発光表示装置を示しているが、本発明がこれに限定されるのではない。従って、有機発光表示装置は一つの画素に三つ以上の薄膜トランジスターと二つ以上の蓄電素子を備えることができ、別途の配線がさらに形成されて多様な構造を有するように形成しても良い。ここで、画素は画像を表示する最小単位であり、有機発光表示装置は複数の画素を介して画像を表示する。
【００３１】
以下、図１及び図２を参照して本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１００を説明する。
【００３２】
図１及び図２に示したように、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１００は一つの画素にスイッチング薄膜トランジスター１０、駆動薄膜トランジスター２０、蓄電素子８０、及び有機発光素子（ＯＬＥＤ）７０を含む。また、有機発光表示装置１００は一方向に沿って配置されるゲートライン１５１と、ゲートライン１５１と絶縁交差されるデータライン１７１及び共通電源ライン１７２をさらに含む。
【００３３】
ここで、一般に一つの画素はゲートライン１５１、データライン１７１及び共通電源ライン１７２を境界として定義できる。しかし、画素が前述した定義に限定されるものではない。
【００３４】
有機発光素子７０は画素電極７１０と、画素電極７１０上に形成された有機発光層７２０と、有機発光層７２０上に形成された共通電極７３０を含む。ここで、画素電極７１０は正孔注入電極である正（＋）極となり、共通電極７３０は電子注入電極の負（−）極となる。しかし、本発明による第１実施形態が必ずしもこれに限定されるものではなく、有機発光表示装置１００の駆動方法により画素電極７１０が負極となり、共通電極７３０が正極となりうる。
【００３５】
画素電極７１０及び共通電極７３０から各々正孔と電子が有機発光層７２０内部に注入される。注入された正孔と電子が結合された励起子（ｅｘｉｔｏｎ）が励起状態から基底状態に落ちる時に発光される。ここで、画素電極７１０は各画素に一つ以上ずつ形成されるため、有機発光表示装置１００は互いに離隔された複数の画素電極７１０を有する。
【００３６】
蓄電素子８０はゲート絶縁膜１４０を間において配置された第１蓄電板１５８と第２蓄電板１７８を含む。
【００３７】
スイッチング薄膜トランジスター１０はスイッチング半導体層１３１、スイッチングゲート電極１５２、スイッチングソース電極１７３及びスイッチングドレイン電極１７４を含み、駆動薄膜トランジスター２０は駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７を含む。
【００３８】
スイッチング薄膜トランジスター１０は発光させようとする画素を選択するスイッチング素子として用いられる。スイッチングゲート電極１５２はゲートライン１５１と接続される。スイッチングソース電極１７３はデータライン１７１と接続される。スイッチングドレイン電極１７４はスイッチングソース電極１７３から離隔配置され、第１蓄電板１５８と接続される。
【００３９】
駆動薄膜トランジスター２０は選択された画素内の有機発光素子７０の有機発光層７２０を発光させるための駆動電源を画素電極７１０に印加する。駆動ゲート電極１５５は第１蓄電板１５８と接続される。駆動ソース電極１７６及び第２蓄電板１７８は各々共通電源ライン１７２と接続される。駆動ドレイン電極１７７は有機発光素子７０の画素電極７１０と接続される。この時、画素電極７１０は駆動ドレイン電極１７７から伸びて駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７と同一層に形成される。
【００４０】
このような構造により、スイッチング薄膜トランジスター１０はゲートライン１５１に印加されるゲート電圧によって作動されて、データライン１７１に印加されるデータ電圧を駆動薄膜トランジスター２０に伝達する役割を実行する。共通電源ライン１７２から駆動薄膜トランジスター２０に印加される共通電圧とスイッチング薄膜トランジスター１０から伝送されたデータ電圧の差に相当する電圧が蓄電素子８０に保存されて、蓄電素子８０に保存された電圧に対応する電流が駆動薄膜トランジスター２０を通して有機発光素子７０に流れて有機発光素子７０が発光する。
【００４１】
また、一つのマスク９０１（図３参照）を利用した一回の薄膜工程を通して、駆動ソース電極１７６、駆動ドレイン電極１７７、及び画素電極７１０は同一層に形成される。  この時、駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７は各々第１導電膜（１７６ａ、１７７ａ）及び第２導電膜（１７６ｂ、１７７ｂ）を含む二重膜に形成され、画素電極７１０は第１導電膜（７１０ａ）のみを含む単一膜に形成される。
【００４２】
また、薄膜工程は写真エッチング工程を含む。ここで、第１導電膜（１７６ａ、１７７ａ、７１０ａ）は透明な導電性物質で作られ、第２導電膜（１７６ｂ、１７７ｂ）は電気伝導度が高い金属性物質で作られる。従って、有機発光表示装置１００は簡素な構造でありながら製造工程を短縮できる。
【００４３】
以下、図２を参照して本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１００の構造について具体的に説明する。図２は駆動薄膜トランジスター２０及び有機発光素子７０を中心に有機発光表示装置１００を示している。
【００４４】
以下、駆動薄膜トランジスター２０を有して薄膜トランジスターの構造について詳しく説明する。また、スイッチング薄膜トランジスター１０（図１参照）は駆動薄膜トランジスターとの差異点だけ簡略に説明する。
【００４５】
基板本体１１１はガラス、石英、セラミック、プラスチックなどで構成された絶縁性基板で形成される。しかし、本発明がこれに限定されるものではない。従って、基板本体１１１がステンレス鋼などで構成された金属性基板で形成されることもありうる。
【００４６】
基板本体１１１上にバッファー層１２０が形成される。バッファー層１２０は不純元素の浸透を防止しながら表面を平坦化する役割を行い、このような役割を遂行できる多様な物質で形成できる。例えば、バッファー層１２０は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）膜、酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜、酸窒化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）膜のうちいずれか一つが用いられる。しかし、バッファー層１２０は必ずしも必要なものではなく、基板部材１１１の種類及び工程条件により省略できる。
【００４７】
バッファー層１２０上には駆動半導体層１３２が形成される。駆動半導体層１３２は多結晶シリコン膜で形成される。また、駆動半導体層１３２は不純物がドーピングされないチャンネル領域１３５と、チャンネル領域１３５の両側にｐ+ドーピングされて形成されたソース領域１３６及びドレイン領域１３７を含む。この時、ドーピングされるイオン物質はホウ素（Ｂ）のようなＰ型不純物であり、主にＢ２Ｈ６が使用される。ここで、このような不純物は薄膜トランジスターの種類によって異なる。
【００４８】
本発明の第１実施形態において、駆動薄膜トランジスター２０としてＰ型不純物を用いたＰＭＯＳ構造の薄膜トランジスターが使用されたが、これに限定されるものではない。従って、駆動薄膜トランジスター２０としてＮＭＯＳ構造またはＣＭＯＳ構造の薄膜トランジスターも全て用いることができる。
【００４９】
また、図２に示された駆動薄膜トランジスター２０は多結晶シリコン膜を含む多結晶薄膜トランジスターであり、図２に示されていないスイッチング薄膜トランジスター１０は多結晶薄膜トランジスターでもよく、非晶質シリコン膜を含む非晶質薄膜トランジスターでもよい。
【００５０】
駆動半導体層１３２上には窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などで形成されたゲート絶縁膜１４０が形成される。ゲート絶縁膜１４０上に駆動ゲート電極１５５を有するゲート配線が形成される。ゲート配線はゲートライン１５１、第１蓄電板１５８（図１参照）及びその他に配線をさらに含む。また、駆動ゲート電極１５５は駆動半導体層１３２の少なくとも一部、特にチャンネル領域１３５と重なるように形成される。
【００５１】
ゲート絶縁膜１４０上には駆動ゲート電極１５５を覆う層間絶縁膜１６０が形成される。ゲート絶縁膜１４０と層間絶縁膜１６０は駆動半導体層１３２のソース領域１３６及びドレイン領域１３７を露出する接続孔を共に持つ。層間絶縁膜１６０は、ゲート絶縁膜１４０と同様に、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等で形成される。
【００５２】
層間絶縁膜１６０上には駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７を含むデータ配線が形成される。データ配線はデータライン１７１、共通電源ライン１７２、第２蓄電板１７８（図１参照）及びその他に配線をさらに含む。
【００５３】
駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７は各々貫通孔を介して駆動半導体層１３２のソース領域１３６及びドレイン領域１３７と接続される。このように、駆動半導体層１３２、駆動ゲート電極１５５、駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７を有する駆動薄膜トランジスター２０が形成される。駆動薄膜トランジスター２０の構成は前述した例に限定されず、当該技術分野の専門家が容易に実施できる公知の構成に多様に変形できる。
【００５４】
駆動ソース電極１７６、駆動ドレイン電極１７７、データライン１７１、及び共通電源ライン１７２等は各々透明な導電性物質で構成された第１導電膜（１７６ａ、１７７ａ、１７１ａ、１７２ａ）と第１導電膜（１７６ａ、１７７ａ、１７１ａ、１７２ａ）上に形成されて金属物質で構成された第２導電膜（１７６ｂ、１７７ｂ、１７１ｂ、１７２ｂ）を含む二重膜に形成される。
【００５５】
さらに本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１００において、データ配線は画素電極７１０を更に含む。つまり、画素電極７１０は駆動ドレイン電極１７７から伸びて駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７等と同一層に形成される。しかし、画素電極７１０は駆動ソース電極１７６及び駆動ドレイン電極１７７等とは異なって第１導電膜（７１０ａ）のみを含む単一膜に形成される。
【００５６】
一方、本発明の第１実施形態において、第２蓄電板１７８（図１参照）がデータ配線に含まれているが、本発明がこれに限定されるのではない。従って、第２蓄電板１７８はデータ配線と異なる層に形成できる。例えば、第２蓄電板１７８が駆動半導体層１３２と同一層に作られた多結晶シリコン層に形成されることもありうる。つまり、蓄電素子８０は駆動ゲート電極１５５と同一層に形成された第１蓄電板１５８と、駆動半導体層１３２と同一層に形成された第２蓄電板１７８で構成できる。
【００５７】
層間絶縁膜１６０上には画素電極７１０を除いたデータ配線（１７１、１７２、１７６、１７７）を覆う画素定義膜１９０が形成される。つまり、画素定義膜１９０は画素電極７１０を露出する開口部１９９を有して画素電極７１０を除いたデータ配線（１７１、１７２、１７６、１７７）を覆う。画素定義膜１９０はポリアクリル系（ｐｏｌｙａｃｒｙｌａｔｅｓ  ｒｅｓｉｎ）及びポリイミド系（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅｓ）等の樹脂で作られる。
【００５８】
画素定義膜１９０の開口部１９９内において画素電極７１０の上には有機発光層７２０が形成され、画素定義膜１９０及び有機発光層７２０上には共通電極７３０が形成される。このように、画素電極７１０、有機発光層７２０、及び共通電極７３０を有する有機発光素子７０が形成される。
【００５９】
有機発光層７２０は低分子有機物または高分子有機物で構成される。また、有機発光層７２０は発光層と、正孔注入層（ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ、ＨＩＬ）、正孔輸送層（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＨＴＬ）、発光層、電子輸送層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｏｎｇ  ｌａｙｅｒ、ＥＴＬ）、及び電子注入層（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ、ＥＩＬ）のうち一つ以上を有する多重膜で形成される。これを全部有する場合は、正孔注入層は正極の画素電極７１０上に配置され、その上に正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層が順次に積層される。
【００６０】
また、図２において有機発光層７２０が画素定義膜１９０の開口部１９９内にだけ配置されたが、本発明の第１実施形態がこれに限定されるのではない。従って、有機発光層７２０は画素定義膜１９０の開口部１９９内の画素電極７１０上に形成されるだけでなく、画素定義膜１９０と共通電極７３０との間にも配置できる。
【００６１】
具体的には、有機発光層７２０が発光層と共に含む正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、及び電子注入層（ＥＩＬ）等のような多数の膜のうち発光層を除いた残りの正孔注入層（ＨＩＬ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）、電子輸送層（ＥＴＬ）、及び電子注入層（ＥＩＬ）は製造過程においてオープンマスク（ｏｐｅｎ  ｍａｓｋ）を用いて、共通電極７３０と同様に画素電極７１０の上にだけでなく画素定義膜１９０の上にも形成できる。一方、発光層はファインメタルマスク（ｆｉｎｅ  ｍｅｔａｌ  ｍａｓｋ、ＦＭＭ）工程を通して各々の開口部１９９に形成される。つまり、有機発光層７２０に属する多数の膜の中一つ以上の膜が画素定義膜１９０と共通電極７３０との間に配置される。
【００６２】
画素電極７１０だけでなくソース電極１７６、ドレイン電極１７７、データライン１７１、及び共通電源ライン１７２に使用される第１導電膜（７１０ａ、１７６ａ、１７７ａ、１７１ａ、１７２ａ）はインジウム錫酸化物（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）またはＩｎ２Ｏ３（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｏｘｉｄｅ）の中一つ以上の物質を含む透明な導電性物質で作られる。この時、第１導電膜（７１０ａ、１７６ａ、１７７ａ、１７１ａ、１７２ａ）は電気伝導度の向上のために結晶化される。
【００６３】
共通電極７３０はリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム／カルシウム（ＬｉＦ／Ｃａ）、フッ化リチウム／アルミニウム（ＬｉＦ／Ａｌ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム（Ｍｇ）、または金（Ａｕ）の中一つ以上の物質を含む金属性反射膜で形成される。従って、有機発光層７２０は画素電極７１０方向に光を放出して画像を表示するようになる。つまり、有機発光表示装置１００は背面発光型に形成される。
【００６４】
このような構成によって、有機発光表示装置１００は簡素な構造を有することができる。特に、背面発光型で形成される有機発光表示装置１００において、画素電極７１０と駆動ドレイン電極１７７を同時に形成できる。
【００６５】
以下、図３乃至図８を参照して、本発明の第１実施形態による有機発光表示装置１００の製造方法について説明する。
【００６６】
図３に示したように、基板本体１１１上にバッファー層１２０を形成し、バッファー層１２０上に非晶質シリコン層（図示せず）を塗布した後にパターニングする。また、非晶質シリコン層（図示せず）を覆うゲート絶縁膜１４０を形成した後、ゲート絶縁膜１４０を間において非晶質シリコン層（図示せず）上にゲート電極１５５を形成する。
【００６７】
次ぎに、非晶質シリコン層（図示せず）を結晶化した後に選択的にドーピングして、ゲート電極１５５の下に位置したチャンネル領域１３５とチャンネル領域１３５両側に各々位置したソース領域１３６及びドレイン領域１３７に区分される半導体層１３２を形成する。
【００６８】
次に、ゲート電極１５５を覆う層間絶縁膜１６０を形成した後、層間絶縁膜１６０及びゲート絶縁膜１４０に半導体層１３２のソース領域１３６及びドレイン領域１３７を露出する接続孔を形成する。また、接続孔を通して半導体層１３２のソース領域１３６及びドレイン領域１３７と接触されるように層間絶縁膜１６０上に第１導電膜７０１を形成し、第１導電膜７０１上に第２導電膜７０２を順次に形成する。
【００６９】
第２導電膜７０２上に感光物質層８０１を形成した後、マスク９０１を利用してハーフトーン（ｈａｌｆ  ｔｏｎｅ）露光を進行する。この時、マスク９０１は遮光区間（ＭＢ）、透光区間（ＭＴ）、及び半透光区間（ＭＳ）を有する。図３において半透光区間（ＭＳ）はスリットパターンで形成されたが、本発明の第１実施形態がこれに限定されることはない。
【００７０】
図４に示したように、ハーフトーン露光された感光物質層８０１を現像して感光膜パターン８１０を形成する。感光膜パターン８１０は相対的に最も厚い厚さを有する第１部分（ＰＡ）、第１部分（ＰＡ）より薄い厚さを有する第２部分（ＰＢ）、及び厚さを殆ど持たない第３部分（ＰＣ）を含む。ここで、第３部分（ＰＣ）が実質的に厚さを持たないということは感光物質層８０１を全部除去しようとしたが、以降の工程に影響を与えない範囲内で微細でも感光物質層８０１が残っていることを考慮したものである。
【００７１】
感光膜パターン８１０の第１部分（ＰＡ）はマスク９０１の遮光区間（ＭＢ）と対応し、感光膜パターン８１０の第２部分（ＰＢ）はマスク９０１の半透光区間（ＭＳ）と対応し、感光膜パターン８１０の第３部分（ＰＣ）はマスク９０１の透光区間（ＭＴ）と対応する。
【００７２】
つまり、光に露出された感光物質層８０１は現像工程を経ながら除去され、光に露出されない感光物質層８０１は現像工程を経ても残る。しかし、本発明の第１実施形態がこれに限定されるのではない。従って、感光物質層８０１の種類によって、光に露出されない感光物質層８０１が現像工程を経ながら除去されたり光に露出された感光物質層８０１が現像工程を経ても残ることがある。
【００７３】
図５に示したように、感光膜パターン８１０を利用して第３部分（ＰＣ）と対応する第２導電膜７０２及び第１導電膜７０１を順次にエッチングして除去する。
【００７４】
図６に示したように、第２部分（ＰＢ）の感光膜パターン８１０を除去する。この時、第１部分（ＰＡ）の感光膜パターン８１０も一定部分が同時に除去されるため、第１部分（ＰＡ）の感光膜パターン８１０の厚さが減少される。
【００７５】
図７に示したように、第２部分（ＰＢ）が除去された感光膜パターン８１０を利用して第２部分（ＰＢ）と対応する第２導電膜７０２だけをエッチングして除去する。これに、第１導電膜７０１及び第２導電膜７０２は各々パターニングされて駆動ソース電極１７６、駆動ドレイン電極１７７、データライン１７１、共通電源ライン１７２、及び画素電極７１０を形成するようになる。
【００７６】
このように、一つのマスク９０１を利用した１工程の薄膜工程によって、各々パターニングされた第１導電膜（１７６ａ、１７７ａ、１７１ａ、１７２ａ）及び第２導電膜（１７６ｂ、１７７ｂ、１７１ｂ、１７２ｂ）を含む二重膜に形成された駆動ソース電極１７６、駆動ドレイン電極１７７、データライン１７１、及び共通電源ライン１７２と、第１導電膜（７１０ａ）だけを含む単一膜に形成された画素電極７１０を同時に形成できる。
【００７７】
結果的に、感光膜パターン８１０の第１部分（ＰＡ）は駆動ソース電極１７６、駆動ドレイン電極１７７、データライン１７１、及び共通電源ライン１７２が形成される位置と同一であり、感光膜パターン８１０の第２部分（ＰＢ）は画素電極７１０が形成される位置と同一である。
【００７８】
次に、残っている第１部分（ＰＡ）の感光膜パターン８１０を除去した後、図８に示したように、画素電極７１０を露出する開口部１９９を有する画素定義膜１９０を形成する。
【００７９】
次に、第１導電膜（１７６ａ、１７７ａ、１７１ａ、１７２ａ、７１０ａ）を結晶化する。この時、第１導電膜（１７６ａ、１７７ａ、１７１ａ、１７２ａ、７１０ａ）は公知された多様な方法で結晶化できる。また、第１導電膜（１７６ａ、１７７ａ、１７１ａ、１７２ａ、７１０ａ）を結晶化する段階は、最初に第１導電膜（１７６ａ、１７７ａ、１７１ａ、１７２ａ、７１０ａ）を形成した後から有機発光表示装置１００が完成される前まで便宜のため自由に進められる。つまり、第１導電膜（１７６ａ、１７７ａ、１７１ａ、１７２ａ、７１０ａ）を結晶化する時期は特に限られていない。
【００８０】
次に、有機発光層７２０及び共通電極７３０を順次に形成して、図２に示された有機発光表示装置１００を形成する。
【００８１】
このような製造方法によって、製造工程を短縮して有機発光表示装置１００を形成することができる。特に、背面発光型で作られる有機発光表示装置１００において、画素電極７１０と駆動ドレイン電極１７７を同時に形成できる。
【００８２】
以上、本発明を前記のように望ましい実施形態を通して説明したが、本発明はこれに限定されず、以下記載の特許請求の範囲の概念と範囲を逸脱しない限り、多様な修正及び変形ができることを本発明が属する技術分野に務める者であれば簡単に理解できる。
【符号の説明】
【００８３】
１００    有機発光表示装置
１０    スイッチング薄膜トランジスター
２０    駆動薄膜トランジスター
７０    有機発光素子
８０    蓄電素子
１１１    基板部材
１２０    バッファー層
１３１    スイッチング半導体層
１３２    駆動半導体層
１３５    チャンネル領域
１３６    ソース領域
１３７    ドレイン領域
１４０    ゲート絶縁膜
１５１    ゲートライン
１５２    スイッチングゲート電極
１５５    駆動ゲート電極
１５８、１７８    蓄電板
１６０    層間絶縁膜
１７１    データライン
１７２    共通電源ライン
１７３    スイッチングソース電極
１７４    スイッチングドレイン電極
１７６    駆動ソース電極
１７７    駆動ドレイン電極
１９０    画素定義膜
１９９    開口部
７１０    画素電極
７２０    有機発光層
７３０    共通電極
９０１    マスク
ＨＩＬ    正孔注入層
ＨＴＬ    正孔輸送層
ＥＴＬ    電子輸送層
ＥＩＬ    電子注入層
【図１】
2010183051.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2010183051.tif 000008
【図７】
2010183051.tif 000009
【図８】
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