【手続補正書】
【提出日】平成17年10月3日(2005.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】露光方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  マスクに形成されたパターンの像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、
前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向と直交するＸ方向の前記パターン像の変形量の平均であるＸシフト成分を抽出し、
前記パターン像のＹ方向での位置によらない一定量のＸシフト成分が抽出された場合に、
前記マスクと前記基板との相対位置を、抽出された前記Ｘシフト成分に応じて前記Ｘ方向に相対的にずらしてから、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写することを特徴とする露光方法。
【請求項２】  マスクに形成されたパターンの像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、
前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向の前記パターン像の変形量の平均であるＹシフト成分を抽出し、
前記パターン像の前記Ｙ方向での位置によらない一定量のＹシフト成分が抽出された場合に、
前記マスクと前記基板との相対位置を、抽出された前記Ｙシフト成分に応じて前記Ｙ方向に相対的にずらしてから、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写することを特徴とする露光方法。
【請求項３】  マスクに形成されたパターンの投影光学系を介した像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、
前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向と直交するＸ方向の前記パターン像の変形量に対応するＸ倍率成分を抽出し、
像高に比例したＸ倍率成分が抽出された場合に、
抽出された前記Ｘ倍率成分に応じて前記投影光学系を光軸方向に移動して前記投影光学系の投影倍率を調整してから、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写することを特徴とする露光方法。
【請求項４】  マスクに形成されたパターンの像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、
前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向の前記パターン像の変形量の平均であるＹシフト成分を抽出し、
前記パターン像の前記Ｙ方向での位置に比例する前記Ｙシフト成分が抽出された場合に、
抽出された前記Ｙシフト成分に応じて前記パターン像と前記基板との相対走査の速度をずらして、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写することを特徴とする露光方法。
【請求項５】  マスクに形成されたパターンの像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、
前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向と直交するＸ方向の前記パターン像の変形量の平均であるＸシフト成分を抽出し、
前記パターン像の前記Ｙ方向での位置に応じて変化する前記Ｘシフト成分が抽出された場合に、
抽出された前記Ｘシフト成分に応じて前記パターン像および前記基板それぞれの走査方向を相対的に傾けて、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写することを特徴とする露光方法。
【請求項６】  マスクに形成されたパターンの像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、
前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向の前記パターン像の変形量の平均であるＹシフト成分を抽出し、
前記パターン像の前記Ｙ方向と直交するＸ方向での位置に応じて変化する前記Ｙシフト成分が抽出された場合に、
抽出された前記Ｙシフト成分に応じて、前記パターン像と前記基板とを相対的に回転し、前記パターン像と前記基板それぞれの走査方向を相対的に傾けて、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写することを特徴とする露光方法。
【請求項７】  マスクに形成されたパターンの投影光学系を介した像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、
前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向と直交するＸ方向での前記パターン像上の各点の変形量の差であるＸ倍率傾斜成分を抽出し、
前記パターン像の前記Ｙ方向での位置によらない前記Ｘ倍率傾斜成分が抽出された場合に、
抽出された前記Ｘ倍率傾斜成分に応じて前記投影光学系を光軸に対して傾斜して、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写することを特徴とする露光方法。
【請求項８】  マスクに形成されたパターンの像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、
前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向の前記パターン像の変形量の平均であるＹシフト成分を抽出し、
前記パターン像の前記Ｙ方向での位置に応じて変化する前記Ｙシフト成分が抽出された場合に、
前記パターン像と前記基板との相対走査の速度を、抽出された前記Ｙシフト成分に基づいて前記Ｙ方向での位置に応じて変化させながら、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査して前記パターンの像を前記基板上に転写することを特徴とする露光方法。
【請求項９】  マスクに形成されたパターンの投影光学系を介した像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、
前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向と直交するＸ方向の前記パターン像の変形量に対応するＸ倍率成分を抽出し、
前記パターン像の前記Ｙ方向での位置に応じて変化するＸ倍率成分が抽出された場合に、
抽出された前記Ｘ倍率成分に基づいて前記Ｙ方向の位置に応じて前記投影光学系を光軸方向に移動しながら、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査して前記パターンの像を前記基板上に転写することを特徴とする露光方法。
【請求項１０】  マスクに形成されたパターンの像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、
前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向の前記パターン像の変形量と像高との関係を直線近似した成分に相当する回転成分を抽出し、
前記パターン像の前記Ｙ方向での位置に応じて変化する回転成分が抽出された場合に、
前記パターンが形成された前記マスクと前記基板との相対平行度を抽出された前記回転成分に応じて変更して、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査して前記パターンの像を前記基板上に転写することを特徴とする露光方法。
【請求項１１】  マスクに形成されたパターンの像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、
前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向と直交するＸ方向の前記パターン像の変形量の平均であるＸシフト成分を抽出し、
前記パターン像の前記Ｙ方向での位置に応じて変化する前記Ｘシフト成分が抽出された場合に、
前記マスクと前記基板との相対位置を、抽出された前記Ｘシフト成分に基づいて前記Ｙ方向での位置に応じて前記Ｘ方向に相対的にずらしながら、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写することを特徴とする露光方法。
【請求項１２】  マスクに形成されたパターンの投影光学系を介した像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、
前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向と直交するＸ方向の前記パターン像の変形量に対応するＸ倍率成分を抽出し、
像高に比例しないＸ倍率成分が抽出された場合に、
抽出された前記Ｘ倍率成分に応じて前記投影光学系を光軸方向に移動して前記投影光学系の投影倍率を調整してから、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写することを特徴とする露光方法。
【請求項１３】  マスクに形成されたパターンの像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、
前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向の前記パターン像の変形量の平均であるＹシフト成分を抽出し、
前記パターン像の前記Ｙ方向での位置に比例しない前記Ｙシフト成分が抽出された場合に、
抽出された前記Ｙシフト成分に基づいて、Ｙ方向の位置に応じて前記パターン像と前記基板との相対走査の速度をずらして、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写することを特徴とする露光方法。
【請求項１４】  マスクに形成されたパターンの投影光学系を介した像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、
前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向と直交するＸ方向の前記パターン像の変形量の平均であるＸシフト成分と走査方向であるＹ方向と直交するＸ方向での前記パターン像上の各点の変形量の差であるＸ倍率傾斜成分とを抽出し、
前記パターン像の前記Ｙ方向での位置に応じて変化する前記Ｘシフト成分とＸ倍率傾斜成分とが抽出された場合に、
抽出された前記Ｘシフト成分とＸ倍率傾斜成分とに応じて前記投影光学系を光軸に対して傾斜して、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写することを特徴とする露光方法。
【請求項１５】  マスクに形成されたパターンの像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、
前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向の前記パターン像の変形量と像高との関係を直線近似した成分に相当する回転成分を抽出し、
前記パターン像の前記Ｙ方向での位置に応じて変化する回転成分が抽出された場合に、
前記パターンが形成された前記マスクと前記基板との相対平行度を抽出された前記回転成分に応じて変更して、前記マスクのパターン像と前記基板に対して相対的に走査して前記パターンの像を前記基板上に転写することを特徴とする露光方法。
【請求項１６】  マスクに形成されたパターンの投影光学系を介した像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、
前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向と直交するＸ方向の前記パターン像の変形量に対応するＸ倍率成分を抽出し、
前記パターン像の前記Ｙ方向の位置に応じて変化するＸ倍率成分が抽出された場合に、
抽出された前記Ｘ倍率成分に基づいて前記Ｙ方向の位置に応じて前記投影光学系を光軸方向に移動しながら、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写することを特徴とする露光方法。
【請求項１７】  マスクに形成されたパターンの像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、
前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向と直交するＸ方向の前記パターン像の変形量の平均であるＸシフト成分を抽出し、
ランダムな前記Ｘシフト成分が抽出された場合に、
前記マスクと前記基板との相対位置を、抽出された前記Ｘシフト成分に基づいて前記Ｙ方向での位置に応じて前記Ｘ方向に相対的にずらしながら、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写することを特徴とする露光方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に記載された発明は、例えば図１５（ａ）に示すように、マスクに形成されたパターンの像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向と直交するＸ方向の前記パターン像の変形量の平均であるＸシフト成分を抽出し、前記パターン像のＹ方向での位置によらない一定量のＸシフト成分が抽出された場合に、前記マスクと前記基板との相対位置を、抽出された前記Ｘシフト成分に応じて前記Ｘ方向に相対的にずらしてから、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写するものである。
本発明の請求項２に記載された発明は、例えば図１５（ｂ）に示すように、マスクに形成されたパターンの像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向の前記パターン像の変形量の平均であるＹシフト成分を抽出し、前記パターン像の前記Ｙ方向での位置によらない一定量のＹシフト成分が抽出された場合に、前記マスクと前記基板との相対位置を、抽出された前記Ｙシフト成分に応じて前記Ｙ方向に相対的にずらしてから、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写するものである。
本発明の請求項３に記載された発明は、例えば図１５（ｃ）に示すように、マスクに形成されたパターンの投影光学系を介した像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向と直交するＸ方向の前記パターン像の変形量に対応するＸ倍率成分を抽出し、像高に比例したＸ倍率成分が抽出された場合に、抽出された前記Ｘ倍率成分に応じて前記投影光学系を光軸方向に移動して前記投影光学系の投影倍率を調整してから、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写するものである。
本発明の請求項４に記載された発明は、例えば図１５（ｄ）に示すように、マスクに形成されたパターンの像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向の前記パターン像の変形量の平均であるＹシフト成分を抽出し、前記パターン像の前記Ｙ方向での位置に比例する前記Ｙシフト成分が抽出された場合に、抽出された前記Ｙシフト成分に応じて前記パターン像と前記基板との相対走査の速度をずらして、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写するものである。
本発明の請求項５に記載された発明は、例えば図１５（ｅ）に示すように、マスクに形成されたパターンの像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向と直交するＸ方向の前記パターン像の変形量の平均であるＸシフト成分を抽出し、前記パターン像の前記Ｙ方向での位置に応じて変化する前記Ｘシフト成分が抽出された場合に、抽出された前記Ｘシフト成分に応じて前記パターン像および前記基板それぞれの走査方向を相対的に傾けて、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写するものである。
本発明の請求項６に記載された発明は、例えば図１５（ｆ）に示すように、マスクに形成されたパターンの像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向の前記パターン像の変形量の平均であるＹシフト成分を抽出し、前記パターン像の前記Ｙ方向と直交するＸ方向での位置に応じて変化する前記Ｙシフト成分が抽出された場合に、抽出された前記Ｙシフト成分に応じて、前記パターン像と前記基板とを相対的に回転し、前記パターン像と前記基板それぞれの走査方向を相対的に傾けて、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写するものである。
本発明の請求項７に記載された発明は、例えば図１６（ａ）に示すように、マスクに形成されたパターンの投影光学系を介した像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向と直交するＸ方向での前記パターン像上の各点の変形量の差であるＸ倍率傾斜成分を抽出し、前記パターン像の前記Ｙ方向での位置によらない前記Ｘ倍率傾斜成分が抽出された場合に、抽出された前記Ｘ倍率傾斜成分に応じて前記投影光学系を光軸に対して傾斜して、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写するものである。
本発明の請求項８に記載された発明は、例えば図１６（ｂ）に示すように、マスクに形成されたパターンの像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向の前記パターン像の変形量の平均であるＹシフト成分を抽出し、前記パターン像の前記Ｙ方向での位置に応じて変化する前記Ｙシフト成分が抽出された場合に、前記パターン像と前記基板との相対走査の速度を、抽出された前記Ｙシフト成分に基づいて前記Ｙ方向での位置に応じて変化させながら、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査して前記パターンの像を前記基板上に転写するものである。
本発明の請求項９に記載された発明は、例えば図１６（ｃ）に示すように、マスクに形成されたパターンの投影光学系を介した像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向と直交するＸ方向の前記パターン像の変形量に対応するＸ倍率成分を抽出し、前記パターン像の前記Ｙ方向での位置に応じて変化するＸ倍率成分が抽出された場合に、抽出された前記Ｘ倍率成分に基づいて前記Ｙ方向の位置に応じて前記投影光学系を光軸方向に移動しながら、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査して前記パターンの像を前記基板上に転写するものである。
本発明の請求項１０に記載された発明は、例えば図１６（ｄ）に示すように、マスクに形成されたパターンの像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向の前記パターン像の変形量と像高との関係を直線近似した成分に相当する回転成分を抽出し、前記パターン像の前記Ｙ方向での位置に応じて変化する回転成分が抽出された場合に、前記パターンが形成された前記マスクと前記基板との相対平行度を抽出された前記回転成分に応じて変更して、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査して前記パターンの像を前記基板上に転写するものである。
本発明の請求項１１に記載された発明は、例えば図１６（ｅ）に示すように、マスクに形成されたパターンの像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向と直交するＸ方向の前記パターン像の変形量の平均であるＸシフト成分を抽出し、前記パターン像の前記Ｙ方向での位置に応じて変化する前記Ｘシフト成分が抽出された場合に、前記マスクと前記基板との相対位置を、抽出された前記Ｘシフト成分に基づいて前記Ｙ方向での位置に応じて前記Ｘ方向に相対的にずらしながら、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写するものである。
本発明の請求項１２に記載された発明は、例えば図１７（ａ）に示すように、マスクに形成されたパターンの投影光学系を介した像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向と直交するＸ方向の前記パターン像の変形量に対応するＸ倍率成分を抽出し、像高に比例しないＸ倍率成分が抽出された場合に、抽出された前記Ｘ倍率成分に応じて前記投影光学系を光軸方向に移動して前記投影光学系の投影倍率を調整してから、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写するものである。
本発明の請求項１３に記載された発明は、例えば図１７（ｂ）に示すように、マスクに形成されたパターンの像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向の前記パターン像の変形量の平均であるＹシフト成分を抽出し、前記パターン像の前記Ｙ方向での位置に比例しない前記Ｙシフト成分が抽出された場合に、抽出された前記Ｙシフト成分に基づいて、Ｙ方向の位置に応じて前記パターン像と前記基板との相対走査の速度をずらして、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写するものである。
本発明の請求項１４に記載された発明は、例えば図１７（ｃ）に示すように、マスクに形成されたパターンの投影光学系を介した像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向と直交するＸ方向の前記パターン像の変形量の平均であるＸシフト成分と走査方向であるＹ方向と直交するＸ方向での前記パターン像上の各点の変形量の差であるＸ倍率傾斜成分とを抽出し、前記パターン像の前記Ｙ方向での位置に応じて変化する前記Ｘシフト成分とＸ倍率傾斜成分とが抽出された場合に、抽出された前記Ｘシフト成分とＸ倍率傾斜成分とに応じて前記投影光学系を光軸に対して傾斜して、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写するものである。
本発明の請求項１５に記載された発明は、例えば図１７（ｄ）に示すように、マスクに形成されたパターンの像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向の前記パターン像の変形量と像高との関係を直線近似した成分に相当する回転成分を抽出し、前記パターン像の前記Ｙ方向での位置に応じて変化する回転成分が抽出された場合に、前記パターンが形成された前記マスクと前記基板との相対平行度を抽出された前記回転成分に応じて変更して、前記マスクのパターン像と前記基板に対して相対的に走査して前記パターンの像を前記基板上に転写するものである。
本発明の請求項１６に記載された発明は、例えば図１７（ｅ）に示すように、マスクに形成されたパターンの投影光学系を介した像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向と直交するＸ方向の前記パターン像の変形量に対応するＸ倍率成分を抽出し、前記パターン像の前記Ｙ方向の位置に応じて変化するＸ倍率成分が抽出された場合に、抽出された前記Ｘ倍率成分に基づいて前記Ｙ方向の位置に応じて前記投影光学系を光軸方向に移動しながら、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写するものである。
本発明の請求項１７に記載された発明は、例えば図１８（ａ）に示すように、マスクに形成されたパターンの像を基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写する露光方法において、前記マスクのパターン像の変形を成分分解することにより、走査方向であるＹ方向と直交するＸ方向の前記パターン像の変形量の平均であるＸシフト成分を抽出し、ランダムな前記Ｘシフト成分が抽出された場合に、前記マスクと前記基板との相対位置を、抽出された前記Ｘシフト成分に基づいて前記Ｙ方向での位置に応じて前記Ｘ方向に相対的にずらしながら、前記マスクのパターン像を前記基板に対して相対的に走査しながら前記パターンの像を前記基板上に転写するものである。
次に、本発明の実施の形態には、以下の発明も記載されている。即ち、本発明による第１の投影露光方法は、マスク（１４）と基板（２０）とを同期して移動することにより、そのマスク（１４）のパターンの像を投影光学系（１６）を介してその基板（２０）上に転写する投影露光方法において、走査露光前、又は走査露光中に、投影光学系（１６）の少なくとも１つの光学素子（３６〜４０）の光軸方向の位置、その少なくとも１つの光学素子（３６〜４０）の光軸方向の傾斜角、マスク（１４）と基板（２０）との相対走査速度、及びマスク（１４）と基板（２０）との走査方向の平行度の内の少なくとも１つを調整して結像特性を補正するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７９】
【発明の効果】
本発明の請求項１から請求項１７に記載の露光方法によれば、それぞれ走査型露光装置において、例えばマスクの熱変形による所定の結像特性の変化量を正確に求めることができ、それに応じてその結像特性の補正を高精度に行って、マスクのパターン像を基板上に高精度に転写することができる。
また、本発明の実施形態に記載された発明のうち、本発明の第１の投影露光方法によれば、投影光学系の少なくとも１つの光学素子の光軸方向の位置、少なくとも１つの光学素子の光軸方向の傾斜角、マスクと基板との相対走査速度、及びマスクと基板との走査方向の平行度の内の少なくとも１つを調整することで、高精度に結像特性を補正できる利点がある。これによってマスクのパターン像を基板上に高精度に転写できる。