Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月19日(2004.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
楽譜をあらわす楽譜データに基づく楽譜を表示する楽譜表示装置において、
楽譜データに基づく楽譜を表示するにあたり、楽譜データ中の変化記号をあらわすデータに基づいて、５線上の表示位置に相当するハ長調のスケール音の音高とは異なる音高で演奏される第１の種類の音符を検出する検出手段と、
楽譜データに基づく楽譜を表示するにあたり、前記検出手段により検出された第１の種類の音符の表示態様と、５線上の表示位置に相当するハ長調のスケール音の音高で演奏される第２の種類の音符の表示態様とが互いに異なる楽譜を表示する楽譜表示手段を備えたことを特徴とする楽譜表示装置。
【請求項２】
前記検出手段が、前記第１の種類の音符を検出するにあたり、該第１の種類の音符が該第１の種類の５線上の表示位置と同一の位置に表示される第２の種類の音符の音高よりも低い音高で演奏される音符であるか、あるいは該第２の種類の音符の音高よりも高い音高で演奏される音符であるかを識別するものであって、
前記表示手段が、楽譜を表示するにあたり、前記第１の種類の音符と前記第２の種類の音符の表示態様とは異なる表示態様であるとともに、前記低い音高で演奏される音符と前記高い音高で演奏される音符についても相互に異なる表示態様で表示するものであることを特徴とする請求項１記載の楽譜表示装置。
【請求項３】
楽譜をあらわす楽譜データに基づく楽譜を表示する楽譜表示装置において、
楽譜データに基づく楽譜を表示するにあたり、楽譜データ中の変化記号をあらわすデータに基づいて、５線上の表示位置に相当するハ長調のスケール音の音高とは異なる音高で演奏される第１の種類の音符を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された第１の種類の音符それぞれに、該第１の種類の音符それぞれに作用する変化記号に対応した表示態様で楽譜を表示する楽譜表示手段を備えたことを特徴とする楽譜表示装置。
【請求項４】
楽譜をあらわす楽譜データに基づく楽譜を表示する楽譜表示装置において、
楽譜データ中の調号をあらわすデータに基づいて、該調号に起因して、５線上の表示位置に相当するハ長調のスケール音の音高とは異なる音高で演奏される第１のグループの音符を検出する検出手段と、
前記検出手段により検出された第１の種類の音符それぞれに、該第１の種類の音符それぞれに作用する変化記号に対応した表示態様で楽譜を表示する楽譜表示手段を備えたことを特徴とする楽譜表示装置。
【請求項５】
楽譜をあらわす楽譜データに基づく楽譜を表示する楽譜表示装置において、
楽譜データから、ハ長調のスケール音の音高とは異なる音高で演奏される第３の種類の音符を検出する検出手段と、
楽譜データに基づく楽譜を表示するにあたり、前記検出手段により検出された第３の種類の音符の表示態様と、ハ長調のスケール音の音高で演奏される第４の種類の音符の表示態様とが互いに異なる楽譜を表示する楽譜表示手段を備えたことを特徴とする楽譜表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月30日(2004.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トナー貯蔵容器を有する画像形成装置と、
圧電材料からなるトナー検知素子を有し、前記トナー貯蔵容器内に支持され、トナーレベルの状態を検出するよう設置されているトナーセンサと、
前記トナーセンサの少なくとも一部分がトナー内に浸漬されていないとき、構造的にその部分を刺激するよう設置され、刺激された部分が前記トナーレベルの状態を表す検出可能な出力信号を与えるように、前記トナー検知素子を圧迫する駆動手段と、
前記検知された出力信号を受け、前記トナーレベルの状態を検出するよう構成されている検出器と、を備えていることを特徴とするトナー検出装置。
【請求項２】
前記トナー検知素子は、前記トナー貯蔵容器内で検出されるべきトナーレベルの下の位置に固定支持されている下縁と、前記トナー貯蔵容器内で前記下縁の上方で検出されるべき前記トナーレベルの上の位置に固定支持されている上縁と、を有する細長いトナー検知素子を備えていることを特徴とする請求項１に記載のトナー検出装置。
【請求項３】
前記駆動手段は、前記トナーセンサの少なくとも一部分が前記トナーに浸漬されていないとき出力信号が閾値を超えるように、前記トナー検知素子を機械的に圧迫するよう構成されている機械力アプリケータを備えていることを特徴とする請求項１に記載のトナー検出装置。
【請求項４】
前記トナーセンサは、前記トナー貯蔵容器内を上下方向に延びて支持され、前記トナーに浸漬されている一部が前記トナーにより減衰し、残りの部分が減衰しない細長いトナー検知素子を備えていることを特徴とする請求項１に記載のトナー検出装置。
【請求項５】
前記細長いトナー検知素子は、前記トナー貯蔵容器内に存在するトナーレベルを検出するよう構成された少なくとも一つの検知電極パッドを有する圧電材料のウェブを備えていることを特徴とする請求項４に記載のトナー検出装置。
【請求項６】
前記細長いトナー検知素子は更に、電気駆動信号を圧電材料に与えるよう構成された少なくとも一つの駆動電極パッドを備えていることを特徴とする請求項５に記載のトナー検出装置。
【請求項７】
前記トナー貯蔵容器内部のトナーレベルを表す前記トナーセンサの構造的刺激を検出する検知回路を備えていることを特徴とする請求項５に記載のトナー検出装置。
【請求項８】
画像形成装置のトナー貯蔵容器の内部にトナーセンサを設けるステップと、前記トナーセンサの少なくとも一部がトナーに浸漬されていないとき前記トナーセンサを構造的に刺激するよう構成された入力で前記トナーセンサを駆動するステップと、前記トナーセンサに隣接して前記トナーが存在することを表す前記トナーセンサの構造的刺激を検出するステップと、を備えていることを特徴とするトナー存在状態を検出するトナー検出方法。
【請求項９】
駆動された前記トナーセンサの構造的刺激の程度に基づき、トナーレベルを判定するステップを備えていることを特徴とする請求項８に記載のトナー検出方法。
【請求項１０】
前記トナーセンサは、前記トナー貯蔵容器内部に支持されている細長いトナー検知素子を備え、前記トナーに浸漬されている部分は前記トナーにより減衰し、残りの部分は減衰しないことを特徴とする請求項８に記載のトナー検出方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月27日(2004.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子回路装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
終端手段を有し、一個のドライバで複数のレシーバを駆動する電子回路装置において、
上記複数のレシーバが両端終端したバス配線で接続され、
上記バス配線にドライバ接続用の分岐を有し、
上記ドライバ接続用の分岐から上記ドライバまでが非終端配線で接続されていることを特徴とする電子回路装置。
【請求項２】
請求項１において、
上記複数のレシーバを両端終端したバス配線を二対以上具備し、
上記バス配線の概略中心に分岐を有し、
上記分岐が相互配線接続され、
上記相互配線にドライバ接続用の分岐を備え、
上記ドライバ接続用の分岐からドライバまでが非終端配線で接続されている電子装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記ドライバをメモリコントローラとし、
前記レシーバをメモリモジュールとした電子装置。
【請求項４】
メモリコントローラと、該メモリコントローラに接続されている第一の配線と、該第一の配線を複数の終端抵抗へ分岐しているバス配線と、該バス配線に接続されたメモリモジュールを備えていることを特徴とする電子装置。
【請求項５】
第一の終端抵抗と、第二の終端抵抗と、該第一の終端抵抗と該第二の終端抵抗との間をバス配線を介して接続されている複数のメモリモジュールと、該メモリモジュールの間で分岐している第一の配線と、該第一の配線に接続されているメモリコントローラとを有する電子装置。
【請求項６】
請求項４又は５において、
前記メモリコントローラは、メモリコントローラＬＳＩとしてメインボード上に実装され、
前記メモリモジュールは、メモリスタックボード上に実装されていることを特徴とする電子装置。
【請求項７】
請求項４から６のいずれかにおいて、
前記メモリモジュールは、前記終端抵抗を介して終端電圧に接続されていることを特徴とする電子装置。
【請求項８】
請求項４から７のいずれかにおいて、
前記バス配線の概略中心から前記第一の配線が分岐していることを特徴とする電子装置。
【請求項９】
請求項４から８のいずれかにおいて、
前記バス配線と前記メモリコントローラとは、直列抵抗を介して接続されていることを特徴とする電子装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月7日(2004.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロフォンユニットと、
前記マイクロフォンユニットで集音された音声を記録するディスク媒体を駆動する駆動手段とを有し、
前記マイクロフォンユニットで集音された音声のレベルに応じて前記駆動手段の回転速度を切り替えることを特徴とする記録装置。
【請求項２】
前記マイクロフォンユニットで集音された音声のレベルが所定レベル以下である場合にのみ、前記マイクロフォンユニットで集音された音声のレベルに応じて前記駆動手段の回転速度を切り替えることを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
第１のマイクロフォンユニットと、
前記マイクロフォンユニットで集音された音声を記録するディスク媒体を駆動する駆動手段と、
前記駆動手段で発生する騒音を集音する第２のマイクロフォンユニットとを有し、
前記第１のマイクロフォンユニットで集音された音声のレベルと前記第２のマイクロフォンユニットで集音された騒音のレベルとに応じて前記駆動手段の回転速度を切り替えることを特徴とする記録装置。
【請求項４】
前記マイクロフォンユニットで集音された音声のレベルが所定レベル以下である場合にのみ、前記マイクロフォンユニットで集音された音声のレベルに応じて前記駆動手段の回転速度を切り替えることを特徴とする請求項３に記載の記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る記録装置の一つは、マイクロフォンユニットと、前記マイクロフォンユニットで集音された音声を記録するディスク媒体を駆動する駆動手段とを有し、前記マイクロフォンユニットで集音された音声のレベルに応じて前記駆動手段の回転速度を切り替えることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、本発明に係る記録装置の一つは、第１のマイクロフォンユニットと、前記マイクロフォンユニットで集音された音声を記録するディスク媒体を駆動する駆動手段と、前記駆動手段で発生する騒音を集音する第２のマイクロフォンユニットとを有し、前記第１のマイクロフォンユニットで集音された音声のレベルと前記第２のマイクロフォンユニットで集音された騒音のレベルとに応じて前記駆動手段の回転速度を切り替えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月20日(2004.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
操作部９は、ＲＡＭ５に記憶されたデータの読み出し順序や読み出し速度を指定するジョグダイヤル９ａ、操作ボタン９ｂ、９ｃ、９ｄ及びスライドボリューム９ｅを備える。また、表示部９ｆにはオーディオ信号を再生している位置などを表示する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１  光ディスク
２  再生手段
３  マイクロコンピュータ
４  ＤＳＰ
５  ＲＡＭ
６  Ｄ／Ａ変換器
７  アンプ
８  出力端子
９  操作部
９ａ  ジョグダイヤル
９ｂ  キューボタン
９ｃ  プレイボタン
９ｄ  ポーズボタン
９ｅ  スライドボリューム
９ｆ  表示部
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月21日(2005.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記メモリセルアレイは、
行列状に配置されたｍ×ｎ（ｍおよびｎは自然数）個のメモリセルと、
行方向に配置されたｍ個のワード線と、
列方向に配置されたｎ個のビット線対とを含み、
前記テスト回路は、
前記メモリセルアレイにデータを書込む周辺回路と、
前記ｍ個のワード線を選択する選択回路と、
前記移行要求に応じてバーンインテストモードへ移行するための移行信号を発生して前記選択回路へ出力する制御回路とを含み、
前記選択回路は、前記移行信号に応じて、前記複数のストレスが前記メモリセルアレイに連続して印加されるように前記ｍ個のワード線を選択／非選択し、
前記周辺回路は、前記ワード線の選択に応じて、前記複数のストレスを印加するためのデータパターンを前記選択されたワード線に接続されたメモリセルに書込み、前記ワード線の非選択に応じて前記データパターンを前記ｎ個のビット線対に書込む、請求項１に記載の半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月22日(2004.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジョグダイヤルを有する光ディスク再生装置において、
一側で、前記ジョグダイヤルをフロントパネルに軸受を介して保持するシャフトに、他側で前記ジョグダイヤルよりも大径に形成したホイールを設け、該ホイールには、前記ジョグダイヤルよりも大径の位置にシャッター部を設け、該シャッター部に組み合わせて光センサーを設け、もって制御パルスを出力するようにしたことを特徴とする光ディスク再生装置。
【請求項２】
ジョグダイヤルを有する光ディスク再生装置において、
一側で、前記ジョグダイヤルをフロントパネルに軸受を介して保持するシャフトに、他側で前記ジョグダイヤルよりも大径に形成したホイールを設け、該ホイールに１周あたりのスリット数が１３５以上のシャッター部を設けて光センサーとの組み合わせで制御パルスを出力することを特徴とする光ディスク再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
音楽を再生する場合に、スクラッチという再生法が知られている。このスクラッチ再生法は、例えば、ダンスミュージックの分野において、ディスクジョッキー（ＤＪ）と呼ばれている者がアナログレコードプレーヤのターンテーブル上で回転するアナログレコード盤の回転を手で制御したり、あるいはアナログレコード盤を用いて発生させていたスクラッチ音を、ディジタル音楽データが記録された記録媒体（例えばＣＤ（Compact Disc））を用いて発生させ、ダンスミュージック等の音楽を再生する方法として知られている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図２は本発明の光ディスク再生装置のジョグダイヤル１１を含む操作部２１の一実施例を示す概略構成図である。
図２において、フロントパネル５にジョグダイヤル１１を保持する軸受け２２がねじ２３で取り付けてある。軸受け２２は略中央に上下に貫通する孔が形成され、メタル３４がインサート成形される。ジョグダイヤル１１の略中央には下方へ突出するシャフト２４に組み入れられる孔が形成され、当該孔にシャフト２４が固定されている。シャフト２４とメタル３４の材質をプラスチックにすると、摩擦係数が大きくジョグダイヤル１１は円滑に回転しないので、シャフト２４の材質をステンレスでメタル３４の材質を銅（真鍮）にし摩擦係数を小さくする方が望ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本実施例の光ディスク再生装置１によれば、光ディスク再生装置１の操作装置３で多種多様の操作ボタンの配置により、フロントパネル５の表面に備えるジョグダイヤル１１の径が小さくてもシャッター部２５を備えているホイール２６の径は大きくすることができる。従って、ホイール２６に備えるシャッター部２５のスリットの数を増やすことができ、ジョグダイヤル１１の１回転当りの出力パルス数を多くできる。具体的に示せば、次の通りである。アナログレコードプレーヤでターンテーブル上のアナログレコード盤を１分間に３３回転させる場合、アナログレコード盤は１回転する毎に約１．８秒のオーディオ信号を出力する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、ジョグダイヤルの１回転で、１３５以上の制御パルス数を出力できるのでアナログレコードプレーヤによってスクラッチ再生するのと同様に精度の高いスクラッチ再生を行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月21日(2005.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上方に設けられた第1の電極と、該第1の電極上に設けられ発光層を有するＥＬ素子と、前記ＥＬ素子上に設けられた第２の電極とを有するエレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記第２の電極の膜厚を２０００Å以上に設けることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の前記エレクトロルミネッセンス表示装置において、更に前記ＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスタを備えることを特徴とするエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項３】
前記第２の電極の膜厚を１００００Å以下に設けることを特徴とする請求項１又は２に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項４】
前記第２の電極はアルミニウム層であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項５】
前記ＥＬ素子を駆動し、前記第２の電極側から前記第1の電極側に向か
って発光させることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のエレクトロルミネッセンス表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記の課題に鑑みてなされ、基板上方に設けられた第1の電極と、該第1の電極上に設けられ発光層を有するＥＬ素子と、前記ＥＬ素子上に設けられた第２の電極とを有するエレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第２の電極の膜厚を２０００Å以上に設けることにより解決するものである。
また、基板上方に設けられた第1の電極と、該第1の電極上に設けられ発光層を有するＥＬ素子と、該ＥＬ素子を駆動する薄膜トランジスタと、前記ＥＬ素子上に設けられた第２の電極とを有するエレクトロルミネッセンス表示装置において、前記第２の電極の膜厚を
２０００Å以上に設けることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月11日(2005.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部ガラス基板と、
上部ガラス基板上のサステイン電極と、
サステイン電極上のバス電極及び上部誘電膜と、
上部ガラス基板に一定間隔で配置される下部ガラス基板と、
下部ガラス基板上の下部誘電膜及びアドレス電極と、
下部誘電膜及びアドレス電極上の蛍光膜と、
下部誘電膜上の隔壁とを含むプラズマディスプレイパネルにおいて、
上部誘電膜の誘電体組成物は、
Ｐ2Ｏ5−Ｂ2Ｏ3−ＺｎＯグループのガラスと、
Ｎｄ2Ｏ3からなるフィラーとを含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの誘電膜の誘電体組成物。
【請求項２】
Ｐ2Ｏ5−Ｂ2Ｏ3−ＺｎＯグループのガラスは、
２８〜４０重量％のＰ2Ｏ5と、
０〜３０重量％のＢ2Ｏ3と、
４２〜６０重量％のＺｎＯとからなることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの誘電膜の誘電体組成物。
【請求項３】
フィラーは、５〜４０重量％のＮｄ2Ｏ3からなることを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの誘電膜の誘電体組成物。
【請求項４】
Ｐｒ2Ｏ3をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの誘電膜の誘電体組成物。
【請求項５】
Ｐ2Ｏ5−Ｂ2Ｏ3−ＺｎＯグループのガラスに所定重量比（重量％）のＮｄ2Ｏ3が混合されたガラスを製造する段階と、
製造されたガラスを粉末に粉砕して、その粉末をバインダー及び溶剤と混合して誘電体ペーストを形成する段階と、
誘電体ペーストをガラス基板上に塗布する段階と、
塗布された誘電体ペーストを焼成して誘電膜を形成する段階とを含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの誘電膜製造方法。
【請求項６】
Ｐ2Ｏ5−Ｂ2Ｏ3−ＺｎＯグループのガラスは、２８〜４０重量％のＰ2Ｏ5、０〜３０重量％のＢ2Ｏ3及び４２〜６０重量％のＺｎＯからなることを特徴とする請求項５記載のプラズマディスプレイパネルの誘電膜製造方法。
【請求項７】
Ｎｄ2Ｏ3は、５〜４０重量％含まれることを特徴とする請求項５記載のプラズマディスプレイパネルの誘電膜製造方法。
【請求項８】
誘電体ペーストは、５５０〜６００℃の温度に１０〜３０分間焼成されることを特徴とする請求項５記載のプラズマディスプレイパネルの誘電膜製造方法。
【請求項９】
０〜５重量％のＰｒ2Ｏ3をさらに含むことを特徴とする請求項５記載のプラズマディスプレイパネルの誘電膜製造方法。
【請求項１０】
溶剤は、α−ｔｅｒｐｉｎｅｏｌ又はｂｕｔｙｌ−ｃａｒｂｉｔｏｌ−ａｃｅｔａｔｅであることを特徴とする請求項５記載のプラズマディスプレイパネルの誘電膜製造方法。
【請求項１１】
フィラーは、０〜５重量％のＰｒ2Ｏ3をさらに含むことを特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの誘電膜の誘電体組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月7日(2004.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明導電膜形成用金属酸化物の各成分金属の少なくとも１種の金属の微粒子又は該各成分金属からなる少なくとも１種の合金の微粒子の分散液を被処理基板上に塗布した後、酸化して金属酸化物からなる透明導電膜を形成することを特徴とする低抵抗透明導電膜の製造法。
【請求項２】
透明導電膜形成用金属酸化物の各成分金属の少なくとも１種の金属の微粒子又は該各成分金属からなる少なくとも１種の合金の微粒子の分散液を調製し、この分散液を被処理基板上に塗布した後、大気圧の酸素ガス若しくはオゾンガス雰囲気中、又は不活性ガスに酸素ガス若しくはオゾンガスを添加したガスのプラズマ雰囲気中、１５０〜２５０℃で加熱し、酸化と燒結とを同時に行い、金属酸化物からなる透明導電膜を形成することを特徴とする低抵抗透明導電膜の製造法。
【請求項３】
前記分散液が、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛、酸化カドミウム、酸化ガリウム、Ｉｎ２Ｏ３(ＺｎＯ)ｍ、及びＩｎＧａＯ３(ＺｎＯ)ｍ等や、これら酸化物にドーパントを添加した錫添加酸化インジウム(ＩＴＯ)、アンチモン添加酸化錫(ＡＴＯ)、亜鉛添加酸化インジウム(ＩＺＯ)及びアルミニウム添加酸化亜鉛(ＡＺＯ)から選ばれた金属酸化物の各成分金属の少なくとも１種の金属の微粒子分散液又は該各成分金属からなる少なくとも１種の合金の微粒子分散液であることを特徴とする請求項１又は２記載の低抵抗透明導電膜の製造法。
【請求項４】
前記酸化と燒結との工程において、酸化性雰囲気中に紫外線照射を行うことを特徴とする請求項２又は３記載の低抵抗透明導電膜の製造法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の低抵抗透明導電膜の製造法は、透明導電膜形成用金属酸化物の各成分金属の少なくとも１種の金属の微粒子又は該各成分金属からなる少なくとも１種の合金の微粒子の分散液を被処理基板上に塗布した後、酸化して金属酸化物からなる透明導電膜を形成することを特徴とする。
本発明の低抵抗透明導電膜の製造法はまた、透明導電膜形成用金属酸化物の各成分金属の少なくとも１種の金属の微粒子又は該各成分金属からなる少なくとも１種の合金の微粒子の分散液を調製し、この分散液を被処理基板上に塗布した後、大気圧の酸素ガス若しくはオゾンガス雰囲気中、又は不活性ガス、例えば、ヘリウム等の希ガス等に酸素ガス若しくはオゾンガスを添加したガスの大気圧プラズマのようなプラズマ雰囲気中、１５０〜２５０℃で加熱し、酸化と燒結とを同時に行い、金属酸化物からなる透明導電膜を形成することからなる。焼結温度が１５０℃未満であると充分焼結せず、また、２５０℃を超えるとディスプレイ製造工程上問題が生じる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月26日(2004.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体ウエハ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ領域と非チップ領域とを含み、
前記チップ領域において、トレンチ素子分離領域が設けられ、
前記非チップ領域のうち少なくとも前記チップ領域と隣接する領域において、ダミートレンチ素子分離領域が設けられている、半導体ウエハ。
【請求項２】
請求項１において、
前記非チップ領域のうち前記ダミートレンチ素子分離領域が設けられていない領域に、複数のダミー素子形成領域が設けられ、
行方向と交差する方向に沿って伸びる、第１の仮想直線Ｌ１を想定すると、前記ダミー素子形成領域は、その中心が第１の仮想直線Ｌ１上に位置するように配置され、
列方向と交差する方向に沿って伸びる、第２の仮想直線Ｌ２を想定すると、前記ダミー素子形成領域は、その中心が第２の仮想直線Ｌ２上に位置するように配置されている、半導体ウエハ。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の仮想直線Ｌ１と、前記第２の仮想直線Ｌ２とのなす角が約９０度である、半導体ウエハ。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記複数のダミー素子形成領域の平面形状は、ほぼ同じ大きさの正方形であり、
隣り合う２つの前記ダミー素子形成領域において、一方の前記ダミー素子形成領域の一辺は、該一辺と対向する他方の前記ダミー素子形成領域の一辺と平行である、半導体ウエハ。
【請求項５】
請求項４において、
同一の前記第１の仮想直線Ｌ１上に配置された、隣り合う前記ダミー素子形成領域において、対向する辺同士の間隔Ｇ１０と、
同一の前記第２の仮想直線Ｌ２上に配置された、隣り合う前記ダミー素子形成領域において、対向する辺同士の間隔Ｇ２０と、
同一の前記第１の仮想直線Ｌ１上に配置された、隣り合う前記ダミー素子形成領域において、互いに列方向にずれた幅Ｙ１０と、
同一の前記第２の仮想直線Ｌ２上に配置された、隣り合う前記ダミー素子形成領域において、互いに行方向にずれた幅Ｙ２０とがほぼ等しい、半導体ウエハ。
【請求項６】
請求項５において、
前記間隔Ｇ１０、前記間隔Ｇ２０、前記幅Ｙ１０、および前記幅Ｙ２０はいずれも、前記正方形の一辺の約１／２の長さを有する、半導体ウエハ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハに関し、特に素子分離領域を有する半導体ウエハに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、チップ領域の最外領域で形成される、チップの歩留まりを高くすることができる、半導体ウエハを提供することにある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月7日(2005.3.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板面上に実装された半導体を封止材で覆ったのちに、その封止材を加熱することで当該半導体を封止する半導体封止方法であって、上記封止材として、形状が薄板状のシートで、加熱されることによって粘性と粘着性を有する熱硬化性樹脂でなる薄板状樹脂シートを用い、この薄板状樹脂シートを上記基板面上に実装された半導体全面を覆うように被せたのちに加熱して、その薄板状樹脂シートを軟化させて粘性と粘着力を持たせることで、その薄板状樹脂シートを上記半導体と上記基板面に接着させ、上記半導体を封止することを特徴とする半導体封止方法。
【請求項２】
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂であると共に前記封止材をキャリアに貼着させた状態で前記半導体全面を覆うようにしたことを特徴とする請求項１記載の半導体封止方法。
【請求項３】
前記封止対象となる半導体は、その厚みが５〜５０μｍ以下の薄型の半導体であって、前記薄板状樹脂シートは、その厚みが当該半導体の厚みの０．５倍以上で２倍以下であることを特徴とする請求項１または２記載の半導体封止方法。
【請求項４】
前記封止対象となる半導体は、前記基板面上においてある間隔を有して並べられた複数の半導体であって、これら複数の半導体を前記封止材で覆うように被せたのちに、前記薄板状樹脂シートを加熱し、その薄板状樹脂シートを軟化させて粘性と粘着力を持たせることで、その薄板状樹脂シートを前記それぞれの半導体およびこれらそれぞれの半導体の実装領域内の基板面に接着させ、前記複数の半導体を封止することを特徴とする請求項１，２または３記載の半導体封止方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するため、本発明の半導体封止方法は、基板面上に実装された半導体を封止材で覆ったのちに、その封止材を加熱することで当該半導体を封止する半導体封止方法であって、封止材として、形状が薄板状のシートで、加熱することによって粘性と粘着性を有する熱硬化性樹脂でなる薄板状樹脂シートを用い、この封止材を基板上に実装された半導体全面を覆うように被せたのちに加熱して、その薄板状樹脂シートを軟化させて粘性と粘着力を持たせることで、その薄板状樹脂シートを半導体と基板面に接着させ、半導体を封止するようにしている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、他の発明は、上述の各発明の半導体封止方法に加え、封止対象となる半導体は、基板面上においてある間隔を有して並べられた複数の半導体であって、これら複数の半導体を封止材で覆うように被せたのちに、薄板状樹脂シートを加熱し、その薄板状樹脂シートを軟化させて粘性と粘着力を持たせることで、その薄板状樹脂シートをそれぞれの半導体およびこれらそれぞれの半導体の実装領域内の基板面に接着させ、複数の半導体を封止するようにしている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月21日(2005.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
板状ワークを保持する保持台であって、
板状体と、
その板状体を被覆する有機導電性被膜とを備え、
前記有機導電性被膜の表面では、その算術平均粗さＲaが１．０μｍ以上５０μｍ以下である、ワーク保持台。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明のワーク保持台は、板状ワークを保持する保持台であって、板状体と、その板状体を被覆する有機導電性被膜とを備え、有機導電性被膜の表面では、その算術平均粗さＲaが１．０μｍ以上５０μｍ以下である（請求項１）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図３は、図２に示すホットプレートの表面の拡大図である。アルミ合金板２を覆っている、有機導電性皮膜としてのフッ素樹脂膜１には、耐熱性のフッ素樹脂が用いられている。このフッソ樹脂膜１の表面には、図３に示すように、算術平均表面粗さＲaで１．０μｍ以上の粗面化処理が施されている。図４は、カラーフィルタなど板状ワークを載せて加熱され、粗面化された表面の山頂が板状ワークの重量により押されて、山頂部分１ｔだけ低くなった状態を示す図である。軟らかいフッ素樹脂を用いると、このような山頂部の平坦化が進行し、やがては平坦化してしまう。平坦化すると、フッ素樹脂被膜１とワークとの接触面積が増大し、剥離帯電量が増す。このようなワークの押し込みによる平坦化を防止するために、フッ素樹脂として、高硬度で耐熱性に優れた架橋性ＰＴＦＥを用いることが望ましい。架橋性ＰＴＦＥの使用により、フッ素樹脂被膜が６０℃以上に加熱されても、繰り返し加熱処理されても粗面化された表面状態を維持することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
（実施の形態２）
図５および図６は、本発明の実施の形態２におけるワーク保持台１０を示す図である。図５は上記ワーク保持台１０の平面図であり、図６は図５のＶＩ-ＶＩ断面図である。本実施の形態では、アルミ合金板２の上にスクリーン印刷法で有機導電性皮膜１のパターンを配置した点に特徴がある。また、本実施の形態では、吸引ステージで真空吸引されるので、吸引孔３とその吸引孔から引かれた空間の気密性を確保するために、縁周に沿って縁周壁４が設けられている。板状ワークを搭載したワーク保持台１０は、縁周壁４と、板状体２と、板状ワークとによって囲まれた空間から、貫通孔３を通って排気され、真空吸引される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図７および図８は、本実施の形態における変形例である。図７が平面図であり、図８は図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。このワーク保持台の場合も、アルミ合金板にスクリーン印刷法により導電性樹脂１のパターンを配置した。図７の導電性樹脂１のパターンは、図５のそれより面積が大きいため、より重い板状ワークを支えることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
（実施の形態３）
図９は、本発明の実施の形態３におけるワーク保持台を示す図である。本実施の形態では、図９に示すように、フッ素樹脂被膜１中にフィラー５が含まれている点に特徴がある。このフィラーには、特別に硬いフッ素樹脂、たとえば架橋性ＰＴＦＥなどを用いることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の実施の形態１におけるワーク保持台が形成されたホットプレートを示す斜視図である。
【図２】  図１のＩＩ-ＩＩ断面図である。
【図３】  図２フッ素樹脂被膜の表面の拡大図である。
【図４】  図１に示すホットプレートに板状ワークを搭載した後のフッ素樹脂被膜の拡大図である。
【図５】  本発明の実施の形態２におけるワーク保持台の平面図である。
【図６】  図５におけるワーク保持台のＶＩ-ＶＩ断面の端面図である。
【図７】  本発明の実施の形態２におけるワーク保持台の変形例の平面図である。
【図８】  図７におけるワーク保持台のＶＩＩＩ-ＶＩＩＩ断面の端面図である。
【図９】  本発明の実施の形態３におけるワーク保持台の断面図である。
【符号の説明】
１  フッ素樹脂被膜、２  アルミ合金板、３  貫通孔、４  縁周壁、５  フィラー。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003249540.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2003249540.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月3日(2005.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも受信ワードを含む入力データに消失訂正処理を行う消失訂正処理装置において、
上記受信ワードについて消失の置換処理を行うことにより、消失値に対応する複数のワ−ドを設定する置換（消失値置換）手段と、
上記複数のワードに対応するコードワードを生成する生成（デコード処理）手段と、
上記複数のコードワードから該複数のコードワードに対応する上記複数のワードまでの距離を算出する算出（ハミング距離算出）手段と、
上記受信ワードに基づいて、上記算出手段の結果から１つを選択する選択手段とを備えることを特徴とする消失訂正処理装置。
【請求項２】
少なくとも受信ワードを含む入力データに消失訂正処理を行う消失訂正処理方法において、
上記受信ワードについて消失の置換処理を行うことにより、消失値に対応する複数のワ−ドを設定し、
上記複数のワードに対応するコードワードを生成し、
上記複数のコードワードから該複数のコードワードに対応する上記複数のワードまでの距離を算出し、
上記受信ワードに基づいて、上記算出された複数の距離から１つを選択することを特徴とする消失訂正処理方法。
【請求項３】
ワードＲを含むストリーミングデータにおける消失訂正装置であり、
（ａ）受信ワードＲ、およびパラメータとして消失の個数Ｎｅ、消失の位置ｅ１〜ｅｎを含むデータに基づいて、ルックアップテーブルに対するアドレス算出を実行するアドレス算出手段と、
（ｂ）前記アドレスに基づいてコードワードＣを出力するルックアップテーブルと、
を有することを特徴とするストリーミングデータにおける消失訂正装置。
【請求項４】
前記ワードＲは、複数パケット・データセットとして構成され、前記消失訂正装置は、各パケット・データセット毎の消失訂正処理を実行する構成であることを特徴とする請求項３に記載の消失訂正装置。
【請求項５】
暗号化処理または復号化処理に適用する鍵ストリームデータ列を生成する装置であり、
秘密状態にないランダムデータと、秘密鍵データとに基づいて構成されるアドレスに従ってルックアップテーブルから取得するデータに基づいて鍵ストリームデータ列を生成する鍵ストリーム生成手段を有することを特徴とする鍵ストリームデータ列生成装置。
【請求項６】
暗号処理手段、消失対応エンコード手段、およびパケット出力手段とを含むデータ通信装置であり、
秘密状態にないランダムデータと、秘密鍵データとに基づいて構成されるアドレスに従ってルックアップテーブルから取得するデータに基づいて鍵ストリームデータ列を生成する鍵ストリーム生成手段を有する暗号処理手段と、
ハミングエンコード処理を実行する消失対応エンコード手段と、
前記秘密状態にないランダムデータを含むパケットを出力するパケット出力手段と、
を有することを特徴とするデータ通信装置。
【請求項７】
復号処理手段、消失対応デコード手段、およびパケット解析手段とを含むデータ通信装置であり、
秘密状態にないランダムデータと、秘密鍵データとに基づいて構成されるアドレスに従ってルックアップテーブルから取得するデータに基づいて鍵ストリームデータ列を生成する鍵ストリーム生成手段を有する復号処理手段と、
ハミングデコード処理を実行する消失対応デコード手段と、
受信パケットから前記秘密状態にないランダムデータの抽出処理を実行するパケット解析手段と、
を有することを特徴とするデータ通信装置。
【請求項８】
ワードＲを含むストリーミングデータにおける消失訂正方法であり、
（ａ）受信ワードＲ、およびパラメータとして消失の個数Ｎｅ、消失の位置ｅ１〜ｅｎを含むデータに基づいて、ルックアップテーブルに対するアドレス算出を実行し、
（ｂ）前記アドレスに基づいてルックアップテーブルから、コードワードＣを出力する、
各ステップを有することを特徴とするストリーミングデータにおける消失訂正方法。
【請求項９】
暗号化処理または復号化処理に適用する鍵ストリームデータ列の生成方法であり、
秘密状態にないランダムデータと、秘密鍵データとに基づいて構成されるアドレスに従ってルックアップテーブルから取得するデータに基づいて鍵ストリームデータ列を生成するステップを有することを特徴とする鍵ストリームデータ列生成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の側面は、
少なくとも受信ワードを含む入力データに消失訂正処理を行う消失訂正処理装置において、
上記受信ワードについて消失の置換処理を行うことにより、消失値に対応する複数のワ−ドを設定する置換（消失値置換）手段と、
上記複数のワードに対応するコードワードを生成する生成（デコード処理）手段と、
上記複数のコードワードから該複数のコードワードに対応する上記複数のワードまでの距離を算出する算出（ハミング距離算出）手段と、
上記受信ワードに基づいて、上記算出手段の結果から１つを選択する選択手段とを備えることを特徴とする消失訂正処理装置にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明のさらなる側面は、
少なくとも受信ワードを含む入力データに消失訂正処理を行う消失訂正処理方法において、
上記受信ワードについて消失の置換処理を行うことにより、消失値に対応する複数のワ−ドを設定し、
上記複数のワードに対応するコードワードを生成し、
上記複数のコードワードから該複数のコードワードに対応する上記複数のワードまでの距離を算出し、
上記受信ワードに基づいて、上記算出された複数の距離から１つを選択することを特徴とする消失訂正処理方法にある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
デコーダに対する入力データは、受信ワードＲ、消失の数Ｎｅ、消失位置データｅ１，ｅ２を含む。デコーダは、消失値置換手段２２１、非消失（７−Ｎｅ個に対応する位置の値）を記憶するためのメモリ２２２、Ｒ（受信ワード）の最初の４ビットを記憶するためのメモリ、遅延手段２２４、２つのルックアップテーブル２２６，２２７を持つルックアップテーブル２２５、ハミング距離の算出および比較処理を実行する演算手段２２８、さらに、セレクタ２２９を有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
消失値置換手段２２１は、消失の置換処理を実行する。すなわち、Ｒ（０）が消失値を０にセット（Ｅ＝０）、Ｒ（１）が消失値を１にセット（Ｅ＝１）する各処理である。メモリ２２２は、Ｒ，消失数Ｎｅ，消失の位置データｅ１，ｅ２を受信するとともに、受信ワードＲの非消失位置の値を格納する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月27日(2004.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】磁気抵抗効果素子及びそれを備える磁気抵抗効果ヘッド
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反強磁性層と、第２の磁性層と、非磁性中間層と、第１の磁性層とがこの順に積層されてなり、
該第１の磁性層は、厚みがトラック幅方向の中心部よりも小さい領域を、トラック幅方向の両端に有し、
トラック幅をＴｗｒ、厚みがトラック幅方向の中心部よりも小さい領域のトラック幅方向の幅をｘｅとするときに、０．０８≦ｘｅ／Ｔｗｒ≦０．２であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
【請求項２】
第１の磁性層のトラック幅方向の中心部の厚みをＴ、厚みＴなる領域における第１の磁性層の飽和磁化をＭｓ、厚みがトラック幅方向の中心部よりも小さい領域の厚みをｔ、厚みｔなる領域における第１の磁性層の飽和磁化をＭｓ'とするときに、０．４＜Ｍｓ'・ｔ／Ｍｓ・Ｔ＜１であることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項３】
上記第１の磁性層は、飽和磁化の異なる複数の材料を含むことを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項４】
反強磁性層と、第２の磁性層と、非磁性中間層と、第１の磁性層とがこの順に積層されてなり、
該第１の磁性層は、トラック幅方向の中心部の飽和磁化よりも小さな飽和磁化を有する領域を、トラック幅方向の両端に有し、
トラック幅をＴｗｒ、トラック幅方向の中心部の飽和磁化よりも小さな飽和磁化を有する領域のトラック幅方向の幅をｘｅとするときに、０．０８≦ｘｅ／Ｔｗｒ≦０．２であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
【請求項５】
第１の磁性層のトラック幅方向の中心部の飽和磁化をＭｓ、飽和磁化Ｍｓなる領域における第１の磁性層の厚みをＴ、飽和磁化がトラック幅方向の中心部よりも小さい領域の飽和磁化をＭｓ'、飽和磁化をＭｓ'なる領域における第１の磁性層の厚みをｔとするときに、０．４＜Ｍｓ'・ｔ／Ｍｓ・Ｔ＜１であることを特徴とする請求項４記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項６】
上記第１の磁性層は、飽和磁化の異なる複数の材料を含むことを特徴とする請求項４記載の磁気抵抗効果素子。
【請求項７】
上部シールドと、下部シールドと、該上部シールドと該下部シールドとの間に配設された磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果型素子のトラック幅方向の両端、膜厚方向の上部又は膜厚方向の下部の何れかに設けられた磁区制御膜とを備え、
該磁気抵抗効果素子は、反強磁性層と、第２の磁性層と、非磁性中間層と、第１の磁性層とがこの順に積層されてなり、該第１の磁性層は、厚みがトラック幅方向の中心部よりも小さい領域をトラック幅方向の両端に有し、
トラック幅をＴｗｒ、厚みがトラック幅方向の中心部よりも小さい領域のトラック幅方向の幅をｘｅとするときに、０．０８≦ｘｅ／Ｔｗｒ≦０．２であることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項８】
第１の磁性層のトラック幅方向の中心部の厚みをＴ、厚みＴなる領域における第１の磁性層の飽和磁化をＭｓ、厚みがトラック幅方向の中心部よりも小さい領域の厚みをｔ、厚みｔなる領域における第１の磁性層の飽和磁化をＭｓ'とするときに、０．４＜Ｍｓ'・ｔ／Ｍｓ・Ｔ＜１であることを特徴とする請求項７記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項９】
上記第１の磁性層は、飽和磁化の異なる複数の材料を含むことを特徴とする請求項７記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項１０】
上部シールドと、下部シールドと、該上部シールドと該下部シールドとの間に配設された磁気抵抗効果素子と、該磁気抵抗効果型素子のトラック幅方向の両端、膜厚方向の上部又は膜厚方向の下部の何れかに設けられた磁区制御膜とを備え、
該磁気抵抗効果素子は、反強磁性層と、第２の磁性層と、非磁性中間層と、第１の磁性層とがこの順に積層されてなり、該第１の磁性層は、トラック幅方向の中心部の飽和磁化よりも小さな飽和磁化を有する領域を、トラック幅方向の両端に有し、
トラック幅をＴｗｒ、トラック幅方向の中心部の飽和磁化よりも小さな飽和磁化を有する領域のトラック幅方向の幅をｘｅとするときに、０．０８≦ｘｅ／Ｔｗｒ≦０．２であることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項１１】
第１の磁性層のトラック幅方向の中心部の飽和磁化をＭｓ、飽和磁化Ｍｓなる領域における第１の磁性層の厚みをＴ、飽和磁化がトラック幅方向の中心部よりも小さい領域の飽和磁化をＭｓ'、飽和磁化をＭｓ'なる領域における第１の磁性層の厚みをｔとするときに、０．４＜Ｍｓ'・ｔ／Ｍｓ・Ｔ＜１であることを特徴とする請求項１０記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項１２】
上記第１の磁性層は、飽和磁化の異なる複数の材料を含むことを特徴とする請求項１０記載の磁気抵抗効果ヘッド。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月1日(2005.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
第１の導電型のウエル領域、第２の導電型の不純物領域および第１の導電型の導電領域を含んで、前記半導体基板の上に形成された接合型トランジスタと、
前記接合型トランジスタの少なくとも前記第１の導電型の導電領域を受入れ、前記半導体基板の表面に達する孔を有する、前記半導体基板の上に形成された絶縁層と、
前記孔の中に設けられた前記接合型トランジスタの前記第１の導電型の導電領域に電気的に接続された記憶素子とを含み、
前記記憶素子は、電気抵抗が互いに異なる第１の状態および第２の状態を有し、前記第１の状態の電気抵抗は前記第２の状態の電気抵抗より高く、
前記接合型トランジスタの第１の導電型のウエル領域は前記半導体基板に形成され、前記第２の導電型の不純物領域は前記孔に対面するように前記第１の導電型のウエル領域に形成され、前記第１の導電型の導電領域は前記第２の導電型の不純物領域に接触するように前記孔の中に充填される半導体記憶装置。
【請求項２】
前記第１の状態は非晶質の状態を含み、前記第２の状態は結晶質の状態を含む、請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記記憶素子と前記第１導電型の導電領域との間に介在するように前記孔の中に設けられて前記第１導電型の導電領域の電気抵抗よりも大きい電気抵抗を有し、前記記憶素子を加熱する第１の加熱層をさらに備えた、請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記記憶素子から離隔するように設けられて前記記憶素子を予熱する２の加熱層をさらに備えた、請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
複数の前記接合型トランジスタをさらに備え、前記第２導電型の不純物領域は、所定の方向に延在するように形成されており、複数の前記接合型トランジスタの各々は、所定の方向に延在する前記第２導電型の不純物領域を共有する、請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項６】
前記第２導電型の不純物領域に沿って延在し、かつ前記第２導電型の不純物領域に電気的に接続された配線層をさらに備えた、請求項５に記載の半導体記憶装置。
【請求項７】
前記第１導電型のウエル領域を取囲むように前記半導体基板に形成された第２導電型のウエル領域をさらに備えた、請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項８】
複数の前記記憶素子と、複数の前記記憶素子の各々に電気的に接続された複数の前記接合型トランジスタとを含む記憶領域をさらに備え、
複数の前記接合型トランジスタの各々は、互いにほぼ平行に延在する複数の前記第２導電型の不純物領域を含み、複数の前記第２導電型の不純物領域のうち、所定の前記第２導電型の不純物領域から数えて奇数番目の前記第２導電型の不純物領域は前記記憶領域の一方端側に設けられた第１の電流駆動手段に電気的に接続されており、所定の前記第２導電型の不純物領域から数えて偶数番目の前記第２導電型の不純物領域は前記記憶領域の他方端側に設けられた第２の電流駆動手段に電気的に接続されている、請求項１から７のいずれか１項に記載の半導体記憶装置。
【請求項９】
前記記憶素子は、第１の強磁性体層と、その第１の強磁性体層の上に形成された絶縁層と、その絶縁層の上に形成された第２の強磁性体層とを含む、請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項１０】
前記第１の強磁性体層と、前記絶縁層と、前記第２の強磁性体層とは、前記孔の中に設けられる、請求項９に記載の半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
この発明に従った半導体記憶装置は、半導体基板と、第１の導電型のウエル領域、第２の導電型の不純物領域および第１の導電型の導電領域を含んで、半導体基板の上に形成された接合型トランジスタと、接合型トランジスタの少なくとも第１の導電型の導電領域を受入れ、半導体基板の表面に達する孔を有する、半導体基板の上に形成された絶縁層と、孔の中に設けられた接合型トランジスタの第１の導電型の導電領域に電気的に接続された記憶素子とを含み、記憶素子は、電気抵抗が互いに異なる第１の状態および第２の状態を有し、第１の状態の電気抵抗は第２の状態の電気抵抗より高く、接合型トランジスタの第１の導電型のウエル領域は半導体基板に形成され、第２の導電型の不純物領域は孔に対面するように第１の導電型のウエル領域に形成され、第１の導電型の導電領域は第２の導電型の不純物領域に接触するように孔の中に充填される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】