Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月18日(2021.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒトエラスチン受容体へのヒトＣペプチドの結合を調整することができる少なくとも１つのペプチドモチーフを付された単離された又は合成ペプチドを含む、ヒト疾患の治療において使用するための医薬組成物。
【請求項２】
ペプチドが、少なくとも１つのヒトエラスチン受容体結合モチーフＧｘｘＰＧを有し、少なくとも１つのアミノ酸Ｑを有し、Ｇが１文字表記でアミノ酸グリシンを表し、Ｐがアミノ酸プロリンを表し、Ｑがアミノ酸グルタミンを表し、ｘが任意のアミノ酸を表し、ペプチドが５〜３０アミノ酸からなる、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
ペプチドが、５〜２０アミノ酸からなる、請求項１又は２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
ペプチドが、５〜１５アミノ酸からなる、請求項１又は２に記載の医薬組成物。
【請求項５】
ペプチドが、５〜１２アミノ酸からなる、請求項１又は２に記載の医薬組成物。
【請求項６】
ペプチドが、５〜９アミノ酸からなる、請求項１又は２に記載の医薬組成物。
【請求項７】
疾患が、炎症である、請求項２〜６のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項８】
疾患が、１型糖尿病及び／又は末期２型糖尿病である、請求項２〜７のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項９】
疾患が、微小血管合併症である、請求項２〜８のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
疾患が、１型糖尿病及び／又は末期２型糖尿病における微小血管合併症である、請求項２〜９のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
ペプチドが、細胞上のヒトエラスチン受容体と組み合わされることができ、ヒトエラスチン受容体へのヒトＣペプチドの結合により典型的に産生されるものと同じ生理学的活性を開始させることができる、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
ペプチドが、少なくともモチーフＱＤＥＡ（配列番号３１）を有し、ペプチドが、ヒトエラスチン受容体へのヒトＣペプチドの結合を阻害し、ヒトＣペプチドの生理学的活性を低減させ、ペプチドが４〜４０アミノ酸からなる、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
ペプチドが、４〜２０アミノ酸からなる、請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
ペプチドが、４〜１５アミノ酸からなる、請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
ペプチドが、４〜１２アミノ酸からなる、請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
ペプチドが、４〜９アミノ酸からなる、請求項１２に記載の医薬組成物。
【請求項１７】
疾患が、ヒトインスリン抵抗性である、請求項１２〜１６のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項１８】
疾患が、ヒト脂質異常症である、請求項１２〜１７のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項１９】
疾患が、ヒトの高血圧である、請求項１２〜１８のいずれかに記載の医薬組成物。
【請求項２０】
疾患が、ヒトの大血管性合併症である、請求項１２〜１９のいずれかに記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月12日(2021.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
皮膚および／またはケラチン物質への適用のための組成物における抗汚染剤としての粒状鉱物の使用。
【請求項２】
皮膚および／またはケラチン物質を汚染から保護するための、粒状鉱物を含む組成物であって、皮膚および／またはケラチン物質への適用のための前記組成物。
【請求項３】
粒状鉱物が、シリカベースまたはシリケートベース鉱物である、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
粒状鉱物が、炭酸カルシウム、タルク、パーライト、カオリン、ケイソウ土およびそれらの組合せから選択される、請求項２又は３に記載の組成物。
【請求項５】
粒状鉱物が、約０．５μｍから約１００μｍの範囲のｄ50を有する、請求項２から４までのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項６】
粒状鉱物が、粒状鉱物１００ｇあたり約２０ｍＬ以上の油吸収容量を有する、請求項２から５までのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項７】
粒状鉱物が、粒状鉱物１００ｇあたり約４０ｍＬ以上の水吸収容量を有する、請求項２から６までのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項８】
粒状鉱物が、粒状鉱物１００ｇあたり約３０ｍＬ以上の皮脂吸収容量を有する、請求項２から７までのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項９】
皮膚および／またはケラチン物質への適用のための組成物が、ヘアシャンプー、ヘアコンディショナー、モイスチャライザー、プライマーまたはクレンザーなどの化粧品組成物である、請求項２から８までのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１０】
粒状鉱物が、汚染物を吸収し、および／または汚染物の皮膚への侵入を低下させ、または予防する、請求項２から９までのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１１】
皮膚および／またはケラチン物質への適用のための組成物が、エマルジョン、ゲル、ローションまたはクリームの形態である、請求項２から１０までのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１２】
皮膚および／またはケラチン物質への適用のための組成物が、約０．５質量％から約６０質量％の粒状鉱物を含む、請求項２から１１までのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１３】
乾燥したおよび／または損傷した皮膚の治療用である、請求項２から８および１０から１２までのいずれか１項に記載の組成物。
【請求項１４】
請求項２〜１３のいずれか１項に記載の組成物を製造する方法であって、粒状鉱物を液状担体と組み合わせることを含む前記方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月17日(2020.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イポラミイド誘導体である、下記一般式C：
【化１】
2020507607.tif 000001
｛ここで、Rは、H、OH、OGlyc（グリコシド）に対応し；R1、R1'、R1"は、H、OHに対応し；R2は、H、COOH、COOCH3、CH3、CHOに対応し；R3は、H、OH、CH3に対応し；R4、R4'は、H、OH、CH2OH、CH3に対応する｝
の化合物。
【請求項２】
下記:
【化２】
2020507607.tif 000002
から選択される、請求項１に記載の式Cの化合物。
【請求項３】
医薬としての使用のための、請求項１または２に記載の式Cの化合物。
【請求項４】
免疫障害の治療における免疫抑制剤としての使用のための、請求項１または２に記載の式Cの化合物。
【請求項５】
白斑の治療における使用のための、請求項１または２に記載の式Cの化合物。
【請求項６】
請求項１または２に記載の式Cのイポラミイド誘導体、および医薬として許容可能なビヒクルを含み、場合によりイポラミイドをさらに含む、医薬組成物。
【請求項７】
請求項１または２に記載の式Cのイポラミイド誘導体が富化された抽出物の製造法であって、
a）ナガボソウ属の植物から得られるイポラミイドの含有量が2.5％〜3.5％である投入植物バイオマスを選択する工程と；
b）工程a）で選択されたバイオマスを、湿度が10〜12％に安定するまで40〜80℃の温度のオーブンで乾燥させる工程と；
c）該植物バイオマスを粉砕する工程と；
d）以下の工程：
i．該植物バイオマスを、常に撹拌しながら70〜100℃の温度に加熱する工程と；
ii．該植物バイオマスを室温で浸軟する工程と；
iii．該植物バイオマスを70〜100℃の温度に加熱する工程
を通じて該植物バイオマスを抽出する工程
を含む、上記抽出物の製造法。
【請求項８】
iv．前記抽出物を濾過して濃縮する工程と；
v．除湿器に接続されたスプレー乾燥器の中で、入口温度を155〜165℃、出口温度を85〜95℃にして1〜60秒間乾燥させる工程
をさらに含む、請求項７に記載の抽出物の製造法。
【請求項９】
工程d）iiiの前記植物バイオマスの加熱を5〜30分間実施する、請求項７に記載の抽出物の製造法。
【請求項１０】
工程d）iの前記植物バイオマスの加熱を5〜15時間実施する、請求項７に記載の抽出物の製造法。
【請求項１１】
前記投入植物バイオマスが、ナガボソウ属の植物の空中部分を含む、請求項７に記載の抽出物の製造法。
【請求項１２】
前記植物がウスイロホナガソウである、請求項７に記載の抽出物の製造法。
【請求項１３】
水性抽出を含む、請求項７に記載の抽出物の製造法。
【請求項１４】
前記抽出物に含まれるイポラミイドと式Cのその誘導体の理論的含有量を、前記投入植物バイオマスに含まれるイポラミイドの実際の含有量から、下記数式（I）：
【数１】
2020507607.tif 000003
を用いて予測する工程を含む、請求項７〜１３のいずれか１項に記載の抽出物の製造法。
【請求項１５】
請求項１または２に記載の式Cのイポラミイド誘導体が富化された、ナガボソウ属の植物に由来する抽出物。
【請求項１６】
請求項７〜１４のいずれか１項に記載の方法によって得られる式Cのイポラミイド誘導体が富化されたナガボソウ属の植物に由来する抽出物。
【請求項１７】
1％〜20％のイポラミイドまたは式Cのイポラミイド誘導体を含む、請求項１５または１６に記載のナガボソウ属の植物に由来する抽出物。
【請求項１８】
免疫障害の治療における免疫抑制剤としての使用のための、請求項１５〜１７のいずれか１項に記載のナガボソウ属の植物に由来する抽出物。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月25日(2021.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
乾燥したグースベリー製品若しくはマンゴー皮製品又はそれらに含有される植物化学物質を液体媒体に混合して還元剤溶液を生成することと、
金塩を前記還元剤溶液に混合することと、
他の還元剤の非存在下で前記金塩を反応させて、安定化した、生体適合性の、アユルベーダの（Ａｙｕｒｖｅｄｉｃ）封入された金ナノ粒子のナノ粒子溶液を生成することと、
を含む、アユルベーダの封入された金ナノ粒子を形成する方法。
【請求項２】
前記混合は、乾燥したグースベリー製品又はマンゴー皮製品を混合することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記液体媒体は、蒸留水（及び／又は脱イオン水）からなる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記液体媒体は、アルコール性媒体又は水とアルコールとの混合物からなる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記金塩は、非放射性のＡｕＣｌ４からなる、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記還元剤溶液におけるグースベリー製品の濃度は、１〜３又は１００〜２００ｍＭの範囲である、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
６〜１０ｍｌの蒸留水における金塩の重量に関する濃度は、６〜１０ｍｇのグースベリー粉末に対して４〜８ｍｇの範囲である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記反応は、２５℃〜２８℃の試薬溶液温度で行われる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記還元剤溶液におけるマンゴー皮製品の濃度は、前記金塩の完全な消費を確保するのに十分である、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記反応後、前記溶液から非反応物を除去することをさらに含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記混合は、グースベリー製品を混合し、前記混合は、前記液体媒体にアラビアゴムを混合することをさらに含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記反応後、（Ｂ）マンゴー皮植物化学物質、（Ｃ）クルクミン抽出物、（Ｄ）アラビアゴムを加えることをさらに含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記混合は、前記マンゴー皮製品を混合し、前記反応後、（Ｂ）グースベリー植物化学物質、（Ｃ）クルクミン抽出物、（Ｄ）アラビアゴムを混合することをさらに含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記マンゴー皮製品は、マンギフェリンである、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記ナノ粒子溶液は、腹腔内投与、静脈内投与、又は経口投与される、請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
安定化した、生体適合性の、アユルベーダの封入された金ナノ粒子の前記ナノ粒子溶液を処理して、アユルベーダの封入された金ナノ粒子薬の乾燥粉末又は乾燥カプセルを形成することをさらに含む、請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記乾燥粉末又は乾燥カプセルは、経口投与される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
アユルベーダの（Ａｙｕｒｖｅｄｉｃ）封入された金ナノ粒子の溶液、アユルベーダの封入された金ナノ粒子の乾燥粉末、又はアユルベーダの封入された金ナノ粒子の乾燥カプセルを含む、癌又は炎症疾患の治療薬。
【請求項１９】
前記アユルベーダの封入された金ナノ粒子は、非放射性の金ナノ粒子である、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
クルクミン抽出物及びアラビアゴムとともに乾燥粉末又はカプセルの状態で、マンゴー皮又はグースベリーに含有される植物化学物質に封入された非放射性の金ナノ粒子からなるアユルベータ医薬。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アユルベーダの封入された金ナノ粒子を形成する方法、癌又は炎症疾患の治療薬及びアユルベータ医薬
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月13日(2021.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
調整可能なワークピースバイアス用システムであって、
ワークピースにプラズマ処理を実施するプラズマチャンバと、
前記プラズマチャンバ内で、ワークピースに直接に結合され、ワークピースの上方に位置する電極と結合された第１のパルス電圧源と、
前記ワークピースに容量結合された第２のパルス電圧源と、
前記ワークピースに向けられたイオンフラックスのイオンエネルギー分布を調整するために、前記第１のパルス電圧源及び前記第２のパルス電圧源の１つ以上のパラメータに基づいて、前記第１のパルス電圧源及び前記第２のパルス電圧源を独立に制御するバイアス制御装置とを備えるシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月28日(2021.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カルボン酸銀と；溶媒と；ヒドロキシルおよび／またはカルボキシル末端ポリエステルを含むポリマーバインダーとを含む分子インク。
【請求項２】
カルボン酸銀が、インクの総重量に基づいて、インク中に２４重量％以上の銀装填量を提供する量でインク中に存在する、請求項１に記載の分子インク。
【請求項３】
インクの総重量に基づいて、インク中に２４重量％以上の銀装填量を提供する量のカルボン酸銀と；溶媒と；ポリマーバインダーを溶媒と相溶性にする官能基を有する、ポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルイミドまたはそれらの任意の混合物を含むポリマーバインダーとを含む分子インク。
【請求項４】
前記カルボン酸銀が、インクの総重量に基づいて、６０重量％以上の量でネオデカン酸銀を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のインク。
【請求項５】
前記ネオデカン酸銀が、インクの総重量に基づいて、８０重量％以上の量でインク中に存在する、請求項４に記載のインク。
【請求項６】
前記ポリマーバインダーが、インクの総重量に基づいて、０．５重量％〜３重量％の量で存在する、請求項１〜５のいずれか一項に記載のインク。
【請求項７】
前記溶媒がテルペンアルコールを含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載のインク。
【請求項８】
前記溶媒がα−テルピネオールを含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載のインク。
【請求項９】
前記溶媒が、インクの総重量に基づいて、１０重量％〜４０重量％の範囲の量でインク中に存在する、請求項７又は８に記載のインク。
【請求項１０】
基板上に導電性銀トレースを生成する方法であって、請求項１〜９のいずれか一項に記載のインクを基板上に堆積させて、基板上にインクの非導電性トレースを形成し、基板上のインクの非導電性トレースを焼結して、導電性銀トレースを形成することを含む、方法。
【請求項１１】
前記焼結が、１分〜１８０分の範囲内の時間で８０℃以上の温度で行われる、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記基板が、ポリエチレンテレフタレート、ポリオレフィン、ポリジメチルシロキサン、ポリスチレン、アクリロニトリル／ブタジエン／スチレン、ポリカーボネート、ポリイミド、熱可塑性ポリウレタン、シリコーンメンブレン、ウール、シルク、コットン、亜麻、ジュート、モーダル、竹、ナイロン、ポリエステル、アクリル、アラミド、スパンデックス、ポリラクチド、紙、ガラス、金属または誘電体コーティングを含む、請求項１０又は１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記堆積がスクリーン印刷を含む、請求項１０〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
請求項１〜９のいずれか一項に記載のインクから生成した導電性銀トレースを含む基板。
【請求項１５】
前記トレースが、少なくとも１時間、２３０℃を超える温度にさらされた後の、ＡＳＴＭ  Ｆ１６８３−０９に従った折り曲げ試験および折り目試験に耐えることができる、請求項１４に記載の基板。
【請求項１６】
請求項１４又は１５に記載の基板を含む電子装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年6月15日(2021.6.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８８】
工程１の後、ｐＨを２．８に調整した。バッチ「Ｄ」の場合、工程１の後のｐＨは既に２．８であったので、調整は必要なかった。ｐＨの調整後、均一なメジアン粒子径を、使用されたバッチの塩素含有量から独立して達成した。実施例１において、使用した全バッチにわたるメジアン粒子径の平均は、±５％未満の分布で４．９μｍであった。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９０】
実施例２
ポリメチルシルセスキオキサン粒子を、基本手順１によって製造した。工程１の後、バッチ「Ｄ」のｐＨを、３．２に調整した。バッチ「Ａ」の場合、工程１の後のｐＨは既に３．２であったので、調整は必要なかった。ｐＨの調整後、均一なメジアン粒子径を、使用されたバッチの塩素含有量から独立して達成した。実施例２において、使用した全バッチにわたるメジアン粒子径の平均は、±５％未満の分布で約４．２μｍであった。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
球状のポリシルセスキオキサン粒子を製造する方法であって、
第一工程において、一般式（Ｉ）：
ＲＳｉ（ＯＲ１）３
［式中、
Ｒは、炭素原子数１〜１６の炭化水素基であって、前記炭化水素基の炭素鎖が、互いに隣り合わない基−Ｏ−によって中断されていてもよい前記炭化水素基を表し、
Ｒ１は、Ｃ１−〜Ｃ４−アルキル基を表す。］
のトリアルコキシシランを含むとともに、塩素化合物を含むトリアルコキシシランＴを、ｐＨ６以下の酸性化水と混合することにより反応させて加水分解物を生じさせ、
第二工程において、前記加水分解物のｐＨを１〜６の値に調整し、
第三工程において、前記加水分解物を、塩基の水溶液又はＣ１−〜Ｃ４−アルカノール溶液と混合し、そして、
第四工程において、前記ポリシルセスキオキサン粒子を単離する前に、得られた混合物を少なくとも２時間貯蔵し、
前記第一工程〜前記第四工程を、異なる塩素含有量を有する複数のトリアルコキシシランＴのそれぞれに対して実施し、前記複数のトリアルコキシシランＴのそれぞれから、球状のポリシルセスキオキサン粒子を製造し、
前記複数のトリアルコキシシランＴに対して実施された前記第二工程において調整されたｐＨの偏差が±０．１未満である、前記方法。
【請求項２】
Ｒがエチル基又はメチル基を表す、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
Ｒ１がエチル基又はメチル基を表す、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記第一工程において、前記加水分解物を生じさせる前記反応を、ｐＨ４．５〜２で行う、請求項１〜３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記第一工程における前記反応の温度が０〜６０℃である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第一工程において、水１００重量部あたり５〜４３重量部のトリアルコキシシランを使用する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記第三工程において、水又は炭素原子数１〜３のアルカノール中のアルカリ金属水酸化物の溶液を使用する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記第三工程において、いずれの場合もアルカリ金属水酸化物の添加直後に６．５〜９．５のｐＨが確実に達成されるように、十分量のアルカリ金属水酸化物の溶液を添加する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第三工程において、アルカリ金属水酸化物の添加の際の温度が１０〜４０℃である、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記粒子を前記第四工程の後に濾過又は遠心分離によって単離する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月6日(2021.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ機器(UE)によるワイヤレス通信のための方法であって、
前記UEがサウンディング基準信号(SRS)送信に使用するためのプリコーディングリソースブロックグループ(PRG)サイズを決定するステップであって、前記SRS送信が、1つまたは複数のPRGを含む帯域幅にわたって割り振られ、前記1つまたは複数のPRGの各々が、1つまたは複数のプリコーディングリソースブロック(PRB)を含む、ステップと、
前記決定に従って前記SRS送信を基地局(BS)に送信するステップであって、各PRGが異なるプリコーダと関連し、同じプリコーダがそれぞれのPRG内で前記SRS送信に使用される、ステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記決定が、前記基地局からのシグナリングに基づく、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記SRS送信に対するPRGサイズまたはレイヤの数のうちの推奨される少なくとも1つの指示を前記基地局に送信するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記SRS送信に対する前記PRGサイズまたは前記レイヤの数が、前記BSから前記UEに1つまたは複数のダウンリンク基準信号を送信するために使用される、請求項3に記載の方法。
【請求項５】
前記決定が、前記SRS送信のために使用されるポートの数に基づく、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
レイヤの数が所定の数より少ない場合、前記PRGサイズが全動作帯域幅に相当する、請求項2に記載の方法。
【請求項７】
前記決定が、前記UEの電力ヘッドルームに基づく、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記UEが全電力で送信しているので利用可能なUE電力ヘッドルームが存在しない場合、前記PRGサイズが全動作帯域幅に相当する、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
基地局によるワイヤレス通信のための方法であって、
ユーザ機器(UE)がサウンディング基準信号(SRS)送信に使用するためのプリコーディングリソースブロックグループ(PRG)サイズを決定するステップであって、前記SRS送信が1つまたは複数のPRGを含む帯域幅にわたって割り振られ、前記1つまたは複数のPRGの各々が、1つまたは複数のプリコーディングリソースブロック(PRB)を含む、ステップと、
前記決定に従って前記UEからのSRS送信を受信するステップであって、各PRGが異なるプリコーダと関連し、同じプリコーダがそれぞれのPRG内で前記SRS送信に使用される、ステップとを含む、方法。
【請求項１０】
前記PRGサイズに関する情報を前記UEにシグナリングするステップをさらに含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記SRS送信に対するPRGサイズまたはレイヤの数のうちの推奨される少なくとも1つの指示を前記UEから受信するステップをさらに含む、請求項9に記載の方法。
【請求項１２】
ユーザ機器(UE)によるワイヤレス通信の装置であって、
少なくとも1つのプロセッサを備え、前記少なくとも1つのプロセッサが、
前記UEがサウンディング基準信号(SRS)送信に使用するためのプリコーディングリソースブロックグループ(PRG)サイズを決定することであって、前記SRS送信が、1つまたは複数のPRGを含む帯域幅にわたって割り振られ、前記1つまたは複数のPRGの各々が、1つまたは複数のプリコーディングリソースブロック(PRB)を含む、ことと、
前記決定に従って前記SRS送信を基地局(BS)に送信することであって、各PRGが異なるプリコーダと関連し、同じプリコーダがそれぞれのPRG内で前記SRS送信に使用されることと
を行うように構成される、装置。
【請求項１３】
基地局(BS)によるワイヤレス通信の装置であって、
少なくとも1つのプロセッサを備え、前記少なくとも1つのプロセッサが、
ユーザ機器(UE)がサウンディング基準信号(SRS)送信に使用するためのプリコーディングリソースブロックグループ(PRG)サイズを決定することであって、前記SRS送信が1つまたは複数のPRGを含む帯域幅にわたって割り振られ、前記1つまたは複数のPRGの各々が、1つまたは複数のプリコーディングリソースブロック(PRB)を含む、ことと、
前記決定に従って前記UEからのSRS送信を受信することであって、各PRGが異なるプリコーダと関連し、同じプリコーダがそれぞれのPRG内で前記SRS送信に使用されることと
を行うように構成される、装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月28日(2020.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基地局によるワイヤレス通信の方法であって、
少なくとも1つのダウンリンク送信のための1つまたは複数の狭帯域をユーザ機器(UE)に割り振るステップと、
前記1つまたは複数の狭帯域と関連付けられる情報、およびリソースインジケータ値(RIV)を前記UEに送信するステップとを備え、前記RIVが、前記1つまたは複数の狭帯域の各々における前記少なくとも1つのダウンリンク送信のために割り振られる、共通の開始RBおよびRBの共通のセットを示し、同じRIVが、前記少なくとも1つのダウンリンク送信のために割り振られる前記1つまたは複数の狭帯域の各々のために使用される、方法。
【請求項２】
1つまたは複数の狭帯域を割り振ることが、
20メガヘルツ(MHz)帯域幅の中の16個の6RB狭帯域のセットからの2つの連続する狭帯域の1つまたは複数のグループを割り振ることを含み、前記1つまたは複数の狭帯域と関連付けられる前記情報が、2つの連続する狭帯域のどのグループが前記UEに割り振られるかを示す、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記RIVおよび前記1つまたは複数の狭帯域と関連付けられる前記情報が、一緒にコーディングされ前記UEへ送信される、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
前記1つまたは複数の狭帯域を割り振ることが、
20MHz帯域幅内の4個の5MHzサブバンドを決定し、
前記4個の5MHzサブバンドのうちの1つの中へと1つまたは複数の狭帯域の割振りを制限することを含み、
前記UEに送信される前記情報が、前記4個の5MHzサブバンドのいずれの中に、前記共通の開始RBおよびRBの前記共通の数が割り振られるかを示し得る、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記RIVが、前記1つまたは複数の狭帯域のうちの少なくとも1つのための、開始RBとRBの数とのすべての可能な有効な組合せを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記RIVが、前記1つまたは複数の狭帯域のうちの少なくとも1つのための、開始RBとRBの数とのすべての可能な有効な組合せのサブセットを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記1つまたは複数の狭帯域が、16個の6RB狭帯域のセットからの4つの連続する狭帯域のグループ内に含まれ、
前記1つまたは複数の狭帯域と関連付けられる前記情報が、4つの連続する狭帯域の前記グループ内のどの狭帯域が前記UEに割り振られるかを示し得る、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記4個の5MHzサブバンドが、前記20MHz帯域幅内の重複しないサブバンドである、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
ユーザ機器(UE)によるワイヤレス通信の方法であって、
少なくとも1つのダウンリンク送信のために割り振られる1つまたは複数の狭帯域と関連付けられる情報、およびリソースインジケータ値(RIV)を基地局から受信するステップであって、前記RIVが、前記1つまたは複数の狭帯域の各々において割り振られる、共通の開始RBおよびRBの共通のセットを示し、同じRIVが前記少なくとも1つのダウンリンク送信のために割り振られる前記1つまたは複数の狭帯域の各々のために使用される、ステップと、
前記少なくとも1つのダウンリンク送信のために前記1つまたは複数の狭帯域の各々において割り振られる、前記共通の開始RBおよびRBの前記共通の数を監視するステップとを備える、方法。
【請求項１０】
前記1つまたは複数の狭帯域が、20メガヘルツ(MHz)帯域幅の中の16個の6RB狭帯域のセットからの2つの連続する狭帯域の1つまたは複数のグループを含み、
前記1つまたは複数の狭帯域と関連付けられる前記情報が、連続する狭帯域のどのグループが前記UEに割り振られるかを示す、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記UEによって受信される、前記RIVおよび前記1つまたは複数の狭帯域と関連付けられる前記情報が、一緒にコーディングされる、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記1つまたは複数の狭帯域が、20MHz帯域幅内の4個の5MHzサブバンドのうちの1つに制限され、
前記RBと関連付けられる前記情報が、前記4個の5MHzサブバンドのいずれの中に、前記RBが割り振られるかを示しうる、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記RIVが、前記1つまたは複数の狭帯域のうちの少なくとも1つのための、開始RBとRBの数とのすべての可能な有効な組合せを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記RIVが、前記1つまたは複数の狭帯域のうちの少なくとも1つのための、開始RBとRBの数とのすべての可能な有効な組合せのサブセットを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記1つまたは複数の狭帯域が、16個の6RB狭帯域のセットからの4つの連続する狭帯域のグループ内に含まれ、
前記1つまたは複数の狭帯域と関連付けられる前記情報が、4つの連続する狭帯域の前記グループ内のどの狭帯域が前記UEに割り振られるかを示し得る、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
前記4個の5MHzサブバンドが、前記20MHz帯域幅内の重複しないサブバンドである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１から８のいずれか一項に記載されている方法を実行する手段を備える、基地局によるワイヤレス通信のための装置。
【請求項１８】
請求項９から１６のいずれか一項に記載されている方法を実行する手段を備える、ユーザ機器(UE)によるワイヤレス通信のための装置。
【請求項１９】
プロセッサにより実行されるときに、請求項１から８のいずれか一項に記載されている方法を前記プロセッサに実行させる命令を含む、コンピュータプログラム。
【請求項２０】
プロセッサにより実行されるときに、請求項９から１６のいずれか一項に記載されている方法を前記プロセッサに実行させる命令を含む、コンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月27日(2021.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カートリッジを含むヘッド部と、
前記ヘッド部を支持するマイクロホン本体と、
前記マイクロホン本体に接続されたスリーブと、
を備えるマイクロホンであって、前記スリーブは、
外側シェルと、
前記外側シェル内部に形成されたキャビティと、
前記外側シェルの内面に形成されたキー溝と、
前記キャビティ内部に位置決めされており、複数の電気接点を収容するように構成された接点位置のアレイを含む電気ブロックと、
前記外側シェルの内面から延びる、前記電気ブロックの第１の端部に近接する第１の突起部と、
を含む、ことを特徴とするマイクロホン。
【請求項２】
前記電気ブロックは更に、前記電気ブロックの前記接点位置内部に複数のオーディオ接点及び複数の照明接点を含み、前記複数の照明接点のうちの１又は２以上は、前記カートリッジと通信する、請求項１に記載のマイクロホン。
【請求項３】
前記アレイは、矩形アレイであり、２×５マトリクスで配列された１０個の接点位置を備える、請求項１に記載のマイクロホン。
【請求項４】
前記マイクロホンは更に、前記ヘッド部、シャフト又は前記マイクロホン本体のうちの１又は２以上に取り付けられた照明を備え、前記複数の照明接点のうちの１又は２以上は、前記照明と通信する、請求項２に記載のマイクロホン。
【請求項５】
前記キー溝は、略円弧状の表面を有し、位置決め機構を備える、請求項１に記載のマイクロホン。
【請求項６】
前記第１の突起部は、略矩形の断面を有し、構造機構を備える、請求項５に記載のマイクロホン。
【請求項７】
前記外側シェルの前記内面から延びる第２の突起部を更に備え、前記第２の突起部は、前記電気ブロックの第２の端部に近接し、前記第１及び第２の突起部は、前記外側シェルの１８０度反対側にある、請求項１に記載のマイクロホン。
【請求項８】
前記スリーブは、レセプタクルに挿入可能であり、前記レセプタクルは、
ハウジングと、
前記ハウジング内に形成された第２のキャビティと、
前記第２のキャビティ内部に位置決めされたフレームと、
前記フレーム上に形成された第３の突起部と、
前記フレームによって支持され前記第２のキャビティ内部に位置決めされた第２の電気ブロックと、
を備える、請求項１に記載のマイクロホン。
【請求項９】
前記スリーブは、（ｉ）前記第３の突起部が前記キー溝に入り込み、（ｉｉ）前記第１及び第２の電気ブロックが互いに係合するように、前記レセプタクルに挿入可能である、請求項８に記載のマイクロホン。
【請求項１０】
前記レセプタクルは更に、前記第２の電気ブロックの端部に近接して前記フレーム内に形成された第２のキー溝を備える、請求項９に記載のマイクロホン。
【請求項１１】
前記スリーブが、前記レセプタクルに挿入された場合に、前記第１の突起部は、前記第２のキー溝に入り込む、請求項１０に記載のマイクロホン。
【請求項１２】
前記第３の突起部及び前記キー溝は、略円弧状の表面を有し、位置決め機構を備える、請求項１１に記載のマイクロホン。
【請求項１３】
前記第１の突起部及び前記第２のキー溝は、略矩形の断面を有し、構造機構を備える、請求項１１に記載のマイクロホン。
【請求項１４】
前記レセプタクルは更に、ラッチを備え、前記スリーブは更に、ラッチ係合構造体を備え、前記ラッチ係合構造体は、前記外側シェルの内面内部に形成されたリップ部を備え、前記ラッチは、前記リップ部によって形成された溝に入り込む少なくとも１つの歯状部を含む、請求項８に記載のマイクロホン。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月23日(2020.12.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルを提供する基地局によるワイヤレス通信の方法であって、
第1のランダムアクセスチャネル(RACH)プロシージャに関連するパラメータの第1のセットを決定するステップであって、パラメータの前記第1のセットが、前記セルの中の第1のユーザ機器(UE)に対するビーム障害回復に関連し、パラメータの前記第1のセットが、第2のRACHプロシージャに関連するパラメータの第2のセットとは異なり、パラメータの前記第2のセットが初期アクセス、セル選択、セル再選択、タイミング同期の喪失、またはハンドオーバのうち少なくとも1つに関連する、ステップと、
パラメータの前記第1のセット又はパラメータの前記第2のセットのうち少なくとも1つを前記第1のUEへ送るステップと
を備える方法。
【請求項２】
パラメータの前記第2のセットを決定するステップと、
第2のUEによる使用のためにパラメータの前記第2のセットを前記セルの中で送るステップと
をさらに備える、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記第1のUEが前記セルの中で時間同期しており、前記第2のUEが前記セルの中で時間同期していない、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
パラメータの前記第2のセットが、ハンドオーバメッセージ、残存最小システム情報(RMSI)メッセージ、または他のシステム情報(OSI)メッセージの中で送られ、及び/又はパラメータの前記第1のセットが、無線リソース制御(RRC)メッセージの中で送られる請求項１に記載の方法。
【請求項５】
ユーザ機器(UE)によるワイヤレス通信の方法であって、
第1のランダムアクセスチャネル(RACH)プロシージャに関連するパラメータの第1のセットを基地局から受信するステップであって、前記第1のRACHプロシージャが、前記基地局とのビーム障害回復に関連する、ステップと、
パラメータの前記第1のセットとは異なる及び第2のRACHプロシージャに関連するパラメータの第2のセットを前記基地局から受信するステップであって、前記第2のRACHプロシージャが、初期アクセス、セル選択、セル再選択、タイミング同期の喪失、またはハンドオーバのうちの1つに関連する、ステップと、
前記UEが前記第1のRACHプロシージャを実行すべきであるときパラメータの前記第1のセットに基づいて、または前記UEが前記第2のRACHプロシージャを実行すべきであるときパラメータの前記第2のセットに基づいて、RACHプリアンブルを生成するステップと、
前記生成されたRACHプリアンブルを前記基地局へ送るステップと
を備える方法。
【請求項６】
前記生成されたRACHプリアンブルを送る前記ステップが、ビーム障害要求、または前記基地局の第2のビームに対応する第2のビームインデックスのうちの少なくとも1つを示す、請求項5に記載の方法。
【請求項７】
前記UEがセルの中で時間同期している、請求項5に記載の方法。
【請求項８】
パラメータの前記第2のセットが、ハンドオーバメッセージ、残存最小システム情報(RMSI)メッセージ、または他のシステム情報(OSI)メッセージの中で受信され、及び/又はパラメータの前記第1のセットは無線リソース制御(RRC)シグナリングを介して受信される、請求項5に記載の方法。
【請求項９】
セルを提供するように構成された装置であって、
第1のランダムアクセスチャネル(RACH)プロシージャに関連するパラメータの第1のセットを決定するための手段であって、パラメータの前記第1のセットが、前記セルの中の第1のユーザ機器(UE)に対するビーム障害回復に関連し、パラメータの前記第1のセットが、第2のRACHプロシージャに関連するパラメータの第2のセットとは異なり、パラメータの前記第2のセットが初期アクセス、セル選択、セル再選択、タイミング同期の喪失、またはハンドオーバのうち少なくとも1つに関連する、手段と、
パラメータの前記第1のセット又はパラメータの前記第2のセットのうち少なくとも1つを前記第1のUEへ送るための手段と
を備える装置。
【請求項１０】
パラメータの前記第2のセットを決定するための手段と、
第2のUEによる使用のためにパラメータの前記第2のセットを前記セルの中で送るための手段と
をさらに備える、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
パラメータの前記第2のセットが、ハンドオーバメッセージ、残存最小システム情報(RMSI)メッセージ、または他のシステム情報(OSI)メッセージの中で送られ、及び/又はパラメータの前記第1のセットが、無線リソース制御(RRC)メッセージの中で送られる請求項9に記載の装置。
【請求項１２】
ユーザ機器(UE)によるワイヤレス通信のための装置であって、
第1のランダムアクセスチャネル(RACH)プロシージャに関連するパラメータの第1のセットを基地局から受信するための手段であって、前記第1のRACHプロシージャが、前記基地局とのビーム障害回復に関連する、手段と、
パラメータの前記第1のセットとは異なる及び第2のRACHプロシージャに関連するパラメータの第2のセットを前記基地局から受信するための手段であって、前記第2のRACHプロシージャが、初期アクセス、セル選択、セル再選択、タイミング同期の喪失、またはハンドオーバのうちの1つに関連する、手段と、
前記UEが前記第1のRACHプロシージャを実行すべきであるときパラメータの前記第1のセットに基づいて、または前記UEが前記第2のRACHプロシージャを実行すべきであるときパラメータの前記第2のセットに基づいて、RACHプリアンブルを生成するための手段と、
前記生成されたRACHプリアンブルを前記基地局へ送るための手段と
を備える装置。
【請求項１３】
パラメータの前記第1のセットが、前記第1のRACHプロシージャに関連するルートシーケンスインデックス、前記第1のRACHプロシージャに関連する構成インデックス、前記第1のRACHプロシージャに関連する受信ターゲット電力、前記第1のRACHプロシージャに関連するルートシーケンスごとの巡回シフトの数、前記第1のRACHプロシージャに関連する最大プリアンブル送信の数、前記第1のRACHプロシージャに関連する電力急昇ステップ、前記第1のRACHプロシージャ用の候補ビームしきい値、および前記第1のRACHプロシージャに関連するPRACH周波数オフセットのうちの少なくとも1つを示す、請求項12に記載の装置。
【請求項１４】
前記UEと前記基地局との間の通信のために使用されるサービングビームの障害を検出するための手段と、
前記サービングビームの前記検出された障害に基づいて、パラメータの前記第1のセットを選択するための手段と
をさらに備える、請求項12に記載の装置。
【請求項１５】
実行させたときに請求項１から８のいずれか一項に記載の方法を少なくとも1つのコンピュータに実施させるための実行可能な命令を含むコンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月5日(2021.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
製品製造プロセス中におけるプロセス変動を識別する方法であって、
第１製品製造中の所定段階にて、
イメージングシステムによって、少なくとも１個のイメージングパラメタの様々な値を用い、前記第１製品のうちあるエリアの画像群を取得するステップと、
前記第１製品の前記エリアのそれら画像群を分析することで、前記少なくとも１個のイメージングパラメタによる、前記第１製品の前記エリアの前記画像群のコントラストの変動を表現する、前記第１製品に対する第１コントラストシグネチャを生成するステップと、
第２製品製造中の前記所定段階にて、
前記少なくとも１個のイメージングパラメタの様々な値を用い、前記第２製品のうち、前記第１製品の前記エリアに対応するエリアの画像群を取得するステップと、
前記第２製品の前記エリアのそれら画像を分析することで、前記少なくとも１個のイメージングパラメタによる、前記第２製品の前記エリアの前記画像群のコントラストの変動を表現する、前記第２製品に対する第２コントラストシグネチャを生成するステップと、
前記第１及び第２コントラストシグネチャを比較することで、前記第１及び第２製品の製造間でプロセスにて変動が生じたか否かを識別するステップと、
を有する方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記少なくとも１個のイメージングパラメタが、
前記イメージングシステムの開口数、
イメージング輻射の波長、
前記イメージングシステムの焦点、
前記イメージング輻射の偏向、
のうちいずれか１個又は複数個を含む方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、前記識別ステップが、前記第１及び第２コントラストシグネチャにおける１個又は複数個の特徴の、前記少なくとも１個のイメージングパラメタに対するシフトを検出するステップ、を含む方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記少なくとも１個のイメージングパラメタが２個のイメージングパラメタを含む方法。
【請求項５】
請求項４に記載の方法であって、前記２個のイメージングパラメタが前記イメージングシステムの焦点及びイメージング輻射の波長を含む方法。
【請求項６】
請求項４に記載の方法であって、前記識別ステップが、前記第１及び第２コントラストシグネチャにおける１個又は複数個の特徴の、前記少なくとも１個のイメージングパラメタに対するシフトを検出するステップ、を含む方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、前記識別ステップが、前記第１及び第２コントラストシグネチャにおける１個又は複数個の特徴の、前記少なくとも１個のイメージングパラメタに対するシフトを検出するステップ、を含む方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、前記第１及び第２コントラストシグネチャがそれぞれコントラストマップを含む方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、前記第１及び第２コントラストシグネチャが１個又は複数個の特徴を有し、前記１個又は複数個の特徴が、コントラストの変化率が最高となる前記少なくとも１個のイメージングパラメタの値を含む、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、前記分析ステップが、コントラストの測定値に符号を割り当てることにより、前記第１及び第２コントラストシグネチャがコントラスト反転を識別するステップを有する方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、第１及び第２コントラストシグネチャが１個又は複数個の特徴を有し、前記１個又は複数個の特徴が、前記コントラストが正から負、または負から正に変化する前記少なくとも１個のイメージングパラメタの値を含む方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法であって、前記エリアにオーバレイ計測用のターゲットが備わる方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、前記ターゲットが回折格子を有する方法。
【請求項１４】
請求項１に記載の方法であって、前記第１および第２製品がロットをなし製造され、前記第１及び第２製品が別々のロットに属する方法。
【請求項１５】
請求項１に記載の方法であって、さらなる第１及び第２製品の製造中に前記取得ステップ、分析ステップ及び比較ステップを反復するステップを有し、それにより潜在的製造プロセス変動を定期的に監視する方法。
【請求項１６】
請求項１に記載の方法であって、前記第１および第２製品が半導体ウェハである方法。
【請求項１７】
製品製造プロセス中におけるプロセス変動を識別するシステムであって、
照明システム及びイメージングシステムを備え、その照明システムが輻射源を有し、そのイメージングシステムが、その照明システムからの輻射を製品の表面に向かわせ且つその製品で反射された輻射源由来の輻射を受け取りその製品の画像を生成するよう配置され、
前記イメージングシステム、前記照明システム又はその双方を制御することで、少なくとも１個のイメージングパラメタの様々な値を用い所定製造段階における第１及び第２製品の画像群を得るよう配置された制御ユニットを備え、
前記画像を分析することで、前記少なくとも１個のイメージングパラメタによるコントラストの変動を表現する前記第１及び第２製品に対するそれぞれのコントラストシグネチャを生成するよう、且つ、前記第１及び第２コントラストシグネチャを比較することで、前記第１及び第２製品の製造間でプロセスにて変動が生じたか否かを識別するよう、構成された画像分析ユニットを備える、システム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月8日(2021.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にハードマスク層を形成する方法であって、
処理チャンバ内にシード層混合ガスを供給することによって、基板上にシード層を形成することと、
前記処理チャンバ内に遷移層混合ガスを供給することよって、前記シード層上に、タングステン、ホウ素、及び炭素を含む遷移層を形成することと、
前記処理チャンバ内に主要堆積混合ガスを供給することよって、前記遷移層上に、タングステン、ホウ素、及び炭素を含むバルクハードマスク層を形成することとを含む、
方法。
【請求項２】
前記遷移層混合ガスが、少なくとも、ホウ素ベースの前駆体ガスと、炭素ベースの前駆体ガスと、タングステンベースの前駆体ガスとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記主要堆積混合ガスが、前記ホウ素ベースの前駆体ガスと、前記炭素ベースの前駆体ガスと、前記タングステンベースの前駆体ガスとを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記シード層混合ガスが、少なくとも、前記ホウ素ベースの前駆体ガスと前記炭素ベースの前駆体ガスとを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ホウ素ベースの前駆体ガスはＢ２Ｈ６であり、前記炭素ベースの前駆体ガスはＣ３Ｈ６であり、前記タングステンベースの前駆体ガスはＷＦ６である、請求項３に記載の方法。
【請求項６】
前記遷移層混合ガスが、前記ホウ素ベースの前駆体ガスの一定のガス流量を維持しつつ、前記炭素ベースの前駆体ガスのガス流量を減少させることによって、前記処理チャンバに供給される、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記遷移層混合ガスが、前記タングステンベースの前駆体ガスのガス流量を漸増させることによって、前記処理チャンバに供給される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記主要堆積混合ガスが、前記ホウ素ベースの前駆体ガス、前記炭素ベースの前駆体ガス、及び前記タングステンベースの前駆体ガスを一定的に供給することによって、前記処理チャンバに供給される、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記シード層を形成している間、前記遷移層を形成している間、および前記バルクハードマスク層を形成している間において、水素ベースの前駆体ガスを前記処理チャンバ内に供給することを更に含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記水素ベースの前駆体ガスを前記処理チャンバ内に供給することが、前記水素ベースの前駆体ガスを前記処理チャンバ内に一定的に供給することを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記シード層を形成している間、および前記遷移層を形成している間において、高周波ＲＦ電力を勾配させることと、
前記バルクハードマスク層を形成している間において、前記高周波ＲＦ電力を一定的に供給することとを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
ハードマスク層を形成する方法であって、
処理チャンバ内に配置されった基板の表面上に、少なくとも、ホウ素ベースの前駆体ガスと、炭素ベースの前駆体ガスとを含む混合ガスを供給して、シード層を形成することと、
前記処理チャンバ内への前記ホウ素ベースの前駆体ガスの一定の流れを維持しつつ、前記炭素ベースの前駆体ガスを漸減し、前記混合ガスにおいて供給されるタングステンベースの前駆体ガスを漸増して、前記シード層上に遷移層を形成することと、
前記混合ガスにおける前記タングステンベースの前駆体ガスを、前記タングステンベースの前駆体ガスが所定の流量に到達するまで継続的に供給し、且つ前記タングステンベースの前駆体ガスを一定の所定の流量に維持して、バルクハードマスク層を形成することと
を含む、方法。
【請求項１３】
シード層と、遷移層と、前記遷移層上に配置されたバルクハードマスク層とを備えたハードマスク層であって、
前記シード層が炭化ホウ素層であり、前記遷移層が勾配タングステン炭化ホウ素層であり、かつ、前記バルクハードマスク層がタングステン炭化ホウ素層である、ハードマスク層。
【請求項１４】
約５０〜約７０原子パーセントのタングステンと、約１０〜約３０原子パーセントの炭素と、約１０〜約２０原子パーセントのホウ素とを含む、請求項１３に記載のハードマスク層。
【請求項１５】
勾配膜構造を有する、請求項１３に記載のハードマスク層。