【手続補正書】
【提出日】平成17年3月2日(2005.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光ダイオード
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、及び（Ｄ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に１個含有する化合物、を必須成分として含有することを特徴とする光学材料用組成物をあらかじめ混合し、組成物中のＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合とＳｉＨ基の一部または全部を反応させることによって硬化させてなる光学材料を用いた発光ダイオード。
【請求項２】
（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、及び（Ｄ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に１個含有する化合物、を必須成分として含有する硬化性組成物を用いて発光素子が被覆された発光ダイオード。
【請求項３】
（Ａ）成分は、ＳｉＨ基と反応性を有するビニル基を１分子中に少なくとも１個含有する有機化合物であることを特徴とする請求項１又は２記載の発光ダイオード。
【請求項４】
（Ａ）成分は、ＳｉＨ基と反応性を有するアリル基を１分子中に少なくとも１個含有する有機化合物であることを特徴とする請求項１又は２記載の発光ダイオード。
【請求項５】
（Ａ）成分は、１，２−ポリブタジエン、ビニルシクロヘキセン、シクロペンタジエン、ジシクロペンタジエン、ジビニルビフェニル、またはビスフェノールＡジアリルエーテルであることを特徴とする請求項１又は２記載の発光ダイオード。
【請求項６】
（Ａ）成分は、トリアリルイソシアヌレート、またはトリビニルシクロヘキサンであることを特徴とする請求項１又は２記載の発光ダイオード。
【請求項７】
（Ｄ）成分の９０℃における蒸気圧は、１００ｋＰａ以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の発光ダイオード。
【請求項８】
（Ｄ）成分の数平均分子量は、５００以下であることを特徴とする請求項１又は２記載の発光ダイオード。
【請求項９】
前記硬化性組成物は、前記発光素子を被覆する前にあらかじめ混合されて組成物中のＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合とＳｉＨ基の一部または全部が反応していることを特徴とする請求項２記載の発光ダイオード。
【請求項１０】
前記硬化性組成物から得られる透光性封止材は、前記発光素子から発光される光の一部を吸収しより長波長の蛍光を発光することが可能な蛍光体を含有する第一の層と、該第一の層より透光性の高い第二の層とからなることを特徴とする請求項２記載の発光ダイオード。
【請求項１１】
前記発光素子は少なくとも発光層が可視光を発光する窒化物半導体であると共に、前記蛍光体は、Ｙ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍからなる群より選択される少なくとも１つの元素と、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選択される少なくとも１つの元素とを有するセリウムで付活されたガーネット系蛍光体であることを特徴とする請求項１０に記載の発光ダイオード。
【請求項１２】
（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、及び（Ｄ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に１個含有する化合物、を必須成分として含有する硬化性組成物を用いて発光素子が被覆された発光ダイオードの製造方法であって、
前記硬化性組成物は、前記発光素子を被覆する前にあらかじめ混合されて組成物中のＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合とＳｉＨ基の一部または全部が反応していることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
【請求項１３】
前記硬化性組成物に、前記発光素子から発光される光の一部を吸収してより長波長の蛍光を発光することが可能な蛍光体を添加し混合分散したものにて、前記発光素子を封止することを特徴とする請求項１２に記載の発光ダイオードの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち、本発明は、
（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、及び（Ｄ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に１個含有する化合物、を必須成分として含有することを特徴とする光学材料用組成物をあらかじめ混合し、組成物中のＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合とＳｉＨ基の一部または全部を反応させることによって硬化させてなる光学材料を用いた発光ダイオードである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、及び（Ｄ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に１個含有する化合物、を必須成分として含有する硬化性組成物を用いて発光素子が被覆された発光ダイオードであり、
（Ａ）成分は、ＳｉＨ基と反応性を有するビニル基を１分子中に少なくとも１個含有する有機化合物とすることもできる。
（Ａ）成分は、ＳｉＨ基と反応性を有するアリル基を１分子中に少なくとも１個含有する有機化合物とすることもできる。
（Ａ）成分は、１，２−ポリブタジエン、ビニルシクロヘキセン、シクロペンタジエン、ジシクロペンタジエン、ジビニルビフェニル、またはビスフェノールＡジアリルエーテルを用いることができる。
（Ａ）成分は、トリアリルイソシアヌレート、またはトリビニルシクロヘキサンを用いることができる。
（Ｄ）成分の９０℃における蒸気圧は、１００ｋＰａ以下であることが好ましい。
（Ｄ）成分の数平均分子量は、５００以下であることが好ましい。
前記硬化性組成物は、前記発光素子を被覆する前にあらかじめ混合されて組成物中のＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合とＳｉＨ基の一部または全部が反応していることが好ましい。
前記硬化性組成物から得られる透光性封止材は、前記発光素子から発光される光の一部を吸収しより長波長の蛍光を発光することが可能な蛍光体を含有する第一の層と、該第一の層より透光性の高い第二の層とからなることが好ましい。
前記発光素子は少なくとも発光層が可視光を発光する窒化物半導体であると共に、前記蛍光体は、Ｙ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ及びＳｍからなる群より選択される少なくとも１つの元素と、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎからなる群より選択される少なくとも１つの元素とを有するセリウムで付活されたガーネット系蛍光体であることが好ましい。
（Ａ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に少なくとも２個含有する有機化合物、（Ｂ）１分子中に少なくとも２個のＳｉＨ基を含有するケイ素化合物、（Ｃ）ヒドロシリル化触媒、及び（Ｄ）ＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合を１分子中に１個含有する化合物、を必須成分として含有する硬化性組成物を用いて発光素子が被覆された発光ダイオードの製造方法であって、
前記硬化性組成物は、前記発光素子を被覆する前にあらかじめ混合されて組成物中のＳｉＨ基と反応性を有する炭素−炭素二重結合とＳｉＨ基の一部または全部が反応しているものである。
前記硬化性組成物に、前記発光素子から発光される光の一部を吸収してより長波長の蛍光を発光することが可能な蛍光体を添加し混合分散したものにて、前記発光素子を封止することが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５９】
（実施例７）
実施例３と同様に順次積層された窒化物半導体において、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング）装置でｐ型窒化物半導体層側からエッチングを行い、負電極が形成されるｎ型コンタクト層の表面を露出させる。次に、最上層にあるｐ型コンタクト層上のほぼ全面にリフトオフ法によりＮｉ／Ａｕを膜厚６０／２００Åにて積層し、オーミック接触が良好で且つ優れた透過性を有する第一の正電極を形成する。また、上記透光性第一の正電極上の一部にＡｕを膜厚１μｍ積層し、正極側ボンディング部となる第二の正電極を形成する。