【手続補正書】
【提出日】平成16年5月20日(2004.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２の電極を有する基板と、
前記基板の１つの面上に搭載され、第１および第２の対向辺対を有し、入力端子および出力端子を有する増幅回路を有して成る四辺形状の半導体チップと、
前記基板の前記第１の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記入力端子とを電気的に接続する第１の接続導体と、
前記基板の前記第２の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記出力端子とを電気的に接続する第２の接続導体とを具備して成り、
前記第１および第２の電極は前記１つの面上に形成され、
前記増幅回路は第１および第２のトランジスタを有し、該第１および第２のトランジスタは入力端子および出力端子を有し、前記第１のトランジスタの前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記入力端子は前記第１のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記出力端子と接続され、
前記第１の接続導体は、該第１の接続導体と前記半導体チップの前記第１の対向辺対の一方の辺とが互いに交差するように、前記増幅回路の前記入力端子から前記基板の前記第１の電極まで延在し、
前記第２の接続導体は、該第２の接続導体と前記半導体チップの前記第２の対向辺対の一方の辺とが互いに交差するように、前記増幅回路の前記出力端子から前記基板の前記第２の電極まで延在することを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１のトランジスタの前記出力端子と前記第２のトランジスタの前記入力端子とは整合回路を介して互いに接続されていることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１および第２のトランジスタの各々は、ゲート、ソース、およびドレインを有する電界効果トランジスタを含んで成り、
前記第１のトランジスタの前記入力端子は、前記第１のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ゲートであり、
前記第２のトランジスタの前記出力端子は、前記第２のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ドレインであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項４】
請求項１において、
前記第１および第２のトランジスタの各々は、バイポーラトランジスタであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項５】
請求項１において、
前記増幅回路の前記入力端子と前記出力端子との距離は0.3mm以上であり、前記第１および第２のトランジスタの安定係数は１以上であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項６】
第１および第２の電極を有する基板と、
前記基板の１つの面上に搭載され、第１および第２の対向辺対を有し、入力端子および出力端子を有する増幅回路を有して成る四辺形状の半導体チップと、
前記基板の前記第１の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記入力端子とを電気的に接続する第１の接続導体と、
前記基板の前記第２の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記出力端子とを電気的に接続する複数の第２の接続導体とを具備して成り、
前記第１および第２の電極は前記１つの面上に形成され、
前記増幅回路は第１および第２のトランジスタを有し、該第１および第２のトランジスタは入力端子および出力端子を有し、前記第１のトランジスタの前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記入力端子は前記第１のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記出力端子と接続され、
前記第１の接続導体は、該第１の接続導体と前記半導体チップの前記第１の対向辺対の一方の辺とが互いに交差するように、前記増幅回路の前記入力端子から前記基板の前記第１の電極まで延在し、
前記複数の第２の接続導体の各々は、該複数の第２の接続導体の各々と前記半導体チップの前記第２の対向辺対の一方の辺とが互いに交差するように、前記増幅回路の前記出力端子から前記基板の前記第２の電極まで延在することを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項７】
請求項６において、
前記第１のトランジスタの前記出力端子と前記第２のトランジスタの前記入力端子とは整合回路を介して互いに接続されていることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項８】
請求項６において、
前記第１および第２のトランジスタの各々は、ゲート、ソース、およびドレインを有する電界効果トランジスタを含んで成り、
前記第１のトランジスタの前記入力端子は、前記第１のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ゲートであり、
前記第２のトランジスタの前記出力端子は、前記第２のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ドレインであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項９】
請求項６において、
前記第１および第２のトランジスタの各々は、バイポーラトランジスタであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項１０】
請求項６において、
前記増幅回路の前記入力端子と前記出力端子との距離は0.3mm以上であり、前記第１および第２のトランジスタの安定係数は１以上であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項１１】
第１および第２の電極を有する基板と、
前記基板の１つの面上に搭載され、第１および第２の対向辺対を有し、入力端子および出力端子を有する増幅回路を有して成る四辺形状の半導体チップと、
前記基板の前記第１の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記入力端子とを電気的に接続する第１の接続導体と、
前記基板の前記第２の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記出力端子とを電気的に接続する第２の接続導体とを具備して成り、
前記第１および第２の電極は前記１つの面上に形成され、
前記増幅回路は第１および第２のトランジスタを有し、該第１および第２のトランジスタは入力端子および出力端子を有し、前記第１のトランジスタの前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記入力端子は前記第１のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記出力端子と接続され、
前記第１の接続導体は第１の方向に延在し、前記第２の接続導体は前記第１の方向とは異なる第２の方向に延在し、
前記第１の方向と前記第２の方向との成す角は、前記基板の前記１つの面を平面図として見た場合に72〜180度の範囲内であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記第１のトランジスタの前記出力端子と前記第２のトランジスタの前記入力端子とは整合回路を介して互いに接続されていることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項１３】
請求項１１において、
前記第１および第２のトランジスタの各々は、ゲート、ソース、およびドレインを有する電界効果トランジスタを含んで成り、
前記第１のトランジスタの前記入力端子は、前記第１のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ゲートであり、
前記第２のトランジスタの前記出力端子は、前記第２のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ドレインであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項１４】
請求項１１において、
前記第１および第２のトランジスタの各々は、バイポーラトランジスタであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項１５】
請求項１１において、
前記増幅回路の前記入力端子と前記出力端子との距離は0.3mm以上であり、前記第１および第２のトランジスタの安定係数は１以上であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項１６】
第１および第２の電極を有する基板と、
前記基板の１つの面上に搭載され、第１および第２の対向辺対を有し、入力端子および出力端子を有する増幅回路を有して成る四辺形状の半導体チップと、
前記基板の前記第１の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記入力端子とを電気的に接続する第１の接続導体と、
前記基板の前記第２の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記出力端子とを電気的に接続する第２の接続導体とを具備して成り、
前記第１および第２の電極は前記１つの面上に形成され、
前記増幅回路は第１および第２のトランジスタを有し、該第１および第２のトランジスタは入力端子および出力端子を有し、前記第１のトランジスタの前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記入力端子は前記第１のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記出力端子と接続され、
前記第１の電極から前記増幅回路の前記入力端子までの延長線分で定義される第１の方向と、前記第２の電極から前記増幅回路の前記出力端子までの延長線分で定義される第２の方向との成す角は、72〜180度の範囲内であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記第１のトランジスタの前記出力端子と前記第２のトランジスタの前記入力端子とは整合回路を介して互いに接続されていることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項１８】
請求項１６において、
前記第１および第２のトランジスタの各々は、ゲート、ソース、およびドレインを有する電界効果トランジスタを含んで成り、
前記第１のトランジスタの前記入力端子は、前記第１のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ゲートであり、
前記第２のトランジスタの前記出力端子は、前記第２のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ドレインであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項１９】
請求項１６において、
前記第１および第２のトランジスタの各々は、バイポーラトランジスタであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項２０】
請求項１６において、
前記増幅回路の前記入力端子と前記出力端子との距離は0.3mm以上であり、前記第１および第２のトランジスタの安定係数は１以上であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項２１】
第１および第２の電極を有する基板と、
前記基板の１つの面上に搭載され、第１および第２の対向辺対を有し、入力端子および出力端子を有する増幅回路を有して成る四辺形状の半導体チップと、
前記基板の前記第１の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記入力端子とを電気的に接続する第１の接続導体と、
前記基板の前記第２の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記出力端子とを電気的に接続する第２の接続導体とを具備して成り、
前記第１および第２の電極は前記１つの面上に形成され、
前記増幅回路は第１および第２のトランジスタを有し、該第１および第２のトランジスタは入力端子および出力端子を有し、前記第１のトランジスタの前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記入力端子は前記第１のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記出力端子と接続され、
前記第１の接続導体は第１の方向に延在し、前記第２の接続導体は前記第１の方向とは異なる第２の方向に延在し、
前記第１の方向と前記第２の方向との成す角は、前記基板の前記１つの面を平面図として見た場合に略90度であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項２２】
請求項２１において、
前記第１のトランジスタの前記出力端子と前記第２のトランジスタの前記入力端子とは整合回路を介して互いに接続されていることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項２３】
請求項２１において、
前記第１および第２のトランジスタの各々は、ゲート、ソース、およびドレインを有する電界効果トランジスタを含んで成り、
前記第１のトランジスタの前記入力端子は、前記第１のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ゲートであり、
前記第２のトランジスタの前記出力端子は、前記第２のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ドレインであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項２４】
請求項２１において、
前記第１および第２のトランジスタの各々は、バイポーラトランジスタであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項２５】
請求項２１において、
前記増幅回路の前記入力端子と前記出力端子との距離は0.3mm以上であり、前記第１および第２のトランジスタの安定係数は１以上であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項２６】
第１および第２の電極を有する基板と、
前記基板の１つの面上に搭載され、第１および第２の対向辺対を有し、入力端子および出力端子を有する増幅回路を有して成る四辺形状の半導体チップと、
前記基板の前記第１の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記入力端子とを電気的に接続する第１の接続導体と、
前記基板の前記第２の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記出力端子とを電気的に接続する第２の接続導体とを具備して成り、
前記第１および第２の電極は前記１つの面上に形成され、
前記増幅回路は第１および第２のトランジスタを有し、該第１および第２のトランジスタは入力端子および出力端子を有し、前記第１のトランジスタの前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記入力端子は前記第１のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記出力端子と接続され、
前記第１の電極と前記増幅回路の前記入力端子との距離は、前記第２の電極と前記増幅回路の前記出力端子との距離よりも長いことを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項２７】
請求項２６において、
前記第１のトランジスタの前記出力端子と前記第２のトランジスタの前記入力端子とは整合回路を介して互いに接続されていることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項２８】
請求項２６において、
前記第１および第２のトランジスタの各々は、ゲート、ソース、およびドレインを有する電界効果トランジスタを含んで成り、
前記第１のトランジスタの前記入力端子は、前記第１のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ゲートであり、
前記第２のトランジスタの前記出力端子は、前記第２のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ドレインであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項２９】
請求項２６において、
前記第１および第２のトランジスタの各々は、バイポーラトランジスタであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項３０】
請求項２６において、
前記増幅回路の前記入力端子と前記出力端子との距離は0.3mm以上であり、前記第１および第２のトランジスタの安定係数は１以上であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項３１】
第１および第２の電極を有する基板と、
前記基板の１つの面上に搭載され、第１および第２の対向辺対を有し、入力端子および出力端子を有する増幅回路を有して成る四辺形状の半導体チップと、
前記基板の前記第１の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記入力端子とを電気的に接続する第１の接続導体と、
前記基板の前記第２の電極と前記半導体チップの前記増幅回路の前記出力端子とを電気的に接続する第２の接続導体とを具備して成り、
前記第１および第２の電極は前記１つの面上に形成され、
前記増幅回路は第１および第２のトランジスタを有し、該第１および第２のトランジスタは入力端子および出力端子を有し、前記第１のトランジスタの前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記入力端子は前記第１のトランジスタの前記入力端子と接続され、前記増幅回路の前記出力端子は前記第２のトランジスタの前記出力端子と接続され、
前記第１の電極から前記増幅回路の前記入力端子まで延在する前記第１の接続導体は、前記第２の電極から前記増幅回路の前記出力端子まで延在する前記第２の接続導体よりも長いことを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項３２】
請求項３１において、
前記第１のトランジスタの前記出力端子と前記第２のトランジスタの前記入力端子とは整合回路を介して互いに接続されていることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項３３】
請求項３１において、
前記第１および第２のトランジスタの各々は、ゲート、ソース、およびドレインを有する電界効果トランジスタを含んで成り、
前記第１のトランジスタの前記入力端子は、前記第１のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ゲートであり、
前記第２のトランジスタの前記出力端子は、前記第２のトランジスタの前記電界効果トランジスタの前記ドレインであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項３４】
請求項３１において、
前記第１および第２のトランジスタの各々は、バイポーラトランジスタであることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。
【請求項３５】
請求項３１において、
前記増幅回路の前記入力端子と前記出力端子との距離は0.3mm以上であり、前記第１および第２のトランジスタの安定係数は１以上であることを特徴とする高周波電力増幅器モジュール。