【手続補正書】
【提出日】平成17年3月15日(2005.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】メッキ方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された凹凸パターンを有する構造体の表面の少なくとも一部に形成された導電体層に陰極電位を与え、該導電体層に対して陽極と電気的に接触するメッキ液を供給することによって、該導電体層上にメッキ膜を形成するメッキ方法において、
前記陽極が接続された前記メッキ液を含む含浸体を前記導電体層の少なくとも一部の領域に接触させることによって、前記メッキ膜を形成することを特徴とするメッキ方法。
【請求項２】
半導体基板上に形成された構造体の表面の少なくとも一部に形成された導電体層に陰極電位を与え、該導電体層に対して陽極と電気的に接触するメッキ液を供給することによって、該導電体層上にメッキ膜を形成するメッキ方法において、
前記陽極が接続された前記メッキ液を含む含浸体を前記導電体層の少なくとも一部の領域に接触させることによって、前記メッキ膜を形成すると共に、前記メッキ膜の膜厚分布の制御を行うことを特徴とするメッキ方法。
【請求項３】
前記メッキ膜の膜厚分布の制御は、前記構造体の凹凸に応じて行うことを特徴とする請求項２に記載のメッキ方法。
【請求項４】
前記メッキ膜の膜厚分布の制御は、前記含浸体の滞在時間及び印加電流値の少なくとも一方を制御することによって行うことを特徴とする請求項２に記載のメッキ方法。
【請求項５】
前記メッキ膜の膜厚分布の制御は、前記含浸体上に所望のパターンを有する陽極を配置することによって行うことを特徴とする請求項２に記載のメッキ方法。
【請求項６】
前記メッキ膜の膜厚分布の制御は、前記含浸体の内部に所望のパターンの電極又は絶縁体を設けることによって行うことを特徴とする請求項２に記載のメッキ方法。
【請求項７】
前記メッキ膜の膜厚分布の制御は、前記導電体層に対する前記メッキ液の供給量分布が所望の分布となっている前記含浸体を用いることによって行うことを特徴とする請求項２に記載のメッキ方法。
【請求項８】
前記含浸体と前記半導体基板とを接触面方向に相対的に移動させつつ前記メッキ膜を形成することを特徴とする請求項１又は２に記載のメッキ方法。
【請求項９】
基体の表面の少なくとも一部に形成された導電体層に陰極電位を与え、該導電体層に対して陽極と電気的に接触するメッキ液を供給することによって、該導電体層上にメッキ膜を形成するメッキ方法において、
前記含浸体が前記導電体層又は該導電体層上に形成される前記メッキ膜の少なくとも一部の領域に接触する状態を保持しつつ、前記基体と前記含浸体とを接触面に対して垂直方向に相対的に移動させることを特徴とするメッキ方法。
【請求項１０】
前記基体と前記含浸体との接触面の垂直方向への相対的な移動は、前記メッキ膜の成長に応じて前記半導体基板と前記含浸体とを離す移動であることを特徴とする請求項９に記載のメッキ方法。
【請求項１１】
前記メッキ膜の成長に応じて、前記接触面の垂直方向への相対的な移動の移動速度及び印加電流値の少なくとも一方を制御することを特徴とする請求項９に記載のメッキ方法。
【請求項１２】
前記導電体層と前記含浸体との接触と、前記メッキ液を含むメッキ液槽への前記含浸体の浸漬とを交互に繰り返しつつ前記メッキ膜を形成することを特徴とする請求項１，２又は９の何れかに記載のメッキ方法。
【請求項１３】
前記含浸体が接触する領域と異なる領域の前記導電体層に、電解液を含むと共に陰極が接続された電解液用含浸体を接触させることによって、該導電体層に前記陰極電位を付与することを特徴とする請求項１，２又は９の何れかに記載のメッキ方法。
【請求項１４】
前記電解液用含浸体は、前記メッキ液を含む含浸体と同一の摺動又は上下運動を行うことを特徴とする請求項１３に記載のメッキ方法。
【請求項１５】
前記含浸体が接触する領域と異なる領域の前記導電体層上に配置された膜厚測定機構によって、前記メッキ膜の膜厚を測定することを特徴とする請求項１，２又は９の何れかに記載のメッキ方法。
【請求項１６】
前記膜厚測定機構の測定結果に応じて、前記導電体層に前記含浸体を接触させて前記メッキ膜を追加形成することを特徴とする請求項１５に記載のメッキ方法。
【請求項１７】
前記膜厚測定機構は、前記メッキ液を含む含浸体と同一の摺動又は上下運動を行うことを特徴とする請求項１５に記載のメッキ方法。
【請求項１８】
ベースプレートと少なくとも前記ベースプレートに形成された導電層を有する被処理基板と、メッキ液を含む第１の含浸体と、電解液を含む第２の含浸体であって、第２の含浸体を第１の含浸体に位置合わせして一体化した第２の含浸体とを用意し、
第２の含浸体に陰極電位を与え、陽極と電気的に接続された第１の含浸体を前記導電層に対向させると共に、第２の含浸体を前記導電層に対向させ、前記導電層の少なくとも一部にメッキ層を形成するために、第１の含浸体の少なくとも一部を前記導電層に対して相対的に移動させ、第１の含浸体が前記導電層に対向する領域とは異なる領域に第２の含浸体を対向させることを特徴とするメッキ方法。
【請求項１９】
第２の含浸体を、第１の含浸体と同様に相対的に移動させることを特徴とする請求項１８記載のメッキ方法。
【請求項２０】
第１の含浸体の少なくとも一部を前記導電層に対して相対的に移動させる工程として、第１の含浸体の少なくとも一部を前記導電層に接触させることを特徴とする請求項１８記載のメッキ方法。
【請求項２１】
第１の含浸体の少なくとも一部を前記導電層に対して相対的に移動させる工程として、第２の含浸体を前記導電層に接触させることを特徴とする請求項１８記載のメッキ方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電解メッキ技術に係わり、特に半導体装置に対して行うメッキ方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の目的は、メッキ膜厚の精密制御性が容易で、気泡やゴミなどの影響を受けにくいメッキ方法を提供することにある。さらには、ダマシンプロセスに適した溝や孔への優先的なメッキ膜形成を実現するメッキ方法の提供も本発明の目的の一つである。また、本発明の別の目的は、局所的なメッキを行い得るメッキ方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（４）本発明（請求項１８）は、メッキ方法において、ベースプレートと少なくとも前記ベースプレートに形成された導電層を有する被処理基板と、メッキ液を含む第１の含浸体と、電解液を含む第２の含浸体であって、第２の含浸体を第１の含浸体に位置合わせして一体化した第２の含浸体とを用意し、第２の含浸体に陰極電位を与え、陽極と電気的に接続された第１の含浸体を前記導電層に対向させると共に、第２の含浸体を前記導電層に対向させ、前記導電層の少なくとも一部にメッキ層を形成するために、第１の含浸体の少なくとも一部を前記導電層に対して相対的に移動させ、第１の含浸体が前記導電層に対向する領域とは異なる領域に第２の含浸体を対向させることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】