(57)【要約】【課題】縦型熱処理炉内で半導体シリコン基板を高温で熱処理する熱処理方法に関し、熱処理の処理効率をより向上させることができるようにする。【解決手段】半導体シリコン基板を縦型熱処理炉内に投入する投入工程と、炉内温度を上昇させて前記縦型熱処理炉内で熱処理する熱処理工程と、その後、炉内温度を低下させて前記縦型熱処理炉内から取り出す取出工程とをそなえた、前記取出し程の炉内温度を、前記投入工程の炉内温度よりも高く設定する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体シリコン基板を縦型熱処理炉内に投入する投入工程と、炉内温度を上昇させて前記縦型熱処理炉内で熱処理する熱処理工程と、その後、炉内温度を低下させて前記縦型熱処理炉内から取り出す取出工程とをそなえた、熱処理方法であって、
前記取出し程の炉内温度を、前記投入工程の炉内温度よりも高く設定する
ことを特徴とする、熱処理方法。
【請求項２】
前記投入工程の炉内温度は室温〜４００℃であって、
前記取出工程の炉内温度は５００〜７００℃である
ことを特徴とする、請求項１記載の熱処理方法。
【請求項３】
前記取出工程後、前記半導体シリコン基板上の付着物を除去する洗浄工程をそなえている
ことを特徴とする、請求項１又は２項に記載の熱処理方法。
【請求項４】
前記取出工程後、前記縦型熱処理炉内を強制冷却する炉内冷却工程をそなえている
ことを特徴とする、請求項１〜３の何れか１項に記載の熱処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、縦型熱処理炉内に半導体シリコン基板を投入し、炉内温度を調整して半導体シリコン基板を熱処理した後前記縦型熱処理炉内から取り出す、熱処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩデバイス製造プロセスで処理される半導体シリコン基板（以下、単に「基板」とも言う）は、酸化、拡散および成膜等の工程において、高温の熱処理（アニール処理）を繰り返されて製造される。この基板の熱処理に際し、縦型熱処理炉（以下、単に「熱処理炉」又は「炉」とも言う）を用いる縦型熱処理装置は、設置スペースを小さくでき、大口径の基板を多量に熱処理するのに適していることから、基板の各種熱処理に用いられる装置として採用されている。
【０００３】
また、縦型熱処理装置で熱処理を行なう場合、複数の半導体シリコン基板を、熱処理治具（熱処理ボート、又は、単にボートともいう）に上下に間隔をあけて重なるように載置して、ボートを熱処理炉に投入して所定の熱処理を行なう。
一方、基板に高温の熱処理を行なう場合、生産効率をより向上させるために、熱処理炉内を予め熱しておいて基板を投入して加熱する時間を短縮できるようにした熱処理方法も提案されている。
【０００４】
しかし、ボートの熱処理炉への投入温度及び取り出し温度が比較的高い場合には、炉内外の温度差によって基板がボート上ではねるなどして、基板若しくはボート、或いはその両方に傷を発生し、基板にパーティクルが発生する原因となる場合がある。つまり、熱処理炉への投入，取り出し温度とパーティクル発生数とはトレードオフの関係がある。
そこで、炉内を予め熱しておく場合に、基板の炉内への投入時や取り出し時に、パーティクル発生数が許容できないほどの増大しない程度に、投入時や取り出し時の炉内温度の加熱を抑える技術が提案されている。
【０００５】
例えば、特許文献１には、投入，取り出し温度が比較的低い場合には基板中に酸素析出核が生成されないか若しくは生成されても成長しない場合があるという点に着目して、基板の熱処理炉内への投入温度や取り出し温度をウェーハの熱処理温度よりも低く抑えて、投入時，取り出し時に基板が急激な温度変化によりボート上ではねてボートをたたき傷付くことによるパーティクル発生を抑制する技術が提案されている。もちろん、投入後は、炉内温度を投入温度から必要な熱処理温度まで高めて、熱処理後には炉内温度を取り出し温度まで低下させる。
【０００６】
また、基板に高温の熱処理を行なう場合に、生産効率をより向上させるために、熱処理炉内を加速冷却する技術も提案されている（特許文献２〜４）。
特許文献２には、ボートに複数の基板（半導体ウェーハ）を搭載し、これをプロセスチューブ内に装入し、プロセスチューブを加熱して半導体ウェーハに熱処理を施した後、プロセスチューブ外壁に冷却空気を送入して冷却する工程において、冷却空気を送入する送風機を高温時には低速回転させて徐冷した後、送風機を高速回転させて急冷することで、急速冷却によって生じるウェーハ表面のスリップ発生を防止する熱処理方法が提案されている。
【０００７】
特許文献３には、反応容器を単管にすることによって熱容量を減少させて、昇降温が迅速に行えるようにすることや、反応容器の上方に延出される排気配管接続部およびこれに接続される排気配管の温度を精度よく制御できるようにして、パーティクルの発生を効果的に防止することができるようにすることや、排気配管接続部を屈曲させることによって、反応容器の放射熱による排気配管接続部及び排気配管への熱放射を防止し、これらの温度制御を容易にすること等が提案さている。
【０００８】
特許文献４には、加熱処理装置において、熱処理炉の熱容量を小さくして昇降温速度を速くすることにより、熱処理時間を短縮するとともに、加熱処理装置を構成する各部の温度制御を容易にして、パーティクル発生のおそれを低減する熱処理装置が提案されている。
【特許文献１】特開２００４−６３６８５号公報
【特許文献２】特開２００２−２９９２６９号公報
【特許文献３】特開２００３−２０９０６３号公報
【特許文献４】特開２００４−１１９５１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述の特許文献１のように、基板の熱処理炉内への投入温度や取り出し温度をウェーハの熱処理温度よりも低く抑えて、投入時，取り出し時に基板が急激な温度変化に起因して基板上でのパーティクルの発生を抑制する技術や、上述の特許文献２〜４のように、基板上でのパーティクルの発生を抑制しながら炉内温度を冷却風によって強制的に低下させる技術により、基板上でのパーティクル発生を抑制しながら、高温での熱処理を速やかに行なえるようになるが、これらの技術を導入しても、高温での熱処理の場合、やはり、炉内温度の低下には一定以上の時間を要する。
【００１０】
このため、基板の熱処理にかかる生産性の更なる向上が要望されている。特に、縦型熱処理炉をより時間効率よく使用できるようにして、限られた設備においてより多くの基板を熱処理することができるようにする技術の開発が望まれている。
本発明はこのような課題に鑑み案出されたもので、縦型熱処理炉内で半導体シリコン基板を高温で熱処理する際に、処理効率をより向上させることができるようにした、熱処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目標を達成するため、本発明の熱処理方法は、半導体シリコン基板を縦型熱処理炉内に投入する投入工程と、炉内温度を上昇させて前記縦型熱処理炉内で熱処理する熱処理工程と、その後、炉内温度を低下させて前記縦型熱処理炉内から取り出す取出工程とをそなえた、熱処理方法であって、前記取出工程の炉内温度を、前記投入工程の炉内温度よりも高く設定することを特徴としている。
【００１２】
前記投入工程の炉内温度は室温〜４００℃であって、前記取出工程の炉内温度は５００〜７００℃であることが好ましい。
炉内温度を予め５００℃以上に加熱しておいて、基板を炉内に投入すると、投入前に室温状態で保持されていた基板は、先ず当該基板外周から熱せられ、該当基板の外周と中心間で急激な面内温度差が生じ変形する。この急激な変形による熱振動から、基板と基板を支持する部材間で発塵が生じ、炉内で鉛直下方に配置された他の基板へ当該発塵物が付着し、この付着物がその後の熱処理に悪影響して基板の品質を落とす要因となるが、投入工程の炉内温度を室温〜４００℃とすることで、かかる熱振動を抑制することができ、基板の品質低下が防止される。
【００１３】
また、取出工程の炉内温度を５００℃以上とすると、上記の熱振動が生じて、基板と基板を支持する部材間で発塵が生じ他の基板へ当該発塵物が付着するが、熱処理後に付着した発塵物は基板の熱処理層自体に悪影響を及ぼさない。ただし、取出工程の炉内温度を７００℃以上とすると、取出時に、縦型熱処理炉の開口から放出される熱により、開口周辺の機器への熱影響（例えば、ゴムパッキンの熱損傷）を与えるので、取出工程の炉内温度は５００〜７００℃とすることで、何らかの支障を招くことなく、取出工程を早めることができる。
【００１４】
本発明の熱処理は、例えば６００℃以上のドナーキラーアニールや、常圧ＣＶＤ法によるポリシリコンの成膜処理、１０００〜１２００℃の水素アニール、アルゴンアニール又は１３００℃以上のＳＩＭＯＸアニールといった熱処理を施す際等に適用できるが、特に、水素アニール，アルゴンアニール，ＳＩＭＯＸアニールといった１０００℃以上の温度を要する熱処理の場合、熱処理完了の取出工程までの炉内温度の低下に時間を要し、生産性効率の向上の妨げになっていたが、取出工程の炉内温度を投入工程の炉内温度よりも高く設定することで、これらの熱処理の効率を上げて生産効率の向上を図ることができる。
【００１５】
また、前記取出工程後、前記半導体シリコン基板上の付着物を除去する洗浄工程をそなえていることが好ましい。上述のように、取出工程の炉内温度を投入工程の炉内温度よりも高く設定すると、取出時の、基板の熱振動により、基板と基板を支持する部材間で発塵が生じ他の基板へ当該発塵物が付着するが、この発塵物は基板の熱処理層自体に悪影響を及ぼさないものの基板の表面は平滑化されていなくてはならない。この点、洗浄工程により半導体シリコン基板上の付着物が除去されるので、基板の表面が平滑化される。
【００１６】
さらに、前記取出工程後、前記縦型熱処理炉内を強制冷却する炉内冷却工程をそなえていることが好ましい。縦型熱処理炉は、１ロットの半導体シリコン基板の熱処理を終えたら、次のロットの半導体シリコン基板の熱処理に使用されるが、取出工程の温度よりも投入工程の温度を低下させる必要がある。この点で、取出工程後縦型熱処理炉内を強制冷却することで、次のロットの熱処理の開始を早めることができ、熱処理の効率を上げて生産効率の向上を図ることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の熱処理方法によれば、取出工程の炉内温度を投入工程の炉内温度よりも高く設定するので、炉内温度が熱処理工程の温度から投入工程の温度まで低下するのも待つことなく、半導体シリコン基板を縦型熱処理炉内から取り出すので、取出工程の炉内温度と投入工程の炉内温度との差に対応して、半導体シリコン基板の縦型熱処理炉内への投入から取出までの時間を短縮させることができ、半導体シリコン基板の熱処理効率を向上させることができ、生産効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、図面により、本発明の実施の形態について説明する。
図１〜図８は本発明の一実施形態にかかる熱処理方法を説明するもので、図１はその熱処理パターン図、図２はその処理フローチャート、図３はその縦型熱処理炉の縦断面図、図４はその熱処理治具の斜視図、図５はその半導体シリコン基板の載置状態を示す図、図６はその冷却効果を説明する図、図７は本方法を常圧ＣＶＤ法によるポリシリコンの成膜処理に適用した場合の熱処理パターン図、図８は本方法をＳＩＭＯＸ法による高温熱処理に適用した場合の熱処理パターン図である。
【００１９】
［縦型熱処理装置］
まず、本実施形態にかかる縦型熱処理装置の炉（縦型熱処理炉）について説明する。
図３に示すように、本実施形態の縦型熱処理炉３は、複数の半導体シリコン基板１を載置する基板支持治具（ボート）２を収容するチューブ（プロセスチューブ、保護管）４と、このチューブ４の周囲のヒーター室５Ａに配置された複数のヒーター（加熱装置）５と、ヒーター室５Ａの外周（側方及び上方）に装備されたヒーター室断熱壁断熱材６と、ヒーター室５Ａの下方に装備された断熱材７とをそなえている。
【００２０】
また、縦型熱処理炉３には、そのチューブ４の下方に、熱緩衝治具８がボート昇降ロボット９上に備えられている。ボート２はこの熱緩衝治具８の上に載置される。
さらに、縦型熱処理炉３には、そのチューブ４の上方に、ヒーター室５Ａと連通する排風ダクト（急速冷却用ダクト）１０が装備され、排風ダクト１０の下流部には、排風機（急速冷却用ファン）１１が備えられている。特に、排風ダクト１０は、ヒーター室５Ａの上部（ここでは、中央上部）から上方（鉛直上方）に突出した後側方（水平方向）に屈曲形成されて更に下方（鉛直下方）に屈曲形成された後再び側方（水平方向）に屈曲形成されており、排風機１１は下方に形成された水平方向部分に装備されている。
【００２１】
なお、ヒーター室５Ａと排風ダクト１０との接続部分には、両者５Ａ，１０の連通を適宜遮断できるシャッタ１２をそなえていてもよい。
このように排風ダクト１０が鉛直上向きから水平方向に屈曲形成されることにより、チューブ４を加熱しているヒーター５からの放射熱が、排風ダクト１０の配管接続部端部等に形成されている図示しないフランジ部などに直接照射することがないため、これらの部材の温度制御が容易になる。また、本実施形態では、排風ダクト１０が鉛直上向きから水平方向に屈曲形成された後、鉛直下方に屈曲形成され再び水平方向に屈曲形成されることにより、コンパクトなスペースで排風口までの距離を長く取ることができ、長い排風ダクト１０を経ることにより排風ダクト１０から排出される排風温度を低下させることができ、高温排風の悪影響を極力低下させることができる。
【００２２】
［基板支持治具（ボート）］
半導体シリコン基板１を支持する熱処理治具（ボート）２は、高純度のＳｉＣ，Ｓｉ，または石英製によって、図４に示すように、縦向きに複数立設された支柱部２１と、これらの支柱部２１を上下位置でそれぞれ固定する上部天板２２および下部天板２３とから構成されている。そして、複数の支柱部２１により囲繞される空間が基板収納空間２４として構成される。また、基板収納空間２４の側方から半導体シリコン基板を出し入れできるように、複数の支柱部２１間の一部の間隔が拡大されて開口部２５が形成されている。
【００２３】
各支柱部２１の内側には、上下方向に等間隔に溝が形成されており、各溝間には、基板収納空間２４に向けて突出した基板支持部２６が複数列設され、開口部２５側から、半導体シリコン基板１を各支柱部２１の基板支持部２６に載置（図５参照）した後、縦型熱処理炉３に投入されて所定の熱処理が行なわれるようになっている。
【００２４】
［熱処理］
上述のようなボート２及び縦型熱処理炉３を用いて、本実施形態にかかる熱処理が行なわれる。この熱処理について図１，図２を参照して説明する。
本発明では、基板１を縦型熱処理炉３内に投入する際（投入工程）の炉内温度（投入温度）が室温〜４００℃に設定されているが、本実施形態では、図２に示すように、縦型熱処理炉３内をその内部温度（以下、炉内温度ともいう）が予め設定された投入温度（例えば、４００℃）となるようにヒーター５を作動させて予熱しておくものとする（ステップＳ１０、予熱工程）。
【００２５】
この投入温度が５００℃以上の場合、投入前に室温状態で保持されていた基板は、先ず当該基板外周から熱せられ、該当基板の外周と中心間で急激な面内温度差が生じ変形する。この急激な変形による熱振動から、基板と基板を支持する部材間で発塵が生じ、炉内で鉛直下方に配置された他の基板へ当該発塵物が付着し、この付着物がその後の熱処理に悪影響して基板の品質を落とす要因となるが、投入温度を４００℃以下とすることで、かかる熱振動を抑制することができ、基板の品質低下が防止される。
【００２６】
そして、所定の投入温度（ここでは、４００℃）に予熱された縦型熱処理炉３内に基板１を投入する（ステップＳ２０、投入工程）。この投入時には、ボート昇降ロボット９を下降させて、これにより縦型熱処理炉３の下部に位置する熱緩衝治具８の上に、予め多数（１ロット）の基板１を積載したボート２を載せる。
その後、ボート昇降ロボット９を上昇させて、ボート２をチューブ４内に配置して、図１，図２に示すように、ヒーター５を更に高温に作動させて炉内（チューブ４内）の温度を上昇（昇温）させる（ステップＳ３０、昇温工程）。
【００２７】
炉内（チューブ４内）が所定の熱処理温度に達したら、予め設定された所定時間だけこの熱処理温度を保って熱処理を実施する（ステップＳ４０、熱処理工程）。所定時間が経過し熱処理を終えたら、ヒーター５を停止させて炉内（チューブ４内）の温度を降下（降温）させる（ステップＳ５０、降温工程）。
そして、炉内温度が、投入温度よりも高い温度に設定された取り出し時の炉内温度（取出温度、５００〜７００℃の内の設定された温度）に達したら、縦型熱処理炉３内からボート２を取り出す（ステップＳ６０、取出工程）。
【００２８】
シャッタ１２を備えている場合には、予熱工程から取出工程までの間は、シャッタ１２を閉鎖しておく。
そして、縦型熱処理炉３内から取り出された基板１の表面（ボート２に載せられた際の上面）を洗浄処理する（ステップＳ６０、洗浄工程）。
また、次ロットを連続して熱処理する場合には、判定ステップ（ステップＳ８０）を経て、炉３内を投入温度まで強制冷却する（ステップＳ９０、炉内冷却工程）。次ロットを連続して熱処理しなければ、炉３内を自然冷却するが、この場合にも、ステップＳ９０と同様又はこれよりもゆっくりと炉３内を強制冷却してもよい。
【００２９】
シャッタ１２を備えている場合には、ステップＳ９０の炉内冷却工程でシャッタ１２を開放する。
この炉内冷却工程では、排風機１１を作動させて、排風ダクト１０を通じてヒーター室５Ａの高温空気を排出して、冷たい（室温程度）の外気を図示しない外気導入口からヒーター室５Ａ内に取り込んでヒーター室５Ａを強制冷却することにより、炉内（チューブ４内）を強制冷却する。
【００３０】
［作用及び効果］
このように、本方法によれば、取出温度（取出工程Ｓ６０の炉内温度）を投入温度（投入工程Ｓ２０の炉内温度）よりも高く設定しているので、炉内温度が熱処理工程Ｓ４０の温度から投入工程Ｓ２０と同レベルの温度まで低下するのも待つことなく、基板１を縦型熱処理炉３内から取り出すので、取出温度と投入温度との差の分だけ、基板１の縦型熱処理炉３内への投入から取出までの時間を短縮させることができ、基板１の熱処理効率を向上させることができ、生産効率を向上させることができる。
【００３１】
特に、水素アニール，アルゴンアニール，ＳＩＭＯＸアニールといった１０００℃以上の温度を要する熱処理の場合、熱処理完了の取出工程までの炉内温度の低下に時間を要し、生産性効率の向上の妨げになっていたが、取出工程の炉内温度を投入工程の炉内温度よりも高く設定することで、これらの熱処理の効率を上げて生産効率の向上を図ることができる。
【００３２】
特に、投入温度は室温〜４００℃なので、基板の急激な温度変化により生じる熱振動を抑制することができ、基板の品質低下が防止される。
また、出工程の炉内温度は５００〜７００℃としているが、取出工程の炉内温度を５００℃以上とすると、熱振動が生じて、基板１と基板１を支持する部材（ボート）２との間で発塵が生じ下方の基板１へこの発塵物が付着するが、熱処理後に付着した発塵物は基板の熱処理層自体に悪影響を及ぼさない。本実施形態の場合、熱処理後に付着した発塵物はステップＳ６０の洗浄工程で除去されるので、熱処理されたウェーハの表面が平滑化され、熱処理されたウェーハの品質は確保される。
【００３３】
また、取出工程の炉内温度を７００℃以上とすると、取出時に、縦型熱処理炉の開口から放出される熱により、開口周辺の機器への熱影響（例えば、ゴムパッキンの熱損傷）を与えるが、これも回避される。
さらに、取出工程後、縦型熱処理炉３内を強制冷却する炉内冷却工程Ｓ９０をそなえているので、例えば、一般に、５００℃〜室温の間の温度域では、炉３内の余熱により温度冷却速度が１〜２℃／分以下まで低下するため、５００℃程度よりも温度を自然冷却によって低下させていくには大幅に時間がかかるが、炉３内のチューブ４とヒーター壁６で囲まれたヒーター室５Ａ内の余熱を、装置外部に設置した排気ファン１１で強制的に排出し、炉３内を強制的に冷却することで５００℃〜室温間の温度域の温度冷却速度を３〜４℃／分まで上昇させることが可能となる。これによって、図６に示すように、例えば６００℃から２００℃まで４００℃冷却する場合を考えると、冷却機能を使用しない時の温度冷却速度が２℃／分、冷却機能を使用した時の温度冷却速度が４℃／分とすると、温度低下にかかる時間は２００分から１００分に短縮することが出来る。したがって、この短縮した時間内に次の処理に向けた準備と開始を効率的に行なうことが可能となる。
【００３４】
［具体的なアニール処理への適用］
本発明にかかる熱処理は、６００℃以上のドナーキラーアニールや、常圧ＣＶＤ法によるポリシリコンの成膜処理、１０００〜１２００℃の水素アニール、アルゴンアニール又は１３００℃以上のＳＩＭＯＸアニールといった熱処理を施す際等に適用できるが、具体的には以下のように適用することができる。
【００３５】
例えば、３００mmφの基板１に対する常圧ＣＶＤ法によるポリシリコンの成膜処理に適用する場合には、例えば図７（ａ）に示すように、基板の投入温度を３００℃として、その後、炉内を昇温させて、炉内温度６５０℃で所定時間熱処理を行なうことになる。
図７（ｂ）に示すように、熱処理温度６５０℃で基板の投入を行なうと、熱振動から、基板と基板を支持する部材間で発塵が生じ、炉内で鉛直下方に配置された他の基板へ当該発塵物が付着し、この付着物がその後の熱処理に悪影響して基板の品質を落とす要因となるが、基板の投入を４００℃以下（この例では、３００℃）とすれば、かかる熱振動を抑制することができ、基板の品質低下が防止される。
【００３６】
また、取出温度を投入温度レベルまで低下させるには、大幅に時間を要するが本方法では取出温度を投入温度よりも高く設定しているので、比較的早く熱処理後の基板を取り出すことができる。
また、例えば３００mmφ基板に対するＳＩＭＯＸ法による高温熱処理に適用する場合には、例えば図８（ａ）に示すように、基板の投入温度を２００℃として、その後、炉内を昇温させて、炉内温度１３５０℃で所定時間熱処理を行なうことになる。
【００３７】
図８（ｂ）に示すように、熱処理温度６００℃で基板の投入を行なうと、熱振動から、基板と基板を支持する部材間で発塵が生じ、炉内で鉛直下方に配置された他の基板へ当該発塵物が付着し、この付着物がその後の熱処理に悪影響して基板の品質を落とす要因となるが、基板の投入を４００℃以下（この例では、２００℃）とすれば、かかる熱振動を抑制することができ、基板の品質低下が防止される。
【００３８】
また、取出温度を投入温度レベルまで低下させるには、大幅に時間を要するが本方法では取出温度を投入温度よりも高く設定しているので、比較的早く熱処理後の基板（ＳＩＭＯＸアニール）を取り出すことができる。
【００３９】
［その他］
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々変形することが可能である。
【００４０】
また、本発明では、温度に関し、略５０℃単位の大まかな基準で捉えており、例示する投入温度、熱処理温度、取出温度はこのような観点から数値を例示している。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の一実施形態にかかる熱処理方法を説明する半導体シリコン基板への熱処理パターン図である。
【図２】本発明の一実施形態にかかる熱処理方法を説明する処理フローチャートである。
【図３】本発明の一実施形態にかかる縦型熱処理炉の縦断面図である。
【図４】本発明の一実施形態にかかる熱処理治具の斜視図である。
【図５】本発明の一実施形態にかかる熱処理治具への半導体シリコン基板の載置状態を示す図である。
【図６】本発明の一実施形態にかかる熱処理方法における冷却効果を説明する図である。
【図７】本発明の一実施形態にかかる熱処理方法を常圧ＣＶＤ法によるポリシリコンの成膜処理に適用した場合の熱処理パターン図であって、（ａ）は本熱処理方法に関し、（ｂ）はその比較例を示す。
【図８】本発明の一実施形態にかかる熱処理方法をＳＩＭＯＸ法による高温熱処理に適用した場合の熱処理パターン図であって、（ａ）は本熱処理方法に関し、（ｂ）はその比較例を示す。
【符号の説明】
【００４２】
１  半導体シリコン基板（基板）
２  基板支持治具（ボート）
３  縦型熱処理炉
４  チューブ
５  ヒーター
５Ａ  ヒーター室
６  ヒーター室断熱壁
７  断熱材
８  熱緩衝治具
９  ボート昇降ロボット
１０  排風ダクト（急速冷却用ダクト）
１１  排風機（急速冷却用ファン）
１２  シャッタ
２１  支柱部
２２  上部天板
２３  下部天板
２４  基板収納空間
２５  開口部
２６  基板支持部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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