【手続補正書】
【提出日】令和3年8月19日(2021.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モノリシックシンチレータを含むコンピュータ断層撮影検出器アレイであって、
前記モノリシックシンチレータは、第１のシンチレータ領域、第２のシンチレータ領域、及び前記第１のシンチレータ領域と前記第２のシンチレータ領域との間の光学反射バリアを含み、
前記コンピュータ断層撮影検出器アレイが、検査領域を横断し前記モノリシックシンチレータに衝突するＸ線放射を検出し、前記第１のシンチレータ領域によって吸収されたＸ線放射のエネルギーを示す第１の投影データと、前記第１のシンチレータ領域を横断し前記第２のシンチレータ領域によって吸収されたＸ線放射のエネルギーを示す第２の投影データとを生成する、コンピュータ断層撮影検出器アレイ。
【請求項２】
前記モノリシックシンチレータが、前記第１のシンチレータ領域と前記第２のシンチレータ領域とを画定するためにレーザによって構造的に変更されたシンチレータ材料の物理的バルクの一部分を含む、請求項１に記載のコンピュータ断層撮影検出器アレイ。
【請求項３】
前記光学反射バリアのボリュームによって画定された主表面が、入射放射を初めに受け取る前記コンピュータ断層撮影検出器アレイの表面と実質的に平行に配設される、請求項１に記載のコンピュータ断層撮影検出器アレイ。
【請求項４】
前記シンチレータ材料が、
ガドリニウムオキシサルファイド（ＧＯＳ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）、
イットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）、
セリウムドープイットリウムアルミニウムガーネット（ＣＥ  ＹＡＧ、Ｃｅ  Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）、
ガドリニウムアルミニウムガリウムガーネット（ＧＡＧＧ、Ｇｄ３Ａｌ２Ｇａ３Ｏ１２）、
セリウムドープガドリニウムアルミニウムガリウムガーネット（ＣＥ  ＧＡＧＧ、Ｃｅ  Ｇｄ３Ａｌ２Ｇａ３Ｏ１２）、
ジンクセレナイド（ＺｎＳｅ）、及び
カドミウムタングステート（ＣｄＷＯ４）
のうちの少なくとも１つを含む、請求項２に記載のコンピュータ断層撮影検出器アレイ。
【請求項５】
前記モノリシックシンチレータが、複数の検出器要素の単一のバルクシンチレータ材料の一部分を含み、各検出器要素の各モノリシックシンチレータが複数の領域を有する、請求項１に記載のコンピュータ断層撮影検出器アレイ。
【請求項６】
前記モノリシックシンチレータが、フォトセンサのアレイに隣接して配設され、前記フォトセンサのアレイが、前記Ｘ線放射を初めに受け取る前記コンピュータ断層撮影検出器アレイの表面に対して垂直な面に配設される、請求項１に記載のコンピュータ断層撮影検出器アレイ。
【請求項７】
前記モノリシックシンチレータが、フォトセンサの２つのアレイ間に配設され、前記フォトセンサの２つのアレイの各々が、前記Ｘ線放射を初めに受け取る前記コンピュータ断層撮影検出器アレイの表面と平行な面に配設される、請求項１に記載のコンピュータ断層撮影検出器アレイ。
【請求項８】
検査領域を横断するＸ線放射を放出するＸ線放射源と、
前記検査領域を横切って前記Ｘ線放射源の反対側に配置される検出器アレイであって、
少なくとも第１のシンチレータ領域、第２のシンチレータ領域、及び前記少なくとも第１のシンチレータ領域と前記第２のシンチレータ領域との間の光学反射バリアを含むモノリシックシンチレータ
を含む、検出器アレイとを含む、コンピュータ断層撮影システムであって、
前記検出器アレイが、前記検査領域を横断し前記モノリシックシンチレータに衝突するＸ線放射を検出し、前記第１のシンチレータ領域によって吸収されたＸ線放射のエネルギーを示す第１の投影データと、前記第１のシンチレータ領域を横断し前記第２のシンチレータ領域によって吸収されたＸ線放射のエネルギーを示す第２の投影データとを生成する、コンピュータ断層撮影システム。
【請求項９】
前記モノリシックシンチレータが、前記第１のシンチレータ領域と前記第２のシンチレータ領域とを画定するためにレーザによって構造的に変更されたシンチレータ材料の物理的バルクの一部分を含む、請求項８に記載のコンピュータ断層撮影システム。
【請求項１０】
前記光学反射バリアを画定するボリュームの主表面が、前記Ｘ線放射を初めに受け取る前記検出器アレイの表面と実質的に平行に配設される、請求項８に記載のコンピュータ断層撮影システム。
【請求項１１】
シンチレータ材料が、
ガドリニウムオキシサルファイド（ＧＯＳ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）、
イットリウムアルミニウムガーネット（ＹＡＧ、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）、
セリウムドープイットリウムアルミニウムガーネット（ＣＥ  ＹＡＧ、Ｃｅ  Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２）、
ガドリニウムアルミニウムガリウムガーネット（ＧＡＧＧ、Ｇｄ３Ａｌ２Ｇａ３Ｏ１２）、
セリウムドープガドリニウムアルミニウムガリウムガーネット（ＣＥ  ＧＡＧＧ、Ｃｅ  Ｇｄ３Ａｌ２Ｇａ３Ｏ１２）、
ジンクセレナイド（ＺｎＳｅ）、及び
カドミウムタングステート（ＣｄＷＯ４）
のうちの少なくとも１つを含む、請求項８に記載のコンピュータ断層撮影システム。
【請求項１２】
前記モノリシックシンチレータが、複数の検出器要素の単一のバルクシンチレータ材料の部分を含み、各検出器要素の各モノリシックシンチレータが複数の領域を有する、請求項８に記載のコンピュータ断層撮影システム。
【請求項１３】
前記モノリシックシンチレータが、フォトセンサのアレイに隣接して配設され、前記フォトセンサのアレイが、前記Ｘ線放射を初めに受け取る前記検出器アレイの表面に対して垂直な面に配設される、請求項８に記載のコンピュータ断層撮影システム。
【請求項１４】
前記モノリシックシンチレータが、フォトセンサの２つのアレイ間に配設され、前記フォトセンサの２つのアレイの各々が、前記Ｘ線放射を受け取る前記検出器アレイの表面と平行な面に配設される、請求項８に記載のコンピュータ断層撮影システム。
【請求項１５】
コンピュータ断層撮影放射検出装置を製造する方法であって、前記方法が、
物理的に接続された結晶構造として単一の物理的バルクを維持しながらモノリシックシンチレータの複数の領域を画定するために、合焦レーザによってシンチレータ材料の前記単一の物理的バルクの一部分の結晶構造を変更するステップであって、前記変更された一部分が、Ｘ線放射を初めに受け取る前記コンピュータ断層撮影放射検出装置の表面と平行に配向される主表面をもつボリュームを含む、変更するステップ
を有する、方法。
【請求項１６】
前記単一の物理的バルクの前記変更された一部分が、前記単一の物理的バルクの外部表面である表面をもつボリュームをさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記合焦レーザの方向が、前記Ｘ線放射を初めに受け取る前記コンピュータ断層撮影放射検出装置の前記表面に対して垂直な面と平行に又は前記面に対して垂直に配向される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
変更されたシンチレータ材料の前記単一の物理的バルクの前記一部分が、入射放射を初めに受け取る前記コンピュータ断層撮影放射検出装置の前記表面と平行な主表面をもつ２つのボリュームを含み、前記主表面が、平行であり、約２ミクロンと１００ミクロンとの間の距離だけ分離される、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
シンチレータ材料の前記単一の物理的バルクがモノリシックシンチレータの１次元アレイでの複数のモノリシックシンチレータを含み、各モノリシックシンチレータが複数の領域を有し、
シンチレータ材料の前記単一の物理的バルクをフォトセンサアレイに位置合わせし付着させるステップであって、前記フォトセンサアレイが、前記Ｘ線放射を初めに受け取る前記コンピュータ断層撮影放射検出装置の前記表面に対して垂直に配向される、位置合わせし付着させるステップ
をさらに有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項２０】
シンチレータ材料の前記単一の物理的バルクが、シンチレータの２次元アレイでの複数のモノリシックシンチレータを含み、各モノリシックシンチレータが複数の領域を有し、
２つのフォトセンサアレイ間にシンチレータ材料の前記単一の物理的バルクを位置合わせし付着させるステップであって、前記２つのフォトセンサアレイの各々が、前記Ｘ線放射を初めに受け取る前記コンピュータ断層撮影放射検出装置の前記表面と平行に配向される、位置合わせし付着させるステップをさらに有する、請求項１５に記載の方法。