Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月17日(2005.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物上に供給された離型紙付粘着テープを、前記対象物に貼り付けて、前記離型紙付粘着テープから離型紙を剥離する粘着テープ貼付装置であって、
前記対象物に貼り付けられた離型紙付粘着テープの表面に当接する表面当接手段と、
前記離型紙の裏面に当接する裏面当接手段と、
前記離型紙を保持する第１の保持手段と、
前記離型紙を保持する第２の保持手段と、
前記表面当接手段と前記裏面当接手段と前記第２の保持手段とを一体に構成した剥離ユニットと、
前記剥離ユニットを前記離型紙付粘着テープの供給側に移動させる移動手段とを備え、
前記裏面当接手段は、前記表面当接手段に対して前記離型紙を剥離する方向の側に位置し、かつ前記離型紙を剥離する際の前記表面当接手段及び前記裏面当接手段の移動方向に対して、前記表面当接手段より後側に配置されており、
前記表面当接手段と前記裏面当接手段との位置関係を一定に保った状態で、かつ剥離した離型紙の排出側で前記第１の保持手段により前記離型紙を保持して前記剥離ユニットを前記離型紙付粘着テープの供給側に移動させることで、前記実装対象物に貼り付けられた前記離型紙付粘着テープから離型紙の剥離を行い、
前記剥離の完了後、前記第１の保持手段の保持状態を解除し、かつ前記第２の保持手段で前記離型紙を保持した状態で、前記剥離ユニットを前記離型紙の排出方向に移動させることにより、前記離型紙付粘着テープを引き出して前記実装対象物上に供給することを特徴とする粘着テープ貼り付け装置。
【請求項２】
前記第１の保持手段により前記剥離した離型紙を保持した状態で、前記第１の保持手段を前記離型紙付粘着テープの供給側に移動させることにより、前記離型紙を弛ませた状態で、前記剥離ユニットを前記離型紙付粘着テープの供給側に移動させて前記実装対象物に貼り付けられた前記離型紙付粘着テープから離型紙を剥離する請求項１に記載の粘着テープ貼付装置。
【請求項３】
前記対象物上に供給された前記離型紙付粘着テープを、前記対象物に貼り付けた後、前記離型紙付粘着テープの貼り付けられた部分に、イオナイズドエアを用いて、エアブローを行なう請求項１または２に記載の粘着テープ貼付装置。
【請求項４】
前記表面当接手段及び前記裏面当接手段は、各々ローラを用いて形成されている請求項１から３のいずれかに記載の粘着テープ貼付装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の粘着テープ貼付装置を用いた部品実装機であって、前記粘着テープ貼付装置によって対象物に貼り付けられた前記粘着テープに実装部品を固定することを特徴とする部品実装機。
【請求項６】
請求項５に記載の部品実装機を用いて実装部品が固定されていることを特徴とするディスプレイパネル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明の粘着テープ貼付装置は、対象物上に供給された離型紙付粘着テープを、前記対象物に貼り付けて、前記離型紙付粘着テープから離型紙を剥離する粘着テープ貼付装置であって、前記対象物に貼り付けられた離型紙付粘着テープの表面に当接する表面当接手段と、前記離型紙の裏面に当接する裏面当接手段と、前記離型紙を保持する第１の保持手段と、前記離型紙を保持する第２の保持手段と、前記表面当接手段と前記裏面当接手段と前記第２の保持手段とを一体に構成した剥離ユニットと、前記剥離ユニットを前記離型紙付粘着テープの供給側に移動させる移動手段とを備え、前記裏面当接手段は、前記表面当接手段に対して前記離型紙を剥離する方向の側に位置し、かつ前記離型紙を剥離する際の前記表面当接手段及び前記裏面当接手段の移動方向に対して、前記表面当接手段より後側に配置されており、前記表面当接手段と前記裏面当接手段との位置関係を一定に保った状態で、かつ剥離した離型紙の排出側で前記第１の保持手段により前記離型紙を保持して前記剥離ユニットを前記離型紙付粘着テープの供給側に移動させることで、前記実装対象物に貼り付けられた前記離型紙付粘着テープから離型紙の剥離を行い、前記剥離の完了後、前記第１の保持手段の保持状態を解除し、かつ前記第２の保持手段で前記離型紙を保持した状態で、前記剥離ユニットを前記離型紙の排出方向に移動させることにより、前記離型紙付粘着テープを引き出して前記実装対象物上に供給することを特徴とする。前記のような粘着テープ貼付装置によれば、表面当接手段及び裏面当接手段の移動中は、離型紙付粘着テープから剥離した離型紙は、表面当接手段の近傍において、離型紙付粘着テープの貼り付け面に対してほぼ一定角度の傾斜を保つことができる。このため、離型紙の剥離の際における粘着テープの対象物からの剥がれや、粘着テープと対象物との間への気泡の混入を防止することができ、離型紙の剥離を安定して行なうことができる。また、剥離完了後の剥離ユニットの戻り動作と離型紙付粘着テープの引き出しとが同時に行なわれるので、生産効率を向上できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月4日(2005.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  珪酸アルカリ水溶液とカチオン交換樹脂とを接触させ、活性珪酸水溶液を調製し、前記活性珪酸水溶液とキレート化剤とを接触させた後、コロイド粒子を成長させ、続いて限外濾過によりシリカを濃縮すると同時にキレート化された金属不純物を除去することを特徴とするコロイダルシリカの製造方法。
【請求項２】  活性珪酸水溶液と、キレート化剤および過酸化水素とを接触させることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】  限外濾過の前後いずれかに、イオン交換樹脂による精製を行なうことを特徴とする請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】  請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法により得られたコロイダルシリカであって、シリカ当たりのＣｕの含有率が100ppb以下、またはシリカ当たりのＺｎの含有率が100ppb以下、またはシリカ当たりのＮｉの含有率が1000ppb以下であることを特徴とするコロイダルシリカ。
【請求項５】  シリカ当たりのＣｕの含有率が50ppb以下、またはシリカ当たりのＺｎの含有率が50ppb以下、またはシリカ当たりのＮｉの含有率が500ppb以下であることを特徴とする請求項４に記載のコロイダルシリカ。
【請求項６】  請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法により得られたコロイダルシリカであって、シリカ当たりのＣｒの含有率が200ppb以下、またはシリカ当たりのＣａの含有率が5000ppb以下、またはシリカ当たりのＭｇの含有率が5000ppb以下、またはシリカ当たりのＡｇの含有率が50ppb以下であることを特徴とするコロイダルシリカ。
【請求項７】  請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法により得られたコロイダルシリカであって、シリカの粒子径が5〜150nmであり、かつシリカの濃度が10〜60重量％であることを特徴とするコロイダルシリカ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、特公昭41-3369号公報、特開平5-97422号公報、特開平4-231319号公報、特開昭61-158810号公報、特開平4-2606号に記載の方法では工程が煩雑に長いばかりでなく、希薄な珪酸液を強酸性にするために大量の酸を使用しなくてはならず、その酸を後工程で除去しなくてはならず、そのアニオン交換法による除去では樹脂の再生にまた数倍のアルカリを必要とし、コスト的に問題がある。また、四塩化珪素から製造されたヒュームドシリカや珪酸エステルから得られたシリカ、酸洗いされたシリカゲルなどの高純度のシリカ源をアルカリに溶かして高純度珪酸アルカリ水溶液を得る公知の方法は、シリカ原料のコストが高すぎて、そのような珪酸アルカリ水溶液は限られた用途にしか使用できない。したがって本発明の目的は、シリコンウエハ、化合物半導体ウエハ、半導体デバイスウエハ、磁気ディスク基板、水晶基板等の電子材料の研磨加工に用いることのできる高純度のコロイダルシリカを、低コストで製造可能な製造方法を提供することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは鋭意研究を重ねた結果、上記のような従来の課題を解決することができた。
すなわち本発明は、珪酸アルカリ水溶液とカチオン交換樹脂とを接触させ、活性珪酸水溶液を調製し、前記活性珪酸水溶液とキレート化剤とを接触させた後、コロイド粒子を成長させ、続いて限外濾過によりシリカを濃縮すると同時にキレート化された金属不純物を除去することを特徴とするコロイダルシリカの製造方法を提供するものである。
また本発明は、活性珪酸水溶液と、キレート化剤および過酸化水素とを接触させることを特徴とする前記の製造方法を提供するものである。
また本発明は、限外濾過の前後いずれかに、イオン交換樹脂による精製を行なうことを特徴とする前記の製造方法を提供するものである。
また本発明は、前記の製造方法により得られたコロイダルシリカであって、シリカ当たりのＣｕの含有率が100ppb以下、またはシリカ当たりのＺｎの含有率が100ppb以下、またはシリカ当たりのＮｉの含有率が1000ppb以下であることを特徴とするコロイダルシリカを提供するものである。
また本発明は、シリカ当たりのＣｕの含有率が50ppb以下、またはシリカ当たりのＺｎの含有率が50ppb以下、またはシリカ当たりのＮｉの含有率が500ppb以下であることを特徴とする前記のコロイダルシリカを提供するものである。
また本発明は、前記の製造方法により得られたコロイダルシリカであって、シリカ当たりのＣｒの含有率が200ppb以下、またはシリカ当たりのＣａの含有率が5000ppb以下、またはシリカ当たりのＭｇの含有率が5000ppb以下、またはシリカ当たりのＡｇの含有率が50ppb以下であることを特徴とするコロイダルシリカを提供するものである。
また本発明は、前記の製造方法により得られたコロイダルシリカであって、シリカの粒子径が5〜150nmであり、かつシリカの濃度が10〜60重量％であることを特徴とするコロイダルシリカを提供するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月15日(2004.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また上記酸処理の後、シリルイソシアネート［Ｓｉ（ＮＣＯ）4］ミストを加熱してガス化し、ガラス表面に酸化珪素膜を形成させることにより酸化珪素膜処理を施した後、水道水で２回濯ぎ、さらに純水で２回濯ぎ、乾燥させたものを実施例２のガラス容器とした。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月1日(2005.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
０．５μｍ未満のサイズを有するアパーチャを含有するウェハ上に配置された、実質的に不連続の無い金属シード層を提供する方法であって、該方法が、ウェハ上に配置された不連続性を有する金属シード層を、１以上の銅イオン源、１以上の促進剤、及び酸性電解質を含み、銅イオンが１０ｇ／Ｌまでの量で存在する電気めっき浴と接触させる工程を含む、該方法。
【請求項２】
銅イオンが８ｇ／Ｌまでの量で存在する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
電解質が７０ｇ／Ｌまでの添加酸を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
アパーチャが０．１８μｍ以下のサイズを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法に従って調製された金属シード層を有するウェハを提供する工程を含む、集積回路を製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月6日(2004.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）以下の構造式
【化１】
2002294126.tif 000001
を有する染料化合物と、
（ｂ）水又は水と有機溶媒の混合物からなる媒質と
を含んで成り、高い普通紙彩度と低減された湿りブリード／色相シフトを有するマゼンタインク。
【請求項２】
前記媒質が前記マゼンタインクの７０から９９．９９重量％を構成する、請求項１に記載のマゼンタインク。
【請求項３】
前記染料が前記マゼンタインクの０．０１から３０重量％を構成する、請求項１又は２に記載のマゼンタインク。
【請求項４】
さらに、界面活性剤、緩衝剤、殺生物剤、金属キレート化剤、及びそれらの混合物から成る群より個別に選択される少なくとも１つの成分を含有する、請求項１から３の何れか１つに記載のマゼンタインク。
【請求項５】
Ｑが、アンモニウム基、置換アンモニウム基、ナトリウム、リチウム、カリウム、及びテトラメチルアンモニウム基から成るカチオンの群より個別に選択される、請求項１から４の何れか１つに記載のマゼンタインク。
【請求項６】
Ｑがナトリウムである、請求項５に記載のマゼンタインク。
【請求項７】
前記染料化合物が、前記マゼンタインクにおける唯一つの染料である、請求項１に記載のマゼンタインク。
【請求項８】
前記マゼンタインクが約３．５から約４．０のｐＨを有する、請求項１から７の何れか１つに記載のマゼンタインク。
【請求項９】
上記１から８の何れか１つに記載のマゼンタインクで印刷された基体。
【請求項１０】
少なくとも１つのイエロー染料を含有している少なくとも１つのイエローインクと、
少なくとも１つのシアン染料を含有している少なくとも１つのシアンインクと、
請求項１から８の何れか１つに記載のマゼンタインクと、
を含んで成るインクジェット印刷用インクジェットセット。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月8日(2005.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
野地板と、前記野地板の上に順に敷設された屋根下葺き材および屋根上葺き材とを具える建築物の屋根構造であって、
前記屋根下葺き材は野地板上に、屋根の軒先から棟に向かう方向に複数枚敷設され、屋根の軒先から棟に向かう方向に平行である各屋根下葺き材の横手方向の端部が、軒先側の屋根下葺き材を下層にするように所定の幅で部分的に互いに重なり合い、重なり部分の下層は、２００ｍｍ以下の間隔でつづら針によって野地板に対して固定されていること、を特徴とする屋根構造。
【請求項２】
前記屋根下葺き材は、野地板との滑り摩擦抵抗値０．３以上であり、つづら針保持強さは４９．０Ｎ（５．０ｋｇｆ）以上であることを特徴とする、請求項１に記載の屋根構造。
【請求項３】
前記屋根下葺き材は、透湿抵抗が０．１９ｍ２・ｓ・ｐａ／μｇ以下のポリオレフィン樹脂を使用したフラッシュ紡糸法によって得られた不織布であることを特徴とする、請求項１または２に記載の屋根構造。
【請求項４】
屋根上葺き材と野地板との間に、屋根下葺き材を敷設する屋根下葺き材の施工方法であって、屋根下葺き材を、前記野地板上に屋根の軒先から棟に向かう方向に、横手方向の端部が、軒先側の屋根下葺き材が下層になるように所定の幅で、部分的にお互いに重ねて複数枚敷設する工程と、その重なり部分の下層を、２００ｍｍ以下の間隔でつづら針によって野地板に固定する工程と、を具えることを特徴とする施工方法。
【請求項５】
前記屋根下葺き材は、野地板との滑り摩擦抵抗値０．３以上であり、つづら針保持強さは４９．０Ｎ（５．０ｋｇｆ）以上であることを特徴とする、請求項４に記載の施工方法。
【請求項６】
前記重なり部分の幅が、５０ｍｍ以上であることを特徴とする、請求項４または５に記載の施工方法。
【請求項７】
前記屋根下葺き材は、透湿抵抗が０．１９ｍ２・ｓ・ｐａ／μｇ以下のポリオレフィン樹脂を使用したフラッシュ紡糸法によって得られた不織布からなることを特徴とする、請求項４〜６のいずれか１項に記載の施工方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
即ち、本発明の屋根構造は、野地板と、該野地板の上に順に敷設された屋根下葺き材および屋根上葺き材とを具えており、前述の屋根下葺き材は、野地板上に、屋根の軒先から棟に向かう方向に複数枚敷設され、屋根の軒先から棟に向かう方向に平行である各屋根下葺き材の横手方向の端部が、軒先側の屋根下葺き材を下層にするように所定の幅で部分的に互いに重なり合い、重なり部分の下層がつづら針によって野地板に固定されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の屋根上葺き材と野地板との間に、屋根下葺き材を敷設する屋根下葺き材の施工方法は、屋根下葺き材を、野地板上に屋根の軒先から棟に向かう方向に、横手方向の端部が、軒先側の屋根下葺き材が下層になるように所定の幅で、部分的にお互いに重ねて複数枚敷設する工程と、これら重なり部分の下層をつづら針によって野地板に固定する工程と、を具える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
下葺き材の上部（重なり部分の下層）に使用するつづら針の間隔Ｉについては、下葺き材のつづら針保持強さ、下葺き材と野地板との摩擦抵抗値および勾配屋根部の傾斜角度により、作業者の体重を支える力が決定する。本発明者らのテストによると、つづら針の間隔Ｉが２００mmより大きくなると、作業者の体重を支える力が分散されず、つづら針部分が破けやすく好ましくない。好ましい範囲としては５０〜１５０mm間隔である。間隔が小さくなりすぎることは、作業効率上好ましくない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、本発明者らは安全性の観点から本発明に使用できるつづら針保持強さについて、下葺き材と野地板の摩擦抵抗が無いと想定した場合、３寸勾配に関しては作業者の体重を１００kgとすると、１ｍ当たり約２４５Ｎ(約２５kgf)のつづら針保持強さが必要となる。したがって、少なくとも１カ所当たり４９.０Ｎ(５kgf)のつづら針保持強さが必要であり、好ましくは６８.６Ｎ(７kgf)以上である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月11日(2005.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
（Ａ）エポキシ樹脂がビフェニル型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂及びトリフェニルメタン型エポキシ樹脂の少なくとも１種を含有する請求項１〜１１のいずれかに記載の封止用エポキシ樹脂成形材料。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月27日(2005.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
それ以後の工程である地盤改良区域１４内で球状柱杭固結体を構成することは、図４に示した従来例と同様に注入管１５の先端に設けた注入口１６から合流混合された非流動状モルタル９を地盤中に圧入して、球状塊１７を造成させることの繰り返しで完了させている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
さらに、Ａ液の流動性モルタルを構成するために上記硬化発現材と混練する骨材は、砂、フライアッシュ、岩石、石英、石灰石、ドロマイト等の一次鉱物微粉末とベントナイト、陶土等の粘土等の粘土鉱物及び生コンクリート廃材、ゴミや産業廃棄物等の焼却灰から選択されるものであり、単独で使用される他にこれらの一種又は二種以上を組み合わせて採用している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
又、長期強度は、２８日で実施例−１の水ガラスの場合に１３３０Ｎ／ｃｍ2 、実施例−２の硫酸アルミニウムの場合に１８１０Ｎ／ｃｍ2 を発揮し、比較例−２の７５１Ｎ／ｃｍ2 と比較して約１．８〜２．４倍という著しく高い固結強度が得られている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月12日(2005.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粘着材を付着させた第１フィルム状基材に、複数の開孔部を備えた治具を配置し、
前記開孔部の内部に複数の電子装置を填め込むことにより、前記第１フィルム状基材に前記粘着材を介し、前記電子装置を接着させ、
前記治具を前記第１フィルム状基材から取り除くことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項２】
粘着材が塗布された第１フィルム状基材に、複数の開孔部を備えた枠体を配置し、
前記開孔部内に複数の電子装置を供給することにより、前記粘着材に前記電子装置を付着させ、
前記第１フィルム状基材から前記枠体を取り除くことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２記載の製造方法において、
前記電子装置に第２フィルム状基材を被せることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の製造方法において、
前記電子装置を所望の数だけ含むように前記第１フィルム状基材を裁断することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から３のいずれかに記載の製造方法において、
重なった前記第１及び第２フィルム状基材とをロール状に巻き、
前記第１及び第２フィルム基材を裁断して輪切りにすることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の製造方法において、
前記電子装置は、複数の前期開孔部の位置に対応した複数の吸引口を有する吸引器にて吸引され、前記開孔部の内部に填め込まれることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の製造方法において、
前記電子装置は、ICチップであることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の製造方法において、
前記電子装置は、無線によりエネルギー及びデータを非接触に送受信するアンテナを備えるものであることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の製造方法において、
前記開孔部は、正方形、又は、チップサイズに合わせた形態にとられた貫通孔、または、溝であることを特徴とする製造方法。
【請求項１０】
請求項１から９いずれかに記載の製造方法において、
前記開孔部の深さは、前記電子装置の厚さより深いものであることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれかに記載の製造方法において、
前記第１フィルム状基材は紙であることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１から１１のいずれかに記載の製造方法において、
前記第１フィルム状基材はセロファンテープであることを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれかに記載の製造方法において、
前記電子装置の厚さは、３０μｍ以下であることを特徴とする電子装置。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれかに記載の製造方法において、
前記電子装置の幅は、０．５ｍｍ以下であることを特徴とする電子装置。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれかに記載の製造方法により、製造されたことを特徴とする電子装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月3日(2004.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
総勘定元帳マスタから財務諸表を作成する財務諸表作成方法において、
単式簿記の会計データに対応する借方勘定科目コード、貸方勘定科目コード及びキャッシュフローコード並びにそれらに対応するデータに分割する際の割合を定義した説明勘定科目対応テーブルを参照するステップと、
説明勘定科目対応テーブルの借方勘定科目コード、貸方勘定科目コード及びキャッシュフローコード並びにそれらの割合によって単式簿記の会計データを分割して、伝票番号及び明細番号に対応する金額データを含む総勘定元帳マスタを作成するステップと、前記作成された総勘定元帳マスタから財務諸表を作成するステップとを有することを特徴とする財務諸表作成方法。
【請求項２】
単式簿記の会計データに定義されていない追加データを総勘定元帳マスタに入力するステップを有することを特徴とする請求項１に記載された財務諸表作成方法。
【請求項３】
単式簿記の会計データに対応する借方勘定科目コード、貸方勘定科目コード及びキャッシュフローコードを定義した説明勘定科目対応テーブルを作成するステップを有することを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載された財務諸表作成方法。
【請求項４】
総勘定元帳マスタから財務諸表を作成する財務諸表作成装置において、
単式簿記の会計データに対応する借方勘定科目コード、貸方勘定科目コード及びキャッシュフローコード並びにそれらに対応するデータに分割する際の割合を定義した説明勘定科目対応テーブルを参照し、説明勘定科目対応テーブルの借方勘定科目コード、貸方勘定科目コード及びキャッシュフローコード並びにそれらの割合によって単式簿記の会計データを分割して、伝票番号及び明細番号に対応する金額データを含む総勘定元帳マスタを作成する総勘定元帳マスタ作成処理部と、前記作成された総勘定元帳マスタから財務諸表を作成する財務諸表作成処理部とを備えることを特徴とする財務諸表作成装置。
【請求項５】
総勘定元帳マスタから財務諸表を作成する財務諸表作成装置としてコンピュータを機能させる為のプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体において、
単式簿記の会計データに対応する借方勘定科目コード、貸方勘定科目コード及びキャッシュフローコード並びにそれらに対応するデータに分割する際の割合を定義した説明勘定科目対応テーブルを参照し、説明勘定科目対応テーブルの借方勘定科目コード、貸方勘定科目コード及びキャッシュフローコード並びにそれらの割合によって単式簿記の会計データを分割して、伝票番号及び明細番号に対応する金額データを含む総勘定元帳マスタを作成する総勘定元帳マスタ作成処理部と、前記作成された総勘定元帳マスタから財務諸表を作成する財務諸表作成処理部としてコンピュータを機能させる為のプログラムを記録したことを特徴とする記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月15日(2004.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円盤へ光ビームのスポットを当てる光ピックアップと、
前記円盤の光スポット部分の線速度を検出して線速度信号を生成する線速度信号生成回路と、
円盤へ記録するために入力されたユーザデータを前記線速度で円盤記録信号へとエンコードするデータエンコード回路と、
光ビームを制御する光ビーム制御回路とを備え、前記円盤記録信号を円盤へ記録することを特徴とする円盤記録装置。
【請求項２】
円盤へ光ビームのスポットを当てる光ピックアップと、
前記円盤の光スポット部分の線速度を検出して線速度信号を生成する線速度信号生成回路と、
円盤へ記録するために入力されたユーザデータをエンコードデータへとエンコードするデータエンコード回路と、
前記エンコードデータと前記線速度に応じた光ビームパラメータ信号を出力する光ビームパラメータ信号出力回路と、
前記光ビームパラメータ信号に応じて光ビームを制御する光ビーム制御回路とを備え、
該光ビーム制御回路が前記光ピックアップを制御することで、前記エンコードデータに応じた円盤記録信号を円盤へ記録することを特徴とする円盤記録装置。
【請求項３】
円盤の光ビームのスポットの当たる部分の線速度を検出し、
円盤へ記録するために入力されたユーザデータを前記線速度に応じた速度で円盤記録信号へとエンコードし、
光ビームのパラメータを制御し、前記円盤記録信号を円盤へ記録することを特徴とする円盤記録方法。
【請求項４】
円盤の光ビームのスポットの当たる部分の線速度を検出し、
円盤へ記録するために入力されたユーザデータをエンコードデータへとエンコードし、
前記エンコードデータを前記線速度に応じて円盤記録信号として出力し、
光ビームのパラメータを制御し、前記円盤記録信号を円盤へ記録することを特徴とする円盤記録方法。
【請求項５】
請求項３において、
前記線速度、または、円盤記録信号の速度に応じて、記録レーザパワーを変化させるよう制御することを特徴とする円盤記録方法。
【請求項６】
請求項３において、
前記線速度、または、円盤記録信号の速度に応じて、記録信号のエッジのタイミングを変化させることを特徴とする円盤記録方法。
【請求項７】
請求項３において、
前記線速度、または、円盤記録信号の速度に応じて、同一マーク形成中に光ビームパワーを変化させることを特徴とする円盤記録方法。
【請求項８】
円盤を回転する為の円盤モータと、
円盤上のトラックを横切る方向と円盤と垂直な方向に移動可能に構成された情報記録読取部にて光ビームにより円盤上へデータを記録し、円盤上のデータを読み取る手段と、
前記，情報読取部からプリアンプを通過して得られた信号から光ビームのスポットのあたる部分での円盤の線速度信号を出力する線速度信号生成部と、
ユーザデータを入力されたエンコード基準速度と関係を有するエンコード信号を出力するデータエンコード回路とを備えた円盤記録再生装置において、
前記線速度生成部から出力された線速度信号から，円盤の線速度と関係を有するデータ記録基準信号を出力することが可能なPLL回路を有し、
該PLL回路から発生したデータ記録基準信号をエンコード基準クロックとして使用し，エンコーダ回路から発生したエンコード信号を円盤記録信号として使用
することにより、円盤記録時の光ビームによる円盤への記録個所の線速度を検出し、検出された線速度と関係を有した速度でデータを記録する機能を持つことを特徴とする円盤記録再生装置。
【請求項９】
請求項８において、基準クロックをある周波数に分周する分周回路と、データ信号を入力される速度信号にてデータ出力の遅延量を可変可能な可変遅延回路とを追加し、
分周回路からの出力信号をエンコーダ部のエンコード基準クロックとして、エンコーダ回路から発生したエンコード信号を可変遅延回路のデータ信号として、
PLL回路から発生したデータ記録基準信号を前期可変遅延回路への速度信号として使用することにより、円盤記録時の光ビームによる円盤への記録個所の線速度を検出し、検出された線速度と関係を有した速度でデータを記録する機能を持つことを特徴とする円盤記録再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月30日(2004.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極および負極と共に電解質を備えた電池素子がフィルム状の外装部材の内部に封入された電池であって、
前記電解質における遊離酸の濃度が、質量比で６０ｐｐｍ以下であることを特徴とする電池。
【請求項２】
前記外装部材は、ラミネートフィルムよりなることを特徴とする請求項１記載の電池。
【請求項３】
前記電解質はリチウム塩を含み、前記遊離酸はリチウム塩が分解して生成される酸およびその酸が解離して生成されたイオンであることを特徴とする請求項１記載の電池。
【請求項４】
前記遊離酸は、フッ化水素、フッ化物イオン、塩化水素、塩化物イオン、臭化水素および臭化物イオンからなる群のうちの少なくとも１種を含むことを特徴とする請求項１記載の電池。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月4日(2004.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
これらに対して、巻回時のテンションＴ1を３Ｎとし、巻回に伴ってこれよりもテンションを小さく２Ｎして巻回した極板Ａ、および巻回時のテンションＴ1を５Ｎとし、巻回に伴ってこれよりもテンションを小さく２Ｎして巻回した極板Ｂにおいては、巻きズレが生じないとともに、ブリスターの発生も抑制された。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月2日(2005.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電池の製造方法及びその電池あるいは電極体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集電タブを備えた集電体の表面に活物質層を有する一対の電極と、セパレータとを備えた電極体を、一方の電極の前記活物質層と他方の電極の前記活物質層とを前記セパレータを挟んで接着剤で貼り合わせて一体化し、巻回又は積層して電池容器に収納する電池の製造方法において、
一対の長尺の集電体の表面に、それぞれ、長手方向に所定ピッチで離間して設けた集電タブ用の接合面を除いて、活物質層を形成して、一対の電極とし、
一方の電極の前記活物質層上の全面に長尺の前記セパレータを接着剤で貼り合わせ、前記一方の電極と前記セパレータとを一体化し、
該一方の電極の前記接合面を検出手段により検出し、前記接合面の上の前記セパレータを切断し、
切断した前記セパレータを前記接合面から引き剥がして接合面を露出させて切開面とし、この切開面に残存する前記接着剤を除去し、
帯状の集電タブを切開面又はその反対面に接合してタブ付き電極ロールとし、
該他方の電極には前記接合面に集電タブを接合し、
該タブ付き電極ロールの前記セパレータと、該他方の電極の活物質層とを接着剤で接合して、前記一方の電極と前記他方の電極とを貼り合わせて電極体を形成することを特徴とする電池の製造方法。
【請求項２】
セパレータの切断がレーザ照射によりなされることを特徴とする請求項１記載の電池の製造方法。
【請求項３】
切断したセパレータを集電体から引き剥がすに先立って、セパレータの切断部分を加熱することを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の電池の製造方法。
【請求項４】
超音波溶接法を用いて集電タブを切開面または前記切開面の反対面あるいは接合面に接合することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の電池の製造方法。
【請求項５】
集電タブを備えた集電体の表面に活物質層を有する一対の電極と、各活物質層に接着されたセパレータとを備えた電極体を、巻回又は積層して電池容器に収納してなる電池において、
少なくとも一方の電極が、前記セパレータが切開されて集電体の一部を露出させた切開面を有し、前記集電タブが該切開面又は該切開面の反対面に接合されてなることを特徴とする電池。
【請求項６】
集電体の両面に、前記切開面を有することを特徴とする請求項５記載の電池。
【請求項７】
集電タブを備えた集電体の表面に活物質層を有する一対の電極と、各活物質層に接着されたセパレータとを備え、巻回又は積層されて電池容器に収納される電極体であって、
少なくとも一方の電極が、前記セパレータが切開されて集電体の一部を露出させた切開面を有し、かつ、該切開面又は該切開面の反対面に接合された前記集電タブを有することを特徴とする電極体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明の電池の製造方法は、集電タブを備えた集電体の表面に活物質層を有する一対の電極と、セパレータとを備えた電極体を、一方の電極の前記活物質層と他方の電極の前記活物質層とを前記セパレータを挟んで接着剤で貼り合わせて一体化し、巻回又は積層して電池容器に収納する電池の製造方法において、一対の長尺の集電体の表面に、それぞれ、長手方向に所定ピッチで離間して設けた集電タブ用の接合面を除いて、活物質層を形成して、一対の電極とし、一方の電極の前記活物質層上の全面に長尺の前記セパレータを接着剤で貼り合わせ、前記一方の電極と前記セパレータとを一体化し、該一方の電極の前記接合面を検出手段により検出し、前記接合面の上の前記セパレータを切断し、切断した前記セパレータを前記接合面から引き剥がして接合面を露出させて切開面とし、この切開面に残存する前記接着剤を除去し、帯状の集電タブを切開面又はその反対面に接合してタブ付き電極ロールとし、該他方の電極には前記接合面に集電タブを接合し、該タブ付き電極ロールの前記セパレータと、該他方の電極の活物質層とを接着剤で接合して、前記一方の電極と前記他方の電極とを貼り合わせて電極体を形成することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の製造方法では、超音波溶接法を用いて集電タブを切開面または前記切開面の反対面あるいは接合面に接合することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月11日(2005.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面に、複数の突起を配設してなり、該突起表面が、ガラスおよび／またはセラミックスを含有するマトリックスと、該マトリックス中に不純物ガスを吸着する金属を分散して含有する複合材料からなることを特徴とする突起付基板。
【請求項２】
前記不純物ガスを吸着する金属が、クロム、モリブデン、鉄、シリコン、ジルコン、亜鉛、銅、アルミニウム、錫の群から選ばれる少なくとも１種の金属であることを特徴とする請求項１記載の突起付基板。
【請求項３】
前記複合材料の気孔率が１〜２５％であることを特徴とする請求項１または２記載の突起付基板。
【請求項４】
前記複合材料の体積固有抵抗値が１×１０7〜１×１０13Ωであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の突起付基板。
【請求項５】
前記突起全体が前記複合材料からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載の突起付基板。
【請求項６】
所定間隔離間して平行に形成された２枚の基板間に複数のスペーサを配設した平面型ディスプレイであって、前記スペーサ表面が、ガラスおよび／またはセラミックスを含有するマトリックスと、該マトリックス中に不純物ガスを吸着する金属を分散して含有する複合材料からなることを特徴とする平面型ディスプレイ。
【請求項７】
前記不純物ガスを吸着する金属が、クロム、モリブデン、鉄、シリコン、ジルコン、亜鉛、銅、アルミニウム、錫の群から選ばれる少なくとも１種の金属であることを特徴とする請求項６記載の平面型ディスプレイ。
【請求項８】
前記複合材料の気孔率が１〜２５％であることを特徴とする請求項６または７記載の平面型ディスプレイ。
【請求項９】
前記複合材料の体積固有抵抗値が１×１０7〜１×１０13Ωであることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか記載の平面型ディスプレイ。
【請求項１０】
前記スペーサ全体が前記複合材料からなることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか記載の平面型ディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月18日(2005.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
火災感知器と接続され、火災が発生した時に、外部の出力先に火災が発生したことを通報する火災受信機において、
複数の操作スイッチと、
該操作スイッチの通常時の状態が記憶されるスイッチ状態記憶手段と、
前記操作スイッチが、該スイッチ状態記憶手段に記憶された状態になっているかどうかを判別するスイッチ判別手段と、
前記操作スイッチが通常時の状態と異なる時、該操作スイッチの情報を格納するスイッチ格納手段と、
該スイッチ格納手段に格納された操作スイッチの情報を、前記外部の出力先に通報する通報手段とを備えたことを特徴とする火災受信機。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月20日(2004.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口端を有するシャーシ、前記開口端に配設されるパッキン、このパッキンを介して装着される投光開口を有する蓋体およびこの蓋体の投光開口に配設された透光性カバーを有してなる器具本体と；
器具本体内に配設され、前記透光性カバーに開口側を覆われて配設される反射体と；
前記反射体に光学的に対向して配設される蛍光ランプと；
を具備していることを特徴とする屋外用照明器具。
【請求項２】
トンネル内に設けられた取付部と；
前記取付部に設けられた請求項１記載の屋外用照明器具と；
を具備していることを特徴とするトンネル用照明器具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、開口端を有するシャーシ、前記開口端に配設されるパッキン、このパッキンを介して装着される投光開口を有する蓋体およびこの蓋体の投光開口に配設された透光性カバーを有してなる器具本体と；器具本体内に配設され、前記透光性カバーに開口側を覆われて配設される反射体と；前記反射体に光学的に対向して配設される蛍光ランプと；を具備していることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図において、ステンレス製の器具本体１は、被取付け部１ａ１および開口端１ａ２を有するシャーシ１ａ、前記開口端１ａ２に配設されるパッキン１ｂ、このパッキン１ｂを介して装着されるほぼ長方形の投光開口を有する蓋体３およびこの蓋体３の投光開口に配設された透光性カバー４で構成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
蓋体３は、蝶番２ａによって開閉可能に取り付けられ、蝶番２ａの反対側に設けられたラッチ２ｂによって閉塞された状態が保持される。このとき、蓋体３による閉塞縁はパッキン１ｂにより水気が侵入しないような処理が施されている。また、透光性カバー４には、透明なガラス板４が使用されている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月6日(2004.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生物体から、自己のタンパク質合成反応の阻害に関与する系を排除又は中和することによって調製した無細胞タンパク質合成用細胞抽出液。
【請求項２】
無細胞タンパク質合成用細胞抽出液の原料細胞が、胚芽である請求項１の無細胞タンパク質合成用細胞抽出液。
【請求項３】
自己のタンパク質合成反応の阻害に関与する系の排除は、胚芽抽出物から該胚芽抽出物に混入する胚乳を除去することを特徴とする請求項１又は２の無細胞タンパク質合成用細胞抽出液。
【請求項４】
リボソームが、実質的に脱アデニン化されない程度まで胚乳を取り除かれていることを特徴とする請求項３の無細胞タンパク質合成用細胞抽出液。
【請求項５】
自己のタンパク質合成反応の阻害に関与する系の排除方法が、非イオン性界面活性剤を用いて、胚芽抽出物を処理することを特徴とする請求項３の無細胞タンパク質合成用細胞抽出液。
【請求項６】
非イオン性界面活性剤を用いて胚芽抽出物を処理する方法が、超音波処理により、洗浄液が白濁しなくなるまで行うことを特徴とする請求項５の無細胞タンパク質合成用細胞抽出液。
【請求項７】
自己のタンパク質合成反応の阻害に関与する系の中和方法が、リボソームの脱アデニン化を制御することを特徴とする請求項１又は２の無細胞タンパク質合成用細胞抽出液。
【請求項８】
リボソームの脱アデニン化を制御する方法が、リボソームの脱アデニン化を制御する物質を添加することを特徴とする請求項７の無細胞タンパク質合成用細胞抽出液。
【請求項９】
リボソームの脱アデニン化を制御する物質が、フォルマイシン ５'−フォスフェート（Ｆｏｒｍｙｃｉｎ ５'−ｐｈｏｓｐｈａｔｅ）であることを特徴とする請求項８の無細胞タンパク質合成用細胞抽出液。
【請求項１０】
請求項１−９のいずれか１に記載の無細胞タンパク質合成用細胞抽出液を使用する無細胞タンパク質合成方法。
【請求項１１】
１１．以下のいずれか１による請求項１０の無細胞タンパク質合成方法。
１）アミノ酸、エネルギー源の連続供給系でのタンパク質合成方法
２）透析法でのタンパク質合成方法
３）バッチ法でのタンパク質合成方法
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月24日(2004.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する第１主面及び第２主面と、複数の配線とを有する四角形状の配線基板と、
その主面に複数のボンディングパッドを有し、かつ前記配線基板の第１主面上に配置された半導体チップと、
前記複数のボンディングパッドと前記複数の配線とを夫々電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、
前記配線基板の第２主面に配置され、かつ前記複数の配線に夫々電気的に接続された複数の外部端子とを有し、
前記複数の配線は、前記配線基板の第１の主面において、前記配線基板の周辺部から前記配線基板の中央部に向う方向に配置され、
前記複数の配線の各々は、互いに離間して配置された複数のワイヤ接続部を有し、
前記複数のボンディングワイヤの各々の一端部は、前記複数のボンディングパッドに接続され、前記複数のボンディングワイヤの各々の他端部は、前記複数の配線の各々が有する複数のワイヤ接続部の中の一つに接続され、
さらに前記半導体チップと前記複数のボンディングワイヤとを封止する樹脂体を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、前記複数の配線の各々は、前記複数のワイヤ接続部間を電気的に接続する配線部を有し、
前記複数のワイヤ接続部の各々の幅は、前記配線部の幅よりも広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、前記複数のボンディングワイヤの各々の長さは、前記複数の配線の各々が有する前記複数のワイヤ接続部の間隔より短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置において、前記複数の外部端子は、バンプ電極であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
互いに対向する第１主面及び第２主面と、信号配線及び電源配線とを有する四角形状の配線基板と、
前記配線基板の第１主面上に配置された半導体チップであって、その主面に信号用ボンディングパッドと複数の電源用ボンディングパッドとを有する半導体チップと、
前記配線基板の第２主面上に配置され、かつ前記信号配線及び前記電源配線の夫々に電気的に接続された複数の外部端子とを有し、
前記信号配線及び電源配線の各々は、前記第１主面上に形成され、かつ互いに離間されて配置された複数のワイヤ接続部と、前記複数のワイヤ接続部間を電気的に接続する配線部を有し、
前記信号用ボンディングパッドは、前記信号配線の複数のワイヤ接続部の一つにボンディングワイヤにより電気的に接続され、
前記複数の電源用ボンディングパッドは、前記電源配線の複数のワイヤ接続部の各々に複数のボンディングワイヤにより電気的に共通接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置において、前記複数の外部端子はバンプ電極であり、前記配線基板はガラスエポキシ基板であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５に記載の半導体装置において、前記配線部は、前記第１主面上に形成され、前記複数のワイヤ接続部の各々の幅は、前記配線部より広いことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
互いに対向する第１主面及び第２主面を有する四角形状の配線基板と、
前記配線基板の第１主面上であって、前記第１主面の周辺に沿って複数のワイヤ接続用パッドが列状に形成されて成るパッド列を複数列互いに並行して配置した複数列パッド群と、
前記配線基板の第１主面に形成され、前記複数列パッド群の各列を横切る方向に互いに並行して延在する複数の配線であって、夫々が前記複数列パッド群の各列の複数パッドの一つを電極的に共通接続して成る複数の配線と、
前記配線基板の第２主面に形成され、夫々が前記複数の配線と電気的接続されて成る複数の外部端子と、
前記配線基板の前記第１主面上に配置され、四角形状の半導体基板から成り、その主面に複数のボンディングパッドを有する半導体チップと、
前記半導体チップの前記複数のボンディングパッドを夫々前記複数の配線へ電気的接続するために、前記複数のボンディングパッドの夫々と、前記複数の配線の各配線に共通接続されたワイヤ接続用パッドの一つとの間を夫々電気的接続する複数のボンディングワイヤとを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置において、前記配線基板の第１主面において夫々が前記複数の外部端子の夫々と前記複数の配線の各々とを電気的接続するように、複数のランドからなるランド列が前記複数列パッド群の隣接パッド列間に配置されて成ることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体装置において、前記配線基板の第１主面において夫々が前記複数の外部端子の各々と前記複数の配線の各々とを電気的接続するように、前記複数列パッド群の最内側列より前記第１主面の中心部に近い領域にも複数のランドから成る他のランド列が配置されて成ることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体装置において、前記複数のランドの夫々は、前記配線基板の第１主面から第２主面へ貫通するスルーホールの中に形成された導体を介して前記外部端子へ電気的接続されて成ることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月18日(2005.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
図３において、ｐ--基板１の表面層に選択的にｎ領域２を形成し、ｎ領域２の表面層に選択的にｎ+ 領域３を形成し、ｎ+ 領域３に囲まれたｎ領域２の表面層にｎ+ 領域３とは離してｐ領域４を形成し、ｐ--基板の表面層に、ｎ領域２を取り囲むように、ｐ+ 領域５を形成し、このｐ+ 領域５とｎ+ 領域３の間に、ｐ+ 領域５とｎ+ 領域３に接し、ｐ領域４を囲むように、ｐ- 領域６を形成する。このｐ- 領域６は必ずしも、ｎ+ 領域３には接しなくてもよい。尚、ｎ+ 領域３は、図示しないが、繋がった一つの領域である。このように、低濃度であるｐ- 領域６をｎ領域２端部に設け、このｐ- ／ｎ接合とｐ--（基板）／ｎ接合から空乏層を積極的に広げて、端部の電界を緩和する働きをさせる構造がダブルＲＥＳＵＲＦ構造である。尚、前記のｐ領域４は、ｎ領域２をボディウエルとするｐチャネルＭＯＳＦＥＴのソース領域に用いられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
この様子を図４を用いて概略を説明する。この図４は、図３のｎ+ 領域３で周囲を囲まれた箇所を示している。また、電源２２の記号は、前記したように、下アームのＩＧＢＴのスイッチングによって発生するｄｖ／ｄｔを示している。前記の高耐圧領域にｎチャネルＭＯＳＦＥＴやｐ型の抵抗などに用いるｐ領域４を形成する場合、ｎ+ 領域３の間隔が広い場合には、通常加わるｄｖ／ｄｔを超えるノイズが仮に加わったとすると、このｄｖ／ｄｔで空乏層３１の幅Ｗが拡がり、空乏層３１の幅Ｗが拡がることで、点線で示した変位電流Ｉ〔ＣJ ×  ｄｖ／ｄｔ×Ｓ  但し、ＣJ ：ｐ--（１）／ｎ（２）の単位接合容量、Ｓ：ｐ--（１）／ｎ（２）の接合面積〕が流れて、ｎ領域２のＡ点付近の電位が上昇してホールｈが注入され、高耐圧ドライバＩＣに内蔵される図示しない寄生トランジスタや寄生サイリスタが動作し、回路の誤動作や素子破壊を引き起こす危険性がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記の構成とすることで、４万Ｖ／μｓ以上のｄｖ／ｄｔ耐量を得ることができる。このことを、図４から図７を用いて説明する。
図４の高耐圧構造に用いられるＲＥＳＵＲＦ構造においては、ｎ領域２の端部を完全に空乏化させる必要があるため、この領域の濃度を一定量以上にあげることができない。このｎ領域２のドーズ量と耐圧との関係を示したものが図５でドーズ量Ｑ１とＱ２との間に耐圧のピークを有する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図１において、ｐ--基板１の表面層に選択的にｎ領域２を形成し、ｎ領域２の表面層に選択的にｎ+ 領域３を形成し、ｎ+ 領域３に囲まれたｎ領域２の表面層にｎ+ 領域３とは離してｐ領域４を形成し、ｐ--基板１の表面層に、ｎ領域２を取り囲むように、ｐ+ 領域５を形成し、このｐ+ 領域５とｎ+ 領域３の間に、ｐ+ 領域５とｎ+ 領域３に接し、ｐ領域４を囲むように、ｐ- 領域６を形成する。このｐ- 領域６は必ずしも、ｎ+ 領域３には接しなくてもよい。尚、同図（ａ）で示すｎ+ 領域３は、同図（ｂ）に示すように繋がった一つの領域である。また、２ａはｎ領域２の表面端を示す。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図２は、この発明の第２実施例の要部平面図である。ｐ領域４の周囲に島状にｎ+ 領域７を形成し、これらのｐ領域４とｎ+ 領域７を取り囲むように、ｎ+ 領域３を形成する。このｎ+ 領域７とｎ+ 領域３は同時に形成するとよい。各島状のｎ+ 領域７はアルミニウム線などによって電気的に接続する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2000236067.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2000236067.tif 000002