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【手続補正書】
【提出日】平成16年4月20日(2004.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【発明の効果】
本発明は、以上説明したように構成したので、偏向手段から対物レンズまでの距離を大きく設定したとしても、偏向手段により反射されたレーザービームの光量分布の中心の対物レンズの光軸に対するずれをなくし、カップリング効率の低下の少ない光ディスク装置の光学系を提供できるという効果を奏する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に対向する一対の素子電極と、該素子電極に接続され、その一部に電子放出部を有する導電性膜と、を有する電子放出素子において、
前記導電性膜が、ＰｄＯを主成分とする微粒子よりなる第１層と、該第１層上に設けられた、該第１層よりも高い電気的耐熱温度を有する材質よりなる第２層とから構成され、
前記第２層が、添加物としてＢｉを含有するＰｄＯ微粒子よりなることを特徴とする電子放出素子。
【請求項２】
基体上に対向する一対の素子電極と、該素子電極に接続され、その一部に電子放出部を有する導電性膜と、を形成してなる電子放出素子の製造方法において、
前記基体上にＰｄＯ微粒子を主成分とする微粒子よりなる導電性膜第１層を形成する工程と、
前記素子電極間に電圧を印加して該導電性膜第１層を通電した後に、前記導電性膜第１層上に、前記導電性膜第１層よりも高い電気的耐熱温度を有する材質よりなる導電性膜第２層を形成する工程と、
前記素子電極間に再度電圧を印加し、前記電子放出部を形成する工程と、を有し、
前記導電性膜第２層を形成する工程が、Ｐｄ化合物とＢｉ化合物を含む溶液を前記導電性膜第１層上に塗布し、焼成する工程であることを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項３】
対向する一対の素子電極と、該素子電極に接続され、その一部に電子放出部を有する導電性膜よりなる複数の電子放出素子と該素子電極に接続された配線とを基体上に有する電子源であって、
前記電子放出素子が請求項１に記載の電子放出素子であることを特徴とする電子源。
【請求項４】
対向する一対の素子電極、該素子電極に接続され、その一部に電子放出部を有する導電性膜よりなる複数の電子放出素子、及び該素子電極に接続された配線を基体上に有する電子源と、
該電子源より放出される電子の照射により画像を形成する画像形成部材と、を真空容器内に有する画像形成装置であって、
前記電子放出素子が請求項１に記載の電子放出素子であることを特徴とする画像形成装置。
【請求項５】
対向する一対の素子電極と、該素子電極に接続され、その一部に電子放出部を有する導電性膜よりなる複数の電子放出素子と該素子電極に接続された配線とを基体上に有する電子源の製造方法であって、
前記電子放出素子が請求項２に記載の方法により製造されることを特徴とする電子源の製造方法。
【請求項６】
対向する一対の素子電極、該素子電極に接続され、その一部に電子放出部を有する導電性膜よりなる複数の電子放出素子、及び該素子電極に接続された配線を基体上に有する電子源と、
該電子源より放出される電子の照射により画像を形成する画像形成部材と、を真空容器内に有する画像形成装置の製造方法であって、
前記電子放出素子が請求項２に記載の方法により製造されることを特徴とする画像形成装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月23日(2004.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理室内に設けられた試料搭載を兼ねた第１の電極と，該第１の電極に対向して設置された第２の電極と，この電極間に高周波電力を印加する手段とを備え，前記第２の電極面よりエッチングガスが供給され，前記第２の電極面におけるエッチングガスの供給系統用の複数の領域が，該第２の電極面上の中心を共通とする円或いはリング状の領域に分布されたガス噴き出し孔群よりなるように構成したことを特徴とするエッチング装置。
【請求項２】
請求項１記載のエッチングガスの供給系統用の複数の領域が独立して設けられた第２電極面が，Ｓｉ或いはＣを主材としていることを特徴とする請求項１記載のエッチング装置。
【請求項３】
請求項１記載のエッチングガスの供給系統用の複数の領域が独立して設けられた第２電極面が，５０〜２００℃の範囲で温度制御可能であることを特徴とする請求項１記載のエッチング装置。
【請求項４】
半導体基板上に形成したレジストマスク開孔部から露出した酸化ケイ素膜をエッチングする工程が，真空処理室内に設けられた試料搭載を兼ねた第１の電極と，該電極に対向して設置された第２の電極とに各々独立に高周波電力の印加が可能であり，前記第２の電極面よりエッチングガスが供給され，該エッチングガスの供給系統が第２の電極面を複数の領域に独立して分割されたエッチング装置を用いて，フルオロカーボン系ガスを前記複数の領域に独立して分割されたガス供給系統により供給し，エッチングすることを特徴とするエッチング装置の運転方法。
【請求項５】
半導体基板上に形成したレジストマスク開孔部から露出した酸化ケイ素膜をエッチングする工程が，真空処理室内に設けられた試料搭載を兼ねた第１の電極と，該電極に対向して設置された第２の電極とに各々独立に高周波電力の印加が可能であり，前記第２の電極面よりエッチングガスが供給され，該エッチングガスの供給系統が第２の電極面を複数の領域に独立，分割されたエッチング装置を用いて，フルオロカーボン系ガス及び希ガスを前記複数の領域に独立して分割されたガス供給系統により供給し，エッチングすることを特徴とするエッチング装置の運転方法。
【請求項６】
請求項５に記載したフルオロカーボン系ガス及び希ガスを前記複数の領域に独立して分割されたガス供給系統により供給する運転方法が，各ガス供給系統に対して，Ｈｅ，Ｎｅ，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅの中から選ばれた複数種以上の希ガスの流量比を変えていることを特徴とする請求項５記載のエッチング装置の運転方法。
【請求項７】
請求項４及び請求項５に記載したフルオロカーボン系ガスがＣＦ４,Ｃ２Ｆ６,Ｃ３Ｆ８，Ｃ4Ｆ８，ＣＦ３ＯＣＨＦＣＦ３ の少なくとも一つ以上からなることを特徴とする請求項４及び請求項５記載のエッチング装置の運転方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月14日(2004.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン表面を洗浄またはエッチングを行い、
前記シリコン表面を純水によってリンスし、
前記リンス中またはリンス後に前記シリコン表面に酸化膜を形成し、
シリコン表面を乾燥させることを特徴とするシリコンの洗浄方法。
【請求項２】
シリコン表面の自然酸化膜を湿式のエッチングによって除去し、
前記シリコンを純水によってリンスし、
前記リンス中またはリンス後に前記シリコン表面に酸化膜を形成し、
シリコン表面を乾燥させることを特徴とするシリコンの洗浄方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化膜の形成を、酸化剤が添加された純水を用いて行うことを特徴とするシリコンの洗浄方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記酸化剤が添加された純水は、純水を電気分解して得られるオゾンを純水に添加したもの、酸素に紫外線を照射して得られるオゾンを純水に添加したものまたは純水に５〜２０体積％の過酸化水素を添加したものであることを特徴とするシリコンの洗浄方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記酸化膜を、１〜３ｎｍになるように酸化膜を形成することを特徴とするシリコンの洗浄方法。
【請求項６】
非晶質シリコン表面を洗浄またはエッチングを行い、
前記非晶質シリコン表面を純水によってリンスし、
前記リンス中またはリンス後に前記非晶質シリコン表面に酸化膜を形成し、
前記非晶質シリコン表面を乾燥し、
前記非晶質シリコンにレーザを照射して結晶化を行うことを特徴とする多結晶シリコンの作製方法。
【請求項７】
非晶質シリコンの表面の自然酸化膜を湿式のエッチングによって除去し、
前記非晶質シリコンを純水によってリンスし、
前記リンス中またはリンス後に前記非晶質シリコン表面に酸化膜を形成し、
前記非晶質シリコン表面を乾燥し、
前記非晶質シリコンにレーザを照射して結晶化を行うことを特徴とする多結晶シリコンの作製方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記酸化膜の形成を、酸化剤が添加された純水を用いて行うことを特徴とする多結晶シリコンの作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記酸化剤が添加された純水は、純水を電気分解して得られるオゾンを純水に添加したもの、酸素に紫外線を照射して得られるオゾンを純水に添加したものまたは純水に５〜２０体積％の過酸化水素を添加したものであることを特徴とする多結晶シリコンの作製方法。
【請求項１０】
請求項６乃至請求項９のいずれか一項において、
前記酸化膜を、１〜３ｎｍになるように酸化膜を形成することを特徴とする多結晶シリコンの作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】シリコンの洗浄方法および多結晶シリコンの作製方法


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本明細書で開示する他の発明は、非晶質シリコンにレーザを照射して多結晶シリコンにする工程の前の基板の洗浄方法であって、表面に自然酸化膜が存在する非晶質シリコンを有する基板を湿式のエッチングにて当該自然酸化膜の除去を行った後に、非晶質シリコン表面を純水にてリンスし、当該リンス中又はリンス後に非晶質シリコン表面に１〜３ｎｍの酸化膜を乾燥前に形成した後に、非晶質シリコン表面を乾燥させることを特徴とするシリコンの洗浄方法である。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
上記シリコンの洗浄方法において、前記１〜３ｎｍの酸化膜の形成を純水に酸化剤を添加した純水を用いて湿式で行うことが好ましい。また、前記酸化剤を添加した純水は、純水を電気分解して得るオゾンを純水に添加したもの、又は酸素に紫外線を照射して得るオゾンを純水に添加したものあるいは純水に５〜２０体積％の過酸化水素を添加したものであることが好ましい。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
ガラス基板１（本実施例では、コーニング社製の＃１７３７を使用）上に、下地酸化珪素膜２を２００ｎｍ形成された上に、非晶質シリコン膜３が３０〜５０ｎｍ、典型的には４０ｎｍ形成された基板をレーザ結晶化する。非晶質シリコン３は、プラズマＣＶＤ法あるいは減圧熱ＣＶＤ法によって、形成される。形成方法によってもウォータマークの形成が異なり、減圧熱ＣＶＤ法によって形成されたシリコン膜よりも、プラズマＣＶＤ法によって形成されたシリコン膜の方がウォータマークが発生し易い。これは、形成されたシリコン表面を観察するとプラズマＣＶＤ法によって形成された膜は、クラスタ状の凹凸が、減圧熱ＣＶＤ法によって形成されたシリコン表面より多く、これが原因になっていると推測している。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
本発明を用いた場合は、自然酸化膜４を除去して、純水にてリンスする工程までは同一だが、リンスを２分間した後に、リンス用のノズルの横にオゾンを添加した純水を噴出するノズルから、オゾンを添加した純水を非晶質シリコン３表面に噴出しと同時または、その後リンス用の純水を止める。オゾン添加の純水によるリンスは、３分間行い非晶質シリコン３の表面に約１ｎｍの酸化膜９を形成した後にスピン乾燥させる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
オゾン添加の純水によるシリコン表面に形成される酸化膜は、当該純水によるリンス時間を長くするあるいは、オゾン量を増加することで膜厚を厚くすることができる。膜厚を３ｎｍ以上にすることも可能だが、リンス時間がかかることと、オゾン量を増加させると酸化速度が速くなり、膜厚の基板間ばらつきが発生しやすいために、１〜３ｎｍが最適である。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
具体的には、オゾン添加量は、３〜１０ｐｐｍでリンス時間は、２〜５分間ぐらいが適量である。本実施例では、オゾン添加量５ｐｐｍでリンス時間３分間で、酸化膜が約１ｎｍ形成されている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月17日(2004.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に被処理物を設置すべき処理槽内にその下部より供給された純水をその上部よりオーバーフローさせて排出することにより前記処理槽内部の薬液の置換を行う薬液置換方法において、薬液を置換した純水を処理槽外へ排出する際に部分的な流速を速めることを特徴とする薬液置換方法。
【請求項２】
内部に被処理物を設置すべき処理槽内にその下部より供給された純水をその上部よりオーバーフローさせて排出することにより前記処理槽内部の薬液の置換を行う薬液置換方法において、薬液を置換した純水を処理槽外へ排出する際に流速を経時的に変化させることを特徴とする薬液置換方法。
【請求項３】
内部に被処理物が設置される処理槽と、
少なくとも純水を前記処理槽の下部側面から前記処理槽の底面に沿った方向で前記処理槽内に供給する供給部と、
前記処理槽内の純水の流速を部分的に速めるために前記処理槽の上部に設けられた遮蔽板と、
を備えたことを特徴とする薬液置換装置。
【請求項４】
内部に被処理物が設置される処理槽と、
少なくとも純水を前記処理槽の下部側面から前記処理槽の底面に沿った方向で前記処理槽内に供給する供給部と、
純水を排出する際の流速を経時的に変化させるために前記処理槽の上部に設けられたドレイン部と、
を備えたことを特徴とする薬液置換装置。
【請求項５】
内部に被処理物が設置される処理槽と、
少なくとも純水を前記処理槽の下部側面から前記処理槽の底面に沿った方向で前記処理槽内に供給する供給部と、
前記処理槽の上部に設けられ、薬液を置換した純水を前記処理槽の外部に強制的に排出するドレイン部と、
を備えたことを特徴とする薬液置換装置。
【請求項６】
内部に被処理物が設置される処理槽と、
少なくとも純水を前記処理槽の下部から前記処理槽の底面に沿った方向で前記処理槽内に供給する供給部と、
前記処理槽内の純水の流速を部分的に速めるために前記処理槽の上部に設けられた揺動可能な遮蔽板と、
を備えたことを特徴とする薬液置換装置。
【請求項７】
内部に被処理物が設置される処理槽と、
少なくとも純水を前記処理槽の下部から前記処理槽の底面に沿った方向で前記処理槽内に供給する供給部と、
前記処理槽内の純水の流速を部分的に速めるために前記処理槽の上部に設けられ、且つ前記純水の表面に対して平行に配置された遮蔽板と、
を備えたことを特徴とする薬液置換装置。
【請求項８】
内部に被処理物が設置された処理槽の下部側面から前記処理槽の底面に沿った方向で前記処理槽内に少なくとも純水を供給し、
前記純水を前記処理槽の上部からオーバーフローさせて排出し、
前記処理槽内の純水を前記処理槽外に排出する際に流速を経時的に変化させる
ことを特徴とする薬液置換方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月28日(2004.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下端の炉口よりウェーハを載せたボートが挿入及び引出される炉本体と、
前記炉口を開閉するべく昇降機構によって前記ボートの設置台と共に昇降させられるシールキャップと、
このシールキャップより下側に該シールキャップと共に昇降するよう本体部が配設され、回転軸を駆動することで設置台を水平面内で回転させる回転機構と、前記回転機構の本体部と前記シールキャップとの間に介在された連結筒とを備えた半導体製造装置において、
前記連結筒に、不活性ガスをパージガスとして該連結筒内に導入するための導入ポートを設けると共に、該導入ポートにパージガス導入管の先端を接続して、該パージガス導入管の基端開口を上向きに設け、一方、前記炉本体側にパージガス供給管を設け、該パージガス供給管の先端開口を、前記シールキャップが炉口を塞いだとき前記パージガス導入管の基端開口と気密に連通する位置に下向きに設けたことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
下端の炉口よりウェーハを載せたボートが挿入及び引出される炉本体と、
前記炉口を開閉するべく昇降機構によって前記ボートの設置台と共に昇降させられるシールキャップと、
このシールキャップより下側に該シールキャップと共に昇降するよう本体部が配設され、回転軸を駆動することで設置台を水平面内で回転させる回転機構と、前記回転機構の本体部と前記シールキャップとの間に介在された連結筒とを備えた半導体製造装置において、
前記連結筒に、不活性ガスをパージガスとして該連結筒内に導入するための導入ポートを設けると共に、該導入ポートにパージガス導入管の先端を接続して、該パージガス導入管の基端開口を上向きに設け、一方、前記炉本体側にパージガス供給管を設け、該パージガス供給管の先端開口を、前記シールキャップが炉口を塞いだとき前記パージガス導入管の基端開口と気密に連通する位置に下向きに設け、前記パージガス供給管の先端開口と前記パージガス導入管の基端開口が、前記炉本体と前記シールキャップを密閉するシールリングの外側に位置することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】
下端の炉口よりウェーハを載せたボートが挿入及び引出される炉本体と、
前記炉口を開閉するべく昇降機構によって前記ボートの設置台と共に昇降させられるシールキャップと、
このシールキャップより下側に該シールキャップと共に昇降するよう本体部が配設され、回転軸を駆動することで設置台を水平面内で回転させる回転機構と、前記回転機構の本体部と前記シールキャップとの間に介在された連結筒とを備えた半導体製造装置において、
前記連結筒に、不活性ガスをパージガスとして該連結筒内に導入するための導入ポートを設けると共に、該導入ポートにパージガス導入管の先端を接続して、該パージガス導入管の基端開口を、前記シールキャップの炉口に対する合わせ面レベルに上向きに設け、一方、前記炉本体側にパージガス供給管を設け、該パージガス供給管の先端開口を、前記シールキャップが炉口を塞いだとき前記パージガス導入管の基端開口と気密に連通する位置に下向きに設け、前記パージガス供給管の先端開口と前記パージガス導入管の基端開口が、前記炉本体と前記シールキャップを密閉するシールリングの外側に位置することを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月24日(2004.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハの処理に際しては反応室にプロセスガスを供給し、上記反応室の洗浄に際しては上記反応室にClF3ガスを供給するようにした半導体製造装置であって、
上記プロセスガスの供給ステップと上記ClF3ガスの供給ステップとの間に、上記反応室を真空置換するステップを設けたことを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月24日(2004.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電池容器内に正負の電池電極と電解液とを収容してなる単電池が外殻体内に配置され、その外殻体の内部が外部から圧力を受けて変形可能な隔壁を介して外部と区画されると共にその外殻体内に絶縁油が貯留され、前記外殻体の外部圧力が上昇したときに前記電池容器の上部に設けられた油浸入口から前記絶縁油を前記電池容器内に浸入させることにより、前記単電池内外の圧力差をなくして耐圧化した油漬均圧型電池において、
前記電池容器内の上部に前記電解液に接触可能な電解液検出電極を備えた液位センサが設けられ、その電解液検出電極による電解液の検出下端部が大気圧下における電解液の正常下限液位又はそれよりも上に位置するように設定されていることを特徴とする油漬均圧型電池。
【請求項２】
前記液位センサには前記電解液検出電極を取り囲む通液性の保護筒が備えられると共に、前記電池容器の上方から内部に挿入されて前記保護筒の下端が前記単電池内の正負の電池電極間に位置するセパレータに接するように配置されるものであって、
前記保護筒の下端にはテーパ状の挿入案内部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の油漬均圧型電池。
【請求項３】
電池容器内に正負の電池電極と電解液とを収容してなる単電池が外殻体内に配置され、その外殻体の内部が外部から圧力を受けて変形可能な隔壁を介して外部と区画されると共にその外殻体内に絶縁油が貯留され、前記外殻体の外部圧力が上昇したときに前記電池容器の上部に設けられた油浸入口から前記絶縁油を前記電池容器内に浸入させることにより、前記単電池内外の圧力差をなくして耐圧化した油漬均圧型電池を充放電するためのものであって、
前記単電池を充電及び放電するための充放電回路と、
前記電池容器内の上部に設けられて前記電解液に接触可能な電解液検出電極を備え、電解液検出電極の検出下端部が大気圧下における電解液の正常下限液位又はそれよりも上に設定された液位センサと、
前記液位センサの電解液検出電極に前記電解液が接触することを検出するための導通測定回路と、
前記導通測定回路によって前記電解液の液位が前記電解液検出電極の検出下端部よりも下回っていることを検出したことを条件に電解液の液位異常を報知する異常報知回路とを備えてなる油漬均圧型電池の充放電装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
請求項２の発明は、請求項１に記載したものであって、前記液位センサには前記電解液検出電極を取り囲む通液性の保護筒が備えられると共に、前記電池容器の上方から内部に挿入されて前記保護筒の下端が前記単電池内の正負の電池電極間に位置するセパレータに接するように配置されるものであって、前記保護筒の下端にはテーパ状の挿入案内部が設けられていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月17日(2005.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電場発光ディスプレイを構成する方法であって、
伝導性材料のシートから成る底部電極を堆積するステップと、
前記底部電極上に井戸を定めるマスクを堆積するステップと、
前記マスクによって定められる前記井戸の少なくとも第一と第二の井戸に対して、前記井戸中に電場発光材料を投与するステップとを設けて成り、前記の第一井戸に投与される前記電場発光材料が前記の第二井戸に投与される前記電場発光材料とは異なる光スペクトルを放射するようにする方法。
【請求項２】
さらに、前記の電場発光材料を乾燥させるステップと、伝導性材料から成る上部電極を堆積するステップとを包含する請求項1記載の方法。
【請求項３】
さらに、前記の上部電極を堆積する以前に前記電場発光材料の上に分離層を堆積するステップを包含する請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記の分離層は、前記電場発光材料のそれと前記上部電極の伝導性材料のそれの中間のエネルギー帯を有するキャリヤー輸送材料から成る請求項3記載の方法。
【請求項５】
さらに、前記分離層を堆積する以前に前記マスクを除去するステップを包含する請求項３記載の方法。
【請求項６】
前記井戸のうち第三の井戸が光を放射しない化合物で充填される請求項1記載の方法。
【請求項７】
前記の第一の井戸が３つの電場発光染料の第一の混合物を受け且つ前記の第二の井戸が前記の３つの電場発光染料の第二の混合物を受け、前記第一混合物は前記の３つの電場発光染料の比が前記の第二の混合物とは異なる請求項1記載の方法。
【請求項８】
前記の投与するステップが、キャリヤー液体に溶解させた電場発光染料の液滴を、それぞれ、第一及び第二の電場発光染料を含有する第一及び第二の溜め容器を有する投与器から投与するステップを包含する請求項1記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月25日(2005.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子放射物質層とヒータを備えた傍熱型カソードと、その電子放射物質層からの電子の放出を制限する孔を備えた電極とを有する電子銃を具備した陰極線管であって、
前記電子放射物質層は、前記支持体上に形成され希土類金属の酸化物を実質的に０．８ｗｔ％〜５．０ｗｔ％の範囲の量を含む主としてアルカリ土類金属の酸化物からなる層を有し、
電子の放出を制限する前記電極の孔の直径は、実質的に０．３ｍｍ〜０．４ｍｍの範囲にあることを特徴とする陰極線管。
【請求項２】
請求項１において、前記電子放射物質層は、希土類金属の酸化物を実質的に１．０ｗｔ％〜５．０ｗｔ％の範囲の量を含むことを特徴とする陰極線管。
【請求項３】
請求項１において、前記希土類金属の酸化物は、バリウムスカンデート、酸化ユーロピウム、あるいは酸化イットリウムであることを特徴とする陰極線管。
【請求項４】
請求項３において、前記希土類金属の酸化物は、バリウムスカンデートであり、前記アルカリ土類金属の酸化物は（Ｂａ・Ｓｒ・Ｃａ）ＣＯ３であることを特徴とする陰極線管。
【請求項５】
請求項３において、前記カソードは、高融点金属からなるスリーブを備え、前記支持体は前記スリーブの一端に設けられ、前記ヒータは前記スリーブと支持体とによって規定される空間に配置されていることを特徴とする陰極線管。
【請求項６】
請求項１において、前記支持体は還元性金属を含む高融点金属からなることを特徴とする陰極線管。
【請求項７】
電子放射物質層とヒータを備えた傍熱型カソードと、その電子放射物質層からの電子の放出を制限する孔を備えた電極とを有する電子銃を具備した陰極線管であって、
前記電子放射物質層は、前記支持体上に形成され希土類金属の酸化物を含まないアルカリ土類金属の酸化物からなる第１の層と、前記第１の層の上に形成された希土類金属の酸化物を実質的に０．８ｗｔ％〜５．０ｗｔ％の範囲の量を含む主としてアルカリ土類金属の酸化物からなる第２の層からなり、
電子の放出を制限する前記電極の孔の直径は、実質的に０．３ｍｍ〜０．４ｍｍの範囲にあることを特徴とする陰極線管。
【請求項８】
請求項７において、前記電子放射物質層の前記第２の層は、希土類金属の酸化物を実質的に１．０ｗｔ％〜５．０ｗｔ％の範囲の量を含むことを特徴とする陰極線管。
【請求項９】
請求項７において、前記電子放射物質層は、希土類金属の酸化物を含まないアルカリ土類金属の酸化物からなる少なくとも１つの第３の層と、希土類金属の酸化物を含む主としてアルカリ土類金属の酸化物からなる少なくとも１つの第４の層とからなり、前記第３の層および第４の層は前記第２の層の上に交互に形成され、前記電子放射物質層内の前記第２の層〜第４の層における前記希土類金属の含有率は実質的に０．８ｗｔ％〜５．０ｗｔ％の範囲にあることを特徴とする陰極線管。
【請求項１０】
請求項７において、前記希土類金属の酸化物は、バリウムスカンデート、酸化ユーロピウム、あるいは酸化イットリウムであることを特徴とする陰極線管。
【請求項１１】
請求項１０において、前記希土類金属の酸化物は、バリウムスカンデートであり、前記アルカリ土類金属の酸化物は（Ｂａ・Ｓｒ・Ｃａ）ＣＯ３であることを特徴とする陰極線管。
【請求項１２】
請求項１０において、前記カソードは高融点金属からなるスリーブを備え、前記支持体は前記スリーブの一端に設けられ、前記ヒータは前記スリーブと支持体とによって規定される空間に配置されていることを特徴とする陰極線管。
【請求項１３】
請求項１０において、前記支持体は還元性金属を含む高融点金属からなることを特徴とする陰極線管。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月21日(2004.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
負極触媒層が二層からなり、第一層は固体高分子電解質膜の表面から内部にとりつけた白金層であり、第二層は固体高分子電解質膜の表面から外部にとりつけた白金とルテニウムと固体高分子電解質とを含む層であり、該第一層と該第二層は固体高分子電解質表面で接触していることを特徴とする、固体高分子電解質を備えた直接型メタノール燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、固体高分子電解質を備えた直接型メタノール燃料電池において、負極触媒層が二層からなり、第一層は固体高分子電解質膜の表面から内部にとりつけた白金層で、第二層は固体高分子電解質膜の表面から外部にとりつけた白金とルテニウムと固体高分子電解質とを含む層であり、第一層と第二層は固体高分子電解質表面で接触していることを特徴とするものである。また、負極触媒層に含まれる白金およびルテニウムを無電解メッキでとりつけることを特徴とし、さらに、第二層に含まれる白金とルテニウムが交互に積層した構造とすることもできることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【実施例】
次に、負極触媒層の第二層をとりつける。まず、ＲｕＣｌ３やＮａ４Ｒｕ（ＳＯ３）３などの水溶液をＮ２Ｈ４やＮａＢＨ４で還元して、第一層の白金層の上にルテニウムを析出させると、ルテニウムは白金粒子を核として成長し、固体高分子電解質膜の表面から外部の方向に析出する。つぎに、水溶液中のＨ２ＰｔＣｌ６をＮａＢＨ４で還元して、ルテニウムの上にさらに白金を析出させる。なお、ルテニウムの析出と白金の析出を交互に繰り返して、ルテニウムと白金が交互に積層した層とすることもできる。無電解メッキで得られた白金とルテニウムからなる層は多孔性であるので、この層の上に市販のナフィオン溶液（ナフィオン５重量パーセントを含むアルコール溶液）を均一に塗布し、乾燥すれば、白金とルテニウムと固体高分子電解質とを含む第二層が得られる。このようにして得られた負極触媒層の第二層は、固体高分子電解質の表面から外部方向にとりつけられ、固体高分子電解質の表面で第一層と接触している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
さらに、Ａ室・Ｂ室とも精製水で洗った後、Ａ室にＮａ４Ｒｕ（ＳＯ３）３を０．２ｍｏｌ／ｌ含む水溶液２０ｍｌと、０．５％ＮａＢＨ４水溶液５ｍｌを入れ、標準緩衝溶液を用いてｐＨを１．１に調整し、Ｂ室には精製水３８ｍｌを入れ、全体を４０℃に保ち、Ａ室・Ｂ室とも空気でバブリングさせて５時間保つと、ナフィオン膜の表面に厚み約１μｍのルテニウムがつく。さらに、Ａ室・Ｂ室とも精製水で洗った後、Ａ室にｐＨ１．１の標準緩衝溶液３０ｍｌと５％のＨ２ＰｔＣｌ６水溶液３ｍｌを入れ、さらに５％ＮａＢＨ４水溶液５ｍｌを加え、Ｂ室には精製水３８ｍｌを入れ、全体を４０℃に保ち、Ａ室・Ｂ室とも空気でバブリングさせて５時間保つと、ルテニウム層の上に厚み約５μｍの白金が析出し、固体電解質表面にルテニウムと白金とからなる多孔性層が形成される。この層の上に市販のナフィオン溶液（ナフィオン５重量パーセントを含むアルコール溶液）を均一に塗布すると、ナフィオン溶液はルテニウムと白金とからなる多孔性層に浸透し、これを乾燥すれば、白金とルテニウムと固体高分子電解質とを含む第二層が得られる。このようにして得られた負極触媒層の第二層は、固体高分子電解質の表面から外部方向にとりつけられ、固体高分子電解質の表面で第一層と接触している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図１は、得られた負極触媒層の断面構造を示したもので、図１において、１はナフィオン膜、２は負極触媒層の第一層としての白金層で、ナフィオン膜の表面から内部方向にとりつけられている。３はルテニウムで、ナフィオン膜の表面上で白金層２に接触した状態でとりつけられており、４はナフィオンと白金を含む層で、ルテニウム３とナフィオンと白金とを含む層４とはナフィオン膜の外部方向にとりつけられ、負極触媒層の第二層を形成する。また、５はナフィオン膜の触媒が存在しない部分である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
【発明の効果】
本発明になる固体高分子電解質を備えた直接型メタノール燃料電池においては、負極触媒層が白金層を含む第一層と、白金とルテニウムと固体高分子電解質とを含む第二層からなり、また、負極触媒層を無電解メッキで取り付けることを特徴とするもので、従来の、白金とルテニウムを含む触媒担持カーボンと、ナフィオン溶液と、ディスパージョンポリテトラフルオロエチレンの混合物を用いた負極触媒層と比べ、製造工程がきわめて簡単となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
さらに本発明になる負極触媒層の第二層は、白金とルテニウムと固体高分子電解質とを含み、白金とルテニウムと固体高分子電解質とが互いに接触するようにとりつけられているため、負極活物質であるメタノールが触媒である白金に吸着して電気化学反応を行う場合、電子導電体としての白金とプロトン導電体としての固体高分子電解質膜が共存しているので、電子の授受とプロトンの移動が容易に行われる。また、メタノールの反応の途中で生成した白金に吸着した一酸化炭素は、白金の表面に存在するルテニウムによってすみやかに白金表面から取り去られ、白金の触媒能力は常に一定に保たれる。しかも、白金とルテニウムと固体高分子電解質とを含む第二層は三次元方向に広がっており、反応点の数はきわめて多くなり、電気化学反応が容易に進むものである。なお、より多量の触媒が必要な場合には、ルテニウムと白金の無電解メッキを交互に行い、固体高分子電解質膜の表面から外部方向に、ルテニウムと白金が交互に積層した構造とし、この層に固体高分子電解質を存在させることにより、反応点の数をさらに増やすことが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月21日(2004.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
負極触媒層が白金層とルテニウム層からなり、該白金層が固体高分子電解質膜の内部に存在しかつ固体高分子電解質膜の表面に接し、該ルテニウム層が固体高分子電解質膜の表面に存在しかつ白金層に接していることを特徴とする、固体高分子電解質を備えた直接型メタノール燃料電池。
【請求項２】
請求項１記載の固体高分子電解質を備えた直接型メタノール燃料電池において、白金層およびルテニウム層を固体高分子電解質膜に無電解メッキでとりつけることを特徴とする、固体高分子電解質を備えた直接型メタノール燃料電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、固体高分子電解質を備えた直接型メタノール燃料電池において、負極触媒層が白金層とルテニウム層からなり、該白金層が固体高分子電解質膜の内部に存在しかつ固体高分子電解質膜の表面に接し、該ルテニウム層が固体高分子電解質膜の表面に存在しかつ白金層に接していることを特徴とするものである。また、白金層およびルテニウム層を固体高分子電解質膜に無電解メッキでとりつけることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明になる固体高分子電解質を備えた直接型メタノール燃料電池においては、負極触媒層が白金層とルテニウム層からなり、該白金層が固体高分子電解質膜の内部に存在しかつ固体高分子電解質膜の表面に接し、該ルテニウム層が固体高分子電解質膜の表面に存在しかつ白金層に接していることを特徴とするものである。また、白金層およびルテニウム層を固体高分子電解質膜に無電解メッキでとりつけることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
さらに、ＲｕＣｌ３やＮａ４Ｒｕ（ＳＯ３）３などの水溶液をヒドラジンやＮａＢＨ４で還元して、白金粒子の上にルテニウムを析出させると、ルテニウム層は固体高分子電解質膜の表面に析出し、白金層と接するようになる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
さらに、Ａ室・Ｂ室とも精製水で洗ったのち、Ａ室にＮａ４Ｒｕ（ＳＯ３）３を０．２ｍｏｌ／ｌ含む水溶液２０ｍｌと、０．５％ＮａＢＨ４を含む水溶液５ｍｌを入れ、標準緩衝溶液を用いてｐＨを１．１に調整し、Ｂ室には精製水３８ｍｌを入れ、全体を４０℃に保ち、Ａ室・Ｂ室とも空気でバブリングさせて５時間保つ。このようにして、ナフィオン膜の片面に、表面から内部方向に厚み１０μｍのＰｔ層とその上にＲｕ層がついた負極用触媒層が得られた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
図１は、得られた負極触媒層の断面構造を示したもので、図１において、１はナフィオン膜、２は白金層で、ナフィオン膜の表面から内部方向にとりつけられている。３はルテニウム層で、ナフィオン膜の表面上で白金層２に接触した状態でとりつけられている。４はナフィオン膜の触媒が存在しない部分である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【発明の効果】
本発明になる固体高分子電解質を備えた直接型メタノール燃料電池においては、負極触媒層が白金層とルテニウム層からなり、負極触媒層を無電解メッキで取り付けることを特徴とするもので、従来の、白金とルテニウムを含む触媒担持カーボンと、ナフィオン溶液と、ディスパージョンポリテトラフルオロエチレンの混合物を用いた負極触媒層と比べ、製造工程がきわめて簡単となる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
さらに本発明になる負極触媒層では、白金層が固体高分子電解質の表面から内部にとりつけられ、ルテニウム層が固体高分子電解質の表面の白金層と接触するようにとりつけられているため、負極活物質であるメタノールが触媒である白金に吸着して電気化学反応を行う場合、電子導電体としての白金とプロトン導電体としての固体高分子電解質膜が共存しているので、電子の授受とプロトンの移動が容易に行われる。また、メタノールの反応の途中で生成した白金に吸着した一酸化炭素は、白金層の表面に存在するルテニウム層によってすみやかに白金表面から取り去られ、白金の触媒能力は常に一定に保たれる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月11日(2005.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超伝導マグネットと、軸を取り囲み、該超伝導マグネットに熱交換関係で装着された機械的クライオクーラを含んでいるＭＲＩ超伝導マグネット・アセンブリであって、
前記クライオクーラと前記超伝導マグネットとの間に介在した隔離手段を含んでおり、前記クライオクーラの振動効果を最小限にする隔離アセンブリと、
前記クライオクーラの端からある距離に前記クライオクーラの軸に沿って取り付けられたウエイト（３６）であって、前記クライオクーラが、該ウエイトと前記超伝導マグネットの間に位置付けられるように、前記超伝導マグネットに隔たって位置付けられる前記ウエイト（３６）と、
前記軸と実質的に平行に延び、前記ウエイトを支持する複数の軸支持部材とを備える、前記軸方向におけるクライオクーラの振動が低減されたＭＲＩ超伝導マグネット・アセンブリ。
【請求項２】
前記ウエイトを垂直方向に支持するように前記軸と実質的に垂直に延びている支持部材を備える請求項１に記載のＭＲＩ超伝導マグネット・アセンブリ。
【請求項３】
前記複数の軸支持部材は、軸方向における剛性を高めながら該軸方向以外の方向における振動隔離手段の剛性を低下させるように選択された寸法を有するロッドである請求項２に記載のＭＲＩ超伝導マグネット・アセンブリ。
【請求項４】
前記超伝導マグネットは、封入容器を含んでおり、前記隔離手段は、前記クライオクーラと前記封入容器との間に介在したベローズを含んでいる請求項３に記載のＭＲＩ超伝導マグネット・アセンブリ。
【請求項５】
前記隔離手段は更に、前記クライオクーラと前記超伝導マグネットとの間に少なくとも１つのエラストマの部材を含んでいる請求項４に記載のＭＲＩ超伝導マグネット・アセンブリ。
【請求項６】
前記隔離手段の材料及び寸法は、前記封入容器の第１の共鳴周波数を下回るまで前記クライオクーラの隔離周波数を低下させるように選択されている請求項３に記載のＭＲＩ超伝導マグネット・アセンブリ。
【請求項７】
前記ウエイトは、ステンレス鋼ロッドにより取り付けられた真鍮板である請求項６に記載のＭＲＩ超伝導マグネット・アセンブリ。
【請求項８】
調節可能な移動リミッタが、前記クライオクーラの軸の方向における前記ベローズの移動を制限するために設けられている請求項４に記載のＭＲＩ超伝導マグネット・アセンブリ。
【請求項９】
横方向の剛性が、前記クライオクーラの軸以外の方向における前記ベローズの移動を制限するように設けられている請求項４に記載のＭＲＩ超伝導マグネット・アセンブリ。
【請求項１０】
前記横方向の剛性は、前記クライオクーラと前記封入容器との間に取り付けられた撓み部を含んでいる請求項９に記載のＭＲＩ超伝導マグネット・アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月11日(2005.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスクドライブ懸架装置ロードビームにして、
当該ロードビームの基部側端部での据付領域、当該ロードビームの遠位側端部に隣接するリジッド領域、前記据付領域とリジッド領域の間のスプリング領域、第１外側固定部分と第２外側固定部分とこれら第１及び第２外側固定部分の間の開放領域とを有する固定区域、並びに前記第１及び第２外側固定部分の間の開放領域に位置した内側移動部分を有する移動区域を備え、
前記固定区域と移動区域とが据付領域と遠位側端部の間でロードビームに沿って位置しており、
上記据付領域と固定区域に対してロードビームの遠位側端部と移動区域をトラッキング軸回りに移動可能とするように、移動区域を固定区域に連結する少なくとも１つの弾性部材を有するリンク機構を更に備えるような、ロードビーム。
【請求項２】
上記リンク機構が第１弾性部材と第２弾性部材と第３弾性部材を有し、上記移動区域を固定区域に連結する、請求項１に記載のロードビーム。
【請求項３】
上記第１弾性部材が上記第１外側固定部分と上記移動部分の間に延在し、上記第２弾性部材が上記第２外側固定部分と上記移動部分の間に延在し、上記第３弾性部材が第１弾性部材と第２弾性部材の間で上記移動部分と上記固定区域の間に延在する、請求項２に記載のロードビーム。
【請求項４】
第１弾性部材と第２弾性部材が上記移動部分の相対する側で互いに横に間隔をおいている、請求項３に記載のロードビーム。
【請求項５】
第３弾性部材が第１弾性部材と第２弾性部材の間で、ロードビームの基部側端部で縦方向に位置する、請求項３又は４に記載のロードビーム。
【請求項６】
トラッキングコントロール信号に応じて、据付領域と固定区域に対してロードビームの遠位側端部と移動区域をトラッキング軸回りに移動するために、ロードビームに据え付けられたマイクロアクチュエータを更に備える、請求項１〜５のいずれか一項に記載のロードビーム。
【請求項７】
マイクロアクチュエータが圧電性マイクロアクチュエータを含む、請求項６に記載のロードビーム。
【請求項８】
据付領域、スプリング領域、固定区域、移動区域、リジッド区域及びリンク機構がすべて、シングルシート材料から形成されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載のロードビーム。
【請求項９】
読み／書きヘッドを収容するために、ロードビームの遠位側端部に湾曲体（フレクシャ）を更に有する、請求項１〜８のいずれか一項に記載のロードビーム。
【請求項１０】
固定区域が第１外側固定部分と第２外側固定部分を有し、据付領域から延在し、スプリング領域が移動区域から延在し、リジッド区域がスプリング領域から延在する、請求項１〜９のいずれか一項に記載のロードビーム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月17日(2005.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
メモリアレイのリフレッシュ動作を検査する方法であって、前記メモリアレイは第１のメモリセル行および第２のメモリセル行を含み、前記第１のメモリセル行は第１の記憶値を記憶するように構成された第１のメモリセルを含み、第２のメモリセル行は第２の記憶値を記憶するように構成された第２のメモリセルを含み、前記方法が、
前記第１の記憶値として第１の論理状態を前記第１のメモリセルに格納する第１の格納ステップ；
前記第２の記憶値として第２の論理状態を前記第２のメモリセルに格納する第２の格納ステップ；
前記第１のメモリセルが検査されるべき指定されたリフレッシュ間隔と実質的に等しい期間にわたり、前記第２のメモリセルの前記第２の記憶値を繰り返し読み取るステップ；および
前記第２のメモリセルの前記第２の記憶値を繰り返し読み取る前記ステップの後、前記第１のメモリセルから前記第１の記憶値を読み取る読取りステップ；
を含むメモリアレイのリフレッシュ動作を検査する方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
メモリアレイのリフレッシュ動作を検査する方法であって、前記メモリアレイは第１のメモリセル行および第２のメモリセル行を含み、前記第１のメモリセル行は第１の記憶値を記憶するように構成された第１のメモリセルを含み、第２のメモリセル行は第２の記憶値を記憶するように構成された第２のメモリセルを含み、前記方法が、
前記第１の記憶値として第１の論理状態を前記第１のメモリセルに格納する第１の格納ステップ；
前記第２の記憶値として第２の論理状態を前記第２のメモリセルに格納する第２の格納ステップ；
前記第１のメモリセルが検査されるべき指定されたリフレッシュ間隔と実質的に等しい期間にわたり、所与の論理状態の前記第２のメモリセルに前記第２の記憶値を繰り返し書き込む書込みステップ；および
前記第２のメモリセルに前記第２の記憶値を繰り返し書き込むステップの後、前記第１のメモリセルから前記第１の記憶値を読み取る読取りステップ；
を含むメモリアレイのリフレッシュ動作を検査する方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、第１のメモリセル行および第２のメモリセル行を含むメモリアレイのリフレッシュ動作を検査する方法をさらに企図する。第１のメモリセル行は、第１の記憶値を記憶するように構成された第１のメモリセルを含み、第２のメモリセル行は、第２の記憶値を記憶するように構成された第２のメモリセルを含む。本発明の方法は、第１の論理状態を第１の記憶値として第１のメモリセルに記憶し、第２の論理状態を第２の記憶値として第2 のメモリセルに記憶するステップを含む。さらに、本方法は、前記第１のメモリセルが検査されるべき指定されたリフレッシュ間隔と実質的に等しい期間にわたり第２のメモリセルの第２の記憶値を繰り返し読み取るステップを含む。また、本方法は、第２のメモリセルの第２の記憶値を繰り返し読み取るステップを完了した後、第１のメモリセルから第２の記憶値を読み取るステップを含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
セル２１０のデータ保持特性の大半は、書込みトランジスタ３０６がオフの期間（即ち、ライトワード線２１２が選択されていない期間）に書込みトランジスタ３０６を通る漏れ電流の電流量によって影響を受ける。セル２１０における漏れ電流の量は、ゲート３１２とライトビット線２０８（書込みトランジスタ３０６のソースに接続されている）との間に形成される電圧ＶGSによって決定される。電圧ＶGSが負の側にバイアスされるほど、漏れ電流は減少する。漏れ電流量に影響を与える１つの方法は、ライトビット線２０８の電圧ＶS を制御することである。ライトビット線の電圧を高めることにより、漏れ電流は減少する。セル２１０の一実施例において、ライトビット線２０８の電圧が７０ｍＶ増加すると、漏れ電流は１桁減少する。セル２１０の通常動作においては、漏れ電流は低い方が望ましいが、リフレッシュ動作を検査する場合には、セルの漏れ電流を最大にする方が好都合である。これにより、可能な最悪の条件に近い検査が保証される。後述するように、これは、リフレッシュ検査中にセル２１０においてライトビット線２０８を接地まで駆動することにより、実現される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、実施例によっては、比較的長い読取りサイクルを実施することにより、セル２１０における漏れ電流のさらなる増加をはかってもよい。一のメモリ動作と次のメモリ動作との間には最小限間隔があるので、制御信号、例えば行アドレスストローブ線２３１、列アドレスストローブ線２３２、及び書込み入力線２３３などは、短期間不活性となる。したがって、ライトビット線は、一のメモリアクセスと次のメモリアクセスとの間はＬＯＷに駆動されない。行アドレスストローブ線２３１及び列アドレスストローブ線２３２のパルスの持続期間を引き延ばすことによって、ライトビット線がＬＯＷに駆動されている時間の割合を高めることができる。比較的長い読取りサイクルを実施することにより、ライトビット線上の信号のデューティサイクルを、例えば９５％程度の高い割合まで増大させてもよい。メモリアレイ２０９の特定の一実施例では、繰り返し発生させた１０μｓの読取り周期により、９９．９％のデューティサイクルが得られた。また、実施例によっては、長い書込み周期により、漏れ電流の増大を達成してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月10日(2004.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
外部からの信号に従って、特定のテスト動作モードでの動作を可能にするテストモード活性化信号を発生するテストモード活性化信号発生手段、
電源ノードに結合され、外部からの電源電圧の前記電源ノードへの投入に応答して所定期間活性状態となるべき電源投入検出信号を出力する電源投入検出手段、および
前記テストモード活性化信号発生手段と前記電源投入検出手段とに結合され、前記電源投入検出信号の活性化に応答して前記テストモード活性化信号発生手段をイネーブルし、かつ前記テストモード指示信号が１回も活性化されないとき前記テストモード活性化信号発生手段をディスエーブルする初期化手段を備える、半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
前記外部からの信号に従って前記特定のテスト動作モードと異なるテストモードを活性化する信号を出力する手段をさらに備える、請求項１ないし１１のいずれかに記載の半導体記憶装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
請求項２に係る半導体記憶装置は、外部からの信号に従って特定のテスト動作モードでの動作を可能にするテストモード活性化信号を発生するテストモード活性化信号発生手段と、電源ノードに結合され、外部からの電源電圧の電源ノードへの投入に応答して所定期間活性状態となるべき電源投入検出信号を出力する電源投入検出手段と、テストモード活性化信号発生手段と電源投入検出手段とに結合され、電源投入検出信号の活性化に応答してテストモード活性化信号発生手段をイネーブルし、かつテストモード活性化信号が１回も活性化されないときテストモード活性化信号発生手段をディスエーブルする初期化手段とを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
請求項１３に係る半導体記憶装置は、請求項１から１１の装置のいずれかが、外部からの信号に従って特定テスト動作モードと異なるテストモードを活性化する信号を出力する手段をさらに備える。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月13日(2005.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つのプロセスチャンバと、ウェファ用の移送ロボットを有する少なくとも一つの移送チャンバと、リフティング機構を有するウェファ用の少なくとも一つのマガジンとを具えるウェファ処理用の反応器において、
前記マガジンに保管された前記ウェファの位置を監視するために前記反応器内に光学的な検出装置を設けたことを特徴とする反応器。
【請求項２】
前記光学的な検出装置を、前記マガジンを包囲するハウジング壁までの最小距離が少なくとも一つの保管されたウェファによって下限より小さくなるとアラーム状態に入るように配置したことを特徴とする請求項１記載の反応器。
【請求項３】
前記マガジンに最も近接するハウジング壁までの最小距離で前記マガジンに平行に配置した少なくとも一つの光電的な障壁を、前記光学的な検出装置を形成するように設けたことを特徴とする請求項２記載の反応器。
【請求項４】
第１の光電的な障壁を、前記移送チャンバに結合した前記マガジンの第１の側に設け、第２の光電的な障壁を、前記反応器に対する積み込み及び積み出しを行う装置を配置した前記マガジンの第２の側に設けたことを特徴とする請求項３記載の反応器。
【請求項５】
前記光電的な障壁が、前記反応器の下側に配置されるとともにパルス状のＩＲ光ビームを放出する発光ダイオードと、前記パルス状のＩＲ光ビームを受信するように設計されるとともに前記反応器の上側に配置されたホトダイオードとからなることを特徴とする請求項４記載の反応器。
【請求項６】
前記光学的な検出装置によって供給されるとともにその状態を特徴づける制御信号を受信し、かつ、この制御信号に依存して前記反応器の制御ユニットに対する少なくとも一つのトリガ信号を発生させる処理ユニットを設けたことを特徴とする請求項１記載の反応器。