Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月20日(2004.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
上記制御手段は、上記記憶手段に記憶される上記分析結果に応じた新たな方法に従って、上記処理手段を制御する
ことを特徴とする請求項３に記載のコンテンツデータ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
ここで、以下の説明のため、（７）式のように、ｔｊ（ｊ＝０〜９）を定義する。
2003224797.tif 000001
この（７）式を用いると、（５）式は、（８）式のように書き換えられる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５１】
【数１７】
2003224797.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１９】
このように、画像信号処理部１１０Ａでは、調整されたパラメータｓ，ｚの値に対応した推定式の係数データＷｉ（ｉ＝１〜ｎ）が使用されて、ＨＤ画素データｙが演算される。したがって、ユーザは、パラメータｓ，ｚの値を調整することで、ＨＤ信号による画像の空間方向および時間方向の解像度を自由に調整できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月14日(2004.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画像の特徴量を記録する記憶媒体であって、
少なくとも動画像の連続する所定区間から成る区間の代表特徴量を記憶するデータ領域と、
前記代表特徴量よって代表される区間長を示す情報を記憶するデータ領域とを有し、
前記代表特徴量は、照合対象映像の特徴量との照合による前記動画像の映像シーンの検索を可能とすることを特徴とする記憶媒体。
【請求項２】
請求項１記載の記憶媒体において、
前記代表特徴量は、前記動画像から抽出された色情報であることを特徴とする記憶媒体。
【請求項３】
請求項１記載の記憶媒体において、
前記代表特徴量と、前記区間内の前記所定区間毎に前記動画像から抽出された特徴量との変動は特定閾値以内であることを特徴とする記憶媒体。
【請求項４】
動画像の特徴量を記録する記憶媒体であって、
前記特徴量は、
前記動画像から所定区間毎に特徴量を抽出し、
第１の前記特徴量を代表特徴量として、及び、前記第１の特徴量の間隔を第１の区間として設定し、
対象となる前記抽出した特徴量を前記代表特徴量と比較し、
前記比較の結果が、許容量以内の場合には前記第１の区間に前記抽出した特徴量の区間を加え、許容量を越える場合には、前記抽出した特徴量を別の代表特徴量と、及び、前記抽出した特徴量の区間を他の区間として設定し、
前記代表特徴量によって代表される区間を示す区間の時間に関する情報とともに前記代表特徴量を記憶されたものであって、
前記代表特徴量は、照合対象映像の特徴量との照合による前記動画像の映像シーンの検索を可能とすることを特徴とする記憶媒体。
【請求項５】
請求項４記載の記憶媒体において、
前記特徴量は、前記動画像から抽出された色情報であることを特徴とする記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月22日(2004.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成された非晶質半導体膜に金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を加熱処理により結晶化させて結晶性半導体膜を形成し、
前記金属元素を前記結晶性半導体膜に残存させたまま連続発振レーザー光を照射して溶融帯を形成し、
前記レーザー光の照射位置を走査することにより前記溶融帯を連続的に移動させ、前記結晶性半導体膜の結晶性を改質することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に形成された非晶質半導体膜に金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を第１の加熱処理により結晶化させて結晶性半導体膜を形成し、
前記金属元素を前記結晶性半導体膜に残存させたまま連続発振レーザー光を照射して溶融帯を形成し、
前記レーザー光の照射位置を走査することにより前記溶融帯を連続的に移動させ、前記結晶性半導体膜の結晶性を改質し、
前記結晶性半導体膜に残存する前記金属元素をゲッタリングし、且つ、前記結晶性半導体膜の歪みを緩和するための第２の加熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上に形成された非晶質半導体膜に金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を加熱処理により結晶化させて結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜に連続発振レーザー光を照射しつつ、当該レーザー光の照射位置を走査して、前記結晶性半導体膜の結晶性を改質する各段階を有し、
前記連続発振レーザー光は、４００〜６００ｎｍの波長を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面上に形成された非晶質半導体膜に金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を加熱処理により結晶化させて結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜に連続発振レーザー光を照射しつつ、当該レーザー光の照射位置を走査して、前記結晶性半導体膜の結晶性を改質する各段階を有し、
前記連続発振レーザー光は、固体レーザー発振装置から放射されるレーザー光の第２高調波であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
ガラス基板上に酸窒化珪素膜を形成し、
前記酸窒化珪素膜に密接して非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に金属元素を添加し、
前記非晶質半導体膜を第１の加熱処理により結晶化させて結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜に連続発振レーザー光を照射しつつ、当該レーザー光の照射位置を走査して、前記結晶性半導体膜の結晶性を改質し、
前記結晶性半導体膜に含まれる前記金属元素をゲッタリングし、且つ、前記結晶性半導体膜の歪みを緩和するための第２の加熱処理を行う各段階を有し、
前記連続発振レーザー光は、固体レーザー発振装置から放射されるレーザー光の第２高調波であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
ガラス基板上に酸窒化珪素膜を形成し、
前記酸窒化珪素膜に密接して第１の非晶質半導体膜を形成し、
前記第１の非晶質半導体膜に金属元素を添加し、
前記第１の非晶質半導体膜を第１の加熱処理により結晶化させて結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜に連続発振レーザー光を照射しつつ、当該レーザー光の照射位置を走査して、前記結晶性半導体膜の結晶性を改質し、
前記結晶性半導体膜に接して酸化珪素を含むバリア層を形成し、
前記バリア層上に希ガス元素を含有する第２の非晶質半導体膜を形成し、
前記第２の非晶質半導体膜に前記結晶性半導体膜に含まれる前記金属元素を偏析させ、且つ、前記結晶性半導体膜の歪みを緩和するための第２の加熱処理を行う各段階を有し、
前記連続発振レーザー光は、固体レーザー発振装置から放射されるレーザー光の第２高調波であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一項において、
前記固体レーザー発振装置は、Ｎｄ：ＹＶＯ4レーザー発振装置であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月24日(2004.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
合わせマークを有する第１のパターンを半導体基板上に形成する工程と、
前記第１のパターン表面上にレジスト膜を形成する工程と、
マスク上に形成された第２のパターンと前記合わせマークとの位置合わせを行い、前記第２のパターンを前記レジスト膜上に転写する工程とを有し、
前記位置合わせを行うにあたって、
前記合わせマークの非対称性を計測する工程と、
前記計測結果に基づいて位置合わせのオフセット量を求め、前記位置合わせを行う工程とを含み、
前記非対称性を計測する工程は、スキャトロメトリを用い、前記合わせマークに対して、互いに入射角又は偏光角を異にする第１および第２の方向から光を入射し、反射光強度を計測する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記光は、複数の波長を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記光は、単一波長光であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記合わせマークは、周期性パターンを含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
合わせマークを有する第１のパターンを半導体基板上に形成する工程と、
前記第１のパターン表面上にレジスト膜を形成する工程と、
マスク上に形成された第２のパターンと前記合わせマークとの位置合わせを行ない、前記第２のパターンを前記レジスト膜上に転写する工程とを有し、
前記位置合わせを行なうにあたって、
前記合わせマークの非対称性を計測する工程と、
前記計測結果に基いて位置合わせのオフセット量を求め、前記位置合わせを行う工程とを含み、
前記合わせマークの非対称性を計測する工程は、スキャトロメトリを用い、
前記合わせマークに対して、垂直方向から光を照射し、前記合わせマークから回折される複数の次数の回折強度を測定する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記合わせマークは、周期性パターンを含むことを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
合わせマークを有するウエハー上にレジストを塗布・ベークする工程と、
前記ウエハーを露光および現像する工程とを有する半導体装置の製造方法において、
前記合わせマークを用いて合わせを行なうに際して、前記合わせマークの非対称性を計測する工程と、
前記レジスト膜の寸法を計測する工程とを備え、
前記非対称性計測と前記寸法計測とは、前記処理装置内に配置された同一の計測装置で行い、
前記非対称性を計測する工程は、スキャトロメトリを用い、前記合わせマークに対して、互いに入射角又は偏光角を異にする第１および第２の方向から光を入射し、反射光強度を計測する工程、又は前記合わせマークに対して、垂直方向から光を照射し、前記合わせマークから回折される複数の次数の回折強度を測定する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
合わせマークを有するウエハー上にレジストを塗布・ベークし、レジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜上にマスク上のパターンを露光し、現像する工程とからなる一連の工程を有し、
前記ウエハーごとに、前記一連の工程の開始時点を１工程づつシフトさせて処理を進行させる処理シーケンスを設け、
前記レジスト塗布・ベーク工程後に、前記合わせマークの非対称性計測をする工程を設けるとともに、前記露光・現像後のレジスト膜寸法を測定する工程を設け、
前記非対称性を計測する工程は、スキャトロメトリを用い、前記合わせマークに対して、互いに入射角又は偏光角を異にする第１および第２の方向から光を入射し、反射光強度を計測する工程、又は前記合わせマークに対して、垂直方向から光を照射し、前記合わせマークから回折される複数の次数の回折強度を測定する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
電界効果型トランジスタのゲート電極形成工程を含む複数のパターン形成工程と、
前記各パターン形成工程において、合わせマークを有するウエハーとマスクとの位置合わせを行う工程とを有し、
前記位置合わせに際して、前記合わせマークの非対称性計測工程を少なくとも前記ゲート電極形成工程に適用する工程を含み、
前記非対称性を計測する工程は、スキャトロメトリを用い、前記合わせマークに対して、互いに入射角又は偏光角を異にする第１および第２の方向から光を入射し、反射光強度を計測する工程、又は前記合わせマークに対して、垂直方向から光を照射し、前記合わせマークから回折される複数の次数の回折強度を測定する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
合わせマークを有するウエハーとマスクとの位置合わせにおいて、
前記合わせマークの非対称性を計測する工程と、
前記マスク上のパターン寸法と前記ウエハー上に転写された前記マスク上のパターンの寸法とを測定し、前記測定結果よりずれ量を導出する工程と、
前記非対称性の計測結果および前記ずれ量より相関線を求める工程とを有し、
前記非対称性を計測する工程は、スキャトロメトリを用い、前記合わせマークに対して、互いに入射角又は偏光角を異にする第１および第２の方向から光を入射し、反射光強度を計測する工程、又は前記合わせマークに対して、垂直方向から光を照射し、前記合わせマークから回折される複数の次数の回折強度を測定する工程であり、
前記相関線に基づき、前記位置合わせのオフセット量を決定し、前記オフセット量を用いて前記位置合わせの位置調整を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
合わせマークと非対称計測パターンとを有する第１のパターンを半導体基板上に形成する工程と、
前記第１のパターン表面上にレジスト膜を形成する工程と、
マスク上に形成された第２のパターンと前記合わせマークとの位置合わせを行ない、前記第２のパターンを前記レジスト膜上に転写する工程とを有し、
前記位置合わせを行なうにあたって、
前記非対称計測パターンの非対称性を計測する工程と、
前記計測結果に基づいて、位置合わせのオフセット量を求め、前記位置合わせを行う工程とを含み、
前記非対称性を計測する工程は、スキャトロメトリを用い、前記非対称計測パターンに対して、互いに入射角又は偏光角を異にする第１および第２の方向から光を入射し、反射光強度を計測する工程、又は前記非対称計測パターンに対して、垂直方向から光を照射し、前記非対称計測パターンから回折される複数の次数の回折強度を測定する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月5日(2005.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、射出成形後の成形体をランナー部から分断すると、成形体の分断部において、磁石粉末が樹脂から露出される、さらに、磁粉自身が分断された表面が露出されることがある。このように、磁石粉末が露出された部分があると、この部分から腐食が進行しやすいという問題がある。この問題は、樹脂と磁石粉末とのなじみ（濡れ性）が悪い場合に顕著であり、材料の組み合わせだけでなく、樹脂と磁石粉末材料との混合工程に依存する。すなわち、従来の急冷磁石粉末は、アスペクト比が小さいので、コンパウンドの製造工程において均一に混合され難く、その結果として、得られたコンパウンドは、樹脂と磁石粉末とのなじみが十分でなく、磁石粉末粒子が露出することがあった。また、磁石粉末のアスペクト比が小さいので、混合工程におけるせん断力によって磁石粉末が破壊され新たな表面が形成されやすく、その結果、得られたコンパウンド中の磁石粉末が酸化されやすいという問題もあった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７４】
従来の急冷磁石粉末は比較的多量の希土類元素Ｒを含むので酸化されやすく、粒径が小さいほど粉末粒子表面の酸化による磁気特性の低下が顕著となる。一例として、ＭＱＰ−Ｂについて、ＪＩＳＺ８８０１の標準ふるいを用いて分級した磁粉の粒度別の磁気特性を表２に示す。ＭＱＰ−Ｂ（最大粒径３００μｍ以下）では、表２に示すように、粒径（粒度）が７５μｍ以下、特に５３μｍ以下の粉末粒子の磁気特性が低下している。残留磁束密度Ｂrについてみると、最も高い値を示している１２５μｍ超１５０μｍ以下の粉末粒子の残留磁束密度Ｂr（０．９０Ｔ）に対して、５３μｍ以下の粉末粒子の残留磁束密度Ｂr（０．７９Ｔ）は９０％未満にまで低下している。また、（ＢＨ）ｍａｘについて見ると、５３μｍ以下の粉末粒子の平均の（ＢＨ）ｍａｘ（３８μｍ以下と３８μｍ超５３μｍ以下の値の単純平均）は８５．５ｋＪ／ｍ3であり、１５０μｍ超２１２μｍ以下の粉末粒子の平均の（ＢＨ）ｍａｘ（１５０μｍ超１８０μｍ以下と１８０μｍ超２１２μｍ以下の値の単純平均）である１１４．６ｋＪ／ｍ3の７５％未満にまで低下している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７５】
これに対し、Ｔｉ含有ナノコンポジット磁粉は酸化による磁気特性の低下の割合が低く、磁気特性の粒径依存性が小さい。一例として、ナノコンポジット磁粉ＮＣＰ−０について、ＪＩＳＺ８８０１の標準ふるいを用いて測定した磁粉の粒度分布ならびに粒度別の磁気特性を表３に示す。ナノコンポジット磁粉ＮＣＰ−０（最大粒径３００μｍ以下）では、表３に示すように、磁気特性はほとんど粒径（粒度）に依存せず、優れた磁気特性を有している。例えば、残留磁束密度Ｂrは、最も高い値を示している１０６μｍ超１２５μｍ以下の粉末粒子の残留磁束密度Ｂr（０．８４５Ｔ）に対して、５３μｍ以下の粉末粒子の残留磁束密度Ｂr（約０．８２９Ｔ）は９８％以上の値を有している。また、（ＢＨ）ｍａｘについても、５３μｍ以下の粉末粒子の平均の（ＢＨ）ｍａｘは１０４．６ｋＪ／ｍ3であり、１５０μｍ超２１２μｍ以下の粉末粒子の平均の（ＢＨ）ｍａｘである１０６．６ｋＪ／ｍ3の９８％以上の値を有している。種々の組成のＴｉ含有ナノコンポジット磁粉について同様の評価を行った結果、ほとんどの組成についてナノコンポジット磁粉の５３μｍ以下の粉末粒子の平均の（ＢＨ）ｍａｘは、１５０μｍ超２１２μｍ以下の粉末粒子の平均の（ＢＨ）ｍａｘの９０％以上の値を有し、多くの組成について９５％以上の値が得られることが分かった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３４】
次いで、得られた磁粉を図７（ａ）および（ｂ）を参照しながら上述したように、ピンディスクミルを用いて粉砕し、表７のような粒度分布を持つ磁粉を得た。なお、粒度分布は、粉末５０ｇをＪＩＳＺ８８０１の標準ふるいを用いて分級し、それぞれの粒度の粉末質量から求めた。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５８】
次いで、得られた磁粉を図７を参照しながら上述したようにピンディスクミルを用いて粉砕し、表１１のような粒度分布を持つ磁粉を得た。なお、粒度分布は、粉末５０ｇをＪＩＳＺ８８０１の標準ふるいを用いて分級し、それぞれの粒度の粉末質量から求めた。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月16日(2004.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】補正内容のとおり
【補正方法】変更
【補正の内容】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
2003224667.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月15日(2004.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿台に載置された原稿を読み取る読取ユニットを搭載し、前記原稿台に沿って移動する平面走査装置と、
前記平面走査装置を内蔵し、一面に前記原稿台を有する筐体と、
前記筐体に配置され、読取待機位置にある前記平面走査装置と電気的に接続するアース手段とを有することを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
前記アース手段は、前記平面走査装置の移動方向に弾性変形可能な弾性部位を有し、前記読取待機位置にある前記平面走査装置に前記弾性部位が接触することで電気的に接続することを特徴とする請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記アース手段は前記筐体にスライド可能に取り付けられ、前記平面走査装置は前記アース手段の前記弾性部位と係合する係合部を有し、前記アース手段をスライドさせ、前記弾性部位と係合部を係合させることで、前記平面走査装置を前記筐体に対して固定することを特徴とする請求項２に記載の画像読取装置。
【請求項４】
前記スライド動作を前記筐体の外部から操作する操作部を有することを特徴とする請求項３に記載の画像読取装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明にあっては、原稿台に載置された原稿を読み取る読取ユニットを搭載し、前記原稿台に沿って移動する平面走査装置と、前記平面走査装置を内蔵し、一面に前記原稿台を有する筐体と、前記筐体に配置され、読取待機位置にある前記平面走査装置と電気的に接続するアース手段とを有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
前記アース手段は、前記平面走査装置の移動方向に弾性変形可能な弾性部位を有し、前記読取待機位置にある前記平面走査装置に前記弾性部位が接触することで電気的に接続することが好適である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
前記アース手段は前記筐体にスライド可能に取り付けられ、前記平面走査装置は前記アース手段の前記弾性部位と係合する係合部を有し、前記アース手段をスライドさせ、前記弾性部位と係合部を係合させることで、前記平面走査装置を前記筐体に対して固定することが好適である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
前記スライド動作を前記筐体の外部から操作する操作部を有することが好適である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、筐体に存する隙間から静電気が侵入した場合であっても、読取待機位置にて平面走査装置がアースされているので、平面走査装置の基板等に至る前に静電気をアースに落とし除去することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月8日(2004.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
裏面に裏面電極が設けられた第１の伝導形の半導体基板と、該基板上に設けられた第１の伝導形の第１のリン化硼素系半導体層と、該第１のリン化硼素系半導体層上に設けられたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、該活性層上に設けられた第２の伝導形の第２のリン化硼素系半導体層と、該第２のリン化硼素系半導体層の表面上に設けられた表面電極とを備えたリン化硼素系半導体発光素子に於いて、表面電極が、第２のリン化硼素系半導体層に直接接する、第２のリン化硼素系半導体層にオーミック接触しない金属からなる下部電極と、該下部電極に重ねて設けられた、第２のリン化硼素系半導体層にオーミック接触する金属からなる上部電極とからなり、該上部電極の一部が第２のリン化硼素系半導体層の表面と接触していることを特徴とするリン化硼素系半導体発光素子。
【請求項２】
第１のリン化硼素系半導体層が活性層に対する障壁層を構成する請求項１に記載のリン化硼素系半導体発光素子。
【請求項３】
半導体基板と第１のリン化硼素系半導体層との間に、非晶質または多結晶のリン化硼素系半導体層からなる緩衝層を有することを特徴とする請求項１または２に記載のリン化硼素系半導体発光素子。
【請求項４】
第１のリン化硼素系半導体層と、活性層と、第２のリン化硼素系半導体層とが、２重ヘテロ（ｄｏｕｂｌｅ  ｈｅｔｅｒｏ：ＤＨ）構造の発光部を構成する請求項１ないし３の何れか１項に記載のリン化硼素系半導体発光素子。
【請求項５】
第２のリン化硼素系半導体層がｐ形リン化硼素（ＢＰ）であり、下部電極が金・ゲルマニウム（Ａｕ・Ｇｅ）合金、金・インジウム（Ａｕ・Ｉｎ）合金、金・錫（Ａｕ・Ｓｎ）合金またはインジウム・錫複合酸化物（英略称：ＩＴＯ）からなることを特徴とする請求項１ないし４の何れか１項に記載のリン化硼素系半導体発光素子。
【請求項６】
上部電極が金・亜鉛（Ａｕ・Ｚｎ）合金または金・ベリリウム（Ａｕ・Ｂｅ）合金からなることを特徴とする請求項５に記載のリン化硼素系半導体発光素子。
【請求項７】
第２のリン化硼素系半導体層がｎ形ＢＰであり、下部電極が金・亜鉛（Ａｕ・Ｚｎ）合金または金・ベリリウム（Ａｕ・Ｂｅ）合金からなることを特徴とする請求項１ないし４の何れか１項に記載のリン化硼素系半導体発光素子。
【請求項８】
上部電極が金・ゲルマニウム（Ａｕ・Ｇｅ）合金、金・インジウム（Ａｕ・Ｉｎ）合金または金・錫（Ａｕ・Ｓｎ）合金からなることを特徴とする請求項７に記載のリン化硼素系半導体発光素子。
【請求項９】
下部電極と第２のリン化硼素系半導体層とがショットキー接合をなすことを特徴とする請求項１ないし４の何れか１項に記載のリン化硼素系半導体発光素子。
【請求項１０】
下部電極が、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、窒化チタン（ＴｉＮ）または炭化タングステン（ＷＣ）からなることを特徴とする請求項９に記載のリン化硼素系半導体発光素子。
【請求項１１】
第１の伝導形の半導体基板上に、第１の伝導形の第１のリン化硼素系半導体層と、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層と、第２の伝導形の第２のリン化硼素系半導体層とを積層し、その後、半導体基板の裏面に裏面電極を、また第２のリン化硼素系半導体層の表面上に表面電極を形成するリン化硼素系半導体発光素子の製造方法に於いて、第２のリン化硼素系半導体層上に直接接して、第２のリン化硼素系半導体層にオーミック接触しない金属からなる下部電極を形成し、次いで該下部電極に重ねて、第２のリン化硼素系半導体層にオーミック接触する金属からなる上部電極を、該上部電極の一部が第２のリン化硼素系半導体層の表面と接触するように形成することを特徴とするリン化硼素系半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】
第１のリン化硼素系半導体層が活性層に対する障壁層を構成する請求項１１に記載のリン化硼素系半導体発光素子の製造方法。
【請求項１３】
半導体基板と第１のリン化硼素系半導体層との間に、非晶質または多結晶のリン化硼素系半導体層からなる緩衝層を形成することを特徴とする請求項１１または１２に記載のリン化硼素系半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】
第１のリン化硼素系半導体層と、活性層と、第２のリン化硼素系半導体層とが、２重ヘテロ（ｄｏｕｂｌｅ  ｈｅｔｅｒｏ：ＤＨ）構造の発光部を構成する請求項１１ないし１３の何れか１項に記載のリン化硼素系半導体発光素子の製造方法。
【請求項１５】
請求項１ないし１０に記載のリン化硼素系半導体発光素子からなる発光ダイオード。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月13日(2004.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
導体パターン形成層に形成された導体パターンと回路基板に形成された導体パターンとの電気的な接続が、前記導体パターン形成層及び回路基板のに形成された各接合面に形成された導体パターンの一方に立設されたバンプの先端面が、両接合面を接着する接着剤層を貫通して他方の導体パターンに当接してなされている請求項５記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月18日(2005.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トランジスタが実装されたくぼみ部を有する第１の基板と、
上記トランジスタを挟んで反対側に設けられ、チップ部品が実装された第２の基板と
を備え、上記くぼみ部の周りに途切れることなく半田付け領域を設け、該半田付け領域により上記第１および第２の基板の間を接続するようにしたことを特徴とする高効率増幅器。
【請求項２】
上記半田付け領域をＧＮＤとして用いることを特徴とする請求項１記載の高効率増幅器。
【請求項３】
上記第１および第２の基板の間にチップ部品を設けるようにしたことを特徴とする請求項１または２に記載の高効率増幅器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項３の発明に係る高効率増幅器は、上記第１および第２の基板の間にチップ部品を設けるものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
また、請求項３の発明によれば、上記第１および第２の基板の間にチップ部品を設けるので、高効率増幅器の小型化に寄与できるという効果がある。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月9日(2004.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体表示装置の受注方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に薄膜トランジスタを用いて形成された画素部、駆動回路、及びコントローラを有する半導体表示装置において、前記コントローラの仕様を、顧客による注文によって変更し、前記半導体表示装置を製品として完成させ、前記顧客に納入するための半導体表示装置の受注方法であって、
前記ガラス基板上に複数の前記薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタを覆う層間絶縁膜を形成する段階と、
前記薄膜トランジスタ及び前記層間絶縁膜を形成する段階を終了させた後に、前記顧客からの注文により、前記コントローラの仕様が決定する段階と、
前記コントローラの仕様に合わせて、幾つかの前記複数の薄膜トランジスタのソース、ドレイン、またはゲートを接続するための複数のコンタクトホールを、前記層間絶縁膜に設ける段階と、
前記複数のコンタクトホールを配線で接続して複数の論理素子を形成し、当該複数の論理素子を用いて前記コントローラを作製する段階と、
を有し、
前記半導体表示装置を完成させ、前記顧客に納入することを特徴とする半導体表示装置の受注方法。
【請求項２】
ガラス基板上に薄膜トランジスタを用いて形成された画素部、駆動回路、及びコントローラを有する半導体表示装置において、前記コントローラの仕様を、顧客による注文によって変更し、前記半導体表示装置を製品として完成させ、前記顧客に納入するための半導体表示装置の受注方法であって、
前記ガラス基板上に複数の前記薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタのうち幾つかの薄膜トランジスタのソース、ドレイン及びゲートのいずれかが互いに接続された基本セルを複数形成し、前記基本セルを覆う層間絶縁膜を形成する段階と、
前記薄膜トランジスタ、前記基本セル及び前記層間絶縁膜を形成する段階を終了させた後に、前記顧客からの注文により、前記コントローラの仕様が決定する段階と、
前記コントローラの仕様に合わせて、幾つかの前記基本セルを構成する薄膜トランジスタのソース、ドレイン、またはゲートを接続するための複数のコンタクトホールを、前記層間絶縁膜に設ける段階と、
前記複数のコンタクトホールを配線で接続し、複数の論理素子を形成し、当該複数の論理素子を用いて前記コントローラを作製する段階と、
を有し、
前記半導体表示装置を完成させ、前記顧客に納入することを特徴とする半導体表示装置の受注方法。
【請求項３】
ガラス基板上に薄膜トランジスタを用いて形成された画素部、駆動回路、及びコントローラを有する半導体表示装置において、前記コントローラの仕様を、顧客による注文によって変更し、前記半導体表示装置を製品として完成させ、前記顧客に納入するための半導体表示装置の受注方法であって、
前記ガラス基板上に複数の前記薄膜トランジスタを形成し、前記薄膜トランジスタのうち幾つかの薄膜トランジスタのソース、ドレイン及びゲートのいずれかが互いに接続された論理素子を複数形成し、前記論理素子を覆う層間絶縁膜を形成する段階と、
前記薄膜トランジスタ、前記論理素子及び前記層間絶縁膜を形成する段階を終了させた後に、前記顧客からの注文により、前記コントローラの仕様が決定する段階と、
前記コントローラの仕様に合わせて、幾つかの前記論理素子を構成する薄膜トランジスタのソース、ドレイン、またはゲートを接続するための複数のコンタクトホールを、前記層間絶縁膜に設ける段階と、
前記複数のコンタクトホールを配線で接続して、前記コントローラを作製する段階と、
を有し、
前記半導体表示装置を完成させ、前記顧客に納入することを特徴とする半導体表示装置の受注方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項において、前記複数のコンタクトホールは、第１のマスクを用いて、前記層間絶縁膜をエッチングして設けられ、前記配線は、第２のマスクを用いて設けられることを特徴とする半導体表示装置の受注方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項において、前記半導体表示装置は、液晶表示装置またはＯＬＥＤを用いた発光装置であることを特徴とする半導体表示装置の受注方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項において、前記薄膜トランジスタを有する前記基本セルを用いて論理素子を形成する際、前記基本セルが有する前記薄膜トランジスタの一部のみを用いて前記論理素子を形成することを特徴とする半導体表示装置の受注方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月13日(2004.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
界面欠陥或いは膜中欠陥のいずれか一方に換算した場合に、少なくとも０．１％以上の密度でＳｉ／ＳｉＯ2 界面に、Ｐb 中心、Ｐb −Ｈ、及び、Ｐb −Ｄの内の少なくとも一つを含む界面欠陥を導入するとともに、ゲート絶縁膜を構成するＳｉＯ2 膜中に、Ｅ’中心、Ｅ’−Ｈ、及び、Ｅ’−Ｄの内の少なくとも一つを含む膜中欠陥を導入したのち、前記Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面及び前記ＳｉＯ2 膜を窒化する工程を有することを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。
【請求項２】
上記界面欠陥と膜中欠陥の同時導入工程が、水素或いは重水素の少なくとも一方を含む雰囲気中で酸化工程であることを特徴とする請求項１記載の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。
【請求項３】
上記酸化工程後で、且つ、窒化工程前に、水素、重水素、及び、酸素を含まない雰囲気中で熱処理を行うことを特徴とする請求項２記載の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。
【請求項４】
上記窒化工程の後に、窒素を含まない不活性ガス雰囲気中で１０５０℃以下で熱処理する工程を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載の絶縁ゲート型半導体装置の製造方法によって製造されたことを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
ここで、図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１（ａ）乃至（ｄ）参照  
上述の目的を達成するため、本発明は、絶縁ゲート型半導体装置の製造方法において、界面欠陥或いは膜中欠陥のいずれか一方に換算した場合に、少なくとも０．１％以上の密度でＳｉ／ＳｉＯ2 界面１に、Ｐb 中心、Ｐb −Ｈ、及び、Ｐb −Ｄの内の少なくとも一つを含む界面欠陥を導入するとともに、ゲート絶縁膜を構成するＳｉＯ2 膜５中に、Ｅ’中心、Ｅ’−Ｈ、及び、Ｅ’−Ｄの内の少なくとも一つを含む膜中欠陥を導入したのち、Ｓｉ／ＳｉＯ2 界面１及びＳｉＯ2 膜５を窒化する工程を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、窒化処理の前に、ＳｉＯ2 膜５中に、図１（ｃ）に示す酸化物を構成するＳｉ原子３のダングリングボンド７の典型的な形態であるＥ’中心、Ｅ’中心が水素原子で終端されたＥ’−Ｈ、及び、Ｅ’中心が重水素原子で終端されたＥ’−Ｄの内の少なくとも一つを含む膜中欠陥を導入しておくことによって、導入された窒素原子６は、図１（ｄ）に示すようにＥ’中心を構成していたダングリングボンド７と結合して３つのＳｉ原子３と完全な結合を形成するため界面欠陥を低減することができる。
なお、挿入する膜中欠陥の原子密度は、導入する窒素原子６の密度とほぼ同程度の０．１％以上、即ち、１０18ｃｍ-3以上である必要がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、界面欠陥と膜中欠陥を同時に導入するためには、水素或いは重水素の少なくとも一方を含む雰囲気中で酸化を行なって、Ｓｉ−Ｈ或いはＳｉ−Ｄを形成すれば良く、それによって、窒素の導入に伴う電子捕獲準位或いは界面準位を発生を抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月28日(2005.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遮蔽要素を含む集積回路を含む、流体放出装置。
【請求項２】
前記集積回路が、少なくとも１つのドープ・シリコン層を貫通するドリル・スロットと、前記１つのドープ・シリコン層とを含む多層集積回路であって、前記１つのドープ・シリコン層が、前記遮蔽要素によって、前記ドリル・スロットを囲む第１の部分と第２の部分とに少なくとも実質的に分割されている、請求項１に記載の流体放出装置。
【請求項３】
前記遮蔽要素が、低コンダクタンス・シリコン層の上に配置されたゲート酸化物層を含む、請求項２に記載の流体放出装置。
【請求項４】
多層集積回路を含み、さらに、製造工程の破壊的な副作用を防ぐために前記回路の敏感な部分を電気的に絶縁する手段を含む、印字ヘッド。
【請求項５】
半導体のダイと、前記インクの流れを可能にする前記ダイを貫通して配置されたドリル・スロットとをさらに含み、前記敏感な部分が、前記ドリル・スロットを囲む半導体ダイのドープ層内の領域を含む、請求項４に記載の印字ヘッド。
【請求項６】
多層集積回路の製造方法であって、
半導体ダイの前記表面に、少なくとも１つの絶縁層を形成し、
少なくとも前記絶縁層をエッチングし、それにより、半導体領域と絶縁領域の両方を有する表面を形成し、
前記表面を、当該表面が絶縁領域とドープ半導体領域からなるようにドープすることを含む方法であって、
前記表面が、前記半導体ダイの上に配置された無傷の絶縁体領域によって第２のドープ半導体領域から分離された第１のドープ半導体領域を有している、方法。
【請求項７】
前記第１のドープ半導体層上に少なくとも１つの絶縁体層を形成する前記ステップが、ゲート酸化物層を成長させることを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のドープ半導体層上に少なくとも１つの絶縁体層を形成する前記ステップが、ゲート電極層を堆積させることをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
キャビテーション層を堆積させることをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のドープ半導体領域を少なくとも水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）で処理することをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記キャビテーション層が、タンタル、炭化ケイ素（ＳｉＣ）および窒化チタン（ＴｉＮ）からなる群から選択される材料を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
多層集積回路の製造方法であって、
１つまたは複数の導電層を形成し、
前記１つまたは複数の導電層の少なくとも一部分を絶縁する少なくとも１つの遮蔽要素を形成し、
前記１つまたは複数の導電層をさらに処理することを含む、方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの遮蔽要素を形成することが、
ゲート酸化物層を成長させ、
多結晶シリコン層を堆積させ、
マスクを使用して前記ゲート酸化物および多結晶シリコン層をエッチングし、
露出した半導体のコンダクタンスを高めるためにドーピングを行うことをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
遮蔽要素と少なくとも１つのドープ半導体層を貫通するドリル・スロットとを含む多層集積回路をさらに含む印字ヘッドを含み、
前記１つのドープ半導体層が、前記遮蔽要素によって、前記ドリル・スロットを囲む第１の部分と第２の部分とに少なくとも実質的に分割されている、インクジェット・プリント用カートリッジ。
【請求項１５】
インクジェット・プリンタに有用なスロット供給印字ヘッドであって、
少なくとも１つのシリコン・ダイとキャビテーション層とをさらに含む多層集積回路と、
前記シリコン・ダイの中に形成されたドリル・スロットと、
前記シリコン・ダイの表面で前記ドリル・スロットを囲むドープ・シリコン領域と、
前記ドリル・スロットを囲み、低コンダクタンス・シリコン・ダイのすぐ上に配置された前記ドープ・シリコン領域を実質的に囲むゲート酸化物の囲いと、
前記ゲート酸化物の囲いのすぐ上に配置された多結晶シリコン層とを含み、
前記多結晶シリコンが、前記多結晶シリコン層をアースに接続する放散要素を含む、スロット供給印字ヘッド。
【請求項１６】
多層集積回路においてキャビテーション層の剥離を防止する方法であって、
導電層を形成し、
遮蔽要素を用いて、前記導電層の前記第１の部分と前記導電層の前記第２の部分を電気的に絶縁し、
前記第１の部分と前記第２の部分の上および前記遮蔽要素の上にキャビテーション層を堆積させる、方法。
【請求項１７】
電気的に絶縁する前記ステップが、導電層の部分内に、フィールド酸化物層を成長させることを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記フィールド酸化物層上に多結晶シリコン層を堆積させるステップをさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記キャビテーション層が、タンタル、炭化ケイ素（ＳｉＣ）および窒化チタン（ＴｉＮ）からなる群から選択される材料を含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記導電層が、基板においてドープされた領域を含む、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月11日(2004.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯型電子機器に内蔵可能な電力供給装置であって、発電装置と、この発電装置からの電力を少なくとも１つの１方向性ユニットを介して充電装置または処理装置に供給する供給部とを有し、
前記１方向性ユニットは、ダイオードと、このダイオードに並列に接続されたバイパススイッチと、前記ダイオードの入力端と出力端の電圧を比較することにより前記ダイオードの順方向電圧を検出し、その検出結果に応じて前記バイパススイッチをオンする制御部とを備え、
前記制御部は、前記ダイオードの順方向電圧を定期的にサンプリング検出し、前記前記バイパススイッチがオフのとき前記ダイオードの順方向電圧が検出されたならば前記バイパススイッチをオンすることを特徴とする電力供給装置。
【請求項２】
請求項１において、前記制御部は、前記バイパススイッチがオンのときに前記ダイオードの順方向電圧が検出されなければ前記バイパススイッチをオフさせることを特徴とする。
【請求項３】
請求項１または２において、前記制御部は前記バイパススイッチをオンさせた後、前記ダイオードの順方向電圧が検出されていれば、所定時間経過後に前記バイパススイッチをオフさせることを特徴とする。
【請求項４】
請求項１ないし3のいずれかにおいて、バイパススイッチは電界効果型トランジスタであり、前記ダイオードは前記トランジスタの寄生ダイオードであることを特徴とする。
【請求項５】
請求項１ないし4のいずれかにおいて、前記制御部は前記ダイオードの両端の電圧を比較するコンパレータを備えていることを特徴とする。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、前記発電装置は直流電力を発生し、前記供給部は前期１方向性ユニットを用いて、充電装置または処理装置から前記発電装置への電流の逆流を防止することを特徴とする。
【請求項７】
請求項6において、前記発電装置は光エネルギーを電気エネルギーに変換するソーラー発電装置であることを特徴とする。
【請求項８】
請求項１ないし7のいずれかに記載の電力供給装置と、前記電力供給装置から供給された電力によって動作する処理装置とを有していることを特徴とする携帯型電子機器。
【請求項９】
請求項１ないし7のいずれかに記載の電力供給装置と、前記電力供給装置から供給された電力によって動作する計時装置とを有していることを特徴とする電子時計。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明の開示】
このため、本発明の携帯型電子機器に内蔵可能な電力供給装置においては、携帯型電子機器に内蔵可能な電力供給装置であって、発電装置と、この発電装置からの電力を少なくとも１つの１方向性ユニットを介して充電装置または処理装置に供給する供給部とを有し、
前記１方向性ユニットは、ダイオードと、このダイオードに並列に接続されたバイパススイッチと、前記ダイオードの入力端と出力端の電圧を比較することにより前記ダイオードの順方向電圧を検出し、その検出結果に応じて前記バイパススイッチをオンする制御部とを備え、前記制御部は、前記ダイオードの順方向電圧を定期的にサンプリング検出し、前記前記バイパススイッチがオフのとき前記ダイオードの順方向電圧が検出されたならば前記バイパススイッチをオンすることを特徴とする。
この１方向性ユニットにおいては、ダイオードの順方向に電流が流れて順方向電圧が発生するとバイパススイッチがオンになるので順方向電圧による損失を防止できる。また、電流の流れる方向がダイオードの逆方向となる場合は、順方向電圧とは逆極性の電圧が発生するので、バイパススイッチはオンにならず、ダイオードによって逆流を防止できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月15日(2005.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
この構成によると、このガイド管は、鞘管の外面に嵌合するための嵌合部を有しており、鞘管に嵌合することで、一体化して本管内に設置することができ、また、通信ケーブルを挿通するための空間部を内部に有することから、この空間部内に通信ケーブルを挿通することで、鞘管の周りに並列に新たな通信ケーブルを配線することができる。従って、分岐管内に入線するための通信ケーブルを容易に本管内に設置することが可能となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明においては、管路として下水道管を想定しているが、本発明において管路は、必ずしも下水道管に限定されず、地中に埋設される管路であれば、例えば鋼管を用いたガス管路、鋳鉄管を用いた水道管路、雨水管路、電力ケーブル管路等、あらゆる管路に適用可能である。また、通信ケーブルを敷設する地中管路の区画にマンホールが設けられていない場合には、立坑を形成して本発明を実施することが可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、図１８に示される本管５に具備された通信ケーブル６を入線するための鞘管３ａ内には、通信ケーブル６と共にテンションメンバ６０が挿通している。このテンションメンバ６０を人孔９、１０内に設置されたテンション装置２２（後述する）等により、人孔９、１０間で張力を加えて鞘管３ａを本管５内の上部側に設置している。また、人孔９、１０間の距離が長く、鞘管３ａが設置している本管５の長手方向が長い場合などでは、鞘管３ａが、人孔９、１０間の中間位置などで撓む可能性があるので、図１７に示すようなブラケット４が、鞘管３ａの撓みが小さくなるように取付けられている。なお、テションメンバ６０は、後述する幹テンションメンバ２０と同様の材質を使用することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
ガイド管１６の空間部１８における最上段の階層１８ｃには、幹テンションメンバ２０および分岐通信ケーブル２１が挿通されている。この各分岐通信ケーブル２１は、人孔９等に設置される分岐接続ボックス１１にて幹通信ケーブル６から分岐される通信ケーブルであり、後で詳しく説明するように各家庭８へと敷設される（図１４参照）。この分岐通信ケーブル２１は、敷設が必要な家庭８の戸数等に応じて必要本数分だけ幹通信ケーブル６から分岐される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
以上の準備作業によって組立てられたガイド管は、リールドラム等に巻き取られて施工現場に搬入される。なお、分岐テンションメンバ３７、呼び子等を導入する場合は、本管５内を移動させるときに、本管５の内壁との摩擦で傷ついたり、管路１の段差等に引っ掛かったりする恐れがある為、本管５内を移動可能な台車や簡易船の上に分岐テンションメンバ３７等を束ねた状態で載せて移動させ、述の牽引策と同時に本管５内に引き込むことが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
なお、発明の実施の形態は上記に限定することなく、例えば、以下のように変更して実施してもよい。
（１）ガイド管を本管５内に取り付けるときは、幹テンションメンバ２０に仮の張力を加え、ガイド管を一旦宙吊り状態としてから敷設を行うものであってもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
請求項９の発明によると、このガイド管は、鞘管の外面に嵌合するための嵌合部を有しており、鞘管に嵌合することで、一体化して本管内に設置することができ、また、通信ケーブルを挿通するための空間部を内部に有することから、この空間部内に通信ケーブルを挿通することで、鞘管の周りに並列に新たな通信ケーブルを配線することができる。従って、分岐管内に入線するための通信ケーブルを容易に本管内に設置することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月27日(2004.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂の一体押出し成形法により形成され、一端開口部を閉塞してなる網目筒状体からなる網袋であって、
網目筒状体の網目が、略等間隔の第１ストランド群と、この第１ストランド群と交差する略等間隔の第２ストランド群とで構成され、かつそれらのストランド群の各ストランド構成部が、それぞれ接近した２本以上のフィラメントからなり、
前記第１ストランド群の各ストランド構成部の間隔をＴ1として、各フィラメントの接近した間隔ｔ1が略等間隔で１／２０×Ｔ1〜１／２×Ｔ1としてなり、前記第２ストランド群の各ストランド構成部の間隔をＴ2として、各フィラメントの接近した間隔ｔ2が略等間隔で１／２０×Ｔ2〜１／２×Ｔ2としてなる網袋。
【請求項２】
各ストランド構成部が、２本または３本のフィラメントからなる請求項１に記載の網袋。
【請求項３】
各ストランド構成部が、その交差部の外幅を０．５〜２．０mmとし、交差部の外厚さを０．３〜１．５mmとしてなる請求項１または２に記載の網袋。
【請求項４】
各ストランド構成部が、その交差部の外厚さを、各ストランド構成部における非交差部のフィラメント直径の２倍以上としてなる請求項１〜３の何れか１項に記載の網袋。
【請求項５】
網目筒状体が、押出成形時に、延伸倍率２〜５倍で延伸されてなる請求項１〜４の何れか１項に記載の網袋。
【請求項６】
熱可塑性樹脂が、低密度ポリエチレンもしくは直鎖状低密度ポリエチレンもしくはエチレン−酢酸ビニル共重合体もしくはエチレン−メチルメタクリレート共重合体０〜８０重量％と、高密度ポリエチレンもしくは中密度ポリエチレンもしくは低密度ポリエチレンもしくは直鎖状低密度ポリエチレン１００〜２０重量％とからなる請求項１〜５の何れか１項に記載の網袋。
【請求項７】
網目筒状体の一端開口部が、その閉塞をラベルの溶着によって行う請求項１〜６の何れか１項に記載の網袋。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか１項に記載の網袋の一端開口部を閉塞した網袋と、この網袋の他端開口部を解除可能に結束する結束具とからなる包装体。
【請求項９】
請求項１〜６の何れか１項に記載の網袋と、この網袋の他端開口部を解除可能に結束する結束具と、網袋の外胴面に熱溶着されたラベルとからなる包装体。
【請求項１０】
結束具が、その網袋に対する結束強度を１０kgf以上としてなる請求項８または９に記載の包装体。
【請求項１１】
結束具が、熱可塑性合成樹脂からなる請求項８〜１０の何れか１項に記載の包装体。