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【手続補正書】
【提出日】令和3年9月13日(2021.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理システム内に配置され、基板を支持するように構成された基板ホルダと、
前記プラズマ処理システムにおけるプラズマに第１の周波数で第１の信号を結合するための第１の信号発生器であって、前記プラズマはプラズマシースを含む、第１の信号発生器と、
前記プラズマ処理システムにおけるプラズマに第２の周波数で第２の信号を結合するための第２の信号発生器であって、前記第２の周波数が前記第１の周波数未満であり、前記第２の信号は前記第２の周波数を有する低周波（ＬＦ）正弦波である、第２の信号発生器と、
振幅変調信号に応じて高振幅状態と低振幅状態との間で前記第１の信号を変調するための振幅変調回路と、
前記第２の信号の対応するサイクルの対応する目標位相にそれぞれ同期する一連のパルスを含むように、前記振幅変調信号を規定するように構成されたタイミング回路であって、前記一連のパルスの各パルス幅は前記第２の周波数の周期の半分未満の持続期間を有する、タイミング回路と
を備える、基板を処理するためにプラズマを使用するためのシステム。
【請求項２】
前記第１の周波数が１０ＭＨｚを超えるものであり、前記第２の周波数が１５ＭＨｚ未満である、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記第１の周波数が５０ＭＨｚを超えるものであり、前記第２の周波数が５ＭＨｚ未満である、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記第１の周波数の範囲が５０〜１５０ＭＨｚであり、前記第２の周波数の範囲が０．１ＭＨｚ〜５ＭＨｚである、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記高振幅状態が電力オン状態であり、前記低振幅状態が電力オフ状態である、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記タイミング回路が、前記第２の信号の前記目標位相に同期した振幅変調信号を規定し、前記振幅変調信号が、パルス幅、パルス振幅、パルスオフセット、パルスデューティサイクル、及びパルス波形形状を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記振幅変調信号が周期的又は非周期的である、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記振幅変調信号が、前記パルス幅、前記パルス振幅、前記パルスデューティサイクル、及び前記パルス波形形状のうちの少なくとも１つにおける変動を含む、請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
前記基板にわたるプラズマ特性の空間及び時間分布に関するデータを受信するように、且つ目標空間分布を実現するように前記振幅変調信号を調整するように前記タイミング回路に命令するように構成されたコントローラを更に備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
プラズマ特性の空間分布に関するデータを測定するように構成されたメトロロジシステムを更に備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記プラズマ処理システムに結合され、プラズマ特性の空間分布に関するデータを測定するように構成されたその場診断装置を更に備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記その場診断装置が、前記第１の信号に関する第１のプラズマ信号を記録するための第１の電圧プローブを備える、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記その場診断装置が、前記第２の信号に関する第２のプラズマ信号を記録するための第２の電圧プローブを更に備える、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記その場診断装置が、前記プラズマ内の場所で時間変動磁界を測定するためのアンテナを備える、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記第１の信号及び前記第２の信号が前記基板ホルダに結合される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１６】
前記第１の信号が前記基板ホルダに対向する電極又はアンテナに結合され、前記第２の信号が前記基板ホルダに結合される、請求項１に記載のシステム。
【請求項１７】
プラズマ処理システム内に配置された基板ホルダに基板を配置することと、
第１の信号発生器を使用して、前記プラズマ処理システムで形成されたプラズマに第１の周波数で第１の信号を印加することと、
第２の信号発生器を使用して、前記プラズマ処理システムで形成されたプラズマに第２の周波数で第２の信号を印加することであって、第２の周波数が前記第１の周波数未満であり、前記第２の信号は前記第２の周波数を有する低周波（ＬＦ）正弦波である、ことと、
前記第２周波数の周期の半分未満の持続期間を有するパルス幅をそれぞれ有する、一連のパルスを含む振幅変調信号を用いて前記第１の信号を変調することによって、前記プラズマの目標空間分布を実現するために、前記第１の信号の前記プラズマへの最適な結合の持続時間を制御することと
を含む、プラズマ処理のための方法。
【請求項１８】
前記制御することが、
（ｉ）振幅変調信号に応じて高振幅状態と低振幅状態との間で前記第１の信号を変調するために振幅変調回路を使用することと、前記第１の信号の前記プラズマへの最適な結合の持続時間を制御するために、前記第１の信号の前記の振幅変調を前記第２の信号の各サイクルの目標位相に同期させるように構成されたタイミング回路を使用して前記振幅変調信号を規定することと、又は
（ｉｉ）前記第２の信号の波形及びそのデューティサイクルを変調し、前記第１の信号の前記プラズマへの最適な結合の持続時間を制御するために波形発生器を使用すること
を含む、信号変調を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記プラズマの状態を検知することと、
前記検知されたプラズマの状態に応じて信号変調を変えることと
を更に含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
プラズマ処理システム内に配置され、基板を支持するように構成された基板ホルダと、
前記プラズマ処理システムにおけるプラズマに第１の周波数で第１の信号を結合するための第１の信号発生器と、
前記プラズマ処理システムにおけるプラズマに第２の周波数で第２の信号を結合するための第２の信号発生器であって、前記第２の周波数が前記第１の周波数未満であり、前記第２の信号は前記第２の周波数を有する低周波（ＬＦ）正弦波である、第２の信号発生器と、
振幅変調信号に応じて高振幅状態と低振幅状態との間で前記第１の信号を変調するための振幅変調回路と、
前記第２の信号の対応するサイクルの対応する目標位相にそれぞれ同期する一連のパルスを含むように、前記振幅変調信号を規定するように構成されたタイミング回路であって、前記一連のパルスの各パルス幅は前記第２の周波数の周期の半分未満の持続期間を有する、タイミング回路と、
前記基板にわたるプラズマ特性の空間及び時間分布に関するデータを受信するように、且つ目標空間分布を実現するように前記振幅変調信号を調整するように前記タイミング回路に命令するように構成されたコントローラと
を備える、基板を処理するためにプラズマを使用するためのシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月30日(2021.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
照明塔は、夜間作業の生産性を高め且つ安全性を保証するため、応急復旧の捜索及び作業、監視、又は会場及び現場などの様々な状況におけるシーン照明の解決法を提供する。照明塔は、固定式の地上設置型塔、又は車両の側部若しくは屋根に設置される可搬式塔を含め、設置についての複数の選択肢を有する。照明塔は、例えば、防犯カメラ、スピーカーシステム、赤外線検出器などの様々な用途に必要とされる多数の異なる装置又はセンサーも含むことができる。
この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、以下のものがある（国際出願日以降国際段階で引用された文献及び他国に国内移行した際に引用された文献を含む）。
（先行技術文献）
（特許文献）
（特許文献１）  豪国特許出願公開第８９３８９０１号明細書
（特許文献２）  米国特許出願公開第２０１５／０２３０１７号明細書
（特許文献３）  米国特許出願公開第２０１６／３７５２８１号明細書
（特許文献４）  米国特許出願公開第２０１５／０９２４３０号明細書
（特許文献５）  豪国特許出願公開第２００１８９３８９号明細書
（特許文献６）  米国特許出願公開第２０１６／０００２９４６号明細書
（特許文献７）  豪国特許出願公告第７８２８１３号明細書
（特許文献８）  仏国特許発明第２６８４１２７号明細書
（特許文献９）  米国特許第５，２０７，７４７号明細書
（特許文献１０）  欧州特許出願公開第４５９８４７号明細書
（特許文献１１）  中国特許出願公開第１０３６２９５４７号明細書
（特許文献１２）  キルギス共和国特許発明第１８８２号明細書
（特許文献１３）  米国特許出願公開第２０１７／０１３６２７２号明細書
（非特許文献）
（非特許文献１）  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｓｅａｒｃｈ  Ｒｅｐｏｒｔ  ｍａｉｌｅｄ  ０８／０４／２０１９  ｆｏｒ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｎｏ．ＰＣＴ／ＵＳ２０１８／０６１３２３
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月22日(2020.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブロックチェーンの新たに提案されたトランザクションを識別することと、
コンセンサス動作を開始して前記新たに提案されたトランザクションを承認するかどうかを判定することと、
前のトランザクションから識別されたキーと値のペアを取得することと、
前記前のトランザクションの前記キーと値のペアに関連付けられたインデックス値を、前記新たに提案されたトランザクションのキーと値のペアに関連付けられたインデックス値と比較することと、
前記前のトランザクションの前記キーと値のペアに関連付けられた前記インデックス値が前記新たに提案されたトランザクションの前記キーと値のペアに関連付けられた前記インデックス値と連続的に続く場合、前記新たに提案されたトランザクションを前記ブロックチェーンに受け入れるための肯定のコンセンサスを提供することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記前のトランザクションの前記キーと値のペアに関連付けられた前記インデックス値が前記新たに提案されたトランザクションの前記キーと値のペアに関連付けられた前記インデックス値と連続的に続いていない場合、前記新たに提案されたトランザクションを拒否することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記前のトランザクションの前記キーと値のペアに関連付けられた前記インデックス値が前記新たに提案されたトランザクションの前記キーと値のペアに関連付けられた前記インデックス値と連続的に続いていない場合、前記新たに提案されたトランザクションが１つまたは複数の他のトランザクションと順不同であると判断することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記コンセンサス動作が前記ブロックチェーンの複数のバリデータ・ノード・メンバを呼び出し、前記新たに提案されたトランザクションを検証し前記ブロックチェーンに追加するために必要となるのが、前記ブロックチェーンの１人のバリデータ・ノード・メンバのみである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ブロックチェーンにアクセスすることと、
キー値の最初のインスタンスを有する複数のブロックチェーン・トランザクションを抽出することと、
前記複数のブロックチェーン・トランザクションに基づいて圧縮された台帳を生成することであって、前記圧縮された台帳がキー値の連続的に続くセットとして構成された前記複数のブロックチェーン・トランザクションを含む、前記生成することと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ブロックチェーンのバリデータ・メンバから、前記新たに提案されたトランザクションに関する提案されたキーと値のペアを受信することと、
前に受け入れられたキーと値のペアに基づいて、前記ブロックチェーンのリーダ・メンバを介して、前記提案されたキーと値のペアを受け入れるか、または拒否することと
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ブロックチェーンの前記リーダ・メンバを介して、前記新たに提案されたトランザクションの前記キーと値のペアに関連付けられた前記インデックス値を、前記新たに提案されたトランザクションに割り当てることをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
装置であって、
プロセッサを備え、前記プロセッサが、
ブロックチェーンの新たに提案されたトランザクションを識別し、
コンセンサス動作を開始して前記新たに提案されたトランザクションを承認するかどうかを判定し、
前のトランザクションから識別されたキーと値のペアを取得し、
前記前のトランザクションの前記キーと値のペアに関連付けられたインデックス値を、前記新たに提案されたトランザクションのキーと値のペアに関連付けられたインデックス値と比較し、
前記前のトランザクションの前記キーと値のペアに関連付けられた前記インデックス値が前記新たに提案されたトランザクションの前記キーと値のペアに関連付けられた前記インデックス値と連続的に続く場合、前記新たに提案されたトランザクションを前記ブロックチェーンに受け入れるための肯定のコンセンサスを提供する
ように構成された、装置。
【請求項９】
前記プロセッサが、前記前のトランザクションの前記キーと値のペアに関連付けられた前記インデックス値が前記新たに提案されたトランザクションの前記キーと値のペアに関連付けられた前記インデックス値と連続的に続いていない場合、前記新たに提案されたトランザクションを拒否するようにさらに構成された、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記プロセッサが、前記前のトランザクションの前記キーと値のペアに関連付けられた前記インデックス値が前記新たに提案されたトランザクションの前記キーと値のペアに関連付けられた前記インデックス値と連続的に続いていない場合、前記新たに提案されたトランザクションが１つまたは複数の他のトランザクションと順不同であると判断するようにさらに構成された、請求項８に記載の装置。
【請求項１１】
前記コンセンサス動作が前記ブロックチェーンの複数のバリデータ・ノード・メンバを呼び出し、前記新たに提案されたトランザクションを検証し前記ブロックチェーンに追加するために必要となるのが、前記ブロックチェーンの１人のバリデータ・ノード・メンバのみである、請求項８に記載の装置。
【請求項１２】
前記プロセッサが、
前記ブロックチェーンにアクセスし、
キー値の最初のインスタンスを有する複数のブロックチェーン・トランザクションを抽出し、
前記複数のブロックチェーン・トランザクションに基づいて、圧縮された台帳を生成する
ようにさらに構成され、前記圧縮された台帳が、キー値の連続的に続くセットとして構成された前記複数のブロックチェーン・トランザクションを含む、請求項８に記載の装置。
【請求項１３】
前記ブロックチェーンのバリデータ・メンバから前記新たに提案されたトランザクションに関する提案されたキーと値のペアを受信するように構成された受信機をさらに備え、
前記プロセッサが、前に受け入れられたキーと値のペアに基づいて、前記ブロックチェーンのリーダ・メンバを介して、前記提案されたキーと値のペアを受け入れるか、または拒否するようにさらに構成された、請求項８に記載の装置。
【請求項１４】
前記プロセッサが、前記ブロックチェーンの前記リーダ・メンバを介して、前記新たに提案されたトランザクションの前記キーと値のペアに関連付けられた前記インデックス値を、前記新たに提案されたトランザクションに割り当てるようにさらに構成された、請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
コンピュータ・プログラムであって、請求項１ないし７のいずれか１項に記載の方法の各ステップをコンピュータに実行させるための、コンピュータ・プログラム。
【請求項１６】
請求項１５に記載のコンピュータ・プログラムを記録した、コンピュータ可読記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月12日(2021.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号による、貯蔵手段（２００）内に収容された液体（２１０）のレベルの非接触測定のための光学デバイス（１００）であって、前記光学デバイス（１００）が、貯蔵手段（２００）の上方に固定的に位置付けされた光学ユニット（１１０）と、光信号を放射することができ、前記光学ユニット（１１０）から分離され、前記光学ユニット（１１０）から離れて位置付けされた電子制御ユニット（１２０）とを備え、前記光学デバイス（１００）は、
−  光学ユニット（１１０）は、光信号の放射及び受信のための単一チャネル（１１２）を備え、
−  光学ユニット（１１０）は、電子制御ユニットによって放射された光信号と、液体によって反射された光信号とを伝送することができる光ファイバ（１３０）を通して、電子制御ユニット（１２０）に接続され、前記光ファイバ（１３０）は、互いに並置される２つの光コア（１３４、１３５）を有し、前記光ファイバ（１３０）の前記第１の光コア（１３４）において放射された光信号の少なくとも一部が、前記第２の光コア（１３５）において後方散乱される
ことを特徴とする、貯蔵手段（２００）内に収容された液体（２１０）のレベルの非接触測定のための光学デバイス（１００）。
【請求項２】
前記光ファイバ（１３０）の２つのコア（１３４、１３５）が、単一のストランドを形成するように、前記光ファイバ（１３０）の第１の端部のレベルに互いに並置することを特徴とする、請求項１に記載の貯蔵手段（２００）内に収容された液体（２１０）のレベルの非接触測定のための光学デバイス（１００）。
【請求項３】
前記光ファイバの前記第１の端部が、前記光学ユニット（１１０）のレベルに位置していることを特徴とする、請求項２に記載の貯蔵手段（２００）内に収容された液体（２１０）のレベルの非接触測定のための光学デバイス（１００）。
【請求項４】
２つの光コア（１３４、１３５）が異なる直径を有することを特徴とする、請求項１に記載の貯蔵手段（２００）に収容された液体（２１０）のレベルの非接触測定のための光学デバイス（１００）。
【請求項５】
電子制御ユニット（１２０）によって放射された光信号を伝送する光コア（１３４）が、液体（２１０）の表面によって反射された光信号を受信することを意図された第２の光コア（１３５）未満の直径を有することを特徴とする、請求項１に記載の貯蔵手段（２００）内に収容された液体（２１０）のレベルの非接触測定のための光学デバイス（１００）。
【請求項６】
電子制御ユニット（１２０）に接続された前記光ファイバ（１３０）の第２の端部のレベルにおいて、前記光ファイバ（１３０）が、２つの別個のストランド（１３１、１３２）を有し、それぞれが単一の光コア（１３４、１３５）で構成されていることを特徴とする、請求項１に記載の貯蔵手段（２００）内に収容された液体（２１０）のレベルの非接触測定のための光学デバイス（１００）。
【請求項７】
電子制御ユニット（１２０）が、貯蔵手段（２００）に収容された液体（２１０）から前記光学ユニットを隔てる距離ｄを、光信号の飛行時間の測定によって決定するための手段を備えることを特徴とする、請求項１に記載の貯蔵手段（２００）内に収容された液体（２１０）のレベルの非接触測定のための光学デバイス（１００）。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の光学デバイス（１００）により、貯蔵手段（２００）内に収容された液体（２１０）のレベルを決定するための方法であって、
方法が、
−  前記電子制御ユニットにより光信号を放射するステップであって、前記光信号が、光学ユニット（１１０）の方向に前記光ファイバ（１３０）の内部を伝搬する、ステップと、
−  ２つの並置されたコア（１３４、１３５）のレベルで、光ファイバ（１３０）の内部で後方散乱された、前記放射された信号の一部に対応する第１の戻り信号を、時点ｔ１において検出するステップと、
−  貯蔵手段（２００）内に収容された前記液体（２１０）の表面で反射された、放射された信号の一部に対応する第２の戻り信号を、時点ｔ２において検出するステップと、
−  第１の戻り信号を検出する時点ｔ１と、第２の戻り信号を検出する時点ｔ２との間の飛行時間の決定により、液体のレベルを算出するステップと
を含むことを特徴とする、方法。
【請求項９】
方法が、原子炉燃料プール内の水のレベルを検出する方法であることを特徴とする、請求項８に記載の、光学デバイス（１００）により、貯蔵手段（２００）内に収容された液体（２１０）のレベルを決定するための方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月12日(2021.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
漏電遮断器（ＧＦＣＩ）回路であって、
複数のコンパレータであって、各々が、閾値電圧を負荷への電流フローと前記負荷からの電流フローとの差を表す信号と比較するように構成される、前記複数のコンパレータと、
複数の異なる閾値電圧を生成するように構成される閾値生成回路要素であって、前記複数の異なる閾値電圧の各々が、前記コンパレータの１つに対して前記閾値電圧として提供される、前記閾値生成回路要素と、
複数のタイマー回路であって、前記コンパレータの各々が前記タイマー回路の１つに結合され、前記タイマー回路の各々が、前記コンパレータに提供される前記閾値電圧に関連する時間の間に前記タイマー回路に結合される前記コンパレータの出力の活性化に応答して故障信号を活性化するように構成され、前記時間が前記閾値電圧の下側値と共に増加する、前記複数のタイマー回路と、
を含む、ＧＦＣＩ回路。
【請求項２】
請求項１に記載のＧＦＣＩ回路であって、
前記タイマー回路の各々が、前記コンパレータの１つに結合されるフィルタカウンタを含み、前記フィルタカウンタが、前記コンパレータの出力が所定の時間より長い間に活性であることに応答して、フィルタ出力信号を活性化するように構成され、
前記所定の時間が、前記閾値電圧の下側値と共に増加する、ＧＦＣＩ回路。
【請求項３】
請求項２に記載のＧＦＣＩ回路であって、
前記タイマー回路の各々が、前記フィルタカウンタに結合される位相カウンタを更に含み、前記位相カウンタが、前記フィルタ出力信号が所定の数の前の交流電流サイクルの半分以上において活性であることに基づいて、前記故障信号をトリガするように構成される、ＧＦＣＩ回路。
【請求項４】
請求項３に記載のＧＦＣＩ回路であって、
前記所定の数が、前記閾値電圧の下側値と共に増加する、ＧＦＣＩ回路。
【請求項５】
請求項１に記載のＧＦＣＩ回路であって、
前記閾値電圧の第１の閾値電圧が、前記負荷への電流フローと前記負荷からの電流フローとの差の５ミリアンペア（ｍａ）に対応し、
前記閾値電圧の第２の閾値電圧が、前記負荷からの電流フローと前記負荷からの電流フローとの差の２０ｍａに対応し、
前記閾値電圧の第３の閾値電圧が、前記負荷への電流フローと前記負荷からの電流フローとのの差の４０ｍａに対応し、
前記閾値電圧の第４の閾値電圧が、前記負荷からのへの電流フローと前記負荷からの電流フローとの１００ｍａの差に対応する、ＧＦＣＩ回路。
【請求項６】
請求項１に記載のＧＦＣＩ回路であって、
前記コンパレータの各々に結合される出力を含む増幅器を更に含む、ＧＦＣＩ回路。
【請求項７】
請求項６に記載のＧＦＣＩ回路であって、
前記増幅器に結合される変流器であって、前記負荷への電流フローと前記負荷からの電流フローとの差を検出するように構成される、前記変流器を更に含む、ＧＦＣＩ回路。
【請求項８】
請求項１に記載のＧＦＣＩ回路であって、
前記タイマー回路に結合されるスイッチであって、前記故障信号の活性化に応答して前記負荷への電流フローを中断するように構成される、前記スイッチを更に含む、ＧＦＣＩ回路。
【請求項９】
漏電遮断の方法であって、
負荷への電流フローと前記負荷からの電流フローとの差を表す信号を複数の閾値電圧と比較することであって、前記閾値電圧の各々が、前記電流フローの差の異なる値に対応する、前記比較することと、
前記閾値電圧のうちの少なくとも１つについて、前記電流フローの差を表す信号が所定の数の前の交流電流サイクルの少なくとも半分において前記閾値電圧のうちの少なくとも１つを超えると判定することに応答して、障害信号を活性化することと、
を含む、方法。
【請求項１０】
漏電遮断の方法であって、
負荷への電流フローと前記負荷からの電流フローとの差を表す信号を複数の閾値電圧と比較することであって、前記閾値電圧の各々が、前記電流フローの差の異なる値に対応する、前記比較することと、
前記閾値電圧のうちの少なくとも１つについて、前記電流フローの差を表す信号が所定の数の前の交流電流サイクルの少なくとも半分において前記閾値電圧のうちの少なくとも１つを超えると判定することに応答して、障害信号を活性化することと、
を含み、
前記閾値電圧の第１の閾値電圧が、５ｍａの電流フローの差に対応し、前の交流電流サイクルの所定の数が少なくとも６４であり、
前記閾値電圧の第２の閾値電圧が、２０ｍａの電流フローの差に対応し、前の交流電流サイクルの所定の数が少なくとも１６であり、
前記閾値電圧の第３の閾値電圧が、４０ｍａの電流フローの差に対応し、前の交流電流サイクルの所定の数が少なくとも４であり、
前記閾値電圧の第４の閾値電圧が、１００ｍａの電流フローの差に対応し、前の交流電流サイクルの所定の数が２である、方法。
【請求項１１】
漏電遮断器（ＧＦＣＩ）回路であって、
複数のコンパレータであって、各々が、閾値電圧を負荷への電流フローと前記負荷からの電流フローとの差を表す信号と比較するように構成される、前記複数のコンパレータと、
複数の異なる閾値電圧を生成するように構成される閾値生成回路要素であって、前記異なる閾値電圧の各々が、前記コンパレータの１つに対して前記閾値電圧として提供される、前記閾値生成回路要素と、
複数のタイマー回路であって、各々が、
前記コンパレータの１つに結合されるフィルタカウンタであって、所定の時間より長い間に活性である前記コンパレータの出力に応答してフィルタ出力信号を活性化するように構成され、前記所定の時間が前記閾値電圧の下側値と共に増加する、前記フィルタカウンタと、
前記フィルタカウンタに結合される位相カウンタであって、所定の数の前の交流電流サイクルの半分以上において活性である前記フィルタ出力信号に基づいて故障信号をトリガするように構成される、前記位相カウンタと、
を含む、前記タイマー回路と、
を含む、ＧＦＣＩ回路。
【請求項１２】
請求項１１に記載のＧＦＣＩ回路であって、
前記所定の数が、前記閾値電圧の下側値と共に増加する、ＧＦＣＩ回路。
【請求項１３】
請求項１１に記載のＧＦＣＩ回路であって、
前記コンパレータの各々に結合される出力を含む増幅器を更に含む、ＧＦＣＩ回路。
【請求項１４】
請求項１１に記載のＧＦＣＩ回路であって、
前記故障信号の活性化に応答して前記負荷への電流フローをディセーブルするためにスイッチを開くように構成されるスイッチ制御回路要素を更に含む、ＧＦＣＩ回路。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月15日(2020.5.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
芳香族環を２個以上含むフェノール化合物と、
無機物粒子と、
バインダーと、
溶媒とを含む、二次電池セパレータコーティング用のスラリー組成物。
【請求項２】
前記芳香族環を２個以上含むフェノール化合物は、前記芳香族環の少なくとも一つに、カテコール構造およびガロール構造の少なくとも一つ以上を含む、請求項１に記載の二次電池セパレータコーティング用のスラリー組成物。
【請求項３】
前記芳香族環を２個以上含むフェノール化合物は、バイカリン、ルテオリン、タキシホリン、ミリセチン、クェルセチン、ルチン、カテキン、エピガロカテキンガレート、ブテイン、ピセアタンノールおよびタンニン酸からなる群から選択される１種以上である、請求項１または２に記載の二次電池セパレータコーティング用のスラリー組成物。
【請求項４】
前記芳香族環を２個以上含むフェノール化合物は、前記バインダー１００重量部に対して１〜１５重量部で含まれる、請求項１から３の何れか一項に記載の二次電池セパレータコーティング用のスラリー組成物。
【請求項５】
前記無機物粒子は、比表面積（ＢＥＴ）が相違する２種の無機物粒子を含む、請求項１から４の何れか一項に記載の二次電池セパレータコーティング用のスラリー組成物。
【請求項６】
前記無機物粒子は、比表面積（ＢＥＴ）が１０ｍ２／ｇ未満である第１の無機物粒子と、比表面積（ＢＥＴ）が１０ｍ２／ｇ〜３０ｍ２／ｇである第２の無機物粒子とを含む、請求項５に記載の二次電池セパレータコーティング用のスラリー組成物。
【請求項７】
前記無機物粒子は、Ｄ５０が０．１〜１０μｍである、請求項１から６の何れか一項に記載の二次電池セパレータコーティング用のスラリー組成物。
【請求項８】
前記無機物粒子は、Ｄ９０が３０μｍ以下である、請求項１から７の何れか一項に記載の二次電池セパレータコーティング用のスラリー組成物。
【請求項９】
前記バインダーは、前記無機物粒子１００重量部に対して１０〜５０重量部で含まれる、請求項１から８の何れか一項に記載の二次電池セパレータコーティング用のスラリー組成物。
【請求項１０】
前記スラリー組成物を３００ｒｐｍで３時間分散した後に測定したスラリー組成物中の粒子の平均粒径（Ｄ５０）が、前記無機物粒子の平均粒径（Ｄ５０）の２倍以下である、請求項１から９の何れか一項に記載の二次電池セパレータコーティング用のスラリー組成物。
【請求項１１】
前記スラリー組成物に２００ｒｐｍの回転速度で遠心力を加えた状態で測定した粒子の沈降速度が３．５μｍ／ｓ以下である、請求項１から１０の何れか一項に記載の二次電池セパレータコーティング用のスラリー組成物。
【請求項１２】
基材と、前記基材の表面上に位置し、請求項１から１１の何れか一項に記載の二次電池セパレータコーティング用のスラリー組成物で形成されたコーティング層とを含む、二次電池セパレータ。
【請求項１３】
前記セパレータは、前記基材と前記コーティング層との剥離力が１８０ｇｆ／１５ｍｍ以上である、請求項１２に記載の二次電池セパレータ。
【請求項１４】
正極と、負極と、前記正極と負極との間に配置される請求項１２または１３に記載のセパレータと、電解液とを含む、二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
一実現例によると、前記無機物粒子は、ＢａＴｉＯ３、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３（ＰＺＴ）、Ｐｂ１−ｘＬａｘＺｒ１−ｙＴｉｙＯ３（ＰＬＺＴ、ここで、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１である）、Ｐｂ（Ｍｇ１／３Ｎｂ２／３）Ｏ３−ＰｂＴｉＯ３（ＰＭＮ‐ＰＴ）、ハフニア（ＨｆＯ２）、ＳｒＴｉＯ３、ＳｎＯ２、ＣｅＯ２、ＭｇＯ、ＮｉＯ、ＣａＯ、ＺｎＯ、ＺｒＯ２、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＳｉＣおよびこれらの混合体からなる群から選択される単一物または２種以上の混合物を含むことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
前記表１に示されているように、芳香族環を２個以上含むフェノール化合物を使用した実施例１〜５のスラリー組成物は、スラリー組成物中の粒子の平均粒径が１μｍ以下と小さく、粒子の沈降速度も小さく、分散が十分に行われていることを確認することができる。一方、カルボン酸系分散剤を使用した比較例１のスラリー組成物は、スラリー組成物中の粒子の平均粒径は比較的小さかったが、粒子の沈降速度が速くて分散性が急速に劣化し、リン酸塩系分散剤を使用した比較例２、ウレタン系分散剤を使用した比較例３、ニトリルブタジエン分散剤を使用した比較例４、ポリビニルピロリドン分散剤を使用した比較例６は、いずれもスラリー組成物中の粒子の平均粒径と沈降速度が大きく、分散性が良好でないことを確認することができる。一方、芳香族環を１個含むフェノール化合物を使用した比較例７および８の場合、従来、分散剤を使用した比較例２〜６に比べてはスラリー分散性が良好であったが、実施例１〜５に比べては分散性が劣ることを確認することができる。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月2日(2021.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面の粗さ≦０．１０ｎｍであり、前記基板の微小な擦り傷ｄｉｅ比率＜１０％であり、ｐｉｔ比率＜０．１個／ｃｍ２であり、ｂｕｍｐ比率＜０．１個／ｃｍ２であり、表面下損傷層がなく、
前記基板は、直径が２００ｍｍであり、表面形状データは、ＴＴＶ＜１０μｍ、ＬＴＶ＜２μｍ、Ｂｏｗ＜５０μｍ、Ｗａｒｐ＜７０μｍであり、その中、前記ＬＴＶが１ｃｍ＊１ｃｍであることを特徴とする高平坦性、低ダメージの大きな直径の単結晶炭化ケイ素基板。
【請求項２】
前記基板の表面の粗さ≦０．０９ｎｍであり、前記基板の微小な擦り傷ｄｉｅ比率＜８％であり、ｐｉｔ比率＜０．０８個／ｃｍ２であり、ｂｕｍｐ比率＜０．０８個／ｃｍ２であることを特徴とする請求項１に記載の高平坦性、低ダメージの大きな直径の単結晶炭化ケイ素基板。
【請求項３】
前記基板は、厚さが５００μｍより小さいことを特徴とする請求項１に記載の高平坦性、低ダメージの大きな直径の単結晶炭化ケイ素基板。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の高平坦性、低ダメージの大きな直径の単結晶炭化ケイ素基板であり、
前記基板の製造方法は、単結晶炭化ケイ素に対して完全に固結された研磨材による加工を行ってから、化学機械研磨処理を行うことによって、前記高平坦性、低ダメージの単結晶炭化ケイ素基板を製造するステップを含み、
前記固結された研磨材による加工は、ワイヤ切断及び砥石研削を含み、前記ワイヤの上に研磨材の粒子が固結されてあり、前記砥石の上に研磨材の粒子が固結されてあることを特徴とする高平坦性、低ダメージの大きな直径の単結晶炭化ケイ素基板。
【請求項５】
前記ワイヤ切断加工は、具体的には、ダイヤモンドワイヤ切断であり、ダイヤモンドワイヤ切断のプロセスにおいて使用される冷却液に質量パーセント濃度が２〜１０％である研磨材の粒子を添加し、
前記砥石研削は、粗研削及び精密研削の２つのステップを含み、前記粗研削における固結された研磨材は、研削砥石の上に１０００目〜５０００目の研磨材の粒子が固結されたものであり、前記精密研削における固結された研磨材は、研削砥石の上に２００００目〜３００００目の研磨材の粒子が固結されたものであり、
前記化学機械研磨は、酸性化学機械研磨であり、前記酸性化学機械研磨の処理ステップにおいて使用される研磨液は、研磨材、酸化剤、水溶性酸性ポリマー及びＲＯ水を含むことを特徴とする請求項４に記載の高平坦性、低ダメージの大きな直径の単結晶炭化ケイ素基板。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月9日(2021.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソーシャル・メディア・プラットフォームとともにプロセッサとメモリとを使用してパブリック・ポストを作成することであって、第１の投稿者が前記パブリック・ポストで使用される作成物のセットの第１のサブセットを投稿し、第２の投稿者が前記パブリック・ポストで使用される作成物のセットの第２のサブセットを投稿する、前記パブリック・ポストを作成することと、
前記パブリック・ポストから、前記第１の投稿者に対応する第１のバージョンを生成することであって、前記１のバージョンは作成物の前記第１のサブセットと、作成物の前記第２のサブセットからの作成物とを含む、前記第１のバージョンを生成することと、
第１の閲覧者のために前記パブリック・ポストの第１の表示を生成することであって、前記第１の表示はパブリック部において前記第１のバージョンを、プライベート部において前記第１の投稿者のプライベート・ポストを提示し、前記第１の閲覧者は前記第１の投稿者の第１のソーシャル・ネットワークのメンバーである、前記第１の表示を生成することと、
第２の閲覧者のために前記パブリック・ポストの第２の表示を生成することであって、前記第２の表示は前記パブリック部において第２のバージョンを提示する、前記第２の表示を生成することとを含む方法。
【請求項２】
前記パブリック・ポストから、前記第２の投稿者に対応する前記第２のバージョンを生成することであって、前記第２のバージョンは作成物の前記第２のサブセットと、作成物の前記第１のサブセットからの作成物とを含む、前記第２のバージョンを生成することと、
前記プライベート部において前記第２の投稿者のプライベート・ポストを提示することとをさらに含み、前記第２の閲覧者は前記第２の投稿者の第２のソーシャル・ネットワークのメンバーである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記パブリック・ポストから、前記第２の投稿者に対応する前記第２のバージョンを生成することであって、前記第２のバージョンは作成物の前記第２のサブセットと、作成物の前記第１のサブセットからの作成物とを含む、前記第２のバージョンを生成することと、
前記第２の表示において前記第１のバージョンと前記第２のバージョンとを統合することとをさらに含み、前記第２の閲覧者は前記第１の投稿者の前記ソーシャル・ネットワークと、前記第２の投稿者の第２のソーシャル・ネットワークとのメンバーである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第２の表示の前記プライベート部において前記第１の投稿者の前記プライベート・ポストを提示し、前記プライベート部において前記第２の投稿者のプライベート・ポストを提示することをさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記パブリック・ポストから、前記第２の投稿者に対応する前記第２のバージョンを生成することをさらに含み、前記第２のバージョンは作成物の前記第２のサブセットのみを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の表示において、前記第１のサブセットと前記第２のサブセットとに存在する作成物の単一のインスタンスを維持することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の閲覧者が前記第２の投稿者のソーシャル・ネットワークのメンバーではないことに応答して、前記第１の閲覧者が前記第１の表示内の前記第２のサブセットからの前記作成物に関するコメントを入力することを拒否することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の閲覧者が前記第１の投稿者の前記ソーシャル・ネットワークのメンバーであることに応答して、前記第１の閲覧者が前記第１の表示内の前記第１のサブセットからの作成物に関する第２のコメントを入力することを許可することをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の投稿者によって投稿された作成物の前記第１のサブセットと前記第２の投稿者によって投稿された作成物の前記第２のサブセットとを前記パブリック・ポストに追加することによって、前記パブリック・ポストの作成を開始することをさらに含み、前記第１の投稿者と前記第２の投稿者とが前記パブリック・ポストの前記作成において共同する投稿者のグループのメンバーである、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のバージョンを編集するために前記パブリック・ポストが有効にされている期間を限定するタイマを初期設定することをさらに含み、前記編集は前記第１のバージョンにおける作成物の包含状態を変更し、前記作成物は作成物の複数のサブセットのうちのいずれかに属し、作成物の前記複数のサブセットは前記グループの複数のメンバーによって投稿される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記タイマが満了したことに応答して、前記第１のバージョンの編集ができないようにすることをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
コンピュータ・プログラムであって、請求項１ないし１１のいずれか１項に記載の方法の各ステップをコンピュータに実行させるための、コンピュータ・プログラム。
【請求項１３】
請求項１２に記載のコンピュータ・プログラムを記録した、コンピュータ可読記録媒体。
【請求項１４】
プロセッサと、コンピュータ可読メモリと、コンピュータ可読記憶装置と、前記メモリを介した前記プロセッサによる実行のために前記記憶装置に記憶されたプログラム命令とを含むコンピュータ・システムであって、記憶された前記プログラム命令は、
ソーシャル・メディア・プラットフォームとともに前記プロセッサと前記メモリとを使用してパブリック・ポストを作成するプログラム命令であって、第１の投稿者が前記パブリック・ポストで使用される作成物のセットのうちの第１のサブセットを投稿し、第２の投稿者が前記パブリック・ポストで使用される作成物のセットのうちの第２のサブセットを投稿する、前記パブリック・ポストを作成するプログラム命令と、
前記パブリック・ポストから、前記第１の投稿者に対応する第１のバージョンを生成するプログラム命令であって、前記第１のバージョンが作成物の前記第１のサブセットと、作成物の前記第２のサブセットからの作成物とを含む、前記第１のバージョンを生成するプログラム命令と、
第１の閲覧者のために前記パブリック・ポストの第１の表示を生成するプログラム命令であって、前記第１の表示はパブリック部において前記第１のバージョンを提示し、プライベート部において前記第１の投稿者のプライベート・ポストを提示し、前記第１の閲覧者は前記第１の投稿者の第１のソーシャル・ネットワークのメンバーである、前記第１の表示を生成するプログラム命令と、
第２の閲覧者のために前記パブリック・ポストの第２の表示を生成するプログラム命令であって、前記第２の表示は前記パブリック部において第２のバージョンを提示する、前記第２の表示を生成するプログラム命令とを含む、コンピュータ・システム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月9日(2021.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピューティング環境内の処理を容易にするためのコンピュータ・プログラムであって、
構成状態レジスタへのアクセスの要求を取得することと、
前記構成状態レジスタがプロセッサ内ではなくメモリ内にあるということを決定することと、
前記構成状態レジスタがメモリ内にあるということの決定に基づいて、前記アクセスを、プロセッサ内アクセス動作からメモリ内アクセス動作に変換することとをコンピュータに実行させる、コンピュータ・プログラム。
【請求項２】
前記メモリ内アクセス動作が、前記要求に応じて読み込み動作または格納動作を含んでいる、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項３】
前記変換することが、前記アクセスを読み込み動作に変換することを含んでおり、前記読み込み動作に前記変換することが、
メモリ・ベース・アドレスを取得することと、
前記構成状態レジスタの指示を取得することと、
前記構成状態レジスタの前記指示をメモリ・オフセットにマッピングすることと、
前記ベース・アドレスおよび前記メモリ・オフセットを使用して決定されたアドレスから値を読み込むこととを含んでいる、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項４】
前記変換することが、前記アクセスを格納動作に変換することを含んでおり、前記格納動作に前記変換することが、
メモリ・ベース・アドレスを取得することと、
前記構成状態レジスタの指示を取得することと、
前記構成状態レジスタの前記指示をメモリ・オフセットにマッピングすることと、
前記ベース・アドレスおよび前記メモリ・オフセットを使用して決定されたアドレスに値を格納することとを含んでいる、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項５】
前記方法が、
定義された期間内に前記構成状態レジスタが複数回アクセスされたということを決定することと、
前記決定に基づいて、前記構成状態レジスタの値をキャッシュに格納することとをさらに含んでいる、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項６】
前記方法が、１つまたは複数の構成状態レジスタを使用するシステムの初期ブートに基づいて、１つまたは複数のメモリ内メモリ・ユニットを前記１つまたは複数の構成状態レジスタに割り当てることをさらに含んでいる、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項７】
前記１つまたは複数のメモリ内メモリ・ユニットが、ファームウェアによって所有されるメモリ内にある、請求項６に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項８】
前記１つまたは複数のメモリ内メモリ・ユニットが、制御プログラムによって所有されるメモリ内にある、請求項６に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項９】
前記制御プログラムがオペレーティング・システムまたはハイパーバイザを含んでいる、請求項８に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項１０】
前記構成状態レジスタが、構成状態レジスタ用に定義されたメモリの領域内にある、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項１１】
コンピューティング環境内の処理を容易にするためのコンピュータ・システムであって、前記コンピュータ・システムが、
メモリと、
前記メモリと通信するプロセッサとを備えており、前記コンピュータ・システムが方法を実行するように構成されており、前記方法が、
構成状態レジスタへのアクセスの要求を取得することと、
前記構成状態レジスタがプロセッサ内ではなくメモリ内にあるということを決定することと、
前記構成状態レジスタがメモリ内にあるということの決定に基づいて、前記アクセスを、プロセッサ内アクセス動作からメモリ内アクセス動作に変換することとを含んでいる、コンピュータ・システム。
【請求項１２】
前記構成状態レジスタが、構成状態レジスタ用に定義されたメモリの領域内にある、請求項１１に記載のコンピュータ・システム。
【請求項１３】
コンピューティング環境内の処理を容易にするコンピュータ実装方法であって、前記コンピュータ実装方法が、
プロセッサによって、構成状態レジスタへのアクセスの要求を取得することと、
前記構成状態レジスタがプロセッサ内ではなくメモリ内にあるということを決定することと、
前記構成状態レジスタがメモリ内にあるということの決定に基づいて、前記アクセスを、プロセッサ内アクセス動作からメモリ内アクセス動作に変換することとを含んでいる、コンピュータ実装方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月22日(2021.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピューティング環境内の処理を容易にするためのコンピュータ・プログラムであって、
第１のコンテキストから第２のコンテキストへのコンテキスト切り替えが実行されるということを決定することであって、前記第１のコンテキストのデータが、第１のメモリ・ユニットに少なくとも部分的に格納された１つまたは複数の構成状態レジスタに格納され、前記第２のコンテキストのデータが、第２のメモリ・ユニットに少なくとも部分的に格納された前記１つまたは複数の構成状態レジスタに格納される、前記決定することと、
前記第１のメモリ・ユニットから前記第２のメモリ・ユニットにポインタを変更することによって、前記コンテキスト切り替えを実行することと、をコンピュータに実行させる、コンピュータ・プログラム。
【請求項２】
前記第１のメモリ・ユニットがメモリの１つのページであり、前記第２のメモリ・ユニットがメモリの別のページである、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項３】
前記コンテキスト切り替えを前記実行することが、前記第１のコンテキストに関して１つまたは複数のプロセッサ内構成状態レジスタを処理することをさらに含んでおり、前記１つまたは複数のプロセッサ内構成状態レジスタのデータが、前記１つまたは複数のプロセッサ内構成状態レジスタからコピーされてメモリに格納され、前記第２のコンテキストに関するデータが、前記１つまたは複数のプロセッサ内構成状態レジスタにコピーされる、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項４】
前記コンテキスト切り替えを前記実行することが、前記ポインタを変更する前に前記ポインタを格納することをさらに含んでいる、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項５】
前記第１のコンテキストがスーパーバイザまたはアプリケーションを含んでおり、前記第２のコンテキストが別の前記スーパーバイザまたは前記アプリケーションを含んでいる、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項６】
前記第１のコンテキストが１つのスレッドを含んでおり、前記第２のコンテキストが別のスレッドを含んでいる、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項７】
複数のスレッドから前記他のスレッドが選択可能であり、前記複数のスレッドが、前記コンテキスト切り替えを実行するプロセッサに読み込まれない１つまたは複数のスレッドを含んでいる、請求項６に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項８】
前記コンテキスト切り替えが、仮想マシンを１つのプロセッサから別のプロセッサに移動することに基づいて実行される、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項９】
前記第２のメモリ・ユニット内の構成状態レジスタのレイアウトが、前記第１のメモリ・ユニット内の構成状態レジスタのレイアウトと異なり、違いの指示がバージョン番号によって提供される、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項１０】
前記コンテキスト切り替えを前記実行することが、前記第１のメモリ・ユニットに格納された前記１つまたは複数の構成状態レジスタに対応するキャッシュされたデータを無効化することを含んでいる、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項１１】
コンピューティング環境内の処理を容易にするためのコンピュータ・システムであって、
メモリと、
前記メモリと通信するプロセッサとを備えており、前記コンピュータ・システムが方法を実行するように構成されており、前記方法が、
第１のコンテキストから第２のコンテキストへのコンテキスト切り替えが実行されるということを決定することであって、前記第１のコンテキストのデータが、第１のメモリ・ユニットに少なくとも部分的に格納された１つまたは複数の構成状態レジスタに格納され、前記第２のコンテキストのデータが、第２のメモリ・ユニットに少なくとも部分的に格納された前記１つまたは複数の構成状態レジスタに格納される、前記決定することと、
前記第１のメモリ・ユニットから前記第２のメモリ・ユニットにポインタを変更することによって、前記コンテキスト切り替えを実行することとを含んでいる、コンピュータ・システム。
【請求項１２】
コンピューティング環境内の処理を容易にするコンピュータ実装方法であって、
第１のコンテキストから第２のコンテキストへのコンテキスト切り替えが実行されるということを決定することであって、前記第１のコンテキストのデータが、第１のメモリ・ユニットに少なくとも部分的に格納された１つまたは複数の構成状態レジスタに格納され、前記第２のコンテキストのデータが、第２のメモリ・ユニットに少なくとも部分的に格納された前記１つまたは複数の構成状態レジスタに格納される、前記決定することと、
前記第１のメモリ・ユニットから前記第２のメモリ・ユニットにポインタを変更することによって、前記コンテキスト切り替えを実行することとを含んでいる、コンピュータ実装方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月9日(2021.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピューティング環境内の処理を容易にするためのコンピュータ・プログラムであって、
メモリが割り当てられるメモリ内構成状態レジスタの識別情報を取得することと、
前記識別情報に基づいて、前記メモリ内構成状態レジスタが格納される前記メモリ内のオフセットを決定することであって、前記メモリ内構成状態レジスタの機能的類似性に基づいて前記オフセットが前記メモリ内構成状態レジスタに割り当てられている、前記決定することと、
少なくとも前記オフセットを使用して、前記メモリ内構成状態レジスタにアクセスすることとをコンピュータに実行させる、コンピュータ・プログラム。
【請求項２】
前記オフセットが、前記メモリ内構成状態レジスタを、同じ機能的類似性を有する別のメモリ内構成状態レジスタと同じキャッシュ・ライン内に配置する、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項３】
前記メモリ内構成状態レジスタおよび前記他のメモリ内構成状態レジスタの両方が特定の動作において使用されているということに基づいて、前記メモリ内構成状態レジスタおよび前記他のメモリ内構成状態レジスタが、前記同じ機能的類似性を有する、請求項２に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項４】
前記オフセットが、前記メモリ内構成状態レジスタを、同じ機能的類似性を有する別のメモリ内構成状態レジスタと隣接するキャッシュ・ライン内に配置する、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項５】
前記オフセットが、前記メモリの特定のユニット内のインデックス位置である、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項６】
前記方法が、前記メモリの前記特定のユニットに関するバージョン指示を提供することをさらに含んでいる、請求項５に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項７】
前記識別情報が、前記メモリ内構成状態レジスタのレジスタ番号を含んでいる、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項８】
前記オフセットを前記決定することが、データ構造内の検索を実行することを含んでいる、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項９】
前記オフセットを前記決定することが、計算を用いて前記オフセットを決定することを含んでいる、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項１０】
前記方法が、前記要求側が前記メモリ内構成状態レジスタにアクセスするために、前記オフセットを要求側に返すことをさらに含んでいる、請求項１に記載のコンピュータ・プログラム。
【請求項１１】
コンピューティング環境内の処理を容易にするためのコンピュータ・システムであって、
メモリと、
前記メモリと通信するプロセッサとを備えており、前記コンピュータ・システムが方法を実行するように構成されており、前記方法が、
メモリが割り当てられるメモリ内構成状態レジスタの識別情報を取得することと、
前記識別情報に基づいて、前記メモリ内構成状態レジスタが格納される前記メモリ内のオフセットを決定することであって、前記メモリ内構成状態レジスタの機能的類似性に基づいて前記オフセットが前記メモリ内構成状態レジスタに割り当てられている、前記決定することと、
少なくとも前記オフセットを使用して、前記メモリ内構成状態レジスタにアクセスすることとを含んでいる、コンピュータ・システム。
【請求項１２】
コンピューティング環境内の処理を容易にするコンピュータ実装方法であって、
メモリが割り当てられるメモリ内構成状態レジスタの識別情報を取得することと、
前記識別情報に基づいて、前記メモリ内構成状態レジスタが格納される前記メモリ内のオフセットを決定することであって、前記メモリ内構成状態レジスタの機能的類似性に基づいて前記オフセットが前記メモリ内構成状態レジスタに割り当てられている、前記決定することと、
少なくとも前記オフセットを使用して、前記メモリ内構成状態レジスタにアクセスすることとを含んでいる、コンピュータ実装方法。