(57)【要約】【課題】欠陥修正後の有機ＥＬ表示装置の信頼性を向上する有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】有機ＥＬ膜ＯＥＬと、有機ＥＬ膜ＯＥＬの下側に設けられる第１導電膜を構成するアノード電極ＡＤ及び反射電極ＲＡＬと、有機ＥＬ膜ＯＥＬの上側に設けられる第２導電膜を構成するカソード電極ＣＤと、を備える少なくとも１つの有機ＥＬ素子を有機ＥＬ素子基板ＳＵＢ１に形成する有機ＥＬ素子基板形成工程と、有機ＥＬ素子を上側から覆うように熱可塑性を有する封止樹脂ＰＬを設ける樹脂封止工程と、有機ＥＬ素子の欠陥を検出する欠陥検出工程と、前記欠陥検出工程で検出された欠陥に、レーザを照射して解消する欠陥解消工程と、を含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。【選択図】図４Ａ
2010135182.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ膜と、該有機ＥＬ膜の下側に設けられる第１導電膜と、該有機ＥＬ膜の上側に設けられる第２導電膜とを備える少なくとも１つの有機ＥＬ素子を有機ＥＬ素子基板に形成する有機ＥＬ素子基板形成工程と、
前記有機ＥＬ素子を上側から覆うように熱可塑性を有する封止樹脂を設ける樹脂封止工程と、
前記有機ＥＬ素子の欠陥を検出する欠陥検出工程と、
前記欠陥検出工程で検出された欠陥に、レーザを照射して解消する欠陥解消工程と、
を含むことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
前記欠陥解消工程は、
前記欠陥に前記レーザを照射することにより、前記第２導電膜に開口部を形成し、該開口部の縁部が前記封止樹脂の側及び前記有機ＥＬ膜の側に盛り上って前記第２導電膜の厚みよりも厚く形成される、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
前記欠陥解消工程は、
前記縁部における前記有機ＥＬ膜の側の少なくとも一部を前記封止樹脂で覆う、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
前記欠陥解消工程は、
前記欠陥に前記レーザを照射することにより、前記開口部近傍の前記有機ＥＬ膜を取り除くとともに、前記封止樹脂を加熱して軟化することにより、前記有機ＥＬ膜が取り除かれた領域に前記封止樹脂を充填させて前記第１導電膜と前記第２導電膜の間に介在させる、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
前記封止樹脂は、常温において固化し、常温以外の所定範囲の温度において軟化する熱可塑性を有する、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
前記封止樹脂は、５０度以上２５０度以下の範囲におけるいずれかの範囲において軟化する、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
前記封止樹脂は、乾燥剤機能を持つ樹脂である、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
前記有機ＥＬ素子と前記封止樹脂とを上側から覆う封止基板を前記有機ＥＬ素子基板に取り付ける封止基板取付工程を、含み、
前記有機ＥＬ素子基板形成工程は、異なる色を発光する複数の有機ＥＬ素子を有機ＥＬ素子基板に形成し、
前記欠陥解消工程は、前記封止基板の上側から前記レーザを照射する、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
熱可塑性を有する封止樹脂を封止基板上に設け、前記有機ＥＬ基板上に貼り付ける封止基板取付工程を、含み、
前記有機ＥＬ素子基板形成工程は、異なる色を発光する複数の有機ＥＬ素子を有機ＥＬ素子基板に形成し、
前記欠陥解消工程は、前記封止基板の上側から前記レーザを照射する、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
前記第１導電膜は、前記有機ＥＬ膜の発光を反射する導電膜であり、
前記第２導電膜は、前記有機ＥＬ膜の発光を透過する透明導電膜である、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項１１】
有機ＥＬ膜と、該有機ＥＬ膜の下側に設けられる第１導電膜と、該有機ＥＬ膜の上側に積層される第２導電膜とを備える少なくとも１つの有機ＥＬ素子が形成された有機ＥＬ素子基板と、
前記有機ＥＬ素子を上側から覆う熱可塑性を有する封止樹脂と、を含み、
いずれかの前記有機ＥＬ素子における前記第２導電膜には、開口部が形成され、
前記開口部の縁部は、前記封止樹脂の側及び前記有機ＥＬ膜の側に盛り上がって前記第２導電膜の厚みよりも厚く形成される、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１２】
請求項１１の有機ＥＬ表示装置において、
前記縁部は、前記有機ＥＬ膜の側の少なくとも一部が前記封止樹脂に覆われる、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１３】
請求項１２の有機ＥＬ表示装置において、
前記有機ＥＬ膜は、前記開口部近傍の部分が取り除かれて、
前記封止樹脂は、前記有機ＥＬ膜の前記部分において前記第１導電膜と前記第２導電膜との間に介在するように充填される、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１４】
請求項１１の有機ＥＬ表示装置において、
前記封止樹脂は、乾燥剤機能を持つ樹脂である、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１５】
請求項１１の有機ＥＬ表示装置において、
前記封止樹脂は、常温において固化し、常温以外の所定範囲の温度において軟化する熱可塑性を有する、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１６】
請求項１５の有機ＥＬ表示装置において、
前記封止樹脂は、５０度以上２５０度以下の範囲におけるいずれかの範囲において軟化する、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１７】
請求項１１の有機ＥＬ表示装置において、
前記有機ＥＬ素子と前記封止樹脂とを上側から覆う封止基板を含み、
前記有機ＥＬ素子基板は、異なる色を発光する複数の有機ＥＬ素子を形成する、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１８】
請求項１１の有機ＥＬ表示装置において、
前記有機ＥＬ素子と上側から覆う前記封止樹脂を貼り付けた封止基板を含み、
前記有機ＥＬ素子基板は、異なる色を発光する複数の有機ＥＬ素子を形成する、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項１９】
請求項１７の有機ＥＬ表示装置において、
前記第１導電膜は、前記有機ＥＬ膜の発光を上側に反射する導電膜で形成され、
前記第２導電膜は、前記有機ＥＬ膜の発光を透過する透明導電膜で形成される、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子（OLED:Organic Light-Emitting Diode）を用いて画素の表示制御を行う有機ＥＬ表示装置の製造方法に係り、特に、有機ＥＬ素子に発生する欠陥の修正に関する。
【背景技術】
【０００２】
中空封止の有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ膜に異物Ｘが存在すると、有機ＥＬ膜を挟むアノード電極ＡＤとカソード電極ＣＤにおいてショートが発生する場合がある。このようなショートが発生した画素では、有機ＥＬ膜に電流が流れないために発光せず、当該画素の全体が黒点となる（黒点欠陥）。
【０００３】
このような黒点欠陥に対しては、特許文献１で示すように、異物に対してレーザで照射して２つの電極における短絡を解消するリペアが一般的に行われる。レーザリペアによって、図７で示すように、異物とともに周囲の有機ＥＬ膜とカソード電極ＣＤが消滅する。これによりアノード電極ＡＤとカソード電極ＣＤのショートが解消され、有機ＥＬ膜に電流が流れて発光するようになる。
【特許文献１】特開２０００−２０８２５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、リペア後のカソード電極ＣＤは、図７で示されるように、レーザが照射されてカソード電極ＣＤの消滅した部分の縁が、窒素等が充填された中空封止領域ＰＵにおいて角張って形成されて、電界集中が発生しやすい形状となる。カソード電極ＣＤが角張って形成された部分に電界集中が発生すると、当該部分の周囲が破壊されて再び欠陥が発生する場合がある。
【０００５】
さらに、リペアされた箇所が、例えば、封止基板側から押圧されると、カソード電極ＣＤが角張って形成された部分が破損して、その破片によって再び２つの電極が導通して黒点欠陥となる可能性もある。
【０００６】
本発明は、上記の課題に鑑みて、欠陥修正後の有機ＥＬ表示装置の信頼性を向上する有機ＥＬ表示装置の製造方法、及び有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）上記の課題を解決するため、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、有機ＥＬ膜と、該有機ＥＬ膜の下側に設けられる第１導電膜と、該有機ＥＬ膜の上側に設けられる第２導電膜とを備える少なくとも１つの有機ＥＬ素子を有機ＥＬ素子基板に形成する有機ＥＬ素子基板形成工程と、前記有機ＥＬ素子を上側から覆うように熱可塑性を有する封止樹脂を設ける樹脂封止工程と、前記有機ＥＬ素子の欠陥を検出する欠陥検出工程と、前記欠陥検出工程で検出された欠陥に、レーザを照射して解消する欠陥解消工程と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
（２）（１）の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記欠陥解消工程は、前記欠陥に前記レーザを照射することにより、前記第２導電膜に開口部を形成し、該開口部の縁部が前記封止樹脂の側及び前記有機ＥＬ膜の側に盛り上って前記第２導電膜の厚みよりも厚く形成される、ことを特徴とする。
【０００９】
（３）（２）の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記欠陥解消工程は、前記縁部における前記有機ＥＬ膜の側の少なくとも一部を前記封止樹脂で覆う、ことを特徴とする。
【００１０】
（４）（３）の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記欠陥解消工程は、前記欠陥に前記レーザを照射することにより、前記開口部近傍の前記有機ＥＬ膜を取り除くとともに、前記封止樹脂を加熱して軟化することにより、前記有機ＥＬ膜が取り除かれた領域に前記封止樹脂を充填させて前記第１導電膜と前記第２導電膜の間に介在させる、ことを特徴とする。
【００１１】
（５）（１）の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記封止樹脂は、常温において固化し、常温以外の所定範囲の温度において軟化する熱可塑性を有する、ことを特徴とする。
【００１２】
（６）（５）の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記封止樹脂は、５０度以上２５０度以下の範囲におけるいずれかの範囲において軟化する、ことを特徴とする。
【００１３】
（７）（１）の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記封止樹脂は、乾燥剤機能を持つ樹脂である、ことを特徴とする。
【００１４】
（８）（１）の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記有機ＥＬ素子と前記封止樹脂とを上側から覆う封止基板を前記有機ＥＬ素子基板に取り付ける封止基板取付工程を、含み、前記有機ＥＬ素子基板形成工程は、異なる色を発光する複数の有機ＥＬ素子を有機ＥＬ素子基板に形成し、前記欠陥解消工程は、前記封止基板の上側から前記レーザを照射する、ことを特徴とする。
【００１５】
（９）（１）の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、熱可塑性を有する封止樹脂を封止基板上に設け、前記有機ＥＬ基板上に貼り付ける封止基板取付工程を、含み、前記有機ＥＬ素子基板形成工程は、異なる色を発光する複数の有機ＥＬ素子を有機ＥＬ素子基板に形成し、前記欠陥解消工程は、前記封止基板の上側から前記レーザを照射する、ことを特徴とする。
【００１６】
（１０）（１）の有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記第１導電膜は、前記有機ＥＬ膜の発光を反射する導電膜であり、前記第２導電膜は、前記有機ＥＬ膜の発光を透過する透明導電膜である、ことを特徴とする。
【００１７】
（１１）上記の課題を解決するため、本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ膜と、該有機ＥＬ膜の下側に設けられる第１導電膜と、該有機ＥＬ膜の上側に積層される第２導電膜とを備える少なくとも１つの有機ＥＬ素子が形成された有機ＥＬ素子基板と、前記有機ＥＬ素子を上側から覆う熱可塑性を有する封止樹脂と、を含み、いずれかの前記有機ＥＬ素子における前記第２導電膜には、開口部が形成され、前記開口部の縁部は、前記封止樹脂の側及び前記有機ＥＬ膜の側に盛り上がって前記第２導電膜の厚みよりも厚く形成される、ことを特徴とする。
【００１８】
（１２）（１１）の有機ＥＬ表示装置において、前記縁部は、前記有機ＥＬ膜の側の少なくとも一部が前記封止樹脂に覆われる、ことを特徴とする。
【００１９】
（１３）（１２）の有機ＥＬ表示装置において、前記有機ＥＬ膜は、前記開口部近傍の部分が取り除かれて、前記封止樹脂は、前記有機ＥＬ膜の前記部分において前記第１導電膜と前記第２導電膜との間に介在するように充填される、ことを特徴とする。
【００２０】
（１４）（１１）の有機ＥＬ表示装置において、前記封止樹脂は、乾燥剤機能を持つ樹脂である、ことを特徴とする。
【００２１】
（１５）（１１）の有機ＥＬ表示装置において、前記封止樹脂は、常温において固化し、常温以外の所定範囲の温度において軟化する熱可塑性を有する、ことを特徴とする。
【００２２】
（１６）（１５）の有機ＥＬ表示装置において、前記封止樹脂は、５０度以上２５０度以下の範囲におけるいずれかの範囲において軟化する、ことを特徴とする。
【００２３】
（１７）（１１）の有機ＥＬ表示装置において、前記有機ＥＬ素子と前記封止樹脂とを上側から覆う封止基板を含み、前記有機ＥＬ素子基板は、異なる色を発光する複数の有機ＥＬ素子を形成する、ことを特徴とする。
【００２４】
（１８）（１１）の有機ＥＬ表示装置において、前記有機ＥＬ素子と上側から覆う前記封止樹脂を貼り付けた封止基板を含み、前記有機ＥＬ素子基板は、異なる色を発光する複数の有機ＥＬ素子を形成する、ことを特徴とする。
【００２５】
（１９）（１７）の有機ＥＬ表示装置において、前記第１導電膜は、前記有機ＥＬ膜の発光を上側に反射する導電膜で形成され、前記第２導電膜は、前記有機ＥＬ膜の発光を透過する透明導電膜で形成される、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
（１）に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法によれば、欠陥修正後の有機ＥＬ表示装置の信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２７】
以下、本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法ついて、図面を参照しながら説明する。
【００２８】
本実施形態における有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子が画素毎にマトリクス状に形成されたガラス基板と、有機ＥＬ素子基板に貼り合わされることにより有機ＥＬ素子を封止する封止基板とを含んで構成されており、映像を表示する表示領域が封止基板側に形成されるトップエミッション型となっている。
【００２９】
図１は、上記の有機ＥＬ表示装置におけるガラス基板ＳＵＢ１に設けられる回路の一例を示す回路図である。同図におけるガラス基板ＳＵＢ１では、多数の走査信号線ＧＬが互いに等間隔を置いて図中横方向に延びており、また、多数の映像信号線ＤＬが、互いに等間隔をおいて図中縦方向に延びている。ガラス基板ＳＵＢ１では、これら走査信号線ＧＬと映像信号線ＤＬとによって、碁盤状に並ぶ画素のそれぞれが区画されている。そして、これらに区画される画素領域には、ＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor）構造のスイッチングに用いる薄膜トランジスタＴＦＴ１と発光素子の駆動に用いる薄膜トランジスタＴＦＴ２、蓄積容量ＣＰＲ、及び、有機ＥＬ素子ＯＤが形成されて、有機ＥＬ素子ＯＤに電源を供給する電源線ＣＳＬが、映像信号線ＤＬと平行に図中縦方向に延びている。画素領域を区画する各走査信号線ＧＬと各映像信号線ＤＬは、走査線駆動回路ＧＤＲと映像線駆動回路ＤＤＲにそれぞれ接続されて駆動され、各電源線ＣＳＬは電源バスラインＣＳＢＬに接続されて電流が提供される。
【００３０】
図１の回路図では、走査信号線ＧＬにゲート電圧が印加されることにより画素行が選択されて、かつ、映像信号線ＤＬから映像信号が供給されると、スイッチング用の薄膜トランジスタＴＦＴ１がＯＮ状態となって蓄積容量ＣＰＲに電荷が蓄積される。そして、蓄積容量ＣＰＲに電荷が蓄積されることにより、有機ＥＬ素子ＯＤに電流を提供する駆動用の薄膜トランジスタＴＦＴ２がＯＮ状態となって、電源線ＣＳＬから有機ＥＬ素子ＯＤに電流が流れて発光することとなる。
【００３１】
図２は、上記の画素領域の様子を概略的に示す断面図である。同図で示すように、ガラス基板ＳＵＢ１の表面には、保護層ＰＡ１が形成され、ゲート電極ＧＴ２、ゲート絶縁層ＧＩ、多結晶シリコンによる半導体膜ＰＳ２、絶縁層ＩＳ１、ドレイン電極ＤＴ２及びソース電極ＳＴ２によって薄膜トランジスタＴＦＴ２が形成される。薄膜トランジスタＴＦＴ２では、ゲート電極ＧＴ２に印加される電圧が、蓄積容量ＣＰＲ（図２において不図示）を介して薄膜トランジスタＴＦＴ１（図２において不図示）に制御されることにより、ドレイン電極ＤＴ２及びソース電極ＳＴ２に流れる電流が制御される。ドレイン電極ＤＴ２は電源線ＣＳＬと接続し、ゲート電極ＧＴ２に印加された電圧に応じてソース電極ＳＴ２と接続したアノード電極ＡＤに電流を供給する。薄膜トランジスタＴＦＴ１は、平坦化のために形成される絶縁層ＩＳ２と保護層ＰＡ２に覆われて、これらに設けられたコンタクトホールを介してソース電極ＳＴ２とアノード電極ＡＤとが接続される。
【００３２】
有機ＥＬ素子ＯＤは、保護層ＰＡ２の上側に配置されて、格子状に画素領域を区画するバンク層ＢＮＫに取り囲まれて形成されている。アノード電極ＡＤと保護層ＰＡ２の間には反射電極ＲＡＬが設けられ、この有機ＥＬ素子ＯＤは、下側に設けられたアノード電極ＡＤ及び反射電極ＲＡＬと、上側に設けられたカソード電極ＣＤによって有機発光層ＯＥＬ（有機ＥＬ膜）を間に挟むことにより形成される。
【００３３】
本実施形態におけるアノード電極ＡＤは、酸化インジウム錫（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）によって、カソード電極ＣＤは、酸化インジウム／酸化亜鉛（ＩＺＯ：Indium Zinc Oxide）によって透明の導電膜として形成され、反射電極ＲＡＬはアルミニウムで形成される。また、カソード電極ＣＤは陰極として機能して、映像を表示する表示領域のほぼ全面に渡って、各画素領域に共通となる電極として形成される。アノード電極ＡＤは陽極として機能し、反射電極ＲＡＬとともに各画素領域においてそれぞれ個別に形成される。そして有機発光層ＯＥＬは、下側からホール輸送層、発光層、電子輸送層が積層されることによって形成される。この有機発光層ＯＥＬにおける発光層は各色毎に異なる有機化合物によって設けられて、赤、緑、または青に発光する。
【００３４】
有機発光層ＯＥＬにおける発光層では、アノード電極ＡＤから注入されたホールと、カソード電極ＣＤから注入された電子とが再結合することにより発光する。本実施形態における有機ＥＬ表示装置は、トップエミッション型であるために、有機発光層ＯＥＬの下側にアノード電極ＡＤとともに反射電極ＲＡＬが設けられている。発光層で発光した光は、光を透過する材質で設けられた封止樹脂ＰＬ及び封止基板ＳＵＢ２を経て、外部へと放出されることなる。
【００３５】
そして特に、本発明における有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子ＯＤがマトリクス状に形成されたガラス基板ＳＵＢ１（以下、有機ＥＬ素子基板ＳＵＢ１）と封止基板ＳＵＢ２との間に充填される封止樹脂ＰＬが、熱可塑性を有している。本実施形態における封止樹脂ＰＬは、有機ＥＬ表示装置の通常の動作環境となる常温において固化し、通常の動作環境よりも高い温度となる所定範囲の温度において軟化する。また封止樹脂ＰＬが軟化する温度は、有機ＥＬ素子基板ＳＵＢ１に設けられた有機ＥＬ素子ＯＤが破壊されない温度であって、５０度以上２５０度以下における所定範囲の温度であることが望ましい。また、有機ＥＬ素子ＯＤが設けられた有機ＥＬ素子基板ＳＵＢ１に封止基板ＳＵＢ２がシール材によって取り付けられることにより、封止樹脂ＰＬが漏れることなく封止されている。本実施形態における封止樹脂ＰＬは、乾燥剤機能を有するアルミ錯体を含み形成されるが、少なくとも欠陥を解消する工程の際に熱可塑性を有していればよい。
【００３６】
また、有機発光層ＯＥＬを構成する有機材料は水分に敏感であり、水分を吸湿することによって劣化させられるから、封止樹脂ＰＬに乾燥剤機能を持たせることで、有機ＥＬ素子基板ＳＵＢ１に設けられた有機ＥＬ素子ＯＤが水分から保護される。
【００３７】
ここで、本実施形態における有機ＥＬ表示装置の製造方法について述べる。
【００３８】
まず、アルミニウム等の有色の導電膜、ＩＴＯ等の透明導電膜導や絶縁層の積層、パターニング等の処理を繰り返して、有機ＥＬ素子基板ＳＵＢ１に走査信号線ＧＬ、映像信号線ＤＬ、電源線ＣＳＬ、薄膜トランジスタＴＦＴ１、ＴＦＴ２、有機ＥＬ素子ＯＤ（アノード電極ＡＤと反射電極ＲＡＬ、有機発光層ＯＥＬ、カソード電極ＣＤ）等を形成する。反射電極ＲＡＬとアノード電極ＡＤはフォトリソグラフィを用いてパターニングされることにより画素領域毎に設けられる。また、アノード電極ＡＤの積層後は、各画素領域を格子状に区画するようにバンク層ＢＮＫが設けられ、有機発光層ＯＥＬは、バンク層ＢＮＫで区画された領域に蒸着法によって、ホール輸送層と発光層と電子輸送層が順次積層されて設けられる。また有機発光層ＯＥＬにおける発光層は、ＲＧＢの３色に塗り分けるため蒸着マスクを３回用いて蒸着される。また、カソード電極ＣＤは、バンク層ＢＮＫを介して各画素領域の有機発光層ＯＥＬを共通に覆うように形成される。
【００３９】
本実施形態における有機発光層ＯＥＬは、ホール輸送層と発光層と電子輸送層による３層によって積層されているが、これらが機能的に複合されることにより２層又は単層で積層されてもよいし、この３層に加えてさらにホール注入層や電子注入層等の他の機能を有した層が積層されてもよい。ここで、図３は、有機発光層ＯＥＬの積層工程において異物が混入する場合の回路図を示しており、異物によりアノード電極ＡＤとカソード電極ＣＤ間でショートＳが発生することとなる。このため、有機発光層ＯＥＬの発光層に提供される筈のホール及び電子が、有機発光層ＯＥＬに混入した異物により生じたショートパスＳの影響で、発光層における再結合・発光が発生せずに黒点欠陥となる。
【００４０】
次に、有機ＥＬ素子ＯＤがマトリクス状に設けられた有機ＥＬ素子基板ＳＵＢ１に、シート状に形成された封止樹脂ＰＬを、有機ＥＬ素子ＯＤの上側から覆うように貼り合わせる。この際、封止樹脂ＰＬが軟化する温度に加熱して、図２で示すような凹凸を有したカソード電極ＣＤと隙間が生じないように圧着する。
【００４１】
ついで、封止基板ＳＵＢ２の外縁部にシール材を設けて、封止樹脂ＰＬが圧着された有機ＥＬ素子基板ＳＵＢ１に貼り合わせる。これにより、封止基板ＳＵＢ２が、有機ＥＬ素子基板ＳＵＢ１に形成された有機ＥＬ素子ＯＤと封止樹脂ＰＬを覆い、これらが封止基板ＳＵＢ２と有機ＥＬ素子基板ＳＵＢ１の間において密閉される。なお、上記のように、封止樹脂ＰＬが圧着された有機ＥＬ素子基板ＳＵＢ１に封止基板ＳＵＢ２を貼り付けてもよいが、以下のように、封止樹脂ＰＬを貼り付けた封止基板ＳＵＢ２を有機ＥＬ素子基板ＳＵＢ１に貼り付けるようにしてもよい。この場合には、まず、封止基板ＳＵＢ２に、シート状に形成された封止樹脂ＰＬを、貼り合わせる。ついで、封止基板ＳＵＢ２の外縁部にシール材を設けて、有機ＥＬ素子基板ＳＵＢ１に貼り合わせる。そして、封止樹脂ＰＬが軟化する温度に加熱して、図２で示すような凹凸を有したカソード電極ＣＤと隙間が生じないように封止樹脂ＰＬを圧着する。
【００４２】
そして、有機ＥＬ素子基板ＳＵＢ１上に形成された有機ＥＬ素子ＯＤの欠陥検査を行う。欠陥検査は、各有機ＥＬ素子ＯＤを点灯させて正常に点灯するか否かを検査するとともに、顕微鏡による目視観察や異物検査装置による自動検出を併用して、有機発光層ＯＥＬに混入した異物を検出する。
【００４３】
ここで、有機発光層ＯＥＬの黒点欠陥を発生させている異物を発見した場合には、レーザリペア処理により黒点欠陥を解消する。図４の各図は、リペア処理によって欠陥を解消する様子を示す図である。まず、有機発光層ＯＥＬに混入した異物Ｘに対し、封止基板ＳＵＢ２（図４において不図示）の上側からレーザを照射する（図４Ａ）。このレーザは、ＹＡＧレーザ等のレーザビームである。封止基板ＳＵＢ２、封止樹脂ＰＬ、ＩＺＯで形成されたカソード電極ＣＤを透過してレーザが異物Ｘに照射されることにより、アノード電極ＡＤとカソード電極ＣＤとをショートさせている欠陥部分が異物Ｘとともに消滅させられる。
【００４４】
図４Ｂは、レーザが照射することにより異物Ｘが消滅した様子を示す図である。レーザによって与えられるエネルギーによって異物Ｘが気化し、さらに異物Ｘから熱が伝わってカソード電極ＣＤの一部が破壊されて開口部ＯＰが形成されて、開口部ＯＰの縁部ＲにＩＺＯが凝集する。また、開口部ＯＰが形成されるカソード電極ＣＤから、さらに封止樹脂ＰＬに熱が伝わって、熱可塑性を有した封止樹脂ＰＬの開口部ＯＰの近傍が一時的に軟化する。これにより、同図で示すように、カソード電極ＣＤに形成された開口部ＯＰの縁部Ｒは、有機ＥＬ素子基板側ＳＵＢ１側だけでなく、軟化された封止樹脂ＰＬ側にも盛り上がってリング状に形成され、縁部Ｒの厚みはカソード電極ＣＤの他の部分よりも厚くなる。このため、リペア後の縁部Ｒの形状が、アノード電極ＡＤとの間で電界集中を発生させにくい形状となり、再び黒点欠陥を発生させる可能性を少なくするため、リペア後の信頼性が向上する。
【００４５】
なお、図５は、異物Ｘにレーザを照射して消滅させて、カソード電極ＣＤに開口部ＯＰを形成した様子を示す電子顕微鏡による写真であり、図４Ｂの状態を下側から撮影したものである。撮影の際には、有機発光層ＯＥＬ、アノード電極ＡＤ、反射電極ＲＡＬ、絶縁層ＩＳ２、ＩＳ１や保護層ＰＡ２等が取り除かれている。図５の写真では、開口部ＯＰにおいて封止樹脂ＰＬが露出しており、開口部ＯＰの縁部Ｒの形状がリング状に形成されている。また、図６は、図４Ｂの状態を、カソード電極ＣＤに形成した開口部の断面を示す電子顕微鏡による写真である。図６の写真で示すように、開口部ＯＰの縁部Ｒの形状は有機ＥＬ素子基板ＳＵＢ１側と封止樹脂ＰＬ側に盛り上がってリング状に形成されている。
【００４６】
なお、有機発光層ＯＥＬの膜厚は、有機発光層ＯＥＬが発光する色によって異なる厚みで設けられる。有機発光層ＯＥＬの膜厚は、欠陥修正後に押圧等されてアノード電極ＡＤとカソード電極ＣＤが導通することを回避するためにも、厚いほうが望ましい。本実施形態における開口部ＯＰの縁部Ｒは、上側にも盛り上がることにより下側に盛り上がる分が減少するため、アノード電極ＡＤとカソード電極ＣＤが接触しにくくなる。
【００４７】
図４Ｃは、図４Ｂの状態から進展して、異物Ｘが気化した部分に、レーザ照射により一時的に軟化した封止樹脂ＰＬが流入する様子を示す図である。同図で示すように、異物Ｘの消滅に伴って異物Ｘ近傍の有機発光層ＯＥＬも消滅し、軟化した封止樹脂ＰＬが、縁部Ｒの表面を伝って流入して縁部Ｒが封止樹脂ＰＬに覆われる。このため、リペア後に封止基板ＳＵＢ２側から押圧されても、縁部Ｒの有機発光層ＯＥＬ側の表面が封止樹脂ＰＬに覆われているため、アノード電極ＡＤと直接接触することが少なくなり、リペア後の信頼性が向上する。
【００４８】
図４Ｄは、図４Ｃの状態から、有機ＥＬ素子ＯＤが形成された有機ＥＬ素子基板ＳＵＢ１全体を加熱することにより、異物Ｘが気化した部分に封止樹脂ＰＬを充填させる様子を示す図である。同図で示すように、レーザ照射による異物Ｘの消滅に伴って、開口部ＯＰ近傍の有機発光層ＯＥＬが取り除かれ、有機発光層ＯＥＬが取り除かれた領域に封止樹脂ＰＬが充填される。これにより、カソード電極ＣＤとアノード電極ＡＤとの間に封止樹脂ＰＬが介在することとなり、さらにリペア後の信頼性が向上する。
【００４９】
なお、本実施形態においては、有機発光層ＯＥＬが３色の異なる色に塗り分けられているため、封止基板ＳＵＢ２にはカラーフィルタが不要となっている。このため、封止基板ＳＵＢ２を有機ＥＬ素子基板ＳＵＢ１に取り付けた後に欠陥を検出して、封止基板ＳＵＢ２の上側からレーザを照射して欠陥を解消しているが、封止基板ＳＵＢ２を取り付ける前に欠陥を検出して、封止樹脂ＰＬの上側からレーザを照射することにより欠陥を解消してもよい。また封止基板ＳＵＢ２にカラーフィルタが設けられている場合には、レーザが透過されないため、封止基板ＳＵＢ２を取り付ける前に欠陥を解消する。
【００５０】
なお、本実施形態においては、図４Ｃの状態から有機ＥＬ素子基板ＳＵＢ１を加熱することにより図４Ｄの状態に進展させて、リペア後の信頼性を向上させている。この加熱処理は、本実施形態のように、レーザを照射する工程と加熱する工程とを別々に設けてよく、例えば、有機ＥＬ表示装置を出荷する直前に、高温にすることにより有機ＥＬ表示装置の動作チェックを行うテスト（ヒートラン）と兼ねることとしてもよい。また、加熱処理により、図４Ｂの状態から図４Ｃの状態に進展させることとしてもよい。また、封止樹脂ＰＬが軟化する温度やレーザを照射するエネルギーを調整することにより、異物Ｘにレーザが照射された後、加熱処理を経ずして、開口部ＯＰの近傍の封止樹脂ＰＬを軟化させてアノード電極ＡＤとカソード電極ＣＤの間に介在させるようにしてもよい。
【００５１】
なお、本実施形態においては、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置に本発明を適用することについて説明しているが、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置についても同様に適用して、欠陥修正後の有機ＥＬ表示装置の信頼性を向上させることができる。後者の場合には、有機発光層ＯＥＬの上側に形成される電極が反射電極として設けられるため、有機ＥＬ素子基板ＳＵＢ１側からレーザを照射する。
【００５２】
なお、本実施形態においては、レーザを照射するエネルギーを、異物Ｘを気化させるように調整しているが、例えば、確実に異物Ｘを気化させて欠陥を解消するように、レーザを照射するエネルギーを、アノード電極ＡＤや反射電極ＲＡＬが破損する程度に増大させてもよい。
【００５３】
なお、本実施形態においては、有機発光層ＯＥＬの上側に、陰極として機能するカソード電極ＣＤを配置し、有機発光層ＯＥＬの下側に陽極として機能するアノード電極ＡＤを配置しているが、陽極として機能する電極と陰極として機能する電極の配置を逆転させてもよい。
【００５４】
以上説明した本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置は、上記の実施形態によっては限定されず、その技術的思想の範囲内において異なる形態にて実施されてよい。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】有機ＥＬ表示装置におけるガラス基板に設けられる回路図の一例を示す図である。
【図２】有機ＥＬ表示装置における画素領域の断面を概略的に示す図である。
【図３】有機発光層の積層工程において異物が混入し、有機ＥＬ素子がショートさせられる様子を示す回路図である。
【図４Ａ】リペア処理によって欠陥が解消される様子を示す図である。
【図４Ｂ】リペア処理によって欠陥が解消される様子を示す図である。
【図４Ｃ】リペア処理によって欠陥が解消される様子を示す図である。
【図４Ｄ】リペア処理によって欠陥が解消される様子を示す図である。
【図５】異物にレーザを照射してカソード電極に開口部を形成した様子を電子顕微鏡によって撮影した写真である。
【図６】異物にレーザを照射して形成したカソード電極の開口部の断面の様子を電子顕微鏡によって撮影した写真である。
【図７】従来の中空封止された有機ＥＬ表示装置において黒点欠陥を解消した様子を示す図である。
【符号の説明】
【００５６】
ＧＬ  走査信号線、ＤＬ  映像信号線、ＣＳＬ  電源線、ＴＦＴ１，ＴＦＴ２  薄膜トランジスタ、ＣＰＲ  蓄積容量、ＯＤ  有機ＥＬ素子、ＧＤＲ  走査線駆動回路、ＤＤＲ  映像線駆動回路、ＣＳＢＬ  電源バスライン、ＳＵＢ１  ガラス基板（有機ＥＬ素子基板）、ＰＡ１，ＰＡ２  保護層、ＧＴ２  ゲート電極、ＧＩ  ゲート絶縁層、ＩＳ１，ＩＳ２  絶縁層、ＰＳ２  半導体膜、ＤＴ２  ドレイン電極、ＳＴ２  ソース電極、ＡＤ  アノード電極、ＲＡＬ  反射電極、ＯＥＬ  有機発光層（有機ＥＬ膜）、ＣＤ  カソード電極、ＰＬ  封止樹脂、ＳＵＢ２  封止基板、Ｘ  異物、ＯＰ  開口部、Ｒ  縁部、ＰＵ  中空封止領域、Ｓ  ショート（ショートパス）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図７】
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【図５】
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【図６】
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