【手続補正書】
【提出日】平成16年9月13日(2004.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】積層体の剥離方法及び半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板に剥離層を介して被剥離体を形成し、
前記被剥離体に剥離可能な粘着媒体を介して支持体を接着し、
前記第１の基板から前記剥離層及び前記被剥離体を物理的手段によって剥離した後、前記被剥離体を転写体に接着し、
前記被剥離体から前記支持体を剥離することを特徴とする積層体の剥離方法。
【請求項２】
第１の基板に剥離層を介して被剥離体を形成し、
前記被剥離体に剥離可能な粘着媒体を介して支持体を接着し、
前記第１の基板から前記剥離層及び前記被剥離体を物理的手段によって剥離した後、前記被剥離体を転写体に接着し、
前記被剥離体から前記支持体を剥離することを特徴とする積層体の剥離方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記転写体はプラスチックであることを特徴とする積層体の剥離方法。
【請求項４】
請求項１又は２において、前記転写体は可撓性を有することを特徴とする積層体の剥離方法。
【請求項５】
第１の基板に剥離層を介して被剥離体を形成し、
前記被剥離体に剥離可能な粘着媒体を介して支持体を接着し、
前記第１の基板から前記剥離層及び前記被剥離体を物理的手段によって剥離した後、前記被剥離体の一方に第１の転写体を接着し、
前記被剥離体から前記支持体を剥離した後、前記被剥離体の他方に第２の転写体を接着することを特徴とする積層体の剥離方法。
【請求項６】
請求項５において、前記第１の転写体はプラスチックであることを特徴とする積層体の剥離方法。
【請求項７】
請求項５において、前記第１の転写体は可撓性を有することを特徴とする積層体の剥離方法。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一において、前記第２の転写体はプラスチックであることを特徴とする積層体の剥離方法。
【請求項９】
請求項５乃至７のいずれか一において、前記第２の転写体は可撓性を有することを特徴とする積層体の剥離方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記被剥離体は前記剥離層に接する酸化物層を有し、前記剥離層は金属膜からなり、前記酸化物層は前記金属膜の元素を有する金属酸化物からなることを特徴とする積層体の剥離方法。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記被剥離体は前記剥離層に接する酸化物層を有し、前記酸化物層は、珪素酸化物からなる単層、又は前記珪素酸化物と金属膜の元素を有する金属酸化物との積層であることを特徴とする積層体の剥離方法。
【請求項１２】
請求項１０又は１１において、前記金属膜は、チタン、アルミニウム、タンタル、タングステン、モリブデン、銅、クロム、ネオジム、鉄、ニッケル、コバルト、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料からなる単層、又はこれらの積層を有することを特徴とする積層体の剥離方法。
【請求項１３】
請求項１乃至９のいずれか一において、前記剥離層は窒化物膜からなり、前記窒化物膜は、チタン、アルミニウム、タンタル、タングステン、モリブデン、銅、クロム、ネオジム、鉄、ニッケル、コバルト、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムから選ばれた元素窒化化合物からなる単層、又はこれらの積層を有することを特徴とする積層体の剥離方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一において、前記剥離可能な粘着媒体の粘着剤は熱により剥離する粘着剤であることを特徴とする積層体の剥離方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１３のいずれか一において、前記剥離可能な粘着媒体の粘着剤は紫外線により剥離する粘着剤であることを特徴とする積層体の剥離方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１３のいずれか一において、前記剥離可能な粘着媒体の一方の粘着剤は熱により剥離する粘着剤で、他方の粘着剤は紫外線により剥離する粘着剤であることを特徴とする積層体の剥離方法。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一において、前記剥離可能な粘着媒体は、両面テープであることを特徴とする積層体の剥離方法。
【請求項１８】
請求項１乃至１３のいずれか一において、前記剥離可能な粘着媒体の粘着剤はエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂であることを特徴とする積層体の剥離方法。
【請求項１９】
請求項１乃至１８のいずれか一において、前記被剥離体は、半導体素子を有し、前記半導体素子は、薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、薄膜ダイオード、光電変換素子、又は抵抗素子であることを特徴とする積層体の剥離方法。
【請求項２０】
第１の基板に剥離層を介して半導体素子を有する被剥離体を形成し、
前記被剥離体に剥離可能な粘着媒体を介して支持体を接着し、
前記第１の基板から前記剥離層及び前記被剥離体を剥離した後、前記被剥離体を転写体に接着し、
前記被剥離体から前記支持体を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
第１の基板に剥離層を介して半導体素子を有する被剥離体を形成し、
前記被剥離体に剥離可能な粘着媒体を介して支持体を接着し、
前記第１の基板から前記剥離層及び前記被剥離体を物理的手段によって剥離した後、前記被剥離体を転写体に接着し、
前記被剥離体から前記支持体を剥離することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項２０又は２１において、前記転写体はプラスチックであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項２０又は２１において、前記転写体は可撓性を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
第１の基板に剥離層を介して半導体素子を有する被剥離体を形成し、
前記被剥離体に剥離可能な粘着媒体を介して支持体を接着し、
前記第１の基板から前記剥離層及び前記被剥離体を物理的手段によって剥離した後、前記被剥離体の一方に第１の転写体を接着し、
前記被剥離体から前記支持体と前記剥離可能な粘着媒体を剥離した後、前記被剥離体の他方に第２の転写体を接着することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項２４において、前記第１の転写体はプラスチックであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項２４において、前記第１の転写体は可撓性を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２７】
請求項２４乃至２６において、前記第２の転写体はプラスチックであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２８】
請求項２４乃至２６において、前記第２の転写体は可撓性を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２９】
請求項２０乃至２８のいずれか一において、前記被剥離体は前記剥離層に接する酸化物層を有し、前記剥離層は金属膜からなり、前記酸化物層は前記金属膜の元素を有する金属酸化物からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３０】
請求項２０乃至２８のいずれか一において、前記被剥離体は前記剥離層に接する酸化物層を有し、前記酸化物層は、珪素酸化物からなる単層、又は前記珪素酸化物と金属膜の元素を有する金属酸化物との積層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３１】
請求項２９又は３０において、前記金属膜は、チタン、アルミニウム、タンタル、タングステン、モリブデン、銅、クロム、ネオジム、鉄、ニッケル、コバルト、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムから選ばれた元素、または前記元素を主成分とする合金材料からなる単層、又はこれらの積層を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３２】
請求項２０乃至２８のいずれか一において、前記剥離層は窒化物膜からなり、前記窒化物膜は、チタン、アルミニウム、タンタル、タングステン、モリブデン、銅、クロム、ネオジム、鉄、ニッケル、コバルト、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウムから選ばれた元素窒化化合物からなる単層、又はこれらの積層を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３３】
請求項２０乃至３２のいずれか一において、前記剥離可能な粘着媒体の粘着剤は熱により剥離する粘着剤であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３４】
請求項２０乃至３２のいずれか一において、前記剥離可能な粘着媒体の粘着剤は紫外線により剥離する粘着剤であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３５】
請求項２０乃至３２のいずれか一において、前記剥離可能な粘着媒体の一方の粘着剤は熱により剥離する粘着剤で、他方の粘着剤は紫外線により剥離する粘着剤であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３６】
請求項２０乃至３５のいずれか一において、前記剥離可能な粘着媒体は、両面テープであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３７】
請求項２０乃至３２のいずれか一において、前記剥離可能な粘着媒体の粘着剤はエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３８】
請求項２０乃至３７のいずれか一において、前記半導体素子は、薄膜トランジスタ、有機薄膜トランジスタ、薄膜ダイオード、光電変換素子、又は抵抗素子であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３９】
請求項２０乃至３８のいずれか一において、前記半導体装置はＣＰＵであることを特徴とする半導体装置の作製方法。