Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月12日(2021.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
触媒の種々の成分の全ての含有率、とりわけ、貴金属、スズ、リン、イッテルビウムおよびハロゲン化化合物の含有率は、はっきりと別途示されない限り、元素に対して表される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
担体が押出物状の形態にある場合、それらの調製は、アルミナゲルを水および適切な解膠剤、例えば、塩化水素酸または硝酸と、金属前駆体の場合による存在中で、押出可能なペーストが形成されるまで混ぜ合わせることによって行われてよい（せん断酸性混ぜ合わせ処理（shearing acidic blending））。得られたペースト状物は、適切なサイズのダイを通じて押し出されてよく、これにより、押出物が形成され、この押出物は、続いて、乾燥させられ、その後に、焼成される。押出に先行して、それは、ｐＨ中和剤、例えば、アンモニア溶液を加えることが必要である場合もある。一般に、押出物の径は、０．５〜５ｍｍであり、好ましくは、長さ−径の比は、１：１〜５：１である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０８】
こうして合成したベーマイトを用いて実施例１の担体を調製する。鉱物材料２５％（Ａｌ２Ｏ３の百分率として表される）を含有している懸濁液を調製する。この調製を、γ−アルミナ供給原料とベーマイト紛体とを、１５質量％のＨＮＯ３／Ａｌ２Ｏ３を含有している酸性化水溶液中で混合することによって行う。二塩化スズをこの懸濁液に加えて、最終固体上に０．３重量％のスズを得る。Ａｌ２Ｏ３の固体の部分を、ベーマイトで８８重量％の割合およびγ−アルミナ供給原料で１２重量％の割合で提供する。この懸濁液は、細孔形成剤および界面活性剤も含有している。細孔形成剤は、１０〜１２個の炭素原子を含有しているパラフィンの混合物を含んでいる有機相であり、その沸点は、約２９０℃であり、その密度は、０．７５ｇ／ｃｍ３である。界面活性剤は、Galoryl（登録商標）である。これらの化合物を、以下の割合で導入する：細孔形成剤／水の質量割合＝１．４％および界面活性剤／細孔形成剤の質量割合＝６％。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月11日(2021.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
緩いウェブ上にコーティングを付与する方法であって、
変形可能な外側層によって表面が被覆された変形可能な内側層を有するバックアップロールを供給することであって、前記変形可能な内側層が前記変形可能な外側層よりも柔軟であり、前記バックアップロールの前記変形可能な内側層が２０ショアＡ未満の硬度を有し、前記バックアップロールの前記変形可能な外側層が４０ショアＡ未満の硬度を有する、供給することと、
前記バックアップロールと接触するマイヤーロッドを供給することと、
前記バックアップロールと前記マイヤーロッドとの間に柔軟なウェブを配置することと、
前記柔軟なウェブを、前記バックアップロール及び前記マイヤーロッドのうちの少なくとも１つの周囲に巻き付けることと、
前記マイヤーロッド及び前記バックアップロールを互いに押し付けてそれらの間にニップを形成することであって、接触領域における前記マイヤーロッド及び前記柔軟なウェブが、機械方向ニップ幅Ｗ及びニップ係合深さＤで前記バックアップロールに押し込まれる、形成することと、
前記ニップの上流でコーティング材料を供給して、前記ニップの下流で前記ウェブの表面上にコーティングを形成することとを含み、前記バックアップロールが、約０．０５ｍｍ〜約１ｍｍのニップ係合Ｄの範囲にわたって平均化されたＳ係数を有する、方法。
【請求項２】
前記機械方向ニップ幅Ｗ又は前記ニップ係合深さＤが、前記マイヤーロッドと前記バックアップロールとの少なくとも一方を装着及び位置決め機構を介して移動させることによって、前記マイヤーロッドと前記バックアップロールのそれぞれの軸の間の相対距離を調節することによって調節される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
表面が変形可能な外側層によって被覆された変形可能な内側層を有するバックアップロールであって、前記変形可能な内側層が前記変形可能な外側層よりも柔軟であり、前記バックアップロールの前記変形可能な内側層が２０ショアＡ未満の硬度を有し、前記バックアップロールの前記変形可能な外側層が４０ショアＡ未満の硬度を有する、バックアップロールと、
前記バックアップロールと接触するマイヤーロッドと、
前記バックアップロールと前記マイヤーロッドとの間に配置され、前記バックアップロール及び前記マイヤーロッドのうちの少なくとも１つの周囲に巻き付く、柔軟なウェブと、
前記マイヤーロッド及び前記バックアップロールを互いに押し付けてそれらの間にニップを形成するように構成される１つ以上の機械的ホルダとを含み、
接触領域における前記マイヤーロッド及び前記柔軟なウェブが、機械方向ニップ幅Ｗ及びニップ係合深さＤで前記バックアップロールに押し込まれ、
前記バックアップロールが、約０．０５ｍｍ〜約１ｍｍの前記ニップ係合Ｄの範囲にわたって平均化されたＳ係数を有し、任意選択で約１０（１０６・Ｎ／ｍ５／２）未満、又は約５（１０６・Ｎ／ｍ５／２）未満である、コーティング装置。
【請求項４】
前記機械的ホルダが、前記マイヤーロッドのコーティング表面に触れることなく、前記マイヤーロッドの対向する端部に接続されている、請求項３に記載のコーティング装置。
【請求項５】
前記機械的ホルダが、前記機械方向ニップ幅Ｗ及び前記ニップ係合深さＤのうちの少なくとも１つを調節するために、前記マイヤーロッドと前記バックアップロールのそれぞれの軸の間の距離を制御するための位置決め機構を含む、請求項３に記載のコーティング装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月11日(2021.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層造形によって物理的オブジェクトを作製する方法であって、前記方法は、
（ａ）光硬化性一次材料を供給するステップであって、前記光硬化性一次材料が、液体又はペースト状である、ステップと、
（ｂ）前記光硬化性一次材料の一部を、前記一部に光を照射して、連続的に硬化させることによって、前記オブジェクトを構築するステップと、
（ｃ）前記オブジェクトの少なくとも一部を流動性コーティングでコーティングするステップと、
（ｄ）前記コーティングされたオブジェクトに光を照射し、それによって、任意の光硬化性一次材料を後硬化させるステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記オブジェクトを運動させ、それによって質量慣性力を前記コーティング中に発生させることによって、前記オブジェクトから前記コーティングをクリーニングするステップを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記オブジェクトを運動させ、それによって質量慣性力を過剰材料中に発生させることによって、前記オブジェクトから前記過剰材料をクリーニングするステップを更に含み、前記オブジェクトから過剰材料をクリーニングする前記ステップは、前記オブジェクトの前記少なくとも一部をコーティングでコーティングする前記ステップの前に実行され、前記過剰材料は、前記光硬化性一次材料及び光硬化性二次材料のうちの少なくとも１つによって形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記オブジェクトから前記コーティング又は過剰材料それぞれをクリーニングする前記ステップにおいて、前記オブジェクトを前記運動させることは、前記オブジェクトの回転である、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記回転は、少なくとも第１の回転軸及び第２の回転軸を中心として行われ、前記第１の回転軸及び前記第２の回転軸は、異なる向きを有する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記オブジェクトは、前記オブジェクトから歯科用修復材を提供するためのワークピースを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
少なくとも光硬化した材料で作製されたオブジェクトであって、５０重量％〜９ｓ９重量％のグリセロールと、１重量％〜４９重量％のヒュームドシリカと、を含む組成物で作製された流動性コーティングを含む、オブジェクト。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月10日(2021.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トレイと搬送ユニットとを備える自動搬送システムであって、前記搬送ユニットは、
（ｉ）前記搬送ユニットが１つまたは複数のアイテムを持ち上げるために前記トレイの少なくとも１つのスロットを介して拡張されるときに前記トレイの上の前記１つまたは複数のアイテムを支持し、
（ｉｉ）前記トレイに近接して配置された支持体にまたは支持体に向けて前記１つまたは複数のアイテムを搬送し、前記１つまたは複数のアイテムは搬送中に前記搬送ユニット上に置かれ、および  
（ｉｉｉ）前記１つまたは複数のアイテムのうち少なくとも１つのアイテムを前記搬送ユニットから前記支持体にまたは前記支持体に向けて搬送する、
ように構成される、
自動搬送システム。
【請求項２】
前記搬送ユニットは、
（ａ）前記トレイから前記１つまたは複数のアイテムを持ち上げるために第１方向に移動し、
（ｂ）前記１つまたは複数のアイテムを前記支持体にまたは前記支持体に向けて搬送するために第２方向に移動し、
前記第２方向は前記第１方向とは異なる、
ように構成されている請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記支持体は、包装ユニットを備える、
請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記搬送ユニットは、
前記少なくとも１つのアイテムが前記支持体上に置かれるように、前記少なくとも１つのアイテムを前記支持体上に搬送する
ように構成されている請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記トレイは、
前記１つまたは複数のアイテムを支持するように構成され、
前記１つまたは複数のアイテムは、
前記１つまたは複数のアイテムが前記トレイの上で前記搬送ユニットによって支持されているとき、前記トレイと接触していない、
請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記少なくとも１つのアイテムは、
前記少なくとも１つのアイテムを手動で配置しない場合に、重力の影響下で前記支持体の中または前記支持体の上に搬送される、
請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記搬送ユニットは、
前記トレイの上から前記少なくとも１つのアイテムを持ち上げる、摘む、掴むまたは把持することがない場合に、前記少なくとも１つのアイテムを前記支持体の中または前記支持体の上に搬送する、
ように構成されている請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記搬送ユニットは、
１つまたは複数のレールを含むコンベアを備え、
前記１つまたは複数のレールは、
前記トレイの前記少なくとも１つのスロットを通って延び且つ前記１つまたは複数のアイテムを持ち上げて支持する、
ように構成されている請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記トレイの上の１つまたは複数の他のアイテムを前記支持体にまたは前記支持体に向かって搬送するように構成された追加の搬送ユニットをさらに備える、
請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記少なくとも１つのスロットは、
前記トレイが前記１つまたは複数のアイテムを支持しているときに、前記１つまたは複数のアイテムが前記少なくとも１つのスロットを通過または落下することを防止する大きさまたは形状である、
請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記トレイは、
前記１つまたは複数のアイテムを支持するように構成された溝を備え、
前記１つまたは複数のアイテムは、
前記１つまたは複数のアイテムが前記トレイの上の前記搬送ユニットによって支持されているときに前記溝と接触しない、
請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記搬送ユニットは、
前記搬送ユニットが前記１つまたは複数のアイテムを支持するように、前記トレイから離れる方向に沿って延びる、
ように構成されている請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記搬送ユニットは、
前記トレイから離れる方向に沿って前記１つまたは複数の他のアイテムを持ち上げるために、前記トレイの少なくとも１つの他のスロットを通って延びる、
ように構成されている請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
（ｉ）において、前記搬送ユニットは、第１方向に前記少なくとも１つのスロットを通って延びるように構成され、
（ｉｉ）において、前記搬送ユニットは、前記第１方向とは異なる第２方向に前記１つまたは複数のアイテムを搬送する、
ように構成される請求項１に記載のシステム。
【請求項１５】
前記第１方向は、
前記トレイの平面に対して実質的に垂直であり、
前記第２方向は、
前記平面に対して実質的に水平である、
請求項１４に記載のシステム。
【請求項１６】
前記トレイまたは前記搬送ユニットは、
前記トレイが前記搬送ユニットに隣接または整列して配置されるように自動的に移動する、
ように構成されている請求項１に記載のシステム。
【請求項１７】
前記搬送ユニットは、
前記支持体の中または前記支持体の上の所定の位置に前記少なくとも１つのアイテムを搬送する、
ように構成されている請求項１に記載のシステム。
【請求項１８】
前記支持体の中または上に搬送される前記１つまたは複数のアイテムの量を制御するように構成されたコントローラをさらに備える、
請求項１に記載のシステム。
【請求項１９】
前記コントローラは、
（ｉ）前記少なくとも１つのアイテムが前記支持体の中にまたは前記支持体の上に搬送された後のアイテムの在庫、または
（ｉｉ）前記少なくとも１つのアイテムが前記支持体の中にまたは前記支持体の上に搬送された後の前記トレイ上の少なくとも１つの場所の利用可能性、
を自動的に更新する、
ようにさらに構成される請求項１８に記載のシステム。
【請求項２０】
前記コントローラは、
前記少なくとも１つのアイテムが、前記支持体の中にまたは前記支持体の上に、適切に搬送されたことを検証する、
ようにさらに構成される請求項１８に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月22日(2021.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一重項酸素発生部を有し、光照射時に一重項酸素種を発生するコア、および
前記コアに共有結合した複数のポリカーボネート・アームを含み、
前記複数のポリカーボネート・アームは、分解可能であり、カチオンを含み、抗菌機能を有する、ポリマー。
【請求項２】
前記コアが、ポルフィリン、フタロシアニン、フェノチアジン、キサンテンおよびキノンからなる群から選択される分子から誘導される、請求項１に記載のポリマー。
【請求項３】
４つのポリカーボネート・アームを含む、請求項１に記載のポリマー。
【請求項４】
前記カチオンが、プロトン化第一級アミンカチオン、プロトン化第二級アミンカチオン、プロトン化第三級アミンカチオン、第四級アンモニウムカチオン、イミダゾリウムカチオン、プロトン化第一級ホスフィンカチオン、プロトン化第二級ホスフィンカチオン、プロトン化第三級ホスフィンカチオンおよび第四級ホスホニウムカチオンからなる群から選択される、請求項１に記載のポリマー。
【請求項５】
前記複数のポリカーボネート・アームが、疎水性基をさらに含む、請求項４に記載のポリマー。
【請求項６】
前記複数のポリカーボネート・アームが、次式：
【化１】
2021504509.tif 000001
により特徴付けられる構造を有し、
式中、Ｘが、前記コアへの結合を表し、Ｒが、窒素カチオンおよびリンカチオンからなる第１の群から選択される前記カチオンを表し、Ｈが、水素および前記ポリマーの架橋を促進する第２の官能基からなる第２の群から選択され、ｎが、５以上および１０００以下の整数である、請求項１または２に記載のポリマー。
【請求項７】
前記コアが、次式：
【化２】
2021504509.tif 000002
により特徴付けられる第２の構造を有し、
式中、Ｌが、エーテル基を含む連結基を表し、Ａが、前記複数のポリカーボネート・アームからの１つのポリカーボネート・アームを表す、請求項１、２または６のいずれかに記載のポリマー。
【請求項８】
前記ポリマーが、次式：
【化３】
2021504509.tif 000003
により特徴付けられる構造を有し、
式中、ｎが、５以上および１０００以下の整数であり、Ｈが、水素および前記ポリマーの架橋を促進する第２の官能基からなる群から選択される、請求項１に記載のポリマー。
【請求項９】
複数のカーボネートを、光の照射に応答して一重項酸素種を発生する一重項酸素発生コアと重合することにより複数の分解性ポリカーボネート・アームを形成すること、および
官能基を、前記複数の分解性ポリカーボネート・アームからの１つの分解性ポリカーボネート・アームと共有結合することにより、カチオン性部分を生成すること
を含む方法。
【請求項１０】
前記官能基が、アミン、ホスフィンおよびイミダゾールからなる群から選択される化学構造を含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記生成することが、アセチル基の存在下で前記官能基を前記分解性ポリカーボネート・アームに結合することを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記分解性ポリカーボネート・アームが、次式：
【化４】
2021504509.tif 000004
により特徴付けられる構造を有し、
式中、Ｘが、前記一重項酸素発生コアへの結合を表し、Ｒが、前記カチオン性部分を表し、ｎが、５以上および１０００以下の整数であり、Ｈが、水素および前記分解性ポリカーボネート・アームの架橋を促進する第２の官能基からなる第２の群から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
一重項酸素発生分子を第１の官能基と重合することにより前記一重項酸素発生コアを調製することをさらに含み、前記一重項酸素発生分子が、ポルフィリン、フタロシアニン、フェノチアジン、キサンテンおよびキノンからなる第３の群から選択される、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の官能基が、アルコール基であり、調製した前記一重項酸素発生コアが、ヒドロキシル基を含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
溶媒、および
請求項１または２に記載のポリマーを含み、
前記ポリマーは、前記膜形成用組成物の５重量％以上および前記膜形成用組成物の２０重量％以下を構成し、前記溶媒に分散している、膜形成用組成物。
【請求項１６】
表面処理された物品を形成する方法であって、
前記物品の表面上に、請求項１５に記載の膜形成用組成物を配置すること、および
前記物品の前記表面から前記溶媒を除去すること
を含む方法。
【請求項１７】
病原体を死滅させる方法であって、
前記病原体を、請求項１または２に記載のポリマーに接触させることにより、前記病原体の膜を静電的に破壊すること
を含む方法。
【請求項１８】
前記ポリマーに前記光を照射すること、および
前記コアを介して前記一重項酸素種を発生すること
をさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記病原体が、グラム陰性細菌、グラム陽性細菌、真菌および酵母からなる群から選択される、請求項１７または１８に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】抗菌性ポリマーおよびその生成方法、膜形成組成物、並びに、表面処理された物品の形成方法
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月11日(2021.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）（メタ）アクリル系ポリマー、
ｂ）（メタ）アクリル系モノマー、および
ｃ）金属酸化物または金属水酸化物から選択される熟成剤
を含む液体組成物であって、
前記（メタ）アクリル系ポリマーがカルボン酸官能基を有するモノマーを含み、および／または前記（メタ）アクリル系モノマーがカルボン酸官能基を有し、
前記液体組成物の動粘度が、２５℃で１０ｍＰａ．ｓ〜１００００ｍＰａ．ｓである、
液体組成物。
【請求項２】
（メタ）アクリル系モノマーがカルボン酸官能基を有し、（メタ）アクリル系ポリマーがカルボン酸官能基を有するモノマーを含むことを特徴とする、請求項１に記載の液体組成物。
【請求項３】
少なくとも０．１重量％の、カルボン酸官能基を有する（メタ）アクリル系モノマーを含むことを特徴とする、請求項１または２に記載の液体組成物。
【請求項４】
（メタ）アクリル系ポリマーが、少なくとも１重量％の、カルボン酸官能基を有するモノマーを含むことを特徴とする、請求項１から３のいずれか一項に記載の液体組成物。
【請求項５】
（メタ）アクリル系ポリマーが、ブロックコポリマーであることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の液体組成物。
【請求項６】
（メタ）アクリル系ポリマーが、（メタ）アクリル系モノマーおよび（メタ）アクリル系ポリマーからなる組成物の１０重量％から６０重量％の間の割合で存在することを特徴とする、請求項１から５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項７】
熟成剤が、ＭｇＯ、Ｍｇ（ＯＨ）２、ＣａＯ、Ｃａ（ＯＨ）２、またはＺｎＯから選択されることを特徴とする、請求項１から６のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項８】
少なくとも１重量％の熟成剤を含むことを特徴とする、請求項１から７のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項９】
ａ）１０重量％〜６０重量％の（メタ）アクリル系ポリマー、
ｂ）少なくとも０．１重量％の、カルボン酸官能基を有する（メタ）アクリル系モノマーを含む、４０重量％〜９０重量％の（メタ）アクリル系モノマー、および
ｃ）０．５ｐｈｒ〜１０ｐｈｒの熟成剤
を含むことを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１０】
ａ）１０重量％〜６０重量％の（メタ）アクリル系ポリマーであって、前記（メタ）アクリル系ポリマーが、少なくとも１重量％の、カルボン酸官能基を有するモノマーを含む、（メタ）アクリル系ポリマー、
ｂ）４０重量％〜９０重量％の（メタ）アクリル系モノマー、および
ｃ）０．５重量ｐｈｒ〜１０重量ｐｈｒの熟成剤
を含むことを特徴とする、請求項１から８のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１１】
少なくとも１種の開始剤をさらに含むことを特徴とする、請求項１から１０のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１２】
少なくとも２種の開始剤を含み、２種の開始剤が所定温度で異なる半減期を有することを特徴とする、請求項１から１１のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一項に記載の液体組成物を調製するための方法であって、
ｉ）（メタ）アクリル系ポリマーおよび（メタ）アクリル系モノマーの混合物を調製する工程であり、前記（メタ）アクリル系ポリマーが、カルボン酸官能基を有するモノマーを含み、および／または前記（メタ）アクリル系モノマーが、カルボン酸官能基を有する、工程と、
ｉｉ）金属酸化物または金属水酸化物から選択される熟成剤を、前工程で調製した混合物に添加する工程と
を含む調製方法。
【請求項１４】
予備含浸繊維材料を製造するための方法であって、請求項１から１２のいずれか一項に記載の液体組成物を繊維強化材に含浸させる工程を含む方法。
【請求項１５】
繊維強化材が、３ｍｍから１００ｍｍの間の長さを有する短繊維から構成されることを特徴とする、請求項１４に記載の予備含浸繊維材料を製造するための方法。
【請求項１６】
繊維強化材が長繊維から構成され、前記長繊維のアスペクト比が少なくとも１０００であることを特徴とする、請求項１４に記載の予備含浸繊維材料を製造するための方法。
【請求項１７】
繊維強化材が、短繊維および長繊維の混合物から構成されることを特徴とする、請求項１４に記載の予備含浸繊維材料を製造するための方法。
【請求項１８】
繊維強化材に予備含浸させる請求項１から１２のいずれか一項に記載の液体組成物を含む、予備含浸繊維材料。
【請求項１９】
請求項１８に記載の予備含浸繊維材料からまたは請求項１３から１７のいずれか一項に記載の方法により調製される予備含浸繊維材料から複合材料部品を製造するための方法であって、
−  予備含浸繊維材料を付形する工程と、
−  前記繊維強化材に含浸させる液体組成物を重合させる工程と
を含む、複合材料部品を製造するための方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の製造方法により得られる複合材料部品。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月8日(2021.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スガマデクスまたはその塩、好ましくはスガマデクスナトリウムを調製する方法であって、
ａ）式（ＩＩＩ）の３−メルカプトプロピオン酸を
【化１】
2021504505.tif 000001
イオン性塩基と反応させて、式（ＩＶ）のモノ塩を得る工程と、
【化２】
2021504505.tif 000002
（式中、Ｍはアルカリ金属である）
ｂ）前記式（ＩＶ）のモノ塩を単離する工程と、
ｃ）イオン性塩基の存在下で、前記式（ＩＶ）のモノ塩を式（ＩＩ）の化合物またはその水和物もしくは溶媒和物と反応させる工程と
【化３】
2021504505.tif 000003
（式中、ＸはＣｌ、Ｂｒ、Ｉ、またはＯＳＯ２Ｒであり、Ｒは、場合によりＦ、Ｃｌ、ＢｒまたはＩで置換されていてもよいＣ１〜Ｃ４アルキル、フェニルまたはＣ１〜Ｃ４アルキルフェニルである）
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記式（ＩＶ）のモノ塩は、式（ＩＶ−Ａ）のモノナトリウム塩である、請求項１に記載の方法。
【化４】
2021504505.tif 000004
【請求項３】
前記式（ＩＶ−Ａ）のモノナトリウム塩は、２シータ（２θ）：６．１および２４．９±０．２°においてピークを含み、好ましくは２シータ（２θ）：６．１、６．６、２４．９、２７．６、３０．２、３０．７および３７．７±０．２°においてピークを含む粉末Ｘ線回折（ＸＲＰＤ）パターンを有することを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
工程ａ）および工程ｃ）の前記イオン性塩基は、ナトリウムイオン性塩基、好ましくは、ナトリウムアミド、水素化ナトリウム、ナトリウムアルコキシド、水酸化ナトリウムおよび／またはそれらの混合物を含む群から選択されるものである、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
工程ａ）および工程ｃ）の前記イオン性塩基は、固体形態の水酸化ナトリウムである、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
工程ａ）は、アルコール溶媒、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノールまたはそれらの混合物中で、好ましくはイソプロパノール中で行われ、工程ｃ）はＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドおよびメタノールの混合物中で行われる、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
工程ｃ）は９５℃〜１１０℃の温度で行われる、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
工程ｃ）は、９５〜１００℃で４〜８時間、続いて１０５〜１１０℃で８〜１２時間行われる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記式（ＩＩ）の化合物またはその水和物もしくは溶媒和物は、６−ペル−デオキシ−６−ペル−クロロ−γ−シクロデキストリン、６−ペル−デオキシ−６−ペル−ブロモ−γ−シクロデキストリン、および６−ペル−デオキシ−６−ペル−ヨード−γ−シクロデキストリン、またはそれらの水和物もしくは溶媒和物からなる群から選択されるものである、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記式（ＩＩ）の化合物またはその水和物もしくは溶媒和物は、式（ＩＩ−Ａ）の化合物である６−ペル−デオキシ−６−ペル−クロロ−γ−シクロデキストリン
【化５】
2021504505.tif 000005
またはその水和物もしくは溶媒和物である、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記式（ＩＩ−Ａ）の化合物またはその水和物もしくは溶媒和物は、
ａ）スルホニルクロリドを第三級アミド化合物と反応させてビルスマイヤー試薬を形成する工程と；
ｂ）前記ビルスマイヤー試薬をγ−シクロデキストリンと反応させる工程と
を含む方法によって調製される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記スルホニルクロリドはメタンスルホニルクロリドであり、前記第三級アミド化合物はＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
工程（ｂ）の前記ビルスマイヤー試薬とγ−シクロデキストリンとの反応は、ハロゲン化塩の存在下で行われ、前記ハロゲン化塩は、塩化リチウム、塩化ナトリウム、塩化カリウム、塩化セシウム、塩化マグネシウム、塩化カルシウム、第四級塩化アンモニウム、および／またはそれらの混合物を含む群から選択される塩化物塩である、請求項１１または１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記塩化物塩は塩化リチウムである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
水と、メタノールまたはエタノールと、場合によりヘプタンとの混合物中での再結晶化または懸濁化による、スガマデクスまたはその塩、好ましくはスガマデクスナトリウムの精製工程をさらに含む、請求項１から１４のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月12日(2021.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ナフサタイプの炭化水素供給原料からＣ６−Ｃ７の芳香族化合物を製造する方法であって、以下の段階：
ａ）  前記供給原料（１）を、第１の分画ユニット（２）に送り、Ｃ６およびＣ７の炭化水素化合物を主として含んでいる上部流れ（３）と、Ｃ８〜Ｃ１０の炭化水素化合物を主として含んでいる下部流れ（４）とを得る段階；
ｂ）  上部流れ（３）および段階ｅ）の終結の際に得られたＣ６−Ｃ７の芳香族化合物を主として含んでいる流れ（１２）を、芳香族化合物の抽出のためのユニット（５）に送り、芳香族化合物ベース（６）と、液体流出物（７）とを得る段階；
ｃ）  液体流出物（７）を、第１の接触改質ユニット（８）に送り、第１のリフォメート流出物（９）を得る段階；
ｄ）  前記第１のリフォメート流出物（９）を、リフォメート分離セクション（１０）に送り、Ｃ５の炭化水素化合物を主として含んでいる第１の流れ（１１）と、Ｃ６およびＣ７の芳香族化合物を主として含んでいる第２の流れ（１２）とを得る段階；
ｅ）  Ｃ６およびＣ７の芳香族化合物を主として含んでいる第２の流れ（１５）を、少なくとも一部において、段階ｂ）に再循環させる段階
を含む、方法。
【請求項２】
第１の接触改質ユニットにおける液体流出物の接触改質を行う際の温度は、４００℃〜６００℃であり、圧力は、０．１〜３ＭＰａであり、水素対液体流出物の炭化水素のモル比は、０．８〜８ｍｏｌ／ｍｏｌであり、触媒の重量の単位当たりかつ時間当たりの処理されるべき流れの重量による流量は、１〜１０ｈ−１である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
Ｃ８〜Ｃ１０の炭化水素化合物を主として含んでいる下部流れ（４）を、第２の接触改質ユニット（１６）に送り、第２のリフォメート流出物（１７）を得る、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
第２の接触改質ユニットにおいて下部流れ（４）の接触改質を行う際の温度は、４００℃〜６００℃であり、圧力は、０．１〜３ＭＰａであり、水素対下部流れの炭化水素のモル比は、０．８〜８ｍｏｌ／ｍｏｌであり、触媒の重量の単位当たりかつ時間当たりの処理されるべき流れの重量による流量は、０．１〜１０ｈ−１である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第２のリフォメート流出物（１７）を、前記第１のリフォメート流出物（９）と一緒に前記リフォメート分離セクション（１０）に送る、請求項３または４に記載の方法。
【請求項６】
段階ａ）とｂ）との間に、上部流れ（３）の水素化脱硫の段階を水素化処理ユニット（１３）において行う、請求項１〜５のいずれか１つに記載の方法。
【請求項７】
下部流れ（４）の水素化脱硫の段階を、第２の接触改質反応器（１６）の上流に置かれた水素化処理ユニット（１３）において行う、請求項３〜６のいずれか１つに記載の方法。
【請求項８】
第１の接触改質ユニットが含んでいる触媒は、単独でまたは混合物として利用される白金、亜鉛またはモリブデンから選ばれる少なくとも１種の金属を含む活性相と、ゼオライトＬ、ゼオライトＸ、ゼオライトＹまたはゼオライトＺＳＭ−５から選ばれるゼオライトを含む担体と、場合による、アルミノケイ酸塩、アルミナ、シリカ、粘土または炭化ケイ素から選ばれるバインダとを含んでいる、請求項１〜７のいずれか１つに記載の方法。
【請求項９】
触媒が含んでいる活性相は、白金を含んでいる、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ゼオライトは、ゼオライトＬである、請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】
前記バインダは、シリカである、請求項８〜１０のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１２】
触媒は、少なくとも１種のドーピング金属をさらに含んでおり、該ドーピング金属は、ガリウム、金、ニッケル、レニウム、バリウム、銀、鉄、ビスマス、インジウム、イットリウム、セリウム、ジスプロシウムおよびイッテルビウムによって形成される群から選ばれ、これらは、単独でまたは混合物として利用される、請求項８〜１１のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１３】
触媒は、塩素またはフッ素から選ばれる少なくとも１種のハロゲンをさらに含んでいる、請求項８〜１２のいずれか１つに記載の方法。
【請求項１４】
第２の接触改質ユニットが含んでいる触媒は、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、イリジウムまたは白金から選ばれる少なくとも１種の金属、レニウム、スズ、ゲルマニウム、コバルト、ニッケル、イリジウム、ロジウムまたはルテニウムから選ばれる少なくとも１種のプロモータを含む活性相と、アルミナ、シリカ／アルミナまたはシリカをベースとする担体とを含んでいる、請求項３〜１３のいずれか１つに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月24日(2020.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容量結合デバイス（超電導Ｃカプラ）であって、
基板の後面から、前記基板の前面の製造平面に対して実質的に直角に基板内に延び、前記基板の厚さよりも浅い前記基板内の１つの深さまで達するトレンチと、
前記トレンチの中にバイア層として堆積させた超電導材料と
を備え、前記トレンチの中の前記バイア層の表面間の空間が前記後面からアクセス可能なままであり、前記容量結合デバイス（超電導Ｃカプラ）がさらに、
前記前面の超電導パッドであり、前記前面に製造された量子論理回路要素と結合する前記超電導パッドと、
前記後面の前記バイア層の延長部分であり、前記後面に製造された量子読出し回路要素に結合する前記延長部分と
を備える容量結合デバイス（超電導Ｃカプラ）。
【請求項２】
前記バイア層の前記表面間の前記空間に前記後面から充填された誘電体材料
をさらに備える、請求項１に記載の超電導Ｃカプラ。
【請求項３】
前記誘電体材料が酸化シリコン（ＳｉＯ２）である、請求項２に記載の超電導Ｃカプラ。
【請求項４】
前記誘電体材料が除去され、前記空間が空気によって占められるように、前記誘電体材料がエッチングされた、
請求項２に記載の超電導Ｃカプラ。
【請求項５】
前記前面に第２の超電導材料の層を堆積させ、
前記第２の超電導材料の前記層をマスキングおよびエッチングして、前記前面に前記超電導パッドを形成した、
請求項１に記載の超電導Ｃカプラ。
【請求項６】
前記トレンチを形成する前に前記第２の超電導材料の前記層を堆積させ、
前記第２の超電導材料の前記層が犠牲層によって保護された、
請求項５に記載の超電導Ｃカプラ。
【請求項７】
前記バイア層の前記延長部分が前記量子読出し回路要素に電気的に結合された、請求項１に記載の超電導Ｃカプラ。
【請求項８】
前記バイア層の前記延長部分が前記量子読出し回路要素に直接に電気的に結合された、請求項１に記載の超電導Ｃカプラ。
【請求項９】
前記バイア層の前記延長部分が前記後面の第２の超電導パッドに電気的に結合されており、前記第２の超電導パッドが前記量子読出し回路要素に結合する、請求項１に記載の超電導Ｃカプラ。
【請求項１０】
前記量子読出し回路要素が回路の接地面を含み、前記Ｃカプラがさらに、前記回路に結合する他のＣカプラの接地遮蔽として機能する、請求項１に記載の超電導Ｃカプラ。
【請求項１１】
方法であって、
基板の後面から、前記基板の前面の製造平面に対して実質的に直角に基板内に延び、前記基板の厚さよりも浅い前記基板内の１つの深さまで達するトレンチを、容量結合デバイス（超電導Ｃカプラ）内に形成すること、および
前記トレンチの中に超電導材料をバイア層として堆積させること
を含み、前記トレンチの中の前記バイア層の表面間の空間が前記後面からアクセス可能なままであり、前記方法がさらに、
前記前面に製造された量子論理回路要素と結合する超電導パッドを、前記前面に形成すること、および
前記後面に製造された量子読出し回路要素に結合する前記バイア層の延長部分を、前記後面に形成すること
を含む方法。
【請求項１２】
リソグラフィ構成要素を備える超電導体製造システムであって、超電導デバイスを製造するように動作させたときに、前記超電導体製造システムが、
基板の後面から、前記基板の前面の製造平面に対して実質的に直角に基板内に延び、前記基板の厚さよりも浅い前記基板内の１つの深さまで達するトレンチを、容量結合デバイス（超電導Ｃカプラ）内に形成すること、および
前記トレンチの中に超電導材料をバイア層として堆積させること
を含み、前記トレンチの中の前記バイア層の表面間の空間が前記後面からアクセス可能なままであり、前記超電導体製造システムがさらに、
前記前面に製造された量子論理回路要素と結合する超電導パッドを、前記前面に形成すること、および
前記後面に製造された量子読出し回路要素に結合する前記バイア層の延長部分を、前記後面に形成すること
を含む動作を実行する、超電導体製造システム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月28日(2020.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
順次積層設置された基板、有機発光構造、第１の電極、光抽出層、保護層、およびフィルムパッケージ層を備え、
前記フィルムパッケージ層は、前記有機発光構造、前記第１の電極、前記光抽出層および前記保護層を被覆し、前記光抽出層は、前記保護層と前記第１の電極との間に位置し、前記保護層と前記第１の電極とを完全に隔離する、ことを特徴とする表示パネル。
【請求項２】
前記基板表面に平行な方向に沿い、前記光抽出層の縁から前記フィルムパッケージ層の縁までの距離は第１の距離であり、前記第１の電極の縁から前記フィルムパッケージ層の縁までの距離は第２の距離であり、前記保護層の縁から前記フィルムパッケージ層の縁までの距離は第３の距離であり、前記第１の距離は前記第２の距離以下である、ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項３】
前記第３の距離は前記第１の距離に等しく、
または、前記第３の距離は前記第２の距離に等しく、
または、前記第１の距離は、前記第２の距離、前記第３の距離に等しく、
または、前記第３の距離は前記第１の距離よりも小さく、且つ前記第１の距離は前記第２の距離よりも小さく、
または、前記第１の距離は前記第２の距離よりも小さく、且つ前記第３の距離は前記第１の距離よりも大きく第２の距離よりも小さく、
または、前記第１の距離は前記第２の距離に等しく、且つ前記第３の距離は前記第１の距離よりも小さい、ことを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
【請求項４】
前記第１の距離、前記第２の距離および前記第３の距離のうちの最小の距離は１００μｍ以上５００μｍ以下であることと、
前記第１の距離、前記第２の距離および前記第３の距離のうちの最大の距離は１ｍｍ以下であることと、
を満たす、ことを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
【請求項５】
前記第２の距離と前記第１の距離との差は９００μｍ以下である、ことを特徴とする請求項２に記載の表示パネル。
【請求項６】
前記第２の距離と前記第１の距離との差は２００μｍ以下である、ことを特徴とする請求項５に記載の表示パネル。
【請求項７】
前記保護層に用いられる材料はフッ化リチウムである、ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項８】
前記第１の電極の光透過率は８０％よりも大きく、前記第１の電極の材料は、マグネシウム−銀混合物、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、銀がドープされた酸化インジウムスズ又は銀がドープされた酸化インジウム亜鉛である、ことを特徴とする請求項１に記載の表示パネル。
【請求項９】
前記表示パネルは、トップエミッションのアクティブマトリックス有機発光ダイオードＡＭＯＬＥＤ表示パネルであり、前記第１の電極は陰極であり、
或いは、
前記表示パネルは、ボトムエミッションのＡＭＯＬＥＤ表示パネルであり、
或いは、
前記表示パネルは、パッシブ有機発光ダイオードＰＭＯＬＥＤ表示パネルであり、前記第１の電極はストライプ状陰極であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の表示パネル。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月16日(2021.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セルレイアウトであって、
第１金属層内の１つ以上の入力ノードと、
前記第１金属層内の１つ以上の出力ノードと、
第２金属層内の第１方向のみにルーティングされた前記第１金属層の下方の前記第２金属層内の１つ以上の電力基準ピンであって、前記第２金属層は、前記第１方向のみのローカル相互接続のために使用される、１つ以上の電力基準ピンと、
前記第２金属層内の前記１つ以上の電力基準ピンの電源ポストであって、前記電源ポストは、前記セルレイアウトの境界エッジまでルーティングされていない少なくとも１つの端部を有し、上方の金属層へのビアを含まない、電源ポストと、を備える、
セルレイアウト。
【請求項２】
前記電源ポストの１つの端部は、前記第２金属層内で前記セルレイアウトの境界エッジまでルーティングされている、
請求項１のセルレイアウト。
【請求項３】
前記電源ポストの１つの端部は、前記第２金属層において、隣接セルの電源ポストに接合することによって接続されており、前記電源ポストの他の端部は、隣接セルの電源ポストに接合することによって接続されていない、
請求項１のセルレイアウト。
【請求項４】
前記１つ以上の入力ノードと、前記１つ以上の出力ノードと、電源接続及び接地接続と、の合計よりも少ない数の金属ゲートをさらに備える、
請求項１のセルレイアウト。
【請求項５】
前記電源ポストを含む第２電源トラックよりも前記セルレイアウトの上部又は底部に近い第１電源トラックをさらに備え、前記第１電源トラックは、前記第２電源トラックに加えて電源接続に利用可能である、
請求項１のセルレイアウト。
【請求項６】
第２金属層内の第１方向のみにルーティングされた前記第２金属層内の１つ以上の接地基準ピンと、
前記１つ以上の接地基準ピンの接地基準ポストと、をさらに備え、
前記接地基準ポストは、前記セルレイアウトの境界エッジまでルーティングされていない少なくとも１つの端部を有し、上方の金属層へのビアを含まない、
請求項１のセルレイアウト。
【請求項７】
前記接地基準ポストの１つの端部は、前記第２金属層内で前記セルレイアウトの境界エッジまでルーティングされている、
請求項６のセルレイアウト。
【請求項８】
前記第１金属層は、前記第１方向とは異なる第２方向のみの相互接続に使用される金属層である、
請求項１のセルレイアウト。
【請求項９】
セルの第１金属層において１つ以上の入力ノードを形成することと、
前記セルの前記第１金属層において１つ以上の出力ノードを形成することと、
第２金属層内の第１方向のみにルーティングされた前記第１金属層の下方の前記第２金属層内の１つ以上の電力基準ピンを形成することであって、前記第２金属層は、前記第１方向のみのローカル相互接続のために使用される、ことと、
前記第２金属層内の前記１つ以上の電力基準ピンの電源ポストを形成することであって、前記電源ポストは、前記セルレイアウトの境界エッジまでルーティングされていない少なくとも１つの端部を有し、上方の金属層へのビアを含まない、ことと、を含む、
方法。
【請求項１０】
前記第２金属層内の前記電源ポストの１つの端部を前記セルレイアウトの境界エッジまでルーティングすることをさらに含む、
請求項９の方法。
【請求項１１】
前記第２金属層内の前記電源ポストの１つの端部を、接合することによって隣接セルの電源ポストに接続し、前記電源ポストの他の端部を、接合することによって隣接セルの電源ポストに接続しないことをさらに含む、
請求項９の方法。
【請求項１２】
前記１つ以上の入力ノードと、前記１つ以上の出力ノードと、電源接続及び接地接続と、の合計に満たない数の金属ゲートを前記セルに配置することをさらに含む、
請求項９の方法。
【請求項１３】
前記電源ポストを含む第２電源トラックよりも前記セルレイアウトの上部又は底部に近い第１電源トラックにおいて前記電源ポストをすることをさらに含み、
前記第１電源トラックは、前記第２電源トラックに加えて電源接続に利用可能である、
請求項９の方法。
【請求項１４】
前記第２金属層内の前記第１方向のみにルーティングされた前記第２金属層内の１つ以上の接地基準ピンを形成することと、
前記１つ以上の接地基準ピンの接地基準ポストを前記第２金属層に形成することと、をさらに含み、
前記接地基準ポストは、前記セルレイアウトの境界エッジまでルーティングされていない少なくとも１つの端部を有し、上方の金属層へのビアを含まない、
請求項９の方法。
【請求項１５】
前記接地基準ポストの１つの端部を、前記第２金属層内で前記セルレイアウトの境界エッジまでルーティングすることをさらに含む、
請求項１４の方法。
【請求項１６】
前記第１金属層は、前記第１方向とは異なる第２方向のみの相互接続に使用される金属層である、
請求項９に記載の方法。
【請求項１７】
半導体集積回路であって、
第１機能を提供するように構成された第１セルと、
前記第１セルに隣接する第２セルであって、第２機能を提供するように構成された第２セルと、
第２金属層内の第１方向のみにルーティングされた第１金属層の下方の前記第２金属層内の１つ以上の電力基準ピンであって、前記第２金属層は、前記第１方向のみのローカル相互接続のために使用される、１つ以上の電力基準ピンと、
前記第２金属層内の前記１つ以上の電力基準ピンの電源ポストであって、前記電源ポストは、前記第１セルの境界エッジまでルーティングされていない少なくとも１つの端部を有し、上方の金属層へのビアを含まない、電源ポストと、を備える、
半導体集積回路。
【請求項１８】
前記電源ポストの１つの端部は、前記第２金属層内で前記第１セルの境界エッジまでルーティングされている、
請求項１７の半導体集積回路。
【請求項１９】
第３機能を提供するように構成された第３セルをさらに備え、
前記電源ポストの１つの端部は、前記第２金属層において、隣接する前記第２セルの電源ポストに接合することによって接続されており、前記電源ポストの他の端部は、隣接する前記第３セルの電源ポストに接合することによって接続されていない、
請求項１７の半導体集積回路。
【請求項２０】
前記第１セルは、前記１つ以上の入力ノードと、前記１つ以上の出力ノードと、電源接続及び接地接続と、の合計よりも少ない数の金属ゲートを備える、
請求項１７の半導体集積回路。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月9日(2021.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ・システムが実行する方法であって、
第１のデバイス上で、第１の検索語のセットを含む第１の検索クエリに基づいた検索結果のセットを検索エンジンから受信するステップと、
前記第１のデバイスに近接して位置する第２のデバイスから、データのセットを収集するステップと、
前記第２のデバイスから収集された前記データのセットに対する第１の相関度として、前記検索結果のセット内の各々の検索結果についての第１の相関パラメータを決定するステップと、
前記第１の相関パラメータによって示される前記第１の相関度に基づいて前記検索結果から第２の検索語のセットを決定するステップと
を含む、方法。
【請求項２】
ユーザの関心事のセットを含むユーザ・プロファイルを受信するステップと、
前記関心事のセットに対する第２の相関度として前記検索結果のセット内の各々の検索結果についての第２の相関パラメータを決定するステップと
をさらに含み、
前記第１の相関パラメータによって示される前記第１の相関度に基づいて前記検索結果から前記第２の検索語のセットを決定する前記ステップが、前記第２の相関パラメータによって示される前記第２の相関度に基づいて前記第２の検索語のセットを決定するステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記データのセットを収集するステップが、前記第１のデバイスにより操作されるカメラを用いて前記第２のデバイスからのビジュアル出力の画像を取り込むステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
オーディオ処理技術を使用することにより前記データのセットのコンテンツを決定するステップをさらに含み、
前記オーディオ処理技術が自然言語処理を含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の相関パラメータおよび前記第２の相関パラメータが、統計的な解析を使用して決定される、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記ユーザ・プロファイルを受信するステップが、前記ユーザにより見られたコンテンツの履歴および前記ユーザの位置履歴からユーザ・プロファイル構成要素を決定するステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項７】
前記第２の検索語のセットを決定するステップは、前記データのセットが前記第２のデバイスからいつ収集されたか、および前記コンテンツが前記ユーザによりいつ見られたかに部分的に基づいて決定される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記データのセットを収集するステップが、前記第２のデバイスの出力を生成するために使用される前記第２のデバイスへの入力であるデータ・ストリームを取り込むステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記データのセットを収集するステップが、前記第２のデバイスにより出力されるデータ・ストリームを取り込むステップを含み、
前記データ・ストリームに組み込まれたメタデータを使用することにより前記データのセットのコンテンツを決定するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２の検索語のセットを含む第２の検索クエリを生成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかに記載の方法の各ステップを実行するように構成された手段を備える、コンピュータ・システム。
【請求項１２】
コンピュータ・システムに、請求項１ないし１０のいずれかに記載の方法の各ステップを実行させる、コンピュータ・プログラム。