【手続補正書】
【提出日】令和2年11月25日(2020.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンタクト層を有するＯＬＥＤ構造のためのコーティングであって、
前記ＯＬＥＤ構造上及び少なくとも部分的に前記コンタクト層上に形成された第１無機層と、
前記第１無機層上のバッファ層と、
前記バッファ層上の第２無機層とを含み、
前記バッファ層は、前記第１無機層と接触する第１無機インターフェイス層、前記第２無機層と接触する第２無機インターフェイス層、及び前記第１無機インターフェイス層と前記第２無機インターフェイス層とに挟まれた有機層を含む、コーティング。
【請求項２】
前記バッファ層は、前記第１無機層の周囲領域を除いて前記第１無機層を覆う、請求項１に記載のコーティング。
【請求項３】
前記第２無機層は、前記バッファ層と前記第１無機層の周囲部を覆って、前記第１無機層と前記第２無機層との間の前記バッファ層を完全に被覆する、請求項２に記載のコーティング。
【請求項４】
前記有機層はテトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）から形成される、請求項１に記載のコーティング。
【請求項５】
前記有機層はヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）から形成される、請求項１に記載のコーティング。
【請求項６】
前記有機層はプラズマ重合ヘキサメチルジシロキサン（ＰＰ−ＨＭＤＳＯ）から形成される、請求項１に記載のコーティング。
【請求項７】
前記第１無機インターフェイス層と前記第２無機インターフェイス層とはＳｉＯｘを含む、請求項１に記載のコーティング。
【請求項８】
前記有機層は室温加硫シリコーン（ＲＴＶ）を含む、請求項７に記載のコーティング。
【請求項９】
コンタクト層を有するとともに基板上に形成されたＯＬＥＤ構造上にコーティングを形成する方法であって、
第１マスクを前記基板上にアライメントして、前記第１マスクによって前記ＯＬＥＤ構造及び前記コンタクト層の少なくとも一部上に第１無機層を形成するステップと、
第２マスクを前記基板上にアライメントして、前記２第マスクによって前記第１無機層上にバッファ層を形成するステップと、
第３マスクを前記基板上にアライメントして、前記３第マスクによって前記バッファ層上に第２無機層を形成するステップと、を含み、
前記第２マスクは、前記第１マスクよりも小さい開口部を有する、方法。
【請求項１０】
前記第３マスクは前記第１マスクと同じサイズの開口部を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第３マスクは前記第１マスクよりも大きい開口部を有する、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
バッファ層を形成することは、Ｏ２及びＴＭＤＳＯガスをプラズマチャンバに流すこと含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記バッファ層を形成することは、第１期間において、ＴＭＤＳＯガスに対するＯ２の流量比を８以上になるように調節して第１インターフェイス層を形成すること、第２期間において、ＴＭＤＳＯガスに対するＯ２の流量比を２以下になるように調節して有機層を形成すること、そして、第３期間において、ＴＭＤＳＯガスに対するＯ２の流量比を８以上になるように調節して第２インターフェイス層を形成することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１マスク、前記第２マスク、及び前記第３マスクをアライメントすることは、プロセスチャンバの外部だが真空内で行われる、請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１マスク、前記第２マスク、及び前記第３マスクの少なくとも１つを空のプロセスチャンバ内に保持し、プラズマを前記プロセスチャンバ内部で着火して前記第１マスク、前記第２マスク、及び前記第３マスクの少なくとも１つをクリーニングすることをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１６】
それぞれがコンタクト層を有する複数のＯＬＥＤ構造を有する基板をコーティングする方法であって、
マスクを前記基板上に配置するステップと、
前記マスク及び前記基板を成膜チャンバ内に配置するステップと、
前記成膜チャンバを通電させ、前記複数のＯＬＥＤ構造上及び少なくとも部分的に前記コンタクト層のそれぞれの上に第１無機層を形成するステップと、
前記成膜チャンバを通電させ、前記第１無機層上にバッファ層を形成するステップと、
前記成膜チャンバを通電させ、前記バッファ層上に第２無機層を形成するステップと、を含み、
前記バッファ層を形成することは、前記第１無機層と接触する第１無機インターフェイス層を形成すること、前記第１無機インターフェイス層上に有機層を形成すること、及び前記有機層と接触する第２無機インターフェイス層を形成することを含み、
前記バッファ層形成後であるが前記第２無機層形成前に、前記マスクと前記基板との間の間隙を形成するために、前記成膜チャンバ内部において前記マスクを前記基板から持ち上げることをさらに含む、
方法。
【請求項１７】
前記第１無機インターフェイス層と前記第２無機インターフェイス層とを形成することは、ＳｉＯｘを形成することを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
それぞれがコンタクト層を有する複数のＯＬＥＤ構造を有する基板をコーティングする方法であって、
マスクを前記基板上に配置するステップと、
前記マスク及び前記基板を成膜チャンバ内に配置するステップと、
前記成膜チャンバを通電させ、前記複数のＯＬＥＤ構造上及び少なくとも部分的に前記コンタクト層のそれぞれの上に第１無機層を形成するステップと、
前記成膜チャンバを通電させ、前記第１無機層上にバッファ層を形成するステップと、
前記成膜チャンバを通電させ、前記バッファ層上に第２無機層を形成するステップと、を含み、
前記バッファ層を形成することは、前記第１無機層と接触する第１無機インターフェイス層を形成すること、前記第１無機インターフェイス層上に有機層を形成すること、及び前記有機層と接触する第２無機インターフェイス層を形成することを含み、
前記バッファ層を形成することは、前記成膜チャンバに流れ込む、テトラメチルジシロキサン（ＴＭＤＳＯ）ガスに対するＯ２の流量比を８以上になるように調節して第１インターフェイス層を形成すること、前記成膜チャンバに流れ込む、ＴＭＤＳＯガスに対するＯ２の流量比を２以下になるように調節して有機層を形成すること、そして、前記成膜チャンバに流れ込む、ＴＭＤＳＯガスに対するＯ２の流量比を８以上になるように調節して第２インターフェイス層を形成することを含む、
方法。
【請求項１９】
それぞれがコンタクト層を有する複数のＯＬＥＤ構造を有する基板をコーティングする方法であって、
マスクを前記基板上に配置するステップと、
前記マスク及び前記基板を成膜チャンバ内に配置するステップと、
前記成膜チャンバを通電させ、前記複数のＯＬＥＤ構造上及び少なくとも部分的に前記コンタクト層のそれぞれの上に第１無機層を形成するステップと、
前記基板を前記成膜チャンバから取り外すステップと、
前記基板を有機層形成装置に移送し、前記第１無機層上に有機バッファ層を形成するステップと、
前記基板を成膜チャンバに移送し、前記マスクと前記基板との間に間隙を形成するために、前記成膜チャンバ内部において前記マスクを前記基板から所定の処理高さまで持ち上げるステップと、
前記成膜チャンバを通電させ、前記有機バッファ層上に第２無機層を形成するステップと、を含む、方法。
【請求項２０】
有機バッファ層を形成することは、インクジェットプリンターを使用して前記有機バッファ層をプリントすることを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
有機バッファ層を形成することは、室温加硫シリコーン（ＲＴＶ）層を形成すること含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
有機バッファ層を形成することは、プラズマ重合ヘキサメチルジシロキサン（ＰＰ-ＨＭＤＳＯ）を前記有機層形成装置内に維持することを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
前記第２無機層を形成することは、前記有機バッファ層と前記第１無機層の周囲部を覆って、前記第１無機層と前記第２無機層との間の前記有機バッファ層を完全に被覆することを含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】
それぞれがコンタクト層を有する複数のＯＬＥＤ構造を有する基板をコーティングする方法であって、
マスクを前記基板上に配置するステップと、
前記マスク及び前記基板を成膜チャンバ内に配置するステップと、
前記成膜チャンバを通電させ、前記複数のＯＬＥＤ構造上及び少なくとも部分的に前記コンタクト層のそれぞれの上に第１無機層を形成するステップと、
前記成膜チャンバを通電させ、前記第１無機層上にバッファ層を形成するステップと、
前記成膜チャンバを通電させ、前記バッファ層上に第２無機層を形成するステップと、を含み、
前記バッファ層を形成することは、前記第１無機層と接触する第１無機インターフェイス層を形成すること、前記第１無機インターフェイス層上に有機層を形成すること、及び前記有機層と接触する第２無機インターフェイス層を形成することを含み、
前記バッファ層を形成することは、プラズマを前記成膜チャンバ内部で着火してプラズマ重合テトラメチルジシロキサン（ｐｐ-ＴＭＤＳＯ）を形成することを含む、
方法。
【請求項２５】
前記第２無機層を形成することは、前記バッファ層と前記第１無機層の周囲部を覆って、前記第１無機層と前記第２無機層との間の前記バッファ層を完全に被覆することを含む、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記バッファ層を形成することは、前記第１無機層の周囲領域を除いて前記第１無機層を覆うバッファ層を形成することを含む、請求項２４に記載の方法。