【手続補正書】
【提出日】平成17年4月11日(2005.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】セラミック電子部品とその銅電極形成方法および電解銅めっき浴
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック材料、あるいはセラミックと樹脂との複合セラミック材料を用いた基体の表面に銅電極を形成するためのセラミック電子部品の銅電極形成方法であって、
前記基体の表面に導電化材料を付着させる工程、および
前記基体の表面に付着した前記導電化材料を下地として電解めっき法によって前記銅電極を形成する工程を含み、
電解めっき法に用いられる電解銅めっき液が、アミン類あるいはオキシカルボン酸類を銅イオンの錯化剤として含有することを特徴とする、セラミック電子部品の銅電極形成方法。
【請求項２】
前記電解銅めっき液の錯化剤が、トリエタノールアミン、エチレンジアミン、エチレンジアミン四酢酸から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１に記載のセラミック電子部品の銅電極形成方法。
【請求項３】
前記電解銅めっき液の錯化剤が、リンゴ酸、クエン酸、酒石酸、グルコン酸、グリシン、マロン酸から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする、請求項１に記載のセラミック電子部品の銅電極形成方法。
【請求項４】
前記電解銅めっき液の錯化剤濃度が、０．１〜１．０ｍｏｌ／Ｌであることを特徴とする、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載のセラミック電子部品の銅電極形成方法。
【請求項５】
前記電解銅めっき液の銅イオン濃度が、０．０５〜０．５ｍｏｌ／Ｌであることを特徴とする、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載のセラミック電子部品の銅電極形成方法。
【請求項６】
前記電解銅めっき液のｐＨが、４．０〜１０．０であることを特徴とする、請求項１ないし請求項５のいずれかに記載のセラミック電子部品の銅電極形成方法。
【請求項７】
前記導電化溶液は、パラジウム、スズ、銀、銅から選ばれる１つ以上を含有するコロイド、前記いずれかの金属の錯体、または前記いずれかの金属の水酸化物であることを特徴とする、請求項１ないし請求項６のいずれかに記載のセラミック電子部品の銅電極形成方法。
【請求項８】
セラミック材料、あるいはセラミックと樹脂との複合セラミック材料を用いた基体の表面に銅電極が形成されたセラミック電子部品において、
前記銅電極は、請求項１ないし請求項７のいずれかにに記載の電極形成方法によって形成されたことを特徴とする、セラミック電子部品。
【請求項９】
銅イオンと、前記銅イオンの錯化剤を含有する電解銅めっき液であって、
前記電解銅めっき液の錯化剤が、トリエタノールアミン、エチレンジアミン、エチレンジアミン四酢酸から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする、電解銅めっき浴。
【請求項１０】
銅イオンと、前記銅イオンの錯化剤を含有する電解銅めっき液であって、
前記電解銅めっき液の錯化剤が、リンゴ酸、クエン酸、酒石酸、グルコン酸、グリシン、マロン酸から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする、電解銅めっき浴。
【請求項１１】
前記電解銅めっき液の錯化剤濃度が、０．１〜１．０ｍｏｌ／Ｌであることを特徴とする、請求項９または請求項１０に記載の電解銅めっき浴。
【請求項１２】
前記電解銅めっき液の銅イオン濃度が、０．０５〜０．５ｍｏｌ／Ｌであることを特徴とする、請求項９ないし請求項１１のいずれかに記載の電解銅めっき浴。
【請求項１３】
前記電解銅めっき浴のｐＨが、４．０〜１０．０であることを特徴とする、請求項９ないし請求項１２のいずれかに記載の電解銅めっき浴。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、セラミック電子部品とその銅電極形成方法および電解銅めっき浴に関し、特に、たとえばセラミック材料、あるいはセラミックと樹脂との複合セラミック材料で形成された基体の表面に銅電極が形成されたセラミック電子部品と、その銅電極形成方法、および電解銅めっき浴に関する
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
それゆえに、この発明の主たる目的は、ダイレクトプレーティング法によってセラミック材料の表面に銅電極を形成したセラミック電子部品と、その銅電極形成方法を提供するとともに、このような銅電極形成方法に用いることができる電解銅めっき浴を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明は、セラミック材料、あるいはセラミックと樹脂との複合セラミック材料を用いた基体の表面に銅電極を形成するためのセラミック電子部品の銅電極形成方法であって、基体の表面に導電化材料を付着させる工程と、基体の表面に付着した導電化材料を下地として電解めっき法によって銅電極を形成する工程とを含み、電解めっき法に用いられる電解銅めっき液が、アミン類あるいはオキシカルボン酸類を銅イオンの錯化剤として含有することを特徴とする、セラミック電子部品の銅電極形成方法である。
このようなセラミック電子部品の銅電極形成方法において、電解銅めっき液の錯化剤として、トリエタノールアミン、エチレンジアミン、エチレンジアミン四酢酸から選ばれる少なくとも１種を用いることができる。
また、電解銅めっき液の錯化剤として、リンゴ酸、クエン酸、酒石酸、グルコン酸、グリシン、マロン酸から選ばれる少なくとも１種を用いることができる。
さらに、電解銅めっき液の錯化剤濃度が、０．１〜１．０ｍｏｌ／Ｌの範囲にあることが好ましい。
また、電解銅めっき液の銅イオン濃度が、０．０５〜０．５ｍｏｌ／Ｌの範囲にあることが好ましい。
さらに、電解銅めっき液のｐＨが、４．０〜１０．０の範囲にあることが好ましい。
また、導電化溶液としては、パラジウム、スズ、銀、銅から選ばれる１つ以上を含有するコロイド、前述のいずれかの金属の錯体、前述のいずれかの金属の水酸化物を用いることができる。
また、この発明は、セラミック材料、あるいはセラミックと樹脂との複合セラミック材料を用いた基体の表面に銅電極が形成されたセラミック電子部品において、銅電極は、上述のいずれかにに記載の電極形成方法によって形成されたことを特徴とする、セラミック電子部品である。
また、この発明は、銅イオンと、銅イオンの錯化剤を含有する電解銅めっき液であって、電解銅めっき液の錯化剤が、トリエタノールアミン、エチレンジアミン、エチレンジアミン四酢酸から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする、電解銅めっき浴である。
また、この発明は、銅イオンと、銅イオンの錯化剤を含有する電解銅めっき液であって、電解銅めっき液の錯化剤が、リンゴ酸、クエン酸、酒石酸、グルコン酸、グリシン、マロン酸から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする、電解銅めっき浴である。
これらの電解銅めっき浴において、電解銅めっき液の錯化剤濃度が、０．１〜１．０ｍｏｌ／Ｌの範囲にあることが好ましい。
また、電解銅めっき液の銅イオン濃度が、０．０５〜０．５ｍｏｌ／Ｌの範囲にあることが好ましい。
さらに、電解銅めっき浴のｐＨが、４．０〜１０．０の範囲にあることが好ましい。