(57)【要約】【課題】両主面に配線基板用の積層体が形成された支持基板およびその上の配線基板用の積層体を支持基板内に配置した分離フィルム同士の間で良好に分離することができ、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することが可能な配線基板の製造方法を提供することである。【解決手段】中央部に幅Ｗ１および長さＬ１で設定された支持基板用領域Ａを有する第１および第２のプリプレグ１ａ，１ｂの間にＬ１より短い長さＬ２を有する第１の分離フィルム２ａおよびＷ２よ狭い幅Ｗ３を有する第２の分離フィルム２ｂを重ねて積層することにより支持基板１０を形成するにあたり、プリプレグ１ａ，１ｂにガイド孔Ｈ１，Ｈ２を形成するとともに分離フィルム２ａの幅方向の両端部にガイド孔Ｈ３を、分離フィルム２ｂの長さ方向の両端部にガイド孔Ｈ４を形成し、これらのガイド孔Ｈ１〜Ｈ４を積層治具のガイドピンに嵌合させて積層する。【選択図】図１
2010034466.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央部に第１の幅および第１の長さで設定された方形状の支持基板用領域を有するとともに該支持基板用領域の外側に方形枠状の捨て代領域を有する第１および第２のプリプレグと、前記第１の幅より広い第２の幅および前記第１の長さより短い第２の長さを有する第１の分離フィルムと、前記第１の幅より狭い第３の幅および前記第１の長さより長い第３の長さを有する第２の分離フィルムとを準備する工程と、前記第１および第２のプリプレグにおける前記捨て代領域に前記支持基板用領域を挟んで前記幅方向に対向して位置する少なくとも一対の第１のガイド孔および前記支持基板用領域を挟んで前記長さ方向に対向して位置する少なくとも一対の第２のガイド孔を形成するとともに前記第１の分離フィルムの幅方向における両端部に前記第１のガイド孔に対応する少なくとも一対の第３のガイド孔および前記第２の分離フィルムの長さ方向における両端部に前記第２のガイド孔に対応する少なくとも一対の第４のガイド孔を形成する工程と、前記第１および第３のガイド孔に対応する位置に第１のガイドピンおよび前記第２および第４のガイド孔に対応する位置に第２のガイドピンを有する積層治具上に、前記第１のプリプレグと第１の分離フィルムと第２の分離フィルムと第２のプリプレグとを、前記第１のガイドピンに前記第１および第３のガイド孔が嵌合されるとともに前記第２のガイドピンに前記第２および第４のガイド孔が嵌合されるようにして順次積重ねた後、加熱加圧することにより積層一体化して前記支持基板用領域の中央部に前記第２の長さおよび前記第３の幅で前記第１および第２の分離フィルムが重なった分離用領域および該分離用領域の外側に前記第１および第２の分離フィルムのいずれか一方のみが前記第１および第２のプリプレグの硬化物に接合した接合領域を有する支持基板用の積層体を形成する工程と、前記支持基板用の積層体から前記捨て代領域に対応する領域を切断除去することにより、中央部に前記分離用領域およびその外側に接合領域が残存した支持基板を形成する工程と、前記支持基板の両面に導体層と絶縁層とを交互に積層して配線基板用の積層体を形成する工程と、前記支持基板および前記配線基板用の積層体から前記接合領域に対応する領域を切断除去した後、前記分離用領域における前記第１および第２の分離フィルム間で前記第１のプレプレグの硬化物およびその上の配線基板用の積層体と前記第２のプリプレグの硬化物およびその上の配線基板用の積層体とを分離する工程と、前記第１のプリプレグの硬化物上および第２のプリプレグの硬化物上から前記配線基板用の積層体を分離する工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる高密度配線基板としてビルドアップ配線基板がある。一般的なビルドアップ配線基板は、両面に銅箔から成る配線導体が形成された厚みが０．２〜２．０ｍｍ程度のガラス−樹脂板から成るコア基板の両面に、厚みが１０〜１００μｍ程度の樹脂から成る絶縁層と、厚みが５〜５０μｍ程度の銅めっき膜から成る配線導体とを交互に積層して成る。しかしながら、このような一般的なビルドアップ配線基板は高密度配線が可能であるものの、コア基板として厚みが０．２〜２．０ｍｍ程度のガラス−樹脂板を使用することから、配線基板の全体厚みを薄くすることが困難であるという問題点があった。
【０００３】
そこで、コア基板を使用しないでビルドアップ層のみで配線基板を形成する方法が提案されている。そのような方法として、例えば特許文献１には、金属板上にビルドアップ層を形成した後、前記金属板をエッチング除去することにより半導体装置用の配線基板を製造する方法が提案されている。この特許文献１に示された方法によれば、半導体素子搭載面が平坦であり、且つ薄型の配線基板を提供できる。
【０００４】
しかしながら、この特許文献１に記載された方法では、比較的厚みを必要とする金属板をエッチング除去することが必要であり、そのエッチングに長時間を要する。そのため生産効率が低いという解決すべき問題点があった。
【０００５】
そこで、本願出願人は先に特願２００７−１９９６５１において、支持フィルム上に金属箔が粘着層を介して保持された支持フィルム付き金属箔をプリプレグの硬化物から成る支持基板上に積層し、この支持フィルム付き金属箔の前記金属箔上に、絶縁層と導体層とを交互に複数積層して、前記金属箔と前記絶縁層と前記導体層とから成る配線基板用の積層体を形成した後、前記積層体を前記支持フィルムから分離することにより配線基板を製造する方法を提案した。
【０００６】
この方法によると、配線基板用の積層体を前記支持フィルムから分離する際には支持フィルムと金属箔との間を引き剥がすだけで積層体を破損することなく、短時間かつ簡単に分離することができ、それにより薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することができる。
【０００７】
なお、この方法においては、配線基板の製造効率をさらに高めるため、２枚の支持基板用のプリプレグを用意するとともにそれらの間における中央部に２枚の分離フィルムを目視で位置決めして重ねて配置するとともに、それぞれのプリプレグの外側主面上に支持フィルム付き金属箔を配し、次にこれらを上下から加圧加熱することにより２枚のプリプレグが熱硬化して一体化された支持基板の内部に２枚の分離フィルムを互いに重なった状態で封入するとともに支持基板の外側両主面に支持フィルム付き金属箔を積層し、さらにその上に配線基板用の積層体を両面同時に形成した後、分離フィルム同士が重なり合った部分に対応する支持基板およびその上の配線基板用の積層体を切り出すとともに、それらを分離フィルム同士の間で分離した後、配線基板用の積層体を支持フィルムから分離する方法が採用されている。
【０００８】
しかしながら、上述の方法においては、２枚の支持基板用のプレプレグの間に２枚の分離フィルムを重ねて配置する際に、分離フィルムを目視により位置決めして配置しており、分離フィルムを正確に位置決めすることができずに、分離フィルムがずれてしまいやすい。分離フィルムがずれた場合、支持基板およびその上の配線基板用の積層体を切り出して分離フィルム同士の間で分離する際に良好に分離できなくなる恐れがある。
【特許文献１】特許第３６３５２１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の課題は、両主面に配線基板用の積層体が形成された支持基板およびその上の配線基板用の積層体を支持基板内に配置した分離フィルム同士の間で良好に分離することができ、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することが可能な配線基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の配線基板の製造方法は、中央部に第１の幅および第１の長さで設定された方形状の支持基板用領域を有するとともに該支持基板用領域の外側に方形枠状の捨て代領域を有する第１および第２のプリプレグと、前記第１の幅より広い第２の幅および前記第１の長さより短い第２の長さを有する第１の分離フィルムと、前記第１の幅より狭い第３の幅および前記第１の長さより長い第３の長さを有する第２の分離フィルムとを準備する工程と、前記第１および第２のプリプレグにおける前記捨て代領域に前記支持基板用領域を挟んで前記幅方向に対向して位置する少なくとも一対の第１のガイド孔および前記支持基板用領域を挟んで前記長さ方向に対向して位置する少なくとも一対の第２のガイド孔を形成するとともに前記第１の分離フィルムの幅方向における両端部に前記第１のガイド孔に対応する少なくとも一対の第３のガイド孔および前記第２の分離フィルムの長さ方向における両端部に前記第２のガイド孔に対応する少なくとも一対の第４のガイド孔を形成する工程と、前記第１および第３のガイド孔に対応する位置に第１のガイドピンおよび前記第２および第４のガイド孔に対応する位置に第２のガイドピンを有する積層治具上に、前記第１のプリプレグと第１の分離フィルムと第２の分離フィルムと第２のプリプレグとを、前記第１のガイドピンに前記第１および第３のガイド孔が嵌合されるとともに前記第２のガイドピンに前記第２および第４のガイド孔が嵌合されるようにして順次積重ねた後、加熱加圧することにより積層一体化して前記支持基板用領域の中央部に前記第２の長さおよび前記第３の幅で前記第１および第２の分離フィルムが重なった分離用領域および該分離用領域の外側に前記第１および第２の分離フィルムのいずれか一方のみが前記第１および第２のプリプレグの硬化物に接合した接合領域を有する支持基板用の積層体を形成する工程と、前記支持基板用の積層体から前記捨て代領域に対応する領域を切断除去することにより、中央部に前記分離用領域およびその外側に接合領域が残存した支持基板を形成する工程と、前記支持基板の両面に金属層と絶縁樹脂層とを交互に積層して配線基板用の積層体を形成する工程と、前記支持基板および前記配線基板用の積層体から前記接合領域に対応する領域を切断除去した後、前記分離用領域における前記第１および第２の分離フィルム間で前記第１のプレプレグの硬化物およびその上の配線基板用の積層体と前記第２のプリプレグの硬化物およびその上の配線基板用の積層体とを分離する工程と、前記第１のプリプレグの硬化物上および第２のプリプレグの硬化物上から前記配線基板用の積層体を分離する工程とを含むことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の配線基板の製造方法によれば、支持基板を形成するための第１および第２のプリプレグと第１および第２の分離フィルムとにガイド孔を設けるとともに、そのガイド孔を積層治具のガイドピンに嵌合させて位置決めするので、第１および第２のプリプレグと第１および第２の分離フィルムとが正確に位置決めされる。したがって、両主面に配線基板用の積層体が形成された支持基板およびその上の配線基板用の積層体を支持基板内に配置した分離フィルム同士の間で良好に分離することができ、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することができる。しかも第１の分離フィルムはその長さが支持基板用領域の長さより短く、第２の分離フィルムはその幅が支持基板用領域の幅よりも狭く設定されているので、支持基板はその中央部に第１および第２の分離フィルムが重なった分離用領域および該分離用領域の外側に第１および第２の分離フィルムのいずれか一方のみが第１および第２のプリプレグの硬化物に接合した接合領域を有するように形成される。そのため支持基板の両主面に配線基板用の積層体を形成した後、接合領域に対応する領域を切断除去するまでは第１および第２の分離フィルム間で分離が起こることはない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明にかかる配線基板の製造方法の一実施形態について、図１〜図１２を参照して詳細に説明する。
【００１３】
まず、図１に示すように、支持基板１０となる第１のプリプレグ１ａおよび第２のプリプレグ１ｂと、その間に挟持される第１の分離フィルム２ａおよび第２の分離フィルム２ｂと、支持基板１０の上下主面に固着される第１の支持フィルム付き金属箔３ａおよび第２の支持フィルム付き金属箔３ｂならびに第１の金属枠４ａおよび第２の金属枠４ｂとを準備する。
【００１４】
プリプレグ１ａ，１ｂは、後述する配線基板用の積層体２０を製造する際に該積層体２０を必要な平坦度を維持して支持するための支持基板１０を形成するためのものであり、通常、厚み０．２〜２．０ｍｍ程度、１辺の長さ４００〜１０００ｍｍ程度の略四角形の平板で構成されている。そして、その中央部に第１の幅Ｗ１および第１の長さＬ１で設定された方形状の支持基板用領域Ａを有するとともに、その外側に方形枠状の捨て代領域Ｂを有している。プリプレグ１ａ，１ｂとしては、例えばガラス繊維等の耐熱性繊維から成る織布にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて半硬化状態のシート状としたもの等が挙げられる。
【００１５】
分離フィルム２ａ，２ｂは、支持基板１０の両主面上に配線基板用の積層体２０を形成した後、支持基板１０を分離フィルム２ａ，２ｂを境界にして一方の主面側と他方の主面側とに容易に分離させるための境界層として機能するものであり、第１の分離フィルム２ａは前記第１の幅Ｗ１よりも広い第２の幅Ｗ２を有しているとともに前記第１の長さＬ１よりも短い第２の長さＬ２を有している。また第２の分離フィルム２ｂは前記第１の幅Ｗ１よりも狭い第３の幅Ｗ３を有しているとともに前記第１の長さＬ１よりも長い第３の長さＬ３を有している。分離フィルム２ａ，２ｂは、例えば銅箔等の金属箔や、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等の耐熱フィルム等から成るのが好ましい。分離フィルム２ａ，２ｂの厚さとしては、例えば１〜３５μｍ程度であるのが好ましい。
【００１６】
支持フィルム付き金属箔３ａ，３ｂは、例えば幅が前記第３の幅Ｗ３と同等で、長さが前記第２の長さＬ２と同等であり、支持フィルム５上に金属箔１１が粘着層（不図示）を介して保持されたものである。支持フィルム５は、厚みが１０〜１００μｍ程度であり、金属箔１１に破れや皺が発生するのを有効に防止するとともに、金属箔１１の取扱いを容易とするためのものである。支持フィルム５としては、例えばポリエステル樹脂等の耐熱性樹脂から成るのが好ましい。具体例としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム等が挙げられる。
【００１７】
金属箔１１は、配線基板の製造における起点となる導体層を提供するためのものである。金属箔１１としては、例えば銅（銅箔）等の良導電性金属から成るのが好ましい。金属箔１１の厚みとしては、例えば１〜３５μｍ程度が挙げられる。これにより、該金属箔１１をエッチング除去する際には、短時間でエッチング除去することができる。また、このような厚みの金属箔１１は、全てエッチング除去する必要はなく、所定パターンにエッチングし配線導体の一部として好適に利用することができる。これに対し、金属箔１１の厚みが１μｍより薄いと、金属箔１１の強度が低下し、この金属箔１１上に絶縁層と導体層とを交互に複数積層する際の作業性が低下するおそれがあり、３５μｍより厚いと、必要以上に厚くなりすぎるとともに、エッチング除去する際に要する時間が長くなるので好ましくない。
【００１８】
前記粘着層としては、配線基板の製造中にかかる熱負荷に耐え得る上で、例えばシリコーン樹脂系、アクリル樹脂系、ポリオルガノシロキサン樹脂系等の耐熱性粘着材から成るのが好ましい。また、前記粘着剤層は、後述する配線基板用の積層体２０を破損することなく支持フィルム５から分離する上で、厚みが０．０１〜１．０μｍ程度であり、粘着力が１〜１０Ｎ／ｍ程度であるのが好ましい。
【００１９】
金属枠４ａ，４ｂは、後述する配線基板用の積層体２０を製造する際に、めっき用の電荷供給電極として使用するためのものであり、外周の大きさが前記プリプレグ１ａ，１ｂと同等であり、内周の大きさが支持フィルム付き金属箔３ａ，３ｂよりも若干大きな大きさである。また、厚みが１２〜３５μｍ程度である。金属枠４ａ，４ｂとしては、例えば銅等の良導電性金属から成るのが好ましい。
【００２０】
なお、本発明においては、プリプレグ１ａ，１ｂの捨て代領域Ｂに支持基板用領域Ａを挟んで幅方向に対向する少なくとも一対の第１のガイド孔Ｈ１を形成するとともに支持基板用領域Ａを挟んで長さ方向に対向する少なくとも一対の第２のガイド孔Ｈ２を形成する。また、第１の分離フィルム２ａには、その幅方向の両端部に第１のガイド孔Ｈ１に対応する第３のガイド孔Ｈ３を形成し、他方、第２の分離フィルム２ｂにはその長さ方向の両端部に第２のガイド孔Ｈ２に対応する第４のガイド孔Ｈ４を形成する。さらに、金属枠４ａ，４ｂにも第１のガイド孔Ｈ１に対応する第５のガイド孔Ｈ５および第２のガイド孔Ｈ２に対応する第６のガイド孔Ｈ６を形成する。なおこのようなガイド孔Ｈ１〜Ｈ６の形成は、ドリル加工やレーザ加工、エッチング加工等を用いることにより行なえばよい。
【００２１】
次に、図２に示すように、前記第１のガイド孔Ｈ１に対応する位置に第１のガイドピンＰ１を有するとともに前記第２のガイド孔Ｈ２に対応する位置に第２のガイドピンＰ２を有する積層治具４０の上に、第１の金属枠４ａ，第１の支持フィルム付き金属箔３ａ，第１のプリプレグ１ａ，第１の分離フィルム２ａ，第２の分離フィルム２ｂ，第２のプリプレグ１ｂ，第２の支持フィルム付き金属箔３ｂおよび第２の金属枠４ｂを、前記第１のガイド孔Ｈ１，第３のガイド孔Ｈ３および第５のガイド孔Ｈ５が前記第１のガイドピンＰ１に嵌合されるとともに前記第２のガイド孔Ｈ２，第４のガイド孔Ｈ４および第６のガイド孔Ｈ６が前記第２のガイドピンＰ２に嵌合されるようにして積層し、この状態で上下から加圧しながら加熱する。
【００２２】
このとき、第１の金属枠４ａ，第１のプリプレグ１ａ，第１の分離フィルム２ａ，第２の分離フィルム２ｂ，第２のプリプレグ１ｂ，および第２の金属枠４ｂは、これらに設けた第１のガイド孔Ｈ１〜第６のガイド孔Ｈ６が第１のガイドピンＰ１および第２のガイドピンＰ２の少なくとも一方に嵌合されて正確に位置決めされる。したがって、従来のように分離フィルム２ａ，２ｂがずれることはない。
【００２３】
そしてこのような加熱および加圧により、図３に示すように、第１のプリプレグ１ａ，第１の分離フィルム２ａ，第２の分離フィルム２ｂ，第２のプリプレグ１ｂが一体化した支持基板用の積層体１０Ｐが形成され、さらに積層体１０Ｐの両主面に第１の金属枠４ａおよび第１の支持フィルム付き金属箔３ａならびに２の支持フィルム付き金属箔３ｂおよび第２の金属枠４ｂが埋設される。
【００２４】
なお支持基板用の積層体１０Ｐにおいては、支持基板用領域Ａの中央部に第１の分離フィルム２ａと第２の分離フィルム２ｂとが第２の長さＬ２および第３の幅Ｗ３で互に重なりあった分離用領域Ｃが形成されるとともに、その外側に第１の分離フィルム２ａおよび第２の分離フィルム２ｂのいずれか一方のみが第１のプリプレグ１ａおよび第２のプリプレグ１ｂの硬化物に接合した接合領域Ｄが形成される。分離用領域Ｃにおいては、２枚の分離フィルム２ａ，２ｂは互に重なり合って密着しているものの、互に接着はされていない。また、接合領域Ｄにおいては、２枚の分離フィルム２ａおよび２ｂは互に重なっておらず、どちらか一方のみが第１のプリプレグ１ａの硬化物および第２のプリプレグ１ｂの硬化物の両方に挟持された状態で接合されており、この間で剥がれることはない。
【００２５】
次に、両主面に金属枠４ａ，４ｂおよび支持フィルム付き金属箔３ａ，３ｂが埋設された積層体１０Ｐから捨て代領域Ｂに対応する領域を切断除去することにより、図４に示すように、中央部に分離用領域Ｃおよびその外側に接合領域Ｄが残存した状態で両主面に金属枠４ａ，４ｂおよび支持フィルム付き金属箔３ａ，３ｂが埋設された支持基板１０を形成する。このとき、分離用領域Ｃの外側では第１の分離フィルム２ａおよび第２の分離フィルム２ｂのいずれか一方のみが第１のプリプレグ１ａおよび第２のプリプレグ１ｂの硬化物に接合した接合領域Ｄが残存していることから、後述するように、支持基板１０の両主面に配線基板用の積層体２０を形成した後、接合領域Ｄに対応する領域を切断除去するまでは第１の分離フィルム２ａおよび第２の分離フィルム２ｂ間で分離が起こることはない。ここで、捨て代領域Ｂに対応する領域を切断除去するのは、捨て代領域Ｂにおいては、積層体１０Ｐを形成する際の加圧および加熱により捨て代領域Ｂに樹脂のはみ出しや変形等が発生するので、その部分を除去して支持基板１０の外周辺の形状を整えるとともに支持基板１０を所定の寸法にして本発明による配線基板の製造を容易とするためである。
【００２６】
次に、図５に示すように、支持基板１０の両主面に積層された金属箔１１の表面および金属枠４ａ，４ｂの表面および露出する支持基板１０の主面上に層間絶縁用の第１の絶縁層２１を積層する。第１の絶縁層２１は、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂にシリカやタルク等の無機絶縁性フィラーを分散させた電気絶縁材料から成る。あるいは、ガラスクロスに熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料であってもよい。
【００２７】
このような第１の絶縁層２１は、例えばエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂の未硬化物に無機絶縁性フィラーを分散させた混合物をペースト状としたものを、露出した金属箔１１の表面、露出した金属枠４ａ，４ｂの表面、および露出した支持基板１０の主面上に塗布した後に熱硬化させることによって形成される。また、これに限定されるものではなく、例えば前記混合物をフィルム状としたものやガラスクロスに未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させたプリプレグを、露出した金属箔１１の表面、露出した金属枠４ａ，４ｂの表面、および露出した支持基板１０の主面上に張着した後に熱硬化させることにより形成してもよい。
【００２８】
次に、第１の絶縁層２１に、金属箔１１の一部を露出させるビア用の開口部Ｖを形成する。開口部Ｖは、例えばレーザ加工により形成する。あるいは第１の樹脂層２１用の混合物に感光性を持たせておき、それにフォトリソグラフィー技術を採用して露光・現像処理を施すこと等により形成することもできるが、これらに限定されるものではない。
【００２９】
次に、図６に示すように、第１の絶縁層２１の表面および開口部Ｖ内に配線導体用の第２の導体層１２を所定のパターンに形成する。第２の導体層１２は、例えば無電解銅めっき膜および電解銅めっき膜等から成り、周知のセミアディティブ法によって形成するのが好ましい。セミアディティブ法は微細配線化に優れるので、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造するのに好適である。具体的には、まず、第１の絶縁層２１の表面を必要に応じて粗化し、次にその表面に無電解銅めっき膜を０．１〜２．０μｍ程度の厚みに被着させる。次に、前記無電解銅めっき膜の表面に第２の導体層１２に対応した開口部を有するめっきレジスト層を形成する。このめっきレジスト層は、感光性の樹脂フィルムを前記無電解銅めっき膜上に張着するとともに、その樹脂フィルムにフォトリソグラフィー技術を採用して露光・現像処理を施すことにより前記開口部を有するように形成される。次に、めっきレジスト層の開口部内に露出する前記無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜を５〜４０μｍ程度の厚みに被着させる。このとき、金属枠４ａ，４ｂを電解めっき用の電荷を供給するための電荷供給電極として使用することができる。これにより、金属枠４ａ，４ｂと電解めっき装置の陰極とを電気的に確実に接続することができる。次に、めっきレジスト層を剥離した後、前記無電解銅めっき膜および電解銅めっき膜の露出部を電解銅めっき膜間の無電解銅めっき膜が消失するまで全体的にエッチングして第２の導体層１２を形成する。
【００３０】
このようにして第２の導体層１２を形成した後、図７に示すように、第１の絶縁層２１および第２の導体層１２の上に層間絶縁用の第２〜第４の絶縁層２２〜２４と、配線導体用の第３〜第５の導体層１３〜１５とを順次交互に形成し、さらにその上にソルダーレジスト用の第５の絶縁層２５を形成して配線基板用の積層体２０を形成する。
【００３１】
層間絶縁用の第２〜第４の絶縁層２２〜２４は、第１の絶縁層２１と同様の電気絶縁材料から成り、第１の絶縁層２１と同様の方法により形成することができる。また、配線導体用の第３〜第５の導体層１３〜１５は、第２の導体層１２と同様の無電解銅めっき膜および電解銅めっき膜から成り、第２の導体層１２と同様のセミアディティブ法にて形成するのが好ましい。さらに、ソルダーレジスト用の第５の絶縁層２５は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂にシリカやタルク等の無機物粉末フィラーを４０〜７０質量％程度分散させた電気絶縁材料から成り、アクリル変性エポキシ樹脂等の感光性樹脂と光重合開始剤等とから成る混合物にシリカやタルク等の無機絶縁性フィラーを含有させた感光性樹脂ペーストを、第４の絶縁層２４および第５の導体層１５の上にスクリーン印刷やロールコート法等により１０〜４０μｍ程度の厚みに塗布し、しかる後、フォトリソグラフィー技術を採用して所定のパターンに露光・現像した後、それを紫外線硬化および熱硬化させることにより形成するのが好ましい。
【００３２】
次に、図８に示すように、支持基板１０および配線基板用の積層体２０から接合領域Ｄに対応する領域を切断除去した後、図９に示すように、支持基板１０を分離フィルム２ａ，２ｂの間で分離する。このとき、第１および第２の分離フィルム２ａ，２ｂは前述したようにガイド孔Ｈ３，Ｈ４およびガイドピンＰ１，Ｐ２により正確に位置決めされているので、支持基板１０の中央部に互いに重なりあった分離用領域Ｃがずれることなく正確に形成されているとともにその外側に接合領域Ｄがずれることなく正確に形成されているので接合領域Ｄに対応する領域を正確に切断除去することができる。したがって、接合領域Ｄを切断除去後に、両主面に配線基板用の積層体２０が形成された支持基板１０およびその上の配線基板用の積層体２０を、支持基板１０内に配置した分離フィルム２ａ，２ｂ同士の間で良好に分離することができ、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することができる。なお、分離用領域Ｃにおける分離フィルム２ａ，２ｂ同士は接着されていないので、その外側の接合領域Ｄを切断除去すると、両者は容易に分離される。前記切断の方法は、本発明の効果を妨げない範囲内で任意であり、例えばダイシングやルーター装置等を用いて切断すればよい。
【００３３】
次に、図１０に示すように、切り出した積層体２０を支持フィルム５から分離する。この分離の際には、支持フィルム５上に金属箔１１が図示しない粘着層を介して保持されているだけなので、支持フィルム５と金属箔１１の間を引き剥がすだけで積層体２０を破損することなく、簡単に分離することができる。
【００３４】
次に、図１１に示すように、金属箔（第１の導体層）１１を所定のパターンにエッチングするエッチング工程を施して第１の絶縁層２１の表面に配線導体（外部接続用のパッド）を形成する。金属箔１１を所定のパターンにエッチングするには、例えば配線導体に対応する形状のエッチングレジスト層を金属箔１１の表面に形成するとともに、そのエッチングレジスト層から露出した金属箔１１をエッチング除去すればよい。なお、前記エッチングレジスト層は、感光性の樹脂フィルムを金属箔１１上に張着するとともに、その樹脂フィルムにフォトリソグラフィー技術を採用して露光・現像処理を施すことにより前記配線導体に対応する形状に形成され、金属箔１１をエッチングした後に剥離する。
【００３５】
最後に、図１２に示すように、エッチングされた金属箔１１および第１の絶縁層２１の表面にソルダーレジスト用の第６の絶縁層２６を形成して本実施形態にかかる配線基板３０を得る。なお、ソルダーレジスト用の第６の絶縁層２６は、第５の絶縁層２５と同様の材料から成り、第５の絶縁層２５と同様の方法によって形成される。かくして本発明の配線基板の製造方法によれば、薄型で高密度な配線基板を効率よく製造することが可能な配線基板の製造方法を提供することができる。なお、本発明は上述の実施形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る配線基板の製造工程を説明するための概略断面図である。
【符号の説明】
【００３７】
１ａ  第１のプリプレグ
１ｂ  第２のプリプレグ
２ａ  第１の分離フィルム
２ｂ  第２の分離フィルム
１０  支持基板
１０Ｐ  支持基板用の積層体
２０  配線基板用の積層体
３０  配線基板
４０  積層治具
Ａ  支持基板用領域
Ｂ  捨て代領域
Ｃ  分離用領域
Ｄ  接合領域
Ｈ１  第１のガイド孔
Ｈ２  第２のガイド孔
Ｈ３  第３のガイド孔
Ｈ４  第４のガイド孔
Ｌ１  第１の長さ
Ｌ２  第２の長さ
Ｌ３  第３の長さ
Ｐ１  第１のガイドピン
Ｐ２  第２のガイドピン
Ｗ１  第１の幅
Ｗ２  第２の幅
Ｗ３  第３の幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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