【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年3月8日(2021.3.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
ある実施形態において、群遅延変調器２２０に適用される複数の位相変調信号の周波数は、全て同一であり、サンプルアーム内の遅延線に適用される位相変調信号と等しい。しかしながら、このような複数の位相変調信号は、軸方向スキャンにおける作用方向が反対であるため、サンプルアーム信号について反転されるべきである。よって、図２に示された変調スキームから、２ｎチャネルの周波数領域変調スキームが得られる（ｎは変調器のステージまたはセクションの数）。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光干渉断層撮影システムであって、
放射ビームを供給する光源と、
上記放射ビームの第１部分をサンプルアームに導き、上記放射ビームの第２部分をリファレンスアームに導く光学素子と、
上記サンプルアームおよび上記リファレンスアームから上記放射ビームの上記第１部分および上記第２部分を受光する検出器とを備え、
上記リファレンスアームは、複数のステージを含んでおり、
上記ステージの各々は固定の群遅延素子および群遅延変調器を有しており、
区別された軸方向スキャン深さ範囲に対応する上記放射ビームの上記第１部分が上記放射ビームの上記第２部分を干渉するように、上記固定の群遅延素子および群遅延変調器が群遅延をもたらし、
上記サンプルアームは、サンプルへの光の伝搬およびサンプルからの光の反射に利用される遅延線を含み、
上記群遅延変調器の各々に適用される位相変調信号の周波数は、同一であり、かつ、上記サンプルアーム内の上記遅延線に適用される位相変調周波数と等しいように構成されている光干渉断層撮影システム。
【請求項２】
上記サンプルアームおよび上記リファレンスアームは、ＳＯＩ（silicon-on-insulator）技術を用いて実装されている、請求項１に記載の光干渉断層撮影システム。
【請求項３】
上記ステージは、光カプラを介して直列に互いに結合されている、請求項１に記載の光干渉断層撮影システム。
【請求項４】
上記光カプラは、２×２光カプラである、請求項３に記載の光干渉断層撮影システム。
【請求項５】
上記ステージは、２ｎ（ｎはステージ数）個のチャネルが互いに結合されている、請求項１に記載の光干渉断層撮影システム。
【請求項６】
チャネル間の有効群遅延の差は一定である、請求項５に記載の光干渉断層撮影システム。
【請求項７】
群遅延素子の各々は熱光学変調器である、請求項１に記載の光干渉断層撮影システム。
【請求項８】
各ステージの上記固定の群遅延素子は、他のステージの上記固定の群遅延素子とは異なる群遅延をもたらす、請求項１に記載の光干渉断層撮影システム。
【請求項９】
上記区別された軸方向スキャン深さ範囲の２つは少なくとも部分的に重なる、請求項１に記載の光干渉断層撮影システム。
【請求項１０】
光干渉断層撮影システムであって、
放射ビームを供給する光源と、
上記放射ビームの第１部分をサンプルアームに導き、上記放射ビームの第２部分をリファレンスアームに導く光学素子と、
上記サンプルアームおよび上記リファレンスアームから上記放射ビームの上記第１部分および上記第２部分を受光する検出器とを備え、
上記サンプルアームは、複数のステージを含んでおり、
上記ステージの各々は固定の群遅延素子および群遅延変調器を有しており、
区別された軸方向スキャン深さ範囲に対応する上記放射ビームの上記第１部分が上記放射ビームの上記第２部分を干渉するように、上記固定の群遅延素子および群遅延変調器が群遅延をもたらし、
上記リファレンスアームは、サンプルへの光の伝搬およびサンプルからの光の反射に利用される遅延線を含み、
上記群遅延変調器の各々に適用される位相変調信号の周波数は、同一であり、かつ、上記リファレンスアーム内の上記遅延線に適用される位相変調周波数と等しいように構成されている光干渉断層撮影システム。
【請求項１１】
上記サンプルアームおよび上記リファレンスアームは、ＳＯＩ（silicon-on-insulator）技術を用いて実装されている、請求項１０に記載の光干渉断層撮影システム。
【請求項１２】
上記ステージは、光カプラを介して直列に互いに結合されている、請求項１０に記載の光干渉断層撮影システム。
【請求項１３】
上記光カプラは、２×２光カプラである、請求項１２に記載の光干渉断層撮影システム。
【請求項１４】
上記ステージは、２ｎ（ｎはステージ数）個のチャネルが互いに結合されている、請求項１０に記載の光干渉断層撮影システム。
【請求項１５】
チャネル間の有効群遅延の差は一定である、請求項１４に記載の光干渉断層撮影システム。
【請求項１６】
群遅延素子の各々は熱光学変調器である、請求項１０に記載の光干渉断層撮影システム。
【請求項１７】
各ステージの上記固定の群遅延素子は、他のステージの上記固定の群遅延素子とは異なる群遅延をもたらす、請求項１０に記載の光干渉断層撮影システム。
【請求項１８】
上記区別された軸方向スキャン深さ範囲の２つは少なくとも部分的に重なる、請求項１０に記載の光干渉断層撮影システム。
【請求項１９】
光干渉断層撮影システムであって、
放射ビームを供給する光源と、
上記放射ビームの第１部分をサンプルアームに導き、上記放射ビームの第２部分をリファレンスアームに導く光学素子と、
上記サンプルアームおよび上記リファレンスアームから上記放射ビームの上記第１部分および上記第２部分を受光する検出器とを備え、
上記サンプルアームが、第１の複数のステージを含んでおり、当該ステージの各々は固定の群遅延素子を有し、上記リファレンスアームが、第２の複数のステージを含んでおり、当該ステージの各々が群遅延変調器を有している場合、
区別された軸方向スキャン深さ範囲に対応する上記放射ビームの上記第１部分が上記放射ビームの上記第２部分を干渉するように、上記固定の群遅延素子および群遅延変調器の各々が群遅延をもたらし、
上記サンプルアームは、サンプルへの光の伝搬およびサンプルからの光の反射に利用される遅延線を含み、
上記群遅延変調器の各々に適用される位相変調信号の周波数は、同一であり、かつ、上記サンプルアーム内の上記遅延線に適用される位相変調周波数と等しいように構成されており、
上記リファレンスアームが、第１の複数のステージを含んでおり、当該ステージの各々が固定の群遅延素子を有し、上記サンプルアームが、第２の複数のステージを含んでおり、当該ステージの各々は群遅延変調器を有する場合、
区別された軸方向スキャン深さ範囲に対応する上記放射ビームの上記第１部分が上記放射ビームの上記第２部分を干渉するように、上記固定の群遅延素子および群遅延変調器の各々が群遅延をもたらし、
上記リファレンスアームは、サンプルへの光の伝搬およびサンプルからの光の反射に利用される遅延線を含み、
上記群遅延変調器の各々に適用される位相変調信号の周波数は、同一であり、かつ、上記リファレンスアーム内の上記遅延線に適用される位相変調周波数と等しいように構成されている
光干渉断層撮影システム。
【請求項２０】
上記サンプルアームおよび上記リファレンスアームは、ＳＯＩ（silicon-on-insulator）技術を用いて実装されている、請求項１９に記載の光干渉断層撮影システム。
【請求項２１】
上記第１の複数のステージは、光カプラを介して直列に互いに結合されており、上記第２の複数のステージは、光カプラを介して直列に互いに結合されている、請求項１９に記載の光干渉断層撮影システム。
【請求項２２】
上記光カプラは、２×２光カプラである、請求項２１に記載の光干渉断層撮影システム。
【請求項２３】
上記第１の複数のステージは、２ｎ（ｎはステージ数）個のチャネルが互いに結合され
ており、上記第２の複数のステージは、２ｎ個のチャネルが互いに結合されている、請求
項１９に記載の光干渉断層撮影システム。
【請求項２４】
チャネル間の有効群遅延の差は一定である、請求項２３に記載の光干渉断層撮影システム。
【請求項２５】
群遅延変調器の各々は熱光学変調器である、請求項１９に記載の光干渉断層撮影システム。
【請求項２６】
各ステージの上記固定の群遅延素子は、他のステージの上記固定の群遅延素子とは異なる群遅延をもたらす、請求項１９に記載の光干渉断層撮影システム。
【請求項２７】
上記区別された軸方向スキャン深さ範囲の２つは少なくとも部分的に重なっている、請求項１９に記載の光干渉断層撮影システム。
【請求項２８】
光干渉断層撮影システムのための分散された遅延線であって、
入力された放射ビームを受光し、当該入力された放射ビームを第１光路および第２光路に配分する第１光カプラと、
上記入力された放射ビームの第１部分に第１群遅延をもたらす、上記第１光路における第１群遅延素子と、
上記入力された放射ビームの上記第１部分にもたらされる上記第１群遅延を変える、上記第１光路における第１変調器と
を備える第１ステージと、
上記入力された放射ビームの上記第１部分および第２部分を受光し、当該入力された放射ビームの、各々が上記第１部分および上記第２部分の組合せである第３部分および第４部分を、第３光路および第４光路に配分する第２光カプラと、
上記入力された放射ビームの上記第３部分に上記第１群遅延と異なる第２群遅延をもたらす、第３光路における第２群遅延素子と、
上記入力された放射ビームの上記第３部分にもたらされる上記第２群遅延を変える、上記第３光路における第２変調器と
を備える、上記第１光路および上記第２光路を結合する第２ステージと、を備え、
上記第１変調器の各々に適用される位相変調信号の周波数は、同一であり、かつ、上記第２変調器に適用される位相変調信号の周波数と等しい、光干渉断層撮影システムのための分散された遅延線。
【請求項２９】
光干渉断層撮影システムのための分散された遅延線であって、
入力された放射ビームを受光し、当該入力された放射ビームを第１光路および第２光路に配分する第１光カプラと、
上記入力された放射ビームの第１部分に第１群遅延をもたらす、上記第１光路における第１群遅延素子と、
上記入力された放射ビームの第２部分にもたらされる群遅延を変調する、上記第２光路における第１変調器と
を備える第１ステージと、
上記入力された放射ビームの上記第１部分および第２部分を受光し、当該入力された放射ビームの、各々が上記第１部分および上記第２部分の組合せである第３部分および第４部分を、第３光路および第４光路に配分する第２光カプラと、
上記入力された放射ビームの上記第３部分に上記第１群遅延と異なる第２群遅延をもたらす、第３光路における第２群遅延素子と、
上記入力された放射ビームの上記第４部分にもたらされる上記第２群遅延を変える、上記第４光路における第２変調器と
を備える、上記第１光路および上記第２光路を結合する第２ステージと、を備え、
上記第１変調器の各々に適用される位相変調信号の周波数は、同一であり、かつ、上記第２変調器に適用される位相変調信号の周波数と等しい、光干渉断層撮影システムのための分散された遅延線。