Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月17日(2004.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
このうちの入力軸３１には、駆動側動力伝達部材である駆動側歯車３４を支持している。又、上記出力軸３２には、それぞれが従動側動力伝達部材である従動側歯車３５ａ〜３５ｄを、それぞれ図示しないシンクロメッシュ機構を介して支持している。運転時には、上記各従動側歯車３５ａ〜３５ｄのうちの何れか１個の従動側歯車のみが上記出力軸３２と共に回転し、他の従動側歯車は、この出力軸３２に対し回転する。又、上記伝達軸３３のうち、上記駆動側歯車３４及び上記各従動側歯車３５ａ〜３５ｄと対向する部分には、それぞれ伝達歯車３６ａ〜３６ｅを、上記伝達軸３３と共に回転自在に支持している。そして、これら各伝達歯車３６ａ〜３６ｅを、上記駆動側歯車３４及び上記各従動側歯車３５ａ〜３５ｄに、直接或は後退用のアイドラ歯車３７を介して噛合させている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
図６に示したシールリング付玉軸受１ａの場合には、芯金１４と弾性材１５とを組み合わせた各シールリング６ａ、６ａを使用しており、しかも内部に潤滑用のグリースを封入している為、コストが嵩む。即ち、上記各シールリング６ａ、６ａは、隙間を殆ど持たない密封シールである為、シールリング付転がり軸受１ａの周囲に存在する潤滑油がこのシールリング付転がり軸受１ａ内に入り込んで潤滑する様になるまで、相当の時間を要する。従って、上記グリースの封入が不可欠である。しかも、このグリースは、自動車用変速機を構成するケーシング２９内の潤滑油３０を交換した場合にもそのまま残留する。従って、上記シールリング付玉軸受１ａの潤滑は、上記潤滑油３０を何回交換しても、そのまま初めに封入したグリースにより行なわなければならない。この為、このグリースは、優れた耐久性を有する高価なものを使用する必要があり、上記シールリング付玉軸受１ａ全体のコストを高くする原因となる。更に、上記シールリング付玉軸受１ａの場合には、各凹溝１２、１２にシールリップ１３、１３を摺接させている為、回転トルクも大きい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月21日(2005.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッドをブレーキロータに押圧するべく軸方向に移動する直動部材と該直動部材を軸方向に案内する回動部材とからなる回転直動変換機構と、前記回動部材を回動するモータとをキャリパ内に収納し、前記モータの駆動により制動力を発生させるディスクブレーキにおいて、前記キャリパ内に前記直動部材の回り止め手段を設けたことを特徴とするディスクブレーキ。
【請求項２】
ねじ軸と該ねじ軸を軸方向に案内するナットとからなるねじ機構をキャリパ内に収納し、前記ナットに保持されるロータを有するモータを前記キャリパに収納し、前記ねじ軸の回転を防止する回り止め手段を設け、前記ねじ軸が軸方向に移動することによりパッドをブレーキロータに押圧して制動力を発生させるディスクブレーキにおいて、前記回り止め手段は前記ねじ軸における前記パッドに対して反対の端部と前記キャリパとの間に設けたことを特徴とするディスクブレーキ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本請求項１の発明は、上記目的を達成するために、パッドをブレーキロータに押圧するべく軸方向に移動する直動部材と該直動部材を軸方向に案内する回動部材とからなる回転直動変換機構と、前記回動部材を回動するモータとをキャリパ内に収納し、前記モータの駆動により制動力を発生させるディスクブレーキにおいて、前記キャリパ内に前記直動部材の回り止め手段を設けたことを特徴とする。
本請求項２の発明は、上記目的を達成するために、ねじ軸と該ねじ軸を軸方向に案内するナットとからなるねじ機構をキャリパ内に収納し、前記ナットに保持されるロータを有するモータを前記キャリパに収納し、前記ねじ軸の回転を防止する回り止め手段を設け、前記ねじ軸が軸方向に移動することによりパッドをブレーキロータに押圧して制動力を発生させるディスクブレーキにおいて、前記回り止め手段は前記ねじ軸における前記パッドに対して反対の端部と前記キャリパとの間に設けたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施の形態のディスクブレーキを図１ないし図６に基づいて説明する。図１及び図２において、ディスクブレーキ１は、自動車の固定部に設けたキャリア２に移動可能に支持されたキャリパ３と、キャリパ３に収納されるボールねじ機構（回転直動変換機構、ねじ機構）４と、ボールねじ機構４のナット（回動部材）５に嵌装されるロータ（以下、モータロータという）６を有するモータ７と、ボールねじ機構４のねじ軸（直動部材）８の軸方向への移動によりブレーキロータ９に押圧される一対のパッド１０（以下、適宜、図１右側のものをインナパッド１０ａ、左側のものをアウタパッド１０ｂという。）と、キャリパ３の後述する中空部１３の一方（図１右側）の開口部を閉塞する蓋１１と、から大略構成されている。インナパッド１０ａ及びアウタパッド１０ｂは、それぞれ車体の内側、外側に配置され、かつキャリア２にブレーキロータ９の軸線方向に移動自在に支持されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
【発明の効果】
本請求項１及び２の発明は、以上説明したように構成されたディスクブレーキであるから、従来技術とは異なり、ブレーキパッドとねじ軸（直動部材）とが回り止め手段を介して連結されたものにはなっていないので、ブレーキパッドに生じたガタつきが直動部材またはねじ軸に伝達されてしまうようなことがなく、従来技術で惹起する虞がある直動部材またはねじ軸の進退動量の狂いを招くようなことを防止できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
さらに、本請求項２の発明は、ブレーキパッドの交換時に回り止め手段が外されてねじ軸の回転拘束が解除されるタイプの従来技術では、ブレーキパッドの交換に際して、ねじ軸がモータロータと一体に回転してしまうことになるが、これに比して、パッドを外してねじ軸を初期位置に戻す（原点復帰させる）際にも、ねじ軸は回転拘束されていることにより、モータロータとねじ軸との位置関係が変化せず、両者の対応関係を良好な状態に維持できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月9日(2005.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも電流をスイッチングするパワー半導体素子を搭載し、前記パワー半導体素子搭載面の対向面にストライプ状の冷却フィンを有する直接水冷型パワー半導体モジュール構造において、
前記冷却フィンのフィン長手方向に対して略垂直な断面のコーナーに面取り部を有することを特徴とする直接水冷型パワー半導体モジュール構造。
【請求項２】
請求項１において、フィン長手方向に対して略垂直な断面に有するコーナーは、Ｒ面取りである直接水冷型パワー半導体モジュール構造。
【請求項３】
請求項２において、フィン長手方向に対して略垂直な断面の形状は、フィン先端の幅が、フィン根元の幅よりも小さい台形である直接水冷型パワー半導体モジュール構造。
【請求項４】
請求項３において、パワー半導体モジュール用金属ベースの材質は銅または銅合金であり、フィン長手方向に対して略垂直な断面の形状は、フィン先端の幅がフィン根元の幅よりも小さい台形、かつ、平均フィン幅、平均フィン間隔、フィン高さ、コーナーＲの各寸法が、各々、0.5mm以上、1mm以上、10mm以下、0.3mm以上である直接水冷型パワー半導体モジュール構造。
【請求項５】
請求項３または４において、パワー半導体モジュール用金属ベースのパワー半導体素子を搭載する平板部のフィン長手方向に対して略垂直断面の４箇所のコーナーＲは、フィン断面のコーナーＲよりも大きい直接水冷型パワー半導体モジュール構造。
【請求項６】
請求項４または５において、銅ベースのビッカース硬度は60以上である直接水冷型パワー半導体モジュール構造。
【請求項７】
少なくとも電流をスイッチングするパワー半導体素子を搭載し、前記パワー半導体素子搭載面の対向面にストライプ状の冷却フィンを有する直接水冷型パワー半導体モジュール構造において、
パワー半導体素子を搭載する平板部のフィン領域は、フィン長手方向に対して略垂直方向の断面形状が、フィン先端方向に向かって凸形状に厚くなっており、かつ、フィン長手方向両端で、該凸形状に厚くなっている部分は削除され、周囲の平板部と段差を有することを特徴とする直接水冷型パワー半導体モジュール構造。
【請求項８】
請求項７において、請求項１〜６のいずれか１項に記載の構成を備えた直接水冷型パワー半導体モジュール構造。
【請求項９】
少なくとも電流をスイッチングするパワー半導体素子を搭載し、前記パワー半導体素子搭載面の対向面にストライプ状の冷却フィンを有する直接水冷型パワー半導体モジュール構造において、
パワー半導体モジュール用金属ベースのフィンが形製されている面の表面粗さは、少なくともフィン長手方向で、フィン両端のフィンのない部分(領域Ａ)の表面粗さが、他の領域(領域Ｂ)の表面粗さよりも大きいことを特徴とする直接水冷型パワー半導体モジュール構造。
【請求項１０】
請求項９において、領域Ａの平均表面粗さRaは0.8μm以上、領域ＢのRaは0.8μmより小さい直接水冷型パワー半導体モジュール構造。
【請求項１１】
請求項９または１０において、請求項１〜８のいずれか１項に記載の構成を備えた直接水冷型パワー半導体モジュール構造。
【請求項１２】
少なくとも電流をスイッチングするパワー半導体素子を搭載し、前記パワー半導体素子搭載面の対向面にストライプ状の冷却フィンを有する直接水冷型パワー半導体モジュール構造において、
前記冷却フィンを、長手方向に複数に分割したことを特徴とする直接水冷型パワー半導体モジュール構造。
【請求項１３】
請求項１１または１２において、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の構成を備えた直接水冷型パワー半導体モジュール構造。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか１項に記載の直接水冷型パワー半導体モジュール構造を備えたインバータ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月24日(2005.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極の３つの電極と、ゲート絶縁層及び縮合芳香環化合物を有する有機半導体層とで構成された電界効果型有機トランジスタであって、前記縮合芳香環化合物が、２以上の繰り返し単位を有し、その繰り返し単位中に１０以上の共役二重結合を有し、２回回転軸を３つ有する
ことを特徴とする電界効果型有機トランジスタ。
【請求項２】
前記縮合芳香環化合物の繰り返し単位数が２以上１０００以下である請求項１に記載の電界効果型有機トランジスタ。
【請求項３】
前記縮合芳香環化合物の繰り返し単位数が２以上２００以下である請求項１に記載の電界効果型有機トランジスタ。
【請求項４】
前記縮合芳香環化合物の繰り返し単位中の共役二重結合数が１０以上２０以下である請求項１乃至３の何れか１項に記載の電界効果型有機トランジスタ。
【請求項５】
前記縮合芳香環化合物のエネルギーバンドギャップが１ｅＶ以下である請求項１乃至４の何れか１項に記載の電界効果型有機トランジスタ。
【請求項６】
前記縮合芳香環化合物を液相プロセスによって有機半導体層とした請求項１乃至５の何れか１項に記載の電界効果型有機トランジスタ。
【請求項７】
前記縮合芳香環化合物が配向している請求項１乃至６の何れか１項に記載の電界効果型有機トランジスタ。
【請求項８】
前記縮合芳香環化合物の長軸方向がソース電極とドレイン電極間を電荷が流れる方向に対して平行に配向している請求項１乃至７の何れか１項に記載の電界効果型有機トランジスタ。
【請求項９】
前記ゲート絶縁層が有機化合物である請求項１乃至８の何れか１項に記載の電界効果型有機トランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記縮合芳香環化合物中の繰り返し単位数は合成の容易性、溶剤に対する可溶性等から２以上１０００以下であることが好ましく、更には２以上２００以下であることが好ましい。また、前記縮合芳香環化合物の繰り返し単位中の共役二重結合の数は合成の容易性、溶剤に対する可溶性等から１０以上２０以下であることが好ましい。また、より本発明の効果を顕著にする為には前記縮合芳香環化合物のエネルギーバンドギャップが１ｅＶ以下であることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
式（Ｉ）〜（ＩＶ）中、Ｒ１〜Ｒ７は水素、ハロゲン、ＯＨ、ＮＯ２、ＮＨ３、ＣＯＯＨ、ＣＮ、ＳＯ３Ｈ、ＳＨまたは置換基を有していても良い炭素原子数１〜５０までのアルキル基またはパーフルオロアルキル基を示す。該アルキル基中の１つ以上のメチレンは置換基を有しても良い芳香環（ベンゼン環、ピリジン環、ピリミジン環、ピロール環、フラン環、チオフェン環）またはＯ、ＣＯ、Ｓ、ＮＨに置き換えられていても良い。ＭはメタルフリーであるかまたはＺｎ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｔｈ、Ｕ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｄ、Ｈｇ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｉを示す。ｎは２以上１０００までの整数である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
シリコン基板上に熱酸化膜ＳｉＯ２（３００ｎｍ）を形成した。その上にリフトオフ法によりチャネル長５０μｍ、チャネル幅５０ｍｍのクロム（５ｎｍ）／金（１００ｎｍ）のソース、ドレイン両電極を作製した。その上に縮合芳香環化合物Ａを５×１０−６ｔｏｒｒの圧力下で蒸着基板から１０ｃｍ離した昇華金属用ボードから平均昇華速度０．１ｎｍ／ｓ、基板温度２５℃で膜厚１００ｎｍになるまで堆積し有機半導体層２５を形成した。ゲート電極、ドレイン電極、ソース電極の各電極に０．１ｍｍφの金線を銀ペーストで配線し、電界効果型有機トランジスタ素子を作製した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
次に、実施例１と同様の方法で評価を行い閾値電圧、閾値の変動、移動度を算出した。結果を以下に示す。
閾値電圧        −１．８Ｖ
μ＝１．２    ｃｍ２／Ｖｓ
閾値の変動    ０．１
（比較例４）
有機半導体層３５として以下に示す縮合芳香環化合物Ｅを用いる以外は実施例５と同様の方法で電界効果型有機トランジスタを作製した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の電界効果型有機トランジスタの断面模式図の一例である。
【図２】
実施例で用いた電界効果型有機トランジスタの断面模式図である。
【図３】
実施例で用いた電界効果型有機トランジスタの断面模式図である。
【図４】
ペンタセンの２回回転軸の説明図である。
【符号の説明】
１１  絶縁性基板
１２，２１，３１  ゲート電極
１３，２２，３２  ゲート絶縁層
１４，２３，３３  ドレイン電極
１５，２４，３４  ソース電極
１６，２５，３５  有機半導体層
１７  保護膜
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月7日(2005.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  羽根車の外周部に空気を吐き出す吐出口を有するファンと、
上記ファンの吐出口に互いに間隔を存して配置された複数の放熱用のフィンと、
上記複数のフィンに熱的に接続されるとともに、発熱体との熱交換により加熱された液状冷媒が循環するチューブと、を具備したことを特徴とする冷却装置。
【請求項２】  発熱体に熱的に接続された受熱部と、
上記発熱体の熱を放出する放熱部と、
上記受熱部と上記放熱部との間で液状冷媒を循環させ、上記受熱部で加熱された上記液状冷媒を上記放熱部に導く循環経路と、を具備し、
上記放熱部は、
羽根車の外周部に空気を吐き出す吐出口を有するファンと、
上記ファンの吐出口に互いに間隔を存して配置された複数の放熱用のフィンと、
上記複数のフィンに熱的に接続されるとともに、上記受熱部で加熱された液状冷媒が流れるチューブと、を具備したことを特徴とする冷却装置。
【請求項３】  請求項１又は請求項２の記載において、上記フィンは、互いに平行に配置されているとともに、上記チューブと交差する方向に延びる放熱面を有することを特徴とする冷却装置。
【請求項４】  請求項３の記載において、上記チューブは、上記羽根車を取り囲むように上記ファンの周囲に配置されていることを特徴とする冷却装置。
【請求項５】  請求項４の記載において、上記ファンの吐出口は、上記羽根車の回転中心に対し互いに異なる方向に複数設けられることを特徴とする冷却装置。
【請求項６】  請求項１又は請求項２の記載において、上記ファンは、上記羽根車を収容するとともに上記吐出口が形成されたファンケースを有し、上記フィンは、上記吐出口を覆うように上記ファンケースに固定されていることを特徴とする冷却装置。
【請求項７】  排気口を有する筐体と、
上記筐体に収容され、羽根車の外周部に空気を吐き出す吐出口を有するファンと、
上記ファンの吐出口に互いに間隔を存して配置された複数のフィンと、
上記複数のフィンに熱的に接続されるとともに、発熱体との熱交換により加熱された液状冷媒が循環するチューブと、を具備したことを特徴とする電子機器。
【請求項８】  請求項７の記載において、上記フィンは、互いに平行に配置されているとともに、上記チューブと交差する方向に延びる放熱面を有することを特徴とする電子機器。
【請求項９】  請求項８の記載において、上記チューブは、上記羽根車を取り囲むように上記ファンの周囲に配置されていることを特徴とする電子機器。
【請求項１０】  請求項９の記載において、上記ファンは、上記羽根車を収容するとともに上記吐出口が形成されたファンケースを有し、上記フィンは、上記吐出口を覆うように上記ファンケースに固定されていることを特徴とする電子機器。
【請求項１１】  請求項７の記載において、上記複数のフィンは、上記吐出口と上記排気口との間に配置されることを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の一つの形態に係る冷却装置は、
羽根車の外周部に空気を吐き出す吐出口を有するファンと、
上記ファンの吐出口に互いに間隔を存して配置された複数の放熱用のフィンと、
上記複数のフィンに熱的に接続されるとともに、発熱体との熱交換により加熱された液状冷媒が循環するチューブと、を備えていることを特徴としている。
上記目的を達成するため、本発明の一つの形態に係る電子機器は、
排気口を有する筐体と、
上記筐体に収容され、羽根車の外周部に空気を吐き出す吐出口を有するファンと、
上記ファンの吐出口に互いに間隔を存して配置された複数のフィンと、
上記複数のフィンに熱的に接続されるとともに、発熱体との熱交換により加熱された液状冷媒が循環するチューブと、を備えていることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この構成によれば、チューブ内を流れる液状冷媒を効率良く冷却することができ、発熱体の冷却性能を高めることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
第１のチューブ７３ａと第２のチューブ７３ｂとの間に冷却液を蓄えるリザーブタンク８０が設置されている。リザーブタンク８０は、第３の筐体２１に収容されているとともに、放熱部３２の第２のフィン集合体５１ｂと第３の筐体２１の端板２１ｅとの間に位置している。リザーブタンク８０は、第３の筐体２１の幅方向に延びる四角い偏平な箱状であり、第３の筐体２１の底板２１ｂ又は放熱部３２に固定されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
【発明の効果】
以上詳述した本発明によれば、チューブ内を流れる液状冷媒を効率良く冷却することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１１…発熱体（CPU）、２１…筐体（第３の筐体）、３１…受熱部、３２…放熱部、３３…循環経路、５０…ファン（電動ファン）、５２…チューブ、５４…羽根車、６２ａ，６２ｂ，６２ｃ…第１ないし第３の吐出口、６５…排気口、６７…フィン。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月30日(2005.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】陽極リード部材を有する陽極体表面に、誘電体皮膜層、陰極層を順次形成したコンデンサ素子と、前記陽極リード部材と接続される陽極端子と、前記コンデンサ素子が載置され、前記陰極層と接続された陰極端子と、前記コンデンサ素子を被覆する外装樹脂とを備え、前記陰極端子の一部と、前記陽極端子の一部とが同一平面で前記外装樹脂から露出している固体電解コンデンサにおいて、
前記陰極端子には、外装樹脂から露出している陰極露出部が、前記同一平面に少なくとも２箇所設けられていることを特徴とする固体電解コンデンサ。
【請求項２】前記陰極露出部は、第１陰極露出部及び第２陰極露出部からなり、前記第１露出部は、前記第２露出部よりも前記陽極露出部に近い位置に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項３】前記第１露出部は、前記同一平面において前記固体電解コンデンサの横方向の端部まで延在していることを特徴とする請求項２に記載の固体電解コンデンサ。
【請求項４】請求項１、請求項２又は請求項３いずれかに記載の固体電解コンデンサを半田を介して回路基板に固着する固体電解コンデンサの取り付け方法において、
前記回路基板には、前記陽極露出部及び陰極露出部のそれぞれに対応する位置にランドが設けてあり、各々のランド上に半田を塗布して、前記回路基板に前記固体電解コンデンサを半田付けすることを特徴とする固体電解コンデンサの取り付け方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
この固体電解コンデンサは、弁作用金属（タンタル、ニオブ、チタン、アルミニウム等）の焼結体からなる陽極体３表面に、該陽極体表面を酸化させた誘電体皮膜層４を形成し、二酸化マンガン等の導電性無機材料、或いはＴＣＮＱ錯塩、導電性ポリマー等の導電性有機材料からなる固体電解質層５ａ、カーボン、銀等からなる陰極引出層５ｂを順次形成した陰極層５を設けてコンデンサ素子６を構成し、前記陽極体３の一端面に植立された陽極リード部材７に陽極リードフレーム１１を接続し、前記陰極層５に陰極リードフレーム１２を接続し、前記コンデンサ素子６の外側にエポキシ樹脂等からなる外装樹脂層８にて被覆密封し、前記陽極リードフレーム１１及び陰極リードフレーム１２を前記外装樹脂８に沿って曲げたものである（例えば特許文献１）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
前記陰極端子２は、固体電解コンデンサの底面（下面）において、陽極端子１が露出している陽極露出部１ａに近傍する位置に露出する第１陰極露出部２０ａと、前記陽極露出部１ａと対向する部分から露出する第２陰極露出部２０ｂを有している。前記第１陰極露出部２０ａと前記第２陰極露出部２０ｂの間には陰極端子２にスパッタリング等で設けた凹部に外装樹脂が入り込んだ陰極埋め込み部８ａを有している。また、前記陽極露出部１０及び、前記第２陰極露出部２０ｂは固体電解コンデンサの陽極リード部材の植立方向（縦方向）の端部まで延在しており、前記第１陰極露出部２０ａは固体電解コンデンサの下面を基準とし陽極リード部材の植立方向と直交する方向（横方向）の端部まで延在している延在部２１を有している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月22日(2005.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
高い平均パワー（ＨＡＰ）用で使用される１つの形式のＳＳＬはいわゆるディスクレーザであり、それにおいてはレーザ媒体はレーザビームの応用に対するポンプ放射に曝されることのできるディスク形状に形成される。図１の（Ａ）および（Ｂ）はそれぞれ例示的なレーザ光を透過および反射するディスク増幅モジュールを示している。透過型ディスク増幅器では、レーザビームはレーザ媒体を通過する。熱はディスクの大きい表面上を適当な冷却媒体（ガスまたは液体）を流すことにより除去される。反射型ディスク増幅器（アクチブミラーとも呼ばれる）では、ディスクの一方の表面には反射被覆が設けられて、２つのディスクを通る通路が形成された後にレーザビームは被覆と反対側の表面を通って出る。熱は主として被覆を通って熱交換器等へ伝達される。ディスクレーザでは、温度勾配はレーザビーム通路にほぼ平行であり、それは上述の熱・機械的歪の多くを受けることを遥かに少なくする。しかしながら、改良されたレーザ性能を得てレーザの価格を低下させるにはまだ問題がある。特に、良好なビーム品質を得るためにレーザ媒体の開口を横切って均一な光利得を与えることが望ましい。さらに、パワーおよびレーザ構造内の冷却剤へのアクセスを改善して、カスタムメイドのコンポーネントに対する依存度を減少させることによりレーザのコストと複雑性を減少させることが望ましい。
【特許文献１】米国特許第２００２／０９７７６９  Ａ１号明細書
【特許文献２】欧州特許第０  ８６９  ５９１  Ａ号明細書
【特許文献３】米国特許第５，９７８，４０７  Ａ号明細書
【特許文献４】欧州特許第１  ２７８  ２７８  Ａ号明細書
【非特許文献１】DIODE EDGE-PUMPED MICROCHIP COMPOSITE YB:YAG LASER、JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, PUBLICATION OFFICE JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. TOKYO、 JP、41巻、No.6A、PART 2                                    ［発明の開示］                                                              ［発明が解決しようとする課題］
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月4日(2004.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルム（Ｉ）、粘着剤層、基材フィルム（II）およびフィルム状接着剤層がこの順に構成されてなるダイアタッチフィルムであって、基材フィルム（II）と接着剤層の外径がウエハーの貼り付け予定部分の外径より大きくウエハーリング貼り付け予定部分の内径より小さいことを特徴とするダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムであって、
該フィルム状接着剤層を構成する樹脂組成物が、ガラス転移温度が−３０℃以上６０℃以下であるアクリル酸共重合体、及びエポキシ樹脂を含むものであるダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム。
【請求項２】
アクリル酸共重合体の分子量が１０万以上１００万以下である請求項１記載のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム。
【請求項３】
アクリル酸共重合体が、ニトリル基を含有するアクリル酸共重合体である請求項１又は２記載のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム。
【請求項４】
粘着剤層がアクリル酸共重合体からなる請求項１〜３のいずれか１項に記載のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム。
【請求項５】
基材フィルム（Ｉ）および基材フィルム（II）が光透過性基材からなる請求項１〜４のいずれか１項に記載のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルム。
【請求項６】
（Ａ）請求項１〜５記載のダイシングシート機能付きダイアタッチフィルムの接着剤層部分にシリコンウェハー裏面とを６０℃以下で貼り合わせる工程、
（Ｂ）基材フィルム（Ｉ）上に形成された粘着剤層にウエハーリングを貼り付ける工程、
（Ｃ）該シリコンウェハーをダイシングし個片ダイに切り離す工程、
（Ｄ）ダイシング後にダイアタッチフィルム面に紫外線を照射して接着剤層と基材フィルム（II）との接触界面を硬化させる工程、
（Ｅ）接着剤層を紫外線硬化させた後、裏面に接着剤層を残存させたダイを基材フィルム（II）から剥離し取り出すピックアップ工程、
（Ｆ）該ダイを、リードフレームまたは基板に、接着剤を介して加熱接着する工程とを、含んでなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか１項に記載のダイボンディング用フィルム状接着剤により半導体素子とリードフレーム又は基板とを接着してなる半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月4日(2004.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒素雰囲気の光路を介してマスクのパターンを感光性基板に転写する露光装置の光学調整方法において、
調整すべき光学部材を含む空間区画内の窒素を空気で置換する置換工程と、
前記置換工程により空気雰囲気となった前記空間区画内の前記光学部材を調整する調整工程と、
前記調整工程中または前記調整工程後に、前記空間区画内が空気雰囲気である状態において露光光の強度を実質的に低下させて検査露光を行う検査工程とを備えていることを特徴とする露光装置の光学調整方法。
【請求項２】
前記露光光の波長は、１８４ｎｍ乃至２５５ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の露光装置の光学調整方法。
【請求項３】
前記置換工程は、前記空間区画内の窒素を強制排出するとともに前記空間区画を大気に開放することによって行われることを特徴とする請求項１または２に記載の露光装置の光学調整方法。
【請求項４】
マスクを照明する照明光学系と、マスクのパターンを感光性基板上に投影露光する投影光学系とを備えた露光装置において、
請求項１乃至３の何れか一項に記載の方法に従って光学調整されたことを特徴とする露光装置。
【請求項５】
窒素雰囲気の光路を介してマスクのパターン像を形成する投影光学系の光学調整方法において、
調整すべき光学部材を含む空間区画内の窒素を空気で置換する置換工程と、
前記置換工程により空気雰囲気となった前記空間区画内の前記光学部材を調整する調整工程と、
前記調整工程中または前記調整工程後に、前記空間区画内が空気雰囲気である状態において露光光の強度を実質的に低下させて検査露光を行う検査工程とを備えていることを特徴とする投影光学系の光学調整方法。
【請求項６】
前記露光光の波長は、１８４ｎｍ乃至２５５ｎｍであることを特徴とする請求項５に記載の投影光学系の光学調整方法。
【請求項７】
前記置換工程は、前記空間区画内の窒素を強制排出するとともに前記空間区画を大気に開放することによって行われることを特徴とする請求項５または６に記載の投影光学系の光学調整方法。
【請求項８】
窒素雰囲気の光路を介してマスクのパターン像を形成する投影光学系において、
請求項５乃至７の何れか一項に記載の方法に従って光学調整されたことを特徴とする投影光学系。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月7日(2005.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明光に対してマスクと基板とを同期走査することにより前記マスクのパターンの像を投影光学系を介して前記基板上に転写する走査型露光装置の調整方法において、
前記照明光による照明領域を走査露光時と異なるように変更し、
該照明領域の変更後に、所定のマスクパターンの像を前記投影光学系を介して投影することにより前記投影光学系の結像特性を測定し、
該測定結果に基づいて前記投影光学系を調整することを特徴とする走査型露光装置の調整方法。
【請求項２】
前記走査露光時における照明領域は、前記走査の方向を短辺方向とするスリット状であり、前記投影光学系の結像特性を測定する際の照明領域は前記走査の方向に関して前記スリット状の照明領域の外側を含むように変更されることを特徴とする請求項１に記載の走査型露光装置の調整方法。
【請求項３】
前記投影光学系の結像特性を調整した後に、前記照明光による照明領域を走査露光時の照明領域に戻して、前記投影光学系の結像特性を確認することを特徴とする請求項１又は２に記載の走査型露光装置の調整方法。
【請求項４】
光源からの照明光に対してマスクと基板とを同期して移動することにより前記マスクのパターンの像を投影光学系を介して前記基板上に転写する走査型露光装置において、
前記光源からの照明光による照明領域を変更可能な照明光学系と、
前記投影光学系の結像特性を測定するときと走査露光を行うときとで、前記照明光の照明領域が異なるように前記照明光学系の光学要素を制御する制御系と、
前記照明光の照明領域が走査露光を行うときとは異なる状態で測定された前記投影光学系の結像特性に応じて前記投影光学系を調整する調整系と、
を備えたことを特徴とする走査型露光装置。
【請求項５】
前記投影光学系を介して投影された所定のマスクパターンの像を検出するセンサと、該センサの検出結果に基づいて前記投影光学系の結像特性を求める演算手段と、を更に備えたことを特徴とする請求項４に記載の走査型露光装置。
【請求項６】
前記照明光学系は、前記照明光の照明領域を規定するための視野絞りを有し、
前記制御系は、前記投影光学系の結像特性を測定するときと走査露光を行うときとで前記照明光の照明領域が異なるように前記視野絞りを調整することを特徴とする請求項４又は５に記載の走査型露光装置。
【請求項７】
前記照明光学系は、前記照明光の照度分布を均一化するためのオプティカル・インテグレータを切り換え可能に複数種類有し、前記投影光学系の結像特性を測定するときと走査露光を行うときとで前記オプティカル・インテグレータの切り換えを行うことを特徴とする請求項４、５、又は６に記載の走査型露光装置。
【請求項８】
照明光に対してマスクと基板とを同期走査することにより前記マスクのパターンの像を投影光学系を介して前記基板上に転写する走査型露光装置の調整方法において、
走査露光時における第１の照明領域と異なる第２の照明領域を設定し、
前記第２の照明領域のもとで、前記投影光学系の結像特性を測定し、
該測定結果に基づいて前記投影光学系を調整することを特徴とする走査型露光装置の調整方法。
【請求項９】
前記第２の照明領域は、前記第１の照明領域外の領域を含むことを特徴とする請求項８に記載の走査型露光装置の調整方法。
【請求項１０】
前記投影光学系の結像特性は、前記第１の照明領域外における結像特性を含むことを特徴とする請求項９に記載の走査型露光装置の調整方法。
【請求項１１】
前記投影光学系の結像特性は、ディストーション又は像面湾曲を含むことを特徴とする請求項８〜１０のいずれか一項に記載の走査型露光装置の調整方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、その照明光学系内にオプティカル・インテグレータ用のリレーレンズや光路折り曲げ用のミラー等が備えられている場合、その照明領域の切り換え時にこれらのリレーレンズやミラー等も切り換えるようにしてもよい。
また、本発明の別の走査型露光装置の調整方法は、照明光（ＩＬ）に対してマスク（Ｒ）と基板（Ｗ）とを同期走査することによりそのマスクのパターンの像を投影光学系（ＰＬ）を介してその基板上に転写する走査型露光装置の調整方法において、走査露光時における第１の照明領域（２２）と異なる第２の照明領域（２３）を設定し、その第２の照明領域のもとで、その投影光学系の結像特性を測定し、この測定結果に基づいてその投影光学系を調整するものである。
本発明によれば、例えばその第２の照明領域としてその第１の照明領域外の領域を含む広い領域を設定すれば、その投影光学系の特に規則的な結像特性（ディストーション、像面湾曲等）を２次元的に正確に把握することができ、それに基づいてその結像特性を所望の状態に高精度に調整できる。
本発明において、その第２の照明領域は、その第１の照明領域外の領域を含むことができる。
また、その投影光学系の結像特性は、その第１の照明領域外における結像特性を含むことができる。
また、その投影光学系の結像特性は、ディストーション又は像面湾曲を含むことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月25日(2004.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像変調光を放出することができる、Ｘ線画像を記憶するためのＸ線検出記憶手段を具備するＸ線画像検知器において、２次元位置検出ガスフォトン検知器が、該画像変調光を検知するように配置されることを特徴とするＸ線画像検知器。
【請求項２】
請求項１のＸ線画像検知器と、
伸長光源と、
格子部材に垂直の方向において該検知器を通過して該伸長光源を移動させるための手段と、
電極アセンブリへ連結され、該伸長光源の移動と同期してそれぞれの格子部材において信号を測定するように配置された電子読出し手段とを具備するＸ線画像読出し装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月23日(2005.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】公開鍵取扱装置、公開鍵取扱方法及び通信装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部の通信装置からの鍵取得要求への応答として送信される公開鍵と当該公開鍵を取得した公開鍵利用者のアドレス情報とを関連付けて管理する管理手段と、
前記公開鍵が更新された場合に、その更新された公開鍵を、前記管理手段が管理するアドレス情報を用いて公開鍵利用者に配信する鍵配信手段と
を備えることを特徴とする公開鍵取扱装置。
【請求項２】
前記外部の通信装置からの鍵取得要求を受け付けるとともに、その鍵取得要求を行った通信装置のアドレス情報を取得する要求受付手段を具備し、
前記管理手段は、前記要求受付手段が取得したアドレス情報を前記公開鍵利用者のアドレス情報として登録する
ことを特徴とする請求項１記載の公開鍵取扱装置。
【請求項３】
前記外部の通信装置からの鍵取得要求への応答として送信される公開鍵が、当該公開鍵を生成した鍵生成装置によって登録されたものである場合に、前記鍵生成装置からの利用者情報取得要求への応答として、前記管理手段が管理する公開鍵利用者のリストを送信する鍵利用者情報送信手段を具備する
ことを特徴とする請求項１記載の公開鍵取扱装置。
【請求項４】
外部の通信装置から公開鍵受領完了通知を受信した場合に、その通信装置のアドレス情報に関連付けて前記管理手段に管理された公開鍵利用者の鍵更新情報を書き替える鍵更新情報書き替え手段を具備する
ことを特徴とする請求項１記載の公開鍵取扱装置。
【請求項５】
前記外部の通信装置からの鍵取得要求への応答として送信される公開鍵が、当該公開鍵を生成した鍵生成装置によって登録されたものである場合に、前記鍵生成装置によって登録された公開鍵に関連付けて前記管理手段が管理する公開鍵利用者全員の鍵更新情報が前記鍵更新情報書き替え手段によって最新の情報に書き替えられた時点で、前記鍵生成装置に公開鍵配信完了通知を送信する配信完了通知手段を具備する
ことを特徴とする請求項４記載の公開鍵取扱装置。
【請求項６】
前記管理手段が管理する公開鍵利用者全員の鍵更新情報が前記鍵更新情報書き替え手段によって最新の情報に書き替えられた場合に、更新前の公開鍵を消去する鍵消去手段を具備する
ことを特徴とする請求項４記載の公開鍵取扱装置。
【請求項７】
自装置で生成した公開鍵を使って暗号化されたメッセージを外部の通信装置から受信した場合に、前記公開鍵とペアで生成した秘密鍵を使用して前記メッセージを復号化し、その復号化したメッセージが前記公開鍵受領完了通知であることが確認された場合に、前記鍵更新情報書き替え手段は、前記外部装置のアドレス情報に関連付けて前記管理手段が管理する公開鍵利用者の鍵更新情報を書き替える
ことを特徴とする請求項４記載の公開鍵取扱装置。
【請求項８】
前記鍵更新情報書き替え手段は、前記メッセージの暗号化に使用された公開鍵の更新状態に応じて前記公開鍵利用者の鍵更新情報を書き替える
ことを特徴とする請求項７記載の公開鍵取扱装置。
【請求項９】
更新された公開鍵を受信した場合に、その公開鍵の送信元又は生成元となる公開鍵取扱装置に対して公開鍵受領完了通知を送信する受領完了通知手段を備える
ことを特徴とする通信装置。
【請求項１０】
前記受領完了通知手段は、前記受信した公開鍵を用いて前記公開鍵受領完了通知を暗号化し、その暗号化メッセージを前記公開鍵の生成元となる公開鍵取扱装置に送信する
ことを特徴とする請求項９記載の通信装置。
【請求項１１】
外部の通信装置からの鍵取得要求への応答として送信される公開鍵と当該公開鍵を取得した公開鍵利用者のアドレス情報とを関連付けて管理しておき、
前記公開鍵が更新された場合に、その更新された公開鍵を、前記管理しているアドレス情報を用いて公開鍵利用者に配信する
ことを特徴とする公開鍵取扱方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月26日(2004.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）量産プロセスを流れる複数の第１ウエハの主面上に酸化シリコン系の絶縁膜を形成する工程、
（ｂ）酸化シリコン系の絶縁膜が形成されたモニター用のダミーウエハを用意する工程、
（ｃ）前記複数の第１ウエハおよび前記ダミーウエハのそれぞれの主面に形成された前記絶縁膜に対して化学機械研磨処理を施す工程、
（ｄ）前記化学機械研磨処理工程の後、フッ酸を含む溶液を用いて前記ダミーウエハの絶縁膜をエッチング処理する工程、
（ｅ）前記エッチング処理が施された前記ダミーウエハの絶縁膜のスクラッチ数を計測することによって、前記化学機械研磨処理工程で前記複数の第１ウエハの絶縁膜に生じたスクラッチ数を管理する工程。
【請求項２】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記化学機械研磨処理工程は、前記第１ウエハの主面に素子分離用溝を形成した後、前記絶縁膜を前記素子分離用溝内および前記主面上に堆積し、前記絶縁膜を平坦化処理する工程であることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記ダミーウエハは、鏡面処理が施された主面上に前記酸化シリコン系の絶縁膜が形成されたウエハであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記化学機械研磨処理は、シリカを主成分として含んだ研磨スラリを使用して行われることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記化学機械研磨処理は、枚葉方式によって行われることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
以下の工程を有する半導体集積回路装置の製造方法；
（ａ）量産プロセスを流れる複数の第１ウエハの主面をエッチングして素子分離用の溝を形成する工程、
（ｂ）前記溝が形成された前記複数の第１ウエハの主面上に、前記溝の深さよりも厚い膜厚を有する酸化シリコン系の絶縁膜を形成する工程、
（ｃ）酸化シリコン系の絶縁膜が形成されたモニター用のダミーウエハを用意する工程、
（ｄ）前記複数の第１ウエハおよび前記ダミーウエハのそれぞれの主面に形成された前記絶縁膜に対して化学機械研磨処理を施すことによって、前記複数の第１ウエハの主面に研磨平坦化絶縁膜分離溝を形成する工程、
（ｅ）前記化学機械研磨処理工程の後、フッ酸を含む溶液を用いて前記ダミーウエハの絶縁膜をエッチング処理する工程、
（ｆ）前記エッチング処理が施された前記ダミーウエハの絶縁膜のスクラッチ数を計測することによって、前記化学機械研磨処理工程で前記複数の第１ウエハの絶縁膜に生じたスクラッチ数を管理する工程、
（ｇ）前記研磨平坦化絶縁膜分離溝が形成された前記複数の第１ウエハの主面上に第１導電膜を形成した後、前記第１導電膜をパターニングすることによって、前記複数の第１ウエハの主面上にＭＩＳＦＥＴのゲート電極を形成する工程、
（ｈ）前記ゲート電極が形成された前記複数の第１ウエハの主面を、フッ酸を含む溶液を用いてエッチング処理する工程、
（ｉ）前記エッチング処理が施された前記複数の第１ウエハのうち、前記（ｆ）工程で前記絶縁膜のスクラッチ数が基準値を超える可能性があるとされた第１ウエハの外観検査を行うことによって、前記化学機械研磨処理工程で前記第１ウエハの絶縁膜に生じたスクラッチ数を計測する工程。
【請求項７】
請求項６記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記ダミーウエハは、鏡面処理が施された主面上に前記酸化シリコン系の絶縁膜が形成されたウエハであることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記化学機械研磨処理は、シリカを主成分として含んだ研磨スラリを使用して行われることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記化学機械研磨処理は、枚葉方式によって行われることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記複数の第１ウエハの絶縁膜に対して行う化学機械研磨処理は、窒化シリコン系の絶縁膜を研磨ストッパに用いて行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項６記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｄ）工程の化学機械研磨処理は、同一の化学機械研磨装置を用いて前記複数の第１ウエハに対する化学機械研磨処理と前記ダミーウエハに対する化学機械研磨処理とを連続して行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記化学機械研磨処理は、
（ｊ）前記ダミーウエハに対する化学機械研磨処理を行う工程、
（ｋ）前記（ｊ）工程の後、フッ酸を含む溶液を用いて前記ダミーウエハの絶縁膜をエッチング処理する工程、
（ｌ）前記（ｋ）工程の後、前記エッチング処理が施された前記ダミーウエハの絶縁膜のスクラッチ数を計測し、前記スクラッチ数が基準値以下であれば、前記複数の第１ウエハに対する化学機械研磨処理を行い、前記スクラッチ数が基準値を越える場合は、前記化学機械研磨処理の条件を変更し、前記ダミーウエハのスクラッチ数が前記基準値を以下となるまで、前記（ｊ）〜（ｌ）の工程を繰り返す工程、
をさらに含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
特開平１０−１６３２８４号公報は、化学機械研磨および洗浄処理後のウエハ表面に残留するパーティクルをパーティクルカウンタで計測する際、測定されたパーティクルの数が実際のパーティクルだけの数なのか、あるいはスクラッチを含んだ数なのかを判別するウエハ表面検査方法を開示している。また、特開平１０−２３３３７４号公報は、研磨工程後に研磨面の傷や異物について発生状態をフィードバックして研磨条件を制御して研磨する方法を開示している。また、特開平１１−２３３４６８号公報は、製品ウエハとダミーウエハとを同時に研磨して区分けし、自動で回収する装置を開示している。また、特開平１０−１６３２８４号公報は、研磨加工された半導体ウエハを洗浄した後、半導体ウエハの表面をパ−ティクルカウンタで測定し、その後、半導体ウエハの表面を等方性エッチング処理し、再度エッチングされた半導体ウエハの表面をパ−ティクルカウンタで測定してパ−ティクル数の差によって、研磨加工時の半導体ウエハのスクラッチの有無を判別する方法を開示している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月6日(2005.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子形成の終了した半導体ウェハーを、先ダイシング法にてダイシング及び裏面研削して、個片化された半導体チップを形成する工程と、
個片化された各々の半導体チップを熱可塑性樹脂、未硬化の熱硬化樹脂、及び未硬化の熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との混合物のいずれかを含み、ダイボンド剤として用いる接着剤フィルム上に接着する工程と、
前記個片化された各々の半導体チップが接着された接着剤フィルムにおける接着剤フィルム面をダイシングテープに貼り付ける工程と、
上記接着剤フィルムにおける上記各半導体チップ間の領域を、有機溶剤、酸性溶液及びアルカリ性溶液のいずれかを用いた化学的エッチングにより除去する工程とを具備する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記接着剤フィルムは、本質的に熱可塑性樹脂、未硬化の熱硬化樹脂、及び未硬化の熱硬化性樹脂と熱可塑性樹脂との混合物のいずれかから成ることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記接着剤フィルムは、ガラスビーズ、ポリマー、及び銀フィラーのいずれかで形成されたスペーサーを備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ダイシングテープから前記半導体チップを引き剥がす工程と、前記引き剥がした半導体チップの接着剤フィルム面側を、金属フレームもしくは有機基板上にマウントする工程とを更に具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月7日(2004.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載置するサセプタが配置される反応室と、前記反応室上に載置されたプラズマ発生容器とを有するプラズマ処理装置であって、前記反応室のうち前記プラズマ発生容器を載設する面には凹部を有し、前記凹部に弾性シール材を設けて前記プラズマ発生容器と前記反応室とを密閉するとき、前記反応室，前記プラズマ発生容器の少なくとも一方には前記凹部と前記プラズマ発生容器の内壁面との間に凸部を有することを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月6日(2004.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主バッテリ及び補助バッテリを発電機により充電可能な充電システムにおいて、前記補助バッテリへの充電を制御する補助バッテリ充電装置であって、
前記発電機から前記補助バッテリに流れる充電電流をオンオフする第１のスイッチ手段と、
前記充電電流の大きさを検知する電流検知手段と、
前記電流検知手段の検知結果に基づいて、充電電流が所定値以下となるように前記第１
のスイッチ手段を制御するリミット手段と、
前記主バッテリの電圧を検知する電圧検知手段と、
前記電圧検知手段の検知結果に基づいて、前記リミット手段の制御を有効又は無効にする第２のスイッチ手段とを備え、
前記第２のスイッチ手段は、前記電圧検知手段の検知電圧が、該検知電圧に基づいて複数の電圧の中から決定された基準電圧より大きい場合に、前記リミット手段による制御を有効にして、該リミット手段により前記第１のスイッチ手段を制御可能にする一方、検知電圧が前記基準電圧以下の場合に、前記リミット手段による制御を無効にして、前記第１のスイッチ手段を常にオフにすることを特徴とする補助バッテリ充電装置。
【請求項２】
前記リミット手段は、充電電流が所定値以下の場合に充電電流の大きさをそのまま維持する一方、充電電流が所定値より大きい場合に、充電電流に基づいて前記第１のスイッチ手段のオンオフ時間をＰＷＭ制御することにより、充電電流を所定値に維持することを特徴とする請求項１に記載の補助バッテリ充電装置。
【請求項３】
補助バッテリへの充電状態を表示する点灯手段と、前記電流検知手段の検知結果に基づいて、前記点灯手段への通電をオンオフする第３のスイッチ手段とを更に備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の補助バッテリ充電装置。
【請求項４】
前記主バッテリの端子に直接接続可能であることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の補助バッテリ充電装置。
【請求項５】
前記第１のスイッチ手段は、Ｎチャネル形ＦＥＴであり、補助バッテリのマイナス端子側をオンオフするように設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の補助バッテリ充電装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】    【課題を解決するための手段】  本発明の前記目的は、バッテリ及び補助バッテリを発電機により充電可能な充電システムにおいて、前記補助バッテリへの充電を制御する補助バッテリ充電装置であって、前記発電機から前記補助バッテリに流れる充電電流をオンオフする第１のスイッチ手段と、前記充電電流の大きさを検知する電流検知手段と、前記電流検知手段の検知結果に基づいて、充電電流が所定値以下となるように前記第１のスイッチ手段を制御するリミット手段と、前記主バッテリの電圧を検知する電圧検知手段と、前記電圧検知手段の検知結果に基づいて、前記リミット手段の制御を有効又は無効にする第２のスイッチ手段とを備え、前記第２のスイッチ手段は、前記電圧検知手段の検知電圧が、該検知電圧に基づいて複数の電圧の中から決定された基準電圧より大きい場合に、前記リミット手段による制御を有効にして、該リミット手段により前記第１のスイッチ手段を制御可能にする一方、検知電圧が前記基準電圧以下の場合に、前記リミット手段による制御を無効にして、前記第１のスイッチ手段を常にオフにすることを特徴とする補助バッテリ充電装置により達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】