【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年12月23日(2020.12.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に２次相の酸化保護層が形成されることを特徴とする炭化ケイ素焼結体であって、
前記２次相の酸化保護層は希土類−Ｓｉ酸化物からなり、
前記焼結体をなす結晶粒界面、および結晶粒界面同士が互いに会って形成される三重点には、希土類の陽イオンがリッチ（ｒｉｃｈ）相として存在し、
前記２次相の酸化保護層をなす希土類−Ｓｉ酸化物中、希土類は、前記焼結体をなす結晶粒界面、および前記三重点に存在する陽イオンから形成されることを特徴とする、炭化ケイ素焼結体。
【請求項２】
前記２次相は、焼結体の表面から、焼結体内のベース相領域の内部に所定の深さまでベース相領域と結合して存在することを特徴とする、請求項１に記載の炭化ケイ素焼結体。
【請求項３】
前記焼結体をなす結晶粒界面、および結晶粒界面同士が互いに会って形成される三重点には、希土類の陽イオンがリッチ（ｒｉｃｈ）相として存在することにより、前記酸化保護層が剥離されても、希土類の陽イオンとＳｉが希土類−Ｓｉ酸化物を形成することにより、酸化保護層を再形成させることを特徴とする、請求項１に記載の炭化ケイ素焼結体。
【請求項４】
前記希土類がＳｃおよびＹであることを特徴とする、請求項３に記載の炭化ケイ素焼結体。
【請求項５】
前記希土類がＳｃ2Ｏ3およびＹ2Ｏ3の陽イオンと（Ｓｃ，Ｙ）2Ｓｉ2Ｏ7の形態で酸化保護層をなすことを特徴とする、請求項４に記載の炭化ケイ素焼結体。
【請求項６】
前記Ｓｃ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3のモル比が９：１乃至１：９であることを特徴とする、請求項５記載の炭化ケイ素焼結体。
【請求項７】
前記Ｓｃ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3のモル比が０．５：１乃至３．０：１であることを特徴とする、請求項５に記載の炭化ケイ素焼結体。
【請求項８】
前記焼結体は、ＳＳＹの理論密度を３．２６８ｇ／ｃｍ3とする場合、ＳＳＹの相対密度が９６．３％であることを特徴とする、請求項１に記載の炭化ケイ素焼結体。
【請求項９】
炭化ケイ素と、Ｓｃ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3を含む焼結添加剤とを溶媒に混合してスラリーに作る段階と、
前記混合されたスラリーを乾燥させる段階と、
前記乾燥したスラリーをふるいに掛けて粉末に作る段階と、
前記乾燥した粉末を加圧して焼結する段階とを含んでなり、
前記焼結する段階は、乾燥した粉末を加圧する前に、１４００℃乃至１５００℃まで圧力をかけずに加熱しながら一定時間維持させる状態で炭素を添加して炭化ケイ素の表面のＳｉ酸化物をＳｉＣに還元させて酸素を除去することにより、完成した焼結体がＳｃ2Ｏ3−Ｙ2Ｏ3と一緒に酸化皮膜層を形成することができるようにする段階をさらに含むことを特徴とする、炭化ケイ素焼結体の製造方法。
【請求項１０】
前記焼結する段階は、１０乃至５０ＭＰａの圧力で、乾燥した粉末を加圧しながら１８００乃至１９５０℃の温度で０．５乃至１０時間非酸化雰囲気で行うことを特徴とする、請求項９に記載の炭化ケイ素焼結体の製造方法。
【請求項１１】
前記炭素の添加量が全体粉末に対して０．１乃至０．５ｗｔ％であることを特徴とする、請求項９に記載の炭化ケイ素焼結体の製造方法。
【請求項１２】
前記炭化ケイ素がα相およびβ相で構成されることを特徴とする、請求項９に記載の炭化ケイ素焼結体の製造方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００７】
そこで、本発明は、従来技術の問題点を改善するためのもので、その目的は、１９５０℃以下の温度で焼結が可能であるとともに、ＥＢコーティング工程なしにも、ＳｃおよびＹ元素を含む希土類−Ｓｉ酸化物で構成されたＥＢ層が表面に形成されるだけではなく、炭化ケイ素ベースの内部領域までＥＢ層が生成されて強固な３次元的結合を成すことにより、ＥＢ層の剥離現象発生可能性を低減させ、剥離されたときにも新たにＥＢ層が形成されて酸化による炭化ケイ素素材の腐食抵抗性が大幅に増加する、炭化ケイ素焼結体およびその製造方法を提供することにある。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
上記目的を達成するための本発明に係る炭化ケイ素焼結体は、酸化雰囲気に晒されるとき、表面に２次相の酸化保護層が形成されることを特徴とする。
この場合、前記２次相の酸化保護層は、好ましくは希土類−Ｓｉ酸化物からなる。
ここで、前記２次相は、好ましくは、焼結体の表面から、焼結体内のベース相領域の内部に所定の深さまでベース相領域と結合されて存在する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１８】
本発明に係る炭化ケイ素焼結体およびその製造方法は、１９５０℃以下の温度で焼結が可能であるとともに、ＥＢコーティング工程なしにも、ＳｃおよびＹ元素を含む希土類−Ｓｉ酸化物で構成されたＥＢ層が表面に形成されるだけではなく、炭化ケイ素ベースの内部領域までＥＢ層が生成されて強固な３次元的結合を成すことにより、ＥＢ層の剥離現象発生可能性を低減させ、剥離されたときにも新たにＥＢ層が形成されて酸化による炭化ケイ素素材の腐食抵抗性が大幅に増加し、炭化ケイ素素材の酸化を防止して炭化ケイ素素材の使用温度を高めることができるので、航空宇宙関連素材の適用時に機械的健全性が著しく長期間維持され、ＥＢ層形成のための追加コーティング工程なしに焼結工程のみで酸化抵抗性能を向上させることができるので、製造コストが著しく低減するという効果がある。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
【図１】本発明の実施例との比較のための比較例に係る試験片の高温水蒸気酸化後の外形写真である。
【図２】本発明の実施例に係る試験片の表面の高温水蒸気酸化後の外形写真である。
【図３】図２の試験片の表面のＸＲＤ相分析グラフである。
【図４】図２の試験片の表面のＥＤＳ分析画像である。
【図５】図２の試験片の表面に形成されたＥＢ層の断面走査電子顕微鏡画像である。
【図６】図２の試験片の表面に形成されたＥＢ層とＥＢ層の下の炭化ケイ素ベース相の断面を一緒に示す走査電子顕微鏡画像とＥＤＳ分析画像である。
【図７】本発明の実施例に係る試験片のＥＢ層と炭化ケイ素との境界面および炭化ケイ素の内部中心部に対する走査電子顕微鏡画画像である。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
また、本発明は、上述の方法で製造され、炭化ケイ素ベース相と焼結添加剤として添加された構成物質の陽イオンが炭化ケイ素格子内に固溶されず、炭化ケイ素粒子間の結晶粒界および三重点に存在する炭化ケイ素素材を提供する。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
図２を参照すると、実施例によって製造された炭化ケイ素素材の外側表面に覆われている２次相の形成により酸化皮膜が追加的な腐食を遅延させることにより、内部に酸化による侵食現象なしに内部のベース相が保護されていることを確認することができる。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４７】
図５を参照すると、炭化ケイ素の表面部に形成されたＥＢ層は、厚さが均質で、緻密に形成されており、炭化ケイ素ベース相に腐食による浸食現象が発生せずに健全であることを確認することができる。これは、炭化ケイ素の外側表面に形成されたＥＢ層が持続的な酸化雰囲気でＳｉ酸化物の形成およびバブリングによる気孔チャネルの形成を効果的に防止することができるため、腐食および浸食の加速化を防止し、結果としてＳｉＣベース相の酸化抵抗性能を大幅に増加させることができる。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４８】
実験例６：断面微細構造（ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）およびＥＤＳ（ｅｎｅｒｇｙ  ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）分析
実施例１に対して実験例２の高温水蒸気酸化を行った炭化ケイ素素材に形成されたＥＢ層と炭化ケイ素ベース相を断面を介して走査顕微鏡で観察するとともに、ＥＤＳ（ｅｎｅｒｇｙ  ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で元素分布を分析し、図６に示した。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４９】
図６を参照すると、ＥＤＳ  ｍａｐｐｉｎｇで色が表示される部分は元素の存在する部分であり、黒色部分は元素の存在しない部分である。外側表面層に形成されたＥＢ層の元素は、図４のように同様にＳｃ、Ｙ、Ｓｉ、Ｏで構成されており、炭化ケイ素ベース相には、三重点に存在するＳｃ、Ｙ元素と炭化ケイ素のＳｉ元素が存在し、酸素元素が浸透した痕跡が現れなかった。これは、炭化ケイ素ベース相が酸化条件でも酸素から完璧に保護されていることを示す。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
図７は形成されたＥＢ層と炭化ケイ素との境界面の微細組織を示すもので、ＥＢ層と炭化ケイ素との境界面が強固に結合されていることを確認することができ、ＥＢ層から炭化ケイ素の内部ベース相に約２０μｍまで多量の２次相が炭化ケイ素粒子と混ぜられていることを確認することができる。これは、ＥＢ層が２次元的に炭化ケイ素の表面でのみ結合されておらず、炭化ケイ素ベースの内部領域まで生成されて相対的に強固な３次元的な結合構造を持つため、ＥＢコーティング工程を用いた２次元結合よりも相対的に剥離現象の発生可能性を低減させることができることを示す。また、持続的な酸化条件でＥＢ層が除去された場合でも、２次相がさらに外側表面にＥＢ層を形成することができることを示し、これにより持続的にＥＢ層を維持して炭化ケイ素素材の腐食抵抗性能を維持させることができることを示す。