【手続補正書】
【提出日】令和3年6月1日(2021.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層構造を形成する方法であって、
前記方法は、
単結晶シリコンハンドルウェハのフロントハンドル表面にフロントハンドル二酸化ケイ素層を、また単結晶シリコンハンドルウェハのバックハンドル表面にバックハンドル二酸化ケイ素層を形成するステップ（ａ）を備えており、
前記単結晶シリコンハンドルウェハは、一般的に平行である主要な２つの表面を備えており、
前記表面の一方は、前記単結晶シリコンハンドルウェハの前記フロントハンドル表面であり、
前記表面の他方は、前記単結晶シリコンハンドルウェハの前記バックハンドル表面であり、
前記単結晶シリコンハンドルウェハは、
前記単結晶シリコンハンドルウェハの前記フロントハンドル表面と前記バックハンドル表面を接合する円周端部、
前記単結晶シリコンハンドルウェハの前記フロントハンドル表面と前記バックハンドル表面との間の中央面、
及び前記単結晶シリコンハンドルウェハの前記フロントハンドル表面と前記バックハンドル表面との間のバルク領域を備えており、
前記方法は、
前記フロントハンドル二酸化ケイ素層にフロントハンドル窒化ケイ素層を、また前記バックハンドル二酸化ケイ素層にバックハンドル窒化ケイ素層を形成するステップ（ｂ）と、
接合構造を形成するため、単結晶シリコンドナーウェハのフロントドナー表面におけるドナー二酸化ケイ素層に前記フロントハンドル窒化ケイ素層を接合するステップ（ｃ）とを備えており、
前記単結晶シリコンドナーウェハは、一般的に平行である主要な２つの表面を備えており、
前記表面の一方は、前記単結晶シリコンドナーウェハの前記フロントドナー表面であり、
前記表面の他方は、前記単結晶シリコンドナーウェハの前記バックドナー表面であり、
前記単結晶シリコンドナーウェハは、
前記単結晶シリコンドナーウェハの前記フロントドナー表面と前記バックドナー表面を接合する円周端部、
前記単結晶シリコンドナーウェハの前記フロントドナー表面と前記バックドナー表面との間の中央面、
及び前記単結晶シリコンドナーウェハの前記フロントドナー表面と前記バックドナー表面との間のバルク領域を備えており、
前記単結晶シリコンドナーウェハは、イオン注入により形成されるダメージ層を備えており、
前記方法は、
前記バックハンドル窒化ケイ素層を除去するステップ（ｄ）と、
前記バックハンドル二酸化ケイ素層を除去するステップ（ｅ）とを備える、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ステップ（ｃ）は前記ステップ（ｄ）と前記ステップ（ｅ）の前に起こる、ことを特徴とする請求項１の方法。
【請求項３】
前記バックハンドル窒化ケイ素層はプラズマエッチングにより除去される、ことを特徴とする請求項２の方法。
【請求項４】
前記バックハンドル二酸化ケイ素層はウェットエッチングにより除去される、ことを特徴とする請求項２又は３の方法。
【請求項５】
前記ステップ（ｄ）と前記ステップ（ｅ）は前記ステップ（ｃ）の前に起こる、ことを特徴とする請求項１の方法。
【請求項６】
前記バックハンドル窒化ケイ素層はプラズマエッチングにより除去される、ことを特徴とする請求項５の方法。
【請求項７】
前記バックハンドル二酸化ケイ素層はウェットエッチングにより除去される、ことを特徴とする請求項５又は６の方法。
【請求項８】
前記フロントハンドル二酸化ケイ素層が前記単結晶シリコンハンドルウェハの前記フロントハンドル表面に熱酸化により形成されており、
前記バックハンドル二酸化ケイ素層が前記単結晶シリコンハンドルウェハの前記バックハンドル表面に熱酸化により形成されている、ことを特徴とする請求項１〜７のいずれかの方法。
【請求項９】
前記フロントハンドル窒化ケイ素層が前記フロントハンドル二酸化ケイ素層に低圧化学気相堆積法により形成されており、
前記バックハンドル窒化ケイ素層が前記バックハンドル二酸化ケイ素層に低圧化学気相堆積法により形成されている、ことを特徴とする請求項１〜８のいずれかの方法。
【請求項１０】
前記方法は、前記フロントハンドル二酸化ケイ素層、前記フロントハンドル窒化ケイ素層、又はその両方を圧縮するために十分な温度と時間で、前記フロントハンドル二酸化ケイ素層と前記フロントハンドル窒化ケイ素層とを有する前記単結晶シリコンハンドルウェハの焼きなましを備えており、
前記焼きなましは、単結晶シリコンドナーウェハの前記フロントドナー表面における前記ドナー二酸化ケイ素層に前記フロントハンドル窒化ケイ素層を接合する前に起こる、ことを特徴とする請求項１〜９のいずれかの方法。
【請求項１１】
単結晶シリコンドナーウェハの前記フロントドナー表面における前記ドナー二酸化ケイ素層に前記フロントハンドル窒化ケイ素層を接合する前に、前記フロントハンドル窒化ケイ素層の表面のイオンミリングを備える、ことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかの方法。
【請求項１２】
単結晶シリコンドナーウェハの前記フロントドナー表面における前記ドナー二酸化ケイ素層に前記フロントハンドル窒化ケイ素層を接合する前に、前記フロントハンドル窒化ケイ素層の表面の化学機械研磨を備える、ことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかの方法。
【請求項１３】
前記フロントハンドル窒化ケイ素層と前記ドナー二酸化ケイ素層との間の接合を強化するために十分な温度と時間で前記接合構造を焼きなますことを備える、ことを特徴とする請求項１〜１２のいずれかの方法。
【請求項１４】
前記単結晶シリコンハンドルウェハ、前記ハンドル二酸化ケイ素層、前記ハンドル窒化ケイ素層、前記ドナー二酸化ケイ素層、及び単結晶ケイ素の素子層を備える切断された構造を形成するため、
前記単結晶シリコンドナーウェハの前記ダメージ層で前記接合構造を機械的に切断することを備える、ことを特徴とする請求項１〜１３のいずれかの方法。
【請求項１５】
多層構造を形成する方法であって、
前記方法は、
単結晶シリコンハンドルウェハのフロントハンドル表面にフロントハンドル二酸化ケイ素層を形成するステップ（ａ）を備えており、
前記単結晶シリコンハンドルウェハは、一般的に平行である主要な２つの表面を備えており、
前記表面の一方は、前記単結晶シリコンハンドルウェハの前記フロントハンドル表面であり、
前記表面の他方は、前記単結晶シリコンハンドルウェハの前記バックハンドル表面であり、
前記単結晶シリコンハンドルウェハは、
前記単結晶シリコンハンドルウェハの前記フロントハンドル表面と前記バックハンドル表面を接合する円周端部、
前記単結晶シリコンハンドルウェハの前記フロントハンドル表面と前記バックハンドル表面との間の中央面、
及び前記単結晶シリコンハンドルウェハの前記フロントハンドル表面と前記バックハンドル表面との間のバルク領域を備えており、
前記方法は、
前記フロントハンドル二酸化ケイ素層にフロントハンドル窒化ケイ素層を形成するステップ（ｂ）と、
前記フロントハンドル二酸化ケイ素層、前記フロントハンドル窒化ケイ素層、又はその両方を圧縮するために十分な少なくとも約９００℃の温度と約１０分から１０時間までの時間で、前記フロントハンドル二酸化ケイ素層と前記フロントハンドル窒化ケイ素層とを有する前記単結晶シリコンハンドルウェハを焼きなますステップ（ｃ）と、
接合構造を形成するため、単結晶シリコンドナーウェハのフロントドナー表面におけるドナー二酸化ケイ素層に前記フロントハンドル窒化ケイ素層を接合するステップ（ｄ）とを備えており、
前記単結晶シリコンドナーウェハは、一般的に平行である主要な２つの表面を備えており、
前記表面の一方は、前記単結晶シリコンドナーウェハの前記フロントドナー表面であり、
前記表面の他方は、前記単結晶シリコンドナーウェハの前記バックドナー面であり、
前記単結晶シリコンドナーウェハは、
前記単結晶シリコンドナーウェハの前記フロントドナー表面と前記バックドナー面を接合する円周端部、
前記単結晶シリコンドナーウェハの前記フロントドナー表面と前記バックドナー面との間の中央面、
及び前記単結晶シリコンドナーウェハの前記フロントドナー表面と前記バックドナー面との間のバルク領域を備えており、
前記単結晶シリコンドナーウェハは、イオン注入により形成されるダメージ層を備える、ことを特徴とする方法。
【請求項１６】
前記フロントハンドル二酸化ケイ素層が前記単結晶シリコンハンドルウェハの前記フロントハンドル表面にプラズマ化学気相堆積法により形成されており、
前記バックハンドル二酸化ケイ素層が前記単結晶シリコンハンドルウェハのバックハンドル表面にプラズマ化学気相堆積法により形成されている、ことを特徴とする請求項１５の方法。
【請求項１７】
前記フロントハンドル窒化ケイ素層が前記フロントハンドル二酸化ケイ素層にプラズマ化学気相堆積法により形成されており、
前記バックハンドル窒化ケイ素層が前記バックハンドル二酸化ケイ素層にプラズマ化学気相堆積法により形成されている、ことを特徴とする請求項１５又は１６の方法。
【請求項１８】
前記方法は、前記フロントハンドル二酸化ケイ素層、前記フロントハンドル窒化ケイ素層、又はその両方を圧縮するために十分な温度と時間で、前記フロントハンドル二酸化ケイ素層と前記フロントハンドル窒化ケイ素層とを有する前記単結晶シリコンハンドルウェハの焼きなましを備えており、
前記焼きなましは、単結晶シリコンドナーウェハの前記フロントドナー表面における前記ドナー二酸化ケイ素層に前記フロントハンドル窒化ケイ素層を接合する前に起こる、ことを特徴とする請求項１５〜１７のいずれかの方法。
【請求項１９】
単結晶シリコンドナーウェハの前記フロントドナー表面における前記ドナー二酸化ケイ素層に前記フロントハンドル窒化ケイ素層を接合する前に、前記フロントハンドル窒化ケイ素層の表面のイオンミリングを備える、ことを特徴とする請求項１５〜１８のいずれかの方法。
【請求項２０】
単結晶シリコンドナーウェハの前記フロントドナー表面における前記ドナー二酸化ケイ素層に前記フロントハンドル窒化ケイ素層を接合する前に、前記フロントハンドル窒化ケイ素層の表面の化学機械研磨を備える、ことを特徴とする請求項１５〜１８のいずれかの方法。
【請求項２１】
前記フロントハンドル窒化ケイ素層と前記ドナー二酸化ケイ素層との間の接合を強化するために十分な温度と時間で前記接合構造を焼きなますことを備える、ことを特徴とする請求項１５〜２０のいずれかの方法。
【請求項２２】
前記単結晶シリコンハンドルウェハ、前記ハンドル二酸化ケイ素層、前記ハンドル窒化ケイ素層、前記ドナー二酸化ケイ素層、及び単結晶ケイ素の素子層を備える切断された構造を形成するため、
前記単結晶シリコンドナーウェハの前記ダメージ層で前記接合構造を機械的に切断することを備える、ことを特徴とする請求項１５〜２１のいずれかの方法。
【請求項２３】
多層構造を形成する方法であって、
前記方法は、
単結晶シリコンドナーウェハのフロントドナー表面にフロントドナー二酸化ケイ素層を形成するステップ（ａ）を備えており、
前記単結晶シリコンドナーウェハは、一般的に平行である主要な２つの表面を備えており、
前記表面の一方は、前記単結晶シリコンドナーウェハの前記フロントドナー表面であり、
前記表面の他方は、前記単結晶シリコンドナーウェハの前記バックドナー面であり、
前記単結晶シリコンドナーウェハは、
前記単結晶シリコンドナーウェハの前記フロントドナー表面と前記バックドナー面を接合する円周端部、
前記単結晶シリコンドナーウェハの前記フロントドナー表面と前記バックドナー面との間の中央面、
及び前記単結晶シリコンドナーウェハの前記フロントドナー表面と前記バックドナー面との間のバルク領域を備えており、
前記方法は、
前記フロントドナー二酸化ケイ素層にフロントドナー窒化ケイ素層を形成するステップ（ｂ）と、
ダメージ層を形成するため、前記フロントドナー窒化ケイ素層及び前記フロントドナー二酸化ケイ素層を通して、前記単結晶シリコンドナーウェハの前記バルク領域にイオンを埋め込むステップ（ｃ）と、
単結晶シリコンハンドルウェハのフロントハンドル表面におけるハンドル二酸化ケイ素層に前記フロントドナー窒化ケイ素層を接合するステップ（ｄ）とを備えており、
前記単結晶シリコンハンドルウェハは、一般的に平行である主要な２つの表面を備えており、
前記表面の一方は、前記単結晶シリコンハンドルウェハの前記フロントハンドル表面であり、
前記表面の他方は、前記単結晶シリコンハンドルウェハの前記バックハンドル表面であり、
前記単結晶シリコンハンドルウェハは、
前記単結晶シリコンハンドルウェハの前記フロントハンドル表面と前記バックハンドル表面を接合する円周端部、
前記単結晶シリコンハンドルウェハの前記フロントハンドル表面と前記バックハンドル表面との間の中央面、
及び前記単結晶シリコンハンドルウェハの前記フロントハンドル表面と前記バックハンドル表面との間のバルク領域を備える、ことを特徴とする方法。
【請求項２４】
前記フロントハンドル二酸化ケイ素層が前記単結晶シリコンハンドルウェハの前記フロントハンドル表面にプラズマ化学気相堆積法又は熱酸化により形成されている、ことを特徴とする請求項２３の方法。
【請求項２５】
前記フロントドナー二酸化ケイ素層が前記単結晶シリコンドナーウェハの前記フロントドナー表面にプラズマ化学気相堆積法又は熱酸化により形成されている、ことを特徴とする請求項２３の方法。
【請求項２６】
前記フロントドナー窒化ケイ素層が前記フロントドナー二酸化ケイ素層に低圧化学気相堆積法又はプラズマ化学気相堆積法により形成されている、ことを特徴とする請求項２３〜２５のいずれかの方法。
【請求項２７】
前記方法は、前記フロントドナー二酸化ケイ素層、前記フロントドナー窒化ケイ素層、又はその両方を圧縮するために十分な少なくとも約９００℃の温度と約１０分から１０時間までの時間で、前記フロントドナー二酸化ケイ素層と前記フロントドナー窒化ケイ素層とを有する前記単結晶シリコンドナーウェハの焼きなましを備えており、
前記焼きなましは、単結晶シリコンハンドルウェハの前記フロントハンドル表面における前記ハンドル二酸化ケイ素層に前記フロントドナー窒化ケイ素層を接合する前に起こる、ことを特徴とする請求項２３〜２６のいずれかの方法。
【請求項２８】
単結晶シリコンドナーウェハの前記フロントドナー表面における前記ハンドル二酸化ケイ素層に前記フロントドナー窒化ケイ素層を接合する前に、前記フロントドナー窒化ケイ素層の表面のイオンミリングを備える、ことを特徴とする請求項２３〜２７のいずれかの方法。
【請求項２９】
単結晶シリコンドナーウェハの前記フロントハンドル表面における前記ハンドル二酸化ケイ素層に前記フロントドナー窒化ケイ素層を接合する前に、前記フロントドナー窒化ケイ素層の表面の化学機械研磨を備える、ことを特徴とする請求項２３〜２７のいずれかの方法。
【請求項３０】
前記ハンドル二酸化ケイ素層と前記ドナー窒化ケイ素層との間の接合を強化するために十分な温度と時間で前記接合構造を焼きなますことを備える、ことを特徴とする請求項２３〜２９のいずれかの方法。
【請求項３１】
前記単結晶シリコンハンドルウェハ、前記ハンドル二酸化ケイ素層、前記ドナー窒化ケイ素層、前記ドナー二酸化ケイ素層、及び単結晶ケイ素の素子層を備える切断された構造を形成するため、
前記単結晶シリコンドナーウェハの前記ダメージ層で前記接合構造を機械的に切断することを備える、ことを特徴とする請求項２３〜３０のいずれかの方法。