Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月9日(2004.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スキャン・テストを実施する集積回路メモリ（１４０）であって：
前記集積回路メモリ（１４０）に関する所定の情報を記憶するための複数のヒューズ回路（２１）；および
前記複数のヒューズ回路に結合された複数のラッチ回路（２６）であって、前記複数のヒューズ回路の内の各々のヒューズ回路は前記複数のラッチ回路の内の対応する１つに結合され、前記複数のラッチ回路は前記集積回路メモリ（１４０）がテスト・モードであるとき前記所定の情報を選択的に供給する複数のラッチ回路、
を具備することを特徴とする集積回路メモリ（１４０）。
【請求項２】
冗長性を有する集積回路メモリ（１４０）であって：
入力信号を受信するための入力端子、複数のシリアルに接続されたレジスタおよびアドレス信号を供給するための出力端子を有するシフト・レジスタ（１００）；
前記シフト・レジスタ（１００）に結合され、前記アドレス信号を受信し、それに応答して復号されたアドレス信号を供給するためのデコーダ回路（１０１）；
前記復号されたアドレス信号に応答して、前記集積回路メモリ（１４０）に関する所定の情報を含む記憶されたヒューズ情報を提供するための複数のアドレス指定可能なヒューズ回路（１０３）；および
スキャン・チェーンを形成する複数のシリアルに接続されたラッチ回路であって、各々のラッチ回路は前記アドレス指定可能なヒューズ回路の１つに対応して結合され、前記集積回路メモリ（１４０）がテスト・モードであるときこれに応答して前記記憶されたヒューズ情報を提供する複数のシリアルに接続されたラッチ回路、
を具備することを特徴とする集積回路メモリ（１４０）。
【請求項３】
冗長性を有する集積回路メモリ（１４０）であって、前記集積回路メモリ（１４０）はジョイント・テスト・アクション・グループ（JTAG : Joint Test Action Group）バウンダリ・スキャン規格にしたがったバウンダリ・スキャン・テストを実施し、前記集積回路メモリ（１４０）は：
行および列に構成された複数のメモリ・セル（１４３）；
前記複数のメモリ・セル（１４３）の欠陥のある列に置き換えるためのメモリ・セル（１６３）の冗長列；
冗長性情報を記憶するための複数のヒューズ回路（１０５）であって、前記冗長性情報は前記複数のメモリ・セル（１４３）の欠陥のある列を前記メモリセル（１６３）の冗長列に置き換えるとき前記メモリ・セル（１６３）の冗長列をアドレス指定するための情報である複数のヒューズ回路（１０５）；および
スキャン・チェーンを形成する複数のシリアルに接続されたラッチ回路であって、各々のラッチ回路は前記ヒューズ回路の対応する１つに結合され、前記集積回路メモリ（１４０）がテスト・モードであるとき、前記冗長性情報を選択的に供給するための複数のシリアルに接続されたラッチ回路（１１１）；
を具備することを特徴とする集積回路メモリ（１４０）。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月9日(2004.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】文書編集装置及びプログラム記録媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
文書編集処理を行う文書編集装置に於いて、
一纏まりのデータに対し一箇所以上の分割位置を示す情報を予め定義・登録する記憶部と、
文書編集処理により当該データが行内又は列内に納まらない場合に、前記分割位置情報に基づいて当該データを分割し出力する分割出力手段と、
を備えたことを特徴とする文書編集装置。
【請求項２】
前記一纏まりのデータが、イメージデータであることを特徴とする請求項１記載の文書編集装置。
【請求項３】
前記一纏まりのデータが、利用者により一纏まりのデータとして扱うことを指定された複数の文字データ群であることを特徴とする請求項１記載の文書編集装置。
【請求項４】
前記分割出力手段は、前記分割位置情報のうち行末又は列末に納まる分割位置であって、各末位置に最も近い分割位置を示す分割位置情報に基づき前記一纏まりのデータを分割し出力することを特徴とする請求項１乃至請求項３記載の文書編集装置。
【請求項５】
コンピュータによって文書編集処理を行わせるプログラムを記憶した記憶媒体であって、コンピュータに、
一纏まりのデータに対して、一箇所以上の分割位置を示す情報を設定させる設定手段と、
文書編集処理により当該データが行内又は列内に納まらない場合に、前記分割位置情報に基づいて当該データを分割し出力する分割出力手段と、
を実現させるためのプログラムを記憶したコンピュータ読取可能な記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月14日(2004.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ・システムにおいて、
第１及び第２のクロック・ラインを有する通信チャンネルと、
通信チャンネルに接続された第１及び第２のデバイスであって、第１のデバイスは第１のクロックに関連付けられており、第２のデバイスは第１のクロックに基づいている第２のクロックに関連づけられており、第１のクロックは第１のクロック・ラインを介して第２のデバイスに提供され、第２のクロックは第２のクロック・ラインを介して第１のデバイスに提供される、第１及び第２のデバイスと、
第１のデバイスに設けられ、第２のクロックに同期するデータを、通信チャネルを介して第２のデバイスから受け取り、該受け取ったデータを第１のクロックに同期させるよう構成された受信インターフェースと
を備えていることを特徴とするコンピュータ・システム。
【請求項２】
請求項１記載のコンピュータ・システムにおいて、通信チャンネルはケーブルを含むことを特徴とするコンピュータ・システム。
【請求項３】
請求項１記載のコンピュータ・システムにおいて、受信インターフェースはバッファを含み、該バッファの入力は第２のクロックによって制御され、該バッファの出力は第１のクロックによって制御されるよう構成されていることを特徴とするコンピュータ・システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月18日(2004.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ・システムにおいて、
バスと、
各々が前記バスを要求する要求信号をアサートするよう構成された複数のバス・デバイスと、
再試行されたバス・デバイスが多重スレッデッド・デバイスであるかどうかに従って、該再試行されたバス・デバイスの要求信号をマスクするかマスクしないように構成されたアービタであって、再試行されたバス・デバイスが多重スレッデッド・デバイスである場合に、要求信号をマスクしないようにするアービタと
を備えることを特徴とするコンピュータ・システム。
【請求項２】
コンピュータ・システムにおいて、
バスと、
前記バスに結合された１つのバス・デバイスであって、前記バスを要求する要求信号をアサートするよう構成されたバス・デバイスと、
該バス・デバイスからの再試行された第１の要求に関する情報と該バス・デバイスからの次の第２の要求とを対比するデコーダと、
対比の結果、第１及び第２の要求が異なるソースに関するものである場合に、第２の要求をマスクしないよう構成されたアービタと
を備えることを特徴とするコンピュータ・システム。
【請求項３】
請求項２記載のコンピュータ・システムにおいて、
該システムはさらに他の複数のバス・デバイスを含み、
前記１つのバス・デバイスは、これら他の複数のバス・デバイスに結合されているとともに、これら他の複数のバス・デバイスの代理として要求を発生するよう構成されていることを特徴とするコンピュータ・システム。
【請求項４】
請求項３記載のコンピュータ・システムにおいて、前記第１及び第２の要求はそれぞれ、前記他の複数のバス・デバイスの内の第１及び第２のデバイスの代理として発生されるよう構成されていることを特徴とするコンピュータ・システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月3日(2005.10.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
スプレー条件
トップコート
（大日本インキ化学工業株式会社製）
Ｃ−３４（シリコン変性ポリカーボネート・エーテルウレタン） ５０部
Ｍ−５４（マット剤） ４０部
Ｘ−３０５０（赤顔料） １８部
Ｈ−１（架橋剤） ３部
シンナー ３５０部
付着量 ９５ｇ／ｍ２
ミドルコート
（大日本インキ化学工業株式会社製）
Ｃ−３４（シリコン変性ポリカーボネート・エーテルウレタン）１２０部
Ｍ−５４（マット剤） ８０部
Ｘ−３０５０（赤顔料） １００部
シンナー ３５０部
付着量 １９０ｇ／ｍ２
ベースコート
（大日本インキ化学工業株式会社製）
Ｃ−３（ポリカーボネートウレタン） １００部
Ｈ−１（架橋剤） ３部
シンナー ４００部
付着量 ９５ｇ／ｍ２
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月30日(2005.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
心臓保護、神経系保護、痛み処理、遊離脂肪酸、トリグリセライドまたはグルコース水準の低減、糖尿病の補助治療、ＧＩ障害治療、緑内障治療、睡眠異常症治療、心臓ジスアリスメア（ペルオキシスマール上室性頻拍）治療、うっ血性心不全症治療または炎症治療のための薬剤製造における化合物の使用であって、化合物が、式ＩＡ
【化１】
2005002129.tif 000001
［式中、Ｒ1が水素、アルキル、置換アルキル、またはハロアセチルであり、
Ｒ2、Ｒ3およびＲ4が、独立して水素、ハロゲン、アルキル、置換アルキル、アリール、ヘテロアリール、複素環式基、低級アルケニル、低級アルカノイル、アミノ、トリフルオロメチル、アミノアルキル、ニトロ、またはシアノであり、
Ｒ5とＲ6が独立して水素、アルキル、または置換アルキル、
ｔが０、１、２、または３、
Ｚが、Ｎ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−アルカリールまたはＮ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−アリールである］
で表される化合物又は薬剤として許容されるそれらの塩よりなる群から選ばれる前記使用。
【請求項２】
心臓保護が、経皮血管形成術（ＰＴＤＡ）、血管形成術および心臓手術よりなる群から選ばれた外科的処置を行う時の短期間保護を含む、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
心臓保護が、心筋梗塞症からの長期間保護を含む請求項１に記載の使用。
【請求項４】
神経系保護が、脳卒中予防、脳卒中治療または癲癇治療を含む請求項１に記載の使用。
【請求項５】
痛み処理が、糖尿病性神経障害、ポストヘルペス性神経痛またはその他の神経痛の治療を含む請求項１に記載の使用。
【請求項６】
化合物が、短時間持続性静脈注射、長時間持続性経口投与または長時間持続性静脈注射用の適切なキャリアー中に存在する請求項５に記載の使用。
【請求項７】
糖尿病治療が、インシュリン依存および非インシュリン依存性真性糖尿病治療、膵臓からインシュリン分泌刺激、またはインシュリンに対する組織感受性の増強を含む請求項１に記載の使用。
【請求項８】
ＧＩ障害治療が、下痢、過敏性腸疾病、過敏性腸症候群および失禁症よりなる群から選ばれた障害を治療することを含む請求項１に記載の使用。
【請求項９】
Ｒ1が水素、
Ｒ2、Ｒ3およびＲ4が独立して水素、ハロゲンまたはトリフルオロメチル、
ｔが０、１、２または３、
Ｚが、Ｎ−（ベンジルオキシカルボニル）
である請求項１に記載の使用。
【請求項１０】
心臓保護、神経系保護、痛み処理、遊離脂肪酸、トリグリセライドまたはグルコース水準の低減、糖尿病の補助治療、ＧＩ障害治療、緑内障治療、睡眠異常症治療、心臓ジスアリスメア（ペルオキシスマール上室性頻拍）治療、うっ血性心不全症治療または炎症治療のための薬剤製造における化合物の使用であって、化合物が、
２−アミノ−３−ベンゾイル−６−ベンジルオキシカルボニル−４，５，６，７−テトラヒドロチエノ［２，３−ｃ］ピリジン、
２−アミノ−３−（４−クロロ−ベンゾイル）−６−ベンジルオキシカルボニル−４，５，６，７−テトラヒドロチエノ［２，３−ｃ］ピリジン、
２−アミノ−３−（４−フェニルベンゾイル）−６−（ベンジルオキシカルボニル）−４，５，６，７−テトラヒドロチエノ（２，３−ｃ）ピリジン、及び
２−アミノ−３−（４−フルオロベンゾイル）−６−（ベンジルオキシカルボニル）−４，５，６，７−テトラヒドロチエノ（２，３−ｃ）ピリジン、
よりなる群から選ばれる前記使用。
【請求項１１】
化合物が哺乳類のアデノシン受容体の抑制に活性を示すか否かを測定する方法であって、分析すべき前記化合物と、以下の式ＩＡ
【化２】
2005002129.tif 000002
［式中、Ｒ1が水素、アルキル、置換アルキル、またはハロアセチルであり、
Ｒ2、Ｒ3およびＲ4が、独立して水素、ハロゲン、アルキル、置換アルキル、アリール、ヘテロアリール、複素環基、低級アルケニル、低級アルカノイル、アミノ、トリフルオロメチル、アミノアルキル、ニトロ、またはシアノであり、
Ｒ5とＲ6が、独立して水素、アルキルまたは置換アルキルであり、
ｔが０、１、２、または３であり、
Ｚが、Ｎ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−アルカリールまたはＮ−Ｃ（Ｏ）−Ｏ−アリールである］
で表される化合物又は薬剤として許容されるそれらの塩よりなる群から選ばれる化合物との競合的結合の調査を行なうことを包含する前記方法。
【請求項１２】
Ｒ1が水素、
Ｒ2、Ｒ3およびＲ4が、独立して水素、ハロゲン、またはトリフルオロメチル、
ｔが０、１、２、または３、
Ｚが、Ｎ−ベンジルオキシカルボニルである
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
化合物が、
２−アミノ−３−ベンゾイル−６−ベンジルオキシカルボニル−４，５，６，７−テトラヒドロチエノ［２，３−ｃ］ピリジン、
２−アミノ−３−（４−クロロ−ベンゾイル）−６−ベンジルオキシカルボニル−４，５，６，７−テトラヒドロチエノ［２，３−ｃ］ピリジン、
２−アミノ−３−（４−フェニルベンゾイル）−６−（ベンジルオキシカルボニル）−４，５，６，７−テトラヒドロチエノ（２，３−ｃ）ピリジン、及び、
２−アミノ−３−（４−フルオロベンゾイル）−６−（ベンジルオキシカルボニル）−４，５，６，７−テトラヒドロチエノ（２，３−ｃ）ピリジン、
よりなる群から選ばれる請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
薬剤を痛みの処理に使用する請求項１に記載の使用。
【請求項１５】
痛みの処理が、糖尿病性神経障害、ポストヘルペス性神経痛または他種の神経性痛みの治療を含む請求項１４に記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月11日(2004.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【図１】下：このエンジンのクランク軸方向から見た正面断面図である。上：平面図である。上右：部品１３、１４、１１の詳細図である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
以上に述べた従来の紡糸口金パック１’では、濾過層３’の上部で濾過面積を多くとるために改質ポリマーが拡流され、拡流された改質ポリマー流が静的混合手段５’に流入する直前で再び縮流され、更に、縮流された改質ポリマー流が口金７’に分散させて穿設された吐出孔７ａ’へ供給するために拡流される。このように従来の紡糸口金パック１’では、改質ポリマー流がその内部で縮流−拡流−縮流−拡流を繰り返すことになり、このような繰り返しの結果、改質ポリマー中に含まれる改質剤が再凝集して改質剤の分散性が低下しているものと推定される。なお、ベースポリマーと相溶性のある改質剤であれば、このような再凝集もそれほど顕著ではないが、非相溶性の改質剤では大きな問題となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
また、静的混合手段４については、ケニックス型スタティックミキサー、スルーザー型スタティックミキサーなどを好適に使用することができる。しかしながら、改質剤をポリマー内に均一に分散混合させる機能を有していれば、その種類、混合エレメント数などについて特に限定する理由はない。ただし、直径が小さい流路に設置することを考えると、ケニックス型スタティックミキサーが好ましい。その際、混合エレメントの段数としては、５エレメント以上、特に、１０エレメント以上が好ましい。ただし、静的混合手段４の設置数と設置位置は改質剤を均一に分散させた状態の改質ポリマーを各吐出孔６ａへそれぞれ分配供給するために、吐出孔６ａと同じ数とこれに一対一で対応する位置でなければならないことは、既に述べたとおりである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月30日(2005.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
信号空間上に前もって定めた各信号点(変調信号点)にＮビット(Ｎは２以上の整数)の変調符号を対応させて変調して伝送する多値変調方式の伝送装置であって、上記Ｎビットの変調符号をＭ個(Ｍは２以上の整数)のビットの集まりに分割し、互いに独立に誤り訂正符号に変換したＭ個の符号列の符号を該Ｍ個のビットの集まりに割り当てて変調符号を構成して変調する誤り訂正符号化方式の送信装置を有することを特徴とする伝送装置。
【請求項２】
多値変調方式を用いた伝送装置であって、伝送する符号列を第１符号列と第２符号列に分けて出力する符号列分割回路と、上記第１符号列を第１誤り訂正符号列に変換する第１誤り訂正符号化回路と、該第１誤り訂正符号列の符号をｎビット(ｎは２以上の整数)１ワードとしてワード単位に並べ替えた第１ワード列を出力する第１シリアル・パラレル変換回路と、上記第２符号列を第２誤り訂正符号列に変換する第２誤り訂正符号化回路と、該第２誤り訂正符号列の符号をｍビット(ｍは２以上の整数)１ワードとしてワード単位に並べ替えた第２ワード列を出力する第２シリアル・パラレル変換回路と、信号空間上に前もって定めた２(n+m)個の各信号点(変調信号点)に（ｎ＋ｍ）ビットの変調符号を対応させる多値変調回路であって、該(ｎ＋ｍ)ビットの変調符号は最隣接の変調信号点間で少なくとも１ビットの値が必ず変化するｎビットとその他のｍビットで構成され、入力する上記第１ワード列の１ワードのｎビットと上記第２ワード列の１ワードのｍビットで構成される(ｎ＋ｍ)ビットの変調符号に対応する信号点の信号を変調信号として出力する多値変調回路を設けた誤り訂正符号化方式の送信装置を有することを特徴とする伝送装置。
【請求項３】
請求項２において、上記第１誤り訂正符号化回路と上記第２誤り訂正符号化回路を共に畳み込み符号化回路とし、当該第２畳み込み符号化回路の情報率(畳み込み符号化前と畳み込み符号化後のビット数の比)の値を、上記第１畳み込み符号化回路の情報率の値以上としたことを特徴とする伝送装置。
【請求項４】
請求項１において、受信信号の信号点の座標値を算出し出力する受信信号点算出回路と、当該受信信号点座標値を入力し、前もって定めた変調信号点の中から該受信信号点座標値に最も近い変調信号点を選択すると共に、選択した変調信号点に対応する(ｎ＋ｍ)ビットの変調符号の内の上記第１ワード列のｎビットに対応する符号値を算出し、受信した第１ワード列として順次出力する第１信号点位置判別回路と、当該受信した第１ワード列をシリアル変換して受信した第１誤り訂正符号列を出力する第１パラレル・シリアル変換回路と、該受信した第１誤り訂正符号列を復号して誤り訂正された受信第１符号列を出力する第１誤り訂正復号回路と、該受信第１符号列を受信第１誤り訂正符号列に変換して出力する上記第１誤り訂正符号化回路と同一の機能を有する受信第１誤り訂正符号化回路と、上記受信第１誤り訂正符号列を上記第１シリアル・パラレル変換回路と同一タイミングでｎビットを１ワードとしてワード単位に並べ替えた受信第１ワード列を出力する受信第１シリアル・パラレル変換回路と、上記受信信号点座標値を所定期間遅延する第２遅延回路と、当該受信信号点座標値と上記受信第１ワード列を入力し、該受信信号点座標値の信号点に最も近い変調信号点に対応する(ｎ＋ｍ)ビットの符号の中から上記受信第１ワード列のｎビットの符号を除く１ワードｍビットの符号を算出し、受信した第２ワード列として順次出力する第２信号点位置判別回路と、該受信した第２ワード列をシリアル変換して受信した第２誤り訂正符号列を出力する第２パラレル・シリアル変換回路と、該受信した第２誤り訂正符号列を復号して誤り訂正された受信第２符号列を出力する第２誤り訂正復号回路と、上記受信第１符号列を所定期間遅延する第１遅延回路と、該第１遅延回路から出力される受信第１符号列と上記第２誤り訂正復号回路から出力される受信第２符号列を結合し、伝送された符号列として出力する符号列結合回路を設けた受信装置を有することを特徴とする伝送装置。
【請求項５】
請求項４において、上記第１誤り訂正復号回路を軟判定のビタビ復号を実施する第１ビタビ復号回路、上記第２誤り訂正復号回路を硬判定のビタビ復号を実施する第２ビタビ復号回路としたことを特徴とする伝送装置。
【請求項６】
請求項４において、上記第１誤り訂正復号回路と上記第２誤り訂正復号回路を、共に軟判定のビタビ復号を実施する第１ビタビ復号回路と第２ビタビ復号回路としたことを特徴とする伝送装置。
【請求項７】
請求項１において、受信信号の信号点の座標値を算出し出力する受信信号点算出回路と、当該受信信号点座標値を入力し、前もって定めた変調信号点の中から該受信信号点座標値に最も近い変調信号点を選択すると共に、選択した変調信号点に対応する(ｎ＋ｍ)ビットの変調符号の内の上記第１ワード列のｎビットに対応する符号値を算出し、受信した第１ワード列として順次出力する第１信号点位置判別回路と、当該受信した第１ワード列をシリアル変換して受信した第１誤り訂正符号列を出力する第１パラレル・シリアル変換回路と、該受信した第１誤り訂正符号列を復号して誤り訂正された受信第１符号列を出力する第１誤り訂正復号回路と、該受信第１符号列を受信第１誤り訂正符号列に変換して出力する上記第１誤り訂正符号化回路と同一の機能を有する受信第１誤り訂正符号化回路と、上記受信第１誤り訂正符号列を上記第１シリアル・パラレル変換回路と同一タイミングでｎビットを１ワードとしてワード単位に並べ替えた受信第１ワード列を出力する受信第１シリアル・パラレル変換回路と、上記受信信号点座標値を所定期間遅延する第２遅延回路と、当該受信信号点座標値と上記受信第１ワード列を入力し、該受信信号点座標値の信号点に最も近い変調信号点に対応する(ｎ＋ｍ)ビットの符号の中から上記受信第１ワード列のｎビットの符号を除く１ワードｍビットの符号を算出し、受信した第２ワード列として順次出力する第２信号点位置判別回路と、該受信した第２ワード列をシリアル変換し受信第２符号列を出力する第２パラレル・シリアル変換回路と、上記受信第１符号列を所定期間遅延する第１遅延回路と、該受信第１符号列と上記受信第２符号列を結合し、伝送された符号列として出力する符号列結合回路を設けた受信装置を有することを特徴とする伝送装置。
【請求項８】
請求項２乃至７において、上記第１ワード列あるいは上記受信した第１ワード列、受信第１ワード列に対し、ビットインターリーブを実施することを特徴とする伝送装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月30日(2005.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、界磁側に永久磁石を用いた電動機及びその製造方法、および電気掃除機に関するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
従来の素材の大きさ（図１５）と比較すると本実施の形態の固定子２０と回転子鉄心１３０の組み合わせでは必要面積は９２％程度でよくなるため、必要な電磁鋼板の材料が少なくなり、つまり材料取りが良くなる。また、素材の幅が小さくて良くなるので、機械の容量も小さくてよいので、大量生産が可能になり、その結果、安価な電動機を得ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本実施の形態では、図１で説明した合わせ面２１ｃ、２１ｄに相当する４１ｃ、４１ｄ間に隙間θを設けるようにしてある。したがって、図２で説明したのと同様に、固定子鉄心片を素材鋼板から打ち抜く場合、図２の場合よりもθ分に相当する量だけ１対の固定子鉄心片のずらす量を大きくすることができるので、素材の電磁鋼板の大きさを実施の形態１で説明した大きさよりもさらに小さくでき、安価な電動機が得られる。本実施の形態でも、実施の形態１と同様に固定子鉄心の合わせ面近傍に界磁磁石の周方向略中央部が配置されるようににしているので、磁束の流れを妨げることがない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図は、隙間角度（θ）を６度にした場合の一例を示してある。隙間角度（θ）分だけ隙間を設けるようにすると、一枚の鉄心片を得るのに必要な素材鋼板の面積を実施の形態１（たとえば図２）の場合よりも更に小さくすることができ、従来（図１５）と比較すれば、たとえば隙間角度（θ）が６度の場合は素材の鋼板の必要面積は８９％程度まで小さくすることができる。そのため、固定子鉄心１４１ａ、１４１ｂ間の隙間に相当する分だけ材料取りが更に向上し、素材のコストが低減でき安価な直流電動機を得ることができる。また、隙間の分だけ比重の高い鉄の体積が減り、直流電動機の軽量化を実現することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
次に、フレーム４の外周側に磁気回路を生成する固定子鉄心７ａ、７ｂを固定する。固定の際にはフレーム４の外周部に設けられた位置決め突起８によって固定子鉄心７ａ、７ｂの周方向位置決めを行う。その際、軸方向位置決めは同様にフレーム４に位置決め突起を設けても良いし治具などで位置決めしても良い。固定方法に関しては、界磁磁石２を固定する場合と同様に接着材や樹脂で一体に成形（固める）などどのような方法を用いてもよい。また、逆に界磁磁石２や固定子鉄心７ａ、７ｂの方に位置決め突起を設けるようにしても良い。また、フレーム４には界磁磁石２や固定子鉄心７ａ、７ｂに設けられた位置決め突起が嵌合される凹部を設ければ同様の効果が得られる。また、本実施の形態でも、実施の形態１と同様に固定子鉄心の合わせ面近傍に界磁磁石の周方向略中央部が配置されるようににしているので、磁束の流れを妨げることがない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月31日(2005.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データを所定数の画素の集合である複数の画素ブロックに分割する分割手段と、
前記複数の画素ブロックに圧縮処理を実行する圧縮手段と、
前記圧縮手段により圧縮された画素ブロックと前記画素ブロックに関する画素ブロック情報を示すヘッダとを有するパケットを生成する生成手段と、
前記生成手段が生成した複数の前記パケットと前記複数のパケットの各々に対応する画素ブロックの格納アドレスを示すパケットテーブルを記憶する記憶手段と、
先行するパケットに対応する第１画素ブロックと注目パケットに対応する第２画素ブロックが異なるか否かを示す設定情報を前記注目パケットのヘッダに設定する設定手段と、
前記設定情報が前記第２画素ブロックと前記第１画素ブロックが異なることを示す場合は前記第２画素ブロックを前記注目パケットの一部として記憶するとともに前記注目パケットの格納アドレスを前記パケットテーブルに記憶し、前記設定情報が前記第２画素ブロックと前記第１画素ブロックが等しいことを示す場合は前記第２画素ブロックを記憶せずに前記先行するパケットの格納アドレスを前記注目パケットの格納アドレスとして前記パケットテーブルに記憶する記憶制御手段と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記第１画素ブロックは、前記第２画素ブロックのひとつ前の画素ブロックであることを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記生成手段が生成する前記複数のパケットと前記パケットテーブルは前記記憶手段に１つのファイルとして格納されることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記パケットテーブルは、前記注目パケットの格納アドレスとして他のパケットの格納アドレスを参照するか否かを示すフラグ情報を含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記第１画素ブロックを記憶するバッファ手段を有し、
前記設定手段は、前記バッファ手段に記憶されている第１画素ブロックを前記第２画素ブロックと比較することで前記設定情報を設定することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記バッファ手段は前記第１画素ブロックのデータ量が所定量より少ない場合は前記第２画素ブロックを前記第１画素ブロックとして記憶し、前記第１画素ブロックのデータ量が前記所定量以上である場合は前記第２画素ブロックを記憶しないことを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記第１画素ブロックが前記バッファ手段に記憶されていない場合、前記設定手段は前記第１画素ブロックと前記第２画素ブロックが異なることを示す前記設定情報を前記注目パケットのヘッダに設定することを特徴とする請求項６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
画像データを所定数の画素の集合である複数の画素ブロックに分割する分割工程と、
前記複数の画素ブロックに圧縮処理を実行する圧縮工程と、
前記圧縮工程にて圧縮された画素ブロックと前記画素ブロックに関する画素ブロック情報を示すヘッダとを有するパケットを生成する生成工程と、
前記生成工程にて生成した複数の前記パケットと前記複数のパケットの各々に対応する画素ブロックの格納アドレスを示すパケットテーブルを記憶する記憶工程と、
先行するパケットに対応する第１画素ブロックと注目パケットに対応する第２画素ブロックが異なるか否かを示す設定情報を前記注目パケットのヘッダに設定する設定工程と、
前記設定情報が前記第２画素ブロックと前記第１画素ブロックが異なることを示す場合は前記第２画素ブロックを前記注目パケットの一部として記憶するとともに前記注目パケットの格納アドレスを前記パケットテーブルに記憶し、前記設定情報が前記第２画素ブロックと前記第１画素ブロックが等しいことを示す場合は前記第２画素ブロックを記憶せずに前記先行するパケットの格納アドレスを前記注目パケットの格納アドレスとして前記パケットテーブルに記憶する記憶制御工程と、
を備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項９】
コンピュータに、
画像データを所定数の画素の集合である複数の画素ブロックに分割する分割工程と、
前記複数の画素ブロックに圧縮処理を実行する圧縮工程と、
前記圧縮工程にて圧縮された画素ブロックと前記画素ブロックに関する画素ブロック情報を示すヘッダとを有するパケットを生成する生成工程と、
前記生成工程にて生成した複数の前記パケットと前記複数のパケットの各々に対応する画素ブロックの格納アドレスを示すパケットテーブルを記憶する記憶工程と、
先行するパケットに対応する第１画素ブロックと注目パケットに対応する第２画素ブロックが異なるか否かを示す設定情報を前記注目パケットのヘッダに設定する設定工程と、
前記設定情報が前記第２画素ブロックと前記第１画素ブロックが異なることを示す場合は前記第２画素ブロックを前記注目パケットの一部として記憶するとともに前記注目パケットの格納アドレスを前記パケットテーブルに記憶し、前記設定情報が前記第２画素ブロックと前記第１画素ブロックが等しいことを示す場合は前記第２画素ブロックを記憶せずに前記先行するパケットの格納アドレスを前記注目パケットの格納アドレスとして前記パケットテーブルに記憶する記憶制御工程と、
を実行させるためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
この課題を解決するため、例えば本発明の画像処理装置は以下の構成を備える。すなわち、
画像データを所定数の画素の集合である複数の画素ブロックに分割する分割手段と、
前記複数の画素ブロックに圧縮処理を実行する圧縮手段と、
前記圧縮手段により圧縮された画素ブロックと前記画素ブロックに関する画素ブロック情報を示すヘッダとを有するパケットを生成する生成手段と、
前記生成手段が生成した複数の前記パケットと前記複数のパケットの各々に対応する画素ブロックの格納アドレスを示すパケットテーブルを記憶する記憶手段と、
先行するパケットに対応する第１画素ブロックと注目パケットに対応する第２画素ブロックが異なるか否かを示す設定情報を前記注目パケットのヘッダに設定する設定手段と、
前記設定情報が前記第２画素ブロックと前記第１画素ブロックが異なることを示す場合は前記第２画素ブロックを前記注目パケットの一部として記憶するとともに前記注目パケットの格納アドレスを前記パケットテーブルに記憶し、前記設定情報が前記第２画素ブロックと前記第１画素ブロックが等しいことを示す場合は前記第２画素ブロックを記憶せずに前記先行するパケットの格納アドレスを前記注目パケットの格納アドレスとして前記パケットテーブルに記憶する記憶制御手段とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、画像データを複数の画素ブロックに分割して記憶する場合において、等しい画素ブロックが複数ある場合に記憶容量を削減することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月2日(2004.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リムーバブルな光ディスクをアクセスして映像情報を録画、再生する装置において、
入力映像信号よりアスペクト情報を取り出すアスペクト情報検出部と、
前記入力映像信号をＭＰＥＧ方式で圧縮した際、
ＭＰＥＧ方式ビデオデータ内のシーケンスヘッダに、前記アスペクト情報検出部で検出した情報を元に、アスペクト情報を設定する手段と、
を具備したこと特徴とするＤＶＤ記録再生装置。
【請求項２】
リムーバブルな光ディスクをアクセスして映像情報を録画、再生する装置において、
入力映像信号よりアスペクト情報を取り出すアスペクト情報検出部と、
前記入力映像信号を圧縮してパケット化した際、
リアルタイムデータ情報（ＲＤＩ）パックに、前記アスペクト情報検出部で検出した情報を元に、アスペクト情報を設定する設定部と、
を具備したこと特徴とするＤＶＤ記録再生装置。
【請求項３】
リムーバブルな光ディスクをアクセスして映像情報を録画、再生する装置において、
入力映像信号よりアスペクト情報を取り出すアスペクト情報検出部と、
前記入力映像信号を圧縮してパケット化して前記光ディスクに記録する際、
前記光ディスクの管理情報であるビデオマネージャー情報（ＶＭＧＩ）内のストリーム情報（ＳＴＩ）に、前記アスペクト情報検出部で検出した情報を元に、アスペクト情報を設定する設定部と、
を具備したこと特徴とするＤＶＤ記録再生装置。
【請求項４】
リムーバブルな光ディスクをアクセスして映像情報を録画、再生する装置において、
入力映像信号よりアスペクト情報を取り出すアスペクト情報検出部と、
前記入力映像信号をＭＰＥＧ方式で圧縮した際、
ＭＰＥＧ規格のビデオデータ内のシーケンスヘッダに、前記アスペクト情報検出部で検出した情報を元に、アスペクト情報を設定するビデオシーケンスヘッダ設定部と、
前記の圧縮したデータをパケット化した際、
リアルタイムデータ情報（ＲＤＩ）パックにも前記アスペクト情報を設定するパック設定部と、
前記光ディスクの管理情報であるビデオマネージャー情報（ＶＭＧＩ）内のストリーム情報（ＳＴＩ）にも前記アスペクト情報を設定するＳＴＩ設定部と、
を具備したこと特徴とするＤＶＤ記録再生装置。
【請求項５】
リムーバブルな光ディスクをアクセスして映像情報を録画、再生する装置において、
前記光ディスクの管理情報であるビデオマネージャー情報（ＶＭＧＩ）内のストリーム情報（ＳＴＩ）よりアスペクト情報を取り出す初期時のアスペクト情報取り出し手段と、
前記光ディスクの再生中、リアルタイムデータ情報（ＲＤＩ）パックよりアスペクト情報を取り出す再生時のスペクト情報取り出し手段と、
前記取り出したそれらのアスペクト情報の内容に応じて、Ｓ映像端子に直流（ＤＣ）成分を重畳するアスペクト情報重畳手段と
を具備したこと特徴とするＤＶＤ記録再生装置。
【請求項６】
前記アスペクト情報検出部は、Ｓ映像端子の色差（Ｃ）信号より直流成分を取り出す直流成分取り出し手段と、
取り出した直流成分をアナログ・デジタル変換を行うアナログデジタル変換手段と
を具備したことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のＤＶＤ記録再生装置。
【請求項７】
前記アスペクト情報検出部は、垂直ブランキング情報（ＶＢＩ）よりアスペクト情報を取り出す手段を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のＤＶＤ記録再生装置。
【請求項８】
リムーバブルな光ディスクをアクセスして映像情報を録画、再生する装置において、
入力映像信号よりアスペクト情報を取り出すアスペクト情報検出部と、
前記入力映像信号を圧縮してパケット化して前記光ディスクに記録する際、
前記光ディスクの管理情報であるビデオマネージャー情報（ＶＭＧＩ）内のストリーム情報（ＳＴＩ）に、前記アスペクト情報検出部で検出した情報を元にアスペクト情報を設定するＳＴＩ設定部と、
スクイーズ／パーンスキャン情報を、おなじく前記ビデオマネージャー情報（ＶＭＧＩ）内のマニファクチャ情報（ＭＮＦＩ）に設定するＭＦＩ設定部と、
を具備したことを特徴とするＤＶＤ記録再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６８】
再生が開始されると、ＤＶＤフォーマットのものであるかどうかのディスクチェックが行われる。即ち、ディスクの有無、ボリューム構成があるかどうか、ＤＶＤ−ＲＴＲディレクトリーがあるかどうか、ＶＭＧがあるかどうかのチェックが行われる（ステップＢ１，Ｂ２，Ｂ３，Ｂ４,Ｂ５,Ｂ６）。ＶＭＧが存在すればＶＭＧがマイクロコンピュータブロック３０に読み取られる（ステップＢ７）。さらに、ビデオファイル（図２参照）が存在するかどうかのチェックが行われる（ステップＢ８）。ビデオファイルが存在すれば、再生を行うプログラムチェーンを決定する（ステップＢ９）。プログラムチェーンとしては、図５で示したようにオリジナルプログラムチェーン（ＯＲＧ＿ＰＧＣ）、ユーザディファインドプログラムチェーン（ＵＤ＿ＰＧＣ）が存在可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７７】
また、マイクロコンピュータブロック３０ではそのＶＯＢＵの先頭にＲＤＩパックがあるかどうかの判定を行う（ステップＣ１１）、更にＲＤＩパックの情報から、前回に比べてアスペクト比情報に変化があったかどうかの判定を行う（ステップＣ１２）。アスペクト比情報に変化があった場合には、その情報に応じてＳ映像端子（出力端子）の直流電圧を変更する（ステップＣ１３）。次に、シームレス接続フラッグ（図６のＳＭＬＩ）がセットされているかどうかを判定し、無ければステップＣ１６にデータ転送が終了しているかどうかを判定し、シームレスフラッグがある場合には、さらに読み出しエントリーポイントに読み出し長を加えて、新たな読み出しエントリーポイントを設定する。そして、デコーダ６０を通常モードに設定する（ステップＣ１５）。またこのときシステムクロックリファレンス（ＳＣＲ）を読み込むと共に、いままで取り込んでいたシームレス接続フラッグをリセットし、次のＶＯＢＵの読み取り時に備え、ステップＣ１６に移行する。ステップＣ１６で転送が終了しているかどうかを判定し、終了していれば、残りセル長が０かどうかをチェックする。残りセル長が０であれば、図１２のステップＢ１３へリターンする。残りセル長が０でない場合には、図１３のステップＣ３へ戻る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７８】
ステップＣ１６において、転送が終了していないことが分かると、キー入力があったかどうかをチェックし、無ければステップＣ９ヘ戻る。キー入力があることが判明した場合は、ステップＣ２０、Ｃ２１により、高速はや送り（ＦＦ）、高速逆送り（ＦＲ）であるかどうかを判定する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月26日(2004.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路装置の製造方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴが形成される第１の領域および第３の領域およびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴが形成される第２および第４の領域であって、斜めイオン注入法により前記ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのポケットイオン領域を形成する際に、前記第２の領域上に形成されるレジスト膜の端部から、前記レジスト膜の膜厚Ｈおよびイオン注入角度θとのｔａｎの積である距離Ｓ１以内に形成された第１の領域と、前記第４の領域上に形成されるレジスト膜の端部から、前記レジスト膜の膜厚Ｈおよび前記角度θとのｔａｎの積である距離Ｓ１より離れた位置に形成された第３の領域を有する半導体基板を準備する工程と、
（ｂ）前記第１から第４の領域上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記ゲート絶縁膜上に高融点金属膜を形成し、パターニングすることによってゲート電極を形成する工程と、
（ｄ）前記第２および第４の領域上に膜厚Ｈのレジスト膜を形成する工程と、
（ｅ）前記ゲート電極長さ方向の一の側面に対して（９０°−θ）の角度であって、半導体基板表面に対してθの角度である第１方向および前記ゲート電極の長さ方向の他の側面に対して（９０°−θ）の角度であって、半導体基板表面に対してθの角度である第２方向からｐ型の不純物を注入することにより第１のポケットイオン領域を形成する工程と、
（ｆ）前記ゲート電極の幅方向の一の側面に対して（９０°−θ）の角度であって、半導体基板表面に対してθの角度である第３方向および前記ゲート電極の幅方向の他の側面に対して（９０°−θ）の角度であって、半導体基板表面に対してθの角度である第４方向からｐ型の不純物を注入することにより第２のポケットイオン領域を形成する工程と、
（ｇ）前記ゲート電極の両側にｎ型の不純物を注入することによりソース、ドレイン領域を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
第１の領域に形成されたｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴおよび第２の領域に形成されたｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴは、前記２つの駆動用ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴおよび２つの負荷用ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴを有し、それぞれの入出力部が交差接続された前記２つの駆動用ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴおよび２つの負荷用ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴから成る２つのＣＭＩＳインバータを有するメモリセルを構成していることを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の領域のｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴの第２のポケットイオン領域は、前記第３の領域のｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴの第２のポケットイオン領域より不純物濃度が低いことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
（ａ）ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴが形成される第１および第３の領域およびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴが形成される第２および第４の領域であって、斜めイオン注入法により前記ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのポケットイオン領域を形成する際に、前記第１の領域上に形成されるレジスト膜の端部から、前記レジスト膜の膜厚Ｈおよびイオン注入角度θとのｔａｎの積である距離Ｓ以内に形成された第２の領域と、前記第３の領域上に形成されるレジスト膜の端部から、前記レジスト膜の膜厚Ｈおよび前記角度θとのｔａｎの積である距離Ｓより離れた位置に形成された第４の領域を有する半導体基板を準備する工程と、
（ｂ）前記第１から第４の領域上に、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記ゲート絶縁膜上に高融点金属膜を形成し、パターニングすることによってゲート電極を形成する工程と、
（ｄ）前記第１および第３の領域上に膜厚Ｈのレジスト膜を形成する工程と、
（ｅ）前記ゲート電極長さ方向の一の側面に対して（９０°−θ）の角度であって、半導体基板表面に対してθの角度である第１方向および前記ゲート電極の長さ方向の他の側面に対して（９０°−θ）の角度であって、半導体基板表面に対してθの角度である第２方向からｎ型の不純物を注入することにより第１のポケットイオン領域を形成する工程と、
（ｆ）前記ゲート電極の幅方向の一の側面に対して（９０°−θ）の角度であって、半導体基板表面に対してθの角度である第３方向および前記ゲート電極の幅方向の他の側面に対して（９０°−θ）の角度であって、半導体基板表面に対してθの角度である第４方向からｎ型の不純物を注入することにより第２のポケットイオン領域を形成する工程と、
（ｇ）前記ゲート電極の両側にｐ型の不純物を注入することによりソース、ドレイン領域を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
第１の領域に形成されたｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴおよび第２の領域に形成されたｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴは、前記２つの駆動用ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴおよび２つの負荷用ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴを有し、それぞれの入出力部が交差接続された前記２つの駆動用ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴおよび２つの負荷用ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴから成る２つのＣＭＩＳインバータを有するメモリセルを構成していることを特徴とする請求項４記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の領域のｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴの第２のポケットイオン領域は、前記第４の領域のｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴの第２のポケットイオン領域より不純物濃度が低いことを特徴とする請求項４記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法は、さらに、前記交差接続部間に外部容量を形成する工程であって、
前記駆動用ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのドレインおよび負荷用ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのドレイン上に配線を形成する工程と、
前記配線上に容量絶縁膜を形成する工程と、
前記容量絶縁膜上に上部電極を形成する工程と、
からなる外部容量を形成する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項８】
請求項５記載の半導体集積回路装置の製造方法は、さらに、前記交差接続部間に外部容量を形成する工程であって、
前記駆動用ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴのソースおよび負荷用ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのドレイン上に配線を形成する工程と、
前記配線上に容量絶縁膜を形成する工程と、
前記容量絶縁膜上に上部電極を形成する工程と、
からなる外部容量を形成する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】
前記第２のポケットイオン領域を形成する工程は、前記第１の領域をレジスト膜で覆い、第１の領域に形成されるｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴの第２のポケットイオン領域を形成しないことを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２のポケットイオン領域を形成する工程は、前記第２の領域をレジスト膜で覆い、第２の領域に形成されるｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴの第２のポケットイオン領域を形成しないことを特徴とする請求項４記載の半導体集積回路装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月29日(2004.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）下記一般式（Ｉ）で示される基を有し、かつ酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解性が増大する化合物、及び
（ｂ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物
を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【化１】
2000352822.tif 000001
上記一般式（Ｉ）中：
Ｒ1、Ｒ2は、同一でも異なっていてもよく、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。
Ｘは、置換されていてもよい炭素数１〜２０のアルキレン基を表す。
Ｙは、２価の連結基を表す。
Ｚは、置換されてもよいヘテロ環基を表す。
【請求項２】
請求項１に記載のポジ型フォトレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月5日(2005.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
顕微鏡観察像と、画像表示手段に表示した画像とを同時に観察できる実体顕微鏡において、
前記顕微鏡は、物体からの光束をアフォーカル光束とする対物光学系と、対物光学系からのアフォーカル光束を少なくとも１回結像して射出するアフォーカルリレー光学系と、アフォーカルリレー光学系からの光束を再結像する結像光学系と、再結像された像を拡大観察するための接眼光学系と、前記アフォーカルリレー光学系内部に結像する顕微鏡観察像結像面の一部を遮光する遮光部材と、画像を表示した前記画像表示手段から射出される光束を前記顕微鏡観察像結像面上の遮光した範囲内に導いて結像させる手段とからなることを特徴とする実体顕微鏡。
【請求項２】
前記遮光部材は、物体からの光路とは別の光路からの光を反射する反射部材を兼ねており、画像表示手段に表示する画像から射出する光束は、前記反射部材により反射されて顕微鏡観察像結像面上の遮光部分に結像されることを特徴とする請求項１に記載の実体顕微鏡。
【請求項３】
前記反射部材を兼ねた遮光部材は、無色透明で光が透過する部材に保持されていることを特徴とする請求項２に記載の実体顕微鏡。
【請求項４】
前記顕微鏡観察像結像面上に透過型液晶表示素子を配置して、アフォーカルリレー光学系内部に結像した顕微鏡観察像結像面の１部を任意の形状に遮光することができるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の実体顕微鏡。
【請求項５】
画像表示手段と、画像表示手段上に表示した画像をアフォーカルリレー光学系内部に結像した顕微鏡観察像結像面上に結像させる投影光学系と、反射部材を兼ねた遮光部材とが一体となって移動できるようにしたことを特徴とする請求項２に記載の実体顕微鏡。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明の請求項３に記載の実体顕微鏡は、前記反射部材を兼ねた遮光部材は、無色透明で光が透過する部材に保持されていることを特徴とする。
この構成によれば、反射部材を兼ねた遮光部材を保持する部材により顕微鏡観察像にかぶさってしまうことがないため、顕微鏡観察像が持つ情報の損失を防ぐことができる。
また、本発明の請求項４に記載の実体顕微鏡は、前記顕微鏡観察像結像面上に透過型液晶表示素子を配置して、アフォーカルリレー光学系内部に結像した顕微鏡観察像結像面の１部を任意の形状に遮光することができるようにしたことを特徴とする。
このように構成すれば、液晶表示素子に様々な形状の黒い面を表示させることで、顕微鏡観察像を随時任意な形状に遮光することができ、顕微鏡の視野内にどのような形状の画像を表示しても無駄に顕微鏡観察像を削ってしまうことが無いため顕微鏡観察像から得られる情報の損失を最小限に抑えることができる。
また、本発明の請求項５に記載の実体顕微鏡は、画像表示手段と、画像表示手段上に表示した画像をアフォーカルリレー光学系内部に結像した顕微鏡観察像結像面上に結像させる投影光学系と、反射部材を兼ねた遮光部材とが一体となって移動できるようにしたことを特徴とする。
このように構成すれば、アフォーカルリレー光学系内部に結像した顕微鏡観察像結像面上において所望の位置に画像を結像させることができるため、顕微鏡視野の所望の位置に配置して画像を観察することが可能となり、顕微鏡観察像の最も重要な情報が得られる部分が画像で削られてしまうことを防ぐことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
（２）画像表示手段と、画像表示手段上に表示した画像をアフォーカルリレー光学系内部に結像した顕微鏡観察像結像面上に結像させる投影光学系と、反射部材を兼ねた遮光部材とが一体となって移動できるようにしたことを特徴とする上記（１）に記載の実体顕微鏡。
このように構成すれば、アフォーカルリレー光学系内部に結像した顕微鏡観察像結像面上において所望の位置に画像を結像させることができるため、顕微鏡視野の所望の位置に配置して画像を観察することが可能となり、顕微鏡観察像の最も重要な情報が得られる部分が画像で削られてしまうことを防ぐことができる。