Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月1日(2004.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
従来技術として、可変長フレームのサイズがバンク長を超えた場合、フレームをバンクアドレスによってリスト構造化された複数バンクに格納し、そのうちの１つから、固定長のデータブロックを順に読み出してパケットを生成する技術が提案されている（例えば、特許文献１）。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
このために、送信できなかったパケットを待ち合わせるためのバッファを設ける対策案が考えられるが、この場合、子機側すべてにバッファが必要となるために、ハードウェア規模が増大し、また、待ち合わせのための遅延も増大してしまうといった問題があった。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
位相基準部２３ｅは、アップリンクフレームの周期を規定している自走カウンタであり、位相基準情報を出力する。帯域割り当て履歴部２３ｄは、下りに送出した帯域割り当て情報を保持しており、位相基準情報をもとに現在のタイムスロットを使用している子機番号を出力する。また、タイムスロットの切り替わり時にタイムスロット先頭信号を出力する（図１２−（３））。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
ここで、フレーム残収容可能カウンタ４０は、フレーム信号が有効である場合に、容量監視部（パケット）５１ｂからのパケット数情報が０でなければ、パケットサイズテーブル５８からのパケット長を参照する。ただし、スキップ処理中フラグが有効である間は、スキップＣＨＫタイミングでのみ参照する。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
フレーム残収容可能カウンタ４０は、フレーム信号が有効である間、カウント動作するＦＣを有す。受信したフレームサイズからＦＣを引いたものがフレーム残収容データ長となる。パケットサイズテーブル５８からのパケット長とフレーム残データ長を比較し、パケット長≦フレーム残データ長であれば、送信可能であると判断し、読み出しイネーブルを有効とし、パケットバッファ１１からパケットを読みだす。読み出しイネーブルは、パケット長に相当する期間出力される。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
また、パケット長＞フレーム残収容データ長であれば、パケットバッファ１１に収容可能なサイズのパケットが格納されていないか検索を行う。図２３はパケット検索手順を示す図である。
（１）パケットバッファにはパケット長Ａ，Ｂ，Ｃの順で３パケット格納されている。
（２）１パケット目のサイズＡを送信完了した時点で、パケット長Ｂのパケットの検証を行う。
（３）ｆｓｉｚｅ−ＦＣ≦Ｂであるため２パケット目が送信できない。
（４）パケット数を参照すると２であるため、あと１パケット格納されている。現在のパケットをスキップして次のパケットを検証可能であるため、スキップ処理を開始する。スキップ処理中であることを表すスキップ処理ＦＬＧを有効とする。
（５）１パケット次のパケットの情報を得るために読み出しポインタを＋１して２とする。読み出しポインタバックアップに現在のポインタ値である１をバックアップする。また、読み出しアドレスバックアップに現在のアドレスであるＡをバックアップする。読み出しアドレスには次のパケットの先頭アドレス値である、現在のアドレス値Ａにパケット長Ｂを足したアドレスが格納される。ここでは、ＳＡを比較するため、チェックアドレスに、読み出しアドレス＋１の値が格納される。
（６）チェックアドレスによりパケットバッファから読み出された値チェックデータ１（ＳＡ＃Ｂ）と値チェックデータ２（ＳＡ＃Ｃ）が異なっており（ＮＥＱ＿ＦＬＧ＝１）かつフレーム残データ長≧パケット長であり、読み出し済みＦＬＧが無効であれば、送信可能と判断し、パケット長Ｃのパケットが読み出される。
（７）パケット長Ｃのパケットが読み出し完了した時点で、読み出しポインタには、読み出しポインタバックアップの内容がロードされる。スキップ回数をインクリメントする。読み出しアドレスに読み出しアドレスバックアップの内容がロードされる。スキップパケット長累積には読み出し完了したパケットのパケット長（この場合Ｃ）が加算される。スキップ処理が終了したため、スキップ処理ＦＬＧを無効とする。過去にスキップ処理が行われたことを表すスキップＦＬＧを有効とする。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
例えば、子機が可変長フレームを構築する際に、パケットを構築中の可変長フレームに追加した際に、可変長フレームのサイズがフレームサイズを超えてしまうような場合に、子機内部のパケットバッファを検索し、検索パケットのレイヤ２ＭＡＣフレームのＤＡと同一のものが構築中の可変長フレームに含まれず、（スキップされたパケットのＤＡとは異なっており、）かつ、構築中の可変長フレームに追加したときにフレームサイズを超えなければ、これを先行して送信を行うことで実現可能である。先行して送信したため、送信順序が入れ替わるが、ＤＡが異なるため送信先装置が別であるため問題ない。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
（付記６）  前記読み出し制御部は、前記送信パケットバッファから現在読み出しているパケットとの連続性を持たないパケットとして、レイヤ２ＭＡＣフレームのデスティネーションアドレスが異なるパケットを、前記先読みパケットとして検索することを特徴とする付記４記載の光アクセスシステム。


【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２３】
2004186932.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月27日(2004.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
生分解性高分子化合物、無機材料及び加水分解抑制剤を含有する音響機器筐体用材料において、比重が１．３ｇ／ｃｍ３以上であることを特徴とする音響機器筐体用材料。
【請求項２】
生分解性高分子化合物が、多糖類、生分解性ポリエステル、ポリアミノ酸、ポリビニルアルコール、ポリアルキレングリコール、これら共重合体又はこれら混合物であることを特徴とする請求項1記載の音響機器筐体用材料。
【請求項３】
生分解性ポリエステルが、ポリ乳酸、ポリカプロラクトン、ポリヒドロキシ酪酸、ポリヒドロキシ吉草酸、ポリエチレンスクシネート、ポリブチレンスクシネート、ポリブチレンアジペート、ポリリンゴ酸、微生物合成ポリエステル、これら共重合体又はこれら混合物であることを特徴とする請求項２記載の音響機器筐体用材料。
【請求項４】
無機材料が、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、酸化チタン、アルミナ、マイカ及びタルクから選択される少なくとも一種以上を含有することを特徴とする請求項１記載の音響機器筐体用材料。
【請求項５】
無機材料が、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、酸化チタン、アルミナ、マイカ及びタルクから選択される少なくとも一種以上を含有することを特徴とする請求項２記載の音響機器筐体用材料。
【請求項６】
無機材料が、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、酸化チタン、アルミナ、マイカ及びタルクから選択される少なくとも一種以上を含有することを特徴とする請求項３記載の音響機器筐体用材料。
【請求項７】
加水分解抑制剤が、カルボジイミド化合物、イソシアネート化合物及びオキソゾリン化合物から選択される少なくとも一種以上を含有することを特徴とする請求項１記載の音響機器筐体用材料。
【請求項８】
加水分解抑制剤が、カルボジイミド化合物、イソシアネート化合物及びオキソゾリン化合物から選択される少なくとも一種以上を含有することを特徴とする請求項２記載の音響機器筐体用材料。
【請求項９】
加水分解抑制剤が、カルボジイミド化合物、イソシアネート化合物及びオキソゾリン化合物から選択される少なくとも一種以上を含有することを特徴とする請求項３記載の音響機器筐体用材料。
【請求項１０】
加水分解抑制剤が、カルボジイミド化合物、イソシアネート化合物及びオキソゾリン化合物から選択される少なくとも一種以上を含有することを特徴とする請求項４記載の音響機器筐体用材料。
【請求項１１】
音響機器が、テレビ、ステレオ、ラジカセ又はヘッドホーンであることを特徴とする請求項１記載の音響機器筐体用材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
すなわち、本発明は、
（１）  生分解性高分子化合物、無機材料及び加水分解抑制剤を含有する音響機器筐体用材料において、比重が１．３ｇ／ｃｍ3以上であることを特徴とする音響機器筐体用材料、
（２）  生分解性高分子化合物が、多糖類、生分解性ポリエステル、ポリアミノ酸、ポリビニルアルコール、ポリアルキレングリコール、これら共重合体又はこれら混合物であることを特徴とする（１）記載の音響機器筐体用材料、
（３）  生分解性ポリエステルが、ポリ乳酸、ポリカプロラクトン、ポリヒドロキシ酪酸、ポリヒドロキシ吉草酸、ポリエチレンスクシネート、ポリブチレンスクシネート、ポリブチレンアジペート、ポリリンゴ酸、微生物合成ポリエステル、これら共重合体又はこれら混合物であることを特徴とする（２）記載の音響機器筐体用材料、
に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、本発明は、
（１１）  比重が、１．３ｇ／ｃｍ3以上であることを特徴とする音響機器筐体用材料、
（１２）  比重が、１．３ｇ／ｃｍ3以上であることを特徴とする（２）記載の音響機器筐体用材料、
（１３）  比重が、１．３ｇ／ｃｍ3以上であることを特徴とする（３）記載の音響機器筐体用材料、
（１４）  比重が、１．３ｇ／ｃｍ3以上であることを特徴とする（４）記載の音響機器筐体用材料、
（１５）  比重が、１．３ｇ／ｃｍ3以上であることを特徴とする（７）記載の音響機器筐体用材料、
に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月4日(2004.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
映像が含まれる番組を録画する記録装置であって、
番組を入力する入力手段と、
入力される番組に関する情報を取得する情報取得手段と、
入力された番組のビットレートを変換するレート変換手段と、
前記レート変換手段にてビットレートが変換された番組を録画再生する録画再生手段と、
入力された番組のうちユーザが視聴した番組に関する情報を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段において記憶された情報と、前記情報取得手段にて取得した情報と、に基づいて、前記レート変換手段におけるビットレートを前記入力手段により入力された番組が記録される場合に、可変とするように
制御する制御手段と、
を備えてなることを特徴とする記録装置。
【請求項２】
前記制御手段は、入力される番組が、ユーザの視聴傾向に合致する割合が高くなるにつれ、前記レート変換手段におけるビットレートを高くして録画すること
を特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
前記制御手段は、入力される番組について、ユーザの視聴傾向に基づく順位をつけ、該順位が高くなるにつれ、前記レート変換手段におけるビットレートを高くして録画することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項４】
前記制御手段は、入力される番組について、該番組が特定の番組である場合には、前記記憶手段に記憶された情報にかかわらず、前記レート変換手段におけるビットレートを高くして録画することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項５】
前記制御手段は、１つの番組において特定のシーンを検出し、検出されたシーンに基づいて、前記レート変換手段のビットレートを可変とすることを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項６】
前記特定のシーンとは、コマーシャルのシーンであり、前記制御手段は、前記レート変換手段のビットレートを通常番組より低くして録画することを特徴とする請求項５に記載の記録装置。
【請求項７】
前記制御手段は、１つの番組について、前記レート変換手段において、第１のビットレートと、第１のビットレートより低い第２のビットレートで録画し、
第１のビットレートで録画された番組の再生時において、特定の操作がなされたときは、第２のビットレートにて録画された番組を再生するように前記録画再生手段を制御することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項８】
前記制御手段は、入力される番組のオリジナル映像が高精細画質の映像であるときは、前記レート変換手段におけるビットレートを高くし、入力される映像信号のオリジナル映像が標準画質の映像であるときは、前記レート変換手段におけるビットレートを低くして録画するように制御することを特徴とする請求項１に記載の記録装置。
【請求項９】
前記録画再生手段にて再生される映像信号をデコードするデコード手段と、
前記デコード手段にてデコードされた映像信号を表示する表示手段と、
を備えてなることを特徴とする請求項１ないし８のいずれかに記載の記録装置。
【請求項１０】
入力される複数の番組を録画する記録方法であって、
過去の視聴情報を記憶するステップと、
複数の番組を入力するステップと、
入力される番組の番組情報を取得するステップと、
取得された番組情報と、記憶されている視聴情報とを比較するステップと、
比較結果に基づいて、録画する映像信号の圧縮率を決定するステップと、
決定された圧縮率に基づいて録画するステップと、
を備えてなることを特徴とする記録方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の記録方法において、
さらに、録画された番組を再生するステップと、
再生された番組を表示するステップと、
を備えてなることを特徴とする記録方法。
【請求項１２】
前記取得された番組情報はインターネット経由で取得することを特徴とする請求項１０に記載の記録方法。
【請求項１３】
入力される複数の番組を録画する記録装置であって、
複数の番組を入力する入力手段と、
入力された番組のビットレートを変換するレート変換手段と、
ユーザの視聴傾向に基づいて前記レート変換手段にてビットレートが変換された番組を録画再生する録画再生手段と、
ユーザの視聴傾向に基づいて前記録画再生手段にて録画された番組の番組案内を作成する番組情報作成手段と、
を備えてなることを特徴とする記録装置。
【請求項１４】
前記番組案内には録画された番組のビットレートに関連する情報が付加されてなることを特徴とする請求項１３に記載の記録装置。
【請求項１５】
前記番組情報作成手段は、複数のユーザの視聴傾向に基づいて対応する複数の番組案内を作成することを特徴とする請求項１４に記載の記録装置。
【請求項１６】
情報を記録する記録装置であって、
情報を入力する入力手段と、
入力された情報のビットレートを変換するレート変換手段と、
前記レート変換手段にてビットレートが変換された情報を記録再生する記録再生手段と、
入力された情報のうちユーザが使用した情報に関連する情報を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段において記憶された情報に基づいて、前記レート変換手段におけるビットレートを前記入力手段により入力された情報が記録される場合に、可変とするように制御する制御手段と、
を備えてなることを特徴とする記録装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月9日(2005.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質膜を挟んで負極と正極が電池容器に収納された燃料電池であって、
発電時に生ずる熱を可逆的に吸熱する潜熱蓄熱剤を有する吸熱手段を備えたことを特徴とする燃料電池。
【請求項２】
吸熱手段が、電池容器に設けられ、潜熱蓄熱剤を密封状に収納する収納部をさらに備えてなる請求項１に記載の燃料電池。
【請求項３】
収納部が、電池容器の壁部内及び／又は電池容器の壁部外面に直接接触させるか、良伝熱材を介接して設けられてなる請求項２に記載の燃料電池。
【請求項４】
潜熱蓄熱剤が、３５〜６０℃の範囲内に融点を有する物質の単体又は混合物からなる請求項１〜３の何れか１つに記載の燃料電池。
【請求項５】
潜熱蓄熱剤が、酸化オスミウム、Ｌ-メントール、硝酸カルシウム、チオ硫酸ナトリウム五水和物、白リン、セタノール、パラフィンろう、はんだ、酢酸ナトリウムのうち少なくとも一つを含む請求項１〜３の何れか１つに記載の燃料電池。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか１つに記載の燃料電池を電源として備えた小型電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
電池容器の材料としては、アクリル樹脂のほか、ガラス転移点が常温以上であるもの、具体的にはポリスチレン、ポリカーボネート、ないしは硬質ポリ塩化ビニル(可塑剤０〜５％添加)、ポリフェニレンオキサイドなどの硬質樹脂、あるいはアルマイト処理を施したアルミニウムのほか、絶縁コートを施したステンレス、防食処理を施した鉄などを用いることができ、より好ましくは絶縁され、放熱がよく、剛性の高いステンレスなどの金属類である。
また、電池容器は、用いられる形態やその用途に応じて、どのような形態を有するものであってもよいが、電池容器における正極と対向する壁部に外気通気孔を設けることが好ましく、さらに正極側に外気保持材を充填した外気貯蔵空隙を有する構造としてもよい。一方、電池容器の内部の負極側は、燃料を負極に供給するための燃料保持空隙と、この燃料保持空隙に連通する燃料供給口及び余剰燃料排出口とを有する構造としてもよい。これについて詳しくは後述の実施の形態で説明する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明において、電解質膜としては、トリフルオロエチレン誘導体の共重合体、リン酸含浸ポリベンゾイミダゾール樹脂、スルホン酸基、ホスホン酸基、フェノール系水酸基又はパーフルオロスルホン酸基を陽イオン交換基として有する樹脂、ＰＳＳＡ−ＰＶＡ（ポリスチレンスルホン酸ポリビニルアルコール共重合体）や、ＰＳＳＡ−ＥＶＯＨ（ポリスチレンスルホン酸エチレンビニルアルコール共重合体）等からなるものが挙げられる。中でも、パーフルオロスルホン酸基を有するイオン交換樹脂からなるものが好ましく、具体的には、米国デュポン社製のナフィオン膜、旭硝子社製のフレミオン膜、旭化成社製のアシプレックス膜が用いられる。固体高分子電解質膜は、樹脂の前駆体を熱プレス成型、ロール成形、押出し成形等の公知の方法で膜状に成形し、加水分解、酸型化処理することにより得られる。また、フッ素系陽イオン交換樹脂をアルコール等の溶媒に溶解させた溶液から、溶媒キャスト法により得ることもできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
外気貯蔵空隙１２ｄに装填された外気保持材１２ｈとしては、外気貯蔵空隙１２ｄを完全に満たすものであっても、その一部を満たすものであってもよい。本実施の形態では、外気貯蔵空隙１２ｄに外気保持材１２ｈが燃料供給口１１ｅ側と余剰燃料排出口１１ｇ側に少し隙間を残す程度に装填されている。一部を満たすものである場合には、容器に備えられた外気通気孔１と正極１２との間に、正極に対して全面的又は部分的に配置されてもよい。いずれの場合にも、電池容器１０と正極１２との間の幅に対して、任意の厚さを有するものであってもよい。
外気保持材１２ｈの備えられる形態としては、シート状、綿材をメッシュ状又はウール状にしたもの、綿材を網状に織ったもの、細線を重ねて圧縮して板状にしたもの、粒状等どのような形態であってもよい。外気保持材１２ｈの材料としては、ニッケル、ステンレス、アルミニウム、鉄等を用いることができる。さらに、外気保持材１２ｈをポリテトラフルオロエチレンなどで被覆することによる撥水処理により、正極１２における反応により生成した水を効率よく除去することができる。本実施の形態では、例えばφ５０μｍニッケル線を網状に織って形成した外気保持材１２ｈが用いられるが、ニッケル線のほか、耐水性及び導電性に富む金属種からなる発泡金属や金属繊維でもよい。この外気保持材１２ｈは、外気通気孔１より供給された外気を保持し、かつ自然拡散により酸素を正極１２に供給する役割を果たす。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
図７に示すように、実施例２は、ほぼ実施例１と同様の結果となり、比較例に比して燃料電池の発熱を低く抑えていることが分かった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月17日(2005.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
記録用電荷輸送層３２はＴＰＤ（Ｔｒｉｐｈｅｎｙｌｄｉａｍｉｎｅ）のポリカーボネート分散膜により形成されている。その厚さは１０μｍ程度が望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月9日(2005.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）５０ｎｍ以下のゲート長と８０ｎｍ以下のソース／ドレイン領域接合深さを有するＭＯＳトランジスタ構造を備えたシリコン基板を処理室内で３２０℃〜４８０℃の温度に加熱する工程と、
（ｂ）前記加熱したシリコン基板上にＴｉを０．３ａｔ％〜２．０ａｔ％添加したＣｏを堆積する工程と、
を含む半導体装置の製造方法。
【請求項２】
さらに、
（ｃ）前記Ｃｏを堆積したシリコン基板上にＴｉＮ膜を堆積する工程と、
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、シリコン基板に１次アニールを行い、シリサイド化反応を生じさせる工程と、
（ｅ）前記工程（ｄ）の後、ＴｉＮ膜と未反応Ｃｏとを除去する工程と、
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、シリコン基板に２次アニールを行い、シリサイド化反応を完了させる工程と
を含む請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記Ｔｉの添加量が０．５ａｔ％〜１．７５ａｔ％である請求項１または２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記工程（ａ）が、シリコン基板を約３５０℃〜４００℃に加熱する請求項１〜３のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明の１観点によれば、ａ）５０ｎｍ以下のゲート長と８０ｎｍ以下のソース／ドレイン領域接合深さを有するＭＯＳトランジスタ構造を備えたシリコン基板を処理室内で３２０℃〜４８０℃の温度に加熱する工程と、（ｂ）前記加熱したシリコン基板上にＴｉを０．３ａｔ％〜２．０ａｔ％添加したＣｏを堆積する工程と、を含む半導体装置の製造方法が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月23日(2005.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ半導体膜からなるソース領域、ドレイン領域、及びチャネル領域と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを備えてなり、
絶縁部材を挟んでその両側に、前記ソース領域を含む半導体膜と前記ドレイン領域を含む半導体膜とが分けて形成され、
前記絶縁部材の上に、前記チャネル領域を含む半導体膜が形成されていることを特徴とするトランジスタ。
【請求項２】
請求項１に記載のトランジスタにおいて、
前記絶縁部材と、前記ソース領域を含む半導体膜と、前記ドレイン領域を含む半導体膜とは、前記チャネル領域の側の端面位置が互いにほぼ同じ高さにあることを特徴とするトランジスタ。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のトランジスタにおいて、
前記絶縁部材を含み、前記ソース領域を含む半導体膜と前記ドレイン領域を含む半導体膜とが形成される各領域を区画する第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に積層され、前記チャネル領域を含む半導体膜が形成される領域を区画する第２絶縁層とを備え、
前記ゲート絶縁膜は、前記チャネル領域及び前記第２絶縁層の上に積層されていることを特徴とするトランジスタ。
【請求項４】
請求項１から請求項３のうちのいずれかに記載のトランジスタを用いたことを特徴とする集積回路。
【請求項５】
スイッチング素子であるトランジスタと、前記トランジスタにより駆動される電気光学層とを含んでなり、
前記トランジスタは、
それぞれ半導体膜からなるソース領域、ドレイン領域、及びチャネル領域と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを備えてなり、
絶縁部材を挟んでその両側に、前記ソース領域を含む半導体膜と前記ドレイン領域を含む半導体膜とが分けて配置され、
前記絶縁部材の上に、前記チャネル領域を含む半導体膜が配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
表示部を備えた電子機器において、
請求項５に記載の電気光学装置を前記表示部として備えることを特徴とする電子機器。
【請求項７】
それぞれ半導体膜からなるソース領域、ドレイン領域、及びチャネル領域と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを備えるトランジスタを製造する方法であって、
絶縁部材を挟んでその両側に、前記ソース領域を含む半導体膜と前記ドレイン領域を含む半導体膜とを分けて形成する工程と、
前記絶縁部材の上に、前記チャネル領域を含む半導体膜を形成する工程とを有することを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載のトランジスタの製造方法において、
前記ソース領域を含む半導体膜と前記ドレイン領域を含む半導体膜とを形成する工程は、
所定の領域を区画する第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層によって区画された領域に、不純物を含む半導体材料を配置する工程とを含むことを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載のトランジスタの製造方法において、
前記チャネル領域を含む半導体膜を形成する工程は、
前記第１絶縁層の上に、所定の領域を区画する第２絶縁層を形成する工程と、
前記第２絶縁層によって区画された領域に、半導体材料を配置する工程と、を有し、
さらに、前記チャネル領域を含む半導体膜上に前記ゲート絶縁膜が形成する工程とを含むことを特徴とするトランジスタの製造方法。
【請求項１０】
請求項７から請求項９のうちのいずれかに記載のトランジスタの製造方法において、
前記ソース領域を含む半導体膜、前記ドレイン領域を含む半導体膜、前記チャネル領域を含む半導体膜、及び前記ゲート電極のうちの少なくとも１つを形成する際に、その形成材料を液滴状に吐出する液滴吐出法を用いることを特徴とするトランジスタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、上記の方法において、前記チャネル領域を含む半導体膜を形成する工程は、前記第１絶縁層の上に、所定の領域を区画する第２絶縁層を形成する工程と、前記第２絶縁層によって区画された領域に、半導体材料を配置する工程と、を含むのが好ましい。さらに、前記チャネル領域を含む半導体膜上に前記ゲート絶縁膜が形成する工程とを含むことができる。
これにより、ゲート絶縁膜が形成される表面の平坦化が図られ、その結果、ゲート絶縁膜の平坦化を図ることが可能となる。ゲート絶縁膜が平坦化されることで、ゲート電極の段差を少なくし、リーク電流の低減や、劣化の防止など、品質の向上を図ることが可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、上記の方法において、前記ソース領域を含む半導体膜、前記ドレイン領域を含む半導体膜、前記チャネル領域を含む半導体膜、及び前記ゲート電極のうちの少なくとも１つを形成する際に、その形成材料を液滴状に吐出する液滴吐出法、いわゆるインクジェット法を用いてもよい。
液滴吐出法を用いることにより、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月11日(2004.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
上記ダイシングテープとしては特に限定されず、公知の光硬化性粘着テープを用いることができ、例えば、Ａｄｗｉｌｌ（登録商標）Ｄ−シリーズ、日東電工社製のエレップホルダー（登録商標）ＵＥシリーズ等のテープが挙げられる。上記ダイシングテープが防水性を有するものであれば、極めて薄く研磨され、かつ、上記防水性を有するダイシングテープが貼り付けられたウエハは、水面上に落下してもダイシングテープ上にウエハが載った状態で水に浮くことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月7日(2005.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の基本パターンの開口を有するブロックマスクを使用し、所望とするパターンに応じて選択的に基本パターンの開口を照射してパターンを描画する荷電粒子ビーム露光方法において、ビームサイズの変化測定可能な測定用開口を複数個形成し、露光開始時及び露光中の任意の間隔毎に前記測定用開口上のビーム位置を測定し、測定用開口位置と任意の間隔毎に測定された各測定用開口位置の相互の位置関係から各測定用開口位置での経時変化による変移量を求め、前記変移量を偏向補正量に加えてパターンを露光することを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項２】  上記測定用開口を可変矩形形成用開口とし、上記ビーム位置の測定を試料上に照射されたビームのサイズ又は電流値とすることを特徴とする請求項１記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項３】  上記各測定用開口位置における経時変化による変移量を、補間によって求めることを特徴とする請求項１または２に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項４】  上記各測定用開口位置における経時変化による変移量を、それまで照射された位置を重み付けして求めることを特徴とする請求項１または２に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【請求項５】  上記各露光パターン毎の各測定用開口位置の変移量を記憶しておき、露光時には各露光パターン毎に記憶した変移量に基づいて変動量を予測して、前記予測に基づいて補正を加えながら露光を行なうことを特徴とする請求項１または２に記載の荷電粒子ビーム露光方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照  
上記目的を達成するため、本発明は、複数の基本パターンの開口３を有するブロックマスクを使用し、所望とするパターンに応じて選択的に基本パターンの開口３を照射してパターンを描画する荷電粒子ビーム露光方法において、ビームサイズの変化測定可能な測定用開口２を複数個形成し、露光開始時及び露光中の任意の間隔毎に測定用開口２上のビーム位置を測定し、測定用開口位置と任意の間隔毎に測定された各測定用開口位置の相互の位置関係から各測定用開口位置での経時変化による変移量を求め、前記変移量を偏向補正量に加えてパターンを露光することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、偏向補正量を求める場合には、各測定用開口位置における経時変化による変移量を、補間によって求めれば良い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、偏向補正量を求める場合に、各測定用開口位置における経時変化による変移量を、それまで照射された位置を重み付けして求めても良く、それによって、補正精度を高めることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
或いは、各露光パターン毎の各測定用開口位置の変移量を記憶しておき、露光時には各露光パターン毎に記憶した変移量に基づいて変動量を予測して、予測に基づいて補正を加えながら露光を行なっても良いものであり、それによって、露光中に位置変動の測定を行う必要はなくなる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月7日(2005.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、前記受信状態は６は、受信レベル、ＢＥＲ（Ｂｉｔ  Ｅｒｒｏｒ  Ｒａｔｅ）およびＳＮ（Ｓｉｇｎａｌ−Ｎｏｉｓｅ）比のいずれか、またはこれらの２種類以上であればよい。受信状態６は、アナログ放送においては、受信レベルの大小により、デジタル放送においては、チューナー部３によって生成されるビットエラーレートの大小により、判断が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月4日(2005.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の端子を有する半導体素子と、この半導体素子の１つの端子にバイアス電圧を供給するバイアス電源回路とを具備した半導体素子用バイアス回路において、前記１つの端子と前記バイアス電源回路との間の点の電圧が所定値を越えた場合に、前記点の電圧の上昇を停止させる保護回路を設けたことを特徴とする半導体素子用バイアス回路。
【請求項２】
複数の端子を有する半導体素子と、この半導体素子の１つの端子にバイアス電圧を供給するバイアス電源回路とを具備した半導体素子用バイアス回路において、前記１つの端子と前記バイアス電源回路との間の点の電圧が所定値よりも低下した場合に、前記点の電圧の降下を停止させる保護回路を設けたことを特徴とする半導体素子用バイアス回路。
【請求項３】
複数の端子を有する半導体素子と、この半導体素子の１つの端子にバイアス電圧を供給するバイアス電源回路とを具備した半導体素子用バイアス回路において、前記１つの端子と前記バイアス電源回路との間の点に接続し、前記点の電圧が所定値よりも大きい場合に導通状態となる回路素子を有する保護回路を設けたことを特徴とする半導体素子用バイアス回路。
【請求項４】
複数の端子を有する半導体素子と、この半導体素子の１つの端子にバイアス電圧を供給するバイアス電源回路とを具備した半導体素子用バイアス回路において、前記１つの端子と前記バイアス電源回路との間の点に接続し、前記点の電圧が所定値よりも小さい場合に導通状態となる回路素子を有する保護回路を設けたことを特徴とする半導体素子用バイアス回路。
【請求項５】
複数の端子を有する半導体素子と、この半導体素子の１つの端子にバイアス電圧を供給するバイアス電源回路とを具備した半導体素子用バイアス回路において、前記１つの端子と前記負電圧供給回路との間の点に接続し、かつ、前記点の電圧が第１所定値よりも大きい場合に導通状態となる第１回路素子および前記点の電圧が第２所定値よりも小さい場合に導通状態となる第２回路素子を有する保護回路を設けたことを特徴とする半導体素子用バイアス回路。
【請求項６】
半導体素子が電界効果トランジスタで、１つの端子がゲート端子である請求項１ないし請求項５のいずれか１つに記載の半導体素子用バイアス回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、複数の端子を有する半導体素子と、この半導体素子の１つの端子にバイアス電圧を供給するバイアス電源回路とを具備した半導体素子用バイアス回路において、前記１つの端子と前記バイアス電源回路との間の点の電圧が所定値を越えた場合に、前記点の電圧の上昇を停止させる保護回路を設けたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
バイアス電源回路１１とＦＥＴ１２のゲート端子Ｇとの間の点、たとえば第１中間点Ｃ１に第１保護回路１４が接続され、もう１つのたとえば第２中間点Ｃ２に第２保護回路１５が接続されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004186735.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月22日(2004.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
データの変調・復調方式として直交振幅変調方式（以下ＱＡＭと略記する。）を採用し、信号対雑音比（ＳＮＲ）に従って４、１６、３２ＱＡＭ方式を選択している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月19日(2005.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板の所望の場所をエッチングし、表面の一部に凸部を形成する工程と、酸化膜及び窒化膜で被覆する工程と、前記窒化膜を異方性エッチングする工程と、熱酸化を行い、前記シリコン基板と絶縁されたシリコンの領域を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
シリコン基板の所望の場所をエッチングし、表面の一部に凸部を形成する工程と、酸化膜及び窒化膜で被覆する工程と、前記窒化膜を異方性エッチングする工程と、熱酸化を行い、前記シリコン基板と絶縁されたシリコンの領域を形成する工程と、前記シリコンの領域にイオン注入を行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
シリコン基板と、前記シリコン基板表面に設けられたシリコン酸化膜と、前記シリコン酸化膜の一部に設けられ互いに先端が接触する一対のバーズビークと、前記一対のバーズビークの上に設けられ、前記シリコン基板とは電気的に絶縁された前記シリコン基板を材料とするシリコン領域とからなる半導体装置。
【請求項４】
前記シリコン領域は層間絶縁膜で覆われ、両端の一部で前記層間絶縁膜に設けられたコンタクトを介して金属配線に接続された請求項３に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
（第一実施例）
図１は、本発明による半導体装置の工程順断面図である。例えば、Ｐ型または、Ｎ型の不純物が拡散されたシリコン基板１０１を、図１（ａ）のように所望の形状を残しエッチングする。図１（ａ）の凸部が抵抗になる部分である。なお、凸部の平面形状は、図２の抵抗２０１に示したように長方形になっている。なお、凸部を形成するためのエッチングは、凸部の周りのみをエッチングしても良い。更に、表面を酸化して、数１００Åの酸化膜１０２を形成する。酸化膜１０２の上にＣＶＤ装置により、表面全体に１０００Å〜２０００ÅのＳｉＮ膜１０３を形成する。次に、シリコン基板１０１上から異方性エッチングすることにより、図１（ｂ）のように、凸部の側壁のみに、ＳｉＮ膜１０３が残る。このとき、シリコン基板１０１上のトランジスタ素子の素子分離領域を形成する際に、素子分離領域を開口した（素子領域をマスキングする）マスクを形成して、エッチングすると、ＬＯＣＯＳも同時に形成することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（第二実施例）
図３は、本発明による半導体装置の工程順断面図である。例えば、Ｐ型または、Ｎ型の不純物が拡散されたシリコン基板１０１を、図３（ａ）のように所望の形状にエッチングする。表面を、数１００Å酸化１０２した後、図３（ｂ）のようにイオン注入装置等で、不純物、例えばＰ（リン）や、ＢＦ2を注入する。次に、ＣＶＤ装置により、表面全体に１０００Å〜２０００ÅのＳｉＮ膜１０３を形成する。次に、異方性エッチングすることにより、図３（ｃ）のように、側壁のみに、ＳｉＮ膜１０３が残る。次に１０００Å以上の熱酸化１０４を行うと、ＳｉＮ膜１０３のあるところは酸化されず、図３（ｄ）のような形状となる。次にＳｉＮ膜１０３を剥離する。以降は第一実施例同様に、加工をおこなうことにより、図２（ｅ）のようなシリコン抵抗１０６が形成できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月4日(2005.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
能動層を有する半導体基板と、この半導体基板上に設けられたオーム性接触のソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極間に位置する前記能動層の上方に堆積された第１絶縁膜と、この第１絶縁膜を貫通して前記能動層の所定深さ部分まで形成された溝の内部に埋め込まれ、その下端部分が前記能動層に接触するショットキー接合のゲート電極と、このゲート電極の前記下端部分よりも上方に位置する上方部分と前記能動層からなる前記溝の側壁部分との間に挟まれた第２絶縁膜とを具備したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
能動層およびこの能動層上に位置するｎ＋層を有し、前記ｎ＋層は前記能動層よりも高濃度に不純物が注入されている半導体基板と、この半導体基板上に設けられたオーム性接触のソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極間に位置する前記ｎ＋層の上方に堆積された第１絶縁膜と、この第１絶縁膜および前記ｎ＋層を貫通して前記能動層の所定深さ部分まで形成された溝の内部に埋め込まれ、その下端部分が前記能動層に接触するショットキー接合のゲート電極と、このゲート電極の前記下端部分よりも上方に位置する上方部分と前記能動層および前記ｎ＋層の両層からなる前記溝の側壁部分との間に挟まれた第２絶縁膜とを具備したことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体基板の能動層の上方に、オーム性接触のソース電極およびドレイン電極、ショットキー接合のゲート電極を設けた半導体装置の製造方法において、前記ソース電極および前記ドレイン電極間に位置する前記能動層の上方に第１絶縁膜を堆積する第１工程と、前記第１絶縁膜の所定位置に第１開口を設け、前記第１開口を通してエッチングを行い、前記能動層の所定深さ部分まで溝を形成する第２工程と、この第２工程の後、第２絶縁膜およびレジスト膜を順に堆積する第３工程と、前記能動層に設けられた前記溝の上方領域の前記レジスト膜に第２開口を設ける第４工程と、前記第２開口を通して前記第２絶縁膜をエッチングし、前記溝の側壁部分に前記第２絶縁膜を残し、かつ、前記溝の底面上に位置する前記第２絶縁膜の一部を除去する第５工程と、この第５工程で前記第２絶縁膜が除去された領域の前記能動層を所定の深さまでエッチング除去する第６工程と、この第６工程の後、前記溝の内部に前記ゲート電極を埋め込み形成する第７工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
能動層およびこの能動層上に位置し前記能動層よりも不純物が高濃度に注入されたｎ＋層を有する半導体基板上に、オーム性接触のソース電極およびドレイン電極、ショットキー接合のゲート電極を設けた半導体装置の製造方法において、前記ソース電極および前記ドレイン電極間に位置する前記ｎ＋層の上方に第１絶縁膜を堆積する第１工程と、前記第１絶縁膜の所定位置に第１開口を設け、前記第１開口を通してエッチングを行い、前記能動層の所定深さ部分まで溝を形成する第２工程と、この第２工程の後、第２絶縁膜およびレジスト膜を順に堆積する第３工程と、前記能動層に設けられた前記溝の上方領域の前記レジスト膜に第２開口を設ける第４工程と、前記第２開口を通して前記第２絶縁膜をエッチングし、能動層およびｎ＋層からなる前記溝の側壁部分に前記第２絶縁膜を残し、かつ、前記溝の底面上に位置する前記第２絶縁膜の一部を除去する第５工程と、この第５工程で前記第２絶縁膜が除去された領域の前記能動層を所定の深さまでエッチング除去する第６工程と、この第６工程の後、前記溝の内部に前記ゲート電極を埋め込み形成する第７工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、能動層を有する半導体基板と、この半導体基板上に設けられたオーム性接触のソース電極およびドレイン電極と、前記ソース電極および前記ドレイン電極間に位置する前記能動層の上方に堆積された第１絶縁膜と、この第１絶縁膜を貫通して前記能動層の所定深さ部分まで形成された溝の内部に埋め込まれ、その下端部分が前記能動層に接触するショットキー接合のゲート電極と、このゲート電極の前記下端部分よりも上方に位置する上方部分と前記能動層からなる前記溝の側壁部分との間に挟まれた第２絶縁膜とを具備したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明は、半導体基板の能動層の上方に、オーム性接触のソース電極およびドレイン電極、ショットキー接合のゲート電極を設けた半導体装置の製造方法において、前記ソース電極および前記ドレイン電極間に位置する前記能動層の上方に第１絶縁膜を堆積する第１工程と、前記第１絶縁膜の所定位置に第１開口を設け、前記第１開口を通してエッチングを行い、前記能動層の所定深さ部分まで溝を形成する第２工程と、この第２工程の後、第２絶縁膜およびレジスト膜を順に堆積する第３工程と、前記能動層に設けられた前記溝の上方領域の前記レジスト膜に第２開口を設ける第４工程と、前記第２開口を通して前記第２絶縁膜をエッチングし、前記溝の側壁部分に前記第２絶縁膜を残し、かつ、前記溝の底面上に位置する前記第２絶縁膜の一部を除去する第５工程と、この第５工程で前記第２絶縁膜が除去された領域の前記能動層を所定の深さまでエッチング除去する第６工程と、この第６工程の後、前記溝の内部に前記ゲート電極を埋め込み形成する第７工程とからなることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月14日(2005.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次光源から発せられる光を導光し、且つ前記一次光源から発せられる光が入射する光入射端面と導光される光が出射する光出射面と該光出射面の反対側の裏面とを有する板状の導光体であって、
前記光出射面及び前記裏面の少なくとも一方には、前記光入射端面の反対側の反入射端面と該反入射端面に隣接する側端面とが交わる部分の近傍の反入射隅部に、周囲の領域より大きな平均傾斜角を持つ斜光発生防止機能領域が設けられていることを特徴とする面光源装置用導光体。
【請求項２】
前記斜光発生防止機能領域は前記反入射端面と前記側端面とが交わる部分から前記反入射端面及び前記側端面のそれぞれに沿って延びた略Ｌ字形状をなすことを特徴とする、請求項１に記載の面光源装置用導光体。
【請求項３】
前記斜光発生防止機能領域の少なくとも一部は前記周囲の領域より平均傾斜角が０．５°以上大きいことを特徴とする、請求項１または２に記載の面光源装置用導光体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の面光源装置用導光体と、該導光体の前記光入射端面に隣接して配置された前記一次光源と、前記導光体の光出射面に隣接して配置されたシート状の光偏向素子とを備えており、前記光偏向素子は前記導光体の光出射面に対向して位置する入光面とその反対側の出光面とを有していることを特徴とする面光源装置。
【請求項５】
請求項４に記載の面光源装置と、該面光源装置の前記光偏向素子の出光面上に配置されている表示素子とを備えていることを特徴とする表示装置。
【請求項６】
前記表示素子の有効表示領域は前記面光源装置の発光領域より小さく且つ該発光領域に包含されるような対応関係にて配置されており、前記有効表示領域に対応する前記面光源装置の有効発光領域に対応する前記導光体の有効発光領域の外に前記斜光発生防止機能領域が形成されていることを特徴とする、請求項５に記載の表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月28日(2004.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明の実施の形態】
図１乃至図８に基づいて本願発明の一実施例を説明する。図１は本願発明の適用された自動２輪車の全体側面図、図２はそのリンク式フロントサスペンション部分拡大側面図、図３は図２の図の３−３線断面図、図４はキャリパブラケットを車体内側から示す図、図５は図４の５−５線断面図、図６は図４の６−６線断面図、図７は図６のＡ矢示方向図、図８は作用を示す図、図９はスピードメータギヤボックスの側面図、図１０はその上面（図９のＢ矢示方向）図である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
ステー３５、３７の各軸３６及び３８を結ぶ線はフォークパイプ２０の軸線とほぼ平行し、これら車体左側のアッパーリンク２３、車体右側のフェンダリンク２５、ステー３５、３７を有するフロントフェンダ３２並びにフォークパイプ２０により略平行四辺形リンク機構が構成され、前輪１の上下動に対応してフロントフェンダ３２を略平行に上下移動するようになっている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
ディスクフランジ５１の内側には側方へ突出する小径のボス部５３が形成され、その内側でボールベアリング５４により車軸３１上へ回転自在に軸受けされている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
この小径のボス５０と向い合ってキャリパブラケット４０と一体に形成されたブラケットボス部６０がボールベアリング６１を介して車軸３１上へ回動可能に支持されている。小径のボス部５３に対面するキャリパブラケット４０の内側表面の一部をなすブラケットボス部６０の一部にストッパ６２が小径のボス部５３側へ向って車軸３１と略平行に突出している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】 本願発明の適用された自動２輪車の全体側面図
【図２】 リンク式フロントサスペンション２部分拡大側面図
【図３】 図２の３−３線断面図
【図４】 キャリパブラケットを車体内側から示す図
【図５】 図４の５−５線断面図
【図６】 図４の６−６線断面図
【図７】 図６のＡ矢示方向図
【図８】 作用を示す図
【図９】 スピードメータギヤボックスの側面図
【図１０】 図９のＢ矢示方向図
【符号の説明】
１：前輪、２：リンク式フロントサスペンション、２０：フォークパイプ、２１：プッシュロッド、２２：緩衝器、２３：アッパーリンク、２４：ピボットリンク、３１：車軸、４０：キャリパブラケット、４１：ブレーキキャリパ、４２：ブレーキディスク、５０：ハブ、５１：ディスクフランジ、６０：ブラケットボス部、６２：ストッパ、６８：インジケータ、７０：スピードメータギヤボックス、８７：位置決め突起