Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月1日(2005.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁ケース内に露出する接点部を有し、前記絶縁ケースの側壁を貫通して一端が外部へ突出する固定端子と、前記絶縁ケースから突出する操作部を有する摺動体と、前記摺動体の摺動により前記接点部と接離する可動接片と、前記絶縁ケースを略覆う大きさであるカバーとからなるスライドスイッチにおいて、前記絶縁ケースの、前記側壁と前記接点部の間に凹所を形成したことを特徴とするスライドスイッチ。
【請求項２】
前記摺動体の側面には、凹凸形状の節度部を形成し、前記カバーには、前記節度部と係合し、前記摺動体の摺動によって前記絶縁ケース内で弾性変形する節度バネ部を形成し、前記凹所は、前記節度バネ部の略下側に形成したことを特徴とする請求項１記載のスライドスイッチ。
【請求項３】
前記凹所は、複数の前記固定端子を横切って連続して形成することを特徴とする請求項１または２記載のスライドスイッチ。
【請求項４】
前記側壁は、前記カバーの上面と略同一の高さまで立設されていることを特徴とする請求項１，２または３記載のスライドスイッチ。
【請求項５】
絶縁ケース内に露出する接点部を有し、一端が外部へ突出する固定端子と、操作部を有する摺動体と、前記摺動体の摺動により前記接点部と接離する可動接片と、前記絶縁ケースを略覆う大きさであるカバーとからなるスライドスイッチにおいて、前記摺動体の側面には凹凸形状の節度部を形成し、前記カバーには前記節度部と係合し、前記摺動体の摺動によって前記絶縁ケース内で弾性変形する節度バネ部を形成し、前記節度バネ部は前記摺動体と前記絶縁ケースの側壁との間に位置することを特徴とするスライドスイッチ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
請求項２の発明によれば、凹所の上部のスペースを利用して節度バネ部を位置させるため、小型化できる。また請求項５の発明によれば、節度バネ部を摺動体と絶縁ケースの側壁との間に位置させるため、低背化が可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
ｒ＝（−２σｃｏｓθ）／Ｐ
ここで、σは水銀の表面張力、θは接触角、Ｐは圧力である。本発明の塗布層における細孔入口径ｒは、２００Å以下のもので８０容量％以上を占めることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月27日(2005.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直径が０．０１〜５μｍの気相法炭素繊維であって、該炭素繊維を不活性雰囲気下で８００℃以上、３３００℃以下の温度で熱処理を行い、更に粉砕処理することにより先端を破断させたことを特徴とする電子放出材。
【請求項２】
直径が０．０１〜５μｍの気相法炭素繊維であって、該炭素繊維を不活性雰囲気下で８００℃以上、３３００℃以下の温度で熱処理を行い、更に酸化処理を行うことにより先端を破断させたことを特徴とする電子放出材。
【請求項３】
請求項１の電子放出材を、更に酸化処理を行うことにより先端を破断させたことを特徴とする電子放出材。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子放出材を用いた電界電子放出顕微鏡。
【請求項５】
ティップ電圧２０００Ｖにおけるプローブ電流が０．０６ｎＡ以上である請求項４に記載の電界電子放出顕微鏡。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月31日(2005.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】ファンネルとパネルとがフリットガラスにより融着された陰極線管を、前記ファンネルと前記パネルとに分離する方法であって、
外部に露出した前記フリットガラスの一部又は全部を機械的外力を加えることにより平面状に加工する工程と、
前記平面内の、前記ファンネルと前記パネルとの接合部に対応する位置に溝を形成する工程と、
前記陰極線管に温液体と冷液体とを付与する工程とを有することを特徴とする陰極線管のファンネルとパネルとの分離方法。
【請求項２】前記平面状に機械加工する工程が、砥石による研削加工により行なわれる請求項１に記載の陰極線管のファンネルとパネルとの分離方法。
【請求項３】前記溝をバイトを用いて１〜３ｍｍの深さに形成する請求項１に記載の陰極線管のファンネルとパネルとの分離方法。
【請求項４】前記フリットガラスの平面状の加工が、ショットブラストにより行なわれる請求項１に記載の陰極線管のファンネルとパネルとの分離方法。
【請求項５】前記ショットブラストを、アルミナ粒子を用いて行なう請求項４に記載の陰極線管のファンネルとパネルとの分離方法。
【請求項６】前記温液体と冷液体との付与を、温液体、冷液体、温液体の順に付与する請求項１に記載の陰極線管のファンネルとパネルとの分離方法。
【請求項７】前記温液体と冷液体とをシートを介して前記陰極線管に付与する請求項１に記載の陰極線管のファンネルとパネルとの分離方法。
【請求項８】前記シートが、樹脂フィルムである請求項７に記載の陰極線管のファンネルとパネルとの分離方法。
【請求項９】前記温液体と冷液体との付与を、前記陰極線管を、温液体を貯蔵して攪拌する温液体槽と、冷液体を貯蔵して攪拌する冷液体槽とに交互に浸漬することにより行なう請求項１に記載の陰極線管のファンネルとパネルとの分離方法。
【請求項１０】ファンネルとパネルとがフリットガラスにより融着された陰極線管を、前記パネル面の中央部での法線を回転中心として回転可能に支持する回転テーブルと、
外部に露出した前記フリットガラスの一部又は全部を除去して平面を形成する研削装置と、
形成された前記平面に溝を形成する溝形成装置とを備えたことを特徴とする陰極線管のフリットガラスの除去装置。
【請求項１１】前記研削装置が、円筒形砥石を備える請求項１０に記載の陰極線管のフリットガラスの除去装置。
【請求項１２】前記溝形成装置が、バイトを備える請求項１０に記載の陰極線管のフリットガラスの除去装置。
【請求項１３】更に前記回転テーブルに設置された陰極線管の前記フリットガラスの高さを測定する高さ測定装置と、前記高さに応じて前記陰極線管、前記研削装置、及び前記溝形成装置の少なくとも一つの高さを変更できる高さ調整装置とを有する請求項１０に記載の陰極線管のフリットガラスの除去装置。
【請求項１４】更に前記陰極線管の外周面のならい装置を有し、前記ならい装置により得た形状データをもとに、前記研削装置及び前記溝形成装置の切り込み方向の送り量を制御する請求項１０に記載の陰極線管のフリットガラスの除去装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月4日(2004.6.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極、負極、セパレータ及び有機電解液から構成される発電要素を、正極缶、負極缶及びガスケットを備えたハウジング部材に収納した有機電解液電池であって、前記有機電解液が、テトラグライムを含む有機溶媒と、スルホン基を有するリチウム塩を主体とする溶質からなることを特徴とする有機電解液電池。
【請求項２】
スルホン基を有するリチウム塩が、トリフルオロメタンスルホン酸リチウムである請求項１記載の有機電解液電池。
【請求項３】
スルホン基を有するリチウム塩が、その分子構造中にイミド結合を有する請求項１記載の有機電解液電池。
【請求項４】
スルホン基及びイミド結合を有するリチウム塩が、リチウムビスパーフルオロメチルスルホニルイミドである請求項３記載の有機電解液電池。
【請求項５】
スルホン基及びイミド結合を有するリチウム塩が、リチウムビスパーフルオロエチルスルホニルイミドである請求項３記載の有機電解液電池。
【請求項６】
正極、負極、セパレータ及び有機電解液から構成される発電要素を、正極缶、負極缶及びガスケットを備えたハウジング部材に収納した有機電解液電池であって、前記有機電解液が、テトラグライムと、３−メチルスルホラン及び／もしくはスルホランとの混合溶媒からなる有機溶媒と、スルホン基を有するリチウム塩を主体とする溶質からなることを特徴とする有機電解液電池。
【請求項７】
有機溶媒が、テトラグライムを１〜９０％の体積分率で含む請求項６記載の有機電解液電池。
【請求項８】
スルホン基を有するリチウム塩が、トリフルオロメタンスルホン酸リチウムである請求項６記載の有機電解液電池。
【請求項９】
スルホン基を有するリチウム塩が、その分子構造中にイミド結合を有する請求項６記載の有機電解液電池。
【請求項１０】
スルホン基及びイミド結合を有するリチウム塩が、リチウムビスパーフルオロメチルスルホニルイミドである請求項６記載の有機電解液電池。
【請求項１１】
スルホン基及びイミド結合を有するリチウム塩が、リチウムビスパーフルオロエチルスルホニルイミドである請求項６記載の有機電解液電池。
【請求項１２】
正極、負極、セパレータ及び有機電解液から構成される発電要素を、正極缶、負極缶及びガスケットを備えたハウジング部材に収納した有機電解液電池であって、前記有機電解液が、テトラグライムを含む有機溶媒と、スルホン基を有するリチウム塩を主体とする溶質からなり、且つ前記ガスケットがポリフェニレンスルフィドから構成と
したことを特徴とする有機電解液電池。
【請求項１３】
正極、負極、セパレータ及び有機電解液から構成される発電要素を、正極缶、負極缶及びガスケットを備えたハウジング部材に収納した有機電解液電池であって、前記有機電解液が、テトラグライムを含む有機溶媒と、スルホン基を有するリチウム塩を主体とする溶質からなり、且つ前記セパレータがポリフェニレンスルフィド、あるいはセルロースから構成したことを特徴とする有機電解液電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項１から５に記載の発明は、正極、負極、セパレータ及び有機電解液から構成される発電要素を正極缶、負極缶及びガスケットを備えたハウジング部材に収納した有機電解液電池であって、テトラグライムを含む有機溶媒と、スルホン基を有するリチウム塩を主体とする溶質からなる有機電解液を用いることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
テトラグライムの沸点は、２７５℃であり、リフロー炉内部の温度よりも高い。従って、２５０℃近傍の温度領域において、テトラグライムは比較的高い蒸気圧を有するが、安定な状態である。更に、溶質としてリチウム塩が溶解されているために、テトラグライムを含む本発明に係る有機電解液では、その沸点がモル沸点上昇によってテトラグライム単体での沸点に比べて更に高くなり、高温環境下における特性で有効に作用するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
高温域における良好な特性に対して、テトラグライムを含む溶媒を用いた有機電解液は、低温域においても良好な特性を有する。有機電解液電池に対する要求として、低温の環境下における放電特性の確保があげられる。一般に沸点の高い溶媒は融点が高く、且つ粘度も大きい傾向がある。このため、低温領域における電解液の導電率が低く、例えば−２０℃にまで温度が低下すると、有機電解液中のリチウムイオンが有効に移動できなくなり、放電容量が殆ど得られない。これに対して、テトラグライムは、２７５℃という高い沸点を示すにもかかわらず、−３０℃と低い融点を示し、テトラグライムが溶液として存在する温度範囲は、約３００℃と広いのが特徴である。このテトラグライムを溶媒に用いることにより、有機電解液は−２０℃の環境下におかれても導電率を維持することができる。さらに、放電反応時におけるリチウム塩の移動がスムーズになり、幅広い温度範囲にて放電容量の維持が可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
尚、本実施の形態では、溶媒としてテトラグライムを含み、他の溶媒が混入される構成としても良いが、テトラグライムのみからなる単独溶媒を用いる構成が好ましい。このテトラグライム単独の溶媒からなる有機電解液を用いた電池は、放電特性に最も
優れる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
このように、テトラグライムを含む有機溶媒と、スルホン基を有し、好ましくは分子構造中にイミド結合を備えたリチウム塩を溶質とする有機溶媒を用いることにより、耐高温特性が飛躍的に向上する有機電解液電池を得ることが可能である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
以上より、本実施例における電池Ａ乃至Ｅは、放電性能、充放電サイクル性能、リフロー炉通過時における耐高温性能のいずれにおいても優れた結果を見出すことができた。これは、有機電解液の溶媒であるテトラグライムの耐熱性と、溶質であるリチウムビスパーフルオロメチルスルホニルイミドの耐熱性、導電性及びリチウムアルミニウム合金負極に対する安定性によるものである。また、溶質にリチウムビスパーフルオロエチルスルホニルイミドを用いた場合においても上記と全く同様の結果を得ることができた。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、有機電解液にテトラグライムを含む溶媒、もしくはテトラグライムと、スルホラン及び／もしくは３−メチルスルホランからなる溶媒を用いることにより、リフロー法を用いた基板実装に耐える耐高温特性を備えると共に、低温環境下での放電特性、長期保存時の信頼性に優れた有機電解電池を提供することができ、その工業的価値は大なるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月15日(2005.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、二硫化チタン等の無機化合物材料を負極材料として用いた場合には、そのインターカレーション・デインターカレーションは金属リチウムやリチウム合金に比して充分貴な電位で起こる。そのために、電解液と接触しても還元分解が起こることはない上、黒鉛系材料で適用できなかった炭酸プロピレンのように電解液が分解によりリチウムの挿入・脱離が阻害されることもなく、用いる電解液の選択の幅は拡大される。しかしながら、これら無機化合物材料負極の電位が貴なため、電池電圧は低いものとなり、高エネルギー密度化には不利なものとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月7日(2005.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】半導体ウェーハを保持するチャックテーブルと該チャックテーブルに対峙して配設されホイールを回転可能に保持する研削手段とから少なくとも構成された研削装置を用いて、表面にバンプが複数形成され該バンプが埋没する程度に樹脂が被覆された半導体ウェーハの該樹脂を該バンプが露出する程度に除去して半導体ウェーハを成形する半導体ウェーハの製造方法であって、
該ホイールの少なくとも一カ所に切削刃が形成された切削用ホイールを該研削手段に装着する工程と、
樹脂が被覆された面を表にして該チャックテーブルに半導体ウェーハを載置する工程と、
該切削用ホイールの該切削刃が該バンプが露出するまで該樹脂を削り取る工程と
から構成される半導体ウェーハの製造方法。
【請求項２】チャックテーブルが回転可能であり、樹脂を削り取る工程では、チャックテーブルと切削用ホイールとを同方向に自転させることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項３】チャックテーブルの回転数は、切削用ホイールの回転数の１００分の１以下とすることを特徴とする請求項２に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項４】切削用ホイールの回転数は３０００ｒｐｍ以上であり、チャックテーブルの回転数は１０ｒｐｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項５】切削刃は、ダイヤモンドバイトまたは超硬バイトであることを特徴とする請求項１乃至４に記載の半導体ウェーハの製造方法。
【請求項６】ホイールの少なくとも一カ所に切削刃が形成された切削用ホイール。
【請求項７】半導体ウェーハを保持するチャックテーブルと、
該チャックテーブルに対峙して配設され請求項６に記載の切削用ホイールを回転可能に保持する研削手段とを備えた研削装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための具体的手段として本発明は、半導体ウェーハを保持するチャックテーブルと該チャックテーブルに対峙して配設されホイールを回転可能に保持する研削手段とから少なくとも構成された研削装置を用いて、表面にバンプが複数形成されバンプが埋没する程度に樹脂が被覆された半導体ウェーハの該樹脂をバンプが露出する程度に除去して半導体ウェーハを成形する半導体ウェーハの製造方法であって、ホイールの少なくとも一カ所に切削刃が形成された切削用ホイールを研削手段に装着する工程と、樹脂が被覆された面を表にしてチャックテーブルに半導体ウェーハを載置する工程と、切削用ホイールの切削刃がバンプが露出するまで樹脂を削り取る工程とから構成される半導体ウェーハの製造方法を提供するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そして、チャックテーブルが回転可能であり、樹脂を削り取る工程では、チャックテーブルと切削用ホイールとを同方向に自転させること、チャックテーブルの回転数は、切削用ホイールの回転数の１００分の１以下とすること、切削用ホイールの回転数は３０００ｒｐｍ以上であり、チャックテーブルの回転数は１０ｒｐｍ以下であること、切削刃は、ダイヤモンドバイトまたは超硬バイトであることを付加的要件とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また本発明は、ホイールの少なくとも一カ所に切削刃が形成された切削用ホイール及びその切削用ホイールを備えた研削装置をも提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る半導体ウェーハの製造方法、切削用ホイール及びその切削用ホイールを備えた研削装置によれば、樹脂を削り取ることにより除去するため、樹脂にむしれが生じることがなく、バンプにバリが生じなくなる。また、切削刃には樹脂が付着せず、固定砥粒のように目詰まりが生じるということがないため、安定した連続加工が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性の気密容器と；
この気密容器の両端内部に封装され、それぞれ端部からの長さが一方の方が他方よりも大きくなるように配設された一対の電極と；
気密容器内に封入された水銀放出構体と；
この水銀放出構体から放出された水銀および不活性ガスを含む放電媒体と；
を具備していることを特徴とする低圧水銀蒸気放電灯。
【請求項２】
前記気密容器は、環形形状を有することを特徴とする請求項１記載の低圧水銀蒸気放電灯。
【請求項３】
前記水銀放出構体は、一方の電極側に配置されていることを特徴とする請求項１または２記載の低圧水銀蒸気放電灯。
【請求項４】
前記水銀放出構体は、放電灯が照明器具に水平状態で装着されるとき一方の電極側の下方位置に配置されることを特徴とする請求項３記載の低圧水銀蒸気放電灯。
【請求項５】
互いにその環径が異なり、同一平面上に同心円状に位置する第１および第２の環形形状容器と；
この第１および第２の環形形状容器の一端側に設けられた第１および第２の電極と；
この第１および第２の電極間で放電が生じるように第１および第２の環形形状容器の他端側の端部から離れた位置に放電空間を連通して形成されたブリッジと；
ブリッジと環形形状容器の他端側の端部との間に形成された放電路非形成領域と；
この放電路非形成領域内に配置されるように環形形状容器内に封入された水銀放出構体と；
環形形状容器の一端側の端部および他端側の端部の放電路非形成領域の一部を覆う口金と；
を具備していることを特徴とする低圧水銀蒸気放電灯。
【請求項６】
並設された第１および第２の直管状容器と；
この第１および第２の直管状容器の一端側に設けられた第１および第２の電極と；
この第１および第２の電極間で放電が生じるように第１および第２の直管状容器の他端側の端部から離れた位置に放電空間を連通して形成されたブリッジと；
ブリッジと環形形状容器の他端側の端部との間に形成された放電路非形成領域と；
この放電路非形成領域内に配置されるように第１または第２の直管状容器内に封入された水銀放出構体と；
直管状容器の一端側の端部を覆う口金と；
を具備していることを特徴とする低圧水銀蒸気放電灯。
【請求項７】
前記水銀放出構体は、水銀とＢｉ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ａｇ，Ｉｎ，Ｃｕ，Ｓｂからなる群のうち少なくとも１種の主体とから構成されたペレット状の合金であることを特徴とする請求項１ないし６いずれか一記載の低圧水銀蒸気放電灯。
【請求項８】
前記水銀放出構体は、シリカ、アルミナ、チタニア、鉄およびガラスからなる群のうち少なくとも１種を主体として構成された多孔質媒体に水銀を含浸させたペレットであることを特徴とする請求項１または２一記載の低圧水銀蒸気放電灯。
【請求項９】
前記水銀放出構体は、チタン−水銀合金が金属基体表面に被着されたものであることを特徴とする請求項１または２記載の低圧水銀蒸気放電灯。
【請求項１０】
前記水銀放出構体は、水銀を放出可能に内部に収容したカプセルであることを特徴とする請求項１または２記載の低圧水銀蒸気放電灯。
【請求項１１】
前記気密容器内には蛍光体膜が形成されており、管壁負荷が５００Ｗ／ｍ２以上で点灯するように構成されていることを特徴とする請求項１ないし１０いずれか一記載の低圧水銀蒸気放電灯。
【請求項１２】
容器内に形成される最冷部から最も離れた容器端部までの水銀拡散経路の長さが４００ｍｍ以上であって、水銀拡散経路の長さが４００〜５００ｍｍの範囲内においては水銀拡散経路毎の水銀封入量が６ｍｇ以下であり、水銀拡散経路の長さが５００ｍｍを超える場合には管内表面積をＳ（ｃｍ２）、水銀拡散経路毎の水銀封入量をＭ（ｍｇ）としたとき、Ｍ≦２８００／Ｓなる関係を満たしていることを特徴とする請求項１ないし１１いずれか一記載の低圧水銀蒸気放電灯。
【請求項１３】
請求項１ないし１２いずれか一記載の低圧水銀蒸気放電灯と；
この低圧水銀蒸気放電灯を安定に点灯する点灯装置と；
前記低圧水銀蒸気放電灯および点灯装置を収納する照明装置本体と；
を具備していることを特徴とする照明装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月11日(2005.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１４】
請求項１１から請求項１３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウエハは、複数の第１の領域と、それぞれの前記第１の領域に囲まれた複数の第２の領域とを有し、
前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層は、前記第２の領域内にのみ設けられ、
前記半導体ウエハを切断する際に、前記第１の領域を切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月7日(2005.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プリント基板と、該プリント基板に実装されており、リードのメッキ膜にＰｂが含まれている電子部品とからなる実装構造体の製造方法であって、
前記プリント基板に、Ｂｉ含有量が３％未満であるＳｎ−Ｚｎ系合金からなるはんだペーストを付着させ、そのはんだペーストを介して前記電子部品を前記プリント基板に搭載する搭載工程と、
前記プリント基板上に付着された前記はんだペーストを加熱して溶融させたはんだとする加熱工程と、
前記電子部品のリードのメッキ膜に含まれているＰｂが前記はんだに溶け出した状態から、前記はんだを、１．５℃／秒以上３．３℃／秒以下の冷却速度をもって強制的に冷却し、凝固させる冷却工程とを有する実装構造体の製造方法。
【請求項２】
前記加熱工程は、はんだペーストを２１０℃以上に加熱する、請求項１に記載の実装構造体の製造方法。
【請求項３】
前記冷却工程は、前記はんだを１９０℃以下に冷却する、請求項１に記載の実装構造体の製造方法。
【請求項４】
前記はんだペーストは、２種類以上のはんだ粉末を組み合わせてペースト化したものである、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の実装構造体の製造方法。
【請求項５】
前記プリント基板の一方の面に前記搭載工程を経て搭載された電子部品を、前記加熱工程および前記冷却工程を経てはんだ付けして実装する第１のリフロー工程と、
前記プリント基板の他方の面に前記搭載工程を経て搭載された電子部品を、前記加熱工程および前記冷却工程を経てはんだ付けして実装する第２のリフロー工程とを有し、
前記第２のリフロー工程における前記冷却工程は、前記第２のリフロー工程における前記加熱工程により加熱溶融された前記プリント基板の両方の面側の前記はんだを、溶融状態から前記冷却速度をもって強制的に冷却、凝固する、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の実装構造体の製造方法。
【請求項６】
前記プリント基板の一方の面に前記搭載工程を経て搭載された電子部品を、前記加熱工程および前記冷却工程を経てはんだ付けして実装するリフロー工程と、
前記プリント基板の一方の面側から当該プリント基板のスルーホールにリードを挿入して搭載した電子部品を、前記プリント基板の一方の面側のリフロー工程によるはんだ接合部の温度を１７０℃以下とした状態でフローによりはんだ付けするフロー工程とを有する、請求項５に記載の実装構造体の製造方法。
【請求項７】
前記フロー工程は、前記プリント基板の一方の面側の前記リフロー工程による前記はんだ接合部に冷却風を送風することで、前記リフロー工程による前記はんだ接合部の温度調整を行う、請求項６に記載の実装構造体の製造方法。
【請求項８】
前記冷却風は、Ｎ２ガスである、請求項７に記載の実装構造体の製造方法。
【請求項９】
前記フロー工程は、前記プリント基板の一方の面側に実装された電子部品の前記はんだ接合部を、他方の面側に断熱材を配置することで、前記はんだ接合部の温度調整を行う、請求項６から８のいずれか１項に記載の実装構造体の製造方法。
【請求項１０】
前記断熱材は、前記プリント基板に貼り付けられるマスキングテープである、請求項９に記載の実装構造体の製造方法。
【請求項１１】
前記断熱材は、前記プリント基板が設置されるトレイである、請求項９に記載の実装構造体の製造方法。
【請求項１２】
リードのメッキ膜にＰｂが含まれる電子部品がプリント基板にはんだ付けされて実装された実装構造体であって、
前記電子部品は、
Ｂｉ含有量が３％未満であるＳｎ−Ｚｎ系合金からなるはんだペーストを加熱して溶融させたはんだに、前記リードのメッキ膜に含まれるＰｂが溶け出した状態から、１．５℃／以上３．３℃／以下の冷却速度をもって冷却、凝固された当該はんだで前記プリント基板に接合されたことを特徴とする実装構造体。
【請求項１３】
前記はんだペーストは、２１０℃以上に加熱されて溶融状態となる、請求項１２に記載の実装構造体。
【請求項１４】
前記はんだは、前記冷却速度で１９０℃以下に冷却された、請求項１２に記載の実装構造体。
【請求項１５】
前記はんだペーストは、２種類以上のはんだ粉末を組み合わせてペースト化したものである、請求項１２乃至１４のいずれか１項に記載の実装構造体。
【請求項１６】
前記プリント基板の一方の面側には、前記はんだペーストを過熱溶融した前記はんだにより前記電子部品が接合され、
前記プリント基板の他方の面側には、前記一方の面側で前記電子部品が接合された後、前記はんだペーストを過熱溶融した前記はんだにより前記電子部品が接合され、
前記他方の面側の前記はんだが前記冷却速度をもって冷却されるとともに、前記一方の面側の前記はんだも再度溶融した後に前記冷却速度をもって冷却された、請求項１２乃至１５のいずれか１項に記載の実装構造体。
【請求項１７】
前記プリント基板の一方の面側には、前記はんだペーストを加熱溶融した前記はんだにより前記電子部品が接合され、
前記プリント基板の他方の面側には、前記一方の面側で前記電子部品が接合された後、前記一方の面側から前記プリント基板のスルーホールにリードが挿入されて搭載された電子部品が、前記一方の面側のリフロー工程によるはんだ接合部の温度を１７０℃以下とした状態でフローにより接合された、請求項１６に記載の実装構造体。
【請求項１８】
前記フロー処理時の前記リフロー工程による前記はんだ接合部の温度は、前記はんだ接合部に冷却風を送風することで調整された、請求項１７に記載の実装構造体。
【請求項１９】
前記冷却風は、Ｎ２ガスである、請求項２５に記載の実装構造体。
【請求項２０】
前記フロー処理時の前記リフロー工程による前記はんだ接合部の温度は、他方の面側に断熱材を配置することで調整された、請求項１８乃至１９のいずれか１項に記載の実装構造体。
【請求項２１】
前記断熱材は、前記プリント基板に貼り付けられるマスキングテープである、請求項２０に記載の実装構造体。
【請求項２２】
前記断熱材は、前記プリント基板が設置されるトレイである、請求項２１に記載の実装構造体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月31日(2005.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、
前記支持体の一表面に搭載され、集積回路と主要表面上に形成された複数のパッド電極とを有し、前記主要表面が四辺形となり、前記パッド電極が前記四辺形の４つの辺に沿って配設されてなる半導体チップと、
前記４つの辺に沿って前記半導体チップを取り囲むように前記支持体の前記一表面上に絶縁接着剤層によって固定されるインナーリード及びこのインナーリードに連続するアウターリードとからなる複数のリードと、
前記パッド電極と前記インナーリードの先端を電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、
前記半導体チップ、前記インナーリード、前記複数のボンディングワイヤ及び前記支持体を封止する四辺形からなる封止体とを有し、
前記アウターリードは前記半導体チップの前記４つの辺と向かい合う前記封止体の４つの辺から外方向に突出する半導体装置であって、
前記封止体の４つの各コーナーにおいて、前記封止体の隣接する２つの辺からそれぞれ突出している隣接する２つのリードのインナーリード先端の最大ピッチが、前記半導体チップを取り囲む前記インナーリードのそれぞれの先端ピッチに関して最小ピッチの２倍未満であり、隣接するボンディングパッド間のピッチが前記４つの辺によって定まるコーナに向かうに従って増大し、
前記封止体の４つの各コーナーに前記支持体に接続されるダミーリードが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
支持体と、
前記支持体の一表面に搭載され、集積回路と主要表面上に形成された複数のパッド電極とを有し、前記主要表面が四辺形となり、前記パッド電極が前記四辺形の４つの辺に沿って配設されてなる半導体チップと、
前記４つの辺に沿って前記半導体チップを取り囲むように前記支持体の前記一表面上に絶縁接着剤層によって固定されるインナーリード及びこのインナーリードに連続するアウターリードとからなる複数のリードと、
前記パッド電極と前記インナーリードの先端を電気的に接続する複数のボンディングワイヤと、
前記半導体チップ、前記インナーリード、前記複数のボンディングワイヤ及び前記支持体を封止する四辺形からなる封止体とを有し、
前記アウターリードは前記半導体チップの前記４つの辺と向かい合う前記封止体の４つの辺から外方向に突出する半導体装置であって、
前記封止体の４つの各コーナーにおいて、前記封止体の隣接する２つの辺からそれぞれ突出している隣接する２つのリード先端の最大ピッチが、前記半導体チップを取り囲む前記インナーリードのそれぞれの先端ピッチに関して最小ピッチの２倍未満であり、
前記封止体の４つの各コーナーに前記支持体に接続されるダミーリードが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
（１）支持体と、
（２）前記支持体の表面上に配置された半導体チップと、
（３）前記半導体チップを囲むように配置され、かつ、その先端が前記支持体の表面に絶縁体を介して固定された複数のリードと、
（４）前記複数のリードと前記半導体チップの電極とを電気的に接続する複数の導電性ワイヤと、
（５）前記半導体チップ、前記複数のリードの各々のインナーリード及び前記複数の導電性ワイヤを封止する樹脂体とを有し、
前記支持体は、前記複数のリードの先端と前記半導体チップの間に、前記支持体の表面から裏面に貫通するスリットを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、前記スリットは、前記複数の導電性ワイヤを支持するためのワイヤ支持部を突出するためのスリットであることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
基板上に電磁波の照射により非晶相と結晶相の間を相転移する記録層を有し、少なくとも該記録層の上部及び下部に保護層、及び電磁波を反射する反射層を有する光記録媒体であって、前記結晶相が、基板面と概略平行にＸ線を入射し、回折したＸ線を基板面の概略平行に検出する基板面の面内回折において、結晶化された記録層を持つ光記録媒体の反射層及び保護層を剥がした試料を３６０度回転させながら、つぎの回折ピークの強度Ｉ、即ち、銅のＫα線を入射Ｘ線の光源に用いたＸ線回折スペクトルにおいて面間隔ｄ＝２．９７〜３．３ÅのＸ線の入射角度θが円盤面からθ＝１３．５〜１５度で、その回折の角度が２θ＝２７〜３０度である回折ピークの強度Ｉを測定したときに、円周の接線方向から、４５度、１３５度、２２５度、３１５度に平行な結晶面に相当する角度において、前記角度から±１５度の範囲に極大値を持つことを特徴とする光記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
結晶相が、基板面と概略平行にＸ線を入射し、回折したＸ線を基板面の概略平行に検出する基板面の面内回折において、結晶化された記録層を持つ光記録媒体の反射層及び保護層を剥がした試料を３６０度回転させながら、つぎの回折ピークの強度Ｉ、即ち銅のＫα線を入射Ｘ線の光源に用いたＸ線回折スペクトルにおいて面間隔ｄ＝２．２〜２．３ÅのＸ線の入射角度θが円盤面からθ＝１９．５〜２０．５度で、その回折の角度が２θ＝３９〜４１度である回折ピークの強度Ｉを測定したときに、円周の接線方向及び垂線方向に平行な結晶面に相当する角度において前記角度から±２０度の範囲に極大値を持つことを特徴とする請求項１に記載の光記録媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、本発明の（１）「基板上に電磁波の照射により非晶相と結晶相の間を相転移する記録層を有し、少なくとも該記録層の上部及び下部に保護層、及び電磁波を反射する反射層を有する光記録媒体であって、前記結晶相が、基板面と概略平行にＸ線を入射し、回折したＸ線を基板面の概略平行に検出する基板面の面内回折において、結晶化された記録層を持つ光記録媒体の反射層及び保護層を剥がした試料を３６０度回転させながら、つぎの回折ピークの強度Ｉ、即ち、銅のＫα線を入射Ｘ線の光源に用いたＸ線回折スペクトルにおいて面間隔ｄ＝２．９７〜３．３ÅのＸ線の入射角度θが円盤面からθ＝１３．５〜１５度で、その回折の角度が２θ＝２７〜３０度である回折ピークの強度Ｉを測定したときに、円周の接線方向から、４５度、１３５度、２２５度、３１５度に平行な結晶面に相当する角度において、前記角度から±１５度の範囲に極大値を持つことを特徴とする光記録媒体」、（２）「結晶相が、基板面と概略平行にＸ線を入射し、回折したＸ線を基板面の概略平行に検出する基板面の面内回折において、結晶化された記録層を持つ光記録媒体の反射層及び保護層を剥がした試料を３６０度回転させながら、つぎの回折ピークの強度Ｉ、即ち銅のＫα線を入射Ｘ線の光源に用いたＸ線回折スペクトルにおいて面間隔ｄ＝２．２〜２．３ÅのＸ線の入射角度θが円盤面からθ＝１９．５〜２０．５度で、その回折の角度が２θ＝３９〜４１度である回折ピークの強度Ｉを測定したときに、円周の接線方向及び垂線方向に平行な結晶面に相当する角度において前記角度から±２０度の範囲に極大値を持つことを特徴とする前記第（１）項に記載の光記録媒体」、（３）「前記記録層を構成する元素が、ＳｂとＴｅと、それ以外の少なくともひとつ以上添加した構成元素からなる記録層であることを特徴とする前記第（２）項に記載の光記録媒体」、（４）「前記記録層を構成するＳｂ元素の量が、Ｔｅ元素の量よりも多い記録層であることを特徴とする前記第（３）項に記載の光記録媒体」、（５）「前記添加される元素の量は、少なくとも全ての添加元素を合わせて１０ａｔ％以下である記録層であることを特徴とする前記第（４）項に記載の光記録媒体」、（６）「前記添加される元素は、Ｉｂ族の中から選ばれた元素を少なくともひとつ含有する記録層であることを特徴とする前記第（４）項に記載の光記録媒体」、（７）「前記添加される元素は、IIIｂ族の中から選ばれた元素を少なくともひとつ含有する記録層であることを特徴とする前記第（３）項に記載の光記録媒体」、（８）「前記添加される元素は、IVｂ族の中から選ばれた元素を少なくともひとつ含有する記録層であることを特徴とする前記第（３）項に記載の光記録媒体」により解決される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月17日(2005.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  行列状に配置される複数のメモリセル、前記複数のメモリセルの各行に対応して配置される複数のワード線、および前記複数のメモリセルの各列に対応して配置される複数のビット線対を含むメモリセルアレイと、
前記複数のビット線対の各々に対応して設けられるセンスアンプと、
前記複数のビット線対の各々に対応して設けられ、データを読み出すための読出しデータ線対に接続される読出しゲート回路とを備え、
前記読出しゲート回路は、
ゲートが前記ビット線対の一方に接続され、ソースが前記センスアンプの活性／非活性に応じて動的に変化する第１のトランジスタと、
ゲートが前記ビット線対の他方に接続され、ソースが前記センスアンプの活性／非活性に応じて動的に変化する第２のトランジスタとを含む、半導体記憶装置。
【請求項２】  センスアンプ活性化信号に応じて接地ノードに接続される第１のセンスアンプ活性化線と、
前記センスアンプ活性化信号に相補な信号に応じて電源ノードに接続される第２のセンスアンプ活性化線とをさらに備え、
前記第１および第２のトランジスタは、ソースが共に前記第１のセンスアンプ活性化線に接続される、請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】  センスアンプ活性化信号に応じて接地ノードに接続される第１のセンスアンプ活性化線と、
前記センスアンプ活性化信号に相補な信号に応じて電源ノードに接続される第２のセンスアンプ活性化線とをさらに備え、
前記第１および第２のトランジスタは、ソースが共に、前記センスアンプ活性化信号を与えるノードに接続される、請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】  前記読出しデータ線対に対応して設けられるクロスカップル回路をさらに備える、請求項１から３のいずれかに記載の半導体記憶装置。
【請求項５】  前記クロスカップル回路は、
ゲートが前記読出しデータ線対の一方に接続され、ソースが電源ノードに接続され、ドレインが前記読出しデータ線対の他方に接続される第３のトランジスタと、
ゲートが前記読出しデータ線対の他方に接続され、ソースが電源ノードに接続され、ドレインが前記読出しデータ線対の一方に接続される第４のトランジスタとを含む、請求項４に記載の半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月13日(2004.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
ディスク表面には少なくとも磁気帯，ICチップ，CD読み取り面及びそれらを組合せて一つとしたデータ読み取り区が設けられており、且つ該ディスクの厚さはISO7816協定の規格に適ったものであることを特徴とする請求項８記載の多機能を具有するマルチプルカードの構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１３】
該ディスク上には偏心位置に位置決め孔が穿設されていることを特徴とする請求項１２記載の多機能を具有するマルチプルカードの構造。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
光を照射することにより記録層に記録を行なう光記録媒体であって、該記録層の上面または下面に熱伝導率の異なる部分が交互に存在する層が設けられたことを特徴とする光記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明では、ディスクの構成要素として熱伝導率の異なる構造を有する層を設けることにより、記録部分に隣接する部分に影響が及ぶのを防ぐことを可能とした。
以下、本発明の構成例を示し、詳細に説明する。
請求項１記載の発明は、光を照射することにより記録層に記録を行なう光記録媒体において、記録される部分の両端に熱伝導率の異なる領域を設けた光記録媒体に関する。光記録媒体は、円周状に形成されたトラックに沿って記録を行なうが、そのトラックの幅よりも光のスポット径が大きくなると、記録時に隣接トラックにも光が照射されることになり、また、隣接トラックも温度上昇することにより隣接トラックの情報が消去されてしまったり（クロスイレース）、隣接トラックにも記録されてしまったり（クロクライト）という影響を及ぼすようになる。そこで、隣接トラックとの境目である記録部分の両端に熱伝導率の異なる領域を設けることにより、熱が隣接トラックに影響を及ぼしにくくすることにより、クロスイレース、クロスライトを防ぐことができる。記録される部分の両端には、記録部分とは異なる物質を配置するなどして熱伝導率の異なる領域を形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項９記載の発明は、アルミニウム層、陽極酸化アルミニウム層、保護層、記録層、保護層の順の層構成からなる光記録媒体に関する。記録を行なう場合、記録層に光を照射することにより記録を行なう。相変化記録などでは熱の放熱速度も重要である。そこで記録層を最適な保護層ではさみこむことにより記録特性が向上し、制御しやすくなる。また、アルミニウム層の上面に陽極酸化アルミニウム層を設けその上面に保護層ではさみこんだ記録層を形成することにより隣接トラックへの影響を抑え、良好に記録が可能な光記録媒体が実現できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月9日(2005.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
縦横に配列されるメモリセルと、
該メモリセルの各列に接続される複数のワード線と、
該複数のワード線の選択されたワード線に接続される全メモリセルのうち一部のメモリセルから読み出したデータに基づいて該選択されたワード線に対するプログラム電圧を決定する制御回路と、
該全メモリセルのうち該一部のメモリセルでないメモリセルが形成される第１のウェルと、
該一部のメモリセルが形成される第２のウェル
を含み、該第１のウェルと第２のウェルとは分離されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
該全メモリセルのうち該一部のメモリセルでないメモリセルに接続される第１のビット線と、
該一部のメモリセルに接続される第２のビット線
を更に含み、該第１のビット線は該不揮発性半導体記憶装置の外部から供給されるコラムアドレスに応じて選択されるビット線であり、該第２のビット線は該コラムアドレスとは無関係に選択されるビッド線であることを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
該制御回路が決定した該プログラム電圧を生成する高電圧回路を更に含むことを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
該制御回路は、該全メモリセルのうち該一部のメモリセルを除いたメモリセルを該プログラム電圧によりプログラムすることを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
ワード線と、
該ワード線に接続される第１のメモリセルと、
該ワード線に接続され該第１のメモリセルに対するプログラム電圧補正コードを格納する第２のメモリセル
を含むことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
該プログラム電圧補正コードに基づくプログラム電圧を該ワード線に供給して該第１のメモリセルをプログラムする制御回路を更に含むことを特徴とする請求項５記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】
該第１のメモリセルが形成される第１のウェルと、
該第２のメモリセルが形成される第２のウェル
を含み、該第１のウェルと第２のウェルとは分離されていることを特徴とする請求項５記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項８】
該第１のメモリセルに接続される第１のビット線と、
該第２のメモリセルに接続される第２のビット線
を更に含み、該第１のビット線は該不揮発性半導体記憶装置の外部から供給されるコラムアドレスに応じて選択されるビット線であり、該第２のビット線は該コラムアドレスとは無関係に選択されるビッド線であることを特徴とする請求項５記載の不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
以上を鑑みて、本発明は、ワード線毎に最適なプログラム電圧を設定可能な不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
本発明による不揮発性半導体記憶装置は、縦横に配列されるメモリセルと、該メモリセルの各列に接続される複数のワード線と、該複数のワード線の選択されたワード線に接続される全メモリセルのうち一部のメモリセルから読み出したデータに基づいて該選択されたワード線に対するプログラム電圧を決定する制御回路と、該全メモリセルのうち該一部のメモリセルでないメモリセルが形成される第１のウェルと、該一部のメモリセルが形成される第２のウェルを含み、該第１のウェルと第２のウェルとは分離されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月30日(2005.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ディスクの同一面を再生可能なように配置した少なくとも２つの光ピックアップと、
該各光ピックアップを光ディスクの半径方向に移動させるそれぞれのガイド手段と、
該各光ピックアップの少なくとも一方に設けられ、光ディスクの傾きを検出するチルト検出手段と、
該各光ピックアップの少なくとも他方に設けられ、チルト検出手段の検出結果に応じて、光ディスクに対する光ピックアップからのレーザー光軸の傾きを調節するチルト補正手段とを備え、
該各光ピックアップの一方ではチルト検出手段による光ディスクの傾きの検出を行い、該各光ピックアップの他方では光ディスクの記録もしくは再生とチルト補正手段による光ピックアップからのレーザー光軸の傾きの調節を行うことを特徴とする光ディスクドライブ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月27日(2005.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レセプトコンピュータからの申請書のデータ形式を、申請を受け付けるシステムに適合するように編集するレセプトデータ処理システムであって、
前記申請書について罫線情報、及び、テキスト情報からなる編集用データを入力し、前記罫線情報からその申請書の書式を認識すると共に、前記テキスト情報に含まれるテキストについてコード変換すべきテキストを区別し、コード変換すべきテキストを予め用意されているコードに変換し、前記申請書についての罫線情報、テキスト情報、及び、コード情報からなるデータを出力するように構成したことを特徴とするレセプトデータ処理システム。
【請求項２】
前記申請書の書式の認識は、記憶装置に保存されている枠情報と、申請書の項目と前記枠情報とを関連付けてコード変換すべきテキストを特定するためのリンク情報とを参照するように構成したことを特徴とする請求項１に記載のレセプトデータ処理システム。
【請求項３】
テキストをコード変換するためのコード変換辞書を備え、コード変換すべきテキストに該当するコードがない場合に、正しいテキスト、及び／又は、コードを入力する入力画面と、入力された前記テキスト、及び／又は、前記コードを前記コード変換辞書に登録するための登録画面とを出力する表示装置を備えたことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のレセプトデータ処理システム。
【請求項４】
レセプトコンピュータからの申請書のデータ形式を、申請を受け付けるシステムに適合するように編集するレセプトデータ処理方法であって、
コンピュータが、
前記申請書について罫線情報、及び、テキスト情報からなる編集用データを入力するステップと、
前記罫線情報からその申請書の書式を認識すると共に、前記テキスト情報に含まれるテキストについてコード変換すべきテキストを区別するステップと、
コード変換すべきテキストを予め用意されているコードに変換し、前記申請書についての罫線情報、テキスト情報、及び、コード情報からなるデータを出力するステップと、
を実行することを特徴とするレセプトデータ処理方法。
【請求項５】
コンピュータに、請求項４に記載のレセプトデータ処理方法を実行させることを特徴とするレセプトデータ処理プログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レセプトデータ処理システム、レセプトデータ処理方法及びレセプトデータ処理プログラム