Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月9日(2004.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電基板の主表面上に表面波の伝搬方向に沿って２つのＩＤＴ電極を所定の間隙を置いて配置して構成したトランスバーサル型ＳＡＷフィルタにおいて、
前記ＩＤＴ電極は正、負及び零の重み付けを施した基本区間ＩＤＴ電極を用いて構成したものであり、
前記トランスバーサル型ＳＡＷフィルタの中心周波数における群遅延時間τ０が、前記２つのＩＤＴ電極の全長Ｌを表面波が伝搬するに要する時間Ｔより大きいことを特徴とするトランスバーサル型ＳＡＷフィルタ。
【請求項２】
前記トランスバーサル型ＳＡＷフィルタの中心周波数における群遅延時間τ０が１．３２μｓから１．６μｓの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載のトランスバーサル型ＳＡＷフィルタ。
【請求項３】
前記トランスバーサル型ＳＡＷフィルタの中心周波数における群遅延時間τ０が１．４μｓから１．５５μｓの範囲にあることを特徴とする請求項１に記載のトランスバーサル型ＳＡＷフィルタ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月25日(2005.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両内への情報提供及び車両からの情報送信又はこれらのいずれかを行う列車内通信装置であって、運転室又は乗務員室と前記各車両とに通信手段を設け、前記通信手段を既設の放送線又は既設のテロップ表示用通信線で接続し、前記放送線又は前記テロップ表示用通信線を通信線として通信を行うことを特徴とする列車内通信装置。
【請求項２】
前記列車内通信装置は、その通信手段において複数の搬送波信号を用いて各搬送波信号に送信データを割り付けて通信するものであって、各搬送波信号に対して、信号とノイズの比であるＳ／Ｎを推定又は測定し、推定又は測定したＳ／Ｎの値に応じて、各搬送波信号への送信データ割り付け量を変更して通信を行うことを特徴とする請求項１に記載の列車内通信装置。
【請求項３】
前記列車内通信装置は、その通信手段において複数の搬送波信号を用い、各搬送波信号に送信データを割り付けて通信するものであって、各搬送波信号に対して伝送誤り率を評価し、この評価した伝送誤り率に応じて、各搬送波信号への送信データ割り付け量を変更して通信を行うことを特徴とする請求項１に記載の列車内通信装置。
【請求項４】
前記列車内通信装置は、その通信手段において直交周波数多重分割通信方式によって通信を行うことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の列車内通信装置。
【請求項５】
前記列車内通信装置は、その通信手段において少なくとも１本の搬送波信号を用い、搬送波信号に送信データを割り付けて通信するものであって、搬送波信号に対してあらかじめ定められている、信号とノイズの比であるＳ／Ｎが得られるか否かを判定し、この判定結果があらかじめ定められているＳ／Ｎ以下の場合に、あらかじめ定められている異なった周波数に前記搬送波信号の周波数を変更して通信を行うことを特徴とする請求項１に記載の列車内通信装置。
【請求項６】
前記列車内通信装置は、その通信手段において通信信号をより広い帯域に拡散して通信するスペクトル拡散通信方式によって通信を行うことを特徴とする請求項１に記載の列車内通信装置。
【請求項７】
車両内への情報提供及び車両からの情報送信又はこれらのいずれかを行う列車内通信装置であって、運転室又は乗務員室と前記車両とに通信手段を設け、前記通信手段を列車内の放送線で接続し、前記車両に設けられているスピーカに接続している前記放送線の途中と、運転室又は乗務員室に設けられている放送装置に接続している前記放送線の途中とに、それぞれ周波数スプリッタを接続し、前記放送線を通信線として、前記周波数スプリッタを介して通信を行うことを特徴とする列車内通信装置。
【請求項８】
車両内への情報提供及び車両からの情報送信又はこれらのいずれかを行う列車内通信装置であって、運転室又は乗務員室と前記車両とに通信手段を設け、前記通信手段を列車内のテロップ表示用通信線で接続し、前記車両に設けられているテロップ表示器に接続しているテロップ表示用通信線の途中と、運転室又は乗務員室に設けられている情報提供装置に接続しているテロップ表示用通信線の途中とに、それぞれ周波数スプリッタを接続し、前記テロップ表示用通信線を通信線として、前記周波数スプリッタを介して通信を行うことを特徴とする列車内通信装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の列車内通信装置であって、車両に設置した通信手段は、車両内へ提供する情報を複数のチャネルで選択できる情報に分割し、分割した情報を無線受信機による周波数のチャネル選択により受信可能とするために複数のチャネルの周波数に割り付けて送信する無線送信手段を、備えることを特徴とする列車内通信装置。
【請求項１０】
車両内への情報提供及び車両からの情報送信又はこれらのいずれかを行う列車内通信装置を用いて行う列車内通信方法であって、前記車両内からの監視画像及び保守データ又はこれらのいずれかの情報の送信と、運転室又は乗務員室からの前記車両内への情報の提供と、を含むことを特徴とする列車内通信方法。
【請求項１１】
車両内への情報提供及び車両からの情報送信又はこれらのいずれかを行う列車内通信装置の取り付け方法であって、前記車両の天井と車両外部の屋根の二重構造でできる空間と、前記車両の床の二重構造でできる空間と、前記車両の内側壁と外側壁の二重構造でできる空間とのいずれかに通信手段を取り付け、前記通信手段を前記車両の放送線又はテロップ表示用通信線で接続し、前記放送線又はテロップ表示用通信線を通信線とする列車内通信装置の取り付け方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月3日(2004.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カバーと、
前記カバーの中に固定されたプレートと、
前記プレートの上に固定された基板と、
前記カバーの上の第１端子と前記基板の上の第２端子とを接続するボンディングワイヤとを有し、
前記カバーの中の前記プレートを配置する領域には、前記プレートの位置決め用の第１突き当て部が設けられ、
前記プレートの上には、前記基板の位置決め用の第２突き当て部が設けられていることを特徴とする電子機器。
【請求項２】
請求項１記載の電子機器において、
前記第１突き当て部は、前記プレートの４辺のうち隣り合う２辺に突き当てられるように配置されており、
前記第２突き当て部は、前記基板の４辺のうち隣り合う２辺に突き当てられるように配置されていることを特徴とする電子機器。
【請求項３】
請求項２記載の電子機器において、
前記第１突き当て部が突き当てられる前記プレートの２辺及び前記第２突き当て部が突き当てられる前記基板の２辺は、前記ボンディングワイヤが交差する辺を含んでいることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月1日(2004.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
側壁に開口部を有する成形筐体の構造において、
開口部に隣接して筐体の材料よりも剛性の高い板材を筐体側壁に銘板として設けたことを特徴とする成形筐体の構造。
【請求項２】
側壁に開口部を有する成形筐体の構造において、
開口部に隣接して筐体の材料よりも剛性の高い板材を筐体側壁に銘板として嵌め込んだことを特徴とする成形筐体の構造。
【請求項３】
側壁に開口部を有する成形筐体の構造において、
開口部に隣接して筐体の材料よりも防湿性の高い板材を筐体側壁に銘板として設けたことを特徴とする成形筐体の構造。
【請求項４】
側壁に開口部を有する成形筐体の構造において、
開口部に隣接して筐体の材料よりも防湿性の高い板材を筐体側壁に銘板として嵌め込んだことを特徴とする成形筐体の構造。
【請求項５】
請求項１記載から請求項４のいずれかに記載の成形筐体の構造を用いたことを特徴とする電気機器装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記目的を達成するために本発明の成形筐体の構造においては、開口部に隣接して筐体の材料よりも剛性の高い板材を筐体側壁に銘板として設けたものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
開口部に隣接して筐体の材料よりも剛性の高い板材を筐体側壁に銘板として設けたことにより、側壁に開口部があっても筐体の肉厚を薄くしても機械的強度を確保できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月15日(2004.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上部電極層、下部電極層、及び、該上部電極層と該下部電極層に挟まれた強誘電体層を含む強誘電体キャパシタにキャップ層を形成する半導体装置の製造方法であって、
上部電極層に導電性金属酸化物材料を含むアモルファス層を形成する工程と、
アモルファス層を結晶化したペロブスカイト構造又は層状ペロブスカイト構造の材料層に転化させるため非酸化性雰囲気でアモルファス層を加熱する、アモルファス層への第１のアニール処理工程と、
結晶化した材料層をキャップ層へ転化させるため、非還元性雰囲気中で結晶化した材料層を加熱する、結晶化した層への第２のアニール処理工程と、
を有する、製造方法。
【請求項２】
結晶化した層及び上部電極層をエッチングすることにより上部電極層をパターニングする工程を更に有する請求項１記載の製造方法。
【請求項３】
第１のアニール処理工程は、アモルファス層を５００℃乃至７００℃で加熱する、請求項１又は２記載の製造方法。
【請求項４】
第２のアニール処理工程は、結晶化した層を３００℃乃至５００℃で加熱する、請求項１乃至３のうちいずれか一項記載の製造方法。
【請求項５】
上部電極層、下部電極層、及び、該上部電極層と該下部電極層に挟まれた強誘電体層を含む強誘電体キャパシタにキャップ層を形成する半導体装置の製造方法であって、
ストロンチウム、ルテニウム及び酸素を含むアモルファス層を上部電極層の上に形成する工程と、
アモルファス層を結晶化した層に転化させるため、窒素を含む非酸化性雰囲気でアモルファス層を加熱する、アモルファス層への第１のアニール処理工程と、
結晶化した層及び上部電極層をエッチングすることにより上部電極層をパターニングする工程と、
結晶化した材料層をキャップ層へ転化させるため、酸素を含む酸化性雰囲気中で結晶化した材料層を加熱する、結晶化した層への第２のアニール処理工程と、
を有し、
上部電極層は酸化イリジウムを含み、
強誘電体層はＰＺＴを含み、
下部電極層は白金を含む、
製造方法。
【請求項６】
半導体基板と、
半導体基板に形成された半導体装置と、
強誘電体層及び該強誘電体層の上に形成された上部電極を含み、半導体基板の上に形成された強誘電体キャパシタと、
上部電極の上に形成された導電性ペロブスカイト構造又は層状ペロブスカイト構造材料を含むキャップ層と、
を有し、前記キャップ層は、ストロンチウム、ルテニウム及び酸素を含む集積半導体装置。
【請求項７】
上部電極は、強誘電体層と接触する酸化イリジウム層を更に含む、請求項６記載の集積半導体装置。
【請求項８】
強誘電体キャパシタの上に形成された絶縁層を更に有し、
絶縁層は、弱導電性のＰＺＴ及び酸化アルミニウムからなる群より選択された絶縁性金属酸化物を含む、
請求項６又は７記載の集積半導体装置。
【請求項９】
集積半導体装置の素子を形成する強誘電体キャパシタであって、
０．９乃至１．１の値をとるｘと、ｙ＝２−ｘを満たす値をとるｙと、Ｓｒ（ｘ）Ｒｕ（ｙ）Ｏ３とで表わされる金属酸化物を含むキャップ層と、
キャップ層の下側にあり、酸化イリジウムを含む上部電極層と、
白金を含む下部電極層と、
上部電極層と下部電極層の間に挟まれ、ＰＺＴを含む強誘電体層と、
を有する強誘電体キャパシタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
（付記１１）  半導体基板と、
半導体基板に形成された半導体装置と、
強誘電体層及び該強誘電体層の上に形成された上部電極を含み、半導体基板の上に形成された強誘電体キャパシタと、
上部電極の上に形成された導電性ペロブスカイト構造又は層状ペロブスカイト構造材料を含むキャップ層と、
を有し、前記キャップ層は、ストロンチウム、ルテニウム及び酸素を含む集積半導体装置。・・・（６）
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月26日(2004.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本質的に気体酸素を含まない環境において有機半導体デバイスを少なくとも１００℃に加熱するステップと、
前記加熱するステップの後、前記有機半導体デバイスが前記環境にある間、前記有機半導体デバイス上にカプセル化材料を堆積するステップ
を含むことを特徴とする有機半導体デバイスのカプセル化方法。
【請求項２】
前記加熱するステップは前記堆積するステップの前に少なくとも５分間行われ、前記カプセル化材料は、無機誘電体材料と、有機−無機混成材料と、有機ポリマーと、シリコンポリマーと、金属−ポリマー積層化されたカプセル化材料と、前記の材料のうちののいずれかの材料の多層構成物とからなるグループから選択されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記カプセル化材料は、ＳｉＮｘであることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
値Ｘは約０．１ないし１０の範囲にあることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記カプセル化材料は、ＳｉＯｘであることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項６】
値Ｘは約０．１ないし１０の範囲にあることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項７】
前記環境は不活性であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記環境はアンモニア環境であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記有機半導体デバイスは、有機ｐ型であり、前記環境は還元環境であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１０】
カプセル化は、約５０℃〜１５０℃の範囲の温度で行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１１】
前記カプセル化材料は、窒素バランス中のシラン、アンモニア、及び窒素のガス流内で堆積されることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項１２】
前記カプセル化材料は、約３００ｍＴ以上約２０００ｍＴ以下の圧力範囲を有する前記環境において堆積されることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１３】
堆積速度が、約１ｎｍ／分から約１００ｎｍ／分の範囲内にあることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項１４】
前記カプセル化材料は、窒素バランス中のシラン及び亜酸化窒素のガス流内で堆積されることを特徴とする請求項５記載の方法。
【請求項１５】
前記環境が真空であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の実施例は、有機半導体デバイスのカプセル化に特に適したものであり、そのため、本発明はこのようなデバイスに適用する例を主に説明する。カプセル化されたＴＦＴの実施例の構造を図１、２に示す。これらは有機ＴＦＴ又はポリマーＴＦＴである。当業者も理解出来るように、本発明の実施例は他のタイプの活性層又は半導体層を有するデバイス、例えば無機層又は有機−無機の混成層にも適用可能である。活性層の材料は、硫化カドミウム（cadmium sulfide）と、ペンタシーン（pentacene）と、ＦＣｕＰｃと、regioregular poly（3-hexylthiophene）（ＰＨＴ）。必ずしも必要なことではないが、堆積方法が好ましく、３００℃以下更に好ましくは１３０℃以下の基板温度で半導体を堆積するのが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
以下の実験例においては、カプセル化材料が、１３０℃の温度でＰＥＣＶＤチェンバ内でシリコン性基板上に堆積された。ＳiＮｘがチェンバの圧力が９００ミリトールで２５ワットの無線周波数（ＲＦ）で、シランが２％残りが窒素からなる２００sccmのガス流と、２．３sccmのアンモニアガス流と、９００sccmの窒素ガス流を用いて堆積された。この温度におけるＳiＮｘの堆積速度は、１１nm／分である。さらなる別の実験ではＳiＯ２をカプセル化材料として用いた。ＳiＯ２のフィルムの堆積条件はガスのパラメータが、シランが２％で残りの窒素の４３０sccmのガス流と、８００sccmの亜酸化窒素のガス流であることを除いて同じであった。ＳiＯ２フィルムの堆積速度は約６０nm／分であった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月3日(2005.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に結晶構造を有する半導体層を有する半導体装置において、
前記半導体層上に絶縁膜と、
前記絶縁膜上に電極と、を有し、
前記半導体層は、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有し、該チャネル形成領域は、希ガス元素を含み、且つ、濃度勾配を有しており、前記絶縁膜を介して前記チャネル形成領域の上方に存在する前記電極に近い側に希ガス元素が高濃度に含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上に結晶構造を有する半導体層を有する半導体装置において、
前記半導体層上に絶縁膜を有し、
前記半導体層は、ソース領域、ドレイン領域、及びチャネル形成領域を有し、該チャネル形成領域と前記絶縁膜との間に希ガス元素を含むバッファ層を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、前記絶縁膜上に電極を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面上に結晶構造を有する第１の半導体層と、該第１の半導体層と接する結晶構造を有する第２の半導体層と、該第２の半導体層上に絶縁膜と、該絶縁膜上に電極とを有し、
前記第２の半導体層は、希ガス元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
絶縁表面上に結晶構造を有する第１の半導体層と、該第１の半導体層と接する非晶質構造を有する第２の半導体層と、該第２の半導体層上に絶縁膜と、該絶縁膜上に電極とを有し、
前記第２の半導体層は、希ガス元素を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記希ガス元素はＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一に記載された半導体装置とは、液晶モジュールであることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一に記載された半導体装置とは、ＥＬモジュールであることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一に記載された半導体装置とは、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯型情報端末、または電子遊技機器であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
非晶質構造を有する第１の半導体膜に金属元素を添加する第１工程と、
前記第１の半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する第１の半導体膜を形成する第２工程と、
前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面にバリア層を形成する第３の工程と、
前記バリア層上に第２の半導体膜を形成する第４工程と、
前記第２の半導体膜に、希ガス元素を添加する第５工程と、
前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減する第６工程と、
前記第２の半導体膜を除去する第７工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
前記第５工程において、前記第１の半導体膜にも希ガス元素を添加することを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
前記第５工程において、前記第１の半導体膜の一部に希ガス元素を選択的に添加した領域を形成することを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
前記第５工程において、前記第１の半導体膜にも希ガス元素を添加し、希ガス元素を含むバッファ層を形成することを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
前記第６工程は、加熱処理であることを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
前記第６工程は、前記半導体膜に強光を照射する処理であることを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
前記第６工程は、加熱処理を行い、且つ、前記半導体膜に強光を照射する処理であることを特徴とする請求項１０乃至１５のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
前記強光は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光であることを特徴とする請求項１０乃至１６のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
前記金属元素はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする請求項１０乃至１７のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
前記希ガス元素はＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする請求項１０乃至１８のいずれか一に記載の半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月8日(2004.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードと、
前記リードの少なくとも一部を埋め込んだ樹脂部と、
前記樹脂部に設けられた開口部において、前記リードにマウントされた第１の半導体発光素子と、
前記開口部において、前記リードにマウントされた半導体素子と、
前記第１の半導体発光素子と前記リードとを接続したワイアと、
前記第１の半導体発光素子と前記半導体素子とを覆うように前記開口部の中に設けられ、ＪＩＳＡ値の硬度が５０以上のシリコーン樹脂と、
を備え、
前記リードにおいて、前記第１の半導体発光素子がマウントされた部分と前記ワイアが接続された部分とは電気的に連続してなり、前記第１の半導体発光素子がマウントされた前記部分と前記ワイアが接続された前記部分との間に切り欠きが設けられたことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１のリードと、
第２のリードと、
前記第１及び第２のリードの少なくとも一部を埋め込んだ樹脂部と、
前記樹脂部に設けられた開口部において、前記第１のリードにマウントされた第１の半導体発光素子と、
前記開口部において、前記第２のリードにマウントされた半導体素子と、
前記第１の半導体発光素子と前記第２のリードとを接続した第１のワイアと、
前記半導体素子と前記第１のリードとを接続した第２のワイアと、
前記第１の半導体発光素子と前記半導体素子とを覆うように前記開口部の中に設けられ、ＪＩＳＡ値の硬度が５０以上のシリコーン樹脂と、
を備え、
前記第１のリードにおいて、前記第１の半導体発光素子がマウントされた部分と前記第２のワイアが接続された部分との間に第１の切り欠きが設けられ、
前記第２のリードにおいて、前記半導体素子がマウントされた部分と前記第１のワイアが接続された部分との間に第２の切り欠きが設けられたことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
前記開口部の開口形状は、略楕円形または略偏平円形であることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
第１のリードと、
第２のリードと、
前記第１及び第２のリードの少なくとも一部を埋め込んだ樹脂部と、
前記樹脂部に設けられた開口部において、前記第１のリードにマウントされた第１の半導体発光素子と、
前記開口部において、前記第１のリードにマウントされた半導体素子と、
前記第１の半導体発光素子と前記第２のリードとを接続した第１のワイアと、
前記半導体素子と前記第２のリードとを接続した第２のワイアと、
前記第１の半導体発光素子と前記半導体素子とを覆うように前記開口部の中に設けられ、ＪＩＳＡ値の硬度が５０以上のシリコーン樹脂と、
を備え、
前記開口部の開口形状は、略楕円形または略偏平円形であり、
前記第１の半導体発光素子と前記半導体素子とは、前記略楕円形または略偏平円形の長軸方向または短軸方向に沿って配置されてなることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
第１のリードと、
第２のリードと、
前記第１のリードにマウントされた第１の半導体発光素子と、
前記第１のリードにマウントされた半導体素子と、
前記第１の半導体発光素子と前記第２のリードとを接続した第１のワイアと、
前記半導体素子と前記第２のリードとを接続した第２のワイアと、
前記第１の半導体発光素子と、前記半導体素子と、前記第１のリードの少なくとも一部と、前記第２のリードの少なくとも一部と、前記第１及び第２のワイアと、を覆うように設けられ、ＪＩＳＡ値の硬度が５０以上のシリコーン樹脂と、
を備えたことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
前記第１の半導体発光素子と前記第１のリードとを接続した第３のワイアをさらに備え、
前記第１のリードにおいて、前記第１の半導体発光素子がマウントされた部分と前記第３のワイアが接続された部分との間に切り欠きが設けられたことを特徴とする請求項４または５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第１の半導体発光素子は、前記開口部の中央に配置されたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項８】
前記シリコーン樹脂は、前記ワイアも覆うように設けられたことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項９】
前記半導体素子は、第２の半導体発光素子であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１０】
前記第１の半導体発光素子と前記第２の半導体発光素子は、互いに異なるピーク波長の光を放出することを特徴とする請求項９記載の発光装置。
【請求項１１】
前記シリコーン樹脂に含有され、前記第１の半導体発光素子から放出される光を吸収してそれとは異なる波長の光を放出する蛍光体をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１２】
前記シリコーン樹脂は、硬化前の粘度が１００ｃｐ以上１００００ｃｐ以下の範囲にあることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１３】
前記シリコーン樹脂は、凸状に突出した表面を有することを特徴とする１〜１２のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１４】
前記シリコーン樹脂の硬度は、ＪＩＳＡ値で９０以下であることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１つに記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月25日(2004.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、透明導電層及び光電変換層がこの順に１組積層されてなり、
前記透明導電層が光電変換層側の表面に複数の穴を有しており、該穴の表面に凹凸が形成されていることを特徴とする単接合型薄膜太陽電池。
【請求項２】
基板の表面に形成される穴の密度が、０．１〜５個／μｍ2である請求項１に記載の薄膜太陽電池。
【請求項３】
光電変換層がｐｉｎ接合により形成されてなり、ｉ層が結晶質層により形成されている請求項１又は２に記載の薄膜太陽電池。
【請求項４】
基板の表面に、複数の穴が形成されており、該穴の表面に凹凸が形成されている請求項１〜３のいずれか１つに記載の薄膜太陽電池。
【請求項５】
透明導電層の表面に形成された穴の直径が２００ｎｍ以上、２０００ｎｍ以下の範囲にあり、該穴の深さが５０ｎｍ以上、１２００ｎｍ以下の範囲にあり、該穴の表面にある凹凸の高低差が１０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下の範囲にある請求項１〜４のいずれか１つに記載の薄膜太陽電池。
【請求項６】
穴が形成された透明導電層表面の前記穴以外の表面に凹凸が形成されており、該凹凸の高低差が１０ｎｍ以上、３００ｎｍ以下の範囲にある請求項１〜４のいずれか１つに記載の薄膜太陽電池。
【請求項７】
透明導電層が、酸化亜鉛を主体として形成されてなる請求項１〜６のいずれか１つに記載の薄膜太陽電池。
【請求項８】
光電変換層を構成するｉ層が、シリコン又はシリコン合金を含む請求項１〜７のいずれか１つに記載の薄膜太陽電池。
【請求項９】
ｉ層の（２２０）Ｘ線回折ピークの積分強度Ｉ220と、（１１１）Ｘ線回折ピークの積分強度Ｉ111の比I220／I111が５以上である請求項１〜８のいずれか１つに記載の薄膜太陽電池。
【請求項１０】
透明導電層が基板面に対して配向している請求項１〜９のいずれか１つに記載の薄膜太陽電池。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか１つに記載の単接合型薄膜太陽電池を製造するに際し、基板及び／又は透明導電層の表面をエッチングすることにより、透明導電層の表面に複数の穴及び凹凸を形成することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜１０のいずれか１つに記載の単接合型薄膜太陽電池を製造するに際し、透明導電層を、その表面に穴が形成されるように成膜することにより、透明導電層の表面に複数の穴及び凹凸を形成することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
【表１】
2002314109.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月8日(2004.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を覆うように設けられたシリコーン樹脂と、
を備え、
前記シリコーン樹脂の硬度は、ＪＩＳＡ値で５０以上で９０以下であり、
前記シリコーン樹脂は、硬化前の粘度が１００ｃｐ以上１００００ｃｐ以下の範囲にあり、
前記シリコーン樹脂は、前記半導体半導体素子から放出される光に対して、実質的に透明であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記半導体発光素子に接続されたワイアをさらに備え、
前記シリコーン樹脂は、前記ワイアも覆うように設けられたことを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
一対のリードと、前記一対のリードの少なくとも一部を埋め込む樹脂部と、を有する樹脂ステムをさらに備え、
前記半導体発光素子は、前記一対のリードのうちの一方にマウントされてなることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記樹脂部は、開口部を有し、
前記半導体発光素子は、前記開口部の底において前記一対のリードのうちの一方にマウントされてなり、
前記シリコーン樹脂は、前記開口部の中に設けられたことを特徴とする請求項３記載の発光装置。
【請求項５】
前記樹脂部は、熱可塑性樹脂からなることを特徴とする請求項３または４に記載の発光装置。
【請求項６】
前記開口部の内部側壁は、開口端に向けて傾斜し、
前記樹脂部は、前記可視光を反射する材料を含有してなることを特徴とする請求項４または５に記載の発光装置。
【請求項７】
前記シリコーン樹脂は、チクソ性付与剤が添加されてなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項８】
前記樹脂部は、３５重量％以下の充填剤を含むことを特徴とする請求項３〜６のいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項９】
前記充填剤は、酸化チタニウム、酸化シリコン、酸化アルミニウム、シリカ及びアルミナよりなる群から選択された少なくともいずれかを含むことを特徴とする請求項８記載の発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月19日(2004.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型III族窒化物半導体表面に金（Ａｕ）薄膜と二酸化珪素（ＳｉＯ２）薄膜を順次積層してなることを特徴とする透光性電極。
【請求項２】
ｐ型III族窒化物半導体がｐ型ＧａＮであることを特徴とする請求項１に記載の透光性電極。
【請求項３】
金（Ａｕ）薄膜の膜厚が０．００３〜１μｍであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の透光性電極。
【請求項４】
二酸化珪素（ＳｉＯ２）薄膜の膜厚が０．５〜３μｍであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の透光性電極。
【請求項５】
ｐ型III族窒化物半導体表面と金薄膜とがオーミック接触していることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の透光性電極。
【請求項６】
光透過率が７０〜９０％の範囲内であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の透光性電極。
【請求項７】
ｐ型III族窒化物半導体表面に、厚さ０．００３〜１μｍの金（Ａｕ）薄膜と、厚さ０．５〜３μｍの二酸化珪素（ＳｉＯ２）薄膜を順次積層した後、４５０〜６００℃の温度でアニールすることを特徴とする透光性電極の製造方法。
【請求項８】
アニールを、アルゴン及び酸素を含む雰囲気下で行うことを特徴とする請求項７に記載の透光性電極の製造方法。
【請求項９】
基板上にIII族窒化物半導体からなる発光層を具備した発光素子において、発光面となるｐ型III族窒化物半導体表面に請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の透光性電極を具備してなることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
【請求項１０】
発光層がＧａＮ，ＩｎＧａＮ，ＡｌＧａＮ，ＩｎＡｌＧａＮからなる群から選ばれた何れか１種以上を含むことを特徴とする請求項９に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
【請求項１１】
発光層がＩｎＧａＮもしくはＩｎＧａＮとＧａＮからなる多重量子井戸（ＭＱＷ）構造からなることを特徴とする請求項９に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
【請求項１２】
透光性電極が形成されるIII族窒化物半導体が、ＩｎＧａＮであることを特徴とする請求項９から請求項１１のいずれか１項に記載のIII族窒化物半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月18日(2004.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＩＮ構造のｉ層とｐ層およびｎ層との界面が半導体基板面に対して垂直に形成され、ｉ層に入射された光を電流に変換して検出するラテラル型半導体受光素子において、
光電変換機能を有する色素層を、受光領域をなすｉ層の上面および／または内部に設けたことを特徴とするＰＩＮ構造のラテラル型半導体受光素子。
【請求項２】
電極と、
前記電極と電気的に接続された半導体基板と、
前記半導体基板の上方に配置され、ＰＩＮ構造のｉ層とｐ層およびｎ層との界面が半導体基板面に対して垂直に形成されたラテラル型フォトダイオードと、
前記ｐ層の上面に設けられたｐ電極と、
前記ｎ層の上面に設けられたｎ電極と、
前記ｉ層の上面に設けられ、光電変換機能を有する色素層と、
前記ｐ電極及び前記ｎ電極と前記色素層とを絶縁する絶縁層と、
を備えたことを特徴とするＰＩＮ構造のラテラル型半導体受光素子。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記色素層は、少なくともポルフィリン類、フタロシアニン類、ロドプシン類のいずれか１つを含むことを特徴とするＰＩＮ構造のラテラル型半導体受光素子。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかにおいて、
前記ｐ電極及び前記ｎ電極は、平面形状が櫛形である、ＰＩＮ構造のラテラル型半導体受光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月11日(2004.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＰエンドポイント間のＩＰベアラパスを管理するＩＰパケットアクセスゲートウェイ（ＩＰＰＡＧ）システムであって、
ＩＰＰＡＧと、
第１のＩＰエンドポイントとの第１のベアラ接続をターミネートする、前記ＩＰＰＡＧ中の第１のＩＰベアラ接続ターミネーションと、
第２のＩＰエンドポイントとの第２のベアラ接続をターミネートする、前記ＩＰＰＡＧ中の第２のＩＰ接続ターミネーションと、
呼制御インストラクションを前記ＩＰＰＡＧに通信する、前記ＩＰＰＡＧと関連づけられた呼制御エンティティとを含み、前記呼制御インストラクションは、前記接続を前記第１のＩＰエンドポイントと前記第２のＩＰエンドポイントとの間に延びるアクティブなＩＰベアラパスに論理的に連結するためのインストラクションを含み、前記システムはさらに、
前記アクティブなＩＰベアラパス上でベアラトラフィックＩＰパケットペイロードを移動させる、前記ＩＰＰＡＧ中のベアラトラフィックＩＰパケットハンドラを含み、前記パケットペイロードは、音声、データ、マルチメディアまたは他の情報を含むことを特徴とするシステム。
【請求項２】
前記ＩＰＰＡＧは、前記連結インストラクションに従って前記アクティブなＩＰベアラパスを前記第１のベアラ接続および前記第２のベアラ接続と関連づけるベアラ接続アドレステーブルを含むことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記接続アドレステーブルは、前記アクティブなＩＰベアラパスに対応し、そしてそれぞれ前記第１のベアラ接続と前記第２のベアラ接続とに対応する第１及び第２のテュプルを含むキーエントリ（ＩＰベアラパスエントリ）を含むことを特徴とする請求項２記載のシステム。
【請求項４】
前記第１のテュプルは、前記ＩＰＰＡＧのための第１のＩＰアドレスとポート番号及び前記第１のＩＰエンドポイントのためのＩＰアドレスとポート番号を含み、前記第２のテュプルは、前記ＩＰＰＡＧのための第２のＩＰアドレスとポート番号及び前記第２のＩＰエンドポイントのためのＩＰアドレスとポート番号を含むことを特徴とする請求項３記載のシステム。
【請求項５】
前記第１のベアラ接続を介して前記第１のＩＰエンドポイントからベアラトラフィックＩＰパケットを受信し、
前記受信されたＩＰパケットのパケットヘッダ送信元ＩＰアドレスと送信元ポート番号とを含む関連づけられた第１のテュプルを有するＩＰベアラパスエントリを、前記接続アドレステーブル中でサーチし、
前記接続アドレステーブル中での前記ＩＰベアラパスエントリの場所を突き止めることにより、前記エンティティに関連づけられた第２のテュプルから、前記第２のＩＰエンドポイントのＩＰアドレスとポート番号とを決定し、
前記ＩＰＰＡＧのＩＰアドレスとポート番号とを送信元ＩＰアドレスと送信元ポート番号として使用し、そして前記第２のＩＰエンドポイントのＩＰアドレスとポート番号とを送信先ＩＰアドレスと送信先ポート番号として使用して、前記ベアラトラフィックＩＰパケットのパケットヘッダを再書き込みし、
前記再書き込みされたベアラトラフィックＩＰパケットを、前記第２のベアラ接続を介して前記第２のＩＰエンドポイントに送る、
ことにより、ベアラトラフィックＩＰパケットペイロードを、前記第１のＩＰエンドポイントから前記第２のＩＰエンドポイントに移動するよう前記ベアラトラフィックＩＰパケットハンドラが適合されていることを特徴とする請求項４記載のシステム。
【請求項６】
前記受信されたベアラトラフィックＩＰパケットが、アクティブなＩＰベアラパスと関連づけられ、そしてそのパス上の送信のためにオーソライズされている、ということを確認するためにベアラトラフィックポリシーイングを実行するよう、前記ベアラトラフィックＩＰパケットハンドラが適合されていることを特徴とする請求項５記載のシステム。
【請求項７】
前記アドレス接続テーブル中の各ＩＰベアラパスエントリは、関連するＩＰベアラパスがアクティブであるか非アクティブであるかを示すステータスフラグを含み、前記ベアトラフィックポリシーイングは、アクティブステータスに対して前記ステータスフラグをチェックすることを含むことを特徴とする請求項６記載のシステム。
【請求項８】
前記ＩＰエンドポイントの一方または両方から送信先へシグナリングメッセージを中継するシグナリングトラフィックＩＰパケットハンドラをさらに含むことを特徴とする請求項１記載のシステム。
【請求項９】
ＩＰエンドポイント間のＩＰベアラパスを管理する方法であって、
第１のＩＰエンドポイントとの第１のＩＰベアラ接続をターミネートするステップと、
第２のＩＰエンドポイントとの第２のＩＰベアラ接続をターミネートするステップと、
前記接続を、前記第１のＩＰエンドポイントと前記第２のＩＰエンドポイントとの間に延びるアクティブなＩＰベアラパスに論理的に連結するステップと、
ベアラトラフィックＩＰパケットペイロードを、前記アクティブなＩＰベアラパス上で移動させるステップとを有し、
前記パケットペイロードは、音声、データ、マルチメディアまたは他の情報を含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
ＩＰエンドポイント間のＩＰベアラパスを管理するコンピュータプログラム製品であって、
１以上のデータ記憶媒体と、
第１のＩＰエンドポイントとの第１のＩＰベアラ接続をターミネートし、
第２のＩＰエンドポイントとの第２のベアラ接続をターミネートし、
前記第１および第２のベアラ接続を、前記第１のＩＰエンドポイントと前記第２のＩＰエンドポイントとの間に延びるアクティブなＩＰベアラパスに論理的に連結し、そして、  ベアラトラフィックＩＰパケットペイロードを、前記アクティブなＩＰベアラパス上で移動させる、前記１以上のデータ記憶媒体上に記録されるプログラム手段とを含み、
前記パケットペイロードは、音声、データ、マルチメディアまたは他の情報を含むことを特徴とするコンピュータプログラム製品。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月20日(2005.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プロトコル変換方法，及びアドレス変換サーバ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のプロトコルに従ってデータを転送する第１のネットワークと，第２のプロトコルに従ってデータを転送する第２のネットワークと，変換サーバとに接続されたトランスレータにおけるプロトコル変換方法であって，
さらに、他のトランスレータが上記第１のネットワークと，第２のネットワークと，上記変換サーバに接続されており，
前記第１のネットワークに収容される第１の端末から，前記第２のネットワークに収容される第２の端末のアドレス問い合わせを検出するステップと，
前記第２のネットワークにおいて前記第２の端末に与えられている前記第２のプロトコルにおける第２のアドレスに対応する，前記第１のプロトコルにおける第１のアドレスを生成するステップと，
前記第１のアドレスと前記第２のアドレスとの対応を，前記第１のプロトコルと前記第２のプロトコルとの間のプロトコル変換を行うための変換情報として保持するステップと，
前記第１のアドレスと前記第２のアドレスとの対応を，前記変換サーバに登録するステップとを有するプロトコル変換方法。
【請求項２】
請求項１に記載のプロトコル変換方法であって，
前記第１の移動端末が移動したのち，前記他のトランスレータが，前記第１の端末から，
宛先アドレスが前記第１のアドレスのパケットを受信した場合，
前記他のトランスレータが，前記変換サーバに前記第２の端末のアドレス情報を問い合わせるステップと，
前記他のトランスレータが，前記変換サーバから，前記トランスレータにより登録された前記第１のアドレスと前記第２のアドレスとの対応を受信するステップと，
前記他のトランスレータが，前記宛先アドレスを前記第２のアドレスに書き替えるステップと，
前記他のトランスレータが，前記書き替えられたパケットを前記第２の端末に送信するステップとを有することを特徴とするプロトコル変換方法。
【請求項３】
請求項２に記載のプロトコル変換方法であって，
前記送信元アドレスを，前記第２のプロトコルにおける前記トランスレータのアドレスに書き替えるプロトコル変換方法。
【請求項４】
第１のプロトコルに従ってデータを転送する第１および第２のネットワークと、第２のプロトコルに従ってデータを転送する第３のネットワークと、上記第１のネットワークから上記第２のネットワークに移動した端末とに接続され、
上記端末の名前と、上記第１のプロトコルにおける該端末のアドレスと、上記第２のプロトコルにおける該端末のアドレスとの対応情報を記憶する記憶部を備えたアドレス変換サーバ。
【請求項５】
請求項４記載のアドレス変換サーバであって、
上記対応情報を上記第１のネットワークから受信し、該対応情報を上記第２のネットワークに送信する送受信部を有するアドレス変換サーバ。
【請求項６】
請求項５記載のアドレス変換サーバであって、
上記送受信部は、上記第２のネットワークと上記第３のネットワークとに接続されたトランスレータから要求を受信した際に、上記対応情報を該トランスレータに送信することを特徴とするアドレス変換サーバ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月24日(2004.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受信器と通信する方法であって、
第１の受領チャネル状態情報に少なくともある程度基づいて決定される第１のデータレートでデータを該受信器に送信するステップ、及び、
該送信されたデータが受信に成功しなかったことの表示に応じて、該第１の受領チャネル状態情報及び該第１のチャネル状態情報の後に受領される第２の受領チャネル状態情報に少なくともある程度基づいて決定された第２のデータレートで該受信器に該データを再送信するステップ
からなる方法。
【請求項２】
請求項１記載の方法であって、該第２のデータレートは正しく復号化するのに必要な該データの冗長性の推定量にある程度基づいて決定される方法。
【請求項３】
請求項１記載の方法であって、該送信されるデータと該再送信されるデータとが同一である方法。
【請求項４】
請求項１記載の方法であって、該再送信されるデータが該送信されるデータにソフトコンバインされ得る方法。
【請求項５】
請求項１記載の方法であって、該第１の受領チャネル状態情報は第１のレート指示メッセージであり、該第１のデータレートは該第１のレート指示メッセージにおいて指示されたデータレートよりも高いレートである方法。
【請求項６】
請求項１記載の方法であって、該第２の受領チャネル状態情報は第２のレート指示メッセージであり、該第２のデータレートは該第２のレート指示メッセージにおいて指示されたデータレートよりも高いレートである方法。
【請求項７】
請求項１記載の方法であって、該送信されたデータが受信に成功しなかったことの該表示はＮＡＣＫである方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月10日(2004.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
Ｎ行Ｍ列（但しＮ、Ｍは正の整数）のマトリックス状に結合された差動増幅器を具え、第１列から第Ｍ列は、それぞれ、初段からＭ段までの増幅段を構成しており、
さらに、１つの入力信号をＮ個の出力信号に分割する信号分波回路と、Ｎ個の入力信号を１つの出力信号に合成する信号合成回路と、最終の増幅段を構成する増幅器とを具えており、
前記初段の増幅段のＮ個の差動増幅器に、前記Ｎ個の出力信号がそれぞれ入力され、
前記Ｍ段のＮ個の差動増幅器からの出力信号を前記Ｎ個の入力信号とし、
前記１つの出力信号は、前記最終の増幅段を構成する増幅器への入力信号とし、
前記初段から最終段の増幅段は、共通の電源と基準電位点との間に並列に接続されていることを特徴とする半導体増幅回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
すなわちこの半導体増幅回路は、Ｎ行Ｍ列（但し、Ｎ、Ｍは正の整数）のマトリックス状に結合された差動増幅器を具え、第１列から第Ｍ列は、それぞれ、初段からＭ段までの増幅段を構成している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
これら各部の回路５１、５３、増幅器５、差動増幅器１１〜１７、２１〜２７、３１〜３７、及びコンデンサの、それぞれ自体は、従来既知の構成のものを用いている。ウィルキンソン型の信号分波回路５１、及びウィルキンソン型の信号合成回路５３は、一般に、電源側の信号電力を、反射なしに、負荷側の複数の線路に分割して送り込めることをそれぞれ特徴としていて、その回路定数は５０Ωである。さらに、ウィルキンソン型の信号合成回路５３は、高周波の電気信号の電力をインピーダンス整合を損ねず、しかも、信号の電力損失を抑えて、合成することができる特徴を有している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
このように、この実施の形態においては、４行３列のマトリックス状に結合された差動増幅器１１〜１７、２１〜２７、３１〜３７を具え、第１列から第３列のそれぞれの列に含まれる差動増幅器は、それぞれ、初段から第３段までの増幅段４０、４２、４４を構成している。差動増幅器は、第１および第２の入力信号すなわち、入力２相の信号の位相が１８０°ずれているために、電源から当該の差動増幅器に流れる電源電流は、時間的に比較的安定している。このため、各段に含まれる４個の差動増幅器の電源を直列に接続し、そして初段から最終段の増幅段は、共通の電源と基準電位点との間にその電源を並列に接続することができる。したがって、この発明の実施の形態の構成によれば、最終段の増幅器の電源電圧と、それより前段の差動増幅器の電源電圧とで、異なる電圧をわざわざ用意しなくても、１つの電源電圧で、初段から最終段までの複数個の増幅器を共通に動作できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
続いてレベルダイアグラムを用いて、上記のように動作する各増幅器の電力利得能力及び電力獲得能力を図２に示す。図２は、図５と同様に、横軸は図１中の増幅回路における場所を示し、縦軸は信号電力レベル（Ｗ）を示している。よって図２中、横軸について、グラフの始点２０１及び終点２１１はそれぞれ信号入力端子１及び信号出力端子３を示す。同様に横軸について、ｘは、ウィルキンソン型の信号分波回路５１、ｙはウィルキンソン型の信号合成回路５３を示し、２０３〜２０７は、差動増幅器１１〜１７、２１〜２７、３１〜３７をそれぞれ示し、２０９は増幅器５を示している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
尚、図４及び図５を参照して説明した従来例の構成及び動作と比較するために、図２は、１０ＧＨｚで図１の回路を動作し、５Ｗの信号を得ることを想定して、計算し、作成したものである。さらに、増幅段４２、４４に含まれる各差動増幅器２１〜２７、３１〜３７の各々の電力利得能力は、従来と同様の８ｄＢであることを前提とする。但し初段の増幅段４０に含まれる差動増幅器１１〜１７については、上記に述べたように単相信号が入力するため、４ｄＢの電力利得能力であるとする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
図２に示す構成において、増幅回路における場所２０７即ち差動増幅器３７では、０．０３９６Ｗの入力を０．２５Ｗまで増幅する。しかし、その増幅回路における場所ｙ、即ち信号合成回路５３の電力合成損が１ｄＢ程度あるため、差動増幅器３１〜３７の４台の０．２５Ｗの出力を合成しても、１．０Ｗとならない。この結果、増幅回路における場所２０９即ち増幅器５に、信号合成回路５３より０．８Ｗの信号が供給される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
同様に、増幅回路における場所２０５即ち差動増幅器２７には０．００６３Ｗの信号入力を加えてやれば、０．０３９６Ｗの信号を出力する。増幅回路における場所２０３すなわち差動増幅器１７において、０．００６３Ｗの出力を得るには、０．００２５Ｗ以上の入力があればよい。このため、信号入力端子１の入力レベルは、増幅回路における場所ｘ、即ち信号分波回路５１の電力分配損（１ｄＢ程度）を考慮して、０．０１２５Ｗ程度とすればよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
【発明の効果】
この発明の半導体増幅回路によれば、Ｎ行Ｍ列のマトリックス状に結合された差動増幅器を具え、第１列から第Ｍ列は、それぞれ、初段からＭ段までの増幅段を構成している。そして、各段に含まれるＮ個の差動増幅器の電源を直列に接続し、初段から最終段の増幅段は、共通の電源と基準電位点との間にその電源を並列に接続する。したがってこの発明によれば、回路中に含まれる複数個の増幅器を、１電源で動作することが可能である。