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【手続補正書】
【提出日】平成17年3月18日(2005.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
窒化ケイ素を主成分とする薄膜は、主成分以外の成分として、酸素、水素または炭素などを２０質量％以下の範囲で含有してもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【表１】
2003292344.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月14日(2004.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成形室内の一対の成形型間にガラス素材を配置し、前記成形型およびガラス素材を加熱してガラス素材をプレスすることによるガラス素子の成形方法であって、
成形室内を真空排気する際にスロー排気することを特徴とするガラス素子の成形方法。
【請求項２】
成形室内を真空排気する際、成形室内の温度を検出しながらバルブをコントロールすることによって、スロー排気することを特徴とする請求項１記載のガラス素子成形方法。
【請求項３】
成形室内を真空排気する際、成形室内の圧力を検出しながらバルブをコントロールすることによって、スロー排気することを特徴とする請求項１に記載のガラス素子成形方法。
【請求項４】
成形室内を真空排気する際、排気路に抵抗体を設けることによって、スロー排気することを特徴とする請求項１に記載のガラス素子成形方法。
【請求項５】
抵抗体が、バタフライバルブ、ゲートバルブ、邪魔板、口径を絞った管、孔の空いた板、多孔質体から選択されることを特徴とする請求項４に記載のガラス素子の成形方法。
【請求項６】
一対の成形型と、前記成形型およびガラス素材を加熱する手段と、加熱されたガラス素材をプレスしてガラス素子を成形する手段と、前記成形型の周囲を気密に取り込む成形室と、この成形室内を真空排気する真空排気手段とを備えたガラス素子の成形装置であって、成形室の排気路に抵抗体を備えることを特徴とするガラス素子の成形装置。
【請求項７】
抵抗体が、バタフライバルブ、ゲートバルブ、邪魔板、口径を絞った管、孔の空いた板、多孔質体から選択されることを特徴とする請求項６に記載のガラス素子の成形装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、成形室内の一対の成形型間にガラス素材を配置し、前記成形型およびガラス素材を加熱してガラス素材をプレスすることによるガラス素子の成形方法であって、成形室内を真空排気する際にスロー排気することを特徴とするガラス素子の成形方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
なおスロー排気とは、バルブ等を用いて真空排気速度のコントロールを行なうことを指す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明においては、成形室内を真空排気する際、成形室内の温度を検出しながらバルブをコントロールすることによってスロー排気することが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また本発明においては、成形室内を真空排気する際、成形室内の圧力を検出しながらバルブをコントロールすることによって、スロー排気することが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また本発明においては、成形室内を真空排気する際、排気路に抵抗体を設けることによって、スロー排気することが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明では、成形室内および成形型の温度上昇に伴う成形型の酸化を防ぐために、例えば、成形室内の温度および／または圧力を検出しながらバルブまたは抵抗体を制御して、スロー排気を行なう。このようにして成形室内の圧力を調整することで、成形型の酸化を防ぐとともに、サイクルタイムの短縮を可能にすることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また本発明においては、成形室内の圧力を、成形室内の温度および／または圧力を検出しながら、真空排気口に設けた抵抗体（バタフライバルブ、ゲートバルブ、邪魔板、口径を絞った管、孔の空いた板、多孔質体など）を用いて、スロー排気しながら調節しても良い。このように成形室から排気を行なう排気路に設けた抵抗体により、成形室内の圧力が一気に低下することを避け、圧力を徐々に変化させる。こうして成形室内の圧力変化を小さくできるので、成形室内の温度変動が抑えられ、成形型上のガラス素材の移動も防止できる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
成形室１７の下部には真空排気口２７が設けられている。真空排気口２７は、真空計３３、真空バルブ３０、真空排気装置３２を備えた真空排気系に接続している。また真空排気口２７には、必要に応じて、真空排気速度を制御してスロー排気するためのバタフライバルブおよび多孔質材料などの抵抗体４０が配置されている。真空排気装置３２は、成形室内を１０-6ｔｏｒｒ以下の高真空度に維持するメカニカルポンプ、ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプ、拡散ポンプ、ゲッタポンプ、スパッタイオンポンプおよびクライオポンプから選択された一種または二種以上である。真空計３３により成形室１７内の圧力を検出し、この検出信号に基づいて、制御装置２９で真空排気装置３２を制御して所望の高真空度となるようにしている。また制御装置２９は、成形型の温度検出用熱電対２８（図では下型組み立て１１の温度検出用）からの温度検出信号に基づいて、赤外線ランプ２０を制御する。さらに制御装置２９は、真空計３３からの圧力検出信号および／または温度検出用熱電対２８からの温度検出信号に基づいて、真空バルブ３０および／または抵抗体４０を制御して、スロー排気を実現する。なお図中、３４はガラス素材、３５は上型ガス流路、３６は下型ガス流路である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月14日(2004.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
成形室内の一対の成形型間にガラス素材を配置し、前記成形型およびガラス素材を加熱してガラス素材をプレスすることによるガラス素子の成形方法であって、
ガス雰囲気中で加熱して所定の第一温度になった後に成形室内を真空排気し、成形室内が所定の第二温度および圧力になった後に成形を行なうことを特徴とするガラス素子の成形方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、成形室内の一対の成形型間にガラス素材を配置し、前記成形型およびガラス素材を加熱してガラス素材をプレスすることによるガラス素子の成形方法であって、ガス雰囲気中で加熱して所定の第一温度になった後に成形室内を真空排気し、成形室内が所定の第二温度および圧力になった後に成形を行なうことを特徴とするガラス素子の成形方法が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【発明の実施の形態】
本発明では、成形型およびガラス素材をガス雰囲気中で加熱し、成形型またはガラス素材が所定の第一温度まで上昇したら、真空排気を行なう。その後、成形型またはガラス素材を含む成形室内が所定の第二温度および圧力に達してから、成形を行なう。こうすることにより成形型およびガラス素材を均一に加熱するとともに、成形型の酸化を防止することができる。所定の温度とは例えば、真空排気開始温度が８００℃、成形温度が１４００℃である。また所定の圧力とは例えば３Ｐａである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月31日(2004.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
このため、一般の皮膚化粧料には上記の機能を補う成分として、グリセリン、プロピレングリコールのような多価アルコール類；ソルビトール、マルチトール等の糖類；アミノ酸類；ヒアルロン類、コンドロイチン酸等の高分子物質；乳酸菌培養上清等が配合されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
【表２２】
1999180845.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
【表２３】
1999180845.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月26日(2004.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
清涼化剤及び界面活性剤を含有し、界面活性剤の配合量が清涼化剤に対して、10〜100倍であることを特徴とするソフトコンタクトレンズ用点眼剤(ただし、界面活性剤の配合量が清涼化剤に対して75倍のものを除く)。
【請求項２】
清涼化剤及び界面活性剤を含有し、界面活性剤の配合量が清涼化剤に対して、10〜50倍であることを特徴とするソフトコンタクトレンズ用点眼剤。
【請求項３】
清涼化剤0.0001〜0.05％及び界面活性剤0.001％〜2.5％を含有することを特徴とするソフトコンタクトレンズ用点眼剤(ただし、界面活性剤の配合量が清涼化剤に対して75倍のものを除く)。
【請求項４】
清涼化剤が、ｌ−メントール、ｄ−メントール、ｄｌ−メントール、ｄ−カンフル、ｄｌ−カンフル、ｄ−ボルネオール、ｄｌ−ボルネオール、ゲラニオール、ユーカリ油、ベルガモット油、ウィキョウ油、ハッカ油、ローズ油、クールミントからなる群から選択される1種以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のソフトコンタクトレンズ用点眼剤。
【請求項５】
清涼化剤が、ｌ−メントール、ｄ−メントール、ｄｌ−メントール、ｄ−カンフル、ｄｌ−カンフル、ｄ−ボルネオール、ｄｌ−ボルネオール、ゲラニオールからなる群から選択される1種以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のソフトコンタクトレンズ用点眼剤。
【請求項６】
界面活性剤が、非イオン界面活性剤、両性界面活性剤からなる群から選択される１種以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のソフトコンタクトレンズ用点眼剤。
【請求項７】
非イオン界面活性剤がＰＯＥソルビタン脂肪酸エステル類及びＰＯＥ・ＰＯＰブロックコポリマーからなる群から選択される１種以上であることを特徴とする請求項６に記載のソフトコンタクトレンズ用点眼剤。
【請求項８】
ｌ−メントール、ｄ−メントール、ｄｌ−メントール、ｄ−カンフル、ｄｌ−カンフル、ｄ−ボルネオール、ｄｌ−ボルネオール、ゲラニオールからなる群から選択される1種以上の清涼化剤と、ＰＯＥソルビタン脂肪酸エステル類及びＰＯＥ・ＰＯＰブロックコポリマーからなる群から選択される１種以上の非イオン界面活性剤を含有し、非イオン界面活性剤の配合量が清涼化剤に対して、10〜50倍であることを特徴とするソフトコンタクトレンズ用点眼剤。
【請求項９】
ソフトコンタクトレンズ装用時に点眼することができることを特徴とする請求項１〜８のいずれか1項に記載のソフトコンタクトレンズ用点眼剤。
【請求項１０】
清涼化剤によるソフトコンタクトレンズのサイズ変化を、界面活性剤により抑制する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月21日(2005.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空隙の総体積が４０パーセントを超える開放セルのレリーフ表面を有した、エラストマー材料のクッション層を含み、前記開放セルは層のフロアから突き出た複数の鉛筆状の部材またはフィンガによって形成されていることを特徴とする、印刷の間中、印刷シリンダに取り付けられたフレキソ印刷版の衝撃を緩和する要素。
【請求項２】
印刷側と反対にある裏面を有する印刷版とあいまって、前記クッション層のレリーフ表面が前記版の裏面と向き合っていることを特徴とする請求項１に記載の要素。
【請求項３】
印刷シリンダとあいまって、前記クッション層のレリーフ表面が前記印刷シリンダと向き合っていることを特徴とする請求項１に記載の要素。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
複数の開放セルの各開放セルは、そこからエラストマー材料のいくつかの部分を除去して、層の表面からレリーフを形成するエラストマー材料の体積と考えられる。除去された材料から創出した空隙をクッション層の表面から観察でき、即ち完全に層の内部にある空隙は存在しないため、それぞれの気泡は開放している。開放セルは、レリーフ深さまで除去された材料の領域という表現で説明することができ、または最も好ましいのは、開放セルが空隙の体積パーセントという表現で説明されることである。空隙の体積パーセントとは、除去されたエラストマー材料の、気泡当たりの百分率である（即ち、クッション層の単位体積当たり）。クッション層の開放セルは、空隙の総体積が４０パーセントを超え、好ましいのは少なくとも８０パーセントであり、最も好ましいのは９０〜９８パーセントの空隙体積である。このため、開放セルが４０パーセントを超える空隙体積を有する場合、エラストマー材料の６０パーセント未満が開放セルとして存在する。空隙の体積パーセントが４０パーセントよりも大きい体積に増加し、特に空隙体積が８０パーセントよりも大きくなると、クッション層内の開放セルは層のフロアから突き出た鉛筆状の部材またはフィンガとして現れる。クッション層の所定領域内にある開放セルは空隙の総体積が４０パーセントを超え、この層が十分に印刷版の衝撃を緩和することから、これら開放セルの数に制限はない。層内の開放セルが少数であると、フレキソ印刷版の衝撃を緩和するのに十分でないことがある。クッション層に多数の開放セルが存在するのが好ましいため、このクッション層の開放セルは、釘の基部（bed of nail ）に似て、層のフロアから突き出た複数の鉛筆状の部材またはフィンガとして現れる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
レリーフ・パターンを形成するプロセスは、支持体（すなわち、光重合性層のレリーフのない側）を通した化学線放射に対するブランケット露光である、裏面露光またはバックフラッシュ段階を含むこともできる。このようなブランケット露光は、この層の支持体側に重合体材料の薄い層すなわちフロアを創出し、光重合性層に感光性を付与するために用いられる。フロアは、一般にレリーフの深さを確立する。バックフラッシュ露光は、他の像形成段階の前、間中、または後に行うことができる。従来の放射線源をバックフラッシュ露光段階で使用することができ、数秒から約１分までの範囲で変化する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月11日(2004.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
支持体上に多孔質顔料を含有するインク受容層を設けたインクジェット記録媒体において、該支持体が少なくとも２枚の紙シートの間に合成高分子フィルムを挟んでなる積層体であることを特徴とするインクジェット記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、下記の態様を含む。
〔１〕支持体上に多孔質顔料を含有するインク受容層を設けたインクジェット記録媒体において、該支持体が少なくとも２枚の紙シートの間に合成高分子フィルムを挟んでなる積層体であることを特徴とするインクジェット記録媒体。
〔２〕ＪＩＳ  Ｐ８１１８に準じて測定した支持体の密度が、０．９５ｇ／ｃｍ３以上１．６０ｇ／ｃｍ３以下、支持体の厚さが１００μｍ以上、３００μｍ以下であることを特徴とする〔１〕記載のインクジェット記録媒体。
〔３〕合成高分子フィルムがエチレン酢酸ビニル共重合体、ポリオレフィン系高分子フィルム、ポリビニルアルコール類、ポリビニルアルコール系共重合体類、ハロゲン含有重合体および共重合体類、ポリブチレンサクシネート、ポリカプロラクトン、ポリ乳酸、セルロース誘導体を含む生分解性フィルムより選ばれる合成高分子フィルムである〔１〕または〔２〕記載のインクジェット記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月1日(2004.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カルシウムアルミネート、硫酸塩水溶液又は硫酸塩スラリー、及びアルカリ金属アルミン酸塩を含有してなる急結材。
【請求項２】
セメントと、請求項１記載の急結材とを含有してなる急結性吹付セメントコンクリート。
【請求項３】
請求項１記載の急結材を使用してなることを特徴とする吹付工法。
【請求項４】
セメントコンクリートにまず硫酸塩水溶液又は硫酸塩スラリーを添加し、次いでカルシウムアルミネートとアルカリ金属アルミン酸塩の混合物を添加してなる吹付工法。
【請求項５】
硫酸塩水溶液又は硫酸塩スラリーを、カルシウムアルミネートとアルカリ金属アルミン酸塩の混合物にまず添加し、次いでセメントコンクリートに添加してなる吹付工法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、カルシウムアルミネート、硫酸塩水溶液又は硫酸塩スラリー、及びアルカリ金属アルミン酸塩を含有してなる急結材であり、セメントと、該急結材とを含有してなる急結性吹付セメントコンクリートであり、該急結材を使用してなることを特徴とする吹付工法であり、セメントコンクリートにまず硫酸塩水溶液又は硫酸塩スラリーを添加し、次いでカルシウムアルミネートとアルカリ金属アルミン酸塩の混合物を添加してなる吹付工法であり、硫酸塩水溶液又は硫酸塩スラリーを、カルシウムアルミネートとアルカリ金属アルミン酸塩の混合物にまず添加し、次いでセメントコンクリートに添加してなる吹付工法である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月21日(2004.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カルシウム含有固体物質をリン酸イオンを含み且つｐＨが７．０以上の水溶液と接触させることを特徴とする多孔質アパタイトを少なくとも表層に有する固体物質の製造方法。
【請求項２】
水溶液中のリン酸イオン濃度が０．１モル／Ｌ（リッター）以上である請求項１に記載の固体物質の製造方法。
【請求項３】
リン酸イオンを含み且つｐＨが７．０以上の水溶液が、正リン酸の水溶液にアンモニア、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウムの内の少なくとも１種を加えてｐＨを７．０以上に調整したものである請求項１に記載の固体物質の製造方法。
【請求項４】
リン酸イオンを含み且つｐＨが７．０以上の水溶液が、リン酸二水素アンモニウム、リン酸水素二アンモニウム、リン酸二水素ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素カリウム及びリン酸水素二カリウムよりなる群から選ばれる少なくとも１種の水溶液、又は必要に応じてアルカリ性物質を添加してｐＨを７．０以上に調整したものである請求項１に記載の固体物質の製造方法。
【請求項５】
カルシウム含有固体物質が、炭酸カルシウムを主成分とする固体物質である請求項１に記載の固体物質の製造方法。
【請求項６】
炭酸カルシウムを主成分とする固体物質が、石灰石、貝殻、ウニ殻及びサンゴのうちのいずれかである請求項５に記載の固体物質の製造方法。
【請求項７】
カルシウム含有固体物質が、ケイ酸カルシウムを主成分とする固体物質である請求項１に記載の固体物質の製造方法。
【請求項８】
ケイ酸カルシウムを主成分とする固体物質が、珪灰石（ウォラストナイト）及び石灰とケイ酸の混合物をオートクレーブ養生することにより生成したケイ酸カルシウム水和物のうちのいずれかである請求項７に記載の固体物質の製造方法。
【請求項９】
カルシウム含有固体物質が、石膏の水和硬化体、ポルトランドセメントの水和硬化体及びアルミナセメントの水和硬化体のうちのいずれかである請求項１に記載の固体物質の製造方法。
【請求項１０】
芯部のカルシウム含有固体物質の少なくとも表層に多孔質アパタイトを有する固体物質であって、前記多孔質アパタイトは所定の厚さおよび幅を有する六角板状のアパタイト結晶からなり、その結晶粒子間に所定の隙間を有し細孔が形成されていることを特徴とする新規な固体物質。
【請求項１１】
生体高分子や生体有害有機または無機イオンの吸着材、薬剤徐放担持体、微生物や酵素の担持体、トリクレンなどの有機塩素化合物の無害化分解触媒から選ばれる用途に使用されることを特徴とする請求項１０に記載の新規な固体物質。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月3日(2004.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバ母材を一端から溶融線引きし、ファイバー化して得られる紫外線伝送用ファイバーであって、コアとして石英ガラスを用い、該コア部の石英ガラス中に含有される水素分子濃度が１×１０17個／ｃｍ3 以上であることを特徴とする紫外線伝送用光ファイバー。
【請求項２】
コア部として水素含有濃度が１×１０17個／ｃｍ3 以下である石英ガラスを用いた光ファイバー母材を、線引きしてファイバー化した後に、水素添加処理を行うことを特徴とする紫外線伝送用光ファイバーの製造方法。
【請求項３】
水素添加処理は６００℃以下の温度で行うことを特徴とする請求項２記載の紫外線伝送用光ファイバーの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
次に、本発明者らは、紫外線伝送用光ファイバーの純粋石英コア中に水素分子濃度が１×１０17個／ｃｍ3 以上含有されていたとしても、光ファイバー母材の純粋石英ガラスコア中に水素分子が１×１０17個／ｃｍ3 以上含有されていると、高エネルギーの紫外線を伝送した際に損失増加を抑えることができない場合があることを見いだした。すなわち、光ファイバー母材中に水素分子が含有されていると、線引きの段階で高温度にさらされるため、水素分子と純粋石英ガラスが反応し、酸素欠乏型欠陥≡Ｓｉ−Ｓｉ≡、若しくは水素化物≡Ｓｉ−Ｈが生成されることを見いだしたのである。これらの欠陥は、純粋石英ガラスを構成する結合≡Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ≡結合に比較すると結合エネルギが小さいので、高エネルギの紫外線が伝送される際に結合が破壊されＥ’センターとなり、２１４ｎｍ吸収帯が生成する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
1999180731.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月15日(2004.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
カセット４には、積層された複数枚の薬袋５が収容されている。前記付勢プレート２は、カセット４内の後方側に支軸２ａを中心として回動自在に配設され、カセット４内の前方側に配設したスプリング７によって上方に付勢されている。付勢プレート２の背面側中央部に第１切欠き部８、両側中央部に第２切欠き部９がそれぞれ形成されている。第１切欠き部８には、カセット４の底面に着脱可能に配設した位置規制板１０が位置している。第２切欠き部９には、カセット４の底面から後述するガイド板１１が立設している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月21日(2005.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  少なくとも２種類の異なる基体を移動表面から定着ステーションへ前進させる装置であって、
移動表面から前記基体を受け取るとともに、前記基体を定着ステーションへ一定の速度で前進させることが可能な移送機構と、
前記基体が第１の種類の基体である場合には第１の信号を生成するとともに、前記基体が第２の種類の基体である場合には第２の信号を生成するセンサーと、
前記第１の信号が生成された場合には第１の定着速度で前記第１の種類の基体上のトナーを定着するとともに、前記第２の信号が生成された場合には前記第１の定着速度よりも低い第２の定着速度で前記第２の種類の基体上のトナーを定着する定着ステーションと、
空気を移動させ、それによって生じる空気圧により、前記第１の信号が生成された場合には前記移送機構上の前記第１の種類の基体に対する駆動力を高めるとともに、前記第２の信号が生成された場合には前記移送機構上の前記第２の種類の基体に対する駆動力を低下させるようにした空気移動装置とを備えた前記装置。
【請求項２】  前記空気移動装置を選択的に駆動する制御可能な電力供給装置を更に備えた請求項１に記載の装置。
【請求項３】  前記センサー及び前記電力供給装置に接続され、前記センサーが第２の信号を生成した場合には前記電力供給装置を予め設定された時間オフすることにより前記第２の種類の基体に対する駆動力を低下させるように動作可能なタイマーを更に備えた請求項２に記載の装置。
【請求項４】  前記低下させた駆動力は、前記第２の種類の基体が前記定着ステーションに到達した時に前記第２の種類の基体が前記移送機構上でスリップするように前記第２の種類の基体に対する屈曲防止力より低く設定された請求項３に記載の装置。
【請求項５】  前記第２の種類の基体は透明体である請求項４に記載の装置。
【請求項６】  前記第２の種類の基体はカラー透明体である請求項４に記載の装置。
【請求項７】  少なくとも２種類の基体上に定着像を形成するための印刷機であって、
トナーを支持した基体を前進させるベルトと、
前記ベルトからトナー支持基体を受け取るとともに、前記トナー支持基体を定着ステーションへ一定の速度で前進させることが可能な移送機構と、
前記トナー支持基体が第１の種類の基体である場合には第１の信号を生成するとともに、前記トナー支持基体が第２の種類の基体である場合には第２の信号を生成するセンサーと、
前記第１の信号が生成された場合には第１の定着速度で前記第１の種類の基体上のトナーを定着するとともに、前記第２の信号が生成された場合には前記第１の定着速度よりも低い第２の定着速度で前記第２の種類の基体上のトナーを定着する定着ステーションと、
空気を移動させ、それによって生じる空気圧により、前記第１の信号が生成された場合には前記移送機構上の前記第１の種類の基体に対する駆動力を高めるとともに、前記第２の信号が生成された場合には前記移送機構上の前記第２の種類の基体に対する駆動力を低下させるようにした空気移動装置とを備えた印刷機。
【請求項８】  前記空気移動装置を選択的に駆動する制御可能な電力供給装置を更に備えた請求項７に記載の印刷機。
【請求項９】  前記センサー及び前記電力供給装置に接続され、前記センサーが第２の信号を生成した場合には前記電力供給装置を予め設定された時間オフすることにより前記第２の種類の基体に対する駆動力を低下させるように動作可能なタイマーを更に備えた請求項８に記載の印刷機。
【請求項１０】  前記低下させた駆動力は、前記第２の種類の基体が前記定着ステーションに到達した時に前記第２の種類の基体が前記移送機構上でスリップするように前記第２の種類の基体に対する屈曲防止力より低く設定された請求項９に記載の印刷機。
【請求項１１】  前記第２の種類の基体は透明体である請求項７に記載の印刷機。
【請求項１２】  前記第２の種類の基体はカラー透明体である請求項７に記載の印刷機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の特徴によれば、少なくとも２種類の異なる基体を移動表面から定着ステーションへ前進させる装置を提供する。この装置は、移動表面から前記基体を受け取るとともに、前記基体を定着ステーションへ一定の速度で前進させることが可能な移送機構と、前記基体が第１の種類の基体である場合には第１の信号を生成するとともに、前記基体が第２の種類の基体である場合には第２の信号を生成するセンサーと、前記第１の信号が生成された場合には第１の定着速度で前記第１の種類の基体上のトナーを定着するとともに、前記第２の信号が生成された場合には前記第１の定着速度よりも低い第２の定着速度で前記第２の種類の基体上のトナーを定着する定着ステーションと、空気を移動させ、それによって生じる空気圧により、前記第１の信号が生成された場合には前記移送機構上の前記第１の種類の基体に対する駆動力を高めるとともに、前記第２の信号が生成された場合には前記移送機構上の前記第２の種類の基体に対する駆動力を低下させるようにした空気移動装置とを備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明のもうひとつの側面によれば、少なくとも２種類の基体上に定着像を形成するための印刷機を提供する。この印刷機は、トナーを支持した基体を前進させるベルトと、前記ベルトからトナー支持基体を受け取るとともに、前記トナー支持基体を定着ステーションへ一定の速度で前進させることが可能な移送機構と、前記トナー支持基体が第１の種類の基体である場合には第１の信号を生成するとともに、前記トナー支持基体が第２の種類の基体である場合には第２の信号を生成するセンサーと、前記第１の信号が生成された場合には第１の定着速度で前記第１の種類の基体上のトナーを定着するとともに、前記第２の信号が生成された場合には前記第１の定着速度よりも低い第２の定着速度で前記第２の種類の基体上のトナーを定着する定着ステーションと、空気を移動させ、それによって生じる空気圧により、前記第１の信号が生成された場合には前記移送機構上の前記第１の種類の基体に対する駆動力を高めるとともに、前記第２の信号が生成された場合には前記移送機構上の前記第２の種類の基体に対する駆動力を低下させるようにした空気移動装置とを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月16日(2004.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像形成装置から搬出された画像形成済みのシートを、ステイプル処理したのち、排出手段により排紙トレイに排出するシート後処理装置において、
前記画像形成済みの各種サイズのシートにステイプル処理するステイプラの平行移動と回転を１個の駆動源により駆動可能に構成し、前記各種サイズのシートのうち小サイズのシートに対してはシート搬送方向と直交する幅方向にステイプラを平行移動させてステイプル処理し、前記各種サイズのシートのうち大サイズのシートに対してはステイプラの平行移動とカム板とカムフォロワとによる回転とによりステイプル処理することを特徴とするシート後処理装置。
【請求項２】
前記カム板はシート後処理装置本体に固定され、前記カムフォロワはステイプラに固設されていることを特徴とする請求項１に記載のシート後処理装置。
【請求項３】
前記ステイプラに固設したカムフォロワは、前記カム板に形成された溝カム部の往動経路又は復動経路に沿って移動し、前記カムフォロワが溝カム部の往動経路を移動するとき前記ステイプラを前記平行移動から回転移動に角度変更し、前記カムフォロワが溝カム部の復動経路を移動するとき前記ステイプラを前記回転移動から平行移動に角度変更することを特徴とする請求項２に記載のシート後処理装置。
【請求項４】
前記小サイズのシートに対しては、シートの側縁２箇所にステイプル処理を行い、前記大サイズのシートに対しては、シートのコーナー１箇所にステイプル処理を行うことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載のシート後処理装置。
【請求項５】
前記駆動源は１対のステイプラを平行移動および回転させることを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載のシート後処理装置。
【請求項６】
前記ステイプラの回転駆動は、前記駆動源によってシート搬送方向と直交する前記シートの幅方向に前記ステイプラを移動させる駆動力により行われることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載のシート後処理装置。
【請求項７】
画像形成装置から搬出された画像形成済みのシートを、ステイプル処理したのち、排出手段により排紙トレイに排出するシート後処理装置であって、
ステイプラの平行移動と回転とによりシートのコーナーにステイプル処理する第１のステイプル処理、およびシート搬送方向と直交する幅方向にステイプラを平行移動させてシートの中央付近に平行してステイプル処理する第２のステイプル処理を有するとともに、
前記第１のステイプル処理における前記ステイプラの回転はカム板とカムフォロワによって行われることを特徴とするシート後処理装置。
【請求項８】
画像形成装置から搬出された画像形成済みのシートを、ステイプル処理したのち、排出手段により排紙トレイに排出するシート後処理装置であって、
シートのコーナーにステイプル処理する第１のステイプル処理、およびシートの中央付近に平行してステイプル処理する第２のステイプル処理を有し、
前記第１のステイプル処理と前記第２のステイプル処理のいずれか一方はステイプラの移動に伴い、カム板とカムフォロワによってステイプラの回転が行われることを特徴とするシート後処理装置。
【請求項９】
前記カム板はシート後処理装置本体に固定され、前記カムフォロワはステイプラに固設されていることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載のシート後処理装置。
【請求項１０】
前記ステイプラに固設したカムフォロワは、前記カム板に形成された溝カム部の往動経路又は復動経路に沿って移動し、前記カムフォロワが溝カム部の往動経路を移動するとき前記ステイプラを前記平行移動から回転移動に角度変更し、前記カムフォロワが溝カム部の復動経路を移動するとき前記ステイプラを前記回転移動から平行移動に角度変更することを特徴とする請求項９に記載のシート後処理装置。
【請求項１１】
１対のステイプラを有することを特徴とする請求項７乃至１０の何れか一項に記載のシート後処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発明のシート後処理装置は、以下のいずれかによって提供される。
（１）画像形成装置から搬出された画像形成済みのシートを、ステイプル処理したのち、排出手段により排紙トレイに排出するシート後処理装置において、記画像形成済みの各種サイズのシートにステイプル処理するステイプラの平行移動と回転を１個の駆動源により駆動可能に構成し、前記各種サイズのシートのうち小サイズのシートに対してはシート搬送方向と直交する幅方向にステイプラを平行移動させてステイプル処理し、前記各種サイズのシートのうち大サイズのシートに対してはステイプラの平行移動とカム板とカムフォロワとによる回転とによりステイプル処理することを特徴とするシート後処理装置。
（２）画像形成装置から搬出された画像形成済みのシートを、ステイプル処理したのち、排出手段により排紙トレイに排出するシート後処理装置であって、ステイプラの平行移動と回転とによりシートのコーナーにステイプル処理する第１のステイプル処理、およびシート搬送方向と直交する幅方向にステイプラを平行移動させてシートの中央付近に平行してステイプル処理する第２のステイプル処理を有するとともに、前記第１のステイプル処理における前記ステイプラの回転はカム板とカムフォロワによって行われることを特徴とするシート後処理装置。
（３）画像形成装置から搬出された画像形成済みのシートを、ステイプル処理したのち、排出手段により排紙トレイに排出するシート後処理装置であって、シートのコーナーにステイプル処理する第１のステイプル処理、およびシートの中央付近に平行してステイプル処理する第２のステイプル処理を有し、前記第１のステイプル処理と前記第２のステイプル処理のいずれか一方はステイプラの移動に伴い、カム板とカムフォロワによってステイプラの回転が行われることを特徴とするシート後処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月7日(2004.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テトラヒドロフラン溶媒中、クロロエチレンカーボネートにトリエチルアミンを反応させることを特徴とするビニレンカーボネートの製造方法。
【請求項２】
反応を温度４０〜９０℃で行うことを特徴とする、請求項１に記載のビニレンカーボネートの製造方法。
【請求項３】
反応を不活性ガス雰囲気下で行うことを特徴とする請求項１または２に記載のビニレンカーボネートの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月23日(2004.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
【実施例】
以下に、実施例に基づき、本発明を具体的に説明する。
（実施例１−１）
三口フラスコに、エポキシシラン（Ａ−１８７、日本ユニカー社製、化学構造式は前記式（９）で与えられる、ＮＭＲチャートを図２に示す）１１８ｇ（０．５ｍｏｌ）を溶かしたアセトン溶液３００ｍｌを入れ、これに、チオ尿素５３．３ｇ（０．７ｍｏｌ）を含むアセトン溶液３００ｍｌを滴下した。滴下終了後、１２時間室温下で攪拌した。アセトンを減圧留去後、エーテルを加え、濾過し、濾物を数回エーテルで洗浄した。得られたエーテル溶液を硫酸マグネシウムで乾燥し、エーテルを減圧留去後、減圧乾燥することにより、１分子中にチイラン環とアルコキシシリル基を有する化合物を合成した。得られた化合物の構造を、ＮＭＲにて確認した。ＮＭＲチャートを図３に示す。
化学構造式は前記式（５）で示される。
なお、後述の表１では、ＳＣ（１）として示した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
（実施例１−２）
エポキシシランとして、前記式（１０）で与えられる化合物（Ａ−１８６、日本ユニカー社製）を用いた以外は、実施例１と同様にして１分子中にチイラン環とアルコキシシリル基を有する化合物を合成した。
化学構造式は前記式（６）で示される。
なお、後述の表１では、ＳＣ（２）として示した。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月2日(2004.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（I）
【化１】
1999180984.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【化２】
1999180984.tif 000002
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【化３】
1999180984.tif 000003
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
試験例２：ヒト乳癌MCF-7 、ヒト膀胱癌Ｔ24、ヒト類表皮癌A431およびヒト腎癌ACHN細胞に対する増殖阻害
MCF-7 およびＴ24の場合は1×10３個／ウェル、A431およびACHNの場合1.5 ×10３個／ウェルの細胞を96穴マイクロタイタープレート（Nunc#167008 ）に分注し、37℃、24時間、5%炭酸ガスインキュベータ内で培養した。その後、30mMのChrolactomycin化合物を3倍ずつ希釈し、それぞれをウェルに50μl ずつ添加した。このときの各溶液の終濃度は最高で 100μM となる。さらに37℃で72時間、5%炭酸ガスインキュベータ内で培養した。培養終了5時間前、終濃度1mg/mlとなるように、あらかじめ培養培地に溶解しておいたMTT[3-(4,5-dimethylthiazol-2-yl)-2,5-diphenyltetrazolium bromide、Sigma社]を培養培地中に50μl/ウェルずつ分注した。培養終了後、DMSOを 150μl/ウェルずつ分注し、プレートミキサーで激しく撹拌し、MTT-ホルマザンの結晶を完全に溶解した。その後、マイクロプレート分光光度計M-SPmax250（和光純薬社製）で550nm の吸光度を測定した。細胞増殖抑制活性は 50%増殖阻止濃度IC５０で示した。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月30日(2004.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線を収束させるための収束レンズと、
試料を載置した試料台と、荷電粒子線を前記試料上に結像させるための対物レンズと、
前記対物レンズで発生する歪曲収差を打ち消す如く補正する如く励磁された補正レンズと、
前記補正レンズを挟んで前記試料台に載置された試料上を荷電粒子線が走査するための偏向器とを有することを特徴とする荷電粒子線顕微鏡装置。
【請求項２】
荷電粒子源と、
前記荷電粒子源より発生した荷電粒子線を収束させるための収束レンズと、
前記収束レンズを経た荷電粒子線を偏向するための偏向器と、
試料を載置した試料台と、前記偏向器により偏向された荷電粒子線を前記試料台の試料上に結像させるための対物レンズと、
前記対物レンズと前記偏向器との間に前記対物レンズで発生する歪曲収差を補正するための補正レンズとを具備することを特徴とする荷電粒子線応用装置。
【請求項３】
前記偏向器は上段偏向器と下段振り戻し偏向器から成ることを特徴とする請求項２記載の荷電粒子線応用装置。
【請求項４】
前記補正レンズは前記対物レンズの歪曲収差を打ち消す方向の歪曲収差を有することを特徴する請求項２記載の荷電粒子線応用装置。
【請求項５】
荷電粒子線を偏向するための偏向器と、
試料を載置した試料台と、
前記偏向器により偏向された荷電粒子線を前記試料台の試料上に結像させるための対物レンズと、
前記試料台と前記対物レンズとの間に設けられた第２レンズと、
前記対物レンズと前記偏向器との間に前記対物レンズと前記第２のレンズで発生する偏向歪みを補正するための第１のレンズを設けてなることを特徴とする荷電粒子線応用装置。
【請求項６】
前記第２のレンズは前記対物レンズの磁路下面に有する電極と前記試料台上の試料に減速電圧が印加できる電極との間に電圧を印加して成る静電レンズで有ることを特徴する請求項５記載の荷電粒子線応用装置。
【請求項７】
一次荷電粒子線を試料台上の試料に収束させて照射するための対物レンズと、
一次荷電粒子線を偏向させるための偏向器と、
前記対物レンズの磁路の下部に設けた第１電極と、
試料台に設けられた第２電極と、前記第１と第２電極間で発生する減速電界中を一次荷電粒子線が通過する際に受ける収差を補正するための補正レンズを前記偏向器と前記対物レンズとの間に具備することを特徴する荷電粒子線応用装置。
【請求項８】
電子源より発生した電子線を所定の電圧まで加速するための１段以上の静電レンズと、
該電子線を試料に収束させて照射するための１段以上の収束レンズおよび対物レンズと、
該電子線を偏向させるための１段以上の偏向器と、
前記対物レンズで発生する歪曲収差を補正する補正磁界レンズとを有し、
前記偏向器、前記補正磁界レンズおよび前記対物レンズによる電子線偏向によって電子線を前記試料面上で２次元的に走査し、
前記試料から２次的に発生する電子線の強度を電子線の走査と同期して検出し輝度変調して走査電子顕微鏡画像を表示する画像表示装置とを具備したことを特徴とする電子顕微鏡装置。
【請求項９】
電子線源と、
該電子線源より発生した電子線を収束させるための収束レンズと、
該収束レンズを経た電子線を偏向するための偏向器と、
該偏向器により偏向された電子線を試料上に結像させるための対物レンズとを用いて、試料上に電子線を走査し、
該試料から２次的に発生する電子線を検出して２次元走査電子顕微鏡画像を取得するようにした電子顕微鏡装置において、前記対物レンズの電子線源側に、前記対物レンズの励磁方向とは逆の方向の励磁磁界レンズを設けてなることを特徴とする電子顕微鏡装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月21日(2004.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記コバルト被覆工程において、
前記多孔質導電性基板を少なくともコバルトを含有する塩溶液からなる含浸液に浸漬する第１浸漬工程と、
前記含浸液に浸漬された多孔質導電性基板をアルカリ溶液に浸漬して少なくともコバルトを含有する水酸化物層を前記多孔質導電性基板の表面に形成する第１アルカリ処理工程と、
アルカリ水溶液と酸素の共存下で熱処理して前記コバルトを高次コバルト酸化物に高次化するアルカリ熱処理工程とを備えるようにしたことを特徴とする請求項３に記載のアルカリ蓄電池用ニッケル極板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
そして、コバルト被覆工程において、多孔質導電性基板を少なくともコバルトを含有する塩溶液からなる含浸液に浸漬する第１浸漬工程と、この含浸液に浸漬された多孔質導電性基板をアルカリ溶液に浸漬して少なくともコバルトを含有する水酸化物層を多孔質導電性基板表面に形成する第１アルカリ処理工程と、アルカリ水溶液と酸素の共存下で熱処理してコバルトを高次コバルト酸化物に高次化するアルカリ熱処理工程とを備えるようにするのが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月16日(2004.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
ウエハ搬送ユニット４と洗浄処理ユニット３とを仕切る境界壁２５には、ウエハＷの搬送のための窓部２５ａが形成され、この窓部２５ａは、昇降機構２６ｂにより昇降自在となっているシャッター２６ａによって開閉される。シャッター２６ａは洗浄処理装置１においては、ウエハ搬送ユニット４側に設けられているが、洗浄処理ユニット３側に設けることもできる。ウエハ搬送ユニット４と洗浄処理ユニット３との間でのウエハＷの搬送はこの窓部２５ａを介して行われる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月15日(2004.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎビットの認識番号を記憶する半導体チップと、
前記半導体チップに接続され前記識別番号を送出するアンテナとを有し、
前記識別番号は、絶縁層間の配線を接続するスルーホール穴の有無によって記憶されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記スルーホール穴は、電子線を照射された部分に形成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体チップは、トランジスタとプリチャージ回路とを有し、
前記トランジスタは、前記プリチャージ回路により充電される電荷の充放電を制御し、
前記絶縁層下の前記配線は前記トランジスタに接続されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップは第１の共通配線と、第２の共通配線を有し、
前記トランジスタの各ドレーン、各ソースはそれぞれ第１の共通配線、第２の共通配線に接続されることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
デコード回路を有し、
前記プリチャージ回路は前記電荷を前記第１の共通配線の浮遊容量に一時的に蓄え、
前記デコード回路は、前記トランジスタのオンオフと、前記第２の共通配線の接地レベルへの接続、非接続の選択をし、
前記認識番号は、前記第１の共通配線の電圧レベルによって出力されることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記スルーホール穴は、前記トランジスタのソース配線を含む面上に形成される絶縁層に形成され、
上記絶縁層上に形成される配線は該スルーホール穴を介して上記ソース配線と接続されることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月23日(2005.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、図４（ｂ）に示すように、主ビームスポット１３がトラックの中心から少しずれると、図４（ｃ）の回路からの出力１６は、マイナスもしくはプラスの誤差信号１６が出力される。つまり、この誤差信号１６は、トラックのどちらにずれているのかと、そのずれ量の情報を与えることになる。この誤差信号を絶えずゼロになるように、主ビームスポットの位置を制御することにより、トラッキングがなされている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月22日(2004.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応ガスを供給する反応管と、前記反応ガスに作用する第１，第２の電極とを備え、前記第１，第２の電極に高周波電力を供給して反応ガスを励起し、発生させたプラズマで被処理基板を処理するプラズマ処理装置であって、
第１の電極に高周波電力を供給する第１の電源と、
第２の電極に前記高周波電力よりも低い周波数の電力を供給する第２の電源と
を設け、前記第１，第２の電極を前記反応管の外周部に前記反応管を挟んで対向するように配置した
プラズマ処理装置。
【請求項２】
反応ガスを供給する反応管と、前記反応ガスに作用する第１，第２の電極とを備え、前記第１，第２の電極に高周波電力を供給して反応ガスを励起し、発生させたプラズマで被処理基板を処理するプラズマ処理装置であって、
第１の電極に高周波電力を供給する第１の電源と、
第２の電極に前記高周波電力よりも低い周波数の電力を供給する第２の電源と
を設け、前記１，第２の電極を前記反応管の内周部に対向するよう配置した
プラズマ処理装置。
【請求項３】
第２の電源より供給される電源周波数が１００ｋＨｚ以下である
請求項１または請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
反応管に反応ガスを供給し、電極に高周波電力を供給して前記反応管の反応ガスを励起し、発生したプラズマで被処理基板を処理するに際し、
高周波電力とこの高周波電力の周波数よりも低い周波数の電力との合成電力によって反応ガスを励起してプラズマを発生させる
プラズマ処理方法。
【請求項５】
前記低い周波数が１００ｋＨｚ以下である請求項４記載のプラズマ処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１記載のプラズマ処理装置は、反応ガスを供給する反応管と、前記反応ガスに作用する第１，第２の電極とを備え、前記第１，第２の電極に高周波電力を供給して反応ガスを励起し、発生させたプラズマで被処理基板を処理するプラズマ処理装置であって、第１の電極に高周波電力を供給する第１の電源と、第２の電極に前記高周波電力よりも低い周波数の電力を供給する第２の電源とを設け、前記第１，第２の電極を前記反応管の外周部に前記反応管を挟んで対向するように配置したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の請求項２記載のプラズマ処理装置は、反応ガスを供給する反応管と、前記反応ガスに作用する第１，第２の電極とを備え、前記第１，第２の電極に高周波電力を供給して反応ガスを励起し、発生させたプラズマで被処理基板を処理するプラズマ処理装置であって、第１の電極に高周波電力を供給する第１の電源と、第２の電極に前記高周波電力よりも低い周波数の低周波電力を供給する第２の電源とを設け、前記１，第２の電極を前記反応管の内周部に対向するよう配置したことを特徴とする。
本発明の請求項３記載のプラズマ処理装置は、請求項１または請求項２において、第２の電源より供給される電源周波数が１００ｋＨｚ以下であることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の請求項４記載のプラズマ処理方法は、反応管に反応ガスを供給し、電極に高周波電力を供給して前記反応管の反応ガスを励起し、発生したプラズマで被処理基板を処理するに際し、高周波電力の周波数よりもよりも低い周波数の電力との合成電力によって反応ガスを励起してプラズマを発生させることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の請求項５記載のプラズマ処理方法は、請求項４において、前記低い周波数が１００ｋＨｚ以下であることを特徴とする。
以下、本発明の実施の形態を具体例に基づき図１と図２を用いて説明する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
【発明の効果】
以上のように本発明のプラズマ処理装置によると、反応ガスを供給する反応管と、前記反応ガスに作用する第１，第２の電極とを備え、前記第１，第２の電極に高周波電力を供給して反応ガスを励起し、発生させたプラズマで被処理基板を処理するプラズマ処理装置であって、第１の電極に高周波電力を供給する第１の電源と、第２の電極に前記高周波電力よりも低い周波数の電力を供給する第２の電源とを設け、前記第１，第２の電極を前記反応管の外周部に前記反応管を挟んで対向するように配置したので、高周波電力とこれよりも低い周波数の低周波電力との合成電力によって反応ガスを励起することで、ヘリウムガスを使用しなくても大気圧雰囲気下での安定したプラズマ発生が可能となり、ランニングコストを抑えたプラズマ処理が実現できる。