【手続補正書】
【提出日】平成16年8月19日(2004.8.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】      明細書 
【発明の名称】  露光装置及び露光装置を用いた半導体デバイスの製造方法 
【特許請求の範囲】 
【請求項１】  パターンの形成されたマスクを照明するための光源と； 
前記パターンを感光性基板に投影する投影光学系と； 
前記感光性基板が配置されるべき第１の面に配置されて、前記投影光学系を介して照明される前記第１の面における照度を計測する照度検出器と； 
前記第１の面を照明する前記光源からの光を制限する光量制限手段と； 
前記照度検出器による前記第１の面の照度の計測に合わせて、前記光量制限手段を制御する制御系とを備えることを特徴とする； 
露光装置。 
【請求項２】  前記光量制限手段は、前記マスクが実質的に配置されるべき面またはその面と実質的に共役な面である第２の面に配置されて、前記第２の面の照明される領域を制限するブラインドを含み； 
前記制御系は、前記ブラインドを前記第２の面内で駆動する駆動装置と、前記第１の面の前記照度検出器で照度を計測する位置に合わせて、前記ブラインドを追尾するように前記駆動装置を制御する制御器とを備えることを特徴とする； 
請求項１に記載の露光装置。 
【請求項３】  パターンの形成されたマスクを照明するための光源と； 
前記光源からの光に基づいて複数の光源像を形成するオプティカルインテグレータと； 
前記複数の光源像からの光により前記マスクを照明するためのコンデンサレンズ系と； 
前記コンデンサレンズを介して照明されたマスク上のパターンを感光性基板に投影する投影光学系と； 
前記感光性基板が配置されるべき第１の面に配置されて、前記投影光学系を介して照明される前記第１の面における照度を計測する照度検出器と； 
前記マスクが実質的に配置されるべき面またはその面と実質的に共役な面である第２の面に配置されて、前記第２の面の照明される領域を制限するブラインドを含み； 
前記照度検出器による前記第１の面の照度の計測位置に合わせて、前記ブラインドの位置を制御する制御系とを備えることを特徴とする； 
露光装置。 
【請求項４】  前記光量制限手段が、前記光源からの光を断続的に遮断するシャッターを含む；請求項１に記載の露光装置。 
【請求項５】  マスク上に形成されたパターンを感光性基板に投影する投影光学系を備えた露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法において； 
前記マスクが実質的に配置されるべき面に向けて照明光を供給する工程と； 
前記投影光学系の像面内での計測位置に前記照明光の一部を導くために、前記マスクが実質的に配置されるべき面またはその面と実質的に共役な面において、前記照明光を制限する工程と； 
前記投影光学系の像面内で前記計測位置を移動させることに応じて、前記制限された照明光が前記投影光学系の像面上にて集光される位置を前記計測位置と一致するように追尾させて制御する工程と； 
前記投影光学系の像面内で前記計測位置を移動させながら前記計測位置での照度を計測することにより、前記投影光学系の像面内での照度を計測する工程と； 
前記照度を計測する工程による計測結果に基づいて、前記投影光学系の像面内での照度を調整する工程と； 
前記マスク上のパターンを投影光学系を介して感光性基板に投影露光する工程と；を備える半導体デバイスを製造する方法。 
【請求項６】  前記投影光学系の像面内での照度を調整する工程は、前記マスクを照明する前記照明光による照度ムラを調整することを含むことを特徴とする請求項５に記載の半導体デバイスを製造する方法。 
【発明の詳細な説明】 
【０００１】 
【発明の属する技術分野】 
本発明は、露光装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法に関し、殊に半導体デバイスの製造工程におけるスループットの向上を図ることができる露光装置及びそのような露光装置を用いた半導体デバイスを製造する方法に関するものである。 
【０００２】 
【従来の技術】 
半導体デバイスの製造装置では、その装置が単位時間に何枚のウエハを処理することができるか、即ちいわゆるスループットを向上することは、製造装置の性能の重要な要素である。このことは特に、超ＬＳＩを経済的に生産する上で重要な事項である。一般に、スループットを向上させるには、露光装置の露光時間の短縮が必要であり、そのために超高圧水銀灯等のランプの電力を上げたり、または装置の光学系の効率を上げたりすることで露光面での照度をアップさせている。ところが、露光装置の照明光学系を調整したり、ランプを新品と交換する際には、露光面での照度均一性を確認しなければならない。この時、照度分布のスペックを満たさない場合にはランプや照明光学系の位置を微調整し、照度均一性を再測定するという作業が何度も繰り返して行われ、投影レンズに熱が蓄積される。 
【０００３】 
また、半導体デバイスの製造工程における露光工程に先だって、露光の照度均一性の確認を、レチクルなし、すなわち露光領域に制限を加えない状態で、露光面内において照度センサーをステップさせて照度の検出が行われている。 
【０００４】 
【発明が解決しようとする課題】 
しかしながら、上記のような従来の露光装置では、半導体製造工程の露光工程に先だって露光面の照度分布を確認する際に、露光領域に制限が加えられない状態で照明がされるので、投影レンズに限界値以上の多大な光量が入射することになる。投影レンズに限界値以上の多大な光量が入射すると、その熱によってレンズに歪みが発生して、フォーカスずれなどによる照射変動が発生する。そこで、照度分布を計測した後、実際に露光・焼き付けをするまでに、その光学系が冷却して照射変動が起こらないような状態となってからでないと、露光装置を使用することができない。このように露光工程の作業時間が長くなり、露光装置のダウンタイムがかさんで実質のスループットが低下する問題があった。 
【０００５】 
本発明は、上述のような課題に鑑みてなされたものであって、露光面の照度均一性の確認時に、多大な光束・光量が投影光学系に入射して蓄熱することがないようにして、スループットを向上させることができる露光装置及びそのような半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とするものである。 
【０００６】 
また、本発明は、露光面での照度均一性の確認時に照度センサーの計測位置にあわせてブラインドを絞って追尾するようにし、投影光学系に限界値以上の多大な光量が入射しないようにすることで露光装置の光学系調整時やランプ交換時の作業時間を大幅に短縮することができる露光装置及びそのような半導体デバイスの製造方法を提供することを目的とするものである。 
【０００７】 
【課題を解決するための手段】 
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、請求項１の発明の露光装置は、パターンの形成されたマスクを照明するための光源と；前記パターンを感光性基板に投影する投影光学系と；前記感光性基板が配置されるべき第１の面に配置されて、前記投影光学系を介して照明される前記第１の面における照度を計測する照度検出器と；前記第１の面を照明する前記光源からの光を制限する光量制限手段と；前記照度検出器による前記第１の面の照度の計測に合わせて、前記光量制限手段を制御する制御系とを備えることを特徴とする。 
【０００８】 
このように構成すると、投影光学系に供給される光量を制限するものであるが、光量制御手段は、例えば、照明領域を制限するレチクルブラインドで光束を制限して、計測位置に合わせて移動させて、多大の光束が投影レンズに通過して、熱が蓄積されるの防止し、また、光量制限手段として光束を時間的に遮断するシャッターを用いて、照度計測時のみシャッターを開くようにするような構成とすることもできる。 
【０００９】 
また、請求項２の発明では請求項１に記載の発明において、前記光量制限手段は、前記マスクが実質的に配置されるべき面またはその面と実質的に共役な面である第２の面に配置されて、前記第２の面の照明される領域を制限するブラインドを含み；前記制御系は、前記ブラインドを前記第２の面内で駆動する駆動装置と、前記第１の面の前記照度検出器で照度を計測する位置に合わせて、前記ブラインドを追尾するように前記駆動装置を制御する制御器とを備えることを特徴とする。 
【００１０】 
この発明では、制御器によってブラインドを追尾することで、計測面だけを照射しながら照度を計測することができる。 
【００１１】 
また、請求項３の発明では、パターンの形成されたマスクを照明するための光源と；前記光源からの光に基づいて複数の光源像を形成するオプティカルインテグレータと；前記複数の光源像からの光により前記マスクを照明するためのコンデンサレンズ系と；前記コンデンサレンズを介して照明されたマスク上のパターンを感光性基板に投影する投影光学系と；前記感光性基板が配置されるべき第１の面に配置されて、前記投影光学系を介して照明される前記第１の面における照度を計測する照度検出器と；前記マスクが実質的に配置されるべき面またはその面と実質的に共役な面である第２の面に配置されて、前記第２の面の照明される領域を制限するブラインドを含み；前記照度検出器による前記第１の面の照度の計測位置に合わせて、前記ブラインドの位置を制御する制御系とを備えることを特徴とする。 
【００１２】 
この発明では、制御系によってブラインドを追尾することで、計測面だけを照射しながら照度を計測することができるので、投影光学系に熱を蓄積させることがない。 
【００１３】 
また、請求項４の発明のように、請求項１に記載の発明において、前記光量制限手段が、前記光源からの光を断続的に遮断するシャッターを含むように構成すると、断続的に光束を入射するので、投影レンズに熱が蓄積されないので、スループットを高めることができる。 
【００１４】 
また、請求項５の発明による半導体デバイスを製造する方法は、マスク上に形成されたパターンを感光性基板に投影する投影光学系を備えた露光装置を用いて半導体デバイスを製造する方法において；前記マスクが実質的に配置されるべき面に向けて照明光を供給する工程と；前記投影光学系の像面内での計測位置に前記照明光の一部を導くために、前記マスクが実質的に配置されるべき面またはその面と実質的に共役な面において、前記照明光を制限する工程と；前記投影光学系の像面内で前記計測位置を移動させることに応じて、前記制限された照明光が前記投影光学系の像面上にて集光される位置を前記計測位置と一致するように追尾させて制御する工程と；前記投影光学系の像面内で前記計測位置を移動させながら前記計測位置での照度を計測することにより、前記投影光学系の像面内での照度を計測する工程と；前記照度を計測する工程による計測結果に基づいて、前記投影光学系の像面内での照度を調整する工程と；前記マスク上のパターンを投影光学系を介して感光性基板に投影露光する工程と；を備える。 
【００１５】 
この発明では、半導体デバイス製造における露光工程に先立ち、最小限の光量で行う照度の計測結果に基づいて、照度均一性を調整して半導体装置の露光を行い、短時間に露光工程に進むことができる。
また、請求項６の発明のように、請求項５に記載の発明において、投影光学系の像面内での照度を調整する工程は、マスクを照明する照明光による照度ムラを調整することにより行われてもよい。
この発明では、半導体デバイス製造における露光工程に先立ち、最小限の光量で行う照度の計測結果に基づいて、照明光による照度ムラを調整することにより照度均一性を調整して半導体装置の露光を行い、短時間に露光工程に進むことができる。 
【００１６】 
上記のように、本発明では、照明領域を制限する可変視野絞り（ブラインド）を露光面での照度均一性を確認する際に、照度センサーがステップする計測位置にあわせてブラインドを絞って追尾するようにし、投影レンズに限界値以上の多大な光束が入射しないようにしたものである。また、シャッターによって照度計測時のみ、シャッターを開いて照度を計測する。 
【００１７】 
また、本発明では、露光面での照度均一性を確認する際に、照度センサーがステップする計測位置にあわせてブラインドを絞って追尾するようにした。これにより投影レンズに限界値以上の多大な光束が制限され、入射しないため、投影レンズが照射変動することもなく作業効率が大幅に向上した。 
【００１８】 
【発明の実施の形態】 
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。以下の実施の形態の露光装置は、超ＬＳＩ等の半導体素子の製造に用いられる投影型露光装置である。なお、各図において互いに同一あるいは相当する部材には同一符号を付し、重複した説明は省略する。 
【００１９】 
図１は、本発明の第１の実施の形態を示す露光装置の概略図である。同図に示される投影露光装置は、レチクル９に形成されたパターンを所定の倍率でウエハ１２上に投影してパターンを焼き付ける装置である。まず楕円鏡２の第１焦点位置に超高圧水銀灯１が置かれており、その第１焦点と第２焦点との間には反射ミラー３が水銀灯１の光路上に配置されている。そのミラー３による反射光が収斂する点は、ミラー３により移動した前記楕円鏡２の第２焦点である。 
【００２０】 
第２焦点を通る光軸に沿って、コレクターレンズ４、波長選択フィルタ５、オプティカルインテグレータであるフライアイレンズ６がこの順に配列されている。このフライアイレンズ６は、多数の正レンズが束ねられたものである。さらにフライアイレンズ６の先には、折り曲げミラー７が入射した光束を垂直に曲げるように配置されており、その光束の向かう方向に、コンデンサー光学系としてのコンデンサーレンズ８、レチクル９の載置されるレチクルステージ（不図示）、投影レンズ１０、ウエハ１２を載置するウエハステージ１３が以上の順に配置されている。 
【００２１】 
ここで、レチクル相当位置９とコンデンサーレンズ８との間には、レチクル９の照明領域を制限するためのブラインド１７があり、装置全体の動作を制御するコントローラ１４がウエハの位置に応じて、ブラインド１７を駆動する駆動装置１６を制御するように接続されている。 
【００２２】 
また、ウエハステージ１３の移動は、干渉計等の位置検出部１８により検出され、この位置検出情報はコントローラ１４に入力されており、コントローラ１４は、位置検出部１８からの位置情報に基づいて、ステージ駆動部１９を介してウエハステージ１３の位置を制御している。 
【００２３】 
また、フライアイレンズ６の射出面には、絞り部材１５が設けられており、投影レンズ１０の光軸方向及びこの光軸に垂直な平面内でウエハの位置決めを行うウエハステージ１３上には光電変換素子としての照度計センサー２３が設置されている。 
【００２４】 
以下、この装置の作動を説明する。楕円鏡２の第１焦点位置に配された超高圧水銀灯１から発光した照明光束は、楕円鏡２によって反射され、更に、ミラー３で反射させて、楕円鏡２の第２焦点位置２２に収斂された後、発散してコレクターレンズ４によって平行光束に変換される。この平行光束は狭帯域の波長選択フィルタ５に入射され、露光波長が選択された後に、フライアイレンズ６に入射される。このフライアイレンズ６の射出側に正レンズの数に等しい数の光源像が形成される。フライアイレンズ６は、多数光源像形成手段として機能し、実質的に面光源を形成する。フライアイレンズ６の射出面に設けられた絞り部材１５により、照明条件を決定するσ値を設定する。なお、σ値は投影レンズの瞳の開口径に対するその瞳面上での光源像の口径の比である。 
【００２５】 
フライアイレンズ６により形成された多数の光源像からの光束は、ミラー７により垂直に曲げられ、コンデンサーレンズ８により集光され、レチクル９のパターンを重畳的に照明し、前記パターンを投影レンズ１０によりウエハ１２上に縮小投影する。レチクル相当位置９とコンデンサーレンズ８との間に設けられたブラインド１７は、レチクル９の照明領域を制限するように作用し、装置全体の動作を制御するコントローラ１４により駆動装置１６を介して自由に設定される。 
【００２６】 
また、フライアイレンズ６の射出面に設けられた絞り部材１５の開口内の像が投影レンズ１０の入射瞳面１１上に形成され、いわゆるケーラー照明を実現している。照度計センサー２３からの出力信号及び位置情報がコントローラ１４に供給され、ウエハ１２の位置決めを行うウエハステージ１３とブラインド１７とが投影レンズ１０の光軸に直交する面内で位置を制御される。 
【００２７】 
ここでブラインド１７は、実際の投影露光用の可変視野絞りを、照度計測に必要最小限の小領域に絞り込み可能にし、かつ照明領域の特定の位置にその絞り込んだ領域を設定できるようにして用いてもよいし、前記のような小領域の開口を有する照度計測専用の視野絞りを用意して用いてもよい。 
【００２８】 
次に、このような構成において、露光装置の光学系を調整したり、または超高圧水銀灯１が消耗し新品と交換する場合の露光面での照度均一性の確認方法について説明する。 
【００２９】 
ウエハ１２への焼き付けに先立ち、照度均一性の測定の仕方に関しては、コントローラ１４は、レチクル９なしの状態でウエハステージ上に設置された照度センサー２３を駆動部１９を介して光軸Ａｘと垂直な平面内に一定間隔でステップさせ、コントローラ１４の内部の照度分布検出部にて、それぞれの出力をそのポイントの照度の情報として取り込む。そしてその照度分布検出部にて、これらのポイントでの値を比較し、露光面内での照度均一性を求めている。 
【００３０】 
この時照度センサー２３のステップ位置に合わせてコントローラ１４は、駆動装置１６を介してブラインド１７の位置を制御し、同時に露光面と光学的に共役であるレチクル相当位置での照射範囲を所定の範囲となるようにブラインド１７の形状を規定するために、ブラインド１７を駆動させて、照度を計測する。 
【００３１】 
そしてコントローラ１４内部の照度分布検出部にて得られた検出結果は、コントローラ１４に電気的に接続されたＣＲＴモニター等の表示装置２０によって表示される。 
【００３２】 
ここで、ブラインド１７の形状としては、たとえば図２（ａ）のような２枚のＬ字羽根２５ａ、２５ｂや、図２（ｂ）のような独立した４枚羽根２６ａ〜２６ｄ、またはこれらを組み合わせたものなどが有効であるが、計測時のみ一定の開口をもつ視野絞りを挿入し駆動させてもよい。無論、ブラインド１７の開口部は、図２に示した四角形に限定することなく、丸であってもよい。 
【００３３】 
続いて、本発明の第２の実施の形態について、図３を参照して説明する。第１の実施の形態では、ブラインド１７の位置をレチクル相当位置９とメインコンデンサレンズ８との間とした。しかし、この位置は光学的にウエハ１２の露光面と共役でないためブラインド羽根のエッジによる回折光が生じ、フレアー等の発生により精度が低下する可能性がある。 
【００３４】 
このような観点から、コンデンサレンズ８と投影レンズ１０との間にリレーレンズ１８を設け、このリレーレンズ１８とコンデンサレンズ８との間の、光学的にウエハ１２の露光面と共役な位置にブラインド１７を配置し、照明視野を制御して、このブラインド１７を光軸に直交する面内で移動させて、ウエハ１２の露光面に対応する照度計測位置に合わせ計測している。したがって、投影レンズ１０に熱が蓄積されないので、精度の向上が期待できるとともに、スループットが向上する。なお、他の部分の構成は第１の実施の形態と同一であるので、その構成についての説明は省略する。 
【００３５】 
次に、図１または図３を参照して、本実施形態の露光装置による半導体装置の製造における露光方法について説明する。この露光装置による半導体デバイス製造における露光方法は、先ず、レチクル９等のマスクが実質的に配置されるべき面に向けて照明光を供給する。投影レンズ１０の像面内での計測位置に照明光の一部を導くために、レチクル（マスク）が実質的に配置されるべき面９またはその面と実質的に共役な面で、ブラインド１７で照明光を制限する。 
【００３６】 
そして、投影レンズ１０の光軸に直交する面である像面内で計測位置を移動（照度センサー２３を移動）させることに応じて、制限された照明光が投影レンズ１０の像面上にて集光される位置を計測位置（照度センサー２３の受光面）と一致するようにブラインド１７を追尾させて制御する。その後、投影レンズ１０の像面内の計測位置を移動（照度センサー２３を移動）させながら各計測位置での照度を照度センサー２３にて順次計測することにより、投影レンズ１０の像面内での照度を計測する。 
【００３７】 
この投影光学系１０の結像面（露光面）での照度分布は、前述の如く、各計測位置にて検出される照度センサー２３からの出力に基づいて、コントローラ１４内部に設けられた照度分布検出部にて検出される。そして、この検出結果は、表示装置２０にて表示される。 
【００３８】 
以上の検出結果に基づいて、照明光学系を構成するレンズ等の光学素子を光軸Ａｘの方向あるいは光軸Ａｘと直交した方向へ移動させることにより、投影光学系１０の結像面（露光面）での照度ムラを調整することができる。例えば、コレクターレンズ４、オプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズ６、コンデンサー光学系８の内の少なくとも１を光軸方向あるいは光軸と直交した方向へ移動させることにより、照度ムラを調整することができる。さらには、投影光学系としての投影レンズ１０を構成するレンズ等の光学素子、あるいは光源自身を移動させて照度ムラを調整することも可能である。 
【００３９】 
なお、図１及び図３では、コンデサー光学系８またはコンデサー光学系８を構成する一部のレンズ等の光学素子を光軸Ａｘの方向あるいは光軸Ａｘと直交した方向へ移動させることを一例として示している。 
【００４０】 
また、図１及び図３に示した装置において、コントローラ１４内部に設けられた照度分布検出部からの出力に基づいて、コンデンサー光学系８またはコンデンサー光学系８を構成する一部のレンズ（光学素子）の移動量を算出する補正量算出部をコントローラ１４内部に設け、この補正量算出部（又は、コントローラ１４）は、駆動部２１を介して、コンデンサー光学系８またはコンデンサー光学系８を構成する一部のレンズ等の光学素子の位置を自動調整するように構成しても良い。 
【００４１】 
このように照度均一性を確保した露光装置を用いて、マスク上のパターンを投影レンズ１０を介してウエハのような感光性基板１２に投影露光して、半導体デバイスの製造を行う。 
【００４２】 
具体的には、以上にて説明した照度調整の工程が完了すると、次に、感光性基板としてのウエハ１２上にレチクルパターンを露光するフォトリソグラフィ工程に移行する。 
【００４３】 
まず、コントローラ１４は、実際に露光を行うレチクル上のパターン領域に露光光が導かれるように、ブラインド１７の開口の大きさを再設定する。この再設定により、レチクル上では、露光のための照明領域がブラインド１７にて規定される。 
【００４４】 
次に、レチクルが配置されるべきレチクル面９に回路パターン等の所定パターンが形成されたレチクルが不図示のレチクルステージに保持され、その後、照明光学系を介してレチクルが照明され、投影光学系としての投影レンズ１０を介してレチクルのパターンがウエハ１２に投影され、レチクルのパターン像がウエハ上に転写される。 
【００４５】 
図１及び図３に示した露光装置による露光の工程（フォトリソグラフィ工程）を経たウエハＷは、現像する工程を経てから現像したレジスト以外の部分を除去するエッチングの工程、エッチングの工程後の不要なレジストを除去するレジスト除去の工程等を経てウエハプロセスが終了する。そして、ウエハプロセスが終了すると、実際の組立工程にて、焼き付けられた回路毎にウエハを切断してチップ化するダイシング、各チップに配線等を付与するボンディイング、各チップ毎にパッケージングするパッケージング等の各工程を経て、最終的に半導体装置としての半導体デバイス（ＬＳＩ等）が製造される。 
【００４６】 
なお、以上には、投影露光装置を用いたウエハプロセスでのフォトリソグラフィ工程により半導体素子を製造する例を示したが、露光装置を用いたフォトリソグラフィ工程によって、半導体デバイスとして、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ等）を製造することができる。 
【００４７】 
また、本発明では、ブラインド１７の制御方法としてウエハステージ１３上の照度センサーのステップ毎にブラインド１７を動かし、照明視野を制限することで投影レンズ１０に限界値以上の多大な光束が入射しないようにしているが、必ずしも照度センサー２３のステップ毎にブラインド１７を動作させる必要はなく、ブラインド１７の駆動装置１６の追随スピードにより全体の１／４や１／９の照明視野に制限したり、ある測定ライン毎に制限することも可能であることは言うまでもない。 
【００４８】 
また、照度計測時のみ光路を開くシャッターを、いずれかの位置に設けて照度を計測してもよい。 
【００４９】 
なお、図１及び図３では、照度センサー２３をウエハステージ１３の一端に設けた例を示したが、ウエハ１２と共役となる位置、即ちレチクルを保持するレチクルステージ上に照度センサーを設けてもよい。 
【００５０】 
【発明の効果】 
以上のように、本発明によれば、投影レンズに限界値以上の多大な光束が入射しなくなるので、投影レンズが熱の蓄積による照射変動が少なく、その結果、作業効率を大幅に向上させることが可能になった。 
【図面の簡単な説明】 
【図１】 
本発明による露光装置の第１の実施の形態を示す概略図である。 
【図２】 
図１中に配置されている可変視野絞り（ブラインド）の例を示す図である。 
【図３】 
本発明による露光装置の第２の実施の形態を示す概略図である。 
【符号の説明】 
１  超高圧水銀灯 
２  楕円鏡 
３、７  折り曲げミラー 
４  コレクターレンズ 
５  波長選択フィルタ 
６  フライアイレンズ 
８  コンデンサーレンズ 
９  レチクル相当位置 
１０  投影レンズ 
１１  投影レンズの入射瞳面 
１３  ウエハステージ 
１４  コントローラ 
１５  σ絞り 
１６  ブラインドの駆動装置 
１７  ブラインド 
１８  リレーレンズ 
２２  焦点位置 
２３  照度センサ