Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月21日(2004.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の無線通信装置と各無線通信装置に対して所定の伝送フレーム周期毎に資源割当てを行なう制御局からなる無線ネットワークが複数共存する無線通信システムであって、
ネットワーク間で干渉が検出されたことに応答して、一方のネットワークにおいて通常の伝送フレーム周期とは異なる緩衝フレーム周期を設定して互いに利用するフレーム周期の位置関係を調整する、
ことを特徴とする無線通信システム。
【請求項２】
制御局の管理下で動作する複数の無線ネットワークが共存する無線通信環境において、制御局として動作する無線通信装置であって、
自ネットワークの伝送フレーム周期を設定して、該伝送フレーム周期の所定位置にて資源割当てに関するビーコン情報を送信するビーコン送信手段と、
自ネットワークが他のネットワークと干渉するかどうかを検出する干渉検出手段と、
ネットワーク間の干渉を検出したことに応答して、フレーム周期の異なる緩衝フレーム周期を設定して、伝送フレーム周期の位置を変更する緩衝フレーム周期設定手段と、
を具備することを特徴とする無線通信装置。
【請求項３】
前記干渉検出手段は、他のネットワークから送信されるビーコン情報を受信して得たパラメータを基にビーコン情報の干渉を検出する、
ことを特徴とする請求項２に記載の無線通信装置。
【請求項４】
伝送フレーム周期は帯域予約／割当てに基づいてデータ通信を行なう非競合伝送領域を含み、
前記干渉検出手段は、他のネットワークから送信されるビーコン情報を受信して得たパラメータを基に、ネットワーク間で非競合伝送領域の同期がとれているかどうかを検出する、
ことを特徴とする請求項２に記載の無線通信装置。
【請求項５】
前記緩衝フレーム設定手段は、ネットワーク間での非競合伝送領域の干渉を緩和するように通常の伝送フレーム周期よりも短い緩衝フレーム周期を設定する、
ことを特徴とする請求項４に記載の無線通信装置。
【請求項６】
前記干渉検出手段は、自ネットワーク内の無線通信装置からの通知に基づいてネットワーク間の干渉を検出する、
ことを特徴とする請求項２に記載の無線通信装置。
【請求項７】
前記緩衝フレーム設定手段は、ネットワーク間でのビーコン情報の送信位置の衝突を緩和するように通常の伝送フレーム周期よりも短い緩衝フレーム周期を設定する、
ことを特徴とする請求項２に記載の無線通信装置。
【請求項８】
制御局の管理下で動作する複数の無線ネットワークが共存する無線通信環境において、制御局として動作するための無線通信方法であって、
自ネットワークの伝送フレーム周期を設定して、該伝送フレーム周期の所定位置にて資源割当てに関するビーコン情報を送信するビーコン送信ステップと、
自ネットワークが他のネットワークと干渉するかどうかを検出する干渉検出ステップと、
ネットワーク間の干渉を検出したことに応答して、フレーム周期の異なる緩衝フレーム周期を設定して、伝送フレーム周期の位置を変更する緩衝フレーム周期設定ステップと、
を具備することを特徴とする無線通信方法。
【請求項９】
制御局の管理下で動作する複数の無線ネットワークが共存する無線通信環境において特定の無線ネットワーク内で動作する無線通信装置であって、
所定のビーコン情報受信領域において自ネットワークの制御局からのビーコン情報を受信するビーコン情報受信手段と、
他のネットワークの制御局からのビーコン情報を検出するビーコン情報検出手段と、
自ネットワークのビーコン情報が他のネットワークのビーコン情報と衝突するかどうかを検出する衝突検出手段と、
ビーコン情報の衝突検出結果を自ネットワークの制御局に通知する干渉通知手段と、
を具備することを特徴とする無線通信装置。
【請求項１０】
前記ビーコン情報検出手段は、冗長な時間をビーコン情報受信領域として設定して他のネットワークの制御局からのビーコン情報を検出する、
ことを特徴とする請求項９に記載の無線通信装置。
【請求項１１】
前記干渉通知手段は、自ネットワークの制御局に割り当てられたマネジメント・タイムスロットを利用してビーコン情報の衝突検出結果を通知する、
ことを特徴とする請求項９に記載の無線通信装置。
【請求項１２】
制御局の管理下で動作する複数の無線ネットワークが共存する無線通信環境において特定の無線ネットワーク内で動作する無線通信方法であって、
所定のビーコン情報受信領域において自ネットワークの制御局からのビーコン情報を受信するビーコン情報受信ステップと、
他のネットワークの制御局からのビーコン情報を検出するビーコン情報検出ステップと、
自ネットワークのビーコン情報が他のネットワークのビーコン情報と衝突するかどうかを検出する衝突検出ステップと、
ビーコン情報の衝突検出結果を自ネットワークの制御局に通知する干渉通知ステップと、
を具備することを特徴とする無線通信方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月9日(2005.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多値画像データにノイズを多重化し、ノイズを多重化した分布による目視可能な付加情報を埋め込む画像処理装置であって、
第１の可視強度でもってノイズを多重化する第１のノイズ多重化手段と、
前記第１の可視強度とは異なる第２の可視強度でもってノイズを多重化する第２のノイズ多重化手段と、
所定の画素領域単位に、前記第１、第２の可視強度のいずれで多重化するかを示す情報を、前記付加情報として入力する入力手段と、
前記付加情報に基づき、多値画像データ中の注目画素領域が、前記第１、第２の可視強度のいずれで多重化すべきかを判定する判定手段と、
該判定手段の判定結果に基づいて、注目画素領域に対し、前記第１、第２のノイズ多重化手段のいずれか一方を選択してノイズ多重化を行わせる制御手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記第１、第２のノイズ多重化手段それぞれは、
注目画素領域のノイズ多重化する対象となる演算ビット領域を、与えられた可視強度に基づいて決定し、決定された演算ビット領域に、乱数によるノイズのビット情報を可逆的な論理演算を行うことで、ノイズを多重化することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記演算ビット領域は、更に、前記所定画素領域のデータを参照して決定することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記第１、第２のノイズ多重化手段それぞれは、
注目する画素領域のノイズ多重化する対象となる演算ビット領域を、注目画素領域の近傍領域のデータ及び与えられた可視強度に基づいて決定し、決定された演算ビット領域に、乱数によるノイズのビット情報を可逆的な論理演算を行うことで、ノイズを多重化することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項５】
所定画素領域は単一画素であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記所定画素領域は、所定サイズの画素ブロックであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記所定画素領域は、ＪＰＥＧ圧縮符号化の際の直交変換によって得られた直流成分であることを特徴とする請求項第１項乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記所定画素領域は、ＪＰＥＧ２０００圧縮符号化の際のウェーブレット変換によって得られた低域成分ブロックであることを特徴とする請求項第１項乃至４のいずれか１項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
ノイズが可逆的に埋め込まれ、目視可能な付加情報が多重化された多値画像データから、前記付加情報を除去する画像処理装置であって、
第１の可視強度でもって多重化されたノイズを除去する第１のノイズ除去手段と、
前記第１の可視強度とは異なる第２の可視強度でもって多重化されたノイズを除去する第２のノイズ除去手段と、
所定の画素領域単位に、前記第１、第２の可視強度のいずれで多重化されたかを示す情報を、前記付加情報として入力する入力手段と、
前記付加情報に基づき、多値画像データ中の注目画素領域が、前記第１、第２の可視強度のいずれによって多重化されたかを判定する判定手段と、
該判定手段の判定結果に基づいて、注目画素領域に対し、前記第１、第２のノイズ除去手段のいずれか一方を選択して多重化されたノイズを除去する制御手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項１０】
多値画像データにノイズを多重化し、ノイズを多重化した分布による目視可能な付加情報を埋め込む画像処理方法であって、
第１の可視強度でもってノイズを多重化する第１のノイズ多重化工程と、
前記第１の可視強度とは異なる第２の可視強度でもってノイズを多重化する第２のノイズ多重化工程と、
所定の画素領域単位に、前記第１、第２の可視強度のいずれで多重化するかを示す情報を、前記付加情報として入力する入力工程と、
前記付加情報に基づき、多値画像データ中の注目画素領域が、前記第１、第２の可視強度のいずれで多重化すべきかを判定する判定工程と、
該判定工程の判定結果に基づいて、注目画素領域に対し、前記第１、第２のノイズ多重化工程のいずれか一方を選択してノイズ多重化を行わせる制御工程と
を備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項１１】
ノイズが可逆的に埋め込まれ、目視可能な付加情報が多重化された多値画像データから、前記付加情報を除去する画像処理方法であって、
第１の可視強度でもって多重化されたノイズを除去する第１のノイズ除去工程と、
前記第１の可視強度とは異なる第２の可視強度でもって多重化されたノイズを除去する第２のノイズ除去工程と、
所定の画素領域単位に、前記第１、第２の可視強度のいずれで多重化されたかを示す情報を、前記付加情報として入力する入力工程と、
前記付加情報に基づき、多値画像データ中の注目画素領域が、前記第１、第２の可視強度のいずれによって多重化されたかを判定する判定工程と、
該判定工程の判定結果に基づいて、注目画素領域に対し、前記第１、第２のノイズ除去手段のいずれか一方を選択して多重化されたノイズを除去する制御工程と
を備えることを特徴とする画像処理方法。
【請求項１２】
請求項１乃至９の何れか１項に記載の画像処理装置の機能をコンピュータに実現させるためのコンピュータプログラム。
【請求項１３】
請求項１２に記載のコンピュータプログラムを格納したことを特徴とするコンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月21日(2004.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理済のジョブにかかるジョブデータおよび画像データを記録したジョブデータベースを格納するジョブデータベース格納手段と、
ジョブ検索命令を電子メールにより受信するジョブ検索命令受信手段と、
前記ジョブ検索命令に従って前記ジョブデータベースからジョブを検索するジョブ検索手段と、
前記ジョブ検索手段により検索したジョブにかかるジョブデータを検索結果として電子メールにより返信する検索結果返信手段と、
ジョブ転送命令を電子メールにより受信するジョブ転送命令受信手段と、
前記ジョブ転送命令に従って指定されたジョブにかかる画像データを指定された機器に転送する画像データ転送手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記画像データ転送手段は、前記指定されたジョブにかかる画像データを電子メールに添付して前記指定された機器に転送するものである請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
画像を読み取って画像データを取得する画像読取手段と、
画像データを画像形成する画像形成手段と、
をさらに有する請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
処理済のジョブにかかるジョブデータおよび画像データをジョブデータベースに記録する段階（１）と、
ジョブ検索命令を電子メールにより受信する段階（２）と、
前記ジョブ検索命令に従って前記ジョブデータベースからジョブを検索する段階（３）と、
前記ジョブ検索手段により検索したジョブにかかるジョブデータを検索結果として電子メールにより返信する段階（４）と、
ジョブ転送命令を電子メールにより受信する段階（５）と、
前記ジョブ転送命令に従って指定されたジョブにかかる画像データを指定された機器に転送する段階（６）と、
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項５】
段階（６）は、前記指定されたジョブにかかる画像データを電子メールに添付して前記指定された機器に転送するものである請求項４に記載の画像処理方法。
【請求項６】
処理済のジョブにかかるジョブデータおよび画像データをジョブデータベースに記録する手順（１）と、
ジョブ検索命令を電子メールにより受信する手順（２）と、
前記ジョブ検索命令に従って前記ジョブデータベースからジョブを検索する手順（３）と、
前記ジョブ検索手段により検索したジョブにかかるジョブデータを検索結果として電子メールにより返信する手順（４）と、
ジョブ転送命令を電子メールにより受信する手順（５）と、
前記ジョブ転送命令に従って指定されたジョブにかかる画像データを指定された機器に転送する手順（６）と、
を画像処理装置に実行させることを特徴とする画像処理プログラム。
【請求項７】
手順（６）は、前記指定されたジョブにかかる画像データを電子メールに添付して前記指定された機器に転送するものである請求項６に記載の画像処理プログラム。
【請求項８】
請求項６または７に記載の画像処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月26日(2004.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
折り畳み可能に構成される携帯端末装置であって、
前記携帯端末装置が折り畳まれたときの内側および外側に位置するようにそれぞれ配置される第１および第２表示手段と、
メールの着信時、折り畳まれたとき外側に位置する第２表示手段にタイトルを含むメールの確認の画面を表示する手段と、
前記携帯端末装置が折り畳まれているか否かを検出する検出手段とを備え、
前記第２表示手段にメールの確認の画面を表示後、前記検出手段により前記携帯通信端末が折り畳み状態から開かれたことを検出したとき、前記第1表示手段に前記メールの詳細を表示することを特徴とする携帯端末装置。
【請求項２】
前記携帯端末装置は、折り畳まれたときの外側に設けられたスクロールキーをさらに備え、
前記スクロールキーにより前記第２表示手段においてメールの詳細を表示することを特徴とする請求項1に記載の携帯端末装置。
【請求項３】
前記携帯端末装置は、着信が表示されたメール以外のメールを選択する手段をさらに備える、請求項１に記載の携帯端末装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、折り畳み可能に構成されるとともに、折り畳まれたときの内側および外側にそれぞれ表示手段が配置された携帯端末装置に関し、さらに詳しくは折り畳み型の携帯電話機等において、メールの着信時、折り畳まれたとき外側に位置する表示手段にタイトルを含め未読メールを表示する携帯端末装置に関する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は、折り畳み可能に構成される携帯端末装置であって、携帯端末装置が折り畳まれたときの内側および外側に位置するようにそれぞれ配置される第１および第２表示手段と、メールの着信時、折り畳まれたとき外側に位置する第２表示手段にタイトルを含むメールの確認の画面を表示する手段と、携帯端末装置が折り畳まれているか否かを検出する検出手段とを備え、第２表示手段にメールの確認の画面表示後、検出手段により携帯通信端末が折り畳み状態から開かれたことを検出したとき、第1表示手段にメールの詳細を表示することを特徴とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明に係る携帯端末装置は、折り畳まれたときの外側に設けられたスクロールキーをさらに備え、スクロールキーにより第２表示手段においてメールの詳細を表示することを特徴とする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明に係る携帯端末装置は、着信が表示されたメール以外のメールを選択する手段をさらに備える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
一方、ユーザが自分を撮影するときは、ユーザは、携帯電話機１００を折り畳んだ状態で撮像部２をユーザ側に向けて撮影する。この状態では、携帯電話機１００が折り畳まれていることが開閉検出部１４によって検出され、外側操作キーを兼用した、例えば真中のキー１３ｂからの指示が有効となる。ユーザは、ファインダである第２表示部９を見ながら、第２表示部９と同じ側に配置されているシャッタボタンすなわち外部操作キー１３ｂを操作する。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、折り畳まれたとき外側に位置する第２表示手段にタイトルを含め未読メールを表示するものにあって、タイトルを含めたメール着信の表示に継続してメールの詳細を知ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月25日(2005.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
印刷データに基づいて印刷用紙上に印刷を行うプリンタ部と、
印刷に用いる印刷用紙を含む印刷条件を入力する入力部と、
前記印刷データに基づく印刷に先立って、該印刷によって得られる印刷物を構成する前記印刷用紙の枚数と前記入力部にて入力された前記印刷用紙の紙種情報とに基づいて、前記印刷物の厚みに関する情報を表示する表示部と
を有することを特徴とする画像形成システム。
【請求項２】
前記入力部はプレビューの指示のための入力が可能であり、
該プレビューの指示が入力された場合、前記表示部に前記印刷物の前記厚みに関する情報が表示されることを特徴とする請求項１記載の画像形成システム。
【請求項３】
前記表示部に前記印刷物の前記厚みに関する情報が表示された後、前記入力部にて印刷指示の入力がなされることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成システム。
【請求項４】
前記表示部に前記印刷物の前記厚みに関する情報が表示された後、前記入力部にて前記印刷データに基づく印刷を行わない指示の入力がなされた場合は、該印刷データを消去することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成システム。
【請求項５】
前記画像形成システムは、プリンタ装置と、該プリンタ装置に接続されるホスト装置とを有しており、
前記プリンタ装置は、前記プリンタ部を有し、
前記ホスト装置は、前記入力部及び前記表示部と
を有することを特徴とする請求項１〜４記載の画像形成システム。
【請求項６】
前記紙種情報は、前記プリンタ装置から前記ホスト装置へ送信されることを特徴とする請求項５記載の画像形成システム。
【請求項７】
前記印刷物の前記厚みに関する情報は、前記印刷物の厚み寸法を表示することを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の画像形成システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明を解決するための手段】
上記課題は、以下の各発明によって解決される。
（請求項１）
印刷データに基づいて印刷用紙上に印刷を行うプリンタ部と、
印刷に用いる印刷用紙を含む印刷条件を入力する入力部と、
前記印刷データに基づく印刷に先立って、該印刷によって得られる印刷物を構成する前記印刷用紙の枚数と前記入力部にて入力された前記印刷用紙の紙種情報とに基づいて、前記印刷物の厚みに関する情報を表示する表示部と
を有することを特徴とする画像形成システム。
（請求項２）
前記入力部はプレビューの指示のための入力が可能であり、
該プレビューの指示が入力された場合、前記表示部に前記印刷物の前記厚みに関する情報が表示されることを特徴とする請求項１記載の画像形成システム。
（請求項３）
前記表示部に前記印刷物の前記厚みに関する情報が表示された後、前記入力部にて印刷指示の入力がなされることを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成システム。
（請求項４）
前記表示部に前記印刷物の前記厚みに関する情報が表示された後、前記入力部にて前記印刷データに基づく印刷を行わない指示の入力がなされた場合は、該印刷データを消去することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像形成システム。
（請求項５）
前記画像形成システムは、プリンタ装置と、該プリンタ装置に接続されるホスト装置とを有しており、
前記プリンタ装置は、前記プリンタ部を有し、
前記ホスト装置は、前記入力部及び前記表示部と
を有することを特徴とする請求項１〜４記載の画像形成システム。
（請求項６）
前記紙種情報は、前記プリンタ装置から前記ホスト装置へ送信されることを特徴とする請求項５記載の画像形成システム。
（請求項７）
前記印刷物の前記厚みに関する情報は、前記印刷物の厚み寸法を表示する
ことを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の画像形成システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
図１は本発明の画像形成システムの一例を示すブロック図であり、同図において、１はプリンタ装置（またはプリンタ部ともいう）、２は操作者により印刷条件を指示入力可能な入力手段を有するホスト装置、３は印刷データのプレビューを行う表示装置（または表示部ともいう）である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月9日(2005.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理方法及び画像処理装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め圧縮された画像データを二値化する画像処理方法であって、
予め圧縮された画像を復号する復号工程と、
前記復号途中に発生するデータを取り出して縮小画像を作成する縮小画像作成工程と、
前記作成された縮小画像から輝度ヒストグラムを作成する輝度ヒストグラム作成工程と、
前記輝度ヒストグラムから二値化閾値を算出する算出工程と、
前記算出された二値化閾値で前記復号された画像を入力して二値化処理する二値化処理工程とを有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項２】
前記予め圧縮された画像はＪＰＥＧ画像であり、前記縮小画像はＪＰＥＧの圧縮ブロックのＤＣ成分であることを特徴とする請求項１記載の画像処理方法。
【請求項３】
予め圧縮された画像データを二値化する画像処理装置であって、
予め圧縮された画像を復号する復号手段と、
前記復号途中に発生するデータを取り出して縮小画像を作成する縮小画像作成手段と、
前記作成された縮小画像から輝度ヒストグラムを作成する輝度ヒストグラム作成手段と、
前記輝度ヒストグラムから二値化閾値を算出する算出手段と、
前記算出された二値化閾値で前記復号された画像を入力して二値化処理する二値化処理手段とを有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項４】
前記予め圧縮された画像はＪＰＥＧ画像であり、前記縮小画像はＪＰＥＧの圧縮ブロックのＤＣ成分であることを特徴とする請求項３記載の画像処理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は予め圧縮された画像データを二値化する処理方法である処の画像処理方法及び画像処理装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明はこれらを鑑みてなされたものであり、予め圧縮された画像を完全に復号する途中のデータからサムネイル画像を生成し、そのサムネイル画像のヒストグラムから二値化閾値を演算し、その閾値に基づいて復号処理二値化処理を同時に行うことにより必要メモリの削減と処理効率の向上の効果を得ることのできる画像処理方法及び画像処理装置の提供を目的としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【解決するための手段および作用】
本発明は、上記課題を解決するために、画像処理方法を次の（１）、（２）に、画像処理装置を（３）、（４）に、それぞれ示すとおりの構成を備えるものとする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
（１）予め圧縮された画像データを二値化する画像処理方法であって、予め圧縮された画像を復号する復号工程と、前記復号途中に発生するデータを取り出して縮小画像を作成する縮小画像作成工程と、前記作成された縮小画像から輝度ヒストグラムを作成する輝度ヒストグラム作成工程と、前記輝度ヒストグラムから二値化閾値を算出する算出工程と、前記算出された二値化閾値で前記復号された画像を入力して二値化処理する二値化処理工程とを有することを特徴とする。
（２）前項（１）において、前記予め圧縮された画像はＪＰＥＧ画像であり、前記縮小画像はＪＰＥＧの圧縮ブロックのＤＣ成分であることを特徴とする。
（３）予め圧縮された画像データを二値化する画像処理装置であって、予め圧縮された画像を復号する復号手段と、前記復号途中に発生するデータを取り出して縮小画像を作成する縮小画像作成手段と、前記作成された縮小画像から輝度ヒストグラムを作成する輝度ヒストグラム作成手段と、前記輝度ヒストグラムから二値化閾値を算出する算出手段と、前記算出された二値化閾値で前記復号された画像を入力して二値化処理する二値化処理手段とを有することを特徴とする。
（４）前項（３）において、前記予め圧縮された画像はＪＰＥＧ画像であり、前記縮小画像はＪＰＥＧの圧縮ブロックのＤＣ成分であることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月4日(2005.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルアレイ領域及び周辺回路領域を有する半導体記憶装置において、
前記メモリセルアレイ領域及び前記周辺回路領域における半導体基板上に、第１の絶縁膜を介して形成された、シリコン層を少なくとも一部に含む導電層及び第２の絶縁膜を含むゲート電極と、
前記メモリセルアレイ領域における前記ゲート電極に含まれる前記導電層の側面及び前記半導体基板上に形成された第１の酸化膜と、
前記周辺回路領域における前記ゲート電極に含まれる前記導電層の側面及び前記半導体基板上に形成された、前記第１の酸化膜より膜厚が薄い第２の酸化膜と、
前記メモリセルアレイ領域における前記ゲート電極の側面に形成された第１の窒化膜と、
前記周辺回路領域における前記ゲート電極の側面に形成された、前記第１の窒化膜より膜厚が厚い第２の窒化膜と、
を備えることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記メモリセルアレイ領域における前記ゲート電極の側面下部において前記第１の酸化膜により形成されたバーズビークの方が、前記周辺回路領域における前記ゲート電極の側面下部において前記第２の酸化膜により形成されたバーズビークより大きいことを特徴とする請求項１記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記周辺回路領域において、前記ゲート電極と、前記ゲート電極に含まれる前記導電層の側面の前記第２の酸化膜とをマスクとして前記半導体基板の表面部分に不純物を注入されて形成された第１のソース及びドレイン拡散層と、
前記メモリセルアレイ領域において、前記ゲート電極と、前記ゲート電極に含まれる前記導電層の側面の前記第１の酸化膜とをマスクとして前記半導体基板の表面部分に不純物を注入されて形成された第２のソース及びドレイン拡散層と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記周辺回路領域において、前記ゲート電極と、前記ゲート電極に含まれる前記導電層の側面の前記第２の酸化膜と、前記ゲート電極の側面に形成された前記第２の窒化膜とをマスクとして前記半導体基板の表面部分に不純物を注入されて形成された第３のソース及びドレイン拡散層と、
前記メモリセルアレイ領域において、前記ゲート電極と、前記ゲート電極に含まれる前記導電層の側面の前記第１の酸化膜と、前記ゲート電極の側面に形成された前記第１の窒化膜とをマスクとして前記半導体基板の表面部分に不純物を注入されて形成された第４のソース及びドレイン拡散層と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
メモリセルアレイ領域及び周辺回路領域を有する半導体記憶装置において、
前記メモリセルアレイ領域及び前記周辺回路領域における半導体基板上に、第１の絶縁膜を介して形成された、シリコン層を少なくとも一部に含む導電層から成るゲート電極と、
前記メモリセルアレイ領域における前記ゲート電極の側面に形成された第１の酸化膜と、
前記周辺回路領域における前記ゲート電極の側面に形成された、前記第１の酸化膜より膜厚が薄い第２の酸化膜と、
前記メモリセルアレイ領域における前記ゲート電極の側面の前記第１の酸化膜上に形成された第１の窒化膜と、
前記周辺回路領域における前記ゲート電極の側面の前記第２の酸化膜上に形成された、前記第１の窒化膜より膜厚が厚い第２の窒化膜と、
を備えることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項６】
メモリセルアレイ領域及び周辺回路領域を有する半導体記憶装置の製造方法において、
前記メモリセルアレイ領域及び前記周辺回路領域における半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上に、シリコン層を少なくとも一部に含む導電層及び第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記導電層及び第２の絶縁膜をゲート電極の形状にパターニングしてゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極に含まれる前記導電層の側面及び前記半導体基板上に酸化雰囲気中で熱処理を施して第１の酸化膜を形成する工程と、
表面全体に第１の窒化膜を形成する工程と、
前記第１の窒化膜をパターニングして、前記メモリセルアレイ領域における前記第１の窒化膜を除去し、前記周辺回路領域における前記第１の窒化膜を残存させる工程と、
前記周辺回路領域を前記第１の窒化膜で覆った状態で、前記メモリセルアレイ領域における前記ゲート電極に含まれる前記導電層の側面及び前記半導体基板上に酸化雰囲気中で熱処理を施して第２の酸化膜を形成する工程と、
前記周辺回路領域に残存する前記第１の窒化膜にエッチングを行い、前記周辺回路領域における前記ゲート電極の側面に前記第１の窒化膜を残存させる工程と、
表面全体に第２の窒化膜を形成する工程と、
前記第２の窒化膜にエッチングを行い、前記メモリセルアレイ領域及び前記周辺回路領域における前記ゲート電極の側面に前記第２の窒化膜を残存させる工程と、
を備えることを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
【請求項７】
メモリセルアレイ領域及び周辺回路領域を有する半導体記憶装置の製造方法において、
前記メモリセルアレイ領域及び前記周辺回路領域における半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上にシリコン層を少なくとも一部に含む導電層を形成する工程と、
前記導電層をゲート電極の形状にパターニングしてゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の側面及び前記半導体基板上に酸化雰囲気中で熱処理を施して第１の酸化膜を形成する工程と、
表面全体に第１の窒化膜を形成する工程と、
前記第１の窒化膜をパターニングして、前記メモリセルアレイ領域における前記第１の窒化膜を除去し、前記周辺回路領域における前記第１の窒化膜を残存させる工程と、
前記周辺回路領域を前記第１の窒化膜で覆った状態で、前記メモリセルアレイ領域における前記ゲート電極の側面及び前記半導体基板上に酸化雰囲気中で熱処理を施して第２の酸化膜を形成する工程と、
前記周辺回路領域に残存する前記第１の窒化膜にエッチングを行い、前記周辺回路領域における前記ゲート電極の側面に前記第１の窒化膜を残存させる工程と、
表面全体に第２の窒化膜を形成する工程と、
前記第２の窒化膜にエッチングを行い、前記メモリセルアレイ領域及び前記周辺回路領域における前記ゲート電極の側面に前記第２の窒化膜を残存させる工程と、
を備えることを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月18日(2005.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラスチック基板またはプラスチック基材を支持体とし、
前記プラスチック基板または前記プラスチック基材に接する接着材と、
前記接着材に接する絶縁膜と、
前記絶縁膜上の素子とを有し、
前記プラスチック基板またはプラスチック基材の熱伝導率は、前記接着材よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
プラスチック基板またはプラスチック基材を支持体とし、
前記プラスチック基板または前記プラスチック基材に接する接着材と、
前記接着材に接する絶縁膜と、
前記絶縁膜上の素子とを有し、
前記プラスチック基板またはプラスチック基材の熱伝導率は、２〜３０Ｗ／ｍＫであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
プラスチック基板またはプラスチック基材を支持体とし、
前記プラスチック基板または前記プラスチック基材に接する接着材と、
前記接着材に接する絶縁膜と、
前記絶縁膜上の素子とを有し、
前記プラスチック基板またはプラスチック基材は、チタン、アルミニウム合金またはマグネシウム合金と同程度の熱伝導性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
プラスチック基板またはプラスチック基材を支持体とし、
前記プラスチック基板または前記プラスチック基材に接する接着材と、
前記接着材に接する絶縁膜と、
前記絶縁膜上の素子とを有し、
前記プラスチック基板またはプラスチック基材は、合成樹脂中に低融点金属とセラミックスとが混合されたものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、前記合成樹脂は、ポリプロピレン、ポリプロピレンサルファイド、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニレンオキサイド、ポリサルフォン、またはポリフタールアミドであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記素子は、薄膜トランジスタ、有機化合物を含む層を有する発光素子、液晶を有する素子、メモリー素子、薄膜ダイオード、シリコンのＰＩＮ接合からなる光電変換素子、またはシリコン抵抗素子であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記接着材は、銀、ニッケル、アルミニウム、窒化アルミニウムのいずれかからなる粉末またはフィラーを含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記半導体装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータまたは携帯情報端末であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  ウェハ状の基板上に配置された複数の被検査体を温度制御下で検査するプローブ装置、該プローブ装置は下記を具備する：
プローバ室；
該プローバ室内に配置されたメインチャック；
該メインチャックに設けた複数の温度調節装置、該複数の温度調節装置の各々は、該複数の被検査体の各々、及び該複数の被検査体よりなる群の各々、のいずれかを個々に温度調節するのに適した大きさである；
温度制御装置、該温度制御装置は、それぞれの温度調節装置を制御する。
【請求項２】  該複数の温度調節装置の各々は、該複数の被検査体の各々に対応したセル構造、及び該複数の被検査体よりなる群に対応したセル構造、のいずれかのセル構造を有する、請求項１のプローブ装置。
【請求項３】  該複数のセルの構造は、互いのセルを仕切るための断熱材を具備する請求項２のプローブ装置。
【請求項４】  該温度調節装置は、各々加熱装置と熱交換装置を具備する、請求項３のプローブ装置。
【請求項５】  ウェハ状の基板上に配置された複数の被検査体を検査するプローブ装置、該プローブ装置は下記を具備する：
プローバ室；
該プローバ室内に配置されたＸ−Ｙステージ、該Ｘ−Ｙステージは第１の枠構造であって、その中心に第１の空間を有し、該Ｘ−Ｙステージは、該Ｘ−Ｙステージを少なくともＸ及びＹ方向に移動させるためのＸ−Ｙ駆動機構を具備する；
該Ｘ−Ｙステージ上に配置された基板固定機構、該基板固定機構は、第２の枠構造であって、その中心に該第１の空間と連続する第２の空間を有する；
該プローバ室内において、該ウエハ状の基板と対向して配置され、かつ複数のプローブを有するプローブカード；
該第1の空間内に配置されたプロービングステージ昇降機構；
該プロービングステージ昇降機構に取り付けられたプロービングステージ、該プロービングステージは下記を具備する：
該プロービングステージは、その軸心が該プローブカードのプローブ中心から垂下した延長線と一致するように配置される；
該プロービングステージの上部平面、該上部平面の広さは、該第１の空間及び第２の空間の広さよりも狭く、該上部平面は該プロービングステージが該プロービング昇降機構により上昇した際に、該基板の底面に接触して該基板を下方から支持する。
【請求項６】  該プロービングステージの上部平面の広さは、プローブカードの複数のプローブの先端が占める領域に対応している、請求項５のプローブ装置。
【請求項７】  該プロービングステージの上部平面の広さは、１つの被検査体の大きさに対応する大きさである、請求項５のプローブ装置。
【請求項８】  該プロービングステージは、該複数の被検査体の内で、該プローブカードの複数のプローブが電気的に接触する少なくとも1つの被検査体を加熱するための加熱装置と、これら被検査体の温度及び加熱装置の温度の少なくとも１つを測定するための温度センサーを備える、請求項５のプローブ装置。
【請求項９】  該プロービングステージは、さらに該被検査体を冷却するための熱交換器を備える、請求項５のプローブ装置。
【請求項１０】  該基板固定機構は、チャックプレート、チャックプレート固定機構、及び該チャックプレート固定機構をθ方向に回転させるための回転駆動機構を具備する、請求項５のプローブ装置。
【請求項１１】  該プロービングステージは着脱可能にプロービングステージ昇降機構に取り付けられる、請求項５のプローブ装置。
【請求項１２】  該チャックプレートは該チャックプレート固定機構に着脱可能に取り付けられる、請求項１０のプローブ装置。
【請求項１３】  該プローバ室内には、ステージベース及び該ステージベース上に配置されたＺステージを具備し、
該Ｘ−Ｙステージ駆動機構は、該Ｘ−Ｙステージを該Ｚステージ上で少なくともＸ−Ｙ方向に移動するＸ−Ｙステージ移動機構、及び該Ｘ−Ｙステージを該Ｚステージ上で円滑に移動可能に支持するＸ−Ｙステージ支持機構を備える、請求項６のプローブ装置。
【請求項１４】  該Ｘ−Ｙステージ移動機構はリニアモーター機構を具備する、請求項１３のプローブ装置。
【請求項１５】  該Ｘ−Ｙステージ支持機構はエアベアリング機構を具備する、請求項１３のプローブ装置。
【請求項１６】  該チャックプレートは、基板を固定するための複数の押さえ具機構、及び基板を吸引固定する機構、及び基板を押さえるためのリング機構、のうちの少なくとも一つの機構を具備する、請求項６のプローブ装置。
【請求項１７】  下記を具備する、該請求項５に記載されたプローブ装置において被検査体を検査する方法：
（ａ）基板固定機構上に被検査体を載置する；
（ｂ）該Ｘ−Ｙステージ駆動機構が該Ｘ−ＹステージをＸ、及びＹ方向に移動し、及び該回転駆動機構が該基板固定機構を回転することにより、プローブカードと被検査体とを位置合わせする、この位置合わせの結果、被検査体は、その軸心が該プローブカードのプローブ中心から垂下した延長線と常に実質的に一致するように配置されているプロービングステージとも位置合わせされる；
（ｃ）該プロービングステージ昇降機構がプロービングステージを上昇させることにより、該プロービングステージと被検査体の底面を接触させる；
（ｄ）該Ｚステージ昇降機構が該ＺステージをＺ方向に上昇させることにより、プローブに被検査体を接触させる；
（ｅ）該ＺステージをさらにＺ方向に上昇させることにより、被検査体をオーバードライブさせる；
（ｆ）被検査体の電気的特性を検査する；
（ｇ）該Ｚステージ昇降機構及び該プロービングステージ昇降機構の少なくとも１つの機構が該プロービングステージをＺ方向に降下させることにより、プローブ、被検査体及びチャックプレートの間の接触を解除する；及び、
（ｈ）前記（ｂ）乃至（ｇ）を繰り返すことにより、所定の被検査体の全ての電気的特性を検査する。
【請求項１８】  前記（ｆ）において、被検査体をオーバードライブさせる機構は、該Ｚステージ昇降機構及び該プロービングステージ昇降機構のうちの少なくとも一つである、請求項１７の方法。
【請求項１９】  該プロービングステージは、該複数の被検査体の内で、該プローブカードの複数のプローブが電気的に接触する被検査体を加熱するための加熱装置と、これら被検査体の温度及び加熱装置の温度の少なくとも１つを測定するための温度センサーを備えており、
前記（ｆ）被検査体の電気的特性を検査するに先立って、被検査体は、該加熱装置及び温度センサにより所定の温度に維持される、請求項１７の方法。
【請求項２０】  該プロービングステージは、さらに該被検査体を冷却するための熱交換器を備え、
前記（ｆ）被検査体の電気的特性を検査するに先立って、被検査体は、該加熱装置、温度センサ及び熱交換器により所定の温度に維持される、請求項１７の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月12日(2005.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
図１１から明らかなように、１ＭＨｚ以上で急激に透磁率μが低下する従来のＭｎ−Ｚｎ系フェライトコアを使用したコイル（符号トで示す特性）は、１ＭＨｚでインピーダンスの低下が始まり、３５ＭＨｚでは１ｋΩになる。一方、１０ＭＨｚでも透磁率μが１００以上ある新Ｍｎ−Ｚｎ系フェライトコアを使用したコイル（符号ヘで示す特性）は、５ＭＨｚ以上でインピーダンスの低下が始まり、３５ＭＨｚでも３ｋΩである。このように、コアの透磁率が高周波帯域においても高いコアは、当然高周波帯域でも高いインピーダンスを有する。しかし、巻線の巻数が増加するにつれて巻線の浮遊容量ＣＳは増加し、透磁率μの変化が現れる前に式（２）で示される周波数で共振し、その後は巻線の浮遊容量ＣＳとインダクタンスＬの相互作用で表される特性でインピーダンスＺが低下する。その結果、高周波帯域での透磁率μが大きくても、浮遊容量ＣＳが大きい従来の丸型電線では浮遊容量ＣＳの影響によってインピーダンスの減少が、より低周波帯域から現われ、全体のインピーダンスは図１１の符号チで示す方向、即ち低周波帯域に移動する傾向になる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図２は、前記新Ｍｎ−Ｚｎ系のフェライトコアを用いて一方のコイルのインダクタンスが８ｍＨのコモンモードチョークコイルの周波数特性を示したものである。図２において、符号ハで示すコア５は、高さ１８ｍｍ、幅２５ｍｍ、厚さ８ｍｍの、図１０の符号ホで示した特性を有する前記新Ｍｎ−Ｚｎ系のフェライトコアである。又、本実施形態と比較のために、図１０の符号ニで示した特性の従来のＭｎ−Ｚｎフェライトコアに丸型電線を卷回した、図４で示したコモンモードチョークコイルの特性（符号イ）と、図４で示したコモンモードチョークコイルのコアに前記新Ｍｎ−Ｚｎ系のフェライトコアを用いたコモンモードチョークコイルの特性（符号ロ）を示した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月26日(2005.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に、窒化物半導体からなる発光層とＡｌxＧａ1-xＮ（ｘ＞０）層とを含む積層体が形成されてなる窒化ガリウム系半導体発光素子であって、
前記基板と前記積層体との間に、部分的領域に形成された亀裂制御領域を含み、
前記亀裂制御領域はＡｌyＧａ1-yＮ（０≦ｙ≦０．３）層からなり、かつ３×１０18ｃｍ-3以上３×１０20ｃｍ-3以下の濃度範囲内の不純物を含み、
前記亀裂制御領域の上方領域と前記亀裂制御領域以外の上方領域とのいずれか一方において亀裂の発生が集中しており、
前記発光層のうちで電流が流れて発光する発光領域は、前記亀裂の発生が集中していない領域内に形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。
【請求項２】  前記基板と前記亀裂制御領域との間に、さらにＡｌＧａＮ層が含まれていることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系発光素子。
【請求項３】  前記亀裂制御領域のＡｌ組成比は、その上または下に積層される層のＡｌ組成比以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の窒化ガリウム系半導体発光素子。
【請求項４】  前記亀裂制御領域の前記不純物としてＳｉ、Ｍｇ、Ｇｅ、およびＩｎのいずれかを含むことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の窒化ガリウム系発光素子。
【請求項５】  前記亀裂制御領域のＳｉの濃度は、その上方に積層されるＡｌＧａＮ層のＳｉ濃度の３倍以上であることを特徴とする請求項４に記載の窒化ガリウム系半導体発光素子。
【請求項６】  前記発光素子はリッジ構造を含むレーザ素子であって、前記リッジ構造は前記発光領域に形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の窒化ガリウム系半導体発光素子。
【請求項７】  前記基板として、ＧａＮ基板、または窒化物半導体以外の異種基板上にＧａＮ層が成長されている擬似ＧａＮ基板が用いられることを特徴とする請求項１から６のいずれかに記載の発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、基板上において、窒化物半導体からなる発光層とＡｌxＧａ1-xＮ（ｘ＞０）層とを含む積層体が形成されてなる窒化ガリウム系半導体発光素子において、その基板と積層体との間に、部分的領域に形成された亀裂制御領域を含み、亀裂制御領域はＡｌyＧａ1-yＮ（０≦ｙ≦０．３）層からなり、かつ３×１０18ｃｍ-3以上３×１０20ｃｍ-3以下の濃度範囲内の不純物を含み、亀裂制御領域の上方領域と亀裂制御領域以外の上方領域とのいずれか一方において亀裂の発生が集中しており、発光層のうちで電流が流れて発光する発光領域は亀裂の発生が集中していない領域内に形成されていることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
なお、基板と亀裂制御領域との間に、さらにＡｌＧａＮ層が含まれていてもよい。亀裂制御領域のＡｌ組成比は、その上または下に積層される層のＡｌ組成比以上であることが好ましい。亀裂制御領域の不純物としては、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｇｅ、およびＩｎのいずれかを含み得る。亀裂制御領域のＳｉの濃度は、その上方に積層されるＡｌＧａＮ層のＳｉ濃度の３倍以上であることが好ましい。発光素子はリッジ構造を含むレーザ素子であり得て、そのリッジ構造は発光領域に形成されていることが好ましい。基板としては、ＧａＮ基板、または窒化物半導体以外の異種基板上にＧａＮ層が成長されている擬似ＧａＮ基板が用いられ得る。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月14日(2005.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  運転者が走行装置に対する運転操作として所定の部位に作用させる力の圧力分布パターンを検出する手段と、
上記圧力分布パターンから運転者の運転操作意図に対応する制御モードを決定し、決定した制御モードで上記走行装置を制御する手段とを備えたことを特徴とする圧力分布パターンによる走行制御装置。
【請求項２】  上記制御モードを、上記圧力分布パターンと予め関連付けておくことを特徴とする請求項１記載の圧力分布パターンによる走行制御装置。
【請求項３】  乗車直後の所定時間における圧力分布パターンを、ニュートラル状態を定める基準パターンとすることを特徴とする請求項１又は２記載の圧力分布パターンによる走行制御装置。
【請求項４】  上記基準パターンを、走行後においても適宜変更可能とすることを特徴とする請求項３記載の圧力分布パターンによる走行制御装置。
【請求項５】  上記圧力分布パターンの情報データを一時的に取得できなくなった場合、前回取得した圧力分布パターンを今回の圧力分布パターンとして用いることを特徴とする請求項１〜４の何れか一に記載の圧力分布パターンによる走行制御装置。
【請求項６】  上記圧力分布パターンの情報データを設定時間以上継続して取得できなかった場合、上記走行装置を強制的に停止させることを特徴とする請求項１〜５の何れか一に記載の圧力分布パターンによる走行制御装置。
【請求項７】  上記圧力分布パターンの一部が欠けた場合、前回までの圧力分布パターンに基づいて今回の圧力分布パターンを推定することを特徴とする請求項１〜６の何れか一に記載の圧力分布パターンによる走行制御装置。
【請求項８】  所定の圧力分布パターン内の情報データの時間変化率に基づいて、対応する制御モードにおける制御量を補正することを特徴とする請求項１〜７の何れか一に記載の圧力分布パターンによる走行制御装置。
【請求項９】  上記圧力分布パターンを、運転者の手或いは足による圧力分布パターンとし、
上記圧力分布パターンに基づく制御モードで、複数の独立した走行駆動源を独立して制御することを特徴とする請求項１〜８の何れか一に記載の圧力分布パターンによる走行制御装置。
【請求項１０】  直進走行時に、上記複数の走行駆動源の回転数或いはトルクの差が予め設定した許容範囲から外れたとき、上記複数の走行駆動源の回転数或いはトルクの差がなくなるよう、上記走行駆動源の制御量を補正することを特徴とする請求項９記載の圧力分布パターンによる走行制御装置。
【請求項１１】  上記走行駆動源の制御量を、上記複数の走行駆動源の回転数或いはトルクの差の関数により算出される補正値を用いて補正することを特徴とする請求項１０記載の圧力分布パターンによる走行制御装置。
【請求項１２】  設定速度以上での走行時、上記圧力分布パターンから決定した制御モードに拘らず、上記複数の走行駆動源の回転数或いはトルクが同一となるように制御することを特徴とする請求項９〜１１の何れか一に記載の圧力分布パターンによる走行制御装置。
【請求項１３】  上記圧力分布パターンを、上記基準パターンとする圧力分布パターンの積分値で標準化し、該標準化した圧力分布パターンから上記制御モードを決定することを特徴とする請求項３記載の圧力分布パターンによる走行制御装置。