Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月4日(2005.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に所定間隔を開けて形成された複数のゲート電極と、
前記半導体基板上において、前記ゲート電極間を埋めるように形成された第１の絶縁膜と、
複数の前記ゲート電極の間における所定の位置において、前記半導体基板の表面が露出するように前記第１の絶縁膜に開口され、導電材料で埋め込まれたコンタクトと、
複数の前記ゲート電極の間における前記コンタクトが形成されていない位置において、前記ゲート電極と平行に前記半導体基板の表面が露出するように前記第１の絶縁膜に開口され、導電材料で埋め込まれた第１の配線層と、
少なくとも前記第１の絶縁膜を覆うように形成された第２の絶縁膜と、
前記コンタクトの表面が露出するように前記第２の絶縁膜に開口され、導電材料で埋め込まれた第１のヴィアと、
前記第１の配線層の表面が露出するように前記第２の絶縁膜に開口され、導電材料で埋め込まれた第２のヴィアと、
前記第２の絶縁膜上に形成され、前記第１のヴィアを介して前記コンタクトと接続された第２の配線層と、
前記第２の絶縁膜上に形成され、前記第２のヴィアを介して前記第１の配線層と接続された第３の配線層と、
を備えることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
半導体基板と、
前記半導体基板の表面部分に形成されたソース領域及びドレイン領域と、
前記半導体基板上に形成された第１の絶縁膜と、
前記ドレイン領域の表面が露出するように前記第１の絶縁膜に開口され、導電材料で埋め込まれたドレインコンタクトと、
前記ソース領域の表面が露出するように前記第１の絶縁膜に開口され、導電材料で埋め込まれたソース線と、
少なくとも前記第１の絶縁膜を覆うように形成された第２の絶縁膜と、
前記ドレインコンタクトの表面が露出するように前記第２の絶縁膜に開口され、導電材料で埋め込まれた第１のヴィアと、
前記ソース線の表面が露出するように前記第２の絶縁膜に開口され、導電材料で埋め込まれた第２のヴィアと、
前記第２の絶縁膜上に形成され、前記第１のヴィアを介して前記ドレインコンタクトと接続された第１の配線層と、
前記第２の絶縁膜上に形成され、前記第２のヴィアを介して前記ソース線と接続された第２の配線層と、
を備えることを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項３】
前記第１及び第２のヴィアを埋める導電材料には、タングステンが含まれることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
半導体基板上に所定間隔を開けて複数のゲート電極を形成する工程と、
前記半導体基板上において、前記ゲート電極間を埋めるように第１の絶縁膜を形成する工程と、
複数の前記ゲート電極の間における所定の位置において、前記半導体基板の表面が露出するように前記第１の絶縁膜に開口し導電材料で埋め込んでコンタクトを形成する工程と、
複数の前記ゲート電極の間における前記コンタクトが形成されていない位置において、前記ゲート電極と平行に前記半導体基板の表面が露出するように前記第１の絶縁膜に開口して導電材料で埋め込んで第１の配線層を形成する工程と、
少なくとも前記第１の絶縁膜を覆うように第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記コンタクトの表面が露出するように前記第２の絶縁膜に開口し、導電材料で埋め込んで第１のヴィアを形成する工程と、
前記第１の配線層の表面が露出するように前記第２の絶縁膜に開口し、導電材料で埋め込んで第２のヴィアを形成する工程と、
前記第２の絶縁膜上において、前記第１のヴィアを介して前記コンタクトと接続する第２の配線層を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜上において、前記第２のヴィアを介して前記第１の配線層と接続する第３の配線層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
【請求項５】
半導体基板の表面部分にソース領域及びドレイン領域を形成する工程と、
前記半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記ドレイン領域の表面が露出するように前記第１の絶縁膜に開口し、導電材料で埋め込んでドレインコンタクトを形成する工程と、
前記ソース領域の表面が露出するように前記第１の絶縁膜に開口し、導電材料で埋め込んでソース線を形成する工程と、
少なくとも前記第１の絶縁膜を覆うように第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記ドレインコンタクトの表面が露出するように前記第２の絶縁膜に開口し、導電材料で埋め込んで第１のヴィアを形成する工程と、
前記ソース線の表面が露出するように前記第２の絶縁膜に開口し、導電材料で埋め込んで第２のヴィアを形成する工程と、
前記第２の絶縁膜上において、前記第１のヴィアを介して前記ドレインコンタクトと接続する第１の配線層を形成する工程と、
前記第２の絶縁膜上において、前記第２のヴィアを介して前記ソース線と接続する第２の配線層を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月18日(2005.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上記のように、接続用パッド上にはんだ薄層をプリコーティングして後、はんだ付け部品（フリップチップ接続するベアチップ以外の他の電子部品）を搭載する搭載用パッド上には、常法によりスクリーン印刷により、フラックスの混入したはんだペーストを塗布し、はんだ付け部品を載置した後、リフロー炉で加熱してペースト中のはんだ粒子をリフローしてはんだ付け部品をはんだ付けする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記課題を解決するために次の構成を有する。
すなわち、本発明に係る配線基板への電子部品の搭載方法は、基板上の接続用パッドにはんだ薄層を介してベアチップをフリップチップ接続すると共に、基板上の搭載用パッドにはんだ薄層を介して他のはんだ付け部品をはんだ付けする配線基板への電子部品搭載方法において、前記接続用パッドおよび前記搭載用パッドに接着剤樹脂層を形成する工程と、はんだ粒子を散布して、前記接着剤樹脂層により前記接続用パッドおよび前記搭載用パッド上にはんだ粒子を仮接着する工程と、前記搭載用パッド上に前記はんだ付け部品を載置すると共に前記はんだ粒子をリフローして、前記接続用パッド上にはんだ薄層をプリコーティングし、前記搭載用パッド上にはんだを介して前記はんだ付け部品を搭載するリフロー工程と、前記接続用パッドのはんだ薄層上にベアチップを位置決めして載置し、該ベアチップをフリップチップ接続するフリップチップ接続工程とを含むことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
次いで、図２に示すように、錫―銀合金等からなる小径のはんだ粒子２０を散布して、上記接着剤樹脂層１８により接続用パッド１４および搭載用パッド１６上にはんだ粒子２０を仮接着する。
次に、搭載用パッド１６上にはんだ付け部品２２を載置し、加熱炉（図示せず）内に収容して加熱し、はんだ粒子２０をリフローして、接続用パッド１４上にはんだ薄層２４をプリコーティングし、搭載用パッド１６上に溶融したはんだを介してはんだ付け部品２２を搭載する（図３）。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月6日(2005.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
電力用半導体素子を有し、主面の周縁の互いに対向する２つの端部のうち、第１の端部を前記基板の面に対面させて、前記主面が前記基板の面に対して垂直に実装されたパワーモジュールと
を備え、
前記パワーモジュールの前記第１の端部から導出された電源端子及び制御用端子は前記基板にはんだ付けされ、前記第１の端部と対向する第２の端部から負荷接続用端子が導出されていることを特徴とする電力半導体装置。
【請求項２】
前記パワーモジュールの少なくとも一方の主面に放熱フィンが固定されていることを特徴とする請求項１に記載の電力半導体装置。
【請求項３】
前記放熱フィンは、第１の固定手段によって前記パワーモジュールの主面に固定されていると共に、第２の固定手段によって前記基板に固定されていることを特徴とする請求項２に記載の電力半導体装置。
【請求項４】
前記パワーモジュールの他方の主面に固定され、前記第２の端部から導出された前記負荷接続用端子に接続されるケーブルを支持するケーブル受けをさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の電力半導体装置。
【請求項５】
前記パワーモジュールのもう一方の主面に固定された放熱フィンと、
前記放熱フィンと前記ケーブル受けとを前記パワーモジュールに同時に固定する固定手段と
をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の電力半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月26日(2005.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
図１８に示すように、第２金属プレート１９２の面１９２ｂには、入口バッファ部２２２および出口バッファ部２２４が形成されるとともに、直線状流路溝２２８、２３０および２３６、２３８の一部を構成する溝部２２８ｂ、２３０ｂおよび２３６ｂ、２３８ｂが形成される。面１９０ａ、１９２ａには、線状シール４０ｇ、４０ｈが設けられる一方、面１９０ｂ、１９２ｂ間には図示しない線状シールが設けられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
このように構成される第４の実施形態では、酸化剤ガス流路１９４および燃料ガス流路２０６が溝数を６本から３本、さらに６本と変更して構成されている。このため、酸化剤ガス用の入口バッファ部１９６および出口バッファ部１９８と、燃料ガス用の入口バッファ部２０８と出口バッファ部２１０と、冷却媒体用の入口バッファ部２２０、２２２および出口バッファ部２２４、２２６とが、それぞれ矢印Ｃ方向に長尺に構成される。従って、酸化剤ガス、燃料ガスおよび冷却媒体を、一層均一かつ円滑に電極面に沿って供給することができるという効果が得られる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2004152498.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
2004152498.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月4日(2005.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒューズデータを記憶するＲＯＭ領域と、
電源電圧を立ち上げる際に電源電圧が所定のレベルに達した後に上記ＲＯＭ領域からヒューズデータの読み出し制御を行い、所定のパッドに供給される信号に応じて上記ヒューズデータの読み出し動作の起動タイミングが制御される読み出し制御回路と
を具備したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
前記読み出し制御回路は、
電源電圧を立ち上げる際に電源電圧が所定のレベルに達したことを検知してパワーオンリセット信号を出力するパワーオンレベル検知回路と、
前記所定のパッドに供給される前記信号に応じて遅延時間が制御され、前記パワーオンリセット信号を遅延する遅延回路と
を含んで構成されていることを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
前記遅延回路は、
前記パワーオンリセット信号に応じて動作が制御され、クロック信号を出力するクロック信号生成回路と、
前記クロック信号をカウントするカウンタ回路と、
前記カウンタ回路のカウント出力が供給され、前記カウンタ回路が前記クロック信号を所定数カウントした後に出力が変化し、この所定数が前記信号に応じて制御されるデコーダ回路と
を含んで構成されていることを特徴とする請求項２記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
前記読み出し制御回路は、
電源電圧の検知レベルが前記所定のパッドに供給される前記信号に応じて制御され、電源電圧を立ち上げる際に電源電圧を検知してパワーオンリセット信号を出力するパワーオンレベル検知回路と、
前記パワーオンリセット信号を遅延する遅延回路と
を含んで構成されていることを特徴とする請求項１記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
第１のヒューズデータを記憶し、電源電圧を立ち上げる際に電源電圧が第１のレベルに達した際にこの第１のヒューズデータを読み出すヒューズ回路と、
第２のヒューズデータを記憶するＲＯＭ領域と、
電源電圧を立ち上げる際に電源電圧が第２のレベルに達した後に上記ＲＯＭ領域から第２のヒューズデータの読み出し制御を行い、上記第１のヒューズデータに応じて上記第２のヒューズデータの読み出し動作の起動タイミングが制御される読み出し制御回路と
を具備したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
前記読み出し制御回路は、
電源電圧を立ち上げる際に電源電圧が前記第２のレベルに達したことを検知してパワーオンリセット信号を出力するパワーオンレベル検知回路と、
前記第１のヒューズデータに応じて遅延時間が制御され、前記パワーオンリセット信号を遅延する遅延回路と
を含んで構成されていることを特徴とする請求項５記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】
前記遅延回路は、
前記パワーオンリセット信号に応じて動作が制御され、クロック信号を出力するクロック信号生成回路と、
前記クロック信号をカウントするカウンタ回路と、
前記カウンタ回路のカウント出力が供給され、前記カウンタ回路が前記クロック信号を所定数カウントした後に出力が変化し、この所定数が前記第１のヒューズデータに応じて制御されるデコーダ回路と
を含んで構成されていることを特徴とする請求項６記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項８】
ヒューズデータを記憶するＲＯＭ領域と、
第１のパッドに供給される第１の信号に基づいてパルス信号を生成するパルス生成回路と、
上記パルス信号を遅延し、第２のパッドに供給される第２の信号に基づいて遅延時間が制御される遅延回路と、
上記遅延回路の出力に応じて上記ＲＯＭ領域からヒューズデータの読み出し制御を行うＲＯＭリード制御回路と
を具備したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項９】
前記遅延回路は、
前記パルス信号に応じて動作が制御され、クロック信号を出力するクロック信号生成回路と、
前記クロック信号をカウントするカウンタ回路と、
前記カウンタ回路のカウント出力が供給され、前記カウンタ回路が前記クロック信号を所定数カウントした後に出力が変化し、この所定数が前記第２の信号に応じて制御されるデコーダ回路と
を含んで構成されていることを特徴とする請求項８記載の不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月23日(2005.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクスに配置される複数のメモリセルユニットから構成される複数のメモリセルアレイを具備し、
前記複数のメモリセルアレイは、２つ以上のメモリセルアレイからなる複数のセルアレイブロックを構成し、セルアレイブロック毎に、動作の成功又は失敗を示す第１Pass/Fail信号を出力することを特徴とする半導体メモリ。
【請求項２】
前記動作は、前記複数のメモリセルアレイに対して並列に実行されることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ。
【請求項３】
前記動作は、書き込み／消去動作であることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ。
【請求項４】
前記第１Pass/Fail信号は、前記２つ以上のメモリセルアレイの全ての動作が成功したか、又は、前記２つ以上のメモリセルアレイの少なくとも１つの動作が失敗したかを示すPass/Fail信号であることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ。
【請求項５】
前記第１Pass/Fail信号は、前記２つ以上のメモリセルアレイのうちの選択された１つのメモリセルアレイに対して、動作が成功したか、又は、失敗したかを示すPass/Fail信号であることを特徴とする請求項１に記載の半導体メモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月17日(2005.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
X線管を収納し、絶縁油中に浸漬、支持して絶縁、冷却するX線管容器と、X線管容器内の絶縁油を取り出して冷却した後にX線管容器内に戻す絶縁油冷却器とを備えたX線管装置において、X線管容器内に絶縁油冷却器から戻された絶縁油を複数の流れに分流する複数個の噴出口を持つ絶縁油流入方向偏向具を備え、前記複数個の噴出口のうちの少なくとも１個の噴出口が、その噴出口から流出した絶縁油の流れが全体としてX線管の陰極及び陽極の一方の極の端部から他方の極の端部へ向くように、配設されていることを特徴とするX線管装置。
【請求項２】
X線管を収納し、絶縁油中に浸漬、支持して絶縁、冷却するX線管容器と、X線管容器内の絶縁油を取り出して冷却した後にX線管容器内に戻す冷却器とを備えたX線管装置において、X線管容器内に冷却器から戻された絶縁油を複数の流れに分流する複数個の噴出口を持つ絶縁油流入方向偏向具を備え、前記複数個の噴出口のうちの少なくとも１個の噴出口の出口を、X線管の中央部とは逆方向のX線管容器の陰極端または陽極端の一方の端部に向けて配設したことを特徴とするX線管装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月17日(2005.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  燃料電池と内燃機関とを含む複数のエネルギ出力源を備えて、外部に動力を出力する動力出力装置であって、
少なくとも前記燃料電池を電源として動力を出力する電動機と、
前記燃料電池のカソードに対して、酸化ガスとして外気を供給する酸化ガス供給部と、
前記動力出力装置を使用する環境における硫黄濃度に関する情報を取得すると共に、前記情報に基づいて、前記動力出力装置を使用する環境における硫黄濃度が、所定の高濃度状態であるか否かを判断する環境情報判断部と、
前記環境情報判断部が、前記硫黄濃度が所定の高濃度状態であると判断したときに、前記酸化ガス供給部が外気をそのまま前記燃料電池に供給しない他の運転モードとして、前記酸化ガス供給部が供給する酸化ガスから、燃料電池への供給に先立って硫黄分を除去する運転モードを選択する制御部と
を備える動力出力装置。
【請求項２】  請求項１記載の動力出力装置であって、
前記酸化ガス供給部は、
前記燃料電池のカソードに対して前記酸化ガスを供給するための配管と、
前記配管および前記燃料電池のカソードに接続して設けられた迂回路と、
前記迂回路に設けられて、前記迂回路を経由する外気中の硫黄分を除去するための脱硫器と、
前記燃料電池のカソードに供給するための酸化ガスが経由する流路を、前記配管と前記迂回路との間で切り替える切り替え部と
を備え、
前記制御部は、前記硫黄分を除去する運転モードを選択する際には、前記酸化ガスが前記迂回路を経由するように前記切り替え部を切り替える
動力出力装置。
【請求項３】  請求項１または２記載の動力出力装置であって、
前記環境情報判断部は、前記動力出力装置を使用する環境における硫黄濃度を検出するためのセンサを備える
動力出力装置。
【請求項４】  請求項１または２記載の動力出力装置であって、
前記環境情報判断部は、前記硫黄濃度に関する情報として、前記動力出力装置が使用される位置に関する位置情報と、硫黄濃度が高い地域に関する地理情報と、を用い、該前記位置情報と前記地理情報とに基づいて、前記動力出力装置が使用される位置が硫黄濃度の高い地域であると判断されるときに、前記所定の高濃度状態であると判断する
動力出力装置。
【請求項５】  移動体であって、
請求項１ないし４いずれか記載の動力出力装置を備え、
駆動のための動力として前記動力出力装置が出力する動力を用いる
移動体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段およびその作用・効果】
上記課題の少なくとも一部を解決するために、本発明の動力出力装置は、燃料電池と内燃機関とを含む複数のエネルギ出力源を備えて、外部に動力を出力する動力出力装置であって、
少なくとも前記燃料電池を電源として動力を出力する電動機と、
前記燃料電池のカソードに対して、酸化ガスとして外気を供給する酸化ガス供給部と、
前記動力出力装置を使用する環境における硫黄濃度に関する情報を取得すると共に、前記情報に基づいて、前記動力出力装置を使用する環境における硫黄濃度が、所定の高濃度状態であるか否かを判断する環境情報判断部と、
前記環境情報判断部が、前記硫黄濃度が所定の高濃度状態であると判断したときに、前記酸化ガス供給部が外気をそのまま前記燃料電池に供給しない他の運転モードとして、前記酸化ガス供給部が供給する酸化ガスから、燃料電池への供給に先立って硫黄分を除去する運転モードを選択する制御部と
を備えることを要旨とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の動力出力装置によれば、動力出力装置を使用する環境における硫黄濃度が所定の高濃度状態のときには、外気（動力出力装置の外部から取り込む空気）がそのまま燃料電池に供給されることがなく、予め外気から硫黄分が除去されるため、硫黄濃度が所定の高濃度状態となっている空気が燃料電池内に取り込まれて電池性能が低下してしまうのを防止することができる。なお、上記環境情報判断部が判断する上記硫黄濃度は、硫黄酸化物や硫化水素など、硫黄を含有する種々の硫黄化合物を含む硫黄分の濃度とすれば良い。
ここで、本発明の動力出力装置において、
前記酸化ガス供給部は、
前記燃料電池のカソードに対して前記酸化ガスを供給するための配管と、
前記配管および前記燃料電池のカソードに接続して設けられた迂回路と、
前記迂回路に設けられて、前記迂回路を経由する外気中の硫黄分を除去するための脱硫器と、
前記燃料電池のカソードに供給するための酸化ガスが経由する流路を、前記配管と前記迂回路との間で切り替える切り替え部と
を備え、
前記制御部は、前記硫黄分を除去する運転モードを選択する際には、前記酸化ガスが前記迂回路を経由するように前記切り替え部を切り替えることとしても良い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月9日(2005.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  デュアルダマシン法により配線を形成する半導体装置の製造方法において、
層間絶縁膜上に配線溝用のマスクを形成する工程と、
前記配線溝用のマスク上に、多層レジストを用いてビアホール用のマスクを形成する工程と、
前記ビアホール用のマスクを用いて、前記層間絶縁膜を加工することにより、前記層間絶縁膜に前記層間絶縁膜の厚さよりも浅い孔を形成する工程と、
前記配線溝用のマスクを用いて、前記層間絶縁膜を加工することにより、前記層間絶縁膜に配線溝を形成すると共に、前記孔を下層まで貫通させてビアホールを形成する工程と、
前記配線溝及びビアホール内に配線材料を埋め込む工程と、
を有し、
配線溝用のマスクを形成する工程は、
前記層間絶縁膜上に、第１、第２及び第３のハードマスクを順次形成する工程と、
前記第３のハードマスクを前記配線溝の平面形状に加工する工程と、
を有し、
前記ビアホール用のマスクを形成する工程は、前記配線溝用のマスク上に、前記多層レジストとして、有機膜と、無機膜と、感光性レジスト膜と、を順次形成する工程を有し、
前記第２のハードマスクを前記第１及び第３のハードマスクとは異なる材料から形成し、
前記無機膜の厚さを、前記第１乃至第３のハードマスクの厚さの合計よりも薄くすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】  前記ビアホール用のマスクを形成する工程は、
前記感光性レジスト膜を前記ビアホールの平面形状に加工する工程と、
前記感光性レジスト膜をマスクとして、前記無機膜を前記ビアホールの平面形状に加工する工程と、
前記無機膜をマスクとして、前記有機膜を前記ビアホールの平面形状に加工すると共に、前記感光性レジスト膜を除去する工程と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】  前記孔を形成する工程は、前記有機膜をマスクとして、前記第１乃至第３のハードマスクを前記ビアホールの平面形状に加工すると共に、前記無機膜を除去する工程を有し、
前記孔を形成しながら前記有機膜を除去することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】  デュアルダマシン法により配線を形成する半導体装置の製造方法において、
層間絶縁膜上に配線溝用のマスクを形成する工程と、
前記配線溝用のマスク上に、多層レジストを用いてビアホール用のマスクを形成する工程と、
前記ビアホール用のマスクを用いて、前記層間絶縁膜を加工することにより、前記層間絶縁膜に前記層間絶縁膜の厚さよりも浅い孔を形成する工程と、
前記配線溝用のマスクを用いて、前記層間絶縁膜を加工することにより、前記層間絶縁膜に配線溝を形成すると共に、前記孔を下層まで貫通させてビアホールを形成する工程と、
前記配線溝及びビアホール内に配線材料を埋め込む工程と、
を有し、
配線溝用のマスクを形成する工程は、
前記層間絶縁膜上に、第１、第２及び第３のハードマスクを順次形成する工程と、
前記第３のハードマスクを前記配線溝の平面形状に加工する工程と、
を有し、
前記ビアホール用のマスクを形成する工程は、前記配線溝用のマスク上に、前記多層レジストとして、有機膜と、Ｓｉを含有した感光性レジスト膜と、を順次形成する工程を有し、
前記第２のハードマスクを前記第１及び第３のハードマスクとは異なる材料から形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】  前記ビアホール用のマスクを形成する工程は、
前記感光性レジスト膜を前記ビアホールの平面形状に加工する工程と、
前記感光性レジスト膜をマスクとして、前記有機膜を前記ビアホールの平面形状に加工する工程と、
を有することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】  前記孔を形成する工程は、前記有機膜をマスクとして、前記第１乃至第３のハードマスクを前記ビアホールの平面形状に加工すると共に、前記感光性レジストを除去する工程を有し、
前記孔を形成しながら前記有機膜を除去することを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】  前記有機膜の厚さを、前記層間絶縁膜の厚さよりも薄くすることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−３５１９７６号公報
【特許文献２】特開２０００−１２４３０６号公報
【特許文献３】特開２００１−２８４３２９号公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本願発明に係る半導体装置の製造方法は、デュアルダマシン法により配線を形成する半導体装置の製造方法に関する。第１の製造方法では、先ず、層間絶縁膜上に配線溝用のマスクを形成し、前記配線溝用のマスク上に、多層レジストを用いてビアホール用のマスクを形成する。次に、前記ビアホール用のマスクを用いて、前記層間絶縁膜を加工することにより、前記層間絶縁膜に前記層間絶縁膜の厚さよりも浅い孔を形成する。次いで、前記配線溝用のマスクを用いて、前記層間絶縁膜を加工することにより、前記層間絶縁膜に配線溝を形成すると共に、前記孔を下層まで貫通させてビアホールを形成する。そして、前記配線溝及びビアホール内に配線材料を埋め込む。また、配線溝用のマスクを形成するに当たり、前記層間絶縁膜上に、第１、第２及び第３のハードマスクを順次形成した後、前記第３のハードマスクを前記配線溝の平面形状に加工する。更に、前記ビアホール用のマスクを形成するに当たり、前記配線溝用のマスク上に、前記多層レジストとして、有機膜と、無機膜と、感光性レジスト膜と、を順次形成する。そして、前記第２のハードマスクを前記第１及び第３のハードマスクとは異なる材料から形成し、前記無機膜の厚さを、前記第１乃至第３のハードマスクの厚さの合計よりも薄くする。
第２の製造方法では、前記ビアホール用のマスクを形成するに当たり、前記配線溝用のマスク上に、前記多層レジストとして、有機膜と、Ｓｉを含有した感光性レジスト膜と、を順次形成する。そして、前記第２のハードマスクを前記第１及び第３のハードマスクとは異なる材料から形成する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月26日(2004.2.26)
【手続補正１】
【補正対象項目名】手続補正１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月7日(2005.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜上に半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜に開口部を形成する工程と、
前記レジスト膜をマスクとして前記半導体膜をエッチングする工程と、
前記半導体膜をマスクとして前記第１の絶縁膜をエッチングする工程と、
前記第１の絶縁膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングし、前記半導体基板に溝を形成する工程とを有し、
前記半導体基板に前記溝を形成する工程では、前記半導体基板に前記溝を形成するとともに、前記第１の絶縁膜上の前記半導体膜をエッチング除去する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体膜をエッチングする工程及び前記第１の絶縁膜をエッチングする工程を、大気開放せずに行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体膜をエッチングする工程及び前記第１の絶縁膜をエッチングする工程を、同一のチャンバ内で行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の絶縁膜をエッチングする工程の後、前記半導体基板に前記溝を形成する工程の前に、前記レジスト膜を除去する工程を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体膜をエッチングする工程の後、前記第１の絶縁膜をエッチングする工程の前に、前記レジスト膜を除去する工程を更に有する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体膜は、ポリシリコン膜又はアモルファスシリコン膜である
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に半導体膜を形成する工程と、前記半導体膜上にレジスト膜を形成する工程と、前記レジスト膜に開口部を形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして前記半導体膜をエッチングする工程と、前記半導体膜をマスクとして前記第１の絶縁膜をエッチングする工程と、前記第１の絶縁膜をマスクとして前記半導体基板をエッチングし、前記半導体基板に溝を形成する工程とを有し、前記半導体基板に前記溝を形成する工程では、前記半導体基板に前記溝を形成するとともに、前記第１の絶縁膜上の前記半導体膜をエッチング除去することを特徴とする半導体装置の製造方法により達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月25日(2005.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  電子部品（１１１、１１３）を樹脂シート（１１５）中に埋設し、
放電加工、レーザ加工、イオンビーム加工、及び電子ビーム加工の少なくとも一つの処理加工を上記樹脂シートの加工面（１１５ａ）に施して上記樹脂シートを除去し、埋設された上記電子部品の電極（１１２、１１３ａ）を露出させ、
上記露出した電極に回路パターン（１１９）を形成する、
ことを特徴とする電子部品実装済み部品の製造方法。
【請求項２】  上記処理加工を上記樹脂シートに対して施して上記加工面及び該加工面に対向する裏面（１１５ｄ）を貫通する貫通穴（１１８）を形成し、
導電性スパッタリング、蒸着、導電性材料の充填の少なくとも一つにて上記貫通穴を介して上記加工面及び上記裏面の電気的導通を形成する、
請求項１記載の電子部品実装済み部品の製造方法。
【請求項３】  上記電子部品の上記電極には突起電極（１１２）が備わり、上記樹脂シートへの埋設後における上記露出動作は、上記突起電極の露出である、請求項１又は２記載の電子部品実装済み部品の製造方法。
【請求項４】  上記回路パターン形成動作は、上記露出した上記電極上にメッキ、イオンプレーティング、スパッタリング、又は蒸着のいずれかにより、回路配線、金属薄膜コンデンサ、コイル、及び抵抗の少なくとも一つを形成する、請求項１から３のいずれかに記載の電子部品実装済み部品の製造方法。
【請求項５】  上記回路パターン形成動作は、上記露出した上記電極上に半田ペースト又は導電性接着剤を印刷した後、加熱硬化して形成する、請求項１から３のいずれかに記載の電子部品実装済み部品の製造方法。
【請求項６】  上記樹脂シートへの上記電子部品の埋設は、複数個の電子部品に同工程にて行い、上記回路パターンの形成後、それぞれの電子部品実装済み部品に対応するように切断する、
請求項１から５のいずれかに記載の電子部品実装済み部品の製造方法。
【請求項７】  請求項１から６のいずれかに記載の電子部品実装済み部品製造方法にて、電子部品実装済み部品（１０１、１０２）を製造した後、
上記電子部品実装済み部品の樹脂シート（１１５）の厚み方向（１７１）に、上記電子部品実装済み部品又は上記樹脂シートを積層し、
積層後、ラミネート処理を行う、
ことを特徴とする電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項８】  請求項７記載の電子部品実装済完成品の製造方法にて製造されたことを特徴とする電子部品実装済完成品。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月24日(2005.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置および電気器具
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に設けられたＴＦＴと、
前記ＴＦＴ上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された画素電極と、
前記画素電極の端部を覆って形成された絶縁膜と、
前記画素電極上に形成された陰極と、
前記陰極上に形成された有機化合物層と、前記有機化合物層上に形成された金属材料からなる保護膜と、前記保護膜上に形成された透光性を有し、光を取り出すための陽極とを有する発光装置であって、
前記ＴＦＴはソース領域およびドレイン領域を有し、
前記画素電極は、前記層間絶縁膜に形成された開口部において、前記ソース領域または前記ドレイン領域のいずれか一方と電気的に接続され、
前記有機化合物層は、発光層と正孔注入層とを含み、
前記正孔注入層と前記保護膜との間には、前記正孔注入層を構成する有機化合物および前記保護膜を構成する金属材料を含む混合領域を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、前記正孔注入層を構成する材料は、低分子系の材料であることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項２において、前記低分子系の材料は、銅フタロシアニンであることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
絶縁表面上に設けられたＴＦＴと、
前記ＴＦＴ上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成された画素電極と、
前記画素電極の端部を覆って形成された絶縁膜と、
前記画素電極上に形成された陰極と、
前記陰極上に形成された有機化合物層と、前記有機化合物層上に形成された金属材料からなる保護膜と、前記保護膜上に形成された透光性を有し、光を取り出すための陽極とを有する発光装置であって、
前記ＴＦＴはソース領域およびドレイン領域を有し、
前記画素電極は、前記層間絶縁膜に形成された開口部において、前記ソース領域または前記ドレイン領域のいずれか一方と電気的に接続され、
前記有機化合物層は、発光層と正孔輸送層とを含み、
前記正孔輸送層と前記保護膜との間には、前記正孔輸送層を構成する有機化合物および前記保護膜を構成する金属材料を含む混合領域を有することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項４において、前記正孔輸送層を構成する材料は、高分子系の材料であることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項５において、前記高分子系の材料は、poly(3,4‐ethylene dioxythiophene)およびポリスチレンスルホン酸であることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記保護膜は、仕事関数が４．５〜５．５ｅＶである金属材料からなることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記保護膜および前記陽極は可視光に対して７０〜１００％の透過率を有することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記保護膜は元素周期律の第９族、第１０族、または第１１族に属する金属材料からなることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記保護膜を構成する材料は金、銀、または白金であることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記混合領域は、平均膜厚は０．５〜１０ｎｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一に記載の発光装置を有する電気器具。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月3日(2004.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体中で気泡を発生させるための加熱手段と、液中に電磁波を放射するための電磁波プローブを有する液中プラズマ発生装置。
【請求項２】
液体中で気泡を発生させるための真空装置と、液中に電磁波を放射するための電磁波プローブを有する液中プラズマ発生装置。
【請求項３】
液体中で気泡を発生させるための加熱手段を有する請求項２に記載の液中プラズマ発生装置。
【請求項４】
膜を形成する対象の基材を加熱する手段を有する請求項１または請求項３に記載の液中プラズマ発生装置。
【請求項５】
シリコンを含む液体を入れる容器と、液体中で気泡を発生させるための気泡発生手段と、液体中に電磁波を放射するための電磁波発生手段を有し、シリコンカーバイト膜を形成する液中プラズマ発生装置。
【請求項６】
有機物を含む液中で気泡を発生させるとともに、電磁波を照射し、気泡中にプラズマを発生させ、気泡を基材に接触させることにより、基材上にアモルファス状炭素の膜を形成する薄膜形成方法。
【請求項７】
シリコンを含む液中で気泡を発生させるとともに、電磁波を照射し、気泡中にプラズマを発生させ、気泡を基材に接触させることにより、基材上にシリコンカーバイトの膜を形成する薄膜形成方法。
【請求項８】
シリコンを含む液中で気泡を発生させるとともに、電磁波を照射し、気泡中にプラズマを発生させ、気泡を基材に接触させることにより、基材上に形成されるシリコンカーバイト膜。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液中プラズマ発生装置、薄膜形成方法およびシリコンカーバイト膜
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月13日(2005.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極に付着した不導体皮膜を分解して鉛蓄電池を再生する方法であって、
（１）鉛蓄電池の定格電圧より低い所定の電圧になるまで放電する工程、および
（２）充電時間が５時間以上であり、かつ定格電圧の８０％を越えるように鉛蓄電池を充電する工程、
を含む、前記方法。
【請求項２】
工程（１）の放電が、再生すべき鉛蓄電池の電圧が定格電圧の８０％を超える場合に、定格電圧の５０〜８０％になるまで行われることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
工程（１）の放電が、定格電圧の８０％になるまで行われることを特徴とする、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
工程（１）および工程（２）を２回以上繰り返すことを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
放電時間、電圧、電解液の温度および比重を測定して再生程度を評価する工程を含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
他の不導体皮膜除去手段を併用することを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
他の不導体皮膜除去手段が、パルスまたはマイクロカーボンにより電極に付着した不導体膜を物理的に除去するものおよび／または不導体膜を化学的に除去できる物質を添加するものであることを特徴とする、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
再生すべき鉛蓄電池を定格電圧の５０％〜８０％の電圧になるまで放電するための放電器、該放電器と直接的または間接的に結線され、鉛蓄電池を定格容量まで充電するための充電器、放電器及び充電器と直接的または間接的に結線され、充放電の電流および／または電圧を制御する充放電制御装置を含む、前記鉛蓄電池再生装置。
【請求項９】
定格容量の異なる複数の鉛蓄電池を同時に再生するための、複数の充電器、複数の放電器および複数の充放電制御装置を備えた、請求項８に記載の鉛蓄電池再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
従って本発明の課題は、電極損傷のおそれがなく、効率的な鉛蓄電池の再生方法およびそれに用いる装置を提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
このような事情に鑑み、本発明者らが鋭意研究を重ねた結果、使用済み鉛蓄電池に対して、電極を傷めない程度に充分に放電して、充電時間が長くなるように充放電を制御することによって、電極を傷めることなく、充電中にプラス極側のサルフェーションを分解可能であることを見出し、本発明を完成するに至った。
したがって本発明は、電極に付着した不導体皮膜を分解して鉛蓄電池を再生する方法であって、
（１）鉛蓄電池の定格電圧より低い所定の電圧になるまで放電する工程、および
（２）充電時間が５時間以上であり、かつ定格電圧の８０％を越えるように鉛蓄電池を充電する工程、
を含む、前記方法に関する。
さらに本発明は、工程（１）の放電が、再生すべき鉛蓄電池の電圧が定格電圧の８０％を超える場合に、定格電圧の５０〜８０％になるまで行われることを特徴とする、前記の方法に関する。
また本発明は、工程（１）の放電が、定格電圧の８０％になるまで行われることを特徴とする、前記の方法に関する。
さらに本発明は、工程（１）および工程（２）を２回以上繰り返すことを特徴とする、前記の方法に関する。
また本発明は、放電時間、電圧、電解液の温度および比重を測定して再生程度を評価する工程を含むことを特徴とする、前記の方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の方法によるサルフェーションの分解は、以下の各工程を行なうことで達成されるが、各工程は必要に応じて改変が可能である。
（１）鉛蓄電池の定格電圧より低い所定の電圧になるまで放電する工程
通常、鉛蓄電池を使用した場合、その使用目的を終えた時点で使用済みとなることから、電気残量がどの程度かは、個々の電池によって異なる。しかしながら、いずれの電池であっても、定格容量の５０％〜８０％を消費していること、とくに８０％を消費していることが好ましい。
このような電気残量は、電圧を測定することで知ることができる。本発明においては、鉛蓄電池の定格電圧の８０％を超える場合、電気残量が大きすぎ、５０％を下回る場合には、電気残量が小さすぎるので、充電すれば良いが、大きすぎる場合は、放電してやることによって、充電に適した状態にすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月9日(2005.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部磁気シールド層及び上部磁気シールド層からなる一対の磁気シールド層と、前記一対の磁気シールド層の間に配置され、自由層、中間層及び固定層の積層構造を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向の両端部に配された一対の縦バイアス印加層とを有し、前記一対の磁気シールド層を電極として前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向に電流を流す磁気センサにおいて、
前記電極を兼ねる上部磁気シールド層及び前記縦バイアス印加層の間と、前記電極を兼ねる上部磁気シールド層及び自由層の間に非磁性金属層を含むスペーサを有し、
前記縦バイアス印加層と前記磁気抵抗効果膜の自由層との最短距離が、前記縦バイアス印加層と前記上部磁気シールド層との最短距離よりも短いことを特徴とする磁気センサ。
【請求項２】
上部磁気シールド層及び下部磁気シールド層が前記磁気抵抗効果膜をはさむ部分の間隔を再生ギャップ長としたときに、前記磁気抵抗効果膜及び前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向の両側に前記再生ギャップ長を加えた領域内において、
前記縦バイアス印加層と前記磁気抵抗効果膜の自由層との最短距離が、前記縦バイアス印加層と前記上部磁気シールド層との最短距離よりも短いことを特徴とする請求項１記載の磁気センサ。
【請求項３】
前記スペーサが、更に絶縁層を含むことを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。
【請求項４】
前記一対の縦バイアス印加層は、絶縁層を介して前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向の両端に配されていることを特徴とする請求項１記載の磁気センサ。
【請求項５】
上部磁気シールド層及び下部磁気シールド層が前記磁気抵抗効果膜をはさむ部分の間隔を再生ギャップ長としたときに、前記磁気抵抗効果膜及び前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向の両端に前記再生ギャップ長を加えた領域内において、
前記スペーサの厚さが、前記縦バイアス印加層と前記磁気抵抗効果膜の自由層との間における絶縁層の最も薄い部分の厚さよりも厚いことを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。
【請求項６】
前記縦バイアス印加層と前記磁気抵抗効果膜の自由層とのトラック幅方向の最短距離が、前記縦バイアス印加層と前記上部磁気シールド層とのトラック幅方向と直交する方向における最短距離よりも短いことを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。
【請求項７】
前記縦バイアス印加層と前記上部磁気シールド層との最短距離が、前記縦バイアス印加層と前記磁気抵抗効果膜の自由層とのトラック幅方向の最短距離の1.5倍以上あることを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。
【請求項８】
前記縦バイアス印加層と前記上部磁気シールド層との最短距離が、前記縦バイアス印加層と前記磁気抵抗効果膜の自由層とのトラック幅方向の最短距離の1.8倍以上あることを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。
【請求項９】
前記磁気抵抗効果膜の中間層がトンネル障壁層であり、前記スペーサを構成する非磁性金属層の比抵抗が200 μΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。
【請求項１０】
前記非磁性金属層が、Cr、Mo、Ta、Ti、Ni、Nb、Wのグループから選ばれる少なくとも1種類の元素からなる金属で構成されていることを特徴とする請求項９記載の磁気センサ。
【請求項１１】
前記磁気抵抗効果膜の中間層が導電層であり、前記スペーサを構成する非磁性金属層の比抵抗が100 μΩ・ｃｍ以下であることを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。
【請求項１２】
前記非磁性金属層が、Cr、Mo、Ta、Ti、Ni、Nb、Au、Cu、Ag、Al、Rh、Wのグループから選ばれる少なくとも1種類の元素からなる金属で構成されていることを特徴とする請求項１１記載の磁気センサ。
【請求項１３】
下部磁気シールド層と上部磁気シールド層からなる一対の磁気シールド層と、前記一対の磁気シールド層の間に配置された自由層と中間層と固定層との積層構造を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜のトラック幅方向の両端部に絶縁層を介して配された一対の縦バイアス印加層とを有し、前記一対の磁気シールド層を電極として前記磁気抵抗効果膜の膜厚方向に電流を流す磁気センサの製造方法において、
前記磁気抵抗効果膜の上にリフトオフマスク材を形成し、前記磁気抵抗効果膜を形成する工程と、
前記磁気抵抗効果膜の両側面に、絶縁層と前記縦バイアス印加層を形成する工程と、
前記縦バイアス印加層の上、および前記磁気抵抗効果膜の上に、非磁性金属層を含むスペーサを形成する工程と、
前記スペーサの上に、電極を兼ねる上部磁気シールド層を形成する工程とを有することを特徴とする、磁気センサの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク状の記録媒体を回転駆動するディスク回転モータと、
前記記録媒体にデータを記録再生する光学ユニットと、
前記光学ユニットを前記記録媒体に対して移動させる移動機構と、
前記ディスク回転モータ、前記光学ユニット及び前記移動機構を保持するメインシャーシと、
電池を保持し、前記メインシャーシに固着されて前記メインシャーシと共に実質的に平面状に形成され、弾性を有する金属で形成されたサブシャーシと、
前記サブシャーシの一部が固着され、前記メインシャーシと遊動可能に係合したキャビネットと、
を具備するディスク記録再生装置。
【請求項２】
メインシャーシとサブシャーシが実質的に四角の平面状に形成され、前記四角の第１の辺に相当するサブシャーシの１辺がキャビネットに固着され、前記四角の第１の辺に対向する第２の辺に相当するメインシャーシの１辺がキャビネットと遊動可能に係合するよう構成された請求項１に記載のディスク記録再生装置。
【請求項３】
装置外観を形成するキャビネットが複数で構成され、その１つのキャビネットにサブシャーシが固着され、メインシャーシが遊動可能に係合するよう構成された請求項１又は２に記載のディスク記録再生装置。
【請求項４】
サブシャーシがキャビネットにネジ止めされ、メインシャーシに形成された孔が前記キャビネットに形成された突起と隙間を有して係合するよう構成された請求項１，２又は３のいずれかに記載のディスク記録再生装置。
【請求項５】
メインシャーシが樹脂で形成された請求項１，２，３又は４のいずれかに記載のディスク記録再生装置。
【請求項６】
メインシャーシが軽金属で形成された請求項１，２，３又は４のいずれかに記載のディスク記録再生装置。
【請求項７】
メインシャーシがアルミニウム材で形成された請求項１，２，３又は４のいずれかに記載のディスク記録再生装置。
【請求項８】
サブシャーシがステンレス材で形成された請求項１，２，３又は４のいずれかに記載のディスク記録再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るディスク記録再生装置は、ディスク状の記録媒体を回転駆動するディスク回転モータと、
前記記録媒体にデータを記録再生する光学ユニットと、
前記光学ユニットを前記記録媒体に対して移動させる移動機構と、
前記ディスク回転モータ、前記光学ユニット及び前記移動機構を保持するメインシャーシと、
電池を保持し、前記メインシャーシに固着されて前記メインシャーシと共に実質的に平面状に形成され、弾性を有する金属で形成されたサブシャーシと、
前記サブシャーシの一部が固着され、前記メインシャーシと遊動可能に係合したキャビネットと、を具備する。このように構成された本発明によれば、装置外部から振動や衝撃が加わった場合においてもその振動や衝撃が直接的に内部機構に伝達されることが防止され、小型軽量薄型のディスク記録再生装置を提供している。