【手続補正書】
【提出日】平成16年2月20日(2004.2.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】垂直共振器型半導体発光素子、発光装置、光ディスク装置、及び記録装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
II−VI族化合物半導体で形成された発光層と、
該発光層の内部に相当する位置に開口部を有する第１のII−VI族化合物半導体層と、
該発光層を挟むように設けられた上部ミラー及び下部ミラーと、
を備えており、
該開口部を通して該発光層に電流を注入し、
前記第１のII−VI族化合物半導体層を挟むように設けられた下部及び上部第２II−VI族化合物半導体層をさらに備えており、
前記第１のII−VI族化合物半導体層が第１の導電型を有し、該下部及び上部第２II−VI族化合物半導体層のそれぞれが第２の導電型を有しており、
該第１のII−VI族化合物半導体層によって前記電流が狭窄されて前記発光層に注入され、
前記第１のII−VI族化合物半導体層の屈折率が、前記下部及び上部第２II−VI族化合物半導体層の屈折率よりも低い、垂直共振器型半導体発光素子。
【請求項２】
前記第１のII−VI族化合物半導体層の前記開口部の幅が、前記上部ミラーの直径よりも小さい、請求項１に記載の垂直共振器型半導体発光素子。
【請求項３】
前記第１のII−VI族化合物半導体層の前記開口部における端部が、テーパ状の形状を有している、請求項１に記載の垂直共振器型半導体発光素子。
【請求項４】
前記第１のII−VI族化合物半導体層が高抵抗層である、請求項１に記載の垂直共振器型半導体発光素子。
【請求項５】
前記第１のII−VI族化合物半導体層が、ＺｎＳｅ層、ＺｎＳ層、ＺｎＳＳｅ層、ＺｎＳｅＴｅ層、ＺｎＳＴｅ層、ＺｎＭｇＳＳｅ層、或いはＣｄＺｎＳＳｅ層である、請求項１に記載の垂直共振器型半導体発光素子。
【請求項６】
前記発光層の上部に相当する位置に開口部を有するコンタクト層をさらに備えている、請求項１に記載の垂直共振器型半導体発光素子。
【請求項７】
前記コンタクト層が、ＺｎＴｅ層、ＺｎＴｅ層を含む超格子層、或いはアモルファス半導体層から構成されている、請求項６に記載の垂直共振器型半導体発光素子。
【請求項８】
前記第１のII−VI族化合物半導体層は前記上部ミラーの直上或いは直下に位置する、請求項１に記載の垂直共振器型半導体発光素子。
【請求項９】
前記上部ミラー及び前記下部ミラーのそれぞれがII−VI族化合物半導体材料で構成されている、請求項１に記載の垂直共振器型半導体発光素子。
【請求項１０】
前記発光層の上部に相当する位置に開口部を有する電極金属層をさらに備えている、請求項１に記載の垂直共振器型半導体発光素子。
【請求項１１】
前記下部第２II−VI族化合物半導体層がＺｎＭｇＳＳｅ層である、請求項１に記載の垂直共振器型半導体発光素子。
【請求項１２】
前記発光層がＺｎＳＳｅバリア層と複数のＺｎＣｄＳｅ井戸層とで構成される多重量子井戸層からなる、請求項１に記載の垂直共振器型半導体発光素子。
【請求項１３】
前記発光層がＺｎＳＳｅバリア層と複数のＺｎＣｄＳｅ井戸層とで構成される多重量子井戸層からなる、請求項１に記載の垂直共振器型半導体発光素子。
【請求項１４】
前記下部第２II−VI族化合物半導体層と前記発光層との間に配置され、該発光層の前記バリア層のバンドギャップ以上であって且つ該下部第２II−VI族化合物半導体層のバンドギャップより小さいバンドギャップを有する、II−VI族化合物半導体光閉じ込め層をさらに備える、請求項１３に記載の垂直共振器型半導体発光素子。
【請求項１５】
ＧａＡｓ基板の上にバッファ層を介して形成されていて、該バッファ層がＺｎＳｅ層或いはＺｎＳＳｅ層である、請求項１に記載の垂直共振器型半導体発光素子。
【請求項１６】
ＧａＡｓ基板の上に形成された電極をさらに備え、該電極が、ＡｕとＧｅとＮｉとＰｄとを含む材料から構成されている、請求項１に記載の垂直共振器型半導体発光素子。
【請求項１７】
垂直共振器型半導体発光素子と光検出器とを備える発光装置であって、
該垂直共振器型半導体発光素子と該光検出器とが同一基板の上に形成されていて、
該垂直共振器型半導体発光素子が請求項１から１６のいずれかに記載のものである、発光装置。
【請求項１８】
同一基板上にアレイ状に集積的に形成された複数の垂直共振器型半導体発光素子を備える発光装置であって、該複数の垂直共振器型半導体発光素子のそれぞれが、請求項１から１６のいずれかに記載のものである、発光装置。
【請求項１９】
垂直共振器型半導体発光素子と、
該垂直共振器型半導体発光素子から出射したレーザ光を記録媒体に集光する集光光学系と、
該記録媒体からの反射光を受光する光検出器と、
を備える光ディスク装置であって、
該垂直共振器型半導体発光素子が請求項１から１６のいずれかに記載のものである、光ディスク装置。
【請求項２０】
前記垂直共振器型半導体発光素子から出射した前記レーザ光により、前記記録媒体に記録されている情報を読み取る、請求項１９に記載の光ディスク装置。
【請求項２１】
記録用光源として垂直共振器型半導体発光素子を備える記録装置であって、該垂直共振器型半導体発光素子が請求項１から１６のいずれかに記載のものである、記録装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、面発光レーザなどの垂直共振器型半導体発光素子、ならびにそれを利用した発光装置、光ディスク装置、及び記録装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このような構造において、７７Ｋという低温における電流注入型のレーザ発振が報告されている（例えば、Applied Physics Letters, Vol.66, No.22, pp.2929-2931（May-1995）を参照のこと）。その他、先行例としては特開平８−５１２４８号公報を挙げることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、その目的は、（１）低いしきい値電流密度でレーザ発振する垂直共振器型半導体発光素子を提供すること、（２）上記のような垂直共振器型半導体発光素子を利用した発光装置、光ディスク装置、或いは記録装置を提供すること、である。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明の垂直共振器型半導体発光素子は、II−VI族化合物半導体で形成された発光層と、該発光層の内部に相当する位置に開口部を有する第１のII−VI族化合物半導体層と、該発光層を挟むように設けられた上部ミラー及び下部ミラーと、を備えており、該開口部を通して該発光層に電流を注入する構成になっており、前記第１のII−VI族化合物半導体層を挟むように設けられた下部及び上部第２II−VI族化合物半導体層をさらに備えており、前記第１のII−VI族化合物半導体層が第１の導電型を有し、該下部及び上部第２II−VI族化合物半導体層のそれぞれが第２の導電型を有しており、該第１のII−VI族化合物半導体層によって前記電流が狭窄されて前記発光層に注入され、前記第１のII−VI族化合物半導体層の屈折率が、前記下部及び上部第２II−VI族化合物半導体層の屈折率よりも低くなっている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】