【手続補正書】
【提出日】平成17年1月28日(2005.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボールグリッドアレイ型半導体装置において、
導電性配線と、
導電性配線に接続されるパッド及び突起が形成されたランドと、
上記導電性配線及び絶縁膜を有する絶縁性テープと、
上記絶縁性テープの表面に接着部材によって固着され、金属細線によって上記導電性配線と電気的に接続された方形の半導体素子と、
上記半導体素子の周囲と上記絶縁性テープの半導体素子固着面とを封止する封止樹脂と、
上記ランドに接合される外部端子と、
を備えることを特徴とするボールグリッドアレイ型半導体装置。
【請求項２】
ボールグリッドアレイ型半導体装置において、
複数の導電性配線と、
上記導電性配線に接続される複数のパッド及びランドと、
絶縁膜を有し、基板実装面側にスリットを形成した絶縁性テープと、
上記絶縁性テープの表面に接着部材によって固着され、金属細線によって上記導電性配線と電気的に接続される方形の半導体素子と、
上記半導体素子の周囲と上記絶縁性テープの半導体素子固着面とを封止する封止樹脂と、
上記ランドに接合された外部端子と、
を備えることを特徴とするボールグリッドアレイ型半導体装置。
【請求項３】
ボールグリッドアレイ型半導体装置において、
導電性配線と、
上記導電性配線に接続されるパッド及びランドと、
上記ランドの外周部分を覆うように形成され、上記ランド上に開口部が形成された絶縁膜を有し、上記開口部に、上記絶縁膜より線膨張係数が小さい接着剤が侵入される絶縁性テープと、
上記絶縁性テープの表面に接着部材によって固着され、金属細線によって上記導電性配線と電気的に接続される方形の半導体素子と、
上記半導体素子の周囲と上記絶縁性テープの半導体素子固着面とを封止する封止樹脂と、
上記ランドに接合された外部端子と、
を備えることを特徴とするボールグリッドアレイ型半導体装置。
【請求項４】
導電性配線と、上記導電性配線に接続されるパッド及びランドと、絶縁膜を有する絶縁性テープと、上記絶縁性テープの表面に接着部材によって固着され、上記導電性配線と金属細線によって電気的に接続される方形の半導体素子と、上記半導体素子の周囲と上記絶縁性テープの半導体素子固着面とを封止する封止樹脂と、上記ランドに接合された外部端子と、を有するボールグリッドアレイ型半導体装置において、
上記封止樹脂は、シリカ粒子を含んで上記封止樹脂の線膨張係数が上記絶縁性テープの線膨張係数に近づくように形成されていることを特徴とするボールグリッドアレイ型半導体装置。
【請求項５】
導電性配線と、上記導電性配線に接続されるパッド及びランドと、絶縁膜を有する絶縁性テープと、上記絶縁性テープの表面に接着部材によって固着され、上記導電性配線と金属細線によって電気的に接続される方形の半導体素子と、上記半導体素子の周囲と上記絶縁性テープの半導体素子固着面とを封止する封止樹脂と、上記ランドに接合された外部端子と、を有するボールグリッドアレイ型半導体装置において、
上記接着部材は、ガラス粒子を含んで上記接着部材の線膨張係数が上記絶縁膜の線膨張係数に近づくように形成されていることを特徴とするボールグリッドアレイ型半導体装置。
【請求項６】
ボールグリッドアレイ型半導体装置において、
導電性配線と、
上記導電性配線に接続されるパッド及びランドと、
絶縁膜を有する絶縁性テープと、
上記絶縁性テープの表面に接着部材によって固着され、上記導電性配線と電気的に接続される方形の半導体素子と、
上記絶縁性テープ表面に形成される変形拘束部材と、
上記半導体素子及び上記変形拘束部材の周囲と上記絶縁性テープの半導体素子固着面とを封止する封止樹脂と、
上記ランドに接合される外部端子と、
を備えることを特徴とするボールグリッドアレイ型半導体装置。
【請求項７】
導電性配線と、上記導電性配線に接続されるパッド及びランドと、絶縁膜を有する絶縁性テープと、上記絶縁性テープの表面に接着部材によって固着され、上記導電性配線と金属細線によって電気的に接続される方形の半導体素子と、上記半導体素子の周囲と上記絶縁性テープの半導体素子固着面とを封止する封止樹脂と、上記ランドに接合された外部端子と、を有するボールグリッドアレイ型半導体装置において、
上記封止樹脂は、シリカ粒子を含み、シリカ粒子の封止樹脂への充填率を調整して上記封止樹脂の線膨張率を調整し、上記封止樹脂と絶縁性テープの線膨張係数の相違による半導体装置の反り変形量を低減することを特徴とするボールグリッドアレイ型半導体装置。
【請求項８】
導電性配線と、上記導電性配線に接続されるパッド及びランドと、絶縁膜を有する絶縁性テープと、上記絶縁性テープの表面に接着部材によって固着され、上記導電性配線と金属細線によって電気的に接続される方形の半導体素子と、上記半導体素子の周囲と上記絶縁性テープの半導体素子固着面とを封止する封止樹脂と、上記ランドに接合された外部端子と、を有するボールグリッドアレイ型半導体装置において、
上記接着部材は、ガラス粒子を含み、ガラス粒子の接着部材への充填率を調整して上記接着部材の線膨張率を調整し、上記接着部材と絶縁膜との線膨張係数の相違による上記絶縁膜と接着部材との剥離を低減することを特徴とするボールグリッドアレイ型半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
上記目的を達成するため、本発明は、次のように構成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
（１）ボールグリッドアレイ型半導体装置において、導電性配線と、導電性配線に接続されるパッド及び突起が形成されたランドと、上記導電性配線及び絶縁膜を有する絶縁性テープと、上記絶縁性テープの表面に接着部材によって固着され、金属細線によって上記導電性配線と電気的に接続された方形の半導体素子と、上記半導体素子の周囲と上記絶縁性テープの半導体素子固着面とを封止する封止樹脂と、上記ランドに接合される外部端子とを備える。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
（２）ボールグリッドアレイ型半導体装置において、複数の導電性配線と、上記導電性配線に接続される複数のパッド及びランドと、絶縁膜を有し、基板実装面側にスリットを形成した絶縁性テープと、上記絶縁性テープの表面に接着部材によって固着され、金属細線によって上記導電性配線と電気的に接続される方形の半導体素子と、上記半導体素子の周囲と上記絶縁性テープの半導体素子固着面とを封止する封止樹脂と、上記ランドに接合された外部端子とを備える。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
（３）ボールグリッドアレイ型半導体装置において、導電性配線と、上記導電性配線に接続されるパッド及びランドと、上記ランドの外周部分を覆うように形成され、上記ランド上に開口部が形成された絶縁膜を有し、上記開口部に、上記絶縁膜より線膨張係数が小さい接着剤が侵入される絶縁性テープと、上記絶縁性テープの表面に接着部材によって固着され、金属細線によって上記導電性配線と電気的に接続される方形の半導体素子と、上記半導体素子の周囲と上記絶縁性テープの半導体素子固着面とを封止する封止樹脂と、上記ランドに接合された外部端子とを備える。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
（４）導電性配線と、上記導電性配線に接続されるパッド及びランドと、絶縁膜を有する絶縁性テープと、上記絶縁性テープの表面に接着部材によって固着され、上記導電性配線と金属細線によって電気的に接続される方形の半導体素子と、上記半導体素子の周囲と上記絶縁性テープの半導体素子固着面とを封止する封止樹脂と、上記ランドに接合された外部端子と、を有するボールグリッドアレイ型半導体装置において、上記封止樹脂は、シリカ粒子を含んで上記封止樹脂の線膨張係数が上記絶縁性テープの線膨張係数に近づくように形成されている。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
（５）導電性配線と、上記導電性配線に接続されるパッド及びランドと、絶縁膜を有する絶縁性テープと、上記絶縁性テープの表面に接着部材によって固着され、上記導電性配線と金属細線によって電気的に接続される方形の半導体素子と、上記半導体素子の周囲と上記絶縁性テープの半導体素子固着面とを封止する封止樹脂と、上記ランドに接合された外部端子と、を有するボールグリッドアレイ型半導体装置において、上記接着部材は、ガラス粒子を含んで上記接着部材の線膨張係数が上記絶縁膜の線膨張係数に近づくように形成されている。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
（６）ボールグリッドアレイ型半導体装置において、導電性配線と、上記導電性配線に接続されるパッド及びランドと、絶縁膜を有する絶縁性テープと、上記絶縁性テープの表面に接着部材によって固着され、上記導電性配線と電気的に接続される方形の半導体素子と、上記絶縁性テープ表面に形成される変形拘束部材と、上記半導体素子及び上記変形拘束部材の周囲と上記絶縁性テープの半導体素子固着面とを封止する封止樹脂と、上記ランドに接合される外部端子とを備える。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
（７）導電性配線と、上記導電性配線に接続されるパッド及びランドと、絶縁膜を有する絶縁性テープと、上記絶縁性テープの表面に接着部材によって固着され、上記導電性配線と金属細線によって電気的に接続される方形の半導体素子と、上記半導体素子の周囲と上記絶縁性テープの半導体素子固着面とを封止する封止樹脂と、上記ランドに接合された外部端子と、を有するボールグリッドアレイ型半導体装置において、上記封止樹脂は、シリカ粒子を含み、シリカ粒子の封止樹脂への充填率を調整して上記封止樹脂の線膨張率を調整し、上記封止樹脂と絶縁性テープの線膨張係数の相違による半導体装置の反り変形量を低減する。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
（８）導電性配線と、上記導電性配線に接続されるパッド及びランドと、絶縁膜を有する絶縁性テープと、上記絶縁性テープの表面に接着部材によって固着され、上記導電性配線と金属細線によって電気的に接続される方形の半導体素子と、上記半導体素子の周囲と上記絶縁性テープの半導体素子固着面とを封止する封止樹脂と、上記ランドに接合された外部端子と、を有するボールグリッドアレイ型半導体装置において、上記接着部材は、ガラス粒子を含み、ガラス粒子の接着部材への充填率を調整して上記接着部材の線膨張率を調整し、上記接着部材と絶縁膜との線膨張係数の相違による上記絶縁膜と接着部材との剥離を低減する。