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【手続補正書】
【提出日】令和3年4月21日(2021.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステータ；
前記ステータの内側に配置されるロータ；
前記ロータと結合するシャフト；
前記ステータの上側に配置されるバスバー；および
前記バスバーに連結されるワイヤ組立体を含み、
前記ワイヤ組立体は、グロメット、前記グロメットの内側に一部が配置されるケーブルと前記ケーブルに連結される第１ターミナルを含み、
前記第１ターミナルは連結端を含み、
前記グロメットは、前記ケーブルを内部に含む胴体と前記胴体から延びて前記第１ターミナルを内部に含む延長部を含み、
前記延長部は、前記延長部の下面から前記延長部の上面を貫通して形成されたインサートホールを含み、
前記連結端は前記インサートホールの内側に配置される、モータ。
【請求項２】
前記バスバーは第２ターミナルを含み、
前記第１ターミナルと前記第２ターミナルは嵌合する、請求項１に記載のモータ。
【請求項３】
前記第２ターミナルは前記ステータに巻線されたコイルと連結される連結部と前記連結部の一側から上側に突出して前記第１ターミナルの前記連結端と結合するクリップ部を含む、請求項２に記載のモータ。
【請求項４】
前記クリップ部は上端から下側に凹んで形成されて前記第１ターミナルの前記連結端と嵌合するスロットを含む、請求項３に記載のモータ。
【請求項５】
前記スロットは前記スロットの側壁から突出して前記第１ターミナルの前記連結端の動きを制限する係止段を含む、請求項４に記載のモータ。
【請求項６】
前記第２ターミナルは、環状のベース部と、前記ベース部に連結される複数個の端子部を含み、
複数個の端子部のうちいずれか一つは前記クリップ部を含む、請求項３に記載のモータ。
【請求項７】
前記クリップ部は前記インサートホールの内側に配置される、請求項３に記載のモータ。
【請求項８】
前記シャフトに結合するセンシングマグネットをさらに含み、
前記延長部の前面は曲面であり、
前記延長部の前面の曲率半径はセンシングマグネットの外径より大きい、請求項１に記載のモータ。
【請求項９】
前記インサートホールの上面または下面は傾斜した形状を有する側壁を含む、請求項１に記載のモータ。
【請求項１０】
前記スロットの入口は下側に行くほど幅が小さくなる、請求項４に記載のモータ。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月16日(2021.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
飛行経路上で車両を案内するための方法であって、前記方法は、以下を含む、
前記車両の制御装置により、金属製軌道と関連付けられた一つ以上のガイドウェイセンサにより生成された２本以上の支柱の間に配設される軌道セグメントに対応する情報を含むガイドウェイデータを受信し、
前記制御装置により、三次元（３Ｄ）空間での座標の集合を表す飛行経路データを前記車両の飛行経路データにより受信し、
前記制御装置により、前記飛行経路データの一つ以上の座標と前記ガイドウェイデータに基づく前記車両の位置との間の偏差量を判断し、
磁気懸架システムにより、前記軌道セグメントに対する前記車両の位置を調節して前記３Ｄ空間の少なくとも一つの次元での前記偏差量を最小化する。
【請求項２】
前記軌道セグメントに対する前記車両の位置の調節がさらに、前記車両の高度、経度または緯度のうち少なくとも一つを調節することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記磁気懸架システムは複数の浮上発生器を含み、前記軌道セグメントに対する前記車両の前記位置の調節は、さらに以下を含む、
前記軌道セグメントに対する前記複数の浮上発生器のうち少なくとも一つの浮上発生器の角度を変化させて前記３Ｄ空間での前記少なくとも一つの次元の偏差量を最小化する、または、一つ以上の浮上発生器での浮上力を変化させて前記３Ｄ空間での前記少なくとも一つの次元の偏差量を最小化する、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
駆動発生器で駆動力を調節して前記軌道セグメントに対する前記車両の速度を変化させ、前記３Ｄ空間での少なくとも一つの次元の偏差量を最小化すること
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
光学センサ、エンコーダ、またはレーダセンサのうち一つに基づいて前記軌道セグメントに対する前記車両の速度を判断すること
をさらに含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ガイドウェイデータがさらに前記軌道セグメントの区間を含み、前記偏差量の判断が、さらに以下を含む、
前記制御装置で、前記軌道セグメントの少なくとも前記区間に基づく前記３Ｄ空間での前記軌道セグメントの撓みと、前記軌道セグメントの前記区間に対する前記車両の速度とを判断し、
前記制御装置で、前記飛行経路データの前記一つ以上の座標と前記軌道セグメントの前記撓みに基づく前記車両の位置との間の偏差量を判断する、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記一つ以上のガイドウェイセンサが、光学センサ、エンコーダ、無線周波数識別（ＲＦＩＤ）センサ、前方監視レーダセンサのうち一つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ガイドウェイデータの受信は、さらに、
前記軌道セグメントを表す情報と前記飛行経路データの前記座標の集合とを格納するデータベースから前記ガイドウェイデータを受信すること、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記偏差量の判断が、さらに、
前記飛行経路データの前記一つ以上の座標と前記軌道セグメントに対する前記車両の現在位置との間の差分を判断すること
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記軌道セグメントに対する前記車両のピッチとロールとヨーのうち少なくとも一つを前記偏差量に基づいて判断すること、
を含む、請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月30日(2021.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
構造：
【化１】
2020518264.tif 000001
を有する化合物１の産生方法であって、
モグロシドＩＩＩＥを、モグロシドＩＩＩＥからの化合物１の産生を触媒することが可能な第１の酵素と接触させることを含み；
ここで、前記第１の酵素が、ＵＤＰグリコシルトランスフェラーゼ、シクロマルトデキストリングルカノトランスフェラーゼ（ＣＧＴアーゼ）、グリコトランスフェラーゼ、デキストランスクラーゼ、セルラーゼ、β−グルコシダーゼ、アミラーゼ、トランスグルコシダーゼ、ペクチナーゼおよびデキストラナーゼのうちの１種以上であり；
前記ＣＧＴアーゼは、配列番号１、３、７８〜８８、９０〜１０１、１４８および１５４のいずれか１つの配列と少なくとも９０％の配列同一性を有するアミノ酸配列を含み；
前記デキストランスクラーゼは、配列番号２、１０３、１０６〜１１０、１５６および８９６に記載された配列のいずれか１つと少なくとも９０％の配列同一性を有するアミノ酸配列を含むか、あるいは
デキストランスクラーゼ活性を有する酵素は、配列番号１０４、１５７および８９５に記載された配列のいずれか１つと少なくとも９０％の配列同一性を有する遺伝子によってコードされる、方法。
【請求項２】
モグロシドＩＩＩＥを前記第１の酵素と接触させることが、モグロシドＩＩＩＥを、前記第１の酵素をコードする第１の遺伝子を含む組換え宿主細胞と接触させることを含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記第１の遺伝子が、前記組換え宿主細胞に対して異種である、請求項２記載の方法。
【請求項４】
前記第１の酵素が、配列番号３、７８〜８８、９０〜１０１、１４８および１５４のいずれか１つの配列を有するアミノ酸配列を含むＣＧＴアーゼである、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記第１の酵素が、配列番号２、１０３、１０６〜１１０、１５６および８９６に記載された配列のいずれか１つのアミノ酸配列を含むデキストランスクラーゼである、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記第１の酵素が、配列番号１０４、１５７および８９５のいずれか１つの核酸配列によってコードされるデキストランスクラーゼである、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
モグロシドＩＩＡを、モグロシドＩＩＡからのモグロシドＩＩＩＥの産生を触媒することが可能な第２の酵素と接触させることを含む、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
モグロールを、モグロールからのモグロシドＩＩＩＥの産生を触媒することが可能な１種以上の酵素と接触させることを含む、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
モグロシド化合物を、モグロシド化合物からのモグロシドＩＩＩＥの産生を触媒することが可能な１種以上の酵素と接触させてモグロシドＩＩＩＥを産生することを含み、ここで、前記モグロシド化合物が、モグロシドＩＡ１、モグロシドＩＥ１、モグロシドＩＩＡ１、モグロシドＩＩＥ、モグロシドＩＩＡ、モグロシドＩＩＩＡ１、モグロシドＩＩＩＡ２、モグロシドＩＩＩ、モグロシドＩＶ、モグロシドＩＶＡ、モグロシドＶおよびシアメノシドのうちの１種以上である、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
前記モグロシド化合物からのモグロシドＩＩＩＥの産生を触媒することが可能な前記１種以上の酵素が、ＵＤＰグリコシルトランスフェラーゼ、ＣＧＴアーゼ、グリコトランスフェラーゼ、デキストランスクラーゼ、セルラーゼ、β−グルコシダーゼ、アミラーゼ、トランスグルコシダーゼ、ペクチナーゼおよびデキストラナーゼのうちの１種以上を含む、請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記モグロシド化合物が、モグロシドＩＩＡまたはモグロシドＩＩＥであり、ここで、１種以上の酵素と接触させることにより、モグロシドＩＩＩＡ、モグロシドＩＶＥおよびモグロシドＶのうちの１種以上を産生する、請求項９または１０記載の方法。
【請求項１２】
１１−ヒドロキシ−２４，２５−エポキシククルビタジエノールを、前記組換え宿主細胞と接触させることを含み、ここで、前記組換え宿主細胞が、エポキシドヒドロラーゼをコードする遺伝子を含み、
前記１１−ヒドロキシ−２４，２５−エポキシククルビタジエノールが、前記組換え宿主細胞に存在し、かつ／または前記組換え宿主細胞によって産生される、請求項２から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
前記接触により前記組換え宿主細胞内でモグロールが産生される、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
ククルビタジエノールを前記組換え宿主細胞と接触させることを含み、ここで、前記組換え宿主細胞が、シトクロムＰ４５０をコードする遺伝子を含み、前記接触により１１−ヒドロキシククルビタジエノールが産生される、請求項２から１３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
２，３−オキシドスクアレン、ジオキシドスクアレンおよびジエポキシスクアレンのうちの１種以上を、前記組換え宿主細胞と接触させることを含み、ここで、前記組換え宿主細胞が、ククルビタジエノールシンターゼ活性を有するポリペプチドをコードする遺伝子を含み、前記接触によりククルビタジエノールおよび／または２４，２５−エポキシククルビタジエノールが産生される、請求項２から１４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１６】
２，３−オキシドスクアレン、ジオキシドスクアレンおよびジエポキシスクアレンのうちの１種以上が、前記組換え宿主細胞によって産生され、かつ／または前記組換え宿主細胞に存在する、請求項１５記載の方法。
【請求項１７】
ファルネシルピロリン酸を、前記組換え宿主細胞と接触させることを含み、ここで、前記組換え宿主細胞は、スクアレンシンターゼをコードする遺伝子を含み、前記接触によりスクアレンが産生される、請求項２から１６までのいずれか１項記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月28日(2021.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
繊毛病を処置するためのベクターであって、
前記ベクターが、繊毛病遺伝子に動作可能に連結されたプロモーターを含み、
前記ベクターが、多臓器への前記繊毛病遺伝子の形質導入を提供することができ、
前記プロモーターが、前記形質導入された臓器における前記繊毛病遺伝子の発現を提供し得るユビキタスプロモーターであり、
前記繊毛病遺伝子が、繊毛病において突然変異された機能的ヒトタンパク質に対応する前記タンパク質をコードする、ベクター。
【請求項２】
アデノ随伴ウイルス（ＡＡＶ）ベクター又はレンチウイルスベクターである、請求項１に記載のベクター。
【請求項３】
ＡＡＶベクターである、請求項１又は２に記載のベクター。
【請求項４】
ＡＡＶ８、ＡＡＶ９、ＡＡＶ８若しくはＡＡＶ９からのカプシドタンパク質でシュードタイプ化されたＡＡＶベクター、ＡＡＶ−ＰＨＰ.Ａ、ＡＡＶ−ＰＨＰ.Ｂ、ＡＡＶ９．４７、ＡＡＶ−Ｂ１、ＡＡＶ８（Ｙ７３３Ｆ）又はＡＡＶ２−ＴＴから選択される、請求項１〜３のいずれか一項に記載のベクター。
【請求項５】
ＡＡＶ８ベクター、ＡＡＶ９ベクター、又はＡＡＶ８若しくはＡＡＶ９からのカプシドタンパク質でシュードタイプ化されたＡＡＶベクターである、請求項１〜４のいずれか一項に記載のベクター。
【請求項６】
前記プロモーターが、短い伸長因子プロモーター（ＥＦＳ）、ＣＡＧプロモーター、サイトメガロウイルス前初期プロモーター（ＣＭＶ）、ユビキチンＣプロモーター（ＵＢＣ）、ホスホグリセラートキナーゼプロモーター（ＰＧＫ）及びベータアクチンプロモーターから選択される、請求項１〜５のいずれか一項に記載のベクター。
【請求項７】
前記プロモーターが、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ．３、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ．４、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ．５、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ．６、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ．７、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ．８及びＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ．４５から選択される配列を有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載のベクター。
【請求項８】
前記プロモーターが、ＣＡＧプロモーターである、請求項１〜７のいずれか一項に記載のベクター。
【請求項９】
前記プロモーターが、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ．４又はＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ．４７のヌクレオチド配列を有し得るＣＡＧプロモーターである、請求項１〜８のいずれか一項に記載のベクター。
【請求項１０】
前記繊毛病遺伝子が、ＢＢＳ１、ＢＢＳ２、ＢＢＳ３／ＡＲＬ６、ＢＢＳ４、ＢＢＳ５、ＢＢＳ６／ＭＫＫＳ、ＢＢＳ７、ＢＢＳ８、ＢＢＳ９、ＢＢＳ１０、ＢＢＳ１１／ＴＲＩＭ３２、ＢＢＳ１２、ＢＢＳ１３／ＭＫＳ１、ＢＢＳ１４／ＣＥＰ２９０、ＢＢＳ１５／Ｃ２ＯＲＦ８６、ＢＢＳ１６／ＳＤＣＣＡＧ８、ＢＢＳ１７／ＬＺＴＦＬ１、ＢＢＳ１８／ＢＢＩＰ１、ＢＢＳ１９／ＩＦＴ２７、ＢＢＳ２０／ＩＦＴ７４及びＢＢＳ２１／Ｃ８ＯＲＦ３７タンパク質から選択される機能的ヒトタンパク質をコードする、請求項１〜９のいずれか一項に記載のベクター。
【請求項１１】
前記繊毛病遺伝子が、ＢＢＳ１、ＢＢＳ２、ＢＢＳ３／ＡＲＬ６、ＢＢＳ４、ＢＢＳ５、ＢＢＳ６／ＭＫＫＳ、ＢＢＳ７、ＢＢＳ８、ＢＢＳ９、ＢＢＳ１０及びＢＢＳ１２タンパク質から選択される機能的ヒトタンパク質をコードする、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のベクター。
【請求項１２】
前記繊毛病遺伝子が、ＢＢＳ１及びＢＢＳ１０タンパク質から選択される機能的ヒトタンパク質をコードする、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のベクター。
【請求項１３】
前記繊毛病遺伝子が、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ．１のヌクレオチド配列を有するか、又はそれと少なくとも７０％の配列同一性を有し、機能的ヒトＢＢＳ１タンパク質をコードする、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のベクター。
【請求項１４】
前記繊毛病遺伝子が、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ.１１又は１２のヌクレオチド配列を有する、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のベクター。
【請求項１５】
前記繊毛病遺伝子が、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ．２のヌクレオチド配列を有するか、又はそれと少なくとも７０％の配列同一性を有し、機能的ヒトＢＢＳ１０タンパク質をコードする、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のベクター。
【請求項１６】
前記繊毛病遺伝子が、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ.１３又は１４のヌクレオチド配列を有する、請求項１〜１２及び１５のいずれか一項に記載のベクター。
【請求項１７】
前記繊毛病遺伝子が、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ．９のタンパク質配列を有する機能的ヒトＢＢＳ１タンパク質をコードするか、又はそれと８０％の配列同一性を有する、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のベクター。
【請求項１８】
前記繊毛病遺伝子が、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ．１０のタンパク質配列を有する機能的ヒトＢＢＳ１０タンパク質をコードするか、又はそれと８０％の配列同一性を有する、請求項１〜１２及び１５のいずれか一項に記載のベクター。
【請求項１９】
前記繊毛病が、バルデ・ビードル症候群、マキュージック・カウフマン症候群、ジュベール症候群、メッケル・グルーバー症候群、髄質性嚢胞腎、シニア・ローケン症候群、レーバー先天性黒内障から選択される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のベクター。
【請求項２０】
前記繊毛病が、バルデ・ビードル症候群である、請求項１〜１９のいずれか一項に記載のベクター。
【請求項２１】
ＡＡＶ８ベクター、ＡＡＶ９ベクター、又はＡＡＶ８若しくはＡＡＶ９からのカプシドタンパク質でシュードタイプ化されたＡＡＶベクターである、請求項１〜２０のいずれか一項に記載のベクターであって、
前記プロモーターが、ＣＡＧプロモーターであり、
前記繊毛病遺伝子が、ＢＢＳ１及びＢＢＳ１０タンパク質から選択される機能的ヒトタンパク質をコードする、ベクター。
【請求項２２】
前記繊毛病遺伝子が、ＳＥＱ  ＩＤ  ＮＯ.１１、１２、１３及び１４のうちの１つのヌクレオチド配列を有する、請求項２１に記載のベクター。
【請求項２３】
請求項１〜２２のいずれか一項に記載のベクターと、１種又は複数の医薬的に許容できる賦形剤と、を含む医薬組成物。
【請求項２４】
治療薬である、請求項２３に記載の医薬組成物。
【請求項２５】
繊毛病の治療薬である、請求項２３又は２４に記載の医薬組成物。
【請求項２６】
静脈内投与される、請求項２３〜２５のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項２７】
頭蓋内投与される、請求項２３〜２５のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項２８】
静脈内及び頭蓋内投与される、請求項２３〜２５のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項２９】
同日に静脈内及び頭蓋内投与される、請求項２８に記載の医薬組成物。
【請求項３０】
同時に静脈内及び頭蓋内投与される、請求項２８に記載の医薬組成物。
【請求項３１】
追加的に髄腔内投与される、請求項２３〜３０のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項３２】
一時点で投与され、反復投与されない、請求項２３〜３１のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月6日(2021.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のポリヌクレオチドを含む第１のＡＡＶ粒子；および
第２のポリヌクレオチドを含む第２のＡＡＶ粒子
を含み、ここで、
（ｉ）第１のポリヌクレオチドは、５’から３’へ向かって：
（ａ）プロモーター、
（ｂ）オトフェルリンポリペプチドのＮ末端部分をコードする部分コード配列、
（ｃ）スプライスドナー部位、および
（ｄ）第２のポリヌクレオチドにおける配列と相同な配列を含有する第１の相同の領域、
を含有する発現カセットに隣接する、逆方向末端反復配列を含み、および
（ｉｉ）第２のポリヌクレオチドは、５’から３’へ向かって：
（ａ）第１のポリヌクレオチドにおける配列と相同な配列を含有する第２の相同の領域、
（ｂ）スプライスアクセプター部位、
（ｃ）オトフェルリンポリペプチドのＣ末端部分をコードする部分コード配列、および
（ｄ）ポリアデニル化（ｐＡ）シグナル配列、
を含有する発現カセットに隣接する、逆方向末端反復配列を含む、組成物。
【請求項２】
第１および第２のポリヌクレオチドにおける相同の領域が、５０〜５００ヌクレオチドの間である、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
第１および第２のポリヌクレオチドにおける相同の領域が、５０〜３００ヌクレオチドの間である、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
相同の領域が、配列番号３のヌクレオチド配列を含む、請求項３に記載の組成物。
【請求項５】
プロモーターが、キメラＣＭＶ／ニワトリβアクチン（ｓｍｃＢＡ）プロモーターであるか、または、切断されたキメラＣＭＶ／ニワトリβアクチン（ｓｍｃＢＡ）プロモーターである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
プロモーターが、配列番号４の配列と少なくとも９０％、少なくとも９２．５％、少なくとも９５％、少なくとも９８％、または少なくとも９９％の配列同一性を有する配列を含むか、または、プロモーターが、配列番号４の配列を含む、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
オトフェルリンポリペプチドが、配列番号５または配列番号６のアミノ酸配列を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項８】
オトフェルリンポリペプチドが、配列番号６のアミノ酸配列を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項９】
スプライスドナー部位が、配列番号７の配列を含む、および／または、スプライスアクセプター部位が、配列番号８の配列を含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１０】
逆方向末端反復配列が、ＡＡＶ２逆方向末端反復配列であり、任意に、第１および第２のＡＡＶ粒子が、ＡＡＶ２血清型粒子である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１１】
薬学的に許容し得る担体をさらに含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１２】
第１の相同の領域が、ＡＰｈｅａｄ配列を含み、任意に、第２の相同の領域が、ＡＰｈｅａｄ配列を含む、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１３】
難聴の処置における使用のための、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の組成物であって、任意に、ＤＦＮＢ９の処置における使用のためのものである、前記組成物。
【請求項１４】
対象においてオトフェルリンの発現を増加させることにおける使用のための、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の組成物であって；任意に、対象は、哺乳動物対象中にあり、さらに任意に、細胞は、ヒト対象中にある；または、細胞は、ex vivoである、前記組成物。
【請求項１５】
細胞においてオトフェルリンの発現を増加させることにおける使用のための、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の組成物であって；任意に、細胞は、哺乳動物対象中にあり、さらに任意に、細胞は、ヒト対象中にある；または、細胞は、ex vivoである、前記組成物。
【請求項１６】
本請求項１〜１４のいずれか一項に記載の組成物に従う第１および第２のＡＡＶ粒子を含む、キット。
【請求項１７】
難聴の処置のための、任意に、ＤＦＮＢ９の処置のための医薬を製造するための、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の組成物または請求項１６に記載のキットの使用。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月23日(2021.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージ補正方法であって、
第１イメージを提供するステップと、
前記第１イメージを眺める視点情報を提供するステップと、
前記第１イメージの横方向に沿って前記第１イメージを２個以上の分割イメージに分割するステップと、
前記２個以上の分割イメージの各々を前記視点情報および前記分割イメージの各々の縦長さに基づいて変換させることによって、第１イメージから変換された第２イメージを提供するステップを含み、
前記第１イメージから変換された第２イメージを提供するステップは、
前記視点情報および前記分割イメージの各々の縦長さに基づいて、各々の分割イメージに対する視野長さを求めるステップと、
前記視野長さから各々の分割イメージに対する変換長さを求めるステップを含むイメージ補正方法。
【請求項２】
前記視野長さから各々の分割イメージに対する変換長さを求めるステップは、
全体変換長さのうちｉ番目分割イメージの変換長さが占める比率が、全体視野長さのうちｎ−ｉ＋１番目分割イメージの視野長さが占める比率と同一であるように、各々の分割イメージに対する変換長さを求めるステップを含み、ここで、ｎは分割イメージの総個数である、請求項１に記載のイメージ補正方法。
【請求項３】
前記視野長さから各々の分割イメージに対する変換長さを求めるステップは、以下の変換式；
【数４１】
2020518931.tif 000001
を用いて、ｉ番目分割イメージの変換長さｙｉを求めるステップを含み、
ここで、ｈｉはｉ番目分割イメージの視野長さ、ｎは分割イメージの総個数、Ｔは対象イメージの全体長さである、請求項１に記載のイメージ補正方法。
【請求項４】
前記視野長さを求めるステップは、
視野長さの算出式によって視野長さを求めるステップであって、ｉ番目分割イメージに対する視野長さｈｉの算出式は
【数４２】
2020518931.tif 000002
であり
ここで、Ｓは視点から焦点までの視線長さであり、θｉはｉ番目分割イメージの視線反対側端部での視野角であり、θ０は１番目分割イメージの視線側端部での視野角であり、θｆは焦点での視野角である、視野長さの算出式によって視野長さを求めるステップを含む、請求項１に記載のイメージ補正方法。
【請求項５】
前記視野長さを求めるステップは、
視野長さの算出式によって視野長さを求めるステップであって、ｉ番目分割イメージに対する視野長さｈｉの算出式は
【数４３】
2020518931.tif 000003
であり、
ここで、Ｒは視点から第１イメージの視点側端部までの視線長さであり、θｉはｉ番目分割イメージの視点反対側端部での視野角であり、θ０は１番目分割イメージの視線側端部での視野角である、視野長さの算出式による視野長さを求めるステップを含む、請求項１に記載のイメージ補正方法。
【請求項６】
前記視点情報は、前記視点の位置を第１イメージに対して特定できる情報を含む、請求項１に記載のイメージ補正方法。
【請求項７】
前記視点情報は、
前記第１イメージが位置する平面から視点までの視点高さ（Ｈ）、
前記視点を前記第１イメージが位置する平面上に投影させた地点から前記第１イメージの視点側端部（Ａ）までの視点距離（Ｌ）、
前記第１イメージの視点側端部（Ａ）での視野角（θ０）、
前記第１イメージの視点反対側端部（Ｅ）での視野角（θ４）、
前記視点から前記第１イメージの視点側端部（Ａ）までの視線長さ、
前記視点から前記第１イメージの視点反対側端部（Ｅ）までの視線長さ、
前記第１イメージの視点角（∠ＡＯＥ）
のうち２個以上を含む、請求項６に記載のイメージ補正方法。
【請求項８】
コンピュータ読み取り可能な命令語を含むコンピュータ読み取り可能なメモリであって、
前記命令語は、コンピュータ上で実行される時、前記コンピュータが、請求項１に記載の方法を実行するようにする、コンピュータ読み取り可能なメモリ。
【請求項９】
イメージ補正方法であって、
第１イメージを提供するステップと、
前記第１イメージを眺める視点情報を提供するステップと、
前記第１イメージの横方向に沿って前記第１イメージを２個以上の分割イメージに分割するステップと、
前記２個以上の分割イメージの各々を前記視点情報および前記分割イメージの各々の縦長さに基づいて変換させることによって、第１イメージから変換された第２イメージを提供するステップを含み、
前記第１イメージから変換された第２イメージを提供するステップは、
前記視点情報および前記分割イメージの各々の縦長さに基づいて、各々の分割イメージに対する視点角を求めるステップと、
前記視点角から各々の分割イメージに対する変換長さを求めるステップを含む、イメージ補正方法。
【請求項１０】
前記視点角から各々の分割イメージに対する変換長さを求めるステップは、
以下の変換式；
【数４５】
2020518931.tif 000004
を用いて、ｉ番目分割イメージの変換長さｙｉを求めるステップを含み、
ここで、Ｈは前記第１イメージが位置する平面から視点までの視点高さ、Ｌは前記視点を前記第１イメージが位置する平面上に投影させた地点から前記第１イメージの視点側端部までの視点距離である、請求項９に記載のイメージ補正方法。
【請求項１１】
前記各々の分割イメージに対する視点角を求めるステップは、
以下の変換式；
【数４４】
2020518931.tif 000005
を用いて、ｉ番目分割イメージに対する視点角αｉを求めるステップを含み、
ここで、Ｔは第１イメージの全体縦長さ、ｎは分割イメージの総個数、ａｉはｉ番目分割イメージの縦長さ、θ０は１番目分割イメージの視線側端部での視野角、θｎはｎ番目分割イメージの視線反対側端部での視野角である、請求項９に記載のイメージ補正方法。
【請求項１２】
前記視点情報は、前記視点の位置を第１イメージに対して特定できる情報を含む、請求項９に記載のイメージ補正方法。
【請求項１３】
前記視点情報は、
前記第１イメージが位置する平面から視点までの視点高さ（Ｈ）、
前記視点を前記第１イメージが位置する平面上に投影させた地点から前記第１イメージの視点側端部（Ａ）までの視点距離（Ｌ）、
前記第１イメージの視点側端部（Ａ）での視野角（θ０）、
前記第１イメージの視点反対側端部（Ｅ）での視野角（θ４）、
前記視点から前記第１イメージの視点側端部（Ａ）までの視線長さ、
前記視点から前記第１イメージの視点反対側端部（Ｅ）までの視線長さ、
前記第１イメージの視点角（∠ＡＯＥ）
のうち２個以上を含む、請求項１２に記載のイメージ補正方法。
【請求項１４】
コンピュータ読み取り可能な命令語を含むコンピュータ読み取り可能なメモリであって、
前記命令語は、コンピュータ上で実行される時、前記コンピュータが、請求項９に記載の方法を実行するようにする、コンピュータ読み取り可能なメモリ。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月28日(2021.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発話認識を使用してユーティリティを制御する方法であって、
ユーザによって発話され、少なくとも１つのマイクロフォンによって捕捉される、発話コマンドを受信するステップと、
前記発話コマンド内の一連の発話要素のそれぞれにおける前記ユーザの意図を、自動的に認識及び実施するために、前記発話コマンドを処理するステップであって、前記発話要素が、最初から最後までの時間的な順序を有し、前記発話要素のうちの少なくとも１つが、前記ユーティリティを制御するという前記ユーザの意図を示し、前記発話要素のうちの更なる１つ以上が、それぞれ、前記ユーザによって意図されている前記制御の対応のパラメータを指定している、ステップと、
前記発話コマンド内の第１の前記発話要素の発話の後であるが、前記発話コマンドの最後の前記発話要素を実施する前に、前記発話コマンドの前記処理に関するフィードバックを前記ユーザに供給するために、照明システムの１つ以上の照明器具によって放射される照明を制御するステップと、を含み、
前記フィードバックが、前記発話要素のうちの１つ以上の個々の効果のプレビューを供給することを含む、方法。
【請求項２】
前記ユーザの位置を自動的に決定するステップと、前記位置に基づいて、前記ユーザの検出された前記位置から視認可能な１つ以上の照明器具を自動的に識別するステップと、前記ユーザの前記検出された位置に基づいて識別された前記照明器具の中から、前記フィードバックを供給するための前記１つ以上の照明器具を自動的に選択するステップと、
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ユーザの前記位置の検出が、少なくとも、前記ユーザが位置している部屋を検出することを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ユーティリティが、前記フィードバックが供給される照明器具以外の、前記照明システムの１つ以上の他の照明器具によって放射される照明を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ユーティリティが、前記フィードバックが供給されるものと同じ１つ以上の照明器具のうちの、少なくとも１つによって放射される照明を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記フィードバックが、前記最後の発話要素が成功裏に認識されており、実施されるために実行されているプロセスにある場合に、確認応答することを少なくとも含む、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記フィードバックの少なくとも一部が、前記発話コマンドの前記最後の発話要素の発話の前に供給される、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
前記フィードバックが、前記発話コマンドの前記第１の発話要素が認識されていることを確認応答することを少なくとも含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記フィードバックが、前記発話コマンドの前記発話要素のうちの１つを認識する際にエラーが存在したという指標を、少なくとも含むことにより、前記ユーザに、前記発話要素のうちの前記１つを再発話するように促す、請求項７又は８に記載の方法。
【請求項１０】
前記照明システムのいずれの照明器具が、前記フィードバックをレンダリングすることが可能であるかに基づいて、前記フィードバックを供給するための前記１つ以上の照明器具を自動的に選択するステップを含む、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
コンピュータ可読ストレージ上に具現化されているコードであって、制御システムの１つ以上の処理ユニット上で実行されると、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の動作を実行するよう構成されるコードを含む、コンピュータプログラム。
【請求項１２】
１つ以上のメモリユニットを含むメモリであって、コードを記憶しているメモリと、
前記メモリからの前記コードを実行するよう構成される、１つ以上の処理ユニットであって、前記コードが、前記１つ以上の処理ユニット上で実行されると、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の動作を実行するよう構成される、１つ以上の処理ユニットと、
を備える、制御システム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月23日(2021.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
空気にかかる電圧がパッシェン閾値を上回る場合、空気の絶縁破壊が発生する。図２に示されるように、パッシェン閾値は電荷生成２１だけでなく発光２２ももたらす。このプロセスにおいて生成された電荷は反対の符号を持つ電極に移動して最初の電場１８と逆向きの電場２３を形成し、したがって電極における電圧境界条件を満足するためにさらに電荷２４が電極に流入する。しかしながら、依然として電荷はキャパシタを通過せず、電力は消費されない。生成された電荷および光は生み出されたものではないが、当初の電場１８のエネルギーから変換されたものであり、エネルギー保存則を満たす。電気回路の視点では、静電容量の値は変化しており、したがってＶ＝Ｑ／Ｃ＝Ｑ’／Ｃ’を満足するためにさらに電荷が電極に移動する。ここでＣは絶縁破壊前の静電容量であり、Ｃ’は絶縁破壊後の静電容量である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマの生成および使用ためのシステムであって、前記システムは
宇宙線が被覆二重誘電体バリア放電（ＣＤＤＢＤ）デバイスを通過する際に電荷を生成するＣＤＤＢＤデバイスと、
最初の電場を形成するためにエネルギーを前記ＣＤＤＢＤデバイスに供給する前記ＣＤＤＢＤデバイスに結合した電源と、
を備え、
前記ＣＤＤＢＤデバイスがガス媒体で満たされた間隙により隔てられた少なくとも二つの電極を備え、前記少なくとも二つの電極の各々が、前記少なくとも二つの電極内の電荷が前記ガス媒体を通過することを阻止する絶縁体で覆われ、前記絶縁体の表面が前記絶縁体の材料よりも高い二次電子放出効率を有する材料で覆われ、
最初の電場エネルギー以外の前記電源により供給される前記エネルギーを使用することなく前記ガス媒体内のガス分子の衝突電離により前記ＣＤＤＢＤデバイスの前記間隙内で前記宇宙線が前記ＣＤＤＢＤデバイスを通過する際に生成された電荷が増倍される、
システム。
【請求項２】
前記ＣＤＤＢＤデバイスが電気絶縁材料で形成された中空管を備え、前記中空管が当該中空管の遠位端に開口部を有し、前記中空管の内部空間が前記ガス媒体で満たされ、前記中空管が、前記中空管の内部に電場を生成する前記中空管に沿って軸方向に隔てられた、前記中空管の外側にコーティングされた前記少なくとも二つの電極を備え、前記中空管の内表面が前記絶縁体の前記材料よりも高い前記二次電子放出効率を有する前記材料でコーティングされる、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記電気絶縁材料が１０17Ω・ｃｍよりも高い電気抵抗率および１５ＭＶ／ｍよりも高い絶縁耐力を有する、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記電気絶縁材料が、石英、磁器、ガラス、ポリイミド、テフロン（登録商標）、またはポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）のうち一つである、請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記中空管の前記少なくとも二つの電極に供給される電圧を調節する交流（ＡＣ）電源を備える前記電源であって、前記供給される電圧がパッシェン絶縁破壊電圧よりも高い、前記電源と、
前記中空管内で生成された電荷が前記中空管から放出されて電荷のジェットを形成する、プラズマのジェットを形成する前記中空管と、
をさらに備え、
宇宙線が前記中空管を通過する際に前記中空管内のガス分子の電離によりプラズマが生成されて前記電源により供給される前記電圧が前記中空管の前記軸方向に電場を生成する前記パッシェン絶縁破壊電圧よりも高い場合に衝突電離プロセスにより電荷が増倍され、
前記中空管が容量性のシステムであり、前記ＡＣ電源がプラズマの前記ジェットの形成のためにエネルギーを前記中空管に輸送しない、
請求項２に記載のシステム。
【請求項６】
前記中空管が、風が当該中空管を通る向きになるようにその向きが定められ、前記中空管を通過する前記風の中の空気分子が運動エネルギーを前記中空管内で生成された前記プラズマ内で形成される帯電した分子または電子に変換し、前記風から前記帯電した分子または電子への前記運動エネルギーの前記変換が前記電荷の前記中空管からの放出を引き起こす、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
電荷が放出される前記中空管の端部と前記二以上の電極との間に、前記中空管の前記外側にコーティングされた第三の下流電極をさらに備え、前記第三の下流電極に最も近い前記二以上の電極のうち一つとは異なる一定のポテンシャルで第三の電極がバイアスをかけられ、前記中空管からの電荷の出力を促進するために前記第三の電極と前記二以上の電極のうち前記一つとの間の電場が前記ジェット内の電荷に前記軸方向のクーロン力を印加する、請求項５に記載のシステム。
【請求項８】
前記少なくとも二つの電極が金属電極である、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
前記少なくとも二つの電極が半導体電極である、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
電力ストレージデバイスと、
前記中空管から放出された電荷の前記ジェットを捕捉して前記捕捉した電荷から前記電力ストレージデバイスに電荷を供給する前記電力ストレージデバイスに電気的に結合した、金属プレートまたは金属メッシュと、
をさらに備える、請求項５に記載のシステム。
【請求項１１】
電動デバイスと、
前記中空管から放出された電荷の前記ジェットを捕捉して前記捕捉された電荷から電動デバイスに電力を供給するために電荷を供給する、前記電動デバイスに電気的に結合した金属プレートまたは金属メッシュと、
をさらに備える、請求項５に記載のシステム。
【請求項１２】
前記ガス媒体が一気圧で酸素および窒素を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１３】
ＣＤＤＢＤデバイスが閉じた系であり、前記ガス媒体が一気圧の１％から一気圧までの範囲の圧力でヘリウムまたはアルゴンを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記絶縁体よりも高い前記二次電子放出効率を有する絶縁材料をコーティングする前記材料が、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、ＢｅＯ、ＭｇＯ、ＧａＰ、ＧａＡｓＰ、Ｓｉ、ＰｂＯ、またはアルカリアンチモン化合物のうち一つである、請求項１に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月15日(2021.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗線（１１４）を有する発熱体と、センサアセンブリと、前記抵抗線を所望の抵抗線温度にするように構成されたヒータ制御ユニット（１０６）とを備え、
前記センサアセンブリは、
前記抵抗線（１１４）から直接に波長を受取るように構成された照準開口部（１２４）を有する連結器（１１０）と、
前記連結器（１１０）の照準開口部（１２４）を通して、前記抵抗線（１１４）から直接に波長を受取るように構成された光学センサ（１１２）とを備え、
前記光学センサ（１１２）は、前記抵抗線（１１４）からの波長に応答して、過剰温度フィードバック信号を提供するように構成され、前記過剰温度フィードバック信号は、前記抵抗線（１１４）の温度を表すものであり、
前記ヒータ制御ユニット（１０６）は、前記過剰温度フィードバック信号に応答して、前記抵抗線（１１４）に供給される電力を制限するように構成されている、システム。
【請求項２】
前記照準開口部（１２４）は、前記抵抗線の少なくとも一部に対面している、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記抵抗線は、開口部（１３２）を有するハウジング（１１８）内に配置され、前記連結器（１１０）は、前記開口部を介して前記抵抗線から波長を受取るように前記ハウジング（１１８）に連結されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記ヒータ制御ユニット（１０６）に温度フィードバック信号を提供するように構成された温度センサ（１２２）をさらに備え、前記ヒータ制御ユニットは、前記温度フィードバック信号に応答して、前記抵抗線を所望の温度にするよう構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記光学センサ（１１２）は、赤外線（ＩＲ）センサである、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記ヒータ制御ユニット（１０６）は、電力制御ユニット（３０２）と、電力リミッタ（３０４）とを備え、前記電力制御ユニット（３０２）は、前記抵抗線を所望の温度にする制御信号を提供するように構成され、前記電力リミッタ（３０４）は、前記過剰温度フィードバック信号に応答して前記制御信号を制限することによって、前記抵抗線に供給される電力を制限するように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記ヒータ制御ユニット（１０６）は、前記電力制御ユニット（３０２）からの前記制御信号に応答して、電源（１０４）から前記抵抗線へ向かう電力を切替えるように構成されたスイッチ（３０６）をさらに備える、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
温度フィードバック信号を、前記電力制御ユニット（３０２）に供給するように構成された温度センサ（１２２）をさらに備え、前記電力制御ユニットは、前記温度フィードバック信号に応答して、前記制御信号を供給するように構成されている、請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
前記連結器（１１０）は、ブラケット（２０４）を介して前記光学センサに連結されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項１０】
前記連結器（１１０）と前記光学センサ（１１２）との間に空隙Ｇが設けられている、請求項９に記載のシステム。
【請求項１１】
前記システムは、前記光学センサ（１１２）に冷却剤を供給するために、前記光学センサに連結された冷却剤ホース（２０８）をさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
ハウジング（１１８）内に配置された発熱体と、センサアセンブリと、温度フィードバック信号を提供するように構成された温度センサと、ヒータ制御ユニット（１０６）とを備え、
前記発熱体は、抵抗線（１１４）を有し、
前記ハウジングは開口部（１３２）を有し、
前記センサアセンブリは、
前記ハウジング（１１８）に連結され、前記ハウジングの開口部を通して、前記抵抗線から直接に波長を受取るように構成された照準開口部（１２４）を有する連結器（１１０）と、
前記連結器（１１０）の前記照準開口部（１２４）を通して直接に前記抵抗線からの波長を受取るように構成された光学センサ（１１２）とを備え、
前記光学センサは、前記抵抗線からの波長に応答して過剰温度フィードバック信号を提供するように構成されており、前記過剰温度フィードバック信号は、前記抵抗線の温度を表すものであり、
前記ヒータ制御ユニット（１０６）は、前記温度フィードバック信号に応答して、前記抵抗線を所望の抵抗線温度にするように構成されており、
前記ヒータ制御ユニットは、さらに、前記過剰温度フィードバック信号に応答して、前記抵抗線に供給される電力を制限するように構成されている、システム。
【請求項１３】
前記ヒータ制御ユニット（１０６）は、電力制御ユニット（３０２）と電力リミッタ（３０４）とを備え、前記電力制御ユニットは、前記抵抗線を所望の温度にするための制御信号を提供するよう構成され、前記電力リミッタは、前記過剰温度フィードバック信号に応答して前記制御信号を制限することによって、前記抵抗線に供給される電力を制限するように構成されている、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記ヒータ制御ユニット（１０６）は、前記電力制御ユニット（３０２）からの前記制御信号に応答して、電源（１０４）から前記抵抗線に向かう電力を切替えるように構成されたスイッチ（３０６）をさらに備える、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
抵抗線を備える発熱体を過剰温度状態から保護する方法であって、
電源（１０４）からの電力を前記抵抗線に供給して、前記抵抗線を所望の温度にするステップと、
前記抵抗線から直接に波長を受取るステップと、
前記抵抗線からの波長を感知し、前記抵抗線の実際温度を表す温度フィードバック信号を提供するステップと、
前記抵抗線の実際温度が所定の過剰温度閾値を超えたとき、温度フィードバック信号に応答して、前記電源から前記抵抗線に供給される電力を制限するステップとを備える、方法。
【請求項１６】
温度フィードバック信号を提供するために前記抵抗線の温度を感知するステップをさらに備え、前記温度フィードバック信号に応答して、電源から電力が供給される、請求項１５に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図２は、連結器１１０ａと光学センサ１１２ａとを含むセンサアセンブリ１０８ａと、プレート２０２と、ブラケット２０４と、過剰温度フィードバック信号ワイヤ２０６と、冷却剤ホース２０８の一実施形態の側面図である。連結器１１０ａは、延長部を有する第１端部１２８ａと、段付き円錐形の第２端部１３０ａとを有するほぼ円筒形の本体２１０を有する。段付き円錐形の第２端部１３０ａは、ヒータ１０２のハウジング１１８の開口部１３２（図１）内に受入れられるように構成されている。図２に鎖線で示されている照準開口部１２４ａは、連結器１１０ａの第１端部１２８ａから、連結器１１０ａの第２端部１３０ａまで延び、いくつかの実施形態では、光学センサ１１２ａの汚染を防止するためにガラスで充填されてもよい。連結器の本体２１０及び照準グラスは、ヒータ１０２の熱に耐えることが可能な材料から構成される。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月9日(2021.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セパレーター膜を含む電池であって、セパレーター膜はスチレンとビニルベンジル−Ｒｓ（ただし、Ｒｓは正電荷を有する環状アミン基である。）の共重合体を含むイオン伝導性ポリマー組成物を含む、電池。
【請求項２】
イオン伝導性ポリマー組成物はスチレンとビニルベンジル−Ｒｓとビニルベンジル−Ｒｘの三元重合体を含み、
Ｒｓは正電荷を有する環状アミン基であり、
Ｒｘは、Ｃｌ、ＯＨ、およびＯＨまたはＣｌと無機の化学種またはアミン以外の有機の化学種との反応生成物からなる群から選ばれる少なくとも１種の構成要素であり、
ビニルベンジル−Ｒｘ基の総質量は三元重合体の総質量の１％よりも大きく、
ビニルベンジル−Ｒｓ基の総質量は三元重合体の総質量の１５％以上である、請求項１に記載の電池。
【請求項３】
Ｒｓは、イミダゾリウム、ピリジニウム、ピラゾリウム、ピロリジニウム、ピロリウム、ピリミジウム、ピペリジニウム、インドリウムおよびトリアジニウムからなる群から選ばれる、請求項１に記載の電池。
【請求項４】
Ｒｓはイミダゾリウムである、請求項３に記載の電池。
【請求項５】
イミダゾリウムはテトラメチルイミダゾリウムである、請求項４に記載の電池。
【請求項６】
Ｒｓはピリジニウムである、請求項３に記載の電池。
【請求項７】
ピリジニウムはアルキルピリジニウムである、請求項６に記載の電池。
【請求項８】
ピリジニウムはペンタメチルピリジニウムである、請求項７に記載の電池。
【請求項９】
セパレーター膜は重合性の正電荷を有する環状アミン界面活性剤を含む、請求項１に記載の電池。
【請求項１０】
界面活性剤はピペリジニウムを含む、請求項９に記載の電池。
【請求項１１】
ピペリジニウムはメチルピペリジニウムを含む、請求項１０に記載の電池。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月7日(2021.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ビーム源と、
マルチレンズアレイと、
複数個の孔を画定するビーム制限アパーチャと、を備え、そのビーム制限アパーチャが前記電子ビーム源・前記マルチレンズアレイ間に配置されており、そのビーム制限アパーチャが、それら電子ビーム源・マルチレンズアレイ間にてビームブラーを低減するよう構成され、
前記マルチレンズアレイの前記電子ビーム源から反対側の面上の要素であり、前記マルチレンズアレイからのビームレットの焦点距離を調整する要素と、
前記マルチレンズアレイと前記要素の間に配置された磁気レンズと、
を備える電子ビームシステム。
【請求項２】
請求項１に記載の電子ビームシステムであって、
前記ビーム制限アパーチャが、１Ｖ／ｍｍ未満の電界を有する電子ビーム源・マルチレンズアレイ間位置に配置されている電子ビームシステム。
【請求項３】
請求項２に記載の電子ビームシステムであって、
前記電子ビーム源・マルチレンズアレイ間位置が無電界である電子ビームシステム。
【請求項４】
請求項１に記載の電子ビームシステムであって、
前記ビーム制限アパーチャが前記孔を少なくとも６個画定する電子ビームシステム。
【請求項５】
請求項１に記載の電子ビームシステムであって、
前記電子ビーム源がエミッタ、サプレッサ及びエクストラクタを有する電子ビームシステム。
【請求項６】
請求項１に記載の電子ビームシステムであって、
前記ビーム制限アパーチャが、それぞれ１μｍ〜１００μｍの直径を呈するよう前記孔を画定する電子ビームシステム。
【請求項７】
請求項６に記載の電子ビームシステムであって、
前記孔それぞれの直径が５０μｍである電子ビームシステム。
【請求項８】
請求項１に記載の電子ビームシステムであって、
前記ビーム制限アパーチャが、２μｍ〜１００μｍのピッチを呈するよう前記孔を画定する電子ビームシステム。
【請求項９】
請求項８に記載の電子ビームシステムであって、
前記ピッチが１００μｍである電子ビームシステム。
【請求項１０】
請求項１に記載の電子ビームシステムであって、
前記ビーム制限アパーチャがシリコン、金属又は合金で作成されている電子ビームシステム。
【請求項１１】
請求項１に記載の電子ビームシステムであって、
前記ビーム制限アパーチャが、それぞれ丸くなるよう前記孔を画定する電子ビームシステム。
【請求項１２】
請求項１に記載の電子ビームシステムであって、
前記孔が、多角形配列の態で前記ビーム制限アパーチャ内に配置されている電子ビームシステム。
【請求項１３】
請求項１に記載の電子ビームシステムを備える走査型電子顕微鏡。
【請求項１４】
電子ビームを生成するステップと、
前記電子ビームを抽出するステップと、
複数個の孔を画定するビーム制限アパーチャ内に前記電子ビームを差し向けるステップと、
前記電子ビームの投射方向を基準にして前記ビーム制限アパーチャの下流に位置するマルチレンズアレイ内にその電子ビームを差し向けるステップであり、そのビーム制限アパーチャが、それら電子ビーム源・マルチレンズアレイ間にてビームブラーが低減されるよう構成されている、ステップと、
前記電子ビームの投射方向を基準にして前記マルチレンズアレイの下流に位置する磁気レンズを通ってその電子ビームを差し向けるステップと、
前記電子ビームの投射方向を基準にして前記磁気レンズの下流に位置する要素を通ってその電子ビームを差し向けるステップと、
を有し、前記要素は前記磁気レンズからのビームレットの焦点距離を調整する、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法であって、
１Ｖ／ｍｍ未満の電界を有する領域内に前記電子ビームがあるときに、前記ビーム制限アパーチャ内にその電子ビームを通す方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、
前記領域が無電界領域である方法。
【請求項１７】
請求項１４に記載の方法であって、
前記電子ビームを前記マルチレンズアレイに通して５０ｎｍなる直径まで集束させる方法。
【請求項１８】
電子ビームを生成するよう構成された電子ビーム源と、
ウェハの上流に位置するマルチレンズアレイと、
複数個の孔を画定するビーム制限アパーチャであり、前記電子ビーム源・前記マルチレンズアレイ間に配置されたビーム制限アパーチャであり、それら電子ビーム源・マルチレンズアレイ間にてビームブラーを低減するよう構成されたビーム制限アパーチャと、
前記マルチレンズアレイの前記電子ビーム源から反対側の面上の要素であり、前記マルチレンズアレイからのビームレットの焦点距離を調整する要素と、
前記マルチレンズアレイと前記要素の間に配置された磁気レンズと、
前記ウェハの表面から返ってくる電子ビームから電子を検出するよう構成された検出器と、
を備えるシステム。
【請求項１９】
請求項１８に記載のシステムであって、
前記ビーム制限アパーチャが、１Ｖ／ｍｍ未満の電界を有する電子ビーム源・マルチレンズアレイ間位置に配置されているシステム。
【請求項２０】
請求項１９に記載のシステムであって、
前記電子ビーム源・マルチレンズアレイ間位置が無電界であるシステム。