(57)【要約】【課題】電極層や有機化合物層を部分的に除去加工するときに加工均一性を保つことが可能な有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置において、基板と、前記基板上に設けられた電極間で挟まれた発光層を含む有機化合物層からなる発光素子とを有し、前記発光素子は２以上あり、かつ基板に対して垂直方向に積層されており、前記２以上の発光素子における、前記電極又は／及び有機化合物層には、開口部が設けられており、該開口部は、前記基板に対する垂直方向において、夫々重ならない位置に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ表示装置において、
基板と、
前記基板上に設けられた電極間で挟まれた発光層を含む有機化合物層からなる発光素子とを有し、
前記発光素子は２以上あり、かつ基板に対して垂直方向に積層されており、
前記２以上の発光素子における、前記電極又は／及び有機化合物層には、開口部が設けられており、該開口部は、前記基板に対する垂直方向において、夫々重ならない位置に形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記基板上には、第１副画素、第２副画素及び第３副画素からなる画素が複数あり、夫々の前記副画素には、第１有機化合物層を有する発光素子、第２有機化合物層を有する発光素子及び第３有機化合物層を有する発光素子が、この順に積層されており、
前記第１副画素には、前記第２有機化合物層及び前記第３有機化合物層に前記開口部が設けられており、
前記第２副画素には、前記第１有機化合物層及び前記第３有機化合物層に前記開口部が設けられており、
前記第３副画素には、前記第１有機化合物層及び前記第２有機化合物層に前記開口部が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
基板上に３層以上の電極層と２層以上の発光層を含む有機化合物層とを交互に設ける工程と、
前記有機化合物層に開口部を設ける工程と、を有し
前記基板に対して垂直方向において、前記有機化合物層における開口部の夫々が重ならないように形成されることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記電極層に開口部を設ける工程を有し、
前記基板に対し垂直方向において、前記有機化合物層における開口部と前記電極層における開口部の夫々が、重ならないように形成されることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記有機化合物層の開口部及び前記電極層の開口部は、レーザー光を照射することによって形成されることを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
基板上に３層以上の電極層と２層以上の発光層を含む有機化合物層とを交互に設ける工程と、
前記電極層に開口部を設ける工程と、を有し
前記基板に対して垂直方向において、前記電極層における開口部の夫々が重ならないように形成されることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
基板上に第１電極層を設ける工程と、
前記第１電極層上に発光層を含む第１有機化合物層を設ける工程と、
前記第１有機化合物層に第１開口部を形成する工程と、
前記第１有機化合物層上に第２電極層を設ける工程と、
前記第２電極層上に発光層を含む第２有機化合物層を設ける工程と、
前記第２有機化合物層に第２開口部を形成する工程と、
前記第２有機化合物層上に第３電極層を設ける工程と、を有し
前記第１開口部、及び第２開口部は、前記基板に対する垂直方向において夫々重ならない位置に形成されることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２電極層に第１電極開口部を形成する工程と、
前記第３電極層に第２電極開口部を形成する工程と、をさらに有し
前記第１開口部、前記第２開口部、前記第１電極開口部及び前記第２電極開口部は、前記基板に対する垂直方向において夫々重ならない位置に形成されることを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１開口部、前記第２開口部、前記第１電極開口部及び前記第２電極開口部は、レーザー光を照射することによって形成されることを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子は、陽極と陰極との間に発光層が挟持されている素子である。有機ＥＬ素子は、各電極層から電子及び正孔がそれぞれ注入され、発光層内において電子と正孔とが結合することにより発光現象が起こる。
【０００３】
ところで有機ＥＬ素子を表示ディスプレイの構成部材として用いる際には、電極層や発光層等を含む有機化合部を部分的に除去加工することが必要不可欠であり、近年の表示装置の高精細化に伴い、当該除去加工の加工精度の向上が求められている。
【０００４】
ところで有機ＥＬ素子を構成する電極層や有機化合物層を部分的に除去加工するための具体的な方法としては、光照射等といった機械的な接触を避ける加工方法が用いられている。例えば、特許文献１（特開２００２−１２４３８０号公報）には、レーザーアブレーション加工によって、ガラス基板及びＩＴＯ薄膜上の有機化合物層を除去する方法が開示されている。
【０００５】
一方で、特許文献２（特開２００４−１４０００３号公報）には、レーザーアブレーション加工によって有機化合物層上の金属系電極層に微細加工を施す方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１２４３８０号公報
【特許文献２】特開２００４−１４０００３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ここで、少なくとも２つの電極層に挟まれた少なくとも発光層を有する有機化合物層からなる発光素子が、２以上積層された積層型の有機ＥＬ表示装置においては、電極層や有機化合物層について特定の加工を施す必要がある。具体的には、予め基板上に形成されたＴＦＴ回路と画素単位で電気接続して所定の有機化合物層を発光させるために、各々の有機化等物層の所望の位置に開口部を形成したり、画素ごとに電極層を分離するための除去加工を施したりする場合がある。この時に設けた開口部や電極層の除去加工をした部分には、凹部が生じることになる。
【０００８】
このような凹部が生じた層の上に、更に有機化合物層や電極層を形成した後で、上記特許文献１や特許文献２に記載の加工法を用いて、先程の凹の生じた部位において除去加工を施した場合においては、下記のような問題が生じる場合がある。
【０００９】
それは、有機化合層を加工した場合では、この凹部にレーザー光が入射すると、この凹部において意図せぬ屈折、散乱が起こることにより、レーザー光が意図せぬ場所に届いてしまう。このため、部分的な除去加工を行うエリア内でレーザー光のエネルギー密度分布に変化が生じてしまい、結果として、加工速度にばらつきが生じ、加工形状が設計値とずれてしまう場合がある。
【００１０】
すると例えば、所定の有機化合物層の部分的除去加工（所謂コンタクトホールを形成）している時に、上記のエネルギー密度分布の変化のために、除去加工を施したくない電極層にまで除去加工が進行し、意図せぬ断線が生じてしまう場合がある。
【００１１】
一方、所定の電極層の除去加工を行う場合、上記のエネルギー密度分布の変化のために、除去加工を施したくない有機化合物層にまで加工が進んでしまい、当該有機化合物層の下地層である電極層が露出してしまうことになる。その結果、次の工程で、別個の有機化合物層をさらに積層した場合には、露出した下層電極層の電位によっては、発光を意図していない上層の有機化合物層が発光する場合がある。
【００１２】
以上のように、積層型の有機ＥＬ表示装置において、有機化合物層や電極層の除去加工を行う際に加工の均一性がない場合には、意図しない除去加工を行ってしまう。その結果、ショート又は隣接画素発光時における意図しない発光を生じるといった課題が生じていた。
【００１３】
そこで、本発明の目的は、電極層や有機化合物層を部分的に除去加工するときに加工均一性を保たれた積層型の有機ＥＬ表示装置及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、
基板と、
前記基板上に設けられた電極間で挟まれた発光層を含む有機化合物層からなる発光素子とを有し、
前記発光素子は２以上あり、かつ基板に対して垂直方向に積層されており、
前記２以上の発光素子における、前記電極又は／及び有機化合物層には、開口部が設けられており、該開口部は、前記基板に対する垂直方向において、夫々重ならない位置に形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明により、積層型の有機ＥＬ表示装置において、有機化合物層や電極層の除去加工を行う際に加工の均一性を保つことにより、ショート又は隣接画素発光時における意図しない発光を低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の製造方法で製造される有機ＥＬ表示装置の一具体例を示す断面図である。
【図２】段差等で被加工物の形状が平坦ではない部分でレーザーアブレーション加工を行う状態を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、以下を有する。基板と、基板上に設けられた電極間で挟まれた発光層を含む有機化合物層からなる発光素子とからなり、発光素子は基板に対して垂直方向に２以上積層されている。この２以上の発光素子における、電極又は／及び有機化合物層には、コンタクトホール（開口部）が設けられており、開口部は基板に対する垂直方向において夫々重ならない位置に形成されている。
【００１８】
本発明の製造方法は、基板と、この基板上に設けられ少なくとも３層からなる電極層と、該電極層間に設けられ少なくとも発光層を有する有機化合物層と、を備える複数の画素と、から構成される有機ＥＬ表示装置を製造する方法である。
【００１９】
また本発明では、有機ＥＬ表示装置を構成する電極層や有機化合物層の一部を除去する加工（以下、除去加工という場合がある）を行う。この加工を行う際には、加工の対象となる層（電極層又は有機化合物層）の上下界面と基板とが平行になる領域で除去加工を行う。
【００２０】
ここで、平行になる領域とは、基板垂直方向において、加工の対象となる層よりも下の電極層或いは有機化合物層において除去加工されていない領域である。このように、基板垂直方向において、加工の対象となる層よりも下の電極層或いは有機化合物層において除去加工されていない領域ならば、この電極層あるいは有機化合物層においても基板と平行となるため、加工対象となる層も基板と平行となるのである。
【００２１】
なお、加工の対象となる層よりも下の電極層或いは有機化合物層において除去加工された場合には、加工の対象となる層において、この除去加工された領域は、凹部となってしまう。そのため、加工の対象となる層（電極層又は有機化合物層）の上下界面と基板とが平行にならないのである。
【００２２】
この除去加工を行う電極層や有機化合物層は、好ましくは、有機ＥＬ表示装置を構成する複数の画素に共通して成膜される層である。
【００２３】
また除去加工を行う領域は、好ましくは、除去加工を行う層の下地層の加工領域及びこの下地層の直下の層の加工領域とは、基板に垂直方向において重ならない位置である。尚、加工領域は、除去加工を行う領域と同じ意味である。
【００２４】
例えば、電極層について除去加工を行う場合、当該電極層の一部を除去する加工を行う領域は、当該電極層の下地層となる有機化合物層の加工領域及びこの有機化合物層の直下にある電極層の加工領域から外れている領域で行うのが好ましい。すなわち、基板に対し垂直方向おいて、各電極層で除去加工される領域が重ならないことが好ましい。
【００２５】
同様に、有機化合物層について除去加工を行う場合、当該有機化合物層の一部を除去する加工を行う領域は、当該有機化合物層の下地層となる電極層の加工領域及びこの電極層の直下にある有機化合物層の加工領域から外れている領域で行うのが好ましい。すなわち、基板に対し垂直方向おいて、有機化合物層の除去加工する領域が重ならないことが好ましい。
【００２６】
電極層や有機化合物層について、その一部を除去する加工を行った場合、当該加工を行った後、有機化合物層又は電極層をさらに成膜することによって当該加工により形成される溝又は穴は完全に埋まることになる。しかし成膜した際に、当該加工を行った領域は当該加工を行っていない領域と比較して、溝又は穴があった分だけわずかに凹んでいる。このため、成膜した層（有機化合物層、電極層）について除去加工を行う際に、下地層となる層について除去加工をした領域と重なる位置で、例えば、光照射による除去加工を行うと、均一に光が照射されず所定のエネルギー分布が生じることになる。
【００２７】
以下、本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の実施形態について、図面を参照して説明する。ただし本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２８】
図１は、本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置の一具体例を示す断面模式図である。図１の有機ＥＬ表示装置は、３個のサブピクセル（第１副画素Ｐ１、第２副画素Ｐ２、第３副画素Ｐ３）を画素１単位とする構成であり、各々が４層の電極層と、この電極層間にそれぞれ設けられる合計３層の有機化合物層と、から構成される。図１の有機ＥＬ表示装置において、各有機化合物層は、それぞれ異なる色に発光する発光層を含んでいる。
【００２９】
ただし、電極層の層数はこれに限定されるものではない。有機ＥＬ表示装置に印加する電圧を考慮する必要があるが、通常、３層乃至７層である。好ましくは、３層乃至５層である。
【００３０】
また電極層間に設けられる有機化合物層は発光層を含んでいればよく、具体的態様としては、下記（ａ）乃至（ｅ）の態様が挙げられるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３１】
（ａ）単層型（発光層）
（ｂ）２層型（発光層／正孔注入層）
（ｃ）３層型（電子輸送層／発光層／正孔輸送層）
（ｄ）４層型（電子注入層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層）
（ｅ）５層型（電子注入層／電子輸送層／発光層／正孔輸送層／正孔注入層）
【００３２】
図１において、実施例１にかかる有機ＥＬ表示装置は、トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置である。１０は絶縁性基板、１１ａ、１１ｂ、１１ｃは第１電極層、１２は第１有機化合物層、１３ａ、１３ｂ、１３ｃは第２電極層、１４は第２有機化合物層である。また１５ａ、１５ｂ、１５ｃは第３電極層、１６は第３有機化合物層、２１は第４電極層、１８ｂ、１８ｃ、１９ａ、１９ｃ、２０ａ、２０ｂはコンタクトホールを示している。本実施例の有機化合物層は３層構成となっており、電子輸送層／発光層／正孔輸送層で構成されている。ここでコンタクトホール（開口部）は、対応する有機化合物層の上下界面と基板とが平行になる領域において形成されるものである。また第１電極層、第２電極層及び第３電極層には、その電極層の上下界面と該基板とが平行になる領域において開口部が設けられる。一方、後述するサブピクセル（副画素）に含まれる電極層はそれぞれサブピクセルを駆動させるための電極層となるが、サブピクセルとサブピクセルとの間にある電極層はサブピクセルを駆動させるための電極層とはならない。
【００３３】
図１の有機ＥＬ表示装置について、より具体的に説明する。基板１０上には、第１副画素Ｐ１、第２副画素Ｐ２及び第３副画素Ｐ３からなる画素が複数ある。そして夫々の副画素（Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３）には、第１有機化合物層１２を有する発光素子、第２有機化合物層１４を有する発光素子及び第３有機化合物層１６を有する発光素子が、この順に積層されている。ここで第１副画素Ｐ１には、第２有機化合物層１４及び第３有機化合物層１６に開口部（コンタクトホール１９ａ、２０ａ）が設けられている。一方、第２副画素Ｐ２には、第１有機化合物層１２及び第３有機化合物層１６に開口部（コンタクトホール１８ｂ、２０ｂ）が設けられている。他方、第３副画素Ｐ３には、第１有機化合物層１２及び第２有機化合物層１４に開口部（コンタクトホール１８ｃ、１９ｃ）が設けられている。
【００３４】
尚、本発明においては各有機化合物に設けられるコンタクトホール（開口部）は、当該有機化合物層より下方にある有機化合物層に設けられるコンタクトホールとは重なっていないのが好ましい。具体的には、図１において、第２有機化合物層に設けられているコンタクトホール（１９ａ、１９ｃ、以下、第２開口部と呼ぶことがある。）は、第１有機化合物層に設けられているコンタクトホール（１８ｂ、１８ｃ、以下、第１開口部と呼ぶことがある。）とは重ならない位置に設けられている。また第３有機化合物層に設けられているコンタクトホール（２０ａ、２０ｂ、以下、第３開口部と呼ぶことがある。）は、第１有機化合物層及び第２有機化合物層に設けられているコンタクトホール（１８ｂ、１８ｃ、１９ａ、１９ｃ）とは重ならない位置に設けられている。
【００３５】
上述の有機ＥＬ表示装置は、１画素が、第１副画素Ｐ１と第２副画素Ｐ２と第３副画素Ｐ３とで構成されている。
【００３６】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、下記（ｉ）〜（ｉｉｉ）の工程を含む。
（ｉ）基板上に３層以上の電極層と２層以上の発光層を含む有機化合物層とを交互に設ける工程
（ｉｉ）有機化合物層に開口部を設ける工程
（ｉｉｉ）電極層に開口部を設ける工程
【００３７】
以下、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法について詳細に説明する。なお、工程（ｉｉ）において、基板に対して垂直方向において、有機化合物層における開口部の夫々が重ならないように形成される。また工程（ｉｉｉ）において、基板に対して垂直方向において、電極層における開口部の夫々が重ならないように形成される。一方、工程（ｉｉ）及び（ｉｉｉ）は、いずれかを省略してもよいが、両方とも行うのが望ましい。
【００３８】
必要に応じてＴＦＴ等のスイッチング素子が形成された絶縁性基板１０上には、その画素領域に第１電極層が形成されている。電極層としては、光反射性の部材であることが好ましく、例えばＣｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の材料からなることが好ましい。反射率が高い部材であるほど、光取り出し効率を向上できるからである。
【００３９】
このような基板に対して、公知の手段により、第１有機化合物層を堆積する。即ち、第１電極層上に発光層を含む第１有機化合物層を設ける。
【００４０】
第１有機化合物層は、有機発光材料、正孔注入材料、電子注入材料、正孔輸送材料、電子輸送材料より選ばれる少なくとも１種を用いることができる。正孔注入材料又は正孔輸送材料に有機発光材料をドーピングする、又は電子注入材料又は電子輸送材料に有機発光材料をドーピングする等により発色の選択の幅を広げることができる。さらに、有機化合物層は、発光効率の観点からアモルファス膜であることが好ましい。
【００４１】
各色の有機発光材料は、トリアリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、芳香族縮合多環化合物、芳香族複素環化合物、芳香族複素縮合環化合物、金属錯体化合物等及びこれらの単独オリゴ体あるいは複合オリゴ体が使用できるが、本発明の構成として例示の材料に限定されるものではない。
【００４２】
有機化合物層は、正孔注入、正孔輸送、電子注入、電子輸送の各単機能を持つ層であってもよいし、複合機能を持つ層であってもよい。
【００４３】
有機化合物層の厚さは０．１μｍ〜０．５μｍ程度が良く、好ましくは、０．１５〜０．３５μｍ程度である。
【００４４】
正孔注入及び輸送材料としては、フタロシアニン化合物、トリアリールアミン化合物、導電性高分子、ペリレン系化合物、Ｅｕ錯体等が使用できるが、本発明の構成として限定されるものではない。
【００４５】
電子注入及び輸送材料の例としては、アルミに８−ヒドロキシキノリンの３量体が配位したＡｌｑ３、アゾメチン亜鉛錯体、ジスチリルビフェニル誘導体系等を使用できる。
【００４６】
次に、コンタクトホール１８ｂ、１８ｃ（第１開口部）を形成するために、部分的な除去加工を第１有機化合物層の上下界面と基板とが平行になる領域で行う。部分的な除去加工を行う方法として、エッチングガスやイオン、ラジカル、プラズマによるドライエッチング法や、光照射を行う方法がある。好ましくは、光照射を行う方法である。また光照射として、好ましくは、レーザー光照射である。またレーザー光照射の方法としては、レーザーアブレーション法等があるが、好ましくは、レーザーアブレーション法を用いた方法である。
【００４７】
レーザーアブレーション法を用いる場合には、レーザー光を数μｍに絞って走査したり、面状光源にしてコンタクトホール部分を透過するマスクを介したりして、基板上に所定のパターンで照射する。コンタクトホールの径としては、０．１μｍ〜１５μｍ程度が良く、好ましくは、１μｍ〜１０μｍ程度である。
【００４８】
レーザーアブレーション加工法とは、被加工物にレーザー光を照射し、レーザー光を吸収した物質がいろいろなフラグメントとして爆発的に放出される現象を利用した微細加工法である。
【００４９】
レーザー種は、ＹＡＧレーザー（ＳＨＧ、ＴＨＧ含む）、半導体レーザー、色素レーザー、炭酸ガスレーザー、ヘリウムネオンレーザー、アルゴンイオンレーザー、エキシマレーザー等を用いることができる。
【００５０】
被加工物の材質とパターンニングの面積、加工深さに合わせたレーザーの波長、レーザー出力を選択する必要があり、事前に電極層、有機化合物層に適したレーザーの条件設定の実験を行い決定しておく。
【００５１】
図２は、段差等で被加工物の形状が平坦ではない部分でレーザーアブレーション加工を行っている場合の模式図である。レーザーアブレーション加工を行う際に、その加工を行う領域が、基板３４上に設けられた加工対象となる層（有機化合物層３２、電極層３１）の下地層３３の端部の直上である場合、その領域においては、加工対象となる層が平坦ではない。このため、レーザー光３０が入射する際に屈折、散乱を起こしてしまい、部分的な除去加工エリア内でレーザー光のエネルギー密度分布が生じてしまう。エネルギー密度分布に従って加工の過不足が生じる。この結果、有機ＥＬ表示装置の電極層構成に重大な欠陥を招いてしまう。
【００５２】
これを回避するために、レーザーアブレーション加工は平坦な部分で行うことが重要である。凹凸を発生させる具体的な構成物は、ＴＦＴを構成する電極層、ＴＦＴ間の電極層、コンデンサー、取り出し電極層のコンタクトホール、第一電極層のエッジ部等であり、これら構造物の上方を避ければ平坦な部分を見出すことができる。
【００５３】
次に、透明電極層を成膜する。即ち、第１有機化合物層上に第２電極層となる電極層を成膜する。その後、部分的な除去加工（第１電極開口部の形成）を行い、第２電極層１３ａ、１３ｂ、１３ｃを形成する。このとき、コンタクトホール１８ｂ、１８ｃを介して、第１電極層１１ｂ、１１ｃと第２電極層１３ｂ、１３ｃとが、それぞれ接続される。電極層材料としては、透過率の高い材料が好ましく、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ等の透明導電膜や有機導電膜からなることが好ましい、さらに、Ａｇ、Ａｌ等の金属を１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度に形成した半透過膜でもよい。部分的な除去加工方法としては、前述のレーザーアブレーション加工等を平坦部で行うとよい。
【００５４】
次に、上述と同様の方法で、第２有機化合物層１４、コンタクトホール１９ａ、１９ｃ、第３電極層１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、第３有機化合物層１６、コンタクトホール２０ａ、２０ｂを順次形成する。即ち、下記（１）〜（５）に示す工程を行う。尚、第３電極層１５ａ、１５ｂ、１５ｃは、対応する電極膜を成膜した後、部分的な除去加工（第２電極開口部の形成）を行うことで形成される。
（１）第２電極層上に発光層を含む第２有機化合物を設ける工程
（２）第２有機化合物層に第２開口部を形成する工程
（３）第２有機化合物層上に第３電極層を設ける工程
（４）第３電極層上に発光層を含む第３有機化合物層を設ける工程
（５）第３有機化合物層に第３開口部を形成する工程
【００５５】
次に、第４電極層２１をスパッタ等により形成する。第３電極層と第４電極層の材料としては、第２電極層と同様に透過率の高い材料が好ましい。さらに保護膜２２として、窒化酸化シリコンを成膜して、有機ＥＬ表示装置を得る。
【００５６】
前述した有機ＥＬ表示装置の製造方法はトップエミッション方式、アクティブマトリックス駆動表示装置の製造方法について説明した。ただし、前述の加工法は光取り出し方法や素子駆動方法に限定されるものではなく、例えば、ボトムエミッション方式、アクティブマトリックス駆動の表示装置にも用いることができる。
【００５７】
また、前述した有機ＥＬ表示装置の製造方法は、ＴＦＴ等のスイッチング素子と第１電極とを接続するためのコンタクトホール形成にも用いることができる。
以上のように本発明によれば、電極層や有機化合物層を部分的に除去加工するときに加工均一性を保つことが可能な有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することができる。
【００５８】
また本発明によれば、製造される有機ＥＬ表示装置において、意図せぬショート又は隣接画素発光時における意図しない発光を防止すると共に、製造歩留まりを向上することができる。
【００５９】
また、本発明によれば、得られる有機ＥＬ表示装置において、隣接画素の駆動ＴＦＴによる発光を防止できる。
【実施例】
【００６０】
以下、実施例において本発明を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００６１】
［実施例１］
図１に示される有機ＥＬ表示装置を以下に示す方法で作製した。
【００６２】
（電極層及び有機化合物層の成膜）
真空チャンバー内で真空蒸着を行うことにより図１に示される各電極層及び各有機化合物層の成膜を行った。尚、真空蒸着を行う際に真空チャンバー内の圧力を１．０×１０-4Ｐａとし、各電極層及び各有機化合物層の構成材料及び膜厚を下記表１に示す通りにした。
【００６３】
【表１】
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【００６４】
（有機化合物層の部分的な除去工程）
本実施例において、第１電極層、第１有機化合物層、第２電極層、第２有機化合物層、第３電極層及び第３有機化合物層について、部分的な除去加工を行い、開口部（第１開口部、第１電極開口部、第２開口部、第２電極開口部、第３開口部）を形成した。
【００６５】
有機化合物層の除去加工は、レーザーアブレーション加工を用いた。またレーザーアブレーション加工する際に使用するレーザー種はエキシマレーザーとし、レーザー光を波長２４８ｎｍであって５ｍｍ角のビーム形状になるように調整した。またレーザー光を照射する際に有機化合物層に与えるレーザーパワーは１００ｍＪ／ｃｍ2とし、１ショットで形成した。さらに部分的な除去加工のためのマスクは、クロムマスクを用いた。一方、部分的な除去加工は、除去加工を行う有機化合物層を形成した真空チャンバー内で行った。
他方、第２有機化合物層に形成されるコンタクトホール（１９ａ及び１９ｃ）の位置を、第１有機化合物層に形成されるコンタクトホール１８ｂ及び１８ｃの位置から完全に外れる位置にした。また第３有機化合物層に形成されるコンタクトホール（２０ａ及び２０ｂ）の位置を、第２有機化合物層に形成されるコンタクトホール１９ａ及び１９ｃに位置から完全に外れる位置にした。
【００６６】
上記除去加工により、第１有機化合物層には、コンタクトホール１８ｂ及び１８ｃが形成された。同様に、第２有機化合物層にはコンタクトホール１９ａ及び１９ｃが、第３有機化合物層にはコンタクトホール２０ａ及び２０ｂがそれぞれ形成された。また形成されたコンタクトホールの直径は５μｍであった。
【００６７】
加工後の形状を観察すると、均一なコンタクトホールが形成されていた。
【００６８】
また各有機化合物層のコンタクトホールの位置が、一つ下の有機化合物層に設けられるコンタクトホールの位置から完全に外れているので、コンタクトホール部の段差の大きさを小さくすることができる。このためコンタクトホールのエッジ部は、透明電極層材で確実にカバレッジされるので段切れが回避でき、電気回路的なオープンの不良を回避することができた。
【００６９】
また、コンタクトホールのエッジ部は、次工程で絶縁材としての有機化合物層で確実にカバレッジされるので、電気回路的なショートの不良を回避することができた。
【００７０】
（電極層の部分的な除去工程）
第２電極層及び第３電極層において、部分的な除去加工を行い、開口部（第１電極開口部、第２電極開口部）を形成した。このとき５００ｍＪのレーザーパワーを与えて、４ショットで形成した。この除去加工によって第２電極層を１３ａ、１３ｂ及び１３ｃに分割し、第３電極層を１５ａ、１５ｂ及び１５ｃに分割した。尚、第２電極層及び第３電極層を部分的な除去加工により分割する際に、除去加工幅は７μｍとした。また第３電極層の部分的な除去加工を行い第２電極開口部を形成する際に、第２電極開口部の位置を第２電極層の除去加工した位置（第１電極開口部）とは完全に重ならないようにした。
【００７１】
加工後の形状を観察すると、均一な電極層断面が形成されていた。
【００７２】
以上の方法で製作した有機ＥＬ表示装置を駆動発光させて観察すると、画素欠陥のない表示装置となっていることを確認した。なお、有機化合物層に形成されるコンタクトホール及び電極層において形成される部分的な除去加工された領域は、夫々重ならないことが好ましい。これにより、電気回路的な意図しないショートを回避し、隣接画素発光時における意図しない発光を防止することが可能となる。
【００７３】
［比較例１］
実施例１において、第２電極層を部分的な除去加工する際に、第１電極層１１ａ、１１ｂ及び１１ｃの端部にかかるようにして部分的な除去加工を行ったことを除いては、実施例１と同様の方法により有機ＥＬ表示装置を形成した。
【００７４】
加工後の形状を観察すると、不均一な電極層断面が形成されていて、部分的な除去加工
部の一部に厚み方向でアブレーションが不足しているように見えた。
【００７５】
電気抵抗を測定してみると、ショートが発生しており、有機ＥＬ表示装置として駆動することができないものであることが確認された。
【符号の説明】
【００７６】
１０：絶縁性基板、１１ａ（１１ｂ、１１ｃ）：第１電極層、１２：第１有機化合物層、１３ａ（１３ｂ、１３ｃ）：第２電極層、１４：第２有機化合物層、１５ａ（１５ｂ、１５ｃ）：第３電極層、１６：第３有機化合物層、１８ｂ（１８ｃ、１９ａ、１９ｃ、２０ａ、２０ｂ）：コンタクトホール、２１：第４電極層、２２：保護膜、２３：電源手段、３０：レーザー光、３１：電極層、３２：有機化合物層、３３：下地層、３４：基板
【図１】
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【図２】
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