Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月13日(2004.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報ステーション（１２）から消費者へ情報（７０）を提供する方法であって、
消費者から、該情報ステーション（１２）への情報（７０）に対する要求を受取るステップと、
情報データベースシステム（１６）から、情報（７０）と、要求された情報に関連するインセンティブ（７２）とを検索するステップと、
前記情報ステーション（１２）において前記消費者のために情報ページ（１８）に情報（７０）と、前記インセンティブ（７２）とをプリントするステップと、
前記情報データベースシステム（１６）に対し、該消費者に提供される該情報（７０）と、該インセンティブ（７２）とを識別するデータを提出するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記プリントするステップは、
小売店の場所と該小売店で販売される商品またはサービスの期限付きプロモーションオファー（１９４）とを含めて、該小売店を識別するように前記インセンティブ（７２）を指定すること
をさらに含む
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記プリントするステップは、
ユーザデータ（２００）、前記情報ステーションの地理的／人口統計学的場所（２０２）、都市データ（２０４）、日付／時刻データ（２０６）および追加の人口統計学的データ（２０８）の識別のうちの少なくとも１つを含むように前記インセンティブ（７２）をプリントすること
をさらに含む
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記検索するステップは、
前記情報データベースシステム（１６）の顧客パラメータデータベースから検索される地理的、人口統計学的およびユーザプリファレンス基準を使用して、該情報データベースシステム（１６）からもたらされる前記情報（７０）と、前記インセンティブ（７２）とを分類し、選択するステップ
をさらに含む  請求項１に記載の方法。
【請求項５】
小売店において、前記情報ページ（１８）からの前記インセンティブ（７２）を使用するステップと、
人口統計学的、地理的およびユーザプリファレンスデータで顧客パラメータデータベース（５６）を更新するために、前記インセンティブ（７２）を表すデータを、前記小売店から前記顧客パラメータデータベース（５６）に提出するステップと
をさらに含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
ユーザによる所望の情報（７０）の選択を可能にするために、前記情報ステーション（１２）のユーザインタフェース（３２）において、キーワードベースのメニュー（１１６）を表示するステップと、
該情報ステーション（１２）に関連する地理的および人口統計学的パラメータに基づいて、該メニュー（１１６）を構築するステップと
をさらに含む請求項に１記載の方法。
【請求項７】
前記受取るステップは、
前記ユーザのアイデンティティの識別を受取り、該識別されたユーザが望む情報（７０）および前記インセンティブ（７２）の選択を精緻化するために該ユーザに関連する前記ユーザプリファレンス基準（１１０）を検索するステップ
をさらに含む
請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記提出するステップは、
前記消費者の関連する情報（７０）およびインセンティブデータを、前記情報データベースシステム（１６）の顧客パラメータデータベース（５６）に送信するステップを
さらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項９】
情報ページシステム（１０）であって、
情報ステーション（１２）と、
情報データベースシステム（１６）と、
前記情報データベースシステム（１６）から提供される情報（７０）を使用して、前記情報ステーション（１２）によってプリントされ、前記情報（７０）を表すデータを、前記情報データベースシステム（１６）に戻すフィードバック機構（７４）を含む情報ページ（１８）と
を具備する情報ページシステム。
【請求項１０】
前記インセンティブは、小売店（１９０）と、小売店場所（１９２）と、プロモーションオファー（１９４）と、該プロモーションオファーの期限との識別を
さらに備える
請求項９に記載の情報ページシステム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月17日(2005.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータを使用して、検査システムからの複数の画像に対して欠陥分析を行う方法であって、
コンピュータ可読媒体中に前記複数の画像を格納するステップと、
格納された複数の画像の第１画像から検査画像を検索するステップと、
前記格納された複数の画像の第２画像から対応する基準画像を検索するステップと、
欠陥が存在するかを決定するために前記検査画像と前記対応する基準画像とを分析するステップとを含むことを特徴とする回路パターンの検査方法。
【請求項２】
前記第１画像と前記第２画像が同じ画像であることを特徴とする請求項１に記載の回路パターンの検査方法。
【請求項３】
前記格納された複数の画像がクリップ画像である、請求項１に記載の回路パターンの検査方法。
【請求項４】
前記分析ステップが前記検査画像を表示するステップを含むことを特徴とする請求項１に記載の回路パターンの検査方法。
【請求項５】
前記分析ステップが実際の検査中に行われることを特徴とする請求項１に記載の回路パターンの検査方法。
【請求項６】
前記分析ステップが検査後追跡分析中に行われることを特徴とする請求項１に記載の回路パターンの検査方法。
【請求項７】
前記複数の画像がダイ対ダイ比較、アレイ比較、または両方からの画像であることを特徴とする請求項１に記載の回路パターンの検査方法。
【請求項８】
コンピュータを使用して、回路パターン中の欠陥を検査する方法であって、
差画像をしきい値処理することで、欠陥候補画像が存在するかを決定するステップであって、その際前記差画像が検査画像と対応する基準画像との間の差を含むステップと、
前記欠陥候補画像が存在する場合、コンピュータ可読媒体中にクリップ検査画像を格納するステップであって、その際前記クリップ検査画像が前記検査画像の一部であるステップと、
前記欠陥候補画像が存在する場合、前記コンピュータ可読媒体中に対応するクリップ基準画像を格納するステップであって、その際前記対応するクリップ基準画像が前記対応する基準画像の一部であるステップとを含むことを特徴とする回路パターンの検査方法。
【請求項９】
さらに、前記欠陥候補画像が存在する時、クリップ欠陥候補画像を格納するステップを含むことを特徴とする請求項８に記載の回路パターンの検査方法。
【請求項１０】
さらに、前記欠陥候補画像が存在する時、前記コンピュータ可読媒体中に、欠陥候補位置座標を含む欠陥情報を格納するステップを含むことを特徴とする請求項８に記載の回路パターンの検査方法。
【請求項１１】
さらに、前記欠陥候補画像が存在する時、マージンを決定するステップを含むことを特徴とする請求項８に記載の回路パターンの検査方法。
【請求項１２】
さらに、マージンを決定するために前記クリップ検査画像と前記クリップ基準画像を使用するステップと、前記コンピュータ可読媒体中に前記マージンを格納するステップとを含むことを特徴とする請求項８に記載の回路パターンの検査方法。
【請求項１３】
さらに、前記クリップ検査画像と前記クリップ基準画像とに部分的に基づいて、分類、欠陥の種類に対するしきい値、または拡張結果を決定するステップを含むことを特徴とする請求項８に記載の回路パターンの検査方法。
【請求項１４】
前記決定ステップがさらに欠陥情報を使用することを特徴とする請求項１３に記載の回路パターンの検査方法。
【請求項１５】
半導体材料上の回路パターン中の潜在的欠陥を示す複数の画像を試験する検査システムであって、
前記複数の画像のクリップ画像を格納する欠陥画像メモリと、
前記欠陥画像メモリから検索された前記クリップ画像を分析する、前記欠陥画像メモリに結合された、複数のプロセッサを備える画像分析器と、
前記クリップ画像と前記分析の結果とを格納する、前記画像分析器に結合された不揮発性記憶手段とを備えることを特徴とする回路パターンの検査システム。
【請求項１６】
前記結果が欠陥検出マージンであることを特徴とする請求項１５に記載の回路パターンの検査システム。
【請求項１７】
不揮発性記憶装置がさらに欠陥情報を格納することを特徴とする請求項１５に記載の回路パターンの検査システム。
【請求項１８】
前記複数の画像が検査画像と対応する基準画像とを備えることを特徴とする請求項１５に記載の回路パターンの検査システム。
【請求項１９】
検査システムを使用して半導体材料上の回路パターン中の欠陥を検出する方法であって、
検出装置からの複数の走査画像を格納するステップと、
ダイ対ダイ比較またはアレイ比較の何れかの選択に基づいて、前記複数の走査画像から検査画像と基準画像とを決定するステップと、
前記検査画像と前記基準画像とを使用して、欠陥候補画像を決定するステップとを含むことを特徴とする回路パターンの検査方法。
【請求項２０】
さらに、前記欠陥候補画像が存在する時、前記検査画像からの第１範囲と、前記基準画像からの対応する第２範囲とをクリップするステップを含むことを特徴とする請求項１９に記載の回路パターンの検査方法。
【請求項２１】
さらに、欠陥画像メモリ中に格納するため、前記第１範囲を含む第１クリップ画像を送信するステップを含むことを特徴とする請求項２０に記載の回路パターンの検査方法。
【請求項２２】
前記選択がウェハの異なった範囲について異なっていることを特徴とする請求項１９に記載の回路パターンの検査方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月31日(2005.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに略直交する方向Da,Dbにおいて解像限界の異なる画像データに対し、前記方向Da,Dbにおいて周波数応答が異なる空間周波数フィルタ処理を施す非等方フィルタ部を備えた
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の画像処理装置において、
前記非等方フィルタ部による前記空間周波数フィルタ処理は、
所定の周波数Ｆ１を下回る周波数域では、前記解像限界の低い前記方向Daの周波数応答が、前記解像限界の高い前記方向Dbの周波数応答よりも高い
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の画像処理装置において、
前記周波数Ｆ１は、前記方向Daにおける前記解像限界以下の周波数である
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３に記載の画像処理装置において、
前記非等方フィルタ部による前記空間周波数フィルタ処理は、
前記周波数Ｆ１を上回る周波数域では、前記解像限界の低い前記方向Daの周波数応答が、前記解像限界の高い前記方向Dbの周波数応答よりも低い
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項５】
請求項１に記載の画像処理装置において、
前記非等方フィルタ部は、
前記画像データに対し、平滑化処理を施して平滑化画像データを生成する平滑処理部と、
前記画像データに対し、前記方向Da,Dbにおいて周波数応答が異なる非等方ハイパス処理を施して、高周波成分を抽出するハイパス処理部と、
前記平滑化画像データと前記高周波成分とを合成して、出力データを生成する加算処理部とを備えた
ことを特徴とする画像処理装置。
【請求項６】
コンピュータを、請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の前記非等方フィルタ部として機能させるための画像処理プログラム。
【請求項７】
請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の画像処理装置と、
被写体像を撮像して、前記方向Da,Dbについて解像限界の異なる画像データを生成する撮像部とを備え、
前記画像処理装置は、前記撮像部において生成された前記画像データを処理する
ことを特徴とする電子カメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明は下記のように構成される。
《請求項１》
請求項１の画像処理装置は、画像データに対して空間周波数フィルタ処理を施す非等方フィルタ部を備える。この空間周波数フィルタ処理は、画像データの解像限界の異なる略直交方向Da,Dbにおいて、周波数応答が相異なることを特徴とする。
《請求項２》
請求項２の発明では、請求項１に記載の画像処理装置において、周波数Ｆ１を下回る周波数域において、解像限界の低い方向Daの周波数応答を、解像限界の高い方向Dbの周波数応答よりも高く設定する。
《請求項３》
請求項３の発明では、請求項２に記載の画像処理装置において、周波数Ｆ１を、方向Daにおける解像限界以下の周波数にする。
《請求項４》
請求項４の発明では、請求項２または請求項３に記載の画像処理装置において、周波数Ｆ１を上回る周波数域で、解像限界の低い方向Daの周波数応答を、解像限界の高い方向Dbの周波数応答よりも低く設定する。
《請求項５》
請求項５の発明では、請求項１に記載の画像処理装置において、非等方フィルタ部は、画像データに対し、平滑化処理を施して平滑化画像データを生成する平滑処理部と、画像データに対し、方向Da,Dbにおいて周波数応答が異なる非等方ハイパス処理を施して、高周波成分を抽出するハイパス処理部と、平滑化画像データと高周波成分とを合成して、出力データを生成する加算処理部とを備える。
《請求項６》
請求項６の画像処理プログラムは、コンピュータを、請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の前記非等方フィルタ部として機能させるためのプログラムコードを含む。
《請求項７》
請求項７の電子カメラは、請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の画像処理装置と、被写体像を撮像して方向Da,Dbについて解像限界の異なる画像データを生成する撮像部とを備える。この電子カメラは、画像処理装置を用いて撮像部で生成される画像データを処理（上記請求項の特徴を具備する空間周波数フィルタ処理など）することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
［発明との対応関係］
以下、請求項の記載事項と本実施形態との対応関係について説明する。なお、ここでの対応関係は、参考のために一解釈を例示するものであり、本発明を徒らに限定するものではない。
請求項に記載の画像処理装置は、画像処理部１９に対応する。
請求項に記載の非等方フィルタ部は、画像処理部１９の『空間周波数フィルタ処理を行う部分』に対応する。
請求項に記載の方向Daは画面の縦方向に対応し、請求項に記載の方向Dbは画面の横方向に対応する。
請求項に記載の撮像部は、撮像素子１３に対応する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
さらに、本発明の略直交方向Da，Dbは、画面の縦横方向に限定されるものではない。例えば、画面に対して斜めに傾けて略直交方向Da，Dbを設定してももちろん構わない。
なお、本実施形態では、空間周波数フィルタ処理、変倍処理の順で画像処理を行っている。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。図３Ｂに示すように、変倍処理、空間周波数フィルタ処理の順で画像処理を行ってもよい。この場合、通常解像度モードでは、総画素数が変倍処理により半減するため、空間周波数フィルタ処理における処理画素数が半減し、画像処理時間を効果的に短縮することが可能になる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
なお、本実施形態では、電子カメラ１１（画像処理部１９）において実施する画像処理について説明した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、上述した処理動作をプログラムコード化して、請求項６に対応する画像処理プログラムを作成してもよい。この画像処理プログラムは、図１に示すプログラム記録媒体３４や通信回線３５などを媒介にして、コンピュータ３１に入力される。コンピュータ３１は、この画像処理プログラムを実行することにより、電子カメラ１１で作成された画像データ（例えばＲＡＷデータ）に対して、本実施形態と同様の処理を実施することが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月18日(2004.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶装置から読み出されて表示装置に表示された２次元または３次元のオブジェクトの選択操作を支援するオブジェクトの選択制御方法であって、
画面上におけるオブジェクトの選択操作イベントを受付け、該イベント操作に対し選択候補となるオブジェクトを抽出する第１のステップと、
抽出された選択候補オブジェクトの中から特定の１つまたは複数のオブジェクトを自動選択する第２のステップと
を備えることを特徴とするオブジェクト選択制御方法。
【請求項２】
各オブジェクトが選択のされ易さを表すスコアを保持し、前記第２のステップにおいて選択候補オブジェクトが保持するスコアを参照して特定の１つまたは複数のオブジェクトを自動選択することを特徴とする請求項１に記載のオブジェクトの選択制御方法。
【請求項３】
前記第２のステップにおいて、選択候補オブジェクトのうち選択操作位置に最も近い辺を持つオブジェクトを自動選択することを特徴とする請求項１に記載のオブジェクトの選択制御方法。
【請求項４】
前記第２のステップにおいて、選択候補オブジェクトのうち選択操作位置を内包するものの中で当該選択操作位置に最も近い辺を持つオブジェクトを自動選択することを特徴とする請求項１に記載のオブジェクトの選択制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して具体的に説明する。
図１は、本発明を適用したシステムの一実施形態を示す全体構成図である。この実施形態は、図１６（ａ）に示したような３次元オブジェクトを表示するシステムに対し、本発明を適用したものであり、２次元オブジェクトについても同様に適用することができる。
図１において、１００は、本発明に係るオブジェクトの選択制御方法を実現する処理を行う計算機である。この計算機１００は、キーボード１０１とディスプレイ１０２、ＣＰＵ１０３、マウス１０４、プログラムメモリ１０５、データメモリ１０６とから構成される。
計算機１００のプログラムメモリ１０５には、計算機全体を制御するオペレーティングシステム１０５ａと、ユーザによるマウス操作などのイベントを各３次元オブジェクトに配送し、その応答によって選択対象となる３次元オブジェクトを予め定義された被選択基準によって選択し、さらに選択対象の３次元オブジェクトが複数個存在する場合には、その中から特定の１つまたは複数のオブジェクトを自動的に選択するイベントディスパッチャ１０５ｂ、データメモリ１０６に格納された各種３次元オブジェクト１０６ａ〜１０６ｃに対応する３次元オブジェクト（１）プログラム１０５ｃ〜（ｎ）１０５ｅが格納されている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月17日(2004.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に形成する第１の下地膜が非磁性かつアモルファス構造を有するＮｉＴａ合金を含んで成り、その上の第２の下地膜が少なくともＣｒ及びＴｉを有する合金を含んで成り、その上にＣｏＣｒＰｔ合金を有する第１の磁性膜、Ｒｕを有する非磁性中間膜、ＣｏＣｒＰｔＢ合金を有する第２の磁性膜が順次形成された磁気記録媒体において、前記第１の下地膜と前記第２の下地膜の界面に酸素が存在し、
第２の下地膜の膜厚が５ｎｍ以上１５ｎｍ以下であり、第１の磁性膜及び第２の磁性膜により重なった位置に出る(１１.０)回折ピークにおけるロッキングカーブの半値幅が８°以下である磁気記録媒体。
【請求項２】
請求項１記載の磁気記録媒体において、前記酸素は前記界面に局所的に散在していることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項３】
第２の下地膜のＴｉ濃度が１０ａｔ％以上１５ａｔ％以下であり、第１の磁性膜であるＣｏＣｒＰｔ合金のＰｔ濃度が３ａｔ％以上８ａｔ以下である請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
非磁性基板上に非磁性かつアモルファス構造を有するＮｉＴａ合金の第１の下地膜を形成する第１のステップと、
第１の下地膜を酸素雰囲気に曝す第２のステップであって、第１の下地膜を形成するステップと、第２の下地膜を形成するステップの間の酸素分圧と該酸素雰囲気に曝す時間の積が１５(ｍＰａ・秒)以上３５(ｍＰａ・秒)以下である第２のステップと、
第１の下地膜上に少なくともＣｒ及びＴｉを含む合金を有する第２の下地膜であって、Ｔｉ濃度が１０ａｔ％以上１５ａｔ％以下である第２の下地膜を形成する第３のステップと、
第２の下地膜上にＣｏＣｒＰｔ合金を有する第１の磁性膜であってＰｔ濃度が３ａｔ％以上８ａｔ以下である第１の磁性膜、Ｒｕを有する非磁性中間膜、ＣｏＣｒＰｔＢ合金を有する第２の磁性膜を、順次、形成する第４のステップと、を有する磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
非磁性基板上に非磁性かつアモルファス構造を有するＮｉＴａ合金の第１の下地膜を形成する第１のステップと、
第１の下地膜を酸素雰囲気に曝す第２のステップであって、第１の下地膜を形成するステップと、第２の下地膜を形成するステップの間の酸素分圧と該酸素雰囲気に曝す時間の積が２０(ｍＰａ・秒)以上４０(ｍＰａ・秒)以下である第２のステップと、
第１の下地膜上に少なくともＣｒ、Ｔｉ及びＢを含む合金を有する第２の下地膜であって、Ｔｉ濃度が１０ａｔ％以上１５ａｔ％以下である第２の下地膜を形成する第３のステップと、
第２の下地膜上にＣｏＣｒＰｔ合金を有する第１の磁性膜であってＰｔ濃度が３ａｔ％以上８ａｔ以下である第１の磁性膜、Ｒｕを有する非磁性中間膜、ＣｏＣｒＰｔＢ合金を有する第２の磁性膜を、順次、形成する第４のステップと、を有する磁気記録媒体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月8日(2004.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
図７は、ＣＩＰ−ＭＲ型再生ヘッドに搭載される従来のＧＭＲ積層体３００の断面構成を表すものである。このＧＭＲ積層体３００は、主に、バッファ層３０１と、反強磁性層３０２と、ＡＰピンド層３０３と、スペーサ層３０４と、フリー層３０５と、保護層３０６とがこの順に積層された構成をなしている。ＡＰピンド層３０３は、強磁性層３０３Ａ、反強磁性スペーサ層３０３Ｂおよび強磁性層３０３Ｃがこの順に積層された積層体である。強磁性層３０３Ａ，３０３Ｃは、磁気モーメントが互いに同等であり、かつ磁化方向が互いに反対である。このＧＭＲ積層体３００では、ＡＰピンド層３０３全体の正味のモーメントがほぼ零となり、フリー層３０５に影響を及ぼす静電気結合が極めて小さくなるため、十分な線形応答が得られる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
しかしながら、ＣＰＰ−ＭＲ型再生ヘッドについては、ＣＩＰ−ＭＲ型再生ヘッドに関して有用なＧＭＲ積層体３００の構成（図７参照）が適当であるとは言えない。Lee 等によりJournal of Magnetism and Magnetic Materials ,Vol.118,pp.118,1993にて紹介された２電流系による抵抗モデルを利用して、ＧＭＲ積層体３００の比抵抗変化ＡΔＲを見積もると、この比抵抗変化ＡΔＲは、数１で表される。数１中の一連のパラメータβ，γ，ρ，ｔ，ＡＲは、それぞれバルクスピンアシンメトリ，界面アシンメトリ，比抵抗，厚み，界面抵抗を表している。また、各パラメータに付記された添え字Ｐ，ＡＦ，ＡＰ１，ＡＦＳ，ＡＰ２，ＳＰ，Ｆ，Ｃａｐは、それぞれ平行層，反強磁性層，第１の反平行層，反平行な２つの層間のスペーサ層，第２の反平行層，スペーサ層，強磁性層，保護層を表しており、添え字ｘ／ｙ（ｘ，ｙは上記添え字のいずれかを表す）はｘ，ｙにより特定される各層間の界面を表している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
数１から明らかなように、強磁性層３０３Ａの厚みと強磁性層３０３Ｃの厚みとが互いに一致すると、比抵抗変化ＡΔＲが最小になってしまう。このことから、ピンド層を積層構成ではなく単層構成とするのが好ましいと考えられる。しかしながら、上記したように、ＣＰＰ−ＭＲ型再生ヘッドにおいて優れた線形応答を得るためには、ＧＭＲ積層体に横方向の磁気バイアスを印加する印加機構が必要である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
反強磁性層３０は、交換磁界を供給してＡＰバイアス層５の磁化方向を固定するものであり、例えば白金マンガン合金（ＰｔＭｎ）や白金パラジウムマンガン合金（ＰｔＰｄＭｎ）などにより構成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
ＡＰバイアス層５は、静電気結合磁界を利用してスピンバルブ構造体５５に横方向の磁気バイアスを印加するものであり、主に、２つの強磁性層（第１の強磁性層，第２の強磁性層）４０，６０が反強磁性スペーサ層５０を挟んで積層された構成をなしている。強磁性層４０，６０は、いずれも例えばコバルト（Ｃｏ）、コバルト鉄合金（ＣｏＦｅ）、またはコバルトと鉄とを含むコバルト鉄系合金などにより構成されている。特に、例えば、強磁性層６０の厚みは、強磁性層４０の厚みよりも大きくなっている。反強磁性スペーサ層５０は、例えばルテニウム（Ｒｕ）、レニウム（Ｒｅ）、イリジウム（Ｉｒ）またはロジウム（Ｒｈ）などにより構成されており、その厚みは約１．０ｎｍ未満である。反強磁性層３０から供給される交換磁界により、強磁性層４０の磁化方向４０Ａと強磁性層６０の磁化方向６０Ａとは互いに逆になっている。このＡＰバイアス層５では、厚みの差異に基づいて強磁性層４０，６０が互いに異なる飽和磁気モーメントを有しており、ＡＰバイアス層５の正味の反平行モーメントＡＰｎｅｔが零以外の値となっている（ＡＰｎｅｔ≠０）。これにより、ＡＰバイアス層５全体の磁化方向は、後述するピンド層１１０の磁化方向１１０Ａと逆になっている。ここで、ＡＰバイアス層５が本発明における「横バイアス印加手段」の一具体例に対応する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
【実施例】
上記第１〜第４の実施の形態において説明した一連の構成を代表して、例えば第２の実施の形態の再生ヘッド（図３参照）について再生特性を調べたところ、図６に示した結果が得られた。図６は、再生ヘッドのトランスファ曲線を表しており、「横軸」は記録媒体からの磁場の強さＢｒｔ（Ｇ．μｍ），「縦軸」は標準化信号をそれぞれ示している。図中のトランスファ曲線６Ａ〜６Ｄは、ＡＰバイアス層５の正味のモーメントＡＰｎｅｔ、すなわち２つの強磁性層４０，６０の厚みの差異を４段階に変化させた場合を表しており、６ＡはＡＰｎｅｔ＝０．５ｎｍ，６ＢはＡＰｎｅｔ＝１．０ｎｍ，６ＣはＡＰｎｅｔ＝１．５ｎｍ，６ＤはＡＰｎｅｔ＝２．０ｎｍである。なお、再生ヘッドに搭載されたＧＭＲ積層体２００の主な構成は、例えばＴａ（３．０ｎｍ厚）／ＰｔＭｎ（１２．０ｎｍ厚）／ＣｏＦｅ（１．５ｎｍ厚）／Ｒｕ（０．４ｎｍ厚）／ＣｏＦｅ（ｔｎｍ厚；２．０≦ｔ≦３．５）／ＩｒＭｎ（２．０ｎｍ厚）／ＮｉＦｅ（４．０ｎｍ厚）／Ｃｕ（２．５ｎｍ厚）／ＣｏＦｅ（２．０ｎｍ厚）／ＰｔＭｎ（１２．０ｎｍ厚）／Ｔａ（３．０ｎｍ厚）である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2003006821.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月13日(2005.6.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気テープ用のサーボ書き込みヘッドであって、
実質に平坦なヘッド表面と、
前記磁気テープが前記ヘッド表面の上を通過する前に前縁と接触するように前記ヘッド表面に隣接して配置され、前記ヘッド表面と前記磁気テープとの間に空気軸受を形成する、丸みを帯びた前縁と、
からなるサーボ書き込みヘッド。
【請求項２】
前記前縁の丸みは、前記ヘッド表面に対するブレンディング、研削、機械加工およびファセッティングの中から選択された１以上のものによって実現される、請求項１に記載のサーボ書き込みヘッド。
【請求項３】
前記磁気テープが前記ヘッド表面を通過した後に後縁の上を通過するように前記ヘッド表面に隣接して配置された、丸みを帯びた後縁をさらに含む、請求項１に記載のサーボ書き込みヘッド。
【請求項４】
前記後縁の丸みは、前記ヘッド表面に対するブレンディング、研削、機械加工およびファセッティングの中から選択された１以上のものによって実現される、請求項３に記載のサーボ書き込みヘッド。
【請求項５】
磁気テープ用のサーボ書き込みヘッドであって、
スペーサを有する上部フェライトウェハと、
サーボパターンの部分を前記磁気テープに書き込むためのフェライト−非磁性材料−フェライト構造を形成する、前記スペーサ中の非磁性材料と、
からなるサーボ書き込みヘッド。
【請求項６】
前記上部フェライトウェアのバッチ処理によって、複数の前記サーボ書き込みヘッドが形成される、請求項５に記載のサーボ書き込みヘッド。
【請求項７】
前記非磁性材料の上に、前記サーボパターンを前記磁気テープに書き込むための磁性パターンを形成する少なくとも１つの磁性ギャップを有する磁性材料の層をさらに含む、請求項５に記載のサーボ書き込みヘッド。
【請求項８】
前記上部フェライトウェハと対になる下部フェライトウェハをさらに含み、ギャップの周りに磁気回路が形成される、請求項５に記載のサーボ書き込みヘッド。
【請求項９】
誘導巻線と、該誘導巻線を通すための通路とをさらに含む、請求項８に記載のサーボ書き込みヘッド。
【請求項１０】
前記上部フェライトウェハと前記下部フェライトウェハのバッチ処理により、複数の前記サーボ書き込みヘッドが形成される、請求項８に記載のサーボ書き込みヘッド。
【請求項１１】
前記磁気回路を強化するために、前記ギャップに近接して前記上部フェライトウェハに非磁性空間が形成される、請求項５に記載のサーボ書き込みヘッド。
【請求項１２】
前記上部フェライトウェハは、
実質的に平坦なヘッド表面と、
前記磁気テープが前記ヘッド表面の上を通過する前に前縁と接触するように前記ヘッド表面に隣接して配置され、前記ヘッド表面と前記磁気テープとの間に空気軸受を形成する、丸みを帯びた前縁と、
を有する、請求項５に記載のサーボ書き込みヘッド。
【請求項１３】
誘導巻線をさらに含み、該誘導巻線は前記上部フェライトウェハの部分の周りを通る、請求項５に記載のサーボ書き込みヘッド。
【請求項１４】
前記上部フェライトウェハは、ギャップの周りに磁気分路を形成する、請求項５に記載のサーボ書き込みヘッド。
【請求項１５】
磁気テープのサーボ書き込み方法であって、
前記磁気テープが前記ヘッド表面の上を通過する前に前縁と接触するように前記ヘッド表面に隣接して配置され、前記ヘッド表面と前記磁気テープとの間に空気軸受を形成する丸みを帯びた前縁を有する実質的に平坦なヘッド表面の上を、前記磁気テープを通過させるステップと、
ヘッドを用いてサーボ位置コードを前記磁気テープに書き込むステップと、
からなるサーボ書き込み方法。
【請求項１６】
前記前縁の丸みは、前記ヘッド表面に対するブレンディング、研削、機械加工およびファセッティングの中から選択された１以上のものによって実現される、請求項１５に記載のサーボ書き込み方法。
【請求項１７】
前記磁気テープが前記ヘッド表面を通過した後に後縁の上を通過するように前記ヘッド表面に隣接して配置された丸みを帯びた後縁の上を、前記磁気テープを通過させるステップをさらに含む、請求項１５に記載のサーボ書き込み方法。
【請求項１８】
前記後縁の丸みは、前記ヘッド表面に対するブレンディング、研削、機械加工およびファセッティングの中から選択された１以上のものによって実現される、請求項１７に記載のサーボ書き込み方法。
【請求項１９】
磁気テープ用のサーボ書き込みヘッドを製造する方法であって、
前記ヘッドの上部フェライトウェハにスペーサを形成するステップと、
前記スペーサに非磁性材料を配置し、サーボパターンの部分を前記磁気テープに書き込むためのフェライト−非磁性材料−フェライト構造を形成するステップと、
からなる方法。
【請求項２０】
前記上部フェライトウェハのバッチ処理によって、複数の前記サーボ書き込みヘッドが形成される、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
少なくとも１つの磁性ギャップを有する磁性材料の層を前記非磁性材料の上に形成し、前記サーボパターンを前記磁気テープに書き込むための磁性パターンを形成するステップをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】
前記上部フェライトウェハに下部フェライトウェハを接合し、ギャップの周りに磁気回路を形成するステップをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】
前記サーボ書き込みヘッドは誘導巻線を通すための通路を有し、
前記方法は、誘導巻線を追加するステップをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記上部フェライトウェハと前記下部フェライトウェハのバッチ処理により、複数の前記サーボ書き込みヘッドを形成するステップをさらに含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２５】
ギャップに近接して前記上部フェライトウェハに非磁性空間を形成し、磁気回路を強化するステップをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２６】
前記上部フェライトウェハの部分の周りに誘導巻線を通すステップをさらに含む、請求項１９に記載の方法。
【請求項２７】
前記上部フェライトウェハは、ギャップの周りに磁気分路を形成する、請求項１９に記載の方法。
【請求項２８】
前記上部フェライトウェハは、実質的に平坦なヘッド表面と、前縁とを有し、
前記前縁は、前記磁気テープが前記ヘッド表面の上を通過する前に前縁と接触するように、前記ヘッド表面に隣接して配置され、
前記方法は、前記前縁に丸みを付け、前記ヘッド表面と前記磁気テープとの間に空気軸受が形成されるようにするステップを更に含む、請求項１９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月20日(2004.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上の商品提供システムの各々が提供する商品を仲介してネットワークで接続されたエンドユーザの端末に提供する商品仲介取引処理システムであって、
上記商品提供システムが提供する商品に関する商品情報を、当該商品提供システムに対応付けて登録する手段と、
上記登録された商品を複数選択し一連の取引として組み合わせた統合商品を定義する手段と、
該定義された統合商品情報を記録する手段と、
上記統合商品の案内情報を上記エンドユーザの端末に通知する手段と、
上記通知した案内情報に基づき上記エンドユーザの端末で選択された統合商品と当該統合商品を構成する商品に対する契約内容からなる契約情報を、当該エンドユーザに対応付けて登録する手段と、
上記契約情報の契約内容に基づく上記統合商品の仲介取引を行い、当該商品を提供する商品提供システムおよび該商品の取引に用いるメッセージ仕様を特定し、特定した商品提供システムに対し、特定したメッセージ仕様で当該商品の契約内容を通知して当該商品の取引を実行させる手段と、
上記通知に基づく上記商品提供システムの商品の取引実行内容を取引ログとして当該商品提供システムに対応付けて記録する手段と、
上記記録した商品の取引ログと当該商品に関連するコミッション情報とに基づき、上記商品提供システムで取引した当該商品の仲介に対するコミッション決済を行なう手段と
を有することを特徴とする商品仲介取引処理システム。
【請求項２】
請求項１に記載の商品仲介取引処理システムであって、上記統合商品は、当該統合商品を構成する複数の商品を関連付けたワークフローからなることを特徴とする商品仲介取引処理システム。
【請求項３】
各々商品を提供する１以上の商品提供システムと、該商品提供システムのそれぞれにネットワークを介して接続され各商品提供システムが提供する商品を仲介してネットワークで接続されたエンドユーザの端末に提供する取引処理システムとによる商品仲介取引処理方法であって、
上記商品提供システムが提供する商品に関する商品情報を、当該商品提供システムに対応付けて登録する手順と、
上記取引処理システムにおいて、上記登録された商品を複数選択し一連の取引として組み合わせた統合商品を定義する手順と、
該定義された統合商品情報を記録する手順と、
上記取引処理システムから上記エンドユーザの端末に上記統合商品の案内情報を通知する手順と、
上記エンドユーザの端末から上記取引処理システムに上記通知された案内情報に基づきエンドユーザが選択した統合商品と当該統合商品を構成する商品に対する契約内容からなる契約情報を送信する手順と、
上記エンドユーザの端末から送信された契約情報を当該エンドユーザに対応付けて上記取引処理システムにおいて登録する手順と、
上記取引処理システムにおいて上記契約情報の契約内容に基づく上記統合商品の仲介取引を行い、当該商品を提供する商品提供システムおよび該商品の取引に用いるメッセージ仕様を特定し、特定した当該商品を提供する商品提供システムに対し、特定したメッセージ仕様で当該商品の契約内容を通知する手順と、
上記取引処理システムからの契約内容が通知された当該商品を提供する商品提供システムにおいて当該契約内容に対応する商品の取引を実行する手順と、
該商品提供システムによる当該商品の取引実行内容を取引ログとして当該システムに対応付けて上記取引処理システムにおいて記録する手順と、
上記取引処理システムにおいて上記記録した商品の取引ログと当該商品に関連するコミッション情報とに基づき、上記商品提供システムで取引実行した当該商品の仲介に対するコミッション決済を行なう手順と
を有することを特徴とする商品仲介取引処理方法。
【請求項４】
請求項３に記載の商品仲介取引処理方法であって、上記統合商品を、当該統合商品を構成する複数の商品を関連付けたワークフローにより生成する手順を有することを特徴とする商品仲介取引処理方法。
【請求項５】
各々商品を提供する１以上の商品提供システムと、該商品提供システムのそれぞれにネットワークを介して接続され各商品提供システムが提供する商品を仲介してネットワークで接続されたエンドユーザの端末に提供する取引処理システムとによる商品仲介取引処理方法を実現するための商品仲介取引処理用プログラムであって、
コンピュータに、
上記商品提供システムが提供する商品に関する商品情報を、当該商品提供システムに対応付けて登録する手順と、
上記取引処理システムにおいて、上記登録された商品を複数選択し一連の取引として組み合わせた統合商品を定義する手順と、
該定義された統合商品情報を記録する手順と、
上記取引処理システムから上記エンドユーザの端末に上記統合商品の案内情報を通知する手順と、
上記エンドユーザの端末から上記取引処理システムに上記通知された案内情報に基づきエンドユーザが選択した統合商品と当該統合商品を構成する商品に対する契約内容からなる契約情報を送信する手順と、
上記エンドユーザの端末から送信された契約情報を当該エンドユーザに対応付けて上記取引処理システムにおいて登録する手順と、
上記取引処理システムにおいて上記契約情報の契約内容に基づく上記統合商品の仲介取引を行い、当該商品を提供する商品提供システムおよび該商品の取引に用いるメッセージ仕様を特定し、特定した当該商品を提供する商品提供システムに対し、特定したメッセージ仕様で当該商品の契約内容を通知する手順と、
上記取引処理システムからの契約内容が通知された当該商品を提供する商品提供システムにおいて当該契約内容に対応する商品の取引を実行する手順と、
該商品提供システムによる当該商品の取引実行内容を取引ログとして当該システムに対応付けて上記取引処理システムにおいて記録する手順と、
上記取引処理システムにおいて上記記録した商品の取引ログと当該商品に関連するコミッション情報とに基づき、上記商品提供システムで取引実行した当該商品の仲介に対するコミッション決済を行なう手順と
を実行させるための商品仲介取引処理用プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月1日(2005.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
管理対象化学物質につきＰＲＴＲの認定品と非認定品とが混在する流通市場にあって、化学物質管理対象企業の為に化学物質管理業務を行う機関にて管理対象化学物質の内容と量とを把握し、この内少なくともＰＲＴＲ認定品の内容は対象品に付したタグの記録を自動読取りして得られるデータであり、非認定品については化学物質名と使用量の送信を化学物質管理対象企業から受け、両データを併せてＰＲＴＲ管理結果報告を所定報告書式に自動作成して報告書提出先へ送信すると共に、ＰＲＴＲ認定品の管理費用は当該品の製造メーカに請求すべく請求額情報を当該製造メーカに送信し、ＰＲＴＲ非認定品の管理費用は当該品を購入した管理対象企業に請求すべく請求額情報を当該製造メーカに送信することを特徴とする化学物質管理方法。
【請求項２】
管理対象化学物質につきＰＲＴＲの認定品と非認定品とが混在する流通市場にあって、化学物質管理対象企業の為に化学物質管理業務を行う機関にて化学物質管理対象企業の原料調達を行うことにより管理対象化学物質の内容と量を把握し、この内少なくともＰＲＴＲ認定品の内容は対象品に付したタグの記録を自動読取りして得られるデータであり、非認定品についてのデータと併せてＰＲＴＲ管理結果報告を所定報告書式に自動作成して報告書提出先へ送信すると共に、PRTR認定品の管理費用は当該品の製造メーカに請求すべく請求額情報を当該製造メーカに送信し、ＰＲＴＲ非認定品の管理費用は当該品を購入した管理対象企業に請求すべく請求額情報を当該製造メーカに送信することを特徴とする化学物質管理方法。
【請求項３】
請求項１または２において、ＰＲＴＲ認定品の管理費用は当該製造メーカに請求すべく請求額情報をＰＲＴＲ商品認定団体へ送信し、該団体を経由してPRTR認定品管理費用の支払いがなされるようにすることを特徴とする化学物質管理方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、前記タグはそのデータがバーコードかまたはＩＣに収められていることを特徴とする化学物質管理方法。
【請求項５】
ＰＲＴＲ管理対象製品であることをその対象製品のデータと共に表示した当該対象製品を購入した対象製品利用者における端末から読み取られた前記表示情報を受信する受信手段と、
前記受信情報に基づいてＰＲＴＲ管理報告書を自動作成する生成手段と、
該報告書を外部へ送信する第１の送信手段と、
当該対象製品の取扱量から管理費用を算出する計算手段と、
前記計算結果を取り入れた請求書を外部へ送信する第２の送信手段と、
を備えていることを特徴とする化学物質管理システム。
【請求項６】
請求項５において、前記認定品のデータがバーコードかまたはＩＣに収められていることを特徴とする化学物質管理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月2日(2005.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質膜の少なくとも一方の面に、空孔部分の開口径が０．１〜１０μｍの範囲の三次元連通性の孔を有する多孔質電解質層を備えることを特徴とする電解質膜。
【請求項２】
アルコールを含有する溶媒に電解質を溶解させた溶液を、電解質膜の少なくとも一方の面に塗布した後、アルコール性水酸基以外の極性基を有する有機溶媒に浸漬することを特徴とする、請求項１記載の電解質膜の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の電解質膜または請求項２記載の製造方法で得られた電解質膜を備えることを特徴とする電気化学装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第一の発明は、電解質膜の少なくとも一方の面に、空孔部分の開口径が０．１〜１０μｍの範囲の三次元連通性の孔を有する多孔質電解質層を備えた電解質膜を作製したことである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第三の発明は、第一の発明の電解質膜または第二の発明の製造方法で得られた電解質膜を備えた電気化学装置である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
電解質膜として、例えば市販のパーフロロスルホン酸樹脂膜であるナフィオン１１５膜（米国、デュポン社製）を用いることができる。ナフィオン１１５膜は無孔性膜である。この電解質膜を精製水で１時間煮沸して含水状態にした後、たとえばエタノールなどのアルコールに浸漬して電解質膜をさらに膨潤させる。この膨潤した電解質膜をアルコールから取り出して膜の表面の余分なアルコールをペーパータオルなどで拭き取り、電解質膜の少なくも片側面に、スプレーなどの手段を用いて、上述の濃度を調製したナフィオン溶液を塗布して電解質膜前駆体を形成した後、アルコール性水酸基以外の極性基を有する有機溶媒として、たとえば酢酸ブチルに前述の電解質膜前駆体を浸漬して放置する。その後、酢酸ブチルから電解質膜前駆体を取り出して室温で乾燥すると、電解質膜の少なくとも一方の面に、空孔部分の開口径が０．１〜１０μｍの範囲の三次元連通孔を有する電解質層を形成した電解質膜が作製できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
このようにして作製した電解質膜の少なくとも一方の面に、空孔部分の開口径が０．１〜１０μｍの範囲の三次元連通性の孔を有する多孔質電解質層を備える本発明の電解質膜の概略断面を図１に示す。この図において、１は無孔性の電解質膜であり、２は三次元連通性の孔を有する多孔質電解質層である。３は本発明の電解質膜であり、無孔性の電解質膜１および三次元連通性の孔を有する多孔質電解質層２からなる。４は三次元連通性の孔を有する多孔質電解質層２の電解質部分であり、５は三次元連通性の孔を有する多孔質電解質層２の空孔部分である。電解質部分４および空孔部分５は、それぞれ三次元的に連通している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明になる電解質膜は、少なくとも一方の面に、空孔部分の開口径が０．１〜１０μｍの範囲の三次元連通性の孔を有する多孔質電解質層を有しており、電解質膜と電極との界面の接触面積を増大するとともに、不純物となる分散媒や粒子あるいは低分子有機材料などの混入がなく、作製のときに電解質の劣化を引き起こす加熱等の処理を施さないためにプロトン導電性の低下がない。したがって、電解質膜のプロトン導電性を高めることが可能となり、もってこの電解質膜を用いることにより、たとえば固体高分子電解質型燃料電池、直接メタノール型燃料電池、水電解装置、食塩電解装置、オゾン発生装置、酸素分離装置、水素分離装置あるいは酸素センサーなど電解質膜と電極との界面の反応が関与するような電気化学装置を高性能にすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
摺動し合う複数の摺動部品を有し、摺動する２面間で、負荷の加わる部品の総面積が小さい方となる摺動密度が高い摺動部品の硬度を、摺動密度の低い摺動部品の硬度より、高くしたロータリコンプレッサにおいて、前記硬度が高い摺動部品の面粗さを、硬度の低い摺動部品の面粗さより、小さくしたことを特徴とするロータリコンプレッサ。
【請求項２】
摺動密度が高い摺動部品と摺動密度が低い摺動部品の２面間の硬度差がビッカース硬さＨＶで２５０以上となる材料組合せとし、摺動密度が高い摺動部品の面粗さをＲｚ＝２．５以下、摺動密度が低い摺動部品の面粗さをＲｚ＝３．０以下としたことを特徴とする請求項１記載のロータリーコンプレッサ。
【請求項３】
摺動密度が高い摺動部品と摺動密度が低い摺動部品の２面間の硬度差がビッカース硬さＨＶで２５０以上となるよう摺動密度が高い摺動部品に表面処理を施したことを特徴とする請求項１〜２記載のロータリコンプレッサ。
【請求項４】
使用する冷媒は、ＨＦＣ冷媒，あるいはＨＣ冷媒，あるいはＣＯ2 と塩素を含まない冷媒であることを特徴とする請求項１から３記載のロータリコンプレッサ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、この発明の請求項２にあっては、摺動密度が高い摺動部品と摺動密度が低い摺動部品の２面間の硬度差がビッカース硬さＨＶで２５０以上となる材料組合せとし、摺動密度が高い摺動部品の面粗さをＲｚ＝２．５以下、摺動密度が低い摺動部品の面粗さをＲｚ＝３．０以下タイプとする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
これにより、摺動密度が高い摺動部品の摩耗量が著しく改善されると共に、トータルの摩耗量をさらに低減できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、この発明の請求項４によれば、使用する冷媒は、ＨＦＣ冷媒，あるいはＨＣ冷媒，あるいはＣＯ２と塩素を含まない冷媒とする。
これにより、摺動部品の少なくとも一方で鉄系金属となるため、塩素を含む冷媒下で発生するような鉄の塩化物が形成されないため、耐摩耗的効果が現われ、信頼性の向上が図れる。
なお、この発明によれば、摺動部品の表面処理を窒化処理して、摺動密度が高い摺動部品の摩耗量をさらに改善し、長期間に亘り安定した運転状態が得られるようにしてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、窒化処理された摺動部品をベーンとし、さらに、合金鋳鉄から成る摺動部品をローラして、各摺動部品の面とりを、Ｃ０．０１以上０．１以下として、圧縮室の気密性を向上し、性能効率のアップが図れるようにしてもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、表面処理を、窒化処理後、バレル処理あるいはバフ研磨あるいはショットピーニング処理を行ない、摺動密度が高い摺動部品の面粗さを、良り改善するだけでなく、表面の圧縮残留応力を増加させ、摺動し合う２面間の硬度差と相俟って摩耗量を著しく低減するようにしてもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、ショットピーニング処理を、０．４ｍｍ以下のショット材を用い、噴出速度１００ｍ／ｓ以上で行ない、圧縮残留応力を１０００ＭＰａとして、摺動密度が高い摺動部品の表面に、一時にエネルギが負荷されるようにすると共に、１０００ＭＰａとなる圧縮残留応力により、優れた耐摩耗性が確保されるようにしてもよい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、ベーンを窒化処理した後、その上層に、周期律表ＩＶ族あるいはＶ族あるいはＶＩ族の金属あるいは、それらの複合金属の窒化物層を形成して、ベーンを、窒化処理のみの場合に比べて、さらに良好な耐摩耗性の向上が図れるようにしてもよい。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、ベーンの表面粗さを、Ｒｚ＝２．０以下、相手材を合金鋳鉄としその表面粗さをＲｚ＝２．５以下として、ベーンの表面粗さと合金鋳鉄の表面粗さを改善してトータルの耐摩耗性を向上させるようにしてもよい。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、ベーンの、面取りをＣ０．０１以上、０．１以下として、圧縮室の気密性を向上し良好な圧縮性能が得られるようにしてもよい。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月7日(2004.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ハウジング内に形成された作動室の体積を拡大縮小させることにより、流体を吸入圧縮する圧縮機であって、
前記ハウジング内において前記作動室の１部を構成するとともに、前記ハウジングに対して固定した固定部と、前記作動室の１部を構成するとともに、前記固定部に対して変位して前記作動室の体積を拡大縮小させる可動部と、前記ハウジング内に形成され、外部からの回転力を前記可動部に伝達するシャフトと、前記シャフトの回転を支持する軸受けとから構成され、
前記軸受けをスラスト方向に規制するとともに、弾性を有したツースリングを設けることを特徴とするシャフト抜け防止機構付圧縮機。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月2日(2005.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
液状バインダーとしては、ウレタンプレポリマーとクルードＭＤＩとの混合物が用いられる。
ウレタンプレポリマーは、末端にイソシアネート基を有する全ての市販品が使用できる。通常末端イソシアネート基含有率１〜１０％のものが用いられる。
クルードＭＤＩは，次の一般式で表され，各社から市販されているものである。
ＯＣＮ−Ｃ６Ｈ４−［−ＣＨ２−Ｃ６（−ＮＣＯ）Ｈ３−］ｎ−１−ＣＨ２−Ｃ６Ｈ４−ＮＣＯ
ｎ＝１，２，３，４・・・・
クルードＭＤＩの配合比は、通常ウレタンプレポリマーに対して１０〜２００重量％量が適当である。
なお弾性舗装マットの基盤への貼付用の接着剤としては上記液状バインダーと同様の材料が用いられるほか市販の全ての接着剤が使用可能である。