(57)【要約】【解決課題】コアとクラッドとの間の屈折率の差の調節が容易な光導波路を提供すること。【解決手段】光を伝搬するためのコア部と、該コア部に接し、該コア部より屈折率の低いクラッド部とを有する光導波路であって、該コア部が、マレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物により形成されており、該コア部を形成するマレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物中には、該硬化物より屈折率が高い低分子量化合物又は該低分子量化合物の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在していることを特徴とする光導波路。【選択図】図６
2010072370.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を伝搬するためのコア部と、該コア部に接し、該コア部より屈折率の低いクラッド部とを有する光導波路であって、
該コア部が、マレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物により形成されており、
該コア部を形成するマレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物中には、該硬化物より屈折率が高い低分子量化合物又は該低分子量化合物の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在していること
を特徴とする光導波路。
【請求項２】
光を伝搬するためのコア部と、該コア部に接し、該コア部より屈折率の低いクラッド部とを有する光導波路であって、
該クラッド部が、マレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物により形成されており、
該クラッド部を形成するマレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物中には、該硬化物より屈折率が低い低分子量化合物又は該低分子量化合物の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在していること
を特徴とする光導波路。
【請求項３】
前記クラッド部の全部又は一部が、マレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物により形成されていることを特徴とする請求項１記載の光導波路。
【請求項４】
前記クラッド部の全部又は一部を形成するマレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物中には、該硬化物より屈折率が低い低分子量化合物又は該低分子量化合物の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在していることを特徴とする請求項３記載の光導波路。
【請求項５】
前記コア部を形成するマレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物と、前記クラッド部の全部又は一部を形成するマレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物とが、同一のマレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物であることを特徴とする請求項３又は４いずれか１項記載の光導波路。
【請求項６】
前記コア部が、マレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物により形成されていることを特徴とする請求項２記載の光導波路。
【請求項７】
前記コア部を形成するマレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物中には、該硬化物より屈折率が高い低分子量化合物又は該低分子量化合物の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在していることを特徴とする請求項６記載の光導波路。
【請求項８】
前記コア部を形成するマレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物と、前記クラッド部を形成するマレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物とが、同一のマレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物であることを特徴とする請求項６又は７いずれか１項記載の光導波路。
【請求項９】
前記マレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーが、主鎖の全部又は一部としてシクロヘキサン骨格又はシクロペンタン骨格を有し且つ側鎖としてマレイミド基を有するポリマーであることを特徴とする請求項１〜８いずれか１項記載の光導波路。
【請求項１０】
前記マレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーが、下記一般式（１）で表わされる構造単位から選択される１種以上の構造単位、又は下記一般式（５）で表わされる構造単位を有するオレフィン重合ポリマーであり、下記一般式（１）で表わされる構造単位又は下記一般式（５）で表わされる構造単位の重合割合が、重合モノマー換算で、全オレフィン重合モノマーに対するモル比で１０〜１００％であることを特徴とする請求項１〜８いずれか１項記載の光導波路。
一般式（１）：
【化１】
2010072370.tif 000018
（式中、Ｘは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−又は−Ｏ−である。ｍは、０〜５の整数である。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のうちの１つが、下記一般式（２）：
【化２】
2010072370.tif 000019
[式中、Ａは、メチレン基、あるいは直鎖状又は分岐状の炭素数２〜６のヒドロカルビレン基、ハロヒドロカルビレン基又はパーハロカルビレン基、あるいは置換又は非置換の炭素数５〜１２の環状又は多環式のヒドロカルビレン基、ハロヒドロカルビレン基又はパーハロカルビレン基である。Ｒ５及びＲ６は、水素原子又は炭素数１〜４のヒドロカルビル基であり、同一であっても異なってもよく、Ｒ５及びＲ６で炭素数３〜８の環を形成してもよい。]
で表わされるマレイミド基である。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の残りは、水素原子、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２５のヒドロカルビル基、ハロヒドロカルビル基又はパーハロカルビル基であり、同一であっても異なってもよい。）
一般式（５）：
【化３】
2010072370.tif 000020
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のうちの１つが、下記一般式（２）：
【化４】
2010072370.tif 000021
[式中、Ａは、メチレン基、あるいは直鎖状又は分岐状の炭素数２〜６のヒドロカルビレン基、ハロヒドロカルビレン基又はパーハロカルビレン基、あるいは置換又は非置換の炭素数５〜１２の環状又は多環式のヒドロカルビレン基、ハロヒドロカルビレン基又はパーハロカルビレン基である。Ｒ５及びＲ６は、水素原子又は炭素数１〜４のヒドロカルビル基であり、同一であっても異なってもよく、Ｒ５及びＲ６で炭素数３〜８の環を形成してもよい。]
で表わされるマレイミド基である。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の残りは、水素原子、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２５のヒドロカルビル基、ハロヒドロカルビル基又はパーハロカルビル基であり、同一であっても異なってもよい。）
【請求項１１】
前記マレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーが、下記一般式（１）で表わされる構造単位から選択される１種以上の構造単位と、下記一般式（３）で表わされる構造単位から選択される１種以上の構造単位とが、ランダムに共重合したポリマーであり、下記一般式（１）で表わされる構造単位のモル比が、１０〜１００％であることを特徴とする請求項１〜８いずれか１項記載の光導波路。
一般式（１）：
【化５】
2010072370.tif 000022
（式中、Ｘは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−又は−Ｏ−である。ｍは、０〜５の整数である。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のうちの１つが、下記一般式（２）：
【化６】
2010072370.tif 000023
[式中、Ａは、メチレン基、あるいは直鎖状又は分岐状の炭素数２〜６のヒドロカルビレン基、ハロヒドロカルビレン基又はパーハロカルビレン基、あるいは置換又は非置換の炭素数５〜１２の環状又は多環式のヒドロカルビレン基、ハロヒドロカルビレン基又はパーハロカルビレン基である。Ｒ５及びＲ６は、水素原子又は炭素数１〜４のヒドロカルビル基であり、同一であっても異なってもよく、Ｒ５及びＲ６で炭素数３〜８の環を形成してもよい。]
で表わされるマレイミド基である。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の残りは、水素原子、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２５のヒドロカルビル基、ハロヒドロカルビル基又はパーハロカルビル基であり、同一であっても異なってもよい。）
一般式（３）：
【化７】
2010072370.tif 000024
（式中、Ｙは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−又は−Ｏ−である。ｎは、０〜５の整数である。Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０の少なくとも１つは、１又は２以上の酸素原子、窒素原子、硫黄原子及びケイ素原子から選択されるヘテロ原子を有する直鎖状、分岐状又は環状の炭素数１〜２５のヒドロカルビル基、ハロヒドロカルビル基、パーハロカルビル基、アリール基又はアラルキルペンダント基、あるいは、直鎖状、分岐状又は環状の炭素数１〜２５のヒドロカルビル基、ハロヒドロカルビル基、パーハロカルビル基、アリール基又はアラルキルペンダント基である。Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０の残りは、水素原子である。）
【請求項１２】
前記マレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーが、下記一般式（１）で表わされる構造単位から選択される１種以上の構造単位と、下記式（４）で表わされる構造単位とが、ランダムに共重合したポリマーであり、下記一般式（１）で表わされる構造単位のモル比が、１０〜１００％であることを特徴とする請求項１〜８いずれか１項記載の光導波路。
一般式（１）：
【化８】
2010072370.tif 000025
（式中、Ｘは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−又は−Ｏ−である。ｍは、０〜５の整数である。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のうちの１つが、下記一般式（２）：
【化９】
2010072370.tif 000026
[式中、Ａは、メチレン基、あるいは直鎖状又は分岐状の炭素数２〜６のヒドロカルビレン基、ハロヒドロカルビレン基又はパーハロカルビレン基、あるいは置換又は非置換の炭素数５〜１２の環状又は多環式のヒドロカルビレン基、ハロヒドロカルビレン基又はパーハロカルビレン基である。Ｒ５及びＲ６は、水素原子又は炭素数１〜４のヒドロカルビル基であり、同一であっても異なってもよく、Ｒ５及びＲ６で炭素数３〜８の環を形成してもよい。]
で表わされるマレイミド基である。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の残りは、水素原子、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２５のヒドロカルビル基、ハロヒドロカルビル基又はパーハロカルビル基であり、同一であっても異なってもよい。）
式（４）：
【化１０】
2010072370.tif 000027
【請求項１３】
前記マレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーが、下記一般式（５）で表わされる構造単位が重合したポリマーであることを特徴とする請求項１〜８いずれか１項記載の光導波路。
一般式（５）：
【化１１】
2010072370.tif 000028
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のうちの１つが、下記一般式（２）：
【化１２】
2010072370.tif 000029
[式中、Ａは、メチレン基、あるいは直鎖状又は分岐状の炭素数２〜６のヒドロカルビレン基、ハロヒドロカルビレン基又はパーハロカルビレン基、あるいは置換又は非置換の炭素数５〜１２の環状又は多環式のヒドロカルビレン基、ハロヒドロカルビレン基又はパーハロカルビレン基である。Ｒ５及びＲ６は、水素原子又は炭素数１〜４のヒドロカルビル基であり、同一であっても異なってもよく、Ｒ５及びＲ６で炭素数３〜８の環を形成してもよい。]
で表わされるマレイミド基である。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の残りは、水素原子、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２５のヒドロカルビル基、ハロヒドロカルビル基又はパーハロカルビル基であり、同一であっても異なってもよい。）
【請求項１４】
前記低分子量化合物が、ビニルエーテル類、チオール類又は（メタ）アクリレート類であることを特徴とする請求項１〜１３いずれか１項記載の光導波路。
【請求項１５】
マレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物であり、該マレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物中には、該硬化物より屈折率が高い低分子量化合物又は該低分子量化合物の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在していることを特徴とする活性放射線硬化性ポリマーの硬化物。
【請求項１６】
マレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物であり、該マレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物中には、該硬化物より屈折率が低い低分子量化合物又は該低分子量化合物の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在していることを特徴とする活性放射線硬化性ポリマーの硬化物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コアと、該コアより屈折率が低く、該コアを取り囲むクラッドからなる光導波路に関する。
【背景技術】
【０００２】
レーザー又は発光ダイオードのような光源から発生した光周波搬送波を使用するデータ移送がますます重要になっている。そのような光周波搬送波を一地点から他地点に導くための一つの手段が光導波路である。光導波路は、光周波搬送波の光に対して、実質的に透明な第一の媒体（コア）と、第一の媒体より低屈折率の第二の媒体（クラッド）とを有する。この第一の媒体は、第二の媒体によって取り囲まれているか、又は第二の媒体の内側に封入されている。第一の媒体の端部から導入された光は、第二の媒体との境界で内部全反射を起こし、これによって、第一の媒体の軸に沿って導かれる。この第一の媒体として頻繁に使用されているのは、細長く繊維状に形成されたガラスである。しかしながら、ガラス光ファイバーは、長距離のデータ輸送には便利であるが、回路の高密度化によって、使用上の問題を引き起こしたり、高コストになったりするので、煩雑な高密度回路には好ましくない。一方で、ポリマー材料は、合理的コストで、信頼性があり、受動的で実用的なコンポーネントを作成することができ、しかも、集積光学に必要な機能を実行できる点で、有望視されている。
【０００３】
そのため、近年、光硬化法を利用してポリマー材料から、光導波路を形成するための研究が活発に行われている。光導波路には、特に、光配線で使用される波長領域（８５０ｎｍ付近）における良好な光学物性、更に、電気又は電子部品の実装工程を必要とする製品向けには、はんだ耐熱性などが要求される。特に、近年、環境保全の配慮から、はんだ鉛フリー化が求められており、はんだリフロー温度が高くなることから、高温でも賦形形状を維持できる耐熱性が必要となってきている。
【０００４】
例えば、光学材料として、耐熱性、エッチング耐性、接着性等に優れるマレイミドとノルボルネンの共重合体が研究されている（特許文献１、特許文献２、特許文献３）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−２０００１８号公報（特許請求の範囲）
【特許文献２】特開平１１−２２８５３６号公報（特許請求の範囲）
【特許文献３】特開平１１−３２２８５５号公報（特許請求の範囲）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような従来の光導波路では、コア及びクラッドの屈折率が、コア形成用のポリマーの種類及びクラッド形成用のポリマーの種類に依存するため、コア形成用ポリマーとクラッド形成用ポリマーとの間の屈折率の差が、十分でない場合には、ポリマーの種類そのものを別のポリマーに変更して、屈折率の差を調節しなければならない。ところが、ポリマーの種類そのものを別のポリマーに変更しようとしても、屈折率以外の性能までも変化してしまうため、変更ができないという問題があった。
【０００７】
ところで、コア形成用のポリマーの硬化物とクラッド形成用のポリマーの硬化物とを、同一の構造又は似た構造のポリマーの硬化物にすると、コアとクラッドの線膨脹係数がほぼ同等の値を示すために、コアとクラッドとの間で応力が発生し難くなるので、硬化収縮によるクラックの発生が起こり難くなるという利点、類似の化学構造を取るために密着力又は接着力に優れるという利点を有することになるが、屈折率に十分な差を持たせるためには、コア形成用のポリマーの硬化物とクラッド形成用のポリマーの硬化物とを、同一の構造又は似た構造のポリマーの硬化物にすることはできなかった。
【０００８】
従って、本発明の目的は、コアとクラッドとの間の屈折率の差の調節が容易な光導波路を提供することにある。更には、コアとクラッドとが、同一の構造又は似た構造のポリマーの硬化物を用いて形成されている光導波路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記目的を達成するため鋭意研究を重ねた結果、コア又はクラッドのいずれか、あるいは両方を、マレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物で形成し、且つ、マレイミド基に該硬化物とは屈折率が異なる低分子化合物を光反応させて、該硬化物中に、該硬化物とは屈折率が異なる低分子量化合物又は該低分子量化合物の重合物とマレイミド基との光反応残基を存在させることにより、（１）コア及びクラッドの屈折率の差の調節が容易になること、（２）更には、コアとクラッドとを、同一の構造又は似た構造のポリマーを用いて形成することができるようになること等を見出し、本発明を完成させた。
【００１０】
すなわち、本発明（１）は、光を伝搬するためのコア部と、該コア部に接し、該コア部より屈折率の低いクラッド部とを有する光導波路であって、
該コア部が、マレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物により形成されており、
該コア部を形成するマレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物中には、該硬化物より屈折率が高い低分子量化合物又は該低分子量化合物の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在していること
を特徴とする光導波路を提供するものである。
【００１１】
また、本発明（２）は、光を伝搬するためのコア部と、該コア部に接し、該コア部より屈折率の低いクラッド部とを有する光導波路であって、
該クラッド部が、マレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物により形成されており、
該クラッド部を形成するマレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物中には、該硬化物より屈折率が低い低分子量化合物又は該低分子量化合物の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在していること
を特徴とする光導波路を提供するものである。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、コアとクラッドとの間の屈折率の差の調節が容易な光導波路を提供することができる。更には、コアとクラッドとが、同一の構造又は似た構造のポリマーを用いて形成されている光導波路を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の光導波路について説明するが、以下では、本発明の光導波路に係るマレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーを、活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）とも記載する。また、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物より屈折率が高い低分子量化合物であり、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）のマレイミド基と光反応することにより、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物より屈折率が高い低分子量化合物又は該低分子量化合物の重合物とマレイミド基との光反応残基を与える化合物を、低分子量化合物（ａ１）とも記載する。また、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物より屈折率が低い低分子量化合物であり、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）のマレイミド基と光反応することにより、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の該硬化物より屈折率が低い低分子量化合物又は該低分子量化合物の重合物とマレイミド基との光反応残基を与える化合物を、低分子量化合物（ａ２）とも記載する。つまり、該低分子量化合物（ａ１）は、マレイミド基と反応することにより、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物の屈折率を高くする化合物として作用し、一方、該低分子量化合物（ａ２）は、マレイミド基と反応することにより、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物の屈折率を低くする化合物として作用する。そして、該低分子量化合物（ａ１）及び（ａ２）を総称して、低分子量化合物（ａ）とも記載する。
【００１４】
本発明の第一の形態の光導波路（以下、本発明の光導波路（１）とも記載する。）は、光を伝搬するためのコア部と、該コア部に接し、該コア部より屈折率の低いクラッド部とを有する光導波路であって、
該コア部が、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されており、
該コア部を形成する該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物中には、該硬化物より屈折率が高い低分子量化合物（ａ１）又は該低分子量化合物（ａ１）の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在している光導波路である。
【００１５】
なお、本発明の光導波路（１）において、「該硬化物より屈折率が高い」とは、該低分子量化合物（ａ）を含有させずに該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）を硬化させた場合に得られる硬化物より、屈折率が高いという意味である。
【００１６】
本発明の光導波路（１）は、例えば、以下に示す本発明の光導波路を製造するための第一の方法例（以下、本発明の光導波路を製造する方法例（１）とも記載する。）又は本発明の光導波路を製造するための第二の方法例（以下、本発明の光導波路を製造する方法例（２）とも記載する。）により製造される。
【００１７】
本発明の光導波路を製造する方法例（１）は、下層クラッドの上に、活性放射線を照射することにより硬化するコア部形成用のポリマー層を形成させ（コア部形成用ポリマー層作成工程）、次いで、該コア部形成用のポリマー層をマスクして活性放射線を照射し、露光部を硬化させ（コア部硬化工程）、次いで、未露光部を現像液で除去する現像を行い、該下層クラッドの上に、コア部のみを形成させ（現像工程）、次いで、該下層クラッド及び該コア部の上に、コア部内封上層クラッド形成用ポリマー層を形成させ（コア部内封上層クラッド形成用ポリマー層形成工程）、次いで、該コア部内封上層クラッド形成用ポリマー層に活性放射線を照射し、該コア部内封上層クラッド形成用ポリマーを硬化させること（コア部内封上層クラッド硬化工程）により、光導波路を得るという方法である。
【００１８】
本発明の光導波路を製造する方法例（１）を用いて、本発明の光導波路（１）を製造する工程について、図１〜７を参照して説明する。図１〜図７は、本発明の光導波路を製造する方法例（１）を用いて、本発明の光導波路（１）を製造する工程の形態例を示す模式的な断面図である。なお、図１〜図７では、紙面の表裏方向が、光周波搬送波の光の移送方向である。
【００１９】
先ず、図１に示すように、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）により形成されており、且つ、該低分子量化合物（ａ１）を含有する活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層２（以下、活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層２とも記載する。）を、下層クラッド１の上に形成させる。このとき、該下層クラッド１としては、後述するコア部７より屈折率が低いものを用いる。また、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層２中に含有される該低分子量化合物（ａ１）は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層２を形成する該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物より、屈折率が高い低分子量化合物であり、且つ、活性放射線を照射することにより、マレイミド基と反応する化合物である。
【００２０】
次いで、図２に示すように、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層２の表面をフォトマスク３でマスクして、例えば紫外線４を照射する。このことにより、図３に示すように、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層２のうち、紫外線４が照射された露光部５は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物となり、紫外線４が照射されなかった未露光部６は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）のままである。また、該露光部５では、紫外線４の照射により、該低分子量化合物（ａ１）が、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）のマレイミド基と反応するので、該露光部５の該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物中には、該硬化物より屈折率が高い該低分子量化合物（ａ１）とマレイミド基との光反応残基が存在することになる。また、該低分子量化合物（ａ１）の種類によっては、活性放射線の照射により、該低分子量化合物（ａ１）同士の重合反応も起こる。そして、該低分子量化合物（ａ１）同士の重合反応も起こる場合は、該露光部５では、該コア部硬化工程で活性放射線の照射中に、２つ以上の該低分子量化合物（ａ１）が重合して該低分子量化合物（ａ１）の重合物が生成し、生成した該低分子量化合物（ａ１）の重合物とマレイミド基との反応も起こる。そのため、該露光部５の該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物中には、該硬化物より屈折率が高い該低分子量化合物（ａ１）又は該低分子量化合物（ａ１）の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在することになる。
【００２１】
次いで、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層２のうち、硬化しなかった該未露光部６を、現像液で除去し、図４に示すように、該下層クラッド１上に、コア部７のみを形成させる。
【００２２】
次いで、図５に示すように、該コア部７を取り囲むように、コア部内封上層クラッド形成用ポリマーを用いて、コア部内封上層クラッド形成用ポリマー層８を形成させる。このとき、該コア部内封上層クラッド形成用ポリマー層８を形成する該コア部内封上層クラッド形成用ポリマーとしては、硬化した時の硬化物の屈折率が、該コア部７の屈折率より低いものを用いる。
【００２３】
次いで、該コア部内封クラッド形成用ポリマー層８に紫外線を照射して、該コア部内封クラッド形成用ポリマーを硬化させ、コア部内封上層クラッド９を形成させる（図６）。このことにより、コア部が、クラッド部により取り囲まれた光導波路１０が形成される。
【００２４】
なお、図７に示すように、該コア部内封上層クラッド９には、該コア部７の上に形成されている部分と、該コア部７の横に形成されている部分とがある。そして、図５及び図６に示すように、該コア部７の上に形成されている部分と、該コア部７の横に形成されている部分は、同時に形成されるため、図１〜図６に示す形態例では、両者には境目はないが、説明の都合上、図７中、点線で区切ったように、該コア部内封上層クラッド９のうち、該コア部７の上に形成される部分を、上層クラッド部１２と記載し、該コア部７の横に形成され該下層クラッド１と該上層クラッド部１２とに挟まれている部分を、中間層クラッド部１１と記載する。
【００２５】
該光導波路１０において、該コア部７中には、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物の屈折率を高くする化合物として作用する該低分子量化合物（ａ１）又は該低分子量化合物（ａ１）の重合物とマレイミド基とが光反応して生成する光反応残基が存在する。一方、該下層クラッド１、該中間層クラッド部１１及び該上層クラッド部１２は、該コア部７より屈折率が低い材料で形成されている。そのため、該コア部７は、該コア部７より屈折率の低い該下層クラッド１、該中間層クラッド部１１及び該上層クラッド部１２に取り囲まれることになるので、該光導波路１０は、光周波搬送波の光を輸送する光導波路として機能する。
【００２６】
本発明の光導波路を製造する方法例（２）は、下層クラッドの上に、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）により形成されており、且つ、該低分子量化合物（ａ）を含有する活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層を作製する活性放射線硬化性ポリマー層作製工程と、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層に、パターン形状のマスクをし、活性放射線を照射する第一の照射工程と、加熱下又は減圧下で、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層のうちの活性放射線が照射されなかった未露光部から、該低分子量化合物（ａ）を揮発させる低分子量化合物揮発工程と、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層全体に、活性放射線を照射し、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物層を得る第二の照射工程と、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物層の上に、上層クラッドを作製する上層クラッド作製工程と、を行い光導波路を得る方法である。
【００２７】
本発明の光導波路を製造する方法例（２）を用いて、本発明の光導波路（１）を製造する工程について、図８〜１３を参照して説明する。図８〜図１３は、本発明の光導波路を製造する方法例（２）を用いて、本発明の光導波路（１）を製造する工程の形態例の模式的な断面図である。なお、図８〜図１３では、紙面の表裏方向が、光周波搬送波の光の移送方向である。
【００２８】
先ず、図８に示すように、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）により形成されており、且つ、該低分子量化合物（ａ１）を含有する活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層２２（以下、活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層２２とも記載する。）を、下層クラッド２１の上に、形成させる（活性放射線硬化性ポリマー層作製工程）。このとき、該下層クラッド２１としては、後述するコア部２９より屈折率が低いものを用いる。また、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層２２中に含有させる該低分子量化合物（ａ１）は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層２２を形成する該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物より、屈折率が高い低分子量化合物であり、且つ、活性放射線を照射することにより、マレイミド基と反応する化合物である。
【００２９】
次いで、図９に示すように、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層２２の表面を、フォトマスク２３でマスクし、例えば、紫外線２４を照射する（第一の照射工程）。このことにより、図１０に示すように、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層２２には、紫外線２４が照射された部分、すなわち、露光部２６と、紫外線２４が照射されなかった部分、すなわち、未露光部２５が存在することになる。そして、該露光部２６では、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の一部のマレイミド基同士の架橋反応及び該低分子量化合物（ａ１）とマレイミド基の反応が起こるので、該低分子量化合物（ａ１）は、マレイミド基と反応して、該低分子量化合物（ａ１）とマレイミド基との光反応残基となることによって、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層２２に結合して強固に保持される。一方、該未露光部２５では、該低分子量化合物（ａ１）は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層２２に結合することなく存在している。
【００３０】
また、該第一の照射工程では、該低分子量化合物（ａ１）の種類によっては、活性放射線の照射により、該低分子量化合物（ａ１）同士の重合反応も起こる。そして、該低分子量化合物（ａ１）同士の重合反応も起こる場合は、該露光部２６では、該第一の照射工程中に、２つ以上の該低分子量化合物（ａ１）が重合して該低分子量化合物（ａ１）の重合物が生成し、生成した該低分子量化合物（ａ１）の重合物とマレイミド基との光反応も起こる。そのため、該露光部２６の該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物中には、該硬化物より屈折率が高い該低分子量化合物（ａ１）又は該低分子量化合物（ａ１）の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在することになる。
【００３１】
次いで、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層２２を該下層クラッド２１ごと、加熱するか又は減圧下に置き、該未露光部２５から、該低分子量化合物（ａ１）を揮発させる（低分子量化合物揮発工程）。このことにより、該未露光部２５は、該低分子量化合物（ａ１）が揮発除去された未露光部２７（以下、低分子量化合物除去未露光部２７とも記載する。）になる（図１１）。
【００３２】
次いで、図１２に示すように、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層２２全体に、紫外線２４を照射して、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層２２の全ての該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）を硬化させる（第二の照射工程）。このことにより、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層２２は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物層３１となり、このとき、該露光部２６は、コア部２９になり、該低分子量化合物除去未露光部２７は、中間層クラッド部２８になる。
【００３３】
次いで、該中間層クラッド部２８及び該コア部２９の上に、該コア部２９より屈折率が低い材料からなる上層クラッド３０を作製して、光導波路４０を得る。
【００３４】
該光導波路４０において、該コア部２９には、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物の屈折率を高くする化合物として作用する該低分子量化合物（ａ１）又は該低分子量化合物（ａ１）の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在する。一方、該中間層クラッド部２８は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物のみで構成されているか、又は該中間層クラッド部２８中に該低分子量化合物（ａ１）又は該低分子量化合物（ａ１）の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在していたとしても、該コア部２９に比べれば少量なので、該コア部２９の屈折率は、該中間層クラッド部２８の屈折率より高くなる。そして、該下層クラッド２１及び該上層クラッド３０は、該コア部２９より屈折率が低い材料で形成されている。そのため、該コア部２９は、該コア部２９より屈折率の低い該下層クラッド２１、該中間層クラッド部２８及び該上層クラッド３０に取り囲まれることになるので、該光導波路４０は、光周波搬送波の光を輸送する光導波路として機能する。
【００３５】
本発明の光導波路（１）では、該コア部が、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されており、且つ、該コア部を形成する該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物中には、該コア部を形成する該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物より屈折率が高い低分子量化合物（ａ１）又は該低分子量化合物（ａ１）の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在している。そして、本発明の光導波路（１）では、該クラッド部は、該コア部より屈折率が低くなるように、適宜選択される。
【００３６】
本発明の光導波路（１）のうち、本発明の光導波路を製造する方法例（１）で製造される形態例を表１に示す。表１に示す形態例は、図１〜図６で示した形態例において、該下層クラッド１及び該コア部内封上層クラッド９（該中間層クラッド部１１及び該上層クラッド部１２）を形成するためポリマーとして、種々のポリマーを選択することや、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）を用いることや、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）に該低分子量化合物（ａ２）を含有させて用いることにより、製造される。
【００３７】
【表１】
2010072370.tif 000003
【００３８】
表１中、（Ａ１）は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されており、且つ、該硬化物中に、該低分子量化合物（ａ１）又は該低分子量化合物（ａ１）の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在している材料である。（Ｂ１）は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物以外の材料により形成されており、且つ、コア部より屈折率が低い材料である。（Ｃ１）は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されており、且つ、該硬化物中に、該低分子量化合物（ａ２）又は該低分子量化合物（ａ２）の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在している材料である。（Ｄ１）は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されており、且つ、該硬化物中に、該低分子量化合物（ａ１）又は該低分子量化合物（ａ１）の重合物とマレイミド基との光反応残基及び該低分子量化合物（ａ２）又は該低分子量化合物（ａ２）の重合物とマレイミド基との光反応残基のいずれも、存在していない材料である。なお、（Ｄ１）は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）中に該低分子量化合物（ａ２）を含有させて、光硬化させることにより、得られる。また、該下層クラッド及び該コア部内封上層クラッドのうちのいずれか又は両方が、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されている場合、それらは、該コア部を形成している該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）と同一の構造の該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物であっても、構造が異なる該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物であってもよい。
【００３９】
なお、本発明の光導波路（１）のうち、本発明の光導波路を製造する方法例（１）で製造される形態例は、表１に示すものに限定されるものではなく、例えば、該下層クラッド又は該コア部内封上層クラッドが、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されており、且つ、該硬化物中には、該低分子量化合物（ａ１）又は該低分子量化合物（ａ１）の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在しているが、（Ａ１）よりは、存在量が少ないため、該コア部より屈折率が低い材料等であるものも含まれる。
【００４０】
また、本発明の光導波路（１）のうち、本発明の光導波路を製造する方法例（２）で製造される形態例を表２に示す。表２に示す形態例は、図８〜図１３で示した形態例において、該下層クラッド２１及び該上層クラッド３０を形成するためのポリマーとして、種々のポリマーを選択することや、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）を用いることや、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）に該低分子量化合物（ａ１）を含有させて用いることにより、製造される。
【００４１】
【表２】
2010072370.tif 000004
【００４２】
表２中、（Ａ２）は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されており、且つ、該硬化物中に、該低分子量化合物（ａ１）又は該低分子量化合物（ａ１）の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在している材料である。（Ｂ２）は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物以外の材料により形成されており、且つ、コア部より屈折率が低い材料である。（Ｃ２）は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されており、且つ、該硬化物中に、該低分子量化合物（ａ２）又は該低分子量化合物（ａ２）の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在している材料である。（Ｄ２）は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されており、且つ、該硬化物中に、該低分子量化合物（ａ１）又は該低分子量化合物（ａ１）の重合物とマレイミド基との光反応残基及び該低分子量化合物（ａ２）又は該低分子量化合物（ａ２）の重合物とマレイミド基との光反応残基のいずれも、存在していない材料である。なお、（Ｄ２）は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）中に該低分子量化合物（ａ２）を含有させて、光硬化させることにより、得られる。また、該下層クラッド及び該上層クラッドのうちのいずれか又は両方が、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されている場合、それらは、該コア部を形成している該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）と同一の構造の該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物であっても、構造が異なる該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物であってもよい。
【００４３】
なお、本発明の光導波路（１）のうち、本発明の光導波路を製造する方法例（２）で製造される形態例は、表２に示すものに限定されるものではなく、例えば、該低分子量化合物揮発工程の際に、少量の該低分子量化合物（ａ１）が残ってしまったために、該中間層クラッド部が、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されており、且つ、該硬化物中には、該低分子量化合物（ａ１）又は該低分子量化合物（ａ１）の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在しているが、（Ａ２）よりは、存在量が少ないため、該コア部より屈折率が低い材料等であるものも含まれる。
【００４４】
本発明の光導波路（１）では、該コア部と、該クラッド部の全部又は一部とが、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されていることが、コア部とクラッド部の線膨脹係数がほぼ同等の値を示すために、コア部とクラッド部との間で応力が発生し難くなるので、硬化収縮によるクラックの発生が起こり難くなること、類似の化学構造を取るために密着力又は接着力に優れることという利点を有する点で好ましく、該コア部を形成する該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物と、該クラッド部の全部又は一部を形成する該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物とが、同一のマレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマーの硬化物であることが、特に好ましい。例えば、本発明の光導波路（１）が、本発明の光導波路を製造する方法例（１）で製造された光導波路の場合、該コア部と、少なくとも該コア部内封上層クラッドとが、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されていることが好ましく、該コア部を形成する該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物と、少なくとも該コア部内封上層クラッドを形成する該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物とが、同一の該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物であることが特に好ましい。また、本発明の光導波路（１）が、本発明の光導波路を製造する方法例（２）で製造された光導波路の場合、該コア部と、該中間層クラッド部とは、同一の構造の該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成される。そして、本発明の光導波路（１）では、該コア部及び該クラッド部の全部が、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されていることが好ましく、該コア部及び該クラッド部の全部が、同一構造の該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されていることが特に好ましい。
【００４５】
本発明の第二の形態の光導波路（以下、本発明の光導波路（２）とも記載する。）は、光を伝搬するためのコア部と、該コア部に接し、該コア部より屈折率の低いクラッド部とを有する光導波路であって、
該クラッド部が、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されており、
該クラッド部を形成する該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物中には、該硬化物より屈折率が低い低分子量化合物（ａ２）又は該低分子量化合物（ａ２）の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在している光導波路である。
【００４６】
なお、本発明の光導波路（２）において、「該硬化物より屈折率が低い」とは、該低分子量化合物（ａ）を含有させずに該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）を硬化させた場合に得られる硬化物より、屈折率が低いという意味である。
【００４７】
本発明の光導波路（２）では、該クラッド部が、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されており、且つ、該クラッド部を形成する該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物中には、該低分子量化合物（ａ２）又は該低分子量化合物（ａ２）の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在している。そして、本発明の光導波路（２）では、該コア部は、該クラッド部より屈折率が高くなるように、適宜選択される。
【００４８】
本発明の光導波路（２）を製造する方法としては、本発明の光導波路を製造する方法例（１）及び本発明の光導波路を製造する方法例（２）が挙げられる。
【００４９】
例えば、本発明の光導波路を製造する方法例（１）において、該下層クラッド（図１〜図６中で示した形態例では、該下層クラッド１）を、該低分子量化合物（ａ２）を含有する該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）を光硬化させて作製し、該コア部内封上層クラッド形成用ポリマー（図１〜図６中で示した形態例では、該コア部内封上層クラッド形成用ポリマー層８を形成するためのポリマー）として、該低分子量化合物（ａ２）を含有する該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）を用い、且つ、該コア部形成用のポリマー（図１〜図６中で示した形態例では、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層２を形成するためのポリマー）として、硬化後の屈折率が、該下層クラッド及び該コア部内封上層クラッドより高い活性放射線硬化性ポリマーを用いることにより、本発明の光導波路（２）を製造することができる。
【００５０】
本発明の光導波路（２）のうち、本発明の光導波路を製造する方法例（１）により製造される形態例を表３に示す。
【００５１】
【表３】
2010072370.tif 000005
【００５２】
表３中、（Ｅ１）は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されており、且つ、該硬化物中に、該低分子量化合物（ａ２）又は該低分子量化合物（ａ２）の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在している材料である。（Ｆ１）は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物以外の材料により形成されており、且つ、下層クラッド及びコア部内封上層クラッドより、屈折率が高い材料である。（Ｇ１）は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されており、且つ、該硬化物中に、該低分子量化合物（ａ１）又は該低分子量化合物（ａ１）の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在している材料である。（Ｈ１）は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されており、且つ、該硬化物中に、該低分子量化合物（ａ１）又は該低分子量化合物（ａ１）の重合物とマレイミド基との光反応残基及び該低分子量化合物（ａ２）又は該低分子量化合物（ａ２）の重合物とマレイミド基との光反応残基のいずれも、存在していない材料である。
【００５３】
なお、本発明の光導波路（２）のうち、本発明の光導波路を製造する方法例（１）で製造される形態例は、表３に示すものに限定されるものではなく、例えば、該コア部が、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されており、且つ、該硬化物中に、該低分子量化合物（ａ２）又は該低分子量化合物（ａ２）の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在しているが、（Ｅ１）よりは、存在量が少ないため、該下層クラッド及び該コア部内封上層クラッドより、屈折率が高い材料等であるものも含まれる。
【００５４】
また、例えば、本発明の光導波路を製造する方法例（２）において、該下層クラッド（図８〜図１３中で示した形態例では、該下層クラッド２１）及び該上層クラッド（図８〜図１３中で示した形態例では、該上層クラッド３０）を、該低分子量化合物（ａ２）を含有する該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）を光硬化させて作製し、且つ、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層形成用のポリマー（図８〜図１３中で示した形態例では、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層２２を形成するためのポリマー）として、該低分子量化合物（ａ２）を含有する該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）を用いることにより、本発明の光導波路（２）を製造することができる。
【００５５】
また、本発明の光導波路（２）のうち、本発明の光導波路を製造する方法例（２）により製造される形態例を表４に示す。
【００５６】
【表４】
2010072370.tif 000006
【００５７】
表４中、（Ｅ２）は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されており、且つ、該硬化物中に、該低分子量化合物（ａ２）又は該低分子量化合物（ａ２）の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在している材料である。（Ｈ２）は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されており、且つ、該硬化物中に、該低分子量化合物（ａ１）又は低分子量化合物（ａ１）の重合物とマレイミド基との光反応残基及び該低分子量化合物（ａ２）又は該低分子量化合物（ａ２）の重合物とマレイミド基との光反応残基のいずれも、存在していない材料である。
【００５８】
なお、本発明の光導波路（２）のうち、本発明の光導波路を製造する方法例（２）で製造される形態例は、表４に示すものに限定されるものではなく、例えば、該低分子量化合物揮発工程の際に、少量の該低分子量化合物（ａ２）が残ってしまったために、該コア部が、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されており、且つ、該硬化物中に、該低分子量化合物（ａ２）又は該低分子量化合物（ａ２）の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在しているが、（Ｅ２）よりは存在量が少ないため、該下層クラッド、該中間層クラッド部及び該上層クラッドより屈折率が高い材料等であるものも含まれる。
【００５９】
本発明の光導波路（２）では、該コア部と、該クラッド部とが、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物により形成されていることが、コア部とクラッド部の線膨脹係数がほぼ同等の値を示すために、コア部とクラッド部との間で応力が発生し難くなるので、硬化収縮によるクラックの発生が起こり難くなること、類似の化学構造を取るために密着力又は接着力に優れることという利点を有する点で好ましく、該コア部を形成する該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物と、該クラッド部を形成する該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物とが、同一の該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物であることが、特に好ましい。
【００６０】
本発明の光導波路に係る該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）は、ポリマー分子中にマレイミド基を有する。そして、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）に、活性放射線を照射することにより、一つのポリマー中のマレイミド基が、他のポリマー中のマレイミド基と架橋反応して、二量化する。このことにより、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）は、マレイミド基の二量体により架橋されて、光硬化し、硬化物となる。
【００６１】
該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）としては、主鎖の全部又は一部としてシクロヘキサン骨格又はシクロペンタン骨格を有し且つ側鎖としてマレイミド基を有するポリマーであることが、８５０ｎｍ近傍における透明性に優れ、且つ柔軟性を兼ね備えた物性を示すため、マルチモード用ポリマー光導波路材料として好ましい。
【００６２】
そして、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）としては、下記一般式（１）で表わされる構造単位から選択される１種以上の構造単位と、下記一般式（３）で表わされる構造単位から選択される１種以上の構造単位とが、ランダムに共重合したポリマーであり、下記一般式（１）で表わされる構造単位のモル比が、１０〜１００％であるポリマー（以下、このようなポリマーを、活性放射線硬化性ポリマー（ｂ−１）とも記載する。）が、光硬化反応の際の架橋が十分に行われ、且つ導波路フィルムの靭性を高くすることができるという点で、好ましい。
一般式（１）：
【００６３】
【化１】
2010072370.tif 000007
【００６４】
（式中、Ｘは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−又は−Ｏ−である。ｍは、０〜５の整数である。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のうちの１つが、下記一般式（２）：
【００６５】
【化２】
2010072370.tif 000008
【００６６】
[式中、Ａは、メチレン基；直鎖状又は分岐状の炭素数２〜６のヒドロカルビレン基；直鎖状又は分岐状の炭素数２〜６のハロヒドロカルビレン基；直鎖状又は分岐状の炭素数２〜６のパーハロカルビレン基；置換又は非置換の炭素数５〜１２の環状又は多環式のヒドロカルビレン基；置換又は非置換の炭素数５〜１２の環状又は多環式のハロヒドロカルビレン基；あるいは置換又は非置換の炭素数５〜１２の環状又は多環式のパーハロカルビルレン基である。Ｒ５及びＲ６は、水素原子又は炭素数１〜４のヒドロカルビル基であり、同一であっても異なってもよく、Ｒ５及びＲ６で炭素数３〜８の環を形成してもよい。]
で表わされるマレイミド基である。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の残りは、水素原子；直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２５のヒドロカルビル基；直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２５のハロヒドロカルビル基；あるいは直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２５のパーハロカルビル基であり、同一であっても異なってもよい。）
一般式（３）：
【００６７】
【化３】
2010072370.tif 000009
【００６８】
（式中、Ｙは、−ＣＨ２−、−ＣＨ２−ＣＨ２−又は−Ｏ−である。ｎは、０〜５の整数である。Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０の少なくとも１つは、１又は２以上の酸素原子、窒素原子、硫黄原子及びケイ素原子から選択されるヘテロ原子を有する直鎖状、分岐状又は環状の炭素数１〜２５のヒドロカルビル基；１又は２以上の酸素原子、窒素原子、硫黄原子及びケイ素原子から選択されるヘテロ原子を有する直鎖状、分岐状又は環状の炭素数１〜２５のハロヒドロカルビル基；１又は２以上の酸素原子、窒素原子、硫黄原子及びケイ素原子から選択されるヘテロ原子を有する直鎖状、分岐状又は環状の炭素数１〜２５のパーハロカルビル基；１又は２以上の酸素原子、窒素原子、硫黄原子及びケイ素原子から選択されるヘテロ原子を有する炭素数１〜２５のアリール基；１又は２以上の酸素原子、窒素原子、硫黄原子及びケイ素原子から選択されるヘテロ原子を有する炭素数１〜２５のアラルキルペンダント基；直鎖状、分岐状又は環状の炭素数１〜２５のヒドロカルビル基；直鎖状、分岐状又は環状の炭素数１〜２５のハロヒドロカルビル基；直鎖状、分岐状又は環状の炭素数１〜２５のパーハロカルビル基；炭素数１〜２５のアリール基；あるいは炭素数１〜２５のアラルキルペンダント基である。Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０の残りは、水素原子である。）
【００６９】
前記一般式（２）で表わされるマレイミド基としては、下記式（２−１）：
【００７０】
【化４】
2010072370.tif 000010
【００７１】
で表わされる構造が挙げられる。
【００７２】
なお、本発明において、「ヒドロカルビル基」とは、各炭素原子が少なくとも１つの水素原子で適宜置換された炭素骨格を含む基である。つまり、該「ヒドロカルビル基」とは、炭化水素基、又は炭化水素基の一部の水素原子が窒素原子を有する置換基又は酸素原子を有する置換基等で置換された基である。
【００７３】
該ヒドロカルビル基としては、具体的には、例えば、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２５のアルキル基；直鎖状又は分岐状の炭素数２〜２４のアルケニル基；直鎖状又は分岐状の炭素数２〜２４のアルキニル基；直鎖状又は分岐状の基を有する炭素数５〜２５のシクロアルキル基；炭素数６〜２４のアリール基；炭素数７〜２４のアラルキル基等が挙げられ、更に具体的にはベンジル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基、ナルチルエチル基等が挙げられる。
【００７４】
また、本発明において、「ハロヒドロカルビル基」とは、該ヒドロカルビル基の少なくとも１つの水素原子（ただし、全ての水素原子ではない。）が、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素原子等のハロゲン原子で置換された基である。該ハロヒドロカルビル基としては、具体的には、例えば、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２５のアルキル基の少なくとも１つの水素原子（ただし、全ての水素原子ではない。）がハロゲン原子で置換された基；直鎖状又は分岐状の炭素数２〜２４のアルケニル基の少なくとも１つの水素原子（ただし、全ての水素原子ではない。）がハロゲン原子で置換された基；直鎖状又は分岐状の炭素数２〜２４のアルキニル基の少なくとも１つの水素原子（ただし、全ての水素原子ではない。）がハロゲン原子で置換された基；直鎖状又は分岐状の基を有する炭素数５〜２５のシクロアルキル基の少なくとも１つの水素原子（ただし、全ての水素原子ではない。）がハロゲン原子で置換された基；炭素数６〜２４のアリール基の少なくとも１つの水素原子（ただし、全ての水素原子ではない。）がハロゲン原子で置換された基；炭素数７〜２４のアラルキル基の少なくとも１つの水素原子（ただし、全ての水素原子ではない。）がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
【００７５】
また、本発明において、「パーハロカルビル基」とは、該ヒドロカルビル基の全ての水素原子が、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、フッ素原子等のハロゲン原子で置換された基である。該パーハロカルビル基としては、具体的には、例えば、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２５のアルキル基の全ての水素原子がハロゲン原子で置換された基；直鎖状又は分岐状の炭素数２〜２４のアルケニル基の全ての水素原子がハロゲン原子で置換された基；直鎖状又は分岐状の炭素数２〜２４のアルキニル基の全ての水素原子がハロゲン原子で置換された基；直鎖状又は分岐状の基を有する炭素数５〜２５のシクロアルキル基の全ての水素原子がハロゲン原子で置換された基；炭素数６〜２４のアリール基の全ての水素原子がハロゲン原子で置換された基；炭素数７〜２４のアラルキル基の全ての水素原子がハロゲン原子で置換された基が挙げられる。
【００７６】
該ヒドロカルビル基に係る該アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ネオペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基及びドデシル基等が挙げられるが、これらに限定されない。また、該ヒドロカルビル基に係る該アルケニル基としては、ビニル基、アリル基及びプロペニル基等が挙げられるが、これらに限定されない。また、該ヒドロカルビル基に係る該アルキニル基としては、エチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基及び２−ブチニル基等が挙げられるが、これらに限定されない。また、該ヒドロカルビル基に係る該シクロアルキル基としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基及びシクロオクチル基等が挙げられるが、これらに限定されない。また、該ヒドロカルビル基に係る該アリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基及びアントラセニル基等が挙げられるが、これらに限定されない。該ヒドロカルビル基に係る該アラルキル基としては、ベンジル基及びフェネチル基等が挙げられるが、これらに限定されない。そして、該ハロヒドロカルビル基は、これらの基の少なくとも１つの水素原子（ただし、全ての水素原子ではない。）がハロゲン原子で置換された基であり、また、該パーハロカルビル基は、これらの基の全ての水素原子がハロゲン原子で置換された基である。
【００７７】
また、１又は２以上の酸素原子、窒素原子、硫黄原子及びケイ素原子から選択されるヘテロ原子を有するヒドロカルビル基とは、１又は２以上のヘテロ原子によって置換された炭素原子を有するヒドロカルビル基である。例えば、エーテル基、グリシジルエーテル基、アルコール基、カルボン酸基、エステル基、アクリル基、トリアルコキシシリル基、シリル基及びシロキシ基等の基を有するヒドロカルビル基が挙げられる。また、１又は２以上の酸素原子、窒素原子、硫黄原子及びケイ素原子から選択されるヘテロ原子を有するハロヒドロカルビル基及びパーハロカルビル基についても、ハロゲン原子での置換の有無又は数が異なること以外は、該１又は２以上の酸素原子、窒素原子、硫黄原子及びケイ素原子から選択されるヘテロ原子を有するヒドロカルビル基と同様である。
【００７８】
また、本発明において、「ヒドロカルビレン基」とは、ヒドロカルビル基が１価の基であるのに対し、ヒドロカルビレン基が２価の基であること以外は、ヒドロカルビル基と同様である。同様に、本発明において、「ハロヒドロカルビレン基」とは、ハロヒドロカルビル基が１価の基であるのに対し、ハロヒドロカルビレン基が２価の基であること以外は、ハロヒドロカルビル基と同様である。同様に、本発明において、「パーハロカルビレン基」とは、パーハロカルビル基が１価の基であるのに対し、パーハロカルビレン基が２価の基であること以外は、パーハロカルビル基と同様である。
【００７９】
また、本発明において、「アラルキルペンダント基」とは、アリール基で置換されている低級アルキル基を指し、例えば、ベンジル基、フェニルプロピル基、ナフチルメチル基、ナルチルメチル基である。
【００８０】
該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ−１）中の前記一般式（１）で表わされる構造単位のモル比（％）は、「｛前記一般式（１）で表わされる構造単位に該当する構造単位の合計のモル／（前記一般式（１）で表わされる構造単位に該当する構造単位の合計のモル＋前記一般式（３）で表わされる構造単位に該当する構造単位の合計のモル）｝×１００」であり、１０〜１００％、好ましくは２０〜６０％、特に好ましくは２０〜５０％である。該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ−１）中の前記一般式（１）で表わされる構造単位のモル比が、上記範囲内にあることにより、光硬化反応の際の架橋が十分に行われ、且つ導波路フィルムの靭性を高くすることができる。
【００８１】
また、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）としては、前記一般式（１）で表わされる構造単位から選択される１種以上の構造単位と、下記式（４）で表わされる構造単位とが、ランダムに共重合したポリマーであり、前記一般式（１）で表わされる構造単位のモル比が、１０〜１００％であるポリマー（以下、このようなポリマーを、活性放射線硬化性ポリマー（ｂ−２）とも記載する。）が挙げられる。
式（４）：
【００８２】
【化５】
2010072370.tif 000011
【００８３】
該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ−２）中の前記一般式（１）で表わされる構造単位のモル比（％）は、「｛前記一般式（１）で表わされる構造単位に該当する構造単位の合計のモル／（前記一般式（１）で表わされる構造単位に該当する構造単位の合計のモル＋前記一般式（４）で表わされる構造単位に該当する構造単位の合計のモル）｝×１００」であり、１０〜１００％、好ましくは２０〜６０％、特に好ましくは２０〜５０％である。該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ−２）中の前記一般式（１）で表わされる構造単位のモル比が、上記範囲内にあることにより、光硬化反応の際の架橋が十分に行われ、且つ導波路フィルムの靭性を高くすることができる。
【００８４】
また、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）としては、下記一般式（５）で表わされる構造単位が重合したポリマー（以下、このようなポリマーを、活性放射線硬化性ポリマー（ｂ−３）とも記載する。）が挙げられる。下記一般式（５）で表わされる構造単位中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４は、前記一般式（１）で表わされる構造単位中のＲ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４と同様である。
一般式（５）：
【００８５】
【化６】
2010072370.tif 000012
【００８６】
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４のうちの１つが、前記一般式（２）で表わされるマレイミド基である。Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３及びＲ４の残りは、水素原子；直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２５のヒドロカルビル基；直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２５のハロヒドロカルビル基；あるいは直鎖状又は分岐状の炭素数１〜２５のパーハロカルビル基であり、同一であっても異なってもよい。）
【００８７】
また、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）としては、前記一般式（１）で表わされる構造単位から選択される１種以上の構造単位、又は前記一般式（５）で表わされる構造単位を有するオレフィン重合ポリマーであり、前記一般式（１）で表わされる構造単位又は前記一般式（５）で表わされる構造単位の重合割合が、重合モノマー換算で、全オレフィン重合モノマーに対するモル比で１０〜１００％、好ましくは２０〜６０％、特に好ましくは２０〜５０％であるポリマーが挙げられる。なお、オレフィン重合ポリマーとは、重合モノマーとしてオレフィン類を用い、該オレフィン類を重合させて得られるポリマーのことである。
【００８８】
該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の分子量は、特に制限されないが、好ましくは重量平均分子量（Ｍｗ）で６００００〜１５００００であり、特に好ましくは８００００〜１２００００である。
【００８９】
該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物の屈折率は、好ましくは１．５４〜１．６０、特に好ましくは１．５５〜１．５９である。該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物の屈折率が上記範囲内にあることにより、屈折率の調整が容易となる。
【００９０】
本発明の光導波路に係る該低分子量化合物（ａ）は、活性放射線を照射することにより、マレイミド基と反応する化合物（反応性モノマー）であり、例えば、ビニルエーテル類、チオール類、（メタ）アクリレート類が挙げられる。該低分子量化合物（ａ）としての該ビニルエーテル類は、ビニルエーテル基（ＣＨ２＝ＣＨ−Ｏ−）を有する化合物である。また、該低分子量化合物（ａ）としての該チオール類は、チオール基（−ＳＨ）を有する化合物である。また、該低分子量化合物（ａ）としての該（メタ）アクリレート類は、アクリレート基（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＯ−Ｏ−）又はメタクリレート基（ＣＨ３−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯ−Ｏ−）を有する化合物である。
【００９１】
該低分子量化合物（ａ）は、マレイミド基と光反応する反応基と共に、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物の屈折率を変化させるのに寄与する置換基又は元素を有する。該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物の屈折率を高くするのに寄与する置換基又は元素としては、例えば、フェニル基、アラルキルペンダント基等の置換基や、硫黄、鉄、鉛、金、白金、銀、銅、クロム、カドミウム、水銀、亜鉛、ヒ素、マンガン、コバルト、ニッケル、モリブデン、タングステン、錫、ビスマス等の元素が挙げられる。また、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物の屈折率を低くするのに寄与する置換基又は元素としては、例えば、シラノール基等の置換基や、フッ素等の元素が挙げられる。なお、該チオール類中のチオール基（−ＳＨ基）は、マレイミド基と光反応する反応基であり、且つ、チオール基が反応した後のチオール基由来の硫黄元素は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物の屈折率を高くする元素として機能する。
【００９２】
なお、本発明の光導波路において、該低分子量化合物（ａ）は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）のマレイミド基と光反応した後の構造で、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物中に存在する。また、該低分子量化合物（ａ）が、活性放射線を照射することにより、該低分子量化合物（ａ）同士で重合反応する該低分子量化合物（ａ）の場合、該低分子量化合物（ａ）の重合物は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）のマレイミド基と光反応した後の構造で、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物中に存在する。
【００９３】
該低分子量化合物（ａ）には、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物よりも屈折率が低いものと、高いものがあるため、該低分子量化合物（ａ）のうち、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物よりも屈折率が高いものは、該低分子量化合物（ａ１）として用いられ、一方、該低分子量化合物（ａ）のうち、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物よりも屈折率が低いものは、該低分子量化合物（ａ２）として用いられる。例えば、該低分子量化合物（ａ）としての該ビニルエーテル類は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物よりも屈折率が高いものと、低いものがあるため、該ビニルエーテル類のうち、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物よりも屈折率が高いものは、該低分子量化合物（ａ１）として用いられ、一方、該ビニルエーテル類のうち、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物よりも屈折率が低いものは、該低分子量化合物（ａ２）として用いられる。また、該低分子量化合物（ａ）としての該チオール類には、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物よりも屈折率が高いものと、低いものがあるため、該チオール類のうち、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物よりも屈折率が高いものは、該低分子量化合物（ａ１）として用いられ、一方、該チオール類のうち、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物よりも屈折率が低いものは、該低分子量化合物（ａ２）として用いられる。また、該低分子量化合物（ａ）としての該（メタ）アクリレート類には、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物よりも屈折率が高いものと、低いものがあるため、該（メタ）アクリレート類のうち、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物よりも屈折率が高いものは、該低分子量化合物（ａ１）として用いられ、一方、該（メタ）アクリレート類のうち、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物よりも屈折率が低いものは、該低分子量化合物（ａ２）として用いられる。
【００９４】
また、該低分子量化合物（ａ）の分子量は、４０〜８００、好ましくは６０〜５００、特に好ましくは１００〜２００である。
【００９５】
ここで、該低分子量化合物（ａ）又は該低分子量化合物（ａ）の重合物とマレイミド基との光反応残基について、説明する。例えば、該低分子量化合物（ａ）が該チオール類（Ｒ’−ＳＨ）の場合、下記反応式（Ａ）に示すように、Ｒ’−ＳＨを含有させた該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層に活性放射線を照射すると、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）中のマレイミド基（Ｘ）（下記反応式（Ａ）の点線で囲んだ部分）と、Ｒ’−ＳＨとが光反応して、Ｒ’−ＳＨとマレイミド基との光反応残基（Ｙ１）（下記反応式（Ａ）の点線で囲んだ部分）が生じる。このように、本発明では、該低分子量化合物（ａ）とマレイミド基との光反応残基とは、マレイミド基と該低分子量化合物（ａ）とが光反応することによって生じたものであり、言い換えると、マレイミド基に該低分子量化合物（ａ）を光反応させて得られる基である。つまり、該低分子量化合物（ａ）とマレイミド基との光反応残基は、マレイミド基の光反応後の構造及び該マレイミド基の光反応後の構造に結合する該低分子量化合物（ａ）の光反応後の構造からなる基であり、該低分子量化合物（ａ）の光反応後の構造が、マレイミド基の反応後の基に結合した基である。
反応式（Ａ）：
【００９６】
【化７】
2010072370.tif 000013
【００９７】
（反応式（Ａ）中、＊は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）に結合していることを指す。）
【００９８】
なお、上記反応式（Ａ）では、該低分子量化合物（ａ）とマレイミド基との光反応残基が、マレイミド基と該チオール類とのエン−チオール反応により生成する旨を説明したが、本発明では、反応形態はこれに限定されず、該低分子量化合物（ａ）とマレイミド基との光反応残基としては、例えば、該低分子量化合物（ａ）が該ビニルエーテル類、該アクリレート類又は該メタクリレート類の場合、これらの化合物が、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）中のマレイミド基の二重結合と光反応することにより生じる、該ビニルエーテル類、該アクリレート類又は該メタクリレート類とマレイミド基の二重結合との光反応残基が挙げられる。また、該低分子量化合物（ａ）とマレイミド基との光反応残基としては、例えば、該ビニルエーテル類、該アクリレート類又は該メタクリレート類の光重合物が、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）中のマレイミド基の二重結合に光反応することにより生じる光反応残基等が挙げられる。よって、反応形態を問わず、低分子量化合物（ａ）又は該低分子量化合物（ａ）の重合物とマレイミド基とが光反応することによって生じるものは、該該低分子量化合物（ａ）とマレイミド基との光反応残基に含まれる。
【００９９】
該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物中の該低分子量化合物（ａ）又は該低分子量化合物（ａ）の重合物とマレイミド基との光反応残基の量は、反応前の該低分子量化合物（ａ）の屈折率や該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物の屈折率をどの程度変化させるかによって、適宜選択されるが、反応前の該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）及び該低分子量化合物（ａ）の合計に対する該低分子量化合物（ａ）の量を、２〜５０質量％として反応させた量が好ましく、５〜３０質量％として反応させた量が特に好ましい。
【０１００】
該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物は、マレイミド基同士の光架橋反応を促進させるために、光伝播損失が増大しない範囲で、光ラジカル発生剤等の光反応促進剤を含有することができる。該光ラジカル発生剤としては、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オン、１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン、２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド等が挙げられる。
また、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物は、光架橋反応の感光波長領域を拡大するために、光伝播損失が増大しない範囲で、光増感剤を含有することができる。該光増感剤としては、２−クロルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、２−クロロプロポキシチオキサントン等のチオキサントンや、２，３−ジクロロ−５，６−ジシアノベンゾキノン、アントラキノン等のキノン類が挙げられる。
【０１０１】
また、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物は、必要に応じて、密着助剤、酸化防止剤、溶解促進剤等の添加剤を含有してもよい。該密着助剤としては、ビニルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリメトキシシリルノルボルネン、トリエトキシノルボルネン、トリメトキシシリルエチルノルボルネン等のシランカップリング剤が挙げられる。
【０１０２】
本発明の光導波路の該コア部及び該クラッド部を形成する該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物以外の材料としては、光導波路のコア部又はクラッド部の材料として用いることができるものであれば、特に制限されないが、透明性が高く、耐熱性、耐吸水特性に優れ、更には、機械的強度が高く、該活性放射性硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物と密着性に優れるものが好ましい。なお、該コア部及び該クラッド部を形成する該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物以外の材料は、光導波路のどの部分に使用するのか、コア部として使用する場合は、クラッド部より屈折率をどの程度高くするのか、クラッド部として使用する場合は、コア部より屈折率をどの程度低くするのか等を考慮して、適宜選択される。
【０１０３】
このような材料としては、例えば、光重合性のノルボルネン系樹脂、光重合性のアクリル酸系樹脂、光重合性のメタクリル酸系樹脂、光重合性のエポキシ樹脂、光重合性のオキセタン系樹脂、光重合性のスチレン系樹脂等が挙げられ、これらのうち、特に透明性に優れるという点で、光重合性の脂環式エポキシ樹脂が好ましい。また、これらは、１種でも２種以上の組合せでもよい。
【０１０４】
本発明の光導波路を製造する方法例（２）に係る該下層クラッドは、従来より公知の方法により作製される。通常、任意の基板、例えば、ガラス基板、シリコンウェハー等の上に、該下層クラッド形成用の活性放射線硬化性ポリマーを溶解させたワニスを塗布し、溶剤を除去後、光硬化させて、該基板上に該下層クラッドを作製する。
【０１０５】
本発明の光導波路を製造する方法例（２）に係る該活性放射線硬化性ポリマー層作成工程において、該下層クラッド上に、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層を作製する方法としては、例えば、先ず、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）及び該低分子量化合物（ａ）を、溶媒に溶解又は分散させて、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層作製用ワニスを作成し、このワニスを該下層クラッド上に、ドクターブレード、円コーター、スプレーコーター、ダイコーター、コンマコーター等により塗布し、次いで、該ワニスから該溶剤を揮発させて、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層を作製する方法が挙げられる。この方法において、該溶剤は、該低分子量化合物（ａ）より沸点が低いものであればよく、例えば、トルエン、キシレン、メシチレンが挙げられる。また、該ワニスには、必要に応じて、該光反応促進剤、該光増感剤、該添加剤を添加することができる。
【０１０６】
本発明の光導波路を製造する方法例（２）係る該第一の照射工程は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層に、パターン形状のマスクをし、活性放射線を照射する工程である。
【０１０７】
該第一の照射工程において、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層に照射する活性放射線としては、光反応を生じさせることができるものであればよく、例えば、可視光線、紫外線、赤外線、レーザー光線、電子線、Ｘ線等が挙げられる。これらのうち、紫外線、レーザー光線が好ましい。
【０１０８】
該マスクは、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層に、活性放射線が照射されないようにするためのものである。そして、該低分子量化合物（ａ）として、該低分子量化合物（ａ１）を用いる場合、該第一の照射工程で活性放射線が照射された露光部はコア部となり、活性放射線が照射されなかった未露光部は中間層クラッド部となるので、該マスクのパターン形状を、中間層クラッド部のパターン形状となるようにする。一方、該低分子量化合物（ａ）として、該低分子量化合物（ａ２）を用いる場合、該第一の照射工程で活性放射線が照射された露光部は中間層クラッド部となり、活性放射線が照射されなかった未露光部はコア部となるので、該マスクのパターン形状を、コア部のパターン形状となるようにする。
【０１０９】
該第一の照射工程において、活性放射線の照射量は、適宜選択されるが、該第一の照射工程では、該低分子量化合物（ａ）がマレイミド基と反応する程度の照射量を選択すればよい。該第一の照射工程は、該低分子量化合物（ａ）をマレイミド基と反応させることにより、該低分子量化合物（ａ）又は該低分子量化合物（ａ）の重合物を該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）のマレイミド基と反応させることが目的であるので、該第二の照射工程で、マレイミド基同士の架橋反応により、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）を硬化させるための照射量よりも、照射量が少なくてもよい。例えば、活性放射線が紫外線の場合、２００〜４５０ｎｍを含む光源、例えば、超高圧水銀ランプ、高圧水銀灯、メタルハライドランプを使用して、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層に、５００〜２０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射する。また、活性放射線の照射量は、活性放射線の照射強度及び照射時間により、調節できる。例えば、照射強度が１０〜４０ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を、１００〜３００秒間照射する。
【０１１０】
そして、該第一の照射工程では、該低分子量化合物（ａ）又は該低分子量化合物（ａ）の重合物がマレイミド基と結合することによって、活性放射線が照射された露光部では、該低分子量化合物（ａ）又は該低分子量化合物（ａ）の重合物が、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）のマレイミド基と反応して、該低分子量化合物（ａ）又は該低分子量化合物（ａ）の重合物とマレイミド基との光反応残基が生成する。
【０１１１】
本発明の光導波路を製造する方法例（２）に係る該低分子量化合物揮発工程では、加熱下又は減圧下で、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層のうちの活性放射線が照射されなかった未露光部から、該低分子量化合物（ａ）を揮発させる。なお、加熱下又は減圧下でとは、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層を、加熱すること、減圧下に置くこと、又は加熱しながら減圧することを指す。
【０１１２】
該低分子量化合物揮発工程において、加熱温度又は減圧度は、未露光部の該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層中の該低分子量化合物（ａ）の含有量が、所定の含有量以下となるように、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）及び該低分子量化合物（ａ）の種類等により、適宜選択されるが、該加熱温度は、好ましくは５０〜１８０℃、特に好ましくは８０〜１５０℃であり、また、減圧度は、通常０．１〜０．５ｋＰａ、好ましくは０．１〜０．３ｋＰａである。また、加熱時間又は減圧時間は、未露光部の該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層中の該低分子量化合物（ａ）の含有量が、所定の含有量以下となるように、適宜選択される。
【０１１３】
活性放射線が照射されなかった未露光部の該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層中では、該低分子量化合物（ａ）は、マレイミド基とは結合していないので、加熱下又は減圧下で、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層から揮発する。そのため、該低分子量化合物揮発工程を行うことにより、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層中に、該活性放射線硬化性ポリマー層作製工程で作製した該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層中の含有量と同程度の量の該低分子量化合物（ａ）の光反応物を含有する部分と、該低分子量化合物（ａ）の光反応物を含有しない又は含有量が低減された部分とを形成させることができる。
【０１１４】
本発明の光導波路を製造する方法例（２）に係る該第二の照射工程では、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層全体に、活性放射線を照射して、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層全体のマレイミド基に、架橋反応を起こさせることにより、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）を硬化する工程である。
【０１１５】
該第二の照射工程において、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層に照射する活性放射線は、該第一の照射工程において、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層に照射する活性放射線と同様である。該第二の照射工程において、活性放射線の照射量は、適宜選択され、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）のマレイミド基同士が架橋反応を起こして、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）が光硬化するような照射量が選択される。例えば、活性放射線が紫外線の場合、２００〜４５０ｎｍを含む光源、例えば、超高圧水銀ランプ、高圧水銀灯、メタルハライドランプを使用して、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層に、２０００〜１００００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射する。例えば、照射強度が２０〜４０ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を、１００〜３００秒間照射する。
【０１１６】
そして、該第二の照射工程を行うことにより、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物層になる。
【０１１７】
本発明の光導波路を製造する方法例（２）に係る該上層クラッド作製工程では、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物層の上に、上層クラッドを作製して、光導波路を得る。
【０１１８】
本発明の光導波路を製造する方法例（１）に係る該下層クラッドは、本発明の光導波路を製造する方法例（２）に係る該下層クラッドと同様である。
【０１１９】
本発明の光導波路を製造する方法例（１）に係る該コア部形成用ポリマー層作成工程において、該下層クラッドの上に、該活性放射線を照射することにより硬化するコア部形成用のポリマー層を形成させる方法は、ポリマー層の形成に、該コア部形成用のポリマーを用いる以外は、本発明の光導波路を製造する方法例（２）に係る該活性放射線硬化性ポリマー層作成工程と同様である。
【０１２０】
本発明の光導波路を製造する方法例（１）に係る該コア部硬化工程は、活性放射線を照射することにより、該露光部の該コア部形成用のポリマーを光硬化する工程であるので、活性放射線を照射する対象が、該コア部形成用のポリマー層であること及び該フォトマスクを用いること以外は、本発明の光導波路を製造する方法例（２）に係る該第二の照射工程と同様である。
【０１２１】
そして、該コア部硬化工程を行うことにより、該コア部形成用のポリマー層の露光部が、硬化物となる。
【０１２２】
本発明の光導波路を製造する方法例（１）に係る該現像工程は、該未露光部を現像液で除去する工程である。なお、該現像液としては、例えば、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサン、シクロペンタノン、メチルエチルケトン、２−ペンタノン、リモネン、デカリン等の有機溶剤が挙げられる。これらの有機溶剤は、１種でも２種以上の組合せでもよい。また、該現像液の溶解性をコントロールするために、水や、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール類のような貧溶媒を、該有機溶剤に添加することもできる。
【０１２３】
本発明の光導波路を製造する方法例（１）に係る該コア部内封上層クラッド形成用ポリマー層形成工程において、該下層クラッド及び該コア部の上に、コア部内封上層クラッド形成用ポリマー層を形成させる方法は、ポリマー層の形成に、該コア部内封上層クラッド形成用ポリマーを用いる以外は、本発明の光導波路を製造する方法例（２）に係る該活性放射線硬化性ポリマー層作成工程と同様である。
【０１２４】
そして、本発明の光導波路を製造する方法例（１）に係る該コア部内封上層クラッド形成用ポリマー層形成工程を行うことにより、該下層クラッド及び該コア部の上に、該コア部内封上層クラッド形成用ポリマー層を形成させる。
【０１２５】
本発明の光導波路を製造する方法例（１）に係る該コア部内封上層クラッド硬化工程は、活性放射線を照射することにより、該コア部内封上層クラッド形成用ポリマーを硬化する工程であるので、活性放射線を照射する対象が、該コア部内封上層クラッド形成用ポリマー層であること以外は、本発明の光導波路を製造する方法例（２）に係る該第二の照射工程と同様である。
【０１２６】
そして、本発明の光導波路を製造する方法例（１）に係る該コア部内封上層クラッド硬化工程を行うことにより、該下層クラッド及び該コア部の上に、該コア部内封上層クラッドを形成させて、光導波路を得る。
【０１２７】
本発明の光導波路（１）及び（２）では、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の種類、該低分子量化合物（ａ）の種類及び該低分子量化合物（ａ）又は該低分子量化合物（ａ）の重合物とマレイミド基との光反応残基の存在量を、適宜選択することにより、コア部とクラッド部との屈折率の差を調整することができる。該コア部と該クラッド部との屈折率の差は、特に限定されないが、好ましくは０．３〜４．０％、特に好ましくは０．５〜２．５％である。なお、該低分子量化合物（ａ）又は該低分子量化合物（ａ）の重合物とマレイミド基との光反応残基の存在量は、光反応前の該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）中の該低分子量化合物（ａ）の含有量により調節される。
【０１２８】
本発明の光導波路（１）及び（２）では、コア部を形成する硬化物中又はクラッド部を構成する硬化物中のいずれか、あるいは、両方には、該硬化物の屈折率を変化させる該低分子量化合物（ａ）又は該低分子量化合物（ａ）の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在している。そのため、本発明の光導波路（１）及び（２）では、該低分子量化合物（ａ）の種類や該低分子量化合物（ａ）又は該低分子量化合物（ａ）の重合物とマレイミド基との光反応残基の存在量を選択することにより、光導波路のコア部とクラッド部との屈折率の差を調節することができるので、コア部及びクラッド部の形成用のポリマーの種類だけで調節する場合に比べ、光導波路のコア部とクラッド部との屈折率の差の調節が容易である。
【０１２９】
また、コア部及びクラッド部の形成用のポリマーの種類だけでコア部とクラッド部との屈折率の差を調節した従来の光導波路では、コア部を形成するためのポリマーとクラッド部を形成するためのポリマーを、同一の構造又は似た構造を有するポリマーにすることはできなかったが、本発明の光導波路では、コア部を形成するためのポリマーとクラッド部を形成するためのポリマーを、同一の構造又は似た構造を有するポリマーにすることができる。
【０１３０】
上記では、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物の用途が、光導波路の場合について説明したが、例えば、ホログラフィー、ポリマー光ファイバー、マイクロレンズ、プリズム等の用途等、種々のポリマー材料としても適用可能である。
【０１３１】
すなわち、本発明の活性放射線硬化性ポリマーの硬化物は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物であり、且つ、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物中には、該低分子量化合物（ａ１）又は該低分子量化合物（ａ１）の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在している活性放射線硬化性ポリマーの硬化物である。また、本発明の活性放射線硬化性ポリマーの硬化物は、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物であり、且つ、該活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物中には、該低分子量化合物（ａ２）又は該低分子量化合物（ａ２）の重合物とマレイミド基との光反応残基が存在している活性放射線硬化性ポリマーの硬化物である。これらの本発明の活性放射線硬化性ポリマーの硬化物は、ホログラフィー、ポリマー光ファイバー、マイクロレンズ、プリズム等の用途に、好適に用いられる。
【実施例】
【０１３２】
以下、本発明の実施例を比較例と対比して説明し、その効果を実証する。なお、これらの実施例は本発明の一実施態様を示すものであり、本発明はこれらに限定されない。
【０１３３】
（実施例１）
（１）活性放射線硬化性ポリマーの合成
水分および酸素濃度がいずれも１ｐｐｍ以下に制御され、乾燥窒素で充満されたグローブボックス中において、デシルノルボルネン（ＤｅＮＢ）８．４ｇ（３５．９ｍｍｏｌ）、フェニルエチルノルボルネン（ＰＥＮＢ）５．３ｇ（２７．０ｍｍｏｌ）およびジメチルマレイミドノルボルネン（ＤＭＭＩＮＢ）６．２ｇ（２７．０ｍｍｏｌ）を５００ｍＬバイアル瓶に計量し、脱水トルエン６０ｇと酢酸エチル１１ｇを加え、シリコン製のシーラーを被せて上部を密栓した。
次に、１００ｍＬバイアルビン中に下記化学式（６）で表わされるＮｉ触媒１．７４ｇ（３．６ｍｍｏｌ）と脱水トルエン１０ｍＬを計量し、スターラーチップを入れて密栓し、触媒を十分に撹拌して完全に溶解させた。
この下記化学式（６）で表わされるＮｉ触媒溶液１ｍＬをシリンジで正確に計量し、上記３種のノルボルネンを溶解させたバイアル瓶中に定量的に注入し室温で１時間撹拌したところ、著しい粘度上昇が確認された。この時点で栓を抜き、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）６０ｇを加えて撹拌を行い、反応溶液を得た。
１００ｍＬビーカーに無水酢酸９．５ｇ、過酸化水素水１８ｇ（濃度３０％）、イオン交換水３０ｇを加えて撹拌し、その場で過酢酸水溶液を調製した。次にこの水溶液全量を上記反応溶液に加えて１２時間撹拌してＮｉの還元処理を行った。
次に、処理の完了した反応溶液を分液ロートに移し替え、下部の水層を除去した後、イソプロピルアルコールの３０％水溶液を１００ｍＬ加えて激しく撹拌を行った。静置して完全に二層分離が行われた後で水層を除去した。この水洗プロセスを合計で３回繰り返した後、油層を大過剰のアセトン中に滴下して生成したポリマーを再沈殿させ、ろ過によりろ液と分別した後、６０℃に設定した真空乾燥機中で１２時間加熱乾燥を行うことにより、ジメチルマレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマー＃１（下記式（７−１）で表わされる構造単位と、下記式（７−２）で表わされる構造単位と、下記式（７−３）で表わされる構造単位とが、ランダムに共重合したポリマー）を得た。ポリマー＃１の分子量分布は、ＧＰＣ測定によりＭｗ＝１０万、Ｍｎ＝４万、ポリマー＃１中の各構造単位のモル比は、ＮＭＲによる同定により、デシルノルボルネン構造単位（下記式（７−１））が４０ｍｏｌ％、フェニルエチルノルボルネン構造単位（下記式（７−２））が３０ｍｏｌ％、ジメチルマレイミドノルボルネン構造単位（下記式（７−３））が３０ｍｏｌ％であり、屈折率はメトリコンにより１．５６（測定波長；６３３ｎｍ）であった。
化学式（６）：
【０１３４】
【化８】
2010072370.tif 000014
【０１３５】
式（７−１）〜（７−３）：
【０１３６】
【化９】
2010072370.tif 000015
【０１３７】
なお、上記式（７−１）〜（７−３）中、各構造単位のカッコの右下の数字は、ポリマー中の各構造単位のｍｏｌ％を表わすのであって、各構造単位が連続していることを表わすものではない。
【０１３８】
（２）活性放射線硬化性ポリマー層形成用ワニスＶ１の調製
精製した上記ポリマー＃１  １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、シクロヘキシルアクリレートモノマー（大阪有機化学工業製  Ｖ＃１５５、ＣＡＳ＃３０６６−７１−５、分子量１５４、沸点２００℃／１０１ｋＰａ）０．１ｇを加え、均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な活性放射線硬化性ポリマー層形成用ワニスＶ１を得た。
このとき、シクロヘキシルアクリレートモノマーの反応基（アクリレート基）のモル数に対するマレイミド基のモル数の比は、０．０５であった。
【０１３９】
（３）下層クラッドの作製
シリコンウエハ上に感光性ノルボルネン樹脂組成物（Ａｖａｔｒｅｌ２０００Ｐワニス）をドクターブレードにより均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、塗布された全面に紫外線を１００ｍJ照射し、乾燥機中１２０℃で１時間加熱して、塗膜を硬化させて、下層クラッドを形成させた。形成された下層クラッドは、厚みが２０μｍであり、無色透明であり、屈折率は１．５２（測定波長；６３３ｎｍ）であった。
【０１４０】
（４）コア部及び中間層クラッド部の形成
上記下層クラッド上に活性放射線硬化性ポリマー層形成用ワニスＶ１をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を２０００ｍＪ／ｃｍ２照射した（照射強度２０ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を１００秒照射）。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。
次に、活性放射線硬化性ポリマー層全面に紫外線を５０００ｍＪ／ｃｍ２照射し（照射強度２０ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を２５０秒照射）、１５０℃で１時間加熱して、活性放射線硬化性ポリマー層を硬化させて、厚みが５０μｍのコア部及び中間層クラッド部を形成させた。このとき、コア部は、無色透明であり、屈折率は１．５５であり、また、中間層クラッド部は、無色透明であり、屈折率は１．５４であった。
【０１４１】
（５）上層クラッドの形成
ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）フィルム上に、予め乾燥厚み２０μｍになるようにＡｖａｔｒｅｌ２０００Ｐを積層させたドライフィルムを、上記コア部及び中間層クラッド部に貼り合わせ、１４０℃に設定された真空ラミネーターに投入して熱圧着を行った後、紫外線を１００ｍＪ全面照射し乾燥機中１２０℃で１時間加熱して、Ａｖａｔｒｅｌ２０００Ｐを硬化させて、上層クラッドを形成させ、光導波路を得た。このとき、上層クラッドは、無色透明であり、屈折率は１．５２であった。
【０１４２】
（６）光導波路の損失評価
８５０ｎｍＶＣＳＥＬ（面発光レーザー）より発せられた光を５０μｍφの光ファイバーを経由して上記光導波路に導入し、２００μｍφの光ファイバーで受光を行って光の強度を測定した。尚、測定にはカットバック法を採用した。導波路長を横軸にとり、挿入損失を縦軸にプロットしていったところ、測定値はきれいに直線上に並び、その傾きから伝搬損失は０．０３ｄＢ／ｃｍと算出することができた。
【０１４３】
（実施例２）
（１）活性放射線硬化性ポリマーの合成
公知の手法（例えば特開２００３−２５２９６３号公報）を用いて、ＤＭＭＩＮＢモノマーの開環メタセシス重合を行い、ジメチルマレイミド基を有する活性放射線硬化性ポリマー＃２（下記式（８）で表わされる構造単位が重合したポリマー）を得た。
式（８）：
【０１４４】
【化１０】
2010072370.tif 000016
【０１４５】
ポリマー＃２の分子量分布は、ＧＰＣ測定によりＭｗ＝８万、Ｍｎ＝３万、屈折率はメトリコンにより１．５７（測定波長；６３３ｎｍ）であった。
【０１４６】
（２）活性放射線硬化性ポリマー層形成用ワニスＶ２の調製
精製した上記ポリマー＃２  １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、シクロヘキシルアクリレートモノマー（大阪有機化学工業製  Ｖ＃１５５、ＣＡＳ＃３０６６−７１−５、分子量１５４、沸点２００℃／１０１ｋＰａ）０．１ｇを加え、均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な活性放射線硬化性ポリマー層形成用ワニスＶ２を得た。
このとき、シクロヘキシルアクリレートモノマーの反応基（アクリレート基）のモル数に対するマレイミド基のモル数の比は、０．２であった。
【０１４７】
（３）下層クラッドの作製
実施例１と同様にして行った。
【０１４８】
（４）コア部及び中間層クラッド部の形成
上記下層クラッド上に活性放射線硬化性ポリマー層形成用ワニスＶ２をドクターブレードによって均一に塗布を行った後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を２０００ｍＪ／ｃｍ２照射した（照射強度２０ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を１００秒照射）。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。
次に、活性放射線硬化性ポリマー層全面に紫外線を５０００ｍＪ／ｃｍ２照射し（照射強度２０ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を２５０秒照射）、１５０℃で１時間加熱して、活性放射線硬化性ポリマー層を硬化させて、厚みが５０μｍのコア部及び中間層クラッド部を形成させた。このとき、コア部は、無色透明であり、屈折率は１．５６であり、また、中間層クラッド部は、無色透明であり、屈折率は１．５５であった。
【０１４９】
（５）上層クラッドの形成
実施例１と同様の方法で行い、光導波路を得た。
【０１５０】
（６）光導波路の損失評価
実施例１と同様の方法で行ったところ、伝搬損失は０．０４ｄＢ／ｃｍと算出することができた。
【０１５１】
（実施例３）
（１）活性放射線硬化性ポリマーの合成
実施例１と同様にして、活性放射線硬化性ポリマー＃１を得た。
【０１５２】
（２）活性放射線硬化性ポリマー層形成用ワニスＶ３の調製
精製した上記ポリマー＃１  １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、２−エチルへキシル−（３−メルカプトプロピオネート)（丸善石油化学社製、ＣＡＳ＃５０４４８−９５−８、分子量２１８．３６、沸点１４５℃／５．３ｋＰａ）０．０５ｇを加え、均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な活性放射線硬化性ポリマー層形成用ワニスＶ３を得た。
このとき、２−エチルへキシル−（３−メルカプトプロピオネート)の反応基（メルカプト基（−ＳＨ））のモル数に対するマレイミド基のモル数の比は、０．１３であった。
【０１５３】
（３）下層クラッドの作製
実施例１と同様にして行った。
【０１５４】
（４）コア部及び中間層クラッド部の形成
上記下層クラッド上に活性放射線硬化性ポリマー層形成用ワニスＶ３をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を１０００ｍＪ／ｃｍ２照射した（照射強度１０ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を１００秒照射）。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１５０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、非常に鮮明な導波路パターンが現れているのが確認された。
次に、活性放射線硬化性ポリマー層全面に紫外線を６０００ｍＪ／ｃｍ２照射し（照射強度２５ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を２４０秒照射）、１５０℃で１時間加熱して、活性放射線硬化性ポリマー層を硬化させて、厚みが５０μｍのコア部及び中間層クラッド部を形成させた。このとき、コア部は、無色透明であり、屈折率は１．５５であり、また、中間層クラッド部は、無色透明であり、屈折率は１．５４であった。
【０１５５】
（５）上層クラッドの形成
実施例１と同様にして行い、光導波路を得た。
【０１５６】
（６）光導波路の損失評価
実施例１と同様にして行ったところ、伝搬損失は０．０３ｄＢ／ｃｍと算出することができた。
【０１５７】
（比較例１）
（１）活性放射線硬化性ポリマーの合成
水分および酸素濃度がいずれも１ｐｐｍ以下に制御され、乾燥窒素で充満されたグローブボックス中において、デシルノルボルネン（ＤｅＮＢ）６．７ｇ（２８．７ｍｍｏｌ）、フェニルエチルノルボルネン（ＰＥＮＢ）１３．３ｇ（６６．９ｍｍｏｌ）を５００ｍＬバイアル瓶に計量し、脱水トルエン６０ｇと酢酸エチル１１ｇを加え、シリコン製のシーラーを被せて上部を密栓した。
次に、１００ｍＬバイアルビン中に前記化学式（６）で表わされるＮｉ触媒１．８５ｇ（３．８ｍｍｏｌ）と脱水トルエン１０ｍＬを計量し、スターラーチップを入れて密栓し、触媒を十分に撹拌して完全に溶解させた。
この前記化学式（６）で表わされるＮｉ触媒溶液１ｍＬをシリンジで正確に計量し、上記２種のノルボルネンを溶解させたバイアル瓶中に定量的に注入し室温で１時間撹拌したところ、著しい粘度上昇が確認された。この時点で栓を抜き、ＴＨＦ６０ｇを加えて撹拌を行い、反応溶液を得た。
１００ｍＬビーカーに無水酢酸９．５ｇ、過酸化水素水１８ｇ（濃度３０％）、イオン交換水３０ｇを加えて撹拌し、その場で過酢酸水溶液を調製した。次にこの水溶液全量を上記反応溶液に加えて１２時間撹拌してＮｉの還元処理を行った。
次に、処理の完了した反応液を分液ロートに移し替え、下部の水層を除去した後、イソプロピルアルコールの３０％水溶液を１００ｍＬ加えて激しく撹拌を行った。静置して完全に二層分離が行われた後で水層を除去した。この水洗プロセスを合計で３回繰り返した後、油層を大過剰のアセトン中に滴下して生成したポリマーを再沈殿させ、ろ過によりろ液と分別した後、６０℃に設定した真空乾燥機中で１２時間加熱乾燥を行うことにより、活性放射線硬化性ポリマー＃３（下記式（９−１）で表わされる構造単位と、下記式（９−２）で表わされる構造単位とが、ランダムに共重合したポリマー）を得た。ポリマー＃３の分子量分布はＧＰＣ測定によりＭｗ＝１２万、Ｍｎ＝５万、ポリマー＃３中の各構造単位のモル比は、ＮＭＲによる同定により、デシルノルボルネン構造単位（下記式（９−１））が３０ｍｏｌ％、フェニルエチルノルボルネン構造単位（下記式（９−２））が７０ｍｏｌ％であり、屈折率はメトリコンにより１．５５（測定波長；６３３ｎｍ）であった。
式（９−１）〜（９−２）：
【０１５８】
【化１１】
2010072370.tif 000017
【０１５９】
なお、上記式（９−１）〜（９−２）中、各構造単位のカッコの右下の数字は、ポリマー中の各構造単位のｍｏｌ％を表わすのであって、各構造単位が連続していることを表わすものではない。
【０１６０】
（２）活性放射線硬化性ポリマー層形成用ワニスＶ４の調製
精製した上記ポリマー＃３  １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、シクロヘキシルアクリレートモノマー（大阪有機化学工業製  Ｖ＃１５５、ＣＡＳ＃３０６６−７１−５、分子量１５４、沸点２００℃／１０１ｋＰａ）１ｇ、ラジカル発生剤イカルガキュア６５１（長瀬産業製、ＣＡＳ＃２４６５０−４２−８）０．０１ｇを加え、均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な活性放射線硬化性ポリマー層形成用ワニスＶ４を得た。
【０１６１】
（３）下層クラッドの作製
実施例１と同様と同様にして行った。
【０１６２】
（４）コア部及び中間層クラッド部の形成
上記下層クラッド上に活性放射線硬化性ポリマー層形成用ワニスＶ４をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を２０００ｍＪ／ｃｍ２照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、２００℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、導波路パターンはうっすらとしか観測されなかった。
次に、活性放射線硬化性ポリマー層全面に紫外線を５０００ｍＪ／ｃｍ２照射し、１５０℃で１時間加熱し、厚みが５０μｍのコア部及び中間層クラッドを得た。このとき、コア部は、無色透明であり、屈折率は１．５５０であり、また、中間層クラッド部は、無色透明であり、屈折率は１．５４７であった。
【０１６３】
（５）上層クラッドの形成
実施例１と同様にして行い、光導波路を得た。
【０１６４】
（６）光導波路の損失評価
実施例１と同様にして行ったところ、伝搬損失は５ｄＢ／ｃｍであった。
【０１６５】
（比較例２）
（１）活性放射線硬化性ポリマーの合成
実施例１と同様にして、活性放射線硬化性ポリマー＃１を得た。
【０１６６】
（２）活性放射線硬化性ポリマー層形成用ワニスＶ５の調製
精製した上記ポリマー＃１  １０ｇを１００ｍＬのガラス容器に秤量し、これにメシチレン４０ｇ、酸化防止剤Ｉｒｇａｎｏｘ１０７６（チバガイギー社製）０．０１ｇ、シクロヘキサン（ＣＡＳ＃１１０−８２−７）１ｇを加え、均一に溶解させた後、０．２μｍのＰＴＦＥフィルターによりろ過を行い、清浄な活性放射線硬化性ポリマー層形成用ワニスＶ５を得た。
【０１６７】
（３）下層クラッドの作製
実施例１と同様にして行った。
【０１６８】
（４）中間硬化物層の形成
上記下層クラッド上に活性放射線硬化性ポリマー層形成用ワニスＶ５をドクターブレードによって均一に塗布した後、４５℃の乾燥機に１５分間投入した。溶剤を完全に除去した後、フォトマスクを圧着して紫外線を２０００ｍＪ／ｃｍ２照射した。マスクを取り去り、乾燥機中４５℃で３０分、８５℃で３０分、１２０℃で１時間と三段階で加熱を行った。加熱後、導波路パターンは全く観測されなかった。
次に、活性放射線硬化性ポリマー層全面に紫外線を５０００ｍＪ／ｃｍ２照射し、１５０℃で１時間加熱して、活性放射線硬化性ポリマー層を硬化させて、厚みが５０μｍの硬化物層を形成させた。
【０１６９】
（５）上層クラッドの形成
実施例１と同様にして行い、光導波路を得た。
【０１７０】
（６）光導波路の損失評価
導波路構造が確認できなかったため測定を行わなかった。
【図面の簡単な説明】
【０１７１】
【図１】本発明の光導波路を製造する方法例（１）の形態例を示す模式的な断面図（１）である。
【図２】本発明の光導波路を製造する方法例（１）の形態例を示す模式的な断面図（２）である。
【図３】本発明の光導波路を製造する方法例（１）の形態例を示す模式的な断面図（３）である。
【図４】本発明の光導波路を製造する方法例（１）の形態例を示す模式的な断面図（４）である。
【図５】本発明の光導波路を製造する方法例（１）の形態例を示す模式的な断面図（５）である。
【図６】本発明の光導波路を製造する方法例（１）の形態例を示す模式的な断面図（６）である。
【図７】本発明の光導波路を製造する方法例（１）の形態例を示す模式的な断面図（７）である。
【図８】本発明の光導波路を製造する方法例（２）の形態例を示す模式的な断面図（１）である。
【図９】本発明の光導波路を製造する方法例（２）の形態例を示す模式的な断面図（２）である。
【図１０】本発明の光導波路を製造する方法例（２）の形態例を示す模式的な断面図（３）である。
【図１１】本発明の光導波路を製造する方法例（２）の形態例を示す模式的な断面図（４）である。
【図１２】本発明の光導波路を製造する方法例（２）の形態例を示す模式的な断面図（５）である。
【図１３】本発明の光導波路を製造する方法例（２）の形態例を示す模式的な断面図（６）である。
【符号の説明】
【０１７２】
１、２１    下層クラッド
２、２２    活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）層
３、２３    フォトマスク
４、２４    紫外線
５、２６    露光部
６、２５    未露光部
７、２９    コア部
８          コア部内封上層クラッド形成用ポリマー層
９          コア部内封上層クラッド
１０、４０  光導波路
１１        中間層クラッド部
１２        上層クラッド部
２７        低分子量化合物除去未露光部
２８        中間層クラッド部
２９        コア部
３０        上層クラッド
３１        活性放射線硬化性ポリマー（ｂ）の硬化物層
【産業上の利用可能性】
【０１７３】
本発明によれば、コア部とクラッド部との屈折率の調整が容易となる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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