(57)【要約】【課題】微細なピッチと均一な高さを持つ金属バンプを持つプリント基板の構造及び製造方法を提供する。【解決手段】絶縁層３００の上部に突出した一定直径の金属バンプ９００；絶縁層３００の下に形成された回路層５３０；及び絶縁層３００に貫設され、金属バンプ９００と回路層５３０を電気的に接続するビア５１０を含む。【選択図】図２
2010135720.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層の上部に突出した一定直径の金属バンプ；
前記絶縁層の下に形成された回路層；及び
前記絶縁層に貫設され、前記金属バンプと前記回路層を電気的に接続するビア；
を含むことを特徴とする、金属バンプを持つプリント基板。
【請求項２】
前記絶縁層の下に積層され、前記回路層と電気的に接続する下部回路層を持つビルドアップ層をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の金属バンプを持つプリント基板。
【請求項３】
前記ビアは前記絶縁層の内部から前記金属バンプ方向に直径が減少する形状であることを特徴とする、請求項１に記載の金属バンプを持つプリント基板。
【請求項４】
前記下部回路層は接続パッドを含み、
前記プリント基板は、前記下部回路層を覆い、前記接続パッドを露出する開口部を持つソルダレジスト層をさらに含むことを特徴とする、請求項２に記載のプリント基板。
【請求項５】
（Ａ）金属層を提供する段階；
（Ｂ）金属層の一面に絶縁層を積層し、前記絶縁層に前記金属層を露出するビアホールを形成する段階；
（Ｃ）前記絶縁層上に、前記ビアホールに充填されたビアを含む回路層を形成する段階；及び
（Ｄ）前記ビア端部に接続する金属バンプを形成する段階；
を含むことを特徴とする、金属バンプを持つプリント基板の製造方法。
【請求項６】
前記（Ａ）段階において、金属層はキャリアの外側に積層された状態として提供され、
前記（Ｄ）段階の前、前記金属層を前記キャリアから分離する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項５に記載の金属バンプを持つプリント基板の製造方法。
【請求項７】
前記（Ｃ）段階の後、前記絶縁層上に下部回路層を含むビルドアップ層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項５に記載の金属バンプを持つプリント基板の製造方法。
【請求項８】
前記（Ｃ）段階は、
（Ｉ）前記ビアホールの内壁を含む前記絶縁層上にシード層を形成する段階；
（ＩＩ）前記シード層上に、前記ビアホールを露出する開口部を含む回路層形成用開口部を持つメッキレジスト層を形成する段階；
（ＩＩＩ）前記開口部をメッキすることにより、ビアホールを充填するビアを含む回路層を形成する段階；及び
（ＩV）前記シード層の露出部を除去する段階；
を含むことを特徴とする、請求項５に記載の金属バンプを持つプリント基板の製造方法。
【請求項９】
前記（Ｄ）段階は、
（Ｉ）前記金属層上にエッチングレジストを塗布してパターニングする段階；及び
（ＩＩ）前記エッチングレジスを通じて露出した前記金属層を反応性イオン工程でエッチングして金属バンプを形成する段階；
を含むことを特徴とする、請求項５に記載の金属バンプを持つプリント基板の製造方法。
【請求項１０】
前記（Ｄ）段階は、
（Ｉ）前記金属層上、に金属バンプ形成用開放ホールを持つメッキレジストを積層する段階；
（ＩＩ）前記開放ホールをメッキして金属バンプを形成する段階；及び
（ＩＩＩ）前記金属層の露出部をエッチングで除去する段階；
を含むことを特徴とする、請求項５に記載の金属バンプを持つプリント基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は金属バンプを持つプリント基板及びその製造方法に係り、より詳しくは一定の直径を持ち、別途のバンプパッドなしにビアの端部に直接接続することで微細なピッチで形成可能な金属バンプを持つプリント基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子産業の発達につれて、電子部品が高性能化していき、これに応えてパッケージ（ＰＫＧ）も小型化、高密度化することが要求される。また、ＩＣとメインボードを連結するインターポーザー（基板）も高密度化しなければならない。パッケージの高密度化の原因は、ＩＣのＩ／Ｏの数が増えることによるもので、インターポーザーと連結する方法もよりよい方向に進んでいる。現在の高密度パッケージにおけるＩＣ実装方法には、ワイヤボンディング方式とフリップボンディング方式が使用されており、Ｉ／Ｏが一定の数以上に増えると、実装にかかる費用のため、フリップボンディング方式が好まれている。
【０００３】
図１Ａ〜図１Ｍは従来技術による半導体チップ実装基板を製造する工程を示す図である。
【０００４】
まず、図１Ａに示すように、両面銅張積層板でなるキャリア１が提供されれば、図１Ｂに示すように、ソルダレジスト３を塗布し、図１Ｃに示すように、ドライフィルム５を塗布してからパターニングする。その後、図１Ｄに示すように、電解メッキを施した後、図１Ｅに示すように、ドライフィルム５を除去して接続パッド７を形成する。ついで、図１Ｆに示すように、第１絶縁層９を積層し、図１Ｇに示すように、第１回路層１１を形成する。
【０００５】
その後、図１Ｈに示すように、前述した工程を繰り返して追加のビルドアップ層１３を形成し、図１Ｉに示すように、ソルダレジスト１５を塗布する。
【０００６】
ついで、図１Ｊに示すように、ルーティング工程を行ってキャリア１を分離し、図１Ｋに示すように、キャリア銅箔をエッチングで除去する。その後、図１Ｌに示すように、ソルダレジスト３、１５をパターニングして接続パッド７を露出する開口部１７を形成する。
【０００７】
ついで、図１Ｍに示すように、上部接続パッド上にフリップチップボンディングのためのソルダボール１９を形成する。ソルダボール１９の形成は、スクリーンプリンティングによるソルダペーストの印刷、及びリフロー（ｒｅｆｌｏｗ）工程でなされる。
【０００８】
しかし、前述したように、プリンティング方式を用いるプリント基板のバンプ形成方法は広い接続パッドを要求するため、１２０μｍ以下の微細ピッチ（ｐｉｔｃｈ）を持つバンプを具現しにくいという問題点を持つ。
【０００９】
また、プリンティング方式を用いるバンプ形成方法は、微細なバンプを形成する場合、バンプが形成されないか、形成されても体積が非常に小さく形成される問題点をもたらす。
【００１０】
また、接続パッドはメッキ方式で形成されるため、メッキ偏差によって厚さが均一でなく、ソルダペーストを印刷する工程においても印刷量をまったく均一に合わせるのが難しいため、ソルダボールの高さが均一ではなく、これによって半導体チップと連結されないソルダボールが形成される問題点がある。
【００１１】
また、ソルダレジスト１５の段差が大きいため、電子部品の実装後に行われるアンダーフィル工程でボイド（ｖｏｉｄ）が発生する問題があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
したがって、本発明は前述したような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、微細なピッチと均一な高さを持つ金属バンプを持つプリント基板の構造及び製造方法を提供することをその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記課題を解決するために、一観点によれば、本発明は、絶縁層の上部に突出した一定直径の金属バンプ；前記絶縁層の下に形成された回路層；及び前記絶縁層に貫設され、前記金属バンプと前記回路層を電気的に接続するビア；を含む、金属バンプを持つプリント基板を提供する。
【００１４】
前記プリント基板は、前記絶縁層の下に積層され、前記回路層と電気的に接続する下部回路層を持つビルドアップ層をさらに含むことができる。
【００１５】
前記ビアは前記絶縁層の内部から前記金属バンプ方向に直径が減少する形状であることができる。
【００１６】
前記下部回路層は接続パッドを含み、前記プリント基板は、前記下部回路層を覆い、前記接続パッドを露出する開口部を持つソルダレジスト層をさらに含むことができる。
【００１７】
前記目的を達成するために、他の観点によれば、本発明は、（Ａ）金属層を提供する段階；（Ｂ）金属層の一面に絶縁層を積層し、前記絶縁層に前記金属層を露出するビアホールを形成する段階；（Ｃ）前記絶縁層上に、前記ビアホールに充填されたビアを含む回路層を形成する段階；及び（Ｄ）前記ビア端部に接続する金属バンプを形成する段階；を含む金属バンプを持つ、プリント基板の製造方法を提供する。
【００１８】
前記（Ａ）段階において、金属層はキャリアの外側に積層された状態として提供され、前記（Ｄ）段階の前、前記金属層を前記キャリアから分離する段階をさらに含むことができる。
【００１９】
前記（Ｃ）段階の後、前記絶縁層上に下部回路層を含むビルドアップ層を形成する段階をさらに含むことができる。
【００２０】
前記（Ｃ）段階は、（Ｉ）前記ビアホールの内壁を含む前記絶縁層上にシード層を形成する段階；（ＩＩ）前記シード層上に、前記ビアホールを露出する開口部を含む回路層形成用開口部を持つメッキレジスト層を形成する段階；（ＩＩＩ）前記開口部をメッキすることにより、ビアホールを充填するビアを含む回路層を形成する段階；及び（ＩV）前記シード層の露出部を除去する段階；を含むことができる。
【００２１】
前記（Ｄ）段階は、（Ｉ）前記金属層上にエッチングレジストを塗布してパターニングする段階；及び（ＩＩ）前記エッチングレジスを通じて露出した前記金属層を反応性イオン工程でエッチングして金属バンプを形成する段階；を含むことができる。
【００２２】
前記（Ｄ）段階は、（Ｉ）前記金属層上、に金属バンプ形成用開放ホールを持つメッキレジストを積層する段階；（ＩＩ）前記開放ホールをメッキして金属バンプを形成する段階；及び（ＩＩＩ）前記金属層の露出部をエッチングで除去する段階；を含むことができる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によるプリント基板は、電気伝導特性に優れたポスト形状の金属バンプを含むので、プリント基板に実装される電子部品との電気的な接続が良好である。
【００２４】
また、金属バンプは、上部直径より下部直径が大きくなる形状ではなくて一定の直径を持ち、別途のバンプパッドなしにビアの端部に直接接続するので、微細なピッチの金属バンプを含む利点がある。
【００２５】
また、ソルダレジスト層の段差がないので、アンダーフィル工程の際、ボイドの発生がない利点がある。
【００２６】
また、本発明によるプリント基板の製造工程によれば、キャリア上に積層された形態で提供された金属層を利用して金属バンプを形成するので、高さが一定であり、電気伝導特性に優れたポスト形状の金属バンプを持つプリント基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１Ａ】従来技術による半導体チップ実装基板を製造する工程を示す図である。
【図１Ｂ】従来技術による半導体チップ実装基板を製造する工程を示す図である。
【図１Ｃ】従来技術による半導体チップ実装基板を製造する工程を示す図である。
【図１Ｄ】従来技術による半導体チップ実装基板を製造する工程を示す図である。
【図１Ｅ】従来技術による半導体チップ実装基板を製造する工程を示す図である。
【図１Ｆ】従来技術による半導体チップ実装基板を製造する工程を示す図である。
【図１Ｇ】従来技術による半導体チップ実装基板を製造する工程を示す図である。
【図１Ｈ】従来技術による半導体チップ実装基板を製造する工程を示す図である。
【図１Ｉ】従来技術による半導体チップ実装基板を製造する工程を示す図である。
【図１Ｊ】従来技術による半導体チップ実装基板を製造する工程を示す図である。
【図１Ｋ】従来技術による半導体チップ実装基板を製造する工程を示す図である。
【図１Ｌ】従来技術による半導体チップ実装基板を製造する工程を示す図である。
【図１Ｍ】従来技術による半導体チップ実装基板を製造する工程を示す図である。
【図２】本発明の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の断面図である。
【図３】本発明の好適な一実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を工程順に示す図である。
【図４】本発明の好適な一実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を工程順に示す図である。
【図５】本発明の好適な一実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を工程順に示す図である。
【図６】本発明の好適な一実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を工程順に示す図である。
【図７】本発明の好適な一実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を工程順に示す図である。
【図８】本発明の好適な一実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を工程順に示す図である。
【図９】本発明の好適な一実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を工程順に示す図である。
【図１０】本発明の好適な一実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を工程順に示す図である。
【図１１】本発明の好適な一実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を工程順に示す図である。
【図１２】本発明の好適な一実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を工程順に示す図である。
【図１３】本発明の好適な一実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を工程順に示す図である。
【図１４】本発明の他の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を工程順に示す図である。
【図１５】本発明の他の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を工程順に示す図である。
【図１６】本発明の他の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を工程順に示す図である。
【図１７】本発明の他の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を工程順に示す図である。
【図１８】図１７に示すプリント基板に電子部品が実装された状態を示す断面図である。
【図１９】図１７に示されたプリント基板の金属バンプにソルダ接合部をさらに形成した後、電子部品を実装した状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明による金属バンプを持つプリント基板及びその製造方法の好適な実施例を添付図面に基づいて詳細に説明すれば次のようである。添付図面の全般にわたって、同一または対応の構成要素は同一図面符号を付け、重複する説明は省略する。本明細書において、上部、下部などの用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別するために使用されるもので、構成要素が前記用語によって制限されるものではない。
【００２９】
図２は本発明の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の断面図である。同図に示すように、本実施例によるプリント基板は、絶縁層３００の上部に突出した一定直径の金属バンプ９００、絶縁層３００の下に形成された回路層５３０、及び絶縁層３００に貫設され、金属バンプ９００と回路層５３０を電気的に接続するビア５１０を含む構成である。
【００３０】
絶縁層３００はソルダレジスト層でなることができ、あるいは層間絶縁材として通常に使用される複合高分子樹脂でなることができる。絶縁層３００は、例えば、プリプレグ、またはＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｔｒｉａｚｉｎｅ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄｕｐ Ｆｉｌｍ）などのエポキシ系樹脂を使用することができるが、特にこれに限定されるものではない。
【００３１】
回路層５３０は絶縁層３００の下に形成されて電気信号を伝達する電気伝導性金属パターンでなり、例えば金、銀、銅、ニッケルなどの金属でなることができる。
【００３２】
金属バンプ９００は絶縁層３００の上部に突出し、後にプリント基板に実装される電子部品１０００（図１８参照）と回路層５３０を電気的に接続する機能を果たす。本実施例の金属バンプ９００は、下部直径と上部直径が一定であるポスト形状である。ここで、一定であるという意味は、金属バンプ９００の上部直径と下部直径が数学的にまったく同一であることを意味するものではなく、基板の製造工程で発生する加工誤差などによる微細な直径の変化を含む意味で使用される。
【００３３】
ビア５１０は絶縁層３００を貫通するビアホール３１０の内部に充填されてなり、金属バンプ９００と回路層５３０を電気的に接続する。ビア５１０は電気伝導性金属でなり、回路層５３０を成す金属と同じ金属でなるのが好ましい。この際、ビア５１０は絶縁層３００の内部から金属バンプ９００方向に直径が減少する形状である。すなわち、金属バンプ９００はビア５１０の直径が最小の面に連結され、別途のバンプパッドがない。
【００３４】
一方、以上では本実施例の特徴部であるプリント基板の上部構造について説明したが、本実施例によるプリント基板は、絶縁層３００の下に積層され、回路層５３０と電気的に接続する下部回路層６３０を持つビルドアップ層６００をさらに含む。ビルドアップ層６００は、回路層５３０と下部回路層６３０の間に内層回路層をさらに含むことができ、本実施例では、１層の内層回路層のみを例示的に示したが、このような内層回路層の数は制限されるものではない。必要によって内層回路層の数を調節することができることは当業者であれば易しく理解することができる。
【００３５】
この際、下部回路層６３０は接続パッドを含むことができ、下部回路層６３０を覆い、接続パッドを露出する開口部７１０を持つソルダレジスト層７００をさらに含むことができる。
【００３６】
前述したようなプリント基板は、電気伝導特性に優れたポスト形状の金属バンプ９００を含むので、プリント基板に実装される電子部品１０００との電気的な接続が良好である。
【００３７】
また、金属バンプ９００は、上部直径より下部直径が広くなる形状でなくて一定の直径を持ち、別途のバンプパッドなしにビア５１０の端部に直接接続するので、微細なピッチの金属バンプ９００を持つ利点がある。
【００３８】
図３〜図１３は本発明の好適な一実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を工程順に示す図である。以下、これら図に基づいて本実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造工程を説明する。
【００３９】
まず、金属層１５０を提供する段階である。本実施例においては、図３に示すように、金属層１５０はキャリア１００の外側に積層された状態で提供される。すなわち、本実施例で使用するキャリア１００は、例えば両面銅張積層板及び絶縁材でなる支持基板１１０、支持基板１１０上に積層された離型層１３０、及び離型層１３０上に積層された金属層１５０でなる。キャリア１００は、製造工程中にプリント基板が撓む問題を防止する支持体の機能を果たす。離型層１３０は支持基板１１０より小さな長さ及び面積を持ち、支持基板１１０の両側部を除き、支持基板１１０上に形成されることが好ましい。これは、プリント基板の製造工程の後半に金属層１５０とキャリア１００の分離を容易にするためである。
【００４０】
ここで、離型層１３０は一般的な離型物質を薄膜コーティングまたはスパッタリング工程で形成することができる。金属層１５０は銅、金、銀などのような伝導性金属でなることができ、本実施例においては、好ましくは３０μｍ〜１００μｍの厚さを持つ銅箔を使用する。
【００４１】
この際、本実施例では、キャリア１００の両面に積層工程を行う方式を例示的に説明するが、キャリア１００の一面にだけ積層工程を行うこともできる。
【００４２】
ついで、図４に示すように、金属層１５０の一面に絶縁層３００を積層し、絶縁層３００に金属層１５０を露出するビアホール３１０を形成する。絶縁層３００は層間絶縁材として通常に使用される複合高分子樹脂でなることができる。絶縁層３００は、例えばプリプレグ、またはＦＲ−４、ＢＴ（Ｂｉｓｍａｌｅｉｍｉｄｅ Ｔｒｉａｚｉｎｅ）、ＡＢＦ（Ａｊｉｎｏｍｏｔｏ Ｂｕｉｌｄｕｐ Ｆｉｌｍ）などのエポキシ系樹脂を使用することができるが、本実施例では、ソルダレジストでなる絶縁層３００を使用する。
【００４３】
ビアホールの形成は、ＹＡＧレーザーまたはＣＯ２レーザーを用いるレーザードリルで行うことができる。
【００４４】
ついで、絶縁層３００上に、ビアホール３１０に充填されたビア５１０とともに回路層５３０を形成する段階である。まず、ビアホール３１０の内壁を含む絶縁層３００上にシード層（図示せず）を形成する。シード層の形成は、以後に行われる電解メッキの前処理工程である。
【００４５】
その後、図５に示すように、シード層上に、前記ビアホール３１０を露出する開口部４１０とともに回路層５３０形成用開口部４３０を持つメッキレジスト層４００を形成する。メッキレジスト層４００は好ましくは感光性ドライフィルムでなり、メッキレジストを塗布した後、光遮断パターンを持つマスクを使用して選択的露光及び硬化を行って未硬化部分を除去することにより、メッキレジスト層４００をパターニングすることができる。
【００４６】
その後、図６に示すように、メッキレジスト層４００の開口部４１０、４３０をメッキし、シード層の露出部を除去してビア５１０及び回路層５３０を形成することができる。シード層を引込線として電解メッキを行ってビア５１０及び回路層５３０を形成し、フラッシュエッチングまたはクィックエッチングで露出シード層を除去する。
【００４７】
ついで、図７に示すように、絶縁層３００上に、下部回路層６３０を含むビルドアップ層６００を形成する。ビルドアップ層６００は、絶縁材の積層、ビアホールの形成、及び回路メッキの過程でなるセミアディティブ工法で形成することができ、ビルドアップ層６００の形成工程は詳述しない。下部回路層６３０が完成されれば、図８に示すように、下部回路層６３０を覆うソルダレジスト層７００を形成する。本実施例では１層の内層回路層、及び下部回路層６３０の二つの層をビルドアップする工程を示したが、ビルドアップ工程の際に付け加えられる回路層の数は制限されない。
【００４８】
ついで、図９に示すように、金属層１５０をキャリア１００から分離する。キャリア１００とキャリア１００上に積層されたプリント基板の側部をルーティング工程で切断することで、キャリア１００を金属層１５０から分離することができる。ここで、ルーティング工程とはルーティングビットを利用して機械的に行う切断／裁断工程を言い、プリント基板及びキャリア１００の側部を切断して除去することで、離型層１３０によってキャリア１００を構成する支持基板１１０から金属層１５０が分離される。
【００４９】
ついで、ビア５１０の端部に接続する金属バンプ９００を形成する段階である。
【００５０】
図１０に示すように、キャリア１００から金属層１５０が分離されれば、図１１に示すように、金属層１５０上にエッチングレジスト８１０を塗布しからパターニングを行う。エッチングレジスト８１０は感光性ドライフィルムであることが好ましい。
【００５１】
その後、図１２に示すように、エッチングレジスト８１０を通じて露出した金属層１５０を除去して金属バンプ９００を形成する。この工程は金属エッチング液を用いる一般的な湿式エッチング工程で行うこともできるが、反応性イオンエッチング工程で金属バンプ９００を形成することが好ましい。
【００５２】
反応性イオンエッチング工程は乾式エッチング技術のもので、食刻ガスをプラズマ状態に作り、上下部電極を利用してプラズマ状態のガスを電気活性高分子に衝突させる方式を用いて、物理的衝撃と化学反応の結合によってエッチングがなされる。湿式エッチング工程によれば、バンプの側面がテーパーになった形状を持つことになるが、反応性イオンエッチング工程によれば、一定直径の、つまり側面にテーパーがないポスト形状の金属バンプ９００を形成することが可能である。
【００５３】
この際、直径が一定であるという意味は、金属バンプ９００の上部直径と下部直径が数学的にまったく同一であることを意味するものではなく、基板の製造工程で発生する加工誤差などによる微細な直径の変化を含む意味で使用される。
【００５４】
ついで、図１３に示すように、下部回路層６３０上に形成されたソルダレジスト層７００に、下部接続パッドを露出する開口部７１０を形成する。
【００５５】
その後、金属バンプ９００上にソルダでなる接続部をさらに形成することができ、下部接続パッドの表面にＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｔｙ Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅｓ）処理を行うかあるいは無電解ニッケル／金鍍金（ＥＮＩＧ、Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ Ｎｉｃｋｅｌ Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ Ｇｏｌｄ）層を形成することができる。
【００５６】
図１４〜図１７は本発明の他の好適な実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造方法を工程順に示す図である。以下、これらの図に基づいて本実施例による金属バンプを持つプリント基板の製造工程を説明するが、前述した実施例と重複する説明は省略する。
【００５７】
まず、金属層１５０を提供する段階である。本実施例における金属層１５０は好ましくは１μｍ〜３μｍの厚さを持つシード（ｓｅｅｄ）金属層１５０であり、本実施例ではシード銅箔を使用する。
【００５８】
その後、ビア５１０及び回路層５３０の形成、ビルドアップ層６００の形成などの工程は前述した実施例と同一または類似であるので、それについては省略し、以下では金属バンプ９００の形成工程について説明する。
【００５９】
図１４に示すように、キャリア１００から金属層１５０が分離されれば、図１５に示すように、金属層１５０上に金属バンプ９００形成用開放ホール８３５を持つメッキレジスト８３０を積層する。メッキレジスト８３０は感光性ドライフィルムであることが好ましい。
【００６０】
ついで、図１６に示すように、メッキレジスト８３０の開放ホール８３５をメッキして金属バンプ９００を形成し、金属層１５０の露出部をエッチングで除去する。金属層１５０を引込線として電解メッキを行うことで金属バンプ９００を形成し、フラッシュエッチングまたはクィックエッチングを行って露出金属層１５０を除去する。
【００６１】
その後、図１７に示すように、ソルダレジスト層７００に下部接続パッドを露出する開口部７１０をパターニングする。
【００６２】
前述したようなプリント基板の製造工程によれば、キャリア１００上に積層された形態として提供された金属層１５０を利用して金属バンプ９００を形成するので、高さが一定であり、電気伝導特性に優れたポスト形状の金属バンプを持つプリント基板を製造することができる。
【００６３】
また、金属バンプ９００を形成するとき、反応性イオンエッチング工程またはセミアディティブ（ＳＡＰまたはＭＳＡＰ）工法で金属バンプ９００を形成するので、一定直径の金属バンプ９００を形成することができ、これにより微細ピッチを持つバンプを形成することが可能であるという利点がある。
【００６４】
図１８は図１７に示されたプリント基板に電子部品１０００が実装された状態を示す図、図１９は図１７に示されたプリント基板の金属バンプ９００にソルダ接合部をさらに形成した後、電子部品１０００を実装した状態を示す断面図である。
【００６５】
これに示すように、本発明によるプリント基板は微細なピッチの金属バンプ９００を持つので、電子部品１０００のＩ／Ｏの数が多い小型電子部品１０００とも良好に接合することができる。
【００６６】
以上本発明を好適な実施例に基づいて説明したが、本発明が前述した実施例に限定されるものではなく、本発明の思想及び範囲を逸脱しない範囲内で多様に修正及び変形することができるのは、この技術分野で通常の知識を持った者には明らかである。よって、そのような変形例または修正例は本発明の特許請求範囲に属するものである。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明は、微細なピッチと均一な高さを持つ金属バンプを持つプリント基板の構造及び製造方法に適用可能である。
【符号の説明】
【００６８】
１００    キャリア
１１０    支持基板
１３０    離型層
１５０    金属層
３００    絶縁層
３１０    ビアホール
４００    メッキレジスト層
４１０    ビア形成用開口部
４３０    回路形成用開口部
５１０    ビア
５３０    回路層
６００    ビルドアップ層
６３０    下部回路層
７００    ソルダレジスト層
７１０    開口部
８１０    エッチングレジスト層
８３０    メッキレジスト
８３５    金属バンプ形成用開放ホール
９００    金属バンプ
１０００    電子部品
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
2010135720.tif 000005
【図１Ｄ】
2010135720.tif 000006
【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図１Ｇ】
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【図１Ｈ】
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【図１Ｉ】
2010135720.tif 000011
【図１Ｊ】
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【図１Ｋ】
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【図１Ｌ】
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【図１Ｍ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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