【手続補正書】
【提出日】令和3年6月1日(2021.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線周波数（ＲＦ）発生器のパッシブ制御のための制御装置システムであって、
パラメータを生成するために高ＲＦ発生器の出力で測定された変数の複数の測定値にアクセスするように構成されたプロセッサであって、前記変数は、低ＲＦ発生器の複数の動作周期の間に測定され、前記複数の測定値は、高ＲＦ発生器によって供給された電力の複数の値に関連付けられ、前記プロセッサは、前記複数の周期の１周期について、前記高ＲＦ発生器によって供給された電力において効率性が高まる、高ＲＦ発生器の周波数の値と、インピーダンス整合ネットワークのシャント回路に関連付けられた因数の値と、を決定するように構成されている、プロセッサと、
前記プロセッサに結合され、前記周波数の前記値および前記因数の前記値を記憶するように構成されたメモリデバイスと、
を備える、制御装置システム。
【請求項２】
請求項１に記載の制御装置システムであって、
前記プロセッサは、基板が処理されていないトレーニングルーチンの間に、前記複数の測定値にアクセスし、前記高ＲＦ発生器の前記周波数の前記値および前記因数の前記値を決定するように構成されている、制御装置システム。
【請求項３】
請求項１に記載の制御装置システムであって、
前記プロセッサは、前記変数の前記複数の測定値のサブセットおよび前記高ＲＦ発生器によって供給された前記電力の前記複数の値のサブセットから計算される平均値に基づいて、前記周波数の前記値および前記因数の前記値を決定するように構成されている、制御装置システム。
【請求項４】
請求項３に記載の制御装置システムであって、
前記プロセッサは、前記複数の周期の前記１周期について、前記変数の前記複数の測定値の第１の測定値の大きさの２乗と、前記高ＲＦ発生器によって供給された前記電力の前記複数の値の第１の値との積、および、前記変数の前記複数の測定値の第２の測定値の大きさの２乗と、前記高ＲＦ発生器によって供給された前記電力の前記複数の値の第２の値との積の平均値を計算するように構成されている、制御装置システム。
【請求項５】
請求項４に記載の制御装置システムであって、
前記プロセッサは、前記複数の周期の別の１周期について、前記変数の前記複数の測定値の第３の測定値の大きさの２乗と、前記高ＲＦ発生器によって供給された前記電力の前記複数の値の第３の値との積、および、前記変数の前記複数の測定値の第４の測定値の大きさの２乗と、前記高ＲＦ発生器によって供給された前記電力の前記複数の値の第４の値との積の別の平均値を計算するように構成されている、制御装置システム。
【請求項６】
請求項５に記載のホストコンピュータシステムであって、
前記プロセッサは、前記複数の周期の前記１周期についての前記平均値が、前記複数の周期の前記別の１周期についての前記別の平均値より小さいことを決定するように構成されている、ホストコンピュータシステム。
【請求項７】
請求項６に記載の制御装置システムであって、
前記プロセッサは、前記平均値が前記複数の周期の前記別の１周期についての前記別の平均値より小さい前記複数の周期の前記１周期に基づいて、前記周波数の前記値および前記因数の前記値を決定するように構成されている、制御装置システム。
【請求項８】
請求項１に記載の制御装置システムであって、
前記プロセッサは、前記効率性の向上が実現する前記直列回路に関連付けられた因数の値を決定するように構成されている、制御装置システム。
【請求項９】
請求項１に記載の制御装置システムであって、
前記高ＲＦ発生器は、ＲＦケーブルを介して前記インピーダンス整合ネットワークに接続され、
前記プロセッサは、トレーニングルーチンの間に、
前記高ＲＦ発生器の前記出力で測定された前記変数の別の複数の測定値にアクセスするように構成され、前記変数の前記別の複数の測定値は、前記低ＲＦ発生器の別の複数の動作周期の間に測定され、前記変数の前記別の複数の測定値は、前記ＲＦケーブルが変更された後に測定され、前記変数の前記別の複数の測定値は、前記高ＲＦ発生器によって供給された前記電力の別の複数の値に関連付けられ、
前記別の複数の周期の１周期について、前記高ＲＦ発生器によって供給された前記電力の前記効率性が高まる、前記高ＲＦ発生器の前記周波数の別の値と、前記シャント回路に関連付けられた前記因数の別の値と、を決定するように構成されている、
制御装置システム。
【請求項１０】
請求項１に記載の制御装置システムであって、
前記プロセッサは、プラズマチャンバ内での基板処理の間に、前記高ＲＦ発生器の前記周波数の前記値と、前記シャント回路に関連付けられた前記因数の前記値と、を適用するように構成されている、制御装置システム。
【請求項１１】
請求項１に記載の制御装置システムであって、
前記変数は電圧反射係数であり、前記パラメータは電力反射係数であり、前記因数は静電容量である、制御装置システム。
【請求項１２】
無線周波数（ＲＦ）発生器のアクティブ制御のための制御装置システムであって、
パラメータを生成するために高ＲＦ発生器の出力で測定された変数の複数の測定値にアクセスするように構成されたプロセッサであって、前記変数は、低ＲＦ発生器の複数の動作周期の間に測定され、前記複数の測定値は、高ＲＦ発生器によって供給された電力の複数の値に関連付けられ、前記プロセッサは、前記複数の周期の１周期について、前記高ＲＦ発生器によって供給された電力において効率性が高まる、前記高ＲＦ発生器の周波数の値と、前記高ＲＦ発生器によって供給される前記電力の量と、インピーダンス整合ネットワークのシャント回路に関連付けられた因数の値と、を決定するように構成されている、プロセッサと、
前記プロセッサに結合されたメモリデバイスであって、前記メモリデバイスは、前記高ＲＦ発生器の前記周波数の前記値と、前記高ＲＦ発生器によって供給される前記電力の前記量と、前記シャント回路に関連付けられた前記因数の前記値と、を記憶するように構成されている、メモリデバイスと、
を備える、制御装置システム。
【請求項１３】
請求項１２に記載の制御装置システムであって、
前記プロセッサは、基板処理の間に、前記複数の測定値にアクセスし、前記高ＲＦ発生器の前記周波数の前記値と、前記高ＲＦ発生器によって供給される前記電力の前記量と、前記因数の前記値と、を決定するように構成されている、制御装置システム。
【請求項１４】
請求項１２に記載の制御装置システムであって、
前記プロセッサは、前記変数の前記複数の測定値のサブセット、および、前記高ＲＦ発生器によって供給された前記電力の前記複数の値のサブセットから計算される平均値に基づいて、前記周波数の前記値と、前記高ＲＦ発生器によって供給される前記電力の前記量と、前記因数の前記値と、を決定するように構成されている、制御装置システム。
【請求項１５】
請求項１４に記載の制御装置システムであって、
前記プロセッサは、前記複数の周期の前記１周期について、前記変数の前記複数の測定値の第１の測定値の大きさの２乗と、前記高ＲＦ発生器によって供給された前記電力の前記複数の値の第１の値との積、および、前記変数の前記複数の測定値の第２の測定値の大きさの２乗と、前記高ＲＦ発生器によって供給された前記電力の前記複数の値の第２の値との積の平均値を計算するように構成されている、制御装置システム。
【請求項１６】
請求項１５に記載の制御装置システムであって、
前記プロセッサは、前記複数の周期の別の１周期について、前記変数の前記複数の測定値の第３の測定値の大きさの２乗と、前記高ＲＦ発生器によって供給された前記電力の前記複数の値の第３の値との積、および、前記変数の前記複数の測定値の第４の測定値の大きさの２乗と、前記高ＲＦ発生器によって供給された前記電力の前記複数の値の第４の値との積の別の平均値を計算するように構成されている、制御装置システム。
【請求項１７】
請求項１６に記載の制御装置システムであって、
前記プロセッサは、前記複数の周期の前記１周期についての前記平均値が前記複数の周期の前記別の１周期についての前記別の平均値より小さいことを決定するように構成されている、制御装置システム。
【請求項１８】
請求項１７に記載の制御装置システムであって、
前記プロセッサは、前記平均値が前記複数の周期の前記他の周期についての前記他の平均値より小さい前記複数の周期の前記１周期に基づいて、前記周波数の前記値と、前記高ＲＦ発生器によって供給される前記電力の前記量と、前記因数の前記値と、を決定するように構成されている、制御装置システム。
【請求項１９】
請求項１２に記載の制御装置システムであって、
前記プロセッサは、前記効率性の前記高まりが実現する前記直列回路に関連付けられた因数の値を決定するように構成されている、制御装置システム。
【請求項２０】
請求項１２に記載の制御装置システムであって、
前記高ＲＦ発生器は、ＲＦケーブルを介して前記インピーダンス整合ネットワークに接続され、
前記プロセッサは、基板処理の間に、
前記高ＲＦ発生器の前記出力で測定された前記変数の別の複数の測定値にアクセスするように構成され、前記変数の前記別の複数の測定値は、前記低ＲＦ発生器の別の複数の動作周期の間に測定され、前記変数の前記別の複数の複数の測定値は、前記ＲＦケーブルが変更された後に測定され、前記変数の前記別の複数の測定値は、前記高ＲＦ発生器によって供給された前記電力の別の複数の値に関連付けられ、
前記別の複数の周期の１周期について、前記高ＲＦ発生器によって供給された前記電力において前記効率性が高まる、前記高ＲＦ発生器の前記周波数の別の値と、前記高ＲＦ発生器によって供給される前記電力の別の量と、前記シャント回路に関連付けられた前記因数の別の値と、を決定するように構成されている、制御装置システム。
【請求項２１】
請求項１２に記載の制御装置システムであって、
前記プロセッサは、プラズマチャンバ内での基板処理の間に、前記高ＲＦ発生器の前記周波数の前記値と、前記電力の前記量と、前記シャント回路に関連付けられた前記因数の前記値と、を適用する、制御装置システム。
【請求項２２】
請求項１２に記載の制御装置システムであって、
前記変数は電圧反射係数であり、前記パラメータは電力反射係数であり、前記因数は静電容量である、制御装置システム。
【請求項２３】
無線周波数（ＲＦ）発生器のパッシブ制御のための制御装置システムであって、
プロセッサであって、
パラメータを生成するために高ＲＦ発生器の出力で測定された変数の複数の測定値にアクセスするように構成され、前記変数は、低ＲＦ発生器の複数の動作周期の間に測定され、前記複数の測定値は、高ＲＦ発生器によって供給された電力の複数の値に関連付けられ、
前記パラメータに基づいて、前記高ＲＦ発生器によって供給された電力において効率性が高まる、前記高ＲＦ発生器の周波数の値と、インピーダンス整合ネットワークの回路に関連付けられた因数の値と、を決定するように構成されている、プロセッサと、
前記プロセッサに結合され、前記高ＲＦ発生器の前記周波数の前記値および前記因数の前記値を記憶するように構成されたメモリデバイスと、
を備える、制御装置システム。
【請求項２４】
請求項２３に記載の制御装置システムであって、
前記回路は、直列回路であり、
前記低ＲＦ発生器は、キロヘルツ信号を生成するように構成され、前記高ＲＦ発生器は、メガヘルツ信号を生成するように構成され、
前記変数は電圧反射係数であり、前記パラメータは電力反射係数であり、
前記因数は、前記回路のコンデンサの静電容量である、制御装置システム。
【請求項２５】
請求項２３に記載の制御装置システムであって、
前記プロセッサは、基板が処理されていないトレーニングルーチンの間に、前記複数の測定値にアクセスし、前記高ＲＦ発生器の前記周波数の前記値および前記因数の前記値を決定するように構成され、
前記プロセッサは、さらに、前記基板が処理される処理動作の間に、
前記高ＲＦ発生器を制御して前記周波数の前記値を得て、
前記回路を制御して前記因数を得るように構成されている、制御装置システム。
【請求項２６】
請求項２３に記載の制御装置システムであって、
前記プロセッサは、複数の平均値に基づいて前記周波数の前記値および前記因数の前記値を決定するように構成され、
前記プロセッサは、前記複数の周期の対応する１周期の間に受信した前記変数の前記複数の測定値の対応するサブセット、および、前記複数の周期の前記対応する１周期の間に前記高ＲＦ発生器によって供給された前記電力の前記複数の値のサブセットから、前記複数の平均値の各々を計算するように構成されている、制御装置システム。
【請求項２７】
請求項２３に記載の制御装置システムであって、
前記プロセッサは、前記複数の周期の１周期について、前記変数の前記複数の測定値の第１の測定値の大きさの２乗と、前記高ＲＦ発生器によって供給された前記電力の前記複数の値の第１の値との積、および、前記変数の前記複数の測定値の第２の測定値の大きさの２乗と、前記高ＲＦ発生器によって供給された前記電力の前記複数の値の第２の値との積の平均値を計算するように構成され、
前記複数の周期の前記１周期の間に、前記高ＲＦ発生器は前記周波数の前記値で動作し、前記回路は前記因数で動作する、制御装置システム。
【請求項２８】
請求項２７に記載の制御装置システムであって、
前記プロセッサは、前記複数の周期の別の１周期について、前記変数の前記複数の測定値の第３の測定値の大きさの２乗と、前記高ＲＦ発生器によって供給された前記電力の前記複数の値の第３の値との積、および、前記変数の前記複数の測定値の第４の測定値の大きさの２乗と、前記高ＲＦ発生器によって供給された前記電力の前記複数の値の第４の値との積の別の平均値を計算するように構成され、
前記複数の周期の前記別の１周期の間に、前記高ＲＦ発生器は前記周波数の別の値で動作し、前記回路は別の因数で動作する、制御装置システム。