Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月6日(2004.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極、陰極、前記陽極及び前記陰極の間のＥＬ層並びに前記陽極に接した反射電極を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
反射電極の上の陽極、該陽極の上のＥＬ層及び該ＥＬ層の上の陰極を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記陽極及び前記陰極は可視光に対して透明であることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
陽極、陰極、前記陽極及び前記陰極の間のＥＬ層、前記陽極に接した反射電極並びに前記陰極に接した補助電極を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
反射電極の上の陽極、該陽極の上のＥＬ層、該ＥＬ層の上の陰極及び該陰極の上の補助電極を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５において、前記陽極、前記陰極及び前記補助電極は可視光に対して透明であることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項４乃至請求項６のいずれか一において、前記補助電極は酸化物導電膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項７において、前記補助電極の膜厚は１０ｎｍから２００ｎｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、前記反射電極は画素電極であることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、前記反射電極には薄膜トランジスタが電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
金属膜または導電膜の上の陽極、該陽極の上のＥＬ層及び該ＥＬ層の上の陰極を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１１において、前記陽極及び前記陰極は可視光に対して透明であることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
金属膜または導電膜の上の陽極、該陽極の上のＥＬ層、該ＥＬ層の上の陰極及び該陰極の上の補助電極を含むことを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
請求項１３において、前記陽極、前記陰極及び前記補助電極は可視光に対して透明であることを特徴とする発光装置。
【請求項１５】
請求項１３または請求項１４において、前記補助電極は酸化物導電膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項１６】
請求項１５において、前記補助電極の膜厚は１０ｎｍから２００ｎｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項１７】
請求項１１乃至請求項１６のいずれか一において、前記金属膜はアルミニウムを含む膜または銀薄膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項１８】
請求項１７において、前記アルミニウムを含む膜はスカンジウムまたはチタンが含まれたアルミニウム膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項１９】
請求項１１乃至請求項１８のいずれか一において、前記導電膜はアルミニウムメッキまたは銀メッキを施した膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項２０】
請求項１１乃至請求項１９のいずれか一において、前記金属膜または導電膜には薄膜トランジスタが電気的に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２１】
請求項１乃至請求項２０のいずれか一において、前記陽極は酸化物導電膜であり、前記陰極は可視光に対して透明な金属膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項２２】
請求項２１において、前記陽極の膜厚は１０ｎｍから２００ｎｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項２３】
請求項２１において、前記陰極の膜厚は１０ｎｍから７０ｎｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項２４】
請求項１乃至請求項２３のいずれか一に記載の発光装置を表示部もしくは光源として有することを特徴とする電気器具。
【請求項２５】
反射電極を形成し、該反射電極の上に陽極を形成し、該陽極の上にＥＬ層を形成し、該ＥＬ層の上に陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項２５において、前記陽極を可視光に対して透明な酸化物導電膜で形成し、前記陰極を可視光に対して透明な金属膜で形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２７】
反射電極を形成し、該反射電極の上に陽極を形成し、該陽極の上にＥＬ層を形成し、該ＥＬ層の上に陰極を形成し、該陰極の上に補助電極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２８】
請求項２７において、前記陽極及び前記補助電極を可視光に対して透明な酸化物導電膜で形成し、前記陰極を可視光に対して透明な金属膜で形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２９】
請求項２５乃至請求項２８のいずれか一において、前記反射電極を薄膜トランジスタに電気的に接続させて形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月14日(2005.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、突出電極４をリード電極２に接合する場合、例えば、半田接合や合金接合などの金属接合を用いるようにしてもよく、ＡＣＦ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）接合、ＮＣＦ（Ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ）接合、ＡＣＰ（Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）接合、ＮＣＰ（Ｎｏｎｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐａｓｔｅ）接合などの圧接接合を用いるようにしてもよい。また、上述した実施形態では、リード電極２および突出電極４をストレート配列する方法について説明したが、例えば、リード電極２および突出電極４を千鳥状配列または放射状配列するようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月24日(2004.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また、キャリア基板２１の裏面に設けられたランド２２ａ上には、キャリア基板２１が半導体チップ１３上に保持されるようにして、キャリア基板２１をキャリア基板１１上に実装するための突出電極２６が設けられている。ここで、突出電極２６は、半導体チップ１３の搭載領域を避けるようにして配置され、例えば、キャリア基板２１の裏面の周囲に突出電極２６を配置することができる。そして、キャリア基板１１上に設けられたランド１２ｃに突出電極２６を接合させることにより、キャリア基板２１が半導体チップ１３上に配置されるようにして、キャリア基板２１がキャリア基板１１上に実装されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
また、キャリア基板１１、２１としては、例えば、両面基板、多層配線基板、ビルドアップ基板、テープ基板またはフィルム基板などを用いることができ、キャリア基板１１、２１の材質としては、例えば、ポリイミド樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ＢＴレジン、アラミドとエポキシのコンポジットまたはセラミックなどを用いることができる。また、突出電極１４、１６、２６としては、半田ボールの他、例えば、Ａｕバンプ、半田材などで被覆されたＣｕバンプやＮｉバンプなどを用いることができる。また、導電性ワイヤ２５ｂ、２５ｄとしては、例えば、ＡｕワイヤやＡｌワイヤなどを用いることができる。また、キャリア基板２１をキャリア基板１１上に実装するために、突出電極２６をキャリア基板２１のランド２２ａ上に設ける方法について説明したが、突出電極２６をキャリア基板１１のランド１２ｃ上に設けるようにしてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
一方、半導体パッケージＰＫ２２、ＰＫ２３には半導体チップ８１、９１がそれぞれ設けられ、各半導体チップ８１、９１には、電極パッド８２、９２がそれぞれ設けられるとともに、各電極パッド８２、９２がそれぞれ露出するようにして、絶縁膜８３、９３がそれぞれ設けられている。そして、各半導体チップ８１、９１上には、各電極パッド８２、９２がそれぞれ露出するようにして応力緩和層８４、９４がそれぞれ形成され、各電極パッド８２、９２上には、応力緩和層８４、９５上にそれぞれ延伸された再配置配線８５、９５がそれぞれ形成されている。そして、各再配置配線８５、９５上にはソルダレジスト膜８６、９６がそれぞれ形成され、各ソルダレジスト膜８６、９６には、各応力緩和層８４、９５上において再配置配線８５、９５をそれぞれ露出させる開口部８７、９７がそれぞれ形成されている。そして、各開口部８７、９７を介してそれぞれ露出された再配置配線８５、９５上には、半導体チップ８１、９１の端部が半導体チップ７３上にそれぞれ保持されるようにして、各半導体チップ８１、９１をキャリア基板７１上にそれぞれフェースダウン実装するための突出電極８８、９８がそれぞれ設けられている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
また、上述した実施形態では、半導体パッケージＰＫ２２、ＰＫ２３としてウエハレベル−チップサイズパッケージを例にとって説明したが、ウエハレベル−チップサイズパッケージ以外にも、例えば、Ｔ−ＣＳＰ（テープレベル−チップサイズパッケージ）などのその他のチップサイズパッケージまたはＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）などでもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月28日(2005.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
天面にトッププレートを有し、内部に複数の加熱部、該加熱部の出力等をそれぞれ制御する制御部等が設けられ、外部に前記制御部を個別に制御する複数のメニュースイッチ等を有する操作部が設けられて、流し台等に載置又は組込まれる加熱調理器において、
前記制御部の少なくとも１つに、調理物の加熱調理後に保温に移行する保温モード回路を設け、前記操作部に前記保温モード回路を制御するスイッチを設けると共に、前記複数のメニュースイッチを同時に操作しうるようにしたことを特徴とする加熱調理器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたもので、１台の加熱調理器に複数の加熱部を有し、少なくともその１つに調理物の加熱調理後自動的に所定温度に保温される保温モード回路を設けることにより、炊飯と煮物その他の調理を同時に行うことができ、かつ保温性を向上することのできる加熱調理器を提供することを目的としたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る加熱調理器は、天面にトッププレートを有し、内部に複数の加熱部、該加熱部の出力等をそれぞれ制御する制御部等が設けられ、外部に前記制御部を個別に制御する複数のメニュースイッチ等を有する操作部が設けられて、流し台等に載置又は組込まれる加熱調理器において、前記制御部の少なくとも１つに、調理物の加熱調理後に保温に移行する保温モード回路を設け、前記操作部に前記保温モード回路を制御するスイッチを設けると共に、前記複数のメニュースイッチを同時に操作しうるようにしたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
２５ａは炊飯器３０の加熱部２０ａの制御回路やタイマー回路２６（図８参照）等が設けられた制御部、２５ｂ，２５ｃは調理鍋６０ａ，６０ｂの加熱部２０ｂ，２０ｃの制御回路やタイマー回路２６等が設けられた制御部で、炊飯用の制御部２５ａには、米又はその他の調理物を加熱調理したのち所定の温度状態に保つ保温モード回路である保温付き炊飯モード回路及び必要に応じて保温付き煮物モード回路が設けられている。なお、図には各加熱部２０ａ〜２０ｃごとにそれぞれ制御部２５ａ〜２５ｃを設けた場合を示したが、１枚のプリント基板に、炊飯用、煮物用及び調理用の各制御回路等をそれぞれ設けた１台の制御部で構成してもよい。２８は加熱部２０ａ〜２０ｃ、制御部２５ａ〜２５ｃ等を冷却する冷却用の送風機で、吸気口１３ａ，１３ｂから外気を吸引し、本体ケース２の外壁に設けた排気口（図示せず）から排出する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月22日(2005.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置およびそれに用いられる支持体の製造方法、並びにその半導体装置を用いた光学装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、その半導体素子を配置する凹部を有する支持体と、前記半導体素子に接続するリード電極と、を備えた半導体装置であって、
前記支持体は、前記凹部の外側に、第一の主面と、その第一の主面の外側に、第二の主面と、を少なくとも有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記支持体は、前記第一の主面と前記第二の主面との間に、段差を有する請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記支持体は、前記第一の主面と前記第二の主面との間に、切り欠きを有する請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第二の主面は、前記第一の主面に対して傾斜している請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記支持体は、前記第一の主面の外側に、凹形状または凸形状により設けられた他の主面を有する請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第二の主面は、凹形状または凸形状を有する請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記凸形状は、内部が空洞の外周壁を成している請求項５または６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記凹形状は、溝を成している請求項５または６に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記リード電極の端部は、前記凹部の底部にて露出されている請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体素子は、ｎ側電極を有する窒化物半導体からなるｎ型コンタクト層とｐ側電極を有する窒化物半導体からなるｐ型コンタクト層を少なくとも有する半導体積層構造を備え、
前記ｎ型コンタクト層は、電極形成面側からみて、ｐ側電極を有する半導体積層構造が設けられた第１の領域と、複数の凸部を有する第２の領域からなり、
前記凸部の頂部は、前記半導体素子断面において、活性層よりもｐ型コンタクト層側に位置する発光素子である請求項１から９のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体素子は、ＡｌとＹ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｅｕ、Ｇａ、Ｉｎ及びＳｍから選択された少なくとも一つの元素とを含み、かつ希土類元素から選択された少なくとも一つの元素で付活された蛍光物質、および／又は、
Ｎを含み、かつＢｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、及びＺｎから選択された少なくとも一つの元素と、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、及びＨｆから選択された少なくとも一つの元素とを含み、希土類元素から選択された少なくとも一つの元素で付活された蛍光物質を備える１から１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体素子は、支持基板を介して前記凹部に配置される請求項１から１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記半導体素子は、前記凹部の底部にて露出されたリード電極に配置される１から１１のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記リード電極は、前記支持体の側面から突出されており、その突出されたリード電極は、前記第一の主面に垂直、且つ、前記側面と異なる側面の方向に折り曲げられている請求項１から１３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記リード電極は、前記支持体の側面から突出されており、その突出されたリード電極は、前記第一の主面の反対側となる支持体の背面方向に折り曲げられている請求項１から１３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記第一の主面は、前記半導体素子を被覆する封止部材が充填された凹部の外側に設けられている請求項１から１５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか一項に記載された半導体装置と、
その半導体装置の主面と嵌合する光入出部を有し、前記半導体装置からの光あるいは前記半導体装置への光を導光する透光性部材と、
を備えていることを特徴とする光学装置。
【請求項１８】
リード電極を成型用型に配置する第一の工程と、
前記成型用型に成型材料を供給し、前記リード電極を被覆する第二の工程と、
前記成型材料に熱を加え、さらに冷却させることにより、支持体を形成する第三の工程と、
前記支持体の主面に、突き出し部材を圧し当てることにより、前記成型用型から前記支持体を取り出す第四の工程と、を含むことを特徴とする支持体の製造方法。
【請求項１９】
前記リード電極を前記成型用型に配置する前に、複数のリード電極を有するリードフレームを形成する工程を更に含む請求項１８に記載の支持体の製造方法。
【請求項２０】
前記第一の工程は、第一の主面と第二の主面とが前記支持体に形成されるような成型用型を配置する工程を含み、
前記第四の工程は、少なくとも前記第二の主面に、凹形状または凸形状を形成させる工程を含む請求項１８または１９に記載の支持体の製造方法。
【請求項２１】
前記第一の工程は、前記リード電極の端部が前記支持体の側面から突出するように前記リード電極を配置する工程を含み、
その突出されたリード電極を、前記支持体の主面に垂直、且つ、前記側面と異なる側面の方向に折り曲げる第五の工程を更に含む請求項１８から２０のいずれか一項に記載の支持体の製造方法。
【請求項２２】
前記第一の工程は、前記リード電極の端部が前記支持体の側面から突出するように前記リード電極を配置する工程を含み、
その突出されたリード電極を、前記第一の主面の反対側となる支持体の背面方向に折り曲げる第五の工程を更に含む請求項１８から２０のいずれか一項に記載の支持体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月2日(2004.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジストパターンをマスクとして導電層をエッチングすることにより形成された配線パターンを有する半導体装置であって、
層間絶縁層に形成されたコンタクト部と、
前記層間絶縁層上に形成され、前記コンタクト部に対して所定間隔より短い間隔で配置された第１配線と、
前記コンタクト部との接続領域を有する第２配線と、を含み、
前記第２配線は、前記コンタクト部との接続領域において、非配線領域に延びるエクステンション部を有し、
前記エクステンション部は、前記接続領域において、前記第１配線に面した辺以外の少なくとも一部に配置された、半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記所定間隔より短い間隔は、配線パターンにおける配線相互の最小間隔である、半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記接続領域は、その平面形状が前記コンタクト部とほぼ同一の径を有する正方形あるいは前記コンタクト部より大きい径を有する正方形である、半導体装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記エクステンション部は、その幅が前記配線の幅と同じである、半導体装置。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記エクステンション部は、その突出長さが前記配線の幅と同じである、半導体装置。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれかにおいて、
前記エクステンション部は、その平面形状が正方形である、半導体装置。
【請求項７】
レジストパターンをマスクとして導電層をエッチングすることにより形成された配線パターンを有する半導体装置であって、
層間絶縁層に形成されたコンタクト部と、
前記層間絶縁層上に形成され、前記コンタクト部に対して最小配線間隔で配置された第１配線と、
前記コンタクト部との接続領域を有し、前記第１配線と平行に延びる第２配線と、を含み、
前記第２配線の前記接続領域は、ほぼ正方形の平面形状を有し、
前記第２配線は、前記接続領域において、非配線領域に延びるエクステンション部を有し、かつ、
前記エクステンション部は、前記接続領域において、前記第１配線に面した辺以外の辺に配置された、半導体装置。
【請求項８】
レジストパターンをマスクとして導電層をエッチングすることにより形成された配線パターンを有する半導体装置であって、
層間絶縁層に形成されたコンタクト部と、
前記層間絶縁層上に形成され、前記コンタクト部に対して最小配線間隔で配置された第１配線と、
前記コンタクト部との接続領域を有し、前記第１配線と垂直方向に延びる第２配線と、を含み、
前記第２配線の前記接続領域は、ほぼ正方形の平面形状を有し、
前記第２配線は、前記接続領域において、非配線領域に延びるエクステンション部を有し、かつ、
前記エクステンション部は、前記接続領域において、前記第１配線に面した辺以外の辺に配置された、半導体装置。
【請求項９】
レジストパターンをマスクとして導電層をエッチングすることにより形成された配線パターンを有する半導体装置であって、
層間絶縁層に形成されたコンタクト部と、
前記層間絶縁層上に形成され、前記コンタクト部に対して最小配線間隔で配置された第１配線と、
前記コンタクト部との接続領域を有し、前記第１配線と平行に延びる部分と前記第１配線と垂直方向に延びる部分とを有する第２配線と、を含み、
前記第２配線の前記接続領域は、ほぼ正方形の平面形状を有し、
前記第２配線は、前記接続領域において、非配線領域に延びるエクステンション部を有し、かつ、
前記エクステンション部は、前記接続領域において、前記第１配線に面した辺以外の辺に配置された、半導体装置。
【請求項１０】
レジストパターンをマスクとして導電層をエッチングすることにより形成された配線パターンを有する半導体装置であって、
層間絶縁層に形成されたコンタクト部と、
前記層間絶縁層上に形成され、前記コンタクト部に対して最小配線間隔で配置された第１配線と、
前記コンタクト部との接続領域のみを有する第２配線と、を含み、
前記第２配線の前記接続領域は、ほぼ正方形の平面形状を有し、
前記第２配線は、前記接続領域において、非配線領域に延びるエクステンション部を有し、かつ、
前記エクステンション部は、前記接続領域において、前記第１配線に面した辺以外の辺に配置された、半導体装置。
【請求項１１】
レジストパターンをマスクとして導電層をエッチングすることにより形成された配線パターンを有する半導体装置であって、
層間絶縁層に形成されたコンタクト部と、
前記層間絶縁層上に形成され、前記コンタクト部に対して最小配線間隔で配置された複数の第１配線と、
少なくとも前記コンタクト部との接続領域を有する第２配線と、を含み、
前記第２配線の前記接続領域は、ほぼ正方形の平面形状を有し、
前記第２配線は、前記接続領域において、非配線領域に延びるエクステンション部を有し、かつ、
前記エクステンション部は、前記接続領域において、複数の前記第１配線に面した辺以外の辺に配置された、半導体装置。
【請求項１２】
レジストパターンをマスクとして導電層をエッチングすることにより形成された配線パターンを有する半導体装置であって、
層間絶縁層に形成されたコンタクト部と、
前記コンタクト部との接続領域を有する配線と、を含み、
前記配線の前記接続領域は、ほぼ正方形の平面形状を有し、
前記配線は、前記接続領域において、非配線領域に延びるエクステンション部を有する、半導体装置。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記配線はライン状をなし、前記接続領域の３辺においてエクステンション部を有する、半導体装置。
【請求項１４】
請求項１２において、
前記配線は前記接続領域からなり、該接続領域の４辺においてエクステンション部を有する、半導体装置。
【請求項１５】
レジストパターンをマスクとして導電層をエッチングすることにより形成された配線パターンを有する半導体装置であって、
層間絶縁層に形成されたコンタクト部と、
前記層間絶縁層上に形成され、前記コンタクト部に対して所定間隔より短い間隔で配置された第１配線と、
前記コンタクト部との接続領域を有する第２配線と、を含み、
前記第２配線は、前記コンタクト部との接続領域において、非配線領域に延びるエクステンション部を有し、
前記エクステンション部は、前記接続領域において、前記第１配線に面した辺以外の少なくとも一部に配置され、
前記エクステンション部の最大値は前記第２配線の幅と同じである、半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月24日(2005.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】【発明の属する技術分野】本発明は、テレビジョンカメラ、特に、部分読み出し方法を用いたスキャンであるパーシャルスキャン（登録商標）を行うテレビジョンカメラの改良に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】【従来の技術】従来の、パーシャルスキャン（登録商標）ではない、通常スキャンを行うテレビジョンカメラについて説明する。図６は、テレビジョンカメラの一般的な動作を説明するための信号タイミングの一例を表す波形図である。この図に関わる通常スキャンを行うテレビジョンカメラおいて、ＣＣＤ（固体撮像素子）を駆動するために、垂直同期信号（以下ＶＤ信号と称す）からＣＣＤ駆動用のＸＳＧパルス信号とＶＳＵＢパルス信号が作られる。このＶＳＵＢパルス信号の終わった後からその次のＸＳＧパルス信号が始まるまでの期間が、光電変換された電荷の蓄積期間となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】次に、従来からあるパーシャルスキャン（登録商標）を行うテレビジョンカメラについて説明する。図４と図５は、パーシャルスキャン（登録商標）方式によるテレビジョンカメラの動作の２つの例をそれぞれ説明するための信号タイミング波形図である。これらの図において、ＶＤ１信号は、部分読み出し方法を用いる場合の垂直同期信号である。このＶＤ１信号の周期（垂直走査周期）は、通常駆動方法の場合の上述したＶＤ信号の垂直走査周期よりも短い。例えば、図６に示す通常の駆動方法の場合のＶＤ信号の周期が１０４４Ｈ（Ｈは水平同期信号の周期を表す）でかつ映像信号出力期間が１０３４Ｈである場合に対して、図４では、それよりも短い周期でもって、４７０Ｈ分の画素に相当する映像信号出力期間による部分読み出しを行うものである。さらに、ＶＤ１信号の周期については、４９２Ｈとする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】本発明の目的は、パーシャルスキャン（登録商標）方式による撮像時の画質を改善することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、パーシャルスキャン（登録商標）時の撮像される画像の画質を大幅に向上することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】【図１】本発明に関わる撮像光の光軸方向から見たレンズと撮像素子との配置関係の一例を示す図。【図２】本発明に関わるテレビジョンカメラの一実施例のブロック図。【図３】従来の技術における撮像光の光軸方向から見たレンズと撮像素子との配置関係の例を示す図。【図４】パーシャルスキャン（登録商標）方式によるテレビジョンカメラの動作の一例を説明するための信号タイミング波形図。【図５】パーシャルスキャン（登録商標）方式によるテレビジョンカメラの動作の別の一例を説明するための信号タイミング波形図。【図６】テレビジョンカメラの一般的な動作を説明するための信号タイミングの一例を表す波形図。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月6日(2005.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
パレット５は、プローバフレーム３との間を接続手段４を介して電気的に接続するために、接続手段４と電気的に接続するパレット側コネクタ５ａを備え、また、ステージ６との間を電気的に接続するためにパレット側コネクタ５ｂを備える。パレット側コネクタ５ａとパレット側コネクタ５ｂとの間は、パレット５内に設けた配線で接続される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
ステージ６は、パレット５との間を電気的に接続するために、パレット側コネクタ５ｂと電気的に接続するステージ側コネクタ６ａを備える。ステージ側コネクタ６ａと電源装置や検査装置との間は、コネクタや配線（共に図示していない）を介して接続することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2004363442.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2004363442.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月12日(2005.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  周辺回路において少なくとも１つのＭＯＳトランジスタを含む不揮発性半導体記憶装置であって、
半導体基板と、
前記半導体基板に形成された素子分離溝に埋め込まれ、複数の素子形成領域を画成する素子分離絶縁膜と、
前記各素子形成領域に第１のゲート絶縁膜を介して設けられた浮遊ゲートと、
前記浮遊ゲート上に第２のゲート絶縁膜を介して設けられた制御ゲートと、
前記制御ゲートと自己整合されて前記半導体基板に設けられたソース・ドレイン領域とを具備し、
前記浮遊ゲートがチャネル幅方向の素子分離端で自己整合的に設けられ、複数層の多結晶シリコン膜からなる不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】  周辺回路において少なくとも１つのＭＯＳトランジスタを含む不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、
半導体基板にメモリセル用の第１のウエルおよび前記ＭＯＳトランジスタ用の第２のウエルを形成する工程と、
前記第１および第２のウエルを含む基板表面上にそれぞれトンネル絶縁膜およびゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記基板表面上に第１の多結晶シリコン膜を堆積する工程と、
前記第１のウエルをレジストマスクで覆い、前記第２のウエルにイオン注入を行いチャネル領域を形成する工程と、
前記レジストマスクを前記第１のウエルから除去した後、前記第１の多結晶シリコン膜上に第２の多結晶シリコン膜を堆積する工程と、
前記第２の多結晶シリコン膜上にシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜上に素子分離領域が開口されたレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンを用いて、前記シリコン窒化膜から前記第１および第２のウエルまで順次選択的に除去して前記第１および第２のウエルにそれぞれ素子分離溝を形成する工程と、
前記レジストパターンを除去した後、前記素子分離溝に酸化膜を埋め込む工程と、
前記基板表面を平坦化した後、前記シリコン窒化膜を除去する工程と、
前記基板表面上にＯＮＯ積層膜を形成する工程と、
前記第１のウエル上にレジストマスクを形成して、前記第２のウエルから前記ＯＮＯ積層膜を選択的に除去する工程と、
前記基板表面上に少なくとも導電膜を堆積する工程と、
前記導電膜、前記ＯＮＯ積層膜、前記第２の多結晶シリコン膜および前記第１の多結晶シリコン膜を順次選択的に除去して前記第１のウエル上の前記トンネル絶縁膜および前記第２のウエル上の前記ゲート酸化膜を露出する工程と、
前記第１および第２のウエルにそれぞれ不純物を導入してソース・ドレイン領域を形成する工程とを具備する不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項３】  前記第１および第２のウエルにそれぞれ素子分離溝を形成する工程により前記メモリセルの浮遊ゲートと前記ＭＯＳトランジスタのゲートとがチャネル幅方向の素子分離端で自己整合的に形成される請求項２記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項４】  前記トンネル絶縁膜をＮＨ３雰囲気中で熱処理して前記トンネル絶縁膜中に窒素を導入する請求項２記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項５】  酸化性雰囲気でアニールして酸化膜中に窒素を含有したオキシナイトライド化されたトンネル絶縁膜を形成する請求項２記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月20日(2005.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
請求項７ないし１０のいずれかに記載のプログラムが記録された前記情報処理装置読み
取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】  図２はゾーンマネージャからコーディネータへフィルタリングの依頼をする手順である（請求項１２、１３）。まず、ステップ２０１において、市販ＩＤＳ(Intrusion Detection System:侵入検知システム)を用いて受信トラヒックを監視する。ステップ２０２でＤｏＳ攻撃は発生しているか否か判断する。この判断の結果として、発生していない場合にはステップ２０２からステップ２０１へ戻る。つまり、ＤｏＳ攻撃発生の判断を繰り返す。ＤｏＳ攻撃が発生する場合、ステップ２０３に進み、発信源アドレスと、宛先アドレスと、プロトコル種類を含めた攻撃パケット情報を抽出する。ステップ２０４では、この攻撃パケットの情報を含めたフィルタリング依頼をコーディネータ１２２へ送信する。ステップ２０５でコーディネータ１２２からの返事を受けるとこの依頼手順を終了する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月20日(2005.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
図４は本発明によって生成される経路通知パケット内容の一例である。本発明の技術を適用したルータ４０１は受信者４０２に向かって経路通知パケットを発信する。ルータ４０３と４０４は本発明の技術を適用したものではない通常のルータである。ＲＲオプションはＩＰプロトコルの標準機能であるため、この経路通知パケットを処理する全ての通常ルータは、オプション・フィールドのリストに自分のＩＰアドレスを追加する。ルータ４０１から４０３に発信されたパケット４０５は、ソースアドレスがルータ４０１であり、ＩＰオプション・フィールドにＩＰアドレスが記録されない状態である。ルータ４０３からルータ４０４まで転送されたパケット４０６は、ＩＰオプション・フィールドにルータ４０３のアドレスが記録される。ルータ４０４から受信ルータまで転送されたパケット４０７は、ＩＰオプション・フィールドにルータ４０３および４０４のアドレスが記録される。受信者はこの経路通知パケット受け取ったとき、経路であるルータ４０１、４０３と４０４のＩＰアドレスを取得できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2004363913.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月1日(2004.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
特許文献２に記載のフィードフォーワード制御は、図示しない固体レーザ発振器を出力が安定する定常状態でアライメントしておき、加工時において熱レンズ効果がまだ発生しないか、効果がまだ小さく出力が不足するのを補償するために、初期出力時の出力が定常時よりも不足する範囲でその不足する割合に応じて、励起電流を図９（ａ）で示すように定常時よりも大きく設定している。これにより、図９（ｂ）に示すように固体レーザ発振器からの各回のショット出力は、初期出力時から定常状態になる。
【特許文献１】特開平０５−１６９２８４号公報
【特許文献２】特開平１１−２８４２８４号公報
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月27日(2004.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ複数の半導体素子が形成される複数のチップを有する半導体ウエハーに対して、外観上の欠陥を有するチップの検出を行う工程と、
この検出工程の結果に基づき、欠陥が無いチップに対して第1の電気的特性検査を行い、欠陥を有するチップに対して前記第１の電気的特性検査より精度が高い第２の電気的特性検査を行う工程と
を備えたことを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項２】
それぞれ複数の半導体素子が形成される複数のチップを有する半導体ウエハーに対して、外観上の欠陥を有するチップの検出を行う工程と、
この検出工程の結果に基づき、欠陥が無いチップに対して当該チップの所定の割合の半導体素子について電気的特性検査を行い、欠陥を有するチップに対して当該チップの全半導体素子について電気的特性検査を行う工程と
を備えたことを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項３】
それぞれ複数の半導体素子が形成される複数のチップを有する半導体ウエハーに対して、外観上の欠陥を有するチップの検出を行う工程と、
この検出工程の結果に基づき、欠陥が無いチップに対して所定のパターン数の電気的特性検査を行い、欠陥を有するチップに対して前記所定のパターン数より多いパターン数の電気的特性検査を行う工程と
を備えたことを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項４】
それぞれ複数の半導体素子が形成される複数のチップを有する半導体ウエハーに対して、外観上の欠陥を有するチップの検出を行う検出部と、
この検出部による検査結果に基づき、欠陥が無いチップに対して第１の電気的特性検査を行い、欠陥を有するチップに対して前記第１の電気的特性検査より精度が高い第２の電気的特性検査を行う検査部と
を具備したことを特徴とする半導体装置の検査装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の一態様の半導体装置の検査方法は、それぞれ複数の半導体素子が形成される複数のチップを有する半導体ウエハーに対して、外観上の欠陥を有するチップの検出を行う工程と、この検出工程の結果に基づき、欠陥が無いチップに対して第1の電気的特性検査を行い、欠陥を有するチップに対して前記第１の電気的特性検査より精度が高い第２の電気的特性検査を行う工程とを備えたことを特徴とするものである。
本発明の一態様の半導体装置の検査方法は、それぞれ複数の半導体素子が形成される複数のチップを有する半導体ウエハーに対して、外観上の欠陥を有するチップの検出を行う工程と、この検出工程の結果に基づき、欠陥が無いチップに対して当該チップの所定の割合の半導体素子について電気的特性検査を行い、欠陥を有するチップに対して当該チップの全半導体素子について電気的特性検査を行う工程とを備えたことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の一態様の半導体装置の検査方法は、それぞれ複数の半導体素子が形成される複数のチップを有する半導体ウエハーに対して、外観上の欠陥を有するチップの検出を行う工程と、この検出工程の結果に基づき、欠陥が無いチップに対して所定のパターン数の電気的特性検査を行い、欠陥を有するチップに対して前記所定のパターン数より多いパターン数の電気的特性検査を行う工程とを備えたことを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一態様の半導体装置の検査装置は、それぞれ複数の半導体素子が形成される複数のチップを有する半導体ウエハーに対して、外観上の欠陥を有するチップの検出を行う検出部と、この検出部による検査結果に基づき、欠陥が無いチップに対して第１の電気的特性検査を行い、欠陥を有するチップに対して前記第１の電気的特性検査より精度が高い第２の電気的特性検査を行う検査部とを具備したことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月24日(2005.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】温度制御装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象装置の温度を制御するための温度制御装置であって、
その内部に前記対象装置を設置可能な恒温チャンバと、
一定温度に制御された空気を生成する送風源と、
前記送風源から前記恒温チャンバ内部に対して、前記送風源で生成された一定温度の空気を送風する第１送風手段と、
前記恒温チャンバ内で前記対象装置を支持する支柱と、
前記支柱で対象装置を支持することによって前記対象装置が設置される前記恒温チャンバの床面と前記対象装置との間に形成される間隙空間に対して、前記第１送風手段とは別に、前記送風源から、前記送風源で生成された一定温度の空気を送風する第２送風手段を有することを特徴とする温度制御装置。
【請求項２】
請求項１記載の温度制御装置であって、
前記支柱で対象装置を支持することによって形成される前記間隙空間の周囲を覆う断熱材を備え、該断熱材で覆われた間隙空間に、前記第２送風手段で、一定温度に制御された空気を送風すると共に、
更に、前記断熱材で覆われた間隙空間の空気を排気する排気手段を設けたことを特徴とする温度制御装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の温度制御装置であって、
前記第１送風手段は、前記一定温度の空気を前記恒温チャンバ内部に対して送風すると共に、恒温チャンバ内において、前記一定温度の空気を前記対象装置上方から前記対象装置に対して送風することを特徴とする温度制御装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】 
【課題を解決するための手段】
かかる課題を達成するために、請求項１に記載の発明は、対象装置の温度を制御するための温度制御装置において、その内部に前記対象装置を設置可能な恒温チャンバと、一定温度に制御された空気を生成する送風源と、前記送風源から前記恒温チャンバ内部に対して、前記送風源で生成された一定温度の空気を送風する第１送風手段と、前記恒温チャンバ内で前記対象装置を支持する支柱と、前記支柱で対象装置を支持することによって前記対象装置が設置される前記恒温チャンバの床面と前記対象装置との間に形成される間隙空間に対して、前記第１送風手段とは別に、前記送風源から、前記送風源で生成された一定温度の空気を送風する第２送風手段を設ける。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２に記載の発明は、請求項１記載の温度制御装置において、前記支柱で対象装置を支持することによって形成される前記間隙空間の周囲を覆う断熱材を備え、該断熱材で覆われた間隙空間に、前記第２送風手段で、一定温度に制御された空気を送風すると共に、更に、前記断熱材で覆われた間隙空間の空気を排気する排気手段を設ける。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は２記載の温度制御装置の前記第１送風手段が、前記一定温度の空気を前記恒温チャンバ内部に対して送風すると共に、恒温チャンバ内において、前記一定温度の空気を前記対象装置上方から前記対象装置に対して送風するように構成した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【発明の効果】 
以上説明してきたように、請求項１に記載の発明によれば、恒温チャンバ内で対象装置を支柱で支持し、これによって恒温チャンバ床面と対象装置との間に形成される間隙空間に対して、第２送風手段で一定温度の空気を送風する。  この第２送風手段は、送風源から恒温チャンバ内部に対して一定温度の空気を送風する第１送風手段とは別に設けられている。このため、間隙空間の温度は床の温度の影響を受けることが従来より少なくなり、ひいては、対象装置が床の温度変化の影響を受けることを抑えることが可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
請求項２に記載の発明によれば、請求項１の効果に加え、間隙空間の周囲を断熱材で覆い、この間隙空間に一定温度に制御された空気を送風するとともに、この間隙空間とこの周囲の部分とを画成することにより、間隙空間内の温度制御をより高精度に行うことができる、という実用上有利な効果を発揮する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
請求項３に記載の発明においては、前記第１送風手段は、恒温チャンバ内において、前記一定温度の空気を前記対象装置上方から前記対象装置に対して送風するが、請求項１又は２記載の発明の通り、恒温チャンバ内で対象装置を支柱で支持し、これによって恒温チャンバ床面と対象装置との間に形成される間隙空間に対して第２送風手段で一定温度の空気を送風する構成を併せ持つため、対象装置の上部で生じた熱の影響で間隙空間の温度が変化するという不都合は抑制される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月24日(2004.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
後述する説明から明らかになるように、ハウジング４８は静止構体５０に関して軸方向に動いて、室５６が作動室として働き、その結果室５６内に導入された流体は典型的なピストンの作用と非常に似ているようにハウジング４８の内方表面６０に対して作用する。この圧力は、圧力が室５６内に確立されるにつれてハウジング４８を右側に向って付勢し、それから接続リンク４２及びリンク３８を付勢して支点リンク３２をその枢動接続部６２のまわりに回転せしめ、これによりフラップの荷重をバランスせしめる働きをなす。リンク６４及び６６が、それぞれ、枢動接続部６８及び７０を介して支点リンク３２と先細フラップ３４にまた枢動接続部７２及び滑動接続部７４を介して支点リンク３２と末広フラップ３６に接続されている。また、滑動接続部７４が軌道７６内を滑動する。この軌道７６は、末広フラップ３６の後面に一体的に形成されている。明らかであるように、フラップ３４と３６とはヒンジ接続部８０により互いにヒンジ接続され、また先細フラップ３４は枢動接続部８２及び固定支持アーム８４を介して静止構体５０に接続されている。ＰＢＳＲ３０は、先細フラップ及び末広フラップからリンケージ及び支点を介して伝達される荷重に反作用し、これにより生じた荷重をバランスせしめる。本質的に、これは上述の米国特許第３，７９２，８１５号明細書に開示されているバランスフラップと同じ働きをなし、その結果本発明によればこれらのバランスフラップが除去されて、先細／末広ノズルの長さのかなりの減少が実現される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図６は、本発明の他の実施例を示す。この実施例においては、アクチュエータ４６（すべての図に示されている同様な部品には同一の参照符号が付けられている）が同期リングであるＰＢＳＲ３０の外周面の外側ではなくてその外周面内に配列されている。すなわち、ＰＢＳＲ３０は、図４に示されたＰＢＳＲ３０とは異なる形状とされ、断面が大略Ｕ形であるハウジング１０２を包含する。そして、このハウジング１０２はそれぞれローラ１０５を支持する一対の直径方向に間隔を置いたポケット１０４を担持している。各ローラ１０５は、環状の静止構体１０７及び１０９の表面上を転動する。これら静止構体１０７，１０９の表面は、密封表面であり、適当な密封部材を必要とする。作動室１０８は、図４の作動室５６と同様であって、円周まわりに間隔を置いて設けられている複数の穴１１０（そのひとつが示されている）を通して、矢印Ｂにより示される加圧ファン排出空気を受け入れる。支点リンク３２、アクチュエータ４６、先細フラップ３４及び末広フラップ３６を接続するリンケージの配置は、図４に示されるリンケージの配置とは多少変更されている。しかしながら、図６から明らかなように、この多少変更したリンケージシステム及びピストンとリングとを結合した構造の圧力バランスピストン／同期リングを具備する先細／末広ノズルの作用は、図４に示されている先細／末広ノズルの作用と実質的に同一である。また、この実施例（図６）においては、アクチュエータ４６を支持する取付ブラケット１１２が多少変更され、静止構体に形成したフランジに取付けられると共に複数のナット及びボルト１１４（そのひとつが示されている）により固定されていることが、わかるであろう。以上述べた変更は、強度を弱める切欠き部を除去すると共に組立てを容易にして排気ノズルを以下に述べる利点１）〜５）を有する完全環（フルフープ）構体に維持せしめるものである。
１）完全環の形状は、圧力及び構造的曲りに耐えて、接触による確実な密封表面を維持せしめる。
２）アクチュエータが同期リングの外周面内に配列されることにより、支点から外れているアクチュエータ荷重により生じるねじりモーメントが減少される。
３）空気フレーム取付け囲いが、アクチュエータの半径方向内側への配置転換により減少される。
４）同期リングが静止構体により囲繞され、圧力によるたわみの発生があり得ることから、積極的な密封がなされる。
５）密封表面の配置転換により、同期リングを４つの側部を有する完全環構体にし、これにより先細フラップ又は駆動荷重の変化に対する抵抗を増強せしめることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月14日(2005.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
すなわち、本発明は、銅または銅合金をマトリックスとし、固体潤滑材と、研削材と、摩擦調整材とを含有する銅系焼結摩擦材であって、摩擦調整材として炭酸カルシウムを体積比率で１〜１０％含有することを特徴とする焼結摩擦材である。また本発明は銅を体積比率で２０〜３５％、固体潤滑材を体積比率で３０〜４５％、研削材を体積比率で２０〜３５％および炭酸カルシウムを体積比率で１〜１０％含有する前記の焼結摩擦材である。更に本発明は更に錫を体積比率で１〜５％含有する前記の焼結摩擦材である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月7日(2005.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
◎実施の形態２
図４は本発明が適用された記録材搬送装置の実施の形態２を示す。
本実施の形態２は、実施の形態１と略同様であるが、端縁ガイド８１を湾曲させて構成したものである。尚、実施の形態１と同様な構成要素については実施の形態１と同様の符号を付してここではその詳細な説明を省略する。
このような構成とすることによって記録材Ｐは端縁ガイド８１に沿って湾曲し、この湾曲により記録材の搬送方向と直交する方向の腰が強くなり、実施の形態１で記載したファンが不要となると共に、記録材の先端姿勢をも安定させることができる。従って、記録材搬送の信頼性を損なうことなく、さらに安価な記録材搬送装置を実現することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
◎実施の形態３
図５（ａ）は本発明が適用された記録材搬送装置の実施の形態３を示す。
本実施の形態３は、実施の形態１および２と略同様であるが、端縁ガイド８２の入口側に記録材Ｐの先端位置が端縁ガイド８２の入口開口に案内される先端案内部８２１を設けたものである。この先端案内部８２１は、端縁ガイド８２の入口開口に向かって次第に窄まる一対のテーパ壁にて構成されている。
尚、実施の形態１と同様な符号については、実施の形態１と同様な符号を付してここではその詳細な説明を省略する。
このような構成とすることによって、例えば、記録材の先端がカールしている場合や記録材の先端が変位（記録材が帯電していることによる周辺部材との吸着力等が原因）している場合においても、ジャムすることなく確実に端縁ガイド８２に記録材を導くことが可能となる。
すなわち、記録材搬送の信頼性の非常に高い記録材搬送装置を実現することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2001294340.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2001294340.tif 000002