Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月11日(2005.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
ワード線と直交するビット線ＢＬＡ１〜ＢＬＡ５に対応してビット線選択回路ＢＳＡが設けられ、ワード線に平行なビット線ＢＬＢ１〜ＢＬＢ４に対応してビット線選択回路ＢＳＢが設けられる。ビット線選択回路ＢＳＡ，ＢＳＢによってビット線ＢＬＡ１〜ＢＬＡ５，ＢＬＢ１〜ＢＬＢ４のうちから２つのビット線が選択されこのビット線に異なる電位が与えられる。そしてワード線ＷＬ１〜ＷＬ４のいずれか１つを活性化することによって特定されたメモリセルに電流が流れデータの書込が行なわれる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
図３１は、メモリセルＭＣ４の記憶領域Ｌ１にデータを書込む説明をするための図である。なお、メモリセルＭＣ４は、メモリセルＭＣ１〜ＭＣ３と同じワード線に接続され、かつ、メモリセルＭＣ３と隣接するメモリセルである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６６】
図４６を参照して、半導体基板８０，ｐウェル８１，素子分離領域５０ａ〜５０ｉ，シリコン酸化膜８２，窒化膜８３，シリコン酸化膜８４，ワード線２０および層間絶縁膜８５については、図４で説明した場合と同様であるので説明は繰返さない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７０】
層間絶縁膜８５の上部には層間絶縁膜８６が形成され、さらにその上部に層間絶縁膜８７が形成される。層間絶縁膜８７の上部には２層目の配線層によってビット線３４ａ〜３４ｅが形成されている。そしてビット線３４ａ〜３４ｅの上部には表面保護膜としての絶縁膜８８が形成されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７２】
以上説明したように、ビット線を２層の金属配線層に分散させることによって各配線層でのビット線のピッチが緩和される。ワード線と直交するビット線を第１の金属配線層を用いて形成し、ワード線と平行なビット線を第２層の金属配線層を用いて形成する。これによって、高集積化を進めた場合によってビット線の断線や短絡の不良発生を起こりにくくすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月27日(2005.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【発明の技術的背景】
電気二重層キャパシタ（電気二重層コンデンサ）は、分極性電極と、電解質界面で形成される「電気二重層」を利用して電気を蓄えるコンデンサであって、化学反応を利用する二次電池と比べて急速な充電・放電が可能であり、重金属を含まないため無公害性であるなど、多くの利点を有しており、このため電子機器などの小型のものから車載用などの大型のものまで、多種の用途への利用が期待されている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月15日(2004.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と第２の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極間に電界を加えることにより変位を生ずる圧電素子と、
少なくともコンデンサと演算増幅器とを備え、前記圧電素子の変位に対応した信号を出力する積分回路と、
前記圧電素子の第２の電極と前記積分回路との間で、前記圧電素子に直列接続された抵抗素子と、
を具備することを特徴とする圧電素子制御装置。
【請求項２】
前記抵抗素子の抵抗値ＲMは、前記圧電素子の静電容量ＣPと、前記圧電素子の機械的１次共振角振動数ωK  との間で、
【数１】
2004087621.tif 000001
なる関係を有することを特徴とする請求項１記載の圧電素子制御装置。
【請求項３】
前記抵抗素子の抵抗値ＲMは、前記圧電素子の静電容量ＣPと、前記圧電素子の機械的１次共振角振動数ωK  との間で、
【数２】
2004087621.tif 000002
なる関係を有することを特徴とする請求項１記載の圧電素子制御装置。
【請求項４】
第１の電極と第２の電極を有し、前記第１の電極と前記第２の電極間に電界を加えることにより変位を生ずる圧電素子と、
前記圧電素子の第２の電極と基準電位との間に接続され、コンデンサと抵抗素子とから構成される直列回路と、
負極性入力端が前記圧電素子の第２の電極に接続され、正極性入力端に駆動信号が入力され、出力端が前記圧電素子の第１の電極に接続された演算増幅器と、を具備することを特徴とする圧電素子制御装置。
【請求項５】
前記抵抗素子の抵抗値ＲLは、前記圧電素子の静電容量ＣPと、前記コンデンサの静電容量ＣS  と、前記圧電素子の機械的１次反共振角振動数ωHKにおける前記圧電素子のインピーダンス  ＺP（ωHK）との間で、
【数３】
2004087621.tif 000003
なる関係を有することを特徴とする請求項３記載の圧電素子制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
その一例としては特開昭６３？２０４６７３号公報に開示されたものがある。これは、圧電素子に蓄積される電荷量を検出し、それを変位センサとして用いる方法であり、以下にその構成及び動作原理について簡単に説明する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
図９は、特開昭６３？２０４６７３号公報に開示された従来の圧電素子制御装置の構成を示す図である。図９において、第１の電極と第２の電極を有する圧電素子１０は、電界を印加されると変位を生じる素子であり、ここでは、その静電容量をＣＰ（静電容量は変位状態に応じて若干変動するが、ここでの説明では変動しないものとして差し支えない）とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
請求項２および３に記載の発明によれば、より確実に、圧電素子の機械的共振周波数成分を増幅させることなく安定して圧電素子の変位状態を得ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
請求項４に記載の発明によれば、駆動電圧に圧電素子の機械的共振周波数成分が含まれている場合でも、圧電素子の機械的共振周波数成分を増幅させることなく安定して圧電素子を変位させることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
請求項５に記載の発明によれば、より確実に、圧電素子の機械的共振周波数成分を増幅させることなく安定して圧電素子を変位させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
このとき、いわゆるエッジ効果により主に内奥部位１６の凸部が効果的にエッチングされる。その理由は、平坦な部分に比べて突出した部分（即ち凸部）のほうがエッチャントに当たりやすいからである。よって、凸部が小さくなることで、結果的に金属板貫通孔１５の開口部位１７におけるサイドエッチングが解消される。その結果、図１１に示すように、内奥部位１６にて殆ど狭窄が起きていない断面形状の金属板貫通孔１５を得ることができる。ただし、この方法の場合、内奥部位１６ばかりでなく金属板１２の表面や開口部位１７についてもいくぶん厚み減少が起こるので、それを見込んだ設計が必要となる。なお、このようなソフトエッチ工程を経ると、金属板貫通孔１５の開口縁の角が取れ、開口部位１７がなだらかな断面形状となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月16日(2004.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
次に、積層圧着及び一括充填工程を実施する。ここでは、まず、前記金属板１２の上面１３及び下面１４に、フィルム状絶縁樹脂材料９３，９４を介して、厚さ２０μｍの銅箔９５，９６を重ね合わせる（図７参照）。本実施形態では、厚さ７０μｍであって、エポキシ樹脂にシリカフィラー、硬化剤、脱泡剤を添加した半硬化状態のフィルム状絶縁樹脂材料９３，９４を用いる。そして、このような積層物を真空圧着熱プレス機（図示しない）で真空下にて加圧加熱することにより、半硬化状態であったフィルム状絶縁樹脂材料９３，９４を完全に硬化させ、これにより樹脂絶縁層２１，２２を各々形成する。金属板貫通孔１５内及び位置合わせ孔１６内には、フィルム状絶縁樹脂材料９３，９４から滲出したエポキシ樹脂が落ち込んで充填される結果、樹脂充填体２３が形成される（図８参照）。即ち、金属板貫通孔１５及び位置合わせ孔１６が一括充填されることで完全に孔埋めされる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
次いで、上記従来公知の手法によってブラインドビアホール導体５４を形成する。さらに、第２層めの樹脂絶縁層４１，４２の上に感光性エポキシ樹脂を被着し、露光及び現像を行うことにより、ビアホール形成用孔６３，６４を有する第３層めの樹脂絶縁層６１，６２を形成する。そして、パッド７１，７２のパターニングを行うに際して、位置合わせマーク３９，４０を用い、透過光による位置合わせを行う。位置合わせの手順については、位置合わせマーク３７，３８を用いたときとほぼ同様であるので、ここでは省略する。位置合わせが完了したら、第３層めの樹脂絶縁層６１，６２の上に、従来公知の手法を用いて無電解銅めっきを施す。次に、前記無電解銅めっきの不要部分をエッチングし、さらに無電解ニッケルめっき、無電解金めっきを順次施すことにより、パッド７１，７２を形成する。以上の結果、図３に示す多層プリント配線基板１１が完成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
以上のことから、光不透過性の金属板１２をコア材として用いているにもかかわらず、透過光による位置合わせが可能な位置合わせ構造を有する優れた配線基板１０を、コスト性や生産性を特に低下させることなく得ることができる。そして、このような配線基板１０に対して透過光による位置合わせを行って精度よく配線層３１，３２等を形成すれば、最終的に図３の構成の多層プリント配線基板１１を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月20日(2005.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
正極５において、正極合剤層９に含有される正極活物質には、リチウムイオンをドープ／脱ドープすることが可能な材料を用いる。具体的には、例えばＬｉＭｘＯ２（式中ＭはＣｏ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ａｌ、Ｖ、Ｔｉ等による一種以上の遷移金属を示し、ｘは０．５以上、１．１０以下の範囲である。）で示されるリチウム複合酸化物等を使用する。このリチウム複合酸化物を構成する遷移金属Ｍとしては、電池容量を大きくでき、安定した結晶構造が得られるＣｏ、Ｎｉ、Ｍｎ等が好ましい。このようなリチウム複合酸化物の具体例としては、ＬｉＣｏＯ２、ＬｉＮｉＯ２、ＬｉＮｉｙＣｏ１−ｙＯ２（式中、０＜ｙ＜１である。）、ＬｉＭｎ２Ｏ４、ＬｉＮｉｘＭｎｙＣｏｚＯ２（式中、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１である。）等を挙げることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、正極活物質としては、安価で結晶構造が安定している例えばＬｉｘＦｅ１−ｙＭｙＰＯ４（式中ＭはＭｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｚｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｍｇ、Ｂ、Ｎｂのうちの何れか一種以上であり、０．０５≦ｘ≦１．２であり、０≦ｙ＜０．８である）で示される化合物等が挙げられ、具体的にＬｉＦｅＰＯ４等を用いる。さらに、正極活物質としては、例えばＴｉＳ２、ＭｏＳ２、ＮｂＳｅ２、Ｖ２Ｏ５等の金属硫化物あるいは酸化物も使用することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
負極６において、負極合剤層１３に含有される負極活物質には、リチウム、リチウム合金、又はリチウムイオンをドープ／脱ドープできる炭素質材料等が用いられる。リチウムイオンをドープ／脱ドープできる炭素質材料としては、例えば２０００℃以下の比較的低い温度で焼成して得られる低結晶性炭素材料、結晶化しやすい原材料を３０００℃付近の高温で焼成した人造黒鉛等の高結晶性炭素材料等を用いることが可能である。具体的には、熱分解炭素類、コークス類、黒鉛類、ガラス状炭素繊維、有機高分子化合物焼成体、炭素繊維、活性炭等の炭素質材料を用いることが可能である。コークス類としては、例えばピッチコークス、ニードルコークス、石油コークス等がある。なお、有機高分子化合物焼成体とは、フェノール樹脂、フラン樹脂等を適当な温度で焼成し炭素化したものである。これらの炭素質材料は、電池１を充放電した際に、負極６側にリチウムが析出することを抑制させることが可能である。また、上述した炭素質材料のほか、リチウムイオンをドープ／脱ドープできる材料として、ポリアセチレン、ポリピロール等の高分子やＳｎＯ２等の酸化物を使用することもできる。また、リチウム合金としては、例えばリチウム−アルミニウム合金等を用いる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
また、電解質塩としては、例えばＬｉＰＦ６、ＬｉＣｌＯ４、ＬｉＡｓＦ６、ＬｉＢＦ４、ＬｉＢ（Ｃ６Ｈ５）４、ＬｉＣＨ３ＳＯ３、ＬｉＣＦ３ＳＯ３、ＬｉＣｌ、ＬｉＢｒ等が挙げられ、これらのうちの一種以上を用いる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
〈サンプル１〉
サンプル１では、先ず、正極を作製した。正極を作製する際は、正極活物質としてＬｉＭｎ２Ｏ４を９１重量部と、導電材としてグラファイトを６重量部と、結着剤としてポリフッ化ビニリデン（ＰＶｄＦ）３重量部と、溶媒としてＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）とを加えてプラネタリーミキサーによって混練して分散を行い、正極合剤塗液を作製した。次に、正極合剤塗液を正極集電体となる厚みが２０μｍのアルミニウム箔の両主面に未塗工部を設けながら均一に塗布し、乾燥した後に、ローラプレス機で圧縮することで正極合剤層を形成し、帯状に裁断した。このようにして、長手方向の両端部に、正極集電体が露出している正極集電体露出部が設けられた正極を作製した。具体的に、厚み１６０μｍ、幅５５ｍｍ、正極合剤層の長さ５００ｍｍ、正極集電体露出部の長さがそれぞれ７０ｍｍの正極を作製した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
次に、プロピレンカーボネートとジエチルカーボネートとの体積混合比が１対１の混合溶媒に対してＬｉＰＦ６が１モル／リットルとなるように溶解させた非水電解液を作製した。次に、この非水電解液を外装缶内に注入し、アスファルトを塗布したガスケットを介して外装缶の開口部に電池蓋を圧入して外装缶の開口部をかしめることによりで電池蓋を強固に固定した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月29日(2005.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一次光源から発せられる光を導光し、且つ前記一次光源から発せられる光が入射する光入射端面と導光される光が出射する光出射面と該光出射面の反対側の裏面とを有する板状の導光体であって、
前記光出射面及び前記裏面の少なくとも一方には、前記光入射端面の近傍の領域に多数の微小突起が形成されており、該多数の微小突起はその平均底部縦幅（ｄ）に対する平均高さ（Ｈ）の比率であるアスペクト比（Ｈ／ｄ）が０．２５〜０．４の範囲内にあることを特徴とする面光源装置用導光体。
【請求項２】
一次光源から発せられる光を導光し、且つ前記一次光源から発せられる光が入射する光入射端面と導光される光が出射する光出射面と該光出射面の反対側の裏面とを有する板状の導光体であって、
前記光出射面及び前記裏面の少なくとも一方には、前記光入射端面の近傍の領域に多数の微小突起が形成されており、該多数の微小突起はその平均縦幅方向断面傾斜角（Ａ）の正接（Ｔａｎ（Ａ））と平均分布密度（Ｎ）と平均底部面積（Ｓ）との積（Ｔａｎ（Ａ）＊Ｎ＊Ｓ）が０．０１６〜０．０６１の範囲内にあることを特徴とする面光源装置用導光体。
【請求項３】
一次光源から発せられる光を導光し、且つ前記一次光源から発せられる光が入射する光入射端面と導光される光が出射する光出射面と該光出射面の反対側の裏面とを有する板状の導光体であって、
前記光出射面及び前記裏面の少なくとも一方には、前記光入射端面の近傍の領域に多数の微小突起が形成されており、該多数の微小突起は平均分布密度（Ｎ）と平均高さ（Ｈ）と平均底部横幅（Ｄ）との積（Ｎ＊Ｈ＊Ｄ）が０．０１〜０．０３９の範囲内にあることを特徴とする面光源装置用導光体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の面光源装置用導光体と、該導光体の前記光入射端面に隣接して配置されている前記一次光源と、前記導光体の光出射面に隣接して配置されているシート状の光偏向素子とを備えており、該光偏向素子は、前記導光体の光出射面に対向して位置する入光面とその反対側の出光面とを有しており、前記入光面に複数のプリズム列が並列して形成されていることを特徴とする面光源装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月31日(2005.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板上に、少なくともｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と、活性層と、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層が順に積層され、同一面内に少なくともｐｎ１対の電極が形成され、ｎ電極がｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層を一部露出させたｎ電極形成面上に形成され、ｐ電極が、ｐ主電極と、ｐ主電極からｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層全面に電流を拡散させるためのｐ補助電極からなる窒化物半導体発光素子において、
ｐ主電極とｎ電極を結ぶ線上に光取り出し溝が形成され、該溝が少なくともｎ電極形成面よりも深いことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】  さらに発光面を分割する前記光取り出し溝を素子端面に対して垂直に付加する請求項１に記載の窒化物半導体素子。
【請求項３】  前記光取り出し溝に加え、ｐ主電極に近接して電流阻止溝が形成され、該溝が少なくともｎ電極形成面よりも深いことを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】  前記光取り出し溝と電流阻止溝の総面積が発光面に対し５〜５０％である請求項１乃至３に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】  前記光取り出し溝の深さが基板まで達している請求項１乃至４に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】  前記光取り出し溝が基板を貫通している請求項１乃至４に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項７】  前記光取り出し溝の幅（ｗ）が基板上の積層膜厚以上である請求項１乃至６に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項８】  前記光取り出し溝の幅（ｗ）と溝の深さ（ｄ）の関係がｗ/ｄ≧１である請求項１乃至６に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項９】  前記光取り出し溝がテーパ角を有する請求項１乃至８に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１０】  前記光取り出し溝に保護膜が製膜されている請求項１乃至９に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１１】  基板が成長面側に凹凸を有する請求項１乃至１０に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項１２】前記光取り出し溝がエッチングにより形成される請求項１乃至１１に記載の窒化物半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の窒化物半導体発光素子は、基板上に、少なくともｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と、活性層と、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層が順に積層され、同一面内に少なくともｐｎ１対の電極が形成され、ｎ電極がｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層を一部露出させたｎ電極形成面上に形成され、ｐ電極が、ｐ主電極と、ｐ主電極からｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層全面に電流を拡散させるためのｐ補助電極からなる窒化物半導体発光素子において、ｐ主電極とｎ電極を結ぶ線上に光取り出し溝が形成され、該溝が少なくともｎ電極形成面よりも深いことを特徴とする。例えばｐｎ両主電極が形成されていない対角のエピ端面付近で発光した光がもう一方のエピ端面側に進行した場合、エピ端面から出射される前にほとんど透明電極等により吸収され熱に変化し、取り出すことができなかったが、その前に溝部よりエピ外部に取り出すことが可能になった。また、この構成をとることによる更なる効果としてｐ補助電極側に電気の拡散を促せるためｐ主電極直下の発光を抑制することができる。これにより発光しても効率的に取り出すことが出来なかった発光を抑制し、効率的に取り出せる部分を発光させることが出来る部分を発光させ素子全体としての発光能力を向上させることが出来る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらにまた、本発明の窒化物半導体発光素子は、さらに発光面を分割する光取り出し溝を素子端面に対してほぼ垂直に付加する。溝を発光面を均等に分割するように増加させると、活性層で発光した光がどの方向に進行しても短い距離で溝部よりエピ外部に取り出すことが出来る。また溝を第１のｐ補助電極に対して垂直に形成することにより電流の流れを阻害することなく、全面発光させることが出来る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明の窒化物半導体発光素子は、前記光取り出し溝に加え、ｐ主電極に近接して電流阻止溝が形成され、該溝が少なくともｎ電極形成面よりも深いことを特徴とする。このような構成を取ることにより、電流としての最短距離のｐ主電極中心からｎ電極に向かう部分を電気的に切断することになり、電流の集中を抑制し、周辺部への拡散を促進することができる。尚且つｐ主電極直下の発光を抑制できる。これにより周辺部分の発光が増加し、光の取り出し効率がアップする。また、素子破壊は最も電圧がかかるところで起き、結果として電流が最も流れ、最も発光する部位、即ちｐ主電極からｎ電極に向かう部分の静電破壊が起こっていたがこの構成にすることによって、電流を拡散させることが出来るため、ダイ全体として静電耐圧が向上し、素子寿命が延びる。また、このような構成を取ることにより、今まではｐ主電極の直下で発光した光が、ｎ電極の方に進行した場合、エピ端面から出射される前にほとんど透明電極等により吸収され熱に変化し、取り出すことができなかったが、このようにｐ主電極をダイの側面と電流阻止溝で囲い込むことによって例えｐ主電極直下で発光したとしても光を確実に取り出すことができる。また逆に、窒化物半導体層内をｐ主電極方向に伝播している光は、ｐ主電極に吸収されること無く取り出すことが出来る。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月24日(2005.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＣチップが有する第１位置決めマークに、第１光源からの光を照射して撮像し、前記ＩＣチップの位置情報を取得する第１位置情報取得ステップと、
電気光学パネルが有する第２位置決めマークに、前記第１位置決めマークに照射した光とは異なる色調もしくは波長を有する光を第２光源から照射して撮像し、前記電気光学パネルの位置情報を取得する第２位置情報取得ステップと、
取得した前記ＩＣチップおよび前記電気光学パネルの位置情報に基づいて、前記ＩＣチップと前記電気光学パネルとの位置合わせを行い、前記ＩＣチップを前記電気光学パネルに実装する実装ステップと、
を含む電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
さらに、前記第１光源に接続されてこれらの光源が発する光を導く第１導光手段および前記第２光源に接続されてこれらの光源が発する光を導く第２導光手段と、
導かれた光を前記第１位置決めマークもしくは前記第２位置決めマークに照射する照射部と
を有し、
前記第１導光手段と前記第２導光手段と、前記照射部との接続を相互に切り替えることにより、前記第１位置決めマークに照射する光と前記第２位置決めマークに照射する光との切り替えを行う切替ステップを含む請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記切替ステップは、隣接して配置された前記第１導光手段および前記第２光導光手段の光の出口にて、前記照射部との接続を切り替える隣接切替ステップを含む請求項２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記切替ステップは、前記第１導光手段もしくは前記第２導光手段と、前記照射部との接続を、これらの導光手段間に設けた往復機構、回転機構その他の切替機構により、相互に切り替える相互切替ステップを含む請求項２または３に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
ＩＣチップを電気光学パネルに実装する工程にて、前記ＩＣチップが有する第１位置決めマーク、および前記電気光学パネルが有する第２位置決めマークを画像認識して位置合わせを行うにあたり、前記第１位置決めマークに照射される光を発する第１光源と、
前記第１光源の光とは異なる色調もしくは波長の光であって前記第２位置決めマークに照射される光を発する第２光源と、
前記第１位置決めマークもしくは前記第２位置決めマークに照射される光を、前記第１光源からの光と前記第２光源からの光との間で相互に切り替える切替手段と、
を含む電気光学装置の製造装置。
【請求項６】
ＩＣチップを電気光学パネルに実装する工程にて、前記ＩＣチップが有する第１位置決めマーク、および前記電気光学パネルが有する第２位置決めマークを画像認識して位置合わせを行うにあたり、前記第１位置決めマークに照射される光を発する第１光源と、
前記第２位置決めマークに照射される光を発する第２光源と、
前記第１位置決めマークもしくは前記第２位置決めマークに照射される光を、前記第１光源からの光と前記第２光源からの光との間で相互に切り替える切替手段とを含み、且つ、前記第１光源もしくは前記第２光源は、発する光の色調もしくは波長を、対応する前記第１位置決めマークもしくは前記第２位置決めマークを画像認識され得る光に調整する調整手段を有する電気光学装置の製造装置。
【請求項７】
電子部品が有する第１位置決めマークに、第１光源からの光を照射して撮像し、前記電子部品の位置情報を取得する第１位置情報取得ステップと、
基板が有する第２位置決めマークに、前記第１位置決めマークに照射した光とは異なる色調もしくは波長を有する第２光源からの光を照射して撮像し、前記基板の位置情報を取得する第２位置情報取得ステップと、
取得した前記電子部品および前記基板の位置情報に基づいて、前記電子部品と前記基板との位置合わせを行い、前記電子部品を前記基板に実装する実装ステップと、
を含む電子機器の製造方法。
【請求項８】
電子部品をパネルに実装する工程にて、前記電子部品が有する第１位置決めマーク、および前記基板が有する第２位置決めマークを画像認識して位置合わせを行うにあたり、前記第１位置決めマークに照射される光を発する第１光源と、
前記第１光源の光とは異なる色調もしくは波長の光であって前記第２位置決めマークに照射される光を発する第２光源と、
前記第１位置決めマークもしくは前記第２位置決めマークに照射される光を、前記第１光源からの光と前記第２光源からの光との間で相互に切り替える切替手段と、
を含む電子機器の製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月28日(2005.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記低温領域が約２００℃であり、遅い昇温速度が約１．０℃/分以下である請求項１記載の半導体接合ウエハ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月29日(2005.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
着信に応答しなかったことを示す非応答情報を少なくとも含む着信履歴情報を表示する着信履歴表示手段と、
応答しなかった着信については、前記非応答情報と該着信の着信履歴情報を表示する一方、応答した着信については、該着信の着信履歴情報を表示しないようにする応答着信履歴非表示手段と、を備えたことを特徴とする通信装置。
【請求項２】
留守録を行う留守録手段と、
前記留守録手段によって留守録が行われた着信については、該着信の着信履歴情報を表示しないようにする留守録着信履歴非表示手段を備えたことを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記着信履歴情報は、着信日時を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の通信装置。
【請求項４】
前記着信履歴情報は、着信した相手の電話番号を含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の通信装置。
【請求項５】
前記着信履歴情報の相手電話番号のうち、表示された相手電話番号に発呼する発呼手段を備えたことを特徴とする請求項４に記載の通信装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
前記の課題を解決するために、請求項１記載の発明では、着信に応答しなかったことを示す非応答情報を少なくとも含む着信履歴情報を表示する着信履歴表示手段と、応答しなかった着信については、前記非応答情報と該着信の着信履歴情報を表示する一方、応答した着信については、該着信の着信履歴情報を表示しないようにする応答着信履歴非表示手段と、を備えたことを特徴とする。
また、請求項２記載の発明では、留守録を行う留守録手段と、前記留守録手段によって留守録が行われた着信については、該着信の着信履歴情報を表示しないようにする留守録着信履歴非表示手段を備えたことを特徴とする。
また、請求項３記載の発明では、前記着信履歴情報は、着信日時を含むことを特徴とする。
また、請求項４記載の発明では、前記着信履歴情報は、着信した相手の電話番号を含むことを特徴とする。
また、請求項５記載の発明では、前記着信履歴情報の相手電話番号のうち、表示された相手電話番号に発呼する発呼手段を備えたことを特徴とする。
上記のように構成したので、請求項１記載の発明では、着信履歴情報を表示するようにして、応答しなかった着信については、その情報と着信の着信履歴情報を表示する一方、応答した着信については、着信の着信履歴情報を表示しないようにする。
請求項２記載の発明では、留守録が行われた着信については、着信履歴情報を表示しないようにする。
請求項３記載の発明では、着信履歴情報は、着信日時を含むようにする。
請求項４記載の発明では、着信履歴情報は、着信した相手の電話番号を含むようにする。
請求項５記載の発明では、表示された相手電話番号に発呼するようにする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明によれば、請求項１記載の発明では、着信履歴情報を表示するようにして、応答しなかった着信については、その情報と着信の着信履歴情報を表示する一方、応答した着信については、着信の着信履歴情報を表示しないようにするので、無駄な応答をなくすことができる。
また、請求項２記載の発明では、留守録が行われた着信については、着信履歴情報を表示しないようにするので、その着信については後で留守録で確認することが出来る。
また、請求項３記載の発明では、着信履歴情報は、着信日時を含むので、いつ着信した情報かを明確に判断することができる。
また、請求項４記載の発明では、着信履歴情報は、着信した相手の電話番号を含むので、相手の電話に正確に返事を送ることが出来る。
また、請求項５記載の発明では、表示された相手電話番号に発呼するようにするので、発呼の手間が省け、且つ電話番号のミスを防ぐことが出来る。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月19日(2005.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第１、第２の出力端子を持つ撮像素子を用いた撮像装置であって、
前記第１及び第２の出力端子から出力される信号に対してそれぞれ独立に信号を増幅する第１、第２の増幅手段と、
前記第１の増幅手段に与える利得を制御する第１の利得制御手段と、
前記第１の増幅手段に与えられる複数の異なる利得にそれぞれ対応した、前記第２の増幅手段に与える利得に関するデータを保持する記憶手段と、
前記第１の増幅手段の利得に応じて、前記第２の増幅手段の利得に関するデータを用いて前記第２の増幅手段に与える利得を制御する第２の利得制御手段と
を有することを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第２の増幅手段に与える利得に関するデータは、前記撮像装置の生産工程において算出されるとともに不揮発メモリに記憶されていることを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第２の増幅手段に与える利得に関するデータは、同一利得を第１、第２の増幅手段の両方に供給した場合の前記第１、第２の出力端子からの信号のレベル比を複数の利得について求めたデータであることを特徴とする請求項１乃至２のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第２の利得制御手段は、前記レベル比を前記記憶手段から読み出し、前記第１の増幅手段に与える利得と前記レベル比とから前記第２の増幅手段で用いる利得を算出することを特徴とする請求項３に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記記憶手段に保持された利得に関するデータの各要素の間のデータは補間で求められることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記第１の利得制御手段は、
対数値の利得を供給する利得供給手段と、
前記対数値をリニアな数値に変換する対数リニア変換手段とを備え、
前記利得制御手段は、変換されたリニアな数値により前記第１の増幅手段を制御することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項７】
記憶手段に保持された利得に関するデータの各データの間隔は対数幅であることを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【請求項８】
撮像素子近傍の温度を検出する温度検出手段と、
少なくとも２種類の温度に対応した利得に関するデータを記憶する記憶手段とを備え、
前記第２の利得制御手段は、前記温度検出手段による検出温度に応じて、前記第２の増幅手段の利得に関するデータから選択されたデータを用いて、前記第２の増幅手段に与える利得を制御することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項９】
少なくとも第１、第２の出力端子を持つ撮像素子と、第１及び第２の出力端子から出力される信号に対してそれぞれ独立に信号を増幅する第１、第２の増幅手段とを有する撮像装置における利得制御方法であって、
前記第１の増幅手段に与える利得を制御する第１の利得制御工程と、
前記第１の増幅手段に与えられる複数の異なる利得にそれぞれ対応した、前記第２の増幅手段に与える利得に関するデータを保持する記憶工程と、
前記第１の増幅手段の利得に応じて、前記第２の増幅手段の利得に関するデータを用いて前記第２の増幅手段に与える利得を制御する第２の利得制御工程とを有することを特徴とする利得制御方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記課題を解決するために、少なくとも第１、第２の出力端子を持つ撮像素子を用いた撮像装置であって、前記第１及び第２の出力端子から出力される信号に対してそれぞれ独立に信号を増幅する第１、第２の増幅手段と、前記第１の増幅手段に与える利得を制御する第１の利得制御手段と、前記第１の増幅手段に与えられる複数の異なる利得にそれぞれ対応した、前記第２の増幅手段に与える利得に関するデータを保持する記憶手段と、前記第１の増幅手段の利得に応じて、前記第２の増幅手段の利得に関するデータを用いて前記第２の増幅手段に与える利得を制御する第２の利得制御手段を有することを特徴とする撮像装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2005057655.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2005057655.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月27日(2004.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
ここで、画像信号Ｓ１は、例えばコンポジット映像信号、ＹＣ分離信号の各チャネル信号、コンポーネント映像信号（Ｒ,Ｇ，Ｂの３チャネル、Ｙ，Ｒ−Ｙ，Ｂ−Ｙの３チャネル）の各チャネル信号その他が考えられる。
またここで、矩形単位とは、全体画面（フィルード又はフレーム）を構成する部分画像を意味する。この矩形単位には、一般に、画面の縦方向への画素数‘ｍ（自然数）’と横方向への画素数‘ｎ（自然数）’を用いて表される。以下、ｍ×ｎサイズの画像ブロックとして表す。例えば、８×８サイズや４×８サイズが用いられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ただし、この雑音検出部４の場合、コアリング関数の形状は固定である。この点が、コアリング関数の形状が制御される図４の雑音除去装置との違いである。打消成分生成部５は、入力される雑音成分Ｓ６の振幅を制御量Ｓ４に応じて増減するように機能する。例えば、乗算器で構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月7日(2005.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線により送受話を行う携帯用電話機において、
アンテナと高周波信号処理部とが配置される第一の配置領域と、スピーカと低周波信号処理部とが配置される第二の配置領域と、を備え、
前記携帯用電話機の使用状態においては、前記アンテナが前記第二の配置領域から離間した位置に配置されることを特徴とする携帯用電話機。
【請求項２】
請求項１に記載の携帯用電話機において、
前記第一の配置領域は、マイク近傍であることを特徴とする携帯用電話機。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の携帯用電話機において、
前記使用状態以外の状態においては、前記アンテナは前記第二の配置領域に近接した位置に配置されることを特徴とする携帯用電話機。
【請求項４】
請求項３に記載の携帯用電話機において、
前記近接した位置は前記アンテナの格納位置であることを特徴とする携帯用電話機。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の携帯用電話機において、
前記第一の配置領域と前記第二の配置領域とが前記使用状態において離間していることを特徴とする携帯用電話機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本願は、無線により送受話を行う携帯用電話機の内部構造に関するものであり、特に低周波信号処理部とアンテナの配置に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
低周波信号処理部は低周波信号を取扱う部分であり、高周波信号に応答することはないが、低周波信号処理部に使用されている高周波減衰用コンデンサのリード線やプリント基板の配線部分のインダクタンス成分は、高周波信号に対して高いインピーダンスを形成するため強い高周波信号を受けると低周波信号処理部の動作が不安定になり、時には発振を起こして不要な雑音を発生するという問題が有った。本願は、上述した問題点に鑑みてなされたものであり、低周波信号処理部が送信電波の影響を受け難い回路構成及び内部構造を有する携帯用電話機を提供することを目的の一例とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、無線により送受話を行う携帯用電話機において、アンテナと高周波信号処理部とが配置される第一の配置領域と、スピーカと低周波信号処理部とが配置される第二の配置領域と、を備え、前記携帯用電話機の使用状態においては、前記アンテナが前記第二の配置領域から離間した位置に配置される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
図１（ａ）は、本願の第１実施の形態による携帯用電話機の外観図であり、図１（ｂ）はその側面図を示している。図１に示すように携帯用電話機１の正面には、受話音を聴取するための受話部２、テンキーボタン、送信ボタン、受信ボタン等の各種操作ボタンが配置された操作パネル部３、電話番号や電波の強度等を表示するための表示窓４及び送話部５等で構成されている。また、携帯用電話機１の側面には、アンテナ固定ビス６を軸に回動可能にアンテナ７が設けられている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第１実施の形態による携帯用電話機には、アンテナ７の位置を検出するために、例えば導電ゴム等で構成される位置検出回路２８が設けられ、アンテナ７が所定位置まで回動されたのを検出して検出信号をＣＰＵ２３に供給する。また、高周波信号処理部１０には、受信電波の強度（レベル）を検するレベル検出回路１９が設けられており、得られた受信電波の強度（レベル）に応じて、高周波増幅器のゲイン値がＣＰＵ２３によって設定される。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
第１実施の形態による携帯用電話機は、図１（ａ）に示すように電波の受信状態にある待機時はアンテナ７を携帯用電話機１の側面に密着した位置に配置されているので、位置検出回路２８からはアンテナ７が閉じられた状態の信号をＣＰＵ２３に送出し、ＣＰＵ２３の指令により高周波増幅器１６には電源の電圧が供給されていない。そして、電波を受信し通話を開始する場合、或いは、自ら電話をする時は、先ずアンテナ７を携帯用電話機１の側面から離間するように回動させることにより位置検出回路２８から検出信号が出力され、ＣＰＵ２３の指令により高周波増幅器１６に電源の電圧が供給され、通信が可能な状態になる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図４は、本願の第２実施の形態による携帯用電話機の外観図である。第２実施の形態による携帯用電話機が第１実施の形態による携帯用電話機と異なる点はアンテナの位置を変更したことである。図１（ｂ）及び図４（ｂ）に示すように第１及び第２実施の形態による携帯用電話機１は、低周波信号処理部２０をスピーカ２１に隣接した位置に配置し、アンテナ７を含む高周波信号処理部１０をマイク２２の近傍に配置した構造を採用している。また、本発明の第２実施の形態による携帯用電話機１で用いられるアンテナ７の機能は、上述した第１実施の形態の携帯用電話機１の場合と同様に、位置検出回路２８を設け、送信を開始する場合には、アンテナ７を携帯用電話機１の下方に引出すことにより位置検出回路２８が作動し、ＣＰＵ２３からの指令により高周波増幅器１６の電源が供給され、送受信が可能となる。
以上説明したように、各実施の形態に係る携帯用電話機１によれば、アンテナ７と高周波信号処理部１０とが配置される第一の配置領域と、スピーカ２１と低周波信号処理部２０とが配置される第二の配置領域と、を備え、携帯用電話機１の使用状態においてアンテナ７を第二の配置領域から離間した位置に配置したので、送信電波が送信される際に、アンテナ７又は高周波信号処理部１０から放射される電波による、低周波信号処理部２０への影響が低減でき、良好な送受話が可能となる。また、必要に応じて、高周波増幅器のゲイン値を最適値に調整できるので、消費電力を低く抑えられることから、電池の消費電力が減少し、長時間の通話が可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月16日(2005.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク接続デバイスに対するコンテンツ提供処理を行うコンテンツサーバとしての機能を持つ情報処理装置であり、
暗号化コンテンツと、暗号化コンテンツの復号に適用するコンテンツキーの暗号化データであり、前記ネットワーク接続デバイスとの共有キーとして設定され、適宜更新されるネットワークキーによって暗号化された暗号化コンテンツキーとを格納した記憶部と、
前記記憶部に格納された暗号化コンテンツキーの暗号化キーとして適用中の全ての更新前ネットワークキーを含むネットワークキーを登録、格納したネットワークキーテーブルと、
を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記情報処理装置は、
ネットワークキーの更新処理を条件として、前記記憶部に格納済みの更新前ネットワークキーにより暗号化された暗号化コンテンツキーを、更新後ネットワークキーによる暗号化キーとする鍵架け替え処理を実行することなく前記記憶部に維持する構成であることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記情報処理装置は、
前記記憶部に格納された暗号化コンテンツの利用処理の発生を条件として、利用処理対象のコンテンツに対応する暗号化コンテンツキーが更新後ネットワークキーと異なる更新前ネットワークキーによる暗号化コンテンツキーとして前記記憶部に格納されている場合に、該暗号化コンテンツキーを、更新後ネットワークキーを適用した暗号化コンテンツキーに更新する鍵架け替え処理を実行する構成を有することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記情報処理装置は、
更新後ネットワークキーを格納するカレントネットワークキーメモリを有し、
前記更新後ネットワークキーを適用した暗号化コンテンツキーの前記記憶部に対する格納処理の実行を条件として、前記更新ネットワークキーを前記カレントネットワークキーメモリから前記ネットワークキーテーブルに移動格納する処理を実行する構成を有することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記情報処理装置は、
前記ネットワークキーテーブルに新たな更新後ネットワークキーを格納する際に、該ネットワークキーテーブルに格納済みの複数の更新前ネットワークキーから、削除対象ネットワークキーの選択処理を実行し、該削除処理の完了を条件として前記更新後ネットワークキーのネットワークキーテーブルに対する格納処理を実行する構成であることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項６】
暗号化コンテンツと、暗号化コンテンツの復号に適用するコンテンツキーの暗号化データであり、前記ネットワーク接続デバイスとの共有キーとして設定され、適宜更新されるネットワークキーによって暗号化された暗号化コンテンツキーとを記憶部に格納したコンテンツ提供サーバにおけるコンテンツ情報管理方法であり、
前記記憶部に格納された暗号化コンテンツの利用処理の発生を条件として、利用処理対象のコンテンツに対応する暗号化コンテンツキーが更新後ネットワークキーと異なる更新前ネットワークキーによる暗号化コンテンツキーとして前記記憶部に格納されているか否かの判定処理を実行する判定処理ステップと、
前記判定処理ステップにおいて、利用処理対象のコンテンツに対応する暗号化コンテンツキーが更新後ネットワークキーと異なる更新前ネットワークキーによる暗号化コンテンツキーとして前記記憶部に格納されていると判定した場合に、該暗号化コンテンツキーを、更新後ネットワークキーを適用した暗号化コンテンツキーに更新する鍵架け替え処理を実行する鍵架け替え処理ステップと、
を有することを特徴とするコンテンツ情報管理方法。
【請求項７】
前記コンテンツ情報管理方法は、さらに、
前記記憶部に格納された暗号化コンテンツ、および前記鍵架け替え処理により生成した更新後ネットワークキーを適用した暗号化コンテンツキーを、暗号化コンテンツの利用処理を要求したデバイスに送信するステップを有することを特徴とする請求項６に記載のコンテンツ情報管理方法。
【請求項８】
前記コンテンツ情報管理方法は、さらに、
前記利用処理対象のコンテンツに対応する暗号化コンテンツキーに適用されている更新前ネットワークキーと同一の更新前ネットワークキーを適用した全ての前記記憶部に格納された暗号化コンテンツキーについて、前記更新後ネットワークキーを適用した暗号化コンテンツキーに更新する鍵架け替え処理を実行し、前記更新前ネットワークキーを、前記ネットワークキーテーブルから削除する処理を実行するステップを有することを特徴とする請求項６に記載のコンテンツ情報管理方法。
【請求項９】
前記コンテンツ情報管理方法は、さらに、
前記ネットワークキーテーブルに新たな更新後ネットワークキーを格納する際に、該ネットワークキーテーブルに格納済みの複数の更新前ネットワークキーから、削除対象ネットワークキーの選択処理を実行し、該削除処理の完了を条件として前記更新後ネットワークキーのネットワークキーテーブルに対する格納処理を実行するステップを有することを特徴とする請求項６に記載のコンテンツ情報管理方法。
【請求項１０】
暗号化コンテンツと、暗号化コンテンツの復号に適用するコンテンツキーの暗号化データであり、前記ネットワーク接続デバイスとの共有キーとして設定され、適宜更新されるネットワークキーによって暗号化された暗号化コンテンツキーとを記憶部に格納したコンテンツ提供サーバにおけるコンテンツ情報管理処理を実行するコンピュータ・プログラムであり、
前記記憶部に格納された暗号化コンテンツの利用処理の発生を条件として、利用処理対象のコンテンツに対応する暗号化コンテンツキーが更新後ネットワークキーと異なる更新前ネットワークキーによる暗号化コンテンツキーとして前記記憶部に格納されているか否かの判定処理を実行する判定処理ステップと、
前記判定処理ステップにおいて、利用処理対象のコンテンツに対応する暗号化コンテンツキーが更新後ネットワークキーと異なる更新前ネットワークキーによる暗号化コンテンツキーとして前記記憶部に格納されていると判定した場合に、該暗号化コンテンツキーを、更新後ネットワークキーを適用した暗号化コンテンツキーに更新する鍵架け替え処理を実行する鍵架け替え処理ステップと、
を有することを特徴とするコンピュータ・プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月1日(2005.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、潰し切断装置は、上下方向に移動可能な切断刃からなる上金型３０と、金属板３２の下方に配置された下金型３５と、押えパンチ３８とを備え、この押さえパンチ３８に沿って上金型３０は移動する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
図３（ａ）に示すように、円筒巻き取り体は薄い金属薄板３２（７，８に該当）に巻回された銅細線３１からなり、これを軸と直交する方向にプレスした後、上金型３０の切断刃３０で切断する。図３（ｂ）及び（ｃ）に示すように、微小円柱体３４は直径ｄ１を備えている。図３の線切断の断面図において、切断される二枚の金属薄板からなる金属板３２は、図で見るように並んだ細線の端まであるものの、実際には金属板３２を切断時、切断長毎送るための、送り用ピン孔は図示の例では、省略している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
図２（ｂ）に示すように、薄い金属板３２（この例においては、ＮｉめっきしたＳＵＳ３０４）に銅細線３１がこの金属板３２に接触しつつ整列されている。押えパンチ３８を被切断物／銅細線３１の直径方向の寸法５〜６μｍ食い込んだところまで、押圧後、上金型３０を矢印３７で示すようにプレス圧を加えて銅細線３１及び薄い金属板３２を一緒に，薄い金属板３２を切りとおした直後まで矢印３６方向に切断する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
金属板３２は、図２（ａ）から分かるように、個々の銅細線３１よりも遥かに長い板小片４０として切断されるため、微小円柱体４１との分離が容易である。付着したままの状態になっていても、後に水中で、超音波振動を掛けるだけで、容易に分離し、薄い金属板の小片４２を除去できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
（プラズマ球化処理段階）
プラズマ球状化処理装置に、周知の粉末球状化法と同様に、粉末の代わりに微小円柱チップを用い，投入口付近の静電気除去に充分留意し、前記切断長さを勘案し，直径φ４０μｍ球を得るべく線切断を行い、前記微小円柱体４１を投入した。φ４０μｍの球が得られ、投入時付着したものを除去すると、殆ど真円で直径精度も、±５μｍの高精度なボールが得られた。加えて、切断された微小円柱体４１から、ボール良品は略９８％の歩留まりで、凡そ６００千球が得られ、周知の粉末球状化法によって得られた銅ボールより遥かに歩留まりも高く工業的に有効な方法と言える。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
一般的に搭載後の導通試験は、デイジーチェーン（ｄａｉｓｙ  ｃｈａｉｎ）と言われる回路を用いるが、図６（ａ），（ｂ）に示すように、チップ外周囲のみの電気回路（基本的にはデイジーチェーンの一種）にて行ったところ、導通が得られ実用に供し得ることが判った。