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【手続補正書】
【提出日】平成16年2月23日(2004.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面形状が長方形の主面に複数のボンディングパッドが形成された半導体チップと、この半導体チップの前記複数のボンディングパッドに電気的に接続された複数本のインナリードが、平面形状が長方形の樹脂封止体によって樹脂封止されている半導体装置において、
前記複数のボンディングパッドは前記半導体チップの長辺と平行の中心線に沿って配置形成され、
前記複数本のインナリードそれぞれの一部は前記複数のボンディングパッドに対応するように前記半導体チップの長辺を横切って前記主面上に延在して設けられ、
前記複数本のインナリードの他部は複数のアウタリードと接続され一体になっており、
前記樹脂封止体によって封止された前記半導体チップの短辺側脇部分に前記樹脂封止体の反りを防止する反り防止用リードが、前記半導体チップを挟むように敷設されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記樹脂封止体の半導体チップの脇部分が、前記反り防止用リードによって厚さ方向に実質的に二等分されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記反り防止用リードは前記半導体チップの厚さ方向に屈曲された下がり部を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記反り防止用リードが複数本、前記樹脂封止体の樹脂流通線に対して両側に分配されるように敷設されていることを特徴とする請求項１、２または３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体チップの主面の上に絶縁層を介して前記複数本のインナリードそれぞれの一部が固着されており、これら複数のインナリードのそれぞれが前記半導体チップの複数のボンディングパッドにワイヤボンディングによって電気的に接続されていることを特徴とする請求項１、２、３または４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記複数のインナリードは中間部をクランク形状に屈曲されてチップ下げ部が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記反り防止用リードは中間部をクランク形状に屈曲されて下がり部が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
主面の形状が互いに向かい合う第１、第２の短辺と互いに向かい合う第１、第２の長辺を有する長方形状で、前記主面に前記第１、第２の長辺に挟まれるように前記長辺に沿って配列された複数のボンディングパッドを有する半導体チップと、
前記半導体チップを封止する、平面形状が長方形で前記半導体チップの第１、第２の短辺方向に沿う第３、第４の短辺と、前記半導体チップの第１、第２の長辺方向に沿う第３、第４の長辺とを有する封止体と、
前記半導体チップの主面上に一部が延在して前記半導体チップ主面に絶縁テープを介して固定され、他部は前記封止体の第３、第４の長辺のそれぞれを横切るように前記封止体から突出する複数のリードと、
前記複数のリードの前記半導体チップの主面上に延在する一部と前記半導体チップの複数のボンディングパッドとを接続する複数のボンディングワイヤと、
前記封止体の第３、第４の長辺を横切る前記複数のリードの前記封止体の第３、第４の短辺に最も近いリード間で前記半導体チップの第１、第２の短辺と前記封止体の第３、第４の短辺との間にそれぞれ設けられた反り防止用リードとを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
前記反り防止用リードは、それぞれ同一形状であることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記反り防止用リードには、吊りリード部の一端が接続され、前記吊りリード部の他端は前記封止体の第３、第４の短辺それぞれから露出していることを特徴とする請求項８または９に記載の半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
すなわち、平面形状が長方形の主面に複数のボンディングパッドが形成された半導体チップと、この半導体チップの前記複数のボンディングパッドに電気的に接続された複数本のインナリードが、平面形状が長方形の樹脂封止体によって樹脂封止されている半導体装置において、
前記複数のボンディングパッドは前記半導体チップの長辺と平行の中心線に沿って配置形成され、
前記複数本のインナリードそれぞれの一部は前記複数のボンディングパッドに対応するように前記半導体チップの長辺を横切って前記主面上に延在して設けられ、
前記複数本のインナリードの他部は複数のアウタリードと接続され一体になっており、
前記樹脂封止体によって封止された前記半導体チップの短辺側脇部分に前記樹脂封止体の反りを防止する反り防止用リードが、前記半導体チップを挟むように敷設されていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月28日(2005.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子（２０）の製造方法であって：
ダイ・フラグ（１１）、内部リード（１３）および複数の外部リード（１２）を有するリードフレーム（１０）を用意する段階であって、前記内部リードは前記複数の外部リードに電気的につながっている、段階；
半導体チップ（２１）を前記ダイ・フラグ（１１）上に実装する段階；
前記半導体チップ（２１）を前記内部リード（１３）にかつ前記複数の外部リード（１２）にワイヤ・ボンディングによって接合する段階；
前記半導体チップをワイヤ・ボンディングによって接合した後に前記半導体チップ（２１）および前記リードフレーム（１０）の周りに封止材（２３）を配置する段階であって、前記内部リード（１３）の第１部分および前記複数の外部リードの第１部分が前記封止材の周囲を越えて延在し、前記封止材は前記内部リードの第２部分および前記複数の外部リードの第２部分を露出する空洞（２４）を有する、段階；
電子チップ（３０）を前記空洞（２４）に実装する段階；
前記半導体チップの周りに前記封止材を配置した後に前記電子チップを前記内部リードの少なくとも第２部分にワイヤ・ボンディングによって接合する段階；および
前記内部リードを前記複数の外部リードから電気的に分離するために前記内部リードの前記第１部分（１５）を前記半導体素子から除去する段階；
を具備することを特徴とする半導体素子（２０）の製造方法。
【請求項２】
さらに、前記電子チップをワイヤ・ボンディングによって接合した後に前記空洞（２４）および前記電子チップ（３０）の上にキャップ（３２）を配置する段階を具備することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記キャップ（３２）を配置する段階はさらに前記半導体チップ（２１）を前記キャップ（３２）の下から外す段階を具備することを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記半導体チップ（２１）を実装する段階はさらに前記半導体チップのためのコントローラ・チップを提供する段階からなり、かつ前記電子チップ（３０）を実装する段階はさらに前記電子チップのためのセンサを提供する段階からなることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
半導体素子（２０）であって：
ダイ・フラグ（１１）、内部リード（１３）および複数の外部リード（１２）を有するリードフレーム（１０）であって、前記内部リードは前記複数の外部リードに電気的につながっているもの；
前記ダイ・フラグ（１１）上の半導体チップ（２１）であって、該半導体チップ（２１）は前記内部リード（１３）にかつ前記複数の外部リード（１２）にワイヤ・ボンディングによって接合されているもの；
前記半導体チップ（２１）および前記リードフレーム（１０）の周りの封止材（２３）であって、前記内部リード（１３）の第１部分および前記複数の外部リードの第１部分は前記封止材の周囲を越えて延在し、前記封止材は前記内部リードの第２部分および前記複数の外部リードの第２部分を露出する空洞（２４）を有し、前記内部リードの第１部分は前記複数の外部リードから電気的に分離されているもの；および
前記空洞（２４）内に実装された電子チップ（３０）であって、該電子チップは前記半導体チップの周りに前記封止材を配置した後に前記内部リードの少なくとも第２部分にワイヤ・ボンディングによって接合されているもの；
を具備することを特徴とする半導体素子（２０）。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月9日(2004.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する保持手段と、
この保持手段により保持された前記基板の周縁位置を非接触で検出する、前記基板の基準位置の周縁に配置された位置検出手段と、
該位置検出手段の検出結果に基づいて、予め記憶している前記位置検出手段の検出結果と前記基板の中心位置との対応情報から、前記基板の中心位置を算出する演算手段とを具備したことを特徴とする基板中心位置検出装置。
【請求項２】
前記演算手段は、前記位置検出手段の検出結果と前記基板の中心位置との対応情報をテーブルとして予め記憶し、前記位置検出手段の検出結果を用いてテーブル変換することで前記基板の中心位置を算出することを特徴とする請求項１記載の基板中心位置検出装置。
【請求項３】
前記予め記憶している前記位置検出手段の検出結果と前記基板の中心位置との対応情報は、基板に遮光されずに前記位置検出手段に到達する光の面積と基板の中心座標の対応情報を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の基板中心位置検出装置。
【請求項４】
前記基板に遮光されずに前記位置検出手段に到達する光の面積は前記基板と前記位置検出手段に備えられた発光手段から射出された光束の２つの円によって形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか1項に記載の基板中心位置検出装置。
【請求項５】
前記位置検出手段は、複数であること特徴とする請求項１から４のいずれか1項に記載の基板中心位置検出装置。
【請求項６】
前記位置検出手段は、前記基板の基準位置の周縁に沿って等間隔に配置されていること特徴とする請求項１から５のいずれか1項に記載の基板中心位置検出装置。
【請求項７】
保持された基板の周縁位置を、該基板の基準位置の周縁に沿った位置で非接触で検出し、
これらの検出結果に基づいて、予め記憶している検出結果と前記基板の中心位置との対応情報から、前記基板の中心位置を算出することを特徴とする基板中心位置検出方法。
【請求項８】
前記非接触で検出される位置は、前記基板の基準位置の周縁に沿って等間隔であること特徴とする請求項７に記載の基板中心位置検出方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の基板中心位置検出装置は、基板を保持する保持手段と、この保持手段により保持された前記基板の周縁位置を非接触で検出する、前記基板の基準位置の周縁に配置された位置検出手段と、
該位置検出手段の検出結果に基づいて、予め記憶している前記位置検出手段の検出結果と前記基板の中心位置との対応情報から、前記基板の中心位置を算出する演算手段とを具備したことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の基板中心位置検出方法は、保持された基板の周縁位置を、該基板の基準位置の周縁に沿った位置で非接触で検出し、
これらの検出結果に基づいて、予め記憶している検出結果と前記基板の中心位置との対応情報から、前記基板の中心位置を算出することを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
【発明の効果】本発明によれば、検出対象となる基板に非接触で基板の損傷や汚染を防ぎながら、簡単な構造で、正確且つ迅速に基準位置に対する基板のずれ量を検出することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
また、本発明によれば、検出対象となる基板に非接触で基板の損傷や汚染を防ぎながら、簡単な構成の装置により、正確且つ迅速に基準位置に対する基板のずれ量を検出させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月5日(2004.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶性半導体を用いて形成されたソース領域、ドレイン領域および活性領域を含む半導体装置であって、
前記活性領域は局部的にゲルマニウムを添加して形成されたＳｉxＧｅ1-x（０＜Ｘ＜１）領域及び前記ゲルマニウムが添加されなかったＳｉ領域とで構成され、
局部的に形成された前記ＳｉxＧｅ1-x（０＜Ｘ＜１）領域によって前記ドレイン領域から前記ソース領域に向かって広がる空乏層が抑止されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
結晶性半導体を用いて形成されたソース領域、ドレイン領域および活性領域を含む半導体装置であって、
前記活性領域は局部的にゲルマニウムを添加して形成されたＳｉxＧｅ1-x（０＜Ｘ＜１）領域及び前記ゲルマニウムが添加されなかったＳｉ領域とで構成され、
局部的に形成された前記Ｓｉ領域によって前記ドレイン領域から前記ソース領域に向かって広がる空乏層が抑止されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
結晶性半導体を用いて形成されたソース領域、ドレイン領域および活性領域を含む半導体装置であって、
前記活性領域は局部的にゲルマニウムを添加して形成されたＳｉxＧｅ1-x（０＜Ｘ＜１）領域及び前記ゲルマニウムが添加されなかったＳｉ領域とで構成され、
局部的に形成されたＳｉxＧｅ1-x（０＜Ｘ＜１）領域によって前記ドレイン領域から前記ソース領域に向かって広がる空乏層が抑止され、且つ、しきい値電圧が制御されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
結晶性半導体を用いて形成されたソース領域、ドレイン領域および活性領域を含む半導体装置であって、
前記活性領域は局部的にゲルマニウムを添加して形成されたＳｉxＧｅ1-x（０＜Ｘ＜１）領域及び前記ゲルマニウムが添加されなかったＳｉ領域とで構成され、
局部的に形成された前記Ｓｉ領域によって前記ドレイン領域から前記ソース領域に向かって広がる空乏層が抑止され、且つ、しきい値電圧が制御されることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記活性領域はＳｉxＧｅ1-x（０＜Ｘ＜１）領域及び前記Ｓｉ領域が互いに概略平行に、且つ、交互に並んで構成され、
前記ＳｉxＧｅ1-x（０＜Ｘ＜１）領域は前記ソース領域から前記ドレイン領域にかけて形成されていること特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記活性領域はＥｇ1のバンドギャップを有する領域と、Ｅｇ1よりも小さなＥｇ2のバンドギャップを有する領域とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、前記Ｅｇ1のバンドギャップを有する領域とはＳｉ領域であり、Ｅｇ2のバンドギャップを有する領域とはＳｉxＧｅ1-x（０＜Ｘ＜１）領域であることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記活性領域の一部はチャネル形成領域となることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項１または請求項３において、前記Ｓｉ領域は多数キャリアの移動経路となり、且つ、前記ＳｉxＧｅ1-x（０＜Ｘ＜１）領域は少数キャリアを前記活性領域の外部へ引き出すための移動経路となることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項２または請求項４において、前記ＳｉxＧｅ1-x（０＜Ｘ＜１）領域は多数キャリアの移動経路となり、且つ、前記Ｓｉ領域は少数キャリアを前記活性領域の外部へ引き出すための移動経路となることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記ＳｉxＧｅ1-x（０＜Ｘ＜１）領域にはｘが０．０５〜０．９５の範囲の濃度でゲルマニウムが添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１または請求項３において、前記Ｓｉ領域は真性または実質的に真性な領域であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項２または請求項４において、前記ＳｉxＧｅ1-x（０＜Ｘ＜１）領域は真性または実質的に真性な領域であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月16日(2004.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に島状の半導体層を形成し、
前記島状の半導体層の上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上にリンが添加された多結晶シリコンでなるゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクにして前記半導体層に不純物を添加し、第１の不純物領域を形成し、
前記ゲイト電極の側面に側壁を形成し、
前記ゲイト電極と前記側壁をマスクにして前記第２の絶縁膜をエッチングし、
前記ゲイト電極と前記側壁をマスクにして、前記半導体層の前記第１の不純物領域に不純物を添加して第２の不純物領域を形成し、
前記ゲート電極及び前記第２の不純物領域上に金属膜を形成し、
熱アニールにより、前記金属膜と前記ゲイト電極及び前記第２の不純物領域を反応させ、それぞれシリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に第１の電極を形成し、
前記第１の電極を覆うように第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に島状の半導体層を形成し、
前記島状の半導体層の上に第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上にリンが添加された多結晶シリコンでなる第２の電極を形成し、
前記第２の電極をマスクにして前記半導体層に不純物を添加し、第１の不純物領域を形成し、
前記第２の電極の側面に側壁を形成し、
前記第２の電極と前記側壁をマスクにして前記第２の絶縁膜をエッチングし、
前記第２の電極と前記側壁をマスクにして、前記半導体層の第１の不純物領域に不純物を添加して第２の不純物領域を形成し、
前記第２の電極及び前記第２の不純物領域上に金属膜を形成し、
熱アニールにより、前記金属膜と前記第２の電極及び前記第２の不純物領域を反応させ、それぞれシリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記第１の絶縁膜は酸化珪素膜であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記酸化珪素膜は膜厚が２００ｎｍであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記ゲイト電極の幅を１μｍとすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記シリサイド層は、前記ゲイト電極及び前記第２の不純物領域の上層の一部がシリサイド化して形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記金属膜は、チタン、タンタル、モリブデン、タングステンのいずれか一であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月25日(2005.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面を有する半導体基板と、
この半導体基板の主表面上にトンネル絶縁膜を介してそれぞれ設けられ、前記半導体基板との間で電荷の授受が行われる複数の浮遊ゲート電極と、
この浮遊ゲート電極の相互間に対応する、前記半導体基板の主表面部にそれぞれ設けられた溝内に、導電性材料を埋め込んでなる複数の埋め込み電極と、
この埋め込み電極および前記浮遊ゲート電極の上部に層間絶縁膜を介して設けられた制御ゲート電極と
を具備したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項２】
前記埋め込み電極は、少なくとも前記溝の側面に沿って設けられることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
前記埋め込み電極は、前記溝に対して、前記半導体基板の表面より突出するようにして設けられることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
前記浮遊ゲート電極および前記制御ゲート電極からなる積層電極構造を有する、複数のメモリセルトランジスタがマトリクス状に形成されてなるメモリセルアレイと、
このメモリセルアレイにおける、同一列内の複数のメモリセルトランジスタに共通に接続されるビット線と、
前記メモリセルアレイにおける、同一行内の複数のメモリセルトランジスタに共通に接続されるワード線と
を備え、
前記埋め込み電極が前記ビット線方向に沿って形成されることを特徴とする請求項１に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
前記メモリセルトランジスタは、少なくとも消去状態と複数の書き込み状態とを有する多値記憶可能なメモリセルトランジスタであって、書き込み時には、前記メモリセルトランジスタに書き込まれる書き込み状態に応じた所定電位が、前記埋め込み電極に対して与えられることを特徴とする請求項４に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
前記メモリセルトランジスタに第１の書き込み状態が書き込まれる場合、前記埋め込み電極には第１の電位が与えられ、前記メモリセルトランジスタに前記第１の書き込み状態よりもしきい値の大きい第２の書き込み状態が書き込まれる場合、前記埋め込み電極には前記第１の電位よりも低い第２の電位が与えられることを特徴とする請求項５に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項７】
前記メモリセルトランジスタに第１の書き込み状態が書き込まれる場合、前記埋め込み電極には第１の電位が与えられ、前記メモリセルトランジスタに前記第１の書き込み状態よりもしきい値の大きい第２の書き込み状態が書き込まれる場合、前記埋め込み電極には前記第１の電位よりも高い第２の電位が与えられることを特徴とする請求項５に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項８】
半導体基板と、
この半導体基板の主表面部に選択的に設けられた溝内に、絶縁性材料をそれぞれ埋め込んでなる複数の埋め込み絶縁膜と、
この埋め込み絶縁膜の相互間に対応する、前記半導体基板上にトンネル絶縁膜を介してそれぞれ設けられ、前記半導体基板との間で電荷の授受が行われる複数の浮遊ゲート電極と、
この浮遊ゲート電極上に層間絶縁膜を介して設けられ、前記溝と略直交して延在する複数の制御ゲート電極と、
この制御ゲート電極の相互間における前記溝内に、前記絶縁性材料上に積層して導電性材料を埋め込んでなる埋め込み電極と
を具備したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項９】
前記浮遊ゲート電極および前記制御ゲート電極からなる積層電極構造を有する、複数のメモリセルトランジスタがマトリクス状に形成されてなるメモリセルアレイと、
このメモリセルアレイにおける、同一列内の複数のメモリセルトランジスタに共通に接続されるビット線と、
前記メモリセルアレイにおける、同一行内の複数のメモリセルトランジスタに共通に接続されるワード線と
を備え、
前記埋め込み電極が前記ワード線方向に沿って形成されることを特徴とする請求項８に記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項１０】
半導体基板と、
この半導体基板上にトンネル絶縁膜を介してそれぞれ設けられ、前記半導体基板との間で電荷の授受が行われる複数の浮遊ゲート電極と、
この浮遊ゲート電極の相互間に対応する、前記半導体基板の主表面部にそれぞれ設けられた溝内の２つの側面に、それぞれ絶縁膜を介して設けられ、互いに電気的に分離された複数の埋め込み電極と、
この埋め込み電極および前記浮遊ゲート電極の上部に層間絶縁膜を介して設けられた制御ゲート電極と
を具備し、
データの書き込み時、選択メモリセルの前記浮遊ゲート電極を挟んで対向する１対の前記埋め込み電極には負電位を印加し、非選択のメモリセルの前記浮遊ゲートを挟んで対向する１対の前記埋め込み電極には、前記負電位よりも高い電位を印加することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【課題を解決するための手段】
本願発明の一態様によれば、主表面を有する半導体基板と、この半導体基板の主表面上にトンネル絶縁膜を介してそれぞれ設けられ、前記半導体基板との間で電荷の授受が行われる複数の浮遊ゲート電極と、この浮遊ゲート電極の相互間に対応する、前記半導体基板の主表面部にそれぞれ設けられた溝内に、導電性材料を埋め込んでなる複数の埋め込み電極と、この埋め込み電極および前記浮遊ゲート電極の上部に層間絶縁膜を介して設けられた制御ゲート電極とを具備したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
また、本願発明の一態様によれば、半導体基板と、この半導体基板の主表面部に選択的に設けられた溝内に、絶縁性材料をそれぞれ埋め込んでなる複数の埋め込み絶縁膜と、この埋め込み絶縁膜の相互間に対応する、前記半導体基板上にトンネル絶縁膜を介してそれぞれ設けられ、前記半導体基板との間で電荷の授受が行われる複数の浮遊ゲート電極と、この浮遊ゲート電極上に層間絶縁膜を介して設けられ、前記溝と略直交して延在する複数の制御ゲート電極と、この制御ゲート電極の相互間における前記溝内に、前記絶縁性材料上に積層して導電性材料を埋め込んでなる埋め込み電極とを具備したことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置が提供される。
さらに、本願発明の一態様によれば、半導体基板と、この半導体基板上にトンネル絶縁膜を介してそれぞれ設けられ、前記半導体基板との間で電荷の授受が行われる複数の浮遊ゲート電極と、この浮遊ゲート電極の相互間に対応する、前記半導体基板の主表面部にそれぞれ設けられた溝内の２つの側面に、それぞれ絶縁膜を介して設けられ、互いに電気的に分離された複数の埋め込み電極と、この埋め込み電極および前記浮遊ゲート電極の上部に層間絶縁膜を介して設けられた制御ゲート電極とを具備し、データの書き込み時、選択メモリセルの前記浮遊ゲート電極を挟んで対向する１対の前記埋め込み電極には負電位を印加し、非選択のメモリセルの前記浮遊ゲートを挟んで対向する１対の前記埋め込み電極には、前記負電位よりも高い電位を印加することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月28日(2004.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセンサ部と、
各センサ部列に対応した垂直転送レジスタと、
前記センサ部の一側に形成された読み出しゲート部と、
前記センサ部の他側に形成された画素分離部を有し、
前記センサ部の中心の層に対して、センサ部の表面層が前記画素分離部側にずれ、
かつ前記センサ部の表面層と前記画素分離部とが、同一のイオン注入層で形成されて成る
ことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記センサ部の中心の層は、第１導電型の半導体層で形成され、
前記センサ部の表面層は、第２導電型の電荷蓄積層で形成され、
前記画素分離部は、第２導電型のチャネルストップ領域で形成されて成る
ことを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
センサ部の表面層を形成する不純物イオン注入工程において、
該不純物イオン注入を、ウェハ法線から１０°以上傾斜させ、前記センサ部からみて、画素分離部を形成すべき側へ向って行い、
前記センサ部の表面層と前記画素分離部とを同時に形成する
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項４】
前記不純物イオン注入は、転送電極を形成した後に行う
ことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項５】
センサ部の表面層を形成する不純物イオン注入工程において、
不純物イオン注入によって、センサ部の表面層と画素分離部とを同時に形成する
ことを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
一方、センサ部の表面層から読み出しゲート部への不純物の横方向拡散が小さくなり、読み出しゲート部のセンサ部側の不純物濃度が低くなり、読み出し電圧の低減が図れる。
また、センサ部に表面層と一体に形成される画素分離部の不純物が隣接する垂直転送レジスタの転送チャネル領域へ横方向拡散して転送チャネル領域の一部を相殺する量が小さくなる。
さらに、センサ部の表面層と画素分離部が同時に形成されるので、製造工程数が低減する。画素分離部は最も微細な領域であり、この微細な領域を形成するための難易度の高い工程を省略することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明に係る固体撮像素子の製造方法は、センサ部の表面層を形成する不純物イオン注入工程において、不純物イオン注入によって、センサ部の表面層と画素分離部とを同時に形成する
この製法においては、センサ部の表面層と画素分離部が同時に形成されるので、製造工程数が低減する。画素分離部は最も微細な領域であり、この微細な領域を形成するための難易度の高い工程を省略することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月27日(2004.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウム化合物を活物質とする正極を備えたリチウムイオン電池において、活物質が、リチウムコバルト複合酸化物、リチウムニッケルコバルトアルミ複合酸化物及びリチウムマンガン複合酸化物の３種混合物からなることを特徴とするリチウムイオン二次電池。
【請求項２】
３種混合物中のリチウムマンガン複合酸化物の含有量が２０重量％以上である請求項１に記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項３】
３種混合物中のリチウムニッケルコバルトアルミ複合酸化物とリチウムコバルト複合酸化物との合計含有量が、４０重量％以上、７０重量％以下である請求項１に記載のリチウムイオン二次電池。
【請求項４】
３種混合物中のリチウムコバルト複合酸化物の含有量が１０重量％以上である請求項３に記載のリチウムイオン二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、リチウム化合物を活物質とする正極を備えたリチウムイオン電池において、活物質が、リチウムコバルト複合酸化物、リチウムニッケルコバルトアルミ複合酸化物及びリチウムマンガン複合酸化物の３種混合物からなることを特徴とする。また、３種混合物中のリチウムマンガン複合酸化物の含有量を２０重量％以上、３種混合物中のリチウムニッケルコバルトアルミ複合酸化物とリチウムコバルト複合酸化物との合計含有量を４０重量％以上、７０重量％以下、３種混合物中のリチウムコバルト複合酸化物の含有量を１０重量％以上とすることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明によるリチウムイオン電池では、活物質がリチウムコバルト複合酸化物、リチウムニッケルコバルトアルミ複合酸化物及びリチウムマンガン複合酸化物の３種混合物からなり、３種混合物中のリチウムマンガン複合酸化物の含有量を２０重量％以上、リチウムニッケルコバルトアルミ複合酸化物とリチウムコバルト複合酸化物との合計含有量を４０重量％以上、７０重量％以下、リチウムコバルト複合酸化物の含有量を１０重量％以上とする。このようにすることにより、リチウムコバルト複合酸化物の高容量と電子伝導性、リチウムニッケルコバルトアルミ複合酸化物の高容量、リチウムマンガン複合酸化物の低価格と導電助剤量の低減化が発現し、容量、サイクル、価格の全ての面でバランスのとれた正極を得ることができ、特にハイレート特性が向上する。安全性は低下しない。また、リチウムコバルト複合酸化物、リチウムニッケルコバルトアルミ複合酸化物混合系もしくは単独系より低コストとなる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月23日(2004.7.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の実装ランドに塗布した導電性接着剤の上に装着され、温度を加えて該導電性接着剤を硬化させて該実装ランドに接着固定される電子部品の構造において、前記電子部品の両電極部間の胴体部に凸壁が形成されてなることを特徴とする電子部品の構造。
【請求項２】
前記電子部品の両電極部間の胴体部の接着面に凸壁が形成されてなることを特徴とする請求項１記載の電子部品の構造。
【請求項３】
基板の実装ランドに塗布した導電性接着剤の上に装着され、温度を加えて該導電性接着剤を硬化させて該実装ランドに接着固定される電子部品の構造において、前記電子部品の両電極部間の胴体部の胴回りが該両電極部よりも外周方向へ大きく形成されてなることを特徴とする電子部品の構造。
【請求項４】
基板の実装ランドに塗布した導電性接着剤の上に装着され、温度を加えて該導電性接着剤を硬化させて該実装ランドに接着固定される電子部品の構造において、前記電子部品の両電極部間の胴体部にテープが巻回されてなることを特徴とする電子部品の構造。
【請求項５】
基板の実装ランドに塗布した導電性接着剤の上に装着され、温度を加えて該導電性接着剤を硬化させて該実装ランドに接着固定される電子部品の構造において、前記電子部品の両電極部間の胴体部に塗料により凸壁が形成されてなることを特徴とする電子部品の構造。
【請求項６】
基板の実装ランドに塗布した導電性接着剤の上に装着され、温度を加えて該導電性接着剤を硬化させて該実装ランドに接着固定される電子部品の構造において、前記電子部品の電極部が端面より凹形状に形成されてなることを特徴とする電子部品の構造。
【請求項７】
基板の実装ランドに絶縁性接着剤を塗布し、該絶縁性接着剤の上に電子部品を装着し温度を加えて該絶縁性接着剤を硬化させ該電子部品を該実装ランドに接着固定した上に導電性接着剤を塗布し温度を加えて該導電性接着剤を硬化させ該電子部品と該実装ランドとを接続してなる電子部品の実装構造であって、前記絶縁性接着剤により前記電子部品と前記実装ランドとの間に形成された接合部の上にさらに導電性接着剤を重ねて塗布し、該電子部品と該実装ランドとの間に２次接合部を形成してなることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項８】
基板の実装ランドに導電性接着剤を塗布し、該導電性接着剤の上に電子部品を装着し温度を加えて該導電性接着剤を硬化させ該電子部品を該実装ランドに接着固定してなる電子部品の実装構造において、前記基板には前記電子部品が埋設される凹部と、該凹部の開口縁部に該電子部品と接合する前記実装ランドとが形成されてなることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項９】
基板の実装ランドに導電性接着剤を塗布し、該導電性接着剤の上に電子部品を装着し温度を加えて該導電性接着剤を硬化させ該電子部品を該実装ランドに接着固定してなる電子部品の実装構造において、前記基板には前記電子部品の片側の電極部に対応する前記実装ランドの形成位置に段差が設けられてなることを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項１０】
基板の実装ランドに塗布した導電性接着剤の上に装着され、温度を加えて該導電性接着剤を硬化させてリード端子が該実装ランドに接着固定される電子部品の構造において、前記電子部品のリード端子の接着部が該電子部品の本体部底面より上方に形成されてなることを特徴とする電子部品の構造。
【請求項１１】
基板の実装ランドに塗布した導電性接着剤の上に装着され、温度を加えて該導電性接着剤を硬化させてリード端子が該実装ランドに接着固定される電子部品の構造において、前記電子部品のリード端子がクランク形状に形成され該クランクの１部が前記基板に当接し前記導電性接着剤との接着部が該基板と離れた位置に形成されてなることを特徴とする電子部品の構造。
【請求項１２】
基板の実装ランドに電気的に接続される電子部品の実装構造であって、
前記電子部品の両電極部間の胴体部が凸状に形成され、
前記凸状部が前記基板に接したとき、前記電極と前記実装ランドとの間に所定の間隔が形成されるように前記凸状部が突出している
ことを特徴とする電子部品の実装構造。
【請求項１３】
回路部、前記回路部に接続された実装ランドを有するプリント基板と、
前記実装ランドに接続される少なくとも一対の電極を有する電子部品とを含み、
前記電子部品は、前記プリント基板に接したとき、前記電極と前記実装ランドとの間に所定の間隔が形成されるように両電極部間の胴体部が凸状に突出している
ことを特徴とする実装構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、基板の実装ランドに塗布した導電性接着剤の上に装着され、温度を加えて該導電性接着剤を硬化させてリード端子が該実装ランドに接着固定される電子部品の構造において、前記電子部品のリード端子の接着部が該電子部品の本体部底面より上方に形成されてなることを特徴とするものである。また、基板の実装ランドに塗布した導電性接着剤の上に装着され、温度を加えて該導電性接着剤を硬化させてリード端子が該実装ランドに接着固定される電子部品の構造において、前記電子部品のリード端子がクランク形状に形成され該クランクの１部が前記基板に当接し前記導電性接着剤との接着部が該基板と離れた位置に形成されてなることを特徴とするものである。また、基板の実装ランドに電気的に接続される電子部品の実装構造であって、前記電子部品の両電極部間の胴体部が凸状に形成され、前記凸状部が前記基板に接したとき、前記電極と前記実装ランドとの間に所定の間隔が形成されるように前記凸状部が突出していることを特徴とするものである。また、回路部、前記回路部に接続された実装ランドを有するプリント基板と、前記実装ランドに接続される少なくとも一対の電極を有する電子部品とを含み、前記電子部品は、前記プリント基板に接したとき、前記電極と前記実装ランドとの間に所定の間隔が形成されるように両電極部間の胴体部が凸状に突出していることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月6日(2004.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
（１）剥離接着力、耐熱剥離接着力
処理コードとゴムとの接着力を示すものである。天然ゴムを主成分とするカーカス配合の未加硫ゴムシート表層近くに７本のコードを埋め、１５０℃、３０分間、５００Ｎ／ｃｍ2のプレス圧力で加硫し（剥離接着力）、または１８０℃、２０分間、５００Ｎ／ｃｍ2のプレス圧力で加硫し（耐熱剥離接着力）、次いで、両端のコードを残し５本のコードをゴムシート面に対し９０度の方向へ２００ｍｍ／分の速度で剥離するのに要したカをＮ／５ｃで示したものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
（２）引抜接着力、耐熱引抜接着力
処理コードとゴムとの剪断接着力を示すものである。コードを天然ゴムを主成分とするカーカス配合の未加硫ゴムブロック中に埋め込み、１５０℃、３０分間加硫し（剥離接着力）、または１８０℃、２０分間、５００Ｎ／ｃｍ2のプレス圧力で加硫し（耐熱剥離接着力）、次いでコードをゴムブロックから２００ｍｍ／分の速度で引き抜き、引き抜きに要したカをＮ／７ｍｍで表示したものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
脱ガム処理された米ぬか油中の残留リンのもとになるホスホ糖脂質を実質的に除去するための未精製米ぬか油の処理によって、リン含有分の低い（＜１０ｐｐｍ）米ぬか油を製造するための方法であって、
a)未精製米ぬか油を周囲温度において５％の沸騰水によって処理し、そして形成されたスラッジを分離して清浄化された油を得ること、
b)このようにして得た清浄化された油を、モノ−、ジ−もしくはトリエタノールアミンからなる群より選ばれる、０．５〜１０％の試薬によって処理して前記リン含有分の低い米ぬか油を得ること、
を含む方法。
【請求項２】
工程(b)において、充分な接触時間の後に、さらなる量の沸騰水（５％）を加えて、そしてそのようにして形成されたスラッジを除去してリンが１０ｐｐｍ未満である油を得る、請求項１記載の方法。
【請求項３】
工程(a)において得られた、清浄化された油を、工程(b)において、存在する遊離脂肪酸を中和するために必要とされる理論量よりも１０％過剰の量の前記試薬によって処理すること、次いで、混合物の５％のさらなる量の沸騰水によって処理し、遊離脂肪酸が０．５％未満である油を得ること、前記油を漂白及び脱臭処理して、リンが１０ｐｐｍ未満であり、油中に存在する微小栄養素が実質的に無傷である油を得る、請求項１記載の方法。
【請求項４】
工程(a)において、形成されたスラッジの分離を、遠心分離、ろ過又は他のいずれかの適切な方法により行う、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月19日(2004.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の成分：
（Ａ）１種類以上のビス（トリアルコキシシリルアルキル）スクシネート、
（Ｂ）ビニル含有ポリジオルガノシロキサン、
（Ｃ）水素含有ポリシロキサン、及び
（Ｄ）触媒量のヒドロシリル化触媒
を含んでなる室温加硫性接着剤配合物からなるシリコーン組成物。
【請求項２】
前記ビニル含有ポリジオルガノシロキサンが一般式
(Ｒ4)2Ｒ5ＳｉＯ[(Ｒ4)2ＳｉＯ]m[Ｒ4Ｒ5ＳｉＯ]nＳｉ(Ｒ4)2Ｒ5
（式中、Ｒ5はビニル基であり、Ｒ4は炭素原子数約１〜約８のアルキル基、フェニル基、炭素原子数約３〜約１０のフルオロアルキル基及びこれらの混合物からなる群から選択され、「ｍ」＋「ｎ」は該ポリジオルガノシロキサン全体として２５℃で約１００〜約１０００００センチポアズの粘度及び該ビニル含有ポリジオルガノシロキサンの約０．０２〜約２．０重量％のビニル含量を与えるに十分な値を有する。）を有しており、(Ｒ6)3ＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ4/2単位を有するビニル含有シリコーン樹脂コポリマー（ただし、Ｒ6はビニル基、又は脂肪族不飽和のない炭素原子数６以下の一価炭化水素基であり、(Ｒ6)3ＳｉＯ1/2単位とＳｉＯ4/2単位との比は約０．５：１〜約１．５：１であり、この樹脂のビニル含量は該ビニル含有シロキサン樹脂コポリマーの約１．５〜約３．５重量％である。）を約０〜約７０重量％含む、請求項１記載の組成物。
【請求項３】
前記水素含有ポリシロキサンが
Ｒ7dＨeＳｉＯ(4-d-e)/2
（ただし、Ｒ7は水素、一価炭化水素基、又は脂肪族不飽和のない炭素原子数約１〜約１０のハロゲン化一価炭化水素基であり、「ｄ」は０〜約３の値を有し、「ｅ」は約１〜約３の値を有し、「ｄ」＋「ｅ」の和は約１〜約３の値を有する。）の平均単位式を有する、請求項１又は請求項２記載の組成物。
【請求項４】
前記ビス（トリアルコキシシリルアルキル）スクシネートが式
【化１】
2002309089.tif 000001
（式中、各Ｒ3は独立に炭素原子数約１〜約２０のアルキル基を表し、Ｒ1は水素を表し、Ｒ2は水素又は炭素原子数約１〜約２０のアルキル基を表し、「ｘ」は約３〜約８である。）を有する、請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の組成物。
【請求項５】
以下の成分：
（Ａ）組成物全体の約０．１〜約５重量％存在する１種類以上のビス（トリアルコキシシリルアルキル）スクシネート、
（Ｂ）組成物全体の約１０〜約５０重量％存在するビニル含有ポリジオルガノシロキサン、
（Ｃ）組成物全体の約１〜約１５重量％の水素含有ポリシロキサン、
（Ｄ）触媒量のヒドロシリル化触媒、
（Ｅ）組成物全体の約０〜約５０重量％の増量用充填材、及び
（Ｆ）組成物全体の約０〜約７０重量％の強化用充填材
を含んでなる室温加硫性接着剤配合物からなるシリコーン組成物。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の組成物で処理した金属基材又はポリマー基材を含む物品。
【請求項７】
シリコーン組成物と基材に凝集破壊性をもたらす方法であって、
（Ｉ）下記成分：
（Ｅ）１種類以上のビス（トリアルコキシシリルアルキル）スクシネート、
（Ｆ）ビニル含有ポリジオルガノシロキサン、
（Ｇ）水素含有ポリシロキサン、及び
（Ｈ）触媒量のヒドロシリル化触媒
を含むシリコーン組成物を基材に塗工し、
（II）シリコーン組成物を硬化させる
ことを含んでなる方法。
【請求項８】
シリコーン組成物とアルミニウム基材、フェノール樹脂基材又はエポキシ樹脂基材に凝集破壊性をもたらす方法であって、
（１）下記成分：
（Ａ）組成物全体の約０．１〜約５重量％存在するビス（トリメトキシシリルプロピル）スクシネート、
（Ｂ）組成物全体の約１０〜約５０重量％存在するビニル含有ポリジオルガノシロキサン、
（Ｃ）組成物全体の約１〜約１５重量％の水素含有ポリシロキサン、
（Ｄ）触媒量のヒドロシリル化触媒、
（Ｅ）組成物全体の約０〜約５０重量％の増量用充填材、及び
（Ｆ）組成物全体の約０〜約７０重量％の強化用充填材
からなるシリコーン組成物を約２０〜約６０ミリメートルの厚さで基材に塗工し、
（２）約０．２５〜約１５０時間の時間にわたり約２５〜約１５０℃の温度でシリコーン組成物を硬化させる
ことを含んでなる方法。
【請求項９】
次式：
【化２】
2002309089.tif 000002
（式中、各Ｒ3は独立に炭素原子数約１〜約２０のアルキル基を表し、Ｒ1は水素を表し、Ｒ2は水素又は炭素原子数約１〜約２０のアルキル基を表し、「ｘ」は約３〜約８である。）からなるビス（トリアルコキシシリルアルキル）スクシネート。
【請求項１０】
次式：
【化３】
2002309089.tif 000003
からなり、シリコーン組成物中に存在するとアルミニウム基材、フェノール樹脂基材又はエポキシ樹脂基材との接着をもたらすビス（トリメトキシシリルプロピル）スクシネート。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月1日(2005.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属枠の室内側に樹脂枠を配設した複合窓枠を横方向に連設する複合窓枠の連結構造であって、
横方向に連設する二つの窓枠の縦枠間に金属製の方立を介在させて各窓枠を連結させ、少なくとも一方の窓枠は押縁部材を介してガラス体を固定する嵌め殺し窓枠であり、上記方立は室内側端部から見付方向両側に延びる連結片を有し、各縦枠の金属部と方立とを係合及び又はネジ止めにより固定すると共に、各縦枠の金属部と方立とを別の位置で近接または接触させてなり、上記縦枠の室内側に配設される各縦樹脂枠には、上記縦枠の金属部の連結片より室外側を覆いガラス体または障子と連係する枠としての機能を有する枠構成部と、該枠構成部と一体であって上記縦枠の金属部の連結片より室内側の端部を室内側に延出させた室内側樹脂片とを、それぞれ設け、上記嵌め殺し窓枠を構成する縦樹脂枠の枠構成部には上記押縁部材を取付け、
上記方立の室内側面には樹脂製のカバー体を取付けると共に、このカバー体の左右両側端部を上記室内側樹脂片に連係させることにより、
カバー体を上記縦樹脂枠の各室内側樹脂片の間に納めて室内側面のみを室内側に露出させ、かつカバー体の室内側面と上記各縦樹脂枠の枠構成部と一体に設けられた室内側樹脂片とを連続状としてなることを特徴とする複合窓枠の連結構造。
【請求項２】
金属枠の室内側に樹脂枠を配設した複合窓枠を横方向に連設する複合窓枠の連結構造であって、
横方向に連設する二つの窓枠の縦枠間に金属製の方立を介在させて各窓枠を連結させ、少なくとも一方の窓枠は押縁部材を介してガラス体を固定する嵌め殺し窓枠であり、上記方立は室内側端部から見付方向両側に延びる連結片を有し、上記方立の室内側面には樹脂製のカバー体が取付けられると共に、上記縦枠の室内側に配設される各縦樹脂枠には、上記縦框の金属部の連結片より室外側を覆いガラス体または障子と連係する枠としての機能を有する枠構成部と、該枠構成部と一体であって上記縦框の金属部の連結片より室内側の端部を室内側に延出させた室内側樹脂片とを、それぞれ設け、上記嵌め殺し窓枠を構成する縦樹脂枠の枠構成部には上記押縁部材を取付け、
上記各縦枠の金属部と方立とを係合し及び又はネジ止めにより固定すると共に、各縦枠の金属部と方立とを別の位置で近接または接触させ、上記カバー体の左右両側端部を上記室内側樹脂片に連係させることにより、
カバー体を上記縦樹脂枠の各室内側樹脂片の間に納めて室内側面のみを室内側に露出させ、かつ上記各縦樹脂枠の枠構成部と一体に設けられた室内側樹脂片と上記カバー体の室内側面とを連続状としてなることを特徴とする複合窓枠の連結構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決する手段】
このような複合窓枠の連結構造における問題点を解決するために本発明は、金属枠の室内側に樹脂枠を配設した複合窓枠を横方向に連設する複合窓枠の連結構造であって、
横方向に連設する二つの窓枠の縦枠間に金属製の方立を介在させて各窓枠を連結させ、少なくとも一方の窓枠は押縁部材を介してガラス体を固定する嵌め殺し窓枠であり、上記方立は室内側端部から見付方向両側に延びる連結片を有し、各縦枠の金属部と方立とを係合及び又はネジ止めにより固定すると共に、各縦枠の金属部と方立とを別の位置で近接または接触させてなり、上記縦枠の室内側に配設される各縦樹脂枠には、上記縦枠の金属部の連結片より室外側を覆いガラス体または障子と連係する枠としての機能を有する枠構成部と、該枠構成部と一体であって上記縦枠の金属部の連結片より室内側の端部を室内側に延出させた室内側樹脂片とを、それぞれ設け、上記嵌め殺し窓枠を構成する縦樹脂枠の枠構成部には上記押縁部材を取付け、
上記方立の室内側面には樹脂製のカバー体を取付けると共に、このカバー体の左右両側端部を上記室内側樹脂片に連係させることにより、
カバー体を上記縦樹脂枠の各室内側樹脂片の間に納めて室内側面のみを室内側に露出させ、かつカバー体の室内側面と上記各縦樹脂枠の枠構成部と一体に設けられた室内側樹脂片とを連続状としてなることを特徴として構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、請求項２に記載の本発明は、金属枠の室内側に樹脂枠を配設した複合窓枠を横方向に連設する複合窓枠の連結構造であって、
横方向に連設する二つの窓枠の縦枠間に金属製の方立を介在させて各窓枠を連結させ、少なくとも一方の窓枠は押縁部材を介してガラス体を固定する嵌め殺し窓枠であり、上記方立は室内側端部から見付方向両側に延びる連結片を有し、上記方立の室内側面には樹脂製のカバー体が取付けられると共に、上記縦枠の室内側に配設される各縦樹脂枠には、上記縦框の金属部の連結片より室外側を覆いガラス体または障子と連係する枠としての機能を有する枠構成部と、該枠構成部と一体であって上記縦框の金属部の連結片より室内側の端部を室内側に延出させた室内側樹脂片とを、それぞれ設け、上記嵌め殺し窓枠を構成する縦樹脂枠の枠構成部には上記押縁部材を取付け、
上記各縦枠の金属部と方立とを係合し及び又はネジ止めにより固定すると共に、各縦枠の金属部と方立とを別の位置で近接または接触させ、上記カバー体の左右両側端部を上記室内側樹脂片に連係させることにより、
カバー体を上記縦樹脂枠の各室内側樹脂片の間に納めて室内側面のみを室内側に露出させ、かつ上記各縦樹脂枠の枠構成部と一体に設けられた室内側樹脂片と上記カバー体の室内側面とを連続状としてなることを特徴として構成されている。