【手続補正書】
【提出日】平成17年9月28日(2005.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】枚葉式エピタキシャル成長炉を用いて製造するＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハであって、
酸素析出核、酸素析出物を発生あるいは成長させるプレアニール工程と、
プレアニールによって形成された熱酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、エピタキシャル成長工程とを経て製作され、
２×１０４個／cm２以上のＢＭＤ密度を有することを特徴とするＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハ。
【請求項２】枚葉式エピタキシャル成長炉を用いるＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法において、
酸素析出核、酸素析出物を発生あるいは成長させるプレアニール工程と、
プレアニールによって形成された熱酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、
これに続くエピタキシャル成長工程とを有して、
２×１０４個／cm２以上のＢＭＤ密度を有するＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハを得ることを特徴とするＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項３】請求項２に記載のＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記プレアニール工程は、格子間酸素濃度Ｏｉが１５×１０１７atoms/cc以上のシリコン基板に対して酸素析出核、酸素析出物を発生あるいは成長させるために、５８０〜８２０℃の温度を０．５時間以上保持する低温保持と９００〜１１００℃の温度を０．５時間以上保持する中温保持とにより構成されることを特徴とするＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項４】請求項２に記載のＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記プレアニール工程は、格子間酸素濃度Ｏｉが１４×１０１７atoms/cc以上、１５×１０１７atoms/cc未満のシリコン基板に対して酸素析出核、酸素析出物を発生あるいは成長させるために、６２０〜８００℃の温度を０．５時間以上保持する低温保持と９００〜１１００℃の温度を０．５時間以上保持する中温保持とにより構成されることを特徴とするＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項５】請求項２に記載のＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記プレアニール工程は、格子間酸素濃度Ｏｉが１３×１０１７atoms/cc以上、１４×１０１７atoms/cc未満のシリコン基板に対して酸素析出核、酸素析出物を発生あるいは成長させるために、６６０〜７８０℃の温度を０．５時間以上保持する低温保持と９００〜１１００℃の温度を０．５時間以上保持する中温保持とにより構成されることを特徴とするＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項６】請求項２に記載のＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記プレアニール工程は、格子間酸素濃度Ｏｉが１２×１０１７atoms/cc以上、１３×１０１７atoms/cc未満のシリコン基板に対して酸素析出核、酸素析出物を発生あるいは成長させるために、７００〜７５０℃の温度を０．５時間以上保持する低温保持と９００〜１１００℃の温度を０．５時間以上保持する中温保持とにより構成されることを特徴とするＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項７】請求項２に記載のＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法において、
前記プレアニール工程は、格子間酸素濃度Ｏｉが１５×１０１７atoms/cc以上のシリコン基板に対して酸素析出核、酸素析出物を発生あるいは成長させるために、７００℃の温度を５時間以上保持する低温保持と９００℃の温度を０．５時間以上保持する中温保持とにより構成されることを特徴とするＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項８】枚葉式エピタキシャル成長炉を用いるＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法において、
プレアニール工程のみバッチ式熱処理で行うことを特徴とするＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明に係るＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法の第２は、枚葉式エピタキシャル成長炉を用いるＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法において、格子間酸素濃度Ｏｉが１５×１０１７atoms/cc以上のシリコン基板に対して酸素析出核、酸素析出物を発生あるいは成長させるために、５８０〜８２０℃の温度を０．５時間以上保持する低温保持と９００〜１１００℃の温度を０．５時間以上保持する中温保持とにより構成されるプレアニール工程と、プレアニール工程によって形成された熱酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、これに続くエピタキシャル成長工程とを有して、２×１０４個／cm２以上のＢＭＤ密度を有するＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハを得る方法としている。
上記方法によれば、格子間酸素濃度が１５×１０１７atoms/cc以上のシリコン基板に対して行うプレアニール条件として、５８０〜８２０℃の温度を０．５時間以上保持する低温熱処理と９００〜１１００℃の温度を０．５時間以上保持する中温熱処理とを採用することにしたので、エピタキシャル成長後の段階で２×１０４個／cm２以上のＢＭＤ密度をもつＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハを製造することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に係るＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法の第３は、枚葉式エピタキシャル成長炉を用いるＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法において、格子間酸素濃度Ｏｉが１４×１０１７atoms/cc以上、１５×１０１７atoms/cc未満のシリコン基板に対して酸素析出核、酸素析出物を発生あるいは成長させるために、６２０〜８００℃の温度を０．５時間以上保持する低温保持と９００〜１１００℃の温度を０．５時間以上保持する中温保持とにより構成されるプレアニール工程と、プレアニール工程によって形成された熱酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、これに続くエピタキシャル成長工程とを有して、２×１０４個／cm２以上のＢＭＤ密度を有するＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハを得る方法としている。
上記方法によれば、格子間酸素濃度が１４×１０１７atoms/cc以上、１５×１０１７atoms/cc未満のシリコン基板に対して行うプレアニール条件として、６２０〜８００℃の温度を０．５時間以上保持する低温熱処理と９００〜１１００℃の温度を０．５時間以上保持する中温熱処理とを採用することにしたので、エピタキシャル成長後の段階で２×１０４個／cm２以上のＢＭＤ密度をもつＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハを製造することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明に係るＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法の第４は、枚葉式エピタキシャル成長炉を用いるＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法において、格子間酸素濃度Ｏｉが１３×１０１７atoms/cc以上、１４×１０１７atoms/cc未満のシリコン基板に対して酸素析出核、酸素析出物を発生あるいは成長させるために、６６０〜７８０℃の温度を０．５時間以上保持する低温保持と９００〜１１００℃の温度を０．５時間以上保持する中温保持とにより構成されるプレアニール工程と、プレアニール工程によって形成された熱酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、これに続くエピタキシャル成長工程とを有して、２×１０４個／cm２以上のＢＭＤ密度を有するＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハを得る方法としている。
上記方法によれば、格子間酸素濃度が１３×１０１７atoms/cc以上、１４×１０１７atoms/cc未満のシリコン基板に対して行うプレアニール条件として、６６０〜７８０℃の温度を０．５時間以上保持する低温熱処理と９００〜１１００℃の温度を０．５時間以上保持する中温熱処理とを採用することにしたので、エピタキシャル成長後の段階で２×１０４個／cm２以上のＢＭＤ密度をもつＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハを製造することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明に係るＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法の第５は、枚葉式エピタキシャル成長炉を用いるＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法において、格子間酸素濃度Ｏｉが１２×１０１７atoms/cc以上、１３×１０１７atoms/cc未満のシリコン基板に対して酸素析出核、酸素析出物を発生あるいは成長させるために、７００〜７５０℃の温度を０．５時間以上保持する低温保持と９００〜１１００℃の温度を０．５時間以上保持する中温保持とにより構成されるプレアニール工程と、プレアニール工程によって形成された熱酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、これに続くエピタキシャル成長工程とを有して、２×１０４個／cm２以上のＢＭＤ密度を有するＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハを得る方法としている。
上記方法によれば、格子間酸素濃度が１２×１０１７atoms/cc以上、１３×１０１７atoms/cc未満のシリコン基板に対して行うプレアニール条件として、７００〜７５０℃の温度を０．５時間以上保持する低温熱処理と９００〜１１００℃の温度を０．５時間以上保持する中温熱処理とを採用することにしたので、エピタキシャル成長後の段階で２×１０４個／cm２以上のＢＭＤ密度をもつＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハを製造することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、本発明に係るＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法の第６は、枚葉式エピタキシャル成長炉を用いるＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハの製造方法において、格子間酸素濃度Ｏｉが１５×１０１７atoms/cc以上のシリコン基板に対して酸素析出核、酸素析出物を発生あるいは成長させるために、７００℃の温度を５時間以上保持する低温保持と９００℃の温度を０．５時間以上保持する中温保持とにより構成されるプレアニール工程と、プレアニール工程によって形成された熱酸化膜を除去する酸化膜除去工程と、これに続くエピタキシャル成長工程とを有して、２×１０４個／cm２以上のＢＭＤ密度を有するＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハを得る方法としている。上記方法によれば、格子間酸素濃度が１５×１０１７atoms/cc以上のシリコン基板に対して行うプレアニール条件として、７００℃で５時間以上保持する低温熱処理と９００℃で０．５時間以上保持する中温熱処理とを採用することにしたので、エピタキシャル成長後の段階で２×１０４個／cm２以上のＢＭＤ密度をもつＰ／Ｐ−エピタキシャルウェーハを製造することができる。