【手続補正書】
【提出日】平成16年12月20日(2004.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された被照射体上におけるレーザ光のエネルギー分布を均一に加工する手段と、
前記レーザ光を前記被照射体に対して斜めに照射する手段と、
を有し、
前記レーザ光の前記被照射体に入射するときのビーム幅をｗ1、前記基板の裏面で反射する前記レーザ光の一部が前記被照射体に再入射するときのビーム幅をｗ2、前記基板の厚さをＤとすると、前記レーザ光の前記被照射体に対する入射角θは、
【数１】
2002289524.tif 000001
を満たすことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
レーザ光を基板上に形成された被照射体上における形状が線状である線状ビームに加工する手段と、
前記線状ビームを前記被照射体に対して斜めに照射する手段と、
を有し、
前記線状ビームの前記被照射体に入射するときのビーム幅をｗ1、前記基板の裏面で反射する前記線状ビームの一部が前記被照射体に再入射するときのビーム幅をｗ2、前記基板の厚さをＤとすると、前記線状ビームの前記被照射体に対する入射角θは、
【数２】
2002289524.tif 000002
を満たすことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３】
基板上に形成された被照射体上におけるレーザ光のエネルギー分布を均一に加工する手段と、
前記レーザ光を前記被照射体に対して斜めに照射する手段と、
を有し、
前記レーザ光の前記被照射体に入射するときのビーム幅をｗ1、前記基板の裏面で反射する前記レーザ光の一部が前記被照射体に再入射するときのビーム幅をｗ2、前記基板の厚さをＤとすると、前記レーザ光の前記被照射体に対する入射角θは、
【数３】
2002289524.tif 000003
を満たすことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
レーザ光を基板上に形成された被照射体上における形状が線状である線状ビームに加工する手段と、
前記線状ビームを被照射体に対して斜めに照射する手段と、
を有し、
前記線状ビームの前記被照射体に入射するときのビーム幅をｗ1、前記基板の裏面で反射する前記線状ビームの一部が前記被照射体に再入射するときのビーム幅をｗ2、前記基板の厚さをＤとすると、前記線状ビームの前記被照射体に対する入射角θは、
【数４】
2002289524.tif 000004
を満たすことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記レーザ光の波長は３５０ｎｍ以上とすることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記被照射体は半導体膜であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】
被照射体上におけるレーザ光のエネルギー分布を均一に加工し、
前記レーザ光を前記被照射体に対して斜めに照射し、前記レーザ光の一部が前記被照射体を透過することを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項８】
レーザ光を被照射体上における形状が線状である線状ビームに加工し、
前記線状ビームを前記被照射体に対して斜めに照射し、前記線状ビームの一部が前記被照射体を透過することを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項９】
基板上に形成された被照射体上におけるレーザ光のエネルギー分布を均一に加工し、
前記レーザ光の前記被照射体に入射するときのビーム幅をｗ1、前記基板の裏面で反射する前記レーザ光の一部が前記被照射体に再入射するときのビーム幅をｗ2、前記基板の厚さをＤとすると、前記レーザ光を前記被照射体に対して
【数５】
2002289524.tif 000005
を満たす入射角θで照射することを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項１０】
レーザ光を基板上に形成された被照射体上における形状が線状である線状ビームに加工し、
前記線状ビームの前記被照射体に入射するときのビーム幅をｗ1、前記基板の裏面で反射する前記線状ビームの一部が前記被照射体に再入射するときのビーム幅をｗ2、前記基板の厚さをＤとすると、前記線状ビームを前記被照射体に対して
【数６】
2002289524.tif 000006
を満たす入射角θで照射することを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項１１】
基板上に形成された被照射体上におけるレーザ光のエネルギー分布を均一に加工し、
前記レーザ光の前記被照射体に入射するときのビーム幅をｗ1、前記基板の裏面で反射する前記レーザ光の一部が前記被照射体に再入射するときのビーム幅をｗ2、前記基板の厚さをＤとすると、前記レーザ光を前記被照射体に対して
【数７】
2002289524.tif 000007
を満たす入射角θで照射することを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項１２】
レーザ光を基板上に形成された被照射体上における形状が線状である線状ビームに加工し、
前記線状ビームの前記被照射体に入射するときのビーム幅をｗ1、前記基板の裏面で反射する前記線状ビームの一部が前記被照射体に再入射するときのビーム幅をｗ2、前記基板の厚さをＤとすると、前記線状ビームを前記被照射体に対して
【数８】
2002289524.tif 000008
を満たす入射角θで照射することを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項１３】
請求項７乃至１２のいずれか一項において、前記レーザ光の波長は３５０ｎｍ以上とすることを特徴とするレーザアニール方法。
【請求項１４】
半導体膜上におけるレーザ光のエネルギー分布を均一に加工し、
前記レーザ光を前記半導体膜に対して斜めに照射することにより前記半導体膜のアニールを行ない、
前記レーザ光の一部は前記半導体膜を透過することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
レーザ光を半導体膜上における形状が線状である線状ビームに加工し、
前記線状ビームを半導体膜に対して斜めに照射することにより前記半導体膜のアニールを行ない、
前記線状ビームの一部は前記半導体膜を透過することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
基板上に形成された半導体膜上におけるレーザ光のエネルギー分布を均一に加工し、
前記レーザ光の前記半導体膜に入射するときのビーム幅をｗ1、前記基板の裏面で反射する前記レーザ光の一部が前記半導体膜に再入射するときのビーム幅をｗ2、前記基板の厚さをＤとすると、前記レーザ光を前記半導体膜に対して
【数９】
2002289524.tif 000009
を満たす入射角θで照射することにより前記半導体膜のアニールを行なうことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
レーザ光を基板上に形成された半導体膜上における形状が線状である線状ビームに加工し、
前記線状ビームの前記半導体膜に入射するときのビーム幅をｗ1、前記基板の裏面で反射する前記線状ビームの一部が前記半導体膜に再入射するときのビーム幅をｗ2、前記基板の厚さをＤとすると、前記線状ビームを前記半導体膜に対して
【数１０】
2002289524.tif 000010
を満たす入射角θで照射することにより前記半導体膜のアニールを行なうことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
基板上に形成された半導体膜上におけるレーザ光のエネルギー分布を均一に加工し、
前記レーザ光の前記半導体膜に入射するときのビーム幅をｗ1、前記基板の裏面で反射する前記レーザ光の一部が前記半導体膜に再入射するときのビーム幅をｗ2、前記基板の厚さをＤとすると、前記レーザ光を前記半導体膜に対して
【数１１】
2002289524.tif 000011
を満たす入射角θで照射することにより前記半導体膜のアニールを行なうことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
レーザ光を基板上に形成された半導体膜上における形状が線状である線状ビームに加工し、
前記線状ビームの前記半導体膜に入射するときのビーム幅をｗ1、前記基板の裏面で反射する前記線状ビームの一部が前記半導体膜に再入射するときのビーム幅をｗ2、前記基板の厚さをＤとすると、前記線状ビームを前記半導体膜に対して
【数１２】
2002289524.tif 000012
を満たす入射角θで照射することにより前記半導体膜のアニールを行なうことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１４乃至１９のいずれか一項において、前記レーザ光の波長は３５０ｎｍ以上とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１４乃至２０のいずれか一項において、前記半導体膜は珪素を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。