(57)【要約】【課題】半導体素子から発生した熱を良好に外部に放出できる半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置１０Ａは、半導体素子１２Ａと、半導体素子１２Ａが実装されるアイランド１４と、金属接続板１６Ａ等を介して半導体素子１２Ａと電気的に接続されたリード２０Ａ等と、半導体素子１２Ａ等を封止する封止樹脂３８と、半導体素子１２Ａとリードとを接続させる金属接続板１６Ａ等とを主要に有する構成となっている。そして本発明では、金属接続板１６Ａの一部を封止樹脂３８から外部に露出させることにより、装置全体の放熱性を向上させている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子が主面に固着されるアイランドと、
前記半導体素子と電気的に接続されて一部が外部に導出するリードと、
一方が前記半導体素子の主面に形成された電極に接続され、他方が前記リードに接続された金属接続板と、
前記半導体素子、前記アイランド、前記リードおよび前記金属接続板を被覆する封止樹脂と、を備え、
前記金属接続板の一部分を前記封止樹脂から露出させることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記アイランドの一主面および他主面には、第１半導体素子および第２半導体素子が重畳して固着され、
前記第１半導体素子の第１主電極は第１金属接続板を介して第１リードと接続され、
前記第２半導体素子の第１主電極は第２金属接続板を介して前記第１リードと接続され、
前記第１金属接続板の一部分が前記封止樹脂の一主面から外部に露出し、前記第２金属板の一部分が前記封止樹脂の他主面から外部に露出する、ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１半導体素子の第２主電極と、前記第２半導体素子の第２主電極とは、前記アイランドを経由して共通に接続され、前記アイランドと連続する第２リードが前記封止樹脂から外部に導出することを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１半導体素子の制御電極は、第３金属接続板を経由して第３リードに接続され、
前記第２半導体素子の制御電極は、第４金属接続板を経由して前記第３リードに接続され、
前記第３金属接続板および前記第４金属接続板の一部を前記封止樹脂から外部に露出させることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
アイランドと、
前記アイランドの第１主面に固着された第１半導体と、
前記アイランドの第２主面に固着された第２半導体と、
前記第１半導体または前記第２半導体と接続されて一端が外部に露出するリードと、
前記アイランド、前記第１半導体素子、前記第２半導体素子および前記リードを被覆する封止樹脂と、を備え、
前記アイランドの少なくとも一部分を前記封止樹脂の側方から外部に導出させることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関し、特に、金属接続板により半導体素子の電極とリードとが接続される半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図９を参照して、従来型の半導体装置１００の構成について説明する。図９（Ａ）は半導体装置１００の平面図であり、図９（Ｂ）はその断面図である（特許文献１）。
【０００３】
図９（Ａ）および図９（Ｂ）を参照して、半導体装置１００は、半導体素子１０４と、半導体素子１０４が実装されるランド１０２と、半導体素子１０４と接続されて端部が外部に導出されるリード１０１Ａ−１０１Ｄと、半導体素子１０４とリードとを接続する接続板１０５Ａ、１０５Ｂと、これらを一体的に被覆する封止樹脂１０３とを備えた構成となっている。
【０００４】
半導体素子１０４は、バイポーラ型トランジスタやＭＯＳＦＥＴ等のディスクリート型のトランジスタであり、裏面の電極はランド１０２の上面に接続される。半導体素子１０４の上面に設けられた２つの電極は、各々が、接続板１０５Ａ、１０５Ｂを経由して、リード１０１Ａ、１０１Ｂに接続される。
【０００５】
接続板１０５Ａ、１０５Ｂは、厚みが０．５ｍｍ程度の銅などの金属から成る金属板である。抵抗値が小さい接続板１０５Ａ、１０５Ｂを介して、半導体素子１０４とリード１０１Ａ、１０１Ｂとを接続することにより、径が数十μｍ程度の金属細線と比較すると、オン抵抗を低くすることができる。
【特許文献１】特開２００３−１１５５１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記した構成の半導体装置１００では、半導体素子１０４が動作することにより発生する熱が良好に外部に放出されずに、結果的に半導体素子１０４が過熱状態と成ってしまう問題があった。
【０００７】
具体的には、内蔵される半導体素子１０４として、大電流のスイッチングを行うパワー系の半導体素子を採用した場合、半導体装置の放熱性が十分でないと半導体素子１０４が過熱されてしまう問題が発生する。半導体装置１００の放熱性を向上させる１つの方法として、熱伝導性に優れる粒子状のフィラーを封止樹脂１０３に充填して、封止樹脂１０３の熱抵抗を低減させる方法がある。しかしながら、フィラーが充填されたとしても、封止樹脂１０３の熱抵抗は、金属から成るアイランド１０２等と比較して非常に大きいため、放熱性は十分ではない。
【０００８】
更に、金属から成るランド１０２の下面を封止樹脂１０３から外部に露出させると、半導体素子１０４から発生した熱は、ランド１０２を経由して外部に放出される。しかしながら、この場合に於いても、半導体素子１０４の上面は厚い封止樹脂１０３により被覆されているので、半導体素子１０４から発生した熱の放熱が封止樹脂１０３により阻害される問題がある。
【０００９】
本発明は、上述した問題を鑑みて成されたものである。本発明の主な目的は、半導体素子から発生した熱を良好に外部に放出できる半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子が主面に固着されるアイランドと、前記半導体素子と電気的に接続されて一部が外部に導出するリードと、一方が前記半導体素子の主面に形成された電極に接続され、他方が前記リードに接続された金属接続板と、前記半導体素子、前記アイランド、前記リードおよび前記金属接続板を被覆する封止樹脂と、を備え、前記金属接続板の一部分を前記封止樹脂から露出させることを特徴とする。
【００１１】
更に本発明の半導体装置は、アイランドと、前記アイランドの第１主面に固着された第１半導体と、前記アイランドの第２主面に固着された第２半導体と、前記第１半導体または前記第２半導体と接続されて一端が外部に露出するリードと、前記アイランド、前記第１半導体素子、前記第２半導体素子および前記リードを被覆する封止樹脂と、を備え、前記アイランドの少なくとも一部分を前記封止樹脂の側方から外部に導出させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体装置によれば、半導体素子とリードとを接続させる金属接続板の一部を、全体を封止する封止樹脂から外部に露出させている。この様にすることで、半導体素子から発生した熱は、金属接続板を経由して良好に外部に放出され、結果的に半導体素子の過熱が防止される。
【００１３】
特に、アイランドの上面及び下面の両方に半導体素子を実装した場合、両半導体素子の動作に伴い発熱は大きくなるが、両半導体素子に接続する金属接続板を部分的に外部に露出させることにより、半導体素子の温度上昇を抑制している。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１を参照して、半導体装置１０Ａの構成を説明する。図１（Ａ）は半導体装置１０Ａの斜視図であり、図１（Ｂ）は半導体装置１０Ａを上方から見た平面図であり、図１（Ｃ）は断面図である。
【００１５】
図１（Ａ）を参照して、半導体装置１０Ａは、半導体素子１２Ａと、半導体素子１２Ａが実装されるアイランド１４と、半導体素子１２Ａと電気的に接続されたリード２０Ａ−２０Ｅと、半導体素子１２Ａ等を封止する封止樹脂３８と、半導体素子１２Ａとリードとを接続させる金属接続板１６Ａ等とを主要に有する構成となっている。ここでは、複数のリード２０Ａ、２０Ｂ等をリード２０と総称する。
【００１６】
半導体素子１２Ａとしては、上面および下面に電極が形成された素子が採用される。具体的には、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ  Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、バイポーラトランジスタ、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等が、半導体素子１２Ａとして採用可能である。例えば、半導体素子１２ＡとしてＭＯＳＦＥＴが採用されると、半導体素子１２Ａの上面にゲート電極およびソース電極が設けられ、下面にドレイン電極が設けられる。また、半導体素子１２Ａとしてバイポーラトランジスタが採用されると、半導体素子１２Ａの上面にベース電極およびエミッタ電極が設けられ、下面にコレクタ電極が設けられる。図１（Ｃ）に示すように、半導体素子１２Ａの下面の電極は、半田等の導電性固着材から成る接合材２８を介してアイランド１４の上面に接続される。またここで、半導体素子としてＩＣが採用されても良い。
【００１７】
図１（Ｂ）を参照して、半導体素子１２Ａの上面に形成された２つの電極は、金属接続板１６Ａを経由してリード２０に接続される。具体的には、半導体素子１２ＡがＭＯＳＦＥＴの場合、半導体素子１２Ａの上面にはゲート電極とソース電極が設けられる。そして、半導体素子１２Ａのソース電極は金属接続板１６Ａを経由してリードの接続部２６と接続される。一方、半導体素子１２Ａのゲート電極は、金属接続板１６Ｂを経由してリードの接続部２４と接続される。また、ソース電極はゲート電極よりも大電流が通過するので、ソース電極と接続される金属接続板１６Ａは、ゲート電極と接続される金属接続板１６Ｂよりも大きく形成される。ここで、半導体素子１２Ａのゲート電極は、流れる電流が小さいので、必ずしも金属接続板１６Ｂが使用される必要は無く、金属細線を介してリードと接続されても良い。
【００１８】
アイランド１４は、厚みが０．５ｍｍ程度の導電板をエッチング加工または打ち抜き加工することで形成される。アイランド１４の平面的な大きさは、上面に実装される半導体素子１２Ａよりも若干大きい程度である。例えば、半導体素子１２Ａの平面的なサイズが５．０ｍｍ×５．０ｍｍの場合は、アイランド１４の平面的なサイズは５．５ｍｍ×５．５ｍｍ程度である。
【００１９】
リード２０Ａ−２０Ｅは、アイランド１４と同様の方法により形成され、一端が封止樹脂３８の内部に位置し、他端が封止樹脂３８から外部に露出している。封止樹脂３８から露出する部分のリード２０−２０Ｅはガルウイング状に折り曲げ加工され、外側の端部の下面は、封止樹脂３８の下面と同一平面上に位置している。
【００２０】
図１（Ｂ）を参照して、半導体装置１０Ａでは、装置全体を一体的に封止する四角形状の封止樹脂３８の両側辺から複数のリード２０Ａ等が外部に導出されている。具体的には、封止樹脂３８の左側の側辺から、４つのリード（リード２０Ｄ、リード２０Ｃ、リード、２０Ｂ、リード２０Ａ）の端部が外部に導出している。そして、これらのリード２０Ｄ等の右側の端部は、アイランド１４に連続している。一方、封止樹脂３８の右側の側辺からも、４つのリード（リード２０Ｈ、リード２０Ｇ、リード２０Ｆ、リード２０Ｅ）の端部が外部に露出している。そして、リード２０Ｈの左側の端部は、他の部分よりも幅広に形成された接続部２４であり、この接続部２４の上面に金属接続板１６Ｂが固着されている。また、他のリード（リード２０Ｇ、リード２０Ｆ、リード２０Ｅ）の左側の端部は、一体的に接続部２６と連続している。この接続部２６の上面に金属接続板１６Ａが接続される。ここで、接続部２４および接続部２６と、アイランド１４とは、同一平面上に配置されても良いし、アイランド１４の方が接続部２４等よりも上方に配置されても良いし下方に配置されても良い。
【００２１】
封止樹脂３８は、トランスファーモールドにより形成される熱硬化性樹脂またはインジェクションモールドにより形成される熱可塑性樹脂からなり、リード２０Ａ−２０Ｅの一部、アイランド１４、半導体素子１２Ａ、金属接続板１６Ａ、１６Ｂを被覆して一体的に支持している。ここで、酸化金属等から成る粒子状のフィラーが混入された樹脂材料を封止樹脂３８の材料として採用しても良い。
【００２２】
図１（Ｂ）および図１（Ｃ）を参照して、本実施の形態では、半導体素子１２Ａの上面に設けられた電極とリードとを、金属接続板１６Ａ、１６Ｂを経由して接続している。金属接続板１６Ａ、１６Ｂは、厚みが０．１ｍｍ〜０．５ｍｍ程度の銅などを主体とする金属板を、所定形状に曲折加工して成形されている。従って、直径が数十μｍ程度の金属細線と比較すると、金属接続板１６Ａ、１６Ｂの断面積は大きいので、オン抵抗が低減される。また、金属接続板１６Ａ、１６Ｂの両端および封止樹脂３８から露出する部分は、平坦面とされている。
【００２３】
図１（Ｃ）を参照して、金属接続板１６Ａの左側の端部は、接合材３２を介して半導体素子１２Ａの電極に接続される。そして、金属接続板１６Ａの右側の端部は、接合材３０を介してリード２０Ｆと連続する接続部２６に接続される。ここで、接合材３２、３０としては、半田や導電性ペースト等の導電性のものが採用される。接合材３２、３０を介して固着する構造は、図１（Ｂ）に示す金属接続板１６Ｂに関しても同様である。
【００２４】
更に、本実施の形態では、金属接続板１６Ａ、１６Ｂを部分的に外部に露出させている。図１（Ｃ）を参照すると、金属接続板１６Ａの中間部の上面が、封止樹脂３８の上面から露出している。そして、金属接続板１６Ａが露出する部分と封止樹脂３８の上面とは同一平面上に位置している。この様に、金属接続板１６Ａの上面を部分的に封止樹脂３８から外部に露出させることで、半導体素子１２Ａから発生した熱は、金属接続板１６Ａを経由して外部に放出され、半導体素子１２Ａの過熱が防止される。更に、本実施の形態では、半導体素子１２Ａのゲート電極と接続される金属接続板１６Ｂの中間部も、封止樹脂３８の上面から外部に露出している。
【００２５】
更にまた、図１（Ｃ）を参照すると、アイランド１４の下面は封止樹脂３８により被覆されているが、アイランド１４の下面を封止樹脂３８から外部に露出させても良い。この様にすることで、半導体素子１２Ａから発生した熱がアイランド１４を経由して外部に放出されるので、半導体装置１０Ａの放熱性が更に向上される。更にまた、封止樹脂３８の上面にヒートシンクを当接させると、金属接続板１６Ａおよびヒートシンクを経由して更に効率的に放熱性を向上させることができる。
【００２６】
図２を参照して、他の形態の半導体装置１０Ｂの構成を説明する。図２（Ａ）は半導体装置１０Ｂの断面図であり、図２（Ｂ）は半導体装置１０Ｂを下方から見た平面図である。半導体装置１０Ｂの基本的な構成は、上記した半導体装置１０Ａと同様である。半導体装置１０Ｂでは、アイランド１４の下面に半導体素子１２Ａが実装され、金属接続板１６Ｃ、１６Ｄが、封止樹脂３８の下面から露出している。
【００２７】
図２（Ａ）を参照して、半導体装置１０Ｂでは、平坦に成形されるリード２０Ｂ、２０Ｆの端部と、金属接続板１６Ｃの露出面とが、封止樹脂３８の下面と同一平面上に位置している。ここで、外部に露出するリード２０Ｂ、２０Ｆの端部を、金属接続板１６Ｃの露出面よりも下方に位置させても良い。この様にすることで、半導体装置１０Ｂを実装基板に実装した際に、下方に突出するリード２０Ｂ、２０Ｆの端部が実装基板に接触することで、封止樹脂３８の下面から外部に露出する金属接続板１６Ｃが実装基板から離間される。結果的に、金属接続板１６Ｃと外部とのショートが防止される。
【００２８】
図２（Ｂ）を参照して、半導体素子１２ＡとしてＭＯＳＦＥＴが採用されると、その下面にはソース電極とゲート電極が設けられる。そして、半導体素子１２Ａのソース電極は、金属接続板１６Ｃを介してリード２０Ｇ−２０Ｅの接続部２６に接続される。また、半導体素子１２Ａのゲート電極は、金属接続板１６Ｄを介してリード２０Ｈの接続部２４と接続される。ここで、半導体素子１２Ａのゲート電極と接続する金属接続板１６Ｄに替えて金属細線が使用されても良い。
【００２９】
図３を参照して、他の形態の半導体装置１０Ｃの構成を説明する。図３（Ａ）は半導体装置１０Ｃの断面図であり、図３（Ｂ）は半導体装置１０Ｃを上方から見た平面図であり、図３（Ｃ）は半導体装置１０Ｃを下方から見た平面図である。
【００３０】
これらの図に示す半導体装置１０Ｃの基本的な構成は上記した半導体装置１０Ａと同様であり、相違点はアイランド１４の上面および下面の両方に、重畳して半導体素子１２Ａおよび半導体素子１２Ｂが固着されていることである。
【００３１】
半導体素子１２Ａおよび半導体素子１２Ｂとしては、上記したように、裏面に電極を備えたＭＯＳＦＥＴ等のディスクリートのトランジスタが採用される。半導体素子１２Ａおよび半導体素子１２Ｂの組合せとしては、同種のトランジスタ（例えば両方ともＭＯＳＦＥＴ）でも良いし、異種のトランジスタ（例えばＭＯＳＦＥＴとＩＧＢＴ）でも良い。
【００３２】
更に、半導体素子１２Ａおよび半導体素子１２Ｂの両方を、半田等の導電性固着材を用いてアイランド１４の上面および下面に固着しても良い。この様にすることで、半導体素子１２Ａの裏面電極と、半導体素子１２Ｂの裏面電極とが、アイランド１４を経由して接続される。更には、半導体素子１２Ａおよび半導体素子１２Ｂのいずれか一方を、絶縁性接着材を介してアイランド１４と接続すると、両素子を絶縁した状態でアイランド１４に実装できる。更には、半導体素子１２Ａおよび半導体素子１２Ｂの両方を、絶縁性の接合材を用いてアイランドに固着しても良い。
【００３３】
ＭＯＳＦＥＴである半導体素子１２Ａ、１２Ｂが、導電性固着材を介してアイランド１４の両主面に実装されると、アイランド１４に接続するリード２０Ａ−２０Ｄを、両素子の共通したドレイン端子として用いることができる。同様に、図３（Ｂ）に示す半導体素子１２Ａのゲート電極を、金属接続板１６Ｂを介してリード２０Ｈの接続部２４に接続する。更に、図３（Ｃ）に示す半導体素子１２Ｂのゲート電極を、金属接続板１６Ｄを介して、リード２０Ｈの接続部２４に接続する。この様にすると、リード２０Ｈが両素子の共通なゲート端子となる。同様に、リード２０Ｇ−２０Ｅと連続する接続部２６は、金属接続板１６Ａ、１６Ｃを経由して、両半導体素子のソース電極と接続されて共通なソース端子を構成している。従って、半導体装置１０Ｃは、全体として３つの端子（ゲート端子、ソース端子、ドレイン端子）を備えた構成となっている。このことから、リード２０Ｈから制御信号が供給されると、半導体素子１２Ａと半導体素子１２Ｂとは、同期してスイッチング動作を行う。そして、リード２０Ｇ−２０Ｅおよびリード２０Ａ−２０Ｄを通過する主電流が、半導体素子１２Ａ、１２Ｂによりスイッチング制御される。
【００３４】
半導体装置１０Ｃでは、図３（Ａ）を参照して、封止樹脂３８の上面および下面の両方から、金属接続板１６Ａおよび金属接続板１６Ｃの主面を露出させている。従って、２つの金属接続板１６Ａ、１６Ｃを経由して放熱されるため、半導体素子１２Ａ、１２Ｂの過熱が防止される効果が大きくなる。また、上記したように、半導体素子１２Ａと半導体素子１２Ｂとは、リード２０Ｈから供給される制御信号に基づいて同期してオン−オフ動作を行い同時に発熱するため、１つの半導体素子が内蔵された場合と比較すると発熱量が倍となる。しかしながら、本実施の形態では、金属接続板１６Ａ、１６Ｃを経由して個別に外部に熱を放出させているので、両半導体素子の過熱が防止されている。
【００３５】
図４を参照して、他の形態の半導体装置１０Ｄの構成を説明する。図４（Ａ）は半導体装置１０Ｄの断面図であり、図４（Ｂ）は半導体装置１０Ｄを上方から見た平面図であり、図４（Ｃ）は変形例を示す平面図である。半導体装置１０Ｄの基本的な構成は、上記した半導体装置１０Ｃと同様であり、相違点はアイランド１４の一部分が封止樹脂３８の側方から外部に導出している点にある。
【００３６】
図４（Ａ）および図４（Ｂ）を参照して、ランド１４の左端は、封止樹脂３８の左側の側面から外部に導出している。そして、封止樹脂３８の外部に位置するアイランド１４の左側側辺から、リード２０Ｄ−２０Ａが分岐している。この様にすることで、半導体素子１２Ａおよび半導体素子１２Ｂから発生した熱が、アイランド１４を経由して外部に伝導されるので、装置全体の放熱性を向上させることができる。特に、図４（Ａ）を参照すると、アイランド１４には、上下両主面に固着された２つの半導体素子から発生する熱が伝導されるので、アイランド１４は高温と成りやすい条件である。しかしながら、係る構成にすることで、アイランド１４を経由して放熱が良好となり、半導体素子１２Ａ、１２Ｂの過熱が抑制される。
【００３７】
図４（Ｃ）を参照すると、アイランド１４の左側の端部が封止樹脂３８の側面から外部に露出し、アイランドの端部が接続用の端子として機能している。即ち、図４（Ａ）を参照すると、封止樹脂３８から外部に露出するアイランド１４がガルウイング形状に構成される。そして、半導体装置１０Ｄを実装基板等に実装する際には、アイランド１４の端部に半田を付着して実装される。この様にすることで、アイランド１４を経由して多量の熱エネルギーが外部に放出されるので、回路装置１０Ｄ全体の放熱性が更に向上される。
【００３８】
図５から図８を参照して、次に、上記した構成の半導体装置の製造方法を説明する。なお、以下の説明では、図１に構造を示した半導体装置１０Ａの製造方法を説明する。
【００３９】
先ず、図５を参照して、リードフレーム５０を加工することにより、複数のユニット５４を設ける。図５（Ａ）はリードフレーム５０全体を示す平面図であり、図５（Ｂ）は１つのユニット５４を斜め上方から見た斜視図である。
【００４０】
図５（Ａ）を参照して、厚みが例えば０．５ｍｍ程度の銅から成る導電板に対して、プレス加工やエッチングを行うことで、数個〜数百個のユニット５４が外枠５２の内部に設けられたリードフレーム５０を形成する。ここでユニットとは、１つの半導体装置を構成する要素単位である。この図では、額縁状の外枠５２と連結された７個のユニット５４が図示されているが、外枠５２の内部にマトリックス状に多数個のユニット５４が設けられても良い。
【００４１】
図５（Ｂ）を参照して、ユニット５４は、アイランド１４およびリード２０Ａ−２０Ｅを具備している。具体的には、中央部に四角形状のアイランド１４が配置されている。そして、アイランド１４の左側側辺から連続して外側に４本のリード（リード２０Ａ−２０Ｄ）が延在している。更に、アイランド１４の右側には、４本のリード（リード２０Ｅ−２０Ｈ）が配置されている。そして、リード２０Ｅ、２０Ｆ、２０Ｇの左側の端部は接続部２６に連続している。また、リード２０Ｈの左側の端部は、幅広の接続部２４として形成されている。
【００４２】
図６（Ａ）および図６（Ｂ）を参照して、次に、各ユニット５４毎に半導体素子１２Ａを接続する。半導体素子１２Ａの固着は、半田等の導電性接合材またはエポキシ樹脂等の絶縁性接合材を介して行われる。また、共晶結合により半導体素子１２Ａの裏面がアイランド１４の上面に固着されても良い。ここで、半導体素子１２Ａとしては、上記したように、ＭＯＳＦＥＴ、バイポーラトランジスタ、ＩＧＢＴ、ＩＣ、ＬＳＩ、ダイオード等が採用できる。本工程では、リードフレーム５０の全てのユニット５４に対して、一括して半導体素子１２Ａのダイボンディングが行われる。
【００４３】
図７（Ａ）および図７（Ｂ）を参照して、次に、各ユニット５４の半導体素子１２Ａを電気的に接続する。
【００４４】
図７（Ｂ）を参照すると、半導体素子１２ＡとしてＭＯＳＦＥＴが採用された場合、半導体素子１２Ａのソース電極は、金属接続板１６Ａを経由して接続部２６に接続される。また、半導体素子１２Ａのゲート電極は、金属接続板１６Ｂを経由して接続部２４に接続される。金属接続板１６Ａ、１６Ｂの接続は、半田または導電性ペーストを用いて行われる。例えば、半田を用いて金属接続板１６Ａを固着する場合は、半導体素子１２Ａの電極および接続部２６の上面に半田ペーストを塗布し、この半田ペーストに金属接続板１６Ａを載置し、この状態で加熱処理して半田ペーストを溶融させる。
【００４５】
図８を参照して、次に、各ユニットの半導体素子１２Ａを樹脂モールドする。図８（Ａ）は本工程を示す断面図であり、図８（Ｂ）は平面図である。
【００４６】
本工程では、モールド金型を使用したトランスファーモールドにより各ユニットを樹脂封止している。モールド金型６０は、上金型６２と下金型６４とから成り、両者を当接することにより形成されるキャビティ６６の内部に、アイランド１４、半導体素子１２Ａおよび金属接続板１６Ａが収納される。そして、液状または半固形状の封止樹脂をキャビティ６６に充填して加熱硬化することより、アイランド１４、半導体素子１２Ａおよび金属接続板１６Ａは樹脂封止される。
【００４７】
ここで、金属接続板１６Ａを部分的に外部に露出させるために、金属接続板１６Ａの上面は部分的に上金型６２の内壁に接触している。この様にすることで、上金型６２の内壁に接触する部分の金属接続板１６Ａは封止樹脂により被覆されずに外部に露出する。また、上金型６２と接触することによる金属接続板１６Ａの損傷を防止するために、上金型６２の内壁を樹脂膜等により被覆しても良い。このことにより、上金型６２の内壁を被覆する樹脂膜に金属接続板１６Ａの上面が接触するので、本工程に於ける金属接続板１６Ａの破損が防止される。
【００４８】
図８（Ｂ）に本工程が終了した後のリードフレーム５０の平面図を示す。各ユニット５４のアイランドおよび半導体素子は封止樹脂３８により被覆され、多数のリードが封止樹脂３８の側辺から露出している。更に、各ユニット５４の封止樹脂３８の上面からは、金属接続板１６Ａ、１６Ｂが部分的に露出している。
【００４９】
上記工程が終了した後は、露出するリードをメッキ膜により被覆する工程、各ユニットのリードをリードフレーム５０から分離させる工程、各ユニットの電気的特性を測定する工程等を経て、図１に示す半導体装置１０Ａが製造される。
【００５０】
ここで、図２に示した半導体装置１０Ｂを製造する場合は、図７に示す各ユニット５４のアイランド１４の下面に半導体素子１２Ａを実装し、接続部２４、２６の下面と半導体素子１２Ａとを、金属接続板１６Ａ、１６Ｂを介して接続する。更に、図８を参照して、下金型６４の下面に金属接続板１６Ａを接触させた状態で、樹脂封止を行う。
【００５１】
更に、図３に示した半導体装置１０Ｃを製造する場合は、図７に示すアイランド１４の上面および下面の両方に半導体素子を固着し、接続部２４、２６の上下主面と両半導体素子とを金属接続板により接続する。更に、図８を参照して、上金型６２および下金型６４の内壁の両方に、金属接続板を部分的に接触させた状態で樹脂封止を行う。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の半導体装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は平面図であり、（Ｃ）は断面図である。
【図２】本発明の半導体装置を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図３】本発明の半導体装置を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）および（Ｃ）は平面図である。
【図４】本発明の半導体装置を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）および（Ｃ）は平面図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は斜視図である。
【図６】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は斜視図である。
【図７】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は斜視図である。
【図８】本発明の半導体装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図９】背景技術の半導体装置を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ      半導体装置
１２Ａ、１２Ｂ      半導体素子
１４      アイランド
１６Ａ、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｄ      金属接続板
２０、２０Ａ、２０Ｂ、２０Ｃ、２０Ｄ、２０Ｅ、２０Ｆ、２０Ｇ、２０Ｈ    リード
２４      接続部
２６      接続部
２８      接合材
３０      接合材
３２      接合材
３８      封止樹脂
５０      リードフレーム
５２      外枠
５４      ユニット
６０      モールド金型
６２      上金型
６４      下金型
６６      キャビティ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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