(57)【要約】      （修正有）【課題】アンダーフィル樹脂を用いたフリップチップ接合又はウエハレベルＣＳＰの半導体装置において、アンダーフィル樹脂の塗布量変動に伴う実装面積の増大及び半導体装置におけるクラックの発生等を防止する。【解決手段】半導体チップ１１の機能面側１１Ａに配線層を形成し、次いで、この配線層と電気的に接続するようにして接続端子１２を形成する。次いで、前記半導体チップを、前記接続端子を介したフリップチップ接合によって実装基板１３に実装する。次いで、前記半導体チップと前記実装基板との間にアンダーフィル樹脂１４を形成するともに、前記半導体チップの側面上方に、外方に突出してなる庇状の凸部１５が形成して、半導体装置を得る。この場合、前記アンダーフィル樹脂は、前記半導体チップと前記配線層との界面を被覆するようにして、前記配線層側から前記半導体チップ側に向けて延在させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、
前記半導体チップの機能面側に設けられた配線層と、
前記配線層と電気的に接続されてなる接続端子と、
前記半導体チップを、前記接続端子を介したフリップチップ接合によって実装し、前記半導体チップと相対向する主面が平坦である実装基板と、
前記半導体チップと前記実装基板との間に設けられたアンダーフィル樹脂とを具え、
前記半導体チップの側面上方には、外方に突出してなる庇状の凸部が形成され、前記アンダーフィル樹脂は、前記半導体チップと前記配線層との界面を被覆するようにして、前記配線層側から前記半導体チップ側に向けて延在していることを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
半導体チップと、
前記半導体チップの機能面側に設けられた再配線層と、
前記再配線層上に設けられた接続端子と、
前記半導体チップを、前記接続端子を介したフリップチップ接合によって実装するための実装基板と、
前記半導体チップと前記実装基板との間に設けられたアンダーフィル樹脂とを具え、
前記半導体チップの側面上方には、外方に突出してなる庇状の凸部が形成されてなることを特徴とする、半導体装置。
【請求項３】
前記凸部は、前記半導体チップと前記再配線層との界面から、前記半導体チップ側へ向けて５０μｍ以上離隔して形成されたことを特徴とする、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記凸部の、前記実装基板と相対向する側の面が、前記半導体チップの前記側面から連続して円弧状に形成されてなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記凸部の、前記実装基板と相対向する側の面が、前記半導体チップの前記側面から連続してテーパ状に形成されていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特にフリップチップ接合又はウエハレベルＣＳＰ（Chip Scale Package）構造の半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
昨今、半導体装置の一形態として、ウエハレベルＣＳＰ（Chip Scale（またはSize）Package）、あるいはワイヤレスＣＳＰと呼ばれている新しい形態の半導体装置が用いられている（特許文献１及び２参照）。
【０００３】
このウエハレベルＣＳＰは、半導体チップと、前記半導体チップの電極等が形成された機能面側に重ね合わせて設けた樹脂層とで構成した半導体装置であって、前記半導体チップは、所定の実装基板上に前記樹脂層を介して実装され、モールド樹脂などで封止しているものである。
【０００４】
前記樹脂層は、いわゆる再配線層と呼ばれるものであって、内部に主に銅製のポストが厚さ方向に埋設されているとともに、前記ポストを前記半導体チップの前記機能面側の電極と電気的に接続させる再配線が埋設されている。なお、前記ポストには、前記樹脂層から外方に露出するようにして半田ボールが密着形成され、前記半田ボールを介して前記半導体チップは前記実装基板に電気的及び機械的に接続されるようになる。
【０００５】
また、前記樹脂層と前記実装基板との間の間隙にはアンダーフィル樹脂を充填し、このアンダーフィル樹脂で前記半田ボールを封止して外部から保護するとともに、前記樹脂層を介した前記半導体チップと前記実装基板との接続強度を向上させている。さらに、前記半導体チップ自体の強度の向上も図っている。
【０００６】
しかしながら、上述のようなアンダーフィル樹脂の塗布量は、ディスペンスノズルからの噴出量と毛細管現象による浸透性とに依存するため、前記塗布量を均一に制御することが困難である。このため、前記塗布量が過多になって、前記アンダーフィル樹脂の、前記半導体チップから側方へはみ出した部分が前記半導体チップの上面端部にまで上昇するようになってしまう場合がある。
【０００７】
このような場合、前記半導体チップの前記上面端部と前記アンダーフィル樹脂の前記はみ出し部分との先端に、比較的大きな応力が生じてしまい、前記半導体チップの前記上面端部にクラックが生じてしまう場合がある。また、前記半導体チップの実質的な実装面積が増大してしまうという問題も生じる。
【０００８】
一方、アンダーフィル樹脂の塗布量が十分でないと、前記半導体チップと前記樹脂層との界面が露出するとともに、この界面に比較的大きな応力が作用することによって、前記半導体チップと前記樹脂層との前記界面において、前記半導体チップと前記樹脂層との界面にクラックが生じてしまい、前記半導体チップの電極等が形成された機能面側や多層配線層が破壊されてしまう場合があった。
【０００９】
すなわち、上記アンダーフィル樹脂の塗布量が多すぎても少なすぎても、半導体装置や、それを構成する樹脂部分にクラックが生じてしまい、前記半導体装置の製品としての製造歩留まりを低下させてしまうという問題があった。
【００１０】
また、通常のフリップチップ接合を用いた半導体装置において、例えば半導体チップの実装面（機能面）端部に切欠き部を形成するとともに、前記半導体チップを実装する基板の、前記半導体チップと相対向する主面にも溝部を形成し、前記切欠き部と前記溝部の双方で画定される領域で充填すべきアンダーフィル樹脂量を制御する方法がある。
【００１１】
しかしながら、上述の方法では、上記切欠き部及び溝部が樹脂溜めとして機能するため、このような切欠き部を有しない平坦な機能面を有する半導体チップと溝部を有しない平坦な主面を有する実装基板との組み合わせと比較した場合に、アンダーフィル樹脂の使用量が必然的に増大してしまうという問題がある。また、実装基板の主面にも溝部を形成することから、前記溝部の形成に際しては多くの制約がある。
【００１２】
さらに、このような多くの制約の下で実装基板の主面に溝部を形成することは難しく、製造コストの増大につながってしまう。また、上述の方法では、アンダーフィル樹脂の量は主として実装基板主面溝部の壁面で画定されるが、前記壁面に対してアンダーフィル樹脂によって発生した応力が作用して、使用材料によっては前記実装基板に反りを生じさせてしまう可能性がある。
【００１３】
また、上述のように樹脂層を有しない、通常のフリップチップ接合を用いた半導体装置においても、上記ウエハレベルＣＳＰと同様の目的で半導体チップと実装基板との間にアンダーフィル樹脂を形成するのが一般的である。したがって、この場合においても、前記アンダーフィル樹脂の形成によって、上記ウエハレベルＣＳＰと同様の問題が生じていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００７−３１１５７５号
【特許文献２】特開２００６−８０２８４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、アンダーフィル樹脂を用いたフリップチップ接合又はウエハレベルＣＳＰの半導体装置において、アンダーフィル樹脂の塗布量変動に伴う実装面積の増大及び半導体装置におけるクラックの発生等を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の一態様は、半導体チップと、前記半導体チップの機能面側に設けられた配線層と、前記配線層と電気的に接続されてなる接続端子と、前記半導体チップを、前記接続端子を介したフリップチップ接合によって実装し、前記半導体チップと相対向する主面が平坦である実装基板と、前記半導体チップと前記実装基板との間に設けられたアンダーフィル樹脂とを具え、前記半導体チップの側面上方には、外方に突出してなる庇状の凸部が形成され、前記アンダーフィル樹脂は、前記半導体チップと前記配線層との界面を被覆するようにして、前記配線層側から前記半導体チップ側に向けて延在していることを特徴とする、半導体装置に関する。
【００１７】
また、本発明の他の態様は、半導体チップと、前記半導体チップの機能面側に設けられた再配線層と、前記再配線層上に設けられた接続端子と、前記半導体チップを、前記接続端子を介したフリップチップ接合によって実装するための実装基板と、前記半導体チップと前記実装基板との間に設けられたアンダーフィル樹脂とを具え、前記半導体チップの側面上方には、外方に突出してなる庇状の凸部が形成されてなることを特徴とする、半導体装置に関する。
【発明の効果】
【００１８】
上記態様によれば、アンダーフィル樹脂を用いたフリップチップ接合又はウエハレベルＣＳＰの半導体装置において、アンダーフィル樹脂の塗布量変動に伴う実装面積の増大及び半導体チップのクラックの発生等を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１の実施形態における半導体装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の一部を拡大して示す断面図である。
【図３】第２の実施形態における半導体装置の概略構成を示す断面図である。
【図４】図２に示す半導体装置の一部を拡大して示す断面図である。
【図５】アンダーフィル樹脂の上昇位置と、半導体チップ及び再配線層間の界面に作用する応力との関係を示すグラフである。
【図６】第３の実施形態における半導体装置の概略構成を示す断面図である。
【図７】第４の実施形態における半導体装置の概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の具体的な実施形態について説明する。
【００２１】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態における半導体装置の概略構成を示す断面図であり、図２は、図１に示す半導体装置の一部を拡大して示す断面図である。図１及び図２に示すように、本実施形態における半導体装置１０は、Ｓｉ等の半導体チップ１１と、半導体チップ１１の機能面１１Ａ側に設けられた配線層１６と、配線層１６に対して電気的に接続されてなる半田ボール等から構成される接続端子１２と、半導体チップ１１を、接続端子１２を介したフリップチップ接合によって実装するための実装基板１３とを有している。なお、接続端子１２は、上記半田ボール搭載の他、印刷法、メッキ法等、公知の手法を用いて形成することができる。
【００２２】
また、半導体チップ１１と実装基板１３との間にはアンダーフィル樹脂１４が形成されている。これによって、半導体チップ１１と実装基板１３との密着性が改善されるとともに、接続端子１２をも固着するようになるので、外部から何らかの応力が負荷された場合においても、例えば接続端子１２と実装基板１３との電気的な接触が不良となることがなくなり、上述したフリップチップ接合を確実に行うことができる。さらに、半導体チップ１１の強度を補うこともできる。
【００２３】
なお、アンダーフィル樹脂１４は、エポキシ系樹脂等の汎用の熱硬化性樹脂から構成することができる。
【００２４】
さらに、本例では、半導体チップ１１の側面上部において、外方に突出してなる庇状の凸部１５が設けられている。したがって、アンダーフィル樹脂１４を半導体チップ１１及び実装基板１３間に、例えばディスペンスノズルを用いて注入する際に、その注入量が変動して過多になった場合においても、前記注入量は凸部１５で制限されるようになる。したがって、前記注入量の増大に基づく、半導体チップ１１の実装面積の増大を防止することができる。
【００２５】
また、アンダーフィル樹脂１４の過剰分が、半導体チップ１１の側面に沿って上昇した場合においても、凸部１５で遮蔽されるようになるので、アンダーフィル樹脂１４の前記過剰分が半導体チップ１１の上面端部にまで達することがない。その結果、半導体チップ１１の前記上面端部において、前記半導体チップの前記上面端部にクラックが発生してしまうなどの問題を回避することができる。
【００２６】
以下、凸部１５とアンダーフィル樹脂１４の注入量との関係について詳述する。
【００２７】
上述のように、半導体チップ１１と実装基板１３との間にアンダーフィル樹脂１４を注入すると、過剰分が半導体チップ１１の側方にはみ出すとともに、半導体チップ１１の側面に沿って上昇し、断面が略三角形状のフィレット１４Ａを形成するようになる。フィレット１４Ａの大きさは、横方向の長さ（アンダーフィル樹脂１４の半導体チップ１１の側方部へのはみ出し度合い）１４１Ａと、高さ（編んだフィル樹脂１４の半導体チップ１１の側面に沿った上昇度合い）１４２Ａとによって画定される。
【００２８】
一方、フィレット１４Ａは、アンダーフィル樹脂１４の注入時における毛細管現象に起因して形成されるので、その形状及び大きさ等は、アンダーフィル樹脂１４を構成する熱硬化性樹脂等の粘度等に依存して決定される。したがって、フィレット１４Ａの長さ１４１Ａ及び高さ１４２Ａは相互に依存し、それぞれが独立に大きく変化するようなことがない。
【００２９】
すなわち、アンダーフィル樹脂１４が、半導体チップ１１の側方にはみ出して、所定の長さ１４１Ａを有する場合、その長さ１４１Ａに応じた分のアンダーフィル樹脂１４が半導体チップ１１の側面を上昇し、所定の高さ１４２Ａとなる。換言すれば、アンダーフィル樹脂１４の種類が確定すれば、フィレット１４Ａの形状が確定され、半導体チップ１１の側方へのはみ出し量に応じて、その形状が相似形を保ったまま、増減するに過ぎない。
【００３０】
したがって、図１に示すように、半導体チップ１１の側面上部に凸部１５を形成することによって、フィレット１４Ａの高さ１４２Ａが画定されるので長さ１４１Ａも必然的に画定されるようになる。このため、半導体チップ１１に上記のような凸部１５を形成することによって、アンダーフィル樹脂１４の半導体チップ１１の側面に沿った上昇（高さ１４２Ａ）が抑制され、これによって横方向へのはみ出し（長さ１４１Ａ）も抑制されるようになる。
【００３１】
この結果、フィレット１４Ａの拡大、すなわちアンダーフィル樹脂１４のはみ出し量が制限され、半導体チップ１１の実装面積を増大させてしまうことがない。また、アンダーフィル樹脂１４が半導体チップ１１の上面端部に達しなくなるので、かかる部分における前記半導体チップの前記上面端部でのクラック発生を抑制することができる。
【００３２】
但し、フィレット１４Ａの高さ１４２Ａ、すなわちアンダーフィル樹脂１４の上昇度合いは、少なくとも半導体チップ１１と配線層１６との界面１６Ａを被覆するように設定する必要がある。かかる要件を満足しないと、界面１６Ａにおいて大きな応力が発生し、半導体チップ１１の機能面側、特に配線層１６等においてクラックが発生してしまい、半導体装置１０が不良品化してしまうことになる。
【００３３】
具体的には、以下に示すウエハレベルＣＳＰの場合と同様に、アンダーフィル樹脂１４の上昇度合いを、界面１６Ａからの距離が５０μｍ以上となるようにすることが好ましい。すなわち、アンダーフィル樹脂１４の上昇を抑制する凸部１５の、前記界面に対する形成位置（下面位置）Ｄ１を５０μｍ以上とすることが好ましい。これによって、アンダーフィル樹脂１４の形成に伴う上述した応力の発生を抑制することができ、半導体チップ１１の機能面側、特に配線層１６等におけるクラック発生を抑制することができる。
【００３４】
なお、上述した応力抑制の観点からは、アンダーフィル樹脂１４の上昇を抑制する凸部１５の、前記界面に対する形成位置（下面位置）Ｄ１は大きいほど好ましく、例えば１００μｍ以上であることが好ましい。
【００３５】
また、Ｄ１の上限値は、半導体チップ１１の厚さによって決定され、半導体チップ１１の厚さが約３５０μｍ〜４２０μｍである場合、形成位置Ｄ１の上限は約３３０μｍ〜４００μｍである。これは凸部１５の厚さｔ１が少なくとも２０μｍであることを意味している。これによって、凸部１５はアンダーフィル樹脂１４の上昇を抑制するに耐えうるような機械強度を有することができる。
【００３６】
なお、凸部１５の突出量Ｗは、上記作用効果を奏するものであれば特に限定されるものではないが、例えば１０μｍ以上とすることができる。これによって、上述した作用効果を確実に奏することができるようになる。なお、突出量Ｗの上限は特に限定されるものではないが、以下に示す形成方法における効率や実装面積の増大等を考慮して、例えば２８〜５７μｍとすることができる。
【００３７】
また、本実施形態では、実装基板１３の、半導体チップ１１と相対向する主面は平坦であることが好ましい。すなわち、実装基板主面を平坦にして、アンダーフィル樹脂の充填量を半導体チップ１１に形成された凸部１５によってのみ画定することにより、半導体チップ１１の機能面側、特に配線層１６等におけるクラック発生を効果的に抑制することが可能となる。
【００３８】
なお、凸部１５は、半導体チップ１１に対して別途設けることもできるが、半導体チップ１１の一部から構成することもできる。この場合、半導体チップ１１の側面にダイシング等の機械加工を施したり、エッチング等の化学加工を施したりすることによって形成する。
【００３９】
また、上記加工は、凸部１５の作用効果の観点から、当然にアンダーフィル樹脂１４を形成する以前に行うことが必要であり、加工の簡略化の観点からは、半導体チップ１１を実装基板１３上に実装する以前に行うことが好ましい。例えば、ウエハ状態から個片化する際、もしくはその直前に行うことができる。
【００４０】
（第２の実施形態）
図３は、第２の実施形態における半導体装置の概略構成を示す断面図であり、図４は、図３に示す半導体装置の一部を拡大して示す断面図である。なお、類似及び同一の構成要素は、同一の参照数字を用いて表している。
【００４１】
本実施形態では、上記第１の実施形態と比較して、半導体チップ１１と接続端子１２との間に再配線層１７が形成されている点で異なり、その他の構成については同様である。したがって、以下においては、上記相違点に基づく技術的事項について説明する。
【００４２】
なお、図４に示すように、再配線層１７は、半導体チップ１１の機能面１１Ａ上において、絶縁膜１７２及び樹脂層１７３が順次に形成されるとともに、樹脂層１７３上において、この樹脂層１７３の開口部を埋設し、底部に形成された電極パッド１７１と接続するようにして金属再配線１７５が形成されている。また、樹脂層１７３と金属再配線１７５との間には、アンダーバリアメタル（ＵＢＭ）１７４が形成されている。
【００４３】
さらに、金属再配線１７５を被覆するようにして封止樹脂層１７６が形成され、封止樹脂層１７６を貫通するようにして金属ポスト１７７が形成されている。金属ポスト１７７は、接続端子１２と電気的に接続されている。
【００４４】
本例では、再配線層１７を設けているので、半導体装置２０はウエハレベルＣＳＰ（Chip Scale Package）として構成することができる。
【００４５】
なお、上述した再配線層１７の構成は、あくまでも一例であって、必要に応じて任意の構成とすることができる。
【００４６】
また、半導体チップ１１の機能面１１Ａには、第１の実施形態で説明したような配線層等が形成されているが、本例において簡略化のため、記載を省略している。
【００４７】
本例における半導体装置２０においても、半導体チップ１１の側面上部において、外方に突出してなる庇状の凸部１５が設けられている。したがって、アンダーフィル樹脂１４を半導体チップ１１及び実装基板１３間に、例えばディスペンスノズルを用いて注入する際に、その注入量が変動して過多になった場合においても、前記注入量は凸部１５で制限されるようになる。したがって、前記注入量の増大に基づく、半導体チップ１１の実装面積の増大を防止することができる。
【００４８】
また、アンダーフィル樹脂１４の過剰分が、半導体チップ１１の側面に沿って上昇した場合においても、凸部１５で遮蔽されるようになるので、アンダーフィル樹脂１４の前記過剰分が半導体チップ１１の上面端部にまで達することがない。その結果、半導体チップ１１の前記上面端部において、前記半導体チップの前記上面端部にクラックが発生してしまうなどの問題を回避することができる。
【００４９】
なお、上述した実装面積の増大抑制、及びアンダーフィル樹脂１４のクラック発生抑制等の原理は、上述したフィレット１４Ａに関連させて説明した場合と同様である。
【００５０】
一方、本例では、再配線層１７を設けているため、アンダーフィル樹脂１４に関して、上述した第１の実施形態の配線層１６と同様の問題が生じるようになる。すなわち、アンダーフィル樹脂１４の量が少なく、例えばアンダーフィル樹脂１４の上昇が、半導体チップ１１と再配線層１７との界面に達しない、あるいは前記界面を僅かに覆う程度であると、前記界面近傍に、アンダーフィル樹脂１４の形成に伴う巨大な応力が作用するようになる。したがって、半導体チップ１１の機能面側、特に配線層等においてクラックが発生してしまう場合がある。
【００５１】
したがって、本例では、例えばアンダーフィル樹脂１４の上昇度合いを、前記界面からの距離が５０μｍ以上となるようにすることが好ましい。すなわち、アンダーフィル樹脂１４の上昇を抑制する凸部１５の、前記界面に対する形成位置（下面位置）Ｄ２を５０μｍ以上とすることが好ましい。これによって、アンダーフィル樹脂１４の形成に伴う上述した応力の発生を抑制することができ、前記界面でのクラック発生を抑制することができる。
【００５２】
なお、上述した応力抑制の観点からは、アンダーフィル樹脂１４の上昇を抑制する凸部１５の、前記界面に対する形成位置（下面位置）Ｄ２は大きいほど好ましく、例えば１００μｍ以上であることが好ましい。
【００５３】
また、Ｄ２の上限値は、半導体チップ１１の厚さによって決定され、半導体チップ１１の厚さが約３５０μｍ〜４２０μｍである場合、形成位置Ｄ２の上限は約３３０μｍ〜４００μｍである。これは凸部１５の厚さｔ２が少なくとも２０μｍであることを意味している。これによって、凸部１５はアンダーフィル樹脂１４の上昇を抑制するに耐えうるような機械強度を有することができる。
【００５４】
図５は、アンダーフィル樹脂１４が、半導体チップ１１と再配線層１７との界面に達していない場合の前記界面に作用する応力値と、アンダーフィル樹脂１４が、前記界面から上方へ５０μｍ以上シフトした場合の応力値とを示すグラフである。なお、グラフにおいて、各応力値は、温度をパラメータとし、−４５℃〜１２５℃で変化させた場合について示している。
【００５５】
図５から明らかなように、アンダーフィル樹脂１４の上昇位置が半導体チップ１１と再配線層１７との界面から上方へ５０μｍ以上シフトした場合においては、アンダーフィル樹脂１４が前記界面に達しない場合に比較して、前記界面における応力値が激減していることが分かる。したがって、凸部１５の、前記界面からの形成位置（下面位置）Ｄ２を５０μｍ以上とし、アンダーフィル樹脂１４の前記界面からの上昇度合いを５０μｍ以上とすることによって、前記応力に起因した前記界面でのクラック生成を抑制できることが分かる。
【００５６】
なお、凸部１５の突出量Ｗは、上記同様に、例えば１０μｍ以上とすることができ、５７μｍ以下とすることができる。
【００５７】
また、本例でも、凸部１５は、半導体チップ１１に対して別途設けることもできるが、半導体チップ１１の一部から構成することもできる。この場合、半導体チップ１１の側面にダイシング等の機械加工を施したり、エッチング等の化学加工を施したりすることによって形成する。
【００５８】
なお、上述した加工は、再配線層１７を形成する以前に行うこともできるが、一般には、再配線層１７を形成した後に行う。したがって、図３及び図４に示すように、前記加工は半導体チップ１１及び再配線層１７（を構成する封止樹脂層１７６）に対して一括して行う。これによって、前記加工を簡略化して行うことができる。
【００５９】
また、上記加工は、凸部１５の作用効果の観点から、当然にアンダーフィル樹脂１４を形成する以前に行うことが必要であり、加工の簡略化の観点からは、半導体チップ１１を実装基板１３上に実装する以前に行うことが好ましい。例えば、ウエハ状態から個片化する際、もしくはその直前に行うことができる。
【００６０】
（第３の実施形態）
図６は、第３の実施形態における半導体装置の概略構成を示す断面図である。なお、類似及び同一の構成要素は、同一の参照数字を用いて表している。
【００６１】
本実施形態は、上記第２の実施形態の変形例であり、凸部１５の、実装基板１３と相対向する側の面Ｒが、半導体チップ１１の側面から連続して円弧状に形成されてなる点で相違する。
【００６２】
本例では、凸部１５の下面Ｒが円弧状に形成されているので、凸部１５と半導体チップ１１との付け根において、アンダーフィル樹脂１４を形成したことに伴う応力集中を抑制することができる。したがって、凸部１５の応力破損等を抑制することができ、上述した凸部１５の形成に伴う作用効果を確実に奏することができるようになる。
【００６３】
なお、その他の特徴、及びこれに伴う作用効果は、第２の実施形態の場合と同様である。例えば、アンダーフィル樹脂１４の上昇度合いを、半導体チップ１１と再配線層１７との界面からの距離が１００μｍ以上となるようにする、すなわち、アンダーフィル樹脂１４の上昇を抑制する凸部１５の、前記界面に対する形成位置（下面位置）Ｄ２を１００μｍ以上とすることによって、アンダーフィル樹脂１４の形成に伴う上述した応力の発生を抑制することができ、前記界面でのクラック発生を抑制することができる。
【００６４】
なお、凸部１５の下面Ｒを円弧状にすることに関しては、上述のように第２の実施形態に限らず、第１の実施形態にも適用することができる。
【００６５】
（第４の実施形態）
図７は、第４の実施形態における半導体装置の概略構成を示す断面図である。なお、類似及び同一の構成要素は、同一の参照数字を用いて表している。
【００６６】
本実施形態も、上記第２の実施形態の変形例であり、凸部１５の、実装基板１３と相対向する側の面Ｔが、半導体チップ１１の側面から連続してテーパ状に形成されてなる点で相違する。
【００６７】
本例では、凸部１５の下面Ｔがテーパ状に形成されているので、凸部１５と半導体チップ１１との付け根において、アンダーフィル樹脂１４を形成したことに伴う応力集中を抑制することができる。したがって、凸部１５の応力破損等を抑制することができ、上述した凸部１５の形成に伴う作用効果を確実に奏することができるようになる。
【００６８】
なお、その他の特徴、及びこれに伴う作用効果は、第２の実施形態の場合と同様である。例えば、アンダーフィル樹脂１４の上昇度合いを、半導体チップ１１と再配線層１７との界面からの距離が１００μｍ以上となるようにする、すなわち、アンダーフィル樹脂１４の上昇を抑制する凸部１５の、前記界面に対する形成位置（下面位置）Ｄ２を１００μｍ以上とすることによって、アンダーフィル樹脂１４の形成に伴う上述した応力の発生を抑制することができ、前記界面でのクラック発生を抑制することができる。
【００６９】
なお、凸部１５の下面Ｔをテーパ状にすることに関しては、上述のように第２の実施形態に限らず、第１の実施形態にも適用することができる。
【００７０】
以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。
【００７１】
例えば、上述した具体例では、半導体チップ１１を封止するような封止樹脂層については説明を省略しているが、必要に応じて適宜設けることができる。
【符号の説明】
【００７２】
１０、２０  半導体装置
１１  半導体チップ
１２  接続端子
１３  実装基板
１４  アンダーフィル樹脂
１５  凸部
１６  配線層
１７  再配線層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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