(57)【要約】      （修正有）【課題】透明で耐熱性の高いポリイミドフィルムの透湿性や吸湿性を低減する。【解決手段】半導体素子、第１の電極、および第２の電極を有する画素がマトリクス状に配置された表示パネルの絶縁基板として用いる絶縁体フィルムであって、当該絶縁性フィルムは、下記構造式１で表される単位構造を複数有するポリイミドを含有しており、前記構造式１におけるＸ１は、下記構造式２で表されるシクロヘキサンジアミンであり、かつ、当該構造式２におけるＲは、単結合もしくは炭素数１乃至２０の脂肪族基のいずれかである絶縁体フィルム。2010100674.tif 000028【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子、第１の電極、および第２の電極を有する画素がマトリクス状に配置された表示パネルの絶縁基板として用いる絶縁体フィルムであって、
当該絶縁性フィルムは、下記構造式１で表される単位構造を複数有するポリイミドを含有しており、
前記構造式１におけるＸ１は、下記構造式２で表されるシクロヘキサンジアミンであり、かつ、当該構造式２におけるＲは、単結合もしくは炭素数１乃至２０の脂肪族基のいずれかであることを特徴とする絶縁体フィルム。
【化１】
2010100674.tif 000024
【請求項２】
前記ポリイミドは、下記構造式３で表される単位構造を有し、
前記構造式３におけるＸ２は、下記構造式４で表される芳香族基であり、かつ、当該構造式４におけるＺは、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｃ（ＣＦ３）２−のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の絶縁体フィルム。
【化２】
2010100674.tif 000025
【請求項３】
前記構造式４におけるＺは、−ＳＯ２−であることを特徴とする請求項２に記載の絶縁体フィルム。
【請求項４】
半導体素子、第１の電極、および第２の電極を有する画素がマトリクス状に配置された表示パネルの絶縁基板として用いる絶縁体フィルムを形成するための樹脂組成物であって、
当該樹脂組成物は、下記構造式５で表される単位構造を複数有するポリアミック酸を含有しており、
前記構造式５におけるＸ１は、下記構造式２で表されるシクロヘキサンジアミンであり、かつ、当該構造式２におけるＲは、単結合もしくは炭素数１乃至２０の脂肪族基のいずれかであることを特徴とする樹脂組成物。
【化３】
2010100674.tif 000026
【請求項５】
前記ポリアミック酸は、下記構造式６で表される単位構造を有し、
前記構造式６におけるＸ２は、下記構造式４で表される芳香族基であり、かつ、当該構造式４におけるＺは、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｃ（ＣＦ３）２−のいずれかであることを特徴とする請求項４に記載の樹脂組成物。
【化４】
2010100674.tif 000027
【請求項６】
前記構造式４におけるＺは、−ＳＯ２−であることを特徴とする請求項５に記載の樹脂組成物。
【請求項７】
半導体素子、第１の電極、および第２の電極を有する画素がマトリクス状に配置された表示パネルを有する表示装置であって、
前記表示パネルは、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の絶縁体フィルムを有し、
当該絶縁体フィルムの表面上に、前記半導体素子および前記第１の電極がマトリクス状に配置されていることを特徴とする表示装置。
【請求項８】
前記絶縁体フィルムの表面上には、複数の前記画素で共有される前記第２の電極が配置されていることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁体フィルム、樹脂組成物、および表示装置に関し、特に、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置などの表示パネルに用いる絶縁基板に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置に代表されるフラットパネルディスプレイは、薄型化や軽量化を図るために、たとえば、表示パネルに用いる絶縁基板を薄くすることが検討されている。液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置に用いる表示パネルは、絶縁基板として、たとえば、０．５ｍｍから１．１ｍｍ程度の厚さのガラス基板を用いている。しかしながら、表示パネルの絶縁基板としてガラス基板を用いる場合、当該ガラス基板をさらに薄くすると、たとえば、製造過程、あるいは表示装置を使用しているときに割れやすくなるなどの問題点がある。そのため、絶縁基板としてガラス基板を用いた表示パネルは、さらなる薄型化や軽量化が難しくなってきている。
【０００３】
このような問題の解決方法の一つとして、絶縁基板として、ガラス基板の代わりにプラスチック基板（樹脂基板）を用いた表示パネルの開発が進められている。
【０００４】
また、プラスチック基板は、ガラス基板に比べて柔らかく、フレキシブルな性質も有する。そのため、絶縁基板としてプラスチック基板を用いる表示パネルは、フレキシブルなディスプレイの実現の可能性を高めるという点からも、実用化が期待されている。
【０００５】
しかしながら、ガラス基板の融点が６００℃前後であるのに対して、プラスチック基板の融点は、通常、２００℃前後である。すなわち、従来の一般的な樹脂材料を用いたプラスチック基板は、耐熱性が低いという欠点を有する。
【０００６】
液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置の表示パネルは、たとえば、ＴＦＴ素子、第１の電極、および第２の電極を有する画素がマトリクス状に配置された表示領域を有する。このような表示パネルの製造過程において、絶縁基板の表面上にＴＦＴ素子を形成する際の温度は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を用いたＴＦＴ素子の場合が３００℃前後であり、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）を用いたＴＦＴ素子の場合が５００℃前後であり、プラスチック基板の耐熱性をはるかに超える温度となっている。そのため、絶縁基板としてプラスチック基板を用いた表示パネルを具現化する方法の１つとして、ＴＦＴ素子の形成温度を下げる方法が検討されている。
【０００７】
表示パネルの絶縁基板に用いるプラスチック基板としては、たとえば、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）を用いたものが知られている（たとえば、非特許文献１を参照。）。ＰＥＳでなるプラスチック基板を用いる場合、ＰＥＳの耐熱性（たとえば、ガラス転移温度）に見合うように、ＴＦＴ素子の形成温度が１７０℃を超えないようにしている。
【０００８】
また、表示パネルの絶縁基板に用いるプラスチック基板としては、たとえば、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）を用いたものが知られている（たとえば、非特許文献２を参照。）。ＰＥＮでなるプラスチック基板を用いる場合も、ＰＥＮの特性が壊れないように、ＴＦＴ素子の形成温度は、たとえば、１２０℃にしている。
【０００９】
ところで、従来の樹脂材料のなかには、たとえば、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミドなどの耐熱性の高い樹脂材料もあり、これらの樹脂材料の融点は３００℃前後である。しかしながら、ポリイミドなどの耐熱性の高い樹脂材料は、一般に、黄色く着色しており、波長４００ｎｍ近辺の可視光の透過率が低いものが多い。このように、有色であり、可視光の透過率が低い樹脂材料は、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置の表示パネルの絶縁基板の材料としては不適当である。
【００１０】
これに対し、近年、ポリイミド、ポリアミド、ポリアミドイミドなどの耐熱性の高い樹脂材料における可視光の透過率を改善する方法として、種々の方法が提案されている（たとえば、特許文献１乃至特許文献３を参照。）。
【特許文献１】特開２００６−０８３２０９号公報
【特許文献２】特開２００６−１９９９４５号公報
【特許文献３】特開２００３−１５５３４２号公報
【非特許文献１】J. Y. Kwonら，“Low Temperature Poly-Si Thin Film Transistor on Plastic Substrates”，IEICE TRANS. ELECTRON., vol.E88-C, No.4, P.667(2005)
【非特許文献２】T. H. Hwangら，“14.3 inch Active Matrix-Based Plastic Electrophoretic Display Using Low Temperature Process”，SID 07 digest, P.1684（2007）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
耐熱性が高い樹脂材料の１つとして知られているポリイミドは、通常、下記反応式１に示すように、テトラカルボン酸二無水物とジアミンを反応させてポリアミック酸を得た後、当該ポリアミック酸を脱水し、イミド化して合成される。
【００１２】
【化５】
2010100674.tif 000002
【００１３】
一般的なポリイミド材料やフィルムが黄色から褐色に着色しているのは、この化学構造のうちの、イミド環と芳香環が共役している構造に起因する。そのため、ポリイミドを無色に近づけるためには、たとえば、脂環構造を付加してイミド環と芳香環との共役を断ち切ればよいということは一般的に知られている。
【００１４】
ポリイミドの化学構造に起因する着色を防ぐ方法ために脂環構造を入れる場合、共役のある部分、すなわちイミド環側、言い換えればもともとはテトラカルボン酸二無水物であった部分を脂環構造にすることが、原理的に考えると自然である。したがって、ポリイミドの化学構造に起因する着色を防ぐ方法ためには、特許文献１乃至特許文献３に見られるように、もともとのテトラカルボン酸二無水物側を脂環構造（たとえば、1,2,4,5-シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物）にすることが有効である。このような構造のポリイミドは、ある程度の耐熱性を保ったまま、可視領域の透明性（可視光の透過率）を高めることができる。
【００１５】
しかしながら、上記のようにテトラカルボン酸二無水物の部分を脂環構造（たとえば、1,2,4,5-シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物）にしたポリイミドフィルムは、たとえば、反応式１で得られるポリイミドフィルムに比べて、透湿性や吸湿性が高くなる。そのため、テトラカルボン酸二無水物の部分を脂環構造にしたポリイミドフィルムを表示パネルの絶縁基板として用いる場合、たとえば、フィルムの吸湿による寸法変動で、フィルム状に形成する半導体素子や第１の電極などの形成位置にずれが生じやすいという問題がある。また、そのほかにも、たとえば、フィルムを透過した水分により半導体素子などが劣化しやすくなるという問題がある。
【００１６】
以上のようなことから、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置の表示パネルの絶縁基板としてプラスチック基板を用いるためには、当該プラスチック基板を、耐熱性が高く、無色または無色に近く、かつ、透湿性や吸湿性が高い樹脂材料で形成する必要があるといえる。
【００１７】
しかしながら、従来の一般に知られている樹脂材料のなかには、上記の条件をすべて満たし、かつ、表示パネルの絶縁基板（プラスチック基板）の材料として適当な樹脂材料がほとんど無い。そのため、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置は、たとえば、表示パネルの絶縁基板をプラスチック基板にすることによる薄型化や軽量化が難しいという問題があった。
【００１８】
本発明の目的は、透明で耐熱性が高いポリイミドフィルムの透湿性や吸湿性を低減することが可能な技術を提供することにある。
【００１９】
本発明の他の目的は、たとえば、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置の薄型化、軽量化が可能な技術を提供することにある。
【００２０】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概略を説明すれば、以下の通りである。
【００２２】
（１）半導体素子、第１の電極、および第２の電極を有する画素がマトリクス状に配置された表示パネルの絶縁基板として用いる絶縁体フィルムであって、当該絶縁性フィルムは、下記構造式１で表される単位構造を複数有するポリイミドを含有しており、前記構造式１におけるＸ１は、下記構造式２で表されるシクロヘキサンジアミンであり、かつ、当該構造式２におけるＲは、単結合もしくは炭素数１乃至２０の脂肪族基のいずれかである絶縁体フィルム。
【００２３】
【化６】
2010100674.tif 000003
【００２４】
（２）前記（１）の絶縁体フィルムにおいて、前記ポリイミドは、下記構造式３で表される単位構造を有し、前記構造式３におけるＸ２は、下記構造式４で表される芳香族基であり、かつ、当該構造式４におけるＺは、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｃ（ＣＦ３）２−のいずれかである絶縁体フィルム。
【００２５】
【化７】
2010100674.tif 000004
【００２６】
（３）前記（２）の絶縁体フィルムにおいて、前記構造式４におけるＺは、−ＳＯ２−である絶縁体フィルム。
【００２７】
（４）半導体素子、第１の電極、および第２の電極を有する画素がマトリクス状に配置された表示パネルの絶縁基板として用いる絶縁体フィルムを形成するための樹脂組成物であって、当該樹脂組成物は、下記構造式５で表される単位構造を複数有するポリアミック酸を含有しており、前記構造式５におけるＸ１は、下記構造式２で表されるシクロヘキサンジアミンであり、かつ、当該構造式２におけるＲは、単結合もしくは炭素数１乃至２０の脂肪族基のいずれかである樹脂組成物。
【００２８】
【化８】
2010100674.tif 000005
【００２９】
（５）前記（４）の樹脂組成物において、前記ポリアミック酸は、下記構造式６で表される単位構造を有し、前記構造式６におけるＸ２は、下記構造式４で表される芳香族基であり、かつ、当該構造式４におけるＺは、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｃ（ＣＦ３）２−のいずれかである樹脂組成物。
【００３０】
【化９】
2010100674.tif 000006
【００３１】
（６）前記（５）の樹脂組成物において、前記構造式４におけるＺは、−ＳＯ２−である樹脂組成物。
【００３２】
（７）半導体素子、第１の電極、および第２の電極を有する画素がマトリクス状に配置された表示パネルを有する表示装置であって、前記表示パネルは、請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の絶縁体フィルムを有し、当該絶縁体フィルムの表面上に、前記半導体素子および前記第１の電極がマトリクス状に配置されている表示装置。
【００３３】
（８）前記（７）の表示装置において、前記絶縁体フィルムの表面上には、複数の前記画素で共有される前記第２の電極が配置されている表示装置。
【発明の効果】
【００３４】
本発明の絶縁体フィルムによれば、透明で耐熱性の高いポリイミドフィルムの透湿性や吸湿性を低減することができる。また、本発明の樹脂組成物によれば、当該樹脂組成物を脱水環化することで、透明で耐熱性が高く、かつ、透湿性や吸湿性が低いポリイミドフィルムを形成することができる。
【００３５】
また、本発明の表示装置によれば、たとえば、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置の薄型化、軽量化ができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明について、図面を参照して実施の形態（実施例）とともに詳細に説明するが、その前に、まず、本発明の概要について説明する。
なお、以下の説明において参照する全図において、同一機能を有するものは、同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。
【００３７】
本発明は、たとえば、アクティブマトリクス方式の液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置における表示パネルの絶縁基板（絶縁体フィルム）に用いる樹脂材料に関する。
【００３８】
アクティブマトリクス方式の表示装置の表示パネルは、たとえば、ＴＦＴ素子などの半導体素子、第１の電極、および第２の電極を有する画素がマトリクス状に配置された表示領域を有する。このとき、表示パネルは、通常、２枚の絶縁基板を有し、当該２枚の絶縁基板のうちの１枚の絶縁基板の表面に、たとえば、複数個のＴＦＴ素子および複数個の第１の電極がマトリクス状に配置されている。またこのとき、第２の電極は、表示パネルの駆動方法により、半導体素子などが形成された絶縁基板に配置されることもあるし、他方の絶縁基板に配置されることもある。
【００３９】
このような表示パネルを製造するときには、たとえば、絶縁基板の表面に、複数個のＴＦＴ素子を形成する工程を有する。ＴＦＴ素子を形成する際の最高温度は、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を用いたＴＦＴ素子を形成する場合が３００℃前後であり、低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ）を用いたＴＦＴ素子を形成する場合が５００℃前後である。そのため、表示パネルの絶縁基板として樹脂材料でなる絶縁体フィルムを用いる場合、当該絶縁体フィルムには、相応の耐熱性が要求される。
【００４０】
また、表示パネルの絶縁基板として樹脂材料でなる絶縁体フィルムを用いる場合、当該絶縁体フィルムは、無色透明または無色に近い透明であり、可視領域の光の透過率が高いことが望まれる。
【００４１】
またさらに、表示パネルの絶縁基板として樹脂材料でなる絶縁体フィルムを用いる場合、当該絶縁体フィルムには、透湿性や吸湿性が低いことが望まれる。
【００４２】
そして、本願発明者は、上記の条件を満たす樹脂材料の構造について検討した結果、たとえば、下記構造式１で表される単位構造（以下、第１の単位構造という）を複数有するポリイミドであれば、上記の条件を満たすことを見出した。
【００４３】
【化１０】
2010100674.tif 000007
【００４４】
なお、構造式１におけるＸ１は、下記構造式２で表されるシクロヘキサンジアミンであり、構造式２におけるＲは、単結合または炭素数が１個乃至２０個の脂肪族基である。
【００４５】
【化１１】
2010100674.tif 000008
【００４６】
また、第１の単位構造を複数有するポリイミドは、たとえば、下記構造式５で表される単位構造を複数有するポリアミック酸（樹脂組成物）を脱水、環化して形成する。
【００４７】
【化１２】
2010100674.tif 000009
【００４８】
なお、構造式５におけるＸ１は、構造式２で表されるシクロヘキサンジアミンであり、構造式２におけるＲは、上記のように、単結合または炭素数が１個乃至２０個の脂肪族基である。
【００４９】
第１の単位構造を複数有するポリイミドは、光吸収に大きく寄与する共役のあるイミド基側ではないものの、当該単位構造中に脂環構造を有する。そのため、第１の単位構造を複数有するポリイミドは、ある程度の耐熱性を保ったままで、可視の領域における透明性（可視光の透過率）が高いという特長を有する。
【００５０】
第１の単位構造を複数有するポリイミドを用いて膜厚１０μｍから３００μｍ程度のフィルムを形成した場合、当該フィルムは、波長４００ｎｍから８００ｎｍの範囲（可視領域）における光の透過率が８５％以上であり、透明である。
【００５１】
また、第１の単位構造を複数有するポリイミドからなるフィルムは、湿度膨張係数が小さく、全芳香族のポリイミドと同等の２０ｐｐｍ／ＲＨ％から３０ｐｐｍ／ＲＨ％であるという特長を有することがわかった。湿度変化による膨張、収縮の問題は、表示装置（表示パネル）を形成する上では重要な問題であり、湿度膨張係数が小さいものが望まれている。
【００５２】
またさらに、第１の単位構造を複数有するポリイミドからなるフィルムは、水蒸気透過度も比較的小さく、全芳香族のポリイミドと同等の１０ｇ／ｍ２／ｄａｙから２０ｇ／ｍ２／ｄａｙであるという特長を有する。
【００５３】
以上のような特長から、構造式１で表される第１の単位構造を複数有するポリイミドからなる絶縁体フィルムは、表示パネルの絶縁基板に適していると言える。
【００５４】
またこのとき、第１の単位構造を複数有するポリイミドを含有する絶縁体フィルムは、重量平均分子量としては、1,000から1,000,000程度のものが望ましい。したがって、構造式５で表される単位構造を複数有するポリアミック酸（樹脂組成物）は、重量平均分子量が、1,000から1,000,000程度であることが望ましい。
【００５５】
また、本願発明者は、第１の単位構造を複数有するポリイミドに、たとえば、下記構造式３で表される単位構造（以下、第２の単位構造という）が含まれていてもよいことを見出した。
【００５６】
【化１３】
2010100674.tif 000010
【００５７】
また、第２の単位構造を複数有するポリイミドは、たとえば、下記構造式６で表される単位構造を複数有するポリアミック酸（樹脂組成物）を脱水、環化して形成する。
【００５８】
【化１４】
2010100674.tif 000011
【００５９】
なお、構造式３および構造式６におけるＸ２は、２価の有機基であり、たとえば、芳香族ジアミン、脂肪族ジアミン、シロキサンジアミンなどのジアミンが適している。
【００６０】
構造式３および構造式６におけるＸ２を芳香族ジアミンとする場合、当該Ｘ２は、たとえば、 o-フェニレンジアミン、 m-フェニレンジアミン、 p-フェニレンジアミン、 2,3-ジアミノトルエン、 3,4-ジアミノトルエン、 3,4-ジメチル-1,2-フェニレンジアミン、 3,5-ジメチル-1,2-フェニレンジアミン、 3,6-ジメチル-1,2-フェニレンジアミン、 4,5-ジメチル-1,2-フェニレンジアミン、 3,4,5-トリメチル-1,2-フェニレンジアミン、 3,4,6-トリメチル-1,2-フェニレンジアミン、 3,4,5,6-テトラメチル-1,2-フェニレンジアミン、 2,4-ジアミノトルエン、 2,6-ジアミノトルエン、 3,5-ジアミノトルエン、 2,4-ジメチル-1,3-フェニレンジアミン、 2,5-ジメチル-1,3-フェニレンジアミン、 4,5-ジメチル-1,3-フェニレンジアミン、 4,6-ジメチル-1,3-フェニレンジアミン、 2,4,5-トリメチル-1,3-フェニレンジアミン、 2,4,6-トリメチル-1,3-フェニレンジアミン、 4,5,6-トリメチル-1,3-フェニレンジアミン、 2,4,5,6-テトラメチル-1,3-フェニレンジアミン、 3,5-ジアミノトルエン、 2,3-ジメチル-1,4-フェニレンジアミン、 2,6-ジメチル-1,4-フェニレンジアミン、 2,5-ジメチル-1,4-フェニレンジアミン、 2,3,5-トリメチル-1,4-フェニレンジアミン、 2,3,5,6-テトラメチル-1,4-フェニレンジアミンのいずれかにする。
【００６１】
また、構造式３および構造式６におけるＸ２を芳香族ジアミンとする場合、当該Ｘ２は、たとえば、 2-アミノベンジルアミン、 3-アミノベンジルアミン、 4-アミノベンジルアミン、 3,4,5,6-テトラフルオロ-1,2-フェニレンジアミン、 2,4,5,6-テトラフルオロ-1,3-フェニレンジアミン、 2,3,5,6-テトラフルオロ-1,4-フェニレンジアミン、 3,5-ジヒドロキシ-1,2-フェニレンジアミン、 4,6-ジヒドロキシ-1,3-フェニレンジアミン、 2,4-ジヒドロキシ-1,3-フェニレンジアミン、 2,6-ジヒドロキシ-1,4-フェニレンジアミン、 1,2-ジアミノナフタレン、 1,3-ジアミノナフタレン、 1,4-ジアミノナフタレン、 1,5-ジアミノナフタレン、 1,6-ジアミノナフタレン、 1,7-ジアミノナフタレン、 1,8-ジアミノナフタレン、 2,3-ジアミノナフタレン、 2,5-ジアミノナフタレン、 2,6-ジアミノナフタレン、 2,7-ジアミノナフタレン、 1,2-ジアミノアントラキノン、 1,3-ジアミノアントラキノン、 1,4-ジアミノアントラキノン、 1,5-ジアミノアントラキノン、 1,6-ジアミノアントラキノン、 1,7-ジアミノアントラキノン、 1,8-ジアミノアントラキノン、 2,3-ジアミノアントラキノン、 2,5-ジアミノアントラキノン、 2,6-ジアミノアントラキノン、 2,7-ジアミノアントラキノン、 4,4'-ジアミノ-3,3'-ジメチルビフェニル、 4,4'-ジアミノ-3,5-ジメチルビフェニル、 4,4'-ジアミノ-2,6-ジメチルビフェニル、 4,4'-ジアミノ-3,6-ジメチルビフェニル、 4,4'-ジアミノ-2,2'-ジメチルビフェニル、 4,4'-ジアミノ-2,3'-ジメチルビフェニル、 4,4'-ジアミノ-3,3',5,5'-テトラメチルビフェニル、 4,4'-ジアミノ-2,2',6,6'-テトラメチルビフェニル、 4,4'-ジアミノ-2,2'-ビス(トリフルオロメチル)ビフェニル、 4,4'-ジアミノオクタフルオロビフェニル、 3,3'-ジアミノ-4,4'-ジヒドロキシビフェニル、 4,4'-ジアミノ-3,3'-ジヒドロキシビフェニル、 4,4'-ジアミノ-2,2'-ジメチル-5,5'-ジヒドロキシビフェニル、 4,4'-ジアミノ-2,2'-(トリフルオロメチル)-5,5'-ジヒドロキシビフェニルのいずれかであってもよい。
【００６２】
また、構造式３および構造式６におけるＸ２を芳香族ジアミンとする場合、当該Ｘ２は、たとえば、 3,3'-ジアミノジフェニルメタン、 3,4'-ジアミノジフェニルメタン、 4,4'-ジアミノジフェニルメタン、 4,4'-ジアミノジフェニルエーテル、 3,3'-ジアミノジフェニルエーテル、 3,4'-ジアミノジフェニルエーテル、 ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)エーテル、 ビス(4-アミノ-3-ヒドロキシフェニル)エーテル、 ビス(4-アミノ-2-メチル-5-ヒドロキシフェニル)エーテル、 4,4'-ジアミノベンゾフェノン、 3,3'-ジアミノベンゾフェノン、 3,4'-ジアミノベンゾフェノン、 3,4-ジアミノベンゾフェノン、 4,4'-ジアミノジフェニルスルホン、 3,3'-ジアミノジフェニルスルホン、 3,4'-ジアミノジフェニルスルホン、 ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)スルホン、 ビス(4-アミノ-3-ヒドロキシフェニル)スルホン、 ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)プロパン、 ビス(4-アミノ-3-ヒドロキシフェニル)プロパン、 ビス(4-アミノ-2-ヒドロキシフェニル)プロパン、 ビス(3-アミノ-4-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、 ビス(4-アミノ-3-ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、 1,3-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、 1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベンゼン、 ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]メタン、 4,4'-ビス(4-アミノフェノキシ)ビフェニル、 ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、 2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、 ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、 ビス[4-(3-アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、 ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]エーテル、 ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ケトン、 2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、 5,5'-ジメチル-2,2'-スルフォニル-ビフェニル-4,4'-ジアミン、 1,1-ビス(4-アミノフェニル)-シロキサン、 (11S,12S)-9,10-ジヒドロ-9,10-エタノアントラセン-11,12-ジアミン、 (11R,12R)-9,10-ジヒドロ-9,10-エタノアントラセン-11,12-ジアミン、 4,4'-ジアミノ-3,3'-ジメチルジフェニルメタン、 2,2'-エチレンジアニリンのいずれかであってもよい。
【００６３】
また、構造式３および構造式６におけるＸ２を脂肪族ジアミンとする場合、当該Ｘ２は、たとえば、上記の芳香族ジアミンの水添物、イソホロンジアミン、 1,4-ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、 1,3-ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、 1,3-プロパンジアミン、 1,4-ブタンジアミン、 1,5-ペンタンジアミン、 1,6-ヘキサンジアミン、 1,7-ヘプタンジアミン、 1,8-オクタンジアミン、 1,9-ナノンジアミン、 1,10-デカンジアミン、 1,11-ウンデカンジアミン、 1,12-ドデカンジアミン、 1,2-プロパンジアミン、 1,5-ジアミノ-2-メチルペンタン、 2,2,4-トリメチルヘキサメチレンジアミン、 2,4,4-トリメチルヘキサメチレンジアミン、ポリプロピレンオキサイドジアミン（商品名ジェファーミン  三井化学ファイン株式会社製）のいずれかにする。
【００６４】
また、構造式３および構造式６におけるＸ２をシロキサンジアミンとする場合、当該Ｘ２は、たとえば、ポリジメチルシロキサンジアミン（シリコーンオイルＸ−22−161ＡＳ（アミン当量450）， Ｘ−22−161Ａ（アミン当量840）， Ｘ−22−161Ｂ（アミン当量1500）， Ｘ−22−9409（アミン当量700）， Ｘ−22−1660Ｂ−3（アミン当量2200）， ＫＦ−8010（アミン当量415）， LP-7100(ビスアミノプロピルテトラメチルジシロキサン)（以上，信越化学工業株式会社製））のいずれかにする。
【００６５】
また、ポリイミドに第２の単位構造が複数含まれている場合、すべての第２の単位構造におけるＸ２が同じ構造であってもよいし、Ｘ２の構造が異なる複数種類の第２の単位構造が含まれていてもよく、有機溶媒に対する溶剤溶解性と透過率が８５％以上であればよい。
【００６６】
またこのとき、第２の単位構造におけるＸ２は、下記構造式４で表される芳香族ジアミンであることが望ましい。
【００６７】
【化１５】
2010100674.tif 000012
【００６８】
なお、構造式４におけるＺは、−ＣＨ２−、−Ｃ（ＣＨ３）２−、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ２−、−ＣＯ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｃ（ＣＦ３）２−のいずれかの基であることが望ましく、特に、耐熱性の観点では、−ＳＯ２−であることが望ましい。
【００６９】
構造式４で表される芳香族ジアミンをポリイミドに含有させると、たとえば、ポリイミドでなる絶縁体フィルムの耐熱性と溶媒への溶解性を調整することができる。しかしながら、そのようなポリイミドは、全芳香族のポリイミド構造であることから、芳香族ジアミンの含有量が多すぎると、４００ｎｍ付近の短波長領域の光の透過率が低下する。そのため、第２の単位構造の含有量は、第１の単位構造に対して０．１ｍｏｌ％から５０ｍｏｌ％であること望ましく、特に、１ｍｏｌ％から４０ｍｏｌ％であることが望ましい。また第２の単位構造として、構造式３におけるＸ２が異なるものを２種類以上用いてもよい。
【００７０】
ところで、第１の基本構造および第２の基本構造は、ポリイミドの前駆体である樹脂組成物（ポリアミック酸）を合成する際に使用するテトラカルボン酸二無水物が、たとえば、4,4'-ヘキサフルオロプロピリデンビスフタル酸二無水物である場合に得られる構造である。しかしながら、本発明に係る樹脂材料では、ポリイミドの前駆体である樹脂組成物（ポリアミック酸）を合成する際に使用するテトラカルボン酸二無水物が、他の構造であってもよい。
【００７１】
本発明に係る樹脂材料を合成する際に使用するテトラカルボン酸二無水物は、たとえば、 4,4'-ビフタル酸無水物、 ジフェニル-2,3,3',4'-テトラカルボン酸二無水物、 ジフェニル-2,2',3,3'-テトラカルボン酸二無水物、 ピロメリット酸二無水物、 3,3',4,4'-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、 2,2',3,3'-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、 2,3,3',4'-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物、 1,2,5,6-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、 2,3,6,7-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、 1,2,4,5-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、 1,4,5,8-ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、 3,3',4,4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、 2,2',3,3'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、 2,3,3',4'-ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物のいずれかであってもよい。
【００７２】
また、本発明に係る樹脂材料を合成する際に使用するテトラカルボン酸二無水物は、たとえば、 2,3,5,6-ピリジンテトラカルボン酸二無水物、 3,4,9,10-ペリレンテトラカルボン酸二無水物、 1-トリフルオロメチル-2,3,5,6-ベンゼンテトラカルボン酸二無水物、 2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、 2,2-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)プロパン二無水物、 2,2-ジフェニルプロパン-2,3,3',4'-テトラカルボン酸二無水物、 1,1-ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、 1,1-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エタン二無水物、 ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、 ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、 2,3,3',4'-ジフェニルメタンテトラカルボン酸二無水物、 ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、 ビス(2,3-ジカルボキシフェニル)エーテル二無水物、 2,3,3'4'-ジフェニルエーテルテトラカルボン酸二無水物、 ベンゼン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、 フェナントレン-1,8,9,10-テトラカルボン酸二無水物、 ピラジン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、 チオフフェン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、 ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ジメチルシラン二無水物、 ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)メチルフェニルシラン二無水物、 ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ジフェニルシラン二無水物のいずれかであってもよい。
【００７３】
また、本発明に係る樹脂材料を合成する際に使用するテトラカルボン酸二無水物は、たとえば、 1,4-ビス(3,4-ジカルボキシフェニルジメチルシリル)ベンゼン二無水物、 p-フェニレンビス(トリメリテート無水物)、 エチレンテトラカルボン酸二無水物、 1,2,3,4-ブタンテトラカルボン酸二無水物、 デカヒドロナフタレン-1,4,5,8-テトラカルボン酸二無水物、 4,8-ジメチル-1,2,3,5,6,7-ヘキサヒドロナフタレン-1,2,5,6-テトラカルボン酸二無水物、 シクロペンタン-1,2,3,4-テトラカルボン酸二無水物、 1,2,3,4-シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、 ビシクロ[2,2,2]オクト-7-エン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物、 2,2-ビス[4-(3,4-ジカルボキシフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン二無水物、 4,4'-ビス(3,4-ジカルボキシフェノキシ)ジフェニルスルフィド二無水物、 テトラヒドロフラン-2,3,4,5-テトラカルボン酸二無水物、 ビス(エキソビシクロ[2,2,1]ヘプタン-2,3-ジカルボン酸二無水物)スルホン、 5-(2,5-ジオキソテトラヒドロフリル)-3-メチル-3-シクロヘキセン-1,2-ジカルボン酸無水物、 4-(2,5-ジオキソテトラヒドロフラン-3-イル)-1,2,3,4-テトラヒドロナフタレン-1,2-ジカルボン酸無水物、 4,4'-(4,4'-イソプロピリデンジフェノキシ)-ビス(フタル酸無水物)、 1,2,3,4-シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物、 ビシクロ[2,2,2]オクタン-2,3,5,6-テトラカルボン酸二無水物のいずれかであってもよい。
【００７４】
また、上記の各種のテトラカルボン酸二無水物は、第１の基本構造及び第２の基本構造に示される 2,2-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン二無水物と併用してもよいし、複数種類のテトラカルボン酸二無水物を組み合わせて用いてもよく、有機溶媒に対する溶剤溶解性と透過率が８５％以上であればよい。
【００７５】
第１の単位構造を複数有するポリイミド、あるいは第１の単位構造を複数有し、かつ第１の単位構造を有するポリイミドは、それぞれ、可溶性のポリイミドであり、ポリイミドの状態でも、たとえば、 N-メチル-2-ピロリドンのような有機溶媒に可溶であるという特長を有する。
【００７６】
そのため、先に有機溶媒中でポリアミック酸の状態からポリイミドへの脱水、環化の工程を行っておき、そのポリイミド溶液を支持体に塗布した後、有機溶媒を含んだポリイミド溶液を加熱して溶媒を除去すれば、支持体上にフィルム状のポリイミドが形成される。すなわち、本発明に関わる樹脂材料（ポリイミド）でなる絶縁体フィルムを形成するときには、あらかじめ脱水、環化をしているポリイミドを用いて形成できるので、たとえば、ポリアミック酸（前駆体）からポリイミドにする際に必要なイミド閉環工程が不要である。そのため、本発明に係る樹脂材料は、絶縁体フィルムを作成する工程での加熱温度が低く、加熱時間も短い時間で済み、絶縁体フィルムの作成に要する時間や労力が少なくて済むという特長を有する。
【００７７】
なお、第１の単位構造を有するポリイミド、あるいは第１の単位構造と第２の単位構造を有するポリイミドでなる絶縁体フィルムを形成するときには、それぞれ、対応するポリアミック酸の状態で支持体に形成した後、加熱して有機溶媒を除去する工程と同時かあるいは逐次的に脱水，環化する工程を行ってポリイミド化することも可能である。
【００７８】
また、第１の単位構造を複数有するポリイミド、または第１の単位構造を複数有し、かつ第２の単位構造を有するポリイミド、あるいはそれらの前駆体（ポリアミック酸）を溶解する有機溶媒は、それらを溶解するものであればよく、特に限定されない。具体的な有機溶媒としては、たとえば、 N,N-ジメチルアセトアミド、 N-メチル-2-ピロリドン、 N,N-ジメチルホルムアミド、 N,N-ジエチルホルムアミド、 N,N-ジエチルアセトアミドなどのアミド系溶媒、ジメチルスルホキシドのようなスルフィド系溶媒、γ-ブチロラクトンのようなラクトン系溶媒、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレンなどが挙げられる。これらの有機溶媒は、たとえば、合成溶媒あるいは希釈溶媒として用いることもでき、単独または混合して使用できる。またさらに、希釈溶媒としては、たとえば、アセトン、メチルエチルケトン、酢酸エチル、エチレングリコールモノメチルエーテル、メタノール、エタノールなどが挙げられ、これらの希釈溶媒は、単独または混合して使用できる。
【００７９】
液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置の表示パネルの絶縁基板として、第１の単位構造を有するポリイミド、または第１の単位構造および第２の単位構造を有するポリイミドでなる絶縁体フィルムを用いる場合、当該絶縁体フィルムは、たとえば、以下の手順で形成する。
【００８０】
まず、第１の単位構造を複数有するポリイミドの溶液、または第１の単位構造を複数有し、かつ第２の単位構造を有するポリイミドの溶液、あるいはそれらの脱水、環化前のポリアミック酸（前駆体）の溶液を、支持体に流延する。上記の溶液を支持体に流延する方法としては、たとえば、バーコーター、スリットコーター、ロールコーター、スピンコーターなどを用いる方法が一般的である。またこのとき、支持体は、特に限定はされないが、たとえば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの樹脂フィルム、または表面を平滑にしたステンレスなどの金属板、あるいはガラス板を用いることができる。
【００８１】
次に、加熱処理を行い、溶液中の有機溶媒を除去する。この加熱処理は、たとえば、１５０℃から４００℃の範囲の温度で行うことが望ましい。また、この加熱処理は、たとえば、窒素雰囲気下あるいは減圧雰囲気下で行うことが望ましい。なお、この加熱処理は、空気中でも行うことは可能であるが、特に、高温で行う場合には、酸化により、得られるフィルムが着色することがあるので、空気中での加熱処理は望ましくない。
【００８２】
また、この加熱処理は、たとえば、樹脂材料（ポリイミド）が分解しない温度であり、かつ、得られた絶縁体フィルムにＴＦＴ素子（半導体素子）を形成する際の温度よりも高い温度で行うことが望ましく、具体的には、２５０℃以上４００℃以下の温度で行うことが望ましい。
【００８３】
また、第１の単位構造を有するポリイミド、または第１の単位構造および第２の単位構造を有するポリイミドを、それぞれ、対応するポリアミック酸の状態で先に支持体に形成しておき、加熱処理によりフィルムを形成する場合は，主として有機溶媒を除去する工程と主としてイミド化を行う工程とを二段階の工程として分けてもよく、あるいは一つの工程でそれらを同時に行っても良い。
【００８４】
上記の加熱処理の後、支持体上に残った樹脂体を支持体から分離（剥離）することにより、絶縁体フィルムが形成される。支持体から分離した絶縁体フィルムは、たとえば、フィルム内に残っている溶媒を除去するため、または支持体に保持されていたことによる応力などを緩和させるために、１００℃から３００℃程度の温度で追加の熱処理をしても良い。この追加の加熱処理は、絶縁体フィルムの酸化（着色）を防ぐために、窒素雰囲気下あるいは減圧雰囲気下で行うことが望ましい。
【００８５】
またさらに、上記の手順で形成した絶縁体フィルムは、表示パネルの絶縁基板として用いる際の価値を付加するために、たとえば、当該絶縁体フィルム（ポリイミドフィルム）をベースフィルムとして用い、必要に応じて、その表裏両面あるいは片面に、ガスバリア層，水蒸気バリア層，ハードコート層，透明導電性層などを形成することもできる。
【００８６】
特許文献１乃至特許文献３などに開示されている透明で耐熱性の高いポリイミド材料は、表示パネルの絶縁基板への適用が期待されるが、前述のように、透湿性や吸湿性が高いという問題がある。
【００８７】
これに対し、本発明による樹脂材料、すなわち第１の単位構造を複数有するポリイミド、または第１の単位構造を複数有し、かつ第２の単位構造を有するポリイミドは、透明で耐熱性が高いとともに、以下で示すように、湿度膨張係数や水蒸気透過度が比較的小さい。そのため、表示パネルの絶縁基板として、本発明に係る樹脂材料でなる絶縁フィルムを用いることで、たとえば、製造過程での吸湿による寸法変動の度合いを低く抑えることができ、半導体素子や第１の電極などの形成位置のずれを軽減することができる。また、表示パネルの絶縁基板として、本発明に係る樹脂材料でなる絶縁フィルムを用いた場合、出来上がった表示装置（表示パネル）に関しても、絶縁基板そのものの水蒸気透過度が比較的低いため、水分の透過が少なく、半導体素子などが劣化しにくくなる。
【００８８】
以下に、本発明による樹脂材料の具体例およびその形成方法に関する実施例と、本発明による樹脂材料を用いた表示装置の一構成例に関する実施例について説明する。
【実施例１】
【００８９】
実施例１では、まず、本発明による樹脂材料の形成方法の一例として、たとえば、下記構造式７で表されるポリアミック酸を脱水、環化したポリイミドの形成方法を例に挙げる。
【００９０】
【化１６】
2010100674.tif 000013
【００９１】
構造式７のポリアミック酸を形成（合成）するときには、まず、たとえば、ディーンスターク還流冷却器、温度計、撹拌器を備えた３００ｍＬのセパラブルフラスコを用い、窒素雰囲気下で、4,4'-メチレンビス(シクロヘキシルアミン)７５．０ｍｍｏｌを、N-メチル-2-ピロリドン１８４．７ｇに溶解する。そして、この溶液に、2,2'-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンニ酸無水物７５．０ｍｍｏｌを加え、６０℃で１時間攪拌すると、たとえば、透明で粘ちょうなポリアミック酸ワニス（固形分濃度２１％）が得られる。
【００９２】
こうして得られたポリアミック酸を用いてポリイミドを形成（合成）するときには、まず、たとえば、ディーンスターク還流冷却器，温度計，撹拌器を備えた３００ｍＬのセパラブルフラスコを用い、窒素雰囲気下で、得られたポリアミック酸の N-メチル-2-ピロリドン溶液の温度を１８０℃に昇温して３時間反応させる。そして、水分定量受器に理論量の水がたまり、水の留出が見られなくなっていることを確認した後、水分定量受器中の水を除去すると、透明で粘ちょうなポリイミドワニス（固形分濃度２０％）を得た。このとき、ポリイミドワニスにおける固形部分（すなわちポリイミド）は、下記構造式８で表される構造を有する。
【００９３】
【化１７】
2010100674.tif 000014
【００９４】
このとき、構造式７で表されるポリイミドフィルム（絶縁体フィルム）を形成方法は、上記のポリイミドワニスを支持基板に塗布して形成する方法と、上記のポリアミック酸ワニスを支持基板に塗布して形成する方法とに大別される。
【００９５】
ポリイミドワニスを支持板に塗布して形成する場合は、まず、たとえば、得られたポリイミドワニスを適当な粘度になるようトルエンで希釈した溶液を、ＰＥＴフィルムなどの支持基板上に均一に塗布した後、１３０℃で１５分加熱し、乾燥させる。その後、ＰＥＴフィルム上に残ったフィルム状の樹脂体をＰＥＴフィルムから剥離し、フィルム状の樹脂体を、たとえば、２００℃で３０分加熱すると、ポリイミドフィルムが得られる。なお、フィルム状の樹脂体の加熱は、たとえば、ＰＥＴフィルムが密着している状態で行ってもよい。
【００９６】
また、ポリアミック酸ワニスを支持板に塗布して形成する場合は、まず、たとえば、得られたポリアミック酸ワニスを適当な粘度になるように、ガラスやＳｉウエハなどの支持基板上に均一に塗布した後、１２０℃で５分加熱し、乾燥させる。その後、そのままの状態で、たとえば、窒素雰囲気下において２００℃で３０分加熱し、続けて３５０℃で６０分加熱すると、支持基板上のポリアミック酸が環化してポリイミドフィルムが得られる。
【００９７】
また、本願発明者は、上記のポリアミック酸の合成方法と同様の合成方法により、ジアミンとして、上記の 4,4'-メチレンビス(シクロヘキシルアミン) に加え、対応するジアミンを入れて、下記構造式９乃至構造式１３で表される５種類のポリアミック酸を合成した。
【００９８】
【化１８】
2010100674.tif 000015
【００９９】
【化１９】
2010100674.tif 000016
【０１００】
そして、本願発明者は、構造式９乃至構造式１９で表される５種類のポリアミック酸から、下記構造式１４乃至構造式１８で表される５種類のポリイミドを合成し、それを用いたポリイミドフィルムを形成した。
【０１０１】
【化２０】
2010100674.tif 000017
【０１０２】
【化２１】
2010100674.tif 000018
【０１０３】
なお、構造式１４で表されるポリイミドは、構造式９で表されるポリアミック酸を脱水、環化して得られるポリイミドである。また、構造式１５で表されるポリイミドは、構造式１０で表されるポリアミック酸を脱水、環化して得られるポリイミドである。また、構造式１６で表されるポリイミドは、構造式１１で表されるポリアミック酸を脱水、環化して得られるポリイミドである。また、構造式１７で表されるポリイミドは、構造式１２で表されるポリアミック酸を脱水、環化して得られるポリイミドである。また、構造式１８で表されるポリイミドは、構造式１３で表されるポリアミック酸を脱水、環化して得られるポリイミドである。
【０１０４】
また、本願発明者が上記の手順でポリアミック酸およびポリイミドを形成（合成）したときの、テトラカルボン酸二無水物の種類、単位構造におけるＸ１，Ｘ２の種類、およびそれらのｍｏｌ比、ならびに重量平均分子量は、下記表１の通りである。
【０１０５】
【表１】
2010100674.tif 000019
【０１０６】
なお、表１において、材料Ａ−１は構造式７のポリアミック酸、材料Ａ−２は構造式９のポリアミック酸、材料Ａ−３は構造式１０のポリアミック酸、材料Ａ−４は構造式１１のポリアミック酸、材料Ａ−５は構造式１２のポリアミック酸、材料Ａ−６は構造式１３のポリアミック酸である。また、表１において、材料Ｂ−１は構造式８のポリイミド、材料Ｂ−２は構造式１４のポリイミド、材料Ｂ−３は構造式１５のポリイミド、材料Ｂ−４は構造式１６のポリイミド、材料Ｂ−５は構造式１７のポリイミド、材料Ｂ−６は構造式１８のポリイミドである。
【０１０７】
また、表１において、６ＦＤＡは 2,2'-ビス(3,4-ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンニ酸無水物、ＭＢＣＨＡは 4,4'-メチレンビス(シクロヘキシルアミン)、ＤＤＳは 4,4'-ジアミノジフェニルスルホン、ＤＤＥは 4,4'-ジアミノジフェニルエーテルＢＡＰＨＦは 2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、ＬＰ７１００は ビスアミノプロピルテトラメチルジシロキサン（ＬＰ７１００は信越化学工業株式会社の製品名）、ＫＦ８０１０は変性シリコーンオイル（ＫＦ８０１０は信越化学工業株式会社の製品名）である。
【０１０８】
またこのとき、表１に示した材料Ａ−１乃至材料Ａ−６の溶液を支持基板に塗布してポリイミドフィルムを形成した場合、および表１に示した材料Ｂ−１乃至材料Ｂ−６の溶液を支持基板に塗布してポリイミドフィルムを形成した場合の、それぞれのポリイミドフィルムの膜厚、透過率、３％重量減少温度、ガラス転移温度Ｔｇ、湿度膨張係数ＣＨＥ（Coefficient of Humidity Expansion）、水蒸気透過度、吸水率は、下記表２のようになった。
【０１０９】
【表２】
2010100674.tif 000020
【０１１０】
なお、表２において、フィルム形成方法の丸で囲んだ１は、上記のポリイミドワニスを支持基板に塗布してポリイミドフィルムを形成する方法であり、丸で囲んだ２は、ポリアミック酸ワニスを支持基板に塗布し、支持基板上でポリアミック酸の脱水、環化を行ってポリイミドフィルムを形成する方法である。
【０１１１】
また、表２において、材料Ｂ−１乃至材料Ｂ−６、および材料Ａ−１乃至材料Ａ−６は、それぞれ、表１における材料Ｂ−１乃至材料Ｂ−６、および材料Ａ−１乃至材料Ａ−６である。
【０１１２】
また、ポリイミドフィルムの透過率は、紫外可視分光光度計V-550（日本分光(株)製）により測定しており、表２には、波長４００ｎｍの光の透過率および波長６００ｎｍの光の透過率を示している。
【０１１３】
また、３％重量減少温度は、たとえば、材料を加熱していったときの重量が、あらかじめ定められた温度（たとえば、室温）での重量の３％分だけ減少する温度である。３％重量減少温度は、熱重量分析／示差走査熱分析により行い、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製TG/DTA−6200型を用いて、窒素気流下で、室温から６００℃まで昇温速度１０℃／分で加熱しながら各ポリイミドフィルムの重量変化を測定した。
【０１１４】
また、ガラス転移温度Ｔｇは、熱機械分析により行い、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製TMA-120型を用いて、３０℃から３００℃まで昇温速度５℃／分で加熱しながら、１０ｇの荷重による引張りモードで測定を行い、熱膨張係数の変化が見られた温度からガラス転移点Ｔｇを算定した。
【０１１５】
また、湿度膨張係数ＣＨＥは、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製TMA−6100型  湿度制御TMAを用いて、サンプル幅２ｍｍ×１０ｍｍ、荷重１０ｇにて、２５℃で０％ＲＨの環境下に８時間保持した後、相対湿度５０％ＲＨの環境下に３時間保持し、さらに相対湿度９０％ＲＨに３時間保持したときの各サンプル（ポリイミドフィルム）の面積の変化から算出した。
【０１１６】
また、水蒸気透過度は、LYSSY社製  L80-5000型  水蒸気透過度計を用いて、１１ｃｍ角のフィルムサンプルを直径１０ｃｍのＯリングで挟んで測定を行った。
【０１１７】
また、本願発明者は、本発明による構造式８、および構造式１４乃至構造式１８で表されるポリイミドフィルムの物性と比較するために、下記構造式１９および構造式２０で表されるポリイミドを用いて、厚さ１００μｍのポリイミドフィルムを作成した。
【０１１８】
【化２２】
2010100674.tif 000021
【０１１９】
このとき、それぞれのポリイミドフィルムにおける透過率、３％重量減少温度、ガラス転移温度Ｔｇ、湿度膨張係数ＣＨＥ、水蒸気透過度、吸水率を測定すると、下記表３のような結果が得られた。
【０１２０】
【表３】
2010100674.tif 000022
【０１２１】
なお、表３において、材料Ｃ−１は、構造式１９で表される構造を有するポリイミドフィルムであり、材料Ｃ−２は、構造式２０で表される構造を有するポリイミドフィルムである。
【０１２２】
またこのとき、それぞれの測定は、材料Ｂ−１乃至材料Ｂ−６、および材料Ａ−１乃至材料Ａ−６を用いて作成したポリイミドフィルムと同じ装置、同じ条件で行っている。
【０１２３】
表２に示したように、構造式８、および構造式１４乃至構造式１８で表されるポリイミドフィルムは、可視領域の光の透過率が８０％以上である。すなわち、構造式８、および構造式１４乃至構造式１８で表されるポリイミドフィルムは、構造式１９および構造式２０で表されるポリイミドフィルムに比べて、若干透過率が低いものの、表示パネルの絶縁基板として許容できる透過率を有する。
【０１２４】
また、構造式８、および構造式１４乃至構造式１８で表されるポリイミドフィルムは、３％重量減少温度が３５０℃以上であり、ガラス転移温度も２４０℃以上である。すなわち、構造式８、および構造式１４乃至構造式１８で表されるポリイミドフィルムは、構造式１９および構造式２０で表されるポリイミドフィルムに比べて、若干ガラス転移温度Ｔｇが低いものの、表示パネルの絶縁基板として許容できる耐熱性を有する。
【０１２５】
また、構造式８、および構造式１４乃至構造式１８で表されるポリイミドフィルムは、湿度膨張係数ＣＨＥ、水蒸気透過率、および吸水率が、構造式１９および構造式２０で表されるポリイミドフィルムに比べて非常に小さい。
【０１２６】
したがって、構造式８、および構造式１４乃至構造式１８で表されるポリイミドフィルム、すなわち実施例１の絶縁体フィルムは、表示パネルの絶縁基板に適していると言える。
【０１２７】
また、本願発明者は、上記の各ポリイミドフィルムに加え、下記構造式１９で表されるポリイミドでなる厚さが５０μｍのポリイミドフィルムを作成した。
【０１２８】
【化２３】
2010100674.tif 000023
【０１２９】
このとき、構造式１９で表される構造を有するポリイミドフィルムは、耐熱性については良好であったが、見た目の色が黄色あるいは褐色であった。したがって、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置のように光を利用して映像や画像を表示（可視化）する表示装置の表示パネルに用いる絶縁基板の材料としては、不適当であるといえる。
【０１３０】
以上説明したように、実施例１のポリイミドまたは前駆体であるポリアミック酸（樹脂組成物）を用いて形成したポリイミドフィルムは、透明で耐熱性が高く、かつ、従来の一般的なポリイミドフィルムに比べて透湿性や吸湿性が非常に低い。すなわち、実施例１のポリイミドは、透明で耐熱性の高いポリイミドフィルムの透湿性や吸湿性を低減することができる。
【０１３１】
また、実施例１のポリイミドの製造方法は、基本的には、従来のポリイミドと同様の製造方法である。そのため、実施例１のポリアミック酸（樹脂組成物）を用いることにより、透明で耐熱性が高く、かつ、透湿性や吸湿性が低いポリイミドフィルムを容易に形成することができる。
【０１３２】
したがって、実施例１のポリイミドを用いて作成したポリイミドフィルムは、たとえば、液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置の表示パネルに用いる絶縁基板に適用できる可能性が非常に高い。
【０１３３】
なお、実施例１では、本発明によるポリイミドのうちの、構造式８、および構造式１４乃至構造式１８で表される６種類のポリイミドを挙げているが、これに限らず、実施例１の前に述べたような構造を有するポリイミドであれば、実施例１で挙げたポリイミドと同様の特長（物性）を有することはもちろんである。
【実施例２】
【０１３４】
図１は、本発明による実施例２の表示装置の概略構成を示す模式図である。
【０１３５】
実施例１および実施例１の前に例示した構造を有するポリイミド、すなわち第１の単位構造を有するポリイミド、または第１の単位構造および第２の単位構造を有するポリイミドは、透明で耐湿性が高く、かつ、透湿性や吸湿性が従来の一般的なポリイミドに比べて低いという特長がある。そのため、これらのポリイミドは、たとえば、アクティブマトリクス方式の液晶表示装置や有機ＥＬ表示装置における表示パネルの絶縁基板（絶縁体フィルム）として用いることができる。
【０１３６】
アクティブマトリクス方式の有機ＥＬ表示装置は、たとえば、図１に示すように、複数本の走査信号線ＧＬおよび複数本の映像信号線ＤＬを有する表示パネル１と、複数本の映像信号線ＤＬに映像信号（階調電圧）を加える第１の駆動回路２と、複数本の走査信号線に走査信号を加える第２の駆動回路３と、第１の駆動回路２および第２の駆動回路３の動作を制御する制御回路４とを有する。
【０１３７】
また、図１では省略しているが、表示パネル１の表示領域ＤＡには、ＴＦＴ素子、第１の電極、および第２の電極を有する画素がマトリクス状に配置されている。このとき、それぞれの画素の第１の電極は、ＴＦＴ素子のソースに接続している。また、それぞれの画素のＴＦＴ素子は、ドレインが映像信号線ＤＬに接続しており、ゲートが走査信号線ＧＬに接続している。また、第２の電極は、通常、複数の画素で共有されている。
【０１３８】
図２（ａ）および図２（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置の表示パネルにおける１つの画素の概略構成の一例を示す模式図である。
図２（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の表示パネルにおける１つの画素の平面構成の一例を示す模式平面図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。
【０１３９】
有機ＥＬ表示装置の表示パネルは、たとえば、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、第１の絶縁基板ＳＵＢ１と、第２の絶縁基板ＳＵＢ２とを有し、当該２枚の絶縁基板ＳＵＢ１，ＳＵＢ２の間に、走査信号線ＧＬ、映像信号線ＤＬ、ＴＦＴ素子５、第１の電極６、第２の電極７、発光層８などが配置されている。このとき、走査信号線ＧＬ、映像信号線ＤＬ、ＴＦＴ素子５、第１の電極６、第２の電極７、発光層８などは、第１の絶縁基板ＳＵＢ１の表面上に形成されている。
【０１４０】
従来の有機ＥＬ表示装置の表示パネルは、第１の絶縁基板ＳＵＢ１および第２の絶縁基板ＳＵＢ２として、たとえば、ガラス基板を用いている。これに対し、実施例２の有機ＥＬ表示装置の表示パネルでは、第１の絶縁基板ＳＵＢ１および第２の絶縁基板ＳＵＢ２として、たとえば、実施例１で挙げた構造式８、および構造式１４乃至構造式１８のうちのいずれかの構造を有するポリイミドフィルム（絶縁体フィルム）を用いる。
【０１４１】
第１の絶縁基板ＳＵＢ１の表面（第２の絶縁基板ＳＵＢ２と対向する面）には、第１のバリア層９ａ、下地層１０が積層されており、下地層１０の上には、ＴＦＴ素子５の半導体層５ａと、半導体層５ａを覆う第１の絶縁層１１が形成されている。また、第１の絶縁基板ＳＵＢ１の裏面には第２のバリア層９ｂが形成されている。
【０１４２】
第１のバリア層９ａおよび第２のバリア層９ｂは、第１の絶縁基板ＳＵＢ１からの水分あるいは酸素の侵入を回避させるための保護膜であり、たとえば、酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、酸化シリコン（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、ポリシリラザン、有機材料、ＳＯＧのうちのいずれか、あるいはそれらの材料からなる膜を積層して形成されている。
【０１４３】
本発明のポリイミドを用いたポリイミドフィルムは、実施例１で説明したように、湿度膨張係数や水蒸気透過度が比較的小さい。そのため、第１のバリア層９ａおよび第２のバリア層９ｂと組み合わせることにより、第１の絶縁基板ＳＵＢ１の吸湿量や第１の絶縁基板ＳＵＢ１を透過する水分量などを低いレベルに抑えることができる。
【０１４４】
また、下地層１０は、たとえば、酸化シリコン膜や窒化シリコンなどで形成されている。半導体層５ａは、たとえば、ポリシリコン（ｐ−Ｓｉ）で形成されている。ポリシリコンでなる半導体層５ａを形成する場合、当該ポリシリコンは、通常、下地層１０の上に形成（成膜）したアモルファスシリコンにレーザを照射し、溶融、結晶化させて形成する。このとき、下地層１０は、アモルファスシリコンをポリシリコン化する際に第１の絶縁基板ＳＵＢ１がダメージを受けるのを防ぐための保護膜として機能する。したがって、第１のバリア層９ａが当該保護膜の役割を果たす場合、下地層１０は無くてもよい。
【０１４５】
また、第１の絶縁層１１は、ＴＦＴ素子のゲート絶縁膜としての機能を有し、たとえば、酸化シリコンで形成されている。
【０１４６】
第１の絶縁層１１の上には、走査信号線ＧＬおよび保持容量線１２と、走査信号線ＧＬおよび保持容量線１２を覆う第２の絶縁層１３が形成されている。このとき、走査信号線ＧＬは、その一部が半導体層５ａと重畳しており、ＴＦＴ素子５のゲート電極としての機能を有する。走査信号線ＧＬおよび保持容量線１２は、たとえば、アルミニウムなどの金属で形成されている。第２の絶縁層１３は、たとえば、酸化シリコンまたは窒化シリコン（ＳｉＮ）などで形成されている。
【０１４７】
第２の絶縁層１３の上には、映像信号線ＤＬおよびＴＦＴ素子５のソース電極５ｂと、映像信号線ＤＬおよびソース電極５ｂを覆う第３の絶縁層１４が形成されている。映像信号線ＤＬは、第１の絶縁層１１および第２の絶縁層１３を貫通する第１のコンタクトホール（図示しない）により半導体層５ａのドレイン領域に接続しており、ＴＦＴ素子のドレイン電極としての機能を有する。ソース電極５ｂは、第１の絶縁層１１および第２の絶縁層１３を貫通する第２のコンタクトホール（図示しない）により半導体層５ａのソース領域に接続している。また、ソース電極５ｂは、保持容量線１２と重畳する部分を有する。映像信号線ＤＬおよびソース電極５ｂは、たとえば、アルミニウムなどの金属で形成されている。第３の絶縁層１４は、たとえば、酸化シリコンまたは窒化シリコンなどで形成されている。
【０１４８】
第３の絶縁層の上には、第１の電極６と、第４の絶縁層１５（以下、バンク層という）が形成されている。第１の電極６は、第３の絶縁層１４に設けられた第３のコンタクトホール（図示しない）によりソース電極５ｂに接続している。バンク層１５は、第１の電極６のうちのあらかじめ定められた領域が露出する第４のコンタクトホールＣＨを有する格子状の絶縁層である。第１の電極６は、たとえば、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明な導電体で形成されている。バンク層１５は、たとえば、窒化シリコンなどの有機絶縁体で形成されている。
【０１４９】
バンク層１５の上および第４のコンタクトホールＣＨの内部には、発光層８、第２の電極７、保護膜１６が形成されている。発光層８は、たとえば、有機ＥＬ材料などの、第１の電極６と第２の電極７との間に所定の電位差が生じると発光する材料で形成されている。第２の電極７は、たとえば、アルミニウムなどの金属で形成されている。保護膜１６は、たとえば、酸化シリコンまたは窒化シリコンなどで形成されている。
【０１５０】
そして、保護膜１６の上には、第２の絶縁基板ＳＵＢ２が配置されている。第２の絶縁基板ＳＵＢ２には、たとえば、第１の絶縁基板ＳＵＢ１と同じ構造のポリイミドフィルムを用いる。
【０１５１】
なお、図２（ｂ）に示した断面図では、第１の絶縁基板ＳＵＢ１の膜厚Ｈ１および第２の絶縁基板ＳＵＢ２の膜厚Ｈ２よりも、その間に形成される回路層の厚さＨ３が厚くなっているが、実施例２の表示パネルでは、回路層の厚さＨ３よりも、第１の絶縁基板ＳＵＢ１の膜厚Ｈ１および第２の絶縁基板ＳＵＢ２の膜厚Ｈ２のほうが厚い。実施例２の表示パネルにおいて、第１の絶縁基板ＳＵＢ１の膜厚Ｈ１および第２の絶縁基板ＳＵＢ２の膜厚Ｈ２は、たとえば、５０μｍ程度であり、回路層の厚さＨ３は、たとえば、数十〜数百ｎｍ程度である。
【０１５２】
図１、図２（ａ）、および図２（ｂ）に示したような構成を有する有機ＥＬ表示装置の動作は、従来の有機ＥＬ表示装置における動作と同じ動作でよいので、有機ＥＬ表示装置の動作に関する詳細な説明は省略する。
【０１５３】
図２（ａ）および図２（ｂ）に示した構成は、ボトムエミッション型と呼ばれる有機ＥＬ表示装置の表示パネルにおける１つ画素の構成の一例である。このとき、第１の電極６と第２の電極７との間の電位差（電界）により発光層８が発した光１７は、第１の絶縁基板ＳＵＢ１側から表示パネルの外部に出射する。
【０１５４】
実施例２の表示パネルは、第１の絶縁基板ＳＵＢ１および第２の絶縁基板ＳＵＢ２として、実施例１およびその前で述べた構造を有するポリイミドフィルムを用いている。そのため、絶縁基板としてガラス基板を用いている従来の表示パネルに比べて、薄型化、軽量化が可能である。したがって、実施例２の有機ＥＬ表示装置は、薄型化、軽量化が可能である。
【０１５５】
また、実施例２の表示パネルは、第１の絶縁基板ＳＵＢ１および第２の絶縁基板ＳＵＢ２として、湿度膨張係数や水蒸気透過率が比較的低いポリイミドフィルムを用いている。またさらに、実施例２の表示パネルでは、第１の絶縁基板ＳＵＢ１の表面および裏面に、それぞれ、第１のバリア層９ａおよび第２のバリア層９ｂを形成している。そのため、実施例２の表示パネルは、第１の絶縁基板ＳＵＢ１の吸湿や、第１の絶縁基板ＳＵＢ１を透過して内部の回路層に進入した水分または酸素によるＴＦＴ素子などの劣化が起こりにくい。
【０１５６】
図３（ａ）乃至図３（ｄ）は、実施例２の表示パネルの製造方法の一例を示す模式図である。
図３（ａ）は、第１の絶縁基板の形成する工程を示す模式図である。図３（ｂ）は、回路層を形成する工程を示す模式図である。図３（ｃ）は、第２の絶縁基板を貼り合わせる工程を示す模式断面図である。図３（ｄ）は、支持基板を剥離する工程を示す模式図である。
【０１５７】
実施例２の表示パネルを製造するときには、まず、たとえば、図３（ａ）に示すように、支持基板１８の表面に、第１の絶縁基板ＳＵＢ１を形成する。支持基板１８には、たとえば、厚さＨ４が１ｍｍ程度のガラス基板を用いる。また、第１の絶縁基板ＳＵＢ１は、たとえば、実施例１で説明したように、支持基板１８の表面にポリアミック酸の溶液またはポリイミドの溶液を塗布した後、加熱処理を行って溶剤を除去して形成する。またこのとき、第１の絶縁基板ＳＵＢ１の厚さＨ１は、たとえば、２０μｍ〜５０μｍ程度にする。
【０１５８】
なお、支持基板上に形成するポリイミドフィルムは、実施例１またはその前で説明したように、構造式１で表される第１の単位構造を有するポリイミドフィルム、または第１の単位構造および構造式３で表される第２の単位構造を有するポリイミドフィルムであることはもちろんである。
【０１５９】
次に、たとえば、図３（ｂ）に示すように、第１の絶縁基板ＳＵＢ１の表面に、第１のバリア層９ａ、下地層１０、および半導体層５ａから第２の電極７までの回路層、ならびに保護膜１６を形成する。
【０１６０】
第１のバリア層９ａは、たとえば、酸窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、ポリシリラザン膜、有機材料膜、ＳＯＧ膜のうちのいずれか１つの膜、あるいはいくつかの膜を積層して積層膜にする。これらの材料でなる膜は、スパッタ法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、塗布法などによって成膜（形成）することができ、それぞれ、３５０℃以下で成膜されるようになっている。
【０１６１】
また、下地層１０から保護膜１６までについては、従来の表示パネルの製造方法における形成方法と同じ方法で形成することができる。そのため、下地層１０から保護膜１６までの形成方法（手順）についての詳細な説明は省略する。
【０１６２】
ところで、下地層１０から保護膜１６までを形成する工程において、最も高温で行われる工程は、通常、ＴＦＴ素子５の半導体層５ａを形成する工程である。特に、半導体層５ａを低温ポリシリコンで形成する場合、最高温度は５００℃前後に達する。しかしながら、第１の絶縁基板ＳＵＢ１は、実施例１で説明したように耐熱性が高いポリイミド（樹脂材料）で形成されているので、半導体層５ａを形成する工程にも耐え、たとえば、分解による変質や、溶融または軟化による膜厚の変動などの発生を防ぐことができる。
【０１６３】
また、下地層１０から保護膜１６までを形成する工程のなかには、たとえば、フォトリソグラフィー技術を利用してエッチングレジストを形成する工程、当該エッチングレジストを利用して金属膜または絶縁膜をエッチングする工程、および当該エッチングレジストを除去する工程がある。
【０１６４】
従来のポリイミド系の樹脂材料には、たとえば、プリント配線板の絶縁基板として用いられるものもあり、エッチング液、レジストの現像液および剥離液に対する耐性（耐薬品性）も高い。そのため、基本的には従来のポリイミドと同様の構造である、本発明のポリイミドも、相応の耐薬品性を有する。したがって、第１の絶縁基板ＳＵＢ１は、エッチングなどの薬品を使った処理を行う工程における変質なども起こらない。
【０１６５】
また、第１の絶縁基板ＳＵＢ１は、湿度膨張係数や水蒸気透過度が比較的小さく、かつ、吸湿への寄与が大きい主面には、第１のバリア層９ａおよび支持基板１８が密着している。そのため、第１の絶縁基板ＳＵＢ１は、下地層１０から保護膜１６までを形成する工程における湿度に対する膨張、収縮を抑えることができ、湿度の変化にともなう寸法変動を抑えることができる。またさらに、第１の絶縁基板ＳＵＢ１が支持基板１８に密着した状態で下地層１０から保護膜１６までを形成するので、温度に対する膨張、収縮を抑えることができ、湿度の変化にともなう寸法変動を抑えることができる。したがって、下地層１０から保護膜１６までを形成する工程では、各種の配線やＴＦＴ素子などの形成位置のずれを低減できる。
【０１６６】
またさらに、第１の絶縁基板ＳＵＢ１自体は、柔軟性が高いポリイミドフィルムであるが、下地層１０から保護膜１６までを形成する工程では、従来の表示パネルの絶縁基板に相当する支持基板１８（ガラス基板）が密着した状態で行われる。したがって、第１の絶縁基板ＳＵＢ１がポリイミドフィルムであっても、下地層１０から保護膜１６までを形成する工程は、絶縁基板がガラス基板である従来の表示パネルを製造するときに使用する製造装置で行うことができる。
【０１６７】
第１の絶縁基板ＳＵＢ１の表面上に保護膜１６まで形成したら、次に、たとえば、図３（ｃ）に示すように、保護膜１６の上に第２の絶縁基板ＳＵＢ２を貼り合わせる。第２の絶縁基板ＳＵＢ２は、たとえば、第１の絶縁基板ＳＵＢ１と同じ構造を有するポリイミドの溶液またはその前駆体（ポリアミック酸）の溶液を別の支持基板に塗布し、加熱処理をした後、当該別の支持基板から剥離して形成する。
【０１６８】
次に、たとえば、図３（ｄ）に示すように、第１の絶縁基板ＳＵＢ１から支持基板１８を剥離する。支持基板１８を剥離するときには、たとえば、支持基板１８側から、波長２４８ｎｍのレーザ光、波長３０８ｎｍのレーザ光を照射し、支持基板１８と第１の絶縁基板ＳＵＢ１との密着度を低下させる。このようにすることで、支持基板１８を容易に剥離することができるとともに、支持基板１８、第１の絶縁基板ＳＵＢ１、ＴＦＴ素子５などの破損を防ぐことができる。なお、支持基板１８を剥離するときには、たとえば、直接、機械的に剥離してもよい。
【０１６９】
次に、第１の絶縁基板ＳＵＢ１の裏面、すなわち支持基板１８と密着していた面に第２のバリア層９ｂを形成すると、図２（ｂ）に示した断面構造を有する表示パネルが得られる。第２のバリア層９ｂは、第１のバリア層９ａと同様の方法で形成すればよい。
【０１７０】
このように、実施例２の表示パネルは、支持基板１８の表面に第１の絶縁基板ＳＵＢ１および第１のバリア層９ａを形成する工程、支持基板１８を剥離する工程、第２のバリア層９ｂを形成する工程などがあるものの、基本的には、従来の表示パネルと同様の手順で形成することができる。そのため、薄型で軽量な表示パネル（有機ＥＬ表示装置）を容易に製造することができる。
【０１７１】
また、実施例２では、本発明のポリイミドでなる絶縁体フィルムを用いた表示パネルの一例として、図２（ａ）および図２（ｂ）に示したようなボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を挙げている。しかしながら、本発明のポリイミドでなる絶縁体フィルムは、これに限らず、たとえば、第２の電極７をＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電体で形成し、発光層８で発した光が、第２の電極７および第２の絶縁基板ＳＵＢ２を通って表示パネルの外側に出射する有機ＥＬ表示装置の表示パネルの絶縁基板として用いることもできる。
【０１７２】
またさらに、本発明のポリイミドでなる絶縁体フィルムは、有機ＥＬ表示装置の表示パネルの絶縁基板に限らず、たとえば、液晶表示装置の表示パネルの絶縁基板などにも用いることができる。
【０１７３】
以上説明したように、実施例２の表示装置によれば、たとえば、有機ＥＬ表示装置や液晶表示装置などのフラットパネルディスプレイのさらなる薄型化、軽量化が可能になる。
【０１７４】
また、実施例２の表示装置は、第１の絶縁基板ＳＵＢ１および第２の絶縁基板ＳＵＢ２が柔らかいので、たとえば、表示面を任意の曲面にした表示装置などの実現の可能性が高まると考えられる。
【０１７５】
また、実施例２の表示パネル（表示装置）の製造方法によれば、ポリイミドでなる絶縁基板の表面に形成される各種の配線や半導体素子などの形成位置のずれを低減でき、たとえば、各画素における電気的な特性のばらつきを低減できる。そのため、表示装置の画質を向上させることができる。
【０１７６】
以上、本発明を、前記実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において、種々変更可能であることはもちろんである。
【０１７７】
たとえば、前記実施例２では、本発明のポリイミドでなる絶縁フィルムを用いた電子装置の一例として、表示装置を挙げているが、本発明のポリイミドでなる絶縁フィルムは、これに限らず、種々の電子装置の絶縁基板として用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【０１７８】
【図１】本発明による実施例２の表示装置の概略構成を示す模式図である。
【図２（ａ）】有機ＥＬ表示装置の表示パネルにおける１つの画素の平面構成の一例を示す模式平面図である。
【図２（ｂ）】図２（ａ）のＡ−Ａ’線における断面構成の一例を示す模式断面図である。
【図３（ａ）】第１の絶縁基板の形成する工程を示す模式図である。
【図３（ｂ）】回路層を形成する工程を示す模式図である。
【図３（ｃ）】第２の絶縁基板を貼り合わせる工程を示す模式断面図である。
【図３（ｄ）】支持基板を剥離する工程を示す模式図である。
【符号の説明】
【０１７９】
１…表示パネル
２…第１の駆動回路
３…第２の駆動回路
４…制御回路
ＧＬ…走査信号線
ＤＬ…映像信号線
ＤＡ…表示領域
ＳＵＢ１…第１の絶縁基板
ＳＵＢ２…第２の絶縁基板
５…ＴＦＴ素子
５ａ…半導体層
５ｂ…ソース電極
６…第１の電極
７…第２の電極
８…発光層
９ａ…第１のバリア層
９ｂ…第２のバリア層
１０…下地層
１１…第１の絶縁層
１２…保持容量線
１３…第２の絶縁層
１４…第３の絶縁層
１５…第４の絶縁層（バンク層）
１６…保護膜
１７…光
１８…支持基板
【図１】
2010100674.tif 000029
【図２（ａ）】
2010100674.tif 000030
【図２（ｂ）】
2010100674.tif 000031
【図３（ａ）】
2010100674.tif 000032
【図３（ｂ）】
2010100674.tif 000033
【図３（ｃ）】
2010100674.tif 000034
【図３（ｄ）】
2010100674.tif 000035