(57)【要約】【課題】  半導体ウエハ等の感光基板に微細パターンを露光する投影露光装置において、投影露光装置の光源であるレーザ装置の光量を高精度に検出可能な小型検出器を用いて露光量計測、露光量制御可能とすること。【解決手段】  光源であるレーザ装置から放射された光束の光路中に設けられた第１の光束分離手段で分離した光束について、偏光子を介して第１の受光手段で光束を検出する。上記偏光子から取り出したＰ偏光成分、Ｓ偏光成分を、上記第１の受光手段で個々に検出する。上記第１の受光手段の計測結果から、上記投影露光装置の偏光特性を補正する係数を導出し、該係数を用いて、上記レーザ装置の露光量を計測、制御する制御手段を有する投影露光装置とする。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光で原版を照明するように構成された照明光学系と、基板を保持し且つ移動するように構成された基板ステージと、前記照明光学系により照明された原版のパターンを前記基板ステージに保持された基板に投影するように構成された投影光学系とを有する露光装置であって、前記照明光学系の光路上に設けた第１の光束分離手段と、該第１の光束分離手段で分離した光束のうち、一方の光束の光路上に設けた偏光子と、該偏光子を介した光束を検出するように構成されている第１の受光手段とを有していることを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記偏光子は、前記光源の波長よりも小さい構造体で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記偏光子は、一つ以上の異なる偏光特性をもつことを特徴とする請求項１、又は請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記偏光子は、複数の異なる偏光特性が一つ以上の光学部材上で構成されていることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の露光装置。
【請求項５】
前記第１の受光手段の受光部は、同一受光部内が複数に分割してあることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項６】
前記第１の受光手段の受光部は、複数の受光部を近接配置させた構造であることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項７】
前記偏光子は、前記第１の受光手段の受光部を保持している保持部に該偏光子を接着して保持されていることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の露光装置。
【請求項８】
前記偏光子は、該偏光子を前記第１の受光手段の受光部の近接に配置し、偏光子保持部で該偏光子と該第１の受光手段とを固定して保持することを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の露光装置。
【請求項９】
前記偏光子は、該偏光子を前記第１の受光手段の受光部とバンプを介して保持されていることを特徴とする請求項１〜請求項６のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１０】
前記露光装置は、前記偏光子を介した光束を検出するために、微小開口がある遮光部と該偏光子を介して、該第１の受光手段で検出することを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１１】
前記遮光部は、前記偏光子上に構成されていることを特徴とする請求項１０に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記露光装置は、前記偏光子と前記第１の受光手段との間に隔壁が構成されていることを特徴とする請求項１〜請求項９のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１３】
前記第１の光束分離手段により透過または反射した光束のうち一方の光束を前記偏光子を介して前記第１の受光手段において計測する手段と、該計測に基づいて前記第１の光束分離手段により透過または反射したもう一方の光束の光量、偏光度の少なくとも一方を算出する手段とを有することを特徴とする請求項１〜請求項１２のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１４】
前記導出された光量、偏光度のうち少なくともどちらか一方を元に上記光源または、上記照明光学系のうち少なくともどちらか一方を制御することを特徴とする請求項１３に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記照明光学系により照明される光束の光量を算出する手段において、前記第１の受光手段と、前記基板ステージ上に構成され基板の被露光面の光束を検出する第２の受光手段とで光束を計測し、さらに、光束の偏光状態を変更した後、前記第１の受光手段と前記第２の受光手段とで光束を計測した結果を元に光量を算出する係数を導出し、前記光源または前記照明光学系を駆動制御する制御手段を有することを特徴とする請求項１３、又は請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１６】
前記照明光学系により照明される光束の偏光度を算出する手段において、前記第１の受光手段で光束を計測し、その照明状態での理論的または実験的に導出されるＰ偏光の偏光度、Ｓ偏光の偏光度を用い、さらに、光束の偏光状態を変更した後、前記第１の受光手段で光束を計測し、その偏光状態での理論的または実験的に導出されるＰ偏光の偏光度、Ｓ偏光の偏光度を元に偏光度を算出する係数を導出し、前記光源または前記照明光学系を駆動制御する制御手段を有することを特徴とする請求項１３、又は請求項１４に記載の露光装置。
【請求項１７】
光源からの光で原版を照明するように構成された照明光学系と、基板を保持し且つ移動するように構成された基板ステージと、前記照明光学系により照明された原版のパターンを前記基板ステージに保持された基板に投影するように構成された投影光学系とを有する露光装置であって、前記照明光学系の光路上に設けた第１の光束分離手段と、該第１の光束分離手段で分離した光束のうち一方の光束上に設けた第２の光束分離手段と、該第２の光束分離手段で分離した光束のうちそれぞれ光束上に設けた偏光子と、該偏光子を介した光束を検出するように構成されている第３の受光手段と第４の受光手段を有していることを特徴とする露光装置。
【請求項１８】
前記偏光子は、前記光源の波長よりも小さい構造体で構成されていることを特徴とする請求項１７に記載の露光装置。
【請求項１９】
前記偏光子は、前記第２の光束分離手段で分離したそれぞれの光束について、それぞれの光束上に設ける偏光子は偏光特性が異なる偏光子を用いることを特徴とする請求項１７、又は請求項１８に記載の露光装置。
【請求項２０】
前記偏光子は、それぞれの前記第３の受光手段、又は第４の受光手段の受光部を保持している保持部に該偏光子を接着して保持されていることを特徴とする請求項１７〜請求項１９のいずれかに記載の露光装置。
【請求項２１】
前記偏光子は、該偏光子をそれぞれの前記第３の受光手段、又は第４の受光手段の受光部の近接に配置し、それぞれ偏光子保持部で該偏光子と該第３の受光手段、又は第４の受光手段とを固定して保持することを特徴とする請求項１７〜請求項１９のいずれかに記載の露光装置。
【請求項２２】
前記偏光子は、該偏光子をそれぞれの前記第３の受光手段、又は第４の受光手段の受光部とバンプを介して保持されていることを特徴とする請求項１７〜請求項１９のいずれかに記載の露光装置。
【請求項２３】
前記第１の光束分離手段により透過または反射した光束のうち一方の光束を前記第２の光束分離手段により分離し、それぞれの光束を前記偏光子を介して前記第３の受光手段、又は第４の受光手段において計測する手段と、該計測に基づいて前記第１の光束分離手段により透過または反射したもう一方の光束の光量、偏光度の少なくとも一方を算出する手段とを有することを特徴とする請求項１７〜請求項２２のいずれかに記載の露光装置。
【請求項２４】
前記導出された光量、偏光度のうち少なくともどちらか一方を元に上記光源または、上記照明光学系のうち少なくともどちらか一方を制御することを特徴とする請求項１７〜請求項２３のいずれかに記載の露光装置。
【請求項２５】
前記照明光学系により照明される光束の光量を算出する手段において、前記第３の受光手段と、第４の受光手段と、前記基板ステージ上に構成され基板の被露光面の光束を検出する第２の受光手段とで、光束を計測し、さらに、光束の偏光状態を変更した後、前記第３の受光手段と、第４の受光手段と、前記第２の受光手段とで光束を計測した結果を元に、光量を算出する係数を導出し、前記光源または前記照明光学系を駆動制御する制御手段を有することを特徴とする請求項２３、又は請求項２４に記載の露光装置。
【請求項２６】
前記照明光学系により照明される光束の偏光度を算出する手段において、前記第３の受光手段と、前記第４の受光手段で光束を計測し、その照明状態での理論的または実験的に導出されるＰ偏光の偏光度、Ｓ偏光の偏光度を用い、さらに、光束の偏光状態を変更した後、前記第３の受光手段と、前記第４の受光手段で光束を計測し、その偏光状態での理論的または実験的に導出されるＰ偏光の偏光度、Ｓ偏光の偏光度を元に、偏光度を算出する係数を導出し、前記光源または前記照明光学系を駆動制御する制御手段を有することを特徴とする請求項２３、又は請求項２４に記載の露光装置。
【請求項２７】
請求項１５、又は請求項２５の光量、請求項１６、又は請求項２６の偏光度を算出する係数を導出するために、光束の偏光状態を変更する手段として、前記照明光学系内に構成された偏光素子を回転することで該係数を導出することを特徴とする請求項１５、請求項１６、請求項２５、又は請求項２６に記載の露光装置。
【請求項２８】
請求項１５、又は請求項２５の光量、請求項１６、又は請求項２６の偏光度を算出する係数を導出するために、光束の偏光状態を変更する手段として、前記光源の偏光状態を変化させることで該係数を導出することを特徴とする請求項１５、請求項１６、請求項２５、又は請求項２６に記載の露光装置。
【請求項２９】
前記偏光子と前記第１の受光手段、前記第３の受光手段、前記第４の受光手段は、前記基板ステージ上に搭載され基板の被露光面の光束の光量、偏光度の少なくとも一方を算出する手段とを有することを特徴とする請求項１〜請求項２８のいずれかに記載の露光装置。
【請求項３０】
前記導出された光量、偏光度のうち少なくともどちらか一方を元に上記光源または、上記照明光学系を制御することを特徴とする請求項２９に記載の露光装置。
【請求項３１】
投影光学系と前記基板との間に液体を満たした状態で、前記原版を介して該基板を露光することを特徴とする請求項１〜請求項３０のいずれかに記載の露光装置。
【請求項３２】
請求項１〜請求項３１のいずれかに記載の露光装置を用いて原版を介し基板を露光するステップを有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイス、液晶デバイス、ＣＣＤ等の撮像デバイス、磁気ヘッド等のデバイスを製造する工程のうち、フォトリソグラフィー工程に使用される露光装置、および当該露光装置を用いたデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイス、液晶デバイス、ＣＣＤ等の撮像デバイス、磁気ヘッド等のデバイスは、フォトリソグラフィー技術を用いて製造する。その際に、レチクル（原版またはマスクともいう）のパターンを所定の倍率で投影して半導体ウエハ等の感光基板（単に基板ともいう）を露光する。近年、ＩＣやＬＳＩ等の集積回路（デバイス）の高集積化に伴い、数１０ｎｍレベルの微細パターンを正確にウエハ上に形成することができる露光装置が使用されてきている。
【０００３】
一般的にウエハに塗布された感光剤には、適正露光量が定められている。そのため、このような露光装置においては、予め決められた露光量でウエハを露光する露光量制御に関する技術が従来、種々に提案されている。通常、露光量制御を行なうためには、露光光の光路中に光学部材（ハーフミラー等）を設け、上記光学部材で反射した反射光若しくは上記光学部材を透過した透過光のいずれか一方を露光量モニター用の光センサ等の検出器ユニットで受光する。この検出器ユニットからの出力信号に応じて露光光の光路中に設置したシャッターの開閉、レーザの発光・停止、レーザの設定エネルギの制御などにより、露光量制御を行なっている。（特許文献１参照）
近年、半導体デバイスの微細化に伴って、Ｐ偏光、またはＳ偏光に偏光された露光光や、上記Ｐ偏光、上記Ｓ偏光の割合を任意に決めた露光光でウエハを露光する偏光照明方式が用いられてきている。そのため、上記偏光照明方式に関しても上記検出器ユニットで露光量制御を行なっている。
【特許文献１】特許登録第０２７８５１５７号公報
【特許文献２】特開２００２−１９８２８１号公報
【特許文献３】特開２００４−３７１３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ウエハ面上で最適な露光量を得る為の露光量の制御を行なう方法として、露光光の光路中に光学部材（ハーフミラー等）を設け、上記光学部材を介した露光光を露光量モニター用の光センサ等の検出器ユニットで検出して、露光量制御を行なう方法がある。一般的に上記光学部材の反射率、透過率は、露光光のＰ偏光とＳ偏光に対して異なった値を示す。また、上記光学部品により分離した露光光に関してもウエハ面上に到達するまでの光路中に設けた光学部品の偏光特性により、露光量を計測する光センサ等の検出器ユニットの受光面と露光光を照射するウエハ面とでは露光光のＰ偏光とＳ偏光の成分比が異なる。特に光センサ等の検出器ユニットの受光面に至る光路中に設けた光学部材とウエハ面に至る光路中に設けた光学部材が異なってくると、偏光成分比が大きく異なってくる場合がある。
【０００５】
従って、光源となるレーザの偏光状態が時々刻々と変化する場合や構成している光学部材の偏光特性が変化する場合には、光センサ等の検出器ユニットに入射する光量とウエハ面上の露光量の比が変動する。そのため、検出器ユニットで検出した値からではウエハ面に入射する露光量を正確にモニターすることができない。
【０００６】
また、Ｐ偏光またはＳ偏光に偏光された露光光や、上記Ｐ偏光、上記Ｓ偏光の割合を任意に決めた露光光でウエハを露光する偏光照明方式では、光センサ等の検出器ユニットに入射する光量とウエハ面上の露光量の比がランダム偏光照明方式よりも変動する。そのため、露光量を正確にモニターすることがさらに困難になる。
【０００７】
従来は、上記ハーフミラーにより分離した露光光を偏光分離手段用光学部材（偏光ビームスプリッターやローションプリズム等）を用いてさらに分離し、露光光の偏光成分を考慮した露光量計測、露光量制御を行なっていた。
【０００８】
上記偏光ビームスプリッターは、様々な偏光状態や、輪帯照明、２重極照明、４重極照明等の様々な照明状態を考慮して、Ｐ偏光、Ｓ偏光の透過率、反射率等の条件を考慮して製作する必要がある。そのため、汎用の偏光ビームスプリッターに較べ高価格になる。また、上記ローションプリズムは、高い消光比（Ｐ偏光とＳ偏光の透過率比）でそれぞれの偏光成分を分離し、露光量制御を行なうことができる。ただし、その消光比を得るためには、上記偏光ビームスプリッターに較べて構成スペースが必要であり、また上記ローションプリズムへの光束の入射角度に制約があり配置の自由度が低い。
【０００９】
また、上記偏光分離手段用光学部材で光束を分割した場合、分割した光束毎に個々に受光手段を配置するため、構成スペースが必要であった。また、受光手段の性能には個体差があるため、受光手段の計測値の変動にもそれぞれ個体差があり、それが露光量制御の精度を悪化させる要因の一つであった。
【００１０】
本発明は、露光光の偏光状態の変化に影響を受けずに、省スペース構成でき、露光量制御精度を向上することができる露光量モニター用の検出器ユニットを用い、高集積度の回路パターンが容易に得られる照明装置及びそれを用いた投影露光装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するために、上記ハーフミラーにより分離した露光光は、偏光子を介して第１の受光手段で計測される。ここで、上記偏光子は、上記露光光からＰ偏光成分、Ｓ偏光成分を取り出すために、光源の波長よりも小さい構造体で構成されている。上記偏光子から取り出したＰ偏光成分、Ｓ偏光成分を上記第１の受光手段の受光部を同一受光部内で複数分割した受光手段で計測する。そのため、省スペース、高精度に露光量制御が可能な照明装置及びそれを用いた投影露光装置を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、露光光の偏光状態、照明状態の変化に影響を受けず、省スペース、高精度にウエハ面に入射する露光量を高精度に制御し、高集積度の回路パターンが容易に得られる照明装置及びそれを用いた投影露光装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、添付図面を参照して、本発明の一側面としての露光装置の実施形態について説明する。なお、各図において、同一の部材については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。
【実施例１】
【００１４】
以下、図面を用いて本発明の第１の実施形態を説明する。図１は本発明の第１の実施形態に係る走査投影露光装置の構成を示す概略図である。この装置は、ＩＣやＬＳＩ等の半導体デバイス、液晶デバイス、ＣＣＤ等の撮像デバイス、磁気ヘッド等のデバイスを製造する際に用いられる。なお、投影露光装置は走査型でなくてもよい。
【００１５】
図１において、エキシマレーザ等の連続発振光またはパルス光から放射する光源１からの光束は、ビーム整形光学系２により所定の形状に整形され、ハエの目レンズ等のオプティカルインテグレータ３に入射される。
【００１６】
以下、本実施形態においては光源１としてパルスレーザを用いた場合について示すが、連続発振レーザを用いた場合についても同様に適用することができる。
【００１７】
ハエの目レンズ３は複数の微小なレンズを２次元的に配列して構成しており、ハエの目レンズ３の出射面近傍に複数の２次光源が形成される。形成された２次光源は、コンデンサレンズ４により、ハーフミラーから成る第１の光束分離手段５を介しマスキングブレード６（可動スリット）をケーラー照明している。マスキングブレード６を照明した光束は、結像レンズ７、ミラー８を介してレチクルステージ１０に吸着されたレチクル９を照明している。マスキングブレード６とレチクル９は結像レンズ７、ミラー８により共役な関係に配置されており、マスキングブレード６の開口の形状によりレチクル９における照明領域の形と寸法が規定される。レチクル９には、上述したデバイスを製造する際に必要な回路パターンが描画されている。レチクル９を透過した光束は、投影光学系１１を透過し、可動のウエハステージ１３上に吸着保持されたウエハ１２に回路パターンの縮小像を形成する。レチクルステージ１０とウエハステージ１３とは、走査制御部１０１により、その走査方向、走査スピード等が制御される。
【００１８】
検出器ユニット１５は、ウエハを露光する光量を常時モニターするための光検出器ユニットである。第１の光束分離手段５により分割されたレーザ光の一部の光束をレンズ１４を介して常時モニターしている。検出器ユニット１５は、ウエハ１２の被露光面や後述する第２の受光手段１６と光学的に共役な位置またはその近傍位置に配置されている。検出器ユニット１５と第２の受光手段１６で検出された光量は、光源１の発光強度としてフィードバックされ、光源１は、走査制御部１０１、露光量演算器１０２および光源制御器１０３を含む制御系により制御される。
【００１９】
第２の受光手段１６は、ウエハ１２とほぼ同じ高さになるようにウエハステージ１３に構成され、投影光学系１１の像面で光量や光量分布を検出するために用いられる。通常、感度較正された第２の受光手段１６を用いて、検出器ユニット１５を感度較正する。それは、照明光学系１０４及び投影光学系１１の透過率が微小だが変化するためで、投影光学系１１の像面での照度を基準として、露光中に使用する検出器ユニット１５を較正する必要がある。
【００２０】
次に、光源となるレーザの偏光状態が時々刻々と変化する場合や、構成している光学部材の偏光特性が変化する場合についての露光量制御方法について述べる。上記理由により露光光の偏光状態が変化し、その偏光変化分を考慮しない場合、光センサ等の検出器ユニット１５に入射する光量とウエハ１２の被露光面上での露光量の比が大きく変化し、不必要に露光量を調整する可能性がある。そのため、適正な露光量でウエハを露光できなくなる。例えば、露光光のＰ偏光、Ｓ偏光の状態が変化し、第１の光束分離手段で光束の透過量と反射量が変化する。このとき、検出器ユニット１５に入射する光量が減少し、ウエハ１２の被露光面に入射する光量が増加すると、露光量制御は検出器ユニット１５の出力結果より行なうため、ウエハ１２の被露光面の露光量が適正値より増加する。従って、適正に制御することができなくなる。露光光の偏光変化分を考慮し、検出器ユニット１５の計測結果を元に露光光の光量または偏光度を算出する係数を導出することで、適正な露光量制御を行なうことができる。
【００２１】
露光光の光量または偏光度の算出方法について説明する。図２は検出器ユニット１５の詳細図である。Ｐ偏光（紙面内に偏光方向を有する）とＳ偏光（紙面に対して垂直方向に偏光方向を有する）の偏光成分を含んだ光束は、第１の光束分離手段５で分離され、レンズ１４と、偏光子１８とを介して第１の受光手段１５Ａで受光される。
【００２２】
偏光子１８の概要については、図３に示す。偏光子１８は、光源１の波長よりも小さい構造体、例えば回折格子構造等で構成されており、偏光子１８の一部はＰ偏光用偏光子１８Ｐ、もう一部はＳ偏光用偏光子１８Ｓである。従って、第１の光束分離手段５により分割された光束は、Ｐ偏光用偏光子１８Ｐを介することで、光束のＰ偏光成分を透過させ、Ｓ偏光用偏光子１８Ｓを介することで、光束のＳ偏光成分を透過させる。Ｐ偏光用偏光子１８Ｐ、Ｓ偏光用偏光子１８Ｓは、一つの光学部材上で形成されているか、それぞれ別々の光学部材上に形成されて、接合されていてもよい。偏光子１８を介した光束は、第１の受光手段１５Ａで計測される。
【００２３】
第１の受光手段１５Ａは、受光部が同一受光部内で複数に分割されている。同一受光部を分割した受光部で光束を受光するため、受光部間での受光感度の差異、出力値変動の傾向、暗電流値等の電気的特性、物理的特性の各種特性は、受光部間で同等な特性を持つ。そのため、受光手段間の測定値の変動の個体差を小さくできるため、個々に受光手段を配置した場合に比べ、露光量計測、露光量制御の精度が向上する。図２では、２分割された例を示した図である。ここで、露光量計測、露光量制御の精度を向上するため、受光部は同一受光部内で複数に分割されていることが望ましいが、複数の受光部を近接させ個々に第１の受光手段１５Ａに搭載して用いてもよい。
【００２４】
Ｐ偏光用受光部１５Ｐ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓでは、入射される光束の光量が異なることを利用して、露光光の光量または偏光度を算出する係数を導出する。
【００２５】
次に露光光の光量を算出する係数Ａ、係数Ｂについて述べる。ここで、第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５Ｐからの出力をＳＰｏｕｔ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓからの出力をＳＳｏｕｔとし、各受光手段は事前に感度較正されていることが望ましい。このとき、ウエハ１２の被露光面上の露光量ＳＷｏｕｔは、ＳＰｏｕｔ、ＳＳｏｕｔを用いて、
ＳＷｏｕｔ＝Ａ×ＳＰｏｕｔ＋Ｂ×ＳＳｏｕｔ            （式１）
と表すことができる。ここで、係数Ａ、係数Ｂは、様々な照明状態毎に設定される係数で、露光光の偏光状態の変化分を補正する係数である。
【００２６】
従って、式１より、ウエハ１２の被露光面上の露光量を導出することができ、偏光状態の変動の影響を受けない露光量制御を実施している。また、係数Ａ、係数Ｂを装置上で容易に較正することができるように構成することで、光学部品自体の特性変動に対処している。
【００２７】
上記第１の受光手段１５Ａ、第２受光手段１６の出力は、例えば投影光学系１１の像面における単位時間内の、もしくは光源１がパルス光源の場合は１パルス当たりの光量、または所定パルス数毎の積算された光量の出力である。
【００２８】
次にＳＷｏｕｔを求めるために用いる係数Ａ、Ｂの導出方法について述べる。露光光の偏光状態を設定するために、照明光学系１０４を駆動する。波長板１７（λ／２板等）を第１の光束分離手段５で分離する前の露光光の光路中に配置し、第１の受光手段１５Ａ、第２の受光手段１６で露光光を計測する。波長板１７をウエハに露光する偏光状態に配置した状態を偏光状態１として、それぞれの計測値は、
Ａ×ＳＰｏｕｔ＿ｂａｓｅ＋Ｂ×ＳＳｏｕｔ＿ｂａｓｅ＝ＳＷｏｕｔ＿ｂａｓｅ
（式２）
である。ここで、偏光状態１での第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５Ｐでの計測値はＳＰｏｕｔ＿ｂａｓｅ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓでの計測値はＳＳｏｕｔ＿ｂａｓｅ、第２の受光手段１６の計測値はＳＷｏｕｔ＿ｂａｓｅである。
【００２９】
次に波長板１７を回転させ露光光の偏光成分を変化させる。その状態を偏光状態２とし、第１の受光手段１５Ａ、第２の受光手段１６で露光光を計測する。露光光の偏光成分を変化させるために、光源１の偏光状態を変化させてもよい。それぞれの計測値は、
Ａ×ＳＰｏｕｔ＿ｒｏｔ＋Ｂ×ＳＳｏｕｔ＿ｒｏｔ＝ＳＷｏｕｔ＿ｒｏｔ
（式３）
である。ここで、偏光状態２での第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５Ｐでの計測値はＳＰｏｕｔ＿ｒｏｔ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓでの計測値はＳＳｏｕｔ＿ｒｏｔ、第２の受光手段１６の計測値はＳＷｏｕｔ＿ｒｏｔである。係数Ａ、係数Ｂは偏光状態１、偏光状態２でそれぞれ上式を満足する係数である。
【００３０】
露光量制御を行なうためのＳＷｏｕｔの導出は、露光光の偏光状態や照明状態を変更した場合に装置のメンテナンス時等スループットに影響を与えない場合や、定期的に行なう等のタイミングで実施してもよい。
【００３１】
検出器ユニット１５、第１の受光手段１５Ａ、第２の受光手段１６は、光束を受光する機器で、例えば、フォトダイオード、ラインセンサ等の光検出器、ＣＣＤ等の撮像素子、エネルギーモニタ等である。
【００３２】
次に露光光のＰ偏光の偏光度を算出する係数Ｃ、係数Ｄ、露光光のＳ偏光の偏光度を算出する係数Ｅ、係数Ｆについて述べる。ここで、第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５Ｐでの計測値をＳＰｏｕｔ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓでの計測値をＳＳｏｕｔとし、各受光手段は事前に感度較正されていることが望ましい。このとき、ウエハ１２の被露光面上のＰ偏光の偏光度Ｐｏｕｔ、Ｓ偏光の偏光度Ｓｏｕｔは、ＳＰｏｕｔ、ＳＳｏｕｔを用いて、
Ｃ×ＳＰｏｕｔ＋Ｄ×ＳＳｏｕｔ＝Ｐｏｕｔ            （式４）
Ｅ×ＳＰｏｕｔ＋Ｆ×ＳＳｏｕｔ＝Ｓｏｕｔ            （式５）
と表すことができる。ここで、係数Ｃ、係数Ｄ、係数Ｅ、係数Ｆは様々な照明状態毎に設定される係数で、露光光の偏光状態の変化分を補正する係数である。
【００３３】
従って、式４、式５より、ウエハ１２の被露光面上の偏光度を導出することができ、偏光状態の変動の影響を受けない偏光度計測、制御を実施している。また、係数Ｃ、係数Ｄ、係数Ｅ、係数Ｆを装置上で容易に較正することができるように構成することで、光学部品自体の特性変動に対処している。
【００３４】
上記第１の受光手段１５Ａ、第２受光手段１６の出力は、例えば投影光学系１１の像面における単位時間内の、もしくは光源１がパルス光源の場合は１パルス当たりの光量、または所定パルス数毎の積算された光量の出力である。
【００３５】
次にＰ偏光の偏光度Ｐｏｕｔを求めるために用いる係数Ｃ、係数Ｄの導出方法について述べる。露光光の偏光状態を設定するために、照明光学系１０４を駆動する。波長板１７（λ／２板等）を第１の光束分離手段５で分離する前の露光光の光路中に配置し、第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５Ｐ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓで露光光を計測する。波長板１７をウエハに露光する偏光状態に配置した状態を偏光状態１として、偏光状態１の露光光のＰ偏光の偏光度をＰｏｕｔ＿ｂａｓｅとすると、それぞれの計測値は、
Ｃ×ＳＰｏｕｔ＿ｂａｓｅ＋Ｄ×ＳＳｏｕｔ＿ｂａｓｅ＝Ｐｏｕｔ＿ｂａｓｅ
（式６）
と表せる。ここで、偏光状態１での第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５Ｐでの計測値はＳＰｏｕｔ＿ｂａｓｅ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓでの計測値はＳＳｏｕｔ＿ｂａｓｅである。
【００３６】
次に波長板１７を回転させ露光光の偏光成分を変化させる。その状態を偏光状態２とし、第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５Ｐ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓで露光光を計測する。露光光の偏光成分を変化させるために、光源１の偏光状態を変化させてもよい。偏光状態２の露光光のＰ偏光の偏光度をＰｏｕｔ＿ｒｏｔとするとそれぞれの計測値は、
Ｃ×ＳＰｏｕｔ＿ｒｏｔ＋Ｄ×ＳＳｏｕｔ＿ｒｏｔ＝Ｐｏｕｔ＿ｒｏｔ
（式７）
と表せる。ここで、偏光状態２での第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５Ｐでの計測値はＳＰｏｕｔ＿ｒｏｔ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓでの計測値はＳＳｏｕｔ＿ｒｏｔである。また、Ｐｏｕｔ＿ｂａｓｅ、Ｐｏｕｔ＿ｒｏｔは、照明光学系１０４の設定を変更することで理論的または実験的に導出される偏光状態１、偏光状態２のＰ偏光の偏光度である。係数Ｃ、係数Ｄは、偏光状態１、偏光状態２でそれぞれ上式を満足する係数である。
【００３７】
Ｐ偏光の偏光度計測、制御を行なうためのＰｏｕｔの導出は、露光光の偏光状態や照明状態を変更した場合に装置のメンテナンス時等スループットに影響を与えない場合や、定期的に行なう等のタイミングで実施してもよい。
【００３８】
Ｓ偏光の偏光度Ｓｏｕｔを求めるために用いる係数Ｅ、係数Ｆの導出方法については、式６、式７と同等の方法で導出できる。導出の詳細は省略するが、Ｐ偏光をＳ偏光に置き換えることで、係数Ｃを係数Ｅに、係数Ｄを係数Ｆに、Ｐｏｕｔ＿ｂａｓｅをＳｏｕｔ＿ｂａｓｅに、Ｐｏｕｔ＿ｒｏｔをＳｏｕｔ＿ｂａｓｅに変更し、導出できる。
【００３９】
本発明での係数Ａ、係数Ｂ、係数Ｃ、係数Ｄ、係数Ｅ、係数Ｆの算出に関して、第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５ＰではＰ偏光の光束のみを計測し、Ｓ偏光用受光部１５ＳはＳ偏光の光束のみを計測した場合に、算出精度が最もよい。
【００４０】
従来は、偏光ビームスプリッターやローションプリズム等の偏光分離手段用光学部材を用いて、上記係数を算出していた。上記偏光ビームスプリッターは、Ｐ偏光とＳ偏光を分離することが困難である。また、様々な偏光状態や、輪帯照明、２重極照明、４重極照明等の様々な照明状態を考慮して、Ｐ偏光、Ｓ偏光の透過率、反射率等の条件を考慮して製作する必要がある。そのため、汎用の偏光ビームスプリッターに較べ高価格になる。
【００４１】
上記ローションプリズムは、高い消光比（Ｐ偏光とＳ偏光の透過率比）でそれぞれの偏光成分を分離し、露光量制御を行なうことができる。ただし、その消光比を得るためには、上記偏光ビームスプリッターに較べて構成スペースが必要であり、また上記ローションプリズムへの光束の入射角度に制約があり配置の自由度が低い。
【００４２】
そこで、本発明では、光束からＰ偏光とＳ偏光をそれぞれ分離することができるため、露光量計測・制御、偏光度計測・制御を高精度に行なうことができる。また、省スペースで構成することもできる。
【００４３】
図４は、露光量制御を行なうための係数Ａ、係数Ｂ、ＳＷｏｕｔを導出する手順の一例を示すフローチャートである。照明光学系１０４を駆動し所定の偏光状態、照明状態に設定する（Ｓ１０１）。第２の受光手段１６が、ウエハ１２の被露光面の露光量を計測可能な位置にあるか確認する（Ｓ１０２）。計測不可能な位置にある場合は、ウエハステージ１３を移動し、第２の受光手段１６で露光量を計測可能な状態にする（Ｓ１０３）。第１の受光手段１５Ａ、第２の受光手段１６で露光光を計測し、計測値を露光量演算器１０２に記憶させる（Ｓ１０４）。波長板１７を回転させ、露光光の偏光状態を変更する（Ｓ１０５）。Ｓ１０４と同様に、第１の受光手段１５Ａ、第２の受光手段１６で再び露光光を計測し、計測値を露光量演算器１０２に記憶させる（Ｓ１０６）。Ｓ１０４、Ｓ１０６の計測結果から、係数Ａ、係数Ｂを導出し、露光量演算器１０２に記憶させる（Ｓ１０７）。Ｓ１０７で導出した係数Ａ、係数Ｂを用いてＳＷｏｕｔを導出し、露光量制御を行なう（Ｓ１０８）。
【００４４】
図５は、Ｐ偏光の偏光度Ｐｏｕｔ、Ｓ偏光の偏光度Ｓｏｕｔを計測、制御するための手順の一例を示すフローチャートである。照明光学系１０４を駆動し所定の偏光状態、照明状態に設定する（Ｓ２０１）。第１の受光手段１５Ａで露光光を計測し、その計測値と、Ｐ偏光の偏光度Ｐｏｕｔ＿ｂａｓｅ、Ｓ偏光の偏光度Ｓｏｕｔ＿ｂａｓｅを露光量演算器１０２に記憶させる（Ｓ２０２）。ここで、Ｐ偏光の偏光度Ｐｏｕｔ＿ｂａｓｅ、Ｓ偏光の偏光度Ｓｏｕｔ＿ｂａｓｅは、理論的または実験的に導出される値である。波長板１７を回転させ、露光光の偏光状態を変更する（Ｓ２０３）。Ｓ２０２と同様に、第１の受光手段１５Ａで再び露光光を計測し、その計測値と、Ｐ偏光の偏光度Ｐｏｕｔ＿ｒｏｔ、Ｓ偏光の偏光度Ｓｏｕｔ＿ｒｏｔを露光量演算器１０２に記憶させる（Ｓ２０４）。Ｓ２０２と同様に、Ｐ偏光の偏光度Ｐｏｕｔ＿ｒｏｔ、Ｓ偏光の偏光度Ｓｏｕｔ＿ｒｏｔは、理論的または実験的に導出される値である。Ｓ２０２、Ｓ２０４の計測結果から、係数Ｃ、係数Ｄ、係数Ｅ、係数Ｆを導出し、露光量演算器１０２に記憶させる（Ｓ２０５）。Ｓ２０５で導出した係数Ｃ、係数Ｄ、係数Ｅ、係数ＦをいてＰ偏光の偏光度Ｐｏｕｔ、Ｓ偏光の偏光度Ｓｏｕｔを導出し、偏光度を計測、制御する（Ｓ２０６）。
【００４５】
次に偏光子１８の保持方法について述べる。検出器ユニット１５を省スペースで構成するために、偏光子１８を第１の受光手段１５Ａと一体型で保持する必要がある。また、偏光子１８に入射した光束は、広がりをもって出射されるため、面積の小さい受光部で検出するために、偏光子１８を第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５Ｐ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓに近接させ、保持される必要がある。また、第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５ＰとＳ偏光用受光部１５Ｓについても、近接に配置する必要がある。保持方法の詳細については、図６乃至図８に示す。
【００４６】
図６は、偏光子１８を第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５Ｐ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓに近接して配置するときの保持方法の一例を示す図である。第１の受光手段１５Ａは、Ｐ偏光用受光部１５Ｐ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓに光束が入射すると電気信号に変換され、電極部２０からそれぞれ電気信号を取り出せる。上記それぞれの受光部を保持する受光部保持部１９に偏光子１８を接着、固定させることで、上記それぞれの受光部に近接して配置を行なうことができる。そのため、省スペースで構成できる。
【００４７】
図７は、偏光子１８を第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５Ｐ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓに近接して配置するときの保持方法の一例を示す図である。第１の受光手段１５Ａは、Ｐ偏光用受光部１５Ｐ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓに光束が入射すると電気信号に変換され、電極部２０からそれぞれ電気信号を取り出せる。第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５Ｐ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓを保持する受光部保持部１９に、偏光子１８を配置し、偏光子保持部２１で固定させることで、上記それぞれの受光部に近接して配置を行なうことができる。そのため、省スペースで構成できる。
【００４８】
図８は、偏光子１８を第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５Ｐ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓに近接して配置するときの保持方法の一例を示す図である。第１の受光手段１５Ａは、Ｐ偏光用受光部１５Ｐ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓに光束が入射すると電気信号に変換され、電極部２０からそれぞれ電気信号を取り出せる。偏光子１８をバンプ２２を介して、Ｐ偏光用受光部１５Ｐ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓと接着、固定させることで、上記それぞれの受光部に近接して配置を行なうことができる。そのため、省スペースで構成できる。
【００４９】
次に第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５Ｐ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓに入射する迷光の影響について述べる。ここで、迷光とは、偏光子１８のＰ偏光用偏光子１８Ｐから透過した光束が、第１の受光手段１５ＡのＳ偏光用受光部１５Ｓに入射する光束を、Ｓ偏光用偏光子１８Ｓから透過した光束が、Ｐ偏光用受光部１５Ｐに入射する光束を指す。
【００５０】
偏光子１８のＰ偏光用偏光子１８Ｐは、光束からＰ偏光の光束を取り出せ、Ｓ偏光用偏光子１８Ｓは、光束からＳ偏光の光束を取り出せる。取り出したそれぞれの偏光の光束は、偏光子１８の下方にある第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５Ｐ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓに入射する。このとき、Ｐ偏光用受光部１５Ｐには、Ｐ偏光用偏光子１８Ｐからの透過した光束のみを入射させ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓには、Ｓ偏光用偏光子１８Ｓからの透過した光束のみを入射させることで高精度に露光量制御を行なうことができる。しかし、本発明での偏光子１８は、光源１の波長よりも小さい構造体であるため、偏光子１８を透過した光束は広がりをもつことになる。また、検出器ユニット１５をコンパクトに構成するために、第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５ＰとＳ偏光用受光部１５Ｓとを近接して配置してある。そのため、上記それぞれの受光部に迷光が入射する可能性が高い。それぞれの受光部に迷光が入射すると、露光光の光量または偏光度を算出する係数の導出精度が低下し、露光量制御、偏光度制御の精度が低下する。そこで、迷光の影響を抑制するための検出器ユニット１５の構成例を図９乃至図１２に示す。図９乃至図１２では、図６に示す偏光子１８の保持方法を示した構成を記載しているが、図７、図８に示す保持方法でも構成可能である。
【００５１】
図９は、第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５Ｐ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓに入射する迷光を抑制するときの構成の一例を示す図である。偏光子１８のＰ偏光用偏光子１８Ｐ、Ｓ偏光用偏光子１８Ｓの上部にそれぞれ微小開口がある遮光部２３を配置する。遮光部２３は、偏光子１８に密着させて配置してもよい。上記微小開口は、偏光子１８を透過した光束が、第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５Ｐ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓに迷光として入射しない間隔で構成されている。以上により、それぞれの受光部に入射する迷光を抑制でき、高精度な露光量制御、偏光度制御を行なうことができる。
【００５２】
図１０は、第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５Ｐ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓに入射する迷光を抑制するときの構成の一例を示す図である。偏光子１８の光束が入射する面に対して、Ｐ偏光用偏光子１８Ｐ、Ｓ偏光用偏光子１８Ｓのそれぞれに微小開口がある遮光部２３を蒸着等で偏光子１８に構成する。上記微小開口は、偏光子１８を透過した光束が、第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５Ｐ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓに迷光として入射しない間隔で構成されている。以上により、それぞれの受光部に入射する迷光を抑制でき、高精度な露光量制御、偏光度制御を行なうことができる。
【００５３】
また、遮光部２３は、図１１に示すように偏光子１８の光束が出射する面に対して構成されていてもよい。
【００５４】
図１２は、第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５Ｐ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓに入射する迷光を抑制するときの構成の一例を示す図である。偏光子１８と第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５Ｐ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓの間に隔壁２４を構成する。隔壁２４を構成することで、それぞれの受光部に入射する迷光を抑制でき、高精度な露光量制御、偏光度制御を行なうことができる。
【実施例２】
【００５５】
次に本発明の第２の実施形態を説明する。図１３に検出器ユニット１５の別の詳細図を示す。Ｐ偏光とＳ偏光の偏光成分を含んだ光束は、波長板１７を介し、第１の光束分離手段５で分離される。そしてその光束は、レンズ１４を介して、第２の光束分離手段２５で分離される。第２の光束分離手段２５で分離された光束の一方は、第３の受光手段２６の受光部３０に近接して配置されたＰ偏光用偏光子２８を介して第３の受光手段２６で受光される。ここで、Ｐ偏光用偏光子２８は、光束からＰ偏光成分を取り出す偏光子である。
【００５６】
また、第２の光束分離手段２５で分離されたもう一方の光束は、第４の受光手段２７の受光部３０に近接して配置されたＳ偏光用偏光子２９を介して第４の受光手段２７で受光される。ここで、Ｓ偏光用偏光子２９は、光束からＳ偏光成分を取り出す偏光子である。
【００５７】
第１の実施形態では、係数Ａ、係数Ｂ、係数Ｃ、係数Ｄ、係数Ｅ、係数Ｆを高精度に算出するために、迷光が入射することを考慮する必要があった。しかし、実施形態２では、Ｐ偏光の光束を受光する受光手段とＳ偏光の光束を受光する受光手段とを別々の受光手段で構成することで、迷光が入射することを防ぐことができる。
【００５８】
また、省スペースで構成するために、Ｐ偏光用偏光子２８と第３の受光手段２６とを、Ｓ偏光用偏光子２９と第４の受光手段２７とを一体型で保持することが望ましい。
【００５９】
第３の受光手段２６、第４の受光手段２７は、光束を受光する機器で、例えば、フォトダイオード、ラインセンサ等の光検出器、ＣＣＤ等の撮像素子、エネルギーモニタ等である。
【００６０】
走査投影露光装置の全体概略図、露光量計測・制御方法、偏光度計測・制御方法、これらの手順の一例を示すフローチャートやＰ偏光用偏光子２８、Ｓ偏光用偏光子２９の保持方法については、第１の実施形態と同様であるため省略する。
【００６１】
上記第１の実施形態、上記第２の実施形態で示す検出器ユニット１５は、ウエハステージ１３上に搭載され、投影光学系１１の像面の露光量や偏光度を計測することもできる。
【００６２】
上記第１の実施形態、上記第２の実施形態は、投影光学系１１とウエハ１２との間を媒質で満たした液浸型投影露光装置においても運用することができる。
【００６３】
上記第１の実施形態は、第１の受光手段１５ＡのＰ偏光用受光部１５Ｐ、Ｓ偏光用受光部１５Ｓで受光する偏光成分が、図２に示すＰ偏光とＳ偏光とが入れ替わっても、露光量制御、偏光度制御を行なうことができる。また、上記第２の実施形態は、第３の受光手段２６と第４の受光手段２７で受光する偏光成分が、図１３に示すＰ偏光とＳ偏光とが入れ替わっても、露光量制御、偏光度制御を行なうことができる。
【００６４】
[デバイス製造方法への応用]
次に、図１４及び図１５を参照して、上述の露光装置を利用したデバイスの製造方法の実施例を説明する。図１４は、デバイス（ＩＣやＬＳＩなどの半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造を説明するためのフローチャートである。ここでは、半導体チップの製造を例に説明する。ステップ１（回路設計）では、デバイスの回路設計を行なう。ステップ２（レチクル製作）では、設計した回路パターンを形成したレチクルを製作する。ステップ３（ウエハ製造）では、シリコンなどの材料を用いてウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は、前工程と呼ばれ、レチクルとウエハを用いて本発明のリソグラフィー技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。ステップ５（組み立て）は、後工程と呼ばれ、ステップ４によって作成されたウエハを用いて半導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封入）等の工程を含む。ステップ６（検査）では、ステップ５で作成された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テストなどの検査を行なう。こうした工程を経て半導体デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００６５】
図１５は、ステップ４のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。ステップ１１（酸化）では、ウエハの表面を酸化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）では、ウエハの表面に絶縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）では、ウエハ上に電極を蒸着などによって形成する。ステップ１４（イオン打ち込み）では、ウエハにイオンを打ち込む。ステップ１５（レジスト処理）では、ウエハに感光剤を塗布する。ステップ１６（露光）では、上述の露光装置を用いて、レチクルの回路パターンを介しウエハを露光する。ステップ１７（現像）では、露光したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）では、現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ１９（レジスト剥離）では、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによってウエハ上に多重に回路パターンが形成される。かかるデバイス製造方法によれば、従来よりも高品位のデバイスを製造することができる。このように、露光装置を使用するデバイス製造方法、並びに結果物としてのデバイスも本発明の一側面を構成する。
【００６６】
以上、発明を実施するための最良の形態について説明したが、本発明はこれらの形態に限定されないと共に、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る露光装置の概略構成図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る第１の受光手段を用いた露光量制御方法を示す図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る偏光子の概略構成図である。
【図４】露光量制御方法の手順の一例を示すフローチャートである。
【図５】偏光度制御方法の手順の一例を示すフローチャートである。
【図６】本発明の第１の実施形態に係る第１の受光手段の構成を示す図である。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る第１の受光手段の構成を示す図である。
【図８】本発明の第１の実施形態に係る第１の受光手段の構成を示す図である。
【図９】本発明の第１の実施形態に係る第１の受光手段の迷光抑制方法の構成を示す図である。
【図１０】本発明の第１の実施形態に係る第１の受光手段の迷光抑制方法の構成を示す図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態に係る第１の受光手段の迷光抑制方法の構成を示す図である。
【図１２】本発明の第１の実施形態に係る第１の受光手段の迷光抑制方法の構成を示す図である。
【図１３】本発明の第２の実施形態に係る第３の受光手段、第４の受光手段を用いた露光量制御方法を示す図である。
【図１４】デバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、ＬＣＤ、ＣＣＤ等）の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図１５】図１４に示すフローチャートのステップ４のウエハプロセスの詳細なフローチャートである。
【符号の説明】
【００６８】
１  光源
２  ビーム整形光学系
３  オプティカルインテグレータ
４  コンデンサレンズ
５  第１の光束分離手段
６  マスキングブレード
７  結像レンズ
８  ミラー
９  レチクル
１０  レチクルステージ
１１  投影光学系
１２  ウエハ
１３  ウエハステージ
１４  レンズ
１５  検出器ユニット
１５Ａ  第１の受光手段
１５Ｐ  Ｐ偏光用受光部
１５Ｓ  Ｓ偏光用受光部
１６  第２の受光手段
１７  波長板
１８  偏光子
１８Ｐ  Ｐ偏光用偏光子
１８Ｓ  Ｓ偏光用偏光子
１９  受光部保持部
２０  電極部
２１  偏光子保持部
２２  バンプ
２３  遮光部
２４  隔壁
２５  第２の光束分離手段
２６  第３の受光手段
２７  第４の受光手段
２８  Ｐ偏光用偏光子
２９  Ｓ偏光用偏光子
３０  受光部
１０１  走査制御部
１０２  露光量演算器
１０３  光源制御器
１０４  照明光学系（符号２乃至符号８で構成）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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