【手続補正書】
【提出日】平成16年11月26日(2004.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】液晶表示装置の製造方法、及び液晶表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ基板に対して略平行な電界を発生させることにより、液晶分子の配列を変化させる、アクティブマトリックス型の液晶表示装置の製造方法において、
上記アレイ基板上に画素電極を形成した後、透明な絶縁膜を成膜する工程と、
該画素電極側面に、該画素電極の膜厚に対する比が０．５以上１．０以下の膜厚の前記絶縁膜を残すように、該絶縁膜をエッチングする工程とを含む、
ことを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法において、
前記絶縁膜をエッチングする工程の後、
前記画素電極に対して、該画素電極の形成時の膜厚に対する比が０．２以下の膜厚分のみを、等方性エッチングによりエッチングする工程をさらに含む、
ことを特徴とする、液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
アレイ基板に対して略平行な電界を発生させることにより、液晶分子の配列を変化させる、アクティブマトリックス型の液晶表示装置であって、
前記アレイ基板上に形成された画素電極と、
前記画素電極の側面に形成され、該画素電極の膜厚に対する比が０．５以上１．０以下の膜厚を有する絶縁膜とを備える、
ことを特徴とする、液晶表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の液晶表示装置において、
前記画素電極は、該画素電極の形成時の膜厚に対する比が０．２以下の膜厚分が、エッチングによりエッチングされたものである、
ことを特徴とする、液晶表示装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本願請求項１の発明に係る液晶表示装置の製造方法は、アレイ基板に対して略平行な電界を発生させることにより、液晶分子の配列を変化させる、アクティブマトリックス型の液晶表示装置の製造方法において、上記アレイ基板上に画素電極を形成した後、透明な絶縁膜を成膜する工程と、該画素電極側面に、該画素電極の膜厚に対する比が０．５以上１．０以下の膜厚の前記絶縁膜を残すように、該絶縁膜をエッチングする工程とを含むようにしたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、本願請求項２の発明に係る液晶表示装置の製造方法は、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記絶縁膜をエッチングする工程の後、前記画素電極に対して、該画素電極の形成時の膜厚に対する比が０．２以下の膜厚分のみを、等方性エッチングによりエッチングする工程をさらに含むようにしたものである。
また、本願請求項３の発明に係る液晶表示装置は、アレイ基板に対して略平行な電界を発生させることにより、液晶分子の配列を変化させる、アクティブマトリックス型の液晶表示装置であって、前記アレイ基板上に形成された画素電極と、前記画素電極の側面に形成され、該画素電極の膜厚に対する比が０．５以上１．０以下の膜厚を有する絶縁膜とを備えるようにしたものである。
また、本願請求項４の発明に係る液晶表示装置は、請求項３に記載の液晶表示装置において、前記画素電極は、該画素電極の形成時の膜厚に対する比が０．２以下の膜厚分が、エッチングによりエッチングされたものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
次に、実施の形態２による液晶表示装置の製造方法について、図５〜７を用いて説明する。
まず、透明なガラスからなるアレイ基板１０上に、スパッタ装置にて膜厚０．４μｍのアルミニウム膜を全面に蒸着する。次に、フォトリソグラフィ法により、上記アルミニウム膜のパターニングを行い、複数の走査配線１ａと複数の共通配線１ｂを形成する。次いで、その上に絶縁膜２０として化学気相成長法（ＣＶＤ法）にて、窒化珪素膜とａ-Ｓｉ膜を形成する。さらにその上に、膜厚０．３μｍのアルミニウム膜を全面に蒸着し、フォトリソグラフィ法により上記アルミニウム膜のパターニングを行い、信号配線２ａと画素電極２ｂを形成した後、ＣＶＤ法により膜厚０．３μｍの窒化珪素膜３０を形成する。その後、ドライエッチングにより膜厚０．３μｍの前記窒化珪素３０のエッチングを行うと同時に停止することにより、前記画素電極２ｂの側壁に、幅０．２μｍ、厚さ０．１５μｍの窒化珪素膜３０を残す。この時の図１におけるＹ−Ｙ’の構成断面図を、図５に示す。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
次に、等方性エッチングであるウエットエッチングにより、前記画素電極２ｂを膜厚０．０６μｍエッチングする。この時の図１におけるＹ−Ｙ’の構成断面図を、図６に示す。最後に絶縁膜４０をＣＶＤ法により形成した。この時の図１におけるＹ−Ｙ’の構成断面図を、図７に示す。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【発明の効果】
以上のように、本発明の請求項１にかかる液晶表示装置の製造方法によれば、アレイ基板に対して略平行な電界を発生させることにより、液晶分子の配列を変化させる、アクティブマトリックス型の液晶表示装置の製造方法において、上記アレイ基板上に画素電極を形成した後、透明な絶縁膜を成膜する工程と、該画素電極側面に、該画素電極の膜厚に対する比が０．５以上１．０以下の膜厚の前記絶縁膜を残すように、該絶縁膜をエッチングする工程とを含むものとしたので、前記櫛型電極周辺の平坦性を高めて、画素内の櫛型電極近傍の配向規制力を強め、光り抜けを防止することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明の請求項２にかかる液晶表示装置の製造方法によれば、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法において、前記絶縁膜をエッチングする工程の後、前記画素電極に対して、該画素電極の形成時の膜厚に対する比が０．２以下の膜厚分のみを、等方性エッチングによりエッチングする工程をさらに含むものとしたので、前記櫛型電極周辺の平坦性を高めて、画素内の櫛型電極近傍の配向規制力を強め、光り抜けを防止することができる。
また、本発明の請求項３にかかる液晶表示装置によれば、アレイ基板に対して略平行な電界を発生させることにより、液晶分子の配列を変化させる、アクティブマトリックス型の液晶表示装置であって、前記アレイ基板上に形成された画素電極と、前記画素電極の側面に形成され、該画素電極の膜厚に対する比が０．５以上１．０以下の膜厚を有する絶縁膜とを備えるものとしたので、前記櫛型電極周辺の平坦性を高めて、画素内の櫛型電極近傍の配向規制力を強め、光り抜けを防止することができる。
また、本発明の請求項４にかかる液晶表示装置は、請求項３に記載の液晶表示装置において、前記画素電極は、該画素電極の形成時の膜厚に対する比が０．２以下の膜厚分が、エッチングによりエッチングされたものであるので、前記櫛型電極周辺の平坦性を高めて、画素内の櫛型電極近傍の配向規制力を強め、光り抜けを防止することができる。