Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月12日(2005.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
そして、この場合、更には、抵抗値がｒ0の抵抗体層が形成されている場合、抵抗部材（第１の抵抗部材）の抵抗値をｒ1としたとき、３０ｒ0≦ｒ1≦１００ｒ0を満足することが好ましい。更には、給電線は、第２の抵抗部材を介して直列に接続されたＭ個（但し、２≦Ｍ≦Ｎ）の給電線ユニットから構成されており、１つの給電線ユニットは１個あるいは２個以上のアノード電極ユニットに接続されている構成とすることが好ましく、更には、１０Ｍ≦Ｎ≦１００Ｍであることが一層好ましい。尚、これらの構成を、本発明の第５の態様に係る冷陰極電界電子放出表示装置に対して適用することができる。給電線を複数の給電線ユニットから構成すれば、給電線ユニットの面積を小さくすることができるが故に、給電線と冷陰極電界電子放出素子との間での放電に起因した給電線の損傷発生（例えば、給電線の局所的な蒸発）を抑止することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
尚、アノード電極ユニット２１と電界放出素子との間の距離をｄ（単位：ｍｍ）、給電線ユニット２２Ａの面積をＳ’（単位：ｍｍ2）としたとき、
（ＶA／７）2×（Ｓ’／ｄ）≦２２５０
好ましくは、
（ＶA／７）2×（Ｓ’／ｄ）≦４５０
を満足することが、給電線ユニット２２Ａと電界放出素子との間での放電に起因した給電線ユニット２２Ａの損傷発生（例えば、給電線ユニット２２Ａの局所的な蒸発）を一層確実に抑止するといった観点から望ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
アノードパネルＡＰは、基板３０と、基板３０上に形成され、所定のパターンを有する蛍光体層３１（赤色発光蛍光体層３１Ｒ，青色発光蛍光体層３１Ｂ，緑色発光蛍光体層３１Ｇ）と、その上に形成されたアノード電極１２０から構成されている。アノード電極１２０は、全体として、矩形の有効領域（大きさ：７０ｍｍ×１１０ｍｍ）を覆う形状を有し、例えばアルミニウム薄膜から構成されている。アノード電極１２０は、Ｎ個（但し、Ｎ≧２であり、実施の形態５においては２００個）のアノード電極ユニット１２１から構成されている。直線状に配列された単位蛍光体層３１の列の総数ｎとＮとの関係は、ｎ＝２０Ｎである。そして、１つのアノード電極ユニット１２１がアノード電極制御回路４３に、抵抗体Ｒ0を介して接続されている。尚、アノード電極制御回路４３に接続されているアノード電極ユニット１２１が、直列に接続されたアノード電極ユニット１２１のどの位置に位置するかは、本質的に任意であり、図１７に示すように、直列に接続されたアノード電極ユニット１２１の端部に位置するアノード電極ユニット１２１とすることもできるし、例えば、直列に接続されたアノード電極ユニットの中央に位置するアノード電極ユニットとすることもできる。蛍光体層３１等の配置は、図５〜図８と同様とすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
2004047408.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月16日(2004.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絞り加工を伴うエンボス加工により表面に突起部を設けもとのパンチング板よりも表面積を増大させたパンチング板材から成る二次電池用極板材料。
【請求項２】
前記突起部をパンチング板材の一方の面にだけ設けた請求項１記載の二次電池用極板材料。
【請求項３】
前記突起部をパンチング板材の両方の面に設けた請求項１記載の二次電池用極板材料。
【請求項４】
鋼板から構成されるパンチング板本体に、ニッケルめっき層が設けられた請求項１ないし３のいずれかに記載の二次電池用極板材料。
【請求項５】
銅板から構成されるパンチング板本体に、ニッケルめっき層が設けられた請求項１ないし３のいずれかに記載の二次電池用極板材料。
【請求項６】
エンボス加工により設けられた突起部が少なくとも一部開裂部を有することを特徴とする請求項１記載の二次電池用極板材料。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の極板材料からなる電極を備えた二次電池。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月5日(2005.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理装置用基板載置台及びプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の基台部
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性部材の間に静電チャック用電極を配設して構成され被処理基板を吸着保持するための静電チャック部と、導電性部材からなり冷却機構を具備した基台部とを接着剤により接着して構成され、プラズマ処理室内に配置されるプラズマ処理装置用基板載置台であって、
前記静電チャック部と、前記基台部との接着部位の周囲を囲むように設けられた空隙部と、この空隙部に所定のガスを導入するガス導入機構とを具備したことを特徴とするプラズマ処理装置用基板載置台。
【請求項２】
請求項１記載のプラズマ処理装置用基板載置台において、
前記静電チャック部の周囲を当該静電チャック部から所定間隔設けて囲むように環状に形成され、その上面が前記被処理基板の周縁部下面と当接する当接部が、前記基台部に設けられ、前記空隙部は、前記静電チャック部と前記当接部との間に形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置用基板載置台。
【請求項３】
請求項２記載のプラズマ処理装置用基板載置台において、
前記空隙部は、環状の溝状に形成され、前記被処理基板が静電チャック部に載置された状態で、その上面が当該被処理基板によって覆われるように構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置用基板載置台。
【請求項４】
請求項２又は３記載のプラズマ処理装置用基板載置台において、
前記当接部の少なくとも上面がセラミックスの溶射膜から形成されていることを特徴とするプラズマ処理装置用基板載置台。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか１項記載のプラズマ処理装置用基板載置台において、
前記基台部の前記静電チャック部との接着面が当該静電チャック部より小径とされ、前記接着面の周囲に当該接着面より高さの低い環状の溝部が形成され、前記静電チャック部の周縁部がオーハーハングして、前記接着面の周囲に突出するよう構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置用基板載置台。
【請求項６】
請求項１〜５いずれか１項記載のプラズマ処理装置用基板載置台において、
前記基台部が導電性の金属から構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置用基板載置台。
【請求項７】
請求項６記載のプラズマ処理装置用基板載置台において、
前記金属がアルミニウムであることを特徴とするプラズマ処理装置用基板載置台。
【請求項８】
請求項１〜７いずれか１項記載のプラズマ処理装置用基板載置台において、
前記接着剤が、シリコン系の接着剤であることを特徴とするプラズマ処理装置用基板載置台。
【請求項９】
請求項１〜８いずれか１項記載のプラズマ処理装置用基板載置台において、
前記ガスが、前記被処理基板を温調するための温調用ガスであることを特徴とするプラズマ処理装置用基板載置台。
【請求項１０】
請求項９記載のプラズマ処理装置用基板載置台において、
前記温調用ガスが、前記静電チャック部の前記絶縁性部材に設けられた溝から前記空隙部に導入されることを特徴とするプラズマ処理装置用基板載置台。
【請求項１１】
請求項９又は１０記載のプラズマ処理装置用基板載置台において、
前記温調用ガスが、不活性ガスであることを特徴とするプラズマ処理装置用基板載置台。
【請求項１２】
請求項１１記載のプラズマ処理装置用基板載置台において、
前記不活性ガスが、ヘリウムガスであることを特徴とするプラズマ処理装置用基板載置台。
【請求項１３】
請求項１〜１２いずれか１項記載のプラズマ処理装置用基板載置台において、
前記空隙部内のガス圧が、前記プラズマ処理室内の圧力より高いことを特徴とするプラズマ処理装置用基板載置台。
【請求項１４】
請求項１〜１３いずれか１項記載のプラズマ処理装置用基板載置台を具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項１５】
導電性部材からなり、冷却機構を具備し、被処理基板を吸着保持するための静電チャック部が接着剤により接着されるプラズマ処理装置用の基台部であって、
前記静電チャック部の周囲を囲むように環状の溝が設けられていることを特徴とするプラズマ処理装置用の基台部。
【請求項１６】
請求項１５記載のプラズマ処理装置用の基台部において、
前記環状の溝は、前記被処理基板が静電チャック部に載置された状態で、その上面が当該被処理基板によって覆われるように構成されていることを特徴とするプラズマ処理装置用の基台部。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ処理装置用基板載置台及びプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の基台部に係り、特に、プラズマを生起し、このプラズマを利用して半導体ウエハ等の被処理基板のエッチング処理、成膜処理等を行うプラズマ処理装置用基板載置台及びプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の基台部に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので、基台部と静電チャック部との間の接着状態を長期に亘って良好な状態に保つことができ、被処理基板の温度上昇の発生等を防止することができるとともに、従来に比べて装置稼働率の向上と、ランニングコストの低減を図ることのできるプラズマ処理装置用基板載置台及びプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の基台部を提供しようとするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
また、請求項１４のプラズマ処理装置は、請求項１〜１３いずれか１項記載のプラズマ処理装置用基板載置台を具備したことを特徴とする。
また、請求項１５のプラズマ処理装置用の基台部は、導電性部材からなり、冷却機構を具備し、被処理基板を吸着保持するための静電チャック部が接着剤により接着されるプラズマ処理装置用の基台部であって、前記静電チャック部の周囲を囲むように環状の溝が設けられていることを特徴とする。
また、請求項１６のプラズマ処理装置用の基台部は、請求項１５記載のプラズマ処理装置用の基台部において、前記環状の溝は、前記被処理基板が静電チャック部に載置された状態で、その上面が当該被処理基板によって覆われるように構成されていることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
【発明の効果】
以上説明したとおり、本発明のプラズマ処理装置用電極及びプラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の基台部によれば、基台部と静電チャック部との間の接着状態を長期に亘って良好な状態に保つことができ、被処理基板の温度上昇の発生等を防止することができるとともに、従来に比べて装置稼働率の向上と、ランニングコストの低減を図ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月28日(2005.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、プラズマ源に高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させるとともに、真空容器内の試料電極に電力を供給することにより、試料電極に載置した試料または試料表面の膜中に不純物を導入するプラズマドーピング方法であって、
プラズマの気相における状態をモニタリングするとともに、試料電極の電圧または電流をモニタリングすることにより、ドーピング濃度を制御すること
を特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項２】
真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、プラズマ源に高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させるとともに、真空容器内の試料電極及び試料電極の周辺部に設けられたモニタ用導体に電力を供給することにより、試料電極に載置した試料または試料表面の膜中に不純物を導入するプラズマドーピング方法であって、
プラズマの気相における状態をモニタリングするとともに、モニタ用導体の電圧または電流をモニタリングすることにより、ドーピング濃度を制御すること
を特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項３】
プラズマの気相における状態をモニタリングする方法が、発光分光法、レーザー誘起蛍光法、赤外半導体レーザー吸収分光法、真空紫外吸収分光法、レーザー散乱法、シングルプローブ法、ダブルプローブ法、トリプルプローブ法、質量分析法のいずれかであること
を特徴とする請求項１または２記載のプラズマドーピング方法。
【請求項４】
真空容器と、真空容器内にガスを供給するためのガス供給装置と、真空容器内を排気するための排気装置と、真空容器内を所定の圧力に制御するための調圧弁と、真空容器内に試料を載置するための試料電極と、試料電極に電力を供給する電源と、プラズマ源と、プラズマ源に高周波電力を供給する高周波電源と、プラズマの気相における状態をモニタリングする気相測定装置と、試料電極の電圧または電流をモニタリングする試料電極測定装置とを備えたこと
を特徴とするプラズマドーピング装置。
【請求項５】
真空容器と、真空容器内にガスを供給するためのガス供給装置と、真空容器内を排気するための排気装置と、真空容器内を所定の圧力に制御するための調圧弁と、真空容器内に試料を載置するための試料電極と、試料電極の周辺部に設けられたモニタ用導体と、試料電極及びモニタ用導体に電力を供給する電源と、プラズマ源と、プラズマ源に高周波電力を供給する高周波電源と、プラズマの気相における状態をモニタリングする気相測定装置と、モニタ用導体の電圧または電流をモニタリングするモニタ用導体測定装置とを備えたこと
を特徴とするプラズマドーピング装置。
【請求項６】
プラズマの気相における状態をモニタリングする方法が、発光分光法、レーザー誘起蛍光法、赤外半導体レーザー吸収分光法、真空紫外吸収分光法、レーザー散乱法、シングルプローブ法、ダブルプローブ法、トリプルプローブ法、質量分析法のいずれかであること
を特徴とする請求項４または５記載のプラズマドーピング装置。
【請求項７】
高周波電力を取り出すための第１高周波出力端子と、第１高周波出力端子とコンデンサ及び抵抗を介して結合された第２高周波出力端子とを備え、第２高周波出力端子がコイルと電流計と前記抵抗を介して接地され、電流計の測定値に対応した信号を出力する出力端子を備えたこと
を特徴とする整合回路。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月28日(2005.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、不純物を含む誘電体窓の近傍に配置したコイルまたはアンテナに周波数ｆ１の高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の試料電極に載置した試料または試料表面の膜中に不純物を導入することを特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項２】
真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、不純物を含む物質を内壁面に付着させた誘電体窓の近傍に配置したコイルまたはアンテナに周波数ｆ１の高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させ、真空容器内の試料電極に載置した試料または試料表面の膜中に不純物を導入することを特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項３】
アンテナまたはコイルに、ｆ１とは異なる周波数ｆ２の高周波電力を供給することを特徴とする請求項１または２記載のプラズマドーピング方法。
【請求項４】
真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、不純物を含む誘電体窓の近傍に配置したコイルまたはアンテナに周波数ｆ３の高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させるとともに、コイルまたはアンテナと誘電体窓の間に配置したバイアス電極に周波数ｆ４の高周波電力を供給することにより、真空容器内の試料電極に載置した試料または試料表面の膜中に不純物を導入することを特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項５】
真空容器内にガスを供給しつつ真空容器内を排気し、真空容器内を所定の圧力に制御しながら、不純物を含む物質を内壁面に付着させた誘電体窓の近傍に配置したコイルまたはアンテナに周波数ｆ３の高周波電力を供給することにより、真空容器内にプラズマを発生させるとともに、コイルまたはアンテナと誘電体窓の間に配置したバイアス電極に周波数ｆ４の高周波電力を供給することにより、真空容器内の試料電極に載置した試料または試料表面の膜中に不純物を導入することを特徴とするプラズマドーピング方法。
【請求項６】
真空容器と、真空容器内にガスを供給するためのガス供給装置と、真空容器内を排気するための排気装置と、真空容器内を所定の圧力に制御するための調圧弁と、真空容器内に試料を載置するための試料電極と、不純物を含む誘電体窓と、誘電体窓の近傍に配置したコイルまたはアンテナと、コイルまたはアンテナに周波数ｆ１の高周波電力を供給することができる高周波電源とを備えたことを特徴とするプラズマドーピング装置。
【請求項７】
真空容器と、真空容器内にガスを供給するためのガス供給装置と、真空容器内を排気するための排気装置と、真空容器内を所定の圧力に制御するための調圧弁と、真空容器内に試料を載置するための試料電極と、不純物を含む物質を内壁面に付着させた誘電体窓と、誘電体窓の近傍に配置したコイルまたはアンテナと、コイルまたはアンテナに周波数ｆ１の高周波電力を供給することができる高周波電源とを備えたことを特徴とするプラズマドーピング装置。
【請求項８】
アンテナまたはコイルに、ｆ１とは異なる周波数ｆ２の高周波電力を供給することができる高周波電源を備えたことを特徴とする請求項６または７記載のプラズマドーピング装置。
【請求項９】
真空容器と、真空容器内にガスを供給するためのガス供給装置と、真空容器内を排気するための排気装置と、真空容器内を所定の圧力に制御するための調圧弁と、真空容器内に試料を載置するための試料電極と、不純物を含む誘電体窓と、誘電体窓の近傍に配置したコイルまたはアンテナと、コイルまたはアンテナに周波数ｆ３の高周波電力を供給することができる高周波電源と、コイルまたはアンテナと誘電体窓の間に配置したバイアス電極と、バイアス電極に周波数ｆ４の高周波電力を供給することができる高周波電源を備えたことを特徴とするプラズマドーピング装置。
【請求項１０】
真空容器と、真空容器内にガスを供給するためのガス供給装置と、真空容器内を排気するための排気装置と、真空容器内を所定の圧力に制御するための調圧弁と、真空容器内に試料を載置するための試料電極と、不純物を含む物質を内壁面に付着させた誘電体窓と、誘電体窓の近傍に配置したコイルまたはアンテナと、コイルまたはアンテナに周波数ｆ３の高周波電力を供給することができる高周波電源と、コイルまたはアンテナと誘電体窓の間に配置したバイアス電極と、バイアス電極に周波数ｆ４の高周波電力を供給することができる高周波電源を備えたことを特徴とするプラズマドーピング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月1日(2004.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プラズマ処理装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器内に生成されたプラズマを用いてこの容器内に配置された試料を処理するプラズマ処理装置であって、
複数の素子が線状に並べられた列の複数を備えて光の強さを検出するセンサと、前記容器内の光から生成された帯状の光をこの帯状の光が前記素子の複数の並びと角度をつけて照射されこれら複数の並びの素子により検出されるように前記センサに照射する照射装置と、前記センサからの出力を用いてこの装置の動作を調節する制御装置とを備えたプラズマ処理装置。
【請求項２】
減圧される容器内に生成したプラズマを用いて試料を処理するプラズマ処理装置であって、
前記容器内に配置されその上に前記試料が載置される試料台と、容器内の光を受けて所定の波長を有する帯状の光を生成するスペクトロメータと、前記ビームを検知するための複数の並び状に配置された複数個の素子を有するセンサと、このセンサからの出力を用いて前記ビームの強さを検出する検出器と、この検出器からの出力を用いて前記試料の処理を調節する制御装置とを有し、
前記ビームが前記素子上に照射され、前記ビームの照射面が前記素子の並びと角度を有して前記複数の並びにおける素子により検出されるプラズマ処理装置。
【請求項３】
請求項１または２記載のプラズマ処理装置において、前記複数のセンサ素子は直交配置したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項４】
請求項１または２記載のプラズマ処理装置において、前記複数のセンサ素子は放射状に配置したことを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のプラズマ処理装置において、前記制御装置は前記スペクトルの波長毎の発光強度の測定値をもとにプラズマ処理装置を制御することを特徴とするプラズマ処理装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
容器内に生成されたプラズマを用いてこの容器内に配置された試料を処理するプラズマ処理装置であって、複数の素子が線状に並べられた列の複数を備えて光の強さを検出するセンサと、前記容器内の光から生成された帯状の光をこの帯状の光が前記素子の複数の並びと角度をつけて照射されこれら複数の並びの素子により検出されるように前記センサに照射する照射装置と、前記センサからの出力を用いてこの装置の動作を調節する制御装置とを備えた。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月26日(2004.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
Ｑ１及びＱ２の第一級アルキル基の好適な例は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−アミル、イソアミル、２−メチルブチル、ｎ−ヘキシル、２，３−ジメチルブチル、２−、３−若しくは４−メチルペンチル又はヘプチルである。第二級アルキル基の好適な例は、イソプロピル、ｓｅｃ−ブチル又は１−エチルプロピルである。より好ましくは、Ｑ１はアルキル基またはフェニル基、特に炭素数１〜４のアルキル基であり、Ｑ２は水素原子である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
ポリフェニレンエーテル系樹脂の固有粘度（溶媒としてクロロホルムを使用し、温度３０℃で測定した値）は、通常０．２〜０．８ｄｌ／ｇ、好ましくは０．２〜０．７ｄｌ／ｇ、更に好ましくは０．２５〜０．６ｄｌ／ｇである。固有粘度が０．２ｄｌ／ｇ未満では組成物の耐衝撃性が不足し、０．８ｄｌ／ｇを超えると成形性が劣る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、本発明においては、上記の難燃剤と共に難燃助剤としてポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）を使用することが出来る。本発明で好適に使用されるＰＴＦＥは、例えばフィブリル形成能を有するものであり、非晶性熱可塑性樹脂中に容易に分散し、樹脂同士を結合して繊維状材料を形成する傾向を示すものである。フィブリル形成能を有するＰＴＦＥはＡＳＴＭ規格でタイプ３に分類される。フィブリル形成能を有するＰＴＦＥは、例えば、三井・デュポンフロロケミカル（株）より「テフロン（Ｒ）６Ｊ」若しくは「テフロン（Ｒ）３０Ｊ」として、また、ダイキン工業（株）より「ポリフロン」として市販されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
図３及び図４に示す金型組立体（３）において、型締め時（図４の金型組立体（３）においては減容時）、成形すべき成形品（容器本体（１））の容積とキャビティ（３０）の容積の関係は、成形品の厚さをｔ０、型締め時の成形品の厚さ方向のキャビティ（３０）の距離（固定金型部（３１）の入れ子（３５）の表面と可動金型部（３２）の表面との距離）をｔ１、成形品の厚さとキャビティ（３０）の距離との差（ｔ１−ｔ０）をΔｔとしたとき、０．０５ｍｍ≦Δｔ≦０．５ｍｍとなる様な関係であることが好ましい。その理由は次の通りである。すなわち、Δｔ＜０．０５ｍｍとした場合は、樹脂の流動性が低下し、成形品における残留応力が大きくなる。また、Δｔ＞０．５ｍｍとした場合は、成形品中に空気が巻き込まれ、成形品の品質が劣化する虞がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
また、成型品表面に光沢が必要な場合、キャビティ（３０）の成形面を構成する入れ子（３５）の表面粗さＲｚは０．５μｍ以下とすることが望ましい。表面粗さＲｚが０．５μｍを越えると、鏡面性が不足し、成形品に要求される特性、例えば表面平滑性（写像性）を満足しない場合がある。上記の表面粗さを達成するには、入れ子作製の最終工程において、入れ子（３５）の表面に対し、例えばダイヤモンドラッピングを行い、更に必要に応じて、酸化セリウムによるラッピングを行う。なお、表面粗さＲｚの測定法は、ＪＩＳ Ｂ０６０１−２００１に準ずる。また、成形品の表面をつや消し又はヘアーラインの状態に仕上げる場合には、入れ子（３５）の表面粗さＲｚを０．５μｍ以下とする必要はない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
入れ子（３５）の厚さを上記の様に０．５〜５ｍｍの範囲に設定するのは次に様な理由による。すなわち、入れ子（３５）の厚さが０．５ｍｍ未満の場合は、断熱効果が少なくなり、キャビティ（３０）内に射出された溶融樹脂の急冷を惹起し、また、例えば固定金型部（３１）の入れ子装着部に接着剤などで接着固定した際、接着剤の膜厚の不均一性が影響して入れ子（３５）に不均一な応力が残るため、成形品の表面にうねりが生じたり、射出された溶融樹脂の圧力によって入れ子（３５）が破損する虞がある。一方、入れ子（３５）の厚さが５ｍｍを越えた場合、入れ子による断熱効果が大きくなり過ぎるため、キャビティ（３０）内の樹脂の冷却が進行せず、成形サイクルが長くなる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
また、本発明においては、成形時の樹脂の流動性を高め且つ入れ子（３５）の耐久性を高めるため、図４に例示する様に、キャビティ側の入れ子（３５）の表面に厚さが０．０１〜０．４ｍｍの金属膜（３６）が設けられていてもよい。金属膜（３６）は、Ｃｒ、Ｃｒ化合物、Ｃｕ、Ｃｕ化合物、Ｎｉ及びＮｉ化合物の群から選択される少なくとも１種類の材料から成る。Ｃｒ化合物としては、ニッケル−クロム合金が挙げられ、Ｃｕ化合物としては、銅−亜鉛合金、銅−カドミウム合金、銅−錫合金を挙げられる。また、Ｎｉ化合物としては、ニッケル−鉄合金、ニッケル−コバルト合金、ニッケル−錫合金、ニッケル−リン合金（Ｎｉ−Ｐ系）、ニッケル−鉄−リン合金（Ｎｉ−Ｆｅ−Ｐ系）、ニッケル−コバルト−リン合金（Ｎｉ−Ｃｏ−Ｐ系）を挙げられる。構成材料は、必要とされる耐擦傷性や厚さを考慮して決定される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
【表１】
2004047669.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月13日(2005.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光半導体素子を内部に収納し、底部に外方に突出する突起を有するパッケージと、
前記パッケージの側面から外方に突出し、少なくともそれぞれの端部が水平に延在して互いに平行な第一および第二のＲＦ用導体線と、
前記突起の中心は、前記第一および第二のＲＦ用導体線のそれぞれの端部の軸線の延長線の間から伝送損失が許容できる範囲に位置する光モジュール。
【請求項２】
前記突起は円柱形状である請求項１に記載の光モジュール。
【請求項３】
発熱素子と、
上部に前記発熱素子を載置するキャリアと、
前記発熱素子およびキャリアの一部を内部に収納し、底部に貫通穴を有するパッケージと、を備え、
前記キャリアは、その下部を前記貫通穴から外側に突出してパッケージに載置される光モジュール。
【請求項４】
発熱素子と、
上部に前記発熱素子を載置し、前記発熱素子を冷却する電子冷却素子と、
前記発熱素子および電子冷却素子の一部を内部に収納し、底部に貫通穴を有するパッケージと、
前記電子冷却素子は、その下部を前記貫通穴から外側に突出してパッケージに載置される光モジュール。
【請求項５】
前記パッケージの側面から外方に突出し、少なくともそれぞれの端部が水平に延在して互いに平行な第一および第二のＲＦ用導体線と、を備え、
前記貫通穴の中心は、前記第一および第二のＲＦ用導体線のそれぞれの端部の軸線の延長線の間から伝送損失が許容できる範囲に位置する請求項３または請求項４に記載の光モジュール。
【請求項６】
内部に光半導体素子を収納した光モジュールを搭載するための光モジュール搭載用基板において、
前記光モジュールに電気的に接続されることになる接続端部をそれぞれ有する複数の信号線路と、
前記信号線路の前記接続端部の近傍に配置され、前記光モジュールを搭載することになるモジュール搭載領域部と、を備え、
前記モジュール搭載領域部は、光モジュールを位置決めする位置決め穴を有する光モジュール搭載用基板。
【請求項７】
前記複数の信号線路は、少なくともそれぞれの端部が互いに平行な第一および第二のＲＦ用信号線路を含み、
前記穴の中心は、前記第一および第二のＲＦ用信号線路のそれぞれ前記端部の軸線の延長線の間から伝送損失が許容できる範囲に位置する請求項６に記載の光モジュール搭載用基板。
【請求項８】
光半導体素子を内部に収納した光モジュールおよび該光モジュールを搭載する基板を備えた光モジュール基板ユニットにおいて、
前記光モジュールは、
底部に外方に突出する突起部と、
少なくともそれぞれの端部が水平に延在して互いに平行な第一および第二のＲＦ用導体線と、を備え、
前記突起部の中心は、前記第一および第二のＲＦ用導体線のそれぞれの端部の軸線の延長線の間に位置し、
前記基板は、前記突起に係合する穴を有する光モジュール基板ユニット。
【請求項９】
前記突起と前記穴の間に配置された導電性部材を備え、
前記突起の表面および前記穴の表面は、共にグランドとして形成された請求項８に記載の光モジュール基板ユニット。
【請求項１０】
前記突起と前記穴の間に配置された放熱シートを備え、
前記突起および穴は光半導体素子の放熱経路として形成された請求項８に記載の光モジュール基板ユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
第１の発明は、光半導体素子を内部に収納し、底部に外方に突出する突起を有するパッケージと、前記パッケージの側面から外方に突出し、少なくともそれぞれの端部が水平に延在して互いに平行な第一および第二のＲＦ用導体線と、前記突起の中心は、前記第一および第二のＲＦ用導体線のそれぞれの端部の軸線の延長線の間から伝送損失が許容できる範囲に位置する光モジュールである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
前記パッケージの側面から外方に突出し、少なくともそれぞれの端部が水平に延在して互いに平行な第一および第二のＲＦ用導体線と、を備え、前記貫通穴の中心は、前記第一および第二のＲＦ用導体線のそれぞれの端部の軸線の延長線の間から伝送損失が許容できる範囲に位置してもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
前記複数の信号線路は、少なくともそれぞれの端部が互いに平行な第一および第二のＲＦ用信号線路を含み、  前記穴の中心は、前記第一および第二のＲＦ用信号線路のそれぞれ前記端部の軸線の延長線の間から伝送損失が許容できる範囲に位置してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月9日(2004.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンディング対象を保持する載物テーブルと、
ボンディングワイヤを挿通するキャピラリを先端に有するキャピラリ保持体と、
前記キャピラリ保持体を保持する保持体ホルダと、
前記保持体ホルダを前記載物テーブルの上面に対し相対的に移動駆動し、前記キャピラリを前記載物テーブルに接離可能に移動させるホルダアクチュエータと、
前記保持体ホルダと前記キャピラリ保持体との間に設けられ、前記キャピラリ保持体を前記保持体ホルダに対し相対的に移動駆動する保持体アクチュエータと、
を備え、
前記保持体アクチュエータは、前記ホルダアクチュエータによる前記キャピラリと前記載物テーブル上面との間の近接に基づいて、前記キャピラリを上方に移動させることを特徴とするワイヤボンディング装置。
【請求項２】
請求項１に記載のワイヤボンディング装置において、
前記キャピラリの前記載物テーブル上面に対する接触により、前記キャピラリが前記載物テーブル上面から受ける衝撃を検知して検知信号を出力する衝撃検知センサと、
前記検知信号に基づいて、前記保持体アクチュエータの駆動を制御する制御手段と、
を備えることを特徴とするワイヤボンディング装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のワイヤボンディング装置において、
前記キャピラリ保持体は、前記載物テーブルの上面に沿い延伸し、その先端に前記載物テーブルの上面に向かって垂下して設けられるキャピラリを有しており、
前記保持体アクチュエータは、前記キャピラリ保持体にその延伸方向に離隔して設けられた一対の保持体側取付位置と、その保持体側取付位置に対応して前記保持体ホルダに設けられたホルダ側取付位置との間に取付けられた一対の相補動作型伸縮駆動素子を含み、
前記一対の相補動作型伸縮駆動素子は、一方の素子が伸長動作するとき他方が収縮動作をすることを特徴とするワイヤボンディング装置。
【請求項４】
請求項３に記載のワイヤボンディング装置において、
前記一対の相補動作型伸縮駆動素子は、
一方の素子の保持体側取付位置から、その保持体側取付位置に印加される伸縮駆動力の方向に対して直交する方向に延ばした第１の法線と、
他方の素子の保持体側取付位置から、その保持体側取付位置に印加される伸縮駆動力の方向に対して直交する方向に延ばした第２の法線と、
が交わる法線交点が載物テーブルの上面に対応する位置にくるように配置され、
前記保持体アクチュエータは、前記法線交点を揺動中心として、前記キャピラリ保持体を前記揺動中心の周りに揺動駆動することを特徴とするワイヤボンディング装置。
【請求項５】
請求項４に記載のワイヤボンディング装置において、
前記揺動中心は、前記キャピラリ保持体の重心位置と前記キャピラリが設けられる位置との間の位置に設けられることを特徴とするワイヤボンディング装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５に記載のワイヤボンディング装置において、
前記保持体アクチュエータは圧電素子であることを特徴とするワイヤボンディング装置。
【請求項７】
請求項６に記載のワイヤボンディング装置において、
前記圧電素子は、前記保持体ホルダに対する前記キャピラリ保持体の相対的な移動駆動を行っていない場合において、前記キャピラリが前記載物テーブル上面から受ける衝撃を検知して検知信号を出力することを特徴とするワイヤボンディング装置。
【請求項８】
請求項１ないし請求項７に記載のワイヤボンディング装置において、
前記キャピラリ保持体は、超音波トランスデューサであることを特徴とするワイヤボンディング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月27日(2004.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】微細構造体の洗浄方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
微細構造体から残渣を除去するための洗浄方法であって、
二酸化炭素と、残渣除去用洗浄成分と、液状残渣の発生を抑制するための抑制剤と、洗浄成分と抑制剤とを加圧下で流体状の二酸化炭素に溶解させるための相溶化剤とを含む洗浄剤組成物を調製する工程と、
洗浄剤組成物と微細構造体とを接触させることにより微細構造体から残渣を除去する工程とを含むことを特徴とする微細構造体の洗浄方法。
【請求項２】
上記洗浄成分として、テトラアルキルアンモニウムフルオライドを用いるものである請求項１に記載の微細構造体の洗浄方法。
【請求項３】
上記洗浄成分として、テトラメチルアンモニウムフルオライドを用いるものである請求項１または２に記載の微細構造体の洗浄方法。
【請求項４】
上記洗浄成分が洗浄剤組成物中０．００１〜０．１質量％含まれているものである請求項１〜３のいずれかに記載の微細構造体の洗浄方法。
【請求項５】
上記抑制剤が、多価アルコールである請求項１〜４のいずれかに記載の微細構造体の洗浄方法。
【請求項６】
上記多価アルコールが、２価アルコールである請求項５に記載の微細構造体の洗浄方法。
【請求項７】
上記２価アルコールが、プロピレングリコールである請求項６に記載の微細構造体の洗浄方法。
【請求項８】
微細構造体から残渣を除去するための洗浄方法であって、
二酸化炭素と、残渣除去用洗浄成分と、この洗浄成分を加圧下で流体状の二酸化炭素に溶解させるための相溶化剤とを含む洗浄剤組成物を調製する工程と、
洗浄剤組成物と微細構造体とを接触させることにより微細構造体から残渣を除去する工程と、
その後、２５℃で１気圧での比誘電率が７８以上のリンス成分を含むリンス液で微細構造体をリンスするリンス工程を行うことを特徴とする微細構造体の洗浄方法。
【請求項９】
リンス成分として、水、ホルムアミド、メチルホルムアミド、メチルアセトアミドよりなる群から選択される１種以上の化合物を用いるものである請求項８に記載の微細構造体の洗浄方法。
【請求項１０】
上記洗浄剤組成物に、液状残渣の発生を抑制するための抑制剤が含まれている請求項８または９に記載の微細構造体の洗浄方法。
【請求項１１】
上記洗浄成分として、テトラアルキルアンモニウムフルオライドを用いるものである請求項８〜１０のいずれかに記載の微細構造体の洗浄方法。
【請求項１２】
上記洗浄成分として、テトラメチルアンモニウムフルオライドを用いるものである請求項８〜１１のいずれかに記載の微細構造体の洗浄方法。
【請求項１３】
上記洗浄成分が洗浄剤組成物中０．００１〜０．１質量％含まれているものである請求項８〜１２のいずれかに記載の微細構造体の洗浄方法。
【請求項１４】
上記抑制剤が、多価アルコールである請求項１０に記載の微細構造体の洗浄方法。
【請求項１５】
上記多価アルコールが、２価アルコールである請求項１４に記載の微細構造体の洗浄方法。
【請求項１６】
上記２価アルコールが、プロピレングリコールである請求項１５に記載の微細構造体の洗浄方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面が微細な構造である構造体（微細構造体）から残渣を除去するための洗浄方法に関し、特に、半導体製造プロセス中で生成する残存レジスト等の残渣を、微細な凹凸部を有する半導体ウエハ表面から除去するために有用な洗浄方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明では、Ｌｏｗ−ｋ膜に対して重大なダメージを与えない新規で効果的な洗浄方法を提供することを目的としている。すなわち、本発明は、Ｌｏｗ−ｋ膜に対して重大なダメージを与えずに、微細構造体の表面から残渣を効率よく除去するための洗浄方法を提供することを課題とした。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
なお、表中の略語は、以下の意味である。
ＴＭＡＦ：テトラメチルアンモニウムフルオライド
ＥＧ：エチレングリコール
ＰＧ：プロピレングリコール
ＥｔＯＨ：エタノール
ＤＭＡＣ：ジメチルアセトアミド
ＤＩＷ：脱イオン水
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
なお、表中の略語は、以下の意味である。
ＴＭＡＦ：テトラメチルアンモニウムフルオライド
ＥＧ：エチレングリコール
ＰＧ：プロピレングリコール
ＥｔＯＨ：エタノール
ＤＭＡＣ：ジメチルアセトアミド（ε＝３９）
ＤＩＷ：脱イオン水
ＤＭＦ：ジメチルホルムアミド（ε＝３６．２）
ＭｅＯＨ：メタノール（ε＝４２）
Ａｃｅｔｏｎｅ：アセトン（ε＝２１）
Ｈ2Ｏ：水（ε＝７８）
ＦＡ：ホルムアミド（ε＝１１１）
ＭＦ：メチルホルムアミド（ε＝１８２）
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月19日(2005.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
吸着装置の吸着力をｆ、基板と吸着装置との間の距離ｄとした場合の両者の関係は下記式（１）
式（１）……ｆ∝１／ｄ2
で表され、距離が離れると２乗分の１の割合で吸着力が小さくなることを示している。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月12日(2004.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
融点または熱分解温度が２５０℃以上で、少なくとも一部が繊維径１μｍ以下にフィブリル化された高分子、およびイオン交換能物を含有する不織布からなることを特徴とするキャパシタ用セパレーター。
【請求項２】
高分子が、パラ系全芳香族ポリアミドであることを特徴とする請求項１記載のキャパシタ用セパレーター。
【請求項３】
イオン交換能物の少なくとも一部がフィブリル化されてなることを特徴とする請求項１、又は２の何れかに記載のキャパシタ用セパレーター。
【請求項４】
不織布が、繊度３．３ｄｔｅｘ以下の熱融着性繊維を含有し、該繊維が熱融着してなることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載のキャパシタ用セパレーター。
【請求項５】
不織布が、フィブリル化セルロースを含有することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のキャパシタ用セパレーター。
【請求項６】
不織布が、バクテリアセルロースを含有することを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のキャパシタ用セパレーター。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
実施例３
イオン交換能物溶液１の代わりにイオン交換能物溶液３を含浸した以外は、実施例１と同様にして坪量１８ｇ／ｍ2、厚み４５μｍ、Ｎａ−カルボキシメチルセルロースが４．２％付着した不織布を作製し、これをキャパシタ用セパレーター３とした。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月27日(2005.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体内に取付けられた発熱素子と、この発熱素子に接続された受熱ジャケットと、外界との熱交換を行う第１の熱交換器と、前記受熱ジャケットに液媒体を供給する液駆動手段とを備え、前記受熱手段、前記第１の熱交換器、駅駆動手段を接続する配管の一部が樹脂製のフレキシブルチューブとなった電子機器の冷却装置において、
前記配管の一部に第２の熱交換器とイオン交換器を設け、このイオン交換器は予め腐食抑制剤を吸着させたものであって、前記液媒体は腐食抑制剤が添加されていることを特徴とする電子機器の冷却装置。
【請求項２】
請求項１記載の電子機器の冷却装置において、
前記受熱ジャケットがアルミニウム系材料、前記第２の熱交換器が銅系材料、前記液媒体が不凍液若しくは純水であって、この液媒体に銅系材料用の腐食抑制剤が添加されていることを特徴とする電子機器の冷却装置。
【請求項３】
第１の筐体内に取付けられた発熱素子と、この発熱素子に接続され前記第１の筐体内に取付けられた受熱ジャケットと、前記第１の筐体に回転支持された第２の筐体と、この第２の筐体内に取付けられ外界との熱交換を行う第１の熱交換器と、前記受熱ジャケットに液媒体を供給する液駆動手段とを備え、前記受熱手段、前記第１の熱交換器、駅駆動手段を接続する配管の一部が樹脂製のフレキシブルチューブとなった電子機器の冷却装置において、  前記配管の一部に第２の熱交換器とイオン交換器を設け、前記第２の筐体は前記第２の筐体内に収納され、前記イオン交換器は前記第２の筐体内に収納されたことを特徴とする電子機器の冷却装置。
【請求項４】
請求項３記載の電子機器の冷却装置において、
前記第２の熱交換器はファンによって冷却されることを特徴とする電子機器の冷却装置。
【請求項５】
請求項４記載の電子機器の冷却装置において、
前記イオン交換器は予め腐食抑制剤を吸着させたものであって、前記液媒体は腐食抑制剤が添加されていることを特徴とする電子機器の冷却装置。
【請求項６】
請求項４記載の電子機器の冷却装置において、
前記第２の筐体には液晶パネルからなる表示装置が設けられ、前記イオン交換器は前記液晶パネルの裏面に設けられていることを特徴とする電子機器の冷却装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月27日(2005.6.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱素子を取付けた第１の筐体と、この第１の筐体に複数のヒンジで回転支持され表示器を有する第２の筐体とを備えた電子装置において、
前記発熱素子に接続された受熱ジャケットと、前記第２の筐体内に取付けられた放熱パイプと、この放熱パイプに取付けられた放熱板と、この放熱板に取付けられたタンクと、前記第１の筐体内に取付けられ前記タンク内の液体を前記受熱ジャケットに移送する液駆動手段とを備え、前記受熱ジャケットと前記放熱パイプと前記タンクと前記液駆動手段を接続する配管のうち前記ヒンジを通す配管がフレキシブルチューブで接続されてなり、
前記複数のヒンジは、前記タンクの出口側配管と前記受熱ジャケットとを接続するフレキシブルチューブと前記液駆動手段と前記タンク入口側配管を接続するフレキシブルチューブを通す第１のヒンジと、前記表示器からの電線を通す第２のヒンジであることを特徴とする電子装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、発熱素子を取付けた第１の筐体と、この第１の筐体に複数のヒンジで回転支持され表示器を有する第２の筐体とを備えた電子装置において、前記発熱素子に接続された受熱ジャケットと、前記第２の筐体内に取付けられた放熱パイプと、この放熱パイプに取付けられた放熱板と、この放熱板に取付けられたタンクと、前記第１の筐体内に取付けられ前記タンク内の液体を前記受熱ジャケットに移送する液駆動手段とを備え、前記受熱ジャケットと前記放熱パイプと前記タンクと前記液駆動手段を接続する配管のうち前記ヒンジを通す配管がフレキシブルチューブで接続されてなり、前記複数のヒンジは、前記タンクの出口側配管と前記受熱ジャケットとを接続するフレキシブルチューブと前記液駆動手段と前記タンク入口側配管を接続するフレキシブルチューブを通す第１のヒンジと、前記表示器からの電線を通す第２のヒンジであることにより達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月1日(2004.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップ内に配設された複数の入出力スロットの一部に、電源セルを配置する電源セル配置部と、
前記複数の入出力スロットの他の一部に、入出力信号セルを配置する入出力信号セル配置部と、
前記複数の入出力スロットと前記半導体チップ上に配設された複数のバンプとの間を接続する第１の接続ネットを生成する第１の接続ネット生成部と、
前記複数のバンプとパッケージ基体上に配設された複数の外部電極との間を接続する第２の接続ネットを生成する第２の接続ネット生成部と、
前記電源セル、前記入出力信号セル、及び前記第１及び第２の接続ネットが、所定の設計ルールに違反しているか否かを検証する検証部と
を有することを特徴とする半導体装置の接続端子設計装置。
【請求項２】
前記第１の接続ネット生成部は、前記電源セル又は前記入出力信号セルが配置された前記複数の入出力スロットと前記複数のバンプとの間を接続する前記第１の接続ネットを生成し、
前記第２の接続ネット生成部は、前記第１の接続ネットによって前記複数の入出力スロットに接続された前記複数のバンプと前記複数の外部電極との間を接続する前記第２の接続ネットを生成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の接続端子設計装置。
【請求項３】
前記電源セル配置部は、前記電源セルの数及び配置位置に関する電源セル配置ルールに従って、前記電源セルを配置し、
前記入出力信号セル配置部は、前記入出力信号セルの大きさ及び配置禁止領域に関する入出力信号セル配置ルールに従って、前記入出力信号セルを配置し、
前記第１及び第２の接続ネット生成部は、等長配線の要求、ペア配線の要求、接続ネット同士が交差する数の制限、及び最大配線長に関する接続ピン配置ルールに従って、前記第１及び第２の接続ネットをそれぞれ生成する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の接続端子設計装置。
【請求項４】
半導体チップ内に配設された複数の入出力スロットの一部に電源セルを配置し、
前記複数の入出力スロットの他の一部に入出力信号セルを配置し、
前記複数の入出力スロットと前記半導体チップ上に配設された複数のバンプとの間を接続する第１の接続ネットを生成し、
前記複数のバンプとパッケージ基体上に配設された複数の外部電極との間を接続する第２の接続ネットを生成し、
前記電源セル、前記入出力信号セル、及び前記第１及び第２の接続ネットが、所定の設計ルールに違反しているか否かを検証する
ことを特徴とする半導体装置の接続端子設計方法。
【請求項５】
コンピュータに、
半導体チップ内に配設された複数の入出力スロットの一部に電源セルを配置し、
前記複数の入出力スロットの他の一部に入出力信号セルを配置し、
前記複数の入出力スロットと前記半導体チップ上に配設された複数のバンプとの間を接続する第１の接続ネットを生成し、
前記複数のバンプとパッケージ基体上に配設された複数の外部電極との間を接続する第２の接続ネットを生成し、
前記電源セル、前記入出力信号セル、及び前記第１及び第２の接続ネットが、所定の設計ルールに違反しているか否かを検証する
ことを実行させることを特徴とする半導体装置の接続端子設計プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月31日(2005.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
しかしながら、例えば、１０Ｇｂ／ｓ以上の変調信号の伝送を行う際に、図２０に示すようにＬＤモジュールの光出力波形が顕著に劣化する。同図に示す波形から分かるように、中央部の左上付近（図中Ｗ１に示す立ち上がりの部分）ではアイマスク規定に対する余裕があるが、中央部の右上付近（図中Ｗ２に示す立ち上がりの部分）ではアイマスクマージンが極めて小さくなり、アイマスク規定に対する余裕が全くなくなっている。したがって、例えば周囲温度が上昇すれば光半導体の緩和振動周波数が下がり、信号波形が中央部の右上のアイマスクを満足できないという問題が発生する。