(57)【要約】【課題】近接場光を用いて情報記録する際に、トラックピッチ方向においても高密度で記録が可能となる記録再生装置及び記録再生システムを提供する。【解決手段】光源と、所定間隔で対向して配置された２つの導電体部を有し、光源からの光照射により２つの導電体部間に近接場光を発生させる近接場光発生部とを備える記録再生装置を提供する。そして、近接場光を用いて記録媒体に情報記録を行う際に、２つの導電体部の対向方向が記録媒体の線方向と略直交するように２つの導電体部を配置する。【選択図】図６
2010146662.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
所定間隔で対向して配置された２つの導電体部を有し、前記光源からの光照射により前記２つの導電体部間に近接場光を発生し、該近接場光を用いて記録媒体に情報記録を行う際に前記２つの導電体部の対向方向が前記記録媒体の線方向と略直交するように前記２つの導電体部が配置されている近接場光発生部と
を備える記録再生装置。
【請求項２】
前記２つの導電体部の互いに対向する部分が凸状である
請求項１に記載の記録再生装置。
【請求項３】
前記記録媒体が、隣り合う記録トラックが互いに分離している記録媒体である
請求項１に記載の記録再生装置。
【請求項４】
前記記録媒体が、記録マーク領域が所定のパターンで分離している記録媒体である
請求項１に記載の記録再生装置。
【請求項５】
隣り合うトラック間の前記記録マーク領域の中心位置が、前記線方向に直交する方向において互いにずれている
請求項４に記載の記録再生装置。
【請求項６】
前記記録媒体の記録層が連続膜である
請求項１に記載の記録再生装置。
【請求項７】
前記近接場光を前記記録媒体に照射する際の前記導電体部と前記記録媒体の情報記録面との距離をｚとし、前記２つの導電体部間の所定間隔をｇとしたとき、両者の間に、
ｇ＝２１／２・ｚ
の関係が略成立する
請求項１に記載の記録再生装置。
【請求項８】
記録媒体と、
光源と、
所定間隔で対向して配置された２つの導電体部を有し、前記光源からの光照射により前記２つの導電体部間に近接場光を発生し、該近接場光を用いて記録媒体に情報記録を行う際に前記２つの導電体部の対向方向が前記記録媒体の線方向と略直交するように前記２つの導電体部が配置されている近接場光発生部と
を備える記録再生システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録再生装置及び記録再生システムに関し、より詳細には、近接場光を用いた記録再生装置及び記録再生システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報記録媒体へのさらなる高密度記録を実現するため、記録光に近接場光を利用する技術が提案されている。近接場光を用いると、光の回折限界を超えた微小な光スポットを実現することができるので、例えば、近接場光を用いた熱アシスト磁気記録技術は、次世代高密度磁気記録の有望な技術として注目されている。また、光磁気記録膜や相変化記録膜を用いる情報記録媒体への近接場光の適用も種々提案されている。
【０００３】
近接場光を発生させる手法の一つとして、導電体に光を照射した際に発生する表面プラズモン共鳴現象を用いる方法がある。この方法では、例えば、透明基板上に形成された直方体状の導電体に光を照射する際に光の偏光方向を導電体の長手方向に合わせると、照射光の電界によって導電体内に電荷の偏りが生じる。この電荷の偏りの振動が表面プラズモンであり、表面プラズモンの共鳴波長と照射光の波長が一致すると表面プラズモン共鳴と呼ばれる共振状態が発生する。この場合、導電体はその長手方向に強く分極した電気双極子となる。導電体が電気双極子となるとその長手方向の両端近傍に大きな電磁界が生じ、近接場光が発生する。
【０００４】
従来、上述した導電体の表面プラズモン共鳴現象を利用して近接場光を発生し、その近接場光を用いてサーボ信号を記録する技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。図２４に、特許文献１で提案されている浮上ヘッドの導電体付近の構成を示す。特許文献１の浮上ヘッド１００では、磁気ディスクと対向する面１０１に磁界を発生する導体層１０２を設け、その導体層１０２の電流の印加方向に沿った幅の一部を狭窄して一対の狭窄部１０３を形成する。
【０００５】
特許文献１では、導体層１０２の電流を印加して磁界を発生した状態で、一対の狭窄部１０３に光を照射する。これにより、狭窄部１０３に近接場光を発生させ、一対の狭窄部１０３において磁界と近接場光とにより一対のサーボ信号を記録する。特許文献１で提案されている技術では、このようにして、幅の狭い一対のサーボ信号を記録して、高トラックピッチ化を図っている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−３３４９８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近接場光による光記録方式や近接場光を利用した熱アシスト磁気記録方式において、情報をさらに高密度記録するためには、記録媒体の線方向（トラック方向）とそれに直交する方向（トラックピッチ方向）の両方において高密度記録を達成する必要がある。
【０００８】
一般に、光により記録媒体に直接情報記録を行った場合には、形成される記録マークは、光のスポット形状に対して、線方向に縮まることが知られており、線方向に記録密度を増大させることは比較的容易である。また、熱アシストによる磁気記録方式では、近接場光のスポットサイズを小さくすること以外に、印加磁界の高分解能化や、パルス発光を用いたピットオーバーラップ書き込み方式等の技術を利用することにより、線方向の記録密度を増大させることができる。
【０００９】
それに対して、トラックピッチ方向に関しては、上述した光記録方式及び熱アシスト磁気記録方式ともに、情報記録時に隣接する記録トラックまで加熱され、隣接トラックに記録済みの記録マークが消えてしまう問題、すなわち、クロスイレーズの問題がある。それゆえ、この問題を解決して、トラックピッチ方向に記録密度を増大させるには、隣接トラックを極力加熱しないように近接場光のスポットをさらに絞る必要がある。
【００１０】
本発明は、上記問題を鑑みて、トラックピッチ方向において高密度記録が可能となる近接場光を用いた記録再生装置及び記録再生システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記問題を解決するために、本発明の記録再生装置は、光源と、所定間隔で対向して配置された２つの導電体部を有し、光源からの光照射により２つの導電体部間に近接場光を発生させる近接場光発生部とを備える構成とした。そして、近接場光を用いて記録媒体に情報記録を行う際に２つの導電体部の対向方向が記録媒体の線方向と略直交するように２つの導電体部を配置した。なお、本明細書でいう、一対の導電体部の対向方向と記録媒体の線方向とが「略直交する」とは、両者が完全に直交する場合だけでなく、製造ばらつき等により完全直交からずれる場合も含む意味である。
【００１２】
また、本発明の記録再生システムは、記録媒体と、光源と、所定間隔で対向して配置された２つの導電体部を有し、光源からの光照射により２つの導電体部間に近接場光を発生させる近接場光発生部とを備える構成とした。そして、近接場光を用いて記録媒体に情報記録を行う際に２つの導電体部の対向方向が記録媒体の線方向と略直交するように２つの導電体部を配置した。
【００１３】
本発明では、上述のように、情報記録時に、近接場光を発生する２つの導電体部の対向方向を記録媒体の線方向と略直交するように、２つの導電体部を配置する。このような配置では、記録媒体の線方向と直交する方向に配置された２つの導電体部により、記録媒体の線方向と直交する方向における近接場光のスポットの広がりが抑制される。それゆえ、隣接トラックは加熱され難くなり、隣接トラックのクロスイレーズを防止することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明では、近接場光を発生する２つの導電体部の対向方向を記録媒体の線方向と略直交するように２つの導電体部を配置することにより、記録媒体の隣接トラックのクロスイレーズを防止することができる。それゆえ、本発明によれば、記録媒体の線方向と直交する方向（トラックピッチ方向）に高密度記録が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下に、本発明の実施形態に係る記録再生装置及び記録再生システムの構成例を、図面を参照しながら以下の順で説明する。なお、本発明は以下の例に限定されるものではない。
１．第１の実施形態：基本構成例
２．変形例１：近接場光発生部の変形例
３．変形例２：記録媒体の変形例
４．変形例３：記録再生装置の変形例
５．第２の実施形態：記録媒体と近接場光発生部との間隔を最適化した構成例
【００１６】
＜１．第１の実施形態＞
［近接場光生成の構成］
図１に、本発明の第１の実施形態に係る記録再生装置の近接場光を生成する部分（以下、近接場光生成部という）の一例の概略構成を示す。なお、本実施形態の記録再生装置は、近接場光を用いた光記録方式の装置、または、熱アシスト磁気記録方式の装置である。近接場光生成部１０は、主に、光源１と、コリメータレンズ２と、集光レンズ３と、近接場光発生部４とを備える。
【００１７】
光源１は、所定方向に偏光した光（以下、伝播光という）を射出する。なお、本実施形態では、図１に示すように、伝播光Ｌｐの偏光方向Ｐは、後述する一対の導電体６が対向する方向（図１中のＸ方向）と平行とする。また、光源１から出射される伝播光Ｌｐの波長としては、後述する一対の導電体６間に近接場光を発生できる波長であれば任意の波長を用いることができる。例えば、波長７８０ｎｍなどの光を用いることができる。
【００１８】
コリメータレンズ２は、光源１から出射された伝播光Ｌｐを平行光にする。また、集光レンズ３は、近接場光発生部４に所定のスポットサイズＳの伝播光Ｌｐが照射されるように平行光を集光する。
【００１９】
図２に、近接場光発生部４の概略構成を示す。なお、図２（ａ）は近接場光発生部４の上面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）中のＡ−Ａ断面図である。近接場光発生部４は、基体５と、その一方の表面に形成された２つの導電体６とで構成される。光源１からの伝播光Ｌｐは、基体５の導電体６が形成されていない側の表面から入射される。
【００２０】
基体５は、板状の光透過性部材で形成される。基体５の形成材料としては、使用波長において光透過性を有する材料を用いる。例えば、基体５の形成材料としては、使用波長帯域で透過率が７０％以上程度となる材料を用いることが望ましい。より具体的には、基体５の形成材料として、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ等のＩＶ属半導体、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＩｎＳｂ、ＧａＳｂ、ＡｌＮに代表されるＩＩＩ−Ｖ属化合物半導体などが適用可能である。また、基体５の形成材料として、例えば、ＺｎＴｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＺｎＯ等のＩＩ−ＶＩ属化合物半導体なども適用可能である。さらに、基体５の形成材料としては、例えば、ＺｎＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＣｒＯ２、ＣｅＯ２等の酸化物絶縁体、ＳｉＮなどの窒化物絶縁体、プラスチックなどが適用可能である。
【００２１】
２つの導電体６（導電体部）は、共に表面が三角形状の金属膜で形成される。なお、図２の例では、両者の形状は同じとするが、製造上のばらつき等により、例えば先端の角度、その対辺の幅Ｗ、あるいは偏光方向Ｐに沿う長さＬ等が僅かに異なる形状であってもよい。また、一対の導電体６は、一方の導電体６の所定の角部の先端と、それに対応する他方の導電体６の角部の先端とが対向するように配置される。そして、両者の先端同士が伝播光Ｌｐの偏光方向Ｐと一致する方向（図１中のＸ方向）に、所定間隔ｇ（以下、ギャップの大きさともいう）で離間して配置される。すなわち、一対の導電体６はボウタイ型に配置される。このように一対の導電体６の凸状の部分を互いに対向するように配置することにより、一対の導電体６間に近接場光が発生し易くなる。なお、このような導電体６の配置形態は、例えば、近接場光を用いて熱アシスト磁気記録を行う際の配置形態の一つとして用いることができる。
【００２２】
なお、２つの導電体６間のギャップの大きさｇは、伝播光Ｌｐの波長より十分小さくする。また、本実施形態では、ギャップの大きさｇは、記録媒体のトラックピッチ以下に設定する。さらに、ギャップの大きさｇは、光源１から伝播光Ｌｐが２つの導電体６間に照射された際に、２つの導電体６間に十分な強度の近接場光が発生し且つ近接場光のスポット径が目的とする情報記録に適切な範囲となるように適宜調整される。
【００２３】
また、本実施形態では、一対の導電体６を基体５の一方の表面に埋め込んで形成し、導電体６の表面と基体５の表面とが面一になるように形成する（図２（ｂ）参照）。このような構成の近接場光発生部４の作製方法としては、例えば、次のような方法が挙げられる。まず、導電体６の形成位置に、その厚さｔに対応する深さの凹部が形成された基体５を用意する。次いで、凹部側の表面に金属膜を形成する。そして、凹部以外の基体５の表面が露出するまで金属膜を研磨する。ただし、本発明はこれに限定されない。平坦な基体５の表面に所定形状の一対の導電体６（金属膜）を形成してもよい。
【００２４】
導電体６の形成材料としては、金属（例えばＡｕ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｗ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｍｇ、Ｃｒ）、半導体（例えばＳｉ、ＧａＡｓ）、カーボンナノチューブなどの導電性の良好な材料であれば任意の材料を適用することができる。
【００２５】
［近接場光の発生動作及び近接場光の強度分布］
本実施形態における近接場光の発生動作は次の通りである。まず、光源１から所定波長の伝播光Ｌｐが射出される。伝播光Ｌｐは、コリメータレンズ２及び集光レンズ３を介して、近接場光発生部４の一対の導電体６間に集光される。この際、伝播光Ｌｐの偏光方向Ｐと一対の導電体６間の対向方向が一致しているので、一対の導電体６間の表面に電荷が誘起され、一対の導電体６の先端間を繋ぐように電界、すなわち、近接場光が発生する。本実施形態では、この近接場光を情報記録時に記録媒体に照射する光として用いる。
【００２６】
本実施形態では、上述のように一対の導電体６間の表面に電荷を誘起して、その電荷を結ぶように電界（＝近接場光）を発生させるので、一対の導電体６間のギャップの大きさｇにより近接場光のサイズを制御することができる。すなわち、一対の導電体６間のギャップの大きさｇを小さくすることにより、近接場光のスポットサイズを比較的容易に小さくすることができる。なお、一対の導電体６の対向方向と直交する方向（図１及び２中のＹ方向）における近接場光のサイズは、一対の導電体６間のギャップの大きさｇに対応して変化するが、Ｙ方向に近接場光の広がりを抑制するものが無いので、Ｘ方向のサイズより大きくなる。
【００２７】
情報記録時における上述した近接場光の広がり状態及び光強度分布を、ＦＤＴＤ（Finite Difference Time Domain：有限差分時間領域）法によるシミュレーション解析で調べた。
【００２８】
図３（ａ）に、シミュレーション解析の条件（材料及び寸法）を示す。このシミュレーション解析では、基体５をＳｉＯ２で形成し、導電体６をＡｕで形成するものとする。また、各導電体６の幅Ｗは４４０ｎｍとし、長さＬは２２０ｎｍとし、厚さｔは１００ｎｍとし、そして、一対の導電体６間のギャップの大きさｇは１２ｎｍとする（図２も参照）。なお、この例では、基体５の導電体６が形成されている面上の一対の導電体６間の中間位置をＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸の座標の原点とする。
【００２９】
また、このシミュレーション解析では、Ｚ軸の負の方向から、Ｘ方向に直線偏光された波長７８０ｎｍの伝播光Ｌｐを近接場光発生部４に照射し、記録媒体の情報記録面が、空気層を挟んでＺ＝＋７ｎｍの位置に配置されているものとする。記録媒体の誘電率の絶対値は、空気のそれもよりも十分大きいので、マクスウェル方程式の境界条件から、記録媒体に入り込む電界のＺ方向成分は非常に小さくなる。それゆえ、シミュレーション解析では、Ｚ＝＋７ｎｍにおける電界のＸ方向成分及びＹ方向成分のみに着目する。なお、このシミュレーションで設定した導電体６と情報記録面との距離（７ｎｍ）は、近接場光を用いて情報記録を行う際、現在想定される典型的な値の一つである。
【００３０】
図３（ｂ）に、シミュレーション解析の結果を示す。図３（ｂ）中の実線は、電界強度のＸ方向成分｜Ｅｘ｜２の分布を示しており、同じ電界強度となる位置を繋いだもの、すなわち、等電界強度線である。この強度分布では、等電界強度線の中央に近づくほど電界強度｜Ｅｘ｜２は大きくなる。また、図３（ｂ）中の太破線は導電体６の先端部を示す。
【００３１】
図３（ｂ）から明らかなように、電界強度のＸ方向成分｜Ｅｘ｜２の各等電界強度線は、Ｘ方向よりＹ方向に広がっており、等電界強度線間の間隔もＸ方向よりＹ方向の方が広い。このことから、本実施形態の２つの導電体６の形状及び配置形態では、一対の導電体６間に発生する近接場光の有効な光スポットのＸ方向（一対の導電体６の対向方向）のサイズは、Ｙ方向のそれより小さくなることが分かる。
【００３２】
［記録再生装置及び記録再生システムの構成］
図４に、本実施形態の記録再生装置に記録媒体を装着した際の記録再生システムの概略構成例を示す。記録再生装置１１は、主に、浮上スライダヘッド１２と、浮上スライダヘッド１２を支持するサスペンション１３と、記録媒体２０を回転駆動させるスピンドル１４とを備える。なお、記録媒体２０は、スピンドル１４の回転軸１５に固定される。
【００３３】
また、本実施形態では、記録媒体２０は、例えば、ディスク状の媒体であり、その記録層（不図示）は連続膜で形成されているものとする。なお、記録媒体２０としては、例えば、光磁気記録媒体、磁気記録媒体、相変化媒体、色素媒体等を用いることができる。
【００３４】
図５に、本実施形態の記録再生装置１１に記録媒体２０を装着して情報の記録再生を行う際の様子、すなわち、記録再生システムの動作の様子を示す。本実施形態では、記録媒体２０に対して情報記録を行うヘッドとして浮上スライダタイプのヘッドを用いる。浮上スライダヘッド１２のスライダ本体１６は、記録媒体２０と対向して配置される。また、浮上スライダヘッド１２は、記録媒体２０が浮上スライダヘッド１２と相対的に高速移動した際に、サスペンション１３の弾性力により、スライダ本体１６が記録媒体２０に対して所定の浮上量で浮上しながら相対移動するように調整される。例えば、記録媒体２０とスライダ本体１６との間隔が１０ｎｍ以下となるように調整される。
【００３５】
スライダ本体１６には、例えば図１に示すような構成の近接場光生成部１０が搭載され、近接場光発生部４が記録媒体２０と対向するように配置される。この際、近接場光発生部４の一対の導電体６（図５では不図示）が形成されている側の面が記録媒体２０と対向するように配置される。なお、光源１（図５では不図示）には、例えば半導体レーザなどを用い、光源１から出射された光は、導波路等を介して近接場光発生部４の一対の導電体部６間に照射される。これにより、一対の導電体６間に近接場光を発生し、情報記録を行う。
【００３６】
なお、情報再生用のヘッドに関しては、記録媒体が光学的に情報再生を行う媒体である場合には、近接場光発生部４を含む記録ヘッドを再生ヘッドと兼用してもよい（その一例を後述する変形例３で詳述する）し、再生専用のヘッドを別途設けてもよい。また、記録媒体が磁気的に情報再生を行う媒体である場合には、再生専用ヘッドを近接場光発生部４を含む記録ヘッドとは別に設ける。さらに、本実施形態では、情報の記録及び再生が可能な記録再生装置の例を説明したが、本発明はこれに限定されず、図１に示す近接場光生成部１０を備える記録ヘッドを、記録専用の情報記録装置に適用してもよい。
【００３７】
［導電体の配置形態と記録媒体の線方向との関係］
図６に、記録媒体２０の情報記録時における近接場発光部４の一対の導電体６と、記録媒体２０の線方向（トラック方向）との位置関係を示す。なお、図６中の破線は、記録層のトラックの境界部を示している。
【００３８】
本実施形態では、記録媒体２０の情報記録時に、近接場発光部４の一対の導電体６の対向方向（図６中のＸ方向）が、記録媒体２０の線方向（トラック方向：図６中のＹ方向）と略直交するように、一対の導電体６を配置する。このように一対の導電体６を配置すると、図３で説明したように、一対の導電体６の対向方向（図６中のＸ方向）、すなわち、記録媒体２０のトラックピッチ方向への近接場光３０の広がりを抑制することができる。これにより、隣接トラックは近接場光３０により加熱され難くなり、隣接トラックのクロスイレーズを防止することができる。
【００３９】
したがって、本実施形態によれば、簡易な構成で、記録媒体２０のトラックピッチ方向にも高密度記録が可能となる。例えば、本実施形態によれば、トラックピッチを２５ｎｍ程度以下にして、１Ｔ／ｂｉｔ２以上の高密度記録を実現することも可能である。
【００４０】
＜２．変形例１＞
上記第１の実施形態では、近接場光発生部４の一対の導電体６の配置形態がボウタイ型である例を説明したが、本発明はこれに限定されず、例えば用途、仕様、作製容易性等に応じてその配置形態を適宜変更することができる。以下、一対の導電体６の配置形態の変形例を説明する。
【００４１】
［変形例１−１］
図７に、変形例１−１の一対の導電体の配置形態の上面（記録媒体と対向する面）図を示す。変形例１−１の２つの導電体２６（導電体部）の配置形態はいわゆる、ダブルロッド型と呼ばれるものである。変形例１−１の導電体２６の記録媒体と対向する面の形状は、矩形状であり、２つの導電体２６は同じ形状を有する。そして、各導電体２６の一方の短辺部が互いに対向するように配置される。なお、図７の例では、導電体２６の短辺部同士が対向する方向（導電体２６の長辺に沿う方向）をＸ方向とし、それに直交する方向（導電体２６の短辺に沿う方向）をＹ方向とし、そして、導電体２６の厚さ方向をＺ方向とする。
【００４２】
なお、２つの導電体２６の対向方向は、情報記録時には、記録媒体のトラックピッチ方向と一致するように配置される。また、２つの導電体２６間のギャップの大きさｇは、光源から伝播光Ｌｐが２つの導電体２６間に照射された際に、２つの導電体２６間に十分な強度の近接場光が発生し且つ近接場光のスポット径が目的とする情報記録に適切な範囲となるように調整される。
【００４３】
ここで、変形例１−１の構成においても、第１の実施形態と同様に、一対の導電体２６間に発生する近接場光３０の広がり状態及び光強度分布を、ＦＤＴＤ法によるシミュレーション解析で調べた。
【００４４】
図８（ａ）に、シミュレーション解析の条件（材料及び寸法）を示す。このシミュレーション解析では、基体２５をＳｉＯ２で形成し、導電体２６をＡｕで形成するものとする。また、各導電体２６の幅は２０ｎｍとし、長さは６０ｎｍとし、厚さは５０ｎｍとし、そして、一対の導電体２６間のギャップの大きさｇは１２ｎｍとする。これ以外のシミュレーション条件は第１の実施形態と同様である。また、この例においても、基体２５の導電体２６が形成されている面上の一対の導電体２６間の中間位置をＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸の座標の原点とする。
【００４５】
図８（ｂ）に、シミュレーション解析の結果を示す。図８（ｂ）中の実線は、Ｚ＝＋７ｎｍの位置における電界強度のＸ方向成分｜Ｅｘ｜２の分布を示しており、電界強度が同じ等電界強度線である。この強度分布では、等電界強度線の中央に近づくほど電界強度｜Ｅｘ｜２は大きくなる。また、図８（ｂ）中の太破線は導電体２６の先端部を示す。
【００４６】
図８（ｂ）から明らかなように、変形例１−１の構成においても、電界強度のＸ方向成分｜Ｅｘ｜２の各等電界強度線は、Ｘ方向よりＹ方向に広がっており、等電界強度線間の間隔もＸ方向よりＹ方向の方が広い。このことから、変形例１−１の２つの導電体２６の形状及び配置形態においても、一対の導電体２６間に発生する近接場光の有効な光スポットのＸ方向（一対の導電体６の対向方向）のサイズは、Ｙ方向のそれより小さくなることが分かる。
【００４７】
したがって、変形例１−１においても、記録媒体のトラックピッチ方向への近接場光３０の広がりを抑制することができるので、隣接トラック間のクロスイレーズを防止することができ、記録媒体のトラックピッチ方向にも高密度記録が可能となる。
【００４８】
［変形例１−２］
図９に、変形例１−２の導電体の構成上面（記録媒体と対向する面）図を示す。変形例１−２の導電体３６の構成はいわゆる、ボウタイスロット型と呼ばれるものである。
【００４９】
変形例１−２では、導電体３６の中央に金属膜が形成されない開口部３７を設ける。開口部３７の図９中のＸ方向に対向する２つの辺部は互いに三角状（凸状）に突き出ており且つその対向する辺部はＹ方向に対して対称である。一方、開口部３７のＹ方向に対向する２つの辺部は、ともに直線状であり且つ互いに平行である。すなわち、開口部３７のＸ方向の対向辺部を画成する三角状の２つの導電体部３６ａと、開口部３７のＹ方向の対向辺部を画成し且つ２つの導電体３６ａを繋ぐ２つの導体接続部３６ｂとにより、導電体３６の中央にボウタイ状の開口部３７が画成される。
【００５０】
なお、２つの導電体部３６ａの対向方向は、情報記録時には、記録媒体のトラックピッチ方向と一致する。また、２つの導電体部３６ａ間のギャップの大きさｇは、光源から伝播光Ｌｐが２つの導電体部３６ａ間に照射された際に２つの導電体部３６ａ間に十分な強度の近接場光が発生し、そのスポット径が目的とする情報記録に適切な範囲となるように適宜調整される。
【００５１】
ここで、変形例１−２の構成においても、第１の実施形態と同様に、一対の導電体部３６ａ間に発生する近接場光３０の広がり状態及び光強度分布を、ＦＤＴＤ法によるシミュレーション解析で調べた。
【００５２】
図１０（ａ）に、シミュレーション解析の条件（材料及び寸法）を示す。このシミュレーション解析では、基体３５をＳｉＯ２で形成し、導電体３６をＡｕで形成するものとする。また、ボウタイ状の開口部３７のＸ方向の幅を２００ｎｍとし、開口部３７のＹ方向の幅を２００ｎｍとし、２つの導電体部３６ａ間のギャップの大きさｇは１２ｎｍとし、そして、導電体３６の厚さは１００ｎｍとする。これ以外のシミュレーション条件は第１の実施形態と同様である。また、この例では導電体３６の形成面上において一対の導電体部３６ａ間の中間位置をＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸の座標の原点とする。
【００５３】
図１０（ｂ）に、シミュレーション解析の結果を示す。図１０（ｂ）中の実線は、Ｚ＝＋７ｎｍの位置における電界強度のＸ方向成分｜Ｅｘ｜２の分布を示しており、電界強度が同じ等電界強度線である。この強度分布では、等電界強度線の中央に近づくほど電界強度｜Ｅｘ｜２は大きくなる。また、図１０（ｂ）中の太破線は導電体部３６ａの先端部を示す。
【００５４】
図１０（ｂ）から明らかなように、変形例１−２の構成においても、電界強度のＸ方向成分｜Ｅｘ｜２の各等電界強度線は、Ｘ方向よりＹ方向に広がっており、等電界強度線間の間隔もＸ方向よりＹ方向の方が広い。このことから、変形例１−２の導電体３６をボウタイスロット型にした場合においても、一対の導電体部３６ａ間に発生する近接場光の有効な光スポットのＸ方向のサイズは、Ｙ方向のそれより小さくなることが分かる。
【００５５】
したがって、変形例１−２においても、記録媒体のトラックピッチ方向への近接場光３０の広がりを抑制することができるので、隣接トラック間のクロスイレーズを防止することができ、記録媒体のトラックピッチ方向にも高密度記録が可能となる。
【００５６】
［変形例１−３］
図１１に、変形例１−３の導電体の構成上面（記録媒体と対向する面）図を示す。変形例１−３の導電体４６の構成はいわゆる、Ｃアパーチャー型と呼ばれるものである。
【００５７】
変形例１−３では、導電体４６の中央に金属膜が形成されない開口部４７を設ける。開口部４７において、図１１中のＸ方向に対向する一方の辺部は他方の辺部に向かって凸状に突き出ており、他方の辺部は直線状である。また、開口部４７のＹ方向に対向する２つの辺部は、ともに直線状であり且つ互いに平行である。すなわち、導電体４６の中央には、Ｘ方向に対向する２つの辺部を画成する導電体部４６ａ及び４６ｃと、Ｙ方向に対向する２つの辺部を画成し且つ２つの導電体部４６ａ及び４６ｃを繋ぐ２つの導体接続部４６ｂとにより、Ｃ字状の開口部４７が画成される。
【００５８】
なお、２つの導電体部４６ａ及び４６ｃの対向方向は、情報記録時には、記録媒体のトラックピッチ方向と一致する。また、２つの導電体部４６ａ及び４６ｃ間のギャップの大きさｇは、伝播光Ｌｐが２つの導電体部４６ａ及び４６ｃ間に照射された際に、２つの導電体部４６ａ及び４６ｃ間に十分な強度の近接場光が発生するように適宜調整される。さらに、２つの導電体部４６ａ及び４６ｃ間のギャップの大きさｇは、近接場光のスポット径が目的とする情報記録に適切な範囲となるように適宜調整される。
【００５９】
ここで、変形例１−３の構成においても、第１の実施形態と同様に、２つの導電体部４６ａ及び４６ｃ間に発生する近接場光３０の広がり状態及び光強度分布を、ＦＤＴＤ法によるシミュレーション解析で調べた。
【００６０】
図１２（ａ）に、シミュレーション解析の条件（材料及び寸法）を示す。このシミュレーション解析では、基体４５をＳｉＯ２で形成し、導電体４６をＡｕで形成するものとする。また、Ｃ字状の開口部４７のＸ方向の幅を２６ｎｍとし、開口部４７のＹ方向の幅を４００ｎｍとし、そして、導電体部４６ａの凸部の幅を２０ｎｍとする。また、２つの導電体部４６ａ及び４６ｃ間のギャップの大きさｇは１２ｎｍとし、導電体４６の厚さは５０ｎｍとする。これ以外のシミュレーション条件は第１の実施形態と同様である。また、この例では導電体４６の形成面上において２つの導電体部４６ａ及び４６ｃ間の中間位置をＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸の座標の原点とする。
【００６１】
図１２（ｂ）に、シミュレーション解析の結果を示す。図１２（ｂ）中の実線は、Ｚ＝＋７ｎｍの位置における電界強度のＸ方向成分｜Ｅｘ｜２の分布を示しており、電界強度が同じ等電界強度線である。この強度分布では、等電界強度線の中央に近づくほど電界強度｜Ｅｘ｜２は大きくなる。また、図１２（ｂ）中の太破線は２つの導電体部４６ａ及び４６ｃの先端部を示す。
【００６２】
図１２（ｂ）から明らかなように、変形例１−３の構成においても、電界強度のＸ方向成分｜Ｅｘ｜２の各等電界強度線は、Ｘ方向よりＹ方向に広がっており、等電界強度線間の間隔もＸ方向よりＹ方向の方が広い。このことから、変形例１−３の導電体４６の構成をＣアパーチャー型にした場合においても、２つの導電体部４６ａ及び４６ｃ間に発生する近接場光の有効な光スポットのＸ方向のサイズは、Ｙ方向のそれより小さくなることが分かる。
【００６３】
したがって、変形例１−３においても、記録媒体のトラックピッチ方向への近接場光３０の広がりを抑制することができるので、隣接トラック間のクロスイレーズを防止することができ、記録媒体のトラックピッチ方向にも高密度記録が可能となる。
【００６４】
＜３．変形例２＞
上記第１の実施形態では、記録媒体２０の記録層が連続膜で形成されている例を説明したが、本発明はこれに限定されない。本発明は、例えば、各記録トラックが独立した記録媒体や、ナノサイズの記録マーク領域が独立するように形成された記録媒体にも適用可能である。
【００６５】
図１３に、記録トラックが独立した記録媒体の概略構成の一例を示す。なお、図１３は、記録層の一部を拡大した上面図である。記録トラックが独立した記録媒体では、記録トラック２１は、所定の記録材料で形成され、その線方向においては所定幅の連続膜で形成される。一方、線方向と直交する方向（トラックピッチ方向）においては、隣り合う記録トラック２１が互いに独立するように分離して形成される。また、図１３の例では、記録トラック２１が直線状のトラックである例を示しているが、本発明はこれに限定されず、記録トラック２１が蛇行（ウォブルトラック）していてもよい。
【００６６】
なお、記録トラック２１が、例えば、磁性材料で形成されている場合、すなわち、記録媒体がいわゆるディスクリートトラック媒体と呼ばれる媒体である場合には、隣り合う記録トラック２１間の磁気的影響を抑制して再生信号の雑音を低減することができる。
【００６７】
また、図１４に、記録マーク領域が独立するように分離して形成された記録媒体の概略構成の一例を示す。図１４は、記録層の一部を拡大した上面図である。図１４に示す記録媒体の例では、記録マーク領域２２（以下、単に記録マークという）は、所定の記録材料で形成され、記録媒体の線方向及びトラックピッチ方向に所定間隔で分離して配置する。なお、１つの記録マークには、１ｂｉｔの情報が記録される。また、図１４の例では、各記録マーク２２の上面形状が円形状である場合を示しているが、本発明はこれに限定されず、任意の形状で形成することができる。例えば、楕円形、多角形などで形成してもよい。
【００６８】
また、図１４の例では、隣り合うトラックの各記録マーク２２の中心位置２２ａがトラックピッチ方向において互いにずれて形成される。なお、本発明はこれに限定されず、隣り合うトラックの各記録マーク２２の中心位置２２ａがトラックピッチ方向において互いに揃うように配置してもよい。ただし、図１４の例のように、隣り合うトラックの各記録マーク２２の中心位置２２ａをトラックピッチ方向において互いにずらして記録マーク２２を配置することにより、トラックピッチをより一層小さくすることが可能になる。
【００６９】
なお、記録マーク２２が、例えば、磁性材料で形成されている場合、すなわち、記録媒体がいわゆるパターンド媒体と呼ばれる媒体である場合には、高密度記録時の熱揺らぎの問題を解消することができ、記録情報を安定して保持することができる。
【００７０】
図１３及び１４に示すような構成の記録媒体においても、情報記録時に近接場光を発生する２つの導電体（または導電体部）間の対向方向を記録層の線方向と略直交するように配置することにより、上記第１の実施形態及び上記変形例と同様の効果が得られる。
【００７１】
＜４．変形例３＞
上記第１の実施形態では、近接場光を発生する近接場光生成部１０を記録用ヘッドに搭載する例を説明したが、本発明はこれに限定されない。記録媒体に対して光学的に情報再生を行う場合には、近接場光生成部１０を備える記録ヘッドを再生ヘッドと兼用してもよい。変形例３では、その一構成例を説明する。
【００７２】
図１５に、変形例３の記録再生装置に記録媒体を装着した際の記録再生システムの概略構成例を示す。なお、図１５において、上記第１の実施形態（図４）と同様の構成には、同じ符号を付して示す。変形例３の記録再生装置５０では、情報の記録再生を行う記録再生ヘッド５５以外の構成は、第１の実施形態と同様の構成とする。
【００７３】
図１６に、記録再生ヘッド５５の概略構成例を示す。変形例３では、記録再生ヘッド５５を、サスペンション１３に支持された浮上スライダ部５１と、それに伝播光Ｌｐを照射する光学系５２とに分けて構成する。なお、浮上スライダ部５１と光学系５２とを一体的に構成し、サスペンション１３により支持してもよい。
【００７４】
浮上スライダ部５１（近接場光発生部）は、光透過性の基体５７と、その一方の表面に形成された一対の導電体５６とで構成される。なお、一対の導電体５６の形状及び配置形態等は、第１の実施形態（図２参照）と同様とする。浮上スライダ部５１は、一対の導電体５６の形成面が記録媒体２０と対向するように配置される。また、浮上スライダ部５１は、記録媒体２０が浮上スライダ部５１と相対的に高速移動した際に、サスペンション１３の弾性力により、浮上スライダ部５１が記録媒体２０に対して所定の浮上量で浮上しながら相対移動するように制御される。そして、基体５７の導電体５６の形成面とは反対側の面から、光学系５２により、伝播光Ｌｐが入射され、一対の導電体５６間に近接場光を発生させる。
【００７５】
なお、変形例３においても、記録媒体２０の情報記録時には、浮上スライダ部５１の一対の導電体５６が対向する方向（図１６中のＸ方向）が記録媒体２０の線方向（トラック方向：図１６の図面に垂直な方向）と直交するように、一対の導電体５６を配置する。
【００７６】
光学系５２は、記録媒体２０に情報記録を行う記録系を備え、その記録系は、主に光源６１と、光源６１から出射光路上に配置された集光レンズ等からなる集光素子６２及びビームスプリッタ６３とで構成される。光源６１から出射された光は、集光素子６２及びビームスプリッタ６３を介して浮上スライダ部５１に入射される。この入射光により、一対の導電体５６間に近接場光を発生させて、記録媒体２０の記録トラックの所定位置に微小な記録マークを形成する。この際、一対の導電体５６の対向方向が記録媒体２０の線方向と直交するので、隣接トラックのクロスイレーズを防止することができ、記録媒体２０のトラックピッチ方向において高密度記録が可能となる。
【００７７】
また、光学系５２は、記録媒体２０からの反射光により情報再生を行う再生系を備え、その再生系は、主に偏光子６４と、集光素子６５と、受光部６６とで構成される。偏光子６４、集光素子６５及び受光部６６は、ビームスプリッタ６３側から、この順で配置され、記録媒体２０からの反射光はビームスプリッタ６３で入射光と分離され偏光子６４に入射される。偏光子６４に入射された光は集光素子６５を介して受光部６６に入射される。そして、受光部６６に入射された反射光に基づいて情報再生が行われる。
【００７８】
上記変形例３及び第１の実施形態では、ヘッドが浮上スライダタイプである例を説明したが、本発明はこれに限定されず、アクチュエータ等により、ヘッドの高さを制御するようにしてもよい。
【００７９】
＜５．第２の実施形態＞
第１の実施形態等で説明した記録再生装置の近接場光生成部では、一対の導電体間のギャップの大きさを、光源から出射された伝播光の波長よりも十分小さくすることにより強い近接場光を発生させることができる。ただし、一対の導電体間のギャップの大きさが変わると、発生する近接場光の形状も変化し、記録媒体に照射される近接場光の強度も変化する。情報記録時に、より強い強度で且つ効率良く近接場光を記録媒体に照射するためには、一対の導電体間のギャップの大きさと、記録ヘッド及び記録媒体間の距離との関係を最適に調整する必要がある。そこで、第２の実施形態では、第１の実施形態の記録再生装置及び記録再生システムの構成において、さらに上記両者の関係が最適となる記録再生装置及び記録再生システムの構成について説明する。
【００８０】
［記録再生装置の構成］
図１７（ａ）に、本実施形態の記録再生装置に記録媒体を装着して情報記録を行っている際の記録再生システムの概略構成例を示す。なお、図１７（ａ）において、上記第１の実施形態（図４）と同様の構成には、同じ符号を付して示す。
【００８１】
図１７（ａ）と図４（第１の実施形態）との比較から明らかなように、本実施形態の記録再生装置に記録媒体を装着した際の記録再生システムの構成は、第１の実施形態と同様である。ただし、本実施形態では、一対の導電体間のギャップの大きさと、情報記録時の記録ヘッド及び記録媒体間の距離との関係が最適化されている。それゆえ、ここでは、記録再生装置及び記録再生システムの各構成の説明は省略し、一対の導電体間のギャップの大きさと、情報記録時の記録ヘッド及び記録媒体間の距離との関係について説明する。なお、本実施形態では、導電体の構成及び配置形態もまた、第１の実施形態（図２参照）と同様とする。
【００８２】
図１７（ｂ）に、図１７（ａ）中の点線で囲まれた領域Ｂの拡大断面図を示す。なお、図１７（ｂ）の例では、記録媒体２０の記録層２０ａ上に、保護膜２０ｂ（例えば、ダイヤモンドライクカーボン膜など）が形成される。
【００８３】
本実施形態では、浮上スライダヘッド１２に搭載された近接場光発生部４の導電体６の形成面を、空気層７０を介して記録媒体２０の保護膜２０ｂと対向するように配置する。また、情報記録時には、一対の導電体６の対向方向（図１７（ｂ）中のＸ方向）は、第１の実施形態と同様に、記録媒体２０の線方向（図１７（ｂ）の図面に垂直な方向）と略直交する。
【００８４】
本実施形態では、一対の導電体６間のギャップの大きさｇと、情報記録時（浮上スライダヘッド１２の安定浮上時）における導電体６及び記録層２０ａ間の距離ｚとの間に、下記数１が成立するように浮上スライダヘッド１２の浮上量が調整（制御）される。
【００８５】
【数１】
2010146662.tif 000003
【００８６】
情報記録時に、上記数１の関係が成立する場合には、記録層２０ａに照射される近接場光の電界強度が最大となり、効率良く近接場光を記録媒体２０に照射することができる。以下、上記数１の導出原理を図１８〜２０を参照しながら説明する。
【００８７】
図１８に、情報記録時における浮上スライダヘッド１２と記録媒体２０とが対向する領域の拡大断面図を示す。なお、図１８では、説明を簡略化するため、記録媒体２０の保護膜２０ｂは省略している。また、図１８中の浮上スライダヘッド１２と、記録媒体２０の上下の位置関係は、上記数１の導出原理の説明の都合上、図１７（ｂ）中のそれとは反転させている。なお、図１８では、２つの導電体６の表面間の中間位置を、Ｘ方向（２つの導電体６間の対向方向）、Ｙ方向（図１８の図面に垂直な方向）及びＺ方向（高さ方向）の座標の原点（図１８中の「０」の位置）とする。
【００８８】
いま、情報記録時のある時刻に、図１８に示すように、＋Ｘ方向に配置された導電体６のＸ＝＋ｇ／２の位置の表面付近にプラス電荷が誘起され、−Ｘ方向に配置された導電体６のＸ＝−ｇ／２の位置の表面付近にマイナス電荷が誘起されている場合を考える。なお、光源から一対の導電体６間に照射される伝播光Ｌｐは、高周波の光であるので、Ｘ＝±ｇ／２の位置の表面付近に誘起される電荷の極性は、一対の導電体６間に照射される伝播光Ｌｐの周波数で正負交互に入れ替わる。
【００８９】
図１８のような状況では、誘起電荷は導電体６の表面において有限の領域で広がって存在するが、その領域は微小であるので、等価的にその誘起電荷の領域を点電荷で表すことができる。すなわち、図１８の例では、導電体６表面のＸ＝＋ｇ／２及び−ｇ／２の位置に、それぞれ、プラス及びマイナスの点電荷を導電体６の代わりに配置した場合と等価になる。
【００９０】
図１９に、図１８の誘起電荷の状況を点電荷で等価的に表した場合の模式図を示す。図１８に示す状況は、（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（＋ｇ／２，０，０）の位置に＋ｑの点電荷７１を配置し、（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（−ｇ／２，０，０）の位置に−ｑの点電荷７２を配置したものと等価になる。なお、図１９の例では、各導電体６の表面に誘起される電荷量をｑとする。
【００９１】
以下、図１９に示す構成において、上記数１で表される導電体６間のギャップの大きさｇと、記録媒体２０及び浮上スライダヘッド１２間の距離ｚとの最適な関係を導出する。なお、近接場光を議論する領域は、光源からの伝播光Ｌｐの波長よりも十分小さい領域であるため、その領域内では電磁波の位相遅れがないとし静電的に近似して解くものとする。
【００９２】
点電荷７１（＋ｑ）及び点電荷７２（−ｑ）により発生する、位置（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（ｘ，ｙ，ｚ）における電界（近接場光）の各方向成分Ｅｘ、Ｅｙ及びＥｚは、下記数２で表される。なお、下記数２中のε０は、点電荷７１及び７２の周囲（空気層７０）の誘電率である。
【００９３】
【数２】
2010146662.tif 000004
【００９４】
また、ここで、空気層７０内の電界の各方向成分をそれぞれＥｘ０、Ｅｙ０及びＥｚ０とし、記録層２０ａ（近接場光の照射対象）内の電界の各方向成分をそれぞれＥｘ１、Ｅｙ１及びＥｚ１とする。さらに、記録層２０ａの誘電率をε１とし、空気層７０及び記録層２０ａの境界面がＸＹ平面に平行とすると、その境界面においてマクスウェル方程式の境界条件により下記数３が成立する。
【００９５】
【数３】
2010146662.tif 000005
【００９６】
なお、上記数３中の第１及び２式は、境界面に対して平行な電界成分Ｅｘ及びＥｙが異なる媒質間の境界上で連続となることを表している。また、上記数３中の第３式は、境界面に対して垂直な電界成分Ｅｚが異なる媒質間の境界上で不連続となることを表している。
【００９７】
ここで、２つの導電体６間の中間位置（原点）と対向する記録層２０ａの位置（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０，０，ｚ）（図１８及び１９中の×印の位置）に情報を記録する場合を考える。この場合、上記数１において電界のＹ方向成分Ｅｙ及びＺ方向成分Ｅｚはともに０（ゼロ）となる。一方、Ｘ方向成分Ｅｘは下記数４で表される。
【００９８】
【数４】
2010146662.tif 000006
【００９９】
上記数４から、情報の記録位置（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０，０，ｚ）において、電界強度、すなわち、近接場光の強度が最大となる条件を求める。この記録位置では、電界としては上記数４で表されるＸ方向成分Ｅｘのみとなる。また、上記数３で示したように、電界のＸ方向成分Ｅｘは、空気層７０及び記録層２０ａの境界面の内外の誘電率差の影響を受けず境界面で電界が連続であるので、上記数４中の空気層７０の誘電率ε０は定数として考えることができる。その結果、上記数４は次のように書き直すことができる。なお、下記数５中のＡは定数である。
【０１００】
【数５】
2010146662.tif 000007
【０１０１】
ここで、上記数５式中の右辺の定数Ａ以外の変数部をｆと置く。すなわち、変数ｆを下記数６式で表す。
【０１０２】
【数６】
2010146662.tif 000008
【０１０３】
上記数６において、ｚ＝７ｎｍとした場合、すなわち、記録層２０ａと導電体６との距離を７ｎｍとした場合、導電体６間のギャップの大きさｇに対する変数ｆは図２０に示すように変化する。図２０から明らかなように、変数ｆは所定のギャップの大きさｇで最大となり、変数ｆの最大値で、電界強度（近接場光の強度）も最大となる。
【０１０４】
変数ｆが最大値となる条件は、上記数６においてｄｆ／ｄｇ＝０を解くことにより求められ、下記数７が得られる。
【０１０５】
【数７】
2010146662.tif 000009
【０１０６】
上述のようにして、上記数１が導出される。また、ｚ＝＋７ｎｍの場合において、変数ｆの最大値をｆｍとし、最大値ｆｍに対応するギャップの大きさをｇｍとし、図２０中の縦軸の変数ｆ及び横軸の変数ｇをそれぞれΔ（＝ｆ／ｆｍ）及びα（＝ｇ／ｇｍ）に変換すると、図２０の特性図は図２１にようになる。なお、図２１に示す変数Δと変数αとの関係式は下記数８で表される。
【０１０７】
【数８】
2010146662.tif 000010
【０１０８】
上記数８から、変数Δがそのピーク値（図２１中のΔ＝１（１００％））の約６０％（Δ＝０．６）となるギャップの大きさｇの範囲を求めると、その範囲は約０．５０７１ｚ〜３．２８６ｚとなる。すなわち、２つの導電体６間のギャップの大きさｇと、導電体６及び記録層２０ａ間の距離ｚとの間に、ｇ＝０．５０７１ｚ〜３．２８６ｚの関係が成立する場合に、ピーク値の約６０％の電界強度で近接場光を記録層２０ａに照射することができる。
【０１０９】
さらに、上記数８から、変数Δがそのピーク値の約９０％（Δ＝０．９）となるギャップの大きさｇの範囲を求めると、その範囲は、約０．９２８４ｚ〜２．０７８７ｚとなる。すなわち、２つの導電体６間のギャップの大きさｇと、導電体６及び記録層２０ａ間の距離ｚとの間に、ｇ＝０．９２８４ｚ〜２．０７８７ｚの関係を満たすことにより、ピーク値の約９０％の電界強度で近接場光を記録層２０ａに照射することができる。
【０１１０】
［具体例］
上記説明した一対の導電体６間のギャップの大きさｇと、導電体６及び記録層２０ａ間の距離ｚとの最適な関係（上記数１）の妥当性をＦＤＴＤシミュレーションで調べた。図２２に、このシミュレーション解析のモデル及び解析条件の概要を示す。なお、図２２は、記録媒体２０と、浮上スライダヘッド（近接場光発生部４）との境界部分の拡大断面図である。
【０１１１】
このシミュレーション解析では、近接場光発生部４の基体５をＳｉＯ２で形成し、導電体６をＡｕで形成するものとする。また、記録層２０ａをＣｏ膜で形成し、記録層２０ａの表面には、保護膜２０ｂとしてダイヤモンドライクカーボン膜が形成されているものとする。そして、導電体６と保護膜２０ｂとの距離、すなわち、空気層７０の厚さを５ｎｍとし、保護膜２０ｂの厚さを５ｎｍとする。すなわち、導電体６と記録層２０ａとの距離ｚを７ｎｍとする。また、各導電体６の長さＬ＝２２０ｎｍ、厚さｔ＝１００ｎｍとする（図２参照）。なお、この例においても、一対の導電体６の表面間の中間位置をＸ軸、Ｙ軸（図面に直交する方向の軸）及びＺ軸の座標の原点とする。
【０１１２】
また、この例のシミュレーション解析では、シミュレーションモデルの仕様上、記録層２０ａと保護膜２０ｂとの界面の電界を計算することができないので、その界面から記録層２０ａ側に１ｎｍ入った位置（Ｚ＝＋８ｎｍ）での電界強度｜Ｅ｜２を求める。すなわち、（Ｘ，Ｙ，Ｚ）＝（０，０，＋８ｎｍ）の位置における電界強度｜Ｅ｜２を求める。その結果を図２３に示す。
【０１１３】
図２３の特性の横軸は一対の導電体６間のギャップの大きさｇであり、縦軸はＺ＝＋８ｎｍの位置における電界強度｜Ｅ｜２である。図２３から明らかなように、導電体６間のギャップの大きさｇに対する｜Ｅ｜２の変化は図２１と同様になり、ギャップの大きさｇが約１２ｎｍであるときに最大電界強度が得られる。一方、上記数１を用いて、ｚ＝８ｎｍとしたときに最大電界強度が得られるギャップの大きさｇを求めると、ｇ＝１１．３ｎｍとなる（図２３中の破線）。これらの結果から、ＦＤＴＤで求めた最大電界強度が得られるギャップの大きさｇと、上記数１で求めたそれとがよく一致することが分かる。このことからも、情報記録時に、上記数１の関係が成立する場合には、記録層２０ａに照射される近接場光の電界強度が最大となり、効率良く近接場光を記録媒体２０に照射することができることが分かる。
【０１１４】
上記実施形態及び変形例では、ディスク状の記録媒体に本発明を適用する例を説明したが本発明はこれに限定されず、ディスク状以外の記録媒体、例えば、カード状の記録媒体にも適用可能であり、同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【０１１５】
【図１】第１の実施形態の記録再生装置の概略構成図である。
【図２】図２（ａ）は、第１の実施形態の近接場光発生部の上面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）中のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図３（ａ）は、第１の実施形態のシミュレーション解析の計算条件を示す図であり、図３（ｂ）は、近接場光の強度（電界強度）分布の解析結果を示す図である。
【図４】第１の実施形態の記録再生システムの概略構成図である。
【図５】情報記録時における浮上スライダヘッドと記録媒体との境界付近の様子を示す模式図である。
【図６】２つの導電体とトラックの線方向との位置関係を示す図である。
【図７】変形例１−１の一対の導電体の概略構成図である。
【図８】図８（ａ）は、変形例１−１のシミュレーション解析の計算条件を示す図であり、図８（ｂ）は、近接場光の強度（電界強度）分布の解析結果を示す図である。
【図９】変形例１−２の導電体の概略構成図である。
【図１０】図１０（ａ）は、変形例１−２のシミュレーション解析の計算条件を示す図であり、図１０（ｂ）は、近接場光の強度（電界強度）分布の解析結果を示す図である。
【図１１】変形例１−３の導電体の概略構成図である。
【図１２】図１２（ａ）は、変形例１−３のシミュレーション解析の計算条件を示す図であり、図１２（ｂ）は、近接場光の強度（電界強度）分布の解析結果を示す図である。
【図１３】変形例２の記録媒体の記録層の概略構成図である。
【図１４】変形例２の記録媒体の記録層の概略構成図である。
【図１５】変形例３の記録再生システムの概略構成図である。
【図１６】変形例３の記録再生ヘッドの概略構成図である。
【図１７】図１７（ａ）は、第２の実施形態の記録再生システムの概略構成図であり、図１７（ｂ）は、図１７（ａ）中の破線で囲まれた領域Ｂの拡大断面図である。
【図１８】２つの導電体間のギャップの大きさと、導電体及び記録層間の距離との最適な関係を説明するための図である。
【図１９】２つの導電体間のギャップの大きさと、導電体及び記録層間の距離との最適な関係を説明するための図である。
【図２０】Ｚ＝７ｎｍにおける電界強度と、導電体間のギャップの大きさｇとの関係を示す図である。
【図２１】Ｚ＝７ｎｍにおける電界強度と、導電体間のギャップの大きさｇとの関係を示す図である。
【図２２】第２の実施形態のシミュレーション解析の計算条件を示す図である。
【図２３】第２の実施形態のシミュレーション解析の結果を示す図である。
【図２４】従来の近接場光を発生させる浮上ヘッドの導電体付近の概略構成図である。
【符号の説明】
【０１１６】
１…光源、２…コリメータレンズ、３…集光レンズ、４，２４，３４，４４…近接場光発生部、５，２５，３５，４５…基体、６，２６，３６，４６…導電体、３６ａ，４６ａ，４６ｃ…導電体部、３６ｂ，４６ｂ…導体接続部、３７，４７…開口部、１０…近接場光生成部、１１…記録再生装置、１２…浮上スライダヘッド、１３…サスペンション、１４…スピンドルモータ、１６…スライダ、２０…記録媒体、２０ａ…記録層、２０ｂ…保護膜、２１…記録トラック、２２…記録マーク、３０…近接場光、７０…空気層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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