【手続補正書】
【提出日】平成16年10月20日(2004.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一面を有する非−磁性基板と、
組織化された核生成層と、
ここで該核生成層は、ランダムな格子面配向を有し、直接該非−磁性基板上に形成された、微細結晶粒の種結晶層、および結晶粒の中間層を含み、該中間層は、その最上部表面が主として好ましい格子面をとることを可能とするのに十分な厚みで、該種結晶層粒子上に形成されており、
該主として好ましい格子面上に一般的にエピタキシャル成長により形成される記録層とを含み、
該記録層は、組織化された核生成層の該中間層により主として決定されるエピタキシャルな関係を有し、かつ、Coベースのhcp 合金と、少なくとも１種のセグリガント物質とを含み、かくして該Coベースの合金は、主として均一サイズの単結晶の磁性粒子を形成し、該主として単結晶の磁性粒子は粒界を有し、該セグリガント物質は、主として該粒界に配置され、該主として単結晶の磁性粒子は、主として該基板の該第一面に対して平行に配向しているC-軸を有することを特徴とする、磁気記録媒体。
【請求項２】
該記録層粒子が、10% 程度の、該中間層粒子との格子不整合を有する、請求項１記載の媒体。
【請求項３】
該中間層の厚みが、少なくとも80Åである、請求項１記載の媒体。
【請求項４】
該種結晶層粒子が平均径50Å以下のものであり、かつ該中間層粒子が平均径100Å以下のものである、請求項１記載の媒体。
【請求項５】
該中間層がCrを含む、請求項１記載の媒体。
【請求項６】
該中間層がCrを含む合金製である、請求項５記載の媒体。
【請求項７】
該種結晶層が、径50Å未満の粒子を生成し、該中間層粒子を形成する核生成サイトを与える、金属元素を含む、請求項１記載の媒体。
【請求項８】
該種結晶層がTiを含有する、請求項１記載の媒体。
【請求項９】
該種結晶層が主としてB2相物質を含有する、請求項１記載の媒体。
【請求項１０】
該B2相物質が、組織化されたNiAlである、請求項９記載の媒体。
【請求項１１】
該種結晶層が、Crの合金と、少なくとも１種の他の元素を含み、該少なくとも１種の他の元素が、該元素のCrに対する最大固溶解度限界を越える10原子％までの量で存在する、請求項１記載の媒体。
【請求項１２】
該単結晶磁性粒子が、平均径約100Å以下のものである、請求項１記載の媒体。
【請求項１３】
該単結晶磁性粒子が、５Å〜50Åだけ離れている、請求項12記載の媒体。
【請求項１４】
該単結晶磁性粒子が、平均距離10Åだけ離れている、請求項12記載の媒体。
【請求項１５】
少なくとも10Åの厚みをもつ、セグリガント物質層が、一対の隣接する単結晶磁性粒子間に設けられている、請求項13記載の媒体。
【請求項１６】
該媒体が、単一の磁気記録層のみを含む、請求項１記載の媒体。
【請求項１７】
該セグリガント物質が、90Kcal/molを越える結合強度をもつAl、As、Co、Cr、Dy、Gd、La、Lu、Ni、Os、Pm、Ru、Re、Sc、Se、Si、Sm、Sn、Ta、Tb、Th、Ti、Tm、Ｕ、Ｖ、Ｗ、ＹおよびZrの酸化物および窒化物からなる群から選ばれる、請求項１記載の媒体。
【請求項１８】
実質的にCo合金を含む磁気記録層が平坦な非−磁性基板上に形成されており、構造が、改良された非−線形転移シフト、書き込みジッタ、およびオーバーライト性能を有する、磁気記録媒体であって、
ランダムな格子面配向を有し、直接該非−磁性基板上に形成された、微細結晶粒の種結晶層と、
少なくとも部分的にCr粒子を含む中間層と、該中間層は、その最上部表面が主として好ましい格子面をとることを可能とするのに十分な厚みで、該種結晶層粒子上に形成されており、
該Co合金と一緒に堆積された、少なくとも１種のセグリガント物質とを含み、
かくして、該磁気記録層は、該主として好ましい格子面上に一般的にエピタキシャル成長により形成され、該記録層は、該中間層により主として決定されるエピタキシャルな関係を有し、かつ、該Coベース合金は、主として均一なサイズの単結晶の磁性粒子を形成し、該主として単結晶の磁性粒子は粒界を有し、該セグリガント物質は、主として該粒界に配置され、該主として単結晶の磁性粒子は、主として該基板の該第一面に対して平行に配向したC-軸を有することを特徴とする、上記磁気記録媒体。
【請求項１９】
平坦な非−磁性基板上に形成され、かつ少なくとも１種のセグリガント物質を含有する、実質的にCo合金の磁気記録層が上部に形成されていて、該磁気記録層に改良された非−線形転移シフト、書き込みジッタ、およびオーバーライト性能が付与されている、組織化された核生成層であって、
ランダムな格子面配向を有し、直接該非−磁性基板上に形成された、微細結晶粒の種結晶層と、
少なくとも部分的にCr粒子を含む中間層とを含み、該中間層は、その最上部表面が主として好ましい格子面をとることを可能とするのに十分な厚みで、該種結晶層粒子上に形成されており、
かくして、該磁気記録層は、該主として好ましい格子面上に一般的にエピタキシャル成長により形成され、該記録層は、該組織化された核生成層の該中間層により主として決定されるエピタキシャルな関係を有し、かつ、該Coベース合金は、主として均一なサイズの単結晶の磁性粒子を形成し、該主として単結晶の磁性粒子は粒界を有し、該セグリガント物質は、主として該粒界に配置され、該主として単結晶の磁性粒子は、主として該基板の該第一面に対して平行に配向したC-軸を有することを特徴とする、上記組織化核生成層。
【請求項２０】
請求項１記載の磁気記録媒体を含むことを特徴とする、ディスクドライブ。
【請求項２１】
実質的にCo合金を含む磁気記録層が、平坦な非−磁性基板上に形成されている、磁気記録媒体の製造方法において、非−線形転移シフト、書き込みジッタ、およびオーバーライト性能を改良する方法であって、
ランダムな格子面配向を有する微細結晶粒の種結晶層を、直接該非−磁性基板上に真空堆積する工程と、
該種結晶層粒子上に、最上部表面が主として好ましい格子面をとることを可能とするのに十分な厚みの、結晶粒の中間層を真空堆積する工程と、
該Co合金と共に、少なくとも１種のセグリガント物質を、真空堆積する工程とを含み、
かくして、該磁気記録層は、該主として好ましい格子面上に一般的にエピタキシャル成長により形成され、該記録層は、該中間層により主として決定されるエピタキシャルな関係を有し、かつ、該Coベース合金は、主として均一なサイズの単結晶の磁性粒子を形成し、該主として単結晶の磁性粒子は粒界を有し、該セグリガント物質は、主として該粒界に移動し、かつ該Coベース合金は、主として該基板の該第一面に対して平行なC-軸を有することを特徴とする、上記磁気記録媒体の製法。
【請求項２２】
該セグリガント物質が、90 Kcal/mol を越える結合強度を有する酸化物および窒化物からなる群から選ばれ、かつ該主として単結晶の磁性粒子が該基板の該第一面内でランダムに配向したC-軸を有することを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項２３】
該セグリガント物質が、90 Kcal/mol を越える結合強度を有する酸化物および窒化物からなる群から選ばれ、かつ該主として単結晶の磁性粒子が該基板の該第一面内でランダムに配向したC-軸を有することを特徴とする請求項18記載の磁気記録媒体。
【請求項２４】
該セグリガント物質が、90 Kcal/mol を越える結合強度を有する酸化物および窒化物からなる群から選ばれ、かつ該主として単結晶の磁性粒子が該基板の該第一面内でランダムに配向したC-軸を有することを特徴とする請求項19記載の組織化核生成層。
【請求項２５】
該セグリガント物質が、90 Kcal/mol を越える結合強度を有する酸化物および窒化物からなる群から選ばれることを特徴とする請求項21記載の製法。