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【手続補正書】
【提出日】平成16年10月20日(2004.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に、ゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆って、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に、半導体膜を形成する工程と、
を有し、
前記半導体膜を形成する工程の前に、酸素ガス及び水素ガスが導入された反応空間において、前記ゲート絶縁膜表面をプラズマ処理する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁基板上に、珪素を主成分とする絶縁膜でなる下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に、ゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆って、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に、半導体膜を形成する工程と、
を有し、
前記半導体膜を形成する工程の前に、酸素ガス及び水素ガスが導入された反応空間において、前記ゲート絶縁膜表面をプラズマ処理する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁基板上に、珪素を主成分とする絶縁膜でなる下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に、ゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆って、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に、半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜上に、リンを含む導電性膜を形成する工程と、
前記導電性膜上に、金属膜を成膜し、パターニングによりソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして、自己整合的に前記半導体膜及び前記導電性膜をエッチングして、少なくともチャネル形成領域を形成する工程と、
を有し、
前記半導体膜を形成する工程の前に、酸素ガス及び水素ガスが導入された反応空間において、前記ゲート絶縁膜表面をプラズマ処理する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁基板上に、珪素を主成分とする絶縁膜でなる下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に、ゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆って、ゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に、半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜上に、リンを含む導電性膜を形成する工程と、
前記導電性膜上に、金属膜を成膜し、パターニングによりソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極及び前記ドレイン電極をマスクとして、自己整合的に前記半導体膜及び前記導電性膜をエッチングして、少なくともチャネル形成領域を形成する工程と、
前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記チャネル形成領域を覆って成膜される保護膜を形成する工程と、
を有し、
前記半導体膜を形成する工程の前に、酸素ガス及び水素ガスが導入された反応空間において、前記ゲート絶縁膜表面をプラズマ処理する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項４において、前記保護膜は酸化珪素膜、窒化珪素膜、または有機性樹脂膜を用いて形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項２乃至５のいずれか１項において、前記下地膜を形成する前に、酸素ガス及び水素ガスが導入された反応空間において、前記絶縁基板表面をプラズマ処理する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項２乃至６のいずれか１項において、前記ゲート絶縁膜を形成する前に、酸素ガス及び水素ガスが導入された反応空間において、前記下地膜表面及びゲート電極表面をプラズマ処理する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項において、前記半導体膜を形成した後に、酸素ガス及び水素ガスが導入された反応空間において、前記半導体膜表面をプラズマ処理する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項において、前記ゲート絶縁膜は有機シランを用いて形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項において、前記ゲート電極はタンタル、タングステン、チタン、モリブデン、導電性シリコン、または導電性ポリシリコンを用いて形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項において、前記半導体膜を形成する工程は、前記半導体膜の被膜形成面を大気に触れさせることなく、半導体膜を形成する工程であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月30日(2004.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板上に形成された複数のＴＦＴを有する半導体回路が設けられた半導体装置であって、
前記ＴＦＴは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、ゲイト電極とを有し、
前記ゲイト電極は、タンタル層と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料層とを積層してなり、
前記タンタル層の膜厚は、５〜２００ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
同一基板上に形成された複数のＴＦＴを有する半導体回路が設けられた半導体装置であって、
前記ＴＦＴは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、ゲイト電極とを有し、
前記ゲイト電極は、タンタル層と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料層とを積層してなり、
前記タンタル層が前記アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料層と重ならない箇所には、前記タンタル層と隣接してタンタルオキサイド層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
同一基板上に形成された複数のＴＦＴを有する半導体回路が設けられた半導体装置であって、
前記ＴＦＴは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、ゲイト電極とを有し、
前記ゲイト電極は、タンタル層と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料層とを積層してなり、
前記タンタル層の端部は、前記アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料層の端部より外側に突出し、前記突出した端部にはタンタルオキサイド層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２または請求項３において、前記タンタルオキサイド層の膜厚は、前記タンタル層の膜厚の２〜４倍であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
同一基板上に形成された複数のＴＦＴを有する半導体回路が設けられた半導体装置であって、
前記ＴＦＴは、半導体層と、ゲイト絶縁膜と、ゲイト電極とを有し、
前記ゲイト電極は、タンタル層と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料層とを積層してなり、
前記タンタル層の端部は、前記アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料層の端部より外側に突出し、
前記半導体層はソース領域、ドレイン領域、チャネル領域及びＬＤＤ領域を有し、
前記ソース領域又は前記ドレイン領域と前記ＬＤＤ領域との接合部の位置は、前記突出した端部によって画定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５において、前記アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料層の表面には無孔質状アルミナ層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項４において、前記半導体層にはＬＤＤ領域が設けられ、前記ＬＤＤ領域の上には、タンタルオキサイド層が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至５又は７において、前記タンタルオキサイド層の膜厚は、前記タンタル層の膜厚の２〜４倍であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
同一基板上に形成された複数のＴＦＴを有する半導体回路が設けられた半導体装置の作製方法であって、
半導体層上にゲイト絶縁膜を形成し、前記ゲイト絶縁膜上にタンタル層と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料層を積層することによってゲイト電極を形成し、
第１の酸化処理により、前記アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料層のみを選択的に多孔質状アルミナ層に変成し、
第２の酸化処理により、前記アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料層の表面に無孔質状アルミナ層を形成し、前記多孔質状アルミナ層の下に位置するタンタル層の全部又は一部をタンタルオキサイド層に変成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
同一基板上に形成された複数のＴＦＴを有する半導体回路が設けられた半導体装置の作製方法であって、
半導体層上にゲイト絶縁膜を形成し、前記ゲイト絶縁膜上にタンタル層と、アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料層とを積層することによってゲイト電極を形成し、
第１の酸化処理により、前記アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料層のみを選択的に多孔質状アルミナ層に変成し、
第２の酸化処理により、前記アルミニウムまたはアルミニウムを主成分とする材料層の表面に無孔質状アルミナ層を形成し、前記多孔質状アルミナ層の下に位置するタンタル層の全部又は一部をタンタルオキサイド層に変成し、
前記無孔質状アルミナ層及び前記多孔質状アルミナ層をマスクとしてゲイト絶縁膜をエッチングし、
前記ゲイト電極、タンタルオキサイド層及びゲイト絶縁膜をマスクとしてＮ型またはＰ型を付与する不純物を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月29日(2004.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アドレス変換装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一のプロトコルに従うネットワーク、第二のプロトコルに従うネットワーク、およびサーバ装置に接続されたアドレス変換装置であって、
受信した通信データの第一の領域に含まれるアドレスを、上記第一のプロトコルに従うアドレスから上記第二のプロトコルに従うアドレスに変換する変換部と、
上記通信データが特定のプロトコルに従うことを検出する検出手段と、
上記検出手段によって特定のプロトコルに従うことが検出された場合に、上記通信データの第二の領域に含まれるアドレスを、上記第一のプロトコルに従うアドレスから上記第二のプロトコルに従うアドレスに変換するための変換情報を作成する手段と、
上記通信データと上記変換情報を上記サーバ装置に送信し、上記サーバ装置から上記変換情報に基づいて上記第二の領域に含まれるアドレスが変換された上記通信データを受信する送受信部とを有するアドレス変換装置。
【請求項２】
上記検出手段は、上記通信データに含まれる着信先情報、着信先情報とそのポート情報、またはポート情報のうち少なくともいずれか一つに基づき上記特定のプロトコルに従うことを検出することを特徴とする請求項１記載のアドレス変換装置。
【請求項３】
上記通信データと上記変換情報を上記サーバ装置に送信する際に、識別情報を付加して送信することを特徴とする請求項１記載のアドレス変換装置。
【請求項４】
上記特定のプロトコルはSIPであり、上記第一の領域はIPヘッダであり、上記第二の領域はペイロードであることを特徴とする請求項１記載のアドレス変換装置。
【請求項５】
上記第一のプロトコルはIPv4であり、上記第二のプロトコルはIPv6であることを特徴とする請求項１記載のアドレス変換装置。
【請求項６】
上記第一のプロトコルはIPv6であり、上記第二のプロトコルはIPv4であることを特徴とする請求項１記載のアドレス変換装置。
【請求項７】
上記第一のプロトコルに従うアドレスとはプライベートアドレスであり、上記第二のプロトコルに従うアドレスとはグローバルアドレスであることを特徴とする請求項１記載のアドレス変換装置。
【請求項８】
上記第一のプロトコルに従うアドレスとはグローバルアドレスであり、上記第二のプロトコルに従うアドレスとはプライベートアドレスであることを特徴とする請求項１記載のアドレス変換装置。
【請求項９】
第一のアドレス体系に従うネットワーク、第二のアドレス体系に従うネットワーク、およびサーバ装置に接続されたアドレス変換装置であって、
受信した通信データの第一の領域に含まれるアドレスを、上記第一のアドレス体系に従うアドレスから上記第二のアドレス体系に従うアドレスに変換する変換部と、
上記通信データが特定のプロトコルに従うことを検出する検出手段と、
上記検出手段によって特定のプロトコルに従うことが検出された場合に、上記通信データの第二の領域に含まれるアドレスを、上記第一のアドレス体系に従うアドレスから上記第二のアドレス体系に従うアドレスに変換するための変換情報を作成する手段と、
上記通信データと上記変換情報を上記サーバ装置に送信し、上記サーバ装置から上記変換情報に基づいて上記第二の領域に含まれるアドレスが変換された上記通信データを受信する送受信部とを有するアドレス変換装置。
【請求項１０】
上記検出手段は、上記通信データに含まれる着信先情報、着信先情報とそのポート情報、またはポート情報のうち少なくともいずれか一つに基づき上記特定のプロトコルに従うことを検出することを特徴とする請求項９記載のアドレス変換装置。
【請求項１１】
上記通信データと上記変換情報を上記サーバ装置に送信する際に、識別情報を付加して送信することを特徴とする請求項９記載のアドレス変換装置。
【請求項１２】
上記特定のプロトコルはSIPであり、上記第一の領域はIPヘッダであり、上記第二の領域はペイロードであることを特徴とする請求項９記載のアドレス変換装置。
【請求項１３】
上記第一のアドレス体系はIPv4であり、上記第二のアドレス体系はIPv6であることを特徴とする請求項９記載のアドレス変換装置。
【請求項１４】
上記第一のアドレス体系はIPv6であり、上記第二のアドレス体系はIPv4であることを特徴とする請求項９記載のアドレス変換装置。
【請求項１５】
上記第一のアドレス体系に従うアドレスとはプライベートアドレスであり、上記第二のアドレス体系に従うアドレスとはグローバルアドレスであることを特徴とする請求項９記載のアドレス変換装置。
【請求項１６】
上記第一のアドレス体系に従うアドレスとはグローバルアドレスであり、上記第二のアドレス体系に従うアドレスとはプライベートアドレスであることを特徴とする請求項９記載のアドレス変換装置。
【請求項１７】
第一のアドレス体系に従うネットワーク、第二のアドレス体系に従うネットワーク、およびサーバ装置に接続されたアドレス変換装置であって、
受信した通信データの第一の領域に含まれるアドレスを、上記第一のアドレス体系に従うアドレスから上記第二のアドレス体系に従うアドレスに変換する変換部と、
上記通信データが特定のプロトコルに従うことを検出する検出手段と、
上記検出手段によって特定のプロトコルに従うことが検出された場合に、上記通信データの第二の領域に含まれアドレスを、上記第一のアドレス体系に従うアドレスから上記第二のアドレス体系に従うアドレスに変換するための変換情報を作成する手段と、
内部バスを介して上記通信データと上記変換情報を受信し、上記変換情報に基づいて上記通信データの第二の領域に含まれるアドレスを変換し、上記内部バスを介して上記第二の領域に含まれるアドレスが変換された上記通信データを送信する処理部とを有するアドレス変換装置。
【請求項１８】
上記検出手段は、上記通信データに含まれる着信先情報、着信先情報とそのポート情報、またはポート情報のうち少なくともいずれか一つに基づき上記特定のプロトコルに従うことを検出することを特徴とする請求項１７記載のアドレス変換装置。
【請求項１９】
上記特定のプロトコルはSIPであり、上記第一の領域はIPヘッダであり、上記第二の領域はペイロードであることを特徴とする請求項１７記載のアドレス変換装置。
【請求項２０】
上記第一のアドレス体系はIPv4であり、上記第二のアドレス体系はIPv6であることを特徴とする請求項１７記載のアドレス変換装置。
【請求項２１】
上記第一のアドレス体系はIPv6であり、上記第二のアドレス体系はIPv4であることを特徴とする請求項１７記載のアドレス変換装置。
【請求項２２】
上記第一のアドレス体系に従うアドレスとはプライベートアドレスであり、上記第二のアドレス体系に従うアドレスとはグローバルアドレスであることを特徴とする請求項１７記載のアドレス変換装置。
【請求項２３】
上記第一のアドレス体系に従うアドレスとはグローバルアドレスであり、上記第二のアドレス体系に従うアドレスとはプライベートアドレスであることを特徴とする請求項１７記載のアドレス変換装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月26日(2004.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サーバ及びクライアント間で所定の共通鍵を用いて所定の暗号化通信を行うクライアントサーバシステムにおいて、
前記サーバ及び前記クライアントに世代の異なる複数の所定の共通鍵を格納するための鍵格納手段をそれぞれ設け、それら鍵格納手段にそれぞれ格納されている複数の所定の共通鍵のうち、最新の世代の所定の共通鍵を用いてそのサーバ及びそのクライアント間で所定の暗号化通信を行う通信制御手段を設けたことを特徴とするクライアントサーバシステム。
【請求項２】
請求項１に記載のクライアントサーバシステムにおいて、サーバに新しい世代の所定の共通鍵がセットされたときは、クライアントに格納されている複数の所定の共通鍵のうちの最新の世代の所定の共通鍵がそのサーバに送出され、かつ、そのサーバに送出された所定の共通鍵がそのセットされた新しい世代の一つ前の世代の所定の共通鍵と一致するときに、そのセットされた新しい世代の所定の共通鍵をそのクライアントに送出する新共通鍵送出手段を設けたことを特徴とするクライアントサーバシステム。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のクライアントサーバシステムにおいて、サーバ及びクライアントにそれぞれ格納されている複数の所定の共通鍵の一致状態が得られないときは、そのクライアントにそのサーバに格納されている複数の所定の共通鍵のうちの最古の世代の所定の共通鍵をセットし、そのセットされた最古の所定の共通鍵がそのサーバに受信されたときに、そのサーバから残りの所定の共通鍵をそのクライアントに送出する共通鍵送出手段を設けたことを特徴とするクライアントサーバシステム。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載のクライアントサーバシステムにおいて、サーバは自動改札機等の駅務機器を管理するホストコンピュータであり、クライアントはその自動改札機等の駅務機器であることを特徴とするクライアントサーバシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るクライアントサーバシステムは、上記目的を達成するために、請求項１に記載のクライアントサーバシステムは、サーバ及びクライアント間で所定の共通鍵を用いて所定の暗号化通信を行うクライアントサーバシステムにおいて、前記サーバ及び前記クライアントに世代の異なる複数の所定の共通鍵を格納するための鍵格納手段をそれぞれ設け、それら鍵格納手段にそれぞれ格納されている複数の所定の共通鍵のうち、最新の世代の所定の共通鍵を用いてそのサーバ及びそのクライアント間で所定の暗号化通信を行う通信制御手段とを設けたことを特徴としている。
請求項２に記載のクライアントサーバシステムは、サーバに新しい世代の所定の共通鍵がセットされたときは、クライアントに格納されている複数の所定の共通鍵のうちの最新の世代の所定の共通鍵がそのサーバに送出され、かつ、そのサーバに送出された所定の共通鍵がそのセットされた新しい世代の一つ前の世代の所定の共通鍵と一致するときに、そのセットされた新しい世代の所定の共通鍵をそのクライアントに送出する新共通鍵送出手段を設けたことを特徴としている。
請求項３に記載のクライアントサーバシステムは、サーバ及びクライアントにそれぞれ格納されている複数の所定の共通鍵の一致状態が得られないときは、そのクライアントにそのサーバに格納されている複数の所定の共通鍵のうちの最古の世代の所定の共通鍵をセットし、そのセットされた最古の所定の共通鍵がそのサーバに受信されたときに、そのサーバから残りの所定の共通鍵をそのクライアントに送出する共通鍵送出手段を設けたことを特徴としている。
請求項４に記載のクライアントサーバシステムは、サーバは自動改札機等の駅務機器を管理するホストコンピュータであり、クライアントはその自動改札機等の駅務機器であることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
【発明の効果】
本発明の請求項１に記載のクライアントサーバシステムは、サーバ及びクライアントに世代の異なる複数の所定の共通鍵を格納するための鍵格納手段をそれぞれ設け、それら鍵格納手段にそれぞれ格納されている複数の所定の共通鍵のうち、最新の世代の所定の共通鍵を用いてそのサーバ及びそのクライアント間で所定の暗号化通信を行う通信制御手段を設けたので、暗号通信の処理速度を低下させることなく、安全性の高い通信を行うことができる。特に、用いられる所定の共通鍵は、暗号強度の強い最新の世代の所定の共通鍵であるので、より安全性の高い通信を行うことができる。
本発明の請求項２に記載のクライアントサーバシステムは、サーバに新しい世代の所定の共通鍵がセットされたときは、クライアントに格納されている複数の所定の共通鍵のうちの最新の世代の所定の共通鍵がそのサーバに送出され、かつ、そのサーバに送出された所定の共通鍵がそのセットされた新しい世代の一つ前の世代の所定の共通鍵と一致するときに、そのセットされた新しい世代の所定の共通鍵をそのクライアントに送出する新共通鍵送出手段を設けたので、新しい共通鍵を安全に配布することができる。
本発明の請求項３に記載のクライアントサーバシステムは、サーバ及びクライアントにそれぞれ格納されている複数の所定の共通鍵の一致状態が得られないときは、そのクライアントにそのサーバに格納されている複数の所定の共通鍵のうちの最古の世代の所定の共通鍵をセットし、そのセットされた最古の所定の共通鍵がそのサーバに受信されたときに、そのサーバから残りの所定の共通鍵をそのクライアントに送出する共通鍵送出手段を設けたので、共通鍵を安全に配布することができる。
本発明の請求項４に記載のクライアントサーバシステムは、サーバは自動改札機等の駅務機器を管理するホストコンピュータであり、クライアントはその自動改札機等の駅務機器であるので、ホストコンピュータと駅務機器間の暗号通信の処理速度を低下させることなく、安全性の高い通信を行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月13日(2004.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路形成部を形成した半導体素子の回路形成面に形成された突起電極を覆い上記回路形成面に封止材を設けた後、上記回路形成部を保護した状態で上記突起電極が上記封止材に露出するまで上記封止材を除去することを特徴とする電子部品組立方法。
【請求項２】
上記封止材の除去後、上記封止材に露出した上記突起電極の露出面に上記突起電極と導通する導電性材料を設ける、請求項１記載の電子部品組立方法。
【請求項３】
上記封止材を設ける前に、上記回路形成部に接触して該回路形成部を覆い保護する保護材を設ける、請求項１又は２記載の電子部品組立方法。
【請求項４】
半導体素子の回路形成部を形成した回路形成面上に、上記回路形成部に接触して該回路形成部を覆い保護する保護材を設けた後、該保護材を密閉する密閉部材を設けることを特徴とする電子部品組立方法。
【請求項５】
上記密閉部材を設けた後、上記回路形成面上に突起電極を形成する、請求項４記載の電子部品組立方法。
【請求項６】
上記半導体素子は、上記突起電極と電気的に接続される実装基板上に実装される、請求項１から３、又は５のいずれかに記載の電子部品組立方法。
【請求項７】
上記回路形成部は、半導体ウエハ上に格子状に形成され、上記封止材の除去後、各回路形成部に切り分けられ、上記突起電極と電気的に接続される実装基板上に実装される、請求項１記載の電子部品組立方法。
【請求項８】
上記回路形成部は、半導体ウエハ上に格子状に形成され、上記回路形成面上への突起電極の形成後、各回路形成部に切り分けられ、実装基板上に実装される、請求項５記載の電子部品組立方法。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の電子部品組立方法により組み立てられたことを特徴とする電子部品。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月30日(2004.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上の層間絶縁膜の上に順次形成された下部電極、強誘電体膜よりなる容量絶縁膜及び上部電極を有し、ワード線方向及びビット線方向に配置された複数の強誘電体キャパシタを備えた強誘電体メモリ装置であって、
複数の前記上部電極を覆うように設けられた絶縁性又は導電性の第１の水素バリア膜を備え、
前記第１の水素バリア膜は、ワード線方向及びビット線方向のうちの一方向に並ぶ前記複数の強誘電体キャパシタよりなるキャパシタ列毎に分離して形成されていることを特徴とする強誘電体メモリ装置。
【請求項２】
半導体基板上の層間絶縁膜の上に順次形成された下部電極、強誘電体膜よりなる容量絶縁膜及び上部電極を有し、ワード線方向及びビット線方向に配置された複数の強誘電体キャパシタを備えた強誘電体メモリ装置であって、
複数の前記上部電極を覆うように設けられた絶縁性又は導電性の第１の水素バリア膜を備え、
前記第１の水素バリア膜は、ワード線方向及びビット線方向のうちの一方向に並ぶ前記複数の強誘電体キャパシタよりなるキャパシタ列のうち、ワード線方向及びビット線方向のうちの他方向に隣り合う一対のキャパシタ列を覆うように形成されていることを特徴とする強誘電体メモリ装置。
【請求項３】
前記複数の強誘電体キャパシタのうち、前記一方向に並ぶ複数の強誘電体キャパシタの前記下部電極同士の間に埋め込まれた絶縁性の第２の水素バリア膜をさらに備えていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の強誘電体メモリ装置。
【請求項４】
前記上部電極は、前記一方向に並ぶ前記複数の強誘電体キャパシタに共通に形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の強誘電体メモリ装置。
【請求項５】
前記層間絶縁膜に形成されているコンタクトプラグと前記下部電極との間に形成された導電性の第３の水素バリア膜をさらに備えていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の強誘電体メモリ装置。
【請求項６】
前記一方向に並ぶ前記複数の強誘電体キャパシタよりなるキャパシタ列は、前記第１の水素バリア膜、前記第２の水素バリア膜及び前記第３の水素バリア膜によって完全に覆われていることを特徴とする請求項５に記載の強誘電体メモリ装置。
【請求項７】
前記共通の上部電極と前記第１の水素バリア膜との間に形成され、前記共通の上部電極の周縁部に形成される段差を緩和する段差緩和膜をさらに備えていることを特徴とする請求項４に記載の強誘電体メモリ装置。
【請求項８】
前記第２の水素バリア膜は、Ｓｉ3Ｎ4膜、ＳｉＯＮ膜、Ａｌ2Ｏ3膜、ＴｉＯ2 膜、又はＴｉとＡｌとの合金の酸化物膜若しくは酸窒化物膜よりなることを特徴とする請求項３に記載の強誘電体メモリ装置。
【請求項９】
前記第１の水素バリア膜は、Ｓｉ3Ｎ4膜、ＳｉＯＮ膜、Ａｌ2Ｏ3膜、ＴｉＯ2 膜、ＴｉＮ膜若しくはＴｉとＡｌとの合金膜、又はＴｉとＡｌとの合金の酸化物膜、窒化物膜若しくは酸窒化物膜よりなることを特徴とする請求項１に記載の強誘電体メモリ装置。
【請求項１０】
前記第３の水素バリア膜は、ＴｉとＡｌとの合金膜、ＴｉとＡｌとの合金の窒化物膜若しくは酸窒化物膜、又はＴｉＮ膜よりなることを特徴とする請求項５に記載の強誘電体メモリ装置。
【請求項１１】
半導体基板上の層間絶縁膜の上に順次形成された下部電極、強誘電体膜よりなる容量絶縁膜及び上部電極を有し、ワード線方向及びビット線方向に配置された複数の強誘電体キャパシタを備えた強誘電体メモリ装置の製造方法であって、
前記層間絶縁膜の上に、前記複数の強誘電体キャパシタの下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に容量絶縁膜を形成する工程と、
前記容量絶縁膜の上に上部電極を形成する工程と、
絶縁性又は導電性の第１の水素バリア膜を、複数の前記上部電極を覆い、かつ、ワード線方向及びビット線方向のうちの一方向に並ぶ前記複数の強誘電体キャパシタよりなるキャパシタ列毎に分離して形成する工程とを備えていることを特徴とする強誘電体メモリ装置の製造方法。
【請求項１２】
半導体基板上の層間絶縁膜の上に順次形成された下部電極、強誘電体膜よりなる容量絶縁膜及び上部電極を有し、ワード線方向及びビット線方向に配置された複数の強誘電体キャパシタを備えた強誘電体メモリ装置の製造方法であって、
前記層間絶縁膜の上に、前記複数の強誘電体キャパシタの下部電極を形成する工程と、
前記下部電極上に容量絶縁膜を形成する工程と、
前記容量絶縁膜の上に上部電極を形成する工程と、
絶縁性又は導電性の第１の水素バリア膜を、複数の前記上部電極を覆い、かつ、ワード線方向及びビット線方向のうちの一方向に並ぶ前記複数の強誘電体キャパシタよりなるキャパシタ列のうち、ワード線方向及びビット線方向のうちの他方向に隣り合う一対のキャパシタ列を覆うように形成する工程とを備えていることを特徴とする強誘電体メモリ装置の製造方法。
【請求項１３】
前記下部電極を形成する工程の後で、前記容量絶縁膜を形成する工程よりも前に、前記層間絶縁膜及び前記下部電極の上に絶縁性の第２の水素バリア膜を堆積した後、該第２の水素バリア膜を平坦化して、前記複数の強誘電体キャパシタのうち、前記一方向に並ぶ複数の強誘電体キャパシタの前記下部電極同士の間に第２の水素バリア膜を埋め込む工程をさらに備えていることを特徴とする請求項１１または請求項１２記載の強誘電体メモリ装置の製造方法。
【請求項１４】
前記下部電極を形成する工程よりも前に、前記層間絶縁膜に形成されているコンタクトプラグと前記下部電極との間に介在する導電性の第３の水素バリア膜を形成する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の強誘電体メモリ装置の製造方法。
【請求項１５】
前記一方向に並ぶ前記複数の強誘電体キャパシタよりなるキャパシタ列は、前記第１の水素バリア膜、前記第２の水素バリア膜及び前記第３の水素バリア膜によって完全に覆われていることを特徴とする請求項１４に記載の強誘電体メモリ装置の製造方法。
【請求項１６】
前記上部電極を形成する工程と前記第１の水素バリア膜を形成する工程との間に、前記上部電極と前記第１の水素バリア膜との間に介在し、前記上部電極の周縁部に形成される段差を緩和する段差緩和膜を形成する工程をさらに備えていることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の強誘電体メモリ装置の製造方法。
【請求項１７】
前記第２の水素バリア膜は、Ｓｉ3Ｎ4膜、ＳｉＯＮ膜、Ａｌ2Ｏ3膜、ＴｉＯ2 膜、又はＴｉとＡｌとの合金の酸化物膜若しくは酸窒化物膜よりなることを特徴とする請求項１５に記載の強誘電体メモリ装置の製造方法。
【請求項１８】
前記第１の水素バリア膜は、Ｓｉ3Ｎ4膜、ＳｉＯＮ膜、Ａｌ2Ｏ3膜、ＴｉＯ2 膜、ＴｉＮ膜若しくはＴｉとＡｌとの合金膜、又はＴｉとＡｌとの合金の酸化物膜、窒化物膜若しくは酸窒化物膜よりなることを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載の強誘電体メモリ装置の製造方法。
【請求項１９】
前記第３の水素バリア膜は、ＴｉとＡｌとの合金膜、ＴｉとＡｌとの合金の窒化物膜若しくは酸窒化物膜、又はＴｉＮ膜よりなることを特徴とする請求項１４に記載の強誘電体メモリ装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月16日(2004.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
ホトダイオードに介在するＩ型層が完全空乏化するような逆バイアス電圧が印加された場合、トランジスタのＰ型ベース領域とＮ型コレクタ領域との間にも同じ逆バイアスが印加されることになるが、この場合でもＮ型ウエル領域は全域においては空乏化しない。逆バイアス電圧、即ちコレクタ電圧を更に増加した場合、Ｎウェル領域内の空乏層が僅かずつ広がることによりベース電位の変動が微小になり、電流増幅率の変動が抑えられて安定したコレクタ電流、即ち出力電流となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
Ｉ型層ＰＤＩ、Ｎ型ウエル領域ＣＷ、主ベース領域Ｂ２及びＮ型エミッタ領域Ｅの表面側からＰ型不純物を添加することによって、エミッタの外側の領域の表面側に高濃度Ｐ型層Ｂ１（ＰＤP）を形成する。Ｉ型層ＰＤI、Ｎ型ウエル領域ＣＷ、主ベース領域Ｂ２及びＮ型エミッタ領域Ｅの表面上に、高濃度Ｐ型層ＰＤP形成予定領域が露出したマスクを作製する。このマスクはホトレジストによって形成される。マスクをした状態で、これらの表面側から高濃度Ｐ型層ＰＤP形成予定領域内にＰ型不純物を添加し高濃度Ｐ型層Ｂ１（ＰＤP）を形成する。不純物添加方法としては、拡散法やイオン注入法が挙げられる。最後に、アイソレーションやパッシベーション、金属電極を設けることにより、光半導体装置が完成する。本製造方法によれば、表面側からＮ型不純物を添加することによってＮ型ウエル領域ＣＷを作製することとしたので、これはコレクタ領域の一部として機能するが、この場合には、上述の効果に加えて、コレクタ領域の不純物濃度や分布を、これが埋め込み層である場合に比較して高精度に制御することができ、したがって、トランジスタＴＲの特性を向上させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
比較例においては、Ｉ型層ＰＤIによる抵抗Ｒｃが大きいため、ホトダイオードＰＤを一部分空乏化した場合においてはコレクタ抵抗が大きくトランジスタ飽和電圧が大きくなる。また、コレクタ抵抗Ｒｃをなくすために空乏層がＢＬ領域まで達した場合には、空乏層がそれ以上変化できないためコレクタ電圧の増加に伴なってベース電位が上がり、電流増幅率が大きくなってコレクタ電流が変動する。更に、ＰＤＩを完全空乏化を想定すると、コレクタ抵抗の低下のために形成したＢＬ層が無い場合でもトランジスタのコレクタ抵抗Ｒｃは小さくなり、ＢＬ層の存在意義がなくなる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
実施形態においては、ホトダイオードＰＤを低電圧で完全空乏化でき、トランジスタＴＲ側の空乏層は、Ｎ型ウェル領域にベースとの接合部から２〜３μｍの深さしか広がらないため、トランジスタのコレクタ電圧依存性が小さいという利点がある。また、フォトダイオード部分のＰＤＩが完全空乏化されることによって比較例に比して電子の平均ドリフト速度は大きくなり、高速応答が可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月10日(2004.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトダイオードに関し、より詳細には、「応答速度と内部量子効率のトレードオフ」の問題を大幅に改善した、広帯域・高内部量子効率の超高速フォトダイオードに関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
一方、ＵＴＣ−ＰＤにおいては、逆バイアス印加状態で空乏化したバンドギャップの大きなｉ層中の電子走行速度がｐ型中性の光吸収層中の電子走行速度よりも充分大きいため、実効的なキャリア走行時間τＡは、電子走行速度の遅い光吸収層によってほぼ支配され、光照射が均一の条件のもとで、
τＡ（ＵＴＣ−ＰＤ）＝ＷＡ２／３Ｄｅ＋ＷＡ／ｖｔｈ          （３）
で与えられ、周波数応答（３ｄＢ帯域：ｆ３ｄＢ）も電子の拡散電流で決まり、
ｆ３ｄＢ（ＵＴＣ−ＰＤ）＝１／（２πτＡ）                  （４）
と近似される。ここで、Ｄｅは電子の拡散係数、ｖｔｈは電子の熱放出速度、ＷＡはｐ型中性の光吸収層厚である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、フォトダイオードにおける上述した「応答速度と内部量子効率のトレードオフ」の問題を改善し、広帯域でかつ高内部量子効率のフォトダイオードを提供することにある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
このとき、τＡのＷＡ依存性とτＤのＷＤ依存性は、各々、τＡ∝ＷＡ２、及び、τＤ∝ＷＤであり、光吸収層厚依存性が異なるため、光吸収層厚Ｗ一定の条件の下で、τＡの増加量（ΔτＡ）よりもτＤの減少量（−ΔτＤ）の方が大きくなる条件｜ΔτＡ｜＜｜−ΔτＤ｜が存在する場合には、層厚Ｗの全光吸収層の一部を層厚ＷＡのｐ型中性の光吸収層とすることによって、光吸収層全体のキャリア走行時間τｔｏｔが低下することになる。結局、ダイオード全体の実効的なキャリア走行時間は、｜ΔτＡ｜＝｜−ΔτＤ｜のときに最小値をとることとなる。この現象は、単位体積当たりのキャリア生成速度Ｇ（ｃｍ−３・ｓ−１）一定の均一な光照射がなされる場合の光吸収層内でのキャリア生成の様子を、単純な電荷制御モデルによって取り扱うことにより理解することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
一方、ＱＤは、空乏化した光吸収層内部でｑＧＷＤ２／２ｖｈだけ増加し、ｐ型中性の光吸収層と空乏化した光吸収層との界面でｑＧＷＤ２／３ｖｈだけ減少するから、
ＱＤ＝ｑＧＷＤ２／６ｖｈ      （１０）
で与えられる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月18日(2004.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像を読み取るプラテンガラスと、
原稿を前記プラテンガラスに搬送する読取給送手段と、
前記読取給送手段から前記プラテンガラスへ原稿を案内する案内手段と、
前記プラテンガラスを介して原稿の画像を読み取る画像読取手段とを有し、
前記読取給送手段は回転体対であって、前記回転体対のニップの接線方向が前記案内手段の案内方向と交差するように前記回転体対を配置したことを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
前記案内手段の案内方向の前記プラテンガラスに対する角度を45度以上としたことを特徴とする請求項１記載の画像読取装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】  【課題を解決するための手段】  上記課題を解決するために、本発明に係る画像形成装置の代表的な構成は、画像を読み取るプラテンガラスと、原稿を前記プラテンガラスに搬送する読取給送手段と、前記読取給送手段から前記プラテンガラスへ原稿を案内する案内手段と、前記プラテンガラスを介して原稿の画像を読み取る画像読取手段とを有し、前記読取給送手段は回転体対であって、前記回転体対のニップの接線方向が前記案内手段の案内方向と交差するように前記回転体対を配置したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】  ここで、読取給送手段としての回転体対であるリードローラ22とリード従動ローラ14によって形成されるニップが、案内手段である入口ガイド61の案内方向に対してプラテンガラス161側に傾くように（図中矢印Ｂ方向）、リードローラ22及びリード従動ローラ14を配置している。従って、リードローラ22及びリード従動ローラ14によって搬送される原稿Ｐは、入口ガイド61の面に沿って搬送される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】  上記説明した従来例(図６参照)においては、入口ガイド262とプラテンガイド266で形成される原稿パスと略平行に原稿が搬送されるようにリードローラ222とリード従動ローラ214のニップが配置され、原稿をプラテンガラス261に案内していた。これに対し本実施形態においては上記構成としたことにより、原稿Ｐと入口ガイド61とが密着する。従って原稿先端がガイドの角度変化などの特異点であるジャンプ台162に衝突しても、原稿Ｐが逃げるガイド空間（図６に示す空間263に相当）を抑制することができる。これにより安定した一定の速度で原稿を搬送することが可能となり、原稿の進みが遅くなって読み取った画像に部分的な画像の伸びが生じるという画像不良を起こすことなく、良好な画像を得ることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2003174541.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月29日(2004.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品に設けられた複数の外部接続用端子それぞれに対応させた複数の開口部が形成された樹脂シートを介して電子部品を回路基板の所定位置に装着してリフロー半田付けすることを特徴とする電子部品の実装方法。
【請求項２】
開口部にクリーム半田または半田ボールを充填する請求項１に記載の電子部品の実装方法。
【請求項３】
リフロー半田付け時に樹脂シートの溶融により電子部品の接合部を封止する請求項１〜２いずれか一項に記載の電子部品の実装方法。
【請求項４】
各開口部がそれぞれ各外部接続用端子に位置するように樹脂シートを取り付けた電子部品を回路基板に装着する請求項１〜３いずれか一項に記載の電子部品の実装方法。
【請求項５】
樹脂シートを回路基板の所定位置に装着した後、電子部品を樹脂シート上に装着する請求項１〜３いずれか一項に記載の電子部品の実装方法。
【請求項６】
メタルマスクを用いた半田を回路基板に供給する工程と、
電子部品に設けられた複数の外部接続用端子に対応させた複数の開口部が形成された樹脂シートを回路基板につける工程と、
電子部品を回路基板の所定位置に装着する工程と、
リフロー半田付けする工程と
からなる電子部品の実装方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記実装方法において、樹脂シートを介した電子部品の装着は、各開口部がそれぞれ各外部接続用端子に位置するように樹脂シートを取り付けた電子部品を回路基板に装着する方法、もしくは、樹脂シートを回路基板の所定位置に装着した後、電子部品を樹脂シート上に装着する方法によって行うことができる。
また本発明の電子部品の実装方法は、メタルマスクを用いた半田を回路基板に供給する工程と、電子部品に設けられた複数の外部接続用端子に対応させた複数の開口部が形成された樹脂シートを回路基板につける工程と、電子部品を回路基板の所定位置に装着する工程と、リフロー半田付けする工程とからなることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月14日(2004.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】手続補正書
【補正対象項目名】手続補正５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そこで本発明は、バランス球体によって良好な平衡化作用を得つつ、バランス球体どうしの衝突による騒音を低減させることができるようにした回転駆動装置を提供することを目的とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月25日(2004.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
マグネットロータを狭装して軸方向に一対の駆動コイルを配設したステッピングモータであって、前記駆動コイルは、前記マグネットロータから両方向に延設されたロータ軸を中心とする円環状に構成され、前記駆動コイルの回りを囲繞するように配設された一対の円環状ヨークを有し、前記ロータ軸を摺道可能に軸支する一対の焼結軸受を磁性体で形成して、前記円筒状ヨークと焼結軸受とが一体に形成されたことを特徴とするステッピングモータ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月2日(2004.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板にベース、エミッタ及びコレクタを有してバイポーラトランジスタが構成されてなる半導体装置であって、
前記ベースは、単結晶からなる略平坦な底部と多結晶からなる略垂直な側壁部とが一体形成されてなる半導体層であり、前記底部で前記エミッタと、前記側壁部で前記ベースの引き出し層と接続されており、前記引き出し層と前記半導体基板との間に絶縁膜を有してなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ベースは、ＳｉＧｅ／ＳｉＧｅＣ、ＧａＡｓ、及びＩｎＰから選ばれた一種であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ベースと前記エミッタとの界面には、前記ベース側に前記ベースの不純物が拡散して浅い接合が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記引き出し層と前記半導体基板との電気的絶縁を確保する絶縁膜の厚みが２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲内の値であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体基板にベース、エミッタ及びコレクタを有してバイポーラトランジスタが構成されてなる半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板上に形成された多層膜にベース開口部を形成する工程と、
非選択エピタキシャル成長法により、前記ベース開口部の内壁を覆うように前記多層膜の全面に半導体膜を形成する工程と、
前記ベース開口部内に所定深さまでマスク材を埋め込む工程と、
前記マスク材をマスクとしてエッチングし、前記ベース開口部内のみに前記半導体膜を残す工程と、
前記開口部内の前記マスク材を除去し、前記半導体膜からなる前記ベースを形成する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ベースは、ＳｉＧｅ／ＳｉＧｅＣ、ＧａＡｓ、及びＩｎＰから選ばれた一種であることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記ベースは、単結晶からなる前記半導体基板上の平坦な底部と、多結晶からなる側壁部とが一体形成されたものであることを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記多層膜のうちの一層がベース引き出し層であり、当該ベース引き出し層が前記側壁部と電気的に接続されていることを特徴とする請求項５又は６に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
更に、本発明の半導体装置は、前記ベースが、単結晶からなる略平坦な底部と多結晶からなる略垂直な側壁部とが一体形成されてなる半導体層であり、前記底部で前記エミッタと、前記側壁部で前記ベースの引き出し層と接続されており、前記引き出し層と前記半導体基板との間に絶縁膜を有してなるものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月26日(2004.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップと、半導体チップと電気的に接続される複数のリードと、リードが突出するパッケージと、パッケージに一体に構成される光学機能素子と、を備える光半導体装置の製造方法であって、
リードと吊りリードを介してリードフレームに結合されている複数の光半導体装置のリードのみを切断し形成して、完成した複数の光半導体装置が吊りリードを介して支持フレームにより支持される支持フレーム構造を成し、以後支持フレームのみに接触し、前記完成した複数の光半導体装置に直接接触しないことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の光半導体装置の製造方法において、
前記支持フレームを搬送する搬送手段を連結するための連結手段が前記支持フレームに形成されており、
連結手段を介して支持フレームおよび複数の光半導体装置を搬送することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の光半導体装置の製造方法において、
支持フレームを所定位置に決定するための位置決め手段が支持フレームに形成されており、
位置決め手段を用いて支持フレームおよび複数の光半導体装置の位置決めを行うことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜請求項３の何れか一項に記載の光半導体装置の製造方法により形成された支持フレームを用い、
支持フレームのみ接触した状態で収納、保管、検査または輸送を行い、複数の光半導体装置には非接触の状態で取り扱うことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜請求項３の何れか一項に記載の光半導体装置の製造方法により形成された支持フレームを用い、
光半導体装置を基板に実装して電気的に接続する際に、
支持フレームのみ接触した状態で搬送し、
搬送後に支持フレームのみ接触した状態で位置決めし、
位置決め終了後に光半導体装置を基板に実装し、
実装後に支持フレームの吊りリードとパッケージとを分離して、
光半導体装置には非接触で基板への実装を行うことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
上記課題を解決するため、第１の発明の光半導体装置の製造方法は、
半導体チップと、半導体チップと電気的に接続される複数のリードと、リードが突出するパッケージと、パッケージに一体に構成される光学機能素子と、を備える光半導体装置の製造方法であって、
リードと吊りリードを介してリードフレームに結合されている複数の光半導体装置のリードのみを切断し形成して、完成した複数の光半導体装置が吊りリードを介して支持フレームにより支持される支持フレーム構造を成し、以後支持フレームのみに接触し、前記完成した複数の光半導体装置に直接接触しないことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、第２の発明の光半導体装置の製造方法は、
第１の発明の光半導体装置の製造方法において、
前記支持フレームを搬送する搬送手段を連結するための連結手段が前記支持フレームに形成されており、
連結手段を介して支持フレームおよび複数の光半導体装置を搬送することを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、第３の発明の光半導体装置の製造方法は、
第１，第２の発明の光半導体装置の製造方法において、
支持フレームを所定位置に決定するための位置決め手段が支持フレームに形成されており、
位置決め手段を用いて支持フレームおよび複数の光半導体装置の位置決めを行うことを特徴とするものである。