【手続補正書】
【提出日】平成16年10月5日(2004.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】エリアセンサ及び表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、ＥＬ素子とを有していることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項２】
基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換層が結晶質珪素膜または非晶質珪素膜からなる光電変換素子と、ＥＬ素子とを有していることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項３】
基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、前記光電変換素子の光電変換層上に絶縁膜を介して設けられた電極と、ＥＬ素子とを有していることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項４】
基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換層が結晶質珪素膜または非晶質珪素膜からなる光電変換素子と、前記光電変換層上に絶縁膜を介して設けられた電極と、ＥＬ素子とを有していることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項において、前記ＥＬ素子は陽極、陰極及び前記陽極と前記陰極の間に設けられた有機ＥＬ層を有していることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項１４のいずれか１項において、前記光電変換素子はカソード、アノード及び前記カソードと前記アノードの間に設けられた光電変換層を有していることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、前記光電変換素子のカソードはｎ型の不純物が添加された半導体膜であることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、前記光電変換素子のアノードはｎ型の不純物が添加された半導体膜であることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項９】
基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、ＥＬ素子と、前記ＥＬ素子の動作を制御するスイッチング用ＴＦＴ及びＥＬ駆動用ＴＦＴと、前記光電変換素子に照射された光から信号を生成するリセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴ及び選択用ＴＦＴとを有することを特徴とするエリアセンサ。
【請求項１０】
基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、ＥＬ素子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴと、ソース信号線と、ゲート信号線と、電源供給線と、定電流電源と、センサ出力配線と、センサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続されており、
前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記ＥＬ素子に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域は、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極及び前記光電変換素子のアノードまたはカソードのいずれか一方に接続されており、
前記バッファ用ＴＦＴのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用ＴＦＴのソース領域に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されていることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項１１】
基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、ＥＬ素子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴと、ソース信号線と、ゲート信号線と、電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、定電流電源と、センサ出力配線と、センサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続されており、
前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記ＥＬ素子に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのゲート電極は前記リセット用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域は、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極及び前記光電変換素子のアノードまたはカソードのいずれか一方に接続されており、
前記バッファ用ＴＦＴのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用ＴＦＴのソース領域に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されていることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項１２】
基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、ＥＬ素子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴと、ソース信号線と、ゲート信号線と、電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源と、センサ出力配線と、センサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続されており、
前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記ＥＬ素子に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのゲート電極は前記リセット用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域は、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極及び前記光電変換素子のアノードまたはカソードのいずれか一方に接続されており、
前記バッファ用ＴＦＴのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用ＴＦＴのソース領域に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのゲート電極は前記センサ用ゲート信号線に接続されていることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項１３】
基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、ＥＬ素子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴと、ソース信号線と、ゲート信号線と、電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源と、センサ出力配線と、センサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続されており、
前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記ＥＬ素子に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのゲート電極は前記リセット用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域は、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極及び前記光電変換素子に接続されており、
前記バッファ用ＴＦＴのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用ＴＦＴのソース領域に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴの極性は同じであることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項１４】
基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、ＥＬ素子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴと、ソース信号線と、ゲート信号線と、電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源と、センサ出力配線と、センサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続されており、
前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記ＥＬ素子に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのゲート電極は前記リセット用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域は、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極及び前記光電変換素子のアノードまたはカソードのいずれか一方に接続されており、
前記バッファ用ＴＦＴのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用ＴＦＴのソース領域に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのゲート電極は前記センサ用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用ゲート信号線と前記センサ用ゲート信号線とに入力される信号によって前記リセット用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴはオンからオフの状態、またはオフからオンの状態に同時に切り替わり、
前記リセット用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴは、一方がオンの状態の時、もう一方はオフの状態
であることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項１５】
基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、ＥＬ素子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴと、ソース信号線と、ゲート信号線と、電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源と、センサ出力配線と、センサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続されており、
前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記ＥＬ素子に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのゲート電極は前記リセット用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域は、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極及び前記光電変換素子のアノードまたはカソードのいずれか一方に接続されており、
前記バッファ用ＴＦＴのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用ＴＦＴのソース領域に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴの極性は同じであり、
前記リセット用ゲート信号線と前記センサ用ゲート信号線とに入力される信号によって前記リセット用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴはオンからオフの状態、またはオフからオンの状態に同時に切り替わり、
前記リセット用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴは、一方がオンの状態の時、もう一方はオフの状態であることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項１６】
請求項９乃至請求項１５のいずれか１項において、前記スイッチング用ＴＦＴ、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴ、前記リセット用ＴＦＴ、前記バッファ用ＴＦＴ及び前記選択用ＴＦＴの半導体膜は結晶質珪素膜または非晶質珪素膜であることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項１７】
請求項９乃至請求項１６のいずれか１項において、前記スイッチング用ＴＦＴ、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴ、前記リセット用ＴＦＴ、前記バッファ用ＴＦＴ及び前記選択用ＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴまたはｎチャネル型ＴＦＴであることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項１８】
請求項９乃至請求項１７のいずれか１項において、前記ＥＬ素子は陽極、陰極及び前記陽極と前記陰極の間に設けられた有機ＥＬ層を有していることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項１９】
請求項９乃至請求項１８のいずれか１項において、前記ＥＬ素子の陽極は前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域又はドレイン領域に接続され、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項２０】
請求項９乃至請求項１８のいずれか１項において、前記ＥＬ素子の陰極は前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域又はドレイン領域に接続され、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項２１】
請求項９乃至請求項２０のいずれか１項において、前記光電変換素子のアノードは前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域に接続され、前記リセット用ＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであり、前記バッファ用ＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項２２】
請求項９乃至請求項２０のいずれか１項において、前記光電変換素子のカソードは前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域に接続され、前記リセット用ＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであり、前記バッファ用ＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項２３】
請求項９乃至請求項２２のいずれか１項において、前記光電変換素子はカソード、アノード及び前記カソードと前記アノードの間に設けられた光電変換層を有していることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項２４】
請求項９乃至請求項２３のいずれか１項において、前記光電変換素子の光電変換層は結晶質珪素膜または非晶質珪素膜であることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項２５】
請求項９乃至請求項２４のいずれか１項において、前記光電変換素子の光電変換層上に絶縁膜を介して電極が設けられていることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項２６】
請求項９乃至請求項２５のいずれか１項において、前記光電変換素子のカソードはｎ型の不純物が添加された半導体膜であることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項２７】
請求項９乃至請求項２６のいずれか１項において、前記光電変換素子のアノードはｎ型の不純物が添加された半導体膜であることを特徴とするエリアセンサ。
【請求項２８】
基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、ＥＬ素子とを有していることを特徴とする表示装置。
【請求項２９】
基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換層が結晶質珪素膜または非晶質珪素膜からなる光電変換素子と、ＥＬ素子とを有していることを特徴とする表示装置。
【請求項３０】
基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、前記光電変換素子の光電変換層上に絶縁膜を介して設けられた電極と、ＥＬ素子とを有していることを特徴とする表示装置。
【請求項３１】
基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換層が結晶質珪素膜または非晶質珪素膜からなる光電変換素子と、前記光電変換層上に絶縁膜を介して設けられた電極と、ＥＬ素子とを有していることを特徴とする表示装置。
【請求項３２】
請求項２８乃至請求項３１のいずれか１項において、前記ＥＬ素子は陽極、陰極及び前記陽極と前記陰極の間に設けられた有機ＥＬ層を有していることを特徴とする表示装置。
【請求項３３】
請求項２８乃至請求項３２のいずれか１項において、前記光電変換素子はカソード、アノード及び前記カソードと前記アノードの間に設けられた光電変換層を有していることを特徴とする表示装置。
【請求項３４】
請求項２８乃至請求項３３のいずれか１項において、前記光電変換素子のカソードはｎ型の不純物が添加された半導体膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項３５】
請求項２８乃至請求項３４のいずれか１項において、前記光電変換素子のアノードはｎ型の不純物が添加された半導体膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項３６】
基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、ＥＬ素子と、前記ＥＬ素子の動作を制御するスイッチング用ＴＦＴ及びＥＬ駆動用ＴＦＴと、前記光電変換素子に照射された光から信号を生成するリセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴ及び選択用ＴＦＴとを有することを特徴とする表示装置。
【請求項３７】
基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、ＥＬ素子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴと、ソース信号線と、ゲート信号線と、電源供給線と、定電流電源と、センサ出力配線と、センサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続されており、
前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記ＥＬ素子に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域は、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極及び前記光電変換素子のアノードまたはカソードのいずれか一方に接続されており、
前記バッファ用ＴＦＴのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用ＴＦＴのソース領域に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３８】
基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、ＥＬ素子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴと、ソース信号線と、ゲート信号線と、電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、定電流電源と、センサ出力配線と、センサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続されており、
前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記ＥＬ素子に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのゲート電極は前記リセット用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域は、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極及び前記光電変換素子のアノードまたはカソードのいずれか一方に接続されており、
前記バッファ用ＴＦＴのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用ＴＦＴのソース領域に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項３９】
基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、ＥＬ素子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴと、ソース信号線と、ゲート信号線と、電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源と、センサ出力配線と、センサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続されており、
前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記ＥＬ素子に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのゲート電極は前記リセット用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域は、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極及び前記光電変換素子のアノードまたはカソードのいずれか一方に接続されており、
前記バッファ用ＴＦＴのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用ＴＦＴのソース領域に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのゲート電極は前記センサ用ゲート信号線に接続されていることを特徴とする表示装置。
【請求項４０】
基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、ＥＬ素子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴと、ソース信号線と、ゲート信号線と、電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源と、センサ出力配線と、センサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続されており、
前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記ＥＬ素子に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのゲート電極は前記リセット用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域は、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極及び前記光電変換素子のアノードまたはカソードのいずれか一方に接続されており、
前記バッファ用ＴＦＴのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用ＴＦＴのソース領域に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのゲート電極は前記センサ用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用ゲート信号線と前記センサ用ゲート信号線とに入力される信号によって前記リセット用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴはオンからオフの状態、またはオフからオンの状態に同時に切り替わり、
前記リセット用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴは、一方がオンの状態の時、もう一方はオフの状態
であることを特徴とする表示装置。
【請求項４１】
基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、ＥＬ素子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴと、ソース信号線と、ゲート信号線と、電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源と、センサ出力配線と、センサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続されており、
前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記ＥＬ素子に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのゲート電極は前記リセット用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域は、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極及び前記光電変換素子に接続されており、
前記バッファ用ＴＦＴのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用ＴＦＴのソース領域に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴの極性は同じであることを特徴とする表示装置。
【請求項４２】
基板上に複数の画素を有するセンサ部が設けられ、
前記複数の画素は、光電変換素子と、ＥＬ素子と、スイッチング用ＴＦＴと、ＥＬ駆動用ＴＦＴと、リセット用ＴＦＴと、バッファ用ＴＦＴと、選択用ＴＦＴと、ソース信号線と、ゲート信号線と、電源供給線と、リセット用ゲート信号線と、センサ用ゲート信号線と、定電流電源と、センサ出力配線と、センサ用電源線とを有しており、
前記スイッチング用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記ソース信号線に、もう一方は前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのゲート電極に接続されており、
前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記電源供給線に、もう一方は前記ＥＬ素子に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのゲート電極は前記リセット用ゲート信号線に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのソース領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域は、前記バッファ用ＴＦＴのゲート電極及び前記光電変換素子のアノードまたはカソードのいずれか一方に接続されており、
前記バッファ用ＴＦＴのドレイン領域は前記センサ用電源線に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのソース領域とドレイン領域は、一方は前記センサ出力配線に、もう一方は前記バッファ用ＴＦＴのソース領域に接続されており、
前記選択用ＴＦＴのゲート電極は前記ゲート信号線に接続されており、
前記スイッチング用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴの極性は同じであり、
前記リセット用ゲート信号線と前記センサ用ゲート信号線とに入力される信号によって前記リセット用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴはオンからオフの状態、またはオフからオンの状態に同時に切り替わり、
前記リセット用ＴＦＴと前記選択用ＴＦＴは、一方がオンの状態の時、もう一方はオフの状態であることを特徴とする表示装置。
【請求項４３】
請求項３６乃至請求項４２のいずれか１項において、前記スイッチング用ＴＦＴ、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴ、前記リセット用ＴＦＴ、前記バッファ用ＴＦＴ及び前記選択用ＴＦＴの半導体膜は結晶質珪素膜または非晶質珪素膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項４４】
請求項３６乃至請求項４３のいずれか１項において、前記スイッチング用ＴＦＴ、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴ、前記リセット用ＴＦＴ、前記バッファ用ＴＦＴ及び前記選択用ＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴまたはｎチャネル型ＴＦＴであることを特徴とする表示装置。
【請求項４５】
請求項３６乃至請求項４４のいずれか１項において、前記ＥＬ素子は陽極、陰極及び前記陽極と前記陰極の間に設けられた有機ＥＬ層を有していることを特徴とする表示装置。
【請求項４６】
請求項３６乃至請求項４５のいずれか１項において、前記ＥＬ素子の陽極は前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域又はドレイン領域に接続され、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであることを特徴とする表示装置。
【請求項４７】
請求項３６乃至請求項４５のいずれか１項において、前記ＥＬ素子の陰極は前記ＥＬ駆動用ＴＦＴのソース領域又はドレイン領域に接続され、前記ＥＬ駆動用ＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであることを特徴とする表示装置。
【請求項４８】
請求項３６乃至請求項４７のいずれか１項において、前記光電変換素子のアノードは前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域に接続され、前記リセット用ＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであり、前記バッファ用ＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであることを特徴とする表示装置。
【請求項４９】
請求項３６乃至請求項４７のいずれか１項において、前記光電変換素子のカソードは前記リセット用ＴＦＴのドレイン領域に接続され、前記リセット用ＴＦＴはｐチャネル型ＴＦＴであり、前記バッファ用ＴＦＴはｎチャネル型ＴＦＴであることを特徴とする表示装置。
【請求項５０】
請求項３６乃至請求項４９のいずれか１項において、前記光電変換素子はカソード、アノード及び前記カソードと前記アノードの間に設けられた光電変換層を有していることを特徴とする表示装置。
【請求項５１】
請求項３６乃至請求項５０のいずれか１項において、前記光電変換層は結晶質珪素膜または非晶質珪素膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項５２】
請求項３６乃至請求項５１のいずれか１項において、前記光電変換層上に絶縁膜を介して電極が設けられていることを特徴とする表示装置。
【請求項５３】
請求項３６乃至請求項５２のいずれか１項において、前記光電変換素子のカソードはｎ型の不純物が添加された半導体膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項５４】
請求項３６乃至請求項５３のいずれか１項において、前記光電変換素子のアノードはｎ型の不純物が添加された半導体膜であることを特徴とする表示装置。
【請求項５５】
請求項２８乃至請求項５４のいずれか１項において、タッチペン及びタッチパネルを有していることを特徴とする表示装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２０】
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【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２１】
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