Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月8日(2005.9.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（Ｅ）  イソプレンとブタジエンの混合物よりなるジエン系重合体ブロックとポリスチレンブロックからなる水添ブロック共重合体、パラフィン系オイルおよびポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系熱可塑性エラストマー、ポリウレタン系熱可塑性エラストマーから選ばれる熱可塑性エラストマーとからなる重合体組成物（特許文献８を参照）。
（Ｆ）  イソプレン単独またはイソプレンとブタジエンの混合物よりなり、特定のイソプレン結合単位を特定量以上有するジエン系重合体ブロックとポリスチレンブロックからなる水添または非水添のブロック共重合体、およびポリエステル系熱可塑性エラストマー、ポリアミド系熱可塑性エラストマー、ポリウレタン系熱可塑性エラストマーから選ばれる熱可塑性エラストマーとからなる重合体組成物（特許文献９を参照）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
さらに、芳香族ビニル化合物から主としてなる重合体ブロックと共役ジエン化合物から主としてなる重合体ブロックを有するブロック共重合体および／またはその水素添加物からなる付加重合系ブロック共重合体および熱可塑性ポリウレタンエラストマーからなる熱可塑性重合体組成物に、更に芳香族ビニル化合物から主としてなる重合体ブロックと共役ジエン化合物から主としてなる重合体ブロックを有するブロック共重合体またはその水素添加物からなる重合体ブロックと熱可塑性ポリウレタンエラストマーブロックを有するポリウレタン系ブロック共重合体およびパラフィン系オイルを特定の量で配合した熱可塑性重合体組成物が知られている（特許文献１０および１１を参照）。特許文献１０および１１に記載されている熱可塑性重合体組成物は、良好な弾力性、柔軟性、力学特性、耐油性、成形加工性を有し、しかも溶融接着性に優れていて各種の材料に強固に接着するという優れた特性を有する。本発明者らが、特許文献１０および１１に記載されている熱可塑性重合体組成物に基づいて更に検討を重ねたところ、溶融時の粘度をより低下させて成形加工性を一層向上させること、さらに各種材料との溶融接着性をより向上させることが、この種の熱可塑性重合体組成物を各種成形品や各種材料（例えばポリアミド樹脂）との積層複合体の製造に使用する上で一層望ましいことが判明した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
そのうちでも、共役ジエン重合体ブロック（Ｂ１）、（Ｂ２）および／または（Ｂ３）は、ゴム物性の改善効果の点から、イソプレン単位を主体とするモノマー単位からなるポリイソプレンブロックまたはその不飽和二重結合の一部または全部が水素添加（以下「水添」ということがある）された水添ポリイソプレンブロック；ブタジエン単位を主体とするモノマー単位からなるポリブタジエンブロックまたはその不飽和二重結合の一部または全部が水素添加された水添ポリブタジエンブロック；或いはイソプレン単位とブタジエン単位を主体とするモノマー単位からなるイソプレン／ブタジエン共重合体ブロックまたはその不飽和二重結合の一部または全部が水素添加された水添イソプレン／ブタジエン共重合体ブロックであることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
共役ジエン重合体ブロック（Ｂ１）、（Ｂ２）および（Ｂ３）が、前記したイソプレン／ブタジエン共重合体ブロックまたはその水素添加されたブロックである場合は、イソプレン単位とブタジエン単位の配置は、ランダム状、ブロック状、テーパーブロック状のいずれの形態になっていてもよい。そして、イソプレン／ブタジエン共重合体ブロックでは、ゴム物性の改善効果の点から、イソプレン単位：ブタジエン単位のモル比が、１０：９０〜９０：１０であることがより好ましく、３０：７０〜７０：３０であることがより好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
付加重合系ブロック共重合体（Ｉｂ）を構成する共役ジエン重合体ブロック（Ｂ２）がイソプレン／ブタジエン共重合体ブロック、特にイソプレン単位：ブタジエン単位のモル比が１０：９０〜９０：１０である場合に、付加重合系ブロック共重合体（Ｉｂ）のガラス転移点が−４５℃未満であるためには、水素添加前において、イソプレン／ブタジエン共重合体ブロックを構成するイソプレンに由来する単位であるイソプロペニルエチレン基および１−メチル−１−ビニルエチレン基並びにブタジエンに由来する単位であるビニルエチレン基の合計が３０モル％未満である必要がある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月29日(2005.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
中蓋本体部４１は、断熱性素材、例えば、セメント材を基材としてこれに珪砂、反応性微粉末を使用して製造した無機系複合材料である複合セメント材（太平洋セメント株式会社製造のダクタル（登録商標）プレミックス）により、薄型化で且つ軽量化が可能となるように形成される。このダクタル（登録商標）は各種微細粒子により構成されたその織密性ゆえ、超高強度であり、凍結融解抵抗性、中性化、耐塩害性に対しても高い性能を有し、超長期の高耐久性が期待できるものである。尚、断熱性素材はこのダクタルに限らず、高強度コンクリート材を使用することもできる。また、中蓋本体部４１のうち、一部（図示の例では周方向一箇所）には、差込固定用の段付き舌部４１Ａが設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月27日(2005.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
かかる化合物としては、例えばICF2CF2CF2CF2I、ICF2CF2CF2CF2Br、ICF2CF2Br等が用いられ、特にICF2CF2CF2CF2Iは硬化特性等の面からみて好適である。他の例は、特公昭58-4728号公報等に記載されている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月28日(2004.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水車に中空部を作ることで、回転体に懸かる水平方向の水圧を低減させる筒状な水車。
【請求項２】
回転力を得るために設ける入出可能な羽及び入出時のエネルギーを他の羽に伝播させる液体を内含する構造。
【請求項３】
止水の為に設ける加圧器及びそれに連動した止水袋。
【請求項４】
不陸防止等のため、ガイド等を設置した非回転体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【発明の名称】水車型浮力発電機
【技術分野】
【０００１】  本発明は、水槽内で可能な、発電機に関するものである。
【背景技術】
【０００２】  実用の水車は、水の位置エネルギーを利用し、回転力を発生させるものである。  そのため、水位差のある、限られた場所でしか利用されていない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】  ドラム型浮力発電機では水圧が回転軸に集中する。【特許文献１】特開平８−２７７７７５
【課題を解決しようとする手段】
【０００４】  ドラム型浮力発電機に中空部を設ける。
【発明の効果】
【０００５】  中空部の水で抵抗水圧を発生させるので水平方向の水圧が低減する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】  水車にかかる水圧を低減した。
【課題を解決しようとする手段】
【０００７】  回転軸の替わりに非回転体を設ける。
【発明の効果】
【０００８】  不陸を低減する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】  水車本体の不陸を低減する目的を実現した。
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】  回転力を得るための工夫。
【課題を解決しようとする手段】
【００１１】  入出可能な羽及びそのエネルギーを伝播する液体を内含する構造にする。
【発明の効果】
【００１２】  回転力を得ることが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】  回転力を得る目的を実現した。
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】  水車と非回転体との不特定な間隙と漏水。
【課題を解決しようとする手段】
【００１５】  加圧器と連動した止水袋を設ける。  ８割水深とする。
【発明の効果】
【００１６】  上下可動な止水機を使用することで不特定な間隙を吸収出来る。  ８割水深にすることで漏水箇所が半減する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】  漏水対策の目的を実現した。
【産業上の利用可能性】
【００１８】  小型化が実現すると、電気消費量の少ない電化製品が可能となる。【００１９】  住宅街での発電が可能になり、電線や高圧線を減らすことが出来る。【００２０】  設置場所に拘束されず、原子力発電等に採って替わることが出来る。【００２１】  太陽電池と併用することで、クリーンな内燃機関が実現する。【００２２】  石油への依存度を減らすことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】水車型浮力発電機の実施方法を示した説明図である。
【符号の説明】
【００２４】        １．断面図        ２．横断図        ３．止水袋詳細図
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004346941.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月24日(2004.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリに格納された回路設計を信号ごとに解析する方法であって、
前記回路設計を格納する階層的データベースを読み取るステップと、
メモリに格納された前記回路設計の一部に対して、終端ノードによって定義される試験の信号を選択するステップと、
前記一部における前記信号のそれぞれについて、
前記回路設計を使用し、前記信号にしたがってノードおよびエッジのフラットな表現を作成するステップと、
前記信号のフラットな表現上で試験を実行するステップと、
前記一部において他の信号を解析する前に、前記信号のフラットな表現を削除するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記作成するステップは、
前記回路の一部のうちの前記終端ノード間のそれぞれの経路に沿って前記信号を再帰的にトレースするステップと、
前記信号をトレースする間に、前記信号に沿ってそれぞれのネットにノードを作成し、前記信号に沿ってそれぞれの装置にエッジを作成するステップであって、前記ノードおよびエッジのそれぞれは、前記階層的データベースにおける位置に対する名前とアドレス・ポインタを有する、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記再帰的にトレースするステップは、
上流の終端ノードまたは終端デバイスに達するまで、下流の終端ノードから上流の終端ノードへと上流方向にトレースするステップと、
前記上流の終端ノードまたは前記終端デバイスに達した後に、前記信号にしたがって経路を再帰的にトレースするステップと、
を含む請求項２記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月12日(2005.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示画像から画像アーティファクトを取り除く方法であって、（ａ）前記画像の画素を取り出すステップと、（ｂ）前記各画素をスクリーン画素又は非スクリーン画素に分類するステップと、（ｃ）前記各画素の周辺区域にある所定の画素を調べてステップ（ｂ）で決められた画素の分類を確認するステップと、（ｄ）ステップ（ｃ）の分類結果に基づき前記画素にローパスフィルタを選択的に適用し前記ローパスフィルタが適用された画素が、前記ローパスフィルタで生成した別の画素に置換えられるステップとからなることを特徴とする画像アーティファクトの除去方法。
【請求項２】
請求項１において、前記ステップ（ｂ）は分類中の画素を中心とした所定の大きさを有する第１マスクを用い、前記分類中の画素が所定の周期的パターンを有する区域内にあるかどうかを決定するステップを有することを特徴とする画像アーティファクトの除去方法。
【請求項３】
請求項２において、前記第１マスクを、その一部がオーバーラップする複数の区域に分割し、いずれの前記分割された区域にも、前記分類中の画素が含まれていることを特徴とする画像アーティファクトの除去方法。
【請求項４】
請求項１において、前記ステップ（ｃ）は前記分類の結果の確認している画素を中心とした所定の大きさを有する第２マスクを用いることを特徴とする画像アーティファクトの除去方法。
【請求項５】
請求項４において、前記第２マスクはその一部がオーバーラップする複数の区域に分割され、いずれの前記分割された区域にも、前記分類の結果を確認している画素が含まれていることを特徴とする画像アーティファクトの除去方法。
【請求項６】
請求項２において、前記所定の周期的パターンは、周期２又は３を有する周期的なライン又はドットのパターンであることを特徴とする画像アーティファクトの除去方法。
【請求項７】
請求項５において、前記ステップ（ｄ）は、前記第２マスクの複数に分割された区域のどの区域にスクリーン画素が含まれているかに基づいて、前記ローパスフィルタの適用を決めることを特徴とする画像アーティファクトの除去方法。
【請求項８】
請求項１において、（ｆ）前記画像の少なくとも一部分の特徴標識を決定するステップと、（ｇ）前記決定された特徴標識に基づいて前記画像の少なくとも一部分を適応鮮鋭化又は緩和するステップとをさらに具備することを特徴とする画像アーティファクトの除去方法。
【請求項９】
表示画像から画像アーティファクトを取り除く装置であって、前記画像の画素を得るための装置と、前記各画素をスクリーン画素又は非スクリーン画素に分類するために前記装置と接続されたスクリーン画素識別器と、前記各画素の周辺区域にある所定の画素を調べて前記スクリーン画素識別器によって分類された画素の分類を確認する、前記スクリーン画素識別器に接続されたスクリーン領域検証器と、前記スクリーン領域検証器に接続され、前記スクリーン領域検証器による検証結果により各画素に選択的に適用されるローパスフィルタとを有し、前記ローパスフィルタは、前記ローパスフィルタが適用される画素を前記ローパスフィルタで生成される別の画素に置換えることを特徴とする画像アーティファクト除去装置。
【請求項１０】
画像から画像アーティファクトを取り除く方法を実行させるための命令プログラムを記録した記録媒体であって、前記命令プログラムは、（ａ）前記画像表現の画素を得るための命令と、（ｂ）前記各画素をスクリーン画素又は非スクリーン画素に分類する命令と、（ｃ）前記各画素の周辺区域にある所定の画素を調べて前記分類命令（ｂ）によって決められたその画素の分類を確認する命令と、（ｄ）前記画素にローパスフィルタを選択的に適用する命令で、前記確認命令（ｃ）の結果に基づいて、前記ローパスフィルタの適用が決まった画素を、前記ローパスフィルタで生成される別の画素に置換える命令であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月14日(2004.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示画像から画像アーティファクトを取り除く方法であって、
（ａ）前記画像の画素を得るステップと、
（ｂ）前記画素をスクリーン画素又は非スクリーン画素に分類するステップと、
（ｃ）前記各画素の周辺区域にある所定の画素を調べてステップ（ｂ）で決定されたその画素の分類を確認するステップと、
（ｄ）前記画素にローパスフィルタを選択的に適用するステップであって、前記ローパスフィルタを適用すると、前記ローパスフィルタの中心がステップ（ｃ）での確認に基づいて現画素に対して選択的にシフトすることを特徴とする画像アーティファクト除去方法。
【請求項２】
請求項１において、前記分類のステップ（ｂ）は、分類中の画素を中心とした所定の大きさを有する第１マスクを用いて、前記分類中の画素が所定の周期的パターンを有する区域内にあるかどうかを決定するステップを有することを特徴とする画像アーティファクト除去方法。
【請求項３】
請求項２において、前記第１マスクをその一部がオーバーラップする複数の区域に分割し、全てのその複数の区域内に前記分類中の画素が入っていることを特徴とする画像アーティファクト除去方法。
【請求項４】
請求項１において、前記確認のステップ（ｃ）は確認している画素を中心とした所定の大きさを有する第２マスクを使用することを特徴とする画像アーティファクト除去方法。
【請求項５】
請求項４において、前記第２マスクはその一部がオーバーラップする複数の区域に分割され、全てのその複数の区域内に前記確認中の画素が入っていることを特徴とする画像アーティファクト除去方法。
【請求項６】
請求項２において、前記所定の周期的パターンは、周期２又は３を有する周期的なライン又はドットのパターンであることを特徴とする画像アーティファクト除去方法。
【請求項７】
請求項５において、前記選択的に適用するステップ（ｄ）は、前記第２マスクの複数の区域のどこにスクリーン画素が含まれているかに基づいて前記ローパスフィルタを選択的に適用することを特徴とする画像アーティファクト除去方法。
【請求項８】
請求項１において、
（ｅ）前記画像の少なくとも一部分の特徴標識を決定するステップと、
（ｆ）前記決定された特徴標識に基づいて前記画像の少なくとも一部分を適応鮮鋭化又は緩和するステップとをさらに有することを特徴とする画像アーティファクト除去方法。
【請求項９】
表示画像から画像アーティファクトを取り除くための装置であって、
前記画像の画素を得るための手段と、
前記各画素をスクリーン画素又は非スクリーン画素に分類する、前記手段と接続されたスクリーン画素識別器と、
前記各画素の周辺区域にある所定の画素を調べて、前記スクリーン画素識別器によって決定されたその画素の分類を確認する、前記スクリーン画素識別器に接続されたスクリーン領域検証器と、
前記スクリーン領域検証器に接続されたローパスフィルタとを有し、
前記ローパスフィルタを適用すると、前記ローパスフィルタの中心が前記スクリーン領域検証器の確認結果に基づいて現画素に対して選択的にシフトするように前記画素に選択的に適用されることを特徴とする画像アーティファクト除去装置。
【請求項１０】
請求項９において、前記スクリーン画素識別器は所定の大きさを有する第１マスクを有し、前記第１マスクは分類中の画素が中心になるように適用され、前記分類中の画素が所定の周期的パターンを有する区域内にあるかどうかを決定することを特徴とする画像アーティファクト除去装置。
【請求項１１】
請求項１０において、前記第１マスクは、その一部がオーバーラップする複数の区域に分割され、全てのその複数の区域内に前記分類中の画素が入っていることを特徴とする画像アーティファクト除去装置。
【請求項１２】
請求項９において、前記スクリーン領域検証器は所定の大きさを有する第２マスクを有し、前記第２マスクは確認中の画素が中心になるように適用されることを特徴とする画像アーティファクト除去装置。
【請求項１３】
請求項１２において、前記第２マスクはその一部がオーバーラップする複数の区域に分割され、全てのその複数の区域内に前記確認中の画素が入っていることを特徴とする画像アーティファクト除去装置。
【請求項１４】
請求項１０において、前記所定の周期的パターンは、周期２又は３の周期的ライン又はドットのパターンであることを特徴とする画像アーティファクト除去装置。
【請求項１５】
請求項１３において、前記ローパスフィルタは、前記第２マスクの複数の区域のうちのどこにスクリーン画素が入っているかに基づいて選択的に適用されることを特徴とする画像アーティファクト除去装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月9日(2004.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】処理システム及び通信ネットワーク用プログラム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上の通信ネットワーク用の処理システムにおいて、サービス品質契約及びサービス品質適応化パスを記述するデータモデルを含むアプリケーションプログラミングインターフェイスを有するミドルウェアを備え、該サービス品質契約及びサービス品質適応化パスは、該アプリケーションプログラミングインターフェイスを用いて、サービス品質対応移動マルチメディアアプリケーションにより特定され、他のアプリケーションとのサービス品質及び移動対応ネットワーク接続を管理する処理システム。
【請求項２】
上記適応化パスは、サービス品質コンテキストに基づき、階層的有限状態機械により表現されることを特徴とする請求項１記載の処理システム。
【請求項３】
上記サービス品質コンテキストは、所定のストリームの組全体に対して強制すべきサービス品質仕様の構成を識別することを特徴とする請求項２記載の処理システム。
【請求項４】
上記階層的有限状態機械は、最下位層レベルにおいて、ストリームのコンテキストにおける制御可能状態を有することを特徴とする請求項２又は３記載の処理システム。
【請求項５】
サービス品質同期が実行され、いくつかのユーザのサービス品質に関する所定の制約が所定のストリームの組全体に包括的に強制されることを特徴とする請求項２乃至４いずれか１項記載の処理システム。
【請求項６】
上記サービス品質契約の仕様は、サービス品質状態間のトランジション用のヒステリシスパラメータを有することを特徴とする請求項１乃至５いずれか１項記載の処理システム。
【請求項７】
上記サービス品質契約の仕様は、各サービス品質契約に関してユーザが感じたユーティリティ要素を定義するユーティリティパラメータを有することを特徴とする請求項１乃至６いずれか１項記載の処理システム。
【請求項８】
サービス品質対応移動マルチメディアアプリケーションに上記アプリケーションプログラミングインターフェイスを提供し、他のアプリケーションへのネットワーク接続の管理の可能性を与えるアプリケーションハンドラユニットを有することを特徴とする請求項１乃至７いずれか１項記載の処理システム。
【請求項９】
１以上の通信ネットワーク内の１以上の処理装置又はノードのメモリにロードされる１以上の通信ネットワーク用プログラムにおいて、サービス品質契約及びサービス品質適応化パスを記述するデータモデルを含むアプリケーションプログラミングインターフェイスを有するミドルウェアを表現し、該サービス品質契約及びサービス品質適応化パスは、該アプリケーションプログラミングインターフェイスを用いて、サービス品質対応移動マルチメディアアプリケーションにより特定され、他のアプリケーションとのサービス品質及び移動対応ネットワーク接続を管理する通信ネットワーク用プログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月20日(2005.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の製品識別情報登録項目を含む固定式電子的読取り可能媒体内のルックアップテーブルと、
前記複数の製品識別情報登録項目のうちの１つを選択する電子的読取り可能なインデックスと、
固定式電子的読取り可能媒体内に前記インデックスから分離した場所にベンダ識別情報と、
を含むＵＳＢ装置。
【請求項２】
前記電子的読取り可能なインデックスが、プリント回路基板上の接続によって設定される請求項１に記載のＵＳＢ装置。
【請求項３】
前記電子的読取り可能なインデックスが、ジャンパ接続によって設定される請求項１に記載のＵＳＢ装置。
【請求項４】
前記電子的読取り可能なインデックスが、集積回路上の複数のピンの論理状態によって設定され、
集積回路上の複数のピンが、また、前記電子的読取り可能なインデックスを設定する機能と異なる機能を有する請求項１に記載のＵＳＢ装置。
【請求項５】
前記電子的読取り可能なインデックスが、さらに、前記ルックアップテーブルを含む集積回路の内部の接続によって設定されることを特徴とする請求項１に記載のＵＳＢ装置。
【請求項６】
ＵＳＢを使用できる装置の識別情報を提供する方法であって、
インデックスを読み取る段階と、
前記インデックスに基づいて電子的読取り可能な固定媒体内の製品識別を検索する段階と、
電子的読取り可能な固定媒体からベンダ識別を読み取る段階と、を含み、
電子的読取り可能な固定媒体が、前記インデックスから分離されていることを特徴とする方法。
【請求項７】
インデックスを読み取る段階が、集積回路上のピンの状態を読み取る段階を含む請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ピンの前記状態が、プリント回路基板上の接続によって設定される請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ピンの前記状態が、ジャンパ接続によって設定される請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記ベンダ識別が、ベンダ識別番号とベンダ識別文字列を含む請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月26日(2004.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（Ｉ）で表される構造単位を含有することを特徴とするアルカリ可溶性ポリシロキサン。
【化１】
2000219743.tif 000001
一般式（Ｉ）中：
ｎは、１〜６の整数を表す。
Ｌは、−Ａ−ＯＣＯ−、−Ａ−ＣＯＯ−、−Ａ−ＮＨＣＯ−、−Ａ−ＮＨＣＯＯ−、−Ａ−ＮＨＣＯＮＨ−、−Ａ−ＣＯＮＨ−、−Ａ−ＯＣＯＮＨ−、−Ａ−ＣＯＮＨＣＯ−、及び−Ａ−Ｓ−からなる群から選択される２価の連結基を表す。
Ａは、単結合又はアリーレン基を表す。
Ｘは、単結合又は２価の連結基を表す。
Ｚは、下記式（II−１）及び（II−２）で表される基からなる群から選択される一価の基を表す。
【化２】
2000219743.tif 000002
ここで、Ｙは水素原子、直鎖状、分岐状あるいは環状のアルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示し、ｌは１〜３の整数であり、ｍは１〜３の整数である。
【請求項２】
上記一般式（Ｉ）で表される構造単位を有するアルカリ可溶性ポリシロキサンのフェノール性水酸基の少なくとも一部が酸分解性基で保護されていることを特徴とする酸分解性ポリシロキサン。
【請求項３】
下記一般式（III）で表される構造単位と下記一般式（IV）で表される構造単位の両方を含有することを特徴とする酸分解性ポリシロキサン。
【化３】
2000219743.tif 000003
上記一般式（III）及び（IV）中；
ｎは１〜６の整数を表す。
Ｘは、上記一般式（Ｉ）のＸと同義である。
Ｚは、上記一般式（Ｉ）のＺと同義である。
Ｚ'は、下記一般式（Ｖ−１）及び（Ｖ−２）で表される基からなる群から選択される一価の基を表す。
【化４】
2000219743.tif 000004
ここで、Ｒは酸分解性基を示し、Ｘは単結合又は２価の連結基を示し、Ｙは水素原子、直鎖状、分岐状、あるいは環状のアルキル基、アリール基、又はアラルキル基を示し、ｌは１〜３の整数であり、ｍは１〜３の整数である。
【請求項４】
（ａ）上記一般式（IV）で表される構造単位を有する酸分解性ポリシロキサン、及び
（ｂ）露光により分解して酸を発生する化合物
を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項５】
さらに（ｃ）（ｃ１）分子内に含まれるフェノール性水酸基の少なくとも一部が、酸分解性基で保護されたフェノール性化合物、又は（ｃ２）分子内に含まれるカルボキシル基の少なくとも一部が、酸分解性基で保護された芳香族もしくは脂肪族カルボン酸化合物
を含有することを特徴とする請求項４に記載のポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項６】
上記一般式（III）で表される構造単位を含有することを特徴とするアルカリ可溶性ポリシロキサン。
【請求項７】
（ａ）請求項６に記載のアルカリ可溶性ポリシロキサン、
（ｂ）露光により分解して酸を発生する化合物、及び
（ｃ）（ｃ１）分子内に含まれるフェノール性水酸基の少なくとも一部が、酸分解性基で保護されたフェノール性化合物、又は（ｃ２）分子内に含まれるカルボキシル基の少なくとも一部が、酸分解性基で保護された芳香族もしくは脂肪族カルボン酸化合物
を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
【請求項８】
請求項４、５、または７に記載のポジ型フォトレジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月1日(2005.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
例えば、特開平８‐２５３８５１号公報には、Ｔｉ粉末の表面に５μｍ以上のＮｉ層を被覆し、Ｔｉ粉末の粒径とＮｉ層の厚みとの比が１０以下である平均粒径１０〜１５０μｍの溶射用複合粉末を開示している。また、特開平８‐２５３８５３号公報には、平均粒径２０〜９９μｍのＣｏ‐Ｃｒ系合金粉末の表面に、平均粒径０．５〜２０μｍのＷＣ粉末の一部が埋め込まれた状態で被覆されている溶射用複合粉末を開示している。そして、これらの溶射用複合粉末は、両原料の粉末を直接、または混合器により均一に混合した後、攪拌容器に封入して、攪拌棒で攪拌して被覆される粉末を芯粒子となる粉末に機械的に押し付け、圧着して機械的に被覆することにより製造している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図１は、本発明の酸化物被覆金属微粒子の一例の構成を示す模式的断面図である。
同図に示すように、酸化物被覆金属微粒子（以下、単に被覆粒子という）１０は、芯粒子となる金属微粒子１２と、この金属微粒子１２を構成する主成分となる金属元素を主成分として含まない酸化物またはこの酸化物とこの金属元素の酸化物との複合酸化物からなる酸化物被覆層１４とを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、酸化物被覆層（以下、単に被覆層という）１４は、金属微粒子１２を芯粒子としてその外周面を、好ましくは全外周面を完全に被覆するもので、この金属微粒子１２を構成する主成分となる金属元素を主成分として含まない酸化物、すなわち異種酸化物の層または複酸化物の層または酸素酸の塩の層、もしくはこの異種酸化物または複酸化物または酸素酸の塩を構成する元素と金属微粒子１２を構成する金属元素と酸素との複酸化物の層または複塩の層である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
ここで、プラズマトーチ４２は、内部に熱プラズマ（プラズマ焔）４３を発生させるプラズマ室４２ａを構成する石英管４２ｂと、この石英管４２ｂの外側に取り付けられる高周波発信用コイル４２ｃと、この高周波発信用コイル４２ｃの外側に設けられる冷却用外套管４２ｄと、この石英管４２ｂの上部に設けられ、噴出方向が接線方向、軸方向および半径方向の３方向にプラズマ用ガスを噴出するガス噴出口４２ｅと、プラズマ室４２ａ内に形成された熱プラズマ４３に粉末原料混合物を供給する供給口４２ｆとを有する。
プラズマトーチ４２は、石英管４２ｂと外套管４２ｄとの二重管で、その間にコイル４２ｃを介挿する構成となっているが、本発明はこれに限定されず、コイル４２ｃは外側に巻回してもよいし、３以上の多重管構成であってもよく、またそのサイズも特に制限的ではない。また、ガス噴出口４２ｅのプラズマ用ガスの噴出方向も３方向に限定されず、種々の方向に噴出させるようにしてもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明の酸化物被覆金属微粒子によれば、芯粒子となる金属微粒子にこの金属微粒子を構成する主成分となる金属元素を主成分として含まない酸化物（普通の酸化物または複酸化物または酸素酸の塩を含む）からなる酸化物被覆層が堅固に、好ましくは全表面を完全に被覆された新規な酸化物被覆金属微粒子を提供することができるという効果を奏する。その結果、本発明の酸化物被覆金属微粒子は、人工骨や化粧品添加物あるいは触媒の用途等のように金属の持つ機能（強度、磁性等）と酸化物の持つ機能（環境適正、光活性等）との融合や、燃料電池等の電極材料への用途等のように金属と酸化物との密着性等が必要となる分野への用途を開くことができるという効果も奏する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月9日(2004.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属ウェブとして表面処理中の平版印刷版用金属支持体を、ローラを介して連続的に走行させつつ水洗する金属ウェブの洗浄方法において、該ローラと金属ウェブの接触面に形成される液膜のｐＨ値を３．５以下または８．５以上に制御することを特徴とする金属ウェブの洗浄方法。
【請求項２】
ｐＨ値を制御する方法として、水、酸性液、及びアルカリ性液を適時組み合わせて洗浄できる手段を金属ウェブの両側に設けて行う請求項１に記載の金属ウェブの洗浄方法。
【請求項３】
ｐＨ値を制御するに際し、該液膜のｐＨ値を測定する装置を設けてｐＨ値を測定する請求項１に記載の金属ウェブの洗浄方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
平版印刷版用アルミニウム支持体の製造に際しては、各種薬品を用いた処理が施され、前工程で表面に付着した処理液が次工程に持ち込まれるのを防ぐために、必然的に水洗が行われる。しかしながら、この水洗処理時につぎのような問題が発生する。
（１）アルミニウムウェブと共に持ち出された処理液（例えば、アルミニウムを含んだ酸性液またはアルカリ性液）が水洗処理で希釈されスケール[ Ａｌ（ＯＨ）3 ] が発生する。
（２）（１）で発生したスケールが、アルミニウムウェブを搬送するロール表面に付着（又は、このようなスケールがローラ表面で発生）し、これによって、アルミニウムウェブにきず等の故障を発生させる。
（３）このような故障の発生を防止する為には、製造を中止し、ローラの研磨（掃除）を実施しているが、作業負荷が大きくなるという欠点がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、上記したような、ローラ表面に付着またはローラ表面で発生するスケールを防止するために種々検討を重ねた結果、洗浄処理部の下方の設けられたアルミニウムウェブを搬送するローラとアルミニウムウェブとの接触面で形成される液膜のｐＨを３．５以下又は８．５以上にすることによって、上記したスケールの付着または発生を完全に防止することができることを見出し、本発明を達成した。
即ち、本発明は、金属ウェブとして表面処理中の平版印刷版用金属支持体を、ローラを介して連続的に走行させつつ水洗する金属ウェブの洗浄方法において、該ローラと金属ウェブの接触面に形成される液膜のｐＨ値を３．５以下または８．５以上に制御することを特徴とする金属ウェブの洗浄方法である。
本発明においては、液膜のｐＨ値の制御を、水、酸性液、及びアルカリ性液を適時組み合わせて適用できる手段を金属ウェブの両側に設けて行うことが好ましい。また、ｐＨ値を制御するに際し、該液膜のｐＨ値を測定する装置を設けてｐＨ値を測定することが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
図１は、本発明を実施する洗浄装置に一例を示す略図であって、連続的に走行するアルミニウムウェブを、Ａ槽において、例えば、アルミニウムイオンを少量含んだ苛性ソーダ水溶液でエッチング処理（図示せず）し、ガイドローラを介して洗浄処理槽（洗浄処理部）に送られ、同処理槽の下方部に設けられたローラ９を介して搬送され、アルミニウムウェブの両側に設けられた洗浄装置５、５及び６、６によってウェブの両面が水洗されて、次のＢ槽に送られ、同様又は異なる表面処理され、必要に応じて、同様な洗浄処理槽に送られ、同様に洗浄され次の工程に送られる。なお、図中４はローラ９の洗浄装置である。
この場合、前記したように、Ａ槽における処理液である、アルミニウムを含んだ苛性ソーダ水溶液が洗浄処理槽内で水洗処理で希釈されアルミニウムウェブ表面にＡｌ(ＯＨ）３のスケールが発生し、ウェブを搬送するローラ９の表面に付着するか、スケールがローラ表面で発生して付着し、ローラ９表面に沿って搬送されるアルミニウムウェブに傷等の故障を発生させる。アルミニウムウェブ表面にこのような故障が発生すると、以後の表面処理に悪影響を与え、表面性の良い平版印刷版用アルミニウム支持体を得ることができない。
また、上記の如きスケールは、ウェブの表面のみならず裏面にも発生し、ローラ９表面の移ったり、次のガイドローラに付着してきず故障を生じる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月12日(2004.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】低吸湿性ガラスフリット、ガラスセラミックス組成物および焼成体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実質的に下記酸化物基準のモル％で、
Ｐ２Ｏ５                    ２５〜５０、
ＳｎＯに換算したスズ酸化物  ０〜７０、
ＺｎＯ                      ０〜５０、
ＭｇＯ                      ０〜５０、
Ｉｎ２Ｏ３                ０．１〜１２、
ＷＯ３                       ０〜１５、
Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ     ０〜２０、
Ｂ２Ｏ３                      ０〜２０、
Ａｌ２Ｏ３                    ０〜１０、
ＳｉＯ２                     ０〜１０、
からなり、かつ、ＳｎＯに換算したスズ酸化物、ＺｎＯおよびＭｇＯの合量が３０〜７０モル％であり、軟化点が６２０℃以下である低吸湿性ガラスフリット。
【請求項２】
請求項１に記載の低吸湿性ガラスフリット４０〜９９重量％と、セラミックス粉末１〜６０重量％とから実質的になるガラスセラミックス組成物であって、該ガラスセラミックス組成物を焼成して得られる焼成体の、５０〜２５０℃における平均線膨張係数が６０×１０−７〜９０×１０−７／℃であるガラスセラミックス組成物。
【請求項３】
請求項１に記載の低吸湿性ガラスフリットまたは請求項２に記載のガラスセラミックス組成物を焼成して得られる焼成体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、前記低吸湿性ガラスフリット４０〜９９重量％と、セラミックス粉末１〜６０重量％とから実質的になるガラスセラミックス組成物であって、該ガラスセラミックス組成物を焼成して得られる焼成体の、５０〜２５０℃における平均線膨張係数が６０×１０−７〜９０×１０−７／℃であるガラスセラミックス組成物を提供する。なお、「５０〜２５０℃における平均線膨張係数」を、以下単に「膨張係数」という。
また、前記低吸湿性ガラスフリットまたは前記ガラスセラミックス組成物を焼成して得られる焼成体を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月13日(2005.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式で示される、トリス(パーフルオロアルキルスルホニル)メチドの金属塩からなる酸触媒。
[(RfSO２)３C]ｎM２
(但し、Rfは炭素数１以上のパーフルオロアルキル基を、M２は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類を含む遷移金属、亜鉛、カドミウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレン、テルルから選ばれる元素を表す。ｎはM２の原子価と同数の整数を表す。)
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、鋭意検討の結果、新規化合物であるトリス(パーフルオロアルキルスルホニル)メチドの金属塩がルイス酸触媒として高活性であることを見出し、本発明を完成した。
即ち、本発明は、
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
（１）  下記式で示される、トリス(パーフルオロアルキルスルホニル)メチドの金属塩からなる酸触媒。
[(RfSO２)３C]ｎM２
(但し、Rfは炭素数１以上のパーフルオロアルキル基を、M２は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類を含む遷移金属、亜鉛、カドミウム、アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム、ケイ素、ゲルマニウム、スズ、鉛、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレン、テルルから選ばれる元素を、ｎはM２の原子価と同数の整数を表す。)
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明は、次式で示されるトリス(パーフルオロアルキルスルホニル)メチドの金属塩がルイス酸触媒として高活性であることを見出した。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月27日(2004.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）乾燥フィルムの伸長度が１００％以上のポリウレタン樹脂（ただし下記      （Ｃ）を除く）
（Ｂ）少なくとも１つのエチレン性二重結合を有する合成樹脂（ただし下記（Ｃ）を除く）
（Ｃ）少なくとも１つのエチレン性二重結合を有する、乾燥フィルムの伸長度が１００％以上のポリウレタン樹脂
において、（Ｃ）単独、または（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）から選ばれる２種以上、および水を必須成分として含有し、光重合開始剤を含有しない金属板用水性塗料組成物。
【請求項２】
樹脂（Ｂ）がそれぞれ少なくとも１つのエチレン性二重結合を有するエポキシ系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリ（メタ）アクリル酸系樹脂、（メタ）アクリル酸−マレイン酸共重合体系樹脂もしくはシリコーン樹脂、またはジアリルフタレート系樹脂である請求項１記載の金属板用水性塗料組成物。
【請求項３】
樹脂（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）の合計に基づいて、（Ａ）および（Ｃ）の合計が５０〜１００重量％であり、および（Ｂ）および（Ｃ）の合計が０．１〜１００重量％である請求項１または２記載の金属板用水性塗料組成物。
【請求項４】
（Ｄ）水分散性ワックスを全固形分中０．１〜２０重量％の範囲内で含有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の金属板用水性塗料組成物。
【請求項５】
（Ｅ）モース硬度が２．５以上の水不溶性微粒子を、全固形分中３０重量％以下の範囲内で含有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の金属板用水性塗料組成物。
【請求項６】
水不溶性微粒子（Ｅ）がそれぞれモース硬度が２．５以上の珪藻土、シリカ、アルミナ、石英、二酸化チタン、ガラス、炭酸カルシウム、マイカ、鉄、ニッケル、ステンレス、酸化鉄、金属酸化物またはアルミニウムである請求項５記載の金属板用水性塗料組成物。
【請求項７】
金属板が冷延鋼板、熱延鋼板、ステンレス鋼板、亜鉛系めっき鋼板、アルミニウム系めっき鋼板、アルミニウムまたはアルミニウム合金板である請求項１〜６のいずれか１項に記載の金属板用水性塗料組成物。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の金属板用水性塗料組成物を塗布し乾燥することによって形成される皮膜を表面に有する金属板。
【請求項９】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の金属板用水性塗料組成物を金属板表面に塗布後乾燥し、さらにその表面の全部または一部にＵＶ硬化型塗料、ＵＶ硬化型インキまたはＵＶ硬化型接着剤の皮膜を形成させることを特徴とする金属板の表面処理方法。
【請求項１０】
請求項９記載の表面処理方法によって形成される皮膜を表面に有する金属板。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月25日(2005.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
テレフタル酸単位以外の他のジカルボン酸単位(I-1) としては、マロン酸、ジメチルマロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、２−メチルアジピン酸、トリメチルアジピン酸、ピメリン酸、２，２−ジメチルグルタル酸、２，２−ジエチルコハク酸、アゼライン酸、セバシン酸、スベリン酸等の脂肪族ジカルボン酸；１，３−シクロペンタンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸等の脂環式ジカルボン酸；イソフタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、２，７−ナフタレンジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸、１，４−フェニレンジオキシジ酢酸、１，３−フェニレンジオキシジ酢酸、ジフェン酸、ジフェニルメタン−４，４’−ジカルボン酸、ジフェニルスルホン−４，４’−ジカルボン酸、４，４’−ビフェニルジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸から誘導される単位が挙げられる。これらの単位を１種もしくは２種以上含んでもよい。上記単位の中でも、芳香族ジカルボン酸から誘導される単位が好ましい。さらに、トリメリット酸、トリメシン酸、ピロメリット酸等の多価カルボン酸から誘導される単位を、溶融成形が可能な範囲内で含んでいてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
１，９−ノナンジアミン単位および２−メチル−１，８−オクタンジアミン単位以外の他のジアミン単位(I-2) としては、エチレンジアミン、プロピレンジアミン、１，４−ブタンジアミン、１，６−ヘキサンジアミン、１，８−オクタンジアミン、１，１０−デカンジアミン、１，１２−ドデカンジアミン、３−メチル−１，５−ペンタンジアミン、２，２，４−トリメチル−１，６−ヘキサンジアミン、２，４，４−トリメチル−１，６−ヘキサンジアミン、５−メチル−１，９−ノナンジアミン等の脂肪族ジアミン；シクロヘキサンジアミン、メチルシクロヘキサンジアミン、イソホロンジアミン等の脂環式ジアミン；ｐ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、キシレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルスルホン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル等の芳香族ジアミンから誘導される単位が挙げられる。これらの単位を１種もしくは２種以上含んでもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ポリアミド系樹脂(I) の製造には、結晶性ポリアミドを製造する方法として知られている任意の方法を用いて製造することができる。例えば、酸クロライドとジアミンを原料とする溶液重合法あるいは界面重合法、ジカルボン酸とジアミンを原料とする溶融重合法、固相重合法、溶融押出重合法等の方法により重合可能である。以下に、本発明者らの研究による好適なポリアミド系樹脂(I) の製造方法を示す。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月17日(2005.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記の課題は、（イ）ビニル芳香族化合物からなる重合体ブロックＡと、イソプレンとブタジエンからなり、両者の重量比がイソプレン／ブタジエン＝４０／６０〜７０／３０の範囲内にある混合物から構成され、イソプレンに基づく全構造単位中の１，４−結合の割合が３５〜８０モル％、ブタジエンに基づく全構造単位中の１，４−結合の割合が５５〜９０モル％であって、しかもイソプレンおよびブタジエンに基づく炭素−炭素二重結合の８０％以上が水素添加されてなる重合体ブロックＢを有する水添ブロック共重合体１００重量部、および（ロ）粘着付与樹脂４０〜５００重量部を含有する接着剤組成物を提供することにより解決される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月1日(2005.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光学素子成形装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被成形品が配置される上下成形型と、
前記上下成形型及び間隔調整部材が配置される上下胴型とを備えた光学素子成形装置。
【請求項２】
前記間隔調整部材は、上下胴型の平行を保つことを特徴とする請求項１に記載の光学素子成形装置。
【請求項３】
請求項１において、成形温度に於ける被成形品の熱膨張係数をα１、前記上下成形型部材の熱膨張係数をα２、前記上下胴型部材の熱膨張係数をα３、間隔調整部材の熱膨張係数をα４、前記被成形品の最大厚みをｈ１、前記被成型品が最大厚みをとる位置における前記上下成形型の全高をｈ２及び前記上下胴型の全高をｈ３とした時、
間隔調整部材の高さ＞（ｈ１×α１＋ｈ２×α２-ｈ３×α３）／α４
の関係を満たす事を特徴とする光学素子成形装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【問題を解決するための手段】
上記問題点の解決の為に本発明では、まず、請求項１では、被成形品が配置される上下成形型と、前記上下成形型及び間隔調整部材が配置される上下胴型とを備えた光学素子成形装置を提供する。
本発明の請求項２では、請求項１に付け加え、前記間隔調整部材は、上下胴型の平行を保つ光学素子成形装置を提供する。
本発明の請求項３では、請求項１に付け加え、成形温度に於ける被成形品の熱膨張係数をα１、前記上下成形型部材の熱膨張係数をα２、前記上下胴型部材の熱膨張係数をα３、間隔調整部材の熱膨張係数をα４、前記被成形品の最大厚みをｈ１、前記被成型品が最大厚みをとる位置における前記上下成形型の全高をｈ２及び前記上下胴型の全高をｈ３とした時、
間隔調整部材の高さ＞（ｈ１×α１＋ｈ２×α２-ｈ３×α３）／α４
の関係を満たす事を特徴とする光学素子成形装置を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月4日(2004.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基体上に、幾何学的膜厚が０．５〜３ｎｍのシリコンを主成分とする層と、幾何学的膜厚が３〜５０ｎｍのカーボンを主成分とする層とが順次形成されたことを特徴とする積層体。
【請求項２】
前記カーボンを主成分とする層が、水素をカーボンと水素の総量に対して５〜２０原子％含有する層である請求項１記載の積層体。
【請求項３】
前記カーボンを主成分とする層が、フッ素をカーボンとフッ素の総量に対して５〜５０原子％含有する層である請求項１または２記載の積層体。
【請求項４】
前記フッ素は、カーボンを主成分とする層の表面から３ｎｍ以内の層中に存在する請求項３記載の積層体。
【請求項５】
前記カーボンを主成分とする層の接触角が１００°以上である請求項３または４記載の積層体。
【請求項６】
ガラス基体上に、幾何学的膜厚が０．５〜３ｎｍのシリコンを主成分とする層を形成し、次いで、幾何学的膜厚が３〜５０ｎｍのカーボンを主成分とする層を形成することを特徴とする積層体の製造方法。
【請求項７】
ガラス基体上に、ＤＣスパッタ法により、雰囲気に水素を添加し、幾何学的膜厚が０．５〜３ｎｍのシリコンを主成分とする層を形成し、次いで、幾何学的膜厚が３〜５０ｎｍのカーボンを主成分とする層を形成することを特徴とする積層体の製造方法。
【請求項８】
ガラス基体上に、幾何学的膜厚が０．５〜３ｎｍのシリコンを主成分とする層を形成し、次いで、ＤＣスパッタ法により、雰囲気にＣＦ４を添加し、幾何学的膜厚が３〜５０ｎｍのカーボンを主成分とする層を形成することを特徴とする積層体の製造方法。
【請求項９】
ガラス基体上に、幾何学的膜厚が０．５〜３ｎｍのシリコンを主成分とする層を形成し、次いで、ＤＣスパッタ法により、アルゴンまたはアルゴン水素混合雰囲気で幾何学的膜厚が３〜５０ｎｍのカーボンを主成分とする層を形成し、あとからＣＦ４雰囲気中でプラズマ処理することを特徴とする積層体の製造方法。