Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月3日(2005.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲラニルゲラニルアセトンを有効成分とする、心臓内熱ショック蛋白質誘導剤。
【請求項２】
前記熱ショック蛋白質は、Ｈｓｐ７０である、請求項１に記載の熱ショック蛋白質誘導剤。
【請求項３】
経口投与剤である、請求項１または２に記載の熱ショック蛋白質誘導剤。
【請求項４】
心臓内熱ショック蛋白質誘導剤を製造するための、ゲラニルゲラニルアセトンの使用。
【請求項５】
ゲラニルゲラニルアセトンを有効成分とする、心筋虚血再灌流障害に対する予防剤または治療剤。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月8日(2005.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
伸縮可能なベローズ管を有するベローズ型伸縮管継手が設けられた、易重合性物質を取り扱う設備における易重合性物質の重合抑制方法であって、
ベローズ型伸縮管継手として、ベローズ管内部に、ベローズ管の振れを抑える規制部材が設けられていないものを用い、
ベローズ管内部に液状の易重合性物質を流すことを特徴とする易重合性物質取扱設備における易重合性物質の重合抑制方法。
【請求項２】
ベローズ管内部を流れる液状の易重合性物質の平均流速を、０．１〜５ｍ／ｓにすることを特徴とする請求項１記載の易重合性物質取扱設備における易重合性物質の重合抑制方法。
【請求項３】
伸縮可能なベローズ管を有するベローズ型伸縮管継手が設けられた、易重合性物質を取り扱う設備における易重合性物質の重合抑制方法であって、
ベローズ型伸縮管継手として、ベローズ管内部に、ベローズ管の振れを抑える規制部材が設けられていないものを用い、
ベローズ管内部に液状の易重合性物質を流すことを特徴とする易重合性物質取扱設備における易重合性物質の重合抑制方法。
【請求項４】
ベローズ管内部を流れるガス状の易重合性物質の平均流速を、２〜５０ｍ／ｓにすることを特徴とする請求項３記載の易重合性物質取扱設備における易重合性物質の重合抑制方法。
【請求項５】
ベローズ型伸縮管継手として、ベローズ管の外側に、ベローズ管の振れを抑える規制部材が設けられているものを用いることを特徴とする請求項１ないし４いずれか一項に記載の易重合性物質取扱設備における易重合性物質の重合抑制方法。
【請求項６】
易重合性物質が、（メタ）アクロレイン、（メタ）アクリル酸および（メタ）アクリル酸エステルからなる群から選ばれる少なくとも１種であることを特徴とする請求項１ないし５いずれか一項に記載の易重合性物質取扱設備における易重合性物質の重合抑制方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
トリプシンに対する阻害活性を有し且つ下記の物理化学性状と下記のアミノ酸配列部分構造を有する新規ペプチド、TU-5350物質。
(1)  外観                ；  白色粉末
(2)  比旋光度（[α]D25） ；  −268°(c 0.07、H2O)：
(3)  融点                ；  270〜280℃（分解）
(4)  分子量              ；  3697.5
(5)  紫外線吸収スペクトル（H2O）；
λmax  nm(ε) 223(83677)、280(10563、肩吸収)
(6)  赤外線吸収スペクトル（KBr錠剤法)；
υmax  (cm-1) 3100〜3650、2926、1645、1541
(7)  構成アミノ酸の種類は下記の14種である：
Thr、Ser、Glu、Pro、Gly、Ala、Cys、Ile、Leu、Phe、Lys、Trp、Arg、Gln
(8)  本TU-5350物質は34個のアミノ酸残基よりなるアミノ酸配列を有し、そのN末端の部分構造は下記の配列を有する：
（N末端）Ser−Gly−Ile−Cys−Trp−Arg−Ala−Cys−Phe−Pro−Ser−Pro−Pro−Ser−Cys−Pro−Glu−Gly−Leu−Glu−Ala−Glu−Gln−Lys−*
但し、上記の式中で * は未確定の10個のアミノ酸残基よりなるアミノ酸配列を表す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
すなわち、第１の本発明としては、トリプシンに対する阻害活性を有し且つ下記の物理化学性状と下記のアミノ酸配列部分構造を有する新規ペプチド、TU-5350物質を提供するものである。
(1)  外観                ；  白色粉末
(2)  比旋光度（[α]D25） ；  ‐268°(c 0.07、H2O)：
(3)  融点                ；  270〜280℃（分解）
(4)  分子量              ；  3697.5
(5)  紫外線吸収スペクトル（H2O）；
λmax  nm(ε) 223(83677)、280(10563、肩吸収)
(6)  赤外線吸収スペクトル（KBr錠剤法)；
υmax  (cm-1) 3100〜3650、2926、1645、1541
(7)  構成アミノ酸の種類は下記の14種である：
Thr、Ser、Glu、Pro、Gly、Ala、Cys、Ile、Leu、Phe、Lys、Trp、Arg、Gln．
(8)  本TU-5350物質は34個のアミノ酸残基よりなるアミノ酸配列を有し、そのN末端の部分構造は下記の配列を有する：
（N末端）Ser−Gly−Ile−Cys−Trp−Arg−Ala−Cys−Phe−Pro−Ser−Pro−Pro−Ser−Cys−Pro−Glu−Gly−Leu−Glu−Ala−Glu−Gln−Lys−*
但し、上記の式中で*は未確定の10個のアミノ酸残基よりなるアミノ酸配列を表す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【発明の実施の形態】
次に、第２の本発明によるTU-5350物質の製造法について説明する。
本発明の方法で用いられるTU-5350物質の生産菌は、TU-5350物質またはその塩を産生する能力を有するものであれば、いかなる微生物でもよい。具体的な例としては、本発明者らが神奈川県足柄下郡の土壌より新たに分離したボーベリア属の菌株AB5350があり、この菌株は本発明の方法に最も有効に用いられるTU-5350物質生産菌の一例である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
実施例１
本例は、TU-5350物質の醗酵的製造例を例示する。
TU-5350物質生産菌の培養に用いた生産培地は、ブドウ糖 2.0％、デキストリン 1.0％、ポリペプトン 0.5％、マルトエキス 0.5％、酵母エキス 0.2％、炭酸カルシウム 0.3％、Ｖ８ジュース（Cambel）の組成からなる（pH6.5）。
前記の生産培地100mlを分注した500ml容量バッフル付き三角フラスコ50本（培地５Ｌ分）を121℃で20分間滅菌した。滅菌された培地にフラスコ１本あたりボーベリア・エスピーAB5350株（FERM P−18715号）の斜面寒天培養菌体の1〜2白金耳を植菌した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月1日(2005.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）
2003267957.tif 000001
［式中、Ｒ1はＣ３−Ｃ７アルキニル基を表し、
Ｒ2は水素原子、ハロゲン原子またはＣ１−Ｃ３アルキル基を表し、
Ｒ3はハロゲン原子若しくはＣ１−Ｃ３アルコキシ基で置換されていてもよいＣ１−Ｃ８アルキル基、または（ハロゲン原子若しくはＣ１−Ｃ３アルキル基で置換されていてもよいＣ３−Ｃ６シクロアルキル）Ｃ１−Ｃ３アルキル基を表す。］
で示されるピリミジン化合物。
【請求項２】
Ｒ1が２位の炭素原子と３位の炭素原子との間の結合が三重結合であるＣ３−Ｃ７アルキニル基であることを特徴とする請求項１記載のピリミジン化合物。
【請求項３】
Ｒ2が水素原子である請求項１または２記載のピリミジン化合物。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか１項記載のピリミジン化合物を有効成分として含有することを特徴とする有害生物防除剤。
【請求項５】
請求項１〜３いずれか１項記載のピリミジン化合物を有害生物または有害生物の生息場所に施用することを特徴とする有害生物防除方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月10日(2004.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
ピバリン酸アルキルエステルとピナコロンとをアルカリ金属アルコキシド触媒の存在下に反応させる工程１を含むことを特徴とする２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオンの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
溶媒としてアミド系溶媒または尿素系溶媒を使用することを特徴とする請求項３に記載の２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオンの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
親水性溶媒が炭素数１〜４個のアルコール類であることを特徴とする請求項２０に記載の２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン金属錯体の製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２３】
工程３の反応終了後、水を添加して、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン金属錯体を析出させて、単離することを特徴とする請求項１５〜２２のいずれかに記載の２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン金属錯体の製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２５】
請求項１５〜２４に記載の製造方法により得られた２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン金属錯体を原料として、金属または金属化合物を製造することを特徴とする金属または金属化合物の製造方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
［３］  ピバリン酸アルキルエステルとピナコロンとをアルカリ金属アルコキシド触媒の存在下に反応させる工程１を含むことを特徴とする２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオンの製造方法。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
［５］  溶媒としてアミド系溶媒または尿素系溶媒を使用することを特徴とする［３］に記載の２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオンの製造方法。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
［２１］  親水性溶媒が炭素数１〜４個のアルコール類であることを特徴とする［２０］に記載の２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン金属錯体の製造方法。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
［２３］  工程３の反応終了後、水を添加して、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン金属錯体を析出させて、単離することを特徴とする［１５］〜［２２］のいずれかに記載の２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン金属錯体の製造方法。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】［２５］  ［１５］〜［２４］に記載の製造方法により得られた２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン金属錯体を原料として、金属または金属化合物を製造することを特徴とする金属または金属化合物の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月3日(2004.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ＶＲＥ及びＭＲＳＡの少なくとも一方に対して抗菌活性を有する抗菌化合物であって、
【化１】
2003267910.tif 000001
【化２】
2003267910.tif 000002
及び
【化３】
2003267910.tif 000003
（式中、各Ｘ１、Ｘ２，Ｘ３、Ｘ４及びＸ５はそれぞれＨ、アルキル基、アリール基、水酸基、アシルオキシ基、Ｂｒ、Ｃｌ又はニトロ基を表し、Ｙ１、Ｙ２，Ｙ３、Ｙ４、Ｙ５及びＹ６はそれぞれＨ、アルコール、ハロゲン又はエステルを表し、なお、Ｙ１及びＹ２，Ｙ３及びＹ４、又はＹ５及びＹ６はそれぞれ結合する炭素とカルボニル基（Ｃ＝Ｏ）を形成してもよく、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３はそれぞれＨ、ハロゲン化されていてもよいアルキル基、アリール基、アシルオキシ基（−ＯＯＣＲ４、ここでＲ４はアルキル基又はアリール基を表す。）及びエステル基（−ＣＯＯＲ５、ここでＲ５はアルキル基又はアリール基を表す。）を表す。）から成る群から選択される少なくとも１種の化合物から成る抗菌化合物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
下記
【化４】
2003267910.tif 000004
【化５】
2003267910.tif 000005
【化６】
2003267910.tif 000006
【化７】
2003267910.tif 000007
又は
【化８】
2003267910.tif 000008
のいずれかの構造を有する化合物であって、ＶＲＥ及びＭＲＳＡの少なくとも一方に対して抗菌活性を有する抗菌化合物。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
即ち、本発明は、ＶＲＥ及びＭＲＳＡの少なくとも一方に対して抗菌活性を有する抗菌化合物であって、
【化１】
2003267910.tif 000009
【化２】
2003267910.tif 000010
及び
【化３】
2003267910.tif 000011
から成る群から選択される少なくとも1種の化合物から成る抗菌化合物である。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明者らの研究結果１５から、Ｃ環の構造が他のＡ環やＢ環の構造よりも抗菌活性に大きく影響していることを示唆する結果が得られている（このＡ〜Ｃ環については、例えば化１に関し下記化９を参照されたい。）。
【化９】
2003267910.tif 000012
従って、上記化１〜３の化合物において、Ｂ環やＡ環の構造が多少異なっていても、Ｃ環に同様な部分構造を有することにより、市販の天然ジテルペン化合物から容易に誘導できる化合物も同様な抗菌活性を有するものと考えられる。
従って、上記１〜３の化合物において、Ｙ１〜Ｙ６及びＲ１〜Ｒ３の置換基についてはＸ１〜Ｘ５の置換基よりも自由度が大きいと考えられ、Ｙ１〜Ｙ６及びＲ１〜Ｒ３について上記の置換以外の置換基を有する化合物であっても、Ｘ１〜Ｘ５の置換基を含むＣ環の構造が同じであれば、同じような抗菌活性を有するものと考えられる。従って、上記化合物が、化１〜化３のいずれかのＣ環構造を同じくして、Ｂ環及び／又はＡ環に任意の置換基を付した化１〜化３のいずれかの誘導体であっても、本発明の抗菌化合物として用いることができると考えられる。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
更に、本発明は、下記
【化４】
2003267910.tif 000013
【化５】
2003267910.tif 000014
【化６】
2003267910.tif 000015
【化７】
2003267910.tif 000016
又は
【化８】
2003267910.tif 000017
のいずれかの構造を有する化合物である（化学式の下に付された番号は実験番号である。）。これらは後述の実施例にて、ＶＲＥ及びＭＲＳＡの少なくとも一方に対して抗菌活性を有することが示されている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月25日(2004.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
指示体により操作される操作面と、前記指示体による前記操作面上の操作状態を検出する検出手段と、前記操作面上での前記指示体の操作状態の検出情報に基づいて予め決められた処理を実行する操作処理手段とが設けられ、
前記操作処理手段は、前記操作面上を前記指示体がタッピングした後に、前記操作面上を前記指示体がスライドしたことを検出したときに、画面に表示された情報をスクロールさせる処理信号を出力させることを特徴とする座標入力装置。
【請求項２】
前記指示体のタッピングに引き続き前記指示体がスライドしたことを検出したときに、前記スクロールさせる処理信号を出力させる請求項１記載の座標入力装置。
【請求項３】
前記操作処理手段は、画面に表示されたウィンドウがアクティブとなっている状態で、前記操作面上を前記指示体がタッピングした後に、前記操作面上を前記指示体がスライドしたことを検出したときに、画面に表示された情報をスクロールさせる処理信号を出力させる請求項１又は２記載の座標入力装置。
【請求項４】
操作面上での前記指示体のスライド方向に合わせて、画面に表示されたスクロールバーを垂直方向または水平方向へ移動させる処理信号が出力される請求項１ないし３のいずれかに記載の座標入力装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するため手段】
以上の課題を解決するために、本発明は、指示体により操作される操作面と、前記指示体による前記操作面上の操作状態を検出する検出手段と、前記操作面上での前記指示体の操作状態の検出情報に基づいて予め決められた処理を実行する操作処理手段とが設けられ、
前記操作処理手段は、前記操作面上を前記指示体がタッピングした後に、前記操作面上を前記指示体がスライドしたことを検出したときに、画面に表示された情報をスクロールさせる処理信号を出力させることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明は、前記指示体のタッピングに引き続き前記指示体がスライドしたことを検出したときに、前記スクロールさせる処理信号を出力させるものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は、前記操作処理手段は、画面に表示されたウィンドウがアクティブとなっている状態で、前記操作面上を前記指示体がタッピングした後に、前記操作面上を前記指示体がスライドしたことを検出したときに、画面に表示された情報をスクロールさせる処理信号を出力させるものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明では、操作面上での前記指示体のスライド方向に合わせて、画面に表示されたスクロールバーを垂直方向または水平方向へ移動させる処理信号が出力されるものとすることが可能である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、操作面上のある領域を指示体でタップするだけで、所定のモードへ遷移させることが可能となる。そのために、基本的に指一本だけを用いて非常に簡便な操作が実現でき、操作回数を減らしてユーザの負担を大幅に軽減することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
また、操作面において指示体をタッピングしてスライド操作がなされた場合に、画面に表示されたウィンドウの内容をスクロールするようにしている。これにより、ウィンドウに設けられたスクロールバーの操作が、１回のタップおよびスライド操作という一連の操作で実現されユーザの負担を軽減できる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月13日(2004.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの消弧室が、絶縁媒体を充填され、回転対称に形成され、中心軸線（２）に沿って延び、そして少なくとも一つの電力電流経路を有し、消弧室が中心軸線（２）上に設けられた、アーク領域を画成する少なくとも２個の焼損接触子構造体（５，６）を備え、この焼損接触子構造体が軸方向に互いに一定間隔をおいて離隔され、かつ電力電流経路内に設けられ、焼損接触子構造体がアーク領域に接続された加熱領域（１３）と、接続状態で焼損接触子構造体（５，６）を導電的に接続する架橋接触子を備え、架橋接触子が中心軸線（２）に沿って延び、かつ焼損接触子構造体（５，６）の内部中央に設けられ、焼損接触子構造体（５，６）の間に環状隙間（３６）が設けられ、この環状隙間（３６）が焼損接触子構造体（５，６）を取り囲む環状の加熱領域（１３）に直接接続している、電力用遮断器において、
環状隙間（３６）の最も狭い個所の環状隙間（３６）の横断面積（Ｑ3 ）が次の条件、すなわちＱ3 ／（Ｑ1 ＋Ｑ2 ）＝0.8 ÷1.6 を満たし、ここでは横断面積Ｑ1 が最も狭い個所の焼損接触子構造体（６）の内側開口面積であり、横断面積Ｑ2 が最も狭い個所の焼損接触子構造体（５）の内側開口面積であり、
定格電流経路内にある可動の接触子が、アーク領域から完全に分離された範囲に配置されていることを特徴とする電力用遮断器。
【請求項２】
焼損接触子構造体（５，６）が定格電流接触子管（１７）として形成された対向接触子の内部に配置されていることを特徴とする請求項１記載の電力用遮断器。
【請求項３】
加熱領域が、絶縁媒体に圧力を加える圧縮領域（２１）に作用接続されていることを特徴とする請求項１または２記載の電力用遮断器。
【請求項４】
加熱領域（１３）が焼損接触子構造体（５，６）の周りに同心的に配置され、加熱領域（１３）が環状隙間（３６）に対して対称にまたは非対称に軸方向に延びるよう配置されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の電力用遮断器。
【請求項５】
加熱領域（１３）が一方の焼損接触子と一緒に移動可能であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の電力用遮断器。
【請求項６】
環状隙間（３６）が開口を有する手段によって閉鎖され、この開口が流れ状態を最適化するためにこの範囲に設けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の電力用遮断器。
【請求項７】
環状隙間（３６）の少なくとも一部が、電気絶縁材料からなるリング（３８）によって閉鎖され、このリングが開口として、ほぼ半径方向に向いた貫通穴（４０，４２）または穴（４３，４４）を備えていることを特徴とする請求項６記載の電力用遮断器。
【請求項８】
リング（３８）が第１のウェブ（３９）の内側のリムを備え、このウェブの間に半径方向に向いた第１の貫通穴（４０）が設けられ、内側のリムから間隔をおいて、第２のウェブ（４１）の外側のリムが設けられ、この第２のウェブの間に半径方向に向いた第２の貫通穴（４２）が設けられ、この外側のリムが内側のリムを取り囲み、第２のウェブ（４１）が第１の貫通穴（４０）を被覆していることを特徴とする請求項６記載の電力用遮断器。
【請求項９】
リング（３８）が円筒形または円錐形に形成された少なくとも２列の穴（４３，４４）を備え、この穴が外周に分配配置され、互いにずれており、穴の中心軸線（４５，４６）が中心軸線（２）上に交点（４７）を有し、中心軸線が互いに反対向きに傾斜し、それぞれ中心軸線（２）に対して同じ交叉角度（α）を有することを特徴とする請求項６記載の電力用遮断器。
【請求項１０】
交叉角度（α）が４５〜７０°であることを特徴とする請求項９記載の電力用遮断器。
【請求項１１】
リング（３８）が円筒形または円錐形に形成された少なくとも２列の穴（４３，４４）を備え、この穴が外周に分配配置され、穴の中心軸線（４５，４６）が中心軸線（２）上に交点（４７）を有し、中心軸線が互いに反対向きに傾斜し、中心軸線（２）に対して異なる交叉角度（α，β）を有することを特徴とする請求項６記載の電力用遮断器。
【請求項１２】
切換えピン（３）として形成された架橋接触子と、定格電流接触子管（１７）が、同じ速度または異なる速度で反対方向に移動可能であることを特徴とする請求項２〜１１のいずれか一つに記載の電力用遮断器。
【請求項１３】
架橋接触子が固定された接触子として形成され、定格電流接触子管（１７）を備えた対向接触子が可動接触子として形成されていることを特徴とする請求項２〜１１のいずれか一つに記載の電力用遮断器。
【請求項１４】
高温絶縁媒体と新鮮絶縁媒体の混合を改善する手段が、加熱領域（１３）において圧縮領域（２１）との接続範囲に設けられていることを特徴とする請求項３〜１３のいずれか一つに記載の電力用遮断器。
【請求項１５】
混合を改善する手段として、逆止弁（２０）と協働する少なくとも１個の同心配置された案内薄板（３２）が設けられ、この少なくとも１個の案内薄板（３２）が円筒状または円錐台状に形成され、中心軸線（２）が案内薄板（３２）の中心軸線と一致していることを特徴とする請求項１４記載の電力用遮断器。
【請求項１６】
焼損接触子構造体（５，６）の少なくとも一方に、吹き消しコイルが直列に接続されていることを特徴とする請求項１〜１５のいずれか一つに記載の一つに記載の電力用遮断器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月17日(2005.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】磁気メモリ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１およびの第２の複数の導線が複数の交差領域を形成し、前記複数の交差領域に磁気的に情報を記憶するセルを有する磁気メモリにおいて、
前記磁気的に情報を記憶するセルが、作用する外部磁界に対してその磁化の方向が拘束されて第１磁性層と、前記外部磁界に対して磁化の方向が回転する強磁性層と中間層とが少なくとも5層以上積層されている多層構造との間にトンネル障壁層が形成され、前記多層構造を構成する隣接する強磁性層は中間層を介してその磁化が反強磁性的に配列しており、前記第１磁性層と前記多層構造を構成する強磁性層の磁化の相対的な角度によって抵抗が変化する強磁性トンネル磁気抵抗効果膜と、
前記トンネル磁気抵抗効果膜にセンス電流を供給するための下部および上部磁性層に電気的に接している下部及び上部電極とを有することを特徴とする磁気メモリ。
【請求項２】
前記強磁性層が、Fe、Co、Niおよびそれらの合金であることを特徴とする請求項１記載の磁気メモリ。
【請求項３】
前記中間層が、Cr、Ru、Rh、Ir、Re及びそれらの合金であることを特徴とする請求項1記載の磁気メモリ。
【請求項４】
前記強磁性層がCo-Fe合金、Co-Ni-Fe合金、Ni-Fe合金であり、前記中間層がRuであることを特徴とする請求項1記載の磁気メモリ。
【請求項５】
前記外部磁界に対して磁化の方向が回転する磁性層の平均の異方性磁界 Hk と、平均の飽和磁化 Msと、前記外部磁界に対して磁化の方向が回転する磁性層を構成する各強磁性層の体積の和 Vferro との間に、
Hk・Ms・Vferro / 2  ＞  80・k・T
ここで、k：ボルツマン定数、T：強磁性トンネル磁気抵抗効果素子の温度が成り立つことを特徴とする特許請求項1記載の磁気メモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月19日(2004.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学アセンブリであって、
ハウジングと、
前記ハウジング中に配置され、短波長レーザー出力を供給するように構成された、予め製作された電気的にポンピングされる短波長レーザーと、
長波長レーザー出力を供給するように構成された、予め製作された光ポンピングされる長波長レーザーであって、その長波長レーザーが前記短波長レーザー出力により光ポンピングされる、予め製作された光ポンピングされる長波長レーザーと、及び
前記予め製作された長波長レーザーを含み、前記短波長レーザー出力が前記長波長レーザーに印加される位置で前記ハウジング内に配置される、着脱可能な光学サブアセンブリとからなる、光学アセンブリ。
【請求項２】
前記短波長レーザーが前記長波長レーザーを光ポンピングして長波長レーザー出力を発生させる、請求項１に記載の光学アセンブリ。
【請求項３】
前記長波長レーザーが、前記短波長レーザー出力を前記長波長レーザー出力から除外する、請求項１に記載の光学アセンブリ。
【請求項４】
光学アセンブリを形成するための方法であって、
予め製作された電気的にポンピングされる短波長レーザーをハウジング中に配置するステップと、
光ポンピングされる長波長レーザーを着脱可能な光学サブアセンブリ中に配置するステップと、及び
前記短波長レーザーの出力が前記光学サブアセンブリへと向けられ、前記長波長レーザーを光ポンピングして長波長レーザー出力を結果として生じるように、前記長波長レーザーを収容した前記着脱可能な光学サブアセンブリを、前記ハウジング中の、前記短波長レーザーの光出力経路中に配置するステップとからなる、方法。
【請求項５】
前記短波長レーザー出力を前記長波長レーザー出力から除外するステップを更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記光学サブアセンブリ中に第一の光学素子を含めるステップを更に含み、前記第一の光学素子が、前記短波長レーザーの光出力経路中に配置され、前記短波長レーザー出力を前記長波長レーザーに集束するように構成されている、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月17日(2005.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話等のモバイル機器の小型化、薄型化、高機能化は目覚しく、それに伴い機器に搭載される部品についても高密度化、高機能化が急速に進展している。また、これら部品をプリント基板上に搭載する方法も表面実装化が一層進んでおり、特にハンダ付けプロセスについては、多くの電子部品を高密度に且つ一括してハンダ付可能な方法として、ハンダをあらかじめ基板上に印刷した後、ハンダの融点以上の温度に設定されたリフロー熱源によりハンダ付けを行なう方法（以下リフローハンダ付という）が多く採用されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
かかる状況下、本願の共同出願人の出願にかかる特開平８−１７４７０号公報、及び特開平８−３０６３８４号公報には、ポリアセン系骨格構造を有する有機半導体を正極及び、負極とし、非プロトン性有機溶媒溶液を電解液とする有機電解質電池が開示されている。該電池に用いられる電極は熱縮合反応により得られるポリアセン系骨格構造を有する有機半導体からなり優れた耐熱性を有している。また、該電池においてはガスケットの材質として従来のポリプロピレンに代えて耐熱性に優れ、かつ耐薬品性、耐クリープ性、弾力性にも優れたポリエーテルエーテルケトン、ポリフェニレンサルファイド又はフッ素樹脂を用いることにより、大幅に耐熱性を向上させリフローハンダ付を可能にしている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
次に図面により本発明の実施形態の一例を説明する。図１は本発明に係る電池の基本構成説明図である。図１に示すように、正極２と負極３は、導電性ペースト４、４’を介して、それぞれ正極缶１と負極缶６の内定部に接着されている。この正極２と負極３がそれぞれ接着された正極缶１と負極缶６はセパレータ５を介して対抗しており、ガスケット７により絶縁され、気密性、液密性が保たれている。電解液は、正極２と負極３、セパレータ５それぞれに含浸され、保持している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
また、電池の気密性、液密性を向上させるために、上記ガスケットをシール材であらかじめコーティングしても良い。このとき、ガスケットの内壁部、外周部のどちらかもしくは両方にコーティングすることが可能である。またガスケットの外周部にコーティングする代りに、正極缶の内壁部に予めシール材をコーティングしておいても良い。シール材の種類としては、アスファルト系、ゴム系などが適しており、コーティング精度を上げるため、これらシール材は適当な有機溶媒で希釈したものを用いても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月10日(2005.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板上にゲート金属を形成し，前記ゲート金属上にゲート絶縁膜を形成し，前記ゲート絶縁膜上にチャネルとなる高抵抗半導体薄膜を形成し，前記高抵抗半導体薄膜上に，ソース・ドレインとなる低抵抗半導体薄膜を形成し，前記低抵抗半導体薄膜上に，ソース・ドレイン金属を形成する工程を少なくとも含む薄膜トランジスタの製造方法であって，前記ソース・ドレイン金属をエッチングした後，前記低抵抗半導体薄膜を非イオン性励起種によりエッチングすることを特徴とするボトムゲート薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記非イオン性励起種がラジカルであることを特徴とする請求項１に記載のボトムゲート薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記ラジカル中に少なくとも水素ラジカルを含むことを特徴とする請求項２に記載のボトムゲート薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記ラジカル中に少なくともハロゲンラジカルを含むことを特徴とする請求項２に記載のボトムゲート薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記ハロゲンラジカルがフッ素ラジカルであることを特徴とする請求項４に記載のボトムゲート薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記非イオン性励起種を抵抗加熱された金属とガス分子との接触分解反応で生成することを特徴とする，請求項１から５のいずれかに記載のボトムゲート薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記水素ラジカルを抵抗加熱された金属とガス分子との接触分解反応で生成し，前記ガス分子として水素，アンモニアまたは両者の混合ガスを使用することを特徴とする，請求項３に記載のボトムゲート薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記非イオン性励起種を，前記低抵抗半導体薄膜のエッチングを実施するチャンバとは別の，当該チャンバに接続されたプラズマ生成室においてマイクロ波プラズマにより生成し，前記プラズマ中の前記非イオン性励起種のみ選択的に基板表面に輸送することを特徴とする，請求項１から５のいずれかに記載のボトムゲート薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
前記低抵抗半導体薄膜のエッチング後，当該エッチング表面を大気に曝すこと無く連続的にシリコン窒化膜を形成することを特徴とする，請求項１から８のいずれかに記載のボトムゲート薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
絶縁性基板上にゲート金属を形成し，前記ゲート金属上にゲート絶縁膜を形成し，前記ゲート絶縁膜上にチャネルとなる高抵抗半導体薄膜を形成し，前記高抵抗半導体薄膜上に，ソース・ドレインとなる低抵抗半導体薄膜を形成し，前記低抵抗半導体薄膜上に，ソース・ドレイン金属を形成する工程を少なくとも含む薄膜トランジスタの製造方法であって，前記ソース・ドレイン金属をエッチングした後，前記低抵抗半導体薄膜を分子中に窒素原子を含んだガスの分解生成物により，窒化することを特徴とする，ボトムゲート薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１１】
前記分子中に窒素原子を含んだガスの分解生成物を，抵抗加熱された金属と分子中に窒素原子を含んだガスとの接触分解反応で生成することを特徴とする，請求項１０に記載のボトムゲート薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１２】
前記分子中に窒素原子を含んだガスとして，アンモニアを使用することを特徴とする，請求項１１に記載のボトムゲート薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１３】
前記抵抗加熱された金属としてタングステン，タンタル，モリブデンまたはこれらの中から選択された２種以上の金属からなる合金を使用することを特徴とする，請求項６，７，９，１０，１１，１２のいずれかに記載のボトムゲート薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１４】
前記高抵抗半導体薄膜がシリコン薄膜であることを特徴とする請求項１から１３のいずれかに記載のボトムゲート薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１５】
前記シリコン薄膜が非晶質あるいは多結晶シリコン薄膜であることを特徴とする，請求項１４に記載のボトムゲート薄膜トランジスタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月30日(2004.7.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器に収納される電子部品の冷却装置において、
受熱のためのヒートシンクと、放熱のための熱交換器と、冷却媒体の液循環流路と、前記冷却媒体の液駆動部とを有し、
前記ヒートシンクと前記液駆動部とを一体的に接続し、前記ヒートシンクと前記電子部品を熱的に接続したことを特徴とする電子部品の冷却装置。
【請求項２】
請求項１記載の電子部品の冷却装置において、
前記液駆動部は前記電子部品と接続する前記ヒートシンクの対向する面に取り付けられていることを特徴とする電子部品の冷却装置。
【請求項３】
請求項１記載の電子部品の冷却装置において、
前記液駆動部の駆動軸を前記電子部品に接続するヒートシンクの接続平面と平行になるようにしたことを特徴とするの電子部品の冷却装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月4日(2005.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体集積回路装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のメモリセルを有する半導体集積回路装置であって、
前記メモリセルは、半導体基板上に形成されたメモリセル用ＭＩＳＦＥＴを有し、
前記メモリセル用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極は、第１方向に延在するワード線と接続され、
前記メモリセル用ＭＩＳＦＥＴ上に形成された第１絶縁膜に配線溝が形成され、
前記配線溝は、前記第１方向と交差する第２方向に延在し、かつ前記複数のメモリセル上を前記第２方向に延在して形成され、
前記配線溝の側壁に酸化シリコンを主成分とする第２絶縁膜が形成され、
前記配線溝の内部には、前記メモリセル用ＭＩＳＦＥＴのソース、ドレインの一方と電気的に接続されたビット線が形成され、
前記ビット線の上部には、前記ソース、ドレインの他方と電気的に接続された容量素子が形成され、
前記ビット線は、タングステンを主成分とする第１導電膜からなり、
前記配線溝の内部の前記第２絶縁膜と前記第１導電膜との界面には、前記第２絶縁膜に対する接着力がタングステンよりも大きい第２導電膜からなる接着層が形成される半導体集積回路装置。
【請求項２】
請求項１において、前記第１導電膜の配線幅は、０．２μｍ以下である半導体集積回路装置。
【請求項３】
請求項１において、前記第１絶縁膜は、酸化シリコンを主成分として構成され、前記配線溝の底部の前記第１絶縁膜と前記第１導電膜との界面には、前記第１絶縁膜に対する接着力がタングステンよりも大きい第２導電膜からなる接着層が形成される半導体集積回路装置。
【請求項４】
請求項１において、前記ビット線の表面は、研磨により平坦化されている半導体集積回路装置。
【請求項５】
請求項１において、前記第１導電膜は、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＷＮまたはＺｒＮで構成される半導体集積回路装置。
【請求項６】
請求項１において、前記ビット線の幅は、隣接する他のビット線との間隔よりも狭い半導体集積回路装置。
【請求項７】
請求項１において、前記ビット線は、前記第１絶縁膜の下層の第３絶縁膜に形成された第１接続孔内に埋め込まれたプラグを介して、前記ソース、ドレインの一方と電気的に接続されている半導体集積回路装置。
【請求項８】
複数のメモリセルを有する半導体集積回路装置であって、
前記メモリセルは、半導体基板上に形成されたメモリセル用ＭＩＳＦＥＴを有し、
前記メモリセル用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極は、ワード線に接続され、
前記ワード線上に第１絶縁膜が形成され、
前記第１絶縁膜に第１接続孔が形成され、
前記第１絶縁膜に第２接続孔が形成され、
前記第１接続孔の内部に、前記メモリセル用ＭＩＳＦＥＴのソース、ドレインの一方と電気的に接続された第１プラグが形成され、
前記第２接続孔の内部に、前記メモリセル用ＭＩＳＦＥＴのソース、ドレインの他方と電気的に接続された第２プラグが形成され、
前記第１絶縁膜上に第２絶縁膜が形成され、
前記第２絶縁膜に第３接続孔が形成され、
前記第３接続孔の内部に、前記第１プラグと電気的に接続された第３プラグが形成され、
前記第２絶縁膜上に第３絶縁膜が形成され、
前記第３絶縁膜に配線溝が形成され、
前記配線溝の内部に、前記第１プラグに接続され、タングステン膜で構成されたビット線が形成され、
前記ビット線の上部に、前記第２プラグに電気的に接続された容量素子が形成され、
前記配線溝の側壁に酸化シリコンを主成分とするサイドウォールスペーサが形成され、
前記ビット線と前記サイドウォールスペーサとの間に、前記サイドウォールスペーサに対して接着層として機能する導電膜が形成され、
前記導電膜の前記サイドウォールスペーサに対する接着力は、前記ビット線の前記サイドウォールスペーサに対する接着力よりも大きい半導体集積回路装置。
【請求項９】
請求項８において、前記第１導電膜の配線幅は、０．２μｍ以下であり、前記第１絶縁膜は酸化シリコンを主成分として構成され、前記配線溝の底部の前記第１絶縁膜と前記第１導電膜との界面には、前記第１絶縁膜に対する接着力がタングステンよりも大きい第２導電膜からなる接着層が形成される半導体集積回路装置。
【請求項１０】
請求項８において、前記ビット線の表面は、研磨により平坦化され、前記第１導電膜は、ＴｉＮ、ＴａＮ、ＷＮまたはＺｒＮで構成される半導体集積回路装置。
【請求項１１】
複数のメモリセルを有する半導体集積回路装置であって、
前記メモリセルは、半導体基板上に形成されたメモリセル用ＭＩＳＦＥＴを有し
前記メモリセル用ＭＩＳＦＥＴのゲート電極は、第１方向に延在するワード線と接続され、
前記メモリセル用ＭＩＳＦＥＴ上に形成された第１絶縁膜に配線溝が形成され、
前記配線溝は、前記第１方向と交差する第２方向に延在し、かつ前記複数のメモリセル上を前記第２方向に延在して形成され、
前記配線溝の側壁に第２絶縁膜が形成され、
前記配線溝の内部には、前記メモリセル用ＭＩＳＦＥＴのソース、ドレインの一方と電気的に接続されたビット線が形成され、
前記ビット線の上部には、前記ソース、ドレインの他方と電気的に接続された容量素子が形成され、
前記ビット線は、タングステンを主成分とする第１導電膜からなり、
前記配線溝の内部の前記第２絶縁膜と前記第１導電膜との界面には、前記第２絶縁膜に対する接着力がタングステンよりも大きい第２導電膜からなる接着層が形成される半導体集積回路装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月18日(2004.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集積回路に予め設けられた層上に配置された金属被着膜構造において、前記予め設けられた層上に堆積されるチタン層と、前記チタン層上に堆積されるアルミニウム層とを有し、前記チタン層が、前記アルミニウム層と少なくとも部分的に合金を形成しているようにしたことを特徴とする金属被着膜構造。
【請求項２】
前記チタン層が、前記アルミニウム層と完全に合金を形成しているようにしたことを特徴とする請求項１に記載の金属被着膜構造。
【請求項３】
堆積させられた前記チタン層の厚さが、２００Å以下であるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の金属被着膜構造。
【請求項４】
更に、前記アルミニウム層上に配置された窒化チタン層を有しているようにしたことを特徴とする請求項１に記載の金属被着膜構造。
【請求項５】
集積回路の製造中に、前記集積回路に予め設けられた層上に金属被着膜構造を形成する方法において、前記集積回路の前記予め設けられた層上にチタン層を堆積させる工程と、前記チタン層上にアルミニウム層を堆積させる工程と、前記集積回路を十分に加熱して前記チタン層が前記アルミニウム層と少なくとも部分的に合金を形成するようにする工程とを有することを特徴とする方法。
【請求項６】
前記チタン層が、前記集積回路の加熱の結果前記アルミニウム層と完全に合金を形成するように、堆積される前記チタン層の厚さを制限することを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項７】
堆積させられた前記チタン層の厚さが、２００Å以下であるようにしたことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項８】
更に、前記アルミニウム層上に窒化チタン層を堆積させるようにしたことを特徴とする請求項５に記載の方法。
【請求項９】
予め設けられた層上に、金属被着膜構造が配置されているようにした集積回路において、前記予め設けられた層上に配置されたチタン層と、前記チタン層上に配置されたアルミニウム層とを有し、前記チタン層が、前記アルミニウム層と少なくとも部分的に合金を形成しているようにしたことを特徴とする集積回路。
【請求項１０】
前記チタン層が、前記アルミニウム層と完全に合金を形成しているようにしたことを特徴とする請求項９に記載の集積回路。
【請求項１１】
堆積させられた前記チタン層の厚さが、２００Å以下であるようにしたことを特徴とする請求項９に記載の集積回路。
【請求項１２】
更に、前記アルミニウム層上に配置された窒化チタン層を有しているようにしたことを特徴とする請求項９に記載の集積回路。
【請求項１３】
前記集積回路が、フォトダイオードを備えた光電子集積回路であるようにした請求項９に記載の集積回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
更に本発明は、集積回路に予め設けられた層（２０）上に、金属被着膜構造（３０）が配置されているようにした集積回路において、前記予め設けられた層（２０）上に配置されたチタン層（３２）と、前記チタン層（３２）上に配置されたアルミニウム層（３４）とを有し、前記チタン層（３２）が、前記アルミニウム層（３４）と少なくとも部分的に合金を形成しているようにしたことを特徴とする集積回路を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月9日(2005.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  基板を支持するための装置であって、
支持面を有する支持組立体と、
基板の周囲の下の支持組立体を通して移動可能に配置される、リフトピンの第１のセットと、
基板の中心部分の下に配置されると共に、支持組立体を通して移動可能に配置される、リフトピンの第２セットと
を備え、リフトピンの第１セットは、基板の中心部分を持ち上げるリフトピンの第２セットより前に、支持組立体から第１の距離だけ、基板の周囲を持ち上げる装置。
【請求項２】  リフトピンの第２のセットが、リフトピンの第１のセットの半径方向内向きに配置される請求項１に記載の装置。
【請求項３】  リフトピンの第２セットが、少なくとも１つのリフトピンを備える請求項１に記載の装置。
【請求項４】  リフトピンの第２セットが、支持組立体の中心の反対側に配置される２つのリフトピンを有する請求項３に記載の装置。
【請求項５】  リフトピンの第１のセットが、少なくとも３以上のリフトピンを備える請求項１に記載の装置。
【請求項６】  リフトピンの第１のセットが、８つのリフトピンを備える請求項５に記載の装置。
【請求項７】  リフトピンの第１のセットが、リフトピンの第２セットの第２の長さより長い第１の長さを有する請求項１に記載の装置。
【請求項８】  第１の長さが、少なくとも２ｍｍだけ第２の長さより長い請求項７に記載の装置。
【請求項９】  支持組立体の支持面とは反対の側に配置されるリフトプレートを更に備え、リフトプレートは、
中心部分と、
中心部分から一部が突き出るリムと
を備え、中心部分がリフトピンの第２セットと接触するように構成され、リムがリフトピンの第１のセットと接触するように構成される請求項１に記載の装置。
【請求項１０】  リフトピンの第１のセットが、支持面と間隔をおいた関係で基板を支持するように構成され、基板の中心部分が支持面から分離した後、リフトピンの第２のセットが、基板と接触しないように構成される請求項１に記載の装置。
【請求項１１】  リフトピンの第１のセットが、支持面と間隔をおいた関係で少なくとも基板の部分を持ち上げ、基板をその中心領域において曲げる請求項１に記載の装置。
【請求項１２】  リフトピンの第２のセットが、基板全体が支持面と間隔をおいた関係のままで、基板の曲げられた部分と接触する請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】  リフトピンの第２セットと接触する前にリフトピンの第１のセットと接触するリムを有する面を更に備える請求項１に記載の装置。
【請求項１４】  リフトピンの第１のセットと接触するリムと、リフトピンの第２セットと接触する中心部分と、を有する面を更に備える請求項１に記載の装置。
【請求項１５】  基板を支持するための装置であって、
支持面を有する支持組立体と、
基板の周囲の下の支持組立体の中に移動可能に配置され、支持組立体から基板の周囲を持ち上げるための第１の長さを有するリフトピンの第１のセットと、
基板の中心部分の下に配置されると共に、支持組立体を通して移動可能に配置され、リフトピンの第１のセットの第１の長さより短い第２の長さを有しているリフトピンの第２セットと
を備え、リフトピンの第１セットは、基板の中心部分を持ち上げるリフトピンの第２セットより前に、支持組立体から第１の距離だけ、基板の周囲を持ち上げる装置。
【請求項１６】  半導体プロセスチャンバであって、
支持面を有する支持組立体と、
基板の周囲の下の支持組立体の中に移動可能に配置され、支持組立体から基板の周囲を持ち上げるためのリフトピンの第１のセットと、
基板の中心部分の下に配置され、リフトピンの第１のセットの第１の長さよりも短い第２の長さを有するリフトピンの第２のセットと
を備え、リフトピンの第２のセットは、基板の中心部分が支持面と接触する間のみ、基板の中心部分と接触する半導体プロセスチャンバ。
【請求項１７】  リフトピンの第１のセットが、少なくとも３つ以上のリフトピンを備える請求項１６に記載のプロセスチャンバ。
【請求項１８】  支持組立体の支持面とは反対の側に配置されたリフトプレートを更に備え、リフトプレートは、
中心部分と、
中心部分から突き出ているリムと
を更に備える請求項１６に記載のプロセスチャンバ。
【請求項１９】  リフトピンの第１のセットが支持面と間隔をおいた関係で基板を支持する一方、１つ以上の他のリフトピンが基板と接触しないように構成される請求項１６に記載のプロセスチャンバ。
【請求項２０】  リフトピンの第１のセットが、支持面と間隔をおいた関係で少なくとも基板の部分を持ち上げ、基板をその中心領域において曲げる請求項１６に記載のプロセスチャンバ。
【請求項２１】  リフトピンの第２のセットが、基板全体が支持面と間隔をおいた関係のままで、基板の曲げられた部分と接触する請求項２０に記載のプロセスチャンバ。
【請求項２２】  リフトピンの第２セットと接触する前にリフトピンの第１のセットと接触するリムを有する面を更に備える請求項１６に記載のプロセスチャンバ。
【請求項２３】  リフトピンの第１のセットと接触するリムと、リフトピンの第２セットと接触する中心部分と、を有する面を更に備える請求項１６に記載のプロセスチャンバ。
【請求項２４】  これら突き出された距離は、別々に、少なくとも２ｍｍである請求項１６に記載のプロセスチャンバ。
【請求項２５】  基板をデチャックするための方法であって、
第１の距離だけ、基板支持体の表面の上に、基板の周囲の下のリフトピンの第１のセットを突き出すステップと、
リフトピンの第１セットによって突き出された第１の距離より小さな第２の距離だけ、基板支持体の表面の上に、基板の中心部分の下に配置されるリフトピンの第２セットを突き出すステップと
を有する方法。
【請求項２６】  これら突き出された距離は、別々に、少なくとも２ｍｍである請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】  リフトピンの第１のセットを突き出すことにより、リフトピンの第１のセットが、基板支持体と間隔をおいた関係で少なくとも基板の部分を持ち上げ、基板をその中心領域において曲げる請求項２５に記載の方法。
【請求項２８】  リフトピンの第２のセットを突き出すことにより、リフトピンの第２のセットが、基板全体が基板支持体と間隔をおいた関係のままで、基板の曲げられた部分と接触する請求項２７に記載の方法。
【請求項２９】  リフトピンの第２のセットと接触する前にリフトピンの第１のセットと接触するよう、リフトプレートを作動させるステップを更に有する請求項２５に記載の方法。
【請求項３０】  リフトピンの第１のセットを、リフトピンの第２のセットと接触する中心部分より突き出るリフトプレートのリムと接触させるように、リフトプレートを作動させるステップを更に有する請求項２５に記載の方法。