Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月6日(2021.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式(I)：
【化１】
2020518685.tif 000001
で示される反復単位を有するポリマー、または式(I)で示される反復単位と式(II)：
【化２】
2020518685.tif 000002
で示される反復単位を含むコポリマー、
[式中、
R1およびR10は、存在する場合、独立して、C1-6アルキルを表し；
R2〜R8およびR11は、それぞれ独立して、HまたはC1-6アルキルを表し；
R9およびR12は、それぞれ独立して、CO2R13または、特に、HまたはC1-6アルキルを表し；
R13は、HまたはC1-6アルキルを表し；
Xは、CR14R15、OまたはSを表し；
R14およびR15は、独立して、CO2R13または、特に、HまたはC1-6アルキルを表し；
mは、0〜5から選択される数であり；
nは、2〜10から選択される数であり；
pは、0〜5から選択される数であり；
qは、0〜3から選択される数であり；
xは、2〜10から選択される数であり；
yは、0〜3から選択される数である；
ただし、化合物がコポリマーである場合、式(I)で示される反復単位および式(II)で示される反復単位は同じではない]
およびその溶媒和物。
【請求項２】
R1およびR10が、存在する場合、独立して、C1-3アルキルを表し；
R2〜R8およびR11が、それぞれ独立して、Hまたはメチルを表し；
R9およびR12が、それぞれ独立して、CO2R13または、特に、HまたはC1-3アルキルを表し；
R13が、HまたはC1-3アルキルを表し；
Xが、CR14R15またはOを表し；
R14およびR15は、独立して、CO2R13または、特に、HまたはC1-6アルキルを表し；
mが、0〜4から選択される数であり；
nが、2〜8から選択される数であり；
pが、0〜3から選択される数であり；
qが、0〜1から選択される数であり；
xが、2〜8から選択される数であり；および
yが、0〜1から選択される数である；
請求項1に記載のポリマーまたはコポリマー。
【請求項３】
R2〜R8およびR11が、それぞれ独立して、Hを表し；
R9およびR12が、それぞれ独立して、CO2Hまたは、特に、Hまたはメチルを表し；
Xが、CR14R15またはOを表し；
R14およびR15が、独立して、CO2Hまたは、特に、Hまたはメチルを表し；
mが、0〜3から選択される数であり；
nが、2〜7から選択される数であり；
pが、0〜2から選択される数であり；
qおよびyが、0であり；および
xが、2〜7から選択される数である；
請求項1または請求項2に記載のポリマーまたはコポリマー。
【請求項４】
R2〜R8およびR11が、それぞれ独立して、Hを表し；
R9およびR12が、それぞれ独立して、CO2Hまたは、特に、Hまたはメチルを表し；
Xが、CR14R15またはOを表し；
R14およびR15が、独立して、CO2Hまたは、特に、Hまたはメチルを表し；
mが、0〜2から選択される数であり；
nが、2〜7から選択される数であり；
pが、0〜2から選択される数であり；
qおよびyが、0であり；および
xは、2〜7から選択される数である；
前記請求項のいずれか1つに記載のポリマーまたはコポリマー。
【請求項５】
数平均分子量が、500〜7,000ダルトンである、前記請求項のいずれか1つに記載のポリマーまたはコポリマー。
【請求項６】
ポリマーまたはコポリマーが、式(I)で示される反復単位を有するポリマーである、前記請求項のいずれか1つに記載のポリマーまたはコポリマー。
【請求項７】
R2〜R8のそれぞれが、Hであり；
R9のそれぞれが、CO2Hまたは、特に、Hまたはメチルを表し；
Xが、CH2またはOを表し；
mが、0〜2から選択される数であり；
nが、2〜6から選択される数であり；
pが、0〜2から選択される数であり；
qが、0である；
請求項6に記載のポリマー。
【請求項８】
Xが、Oであり、pが、1または2である、前記請求項のいずれか1つに記載のポリマーまたはコポリマー。
【請求項９】
反復単位が、
(i)
【化３】
2020518685.tif 000003
(場合により、ポリマーの数平均分子量は、500〜2,500ダルトンである)；
(ii)
【化４】
2020518685.tif 000004
(場合により、ポリマーの数平均分子量は、500〜2,500ダルトンである)；
(iii)
【化５】
2020518685.tif 000005
(場合により、ポリマーの数平均分子量は、500〜2,500ダルトンである)；
(iv)
【化６】
2020518685.tif 000006
(場合により、ポリマーの数平均分子量は、500〜2,000ダルトンである)；
(v)
【化７】
2020518685.tif 000007
(場合により、ポリマーの数平均分子量は、4,000〜5,500ダルトンである)；
(vi)
【化８】
2020518685.tif 000008
(場合により、ポリマーの数平均分子量は、4,000〜5,000ダルトンである)；および
(vii)
【化９】
2020518685.tif 000009
(場合により、ポリマーの数平均分子量は、500〜2,000ダルトンである)；
からなる群から選択される、請求項1〜8のいずれか1つに記載のポリマー。
【請求項１０】
式(I)および式(II)で示される反復単位が、
(i)式(I)で示される反復単位として、
【化１０】
2020518685.tif 000010
および式(II)で示される反復単位として、
【化１１】
2020518685.tif 000011
(場合により、ポリマーの数平均分子量は、1,000〜5,000ダルトンである)；ならびに
(ii)式(I)で示される反復単位として、
【化１２】
2020518685.tif 000012
および式(II)で示される反復単位として、
【化１３】
2020518685.tif 000013
(場合により、ポリマーの数平均分子量は、1,000〜5,000ダルトンである)
からなる群から選択される、請求項1〜5のいずれか1つに記載のコポリマー。
【請求項１１】
請求項1〜10のいずれか1つに記載のポリマーまたはコポリマーを含む医薬組成物。
【請求項１２】
有効量の、請求項1〜10のいずれか1つに記載のポリマーまたはコポリマーを含む、微生物および/または真菌感染を治療するための医薬組成物。
【請求項１３】
微生物および/または真菌感染を治療するための医薬の製造における、請求項1〜10のいずれか1つに記載のポリマーまたはコポリマーの使用。
【請求項１４】
請求項1〜10のいずれか1つに記載のポリマーまたはコポリマー；および界面活性剤を含む、抗微生物および/または抗真菌性洗剤組成物。
【請求項１５】
前記組成物が、固体または液体石鹸の形態である、請求項14に記載の抗微生物および/または抗真菌性洗剤組成物。
【請求項１６】
前記組成物が、シャンプーの形態である、請求項15に記載の抗微生物および/または抗真菌性洗剤組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月15日(2021.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の反応式：
【化１】
2020518602.tif 000001
に示されるイオシメノールの製造方法であって、工程１の粗生成物Ｃ−IIIがメタノールおよび／またはメタノールと水の混合液（メタノール：１〜９９重量％）を含む溶媒中２０〜１００℃で結晶化により精製される、製造方法。
【請求項２】
工程２の化合物Ｃ−IIIが、触媒量のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドの存在下または不存在下、酢酸エチルおよび／またはトルエンを含む溶媒中還流して、塩化チオニルでクロル化される、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
工程２の粗生成物Ｃ−IVが陰イオン交換樹脂を用いて精製されて、有機不純物が除去され、ここで該樹脂がポリスチレン系樹脂、ポリアクリレート系樹脂、好ましくはベンゼンエチレン−ジビニルベンゼンコポリマー系樹脂（スチレン−ジビニルベンゼンコポリマー系樹脂）である、請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
工程３の化合物Ｃ−IVが、三塩化リンの存在下、マロン酸とカップリングする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
工程３の化合物Ｃ−IVが、活性化されたマロン酸とカップリングする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項６】
使用される活性化されたマロン酸が、その反応性エステルまたは混合酸無水物（好ましくは、ジシクロヘキシルカルボジイミド／Ｎ−ヒドロキシベンゾトリアゾールおよび／またはジシクロヘキシルカルボジイミド／ヒドロキシコハク酸イミドおよび／または１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩／Ｎ−ヒドロキシベンゾトリアゾールおよび／または１−プロパンホスホン酸環状無水物の添加によりｉｎ ｓｉｔｕで調製される）であり得る、請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
粗生成物Ｃ−Ｖを、テトラヒドロフラン、メチルテトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、ジオキサン、またはそれらの混合物を含む溶媒中攪拌して精製する、請求項４〜６のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項８】
化合物Ｃ−Ｖを乾燥せず、直接次工程（工程４）に用いる、請求項４〜６のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項９】
工程４の化合物Ｃ−Ｖを、トリエチルアミンの存在下、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド中、２〜２５℃で、３−アミノ−プロパン−１，２−ジオールと反応させる、請求項１〜８のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１０】
Ｃ−VIの反応混合物を、水性メタノール中懸濁させた陰イオン交換樹脂と共に攪拌して、有機不純物を除く、請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
陰イオン交換樹脂がポリスチレン系樹脂、ポリアクリレート系樹脂、好ましくはベンゼンエチレン−ジビニルベンゼンコポリマー系樹脂（スチレン−ジビニルベンゼンコポリマー系樹脂）である、請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
化合物Ｃ−VIを、ｐＨ ５〜７の下、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、２−プロパノール、またはそれらの混合物から選択される有機溶媒の添加によって、反応混合物から直接沈殿させて分離、精製する、請求項９〜１１のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１３】
沈殿する化合物Ｃ−VIが、水、アセトンおよび酢酸からなる混合溶媒から結晶化される、請求項９〜１２のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１４】
化合物Ｃ−VIが工程５において、２−メトキシエタノール（０〜９９％）の存在下の、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、エチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、メタノール、またはそれらの混合物から選択される有機溶媒中、無機塩基の存在下、３−ハロ−プロパン−１，２−ジオールまたはグリシドールと反応する、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１５】
反応温度が１０〜６０℃であり、無機塩基が、水酸化リチウム、水酸化カルシウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、またはそれらの混合物である、請求項１４に記載の製造方法。
【請求項１６】
イオシメノールを調製する反応が、無機塩基以外にＣａＣｌ２、ＺｎＣｌ２、ＭｇＣｌ２、ＣａＢｒ２、ＺｎＢｒ２およびＭｇＢｒ２からなる群から選択される金属ハライドの存在下行う、請求項１４または１５に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月16日(2021.4.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）：
【化１】
2020518621.tif 000001
（式中：
Ｒ１及びＲ２は
（ｉ）Ｈ、Ｃ１〜１２アルキル、Ｃ２〜６アルキニル、Ｃ１アルキルＣ６アリール、Ｃ６アリール、Ｃ３〜６シクロアルキル、及びＣ３〜５ヘテロシクリルからなる群からそれぞれ独立に選択されるか；又は
（ｉｉ）Ｒ１とＲ２は、それらが結合している窒素原子と共に、ヘテロシクリル又はヘテロアリール基を形成し；
Ｒ３は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＨ３、ＯＣＨ３、ＯＣＦ２Ｈ、ＯＣＦ３、ＣＯ２Ｈ、ＣＯ２Ｃ１〜１０アルキルからなる群から選択され；
Ｒ４は、Ｃ０〜３アルキルＣ３〜１２シクロアルキル、Ｃ１〜１２アルキル、Ｃ１〜１０アルキルＣ６アリール、Ｃ１〜６アルキルＯＣ１〜６アルキルＣ６アリール、Ｃ０〜６アルキルヘテロアリール、及びＣ０〜６アルキルヘテロシクリルからなる群から選択され；ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４のそれぞれは任意選択で置換されている）の化合物、又はその塩、溶媒和物、プロドラッグ、若しくは多形体。
【請求項２】
図８中の化合物のリストから選択されない、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
Ｒ１がＨでない、請求項１又は請求項２に記載の化合物。
【請求項４】
Ｒ１がＣ１〜６アルキルである、請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項５】
Ｒ１がＣ１〜３アルキルである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項６】
Ｒ１がＣ２〜６アルキニルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項７】
Ｒ１がＣ３〜６シクロアルキルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項８】
Ｒ１がＣ３〜５ヘテロシクリルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項９】
Ｒ２がＨである、請求項１〜８のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１０】
Ｒ１とＲ２がどちらも同じである、請求項１に記載の化合物。
【請求項１１】
Ｒ３がＣＨ３及びハロから選択される、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１２】
Ｒ３がＦ又はＣｌである、請求項１１に記載の化合物。
【請求項１３】
Ｒ４がＣ０〜３アルキルＣ３〜１２シクロアルキルである、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１４】
前記Ｃ３〜１２シクロアルキル基が、シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、及びシクロヘプチルから選択される、請求項１３に記載の化合物。
【請求項１５】
Ｒ４がＣ３〜１２シクロアルキルである、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１６】
Ｒ４がＣ１〜１２アルキルである、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１７】
Ｒ４が、メチル、エチル、プロピル、又はブチル基である、請求項１６に記載の化合物。
【請求項１８】
Ｒ４がＣ０〜６アルキルヘテロシクリルである、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項１９】
式（Ｉａ）：
【化２】
2020518621.tif 000002
（式中：
Ｒ１及びＲ２は
（ｉ）Ｈ、Ｃ１〜６アルキル、Ｃ２〜６アルキニル、Ｃ６アリール、及びＣ３〜５ヘテロシクリルからなる群からそれぞれ独立に選択されるか；又は
（ｉｉ）Ｒ１とＲ２は、それらが結合している窒素原子と共に、ヘテロシクリル基を形成し；
Ｒ３は、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ及びＣＨ３からなる群から選択され；
Ｒ４は、Ｃ０〜３アルキルＣ３〜１２シクロアルキル、Ｃ１〜１２アルキル、及びＣ０〜６アルキルヘテロシクリルからなる群から選択され；
ここで、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４のそれぞれは任意選択で置換されている）の化合物である請求項１に記載の化合物。
【請求項２０】
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、及びＲ４が、ＯＨ、Ｃ１〜６アルコキシ、ハロ、アミノ、メルカプト、及びＣ１〜６アルキルから選択される１個以上の基により任意選択で置換されている、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の化合物。
【請求項２１】
請求項１〜２０のいずれか一項に記載の式（Ｉ）の化合物、又はその塩、溶媒和物、プロドラッグ、若しくは多形体、及び薬学的に許容できる賦形剤を含む組成物。
【請求項２２】
請求項１〜２０のいずれか一項に記載の化合物、又は請求項２１に記載の組成物の、対象の呼吸器疾患の治療又は予防のための医薬品の調製における使用。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月15日(2021.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周囲温度で液体又はゲル状の、水性媒体に溶解した少なくとも２種の錯化剤（Ａ）を含有する洗剤組成物の単回単位用量を含む容器であって、該錯化剤（Ａ）が、
（Ａ１）メチルグリシン二酢酸（ＭＧＤＡ）の少なくとも１種のアルカリ金属塩、及び
（Ａ２）グルタミン酸二酢酸（ＧＬＤＡ）の少なくとも１種のアルカリ金属塩であり、
（Ａ１）と（Ａ２）の質量比が１：９〜９：１の範囲にあり、
ここで、該容器がポリマーから作られたものであり、該水性媒体が、錯化剤（Ａ１）を含まないで、かつ、錯化剤（Ａ２）を含まない液相全体に対して、少なくとも２５質量％の水を含むものであり、
プロピオン酸、ギ酸、グリコール酸、乳酸、グルタミン酸塩、アラニン、及びニトリロ三酢酸（ＮＴＡ）及びそれらのそれぞれのアルカリ金属塩から選択される不純物の総量が、錯化剤（Ａ）に対して０．１〜５質量％の範囲内であり、
錯化剤（Ａ１）及び（Ａ２）がアルカリで部分的に中和されたものである
ことを特徴とする容器。
【請求項２】
前記容器が２つ以上の区画を包含する、請求項１に記載の容器。
【請求項３】
（Ａ１）が、メチルグリシン二酢酸（ＭＧＤＡ）の少なくとも１種のアルカリ金属塩であって、１分子当たり平均して２個より多く３個未満のカルボキシル基がアルカリで中和されたものであり、
（Ａ２）が、グルタミン酸二酢酸（ＧＬＤＡ）のＬ−及びＤ−鏡像体の、又は鏡像異性的に純粋なＬ−ＧＬＤＡの、少なくとも１種のアルカリ金属塩であって、１分子当たり平均して３個より多いカルボキシル基がアルカリで中和されたものである、
請求項１又は２に記載の容器。
【請求項４】
前記容器が、１つ以上の区画を有する箱の形態、又は１つ以上の区画を有する小袋の形態、又は１つ以上の区画を有するポーチの形態、又は箱とポーチの組合せの形態である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の容器。
【請求項５】
ＭＧＤＡのアルカリ金属塩が、一般式（Ｉ）
［ＣＨ３−ＣＨ（ＣＯＯ）−Ｎ（ＣＨ２−ＣＯＯ）２］Ｍ３−ｘ１−ｚ１（ＮＨ４）ｚ１Ｈｘ１                （Ｉ）
の化合物から選択され、
ＧＬＤＡのアルカリ金属塩が、一般式（ＩＩ）
［ＯＯＣ−ＣＨ２ＣＨ２−ＣＨ（ＣＯＯ）−Ｎ（ＣＨ２−ＣＯＯ）２］Ｍ４−ｘ２−ｚ２（ＮＨ４）ｚ２Ｈｘ２              （ＩＩ）
の化合物から選択されるものであり、
上記式中、Ｍはアルカリ金属カチオンから選択されるものであり、
ｘ１及びｚ１はそれぞれ０．０〜１．０の範囲にあり、ｘ１＋ｚ１の合計はゼロより大きく１．０未満であり、
ｘ２及びｚ２はそれぞれ０．０〜１．０の範囲にあり、ｘ２＋ｚ２の合計は１．０未満である、
請求項１〜４のいずれか一項に記載の容器。
【請求項６】
前記アルカリ金属塩（Ａ１）がメチルグリシン二酢酸（ＭＧＤＡ）のＬ−及びＤ−鏡像体の混合物であり、該混合物が、主に、５〜９５％の範囲の鏡像体過剰率（ｅｅ）を有するそれぞれのＬ−異性体を含有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の容器。
【請求項７】
少なくとも２つの区画を包含し、１つの区画が水性媒体中の錯化剤（Ａ）を含み、少なくとも１つの更なる区画が固体組成物を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の容器。
【請求項８】
前記水性媒体が、３５〜７５質量％の範囲の錯化剤（Ａ）を含有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の容器。
【請求項９】
前記ポリマーがポリビニルアルコールである、請求項１〜８のいずれか一項に記載の容器。
【請求項１０】
前記容器が少なくとも２つの区画を包含し、前記洗剤が無機過酸化物をさらに含み、前記無機過酸化物が、錯化剤（Ａ）を含有する水性媒体を含む区画内に存在しない、請求項１〜９のいずれか一項に記載の容器。
【請求項１１】
前記錯化剤（Ａ）の水溶液が、８．７〜１１．３の範囲のｐＨ値を有する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の容器。
【請求項１２】
食器洗浄又は洗濯洗浄のための、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の容器の使用。
【請求項１３】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の容器又は容器の区画を作製する方法であって、
（ａ）ポリマーを用意する工程、
（ｂ）液体を含むことができるように、少なくとも１つの凹部を有するようにポリマーを成形する工程、
（ｃ）水性媒体に溶解した錯化剤（Ａ１）及び（Ａ２）を用意する工程、
（ｄ）工程（ｃ）による錯化剤（Ａ）を含有する前記水性媒体を、工程（ｂ）により形成された凹部に入れる工程、
（ｅ）開いている容器又は区画をそれぞれ閉じる工程、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１４】
工程（ｅ）を密封することにより実施する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
工程（ｂ）を、少なくとも１つのキャビティを有する成形ダイを用いて実施する、請求項１３又は１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月5日(2021.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
従動シャフト（９）を有する圧縮機要素（２）と、該圧縮機要素（２）を駆動する駆動シャフト（１３）を有するモータ（３）とが設けられた圧縮機であって、該圧縮機（１）には、前記駆動シャフト（１３）と前記従動シャフト（９）の間に更に変速機（４）が設けられ、該変速機（４）が、ハウジング（１０）と、少なくとも前記従動シャフト（９）上に装着された従動歯車（１１）及び前記駆動シャフト（１３）上に装着された駆動歯車（１４）とを含み、
前記ハウジング（１０）は、２つの個別チャンバ（２０、２２）、すなわち、前記従動シャフト（９）に接続された第１のチャンバ（２０）及び該第１のチャンバ（２０）とは別のものである第２のチャンバ（２２）を含み、該第１のチャンバ（２０）は、該第２のチャンバ（２２）とチャネル（２１）を通じて接続され、前記駆動歯車（１４）又は前記従動歯車（１１）の周りに該第２のチャンバ（２２）が形成され、該第２のチャンバ（２２）の形状が、前記歯車（１１、１４）が回転する時にベンチュリ効果によって該チャネル（２１）内に陰圧を引き起こすガス流れがこの歯車（１１、１４）の周りに生成されるようになっている、
ことを特徴とする圧縮機。
【請求項２】
前記第２のチャンバ（２２）は、前記ハウジング（１０）の壁（２３）内に一体化されることを特徴とする請求項１に記載の圧縮機。
【請求項３】
変速機（４）には、前記歯車（１１、１４）の隣に又はそれに対して装着され、かつ前記第２のチャンバ（２２）を形成するように切り欠きが設けられたシールドが設けられることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の圧縮機。
【請求項４】
前記第２のチャンバ（２２）は、最大直径及び／又は最大周辺速度を有する前記歯車（１１、１４）に沿って延びることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の圧縮機。
【請求項５】
前記第２のチャンバ（２２）は、前記歯車（１１、１４）の係合の位置から開始して前記歯車（１１、１４）の円周の０°から２２５°まで延びることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の圧縮機。
【請求項６】
前記第２のチャンバ（２２）は、前記歯車（１１、１４）の円周の２５％から７５％にわたって、更に好ましくは、その４５％から５５％にわたって、更により好ましくは、その５０％を延びることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の圧縮機。
【請求項７】
前記第２のチャンバ（２２）の壁と前記歯車（１１、１４）の間の半径方向の距離が、該歯車（１１、１４）の回転方向（Ｐ）でより大きくなることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の圧縮機。
【請求項８】
前記チャネル（２１）は、前記歯車（１１、１４）の回転方向（Ｐ）で見て前記第２のチャンバ（２２）の端部に接続することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の圧縮機。
【請求項９】
前記第２のチャンバ（２２）は、変速機（４）に接続されたフィルタ要素（１６）などに接続していることを特徴とする請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の圧縮機。
【請求項１０】
従動シャフトを有する真空ポンプ要素と該真空ポンプ要素を駆動する駆動シャフトを有するモータ（３）とが設けられた真空ポンプであって、
前記真空ポンプには、前記駆動シャフト（１３）と前記従動シャフト（９）の間に更に変速機（４）が設けられ、
前記変速機（４）が、ハウジング（１０）と、少なくとも前記従動シャフト（９）上に装着された従動歯車（１１）及び前記駆動シャフト（１３）上に装着された駆動歯車（１４）とを含み、
前記ハウジング（１０）は、２つの個別チャンバ（２０、２２）、すなわち、前記従動シャフト（９）に接続された第１のチャンバ（２０）及び該第１のチャンバ（２０）とは別のものである第２のチャンバ（２２）を含み、該第１のチャンバ（２０）は、該第２のチャンバ（２２）とチャネル（２１）を通じて接続され、前記駆動歯車（１４）又は前記従動歯車（１１）の周りに該第２のチャンバ（２２）が形成され、該第２のチャンバ（２２）の形状が、前記歯車（１１、１４）が回転する時にベンチュリ効果によって該チャネル（２１）内に陰圧を引き起こすガス流れがこの歯車（１１、１４）の周りに生成されるようになっている、
ことを特徴とする真空ポンプ。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月6日(2021.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板支持アセンブリであって、
支持シャフト、
前記支持シャフト上に配置された基板支持体、及び
前記基板支持体上に配置されるべき基板の温度を測定するための基板温度モニタリングシステムであって、
光ファイバチューブと、
前記光ファイバチューブに結合された光ガイドであって、前記光ガイドの少なくとも一部が、前記支持シャフトを通って前記基板支持体の中へと延びる開口内に配置される、光ガイドと、
前記光ファイバチューブと前記光ガイドとの接合部の周りに配置された冷却アセンブリであって、基板処理中、前記光ファイバチューブを約１００℃未満の温度に維持する、冷却アセンブリと
を備えた基板温度モニタリングシステム
を備えている基板支持アセンブリ。
【請求項２】
前記光ガイドが、サファイアチューブである、請求項１に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項３】
前記基板温度モニタリングシステムが、
前記光ガイドの側方移動を制限することによって前記光ガイドを損傷から保護するように前記開口内に配置されたシース
をさらに備えている、請求項１に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項４】
前記シースが、前記支持シャフトと同じ材料を含む、請求項３に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項５】
前記光ガイドが、少なくとも約４００ｍｍの長さ、及び少なくとも約４０ｍｍの内径を有する、請求項１に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項６】
前記基板支持体上に基板が配置されたとき、前記光ガイドの端部が、前記基板から１ｍｍ以内にある、請求項１に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項７】
前記光ファイバチューブと前記光ガイドとの前記接合部が、真空密封によって、前記開口から隔離されている、請求項１に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項８】
前記基板支持体が、基板受容面と同一平面上に又は前記基板受容面の下方に位置付けされた窓をさらに備えている、請求項１に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項９】
前記光ガイドが、前記窓から０．５ｍｍ以内に延びる、請求項８に記載の基板支持アセンブリ。
【請求項１０】
処理チャンバであって、
処理空間を画定するチャンバ本体、及び
前記処理空間内に配置された基板支持アセンブリ
を備え、
前記基板支持アセンブリが、
支持シャフトと、
前記支持シャフト上に配置された基板支持体と、
前記基板支持体上に配置されるべき基板の温度を測定するための基板温度モニタリングシステムであって、
光ファイバチューブ、
前記光ファイバチューブに結合された光ガイドであって、前記光ガイドの少なくとも一部が、前記支持シャフトを通って前記基板支持体の中へと延びる開口内に配置される、光ガイド、及び
前記光ファイバチューブと前記光ガイドとの接合部の周りに配置された冷却アセンブリであって、基板処理中、前記光ファイバチューブを約１００℃未満の温度に維持する、冷却アセンブリ
を備えた基板温度モニタリングシステムと
を備えている、処理チャンバ。
【請求項１１】
前記光ガイドが、サファイアチューブである、請求項１０に記載の処理チャンバ。
【請求項１２】
前記基板温度モニタリングシステムが、
前記光ガイドの側方移動を制限することによって前記光ガイドを損傷から保護するように前記開口内に配置されたシース
をさらに備えている、請求項１０に記載の処理チャンバ。
【請求項１３】
前記光ガイドが、少なくとも約４００ｍｍの長さ、及び少なくとも約４０ｍｍの内径を有する、請求項１０に記載の処理チャンバ。
【請求項１４】
前記基板支持体上に基板が配置されたとき、前記光ガイドの端部が、前記基板から１ｍｍ以内にある、請求項１０に記載の処理チャンバ。
【請求項１５】
前記光ファイバチューブと前記光ガイドとの前記接合部が、真空密封によって、前記開口から隔離されている、請求項１０に記載の処理チャンバ。
【請求項１６】
前記基板支持体が、基板受容面と同一平面上に又は前記基板受容面の下方に位置付けされた窓をさらに備えている、請求項１０に記載の処理チャンバ。
【請求項１７】
基板を処理する方法であって、
処理チャンバの処理空間内に配置された基板支持アセンブリの基板受容面上に基板を位置付けすることと、
１つ又は複数の処理ガスを前記処理空間内に流すことと、
前記１つ又は複数の処理ガスのプラズマを形成することと、
前記基板を約１１０℃以上の温度に加熱することと、
光ファイバチューブを使用して、前記基板の温度を測定することと、
前記光ファイバチューブを、約１００℃以下の温度に維持することと、
前記基板上に材料層を堆積することと
を含む方法。
【請求項１８】
前記基板の温度を測定することが、前記光ファイバチューブによって受信した光学情報を前記処理チャンバに連結されたコントローラに伝達することを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記基板支持アセンブリが、
支持シャフトと、
前記支持シャフト上に配置された基板支持体と、
前記基板の温度を測定するための基板温度モニタリングシステムであって、
前記光ファイバチューブ、
前記光ファイバチューブに結合された光ガイドであって、前記光ガイドの少なくとも一部が、前記支持シャフトを通って前記基板支持体の中へと延びる開口内に配置される、光ガイド、及び
前記光ファイバチューブと前記光ガイドとの接合部の周りに配置された冷却アセンブリであって、基板処理中、前記光ファイバチューブを約１００℃未満の温度に維持する、冷却アセンブリ
を備えた基板温度モニタリングシステムと
を備えている、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
前記基板が、約５００℃以上の温度に加熱される、請求項１７に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年1月15日(2021.1.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ上に超伝導体相互接続構造を形成する方法であって、
基板上に誘電体層を形成すること、
前記誘電体層に相互接続開口部を形成すること、
前記基板を堆積チャンバに移動させること、
ＤＣ電力を超伝導ターゲット材料のスラブに印加し、ＡＣバイアスを前記ウェハに印加してイオン化された金属を４５°よりも大きく９０°よりも小さい範囲の角度で前記基板に投射することによって、且つ超伝導金属が所望の厚さを有するまでチャンバ温度を所定の温度以下に維持するために、一連の超伝導体の堆積および冷却プロセスを実行することによって、前記超伝導金属を前記相互接続開口部に堆積させ、前記超伝導体相互接続構造内に超伝導素子を形成すること、を備える方法。
【請求項２】
前記所定の温度は１５０°Ｃ以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記超伝導金属は、前記堆積チャンバ内に存在するターゲットスラブ超伝導材料から堆積される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記超伝導金属を堆積させることは、
前記堆積チャンバにアルゴン（ＡＲ）ガスを注入すること、
前記誘電体層および前記相互接続開口部にターゲット材料をスパッタリングするのに十分なほど高くなるように、前記超伝導ターゲット材料のスラブに印加されるＤＣ電力を約５０００ワット〜約３００００ワットに設定すること、
イオン化された金属に直線的な方向性を付与するのに十分なほど低くなるように、前記ウェハに印加されるＡＣバイアスを約１００ワット〜約５００ワットに設定すること、を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
約０ワット〜約１５００ワットのＲＦ電力、および約０ワット〜約５００ワットのＤＣ電力を有するようにコイルを設定することをさらに備える請求項４に記載の方法。
【請求項６】
堆積中に裏面のウェハ圧力を４Ｔｏｒｒよりも大きくなるように設定することをさらに備える請求項４に記載の方法。
【請求項７】
堆積前に、前記チャンバ内に前記アルゴンガスを約５〜約６標準立方センチメートル（ｓｃｃｍ）に逆充填すること、堆積中に、前記チャンバ内に前記アルゴンガスを約５ｓｃｃｍ〜約９０ｓｃｃｍに充填を進行させること、をさらに備える請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記誘電体層は、第１の導電線を有する第１の誘電体層に積層された第２の誘電体層であり、前記相互接続開口部は、デュアルダマシン構造であり、前記超伝導体相互接続構造内の前記超伝導素子は、第２の導電線と、前記第２の誘電体層において前記第１の導電線を前記第２の導電線に接続するコンタクトとの両方である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記超伝導体相互接続構造は、前記超伝導金属の堆積中に温度制御チャック上に存在する前記ウェハの一部分であり、前記温度制御チャックは、前記所定の温度以下の温度に設定される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
堆積前に、前記誘電体層の上面上および前記相互接続開口部内にスパッタエッチングクリーニングプロセスを実行することをさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
化学機械研磨（ＣＭＰ）を実施して、前記超伝導体相互接続構造内の前記超伝導素子の上面を前記誘電体層の上面と合わせることをさらに備える請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記デュアルダマシン構造は、前記堆積チャンバに結合されたターゲットスラブ材料として存在するニオブから形成される、請求項８に記載の方法。
【請求項１３】
前記所定の温度は約９０℃以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
堆積前に、前記第２の誘電体層の上面上および前記デュアルダマシン構造の前記相互接続開口部内にスパッタエッチングクリーニングプロセスを実行することをさらに備える請求項８に記載の方法。
【請求項１５】
化学機械研磨（ＣＭＰ）を実施して、前記デュアルダマシン構造の上面を前記第２の誘電体層の上面と合わせることをさらに備える請求項８に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
さらに別の例では、超伝導材料は、超伝導ターゲットと衝突してターゲット表面から金属原子を弾き出すアルゴンのようなガス分子のイオン化に起因してスパッタリングされる。スパッタリングプロセスは、上述したプロセス変数によって制御される。このプロセスは、バイアスされた基板に引き付けることによって、スパッタリングされたイオン化金属原子の方向を基板に変更し、約０〜約１５００Ｗの間のＡＣ電力および約０〜約５００Ｗの間のＤＣ電力を印加することによって調節可能な堆積速度を有するコイルを有する。調整可能なコイルは、イオン化された金属原子の角度分布がコイル電力によって制御されるように、例えば、４５°〜９０°の角度で基板に対して加速される金属のイオン化速度に影響を与える。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
図８に示すように、構造は、堆積チャンバ１１０に移動される。堆積チャンバ（superconductor liner）１１０は、チャンバ１１０の上面に配置されたニオブ（Ｎｂ）などのターゲット材料のスラブと、温度制御されたチャック（chuck）上に配置されたウェハとによってセットアップされる。ウェハ温度を制御するために、約１５°Ｃ〜約１５０°Ｃ（例えば９０°Ｃ以下）の間で制御されるウェハとの間で熱を伝達するためにコンダクタンス（conductance）を使用する静電チャック（electrostatic chuck : ESC）が、再現可能な結果を提供し、膜特性のより厳しい仕様を提供する。ＤＣバイアス（５〜３０ＫＷ）が超電導材料のスラブに印加され、ＡＣバイアス（１００〜５００Ｗ）がチャック上のウェハに印加される。ＡＣ／ＤＣコイルは基板の周囲に配置され、コイル電力（ＤＣ電力（０〜５００Ｗ）およびＡＣバイアス電力（０〜１５００Ｗ））によって、４５°〜９０°の角度で基板に投射される金属中性粒子（metal neutrals）をイオン化する角度イオン化の量が変更される。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月6日(2021.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
粘性媒体を搬送するためのポンプ装置（１）であって、該ポンプ装置は、
搬送室（８ａ、ｂ）、加圧された作動媒体の供給源（１１５）に流体伝導的に接続可能な作動室（１０ａ、ｂ）、および該作動室（１０ａ、ｂ）を前記搬送室（８ａ、ｂ）から分離する膜（２０ａ、ｂ）を有する膜ポンプ（７）を有し、
制御弁装置（２１）が前記作動媒体供給源（１１５）と前記作動室（１０ａ、ｂ）の間に取り付けられ、前記膜（２０ａ、ｂ）は前記制御弁装置（２１）の作動により前記作動室（１０ａ、ｂ）と前記搬送室（８ａ、ｂ）との間で前後に移動可能であり、
前記ポンプ装置（１）は、電子制御素子（２３）を有し、該電子制御素子（２３）は、前記制御弁装置（２１）に信号伝導的に接続され、前記搬送室（８ａ、ｂ）から出る媒体の流量の関数としての前記制御弁装置（２１）の作動により前記作動室（１０ａ、ｂ）内の圧縮空気量を制御するように設定され、
前記電子制御素子（２３）は、増幅要素、積分要素、および微分要素を有する制御特性を有することを特徴とするポンプ装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月30日(2021.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内燃のエンジンにおける制御されない燃焼を検出する方法であって：
筒内圧力センサから、前記エンジンの筒内の測定圧力を表す圧力信号をサンプリングするステップと；
前記圧力信号に基づいて、制御されない燃焼状態への前記エンジンの近さの指針である燃焼強度指標を計算するステップと；を備え、前記燃焼強度指標は、少なくとも、ピーク筒内圧力、筒内圧力上昇率、筒内圧力変動、燃焼期間、及び放熱の勾配、の関数であり、
前記燃焼強度指標の関数として、エンジン制御パラメータを特定するステップと；
前記エンジン制御パラメータに基づいて、前記エンジンを制御するステップと；を備える、
方法。
【請求項２】
前記内燃のエンジンは二元燃料内燃エンジンを備え、前記エンジン制御パラメータは、前記エンジン制御パラメータと前記燃焼強度指標とのうちの少なくとも一方に基づく第１の燃料と第２の燃料との置換率を含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の燃料はディーゼルであり、前記第２の燃料は天然ガスである、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記燃焼強度指標は、前記筒内圧力センサのサンプリングと同じ燃焼サイクル内で計算される、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記圧力信号に基づいて、圧力指標、放熱指標、及びノック指標を計算するステップを備え、
前記燃焼強度指標は、前記圧力指標、前記放熱指標、及び前記ノック指標の関数である、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記放熱指標は、前記エンジンの気筒内における燃焼の断熱放熱速度を含む、
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記圧力信号に基づいて、以下の燃焼指標：
ピーク筒内圧力；
前記ピーク筒内圧力のクランク角；
前記筒内圧力上昇率；
前記筒内圧力変動；
前記筒内圧力変動のクランク角；
前記燃焼期間；
前記放熱の勾配；
前記放熱の幾何中心のクランク角；及び
最大放熱速度のクランク角；
のうち少なくとも１つを計算するステップを備える、
請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記燃焼強度指標は、さらに：
前記ピーク筒内圧力のクランク角；
筒内変動のクランク角；
前記放熱の幾何中心のクランク角；及び
前記最大放熱速度のクランク角；
のうち少なくとも１つの関数である、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記燃焼強度指標及び前記エンジン制御パラメータのうちの少なくとも一方に基づいて、前記エンジンの、燃料入力信号と、スロットル位置信号と、点火タイミング信号と、を特定するステップを備える、
請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
エンジンシステムの二元燃料内燃エンジンの運転を制御するコントローラであって、
前記エンジンシステムは、
前記エンジンの気筒内の圧力を測定して対応する圧力信号を生成するように構成された圧力センサと、
前記エンジンのクランク角を測定して対応するクランク角信号を生成するように構成されたクランク角センサとを備え、
前記コントローラは：
前記圧力センサと前記クランク角センサとに接続可能なプロセッサと；
前記コントローラの前記プロセッサに、以下を含む操作、すなわち：
（ａ）  前記圧力信号をサンプリングすること；
（ｂ）  前記圧力信号に基づいて、制御されない燃焼状態への前記エンジンの近さの指針である燃焼強度指標を計算し、前記燃焼強度指標は、少なくとも、ピーク筒内圧力、筒内圧力上昇率、筒内圧力変動、燃焼期間、及び放熱の勾配、の関数であること；
（ｃ）  前記燃焼強度指標に基づいて、前記気筒に送られる、第１の燃料と第２の燃料との置換率を特定すること；及び
（ｄ）  前記置換率に基づいて前記二元燃料内燃エンジンを制御すること；
を実行させるように操作可能な命令を格納する少なくとも１つの非一時的なコンピュータ読み取り可能媒体と；を備える、
コントローラ。
【請求項１１】
前記第１の燃料はディーゼルであり、前記第２の燃料は天然ガスである、
請求項１０に記載のコントローラ。
【請求項１２】
ステップ（ｂ）及びステップ（ｃ）が前記気筒の次のサイクル内で行われる、
請求項１０に記載のコントローラ。
【請求項１３】
前記命令は、前記圧力信号に基づいて、圧力指標、放熱指標、及びノック指標を計算するステップを含み、前記燃焼強度指標は、前記圧力指標、前記放熱指標、及び前記ノック指標の関数である、
請求項１０に記載のコントローラ。
【請求項１４】
前記放熱指標を計算するステップは、前記エンジンの気筒内における燃焼の断熱放熱速度を計算するステップを含む、
請求項１３に記載のコントローラ。
【請求項１５】
前記命令は、前記圧力信号に基づいて、以下の燃焼指標：
ピーク筒内圧力；
前記ピーク筒内圧力のクランク角；
前記筒内圧力上昇率；
前記筒内圧力変動；
筒内圧力変動の位置；
前記燃焼期間；
前記放熱の勾配；
前記放熱の幾何中心のクランク角；及び
最大放熱速度のクランク角；
のうち少なくとも１つを計算するステップを含む、
請求項１０に記載のコントローラ。
【請求項１６】
前記燃焼強度指標は、さらに：
前記ピーク筒内圧力のクランク角；
変動のクランク角；
前記放熱の幾何中心のクランク角；及び
前記最大放熱速度のクランク角；
のうち少なくとも１つの関数である、
請求項１５に記載のコントローラ。
【請求項１７】
前記命令は：
前記燃焼強度指標及び前記置換率のうちの少なくとも一方に基づいて、前記二元燃料内燃エンジンの、燃料入力信号と、スロットル位置信号と、点火タイミング信号とのうちの少なくとも１つを特定することと；
前記燃料入力信号と、前記スロットル位置信号と、前記点火タイミング信号とのうちの少なくとも１つを用いて、前記二元燃料内燃エンジンを制御することと；を含む、
請求項１０に記載のコントローラ。
【請求項１８】
エンジンシステムの内燃エンジンの運転を制御するコントローラであって、
前記エンジンシステムは、
前記エンジンの筒内圧力を測定して対応する圧力信号を生成するように構成された圧力センサと、
前記エンジンのクランク角を測定して対応するクランク角信号を生成するように構成されたクランク角センサとを備え、
前記コントローラは：
前記圧力センサと前記クランク角センサとに接続可能なプロセッサと；
前記コントローラの前記プロセッサに、以下を含む操作、すなわち：
（ａ）  前記圧力信号をサンプリングすること；
（ｂ）  前記圧力信号に基づいて、制御されない燃焼状態への前記エンジンの近さの指針である燃焼強度指標を計算し、前記燃焼強度指標は、少なくとも、ピーク筒内圧力、筒内圧力上昇率、筒内圧力変動、燃焼期間、及び放熱の勾配、の関数であること；
（ｃ）  前記燃焼強度指標の関数として、エンジン制御パラメータを特定すること；及び
（ｄ）  前記エンジン制御パラメータに基づいて前記エンジンを制御すること；
を実行させるように操作可能な命令を格納する少なくとも１つの非一時的なコンピュータ読み取り可能媒体と；を備える、
コントローラ。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月2日(2021.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の信号のための第１のデジタル化時間及び第２の信号のための第２のデジタル化時間を決定するように構成される時間／デジタル変換器（ＴＤＣ）であって、前記第１の信号は、光源に光を放出させる第３の信号からある遅延時間だけ遅延され、前記第１のデジタル化時間及び前記第２のデジタル化時間が、前記光源が光を放出する反復回数Ｎについて決定され、前記遅延時間が、前記光源が光を放射する前記反復回数Ｎの各々について変えられる、時間／デジタル変換器（ＴＤＣ）と、
前記第１の信号に基づいて逆バイアスモードからアクティブモードに切り替えるように構成される第１の動的フォトダイオード（ＤＰＤ）であって、前記第１のＤＰＤが、前記アクティブモードにおいて光を受けるとき、出力電流を出力するようにさらに構成され、前記第２の信号が、前記出力電流に基づいている、第１の動的フォトダイオード（ＤＰＤ）とを備え、
前記ＴＤＣが、前記反復回数Ｎの各々について前記第１のデジタル化時間と前記第２のデジタル化時間との間の差を計算し、前記差が、前記遅延時間が変えられるにつれて変化する、測定システム。
【請求項２】
前記測定システムが、前記第１のデジタル化時間と第２のデジタル化時間との間の前記差が最小化されるところの前記反復についての前記遅延時間を決定するように構成されるコントローラをさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記コントローラが、前記第１のデジタル化時間と第２のデジタル化時間との間の前記差が最小化されるところの前記反復についての前記遅延時間に基づいて測定値を決定する、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記測定値が、距離測定値である、請求項３に記載の測定システム。
【請求項５】
前記距離測定値が、Ｌ＝（Ｔｌｉｇｈｔ＊ｃ）／２を計算することによって決定され、但しＬが、距離測定値であり、Ｔｌｉｇｈｔが、前記第１のデジタル化時間と第２のデジタル化時間との間の前記差が最小化されるための前記遅延時間であり、ｃが、光の速度である、請求項４に記載の測定システム。
【請求項６】
前記第１の信号が、第１のコマンド信号及び第２のコマンド信号を含む多重化信号であり、前記第１のコマンド信号が、前記第１のＤＰＤに対応し、前記第２のコマンド信号が、第２のＤＰＤに対応する、請求項１に記載の測定システム。
【請求項７】
前記第１の信号が、逆多重化され、前記第１のコマンド信号が、前記第１のＤＰＤに送られ、前記第２のコマンド信号が、前記第２のＤＰＤに送られる、請求項６に記載の測定システム。
【請求項８】
前記第２の信号が、第１の警告信号及び第２の警告信号を含む多重化信号であり、前記第１の警告信号が、前記第１のＤＰＤに対応し、前記第２の警告信号が、前記第２のＤＰＤに対応する、請求項１に記載の測定システム。
【請求項９】
前記第１の信号が、前記第１のＤＰＤを前記逆バイアスモードから前記アクティブモードに切り替えるために必要とされる駆動電圧を指定する、請求項１に記載の測定システム。
【請求項１０】
前記第１の信号が、前記第１のＤＰＤを前記逆バイアスモードから前記アクティブモードに切り替えるために必要とされる第１の駆動電圧及び第２のＤＰＤを第２の逆バイアスモードから第２のアクティブモードに切り替えるために必要とされる第２の駆動電圧を指定する、請求項１に記載の測定システム。
【請求項１１】
プロセッサと、
前記プロセッサによって実行可能な命令を記憶するメモリであって、前記命令が、
光が光源によって放出されるときから、駆動電圧が動的フォトダイオード（ＤＰＤ）に印加されるときまでの第１の時間を決定するステップであり、前記駆動電圧が、前記ＤＰＤを順方向にバイアスする、ステップと、
前記駆動電圧が前記ＤＰＤに印加されるときから、前記ＤＰＤが出力電流を出力するときまでの第２の時間を決定するステップであり、前記出力電流が、前記ＤＰＤが順方向にバイアスされるとき、前記ＤＰＤによって感知される入射光を示す、ステップと、
前記光源が光を放出する反復回数Ｎについて前記第１の時間を決定するステップ及び前記第２の時間を決定するステップであり、Ｎが、１よりも大きく、前記第１の時間が、各反復について変えられる、ステップと、
前記決定された第２の時間のすべてのうちで最小である最小化された第２の時間を決定するステップと、
前記最小化された第２の時間に対応する前記第１の時間を決定するステップと、
前記最小化された第２の時間に対応する前記第１の時間に基づいて距離を決定するステップと、を含むメモリと、
を備える、測定システム。
【請求項１２】
前記測定値が、距離測定値である、請求項１１に記載の測定システム。
【請求項１３】
前記距離測定値が、Ｌ＝（Ｔｌｉｇｈｔ＊ｃ）／２を計算することによって決定され、但しＬが、距離測定値であり、Ｔｌｉｇｈｔが、前記最小化された第２の時間に対応する前記第１の時間であり、ｃが、光の速度である、請求項１２に記載の測定システム。
【請求項１４】
前記第１の時間が、各反復において前記第１の時間を増加させることによって各反復について変えられる、請求項１１に記載の測定システム。
【請求項１５】
前記反復回数が、所定の数である、請求項１１に記載の測定システム。
【請求項１６】
前記命令が、振動鏡を第１の方向において制御するように構成される第１の制御信号を決定するステップをさらに含む、請求項１１に記載の測定システム。
【請求項１７】
前記命令が、ステッパ鏡を第２の方向において制御するように構成される第２の制御信号を決定するステップをさらに含む、請求項１６に記載の測定システム。
【請求項１８】
前記第１の制御信号及び前記第２の制御信号が、前記振動鏡の動きを前記ステッパ鏡と同期させるように構成される、請求項１７に記載の測定システム。
【請求項１９】
前記第１の方向が、垂直方向であり、前記第２の方向が、水平方向である、請求項１７に記載の測定システム。
【請求項２０】
前記第１の方向が、水平方向であり、前記第２の方向が、垂直方向である、請求項１７に記載の測定システム。