【手続補正書】
【提出日】令和3年1月18日(2021.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、少なくとも１つの金属層を有する導電層とを備えるオプトエレクトロニクス箔であって、
前記導電層と前記基板との間に、前記オプトエレクトロニクス箔は、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＯｘＮｙ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＮｘ）、有機ケイ素化合物（ＳｉＣｘＨｙ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化クロム（ＣｒＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｒＯ２、ＣｒＯ３、ＣｒＯ５）、およびパリレンからなる群から選択される少なくとも１つの材料を含むバリア層を有し、
前記導電層はさらに、少なくとも２つの隣接する酸化物層を有し、前記少なくとも１つの金属層は、２つの隣接する酸化物層の間に配置された単層の金属であり、各単層の金属層は２つの隣接する酸化物層を分離してサンドイッチ構造を形成するように前記導電層は配置され、
各酸化物層は、ＺｎＯ、ＡＺＯ（酸化アルミニウム亜鉛）、ＳｎＯ２、ＩＺＯ（酸化亜鉛インジウム）、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化錫）、ＺＴＯ（酸化亜鉛錫）、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＧＺＯ（酸化ガリウム亜鉛）、ＧＩＯ（酸化ガリウムインジウム）、Ｉｎ２Ｏ３、Ｓｂ：ＳｎＯ２、ＩＯ：Ｈ（水素ドープ酸化インジウム）、ＣｄＯ、Ｚｎ２ＳｎＯ４、ＺｎＳｎＯ３、Ｚｎ２Ｉｎ２Ｏ５、ＮｉＯｘ、ＮｉＯｘ：Ｌｉ、ＴｉＯｘ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、Ｔｅ２Ｏ３、ＭｏＯｘ、Ｖ２Ｏ５、およびＷＯ３からなる群から選択される少なくとも１つの酸化物で作られ、
前記２つの隣接する酸化物層のうちの少なくとも１つは、
・単層構造、または、
・前記酸化物層内で互いに重ねて積層された少なくとも２つの副層からなる多層構造
のいずれかであり、前記少なくとも２つの副層のうちの１つは、別の副層とは異なる材料で作られる、オプトエレクトロニクス箔。
【請求項２】
前記バリア層は単層構造である、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス箔。
【請求項３】
前記バリア層は、前記バリア層内に互いに重ねて積層された少なくとも２つの副層からなる多層構造であり、前記少なくとも２つの副層のうちの１つは別の副層とは異なる材料で作られる、請求項１に記載のオプトエレクトロニクス箔。
【請求項４】
前記基板は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレン（ＰＥＮ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリスチレン（ＰＳ）、エチレン／テトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）およびパリレンからなる群から選択される少なくとも１つのプラスチックで作られる、請求項１から３のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス箔。
【請求項５】
前記基板は無機ナノ複合材料でドープされている、請求項４に記載のオプトエレクトロニクス箔。
【請求項６】
前記金属層は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｐｔ、およびＷからなる群から選択される１つの材料で作られる、請求項１から５のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス箔。
【請求項７】
前記導電層は、隣接する酸化物層の間に交互に配置されたｎ個の酸化物層と（ｎ−１）個の金属層とを有する、請求項１から６のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス箔。
【請求項８】
オプトエレクトロニクス箔の製造方法であって、
バリア層が堆積される基板の選択表面を洗浄して活性化する段階と、
洗浄され活性化された前記基板上に前記バリア層を形成する段階と、
前記バリア層を形成した後に、少なくとも１つの金属層の堆積を含む導電層を形成する段階と、を備え、
前記バリア層を形成する前記段階は、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＯｘＮｙ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＮｘ）、有機ケイ素化合物（ＳｉＣｘＨｙ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化クロム（ＣｒＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｒＯ２、ＣｒＯ３、ＣｒＯ５）、およびパリレンからなる群から選択される少なくとも１つの材料を堆積する段階を有し、
前記導電層を形成する前記段階はさらに、少なくとも２つの隣接する金属酸化物層を堆積する段階を有し、前記少なくとも２つの隣接する金属酸化物層はそれぞれ、ＺｎＯ、ＡＺＯ（酸化アルミニウム亜鉛）、ＳｎＯ２、ＩＺＯ（酸化亜鉛インジウム）、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化錫）、ＺＴＯ（酸化亜鉛錫）、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＧＺＯ（酸化ガリウム亜鉛）、ＧＩＯ（酸化ガリウムインジウム）、Ｉｎ２Ｏ３、Ｓｂ：ＳｎＯ２、ＩＯ：Ｈ（水素ドープ酸化インジウム）、ＣｄＯ、Ｚｎ２ＳｎＯ４、ＺｎＳｎＯ３、Ｚｎ２Ｉｎ２Ｏ５、ＮｉＯｘ、ＮｉＯｘ：Ｌｉ、ＴｉＯｘ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、Ｔｅ２Ｏ３、ＭｏＯｘ、Ｖ２Ｏ５、およびＷＯ３からなる群から選択される少なくとも１つの酸化物を含み、前記少なくとも１つの金属層を堆積する段階は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｐｔ、およびＷからなる群から選択される金属の単層を堆積する段階を有し、
前記導電層を形成する段階は、第１の酸化物層、単一の金属層、および第２の酸化物層を連続的に前記バリア層上に形成する段階を有する、方法。
【請求項９】
前記バリア層は、単層構造を有するバリア層を形成するために、前記基板上に１つの層の材料を堆積することによって形成される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記バリア層は、多層構造を有する前記バリア層を形成するために、前記基板上に異なる材料の少なくとも２つの副層を堆積することによって形成される、請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】
前記バリア層上に、酸化物層と金属層との交互配置で、ｎ個の酸化物層と（ｎ−１）個の金属層とが互いに重ねて個別に形成されるように前記導電層が形成され、ｎは自然数である、請求項８から１０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
少なくとも１つの酸化物層が、単層構造を有する酸化物層を形成するために、１つの層の酸化物材料を堆積することによって形成される、請求項８から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
少なくとも１つの酸化物層が、多層構造を有する酸化物層を形成するために、異なる材料の少なくとも２つの酸化物副層を堆積することによって形成される、請求項８から１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記基板は、プラズマ処理、コロナ放電処理、二酸化炭素処理、紫外線照射およびオゾン処理、ならびにアセトン、イソプロパノール、水、アセトンと水の混合液、およびイソプロパノールと水の混合液からなる群から選択される溶媒を用いた洗浄、からなる群から選択される少なくとも１つの技術を用いて洗浄され活性化される、請求項８から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記バリア層および前記導電層は、原子層堆積（ＡＬＤ）、マグネトロンスパッタリング、電子ビームスパッタリング法、および熱蒸着法からなる群から選択される少なくとも１つの技術を用いて、前記基板上に別個に堆積される、請求項８から１４のいずれか一項に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
本発明の別の実施形態によるオプトエレクトロニクス箔は、図３に断面図として概略的に示されている。オプトエレクトロニクス箔は、この実施形態ではプラスチック、すなわちポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）で作られた基板１１を含む。酸素プラズマ処理を用いて基板１１の上面を洗浄、活性化した。次に、反応性マグネトロンスパッタリングプロセスで、このようにして処理した基板１１の上面に、アモルファス層を構成している厚さ１００ｎｍのＡｌＯｘ層１２１および厚さ１５０ｎｍのＴｉＯｘ層１２２の形態のバリア層１２を堆積した。次に、反応性マグネトロンスパッタリングプロセスで、バリア層１２上に、厚さ２０ｎｍのＩＴＯで作られた第１の酸化物層１３１、９ｎｍの厚さのＡｇで作られた金属層１３２、厚さ２０ｎｍのＩＴＯで作られた第２の酸化物層１３３を含む導電層１３を堆積した。このようにして得られたオプトエレクトロニクス箔については、４点プローブによる表面抵抗測定、カルシウム試験によるＷＶＴＲ透過率測定（測定条件ＲＨ＝４０％、Ｔ＝２５℃）および紫外可視分光光度計を用いた可視スペクトルの光透過率測定を含む試験が行われた。行われた試験により、導電層１３の表面抵抗１２Ω／□、１日当りＷＶＴＲ透過率５×１０−４ｇ／ｍ２未満および可視スペクトルにおける光透過率範囲６７〜８０％が得られた。
［項目１］
基板（１１）と、少なくとも１つの酸化物層（１３１、１３３）および少なくとも１つの金属層（１３２）を含む導電層（１３）とを備えることを特徴とするオプトエレクトロニクス箔であって、上記導電層（１３）と上記箔（１０）の上記基板（１１）との間には、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＯｘＮｙ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）酸窒化ケイ素ＳｉＯＮ、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＮｘ）、有機ケイ素化合物（ＳｉＣｘＨｙ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化クロム（ＣｒＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｒＯ２、ＣｒＯ３、ＣｒＯ５）およびパリレンからなる群から選択される少なくとも１つの材料を含むバリア層（１２）がある、オプトエレクトロニクス箔。
［項目２］
上記バリア層（１２）は単層構造であることを特徴とする、項目１に記載のオプトエレクトロニクス箔。
［項目３］
上記バリア層（１２）は、上記バリア層（１２）内で上下に積層された異なる材料を有する少なくとも２つの副層からなる多層構造であることを特徴とする、項目１に記載のオプトエレクトロニクス箔。
［項目４］
上記基板（１１）は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレン（ＰＥＮ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリスチレン（ＰＳ）、エチレン／テトラフルオロエチレン（ＥＴＦＥ）およびパリレンからなる群から選択される少なくとも１つのプラスチックで作られることを特徴とする、項目１〜３のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス箔。
［項目５］
上記基板（１１）は無機ナノ複合材料でドープされていることを特徴とする、項目４に記載のオプトエレクトロニクス箔。
［項目６］
上記酸化物層（１３１、１３３）は、ＺｎＯ、ＡＺＯ（酸化アルミニウム亜鉛）、ＳｎＯ２、ＩＺＯ（インジウム酸化亜鉛）、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化錫）、ＺＴＯ（酸化亜鉛錫）、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＧＺＯ（ガリウムドープ酸化亜鉛）、ＧＩＯ（酸化ガリウムインジウム）、Ｉｎ２Ｏ３、Ｓｂ：ＳｎＯ２、ＩＯ：Ｈ（酸化インジウム水素）、ＣｄＯ、Ｚｎ２ＳｎＯ４、ＺｎＳｎＯ３、Ｚｎ２Ｉｎ２Ｏ５、ＮｉＯｘ、ＮｉＯｘ：Ｌｉ、ＴｉＯｘ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、Ｔｅ２Ｏ３、ＭｏＯｘ、Ｖ２Ｏ５およびＷＯ３からなる群から選択される少なくとも１つの酸化物で作られることを特徴とする、項目１〜５のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス箔。
［項目７］
上記酸化物層（１３１、１３３）は単層構造であることを特徴とする、項目６に記載のオプトエレクトロニクス箔。
［項目８］
上記酸化物層（１３１、１３３）は、上記酸化物層（１３１、１３３）内で上下に積層された異なる材料を有する少なくとも２つの副層からなる多層構造であることを特徴とする、項目６に記載のオプトエレクトロニクス箔。
［項目９］
１つの酸化物層（１３１または１３３）を備えることを特徴とする、項目７または８に記載のオプトエレクトロニクス箔。
［項目１０］
少なくとも２つの酸化物層（１３１、１３３）を備えることを特徴とする、項目７または８に記載のオプトエレクトロニクス箔。
［項目１１］
上記金属層（１３２）は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｒ、ＰｔおよびＷからなる群から選択される少なくとも１つの材料で作られることを特徴とする、項目１〜１０のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス箔。
［項目１２］
隣接する酸化物層（１３１、１３３）の間に金属層（１３２）を有することを特徴とする、項目１０または１１に記載のオプトエレクトロニクス箔。
［項目１３］
上記導電層（１３）内に、隣接する酸化物層（１３１、１３３）の間に交互に配置されたｎ個の酸化物層（１３１、１３３）とｎ−１個の金属層（１３２）とを有することを特徴とする、項目１〜１２のいずれか一項に記載のオプトエレクトロニクス箔。
［項目１４］
オプトエレクトロニクス箔の製造方法であって、基板の選択された表面が洗浄、活性化され、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３、ＡｌＯｘＮｙ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）、酸窒化ケイ素ＳｉＯＮ、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＮｘ）、有機ケイ素化合物（ＳｉＣｘＨｙ）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ２）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化クロム（ＣｒＯ、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｒＯ２、ＣｒＯ３、ＣｒＯ５）およびパリレンからなる群から選択される少なくとも１つの材料を含むバリア層（１２）を上記洗浄、活性化された基板（１１）上に形成するように、上記バリア層が上記基板の選択された上記表面上に堆積され、上記バリア層の堆積後、少なくとも１つの酸化物層（１３１、１３３）および少なくとも１つの金属層（１３２）を含む導電層（１３）が上記バリア層（１２）上に堆積されることを特徴とする、方法。
［項目１５］
上記バリア層（１２）は、単層構造を有するバリア層（１２）を形成するために、上記基板（１１）上に１層の材料を堆積することによって形成されることを特徴とする、項目１４に記載の方法。
［項目１６］
上記バリア層（１２）は、多層構造を有するバリア層（１２）を形成するために、上記基板（１１）上に異なる材料の少なくとも２つの副層を堆積することによって形成されることを特徴とする、項目１４または１５に記載の方法。
［項目１７］
ＺｎＯ、ＡＺＯ（酸化アルミニウム亜鉛）、ＳｎＯ２、ＩＺＯ（インジウム酸化亜鉛）、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化錫）、ＺＴＯ（酸化亜鉛錫）、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＧＺＯ（ガリウムドープ酸化亜鉛）、ＧＩＯ（酸化ガリウムインジウム）、Ｉｎ２Ｏ３、Ｓｂ：ＳｎＯ２、ＩＯ：Ｈ（酸化水素インジウム）、ＣｄＯ、Ｚｎ２ＳｎＯ４、ＺｎＳｎＯ３、Ｚｎ２Ｉｎ２Ｏ５、ＮｉＯｘ、ＮｉＯｘ：Ｌｉ、ＴｉＯｘ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、Ｔｅ２Ｏ３、ＭｏＯｘ、Ｖ２Ｏ５およびＷＯ３からなる群から選択される少なくとも１つの酸化物を含む酸化物材料で作られる少なくとも１つの酸化物層（１３１、１３３）と、Ａｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｍｇ、Ｔａ、Ｇｅ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｒ、ＰｔおよびＷからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む材料の少なくとも１つの金属層（１３２）とが、上記バリア層（１２）上に上下に個別に形成されるように、上記導電層（１３）が形成されることを特徴とする、項目１４〜１６のいずれか一項に記載の方法。
［項目１８］
上記バリア層（１２）上に、酸化物層（１３１、１３３）と金属層（１３２）、ｎ層の酸化物層（１３１、１３３）とｎ−１層の金属層（１３２）（ｎは自然数）が交互に配置されて上下に個別に形成されるように、上記導電層（１３）が形成されることを特徴とする、項目１４〜１６のいずれか一項に記載の方法。
［項目１９］
上記バリア層（１２）上に第１の酸化物層（１３１）を個別に形成し、次いで上記第１の酸化物層（１３１）上に金属層（１３２）を形成し、次いで上記金属層（１３２）上に第２の酸化物層（１３３）を形成するように、上記導電層（１３）が形成されることを特徴とする、項目１７または１８に記載の方法。
［項目２０］
少なくとも１層の酸化物層（１３１、１３３）は、単層構造を有する酸化物層（１３１、１３３）を形成するために、１層の酸化物材料を堆積することによって形成されることを特徴とする、項目１４〜１９のいずれか一項に記載の方法。
［項目２１］
少なくとも１つの酸化物層（１３１、１３３）は、多層構造を有する酸化物層（１２）を形成するために、異なる材料の少なくとも２つの酸化物副層を堆積することによって形成されることを特徴とする、項目１４〜１９のいずれか一項に記載の方法。
［項目２２］
プラズマ処理、コロナ放電処理、二酸化炭素処理、紫外線照射および紫外線照射オゾン処理、およびアセトン、イソプロパノール、水、アセトンと水の混合物、およびイソプロパノールと水の混合物からなる群から選択される溶媒による洗浄からなる群から選択される少なくとも１つの技術を用いて、上記基板（１１）が洗浄および活性化されることを特徴とする、項目１４〜２１のいずれかに記載の方法。
［項目２３］
上記バリア層（１２）は、原子層堆積（ＡＬＤ）、マグネトロンスパッタリング、電子ビームスパッタリング法および熱蒸着法からなる群から選択される少なくとも１つの技術を用いて、上記基板（１１）上に堆積されることを特徴とする、項目１４〜２２のいずれか一項に記載の方法。
［項目２４］
上記導電層（１３）は、原子層堆積（ＡＬＤ）、マグネトロンスパッタリング、電子ビームスパッタリング法および熱蒸着法からなる群から選択される少なくとも１つの技術を用いて、上記基板上に堆積されることを特徴とする、項目１４〜２３のいずれか一項に記載の方法。