【手続補正書】
【提出日】令和3年10月21日(2021.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原子層堆積によって金属含有膜を形成する方法であって、当該方法は、金属含有錯体、パージガス、および共反応体を、当該金属含有錯体が：
（ｉ）金属を蒸着し、前記金属含有膜をエッチングするために；
（ｉｉ）金属を蒸着し、前記金属含有膜をエッチングし、前記金属含有膜からの脱離を可能にするために；または、
（ｉｉｉ）金属を蒸着し、前記金属含有膜からの脱離を可能にするために；
十分な条件下で第１の基板に送達する工程を含み、
前記金属含有膜は、前記第１の基板の少なくとも一部の上で選択的に成長し、
前記条件は、前記金属含有膜が前記第１の基板内のフィーチャの下部で選択的に成長するのに十分なスーパーコンフォーマル成長サイクルを含む、方法。
【請求項２】
前記共反応体が、
（ｉ）金属を蒸着し、前記金属含有膜をエッチングする；
（ｉｉ）金属を蒸着し、前記金属含有膜をエッチングし、前記金属含有膜からの脱離を可能にする、または；
（ｉｉｉ）金属を蒸着し、前記金属含有膜からの脱離を可能にする；
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
（ｉ）前記金属含有錯体の蒸着速度が、前記フィーチャの上部よりも前記フィーチャの下部において高く、および／または（ｉｉ）前記金属含有錯体のエッチング速度および／または脱離速度が前記フィーチャの下部よりも前記フィーチャの上部において高い、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記フィーチャが、
（ｉ）約５ｎｍ以上の深さ、
（ｉｉ）不均一な幅、
（ｉｉｉ）約１０００ｎｍ以下の幅、
（ｉｖ）前記フィーチャの約５．０％〜約１００％が充填されている、
（ｖ）前記フィーチャ内に実質的に空隙がない、
のうち一つ以上を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記フィーチャが、
（ｉ）約５ｎｍ〜約３０００ｎｍの深さ、
（ｉｉ）前記フィーチャが当該フィーチャの上部と比較して、下部においてより広い、
（ｉｉｉ）約１ｎｍ〜約１０００ｎｍの幅、
のうち一つ以上を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記条件が、
前記金属含有錯体、前記パージガスおよび前記共反応体をコンフォーマル条件下で基板に送達する工程を含むコンフォーマル成長サイクルであって、第１のシリーズの一つ以上のコンフォーマル成長サイクルを含むコンフォーマル成長サイクル；
前記金属含有錯体、前記パージガスおよび前記共反応体をサブコンフォーマル条件下で基板に送達する工程を含むサブコンフォーマル成長サイクルであって、第３のシリーズの一つ以上のサブコンフォーマル成長サイクルを含むサブコンフォーマル成長サイクル；
前記金属含有錯体および前記パージガスをエッチング条件下で基板に送達する工程を含むエッチングサイクルであって、第４のシリーズの一つ以上のエッチングサイクルを含むエッチングサイクル、
のうち一つ以上をさらに含み、
前記スーパーコンフォーマル成長サイクルは、第２のシリーズの一つ以上のスーパーコンフォーマル成長サイクルを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のシリーズのコンフォーマル成長サイクルが、１〜１０サイクルを含み、
前記第３のシリーズのサブコンフォーマル成長サイクルは、１〜１０サイクルを含み、
前記第４のシリーズのエッチングサイクルは、１〜１０サイクルを含み、
前記第２のシリーズのスーパーコンフォーマル成長サイクルが、１〜１０サイクルを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記膜は、第２の基板上の前記第１の基板の少なくとも一部の上で選択的に成長する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の基板が、前記第２の基板とは異なるエッチング／脱離に対する蒸着の比を有する、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記パージガスの送達の持続時間は、前記第２の基板上での成長が抑制されている間、前記第１の基板上での成長が促進されるように、前記金属含有錯体と前記共反応体との送達の間で変化する、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の基板および前記第２の基板は、それぞれ独立して、シリカ、窒化チタンおよびモリブデンからなる群から選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記金属含有膜が、１．５ｎｍ未満、または膜厚の５％未満の二乗平均平方根粗さを有し；または、
前記金属含有膜が、０．８ｎｍ未満、または膜厚の２％未満の二乗平均平方根粗さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記金属含有錯体が、
遷移金属、ランタニド金属、アクチニド金属、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ケイ素、ゲルマニウム、錫、鉛、ヒ素、アンチモン、ビスマス、セレン、およびテルルからなる群から選択される金属；および、
ハロゲン、アルコキシ、アミジネート、ジアルキルアミド、アルキルスルフィド、ジアルキルホスフィド、Ｎ，Ｎ’−ジアルキルアミジネート、少なくとも一つのアルキルおよび／または少なくとも一つのシリルで任意に置換されたシクロペンタジエニル、カルボキシレート、イミド、アセチルアセトネート、水素化物、ジケチミネート、モノイミノケチミネート、トリアルキルシリル、トリヒドロシリル、ジアルキルヒドロシリル、アルキルジヒドロシリル、トリアルキルゲルマニル、トリヒドロゲルマニル、ジアルキルヒドロゲルマニル、アルキルジヒドロゲルマニル、トリアルキルスタニル、トリヒドロスタニル、アルキルジヒドロスタニル、少なくとも一つのシリルで任意に置換されたアミド、シロキシ、一つ以上の水素化物、アルキルおよび／またはシリルで任意に置換されたホルムアミジネート、一つ以上の水素化物、アルキルおよび／またはシリルで任意に置換されたアセトアミジネート、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、一つ以上のリガンド；
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記遷移金属が、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｏ、およびＮｉからなる群から選択され；および／または前記金属含有錯体が、一つ以上のハロゲンリガンドを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記金属含有錯体がＭｏＣｌ５である、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記パージガスが、不活性ガスおよび／または水素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記共反応体が、
【化１】
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１，４−ビス−トリメチルシリル−２−メチル−シクロヘキサ−２，５−ジエン、１−トリメチルシリルシクロヘキサ−２，５−ジエン、および１，４−ビス−トリメチルシリル−１，４−ジヒドロピラジンからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
原子層堆積によって金属含有膜を形成する方法であって、当該方法は、金属含有錯体、パージガス、および共反応体を、金属含有錯体が：
（ｉ）金属を蒸着し、前記金属含有膜をエッチングするために；
（ｉｉ）金属を蒸着し、前記金属含有膜をエッチングし、前記金属含有膜からの脱離を可能にするために；または、
（ｉｉｉ）金属を蒸着し、前記金属含有膜からの脱離を可能にするために；
十分な条件下で第１の基板に送達する工程を含み、
前記金属含有膜が第１の基板の少なくとも一部の上で選択的に成長し；
前記条件は、
（ｉ）前記金属含有錯体、前記パージガスおよび前記共反応体をコンフォーマル条件下で前記基板に送達する工程を含むコンフォーマル成長サイクル；
（ｉｉ）前記金属含有錯体、前記パージガスおよび前記共反応体をスーパーコンフォーマル条件下で前記基板に送達する工程を含むスーパーコンフォーマル成長サイクル；および、
（ｉｉｉ）前記金属含有錯体、前記パージガスおよび前記共反応体をサブコンフォーマル条件下で前記基板に送達する工程を含むサブコンフォーマル成長サイクル、
の一つ以上を含む、方法。
【請求項１９】
前記金属含有膜が、１．５ｎｍ未満、または膜厚の５％未満の二乗平均平方根粗さを有し；または、
前記金属含有膜が、０．８ｎｍ未満、または膜厚の２％未満の二乗平均平方根粗さを有する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記条件が、
（ｉｖ）前記金属含有錯体および前記パージガスをエッチング条件下で前記基板に送達する工程を含むエッチングサイクル、
をさらに含む請求項１８に記載の方法。