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【手続補正書】
【提出日】令和2年12月17日(2020.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
解剖学的領域をモニタリングするための撮像デバイス位置決めシステムであって、前記撮像デバイス位置決めシステムは、
前記解剖学的領域の画像を生成するための撮像デバイスと、
前記解剖学的領域に対する前記撮像デバイスの位置決めを制御する撮像デバイスコントローラと、
を備え、
前記撮像デバイスによる前記解剖学的領域の前記画像の生成に応じて、前記撮像デバイスコントローラは、前記解剖学的領域に対する前記撮像デバイスの前記位置決めの前記制御を、前記解剖学的領域の前記画像から抽出される前記解剖学的領域の少なくとも１つの生理学的条件に対して適合させる、撮像デバイス位置決めシステム。
【請求項２】
前記撮像デバイスが、超音波変換器、内視鏡、及びＸ線ガントリのうちの１つである、
請求項１に記載の撮像デバイス位置決めシステム。
【請求項３】
前記解剖学的領域に対する前記撮像デバイスを位置決めするためのロボット、
を更に備え、
前記撮像デバイスコントローラが、解剖学的構造に対する前記撮像デバイスの前記ロボットによる位置決めを制御し、
前記撮像デバイスによる前記解剖学的領域の前記画像の前記生成に応じて、前記撮像デバイスコントローラは、前記解剖学的領域に対する前記撮像デバイスの前記ロボットによる前記位置決めの前記制御を、前記解剖学的領域の前記画像から抽出される前記解剖学的領域の前記少なくとも１つの生理学的条件に対して適合させる、
請求項１に記載の撮像デバイス位置決めシステム。
【請求項４】
前記撮像デバイスコントローラは、前記解剖学的領域の前記画像から抽出される前記解剖学的領域の前記少なくとも１つの生理学的条件に基づいて、撮像位置と非撮像位置との間で前記解剖学的領域に対する前記撮像デバイスの前記位置決めの前記制御を周期的に適合させる、
請求項１に記載の撮像デバイス位置決めシステム。
【請求項５】
前記撮像デバイスコントローラは、前記解剖学的領域の前記画像から抽出される前記解剖学的領域の前記少なくとも１つの生理学的条件において表現された改善を示す生理学的パラメータデータに応じて、前記撮像デバイスが前記撮像位置にある前記位置決めの頻度を減少させる、
請求項４に記載の撮像デバイス位置決めシステム。
【請求項６】
前記撮像デバイスコントローラは、前記解剖学的領域の前記画像から抽出される前記解剖学的領域の前記少なくとも１つの生理学的条件において表現された悪化を示す生理学的パラメータデータに応じて、前記撮像デバイスが前記撮像位置にある前記位置決めの頻度を増加させる、
請求項４に記載の撮像デバイス位置決めシステム。
【請求項７】
前記撮像デバイスコントローラは、前記解剖学的領域の前記画像から抽出される前記解剖学的領域の前記少なくとも１つの生理学的条件において表現された改善を示す生理学的パラメータデータに応じて、前記撮像デバイスが前記撮像位置にある前記位置決めのデューティサイクルを減少させる、
請求項４に記載の撮像デバイス位置決めシステム。
【請求項８】
前記撮像デバイスコントローラは、前記解剖学的領域の前記画像から抽出される前記解剖学的領域の前記少なくとも１つの生理学的条件において表現された悪化を示す生理学的パラメータデータに応じて、前記撮像デバイスが前記撮像位置にある前記位置決めのデューティサイクルを増加させる、
請求項４に記載の撮像デバイス位置決めシステム。
【請求項９】
前記撮像デバイスコントローラは、前記撮像デバイスによって前記解剖学的領域内の解剖学的構造に対してかけられる接触力の度合いを制御する、
請求項１に記載の撮像デバイス位置決めシステム。
【請求項１０】
前記撮像デバイスコントローラは、前記撮像位置における前記撮像デバイスの前記位置決めに基づいて、前記撮像デバイスによって前記解剖学的領域内の解剖学的構造に対してかけられる接触力の度合いを制御する、
請求項４に記載の撮像デバイス位置決めシステム。
【請求項１１】
解剖学的領域の画像を生成するための撮像デバイスを含む撮像デバイス位置決めシステムのための撮像デバイスコントローラであって、前記撮像デバイスコントローラは、
前記撮像デバイスによって生成される前記解剖学的領域の画像から抽出される前記解剖学的領域の少なくとも１つの生理学的条件を示す生理学的パラメータデータを生成する生理学的条件抽出器と、
前記解剖学的領域に対して前記撮像デバイスの位置決めを制御する撮像デバイス位置決め器と、
を備え、
前記撮像デバイスによる前記解剖学的領域の前記画像の生成に応じて、前記撮像デバイス位置決め器は、前記解剖学的領域に対する前記撮像デバイスの前記位置決めの前記制御を、前記解剖学的領域の前記画像から抽出される前記解剖学的領域の前記少なくとも１つの生理学的条件に対して適合させる、撮像デバイスコントローラ。
【請求項１２】
前記撮像デバイス位置決め器が、解剖学的構造に対する前記撮像デバイスのロボットによる位置決めを制御し、
前記撮像デバイスによる前記解剖学的領域の前記画像の生成に応じて、前記撮像デバイス位置決め器は、前記撮像デバイスの前記ロボットによる前記位置決めの前記制御を、前記解剖学的領域の前記画像から抽出される前記解剖学的領域の前記少なくとも１つの生理学的条件に対して適合させる、
請求項１１に記載の撮像デバイスコントローラ。
【請求項１３】
前記撮像デバイスコントローラは、前記撮像デバイスによって前記解剖学的領域内の解剖学的構造に対してかけられる接触力の度合いを制御する、
請求項１１に記載の撮像デバイスコントローラ。
【請求項１４】
前記撮像デバイス位置決め器は、前記解剖学的領域の前記画像から抽出される前記解剖学的領域の前記少なくとも１つの生理学的条件に基づいて、撮像位置と非撮像位置との間で前記解剖学的領域に対する前記撮像デバイスの前記位置決めの前記制御を周期的に適合させる、
請求項１１に記載の撮像デバイスコントローラ。
【請求項１５】
前記撮像デバイス位置決め器は、前記撮像位置における前記撮像デバイスの前記位置決めに基づいて、前記撮像デバイスによって前記解剖学的領域内の解剖学的構造に対してかけられる接触力の度合いを更に制御する、
請求項１４に記載の撮像デバイスコントローラ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月17日(2020.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理ユニットを含む、偏心検出器３ＤＸ線再構成のための又は陽子ラジオグラフィ再構成のための装置であって、前記処理ユニットは、
偏心Ｘ線検出器又は陽子検出器によって測定される収集データであって、前記収集データは第１の部分及び第２の部分を含み、前記第１の部分及び前記第２の部分は共に少なくとも検出器オーバーラップ領域をカバーする当該収集データを取得し、
前記検出器オーバーラップ領域内の前記第１の部分の測定された線積分値を示す第１の基準値を決定し、前記検出器オーバーラップ領域内の前記第２の部分の測定された線積分値を示す第２の基準値を決定し、
前記第１の基準値と前記第２の基準値との比率に基づいて、前記収集データの前記第１の部分及び前記第２の部分の少なくとも一方をスケーリングし、
前記スケーリングの結果を使用して再構成を行う、装置。
【請求項２】
前記陽子検出器を更に含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記陽子検出器は、様々なオフセットで複数の測定を行う、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
偏心３ＤＸ線検出器を更に含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
偏心Ｘ線検出器又は陽子検出器によって測定される収集データであって、前記収集データは第１の部分及び第２の部分を含み、前記第１の部分及び前記第２の部分は共に少なくとも検出器オーバーラップ領域をカバーする当該収集データを取得するステップと、
前記検出器オーバーラップ領域内の前記第１の部分の測定された線積分値を示す第１の基準値を決定し、前記検出器オーバーラップ領域内の前記第２の部分の測定された線積分値を示す第２の基準値を決定するステップと、
前記第１の基準値及び前記第２の基準値に基づいて、前記収集データの前記第１の部分及び前記第２の部分の少なくとも一方をスケーリングするステップと、
前記スケーリングの結果を使用して再構成を行うステップと、
を含む、偏心検出器３ＤＸ線再構成のための又は陽子ラジオグラフィ再構成のための方法。
【請求項６】
前記収集データの前記第２の部分のみが、前記第１の基準値と前記第２の基準値との比率でスケーリングされる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の部分は、前記第１の基準値と基線値との比率でスケーリングされ、前記第２の部分は、前記基線値と前記第２の基準値との比率でスケーリングされる、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の部分は、前記第１の基準値と第１のアークの計画ＣＴの順投影によって取得される第１の基線値との比率でスケーリングされ、前記第２の部分は、第２のアークの角度について再計算された前記第１の基線値に対応する第２の基線値と前記第２の基準値との比率でスケーリングされる、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記収集データは、固定検出器オフセットでの３６０°の回転の過程において、又は、１８０°を超える２回のスキャン及び前記偏心Ｘ線検出器を片側からもう片側にシフトすることによって取得される、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
前記再構成を行うステップは、冗長性重み付けを含む、請求項５に記載の方法。
【請求項１１】
前記収集データは、検査対象の周りに任意の軌道を実現することにより取得される、請求項５に記載の方法。
【請求項１２】
コンピュータ上で実行されると、前記コンピュータに請求項５に記載の方法のステップを実行させるプログラムコード手段を含む、偏心検出器３ＤＸ線再構成又は陽子ラジオグラフィ再構成のためのソフトウェア。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年7月9日(2021.7.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項２】
Ｌ１、Ａｒ１、Ａｒ２およびＲ１〜Ｒ３中の１０個の炭素原子を有する前記置換アリーレン、前記置換（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル、前記置換（Ｃ６−Ｃ３０）アリール（レン）、前記置換（３〜３０員環）ヘテロアリール、前記置換（Ｃ３−Ｃ３０）シクロアルキル、前記置換（Ｃ１−Ｃ３０）アルコキシ、前記置換トリ（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルシリル、前記置換ジ（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル（Ｃ６−Ｃ３０）アリールシリル、前記置換（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルジ（Ｃ６−Ｃ３０）アリールシリル、前記置換トリ（Ｃ６−Ｃ３０）アリールシリル、前記置換モノもしくはジ（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルアミノ、前記置換モノもしくはジ（Ｃ６−Ｃ３０）アリールアミノ、前記置換（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル（Ｃ６−Ｃ３０）アリールアミノおよび前記置換の単環もしくは多環の（Ｃ３−Ｃ３０）脂環式環、芳香環またはそれらの組み合わせの置換基は、それぞれ独立して、重水素；ハロゲン；シアノ；カルボキシル；ニトロ；ヒドロキシル；（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル；ハロ（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル；（Ｃ２−Ｃ３０）アルケニル；（Ｃ２−Ｃ３０）アルキニル；（Ｃ１−Ｃ３０）アルコキシ；（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルチオ；（Ｃ３−Ｃ３０）シクロアルキル；（Ｃ３−Ｃ３０）シクロアルケニル；（３〜７員環）ヘテロシクロアルキル；（Ｃ６−Ｃ３０）アリールオキシ；（Ｃ６−Ｃ３０）アリールチオ；非置換または（Ｃ６−Ｃ３０）アリールで置換された（５〜３０員環）ヘテロアリール；非置換または（５〜３０員環）ヘテロアリールで置換された（Ｃ６−Ｃ３０）アリール；トリ（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルシリル、トリ（Ｃ６−Ｃ３０）アリールシリル；ジ（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル（Ｃ６−Ｃ３０）アリールシリル；（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルジ（Ｃ６−Ｃ３０）アリールシリル；アミノ；モノ−またはジ−（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルアミノ；非置換または（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルで置換されたモノ−またはジ−（Ｃ６−Ｃ３０）アリールアミノ；（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル（Ｃ６−Ｃ３０）アリールアミノ；（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルカルボニル；（Ｃ１−Ｃ３０）アルコキシカルボニル；（Ｃ６−Ｃ３０）アリールカルボニル；ジ（Ｃ６−Ｃ３０）アリールボロニル；ジ（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルボロニル；（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル（Ｃ６−Ｃ３０）アリールボロニル；（Ｃ６−Ｃ３０）アリール（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル；および（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル（Ｃ６−Ｃ３０）アリールからなる群から選択される少なくとも１つである、請求項１に記載の有機エレクトロルミネセント化合物。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２９】
本明細書において、表現「置換また非置換」における「置換」は、ある種の官能基中の水素原子が別の原子または官能基、すなわち置換基で置き換えられていることを意味する。Ｌ１、Ａｒ１、Ａｒ２およびＲ１〜Ｒ３中の１０個の炭素原子を有する置換アリーレン、置換（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル、置換（Ｃ６−Ｃ３０）アリール（レン）、置換（３〜３０員環）ヘテロアリール、置換（Ｃ３−Ｃ３０）シクロアルキル、置換（Ｃ１−Ｃ３０）アルコキシ、置換トリ（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルシリル、置換ジ（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル（Ｃ６−Ｃ３０）アリールシリル、置換（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルジ（Ｃ６−Ｃ３０）アリールシリル、置換トリ（Ｃ６−Ｃ３０）アリールシリル、置換モノ−もしくはジ−（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルアミノ、置換モノ−もしくはジ−（Ｃ６−Ｃ３０）アリールアミノ、置換（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル（Ｃ６−Ｃ３０）アリールアミノおよび置換の単環もしくは多環の（Ｃ３−Ｃ３０）脂環式環、芳香環またはそれらの組み合わせの置換基は、それぞれ独立して、重水素；ハロゲン；シアノ；カルボキシル；ニトロ；ヒドロキシル；（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル；ハロ（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル；（Ｃ２−Ｃ３０）アルケニル；（Ｃ２−Ｃ３０）アルキニル；（Ｃ１−Ｃ３０）アルコキシ；（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルチオ；（Ｃ３−Ｃ３０）シクロアルキル；（Ｃ３−Ｃ３０）シクロアルケニル；（３〜７員環）ヘテロシクロアルキル；（Ｃ６−Ｃ３０）アリールオキシ；（Ｃ６−Ｃ３０）アリールチオ；非置換または（Ｃ６−Ｃ３０）アリールで置換された（５〜３０員環）ヘテロアリール；非置換または（５〜３０員環）ヘテロアリールで置換された（Ｃ６−Ｃ３０）アリール；トリ（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルシリル、トリ（Ｃ６−Ｃ３０）アリールシリル；ジ（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル（Ｃ６−Ｃ３０）アリールシリル；（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルジ（Ｃ６−Ｃ３０）アリールシリル；アミノ；モノ−またはジ−（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルアミノ；非置換または（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルで置換されたモノ−またはジ−（Ｃ６−Ｃ３０）アリールアミノ；（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル（Ｃ６−Ｃ３０）アリールアミノ；（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルカルボニル；（Ｃ１−Ｃ３０）アルコキシカルボニル；（Ｃ６−Ｃ３０）アリールカルボニル；ジ（Ｃ６−Ｃ３０）アリールボロニル；ジ（Ｃ１−Ｃ３０）アルキルボロニル；（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル（Ｃ６−Ｃ３０）アリールボロニル；（Ｃ６−Ｃ３０）アリール（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル；および（Ｃ１−Ｃ３０）アルキル（Ｃ６−Ｃ３０）アリールからなる群から選択される少なくとも１つであり、好ましくは、それぞれ独立して、（Ｃ１−Ｃ６）アルキルである。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月7日(2021.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマー層を堆積する方法であって、
ホットワイヤ化学気相堆積（ＨＷＣＶＤ）チャンバの内部で、基板、前記基板上に配置されたセンサ構造体、並びにイニシエータガス、モノマーガス、及びキャリアガスを含む処理ガスを加熱することであって、前記モノマーガスを分解せずに前記イニシエータラジカルを形成するのに十分な温度まで実施される、加熱することと、
前記センサ構造体、イニシエータラジカル、及び前記モノマーガスを接触させて、センサ構造体の上にポリマー層を形成することと
を含む、方法。
【請求項２】
前記ポリマー層が、約１ｎｍから約１００ｎｍの厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記厚さが、前記基板にわたって約５パーセント未満の厚み偏差を有する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記基板及び前記センサ構造体を約−２０℃から約１００℃の温度まで冷却することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ポリマー層が、コポリマー層であり、前記コポリマーが、１つ又は複数の親水性モノマー成分、官能性モノマー成分、及び任意選択的にクロスリンカーを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記加熱することが、前記ＨＷＣＶＤチャンバ内に配置された複数のフィラメントを、前記モノマーガスを分解せずに前記イニシエータガスを活性化するのに十分な温度まで加熱することをさらに含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記温度が、約１５０℃から約６００℃の温度である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
加熱前に、接着化学物質を用いて前記基板又は前記センサ構造体を処理して、前記センサ構造体からの前記ポリマー層の層間剥離を防ぐことをさらに含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記キャリアガスが、アルゴン、窒素、又はヘリウムのうちの少なくとも１つである、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
前記イニシエータガスが、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシド（ＴＢＰＯ）、ジ−ｔｅｒｔ−アミルペルオキシド（ＴＡＰＯ）、トリエチルアミン（ＴＥＡ）、ｔｅｒｔ−ブチルペルオキシベンゾアート、パーフルオロオクタンスルホニルフルオリド、又はパーフルオロブタンスルホニルフルオリドである、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１１】
前記モノマーガスが、親水性モノマー、クロスリンカー、及び官能性モノマーの混合物を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１２】
前記親水性モノマーが、ヒドロキシエチルメタクリレート、Ｎ−イソプロピルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、若しくはメタクリル酸であり、又は前記クロスリンカーが、１つより多くの重合性の炭素−炭素二重結合を含み、又は前記クロスリンカーが、エチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールジアクリレート、ブタンジオールジアクリレート、若しくはヘキサンジオールジアクリレートである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記官能性モノマーが、グリシジルメタクリレート、メタクリル酸、又は４−アミノスチレンである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記イニシエータガス対前記モノマーガスの流量の比が、約０．１：１から約１：１であり、前記ＨＷＣＶＤチャンバ内の圧力が、約０．１から約１０Ｔｏｒｒである、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
基板であって、
前記基板の上のイオン感応性電界効果トランジスタセンサ構造体、及び
約１００ｎｍ未満の厚さ、及び前記基板にわたって約５パーセント未満の厚さ偏差を有する、前記イオン感応性電界効果トランジスタセンサ構造体の上のポリマー層
を備えている基板。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月11日(2020.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気導電性特徴を含むデバイスであって、
電気絶縁表面を有する基板と、
前記電気絶縁表面に配置された導電性特徴と
を含み、前記導電性特徴が、
前記電気絶縁表面に対して垂直方向で測定された高さ（Ｈ）と、
前記導電性特徴の前記高さに沿って、前記電気絶縁表面とは反対側の前記導電性特徴の端部で測定された第１の幅（Ｗ１）と
前記電気絶縁表面で測定された第２の幅（Ｗ２）と、
を含み、ここで、
２Ｈ／（Ｗ２−Ｗ１）≧２
であるデバイス。
【請求項２】
２Ｈ／（Ｗ２−Ｗ１）≧５
である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記導電性特徴が導電性ラインを含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項４】
前記導電性特徴の前記高さが１５μｍであり、前記第１の幅と前記第２の幅との間の差が６μｍ未満である、請求項１に記載のデバイス。
【請求項５】
前記導電性特徴が金属を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６】
前記導電性特徴が銅を含む、請求項１に記載のデバイス。
【請求項７】
１つまたは複数の電気導電性特徴を含むデバイスを作製する方法であって、
第１の反応性有機成分を含むプライマー層を、基板の電気絶縁表面上の導電性材料層上に堆積すること、
第２の反応性有機成分を含むエッチングレジスト材料層を、前記プライマー層上に堆積すること、
前記導電性材料層の被覆部分と前記導電性材料層の露出部分とをもたらす２成分エッチングマスクを形成するように、前記第１の反応性有機成分を前記第２の反応性有機成分と反応させること、
前記電気絶縁基板から前記導電性材料層の前記露出部分を除去するように、湿式エッチングプロセスを行うこと、
前記湿式エッチングプロセスの間に、前記導電性材料層の部分が除去されないように保護することであって、前記部分が、前記２成分エッチングマスクの下で前記導電性材料層の側壁に配置されること、および
前記導電性材料層の前記被覆部分から残りの導電性材料を露出させるように、前記２成分エッチングマスクを除去することであって、それによって、前記デバイスの前記１つまたは複数の電気導電性特徴を形成すること
を含む方法。
【請求項８】
前記導電性材料層の前記部分が除去されないように保護することが、防食性質を示す材料を前記２成分エッチングマスクから解離させること、および前記材料の前記解離した部分を、前記２成分エッチングマスクの下で前記側壁において前記導電性材料層の前記部分に吸着させることを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記プライマー層を前記導電性材料層上に堆積することが、ポリマーを前記導電性材料層上に堆積することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の反応性有機成分が、１つまたは複数の−イミン基を含む材料、１つまたは複数の−アミン基を含む材料、１つまたは複数の−アゾール基を含む材料、および１つまたは複数の−ヒラジン基を含む材料から選択される、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１の反応性有機成分が、アミノ酸を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の反応性有機成分が、シッフ塩基を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１３】
前記エッチングレジスト材料層の部分を光で照射することをさらに含み、前記照射された部分は、前記１つまたは複数の導電性特徴の位置に対応する、請求項７記載の方法。
【請求項１４】
前記エッチングレジスト材料の部分を光で照射することが、レーザー直接描画またはフォトマスク露光の少なくとも１つを使用することを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記エッチングレジスト材料層を堆積することが、インクジェット印刷、スロットダイコーティング、スピンコーティング、または積層の少なくとも１つを使用して前記エッチングレジスト材料層を堆積することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１６】
前記プライマー層を堆積することが、インクジェット印刷、スロットダイコーティング、スピンコーティング、または積層の少なくとも１つを使用して前記プライマー層を堆積することを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１７】
前記エッチングレジスト材料層の厚さが、１０μｍ未満またはそれに等しい、請求項７に記載の方法。
【請求項１８】
前記エッチングレジスト材料層の厚さが、５μｍ未満またはそれに等しい、請求項７に記載の方法。
【請求項１９】
前記プライマー層の厚さが、５μｍから４０μｍに及ぶ、請求項７に記載の方法。
【請求項２０】
１つまたは複数の電気導電性特徴を含むデバイスを作製する方法であって、
有機材料プライマー層を、基板の電気絶縁表面上の導電性材料層上に堆積することであって、前記有機材料プライマー層が、１つまたは複数の−アゾール基を含む材料、およびシッフ塩基を含む材料から選択されること、
エッチングレジスト材料層を、前記プライマー層上に堆積することであって、前記エッチングレジスト材料層および前記プライマー層が、前記導電性材料層の被覆部分と前記導電性材料層の露出部分とをもたらす２成分エッチングマスクを形成すること、
前記電気絶縁基板から前記導電性材料層の前記露出部分を除去するように、湿式エッチングプロセスを行うこと、および
前記導電性材料層の前記被覆部分から残りの導電性材料を露出させるように、前記２成分エッチングマスクを除去することであって、それによって、前記デバイスの前記１つまたは複数の電気導電性特徴を形成すること
を含む方法。
【請求項２１】
前記湿式エッチングプロセスの間に、前記導電性材料層の部分が除去されないように保護することをさらに含み、前記部分が、前記２成分エッチングマスクの下の前記導電性材料層の側壁に配置される、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記エッチングレジスト材料層の部分を光で照射することをさらに含み、前記照射された部分は、前記１つまたは複数の導電性特徴に対応する、請求項２０に記載の方法。
【請求項２３】
前記エッチングレジスト材料層を堆積することが、インクジェット印刷、スロットダイコーティング、スピンコーティング、または積層の少なくとも１つを使用して前記エッチングレジスト材料層を堆積することを含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２４】
前記有機材料プライマー層を堆積することが、インクジェット印刷、スロットダイコーティング、スピンコーティング、または積層の少なくとも１つを使用して前記プライマー層を堆積することを含む、請求項２０に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月9日(2020.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
異なる振幅における前記ウエハ電圧を変調して、複数のエネルギーピークを有するイオンエネルギー分布関数を生成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月8日(2020.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロスレスデータ圧縮の方法であって、
複数のローを含むバイナリセンサデータを得ることであって、前記ローの各々が複数のマルチビットデータサンプルを含む、前記バイナリセンサデータを得ることと、
各前記ローを複数のデータグループに分割することであって、前記複数のデータグループが、各々が前記マルチビットデータサンプルの２つ又はそれ以上を含む、前記複数のデータグループに分割することと、
各前記ローに対する先行値又は前記複数のデータグループの各々に対する前記先行値のそれぞれを選択することと、
前記データグループのその関連するデータグループに対して各前記データサンプルと前記先行値との間の差を計算することにより、各前記ローから圧縮されたセンサデータの圧縮されたローを生成することと、
前記データグループの各々がストアされ圧縮されているか否かを示すデータ構造を含む圧縮された述部と、ロー圧縮のために用いられるグループサイズをストアするマルチビット値であるデータグループサイズと、前記ロー圧縮のダイナミックレンジをストアするマルチビット値である圧縮されたワードサイズとを含む、前記バイナリセンサデータを損失なく戻すための情報を有する各前記ローに対して圧縮情報パケット（ＣＩＰ）を生成することと、
前記ＣＩＰと共にストアされ圧縮されたデータとして前記圧縮されたローをストアすることと、
を含む、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記方法が、前記複数のデータグループの全ての並列単一クロックサイクル処理を含む、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記圧縮されたワードサイズを動的に選択するボーティング回路を用いることを更に含む、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
構成によって制御される圧縮パラメータを動的に選択することであって、前記圧縮パラメータが、前記データグループ内の現在のデータ値と前記先行値との間の差であるドリフトと前記圧縮されたワードサイズと前記先行値と前記データグループサイズとを含む、前記圧縮パラメータを動的に選択することを更に含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
固定時間にランダム位置にアクセスすることを含む前記バイナリセンサデータを回復するために、前記ストアされ圧縮されたデータを伸張することを更に含む、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、
前記伸張することが、前記バイナリセンサデータの前記回復のための単一サイクルを含む、方法。
【請求項７】
請求項５に記載の方法であって、
前記伸張のために並列マップレデュース機能と単一サイクルアドレスポインタ計算とを用いることを更に含む、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、
前記ＣＩＰが、少なくとも１つの誤り補正符号（ＥＣＣ）又は巡回冗長検査（ＣＲＣ）フィールドを含む、方法。
【請求項９】
ロスレスデータ圧縮を提供するためのシステムであって、
複数のローを含むバイナリセンサデータを受信するためのセンサインタフェースであって、前記ローの各々が複数のマルチビットデータサンプルを含む、前記センサインタフェースと、
前記センサインタフェースの出力に結合される入力を有するエンコーダを含むデータ処理サブシステムであって、前記データ処理サブシステムが、
各前記ローを、各々が前記マルチビットデータサンプルの２つ又はそれ以上を含む複数のデータグループに分割し、
各前記ローに対する先行値又は前記複数のデータグループの各々に対する前記先行値のそれぞれを選択し、
各前記データサンプルとその関連する前記データグループに対する前記先行値との間の差を計算することによって各前記ローから圧縮されたセンサデータの圧縮されたローを生成し、
前記データグループの各々がストアされ圧縮されているか否かを示すデータ構造を含む圧縮された述部と、ロー圧縮のために用いられるグループサイズをストアするマルチビット値であるデータグループサイズと、前記ロー圧縮のダイナミックレンジをストアするマルチビット値である圧縮されたワードサイズとを含む、前記バイナリセンサデータを損失なく戻すための情報を有する各前記ローに対して圧縮情報パケット（ＣＩＰ）を生成する、
ためのハードウェアとソフトウェアとを含む、前記データ処理サブシステムと、
を含む、システム。
【請求項１０】
請求項９に記載のシステムであって、
前記データ処理サブシステムが、前記ＣＩＰｓと共にストアされ圧縮されたデータとして前記圧縮されたローをストアすることを更に提供する、システム。
【請求項１１】
請求項９に記載のシステムであって、
前記データ処理サブシステムが、前記複数のデータグループの並列処理のための回路要素を含む、システム。
【請求項１２】
請求項９に記載のシステムであって、
前記エンコーダが半導体表面を有する基板を含む、システム。
【請求項１３】
請求項９に記載のシステムであって、
前記ロスレスデータ圧縮を実装するための単一クロックサイクル圧縮回路を更に含む、システム。
【請求項１４】
請求項１０に記載のシステムであって、
前記圧縮されたワードサイズを動的に選択するためのボーティング回路を更に含む、システム。
【請求項１５】
請求項１０に記載のシステムであって、
前記データグループ内の現在のデータ値と前記先行値との間の差の値であるドリフトと前記圧縮されたワードサイズと前記先行値と前記データグループサイズとを含む圧縮パラメータブロックを動的に選択するための動的選択圧縮パラメータブロックを更に含む、システム。
【請求項１６】
請求項１０に記載のシステムであって、
前記バイナリセンサデータを回復するために、前記ストアされ圧縮されたデータを伸張するためのデコーダを更に含む、システム。
【請求項１７】
請求項１６に記載のシステムであって、
前記デコーダが、前記バイナリセンサデータの前記回復のために単一サイクルにおいて動作する伸張回路を含む、システム。
【請求項１８】
請求項１６に記載のシステムであって、
前記伸張のための前記先行値の位置を識別するために並列マップレデュース機能と単一サイクルアドレスポインタ計算器とを用いることを更に含む、システム。
【請求項１９】
請求項１０に記載のシステムであって、
前記ＣＩＰが、少なくとも１つの誤り補正符号（ＥＣＣ）又は巡回冗長検査（ＣＲＣ）フィールドを含む、システム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月3日(2020.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１メモリ（１０５）からデジタル画像（１１０）の一部を表す画素のブロック（１１５）の値を取得することと、
サムネイル画像（１６０）内のデスティネーション画素の部分値を第２メモリ（１６３）から取得することと、
前記値を同時に圧縮して圧縮画像（１４０）を生成し、前記デスティネーション画素のスケーリングウィンドウ（４２０）と重複する前記ブロックの一部に基づいて前記部分値を変更することと、
前記変更された部分値を前記第２メモリに記憶することと、
前記圧縮画像及び前記サムネイル画像を第３メモリ（１４５）に記憶することと、を含む、
方法。
【請求項２】
前記デジタル画像の複数の部分を表す複数の画素ブロックの値を繰り返し取得することと、
前記複数の画素ブロックと重複する前記スケーリングウィンドウに対応する前記サムネイル画像内の前記デスティネーション画素の部分値を取得することと、
圧縮アルゴリズムを前記値に同時に適用して、前記部分値をブロック毎に変更することと、をさらに含む、
請求項１の方法。
【請求項３】
前記デスティネーション画素の部分値を変更することは、前記ブロックの境界と前記スケーリングウィンドウの境界とを比較して、前記スケーリングウィンドウと重複する前記ブロックの一部を決定することを含む、
請求項１の方法。
【請求項４】
前記デスティネーション画素の部分値を変更することは、
前記スケーリングウィンドウと重複する前記ブロックの一部内の画素の値を前記デスティネーション画素の位置に補間することと、
前記補間された値を前記デスティネーション画素の部分値に累積することと、を含む、
請求項３の方法。
【請求項５】
前記変更された部分値を第２メモリに記憶することは、前記スケーリングウィンドウの一部が前記ブロックの外側にあり、且つ、前記第１メモリから以前に取得されたブロックの外側にあることに応じて、前記変更された部分値を記憶することを含む、
請求項３の方法。
【請求項６】
前記デスティネーション画素の部分値を第２メモリから取得することは、前記スケーリングウィンドウが前記第１メモリから取得された画素ブロックと重複することに応じて、前記部分値を取得することを含む、
請求項１の方法。
【請求項７】
前記スケーリングウィンドウ全体が前記ブロック又は前記第１メモリから以前に取得された少なくとも１つのブロックと重複していると判別したことに応じて、前記デスティネーション画素の最終値を前記部分値と等しく設定することをさらに含む、
請求項１の方法。
【請求項８】
前記サムネイル画像を記憶することは、前記デスティネーション画素の最終値を前記第３メモリに記憶することを含む、
請求項７の方法。
【請求項９】
デジタル画像（１１０）を表す画素ブロックの値を記憶する第１メモリ（１０５）と、
サムネイル画像（１６０）内のデスティネーション画素の部分値を記憶する第２メモリ（１６３）と、
圧縮画像及びサムネイル画像を記憶する第３メモリ（１４５）と、
プロセッサ（１２０）と、を備え、
前記プロセッサは、
画素ブロック（１１５）の値を前記第１メモリから取得することと、
前記値を同時に圧縮して圧縮画像（１４０）を生成し、デスティネーション画素のスケーリングウィンドウ（４２０）と重複する前記ブロックの一部内の画素の値に基づいて前記デスティネーション画素の部分値を変更することと、
前記変更された部分値を前記第２メモリに記憶することと、
前記圧縮画像及び前記サムネイル画像を前記第３メモリに記憶することと、
を行うように構成されている、
装置。
【請求項１０】
前記第１メモリ及び前記第３メモリは、制限されたメモリアクセス帯域幅によって特徴付けられたインタフェースによって前記プロセッサに接続されたシステムメモリ又はキャッシュのうち少なくとも１つであり、前記第２メモリは、前記プロセッサに関連するローカルランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）である、
請求項９の装置。
【請求項１１】
前記プロセッサは、
前記デジタル画像を表す前記画素ブロックの値を繰り返し取得することと、
前記画素ブロックと重複する前記スケーリングウィンドウに対応する前記サムネイル画像内の前記デスティネーション画素の部分値を取得することと、
圧縮アルゴリズムを前記値に同時に適用して、前記部分値をブロック毎に変更することと、
を行うように構成されている、
請求項９の装置。
【請求項１２】
前記プロセッサは、前記ブロックの境界と前記スケーリングウィンドウの境界とを比較して、前記スケーリングウィンドウと重複する前記ブロックの一部を決定することを行うように構成されている、
請求項９の装置。
【請求項１３】
前記プロセッサは、
前記スケーリングウィンドウと重複する前記ブロックの一部内の画素の値を前記デスティネーション画素の位置に補間することと、
前記補間された値を前記デスティネーション画素の部分値に累積することと、
を行うように構成されている、
請求項１２の装置。
【請求項１４】
前記プロセッサは、前記スケーリングウィンドウの一部が前記ブロックの外側にあり、且つ、前記第１メモリから以前に取得されたブロックの外側にあることに応じて、前記変更された部分値を記憶することを行うように構成されている、
請求項１２の装置。
【請求項１５】
前記プロセッサは、前記スケーリングウィンドウが前記第１メモリから取得された画素ブロックと重複することに応じて、前記部分値を前記第２メモリから取得することを行うように構成されている、
請求項９の装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月26日(2020.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
現在ブロックの予測モードインデックスを復号化するステップと、
該予測モードインデックスに基づいて、前記現在ブロックの関数ベースの画面内予測を行うかどうかを判断するステップと、
前記現在ブロックの画面内予測を行うステップと、を含み、
前記現在ブロックの前記関数ベースの画面内予測を行う場合、画面内予測を行う前記ステップは、
関数を生成するための変数を誘導するステップと、
前記誘導された変数に基づいて前記関数を用いて画面内予測を行うステップと、を含む、画像復号化方法。
【請求項２】
前記予測モードインデックスは、ビットストリームを介してシグナリングされるフラグ情報である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記変数は、前記現在ブロックに隣接する、前に再構成された参照サンプルを用いて誘導される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記変数は、前記前に再構成された参照サンプルの最大値及び最小値の中の少なくとも１つを用いて誘導される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記関数を用いて画面内予測を行う前記ステップは、予測位置の参照サンプル値を前記関数に入力することにより行い、前記関数は画面内予測サンプル値を出力する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記現在ブロックの前記関数ベースの画面内予測を行わない場合、画面内予測を行う前記ステップは、
画面内予測モードを誘導するステップと、
該誘導した画面内予測モードに基づいて、画面内予測を行うステップと、を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記画面内予測モードは、ビットストリームを介してシグナリングされる予測モード情報を復号化することにより誘導される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記画面内予測モードは、ＤＣ、Ｐｌａｎａｒ、又は、方向性予測の予測モードの中の１つを指示する、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記現在ブロックの関数ベースの画面内予測を行うかどうかを判断する前記ステップは、前記現在ブロックの色成分に基づいて行う、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記現在ブロックの上側の境界が符号化ツリーブロックの境界に該当する場合、画面内予測の参照サンプルは、前記現在ブロックに隣接する複数の参照サンプルラインの中のみの第１の参照サンプルラインを用いることにより、構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
現在ブロックの関数ベースの画面内予測を行うかどうかを判断するステップと、
前記現在ブロックの画面内予測を行うステップと、を含み、
前記現在ブロックの前記関数ベースの画面内予測を行う場合、画面内予測を行う前記ステップは、
関数を生成するための変数を誘導するステップと、
前記誘導された変数に基づいて前記関数を用いて画面内予測を行うステップと、
前記現在ブロックの前記関数ベースの画面内予測を行うことを指示する予測モードインデックスを符号化するステップと、を含む、画像符号化方法。
【請求項１２】
前記予測モードインデックスは、ビットストリームを介してシグナリングされるフラグ情報である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記変数は、前記現在ブロックに隣接する、前に再構成された参照サンプルを用いて誘導される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記変数は、前記前に再構成された参照サンプルの最大値及び最小値の中の少なくとも１つを用いて誘導される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記関数を用いて画面内予測を行う前記ステップは、予測位置の参照サンプル値を前記関数に入力することにより行い、前記関数は画面内予測サンプル値を出力する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１６】
前記現在ブロックの前記関数ベースの画面内予測を行わない場合、画面内予測を行う前記ステップは、
画面内予測モードを決定するステップと、
該決定した画面内予測モードに基づいて、画面内予測を行うステップと、を含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記画面内予測モードは、ビットストリームを介してシグナリングされる予測モード情報として符号化される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記画面内予測モードは、ＤＣ、Ｐｌａｎａｒ、又は、方向性予測の予測モードの中の１つを指示する、請求項1６に記載の方法。
【請求項１９】
前記現在ブロックの関数ベースの画面内予測を行うかどうかを判断する前記ステップは、前記現在ブロックの色成分に基づいて行う、請求項１1に記載の方法。
【請求項２０】
画像符号化方法により生成されるビットストリームを保存したコンピュータ可読記録媒体であって、前記画像符号化方法は、
現在ブロックの関数ベースの画面内予測を行うかどうかを判断するステップと、
前記現在ブロックの画面内予測を行うステップと、を含み、
前記現在ブロックの前記関数ベースの画面内予測を行う場合、画面内予測を行う前記ステップは、
関数を生成するための変数を誘導するステップと、
前記誘導された変数に基づいて前記関数を用いて画面内予測を行うステップと、
前記現在ブロックの前記関数ベースの画面内予測を行うことを指示する予測モードインデックスを符号化するステップと、を含む、コンピュータ可読記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月16日(2020.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤレス通信のための方法であって、
ワイヤレス送信に関連するタイミングアドバンス(TA)値を識別するステップと、
前記ワイヤレス送信の送信時間区間(TTI)に少なくとも部分的に基づいてTAしきい値を識別するステップであって、
前記TAしきい値は、前記ワイヤレス送信に関連するフィードバック情報と関係する処理時間に関連付けられている、ステップと、
前記TA値および前記TAしきい値に少なくとも部分的に基づいて、前記ワイヤレス送信に関連する1つまたは複数のパラメータを設定するステップと、
ワイヤレス送信機によって、前記ワイヤレス送信に関連する前記1つまたは複数のパラメータに従って、1つまたは複数の信号を送信するステップと
を備える方法。
【請求項２】
前記ワイヤレス送信用の2つ以上のコンポーネントキャリア(CC)を識別するステップをさらに備え、
前記TA値が、前記2つ以上のCCの各々にわたって共通であり、かつCCごとの個別TA、前記2つ以上のCCに対するアップリンク時間不整合値、または前記2つ以上のCCに対するダウンリンク時間不整合値のうちの1つまたは複数に基づく、請求項1に記載の方法。
【請求項３】
前記1つまたは複数のパラメータを設定する前記ステップが、前記TA値および前記TAしきい値に少なくとも部分的に基づいて、ダウンリンク送信の受信の成功を示すためのフィードバックタイミングを設定するステップを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項４】
2つ以上のTAグループを識別するステップをさらに備え、
前記TA値が、TAグループごとのTA値を備える、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記TAしきい値を識別する前記ステップが、
前記ワイヤレス送信の前記TTIが2シンボルTTIであるとき、前記TAしきい値を第1のTAしきい値として識別するステップと、
前記ワイヤレス送信の前記TTIが1スロットTTIまたは1ms TTIであるとき、前記TAしきい値を第2のTAしきい値として識別するステップと
を備える、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記1つまたは複数のパラメータが、2つ以上のコンポーネントキャリアに対するTA値に少なくとも部分的に基づいて設定されるハイブリッド確認応答再送要求(HARQ)フィードバックタイミングパラメータを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記TA値を基地局に報告するステップをさらに備え、
前記TA値が、前記ワイヤレス送信用の2つ以上のコンポーネントキャリアに基づくTA値に相当し、
前記TAしきい値が、前記ワイヤレス送信用の複数のコンポーネントキャリア(CC)のうちのCCごとに識別される、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
前記1つまたは複数のパラメータが、ハイブリッド確認応答再送要求(HARQ)フィードバックタイミングパラメータ、トランスポートブロックサイズスケーリングパラメータ、サポートされる空間送信レイヤの数、チャネル品質情報(CQI)タイプ報告、またはアップリンク送信スケジューリングのためのタイミングのうちの1つまたは複数を備える、請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記1つまたは複数のパラメータを設定する前記ステップが、物理アップリンク制御チャネル(PUCCH)グループごとのコンポーネントキャリア(CC)の最大数を決定するステップを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項１０】
前記TA値が、コンポーネントキャリアのうちの最も早いアップリンクキャリアと最も遅いダウンリンクキャリアとの間の時間ギャップに少なくとも部分的に基づき、
前記時間ギャップが前記TAしきい値よりも小さい、請求項1に記載の方法。
【請求項１１】
前記TAしきい値が、前記ワイヤレス送信用の複数のコンポーネントキャリア(CC)のうちのCCごとに識別され、
前記複数のCCが、1つもしくは複数のロングタームエボリューション(LTE)CC、1つもしくは複数の次世代ニューラジオ(NR)CC、またはそれらの組合せを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項１２】
前記TAしきい値が、前記ワイヤレス送信用のコンポーネントキャリア(CC)の2つ以上のアップリンク制御チャネルグループの各々に対して識別され、
前記2つ以上のアップリンク制御チャネルグループCCの各々が、キャリアアグリゲーションまたはデュアル接続性動作の一部である、請求項1に記載の方法。
【請求項１３】
前記方法が基地局によって実行され、前記方法が、前記ワイヤレス送信を送信するときに使用するために、前記1つまたは複数のパラメータをユーザ機器に提供するステップをさらに備えるか、または
前記方法がユーザ機器(UE)によって実行され、前記1つまたは複数のパラメータを設定する前記ステップが、前記ワイヤレス送信を送信するときに使用するために、基地局から前記1つまたは複数のパラメータを受信するステップを備える、請求項1に記載の方法。
【請求項１４】
ワイヤレス通信のための装置であって、
ワイヤレス送信に関連するタイミングアドバンス(TA)値を識別するための手段と、
前記ワイヤレス送信の送信時間区間(TTI)に少なくとも部分的に基づいてTAしきい値を識別するための手段であって、
前記TAしきい値は、前記ワイヤレス送信に関連するフィードバック情報と関係する処理時間に関連付けられている、手段と、
前記TA値および前記TAしきい値に少なくとも部分的に基づいて、前記ワイヤレス送信に関連する1つまたは複数のパラメータを設定するための手段と、
前記ワイヤレス送信に関連する前記1つまたは複数のパラメータに従って、1つまたは複数の信号を送信するための手段と
を備える装置。
【請求項１５】
ワイヤレス通信のためのコードを記憶した非一時的コンピュータ可読記録媒体であって、前記コードが、
ワイヤレス送信に関連するタイミングアドバンス(TA)値を識別することと、
前記ワイヤレス送信の送信時間区間(TTI)に少なくとも部分的に基づいてTAしきい値を識別することであって、
前記TAしきい値は、前記ワイヤレス送信に関連するフィードバック情報と関係する処理時間に関連付けられている、識別することと、
前記TA値および前記TAしきい値に少なくとも部分的に基づいて、前記ワイヤレス送信に関連する1つまたは複数のパラメータを設定することと、
ワイヤレス送信機によって、前記ワイヤレス送信に関連する前記1つまたは複数のパラメータに従って、1つまたは複数の信号を送信することと
を行うように、プロセッサによって実行可能な命令を備える、非一時的コンピュータ可読記録媒体。