【手続補正書】
【提出日】平成16年4月22日(2004.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の状態（｜Ψi＞）を第２の状態（｜Ψf＞）に変換する量子コンピュータであって、
第１の量子ドットを規定する手段及び
第２の量子ドット）を規定する手段で、
前記第１の量子ドット規定手段と第２の量子ドット規定手段は互いに離してあり、量子ビットの第１の基底状態（｜０＞，｜１＞）と第２の基底状態（｜０'＞，｜１'＞）を規定するよう配設した前記手段と、
前記第１の状態（｜Ψi＞）を前記第１の基底及び第２の基底の重ね合わせとして用意する手段と、
前記第１の量子ドットと前記第２の量子ドットとの間の結合を制御して前記第１の状態を前記第２の状態（｜Ψf＞）へ変換する手段とを備えることを特徴とする量子コンピュータ。
【請求項２】
請求項１記載の量子コンピュータであって、
前記第１の基底状態（｜０＞；｜０'＞）は、前記第１及び第２の量子ドットを横断する第１の所与の電荷分布により規定してあることを特徴とする量子コンピュータ。
【請求項３】
請求項１又は２記載の量子コンピュータであって、
前記第２の基底状態（｜１＞；｜１'＞）は、前記第１及び第２の量子ドットを横断する第２の所与の電荷分布により規定してあることを特徴とする量子コンピュータ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の量子コンピュータであって、
前記第１の基底状態（｜０＞；｜０'＞）は、前記第２の量子ドットに対する前記第１の量子ドット上の所与の過剰電荷量により規定されることを特徴とする量子コンピュータ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の量子コンピュータであって、
前記第２の基底状態（｜１＞；｜１'＞）は、前記第１の量子ドットに従う前記第２の量子ドット上の所与の過剰電荷量により規定されることを特徴とする量子コンピュータ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の量子コンピュータであって、
前記第１及び第２の量子ドット間の結合を制御する手段は、前記第１の量子ドットと前記第２の量子ドットの間に配設したトンネル障壁の調製手段を備えることを特徴とする量子コンピュータ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の量子コンピュータであって、
前記第１の量子ドットと第２の量子ドットは寸法が異なることを特徴とする量子コンピュータ。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載の量子コンピュータであって、
ソース領域とドレイン領域の間に導電チャンネル領域を備えることを特徴とする領域コンピュータ。
【請求項９】
請求項８記載の量子コンピュータであって、
前記導電チャンネル領域が、ほぼ平面をなすことを特徴とする量子コンピュータ。
【請求項１０】
請求項８又は９記載の量子コンピュータであって、導電チャンネル領域の第１の部分が、第１のトンネル障壁を規定するよう構成してあることを特徴とする量子コンピュータ。
【請求項１１】
請求項１０記載の量子コンピュータであって、
導電チャンネル領域の第２の部分が、第２のトンネル障壁を規定するよう構成してあることを特徴とする量子コンピュータ。
【請求項１２】
請求項１１記載の量子コンピュータであって、
導電チャンネル領域の第３の部分が、第３のトンネル障壁を規定するよう構成してあることを特徴とする量子コンピュータ。
【請求項１３】
請求項８乃至１２のいずれかに記載の量子コンピュータであって、
導電チャンネル領域は、半導体からなることを特徴とする量子コンピュータ。
【請求項１４】
請求項１３記載の量子コンピュータであって、
前記半導体は、シリコン−ゲルマニウムであることを特徴とする量子コンピュータ。
【請求項１５】
請求項１３又は１４に記載の量子コンピュータであって、
半導体には不純物がドープ処理してあることを特徴とする量子コンピュータ。
【請求項１６】
請求項１５記載の量子コンピュータであって、
不純物濃度は、少なくとも１×１０19ｃｍ-3であることを特徴とする量子コンピュータ。
【請求項１７】
請求項１５又は１６に記載の量子コンピュータであって、
前記不純物は、アクセプタであることを特徴とする量子コンピュータ。
【請求項１８】
請求項１７記載の量子コンピュータであって、
不純物がボロンであることを特徴とする量子コンピュータ。
【請求項１９】
請求項８乃至１８のいずれかに記載の量子コンピュータであって、
導電チャンネル領域がトレンチ手段により分離してあることを特徴とする量子コンピュータ。
【請求項２０】
請求項１乃至１９のいずれかに記載の量子コンピュータであって、
前記第１の量子ドットと第２の量子ドットを規定する前記手段は、静電遮蔽を示すよう構成してあることを特徴とする量子コンピュータ。
【請求項２１】
請求項１乃至２０のいずれかに記載の量子コンピュータであって、前記第１の量子ドットと第２の量子ドットの少なくとも一方の電荷を計測する手段を備えることを特徴とする量子コンピュータ。
【請求項２２】
請求項２１記載の量子コンピュータであって、
前記第１の量子ドットと第２の量子ドットのそれぞれの電荷を計測する手段を備えることを特徴とする量子コンピュータ。
【請求項２３】
請求項２１又は２２に記載の量子コンピュータであって、
前記電荷計測手段は、単電荷電位計からなることを特徴とする量子コンピュータ。
【請求項２４】
第１の状態（｜Ψi＞）を第２の状態（｜Ψf＞）に変換する量子コンピュータであって、
エレメント列で、列の各エレメントが
第１の量子ドットを規定する手段及び
第２の量子ドットを規定する手段で、
該第１の量子ドット規定手段と第２の量子ドット規定手段は互いに離してあり、量子ビットの第１の基底状態（｜０＞，｜１＞）と第２の基底状態（｜０'＞，｜１'＞）を規定するよう配設した前記手段を供える前記エレメント列と、
量子ビット状態を前記第１及び第２の基底状態の重ね合わせとして用意する手段と、前記列の前記エレメントの量子ビットの交絡を為すために、前記エレメントは配設され、前記第１の状態（｜Ψi＞）を量子ビット状態の交絡的重ね合わせとして用意する手段と、少なくとも一つのエレメントの第１及び第２の量子ドット間の結合を制御し、前記第１の状態を前記第２の状態（｜Ψf＞）へ変換する手段とを備えることを特徴とする量子コンピュータ。
【請求項２５】
量子コンピュータの操作方法で、該量子コンピュータが第１の量子ドットを規定する手段と、第２の量子ドットを規定する手段とを備え、該第１の量子ドット規定手段と第２の量子ドット規定手段は互いに離してあり、第１の基底状態（｜０＞，｜１＞）と第２の基底状態（｜０'＞，｜１'＞）を規定するよう配設してある前記量子コンピュータの操作方法であって、
第１の状態（｜Ψi＞）を、前記第１及び第２の基底状態（｜０＞，｜１＞；｜０'＞，｜１'＞）の重ね合わせとして用意するステップと、
前記第１及び第２の量子ドットの結合を制御し、前記第１の状態を第２の状態（｜Ψf＞）へ変換するステップを備えることを特徴とする方法。
【請求項２６】
請求項２５記載の方法であって、
前記第１の量子ドットと第２の量子ドット間の結合制御ステップは、前記第１及び第２の量子ドット間に配設したトンネル接合を所定時間間隔だけ低下させるステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項２７】
請求項２５又は２６に記載の方法であって、
前記第１の状態（｜Ψi＞）と前記第２の状態（｜Ψf＞）との間でラビ振動が生ずるよう励起をもたらすステップを含むことを特徴とする方法。
【請求項２８】
電子装置であって、
電荷担体をチャンネルへ流す手段と、
前記チャンネル手段に対し第１の範囲の電荷担体エネルギーをもって前記電荷担体を供給する手段とを備え、
前記チャンネル手段が、
第１群のエネルギーレベルをもって第１の量子ドットを規定する手段と、
前記第１群とは異なるレベル間隔を有する第２群のエネルギーレベルをもって第２の量子ドットを規定する手段を備え、
第１の範囲の電荷担体エネルギーが第１の量子ドットの隣接エネルギーレベル対の間の間隔よりも大きく、かつまた装置を介する電荷担体の移動が第１群のエネルギーレベルの一つとこれにエネルギー的に連なる第２群のエネルギーレベルの一つとを介してのみ発生することを特徴とする装置。
【請求項２９】
電荷伝導のためのチャネルと、
第１レンジの電荷エネルギーを有する電荷を前記チャネルに供給するソースとを有し、
前記チャネルは第１エネルギレベルの第１量子ドットと、前記第量子１ドットから離れて前記第１エネルギレベルとは異なる第２のエネルギーレベルの第２量子ドットとからなり、
電荷エネルギの第１レンジは隣接する前記第１量子ドットの対のエネルギーレベルよりの距離よりも大きく、デバイスを通じた電荷伝導はエネルギー的に整列した第１のエネルギーレベルと第２のエネルギーレベルを通してのみ起こることを特徴とする電子デバイス。