Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月19日(2005.1.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
伸張可能なフィルム上全面に収縮性フィルムが積層され、該収縮性フィルム上全面に被切断物貼着用粘着剤層が設けられてなることを特徴とするチップ体製造用粘着シート。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月16日(2005.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板に半導体膜を形成し、
前記半導体膜の上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜の上に第１の導電性膜を形成し、
前記第１の導電性膜を加工してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体膜に低濃度の不純物を添加し、
前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極の上から基板全面を覆う第２の導電性膜を形成し、
前記第２の導電性膜の上にサイドウォール形成用の絶縁性膜もしくは第３の導電性膜を形成し、エッチングにより前記ゲート電極の側壁の前記第２の導電性膜で覆われた部分にサイドウォールを形成し、
前記ゲート電極と前記サイドウォールをマスクとして、前記半導体膜に高濃度の不純物を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板に半導体膜を形成し、
前記半導体膜の上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜の上に第１の導電性膜を形成し、
前記第１の導電性膜を加工してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体膜に低濃度の不純物を添加し、
前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極の上から基板全面を覆う第２の導電性膜を形成し、
前記第２の導電性膜の上にサイドウォール形成用の絶縁性膜もしくは第３の導電性膜を形成し、エッチングにより前記ゲート電極の側壁の前記第２の導電性膜で覆われた部分にサイドウォールを形成し、
前記ゲート電極と前記サイドウォールをマスクとして、前記半導体膜に高濃度の不純物を添加し、
前記サイドウォールを除去し、前記第２の導電性膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板に半導体膜を形成し、
前記半導体膜の上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜の上に第１の導電性膜を形成し、
前記第１の導電性膜を加工してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体膜に低濃度の不純物を添加し、
前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極の上から基板全面を覆うように絶縁性保護膜を形成し、
前記絶縁性保護膜の上に基板全面を覆うように第２の導電性膜を形成し、
前記第２の導電性膜の上にサイドウォール形成用の絶縁性膜もしくは第３の導電性膜を形成し、エッチングにより前記ゲート電極の側壁の前記絶縁性保護膜および前記第２の導電性膜で覆われた部分にサイドウォールを形成し、
前記ゲート電極と前記サイドウォールをマスクとして、前記半導体膜に高濃度の不純物を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板に半導体膜を形成し、
前記半導体膜の上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜の上に第１の導電性膜を形成し、
前記第１の導電性膜を加工してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体膜に低濃度の不純物を添加し、
前記ゲート絶縁膜および前記ゲート電極の上から基板全面を覆うように絶縁性保護膜を形成し、
前記絶縁性保護膜の上に基板全面を覆うように第２の導電性膜を形成し、
前記第２の導電性膜の上にサイドウォール形成用の絶縁性膜もしくは第３の導電性膜を形成し、エッチングにより前記ゲート電極の側壁の前記絶縁性保護膜および前記第２の導電性膜で覆われた部分にサイドウォールを形成し、
前記ゲート電極と前記サイドウォールをマスクとして、前記半導体膜に高濃度の不純物を添加し、
前記サイドウォールを除去し、前記第２の導電性膜を除去することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記エッチングはプラズマエッチングであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板に半導体膜を形成し、
前記半導体膜の上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜の上に第１の導電性膜を基板全面を覆うようにを形成し、
前記第１の導電性膜の上に第２の導電性膜を形成し、前記第２の導電性膜を加工してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体膜に低濃度の不純物を添加し、
前記第１の導電性膜および前記ゲート電極の上にサイドウォール形成用の絶縁性膜もしくは第３の導電性膜を形成し、第１のエッチングにより前記ゲート電極の側壁にサイドウォールを形成し、
前記ゲート電極と前記サイドウォールをマスクとして、前記半導体膜に高濃度の不純物を添加し、
前記サイドウォールを除去し、前記ゲート電極をマスクとして前記第１の導電性膜に第２のエッチングを施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板に半導体膜を形成し、
前記半導体膜の上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜の上に第１の導電性膜を基板全面を覆うように形成し、
前記第１の導電性膜の上に第２の導電性膜を形成し、前記第２の導電性膜を加工してゲート電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体膜に低濃度の不純物を添加し、
前記第１の導電性膜および前記ゲート電極の上にサイドウォール形成用の絶縁性膜もしくは第３の導電性膜を形成し、第１のエッチングにより前記ゲート電極の側壁にサイドウォールを形成し、
前記ゲート電極と前記サイドウォールをマスクとして、前記半導体膜に高濃度の不純物を添加し、
前記ゲート電極および前記サイドウォールをマスクとして前記第１の導電性膜に第２のエッチングを施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記第１のエッチングはプラズマエッチングであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月14日(2005.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上にケイ素を含む非晶質半導体膜を形成し、
前記ケイ素を含む非晶質半導体膜に結晶化を助長する触媒元素を添加し、
前記ケイ素を含む非晶質半導体膜を結晶化してケイ素を含む結晶質半導体膜を形成し、
前記ケイ素を含む結晶質半導体膜に捕獲元素を選択的に添加し、
第１の熱処理により前記捕獲元素を添加した領域に結晶化を助長する触媒元素をゲッタリングさせ、
前記第１の熱処理に続いて前記第１の熱処理よりも高い温度にて第２の熱処理を行い、前記捕獲元素を添加した領域に結晶化を助長する触媒元素をゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上にケイ素を含む非晶質半導体膜を形成し、
前記ケイ素を含む非晶質半導体膜に結晶化を助長する触媒元素を添加し、
前記ケイ素を含む非晶質半導体膜を結晶化してケイ素を含む結晶質半導体膜を形成し、
前記ケイ素を含む結晶質半導体膜に捕獲元素を選択的に添加し、
前記結晶化を助長する触媒元素のケイ化物の酸化速度がケイ素の酸化速度以下である温度にて第１の熱処理を行い、前記捕獲元素を添加した領域に結晶化を助長する触媒元素をゲッタリングさせ、
前記第１の熱処理に続いて前記第１の熱処理よりも高い温度にて第２の熱処理を行い、前記捕獲元素を含む領域に結晶化を助長する触媒元素をゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記結晶化を助長する触媒元素は、鉄、ニッケル、コバルト、パラジウム、白金、銅、金から選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２において、前記捕獲元素は、リン、ヒ素、アンチモン、ビスマスから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１または請求項２において、前記第１の熱処理は、５５０〜６３０℃の温度で行われ、前記第２の熱処理は、６４０〜９５０℃の温度で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１または請求項２において、前記第１の熱処理および前記第２の熱処理は、不活性ガス雰囲気で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１または請求項２において、前記第１の熱処理および前記第２の熱処理は、減圧雰囲気或いは大気圧雰囲気で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１または請求項２において、前記第１の熱処理は、ファーネスアニール炉を用いて１〜３時間行われ、前記第２の熱処理はファーネスアニール炉を用いて１〜５時間行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１または請求項２において、前記第１の熱処理は、ＲＴＡ装置を用いて１〜２０分間行われ、前記第２の熱処理はＲＴＡ装置を用いて０．５〜５分間行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月16日(2005.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板に半導体膜を形成し、前記半導体膜の上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜の上に導電性膜を形成し、前記導電性膜の上に第１のハードマスクを形成し、前記第１のハードマスクをマスクとして高濃度の不純物を前記半導体膜に添加し、前記高濃度の不純物添加後に前記第１のハードマスクをエッチングにより後退させ第２のハードマスクを形成し、前記第２のハードマスクをマスクとして低濃度の不純物を前記半導体膜に添加し、前記低濃度の不純物添加後に前記第２のハードマスクをマスクとして前記導電性膜を加工しゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板に半導体膜を形成し、前記半導体膜の上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜の上に導電性膜を形成し、前記導電性膜の上に第１のハードマスクを形成し、前記第１のハードマスクをマスクとして高濃度の不純物を前記半導体膜に添加し、前記高濃度の不純物添加後に前記第１のハードマスクをエッチングにより後退させ第２のハードマスクを形成し、前記第２のハードマスクをマスクとして前記導電性膜を加工しゲート電極を形成し、前記ゲート電極を形成後に前記第２のハードマスクをマスクとして低濃度の不純物を前記半導体膜に添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記エッチングはプラズマエッチングであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において
前記ハードマスクは導電性もしくは絶縁性の材料を用いて形成されたことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において
前記ハードマスクの側壁は、０度より大きくかつ９０度以下の傾斜角もしくは円弧状であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記ゲート電極は窒化タンタルもしくはタングステンを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板と、前記基板の上に形成された半導体膜と、前記半導体膜の上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の上に形成されたハードマスクと、前記ハードマスクの上に形成された層間絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
絶縁表面を有する基板と、前記基板の上に形成された半導体膜と、前記半導体膜の上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の上に形成されたハードマスクと、前記ハードマスクの上に形成された層間絶縁膜と、前記ゲート電極に信号を送るための配線又は前記配線とゲート電極を接続する為の接続層となる導電性膜とを有し、
前記配線又は前記導電性膜が前記ゲート電極と接するように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８において
前記ハードマスクは導電性もしくは絶縁性の材料を用いて形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一項において
前記ハードマスクの側壁は、０度より大きくかつ９０度以下の傾斜角もしくは円弧状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項７乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記ゲート電極は窒化タンタルもしくはタングステンを有することを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月10日(2005.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１個のセルアレイブロックを構成するように半導体基板上に形成された複数の磁気抵抗素子を含むメモリセルを含み、
ワード線と、
前記ワード線により少なくとも読み出し時に同時に選択される複数の前記メモリセルと、
前記選択された複数のメモリセルの一端に夫々接続された複数の電源線と、
前記メモリセルの他端に夫々接続され前記電源線と夫々平行に配置された複数のビット線とを具備し、
前記ワード線は、複数の前記ビット線及び複数の前記電源線にほぼ直角に配置されたことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記メモリセルは夫々、
１個の磁気抵抗素子とこの磁気抵抗素子に直列接続された１個の選択素子とを含んで構成され、前記ワード線は書き込み用ワード線と読み出し用ワード線とを含み、
前記セルアレイブロックは、
複数の磁気抵抗素子と、
複数の前記磁気抵抗素子に夫々直列接続された複数の選択素子と、
前記書き込み用ワード線と、
前記読み出し用ワード線と、
複数のビット線と、
複数の電源線とを有し、
複数の前記磁気抵抗素子は前記読み出し用ワード線により同時に選択され、夫々の一端は前記ビット線に接続され他端は前記選択素子の一端に接続され、複数の前記選択素子の夫々は前記読み出し用ワード線により同時に選択され、複数の前記電源線は複数の前記選択素子の他端に夫々接続されることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
複数の前記電源線の夫々は、複数の前記選択素子のうち互いに隣接する２個の選択素子に共通に接続されていること、を特徴とする請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
更に、複数の前記電源線に共通接続される共通電源線が配置され、前記共通電源線は前記セルアレイブロックに対応して設けられていること、を特徴とする請求項３に記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
前記ビット線に沿って隣接して配置されたＮＭＯＳトランジスタを含む第１、第２のメモリセルを含み、
前記第１のメモリセルに含まれる第１のＮＭＯＳトランジスタは前記読み出し用ワード線として用いられる第１のゲート電極を有し、前記第１のＮＭＯＳトランジスタと直列接続される第１の磁気抵抗素子および前記書込み用ワード線は前記第１のゲート電極の上方に配置され、前記第１のＮＭＯＳトランジスタのドレイン領域を前記第１の磁気抵抗素子に接続するための第１のコンタクトが、前記ビット線に沿って形成された前記第２のメモリセルとの間に形成されたスペース内に配置され、前記スペース内には前記第２のメモリセルに含まれる第２のＮＭＯＳトランジスタのドレイン領域を第２の磁気抵抗素子に接続するための第２のコンタクトが更に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月1日(2005.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反応管と、
前記反応管の温度を検出する第１の温度検出手段と、
前記ヒータの温度を検出する第２の温度検出手段と、
前記第１の温度検出手段の検出情報と前記第２の温度検出手段の検出情報とに基づいて前記反応管の温度制御を行うパターンと、前記第２の温度検出手段の検出情報を用いずに前記第１の温度検出手段の検出情報に基づいて前記反応管の温度制御を行うパターンとを切替えて温度制御を行う制御手段とを備え、
前記ヒータの温度降下時には、前記第２の温度検出手段の検出情報を用いずに前記第１の温度検出手段の検出情報に基づいて前記反応管の温度制御を行うパターンにて温度制御を行うことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記ヒータの温度降下時に、該ヒータの表面部分に冷却媒体を流通させて冷却効率を向上させる冷却手段を備える請求項１に記載の半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月9日(2004.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電源系統を有し、この第１の電源系統からの第１の電源電圧を供給するための第１の電源端子および第１のグランド端子のうち、少なくとも一方が独立して設けられた第１の回路ブロックと、
前記第１の電源系統とは異なる第２の電源系統を有し、この第２の電源系統からの第２の電源電圧を供給するための第２の電源端子および第２のグランド端子のうち、少なくとも一方が独立して設けられた第２の回路ブロックと、
前記第１の回路ブロックの出力端子および前記第２の回路ブロックの入力端子間に設けられた、信号を伝搬するための伝搬回路と
を具備し、
少なくとも、前記第２の回路ブロックは同等の入力耐圧を有する複数の素子により構成し得る回路であり、
前記第１の回路ブロックは、前記第２の回路ブロックと同等か、もしくは、それよりも小さい入力耐圧を有する複数の素子により構成し得る回路であって、
前記伝搬回路を介して、前記信号が入力される前記第２の回路ブロックの前記入力端子につながる信号入力用の素子は、その入力耐圧が、前記第２の回路ブロックを構成する他の素子の入力耐圧よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記伝搬回路は、前記出力端子および前記入力端子間を短絡するための回路であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
第１の電源系統を有し、この第１の電源系統からの第１の電源電圧を供給するための第１の電源端子および第１のグランド端子のうち、少なくとも一方が独立して設けられた第１の回路ブロックと、
前記第１の電源系統とは異なる第２の電源系統を有し、この第２の電源系統からの第２の電源電圧を供給するための第２の電源端子および第２のグランド端子のうち、少なくとも一方が独立して設けられた第２の回路ブロックと、
前記第１の回路ブロックの出力端子および前記第２の回路ブロックの入力端子間に設けられた、信号を伝搬するための伝搬回路と
を具備し、
前記伝搬回路は、前記第１の回路ブロックの出力端子および前記第２の回路ブロックの入力端子間に接続される抵抗を有してなることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
第１の電源系統を有し、この第１の電源系統からの第１の電源電圧を供給するための第１の電源端子および第１のグランド端子のうち、少なくとも一方が独立して設けられた第１の回路ブロックと、
前記第１の電源系統とは異なる第２の電源系統を有し、この第２の電源系統からの第２の電源電圧を供給するための第２の電源端子および第２のグランド端子のうち、少なくとも一方が独立して設けられた第２の回路ブロックと、
前記第１の回路ブロックの出力端子および前記第２の回路ブロックの入力端子間に設けられた、信号を伝搬するための伝搬回路と
を具備し、
前記第１の回路ブロックおよび前記第２の回路ブロックは共に同等の入力耐圧を有する複数の素子により構成し得る回路であって、
前記第１の回路ブロックを構成する複数の素子のうち、高電圧が印加される少なくとも１つの素子は、その入力耐圧が、前記第１の回路ブロックを構成する他の素子の入力耐圧よりも大きいか、あるいは、前記第２の回路ブロックを構成する複数の素子のうち、高電圧が印加される少なくとも１つの素子は、その入力耐圧が、前記第２の回路ブロックを構成する他の素子の入力耐圧よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記伝搬回路は、前記第１の回路ブロックの、第１のＰＮ接合を構成する第１の半導体領域、および、前記第２の回路ブロックの、第２のＰＮ接合を構成する第２の半導体領域間を接続するための回路であることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月4日(2005.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子回路基板を内部に実装した密閉型の金属筐体と、該金属筐体の全体を覆いかつ吸気口および排気口を有するカバーと、該カバーと前記金属筐体との間に形成されかつ前記カバーの吸気口と排気口とを前記金属筐体の外表面を通って連絡する通風路と、前記カバーの排気口に設けられたファンとを備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
ファンの外側に設けられた鎧戸とを備えたことを特徴とする請求項１記載の電子機器。
【請求項３】
カバーは、
水滴の落下面となる面と対向する面に吸気口および排気口を設けたことを特徴とする請求項１記載の電子機器。
【請求項４】
吸気口及び排気口は、
互いに隣接して設けられていることを特徴とする請求項３記載の電子機器。
【請求項５】
ファンは、
防水型ファンであることを特徴とする請求項１から請求項４のうちのいずれか１項記載の電子機器。
【請求項６】
カバーを熱伝導率の低い材料で形成したことを特徴とする請求項１から請求項５のうちのいずれか１項記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る電子機器は、電子回路基板を内部に実装した密閉型の金属筐体と、該金属筐体の全体を覆いかつ吸気口および排気口を有するカバーと、該カバーと前記金属筐体との間に形成されかつ前記カバーの吸気口と排気口とを前記金属筐体の外表面を通って連絡する通風路と、前記カバーの吸気口に設けられたファンとを備えるように構成したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、電子回路基板を内部に実装した密閉型の金属筐体と、該金属筐体の全体を覆いかつ吸気口および排気口を有するカバーと、該カバーと前記金属筐体との間に形成されかつ前記カバーの吸気口と排気口とを前記金属筐体の外表面を通って連絡する通風路と、前記カバーの吸気口に設けられたファンとを備えるように構成したので、電子回路基板に対しては金属筐体およびカバーからなる二重構造の採用で屋外での使用に必要な防水性を確保しかつファンに対しては鎧戸の採用で水滴の浸入を防止することができると共に、ファンにより金属筐体を強制冷却して電子回路基板に対する十分な冷却性能を確保することができるという効果がある。また、金属筐体とカバーとからなる二重構造を備えるように構成したので、各構成部品に防水機能と冷却機能を併せ持たせることで簡単な構造で十分な防水性を確保した強制空冷構造を実現することができるという効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月17日(2005.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
押さえ金具１３は、両端部にボルト部１２Ａが挿通される被挿通部がそれぞれ形成され、中央部にマストに係合する階段状の係合凹部１３ｃが形成されている。そして、被挿通部を貫通して突出する雄ねじに蝶ナット１４が螺合されている。ケース本体１０１の背面側において、保持部１０１ａの、ケース上下方向の上部には中央部及び左右２つの被係合凸部１０１ｃが形成される。なお、マスト取付金具１１の保持状態では、被係合凸部１０１ｃの中央部分に押さえ金具１３の係合凹部１３ｃが係脱可能に係合し、左右の部分に係合凹部１３ｃの両側部分が接離可能に当接する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
マスト取付金具１１は、図５に詳細を示すように、ボルト部材１２、押さえ金具１３（押さえ金具）及び２つの蝶ナット１４（ナット部材）によって構成される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月12日(2005.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルス光を照射する熱処理工程を含み、
ガラス基板上に、前記パルス光の吸収が可能な光吸収層を島状に分離して形成し、前記ガラス基板と前記光吸収層との間に、半導体層と、該半導体層と重なる絶縁層とを形成し、
前記パルス光の照射により、前記光吸収層を選択的に加熱して、前記半導体層及び前記絶縁層の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
パルス光を照射する熱処理工程を含み、
前記パルス光の透過率が７０％以上のガラス基板上に、前記パルス光の透過率が７０％以下である光吸収層を島状に分離して形成し、前記ガラス基板と前記光吸収層との間に、半導体層と、該半導体層と重なる絶縁層とを形成し、
前記パルス光の照射により、前記光吸収層を選択的に加熱して、前記半導体層及び前記絶縁層の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面を有するガラス基板上に、一辺の長さが前記ガラス基板の厚さと同じ又はそれ以下であるように島状に形成された光吸収層と、前記ガラス基板と前記光吸収層との間に、半導体層と、該半導体層と重なる絶縁層とを形成し、
パルス光の照射により前記光吸収層を選択的に加熱して、前記半導体層及び前記絶縁層の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
パルス光源から放射されるパルス光の透過率が７０％以上であるガラス基板上に、一辺の長さが前記ガラス基板の厚さと同じ又はそれ以下であるように前記パルス光の透過率が７０％以下である光吸収層を島状に形成し、前記ガラス基板と前記光吸収層との間に、半導体層と、該半導体層と重なる絶縁層とを形成し、
前記パルス光の照射により、前記光吸収層を選択的に加熱して、前記半導体層及び前記絶縁層の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面を有するガラス基板上に、島状に分割した半導体層を形成し、前記半導体層上に絶縁層を介して、該半導体層の全面と重なり且つ端部が外側に位置する光吸収層を形成し、
パルス光を照射して、前記光吸収層を選択的に加熱して、前記半導体層及び前記絶縁層の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面を有するガラス基板上に、第１絶縁層を形成し、前記第１絶縁層上に島状に分割した半導体層を形成し、前記半導体層の上面及び側面を覆う第２絶縁層を形成し、前記第２絶縁層上に、前記半導体層の上面及び端面を覆い端部が該半導体層の外側に位置する光吸収層を形成し、
パルス光を照射して、前記光吸収層を選択的に加熱して、前記半導体層及び前記絶縁層の熱処理を行い、
前記光吸収層上に金属層を形成した後エッチング加工して、前記半導体層と重なるゲート電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
ガラス基板上に、島状に分割した半導体層を形成し、前記半導体層上に絶縁層を介して、該半導体層の全面と重なり且つ端部が外側に位置する光吸収層を形成し、
パルス光を複数回照射して、前記光吸収層を選択的に加熱して、前記半導体層及び前記絶縁層の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
パルス光源から放射されるパルス光の透過率が７０％以上であるガラス基板上に、島状に分割した半導体層を形成し、前記半導体層上に絶縁層を介して、該半導体層の全面と重なり且つ端部が外側に位置して前記パルス光の透過率が７０％以下である光吸収層を形成し、
前記パルス光の複数回の照射により、前記光吸収層を選択的に加熱して、前記半導体層及び前記絶縁層の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、前記光吸収層は金属窒化物で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、前記パルス光が、可干渉性の光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、前記パルス光が、パルス幅１０〜１００ナノ秒の可干渉性の光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至９のいずれか一項において、前記パルス光が、パルス幅１〜１００マイクロ秒の非可干渉性の光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、前記パルス光は、パルスレーザー発振器を光源とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至９及び請求項１２のいずれか一項において、前記パルス光は、キセノンフラッシュランプを光源とすることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
絶縁表面を有するガラス基板上に、一辺の長さが前記ガラス基板の厚さと同じ又はそれ以下であるようにパターン形成された光吸収層と、前記ガラス基板と前記光吸収層との間に、該光吸収層の内側に位置する被熱処理物を設け、
パルス光を照射して、前記光吸収層を選択的に加熱して、前記被熱処理物の熱処理を行うことを特徴とする熱処理方法。
【請求項１６】
パルス光源から放射されるパルス光の透過率が７０％以上であるガラス基板上に、一辺の長さが前記ガラス基板の厚さと同じ又はそれ以下であるようにパターン形成され前記パルス光の透過率が７０％以下である光吸収層と、前記ガラス基板と前記光吸収層との間に、該光吸収層の内側に位置する被熱処理物を設け、
前記パルス光の照射により、前記光吸収層が形成された領域を選択的に加熱して、前記被熱処理物の熱処理を行うことを特徴とする熱処理方法。
【請求項１７】
請求項１５又は１６において、前記光吸収層は金属窒化物で形成することを特徴とする熱処理方法。
【請求項１８】
請求項１５乃至１７のいずれか一項において、前記パルス光が、可干渉性の光であることを特徴とする熱処理方法。
【請求項１９】
請求項１５乃至１８のいずれか一項において、前記パルス光が、パルス幅１０〜１００ナノ秒の可干渉性の光であることを特徴とする熱処理方法。
【請求項２０】
請求項１５乃至１７のいずれか一項において、前記パルス光が、パルス幅１〜１００マイクロ秒の非可干渉性の光であることを特徴とする熱処理方法。
【請求項２１】
請求項１５乃至１９のいずれか一項において、前記パルス光は、パルスレーザー発振器を光源とすることを特徴とする熱処理方法。
【請求項２２】
請求項１５乃至１７及び請求項２０のいずれか一項において、前記パルス光は、キセノンフラッシュランプを光源とすることを特徴とする熱処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月15日(2005.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  加熱された基板の表面に、ガリウムと窒素と燐とを含む原料ガスをキャリアガスと共に供給し、所定の結晶成長温度及び所定の結晶成長速度でＧａＮＰ結晶を成長させるＧａＮＰ結晶の成長方法において、
前記ＧａＮＰを構成する原子であるガリウム原子と窒素原子と燐原子の三者を合わせた原子数総和に対する燐原子の原子数の割合を１０％以下に規制し、
且つ、前記所定の結晶成長温度及び前記所定の結晶成長速度を、結晶成長温度（℃）をＸ軸とし結晶成長速度（ｎｍ／分）をＹ軸とするＸ−Ｙ座標平面において、座標点Ａ（６４０、０．１）、座標点Ｂ（６４０、３）、座標点Ｃ（１０００、５０）及び座標点Ｄ（１０００、０．１）を頂点とする四辺形ＡＢＣＤ内に入るように規制する、
ことを特徴とするＧａＮＰ結晶の成長方法。
【請求項２】  前記キャリアガスが水素ガスまたは窒素ガスを含む、
ことを特徴とする請求項１に記載のＧａＮＰ結晶の成長方法。
【請求項３】  前記キャリアガスを窒素ガスのみからなるものとし、
各結晶成長温度に対する結晶成長速度を、前記四辺形ＡＢＣＤ内で規定された結晶成長速度の上限の１／５以下に規制する、
ことを特徴とする請求項１に記載のＧａＮＰ結晶の成長方法。
【請求項４】  前記基板の表面が、ＧａＮ結晶、ＡｌＧａＮ結晶、ＩｎＧａＮ結晶及びＡｌＩｎＧａＮ結晶からなる群より選択される結晶からなる表面層を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載のＧａＮＰ結晶の成長方法。
【請求項５】  第1導電型である第1の層を基板上に形成する工程と、
第1の層の上に発光層を形成する工程と、
前記発光層の上に、前記第1導電型と異なる第２導電型である第２の層を形成する工程と、
を備える結晶の成長方法であって、
前記発光層はＧａＮＰ結晶からなるＧａＮＰ層を含み、
前記ＧａＮＰ層を作製する際の結晶成長速度が２０ｎｍ／分以下に規制されている、
ことを特徴とするＧａＮＰ結晶の成長方法。
【請求項６】  基板上に形成された、ガリウム原子、窒素原子及び燐原子からなるＧａＮＰ結晶であって、
前記ＧａＮＰ結晶における前記燐原子の厚さ方向の濃度分布が均一であり、かつ、
前記ＧａＮＰ結晶における前記燐原子の面内方向の濃度分布が均一である、
ことを特徴とするＧａＮＰ結晶。
【請求項７】  基板上に形成された第１導電型である第１クラッド層と、
前記第１導電型と異なる第２導電型である第２クラッド層と、
前記第１クラッド層と前記第２クラッド層との間に形成された発光層と、
前記第１クラッド層に電気的に接続された第１電極と、
前記第２クラッド層に電気的に接続された第２電極とを含む半導体装置であって、
前記発光層がＧａＮＰ結晶からなるＧａＮＰ層を有し、かつ、
前記ＧａＮＰ層における燐原子の厚さ方向の濃度分布及び燐原子の面内方向の濃度分布が均一である、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】  前記ＧａＮＰ層における燐濃度が１０％以下である、
ことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】  前記発光層は、井戸層と障壁層からなり、井戸層が前記ＧａＮＰ層である、
ことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月6日(2004.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の実施の形態について、実施例とともに、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施態様に係る接合装置１を示しており、基材の表面に金属接合部２または３を有する被接合物４または５は、まず、真空ポンプ６により減圧され所定の真空度にされたチャンバ７内で、洗浄手段としてのプラズマ照射手段８から照射されたプラズマ９によって金属接合部２、３の表面がエッチングにより洗浄される（洗浄工程）。本実施態様では、ポンプ１０によりチャンバ７内にＡｒガスを供給できるようになっており、Ａｒガス雰囲気下でかつ所定の減圧下にてプラズマ照射できるようになっている。洗浄された被接合物４、５は、チャンバ７内から取り出され、接合工程（接合部１１）にて、金属接合部２、３同士が大気中で接合される。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
【表１】
2004119430.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【表２】
2004119430.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
表２、図４に示すように、プラズマ照射後１５分放置後に大気中で接合した場合でも、窒素中接合と同等の接合が可能であり、十分に良好な接合を大気中で行うことが可能であることを確認できた。また、表１、図５に示すように、プラズマ照射としては５秒程度以上行えば十分であることが確認できた。


【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2004119430.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
誘導放出を促すための光共振器と、利得媒質を共振器内に配置し、該媒質を励起する光源を具備するレーザ装置において、発光に寄与しないエネルギー移送を抑制する目的で発光始準位、所謂、レーザ上準位またはその近傍に直接励起を行い、前記利得媒質にＮｄイオンを添加したＹＶＯ4 又はＧｄＶＯ4 をレーザ材質とし、これを励起する波長として、中心波長８８０ｎｍ前後の光源で励起することを特徴とするレーザ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
従来のＮｄ:ＹＡＧレーザ装置のエネルギー準位図を図７に示すように、基底準位０ｃｍ-1 から波長８０８ｎｍの励起光源により準位１２３６５ｃｍ-1まで励起（ａ）された後、非輻射遷移（ｂ）を経て準位１１５０９ｃｍ-1 においてレーザ遷移し、夫々１.８μｍ，１.３４μｍ，１.０６４μｍ，９４６ｎｍのレーザ発振（ｃ）を行なっている。しかし、これでは励起エネルギーのうちの一部が、発光に寄与しない非輻射遷移（ｂ）に関与したエネルギーとして浪費されていため、１０６４ｎｍの発振に対して効率は７６％に制限されていた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の請求項７に係るレーザ装置は、誘導放出を促すための光共振器と、利得媒質を共振器内に配置し、該媒質を励起する光源を具備するレーザ装置において、発光に寄与しないエネルギー移送を抑制する目的で発光始準位、所謂、レーザ上準位またはその近傍に直接励起を行い、前記利得媒質にＮｄイオンを添加したＹＶＯ4 又はＧｄＶＯ4 をレーザ材質とし、これを励起する波長として、中心波長８８０ nｍ前後の光源で励起するように構成した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
これに対して、図３（Ｂ）の（ｂ）、（ｃ）は、本発明の上準位直接励起によるエネルギー準位図であり、（ｂ）はコールドバンド励起によるもので、励起波長８６９ｎｍの励起光で基底準位より１１５０９ｃｍ-1の上位準位（Ｒ２）まで直接励起するケースである。この場合は、非輻射遷移の領域が殆ど存在せず、非輻射遷移による熱の影響を回避することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
また、図３（Ｂ）の（ｃ）はホットバンド励起によるもので、基底準位群のうちでもＺ２，Ｚ３より励起波長８８４.４ｎｍの励起光で１１４２３.５ｃｍ-1の上位準位（Ｒ１）まで、励起波長８８５.７ｎｍの励起光で１１５０９ｃｍ-1 の上位準位（Ｒ２）まで夫々直接励起するものである。この結果、非輻射遷移の領域が殆ど存在せず、非輻射遷移による熱の影響を回避することができる。このように、（ｂ）、（ｃ）は、１０６４ｎｍの発振に対して効率は８１.６％と８３.２％まで改善できた。更に、９４６ｎｍの発振に対して効率は９４％にまで達することができた。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図４には、本発明の上準位直接励起型の固体レーザ装置の特性を、吸収又は励起パワーと出力との関係で、共振器間隔は５０ｍｍとし、平面の鏡Ｍ１と曲率０.２５の鏡Ｍ２の間に、２.４原子％Ｎｄ:ＹＡＧ（３ｍｍ長）を利得媒質（レーザ媒質）３として配置し、励起波長を８８５ｎｍ、レーザ発振波長を１０６４ｎｍとした時の発振特性として示している。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004119487.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2004119487.tif 000002
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2004119487.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月16日(2005.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  第１のＩＣと、２つの第２のＩＣが実装され、一端は該第１のＩＣに接続され、他端は２つに分岐されて該第２のＩＣと接続されるバス配線を有するプリント回路板において、該バス配線は分岐位置において２つに分岐され、分岐位置から該第２のＩＣに向かって線対称に引き出されており、該バス配線におけるすべての配線の配線長が等しい事を特徴とするプリント回路板。
【請求項２】  第１のＩＣと、少なくとも３個の第２のＩＣが実装され、一端は該第１のＩＣに接続され、他端は複数に分岐されて該第２のＩＣと接続されるバス配線を有するプリント回路板において、該バス配線は複数の分岐位置を有し、各分岐位置において２つに分岐され、接続される第２のＩＣに向かって各分岐位置から線対称に引き出されており、該バス配線におけるすべての配線の配線長が等しい事を特徴とするプリント回路板。
【請求項３】  前記プリント配線板は複数の配線層からなる多層プリント配線板からなっており、前記分岐位置に前記複数の配線層を接続する複数のビアを設け、該ビアにより前記分岐位置で複数に分岐されたバス配線のそれぞれは、該プリント配線板の異なる配線層で該第２のＩＣに向かって引き出されている事を特徴とする請求項１または２に記載のプリント回路板。
【請求項４】  前記第２のＩＣはすべて、前記第１のＩＣが実装されているプリント配線板表面と同じ表面には実装されており、前記分岐位置で分岐されたバス配線のうち、前記第１のＩＣが実装されているプリント配線板表面と異なる配線層に配線されているバス配線は、再度複数のビアにより前記第１のＩＣが実装されているプリント配線板表面と同じ表面に引き出されて、前記第２のＩＣと接続する事を特徴とする請求項３に記載のプリント回路板。
【請求項５】  前記分岐位置に設けられた複数のビアは、千鳥状に配置されている事を特徴とする請求項３に記載のプリント回路板。
【請求項６】  前記プリント配線板は、プリント配線板の表裏面を配線層とする２層のプリント配線板であり、前記複数のビアにより分岐され前記プリント配線板の表裏面に配線されたバス配線に、お互いが対向するようにダンピング抵抗を配置する事を特徴とする請求項３に記載のプリント回路板。
【請求項７】  前記第２のＩＣは、前記プリント配線板の表裏面に対向して配置されており、前記各バス配線は前記第２のＩＣの直前において前記プリント配線板の表裏面を接続する複数のビアにより分岐され、各対向して配置された第２のＩＣと接続する事を特徴とする請求項３に記載のプリント回路板。
【請求項８】  前記第２のＩＣにおける、前記バス配線と接続される端子は、すべて同一直線状に配置されている事を特徴とする請求項１または２に記載のプリント回路板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また本発明においては、前記第２のＩＣは、前記プリント配線板の表裏面に対向して配置されており、前記各バス配線は前記第２のＩＣの直前において前記プリント配線板の表裏面を接続する複数のビアにより分岐され、各対向して配置された第２のＩＣと接続するプリント回路板を提供している。
また本発明においては、前記第２のＩＣにおける、前記バス配線と接続される端子は、すべて同一直線状に配置されているプリント回路板を提供している。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月27日(2004.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤボンディング用ワイヤの先端との間に高電圧を印加して前記ワイヤとの間に放電を生じさせるワイヤボンディング装置用放電電極であって、
導電性の電極芯材を備え、
前記電極芯材の表面に形成されたポーラス構造の絶縁膜について前記ポーラス構造を封孔処理してなる絶縁層で前記電極芯材が覆われ、前記ワイヤの先端に対向する放電部位の部分においては前記電極芯材が露出する露出面を有することを特徴とするワイヤボンディング装置用放電電極。
【請求項２】
請求項１に記載のワイヤボンディング装置用放電電極において、
前記ポーラス構造の絶縁膜は、陽極酸化法またはプラズマ溶射法で形成されたポーラスなアルミナ膜であることを特徴とするワイヤボンディング装置用放電電極。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載のワイヤボンディング装置用放電電極において、
前記封孔処理してなる絶縁層は、前記ポーラス構造の絶縁膜の上に、レーザＰＶＤ法により、無機系材料膜を堆積させてなる絶縁層であることを特徴とするワイヤボンディング装置用放電電極。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載のワイヤボンディング装置用放電電極において、
前記封孔処理してなる絶縁層は、前記ポーラス構造の絶縁膜に樹脂を含浸させてなる絶縁層であることを特徴とするワイヤボンディング装置用放電電極。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、前記ポーラス構造の絶縁膜は、陽極酸化法またはプラズマ溶射法で形成されたポーラスなアルミナ膜であることが好ましい。また、前記封孔処理してなる絶縁層は、前記ポーラス構造の絶縁膜の上に、レーザＰＶＤ法により、無機系材料膜を堆積させてなる絶縁層であることが好ましい。上記構成により、ポーラス構造の絶縁膜を無機系材料膜で封孔する。したがって、放電時に高熱を生ずる放電電極にポーラス構造の絶縁膜を用いることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、前記封孔処理してなる絶縁層は、前記ポーラス構造の絶縁膜に樹脂を含浸させてなる絶縁層であることが好ましい。上記構成により、ポーラス構造のアルミナ膜を樹脂で封孔する。ポーラス構造を埋める樹脂は、アウトガスの少ない材料を選ぶことが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月3日(2004.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体ウエハの上部に膜を形成する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハを前記半導体ウエハのほぼ中心に位置する第１軸を中心に回転させながら、前記膜上に洗浄液を噴射し、ブラシを用いて前記膜を洗浄する工程と、
を有する半導体装置の製造方法であって、
（ｃ）前記（ｂ）工程は、前記第１軸を中心に回転するとともに前記第１軸と同じ軸方向で第１距離にある第２軸を中心に前記半導体ウエハを回転させ、前記ブラシを前記半導体ウエハ上から前記半導体ウエハの外周部に移動させながら行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
（ａ）半導体ウエハの上部に膜を形成する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハを前記半導体ウエハのほぼ中心に位置する第１軸を中心に回転させながら、前記膜上に洗浄液を噴射し、ブラシを用いて前記膜を洗浄する工程と、
を有する半導体装置の製造方法であって、
（ｃ）前記（ｂ）工程は、前記ブラシのほぼ中心に位置する第２軸から一定の距離離間した第３軸を中心に前記ブラシを回転させ、前記ブラシを前記半導体ウエハ上から前記半導体ウエハの外周部に移動させながら行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
（ａ）半導体ウエハの上部に膜を形成する工程と、
（ｂ）前記半導体ウエハを前記半導体ウエハのほぼ中心に位置する第１軸を中心に回転させながら、前記膜上に洗浄液を噴射し、第１および第２のブラシを用いて前記膜を洗浄する工程と、
を有する半導体装置の製造方法であって、
（ｃ）前記（ｂ）工程は、前記第１および第２のブラシのほぼ中心に位置する第２軸および第３軸を結ぶ直線のほぼ中央部に位置する第４軸を中心に回転させ、前記第１および第２のブラシを前記半導体ウエハ上から前記半導体ウエハの外周部に移動させながら行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記（ｂ）工程は、前記ブラシと前記膜との間に前記洗浄液が存在する状態で行われることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記膜は、疎水性の膜であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月29日(2005.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  マニフォールドの取付面に少なくとも１つのダイ集成体を取り付け、前記マニフォールドから前記少なくとも１つのダイ集成体に流体を供給し、前記少なくとも１つのダイ集成体から基体上に細長くファイバ状にした流体を適用する装置において、前記少なくとも１つのダイ集成体が、
第１のダイ集成体、すなわち、前記第１のダイ集成体の右側と左側の一方から前記第１のダイ集成体の第１の中央部にかけて、前記第１のダイ集成体の第１の流体供給面の第１の部分に複数の第１の流体供給オリフィスを配設し、前記ダイ集成体において第１の中央部から前記左側と右側の他方への残りの部分には流体供給オリフィスが配設されていない第１のダイ集成体と、
第２のダイ集成体、すなわち、前記第２のダイ集成体の右側と左側から内側に第２の流体供給面の右外側部と左外側部に第２の複数の流体供給オリフィスを配設し、前記右外側部と左外側部の間の部分には流体供給オリフィスが配設されていない第２のダイ集成体と、
第３のダイ集成体、すなわち、第３の流体供給面の第３の中央部に配設された第３の複数の流体供給オリフィスを有し、前記第３の中央部が前記第３のダイ集成体の右側および左側から離間しており、前記第３のダイ集成体の右外側部と左外側部には流体供給オリフィスが配設されていない第３のダイ集成体とを含む群から選択され、
前記第１と第２と第３のダイ集成体が、前記基体において流体供給オリフィスを有するダイ集成体の対応する部分に流体を適用し、
前記第１と第２と第３のダイ集成体が、前記基体において前記ダイ集成体の流体が配設さていない部分に対向する部分には流体を適用しないようにした流体適用装置。
【請求項２】  前記第１のダイ集成体において前記第１の複数の流体供給オリフィスが配設された前記第１の部分が約１．６ｍｍ（１／１６inch）の最小幅を有し、残りのオリフィスが配設されていない部分が１．６ｍｍ（１／１６inch）の最小幅を有する請求項１に記載の装置。
【請求項３】  前記第２のダイ集成体において、前記第２の複数の流体供給オリフィスが配設された前記右外側部と左外側部の各々が約１．６ｍｍ（１／１６inch）の最小幅を有し、残りのオリフィスが配設されていない中央部が３．２ｍｍ（１／８inch）の最小幅を有する請求項１に記載の装置。
【請求項４】  前記第３のダイ集成体において、前記第３の複数の流体供給オリフィスが配設された前記第３の中央部が約３．２ｍｍ（１／８inch）の最小幅を有し、残りのオリフィスが配設されていない右外側部と左外側部が１．６ｍｍ（１／１６inch）の最小幅を有する請求項１に記載の装置。
【請求項５】  前記マニフォールドが少なくとも２つのダイ集成体に流体を供給し、前記少なくとも２つのダイ集成体の各々が、前記第１と第２と第３のダイ集成体を不可欠な要素として含む群から選択される請求項１に記載の装置。
【請求項６】  前記複数のダイ集成体が、前記マニフォールドの共通の取付面に取り付けられる請求項５に記載の装置。
【請求項７】  前記複数のダイ集成体は、前記複数のダイ集成体の流体供給オリフィスが単一の直線状に配列されたアレーとならないように、配設される請求項６に記載の装置。
【請求項８】  前記第１と第２と第３のダイ集成体の流体供給オリフィスの両側部に空気供給オリフィスが配設され、
少なくとも１つのダイ集成体が、その流体供給オリフィスが配設されていない部分に空気供給オリフィスを有している請求項１に記載の装置。
【請求項９】  前記第１と第２と第３のダイ集成体の複数の流体供給オリフィスの各々の両側部に空気供給オリフィスが配設されており、
前記少なくとも１つのダイ集成体の空気供給オリフィスは、前記流体供給オリフィスから供給される流体の揺動の振幅が、前記基体上において流体が適用された領域と適用されていない領域の間の境界を画定する最も端にある流体供給オリフィスの方へ次第に小さくなるように、前記流体供給オリフィスに対して設けられており、前記最も端にある流体供給オリフィスからの流体の揺動の振幅が最も小さくなるようになっている請求項１に記載の装置。
【請求項１０】  前記少なくとも１つのダイ集成体の空気供給オリフィスは、異なるサイズの流体供給オリフィスからの流体の揺動の振幅が次第に小さくなるように、流体供給オリフィスに対して設けられており、前記流体供給オリフィスのサイズが流体の揺動振幅と共に小さくなる請求項９に記載の装置。
【請求項１１】  前記第１と第２と第３のダイ集成体が、基体にホットメルト接着剤を適用するために使用できる、複数の積層部材から成るメルトブローイングダイ集成体である請求項１に記載の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】