【手続補正書】
【提出日】令和3年1月25日(2021.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超伝導集積回路を製造するための方法であって、前記方法が、
基板上に第１の超伝導金属層を堆積させることであって、前記第１の超伝導金属層が、それぞれの温度範囲内で超伝導性である、堆積させることと、
前記第１の超伝導金属層をパターニングして第１の配線層を形成することであって、前記第１の配線層が、１つ以上の超伝導トレースの第１の組を含む、形成することと、
前記第１の配線層の少なくとも一部分の上に重なるように第２の超伝導金属層を堆積させることであって、前記第２の超伝導金属層が、それぞれの温度範囲内で超伝導性である、堆積させることと、
前記第２の超伝導金属層をパターニングして前記第２の超伝導金属層内に第１の複数の超伝導スタッドビアを形成することであって、前記第１の複数の超伝導スタッドビアの各超伝導スタッドビアが、前記１つ以上の超伝導トレースの第１の組内の前記トレースのうちの少なくとも１つに電気的に結合される、形成することと、
前記複数の超伝導スタッドビアのうちの少なくとも１つの上に重なるように力学インダクタンス層を堆積させることであって、前記力学インダクタンス層が、それぞれの温度範囲内で超伝導性である材料を含み、前記材料が、前記力学インダクタンス層内に貯蔵されたエネルギーのより大きな割合を磁気インダクタンスよりも力学インダクタンスとして貯蔵させる、堆積させることと、を含む、方法。
【請求項２】
基板上に第１の超伝導金属層を堆積させることが、ケイ素を含む基板上に第１の超伝導金属層を堆積させることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
第１の超伝導金属層を堆積させることが、ニオブ及びアルミニウムのうちの少なくとも１つを含む第１の超伝導金属層を堆積させることを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
第１の超伝導金属層を堆積させることが、ニオブからなる第１の超伝導金属層を堆積させることを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
第２の超伝導金属層を堆積させることが、アルミニウム及びニオブのうちの少なくとも１つを含む第２の超伝導金属層を堆積させることを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項６】
力学インダクタンス層を堆積させることが、窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化ニオブ（ＮｂＮ）、窒化ニオブチタン（ＮｂＴｉＮ）、窒化モリブデン（ＭｏＮ）、及びタングステンシリサイド（ＷＳｉ）のうちの少なくとも１つを含む力学インダクタンス層を堆積させることを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項７】
窒化チタン（ＴｉＮ）、窒化ニオブ（ＮｂＮ）、窒化ニオブチタン（ＮｂＴｉＮ）、窒化モリブデン（ＭｏＮ）、及びタングステンシリサイド（ＷＳｉ）のうちの少なくとも１つを含む力学インダクタンス層を堆積させることが、２５ｎｍ〜１００ｎｍの範囲の厚さを有する力学インダクタンス層を堆積させることを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
力学インダクタンス層を堆積させることが、窒化チタン（ＴｉＮ）からなる力学インダクタンス層を堆積させることを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項９】
前記複数の超伝導スタッドビアのうちの少なくとも１つの超伝導スタッドビアの上に重なるように力学インダクタンス層を堆積させることが、前記複数の超伝導ビアのうちの少なくとも２つの上に重なるように力学インダクタンス層を堆積させることを含み、前記方法が、前記力学インダクタンス層をパターニングして２つの電極を備える力学インダクタを形成することであって、各電極が、前記第１の複数の超伝導スタッドビアの各超伝導スタッドビアによって形成され、各電極が、前記１つ以上の超伝導トレースの第１の組内の前記トレースのうちの少なくとも１つに電気的に結合される、形成することを更に含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項１０】
前記力学インダクタの少なくとも一部分の上に重なるように第１の保護層を堆積させることを更に含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
第１の保護層を堆積させることが、窒化ケイ素（ＳｉＮ）を含む第１の保護層を堆積させることを含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の保護層の少なくとも一部分の上に重なるように第３の超伝導金属層を堆積させることであって、前記第３の超伝導金属層が、それぞれの温度範囲内で超伝導性である、堆積させることと、
前記第３の超伝導金属層をパターニングして第２の配線層を形成することであって、前記第２の配線層が、１つ以上の超伝導トレースの第２の組を含む、形成することと、を更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
第３の超伝導金属層を堆積させることが、ニオブを含む第３の超伝導金属層を堆積させることを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第３の超伝導金属層をパターニングすることが、前記第３の超伝導金属層をパターニングして、前記１つ以上の超伝導トレースの第２の組内の前記トレースのうちの少なくとも１つを、前記第１の複数のスタッドビアの各超伝導スタッドビアによって、前記１つ以上の超伝導トレースの第１の組内の前記トレースのうちの少なくとも１つに電気的に結合することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記第３の超伝導金属層をパターニングすることが、前記第３の超伝導金属層をパターニングしてコンデンサを形成することを含み、前記コンデンサが、
前記第１の複数の超伝導スタッドビアのうちの超伝導スタッドビアにより形成された第１の電極と、
前記１つ以上の超伝導トレースの第２の組内の前記トレースのうちの１つの少なくとも一部分によって形成された第２の電極と、を備え、前記第１及び前記第２の電極が、前記第１の保護層の少なくとも一部分によって、かつ前記力学インダクタンス層の少なくとも一部分によって分離されている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記第２の配線層の少なくとも一部分の上に重なるように第４の超伝導金属層を堆積させることであって、前記第４の超伝導金属層が、それぞれの温度範囲内で超伝導性である、堆積させることと、
前記第４の超伝導金属層をパターニングして第２の複数の超伝導スタッドビアを形成することであって、前記第２の複数の超伝導スタッドビアの各超伝導スタッドビアが、前記１つ以上の超伝導トレースの第２の組内の前記トレースのうちの少なくとも１つに電気的に結合される、形成することと、を更に含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
中間層を伴うか又は伴わないかのいずれかで、前記第４の超伝導金属層の少なくとも一部分の上に重なるように第２の保護層を堆積させることと、
前記第２の保護層の少なくとも一部分の上に重なるように第５の超伝導金属層を堆積させることであって、前記第５の超伝導金属層が、それぞれの温度範囲内で超伝導性である、堆積させることと、
前記第５の超伝導金属層をパターニングして第３の配線層を形成することであって、前記第３の配線層が、１つ以上の超伝導トレースの第３の組を含む、形成することと、を更に含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
第５の超伝導金属層を堆積させることが、ニオブ及びアルミニウムのうちの少なくとも１つを含む第５の超伝導金属層を堆積させることを含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第５の超伝導金属層をパターニングすることが、前記第５の超伝導金属層をパターニングして、前記１つ以上の超伝導トレースの第３の組内の前記トレースのうちの少なくとも１つを、前記第２の複数のスタッドビアの各超伝導スタッドビアによって、前記１つ以上の超伝導トレースの第２の組内の前記トレースのうちの少なくとも１つに電気的に結合することを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記第５の超伝導金属層をパターニングすることが、前記第５の超伝導金属層をパターニングしてコンデンサを形成することを含み、前記コンデンサが、
前記１つ以上の超伝導トレースの第３の組内の前記トレースのうちの１つの少なくとも一部分によって形成された第１の電極と、
前記第２の複数の超伝導ビアのうちの超伝導スタッドビアによって形成された第２の電極と、を備え、前記第１及び前記第２の電極が、前記第２の保護層の少なくとも一部分によって分離されている、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
超伝導集積回路であって、
基板に重なった１つ以上の超伝導トレースの第１の組を含む第１の配線層であって、前記第１の配線層が、それぞれの温度範囲内で超伝導性である、第１の配線層と、
第１の複数の超伝導スタッドビアであって、前記超伝導スタッドビアが、それぞれの温度範囲内で超伝導性であり、前記第１の複数の超伝導スタッドビアの各超伝導スタッドビアが、前記１つ以上の超伝導トレースの第１の組内の１つ以上の超伝導トレースに電気的に結合されている、第１の複数の超伝導スタッドビアと、
前記複数の超伝導スタッドビアのうちの少なくとも１つの上に重なった力学インダクタンス層であって、前記力学インダクタンス層が、それぞれの温度範囲内で超伝導性である材料を含み、前記材料が、前記力学インダクタンス層内に貯蔵されたエネルギーのより大きな割合を磁気インダクタンスよりも力学インダクタンスとして貯蔵させる、力学インダクタンス層と、を備える、超伝導集積回路。
【請求項２２】
前記力学インダクタンス層が、窒化チタン（ＴｉＮ）を含む、請求項２１に記載の超伝導集積回路。
【請求項２３】
前記力学インダクタンス層が、前記複数の超伝導スタッドビアのうちの少なくとも２つの上に重なり、前記超伝導集積回路が、力学インダクタを形成するために、前記力学インダクタンス層の少なくとも一部分の上に重なった保護層を更に備え、前記力学インダクタが、少なくとも２つの電極を備え、各電極が、前記第１の複数の超伝導スタッドビアの各超伝導スタッドビアによって、前記１つ以上の超伝導トレースの第１の組内の前記トレースのうちの少なくとも１つに電気的に結合されている、請求項２１に記載の超伝導集積回路。
【請求項２４】
前記保護層が、窒化ケイ素（ＳｉＮ）を含む、請求項２３に記載の超伝導集積回路。
【請求項２５】
第２の配線層を更に備え、前記第２の配線層が、１つ以上の超伝導トレースの第２の組を備え、前記第２の配線層の前記１つ以上の超伝導トレースが、それぞれの温度範囲内で超伝導性である、請求項２１に記載の超伝導集積回路。
【請求項２６】
前記１つ以上の超伝導トレースの第２の組内の前記超伝導トレースのうちの少なくとも１つが、前記第１の複数の超伝導スタッドビアの前記超伝導スタッドビアのうちの少なくとも１つによって、前記１つ以上の超伝導トレースの第１の組内の前記超伝導トレースのうちの少なくとも１つに電気的に結合されている、請求項２５に記載の超伝導集積回路。
【請求項２７】
コンデンサを更に備え、前記コンデンサが、
前記１つ以上の超伝導トレースの第１の組内の前記トレースのうちの１つの少なくとも一部分によって形成された第１の電極と、
前記１つ以上の超伝導トレースの第２の組内の前記トレースのうちの１つの少なくとも一部分によって形成された第２の電極と、を含み、前記第１及び前記第２の電極が、前記保護層の少なくとも一部分によって分離されている、請求項２５に記載の超伝導集積回路。
【請求項２８】
前記第２の配線層の少なくとも一部分の上に重なる第２の複数の超伝導スタッドビアを更に備え、前記第２の複数の超伝導スタッドビアの各超伝導スタッドビアが、前記１つ以上の超伝導トレースの第２の組内の前記トレースのうちの少なくとも１つに電気的に結合されている、請求項２５に記載の超伝導集積回路。
【請求項２９】
超伝導集積回路を製造するための方法であって、前記方法が、
基板上に第１の超伝導金属層を堆積させることであって、前記第１の超伝導金属層が、それぞれの温度範囲内で超伝導性である、堆積させることと、
前記第１の超伝導金属層をパターニングして配線層を形成することであって、前記配線層が、１組の１つ以上の超伝導トレースを含む、形成することと、
前記配線層の少なくとも一部分の上に重なるようにエッチングストップ層を堆積させることであって、前記エッチングストップ層が、それぞれの温度範囲内で超伝導性である、堆積させることと、
前記エッチングストップ層の少なくとも一部分の上に重なるように第２の超伝導金属層を堆積させることであって、前記第２の超伝導金属層が、それぞれの温度範囲内で超伝導性である、堆積させることと、
前記第２の超伝導金属層の少なくとも第１の部分の上に重なるようにハードマスクを堆積させることと、
前記第２の超伝導金属層の前記第１の部分及び前記第２の超伝導金属層の少なくとも第２の部分の上に重なるようにソフトマスクを堆積させることであって、前記第２の部分が、前記第１の部分とは異なり、前記ソフトマスクが、前記ハードマスクの上面及び少なくとも１つの側面を取り囲む、堆積させることと、
前記第２の超伝導金属層の少なくとも第３の部分をエッチングするエッチングすること、前記第３の部分が、前記第１の部分及び前記第２の部分とは異なり、第１及び第２の部分が、前記ソフトマスクによって保護されている、エッチングすることと、
前記第２の超伝導金属層から少なくとも１つの超伝導スタッドビアを形成することであって、前記超伝導スタッドビアが、前記１組の１つ以上の超伝導トレースのうちの少なくとも１つのトレースに電気的に結合される、形成することと、を含む、方法。