Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月24日(2004.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸着質と、吸着質を吸脱着する吸着材を備えた吸脱着部と、該吸脱着部に連結された吸着質の蒸発を行う蒸発部と、該吸脱着部に連結された吸着質の凝縮を行う凝縮部とを備えた吸着ヒートポンプにおいて、該吸着材が骨格構造にアルミニウムとリンとヘテロ原子とを含むゼオライトであることを特徴とする吸着ヒートポンプ。
【請求項２】
骨格構造にアルミニウムとリンとヘテロ原子とを含むゼオライトが、下記式（１）、（２）および（３）
０．００１≦ｘ≦０．３        ・・・（１）（式中、ｘは骨格構造のアルミニウムとリンとヘテロ原子との合計に対するヘテロ原子のモル比を示す）
０．３≦ｙ≦０．６        ・・・（２）（式中、ｙは骨格構造のアルミニウムとリンとヘテロ原子との合計に対するアルミニウムのモル比を示す）
０．３≦ｚ≦０．６        ・・・（３）（式中、ｚは骨格構造のアルミニウムとリンとヘテロ原子との合計に対するリンのモル比を示す）
で表される原子の存在割合を有するものである請求項１に記載の吸着ヒートポンプ。
【請求項３】
ヘテロ原子がケイ素である請求項１または２に記載の吸着ヒートポンプ。
【請求項４】
吸着質と、吸着質を吸脱着する吸着材を備えた吸脱着部と、該吸脱着部に連結された吸着質の蒸発を行う蒸発部と、該吸脱着部に連結された吸着質の凝縮を行う凝縮部とを備えた吸着ヒートポンプにおいて、該吸着材が、２５℃で測定した水蒸気吸着等温線において相対蒸気圧０．０５以上、０．３０以下の範囲で相対蒸気圧が０．１５変化したときに水の吸着量変化が０．１８ｇ／ｇ以上の相対蒸気圧域を有する吸着材である、吸着ヒートポンプ。
【請求項５】
該吸着材が、２５℃で測定した水蒸気吸着等温線において相対蒸気圧０．０５での吸着量が０．１５ｇ／ｇ以下である請求項４に記載の吸着ヒートポンプ。
【請求項６】
該吸着材がゼオライトであって、そのフレームワーク密度が１０．０Ｔ／１，０００Å3以上、１６．０Ｔ／１，０００Å3以下の範囲である請求項４または５に記載の吸着ヒートポンプ。
【請求項７】
該吸着材が骨格構造にアルミニウムとリンとヘテロ原子とを含むゼオライトであることを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の吸着ヒートポンプ。
【請求項８】
該ゼオライトが、下記式（１）、（２）および（３）
０．００１≦ｘ≦０．３        ・・・（１）（式中、ｘは骨格構造のアルミニウムとリンとヘテロ原子との合計に対するヘテロ原子のモル比を示す）
０．３≦ｙ≦０．６        ・・・（２）（式中、ｙは骨格構造のアルミニウムとリンとヘテロ原子との合計に対するアルミニウムのモル比を示す）
０．３≦ｚ≦０．６        ・・・（３）（式中、ｚは骨格構造のアルミニウムとリンとヘテロ原子との合計に対するリンのモル比を示す）
で表される原子の存在割合を有するものである請求項６又は７に記載の吸着ヒートポンプ。
【請求項９】
ヘテロ原子がケイ素である請求項７または８に記載の吸着ヒートポンプ。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の吸着ヒートポンプを車両室内の空調に使用することを特徴とする車両用空調装置。
【請求項１１】
吸着質と、吸着質を吸脱着する吸着材を備えた吸脱着部と、該吸脱着部に連結された吸着質の蒸発を行う蒸発部と、該吸脱着部に連結された吸着質の凝縮を行う凝縮部とを備えた吸着ヒートポンプにおいて、脱着側相対蒸気圧φ１における吸着量と、吸着側相対蒸気圧φ２における吸着量との差が０．１８ｇ／ｇ以上となる条件で運転することを特徴とする吸着ヒートポンプの運転方法
【請求項１２】
２５℃で測定した水蒸気吸着等温線において、相対蒸気圧０．０５以上、０．３０以下の範囲で相対蒸気圧が０．１５変化したときに水の吸着量変化が０．１８ｇ／ｇ以上の相対蒸気圧域を有する吸着材からなる吸着ヒートポンプ用吸着材。
【請求項１３】
２５℃で測定した水蒸気吸着等温線において相対蒸気圧０．０５での吸着量が０．１５ｇ／ｇ以下である請求項１２に記載の吸着ヒートポンプ用吸着材。
【請求項１４】
該吸着材がゼオライトであって、そのフレームワーク密度が１０．０Ｔ／１，０００Å3以上、１６．０Ｔ／１，０００Å3以下の範囲である請求項１２または１３に記載の吸着ヒートポンプ用吸着材。
【請求項１５】
骨格構造にアルミニウムとリンとヘテロ原子とを含むゼオライトであることを特徴とする請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の吸着ヒートポンプ用吸着材。
【請求項１６】
該ゼオライトが、下記式（１）、（２）および（３）
０．００１≦ｘ≦０．３        ・・・（１）（式中、ｘは骨格構造のアルミニウムとリンとヘテロ原子との合計に対するヘテロ原子のモル比を示す）
０．３≦ｙ≦０．６        ・・・（２）（式中、ｙは骨格構造のアルミニウムとリンとヘテロ原子との合計に対するアルミニウムのモル比を示す）
０．３≦ｚ≦０．６        ・・・（３）（式中、ｚは骨格構造のアルミニウムとリンとヘテロ原子との合計に対するリンのモル比を示す）
で表される原子の存在割合を有するものである請求項１４又は１５に記載の吸着ヒートポンプ用吸着材。
【請求項１７】
ヘテロ原子がケイ素である請求項１５または１６に記載の吸着ヒートポンプ用吸着材。
【請求項１８】
吸着材を加熱して吸着質を脱着させ、乾燥した吸着材を吸着質の吸着に使用する温度まで冷却して再度吸着質の吸着に使用する吸着材の使用方法において、該吸着材が骨格構造にアルミニウムとリンとヘテロ原子とを含むゼオライトであることを特徴とする吸着材の使用方法。
【請求項１９】
吸着材を加熱して吸着質を脱着させ、乾燥した吸着材を吸着質の吸着に使用する温度まで冷却して再度吸着質の吸着に使用する吸着材の使用方法において、該吸着材が、２５℃で測定した水蒸気吸着等温線において相対蒸気圧０．０５以上、０．３０以下の範囲で相対蒸気圧が０．１５変化したときに水の吸着量変化が０．１８ｇ／ｇ以上の相対蒸気圧域を有する吸着材であることを特徴とする吸着材の使用方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月11日(2004.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
冷凍サイクル内に気液分離器を有し、この気液分離器から圧縮機の圧縮中間部にインジェクションを行う、冷房および暖房運転可能な空気調和機において、
前記気液分離器は、縦長の円筒状の側壁部と、上壁部と、下壁部と、この側壁部内面と下壁部内面に接し気液分離器下部を第１空間部と第２空間部とに仕切る仕切板と、前記上壁部を貫通し前記第１空間部内にて前記下壁部に対向して開口する第１冷媒管と、前記上壁部を貫通し前記第２空間部内にて前記下壁部に対向して開口する第２冷媒管と、前記上壁部を貫通し上部にて前記下壁部に対向して開口する第３冷媒管とを備え、前記第１冷媒管の開口部から前記下壁内面までの距離と前記第２冷媒管の開口部から前記下壁内面までの距離を異なった距離に形成されている空気調和機。
【請求項２】
請求項１において、前記第１冷媒管の開口部から前記下壁内面までの距離と前記第２冷媒管の開口部から前記下壁内面までの距離は、冷房運転と暖房運転のうち冷媒封入量が少ない運転時における、前記気液分離器内の冷媒流下流に位置する前記第１冷媒管若しくは前記第２冷媒管の先端開口部から前記下壁部内面までの距離が大きくなるように決められた空気調和機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、冷凍サイクル内に気液分離器を有し、この気液分離器から圧縮機の圧縮中間部にインジェクションを行う、冷房および暖房運転可能な空気調和機において、前記気液分離器は、縦長の円筒状の側壁部と、上壁部と、下壁部と、この側壁部内面と下壁部内面に接し気液分離器下部を第１空間部と第２空間部とに仕切る仕切板と、前記上壁部を貫通し前記第１空間部内にて前記下壁部に対向して開口する第１冷媒管と、前記上壁部を貫通し前記第２空間部内にて前記下壁部に対向して開口する第２冷媒管と、前記上壁部を貫通し上部にて前記下壁部に対向して開口する第３冷媒管とを備え、前記第１冷媒管の開口部から前記下壁内面までの距離と前記第２冷媒管の開口部から前記下壁内面までの距離を異なった距離に形成することにより達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
特に、前記第１冷媒管の開口部から前記下壁内面までの距離と前記第２冷媒管の開口部から前記下壁内面までの距離は、冷房運転と暖房運転のうち冷媒封入量が少ない運転時における、前記気液分離器内の冷媒流下流に位置する前記第１冷媒管若しくは前記第２冷媒管の先端開口部から前記下壁部内面までの距離が大きくなるように決めることにより達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月29日(2004.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】置換換気システム，給気チャンバ及び置換換気方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空調空間内に低温空気を供給し，空調空間内で加熱されて上昇した加熱空気を排気することにより換気を行う置換換気システムであって，
低温空気に旋回成分を与えて空調空間内に吹き出すことを特徴とする，置換換気システム。
【請求項２】
低温空気の給気口に，低温空気に対して旋回成分を与えるフィンを設けたことを特徴とする，請求項１の置換換気システム。
【請求項３】
低温空気の給気口を複数並べて配置し，隣り合う給気口から吹き出される低温空気の旋回成分が互いに逆の回転方向となる関係にしたことを特徴とする，請求項１又は２の置換換気システム。
【請求項４】
空調空間内に低温空気を供給する給気チャンバであって，
前面に低温空気の給気口が設けられ，該給気口に，低温空気に対して旋回成分を与えるフィンを設けたことを特徴とする，給気チャンバ。
【請求項５】
前面を空調空間の側面下部に露出させた状態で，空調空間の側面の下部に設けられることを特徴とする，請求項4の給気チャンバ。
【請求項６】
前面に複数の給気口を縦横に並べて配置したことを特徴とする，請求項４または５の給気チャンバ。
【請求項７】
隣り合う給気口から吹き出される低温空気の旋回成分が互いに逆の回転方向となる関係にしたことを特徴とする，請求項６の給気チャンバ。
【請求項８】
空調空間内に低温空気を供給し，空調空間内で加熱されて上昇した加熱空気を排気することにより換気を行う置換換気方法であって，
低温空気に旋回成分を与えて空調空間内に吹き出すことを特徴とする，置換換気方法。
【請求項９】
空調空間内に複数の吸気口から低温空気を供給し，かつ，隣り合う給気口から吹き出される低温空気の旋回成分が互いに逆の回転方向となる関係にしたことを特徴とする，請求項８の置換換気方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，置換換気システム，給気チャンバ及び置換換気方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
したがって本発明の目的は，設備コストを増大させることなく，ドラフトによる不快感をより低減でき，しかも，居住域内の上下温度差を小さくできる手段を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また，低温空気の給気口を複数並べて配置する場合は，隣り合う給気口から吹き出される低温空気の旋回成分が互いに逆の回転方向となる関係にすると良い。そうすれば，隣り合う給気口から吹き出される低温空気の旋回運動がお互いに助長しあうこととなり，給気口から吹き出した低温空気量に誘引される空調空間内の空気の誘引量を更に増加させることができるようになる。
また本発明によれば，空調空間内に低温空気を供給する給気チャンバであって，
前面に低温空気の給気口が設けられ，該給気口に，低温空気に対して旋回成分を与えるフィンを設けたことを特徴とする，給気チャンバが提供される。
前面を空調空間の側面下部に露出させた状態で，空調空間の側面の下部背面側に設けられていても良い。また，前面に複数の給気口を縦横に並べて配置しても良い。また，隣り合う給気口から吹き出される低温空気の旋回成分が互いに逆の回転方向となる関係にしても良い。
また本発明によれば，空調空間内に低温空気を供給し，空調空間内で加熱されて上昇した加熱空気を排気することにより換気を行う置換換気方法であって，
低温空気に旋回成分を与えて空調空間内に吹き出すことを特徴とする，置換換気方法が提供される。
空調空間内に複数の吸気口から低温空気を供給し，かつ，隣り合う給気口から吹き出される低温空気の旋回成分が互いに逆の回転方向となる関係にしても良い。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月19日(2004.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の工程：
（１）生理的活性を有する薬剤、ポリエチレングリコールを含有する混合物を溶融造粒すること；
（２）該造粒して得た粒状物に、賦形剤を添加して、再び溶融造粒すること；
から得られる粒状製剤。
【請求項２】
次の工程：
（１）生理活性を有する薬剤、ポリエチレングリコールを含有する混合物を溶融造粒すること；
（２）上記工程（１）で得た粒状物に、賦形剤を添加して、再び溶融造粒すること；
（３）上記工程（２）で得た粒状物に、コ−ティング剤を添加して溶融コーティングすること；
から得られる粒状製剤。
【請求項３】
工程（１）の生理活性を有する薬剤が塩酸セトラキサートである請求項１または２に記載の粒状製剤の製法。
【請求項４】
工程（２）の賦形剤がデンプン又は乳糖である請求項１から３のいずれか１項に記載の粒状製剤。
【請求項５】
さらに工程（３）で得られた粒状物を篩過して得られる請求項２から４のいずれか１項に記載の粒状製剤。
【請求項６】
生理活性を有する薬剤が塩酸セトラキサ−トである請求項１から５のいずれか１項に記載の粒状製剤。
【請求項７】
次の工程：
（１）生理的活性を有する薬剤、ポリエチレングリコールを含有する混合物を溶融造粒すること；
（２）該造粒して得た粒状物に、賦形剤を添加して、再び溶融造粒すること；
からなる粒状製剤の製造法。
【請求項８】
次の工程：
（１）生理活性を有する薬剤、ポリエチレングリコールを含有する混合物を溶融造粒すること；
（２）上記工程（１）で得た粒状物に、賦形剤を添加して、再び溶融造粒すること；
（３）上記工程（２）で得た粒状物に、コ−ティング剤を添加して溶融コーティングすること；
からなる粒状製剤の製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月18日(2005.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）酸化、熱または光誘発された崩壊を受ける有機材料と、
ｂ）ベンゾフラノ−２−オン型の少なくとも１種の化合物と、
ｃ）有機ホスフィットまたはホスホナイトの群からの少なくとも１種の化合物と、
ｄ）フェノール性酸化防止剤の群からの少なくとも１種の化合物と、および
ｅ）立体障害アミンの群からの少なくとも１種の化合物を含む組成物。
【請求項２】
ｉ）ベンゾフラノ−２−オン型の少なくとも１種の化合物と、
ｉｉ）有機ホスフィットまたはホスホナイトの群からの少なくとも１種の化合物と、
ｉｉｉ）フェノール性酸化防止剤の群からの少なくとも１種の化合物と、および
ｉｖ）立体障害アミンの群からの少なくとも１種の化合物からなる安定剤混合物。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月25日(2004.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チタニアとジルコニアが固溶したＴｉｘ Ｚｒ１−ｘ Ｏ２ （０＜ｘ＜１）の微粒子からなり、その比表面積が１５ｍ２ ／ｇ以上であるチタニア−ジルコニア系複合酸化物微粉末。
【請求項２】
ｘの値が０．６〜０．９である請求項１記載の複合酸化物微粉末。
【請求項３】
微粒子の平均粒子径が５０ｎｍ以下である請求項１又は２記載の複合酸化物微粉末。
【請求項４】
チタニウムとジルコニウムの可溶性塩にアルコール又はアルコールと水及びカルボン酸を加え溶解し、得られた溶液を加熱してゲルを形成し、このゲルを４００〜９００℃で熱処理することを特徴とするチタニア−ジルコニア系複合酸化物微粉末の製造法。
【請求項５】
アルコールがメタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，２−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，２−ブタンジオール、２，３−ブタンジオールのうち少なくとも１種である請求項４に記載の複合酸化物微粉末の製造法。
【請求項６】
チタンの可溶性塩が四塩化チタン、硫酸チタン、チタンアルコキシドのうち少なくとも１種である請求項４又は５に記載の複合酸化物微粉末の製造法。
【請求項７】
ジルコニウムの可溶性塩がオキシ硝酸ジコニウム、オキシ塩化ジルコニウム又は四塩化ジルコニウムのうち少なくとも１種である請求項４〜６のいずれか１項に記載の複合酸化物微粉末の製造法。
【請求項８】
カルボン酸がクエン酸、リンゴ酸、酒石酸、乳酸、グリコール酸、トリカルバリル酸、コハク酸、シュウ酸、マレイン酸、マロン酸、アクリル酸、酢酸のうち少なくとも１種である請求項４〜７のいずれか１項に記載の複合酸化物微粉末の製造法。
【請求項９】
Ｔｉｘ Ｚｒ１−ｘ Ｏ２ （０＜ｘ＜１）がアナターゼ型酸化チタンの結晶構造を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の複合酸化物微粉末。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月15日(2004.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶融金属を収容する浴槽内に溶融ガラスを流し入れ、溶融金属浴上の高温域において一定の幅となるようにして、続く成形域において溶融ガラス流を目標厚さのリボン状に導く工程を有する板ガラスの製造方法において、前記高温域における溶融ガラス流のエッジ近傍における溶融金属レベルを該ガラス流の中央部における溶融金属レベルと異なるように制御して、前記溶融ガラス流が幅方向に広がろうとする力または狭まろうとする力を補償することにより、該エッジを所定の位置に保持することを特徴とする板ガラスの製造方法。
【請求項２】
前記成形域において、トップロールにより、リボン状溶融ガラス流のエッジを所定の位置に保持する、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記成形域において、リボン状溶融ガラス流のエッジ近傍における溶融金属レベルを該ガラス流の中央部における溶融金属レベルと異なるように制御して、該リボン状の溶融ガラス流が幅方向に広がろうとする力または狭まろうとする力を補償することにより、該エッジを所定の位置に保持する、請求項1に記載の製造方法。
【請求項４】
前記溶融ガラス流のエッジ近傍において、溶融金属浴内にその浴面に対してほぼ垂直に向う流れまたはその反対方向の流れを生じさせることにより、該エッジ近傍における溶融金属レベルを制御する、請求項1〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
浴槽に満たされた溶融金属浴面上に溶融ガラスを流し入れて、溶融ガラス流を目標厚さのリボン状に導くフロート法による板ガラス製造装置において、
流し入れられた溶融ガラス流が一定の幅となるようにする高温域において、該溶融ガラス流の所望エッジに沿って、溶融金属を略鉛直方向に流出させるかまたは吸引する流出・吸引手段が設けられていることを特徴とする製造装置。
【請求項６】
前記高温域に続く成形域において、溶融ガラス流のエッジを所定の位置に保持するためのトップロールが設けられている、請求項５に記載の製造装置。
【請求項７】
前記高温域に続く成形域において、溶融ガラス流の所望エッジに沿って前記流出・吸引手段が設けられている、請求項５に記載の製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明の特徴は、前記のとおり、前記高温域の溶融ガラス流のエッジ近傍の溶融金属レベルを中央のものと異ならせる、具体的に中央におけるレベルよりも高くまたは低くすることにより、溶融ガラス流が外向きに広がろうとする力、または内向きに狭まろうとする力を補償して、溶融ガラス流のエッジを所定位置に保持することである。
図１はフロート法による板ガラス製造装置の水平断面図であり、高温域における溶融ガラス流の両エッジが本発明の方法により所定位置に保持されている例を示す。以下、この例に即して、高温域Ｘ（ソーダライムガラスでは、通常、1100〜930℃である）において溶融ガラス流が幅方向に広がろうとしている場合と、逆に狭まろうとしている場合を説明する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
より具体的には、前記流路は、例えば図２および図３に示されるような樋１０により形成される。樋の材質としては、溶融金属との反応性の低いもの、または反応性のないものであればよく、例えばアルミナ、シリマナイト、粘度質などの煉瓦ならびにカーボンが挙げられる。駆動手段として後述のリニアモータを用いて樋１０に磁界を作用させる場合には、樋の材質は非磁性体であることを要するので、カーボンまたは煉瓦が好適である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
平衡厚さよりも薄いガラス板を製造する場合、または帯状ガラス引き出し量が多い場合には、樋１３の鉛直部開口から溶融金属が吸い込まれ、エッジ部直下の溶融金属レベルを中央部より低くする。逆に平衡厚さよりも厚いガラス板を製造する場合には、該開口から溶融金属が流出し、エッジ部直下の溶融金属レベルを中央部より高くする。そしてそのような制御により、それぞれ、帯状ガラス流が幅方向に広がろうとする力または狭まろうする力を補償することで、所望の板厚に成形することができる。
その後、成形された溶融ガラス流は、厚みが変化しなくなる温度まで冷却され、下流の徐冷域へ移行される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
２：溶融金属浴
３：溶融ガラス流
３a：溶融ガラス流のエッジ部
１0：樋
Ｘ：高温域
Ｙ：成形域
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月24日(2004.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走行体１、走行体１上に旋回駆動自在に搭載した旋回台２、基端側のブームセクション３ａ，３ｂ内に順次先端側のブームセクション３ｂ，３ｃを伸縮自在に嵌挿してなりその基端部を前記旋回台２に起伏駆動自在に取り付けた第１伸縮ブーム３、基端側のブームセクション４ａ，４ｂ内に順次先端側のブームセクション４ｂ，４ｃを伸縮自在に嵌挿してなる第２伸縮ブーム４、前記第１伸縮ブーム３の先端部と前記第２伸縮ブーム４の最基端側のブームセクション４ａ先端部を連結する連結装置５、および、前記第２伸縮ブーム４の最先端側のブームセクション４ｃの先端部に揺動自在に取り付けた作業台６とからなり、
前記連結装置５が、前記第２伸縮ブーム４の最基端側のブームセクション４ａが前記第１伸縮ブーム３の背面に沿って折り畳まれた倒伏位置と、略鉛直に起仰した起仰位置との間で前記第１伸縮ブーム３の起伏軌跡面に沿って起伏駆動自在で、且つ、前記第２伸縮ブーム４の最基端側のブームセクション４ａが前記起伏軌跡面と直交する方向に揺動駆動自在なよう構成されていることを特徴とする高所作業車。
【請求項２】
連結装置５を、第１伸縮ブーム３の最先端側のブームセクション３ｃの先端部に当該ブームセクション３ｃの先端方向へ延出するようにして設けられた左右一対のブラケット７，７、中間部材８、中間部材８の基端部を前記左右一対のブラケット７，７間に位置させた状態で当該基端部を左右一対のブラケット７，７に起伏自在に連結する起伏連結手段（支軸）９、前記第２伸縮ブーム４の最基端側のブームセクション４ａの先端部と前記中間部材８の背面側とに介装され前記起伏連結手段（支軸）９の起伏軸心に直交する軸回りで揺動可能に連結する揺動連結手段（支軸）１０、第１伸縮ブーム３の最先端側のブームセクション３ｃの先端部と中間部材８の適所間に介装され中間部材８を前記起伏連結手段（支軸）９回りで起伏駆動させるための起伏用油圧シリンダ１１、および、前記第２伸縮ブーム４の最基端側のブームセクション４ａと中間部材８の適所間に介装され第２伸縮ブーム４の最基端側のブームセクション４ａを前記揺動連結手段（支軸）１０の揺動軸心回りで揺動駆動するための揺動用油圧シリンダ１２とでもって構成し、これにより、前記中間部材を第１伸縮ブーム３の基端側へ倒伏した状態では、前記中間部材が前記左右一対のブラケット間に収容され、第２伸縮ブーム４の最基端側のブームセクション４ａが前記第１伸縮ブーム３の背面に沿って折り畳まれた前記倒伏位置において第２伸縮ブーム４の最基端側のブームセクション４ａが第１伸縮ブーム３の背面に近接した位置をとることができるよう構成したことを特徴とする請求項１の高所作業車。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
従来のこの種の高所作業車は、図５に示す如く、走行体１、走行体１上に旋回自在に搭載した旋回台２、基端側のブームセクション３ａ，３ｂ内に順次先端側のブームセクション３ｂ，３ｃを伸縮自在に嵌挿してなり最基端側のブームセクション３ａの基端部を前記旋回台に起伏駆動自在に取り付けた第１伸縮ブーム３、基端側のブームセクション４ａ，４ｂ内に順次先端側のブームセクション４ｂ，４ｃを伸縮自在に嵌挿してなる第２伸縮ブーム４、前記第１伸縮ブーム３の最先端側のブームセクション３ｃの先端部と前記第２伸縮ブーム４の最基礎側のブームセクション４ａ先端部を連結する連結装置５、および、前記第２伸縮ブーム４の最先端側のブームセクション４ｃの先端部に揺動自在に取り付けた作業員搭乗用の作業台６とで構成されている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
即ち、図１〜図４に示す如く連結装置５は、第１伸縮ブーム３の最先端側のブームセクション３ｃの先端部に当該ブームセクション３ｃの先端方向へ延出するようにして設けられた左右一対のブラケット７，７、中間部材８、中間部材８の基端部を前記左右一対のブラケット７，７間に位置させた状態で当該基端部を左右一対のブラケット７，７に起伏自在に連結する起伏連結手段（支軸）９、前記第２伸縮ブーム４の最基端側のブームセクション４ａの先端部と前記中間部材８の背面側とに介装され前記起伏連結手段（支軸）９の起伏軸心に直交する軸回りで揺動可能に連結する揺動連結手段（支軸）１０、第１伸縮ブーム３の最先端側のブームセクション３ｃの先端部と中間部材８の適所間に介装され中間部材８を前記起伏連結手段（支軸）９回りで起伏駆動させるための起伏用油圧シリンダ１１、および、前記第２伸縮ブーム４の最基端側のブームセクション４ａと中間部材８の適所間に介装され第２伸縮ブーム４の最基端側のブームセクション４ａを前記揺動連結手段（支軸）１０の揺動軸心回りで揺動駆動するための揺動用油圧シリンダ１２とでもって構成している。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月15日(2004.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の使用箇所に化学物質を分配するための分配装置であり、前記分配装置が混合装置とマルチポートバルブと制御装置を備え、前記混合装置が、一つの希釈剤源及び複数の化学物質源に連結され、前記希釈剤と混合された前記複数の化学物質のうちの少なくとも一つを含んだ使用希釈液を送出する混合装置であり、前記マルチポートバルブが、前記混合装置から使用希釈液を受け入れるための入力部と複数の使用箇所に連結された複数の出力部を備え、前記入力部と前記出力部の連結部が複数の位置状態を持ち、前記それぞれの位置状態に対応して前記入力部を前記複数の出力部のうちの一つと連結するマルチポートバルブであり、前記制御装置が、前記使用希釈液を複数の使用箇所の内の一つに選択的に分配するため、前記混合装置及び前記マルチポートバルブに連結された制御装置であることを特徴とする分配装置。
【請求項２】
前記混合装置が、前記希釈剤源からの希釈剤入力部と、前記複数の化学物質源からの複数の化学物質入力部及び一つの出力部を有する混合多岐管と、前記制御装置と連結され、前記混合多岐管の出力部及び前記マルチポートバルブの入力部と流体導通路を有する送出ポンプと、を備えた請求項１に記載の分配装置。
【請求項３】
前記混合装置が、前記制御装置に連結された空気圧源を備え、前記空気圧源が、前記使用希釈液を前記複数の使用箇所へ流すための圧力を前記マルチポートバルブに供給するため、前記マルチポートバルブの入力部に連結された請求項２に記載の分配装置。
【請求項４】
前記マルチポートバルブがステータとロータと駆動装置を備え、前記ステータが、第一ポート及び前記第一ポートの周辺に環状に配置された複数の第二ポートを有し、前記第一ポートが、前記マルチポートバルブの入力部と流体導通状態に有り、前記第二ポートのそれぞれが、前記マルチポートバルブの複数の出力部のうちの一つと流体導通状態にあるステータであって、前記ロータが、筐体内に回転可能なように取り付けられ、流体導通状態にある中央ポートと周辺ポートとを備え、前記中央ポートは前記ステータの第一ポートに連結され、前記周辺ポートは前記ステータの第二ポートの一つに連結されているローターであって、前記駆動装置が、前記ローターに連結され、前記ローターを回転させるため装置であって、前記周辺ポートの位置を選択された前記第二ポートの一つの位置となるように回転させ、前記第一ポートを前記選択された第二ポートと流体導通状態にする駆動装置である請求項１に記載の分配装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月24日(2004.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
更に、上記の外壁処理及び内壁処理したＰＥＴ容器サンプルＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ及びＨに、クリーンルーム内で無菌のミネラルウオーターを常温で充填し、無菌のキャップで容器口部を巻き締めた。このミネラルウオーターを充填したＰＥＴ容器サンプルＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ及びＨを、それぞれ複数個用意し、常温で保存し、１カ月後及び１２ヵ月後に、それぞれ開栓し充填されたミネラルウオーターを観察したが、いずれも変敗はなく保存性に問題なく、ミネラルウオーターの風味も損なわれておらず、異臭もなく官能的にも何ら変化は認められなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月26日(2004.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下側面にフィルムが張り付けられている基板を、搬送ローラ群により構成される基板搬送面に沿って搬送し、且つ、所定位置で停止させる工程と、前記停止位置の上方に、反転アームの吸着面を下向きにして位置させると共に、該吸着面に負圧を印加させる工程と、前記停止位置にある基板下方の、搬送ローラ間の隙間から軟質部材を上昇させて、前記基板を前記基板搬送面よりも上方に持ち上げ、前記反転アームの吸着面に押し付けて吸着させる工程と、基板を吸着したままで、前記反転アームを１８０°回転し、該基板を、前記フィルム側が上面になるように反転させる工程と、を有してなる基板反転方法。
【請求項２】
基板搬送方向に適宜間隔で配置された複数の搬送ローラを含んで構成され、該搬送ローラの上面により構成される基板搬送面に沿って、下側面にフィルムが張り付けられている基板を搬送可能、且つ、反転開始位置で搬送停止可能とされた搬送装置と、自由端側に、前記基板を吸着可能とされた吸着装置を備えると共に、前記吸着装置の基板吸着面が、前記反転開始位置にある基板の上面に対向して、これと平行な下向きとなる吸着位置、及び、基板を下方から支える、ほぼ水平な解放位置の間で、基端側を中心として１８０°回転自在とされた反転アームと、前記解放位置での反転アームにおける前記基板吸着面から前記基板が受け渡される基板受け装置と、前記反転開始位置における基板吸着面の下方、且つ、搬送ローラ間位置に配置されると共に基板搬送面と平行な基板支持面を上端に備え、該基板上端面が前記基板搬送面よりも下方の待機位置、及び、上方の持ち上げ位置の間で上下動自在とされた基板持ち上げ装置と、を有してなり、前記吸着装置は、反転アームが吸着位置にあるとき、基板吸着面が基板搬送面と平行状態で、前記基板持上げ装置により持上げられる基板を介して一定範囲内で押上げ可能に構成されたことを特徴とする基板反転装置。
【請求項３】
請求項２において、前記搬送装置は、搬送されてくる基板の先端を検出して、該基板の大きさに対応して、該基板を前記反転開始位置に停止させる位置決め停止装置を含んで構成されたことを特徴とする基板反転装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月15日(2005.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モータ駆動つまみ／送り機構を備えたプリンタ、複写機、および他の画像形成機械においてシート媒体の重量を検出する方法であって、つまみ／送り動作中にモータのトルク出力を測定し、測定したトルクに従って少なくとも１つのプリンタ動作を制御するステップを備えていることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記トルクを測定するステップは、つまみ／送り動作中にモータに流れる電流を測定するステップを備えていることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記画像形成機械は電子写真式画像形成機械であり、トルク測定に従って溶融温度を制御するステップをさらに備えていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記画像形成機械は電子写真式画像形成機械であり、トルク測定に従って転写電流を制御するステップをさらに備えていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記画像形成機械は電子写真式画像形成機械であり、トルク測定に従って、シート媒体が機械内を前進する速さを制御するステップをさらに備えていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
モータ駆動つまみ／送り機構を備えたプリンタ、複写機、および他の画像形成機械においてシート媒体の重量を検出する方法であって、シート媒体つまみ／送り動作を行なうステップと、つまみ／送り動作中につまみ／送り機構によりシート媒体に加えられる用紙分離力を測定するステップと、つまみ／送り動作中に測定された前記分離力に従って１つまたは複数のプリンタ動作を制御するステップとを備えていることを特徴とする方法。
【請求項７】
前記分離力を測定するステップは、つまみ／送り動作中にモータのトルク出力を測定するステップを含んでいることを特徴とする請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記トルクを測定するステップは、つまみ／送り動作中にモータに流れる電流を測定するステップを含んでいることを特徴とする請求項６または７に記載の方法。
【請求項９】
送りローラと、前記送りローラに接続されて動作するモータと、前記モータに電気的に接続されているモータトルク検出回路とを設けて成る媒体つまみ／送り機構。
【請求項１０】
プリントエンジン制御装置と、前記制御装置に結合されて動作するフォーマッタと、前記制御装置に結合されて動作するプリントエンジンと、前記プリントエンジンに結合されて動作するモータ駆動つまみ／送り機構と、つまみ／送りモータと前記制御装置との間に電気的に接続されているモータトルク検出回路とを設けて成る画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月14日(2004.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置を構成する基板に薄膜トランジスタが形成され、
この薄膜トランジスタは、チャネル領域、このチャネル領域の両脇側に濃度の高い不純物がドープされたドレインおよびソース領域、ドレイン領域とチャネル領域との間およびソース領域とチャネル領域との間あるいはドレイン領域とチャネル領域の間に濃度の低い不純物がドープされたＬＤＤ領域を有するポリシリコンからなる半導体層と、
この半導体層の上面に形成され、チャネル領域、ＬＤＤ領域、ドレインおよびソース領域あるいはドレイン領域に到ってそれぞれ段階的に順次膜厚が小さくなる絶縁膜と、
前記チャネル領域上に前記絶縁膜を介して形成されるゲート電極とを備えることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
表示装置を構成する基板に薄膜トランジスタが形成され、
前記薄膜トランジスタは、チャネル領域、前記チャネル領域の両脇側に濃度の高い不純物がドープされたドレイン領域及びソース領域、及び、前記ドレイン領域と前記チャネル領域との間に濃度の低い不純物がドープされたＬＤＤ領域とを有するポリシリコンからなる半導体層と、
前記半導体層の上面に形成され、前記チャネル領域上の膜厚が前記ＬＤＤ領域上の膜厚よりも大きく、前記ＬＤＤ領域上の膜厚が前記ドレイン領域上の膜厚と前記ソース領域上の膜厚よりも大きい絶縁膜と、
前記チャネル領域上に前記絶縁膜を介して形成されるゲート電極とを備えていることを特徴とする表示装置。
【請求項３】
前記ＬＤＤ領域は、前記ソース領域と前記チャネル領域との間には形成されていないことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
表示装置を構成する基板に薄膜トランジスタが形成され、
前記薄膜トランジスタは、チャネル領域、前記チャネル領域の両脇側に濃度の高い不純物がドープされたドレイン領域及びソース領域、及び、前記ドレイン領域と前記チャネル領域との間と前記ソース領域と前記チャネル領域との間とに濃度の低い不純物がドープされたＬＤＤ領域とを有するポリシリコンからなる半導体層と、
前記半導体層の上面に形成され、前記チャネル領域上の膜厚が前記ＬＤＤ領域上の膜厚よりも大きく、前記ＬＤＤ領域上の膜厚が前記ドレイン領域上の膜厚と前記ソース領域上の膜厚よりも大きい絶縁膜と、
前記チャネル領域上に前記絶縁膜を介して形成されるゲート電極とを備えていることを特徴とする表示装置。
【請求項５】
前記ドレイン領域上および前記ソース領域上の前記絶縁膜はその膜厚が８０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至４の何れかに記載の表示装置。
【請求項６】
前記ＬＤＤ領域上の前記絶縁膜はその膜厚が９０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の表示装置。
【請求項７】
前記チャネル領域上の前記絶縁膜はその膜厚が１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至６の何れかに記載の表示装置。
【請求項８】
前記ドレイン領域上および前記ソース領域上の前記絶縁膜の膜厚は前記チャネル領域上の前記絶縁膜の膜厚よりも２０ｎｍ以上薄いことを特徴とする請求項１乃至７の何れかに記載の表示装置。
【請求項９】
前記ＬＤＤ領域の直上における前記絶縁膜の膜厚と、前記ドレイン領域および前記ソース領域の直上における前記絶縁膜の膜厚との差が、前記チャネル領域の直上における前記絶縁膜の膜厚と前記ＬＤＤ領域の直上における前記絶縁膜の膜厚の差よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至８の何れかに記載の表示装置。
【請求項１０】
絶縁性基板上に形成された、チャネル領域と、前記チャネル領域の両脇側に形成されたドレインおよびソース領域を有するポリシリコンからなる半導体層と、
前記ドレインおよびソース領域上に形成され、コンタクトホールを有する絶縁膜とを有し、
前記コンタクトホールの側面の角度は、前記ドレインおよびソース領域に近い領域での角度に対して前記ドレインおよびソース領域から遠い領域での角度の方が大きいことを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
前記コンタクトホールの側面の角度が大きい箇所は異方性エッチングで行われたものであり、前記角度が小さい箇所は異方性エッチングの後に等方性エッチングが行われたものであることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項１２】
絶縁性基板上に形成された、ゲート電極と、チャネル領域と、前記チャネル領域の両脇側に形成されたドレインおよびソース領域を有するポリシリコンからなる薄膜トランジスタと、
前記ドレインおよびソース領域と前記ゲート電極上に形成された金属膜と、
前記金属膜上に形成され、コンタクトホールを有する絶縁膜とを有し、
前記コンタクトホールは、異方性エッチングにより形成されたものであることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
絶縁性基板に薄膜トランジスタが形成されるものであって、
前記薄膜トランジスタは、
前記基板側にポリシリコンからなる半導体層、絶縁膜、導電層を形成させる工程と、
前記導電層をチャネル領域、ＬＤＤ領域上にて残存させ、残存された該導電層をマスクとして高濃度の不純物をイオン打ち込みする工程と、
前記導電層はチャネル領域上にて残存させ、残存された該導電層をマスクとし低濃度の不純物をイオン打ち込みする工程とを経て形成し、
かつ、チャネル領域上に残存させる導電層のパターン化に用いるレジスト膜はチャネル領域およびＬＤＤ領域上に残存させた導電層のパターン化に用いたレジスト膜の周辺を除去したものを用いるとともに、
前記導電膜をチャネル領域およびＬＤＤ領域上に、さらにチャネル領域上に残存させる際に、それをマスクとしてこのマスクから露出された前記絶縁膜の表面を若干エッチングすることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１４】
チャネル領域、ＬＤＤ領域上にて残存させるレジスト膜はチャネル領域上において厚くＬＤＤ領域上において薄く形成され、チャネル領域上にて残存させるレジスト膜は、チャネル領域、ＬＤＤ領域上にて残存させた前記レジスト膜をアッシングして形成されることを特徴とする請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月10日(2004.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部のクリーン度が高度に維持されたチャンバと、該チャンバ内に配置された処理装置とを備えるデバイス製造装置において、
前記処理装置が、配線部材を有し、該配線部材の表層部がアウトガスの少ない材料で被覆されていることを特徴とするデバイス製造装置。
【請求項２】
前記材料はフッ素系樹脂であり、四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン・ビニリデンフルオライド三元共重合樹脂、四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合樹脂、四フッ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂、及び四フッ化エチレン樹脂のいずれか一つであることを特徴とする請求項１に記載のデバイス製造装置。
【請求項３】
前記配線部材は、複数本の配線ケーブルを被覆する角状シート部と、該角状シート部の対向する２辺及びその近傍のいずれかにオス型ジッパー部及び該オス型ジッパー部に係合するメス型ジッパー部とを有し、前記オス型ジッパー部とメス型ジッパー部とが係合して前記被覆形状を維持するジッパーチューブであり、該ジッパーチューブを構成する少なくとも前記角状シート部がフッ素系樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載のデバイス製造装置。
【請求項４】
前記配線部材が配線ケーブルであることを特徴とする請求項１又は２に記載のデバイス製造装置。
【請求項５】
前記材料はフッ素系樹脂であり、四フッ化エチレン・エチレン共重合樹脂、及びビニリデンフルオライド樹脂のいずれか一つであることを特徴とする請求項１に記載のデバイス製造装置。
【請求項６】
前記配線部材は、配線ケーブルを束線するベルト部と、該ベルト部を締結する締結部とを備えたフッ素系樹脂製のケーブル束線部材を備えることを特徴とする請求項１又は５に記載のデバイス製造装置。
【請求項７】
前記配線部材は、前記配線ケーブルを他の部材に固定する固定部材を更に備えることを特徴とする請求項６に記載のデバイス製造装置。
【請求項８】
前記材料は添加物が除去ないし低減されているフッ素系樹脂であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のデバイス製造装置。
【請求項９】
内部のクリーン度が高度に維持され、かつその内部に配線部材が配置されたチャンバを備えるデバイス製造装置において、
前記配線部材はシェルを有するコネクタであり、前記シェルが、ニッケルめっき、又は四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合樹脂、四フッ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂、及び四フッ化エチレン樹脂のいずれか１つのフッ素系樹脂でコートされたアルミダイカストからなる被覆部材で被覆されていることを特徴とするデバイス製造装置。
【請求項１０】
内部のクリーン度が高度に維持されたチャンバを備えるデバイス製造装置において、
前記チャンバ内、あるいは前記チャンバ内に供給される気体の流路上でシール材としてフッ素系ゴム発泡体を用いることを特徴とするデバイス製造装置。
【請求項１１】
前記フッ素系ゴム発泡体はその発泡中に発生して泡の中に残留するガス、又は添加物が除去ないし低減されていることを特徴とする請求項１０に記載のデバイス製造装置。
【請求項１２】
前記チャンバ内に、エネルギビームで基板を露光する露光装置の少なくとも一部が配置されることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか一項に記載のデバイス製造装置。
【請求項１３】
内部のクリーン度が高度に維持されるデバイス製造装置で用いられる配線ユニットであって、
少なくとも表層部がフッ素系樹脂で形成されるとともに、前記フッ素系樹脂は、四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン・ビニリデンフルオライド三元共重合樹脂、四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合樹脂、四フッ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂、及び四フッ化エチレン樹脂のいずれか１つであることを特徴とする配線ユニット。
【請求項１４】
内部のクリーン度が高度に維持されるデバイス製造装置で用いられる配線ユニットであって、
少なくとも表層部がフッ素系樹脂で形成されるとともに、前記フッ素系樹脂は添加物が除去ないし低減されている四フッ化エチレン・エチレン共重合樹脂、及びビニリデンフルオライド樹脂のいずれかであることを特徴とする配線ユニット。
【請求項１５】
内部のクリーン度が高度に維持されるデバイス製造装置で用いられる配線ユニットであって、
ニッケルめっき、又は四フッ化エチレン・六フッ化プロピレン共重合樹脂、四フッ化エチレン・パーフルオロアルコキシエチレン共重合樹脂、及び四フッ化エチレン樹脂のいずれか１つのフッ素系樹脂でコートされたアルミダイカストからなる被覆部材で少なくともコネクタのシェルが被覆されていることを特徴とする配線ユニット。
【請求項１６】
内部のクリーン度が高度に維持されるデバイス製造装置で用いられるフィルタユニットであって、
前記デバイス製造装置で気体から不純物を除去するフィルタ部のシール材としてフッ素系ゴム発泡体を用いることを特徴とするフィルタユニット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、内部のクリーン度が高度に維持されたチャンバ（１０）内に配置された処理装置に用いられる配線部材（１３、１４、１７、１８、３０、４０、６０、７０）の表層部が、アウトガスの少ない材料（フッ素系樹脂、ポリイミド、ポリオレフィンなど）で被覆されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上記請求項１及び２に記載の各デバイス製造装置において、請求項４に記載のデバイス製造装置の如く、前記配線部材が配線ケーブル（１３、１４、１７、１８）であることとすることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
上記請求項１及び５に記載の各デバイス製造装置において、請求項６に記載のデバイス製造装置の如く、前記配線部材は、配線ケーブルを束線するベルト部と、該ベルト部を締結する締結部とを備えたフッ素系樹脂製のケーブル束線部材（３０、６０、７０）を備えるものとすることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月10日(2004.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体素子、電界効果トランジスタ、電子機器、及び半導体素子の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１の半導体層と、該第１の半導体層上に形成された第２の半導体層とを備える半導体素子であって、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層とは異なる格子定数をもつ材料からなり、
前記第１の半導体層は結晶領域を有し、
前記第２の半導体層は該第２の半導体層固有の結晶構造とは異なる結晶構造であるひずみ結晶を有することを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体素子であって、
前記第１の半導体層は第１の半導体と第２の半導体の混合物からなることを特徴とする半導体素子。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体素子であって、
前記第１の半導体層と前記第２の半導体層とは融点が異なることを特徴とする半導体素子。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体素子であって、
前記第２の半導体層は１００ｎｍより薄いことを特徴とする半導体素子。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体素子を備える電界効果トランジスタであって、
前記ひずみ結晶が、能動層又は能動領域として用いられていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
【請求項６】
請求項５に記載の電界効果トランジスタを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項７】
基板上に第１の半導体層を形成する工程と、
前記第１の半導体層上に、該第１の半導体層とは異なる格子定数をもつ材料からなる前記第２の半導体層を形成する工程と、
前記第２の半導体層に光照射を行い該第２の半導体層固有の結晶構造とは異なる結晶構造を有するひずみ結晶を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体素子の製造方法であって、
前記第１の半導体層は第１の半導体と第２の半導体の混合物からなり、
前記混合物の混合比を変えて前記格子定数を制御することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は８に記載の半導体素子の製造方法であって、
前記第２の半導体層を形成する前に、前記第１の半導体層を結晶する工程を有することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項１０】
請求項７又は８に記載の半導体素子の製造方法であって、
前記第１の半導体層は前記第２の半導体層より融点が低い非晶質の材料からなり、
前記第２の半導体層とともに光照射され、前記第２の半導体層に先立ち結晶化することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項１１】
請求項７乃至１０のいずれかに記載の半導体素子の製造方法であって、
前記第２の半導体層は非晶質であり、前記光照射は前記第２の半導体層を完全溶融することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項１２】
請求項７乃至１１のいずれかに記載の半導体素子の製造方法であって、
前記光照射は前記第１の半導体層を一部溶解することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明に係る半導体素子は、基板上に形成された第１の半導体層と、該第１の半導体層上に形成された第２の半導体層とを備える半導体素子であって、前記第１の半導体層と前記第２の半導体層とは異なる格子定数をもつ材料からなり、前記第１の半導体層は結晶領域を有し、前記第２の半導体層は該第２の半導体層固有の結晶構造とは異なる結晶構造であるひずみ結晶を有することを特徴とする。