Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月3日(2005.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自動二輪車用のサドルバッグであって、
内側容積部を画定し、前記内側容積部に出入りするための開口部を有する、本体と、
前記本体の前記開口部を実質的に覆うように前記本体に取り付けられたふたと、
前記本体を前記ふたに保持するファスナーアセンブリと、を備えており、
前記ファスナーアセンブリは、
前記ふた及び前記本体のうちの一つと連結して、バックルと該バックルを通して延びるストラップとを含む第１のファスナーと、
第２のファスナーとを含み、
前記第２のファスナーは、
該第１のファスナーと連続して接続される第１の部分と、
前記ふた及び前記本体のうちの他方と連結する第２の部分とを有しており、
前記第２の部分は、前記第１のファスナー及び前記第２のファスナーが当該両方のファスナーを締結することによって前記本体を前記ふたに保持できるように、前記第１の部分と接続可能になっており、
前記第１のファスナーの前記ストラップは、前記第２のファスナーよりも幅が広く、それによって、前記第２のファスナーの前記第１の部分及び前記第２の部分は、前記第１のファスナーの前記ストラップによって実質的に隠れる、ことを特徴とする自動二輪車用のサドルバッグ。
【請求項２】
請求項１に記載の自動二輪車用のサドルバッグにおいて、
前記第１のファスナーの前記ストラップは前記ふたに取り付けられ、前記第２のファスナーの前記第２の部分は前記本体に取り付けられる、ことを特徴とする自動二輪車用のサドルバッグ。
【請求項３】
請求項１に記載の自動二輪車用のサドルバッグにおいて、
前記第２のファスナーの前記第１の部分及び前記第２の部分は、迅速に解除可能なクリップを備えている、ことを特徴とする自動二輪車用のサドルバッグ。
【請求項４】
請求項１に記載の自動二輪車用のサドルバッグにおいて、
前記第２のファスナーは、前記第１のファスナーよりも幅が狭い、ことを特徴とする自動二輪車用のサドルバッグ。
【請求項５】
自動二輪車用のサドルバッグであって、
内側容積部を画定し、前記内側容積部に出入りするための開口部を有する、本体と、
前記本体の前記開口部を実質的に覆うように前記本体に取り付けられたふたと、
前記本体を前記ふたに保持するファスナーアセンブリと、を備えており、
前記ファスナーアセンブリは、
前記ふた及び前記本体のうちの一つと連結するストラップと、該ストラップと接続可能なバックルとを含む第１のファスナーと、
前記バックルに取り付けられる中間のストラップと、
第２のファスナーとを含み、
該第２のファスナーは、
前記中間のストラップによって前記バックルに連続して接続される第１の部分と、
前記ふた及び前記本体のうちの他方と連結する第２の部分とを有しており、
前記第２の部分は、前記第１のファスナー及び前記第２のファスナーが当該両方のファスナーを締結することによって前記本体を前記ふたに保持できるように、前記第１の部分と接続可能になっている、ことを特徴とする自動二輪車用のサドルバッグ。
【請求項６】
請求項５に記載の自動二輪車用のサドルバッグにおいて、
前記第２のファスナーの前記第１の部分及び前記第２の部分は、迅速に解除可能なクリップを備えている、ことを特徴とする自動二輪車用のサドルバッグ。
【請求項７】
請求項５に記載の自動二輪車用のサドルバッグにおいて、
前記ストラップは、前記第２のファスナーの前記第１の部分及び前記第２の部分より幅が広く、それによって、前記第２のファスナーは、前記第１のファスナーの前記ストラップによって実質的に隠れる、ことを特徴とする自動二輪車用のサドルバッグ。
【請求項８】
請求項５に記載の自動二輪車用のサドルバッグにおいて、
前記第２のファスナーは、前記第１のファスナーよりも幅が狭い、ことを特徴とする自動二輪車用のサドルバッグ。
【請求項９】
請求項５に記載の自動二輪車用のサドルバッグにおいて、
前記第１のファスナーの前記ストラップは前記ふたに取り付けられ、前記第２のファスナーの前記第２の部分は前記本体に取り付けられる、ことを特徴とする自動二輪車用のサドルバッグ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月4日(2005.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高分子バインダー中に分散されたシアン色素混合物を含む色素層を支持体の上に含んでなり、前記シアン色素の少なくとも一つが以下の式(I) により表され、そして前記色素の他の少なくとも一つが以下の式(II)により表される感熱色素転写用シアン色素供与体素子：
【化１】
1999129633.tif 000001
（式中、Ｒ1 及びＲ2 は各々独立して水素；置換もしくは非置換の１〜６個の炭素原子を有するアルキル基；置換もしくは非置換の５〜７個の炭素原子を有するシクロアルキル基又は置換もしくは非置換のアリル基を表すか；あるいは
Ｒ1 及びＲ2 は一緒に組合わさって、それらが結合している窒素と一緒に５〜７員の複素環式環を形成することができ；あるいは
Ｒ1 及びＲ2 のいずれか又は両方がＲ3 と組合わさって５〜７員の複素環式環を形成することができ；
各Ｒ3 は独立して、Ｒ1 及びＲ2 に関して上記したような置換もしくは非置換のアルキル、シクロアルキル又はアリル、そしてアルコキシ、アリールオキシ、ハロゲン、チオシアノ、アシルアミド、ウレイド、アルキルスルホンアミド、アリールスルホンアミド、アルキルチオ、アリールチオ又はトリフルオロメチルを表すか；あるいは
Ｒ3 の任意の２つが一緒に組合わさって５又は６員の炭素環式環又は複素環式環を形成してもよく；あるいは
Ｒ3 の１つ又は２つがＲ1 及びＲ2 のいずれか又は両方と組合わさって５〜７員環を完成してもよく；
ｍは０〜４の整数であり；
Ｒ4 は電子求引基を表し；
Ｒ5 は置換もしくは非置換の６〜１０個の炭素原子を有するアリール基、又は置換もしくは非置換の５〜１０個の原子を有するヘタリール基を表し；
Ｒ6 及びＲ7 は各々独立して電子求引基を表し；そして
Ｒ6 及びＲ7 は組合わさって活性メチレン化合物の残基を形成してもよい）；及び
【化２】
1999129633.tif 000002
（式中、Ｒ8 及びＲ9 は各々独立して水素；置換もしくは非置換の１〜８個の炭素原子を有するアルキル基；５〜８個の炭素原子を有するシクロアルキル基；又は置換もしくは非置換の２〜８個の炭素原子を有するアルケニル基を表し；
Ｒ8 及びＲ9 は一緒になって５又は６員の複素環式環を形成する基を表してもよく；
Ｙは各々独立して水素；置換もしくは非置換の１〜８個の炭素原子を有するアルキル基；アルコキシ基ＯＲ8 ；ハロゲンを表すか；又は２つの隣接するＹは一緒になって縮合炭素環式芳香族環を形成する原子を表してもよく；
ｎは０〜４であり；
窒素に対してオルト位置のＹはＲ8 と組合わさって５又は６員の非芳香族の、単一又は二重の窒素含有複素環式環を形成して、したがって縮合環系を形成してもよく；そして
Ｒ10は置換もしくは非置換の１〜６個の炭素原子を有するアルキル基；置換もしくは非置換の３〜６個の炭素原子を有するアリル基；置換もしくは非置換の２〜９個の炭素原子を有するアシル基；置換もしくは非置換の７〜１８個の炭素原子を有するアロイル基；又は置換もしくは非置換の２〜１０個の炭素原子を有するヘテロアロイル基である）。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月27日(2004.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両の所望位置に吸着または接着により固定される基台部と、前記基台部に所定間隔で形成された一対の支持部間に挟み付けられるとともに前記支持部に対し回動自在に且つ係止自在に取付られる回動部材と、前記回動部材の一端に固定される延長部材と、前記延長部材の一端に前記回動部材の回動方向に対し直交する方向に回動自在に取り付けられる台座部とを備え、前記台座部に固定した車両用品を前記回動部材の回動と前記台座部の回動とによって３次元的に移動させることを特徴とする車載用品固定具。
【請求項２】
前記車載用品固定具において、前記回動部材は、棒状の基材で構成し、該棒状の基材の両端部の少なくとも一方の部分に歯形を形成し、前記一対の支持部の前記基材に形成された前記歯形に対向する支持部の前記歯形に対向する側に前記歯形と噛合う歯形を設けて、歯形同士の噛合いにより前記基材を前記支持部間に係止するとともに、前記歯形同士の間にゆるみを形成して前記回動部材及び延長部材を回動させることを特徴とする請求項１記載の車載用品固定具。
【請求項３】
前記車載用品固定具において、前記延長部材は必要に応じて長さの異なるものに交換し得る構成であることを特徴とする請求項１又は２記載の車載用品固定具。
【請求項４】
前記車載用品固定具において、前記台座部は、前記延長部材の一端に回動不可に固定されるシャフトと、このシャフトに回動不可に係止されるばね部材と、前記シャフトによって回動自在に支持されるとともに、前記ばね部材に形成した突起が弾性的に噛合する歯形を形成した載置台とを備えていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項記載の車載用品固定具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するため、請求項１記載の車載用品固定具の発明によれば、車両の所望位置に吸着または接着により固定される基台部と、前記基台部に所定間隔で形成された一対の支持部間に挟み付けられるとともに前記支持部に対し回動自在に且つ係止自在に取付られる回動部材と、前記回動部材の一端に固定される延長部材と、前記延長部材の一端に前記回動部材の回動方向に対し直交する方向に回動自在に取り付けられる台座部とを備え、前記台座部に固定した車両用品を前記回動部材の回動と前記台座部の回動とによって３次元的に移動させることを特徴としている。
また、請求項２記載の発明によれば、前記車載用品固定具において、前記回動部材は、棒状の基材で構成し、該棒状の基材の両端部の少なくとも一方の部分に歯形を形成し、前記一対の支持部の前記基材に形成された前記歯形に対向する支持部の前記歯形に対向する側に前記歯形と噛合う歯形を設けて、歯形同士の噛合いにより前記基材を前記支持部間に係止するとともに、前記歯形同士の間にゆるみを形成して前記回動部材及び延長部材を回動させることを特徴としている。
さらに、請求項３記載の発明によれば、前記車載用品固定具において、前記延長部材は必要に応じて長さの異なるものに交換し得る構成であることを特徴としている。
そして、請求項４記載の発明によれば、前記車載用品固定具において、前記台座部は、前記延長部材の一端に回動不可に固定されるシャフトと、このシャフトに回動不可に係止されるばね部材と、前記シャフトによって回動自在に支持されるとともに、前記ばね部材に形成した突起が弾性的に噛合する歯形を形成した載置台とを備えていることを特徴としている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月1日(2004.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリエステル系樹脂の成形方法において、平均粒子径が１〜６ｍｍ、最大粒子径が平均粒子径の１．２倍以下、かつ、最小粒子径が平均粒子径の０．８倍以上である球状のポリエステル系樹脂粒子を使用することを特徴とするポリエステル系樹脂の成形方法。
【請求項２】
ジエチレングリコール単位の含有量が１．０〜３．０モル％であって、環状三量体の含有量が０．５重量％以下であるポリエステル系樹脂粒子を使用する請求項１記載のポリエステル系樹脂の成形方法。
【請求項３】
ポリエステル系樹脂粒子の極限粘度が０．５０〜１．２０ｄｌ／ｇである請求項１又は２記載のポリエステル系樹脂の成形方法。
【請求項４】
ポリエステル系樹脂の成形がブロー成形である請求項１〜３いずれかに記載のポリエステル系樹脂の成形方法。
【請求項５】
ポリエステル系樹脂の成形が、プリフォームを射出成形した後該プリフォームをブロー成形する請求項１〜３いずれかに記載のポリエステル系樹脂の成形方法。
【請求項６】
平均粒子径が１〜６ｍｍ、最大粒子径が平均粒子径の１．２倍以下、かつ、最小粒子径が平均粒子径の０．８倍以上で球状あることを特徴とするポリエステル系樹脂粒子。
【請求項７】
ジエチレングリコール単位の含有量が１．０〜３．０モル％であって、環状三量体の含有量が０．５重量％以下である請求項６記載のポリエステル系樹脂粒子。
【請求項８】
極限粘度が０．５０〜１．２０ｄｌ／ｇである請求項６又は７記載のポリエステル系樹脂粒子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明はポリエステル系樹脂及びその成形方法に関するものであり、詳しくは連続成形性及び透明性を損なうことなく、生産性よくポリエステル系樹脂を成形する方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月9日(2005.3.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
不透明度（ＪＩＳ  Ｐ−８１３８）が８０％以上の微多孔性樹脂延伸フィルム基層（Ｉ）の一方の面にヒートシール性樹脂接着層（Ｉａ）を積層し、もう一方の面にガスバリヤー性樹脂フィルム層（II）を積層して、該ガスバリヤー性樹脂フィルム層（II）の基層（Ｉ）と反対側の面に無機酸化物の薄膜層（III)を積層した積層物であって、該積層物が下記の（ｉ）及び（ii）の物性を示すものであることを特徴とする包装材。
（ｉ）  透湿度（ＪＩＳ  Ｚ−０２０８）が５ｇ／ｍ2 ・２４ｈｒ以下、
（ii）  酸素透過度（ＪＩＳ  Ｚ−１７０７）が５ｃｃ／ｍ2 ・２４ｈｒ・ａｔｍ以下。
【請求項２】
ヒートシール性樹脂接着層（Ｉａ）と反対側の最外層にヒートシール性樹脂層（IV）を設けた、請求項１に記載の包装材。
【請求項３】
不透明度（ＪＩＳ  Ｐ−８１３８）が８０％以上の微多孔性樹脂延伸フィルム基層（Ｉ）の一方の面に印刷（Ｐ）が施され、基層（Ｉ）のもう一方の面に無機酸化物薄膜層（III)を設けたガスバリヤー性樹脂フィルム層（II）が設けられており、該ガスバリヤー性樹脂フィルム層（II）の前記基層（Ｉ）の印刷された面とは反対側の面にヒートシール性樹脂接着層（IV）を積層した積層物であって、該積層物が下記の（ｉ）及び（ii）の物性を示すものであることを特徴とする包装材。
（ｉ）  透湿度（ＪＩＳ  Ｚ−０２０８）が５ｇ／ｍ2 ・２４ｈｒ以下、
（ii）  酸素透過度（ＪＩＳ  Ｚ−１７０７）が５ｃｃ／ｍ2 ・２４ｈｒ・ａｔｍ以下。
【請求項４】
包装材の全光線透過率（ＪＩＳ  Ｋ−７１０５）が０％である、請求項１〜３のいずれかに記載の包装材。
【請求項５】
無機酸化物薄膜層（III)が、珪素酸化物薄膜層または非晶性酸化アルミニウム薄膜層である、請求項１〜４のいずれかに記載の包装材。
【請求項６】
微多孔性樹脂延伸フィルム基層（Ｉ）は、白色無機微細粉末を０〜４０重量％含有する熱可塑性樹脂フィルムの一軸延伸フィルム、または二軸延伸フィルムをコア層（Ａ）とし、このコア層の両面に、白色無機微細粉末を１０〜６５重量％含有する熱可塑性樹脂フィルムの一軸延伸フィルムを表裏層（Ｂ，Ｂ′）として設けた積層延伸フィルムであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の包装材。
【請求項７】
微多孔性樹脂延伸フィルム基層（Ｉ）が、次式で示される空孔率が１０〜６０％である、請求項６に記載の包装材。
【数１】
1999129383.tif 000001
【請求項８】
包装材を構成する各層の肉厚が、微多孔性樹脂延伸フィルム基層（Ｉ）  ３０〜３００μｍ、ヒートシール性樹脂層（Ｉａ）又は（IV）  １〜５０μｍ、ガスバリヤー性樹脂フィルム層（II）  ６〜４０μｍ、無機酸化物薄膜層（III）  ５〜６００ｎｍであり、包装材の全肉厚が８０〜３５０μｍである、請求項１〜７のいずれかに記載の包装材。
【請求項９】
カートンボックス用の包装材であって、包装材の全肉厚が３５０〜１，０００μｍである、請求項１〜７のいずれかに記載の包装材。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
肉  厚
ガスバリヤー性樹脂フィルム層（II）の肉厚は６〜４０μｍ、好ましくは８〜２０μｍである。
(4)  無機酸化物薄膜層(III) 
包装材のガスバリヤー性を向上させるためにガスバリヤー性樹脂フィルム層（II）の表面に無機酸化物薄膜層（III)が設けられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
厚  み
無機酸化物薄膜層（III）は蒸着法により得られ、蒸着膜の厚み５〜６００ｎｍは、透明性、蒸着速度、ガスバリヤー性、フィルムの巻取性等から制約される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
[II]  包装材の物性
本発明の包装材は、次の物性を満たす。
（ｉ）  透湿度（ＪＩＳ  Ｚ−０２０８）が５ｇ／ｍ2 ・２４ｈｒ以下、好ましくは２ｇ／ｍ2 ・２４ｈｒ以下、更に好ましくは１ｇ／ｍ2 ・２４ｈｒ以下。
（ii）  酸素透過度（ＪＩＳ  Ｚ−１７０７）が５ｃｃ／ｍ2 ・２４ｈｒ・ａｔｍ以下、好ましくは２ｃｃ／ｍ2 ・２４ｈｒ・ａｔｍ以下、更に好ましくは１ｃｃ／ｍ2 ・２４ｈｒ・ａｔｍ以下。
かかる条件を満たすことにより内容物の変質、品質の低下が防がれる。更に、コーヒー豆、高級煎茶、まっ茶、果汁ジュース、焼酎等の光線の入射を嫌う内容物の包装に用いるには、包装材の全光線透過率（ＪＩＳ  Ｋ−７１０５）が０％であることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
各層の肉厚が薄く、光線の隠蔽性が不足するときは、微多孔性樹脂延伸フィルム（Ｉ）の裏面に、オフセットまたはグラビア印刷により厚さ１〜５μｍの黒色ベタ印刷を行うことによって隠蔽層を形成するか、微多孔性樹脂延伸フィルム基層（Ｉ）とガスバリヤー性樹脂フィルム層（II）を接着するプライマー層の中に、酸化チタンホイスカー、酸化チタン微細粒子等の白色充填剤を多量（５〜７５重量％）に含有させ、該プライマー接着剤を２〜１０ｇ／ｍ2 塗布することにより隠蔽層を形成させ、包装材の全光線透過率を０％とすることができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
（２）粒径０．８μｍの炭酸カルシウムを３重量％、ＭＦＲ１．２ｇ／１０分のプロピレン・エチレンブロック共重合体を９７重量％含有する樹脂組成物（Ｄ）と、粒径１．０μｍの炭酸カルシウム２５重量％、ＭＦＲ１．２ｇ／１０分のプロピレン・エチレンブロック共重合体２８重量％、ＭＦＲ４ｇ／１０分のプロピレン単独重合体４２重量％および低密度ポリエチレン５重量％よりなる樹脂組成物（Ｅ）を、それぞれ別々の押出機を用いて２６０℃で溶融混練後、一台のダイに供給し、該ダイ内で積層（Ｄ／Ｅ／Ｄ＝１２μｍ／３００μｍ／１２μｍ）後、前記（１）で得た五層延伸フィルムの片面に押出ラミネートし、ロールで圧縮冷却して肉厚４１４μｍの積層シートを得た。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月5日(2005.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
セパレータの空隙率は３０％から９０％の範囲内であることが好ましい。空隙率が３０％未満であると、電解液保持量が少なすぎたり、イオン伝導性の低下によるインピーダンスの上昇が著しくなったりすることがある。一方、９０％を超えると、セパレータ強度の低下による作業性の悪化が懸念される。
セパレータの透気度は１００秒／１００ｃｃ以下であることが好ましい。セパレータの透気度が１００秒／１００ｃｃより高くなるとイオン伝導性の低下によるインピーダンスの上昇が著しくなることがある。
ここで、透気度とは、ＪＩＳ  Ｐ  ８１１７に準拠した値である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月22日(2005.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
天面に備えられたトッププレートと、前記トッププレートに備えられた被加熱物を載置する載置部と、前記載置部下方に設けられた加熱手段と、前記加熱手段の加熱出力等の情報を表示する表示手段と、前記加熱手段の加熱出力等の操作を行う操作部と、前記操作部の操作に基づき前記加熱手段の加熱出力を制御してその情報を前記表示手段により表示する制御部とを有し、
前記表示手段またはその近傍の温度を検知する温度検知手段を設けたことを特徴とする加熱調理器。
【請求項２】
天面に備えられたトッププレートと、前記トッププレートに備えられた被加熱物を載置する載置部と、前記載置部下方に設けられた加熱手段と、前記加熱手段の加熱出力等の情報を表示する表示手段と、前記加熱手段の加熱出力等の操作を行う操作部と、前記操作部の操作に基づき前記加熱手段の加熱出力を制御してその情報を前記表示手段により表示する制御部とを有し、
前記表示手段またはその近傍の温度を検知する温度検知手段を設け、前記温度検知手段により検知される温度が所定の温度に達したときに、前記加熱手段の加熱出力を低減又は停止させることを特徴とする加熱調理器。
【請求項３】
天面に備えられたトッププレートと、前記トッププレートに備えられた被加熱物を載置する載置部と、前記載置部下方に設けられた加熱手段と、前記加熱手段の加熱出力等の情報を表示する表示手段と、前記加熱手段の加熱出力等の操作を行う操作部と、前記操作部の操作に基づき前記加熱手段の加熱出力を制御してその情報を前記表示手段により表示する制御部と、調理器内部に気流を発生させる送風手段を有し、
前記表示手段は前記トッププレートの下方に、前記トッププレートと隙間を設けて備えられ、前記隙間に送風手段により発生された気流が通過するように構成されたことを特徴とする加熱調理器。
【請求項４】
前記表示手段は、発光素子と、前記発光素子が固定された基板と、前記発光素子の発する光を拡散する光拡散手段とを備え、表示手段またはその近傍の温度を検知する温度検知手段が前記発光素子の固定された同一基板上に設けられて表示装置ユニットを構成していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の加熱調理器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明にかかる加熱調理器は、天面に備えられたトッププレートと、前記トッププレートに備えられた被加熱物を載置する載置部と、前記載置部下方に設けられた加熱手段と、前記加熱手段の加熱出力等の情報を表示する表示手段と、前記加熱手段の加熱出力等の操作を行う操作部と、前記操作部の操作に基づき前記加熱手段の加熱出力を制御してその情報を前記表示手段により表示する制御部とを有し、前記表示手段またはその近傍の温度を検知する温度検知手段を設けたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また本発明における加熱調理器は、前記温度検知手段により検知される温度が所定の温度に達したときに、前記加熱手段の加熱出力を低減又は停止させることを特徴とする。
また本発明にかかる加熱調理器は、天面に備えられたトッププレートと、前記トッププレートに備えられた被加熱物を載置する載置部と、前記載置部下方に設けられた加熱手段と、前記加熱手段の加熱出力等の情報を表示する表示手段と、前記加熱手段の加熱出力等の操作を行う操作部と、前記操作部の操作に基づき前記加熱手段の加熱出力を制御してその情報を前記表示手段により表示する制御部と、調理器内部に気流を発生させる送風手段を有し、前記表示手段は前記トッププレートの下方に、前記トッププレートと隙間を設けて備えられ、前記隙間に送風手段により発生された気流が通過するように構成されたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月11日(2005.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
次に、（ｂ）工程として、真空プレス機６の上室３１を下方に移動させて下室４１と当接させ、吸排気口３２及び吸排気口４２から真空引きして上室３１及び下室４１を真空状態にする。次に、（ｃ）工程として、吸排気口３２から空気が送り込まれ、上室３１が大気圧に戻される。このとき、下室４１は吸排気口４２から引き続き真空引きされているため、ダイヤフラム１が太陽電池モジュール前駆体２Ａの上面及び側面に密着される。これにより、太陽電池モジュール前駆体２Ａが貼り合わされて一体化される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月14日(2005.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図９及び図１０に示すように、インクジェット記録用ノズルキャップ３１の５つの内部壁面には、ノズル列が設けられており、各ノズル列は、それぞれの内側に向かって外部電極形成用導電性インクを吐出することができるので、キャップキャリア３を矢印Ｂの方向で各セラミックコンデンサチップ１１に向かって押し下げながら、外部電極形成用導電性インクを吐出すると、セラミックコンデンサチップ１１の外部電極形成用端部１１ａの上端部の５つの外部壁面に外部電極形成用導電性インクが付着し、外部電極形成用端部１１ａの必要な部分に湿潤被膜４１Ａ〔図６（ｅ）参照〕が形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月14日(2005.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
ここで、キャリア基板１１や半導体チップ１８などの線膨張係数の違いにより、半導体パッケージＰＫ１１が下側に反っているのもとする。そして、例えば、半導体パッケージＰＫ１１が下側に反った状態で、キャリア基板１１上に設けられたランド１３ａ〜１３ｃに突出電極３６、４６をそれぞれ接合させることにより、キャリア基板３１、４１をキャリア基板１１上にそれぞれ実装することができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
図４は、本発明の第３実施形態に係るキャリア基板の製造方法を示す断面図である。
図４（ａ）において、配線基板９１には配線パターン９３が形成され、配線パターン９３が形成された配線基板９１が接着層９２を介して積層されることにより、例えば、４層基板が形成されている。そして、４層基板の裏面には、厚みが一定のランド９５が形成され、ランド９５の表面が露出するようにして、ソルダレジストなどの絶縁膜９４が形成されている。そして、例えば、４層基板の表面に形成された銅箔のパターニングを行うことにより、厚みが一定のランド９６を４層基板の表面に形成する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１１、３１、４１、５１、７１、８１、１１１、１３１、１４１、２１１  キャリア基板、９１  配線基板、１２、１３ａ〜１３ｄ、３２ａ〜３２ｃ、４２ａ〜４２ｃ、５２、５３ａ〜５３ｄ、７２ａ〜７２ｃ、８２ａ〜８２ｃ、９６、９６ａ〜９６ｃ、１１２ａ〜１１２ｃ、１１３ａ〜１１３ｄ、１３２ａ〜１３２ｃ、１４２ａ〜１４２ｃ、１５２、２１２、２１３ａ〜２１３ｄ、２３４ａ〜２３４ｃ、２４４ａ〜２４４ｃ  ランド、１４、１５、３３、４３、５４、５５、７３、８３、９４、９７、１１４、１１５、１３３、１４３、１５３、２１４、２１５、２３３、２４３  絶縁膜、１６、１７、３４、４４、５６、５７ａ〜５７ｄ、７４ａ〜７４ｃ、８４ａ〜８４ｃ、９８ａ〜９８ｃ、１１６、１１７、１３４、１４４、１５４、２１６、２１７、２３７、２４７  開口部、１８、５８、１１８、２３１、２４１  半導体チップ、１９、２１、３６、４６、５９、６１、７６、８６、１１９、１２１、１３６、１４６、２１９、２２１、２３８、２４８  突出電極、２０、６０、１２０、２０  異方性導電シート、９１、９２  接着層、９３  配線パターン、３５、４５、７５、８５、１３５、１４５  封止樹脂、１５１  マザー基板、２３２、２４２  電極パッド、２３４、２４４  応力緩和層、２３５、２４５  再配置配線、２３６、２４６  ソルダレジスト層、ＰＫ１１〜ＰＫ１３、ＰＫ２１〜ＰＫ２３、ＰＫ３１〜ＰＫ３３、ＰＫ４１〜ＰＫ４３  半導体パッケージ
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月14日(2005.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
これにより、種類またはサイズが異なる第２半導体チップを第１半導体チップ上に複数積層することが可能となり、様々の機能を持たせることを可能としつつ、半導体チップ実装時の省スペース化を図ることが可能となる。
また、本発明の一態様に係る電子デバイスによれば、電子部品が搭載された第１パッケージと、前記電子部品上に端部が配置されるようにして、前記第１パッケージ上に支持された第２パッケージと、前記第２パッケージの端部を前記電子部品上で支持する突出部とを備えることを特徴とする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係る半導体装置、電子デバイスおよびそれら製造方法について図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の構成を示す断面図、図２は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す平面図である。なお、この第１実施形態は、半導体チップ（または半導体ダイ）１３がＡＣＦ接合により実装された半導体パッケージＰＫ１１上に、スタックド構造の半導体チップ（または半導体ダイ）２３ａ〜２３ｃがワイヤボンド接続された半導体パッケージＰＫ１２およびスタックド構造の半導体チップ（または半導体ダイ）３３ａ〜３３ｃがワイヤボンド接続された半導体パッケージＰＫ１３をそれぞれ積層したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
なお、キャリア基板１１、２１、３１としては、例えば、両面基板、多層配線基板、ビルドアップ基板、テープ基板またはフィルム基板などを用いることができ、キャリア基板１１、２１、３１の材質としては、例えば、ポリイミド樹脂、ガラスエポキシ樹脂、ＢＴレジン、アラミドとエポキシのコンポジットまたはセラミックなどを用いることができる。また、突出電極１６、２６、３６としては、例えば、Ａｕバンプ、半田材などで被覆されたＣｕバンプやＮｉバンプ、あるいは半田ボールなどを用いることができ、導電性ワイヤ２５ａ〜２５ｃ、３５ａ〜３５ｃとしては、例えば、ＡｕワイヤやＡｌワイヤなどを用いることができる。また、突出部２８、３８としては、半田ボールなどの突出電極を用いるようにしてもよいし、樹脂などの緩衝部材を用いるようにしてもよい。また、上述した実施形態では、キャリア基板２１、３１をキャリア基板１１上にそれぞれ実装するために、突出電極２６、３６をキャリア基板２１、３１のランド２２ａ、３２ａ上にそれぞれ設ける方法について説明したが、突出電極２６、３６をキャリア基板１１のランド１２ｃ上に設けるようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月28日(2005.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  主表面上に凹凸を有し、
前記凹凸の凸部上に達することなく凹部上のみに延在する電極部を有する薄板。
【請求項２】  前記電極部が互いに平行するように複数形成され、
前記主表面上において、複数の前記電極部と交差する方向に延在し、前記凹凸の凹部上および凸部上を通るように形成された他の電極部をさらに備え、
前記電極部の幅が前記他の電極部の幅よりも狭く形成された、請求項１に記載の薄板。
【請求項３】  主表面に凹凸を有する薄板の位置合わせ装置であって、
主表面に凹凸を有し、吸引手段を備えたステージを備えた位置合わせ装置。
【請求項４】  前記薄板を移送する位置決めピンと、
前記薄板を該薄板の主表面と垂直な方向に移動させる台座とをさらに備えた、請求項３に記載の位置合わせ装置。
【請求項５】  前記吸引手段は、
減圧による吸引機構、
または気流による吸引機構、
または静電気による吸引機構の少なくとも１つを含む、請求項３または請求項４に記載の位置合わせ装置。
【請求項６】  前記ステージに形成された凹凸は、少なくとも１方向において周期的である、請求項３から請求項５のいずれかに記載の位置合わせ装置。
【請求項７】  前記ステージに形成された凹凸は、前記薄板の主表面に形成された凹凸に対して整数倍のピッチを有する、請求項３から請求項６のいずれかに記載の位置合わせ装置。
【請求項８】  前記位置決めピンは荷重センサを備え、
前記荷重センサは前記薄板の移送時の抵抗を計測する請求項４から請求項７のいずれかに記載の位置合わせ装置。
【請求項９】  主表面に凹凸を有する薄板の位置合わせ方法であって、
前記薄板を移送して、ステージの主表面に形成された凹凸に対応する位置に配置する工程と、
前記薄板を前記ステージに吸引する工程とを備えた位置合わせ方法。
【請求項１０】  前記位置合わせ方法は、荷重センサを備えた位置決めピンによって移送時の抵抗を計測しながら前記ステージ上に載置された前記薄板を移送する工程と、
前記荷重センサによって計測した結果をフィードバックして前記薄板と前記ステージとの凹凸の位置関係を調整する工程とをさらに備えた、請求項９に記載の位置合わせ方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
特開２００１−２２３１７２号公報においては、凹凸を有する基板（成長基板）を冷却し、冷却された基板の凹凸部の表面を、金属材料もしくは半導体材料のうち少なくともいずれか一方を含有する材料の融液に接触させ、該材料の結晶を凹凸部の表面に成長させることで、上記の材料で形成されたシート（薄板）を得るシート製造方法が開示されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る薄板は、主表面上に凹凸を有し、凹凸の凸部上に達することなく凹部上のみに延在する電極部を有する。これにより、安定した幅の電極が形成された薄板を得ることができる。ここで、好ましくは、電極部が互いに平行するように複数形成され、上記薄板は、主表面上において、複数の電極部と交差する方向に延在し、凹凸の凹部上および凸部上を通るように形成された他の電極部をさらに備え、電極部の幅が他の電極部の幅よりも狭く形成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
薄板１上に形成されるサブグリッド５（電極部）は１００μｍ以上５００μｍ以下程度の幅で形成されるので、サブグリッド５の長手方向に薄板１の凹凸が存在する場合、該凹凸によってサブグリッド５の線幅にばらつきが生じる。よって、サブグリッド５は、薄板１上において、板厚のばらつきが小さい凹部６上のみに延在する（サブグリッド５の長手方向において薄板１の凸部を通らない）ように電極を形成する必要がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
一方、メイングリッド４（他の電極部）は１．０ｍｍ以上２．０ｍｍ以下程度の幅で形成される。この場合、薄板１の凹凸によって生じるメイングリッド４の線幅のばらつきは、該メイングリッド４の線幅に対して非常に小さい。したがって、このばらつきがメイングリッド４の性質に過大な影響を及ぼすことはない。よって、メイングリッド４の長手方向において薄板１の凸部を通るように電極を形成してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月23日(2005.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光学的異方性の溶融相を形成し得る熱可塑性ポリマー(以下、これを熱可塑性液晶ポリマーと略称することがある)からなるフィルム(以下、これを熱可塑性液晶ポリマーフィルムと略称することがある)を絶縁層に用いた回路基板とその製造方法に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
本発明において絶縁層を構成する熱可塑性液晶ポリマーフィルムは、熱可塑性液晶ポリマーを押出成形して得られる。任意の押出成形法がこの目的のために使用されるが、周知のＴダイ製膜法、ラミネート体延伸法、インフレーション法等が工業的に有利である。特に、ラミネート体延伸法やインフレーション法では、フィルムの機械軸方向（以下、ＭＤ方向と略す）だけでなく、これと直交する方向（以下、ＴＤ方向と略す）にも応力が加えられるため、ＭＤ方向とＴＤ方向との間における機械的性質および熱的性質のバランスのとれたフィルムを得ることができるので、より好適に用いることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
【実施例】
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。なお、融点および熱膨張係数、並びに熱寸法信頼性は、以下の方法により測定した。
・  融点および熱膨張係数
熱可塑性液晶ポリマーフィルムの融点は、示差走査熱量計を用いて、２０℃／分の速度で昇温し完全に溶融させた後、５０℃／分の速度で５０℃まで急冷し、再び２０℃／分の速度で昇温した時に現れる吸熱ピークの位置で測定した。
また、熱可塑性液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数は、熱機械分析装置（ＴＭＡ）を用い、幅５ｍｍ、長さ２０ｍｍのフィルムの両端に１ｇの引張荷重をかけ、５℃／分の速度で２００℃まで昇温後、２０℃／分の速度で冷却し、再び５℃／分の速度で昇温した時の３０℃と１５０℃の間の長さの変化に基づいて算出した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
（２）熱寸法信頼性
幅２００ｍｍ、長さ２００ｍｍの積層体（回路基板）表面の格子状銅箔パターン（線幅：２ｍｍ、ピッチ：５ｍｍ）上に、シリコンウェハー（熱膨張係数：２×１０−６ｃｍ／ｃｍ／℃）上に格子状のハンダボール(線幅：２ｍｍ、ピッチ：５ｍｍ)が設けられた素子を、ハンダボールが格子状の銅箔パターンと同じ位置になるように室温下に載せ、これを２３０℃の赤外線炉中で２０秒間加熱した。この加熱を１０回繰返した後の積層体の格子状銅箔パターンとシリコンウェハー上のハンダボールとの位置ズレ（銅箔パターンの線幅を基準とする）を、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察によって測定した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  メモリトランジスタを有するメモリセルアレイ領域と、前記メモリセルアレイ領域と隣接する選択トランジスタを有する選択ゲート領域と、前記メモリセルアレイ領域の周辺に位置する周辺回路領域とを備えた半導体記憶装置であって、
前記選択ゲート領域は、
半導体層と、
前記半導体層上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された第１の電極層と、
前記第１の電極層及び前記第１の絶縁膜を貫通して前記半導体層内に至るまで形成され、素子領域を分離する素子分離絶縁膜で形成され、前記第１の電極層と自己整合的に形成された素子分離領域と、
前記第１の電極層上に形成された第２の電極層と
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】  前記周辺回路領域は、
前記半導体層と、
前記半導体層上に形成された前記第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成された前記第１の電極層と、
前記第１の電極層及び前記第１の絶縁膜を貫通して前記半導体層内に至るまで形成され、前記素子領域を分離する前記素子分離絶縁膜で形成され、前記第１の電極層と自己整合的に形成された前記素子分離領域と、
前記第１の電極層及び前記素子分離領域上に形成され、前記第１の電極層の表面の一部を露出する開口部を有する第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上及び前記第１の電極層の露出された前記表面上に形成され、前記開口部を介して前記第１の電極層と電気的に接続された前記第２の電極層と
を具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置。
【請求項３】  前記第２の電極層に接続部材を介して電気的に接続された配線をさらに具備し、
前記配線と前記第１の電極層とは、前記第２の電極層を前記素子領域から前記素子分離領域上まで引き出して前記第２の電極層を介して接続されることを特徴とする請求項２に記載の半導体記憶装置。
【請求項４】  浮遊ゲートとして機能する第１の電極層と、制御ゲートとして機能する第２の電極層と有するメモリトランジスタを備えたメモリセルアレイ領域と、
メモリセルアレイ領域と隣接する選択トランジスタを備えた選択ゲート領域と、
前記メモリセルアレイ領域の周辺に位置する周辺回路領域と
を具備する半導体記憶装置であって、
前記メモリセルアレイ領域、前記選択ゲート領域及び前記周辺回路領域に共通する半導体層と、
前記半導体層上に前記メモリセルアレイ領域、前記選択ゲート領域及び前記周辺回路領域に共通して形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に前記メモリセルアレイ領域、前記選択ゲート領域及び前記周辺回路領域に共通して形成された第１の電極層と、
前記第１の電極層及び前記第１の絶縁膜を貫通して前記半導体層内に至るまで形成され、素子領域を分離する素子分離絶縁膜で形成され、前記第１の電極層と自己整合的に形成され、前記メモリセルアレイ領域、前記選択ゲート領域及び前記周辺回路領域にそれぞれ形成された素子分離領域と、
前記メモリセルアレイ領域における前記第１の電極層及び前記素子分離領域上に形成された第２の絶縁膜と、
前記メモリセルアレイ領域における前記第２の絶縁膜上に形成され、前記選択ゲート領域及び前記周辺回路領域における前記第１の電極層上に形成された第２の電極層と
を具備することを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項５】  メモリトランジスタを有するメモリセルアレイ領域と、前記メモリセルアレイ領域と隣接する選択トランジスタを有する選択ゲート領域と、前記メモリセルアレイ領域の周辺に位置する周辺回路領域とを備えた半導体記憶装置の製造方法であって、
前記メモリセルアレイ領域及び前記選択ゲート領域に共通して、半導体層を形成する工程と、
前記メモリセルアレイ領域及び前記選択ゲート領域に共通して、前記半導体層上に第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記メモリセルアレイ領域及び前記選択ゲート領域に共通して、前記第１の絶縁膜上に第１の電極層を形成する工程と、
前記メモリセルアレイ領域及び前記選択ゲート領域のそれぞれに、前記第１の電極層及び前記第１の絶縁膜を貫通して前記半導体層内に至るまで素子分離絶縁膜を形成し、この素子分離絶縁膜からなる素子分離領域で素子領域を分離する工程と、
前記メモリセルアレイ領域及び前記選択ゲート領域に共通して、前記素子分離領域及び前記第１の電極層上に第２の絶縁膜を形成する工程と、
前記選択ゲート領域の前記第２の絶縁膜を除去し、前記第１の電極層の表面を露出する開口部を形成する工程と、
前記メモリセルアレイ領域の前記第２の絶縁膜上及び前記選択ゲート領域の前記第１の電極層の露出された前記表面上に第２の電極層を形成する工程と、
前記第１の絶縁膜をストッパとして、前記メモリセルアレイ領域の前記第１の電極層、前記第２の絶縁膜及び前記第２の電極層を連続的に除去して前記メモリトランジスタのゲート電極を形成すると同時に、前記選択ゲート領域の前記第１及び第２の電極層を連続的に除去して前記選択トランジスタのゲート電極を形成する工程と
を具備することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月5日(2005.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
ここで、キャリア基板６１および封止樹脂６４を一体的に切断することにより、半導体チップ６２ａ〜６２ｃの実装面側のキャリア基板６１ａ〜６１ｃの一面全体に封止樹脂６４ａ〜６４ｃをそれぞれ形成することが可能となる。このため、製造工程の複雑化を抑制しつつ、突出電極６５ａ〜６５ｃの配置領域の剛性を向上させることが可能となり、キャリア基板６１ａ〜６１ｃの反りを低減させることが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月18日(2004.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプルホールド回路を複数直列に接続し、初段のサンプルホールド回路にアナログ信号を入力し、これを順次後段のサンプルホールド回路に転送するサンプルホールド回路群と、
各サンプルホールド回路の出力と所定の乗数との乗算を行う乗算回路と、
乗算結果を加算する加算回路と、
を備えたフィルタ回路において、
前記サンプルホールド回路に既知データを供給する既知データ供給手段と、
前記既知データ供給手段から供給された複数の既知データによって、前記加算回路の出力から理想値を減じた値を平均する平均化手段と、
前記平均化手段の出力を前記加算回路の出力から減算する減算回路と、
をさらに備えていることを特徴とするフィルタ回路。
【請求項２】
サンプルホールド回路を、複数直列に接続し、初段のサンプルホールド回路にアナログ入力電圧を入力し、これを順次後段に転送して、前記アナログ入力電圧を時系列で保持するサンプルホールド回路群と；
各サンプルホールド回路に対応して設けられ、デジタル乗数の各ビットの重みに対応したキャパシタンスを並列してなる容量結合と、この容量結合における各キャパシタンスに前記アナログ入力電圧を接続する複数の乗数スイッチと、前記容量結合の出力に接続された反転増幅回路と、この反転増幅回路の入出力を接続する帰還キャパシタンスと、を有し、乗数スイッチの開閉によって前記アナログ入力電圧に所定の乗数を乗ずる複数の乗算回路と；
これら乗算回路の出力を符号付アナログ加算する加算回路と；
を備えたフィルタ回路において、
前記サンプルホールド回路に既知のデータを供給するデータ供給手段と；
このデータ供給手段から供給された複数の既知データによりフィルタ回路が生成した出力から理想値を減じた値を平均する平均値手段と；
この平均値手段の出力をその後のフィルタ出力から減算する減算回路と；
をさらに備えていることを特徴とするフィルタ回路。
【請求項３】
サンプルホールド回路は、入力スイッチ、入力キャパシタンス、反転増幅回路を直列し、反転増幅回路の入出力を帰還キャパシタンスによって接続してあることを特徴とする請求項１又は２記載のフィルタ回路。
【請求項４】
平均値手段は、フィルタ回路の出力をデジタル化するＡ／Ｄ変換回路と、このＡ／Ｄ変換回路の出力を保持するレジスタと、このレジスタの出力を順次取り込んで、複数回のフィルタ回路出力を平均する平均値回路とを備えていることを特徴とする請求項１又は２記載のフィルタ回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
図２はサンプルホールド回路ＳＨ１の一例を示し、入力電圧Ｖｉ２を入力スイッチＳ２１に接続し、このスイッチＳ２１に入力キャパシタンスＣ２１、反転増幅回路Ｉ２１を接続してある。反転増幅回路Ｉ２１の出力は帰還キャパシタンスＣｏ２１を介してその入力に接続され、Ｉ２１の出力にはスイッチＳ２２を介して中間キャパシタンスＣ２２が接続されている。キャパシタンスＣ２２の出力は反転増幅回路Ｉ２２に接続され、Ｉ２２の出力は帰還キャパシタンスＣｏ２２を介してその入力に接続されている。さらに反転増幅回路Ｉ２２の出力はスイッチＳ２３を介して出力電圧Ｖｏ２として出力される。すなわち反転増幅回路は２段階の反転・保持回路よりなる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図３は乗算回路ＭＵＬ１の１例を示し、複数のキャパシタンスＣ３１〜Ｃ３ｍを並列に接続してなる容量結合の出力に反転増幅回路Ｉ３を接続し、この反転増幅回路の出力を帰還キャパシタンスＣｏ３を介してその入力に接続してなる。各キャパシタンスＣ３１〜Ｃ３ｍの入力には乗数スイッチＳ３１〜Ｓ３ｍを介して入力電圧Ｖｉ３が接続され、これらスイッチは各キャパシタンスの入力をＶｉ３またはグランドに接続する。Ｖｉ３が接続されたキャパシタンスはこのＶｉ３に対する重み付き加算を行う。ここでスイッチＳ３１〜Ｓ３ｍの制御信号をｂ１〜ｂｍとし、これらが「１」のときＶｉ３を接続し、「０」のときグランドを接続とすることとすると、ＭＵＬ１の出力電圧Ｖｏ３は式（３）のとおりとなる。
【数３】
2000068789.tif 000001
この回路において前記誤差Ｅｍｊは主に反転増幅回路Ｉ３のオフセットに起因する。