【手続補正書】
【提出日】平成16年12月7日(2004.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）半導体ウェハの表面に単層または積層の第１絶縁膜を成膜する工程、
（ｂ）前記半導体ウェハのエッジにおける前記第１絶縁膜を除去する工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程後に、前記半導体ウェハの半導体チップ取得領域と前記半導体チップ取得領域以外との両方において前記第１絶縁膜をパターニングする工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程後に、前記第１絶縁膜をマスクとして前記半導体ウェハをエッチングする工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程後に、前記第１絶縁膜上を含む前記半導体ウェハ上に第２絶縁膜を成膜する工程、
（ｆ）前記第２絶縁膜の表面を機械的および化学的に研磨し、その表面を平坦化する工程、
（ｇ）前記半導体ウェハのエッジにおける前記第２絶縁膜を除去する工程、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｂ）工程は、スラリまたは砥石を用いる研磨手段により研磨することで行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記研磨手段は複数の研磨ドラムを有し、前記複数の研磨ドラムの各々は、前記半導体ウェハのエッジにそれぞれ異なる領域において接触し、前記半導体ウェハのエッジの形状に応じて、その接触する角度が変化することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｂ）工程はドライエッチングまたはウェットエッチングにより行われることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
（ａ）半導体ウェハの表面に単層または積層の第１絶縁膜を成膜する工程、
（ｂ）前記半導体ウェハの半導体チップ取得領域と前記半導体チップ取得領域以外との両方において前記第１絶縁膜をパターニングする工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程後に、前記第１絶縁膜をマスクとして前記半導体ウェハをエッチングする工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程後に、前記第１絶縁膜上を含む前記半導体ウェハ上に第２絶縁膜を成膜する工程、
（ｅ）前記第２絶縁膜の表面を機械的および化学的に研磨し、その表面を平坦化する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程後に、前記半導体ウェハのエッジにおいて、前記第１絶縁膜を研磨終点として前記第２絶縁膜を研磨する工程、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｆ）工程は、スラリまたは砥石を用いる研磨手段により研磨することで行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記研磨手段は複数の研磨ドラムを有し、前記複数の研磨ドラム各々は、前記半導体ウェハのエッジにそれぞれ異なる領域において接触し、前記半導体ウェハのエッジの形状に応じて、その接触する角度が変化することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項８】
請求項５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｆ）工程はドライエッチングまたはウェットエッチングにより行われることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】
（ａ）半導体ウェハの表面に第１絶縁膜を成膜する工程、
（ｂ）前記半導体ウェハの半導体チップ取得領域と前記半導体チップ取得領域以外との両方において前記第１絶縁膜をパターニングする工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程後に、前記第１絶縁膜上を含む前記半導体ウェハ上に第１導電性膜を成膜する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程後に、前記半導体ウェハのエッジにおける前記第１導電性膜を除去する工程、
（ｅ）前記半導体ウェハの半導体チップ取得領域上の前記第１絶縁膜の表面を研磨終点として、前記第１導電性膜を機械的および化学的に研磨する工程、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｄ）工程は、スラリまたは砥石を用いる研磨手段により研磨することで行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記研磨手段は複数の研磨ドラムを有し、前記複数の研磨ドラムの各々は、前記半導体ウェハのエッジにそれぞれ異なる領域において接触し、前記半導体ウェハのエッジの形状に応じて、その接触する角度が変化することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｄ）工程はドライエッチングまたはウェットエッチングにより行われることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項９記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１導電性膜が銅膜または銅合金膜である場合には、前記（ｄ）工程において前記半導体ウェハのエッジの前記第１絶縁膜も所定の膜厚だけ除去することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１４】
（ａ）半導体ウェハの表面に第１絶縁膜を成膜する工程、
（ｂ）前記半導体ウェハの半導体チップ取得領域と前記半導体チップ取得領域以外との両方において前記第１絶縁膜をパターニングする工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程後に、前記第１絶縁膜上を含む前記半導体ウェハ上に第１導電性膜を成膜する工程、
（ｄ）前記半導体ウェハの前記半導体チップ取得領域上の前記第１絶縁膜の表面を研磨終点として、前記第１導電性膜を機械的および化学的に研磨する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程後に、前記半導体ウェハのエッジにおける前記第１導電性膜を除去する工程、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｅ）工程は、スラリまたは砥石を用いる研磨手段により研磨することで行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記研磨手段は複数の研磨ドラムを有し、前記複数の研磨ドラムの各々は、前記半導体ウェハのエッジにそれぞれ異なる領域において接触し、前記半導体ウェハのエッジの形状に応じて、その接触する角度が変化することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１４記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｅ）工程はドライエッチングまたはウェットエッチングにより行われることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１４記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記第１導電性膜が銅膜または銅合金膜である場合には、前記（ｅ）工程において前記半導体ウェハのエッジの前記第１絶縁膜も所定の膜厚だけ除去することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１９】
（ａ）半導体ウェハ上に第１導電性膜を成膜する工程、
（ｂ）スラリまたは砥石を用いる研磨手段により前記半導体ウェハのエッジにおける前記第１導電性膜を除去する工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程後に、前記第１導電性膜をパターニングし、配線を形成する工程、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２０】
（ａ）半導体ウェハ上に第１導電性膜を成膜する工程、
（ｂ）前記半導体ウェハの半導体チップ取得領域と前記半導体チップ取得領域以外との両方において前記第１導電性膜をパターニングし、配線を形成する工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程後に、スラリまたは砥石を用いる研磨手段により前記半導体ウェハのエッジにおける前記第１導電性膜を除去する工程、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２１】
（ａ）半導体ウェハ上に第１導電性膜を成膜する工程、
（ｂ）前記半導体ウェハの半導体チップ取得領域と前記半導体チップ取得領域以外との両方において前記第１導電性膜をパターニングし第１配線を形成する工程、
（ｃ）前記第１配線上を含む前記半導体ウェハ上に第１絶縁膜を成膜する工程、
（ｄ）前記半導体ウェハのエッジにおける前記第１絶縁膜を除去する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程後に、前記第１絶縁膜の表面を機械的および化学的に研磨し、その表面を平坦化する工程、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２２】
請求項２１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｄ）工程は、スラリまたは砥石を用いる研磨手段により研磨することで行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２３】
請求項２２記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記研磨手段は複数の研磨ドラムを有し、前記複数の研磨ドラムの各々は、前記半導体ウェハのエッジにそれぞれ異なる領域において接触し、前記半導体ウェハのエッジの形状に応じて、その接触する角度が変化することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項２１記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｄ）工程はドライエッチングまたはウェットエッチングにより行われることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２５】
（ａ）半導体ウェハ上に第１導電性膜を成膜する工程、
（ｂ）前記半導体ウェハの半導体チップ取得領域と前記半導体チップ取得領域以外との両方において前記第１導電性膜をパターニングし第１配線を形成する工程、
（ｃ）前記第１配線上を含む前記半導体ウェハ上に第１絶縁膜を成膜する工程、
（ｄ）前記第１絶縁膜の表面を機械的および化学的に研磨し、その表面を平坦化する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程後に、前記半導体ウェハのエッジにおける前記第１絶縁膜を除去する工程、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２６】
請求項２５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｅ）工程は、スラリまたは砥石を用いる研磨手段により研磨することで行うことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２７】
請求項２６記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記研磨手段は複数の研磨ドラムを有し、前記複数の研磨ドラムの各々は、前記半導体ウェハのエッジにそれぞれ異なる領域において接触し、前記半導体ウェハのエッジの形状に応じて、その接触する角度が変化することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２８】
請求項２５記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記（ｅ）工程はドライエッチングまたはウェットエッチングにより行われることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２９】
（ａ）半導体ウェハの表面に単層または積層の第１絶縁膜を成膜する工程、
（ｂ）前記半導体ウェハのエッジにおける前記第１絶縁膜を除去する工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程後に、前記半導体ウェハの半導体チップ取得領域と前記半導体チップ取得領域以外との両方において前記第１絶縁膜をパターニングする工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程後に、前記第１絶縁膜をマスクとして前記半導体ウェハをエッチングする工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程後に、前記第１絶縁膜上を含む前記半導体ウェハ上に第２絶縁膜を成膜する工程、
（ｆ）前記第２絶縁膜の表面を機械的および化学的に研磨し、その表面を平坦化する工程、
（ｇ）前記（ｆ）工程後に、前記半導体ウェハ上に第３絶縁膜を成膜する工程、
（ｈ）前記半導体ウェハのエッジにおける前記第３絶縁膜を除去する工程、
（ｉ）前記（ｈ）工程後に、前記第３絶縁膜の表面を機械的および化学的に研磨し、その表面を平坦化する工程、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３０】
（ａ）半導体ウェハの表面に単層または積層の第１絶縁膜を成膜する工程、
（ｂ）前記半導体ウェハのエッジにおける前記第１絶縁膜を除去する工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程後に、前記半導体ウェハの半導体チップ取得領域と前記半導体チップ取得領域以外との両方において前記第１絶縁膜をパターニングする工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程後に、前記第１絶縁膜をマスクとして前記半導体ウェハをエッチングする工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程後に、前記第１絶縁膜上を含む前記半導体ウェハ上に第２絶縁膜を成膜する工程、
（ｆ）前記第２絶縁膜の表面を機械的および化学的に研磨し、その表面を平坦化する工程、
（ｇ）前記（ｆ）工程後に、前記半導体ウェハ上に第３絶縁膜を成膜する工程、
（ｈ）前記第３絶縁膜の表面を機械的および化学的に研磨し、その表面を平坦化する工程、
（ｉ）前記（ｈ）工程後に、前記半導体ウェハのエッジにおける前記第３絶縁膜を除去する工程、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３１】
（ａ）半導体ウェハの表面に単層または積層の第１絶縁膜を成膜する工程、
（ｂ）前記半導体ウェハの半導体チップ取得領域と前記半導体チップ取得領域以外との両方において前記第１絶縁膜をパターニングする工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程後に、前記第１絶縁膜をマスクとして前記半導体ウェハをエッチングする工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程後に、前記第１絶縁膜上を含む前記半導体ウェハ上に第２絶縁膜を成膜する工程、
（ｅ）前記第２絶縁膜の表面を機械的および化学的に研磨し、その表面を平坦化する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程後に、前記半導体ウェハのエッジにおいて、前記第１絶縁膜を研磨終点として前記第２絶縁膜を研磨する工程、
（ｇ）前記（ｆ）工程後に、前記半導体ウェハ上に第３絶縁膜を成膜する工程、
（ｈ）前記半導体ウェハのエッジにおける前記第３絶縁膜を除去する工程、
（ｉ）前記（ｈ）工程後に、前記第３絶縁膜の表面を機械的および化学的に研磨し、その表面を平坦化する工程、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３２】
（ａ）半導体ウェハの表面に単層または積層の第１絶縁膜を成膜する工程、
（ｂ）前記半導体ウェハの半導体チップ取得領域と前記半導体チップ取得領域以外との両方において前記第１絶縁膜をパターニングする工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程後に、前記第１絶縁膜をマスクとして前記半導体ウェハをエッチングする工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程後に、前記第１絶縁膜上を含む前記半導体ウェハ上に第２絶縁膜を成膜する工程、
（ｅ）前記第２絶縁膜の表面を機械的および化学的に研磨し、その表面を平坦化する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程後に、前記半導体ウェハのエッジにおいて、前記第１絶縁膜を研磨終点として前記第２絶縁膜を研磨する工程、
（ｇ）前記（ｆ）工程後に、前記半導体ウェハ上に第３絶縁膜を成膜する工程、
（ｈ）前記第３絶縁膜の表面を機械的および化学的に研磨し、その表面を平坦化する工程、
（ｉ）前記（ｈ）工程後に、前記半導体ウェハのエッジにおける前記第３絶縁膜を除去する工程、
を含むことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。