Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月18日(2005.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧を調整する制御回路が収容されるレギュレータケースと、高電位側端子と低電位側端子を有し前記制御回路による電圧調整動作によって発生するサージを吸収するコンデンサ素子と、前記レギュレータケースに形成されて前記コンデンサ素子を収納する収納部と、前記収納部に充填される前記コンデンサ素子の封止用樹脂とを有する車両用回転電機において、前記高電位側端子および前記低電位側端子は前記封止用樹脂から露出しており、前記高電位側端子と前記低電位側端子の間に仕切板を設けたことを特徴とする車両用回転電機。
【請求項２】
請求項１において、前記収納部は、内壁面に溝部が形成されており、前記仕切板は、前記収納部の内壁面に形成された前記溝部に挿入固定されることを特徴とする車両用回転電機。
【請求項３】
請求項１において、前記収納部は、前記コンデンサ素子が挿入される位置に開口部を有しており、前記高電位側端子および前記低電位側端子のそれぞれは、前記開口部よりも前記コンデンサ素子が挿入される向きに延伸しており、この延伸方向に沿った前記仕切板の高さを、前記高電位側端子および前記低電位側端子の高さよりも高く設定することを特徴とする車両用回転電機。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかにおいて、前記仕切板は、前記高電位側端子と前記低電位側端子とが並ぶ向きに沿って、所定間隔で複数形成されることを特徴とする車両用回転電機。
【請求項５】
請求項３において、前記封止用樹脂は、前記開口部より低い位置に充填されていることを特徴とする車両用回転電機。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかにおいて、前記仕切板は、前記封止用樹脂に埋没する部位が、埋没位置が前記封止用樹脂の表面から深くなるにしたがって幅広になる広がり部を形成していることを特徴とする車両用回転電機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、上述した封止用樹脂は、開口部より低い位置に充填されている。特に、このような形状を有する樹脂を用いた場合に、コンデンサ素子の端子間のリークの防止による信頼性向上の効果が顕著となる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月1日(2005.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像処理装置及び画像処理方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  所定の条件に応じて画素の加算方式を変化させることが可能な画像入力手段と、
前記画像入力手段からの信号を画像信号として処理する画像信号処理手段と、
前記画像信号処理手段により処理された信号に対して雑音除去を行う雑音除去手段と、
前記画素の加算方式を選択する選択手段とを備えたことを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】  所定の条件に応じて画素の加算方式を変化させることを可能とする画像入力ステップと、
前記画像入力ステップからの信号を画像信号として処理する画像信号処理ステップと、
前記画像信号処理ステップにより処理された信号に対して雑音除去を行う雑音除去ステップと、
前記画素の加算方式を選択する選択ステップとを備えたことを特徴とする画像処理方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、画像信号の雑音を除去する機能を有する撮像装置等の画像処理装置及び画像処理方法に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は上記従来の問題点に鑑み、画質劣化を伴うことなく効率的に画像信号の雑音除去を行うことができる画像処理装置及び画像処理方法を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の画像処理装置では、所定の条件に応じて画素の加算方式を変化させることが可能な画像入力手段と、前記画像入力手段からの信号を画像信号として処理する画像信号処理手段と、前記画像信号処理手段により処理された信号に対して雑音除去を行う雑音除去手段と、前記画素の加算方式を選択する選択手段とを備えたことを特徴とする。
また、本発明の画像処理方法では、所定の条件に応じて画素の加算方式を変化させることを可能とする画像入力ステップと、前記画像入力ステップからの信号を画像信号として処理する画像信号処理ステップと、前記画像信号処理ステップにより処理された信号に対して雑音除去を行う雑音除去ステップと、前記画素の加算方式を選択する選択ステップとを備えたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月24日(2005.10.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無線通信システム、電源供給方法、そのためのプログラム及び記憶媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  無線アクセスポイント機能を有する複数の無線モジュールと、制御部を有する無線アクセスポイント装置とを有する無線通信システムにおいて、
前記無線モジュールは、前記無線端末の接続収容台数を前記制御部に通知する通知手段を有し、
前記制御部は、前記通知手段により通知される前記複数の無線モジュールにおける前記無線端末の接続収容台数を検出する検出手段と、前記検出手段の検出結果に応じて、前記無線モジュールに対する電源供給を制御する供給手段とを有し、
前記通知手段は、前記無線端末の接続収容台数の変化により起動されることを特徴とする無線通信システム。
【請求項２】  前記通知手段は、前記制御部からの問い合わせにより起動されることを特徴とする請求項１記載の無線通信システム。
【請求項３】  前記制御部は、第１の無線モジュールにおける前記無線端末の接続収容台数に応じて第２の無線モジュールが起動しているか否かを判断する判断手段を有し、前記供給手段は、前記判断手段の判断の結果、前記第２の無線モジュールが少なくとも１台以上起動している場合、前記第１の無線モジュールへの電源供給を停止することを特徴とする請求項１記載の無線通信システム。
【請求項４】  前記無線端末に対して前記無線モジュールを特定する第１のアクセスポイント識別子を送信する送信手段を有し、
前記無線端末は、前記第１のアクセスポイント識別子に基づいて、接続収容先の無線モジュールを変更することを特徴とする請求項１記載の無線通信システム。
【請求項５】  前記制御部は、前記第１の無線モジュールに接続収容中の前記無線端末の台数変化数と、第２の無線モジュールに接続収容中の前記無線端末の収容台数とに応じて、前記第１の無線モジュールに接続収容する無線端末の接続先を、前記第２の無線モジュールに変更するための処理を行う変更手段と、を有することを特徴とする請求項１記載の無線通信システム。
【請求項６】  前記送信手段による送信処理の際に、動作停止中の無線モジュールを起動する起動手段を有することを特徴とする請求項４記載の無線通信システム。
【請求項７】  前記起動手段による無線モジュールの起動の際に、当該無線モジュールに対応するアクセスポイント識別子を生成する生成手段を有することを特徴とする請求項６記載の無線通信システム。
【請求項８】  前記供給手段は、前記無線アクセスポイント装置の電源供給方式に応じて、前記無線モジュールへの電源供給制御を行うことを特徴とする請求項１記載の無線通信システム。
【請求項９】  無線アクセスポイント装置において、
複数の無線モジュールから通知される無線端末の接続収容台数を検出する検出手段と、
前記検出手段の検出結果に応じて、前記無線モジュールに対する電源供給を制御する供給手段とを有することを特徴とする無線アクセスポイント装置。
【請求項１０】  無線アクセスポイント装置における電源供給方法において、
複数の無線モジュールから通知される無線端末の接続収容台数を検出する検出工程と、
前記検出工程における検出結果に応じて、前記無線モジュールに対する電源供給を制御する供給工程とを有することを特徴とする電源供給方法。
【請求項１１】  無線アクセスポイント装置に適用されるプログラムにおいて、
複数の無線モジュールから通知される無線端末の接続収容台数を検出する検出機能と、
前記検出機能における検出結果に応じて、前記無線モジュールに対する電源供給を制御する供給機能とを、コンピュータに実現させるためのプログラム。
【請求項１２】  無線アクセスポイント装置における電源供給方法を実行するプログラムを記憶したコンピュータにより読み出し可能な記憶媒体において、
前記電源供給方法は、複数の無線モジュールから通知される無線端末の接続収容台数を検出する検出ステップと、
前記検出ステップにおける検出結果に応じて、前記無線モジュールに対する電源供給を制御する供給ステップとを有することを特徴とする記憶媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の無線モジュールを有する無線アクセスポイント装置において、バッテリセーブや無線チャネルの有効活用等を実現する際の技術に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、上述した点に鑑みなされたものであり、無線端末を効率良く接続収容することを可能とし、バッテリセーブや無線チャネルの有効活用等を可能にすることを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明は、無線アクセスポイント機能を有する複数の無線モジュールと、制御部を有する無線アクセスポイント装置とを有する無線通信システムにおいて、前記無線モジュールは、前記無線端末の接続収容台数を前記制御部に通知する通知手段を有し、前記制御部は、前記通知手段により通知される前記複数の無線モジュールにおける前記無線端末の接続収容台数を検出する検出手段と、前記検出手段の検出結果に応じて、前記無線モジュールに対する電源供給を制御する供給手段とを有し、前記通知手段は、前記無線端末の接続収容台数の変化により起動されることを特徴とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、複数の無線モジュールに接続収容される無線端末の変動に応じて、無線モジュールへの電源制御を行うので、例えば、任意の無線端末を１つの無線モジュールに集中的に接続収容することが可能となる。これに伴い、無線アクセスポイント装置のバッテリセーブが可能となり、更に無線チャネルの有効活用を実現することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１００  ネットワーク
１０１  認証サーバ端末
１０２  無線アクセスポイント装置
１０３  無線周辺装置
１０４〜１０７  無線端末１〜４
３０１  中央制御部（制御部、検出手段、供給手段）
３０２  有線インタフェース部
３０３  記憶領域部
３０４  無線アクセスポイントモジュール１（無線モジュール、通知手段）
３０５  無線アクセスポイントモジュールｎ（無線モジュール、通知手段）
４０１  ＡＰＭ別収容端末管理情報テーブル
４０２  端末別管理情報テーブル
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月17日(2005.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二本鎖ＤＮＡの一方の鎖における検査領域より３’末端側の配列にハイブリダイズする第１の配列部分と、前記検査領域の配列として想定される配列と同一の配列を持ち、かつ前記第１の配列部分の５’末端側に続く第２の配列部分とを有する第１のプライマーと、前記ＤＮＡの他方の鎖における検査領域より３’末端側の配列にハイブリダイズする第２のプライマーとを使用して、前記ＤＮＡを鋳型とするＰＣＲ反応により前記検査領域を含むＤＮＡ断片を増幅する工程と、
増幅された前記ＤＮＡ断片を一本鎖化した後に電気泳動分離する工程と
を含むことを特徴とする、核酸配列の検査方法。
【請求項２】
一本鎖ＤＮＡまたは二本鎖ＤＮＡの一方の鎖における第１の所定の塩基数からなる検査領域の３’末端から５’→３’方向に第２の所定の塩基数だけ離れた第３の所定の塩基数の配列にハイブリダイズする第１の配列部分と、前記第１の所定の塩基数からなり、前記検査領域の配列として想定される配列と同一の配列を持ち、かつ前記第１の配列部分の５’末端側に続く第２の配列部分とを有する第１のプライマーと、前記検査領域の配列の５’末端から３’→５’方向に第４の所定の塩基数だけ離れた第５の所定の塩基数の配列に相補な配列にハイブリダイズする配列を有し、５’末端が標識された第２のプライマーとを使用して、前記ＤＮＡを鋳型とするＰＣＲ反応により前記検査領域を含むＤＮＡ断片を増幅する工程と、
増幅された前記ＤＮＡ断片を一本鎖化した後に電気泳動分離する工程と
を含むことを特徴とする、核酸配列の検査方法。
【請求項３】
得られた一本鎖ＤＮＡ断片の３’末端側に形成された、前記第２の配列部分の配列に相補な第３の配列部分の配列と、前記検査領域の配列との自己ハイブリダイゼーションの有無を指標として前記検査領域の配列を同定する工程を更に含む、請求項１または２に記載の核酸配列の検査方法。
【請求項４】
二本鎖ＤＮＡの一方の鎖における検査領域より３’末端側の配列にハイブリダイズする第１の配列部分と、前記検査領域の配列として想定される配列と同一の配列を持ち、かつ前記第１の配列部分の５’末端側に続く第２の配列部分とを有する第１のプライマーと、前記ＤＮＡの他方の鎖における検査領域より３’末端側の配列にハイブリダイズする第２のプライマーとを使用して、前記ＤＮＡを鋳型とするＰＣＲ反応により前記検査領域を含むＤＮＡ断片を増幅する工程と、
増幅された前記ＤＮＡ断片の自己ハイブリダイゼーションの有無により、前記検査領域の配列を同定する工程と
を含むことを特徴とする、核酸配列の検査方法。
【請求項５】
二本鎖ＤＮＡの一方の鎖における検査領域より３’末端側の配列にハイブリダイズする第１の配列部分と、前記検査領域の配列を検出するための配列を持ち、かつ前記第１の配列部分の５’末端側に続く第２の配列部分とを有する第１のプライマーと、前記ＤＮＡの他方の鎖における検査領域より３’末端側の配列にハイブリダイズする第２のプライマーとを使用して、前記ＤＮＡを鋳型とするＰＣＲ反応により前記検査領域を含むＤＮＡ断片を増幅する工程と、
増幅された前記ＤＮＡ断片を一本鎖化した後に電気泳動分離する工程と
を含むことを特徴とする、核酸配列の検査方法。
【請求項６】
二本鎖ＤＮＡの一方の鎖における検査領域より３’末端側の配列にハイブリダイズする第１の配列部分と、前記検査領域の配列として想定される配列と同一の配列を持ち、かつ前記第１の配列部分の５’末端側に続く第２の配列部分とを有する第１のプライマーと、前記ＤＮＡの他方の鎖における検査領域より３’末端側の配列にハイブリダイズする第２のプライマーとを使用して、前記ＤＮＡを鋳型とするＰＣＲ反応により前記検査領域を含むＤＮＡ断片を増幅する工程を含むことを特徴とする、試料調製方法。
【請求項７】
一本鎖ＤＮＡまたは二本鎖ＤＮＡの一方の鎖における第１の所定の塩基数からなる検査領域の３’末端から５’→３’方向に第２の所定の塩基数だけ離れた第３の所定の塩基数の配列にハイブリダイズする第１の配列部分と、前記第１の所定の塩基数からなり、前記検査領域の配列として想定される配列と同一の配列を持ち、かつ前記第１の配列部分の５’末端側に続く第２の配列部分とを有する第１のプライマーと、前記検査領域の配列の５’末端から３’→５’方向に第４の所定の塩基数だけ離れた第５の所定の塩基数の配列に相補な配列にハイブリダイズする配列を有する第２のプライマーとを使用して、前記ＤＮＡを鋳型とするＰＣＲ反応により前記検査領域を含むＤＮＡ断片を増幅する工程を含むことを特徴とする、試料調製方法。
【請求項８】
二本鎖ＤＮＡの一方の鎖における検査領域より３’末端側の配列にハイブリダイズする第１の配列部分と、前記検査領域の配列として想定される配列と同一の配列を持ち、かつ前記第１の配列部分の５’末端側に続く第２の配列部分とを有する第１のプライマー、及び
前記ＤＮＡの他方の鎖における検査領域より３’末端側の配列にハイブリダイズする第２のプライマー
を含むことを特徴とする、核酸配列の検査のためのキット。
【請求項９】
一本鎖ＤＮＡまたは二本鎖ＤＮＡの一方の鎖における第１の所定の塩基数からなる検査領域の３’末端から５’→３’方向に第２の所定の塩基数だけ離れた第３の所定の塩基数の配列にハイブリダイズする第１の配列部分と、前記第１の所定の塩基数からなり、前記検査領域の配列として想定される配列と同一の配列を持ち、かつ前記第１の配列部分の５’末端側に続く第２の配列部分とを有する第１のプライマー、
前記検査領域の配列の５’末端から３’→５’方向に第４の所定の塩基数だけ離れた第５の所定の塩基数の配列に相補な配列にハイブリダイズする配列を有し、５’末端が標識された第２のプライマー
を含むことを特徴とする、核酸配列の検査のためのキット。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
〔ローリング制御系〕
ローリング制御系の入力機器としては、トラクタ本機１の左右傾斜角度を重力
式の傾斜センサや角速度センサを利用して検出する傾斜検出機構２５と、ロータ
リ耕耘装置２の左右方向での目標傾斜角度（例えば左右水平）に設定するポテン
ショメータ利用の傾斜設定器（調節操作機構）２６と、ローリングシリンダ７の
長さを検出するストロークセンサ２７とが制御装置１０に接続されている。この
ローリング制御系によれば、本機１が左または右に傾斜すると、傾斜検出機構２
５の検出値に基づいて、本機傾斜に伴うロータリ耕耘装置２の傾斜を修正して目
標傾斜角度にする目標シリンダ長さが演算され、この目標長さに一致するように
ローリングシリンダ７が電磁制御弁１２を介して伸縮制御されることで、ロータ
リ耕耘装置２の傾斜角度が目標傾斜角度に安定維持されるのである。なお、前記
傾斜設定器２６も前記操作パネル２０に組み込まれている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月20日(2005.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
検査法が培養法であるため、検査結果がでるまでには数日を要する。また、計数する場合には、大抵の場合、試験者が目視によって細菌のコロニー（集落）を計数するため、正確であると言い難い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
従来の微生物汚染検査法は、培養法に基づくもので、試験者が目視によって細菌のコロニー（集落）を計数するため、正確性に欠けるが、請求項１から４記載の微生物汚染試験方法は、微生物汚染の指標にＡＴＰ濃度を採用しているので、短時間で再現性よく微生物汚染の確認ができる。また、ＡＴＰ濃度測定は、市販の試薬キット及び発光測定装置を用いればよい。したがって、試料の簡易的かつ大量分析が可能となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
３）データ処理工程  種々の濃度に調製した既知濃度のＡＴＰ溶液（ＡＴＰ標準液）を測定し、標準曲線（検量線）を作成する。そして、試料の測定結果から得られる発光量に対するＡＴＰ濃度を検量線から読み取り、試料中に含まれる微生物中のＡＴＰ量を測定する。これにより、微生物の汚染度が確認できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
（実施例３）試料中のカビ類汚染の確認
図６は、カビ（Asperillus oryzae）の菌体数とＡＴＰ濃度の関係を示した特性図である。ここでは、試供菌体にAsperillus oryzaeを選定し、試料に超音波を３分間照射した後、ＡＴＰを抽出したこと以外は、実施例１と同じ測定操作とした。図示された結果から明らかなように、菌体数とＡＴＰ濃度の関係が比例関係にあり、ＡＴＰ濃度からカビ類の汚染を確認することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
２）発光量測定  次に、前記の各三角フラスコを３０℃のもと１７時間静置培養した後、ＡＴＰ測定試薬キット（ルシフェールＡＳ（明電舎製））を使用して、生物発光・化学発光測定装置（ルミノメータＵＰＤ−４０００（明電舎製））で３０秒間の発光量を計測した。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
従来の微生物汚染検査法は、培養法に基づくもので、試験者が目視によって細菌のコロニー（集落）を計数するため、正確性に欠けるが、本発明は再現性よくＡＴＰを測定することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月6日(2005.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導管の内側表面に一体的に接合されるようになっているエミッターユニットであって、ハウジング入り口及びハウジング出口を有するハウジングと、導管の内部に露出せしめられこれに沿って延びているハウジングの外側表面に形成された部分的に覆われた細長い流入チヤンネルとを具備し、該流入チヤンネルが、該ハウジング入り口と連通しており、該ハウジング出口が、導管出口と連通するようになっているエミッターユニット。
【請求項２】
複数の部分的に覆われた細長い流入チヤンネルが、該外側表面の間隔を置いた位置に形成されており、連通チヤネルが該流入チヤンネルに対して横方向で該外側表面に形成されており、これにハウジング入り口が形成されていて、該流入チヤンネルの水の流れが該ハウジング入り口に流れ出る請求項１のエミッターユニット。
【請求項３】
導管の内側表面に一体的に接合されるようになっているエミッターユニットであって、ハウジングと、該導管の内側と連通するようになっているハウジング入り口と、導管出口と連通するようになっているハウジング出口を具備し、該ハウジングは相互にカップリングされて箱状の構造を形成するようになっている受け入れ及びカバー部材から構成されており、更に、それぞれ両該部材の内側表面に形成された細長い溝と、該ハウジング内に取り付けられておりそして該溝の上にある弾性的に柔軟性の膜であって、該膜に形成された連通開口を介して連通するコンポーネント流れ制限流路を規定する弾性的に柔軟性の膜を具備し、該コンポーネント流路の１つの流路入り口は該ハウジング入り口と連通しており、該コンポーネント流路のもう１つの流路出口は該ハウジング出口と連通していることを特徴とするエミッターユニット。
【請求項４】
各溝が流れ制限バッフルの反対向きの列の対を持って形成されている請求項３のエミッターユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月10日(2004.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダクト（２６）を通過して移動するガスの物理的ガス流量値から、補正したガス流量値を得るための方法であって、
前記ダクト（２６）の内部にレーザーベースのセンサ（３０）を当てる段階と、
前記ガスの物理的ガス流量値ＷＰｈｙｓｉｃａｌを前記レーザーベースのセンサ（３０）によって測定する段階と、
前記測定した物理的ガス流量値から補正したガス流量値ＷＣｏｒｒを計算する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ダクト（２６）の前記内部におけるよどみ点温度ＴＴ及びよどみ点圧力ＰＴを測定する段階と、
標準日値温度Ｔ０と標準日値圧力Ｐ０を得る段階と、
θ＝ＴＴ／Ｔ０    と  δ＝ＰＴ／Ｐ０を定義する段階と、
式ＷＣｏｒｒ＝ＷＰｈｙｓｉｃａｌ×（√θ  ／δ）によってＷＣｏｒｒを計算する段階と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記レーザーベースのセンサ（３０）を用いて、前記ダクト（２６）の前記内部における静温度Ｔ、ガス密度ρ、及びガス流速ｖを測定する段階と、
標準日値温度Ｔ０と標準日値圧力Ｐ０を得る段階と、
式ＷＣｏｒｒ＝
ＷＰｈｙｓｉｃａｌ×（Ｐ０／√Ｔ０）×（Ｔ２．５／（ρＲ（ｖ２／７Ｒ＋Ｔ）３））
によってＷＣｏｒｒを計算する（ここで、Ｒは理想ガス定数）段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
従来のセンサシステムによって、前記ダクト（２６）の前記内部におけるよどみ点温度ＴＴ、ガス密度ρ、及びガス流速ｖを測定する段階と、
標準日値温度Ｔ０と標準日値圧力Ｐ０を得る段階と、
式ＷＣｏｒｒ＝ＷＰｈｙｓｉｃａｌ×（Ｐ０／√Ｔ０）×
（（ＴＴ−（ｖ２／７Ｒ）２．５）／（ρＲＴＴ３））によってＷＣｏｒｒを計算する（ここで、Ｒは理想ガス定数）段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記レーザーベースのセンサシステム（３０）を前記ダクト（２６）の前記内部に当てる前記段階が、
第１光電子放出器（４２）を、前記ダクト（２６）の前記内部の第１位置に配置する段階と、
第１光検知器（５０）を、前記第１光電子放出器（４２）と反対側でその上流側に或る角度をなし前記第１光電子放出器（４２）と向き合うように前記ダクト（２６）の前記内部の第２位置に配置する段階と、
第２光電子放出器（４４）を、前記ダクト（２６）の前記内部の前記第１光電子放出器（４２）と同じ側でその上流側の第３位置に配置する段階と、
第２光検知器（５２）を、前記第２光電子放出器（４４）と反対側でその下流側に或る角度をなし前記第２光電子放出器（４４）と向き合うように前記ダクト（２６）の前記内部の第４位置に配置する段階と、
前記光電子放出器（４２、４４）及び前記光検知器（５０、５２）からの信号をガスの物理的パラメータに変換するようにプログラムされた中央処理ユニット（３８）に、前記光電子放出器（４２、４４）及び前記光検知器（５０、５２）を接続する段階と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ガスタービンエンジン（１０）のダクト（２６）を通過して流れるガスの物理的ガス流量値ＷＰｈｙｓｉｃａｌを測定し、該ＷＰｈｙｓｉｃａｌから補正したガス流量値ＷＣｏｒｒを計算するためのセンサシステム（３０）であって、
前記ダクト（２６）の内部に固定され、前記ダクト（２６）内を移動するガスの物理的パラメータと関連する特性を測定するレーザーベースのセンサ（４０、４４、５０、５２）と、
前記センサ（４２、４４、５０、５２）の作動を制御し、前記センサ（４２、４４、５０、５２）から信号情報を受信し、ＷＰｈｙｓｉｃａｌとＷＣｏｒｒを計算するための、前記レーザーベースのセンサ（４２、４４、５０、５２）に結合された処理ユニット（３８）と、
を備えることを特徴とするセンサシステム（３０）。
【請求項７】
前記レーザーベースのセンサ（４２、４４、５０、５２）が、
前記ダクト（２６）の前記内部の第１位置に設けた第１光電子放出器（４２）と、
前記第１光電子放出器（４２）と反対側でその上流側に或る角度をなし前記第１光電子放出器（４２）と向き合うように前記ダクト（２６）の前記内部の第２位置に設けた第１光検知器（５０）と、
前記ダクト（２６）の前記内部の前記第１光電子放出器（４２）と同じ側でその上流側の第３位置に設けた第２光電子放出器（４４）と、
前記第２光電子放出器（４４）と反対側でその下流側に或る角度をなし前記第２光電子放出器（４４）と向き合うように前記ダクト（２６）の前記内部の第４位置に設けた第２光検知器（５２）と、
を備えることを特徴とする請求項６に記載のセンサシステム（３０）。
【請求項８】
前記光電子放出器（４２、４４）と前記光検知器（５０、５２）が、前記ダクト（２６）の中のガス流に関して、前記ガス流に対する垂線から約１０度〜約６０度の角度で位置決めされていることを特徴とする請求項７に記載のセンサシステム（３０）。
【請求項９】
前記光電子放出器（４２、４４）と前記光検知器（５０、５２）の前記角度が、前記ガス流に対する垂線から約４５度であることを特徴とする請求項８に記載のセンサシステム（３０）。
【請求項１０】
前記処理ユニット（３８）が、前記第１光電子放出器（４２）を介してガスの特性と関連した所定の周波数を有する第１ビームを生成し、前記第２光電子放出器（４４）を介してガスの特性と関連した所定の周波数を有する第２ビームを生成するようにプログラムされていることを特徴とする請求項９に記載のセンサシステム（３０）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
既存の圧力ベースの空気流量センサは、多くの試験とリアルタイムの作動条件の下で、不確実な物理的空気流量情報をもたらしがちである。このようなセンサから得られる物理的空気流量パラメータの対応する補正は、複合モデルと補助のマルチプローブ式レーキ装置を必要とする。従って、適切な精度を有する圧力ベースのセンサは、製造用に或いは開発試験用に用いるには、高価すぎる。レーザーベースのセンサは、信頼しうる物理的空気流量情報を得ることができる所望の技術を提供する。しかしながら、要求されているのは、レーザーベースのセンサを使用して補正した空気流量を得る実行可能なシステム及び方法である。
【特許文献１】米国特許５，２５９，２３４号公報
【特許文献２】米国特許５，７０１，１７２号公報
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月20日(2004.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁場発生装置が、
複数のラディエーターコイルと、そして
それらに接続され、複数の駆動周波数で磁場を発生するよう該コイルを駆動する駆動回路であるが、該コイルの各々は、該駆動周波数の各自の１つでの基本電流と、該残りの駆動周波数の１つ以上での打ち消し電流と、を有する各自の電流により、該ラディエーターコイルの各々が実質的に該各自の駆動周波数のみでの場を発生するよう、駆動されるようにする該駆動回路（ここで、該打ち消し電流が、該コイルの各々により、該残りのコイルの該各自の駆動周波数で該残りのコイルにより発生される該磁場に応答して、発生される寄生磁場を実質的に打ち消すよう決定される）とを具備する、
上記磁場発生装置。
【請求項２】
打ち消し電流が、該コイルの各々内で、該残りのコイルの該各自の駆動周波数で該残りのコイルにより発生される該磁場により該コイルの該各々内に発生される寄生電流と概略振幅で等しくそして位相で反対であるように該駆動回路により発生される請求項１記載の装置。
【請求項３】
駆動回路が該コイルの各々内を、該残りのコイルの該各自の駆動周波数で、流れる寄生電流を測定するため接続された電流解析器を備えており、そして該駆動回路は該測定された寄生電流に応じた該打ち消し電流を発生するよう適合されている請求項１記載の装置。
【請求項４】
駆動回路が該打ち消し電流を発生するよう該電流解析器により駆動される適合型電流源を備える請求項３の装置。
【請求項５】
駆動回路が、該コイルの各々用に、該コイルが駆動されるべき該各自の電流の波形を示すデータを記憶するよう適合されたメモリーを備えており、そして該データが該測定された寄生電流に応じて修正される請求項３の装置。
【請求項６】
駆動回路がそこで測定された該寄生電流を最小化するように各コイル内の該発生される各自の電流を調節するよう適合されている請求項３記載の装置。
【請求項７】
望ましい狭い周波数バンドを有する磁場発生方法であって、
該望ましい狭い周波数バンド内の周波数での電流でラディエーターコイルを駆動する過程と、
少なくとも１つの残りのラディエーターコイルによる引き起こされる１つ以上の望ましくない周波数での誘起された電流成分を測定するために該コイルに流れる電流を解析する過程と、そして
該コイルが実質的に該各自の駆動周波数のみでの場を発生するために、該測定された誘起電流成分に応じて、該１つ以上の望ましくない周波数での修正電流成分を含むように該コイルを駆動する該電流を調節する過程（ここで、該修正電流成分が、少なくとも１つの残りのラディエーターコイルにより発生される寄生磁場を実質的に打ち消すよう決定される打ち消し電流である）とを具備する、
上記磁場発生方法。
【請求項８】
電流を調節する過程が該各自の１つ以上の望ましくない周波数で測定された該誘起電流成分と概略振幅が等しく位相が反対である修正電流成分を発生する過程を備える請求項７記載の方法。
【請求項９】
ラディエーターコイルを駆動する過程が該コイルが駆動されるべき該電流の波形を示すデータを記憶する過程を備えており、そして該電流を調節する過程が該誘起電流成分に応じて該データを修正する過程を備える請求項７記載の方法。
【請求項１０】
測定された誘起成分が予め決められたしきい値の下になるまで、該望ましくない周波数での該成分を測定するため該電流を解析する過程と、該測定された誘起電流成分に応じて該電流を調節する過程と、を反復的に繰り返す過程を具備する請求項７記載の方法。
【請求項１１】
目的物を追跡する方法であって、
複数のラディエーターコイルを各自の駆動周波数での電流で駆動する過程であるが、追跡される目的物の周辺で該周波数での複数の磁場を発生するよう該駆動する過程と、
該コイル内に流れる該電流を、該コイルの各々内に、該各々に対する残りのコイルの該周波数の１つ以上での誘起された電流成分を測定するよう、解析する過程と、
該コイルの該各々が実質的に該各自の駆動周波数のみでの場を発生するために、該コイルの該各々を駆動する該電流を、該測定された誘起電流成分に応じて、該残りのコイルの該周波数での修正電流成分を含むように、適合的に調節する過程と、
該目的物上の配置可能なサイトに１つ以上のセンサーコイルを置く過程と、
該磁場に応答して該センサーコイルにより発生される信号を受信する過程と、そして
該目的物の位置及び方位座標を決定するために該信号を解析する過程（ここで、該修正電流成分が、該コイルの各々により、該残りのコイルの該各自の駆動周波数で該残りのコイルにより発生される該磁場に応答して、発生される寄生磁場を実質的に打ち消すよう決定される打ち消し電流である）とを具備する、
上記方法。
【請求項１２】
目的物追跡システムであって、
複数のラディエーターコイルと、そして
複数の駆動周波数で磁場を発生するよう該コイルを駆動するため接続された、駆動回路であるが、該コイルの各々は、該駆動周波数の各自の１つでの基本電流と、該残りの駆動周波数の１つ以上での打ち消し電流と、を有する各自の電流により、該コイルの各々が実質的に該各自の駆動周波数のみでの場を発生するように、駆動されるようにする該駆動回路（ここで、該打ち消し電流が、該コイルの各々により、該残りのコイルの該各自の駆動周波数で該残りのコイルにより発生される該磁場に応答して、発生される寄生磁場を実質的に打ち消すよう決定される）と、
該目的物に固定された、１つ以上のセンサーコイルと、そして
該目的物の座標を決定するよう、該磁場により該センサーコイル内に誘起された電流を受信し、解析するために接続された、処理回路を具備する、
上記システム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月26日(2005.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
電流を注入することによって発光し発熱する発光体を備えた照明装置であって、
前記発光体に、当該発光体において発生する熱量を外部に放熱するための熱回収部を設けることを特徴とする照明装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明に係る照明装置は、電流を注入することによって発光し発熱する発光体を備えた照明装置であって、上記発光体に、当該発光体において発生する熱量を外部に放熱するための熱回収部を設けることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月21日(2005.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも片面がベース面とされた主基板にバイアスパワーを印加しつつ前記ベース面上に非磁性材料を成膜して副基板を形成し、表面粗さが前記主基板のベース面の表面粗さよりも小さい磁気記録媒体用基板を得ることを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項２】
少なくとも片面がベース面とされた主基板の前記ベース面上に非磁性材料を成膜して副基板を形成し、該副基板の表面をドライエッチングで加工して、表面粗さが前記主基板のベース面の表面粗さよりも小さい磁気記録媒体用基板を得ることを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記副基板の材料として、二酸化ケイ素、ケイ素、ダイヤモンドライクカーボン、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化クロム、炭化物、窒化物、ＩＴＯのいずれかを含む材料を用いることを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記主基板の材料として、ガラス、アルミナ、ケイ素、グラシーカーボン及び樹脂のいずれかを含む材料を用いることを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項５】
少なくとも片面がベース面とされた基板の前記ベース面をドライエッチングを用いて平坦化することを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
中心線平均粗さが１ｎｍ以下となるように表面を仕上げるようにしたことを特徴とする磁気記録媒体用基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の磁気記録媒体用基板の製造方法により製造した磁気記録媒体用基板上に、直接的又は間接的に記録層を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月17日(2005.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方の電極対向面が固体誘電体で被覆された一対の対向する電極を備え、該電極間に放電処理電圧を印加して放電させ、プラズマを発生させて被処理物をプラズマ処理する放電プラズマ処理方法であって、
前記放電処理電圧を間欠的ないし連続的に印加するプラズマ処理工程の前工程および／または後工程として、前記放電処理電圧より低く前記電極間で放電が立たない放電準備電圧を前記電極間に印加することを特徴とする放電プラズマ処理方法。
【請求項２】
請求項１に記載の放電プラズマ処理方法により、複数の被処理物をプラズマ処理する方法であって、
前記被処理物を、前記前工程として電極間に順次設置する工程と、前記電極間に設置された被処理物をプラズマ処理する工程と、前記後工程としてプラズマ処理後の被処理物を撤去する工程とを備え、前記設置工程および／または撤去工程では、前記放電準備電圧を前記電極間に印加することを特徴とする放電プラズマ処理方法。
【請求項３】
前記放電準備電圧は、前記放電処理電圧の１０〜９９．９％に設定することを特徴とする請求項１または２に記載の放電プラズマ処理方法。
【請求項４】
前記放電準備電圧は、前記放電処理電圧の７０〜９５％に設定することを特徴とする請求項１または２に記載の放電プラズマ処理方法。
【請求項５】
少なくとも一方の電極対向面が固体誘電体で被覆された一対の対向する電極を備え、該電極間に放電処理電圧を印加して放電させ、プラズマを発生させて被処理物をプラズマ処理する放電プラズマ処理装置であって、
該処理装置は、前記電極に印加する電圧を制御する手段を備え、該電圧制御手段は、前記放電処理電圧の間欠的ないし連続的な印加前および／または印加後に、該放電処理電圧より低く前記電極間で放電が立たない放電準備電圧を印加制御することを特徴とする放電プラズマ処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月8日(2005.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
発熱体原料とするＭｏＳｉ２粉末とガラス粉末を混合後、有機バインダーと混合し、この混合物を成形体とした後、焼結して発熱体の基材内部に存在するガラス相が６〜１６ｖｏｌ％（表面酸化被膜を除く）である発熱体を製造する際に、前記ガラス粉末に含まれる不純物のＦｅ、Ｎａ、Ｋをそれぞれ０．１ｗｔ％以下とすることを特徴とする耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明者らは、発熱体中のガラス相（ＳｉＯ２系酸化物）、特にシリカ（ＳｉＯ２）相を低減することにより、耐熱衝撃性を向上させ、かつガラス相中の不純物を低減した、特に半導体製造装置用熱処理炉（酸化・拡散炉を含む）の急速加熱冷却が可能であるＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体を低コストで提供できるとの知見を得た。
本発明はこの知見に基づき、
１）発熱体原料とするＭｏＳｉ２粉末とガラス粉末を混合後、有機バインダーと混合し、この混合物を成形体とした後、焼結して発熱体の基材内部に存在するガラス相が６〜１６ｖｏｌ％（表面酸化被膜を除く）である発熱体を製造する際に、前記ガラス粉末に含まれる不純物のＦｅ、Ｎａ、Ｋをそれぞれ０．１ｗｔ％以下とすることを特徴とする耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の製造方法。
２）混合物を７０〜２００°Ｃに加熱した型から押出して棒状の成形体とすることを特徴とする上記１記載の耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の製造方法。
３）棒状の成形体（グリーン）を脱脂、一次焼結及び通電加熱焼結することを特徴とする上記２記載の耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の製造方法。
４）発熱体の基材内部に存在するガラス相が６〜１６ｖｏｌ％（表面酸化被膜を除く）であることを特徴とする上記１〜３のいずれかに記載の耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の製造方法。
５）発熱体の基材内部における発熱体断面に存在するガラス相の平均面積率が６〜１６ｖｏｌ％（表面酸化被膜を除く）であることを特徴とする上記１〜４のいずれかに記載の耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の製造方法。
６）ＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体に存在するガラス相の熱膨張率が２〜１３×１０−６／°Ｃであることを特徴とする上記１〜５のいずれかに記載の耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の製造方法。
７）ＭｏＳｉ２を主成分とし、残余ガラス相と不純物からなる発熱体において、基材内部に含まれるガラス相の最大粒径が３０μｍ以下であることを特徴とする上記１〜６のいずれかに記載の耐熱衝撃性に優れたＭｏＳｉ２を主成分とする発熱体の製造方法。
を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
これらに対し、基材内部に存在するガラス相が１９ｖｏｌ％、添加ガラスの熱膨張係数が１．０×１０−６／°ＣとＭｏＳｉ２の熱膨張係数から大きく離れ、さらに添加ガラスの最大粒径が５０μｍである比較例１は急速加熱処理後及び急速冷却後の抗折強度が低い値を示した。
比較例１の発熱体組織の走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を図２に示す。この組織のガラス相（黒い部分）は不均一に分散しており、５０μｍの巨大ガラス相がところどころに観察された。また、ガラス相が４０．０ｖｏｌ％である比較例２は水冷時に破損するという結果になった。
以上から、急速加熱処理後及び急速冷却後の抗折強度改善に、基材内部に存在するガラス相の存在量を低減させること及び添加ガラスの熱膨張係数をＭｏＳｉ２の熱膨張係数（８．０×１０−６／°Ｃ）に近似させることが、極めて有効であることが分かる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月21日(2005.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
σ=A・exp{-ΔE/kT}    （２）
（２）式から温度Ｔを下げると導電率は指数関数的に減少し、極低温では非常に小さな
値となる（絶縁体に近づく）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
＃Dの木炭では導電率（σ）の温度変化がすべての備長炭とは逆であるが、その温度変
化は、以下に示すように、式（２）の指数関数的な温度変化であることが判る。
σ(実験値) = A・exp{-ΔE/kT}：  A ≒4.4Ω-1・ｃｍ-1 , △E ≒ 33 meV  （３）
（３）式のσの実験的な温度特性より、＃Ｄのおがくずから製造した木炭は、半導体特有の電気伝導率の温度特性を有していることが確認される。これより、おがくずから作製した＃Dの木炭は、キャリアの熱活性化エネルギー（ΔE）≒33meVの半導体性木炭であるこ
とがわかる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月11日(2005.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に剥離層を形成する第１工程と、
電気素子を含む被転写層を前記剥離層上に形成する第２工程と、
異物の侵入を抑制するバリア層を前記被転写層上に形成する第３工程と、
前記バリア層に接着層を介して第２基板を接合する第４工程と、
前記第１基板を介して前記剥離層にエネルギーを付与して当該剥離層に剥離を生じさせ、前記第１基板を前記被転写層から分離する第５工程と、
を含む、電気デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記電気素子は、有機ＥＬ素子を含む、請求項１に記載の電気デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記第２工程に先立って、前記剥離層と前記被転写層との間に介在する保護層を形成する第６工程を更に含む、請求項１に記載の電気デバイスの製造方法。
【請求項４】
第１基板上に第１剥離層を形成する第１工程と、
異物の侵入を抑制するバリア層を前記第１剥離層上に形成する第２工程と、
電気素子を含む被転写層を前記バリア層上に形成する第３工程と、
前記バリア層及び前記被転写層を一時的に支持するための仮転写基板を用意し、当該仮転写基板の一方面に第２剥離層を形成する第４工程と、
前記被転写層と前記第２剥離層との間に後の除去が可能な仮接着層を介在させて、前記被転写層と前記第２剥離層とを接合する第５工程と、
前記第１基板を介して前記第１剥離層にエネルギーを付与して当該第１剥離層に剥離を生じさせ、前記第１基板を前記バリア層から分離する第６工程と、
前記バリア層に接着層を介して第２基板を接合する第７工程と、
前記仮転写基板を介して前記第２剥離層にエネルギーを付与して当該第２剥離層に剥離を生じさせ、前記仮転写基板を前記被転写層から分離する第８工程と、
を含む、電気デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記第８工程の後に、前記仮接着層を除去する第９工程を更に含む、請求項４に記載の電気デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記第９工程の後に、前記被転写層上に保護層を形成する第１０工程を更に含む、請求項５に記載の電気デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記第３工程の後に、前記被転写層上に保護層を形成する第１１工程を更に含む、請求項４に記載の電気デバイスの製造方法。
【請求項８】
第１基板上に剥離層を形成する第１工程と、
異物の侵入を抑制するバリア層を前記剥離層上に形成する第２工程と、
電気素子を含む被転写層を前記バリア層上に形成する第３工程と、
前記バリア層及び前記被転写層を一時的に支持するための仮転写基板を用意し、当該仮転写基板の一方面と前記被転写層との間に後の除去が可能な仮接着層を介在させて、前記被転写層と前記仮転写基板とを接合する第４工程と、
前記第１基板を介して前記剥離層にエネルギーを付与して当該剥離層に剥離を生じさせ、前記第１基板を前記バリア層から分離する第５工程と、
前記バリア層に接着層を介して第２基板を接合する第６工程と、
前記仮接着層を除去し、前記仮転写基板を前記被転写層から分離する第７工程と、
を含む、電気デバイスの製造方法。
【請求項９】
基板と、
前記基板上に配置される接着層と、
前記接着層上に配置され、異物の侵入を抑制するバリア層と、
電気素子を含んで構成され、前記バリア層上に配置されるデバイス層と、
を備える、電気デバイス。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれかに記載の製造方法により製造される電気デバイスを含んで構成される電子機器。