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【手続補正書】
【提出日】令和2年12月9日(2020.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセンサ電極の第１群に、所定の第１の検出周波数を有する第１の容量性検出信号を印加するステップと、
前記印加された第１の容量性検出信号に基づいて、複数のセンサ電極の第２群によって受け取られる結果信号の第１のベースライン容量性測定値を取得するステップであって、前記第１のベースライン容量性測定値を取得するステップが、前記第１の検出周波数と関連した検出期間内で規定された所定の混合期間を有する第１の復調信号を適用するステップを含むステップと、
前記第１の復調信号に基づいて、前記第１群又は前記第２群の１つ以上のセンサ電極と結合された１つ以上のスイッチング要素を作動させるステップであって、前記１つ以上のスイッチング要素が、前記混合期間中に導通状態であるステップとを含む方法。
【請求項２】
前記複数のセンサ電極の第３群に、前記第１の検出周波数とは異なる第２の検出周波数を有する第２の容量性検出信号を印加するステップと、
前記印加された第２の容量性検出信号に基づいて、前記複数のセンサ電極の第４群によって受け取られる結果信号の第２のベースライン容量性測定値を取得するステップであって、前記第２のベースライン容量性測定値を取得するステップが、前記混合期間を有する第２の復調信号を適用するステップを含むステップとを更に含み、
前記第１のベースライン容量性測定値の第１の平均電流値が、前記第２のベースライン容量性測定値の第２の平均電流値と実質的に等しい、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
処理システムであって、
検出回路を含む検出モジュールが、
複数のセンサ電極の第１群に、所定の第１の検出周波数を有する第１の容量性検出信号を印加し、
前記印加された第１の容量性検出信号に基づいて、前記複数のセンサ電極の第２群によって受け取られる結果信号の第１のベースライン容量性測定値を取得するように構成され、第１のベースライン容量性測定値を取得することが、前記第１の検出周波数と関連した検出期間内で規定された所定の混合期間を有する第１の復調信号を適用することを含み、
前記第１の復調信号に基づいて、前記第１群又は前記第２群の１つ以上のセンサ電極と結合された１つ以上のスイッチング要素を作動させるように構成され、前記１つ以上のスイッチング要素が、前記混合期間中に導通状態である、検出モジュールを含む処理システム。
【請求項４】
前記１つ以上のスイッチング要素を更に含む、請求項３に記載の処理システム。
【請求項５】
前記検出モジュールが、更に、
前記複数のセンサ電極の第３群に、前記第１の検出周波数とは異なる第２の検出周波数を有する第２の容量性検出信号を印加し、
前記印加された第２の容量性検出信号に基づいて、前記複数のセンサ電極の第４群によって受け取られる結果信号の第２のベースライン容量性測定値を取得するように構成され、前記第２のベースライン容量性測定値を取得することが、前記混合期間を有する第２の復調信号を適用することを含み、
前記第１のベースライン容量性測定値の第１の平均電流値が、前記第２のベースライン容量性測定値の第２の平均電流値と実質的に等しい、請求項３に記載の処理システム。
【請求項６】
各検出期間が、正検出半サイクルと負検出半サイクルを有し、前記正検出半サイクルと前記負検出半サイクルがそれぞれ、前記混合期間に対応する長さを有する、請求項３に記載の処理システム。
【請求項７】
前記第１の復調信号が、正レベル、負レベル及びゼロレベルを有する３レベル復調信号であり、
前記第１の復調信号を適用することと、前記第２の復調信号を適用することがそれぞれ、
前記正検出半サイクル中に正レベルを適用することと、
前記負検出半サイクル中に負レベルを適用することと、
前記正検出半サイクルと前記負検出半サイクルの間の前記検出期間内の所定の期間中に前記ゼロレベルを適用することを含む、請求項６に記載の処理システム。
【請求項８】
前記１つ以上のスイッチング要素の数と位置が、前記第１群のセンサ電極及び前記第２群のセンサ電極と関連した時定数に基づいて選択される、請求項３に記載の処理システム。
【請求項９】
前記第１群の第１の電極が、前記第２群の第２の電極の第２の時定数より実質的に大きい第１の時定数を有し、
前記１つ以上のスイッチング要素を作動させることが、前記第１の電極と結合された第１のスイッチング要素を作動させることを含む、請求項８に記載の処理システム。
【請求項１０】
複数のセンサ電極と、
前記複数のセンサ電極と結合された複数のスイッチング要素と、
請求項３乃至９のいずれか１項に記載の処理システムと、
を備える入力装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月22日(2021.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
前記第２モードの間に、前記検出素子と前記参照抵抗器の間に存在する電圧が前記プロセッサに入力信号を供給する、請求項３に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記プロセッサが、
第２番目の入力を入力データとして監視し；そして、
前記第２モードの間に、前記検出と前記参照抵抗器の間の電圧を前記第２入力で受け取るように構成される
請求項７記載の装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
［発明の簡単な説明］
本発明の第１の観点によれば、圧力の適用がないと実質的に非導電性であり、圧力に応答して導電性が増加する検出素子に通電し；前記検出素子によって最初に検出できる適用された圧力に応答してプロセッサを低電力消費状態から中断させ；そして、前記検出素子が前記プロセッサを中断させる第１モードと前記プロセッサに入力データを提供する第２モードの両方で動作するように、前記検出素子が適用された圧力を更に監視するように前記プロセッサを構成し；前記第１モードの間に、前記検出素子、参照抵抗器及び閾値抵抗器の直列接続を通して電流を供給することによって前記検出素子に通電することを特徴とする機械的相互作用の検出方法を提供する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
前記参照抵抗器と前記閾値抵抗器の間に存在する電圧が前記プロセッサに割り込み信号を供給してもよい。前記第１モードの間に、前記プロセッサの第１入力が前記割り込み信号を受信し、そして、前記第２モードに入る前に、前記第１入力が前記プロセッサによって接地されてもよい。前記第２モードの間に、前記検出素子と前記参照抵抗器の間に存在する電圧が前記プロセッサに入力信号を供給してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の第２の観点によれば、割り込み入力とデータ入力を備えたプロセッサ；及び、圧力の適用がないと実質的に非導電性であり、圧力に応答して導電性が増加する検出素子を含み：前記プロセッサは、第１モードの間に低電力消費状態に入り；前記検出素子上に適用された最初の検出可能な圧力に応答して前記低電力消費状態の間に割り込み信号を受信し、それにより、監視活動中である第２モードに入り；そして、前記第２モードの間に、同じ前記検出素子が低電力消費状態である前記第１モード及び監視活動中である前記第２モードの両モードの間に適用される圧力に応答するように、前記検出素子に適用される圧力を更に監視し；前記プロセッサが、前記第１モードの間に、前記検出素子、参照抵抗器及び閾値抵抗器の直列接続を通して電流を供給するように構成されることを特徴とする機械的相互作用の検出装置を提供する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【図１】図１は、本発明の一実施形態を示し；
【図２】図２は、個々の検出素子を示し；
【図３】図３は、検出素子の配列を示し；
【図４】図４は、マイクロコントローラを含む、図２に示すタイプの装置を多重化する回路を詳細に示し；
【図５】図５は、図１４で特定されたマイクロコントローラによって実行される操作を示し；
【図６】図６は、図５で特定されたスキャンプロセスを詳細に示し；
【図７】図７は、基板に取り付けられた図２で特定されたタイプの検出素子を示し；
【図８】図８は、図７に示すタイプの基板で構成された装置を示す。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
同じ装置が両タイプの動作を促進することができるという結果を達成するために、多くの回路構成が可能であることを理解されたい。図１の実施形態では、プロセッサ１０１は、オペレーションの第１モードの間に、検出素子１０４、参照抵抗器１０５及び閾値抵抗器１０６の直列接続を通して電流を供給するように構成されている。電流は、出力として構成されているプロセッサ１０１のインターフェースピンから引き出され、出力駆動電圧を出力駆動線１０７に供給する。その結果、電流は、検出素子１０４、参照抵抗器１０５及び閾値抵抗器１０６を通って第１の接地コネクタ１０８から地面に流れる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
割り込み線１０２を地面へ接続することによって回路から閾値抵抗器１０６が効果的に除去されるので、検出素子１０４と参照抵抗器１０５を横切ってすべての利用可能な電圧が現れる。一実施形態では、プロセッサは第２入力１０３をデータ入力として監視するように構成されている。このデータ入力は、第２モードの間、検出素子１０４と参照抵抗器１０５の間の電圧を受領し、第２の分圧器を効果的に規定する。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月10日(2020.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光起電力半導体吸収体層を処理する方法であって、
還元剤を供給して還元性環境を生じさせるステップ、
吸収体層の少なくとも一部を、前記吸収体層を前記還元性環境としつつ不動態化剤に接触させるステップであって、前記吸収体層に第Ｖ族ドーパントがドープされ、かつ前記吸収体層は、カドミウム、およびテルルを含む、ステップ、ならびに
前記還元性環境中、選択される温度、および選択される圧力で、選択される処理期間、前記吸収体層を前記不動態化剤と共にアニールするステップ
を含み、
前記還元剤は、Ｈ２、硫化水素、メタン、一酸化炭素、アンモニア化合物、またはそれらの組み合わせを含み、そして
前記還元性環境は、少なくとも微量の酸素を含み、前記酸素の分圧に対する前記還元剤の分圧の比は、少なくとも３である、
方法。
【請求項２】
前記還元性環境は、実質的に無酸素である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記還元性環境の大部分は、不活性ガスで形成される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記不動態化剤は、ＣｄＣｌ２を含む、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記吸収体層は、セレンを含む、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記第Ｖ族ドーパントは、ヒ素を含む、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記選択される温度は、３５０℃から５００℃の範囲であり、前記選択される圧力は、２６，６６４Ｐａ（２００トル）から１０６，６５８Ｐａ（８００トル）の範囲であり、前記選択される処理期間は、５分間から４５分間の範囲である、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記吸収体層は、前記吸収体層の厚さ全体にわたって１×１０１６ｃｍ−３から５×１０２０ｃｍ−３の間の濃度の前記第Ｖ族ドーパントを含み、前記還元性環境中で前記吸収体層をアニールするステップは、１ａｔ％から１０ａｔ％の間の前記第Ｖ族ドーパントを活性化させる、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記不動態化剤は、ＭｎＣｌ２、ＭｇＣｌ２、ＮＨ４Ｃｌ、ＺｎＣｌ２、およびＴｅＣｌ４のうちの１つまたは複数を含む、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記第Ｖ族ドーパントは、ビスマス、アンチモン、ヒ素、リン、窒素、およびそれらの組み合わせから選択される、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記還元性環境は、９９．４％の窒素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記還元性環境は、窒素から本質的になる、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
約０．５μｍから３．５μｍの厚さにカドミウム、セレン、およびテルルを含み、かつ第Ｖ族ドーパントを含む吸収体層
を含む光起電力素子であって、
前記吸収体層中の前記第Ｖ族ドーパントの濃度は、前記吸収体層の厚さ全体にわたって約１×１０１６ｃｍ−３から約５×１０２０ｃｍ−３の間であり、
１ａｔ％から１０ａｔ％の前記第Ｖ族ドーパントが活性化する、光起電力素子。
【請求項１４】
前記吸収体層を覆うバックコンタクトを含み、前記バックコンタクトは、窒素ドープＺｎＴｅを含む、請求項１３に記載の光起電力素子。
【請求項１５】
基板、
前記基板上に形成される透明導電性酸化物（ＴＣＯ）層、
前記ＴＣＯ層上に形成されるＣｄＳｅ層、
窒素ドープＺｎＴｅを含むバックコンタクト、ならびに
前記ＣｄＳｅ層と前記バックコンタクトとの間に形成される、層厚約０．５μｍから３．５μｍにカドミウムおよびテルルを含むヒ素ドープ吸収体層
を含む光起電力素子であって、前記ドープ半導体吸収体層中のヒ素ドーパントの濃度は、前記吸収体層の厚さ全体にわたって約１×１０１６ｃｍ−３から約５×１０２０ｃｍ−３の間であり、０．５から５．０ａｔ％の第Ｖ族ドーパントは、ＣｄＴｅ結晶格子中のＴｅ空孔を占有する、光起電力素子。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月8日(2021.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を処理する方法であって、
（ａ）水平面および側壁を有する複数の突出フィーチャを有する半導体基板であって、前記突出フィーチャの前記水平面および前記側壁の上に酸化スズ層が形成されている半導体基板、を提供することと、
（ｂ）前記突出フィーチャの前記側壁において前記酸化スズ層の上にパシベーション層を形成することであって、隣接する突出フィーチャ間の間隙が前記パシベーション層の形成後に未充填のままである、ことと、
（ｃ）前記パシベーション層が形成された後に、前記突出フィーチャの前記水平面から酸化スズをエッチングし完全に除去し、それにより前記突出フィーチャの前記側壁に存在する酸化スズを完全には除去することなく、前記突出フィーチャの材料を露出させることと、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月24日(2021.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面；
前記第１の主面の反対側の第２の主面；及び
前記第１の主面と前記第２の主面との間に延在する縁部表面
を備える、ガラスシートであって、
前記ガラスシートは、０．３ｍｍ〜２ｍｍの厚さを備え、
前記ガラスシートは、ドーム形状、ボウル形状、サドル形状、又は円筒形状を備える、ガラスシート。
【請求項２】
前記形状は、以下の関係：
Ｚ＝０．８ｘ２＋０．８ｙ２
の関数であり、
Ｚ、ｘ、及びｙは、ミリメートルを単位とするデカルト座標値である、請求項１に記載のガラスシート。
【請求項３】
前記形状は、以下の関係：
【数１】
2020510950.tif 000001
の関数であり、
Ｚ、ｘ、及びｙは、ミリメートルを単位とするデカルト座標値である、請求項１に記載のガラスシート。
【請求項４】
前記ガラスシートは、０．３ｍｍ〜０．７ｍｍの厚さを備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載のガラスシート。
【請求項５】
前記ガラスシートは、フュージョンガラスシートを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載のガラスシート。
【請求項６】
第１の主面；
前記第１の主面の反対側の第２の主面；及び
前記第１の主面と前記第２の主面との間に延在する縁部表面
を備える、環状ガラス基板であって、
前記環状ガラス基板は、０．３ｍｍ〜２ｍｍの厚さを備え、
前記環状ガラス基板は、ドーム形状、ボウル形状、サドル形状、又は円筒形状を備える、環状ガラス基板。
【請求項７】
前記形状は、以下の関係：
Ｚ＝０．８ｘ２＋０．８ｙ２
の関数であり、
Ｚ、ｘ、及びｙは、ミリメートルを単位とするデカルト座標値である、請求項６に記載の環状ガラス基板。
【請求項８】
前記形状は、以下の関係：
【数２】
2020510950.tif 000002
の関数であり、
Ｚ、ｘ、及びｙは、ミリメートルを単位とするデカルト座標値である、請求項６に記載の環状ガラス基板。
【請求項９】
前記環状ガラス基板は、０．３ｍｍ〜０．７ｍｍの厚さを備える、請求項６〜８のいずれか１項に記載の環状ガラス基板。
【請求項１０】
前記環状ガラス基板は、６０ｍｍ〜１００ｍｍの直径を備える、請求項６〜９のいずれか１項に記載の環状ガラス基板。
【請求項１１】
前記環状ガラス基板は、８０ＧＰａ〜８６ＧＰａのヤング率、０．２０〜０．２６のポアソン比、及び２５００ｋｇ／ｍ３〜２７００ｋｇ／ｍ３の密度を備える、請求項６〜１０のいずれか１項に記載の環状ガラス基板。
【請求項１２】
前記環状ガラス基板は、０．２０μｍ未満の反りを備える、請求項６〜１１のいずれか１項に記載の環状ガラス基板。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年9月16日(2021.9.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
上記自動運転車制御システム及びそれを用いた方法は、以下の少なくとも１つ以上を含んでいる階層的な交通制御センタ−と交通制御ユニット（ＴＣＣｓ／ＴＣＵｓ）から構成されてもよい。
１）地域ＴＣＣからの情報を処理し、地域ＴＣＣに制御対象を提供するマクロＴＣＣ。
２）マクロＴＣＣとコリド−（幹線）ＴＣＣからの情報を処理し、コリド−ＴＣＣに制御対象を提供する地域ＴＣＣ。
３）地域ＴＣＣとセグメントＴＣＵからの情報を処理し、セグメントＴＣＵに制御対象を提供するコリド−ＴＣＣ。
４）コリド−ＴＣＣとポイントＴＣＵからの情報を処理し、ポイントＴＣＵに制御対象を提供するセグメントＴＣＵ。
５）セグメントＴＣＵと路側ユニット（ＲＳＵ）からの情報を処理し、路側ユニット（ＲＳＵ）に車両ベ−スの制御命令を提供するポイントＴＣＵ。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８０】
コリド−ＴＣＣ  １５は、ロ−ドコントロ−ラ１４から採取されたデ−タを画像処理機能で計算するための計算サ−バ−、デ−タ倉庫、デ−タ変換ユニットを含む。コリド−ＴＣＣは、セグメントＴＣＵを制御し（例えば、コリド−ＴＣＣは、１つの道路を覆って都市道路に延びる）。交通制御アルゴリズムは、セグメントとポイントＴＣＵ（例えば、自己適応予測交通制御アルゴリズム）を制御するために使用される。デ−タ倉庫はデ−タベ−スであり、コリド−ＴＣＣ１５の予備システムでもある。コリド−ＴＣＣ１５は、有線光ファイバ−を用いてセグメントＴＣＵと相互作用する。計算ワ−クステ−ションは、セグメントＴＣＵ１１からのデ−タを計算し、計算されたデ−タをセグメントＴＣＵ１１に転送する。各コリド−ＴＣＣは５−２０マイルをカバ−している。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図６】
2020510941.tif 000001
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図７】
2020510941.tif 000002
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１２】
2020510941.tif 000003
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１３】
2020510941.tif 000004
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１４】
2020510941.tif 000005
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図１５】
2020510941.tif 000006
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】図面
【訂正対象項目名】図２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【図２４】
2020510941.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月27日(2021.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
使用者の動きを検出する装置に使用するサイバーフットカバーであって、
足の動きを追う少なくとも１つのセンサまたは少なくとも１つのマーカーを収容するフットカバーと、
前記フットカバーを、前記装置の前記使用者の脚に対して装着可能とする締結手段と、
前記装置の前記使用者の前記脚の動作中に、前記装置の前記使用者の前記足が連続的に回転摺動できるように、湾曲したソールと、を有し、
前記ソールは、前記ソールの長手方向で凸形状となるように湾曲しており、
前記ソールは前記長手方向において、前方領域と、後方領域とを有し、
前記ソールは、前記ソールの前記後方領域よりも、前記ソールの前記前方領域で曲率半径が大きくなるように前記凸形状となる、サイバーフットカバー。
【請求項２】
前記ソールは、横方向で凸形状となるように湾曲していることを特徴とする、請求項１に記載のサイバーフットカバー。
【請求項３】
前記ソールは、前記横方向で側方領域と、前記側方領域の間で中央に配置される領域を有し、
前記ソールの前記側方領域は、前記中央領域よりも湾曲していることを特徴とする、請求項１または２に記載のサイバーフットカバー。
【請求項４】
前記ソールの前記側方領域は、前記中央に配置された領域よりも摩擦係数が高くなるように配置されることを特徴とする請求項３に記載のサイバーフットカバー。
【請求項５】
前記側方領域には、長手方向に延在し、前記ソールから突出する長手方向リブが設けられている、請求項３または４に記載のサイバーフットカバー。
【請求項６】
前記ソールは、少なくとも１つの金属とプラスチック製の滑らかなソールであり、サイバーフットカバーを滑らかな面で使用する時には、前記ソールを織物で覆う、請求項１から５のいずれか一項に記載のサイバーフットカバー。
【請求項７】
さらに、前記少なくとも１つのセンサを含み、前記少なくとも１つのセンサは、前記サイバーフットカバーの前記ソール内に配置される回転体を含む、請求項１から６のいずれか一項に記載のサイバーフットカバー。
【請求項８】
前記回転体は、球体または全方向性ローラーからなり、前記少なくとも１つのセンサは、さらに、前記回転体の動きを検出する回転角センサを備える、請求項７に記載のサイバーフットカバー。
【請求項９】
前記少なくとも１つのセンサは、さらに負荷センサを含み、負荷センサは、前記回転体にかけられた負荷を判定することを特徴とする、請求項８に記載のサイバーフットカバー。
【請求項１０】
使用者の動きを検出する装置であって、
請求項１から９のいずれか一項に記載のサイバーフットカバーと、
支持部材を有するシートと、
前記装置の使用者が着座可能な着座部と、を備え、
前記着座部が、前記支持部材の上部に取り付け可能で、
前記着座部の荷重が、前記支持部材の、垂直配置された長手軸に実質的に沿って受けられて、地面に向けて下方に送られるように構成され、
シートが、前記地面に対して回転可能に配置され、
シートが、前記装置の前記使用者の、少なくとも膝から脚の先端までの、前記脚の動きを可能とするように設計されている装置。
【請求項１１】
前記シートが、使用者の着座位置を高くすることに対応し、着座している使用者のわずかな脚の動きにより歩行感覚を実現する、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記着座部は、前記装置の前記使用者の上腿が、前記着座部上に実質的に置かれないような形状となることを特徴とする、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記ソールの湾曲が、少なくとも長手方向または横方向のどちらかにおいて前記シートの設計に合うことにより、使用者の脚が動く際に、脚の回転運動をスムーズにし、また、使用者の座席位置が高いことにより、使用者の安定性が実現される、請求項１１または１２に記載の装置。
【請求項１４】
使用者の動きを検出し、当該動きを仮想空間内に反映させるシステムであって、
請求項１０から１３のいずれか一項に記載の装置を備え、
前記システムは、前記センサが検出した前記足の前記動きを、前記仮想空間内の仮想アバターによる、方向および速度が同一の、同期した運動に変換するように構成されることを特徴とする、システム。
【請求項１５】
前記センサに検出された前記システムの前記使用者の前記足の前記動きを、少なくともＸ成分およびＹ成分に分け、
Ｘ成分が前記足の横方向の動きに実質的に対応し、
Ｙ成分が前／後の動きに実質的に対応することを特徴とする、請求項１４に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月10日(2021.2.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
輸送機関内の複数の列線交換ユニット（ＬＲＵ）を登録する方法であって、各列線交換ユニットは、当該列線交換ユニット上またはその近くに配置された固有の機械可読識別子に関連付けられる、前記方法において、
ポータブルコンピューティング・デバイスを使用して、前記複数の列線交換ユニットの第１の列線交換ユニットのディスプレイ画面から第１の機械可読識別子を読み取ることであって、前記第１の機械可読識別子は、前記第１の列線交換ユニットに固有の識別情報を有する、前記第１の機械可読識別子を読み取ること、
前記ポータブルコンピューティング・デバイスへの特定位置を示す第１の位置識別子を受け取ることであって、前記第１の位置識別子は、前記第１の機械可読識別子とは異なる、前記第１の位置識別子を受け取ること、
前記第１の機械可読識別子及び前記第１の位置識別子からの情報の一部又は全てを前記ポータブルコンピューティング・デバイスからサーバに送信することにより、前記第１の列線交換ユニットを前記特定位置とともに前記サーバに登録すること、
前記ポータブルコンピューティング・デバイスを使用して、前記複数の列線交換ユニットのうちの第２の列線交換ユニットのディスプレイ画面から第２の機械可読識別子を読み取ることであって、前記第２の機械可読識別子は、前記第２の列線交換ユニットに固有の識別情報を含む、前記第２の機械可読識別子を読み取ること、
前記ポータブルコンピューティング・デバイスへの第２の特定位置を示す第２の位置識別子を受け取ること、
前記第２の機械可読識別子及び前記第２の位置識別子からの情報の一部又は全てを前記ポータブルコンピューティング・デバイスから前記サーバに送信することにより、前記第２の列線交換ユニットを前記第２の特定位置とともに前記サーバに登録することであって、前記サーバは、前記第１の列線交換ユニット及び前記第２の列線交換ユニットと通信可能に結合される、前記サーバに登録すること、を備える方法。
【請求項２】
前記第１の位置識別子を受け取ることは、
ユーザが前記第１の列線交換ユニットの位置を前記ポータブルコンピューティング・デバイスに手動で入力すること、をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の位置識別子を受け取ることは、
前記ポータブルコンピューティング・デバイスを使用して位置情報を含む第３の機械可読識別子をキャプチャすること、をさらに含み、
前記第３の機械可読識別子は、前記第１の列線交換ユニットの近くに配置されること、および前記第３の機械可読識別子は、各々、前記輸送機関の異なる座席の列に配置された１組の機械可読識別子のうちの１つであることのうちの少なくとも１つを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の機械可読識別子は、バーコードを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ポータブルコンピューティング・デバイスは、
前記第１の機械可読識別子の画像をキャプチャするように構成されたカメラを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ポータブルコンピューティング・デバイスは、
スマートフォン、スマートウォッチ、またはタブレットＰＣを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の列線交換ユニットは、
プロセッサ、無線通信インタフェース、および前記ディスプレイ画面を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の機械可読識別子を読み取ること、および前記位置識別子を受け取ることは、前記ポータブルコンピューティング・デバイスにインストールされたソフトウェアアプリケーションを利用する、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記識別情報は、
前記列線交換ユニットのシリアル番号、ＩＰアドレス、ＭＡＣアドレス、および部品番号のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ディスプレイ画面に表示される前記識別情報は、
前記列線交換ユニットの組み込み自己診断装置（ＢＩＴＥ）のステータスをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月25日(2021.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
塩素溶液のｐＨレベルを増加させるための中和セルであって、
中和陽極と、
中和陰極と、
なお、前記中和陽極及び前記中和陰極は、反対に向かい合う該中和セルの壁から離れ、該中和セルを、前記中和陽極と前記中和陰極との間の中央エリア、前記中和陰極から最も遠い前記中和陽極の側と前記中和陰極から最も遠い前記反対に向かい合う壁の一方との間の陽極エリア、及び前記中和陽極から最も遠い前記中和陰極の側と前記反対に向かい合う壁の他方との間の陰極エリアに分割するように位置決めされ、
塩素溶液の到来する流れを前記陽極エリア内に方向付けることによって前記塩素溶液を該中和セルに入るように方向付けるように構成される入口と、
前記陰極エリアからの前記塩素溶液の出て行く流れを方向付けることによって前記塩素溶液を該中和セルから出るように方向付けるように構成される出口と、
を備え、
前記中和陽極は、非中実であり、前記塩素溶液が、前記陽極エリアから前記中和陽極を通って前記中央エリア内に流れることを可能にするように構成され、前記中和陰極は、非中実であり、前記塩素溶液が、前記中央エリアから前記中和陰極を通って前記陰極エリア内に流れることを可能にするように構成される、中和セル。
【請求項２】
前記中和陽極は、給電されると、第１の反応２Ｃｌ−→Ｃｌ２＋２ｅ−を前記中和陽極の表面において又は前記表面の近くで引起すように構成され、前記中和陰極は、給電されると、第２の反応２Ｈ２Ｏ＋２ｅ−→Ｈ２＋２ＯＨ−を前記中和陰極の表面において又は前記表面の近くで引起すように構成される、請求項１に記載の中和セル。
【請求項３】
前記非中実中和陽極及び前記非中実中和陰極は、スロット付き電極、多孔質電極、分割電極、又はメッシュ電極の少なくとも１つとして構成される、請求項１に記載の中和セル。
【請求項４】
陽極ガイドを更に備え、該陽極ガイドは、前記陽極エリア内に位置し、前記塩素溶液の流れを前記入口から前記中和陽極の長さにわたって方向付けるように構成される、請求項１に記載の中和セル。
【請求項５】
前記陽極ガイドが前記塩素溶液の前記流れを方向付ける前記中和陽極の前記長さは、前記中和陽極の全長の少なくとも半分から前記中和陽極の前記全長までの範囲内にある、請求項４に記載の中和セル。
【請求項６】
前記陽極ガイドは、前記中和陽極の前記長さにわたって分配される複数の分離された突出部を備え、各突出部は、前記中和陽極にほぼ垂直に配向し、前記中和陽極から離れるように延在する、請求項４に記載の中和セル。
【請求項７】
各突出部は、前記入口に向かって湾曲する、前記中和陽極から最も遠い端部を有する、請求項６に記載の中和セル。
【請求項８】
前記陽極ガイドは、有孔セパレーター、メッシュ付きセパレーター、バッフル、グリッド、複数の粒子、又は複数のファイバーを備える、請求項４に記載の中和セル。
【請求項９】
前記陽極ガイドは、前記中和陽極の表面にほぼ平行に位置決めされた有孔若しくはメッシュ付きセパレーター、又は、前記陽極エリアの少なくとも一部分を満たす複数の粒子若しくはファイバーを備える、請求項４に記載の中和セル。
【請求項１０】
陰極ガイドを更に備え、該陰極ガイドは、前記陰極エリア内に位置し、前記中和陰極の長さのいたるところからの前記塩素溶液の流れを前記出口に向かって方向付けるように構成される、請求項４に記載の中和セル。
【請求項１１】
前記陰極ガイドは、複数の分離された突出部、有孔セパレーター、メッシュ付きセパレーター、バッフル、グリッド、複数の粒子、又は複数のファイバーを備える、請求項１０に記載の中和セル。
【請求項１２】
中央ガイドを更に備え、該中央ガイドは、前記中央エリア内に位置し、前記塩素溶液の流れを前記中和陽極の前記長さから前記中和陰極の前記長さまで前記中央エリアにわたって方向付けるように構成される、請求項１０に記載の中和セル。
【請求項１３】
前記陽極ガイドは前記中和陽極から少なくとも所定の距離だけ離れて位置し、前記陰極ガイドは前記中和陰極から少なくとも前記所定の距離だけ離れて位置し、前記中央ガイドは前記中和陽極及び前記中和陰極のそれぞれから前記所定の距離だけ離れて位置する、請求項１２に記載の中和セル。
【請求項１４】
前記所定の距離は約１ｍｍである、請求項１３に記載の中和セル。
【請求項１５】
請求項１に記載の中和セルと、該中和セルから分離されているチャンバーセルとを備える電気化学的活性化システムであって、
該チャンバーセルは、陽極チャンバーと、陰極チャンバーとを有し、電気分解によって前記塩素溶液の前記入口の中への前記到来する流れを生成するように構成される、システム。
【請求項１６】
塩素溶液のｐＨレベルを増加させる方法であって、
塩素溶液の流れを、中和陽極及び中和陰極を備える中和セルに通過させることであって、前記塩素溶液の前記流れは、前記中和陰極から最も遠い前記中和陽極の側の陽極エリアにおいて前記中和セルに入り、前記中和陽極を通過し、前記中和陽極と前記中和陰極との間の中央エリアを通過し、前記中和陰極を通過し、前記中和陽極から最も遠い前記中和陰極の側の陰極エリアから前記中和セルを出ることと、
前記塩素溶液の前記流れを引起しながら、前記中和陽極及び前記中和陰極に給電し、前記塩素溶液のｐＨレベルを増加させること、
を含む、方法。
【請求項１７】
前記中和陽極及び前記中和陰極に給電することは、第１の反応２Ｃｌ−→Ｃｌ２＋２ｅ−を、前記中和陽極の表面において又は前記表面の近くで引起し、第２の反応２Ｈ２Ｏ＋２ｅ−→Ｈ２＋２ＯＨ−を、前記中和陰極の表面において又は前記表面の近くで引起す、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第１の反応及び前記第２の反応の生成物は、次の通りの反応：
Ｃｌ２＋２ＯＨ−→ＣｌＯ−＋Ｃｌ−＋Ｈ２Ｏ、及び、
Ｈ＋＋ＯＨ−→Ｈ２Ｏ
が前記中和セル内で起こることを可能にする、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
さらに、前記中和セルから分離されているチャンバーセル内の電気分解によって前記中和セルに入る前記塩素溶液の流れを生成することを含み、
該チャンバーセルは、陽極チャンバーと、陰極チャンバーとを含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記非中実の中和陽極と、前記非中実の中和陰極とは、それぞれ多孔質電極として構成されている、請求項１に記載の中和セル。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月7日(2020.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硬化性注型樹脂前駆体であって、
（ａ）
（ａ１）少なくとも１つのエポキシ樹脂、を含む、第１の部分（Ａ）と、
（ｂ）
（ｂ１）少なくとも１つの第１のアミン系エポキシ硬化剤と、
（ｂ２）任意選択的に、少なくとも１つの第２のアミン系エポキシ硬化剤と、
（ｂ３）少なくとも１つの無機充填剤と、
（ｂ４）少なくとも１つのフェノール性脂質と、を含む、第２の部分（Ｂ）と、を含み、
部分（Ａ）及び／又は部分（Ｂ）は少なくとも１つのトリフェニルメタン染料を含む、硬化性注型樹脂前駆体。
【請求項２】
前記少なくとも１つのエポキシ樹脂が、ビスフェノールＡエポキシ樹脂、ビスフェノールＦエポキシ樹脂、及びこれらの混合物をベースとしている、請求項１に記載の硬化性注型樹脂前駆体。
【請求項３】
前記少なくとも１つのフェノール性脂質が、アルキルカテコール、アルキルフェノール、アルキルレゾルシノール、及びアナカルド酸から選択される、請求項１又は２に記載の硬化性注型樹脂前駆体。
【請求項４】
前記少なくとも１つの第２のアミン系エポキシ硬化剤が、少なくとも１つのポリエーテルアミドアミンを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の硬化性注型樹脂前駆体。
【請求項５】
前記少なくとも１つの第１のアミン系エポキシ硬化剤が、カルダノール系化合物、好ましくはフェナルカミンである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の硬化性注型樹脂前駆体。
【請求項６】
前記少なくとも１つのトリフェニルメタン染料が、４−［［４−（ジエチル−アミノ）フェニル］−（４−ジエチルアザニウミリデンシクロヘキサ−２，５−ジエン−１−イリデン）メチル］−６−ヒドロキシベンゼン−１，３−ジスルホン酸、及びそのカルシウム塩、カリウム塩若しくはナトリウム塩、又はブロモチモールブルー（４，４’−（１，１−ジオキシド−３Ｈ−２，１−ベンゾオキサチオール−３，３−ジイル）ビス（２−ブロモ−６−イソプロピル−３−メチルフェノール））から選択される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の硬化性注型樹脂前駆体。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の硬化性注型樹脂前駆体であって、
（ａ）
（ａ１）部分（Ａ）の総重量に基づいて、６０重量％〜１００重量％、好ましくは６５重量％〜１００重量％、より好ましくは７０重量％〜１００重量％の量の、少なくとも１つのエポキシ樹脂と、
（ａ２）任意選択的に、部分（Ａ）の総重量に基づいて、５重量％〜３０重量％、好ましくは７．５重量％〜２５重量％、より好ましくは１０重量％〜２０重量％の量の、少なくとも１つのフェノール性脂質と、
（ａ３）任意選択的に、部分（Ａ）の総重量に基づいて、１重量％〜２０重量％、好ましくは３重量％〜１８重量％の量の、少なくとも１つの反応性希釈剤と、
（ａ４）任意選択的に、部分（Ａ）の総重量に基づいて、０．０１重量％〜２重量％、好ましくは０．０１重量％〜１重量％、より好ましくは０．０１重量％〜０．２重量％の量の、少なくとも１つのトリフェニルメタン染料と、を含む、第１の部分（Ａ）と、
（ｂ）
（ｂ１）部分（Ｂ）の総重量に基づいて、１０重量％〜４５重量％、好ましくは１２．５重量％〜４０重量％、より好ましくは１５重量％〜３５重量％の量の、少なくとも１つの第１のアミン系エポキシ硬化剤樹脂と、
（ｂ２）任意選択的に、部分（Ｂ）の総重量に基づいて、０．５重量％〜２０重量％、好ましくは１重量％〜１５重量％、より好ましくは１．５重量％〜１０重量％の量の、少なくとも１つの第２のアミン系エポキシ硬化剤と、
（ｂ３）任意選択的に、部分（Ｂ）の総重量に基づいて、０．０１重量％〜２重量％、好ましくは０．０１重量％〜１重量％、より好ましくは０．０１重量％〜０．２重量％の量の、少なくとも１つのトリフェニルメタン染料と、
（ｂ４）部分（Ｂ）の総重量に基づいて、４０重量％〜８０重量％、好ましくは４５重量％〜７５重量％、より好ましくは５０重量％〜７０重量％の量の、少なくとも１つの無機充填剤と、
（ｂ５）部分（Ｂ）の総重量に基づいて、１重量％〜３０重量％、好ましくは２．５重量％〜２５重量％、より好ましくは３重量％〜２０重量％の量の、少なくとも１つのフェノール性脂質と、を含む、第２の部分（Ｂ）と、を含み、
部分（Ａ）及び／又は部分（Ｂ）は少なくとも１つのトリフェニルメタン染料を含む、硬化性注型樹脂前駆体。
【請求項８】
部分（Ａ）及び部分（Ｂ）の混合後に第１の変色を呈し、硬化時に第２の変色を呈する、請求項１〜７のいずれか一項に記載の硬化性注型樹脂前駆体。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか一項に記載の硬化性注型樹脂前駆体の部分（Ａ）及び部分（Ｂ）を組み合わせることから得られる、硬化性注型樹脂組成物。
【請求項１０】
金属部分を封入する方法であって、
（ａ）請求項１〜８のいずれか一項に記載の硬化性注型樹脂前駆体を準備する工程と、
（ｂ）硬化性注型樹脂前駆体の部分（Ａ）及び部分（Ｂ）を組み合わせて、硬化性注型樹脂組成物を形成する工程と、
（ｃ）少なくとも１つの金属部分を準備する工程と、
（ｄ）任意選択的に、前記少なくとも１つの金属部分の少なくとも一部の周りに注型を提供する工程と、
（ｅ）前記硬化性注型樹脂組成物を、前記少なくとも１つの金属部分の少なくとも一部に適用する工程と、
（ｆ）前記硬化性注型樹脂組成物を硬化させる工程と、を含む、方法。
【請求項１１】
ケーブル接合部を絶縁するためのキットであって、
（ｉ）請求項１〜８のいずれか一項に記載の硬化性注型樹脂前駆体の部分（Ａ）を収容する第１の容器、及び請求項１〜８のいずれか一項に記載の硬化性注型樹脂前駆体の部分（Ｂ）を収容する第２の容器と、
（ｉｉ）前記ケーブル接合部が、前記硬化性注型樹脂前駆体の部分（Ａ）及び部分（Ｂ）を混合することから得られる硬化性注型樹脂組成物で覆われ得るように、ケーブル接合部のための空間部、及び前記硬化性注型樹脂前駆体の部分（Ａ）及び部分（Ｂ）を混合するための空間部を提供するように寸法決定された注型チャンバ／成形型と、を含む、キット。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月4日(2021.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性エラストマー組成物であって、成分ａ）、ｂ）およびｃ）：
ａ）９７．１から９０．９重量％の、次の構造を有する少なくとも１種の星形ブロックコポリマーＡ
［Ｓ１−（Ｓ／Ｂ）ｋ−（Ｓ／Ｂ）ｌ−（Ｓ／Ｂ）ｍ−Ｓ２］ｎ−Ｘ  （Ｉ）
（式中、Ｓ１およびＳ２は、少なくとも１種のビニル芳香族モノマーから作られるポリマーブロックであり、Ｓ／Ｂは、少なくとも１種のビニル芳香族モノマーと少なくとも１種のジエンとから作られるランダムコポリマーブロックであり、軟質相を形成し；Ｘは、多官能性カップリング剤に由来するカップリング中心である）；
ｂ）２．９から９．１重量％の少なくとも１種の可塑剤Ｂ、好ましくは鉱油；ならびに
ｃ）０から２重量％のさらなる添加剤Ｃ
を含み；
成分ａ）、ｂ）およびｃ）の合計は１００重量％であり；
アームＳ１−（Ｓ／Ｂ）ｋ−（Ｓ／Ｂ）ｌ−（Ｓ／Ｂ）ｍ−Ｓ２は同一であり；
ブロックＳ１およびＳ２（硬質相を形成する）の割合は、ブロックコポリマーＡ全体に基づいて、２４から４０重量％であり；
すべてのブロック（Ｓ／Ｂ）のビニル芳香族モノマー／ジエン（＝Ｓ／Ｂ）比は１／０．４５から１／２．５であり；
ブロック（Ｓ／Ｂ）ｋ、（Ｓ／Ｂ）ｌおよび（Ｓ／Ｂ）ｍのＳ／Ｂ比は互いに異なり；ブロック（Ｓ／Ｂ）ｋおよび（Ｓ／Ｂ）ｍのＳ／Ｂ比はブロック（Ｓ／Ｂ）ｌのＳ／Ｂ比よりも低く；
ブロックＳ２／Ｓ１の重量比は０．１から０．８であり；
ブロックコポリマーＡの重量平均モル質量Ｍｗは２００，０００から３５０，０００ｇ／ｍｏｌであり；ｎは１から８の自然数であり；ｋ、ｍは１であり；ｌは少なくとも１である自然数である、
前記熱可塑性エラストマー組成物。
【請求項２】
成分ａ）、ｂ）およびｃ）を以下の量：
ａ）９６．２から９１．７重量％；
ｂ）３．８から８．３重量％；
ｃ）０から２重量％
で含む、請求項１に記載の熱可塑性エラストマー組成物。
【請求項３】
可塑剤Ｂは鉱油である、請求項１または２に記載の熱可塑性エラストマー組成物。
【請求項４】
メルトマスフローインデックス（ＩＳＯ１１３３−１：２０１１に従って２００℃および５ｋｇの荷重でポリマー溶融物について測定）は８から１６ｃｍ３／１０分の範囲である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の熱可塑性エラストマー組成物。
【請求項５】
ｎは３から５の自然数である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の熱可塑性エラストマー組成物。
【請求項６】
Ｘはエポキシ化アマニ油またはエポキシ化ダイズ油に由来するカップリング中心である、請求項１〜５のいずれか１項に記載の熱可塑性エラストマー組成物。
【請求項７】
ブロックコポリマーＡのＭｗは２１０，０００から３２０，０００ｇ／ｍｏｌである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の熱可塑性エラストマー組成物。
【請求項８】
ポリマーブロックＳ１のＭｗは１８，０００から３６，０００ｇ／ｍｏｌの範囲であり、好ましくは２１，６００から３４，０００ｇ／ｍｏｌの範囲であり；ポリマーブロックＳ２のＭｗは４，０００から８，１００ｇ／ｍｏｌの範囲であり、好ましくは４，２００から７，５００ｇ／ｍｏｌの範囲である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の熱可塑性エラストマー組成物。
【請求項９】
ブロックコポリマーＡのブロックＳ２／Ｓ１重量比は０．１から０．６であり、好ましくは０．１５から０．４０であり、より好ましくは０．１５から０．３である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の熱可塑性エラストマー組成物。
【請求項１０】
コポリマーブロック（Ｓ／Ｂ）ｋのＳ／Ｂ比は０．５から１．０であり、好ましくは０．６５から０．８５であり；コポリマーブロック（Ｓ／Ｂ）ｌのＳ／Ｂ比は０．５から１．２であり、好ましくは０．７から１．１であり、コポリマーブロック（Ｓ／Ｂ）ｍのＳ／Ｂ比は０．３から０．８であり、好ましくは０．４から０．７である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の熱可塑性エラストマー組成物。
【請求項１１】
コポリマーブロック（Ｓ／Ｂ）ｋ、（Ｓ／Ｂ）ｌおよび（Ｓ／Ｂ）ｍの重量平均モル質量Ｍｗは互いに異なり；Ｍｗ（Ｓ／Ｂ）ｋは１３，８００から２６，９００ｇ／ｍｏｌの範囲であり、Ｍｗ（Ｓ／Ｂ）ｌは２１，２００から４１，０００ｇ／ｍｏｌの範囲であり、Ｍｗ（Ｓ／Ｂ）ｍは１１，５００から２３，０００ｇ／ｍｏｌの範囲である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の熱可塑性エラストマー組成物。
【請求項１２】
成分ａ）を連続的に押出機に導入し、次いで成分ｂ）および場合によりさらなる成分ｃ）を計量導入する、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の熱可塑性エラストマー組成物の製造方法。
【請求項１３】
成分ｂ）および場合により成分ｃ）を、そのまままたは溶液で、ブロックコポリマーＡの溶液に添加し、次いで液体を均質化し、その後溶媒から生成物を遊離させる、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の熱可塑性エラストマー組成物の製造方法。
【請求項１４】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の熱可塑性エラストマー組成物から生産される、
成形品、特に、輸液器具、透析ユニットおよび呼吸マスクのようなチューブおよびバッグ。
【請求項１５】
医療用途のための、特に医療用チューブおよびバッグのための、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の熱可塑性エラストマー組成物の使用の方法。
【請求項１６】
請求項１および５〜１１のいずれか１項に記載の星形ブロックコポリマーＡ。
【請求項１７】
請求項１および５〜１１のいずれか１項に記載の式（Ｉ）のブロックコポリマーＡの製造方法であって、
ｉ）単一の開始、
ｉｉ）ビニル芳香族モノマーの第１の添加および重合、
ｉｉｉ）ビニル芳香族モノマーとジエンの混合物の少なくとも３回の添加および重合、
ｉｖ）ビニル芳香族モノマーの第２の添加および重合、ならびに
ｖ）最後のポリマーブロックのビニル芳香族モノマーの添加および重合後のカップリング工程
を特徴とする前記製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月2日(2021.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
分子インクであって、
カルボン酸銀；
有機アミン；並びに
高分子バインダーを前記有機アミンと相溶性にする官能基を有する、ポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルイミド又はそれらの任意の混合物を含む前記高分子バインダー、
を含む分子インク。
【請求項２】
前記カルボン酸銀が、前記インクの総重量を基準として２３重量％以上の量でネオデカン酸銀を含む、請求項１に記載のインク。
【請求項３】
前記ネオデカン酸銀が、前記インクの総重量を基準として７０重量％以上の量で存在する、請求項２に記載のインク。
【請求項４】
前記有機アミンが、アルキルアミン、ヒドロキシアルキルアミン又は環状アミンを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のインク。
【請求項５】
前記有機アミンが、ピリジン、ピリミジン、ピロール、ピロリジン、オキサゾリン、ピペリジン、イソオキサゾール又はモルホリンを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のインク。
【請求項６】
前記有機アミンが、アミノ−２−プロパノール、２−エチル−１−ヘキシルアミン又は２−エチル−２−オキサゾリンを含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載のインク。
【請求項７】
前記有機アミンが、前記インクの総重量を基準として５重量％〜５０重量％の量で存在する、請求項１〜６のいずれか一項に記載のインク。
【請求項８】
前記高分子バインダーが、ヒドロキシル末端及び／又はカルボキシル末端ポリエステルを含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載のインク。
【請求項９】
前記高分子バインダーが、前記インクの総重量を基準として０．５重量％〜１０重量％の量で存在する、請求項１〜８のいずれか一項に記載のインク。
【請求項１０】
溶媒を、前記インクの総重量を基準として５重量％から４０重量％の範囲内の量でさらに含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載のインク。
【請求項１１】
前記溶媒が、オクタノールを含む、請求項１０に記載のインク。
【請求項１２】
１ｃＰ〜１５，０００ｃＰの粘度を有する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のインク。
【請求項１３】
基板上に導電性銀トレースを製造する方法であって、請求項１〜１１のいずれか一項に定義のインクを基板上に堆積させて、前記基板上に前記インクの非導電性トレースを形成する工程と、前記基板上の前記インクの前記非導電性トレースを焼結して、前記導電性銀トレースを形成する工程とを含む方法。
【請求項１４】
前記焼結が、１５０℃〜１７５℃の範囲内の温度で、１分〜１２０分の範囲内の時間にわたって行われる、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記基板が、ポリエチレンテレフタラート、ポリオレフィン、ポリジメチルシロキサン、ポリスチレン、アクリロニトリル／ブタジエン／スチレン、ポリカーボネート、ポリイミド、熱可塑性ポリウレタン、シリコーン膜、ウール、シルク、綿、亜麻、ジュート、モーダル、竹、ナイロン、ポリエステル、アクリル、アラミド、スパンデックス、ポリラクチド、紙、ガラス、コーティングガラス、金属又は誘電体コーティングを含む、請求項１３又は１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記堆積が、印刷を含む、請求項１３〜１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
請求項１〜１２のいずれか一項に定義のインクから製造された導電性銀トレースを備える基板。
【請求項１８】
請求項１７に定義の基板を備える電子デバイス。