【手続補正書】
【提出日】平成17年5月12日(2005.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、液晶表示装置、及びＥＬ素子を利用したフラットパネルディスプレイ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に形成され、半導体層、ゲイト絶縁膜、及びゲイト電極を有する薄膜トランジスタと、
前記半導体層に接続された、アルミニウム膜を有する積層膜と、
前記薄膜トランジスタ及び前記アルミニウム膜を有する積層膜を覆う、酸化窒化珪素膜からなる層間絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面を有する基板上に形成され、半導体層、ゲイト絶縁膜、及びゲイト電極を有する薄膜トランジスタと、
前記ゲイト電極と同一の層に形成され、同じ材料からなる配線と、
前記ゲイト電極及び前記配線を覆う第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に形成され、前記半導体層に接続されたソース電極、及び前記配線に接続されたコンタクト電極と、
前記ソース電極及び前記コンタクト電極を覆う、酸化窒化珪素膜からなる第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成され、前記半導体層に接続された画素電極、及び前記コンタクト電極に接続された引出し電極とを有し、
前記ソース電極は、アルミニウム膜を有する積層膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面を有する基板上に形成され、半導体層、ゲイト絶縁膜、及びゲイト電極を有する薄膜トランジスタと、
前記半導体層に接続された、アルミニウム膜を有する積層膜と、
前記薄膜トランジスタ及び前記アルミニウム膜を有する積層膜を覆う、樹脂材料からなる層間絶縁膜とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に形成され、半導体層、ゲイト絶縁膜、及びゲイト電極を有する薄膜トランジスタと、
前記ゲイト電極と同一の層に形成され、同じ材料からなる配線と、
前記ゲイト電極及び前記配線を覆う第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に形成され、前記半導体層に接続されたソース電極、及び前記配線に接続されたコンタクト電極と、
前記ソース電極及び前記コンタクト電極を覆う、樹脂材料からなる第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成され、前記半導体層に接続された画素電極、及び前記コンタクト電極に接続された引出し電極とを有し、
前記ソース電極は、アルミニウム膜を有する積層膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２または４において、前記第１の層間絶縁膜は、酸化珪素膜、窒化珪素膜、または酸化窒化珪素膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
絶縁表面を有する基板上に形成され、半導体層、ゲイト絶縁膜、及びゲイト電極を有する薄膜トランジスタと、
前記半導体層に接続された、アルミニウム膜を有する積層膜と、
前記薄膜トランジスタ及び前記アルミニウム膜を有する積層膜を覆う、酸化窒化珪素膜からなる層間絶縁膜とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
絶縁表面を有する基板上に形成され、半導体層、ゲイト絶縁膜、及びゲイト電極を有する薄膜トランジスタと、
前記ゲイト電極と同一の層に形成され、同じ材料からなる配線と、
前記ゲイト電極及び前記配線を覆う第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に形成され、前記半導体層に接続されたソース電極、及び前記配線に接続されたコンタクト電極と、
前記ソース電極及び前記コンタクト電極を覆う、酸化窒化珪素膜からなる第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成され、前記半導体層に接続された画素電極、及び前記コンタクト電極に接続された引出し電極とを有し、
前記ソース電極は、アルミニウム膜を有する積層膜からなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
絶縁表面を有する基板上に形成され、半導体層、ゲイト絶縁膜、及びゲイト電極を有する薄膜トランジスタと、
前記半導体層に接続された、アルミニウム膜を有する積層膜と、
前記薄膜トランジスタ及び前記アルミニウム膜を有する積層膜を覆う、樹脂材料からなる層間絶縁膜とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
絶縁表面を有する基板上に形成され、半導体層、ゲイト絶縁膜、及びゲイト電極を有する薄膜トランジスタと、
前記ゲイト電極と同一の層に形成され、同じ材料からなる配線と、
前記ゲイト電極及び前記配線を覆う第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に形成され、前記半導体層に接続されたソース電極、及び前記配線に接続されたコンタクト電極と、
前記ソース電極及び前記コンタクト電極を覆う、樹脂材料からなる第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成され、前記半導体層に接続された画素電極、及び前記コンタクト電極に接続された引出し電極とを有し、
前記ソース電極は、アルミニウム膜を有する積層膜からなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項７または９において、前記第１の層間絶縁膜は、酸化珪素膜、窒化珪素膜、または酸化窒化珪素膜からなることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
絶縁表面を有する基板上に形成され、半導体層、ゲイト絶縁膜、及びゲイト電極を有する薄膜トランジスタと、
前記半導体層に接続された、アルミニウム膜を有する積層膜と、
前記薄膜トランジスタ及び前記アルミニウム膜を有する積層膜を覆う、酸化窒化珪素膜からなる層間絶縁膜とを有することを特徴とするＥＬ素子を利用したフラットパネルディスプレイ。
【請求項１２】
絶縁表面を有する基板上に形成され、半導体層、ゲイト絶縁膜、及びゲイト電極を有する薄膜トランジスタと、
前記ゲイト電極と同一の層に形成され、同じ材料からなる配線と、
前記ゲイト電極及び前記配線を覆う第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に形成され、前記半導体層に接続されたソース電極、及び前記配線に接続されたコンタクト電極と、
前記ソース電極及び前記コンタクト電極を覆う、酸化窒化珪素膜からなる第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成され、前記半導体層に接続された画素電極、及び前記コンタクト電極に接続された引出し電極とを有し、
前記ソース電極は、アルミニウム膜を有する積層膜からなることを特徴とするＥＬ素子を利用したフラットパネルディスプレイ。
【請求項１３】
絶縁表面を有する基板上に形成され、半導体層、ゲイト絶縁膜、及びゲイト電極を有する薄膜トランジスタと、
前記半導体層に接続された、アルミニウム膜を有する積層膜と、
前記薄膜トランジスタ及び前記アルミニウム膜を有する積層膜を覆う、樹脂材料からなる層間絶縁膜とを有することを特徴とするＥＬ素子を利用したフラットパネルディスプレイ。
【請求項１４】
絶縁表面を有する基板上に形成され、半導体層、ゲイト絶縁膜、及びゲイト電極を有する薄膜トランジスタと、
前記ゲイト電極と同一の層に形成され、同じ材料からなる配線と、
前記ゲイト電極及び前記配線を覆う第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜上に形成され、前記半導体層に接続されたソース電極、及び前記配線に接続されたコンタクト電極と、
前記ソース電極及び前記コンタクト電極を覆う、樹脂材料からなる第２の層間絶縁膜と、
前記第２の層間絶縁膜上に形成され、前記半導体層に接続された画素電極、及び前記コンタクト電極に接続された引出し電極とを有し、
前記ソース電極は、アルミニウム膜を有する積層膜からなることを特徴とするＥＬ素子を利用したフラットパネルディスプレイ。
【請求項１５】
請求項１２または１４において、前記第１の層間絶縁膜は、酸化珪素膜、窒化珪素膜、または酸化窒化珪素膜からなることを特徴とするＥＬ素子を利用したフラットパネルディスプレイ。