【手続補正書】
【提出日】平成17年1月12日(2005.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の上に設けられ、活性領域を他の活性領域から分離するための素子分離領域と、
前記活性領域に設けられた不純物拡散層と、
前記半導体基板の上に設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極および前記不純物拡散層を覆うように、前記半導体基板の上に設けられたストッパ膜と、
前記ストッパ膜を介在させて、前記半導体基板の上に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜と前記ストッパ膜を貫通し、前記不純物拡散層の表面を露出させる第１のコンタクトホールと、を備え、
前記ストッパ膜は、前記層間絶縁膜よりもエッチング選択比の高い材料で形成され、
前記層間絶縁膜と前記ストッパ膜を貫通し、前記ゲート電極の表面を露出させる第２のコンタクトホールを、さらに備え、
前記素子分離領域は、前記半導体基板の表面に形成されたトレンチと、該トレンチ内に埋込まれた酸化膜とで形成され、
前記ゲート電極の上および前記不純物拡散層の上には、高融点金属シリサイドが形成されている、半導体装置。
【請求項２】
前記ゲート電極は、前記素子分離領域の上に形成されている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体基板と、
前記半導体基板の上に形成されたゲート電極と、
前記半導体基板の表面中であって、前記ゲート電極の両側に設けられた１対の不純物拡散層と、
前記ゲート電極および前記不純物拡散層を覆うように、前記半導体基板の上に設けられたストッパ膜と、
前記ストッパ膜を覆うように前記半導体基板の上に設けられた層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜および前記ストッパ膜を貫通し、前記ゲート電極の表面の一部および前記不純物拡散層の表面の一部を同時に露出させるシェアードコンタクトホールと、を備え、
前記ストッパ膜は前記層間絶縁膜よりもエッチング選択比の高い材料で形成されている、半導体装置。
【請求項４】
半導体基板の表面内に形成されたトレンチと、該トレンチに埋込まれた酸化膜とで、前記半導体基板表面上の一の活性領域を他の活性領域から分離する素子分離酸化膜を形成する工程と、
前記素子分離酸化膜を含む前記半導体基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極の両側の前記活性領域表面中に、１対の不純物拡散層を形成する工程と、
前記不純物拡散層表面および前記ゲート電極上に、それぞれ第１および第２の高融点金属シリサイドを形成する工程と、
前記ゲート電極および前記不純物拡散層を覆うように、前記半導体基板上全面にストッパ膜を形成する工程と、
前記ストッパ膜を覆うように前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜中であって、かつ前記素子分離酸化膜と前記第１の高融点金属シリサイドとの境界近傍の上方位置に、前記ストッパ膜の表面を露出させる第１コンタクトホールを形成する工程と、
前記第１コンタクトホールと同時に、前記層間絶縁膜中であってかつ前記ゲート電極の上方位置に、前記ストッパ膜の表面を露出させる第２コンタクトホールを形成する工程と、
前記第１および第２コンタクトホールによって露出した前記ストッパ膜をエッチングすることにより、前記第１および第２の高融点金属シリサイド表面を露出させる工程と、
前記第１および第２の高融点金属シリサイドに接続する配線層を形成する工程とを備え、
前記ストッパ膜は、前記層間絶縁膜よりもエッチング選択比の高い材料にて形成されている、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記コンタクトホールを、その位置が前記素子分離領域と前記活性領域との境界から０．２μｍよりも少ない距離内に形成する、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記半導体基板表面中であって、前記ゲート電極の両側に１対の不純物拡散層を形成する工程と、
前記ゲート電極および前記不純物拡散層を覆うように、前記半導体基板上にストッパ膜を形成する工程と、
前記ストッパ膜を覆うように、前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、
前記層間絶縁膜および前記ストッパ膜を貫通し、前記ゲート電極の表面の一部および前記不純物拡散層の表面の一部を同時に露出させるシェアードコンタクトホールを形成する工程とを備え、
前記ストッパ膜は前記層間絶縁膜よりもエッチング選択比の高い材料で形成されている、半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る半導体装置は、半導体基板を備える。上記半導体基板の上に、活性領域を他の活性領域から分離するための素子分離領域が設けられている。上記活性領域に、不純物拡散層が設けられている。上記素子分離領域の上にゲート電極が設けられている。上記ゲート電極および上記不純物拡散層を覆うように、上記半導体基板の上にストッパ膜が設けられている。上記ストッパ膜を介在させ、上記半導体基板の上に層間絶縁膜が設けられている。上記層間絶縁膜と上記ストッパ膜を、上記不純物拡散層の表面を露出させる第１のコンタクトホールが貫通している。上記ストッパ膜は、上記層間絶縁膜よりもエッチング選択比の高い材料で形成されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項１に係る半導体装置においては、さらに、上記層間絶縁膜と上記ストッパ膜を、上記ゲート電極の表面を露出させる第２のコンタクトホールが貫通している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
請求項１に係る半導体装置においては、さらに、上記素子分離領域は、上記半導体基板の表面に形成されたトレンチと、該トレンチ内に埋込まれた酸化膜とで形成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項１に記載の半導体装置においては、さらに、上記ゲート電極の上、および上記不純物拡散層の上には、高融点金属のシリサイドが形成されている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項２に記載の半導体装置においては、ゲート電極が素子分離領域の上に形成されている。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項３に記載の半導体装置は、半導体基板を備える。上記半導体基板の上にゲート電極が形成されている。上記半導体基板の表面中であって、上記ゲート電極の両側に１対の不純物拡散層が設けられている。上記ゲート電極および上記不純物拡散層を覆うように上記半導体基板の上にストッパ膜が設けられている。上記ストッパ膜を覆うように、上記半導体基板の上に層間絶縁膜が設けられている。上記層間絶縁膜および上記ストッパ膜を、上記ゲート電極の表面の一部および上記不純物拡散層の表面の一部を同時に露出させるシェアードコンタクトホールが貫通している。上記ストッパ膜は、上記層間絶縁膜よりもエッチング選択比の高い材料で形成されている。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項４に係る半導体装置の製造方法においては、半導体基板の表面内に形成されたトレンチと、該トレンチに埋込まれた酸化膜とで、半導体基板表面上の一の活性領域を他の活性領域から分離する素子分離酸化膜を形成する工程と、素子分離酸化膜を含む半導体基板上にゲート電極を形成する工程と、ゲート電極の両側の活性領域表面中に、１対の不純物拡散層を形成する工程と、不純物拡散層表面およびゲート電極上に、それぞれ第１および第２の高融点金属シリサイドを形成する工程と、ゲート電極および不純物拡散層を覆うように、半導体基板上全面にストッパ膜を形成する工程と、ストッパ膜を覆うように半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜中であって、かつ素子分離酸化膜と第１の高融点金属シリサイドとの境界近傍の上方位置に、ストッパ膜の表面を露出させる第１コンタクトホールを形成する工程と、第１コンタクトホールと同時に、層間絶縁膜中であってかつゲート電極の上方位置に、ストッパ膜の表面を露出させる第２コンタクトホールを形成する工程と、第１および第２コンタクトホールによって露出したストッパ膜をエッチングすることにより、第１および第２の高融点金属シリサイド表面を露出させる工程と、第１および第２の高融点金属シリサイドに接続する配線層を形成する工程とを備え、ストッパ膜は、層間絶縁膜よりもエッチング選択比の高い材料にて形成されている。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項５に係る半導体装置の製造方法においては、上記コンタクトホールを、その位置が、上記素子分離領域と上記活性領域との境界から０．２μｍよりも少ない距離内に形成する。
請求項６に係る半導体装置の製造方法においては、半導体基板上にゲート電極を形成する工程と、半導体基板表面中であって、ゲート電極の両側に１対の不純物拡散層を形成する工程と、ゲート電極および不純物拡散層を覆うように、半導体基板上にストッパ膜を形成する工程と、ストッパ膜を覆うように、半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜およびストッパ膜を貫通し、ゲート電極の表面の一部および不純物拡散層の表面の一部を同時に露出させるシェアードコンタクトホールを形成する工程とを備え、ストッパ膜は層間絶縁膜よりもエッチング選択比の高い材料で形成されている。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
【発明の効果】
請求項１に係る半導体装置によれば、ストッパ膜が、層間絶縁膜よりもエッチング選択比の高い材料で形成されているので、ゲート電極の表面がえぐれていない半導体装置が得られる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
請求項１に係る半導体装置によれば、さらに、素子分離領域と第２のコンタクトホールの距離をいくらでも縮めることができる半導体装置が得られるという効果を奏する。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
請求項１に係る半導体装置によれば、さらに、素子分離領域をトレンチ分離で形成しているので、汎用のエッチング手段で容易に形成することができる。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
請求項１に係る半導体装置によれば、さらに、ゲート電極の上および不純物拡散層の上に、高融点金属シリサイドを形成しているので、低抵抗化を図ることができるという効果を奏する。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
請求項２に係る半導体装置によれば、ゲート電極が素子分離領域の上に形成されており、高低差が最大になる。かかる場合においても、ゲート電極の表面がえぐれていない半導体装置が得られるという効果を奏する。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
請求項３に係る半導体装置によれば、ゲート電極の表面がえぐれていない、シェアードコンタクトを有する半導体装置が得られるという効果を奏する。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
請求項４に係る半導体装置の製造方法によれば、ゲート電極の表面にえぐれが生じていない半導体装置が得られるという効果を奏する。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
請求項５に係る半導体装置によれば、コンタクトホールを、その位置が素子分離領域と活性領域との境界から０．２μｍよりも少ない距離内にくるように、形成するので、微細化を図ることができるという効果を奏する。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】削除
【補正の内容】