(57)【要約】【課題】個々に制御可能な素子のアレイの使用に関する１つまたは複数の問題を解決することができる測定、制御装置、および／または関連した方法を提供すること。【解決手段】本発明の態様によれば、個々に制御可能な素子のアレイの個々に制御可能な素子の特性を決定するために測定装置を制御する方法が開示され、個々に制御可能な素子のアレイは、放射ビームの分布を制御することが可能である。本方法は、複数の個々に制御可能な素子のシーケンスのために、複数の個々に制御可能な素子の個々に制御可能な素子において放射の測定ビームを誘導するステップと、一度測定ビームが個々に制御可能な素子によって再誘導されると、それを検出するステップとを含み、複数の個々に制御可能な素子のために本方法を実施するシーケンスは、複数の個々に制御可能な素子が、放射ビームの分布を制御するために方向付けされるとき、複数の個々に制御可能な素子の方向付けに関連するものである。【選択図】図３
2010034553.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個々に制御可能な素子のアレイの個々に制御可能な素子の特性を決定するために測定装置を制御する方法であって、前記個々に制御可能な素子のアレイは、放射ビームの分布を制御することが可能である方法において、複数の個々に制御可能な素子のシーケンスのために、
前記複数の個々に制御可能な素子の個々に制御可能な素子において、放射の測定ビームを誘導するステップと、
一度前記測定ビームが前記個々に制御可能な素子によって再誘導されると、それを検出するステップとを含み、
前記複数の個々に制御可能な素子について当該方法を実施する前記シーケンスは、前記複数の個々に制御可能な素子が、放射ビームの分布を制御するために方向付けされるとき、前記複数の個々に制御可能な素子の前記方向付けに関連する、
方法。
【請求項２】
前記再誘導される測定ビームが検出される位置が、前記個々に制御可能な素子の特性を表す、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記シーケンスは、前記複数の個々に制御可能な素子が、放射ビームの角度および／または強度分布を制御するために方向付けされるとき、前記複数の個々に制御可能な素子の前記方向付けに関連する、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記複数の個々に制御可能な素子の前記方向付けは、出力面上の前記放射ビームの分布にも対応する、
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記複数の個々に制御可能な素子の前記方向付けは、順々に前記複数の素子について、前記放射の測定ビームの検出位置の予想された分布にも対応する、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記シーケンスは、前記複数の個々に制御可能な素子によって再誘導される前記放射ビームによって生成される出力面上の前記放射ビームの異なる部分の分布に関連する、
請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記シーケンスは、前記出力面上で互いに隣接した位置に前記放射ビームの部分を再誘導する個々に制御可能な素子に関連する、
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記シーケンスは、前記出力面上の前記放射ビームの前記複数の再誘導される部分の位置をめぐる経路が、最短になるようなものである、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記放射ビームの部分は、異なる個々に制御可能な素子によって再誘導される前記放射ビームの異なる部分によって形成される、
請求項７または８に記載の方法。
【請求項１０】
前記シーケンスは、順々に前記複数の素子についてディテクタの表面上の前記放射の測定ビームの予想された検出位置に関連する、
請求項１から５のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記シーケンスは、互いに隣接した検出位置に前記放射の測定ビームを再誘導する素子に関連する、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記シーケンスは、前記検出位置をめぐる経路が最短になるようなものである、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
個々に制御可能な素子のアレイを制御する方法であって、前記個々に制御可能な素子のアレイは、放射ビームの分布を制御することが可能であり、前記個々に制御可能な素子のアレイは、
第１の制御装置によって制御される第１の複数の個々に制御可能な素子と、
第２の制御装置によって制御される第２の複数の個々に制御可能な素子とを含む方法において、
前記個々に制御可能な素子のアレイの個々に制御可能な素子の連続的な作動が、前記第１の制御装置および前記第２の制御装置の異なる１つの装置によって実施されるように、前記第１の制御装置および前記第２の制御装置を制御するステップを含む、
方法。
【請求項１４】
前記個々に制御可能な素子のアレイは、出力面上の異なる位置に前記放射ビームの異なる部分を再誘導するように構成されている方法であって、
前記出力面上で互いに隣接した位置に再誘導される前記放射ビームの再誘導される部分が、前記第１の制御装置および前記第２の制御装置の異なる１つの装置によって制御される素子によって再誘導されるように、前記個々に制御可能な素子のアレイを制御するステップを含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記個々に制御可能な素子のアレイの前記個々に制御可能な素子の測定シーケンスのために、また前記個々に制御可能な素子のアレイの前記個々に制御可能な素子の作動シーケンスのために実施される方法であって、個々に制御可能な素子の前記測定および前記作動の間に遅延がある、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
個々に制御可能な素子のアレイの個々に制御可能な素子の特性を決定するために測定装置を制御する方法であって、前記個々に制御可能な素子のアレイは、放射ビームの分布を制御することが可能である方法において、
第１の個々に制御可能な素子において放射の測定ビームを誘導するステップと、
一度前記測定ビームが前記第１の個々に制御可能な素子によって再誘導されると、それを検出するステップとを含み、
前記個々に制御可能な素子のアレイの第２の個々に制御可能な素子の特性が、前記第１の個々に制御可能な素子の特性を少なくとも表す情報から決定される、
方法。
【請求項１７】
前記再誘導される測定ビームが検出される位置が、前記第１の個々に制御可能な素子の特性を表す、
請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記第２の個々に制御可能な素子は、前記第１の個々に制御可能な素子に隣接して配置される、
請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記第２の個々に制御可能な素子は、前記第１の個々に制御可能な素子の位置に隣接した位置で前記アレイ中に配置される、
請求項１６から１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
複数の第１の個々に制御可能な素子および複数の第２の個々に制御可能な素子のために実施される、
請求項１６から１９のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２１】
前記第２の個々に制御可能な素子の特性は、少なくとも２つの第１の個々に制御可能な素子の特性を使用して決定される、
請求項１６から２０のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２２】
第１の個々に制御可能な素子の第１のセットおよび第２の個々に制御可能な素子の第１のセットのために実施され、次いで、第１の個々に制御可能な素子の第２のセットおよび第２の個々に制御可能な素子の第２のセットのために実施される、
請求項１６から２１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２３】
前記第１の個々に制御可能な素子の第１のセットの個々に制御可能な素子が、前記第１の個々に制御可能な素子の第２のセットの個々に制御可能な素子と異なる、
請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記第１の個々に制御可能な素子の第１のセットの前記個々に制御可能な素子は、前記第１の個々に制御可能な素子の第２のセットの前記個々に制御可能な素子の位置に隣接した、前記個々に制御可能な素子のアレイ中の位置に配置される、
請求項２２または２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記第２の個々に制御可能な素子の特性が、前記第１の個々に制御可能な素子の前記特性の外挿から、前記第１の個々に制御可能な素子の前記特性の投影から、前記第１の個々に制御可能な素子の前記特性に基づく推定から、あるいは前記第１の個々に制御可能な素子の前記特性に基づくモデルまたはシミュレーションから決定される、
請求項１６から２４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２６】
リソグラフィ装置の個々に制御可能な素子のアレイのために実施される、
請求項１から２５のいずれかに記載の方法。
【請求項２７】
放射の測定ビームを供給するように構成された放射源であって、前記放射の測定ビームは、個々に制御可能な素子のアレイの個々に制御可能な素子において誘導されるように構成され、前記個々に制御可能な素子のアレイは、放射ビームの分布を制御することが可能であり、前記個々に制御可能な素子は、前記放射の測定ビームを再誘導するように構成される、放射源と、
前記再誘導される測定ビームを受け取るように構成されたディテクタと、
前記放射源および／または前記ディテクタを制御するように構成された制御器であって、複数の個々に制御可能な素子のシーケンスのために、
放射の測定ビームが前記複数の個々に制御可能な素子の個々に制御可能な素子において誘導されるように配置されるように、
そして、一度前記測定ビームが前記個々に制御可能な素子によって再誘導されると、それが検出されるように構成されるように、構成される、制御器とを含み、
前記シーケンスは、前記複数の個々に制御可能な素子が放射ビームの分布を制御するために方向付けられるとき、前記複数の個々に制御可能な素子の前記方向付けに関連する、
測定構成。
【請求項２８】
前記ディテクタは、前記再誘導される測定ビームが前記ディテクタ上に入射する位置を決定するように構成され、前記再誘導される測定ビームが前記ディテクタ上に入射する前記位置は、前記個々に制御可能な素子の特性を表す、
請求項２７に記載の構成。
【請求項２９】
放射ビームの分布を制御するための構成であって、
放射ビームの分布を制御することが可能である、個々に制御可能な素子のアレイと、
前記個々に制御可能な素子のアレイの第１の複数の個々に制御可能な素子を制御するように構成された第１の制御装置と、
前記個々に制御可能な素子のアレイの第２の複数の個々に制御可能な素子を制御するように構成された第２の制御装置と、
前記個々に制御可能な素子のアレイの個々に制御可能な素子の連続的な作動が、前記第１の制御装置および前記第２の制御装置の異なる１つの装置によって実施されるように前記第１の制御装置および前記第２の制御装置を制御するように、構成された制御器とを含む、
制御するための構成。
【請求項３０】
放射の測定ビームを供給するように構成された放射源であって、前記放射の測定ビームは、個々に制御可能な素子のアレイの第１の個々に制御可能な素子において誘導されるように構成され、前記個々に制御可能な素子のアレイは、放射ビームの分布を制御することが可能であり、前記個々に制御可能な素子は、前記放射の測定ビームを再誘導するように構成される、放射源と、
前記再誘導される測定ビームを受け取るように構成されたディテクタと、
前記第１の個々に制御可能な素子の特性を少なくとも表す情報から、第２の個々に制御可能な素子の特性を決定するように構成された決定構成とを含む、
測定構成。
【請求項３１】
前記ディテクタは、前記再誘導される測定ビームが前記ディテクタ上に入射する位置を決定するように構成され、前記再誘導される測定ビームが前記ディテクタ上に入射する前記位置は、前記第１の個々に制御可能な素子の特性を表す、
請求項３０に記載の測定構成。
【請求項３２】
前記個々に制御可能な素子のアレイは、リソグラフィ装置の個々に制御可能な素子のアレイである、
請求項２７から３１のいずれかに記載の構成。
【請求項３３】
請求項２７から３２のいずれかに記載の前記構成を備えたリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、測定装置および方法に関する。本発明は、詳しくは、ただし限定するものではなく、たとえばリソグラフィ装置の照明システムに関してリソグラフィで使用するための測定装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、基板のターゲット部分上に所望のパターンを与える機械である。リソグラフィ装置は、たとえば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。その状況下では、パターニングデバイス（あるいはマスクまたはレチクルとも呼ばれる）は、ＩＣの個々の層に対応する回路パターンを生成するために使用することができ、このパターンは、放射感応性材料（レジスト）の層を有した基板（たとえば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（たとえば、１つまたはいくつかのダイの部分を含む）上に像を形成することができる。一般に、単一基板は、連続して露光される隣接したターゲット部分のネットワークを含む。ターゲット部分上に全パターンを一度に露光することによって、各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパ、およびビームを介して所与の方向（「スキャンニング」方向）にスキャンするとともに、この方向に対して平行または逆平行に同期して基板をスキャンすることによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナを含むリソグラフィ装置が知られている。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、通常、たとえばリソグラフィ装置のパターニングデバイスに調節された照明放射ビームを供給するように構成されたイルミネータ（ときには照明システムと呼ばれる）を含む。本技術で特定の「照明モード」としてときには呼ばれる特定の角度強度分布を照明ビームに与えることが、ときには有利である。ある種のリソグラフィ装置には、照明ビームの分布を制御し、所望の照明モードを生成するために、１つまたは複数の回折光学エレメントをイルミネータ内に設けることができる。あるいは、または追加して、所望の照明モードを生成する、または生成を支援するために、個々に制御可能な素子のアレイ（プログラマブルミラーアレイ、または可動ミラーアレイなど）をイルミネータ中に設けて、照明ビームの部分を選択的に反射してもよい。個々に制御可能な素子のアレイを使用することの利点は、アレイの素子を一構成から他の構成に容易に変更することができ、照明モードも一照明モードから他の照明モードへ極めて容易に変更することができることである。したがって、少なくともいくつかの点で個々に制御可能な素子のアレイを使用することは、有利である。
【０００４】
[0004]  リソグラフィ装置のイルミネータ中での個々に制御可能な素子のアレイの使用は、少なくともいくつかの点で有利であることがあるが、そうは言うものの、個々に制御可能な素子のアレイの使用に関し欠点が存在する場合がある。１つの欠点は、短時間にアレイの多数の素子を迅速にアドレス指定したい（および、たとえば、作動させたい）という要望かもしれない。短時間に多数の素子を迅速にアドレス指定する、および／または作動させるということは、素子に対して、または素子にまたは素子のグループに関連する少なくとも制御装置に対して、大量のデータフローが存在するということである。そのような大量のデータフローは、アレイの素子の特性（すなわち、単一または複数の特性）の検出、またはアレイの素子の作動速度に対し、制限するものとして働くことがしばしばである。
【発明の概要】
【０００５】
[0005]  したがって、たとえば、上記に述べた１つまたは複数の問題、および／またはここに言及されない１つまたは複数の問題を解決するために、測定および制御装置、および／または関連した方法を提供することが望ましい。
【０００６】
[0006]  本発明の態様によれば、個々に制御可能な素子のアレイの個々に制御可能な素子の特性を決定するために測定装置を制御する方法が提供され、個々に制御可能な素子のアレイは、放射ビームの分布を制御することが可能であり、本方法は、複数の個々に制御可能な素子のシーケンスのために、複数の個々に制御可能な素子の個々に制御可能な素子において放射の測定ビームを誘導するステップと、一度測定ビームが個々に制御可能な素子によって再誘導されると、それを検出するステップとを含み、複数の個々に制御可能な素子のために本方法を実施するシーケンスは、複数の個々に制御可能な素子が、放射ビームの分布を制御するために方向付けされるとき、複数の個々に制御可能な素子の方向付けに関するものである。
【０００７】
[0007]  再誘導される測定ビームが検出される位置は、個々に制御可能な素子の特性を表すことができる。複数の個々に制御可能な素子のために本方法を実施するシーケンスは、複数の個々に制御可能な素子が、放射ビームの角度および／または強度分布を制御するために方向付けされるとき、複数の個々に制御可能な素子の方向付けに関するものにすることができる。複数の個々に制御可能な素子の方向付けは、出力面上の放射ビームの分布に対応させることができる。複数の個々に制御可能な素子の方向付けは、順々に複数の素子について放射の測定ビームの検出位置の予想された分布に対応させることができる。
【０００８】
[0008]  シーケンスは、複数の個々に制御可能な素子によって再誘導される放射ビームによって生成される、出力面上の放射ビームの異なる部分の分布に関連付けることができる。シーケンスは、出力面上で互いに隣接した位置に放射ビームの部分を再誘導する、個々に制御可能な素子に関連付けることができる。シーケンスは、出力面上の放射ビームの複数の再誘導される部分の位置をめぐる経路が、最短になるようなものとすることができる。放射ビームの部分は、放射ビームの異なる部分が異なる個々に制御可能な素子によって再誘導されることによって、形成することができる。
【０００９】
[0009]  シーケンスは、順々に複数の素子についてディテクタの表面上の放射の測定ビームの予想された検出位置と関連付けることができる。表面は、単一の連続した表面とすることができ、または複数の独立した表面から形成することができる。たとえば、表面は、複数のフォトダイオード検出表面またはＣＣＤを含むことができる。シーケンスは、互いに隣接した検出位置に放射の測定ビームを再誘導する素子に関連付けることができる。シーケンスは、検出位置をめぐる経路が最短になるようなものとすることができる。
【００１０】
[0010]  本発明の態様によれば、個々に制御可能な素子のアレイを制御する方法が提供され、個々に制御可能な素子のアレイは、放射ビームの分布を制御することが可能であり、個々に制御可能な素子のアレイは、第１の制御装置によって制御される第１の複数の個々に制御可能な素子と、第２の制御装置によって制御される第２の複数の個々に制御可能な素子とを含み、本方法は、個々に制御可能な素子のアレイの個々に制御可能な素子の連続的な作動が、第１の制御装置および第２の制御装置の異なる１つの装置によって実施されるように、第１の制御装置および第２の制御装置を制御するステップを含む。
【００１１】
[0011]  個々に制御可能な素子のアレイは、出力面上の異なる位置に放射ビームの異なる部分を再誘導するように、構成することができる。本方法は、出力面上で互いに隣接した位置に再誘導される放射ビームの再誘導される部分が、第１の制御装置および第２の制御装置の異なる１つの装置によって制御される素子によって再誘導されるように、個々に制御可能な素子のアレイを制御するステップをさらに含むことができる。
【００１２】
[0012]  本方法は、個々に制御可能な素子のアレイの個々に制御可能な素子の測定シーケンスのために、また個々に制御可能な素子のアレイの個々に制御可能な素子の作動シーケンスのために、実施することができ、個々に制御可能な素子の測定と作動の間に遅延が存在する。
【００１３】
[0013]  本発明の態様によれば、個々に制御可能な素子のアレイの個々に制御可能な素子の特性を決定するために、測定装置を制御する方法が提供され、個々に制御可能な素子のアレイは、放射ビームの分布を制御することが可能であり、本方法は、第１の個々に制御可能な素子において放射の測定ビームを誘導するステップと、一度測定ビームが第１の個々に制御可能な素子によって再誘導されると、それを検出するステップとを含み、個々に制御可能な素子のアレイの第２の個々に制御可能な素子の特性が、第１の個々に制御可能な素子の特性を少なくとも表す情報から決定される。
【００１４】
[0014]  再誘導される測定ビームが検出される位置は、第１の個々に制御可能な素子の特性を表すことができる。個々に制御可能な素子のアレイの複数の第２の個々に制御可能な素子の特性は、第１の個々に制御可能な素子の特性を少なくとも表す情報から決定することができる。
【００１５】
[0015]  直接測定を実施された素子は、「第１の」素子、または第１の素子のセットとして述べることがあり、直接測定を実施されていない素子は、「第２の」素子、または第２の素子のセットとして述べることがある。
【００１６】
[0016]  第２の個々に制御可能な素子は、第１の個々に制御可能な素子に隣接して配置することができる。第２の個々に制御可能な素子は、第１の個々に制御可能な素子の位置の隣の位置でアレイ中に配置することができる。
【００１７】
[0017]  本方法は、複数の第１の個々に制御可能な素子および複数の第２の個々に制御可能な素子のために実施することができる。
【００１８】
[0018]  第２の個々に制御可能な素子の特性は、少なくとも２つの第１の個々に制御可能な素子の特性を使用して、決定することができる。
【００１９】
[0019]  本方法は、第１の個々に制御可能な素子の第１のセットおよび第２の個々に制御可能な素子の第１のセットのために実施することができ、次いで、本方法は、第１の個々に制御可能な素子の第２のセットおよび第２の個々に制御可能な素子の第２のセットのために実施される。
【００２０】
[0020]  第１の個々に制御可能な素子の第１のセットの個々に制御可能な素子は、第１の個々に制御可能な素子の第２のセットの個々に制御可能な素子と異なってもよい。第１の個々に制御可能な素子の第１のセットの個々に制御可能な素子は、第１の個々に制御可能な素子の第２のセットの個々に制御可能な素子の位置に隣接した個々に制御可能な素子のアレイ中の位置に配置することができる。
【００２１】
[0021]  第２の個々に制御可能な素子の特性は、第１の個々に制御可能な素子の特性の外挿から、第１の個々に制御可能な素子の特性の投影から、第１の個々に制御可能な素子の特性に基づく推定から、あるいは第１の個々に制御可能な素子の特性に基づくモデルまたはシミュレーションから決定することができる。
【００２２】
[0022]  本発明の態様によれば、１つまたは複数の上記の方法は、リソグラフィ装置の個々に制御可能な素子のアレイために実施することができる。それらの方法（１つまたは複数）は、リソグラフィ装置のイルミネータの個々に制御可能な素子のアレイのために実施することができる。
【００２３】
[0023]  本発明の態様によれば、測定構成が提供され、本構成は、放射の測定ビームを供給するように構成された放射源であって、放射の測定ビームは、個々に制御可能な素子のアレイの個々に制御可能な素子において誘導されるように構成され、個々に制御可能な素子のアレイは、放射ビームの分布を制御することが可能であり、個々に制御可能な素子は、放射の測定ビームを再誘導するように構成される、放射源と、再誘導される測定ビームを受け取るように構成されたディテクタと、放射源および／またはディテクタを制御するように構成された制御器であって、複数の個々に制御可能な素子のシーケンスのために、放射の測定ビームが複数の個々に制御可能な素子の個々に制御可能な素子において誘導されるように構成され、そして一度測定ビームが個々に制御可能な素子によって再誘導されると、それが検出されるように構成されるように、構成される、制御器とを含み、シーケンスは、複数の個々に制御可能な素子が、放射ビームの分布を制御するために方向付けられるとき、複数の個々に制御可能な素子の方向付けに関連付けられる。
【００２４】
[0024]  本発明の態様によれば、放射ビームの分布を制御するための構成が提供され、本構成は、放射ビームの分布を制御することが可能である、個々に制御可能な素子のアレイと、個々に制御可能な素子のアレイの第１の複数の個々に制御可能な素子を制御するように構成された第１の制御装置と、個々に制御可能な素子のアレイの第２の複数の個々に制御可能な素子を制御するように構成された第２の制御装置と、個々に制御可能な素子のアレイの個々に制御可能な素子の連続的な作動が、第１の制御装置および第２の制御装置の異なる１つの装置によって実施されるように第１の制御装置および第２の制御装置を制御するように、構成された制御器とを含む。
【００２５】
[0025]  本発明の態様によれば、測定構成が提供され、本構成は、放射の測定ビームを供給するように構成された放射源であって、放射の測定ビームは、個々に制御可能な素子のアレイの第１の個々に制御可能な素子において誘導されるように構成され、個々に制御可能な素子のアレイは、放射ビームの分布を制御することが可能であり、個々に制御可能な素子は、放射の測定ビームを再誘導するように構成される、放射源と、再誘導される測定ビームを受け取るように構成されたディテクタと、第１の個々に制御可能な素子の特性を少なくとも表す情報から第２の個々に制御可能な素子の特性を決定するように構成された決定構成とを含む。
【００２６】
[0026]  本発明の態様によれば、個々に制御可能な素子のアレイは、リソグラフィ装置の個々に制御可能な素子のアレイとすることができる。個々に制御可能な素子のアレイは、リソグラフィ装置のイルミネータの個々に制御可能な素子のアレイとすることができる。
【００２７】
[0027]  本発明の態様によれば、上記の構成を備えたリソグラフィ装置が提供される。
【００２８】
[0028]  本発明のいずれかの態様によれば、測定または決定することができる、個々に制御可能な素子の特性は、個々に制御可能な素子の方向付け、および／または上昇の程度（たとえば、中立または平衡位置に対する）に関連付けることができる。測定または決定することができる、個々に制御可能な素子の特性は、１または複数次元の素子の傾斜角度とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
[0029]  ここで、例としてだけで添付概略図面を参照して本発明の実施形態を述べる。図面では、対応する参照記号は、対応する部品を示す。
【図１】[0030]本発明の実施形態によるリソグラフィ装置を概略描写する図である。
【図２】[0031]イルミネータ中に設けられた個々に制御可能な素子の１次元アレイおよびそれらの素子の特性を決定するための装置の概略描写図である。
【図３】[0032]図２に示された個々に制御可能な素子のアレイの一部分の概略描写図である。
【図４】[0033]図３に示された個々に制御可能な素子のアレイの素子から反射された放射ビームの位置の変化の概略描写図である。
【図５】[0034]本発明の実施形態による、図３に示された個々に制御可能な素子のアレイの素子の特性を検出する改良されたシーケンスを概略描写する図である。
【図６】[0035]イルミネータ中に設けられた個々に制御可能な素子の２次元アレイの概略描写図である。
【図７】[0036]図６に示された個々に制御可能な素子のアレイの素子から反射された放射ビームの位置の変化の概略描写図である。
【図８】[0037]本発明の実施形態による、図６に示された個々に制御可能な素子のアレイの素子の特性を検出する改良されたシーケンスを概略描写する図である。
【図９】[0038]イルミネータ中に設けられた個々に制御可能な素子の他の２次元アレイの概略描写図である。
【図１０】[0039]図９に示された個々に制御可能な素子のアレイの素子を作動させるためにアドレス指定することができる順番を概略描写する図である。
【図１１】[0040]本発明の実施形態による、図９に示された個々に制御可能な素子のアレイの素子を作動させるためにアドレス指定することができる改良された順番を概略描写する図である。
【図１２】[0041]本発明の実施形態による、図９に示された個々に制御可能な素子のアレイの素子を作動させるためにアドレス指定することができる順番を概略描写する図である。
【図１３】[0042]図９に示されたように、イルミネータ中に設けられた個々に制御可能な素子の２次元アレイの概略描写図であって、異なる制御装置によって制御される２つの素子を示す概略描写図である。
【図１４】[0043]イルミネータ中に設けられた個々に制御可能な素子の他の２次元アレイの一部分の概略描写図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
[0044]  ＩＣ製造中のリソグラフィ装置の使用について、本テキスト中に具体的に言及することがあるが、ここで述べるリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用の誘導および検出パターン、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造など、他の用途を有することができることを理解すべきである。当業者は、そのような代替の用途との関連で、ここでの用語「ウェーハ」または「ダイ」のいかなる使用も、もっと一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」とそれぞれ同義であると考えてもよいことを理解されよう。ここで言及する基板は、露光前またはその後で、たとえばトラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、またはメトロロジーツール、またはインスペクションツール中で処理してもよい。適用できる場合、ここでの開示は、そのような、および他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、たとえば多層ＩＣを生成するために、一度より多く処理してもよく、したがってここで使用する用語「基板」は、既に複数の処理層を含む基板も言うことがある。
【００３１】
[0045]  ここで使用する用語「放射」および「ビーム」は、紫外線（ＵＶ）放射（たとえば、その波長が３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍである）や極端紫外線（ＥＵＶ）放射（たとえば、その波長が５〜２０ｎｍの範囲内である）を含む、すべてのタイプの電磁放射を包含する。
【００３２】
[0046]  ここで使用する用語「パターニングデバイス」は、放射ビームにその断面中でパターンを付与して、基板のターゲット部分上にパターンを生成するために使用することができるデバイスを言うものとして、広く解釈すべきである。放射ビームに付与されたパターンは、基板のターゲット部分上の所望のパターンに正確に対応しなくてもよいことに留意すべきである。一般に、放射ビームに付与されたパターンは、集積回路など、ターゲット部分中に生成されるデバイス中の特定の機能層に対応することになる。
【００３３】
[0047]  パターニングデバイスは、透過性または反射性とすることができる。パターニングデバイスの実施例には、マスク、プログラマブルミラーアレイやプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィにおいて周知であり、それには、バイナリ位相シフト、レベンソン型（alternating）位相シフトやハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッド型マスクタイプが含まれる。プログラマブルミラーアレイの実施例は、小型ミラーのマトリックス配列を用い、ミラーのそれぞれは、異なる方向に入射放射ビームを反射するように、個々に傾斜させることができ、このようにして、反射されたビームがパターン付きにされる。ここでの用語「レチクル」または「マスク」のいかなる使用も、もっと一般的な用語「パターニングデバイス」と同義であると考えることができる。
【００３４】
[0048]  ここで使用する用語「投影システム」は、たとえば使用される露光放射に適するような、あるいは液浸流体の使用または真空の使用などの他のファクタに適するような屈折光学システム、反射光学システムや反射屈折光学システムを含む、様々なタイプの投影システムを包含するものとして、広く解釈すべきである。ここでの用語「投影レンズ」のいかなる使用も、もっと一般的な用語「投影システム」と同義であると考えることができる。
【００３５】
[0049]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）またはそれより多い基板テーブル（および／または２以上のパターニングデバイステーブル）を有したタイプのものとすることができる。そのような「マルチステージ」の機械では、追加のテーブルを同時に使用することができる、または１つまたは複数のテーブルを露光のために使用しながら、１つまたは複数の他のテーブル上で準備ステップを実施することができる。
【００３６】
[0050]  また、リソグラフィ装置は、基板が、屈折率が比較的高い液体、たとえば水に液浸されて、投影システムの最後の素子と基板の間のスペースが充填されるタイプのものとしてもよい。液浸技術は、投影システムの開口数を増加させるため、本技術では周知である。
【００３７】
[0051]  図１に、本発明の具体的な実施形態によるリソグラフィ装置を概略描写する。本装置は、
−放射ビームＰＢ（たとえば、ＵＶ、ＥＵＶまたはＥＵＶを超える放射）を調節するための照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
−品目ＰＬに対してパターニングデバイス（たとえば、マスク）ＭＡを正確に位置決めするための第１の位置決めデバイスＰＭに接続された、パターニングデバイスをサポートするためのサポート構造（たとえば、サポート構造）ＭＴと、
−品目ＰＬに対して基板（たとえば、レジストコートウェーハ）Ｗを正確に位置決めするための第２の位置決めデバイスＰＷに接続された、基板を保持するための基板テーブル（たとえば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
−パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＰＢに付与されたパターンの像を基板Ｗのターゲット部分Ｃ（たとえば、１つまたは複数のダイを含む）上に形成するように構成された投影システム（たとえば、屈折投影レンズ）ＰＬとを含む。
【００３８】
[0052]  この図に描写されているように、装置は、透過性タイプ（たとえば、透過性マスクを用いる）のものである。あるいは、装置は、反射性タイプ（たとえば、上記に述べたようなタイプのプログラマブルミラーアレイを用いる）のものでもよい。
【００３９】
[0053]  イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。放射源およびリソグラフィ装置は、たとえば放射源がエキシマレーザであるとき、別々の構成要素としてもよい。そのような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部分を形成するとは見なされず、放射ビームは、たとえば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤの助けによって、放射源ＳＯからイルミネータＩＬに送られる。他の場合、放射源は、たとえば水銀ランプであるとき、装置の一体部分とすることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムとして呼ばれることがある。
【００４０】
[0054]  イルミネータＩＬは、ビームの角度強度分布を調節するように構成されたアジャスタＡＭを含むことができる。一般に、イルミネータの出力面上の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、σ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒとしてそれぞれ呼ばれる）は、調節することができる。また、イルミネータＩＬは、たとえば異なる照明モード（本技術では知られている）を生成するためにビームの分布（たとえば、角度および／または強度分布）を制御するために使用される、個々に制御可能な素子のアレイＡＥ（たとえば、プログラマブルミラーアレイまたは所定位置に移動させることができるミラーアレイ）を含む。さらに、イルミネータＩＬは、一般に、インテグレータＩＮやコンデンサＣＯなど、様々な他のコンポーネントを含む。イルミネータは、その断面において所望の均一性および強度分布を有した、調節された放射ビームＰＢを供給する。イルミネータＩＬ中のコンポーネントの順番は、この図に示された順番と異なってもよい。たとえば、いくつかの実施形態では、アジャスタＡＭは、個々に制御可能な素子のアレイとすることができる。
【００４１】
[0055]  また、照明システムは、放射ビームを誘導し、整形し、または制御するための屈折、反射および反射屈折式光学コンポーネントを含む、様々なタイプの光学コンポーネントを包含することができ、また、そのようなコンポーネントは、以下で「レンズ」として総称的に、または単称的に呼ばれることがある。
【００４２】
[0056]  放射ビームＰＢは、パターニングデバイス（たとえば、マスク）ＭＡ上に入射し、それは、サポート構造ＭＴ上に保持されている。ビームＰＢは、パターニングデバイスＭＡを通った後、投影システムＰＬを通過し、それは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームが合焦される。第２の位置決めデバイスＰＷおよび位置センサＩＦ（たとえば、干渉計デバイス）の助けによって、基板テーブルＷＴは、たとえばビームＰＢの経路中に異なるターゲット部分Ｃを位置決めするために、正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決めデバイスＰＭおよび他の位置センサ（それは、図１に明示的に描写されていない）は、たとえばマスクライブラリからの機械的な回収の後またはスキャン中に、ビームＰＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするために使用することができる。一般に、オブジェクトテーブルＭＴおよびＷＴの移動は、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けによって実現され、それらは、位置決めデバイスＰＭおよびＰＷの一部分を形成する。しかし、ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、サポート構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータだけに接続してもよく、あるいは固定してもよい。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスのアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板のアライメントマークＰ１およびＰ２を使用して位置合わせすることができる。
【００４３】
[0057]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持する。それは、パターニングデバイスの方向付け、リソグラフィ装置の設計や、たとえばパターニングデバイスが真空環境中に保持されているかどうかなど、他の要件に依存した方法でパターニングデバイスを保持する。サポート構造ＭＴは、機械的クランプ、真空または他のクランプ技術、たとえば真空条件下での静電クランプを使用することができる。サポート構造ＭＴは、フレームまたはテーブルとすることができ、たとえば、それは、必要に応じて固定され、または可動でもよく、それは、パターニングデバイスが、たとえば投影システムに対して所望の位置にあることを保証することができる。
【００４４】
[0058]  描写された装置は、次の好ましいモードで使用することができる。
【００４５】
[0059]  １．ステップモードでは、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴが、基本的に静止状態に保たれ、一方ビームＰＢに付与された全パターンが、一度（すなわち１回の静止露光）でターゲット部分Ｃ上に投影される。次いで、基板テーブルＷＴは、異なるターゲット部分Ｃを露光することができるように、Ｘおよび／またはＹ方向にシフトされる。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の静止露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズを限定する。
【００４６】
[0060]  ２．スキャンモードでは、サポート構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴが、同時にスキャンされ、一方ビームＰＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち、１回の動的露光）。サポート構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＬの倍率（縮小率）および像反転特性によって決定される。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズが、１回の動的露光でのターゲット部分の幅（非スキャンニング方向の）を限定し、一方スキャンニング運動の長さが、ターゲット部分の高さ（スキャンニング方向の）を決定する。
【００４７】
[0061]  ３．他のモードでは、サポート構造ＭＴが、基本的に静止状態に保たれて、プログラマブルパターニングデバイスを保持し、基板テーブルＷＴが、移動またはスキャンされ、一方ビームＰＢに付与されたパターンが、ターゲット部分Ｃ上に投影される。このモードでは、一般に、パルス放射源が用いられ、プログラマブルパターニングデバイスが、基板テーブルＷＴの移動の後毎に、またはスキャン中の連続した放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、上記に述べたようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用する、マスクを使用しないリソグラフィに容易に適用することができる。
【００４８】
[0062]  利用価値のある上記に述べたモードの組合せ、および／またはその変形、あるいは利用価値のある全く異なるモードも、用いることができる。
【００４９】
[0063]  上記に述べたように、リソグラフィ装置は、イルミネータを通過する放射ビームの分布（たとえば、角度および／または強度分布）を制御するように構成された、個々に制御可能な素子のアレイを含むことができる。そのようなリソグラフィ装置では、第１の断面強度分布を有した入射放射ビームが、個々に制御可能な素子のアレイ上に入射する。個々に制御可能な素子のアレイは、放射ビームを反射し、第１の断面分布が、出力面において第２の空間強度分布に空間的に再配分される。出力面は、イルミネータの瞳面とすることができる。この実施形態では、個々に制御可能な素子のアレイは、照明モードを設定するために使用することができる。あるいは、出力面は、イルミネータのフィールド面としてもよい。この実施形態では、個々に制御可能な素子のアレイは、前記フィールド面上の放射ビームの均一性分布を改良するために使用することができる。
【００５０】
[0064]  イルミネータ中に個々に制御可能な素子のアレイを含む、そのようなリソグラフィ装置の実施例は、たとえば米国特許出願第ＵＳ２００８／００７９９３０号に示されている。ＵＳ２００８／００７９９３０には、たとえば、異なる方向に放射ビームの異なる部分を選択的に反射することによって、放射ビーム中に照明モードを生成するために使用することができるミラーアレイが記載されている。言い換えると、ミラーアレイは、放射ビームの角度強度分布を制御するために使用される。また、ＵＳ２００８／００７９９３０には、アレイの個々に制御可能な素子（たとえば、ミラー）のアレイの１つまたは複数の素子を少なくとも表す情報をもたらすように構成された測定装置が開示されている。情報は、たとえばアレイの素子の傾斜角度を含むことができる。傾斜角度は、たとえばアレイの加熱、アレイ内の電荷蓄積またはアレイの一般的な劣化によって、時間とともに変化することがある。また、傾斜角度は、機械的に、および／または音響的に誘発された振動によって、および／またはアレイの隣接した素子間の静電相互作用によって変化することがある。
【００５１】
[0065]  図２に、個々に制御可能な素子の１次元アレイＡＥの実施例を概略描写する。また、図２に、上記に述べた測定装置の実施例を放射エミッタ２および放射ディテクタ４の形で概略描写する。個々に制御可能な素子のアレイは、サポート構造８によってサポートされた素子６（たとえば、ミラー）を含む。素子６は、入射する放射ビームの異なる部分を異なる方向に選択的に反射するために、サポート構造８に対して可動である。
【００５２】
[0066]  放射エミッタ２は、複数の別個で離散的な測定放射ビーム１０（または、言い換えると、放射の測定ビーム）を供給するように構成される。測定放射ビーム１０は、別個の発光ダイオード（ＬＥＤ）またはレーザなどによって発生させることができる。放射エミッタ２が供給することができる測定放射ビーム１０の数は、個々に制御可能な素子のアレイＡＥ中に設けられた素子６の数に少なくとも等しい。これは、放射エミッタ２が、素子６のそれぞれについて情報をもたらすために、放射の測定ビーム１０を素子６のそれぞれに向けて誘導することができるからである。所与の素子６に関する情報は、測定放射ビーム１０が素子６から反射された後（すなわち、反射測定ビーム１２が生成された後）、測定放射ビーム１０を検出することによって得ることができ、それは、放射ディテクタ４によって検出することができる。放射ディテクタ４は、たとえば、検出素子のアレイを備えることができ、または単一の検出表面を備えてもよい。素子６の特性は、たとえば反射された測定ビーム１２の検出位置の変化によって決定することができる。たとえば、所与の素子６が同じ駆動電圧によって駆動される、その素子６の２つの連続した作動の場合、同じ駆動電圧に関連付けられた素子６の傾斜角度（または、言い換えると、程度または範囲）の変化は、反射された測定ビーム１２の位置の変化によって決定することができる。言い換えると、反射された測定ビームの検出位置の変化は、素子の特性（この場合、傾斜の変化）を少なくとも表す情報をもたらすために使用することができる。上記に述べたように、所与の駆動電圧による素子の傾斜変化は、たとえば、電荷蓄積、アレイの加熱またはアレイの劣化に関連付けることができる。
【００５３】
[0067]  個々に制御可能な素子のアレイＡＥが放射ビームの分布を制御するために使用されているとき、たとえば素子の傾斜角度に関する情報は、測定装置を使用して得られない。その代り、たとえば素子の傾斜角度に関する情報は、個々に制御可能な素子のアレイが、放射ビームの分布を制御するために使用されようとする、または使用されたその前および／またはその後に、得ることができる。たとえば、一実施例では、測定装置は、個々に制御可能な素子のアレイＡＥが放射ビームの分布を制御するために使用される前に、個々に制御可能な素子のアレイＡＥのすべての素子６の傾斜角度を決定するために使用することができる。こうすることによって、所望の傾斜角度からの素子６の角度のいかなる変化（たとえば、ドリフト）も、放射ビームの分布が制御される前に、修正することができる。あるいは、各素子の傾斜を、アレイに関し全体としてよりはむしろ、決定し、次いで修正することができる。他の実施例では、素子の傾斜角度は、たとえば、個々に制御可能な素子のアレイＡＥが放射ビームの分布を制御するために使用されているときに、決定することができる。
【００５４】
[0068]  図２に、個々に制御可能な素子のアレイＡＥ上に同時に入射する複数の放射の測定ビーム１０と、同時に検出される放射ビームの反射された測定ビーム１２を示す。実際には、これは、起こらない、というのは、放射ディテクタ４が、所与の反射される測定ビームを反射させた素子６を決定することが可能であることが困難または不可能であるからである。したがって、図２は、単一の測定ビーム１０が単一の素子６の特性を決定するためにどのように使用されるかを表す、説明の助けとして提示されたものである。実際には、単一の異なる測定放射ビーム１０が、順々に、各素子６の特性を決定することができるようなシーケンスで単一の異なる素子６に誘導される。このプロセスは、個々に制御可能な素子のアレイＡＥに関しすべての素子６のために順々に実施され、したがって、個々に制御可能な素子のアレイＡＥの素子６のすべての特性を決定することができ、必要なら、放射ビームの分布を制御するために個々に制御可能な素子のアレイＡＥを使用するときに、それを補償することができる。
【００５５】
[0069]  図３に、個々に制御可能な素子のアレイＡＥの一部分を描写する。具体的には、図３に、個々に制御可能な素子のアレイの３つの素子、すなわち第１の素子２０、第２の素子２２および第３の素子２４を示す。３つの放射の測定ビームも示され、それらは、素子２０、２２および２４上に順々に、ただし同時にではなく入射し、それらは、第１の測定ビーム２６、第２の測定ビーム２８および第３の測定ビーム３０である。また、図３に、対応する反射された測定ビーム、すなわち第１の反射された測定ビーム３２、第２の反射された測定ビーム３４および第３の反射された測定ビーム３６を示す。反射された測定ビーム３２、３４および３６は、ディテクタ４によって検出されているところが示されている（やはり、同時でなく順々に）。
【００５６】
[0070]  素子２０、２２および２４のそれぞれは、互いに対して、わずかに異なる角度で傾斜させられて、反射された測定ビーム３２、３４および３６のそれぞれが、ディテクタ４の異なる部分に向けて誘導されることになる。
【００５７】
[0071]  図４に、検出事象のシーケンスを概略描写する。図４に、３つの状態で図３のディテクタ４を示し、その３つの状態は、ディテクタ４が第１の反射された測定ビーム３２を検出するときのディテクタ４ａ、ディテクタ４が第２の反射された測定ビーム３４を検出するときのディテクタ４ｂ、およびディテクタ４が第３の反射された測定ビーム３６を検出するときのディテクタ４ｃである。したがって、図４に、３つの検出事象のシーケンスが示されている。３つの検出事象は、測定ビームが、個々に制御可能な素子のアレイの素子から、素子がそのアレイ中に配置されている順番で、順々に反射されていることに対応する。
【００５８】
[0072]  図４の矢印は、検出事象のシーケンスにわたって検出された反射測定ビーム３２、３４および３６の位置の変化を描写する。検出位置の変化（すなわち、検出位置間の経路、または言い換えるとルートまたは累積距離）は、事象のシーケンスにわたって大きい。位置は、ディテクタ４の一方端部からディテクタの他方端部に変化し、次いで３つの検出事象だけの経過の間に再び戻ってくる。ディテクタ４および関連した制御エレクトロニクスは、反射測定ビームを検出した後で他の反射測定ビームを検出する準備ができる前までの、ディテクタが安定するために必要な最小限の時間である関連した静定時間を有する。予想されるように、述べた測定装置を使用して個々に制御可能な素子のアレイの素子の特性を決定するためにかかる時間を短縮することが望ましい。これは、個々に制御可能な素子のアレイを使用して、基板にパターンを与えるためにリソグラフィ装置が使用することができる放射ビームの分布を制御するために、できるだけ多くの時間が利用できるからである。利用できる時間が増えると、リソグラフィ装置の可能な処理能力が大きくなる。したがって、ディテクタおよび制御エレクトロニクスの静定時間は、個々に制御可能な素子のアレイの素子の特性を決定するためにかかる時間の最小化に対する制約として働く。たとえ、個々に制御可能な素子のアレイＡＥが放射ビームの分布を制御するために使用されているときに、個々に制御可能な素子のアレイの素子の特性が決定されるとしても、特性の測定は、なお制約として働く。測定時間をできるだけ短く保つことが望ましい、というのは、測定時間によって、アレイの素子の制御器が各素子についての測定データを受け取る、または供給する速度が、決定されるからである。次いで、これによって、測定値を計算に入れ素子を制御するために使用される制御ループの制御帯域幅が決定される。次いで、これによって、アレイの素子の方向付けにおける擾乱をどの程度うまく補償することができるかが決定される。最後に、次いで、これによって、全体の補償制御ループの精度が決定される。
【００５９】
[0073]  上記に述べたように、図４に、個々に制御可能な素子のアレイの素子の特性は、素子が個々に制御可能な素子のアレイ上に配置されているシーケンスで測定されることを示す。この結果は、各それぞれの素子について反射測定ビームの位置の検出された変化が、たとえば、その後の測定（言い換えると、検出事象）においてディテクタの一方端部から他方端部に大きく変化することがあるということである。この大きな変化のため、ディテクタおよび関連した制御エレクトロニクスは、連続する検出の間で安定するために、より長い時間がかかる恐れがある。
【００６０】
[0074]  本発明の実施形態によれば、長い静定時間に関する問題は、検出シーケンスにおいて互いに比較的隣接した位置のディテクタ上に入射すると検出シーケンスで知られた、または予想される反射された測定放射ビームを検出することによって、軽減または克服することができる。言い換えると、個々に制御可能な素子のアレイの素子の特性を、素子がアレイ中に配置されているシーケンスで決定する代わりに、本発明の実施形態は、個々に制御可能な素子のアレイの素子の方向付け（たとえば、傾斜、上昇、回転などであって、位置でない）に関連付けられた順番で（言い換えると、シーケンス）アレイの素子の特性を決定することに向けられる。素子の方向付けは、素子の予想された検出特性に、または予想された測定値に、たとえばディテクタの表面上で検出された測定放射ビームの位置に関連付ける、または対応させることができる。
【００６１】
[0075]  上記に述べたように、個々に制御可能な素子のアレイは、その上に入射する放射ビームの分布を制御するように構成される。したがって、個々に制御可能な素子のアレイの素子は、異なる方向に放射ビームの異なる部分を誘導するように方向付けられ、それによって、たとえばそのビーム中に所望の照明モードを生成する。照明モード、したがって個々に制御可能な素子のアレイの素子の方向付け（たとえば、傾斜、上昇などの程度）は、予め決定される。対応する方法で、個々に制御可能な素子のアレイの素子の特性を検出するために使用される、反射された放射の測定ビームのそれぞれの近似または正確な位置は、やはり、事前に知られることになる。これらの位置が事前に知られるので、測定装置は、測定放射ビームが、個々に制御可能な素子のアレイの異なる素子において選択的に順々に誘導され、それによって、互いに隣接した位置でディテクタ上に入射する、反射された放射の測定ビームが得られることを保証するように、制御することができる。これによって、ディテクタの静定時間が短縮されることになり、したがって、個々に制御可能な素子のアレイの素子のすべての特性を決定するために必要な総時間が短縮される。たとえば、個々に制御可能な素子のアレイの素子が測定されるシーケンスは、個々に制御可能な素子のアレイが放射ビーム中に確立するように構成される、アレイ中の素子の方向付けの特定のセットに関連付けられる照明モード（たとえば、瞳形状）に、関連付けることができる。
【００６２】
[0076]  図５に、本発明の実施形態による検出事象のシーケンスを概略描写する。図５に、個々に制御可能な素子のアレイの素子から反射された測定放射ビームを、素子がアレイ上に位置決めされたシーケンスで検出する代わりに、反射された測定放射ビーム３２、３４および３６が、ディテクタ上の互いに対するそれらの近接性に関して、順々に検出されることを示す。図３を参照すると、第１の素子２０、第２の素子２２および第３の素子２４は、１次元アレイで配列されている。素子２０、２２および２４が１次元アレイで配列されていることによって、連続した検出事象間でディテクタ上において最小限の距離（すなわち、最短経路、または言い換えると、最短ルートまたは最短蓄積距離）が得られる検出シーケンスは、素子２０、２２および２４の傾斜角度に直接関連付けられる。
【００６３】
[0077]  戻って図５を参照すると、測定ビーム２６、２８および３０は、発生され、適切な素子において誘導され、そして反射された測定ビーム３２、３４および３６がディテクタ上で検出される位置的順番で、反射された測定ビームとして検出される。図５では、「順番」がディテクタの下部から上部に取られているが、全く容易にディテクタの上部から下部になるように取ることができる。したがって、第１の検出事象４ｄは、ディテクタの下部にもっとも近く、この場合、第３の反射された放射の測定ビーム３６である、反射された放射の測定ビームの検出に対応する。用語「第３の」がここでは特定の放射ビームを識別するために使用され、放射ビームが、発生される放射ビームのシーケンスで第３であることを決して表していないことを指摘することは、重要である。第２の検出事象４ｅは、第１の反射された放射の測定ビーム３２の検出に対応し、それは、連続した検出の観点で、ディテクタ上で第１の検出事象４ｄにもっとも近い検出事象である。やはり、用語「第１の」が、いかなるシーケンスでの順番も決して表示していないで、特定の放射ビームを識別するために単に使用されている。最後に、シーケンスでは、第３の検出事象４ｆは、第２の反射された放射の測定ビーム３４の検出に対応し、それは、やはり、ディテクタ上で第２の検出事象４ｅに次にもっとも近い検出事象である。やはり、用語「第３の」が、いかなるシーケンスでのいかなる順番も決して表示していないで、その代り、それは、１つの放射ビームと他の放射ビームを区別するために単に使用されている。
【００６４】
[0078]  図５の矢印によって、検出事象のシーケンスにわたって検出された反射測定ビーム３２、３４および３６の位置の変化を描写する。図５の矢印の全長が、図４に示された対応する矢印よりかなり短いことを理解されよう。図５に関して述べた方法で個々に制御可能な素子のアレイの素子の特性の測定を実施することによって、検出事象間でディテクタ上において可能な最短距離が達成される。図４と図５の比較から、図５の検出事象間の静定時間は、図４に示し、それを参照して述べた検出シーケンスに関する静定時間よりはるかに短いことを理解されよう。ディテクタおよび関連した制御エレクトロニクスが前に検出された位置により近い位置に移動し、そこで安定することは、前に検出された位置からはるかに離れた位置についての場合より、より容易（たとえば、より迅速）である。このことは、図４に関して述べたシーケンスを使用した場合より、図５に関して述べたシーケンスを使用すると、より迅速に検出シーケンスを実施できることを意味する。
【００６５】
[0079]  図３〜５は、個々に制御可能な素子の１次元アレイに関して、本発明の実施形態を説明するために使用された。実用的なリソグラフィ装置では、個々に制御可能な素子の１または複数の２次元アレイの使用は、たとえばイルミネータ中で通常使用されている。図６に、個々に制御可能な素子の２次元アレイＡＥを概略描写する。図６に、５列の素子６を含み、各列は、１０並びの素子６を含む、アレイを描写する。したがって、全体で、個々に制御可能な素子のアレイＡＥは、５０個の素子６を含む。実際には、リソグラフィ装置のイルミネータ中で使用される個々に制御可能な素子のアレイは、もっと多くの素子、たとえば４０００個またはそれより多くの素子を含むことがある。しかし、２次元アレイでの５０個の減少された数の素子は、本発明の実施形態に関連した原理をさらに説明するために役立つ。
【００６６】
[0080]  図７は、図６に示された個々に制御可能な素子のアレイの傾斜された素子によって反射された放射ビームが、どこに位置付けられるかを予想した概略表示図である。その位置付けは、いくつかの方法の１つで視覚化することができる。たとえば、位置付けは、その分布が個々に制御可能な素子のアレイＡＥによって制御される放射ビームの瞳面上の位置の観点から、または順々にアレイの素子の特性を決定するために使用される測定装置のディテクタ上の位置によって説明することができる。図７をどのように解釈しても、図７のポイント４０は、面４２上の反射された放射ビームまたは放射ビームの部分の位置に対応する。ポイント４０を接続するライン４４は、ポイント４０のそれぞれの位置が検出される順番を表す。具体的には、図７に示された順番は、放射ビームによって調べられる素子６のそれぞれに関するものであり（図６に示されたように）、反射放射ビームが、個々に制御可能な素子のアレイＡＥ中に素子が現れる順番で検出される。その意味で、図７のライン４４は、図４および５に示し、それらを参照して述べた矢印と同様である。
【００６７】
[0081]  図７は、ポイント４０を結合するライン４４が具体的な順番なしに現れることを示しているように見える。さらに、ライン４４が、ごくたまにだけで隣接したポイント４０を結合することを見ることができる。これは、測定装置が放射の測定ビームを発生し、検出するために使用される順番は、ディテクタ上で（または、瞳面上またはより一般的にはアレイ中の素子の方向付け）反射された放射ビームの位置を計算に入れるように制御されないで、その代り、素子がアレイ中に配置された素子の順番だけを計算に入れるように構成されているからである。したがって、図７に、図４に示し、それを参照して述べた１次元構成に示し、それを参照して述べた問題と同じ２次元での問題を概略描写する。要約すると、素子がアレイに現れるシーケンスでアレイの素子において誘導される測定放射ビームを発生し検出するように測定装置を制御することによって、ディテクタおよび関連する制御エレクトロニクスの静定時間が長くなる。望ましくは、これらの静定時間が短縮されるべきである。
【００６８】
[0082]  本発明の実施形態によれば、図５の１次元構成に示し、それを参照して述べた方法とほぼ同じ方法で、静定時間の短縮、したがって、個々に制御可能な素子のアレイの素子のすべてのそれぞれの特性を決定するためにかかる時間の短縮を達成することができる。図８に、図７に示し、それを参照して述べた分布と同じポイント４０の分布を示す。同様に、ポイント４０を接続するライン４４は、測定装置が、個々に制御可能な素子のアレイの素子から反射される測定放射ビームを発生し検出するように制御される順番をやはり表す。しかし、図７に概略描写された状況とは全く対照的に、図８には、ポイント４０間で最短の変化（すなわち、最短経路、または言い換えると最短ルートまたは最短蓄積距離）が得られるように、ライン４４が隣接したポイント４４に接続される状況が概略描写されている。放射の測定ビームの発生および検出の観点で、これは、測定装置が、個々に制御可能な素子のアレイの素子において誘導される測定放射ビームを、素子がアレイ中で現れる順番で検出し発生するように制御されないで、その代わりに、測定装置は、アレイの素子の方向付けに関して放射の測定ビームを発生し検出するように制御されることを意味する。これは、個々に制御可能な素子のアレイ中の素子の位置を考慮する代わりに、面（たとえば、瞳面、またはディテクタの表面）上で素子によって反射される放射ビームの位置が考慮されることを意味する。図８と図７の比較から、ライン４４の全長によって定義されるポイント４０間を移動する全距離（すなわち、経路、または言い換えるとルートまたは蓄積距離）は、図７では、図８よりはるかに長いことを見ることができる。したがって、関連した静定時間、それゆえ全体の検出時間は、図７で述べた検出シーケンスの場合、図８に関して述べた検出シーケンスよりはるかに長い。
【００６９】
[0083]  図７および図８でライン４４によって結合されたポイント４０間の平均距離を比較したとき、各ポイント４０間の平均距離は、図８に示し、それを参照して述べた検出シーケンスの場合、４．６倍もより短い。この距離の短縮は、５０個の素子を含む個々に制御可能な素子のアレイについてである。この平均距離の節約は、アレイ中の素子数が増加するにつれて、大きくすることができる。たとえば、４０００個の個々に制御可能な素子を含むアレイの場合、アレイの素子の方向付けを検出シーケンス中に計算に入れたとき、隣接したポイント間の平均距離は、１／３６もより短くすることができる。これは、アレイ上の素子の位置に単に対応する検出シーケンスと比較した場合である。
【００７０】
[0084]  図９に、１００個の個々に制御可能な素子６を備えた、個々に制御可能な素子のアレイＡＥ（たとえば、ミラーアレイ）を概略描写する。アレイＡＥは、１０列に素子６が配列され、各列は、１０並びの素子６を含む。したがって、アレイＡＥは、１００個の素子６を含む。個々に制御可能な素子のアレイＡＥは、たとえば、リソグラフィ装置のイルミネータ、たとえば図１に示し、それを参照して述べたイルミネータの一部分を形成することができる。実際には、リソグラフィ装置中で使用される個々に制御可能な素子のアレイは、１００個よりはるかに多い数の素子６を含むことがあり、たとえば４０００個またはそれより多い素子を含むことがあることを理解されよう。図９の素子の減少された数の描写、およびその説明によって、本発明の実施形態に関する原理の説明をより明らかにすることができる。
【００７１】
[0085]  個々に制御可能な素子のアレイＡＥの素子６を作動させるために、アレイ中の素子６は、アドレス指定しなければならない。たとえば、素子６の方向付け、たとえばその傾斜角度を制御するために、素子６の位置において電気信号を供給してもよい。一定角度に素子６を方向付けるために必要な信号のおおよその、または正確な性質は、事前に知られる。その信号を供給するためのインストラクション、またはその信号の細部は、たとえばコンピュータ記憶媒体などの中にあるデータアレイ中に格納することができる。
【００７２】
[0086]  アレイＡＥの各個々の素子６をアドレス指定するために、単一の制御装置を使用することは、実用的でない。これは、単一の制御装置が、個々に、順々にアレイの素子のそれぞれを次々にアドレス指定することは、特にアレイ中の素子数が４０００個を超えるとき、時間があまりにもかかりすぎることになるからである。したがって、アドレス指定のプロセスを加速し、それをより効率的にするために、複数の制御装置（ときには、ドライバまたはドライバ集積回路と呼ばれる）が設けられ、各制御装置が特定の数の素子をアドレス指定に関連付けられ、それに関与する。
【００７３】
[0087]  図９に、個々に制御可能な素子のアレイＡＥの多くの異なる素子６の制御およびアドレス指定のために、どのようにして複数の制御装置を設けることができるかを示す。個々に制御可能な素子のアレイＡＥの１００個の素子６が、素子６の４つの異なる領域に分割され、それぞれの領域は、素子６の全数（すなわち、１００個）の１／４（すなわち、２５個）の素子６を含み、各領域は、Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３およびＱ４であることを見ることができる。個々に制御可能な素子のアレイＡＥの異なる領域Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３およびＱ４は、二重線の境界線を使用して区画されている。実際には、そのような物理的または視覚的な境界線は、存在する必要がないことを理解されよう。個々に制御可能な素子のアレイＡＥの素子６は、異なる領域Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３およびＱ４のそれぞれ中で素子６をアドレス指定するために使用される制御装置の観点から分割されるだけである。
【００７４】
[0088]  個々に制御可能な素子のアレイＡＥの領域Ｑ１、Ｑ２、Ｑ３およびＱ４のそれぞれのための制御装置は、データを詰め込みすぎになることがあり得、一方他の制御装置が使用されないままになる。これは、特にデータレート（すなわち、アレイの素子をアドレス指定する、または作動させるためのインストラクション）が高い、たとえば数ギガビット／秒のとき、当てはまる。単一の制御装置は、そのような高データレートでは処理する、または作動することができない、というのは、個々に制御可能な素子のアレイの各素子の制御および作動に関連した電圧要件が、高いからである。本発明の実施形態によれば、この問題は、アレイの素子の連続した動作（たとえば、アドレス指定、傾斜、移動など）が、異なる制御装置によって実施されるべきことを保証することによって、克服することができる。これによって、異なる制御装置間でより平等に高データレートを分担することが可能になり、それによって、高データレートを使用して、個々に制御可能な素子のアレイの多数の素子を高速で作動させることが可能になる。
【００７５】
[0089]  図１０に、個々に制御可能な素子のアレイの素子を作動させるためにアドレス指定することができる、知られた順番を概略描写する。図９を同時に参照すると、アレイの第１、第２、第３および次いで第４の素子が、順々にアドレス指定され、作動していることを見ることができる。これらの素子のすべては、単一の制御装置によって制御される（たとえば、駆動される）個々に制御可能な素子のアレイＡＥの領域Ｑ１中にある。個々に制御可能な素子のアレイの素子のそれぞれを作動させるために必要な高電圧要件、およびアレイに供給される高速のデータレートのため、単一の制御装置を使用して第１、第２、第３および第４の素子を作動させることは、これらの素子をアドレス指定することができる最大速度を制限する恐れがある。
【００７６】
[0090]  したがって、図１１に、代替の改良されたアドレス指定スキーム（または言い換えると、改良された制御または駆動スキーム）を示す。図１１に、図９と組み合わせて、連続してアドレス指定される各素子が、異なる制御装置によって制御される個々に制御可能な素子のアレイＡＥの領域中にあることを示す。具体的には、アドレス指定される第１の素子を素子番号１とし、それは、第１の制御装置によって制御される領域Ｑ１中にあることを見ることができる。アドレス指定される第２の素子をアレイ中で素子番号６とし、それは、第２の制御装置によって制御されるアレイの領域Ｑ２中に配置されている。アドレス指定される第３の素子を素子番号５１とし、それは、第３の制御装置によって制御されるアレイの第３の領域Ｑ３中に配置されている。アドレス指定される第４の素子を素子番号５６とし、それは、第４の制御される装置によって制御されるアレイの領域Ｑ４中に配置されている。要約すると、各連続して（または言い換えると、連続的に）アドレス指定される素子は、異なる制御装置によって制御される、アレイの領域中に配置される。これによって、アレイの素子は、連続的に駆動される素子が同じ単一の制御装置によって制御される領域中に配置されないので、より高いレートまたは速度で駆動することが可能になる。
【００７７】
[0091]  Ｎ個の制御装置を使用した場合、各制御装置は、Ｎ更新（または言い換えると、制御）サイクル毎に一度、素子を制御するためだけに使用することができる。
【００７８】
[0092]  連続的に駆動される素子が、異なる制御装置によって制御されるアレイの領域中に配置されるので、素子から反射されるいかなる放射も、その放射が前にアドレス指定された素子に隣接した素子から反射された場合、それが反射されるはずのターゲット位置と同じターゲット位置に反射されることを保証する助けになる制御信号を素子に供給することは、役立ち得る。言い換えると、制御信号は、連続的にアドレス指定される、または駆動される素子が、互いに隣接していないことがあり、その代わりに、異なる制御装置によって制御されるアレイの領域中に配置されていることがあることを計算に入れるように、変更するまたは修正する（従来技術の信号と比較して）必要があり得る。
【００７９】
[0093]  異なる制御装置によって制御される素子の連続的なアドレス指定または駆動のこの原理は、たとえば、図３〜８に関して上記に述べた実施形態に関連して使用することができる。たとえば、個々に制御可能な素子のアレイは、少なくとも部分的に、各個々の素子について設定ポイントを指定する素子（たとえば、ミラー）の割り当てアルゴリズムによって制御される。設定ポイントは、アレイの素子が、たとえば、放射ビームの一部分を反射すべきポイントとすることができる。したがって、設定ポイントは、素子の方向付け、たとえばその傾斜角度と関連付けることができる。アルゴリズムは、各連続してアドレス指定される素子が異なる制御装置によってアドレス指定される必要性を計算に入れるように、構築または構成することができる。たとえば、瞳面上（またはディテクタ上）で互いに接近することになる、反射される放射ビームの部分は、異なる制御装置によって駆動される素子上にマッピングすることができる。これは、照明モードが迅速に確立されることを保証する助けになり得る。図１２および１３に、この原理の実施例を示す。
【００８０】
[0094]  図１２は、一般に、上記に詳細に述べた図８と同じである。しかし、図１２では、複数のポイント４０の２つの特定のポイント５０が強調表示されている。これらの２つの特定のポイント５０は、それらが瞳面４２上で互いに隣接して配置されているので、強調表示されており、瞳面は、上記に述べた。図１３は、一般に、上記に詳細に述べた図９と同じである。しかし、図１３では、アレイＡＥの複数の素子６の２つの特定の素子６０が強調表示されている。これらの特定の素子６０は、図１２に示し、それを参照して述べた特定ポイント５０に放射ビームを誘導するために使用される。本発明の実施形態によれば、異なる制御装置によって制御されるアレイＡＥの領域Ｑ１およびＱ４中に配置された素子６０が、たとえば瞳面上で互いに隣接して配置されたポイント５０に放射ビームを誘導するために使用されることを見ることができる。
【００８１】
[0095]  図３〜８に示し、それらを参照して述べた実施形態の利益は、図９〜１１に示し、それらを参照して述べた実施形態の利益と組み合わすことができる。連続的にアドレス指定される、または制御される素子が、異なる制御装置によってアドレス指定される、または制御され、そして、それらの素子の方向付け（たとえば、傾斜角度、次いでそれは、瞳面上またはディテクタの表面上で素子から反射される放射ビームの位置に関連する）に関連する順番またはシーケンスで、これらの素子の特性を決定するために、測定放射ビームを発生し、誘導し、検出することができることを保証することによって、高データレートを達成することができる。
【００８２】
[0096]  いくつかの実施形態では、個々に制御可能な素子のアレイの素子の特性の測定シーケンス、および放射ビームの分布（たとえば、角度および／または強度分布）を制御するためのそれらのその後の作動は、同一のものとすることができる。しかし、特に特性が測定される、または決定されることが必要な素子が多数あることを考慮すると、測定と作動の間に短い遅延を許容することができる。測定シーケンス（たとえば、５〜１０の測定）中の短い遅延によって、作動シーケンスと同一であることが必要でない測定シーケンスが可能になる。これは、たとえば、第１の制御装置によって制御されるアレイの一領域中の素子の特性の測定を実施することができ、他の制御装置によって制御される、個々に制御可能な素子のアレイの他の領域中の素子を作動させて、放射ビームの分布（たとえば、角度および／または強度分布）を制御することができることを意味する。アレイの第１の領域で測定された素子を作動させる時間になったとき、前に実施された測定値は、素子を作動させるために印加される信号の補償を実施するために使用することができる。印加信号の補償は、たとえば、所与の印加電圧に対する素子の傾斜のドリフトを修正することとすることができる。ドリフトは、素子の加熱、電荷蓄積または素子のアレイの劣化によることがある。
【００８３】
[0097]  上記に述べた実施形態では、たとえば素子の傾斜の測定は、傾斜角度が予想された傾斜角度（または言い換えると傾斜角度に関する設定ポイント）から変化したかどうかを決定するために実施される。したがって、傾斜の変化を修正するために素子に印加される信号のいかなる補償（または言い換えると修正）も、計算し適用することができる。同じプロセスが、個々に制御可能な素子のアレイ中の各素子のために実施される。言い換えると、１回の直接測定を使用して個々に制御可能な素子の単一の素子の特性を決定する。
【００８４】
[0098]  個々に制御可能な素子のアレイ中に多数の素子がある場合、測定プロセスは、時間がかかることになり得る。いくつかの実施形態では、アレイの各個々の素子の特性の直接測定は、必要でないことがある。したがって、本発明の実施形態によれば、アレイ中の素子の特性の１回の直接測定を使用して、その素子および少なくとも１つの隣接した素子の特性を決定する。このようにすることによって、さらに一層迅速に、局所的に相関性がある素子の擾乱を決定し、計算に入れることができる。そのような擾乱は、局所的な機械的振動、環境ノイズまたは音響、または温度差を含むことができる。
【００８５】
[0099]  図１４に、個々に制御可能な素子のアレイＡＥの一部分を示す。アレイＡＥの素子番号６７の特性（たとえば、所与の制御信号に対する傾斜角度）の測定値は、素子番号６７だけの特性でなく、１つまたは複数の囲繞する隣接した素子、通常素子番号５６、５７、５８、６６、６８、７６、７７および７８の特性も決定するために使用することができる。これは、直接に測定された（たとえば上記に述べた測定装置を使用して）素子を囲繞する素子を少なくとも表す情報が、それらの素子の特性を実際に直接に測定することなく、決定することができることを意味する。図１４に示した実施例では、１つの素子の特性の測定値は、他の９個の素子の特性を決定するために使用することができ、したがって、アレイのすべての素子についての全測定時間を９の係数で短縮することができる。
【００８６】
[0100]  直接に測定することが必要になることがある次の素子は、素子番号７０としてもよい、というのは、素子６８の特性を表す情報が既に決定され、素子６９の特性を表す情報が、素子番号７０の測定値から決定されるからである。もちろん、まだ直接測定が実施されていない素子（たとえば、素子番号５７、５８、６８、７７または７８）の特性を少なくとも表す得られた情報をより高い精度で確認する、または決定するために、素子番号６８または素子番号６９について直接測定を実施することができる。
【００８７】
[0101]  測定スキームは、アレイの一定のセットの素子を測定するところで工夫することができる。その後の測定プロセスでは、アレイの異なるセットの素子を測定することができ、したがって、素子の相関した、および無相関な擾乱に関する時間とともに相関する、および無相関な情報が、得られ、たとえば素子を制御する、または駆動する信号中に計算に入れることができる。たとえば、一連の測定において、素子３７、４０、６７および７０の特性は、直接決定してプロセスにおいてすべての隣接した素子を少なくとも表す特性を決定することができる。次のセットの測定において、素子３８、４１、６８および７１（図示せず）の特性は、直接決定してプロセスにおいてすべての隣接した素子を少なくとも表す特性を決定することができる。それらの隣接した素子は、直接測定が前に実施されたそれらの素子、さらに直接測定がまだ実施されていない素子を含む。これによって、直接決定されていない素子の特性のいかなる想定または予測も、確認する、または改良することを可能にすることができる。
【００８８】
[0102]  アレイ中の素子の直接測定は、いくつかの方法のいずれの方法でも他の素子の特性を決定するために使用することができる。たとえば、直接測定値のプロフィールを使用してアレイ全体にわたるプロフィールを確立して、直接測定が実施されていないそれらの素子をカバーすることができる。直接測定が実施されていない素子の特性は、そのプロフィールから、たとえばそれらの素子に隣接した素子から直接に測定された特性の勾配またはプロットから導き出すことができる。直接測定が実施されていない隣接した素子の特性は、直接測定が実施された素子の特性の外挿から、直接測定が実施された素子の特性の投影から、直接測定が実施された素子の特性に基づいた推定から、または直接測定が実施された素子の特性に基づいたモデルまたはシミュレーションから決定することができる。特性は、たとえば、直接測定が実施されていない素子の方向付けに必要な変化（言い換えると、補償ファクタまたは修正）とすることができる。たとえば、第１の素子の傾斜角度がある角度だけ変化したと見出された場合、アレイ中の他の素子は、たとえ第２の素子の傾斜が直接に測定されなくとも、その傾斜がこれと同じ角度だけ変化していることがある。
【００８９】
[0103]  直接測定が実施された素子は、「第１の」素子または第１の素子のセットとして述べることがあり、直接測定が実施されていない素子は、「第２の」素子または第２の素子のセットとして述べることがある。第２の素子の特性は、第１の素子の特性から、決定構成を使用して決定することができる。決定構成は、個々に制御可能な素子のアレイの測定装置の放射エミッタまたは放射ディテクタの１つまたは複数のもの、または制御装置の一部を形成するハードウェアの一部とすることができ、あるいは放射エミッタおよび／または放射ディテクタおよび／または制御装置と通信するものとすることができる。決定構成は、コンピュータ、組込型プロセッサ、コンピュータ用の専用処理カードなどとすることができる。
【００９０】
[0104]  特性が間接的に決定される第２の素子は、特性が直接に決定される第１の素子に隣接して配置することができる。あるいは、特性が間接的に決定される第２の素子は、特性が直接に決定される第１の素子から遠く離して配置することができる。たとえば、１つまたは複数の第１の素子の直接測定値を使用して、アレイの他のすべての素子について特性を決定することができる。第２の素子について特性を間接的に決定することができる程度は、たとえば予想された、または設定ポイントの傾斜からの傾斜角度の変化を引き起こす擾乱の相関性に依存することができる。
【００９１】
[0105]  上記に述べた実施形態では、測定装置は、個々に制御可能な素子のアレイの素子の特性が、素子の方向付け（たとえば、傾斜、上昇などの程度）に関連したシーケンスで決定されるように制御されるものとして、述べた。この方向付けは、個々に制御可能な素子のアレイが放射ビームの分布（たとえば、角度および／または強度分布）を制御するように構成されたとき、素子が有することになる方向付けである。アレイの素子を制御するように構成された制御装置も、連続的に駆動される素子が異なる制御装置によって制御されるように制御されるものとして、述べた。さらに、測定装置は、アレイの素子の特性がアレイの他の（たとえば、隣接した）素子の直接測定値から間接的に決定されるように制御されるものとして、述べた。１つまたは複数のこれらの実施形態では、分離または組み合わされて、制御器を使用して、そのような制御を実施することができる。制御器は、個々に制御可能な素子のアレイの測定装置の放射エミッタおよび放射ディテクタの１つまたは複数のもの、または制御装置の一部分を形成するハードウェアの一部とすることができ、あるいは放射エミッタおよび／または放射ディテクタおよび／または制御装置と通信するものとすることができる。
【００９２】
[0106]  そのような制御を実施するために、制御器は、素子の方向付けを表す情報、たとえば各素子の傾斜角度、瞳面上の照明モードの形状、ディテクタ上の反射される測定ビームの予想位置など、あるいは、たとえば各素子についての情報を決定するためにアレイの素子を調べるべき順番を受け取る、または供給されるように構成することができる。あるいは、または追加して、制御器は、どの素子がどの制御装置によって制御されるかを表す情報を受け取る、または供給されるように構成することができる。あるいは、または追加して、制御器は、アレイのどの素子が、それらの特性を直接に、または間接的に測定された、または測定する必要があるかを表す情報を受け取る、または供給するように構成することができる。
【００９３】
[0107]  制御器は、コンピュータ、組込型プロセッサ、コンピュータ用の専用処理カードなどとすることができる。
【００９４】
[0108]  リソグラフィ装置のイルミネータ中の個々に制御可能な素子のアレイに関し、本発明の上記の実施形態を述べてきた。ここで述べた本発明の実施形態は、他の用途で、たとえばリソグラフィ装置中のパターニングデバイスとして、個々に制御可能な素子のアレイに同様に適用可能である。本発明の実施形態は、リソグラフィ以外の用途に、たとえばパターニングデバイス、または投影装置のパターニングデバイスなどを試験することに（製造ステージで、または製品製造の現場で）適用することができる。
【００９５】
[0109]  本発明の上記の実施形態は、個々に制御可能な素子のアレイに関し、そのアレイの素子が反射性である場合について述べてきた。他の素子がアレイを形成してもよい。たとえば、素子は、屈折性、回折性、反射性でもよく、または、その上に入射する放射の少なくとも一部分を再誘導することができる、任意の他の素子であってもよい。
【００９６】
[0110]  本発明の具体的な実施形態を上記に述べてきたが、本発明は、述べたのとは違ったやり方で実施することができることを理解されたい。本記述は、本発明を限定するようには意図されていない。たとえば、本発明の実施形態は、上記に開示した方法を記述した機械読取可能なインストラクションの１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラム、または、そのようなコンピュータプログラムをその中に格納したデータ記憶媒体（たとえば、半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形を取ることができる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【外国語明細書】
2010034553000001.pdf