(57)【要約】【課題】コア基板をもたない薄型の配線基板であっても半導体チップの実装時などに反りの発生が防止される配線基板を提供する。【解決手段】中央に開口部４０ａが設けられた枠状の補強板４１と、補強板４１の開口部４０ａに配置され、貫通電極１４を介して相互接続される配線層２０が基板の両面側にそれぞれ形成された構造を有するインターポーザ５と、インターポーザ５の側面と補強板４１の開口部４０ａの側面との間に充填されて、インターポーザ５と補強板４１とを連結する樹脂部６０と、インターポーザ５の下面側の配線層２０に接続された、インターポーザ５から外側領域に延在するｎ層の下側配線層ＢＬとを含む。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央に開口部が設けられた枠状の補強板と、
前記補強板の前記開口部に配置され、貫通電極を介して相互接続される配線層が基板の両面側にそれぞれ形成された構造を有するインターポーザと、
前記インターポーザの側面と前記補強板の前記開口部の側面との間に充填されて、前記インターポーザと前記補強板とを連結する樹脂部と、
前記インターポーザ及び前記補強板の下側に形成されて、前記インターポーザの下面側の前記配線層に接続された、前記インターポーザから外側領域に延在するｎ層（ｎは１以上の整数）の下側配線層とを有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記インターポーザの基板は、シリコン基板又はセラミック基板であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記下側配線層の配線ピッチは、前記インターポーザが備える前記配線層の配線ピッチより広く設定されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
前記開口部の径は下部が上部より大きく設定されて、前記開口部の側面が段状になっていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記補強板は、銅、シリコン、又はセラミックからなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記補強板の厚みは、前記インターポーザの厚みに対応していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項の配線基板と、
前記配線基板の前記インターポーザの最上の前記配線層に接続されて実装された電子部品とを有することを特徴とする電子部品装置。
【請求項８】
前記電子部品は半導体チップであり、前記半導体チップが前記配線層にフリップチップ接続されていることを特徴とする請求項７に記載の電子部品装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板及び電子部品装置に係り、さらに詳しくは、半導体チップなどの電子部品が実装される配線基板及びそれに電子部品が実装されて構成される電子部品装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップなどの電子部品が実装される配線基板（電子部品実装用パッケージ）がある。そのような配線基板には、薄型化を達成するため支持基材であるコア基板を省略したコアレス配線基板がある。コアレス配線基板は、仮基板の上にビルドアップ配線層を形成した後に、仮基板を除去又は剥離することによって製造される。
【０００３】
これに関連する技術としては、特許文献１には、ベース基板の表裏両面に多層薄膜配線を形成し、ベース基板を表面側と裏面側に切断分離した後に、ベース基板を除去することより、半導体チップを搭載するための薄膜配線基板を得ることが記載されている。
【０００４】
また、特許文献２には、絶縁基板の上に薄膜配線導体層が積層された多層配線基板において、絶縁基板の内部の外周部に、絶縁基板の内部に形成された導体層を取り囲むように枠状の金属層を埋設することにより、絶縁基板の反りを防止することが記載されている。
【特許文献１】特開２００３−２８９１２０号公報
【特許文献２】特開平１０−３２２０３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記した従来技術のコアレス配線基板では、その厚みが薄いため剛性が弱く、反りが発生しやすい問題がある。特に、半導体チップを実装する際の加熱処理時に、半導体チップと配線基板との間の熱膨張係数の差によって熱応力が発生し、これに起因して配線基板に反りが発生しやすい。
【０００６】
本発明は以上の課題を鑑みて創作されたものであり、コア基板をもたない薄型の配線基板であっても半導体チップの実装時などに反りの発生が防止される配線基板及び電子部品装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明は配線基板に係り、中央に開口部が設けられた枠状の補強板と、前記補強板の前記開口部に配置され、貫通電極を介して相互接続される配線層が基板の両面側にそれぞれ形成された構造を有するインターポーザと、前記インターポーザの側面と前記補強板の前記開口部の側面との間に充填されて、前記インターポーザと前記補強板とを連結する樹脂部と、前記インターポーザ及び前記補強板の下側に形成されて、前記インターポーザの下面側の前記配線層に接続された、前記インターポーザから外側領域に延在するｎ層（ｎは１以上の整数）の下側配線層とを有することを特徴とする。
【０００８】
本発明の配線基板では、インターポーザ（薄型のシリコンインターポーザなど）の周りに樹脂部によって枠状の補強板が連結されている。これにより、インターポーザの厚みが薄くなってその剛性が弱い場合であっても、インターポーザの十分な剛性が得られるようになる。
【０００９】
従って、特に、配線基板のインターポーザに電子部品（半導体チップなど）を実装する一連の工程で熱がかかって応力が発生するとしても、インターポーザに反りが発生することが防止される。これにより、配線基板の上に電子部品が実装されて構成される電子部品装置の歩留り及び信頼性を向上させることができる。
【００１０】
また、インターポーザ及び補強板の下側には、インターポーザの下面側の配線層に接続されて、インターポーザから外側領域に延在するｎ層（ｎは１以上の整数）の下側配線層（好適には多層配線層）が形成されている。そして、下側配線層の配線ピッチはインターポーザの配線ピッチより広く設定されて、インターポーザの配線ピッチが変換される。
【００１１】
このようにして、電子部品のパッドピッチがインターポーザ及び下側配線層によって変換され、下側配線層に設けられた外部接続端子が実装基板（マザーボードなど）に接続される。
【発明の効果】
【００１２】
以上説明したように、本発明では、コア基板をもたない薄型の配線基板であっても、反りの発生が防止され、信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１４】
図１（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施形態の配線基板に内蔵されるインターポーザの製造方法を示す断面図である。最初に、図１（ａ）の断面構造を得るまでの方法を説明する。まず、シリコンウェハ１０ａをグラインダによって研磨することによりその厚みを２００μｍ程度に薄型化する。
【００１５】
その後に、シリコンウェハ１０ａの上に開口部が設けられたマスク（不図示）を形成し、その開口部を通して異方性ドライエッチング（ＲＩＥなど）でシリコンウェハ１０ａを厚み方向に貫通加工することによりスルーホールＴＨを形成する。その後に、マスクが除去される。異方性ドライエッチングを使用することにより、径が２０〜３０μｍの微細なスルーホールＴＨを容易に形成することができる。
【００１６】
さらに、スルーホールＴＨの内面及びシリコンウェハ１０ａの両面側に熱酸化法又はＣＶＤ法によってシリコン酸化層を形成して絶縁層１２を得る。続いて、シリコンウェハ１０ａの両面側にスルーホールＴＨ内の貫通電極１４を介して相互接続される銅などからなる第１配線層２０をそれぞれ形成する。
【００１７】
第１配線層２０及び貫通電極１４の形成方法の一例としては、まず、シリコンウェハ１０ａの下面側に第１配線層２０に対応する開口部が設けられたレジスト（不図示）を介してめっき給電シート（不図示）を配置する。続いて、電解めっきにより、レジストの開口部に下側の第１配線層２０を形成すると共に、スルーホールＴＨ内に貫通電極１４を充填する。その後に、セミアディティブ法などによってシリコンウェハ１０ａの上面側に貫通電極１４に接続される第１配線層２０を形成する。
【００１８】
次いで、図１（ｂ）に示すように、シリコンウェハ１０ａの上面側の第１配線層２０及び絶縁層１２の上に層間絶縁層３０を形成する。層間絶縁層３０としては、ＣＶＤ法で形成されるシリコン酸化層などが好適に使用される。
【００１９】
さらに、層間絶縁層３０の上に開口部が設けられたレジスト（不図示）を形成し、その開口部を通して異方性ドライエッチング（ＲＩＥなど）で層間絶縁層３０を加工することにより、第１配線層２０に到達するビアホールＶＨを形成する。異方性ドライエッチングを使用することにより、ビアピッチが１０〜３０μｍ（代表値：２５μｍ）の微細なビアホールＶＨを形成することができる。
【００２０】
続いて、層間絶縁層３０の上に、ビアホールＶＨ（ビア導体）を介して第１配線層２０に接続される第２配線層２２を形成する。第２配線層２２は、スパッタ法によって金属層（銅など）を形成した後に、フォトリソグラフィ及びエッチングによってパターニングされて形成される。第２配線層２２のライン（Ｌ）：スペース（Ｓ）は１μｍ：１μｍ〜１０μｍ：１０μｍに設定することができる。
【００２１】
例えば、厚みが３μｍ程度の銅層をフォトリソグラフィ及びウェットエッチングによってパターニングすることにより、ライン（Ｌ）：スペース（Ｓ）が３μｍ：３μｍ程度の微細な第２配線層２２を形成することができる。
【００２２】
次いで、第２配線層２２の接続部上に開口部３５ａが設けられたソルダレジスト３５が形成される。さらに、第２配線層２２の接続部上にニッケル（Ｎｉ）層／金層（Ａｕ）めっき層を順に形成してコンタクト層２５を得る。あるいは、ソルダレジスト３５の開口部３５ａに銅ポストをめっきによって上部まで埋め込み、その上にコンタクト層（Ｎｉ／Ａｕ層）を形成してもよい。
【００２３】
その後に、個々のチップ搭載領域が得られるようにシリコンウェハ１０ａが切断される。これにより、シリコンウェハ１０ａが個々のシリコン基板１０に分割され、本実施形態の配線基板で使用される個々のインターポーザ５が得られる。
【００２４】
本実施形態では、インターポーザ５が上面側に２層の多層配線層ＭＬ（配線層２０，２２）を備えた形態を例示するが、インターポーザ５の上面に１層の第１配線層２０のみが形成されていてもよいし、ｎ層（ｎは２以上の整数）の多層配線層を備えるようにしてもよい。つまり、インターポーザ５の配線層の積層数は任意に設定することができる。また、シリコン基板１０の下面側にも第１配線層２０に接続される任意の積層数の多層配線層を形成してもよい。
【００２５】
本実施形態に係るインターポーザ５では、基板としてシリコンウェハ１０ａを使用し、スパッタ法やＣＶＤ法などの薄膜プロセス、及びフォトリソグラフィ及びエッチングによる微細加工プロセスなどを含むウェハプロセスが使用されるので、上記したような微細な配線層２０，２２やビアホールＶＨを含む高密度な多層配線層ＭＬを容易に形成することができる。従って、高性能な半導体チップが実装される配線基板として使用することができる。
【００２６】
なお、後述するように、インターポーザ５には半導体チップが実装されるので、半導体チップ（シリコン）とインターポーザ５との間で熱膨張係数を同一にして反りを防止するという観点からは、インターポーザ５の基板としてシリコン基板１０を使用することが好ましい。
【００２７】
なお、半導体チップ（シリコンの熱膨張係数（ＣＴＥ）：３ｐｐｍ／℃程度）とインターポーザとの熱膨張係数の差が問題にならない場合は、シリコン基板１０の代わりに、セラミック基板（熱膨張係数（ＣＴＥ）：７ｐｐｍ／℃程度）などの平坦で薄型化が可能な各種の基板を使用してもよい。
【００２８】
また、ガラスエポキシ樹脂などの薄型樹脂基板に同様な多層配線層（ビルドアップ配線層）を形成してもよい。この場合、ビアホールがレーザなどで形成され、配線層がセミアディティブ法などで形成されるので、シリコンウェハを使用する場合より配線やビアのピッチが大きくなる。また、基板のスルーホールの内壁に設けられたスルーホールめっき層（貫通電極）を介して両面側の第１配線層が相互接続され、スルーホールの孔が樹脂で充填されていてもよい。
【００２９】
次に、本実施形態の配線基板の製造方法について説明する。本実施形態の特徴の一つは薄型のインターポーザ５の周りに補強板を樹脂部によって連結してインターポーザ５の剛性を補強することにある。図２に示すように、まず、厚み方向に貫通する複数の開口部４０ａが設けられた銅板４０（補強板）を用意する。各開口部４０ａの側面上部には段差部４０ｘがその外周に沿ってリング状に設けられており、開口部４０ａの側面が段状になっている（図２の部分拡大断面図（平面図のＩ−Ｉに沿った断面図））。
【００３０】
そのような開口部４０ａを銅板４０に形成する方法としては、まず、銅板４０の上に複数の開口部が設けられた第１マスク（レジストなど）（不図示）を形成し、その開口部を通して銅板４０をその厚みの途中までウェットエッチングして凹部を形成する。
【００３１】
さらに、第１マスクを除去した後に、凹部より小さな面積の開口部が凹部の中央部に設けられた第２マスクを形成し、その開口部を通して銅板４０の厚み方向にウェットエッチングにより貫通加工する。これにより、側面が段状になった開口部４０ａが銅板４０に形成される。
【００３２】
次いで、図３に示すように、図２の開口部４０ａが設けられた銅板４０を上下反転させ、銅板４０の上面（図２の裏面）に粘着層４２を粘着させる。これより、銅板４０の開口部４０ａの上側（底面）に粘着層４２が配置された状態となる。そして、銅板４０の開口部４０ａの上側（底面）に配置された粘着層４２に前述したインターポーザ５の多層配線層ＭＬの面を配置して粘着層４２に粘着させる。
【００３３】
さらに、図４に示すように、図３の銅板４０及びインターポーザ５の下面側に保護フィルム４４（テフロン（登録商標）フィルムなど）を配置した状態で、銅板４０及びインターポーザ５をモールド装置の下型５０と上型５２との間に配置する。
【００３４】
このようにして、銅板４０及びインターポーザ５を下型５０と上型５２とで挟むことにより、インターポーザ５の側面と銅板４０の開口部４０ａの側面との間、及び保護フィルム４４とインターポーザ５の下面（絶縁層１２）との間に、樹脂が充填されるキャビティＣが設けられる。また、下型５０（保護フィルム４４）と銅板４０の下面との間に樹脂流入部Ｒが構成される。
【００３５】
インターポーザ５の上面側（多層配線層ＭＬ側）では、ソルダレジスト３５の上面が粘着層４２に密着しているので、インターポーザ５の上面側には樹脂が流入しないようになっている。また、インターポーザ５の下面側では、第１配線層２０の下面が保護フィルム４４に密着しており、第１配線層２０の下面側には樹脂が流入せず、複数の第１配線層２０の間の領域に樹脂が流入するようになっている。
【００３６】
次いで、樹脂流入部Ｒを通して溶融された樹脂をキャビティＣに流し込む。さらに、キャビティＣに押し込まれた樹脂を加熱処理して硬化させる。樹脂としては、シリカなどの無機粒子が含有されたエポキシ樹脂（例えばシリカ含有率：７０〜８０％）が好適に使用される。その後に、インターポーザ５及び銅板４０から上型５２及び下型５０を取り外し、粘着層４２及び保護フィルム４４を剥離して除去する。
【００３７】
これにより、図５に示すように、インターポーザ５の周りのキャビティＣ（図４）内に樹脂部６０が形成され、インターポーザ５は樹脂部６０によって銅板４０に接着されて連結される。つまり、インターポーザ５が銅板４０の開口部４０ａに設けられた樹脂部６０に埋設されて銅板４０と一体化し、剛性の弱いインターポーザ５が銅板４０によって補強された状態となる。
【００３８】
次に、図５のインターポーザ５の下面側（多層配線層ＭＬと反対側）の第１配線層２０に接続されるビルドアップ配線層（下側配線層）を形成する方法について説明する。図６に示すように、まず、インターポーザ５及び銅板４０の下面側に樹脂フィルムを貼着するなどして第１層間絶縁層３０を形成する。さらに、第１層間絶縁層３０をレーザなどで加工することにより、第１配線層２０に到達する第１ビアホールＶＨ１を形成する。
【００３９】
次いで、セミアディティブ法などにより、第１ビアホールＶＨ１（ビア導体）を介してインターポーザ５の下面側の第１配線層２０に接続される第２配線層２２を第１層間絶縁層３０の上（図６では下）に形成する。さらに、図７に示すように、第２配線層２２の上（図７では下）に第２層間絶縁層３２を形成した後に、第２配線層２２に到達する第２ビアホールＶＨ２を第２層間絶縁層３２に形成する。さらに、第２ビアホールＶＨ２（ビア導体）を介して第２配線層２２に接続される第３配線層２４を第２層間絶縁層３２の上（図７では下）に形成する。
【００４０】
続いて、図８に示すように、第３配線層２４の接続部の上（図８では下）に開口部６５ａが設けられたソルダレジスト６５が形成される。さらに、第３配線層２４の接続部にニッケル／金めっき層を形成してコンタクト層（不図示）を形成した後に、第３配線層２４にはんだボールを搭載するなどして外部接続端子２６を設ける。
【００４１】
これにより、インターポーザ５及び銅板４０の下側（インターポーザ５の多層配線層ＭＬと反対側）に、インターポーザ５の第１配線層２０に接続されるビルドアップ配線層ＢＬ（下側配線層）が形成される。ビルドアップ配線層ＢＬはインターポーザ５の各第１配線層２０からその外側領域にそれぞれ放射状に延在して配置され、インターポーザ５の外側領域に外部接続端子２６が配置される。
【００４２】
インターポーザ５の下面の第１配線層２０に接続されるビルドアップ配線層ＢＬは、ライン（Ｌ）：スペース（Ｓ）が１００μｍ：１００μｍ〜３００μｍ：３００μｍに設定される。つまり、ビルドアップ配線層ＢＬの配線ピッチは、インターポーザ５の配線層（２０，２２）の配線ピッチよりも広く設定されている。このようにして、インターポーザ５の配線層（２０，２２）の配線ピッチがビルドアップ配線層ＢＬによって広くなるようにピッチ変換される。
【００４３】
なお、ビルドアップ配線層ＢＬとして、インターポーザ５の下面側の第１配線層２０に接続される２層の配線層２２，２４を例示したが、積層数は任意に設定することができ、ｎ層（ｎは１以上の整数）のビルドアップ配線層を形成することができる。
【００４４】
また、銅板４０の開口部４０ａの側面下部に段差部４０ｘを設けることにより、銅板４０の開口部４０ａの下部の径を上部の径より大きく設定している。これにより、ビルドアップ配線層ＢＬを形成する際に熱応力が発生しても、開口部４０ａの下部近傍の樹脂部６０にかかる応力を分散することができ、樹脂部６０にクラックが発生することが防止される。
【００４５】
なお、銅板４０の開口部４０ａの段差部４０ｘは必ずしも設ける必要はなく、樹脂部６０へのクラック発生などの不具合が発生しない場合は、開口部４０ａをストレート形状としてもよい。
【００４６】
その後に、インターポーザ５の多層配線層ＭＬの最上の第２配線層２２のコンタクト層２５にはんだバンプ２８を形成する。
【００４７】
ビルドアップ配線層ＢＬを形成する際には、銅板４０の複数の開口部４０ａに各インターポーザ５が配置された状態で、各インターポーザ５に同時にビルドアップ配線層ＢＬがそれぞれ形成される。そして、所要のタイミングで個々の配線基板が得られるように銅板４０が切断されて（図２の平面図の破線）、銅板４０が各インターポーザ５の補強板４１となる。
【００４８】
以上により、本実施形態の配線基板１が製造される。
【００４９】
図８に示すように、本実施形態の配線基板１では、補強板４１の中央部に設けられた開口部４０ａ内にインターポーザ５が配置されている。補強板４１の開口部４０ａの側面下部には段差部４０ｘがリング状に設けられており、開口部４０ａの側面が段状に加工されている。つまり、補強板４１の開口部４０ａは、下部の径が上部の径より大きく設定されている。
【００５０】
本実施形態では、補強板４１を銅板４０から形成したが、銅板以外の金属板、シリコン基板、又はセラミック基板など、インターポーザ５を補強できる材料であれば各種のものを使用することができる。
【００５１】
そして、インターポーザ５の側面と補強板４１の開口部４０ａの側面との間に樹脂部６０が充填されており、樹脂部６０は補強板４１の下面に延在して形成されている。これにより、インターポーザ５と補強板４１は樹脂部６０によって接合・連結されて一体化されている。補強枠４１の厚みはインターポーザ５の厚みに対応しており、インターポーザ５と補強枠４１によって上下面側が平坦な配線基板１が構成されている。
【００５２】
インターポーザ５はその厚みが２００μｍ程度に薄型化されており、それ単体では剛性が比較的弱い。このため、本実施形態では、インターポーザ５の周りに樹脂部６０によって枠状の補強板４１を連結することによって、インターポーザ５の剛性を補強して反りの発生を防止している（図８の縮小平面図参照）。
【００５３】
インターポーザ５では、シリコン基板１０にその厚み方向に貫通するスルーホールＴＨが設けられている。スルーホールＴＨの内面及びシリコン基板１０の両面側には絶縁層１２が形成されている。シリコン基板１０のスルーホールＴＨには貫通電極１４が充填されている。シリコン基板１０の両面側には、貫通電極１４を介して相互接続される第１配線層２０がそれぞれ形成されている。
【００５４】
シリコン基板１０の上面側には、第１配線層２０に到達するビアホールＶＨが設けられた層間絶縁層３０が形成されている。層間絶縁層３０の上にはビアホールＶＨ（ビア導体）を介して第１配線層２０に接続される第２配線層２２が形成されている。さらに、第２配線層２２の接続部上に開口部３５ａが設けられたソルダレジスト３５が形成され、その開口部３５ａ内にコンタクト層２５が形成されている。第２配線層２２のコンタクト層２５にはんだバンプ２８が設けられている。
【００５５】
このように、本実施形態に係るインターポーザ５では、シリコン基板１０の両面側に貫通電極１４を介して相互接続された第１配線層２０がそれぞれ形成されており、シリコン基板１０の上面側に第１配線層２０を含む多層配線層ＭＬが形成されている。
【００５６】
また、インターポーザ５及び補強板４１の下側には、インターポーザ５の第１配線層２０に到達する第１ビアホールＶＨ１が設けられた第１層間絶縁層３０が形成されている。第１層間絶縁層３０の下には、第１ビアホールＶＨ１（ビア導体）を介してインターポーザ５の第１配線層２０に接続される第２配線層２２が形成されている。第２配線層２２の下には、それに到達する第２ビアホールＶＨ２が設けられた第２層間絶縁層３２が形成されている。
【００５７】
第２層間絶縁層３２の下には、第２ビアホールＶＨ２（ビア導体）を介して第２配線層２２に接続される第３配線層２４が形成されている。さらに、第３配線層２４の接続部の下に開口部６５ａが設けられたソルダレジスト６５が形成されている。第３配線層２４の接続部にははんだボールなどを用いた外部接続端子２６が設けられている。
【００５８】
このようにして、インターポーザ５の下側には、その第１配線層２０に接続されるビルドアップ配線層ＢＬ（第２、第３配線層２２，２４及び第１、第２層間絶縁層３０，３２）が形成されている。本実施形態では、下側配線層として、２層のビルドアップ配線層ＢＬ（多層配線層）が例示されている。
【００５９】
ビルドアップ配線層ＢＬはインターポーザ５の第１配線層２０を外側に引き回し、かつ第１配線層２０の配線ピッチを広げるファンアウト配線として機能し、配線基板１の外側領域に外部接続端子２６が配置されている。
【００６０】
図９には、図８の配線基板１に半導体チップ（ＬＳＩチップ）が実装されて構成される電子部品装置２が示されている。図８の配線基板１のインターポーザ５のはんだバンプ２８に半導体チップ７０のはんだバンプを配置し、リフロー加熱することによってフリップチップ接合する。
【００６１】
これにより、図９に示すように、配線基板１のインターポーザ５のはんだバンプ２８と半導体チップ７０のはんだバンプとが融合してバンプ電極７２が形成され、半導体チップ７０がバンプ電極７２によって配線基板１のインターポーザ５の第２配線層２２に電気的に接続される。インターポーザ５及び半導体チップ７０の各バンプは、はんだの他に各種の金属を使用することができる。
【００６２】
さらに、半導体チップ７０の下側にアンダーフィル樹脂７４を充填した後に、加熱処理してアンダーフィル樹脂７４を硬化させる。
【００６３】
これにより、本実施形態の電子部品装置２が構成される。
【００６４】
このとき、半導体チップ７０をインターポーザ５にフリップチップ接合する際のはんだリフロー時、及びアンダーフィル樹脂７４の加熱処理時に、半導体チップ７０、アンダーフィル樹脂７４及びインターポーザ５の間の熱膨張係数の差によって熱応力が発生しやすい。
【００６５】
しかしながら、本実施形態では、半導体チップ７０の実装時にそのような熱応力が発生するとしても、インターポーザ５は補強板４１によって補強されているので、熱応力に耐えることができ、インターポーザ５に反りが発生することが防止される。
【００６６】
従って、電子部品装置２の歩留り及び信頼性を向上させることができる。
【００６７】
本実施形態の電子部品装置２では、半導体チップ７０のバンプピッチがインターポーザ５及びビルドアップ配線層ＢＬ（ファンアウト配線）によって順に広くなるようにピッチ変換される。そして、配線基板１の外部接続端子２６がマザーボード（実装基板）に電気接続される。
【００６８】
なお、電子部品として半導体チップ７０を例示したが、キャパシタなどの各種の電子部品を実装してもよい。また、電子部品の実装（接続）方式としては、フリップチップ接続以外の方式を採用してもよい。
【００６９】
また、ビルドアップ配線層ＢＬを省略した形態としてもよく、その場合は、インターポーザ５の下面側の第１配線層２０に外部機器が電気的に接続される。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施形態の配線基板に内蔵されるインターポーザの製造方法を示す断面図である。
【図２】図２は本発明の実施形態の配線基板の補強板となる銅板の様子を示す平面図及び断面図であり、断面図は平面図のＩ−Ｉに沿った断面である。
【図３】図３は本発明の実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図４】図４は本発明の実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図５】図５は本発明の実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図６】図６は本発明の実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図７】図７は本発明の実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その５）である。
【図８】図８は本発明の実施形態の配線基板を示す断面図及び平面図である。
【図９】図９は本発明の実施形態の電子部品装置を示す断面図である。
【符号の説明】
【００７１】
１…配線基板、２…電子部品装置、５…インターポーザ、１０ａ…シリコンウェハ、１０…シリコン基板、１２…絶縁層、１４…貫通電極、２０…第１配線層、２２…第２配線層、２４…第３配線層、２５…コンタクト層、２６…外部接続端子、２８…はんだバンプ、３０，３２…層間絶縁層、３５，６５…ソルダレジスト、３５ａ，４０ａ，６５ａ…開口部、４０…銅板、４０ｘ…段差部、４１…補強板、４２…粘着層、４４…保護フィルム、５０…下型、５２…上型、６０…樹脂部、７０…半導体チップ、７２…バンプ電極、７４…アンダーフィル樹脂、Ｃ…キャビティ、ＢＬ…ビルドアップ配線層（下側配線層）、ＭＬ…多層配線層、Ｒ…樹脂流入部、ＴＨ…スルーホール、ＶＨ…ビアホール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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