【手続補正書】
【提出日】平成16年9月24日(2004.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性ワイヤ接続用の端子が設けられた基材と、
前記基材上にフェースアップ実装され、導電性ワイヤにより前記基材に設けられた端子と電気的に接続された第１半導体チップと、
裏面に突出部が形成され、前記突出部を介して前記第１半導体チップ上に固着された第２半導体チップとを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記突出部を介して前記第１半導体チップ上に前記第２半導体チップを固着する絶縁性樹脂をさらに備えることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁性樹脂にはフィラーが混入されていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記絶縁性樹脂は、前記突出部が設けられた段差部分の少なくとも一部の領域に充填されていることを特徴とする請求項２または３記載の半導体装置。
【請求項５】
導電性ワイヤ接続用の端子が設けられた基材と、
前記基材上にフェースアップ実装された第１半導体チップと、
前記第１半導体チップに設けられた第１電極パッドと、
前記第１電極パッドと前記基材に設けられた端子とを電気的に接続する第１導電性ワイヤと、
裏面に突出部が形成された第２半導体チップと、
前記第２半導体チップに設けられた第２電極パッドと、
前記第１半導体チップ上の第１導電性ワイヤを包み込むようにして、前記突出部を介して前記第２半導体チップを前記第１半導体チップ上に固着させる絶縁性樹脂と、
前記第２電極パッドと前記基材に設けられた端子とを電気的に接続する第２導電性ワイヤと、
前記第１導電性ワイヤが接続された第１半導体チップおよび前記第２導電性ワイヤが接続された第２半導体チップを封止する封止樹脂とを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
導電性ワイヤ接続用の端子が設けられた基材と、
前記基材上にフェースアップ実装された第１半導体チップと、
前記第１半導体チップに設けられた第１電極パッドと、
前記第１電極パッドと前記基材に設けられた端子とを電気的に接続する第１導電性ワイヤと、
裏面に突出部が形成された第２半導体チップと、
前記第２半導体チップに設けられた第２電極パッドと、
少なくとも前記第２電極パッド下に存在するようにして前記第１半導体チップと前記第２半導体チップとの間に設けられ、前記突出部を介して前記第２半導体チップを前記第１半導体チップ上に固着させる絶縁性樹脂と、
前記第２電極パッドと前記基材に設けられた端子とを電気的に接続する第２導電性ワイヤとを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記突出部を含む第２半導体チップの裏面全体に形成された絶縁層をさらに備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項８】
前記突出部の少なくとも一部の領域は、前記突出部の形成面に近づくにつれ広がる形状を有していることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２半導体チップのサイズは前記第１半導体チップのサイズよりも大きいことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項１０】
導電性ワイヤ接続用の端子が設けられた基材と、
前記基材上にフリップチップ実装された第１半導体チップと、
接着層を介して前記第１半導体チップ上にフェースアップ実装された第２半導体チップと、
前記基材に設けられた端子と前記第２半導体チップとを電気的に接続する第１導電性ワイヤと、
裏面に突出部が形成され、前記突出部を介して前記第２半導体チップ上に固着された第３半導体チップと、
前記基材に設けられた端子と前記第３半導体チップとを電気的に接続する第２導電性ワイヤとを備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
導電性ワイヤ接続用の端子が設けられた基材と、
前記基材上にフェースアップ実装され、導電性ワイヤにより前記基材に設けられた端子と電気的に接続された第１電子部品と、
裏面に突出部が形成され、前記突出部を介して前記第１電子部品上に固着された第２電子部品とを備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１２】
導電性ワイヤ接続用の端子が設けられた基材と、
前記基材上にフェースアップ実装され、導電性ワイヤにより前記基材に設けられた端子と電気的に接続された第１半導体チップと、
裏面に突出部が形成され、前記突出部を介して前記第１半導体チップ上に固着された第２半導体チップと、
前記基材を介して前記第１半導体チップおよび前記第２半導体チップに電気的に接続された電子部品とを備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１３】
導電性ワイヤ接続用の端子が設けられた基材上に第１半導体チップをマウントする工程と、
前記基材上にマウントされた第１半導体チップと前記基材に設けられた端子とを導電性ワイヤで接続する工程と、
裏面に突出部が形成された第２半導体チップを前記第１半導体チップ上に固着する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
導電性ワイヤ接続用の端子が設けられた基材上に第１半導体チップをマウントする工程と、
前記基材上にマウントされた第１半導体チップと前記基材に設けられた端子とを導電性ワイヤで接続する工程と、
前記第１半導体チップ上に絶縁性樹脂を配置する工程と、
第２半導体チップの裏面に形成された突出部を前記絶縁性樹脂に押し当てることにより、前記第２半導体チップを前記第１半導体チップ上に固着する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
表面がスクライブラインで区画されたウェハの裏面をハーフカットすることにより、前記スクライブラインに対向配置された溝を前記ウェハの裏面に形成する工程と、
前記スクライブラインに沿って前記溝を切断することにより、裏面に突出部が形成された前記第２半導体チップを形成する工程とをさらに備えることを特徴とする請求項１３または１４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記ハーフカットは、先端が丸みを帯びたブレードによるダイシング、等方性エッチングまたはレーザ加工により行われることを特徴とする請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記溝が形成されたウェハの裏面に絶縁膜を成膜する工程をさらに備えることを特徴とする請求項１５または１６記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
図１１において、キャリア基板１０１の表面には導電性ワイヤ１０４ｄ、１０５ｃを接続するランド１０２が設けられるとともに、キャリア基板１０１の裏面には突出電極１０３が設けられている。また、半導体チップ１０４ａ、１０５ａには、導電性ワイヤ１０４ｄ、１０５ｄを接続する電極パッド１０４ｂ、１０５ｂがそれぞれ設けられている。そして、キャリア基板１０１上には、接着層１０４ｃを介して半導体チップ１０４ａがフェースアップ実装されている。さらに、半導体チップ１０４ａ上には、接着層１０６ｂ、１０６ｃが両面にそれぞれ設けられたミラーチップ１０６ａを介して、半導体チップ１０５ａがフェースアップ実装されている。ここで、ミラーチップ１０６ａは、半導体チップ１０４ａに設けられた電極パッド１０４ｂを避けるようにして、半導体チップ１０４ａ、１０５ａ間に配置されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
また、絶縁性樹脂５ｃにより突出部５ｅを半導体チップ４ａ上に固着する場合、半導体チップ４ａ上に配置された絶縁性樹脂５ｃを突出部５ｅの周囲に食み出させることにより、突出部５ｅが形成された半導体チップ５ａの裏面の段差部分に絶縁性樹脂５ｃを充填し、半導体チップ４ａ上の導電性ワイヤ４ｄを包み込ませることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
これにより、半導体チップ４ａ、５ａ間の間隔を一定に保つことを可能としつつ、半導体チップ４ａ上の導電性ワイヤ４ｄを絶縁性樹脂５ｃで固定することが可能となる。このため、導電性ワイヤ４ｄが接続された半導体チップ４ａが樹脂封止される場合においても、封止樹脂６の注入圧力で導電性ワイヤ４ｄが流されることを防止することが可能となり、工程数の増大を抑制しつつ、ワイヤボンド接続された半導体チップ４ａ上に半導体チップ５ａを積層することが可能となるとともに、導電性ワイヤ４ｄの異常接触を防止することが可能となる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
図４は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。
図４において、キャリア基板２１の表面には導電性ワイヤ２４ｄ、２５ｄを接続するランド２２が設けられるとともに、キャリア基板２１の裏面には突出電極２３が設けられている。また、半導体チップ２４ａ、２５ａには、導電性ワイヤ２４ｄ、２５ｄを接続する電極パッド２４ｂ、２５ｂがそれぞれ設けられ、半導体チップ２５ａの裏面には、半導体チップ２５ａに一体的に形成された突出部２５ｅが設けられている。そして、突出部２５ｅを含む半導体チップ２５ａの裏面全体には絶縁層２５ｅが形成されている。なお、絶縁層２５ｆとしては、例えば、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などを用いることができる。