【手続補正書】
【提出日】平成17年7月6日(2005.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平面が四辺形状で形成された半導体チップと、
第１面と前記第１面に対向する第２面とを有し、前記第１面側に前記半導体チップが搭載された基板と、
前記半導体チップの第１面の第１領域に形成され、前記半導体チップの一辺側に配置された第１電極と、
前記第１領域に形成され、入力部が前記第１電極と電気的に接続された第１増幅手段と、
前記半導体チップの前記第１面の前記第１領域とは異なる第２領域に形成され、前記半導体チップの前記一辺側に配置された第２電極と、
前記第２領域に形成され、出力部が前記第２電極と電気的に接続された第２増幅手段と、
前記半導体チップの前記第１面の前記第１領域と前記第２領域との間の第３領域に形成された第３電極と、
前記半導体チップの前記一辺と向かい合うようにして前記基板の前記第１面に形成され、第１ワイヤを介して前記第１電極と電気的に接続された第４電極と、
前記半導体チップの前記一辺と向かい合うようにして前記基板の前記第１面に形成され、第２ワイヤを介して前記第２電極と電気的に接続された第５電極と、
前記半導体チップの前記一辺と向かい合うようにして前記基板の前記第１面に形成され、基準電位に電位固定される第３ワイヤを介して前記第３電極と電気的に接続された第６電極とを有し、
前記第６電極と前記半導体チップの前記一辺との間の距離は、前記第５電極と前記半導体チップの前記一辺との間の距離よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第４電極は、前記半導体チップの前記一辺からの距離が前記第５電極とほぼ同一となる位置に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、
前記第４電極と前記半導体チップの前記一辺との間の距離は、前記第６電極と前記半導体チップの前記一辺との間の距離よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のうち何れか１項に記載の半導体装置において、
前記第２増幅手段の入力部は、前記第１増幅手段の出力部と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のうち何れか１項に記載の半導体装置において、
前記第４電極に入力された信号は、前記第１及び前記第２増幅手段を介して増幅され、前記第５電極から出力されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
平面が四辺形状で形成された半導体チップと、
第１面と前記第１面に対向する第２面とを有し、前記第１面側に前記半導体チップが搭載された基板と、
前記半導体チップの第１面の第１領域に形成され、前記半導体チップの一辺側に配置された第１電極と、
前記第１領域に形成され、入力部が前記第１電極と電気的に接続された第１増幅手段と、
前記半導体チップの前記第１面の前記第１領域とは異なる第２領域に形成され、前記半
導体チップの前記一辺側に配置された第２電極と、  前記第２領域に形成され、出力部が前記第２電極と電気的に接続された第２増幅手段と
、
前記半導体チップの前記一辺と向かい合うようにして前記基板の前記第１面に形成され、第１ワイヤを介して前記第１電極と電気的に接続された第３電極と、
前記半導体チップの前記一辺と向かい合うようにして前記基板の前記第１面に形成され、第２ワイヤを介して前記第２電極と電気的に接続された第４電極と、
前記第１領域に形成され、前記半導体チップの前記一辺と対向する他の辺側に配置され、前記第１増幅手段の出力部と電気的に接続された第５電極と、
前記第２領域に形成され、前記半導体チップの前記他の辺側に配置され、前記第２増幅手段の入力部と電気的に接続された第６電極と、
前記半導体チップの前記他の辺と向かい合うようにして前記基板の前記第１面に形成され、第３ワイヤを介して前記第５電極と電気的に接続された第７電極と、
前記半導体チップの前記他の辺と向かい合うようにして前記基板の前記第１面に形成され、第４ワイヤを介して前記第６電極と電気的に接続され、更に前記第７電極と電気的に接続された第８電極と、
前記半導体チップの前記一辺と向かい合うようにして前記基板の前記第１面に形成され、前記半導体チップの前記第１面の前記第１領域と前記第２領域との間の第３領域上を延在し、基準電位に電位固定される第５ワイヤの一端側が接続された第９電極と、
前記半導体チップの前記他の辺と向かい合うようにして前記基板の前記第１面に形成され、前記第５ワイヤの他端側が接続された第１０電極とを有し、
前記第９電極と前記半導体チップの前記一辺との間の距離は、前記第４電極と前記半導体チップの前記一辺との間の距離よりも大きく、
前記第１０電極と前記半導体チップの前記他の辺との間の距離は、前記第７電極と前記半導体チップの前記他の辺との間の距離よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置において、
前記第３電極は、前記半導体チップの前記一辺からの距離が前記第４電極とほぼ同一となる位置に配置され、
前記第７電極及び前記第８電極は、前記半導体チップの前記他の辺からの距離がほぼ同一となる位置に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６に記載の半導体装置において、
前記第３電極と前記半導体チップの前記一辺との間の距離は、前記第９電極と前記半導体チップの前記一辺との間の距離よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
平面が四辺形状で形成された半導体チップと、
第１面と前記第１面に対向する第２面とを有し、前記第１面側に前記半導体チップが搭載された基板と、
前記半導体チップの第１面の第１領域に形成された第１電極と、
前記第１領域に形成され、入力部が前記第１電極と電気的に接続された第１増幅手段と、
前記半導体チップの前記第１面の前記第１領域とは異なる第２領域に形成された第２電極と、
前記第２領域に形成され、出力部が前記第２電極と電気的に接続された第２増幅手段と、
前記基板の前記第１面に形成され、第１ワイヤを介して前記第１電極と電気的に接続された第３電極と、
前記基板の前記第１面に形成され、第２ワイヤを介して前記第２電極と電気的に接続された第４電極とを具備して成り、
前記第１増幅手段の出力部と前記第２増幅手段の入力部とは電気的に接続され、
前記第４電極は前記半導体チップの一辺と向かい合う位置に配置され、
前記第３電極は前記半導体チップの前記一辺に対して交わる他の辺と向かい合う位置に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
平面が四辺形状で形成された半導体チップと、
第１面と前記第１面に対向する第２面とを有し、前記第１面側に前記半導体チップが搭載された基板と、
前記半導体チップの第１面に形成された第１電極と、
前記半導体チップの前記第１面に形成され、入力部が前記第１電極と電気的に接続された第１増幅手段と、
前記半導体チップの前記第１面に形成された第２電極と、
前記半導体チップの前記第１面に形成され、出力部が前記第２電極と電気的に接続された第２増幅手段と、
前記基板の前記第１面に形成され、第１ワイヤを介して前記第１電極と電気的に接続された第３電極と、
前記基板の前記第１面に形成され、第２ワイヤを介して前記第２電極と電気的に接続された第４電極とを具備して成り、
前記第１増幅手段の出力部と前記第２増幅手段の入力部とは電気的に接続され、
前記第１ワイヤは、前記第１ワイヤと前記半導体チップの一辺とが互いに交差するように、前記第１電極から前記第３電極まで延在し、
前記第２ワイヤは、前記第２のワイヤと前記半導体チップの前記一辺に対して交わる他の辺とが互いに交差するように、前記第２電極から前記第４電極まで延在することを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
平面が四辺形状で形成された半導体チップと、
第１面と前記第１面に対向する第２面とを有し、前記第１面側に前記半導体チップが搭載された基板と、
前記半導体チップの第１面に形成された第１電極と、
前記半導体チップの前記第１面に形成され、入力部が前記第１電極と電気的に接続された第１増幅手段と、
前記半導体チップの前記第１面に形成された第２電極と、
前記半導体チップの前記第１面に形成され、出力部が前記第２電極と電気的に接続された第２増幅手段と、
前記基板の前記第１面に形成され、第１ワイヤを介して前記第１電極と電気的に接続された第３電極と、
前記基板の前記第１面に形成され、複数の第２ワイヤを介して前記第２電極と電気的に接続された第４電極とを具備して成り、
前記第１増幅手段の出力部と前記第２増幅手段の入力部とは電気的に接続され、
前記第１ワイヤは、前記第１ワイヤと前記半導体チップの一辺とが互いに交差するように、前記第１電極から前記第３電極まで延在し、
前記複数の第２ワイヤの夫々は、前記複数の第２のワイヤの夫々と前記半導体チップの前記一辺に対して交わる他の辺とが互いに交差するように、前記第２電極から前記第４電極まで延在することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のうち何れか１項に記載の半導体装置において、
前記第１増幅手段の前記入力部に入力された信号を電圧増幅し、前記第２増幅手段の前記出力部から、電圧増幅された前記信号を出力することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１１のうち何れか１項に記載の半導体装置において、
前記第１及び前記第２増幅手段の各々は、ゲート、ソース、及びドレインを有する電界効果トランジスタを含んで成り、
前記第１増幅手段の前記入力部は、前記第１増幅手段の前記電界効果トランジスタの前記ゲートであり、
前記第１増幅手段の前記出力部は、前記第１増幅手段の前記電界効果トランジスタの前記ドレインであり、
前記第２増幅手段の前記入力部は、前記第２増幅手段の前記電界効果トランジスタの前記ゲートであり、
前記第２増幅手段の前記出力部は、前記第２増幅手段の前記電界効果トランジスタの前記ドレインであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
平面が四辺形状で形成された半導体チップと、
第１面と前記第１面に対向する第２面とを有し、前記第１面側に前記半導体チップが搭載された基板と、
前記半導体チップの第１面の第１領域に形成された第１及び第２電極と、
前記第１領域に形成され、入力部が前記第１電極と電気的に接続され、出力部が前記第２電極と電気的に接続された第１増幅手段と、
前記半導体チップの前記第１面の第２領域に形成された第３及び第４電極と、
前記第２領域に形成され、入力部が前記第３電極と電気的に接続され、出力部が前記第４電極と電気的に接続された第２増幅手段と、
前記第１電極と前記基板の前記第１面とを接続する第１ワイヤと、
前記第２電極と前記基板の前記第１面とを接続する第２ワイヤと、
前記第３電極と前記基板の前記第１面とを接続する第３ワイヤと、
前記第４電極と前記基板の前記第１面とを接続する第４ワイヤとを具備して成り、
前記第２ワイヤの長さは前記第１ワイヤの長さよりも短く、前記第２ワイヤの直列インピーダンスの大きさは前記第１ワイヤの直列インピーダンスの大きさよりも小さくなっており、
前記第４ワイヤの長さは前記第３ワイヤの長さよりも短く、前記第４ワイヤの直列インピーダンスの大きさは前記第３ワイヤの直列インピーダンスの大きさよりも小さくなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体装置において、
前記第１乃至第４ワイヤの長さは、夫々前記第１乃至第４電極の位置に依存して決定されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１４に記載の半導体装置において、
前記第２電極は前記半導体チップの一辺に近接して配置され、
前記第４電極は前記半導体チップの前記一辺に対向する辺に近接して配置されることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１４乃至請求項１６のうち何れか１項に記載の半導体装置において、
入力端子が第５ワイヤを介して前記基板に電気的に接続され、出力端子が第６ワイヤを介して前記基板に電気的に接続される第３増幅手段を更に具備して成り、
前記第６ワイヤの長さは前記第５ワイヤの長さより短く、前記第６ワイヤの直列インピーダンスの大きさは前記第５ワイヤの直列インピーダンスの大きさより小さくなっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の半導体装置において、
前記第３増幅手段は、前記第１及び前記第２領域とは異なる、前記半導体チップの前記第１面の第３領域に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
平面が四辺形状で形成された半導体チップと、
第１面と前記第１面に対向する第２面とを有し、前記第１面側に前記半導体チップが搭載された基板と、
前記半導体チップの第１面の第１領域に形成された第１及び第２電極と、
前記第１領域に形成され、入力部が前記第１電極と電気的に接続され、出力部が前記第２電極と電気的に接続された第１増幅手段と、
前記半導体チップの前記第１面の前記第１領域とは異なる第２領域に形成された第３及び第４電極と、
前記第２領域に形成され、入力部が前記第３電極と電気的に接続され、出力部が前記第４電極と電気的に接続された第２増幅手段と、
前記第１電極と前記基板の前記第１面とを接続する第１ワイヤと、
前記第２電極と前記基板の前記第１面とを接続する第２ワイヤと、
前記第３電極と前記基板の前記第１面とを接続する第３ワイヤと、
前記第４電極と前記基板の前記第１面とを接続する第４ワイヤとを具備して成り、
前記第２電極と前記半導体チップの一辺との間の距離は、前記第１電極と前記半導体チップの前記一辺との間の距離よりも大きく、
前記第３電極と前記半導体チップの前記一辺との間の距離は、前記第４電極と前記半導体チップの前記一辺との間の距離よりも大きく、
前記第１ワイヤの前記第１電極におけるボンディング部と前記半導体チップの前記一辺との間の距離は、前記第２ワイヤの前記第２電極におけるボンディング部と前記半導体チップの前記一辺に対向する辺との間の距離よりも大きく、
前記第３ワイヤの前記第３電極におけるボンディング部と前記半導体チップの前記一辺に対向する辺との間の距離は、前記第４ワイヤの前記第４電極におけるボンディング部と前記半導体チップの前記一辺との間の距離よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１９に記載の半導体装置において、
第５及び第６電極と、
入力端子が前記第５電極に電気的に接続され、出力端子が前記第６電極に電気的に接続される第３増幅手段と、
前記第５電極と前記基板とを電気的に接続する第５ワイヤと、
前記第６電極と前記基板とを電気的に接続する第６ワイヤとを更に具備して成り、
前記第５ワイヤの前記第５電極におけるボンディング部と前記第５ワイヤの前記基板におけるボンディング部との間の距離は、前記第６ワイヤの前記第６電極におけるボンディング部と前記第６ワイヤの前記基板におけるボンディング部との間の距離よりも大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項２０に記載の半導体装置において、
前記第５電極と、前記第６電極と、前記第３増幅手段とは、前記第１及び前記第２領域とは異なる、前記半導体チップの前記第１面の第３領域に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
請求項１４乃至請求項２１のうち何れか１項に記載の半導体装置において、
前記半導体チップの前記第１面の前記第１領域と前記第２領域との間に形成された第４領域と、
前記第４領域上に形成された導体とを更に具備して成り、
前記導体は基準電位に電位固定され、その底面が前記半導体チップの前記第１面の前記第１乃至第４電極の表面よりも高い位置にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項２３】
請求項１８又は請求項２１に記載の半導体装置において、
前記半導体チップの前記第１面の前記第２領域と前記第３領域との間に形成された第５
領域と、 前記第５領域上に形成された導体とを更に具備して成り、
前記導体は基準電位に電位固定され、その底面が前記半導体チップの前記第１面の前記第１乃至第４電極の表面よりも高い位置にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項２４】
請求項１８又は請求項２１に記載の半導体装置において、
前記半導体チップの前記第１面の前記第１領域と第２領域との間に形成された第４領域と、
前記第４領域上に形成された第１の導体と、
前記半導体チップの前記第１の前記第２領域と第３領域との間に形成された第５領域と、
前記第５領域上に形成された第２の導体とを更に具備して成り、
前記第２領域は前記第１領域と前記第３領域との間に位置し、
前記第１及び第２の導体の夫々は基準電位に電位固定され、それらの底面が前記半導体チップの前記第１面の前記第１乃至前記第４電極の表面よりも高い位置にあることを特徴とする半導体装置。
【請求項２５】
平面が四辺形状で形成された半導体チップと、
第１面と前記第１面に対向する第２面とを有し、前記第１面側に前記半導体チップが搭載された基板と、
前記半導体チップの第１面の第１領域に形成された第１及び第２電極と、
前記第１領域に形成され、入力部が前記第１電極と電気的に接続され、出力部が前記第２電極と電気的に接続された第１増幅手段と、
前記半導体チップの前記第１面の第１領域とは異なる第２領域に形成された第３及び第４電極と、
前記第２領域に形成され、入力部が前記第３電極と電気的に接続され、出力部が前記第４電極と電気的に接続された第２増幅手段と、
前記第１電極と前記基板の前記第１面とを接続する第１ワイヤと、
前記第２電極と前記基板の前記第１面とを接続する第２ワイヤと、
前記第３電極と前記基板の前記第１面とを接続する第３ワイヤと、
前記第４電極と前記基板の前記第１面とを接続する第４ワイヤと、
前記第１領域に形成され、接地された第５電極と、
前記第２領域に形成され、接地された第６電極と、
を具備して成り、
前記第２電極と前記半導体チップの一辺との間の距離は、前記第１電極と前記一辺との間の距離よりも大きく、
前記第３電極と前記一辺との間の距離は、前記第４電極と前記一辺との間の距離よりも大きく、
前記第５電極と前記一辺との間の距離は、前記第１電極と前記一辺との間の距離よりも小さく、
前記第６電極と前記半導体チップの前記一辺に対向する辺との間の距離は、前記第３電極と前記対向する辺との間の距離よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【請求項２６】
請求項２５に記載の半導体装置において、
前記第１領域に形成され、接地された第７電極を更に有し、
前記第７電極と前記一辺との間の距離は、前記第１電極と前記一辺との間の距離よりも小さく、
前記第５電極と前記第７電極との間の領域を通るように前記第１ワイヤが設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２７】
請求項２６に記載の半導体装置において、
前記第５、第６、及び第７電極のうちの少なくとも１つは、プローブ検査用の電極を兼ねていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２８】
請求項２６又は請求項２７に記載の半導体装置において、
前記第１及び第２増幅手段の各々は、ゲート、ソース、ドレインを有する電界効果トランジスタを含んで成り、
前記第５、第６、第７電極のうちの少なくとも１つは、前記ソースと電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】  前記高周波電力増幅器は、一主面に増幅手段が形成された半導体チップを配線基板の一主面側に搭載し、半導体チップの一主面に形成された電極と配線基板の一主面に形成された電極とを導電性のワイヤで電気的に接続している。増幅手段は、例えば複数の電界効果トランジスタの夫々を電気的に並列に接続した構成になっており、増幅手段のゲート端子(入力部)は半導体チップの一主面に形成されたチップ側入力用電極と電気的に接続され、増幅手段のドレイン端子(出力部)は半導体チップの一主面に形成されたチップ側出力用電極と電気的に接続されている。チップ側入力用電極は半導体チップの一辺側に配置され、チップ側出力用電極は半導体チップの一辺と対向する他の辺側に配置されている。増幅手段のソース端子は半導体チップの一主面と対向する他の面(裏面)に形成された裏面電極と電気的に接続され、この裏面電極は基準電位に電位固定される。チップ側入力用電極は、半導体チップの一辺と向かい合うようにして配線基板の一主面に形成された基板側入力用電極と入力用ワイヤを介して電気的に接続され、チップ側出力用電極は、半導体チップの他の辺と向かい合うにようにして配線基板の一主面に形成された基板側出力用電極と出力用ワイヤを介して電気的に接続されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】  平面が方形状で形成された半導体チップと、一主面側に前記半導体チップが搭載された配線基板と、前記半導体チップの一主面の第１領域に形成され、前記半導体チップの一辺側に配置された第１電極と、前記半導体チップの一主面の第１領域に形成され、入力部が前記第１電極と電気的に接続された第１増幅手段と、前記半導体チップの一主面の第２領域に形成され、前記半導体チップの一辺側に配置された第２電極と、前記半導体チップの一主面の第２領域に形成され、出力部が前記第２電極と電気的に接続された第２増幅手段と、前記半導体チップの一主面の第１領域と第２領域との間の第３領域に形成された第３電極と、前記半導体チップの一辺と向かい合うようにして前記配線基板の一主面に形成され、第１ワイヤを介して前記第１電極と電気的に接続された第４電極と、前記半導体チップの一辺と向かい合うようにして前記配線基板の一主面に形成され、第２ワイヤを介して前記第２電極と電気的に接続された第５電極と、前記半導体チップの一辺と向かい合うようにして前記配線基板の一主面に形成され、基準電位に電位固定される第３ワイヤを介して前記第３電極と電気的に接続された第６電極とを有する半導体装置であって、前記第６電極は、前記第５電極よりも前記半導体チップの一辺から遠く離れた位置に配置されている。前記第４電極は、前記半導体チップの一辺からの距離が前記第５電極とほぼ同一となる位置、又は前記第６電極よりも前記半導体チップの一辺から遠く離れた位置に配置されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】  増幅手段ＰＷ１、ＰＷ２の夫々は、図３に示す半導体チップ５に形成され、増幅手段ＰＷ３は、図示していないが、半導体チップ５と異なる他の半導体チップに形成されている。半導体チップ５は配線基板１の一主面に形成された凹部１Ａ内に搭載され、他の半導体チップは配線基板１の一主面に形成された他の凹部内に搭載されている。即ち、増幅手段が形成された半導体チップは配線基板１の一主面側に搭載されている。半導体チップ５、他の半導体チップの夫々は、平面が方形状（本実施形態においては長方形状）で形成されている。なお、増幅手段ＰＷ３が形成された他の半導体チップについては以降の説明を省略する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】  半導体チップ５が搭載された凹部１Ａの底面には、図４に示すように、導電プレート１Ｂが形成されている。導電プレート１Ｂは、その直下に形成されたスルーホール配線３を介して、配線基板１の一主面と対向する他の主面(裏面)に形成された基準電位用外部端子４と電気的に接続されている。この基準電位用外部端子４は例えば０［Ｖ］電位に電位固定される。なお、前述の入力用外部端子Ｐin、出力用外部端子Ｐout、電源電位用外部端子ＶＤＤ、外部端子ＶＧの夫々も配線基板１の裏面に形成されている。