Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月25日(2004.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁駆動機構により撮影レンズ鏡筒を光軸方向に沿って移動させるカメラのレンズ駆動装置において、
前記電磁駆動機構は、レンズ鏡筒を保持する光軸方向に沿って移動可能な可動体と、前記可動体を第１の位置に付勢して保持させる付勢手段と、コイルへの通電により前記付勢手段の付勢力に抗して前記可動体を第２の位置に磁力により保持させるヨークと、前記コイルへの通電を制御することで前記レンズ鏡筒を前記第１の位置または第２の位置に位置させる制御手段とを有することを特徴とするカメラのレンズ駆動装置。
【請求項２】
前記ヨーク上に設けたストッパーが前記第２の位置であることを特徴とする請求項１に記載のカメラのレンズ駆動装置。
【請求項３】
前記付勢手段は光軸対称に配置された複数のバネよりなることを特徴とする請求項１に記載のカメラのレンズ駆動装置。
【請求項４】
前記付勢手段は永久磁石と可動鉄片による磁気回路で構成されることを特徴とする請求項１に記載のカメラのレンズ駆動装置。
【請求項５】
前記可動体は、ヨークと平行な平板の鉄片によって形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１つに記載のカメラのレンズ駆動装置。
【請求項６】
前記可動体には前記レンズ鏡筒が光軸方向の位置を調整可能とするように螺合されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１つに記載のカメラのレンズ駆動装置。
【請求項７】
前記可動体と前記レンズ鏡筒との螺合部は多条ネジであることを特徴とする請求項６に記載のカメラのレンズ駆動装置。
【請求項８】
前記レンズ鏡筒は前記可動体に接着剤により固定されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１つに記載のカメラのレンズ駆動装置。
【請求項９】
前記レンズ鏡筒は焦点距離が２６ｍｍより短い新システム用レンズを有していることを特徴とする請求項１から８のいずれか１つに記載のカメラのレンズ駆動装置。
【請求項１０】
前記レンズ鏡筒はＦＮｏ．４．５より暗い新システム用のレンズであることを特徴とする請求項１から９のいずれか１つに記載のカメラのレンズ駆動装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
駆動源に電磁力を利用するＡＦ用駆動装置として、例えば実公昭６２−３２２６９号公報が提案されており、電気通電による制御は、時間制御が容易で時間による制御ポイントの多さを特徴として利用している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本出願に係る発明の目的を実現する第６の構成は、上記した第１、第２、第３、第４または第５の構成において、前記可動体には前記レンズ鏡筒が光軸方向の位置を調整可能とするように螺合されるようにしたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本出願に係る発明の目的を実現する第７の構成は、上記した第６の構成において、前記可動体と前記レンズ鏡筒との螺合部は多条ネジであるとするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
なお、ヨーク５は可動鉄片２と平行になるよう可動鉄片２がヨーク５に完全に引きつけられるとバネ３に引かれていた時と同様に鏡筒１の光軸が保たれるようになっている。また７はシャッターで、鏡筒地板４に取り付けられている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また、測距装置１３の測距結果に基づいて被写体距離が近距離であると判断すると、コイル６への通電を行う。したがって、可動鉄片２がヨーク５の磁極部に当接する位置に移動し、鏡筒１がフィルムから離れるほうこうに繰り出される。この場合、レンズ鏡筒１のレンズ群の構成を至近端となるようにしておけばピントの合った撮影を行うことができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
そして、レリーズ釦のさらなる押し込みによりレリーズスイッチの第２ストロークスイッチＳＷ２がオン後（コイル６が働くころ）、シャッター駆動回路１４を駆動し露光を行う。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、可動鉄片２をフィルム側に付勢する手段としてバネを利用しているが、永久磁石と可動鉄片２による磁気回路で構成しても良い。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
すなわち、１）鏡筒が軽くなるとともに、質量は容積に比例するので約１／３になる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
２）ピント合わせのストロークが小さくなる。これも長さの自乗に比例する為、約１／２になる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
３）さらに、少し暗いレンズを採用し、レンズ深度の深さを利用する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月24日(2005.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機微粒子と感光性有機成分とを含み、かつ、増感剤または水素引き抜き型重合開始剤を含む感光性ペーストであって、前記増感剤または水素引き抜き型重合開始剤のｇ線での吸光係数が０．１ｃｍ２／ｍｇ以下であり、前記増感剤または水素引き抜き型重合開始剤のｈ線またはｉ線での吸光係数が２ｃｍ２／ｍｇ以上であり、前記感光性ペーストのｇ線での吸光係数が０．０１〜０．２ｃｍ２／ｍｇであり、かつ、前記感光性ペーストのｈ線またはｉ線での吸光係数が０．１ｃｍ２／ｍｇ以上であることを特徴とする感光性ペースト。
【請求項２】
紫外線吸光剤をさらに含む請求項１記載の感光性ペースト。
【請求項３】
紫外線吸光剤としてｇ線での吸光係数が１０〜５０ｃｍ２／ｍｇである有機染料を用いる請求項２記載の感光性ペースト。
【請求項４】
有機染料の含有量が無機微粒子に対して０．０５〜１重量％である請求項３記載の感光性ペースト。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、特定波長の光線に対する吸光係数をコントロールすることにより高アスペクト比かつ高精度のパターン加工が可能な感光性ペーストを得られることを見出だした結果に基づくものである。すなわち本発明は、無機微粒子と感光性有機成分、増感剤または水素引き抜き型重合開始剤を含む感光性ペーストであって、前記増感剤または水素引き抜き型重合開始剤のｇ線での吸光係数が０．１ｃｍ２／ｍｇ以下であり、前記増感剤または水素引き抜き型重合開始剤のｈ線またはｉ線での吸光係数が２ｃｍ２／ｍｇ以上であり、前記感光性ペーストのｇ線での吸光係数が０．０１〜０．２ｃｍ２／ｍｇであり、かつ、前記感光性ペーストのｈ線またはｉ線での吸光係数が０．１ｃｍ２／ｍｇ以上であることを特徴とする感光性ペーストである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月4日(2005.4.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
親水性表面を有する支持体、および下記ａ）〜ｃ）を含んでなる混合物の、赤外線で画像形成し得る層を含んでなることを特徴とするオフセット印刷板製造用の記録材料。
ａ）赤外放射線を吸収し、それを熱に変換する成分、
ｂ）成分ａ）により発生した熱の作用により酸を放出する化合物、および
ｃ）化合物ｂ）から放出された酸により開裂する少なくとも１個の基を有する重合体状バインダー。
（ここでそのバインダーが、酸により開裂し得る基のみならず、親水性の基をも含み、前記層が、赤外放射線が当たった区域で水性アルカリ現像剤に可溶になる）
【請求項２】
親水性基がフェノール性水酸基または脂肪族水酸基、カルボキシル、メルカプト、スルホアミドまたはアミノ基である、請求項１に記載の記録材料。
【請求項３】
バインダーｃ）がフェノール性水酸基および脂肪族水酸基を同時に含んでなる、請求項１に記載の記録材料。
【請求項４】
重合体状バインダーｃ）中の酸により開裂し得る基が、少なくとも１個の酸により開裂し得るＣ−Ｏ−Ｃ結合を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の記録材料。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の記録材料を赤外放射線で像様露光し、次いで水性アルカリ現像剤中で画像を現像し、それによって画像形成し得る層の照射区域を除去し、支持体の親水性表面を露出することを特徴とするオフセット印刷板の製造法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月10日(2004.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
更に、この様にセンサ５ａの出力を大きくできるので、特に出力を大きくする必要がなければ、その分、上記センサ５ａの検出部と上記大径円筒部１２ａの外周面との間の微小隙間２８の寸法を大きくできる。即ち、上記センサ５ａの出力は、この微小隙間２８を小さくする程大きくなる。従って、必要とする出力を確保する為には、上記微小隙間２８を小さくする必要があるが、本発明の場合には、上記トーンホイール４ａの形状を工夫する事により、上記センサ５ａの出力向上を図る分、出力を同じと仮定した場合には、上記微小隙間２８を大きくできる。この微小隙間２８を大きくできる事は、構成各部の寸法の許容誤差が大きくなる事に繋がり、回転速度検出装置付転がり軸受ユニットのコスト低減に寄与できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
次に、図７〜９は、本発明の実施の形態の第４例を示している。本例は、上述した第３例の構造を改良し、トーンホイール４ｄの一部に、このトーンホイール４ｄを構成する小径円筒部１１ａを内輪素子７ｂに圧入固定する際に、押し込み用治具３５（図８）の先端面を突き当てる為の平坦部３６を形成している。被検出部を形成する為の透孔２７、２７は、上記平坦部３６よりも外周寄り部分に形成して、これら各透孔２７、２７により上記平坦部３６の剛性が低下する事を防止している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月10日(2005.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸素イオン導電体であるジルコニア固体電解質基板上に設けられた検知電極と、該検知電極と対をなす前記固体電解質基板上のＮＯXに不感な白金対極あるいは白金参照極との間の電位差を測定する方式の窒素酸化物ガスセンサであって、該センサのガス検知電極に白金とロジウムからなる合金電極あるいは白金、ロジウム合金とジルコニアからなるサーメット電極を用いたことを特徴とする窒素酸化物ガスセンサ。
【請求項２】
白金とロジウムからなる合金電極あるいは白金、ロジウム合金とジルコニアからなるサーメット電極において、ロジウム量が白金とロジウムの総量に対して少なくとも０.５wt％を含む検知電極を用いたことを特徴とする請求項１に記載の窒素酸化物ガスセンサ。
【請求項３】
酸素イオン導電体であるジルコニア固体電解質からなる対のセンサ基板内に設けられ且つ被検測定ガスが導入される缶室が被検ガス雰囲気に通じるガス流入口からのガスを受ける第一缶室、あるいは該第一缶室とそれに連通する第二缶室とからなる構造のセンサであって、該第一缶室及び第二缶室に設けられた酸素排出あるいは酸素汲込み電極と、第一缶室内あるいは第二缶室内の酸素濃度を制御する手段と、該第一缶室内にてＮＯあるいはＮＯ2に変換されたＮＯXを検出する検知電極と、該検知電極と同一缶室内に形成された白金対極あるいは該検知電極が接するジルコニア固体電解質基板を挟んで基準酸素濃度を維持するダクトに通ずるように形成された白金対極とにより構成され、且つ当該検知電極が白金とロジウムからなる合金電極あるいは白金、ロジウム合金とジルコニアからなるサーメット電極により構成された窒素酸化物ガスセンサ。
【請求項４】
該検知電極の形成されてある缶室内の酸素濃度が検知電極における酸素とＮＯXに対する混成電位からＮＯX電位差を生ずるように濃度制御された方式を特徴とする請求項３に記載の窒素酸化物ガスセンサ。
【請求項５】
酸素イオン導電体であるジルコニア固体電解質上に設けられた検知電極と、該検知電極と対をなす前記固体電解質上のＮＯXに活性を有しないＰｔ参照極との間の電位差を測定する方式の窒素酸化物ガスセンサであって、該センサのガス検知電極が白金層上にロジウム層が積層されてなる電極あるいは前記積層電極中にジルコニアを分散添加してなるサ−メット電極であることを特徴とする窒素酸化物ガスセンサ。
【請求項６】
前記検知電極の、ロジウム層が蒸着層であることを特徴とする請求項５記載の窒素酸化物ガスセンサ。
【請求項７】
酸素イオン導電体であるジルコニア固体電解質上に設けられた検知電極と、該検知電極と対をなす前記固体電解質上のＮＯXに活性を有しないＰｔ参照極との間の電位差を測定する方式の窒素酸化物ガスセンサであって、該センサのガス検知電極が白金とロジウムからなる合金、あるいはこれに第３の金属元素を添加した合金からなり、該第３の金属元素がＲｕ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ａｕ、Ａｇの少なくとも一種であることを特徴とする窒素酸化物ガスセンサ。
【請求項８】
酸素イオン導電体であるジルコニア固体電解質上に設けられた検知電極と、該検知電極と対をなす前記固体電解質上のＮＯXに活性を有しないＰｔ参照極との間の電位差を測定する方式の窒素酸化物ガスセンサであって、該センサのガス検知電極が白金とロジウム酸化物との混相、あるいは白金とロジウム酸化物に第３の金属元素の酸化物の少なくとも一つを混在させたものからなり、該第３の金属元素がＲｕ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｒの何れかからなることを特徴とする窒素酸化物ガスセンサ。
【請求項９】
当該検知電極中にジルコニアを分散添加してなる請求項７または請求項８記載の窒素酸化物ガスセンサ。
【請求項１０】
Ｒｈあるいは第３の金属元素の添加量は（Ｒｈ＋第三元素）/（Ｐｔ＋Ｒｈ＋第三元素）比が０.０１〜０.５であることを特徴とする請求項７または請求項８記載の窒素酸化物ガスセンサ。
【請求項１１】
酸素イオン導電体であるジルコニア固体電解質上に設けられた検知電極と、該検知電極と対をなす前記固体電解質上のＮＯXに活性を有しないＰｔ参照極との間の電位差を測定する方式の窒素酸化物ガスセンサであって、該センサのガス検知電極がイリジウムからなる電極、イリジウムとロジウムとの合金あるいは混相からなる電極あるいは前記電極中にジルコニアを分散添加してなるサ−メット電極であることを特徴とする窒素酸化物ガスセンサ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月31日(2005.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の通信端末が発生するフレーム画像を受信する受信手段と、
前記受信手段により受信したフレーム画像をマルチ画像として表示部へ表示すべく出力する出力手段と、
前記複数の通信端末に対応する所定シンボルを前記表示部に出力することにより前記複数の通信端末からのフレーム画像の更新状態を報知する報知手段とを有し、
前記報知手段は、前記フレーム画像が更新されない期間は第１シンボルを前記表示部に出力し、前記フレーム画像を更新したことに応答して第２シンボルを前記表示部に出力することを特徴とする通信装置。
【請求項２】  前記報知手段は、前記フレーム画像の受信頻度が大きい場合において、前記第２シンボルの出力を行わないことを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】  前記出力手段は、前記表示部に表示される複数の枠の中に前記フレーム画像を出力し、前記報知手段は、前記枠に隣接する位置に前記所定シンボルを出力することを特徴とする請求項１または２に記載の通信装置。
【請求項４】  前記複数の枠に対する前記複数の通信端末のフレーム画像の表示位置を変更する変更手段をさらに有し、前記前記変更手段により第１枠から第２枠へとフレーム画像の表示位置が変更された場合、前記出力手段は、第１枠に表示されていたフレーム画像が以後第２枠に表示されるようフレーム画像を出力し、前記報知手段は第１枠に隣接していた前記所定シンボルが以後第２枠に隣接した位置に表示されるよう前記所定シンボルを出力することを特徴とする請求項３に記載の通信装置。
【請求項５】  前記所定シンボルはアイコンであることを特徴とする請求項１に記載の通信装置。
【請求項６】  複数の通信端末が発生するフレーム画像を受信する受信工程と、
前記受信工程により受信したフレーム画像をマルチ画像として表示部へ表示すべく出力する出力工程と、
前記複数の通信端末に対応する所定シンボルを前記表示部に出力することにより前記複数の通信端末からのフレーム画像の更新状態を報知する報知工程とを有し、
前記報知工程は、前記フレーム画像が更新されない期間は第１シンボルを前記表示部に出力し、前記フレーム画像を更新したことに応答して第２シンボルを前記表示部に出力することを特徴とする通信方法。
【請求項７】  複数の通信端末が発生するフレーム画像を受信する受信コードと、
前記受信コードにより受信したフレーム画像をマルチ画像として表示部へ表示すべく出力する出力コードと、
前記複数の通信端末に対応する所定シンボルを前記表示部に出力することにより前記複数の通信端末からのフレーム画像の更新状態を報知する報知コードとを有し、
前記報知コードは、前記フレーム画像が更新されない期間は第１シンボルを前記表示部に出力し、前記フレーム画像を更新したことに応答して第２シンボルを前記表示部に出力することを特徴とする記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は上述した問題点を解決するためのものであり、本発明の通信装置は、複数の通信端末が発生するフレーム画像を受信する受信手段と、前記受信手段により受信したフレーム画像をマルチ画像として表示部へ表示すべく出力する出力手段と、前記複数の通信端末に対応する所定シンボルを前記表示部に出力することにより前記複数の通信端末からのフレーム画像の更新状態を報知する報知手段とを有し、前記報知手段は、前記フレーム画像が更新されない期間は第１シンボルを前記表示部に出力し、前記フレーム画像を更新したことに応答して第２シンボルを前記表示部に出力することを特徴とする。
また、本発明の通信方法は、複数の通信端末が発生するフレーム画像を受信する受信工程と、前記受信工程により受信したフレーム画像をマルチ画像として表示部へ表示すべく出力する出力工程と、前記複数の通信端末に対応する所定シンボルを前記表示部に出力することにより前記複数の通信端末からのフレーム画像の更新状態を報知する報知工程とを有し、前記報知工程は、前記フレーム画像が更新されない期間は第１シンボルを前記表示部に出力し、前記フレーム画像を更新したことに応答して第２シンボルを前記表示部に出力することを特徴とする。
また、本発明の記憶媒体は、複数の通信端末が発生するフレーム画像を受信する受信コードと、前記受信コードにより受信したフレーム画像をマルチ画像として表示部へ表示すべく出力する出力コードと、前記複数の通信端末に対応する所定シンボルを前記表示部に出力することにより前記複数の通信端末からのフレーム画像の更新状態を報知する報知コードとを有し、前記報知コードは、前記フレーム画像が更新されない期間は第１シンボルを前記表示部に出力し、前記フレーム画像を更新したことに応答して第２シンボルを前記表示部に出力することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月13日(2005.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
上記２つの画素信号Ｘ（m,n)，Ｘ（m,n+1)に連続する画素信号Ｘ（m,n-1)とフリップフロップ301 ，302 の出力は、それぞれ比較器（ＣＯＭＰ）304 ，306 に送られると同時に、平均値算出部（ＡＶＥ）303 に入力される。平均値算出部303 では、次式（１）で示す注目画素Ｘ（m,n)を中心とした連続する３画素の平均値（図４，６におけるＡve１）が算出される。
〔Ｘ（m,n-1)＋Ｘ（m,n)＋Ｘ（m,n+1)〕／３  ・・・・・・・・（１）
そして、この平均値算出部303 の出力を同時に受けた比較器304 ，306 では、該平均値レベルと連続する３つの画素信号レベルそれぞれの大小を比較し、（１）式で示した平均値レベルを境界として、２個対１個に画素分布を分割する。図３に示した論理値表においてａ，ｃはそれぞれ比較器304 ，306 の出力を示し、平均値レベルＡve１より画素信号レベルが大きな場合はＨを、小さな場合にはＬを出力している。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
図２において、平均値算出部308 では、次式（２）で示す、注目画素を除いたその両隣の画素Ｘ（m,n-1)とＸ（m,n+1)のレベルの平均値（図４，６におけるＡve２）を算出する。
〔Ｘ（m,n-1)＋Ｘ（m,n+1)〕／２  ・・・・・・・・・・・・・（２）
この平均値算出部308 の出力結果は、差分絶対値算出部309 において注目画素信号レベルとの差分がとられ、次式（３）で示す絶対値が出力される。
｜Ｘ（m,n)−〔Ｘ（m,n-1)＋Ｘ（m,n+1)〕／２｜  ・・・・・・（３）
そして、この差分絶対値算出部309 の絶対値出力は比較器310 に入力される。更に、該絶対値出力は比較器310 で所定の閾値Ｔhrと大小比較され、閾値Ｔhrより大きな場合、注目画素は欠陥である可能性があるとして、欠陥判定フラグ用ＯＲゲート311 へ１bit の判別パルスを出力する。ここで、比較器310 は注目画素を欠陥と判定したときに“Ｌ”を出力するものとすると、前述のデコード部307 出力と比較器310 出力が共に“Ｌ”であるときのみ、ＯＲゲート311 の出力は“Ｌ”となり、これにより注目画素は最終的に欠陥と判定され、セレクタ（ＳＥＬ）312 では注目画素を平均値算出部308 の出力、即ち（２）式で示す両隣の画素の平均値で置き換えるように構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
次に、第３の実施の形態について説明する。図９は、第３の実施の形態における欠陥検出補正回路を示す概略ブロック構成図である。この実施の形態は、シフトレジスタ340 及び欠陥検出部341 により、上記第１の実施の形態と同じく水平方向から欠陥検出を行うものである。そして、欠陥位置メモリ342 には、注目画素Ｘ（m,n)が該当水平方向の欠陥検出処理により欠陥か正常かを判定された結果、例えば欠陥であれば“Ｌ”、正常であれば“Ｈ”のディジタルデータ１bit と、更に欠陥と判定された場合には、それが白欠陥か黒欠陥かを表す１bit ，例えば黒欠陥であれば“Ｌ”、白欠陥であれば“Ｈ”とする計２bit を記憶する。欠陥が白か黒かは、Ｘ（m,n)の信号レベルがＸ（m,n-1)とＸ（m,n+1)の信号レベル平均値Ａve２（又はＡve１でも全く同等）より大きいか小さいかで判定すればよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月6日(2004.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
結晶化した膜の化学式がＡＢＯ3 で表されるアモルファス膜であって、ＡはＰｂ，Ｂａ，Ｓｒから選択される少なくとも一種類の元素を含み、ＢはＺｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｍｇ，Ｗ，Ｆｅ，Ｃｏから選択される少なくとも一種類の元素を含む前記アモルファス膜を下地基板上に成膜する工程と、前記Ａ、酸素、ランタン又はニオブのうち少なくとも一種類の元素を前記アモルファス膜の前記下地基板との界面又は前記アモルファス膜表面の少なくとも一方に導入する工程と、前記アモルファス膜を熱処理により結晶化させて薄膜を形成する工程とを含むことを特徴とする薄膜の形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る薄膜の形成方法は、結晶化した膜の化学式がＡＢＯ3で表されるアモルファス膜であって、ＡはＰｂ，Ｂａ，Ｓｒから選択される少なくとも一種類の元素を含み、ＢはＺｒ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｍｇ，Ｗ，Ｆｅ，Ｃｏから選択される少なくとも一種類の元素を含む前記アモルファス膜を下地基板上に成膜する工程と、前記Ａ、酸素、ランタン又はニオブのうち少なくとも一種類の元素を前記アモルファス膜の前記下地基板との界面又は前記アモルファス膜表面の少なくとも一方に導入する工程と、前記アモルファス膜を熱処理により結晶化させて薄膜を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月14日(2005.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画素電極が配された表示部と、この表示部の周辺に配された周辺駆動回路部とを第１の基板上に有し、この第１の基板と第２の基板との間に所定の光学材料を介在させてなる電気光学装置の製造方法において、
前記第１の基板の一方の面上に、単結晶シリコンの如き単結晶半導体と格子整合の良  い物質層を形成する工程と、
この物質層を含む前記第１の基板上に多結晶又はアモルファスシリコン層の如き半導  体層を所定厚さに形成した後に前記第１の基板上であって前記半導体層上又は下に低融  点金属層を形成するか、或いは、前記物質層を含む前記第１の基板上にシリコンの如き  半導体材料を含有する低融点金属層を形成する工程と、
加熱処理によって前記半導体層又は前記半導体材料を前記低融点金属層に溶解させる  工程と、
次いで冷却処理（望ましくは徐冷処理）によって前記半導体層の半導体材料又は前記  低融点金属層の半導体材料を前記物質層をシードとしてヘテロエピタキシャル成長させ  、単結晶シリコン層の如き単結晶半導体層を析出させる工程と、
この単結晶半導体層に所定の処理を施して能動素子及び受動素子のうちの少なくとも  能動素子を形成する工程と
を有することを特徴とする、電気光学装置の製造方法。
【請求項２】  前記第１の基板上に段差を形成し、この段差を含む前記第１の基板上に前記物質層を形成し、この物質層上に前記単結晶シリコン層を形成する、請求項１に記載した電気光学装置の製造方法。
【請求項３】  断面において底面に対し側面が直角状若しくは下端側へ傾斜状となるような凹部として前記段差を形成し、この段差を前記物質層と共に前記単結晶シリコン層のエピタキシャル成長時のシードとする、請求項２に記載した電気光学装置の製造方法。
【請求項４】  前記物質層に段差を形成し、この段差を含む前記物質層上に前記単結晶シリコン層を形成する、請求項１に記載した電気光学装置の製造方法。
【請求項５】  断面において底面に対し側面が直角状若しくは下端側へ傾斜状となるような凹部として前記段差を形成し、この段差を前記物質層と共に前記単結晶シリコン層のエピタキシャル成長時のシードとする、請求項４に記載した電気光学装置の製造方法。
【請求項６】  画素電極が配された表示部と、この表示部の周辺に配された周辺駆動回路部とを基板上に有する、電気光学装置用の駆動基板の製造方法において、
前記基板の一方の面上に、単結晶シリコンの如き単結晶半導体と格子整合の良い物質  層を形成する工程と、
この物質層を含む前記基板上に多結晶又はアモルファスシリコン層の如き半導体層を  所定厚さに形成した後に前記第１の基板上であって前記半導体層上又は下に低融点金属  層を形成するか、或いは、前記物質層を含む前記基板上にシリコンの如き半導体材料を  含有する低融点金属層を形成する工程と、
加熱処理によって前記半導体層又は前記半導体材料を前記低融点金属層に溶解させる  工程と、
次いで冷却処理（望ましくは徐冷処理）によって前記半導体層の半導体材料又は前記  低融点金属層の半導体材料を前記物質層をシードとしてヘテロエピタキシャル成長させ  、単結晶シリコン層の如き単結晶半導体層を析出させる工程と、
この単結晶半導体層に所定の処理を施して能動素子及び受動素子のうちの少なくとも  能動素子を形成する工程と
を有することを特徴とする、電気光学装置用の駆動基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月31日(2005.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ここではコンタクト層１１として特にＡｌＧａＮとＧａＮの超格子構造を示したが、ＧａＮ層を設けずＡｌ組成の異なるＡｌＧａＮ層を積層した超格子構造をコンタクト層１１として用いた場合も効果は同様である。また超格子を構成する各層について不純物濃度すなわちドーピング濃度を変化させることは、各層の抵抗値を変化させるという意味で効果的であり、コンタクト層１１の薄膜化に効果を発揮する。ドーピング濃度は０から１×１０２０ｃｍ−３まで適当に変化させることが望ましい。また超格子構造を形成する各層の膜厚は１０〜２００Ａというように薄い方が好ましいが、λ／４ｎ間隔で形成して活性層の光を反射するコンタクト層とするのもよい（但しｎはコンタクト層の屈折率）。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月20日(2005.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】 窒化物半導体基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層、ｐ側窒化物半導体層を順に積層形成してなる素子構造を有し、前記ｐ側窒化物半導体層に形成されたリッジ形状のストライプを有し、該ストライプの最上層にｐ電極を有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記窒化物半導体基板裏面のリッジ形状のストライプの真下に、少なくともリッジ形状のストライプ幅を有し、活性層を含むレーザ導波路から漏れ出したレーザ発振波長の光を吸収できる光吸収膜が形成されてなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】 前記窒化物半導体レーザ素子において、ｎ電極が、前記光吸収膜の形成されている部分以外の窒化物半導体基板裏面に形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】 前記光吸収膜が、Ａｕ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ及びＴｉの少なくとも２種以上の合金、少なくとも１種以上の積層された金属膜、並びに１種以上の酸化物のいずれかであることを特徴とする請求項１又は２に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】 前記光吸収膜が、窒化物半導体とオーミック接触を有するｎ電極であることを特徴とする請求項１又は３に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】 前記窒化物半導体基板裏面と、光吸収膜及び／又はｎ電極との間に、活性層を含むレーザ導波路から漏れ出したレーザ発振波長の光を吸収できる光吸収性半導体層を形成してなることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】  前記光吸収性半導体層が、ＩｎαＡｌβＧａ1-α-βＮ（０≦α、０≦β、α＋β≦１）からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項７】  ｎ型不純物を含有する窒化物半導体基板と、前記窒化物半導体基板上にｎ側窒化物半導体層、活性層、ｐ側窒化物半導体層を順に積層してなる素子構造と、前記ｐ側窒化物半導体層に形成されたリッジ形状のストライプと、前記ストライプの最上層にｐ電極と、を有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記窒化物半導体基板裏面のリッジ形状のストライプ下方には、少なくともリッジ形状のストライプ幅を有し、活性層を含むレーザ導波路から漏れ出したレーザ発振波長の光を吸収できるｎ電極が形成されてなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
【請求項８】  前記ｎ電極が、Ａｕ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ及びＴｉの少なくとも２種以上の合金、少なくとも１種以上の積層された金属膜、並びに１種以上の酸化物のいずれかであることを特徴とする請求項７に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】即ち、本発明は、以下の構成（１）〜（８）によって本発明の目的を達成することができる。
（１） 窒化物半導体基板上に、ｎ側窒化物半導体層、活性層、ｐ側窒化物半導体層を順に積層形成してなる素子構造を有し、前記ｐ側窒化物半導体層に形成されたリッジ形状のストライプを有し、該ストライプの最上層にｐ電極を有する窒化物半導体レーザ素子において、前記窒化物半導体基板裏面のリッジ形状のストライプの真下に、少なくともリッジ形状のストライプ幅を有し、活性層を含むレーザ導波路から漏れ出したレーザ発振波長の光を吸収できる光吸収膜が形成されてなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
（２） 前記窒化物半導体レーザ素子において、ｎ電極が、前記光吸収膜の形成されている部分以外の窒化物半導体基板裏面に形成されてなることを特徴とする（１）に記載の窒化物半導体レーザ素子。
（３） 前記光吸収膜が、Ａｕ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ及びＴｉの少なくとも２種以上の合金、少なくとも１種以上の積層された金属膜、並びに１種以上の酸化物のいずれかであることを特徴とする（１）又は（２）に記載の窒化物半導体レーザ素子。
（４） 前記光吸収膜が、窒化物半導体とオーミック接触を有するｎ電極であることを特徴とする（１）又は（３）に記載の窒化物半導体レーザ素子。
（５） 前記窒化物半導体基板裏面と、光吸収膜及び／又はｎ電極との間に、活性層を含むレーザ導波路から漏れ出したレーザ発振波長の光を吸収できる光吸収性半導体層を形成してなることを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
（６）  前記光吸収性半導体層が、ＩｎαＡｌβＧａ1-α-βＮ（０≦α、０≦β、α＋β≦１）からなることを特徴とする（１）〜（５）のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子。
（７） ｎ型不純物を含有する窒化物半導体基板と、前記窒化物半導体基板上にｎ側窒化物半導体層、活性層、ｐ側窒化物半導体層を順に積層してなる素子構造と、前記ｐ側窒化物半導体層に形成されたリッジ形状のストライプと、前記ストライプの最上層にｐ電極と、を有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記窒化物半導体基板裏面のリッジ形状のストライプ下方には、少なくともリッジ形状のストライプ幅を有し、活性層を含むレーザ導波路から漏れ出したレーザ発振波長の光を吸収できるｎ電極が形成されてなることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。
（８） 前記ｎ電極が、Ａｕ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔａ及びＴｉの少なくとも２種以上の合金、少なくとも１種以上の積層された金属膜、並びに１種以上の酸化物のいずれかであることを特徴とする（７）に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
更に、本発明は、以下にその他の好ましい形態である構成（９）〜（１１）を挙げることができる。
（９） 前記窒化物半導体基板が、窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板の上に、窒化物半導体を成長させた後、該窒化物半導体の縦方向の成長を抑え、窒化物半導体を横方向のみに成長させ、続いて、縦及び横方向に成長させて形成されてなることを特徴とする前記（１）〜（８）のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
（１０） 前記窒化物半導体レーザ素子のメタライズ電極がＴｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｗ及びＭｏのいずれか１種以上の材料からなる積層又は合金であることを特徴とする前記（１）〜（９）のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
（１１） 前記メタライズ電極とｎ電極及び／又は光吸収膜との間に、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｃｒ、Ｗ及びＭｏのいずれか１種以上の材料からなる積層又は合金であるバリア電極が形成されていることを特徴とする前記（１）〜（１０）のいずれか１項に記載の窒化物半導体レーザ素子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月17日(2005.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0009】
【課題を解決するための手段】
発明者は、従来の固溶体で実現困難な40程度の高い比誘電率と所望の高いQ値の両立が可能な誘電体素子を目的に、固溶体以外の方法で実現すべく種々検討した結果、例えば、ディスク状の誘電体素子において、共振周波数へ寄与の大きい外周リング部に高比誘電率の材料、中央円柱部に低比誘電率ではあるがQ値の高い材料を配置することにより、目的とする見かけの高比誘電率を得ることが可能であり、また特性の劣化を防ぐのみならず、共振器としてのQ値やτfなどの特性を向上させることが可能であることを知見した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また発明者は、上記の少なくとも比誘電率の異なる材料の接合方法についてさらに種々検討した結果、外周リング部と中央円柱部でディスク状の素子となす際に、中央部を三角錐状のものに代えたり、外径が複数段に異なる円柱部を用いて外部に及ぼす磁界又は電界範囲を変えて共振器の異形キャビティの形状に対応させたり、他に比誘電率の異なる材料を、同心リング状に、あるいは円柱をその中心軸を通る直径面で2分又は複数分割して配置したり、円板を積層するごとく比誘電率の異なる材料を配置できること、すなわち、目的とする素子形状の直径、厚みなどの所要方向に比誘電率が異なるように所要特性の誘電体材料を配置できることを知見した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに、発明者は、上記の比誘電率の異なる材料の接合面についてさらに種々検討した結果、例えば前述の外周リング部と中央円柱部でディスク状の素子となす形態で、それぞれ個別の焼結体となしてこれを機械的に組み立てることはもちろん可能であり、他に2種の材料粉末を型内でリング部とその中央の円柱部に分けて導入するか、あるいはそれぞれ個別の成形体となしてこれを組み込み、その後、中心軸方向に加圧しながら焼結、あるいは加圧した後に引続き焼結させると、接合界面には両者の固溶体が生成され難くかつ密着性に優れており、取扱い性のよい誘電体素子が得られることを知見し、この発明を完成した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0029】
【実施例】
実施例1
比誘電率、Q値あるいは共振周波数の温度係数が異なる2種の誘電体材料を想定し、出発物質として純度99.7%以上のBaCO3、99.9%以上のNd2O3、Ta2O5、Nb2O5を用い、その化学量論組成で原料を配合し、図1Aの低比誘電率材料3としてBa(Nd1/2Ta)1/2O3、高比誘電率材料2としてBa[Nd1/2(Ta,Nb)1/2]O3を設定した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
比較例1
実施例1における低比誘電率材料のBa(Nd1/2Ta1/2)O3と、高比誘電率材料Ba[Nd1/2(Ta,Nb)1/2]O3を同量混合して、実施例1と同様に仮焼、造粒の後成形し、成形体を脱バインダー処理した後、一軸プレス機により同様の外径が9.8mmの円柱状焼結体を得た。実施例1と同様方法で特性を測定して、その結果を表1に示す。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【0045】
【発明の効果】
この発明は、例えば、ディスク状の誘電体素子において、外周リング部に高比誘電率の材料、中央円柱部に低比誘電率ではあるがQ値の高い材料を配置することにより、従来の材料の固溶体で実現困難な、例えば40程度の高い比誘電率と所望の高いQ値の両立を容易に実現するもので、従来、固溶体を形成すると比誘電率低下により共振周波数の高周波化が生じるが、この発明の構成にすると高周波化を抑えることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
1,4,6,8,10,12  誘電体素子
2  高比誘電率材料
3  低比誘電率材料
5a,5b  リング状誘電体材料
5c  小径円柱状誘電体材料
7a,7b,9a〜9h,11a,11b,13a,13b,13c  誘電体材料
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2000101314.tif 000001
【図２】
2000101314.tif 000002
【図３】
2000101314.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月20日(2005.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】    天板および側板を有する一方の解放された箱形状を呈し、電子機器のケーシングに収容された基板に、前記側板の解放縁部を前記基板の接地パターンに接触させて設置されるシールドケースであって、
前記側板に、該側板を分割する態様で、前記解放縁部に臨む複数のスリットを設けて成ることを特徴とするシールドケース。
【請求項２】    前記側板の前記解放縁部に弾性舌片を設けて成ることを特徴とする請求項１記載のシールドケース。
【請求項３】    ケーシングに収容された基板と、天板および側板を有する一方の解放された箱形状のシールドケースとを具備し、前記側板の解放縁部を前記基板の接地パターンに接触させて設置した電子機器であって、
前記シールドケースの前記側板に、該側板を分割する態様で前記解放縁部に臨む複数のスリットを設けたことを特徴とする電子機器。
【請求項４】    ケーシングに収容された基板と、天板および側板を有する一方の解放された箱形状のシールドケースとを具備し、前記側板の解放縁部を前記基板上に設けられた接地部に接触させて設置した電子機器であって、
前記シールドケースの前記側板に、該側板を分割する態様で前記解放縁部に臨む複数のスリットを設けたことを特徴とする電子機器。
【請求項５】    前記シールドケースにおける前記側板の前記解放縁部に、弾性舌片を設けたことを特徴とする請求項３及び請求項４記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前記目的を達成するべく、請求項３の発明に関わる電子機器は、ケーシングに収容された基板と、天板および側板を有する一方の解放された箱形状のシールドケースとを具備し、前記側板の解放縁部を前記基板の接地パターンに接触させて設置した電子機器において、前記シールドケースの前記側板に、該側板を分割する態様で前記解放縁部に臨む複数のスリットを設けている。  
さらに、前記目的を達成するべく、請求項４の発明に関わる電子機器は、ケーシングに収容された基板と、天板および側板を有する一方の解放された箱形状のシールドケースとを具備し、前記側板の解放縁部を前記基板上に設けられた接地部に接触させて設置した電子機器において、前記シールドケースの前記側板に、該側板を分割する態様で前記解放縁部に臨む複数のスリットを設けている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
また、請求項３の発明に関わる電子機器は、ケーシングに収容された基板と、天板および側板を有する一方の解放された箱形状のシールドケースとを具備し、前記側板の解放縁部を前記基板の接地パターンに接触させて設置した電子機器において、前記シールドケースの前記側板に、該側板を分割する態様で前記解放縁部に臨む複数のスリットを設けている。  
さらに、請求項４の発明に関わる電子機器は、ケーシングに収容された基板と、天板および側板を有する一方の解放された箱形状のシールドケースとを具備し、前記側板の解放縁部を前記基板上に設けられた接地部に接触させて設置した電子機器において、前記シールドケースの前記側板に、該側板を分割する態様で前記解放縁部に臨む複数のスリットを設けている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月12日(2005.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  一以上のデータと、リンク付けされた各データを選択するためのリンク情報を含むナビゲーション情報からなる対話的番組を作成して送出する放送装置であって、
データを取得する情報取得手段と、
ナビゲーション情報のうち全てのナビゲーション情報に共通する情報をスケルトンとして記憶するスケルトン記憶手段と、
前記データと前記スケルトンを合成して複数のデータがリンク付けされたナビゲーション情報を生成するデータ合成手段と、
合成したデータに送信データを特定する識別子を付与した送信データを作成する送信データ作成手段と、
前記送信データを繰り返し送出するデータ送信手段
を備えることを特徴とするデータ送出装置。
【請求項２】  少なくとも番組の開始時間、終了時間、および番組を識別する識別子を含む番組情報を記憶する番組情報管理手段と、
データ送信装置内に保持するリアルタイムクロックが前記番組情報の番組開始時間に到達すると、当該番組情報に記載された識別子を送信データ作成手段に送信する番組情報制御手段を有し、
前記送信データ作成手段は、受信した識別子を前記データ合成手段から受信した合成データに付与することを特徴とする請求項１記載のデータ送出装置。
【請求項３】  データ送信装置内に保持するリアルタイムクロックが前記番組情報の番組終了時間に到達すると、前記情報取得手段、前記データ合成手段、前記送信データ作成手段、前記データ送信手段のうちの少なくとも１つの手段に動作停止要求をし、リアルタイムクロックが次の番組開始時間に到達すると動作停止要求を行った手段に動作停止要求解除を要求する番組情報制御手段を備え、
前記情報取得手段、前記データ合成手段、前記送信データ作成手段、前記データ送信手段の各手段は、動作停止要求があると動作を停止し、動作停止要求が解除されると動作を開始することを特徴とする請求項２記載のデータ送出装置。
【請求項４】  データ送信装置内に保持するリアルタイムクロックが前記番組情報の番組終了時間に到達すると、送信データ作成手段に記憶している前記データを消去する番組情報制御手段
を備えることを特徴とする請求項２または請求項３に記載のデータ送出装置。
【請求項５】  少なくとも番組の開始時間、終了時間を含む番組情報を記憶する番組情報管理手段と、
サービス開始ナビゲーション情報を記憶するサービス開始ナビゲーション情報記憶手段と、
データ送信装置内に保持するリアルタイムクロックが前記番組情報の番組開始時間に到達した時に、前記送信データ作成部にナビゲーション情報が無い場合、ナビゲーション情報が無いことを利用者に通知するサービス開始ナビゲーション情報をサービス開始ナビゲーション情報記憶手段より読み出し、前記送信データ作成部に送信する番組情報制御手段
を備えることを特徴とする請求項２から請求項４のいずれか１項に記載のデータ送出装置。
【請求項６】  一以上のデータと、リンク付けされた各データを選択するためのリンク情報を含むナビゲーション情報からなる対話的番組を作成して送出する放送方法であって、
データを取得する情報取得ステップと、
ナビゲーション情報のうち全てのナビゲーション情報に共通する情報であるスケルトンを取得するスケルトン取得ステップと、
取得された前記データと前記スケルトンを合成して複数のリンク付けされたナビゲーション情報を生成するデータ合成ステップと、
合成された合成データに送信データを特定する識別子を付与して送信データを生成する送信データ生成ステップと、
前記送信データを繰り返し送出するデータ送信ステップ
よりなることを特徴とするデータ送出方法。
【請求項７】  一以上のデータと、リンク付けされた各データを選択するためのリンク情報を含むナビゲーション情報からなる対話的番組を作成して送出するプログラムを記憶した記憶媒体であって、
データを取得する情報取得ステップと、
ナビゲーション情報のうち全てのナビゲーション情報に共通する情報であるスケルトンを取得するスケルトン取得ステップと、
取得された前記データと前記スケルトンを合成して複数のリンク付けされたナビゲーション情報を生成するデータ合成ステップと、
合成された合成データに送信データを特定する識別子を付与して送信データを生成する送信データ生成ステップと、
前記送信データを繰り返し送出するデータ送信ステップ
よりなることを特徴とするプログラムを記憶した記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明は、一以上のデータと、リンク付けされた各データを選択するためのリンク情報を含むナビゲーション情報からなる対話的番組を作成して送出する放送装置であって、データを取得する情報取得手段と、ナビゲーション情報のうち全てのナビゲーション情報に共通する情報をスケルトンとして記憶するスケルトン記憶手段と、前記データと前記スケルトンを合成して複数のデータがリンク付けされたナビゲーション情報を生成するデータ合成手段と、合成したデータに送信データを特定する識別子を付与した送信データを作成する送信データ作成手段と、前記送信データを繰り返し送出するデータ送信手段を備えることとしているので、取得したデータから送信データを高速に作成して送信できるため、リアルタイムなデータ放送を実現できる。