【手続補正書】
【提出日】平成17年6月14日(2005.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】メモリシステム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
双方向にデータを転送可能な信号線、及び前記信号線を終端する少なくとも一つの終端素子を備えるデータバスと、
前記データの読み出し／書き込みが可能なメモリと
を備え、
前記信号線は、第１端及び第２端と、前記第１端と前記第２端との間から分岐する少なくとも一つの第３端とを有し、
前記メモリは、前記少なくとも一つの第３端の各々に接続し、
前記少なくとも一つの終端素子のインピーダンスは、前記データが転送される方向に応じて可変であり、
前記少なくとも一つの終端素子は、前記第２端に接続されて前記読み出し／書き込み動作に応じて異なる抵抗値を採る第１の終端可変抵抗を含むメモリシステム。
【請求項２】
前記データバスは、前記信号線に対して直列に接続された可変インピーダンス素子を更に備え、
前記可変インピーダンス素子のインピーダンスは、前記データが転送される方向に応じて可変である請求項１記載のメモリシステム。
【請求項３】
双方向にデータを転送可能な信号線、及び前記信号線に対して直列に接続された可変インピーダンス素子を備えるデータバスと、
前記データの読み出し／書き込みが可能なメモリと
を備え、
前記信号線は、第１端及び第２端と、前記第１端と前記第２端との間から分岐する少なくとも一つの第３端とを有し、
前記可変インピーダンス素子は、前記第１端に接続し、
前記メモリは、前記信号線の前記少なくとも一つの第３端の各々に接続し、
前記可変インピーダンス素子のインピーダンスは、前記データが転送される方向に応じて可変であるメモリシステム。
【請求項４】
前記第１端には、前記メモリに対する書き込みデータの送信と、前記メモリからの読み出しデータの受信とを行うメモリコントローラが接続され、
前記書き込みの際には前記読み出しの際よりも、前記第１の終端可変抵抗の抵抗値が小さい、請求項１及び請求項２のいずれか一つに記載のメモリシステム。
【請求項５】
前記少なくとも一つの終端素子は、前記第１端に接続されて前記読み出し／書き込み動作に応じて異なる抵抗値を採る第２の終端可変抵抗を更に有する、請求項１，請求項２及び請求項４のいずれか一つに記載のメモリシステム。
【請求項６】
前記第１端には、前記メモリに対する書き込みデータの送信と、前記メモリからの読み出しデータの受信とを行うメモリコントローラが接続され、
前記書き込みの際には前記第２の終端可変抵抗の抵抗値を無限大にし、前記読み出しの際には前記第１の終端可変抵抗の抵抗値を無限大にする、請求項５記載のメモリシステム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載のメモリシステムは、双方向にデータを転送可能な信号線、及び前記信号線を終端する少なくとも一つの終端素子を備えるデータバスと、前記データの読み出し／書き込みが可能なメモリとを備え、前記信号線は、第１端及び第２端と、前記第１端と前記第２端との間から分岐する少なくとも一つの第３端とを有し、前記メモリは、前記少なくとも一つの第３端の各々に接続し、前記少なくとも一つの終端素子のインピーダンスは、前記データが転送される方向に応じて可変であり、前記少なくとも一つの終端素子は、前記第２端に接続されて前記読み出し／書き込み動作に応じて異なる抵抗値を採る第１の終端可変抵抗を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項２に記載のメモリシステムは、請求項１記載のメモリシステムにおいて、前記データバスは、前記信号線に対して直列に接続された可変インピーダンス素子を更に備え、
前記可変インピーダンス素子のインピーダンスは、前記データが転送される方向に応じて可変である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項３に記載のメモリシステムは、双方向にデータを転送可能な信号線、及び前記信号線に対して直列に接続された可変インピーダンス素子を備えるデータバスと、前記データの読み出し／書き込みが可能なメモリとを備え、前記信号線は、第１端及び第２端と、前記第１端と前記第２端との間から分岐する少なくとも一つの第３端とを有し、前記可変インピーダンス素子は、前記第１端に接続し、前記メモリは、前記信号線の前記少なくとも一つの第３端の各々に接続し、前記可変インピーダンス素子のインピーダンスは、前記データが転送される方向に応じて可変である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
請求項４に記載のメモリシステムは、請求項１及び請求項２のいずれか一つに記載のメモリシステムにおいて、前記第１端には、前記メモリに対する書き込みデータの送信と、前記メモリからの読み出しデータの受信とを行うメモリコントローラが接続され、前記書き込みの際には前記読み出しの際よりも、前記第１の終端可変抵抗の抵抗値が小さい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項５に記載のメモリシステムは、請求項１及び請求項２及び請求項４のいずれか一つに記載のメモリシステムにおいて、前記少なくとも一つの終端素子は、前記第１端に接続されて前記読み出し／書き込み動作に応じて異なる抵抗値を採る第２の終端可変抵抗を更に有する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項６に記載のメモリシステムは、請求項５記載のメモリシステムにおいて、前記第１端には、前記メモリに対する書き込みデータの送信と、前記メモリからの読み出しデータの受信とを行うメモリコントローラが接続され、前記書き込みの際には前記第２の終端可変抵抗の抵抗値を無限大にし、前記読み出しの際には前記第１の終端可変抵抗の抵抗値を無限大にする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
【発明の効果】
請求項１に記載のメモリシステムによれば、データが転送される方向に応じて終端素子のインピーダンスを異なる値に設定し、各方向でのデータの転送を適切に行うことができる。また、読み出しの際には第１の終端可変抵抗の抵抗値を大きくし、データを表す信号波形の振幅を大きくしてメモリコントローラの動作マージンを稼ぐ。他方、書き込みの際には第１の終端可変抵抗の抵抗値を小さくし、メモリに与えられる信号波形の歪みを抑制する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
請求項２に記載のメモリシステムによれば、データが転送される方向に応じて終端素子及び可変インピーダンス素子のインピーダンスを異なる値に設定し、各方向でのデータの転送を適切に行うことができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
請求項３に記載のメモリシステムによれば、データが転送される方向に応じて可変インピーダンス素子のインピーダンスを異なる値に設定し、各方向でのデータの転送を適切に行うことができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
請求項４に記載のメモリシステムによれば、請求項１及び請求項２のいずれか一つに記載のメモリシステムにおいて、読み出しの際には第１の終端可変抵抗の抵抗値を大きくし、データを表す信号波形の振幅を大きくしてメモリコントローラの動作マージンを稼ぐ。他方、書き込みの際には第１の終端可変抵抗の抵抗値を小さくし、メモリに与えられる信号波形の歪みを抑制する。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
請求項５に記載のメモリシステムによれば、請求項１、請求項２及び請求項４のいずれか一つに記載のメモリシステムにおいて、第２の終端可変抵抗の抵抗値が、書き込みの際と読み出しの際とで、その各々の動作に適した値を採ることで、当該メモリシステムは、読み出し、書き込みのいずれの動作においても、信頼性の高いデータの転送を可能とする。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
請求項６に記載のメモリシステムによれば、請求項５記載のデータバスにおいて、書き込み際には第２の終端可変抵抗の値を無限大にすることで第１の終端可変抵抗の抵抗値のみを機能させ、メモリに与えられるデータを表す信号波形の歪みを効果的に抑制する。他方、読み出しの際には第１の終端可変抵抗の値を無限大にすることで第２の終端可変抵抗の抵抗値のみを機能させ、メモリコントローラに与えられる波形の歪みを抑制する。