(57)【要約】      （修正有）【課題】温度等の環境条件が変化する場合でも、装置の落下による記録媒体および磁気ヘッドの損傷を確実に防止する。【解決手段】磁気ディスク装置は、記録媒体に対して情報の記録または再生を行う磁気ヘッドを通常時に記録媒体上から退避位置に退避させるときに要した退避エネルギーを計測するアンロードエネルギー計算部２４５と、計測された退避エネルギーと磁気ヘッドの退避時の自装置内の温度とを対にした情報を記憶するアンロードエネルギー結果情報２６１と、自装置が落下をしていることを検出する落下検出部と、自装置が落下をしていることが検出されたとき、アンロードエネルギー結果情報２６１から落下検出時の自装置内の温度に対応した退避エネルギーを検索する電流算出部２４２と、検索された退避エネルギーを利用して磁気ヘッドを退避位置に退避させるリトラクト実行部２４３と、を備える。【選択図】図５
2010146658.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に対して情報の記録または再生を行う磁気ヘッドを通常時に記録媒体上から退避位置に退避させるときに要した退避エネルギーを計測する計測手段と、
前記計測手段によって計測された退避エネルギーと前記磁気ヘッドの退避時の自装置内の温度とを対にした退避エネルギー結果情報を記憶する記憶手段と、
自装置が落下をしていることを検出する検出手段と、
前記検出手段によって自装置が落下をしていることが検出されたとき、前記記憶手段によって記憶された退避エネルギー結果情報から落下検出時の自装置内の温度に対応した退避エネルギーを検索する検索手段と、
前記検索手段によって検索された退避エネルギーを利用して、前記磁気ヘッドを退避位置に退避させる退避手段と、
を備えたことを特徴とする磁気ヘッドの制御装置。
【請求項２】
情報を記録する記録媒体と、
前記記録媒体に対して情報の記録または再生を行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを通常時に前記記録媒体上から退避位置に退避させるときに要した退避エネルギーを計測する計測手段と、
前記計測手段によって計測された退避エネルギーと前記磁気ヘッドの退避時の自装置内の温度とを対にした退避エネルギー結果情報を記憶する記憶手段と、
自装置が落下をしていることを検出する検出手段と、
前記検出手段によって自装置が落下をしていることが検出されたとき、前記記憶手段によって記憶された退避エネルギー結果情報から落下検出時の自装置内の温度に対応した退避エネルギーを検索する検索手段と、
前記検索手段によって検索された退避エネルギーを利用して、前記磁気ヘッドを退避位置に退避させる退避手段と、
を備えたことを特徴とする記憶装置。
【請求項３】
前記記憶手段は、
自装置内の温度に応じて異なる退避エネルギーの基準値を自装置内の温度に対応させて記憶する退避エネルギー基準値記憶手段を含むことを特徴とする請求項２に記載の記憶装置。
【請求項４】
前記記憶手段は、
前記計測手段によって計測された退避エネルギーと、前記退避エネルギー基準値記憶手段によって記憶された自装置内の温度に対応した退避エネルギーの基準値と、の差分から求められる、前記磁気ヘッドを退避位置に退避させる電流の自装置固有の補正値を記憶する電流補正値記憶手段を含み、
前記電流補正値記憶手段によって記憶された補正値を前記検索手段によって検索された退避エネルギーに対応する電流値に加算して電流値を補正する補正手段をさらに備え、
前記退避手段は、
前記補正手段によって補正された電流値の電流を印加して、前記磁気ヘッドを退避位置に退避させることを特徴とする請求項３に記載の記憶装置。
【請求項５】
前記計測手段によって計測された退避エネルギーが、異常であるか否かを判定する判定手段をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の記憶装置。
【請求項６】
前記判定手段は、
前記計測手段によって退避エネルギーが計測された際の前記磁気ヘッドの退避に要した時間が、所定の基準時間以上か否かを判定し、前記磁気ヘッドの退避に要した時間が所定の基準時間以上であるとき異常であることを判定することを特徴とする請求項５に記載の記憶装置。
【請求項７】
前記計測手段は、
自装置内の温度と、前記退避エネルギー結果情報に含まれる最新の退避エネルギーに対応する温度と、の差分が所定の温度以上であるとき、退避エネルギーを計測し、
前記判定手段は、
前記計測手段によって計測された退避エネルギーが、前記退避エネルギー基準値記憶手段によって記憶された退避エネルギーの基準値のうち自装置内の温度に対応する基準値以上であるか否かを判定することを特徴とする請求項５に記載の記憶装置。
【請求項８】
前記判定手段によって判定した結果、前記計測手段によって計測された退避エネルギーが異常であるとき、前記計測手段によって計測された退避エネルギーと前記退避エネルギー基準値記憶手段によって記憶された自装置内の温度に対応した退避エネルギーの基準値との差分から、磁気ヘッドを退避位置に退避させる電流の自装置固有の補正値を再生成する再生成手段と、をさらに備え、
前記電流補正値記憶手段は、
前記再生成手段によって再生成された電流の補正値を記憶することを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか１つに記載の記憶装置。
【請求項９】
記録媒体に対して情報の記録または再生を行う磁気ヘッドを正常時に記録媒体上から退避位置に退避させるときに要した退避エネルギーを計測する計測工程と、
前記計測工程において計測された退避エネルギーと前記磁気ヘッドの退避時の自装置内の温度とを対にした退避エネルギー結果情報を記憶する記憶工程と、
自装置が落下をしていることを検出する検出工程と、
前記検出工程において自装置が落下をしていることが検出されたとき、前記記憶工程において記憶された退避エネルギー結果情報から落下検出時の自装置内の温度に対応した退避エネルギーを検索する検索工程と、
前記検索工程において検索された退避エネルギーを利用して、前記磁気ヘッドを退避位置に退避させる退避工程と、
を含むことを特徴とする磁気ヘッドの制御方法。
【請求項１０】
記録媒体に対して情報の記録または再生を行う磁気ヘッドを通常時に記録媒体上から退避位置に退避させるときに要した退避エネルギーを計測する計測工程と、
自装置内の温度に応じて異なる退避エネルギーの基準値を自装置内の温度に対応させて記憶する退避エネルギー基準値記憶工程と、
前記計測工程において計測された退避エネルギーと、前記退避エネルギー基準値記憶工程において記憶された自装置内の温度に対応した退避エネルギーの基準値と、の差分から求められる、磁気ヘッドを退避位置に退避させる電流の自装置固有の補正値を記憶する電流補正値記憶工程と、
を含むことを特徴とする記憶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ヘッドの制御装置、記憶装置、磁気ヘッドの制御方法および記憶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、磁気ディスク装置では、稼動停止時に、磁気ディスクと当該磁気ディスク上を浮動する磁気ヘッドとが接触しないように、磁気ディスク上から磁気ヘッドを退避させる動作を行うアンロード機構を設けることが知られている。
【０００３】
ここで、図１９を参照して磁気ディスク装置のアンロード機構について説明する。図１９は、磁気ディスク装置の全体を示す図である。図１９に示すように、磁気ディスク装置には、記録媒体の最外周の近傍にランプと呼ばれる傾斜部材が配置され、記録媒体の回転を停止させる際には、サスペンションに支持された磁気ヘッドがランプに乗り上げて退避する。このアンロード機構が耐衝撃性を実現し、例えば携帯型ノートパソコン向けの磁気ディスク装置等に多く用いられている。
【０００４】
このアンロード機構を用いる磁気ディスク装置の電源が突然切断されるときは、惰性回転する記録媒体のスピンドルモータから得られる逆起電力が発生するため、発生した逆起電力を利用して、アンロード動作が行われる。このとき、磁気ディスク装置は、磁気ディスク装置の温度に対応した磁気ヘッドのシーク動作時の電圧の値を利用して、アンロード動作を実行する技術が開示されている。
【０００５】
また、アンロード動作の実行回数が増加すると、ランプの表面が粗面化して摩擦抵抗等が増加するため、アンロード動作を実現するために必要なエネルギー（以降、アンロードエネルギーという。）は増加する傾向にあることが知られている。
【０００６】
さらに、アンロード動作の実行回数が増加してランプの表面が磁気ヘッドとの摩擦により粗面化したとき、磁気ヘッドを記録媒体上からランプに退避させるアンロードエネルギーと電源が切断された時の逆起電力とを比較してアンロード動作が確実に行われるか否かを判別する技術が開示されている。
【０００７】
このようなアンロード機構を持った磁気ディスク装置が、稼動中に例えば加速度センサにより落下していることを検知したとき、記録媒体上から磁気ヘッドを緊急退避させるアンロード動作（以降、「リトラクト制御」という。）の技術が知られている。
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−１５５４５５号公報
【特許文献２】特開２００６−３２３９３０号公報
【特許文献３】特開２００６−１１４１５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、稼動中の磁気ディスク装置が落下するとき、固定のリトラクト制御を行っていたのでは、磁気ディスク装置の温度およびランプの磨耗によってアンロードエネルギーが変化するため、磁気ヘッドをランプに退避できずに、記録媒体および磁気ヘッドを損傷してしまうという問題があった。
【００１０】
すなわち、磁気ディスク装置の温度の変化によってランプの摩擦が増減したり、アンロード回数の増加によってランプの磨耗が生じたりするとアンロードエネルギーが変化するため、磁気ディスク装置が落下するとき固定のアンロードエネルギーを使ってリトラクト制御を行おうとしても、磁気ヘッドを確実に退避できない場合がある。その結果、磁気ディスク装置は、磁気ヘッドが記録媒体に接触等すると、記録媒体および磁気ヘッドが損傷して、その後データを読み出せなくなり、正常な動作をすることができなくなる。
【００１１】
特に、小型磁気ディスク装置は、数多くのノートパソコンに実装され携帯されることが多いため、誤って落とされてしまうことがあり、その場合であっても落下後の動作が保障される必要がある。また、ノートパソコンに実装された小型磁気ディスク装置は、屋外等の様々な環境下で使用されるため、温度の急激な変化および極低温から極高温（−４０℃〜８５℃）における動作が保障される必要がある。
【００１２】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、温度等の環境条件が変化する場合でも、装置の落下による記録媒体および磁気ヘッドの損傷を確実に防止することができる磁気ヘッドの制御装置、記憶装置、磁気ヘッドの制御方法および記憶装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述した問題を解決し、目的を達成するために、磁気ヘッドの制御装置は、記録媒体に対して情報の記録または再生を行う磁気ヘッドを通常時に記録媒体上から退避位置に退避させるときに要した退避エネルギーを計測する計測手段と、前記計測手段によって計測された退避エネルギーと前記磁気ヘッドの退避時の自装置内の温度とを対にした退避エネルギー結果情報を記憶する記憶手段と、自装置が落下をしていることを検出する検出手段と、前記検出手段によって自装置が落下をしていることが検出されたとき、前記記憶手段によって記憶された退避エネルギー結果情報から落下検出時の自装置内の温度に対応した退避エネルギーを検索する検索手段と、前記検索手段によって検索された退避エネルギーを利用して、前記磁気ヘッドを退避位置に退避させる退避手段と、を備えた構成を採る。
【００１４】
かかる構成によれば、磁気ヘッドの制御装置は、自装置が落下をしていることが検出されたとき、落下検出時の温度に対応したアンロードエネルギーを知ることができるため、落下検出時のランプの磨耗および温度によって変化するランプの摩擦を考慮したリトラクト制御を確実に行うことができる。その結果、磁気ヘッドの制御装置は、落下中に磁気ヘッドをランプに確実に退避することができるため、落下の衝撃に耐えることができることとなり、磁気ヘッドおよび記録媒体の損傷を防止することができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上により、磁気ヘッドの制御装置、記憶装置、磁気ヘッドの制御方法および記憶装置の製造方法は、温度等の環境条件が変化する場合でも、装置の落下による記録媒体および磁気ヘッドの損傷を確実に防止することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下に、本発明にかかる磁気ヘッドの制御装置、記憶装置、磁気ヘッドの制御方法および記憶装置の製造方法の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本実施例の形態では、記憶装置の一例として、磁気ディスク装置（ハードディスク装置：ＨＤＤ）に適用した場合を例にとって説明するが、本実施例によりこの発明が限定されるものではない。また、本実施例では、磁気ディスク装置の正常時に行われるアンロードのことを「通常アンロード」といい、磁気ディスク装置の落下時に行われるアンロードのことを「リトラクト」というものとする。
【実施例１】
【００１７】
図１は、実施例１に係る磁気ディスク装置の全体構成の一例を示す図である。図１に示すように、磁気ディスク装置１は、記憶媒体１０と、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ：Voice Coil Motor）１１と、アクチュエータ１２と、ヘッド１３と、ランプ１４と、プリアンプ１５と、リードチャネル１６と、ＭＣＵ（Micro Controller Unit）１７と、ハードディスクコントローラ１８と、ＳＰＭ駆動回路１９と、ＤＣモータ２０と、ＶＣＭ駆動回路２１と、落下センサ２２と、アンロード制御部２３と、リトラクト制御部２４と、温度センサ２５と、ＲＡＭ２６と、を備える。
【００１８】
記録媒体１０は、金属またはガラス製の円盤（ディスク）状の基板に磁性膜を形成した記録媒体である。なお、記録媒体１０には、アンロードシリンダ（Unload Cylinder）が設定されている。磁気ディスク装置１がヘッド１３をランプ１４に退避させる場合には、一旦、記録媒体１０に設定されたアンロードシリンダにヘッド１３を移動させた後に、ヘッド１３をランプ１４に退避させる。
【００１９】
ＶＣＭ１１は、磁界中のコイルにアクチュエータ制御電流を流すことによって発生する力により、アクチュエータ１２の先端にあるヘッド１３の回転変位（トルク）を発生させるモータである。すなわち、ＶＣＭ１１は、通常アンロードを行うために必要なアクチュエータ制御電流をアンロード制御部２３から印加されると、アクチュエータ１２の回転方向、回転位置および回転速度を制御してヘッド１３を移動させ、回転変位に応じて発生する逆起電圧を増幅して逆起電圧をアンロード制御部２３に出力する。また、ＶＣＭ１１は、リトラクトを行うために必要な制御電流（以降、フィードフォワード電流という。）をリトラクト制御部２４から印加されると、アクチュエータ１２の回転方向、回転位置および回転速度を制御して、ヘッド１３を移動させる。さらに、ＶＣＭ１１は、記録媒体１０に対して読み書きするために必要な制御電流をＶＣＭ駆動回路２１から印加されると、アクチュエータ１２の回転方向、回転位置および回転速度を制御して、ヘッド１３を移動させる。
【００２０】
アクチュエータ１２は、ＶＣＭ１１の制御にしたがって揺動し、先端にあるヘッド１３を移動させる。
【００２１】
ヘッド１３は、記録媒体１０に対するデータの記録および再生を行う装置である。すなわち、ヘッド１３は、磁気データおよびサーボ情報を記録媒体１０から読み込み、読み込んだ磁気データをデータ信号として、読み込んだサーボ情報をサーボ信号として、プリアンプ１５を介してリードチャネル１６に出力する。また、ヘッド１３は、アンロード時にアクチュエータ１２の揺動に基づいて移動し、ランプ１４に退避する。
【００２２】
ランプ１４は、アンロード時に退避するヘッド１３を停止させる部品であり、ヘッド１３の移動範囲且つ記録媒体１０の外周部近傍に設置されている。ここで、ヘッド１３が記録媒体１０からランプ１４に退避するアンロード動作について、図２を参照して説明する。図２に示すように、ランプ１４は、傾斜部分のスロープ部１４ａとヘッド１３の停止部分のパーキング部１４ｂとを備えている。アンロード動作は、アクチュエータ１２を記録媒体１０の外側に回動させ、アクチュエータ１２の先端にあるヘッド１３がスロープ部１４ａに乗り上げることにより記録媒体１０から離間させ、パーキング部１４ｂの位置で停止させる。このスロープ部１４ａは、アンロード回数の増加によってランプ１４の表面が磨耗したり、スロープ部１４ａの温度の低下によってヘッド１３との摩擦が増加したりする。この場合、ヘッド１３がスロープ部１４ａを上るときに要するエネルギーが大きくなる。
【００２３】
プリアンプ１５は、ヘッド１３から取得したデータ信号およびサーボ信号を増幅して、リードチャネル１６に送出する。
【００２４】
リードチャネル１６は、プリアンプ１５からサーボ信号およびデータ信号を取得し、取得したデータ信号を復調する。そして、リードチャネル１６は、復調したデータとサーボ信号をＭＣＵ１７に出力する。
【００２５】
ＭＣＵ１７は、サーボコントローラ１７ａとアンロード指示部１７ｂと落下検出部１７ｃとを備える。サーボコントローラ１７ａは、リードチャネル１６からデータとサーボ信号を取得すると、記録媒体１０を回転させるスピンドルモータを駆動するＳＰＭ駆動回路１９およびＶＣＭ１１を駆動するＶＣＭ駆動回路２１を制御する。また、サーボコントローラ１７ａは、リードチャネル１６から取得したデータをハードディスクコントローラ１８に出力する。
【００２６】
アンロード指示部１７ｂは、通常アンロードを行う旨の指示（以降、「通常アンロード指示」という。）をハードディスクコントローラ１８から取得したとき、ＶＣＭ駆動回路２１に通常アンロード指示を出力する。また、アンロード指示部１７ｂは、消費電力を低減するためパワースタンバイ状態に移行するとき、ＶＣＭ駆動回路２１に通常アンロード指示を出力する。
【００２７】
落下検出部１７ｃは、落下センサ２２から落下検出信号を取得すると、ＶＣＭ駆動回路２１にリトラクトを行う旨の指示（以降、「リトラクト指示」という。）を出力する。
【００２８】
ハードディスクコントローラ１８は、上位のホストとの間で情報の授受を制御する。すなわち、ハードディスクコントローラ１８は、サーボコントローラ１７ａからデータを取得すると、取得されたデータをホスト２に出力する。また、ハードディスクコントローラ１８は、ホスト２からアイドルモードへの移行コマンドである通常アンロード指示を取得したとき、取得された通常アンロード指示をアンロード指示部１７ｂに出力する。
【００２９】
ＳＰＭ駆動回路１９は、サーボコントローラ１７ａから制御信号を取得すると、制御信号に対する制御電流をＤＣモータ２０に出力する。
【００３０】
ＤＣモータ２０は、直流電源で回転するモータであり、ＳＰＭ駆動回路１９から制御電流を取得すると、取得された制御電流をスピンドルモータに出力する。
【００３１】
ＶＣＭ駆動回路２１は、アンロード指示部１７ｂから通常アンロード指示を取得すると、取得された通常アンロード指示をアンロード制御部２３に出力する。また、ＶＣＭ駆動回路２１は、落下検出部１７ｃからリトラクト指示を取得すると、取得されたリトラクト指示をリトラクト制御部２４に出力する。また、ＶＣＭ駆動回路２１は、サーボコントローラ１７ａから制御信号を取得すると、取得された制御信号に基づいて記録媒体１０に対して読み書きするために、制御電流をＶＣＭ１１に印加する。
【００３２】
落下センサ２２は、磁気ディスク装置１が落下すると、磁気ディスク装置１が落下していることを検出し、落下を検出したことを示す落下検出信号を落下検出部１７ｃに出力する。
【００３３】
アンロード制御部２３は、ＶＣＭ駆動回路２１から通常アンロード指示を取得すると、アクチュエータ制御電流を図示しないＶＣＭドライバ回路を介してＶＣＭ１１に印加する。そして、アンロード制御部２３は、アクチュエータ制御電流をＶＣＭ１１に印加した結果発生した逆起電圧を取得して、逆起電圧をヘッド１３の移動速度に換算する。そして、アンロード制御部２３は、換算された速度が所定の目標速度に一致するように、さらにアクチュエータ制御電流を増減させてＶＣＭ１１に印加して、印加した結果発生した逆起電圧を取得して、逆起電圧をヘッド１３の移動速度に換算する制御を繰り返し行う（閉ループ制御）。この所定の目標速度は、例えばヘッド１３がスロープ部１４ａを上ることができるようにあらかじめ実験等で調べられ設定されている。ところが、ランプ１４の磨耗およびアンロード時のランプ１４の温度によってヘッド１３がスロープ部１４ａを上る速度が低下する場合があるため、アクチュエータ制御電流値を補正してＶＣＭ１１に印加してヘッド１３が所定の目標速度に一致するように閉ループ制御が行われる。
【００３４】
閉ループ制御と並行して、アンロード制御部２３は、換算された速度とＶＣＭ１１に印加したアクチュエータ制御電流値とから、ヘッド１３がスロープ部１４ａを移動する距離（以降、「スロープ移動距離」という。）分のアンロードエネルギーを算出する。ここで、アンロードエネルギーとは、例えばヘッド１３がスロープ部１４ａを上り始めてから上り終わるまでに要するエネルギーをいうものとする。アンロード制御部２３がアンロードエネルギーを算出するのは、ヘッド１３がスロープ部１４ａを移動するときに、最もエネルギーを要するからである。そして、アンロード制御部２３は、算出したアンロードエネルギーと温度センサ２５によって取得された温度とを対にしたアンロードエネルギー結果情報をＲＡＭ２６に格納する。このアンロードエネルギー結果情報は、後述するリトラクト制御部２４によって利用される。なお、アンロード制御部２３の具体的構成については、後に詳述する。
【００３５】
リトラクト制御部２４は、ＶＣＭ駆動回路２１からリトラクト指示を取得すると、リトラクト制御を行うときの温度に対応するアンロードエネルギーと、スロープ移動距離と、から算出される電流値をリトラクト制御回路に印加する。すなわち、リトラクト制御部２４は、リトラクト制御を行うときの温度を温度センサ２５から取得し、アンロードエネルギー結果情報から当該温度に対応する直近のアンロードエネルギーを検索する。そして、リトラクト制御部２４は、検索されたアンロードエネルギーとスロープ移動距離とから、ヘッド１３がスロープ部１４ａを上りきるための速度に対応する電流値（フィードフォワード電流値）を算出する。このとき、リトラクト制御部２４は、算出された電流値と所定の目標速度に対応する電流値とを比較して、所定の目標速度に対応する電流値が算出された電流値より大きいときは、所定の目標速度に対応する電流値をフィードフォワード電流値にする。算出された電流値をフィードフォワード電流値にすると、所定の目標速度がでないためである。そして、リトラクト制御部２４は、フィードフォワード電流値を用いてリトラクト制御を行う。
【００３６】
ここで、所定の目標速度は、磁気ディスク装置１が落下中の所定の時間内にアンロードを完了することができるようにあらかじめ実験等で調べられ設定されている。この所定の時間は、落下中にアンロードを完了する必要があるため、通常アンロードに要する時間より短いが、電源が突然切断された場合等の緊急時のアンロードに要する時間より長い時間である。所定の時間が、緊急時のアンロードに要する時間より長いのは、緊急時のアンロードのようにヘッド１３の速度を速くしすぎることによって生じるランプ１４の磨耗を生じないようにするためである。なお、リトラクト制御部２４の具体的構成およびリトラクト制御の動作については、後に詳述する。
【００３７】
温度センサ２５は、磁気ディスク装置１内の温度を検知して、検知した温度をアンロード制御部２３およびリトラクト制御部２４に出力する。例えば、温度センサ２５は、記録媒体１０の外周のランプ１４の近傍に配置され、ランプ１４の表面温度と同一の温度を検知する。
【００３８】
ＲＡＭ（Random Access Memory）２６は、それぞれのアンロード時に使用されたアンロードエネルギーに、アンロード時の温度とアンロード時の時刻とを対応づけたアンロードエネルギー結果情報を保持する。
【００３９】
図３は、実施例１に係るアンロード制御部２３の構成を示す機能ブロック図である。図３に示すように、アンロード制御部２３は、コントロール制御部２３１と、逆起速度換算部２３２と、位置計算部２３３と、アンロードエネルギー計算部２３４と、アンロードエネルギー判定部２３５と、を備える。なお、参考のために、ＶＣＭ回路１１ａと逆起電圧アンプ１１ｂとを図示している。
【００４０】
ＶＣＭ回路１１ａは、コントロール制御部２３１からアクチュエータ制御電流を取得すると、コイルにアクチュエータ制御電流を印加して、逆起電圧を発生させる。
【００４１】
逆起電圧アンプ１１ｂは、ＶＣＭ回路１１ａが発生させた逆起電圧を増幅して、増幅された逆起電圧を逆起速度換算部２３２に出力する。
【００４２】
コントロール制御部２３１は、ＶＣＭ駆動回路２１から通常アンロード指示を取得すると、目標速度２３１ａに対応するアクチュエータ制御電流をＶＣＭ回路１１ａに印加する。また、コントロール制御部２３１は、逆起速度換算部２３２によって逆起電圧が換算されて得られた速度を取得して、取得された速度が目標速度に一致するようにアクチュエータ制御電流をＶＣＭ回路１１ａに印加する。すなわち、コントロール制御部２３１は、逆起電圧が換算されて得られた速度が目標速度に一致するように、後述する逆起速度換算部２３２との間で閉ループ制御を行う。
【００４３】
コントロール制御部２３１は、閉ループ制御と並行して、ＶＣＭ回路１１ａに印加したアクチュエータ制御電流の値をアンロードエネルギー計算部２３４に出力する。このとき、コントロール制御部２３１は、エネルギーを計算する単位時間を示すサンプリング時間を位置計算部２３３に出力する。
【００４４】
逆起速度換算部２３２は、逆起電圧アンプ１１ｂから逆起電圧を取得すると、取得された逆起電圧を速度に換算する。ここで、ＶＣＭ１１は、磁界中のコイルに電流を印加することによって発生する力でヘッド１３を駆動するモータであるため、ヘッド１３の移動速度は、ＶＣＭ１１が制御することによって発生する逆起電圧と比例する関係にある。したがって、逆起電圧は、逆起速度換算部２３２によって、ヘッド１３が移動する速度に換算される。そして、逆起速度換算部２３２は、換算された速度を位置計算部２３３およびコントロール制御部２３１に通知する。
【００４５】
位置計算部２３３は、逆起速度換算部２３２から速度を取得すると、速度をコントロール制御部２３１から出力されるサンプリング時間ごとに積分して、ヘッド１３の移動距離を算出して、移動距離をアンロードエネルギー計算部２３４に通知する。
【００４６】
アンロードエネルギー計算部２３４は、位置計算部２３３から移動距離を取得すると、ヘッド１３が移動距離分移動するのに要した電流値（アクチュエータ制御電流値）を使用して、サンプリング時間ごとのエネルギーの値を算出する。
【００４７】
すなわち、通常アンロード時のヘッド１３の移動に要するエネルギーＥは、以下の式（１）で表される。
Ｅ＝（（ＢＬ×Ｉ）／９．８）×ｘ・・・・・（１）
ただし、ＢＬはＶＣＭ１１に固有の力定数［単位：ｋｇｆ・ｍｍ］、Ｉはアクチュエータ制御電流［単位：アンペア］、ｘはヘッド１３の移動距離［単位：ｍｍ］であるものとする。
【００４８】
そして、アンロードエネルギー計算部２３４は、距離ｘを移動するのに要した所要電流値Ｉ（アクチュエータ制御電流）を、ヘッド１３がランプ１４を上りきるスロープ移動距離だけを移動するまで、サンプリング時間ごとに、以下の式（２）のように積算することによって、アンロードエネルギーｙ（ｎ）を算出する。
ｙ（ｎ）＝Ｉ（ｎ−１）×ｘ＋ｙ（ｎ−１）・・・・・（２）
ただし、ｎは、ヘッド１３がスロープ１４ａを上り始めてから上り終わるまでのサンプリング数である。
【００４９】
ここで、アンロードエネルギー計算部２３４がアンロードエネルギーを計算する方法を、図４を参照して説明する。図４は、アンロードエネルギーの計算方法を示す図である。図４に示すように、ヘッド１３がランプ１４のスロープ部１４ａを上り始めてから上り終わるまでの移動距離であってサンプリング時間ごとに移動する移動距離が表されている。すなわち、基準位置ｘ０をアンロード開始点として、ヘッド１３が位置ｘ０から位置ｘ１までに移動する間に要した電流と、その間の移動距離Ｌ１とによって、Ｌ１の移動に要したエネルギー相当値を算出する。同様に、ヘッド１３が位置ｘ１から位置ｘ２までに移動する間に要した電流と、その間の移動距離Ｌ２とによって、Ｌ２の移動に要したエネルギー相当値を算出する。そして、ヘッド１３が移動距離Ｌ１を移動するのに要したエネルギー相当値とヘッド１３が移動距離Ｌ２を移動するのに要したエネルギー相当値を積算して、アンロードエネルギーが算出される。なお、図４の例では、ヘッド１３がランプ１４を上りきるまでのサンプリング数を２つとしたが、アンロードエネルギー計算部２３４は、サンプリング時間を短くしてサンプリング数を多くすれば、アンロードエネルギーをより正確に算出することができる。
【００５０】
図３に戻って、アンロードエネルギー計算部２３４は、温度センサ２５から現在の温度を取得する。そして、アンロードエネルギー計算部２３４は、算出したアンロードエネルギーに現在の温度と現在の時刻とを対応づけて、アンロードエネルギー結果情報２６１をＲＡＭ２６に格納する。
【００５１】
なお、位置計算部２３３およびアンロードエネルギー計算部２３４は、通常アンロードの制御と並行して動作可能なため、アンロード動作ごとに、常にアンロードエネルギーを算出して、アンロードエネルギー結果情報２６１をＲＡＭ２６に格納することができる。
【００５２】
アンロードエネルギー判定部２３５は、アンロードエネルギーが異常であるか否かを判定する。例えばアンロードエネルギー判定部２３５は、アンロードエネルギー計算部２３４によって計算されたアンロードエネルギーとあらかじめ定められたアンロードエネルギーの異常判定閾値とを比較して、アンロードエネルギーが異常判定閾値を超えたとき、ホスト２に警告を出力する。ここで、異常判定閾値は、ランプ１４の表面の粗面化やランプ１４の表面温度の低下によってアンロードエネルギーが増加することを勘案してあらかじめ実験等で調べられ設定される。なお、ホスト２とアンロード制御部２３との間には、ハードディスクコントローラ１８およびＭＣＵ１７が接続されているが、図示は省略する。
【００５３】
アンロードエネルギー判定部２３５は、例えばＳＭＡＲＴ（Self Monitoring Analysis and Reporting Technology）を使用する。その場合、ＳＭＡＲＴの検査項目にアンロードエネルギーの項目があらかじめ設定される。また、アンロードエネルギーをアンロード回数に換算して既存の検査項目であるアンロード回数に反映させても良い。なお、アンロードエネルギー判定部２３５は、ＳＭＡＲＴを使用するものとしたが、ホスト２から判定要求の指示がされたとき、アンロードエネルギーが異常であるか否かを判定しても良い。これにより、アンロードエネルギー判定部２３５は、ランプ１４の摩擦等が異常になっているものを磁気ディスク装置１の製造時点で排除することができ、一般的に６００Ｋ回のアンロード回数を保障されない装置が出荷されるのを防止することができる。
【００５４】
図５は、実施例１に係るリトラクト制御部の構成を示す機能ブロック図である。図５に示すように、リトラクト制御部２４は、コントロール制御部２４１と、電流算出部２４２と、リトラクト実行部２４３と、位置計算部２４４と、アンロードエネルギー計算部２４５と、アンロードエネルギー判定部２４６と、を備える。
【００５５】
コントロール制御部２４１は、ＶＣＭ駆動回路２１からリトラクト指示を取得すると、目標速度２４１ａに対応するアクチュエータ制御電流の値を電流算出部２４２に出力する。そして、コントロール制御部２４１は、目標速度２４１ａおよびエネルギーを計算する単位時間を示すサンプリング時間を位置計算部２４４に出力する。なお、目標速度２４１ａは、目標速度２３１ａよりも速いものとする。リトラクト制御に要する時間は、通常アンロードに要する時間よりも短いためである。
【００５６】
電流算出部２４２は、現在の温度に対応するアンロードエネルギーとスロープ移動距離とから、ヘッド１３がスロープ１４ａを上りきるための電流値（フィードフォワード電流値）を算出する。すなわち、電流算出部２４２は、温度センサ２５から現在の温度を取得して、アンロードエネルギー結果情報２６１から当該温度に対応する直近のアンロードエネルギーを検索する。そして、電流算出部２４２は、前述したアンロードエネルギーの算出式（１）に、スロープ移動距離および検索されたアンロードエネルギーを代入して、目標速度２４１ａを出させるための平均の電流値を算出する。さらに、電流算出部２４２は、算出された電流値とコントロール制御部２４１から取得されたアクチュエータ制御電流の値とを比較して、算出された電流値が大きいときは当該電流値をフィードフォワード電流値とし、算出された電流値が小さいときはアクチュエータ制御電流の値をフィードフォワード電流値とする。そして、電流算出部２４２は、フィードフォワード電流値の電流をリトラクト実行部２４３に印加する。
【００５７】
リトラクト実行部２４３は、電流算出部２４２からフィードフォワード電流を取得すると、ヘッド１３がランプ１４を一定の目標速度２４１ａで上るようにフィードフォワード電流を用いてリトラクト制御を行う。なお、リトラクト実行部２４３は、通常アンロードと異なり速度をコントロール制御部２４１にフィードバックしない。
【００５８】
ここで、リトラクト実行部２４３のリトラクト制御方法の一例を、図８を参照して説明する。図８は、リトラクト制御で使用する電流の強さと時間との関係を示す図である。図８に示すように、フィードフォワード電流は、加速フィードフォワード電流と減速フィードフォワード電流と押し付けフィードフォワード電流とクランプフィードフォワード電流とから構成される。具体的には、リトラクト実行部２４３は、加速フィードフォワード電流をＶＣＭ１１に印加しヘッド１３の速度が目標速度２４１ａとなるようにランプ１４方向に加速させ、ヘッド１３をランプ１４のスロープ部１４ａを上りきるように制御する。この加速フィードフォワード電流が、電流算出部２４２から取得されるフィードフォワード電流である。そして、リトラクト実行部２４３は、ヘッド１３がランプ１４のスロープ部１４ａを上った時点で減速フィードフォワード電流によってヘッド１３を減速させる。そして、リトラクト実行部２４３は、ヘッド１３がランプ１４のパーキング部１４ｂに衝突する付近では、押し付けフィードフォワード電流によってヘッド１３が跳ね返らないようにする。また、リトラクト実行部２４３は、ランプ１４にヘッド１３が上りきれない場合に備えて、クランプフィードフォワード電流を出力し、確実にランプ１４に戻す。
【００５９】
このようにして、リトラクト実行部２４３は、通常アンロード時に求めた現在の温度に対応する直近のアンロードエネルギーから算出されたフィードフォワード電流値を変化させて目標速度２４１ａにするリトラクト制御を行っているため、ヘッド１３はスロープ部１４ａを確実に上ることができる。すなわち、リトラクト実行部２４３は、通常アンロード時に求めた現在の温度に対応する直近のアンロードエネルギーから算出されたフィードフォワード電流値を使えば、現在の温度が常温（例えば２５℃）より低い場合ランプ１４の摩擦が増しても、あるいは、ランプ１４に磨耗があっても、ヘッド１３はスロープ部１４ａを確実に上ることができることになる。また、リトラクト実行部２４３は、フィードフォワード電流値を変化させて目標速度２４１ａにしているため、所定の時間内にリトラクト制御を完了することができる。
【００６０】
図５に戻って、リトラクト実行部２４３は、ＶＣＭ１１に印加する電流値をアンロードエネルギー計算部２４５に出力する。
【００６１】
位置計算部２４４は、コントロール制御部２４１から目標速度２４１ａおよびサンプリング時間を取得すると、目標速度２４１ａとサンプリング時間とを乗算してヘッド１３の移動距離を算出する。そして、位置計算部２４４は、移動距離信号値をアンロードエネルギー計算部２４５に出力する。
【００６２】
アンロードエネルギー計算部２４５は、位置計算部２４４から移動距離信号値を取得すると、リトラクト実行部２４３から電流値を取得して、アンロードエネルギーの値を算出する。このアンロードエネルギーの算出方法は、アンロード制御部２３のアンロードエネルギー計算部２３４と同様であるため、説明は省略する。
【００６３】
アンロードエネルギー判定部２４６は、アンロードエネルギー計算部２４５によって計算されたアンロードエネルギーとあらかじめ定められたアンロードエネルギーの異常判定閾値とを比較して、アンロードエネルギーが異常判定閾値を超えたとき、ホスト２に警告を出力する。なお、ホスト２とリトラクト制御部２４との間には、ハードディスクコントローラ１８およびＭＣＵ１７が接続されているが、図示は省略する。また、アンロードエネルギー判定部２４６は、アンロードエネルギー判定部２３５と動作が同様であるため、説明は省略する。
【００６４】
次に、実施例１に係るアンロード制御部の動作を、図６を参照して説明する。図６は、実施例１に係るアンロード制御部の動作を示すフローチャートである。
【００６５】
例えば、ＭＣＵ１７のアンロード指示部１７ｂは、パワースタンバイ状態に移行するとき、ＶＣＭ駆動回路２１を介してアンロード制御部２３に通常アンロード指示を出力する。コントロール制御部２３１は、ＶＣＭ駆動回路２１から通常アンロード指示を取得する（Ｓ１１０）。
【００６６】
すると、コントロール制御部２３１は、逆起速度換算部２３２との間で閉ループ制御を行い、通常アンロードを行う（Ｓ１２０）。このとき、コントロール制御部２３１は、位置計算部２３３に対してサンプリング時間を出力し、アンロードエネルギー計算部２３４に対してＶＣＭ回路１１ａに印加した電流の値を出力する。そして、逆起速度換算部２３２は、通常アンロード中に逆起電圧アンプ１１ｂから出力される逆起電圧を取得して速度に換算し、位置計算部２３３に対して速度を通知する。
【００６７】
また、この通常アンロードと並行して、位置計算部２３３は、閉ループ制御が行われる際に逆起速度換算部２３２から通知される速度とコントロール制御部２３１から出力されるサンプリング時間を取得して、速度をサンプリング時間ごとに積分して、移動距離を算出する（Ｓ１３０）。そして、位置計算部２３３は、移動距離をアンロードエネルギー計算部２３４に通知する。
【００６８】
移動距離を位置計算部２３３から取得したアンロードエネルギー計算部２３４は、移動距離とコントロール制御部２３１から出力された電流の値とを取得して、エネルギーを算出する（Ｓ１４０）。
【００６９】
引き続き、アンロードエネルギー計算部２３４は、ヘッド１３がスロープ移動距離を移動したか否かを判定する（Ｓ１５０）。
【００７０】
ヘッド１３がスロープ移動距離を移動していない場合には（Ｓ１５０Ｎｏ）、さらに位置計算部２３３が移動距離を算出して、アンロードエネルギー計算部２３４がエネルギーを算出する。
【００７１】
一方、ヘッド１３がスロープ移動距離を移動した場合には（Ｓ１５０Ｙｅｓ）、アンロードエネルギー計算部２３４は、算出したそれぞれのエネルギーを積算してアンロードエネルギーを算出する（Ｓ１６０）。
【００７２】
また、アンロードエネルギー計算部２３４は、温度センサ２５から現在の温度を取得する（Ｓ１７０）。
【００７３】
そして、アンロードエネルギー計算部２３４は、アンロードエネルギーに現在の温度と現在の時刻とを対応づけたアンロードエネルギー結果情報２６１をＲＡＭ２６に格納する（Ｓ１８０）。
【００７４】
次に、実施例１に係るリトラクト制御部の動作を、図７を参照して説明する。図７は、実施例１に係るリトラクト制御部の動作を示すフローチャートである。
【００７５】
例えば、ＭＣＵ１７の落下検出部１７ｃは、落下センサ２２から落下検出信号を取得すると、ＶＣＭ駆動回路２１を介してリトラクト制御部２４にリトラクト指示を出力する。コントロール制御部２４１は、ＶＣＭ駆動回路２１からリトラクト指示を取得する（Ｓ２１０）。すると、コントロール制御部２４１は、目標速度２４１ａに対応するアクチュエータ制御電流の値を電流算出部２４２に対して出力する。そして、コントロール制御部２４１は、目標速度２４１ａおよびサンプリング時間を位置計算部２４４に対して出力する。
【００７６】
コントロール制御部２４１からアクチュエータ制御電流の値を取得した電流算出部２４２は、温度センサ２５から現在の温度を取得する（Ｓ２２０）。
【００７７】
そして、電流算出部２４２は、取得された温度をキーにしてアンロードエネルギー結果情報２６１から当該温度に対応する直近のアンロードエネルギーを検索する（Ｓ２３０）。
【００７８】
さらに、電流算出部２４２は、検索されたアンロードエネルギーとスロープ移動距離とから前述したアンロードエネルギーの算出式（１）を用いて、電流値を算出する（Ｓ２４０）。このとき、電流算出部２４２は、算出された電流値とコントロール制御部２４１から取得されたアクチュエータ制御電流の値とを比較して、フィードフォワード電流値を決定する（Ｓ２５０）。
【００７９】
この決定されたフィードフォワード電流値を、電流算出部２４２がリトラクト実行部２４３に印加して、リトラクト実行部２４３はリトラクト制御を行う（Ｓ２６０）。すなわち、リトラクト実行部２４３は、フィードフォワード電流値の電流によって、ヘッド１３を、ランプ１４のスロープ部１４ａを上る方向に加速させ一定の目標速度２４１ａでスロープを上るように制御する。そして、リトラクト実行部２４３は、ヘッド１３をランプ１４のパーキング部１４ｂに納める。
【００８０】
このようにして、リトラクト実行部２４３は、現在の温度に対応する直近のアンロードエネルギーから算出されたスロープ移動距離に使用される平均の電流値（フィードフォワード電流値）を変化させてヘッド１３の移動速度を目標速度２４１ａにしているため、所定の時間内にリトラクト制御を完了することができる。
【００８１】
ここで、リトラクト実行部２４３がアンロードに要する時間を、図９を参照して説明する。図９は、アンロードの時間と距離との関係を示す図である。図９に示すように、Ｘ座標はアンロードシリンダからの距離（ｍｍ）、Ｙ座標は時間（ｍｓ）を表している。フィードフォワード電流値を用いたリトラクト実行部２４３のアンロードは、アンロードシリンダからランプ１４のストッパ（パーキング部１４ｂ）位置までに要する時間は６０ｍｓであり、通常アンロードの１００ｍｓより短く、緊急アンロードの２０ｍｓより長い。
【００８２】
これにより、リトラクト実行部２４３は、通常アンロードに要する時間より短く緊急アンロードに要する時間より長い所定の時間内にヘッド１３をランプ１４のストッパ（パーキング部１４ｂ）に納めることができ、落下の衝撃を受けるまでに確実にアンロード動作を終了することができる。
【００８３】
以上のように本実施例１によれば、磁気ディスク装置１は、記録媒体１０に対して情報の記録または再生を行うヘッド１３を通常時に記録媒体１０から退避場所であるランプ１４に退避させるときに要したアンロードエネルギーを計測する。そして、磁気ディスク装置１は、計測されたアンロードエネルギーとヘッド１３の退避時の自装置内の温度とを対にしたアンロードエネルギー結果情報２６１をＲＡＭ２６に保持する。さらに、磁気ディスク装置１は、自装置が落下をしていることが検出されたとき、アンロードエネルギー結果情報２６１から当該落下検出時の自装置内の温度に対応したアンロードエネルギーを検索する。そして、磁気ディスク装置１は、検索されたアンロードエネルギーを利用して、ヘッド１３をランプ１４に退避させる。
【００８４】
このようにして、磁気ディスク装置１は、自装置が落下をしていることが検出されたとき、落下検出時の温度に対応したアンロードエネルギーを知ることができるため、落下検出時のランプ１４の磨耗および温度によって変化するランプ１４の摩擦を考慮したリトラクト制御を確実に行うことができる。その結果、磁気ディスク装置１は、ヘッド１３をランプ１４に確実に退避することができるため、ヘッド１３および記録媒体１０の損傷を防止することができる。
【実施例２】
【００８５】
ところで、上記の実施例１では、アンロードを行う際にＶＣＭ１１に印加される電流の値が磁気ディスク装置ごとに変わらない場合を説明した。本発明は、これに限定されるものではなく、アンロードを行う際にＶＣＭ１１に印加される電流の値が磁気ディスク装置ごとに変わっても良い。
【００８６】
そこで、実施例２では、アンロードを行う際にＶＣＭ１１に印加される電流の値が磁気ディスク装置ごとに変わる場合を説明し、具体的に磁気ディスク装置１が組立完了後にアンロード制御部３３およびリトラクト制御部３４を用いて動作する場合を説明する。まず、実施例２に係るアンロード制御部の全体構成について図１０を参照しながら説明する。図１０は、実施例２に係るアンロード制御部の全体構成を示す機能ブロック図である。図１０に示すように、実施例２に係るアンロード制御部３３では、実施例１に係るアンロード制御部(図３)に電流補正部３３１、温度別電流補正テーブル２６２、アンロード基準時間２６３および装置別アンロードエネルギー基準テーブル２６４が追加されている。なお、図１０において、図３と同じ部分には同じ符号を付し、詳しい説明を省略する。
【００８７】
温度別電流補正テーブル２６２は、ＶＣＭ１１に印加されるアクチュエータ制御電流の値を補正させるためにランプ１４近傍の温度に対応させた電流の補正値をＲＡＭ２６に保持されたテーブルである。このテーブルは、組み立て完了後の出荷時に、試験対象の磁気ディスク装置ごとに測定され、ＲＡＭ２６に保持される。例えば、工場試験設備３は、磁気ディスク装置１内のランプ１４近傍の温度ごとに、通常アンロード指示をアンロード制御部３３に出力し、アンロードエネルギーを取得する。そして、工場試験設備３は、取得されたアンロードエネルギーとアンロードエネルギー基準テーブル３ａとから、磁気ディスク装置固有の温度別の電流補正値を算出して、算出された電流補正値と温度とを対応付けて温度別電流補正テーブル２６２を生成する。電流補正値の算出方法は、例えば、アンロードエネルギー基準テーブル３ａからランプ１４近傍の温度に対するアンロードエネルギーの基準値と取得されたアンロードエネルギーとの差分を前述したアンロードエネルギーの算出式（１）に代入して差分の電流値を算出する。
【００８８】
ここで、アンロードエネルギー基準テーブル３ａのデータ構造の一例について図１２を参照して説明する。図１２に示すように、アンロードエネルギー基準テーブル３ａには、磁気ディスク装置１の温度ごと且つアンロード基準時間ごとに定められたアンロードエネルギーの基準値がＲＡＭ２６に保持される。ここで、アンロード基準時間とは、例えばアンロード指示がされてからアンロードが完了するまでの時間であるものとする。図１２の例では、温度は、−４０℃、−２０℃、０℃、２５℃、６０℃および８５℃の６種類あり、アンロード基準時間は、６０ｍｓ、４０ｍｓ、２０ｍｓの３種類あるが、これに限定されない。
【００８９】
図１３は、図１２で説明したアンロードエネルギー基準テーブル３ａをグラフにした図である。図１３に示すように、磁気ディスク装置１の温度によってアンロードエネルギーが変化することがわかる。すなわち、温度が常温（例えば２５℃）より低温になるほどランプ１４の摩擦が増加するため、アンロードエネルギーが増加する。一方、温度が常温（例えば２５℃）より高温になるほどランプ１４の摩擦が減少するため、アンロードエネルギーが減少する。そして、アンロードエネルギーは、アンロード基準時間が速くなるほど増加している。
【００９０】
ところで、アンロードエネルギーはアンロードの回数が増加すればするほど、線形的に増加する傾向にあることが実測からわかっている。図１４は、アンロード回数とアンロードエネルギーとの関係を示した図である。図１４に示すように、アンロード回数が増加してｘ１からｘ２になると、アンロードエネルギーは線形的にＥ１からＥ２に増加している。そして、このアンロードエネルギーの増加量は、記録媒体を示すプラッタの枚数が多ければ多いほど大きくなることがわかっている。さらに、一般的に１台の磁気ディスク装置について少なくとも６００Ｋ回のアンロード回数が保障される。したがって、アンロードエネルギー基準テーブル３ａは、磁気ディスク装置に装着されるプラッタの枚数やアンロード回数等を考慮して生成される。
【００９１】
図１０に戻って、電流補正部３３１は、温度別電流補正テーブル２６２から現在の温度に対応する補正電流値を読み出して、補正電流値をコントロール制御部２３１に出力する。これにより、電流補正部３３１は、ランプ１４とヘッド１３の取り付け位置およびランプ１４の摩擦が磁気ディスク装置１ごとにばらつくことによって生じる通常アンロード時の速度のばらつきを、補正電流値によってなくすことができる。
【００９２】
コントロール制御部２３１は、ＶＣＭ駆動回路２１から通常アンロード指示を取得すると、目標速度２３１ａに対応する制御電流値に補正電流値を加算して電流値を補正して、補正されたアクチュエータ制御電流をＶＣＭ回路１１ａに印加する。
【００９３】
アンロードエネルギー計算部２３４は、位置計算部２３３から移動距離を取得すると、ヘッド１３が移動距離分移動するのに要した電流値（アクチュエータ制御電流値）を使用して、サンプリング時間単位ごとのエネルギーの値を算出して、算出されたアンロードエネルギーを工場試験設備３に出力する。なお、工場試験設備３は、磁気ディスク装置１の組み立て完了後の出荷時に、アンロードエネルギー計算部２３４から取得されたアンロードエネルギーを用いて、温度別電流補正テーブル２６２および装置別アンロードエネルギー基準テーブル２６４を生成する。
【００９４】
ここで、装置別アンロードエネルギー基準テーブル２６４とは、例えば温度ごと且つアンロード基準時間ごとに複数のアンロード回数に対応したアンロードエネルギーの基準値を、磁気ディスク装置ごとに保持されたテーブルである。このテーブルは、工場試験設備３が組み立て完了後に行うアンロード試験で生成され、ＲＡＭ２６に保持される。
【００９５】
アンロードエネルギー判定部２３５は、アンロードエネルギー計算部２３４によって計算されたアンロードエネルギーとあらかじめ定められたアンロードエネルギーの異常判定閾値とを比較して、アンロードエネルギーが異常判定閾値を超えたとき、図示せぬホストに警告を出力する。例えば、アンロードエネルギー判定部２３５は、装置別アンロードエネルギー基準テーブル２６４から現在の温度且つアンロード基準時間２６３に対応する基準アンロードエネルギーを算出し、アンロードエネルギー計算部２３４によって算出されたアンロードエネルギーが基準アンロードエネルギーを超えたとき、図示せぬホストに警告を出力する。なお、アンロードエネルギー判定部２３５は、ＳＭＡＲＴを使用してアンロードエネルギーが異常であるか否かを判定しても良い。
【００９６】
アンロードエネルギー判定部２３５は、温度別電流補正テーブル２６２から求められた補正電流値を用いたアンロードの実測時間とアンロード基準時間２６３とを比較して、アンロードの実測時間がアンロード基準時間２６３を超えたとき、図示せぬホストに警告を出力する。
【００９７】
次に、実施例２に係るリトラクト制御部を、図１１を参照して説明する。図１１は、実施例２に係るリトラクト制御部の構成を示す機能ブロック図である。図１１に示すように、実施例２に係るリトラクト制御部３４では、実施例１に係るリトラクト制御部（図５）に電流補正部３４１が追加されている。なお、図１１において、図５と同じ部分には同じ符号を付し、詳しい説明を省略する。
【００９８】
電流補正部３４１は、温度別に補正電流値が保持された温度別電流補正テーブル２６２から現在の温度に対応する補正電流値を読み出して、補正電流値を電流算出部２４２から出力されたフィードフォワード電流値に加算して電流値を補正して、補正されたフィードフォワード電流値の電流をリトラクト実行部２４３に印加する。電流補正部３４１は、ランプ１４とヘッド１３の取り付け位置およびランプ１４の摩擦が磁気ディスク装置１ごとにばらつくことによって生じるリトラクト制御時の速度のばらつきを、補正電流値によってなくすことができる。
【００９９】
次に、図１５を参照して、アンロードエネルギーから求められた磁気ディスク装置固有の電流補正値が異常であることを判定する処理について説明する。図１５は、アンロードエネルギーの異常判定処理を示すフローチャートである。
【０１００】
まず、アンロードエネルギー判定部２３５は、通常アンロード指示がされてから通常アンロードが終了するまでのアンロード時間を測定する（Ｓ３１０）。
【０１０１】
アンロード時間が測定されたとき、アンロードエネルギー判定部２３５は、測定されたアンロード時間とアンロード基準時間２６３とを比較して、測定されたアンロード時間がアンロード基準時間２６３以上であるか否かを判定する（Ｓ３２０）。
【０１０２】
測定されたアンロード時間がアンロード基準時間２６３以上である場合には（Ｓ３２０Ｙｅｓ）、アンロードエネルギー判定部２３５は、アンロード時間が異常であることを工場試験設備３に出力する（Ｓ３３０）。
【０１０３】
一方、測定されたアンロード時間がアンロード基準時間２６３未満である場合には（Ｓ３２０Ｎｏ）、処理を終了する。
【０１０４】
これにより、アンロードエネルギー判定部２３５は、磁気ディスク装置１固有の温度別電流補正テーブル２６２に正しい補正値が設定されているか否かを判定することができる。そして、工場試験設備３は、アンロード時間の異常を検出したとき、温度別電流補正テーブル２６２を再度生成して、温度ごとの電流補正値の最適値を求めても良い。
【０１０５】
次に、図１６〜図１８を参照して、アンロードエネルギーが異常であることを判定する処理について説明する。図１６では、温度変化があったときアンロードエネルギーが異常であることを判定する場合について説明する。図１７では、アンロード回数が一定回数以上になったときアンロードエネルギーが異常であることを判定する場合について説明する。図１８では、アンロードエネルギーが異常であると判定されたとき温度別電流補正テーブル２６２を再生成する場合について説明する。
【０１０６】
まず、図１６を参照して、温度変化があったときアンロードエネルギーが異常であることを判定する処理について説明する。図１６は、アンロードエネルギーの異常判定処理の変形例１を示すフローチャートである。
【０１０７】
アンロードエネルギー計算部２３４は、温度センサ２５から現在の温度を取得する（Ｓ４１０）。
【０１０８】
そして、アンロードエネルギー計算部２３４は、アンロードエネルギー結果情報２６１から通常アンロードが直近に行われたときの温度を取得して、現在の温度との温度変化を算出し、算出された温度変化が所定範囲以上であるか否かを判定する（Ｓ４２０）。
【０１０９】
このとき、温度変化が所定範囲未満である場合には（Ｓ４２０Ｎｏ）、アンロードエネルギー計算部２３４は、アンロードエネルギーの異常判定処理を終了する。
【０１１０】
また、温度変化が所定範囲以上である場合には（Ｓ４２０Ｙｅｓ）、アンロードエネルギー計算部２３４は、アンロードエネルギーを算出して（Ｓ４３０）、アンロードエネルギー判定部２３５にアンロードエネルギーを出力する。このとき、アンロードエネルギー計算部２３４は、アンロードエネルギーとともに現在の温度をアンロードエネルギー判定部２３５に出力する。
【０１１１】
すると、アンロードエネルギー計算部２３４からアンロードエネルギーおよび現在の温度を取得したアンロードエネルギー判定部２３５は、装置別アンロードエネルギー基準テーブル２６４から現在温度、アンロード基準時間２６３および現在のアンロード回数に対応するアンロードエネルギーの基準値を算出する（Ｓ４４０）。なお、アンロードエネルギー判定部２３５は、例えばアンロードを行う度にアンロード回数をカウントするものとする。
【０１１２】
そして、アンロードエネルギー判定部２３５は、アンロードエネルギー基準値と実際に計算されたアンロードエネルギーとを比較して、実際に計算されたアンロードエネルギーがアンロードエネルギー基準値以上であるか否かを判定する（Ｓ４５０）。
【０１１３】
実際に計算されたアンロードエネルギーがアンロードエネルギー基準値以上である場合には（Ｓ４５０Ｙｅｓ）、アンロードエネルギーが異常であることを工場試験設備３に出力する（Ｓ４６０）。
【０１１４】
一方、実際に計算されたアンロードエネルギーがアンロードエネルギー基準値未満である場合には（Ｓ４５０Ｎｏ）、アンロードエネルギーの異常判定処理を終了する。
【０１１５】
これにより、アンロードエネルギー判定部２３５は、温度等の厳しい環境条件下で磁気ディスク装置１が使用されることによって、ランプ１４の表面が異常に磨耗したりランプ１４の摩擦が異常に増加したりして、通常アンロード時およびリトラクト時に磁気ヘッド１３がランプ１４を上ることができない予兆を捉えることができる。
【０１１６】
次に、図１７を参照して、アンロード回数が一定回数以上になったときアンロードエネルギーが異常であることを判定する処理について説明する。図１７は、アンロードエネルギーの異常判定処理の変形例２を示すフローチャートである。
【０１１７】
アンロードエネルギー計算部２３４は、前回アンロードネルギーを計算してから一定回数以上アンロードを行ったか否かを判定する（Ｓ５１０）。なお、アンロードエネルギー計算部２３４は、前回アンロードエネルギーを計算してからアンロードが実施された回数をカウントして、例えばＲＡＭ２６に保持するものとする。
【０１１８】
前回アンロードエネルギーを計算してから一定回数以上アンロードを行ったと判定された場合（Ｓ５１０Ｙｅｓ）、アンロードエネルギー計算部２３４は、アンロードエネルギーを計算して（Ｓ５２０）、アンロードエネルギー判定部２３５にアンロードエネルギーを出力する。
【０１１９】
一方、前回アンロードネルギーを計算してから一定回数以上アンロードを行ったと判定されない場合（Ｓ５１０Ｎｏ）、アンロードエネルギー計算部２３４は、アンロードエネルギーの異常判定処理を終了する。
【０１２０】
そして、アンロードエネルギー判定部２３５は、アンロードエネルギー結果情報２６１から前回計算されたアンロードエネルギーと前々回計算されたアンロードエネルギーとを参照して、前回から今回へのアンロードエネルギーの増加量と前々回から前回へのアンロードエネルギーの増加量を算出する（Ｓ５３０）。
【０１２１】
そして、アンロードエネルギー判定部２３５は、前回から今回へのアンロードエネルギーの増加量と、前々回から前回へのアンロードエネルギーの増加量とを比較して、前回から今回へのアンロードエネルギーの増加量が前々回から前回へのアンロードエネルギーの増加量より大きいか否かを判定する（Ｓ５４０）。
【０１２２】
前回から今回へのアンロードエネルギーの増加量が前々回から前回へのアンロードエネルギーの増加量より大きい場合には（Ｓ５４０Ｙｅｓ）、アンロードエネルギー判定部２３５は、アンロードエネルギーが異常であることを工場試験設備３に出力する（Ｓ５５０）。
【０１２３】
一方、前回から今回へのアンロードエネルギーの増加量が前々回から前回へのアンロードエネルギーの増加量以下の場合には（Ｓ５４０Ｎｏ）、アンロードエネルギー判定部２３５は、アンロードエネルギーの異常判定処理を終了する。
【０１２４】
これにより、アンロードエネルギー判定部２３５は、温度等の厳しい環境条件下で磁気ディスク装置１が使用されることによって、ランプ１４の表面が異常に磨耗したりランプ１４の摩擦が異常に増加したりして、通常アンロード時およびリトラクト時に磁気ヘッド１３がランプ１４を上ることができない予兆を捉えることができる。
【０１２５】
引き続き、図１８を参照して、図１５〜図１７によってアンロードエネルギーが異常であると判定されたとき温度別電流補正テーブル２６２を再生成する処理について説明する。図１８は、アンロードエネルギーの異常判定処理の変形例３を示すフローチャートである。
【０１２６】
アンロードエネルギー判定部２３５は、アンロードエネルギー異常判定処理によってアンロードエネルギーが異常であるか否かを判定する（Ｓ６１０）。
【０１２７】
アンロードエネルギーが異常であると判定された場合には（Ｓ６１０Ｙｅｓ）、アンロードエネルギー判定部２３５は、装置別アンロードエネルギー基準テーブル２６４から現在温度、アンロード基準時間２６３および現在のアンロード回数に対応するアンロードエネルギーの基準値を算出する（Ｓ６２０）。なお、アンロードエネルギー判定部２３５は、例えばアンロードを行う度にアンロード回数をカウントするものとする。また、アンロードエネルギー判定部２３５は、アンロードエネルギー計算部２３４から現在の温度を取得するものとする。
【０１２８】
そして、アンロードエネルギー判定部２３５は、アンロードエネルギー計算部２３４によって算出されたアンロードエネルギーとアンロードエネルギーの基準値との差分を算出する（Ｓ６２０）。
【０１２９】
さらに、アンロードエネルギー判定部２３５は、算出されたエネルギーの差分を前述したアンロードエネルギーの算出式（１）に代入して差分の電流値を算出して、温度別電流補正テーブル２６２を再生成する（Ｓ６３０）。
【０１３０】
一方、アンロードエネルギーが異常であると判定されない場合には（Ｓ６１０Ｎｏ）、アンロードエネルギー判定部２３５は、処理を終了する。
【０１３１】
これにより、アンロードエネルギー判定部２３５は、アンロードエネルギーが異常であると判定されたとき、すなわちリトラクト時に磁気ヘッド１３がランプ１４を上ることができない予兆を捉えることができたとき、現在の温度および現在のランプ１４の磨耗に対応した最適な電流値を補正することができ、その後のリトラクト制御のみならず通常アンロード動作を確実に行わせることができる。その結果、磁気ディスク装置１は、フェールセーフの機能を備えることができ、リトラクト時に磁気ヘッド１３がランプ１４を上ることができず磁気ヘッド１３および記録媒体１０を故障させ、記録媒体１０からデータを読み出せないという致命的な障害を防止することができる。
【０１３２】
なお、図１８では、例えば図１５〜図１７によって説明したアンロードエネルギーが異常であると判定されたとき、自動的に温度別電流補正テーブル２６２を再生成するものとしたが、手動で温度別電流補正テーブル２６２を再生成するものとしても良い。
【０１３３】
以上のように本実施例２によれば、磁気ディスク装置１は、記録媒体１０上に対して情報の記録または再生を行うヘッド１３を通常アンロード時に記録媒体１０上からランプ１４に退避させるときに要したアンロードエネルギーを計測する。そして、磁気ディスク装置１は、自装置内の温度ごとに異なるアンロードエネルギーの基準値を自装置内の温度に対応させて装置別アンロードエネルギー基準テーブル２６４に記憶する。さらに、磁気ディスク装置１は、計測されたアンロードエネルギーと、装置別アンロードエネルギー基準テーブル２６４に記憶された自装置内の温度に対応したアンロードエネルギーの基準値と、の差分から、ヘッド１３をランプ１４に退避させるときに印加する電流の自装置固有の補正値を温度別電流補正テーブル２６２に記憶する。
【０１３４】
このようにして、磁気ディスク装置１は、ランプ１４とヘッド１３の取り付け位置およびランプ１４の摩擦が磁気ディスク装置１ごとにばらつくことによって生じる通常アンロード時およびリトラクト制御時の速度のばらつきを、補正電流値によってなくすことができる。その結果、磁気ディスク装置１は、通常アンロード時およびリトラクト制御時に使用する電流値を磁気ディスク装置ごとにチューニングされて製造されることができる。
【０１３５】
なお、磁気ディスク装置１のアンロード制御部およびリトラクト制御部にて行われる各処理機能は、その全部または任意の一部が、ＣＰＵ（Central Processing Unit）（またはＭＰＵ（Micro Processing Unit）、ＭＣＵ（Micro Controller Unit）などのマイクロ・コンピュータ）および当該ＣＰＵ（またはＭＰＵ、ＭＣＵなどのマイクロ・コンピュータ）にて解析実行されるプログラムにて実現され、あるいは、ワイヤードロジックによるハードウェアとして実現されても良い。
【０１３６】
以上の実施例にかかる実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【０１３７】
（付記１）記録媒体に対して情報の記録または再生を行う磁気ヘッドを通常時に記録媒体上から退避位置に退避させるときに要した退避エネルギーを計測する計測手段と、
前記計測手段によって計測された退避エネルギーと前記磁気ヘッドの退避時の自装置内の温度とを対にした退避エネルギー結果情報を記憶する記憶手段と、
自装置が落下をしていることを検出する検出手段と、
前記検出手段によって自装置が落下をしていることが検出されたとき、前記記憶手段によって記憶された退避エネルギー結果情報から落下検出時の自装置内の温度に対応した退避エネルギーを検索する検索手段と、
前記検索手段によって検索された退避エネルギーを利用して、前記磁気ヘッドを退避位置に退避させる退避手段と、
を備えたことを特徴とする磁気ヘッドの制御装置。
【０１３８】
（付記２）情報を記録する記録媒体と、
前記記録媒体に対して情報の記録または再生を行う磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを通常時に前記記録媒体上から退避位置に退避させるときに要した退避エネルギーを計測する計測手段と、
前記計測手段によって計測された退避エネルギーと前記磁気ヘッドの退避時の自装置内の温度とを対にした退避エネルギー結果情報を記憶する記憶手段と、
自装置が落下をしていることを検出する検出手段と、
前記検出手段によって自装置が落下をしていることが検出されたとき、前記記憶手段によって記憶された退避エネルギー結果情報から落下検出時の自装置内の温度に対応した退避エネルギーを検索する検索手段と、
前記検索手段によって検索された退避エネルギーを利用して、前記磁気ヘッドを退避位置に退避させる退避手段と、
を備えたことを特徴とする記憶装置。
【０１３９】
（付記３）前記記憶手段は、
自装置内の温度に応じて異なる退避エネルギーの基準値を自装置内の温度に対応させて記憶する退避エネルギー基準値記憶手段を含むことを特徴とする付記２に記載の記憶装置。
【０１４０】
（付記４）前記記憶手段は、
前記計測手段によって計測された退避エネルギーと、前記退避エネルギー基準値記憶手段によって記憶された自装置内の温度に対応した退避エネルギーの基準値と、の差分から求められる、前記磁気ヘッドを退避位置に退避させる電流の自装置固有の補正値を記憶する電流補正値記憶手段を含み、
前記電流補正値記憶手段によって記憶された補正値を前記検索手段によって検索された退避エネルギーに対応する電流値に加算して電流値を補正する補正手段をさらに備え、
前記退避手段は、
前記補正手段によって補正された電流値の電流を印加して、前記磁気ヘッドを退避位置に退避させることを特徴とする付記３に記載の記憶装置。
【０１４１】
（付記５）前記退避エネルギー基準値記憶手段は、
通常時の磁気ヘッドの退避回数に応じて異なる退避エネルギーの基準値を自装置内の温度且つ退避回数に対応させて記憶することを特徴とする付記４に記載の記憶装置。
【０１４２】
（付記６）前記計測手段によって計測された退避エネルギーが、異常であるか否かを判定する判定手段をさらに備えることを特徴とする付記４に記載の記憶装置。
【０１４３】
（付記７）前記判定手段は、
前記計測手段によって退避エネルギーが計測された際の前記磁気ヘッドの退避に要した時間が、所定の基準時間以上か否かを判定し、前記磁気ヘッドの退避に要した時間が所定の基準時間以上であるとき異常であることを判定することを特徴とする付記６に記載の記憶装置。
【０１４４】
（付記８）前記計測手段は、
自装置内の温度と、前記退避エネルギー結果情報に含まれる最新の退避エネルギーに対応する温度と、の差分が所定の温度以上であるとき、退避エネルギーを計測し、
前記判定手段は、
前記計測手段によって計測された退避エネルギーが、前記退避エネルギー基準値記憶手段によって記憶された退避エネルギーの基準値のうち自装置内の温度に対応する基準値以上であるか否かを判定することを特徴とする付記６に記載の記憶装置。
【０１４５】
（付記９）前記判定手段は、
前記計測手段によって今回計測された退避エネルギーと前記計測手段によって前回計測された退避エネルギーとの差分が、前記計測手段によって前回計測された退避エネルギーと前記計測手段によって前々回計測された退避エネルギーとの差分以上であるか否かを判定することを特徴とする付記６に記載の記憶装置。
【０１４６】
（付記１０）前記判定手段によって判定した結果、前記計測手段によって計測された退避エネルギーが異常であるとき、前記計測手段によって計測された退避エネルギーと前記退避エネルギー基準値記憶手段によって記憶された自装置内の温度に対応した退避エネルギーの基準値との差分から、磁気ヘッドを退避位置に退避させる電流の自装置固有の補正値を再生成する再生成手段と、をさらに備え、
前記電流補正値記憶手段は、
前記再生成手段によって再生成された電流の補正値を記憶することを特徴とする付記６から付記９のいずれか１つに記載の記憶装置。
【０１４７】
（付記１１）記録媒体に対して情報の記録または再生を行う磁気ヘッドを正常時に記録媒体上から退避位置に退避させるときに要した退避エネルギーを計測する計測工程と、
前記計測工程において計測された退避エネルギーと前記磁気ヘッドの退避時の自装置内の温度とを対にした退避エネルギー結果情報を記憶する記憶工程と、
自装置が落下をしていることを検出する検出工程と、
前記検出工程において自装置が落下をしていることが検出されたとき、前記記憶工程において記憶された退避エネルギー結果情報から落下検出時の自装置内の温度に対応した退避エネルギーを検索する検索工程と、
前記検索工程において検索された退避エネルギーを利用して、前記磁気ヘッドを退避位置に退避させる退避工程と、
を含むことを特徴とする磁気ヘッドの制御方法。
【０１４８】
（付記１２）記録媒体に対して情報の記録または再生を行う磁気ヘッドを通常時に記録媒体上から退避位置に退避させるときに要した退避エネルギーを計測する計測工程と、
自装置内の温度に応じて異なる退避エネルギーの基準値を自装置内の温度に対応させて記憶する退避エネルギー基準値記憶工程と、
前記計測工程において計測された退避エネルギーと、前記退避エネルギー基準値記憶工程において記憶された自装置内の温度に対応した退避エネルギーの基準値と、の差分から求められる、磁気ヘッドを退避位置に退避させる電流の自装置固有の補正値を記憶する電流補正値記憶工程と、
を含むことを特徴とする記憶装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【０１４９】
【図１】実施例１に係る磁気ディスク装置の全体構成の一例を示す図である。
【図２】アンロード動作を示す図である。
【図３】実施例１に係るアンロード制御部の構成を示す機能ブロック図である。
【図４】アンロードエネルギーの計算方法を示す図である。
【図５】実施例１に係るリトラクト制御部の構成を示す機能ブロック図である。
【図６】実施例１に係るアンロード制御部の動作を示すフローチャートである。
【図７】実施例１に係るリトラクト制御部の動作を示すフローチャートである。
【図８】リトラクト制御方法を示す図である。
【図９】アンロードの時間と距離との関係を示す図である。
【図１０】実施例２に係るアンロード制御部の構成を示す機能ブロック図である。
【図１１】実施例２に係るリトラクト制御部の構成を示す機能ブロック図である。
【図１２】アンロードエネルギー基準テーブルのデータ構造の一例を示す図である。
【図１３】温度とアンロードエネルギーとの関係を示す図である。
【図１４】アンロード回数とアンロードエネルギーとの関係を示す図である。
【図１５】アンロードエネルギーの異常判定処理を示すフローチャートである。
【図１６】アンロードエネルギーの異常判定処理を示すフローチャート（変形例１）である。
【図１７】アンロードエネルギーの異常判定処理を示すフローチャート（変形例２）である。
【図１８】アンロードエネルギーの異常判定処理を示すフローチャート（変形例３）である。
【図１９】磁気ディスク装置の全体を示す図である。
【符号の説明】
【０１５０】
２３  アンロード制御部
２５  温度センサ
２６  ＲＡＭ
２３１ａ  目標速度
２３１  コントロール制御部
２３２  逆起速度換算部
２３３  位置計算部
２３４  アンロードエネルギー計算部
２３５  アンロードエネルギー判定部
２６１  アンロードエネルギー結果情報
２４  リトラクト制御部
２４１ａ  目標速度
２４１  コントロール制御部
２４２  電流算出部
２４３  リトラクト実行部
２４４  位置計算部
２４５  アンロードエネルギー計算部
２４６  アンロードエネルギー判定部
【図１】
2010146658.tif 000003
【図２】
2010146658.tif 000004
【図３】
2010146658.tif 000005
【図４】
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【図５】
2010146658.tif 000007
【図６】
2010146658.tif 000008
【図７】
2010146658.tif 000009
【図８】
2010146658.tif 000010
【図９】
2010146658.tif 000011
【図１０】
2010146658.tif 000012
【図１１】
2010146658.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2010146658.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
2010146658.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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