(57)【要約】      （修正有）【課題】絶縁性を保ちつつ高熱伝導性を有する低温焼成が可能な多層配線基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４が複数積層された絶縁基体１と、ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４に形成された貫通導体２と、ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４の主面に形成された配線層３とを含む多層配線基板であって、ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４の内部には金属粉体に厚み０．５〜３μｍの酸化物系セラミック被膜が形成された放熱体が分散して含まれており、放熱体を含むガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４中の金属粉体の含有量が１５〜４５質量％である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラスセラミック絶縁層が複数積層された絶縁基体と、前記ガラスセラミック絶縁層に形成された貫通導体と、前記ガラスセラミック絶縁層の主面に形成された配線層とを含む多層配線基板であって、前記ガラスセラミック絶縁層の内部には金属粉体に厚み０．５〜３μｍの酸化物系セラミック被膜が形成された放熱体が分散して含まれており、該放熱体を含む前記ガラスセラミック絶縁層中の前記金属粉体の含有量が１５〜４５質量％であることを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記金属粉体がＣｕ、ＡｇおよびＡｕの群から選ばれる少なくとも１種からなることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記酸化物系セラミック被膜がＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２およびＺｒＯ２の群から選ばれる少なくとも１種からなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
金属粉体に厚み０．５〜３μｍの酸化物系セラミック被膜が形成された放熱体を作製する工程と、
ガラス粉末、無機フィラーおよび前記放熱体からなる混合物を含み、該混合物中の前記金属粉体の含有量が１５〜４５質量％となるようにしてガラスセラミックグリーンシートを作製する工程と、
該ガラスセラミックグリーンシートを貫通する貫通孔を形成して貫通導体用ペーストを充填するとともに前記ガラスセラミックグリーンシートの表面に配線層用導体ペーストを被着形成する工程と、
前記貫通導体用ペーストの充填および前記配線層用導体ペーストの被着形成がなされた前記ガラスセラミックグリーンシートを複数積層して積層体を作製する工程と、
該積層体を焼成する工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子収納用パッケージや混成集積回路装置などに適した多層配線基板およびその製造方法であり、特に半導体素子等の能動素子の動作等に発生する熱を効率よく放散することが可能な多層配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ガラスとセラミックスとの複合材料であるガラスセラミックスを絶縁層として用いることにより、１０００℃以下の低温焼成が可能であり、且つ融点が低い低抵抗金属であるＣｕ、Ａｇ、Ａｕ等を配線層の形成材料として使用することを可能とした多層配線基板が開発されている。
【０００３】
例えば、ガラスにＳｉＯ２系フィラーを添加した絶縁層と、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の低抵抗金属からなる配線層とを９００〜１０５０℃の温度で同時焼成した多層配線基板が提案されている（特許文献１を参照。）。
【０００４】
ところが、情報通信技術の発達に伴い、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子の高性能化が進んでいる。この半導体素子の高性能化により、半導体素子からの発熱量が増加し、搭載する多層配線基板の熱抵抗の問題が大きくなっている。具体的には、特許文献１に記載の多層配線基板におけるガラスセラミックスでは、熱伝導率が０．５〜１．５Ｗ／ｍ・Ｋ程度であり、低温焼成できないアルミナ材料と比較して熱伝導性（熱放散性）に劣っている。
【０００５】
そこで、高い熱伝導性を有するＡｌＮとガラスとを混合して焼成したガラスセラミックスを絶縁基板として用いた多層配線基板が提案されている（特許文献２および特許文献３を参照。）。
【特許文献１】特公平４−１２６３９号公報
【特許文献２】特開昭６３−３０７１８２号公報
【特許文献３】特開平４−２５４４７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながらＡｌＮ等の非酸化物セラミックスをガラスと混合して焼成すると、焼成中に非酸化物セラミックスとガラスが反応して非酸化物セラミックスが分解し、分解ガスが発生する。この分解ガスにより、絶縁基板（磁器）の膨張や絶縁基板（磁器）表面の膨れ（気泡）が発生し、外観上安定した磁器を得ることが困難であった。かかる現象は、酸化性雰囲気の焼成で顕著となるため、この問題を解消しようとすると焼成雰囲気中の酸素濃度を少なくする必要があり、それが原因で脱バインダー不良が起こり易くなってしまうという問題があった。脱バインダー不良が起こると、やはり絶縁基板（磁器）の膨張や絶縁基板（磁器）表面の膨れ（気泡）が発生してしまい、さらに磁器強度や誘電正接の低下につながってしまう。
【０００７】
その他の方法として、高熱伝導率の金属粉体（Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等）をガラスセラミック絶縁層中に分散させる方法が考えられるが、この方法の場合、金属粉体同士が接触して連なることで上下の配線層と配線層との間または配線層と貫通導体との間においてショートしてしまうおそれがあり、またその絶縁性を保つ観点から添加量に限界があって、ガラスセラミック絶縁層中に含まれる金属粉体の量を１０質量％以下程度にしなければならず、熱伝導性（熱放散性）を向上させるための方法として、あまり効果的ではない。
【０００８】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたもので、絶縁性を保ちつつ高熱伝導性を有する低温焼成が可能な多層配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、ガラスセラミック絶縁層が複数積層された絶縁基体と、前記ガラスセラミック絶縁層に形成された貫通導体と、前記ガラスセラミック絶縁層の主面に形成された配線層とを含む多層配線基板であって、前記ガラスセラミック絶縁層の内部には金属粉体に厚み０．５〜３μｍの酸化物系セラミック被膜が形成された放熱体が分散して含まれており、該放熱体を含む前記ガラスセラミック絶縁層中の前記金属粉体の含有量が１５〜４５質量％であることを特徴とするものである。
【００１０】
ここで、前記金属粉体がＣｕ、ＡｇおよびＡｕの群から選ばれる少なくとも１種からなる粉体であるのが望ましい。また、前記酸化物系セラミック被膜がＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２およびＺｒＯ２の群から選ばれる少なくとも１種からなる被膜であるのが望ましい。
【００１１】
また本発明は、金属粉体に厚み０．５〜３μｍの酸化物系セラミック被膜が形成された放熱体を作製する工程と、ガラス粉末、無機フィラーおよび前記放熱体からなる混合物を含み、該混合物中の前記金属粉体の含有量が１５〜４５質量％となるようにしてガラスセラミックグリーンシートを作製する工程と、該ガラスセラミックグリーンシートを貫通する貫通孔を形成して貫通導体用ペーストを充填するとともに前記ガラスセラミックグリーンシートの表面に配線層用導体ペーストを被着形成する工程と、前記貫通導体用ペーストの充填および前記配線層用導体ペーストの被着形成がなされた前記ガラスセラミックグリーンシートを複数積層して積層体を作製する工程と、該積層体を焼成する工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の多層配線基板によれば、ガラスセラミック絶縁層の内部に、金属粉体に酸化物系セラミック被膜が形成されてなる放熱体が分散して含まれているから、絶縁性と熱伝導性（熱放散性）とを両立させた多層配線基板を実現することができる。
【００１３】
また本発明の多層配線基板の製造方法は、ガラスセラミック絶縁層の内部に金属粉体をショートせずに分散させることができる。したがって、多層配線基板の絶縁性を保ったまま、熱伝導性（熱放散性）を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明の多層配線基板の一実施形態について説明する。
【００１５】
図１は本発明の多層配線基板の一実施形態の概略断面図であり、図２は図１に示す領域Ａの拡大図である。
【００１６】
本発明は、図１に示すように、複数のガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４が積層された絶縁基体１と、ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４にそれぞれ形成された貫通導体２と、ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４の主面に形成された配線層３とを含む多層配線基板であって、ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４の内部には放熱体４が分散して含まれているものである。
【００１７】
絶縁基体１は、複数のガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４が積層されてなるものである。ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４は、焼成によって結晶を析出する結晶性ガラスまたは結晶を析出しない非結晶性ガラスからなるガラス粉末と無機フィラーとを原料とし、これに有機バインダー、有機溶媒などを添加して焼成することにより得られたものである。
【００１８】
ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４は、例えば、クォーツ、エンスタタイト、フォルステライト、クリストバライト、コージェライト、ムライト、アノーサイト、セルジアン、スピネル、ガーナイト、ウイレマイト、ドロマイト、ペタライト等の結晶を含んでいる。この結晶は、原料としてのガラス粉末から析出したものであってもよく、原料として無機フィラーとして混入されたものであってもよい。
【００１９】
そして、ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４の内部には、図２に示すように、放熱体本体としての金属粉体４１に厚み０．５〜３μｍの酸化物系セラミック被膜４２が形成されてなる放熱体４が分散して含まれていて、放熱体４を含むガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４中の金属粉体４１の含有量が１５〜４５質量％であることが重要である。ここで、分散して含まれている（分散状態にある）とは、ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４のどの部分をみても金属粉体４１の含有量が１５〜４５質量％であって、熱伝導率が２Ｗ／ｍ・Ｋ以上の値を示すようになっていることをいう。
【００２０】
この放熱体４は多層配線基板の熱放散性を向上させるためのものである。酸化物系セラミック被膜４２の厚みが０．５μｍ以上であることによって、近接する放熱体４同士が接触してもショートしてしまうことなく絶縁性を保つことができ、３μｍ以下であることによって、ガラスセラミックスの焼結性が阻害されず、熱放散性を向上させることができる。すなわち、酸化物系セラミック被膜４２の厚みが０．５μｍ未満であると絶縁性の確保が十分ではなく、酸化物系セラミック被膜４２の厚みが３μｍを超えるとガラスセラミックスの焼結性が阻害され、ボイドによる影響から熱放散性が十分ではない。
【００２１】
また、金属粉体４１の含有量が１５質量％以上であることによって、熱放散性を向上させることができ、４５質量％以下であることによって、絶縁性を保つことができる。すなわち、金属粉体４１の含有量が１５質量％未満であると金属粉体４１の量が少なすぎて放熱効果が十分ではなく、金属粉体４１の含有量が４５質量％を超えると絶縁性の確保が十分ではなくなるおそれがある。
【００２２】
金属粉体４１は、平均粒径０．８〜５μｍ程度のものを用いる。ここで、金属粉体４１としては、熱伝導率の高い金属、中でもＣｕ、ＡｇおよびＡｕの群から選ばれる少なくとも１種であるのが望ましい。
【００２３】
また、酸化物系セラミック被膜４２は、セラミック微粉末により形成された被膜である。ここで、酸化物系セラミック被膜４２は、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２およびＺｒＯ２の群から選ばれる少なくとも１種からなる被膜であるのが望ましい。
【００２４】
これにより、ガラスセラミックグリーンシート中に含まれる放熱体４は、金属粉体４１に酸化物系セラミック被膜４２が形成された状態で焼結後のガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４に含まれ、その状態を保つことができる。すなわち、被膜が酸化物系セラミックスからなるため、焼結の際にガラスセラミックグリーンシートに含まれるガラス粉末と反応することがなく、酸化物系セラミック被膜４２により金属粉体４１を覆って放熱体４間や貫通導体２および配線層３との絶縁を保つことができる。
【００２５】
ここで、混合物の各元素の定量化については、ＩＣＰ発光分光分析法（Inductively Coupled Plasma Atomic Emission Spectroscopy）により求めることができ、酸化物系セラミック被膜４２の厚みについては、ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４を切断した断面についての走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による１０００倍の画像から、一つの放熱体４における酸化物系セラミック被膜４２について任意の１０箇所の厚みの平均値を算出して、求めることができる。
【００２６】
ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４には、それぞれ一方主面（上面）から他方主面（下面）にかけて貫通するように貫通導体２が形成されている。この貫通導体２は、ＣｕやＡｇなど低抵抗の金属粉末を含む導体ペーストの焼成によって形成されたものである。また、ガラスセラミック絶縁層１１、１２、１３、１４の主面には、配線層３が形成されている。この配線層３も、貫通導体２と同様に、ＣｕやＡｇなどの低抵抗金属からなる金属粉末を含む導体ペーストの焼成によって形成されたものである。
【００２７】
本発明の一実施形態である多層配線基板は、以上のような構成を基本構成とするものである。
【００２８】
以下、上述の多層配線基板の製造方法について説明する。
【００２９】
まず、放熱体４を作製する。放熱体４は、例えば平均粒径０．８〜５μｍのＣｕ、ＡｇおよびＡｕの群から選ばれる少なくとも１種である高い熱伝導率を有する金属粉体４１に、厚み０．５〜３μｍの例えばＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２およびＺｒＯ２の群から選ばれる少なくとも１種からなる酸化物系セラミック被膜４２を形成して作製される。
【００３０】
ここで、この酸化物系セラミック被膜４２は金属粉体４１の周りに平均粒径０．０１〜１μｍのセラミック微粉末を多数付着させて形成したものであり、その形成に際しては、湿式法又は乾式法（メカノケミカル・ボンディング法）が用いられる。酸化物系セラミック被膜４２の厚みの測定方法は、放熱体４を熱硬化性樹脂に埋め込んだ後、研磨することによって放熱体４の断面を露出させて、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による１０００倍の画像から、一つの放熱体４における酸化物系セラミック被膜４２について任意の１０箇所の厚みの平均値を算出して、これを酸化物系セラミック被膜４２の厚みとしたものである。
【００３１】
なお、「平均粒径」とは、粉体の集団の全体積を１００％として累積カーブを求めたとき、その累積カーブが５０％となる点の粒径ｄ５０を意味する。粉体の粒度分布は、たとえばレーザー回折・散乱法によるマイクロトラック粒度分布測定装置Ｘ−１００（日機装株式会社製）を用いて測定できる。
【００３２】
次に、ガラス粉末、無機フィラーおよび放熱体４からなる混合物を含み、この３種を含む混合物中の金属粉体４１の含有量が１５〜４５質量％となるようにガラスセラミックグリーンシートを作製する。ここで、混合物中の金属粉体４１の含有量が１５〜４５質量％となるようにするには、放熱体４を球状とみて金属粉体４１の粒径および酸化物系セラミック被膜４２の厚みからそれぞれの体積を算出し、体積と比重から金属粉体４１の質量を求めて、調製すればよい。なお、球状とみたときの金属粉体４１の粒径は、一つの放熱体４における金属粉体４１について任意の１０箇所の直径の平均値を算出して、これを金属粉体４１の粒径とした。
【００３３】
ガラス粉末としては、結晶性ガラスと非結晶性ガラスのどちらも採用できる。具体的には、アルカリ土類金属酸化物を含むホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸亜鉛ガラス、ホウケイ酸鉛ガラス等のホウケイ酸系ガラスの他、リチウム珪酸系ガラス等が挙げられる。ガラス粉末の平均粒径としては１〜５μｍが望ましい。また、無機フィラーとしては、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、ＣａＯ、ＭｇＯまたはＭｇＯなどの酸化物や、これらの酸化物の２種以上の複合酸化物等が使用できる。無機フィラーの平均粒径も１〜５μｍが望ましい。
【００３４】
ガラス粉末と無機フィラーとの配合比率の調整により、貫通導体用ペーストおよび配線層用導体ペーストの焼結温度と整合させたり、接合強度を高めたりすることができる。混合物において、放熱体４を除いて考えた場合のガラス粉末と無機フィラーとの配合比率は、質量比で５０：５０〜７０：３０の範囲で配合されることが効果的である。
【００３５】
ガラス粉末、無機フィラーおよび放熱体４からなる混合物に、イソブチルメタクリレート樹脂、メチルメタクリレート樹脂等の有機バインダーと、テルピネオール、フタル酸ジブチル（ＤＢＰ）、トルエン、アセトン等の有機溶剤を加えてボールミル、ビーズミルなどで１２〜２４時間混合してスラリーを得た後、ドクターブレード法、圧延法、プレス法などによりシート状に成形して、ガラスセラミックグリーンシートを作製する。
【００３６】
次に、作製されたガラスセラミックグリーンシートに対して、マイクロドリルやＣＯ２レーザー等により貫通孔を形成し、この貫通孔に貫通導体用ペーストをスクリーン印刷法で埋め込むとともに、ガラスセラミックグリーンシートの主面に配線層用導体ペーストをスクリーン印刷で被着形成した後、６０〜１００℃で１〜３時間程度かけて乾燥させる。
【００３７】
ここで、配線層用導体ペーストおよび貫通導体用ペーストを構成する金属粉末としては、低抵抗のＣｕ粉末またはＡｇ粉末が好ましく、金属成分のマイグレーションによる信頼性低下を抑制するためにはＣｕ粉末が最も望ましい。この金属粉末にそれぞれのペーストに適した割合で有機バインダーおよび有機溶剤などが添加されて、配線層用導体ペーストおよび貫通導体用ペーストが作製される。なお、金属粉末の平均粒径は、ペーストの粘度などの点から０．８μｍ以上、また微細配線形成の点から５μｍ以下であるのが好ましい。
【００３８】
次に、得られた貫通導体用ペーストの充填および配線層用導体ペーストの被着形成がなされたガラスセラミックグリーンシートを複数積層して積層体を作製する。
次に、得られた積層体を所定の条件（例えば窒素雰囲気中、焼成温度８００〜１０００℃、１時間）で焼成して、ガラスセラミックグリーンシート、貫通導体および配線層を焼結させることで、本発明の多層配線基板を得ることができる。
【００３９】
上述の多層配線基板の製造方法によれば、熱放散性に優れた多層配線基板を得ることができる。
【実施例】
【００４０】
まず、放熱体本体としての金属粉体を表１に示す３種類の金属で平均粒径３μｍに形成し、この金属粉体に平均粒径０．０５μｍの表１に示すＡｌ２Ｏ３粉末を乾式法（メカノケミカル・ボンディング法）により付着させて表１に示すそれぞれの厚みの酸化物系セラミック被膜を形成して、放熱体を作製した。なお、酸化物系セラミック被膜の厚みは、放熱体を熱硬化性樹脂に埋め込んだ後、研磨することによって放熱体の断面を露出させて、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による１０００倍の画像から、一つの放熱体における酸化物系セラミック被膜について任意の１０箇所の厚みの平均値を算出して求めた。
【００４１】
そして、非結晶性のＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３−ＢａＯ系ホウ珪酸ガラスからなる平均粒径３μｍのガラス粉末と平均粒径３μｍの無機フィラー（ＳｉＯ２フィラー）とをそれぞれ質量比１：１の割合で混合し、さらに上記の放熱体を加えて３種を含む混合物を作製した。ここで、混合物の全体を１００質量％としたときの金属粉体の含有量が表１に示す含有量となるように３種を含む混合物を作製するが、金属粉体の含有量については、放熱体を球状とみて金属粉体の粒径および酸化物系セラミック被膜の厚みからそれぞれの体積を算出し、体積と比重から金属粉体の質量を求めることで、調製した。なお、球状とみたときの金属粉体の粒径は、一つの放熱体における金属粉体について任意の１０箇所の直径の平均値を算出して、これを金属粉体の粒径とした。また、ガラス粉末は、ＳｉＯ２が４０質量％、Ｂ２Ｏ３が１０質量％、ＢａＯが４０質量％、Ａｌ２Ｏ３が５質量％、ＣａＯが５質量％の組成のものを用いた。
【００４２】
そして、この３種を含む混合物１００質量部に対してイソブチルメタクリレート系の有機バインダー１５質量部および有機溶媒（トルエン）７０質量部を加えてボールミルで２４時間混練してガラスセラミックスラリーを作製した。その後、ドクターブレード法によりシート状に成形し、８０℃×１０分で乾燥後、厚み１２０μｍのガラスセラミックグリーンシートを作製した。
【００４３】
次に、作製されたガラスセラミックグリーンシートに対してＣＯ２レーザーにより直径５０μｍの貫通孔を形成し、この貫通孔に貫通導体用ペーストをスクリーン印刷法で埋め込むとともに、ガラスセラミックグリーンシートの表面に配線層用導体ペーストをスクリーン印刷で被着形成した後、８０℃で２時間かけて乾燥させた。このとき用いたペーストは、平均粒径が２μｍのＣｕ粉末９８質量％と平均粒径が２μｍのホウ珪酸ガラス粉末２質量％とからなる混合粉末１００質量部に対して、イソブチルメタクリレート系有機バインダーを５質量部、有機溶剤としてターピネオールを２０質量部加え、３本ロールミルで混合したものである。
【００４４】
さらに、貫通導体用ペーストの充填および配線層用導体ペーストの被着形成がなされたガラスセラミックグリーンシートを６層積層して積層体を作製した。
【００４５】
最後に、得られた積層体を、窒素雰囲気、焼成温度９００℃、１時間の保持時間で焼成して、ガラスセラミックグリーンシート、貫通導体および配線層を焼結させ、多層配線基板を得た。
【００４６】
一方、貫通導体用ペーストの充填および配線層用導体ペーストの被着形成がなされていないガラスセラミックグリーンシートを６層積層して積層体を作製し、この積層体の両主面（上面および下面）に配線層用導体ペーストを塗布してベタの配線パターンを形成し、多層配線基板の製造と同様の条件で焼成を行なった。そして、得られたサンプルについて、絶縁抵抗の測定を行った。具体的には、サンプルの上下面の配線層にデジタルマルチメーターを用いて１０Ｖ印加して絶縁抵抗を測定し、１×１０６Ω以下を不良とした。その結果を表１に示す。
【００４７】
また、貫通導体用ペーストの充填および配線層用導体ペーストの被着形成がなされていないガラスセラミックグリーンシートを２０層積層して積層体を作製し、この積層体を直径１０ｍｍ、厚み２ｍｍの形状に加工し、多層配線基板の製造と同様の条件で焼成を行ない、サンプルを得た。得られたサンプルについて、レーザーフラッシュ法にて熱伝導率を求め、２Ｗ／ｍ・Ｋ未満を不良とした。その結果を表１に示す。
【００４８】
【表１】
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【００４９】
表１によれば、本発明範囲内の試料（試料Ｎｏ．３〜７，１０〜１３，１５，１６）においては絶縁抵抗および熱伝導率が良好な値を示していることがわかる。
【００５０】
これに対し、本発明範囲外の試料Ｎｏ．１では、放熱体を含まないので、熱伝導率が悪いことがわかる。
【００５１】
また、本発明範囲外の試料Ｎｏ．２では、酸化物系セラミック被膜の厚みが０．１μｍと薄いので、絶縁性が悪くなっていることがわかる。
【００５２】
また、本発明範囲外の試料Ｎｏ．８では、酸化物系セラミック被膜の厚みが４．０μｍと厚いので、ガラスセラミックスの焼結が阻害され、絶縁性が悪くなっていることがわかる。
【００５３】
また、本発明範囲外の試料Ｎｏ．９では、金属粉体の含有量が８質量％と少ないため、熱伝導率が悪くなっていることがわかる。
【００５４】
また、本発明範囲外の試料Ｎｏ．１４では、金属粉体の含有量が５０質量％と多いため、絶縁性が悪くなっていることがわかる。
【００５５】
なお、表には示していないが、焼成後のガラスセラミック絶縁層に含まれる放熱体における酸化物系セラミック被膜の厚みについては、ガラスセラミック絶縁層を切断した断面についての走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）による１０００倍の画像から、焼成前の原料段階の放熱体における酸化物系セラミック被膜の厚みと等しいことが確認された。また、焼成後の放熱体を含むガラスセラミック絶縁層中の金属粉体の含有量は、ＩＣＰ発光分光分析法により、焼成前の混合物中の金属粉体の含有量と等しいことが確認された。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】図１は本発明の多層配線基板の一実施形態の概略断面図である。
【図２】図１に示す領域Ａの拡大図である。
【符号の説明】
【００５７】
１・・・絶縁基体
１１、１２、１３、１４・・・ガラスセラミック絶縁層
２・・・貫通導体
３・・・配線層
４・・・放熱体
４１・・・金属粉体
４２・・・酸化物系セラミック被膜
【図１】
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【図２】
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