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【手続補正書】
【提出日】平成17年6月29日(2005.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
ハウジング（１）の壁が一層であることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の消音器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１０】
ハウジング（１）の壁が少なくとも１ミリメータよりも小さい厚さを有することを特徴とする、請求項１〜９のいずれか一項に記載の消音器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月4日(2005.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
光放出機能を有している結合基を構成部分としている請求項１記載の基準バイオ分子配列素子上に配列されている基準バイオ分子に対し、標的バイオ分子を投与し、基準バイオ分子と標的バイオ分子との結合による発光の有無又は程度によって、前記基準バイオ分子と相補結合又は親和結合を行い得るバイオ分子の存否を検出することによるバイオ分子におけるハイブリダイゼーションの確認システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
光消失機能を有している結合基を構成部分としている請求項１記載の基準バイオ分子配列素子上に配列されている基準バイオ分子に対し、光放出機能を有している結合基を端部における構成部分としたことによる標的バイオ分子を投与し、基準バイオ分子と標的バイオ分子との結合による光の消失の有無又は程度によって、前記基準バイオ分子と相補結合又は親和結合を行い得るバイオ分子の存否を検出することによるバイオ分子におけるハイブリダイゼーションの確認システム。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
光放出機能を有する結合基を構成部分としている請求項１記載の基準バイオ分子配列素子上に配列されている基準バイオ分子に対し、光消失機能を有している結合基を端部における構成部分としたことによる標的バイオ分子を投与し、基準バイオ分子と標的バイオ分子との結合による光の消失の有無又は程度によって前記基準バイオ分子と相補結合又は親和結合を行い得るバイオ分子の存否を検出することによるバイオ分子におけるハイブリダイゼーションの確認システム。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
実施例１においては、ハイブリダイゼーションの確認システムとして、光放出機能を有している結合基を構成部分としている本発明の基準バイオ分子配列素子２上に配列されている基準バイオ分子に対し、標的バイオ分子を投与し、基準バイオ分子と標的バイオ分子との結合による発光の有無又は程度によって、前記基準バイオ分子と相補結合又は親和結合を行い得るバイオ分子の存否を検出している。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
実施例２においては、ハイブリダイゼーションの確認システムとして、光消失機能を有している結合基を構成部分としている本発明の基準バイオ分子配列素子２上に配列されている基準バイオ分子に対し、光放出機能を有している結合基を端部における構成部分としたことによる標的バイオ分子を投与し、基準バイオ分子と標的バイオ分子との結合による光の消失の有無又は程度によって、前記基準バイオ分子と相補結合又は親和結合を行い得るバイオ分子の存否を検出している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
実施例３においては、ハイブリダイゼーションの確認システムとして、光放出機能を有する結合基を構成部分としている本発明の基準バイオ分子配列素子２上に配列されている基準バイオ分子に対し、光消失機能を有している結合基を端部における構成部分としたことによる標的バイオ分子を投与し、基準バイオ分子と標的バイオ分子との結合による光の消失の有無又は程度によって前記基準バイオ分子と相補結合又は親和結合を行い得るバイオ分子の存否を検出している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月28日(2005.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸入した水を加圧するための羽根車が多段に配設された回転軸、前記回転軸をラジアル方向で支持する軸受、および前記羽根車の加圧作用に起因して生じる軸方向の推力に対抗するバランス推力を前記回転等軸に加えるバランス装置を備えた一軸多段ポンプにおいて、
前記ラジアル軸受に水潤滑の軸受を用い、この水潤滑ラジアル軸受により前記バランス装置におけるバランス部材を介して前記回転軸の支持がなされていることを特徴とする一軸多投ポンプ。
【請求項２】
請求項１において、前記水潤滑の軸受は、摺動要素が樹脂材料で形成された水潤滑樹脂軸受が用いられていることを特徴とする一軸多段ポンプ。
【請求項３】
請求項２において、前記樹脂材料は、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）であることを特徴とする一軸多投ポンプ。
【請求項４】
吸入した水を加圧するための羽根車が多投に配設された回転軸と、この回転軸を支持するラジアル軸受と、前記回転軸を伝わって前記水が漏れるのを防止するなどのために回転環と固定環からなるシール装置と、前記回転軸を駆動するための駆動機と、前記回転軸の一端側と前記駆動機とを接続するためのカップリングとを備えている一軸多段ポンプにおいて、
前記ラジアル軸受として、摺動要素が樹脂材料で形成され潤滑に木を用いることができるようにされた水潤滑樹脂軸受を用い、
前記シール装置の回転環と国定環は、それぞれが径方向に分割できるように分割構造に構成され、これによって前記力ップリングを取り外すことなくシール装置のメンテナンスを可能としたことを特徴とする一軸多投ポンプ。
【請求項５】
請求項４において、分割溝造の前記回転環と国定環は、二つの半円筒部材を組合わせた二つ割構造であることを特色とする一勧多投ポンプ。
【請求項６】
清求項４において、前記羽根車の加圧作用に起因して生じる軸方向の推力に対抗するバランス推力を前記回転軸に加えるバランス装置を備え、前記水潤滑樹脂軸受を、前記バランス装置におけるバランス部材の外径側に配置して、このバランス部材を介して前記水潤滑樹脂軸受により回転軸を支承するようにしたことを特徴とする一軸  多投ポンプ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月6日(2004.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遠心弁付トルクコンバータ及び第１の遊星歯車列を有する変速機部と、可変容量型油圧モ−タを有する操向機部と、ブレ−キが取り付けられた第２の遊星歯車列とを備え、前記変速機部と操向機部とから出力される動力を重畳して出力する変速操向機において、前記変速機部の入力側に低圧用油圧ポンプと高圧用油圧ポンプを設け、高圧用油圧ポンプは、前記変速機部の速度段切換時及び操向機部の旋回時に作動油を供給する供給路に接続されており、前記低圧用油圧ポンプは前記トルクコンバ−タ及び前記ブレ−キに接続されており、この低圧用油圧ポンプの接続路はトルクコンバータ及びブレーキの冷却回路を形成することを特徴とする変速操向機。
【請求項２】
前記高圧用油圧ポンプが吐出する作動油を流れ方向を選択する選択手段を設け、この選択手段は、速度段切換時と旋回時を除いて高圧の作動油をトルクコンバ−タ側に流すよう選択することを特徴とする請求項１に記載の変速操向機。
【請求項３】
前記トルクコンバータの入口側から分岐した分岐流路を設け、この分岐流路は前記ブレーキに冷却油を供給するものであることを特徴とする請求項１に記載の変速操向機。
【請求項４】
前記変速機部に、速度段切換として、１速、２速、３速、４速、後進、及び直結各クラッチ段を設けたことを特徴とする請求項１に記載の変速操向機。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月24日(2005.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連結式作業機械であって、
貫通して延びる中央通路を有する一つの部品からなるハウジングと、
シャーシと、
前記作業機械を連結するように前記シャーシに対しピボット運動可能なフレームと、を備え、前記ハウジングが前記フレームに接触した状態で固定されており、前記作業機械の連結中に、駆動軸にかかる半径方向の力が前記ハウジングを介し前記フレームに伝達されるようになっており、
前記中央通路内に固定されたベアリング組立体と、
前記ハウジングに固定されたブレーキシュー組立体と、
からなる連結式作業機械。
【請求項２】
駆動軸を備え、
前記ベアリング組立体が内側レースと外側レースとを備え、前記内側レースが前記駆動軸のまわりに固定されるようになっており、前記外側レースが前記中央通路内の所定の場所で前記ハウジングに固定されるようになっていることを特徴とする請求項１に記載の作業機械。
【請求項３】
前記駆動軸に固定されたヨークと、該ヨークに固定されたブレーキドラムとを備え、
前記ブレーキシュー組立体は前記ハウジングに固定されており、
前記ブレーキシュー組立体は、前記駆動軸が回転しないように前記ブレーキドラムと協働するようになっていることを特徴とする請求項２に記載の作業機械。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月24日(2004.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モータによって駆動され、羽根車が回転することによって、圧力を発生する流体機械において、モータに電力を供給する周波数変換器と、周波数及び電流値の検出手段と、周波数と電流値の関係をあらかじめ規定したプログラムとを備え、
実際に運転した場合の周波数及び電流値と、上記規定プログラムとを比較し、流体機械の運転点を、上記規定プログラムに近づけるように周波数変換器の発生周波数が変化するようにしたことを特徴とする流体機械。
【請求項２】
同一回転数の下では、流量が増加するに従って軸動力が増加する流体機械を使用し、発生圧力が変化しても流量が略一定となるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の流体機械。
【請求項３】
同一回転数の下では、流量が増加するに従って軸動力が減少する流体機械を使用し、流量が変化しても発生圧力が略一定となるようにしたことを特徴とする請求項１に記載の流体機械。
【請求項４】
周波数（Hz）と電流値（Ａ）をある一意的な関数で関連付けて、プログラムしたことを特徴とする請求項１に記載の流体機械。
【請求項５】
Ａ＝ＫHzｎ（Ｋ及びｎは正の定数）としたことを特徴とする請求項４に記載の流体機械。
【請求項６】
Ｋ及びｎの値を切替える手段を周波数変換器に設けたことを特徴とする請求項５に記載の流体機械。
【請求項７】
三相誘導電動機によって駆動されるうず巻ポンプと、該三相誘導電動機に電力を供給する周波数変換器と、周波数変換器に設けられた周波数及び電流値の検出手段と、周波数変換器に記憶された周波数と電流値の関係を規定するプログラムとを備えたポンプ装置において、
実際に運転した場合の周波数及び電流値と、上記規定プログラムとを比較し、ポンプの運転点を上記規定プログラムに近づけるように周波数変換器の発生周波数が変化するようにし、ポンプの揚程が変化しても、流量が略同一となるようにしたことを特徴とするポンプ装置。
【請求項８】
周波数変換器の出力した時間と前記一定流量の値を乗ずることで、流量を積算する機能をもたせたことを特徴とする請求項７に記載のポンプ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また本発明は、三相誘導電動機によって駆動されるうず巻ポンプと、該三相誘導電動機に電力を供給する周波数変換器と、周波数変換器に設けられた周波数及び電流値の検出手段と、周波数変換器に記憶された周波数と電流値の関係を規定するプログラムとを備えたポンプ装置において、実際に運転した場合の周波数及び電流値と、上記規定プログラムとを比較し、ポンプの運転点を上記規定プログラムに近づけるように周波数変換器の発生周波数が変化するようにし、ポンプの揚程が変化しても、流量が略同一となるようにしたことを特徴とするものである。
本発明の１態様においては、周波数変換器の出力した時間と前記一定流量の値を乗ずることで、流量を積算する機能をもたせている。
そして、本発明の好ましい態様としては、周波数変換器に流量の表示部を設けている。
本発明の好ましい態様としては、周波数変換器のメモリー機能を活用し、所定時間おきに所定量の水を搬送する作業を所定日数連続で行い、所定日数休止し、更に所定日数連続で作業を行うような自動運転を行えるようにしている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月18日(2004.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
触媒例としては、ジベンゾイルパーオキサイド（ＢＰＯ）、アゾビスイソブチロニトリル、メチルイソブチルケトンパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイドなどがあげられる。促進剤の例としては、ジメチル−Ｐ−トルイジンなどの第３級アミン、ナフテン酸コバルトなどの有機化合物の金属塩などがあげられる。ラジカル重合性モノマーの例としては、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルアクリレート、ブチルアクリレート、ステアリルアクリレート、などのアクリレート類、スチレン、α−メチルスチレン、酢酸ビニルなどのビニルモノマー、ビニルシラン類、アクリル変性エポキシ樹脂類、不飽和ポリエステル樹脂類、ビニルエステル樹脂類など、反応性二重結合を含む化合物があげられる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
モノマーを含む樹脂液にＢＰＯなどの触媒（硬化剤）を添加すると、一定の重合禁止期間（可使時間）ののち急速に重合が起こり、樹脂液は硬化物となる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
該補強層の少なくとも一方向の引張強度が、５０Ｋg／ｃｍより高いことが好ましく、１００Ｋg／ｃｍより高いことがより好ましい。５０Ｋg／ｃｍ以下ではコンクリートの引っ張り強度より弱いからである。また、該補強層の単位面積あたりのアラミド繊維の重量が５０g／ｍ2〜１０００g／ｍ2であることが好ましく、１００g／ｍ2〜６００g／ｍ2であることがより好ましい。５０g／ｍ2未満では強力が不足し、１０００g／ｍ2を越えるとコンクリートへの接着性が乏しくなるからである。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
アラミド繊維は炭素繊維と異なり、極端に電気導電性が低いので、微細繊維が飛散、浮遊した場合、電気設備の近傍で使用していても通電することがない。体積抵抗率は１０7Ω・ｃｍ以上が好ましく、体積抵抗率は１０14Ω・ｃｍ以上がより好ましい。アラミド繊維はしなやかであり、隅角部の処理も１０ｍｍの丸みをもたせれば十分に強力が出るので、下地処理が容易である。アラミド繊維は炭素繊維より耐衝撃性に優れる。また、アラミド繊維は燃焼するため、焼却処分可能であり、地球環境上の問題はない。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
なお、本発明における、アラミド樹脂から成る補強層は、アラミド樹脂を含む補強層も包含するものである。即ち、アラミド樹脂のみからなるものだけではなく、本発明の目的を阻害しない範囲でアラミド樹脂やアラミド繊維以外の樹脂や繊維を組み合わせたり混合したりすることができる。例えば、一方方向はアラミド繊維を用い他の方向はアラミド以外の繊維を用いたり、アラミド繊維とアラミド以外の繊維を混紡するなどが挙げられる。なお、アラミド以外の繊維としてはナイロン、ポリエステル、ポリアクリロニトリル等が挙げられるが、ナイロン又は、ポリエステルがより好ましい。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
メチルメタクリレート樹脂１００部に対してジベンゾイルパーオキサイド（ＢＰＯ）を２部混合し、あらかじめ適度の大きさに切断されたアラミド繊維シートに塗布する。この際、塗布量が単位面積当たり３００〜５００ｇ／ｍ2になるよう調節する。片面の塗布が終了すれば、樹脂が硬化したことを確認し、もう一方の面も同様に樹脂を塗布する。両面とも樹脂含浸した後、完全に硬化したことを確認し、引張試験を実施した。結果を表３に記した。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月20日(2004.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
トリガー装置の作用により施錠杆の突出量を制御して開扉時には施錠杆がラッチボルトとして機能し、閉扉時には施錠杆がデッドボルトとして機能するように構成し、施錠杆に係合して施錠杆の後退を阻止するロッキングピースを扉外側に設けられたシリンダー錠または扉内側に設けられたサムターンの操作により作動させて施錠杆との係合を解除又は係合するようにした扉錠において、圧搾空気の供給又は排気により作動して前記ロッキングピースと施錠杆との係合を解除又は係合させるエアーシリンダーを設けると共に、施錠杆の後退により弁体が開放又は閉鎖されるエアースイッチを設け、エアースイッチを通過する空気の流れを監視することによって扉錠が解錠、開扉されたか否かを確認できるようしたことを特徴とする遠隔操作錠。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る遠隔操作錠は、トリガー装置の作用により施錠杆の突出量を制御して開扉時には施錠杆がラッチボルトとして機能し、閉扉時には施錠杆がデッドボルトとして機能するように構成し、施錠杆に係合して施錠杆の後退を阻止するロッキングピースを扉外側に設けられたシリンダー錠または扉内側に設けられたサムターンの操作により作動させて施錠杆との係合を解除又は係合するようにした扉錠において、圧搾空気の供給又は排気により作動して前記ロッキングピースと施錠杆との係合を解除又は係合させるエアーシリンダーを設けると共に、施錠杆の後退により弁体が開放又は閉鎖されるエアースイッチを設け、エアースイッチを通過する空気の流れを監視することによって扉錠が解錠、開扉されたか否かを確認できるようしたことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月19日(2004.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、先端部とシャンク部とからなる半導体実装用のボンディングツールであって、先端部を構成する基体部と、基体部から突き出ている突出部が一体材料から成り、突出部の工具面は気相合成ダイヤモンドで被覆され、該先端部と該シャンク部が機械的に固着されてなる、もしくは真空吸着で固定されてなることを特徴とするボンディングツールに関する。シャンク部は、先端部を一定の位置制度および角度制度の範囲内でボンディング装置に固定するための装置への取付け機構を有し、同時に、先端部を、ボンディング工程に必要な温度まで加熱させるための機構を有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
このようにして得られたボンディングステージにおいて、ステージ部の底面と工具面の平行度、熱電対部に於ける温度５００℃での工具面表面温度分布、５００℃に加熱したときのステージ部と台座部との焼き付き試験、常温から６００℃に加熱と冷却を繰り返した場合の基体部と突出部の接合界面の耐久性、及び６００℃の温度で２０ｋｇの荷重をかけて２００万回の耐久性について比較した。結果を表２に示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１．先端部
２．取付側面
３．基体部
４．突出部
５．ダイヤ被覆層（工具面）
６．真空吸着穴
１０．カートリッジヒーター収納部
１１．装着部
１２．押し付け部
１４．シャンク部
１５．偏心軸
１６．偏心軸の動きを伝達する部材
１７．偏心軸の支軸
１８．部材１６の支軸
１９．熱電対収納部
２０．ろう付け面
１０１．ステージ部
１０２．取付側面
１０３．基体部
１０４．突出部
１０５．ダイヤ被覆層（工具面）
１０６．真空吸着穴
１１０．カートリッジヒーター収納部
１１１．装着部
１１２．押し付け部
１１４．台座部
１１６．偏心軸の動きを伝達する部材
１１９．熱電対収納部
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月10日(2004.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロードロック室内に配置された基板を水平面上の直交する２つのＸ、Ｙ軸方向に移動でき、かつそれらに垂直なＺ軸まわりに回転できる支持手段により下方から支持し、カメラにより撮像した基板の画像の角から前記基板の位置と傾きを認識し、基板の所定位置と認識した基板位置とにずれや傾きがあるとき支持手段のＸ、Ｙ軸方向の移動とＺ軸まわりの回転との少なくとも１つによって基板を所定位置に位置決めする基板の位置決め方法であって、
基板の角部をなす基板の２辺における、１辺上の２点を結ぶ線分の延長線と他の１辺上の２点を結ぶ線分の延長線とが交差する交点を基板の角と認識して前記画像認識およびそれに基づく位置決めを行うことを特徴とする基板の位置決め方法。
【請求項２】
基板の角が欠けた部分に前記検出点の少なくとも１つが掛かっているときの画像認識に基づく位置決め時、基板の位置と傾きとにつき再度画像認識し、位置のずれや傾きがあると位置決め動作を行う請求項１に記載の基板の位置決め方法。
【請求項３】
撮像による画像認識に際し、基板をカメラと反対の側で基板から１１５ｍｍ〜１３５ｍｍ離れた位置から照明する請求項１、２のいずれか１項に記載の基板の位置決め方法。
【請求項４】
６６０×８８０ｍｍ以上の面積を有する基板を取り扱うのに、基板の撓みを７ｍｍ以下に抑えて支持する請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板の位置決め方法。
【請求項５】
基板の各長辺部の中央部１箇所と、各短辺部の中央振り分け位置２箇所との、合計６箇所を支持することを特徴とする請求項４に記載の基板の位置決め方法。
【請求項６】
基板の６箇所を弾性部材で支持する請求項５に記載の基板の位置決め方法。
【請求項７】
ロードロック室内に配置された基板を下方から支持し、水平面上の直交する２つのＸ、Ｙ軸方向に移動でき、かつそれらに垂直なＺ軸まわりに回転できる支持手段と、この支持手段により支持される基板を撮像して画像認識に供するカメラと、カメラが撮像した画像データから、基板の角部をなす２辺における、１辺上の２点を結ぶ線分の延長線と他の１辺上の２点を結ぶ線分の延長線とが交差する交点を基板の角と認識して基板の位置および傾きを演算する演算手段と、演算の結果位置ずれや傾きがあると支持手段のＸ、Ｙ軸方向の移動とＺ軸まわりの回転との少なくとも１つによって基板を所定位置に位置決めする制御手段とを備えたことを特徴とする基板の位置決め装置。
【請求項８】
制御手段は、基板の角が欠けている部分に前記検出点の少なくとも１つが掛かっているときの画像認識に基づく位置決め時、基板の位置と傾きとにつき再度画像認識し、位置のずれや傾きがあると位置決め動作を行う請求項７に記載の基板の位置決め装置。
【請求項９】
基板をカメラと反対の側で基板から１１５ｍｍ〜１３５ｍｍ離れた位置にて照明する照明手段を備えた請求項７、８のいずれか１項に記載の基板の位置決め装置。
【請求項１０】
支持手段は基板の各長辺部の中央部１箇所と、各短辺部の中央振り分け位置２箇所との、合計６箇所を支持することを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の基板の位置決め装置。
【請求項１１】
支持手段は基板の６箇所を支持する支持ピンの上端に弾性部材よりなるＯリングを横向きに設けた請求項１０に記載の基板の位置決め装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために、本発明の基板の位置決め方法は、ロードロック室内に配置された基板を水平面上の直交する２つのＸ、Ｙ軸方向に移動でき、かつそれらに垂直なＺ軸まわりに回転できる支持手段により下方から支持し、カメラにより撮像した基板の画像の角から前記基板の位置と傾きを認識し、基板の所定位置と認識した基板位置とにずれや傾きがあるとき支持手段のＸ、Ｙ軸方向の移動とＺ軸まわりの回転との少なくとも１つによって基板を所定位置に位置決めする基板の位置決め方法であって、基板の角部をなす基板の２辺における、１辺上の２点を結ぶ線分の延長線と他の１辺上の２点を結ぶ線分の延長線とが交差する交点を基板の角と認識して前記画像認識およびそれに基づく位置決めを行うことを主たる特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
このような構成では、ロードロック室に配置された基板を支持手段によって下方から支持し、支持した基板のカメラにより画像認識した位置および傾きに応じて、支持手段自体の、水平面上の直交するＸ、Ｙ軸２方向の移動と、これらに直角なＺ軸まわりの回転との少なくとも１つによって基板を位置決めして、ロードロック室から外部へ移載され真空処理やカセットへの収納に供することができ、位置決めのためにクランプ方式による場合のような負荷を基板に与えることがなく、基板の大判化や薄型化によっても正確に位置決めできるとともに、基板にダメージを与えたりダスト発生の原因になったりすることがなく位置決めの信頼性が向上する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このような方法を達成する位置決め装置としては、ロードロック室に配置された基板をを下方から支持し、水平面上の直交する２つのＸ、Ｙ軸方向に移動でき、かつそれらに垂直なＺ軸まわりに回転できる支持手段と、この支持手段により支持される基板を撮像して画像認識に供するカメラと、カメラが撮像した画像データから、基板の角部をなす２辺における、１辺上の２点を結ぶ線分の延長線と他の１辺上の２点を結ぶ線分の延長線とが交差する交点を基板の角と認識して基板の位置および傾きを演算する演算手段と、演算の結果基板に位置のずれや傾きがあると支持手段のＸ、Ｙ軸方向の移動とＺ軸まわりの回転との少なくとも１つによって基板を所定位置に位置決めする制御手段とを備えたもので足り、上記のような方法を自動的に安定して達成することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、ロードロック室にて基板を支持手段によって下方から支持し、支持した基板のカメラでの撮像により画像認識した位置および傾きに応じて、支持手段自体の、水平面上の直交するＸ、Ｙ軸２方向の移動と、これらに直角なＺ軸まわりの回転との少なくとも１つによって基板を位置決めして、ロードロック室外部へ移載され真空処理やカセットへの収納に供することができ、位置決めのためにクランプ方式による場合のような負荷を基板に与えることがなく、基板の大判化や薄型化によっても正確に位置決めできるとともに、基板にダメージを与えたりダスト発生の原因になったりすることがなく位置決めの信頼性が向上する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月26日(2005.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子タグを加熱して内容積から汚染物質を除去し、
内容積を注入材料で充填し、
内容積を外側シェル内に気密封止することを特徴とする電子タグをパッケージする方法。
【請求項２】
電子タグを加熱して内容積から汚染物質を除去し、
内容積を注入材料で充填し、
内容積内に残っている容積を不活性ガスで充填し、
内容積を外側シェル内に気密封止することを特徴とする電子タグをパッケージする方法。
【請求項３】
電子タグを加熱して内容積から汚染物質を除去し、
内容積を外側シェル内に気密封止することを特徴とする電子タグをパッケージする方法。
【請求項４】
周アンテナと電子タグにポリテトラフルオロエチレンおよびポリパラキシレンの少なくとも１つを含む第１コーティングを施し、
周アンテナと電子タグに構造的に支持するポリマーの第２コーティングを施すことを特徴とする電子タグをパッケージする方法。
【請求項５】
電子タグを管状部材の内壁の選択した方位角位置に設けたスロットに配置し、
スロットを注入材料で充填し、電子タグをスロットに接着させることをことを特徴とする電子タグを管状部材内に配置する方法。
【請求項６】
管状部材の内壁の選択した方位角位置に形成したスロットと、
スロットに配置した電子タグと、
スロット中に装入した注入材料とを有し、
注入材料が、電子タグと管状部材の内壁との間に障壁を形成すると共に、電子タグをスロットに接着させることを特徴とする電子タグ装置。
【請求項７】
管状部材と、
管状部材内に配置された電子タグと、
管状部材内の電子タグ近傍に配置された信号増強装置とを有することを特徴とする電子タグ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月6日(2005.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子が形成されたウェーハの主表面に、前記素子に電気的に接続されたスタッド・バンプを形成する工程と、
前記ウェーハのダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、前記ウェーハの主表面側から裏面に達しない深さの溝を形成する工程と、
前記ウェーハのスタッド・バンプ形成面側を封止材で被覆する工程と、
前記ウェーハの裏面研削を行うことにより、ウェーハの薄厚化と個々のチップへの分離を同時に行う工程と、
前記裏面研削によって個片化されたチップをピックアップする工程と、
加熱して、ピックアップしたチップのスタッド・バンプを溶融させて基板に接合して実装し、且つ同時に前記封止材を溶融させて前記ピックアップしたチップと前記基板との間を封止する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
素子が形成されたウェーハのダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、前記ウェーハの主表面側から裏面に達しない深さの溝を形成する工程と、
前記ウェーハの主表面に、前記素子に電気的に接続されたスタッド・バンプを形成する工程と、
前記ウェーハのスタッド・バンプ形成面側を封止材で被覆する工程と、
前記ウェーハの裏面研削を行うことにより、ウェーハの薄厚化と個々のチップへの分離を同時に行う工程と、
前記裏面研削によって個片化されたチップをピックアップする工程と、
加熱して、ピックアップしたチップのスタッド・バンプを溶融させて基板に接合して実装し、且つ同時に前記封止材を溶融させて前記ピックアップしたチップと前記基板との間を封止する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
素子が形成されたウェーハの主表面に、前記素子に電気的に接続されたスタッド・バンプを形成する工程と、
前記ウェーハのスタッド・バンプ形成面側を封止材で被覆する工程と、
前記ウェーハのダイシングラインまたはチップ分割ラインに沿って、前記封止材を切断し且つ前記ウェーハの裏面に達しない深さの溝を形成する工程と、
前記ウェーハの裏面研削を行うことにより、ウェーハの薄厚化と個々のチップへの分離を同時に行う工程と、
前記裏面研削によって個片化されたチップをピックアップする工程と、
加熱して、ピックアップしたチップのスタッド・バンプを溶融させて基板に接合して実装し、且つ同時に前記封止材を溶融させて前記ピックアップしたチップと前記基板との間を封止する工程と
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記封止材は、液状樹脂を用いたスピンコート法により形成されることを特徴とする請求項１乃至３いずれか１つの項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記封止材は、シート状の樹脂を貼り付けることによって形成されることを特徴とする請求項１乃至３いずれか１つの項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ウェーハの裏面研削工程の前に、前記ウェーハのバンプ形成面を被覆する前記封止材上に、表面保護テープを貼り付ける工程を更に具備することを特徴とする請求項１乃至５いずれか１つの項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記ウェーハの裏面研削工程の前に、前記ウェーハのバンプ形成面を被覆する前記封止材上に、紫外線硬化型の表面保護テープを貼り付ける工程と、前記ウェーハの裏面研削工程の後に、前記表面保護テープに紫外線を照射して粘着力を低下させる工程とを更に具備することを特徴とする請求項１乃至５いずれか１つの項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記ピックアップ工程の前に、個片化された各チップの裏面にピックアップ・テープを貼り付ける工程を更に具備することを特徴とする請求項１乃至７いずれか１つの項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記ピックアップ工程の前に、個片化された各チップの裏面に紫外線硬化型のピックアップ・テープを貼り付ける工程と、このピックアップ・テープに紫外線を照射して粘着力を低下させる工程とを更に具備することを特徴とする請求項１乃至７いずれか１つの項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
ピックアップしたチップの前記バンプを基板に接合して実装し、且つ同時に前記封止材を溶融させて封止する工程は、フリップチップ接続により行われることを特徴とする請求項１乃至９いずれか１つの項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記フリップチップ接続工程において、前記バンプの基板への接合は、超音波を印加した状態で行われることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
ピックアップしたチップの前記バンプを基板に接合して実装し、且つ同時に前記封止材を溶融させて封止する工程の後に、アフター・キュアー工程を更に具備することを特徴とする請求項１乃至１１いずれか１つの項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月23日(2005.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変圧器用巻線を製造するための扁平な四角形の断面を持つ、好ましくは銅製の金属ワイヤであって、前記断面の長軸が第１の平面において伸びる第１の部分（４ａ、４ｅ）が、前記断面の長軸が第１の平面に対して垂直な第２の平面に伸びる第２の部分（４ｃ）と交互に現れ、ほぼ正方形の断面を持つ第３の部分（４ｂ、４ｄ）が、第１の部分（４ａ、４ｅ）と第２の部分（４ｃ）との間に配置されることを特徴とする、金属ワイヤ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月28日(2004.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの活性基板（Ａ）と、該活性基板（Ａ）がセレン化反応によって結合されているベース基板（Ｂ）を含む結合基板を製造する方法であって、
前記活性基板（Ａ）の結合表面（12）上に第１の材料（11）と第２の材料（13）からなる交互層を付着することによって第１の多重積層体（15）を形成するステップと、前記第１の材料（11）がセレンを含み、前記第２の材料（13）が、インジウム、ガリウム、アンチモン及びアルミニウムを含むグループから選択される材料を含み、
前記ベース基板（Ｂ）の実装表面（14）上に前記第１の材料（11）と前記第２の材料（13）からなる交互層を付着することによって第２の多重積層体（17）を形成するステップと、
前記第１の多重積層体（15）及び前記第２の多重積層体（17）を互いに接触して配置するステップと、
不活性雰囲気内で前記活性基板（Ａ）及び前記ベース基板（Ｂ）を焼鈍して、前記活性基板（Ａ）及び前記ベース基板（Ｂ）を互いに接着結合する化合物結合層（19）を形成することによって、前記活性基板（Ａ）と前記ベース基板（Ｂ）を互いに結合するステップとを含む方法。
【請求項２】
前記焼鈍するステップが、約200℃〜約300℃の温度で前記活性基板（Ａ）及び前記ベース基板（Ｂ）を加熱するステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１の多重積層体（15）及び前記第２の多重積層体（17）からなる前記交互層が、約0.0℃〜約50.0℃の温度で付着される請求項１に記載の方法。
【請求項４】
さらに前記第１の材料（11）がテルルを含む請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記焼鈍するステップが、約150℃〜約300℃の温度で前記活性基板（Ａ）と前記ベース基板（Ｂ）を加熱するステップを含む請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の多重積層体（15）及び前記第２の多重積層体（17）の前記交互層が、約0.0℃〜約50.0℃の温度で付着される請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記活性基板（Ａ）及び前記ベース基板（Ｂ）が、半導体、金属及び誘電体からなるグループより選択される材料である請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記活性基板（Ａ）及び前記ベース基板（Ｂ）が、シリコン、酸化シリコン、アルミナ及びガリウム砒素からなるグループより選択される材料である請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記活性基板（Ａ）及び前記ベース基板（Ｂ）が異なる材料から形成されている請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記活性基板（Ａ）及び前記ベース基板（Ｂ）が同じ材料から形成されている請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記配置するステップが、前記活性基板（Ａ）及び前記ベース基板（Ｂ）に実質上圧力をかけることなく、前記第１の多重積層体（15）と前記第２の多重積層体（17）とを互いに接触させるステップを含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１の材料（11）、前記第２の材料（13）及び前記化合物結合層（19）が、前記第１の材料（11）及び前記第２の材料（13）に対する基本的な材料と、前記化合物結合層（19）に対する多結晶化合物結合層と、前記第１の材料（11）及び前記第２の材料（13）に対する非晶質化合物と、前記化合物結合層（19）に対する非晶質化合物結合層とからなるグループより選択される材料である請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の多重積層体（15）と前記第２の多重積層体（17）とを形成するステップが、
少なくとも１つの活性基板の前記結合表面（12）上に前記第１の多重積層体（15）を形成するステップと、
別の活性基板の実装表面（14）上に前記第２の多重積層体（17）を形成するステップと、
前記第１の多重積層体（15）と前記第２の多重積層体（17）とを互いに接触して配置するステップと、
不活性雰囲気内で前記活性基板を焼鈍して、前記活性基板を互いに接着結合する化合物結合層（19）を形成することによって、前記活性基板からなる三次元積層体を形成するステップをさらに含む請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月16日(2004.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の表層部に形成されたＭＯＳトランジスタのドレイン・ソース領域と、
前記半導体基板の前記ドレイン・ソース領域間のチャネル領域の表面上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記半導体基板の表層部に形成された溝の内壁に絶縁膜が形成されてなる複数の溝型素子分離領域と、
前記複数の溝型素子分離領域のうちの少なくとも一部の溝型素子分離領域の内部に埋め込まれ、所定の電圧が印加されることによって前記ＭＯＳトランジスタのチャネル領域下を空乏化するバックゲート電極用の導電体
とを具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
支持基板上に形成された第１絶縁膜上にシリコン層が形成されたSOI 基板と、
前記SOI 基板の表層部に形成されたＭＯＳトランジスタのドレイン・ソース領域と、
前記SOI 基板の前記ドレイン・ソース領域間のチャネル領域の表面上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記SOI 基板の表層部に形成された溝の内壁に第２絶縁膜が形成されてなる複数の溝型素子分離領域と、
前記複数の溝型素子分離領域のうちの少なくとも一部の溝型素子分離領域の内部に埋め込まれ、所定の電圧が印加されることによって前記ＭＯＳトランジスタのチャネル領域下を空乏化するバックゲート電極用の導電体と、
前記SOI 基板の支持基板の表層部に形成され、前記導電体の下端部に接続されたウエル領域とを具備し、
前記溝型素子分離領域の内壁に形成された第２絶縁膜は前記導電体の上部を覆っていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記複数の溝型素子分離領域は、前記ドレイン・ソース領域間のチャネル領域をチャネル幅の両側から挟む位置に形成された溝型素子分離領域を含み、
前記導電体は、前記チャネル幅の両側に形成された溝型素子分離領域の少なくとも一方の内部に埋め込まれていることを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記導電体の上部にコンタクトするように形成された上部配線をさらに具備することを特徴とする請求項１または２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記溝型素子分離領域の内壁に形成された第２絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜より厚いことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体基板上に形成されたメモリセル用のＭＯＳトランジスタの配列からなるメモリセルアレイと、
前記半導体基板上に形成された周辺回路領域と、
前記メモリセルアレイおよび周辺回路領域のそれぞれにおいて前記半導体基板の表層部に形成された溝の内壁に絶縁膜が形成されてなる複数の溝型素子分離領域と、
前記メモリセルアレイ及び周辺回路領域における複数の溝型素子分離領域のうちの少なくとも一部の溝型素子分離領域の内部に埋め込まれ、所定の電圧が印加されることによって前記ＭＯＳトランジスタのチャネル領域下を空乏化するバックゲート電極用の導電体
とを具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
前記メモリセルアレイにおける複数の溝型素子分離領域は、前記メモリセル用のＭＯＳトランジスタのドレイン・ソース領域間のチャネル領域をチャネル幅の両側から挟む位置に形成されている溝型素子分離領域を含み、
前記導電体は、前記チャネル幅の両側に形成された溝型素子分離領域の少なくとも一方の内部に埋め込まれていることを特徴とする請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記メモリセルアレイおよび周辺回路領域のそれぞれに形成されている前記溝型素子分離領域のうち、前記メモリセルアレイに形成されている溝型素子分離領域のみ内部に前記導電体が埋め込まれていることを特徴とする請求項６または７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記導電体の上部に連なる引き出し配線のコンタクトが前記メモリセルアレイの周囲もしくはメモリセルアレイの分割部分のコンタクト領域に形成されていることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体基板は、支持基板上に形成された絶縁膜上にシリコン層が形成されたSOI 基板であることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体基板は、支持基板上に形成された絶縁膜上にシリコン層が形成されたSOI 基板であり、前記SOI 基板の支持基板の表層部にウエル領域が形成されており、前記導電体の下端部が前記ウエル領域に接続されており、前記溝型素子分離領域の内壁に形成された絶縁膜は前記導電体の上部を覆っていることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記ウエル領域に導通するコンタクトが前記メモリセルアレイの周囲のコンタクト領域に形成されていることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
ここでは、基板１０上に形成された電極引き出し用の上部配線（例えば多結晶シリコン）４１によりSTI ２０の内部の多結晶シリコン２２を周辺領域へ引き出して上方のバックゲート電極４２との間で導電プラグ４３によりコンタクトをとっている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月26日(2004.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型のドレイン層と、
前記ドレイン層の上に設けられた第１導電型のドリフト層と、
前記ドリフト層の上に設けられた第２導電型のベース層と、
前記ベース層の上に設けられた第１導電型のソース領域と、
前記ベース層を貫通して前記ドリフト層に達するトレンチの内壁面に形成されたゲート絶縁膜及びこれを介して前記トレンチの内部に設けられたゲート電極とを有するトレンチ・ゲートと、
を備え、
前記ドリフト層は、前記ドレイン層の近傍において、前記トレンチの深さ方向に沿って前記ドレイン層に近づくに従って前記第１導電型の不純物濃度が上昇する濃度勾配を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ドリフト層の前記不純物濃度は、前記ベース層と隣接した部分において１×１０１６乃至９×１０１６ｃｍ−３の範囲内にあり、前記ドレイン層と隣接した部分において１×１０１７乃至３×１０１７ｃｍ−３の範囲内にあることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ドリフト層は、前記トレンチの深さ方向に沿って上部と下部との間に前記第１導電型の不純物濃度が極小となる部分を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ドリフト層の前記不純物濃度は、前記ベース層と隣接した部分において１×１０１７乃至３×１０１７ｃｍ−３の範囲内にあり、前記極小となる部分において１×１０１６乃至９×１０１６ｃｍ−３の範囲内にあり、前記ドレイン層と隣接した部分において１×１０１７乃至３×１０１７ｃｍ−３の範囲内にあることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
隣接する一対の前記トレンチ・ゲートの間に設けられた前記ベース層の幅が、０．５μｍ以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記トレンチ・ゲートは、前記ドレイン層に達することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ゲート絶縁膜は、前記ベース層に隣接した部分よりも前記ドリフト層に隣接した部分において厚く形成されたことを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月6日(2004.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状基部(2)と、これの片面に設けられた並列状のフィン(3)とを備えており、板状基部(2)の幅が２５〜４００ｍｍ、板状基部(2)の長さが２５〜４００ｍｍ、および板状基部(2)の肉厚が２〜５ｍｍであり、フィン(3)の高さが１〜３０ｍｍ、フィン(3)の間隔が１〜１．９ｍｍ、およびフィン(3)の肉厚が０．１〜０．８ｍｍである、ヒートシンク。
【請求項２】
板状基部(2)の幅が２５〜２００ｍｍ、板状基部(2)の長さが２５〜２００ｍｍ、および板状基部(2)の肉厚が２〜３ｍｍであり、フィン(3)の高さが５〜２５ｍｍ、フィン(3)の間隔が１．５〜１．９ｍｍ、およびフィン(3)の肉厚が０．２〜０．４９ｍｍである、請求項１記載のヒートシンク。
【請求項３】
フィン高さ／フィン間隔の比であるトング比が、０．５３〜３０である、請求項１記載のヒートシンク。
【請求項４】
フィン高さ／フィン間隔の比であるトング比が、２．７〜２４である、請求項３記載のヒートシンク。
【請求項５】
板状基部(2)と、これの片面に設けられた並列状のフィン(3)とがアルミニウム押出形材製である、請求項１〜４のうちのいずれか一項記載のヒートシンク。
【請求項６】
アルミニウム押出形材の素材が、Ａｌ−Ｍｇ−Ｓｉ系合金である、請求項５記載のヒートシンク。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月9日(2005.5.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体本体（１）と、
２つの端部を備えるリッジ（４）を含む活性領域（２、３、７）と、
それぞれミラー（１０、１２）を備えて前記端部を閉じるフロント・ファセットおよびバック・ファセットと、
前記活性領域の中にキャリアを注入するための前記本体および前記リッジの上の金属化層（６）と、
少なくとも前記端部の１つで前記キャリアの注入を制限する手段（１１、１３）とを含む半導体リッジ導波路レーザー・ダイオードであって、
前記制限手段（１１、１３）は、レーザー・ダイオードの活性領域（２、３、４、７）と前記金属化層（６）の間の絶縁層を含み、前記絶縁層（１１、１３）は、前記少なくとも１つの端部に位置し、前記レーザー導波路リッジ（４）の上に横方向に伸張し、好ましくは前記リッジ（４）よりも広く、および前記半導体本体（１）の一部分のみの上に縦方向に伸張することを特徴とするレーザー・ダイオード。
【請求項２】
絶縁層（１１、１３）が、半導体本体（１）の幅の一部のみの上に伸張することを特徴とする請求項１記載のレーザー・ダイオード。
【請求項３】
絶縁層（１１、１３）が、半導体本体（１）の幅全体の上に伸張することを特徴とする請求項１記載のレーザー・ダイオード。
【請求項４】
キャリアの注入を制限する２つの手段（１１、１３）を、フロント端部およびバック端部に各１つずつ備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載のレーザー・ダイオード。
【請求項５】
埋め込み材料（５）が、リッジ（４）に沿って伸張するように備えられ、前記絶縁層（１１、１３）が、少なくとも１つの端部、および前記埋め込み材料（５）の部分を被覆することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項記載のレーザー・ダイオード。
【請求項６】
絶縁層（１１、１３）が、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＮまたは好ましくはＳｉＮから作られることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項記載のレーザー・ダイオード。
【請求項７】
絶縁層（１１、１３）が、金属化層（６）領域の一部分のみの下に伸長していることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項記載のレーザー・ダイオード。
【請求項８】
絶縁層が約５０ｎｍの薄さであり、好ましくは約２０μｍ×４０μｍの面積を覆うことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項記載のレーザー・ダイオード。
【請求項９】
絶縁層（１１、１３）の縦方向の伸長が、レーザーの活性領域（２、３、７）内の自由キャリアの平均拡散長さと少なくとも同じ、好ましくはより長いことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項記載のレーザー・ダイオード。
【請求項１０】
Ｐ−Ｉ特性における不均質性が、レーザーのしきい値をわずかに超えて始まることを回避するように、絶縁層（１１、１３）の縦方向の伸長を選択することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項記載のレーザー・ダイオード。
【請求項１１】
絶縁層（１１、１３）の横方向の伸長が、レーザーの導波リッジ（４）よりも広く、しかし金属化層の横方向の伸長よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項記載のレーザー・ダイオード。
【請求項１２】
レーザー・ダイオードの基板がＧａＡｓであり、
活性領域がＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓであり、および、
絶縁層がＳｉＮであることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項記載のレーザー・ダイオード。
【請求項１３】
高出力のリッジ導波路レーザー・ダイオードを作る１つの方法であって、パターン形成した絶縁層（１１、１３）をレーザー・ダイオードの活性領域（２、３、４、７）と前記活性領域にキャリアを注入する金属化層（６）の間に挿入することによって、少なくとも１つのポンピングしない端部を提供することを含み、
前記絶縁層（１１、１３）は、前記少なくとも１つの端部に位置し、前記レーザー導波路リッジ（４）の上に横方向に伸張し、好ましくは前記リッジ（４）よりも広く、および前記半導体本体（１）の一部分のみの上に縦方向に伸張し、かくして前記端部に前記ポンピングしない端部を備えることを特徴とする方法。
【請求項１４】
パターン形成した絶縁層（１１、１３）を、付着させたＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、ＴｉＮまたは好ましくはＳｉＮ層の現場で制御された化学反応性イオン・エッチングによって形成することを特徴とする請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
絶縁層をウェーハ全体にＰＥＣＶ付着させ、
パターン形成を、ポンピングしない端部を形成する領域上にほぼ矩形のレジストが得られるようにフォトリソグラフの工程において画定し、および
前記レジストを、前記絶縁層の不要な部分を除去する、後続のドライ化学エッチ・プロセス用のマスクとして使用することを特徴とする請求項１３記載の方法。