【手続補正書】
【提出日】平成17年9月16日(2005.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成した半導体薄膜にパルスレーザー光を照射することで結晶化させる方法において、レーザー光をラインビームに整形する手段を有し、パルスレーザー強度を空間的にラインビームの長軸方向に周期的に強度変調させる手段を有し
、ラインビームの照射領域全体にわたって一定の方向に成長した結晶からなる多結晶膜をショット毎に一括形成することを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
【請求項２】
上記第１項において、ラインビームの1辺の長さが少なくとも３００mm以上のラ
インビームであることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
【請求項３】
上記第１項において、パルスレーザー光の強度を変調する手段が、位相シフトストライプパターンであることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
【請求項４】
上記第１項において、パルスレーザー光がエキシマレーザー光であることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
【請求項５】
上記第１項において、パルスレーザー光が固体レーザー光であることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
【請求項６】
上記第３項において、位相シフトストライプパターンマスクは、石英基板表面に形成した凹凸のストライプパターンからなることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
【請求項７】
上記第６項において、マスクの表面近傍にガスの流れを形成しながら、レーザー照射を行うことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
【請求項８】
基板上に形成した半導体薄膜にパルスレーザー光を照射することで結晶化させる方法において、基板を走査する手段を有し、レーザー光をラインビームに整形する手段を有し、パルスレーザー強度を空間的にラインビームの長軸方向に周期的に強度変調させるための１次元的な周期的ストライプパターンを有し、そのストライプの方向と走査方向との成す角度を調節することによって、ショット間の走査方向の移動量を２０ミクロンメートル以上として、走査方向と垂直方向の照射光強度分布のズレ量を１ミクロンメートル以下として基板を移動走査させながらパルス照射を繰り返すことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
【請求項９】
上記第８項において、上記ストライプパターンが周期的位相シフトパターンであることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
【請求項１０】
上記第８項において、上記ストライプパターンが周期的スリットパターンであることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
【請求項１１】
上記第８項において、マスクの表面近傍にガスの流れを形成しながら、レーザー照射を行うことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
【請求項１２】
基板上に形成した半導体薄膜にパルスレーザー光を照射することで結晶化させる方法において、レーザー光をラインビームに整形する手段を有し、パルスレーザー強度を空間的にラインビームの長軸方向に周期的に強度変調させるための１次元的な周期的ストライプパターンを有し、そのストライプの方向と走査方向との成す角度が、0.1度から２度の範囲であることを特徴とする半導体薄膜の製造方
法。
【請求項１３】
上記第１２項において、１次元的な周期的ストライプパターンが周期的位相シフトストライプパターンであることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
【請求項１４】
上記第１２項において、１次元的な周期的ストライプパターンが周期的スリットパターンであることを特徴とする半導体膜の製造方法。
【請求項１５】
上記第１２項において、マスクの表面近傍にガスの流れを形成しながら、レーザー照射を行うことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
【請求項１６】
基板上に形成した半導体膜にパルスレーザー光を照射することで結晶化させる方法において、レーザー光をラインビームに整形する手段を有し、パルスレーザー強度を空間的にラインビームの長軸方向に周期的に強度変調させるための１次元的な周期的ストライプパターンを有し、そのストライプの方向と基板の１辺との成す角度が、0.1度から２度の範囲であることを特徴とする半導体薄膜の製造方
法。
【請求項１７】
上記第１６項において、１次元的な周期的ストライプパターンが周期的位相シフトストライプパターンであることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
【請求項１８】
上記第１６項において、１次元的な周期的ストライプパターンが周期的スリットパターンであることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
【請求項１９】
上記第１６項において、マスクの表面近傍にガスの流れを形成しながら、レーザー照射を行うことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
【請求項２０】
基板上に形成した半導体薄膜にパルスレーザー光を照射することで結晶化させる方法において、レーザー光をラインビームに整形する手段を有し、パルスレーザー強度を空間的にラインビームの長軸方向に周期的に強度変調させるための１次元的な周期的ストライプパターンを有し、局所的に周囲に比べて高さが高い突起が1次元的に配列しており、その配列間の平均距離が複数存在し、かつその配列
が周期的であって、突起間には非結晶領域が存在しないことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
【請求項２１】
上記第２０項において、１次元的な周期的ストライプパターンが周期的位相シフトストライプパターンであることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
【請求項２２】
基板上に形成した半導体薄膜にパルスレーザー光を照射することで結晶化させる方法において、レーザー光をラインビームに整形する手段を有し、パルスレーザー強度を空間的にラインビームの長軸方向に周期的に強度変調させるための複数の１次元的な周期的ストライプパターンを有し、その複数のパターン周期が整数倍の関係になっていることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
【請求項２３】
多結晶半導体薄膜において、局所的に周囲に比べて高さが高い突起が1次元的に
配列し、その突起の配列方向と垂直方向の平均サイズが突起の間隔の約１/２で
あることを特徴とする半導体薄膜。
【請求項２４】
多結晶半導体薄膜において、局所的に周囲に比べて高さが高い突起が1次元的に
配列し、その突起の配列方向と垂直方向の平均サイズが0.4ミクロンメートル以
上であり、その多結晶シリコン膜が形成されている基板の枠の１辺と突起の配列方向の成す角度が0.1度から2度の間であることを特徴とする半導体薄膜。
【請求項２５】
多結晶半導体薄膜において、局所的に周囲に比べて高さが高い突起が1次元的に
配列しており、その配列間の平均距離が複数存在し、かつその配列が周期的であって、突起間には非結晶領域が存在しないことを特徴とする半導体薄膜。
【請求項２６】
多結晶半導体薄膜において、局所的に周囲に比べて高さが高い突起が1次元的に
配列しており、その配列周期が異なる領域が複数あり、その配列周期が整数倍になっていることを特徴とする半導体薄膜。
【請求項２７】
基板上に形成した半導体薄膜にＣＷレーザー光を照射することで結晶化させる方法において、ＣＷレーザー光をラインビームに整形する手段を有し、レーザー強度を空間的にラインビームの長軸方向に周期的に強度変調させる手段を有し、ラインビームの照射領域全体にわたって面内方向に成長した結晶からなる多結晶膜を形成すること特徴とする半導体薄膜の製造方法。
【請求項２８】
上記第２７項において、レーザー強度を空間的にラインビームの長軸方向に周期的に強度変調させる手段は、位相シフトストライプパターンであることを特徴とする半導体薄膜の製造方法。