【手続補正書】
【提出日】平成17年6月30日(2005.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶セルアレイを有する磁気抵抗固体記憶装置にデータを格納する方法であって、
オリジナル情報の論理単位を符号化してECC符号化データブロックを形成し、
該ECC符号化データブロックを記憶セルアレイに格納する、
という各ステップを含む方法。
【請求項２】
前記記憶セルアレイの記憶セルが複数の行に構成され、前記ECC符号化データが複数のマルチビットシンボルを有するよう形成され、１つのマルチビットシンボルからの複数のビットが前記複数の行のうちの１つに格納される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記記憶セルアレイの記憶セルが複数の行に構成され、１つのマルチビットシンボルの全てのビットが単一の行に格納される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ECC符号化データブロックが複数のｎビットシンボルを含み、各シンボルのｎビット全てが前記複数行の記憶セルのうちの１つの行に格納される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記シンボルのｎビットが少なくとも最小読出距離ｍだけ隔置され、そのｎビットの全てを単一のスライスで１つの行から読み出すことが可能である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記磁気抵抗固体記憶装置が複数のアレイを含み、その少なくとも幾つかのアレイが前記ECC符号化データブロックの１つ又は２つ以上のシンボルを格納するよう構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記複数のアレイの各々が、前記ECC符号化データブロックの１つ又は２つ以上のシンボルを格納するよう構成される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ECC符号化データブロックの少なくとも大部分を単一のスライスで前記記憶装置から読み出すことが可能である、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記単一のスライスが、前記複数のアレイの各々からの１つの行にアクセスすることを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記記憶セルアレイの前記記憶セルが複数の行に構成され、前記ECC符号化データがマルチビットシンボルを有するよう構成され、１つのマルチビットシンボルの１つ又は２つ以上のビットが前記複数の行のうちの少なくとも２つの行に格納される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
各マルチビットシンボル毎に、第１組のビットが第１の行に格納され、及び第２組のビットが第２の行に格納されて、該第１組のビットの少なくとも幾つかの列が該第２組のビットの少なくとも幾つかの列と共通するようにする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１組のビット及び前記第２組のビットの各々が複数のビットを含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
各ｎビットシンボルが複数の行ｒにわたって格納され、各シンボルのｎビットがｒ×（ｎ／ｒ）配列に従って記憶セルに格納される、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
少なくとも２つの行の各々から１つのスライスを取得することにより各シンボルを読み出すことが可能である、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記記憶装置が複数のアレイを含み、該複数のアレイの少なくとも幾つかがECC符号化データブロックの１つ又は２つ以上のシンボルを格納するよう構成されて、ECC符号化データブロックの少なくとも大部分を単一のスライスで前記記憶装置から読み出すことが可能となっている、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
各スライスが、前記複数のアレイの各々からの１つの行にアクセスすることを含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記アレイの前記記憶セルが複数の行に構成され、前記ECC符号化データが複数のマルチビットシンボルを有するよう形成され、前記複数の行のうちの少なくとも１つが、前記複数のマルチビットシンボルのうちの少なくとも２つからの一組のビットを格納する、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
複数組のビットの各組が、前記ECC符号化データの少なくとも２つのブロックにそれぞれ割り当てられる、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
複数組のビットの各組が、複数のコードワードにそれぞれ割り当てられ、該複数のコードワードが互いに結合して、オリジナル情報の論理単位を表すECC符号化データのセクタを形成する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
複数組のビットが、ECC符号化データの単一のセクタの１つの異なるコードワード内の複数のシンボルにそれぞれ割り当てられる、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
複数組のビットの各組が、１つのマルチビットシンボルの全てのビットから構成され、各マルチビットシンボル毎に全てのビットが単一の行に格納されるようにする、請求項１７に記載の方法。
【請求項２２】
１つのマルチビットシンボルの複数のビットが、少なくとも２つの行に格納される、請求項１７に記載の方法。
【請求項２３】
各マルチビットシンボル毎に、第１組のビットが第１の行に格納され、第２組のビットが第２の行に格納され、該第１組のビットの少なくとも幾つかの列が該第２組のビットの少なくとも幾つかの列と共通するようにする、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記アレイの前記複数の記憶セルが複数の行に構成され、前記ECC符号化データがシングルビットシンボルを有するよう構成され、前記複数の行のうちの少なくとも１つの行が少なくとも２つのシングルビットシンボルを格納する、請求項１に記載の方法。
【請求項２５】
前記少なくとも２つのシングルビットシンボルの各々が、前記符号化データの少なくとも２つのブロックにそれぞれ割り当てられる、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
前記少なくとも２つのシングルビットシンボルの各々が複数のコードワードにそれぞれ割り当てられ、複数のコードワードが互いに結合して、オリジナル情報の論理単位を表すECC符号化データのセクタを形成する、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
少なくとも２つのシングルビットシンボルの各々が、ECC符号化データの単一のセクタの異なるコードワードに割り当てられる、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記記憶セルが複数の行に構成され、その各行が少なくとも２つのシンボルの各々からの一組のビットを格納し、各行内の複数組のビットが符号化データの少なくとも２つの異なる単位に割り当てられ、符号化データの単位の間での割り当て順が少なくとも幾つかの行の間で変化する、請求項１に記載の方法。
【請求項２９】
第１の行が、第１のコードワードに割り当てられた１つのシンボルからの一組のビットと第２のコードワードに割り当てられた１つのシンボルからの一組のビットとを格納し、続いて第２の行が、前記第２のコードワードに割り当てられた１つのシンボルからの一組のビットを格納し、次いで前記第１のコードワードに割り当てられた１つのシンボルからの一組のビットを格納する、請求項２８に記載の方法。
【請求項３０】
各行における複数組のビットが少なくとも幾つかの列を共有する、請求項２８に記載の方法。
【請求項３１】
割り当ての順序が少なくとも幾つかの行の間で循環する、請求項２８に記載の方法。
【請求項３２】
前記ECC符号化データがマルチビットシンボルを有するよう構成され、前記符号化ステップが各マルチビットシンボル毎の誤り検査を形成することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３３】
各マルチビットシンボルに関連する少なくとも１つの誤り検出ビットを提供するステップを含む、請求項３２に記載の方法。
【請求項３４】
１つ又は２つ以上の前記誤り検出ビットが、マルチビットシンボルについてパリティチェックを実行することを可能にする、請求項３３に記載の方法。
【請求項３５】
前記格納ステップが、各マルチビットシンボルと１つ又は２つ以上の誤り検出ビットとを共に１つのシンボル単位として前記アレイに格納するステップを含む、請求項３３に記載の方法。
【請求項３６】
前記格納ステップが、各シンボル単位の全てのビットを記憶セルの単一の行に格納するステップを含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記格納ステップが、各シンボル単位のビットを記憶セルの少なくとも２つの行に格納するステップを含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３８】
前記記憶セルが行及び列に構成され、１つのシンボル単位について、第１組のビットを第１の行に格納し、第２組のビットを第２の行に格納して、該第１組のビットの少なくとも幾つかの列が該第２組のビットの少なくとも幾つかの列と共通するようにする、請求項３７に記載の方法。
【請求項３９】
磁気抵抗固体記憶装置であって、
少なくとも１つの磁気抵抗記憶セルアレイと、
オリジナル情報の論理単位を符号化してECC符号化データブロックを形成するECC符号化ユニットと、
該ECC符号化データブロックを前記少なくとも１つの磁気抵抗記憶セルアレイに格納するコントローラと
を含む、磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項４０】
前記記憶セルアレイの記憶セルが複数の行に構成され、前記ECC符号化データが複数のマルチビットシンボルを有するよう構成され、１つのマルチビットシンボルの複数のビットが前記複数の行のうちの１つに格納される、請求項３９に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項４１】
前記記憶セルアレイの記憶セルが複数の行に構成され、前記ECC符号化データの１つのマルチビットシンボルの全てのビットが単一の行に格納される、請求項３９に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項４２】
前記ECC符号化データブロックが複数のｎビットシンボルを含み、各シンボルのｎビット全てが前記記憶セルの複数の行のうちの１つに格納される、請求項４１に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項４３】
１つのシンボルのｎビットが少なくとも最小読出距離ｍだけ隔置されて、ｎビット全てを単一のスライスで１つの行から読み出すことが可能となっている、請求項４２に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項４４】
該記憶装置が複数のアレイを含み、該複数のアレイのうちの少なくとも幾つかがECC符号化データブロックの１つ又は２つ以上のシンボルを格納するように構成される、請求項４３に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項４５】
複数のアレイの各々が、前記ECC符号化データブロックの１つ又は２つ以上のシンボルを格納するよう構成される、請求項４４に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項４６】
前記ECC符号化データブロックの少なくとも大部分が、単一のスライスで該記憶装置から読み出素ことが可能である、請求項４５に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項４７】
前記スライスが、前記複数のアレイの各々からの１つの行にアクセスすることを含む、請求項４６に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項４８】
前記記憶セルアレイの記憶セルが複数の行に構成され、前記ECC符号化データがマルチビットシンボルを有するよう構成され、１つのマルチビットシンボルの１つ又は２つ以上のビットが少なくとも２つの行に格納される、請求項３９に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項４９】
各マルチビットシンボル毎に、第１組のビットが第１の行に格納され、第２組のビットが第２の行に格納されて、該第１組のビットの少なくとも幾つかの列が該第２組のビットの少なくとも幾つかの列と共通するようになっている、請求項４８に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項５０】
前記第１組のビットと前記第２組のビットとが複数のビットを含む、請求項４９に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項５１】
各ｎビットシンボルが複数の行ｒにわたって格納され、各シンボルのｎビットがｒ×（ｎ／ｒ）配列に従って記憶セルに格納される、請求項４９に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項５２】
前記少なくとも２つの行の各々から１つのスライスを取得することにより各シンボルを読み出すことが可能である、請求項４８に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項５３】
該記憶装置が複数のアレイを含み、前記複数のアレイの少なくとも幾つかがECC符号化データブロックの１つ又は２つ以上のシンボルを格納するよう構成され、ECC符号化データブロックの少なくとも大部分を単一のスライスで該記憶装置から読み出すことができるようになっている、請求項52に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項５４】
各スライスが、前記複数のアレイの各々からの１つの行にアクセスすることを含む、請求項５３に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項５５】
前記アレイの前記記憶セルが複数の行に構成され、前記ECC符号化データがマルチビットシンボルを有するよう構成され、前記複数の行のうちの少なくとも１つが少なくとも２つのマルチビットシンボルからの一組のビットを格納する、請求項３９に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項５６】
複数組のビットの各組が、少なくとも２つの符号化データブロックにそれぞれ割り当てられる、請求項５５に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項５７】
複数組のビットの各組が複数のコードワードデータにそれぞれ割り当てられ、該複数のコードワードが結合されて、オリジナル情報の論理単位を表すECC符号化データのセクタが形成される、請求項５６に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項５８】
複数組のビットの各組が、ECC符号化データの単一のセクタの異なるコードワード内の複数のシンボルに割り当てられる、請求項５７に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項５９】
複数組のビットの各組がマルチビットシンボルからの全てのビットを含み、各マルチビットシンボル毎に全てのビットが単一の行に格納される、請求項５５に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項６０】
１つのマルチビットシンボルのビットが少なくとも２つの行に格納される、請求項５５に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項６１】
各マルチビットシンボル毎に、第１組のビットが第１の行に格納され、第２組のビットが第２の行に格納され、該第１組のビットの少なくとも幾つかの列が該第２組のビットの少なくとも幾つかの列と共通するようになっている、請求項６０に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項６２】
前記アレイの前記記憶セルが複数の行に構成され、前記ECC符号化データがシングルビットシンボルを有するよう構成され、前記複数の行のうちの少なくとも１つが少なくとも２つのシングルビットシンボルを格納する、請求項３９に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項６３】
少なくとも２つのシングルビットシンボルの各々が、少なくとも２つの符号化データブロックにそれぞれ割り当てられる、請求項６２に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項６４】
前記少なくとも２つのシングルビットシンボルの各々が複数のコードワードにそれぞれ割り当てられ、該複数のコードワードが結合されて、オリジナル情報の論理単位を表すECC符号化データのセクタが形成される、請求項６３に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項６５】
前記少なくとも２つのシングルビットシンボルの各々が、ECC符号化データの単一のセクタの異なるコードワードにそれぞれ割り当てられる、請求項６４に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項６６】
前記記憶セルが複数の行に構成され、その各行が少なくとも２つのシンボルの各々からの一組のビットを格納し、各行における複数組のビットが符号化データの少なくとも２つの異なる単位に割り当てられ、符号化データの単位の間の割り当て順が少なくとも幾つかの行の間で変化する、請求項３９に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項６７】
第１の行が、第１のコードワードに割り当てられた１つのシンボルからの一組のビットと第２のコードワードに割り当てられた１つのシンボルからの一組のビットとを格納し、続いて第２の行が、前記第２のコードワードに割り当てられた１つのシンボルからの一組のビットを格納し、次いで前記第１のコードワードに割り当てられた１つのシンボルからの一組のビットセットを格納する、請求項６６に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項６８】
第１の行における複数組のビットが、第２の行における複数組のビットと少なくとも幾つかの列を共有する、請求項６６に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項６９】
前記割り当ての順序が少なくとも幾つかの行の間で循環する、請求項６６に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項７０】
前記ECC符号化データがマルチビットシンボルを有するよう構成され、前記ECC符号化ユニットが各マルチビットシンボル毎の誤り検査を形成する、請求項３９に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項７１】
前記ECC符号化ユニットが、各マルチビットシンボルに関連する少なくとも１つの誤り検出ビットを形成する、請求項７０に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項７２】
１つ又は２つ以上の誤り検出ビットが、マルチビットシンボルについてパリティチェックを実行することを可能にする、請求項７１に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項７３】
各マルチビットシンボルと１つ又は２つ以上の誤り検出ビットとが共に１つのシンボル単位として前記アレイ内に格納される、請求項７２に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項７４】
各シンボル単位の全てのビットが前記記憶セルの単一の行に格納される、請求項７３に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項７５】
各シンボル単位の複数のビットが前記記憶セルの少なくとも２つの行に格納される、請求項７３に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項７６】
前記記憶セルが複数の行及び複数の列に構成され、１つのシンボル単位について、第１組のビットが第１の行に格納され、第２組のビットが第２の行に格納されて、該第１組のビットの少なくとも幾つかの列が該第２組のビットの少なくとも幾つかの列と共通するようになっている、請求項７５に記載の磁気抵抗固体記憶装置。
【請求項７７】
請求項３９に記載の磁気抵抗固体記憶装置を含む装置。