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【手続補正書】
【提出日】平成17年2月18日(2005.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
処理に応じて１台又は複数台の装置を有する装置群が時系的に直列接続されると仮想される装置構成の半導体製造ラインを設計するための半導体製造ライン設計システムであって、
半導体製造ラインを構成する各装置の合計台数をｍ、各装置の故障間の時間をＭＴＢＦ、故障による停止時間をＭＴＴＲと定義し、各装置の停止時間が重ならないと仮定し、Ｒｎをｎ台装置群の１台が停止したときのラインの製造能力低下度を示す係数と定義し、ライン稼働率Ｑを
Ｑ＝１−Σ(i=1〜m) Ｒｎ×ＭＴＴＲｉ／ＭＴＢＦｉ
として算出する手段と、
ライン稼働率Ｑが８０％に満たない場合は、前記装置構成を再構築して前記算出を繰り返させる手段と、
ライン稼働率Ｑが８０％以上となった場合に、このときの装置構成を適正システム構成として出力する手段と、
を具備してなることを特徴とする半導体製造ライン設計システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明の更に別の態様は、処理に応じて１台又は複数台の装置を有する装置群が時系的に直列接続されると仮想される装置構成の半導体製造ラインを設計するための半導体製造ライン設計システムであって、半導体製造ラインを構成する各装置の合計台数をｍ、各装置の故障間の時間をＭＴＢＦ、故障による停止時間をＭＴＴＲと定義し、各装置の停止時間が重ならないと仮定し、Ｒｎをｎ台装置群の１台が停止したときのラインの製造能力低下度を示す係数と定義し、ライン稼働率ＱをＱ＝１−Σ(i=1〜m) Ｒｎ×ＭＴＴＲｉ／ＭＴＢＦｉとして算出する手段と、ライン稼働率Ｑが８０％に満たない場合は、前記装置構成を再構築して前記算出を繰り返させる手段と、ライン稼働率Ｑが８０％以上となった場合に、このときの装置構成を適正システム構成として出力する手段と、を具備してなることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
式（４）は装置１種に対し３台以上の装置がある場合でも計算は容易にできる。しかし、装置の停止時間が重なるような状態、つまり平均稼働率が低い状態になると、全ての場合を計算した第１の実施形態の場合に比べ稼働率が低くなる。これは、停止時間が重なった場合、稼働できる時間が増えるためである。なお、上記のようにして平均稼働率を求めるためのフローチャートを、図２７に示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７７】
【図１】ＬＳＩを製造するために必要な処理，工程，装置の種類を表す図。
【図２】ＷＩＰ，Ｏｕｔｐｕｔ，Ｘ−ｆａｃｔｏｒの間の関係を示す図
【図３】ラインの稼働率を求める場合のＭＴＢＦ，ＭＴＴＲの関係を示す模式図。
【図４】半導体製造ラインの設計システムを説明するためのフローチャート。
【図５】ライン稼働率を計算するための模式的な回路図。
【図６】模式回路に各装置の稼働，停止のある場合を割り当てた図。
【図７】模式回路に各装置のある場合の稼働の確率を割り当てた図。
【図８】２台装置の群数が１から３の時の稼働，停止の組み合わせの場合を示す図。
【図９】３台装置１群の稼働，停止の組み合わせの場合を示す図。
【図１０】従来の専用装置を用いた、（表１）に示す装置構成のラインの稼働率の計算結果を示す図。
【図１１】ワンバス方式を用いた洗浄装置を示す模式図。
【図１２】ＲＩＥ装置において異種プロセス共用化を行った場合のパーティクルの推移を示す図。
【図１３】ＲＩＥ装置において異種プロセス共用化を行った場合のエッチングレートの推移を示す図。
【図１４】ＬＰ−ＣＶＤ装置において異種プロセス共用化を行った場合のパーティクル推移を示す図。
【図１５】ＬＰ−ＣＶＤ装置において異種プロセス共用化を行った場合の成膜速度の推移を示す図。
【図１６】パッドを分割し、真空吸着によりパッドを交換しやすくしたＣＭＰ装置を示す図。
【図１７】イオン注入装置においてステンシルマスクを用いる装置の模式的構成を示す図。
【図１８】（表２）に示す装置構成のラインの稼働率の計算を行った結果を示す図。
【図１９】（表３）で示す装置構成の場合のライン稼働率の計算結果を示す図。
【図２０】ＭＴＴＲが６Ｈの場合、７０％，８０％，９０％のライン稼働率を得るために必要なＭＴＢＦと１台装置数の関係を示す図。
【図２１】装置停止が重ならないと仮定した簡易計算式で（表１）の装置構成のライン稼働率を計算した結果を示す図。
【図２２】装置停止が重ならないと仮定した簡易計算式で（表２）の装置構成のライン稼働率を計算した結果を示す図。
【図２３】装置停止が重ならないと仮定した簡易計算式で（表３）の装置構成のライン稼働率を計算した結果を示す図。
【図２４】（表４）の装置構成のラインの稼働率を簡易計算式で計算した結果を示す図。
【図２５】ライン稼働率８０％を得るために必要なＭＴＢＦと１台装置の台数の関係をミニファブ（１００Ｌ／月）とメガファブ（１０００Ｌ／月）について計算した結果を示す図。
【図２６】１台装置と同一装置を付加した場合のライン稼働率の計算結果を示す図。
【図２７】半導体製造ラインの設計システムを説明するためのフローチャート。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２７
【補正方法】追加
【補正の内容】
【図２７】
2005108883.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月16日(2005.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数本の電線相互を配索板上で所定の配索形態に成形する際に、グロメットを挿通する部位の電線群を防水構造に結束するワイヤハーネスの製造方法であって、
二股状の２本の受け部材間に１本以上の分散部材を有する電線群分散受け治具により前記電線群を複数列に分散させると共に各列の電線を隣接させて１列に並設し、複数列に分散して並設された各電線群の両側面に複数のノズルを有する先細状の止水剤吐出体を対向配置させ、該ノズルから各電線群の電線間に形成される隙間に止水剤を吐出した後、前記電線群を防水構造に結束することを特徴とするワイヤハーネスの製造方法。
【請求項２】
複数本の電線相互を配索板上で所定の配索形態に成形する際に、グロメットを挿通する部位の電線群を防水構造に結束するワイヤハーネスの製造装置であって、
１本の支柱部材端部に二股状の２本の受け部材を設け、該受け部材間に１本以上の分散部材を設け、前記電線群を複数列に分散させると共に各列の電線を隣接させて１列に並設する電線群分散受け治具と、複数列に分散して並設された各電線群の両側面に対向させ、各々先細状に形成された複数の止水剤吐出体を備え、複数の該止水剤吐出体の内、両側端に配置された前記止水剤吐出体の内側面と、内側に配置された前記止水剤吐出体の両側面に複数のノズルが設けられ、該ノズルから各電線群の電線間に形成される隙間に止水剤を吐出する止水剤吐出器とが、前記配索板上で用いられることを特徴とするワイヤハーネスの製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
本発明の上記目的は、複数本の電線相互を配索板上で所定の配索形態に成形する際に、グロメットを挿通する部位の電線群を防水構造に結束するワイヤハーネスの製造方法であって、
二股状の２本の受け部材間に１本以上の分散部材を有する電線群分散受け治具により前記電線群を複数列に分散させると共に各列の電線を隣接させて１列に並設し、複数列に分散して並設された各電線群の両側面に複数のノズルを有する先細状の止水剤吐出体を対向配置させ、該ノズルから各電線群の電線間に形成される隙間に止水剤を吐出した後、前記電線群を防水構造に結束することを特徴とするワイヤハーネスの製造方法により達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
又、本発明の上記目的は複数本の電線相互を配索板上で所定の配索形態に成形する際に、グロメットを挿通する部位の電線群を防水構造に結束するワイヤハーネスの製造装置であって、
１本の支柱部材端部に二股状の２本の受け部材を設け、該受け部材間に１本以上の分散部材を設け、前記電線群を複数列に分散させると共に各列の電線を隣接させて１列に並設する電線群分散受け治具と、複数列に分散して並設された各電線群の両側面に対向させ、各々先細状に形成された複数の止水剤吐出体を備え、複数の該止水剤吐出体の内、両側端に配置された前記止水剤吐出体の内側面と、内側に配置された前記止水剤吐出体の両側面に複数のノズルが設けられ、該ノズルから各電線群の電線間に形成される隙間に止水剤を吐出する止水剤吐出器とが、前記配索板上で用いられることを特徴とするワイヤハーネスの製造装置により達成される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
一方、前記止水剤吐出器３は、上述のように二列に並列して分散された複数の電線５に対し、各電線５間の周囲及び隙間に止水剤１４を吐出するものであり、図２及び図４に示すように、二列に分散して並設された電線群Ｗ1 ，Ｗ2 のそれぞれ両側面に対向配置され、各々先細状である３つの止水剤吐出体１３ａ，１３ｂ，１３ｃを備えている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
即ち、本実施形態のワイヤハーネスの製造装置１によれば、電線群Ｗの電線５の本数が増加しても、二列に並列保持することにより、各列の電線群Ｗ1 ，Ｗ2の並列幅は低減させることができる。そこで、これらの電線５を広げる幅を確保でき、各電線群Ｗ1 ，Ｗ2 の電線間に形成される隙間に短時間で確実に止水剤１４を塗布することができる。又、電線群Ｗを二列に分散して各列の電線群Ｗ1 ，Ｗ2 の並列幅を低減させることにより、電線５の本数が増加しても電線群分散受け治具８ａ，８ｂの高さや、止水剤吐出器３の止水剤吐出体１３ａ，１３ｂ，１３ｃの長さが大型化し、作業性が低下するのを防止できる。また、止水剤吐出体１３ａ，１３ｂ，１３ｃが先細状に形成されているので、止水剤吐出体１３ａ，１３ｂ，１３ｃ先端側から電線群Ｗ1 ，Ｗ2への差し込み作業を容易に行うことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月5日(2004.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
３．アルミ電解コンデンサ１０の下方に待機した仮曲げダイス２２が上昇する（図９ｃ）。仮曲げダイス２２の先端は山形形状とされ、仮曲げダイスの山形形状の先端がリ−ド端子１０ｂを押し広げ、ハ字形状（円錐台形状）に曲げる(仮曲げする)（図９ｄ）。
４．絶縁座板１２の保持を解除して吸着ヘッド２０が下降し、同時に、仮曲げダイス２２も下降する（図９ｅ）。そして、ロ−タリ−テ−ブルの回動により、アルミ電解コンデンサ１０は成形１のステ−ション（仮曲げ位置）から次の成形２のステ−ション（本曲げ位置）に移される。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
この構成では、仮曲げダイスが絶縁座板を伴って移動することにより、絶縁座板をリ−ド端子に装着するためだけの動作は不要となる。つまり、公知の構成における吸着ヘッドのストロ−クに相当するものはなく、仮曲げダイスのストロ−クのみでよい。しかも、挿通孔にリ−ド端子を挿通させた直後にリ−ド端子の先端を仮曲げするため、仮曲げダイスのストロ−クは小さくて足りる。このように、仮曲げダイスの僅かなストロ−クのもとで仮曲げできるため、仮曲げが迅速に行なえ、ロ−タリ−テ−ブルの間欠送りが高速化でき、アルミ電解コンデンサの量産効率（製造効率）が向上する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
ロ−タリ−テ−ブル３４の間欠駆動によりロ−タリ−テ−ブルのサポ−ト手段がステ−ションＤに至り、サポ−ト手段に保持されたアルミ電解コンデンサ１０が仮曲げの位置に送られると、絶縁座板１２がアルミ電解コンデンサのリ−ド端子１０ｂにその挿通孔１２ａを整列させた位置に送り込まれる(図２ａ)。もちろん、アルミ電解コンデンサ１０が仮曲げの位置に送られる前に、絶縁座板１２を所定の位置に供給してもよく、アルミ電解コンデンサ１０、絶縁座板１２の供給順序の前後は問わない。ステ−ションＤでは、絶縁座板１２を供給・装着し、絶縁座板が脱落しないようにリ−ド端子１０ｂの先端をハ字形状（円錐台形状）に押し広げているにすぎず、次のステ−ションＥでリ−ド端子１０ｂを根元までほぼ水平に曲げている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
このように、アルミ電解コンデンサ１０と仮曲げダイス１２２との間に絶縁座板１２が置かれているため、仮曲げダイスは絶縁座板をその上面にのせて上昇する。そして、絶縁座板の挿通孔１２ａにリ−ド端子１０ｂが挿通された直後に絶縁座板背後に位置する仮曲げダイス１２２が絶縁座板１２から伸びたリ−ド端子をハ字形状(円錐台形状)に直ちに押し広げ、仮曲げする。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
仮曲げダイス１２２は、絶縁座板１２をその先端に保持するとともに、先端を山形形状としたダイス本体１２２ａを持つ形状であれば足りる。図３Ａに示すように、ダイス本体１２２ａを絶縁座板１２の保持可能な平坦形状の一対の部材１２２ｂで挟んで仮曲げダイス１２２を構成すれば、一対の部材１２２ｂの平坦な先端で絶縁座板を確実に保持できる。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
ステ−ションＥには、別の仮曲げダイス１２４が待機している。図４、図５からわかるように、仮曲げダイス１２４は、たとえば、先端の中央部を山形形状としたダイス本体１２４ａと、ダイス本体を挟んで配置された一対の部材１２４ｂと、絶縁座板１２を保持可能なガイド１２４ｃとを備えて構成されている。ここで、ガイド部材１２４ｃはダイス本体１２４ａと一体的に上昇可能とされ、絶縁座板１２を保持してダイス本体による仮曲げの障害とならない位置にガイドし、最終的には絶縁座板をリ−ド端子１０ｂの根元までガイドするものであり、実施例では、ダイス本体１２４ａ、一対の部材１２４ｂを覆うＬ字形状に形成されている。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
ここで、リ−ド端子１０ｂはダイス本体１２４ａの両端の平坦部に当接する前に、ダイス本体１２４ａの中央山形部に当接して押し広げられる。もちろん、ガイド部材１２４ｃがダイス本体１２４ａによる本曲げの障害とならない位置に絶縁座板１２をガイドして逃がすため、絶縁座板がダイス本体による曲げを妨げることはない。このように中央山形部でリ−ド端子１０ｂをまず押し広げるとともに、中央山形部の斜面にガイドされて両端の平坦部に当接するため、両端の平坦部での急激な曲げが避けられ、リ−ド端子は円滑に曲げられる。従って、仮曲げダイス１２４が高速で上昇できる。さらに、ダイス本体１２４ａの中央山形部、両端の平坦部によって僅かなストロ−クでリ−ド端子１０ｂをその根元までハ字形状（円錐台形状）に押し広げられる。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
図５からわかるように、ガイド部材１２４ｃの中央にリ−ド端子１０ｂの挿通される溝１２５が形成されているため、ガイド部材がリ−ド端子１０ｂの仮曲げの障害になることはなく、リ−ド端子は仮曲げダイス１２４によってその根元まで曲げられる。ガイド部材１２４ｃはアルミ電解コンデンサ１０の頭部底面に当接する位置まで絶縁座板１２をガイドし、ダイス本体１２４ａがリ−ド端子１０ｂをその根元までハ字形状（円錐台形状）に押し広げ、仮曲げすると、仮曲げダイス１２４は下降し初期位置に戻って待機する(図４ｈ)。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１０    アルミ電解コンデンサ
１０ａ  頭部
１０ｂ  リ−ド端子
１０ｂ’  リ−ド端子の根元
１２    絶縁座板
１２ａ  挿通孔
１６    キャリアテ−プ
１７    カバ−テ−プ
２０    絶縁座板の吸着ヘッド
２２、１２２    仮曲げダイス
１２２ａ  ダイス本体
１２２ｂ  一対の部材
１２４  仮曲げダイス
１２４ａ  ダイス本体
１２４ｂ  一対の部材
１２４ｃ  ガイド部材
１２５  ガイド部材の溝
３０    自動加工機
３４    ロ−タリ−テ−ブル
３６    搬送路
３７    部品マガジン
３８    絶縁座板供給用テ−ブル
４０    リ−ドガイド
４２    雄部材
４２ａ  突状片
４２ｂ  Ｗ形状の溝
Ｐ      溝先端の間隔（リ−ド端子の間隔）
４４    雌部材
４４ａ  横溝
５２、１５２  本曲げダイス
１５２ａ  溝
１５２ｂ  回転自在なロ−ラ
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月1日(2004.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ディスクケース、および、ケース
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスクディスク状記録媒体を内包するディスクケースであって、
前記ディスク状記録媒体を収納するディスク収納部と、
前記ディスク状記録媒体の一部を外部に露出する開口部と、
前記ディスク状記録媒体を保持し、前記ディスク状記録媒体をディスクケースから取出しあるいは前記ディスク状記録媒体をディスクケースへ収納するために前記ディスクケースの外側方向へ変形する片持ち梁構造の弾性変形部と、
該弾性変形部と協働して前記ディスク状記録媒体を保持するための固定のフランジ部と、を備えたことを特徴とするディスクケース。
【請求項２】
前記弾性変形部の先端に一部が常にディスクケースの厚み内に入る斜面を有する案内部を設けたことを特徴とする請求項1に記載のディスクケース。
【請求項３】
前記弾性変形部は、内包する前記ディスク状記録媒体の径方向および厚さ方向位置を規制する規制壁を備えた構成としたことを特徴とする請求項1乃至は2に記載のディスクケース。
【請求項４】
ディスク状記録媒体を内包可能なケースであって、
前記ディスク状記録媒体を収納するディスク収納部と、
前記ディスク状記録媒体の一部を外部に露出する開口部と、
前記ディスク状記録媒体を保持し、前記ディスク状記録媒体をディスクケースへ収納あるいは前記状記録媒体をディスクケースから取出すために前記ディスクケースの外側方向へ変形する片持ち梁構造の弾性変形部と、
該弾性変形部と協働して前記ディスク状記録媒体を保持するための固定のフランジ部と、を備えたことを特徴とするケース。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光ディスク、光磁気ディスク等のディスク状の記録媒体を内包するディスクケース、または、ディスク状の記録媒体を内包可能なケースに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
（１）ディスクディスク状記録媒体を内包するディスクケースであって、
前記ディスク状記録媒体を収納するディスク収納部と、
前記ディスク状記録媒体の一部を外部に露出する開口部と、
前記ディスク状記録媒体を保持し、前記ディスク状記録媒体をディスクケースから
取出しあるいは前記ディスク状記録媒体をディスクケースへ収納するために前記
ディスクケースの外側方向へ変形する片持ち梁構造の弾性変形部と、
該弾性変形部と協働して前記ディスク状記録媒体を保持するための固定のフランジ部と、を備えたディスクケースとする。
（２）上記（１）にて、前記弾性変形部の先端に一部が常にディスクケースの厚み内に入る斜面を有する案内部を設けたディスクケースとする。
（３）上記（１）乃至は（２）にて、前記弾性変形部は、内包する前記ディスク状記録媒体の径方向および厚さ方向位置を規制する規制壁を備えた構成のディスクケースとする。
（４）ディスク状記録媒体を内包可能なケースであって、
前記ディスク状記録媒体を収納するディスク収納部と、
前記ディスク状記録媒体の一部を外部に露出する開口部と、
前記ディスク状記録媒体を保持し、前記ディスク状記録媒体をディスクケースへ収納あるいは前記状記録媒体をディスクケースから取出すために前記ディスクケースの外側方向へ変形する片持ち梁構造の弾性変形部と、
該弾性変形部と協働して前記ディスク状記録媒体を保持するための固定のフランジ部と、を備えたケースとする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
図７は、ディスク３２を取出した状態のケース３１の表面側の斜視図である。ここで、４４はディスク３２を収容するディスク収容部である。
図８は、図７における弾性変形部３６の部分を拡大した斜視図である。弾性変形部３６は、ケース３１に内包されたディスク３２の厚さ方向に変形可能な片持ち梁構造をしており、この片持ち梁の先端部がケース３１の上面より飛び出して形成された場合に、記録再生装置への装着あるいは取出し時に装置側の部材と衝突して、装着あるいは取出し動作が出来なくなることを回避するため、先端部には一部が常にケース３１の厚み内に入る斜面を有する案内部４５を設けている。この案内部４５は、ディスク３２の径方向の位置を規制する径方向位置規制壁も兼ねており、ケース３１に内包されたディスク３２は、この径方向位置規制壁により径方向の位置が規制される。一方、片持ち梁の下面はディスク３２の高さ方向規制壁として高さ方向の位置を規制する。ここで、本実施例では、案内部４５に径方向位置規制壁の機能を持たせる構成としたが、径方向位置規制壁を案内部４５とは分離した構成としても良い。４６は弾性変形部３６の変形を規制する変形規制部であり、弾性変形部３６がケース３１に内包されたディスク３２の厚さ方向に変形した際に、弾性変形範囲で弾性変形部３６と当接し、弾性変形部３６の弾性変形範囲を超えた変形を防止する。図９は、弾性変形部３６が弾性範囲内で変形して変形規制部４６と当接した状態を示す斜視図である。この図にて、弾性変形部３６を変形させているディスク３２は上記の当接状態を分かりやすく示すために省略してある。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
【発明の効果】
従来のディスクカートリッジに対して構成が簡素で、ディスクの取り出しの容易なディスクケース、または、ディスクの挿入の容易なケースを提供することができる。これにより、記録再生の信頼性と低コストを適正にバランスさせた記録再生システムを実現することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月4日(2004.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
補助磁極と、
主磁極と、
外部磁界用シールドとを有し、
前記外部磁界用シールドの媒体対向面側の端部が、前記主磁極の媒体対向面側の端部よりも後退した位置に設けられた単磁極型垂直記録ヘッドを具備することを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
磁気抵抗効果を用いた再生ヘッドと、
外部磁界用シールドと、
前記再生ヘッドと前記外部磁界用シールドとの間に形成された単磁極型垂直記録ヘッドとを有し、
前記外部磁界用シールドの媒体対向面側の端部が、前記主磁極の媒体対向面側の端部よりも後退した位置に設けられていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記外部磁界用シールドの大きさは、前記主磁極よりも大きいことを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記外部磁界用シールドの端部の媒体対向面からの後退量が、前記主磁極に対向する部分で０.５〜３μｍであることを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記主磁極と前記外部磁界用シールドとの間隔が０.５〜３μｍであることを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
前記外部磁界用シールドの媒体対向面から離れた方向での端部位置が、前記主磁極の媒体対向面から離れた方向での端部位置より１〜１０μｍ離れたところにあることを特徴とする請求項１又は２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】
磁気ディスク上に、薄膜磁気ヘッドによって記録再生を行うように構成した磁気ディスク装置において、
前記薄膜磁気ヘッドが、補助磁極と、主磁極と、外部磁界用シールドとを有し、前記外部磁界用シールドの媒体対向面側の端部が、主磁極の媒体対向面側の端部よりも後退した位置に設けられた単磁極型垂直記録ヘッドを具備することを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項８】
再生に磁気抵抗効果を用いた再生ヘッドを具備してなることを特徴とする請求項７記載の磁気ディスク装置。
【請求項９】
前記外部磁界用シールドの媒体対向面からの後退量が、前記主磁極に対向する部分で０.５〜３μｍであることを特徴とする請求項７記載の磁気ディスク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月28日(2004.4.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク上の記憶領域にレーザが照射されることでデータを記録し再生する光ディスクにおいて、標準線速度とは異なる線速度を示す記録再生のための記録速度情報と、前記記録速度情報に対応する記録ストラテジ情報とからなる情報の組を２組以上、光ディスクの物理情報としてランドプリピット内に格納していることを特徴とする光ディスク。
【請求項２】
ディスク上の記憶領域にレーザが照射されることでデータを記録し再生する光ディスクにおいて、標準線速度とは異なる線速度を示す記録再生のための記録速度情報と、前記記録速度情報に対応する記録ストラテジ情報とからなる情報とを光ディスク上の所定領域に格納していることを特徴とする光ディスク。
【請求項３】
ディスク上の記憶領域にレーザが照射されることでデータを記録し再生する光ディスクにおいて、記録装置での記録の際に使用した記録速度情報と、この記録速度情報に応じて使用された記録ストラテジ情報とを、前記記録装置に対応させて管理領域に格納していることを特徴とする光ディスク。
【請求項４】
光ディスクの記憶領域にレーザを照射して所定データを記録する光ディスク記録装置において、
光ディスクを所定回転数で回転しレーザを照射して、光ディスク上の所定領域に格納された標準線速度とは異なる線速度を示す記録再生のための記録速度情報と、前記記録速度情報に対応する記録ストラテジ情報とからなる情報とを検出する検出手段と、
前記検出手段が検出した前記記録速度情報に基づいて記録速度情報を決定し、この記録速度情報に対応する前記記録ストラテジ情報を使用する記録ストラテジとして決定する決定手段と、
前記決定手段が決定した記録線速度と記録ストラテジとにより、記録すべき情報に応じてレーザを発生させ前記光ディスクの記憶領域に照射して前記記録情報を記録する記録手段と、
を具備することを特徴とする光ディスク記録装置。
【請求項５】
光ディスクの記憶領域にレーザを照射して所定データを再生する光ディスク再生装置において、
光ディスクを所定回転数で回転しレーザを照射して、光ディスク上の記録管理領域に格納された、記録処理を行った際に使用した記録速度情報と記録ストラテジ情報とを検出する検出手段と、
前記検出手段が検出した前記記録速度情報に基づいて記録速度情報を決定し、この記録速度情報に対応する前記記録ストラテジ情報を使用する記録ストラテジとして決定する決定手段と、
前記決定手段が決定した記録線速度と記録ストラテジとに基づき、レーザを発生させ前記光ディスクの記憶領域に照射して前記記録情報を検出し再生する再生手段と、
を具備することを特徴とする光ディスク再生装置。
【請求項６】
光ディスクの記憶領域にレーザを照射して所定データを記録する光ディスク記録方法において、
光ディスクを所定回転数で回転しレーザを照射して、光ディスク上の所定領域に格納された標準線速度とは異なる線速度を示す記録再生のための記録速度情報と、前記記録速度情報に対応する記録ストラテジ情報とからなる情報とを検出する検出工程と、
前記検出工程にて検出した前記記録速度情報に基づいて記録速度情報を決定し、この記録速度情報に対応する前記記録ストラテジ情報を使用する記録ストラテジとして決定する決定工程と、
前記決定工程にて決定した記録線速度と記録ストラテジとにより、記録すべき情報に応じてレーザを発生させ前記光ディスクの記憶領域に照射して前記記録情報を記録する記録工程と、
を具備することを特徴とする光ディスク記録方法。
【請求項７】
レーザを前記記録工程による記録情報が格納された記憶領域に照射した反射光を検出し、この反射光に基づく記録波形が適切かどうかを判断する判断工程と、
前記判断工程にて前記記録波形を不適切と判断したとき、光ディスク記録方法が推奨する記録ストラテジに改めた上で、光ディスク上の記憶領域に対して、試し記録を行う試し記録工程と、
を更に有することを特徴とする請求項６記載の光ディスク記録方法。
【請求項８】
光ディスクの記憶領域にレーザを照射して所定データを記録する光ディスク再生装置において、
光ディスクを所定回転数で回転しレーザを照射して、光ディスク上の記録管理領域に格納された、記録処理を行った際に使用した記録速度情報と記録ストラテジ情報とを検出する検出工程と、
前記検出工程にて検出した前記記録速度情報に基づいて記録速度情報を決定し、この記録速度情報に対応する前記記録ストラテジ情報を使用する記録ストラテジとして決定する決定工程と、
前記決定工程にて決定した記録線速度と記録ストラテジとに基づき、レーザを発生させ前記光ディスクの記憶領域に照射して前記記録情報を検出し再生する再生工程と、
を具備することを特徴とする光ディスク再生方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月12日(2005.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子放出素子の電子放出部となる前駆体に、１００以上の分子量を有する炭素化合物ガスの雰囲気にて炭素あるいは炭素化合物を堆積させる第１工程と、前記第１工程の後に、１００未満の分子量を有する炭素化合物ガスの雰囲気にて炭素あるいは炭素化合物を堆積させる第２工程とを有することを特徴とする電子放出素子の製造方法。
【請求項２】
前記炭素あるいは炭素化合物を堆積させる工程は、前記炭素化合物ガスの雰囲気にて、前記前駆体に電圧を印加する工程であることを特徴とする請求項１に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項３】
前記前駆体は、互いに間隔をおいて配置された一対の導電体の少なくとも一方であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項４】
前記一対の導電体は、前記間隔をおいて配置された一対の導電性膜からなることを特徴とする請求項３に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項５】
前記一対の導電性膜を形成する工程は、前記基板上に形成された導電性膜に電圧を印加し、該導電性膜に前記間隔を形成する工程を有することを特徴とする請求項４に記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項６】
前記炭素あるいは炭素化合物を堆積させる工程は、前記第１工程と前記第２工程とを含む２段階以上の複数の工程からなり、前記第２工程は、前記複数の工程の中の最終工程であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項７】
前記第１工程における炭素化合物ガスが、トルニトリル，ベンゾニトリルのいずれかであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項８】
前記第２工程における炭素化合物ガスが、メタン，エタン，プロパン，エチレン，プロピレン，アセチレンのいずれかであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項９】
前記第２工程において、炭素化合物ガスに水素ガスを混合することを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の電子放出素子の製造方法。
【請求項１０】
基板上に、複数の電子放出素子と、該複数の電子放出素子に接続された配線とを具備する電子源の製造方法において、前記複数の電子放出素子を、請求項１乃至９のいずれかに記載の製造方法によって製造することを特徴とする電子源の製造方法。
【請求項１１】
電子源と、画像形成部材とを有する画像形成装置の製造方法であって、前記電子源を請求項１０に記載の製造方法によって製造することを特徴とする画像形成装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
即ち、本発明第一は、電子放出素子の電子放出部となる前駆体に、１００以上の分子量を有する炭素化合物ガスの雰囲気にて炭素あるいは炭素化合物を堆積させる第１工程と、前記第１工程の後に、１００未満の分子量を有する炭素化合物ガスの雰囲気にて炭素あるいは炭素化合物を堆積させる第２工程とを有することを特徴とする電子放出素子の製造方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記本発明第一の電子放出素子の製造方法は、更なる好ましい特徴として、「前記炭素あるいは炭素化合物を堆積させる工程は、前記炭素化合物ガスの雰囲気にて、前記前駆体に電圧を印加する工程であること」、「前記前駆体は、互いに間隔をおいて配置された一対の導電体の少なくとも一方であること」、「前記一対の導電体は、前記間隔をおいて配置された一対の導電性膜からなること」、「前記一対の導電性膜を形成する工程は、前記基板上に形成された導電性膜に電圧を印加し、該導電性膜に前記間隔を形成する工程を有すること」、「前記炭素あるいは炭素化合物を堆積させる工程は、前記第１工程と前記第２工程とを含む２段階以上の複数の工程からなり、前記第２工程は、前記複数の工程の中の最終工程であること」、「前記第１工程における炭素化合物ガスが、トルニトリル，ベンゾニトリルのいずれかであること」、「前記第２工程における炭素化合物ガスが、メタン，エタン，プロパン，エチレン，プロピレン，アセチレンのいずれかであること」、「前記第２工程において、炭素化合物ガスに水素ガスを混合すること」、を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明第二は、基板上に、複数の電子放出素子と、該複数の電子放出素子に接続された配線とを具備する電子源の製造方法において、前記複数の電子放出素子を、上記本発明第一の電子放出素子の製造方法によって製造することを特徴とする電子源の製造方法である。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
本発明第三は、電子源と、画像形成部材とを有する画像形成装置の製造方法であって、前記電子源を上記本発明第二の電子源の製造方法によって製造することを特徴とする画像形成装置の製造方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月31日(2005.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の絶縁表面に設けられたＴＦＴと、ＴＦＴと電気的に接続する発光素子とを有する半導体装置において、
前記発光素子は、有機化合物層と、陽極と、アルカリ金属を含む陰極を備え、前記ＴＦＴと前記発光素子との間に前記アルカリ金属を吸着する絶縁層を有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
基板の絶縁表面に設けられたＴＦＴと、ＴＦＴと電気的に接続する発光素子とを有する半導体装置において、
前記発光素子は、アルカリ金属を含む有機化合物層と、陽極と、陰極を備え、前記ＴＦＴと前記発光素子との間に前記アルカリ金属を吸着する絶縁層を有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
基板の絶縁表面に設けられたＴＦＴと、ＴＦＴと電気的に接続する発光素子とを有する半導体装置において、
前記発光素子は、有機化合物層と、陽極と、アルカリ金属を含むバッファー層と、陰極を備え、前記ＴＦＴと前記発光素子との間に前記アルカリ金属を吸着する絶縁層を有することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
基板の絶縁表面に設けられたＴＦＴと、ＴＦＴと電気的に接続する発光素子とを有する半導体装置において、
前記発光素子は、有機化合物層と、陽極と、アルカリ土類金属を含む陰極を備え、前記ＴＦＴと前記発光素子との間に前記アルカリ土類金属を吸着する絶縁層を有することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
基板の絶縁表面に設けられたＴＦＴと、ＴＦＴと電気的に接続する発光素子とを有する半導体装置において、
前記発光素子は、アルカリ土類金属を含む有機化合物層と、陽極と、陰極を備え、前記ＴＦＴと前記発光素子との間に前記アルカリ土類金属を吸着する絶縁層を有することを特徴とする発光装置。
【請求項６】
基板の絶縁表面に設けられたＴＦＴと、ＴＦＴと電気的に接続する発光素子とを有する半導体装置において、
前記発光素子は、有機化合物層と、陽極と、アルカリ土類金属を含むバッファー層と、陰極を備え、前記ＴＦＴと前記発光素子との間に前記アルカリ土類金属を吸着する絶縁層を有することを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記絶縁層は、フッ素を１×１０19／ｃｍ3以上含む窒化シリコン膜からなることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記絶縁層は、アンチモン化合物、スズ化合物、またはインジウム化合物からなる粒子を含む有機樹脂膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記絶縁層は、フッ素を１×１０19／ｃｍ3以上含む窒化シリコン膜と、アンチモン化合物、スズ化合物、またはインジウム化合物からなる粒子を含む有機樹脂膜との積層膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、前記アンチモン化合物は五酸化アンチモンであることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至６のいずれか一において、前記絶縁層は、フッ素を１×１０19／ｃｍ3以上含む窒化酸化シリコン膜または酸化シリコンからなることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一に記載の発光装置を表示部に用いていることを特徴とする電気器具。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月30日(2004.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
均熱板の一方の主面をウエハの載置面とし、他方の主面に発熱抵抗体を有するとともに、該発熱抵抗体と電気的に接続される給電部を前記他方の主面に具備してなるウエハ加熱装置において、前記均熱板の材質が炭化珪素質セラミックスからなり、６００℃×１０００時間の処理を行った際の前記発熱抵抗体の抵抗変化率が２％以下であることを特徴とするウエハ加熱装置。
【請求項２】
前記発熱抵抗体がガラスを含み、このガラス成分がＣａ，Ｓｉ，Ａｌのうち少なくともひとつを含む結晶相を含有し、Ｘ線回折におけるＳｉのピークに対する上記結晶のピークの強度比が５０％以上であることを特徴とする請求項１記載のウエハ加熱装置。
【請求項３】
前記結晶相がアノーサイトであり、Ｘ線回折ピークにおけるＳｉの（２２０）面に対するアノーサイトの（−２０２）面の強度比が５０％以上であることを特徴とする請求項２記載のウエハ加熱装置。
【請求項４】
前記均熱板の他方の主面にガラスからなる絶縁層を介して前記発熱抵抗体を有し、前記発熱抵抗体がガラスを含み、このガラスの軟化点が、前記絶縁層に含まれるガラスの転移点より低く、且つこのガラスの転移点がヒーターの使用温度よりも高いことを特徴とする請求項１記載のウエハ加熱装置。
【請求項５】
前記均熱板の厚みを１〜２０ｍｍ、かつ前記他方の主面の表面粗さＲａを１．０μｍ以下とし、絶縁層のガラスの作業点温度より２００℃以上高い温度にて熱処理を行うことを特徴とする請求項４記載のウエハ加熱装置。
【請求項６】
前記絶縁層が、ＳｉＯ2を主成分とする非晶質ガラスにて構成され、且つガラス転移点までの熱膨張率が均熱板の熱膨張率に対し−１．０〜＋１．０×１０-6／℃の範囲内にあることを特徴とする請求項４記載のウエハ加熱装置。
【請求項７】
前記発熱抵抗体が金属成分として、Ｐｔ族金属を主成分として含有することを特徴とする請求項１記載のウエハ加熱装置。
【請求項８】
前記ウエハ載置面の赤外線放射率が８０％以上になるようにウエハ載置面の研磨を行ったことを特徴とする請求項１記載のウエハ加熱装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
即ち、均熱板の一方の主面をウエハの載置面とし、他方の主面に発熱抵抗体を有するとともに、該発熱抵抗体と電気的に接続される給電部を前記他方の主面に具備してなるウエハ加熱装置において、前記均熱板の材質が炭化珪素質セラミックスからなり、室温から６００℃まで１０００時間の処理を行った際の前記発熱抵抗体の抵抗変化率が２％以下であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月23日(2005.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
電着金属からなるマスク本体５に、発光層形成用の蒸着通孔８が上下貫通状に多数独立して設けられた有機ＥＬ素子用の蒸着マスクであって
、
各通孔８は、発光層７の蒸着対象である基板１側に位置し、内周面がストレート状に設けられた小孔部１０と、この小孔部１０に連通して、該小孔部１０よりも大きな開口寸法で気化物の飛来方向に形成された大孔部１１とからなり、
大孔部１１の内周面が、気化物の飛来方向に行くほど対向間隔の広がった外広がりのテーパー形状をなしていること
を特徴とする有機ＥＬ素子用蒸着マスク。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】  また、本発明は図７に示すごとく、電着金属からなるマスク本体５に、発光層形成用の蒸着通孔８が上下貫通状に多数独立して設けられた有機ＥＬ素子用の蒸着マスクを対象とする。各通孔８は、発光層７（図１参照）の蒸着対象である基板１（図１参照）側に位置し、内周面がストレート状に設けられた小孔部１０と、この小孔部１０に連通して、該小孔部１０よりも大きな開口寸法で気化物の飛来方向に形成された大孔部１１とからなる。そして、大孔部１１の内周面が、気化物の飛来方向に行くほど対向間隔の広がった外広がりのテーパー形状をなしていることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月24日(2004.6.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
第１、第２の電極１２７1、１２７2上には、第１、第２の電極１２７1、１２７2と誘電体層１２５表面とを被覆するように保護膜１３０が形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
しかしながら従来装置では、保護膜を交換するために静電吸着装置ごと交換すると、交換時の作業が煩雑で、交換に要するコストが高くなってしまう。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハまたはフラットパネルディスプレイ等の基板を処理するプロセス装置の検査システムにおいて、
プロセス装置内部を検査可能なワイヤレスセンサであって、プロセス装置内部を検査している間、信号をプロセス装置の外部に配置された受信機に送信する送信機を備えるワイヤレスセンサを有し、
前記ワイヤレスセンサは、処理されるべき基板と実質的に同じ大きさを有する支持体に配置され、マイクロビデオカメラを含むことを特徴とする検査システム。
【請求項２】
プロセス装置には基板搬送手段が設けられ、ワイヤレスセンサは、前記支持体が前記基板搬送手段によって、プロセス装置内に搬送されるように、前記支持体に配置されることを特徴とする請求項１記載の検査システム。
【請求項３】
ワイヤレス通信には、赤外線技術が使用されることを特徴とする請求項１または２記載の検査システム。
【請求項４】
ワイヤレス通信には、無線技術が使用されていることを特徴とする請求項１または２記載の検査システム。
【請求項５】
ワイヤレスセンサによって送信された信号を、受信するアンテナがプロセス装置の外部に配置されることを特徴とする請求項４記載の検査システム。
【請求項６】
ワイヤレスセンサによって送信された信号を、受信するアンテナがプロセス装置の内部に配置されることを特徴とする請求項４記載の検査システム。
【請求項７】
ワイヤレス通信には、Bluetooth技術が使用されることを特徴とする請求項４記載の検査システム。
【請求項８】
ワイヤレス通信のための送信機を備え、基板を処理するためのプロセス装置の内部を検査するためのセンサであって、処理されるべき基板と実質的に同じ形状と大きさとを有する支持体に配置され、マイクロビデオカメラを含むことを特徴とするセンサ。
【請求項９】
シリコンウエハに配置されることを特徴とする請求項８記載のセンサ。
【請求項１０】
支持体にはマイクロビデオカメラとして設計された２つのセンサが設けられ、該センサは実質的に平行かつ相互にアイディスタンス（eye distance）をあけて配置され、立体画像を得ることができることを特徴とする請求項８記載のセンサ。
【請求項１１】
基板を処理するプロセス装置の内部を検査する方法であって、プロセス装置には、基板の入出力のための入出力ステーションと、基板を処理するための少なくとも１つのプロセス室と、基板を入出力ステーションからプロセス室へ、およびプロセス室から入出力ステーションへ搬送する基板搬送手段とが設けられ、送信機を備えるセンサが入出力ステーションに配置され、該センサは検査を行うために、プロセス装置内部に基板搬送手段によって搬送され、検査の間、送信機はプロセス装置の外部に配置された受信機で受信可能な信号を送信し、検査の完了後、センサは基板搬送手段によって再び入出力ステーションに配置され、該センサはカメラであり、検査は目視検査であることを特徴とする方法。
【請求項１２】
基板搬送機構のプログラミングは、カメラによって供給される情報に基づいて、目視検査の間に行うことを特徴とする請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
プロセス装置の調整は、センサによって与えられる情報に基づいて、検査の間に行うことを特徴とする請求項１１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月5日(2004.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電振動子からなる超音波トランスデューサと、これにパルス電圧を印加し、このパルス電圧の印加によって前記超音波トランスデューサに発生する超音波応答信号を受信するパルサ／レシーバと、該パルサ／レシーバの出力信号を信号処理する手段からなり、該出力信号を解析することによって、被検対象物の音響的構造を検出する超音波診断装置に於いて、
前記パルス電圧を印加した直後の超音波応答信号を分離検出し、解析する手段を有することを特徴とした超音波診断装置。
【請求項２】
前記超音波診断装置において、
前記した直後超音波応答信号のみを分離検出する手段が、
パルス発生器（パルサ）の出力を分岐する手段と、
分岐信号の一方を増幅する手段と、
前記増幅信号を超音波トランスデューサに電圧印加したときの直後応答信号を入力し、該直後信号の振幅を低減させる減衰手段と、
前記分岐信号の他方の信号を遅延させる手段と、
前記遅延出力と前記減衰出力の差をとる手段と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の超音波診断装置。
【請求項３】
前記超音波診断装置において、
前記直後の超音波応答信号のみを分離検出する手段が低損失超音波遅延媒体と、ゲート手段を有することを特徴とする請求項１に記載の超音波診断装置。
【請求項４】
前記超音波診断装置に於いて、
前記したパルス電圧を印加する手段が、電気的にダンピングされた時間領域とダンピングのされていない時間領域とからなる超音波パルス振動を発生させる手段を有していることを特徴とする請求項１に記載の超音波診断装置。
【請求項５】
前記超音波診断装置に於いて、
前記したパルス電圧を印加する手段が、電圧立ち上がり時間ｔｒ、電圧保持時間ｔｗ、電圧立ち下がり時間ｔｆを持ち、前記超音波トランスデューサを構成する圧電振動子の共振周波数の逆数をｔｐとすると、
ｔｒ＜ｔｐ＜ｔｆ
ｔｗ=ｎ×ｔｐ  （ｎ=1〜5）
ｔｆ=m×ｔｐ  （ｍ=1〜10）
の関係を有する台形パルスを発生させる手段と、該台形パルスを増幅する手段を有することを特徴とする請求項４に記載の超音波診断装置。
【請求項６】
前記超音波診断装置に於いて、
前記台形パルスを発生させる手段が、前記ｍ，ｎの値を変化させる為の可変信号入力手段を有していることを特徴とする請求項５に記載の超音波診断装置。
【請求項７】
前記超音波診断装置に於いて、
前記パルス電圧を印加した直後の超音波応答信号を検出し、解析する手段が直後超音波応答信号から中心周波数ｆ０と最大振幅Ａ０をパラメータ抽出する手段を有することを特徴とする請求項１に記載の超音波診断装置。
【請求項８】
前記超音波診断装置に於いて、
前記超音波トランスデューサが該超音波トランスデューサの超音波送受側と反対側の面に於いて、超音波振動に対する応力負荷が加わらない構造になっていることを特徴とする請求項４に記載の超音波診断装置。
【請求項９】
前記超音波診断装置に於いて、
前記トランスデューサが圧電振動子と、
超音波出射側の面に接合した音響結合層と該音響結合層上に接合した受圧部と、
で構成されることを特徴とする請求項８に記載の超音波診断装置。
【請求項１０】
前記超音波診断装置に於いて、
前記超音波トランスデューサが圧電振動子の超音波送受側の面に、超音波応答信号のみを分離検出する機能を有する低損失超音波遅延媒体を接合し、該低損失超音波遅延媒体の対象物に接する側の表面に受圧部を兼ねた音響整合層が形成されている構造を有することを特徴とする請求項８に記載の超音波診断装置。
【請求項１１】
前記超音波診断装置に於いて、
前記超音波トランスデューサが１つの低損失超音波遅延媒体に複数の圧電振動子を接合し、該複数の圧電振動子の低損失超音波遅延媒体を挟んだ対角側の低損失超音波遅延媒体の表面に、対象物に超音波を授受する為の受圧部が形成された構造を有することを特徴とする請求項１０に記載の超音波診断装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するために、圧電振動子からなる超音波トランスデューサと、これにパルス電圧を印加し、このパルス電圧の印加によって前記超音波トランスデューサに発生する超音波応答信号を受信するパルサ／レシーバと、該パルサ／レシーバの出力信号を信号処理する手段からなり、該出力信号を解析することによって、被検対象物の音響的構造を検出する超音波診断装置に於いて、前記パルス電圧を印加した直後の超音波応答信号を分離検出し、解析する手段を有する超音波診断装置を提供する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
以上のような構成の超音波診断装置は、超音波トランスデューサにパルス電圧を印加して、そのパルス電圧を印加した直後の超音波応答信号のみを分離検出して解析して被検対象物の音響的構造を検出する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】