【手続補正書】
【提出日】令和3年10月13日(2021.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学層を構成するインプリントリソグラフィ方法であって、前記インプリントリソグラフィ方法は、
第１の基板と、前記第１の基板上に直接インプリントされたナノ層とを備えている第１の光学層を形成することと、
第２の基板と、前記第２の基板に沿って配置された第１の機能的パターンとを備えている第２の光学層を形成することと、
第３の基板と、前記第３の基板に沿って配置された第２の機能的パターンとを備えている第３の光学層を形成することと
を含み、
前記第１の基板上に前記ナノ層をインプリントすることは、前記基板の有効屈折率を変化させ、それにより、前記第２の光学層まで前記第１の基板を透過可能な相対的な光の量が、選択された量だけ変化させられる、インプリントリソグラフィ方法。
【請求項２】
前記相対的な光の量は、第１の相対的な光の量であり、前記第１の基板上に前記ナノ層をインプリントし、前記第１の基板の前記有効屈折率を変化させることは、前記第１の基板の表面から反射される第２の相対的な光の量を変化させることを含む、請求項１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
【請求項３】
前記ナノ層の形状、寸法、および材料調合のうちの１つ以上のものを選択することをさらに含む、請求項１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
【請求項４】
前記第１の基板上に平坦なナノインプリントをインプリントすることをさらに含む、請求項１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
【請求項５】
前記第１の基板上に特徴付けられたナノインプリントをインプリントすることをさらに含む、請求項１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
【請求項６】
前記第１の基板上に１つ以上の反射防止（ＡＲ）特徴をインプリントすることをさらに含む、請求項１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
【請求項７】
前記１つ以上のＡＲ特徴は、約１０ｎｍ〜約３００ｎｍの範囲内の高さを有する、請求項６に記載のインプリントリソグラフィ方法。
【請求項８】
前記１つ以上のＡＲ特徴は、約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍの範囲内の幅を有する、請求項７に記載のインプリントリソグラフィ方法。
【請求項９】
約２０ｎｍ〜約２００ｎｍの範囲内のピッチで前記１つ以上のＡＲ特徴を分配することをさらに含む、請求項７に記載のインプリントリソグラフィ方法。
【請求項１０】
前記第１の基板上に柱を形成することをさらに含む、請求項１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
【請求項１１】
前記第１の基板上に孔を形成することをさらに含む、請求項１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
【請求項１２】
前記第１の基板上に連続格子および不連続格子のうちの一方または両方を形成することをさらに含む、請求項１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
【請求項１３】
前記基板の第１の側に機能的パターンを形成することと、
前記基板の前記第１の側および前記基板の前記第１の側と反対側の前記基板の第２の側のうちの一方または両方に沿って前記ナノ層をインプリントすることと
をさらに含む、請求項１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
【請求項１４】
前記機能的パターンに対する特定の方向に沿って前記ナノ層のＡＲ特徴のアレイを形成することをさらに含む、請求項１３に記載のインプリントリソグラフィ方法。
【請求項１５】
前記基板を透過させられる光が前記選択された量だけ変化させられるように、光伝搬の方向に基づいて前記基板の有効屈折率を変化させるために、前記基板上に前記ナノ層のＡＲ特徴を形成することをさらに含む、請求項１４に記載のインプリントリソグラフィ方法。
【請求項１６】
フィルムコーティングを前記基板に適用することと、
前記フィルムコーティング上に前記ナノ層をインプリントすることと
をさらに含む、請求項１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
【請求項１７】
前記基板を透過可能な前記相対的な光の量を約０．５％〜約１５％だけ変化させることをさらに含む、請求項１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
【請求項１８】
前記ナノ層は、第１のナノ層であり、前記インプリントリソグラフィ方法は、前記第１のナノ層上に第２のナノ層をインプリントすることをさらに含む、請求項１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
【請求項１９】
前記第１のナノ層に基づいて、前記有効屈折率を第１の値に変化させることと、前記第２のナノ層に基づいて、前記有効屈折率を第２の値に変化させることとをさらに含む、請求項１８に記載のインプリントリソグラフィ方法。
【請求項２０】
前記第１の基板上にインプリントされた前記ナノ層は、第１のナノ層であり、前記第１の基板の前記有効屈折率は、第１の屈折率であり、前記相対的な光の量は、第１の相対的な光の量であり、前記第２の光学層は、前記第２の基板上にインプリントされた第２のナノ層を含み、前記第２のナノ層は、前記第２の基板の第２の有効屈折率を決定し、それにより、前記第２のナノ層は、前記第３の光学層まで前記第２の基板を透過可能な第２の相対的な光の量を増加させる、請求項１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
【請求項２１】
前記第１および第２のナノ層は、前記第３の光学層まで前記第１および第２の基板を透過させられる最終の光の量が、源から前記第１のナノ層に向けられた光の量から、前記第１の基板から反射された第１の光の量を差し引き、前記第２の基板から反射された第２の光の量を差し引いた光の量にほぼ等しいように構成されている、請求項２０に記載のインプリントリソグラフィ方法。
【請求項２２】
光学デバイスであって、前記光学デバイスは、
第１の光学層であって、前記第１の光学層は、
第１の基板と、
前記第１の基板上にインプリントされたナノ層と
を備えている、第１の光学層と、
第２の光学層であって、前記第２の光学層は、
第２の基板と、
前記第２の基板に沿って配置された第１の機能的パターンと
を備えている、第２の光学層と、
第３の基板と、前記第３の基板に沿って配置された第２の機能的パターンとを備えている第３の光学層と
を備え、
前記第１の基板上に直接インプリントされた前記ナノ層は、前記第１の基板の有効屈折率を決定し、それにより、前記ナノ層は、前記第２の光学層まで前記第１の基板を透過可能な相対的な光の量を増加させる、光学デバイス。
【請求項２３】
前記第１の基板上にインプリントされた前記ナノ層は、第１のナノ層であり、前記第１の基板の前記有効屈折率は、第１の屈折率であり、前記相対的な光の量は、第１の相対的な光の量であり、前記第２の光学層は、前記第２の基板上にインプリントされた第２のナノ層を備え、前記第２のナノ層は、前記第２の基板の第２の有効屈折率を決定し、それにより、前記第２のナノ層は、前記第３の光学層まで前記第２の基板を透過可能な第２の相対的な光の量を増加させる、請求項２２に記載の光学デバイス。
【請求項２４】
前記第１および第２のナノ層は、前記第３の光学層まで前記第１および第２の基板を透過させられる最終の光の量が、源から前記第１のナノ層に向けられた光の量から、前記第１の基板から反射された第１の光の量を差し引き、前記第２の基板から反射された第２の光の量を差し引いた光の量にほぼ等しいように構成されている、請求項２３に記載の光学デバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明の１つ以上の実施形態の詳細が、付随の図面および下記の説明に記載される。本発明の他の特徴、側面、および利点が、説明、図面、ならびに請求項から明白となるであろう。
本願明細書は、例えば、以下の項目も提供する。
（項目１）
光学層を構成するインプリントリソグラフィ方法であって、前記インプリントリソグラフィ方法は、
基板の有効屈折率を変化させるために前記基板に適用されるべきナノ層の１つ以上のパラメータを選択することと、
前記基板上に前記ナノ層をインプリントすることと
を含み、
前記ナノ層は、前記基板の前記有効屈折率を変化させ、それによって、前記基板を透過可能な相対的な光の量は、選択された量だけ変化させられる、インプリントリソグラフィ方法。
（項目２）
前記相対的な光の量は、第１の相対的な光の量であり、前記基板上に前記ナノ層をインプリントし、前記基板の前記有効屈折率を変化させることは、前記基板の表面から反射される第２の相対的な光の量を変化させることを含む、項目１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
（項目３）
前記ナノ層の形状、寸法、および材料調合のうちの１つ以上のものを選択することをさらに含む、項目１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
（項目４）
前記基板上に平坦なナノインプリントをインプリントすることをさらに含む、項目１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
（項目５）
前記基板上に特徴付けられたナノインプリントをインプリントすることをさらに含む、項目１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
（項目６）
前記基板上に１つ以上の反射防止（ＡＲ）特徴をインプリントすることをさらに含む、項目１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
（項目７）
前記１つ以上のＡＲ特徴は、約１０ｎｍ〜約３００ｎｍの範囲内の高さを有する、項目６に記載のインプリントリソグラフィ方法。
（項目８）
前記１つ以上のＡＲ特徴は、約１０ｎｍ〜約１５０ｎｍの範囲内の幅を有する、項目７に記載のインプリントリソグラフィ方法。
（項目９）
約２０ｎｍ〜約２００ｎｍの範囲内のピッチで前記１つ以上のＡＲ特徴を分配することをさらに含む、項目７に記載のインプリントリソグラフィ方法。
（項目１０）
前記基板上に柱を形成することをさらに含む、項目１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
（項目１１）
前記基板上に孔を形成することをさらに含む、項目１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
（項目１２）
前記基板上に連続格子および不連続格子のうちの一方または両方を形成することをさらに含む、項目１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
（項目１３）
前記基板の第１の側に機能的パターンを形成することと、
前記基板の前記第１の側および前記基板の前記第１の側と反対側の前記基板の第２の側のうちの一方または両方に沿って前記ナノ層をインプリントすることと
をさらに含む、項目１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
（項目１４）
前記機能的パターンに対する特定の方向に沿って前記ナノ層のＡＲ特徴のアレイを形成することをさらに含む、項目１３に記載のインプリントリソグラフィ方法。
（項目１５）
前記基板を透過させられる光が前記選択された量だけ変化させられるように、光伝搬の方向に基づいて前記基板の有効屈折率を変化させるために、前記基板上に前記ナノ層のＡＲ特徴を形成することをさらに含む、項目１４に記載のインプリントリソグラフィ方法。
（項目１６）
フィルムコーティングを前記基板に適用することと、
前記フィルムコーティング上に前記ナノ層をインプリントすることと
をさらに含む、項目１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
（項目１７）
前記基板を透過可能な前記相対的な光の量を約０．５％〜約１５％だけ変化させることをさらに含む、項目１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
（項目１８）
前記ナノ層は、第１のナノ層であり、前記インプリントリソグラフィ方法は、前記第１のナノ層上に第２のナノ層をインプリントすることをさらに含む、項目１に記載のインプリントリソグラフィ方法。
（項目１９）
前記第１のナノ層に基づいて、前記有効屈折率を第１の値に変化させることと、前記第２のナノ層に基づいて、前記有効屈折率を第２の値に変化させることとをさらに含む、項目１８に記載のインプリントリソグラフィ方法。
（項目２０）
光学層であって、前記光学層は、
基板と、
前記基板上にインプリントされたナノ層と
を備え、
前記ナノ層は、前記基板の有効屈折率を決定し、それによって、前記ナノ層は、前記基板を透過可能な相対的な光の量をもたらす、光学層。
（項目２１）
光学デバイスであって、前記光学デバイスは、
第１の光学層であって、前記第１の光学層は、
第１の基板と、
前記第１の基板上にインプリントされたナノ層と
を備えている、第１の光学層と、
第２の光学層であって、前記第２の光学層は、
第２の基板と、
前記第２の基板に沿って配置された機能的パターンと
を備えている、第２の光学層と
を備え、
前記第１の基板上にインプリントされた前記ナノ層は、前記第１の基板の有効屈折率を決定し、それによって、前記ナノ層は、前記第２の光学層まで前記第１の基板を透過可能な相対的な光の量を増加させる、光学デバイス。
（項目２２）
前記第２の基板に沿って配置された前記機能的パターンは、第１の機能的パターンであり、前記光学デバイスは、第３の光学層をさらに備え、前記第３の光学層は、第３の基板と、前記第３の基板に沿って配置された第２の機能的パターンとを備えている、項目２１に記載の光学デバイス。
（項目２３）
前記第１の基板上にインプリントされた前記ナノ層は、第１のナノ層であり、前記第１の基板の有効屈折率は、第１の屈折率であり、前記相対的な光の量は、第１の相対的な光の量であり、前記第２の光学層は、前記第２の基板上にインプリントされた第２のナノ層を備え、前記第２のナノ層は、前記第２の基板の第２の有効屈折率を決定し、それによって、前記第２のナノ層は、前記第３の光学層まで前記第２の基板を透過可能な第２の相対的な光の量を増加させる、項目２２に記載の光学デバイス。
（項目２４）
前記第１および第２のナノ層は、前記第３の光学層まで前記第１および第２の基板を透過させられる最終の光の量が、源から前記第１のナノ層に向けられた光の量から、前記第１の基板から反射された第１の光の量を差し引き、前記第２の基板から反射された第２の光の量を差し引いた光の量にほぼ等しいように構成されている、項目２３に記載の光学デバイス。