【手続補正書】
【提出日】令和3年3月11日(2021.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ハイサイドスイッチを駆動するためのゲートドライバ回路であって、
前記ハイサイドスイッチに接続されたサンプル及びレベルシフト回路と、
増幅器の出力電圧をサンプリングするように構成されたサンプリングコンデンサと、
前記増幅器に接続された電圧源と、を備え、
前記サンプリングコンデンサが、前記ハイサイドスイッチのゲート容量を充電するように更に構成されており、
前記増幅器が、ハイサイドスイッチ出力電流を制限するように構成されている、ゲートドライバ回路。
【請求項２】
前記ハイサイドスイッチが、ｎチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）である、請求項１に記載のゲートドライバ回路。
【請求項３】
回路負荷を更に備え、前記回路負荷が、前記ｎＭＯＳトランジスタのソース側に接続されている、請求項２に記載のゲートドライバ回路。
【請求項４】
前記増幅器が、コモンモード電圧範囲内で機能するように構成されており、前記コモンモード電圧範囲が、第２の電圧と前記電圧源の電圧との間であり、前記第２の電圧が、前記電圧源の電圧未満である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のゲートドライバ回路。
【請求項５】
前記サンプリングコンデンサが、２ｐＦ〜２５０ｐＦの容量範囲内である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のゲートドライバ回路。
【請求項６】
前記ゲートドライバ回路が、単一チップ上の集積回路である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のゲートドライバ回路。
【請求項７】
トランジスタと直列に接続された電流検知抵抗器を更に備え、前記電流検知抵抗器及び前記トランジスタが、前記ハイサイドスイッチと並列に接続されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載のゲートドライバ回路。
【請求項８】
ハイサイドスイッチを駆動するための方法であって、
供給電圧を増幅器に供給することと、
前記ハイサイドスイッチの出力電流を、前記増幅器を介して制限することと、
前記増幅器の出力電圧を、前記出力電圧のサンプリングのために構成されたサンプリングコンデンサを用いてサンプリングすることと、
前記増幅器の前記出力電圧をレベルシフトすることと、
前記サンプリングコンデンサを使用して、前記ハイサイドスイッチのゲート容量を充電することと、を含む、方法。
【請求項９】
前記ハイサイドスイッチがオンになったときに、入力電圧を負荷に供給することを更に含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ハイサイドスイッチが、ｎチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）である、請求項８又は９に記載の方法。
【請求項１１】
回路負荷を前記ｎＭＯＳトランジスタのソース側に接続することを更に含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記増幅器をコモンモード電圧範囲内で動作させることを更に含み、前記コモンモード電圧範囲は、第２の電圧と前記供給電圧を供給する前記電圧源の電圧との間であり、前記第２の電圧が前記電圧源の電圧未満である、請求項８〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記サンプリングコンデンサが、２ｐＦ〜２５０ｐＦの容量範囲内である、請求項８〜１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
前記工程が、単一チップ上の集積回路から行われる、請求項８〜１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
トランジスタと直列に接続された電流検知抵抗器を提供するステップを更に含み、前記電流検知抵抗器及び前記トランジスタが、前記ハイサイドスイッチと並列に接続されている、請求項８〜１４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１６】
回路であって、
ハイサイドスイッチと、
前記ハイサイドスイッチを駆動するためのゲートドライバ回路と、を備え、前記ゲートドライバ回路が、
前記ハイサイドスイッチに接続されたサンプル及びレベルシフト回路と、
増幅器の出力電圧をサンプリングするように構成されたサンプリングコンデンサと、
前記増幅器に接続された電圧源と、を備え、
前記サンプリングコンデンサが、前記ハイサイドスイッチのゲート容量を充電するように更に構成されており、
前記増幅器が、ハイサイドスイッチ出力電流を制限するように構成されている、回路。
【請求項１７】
前記ハイサイドスイッチが、ｎチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）である、請求項１６に記載のゲートドライバ回路。
【請求項１８】
回路負荷を更に備え、前記回路負荷が、前記ｎＭＯＳトランジスタのソース側に接続されている、請求項１７に記載のゲートドライバ回路。
【請求項１９】
前記増幅器が、コモンモード電圧範囲内で機能するように構成されており、前記コモンモード電圧範囲は、第２の電圧と前記電圧源の電圧との間であり、前記第２の電圧が、前記電圧源の電圧未満である、請求項１６〜１８のいずれか一項に記載のゲートドライバ回路。
【請求項２０】
前記サンプリングコンデンサが、２ｐＦ〜２５０ｐＦの容量範囲内である、請求項１６〜１９のいずれか一項に記載のゲートドライバ回路。
【請求項２１】
前記ゲートドライバ回路が、単一チップ上の集積回路である、請求項１６〜２０のいずれか一項に記載のゲートドライバ回路。
【請求項２２】
トランジスタと直列に接続された電流検知抵抗器を更に備え、前記電流検知抵抗器及び前記トランジスタが、前記ハイサイドスイッチと並列に接続されている、請求項１６〜２１のいずれか一項に記載のゲートドライバ回路。
【請求項２３】
請求項１６〜２２に記載のゲートドライバ回路のうちのいずれかを含む、マイクロコントローラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
ハイサイドスイッチを駆動するための例示的な方法が開示される。本方法は、少なくとも１つの電圧を少なくとも１つの増幅器に供給することを含む。更に、本方法は、ハイサイドスイッチの出力電流を、少なくとも１つの増幅器を介して制限することを含む。本方法は、少なくとも１つの増幅器の出力電圧をサンプリングすることを追加的に含む。サンプリングコンデンサは、出力電圧のサンプリングのために構成されている。本方法は、少なくとも１つの増幅器の出力電圧をレベルシフトすることを含む。加えて、方法は、サンプリングコンデンサを使用して、ハイサイドスイッチのゲート容量を充電することを含む。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
ハイサイドスイッチを駆動するためのゲートドライバ回路であって、
前記ハイサイドスイッチに接続されたサンプル及びレベルシフト回路と、
少なくとも１つの増幅器の出力電圧をサンプリングするように構成されたサンプリングコンデンサと、
前記少なくとも１つの増幅器に接続された少なくとも１つの電圧源と、を備え、
前記サンプリングコンデンサが、前記ハイサイドスイッチのゲート容量を充電するように更に構成されており、
前記少なくとも１つの増幅器が、ハイサイドスイッチ出力電流を制限するように構成されている、ゲートドライバ回路。
（項目２）
前記ハイサイドスイッチが、ｎチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）である、項目１に記載のゲートドライバ回路。
（項目３）
回路負荷を更に備え、前記回路負荷が、前記ｎＭＯＳトランジスタのソース側に接続されている、項目２に記載のゲートドライバ回路。
（項目４）
前記少なくとも１つの増幅器が、前記電圧源に対する第２の電圧のコモンモード電圧範囲内で機能するように構成されており、前記第２の電圧が、前記電圧源未満である、項目１〜３のいずれか一項に記載のゲートドライバ回路。
（項目５）
前記サンプリングコンデンサが、２ｐＦ〜２５０ｐＦの容量範囲内である、項目１〜４のいずれか一項に記載のゲートドライバ回路。
（項目６）
前記ゲートドライバ回路が、単一チップ上の集積回路である、項目１〜５のいずれか一項に記載のゲートドライバ回路。
（項目７）
トランジスタと直列に接続された電流検知抵抗器を更に備え、前記電流検知抵抗器及び前記トランジスタが、前記ハイサイドスイッチと並列に接続されている、項目１〜６のいずれか一項に記載のゲートドライバ回路。
（項目８）
ハイサイドスイッチを駆動するための方法であって、
少なくとも１つの電圧を少なくとも１つの増幅器に供給することと、
前記ハイサイドスイッチの出力電流を、少なくとも１つの増幅器を介して制限することと、
前記少なくとも１つの増幅器の出力電圧を、前記出力電圧のサンプリングのために構成されたサンプリングコンデンサを用いてサンプリングすることと、
前記少なくとも１つの増幅器の前記出力電圧をレベルシフトすることと、
前記サンプリングコンデンサを使用して、前記ハイサイドスイッチのゲート容量を充電することと、を含む、方法。
（項目９）
前記ハイサイドスイッチがオンになったときに、入力電圧を負荷に供給することを更に含む、項目８に記載の方法。
（項目１０）
前記ハイサイドスイッチが、ｎチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）である、項目８又は９に記載の方法。
（項目１１）
回路負荷を前記ｎＭＯＳトランジスタのソース側に接続することを更に含む、項目１０に記載の方法。
（項目１２）
前記少なくとも１つの増幅器を、前記少なくとも１つの電圧を供給する電圧源に対する第２の電圧のコモンモード電圧範囲内で動作させることを更に含み、前記第２の電圧が前記電圧源未満である、項目８〜１１のいずれか一項に記載の方法。
（項目１３）
前記サンプリングコンデンサが、２ｐＦ〜２５０ｐＦの容量範囲内である、項目８〜１２のいずれか一項に記載の方法。
（項目１４）
前記工程が、単一チップ上の集積回路から行われる、項目８〜１３のいずれか一項に記載の方法。
（項目１５）
トランジスタと直列に接続された電流検知抵抗器を提供するステップを更に含み、前記電流検知抵抗器及び前記トランジスタが、前記ハイサイドスイッチと並列に接続されている、項目８〜１４のいずれか一項に記載の方法。
（項目１６）
回路であって、
ハイサイドスイッチと、
ハイサイドスイッチを駆動するためのゲートドライバ回路と、を備え、前記ゲートドライバ回路が、
前記ハイサイドスイッチに接続されたサンプル及びレベルシフト回路と、
少なくとも１つの増幅器の出力電圧をサンプリングするように構成されたサンプリングコンデンサと、
前記少なくとも１つの増幅器に接続された少なくとも１つの電圧源と、を備え、
前記サンプリングコンデンサが、前記ハイサイドスイッチのゲート容量を充電するように更に構成されており、
前記少なくとも１つの増幅器が、ハイサイドスイッチ出力電流を制限するように構成されている、回路。
（項目１７）
前記ハイサイドスイッチが、ｎチャネル金属酸化物半導体電界効果トランジスタ（ｎＭＯＳトランジスタ）である、項目１６に記載のゲートドライバ回路。
（項目１８）
回路負荷を更に備え、前記回路負荷が、前記ｎＭＯＳトランジスタのソース側に接続されている、項目１７に記載のゲートドライバ回路。
（項目１９）
前記少なくとも１つの増幅器が、前記電圧源に対する第２の電圧のコモンモード電圧範囲内で機能するように構成されており、前記第２の電圧が、前記電圧源未満である、項目１６〜１８のいずれか一項に記載のゲートドライバ回路。
（項目２０）
前記サンプリングコンデンサが、２ｐＦ〜２５０ｐＦの容量範囲内である、項目１６〜１９のいずれか一項に記載のゲートドライバ回路。
（項目２１）
前記ゲートドライバ回路が、単一チップ上の集積回路である、項目１６〜２０のいずれか一項に記載のゲートドライバ回路。
（項目２２）
トランジスタと直列に接続された電流検知抵抗器を更に備え、前記電流検知抵抗器及び前記トランジスタが、前記ハイサイドスイッチと並列に接続されている、項目１６〜２１のいずれか一項に記載のゲートドライバ回路。
（項目２３）
項目１６〜２２に記載のゲートドライバ回路のうちのいずれかを含む、マイクロコントローラ。