【手続補正書】
【提出日】平成16年12月16日(2004.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含むＴＦＴを備えた半導体装置であって、
前記ゲート電極と同じ材料からなる配線の表面が前記ゲート電極よりも低抵抗な材料膜に覆われたソース配線とＴＦＴとを備えた画素部と、
駆動回路と、
前記ゲート電極と同じ材料からなる電極の表面が前記ゲート電極よりも低抵抗な材料膜に覆われた端子部と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁表面上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含むＴＦＴを備えた半導体装置であって、
前記ゲート電極と同じ材料からなる配線の表面が前記ゲート電極よりも低抵抗な材料膜に覆われたソース配線と第１のｎチャネル型ＴＦＴとを備えた画素部と、
第２のｎチャネル型ＴＦＴからなる駆動回路と、
前記ゲート電極と同じ材料からなる電極の表面が前記ゲート電極よりも低抵抗な材料膜に覆われた端子部と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
絶縁表面上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含むＴＦＴを備えた半導体装置であって、
前記ゲート電極と同じ材料からなる配線の表面が前記ゲート電極よりも低抵抗な材料膜に覆われたソース配線と第１のｐチャネル型ＴＦＴとを備えた画素部と、
第２のｐチャネル型ＴＦＴからなる駆動回路と、
前記ゲート電極と同じ材料からなる電極の表面が前記ゲート電極よりも低抵抗な材料膜に覆われた端子部と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記低抵抗な材料膜は、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、またはこれらの合金を主成分とする材料膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記ゲート電極よりも低抵抗な材料膜は印刷法により形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
絶縁表面上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含むＴＦＴを備えた半導体装置であって、
メッキ処理されたソース配線と第１のｎチャネル型ＴＦＴとを備えた画素部と、
第２のｎチャネル型ＴＦＴからなる駆動回路と、
メッキ処理された端子部と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
絶縁表面上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含むＴＦＴを備えた半導体装置であって、
メッキ処理されたソース配線と第１のｐチャネル型ＴＦＴとを備えた画素部と、
第２のｐチャネル型ＴＦＴからなる駆動回路と、
メッキ処理された端子部と、を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項６において、前記第１のｎチャネル型ＴＦＴは、ゲート電極と、該ゲート電極と重なるチャネル形成領域とを有し、該チャネル形成領域の幅と前記ゲート電極の幅が同一であることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項６において、前記第１のｎチャネル型ＴＦＴは、テーパー部を有するゲート電極と、該ゲート電極と重なるチャネル形成領域と、該ゲート電極と一部重なる不純物領域とを有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９において、前記第１のｎチャネル型ＴＦＴは、３つのチャネル形成領域を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項６又は８乃至１０のいずれか一において、前記第２のｎチャネル型ＴＦＴは、テーパー部を有するゲート電極と、該ゲート電極と重なるチャネル形成領域と、該ゲート電極と一部重なる不純物領域とを有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項６又は８乃至１１のいずれか一において、前記ｎチャネル型ＴＦＴの不純物領域は、少なくとも１×１０17〜１×１０18／ｃｍ3の範囲で不純物の濃度勾配を有する領域を含んでおり、当該領域においてチャネル形成領域からの距離が増大するとともに不純物濃度が増加することを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項６又は８乃至１２のいずれか一において、前記第１のｎチャネル型ＴＦＴは、複数のチャネル形成領域を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項６乃至１３のいずれか一において、前記端子部の表面と前記画素部のソース配線の表面は、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、またはこれらの合金を主成分とする材料からなる薄膜で覆われていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項６乃至１４のいずれか一において、前記端子部と前記画素部のソース配線は同時にメッキ処理されたものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項６乃至１４のいずれか一において、前記端子部と前記画素部のソース配線は別々にメッキ処理されたものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項６乃至１６のいずれか一において、前記メッキ処理されたソース配線は、前記ゲート電極と同じ材料の配線に対しメッキ処理したものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項６乃至１６のいずれか一において、前記メッキ処理されたソース配線は、前記ゲート電極より低抵抗な材料からなる配線をメッキ処理したものであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１乃至１８のいずれか一において、前記駆動回路はＥＥＭＯＳ回路またはＥＤＭＯＳ回路を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
絶縁表面上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含むＴＦＴを備えた半導体装置であって、
前記ゲート電極と同じ材料からなる電極の少なくとも表面の一部が低抵抗な材料膜に覆われた端子部を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
絶縁表面上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含むＴＦＴを備えた半導体装置であって、
前記ゲート電極と同じ材料からなる電極の少なくとも表面の一部が低抵抗な材料膜に覆われた端子部と、
前記ゲート電極と同じ材料からなる配線の少なくとも表面の一部が前記ゲート電極よりも低抵抗な材料膜に覆われた配線とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
請求項２１において、前記配線は、ソース配線であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２３】
請求項１乃至２２のいずれか一に記載された半導体装置とは、透過型の液晶モジュールであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２４】
請求項１乃至２２のいずれか一に記載された半導体装置とは、反射型の液晶モジュールであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２５】
請求項１乃至２４のいずれか一に記載された半導体装置とは、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯型情報端末または電子遊技機器であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２６】
絶縁表面上に駆動回路と画素部と端子部を備えた半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極と、画素部のソース配線と、端子部の電極を形成し、
前記画素部のソース配線及び前記端子部の電極表面にメッキを施すこと、
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２７】
絶縁表面上に駆動回路と画素部と端子部を備えた半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面上に半導体層を形成し、
前記半導体層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜上にゲート電極と、画素部のソース配線と、端子部の電極を形成し、
前記画素部のソース配線の表面にメッキを施し、
前記端子部の電極表面にメッキを施すこと、
を特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２８】
請求項２６または請求項２７において、前記画素部のソース配線及び前記端子部の電極表面は、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、またはこれらの合金を主成分とする材料からなることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２９】
請求項２６乃至２８のいずれか一における前記メッキを施す工程において、前記画素部のソース配線は、同電位となるように配線でつなげられていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３０】
請求項２９において、前記同電位となるようにつなげられた配線は、メッキ処理後にレーザー光で分断されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３１】
請求項２９において、前記同電位となるようにつなげられた配線は、メッキ処理後に基板と同時に分断されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３２】
絶縁表面上に形成された半導体層と、該半導体層上に形成された絶縁膜と、該絶縁膜上に形成されたゲート電極とを含むＴＦＴを備えた半導体装置であって、
前記ゲート電極と同じ材料からなる間隔を有する２つの第１の導電層と前記２つの第１の導電層の間を埋めるように設けられた第２の導電層とを有するソース配線と第１のｎチャネル型ＴＦＴとを備えた画素部と、
第２ののｎチャネル型ＴＦＴからなる駆動回路と、
前記ゲート電極と同じ材料からなる端子部とを有し、
前記ソース配線は前記ゲート電極より低抵抗な材料からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３３】
請求項３２において、前記ソース配線は印刷法により形成されることを特徴とする半導体装置。