(57)【要約】【課題】発光ダイオード構造と発光ダイオード性能制御方法を提供する。【解決手段】本発明の発光ダイオード構造と発光ダイオード性能制御方法は、先ず、発光ダイオードの発光性能の所定標準値を設定し、続いて、検査待ち発光ダイオードの発光性能を測定し、その後、発光ダイオードの発光経路中の少なくとも１つの部材上に破壊性構造を形成し、破壊性構造の範囲は、該差異値と正比例する。このように、破壊性構造によって発光ダイオードの発光経路中の部材の光学特性を変更し、発光効率を下降、非発光または祖光透過率を低減し、上記方法によって形成された単一発光ダイオードの発光性能を低減し、各発光ダイオードの発光性能の均一化を達成することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に設置される第１金属ピンと、
該基板上に設置される第２金属ピンと、
該第１金属ピン上に設置される発光チップであって、該発光チップの一側に第１出光面を形成する発光チップと、
該発光チップと該第２金属ピンに接続する導線であって、該発光チップが発出するビームが該第１出光面から射出され、発光経路を形成する導線と、
該発光経路中の少なくとも１つの部材上に形成される破壊性構造と、
を含む発光ダイオード。
【請求項２】
前記破壊性構造は、該発光チップの第１出光面に形成される請求項１記載の発光ダイオード。
【請求項３】
更に、発光ダイオードの発光経路中に少なくとも１つの光学部材を設置される請求項２記載の発光ダイオード。
【請求項４】
前記光学部材は、基板上のパッケージ材料に設置され、パッケージ材料は、該発光チップと導線を被覆し、第２出光面を形成し、該破壊性構造が第２出光面上に形成される請求項３記載の発光ダイオード。
【請求項５】
更に、基板上に設置する反射壁を含み、該チップと該導線は、該基板と反射壁が形成する空間内に設置され、該パッケージ材料が該空間中に充填される請求項４記載の発光ダイオード。
【請求項６】
更に、該パッケージ材料中に煩雑にある蛍光微顆粒を含む請求項４記載の発光ダイオード。
【請求項７】
前記光学部材は、透光部材であり、該破壊性構造は、透光部材上に形成される請求項３記載の発光ダイオード。
【請求項８】
前記透光部材は、ガラス材料、プラスチック材料およびガラスとプラスチックの組み合わせ材料から選択して形成される請求項７記載の発光ダイオード。
【請求項９】
前記の光学部材は、光反射部材であり、光反射部材と該基板と傾斜角度を形成し、該破壊性構造が該光反射部材上に形成される請求項３記載の発光ダイオード。
【請求項１０】
前記破壊性構造が凹陥構造である請求項１、２、４、７、９のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項１１】
前記破壊性構造が炭化構造である請求項１、２、４、７、９のいずれかに記載の発光ダイオード。
【請求項１２】
先ず、発光ダイオードの発光性能の所定標準値を設定し、
次に、検査待ち発光ダイオードの発光性能を測定、記録し、
続いて、該検査待ち発光ダイオードの発光性能と該所定の標準値の差異値を計算し、
最後に、発光ダイオードの発光経路中の少なくとも１つの部材上に破壊性構造を形成し、破壊性構造の範囲は、該差異値と正比例することを含む発光ダイオード輝度制御方法。
【請求項１３】
前記破壊性構造を形成する方法が、
発光ダイオードの発光性能の所定標準値を設置する時に誤差許容範囲を設定し、
該検査待ち発光ダイオードの発光性能と該所定標準値の差異値を計算した後、該差異値が該誤差許容範囲内に介在しているか否かを判断し、
差異値が該誤差許容範囲内に介在していれば、発光ダイオードは、直接使用でき、
差異値が該誤差許容範囲を超えていれば、電磁波ビーム制御システムを利用し発光経路中の少なくとも１つの部材上に微小焦点を形成し、微小焦点箇所にエネルギーを瞬間的集中した電磁波ビームを発射し、炭化構造を発生し、炭化構造の範囲は、該差異値と正比例する請求項１２記載の発光ダイオード輝度制御方法。
【請求項１４】
前記破壊性構造を形成する方法が、
発光ダイオードの発光性能の所定標準値を設置する時に誤差許容範囲を設定し、
該検査待ち発光ダイオードの発光性能と該所定標準値の差異値を計算した後、該差異値が該誤差許容範囲内に介在しているか否かを判断し、
差異値が該誤差許容範囲内に介在していれば、発光ダイオードは、直接使用でき、
差異値が該誤差許容範囲を超えていれば、噴出量を微制御するノズルを使用し、発光経路中の発光部材を微顆粒衝撃し、その構造は、凹陥構造を発生させ、凹陥構造の範囲は、該差異値と正比例する請求項１２記載の発光ダイオード輝度制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオードに関し、特に、発光ダイオードの発光経路中の光学部材の光学特性を変更する発光ダイオード及び発光性能を制御する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子技術の日進月歩に伴い、表示装置は、既に日常生活及び職場環境中に不可欠な製品となっており、表示装置が薄型化及び環境保全化の趨勢に発展するに従い、発光ダイオードが徐々に冷極陰管に取って代わり表示装置内の発光源となっている。
【０００３】
但し、表示装置が輝度または表示範囲の需要により多数の発光ダイオードを光源として使用する必要がある時、往々にして多数の同一な発光強度を有する発光ダイオードを必要とし、表示装置の輝度及び表示範囲を必要な発光強度分布に適合できるようにする必要がある。例えば、現在の中大型サイズのテレビは、何れも発光強度の需要を有するので、多数の発光ダイオードを応用しそれぞれ各領域に照射させ、適合した導光板と拡散片を組み合わせ、十分な輝度と均一な発光源を作る必要がある。
【特許文献１】特開平９−１７１４０１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、各発光ダイオードの間の発光強度の差異は、各照明領域間に明らかな輝度の差異を作る。この問題を改善するため、現在多くは、分類の方式で相互に近い発光強度の発光ダイオードを取得し、中大型サイズのテレビの発光源としている。但し、同一製造工程が生産するウエハ上の発光ダイオードは、依然として発光効率の差異が存在し、平均発光強度が厳格な表示装置に応用する時、発光ダイオードの歩留まりは、大幅に下降し、同時に分類作業が生産コスト及びストックの困難性を上昇させる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１目的は、発光性能を制御できる発光ダイオードを提供することである。
上記の目的を達成する為、発光ダイオードは、基板を有し、基板の両端にそれぞれ、第１金属ピンと第２金属ピンを設置する。第１金属ピン上に発光チップを設置し、発光チップの一側に第１出光面を形成し、発光チップが発出するビームは、該第１出光面から射出され、発光経路を形成し、発光チップと第２金属ピンの間は、導線により接続される。また、該発光経路中の少なくとも１つの部材上に破壊性構造を設ける。
【０００６】
本発明の第２目的は、以下のステップを含む発光ダイオード輝度制御方法を提供することである：
ステップ１：発光ダイオードの発光性能を所定の標準値に設定する；
ステップ２：検査待ち発光ダイオードの発光性能を測定し記録する；
ステップ３：検査待ち発光ダイオードの発光性能と所定の標準値の差異値を計算する；
ステップ４：この差異値に基づき、発光ダイオードの発光経路中の少なくとも１つの部材上に破壊性構造を形成し、破壊性構造の範囲は、該差異値と正比例する。
【０００７】
すなわち、本発明は以下の特徴を有する。
（１）基板と、該基板上に設置される第１金属ピンと、該基板上に設置される第２金属ピンと、該第１金属ピン上に設置される発光チップであって、該発光チップの一側に第１出光面を形成する発光チップと、該発光チップと該第２金属ピンに接続する導線であって、該発光チップが発出するビームが該第１出光面から射出され、発光経路を形成する導線と、該発光経路中の少なくとも１つの部材上に形成される破壊性構造と、を含む発光ダイオード。
（２）前記破壊性構造は、該発光チップの第１出光面に形成される（１）記載の発光ダイオード。
（３）更に、発光ダイオードの発光経路中に少なくとも１つの光学部材を設置される（２）記載の発光ダイオード。
（４）前記光学部材は、基板上のパッケージ材料に設置され、パッケージ材料は、該発光チップと導線を被覆し、第２出光面を形成し、該破壊性構造が第２出光面上に形成される（３）記載の発光ダイオード。
（５）更に、基板上に設置する反射壁を含み、該チップと該導線は、該基板と反射壁が形成する空間内に設置され、該パッケージ材料が該空間中に充填される（４）記載の発光ダイオード。
（６）更に、該パッケージ材料中に煩雑にある蛍光微顆粒を含む（４）記載の発光ダイオード。
（７）前記光学部材は、透光部材であり、該破壊性構造は、透光部材上に形成される（３）記載の発光ダイオード。
（８）前記透光部材は、ガラス材料、プラスチック材料およびガラスとプラスチックの組み合わせ材料から選択して形成される（７）記載の発光ダイオード。
（９）前記の光学部材は、光反射部材であり、光反射部材と該基板と傾斜角度を形成し、該破壊性構造が該光反射部材上に形成される（３）記載の発光ダイオード。
（１０）前記破壊性構造が凹陥構造である（１）、（２）、（４）（７）、（９）いずれか記載の発光ダイオード。
（１１）前記破壊性構造が炭化構造である（１）、（２）、（４）（７）、（９）いずれか記載の発光ダイオード。
（１２）先ず、発光ダイオードの発光性能の所定標準値を設定し、次に、検査待ち発光ダイオードの発光性能を測定、記録し、続いて、該検査待ち発光ダイオードの発光性能と該所定の標準値の差異値を計算し、最後に、発光ダイオードの発光経路中の少なくとも１つの部材上に破壊性構造を形成し、破壊性構造の範囲は、該差異値と正比例することを含む発光ダイオード輝度制御方法。
（１３）前記破壊性構造を形成する方法が、発光ダイオードの発光性能の所定標準値を設置する時に誤差許容範囲を設定し、該検査待ち発光ダイオードの発光性能と該所定標準値の差異値を計算した後、該差異値が該誤差許容範囲内に介在しているか否かを判断し、差異値が該誤差許容範囲内に介在していれば、発光ダイオードは、直接使用でき、差異値が該誤差許容範囲を超えていれば、電磁波ビーム制御システムを利用し発光経路中の少なくとも１つの部材上に微小焦点を形成し、微小焦点箇所にエネルギーを瞬間的集中した電磁波ビームを発射し、炭化構造を発生し、炭化構造の範囲は、該差異値と正比例する（１２）記載の発光ダイオード輝度制御方法。
（１４）前記破壊性構造を形成する方法が、
発光ダイオードの発光性能の所定標準値を設置する時に誤差許容範囲を設定し、
該検査待ち発光ダイオードの発光性能と該所定標準値の差異値を計算した後、該差異値が該誤差許容範囲内に介在しているか否かを判断し、
差異値が該誤差許容範囲内に介在していれば、発光ダイオードは、直接使用でき、
差異値が該誤差許容範囲を超えていれば、噴出量を微制御するノズルを使用し、発光経路中の発光部材を微顆粒衝撃し、その構造は、凹陥構造を発生させ、凹陥構造の範囲は、該差異値と正比例する請求項１２記載の発光ダイオード輝度制御方法。
【発明の効果】
【０００８】
破壊性構造が発光ダイオードの発光経路中の部材の光学特性を変更することによって、発光効率を下降、非発光またはその光透過率を低減させ、単一発光ダイオードの発光性能によって、各発光ダイオードの発光性能の均一化を達成する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の技術的内容、達成する目的及び効果を詳細に説明する為、以下に実施例を挙げ、図面と併せて説明する。
【００１０】
図１は、本発明の第１実施例であり、発光ダイオード１００は、基板１を設け、基板１上に第１金属ピン２と、第２金属ピン３と、発光チップ４と、導線５と、反射壁６とを設ける。第１金属ピン２及び第２金属ピン３は、基板１の両側に設置され、且つ基板１の上面は、底面に延伸する。反射壁６は、基板1上面の対応する両側から上向きに延伸してなり、発光チップ４と導線５は、それぞれ基板１と反射壁６が形成する空間内に設置され、且つ発光チップ４は、第１金属ピン２上に設置され、導線５は、発光チップ４と第２金属ピン３に接続し、発光チップ４の一側は、第１出光面７を形成し、本実施例中、第１出光面７上に破壊性構造を形成し、該破壊性構造は、第１炭化構造８である。発光ダイオード１００の動作時、第１金属ピン２と第２金属ピン３は、それぞれ正負電圧を導入した後、発光チップ４を励起しビームを発出することができ、ビームは、発光チップ４外部に発光経路（図中、矢印に示す）を形成する。
【００１１】
図２に示すように、本発明の第２実施例中、発光ダイオード１００の発光経路中、更にパッケージ材料９を設け、パッケージ材料９は、基板１と反射壁６が形成する空間内に充填され、発光チップ４と導線５を被覆し、第２出光面１０を形成し、第２出光面１０上に破壊性構造を形成し、本実施例中、該破壊性構造は、第２炭化構造１１であり、パッケージ材料９中、蛍光微顆粒１２を煩雑に分布するか完全に透明であることができる。
【００１２】
完全に透明なパッケージ材料９を使用する時、発光チップ４の励起光がパッケージ材料９の第２出光面１０を透過した後、発出され、蛍光微顆粒１２を含むパッケージ材料９を使用する時、発光チップ４がビームを射出する発光スペクトルと蛍光微顆粒１２の吸収と発光スペクトルを選択した後、相互作用させ、必要な発光スペクトルの射出光を発生させることができる。
【００１３】
図３に示すように、本発明の発光ダイオードの輝度制御方法は、以下のステップを含む：
ステップ１：発光ダイオード１００の発光性能を測定し記録する；
ステップ２：発光ダイオード１００の発光性能が所定の許容値範囲内であるか否かを計算、判断し、発光ダイオード１００の発光性能が所定の許容値範囲内である場合、ステップ３を執行し、発光ダイオード１００の発光性能が所定の許容値より低い場合、ステップ４を執行し、発光ダイオード９の発光性能が所定の許容値範囲より高い場合、ステップ５を執行する；
ステップ３：発光ダイオード１００の発光性能が要求に適合しているので、調整を行う必要がなく直接使用することができる；
ステップ４：発光ダイオード１００の発光性能が要求に適合していないので、調整を行うことができず、且つ使用することができない；
ステップ５：発光ダイオード１００の発光経路中の光学部材の光学特性を変更し、発光ダイオード１００の発光性能を低減し、発光ダイオード１００の発光性能を所定の許容値範囲内に介在させる。
【００１４】
図４に示すように、発光経路中の光学部材の光学特性は、以下のステップを含むことができる：
ステップ６：発光ダイオード１００の発光性能と所定の標準値の差異を計算する；
ステップ７：電磁波ビーム制御システムを利用し、発光経路中の光学部材上に微小焦点を形成し、微小焦点箇所に瞬間的にエネルギーを集中した電磁波ビームを発射し、炭化構造８，１１を発生させ、更に光学部材上の微小焦点箇所の光学特性を変更する。
【００１５】
具体的に実施する時、発光ダイオード１００の発光性能を予め設定した所定の標準値を毎ワット１００ルーメンとし、許容値範囲を標準値の正負１００分の１、即ち、毎ワット９９ルーメン〜毎ワット１０１ルーメンとし、発光ダイオード１００の発光性能が毎ワット１０１ルーメンを超過する時、電磁波ビーム制御システム、例えば、赤外線レーザ光制御システムを使用し、発光経路中の光学部材に微小焦点を発生させ、例えば、発光チップ４の第１出光面７またはパッケージ材料９の第２出光面１０に赤外線レーザ光制御システムを利用し、微小焦点を発生させる。
【００１６】
その後、エネルギーを瞬間的に集中した赤外線レーザ光で発光チップ４の第１出光面７またはパッケージ材料９の第２出光面１０の微小焦点上に照射し、第１炭化構造８または第２炭化構造１１を発生させ、例えば、例えば、第１出光面７または第２出光面１０を炭化した微小焦点は、暗色に変化し、微小焦点箇所の光学特性を変更する。パッケージ材料９が蛍光微顆粒１２を煩雑に分布してなる時、微小焦点を制御し、蛍光微顆粒１２を照準し、エネルギーを瞬間的に集中した赤外線レーザ光を照射し、蛍光微顆粒１２を破壊し、非発光にすることができる。
【００１７】
発光ダイオード１００の発光性能と所定の標準値の差異値が大きい時、多くの微小焦点を設定し、発光チップ４の第１出光面７またはパッケージ材料９の第２出光面１０に多くの第１炭化構造８と第２炭化構造１１を形成させ、発光ダイオード１００の発光性能と所定の標準値の間の差異が小さい時、少ない微小焦点を設定し、発光チップ４の第１出光面７またはパッケージ材料９の第２出光面１０に少ない第１炭化構造８と第２炭化構造１１を形成させる。
【００１８】
または、発光ダイオード１００の発光性能と所定の標準値の間の差異値が大きい時、赤外線レーザ光を微小焦点に照射する時間を比較的長く設定し、発光チップ４の第１出光面７の第１炭化構造８またはパッケージ９の第２出光面１０上の第２炭化構造１１の範囲を比較的大きくすることができ、発光ダイオード１００の発光性能と所定の標準値の間の差異値が比較的小さい時、赤外線レーザ光を微小焦点に照射する時間を短くし、発光チップ４の第１出光面７上の第１炭化構造８またはパッケージ材料９の第２出光面１０上の第２炭化構造１１の範囲を小さくすることができる。
【００１９】
従って、発光チップ４の第１出光面７上の第１炭化構造８またはパッケージ材料９の第２出光面１０上の第２炭化構造１１の炭化領域または炭化程度は、発光ダイオード１００の発光性能に基づき微調整することができる。比較的高い発光性能を有する発光ダイオードは、その発光経路中の光学部材の炭化構造８，１１を増加または拡大することができ、比較的低い発光性能を有するが、所定の許容値よりは高い発光ダイオード１００は、その発光経路中の光学部材の炭化構造８，１１を低減することができ、発光性能が所定の許容値範囲内に介在する発光ダイオードは処理を行わないようにすることができる。
【００２０】
これにより、発光ダイオード１００の発光経路中の光学部材の光学特性、例えば、光透過率を変更し、微小焦点箇所の発光効率を低減、非発光または光透過率を低減させ、単一発光ダイオード１００の発光性能を低減し、各発光ダイオードの発光性能の均一化を達成することができる。
【００２１】
また、具体的実施時、先ず発光性能が所定の許容値より低い発光ダイオード１００を濾過した後、その他の発光性能が所定の許容値範囲に介在している及び所定の許容値範囲を超えている発光ダイオード１００に対して測定及び調整等のステップを行う。
【００２２】
図５に示すように、本発明のもう１つの実施例中、発光経路中の光学部材の光学特性の変更は、以下のステップを含む：
ステップ６’：発光ダイオード１００の発光性能と所定の標準値の差異値を計算する
ステップ７’：微顆粒を使用し発光経路中の光学部材に衝撃し、その構造に不規則な凹陥を発生させ、発光部材の光学特性を変更する。
【００２３】
具体的実施時、先ず、発光ダイオード１００の発光性能を予め設定した所定の標準値を毎ワット１００ルーメンとし、許容値範囲を標準値の１００分の１、即ち、毎ワット９９ルーメン〜毎ワット１０１ルーメンとし、発光ダイオード１００の発光性能が毎ワット１０１ルーメンを超過する時、噴出量を微制御するノズルを使用し発光ダイオード１００の発光経路中の光学部材に対して1回の衝撃を行うことができる。
【００２４】
図６に示すように、本発明の第３実施例中、発光チップ４の第１出光面７にサンドブラスト衝撃を行い、破壊性構造を発生させ、本実施例中、該破壊性構造は、第１凹陥構造１３である。図７に示すように、本発明の第４実施例中、パッケージ材料９の第２出光面１０にサンドブラスト衝撃を行い、破壊性構造を発生させ、本実施例中、該破壊性構造は、第２凹陥構造１４である。発光ダイオード１００の発光性能と所定の標準値との間の差異値が大きい時、サンドブラスト量を増加することができ、差異値が小さい時、サンドブラスト量を低減することができる。
【００２５】
また、噴出時間を微制御できるノズルを使用し、発光ダイオード１００の第１出光面７またはパッケージ９の第２出光面１０に対して連続性の衝撃を行い、発光ダイオード１００の発光性能と所定の許容値の間の差異値が大きい時、サンドブラスト時間を長くし、反対に、差異値が小さい時、サンドブラスト時間を短くすることができる。
【００２６】
従って、発光ダイオード１００中の発光チップ４の第１出光面７上の第１凹陥構造１３とパッケージ９の第２出光面１０上の第２凹陥構造１４の範囲は、発光ダイオード１００の発光性能に基づき調整することができる。高い発光性能を有する発光ダイオード１００は、第１凹陥構造１３と第２凹陥構造１４の範囲を拡大することができ、低い発光性能を有するが、所定の許容値よりは高い発光ダイオード１００は、第１凹陥構造１３と第２凹陥構造１４の範囲を縮減することができ、発光性能が所定の許容値範囲内に介在する発光ダイオード１００は、処理を行わない。
【００２７】
これにより、発光ダイオード１００の発光経路中の光学部材の構造変化が不規則な凹陥を呈し、この特定領域を通過した光線が部分散乱現象を発生し、透過光線エネルギーを相対して減少させ、単一発光ダイオード１００の発光性能を低減し、各発光ダイオード１００の発光性能の均一化を達成する。
【００２８】
また、化学材料によって発光ダイオード１００の発光チップ４の第１出光面７またはパッケージ材料９の第２出光面１０を侵蝕破壊し、単一発光ダイオード１００の発光性能を低減し、各発光ダイオード１００の発光性能の均一化を達成する。
【００２９】
図８に示すように、本発明の第５実施例中、発光ダイオード１００の発光経路中の光学部材は、更に、透光部材を含み、透光部材は、ガラス材料、プラスチック材料またはガラスとプラスチックの組み合わせから形成されることができる。本実施例中、透光部材は、透明ガラス１５であり、本実施例中、透明ガラス１５は、パッケージ材料９の第２出光表面１０上に設定され、パッケージ材料９と相互に分離する。具体実施時、透明ガラス１５は、パッケージ材料９上に接続することもできる。透明ガラス１５上に破壊性構造の炭化構造８，１１または凹陥構造１３，１４を形成され、透明ガラス１５の光学特性を変更し、発光ダイオード１００の発光性能を低減し、発光ダイオード１００の発光性能を所定の許容値範囲内に介在させることができる。
【００３０】
実施時、先ず、上記方法によって作成され、且つ異なる光学特性を有する複数の透明ガラス１５を準備し、発光ダイオード１００の発光性能と所定の標準値との差異値を測定、計算した後、この差異値に基づき、対応する光学特性を有する透明ガラス１５を合わせて使用し、これにより発光ダイオード１００の発光性能を低減し、発光ダイオード１００の発光性能を所定の許容値範囲内に介在させることができる。
【００３１】
図９に示すように、本発明の第６実施例中、発光ダイオード１００の発光経路中の光学部材は、更に、光反射部材１６を含み、本実施例中、光反射部材は、第２出光面１０上に傾斜設置され、第２出光面１０と相互に分離する。具体実施時、光反射部材１６の傾斜角度によって、発光ダイオード１００の射出光の発光経路を制御する。
【００３２】
光反射部材１６は、対応する第２出光面１０の一面に破壊性構造の炭化構造８，１１または凹陥構造１３，１４を形成し、光反射部材１６の光学特性を変更し、発光ダイオード１００の発光性能を低減し、発光ダイオード１００の発光性能を所定の許容値範囲内に介在させる。
【００３３】
具体的実施時、先ず、上記方法によって作成され、且つ異なる光学特性を有する複数の光反射部材１６を準備し、発光ダイオード１００の発光性能と所定の標準値の差異値を測定、計算し、この差異値に基づき、対応する光学特性を有する光反射部材１６を使用し、これにより発光ダイオード１００の発光性能を低減し、発光ダイオード１００の発光性能を所定許容値範囲内に介在させることができる。
【００３４】
本発明の発光ダイオード輝度制御方法は、電磁波ビームまたはサンドブラストを利用し、物理衝撃または化学侵蝕の方式で発光ダイオード１００の発光経路中の特定領域の光学特性を変更し、これにより発光ダイオード１００の発光性能を低減し、発光ダイオード１００の発光性能と所定の標準値との間の差異値に基づき、発光ダイオード１００の発光経路中の特定領域の光学特性を変更し、異なる発光性能の発光ダイオード１００に一致し且つ十分な発光強度を持たせることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の発光ダイオードの第１実施例の構造断面図である。
【図２】本発明の発光ダイオードの第２実施例の構造断面図である。
【図３】本発明の発光ダイオード性能制御方法のステップフロー図である。
【図４】本発明の電磁波ビームを利用し発光ダイオードの発光経路中の特定領域の光学特性を変更するステップフロー図である。
【図５】本発明のサンドブラストを利用し発光ダイオードの発光経路柱の特定領域の光学特性を変更するステップフロー図である。
【図６】本発明の発光ダイオードの第３実施例の構造断面図である。
【図７】本発明の発光ダイオードの第４実施例の構造断面図である。
【図８】本発明の発光ダイオードの第５実施例の構造断面図である。
【図９】本発明の発光ダイオードの第６実施例の構造断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１００  発光ダイオード
１  基板
２  第１金属ピン
３  第２金属ピン
４  発光チップ
５  導線
６  反射壁
７  第１出光面
８  第１炭化構造
９  パッケージ材料
１０  第２出光面
１１  第２炭化構造
１２  蛍光微顆粒
１３  第１凹陥構造
１４  第２凹陥構造
１５  透明ガラス
１６  光反射部材
【図１】
2010034385.tif 000003
【図２】
2010034385.tif 000004
【図３】
2010034385.tif 000005
【図４】
2010034385.tif 000006
【図５】
2010034385.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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