(57)【要約】【課題】波長の広い輻射線を効率よく吸収することが可能なドナー基板およびこれを用いた表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】ドナー基板４０の基体４１と光吸収層４２との間に、屈折率の異なる２以上の層を有する熱干渉層４６を設ける。熱干渉層４６は、例えば基体４１側から順に、ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ，ＳｉＯＮまたはＡｌ2 Ｏ3 により構成され、厚みが５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の第１干渉層４６Ａと、ａ−Ｓｉにより構成され、厚みが１５ｎｍ以上８０ｎｍ以下の第２干渉層４６Ｂとの積層構造とする。第１干渉層４６Ａおよび第２干渉層４６Ｂの屈折率および厚みは、輻射線Ｒの発光帯のうち連続した１００ｎｍ以上の波長領域において反射率が０．１以下になるように調整される。【選択図】図１９
2010034022.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光材料を含む転写層を形成し、前記転写層を被転写基板に対向配置して輻射線を照射し、前記転写層を昇華または気化させて被転写基板に転写することにより発光層を形成するためのドナー基板であって、
基体と、
前記基体上に設けられた光熱変換層と、
前記基体および前記光熱変換層の間に設けられると共に屈折率の異なる２以上の層を有する熱干渉層と
を備えたドナー基板。
【請求項２】
前記２以上の層の屈折率および厚みが、前記輻射線の発光帯のうち連続した１００ｎｍ以上の波長領域において反射率が０．１以下になるように調整されている
請求項１記載のドナー基板。
【請求項３】
前記熱干渉層は、前記基体側から順に、
ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ，ＳｉＯＮまたはＡｌ2 Ｏ3 により構成され、厚みが５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下の第１干渉層と、
ａ−Ｓｉにより構成され、厚みが１５ｎｍ以上８０ｎｍ以下の第２干渉層と
を有する請求項２記載のドナー基板。
【請求項４】
前記光熱変換層および前記熱干渉層は、前記被転写基板上の前記発光層を形成したい領域に対応して設けられている
請求項１記載のドナー基板。
【請求項５】
前記光熱変換層上および前記基体上に形成された断熱層と、
前記断熱層上に形成された汚染防止層と
を備えた請求項４記載のドナー基板。
【請求項６】
前記断熱層上の前記光熱変換層および前記熱干渉層が設けられていない領域に、凸構造が形成されており、
前記汚染防止層は、前記凸構造の上面に形成された第１部分および前記断熱層の上面に形成された第２部分を有し、前記第１部分および前記第２部分が分断されている
請求項５記載のドナー基板。
【請求項７】
発光材料を含む転写層を形成し、前記転写層を被転写基板に対向配置して輻射線を照射し、前記転写層を昇華または気化させて被転写基板に転写することにより発光層を形成するためのドナー基板であって、
基体と、
前記基体上に、前記被転写基板上の前記発光層を形成したい領域に対応して設けられた光熱変換層と、
前記光熱変換層上および前記基体上に形成された断熱層と、
前記断熱層上に、前記光熱変換層の間の領域に設けられた凸構造と、
前記凸構造の上面に形成された第１部分および前記断熱層の上面に形成された第２部分を有し、前記第１部分および前記第２部分が分断されている汚染防止層と
を備えたドナー基板。
【請求項８】
前記凸構造は、上面の幅よりも下面の幅が狭い逆テーパの断面形状を有する
請求項７記載のドナー基板。
【請求項９】
前記凸構造は、０．３μｍ以上１０μｍ以下の高さを有する
請求項７または８記載のドナー基板。
【請求項１０】
前記汚染防止層の厚みが２５ｎｍ以上５００ｎｍ以下である
請求項７または８記載のドナー基板。
【請求項１１】
前記基体および前記光熱変換層の間に熱干渉層を有する
請求項７記載のドナー基板。
【請求項１２】
駆動用基板に、第１電極、前記第１電極の発光領域に対応して開口部を有する絶縁層、発光層を含む複数の有機層、および第２電極を順に有する有機発光素子を形成する表示装置の製造方法であって、
前記駆動用基板に、前記第１電極、前記絶縁層、および前記複数の有機層の一部を形成し、被転写基板を形成する工程と、
ドナー基板に発光材料を含む転写層を形成し、前記転写層を前記被転写基板に対向配置して輻射線を照射し、前記転写層を昇華または気化させて被転写基板に転写することにより発光層を形成する工程と、
前記複数の有機層の残部および第２電極を形成する工程と
を含み、
前記ドナー基板として、
基体と、
前記基体上に設けられた光熱変換層と、
前記基体および前記光熱変換層の間に設けられると共に屈折率の異なる２以上の層を有する熱干渉層と
を備えたものを用いる表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記２以上の層の屈折率および厚みが、前記輻射線の発光帯のうち連続した１００ｎｍ以上の波長領域において反射率が０．１以下になるように調整されている
請求項１２記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記熱干渉層は、前記基体側から順に、
ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ，ＳｉＯＮまたはＡｌ2 Ｏ3 により構成され、厚みが５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下の第１干渉層と、
ａ−Ｓｉにより構成され、厚みが１５ｎｍ以上８０ｎｍ以下の第２干渉層と
を有する請求項１３記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
駆動用基板に、第１電極、前記第１電極の発光領域に対応して開口部を有する絶縁層、発光層を含む複数の有機層、および第２電極を順に有する有機発光素子を形成する表示装置の製造方法であって、
前記駆動用基板に、前記第１電極、前記絶縁層、および前記複数の有機層の一部を形成し、被転写基板を形成する工程と、
ドナー基板に発光材料を含む転写層を形成し、前記転写層を前記被転写基板に対向配置して輻射線を照射し、前記転写層を昇華または気化させて被転写基板に転写することにより発光層を形成する工程と、
前記複数の有機層の残部および第２電極を形成する工程と
を含み、
前記ドナー基板として、
基体と、
前記基体上に、前記被転写基板上の前記発光層を形成したい領域に対応して設けられた光熱変換層と、
前記光熱変換層上および前記基体上に形成された断熱層と、
前記断熱層上に、前記光熱変換層の間の領域に設けられた凸構造と、
前記凸構造の上面に形成された第１部分および前記断熱層の上面に形成された第２部分を有し、前記第１部分および前記第２部分が分断されている汚染防止層と
を備えたものを用いる表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記凸構造は、上面の幅よりも下面の幅が狭い逆テーパの断面形状を有する
請求項１５記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記凸構造は、０．３μｍ以上１０μｍ以下の高さを有する
請求項１５または１６記載の表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記汚染防止層の厚みが２５ｎｍ以上５００ｎｍ以下である
請求項１５または１６記載の表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記基体および前記光熱変換層の間に熱干渉層を有する
請求項１５記載の表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記基体上の前記凸構造により分割された領域ごとに異なる色の発光材料を含む転写層を形成し、一回の転写で前記被転写基板に２色以上の前記発光層を形成する
請求項１５または１６記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光素子の発光層を転写法により形成するためのドナー基板およびこれを用いた表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、次世代の表示装置が盛んに開発されており、駆動用基板に、第１電極、発光層を含む複数の有機層および第２電極を順に積層した有機発光素子（有機ＥＬ（Electroluminescence ）素子）を用いた有機発光表示装置が注目されている。有機発光表示装置は、自発光型であるので視野角が広く、バックライトを必要としないので省電力が期待でき、応答性が高く、装置の厚みを薄くできるなどの特徴を有している。そのため、テレビ等の大画面表示装置への応用が強く望まれている。
【０００３】
このような有機発光表示装置の大型化や生産性向上のため、更に大型のマザーガラスの使用が検討されている。その際、一般的なメタルマスクを用いた発光層の形成方法では、金属シートに開口パターンを設けたメタルマスクを介して発光材料を蒸着または塗布することによりＲ，Ｇ，Ｂの発光層をパターニングするようにしているので、大型基板に対応してメタルマスクも大型化する必要がある。
【０００４】
しかしながら、メタルマスクの大型化により、マスクの自重によるたわみ、搬送の煩雑さが顕著になり、アライメントが難しくなる。そのため、開口率を十分に大きくすることができず、結果的に素子特性も落ちてしまう。
【０００５】
そこで、メタルマスクを必要としないパターニング技術として、レーザなどの輻射線を用いた転写法がある。転写法は、支持材に発光材料を含む転写層を形成したドナー要素を形成し、このドナー要素を、有機発光素子を形成するための被転写基板に対向配置し、減圧環境下で輻射線を照射することにより転写層を被転写基板に転写する方法である。輻射線としては、レーザのほか、キセノンフラッシュランプからの光をレンズで集光して用いる場合もある（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
従来のドナー基板は、例えば、ガラスまたはフィルムよりなる基材の所望の範囲（転写させたい範囲）のみに、クロム（Ｃｒ）などよりなる光熱変換層をパターニングしたものである。転写工程では、ドナー基板上に有機材料よりなる転写層を形成し、光熱変換層に対応してレーザ光を部分的に照射し、転写層の所望の範囲のみを被転写基板に転写するようにしている。
【特許文献１】特開１９９７−１６７６８４号公報（段落００１７，００２８）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、レーザを用いて熱転写する場合、基板サイズが大きくなると処理時間が莫大になり、装置コスト等が増大してしまうという問題があった。そこで、キセノンフラッシュランプやハロゲン赤外ランプなどが、広い面積を一括ないし一筆書きで処理することができ、レーザに代わる輻射線源として有望と考えられている。しかし、従来では、フラッシュランプやハロゲン赤外ランプのような波長の広い輻射線を効率よく吸収することができるドナー基板は開発されておらず、従来のドナー基板を用いた場合には大幅なパワーのロスが生じてしまっていた。
【０００８】
また、従来のドナー基板では、基材および光熱変換層の表面は、ＳｉＯ2 などよりなる断熱層で覆われており、この断熱層の上に、モリブデン（Ｍｏ）などよりなる汚染防止層が形成されていた。そのため、光吸収層の熱が、汚染防止層の面内で、放射的に拡散し、転写層の有機材料が融解して輪郭のダレが生じ、転写層の所望の範囲のみならず、非所望の範囲（転写させたくない範囲）まで転写されてしまっていた。そのため、転写精度の低下や、隣接画素への混色などが生じ、生産性が著しく低下していた。
【０００９】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、波長の広い輻射線を効率よく吸収することが可能なドナー基板およびこれを用いた表示装置の製造方法を提供することにある。
【００１０】
本発明の第２の目的は、転写層の所望の範囲を精度よく転写することが可能なドナー基板およびこれを用いた表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明による第１のドナー基板は、発光材料を含む転写層を形成し、前記転写層を被転写基板に対向配置して輻射線を照射し、前記転写層を昇華または気化させて被転写基板に転写することにより発光層を形成するためのものであって、以下の（Ａ）〜（Ｃ）の構成要件を備えたものである。
（Ａ）基体
（Ｂ）基体上に設けられた光熱変換層
（Ｃ）基体および光熱変換層の間に設けられると共に屈折率の異なる２以上の層を有する熱干渉層
【００１２】
本発明による第２のドナー基板は、発光材料を含む転写層を形成し、転写層を被転写基板に対向配置して輻射線を照射し、転写層を昇華または気化させて被転写基板に転写することにより発光層を形成するためのものであって、以下の（Ａ）〜（Ｅ）の構成要件を備えたものである。
（Ａ）基体
（Ｂ）基体上に、被転写基板上の発光層を形成したい領域に対応して設けられた光熱変換層
（Ｃ）光熱変換層上および基体上に形成された断熱層
（Ｄ）断熱層上に、光熱変換層の間の領域に設けられた凸構造
（Ｅ）凸構造の上面に形成された第１部分および断熱層の上面に形成された第２部分を有し、第１部分および第２部分が分断されている汚染防止層
【００１３】
本発明による第１または第２の表示装置の製造方法は、駆動用基板に、第１電極、第１電極の発光領域に対応して開口部を有する絶縁層、発光層を含む複数の有機層、および第２電極を順に有する有機発光素子を形成するものであって、駆動用基板に、第１電極、絶縁層、および複数の有機層の一部を形成し、被転写基板を形成する工程と、ドナー基板に発光材料を含む転写層を形成し、転写層を被転写基板に対向配置して輻射線を照射し、転写層を昇華または気化させて被転写基板に転写することにより発光層を形成する工程と、複数の有機層の残部および第２電極を形成する工程とを含み、ドナー基板として、上記本発明の第１または第２のドナー基板を用いるようにしたものである。
【００１４】
本発明の第１のドナー基板では、基体および光熱変換層の間に、屈折率の異なる２以上の層を有する熱干渉層が設けられているので、この熱干渉層の反射率を輻射線の発光帯に応じて調整することにより、ドナー基板に照射された輻射線が光熱変換層に吸収されて熱に変換される際の吸収率を高めることが可能となる。
【００１５】
本発明の第２のドナー基板では、汚染防止層が、凸構造の上面に形成された第１部分と、断熱層の上面に形成された第２部分とを有しており、第１部分および第２部分が分断されているので、汚染防止層を介した熱拡散が大幅に低減される。よって、転写層の非所望の範囲が転写されてしまうおそれが小さくなり、所望の範囲が精度よく転写される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の第１のドナー基板によれば、基体および光熱変換層の間に、屈折率の異なる２以上の層を有する熱干渉層を設けるようにしたので、この熱干渉層の屈折率（材料）および厚みを調整することにより、広い波長範囲において吸収率を高くすることが可能となる。
【００１７】
本発明の第２のドナー基板によれば、汚染防止層が、凸構造の上面に形成された第１部分と、断熱層の上面に形成された第２部分とを有するようにすると共に、第１部分および第２部分を分断させるようにしたので、汚染防止層を介した熱拡散を大幅に低減することができ、転写層の所望の範囲を精度よく転写することが可能となる。よって、このドナー基板を用いて有機発光表示装置を製造すれば、マスクを使用することなく発光層を高精度に形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（輻射線としてレーザ光を用い、ドナー基板に凸構造を設けた例）
２．変形例１（凸構造で分割された領域ごとに異なる色の転写層を設ける例）
３．第２の実施の形態（基体と光熱変換層との間に、単層構造の熱干渉層を設けた例）
４．第３の実施の形態（波長の広い輻射線源を用い、熱干渉層を積層構造とした例）
【００１９】
（第１の実施の形態）
（表示装置）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられるものであり、例えば、ガラスよりなる駆動用基板１１の上に、後述する複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が形成されると共に、この表示領域１１０の周辺に、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が形成されたものである。
【００２０】
表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が形成されている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、後述する第１電極１３の下層に形成され、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有するアクティブ型の駆動回路である。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガー構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００２１】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００２２】
図３は、表示領域１１０の断面構成の一例を表したものである。表示領域１１０には、赤色の光を発生する有機発光素子１０Ｒと、緑色の光を発生する有機発光素子１０Ｇと、青色の光を発生する有機発光素子１０Ｂとが、順に全体としてマトリクス状に形成されている。有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは長方形の平面形状を有し、各色別に長手方向（列方向）に配列されている。なお、隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。画素ピッチは例えば３００μｍである。
【００２３】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、駆動用基板１１の側から、上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタ（図示せず）および平坦化絶縁膜（図示せず）を間にして、陽極としての第１電極１３、絶縁層１４、後述する赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを含む有機層１５、および陰極としての第２電極１６がこの順に積層された構成を有している。
【００２４】
このような有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、窒化ケイ素（ＳｉＮx ）などの保護膜１７により被覆され、更にこの保護膜１７上に接着層２０を間にしてガラスなどよりなる封止用基板３０が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。
【００２５】
第１電極１３は、例えば、ＩＴＯ（インジウム・スズ複合酸化物）またはＩＺＯ（インジウム・亜鉛複合酸化物）により構成されている。また、第１電極１３は、反射電極により構成してもよい。その場合、第１電極１３は、例えば、厚みが１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、できるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。例えば、第１電極１３を構成する材料としては、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。
【００２６】
絶縁層１４は、第１電極１３と第２電極１６との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、例えば厚みが１μｍ程度であり、酸化シリコンまたはポリイミドなどの感光性樹脂により構成されている。絶縁層１４には、第１電極１３の発光領域１３Ａに対応して開口部が設けられており、後述するドナー基板４０の凸構造４４に対応して、駆動用基板１１側の凸構造としての機能も有している。なお、有機層１５および第２電極１６は、発光領域１３Ａだけでなく絶縁層１４の上にも連続して設けられていてもよいが、発光が生じるのは絶縁層１４の開口部だけである。
【００２７】
図４は、第１電極１３および絶縁層１４の平面構成の一例を表したものである。絶縁層１４は、例えば格子状に設けられている。絶縁層１４の上には、第１電極１３の発光領域１３Ａから離れた位置（例えば、絶縁層１４の格子の交点部分）に、リブ１４Ａが設けられている。このリブ１４Ａは、後述する転写工程においてドナー基板４０の凸構造４４と絶縁層１４との接触を回避するためのものである。そのため、リブ１４Ａの高さＨは凸構造４４よりも高いことが望ましく、例えば５μｍ程度とすることができる。リブ１４Ａは、例えば、絶縁膜１４と同じ材料により構成されている。なお、駆動用基板１１には、後述する転写工程においてドナー基板４０との位置合わせのためのアライメントマークＭが設けられている。
【００２８】
図３に示した有機層１５は、第１電極１３の側から順に、正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢ，赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢ、並びに電子輸送層および電子注入層１５ＤＥを積層した構成を有するが、これらのうち赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢ以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機層１５は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層は、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢへの正孔輸送効率を高めるためのものである。赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢへの電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層は、例えば厚みが０．３ｎｍ程度であり、ＬｉＦ，Ｌｉ2 Ｏなどにより構成されている。なお、図４では、正孔注入層および正孔輸送層を一層（正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢ）、電子輸送層および電子注入層を一層（電子輸送層および電子注入層１５ＤＥ）として表している。
【００２９】
有機発光素子１０Ｒの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの赤色発光層１５ＣＲは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に２，６≡ビス［４´≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ3 ）により構成されている。
【００３０】
有機発光素子１０Ｇの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの緑色発光層１５ＣＧは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮにクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を５体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 により構成されている。
【００３１】
有機発光素子１０Ｂの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの青色発光層１５ＣＢは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮに４，４´≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 により構成されている。
【００３２】
図３に示した第２電極１６は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），ナトリウム（Ｎａ）などの金属元素の単体または合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（ＭｇＡｇ合金）、またはアルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（ＡｌＬｉ合金）が好ましい。
【００３３】
図３に示した保護膜１７は、有機層１５に水分などが侵入することを防止するためのものであり、透過水性および吸水性の低い材料により構成されると共に十分な厚みを有している。また、保護膜１７は、発光層１５Ｃで発生した光に対する透過性が高く、例えば８０％以上の透過率を有する材料により構成されている。このような保護膜１７は、例えば、厚みが２μｍないし３μｍ程度であり、無機アモルファス性の絶縁性材料により構成されている。具体的には、アモルファスシリコン（α−Ｓｉ），アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-x Ｎx ）およびアモルファスカーボン（α−Ｃ）が好ましい。これらの無機アモルファス性の絶縁性材料は、グレインを構成しないので透水性が低く、良好な保護膜１７となる。また、保護膜１７は、ＩＴＯのような透明導電材料により構成されていてもよい。
【００３４】
図３に示した接着層２０は、例えば熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂により構成されている。
【００３５】
図３に示した封止用基板３０は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１６の側に位置しており、接着層２０と共に有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止するものであり、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。封止用基板３０には、例えば、カラーフィルタ（図示せず）が設けられており、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光を取り出すと共に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するようになっていてもよい。
【００３６】
（ドナー基板）
次に、この表示装置の製造方法に用いられるドナー基板について説明する。
【００３７】
図５は、ドナー基板の構成を表したものである。ドナー基板４０は、転写法により赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを形成する工程に用いられるものであり、基体４１上に、光熱変換層４２，断熱層４３，凸構造４４および汚染防止層４５を順に有している。
【００３８】
基体４１は、後述するように、赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを構成する発光材料を含む転写層を形成するためのものであり、後述する被転写基板との位置合わせが可能な堅固さを有すると共に、レーザ光に対する透過性の高い材料、例えばガラスまたはフィルムにより構成されている。
【００３９】
光熱変換層４２は、レーザ光を吸収して熱に変換するものであり、例えば、モリブデン（Ｍｏ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），スズ（Ｓｎ）あるいはこれらを含む合金など吸収率の高い金属材料により構成されている。光熱変換層４２は、駆動用基板１１上の赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを形成したい領域（発光領域１３Ａ）に対応して、例えば幅１００μｍのストライプ状に形成されている。
【００４０】
断熱層４３は、光熱変換層４２からの熱拡散を抑えるためのものであり、光熱変換層４２上および基体４１上の全面に形成されている。断熱層４３は、例えば、厚みが３００ｎｍ程度であり、ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ，ＳｉＯＮ，Ａｌ2 Ｏ3 により構成されている。
【００４１】
凸構造４４は、断熱層４３上に、光熱変換層４２の間の領域にストライプ状に設けられ、例えばポリイミドまたはアクリル樹脂により構成されている。
【００４２】
汚染防止層４５は、転写層の所望の範囲以外の領域に照射されたレーザ光を反射することにより、被転写基板上の既に形成された有機層１５や画素駆動回路１４０を保護するためのものであり、例えば、４５０ｎｍから１５００ｎｍの波長域において、８５％以上の反射率を有することが望ましい。反射率が低いと汚染防止層４５が光を吸収して熱をもってしまうおそれがあるからである。汚染防止層４５の構成材料としては、例えば、モリブデン（Ｍｏ），クロム（Ｃｒ），チタン（Ｔｉ），スズ（Ｓｎ）あるいはこれらを含む合金などの金属材料が挙げられる。
【００４３】
汚染防止層４５は、凸構造４４の上面に形成された第１部分４５Ａと、断熱層４３の上面に形成された第２部分４５Ｂとを有しており、第１部分４５Ａおよび第２部分４５Ｂとは分断されている。これにより、このドナー基板４０では、転写層の所望の範囲を精度よく転写することができるようになっている。
【００４４】
すなわち、凸構造４４は、汚染防止層４５の第１部分４５Ａおよび第２部分４５Ｂを分断させることにより、汚染防止層４５を介した熱拡散を低減する熱拡散防止部としての機能を有している。そのため、凸構造４４は、上面の幅Ｗ１よりも下面の幅Ｗ２が狭い逆テーパの断面形状を有することが好ましい。汚染防止層４５の成膜時に、リソグラフィ工程なしに、第１部分４５Ａおよび第２部分４５Ｂを確実に分断させることができるからである。また、転写層をインクジェット法により形成する場合には、液滴が凸構造４４の外に漏れてしまうのを抑えることができる。具体的には、凸構造４４の側面が基体４１の平坦面に対してなす傾斜角αは、７５度以上１４０度以下であることが好ましい。
【００４５】
また、凸構造４４は、０．３μｍ以上１０μｍ以下の高さを有することが好ましい。光熱変換層４２と汚染防止層４５の第１部分４５Ａとの間の距離を長くすることによって断熱層４３および凸構造４４自体を介した熱拡散を小さくすることができるからである。
【００４６】
更に、汚染防止層４５の厚みが２５ｎｍ以上５００ｎｍ以下であることが好ましい。２５ｎｍ未満では、レーザ光が透過してしまい、十分な効果が得られなくなり、５００ｎｍよりも厚いと、汚染防止層４５の成膜時に、第１部分４５Ａおよび第２部分４５Ｂを確実に分断させることが難しくなるからである。
【００４７】
このドナー基板４０は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００４８】
まず、図６（Ａ）に示したように、上述した材料よりなる基体４１上に、例えばスパッタリング法により、上述した材料よりなる光熱変換層４２を形成し、フォトリソグラフィおよびエッチングにより所定の形状に成形する。次いで、図６（Ｂ）に示したように、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition ；化学気相成長）法により、上述した材料よりなる断熱層４３を形成する。
【００４９】
続いて、同じく図６（Ｂ）に示したように、基体４１の全面にわたり感光性樹脂を塗布し、例えばフォトリソグラフィ法により所定の形状に成形し、焼成することにより、凸構造４４を形成する。その際、凸構造４４の高さを例えば３μｍとし、逆テーパの断面形状となるように形成する。
【００５０】
そののち、例えばスパッタリング法により、上述した材料よりなる汚染防止層４５を、例えば１５０ｎｍの厚みで形成する。このとき、汚染防止層４５は、凸構造４４の側面で途切れ、凸構造４４の上面に形成された第１部分４５Ａと、断熱層４３の上面に形成された第２部分４５Ｂとは分断される。よって、フォトリソグラフィなどのパターニング工程は不要である。以上により、図５に示したドナー基板４０が形成される。
【００５１】
（表示装置の製造方法）
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【００５２】
まず、駆動用基板１１に、第１電極１３、絶縁層１４および正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢを形成し、被転写基板１１Ａを形成する。
【００５３】
すなわち、上述した材料よりなる駆動用基板１１を用意し、この駆動用基板１１の上に画素駆動回路１４０を形成したのち、全面に感光性樹脂を塗布することにより平坦化絶縁膜（図示せず）を形成し、露光および現像により所定の形状にパターニングすると共に、駆動トランジスタＴｒ１と第１電極１３との接続孔（図示せず）を形成し、焼成する。
【００５４】
次いで、例えばスパッタ法により、上述した材料よりなる第１電極１３を形成し、例えばドライエッチングにより所定の形状に成形する。なお、駆動用基板１１の所定の位置には、後述する転写工程においてドナー基板との位置合わせに使用するアライメントマークを形成してもよい。
【００５５】
続いて、駆動用基板１１の全面にわたり絶縁層１４を形成し、例えばフォトリソグラフィ法により、第１電極１３の発光領域１３Ａに対応して開口部を設ける。
【００５６】
そののち、絶縁層１４の上に、第１電極１３の発光領域１３Ａから離れた位置（例えば、絶縁層１４の格子の交点部分）に、上述した高さおよび材料よりなるリブ１４Ａを設ける。
【００５７】
そののち、例えばエリアマスクを用いた蒸着法により、上述した厚みおよび材料よりなる正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢを順次成膜する。これにより、被転写基板１１Ａが形成される。
【００５８】
被転写基板１１Ａを形成したのち、上述したドナー基板４０を複数用意し、例えば真空蒸着法により、図７（Ａ）に示したように、各ドナー基板４０に赤色，緑色または青色のいずれかの転写層５０を形成する。
【００５９】
次いで、ドナー基板４０を用いた転写法により赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを形成する。すなわち、図７（Ｂ）に示したように、例えば赤色発光層１５ＣＲを形成するため、ドナー基板４０の転写層５０を被転写基板１１Ａに対向配置する。その際、被転写基板１１Ａの絶縁膜１４上にリブ１４Ａ（図４参照。）が設けられているので、ドナー基板４０の凸構造４４と絶縁層１４との間に空間Ｇが形成され、図８に示したように両者が接触することはない。よって、両者の接触により成膜後の有機層１５に段差が生じることを抑え、発光スジなどの画質低下を防止することができる。
【００６０】
続いて、同じく図７（Ａ）に示したように、ドナー基板４０の裏面側からレーザ光ＬＢを照射し、転写層５０を昇華または気化させて被転写基板１１Ａに転写することにより赤色発光層１５ＣＲを形成する。ここでは、汚染防止層４５が、凸構造４４の上面に形成された第１部分４５Ａと、断熱層４３の上面に形成された第２部分４５Ｂとを有しており、第１部分４５Ａおよび第２部分４５Ｂが分断されているので、汚染防止層４５を介した熱拡散が大幅に低減される。よって、転写層５０の非所望の範囲が転写されてしまうおそれが小さくなり、所望の範囲が精度よく転写される。
【００６１】
これに対して、従来のドナー基板では、図９（Ａ）に示したように、汚染防止層８４５が断熱層８４４の全面に連続して形成されていたので、図９（Ｂ）において矢印Ａ１で示したように、光熱変換層８４２からの熱が、汚染防止層８４５面内で、放射的に拡散していた。そのため、転写層８５０の有機材料が融解して輪郭のダレが生じ、転写層８５０の所望の範囲８５２のみならず、非所望の範囲（転写させたくない範囲）８５１まで転写されてしまい、転写精度の低下や、隣接画素への混色などが生じ、生産性が著しく低下していた。なお、図９では、図５および図７と同一の構成要素には８００番台の符号を付して表している。
【００６２】
なお、図１０に示したように、ドナー基板４０の裏側全面にレーザ光ＬＢを照射するようにしてもよい。この場合、光熱変換層４２が形成されていない領域では、矢印Ａ４で示したように、レーザ光ＬＢが汚染防止層４５で反射されるので、転写層５０の非所望の範囲５１は転写されない。一方、光熱変換層４２が形成された領域では、レーザ光ＬＢが光熱変換層４２に吸収され、転写層５０の所望の範囲５２のみが被転写基板１１Ａに転写される。
【００６３】
そののち、赤色発光層１５ＣＲと同様にして、緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを形成する。
【００６４】
赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを形成したのち、ドナー基板４０と被転写基板１１Ａとを分離する。被転写基板１１Ａには、例えば蒸着により、電子輸送層および電子注入層１５ＤＥ、並びに第２電極１６を形成する。このようにして、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する。一方、使用済みのドナー基板４０は、転写層５０の残りを洗浄・除去し、ドライプロセスまたはウェットプロセスにより汚染防止層４５を剥離したのち、繰り返し使用が可能である。
【００６５】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成したのち、これらの上に上述した材料よりなる保護膜１７を形成する。保護膜１７の形成方法は、下地に対して影響を及ぼすことのない程度に、成膜粒子のエネルギーが小さい成膜方法、例えば蒸着法またはＣＶＤ法が好ましい。また、保護膜１７は、第２電極１６を大気に暴露することなく、第２電極１６の形成と連続して行うことが望ましい。大気中の水分や酸素により有機層１５が劣化してしまうのを抑制することができるからである。更に、有機層１５の劣化による輝度の低下を防止するため、保護膜１７の成膜温度は常温に設定すると共に、保護膜１７の剥がれを防止するために膜のストレスが最小になる条件で成膜することが望ましい。
【００６６】
そののち、保護膜１７の上に、接着層２０を形成し、この接着層２０を間にして、カラーフィルタを設けた封止用基板３０を貼り合わせる。その際、封止用基板３０のカラーフィルタを形成した面を、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ側にして配置することが好ましい。以上により、図１に示した表示装置が完成する。
【００６７】
このようにして得られた表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極１６，カラーフィルタおよび封止用基板３０を透過して取り出される。
【００６８】
このように本実施の形態では、汚染防止層４５が、凸構造４４の上面に形成された第１部分４５Ａと、断熱層４３の上面に形成された第２部分４５Ｂとを有するようにすると共に、第１部分４５Ａおよび第２部分４５Ｂを分断させるようにしたので、汚染防止層４５を介した熱拡散を大幅に低減することができ、転写層５０の所望の範囲を精度よく転写することが可能となる。よって、このドナー基板４０を用いて有機発光表示装置を製造すれば、マスクを使用することなく赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを高精度に形成することが可能となる。
【００６９】
（変形例１）
図１１は、本発明の変形例１に係るドナー基板４０の構成を表したものである。本変形例のドナー基板４０Ａは、凸構造４４で分割された領域ごとに光熱変換層４２を設けたものであり、これにより、各領域に異なる色の発光材料を含む転写層を形成し、転写回数を削減することができるようになっている。このことを除いては、上記実施の形態と同様の構成を有している。
【００７０】
本変形例のドナー基板４０Ａは、凸構造４４で分割される領域ごとに光熱変換層４２を設けることを除いては、上記実施の形態と同様にして製造することができる。
【００７１】
次に、本変形例のドナー基板４０Ａを用いた表示装置の製造方法について説明する。
【００７２】
まず、上記実施の形態と同様にして、駆動用基板１１に、第１電極１３、絶縁層１４および正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢを形成し、被転写基板１１Ａを形成する。
【００７３】
次いで、図１２に示したように、例えばインクジェット法により、凸構造４２で分割された領域ごとに異なる色の発光材料を含む赤色転写層５０Ｒ，緑色転写層５０Ｇおよび青色転写層５０Ｂを形成する。
【００７４】
続いて、同じく図１２に示したように、レーザ光ＬＢを照射することにより、一回の転写で被転写基板１１Ａに赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧ，青色発光層１５ＣＢをすべて形成することができる。よって、発光材料の使用効率を向上させることができ、ランニングコストを削減することが可能となる。また、転写回数を削減することができ、製造装置のコストを低減すると共に生産能力も高めることができる。
【００７５】
なお、図１３に示したように、ドナー基板４０Ａの裏面全面にレーザ光ＬＢを照射するようにしてもよい。
【００７６】
赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧ，青色発光層１５ＣＢを形成したのち、ドナー基板４０と被転写基板１１Ａとを分離する。被転写基板１１Ａには、上記実施の形態と同様にして、例えば蒸着により、電子輸送層および電子注入層１５ＤＥ、並びに第２電極１６を形成する。このようにして、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成する。
【００７７】
有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成したのち、上記実施の形態と同様にして、これらの上に上述した材料よりなる保護膜１７を形成する。そののち、保護膜１７の上に、接着層２０を形成し、この接着層２０を間にして、カラーフィルタを形成した封止用基板３０を貼り合わせる。以上により、図１に示した表示装置が完成する。
【００７８】
（第２の実施の形態）
図１４は、本発明の第２の実施の形態に係るドナー基板４０Ｂの構成を表したものである。このドナー基板４０Ｂは、基体４１および光熱変換層４２の間に熱干渉層４６を設けたことを除いては、上記第１の実施の形態と同様の構成を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００７９】
基体４１、光熱変換層４２、断熱層４３、凸構造４４および汚染防止層４５は、第１の実施の形態と同様に構成されている。
【００８０】
熱干渉層４６は、光熱変換層４２によるレーザ光ＬＢの吸収率を高めるためのものであり、例えば、厚みが１５ｎｍ以上８０ｎｍ以下であり、ａ−Ｓｉにより構成されている。光熱変換層４２および熱干渉層４６は、被転写基板１１Ａ上の赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを形成したい領域（発光領域１３Ａ）に対応して設けられている。
【００８１】
このドナー基板４０Ｂは、基体４１の上に上述した厚みおよび材料よりなる熱干渉層４６および光熱変換層４２を連続して形成したのち、これらを所定の形状に成形することを除いては、上記第１の実施の形態と同様にして製造することができる。
【００８２】
このドナー基板４０Ｂは、第１の実施の形態と同様にして表示装置の製造に用いることができる。その際、ドナー基板４０Ｂには、基体４１および光熱変換層４２の間に熱干渉層４６が設けられているので、図７（Ｂ）に示した転写工程において、光熱変換層４２によるレーザ光ＬＢの吸収率が高くなり、損失が抑えられる。また、低パワーのレーザ光ＬＢを用いることが可能となる
【００８３】
このように本実施の形態では、基体４１および光熱変換層４２の間に熱干渉層４６を設けるようにしたので、光熱変換層４２によるレーザ光ＬＢの吸収率を高め、損失を抑えると共に、低パワーのレーザ光ＬＢを用いることが可能となる。
【００８４】
（第３の実施の形態）
図１５は、本発明の第３の実施の形態に係るドナー基板４０Ｃの構成を表したものである。このドナー基板４０Ｃは、熱干渉層４６を屈折率の異なる２以上の層の積層構造としたこと、および、凸構造４４を設けないことを除いては、上記第１および第２の実施の形態と同様の構成を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
【００８５】
基体４１、光熱変換層４２および断熱層４３は、上記第１および第２の実施の形態と同様に構成されている。
【００８６】
熱干渉層４６は、上述したように屈折率の異なる２以上の層を有している。具体的には、熱干渉層４６は、例えば基体４１側から順に、ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ，ＳｉＯＮまたはＡｌ2 Ｏ3 により構成され、厚みが５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の第１干渉層４６Ａと、ａ−Ｓｉにより構成され、厚みが１５ｎｍ以上８０ｎｍ以下の第２干渉層４６Ｂとを有している。これにより、このドナー基板４０Ｃでは、キセノンないしクリプトン等のフラッシュランプ、ビーム状ハロゲンランプなどの波長の広い輻射線を効率よく吸収することができるようになっている。
【００８７】
熱干渉層４６の２以上の層（例えば、第１干渉層４６Ａおよび第２干渉層４６Ｂ）の屈折率および厚みは、輻射線の発光帯のうち連続した１００ｎｍ以上の波長領域において反射率が０．１以下になるように調整される。図１６は、熱干渉層４６が、ＳｉＯ2 よりなる厚み１００ｎｍの第１干渉層４６Ａと、ａ−Ｓｉよりなる厚みが１５ｎｍの第２干渉層４６Ｂとを有する場合の吸収スペクトルを、第１干渉層４６Ａがない（第２干渉層４６Ｂの単層構造とした）場合と比較して表したものである。なお、反射率は、一般的な光学多層薄膜における反射率計算方法により求めたものである（例えば、Principles of Optics, Max Born and Emil Wolf, 1974 (PERGAMON PRESS) 等参照）。図１６からは、熱干渉層４６を、第１干渉層４６Ａおよび第２干渉層４６Ｂの積層構造とした場合には、第１干渉層４６Ａがない場合に比べて広範囲の波長域で吸収率が高くなっていることが分かる。
【００８８】
図１７は、第２干渉層４６Ｂの厚みを１５ｎｍ、３５ｎｍと異ならせた場合の吸収スペクトルを表したものである。また、図１８は、第１干渉層４６Ａの厚みを２００ｎｍ、１００ｎｍと異ならせた場合の吸収スペクトルを表したものである。図１６ないし図１８から、第１干渉層４６Ａ，第２干渉層４６Ｂの厚みを変えることにより吸収スペクトルを変化させることができることが分かる。
【００８９】
このように熱干渉層４６の構成を、使用する輻射線の発光スペクトルに合わせて最大の吸収になるように最適化することが可能である。例えば、キセノンランプ、キセノンフラッシュランプ等の輻射線は主に４００ｎｍ〜１０００ｎｍ付近に発光帯がある。よって、図１７から、熱干渉層４６を、ＳｉＯ2 よりなる厚み１００ｎｍの第１干渉層４６Ａと、ａ−Ｓｉよりなる厚みが１５ｎｍの第２干渉層４６Ｂとの積層構造とすれば、上記の発光帯のうち連続した１００ｎｍ以上の波長領域で透過率を０．１以下とすることができることが分かる。なお、この場合、第１干渉層４６Ａの厚みを５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、第２干渉層４６Ｂの厚みを１５ｎｍ以上２２ｎｍ以下とすれば、図１７と同等の効果が得られる。
【００９０】
また、例えば、ハロゲンランプ等の赤外線輻射熱は色温度によって主に９００ｎｍ〜１６００ｎｍ付近に発光ピークを有する。よって、図１８から、熱干渉層４６を、ＳｉＯ2 よりなる厚み２００ｎｍの第１干渉層４６Ａと、ａ−Ｓｉよりなる厚みが３５ｎｍの第２干渉層４６Ｂとの積層構造とすれば、上記の発光帯のうち連続した１００ｎｍ以上の波長領域で透過率を０．１以下とすることができることが分かる。なお、この場合、第１干渉層４６Ａの厚みを１５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、第２干渉層４６Ｂの厚みを３５ｎｍ以上８０ｎｍ以下とすれば、図１８と同等の効果が得られる。
【００９１】
また、このドナー基板４０Ｃは、熱干渉層４６を積層構造としたことにより、凸構造４４を設ける必要をなくすことができ、汚染防止層４５は、断熱層４３の表面に連続して形成されている。よって、ドナー基板４０の構成および製造方法をより簡素化することが可能となる。
【００９２】
このドナー基板４０Ｃは、基体４１の上に上述した厚みおよび材料よりなる第１干渉層４６Ａ，第２干渉層４６Ｂおよび光熱変換層４２を連続して形成したのち、これらを所定の形状に成形することを除いては、上記第１の実施の形態と同様にして製造することができる。
【００９３】
このドナー基板４０Ｃは、例えば次のようにして表示装置の製造方法に用いることができる。
【００９４】
まず、第１の実施の形態と同様にして、駆動用基板１１に、第１電極１３、絶縁層１４および正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢを形成し、被転写基板１１Ａを形成する。
【００９５】
次いで、ドナー基板４０Ｃを複数用意し、例えば真空蒸着法により、各ドナー基板４０Ｃに赤色，緑色または青色のいずれかの転写層５０を形成する。
【００９６】
続いて、ドナー基板４０Ｃを用いた転写法により赤色発光層１５ＣＲ，緑色発光層１５ＣＧまたは青色発光層１５ＣＢを形成する。すなわち、図１９に示したように、例えば赤色発光層１５ＣＲを形成するため、ドナー基板４０Ｃの転写層５０を被転写基板１１Ａに対向配置する。その際、第１の実施の形態と同様に、被転写基板１１Ａの絶縁膜１４上にリブ１４Ａ（図４参照。）が設けられているので、ドナー基板４０Ｃと絶縁層１４との間に空間Ｇが形成され、図８に示したように両者が接触することはない。よって、両者の接触により成膜後の有機層１５に段差が生じることを抑え、発光スジなどの画質低下を防止することができる。
【００９７】
続いて、同じく図１９に示したように、ドナー基板４０の裏面側から輻射線Ｒを照射し、転写層５０を昇華または気化させて被転写基板１１Ａに転写することにより赤色発光層１５ＣＲを形成する。その際、図２０に示したように、輻射線Ｒとしてキセノンフラッシュランプを使用し、面描写してもよいし、図２１に示したように、輻射線Ｒとしてハロゲンランプを光学系で集光したラインビームＲＢとして使用し、ラインビームＲＢを矢印Ａ５方向に移動させてライン描写するようにしてもよい。
【００９８】
ここでは、熱干渉層４６が、屈折率の異なる第１干渉層４６Ａと第２干渉層４６Ｂとを有しているので、この熱干渉層４６の反射率を輻射線Ｒの発光帯に応じて調整することにより、ドナー基板４０Ｃに照射された輻射線Ｒが光熱変換層４２に吸収されて熱に変換される際の吸収率を高めることが可能となる。よって、波長の広い輻射線Ｒが効率よく吸収され、損失が抑えられる。また、転写に用いるパワーが大幅に低減される。
【００９９】
また、このとき、輻射線Ｒは熱干渉層４６により効率的に吸収されるので、汚染防止層４５が凸構造４４により分断されていなくても、汚染防止層４５内の熱拡散は低減され、高精度の転写が可能である。
【０１００】
このように本実施の形態では、熱干渉層４６を、屈折率の異なる第１干渉層４６Ａと第２干渉層４６Ｂとの積層構造とするようにしたので、波長の広い輻射線Ｒの吸収率を高め、損失を抑えると共に、転写に用いるパワーを大幅に低減することが可能となる。
【０１０１】
なお、上記実施の形態では、凸構造４４を設けないで、汚染防止層４５を、断熱層４３の表面に連続して形成するようにした場合について説明したが、図２２に示したように、断熱層４３上に凸構造４４を形成し、汚染防止層４５の第１部分４５Ａおよび第２部分４５Ｂを凸構造４４により分断するようにしてもよい。
【実施例】
【０１０２】
更に、本発明の具体的な実施例について説明する。
【０１０３】
（実施例１）
上記第１の実施の形態と同様にして表示装置を作製した。まず、ガラスよりなる駆動用基板１１に、ＩＴＯよりなる第１電極１３、ポリイミドよりなる厚み１μｍの絶縁層１４、ポリイミドよりなる高さ５μｍのリブ１４Ａ、並びに正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢを形成し、被転写基板１１Ａを形成した。正孔注入層および正孔輸送層１５ＡＢは、蒸着法により形成し、正孔注入層は厚み２５ｎｍのｍ−ＭＴＤＡＴＡ、正孔輸送層は厚み３０ｎｍのα−ＮＰＤとした。
【０１０４】
次いで、ドナー基板４０を作製した（図５参照。）。ガラスよりなる基体４１に、スパッタリング法により、クロム（Ｃｒ）よりなる光熱変換層４２を２００ｎｍの厚みで形成し、例えばフォトリソグラフィ法により、幅１００μｍのストライプ状に成形した。次いで、ＣＶＤ法により、ＳｉＯ2 よりなる断熱層４３を３００ｎｍの厚みで形成した。続いて、上述した材料よりなる凸構造４４を３μｍの厚みで形成し、フォトリソグラフィ法により、ストライプ状に成形すると共に逆テーパ形の断面形状とした。
【０１０５】
そののち、モリブデン（Ｍｏ）よりなる汚染防止層４５を１５０ｎｍの厚みで形成した。
【０１０６】
このドナー基板４０に、蒸着法により、転写層５０を２５ｎｍの厚みで形成した（図７（Ａ）参照。）。
【０１０７】
続いて、ドナー基板４０を被転写基板１１Ａの上に配置した（図７（Ｂ）参照。）。両基板間には、リブ１４Ａの高さ５μｍと凸構造４４の高さ３μｍとの差に相当する約２μｍの空間Ｇが維持されていた。この状態で、ドナー基板４０の裏面側から、波長８００ｎｍのレーザ光ＬＢを照射し、転写層５０を被転写基板１１Ａに転写した（図７（Ｂ）参照。）。レーザ光ＬＢのスポットサイズは１００μｍ×２０μｍに固定し、スポットサイズの長手方向に直交する方向においてレーザ光ＬＢを走査した（刈幅１００μｍ）。
【０１０８】
以上を繰り返して、赤色発光層１５Ｃ，緑色発光層１５Ｇおよび青色発光層１５Ｂを形成したのち、蒸着により、電子輸送層および電子注入層１５ＤＥ、並びに第２電極１６を形成した。電子輸送層は、厚み２０ｎｍのＡｌｑ３、電子注入層は厚み０．３ｎｍのＬｉＦ（蒸着速度〜０．０１ｎｍ／ｓｅｃ）とした。第２電極１６は、厚み１０ｎｍのＭｇＡｇとした。そののち、保護膜１７および接着層２０を形成し、封止用基板３０を貼り合わせて表示装置を構成した。
【０１０９】
比較例１として、図２３（Ａ）に示したような、光熱変換層８４２と断熱層８４３との間に、アルミニウム（Ａｌ）よりなる反射層８４６を全面に設けたドナー基板８４０を形成し、これを用いて上記実施例１と同様にして表示装置を作製した。その際、反射層８４７は、アルミニウム（Ａｌ）により構成し、厚みを１００ｎｍとした。
【０１１０】
得られた実施例１および比較例１の表示装置について、発光状態を目視で確認したところ、実施例１では隣接画素への混色は認められなかったが、比較例１では、隣接画素への混色が認められた。また、実施例１および比較例１のそれぞれについて、転写された発光層の幅を調べた。その結果を表１に示す。
【０１１１】
【表１】
2010034022.tif 000003
【０１１２】
表１から分かるように、レーザ光のスポットサイズの長辺（刈幅）を１００μｍとして照射し、転写された発光層の幅は、実施例１では１０５μｍであったのに対して、比較例１では１２２μｍとなっており、実施例１では比較例１に比べて転写精度が大幅に向上していた。
【０１１３】
この理由は以下のように考えられる。図２３（Ａ）に示した比較例１のドナー基板８４０では、レーザ光ＬＢを全面に照射すると、光熱変換層８４２が形成されていない領域では、図２３（Ｂ）において矢印Ａ２で示したように、レーザ光ＬＢが反射層８４６で反射される。一方、光熱変換層８４２が形成された領域では、レーザ光ＬＢが光熱変換層８４２に吸収され、転写層８４６の所望の範囲８５２のみが被転写基板に転写される。しかしながら、比較例１のドナー基板８４０では、矢印Ａ３で示したように、反射層８４６内で熱伝導が生じてしまった。そのため、転写層８５０の有機材料が融解して輪郭のダレが生じ、転写層８５０の所望の範囲８５２のみならず、非所望の範囲（転写させたくない範囲）８５１まで転写されてしまい、転写精度の低下や、隣接画素への混色などが生じた。
【０１１４】
すなわち、汚染防止層４５が、凸構造４４の上面に形成された第１部分４５Ａと、断熱層４３の上面に形成された第２部分４５Ｂとを有するようにすると共に、第１部分４５Ａおよび第２部分４５Ｂを分断させるようにすれば、汚染防止層４５を介した熱拡散を大幅に低減することができ、転写層５０の所望の範囲を精度よく転写することが可能となることが分かった。
【０１１５】
（実施例２，３）
上記第３の実施の形態と同様にして表示装置を作製した。その際、実施例２では、輻射線Ｒとしてキセノンフラッシュランプを使用し、図２０に示したような面描写により転写工程を行った。ドナー基板４０Ｃの構成は、以下のようにした。
基体４１：ガラス
熱干渉層４６：ＳｉＯ2 よりなる厚み１００ｎｍの第１干渉層４６Ａと、ａ−Ｓｉよりなる厚みが１５ｎｍの第２干渉層４６Ｂとの積層構造
光熱変換層４２：チタン（Ｔｉ）、厚み２００ｎｍ
断熱層４３：ＳｉＯ2 、厚み３００ｎｍ
汚染防止層４５：アルミニウム（Ａｌ）、厚み５０ｎｍ
【０１１６】
実施例３では、輻射線Ｒとしてハロゲンランプを光学系で集光したラインビームＲＢとして使用し、図２１に示したようなライン描写により転写工程を行った。ドナー基板４０Ｃの構成は、以下のようにした。
基体４１：ガラス
熱干渉層４６：ＳｉＯ2 よりなる厚み２００ｎｍの第１干渉層４６Ａと、ａ−Ｓｉよりなる厚みが３５ｎｍの第２干渉層４６Ｂとの積層構造
光熱変換層４２：チタン（Ｔｉ）、厚み２００ｎｍ
断熱層４３：ＳｉＯ2 、厚み３００ｎｍ
汚染防止層４５：アルミニウム（Ａｌ）、厚み５０ｎｍ
【０１１７】
比較例２，３として、ドナー基板に第１干渉層を設けなかった（第２干渉層のみの単層構造）ことを除いては、実施例２，３と同様にして表示装置を作製した。
【０１１８】
実施例２，３および比較例２，３で使用した輻射線Ｒの照射パワーを調べた。結果を表２および表３に示す。
【０１１９】
【表２】
2010034022.tif 000004
【０１２０】
【表３】
2010034022.tif 000005
【０１２１】
表２および表３から分かるように、熱干渉層４６を屈折率の異なる第１干渉層４６Ａと第２干渉層４６Ｂとの積層構造とした実施例２，３では、第１干渉層を設けなかった比較例２，３に比べて照射パワーが大幅に低減された。すなわち、熱干渉層４６を、屈折率の異なる第１干渉層４６Ａと第２干渉層４６Ｂとの積層構造とすれば、転写に必要なパワーの大幅な低減が可能となることが分かった。
【０１２２】
（モジュールおよび適用例）
以下、上述した各実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記各実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【０１２３】
（モジュール）
上記各実施の形態の表示装置は、例えば、図２４に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、被転写基板１１の一辺に、封止用基板３０および接着層２０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【０１２４】
（適用例１）
図２５は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１２５】
（適用例２）
図２６は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１２６】
（適用例３）
図２７は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１２７】
（適用例４）
図２８は、上記各実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１２８】
（適用例５）
図２９は、上記各実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１２９】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態および実施例では、転写工程でレーザ光、またはフラッシュランプなどの輻射線を照射する場合について説明したが、例えばヒートバー，サーマルヘッドなど他の光源を用いて輻射線を照射するようにしてもよい。
【０１３０】
また、上記実施の形態では、Ｒ，Ｇ，Ｂすべての発光層１５Ｃを転写法により形成する場合について説明したが、図３０に示したように、赤色発光層１５ＣＲおよび緑色発光層１５ＣＧのみを転写法により形成したのち、青色発光層１５ＣＢを蒸着法により全面成膜するようにしてもよい。このとき、有機発光素子１０Ｒでは、赤色発光層１５ＣＲと、青色発光層１５ＣＢとが形成されているが、最もエネルギー準位の低い赤色にエネルギー移動が起こり、赤色発光が支配的となる。有機発光素子１０Ｇでは、緑色発光層１５ＣＧと、青色発光層１５ＣＢとが形成されているが、よりエネルギー準位の低い緑色にエネルギー移動が起こり、緑色発光が支配的となる。有機発光素子１０Ｂでは、青色発光層１５ＣＢのみを有するので、青色発光が生じる。
【０１３１】
更に、例えば、上記実施の形態および実施例において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法，成膜条件およびレーザ光の照射条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法，成膜条件および照射条件としてもよい。例えば、第１電極１３は、誘電体多層膜を有するようにすることもできる。
【０１３２】
加えて、例えば、上記実施の形態においては、駆動用基板１１の上に、第１電極１３，有機層１５および第２電極１６を駆動用基板１１の側から順に積層し、封止用基板３０の側から光を取り出すようにした場合について説明したが、積層順序を逆にして、駆動用基板１１の上に、第２電極１６，有機層１５および第１電極１３を駆動用基板１１の側から順に積層し、駆動用基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。
【０１３３】
更にまた、例えば、上記実施の形態では、第１電極１３を陽極、第２電極１６を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極１３を陰極、第２電極１６を陽極としてもよい。さらに、第１電極１３を陰極、第２電極１６を陽極とすると共に、駆動用基板１１の上に、第２電極１６，有機層１５および第１電極１３を被転写基板１１の側から順に積層し、駆動用基板１１の側から光を取り出すようにすることもできる。
【０１３４】
加えてまた、上記実施の形態では、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。例えば、第１電極１３と有機層１５との間に、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2 Ｏ3 ），ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide：インジウム（Ｉｎ）およびスズ（Ｓｎ）の酸化物混合膜）などからなる正孔注入用薄膜層を備えていてもよい。
【０１３５】
更にまた、上記実施の形態では、第２電極１６が半透過性電極により構成され、発光層１５Ｃで発生した光を第２電極１６の側から取り出す場合について説明したが、発生した光を第１電極１３の側から取り出すようにしてもよい。この場合、第２電極１６はできるだけ高い反射率を有するようにすることが発光効率を高める上で望ましい。
【０１３６】
加えてまた、上記各実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記各実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１３７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図３】図１に示した表示領域の構成を表す断面図である。
【図４】図３に示した第１電極および絶縁層の構成を表す平面図である。
【図５】図１に示した表示装置の製造方法に用いるドナー基板の構成を表す断面図および平面図である。
【図６】ドナー基板の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図７】図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図８】図４に示したリブの作用を説明するための断面図である。
【図９】従来のドナー基板の一例およびその問題点を説明するための断面図である。
【図１０】図７（Ｂ）に示した工程の変形例を表す断面図である。
【図１１】図５に示したドナー基板の変形例を表す断面図である。
【図１２】図１１に示したドナー基板を用いた表示装置の製造方法を表す断面図である。
【図１３】図１２に示した工程の変形例を表す断面図である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態に係るドナー基板の構成を表す断面図である。
【図１５】本発明の第３の実施の形態に係るドナー基板の構成を表す断面図である。
【図１６】熱干渉層の吸収スペクトルを表す図である。
【図１７】熱干渉層の吸収スペクトルを表す図である。
【図１８】熱干渉層の吸収スペクトルを表す図である。
【図１９】図１５に示したドナー基板を用いた転写工程を表す断面図である。
【図２０】輻射線の照射方法の一例を表す平面図である。
【図２１】輻射線の照射方法の他の例を表す平面図である。
【図２２】図１５に示したドナー基板の変形例を表す断面図である。
【図２３】比較例１のドナー基板の構成およびその問題点を説明するための断面図である。
【図２４】上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図２５】上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図２６】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２７】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２８】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２９】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【図３０】図３に示した表示領域の他の構成を表す断面図である。
【符号の説明】
【０１３８】
１０…画素、１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機発光素子、１１…駆動用基板、１１Ａ…被転写基板、１３…第１電極、１４…絶縁層、１５…有機層、１５ＡＢ…正孔注入層および正孔輸送層、１５Ｃ…発光層、１５ＤＥ…電子輸送層および電子注入層、１６…第２電極、１７…保護膜、２０…接着層、３０…封止用基板、４０…ドナー基板、４１…基体、４２…光熱変換層、４３…断熱層、４４…凸構造、４５…汚染防止層、４６…熱干渉層、４６Ａ…第１干渉層、４６Ｂ…第２干渉層、５０…転写層、５０Ｒ…赤色転写層、５０Ｇ…緑色転写層、５０Ｂ…青色転写層
【図１】
2010034022.tif 000006
【図２】
2010034022.tif 000007
【図３】
2010034022.tif 000008
【図４】
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【図５】
2010034022.tif 000010
【図６】
2010034022.tif 000011
【図７】
2010034022.tif 000012
【図８】
2010034022.tif 000013
【図９】
2010034022.tif 000014
【図１０】
2010034022.tif 000015
【図１１】
2010034022.tif 000016
【図１２】
2010034022.tif 000017
【図１３】
2010034022.tif 000018
【図１４】
2010034022.tif 000019
【図１５】
2010034022.tif 000020
【図１６】
2010034022.tif 000021
【図１７】
2010034022.tif 000022
【図１８】
2010034022.tif 000023
【図１９】
2010034022.tif 000024
【図２０】
2010034022.tif 000025
【図２１】
2010034022.tif 000026
【図２２】
2010034022.tif 000027
【図２３】
2010034022.tif 000028
【図２４】
2010034022.tif 000029
【図２５】
2010034022.tif 000030
【図２６】
2010034022.tif 000031
【図２７】
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【図２８】
2010034022.tif 000033
【図２９】
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【図３０】
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