【手続補正書】
【提出日】平成16年5月20日(2004.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面内の第１の方向に沿ってドレイン領域、チャネル領域、及びソース領域がこの順番に画定され、膜内にニッケルが分布し、該ドレイン領域及びソース領域に、導電性を付与する不純物が添加されている多結晶シリコン膜と、
前記チャネル領域において、前記多結晶シリコン膜の表面に接するように配置されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の、前記多結晶シリコン膜とは反対側の表面上に配置され、高融点金属のシリサイドからなるゲート電極とを有する薄膜トランジスタ。
【請求項２】
面内の第１の方向に沿ってドレイン領域、チャネル領域、及びソース領域がこの順番に画定され、膜内にニッケルが分布し、該ドレイン領域及びソース領域に、導電性を付与する不純物が添加されている多結晶シリコン膜と、
前記チャネル領域において、前記多結晶シリコン膜の表面に接するように配置されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜の、前記多結晶シリコン膜とは反対側の表面上に配置され、積層構造を有し、前記ゲート絶縁膜に接する層が、高融点金属のシリサイドまたは貴金属からなる第１の層であり、前記ゲート絶縁膜に対して該第１の層よりも遠い位置に、アルミニウムと高融点金属との合金または高融点金属からなる第２の層を含むゲート電極とを有する薄膜トランジスタ。
【請求項３】
さらに、前記第１の層と第２の層との間に、アルミニウムを主成分とする導電層が配置されている請求項２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
面内の第１の方向に沿ってドレイン領域、チャネル領域、及びソース領域がこの順番に画定され、膜内にニッケルが分布し、該ドレイン領域及びソース領域に、導電性を付与する不純物が添加されている多結晶シリコン膜と、
前記チャネル領域において、前記多結晶シリコン膜の表面に接するように配置されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の、前記多結晶シリコン膜とは反対側の表面上に配置され、酸素原子を含まない絶縁材料からなるバリア層と、
前記バリア層の、前記ゲート絶縁膜とは反対側の表面上に配置され、アルミニウムと高融点金属との合金または高融点金属からなる第１の層を含むゲート電極とを有する薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記ゲート電極が、さらに、前記バリア層と第１の層との間に、アルミニウムを主成分とする導電層を含む請求項４に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
絶縁性の表面を有する基板の表面上に、ニッケルを含むアモルファスシリコン膜を形成する工程と、
前記アモルファスシリコン膜を熱処理および第１のレーザ照射工程により多結晶シリコン膜を得る工程と、
前記多結晶シリコン膜を加工して形成されたチャネル領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜の上に、前記ゲート絶縁膜のゲート長方向の長さより短くゲート電極を形成する工程と、
を有する薄膜トランジスタの製造方法において、
さらに、前記ゲート電極およびゲート絶縁膜の形成後にソース領域、ドレイン領域に第１の不純物注入を行う工程と、
ゲッタリング処理を行う工程と、
第２の不純物注入を行う工程と、
前記第１のレーザ照射のエネルギ密度よりも低いエネルギ密度の第２のレーザー照射を行う工程をとを有し、
前記第１のレーザ照射工程から前記ソース領域、ドレイン領域への第１の不純物注入工程までの間において、前記基板の温度が、前記ゲッタリング処理で行われる加熱温度を超えないことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記ゲート電極およびゲート絶縁膜の形成後にソース領域、ドレイン領域に第１の不純物注入を行った後に、前記第１のレーザ照射のエネルギ密度よりも低いエネルギ密度のレーザ照射を行う工程をさらに有することを特徴とする請求項６に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記第１の不純物注入はニッケルに対しゲッタリング作用を示す元素を用い、前記第２の不純物注入はニッケルに対してゲッタリング作用を示さない元素を用いることを特徴とする請求項６または７に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
基板裏面より第２のレーザ照射を行うことを特徴とする請求項６〜８のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
前記第２のレーザ照射のエネルギー密度が２３０ｍＪ／ｃｍ３以上であることを特徴とする請求項６〜９のいずれかに記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によると、面内の第１の方向に沿ってドレイン領域、チャネル領域、及びソース領域がこの順番に画定され、膜内にニッケルが分布し、該ドレイン領域及びソース領域に、導電性を付与する不純物が添加されている多結晶シリコン膜と、前記チャネル領域において、前記多結晶シリコン膜の表面に接するように配置されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の、前記多結晶シリコン膜とは反対側の表面上に配置され、高融点金属のシリサイドからなるゲート電極とを有する薄膜トランジスタが提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の他の観点によると、面内の第１の方向に沿ってドレイン領域、チャネル領域、及びソース領域がこの順番に画定され、膜内にニッケルが分布し、該ドレイン領域及びソース領域に、導電性を付与する不純物が添加されている多結晶シリコン膜と、前記チャネル領域において、前記多結晶シリコン膜の表面に接するように配置されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の、前記多結晶シリコン膜とは反対側の表面上に配置され、積層構造を有し、前記ゲート絶縁膜に接する層が、高融点金属のシリサイドまたは貴金属からなる第１の層であり、前記ゲート絶縁膜に対して該第１の層よりも遠い位置に、アルミニウムと高融点金属との合金または高融点金属からなる第２の層を含むゲート電極とを有する薄膜トランジスタが提供される
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の他の観点によると、面内の第１の方向に沿ってドレイン領域、チャネル領域、及びソース領域がこの順番に画定され、膜内にニッケルが分布し、該ドレイン領域及びソース領域に、導電性を付与する不純物が添加されている多結晶シリコン膜と、前記チャネル領域において、前記多結晶シリコン膜の表面に接するように配置されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の、前記多結晶シリコン膜とは反対側の表面上に配置され、酸素原子を含まない絶縁材料からなるバリア層と、前記バリア層の、前記ゲート絶縁膜とは反対側の表面上に配置され、アルミニウムと高融点金属との合金または高融点金属からなる第１の層を含むゲート電極とを有する薄膜トランジスタが提供される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の他の観点によると、絶縁性の表面を有する基板の表面上に、ニッケルを含むアモルファスシリコン膜を形成する工程と、前記アモルファスシリコン膜を熱処理および第１のレーザ照射工程により多結晶シリコン膜を得る工程と、前記多結晶シリコン膜を加工して形成されたチャネル領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜の上に、前記ゲート絶縁膜のゲート長方向の長さより短くゲート電極を形成する工程と、を有する薄膜トランジスタの製造方法において、さらに、前記ゲート電極およびゲート絶縁膜の形成後にソース領域、ドレイン領域に第１の不純物注入を行う工程と、ゲッタリング処理を行う工程と、  第２の不純物注入を行う工程と、前記第１のレーザ照射のエネルギ密度よりも低いエネルギ密度の第２のレーザー照射を行う工程をとを有し、前記第１のレーザ照射工程から前記ソース領域、ドレイン領域への第１の不純物注入工程までの間において、前記基板の温度が、前記ゲッタリング処理で行われる加熱温度を超えないことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法が提供される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】