【手続補正書】
【提出日】平成17年11月7日(2005.11.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  スパッタリングターゲットからの材料のスパッタ堆積装置であって、前記装置は：
前面が略下方を向き垂線に対して３０〜６０度の範囲の角度で傾斜している、第１スパッタリングターゲットと；
第１ターゲットの下方に配置されたシールドであって、前記シールドはターゲットの前面から垂直に下方に伸長する任意の線がシールドと交差するような領域を占める、シールドと、
を備える、スパッタ堆積装置。
【請求項２】  シールドはターゲットに略垂直である、請求項１記載の装置。
【請求項３】  シールドは、第１シールド部および第２シールド部を備え、それぞれ略平面であるとともに略矩形であり；
第１シールド部および第２シールド部間が鈍角になるように、第１シールド部の下端が第２シールド部の一端と結合している、請求項１記載の装置。
【請求項４】  第１シールド部はターゲットに略垂直である、請求項３記載の装置。
【請求項５】  第３シールド部をさらに備え；
第２シールド部は第２シールド部の前記一端の反対側の第２端を含み、
第３シールド部は第２シールド部の前記第２端と結合している、請求項３記載のシールド。
【請求項６】  第３シールド部は第２シールド部に対して略９０度の角度で配向される、請求項５記載のシールド。
【請求項７】  スパッタリングターゲットから電子基板への材料のスパッタ堆積装置であって、前記装置は：
バキュームチャンバと；
バキュームチャンバ内の第１スパッタリングターゲットであって、前記第１ターゲットは前面が略下方を向き垂線に対して３０〜６０度の範囲の角度で傾斜している、第１スパッタリングターゲットと；
バキュームチャンバ内の１つ以上のワークピース位置に電子基板を配置するワークピース支持体であって、前記１つ以上のワークピース位置は第１ターゲットの下方にある１つ以上のワークピース位置を含む、ワークピース支持体と；
バキュームチャンバ内の第１ターゲットの下方かつ第１ターゲットの下方にある前記ワークピース位置の上方に配置された第１シールドであって、前記第１シールドは第１ターゲットの前面から第１ターゲットの下方にある前記ワークピース位置のいずれか１つへ垂直に下方に伸長する任意の線が前記いずれかの１つのワークピース位置の上方の或る点で第１シールドと交差するような領域を占める、第１シールドと、
を備える、スパッタ堆積装置。
【請求項８】  第１シールドは第１シールドの下端に上方に伸長するリップ部をさらに備える、請求項７記載のスパッタ堆積装置。
【請求項９】  ワークピースピース支持体は基板を前記１つ以上のワークピース位置に水平に配置する、請求項７記載のスパッタ堆積装置。
【請求項１０】  スパッタリングチャンバ内の第２スパッタリングターゲットであって、前記第２ターゲットは前面が略下方を向くとともに第１ターゲットの略前面を向き垂線に対し３０〜６０度の範囲の角度で傾斜しており、かつ前記１つ以上のワークピース位置は第２ターゲットの下方にある１つ以上のワークピース位置を含む、第２スパッタリングターゲットと；
バキュームチャンバ内の第２ターゲットの下方かつ第２ターゲットの下方にある前記ワークピース位置の上方に配置された第２シールドであって、前記第２シールドは第２ターゲットの前面から第２ターゲットの下方にある前記ワークピース位置のいずれか１つへ垂直に下方に伸長する任意の線が前記いずれかの１つのワークピース位置の上方の或る点で第２シールドと交差するような領域を占める、第２シールドと、
をさらに備える、請求項７記載のスパッタ堆積装置。
【請求項１１】  傾斜スパッタリングターゲットのためのシールドであって、前記シールドは：
第１シールド部および第２シールド部を備え、それぞれ略平面であるとともに略矩形であり；
第１シールド部および第２シールド部間が鈍角になるように、第１シールド部の下端が第２シールド部の一端と結合している、シールド。
【請求項１２】  傾斜スパッタリングターゲットのためのシールドであって、前記シールドは：
第１シールド部および第２シールド部を備え、それぞれ略平面であるとともに略矩形であり；
第２シールド部が水平配向された際に、第１シールド部が水平線に対して３０〜６０度の範囲の角度で配向されるような、第１シールド部および第２シールド部間の角度になるように、第１シールド部の下端が第２シールド部の一端と結合している、シールド。
【請求項１３】  第３シールド部をさらに備え；
第２シールド部は第２シールド部の前記一端の反対側の第２端を含み、
第３シールド部は第２シールド部の前記第２端と結合している、請求項１１または１２記載のシールド。
【請求項１４】  第３シールド部は第２シールド部に対して略９０度の角度で配向される、請求項１３記載のシールド。
【請求項１５】  第１シールド部の第１側面に接続された第１側壁と；
第１シールド部の第２側面に接続された第２側壁と、
をさらに備え、第１シールド部は第１側壁および第２側壁間で伸長している、請求項１１または１２記載のシールド。
【請求項１６】  第１側壁の上部および第２側壁の上部間で接続された上面壁をさらに備える、請求項１５記載のシールド。
【請求項１７】  前面および後面を有するスパッタリングターゲットであって、前面は幅が長さより小さいか等しくなるような幅および長さを特徴とする、スパッタリングターゲットと；
各々ターゲットの後面に隣接して装着されたＮ極を有する第１セットの１つ以上の磁石であって、前記第１セットの磁石のＮ極は、ターゲットの前面からの集合平均距離がターゲットの前面の幅より小さくなるような集合平均距離で装着される、第１セットの１つ以上の磁石と；
各々ターゲットの後面に隣接して装着されたＳ極を有する第２セットの１つ以上の磁石であって、前記第２セットの磁石のＳ極は、ターゲットの前面からの集合平均距離がターゲットの前面の幅より小さくなるような集合平均距離で装着される、第２セットの１つ以上の磁石と、
を備える、マグネトロンスパッタリングターゲット。
【請求項１８】  前記第１セットは複数の前記磁石を含み；
前記第２セットは複数の前記磁石を含む、請求項１７記載のターゲット。
【請求項１９】  前記第１セットの磁石はＮ極とターゲットの前面間の集合平均距離がターゲットの前面の幅の１／２より小さくなるよう装着され；
前記第２セットの磁石はＳ極とターゲットの前面間の集合平均距離がターゲットの前面の幅の１／２より小さくなるよう装着される、
請求項１７記載のターゲット。
【請求項２０】  前記第１と第２セットの磁石はターゲットの前面で、大きさが前面でどの磁界よりも略大きい磁界を集合的に発生する、請求項１７記載のターゲット。
【請求項２１】  スパッタリングターゲットからの材料のスパッタ堆積装置であって、前記装置は：
バキュームチャンバと；
バキュームチャンバ内の第１スパッタリングターゲットであって、
（ｉ）前記第１ターゲットは前面が略下方に向くとともに後面が略上方に向き、
（ｉｉ）前面は幅が長さより小さいか等しくなるような幅および長さを特徴とし、
（ｉｉｉ）前面は垂線に対して３０〜６０度の範囲の角度で配向される、第１スパッタリングターゲットと；
各々第１ターゲットの後面に隣接して装着されたＮ極を有する第１セットの１つ以上の磁石であって、前記第１セットの磁石のＮ極は、第１ターゲットの前面からの集合平均距離が第１ターゲットの前面の幅より小さくなるような集合平均距離で装着される、第１セットの１つ以上の磁石と；
各々第１ターゲットの後面に隣接して装着されたＳ極を有する第２セットの１つ以上の磁石であって、前記第２セットの磁石のＳ極は、第１ターゲットの前面からの集合平均距離が第１ターゲットの前面の幅より小さくなるような集合平均距離で装着される、第２セットの１つ以上の磁石と、
を備える、スパッタ堆積装置。
【請求項２２】  前記第１セットは複数の前記磁石を含み；
前記第２セットは複数の前記磁石を含む、請求項２１記載のスパッタ堆積装置。
【請求項２３】  バキュームチャンバ内の１つ以上のワークピース位置に電子基板を配置するワークピース支持体であって、前記１つ以上のワークピース位置は第１ターゲットの下方にある１つ以上のワークピース位置を含む、ワークピース支持体をさらに備える、請求項２１記載のスパッタ堆積装置。
【請求項２４】  前記第１と第２セットの磁石は第１ターゲットの前面で、大きさが前面でどの磁界よりも略大きい磁界を集合的に発生する、請求項２１記載のスパッタ堆積装置。
【請求項２５】  前記第１セットの磁石はＮ極と第１ターゲットの前面間の集合平均距離が第１ターゲットの前面の幅の１／２より小さくなるよう装着され；
前記第２セットの磁石はＳ極と第１ターゲットの前面間の集合平均距離が第１ターゲットの前面の幅の１／２より小さくなるよう装着される、
請求項２１記載のスパッタ堆積装置。
【請求項２６】  ワークピースピース支持体は基板を前記１つ以上のワークピース位置に水平に配置する、請求項２１記載のスパッタ堆積装置。
【請求項２７】  バキュームチャンバ内の第２スパッタリングターゲットであって、
（ｉ）前記第２ターゲットは前面が略下方を向くとともに第１ターゲットの略前面を向き、
（ｉｉ）前記第２ターゲットは後面が略上方を向き、
（ｉｉｉ）前面は幅が長さより小さいか等しくなるような幅および長さを特徴とし、
（ｉｖ）前面は垂線に対して３０〜６０度の範囲の角度で配向され、
（ｖ）前記１つ以上のワークピース位置は第２ターゲットの下方にある１つ以上のワークピース位置を含む、第２スパッタリングターゲットと；
各々第２ターゲットの後面に隣接して装着されたＮ極を有する第３セットの１つ以上の磁石であって、前記第３セットの磁石のＮ極は、第２ターゲットの前面からの集合平均距離が第２ターゲットの前面の幅より小さくなるような集合平均距離で装着される、第３セットの１つ以上の磁石と；
各々第２ターゲットの後面に隣接して装着されたＳ極を有する第４セットの１つ以上の磁石であって、前記第４セットの磁石のＳ極は、第２ターゲットの前面からの集合平均距離が第２ターゲットの前面の幅より小さくなるような集合平均距離で装着される、第４セットの１つ以上の磁石と；をさらに備え、
前記第３と第４セットの磁石は第２ターゲットの前面で、大きさが前面でどの磁界よりも略大きい磁界を集合的に発生する、
請求項２１記載のスパッタ堆積装置。
【請求項２８】  前面および後面を有する、スパッタリングターゲットと；
各々ターゲットの後面に隣接して装着されたＮ極を有する、第１セットの１つ以上の磁石と；
各々ターゲットの後面に隣接して装着されたＳ極を有する、第２セットの１つ以上の磁石と、
を備え、
第１および第２セットの磁石は、Ｎ極とＳ極間の平均間隙を特徴とし、
前記磁極は、ターゲットの前面からの集合平均距離が、前記Ｎ極と前記Ｓ極間の前記平均間隙の２倍より小さくなるような集合平均距離で装着される、マグネトロンスパッタリングターゲット。
【請求項２９】  前記第１セットは複数の前記磁石を含み；
前記第２セットは複数の前記磁石を含む、請求項２８記載のターゲット。
【請求項３０】  前記磁石はターゲットの前面で、大きさが前面でどの磁界よりも略大きい磁界を集合的に発生する、請求項２８記載のターゲット。
【請求項３１】  前記磁石は磁極とターゲットの前面間の前記集合平均距離がＮ極とＳ極間の平均間隙より小さくなるように装着される、請求項２８記載のスパッタ堆積装置。
【請求項３２】  スパッタリングターゲットからの材料のスパッタ堆積装置であって、前記装置は：
バキュームチャンバと；
バキュームチャンバ内の第１スパッタリングターゲットであって、
（ｉ）前記第１ターゲットは前面が略下方に向くとともに後面が略上方に向き、
（ｉｉ）前面は垂線に対して３０〜６０度の範囲の角度で配向される、第１スパッタリングターゲットと；
各々第１ターゲットの後面に隣接して装着されたＮ極を有する、第１セットの１つ以上の磁石と；
各々第１ターゲットの後面に隣接して装着されたＳ極を有する、第２セットの１つ以上の磁石と、
を備え、第１および第２セットの磁石は、Ｎ極とＳ極間の平均間隙を特徴とし、
前記磁極は、第１ターゲットの前面からの集合平均距離が、前記Ｎ極と前記Ｓ極間の前記平均間隙の２倍より小さくなるような集合平均距離で装着される、スパッタ堆積装置。
【請求項３３】  前記第１セットは複数の前記磁石を含み；
前記第２セットは複数の前記磁石を含む、請求項３２記載のターゲット。
【請求項３４】  バキュームチャンバ内の１つ以上のワークピース位置に電子基板を配置するワークピース支持体であって、前記１つ以上のワークピース位置は第１ターゲットの下方にある１つ以上のワークピース位置を含む、ワークピース支持体をさらに備える、請求項３２記載のスパッタ堆積装置。
【請求項３５】  前記磁石は第１ターゲットの前面で、大きさが前面でどの磁界よりも略大きい磁界を集合的に発生する、請求項３２記載のスパッタ堆積装置。
【請求項３６】  前記磁石は前記磁極と第１ターゲットの前面間の集合平均距離がＮ極とＳ極間の平均間隙より小さくなるように装着される、請求項３２記載のスパッタ堆積装置。
【請求項３７】  ワークピースピース支持体は基板を前記１つ以上のワークピース位置に水平に配置する、請求項３２記載のスパッタ堆積装置。
【請求項３８】  バキュームチャンバ内の第２スパッタリングターゲットであって、
（ｉ）前記第２ターゲットは前面が略下方を向くとともに第１ターゲットの略前面を向き、
（ｉｉ）前記第２ターゲットは後面が略上方を向き、
（ｉｉｉ）前面は垂線に対して３０〜６０度の範囲の角度で配向され、
（ｉｖ）前記１つ以上のワークピース位置は第２ターゲットの下方にある１つ以上のワークピース位置を含む、第２スパッタリングターゲットと；
各々第２ターゲットの後面に隣接して装着されたＮ極を有する、第３セットの１つ以上の磁石と；
各々第２ターゲットの後面に隣接して装着されたＳ極を有する、第４セットの１つ以上の磁石と；をさらに備え、
第３および第４セットの磁石は、前記Ｎ極と前記Ｓ極間の平均間隙を特徴とし、
第３および第４セットの前記磁極は、第２ターゲットの前面からの集合平均距離が、第３セットのＮ極と第４セットのＳ極間の平均間隙の２倍より小さくなるような集合平均距離で装着され、
磁石は第２ターゲットの前面で、大きさが第２ターゲットの前面でどの磁界よりも略大きい磁界を集合的に発生する、
請求項３２記載のスパッタ堆積装置。
【請求項３９】  スパッタリングターゲットから電子基板への材料のスパッタ堆積方法であって、前記方法は：
バキュームチャンバ内に前面を有する第１スパッタリングターゲットを装着するステップであって、前記第１ターゲットは前面が略下方に向き垂線に対して３０〜６０度の範囲の角度で傾斜している、第１スパッタリングターゲットを装着するステップと；
バキュームチャンバ内の１つ以上のワークピース位置に電子基板を配置するステップであって、前記１つ以上のワークピース位置は第１ターゲットの下方にある１つ以上のワークピース位置を含む、電子基板を配置するステップと；
バキュームチャンバ内の第１ターゲットの下方かつ第１ターゲットの下方にある前記ワークピース位置の上方に第１シールドを装着するステップであって、前記第１シールドは第１ターゲットの前面から第１ターゲットの下方にある前記ワークピース位置のいずれか１つへ垂直に下方に伸長する任意の線が前記いずれかの１つのワークピース位置の上方の或る点で第１シールドと交差するような領域を占めるよう装着される、第１シールドを装着するステップと；
第１ターゲットの下方にある１つ以上のワークピース位置に電子基板が配置されている状態で、第１ターゲットから電子基板へ材料をスパッタするステップと、
を備える、スパッタ堆積方法。
【請求項４０】  第１シールドの下端に上方伸長するリップ部を具備するステップをさらに備える、請求項３９記載のスパッタ堆積方法。
【請求項４１】  前記基板配置ステップは基板を前記１つ以上のワークピース位置に水平に配置するステップをさらに備える、請求項３９記載のスパッタ堆積方法。
【請求項４２】  バキュームチャンバ内に前面を有する第２スパッタリングターゲットを装着するステップであって、前記第２ターゲットは前面が略下方を向くとともに第１ターゲットの略前面を向き垂線に対し３０〜６０度の範囲の角度で傾斜するよう装着され、かつ前記１つ以上のワークピース位置は第２ターゲットの下方にある１つ以上のワークピース位置を含む、第２スパッタリングターゲットを装着するステップと；
バキュームチャンバ内の第２ターゲットの下方かつ第２ターゲットの下方にある前記ワークピース位置の上方に第２シールドを装着するステップであって、前記第２シールドは第２ターゲットの前面から第２ターゲットの下方にある前記ワークピース位置のいずれか１つへ垂直に下方に伸長する任意の線が前記いずれかの１つのワークピース位置の上方の或る点で第２シールドと交差するような領域を占めるよう装着される、第２シールドを装着するステップと、
をさらに備える、請求項３９記載のスパッタ堆積方法。
【請求項４３】  スパッタリングターゲットから電子基板への材料のスパッタ堆積方法であって、前記方法は：
バキュームチャンバ内に第１スパッタリングターゲットを装着するステップであって、
（ｉ）前記第１ターゲットは前面が略下方に向くとともに後面が略上方に向き、
（ｉｉ）前面は幅が長さより小さいか等しくなるような幅および長さを特徴とし、
（ｉｉｉ）前面は垂線に対して３０〜６０度の範囲の角度で配向される、第１スパッタリングターゲットを装着するステップと；
バキュームチャンバ内の１つ以上のワークピース位置に電子基板を配置するステップであって、前記１つ以上のワークピース位置は第１ターゲットの下方にある１つ以上のワークピース位置を含む、電子基板を配置するステップと；
第１セットの１つ以上の磁石を前記第１セットの各磁石が第１ターゲットの後面に隣接して装着されたＮ極を有するよう装着するステップであって、前記第１セットの磁石のＮ極は、第１ターゲットの前面からの集合平均距離が第１ターゲットの前面の幅より小さくなるような集合平均距離で装着される、第１セットの１つ以上の磁石を装着するステップと；
第２セットの１つ以上の磁石を前記第２セットの各磁石が第１ターゲットの後面に隣接して装着されたＳ極を有するよう装着するステップであって、前記第２セットの磁石のＳ極は、第１ターゲットの前面からの集合平均距離が第１ターゲットの前面の幅より小さくなるような集合平均距離で装着される、第２セットの１つ以上の磁石を装着するステップと、を備え；
第１ターゲットの下方にある１つ以上のワークピース位置に電子基板が配置されている状態で、第１ターゲットから電子基板へ材料をスパッタするステップと、
第１と第２セットの磁石は第１ターゲットの前面で、大きさが前面でどの磁界よりも略大きい磁界を集合的に発生する、
スパッタ堆積方法。
【請求項４４】  スパッタリングターゲットから電子基板への材料のスパッタ堆積方法であって、前記方法は：
バキュームチャンバ内に第１スパッタリングターゲットを装着するステップであって、
（ｉ）前記第１ターゲットは前面が略下方に向くとともに後面が略上方に向き、
（ｉｉ）前面は垂線に対して３０〜６０度の範囲の角度で配向される、第１スパッタリングターゲットを装着するステップと；
バキュームチャンバ内の１つ以上のワークピース位置に電子基板を配置するステップであって、前記１つ以上のワークピース位置は第１ターゲットの下方にある１つ以上のワークピース位置を含む、電子基板を配置するステップと；
第１セットの１つ以上の磁石を前記第１セットの各磁石が第１ターゲットの後面に隣接して装着されたＮ極を有するよう装着するステップと；
第２セットの１つ以上の磁石を前記第２セットの各磁石が第１ターゲットの後面に隣接して装着されたＳ極を有するよう装着するステップと、を備え；
第１ターゲットの下方にある１つ以上のワークピース位置に電子基板が配置されている状態で、第１ターゲットから電子基板へ材料をスパッタするステップと、
第１および第２セットの磁石は、前記Ｎ極と前記Ｓ極間の平均間隙を特徴とし、
前記磁極は、第１ターゲットの前面からの集合平均距離が前記Ｎ極と前記Ｓ極間の平均間隙の２倍より小さくなるような集合平均距離で装着され；
前記磁石は第１ターゲットの前面で、大きさが前面でどの磁界よりも略大きい磁界を集合的に発生する、
スパッタ堆積方法。