Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月28日(2004.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
配線基板１８は、Ｓｉを基材としており、図３に示すような構成となっている。すなわち、配線基板１８上であって、半導体基板１２が固定される部分の下方には、半導体基板１２上に形成された４分割フォトダイオード１４及びフォトダイオードアレイ１６を配線基板１８に形成された配線２１と電気的に接続するためのボンディングパッド２２（図示せず）が形成され、電気的接続を容易ならしめている。また、配線基板１８上には、４分割フォトダイオード１４を構成する各フォトダイオードから出力された信号及びフォトダイオードアレイ１６を構成する各フォトダイオードから出力された信号をそれぞれ増幅するプリアンプと、４分割フォトダイオード１４を構成する各フォトダイオードから出力された信号を選択的に外部に取り出し、また、フォトダイオードアレイ１６を構成する各フォトダイオード１６から出力された信号を選択的に外部に取り出すための信号選択回路を有する信号処理回路２４が形成されている。この信号処理回路２４の入力端は、配線２１を介してボンディングパッド２２と電気的に接続されている。さらに、配線基板１８上には引出電極パッド２６が形成されており、この引出電極パッド２６と信号処理回路２４の出力端とは配線２１を介して電気的に接続されている。従って、引出電極パッド２６を介して、信号処理回路２４から出力された信号を外部から読み出すことが可能となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
さらに、本実施形態に係る光検出素子１０は、図９に示すように、配線基板１８上に４分割フォトダイオード１４用の引出電極パッド２８を設け、バンプ２０及び配線２１を介して４分割フォトダイオード１４の各画素と電気的に接続した構成としてもよい。このような構成にすることで、４分割フォトダイオード１４の各画素からの信号を、フォトダイオードアレイ１６の各画素からの信号と独立して読み出すことが可能となり、精追尾センサと粗追尾センサを同時、かつ、極めて高速に動作させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
従って、配線基板４２は図１１のようになる。すなわち、配線基板４２は信号処理回路を有さず、４分割フォトダイオード１４を構成するフォトダイオード及びフォトダイオードアレイ１６を構成するフォトダイオードの数と同数の引出電極パッド２６を有しており、各フォトダイオードは、バンプ２０及び配線２１を介して上記引出電極パッド２６と電気的に接続されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
さらに、本実施形態の光検出素子４０は、図１５に示すように、配線基板４２上に４分割フォトダイオード用引出電極パッド２８を設け、バンプ２０及び配線２１を介して４分割フォトダイオード１４の各画素と電気的に接続した構成としてもよいことは、第１の実施形態に係る光検出素子１０と同様である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１０、４０…光検出素子、１２…半導体基板、１４…４分割フォトダイオード、１６…フォトダイオードアレイ、１８、４２…配線基板、２０…バンプ、２１…配線、２２、２３…ボンディングパッド、２４…信号処理回路、２６、２８…引出電極パッド、１００…外部信号処理基板、１０２…入力用パッド、１０４…ワイヤ、１０６…信号処理回路、１０８…出力用パッド、２００…パッケージ、２０１…対物レンズ、２０２…姿勢制御回路、２０４…外部制御装置、２０６…ＣＰＵ、２０８…メモリ、２１０…駆動装置
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月7日(2005.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  半導体デバイスのためのパッケージであって、
上部側及び下部側と、少なくとも第１及び第２のリードを備えた第１の導電性リードフレームと、
上部及び下部を有する第２の導電性リードフレームであって、該下部において前記第１のリードフレームに接続され、前記第１のリードフレーム上に隆起構造を形成する第２の導電性リードフレームと、
前記第１の導電性リードフレームの上部表面に設けられ、前記第１及び第２のリードに結合されている半導体デバイスと、
前記第２のリードフレームの上部に取り付けられている第３のリードフレームであって、前記半導体デバイスに接触せず、前記半導体デバイスに対するフタ付きチャンバを形成する第３のリードフレームと、
からなることを特徴とするパッケージ。
【請求項２】  半導体デバイスのためのパッケージであって、
上部側及び下部側と、少なくとも第１及び第２のリードを備えた第１の導電性リードフレームと、
上部及び下部を有する第２の導電性リードフレームであって、該下部において前記第１のリードフレームに接続され、前記第１のリードフレーム上に隆起構造を形成し、かつ前記第１及び第２のリードフレームがプラスチック内にカプセル封じを施され、該カプセル封じがボンディング及びハンダ付け表面を除いて行われ、該ボンディング及びハンダ付け表面がめっきされている第２の導電性リードフレームと、
前記第１の導電性リードフレームの上部表面に設けられ、前記第１及び第２のリードに結合されている半導体デバイスと、
前記半導体デバイスが設けられるフタ付きチャンバが得られるように形成されている第３のリードフレームであって、前記第２のリードフレームの上部に取り付けられ、前記フタが前記半導体デバイスに接触しない第３のリードフレームと、
からなることを特徴とするパッケージ。
【請求項３】  前記第１のリードフレームが、少なくとも１つの接地パッドと、少なくとも１つのＲＦ及びＤＣポートを含む請求項２に記載のパッケージ。
【請求項４】  電子デバイスのためのパッケージであって、
第１の導電性基板と、
前記導電性基板の所定の一部を包囲する非導電性のパッケージ材料であって、前記電子デバイスが当該パッケージ材料の全くない領域で前記導電性基板に結合される非導電性のパッケージ材料と、
前記第１の導電性基板に結合され、前記電子デバイスのまわりに隆起構造を与える相互接続導電性基板と、
前記相互接続導電性基板に取り付けられている第３の導電性基板であって、前記電子デバイスのまわりに気密のフタ付きチャンバを形成し、前記電子デバイスに物理的に接触しない第３の導電性基板と、
からなることを特徴とするパッケージ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月31日(2004.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の標本化周波数で標本化された入力映像信号を第２の標本化周波数で標本化された出力映像信号に変換する標本化周波数変換回路において、当該標本化周波数変換回路を構成する補間処理部を、上記映像信号の輝度信号系列と色差信号系列とで共用化することを特徴とする標本化周波数変換回路。
【請求項２】
請求項１記載の標本化周波数変換回路において、上記輝度信号系列の標本化周波数と遮断周波数に対して色差信号系列の標本化周波数と遮断周波数を１／２とし、上記各補間処理部を構成するそれぞれの補間フィルタのフィルタ係数を上記輝度信号系列と色差信号系列とで同一とし、共用化して用いることを特徴とする標本化周波数変換回路。
【請求項３】
請求項１記載の標本化周波数変換回路において、上記補間処理部を構成する補間フィルタを上記輝度信号系列と色差信号系列とで共用化し、時分割処理にて用いることを特徴とする標本化周波数変換回路。
【請求項４】
請求項２または３記載の標本化周波数変換回路において、上記補間処理部を構成する補間フィルタを、トランスバーサルフィルタで構成したことを特徴とする標本化周波数変換回路。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月21日(2005.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
サーバ管理部４１は、通常どおりユーザ端末５１〜５Ｍからアクセスを受付ける（ステップＳ１００１）。アクセス容量管理部４２は、その受付けたアクセスがどのビデオサーバに対するものかを判断する。ここで、そのアクセスがビデオサーバ１１に対するものであるとした場合、アクセス容量管理部４２は、次にビデオサーバ１１のアクセス総数が許容量のＸ％を超えているか否かを判定する（ステップＳ１００２）。このステップＳ１００２における判定の結果、アクセス総数が許容量のＸ％を超えた場合、アクセス容量管理部４２は、データのコピーを行ってもよいビデオサーバがあるか否か、他のビデオサーバ１２〜１Ｎのそれぞれのアクセス容量の状態を確認する（ステップＳ１００３）。ここで、ビデオサーバ１２のアクセス容量に余裕があると判断した場合、サーバ管理部４１は、データコピー処理部３１に対し、データコピー処理部３２へデータのコピーを行うよう指示を与える（ステップＳ１００４）。データコピー処理部３１は、この指示を受けて、データコピー処理部３２に該当するデータをコピーする（ステップＳ１００５）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２１】
さらに、局Ａ１のビデオサーバ１２は、上記ステップＳ１９０２において確認した各々のデータが他のどのビデオサーバに拡張格納されているかを検索する（ステップＳ１９０３）。図２０に記載した例でいうと、検索の結果、映画Ｘが局Ａ１のビデオサーバ１３のアドレス００３に、ドラマＺが局Ａ１のビデオサーバ１１のアドレス００４に存在していることがわかる。もちろん、図示はしないがスポーツＹ等も他のビデオサーバに存在している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月22日(2005.8.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音声システムが所定のイベントを伝送することが可能な放送局以外の源からの音声信号を再生している間にラジオデータシステムの補助データの中で伝送されるデータフラグによって同定される所定のイベントを検出するための背景監視をするための放送局を選択する方法であって、
前記データフラグを伝送している又は伝送することが可能な放送局が見出されるまで夫々の放送局から受信される前記補助データをサーチする段階と、
いつ所定のイベントが進行中であるかを検出するために前記見出された放送局の補助データを監視する段階と、
を有し、
前記サーチする段階は、ラジオ帯域に亘る周波数の走査を行う前に、メモリプリセットの中に保存された放送局を検査し、
前記メモリプリセットの中の前記放送局は、個々の好みに応じてユーザによって記憶されたお気に入りの放送局であることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記所定のイベントは、交通情報及び／又は緊急警報メッセージ及び／又はニュース放送及び／又は気象情報である、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記サーチ段階が、前記所定のイベントを放送することが可能な放送局を見出すことなく完了した場合、
他のイベントを伝送している又は伝送することが可能な放送局が見出されるまで夫々の放送局から受信される前記補助データをサーチする段階と、
いつ他のイベントが進行しているかを検出するために前記見出された放送局の前記補助データを監視する段階と、
を更に有する、請求項１又は２記載の方法。
【請求項４】
前記他のイベントに対する前記サーチする段階は、ラジオ帯域に亘る周波数の走査を行う前に、メモリプリセットの中に保存された放送局を検査する、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記所定のイベントは進行中の交通情報であり、前記他のイベントは交通情報を放送する可能性である、請求項３記載の方法。
【請求項６】
音声システムが交通情報を伝送することが可能な放送局以外の源からの音声信号を再生している間にラジオデータシステムの交通情報のための背景監視をするための放送局を選択する方法であって、
それ自体を交通情報放送可能局であると同定する放送局が見出されるまで夫々の放送局から受信される補助データをサーチする段階と、
いつ交通情報が進行しているかを検出するために前記見出された放送局の補助データを監視する段階と、
を有し、
前記サーチする段階は、ラジオ帯域に亘る周波数の走査を行う前に、メモリプリセットの中に保存された放送局を検査し、
前記メモリプリセットの中の前記放送局は、個々の好みに応じてユーザによって記憶されたお気に入りの放送局であることを特徴とする方法。
【請求項７】
前記サーチする段階は、
最後に同調された局、
プリセットの走査、及び、
前記ラジオ帯域中の順次周波数に亘る走査、
の順に放送局を検査する、請求項６記載の方法。
【請求項８】
前記サーチする段階は、
作動ＦＭ帯域の中の最後に同調された局、
作動ＦＭ帯域の中のプリセットの走査、
非作動ＦＭ帯域の中の最後に同調された局、
非作動ＦＭ帯域の中のプリセットの走査、
及び前記ラジオ帯域中の順次周波数に亘る走査、
の順に放送局を検査する、請求項６記載の方法。
【請求項９】
前記サーチする段階は、
作動ＦＭ帯域の中の最後に同調された局、
作動ＦＭ帯域の中のプリセットの走査、
非作動ＦＭ帯域の中の最後に同調された局、
非作動ＦＭ帯域の中のプリセットの走査、
放送局がプリセットとして記憶される少なくとも１つの放送局に対する番組タイプコードと一致する番組タイプコードを有さねばならないという追加的な要件を有する前記ラジオ帯域中の順次周波数に亘る走査、
前記追加的な要件に関係しない前記順次周波数に亘る走査からの局の選択、
の順に放送局を検査する、請求項６記載の方法。
【請求項１０】
交通情報が検出されたときに、交通情報を自動的に再生する段階を更に有する、請求項６記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月22日(2004.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
ｎ型クラッド層２は、例えば、厚さが７００ｎｍであり、ＩＩ族元素のＺｎおよびＢｅと、ＶＩ族元素のＳおよびＳｅのうちの少なくとも１種とからなるｎ型不純物が添加されたＩＩ−ＶＩ族化合物半導体により構成されている。すなわち、ｎ型クラッド層２はｎ型ＺｎＢｅＳＳｅ混晶，ｎ型ＺｎＢｅＳｅ混晶あるいはｎ型ＺｎＢｅＳ混晶により構成されている。これらの混晶は、図２に示した格子定数とバンドギャップとの関係図からも分かるように、Ｂｅを含むことにより格子定数の領域が広がっている。よって、ｎ型クラッド層２では、これらの組成を調整することにより基板１を構成するＧａＰに格子整合させることができるようになっている。なお、ｎ型不純物は、例えば、塩素（Ｃｌ），フッ素（Ｆ），臭素（Ｂｒ）およびヨウ素（Ｉ）などのいずれでもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月27日(2004.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、ｎ型Ｚｎ1-uＭｇuＳvＳｅ1-v光導波層６およびｐ型Ｚｎ1-uＭｇuＳvＳｅ1-v光導波層８のＭｇ組成比ｕは例えば０．１１、Ｓ組成比ｖは例えば０．１６であり、そのときのバンドギャップＥ2は約２．８８ｅＶである。これらのＭｇ組成比ｕ＝０．１１およびＳ組成比ｖ=０．１６を有するｎ型Ｚｎ1-uＭｇuＳvＳｅ1-v光導波層６およびｐ型Ｚｎ1-uＭｇuＳvＳｅ1-v光導波層８はｎ型ＧａＡｓ基板１と格子整合する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月1日(2005.8.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】画像改善装置および原画像を鮮鋭化する方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）鮮鋭化パラメータにしたがって原画像の鮮鋭度を改善するフィルタと、
（Ｂ）前記フィルタの鮮鋭化パラメータを前記原画像の前記フィルタによる鮮鋭化画像の周波数分布が前記原画像の低解像度画像の周波数分布と同様になるように決定する、前記フィルタに結合された鮮鋭化パラメータ選択システムと、
を備えたことを特徴とする画像改善装置。
【請求項２】
前記鮮鋭化パラメータ選択システムはさらに、
（ａ）前記原画像の前記低解像度画像を生成する低解像度画像生成器と、
（ｂ）前記低解像度画像生成器に結合され、前記低解像度画像の周波数分布を判定する第１のフーリエ変換発生器と、
（ｃ）（１）複数の所定の鮮鋭化パラメータに基づいて前記原画像の複数の鮮鋭化画像を生成し、（２）前記鮮鋭化画像のそれぞれの周波数分布を判定するパラメータ化フーリエ変換発生器と、
（ｄ）前記第１のフーリエ変換発生器および前記パラメータ化フーリエ変換発生器に結合され、前記所定の鮮鋭化パラメータ群から前記鮮鋭化パラメータを選択するために前記鮮鋭化画像のうち前記低解像度画像の周波数分布と同様の周波数分布を有する１つを判定するパラメータ選択器と、
を備えた請求項１記載の画像改善装置。
【請求項３】
前記パラメータ化フーリエ変換発生器はさらに、
（Ｉ）前記所定の鮮鋭化パラメータにしたがって前記複数の鮮鋭化画像を生成する鮮鋭化フィルタと、
（ＩＩ）前記鮮鋭化画像のそれぞれの周波数分布を判定する第２のフーリエ変換発生器と、を備えた請求項２記載の画像改善装置。
【請求項４】
前記パラメータ選択器は前記低解像度画像の周波数分布の分散量を前記鮮鋭化画像群の周波数分布の分散量と比較することによって、前記低解像度画像の周波数分布と同様の周波数分布を有する１つの鮮鋭化画像を判定する請求項２記載の画像改善装置。
【請求項５】
前記第１および第２のフーリエ変換発生器は離散フーリエ変換発生器である請求項３記載の画像改善装置。
【請求項６】
前記フィルタおよび前記鮮鋭化フィルタはそれぞれ非鮮鋭マスキングフィルタである請求項１記載の画像改善装置。
【請求項７】
原画像を鮮鋭化する方法であって、
（Ａ）鮮鋭化パラメータを選択するステップであって、前記選択された鮮鋭化パラメータを用いた原画像の鮮鋭化画像の周波数分布が前記原画像の低解像度画像の周波数分布と同様になるようにするステップと、
（Ｂ）前記選択された鮮鋭化パラメータをフィルタに適用して前記原画像を鮮鋭化するステップと、
を備えた原画像を鮮鋭化する方法。
【請求項８】
前記ステップ（Ａ）はさらに、
（Ｉ）前記原画像の低解像度画像を生成するステップと、
（ＩＩ）前記低解像度画像にフーリエ変換演算を実行して前記低解像度画像の周波数分布を判定するステップと、
（ＩＩＩ）複数の所定の鮮鋭化パラメータに基づいて前記原画像の複数の鮮鋭化画像を生成するステップと、
（ＩＶ）前記鮮鋭化画像のそれぞれに前記フーリエ変換演算を実行して前記鮮鋭化画像のそれぞれの周波数分布を判定するステップと、
（Ｖ）前記所定の鮮鋭化パラメータ群から前記鮮鋭化パラメータを選択するために前記鮮鋭化画像のうち前記低解像度画像の周波数分布と同様の周波数分布を有する１つを判定するステップと、
を備えた請求項７記載の原画像を鮮鋭化する方法。
【請求項９】
前記ステップ（Ｖ）はさらに、前記低解像度画像の周波数分布の分散量を前記鮮鋭化画像群の周波数分布の分散量と比較して、前記鮮鋭化画像群のうち前記低解像度画像の周波数分布と同様な周波数分布を有する１つの鮮鋭化画像を判定するステップを含む請求項８記載の原画像を鮮鋭化する方法。
【請求項１０】
ステップ（Ｖ）はさらに、
（ａ）前記鮮鋭化画像群のうち前記低解像度画像との周波数分布の分散量の差が最も小さい１つの鮮鋭化画像を判定するステップと、
（ｂ）前記１つの鮮鋭化画像に関係付けられた所定の鮮鋭化パラメータを選択鮮鋭化パラメータとして選択するステップを含む請求項８記載の原画像を鮮鋭化する方法。
【請求項１１】
前記フーリエ変換演算は離散フーリエ変換演算である請求項８記載の原画像を鮮鋭化する方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
６． 前記フィルタおよび前記鮮鋭化フィルタはそれぞれ非鮮鋭マスキングフィルタである上記３記載の画像改善装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月27日(2004.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データをライン単位で入力し、入力されたラインから所定条件を満足する部分を抽出する抽出手段と、
前記画像データの複数のラインについて、前記抽出手段で抽出された部分のうち、所定の近さにあるもの同士を結合して結合領域を生成する生成手段と、
前記生成手段で生成された結合領域が特定画像を含むか否かを判定する判定手段と、
前記判定手段によって特定画像を含むと判定された結合領域を表す領域情報を保持するとともに、画像データをバンド単位で格納する記憶手段に、該特定画像の領域であると判定された結合領域を含むバンドを保持する保持手段とを備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記抽出手段は、所定条件を満足する部分が近接する場合、それらを結合して一つの部分とすることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記抽出手段は、１ラインの画像データを所定幅で区切って得られる部分についてエッジが存在するか否かを判定し、エッジが存在する所定幅の部分を抽出することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記抽出手段は、前記所定幅部分の一部を重複させながら所定幅部分を順次切り出してエッジが存在するか否かを判定し、エッジが存在する所定幅部分を抽出することを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記判定手段は、前記結合領域について前記バンド毎に前記特定画像を含むか否かを判定し、
前記判定手段の判定結果に基づいて、前記保持手段で保持された当該結合領域に関する領域情報を更新する更新手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記更新手段は、前記判定手段の判定結果に基づき、前記結合領域から特定画像を含まない部分をバンドを単位として削除することを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記更新手段は、前記結合領域中の連続する２つのバンドにおいて前記特定画像が含まれていない場合、当該２つのバンドの分を削減することを特徴とする請求項６に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記更新手段によって結合領域が削減された結果、前記記憶手段に結合領域の存在しないバンドが生じた場合、当該バンドのデータを前記記憶手段より消去する消去手段を更に備えることを特徴とする請求項５乃至７のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記特定画像が文字画像であることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記特定画像が写真画像であることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記保持手段によって保持された領域情報とバンド単位で格納された画像データに基づいて文字認識を行ない、原稿方向を判定する方向判定手段を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
前記ライン単位で入力される画像データを２値化する２値化手段を更に有し、
前記記憶手段にバンド単位で保持される画像データは、前記２値化手段で２値化された画像データのうち、前記特定画像の領域であると判定された結合領域を含むバンドであることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項１３】
画像データをライン単位で入力し、入力されたラインから所定条件を満足する部分を抽出する抽出工程と、
前記画像データの複数のラインについて、前記抽出工程で抽出された部分のうち、所定の近さにあるもの同士を結合して結合領域を生成する生成工程と、
前記生成工程で生成された結合領域が特定画像を含むか否かを判定する判定工程と、
前記判定工程によって特定画像を含むと判定された結合領域を表す領域情報を保持するとともに、画像データをバンド単位で格納する記憶手段に、該特定画像の領域であると判定された結合領域を含むバンドを保持する保持工程とを備えることを特徴とする領域抽出方法。
【請求項１４】
入力された画像データから特定画像を含む領域を抽出するための制御プログラムを格納するコンピュータ可読メモリであって、該制御プログラムが、
画像データをライン単位で入力し、入力されたラインから所定条件を満足する部分を抽出する抽出工程と、
前記画像データの複数のラインについて、前記抽出工程で抽出された部分のうち、所定の近さにあるもの同士を結合して結合領域を生成する生成工程と、
前記生成工程で生成された結合領域が特定画像を含むか否かを判定する判定工程と、
前記判定工程によって特定画像を含むと判定された結合領域を表す領域情報を保持するとともに、画像データをバンド単位で格納する記憶手段に、該特定画像の領域であると判定された結合領域を含むバンドを保持する保持工程の各工程をコンピュータに実行させるためのプログラムコードを含むことを特徴とするコンピュータ可読メモリ。
【請求項１５】
入力された画像データにおける特定画像の領域を判定する判定手段と、
前記判定手段で判定された特定画像の領域に関する領域情報を保持する保持手段と、
バンド単位で画像データを格納する記憶手段に対して、前記入力された画像データのうち、前記判定手段で判定された特定画像の領域を含むバンドの画像データを格納し且つ前記特定画像の領域を含まないバンドの画像データを格納しないように制御する格納制御手段とを備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項１６】
入力された画像データにおける特定画像の領域を判定する判定工程と、
前記判定工程で判定された特定画像の領域に関する領域情報を保持する保持工程と、
バンド単位で画像データを格納する記憶手段に対して、前記入力された画像データのうち、前記判定手段で判定された特定画像の領域を含むバンドの画像データを格納し且つ前記特定画像の領域を含まないバンドの画像データを格納しないように制御する格納制御工程とを備えることを特徴とする情報処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月22日(2004.11.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の露光エネルギービームのもとでマスクパターンの像を投影光学系を介して基板上に露光する露光方法において、
前記基板に対して複数の異なる露光条件を順次切り換えながら露光を行うに際して、
前記露光条件の切り換え動作に応じて前記投影光学系の結像特性を補正することを特徴とする露光方法。
【請求項２】
前記複数の露光条件のそれぞれの露光時間の比率に応じて前記投影光学系の結像特性を補正することを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項３】
前記マスクパターンを複数用意し、該複数のマスクパターンの像を互いに異なる露光条件で前記基板上の同一の感応層に露光することを特徴とする請求項１に記載の露光方法。
【請求項４】
複数の基板を順次露光するときに、複数の基板のうちの一つ基板の同一感光層を、前記複数の露光条件のそれぞれで露光した後に、次の基板の同一感光層を前記複数の露光条件のそれぞれで露光することを特徴とする請求項３に記載の露光方法。
【請求項５】
前記複数の露光条件のそれぞれの露光時間の比率に応じて前記投影光学系の結像特性を補正することを特徴とする請求項３又は４に記載の露光方法。
【請求項６】
前記複数の露光条件のそれぞれでの照射エネルギー量の比率に応じて前記投影光学系の結像特性を補正することを特徴とする請求項３又は４に記載の露光方法。
【請求項７】
前記比率に応じて各露光条件ごとに決定された係数で求められる変動特性に基づいて、前記基板の同一感光層を各露光条件で露光するときの前記結像特性の補正量を求めることを特徴とする請求項５又は６に記載の露光方法。
【請求項８】
前記複数の露光条件は、前記マスクのパターンの種類を含むことを特徴とする請求項３〜７のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項９】
前記複数の露光条件は、前記マスクのパターンに対する照明条件を含むことを特徴とする請求項３〜８のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１０】
前記露光条件とは、前記露光エネルギービームの照明条件、前記投影光学系の開口数、及び前記マスクのパターンの種類のいずれかであることを特徴とする請求項１から７のいずれか一項に記載の露光方法。
【請求項１１】
前記複数の異なる露光条件で露光する際に、それぞれの露光条件で前記投影光学系に入射する露光エネルギービームの量の比率に応じて前記投影光学系の結像特性を補正することを特徴とする請求項１又は２に記載の露光方法。
【請求項１２】
所定の露光エネルギービームのもとでマスクパターンの像を投影光学系を介して基板上に露光する露光装置において、
前記基板に対して複数の異なる露光条件を順次切り換えながら露光を行う露光制御部と、
前記露光条件の切り換え動作に応じて前記投影光学系の結像特性を補正する結像特性補正部と、を有することを特徴とする露光装置。
【請求項１３】
複数の基板を順次露光するときに、前記複数の基板の一つの感光層が前記複数の露光条件で露光された後に、次の基板の一つの感光層が前記複数の露光条件で露光されるように、前記露光制御部は前記露光条件の切り換えを行うことを特徴とする請求項１２に記載の露光装置。
【請求項１４】
前記結像特性補正部は、前記複数の露光条件における照射エネルギー量の比率に応じて前記投影光学系の結像特性を補正することを特徴とする請求項１３に記載の露光装置。
【請求項１５】
前記露光制御部は、前記比率に応じて各露光条件ごとに決定された係数で求められる変動特性に基づいて、前記基板の同一感光層を各露光条件で露光するときの前記結像特性の補正量を求めることを特徴とする請求項１４に記載の露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、その露光条件の一例は、その露光エネルギービームの照明条件、その投影光学系の開口数、及びそのマスクのパターンの種類の何れかである。例えばマスクのパターンの種類によって透過率等が変化するため、投影光学系に対する入射エネルギー量が変化する。
また、それらの複数の異なる露光条件で露光する際に、それぞれの露光条件でその投影光学系（ＰＬ）に入射する露光エネルギービームの量の比率に応じてその投影光学系の結像特性を補正するようにしてもよい。入射するエネルギー量の比率によっても複数の露光条件のもとでの結像特性の混じり合いの比率がほぼ正確に推定できるため、その比率に基づいて結像特性の変動量がほぼ正確に予測できる。
また、複数の基板を順次露光するときに、複数の基板のうちの一つ基板の同一感光層を、その複数の露光条件のそれぞれで露光した後に、次の基板の同一感光層をその複数の露光条件のそれぞれで露光してもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
斯かる本発明の露光装置によれば、本発明の露光方法が使用できる。
また、露光制御部（１４）は、その投影光学系の露光エネルギービームの吸収による結像特性の変動特性のモデルを複数の露光条件のそれぞれについて予め記憶しておき、例えば二重露光法で露光を行う際には、一例として各露光条件での照射エネルギー量の比率に応じてその変動特性のモデルを平均して得られるモデルに基づいて、露光エネルギービームの照射による結像特性の変動を補正
することが望ましい。
また、複数の基板を順次露光するときに、その複数の基板の一つの感光層がその複数の露光条件で露光された後に、次の基板の一つの感光層がその複数の露光条件で露光されるように、その露光制御部はその露光条件の切り換えを行うようにしてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月26日(2004.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に非単結晶半導体膜を形成する第一工程と、該非単結晶半導体膜の表面を酸化する第二工程とを少なくとも含む半導体装置の製造方法であって、
前記第二工程を酸化性雰囲気下にて１０７０℃程度未満の温度で、一原子層酸化時間が酸化膜応力緩和時間より長くなるように前記酸化性雰囲気が設定されてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記酸化性雰囲気は、水（Ｈ2Ｏ）、亜酸化窒素酸素（Ｎ2Ｏ）又は二酸化炭素（ＣＯ2）を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
基板上に非単結晶半導体膜を形成する第一工程と、該非単結晶半導体膜の表面を酸化する第二工程とを少なくとも含む半導体装置の製造方法であって、
前記第二工程を酸素（Ｏ2）と不活性気体とを含む雰囲気下にて１０７０℃程度未満の温度Ｔ（℃）で、一原子層酸化時間（ｔ1）が酸化膜応力緩和時間（τ）より長くなるように前記酸素の分圧（ＰＯ2）が調整されてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法であって、
酸化膜一原子層の平均的な厚みをΔｘ（ｎｍ）、酸化初期に得られる酸化膜厚をｘi（ｎｍ）、酸素濃度に対応する無次元係数をＣO2とそれぞれしたときに、前記第二工程に於ける酸素分圧（ＰO2）が、
ｔ1＞τ
ｔ1＝Δｘ（Δｘ＋２ｘi＋Ａ）／Ｂ×６０  （ｓ）
Δｘ＝０．３６  （ｎｍ）
ｘi＝５  （ｎｍ）
Ａ＝Ａ0ｅｘｐ（α／（ｋ（Ｔ＋２７３．１５）））
Ａ0＝０．２０２６  （ｎｍ）
α＝０．６６６  （ｅＶ）
ｋ＝８．６１７×１０-5  （ｅＶ・Ｋ−１）
Ｂ＝Ｂ0ｅｘｐ（−β／（ｋ（Ｔ＋２７３．１５）））・ＣO2
Ｂ0＝３．１４×１０8  （ｎｍ2・ｍｉｎ-1）
β＝１．６２０  （ｅＶ）
ｋ＝８．６１７×１０-5  （ｅＶ・Ｋ-1）
ＣO2＝ＰO2（ａｔｍ）／１（ａｔｍ）
τ＝η／μ
η＝η0ｅｘｐ（γ／（ｋ（Ｔ＋２７３．１５）））
η0＝２．３×１０-6  （ｄｙｎ・ｓ・ｃｍ-2）
γ＝４．８５  （ｅＶ）
ｋ＝８．６１７×１０-5  （ｅＶ・Ｋ-1）
μ＝３．１５×１０11  （ｄｙｎ・ｃｍ-2）
を満たす条件にて行う事を特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第二工程の温度が７００℃以上であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記第一工程は気相堆積法（ＣＶＤ法）にて高次シラン（ＳｉnＨ2n+2：ｎ＝２，３，４）を原料気体の一種として非晶質膜を堆積した後に、該非晶質膜を結晶化する事で半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記基板上に下地保護膜と成る酸化硅素膜を形成する工程を更に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記酸化硅素膜を洗浄、又は前記酸化珪素膜の表層を除去する工程を更に含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記表層部を除去する工程が前記基板を水溶液に浸す工程を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記表層部を除去する工程が前記下地酸化膜の表層部１〜２０ｎｍを除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記非単結晶半導体膜は気相堆積法で形成され、該気相堆積法は低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ法）であり、該低圧化学気相堆積法は高真空型低圧化学気相堆積装置にて行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記高真空型低圧化学気相堆積装置は半導体膜堆積直前の背景真空度が５×１０-7Ｔｏｒｒ以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
前記非単結晶半導体膜は気相堆積法で形成され、該気相堆積法は低圧化学気相堆積法（ＬＰＣＶＤ法）であり、該低圧化学気相堆積法は低圧化学気相堆積装置に於ける漏洩流量（ＱL）の高次シラン流量（ＱSiH）に対する比（Ｒ＝ＱL／ＱSiH）が１０ｐｐｍ程度以下（Ｒ≦１０-5）との状態で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記低圧化学気相堆積法は堆積温度が４３０℃程度未満で、且つ堆積速度が０．５ｎｍ／ｍｉｎ程度以上の状態で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月8日(2004.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
次に図５を用いて本実施形態の位置ずれ検出の基本原理の説明を行う。同図において、実際にはウエハ２で反射回折する光を用いているが、それと等価な透過型レンズの配置で示している。マスク側マーク３０ａ，３１ａで１次回折され、ウエハ側マーク３０ｂ，３１ｂで１次回折され、マスク１を単に透過する光（１１０光）と、マスク側マーク３０ａ，３１ａを透過し、先にウエハ側マーク３０ｂ，３１ｂで１次回折され、次にマスク側マーク３０ａ，３１ａで回折される光（０１１光）の光路を重ねて示している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月15日(2005.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】        明細書【発明の名称】    偏極磁石の製造方法【特許請求の範囲】  【請求項１】  ３０ガウス以下の磁石の一方のＮ極側に、磁石と同材料又は磁性材料でケースを作りカバーすることでＮ極の磁力を低減させる偏極磁石の製造方法。  【請求項２】  Ｓ極磁気４〜２０ガウス、Ｎ極磁気が５ガウス以下であり、かつＳ極磁気に対するＮ極磁気の比が５０％以下である偏極磁石の製造方法。【発明の詳細な説明】    【０００１】  【産業上の利用分野】  本発明は、特許第２５８２２０７号の水の腐敗防止法及び、特許第２００３０７８号の炭化水素化合物燃料の処理方法に使用して、水の腐敗防止と炭化水素化合物燃料の燃焼効率を向上させる偏極磁石の製造に関する。    【０００２】  【従来技術】  本発明は先の出願である特開平７−０７７５５９号広報において、微弱磁気治療治具の用いて治療や製造方法を展開しているが、この偏極磁石は特許第２５８２２０７号の水の腐敗防止法及び、特許第２００３０７８号の炭化水素化合物燃料の磁気処理方法はあるが磁石の製造方法はない。    【０００３】  【発明が解決しようとする課題】  本発明の偏極磁石は特許第２５８２２０７号の水の腐敗防止法及び、特許第２００３０７８号の炭化水素化合物燃料の処理方法に用いるためと、商品の量産化とコストダウンを目的とする。    【０００４】  【発明が解決するための手段】  本発明は、Ｓ極磁気４〜２０ガウスでＮ極磁気が５ガウス以下であり、かつＳ極磁気に対するＮ極磁気の比が５０％以下の偏極磁石の製造に関する。  このプラスチック磁石のＮ極磁気側に同材料で作ったプラスチックケースでカバーすることでＮ極の磁気が分散され弱くなる。  プラスチックケースは着磁しないで使用するが、この方法は磁力の弱い場合有効である。    【０００５】  【実施例１】  １０ガウスのプラスチック磁石の寸法横７２ｍｍ、縦１３ｍｍ、高さ３ｍｍを同材料の着磁してないプラスチック寸法横８２ｍｍ、縦１６ｍｍ、高さ４．５ｍｍの材料に横７３ｍｍ、縦１４ｍｍ、高さ３ｍｍの形を成型して、プラスチック磁石のＳ極を外にして埋め込んだ。  測定器は電子磁気工業（株）ＧＭ４０００でプラスチック磁石を測定したらＳ極磁気は１０ガウスでＮ極磁気は５ガウスに減少した。    【０００６】  【実施例２】  １０ガウスのプラスチック磁石の寸法横７２ｍｍ、縦１３ｍｍ、高さ３ｍｍを同材料の着磁してないプラスチック寸法横８２ｍｍ、縦１６ｍｍ、高さ６ｍｍの材料に横７３ｍｍ、縦１４ｍｍ、高さ３ｍｍの形を成型して、プラスチック磁石のＳ極を外にして埋め込んだ。  測定器は電子磁気工業（株）ＧＭ４０００でプラスチック磁石を測定したらＳ極磁気は１０ガウスでＮ極磁気は３ガウスに減少した。    【０００７】  【発明の効果】  本発明により、Ｓ極磁気４〜２０ガウス、Ｎ極磁気が５ガウス以下でありかつＳ極磁気に対するＮ極磁気の比が５０％以下の磁石が容易に製造できる。  こうして得られた偏極磁石は特許第２５８２２０７号の水の腐敗防止品や特許第２００３０７８号の炭化水素化合物燃料処理装置を製造できる。    【０００８】  【図面の簡単な説明】      【図１】Ｓ極磁気は１０ガウスでＮ極磁気は５ガウスの磁石の断面図と平面図。      【図２】Ｓ極磁気は１０ガウス���Ｎ極磁気は３ガウスの磁石の断面図と平面図。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】追加
【補正の内容】
【書類名】  図面【図１】1999150018.tif 000001
【図２】1999150018.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月28日(2004.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
実施例３
本発明による別の実施例を図４で詳細に説明する。拡散装置の構成は実施例１で述べた内容と同一であるが、図２の試料拡散部２０の構成が異なる。試料拡散部４０の石英製基準面４６に石英製蓋４１ー２を天地逆にして置き、この中に被拡散試料である化合物半導体ウエーハ４２が石英製試料ホルダ４４にセットされ、この下部には拡散容器４５に拡散源４３が計量されてセットされる。上記試料と拡散源を覆うように石英製蓋４１ー２の石英製基準面４８に石英製蓋４１ー１をかぶせて、必要な加重４７ー１を加える。さらにこの石英製蓋４１ー２に石英製板４７ー２をかぶせ自重を加え封止をする。加重は石英製蓋４１ー１の自重で兼ねられる場合には省略できる。石英製蓋４１ー１、４１ー２と、これに対面する各基準面との接触部４９ー１、４９ー２は線接触に近い形状であることが本発明の一つの特徴である。本実施例では２重の石英製蓋によって拡散源を封止しているので１重よりも内部の気密性が高まり蒸発をより抑制する効果が高まる。このため石英製蓋の構成は２重以上であってもよいことを付言する。また、石英製蓋は実施例で示した構造に限定されず、中空の柱状や円筒状の石英の両先端部に線接触部を形成し、この両側を石英板で抑えた構造であってもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
実施例６
本発明による実施例を図７で詳細に説明する。これは本発明における試料拡散部の石英製蓋と基準面との接触部の実施例である。石英製蓋７１と基準面７６との接触部７９は気密性の高い接合となるよう基準面７６が鏡面仕上げされている。また、石英製蓋７１の接触部７９はより線接触にするためこの先端を楔型形状に加工されている。楔型形状の先端部は内壁側や外壁側にあってもよい。この構造は石英製蓋７１の直径に比べて接触部７９の面積が極端に小さいので線接触による気密性が十分に保たれる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１…石英製外箱
１１…拡散装置
２１、３１−１、３１−２、４１−１、４１−２、５１、６１、７１、８１、９１…石英製蓋
１０１…拡散用石英アンプル
２…石英製内箱
２２、３２、４２…半導体結晶ウエーハ
１０２…被拡散試料
３…加熱部
２３、３３、４３、１０３…拡散源
４…可動機構
２４、３４、４４、１０４…石英製試料ホルダ
５…熱電対
２５、３５、４５、１０５…拡散容器
６…不活性ガス入口
２６、３６、４６、４８、５６、６６、７６、８６、９６…石英製基準面
７…不活性ガス出口
２７、３７−１、３７−２、４７−１、４７−２…加重
９７…突起
８…ガスのトラップ
９…シール
２９、３９−１、３９−２、４９−１、４９−２、５９、６９、７９、８９、９９…線接触部。
１０、２０、３０、４０…試料拡散部
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
1999150075.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
1999150075.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月1日(2004.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶シリコン基板を利用して形成されたソース領域、ドレイン領域、及び前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に形成された活性領域と、
前記活性領域上にトンネル酸化膜を介して形成されたフローティングゲイトと、
前記フローティングゲイト上に層間膜を介して形成されたコントロールゲイトと、
を有し、
前記活性領域は、真性または実質的に真性なチャネル形成領域と、１３族又は１５族から選ばれた元素を含む不純物領域を有し、
前記不純物領域は、少なくとも前記活性領域と前記ドレイン領域の接合部にかかるように設けられていることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項２】
単結晶シリコン基板を利用して形成されたソース領域、ドレイン領域、及び前記ソース領域と前記ドレイン領域の間に形成された活性領域と、
前記活性領域上にトンネル酸化膜を介して形成されたフローティングゲイトと、
前記フローティングゲイト上に層間膜を介して形成されたコントロールゲイトと、
を有し、
前記活性領域は、真性または実質的に真性なチャネル形成領域と、１３族又は１５族から選ばれた元素を含む不純物領域を有し、
前記不純物領域は、前記ソース領域から前記ドレイン領域に渡って設けられていることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記不純物領域によって、前記ドレイン領域から前記ソース領域に向かって広がる空乏層が抑止されることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項４】
請求項1乃至請求項３のいずれか一項において、前記不純物領域に含まれる元素の濃度は１×１０17〜５×１０20ａｔｏｍｓ／ｃｍ3であることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記ソース領域と前記ドレイン領域の間の距離は、０．０５〜０．５μｍ以下であることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記活性領域は前記ソース領域、前記ドレイン領域およびフィールド酸化膜で囲まれており、
前記不純物領域は、前記フィールド酸化膜と接する前記活性領域の側端部に設けられていることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記不純物領域はストライプ状に設けられていることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記不純物領域はドット状に設けられていることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項９】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記不純物領域は楕円形状に設けられていることを特徴とする不揮発性メモリ。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の不揮発性メモリを記録媒体として利用することを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電子機器は、マイクロプロセッサ、ビデオカメラ、電子スチルカメラ、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータまたは携帯情報端末であることを特徴とする電子機器。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月13日(2004.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上のゲート酸化膜上に形成されたポリシリコン膜上に開口部を有する耐酸化性膜を形成した後に該耐酸化性膜をマスクにして前記ポリシリコン膜を選択酸化して選択酸化膜を形成し、該選択酸化膜をマスクにして前記ポリシリコン膜をエッチングして成るフローティングゲートを有する不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記耐酸化性膜の開口部下の前記ポリシリコン膜に増速酸化用の不純物イオンを注入した後に該ポリシリコン膜を選択酸化することで増速酸化させた選択酸化膜を形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板上のゲート酸化膜上に形成されたポリシリコン膜上に開口部を有する耐酸化性膜を形成した後に該耐酸化性膜をマスクにして前記ポリシリコン膜を選択酸化して選択酸化膜を形成し、該選択酸化膜をマスクにして前記ポリシリコン膜をエッチングして成るフローティングゲートを有する不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記耐酸化性膜の開口部下の前記ポリシリコン膜に増速酸化用の不純物イオンを注入する工程と、
前記耐酸化性膜をマスクにして不純物イオンが注入された前記ポリシリコン膜を増速酸化させて選択酸化膜を形成する工程と、
前記耐酸化性膜を除去した後に前記選択酸化膜をマスクにして前記ポリシリコン膜をエッチングしてフローティングゲートを形成する工程とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項３】
半導体基板上にゲート酸化膜を介してポリシリコン膜及びシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜をパターニングして開口部を形成する工程と、
前記開口部下の前記ポリシリコン膜に増速酸化用の不純物イオンを注入する工程と、
前記シリコン窒化膜をマスクにして前記ポリシリコン膜を増速酸化させて選択酸化膜を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜を除去した後に前記選択酸化膜をマスクにして前記ポリシリコン膜をエッチングしてフローティングゲートを形成する工程と、
全面に前記選択酸化膜及びフローティングゲートを被覆するようにトンネル酸化膜を形成する工程と、
前記トンネル酸化膜を介して前記フローティングゲートの上部から側部にかけてコントロールゲートを形成する工程と、
前記フローティングゲートあるいはコントロールゲートをマスクにして不純物を前記基板に注入してソース・ドレイン拡散領域を形成する工程とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項４】
半導体基板上のゲート酸化膜上に形成されたポリシリコン膜上に開口部を有する耐酸化性膜を形成した後に該耐酸化性膜をマスクにして前記ポリシリコン膜を選択酸化して選択酸化膜を形成し、該選択酸化膜をマスクにして前記ポリシリコン膜をエッチングして成るフローティングゲートを有する不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記耐酸化性膜の開口部を被覆するように該開口部下の前記ポリシリコン膜上に酸化膜を形成した状態で該酸化膜とポリシリコン膜との界面に増速酸化用の不純物イオンを注入した後に該ポリシリコン膜を選択酸化することで増速酸化させた選択酸化膜を形成することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項５】
半導体基板上のゲート酸化膜上に形成されたポリシリコン膜上に開口部を有する耐酸化性膜を形成した後に該耐酸化性膜をマスクにして前記ポリシリコン膜を選択酸化して選択酸化膜を形成し、該選択酸化膜をマスクにして前記ポリシリコン膜をエッチングして成るフローティングゲートを有する不揮発性半導体記憶装置の製造方法において、
前記耐酸化性膜の開口部を被覆するように該開口部下の前記ポリシリコン膜上に酸化膜を形成した状態で該酸化膜とポリシリコン膜との界面に増速酸化用の不純物イオンを注入する工程と、
前記耐酸化性膜をマスクにして不純物イオンが注入された前記ポリシリコン膜を増速酸化させて選択酸化膜を形成する工程と、
前記耐酸化性膜を除去した後に前記選択酸化膜をマスクにして前記ポリシリコン膜をエッチングしてフローティングゲートを形成する工程とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項６】
半導体基板上にゲート酸化膜を介してポリシリコン膜及びシリコン窒化膜を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜をパターニングして開口部を形成する工程と、
前記開口部を被覆するように該開口部下の前記ポリシリコン膜上に酸化膜を形成した状態で該酸化膜とポリシリコン膜との界面に増速酸化用の不純物イオンを注入する工程と、
前記シリコン窒化膜をマスクにして前記ポリシリコン膜を増速酸化させて選択酸化膜を形成する工程と、
前記シリコン窒化膜を除去した後に前記選択酸化膜をマスクにして前記ポリシリコン膜をエッチングしてフローティングゲートを形成する工程と、
全面に前記選択酸化膜及びフローティングゲートを被覆するようにトンネル酸化膜を形成する工程と、
前記トンネル酸化膜を介して前記フローティングゲートの上部から側部にかけてコントロールゲートを形成する工程と、
前記フローティングゲートあるいはコントロールゲートをマスクにして不純物を前記基板に注入してソース・ドレイン拡散領域を形成する工程とを有することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【請求項７】
前記不純物イオンはリンイオン、ヒ素イオン等のＮ型不純物イオンであることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の不揮発性半導体記憶装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明の不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板上のゲート酸化膜上に形成されたポリシリコン膜上に開口部を有する耐酸化性膜を形成した後に該耐酸化性膜をマスクにして前記ポリシリコン膜を選択酸化して選択酸化膜を形成し、該選択酸化膜をマスクにして前記ポリシリコン膜をエッチングして成るフローティングゲートを有するものにおいて、前記耐酸化性膜の開口部下の前記ポリシリコン膜に増速酸化用の不純物イオンを注入した後に該ポリシリコン膜を選択酸化することで増速酸化させた選択酸化膜を形成することを特徴とするものである。
また、本発明の不揮発性半導体記憶装置の製造方法は、半導体基板上のゲート酸化膜上に形成されたポリシリコン膜上に開口部を有する耐酸化性膜を形成した後に該耐酸化性膜をマスクにして前記ポリシリコン膜を選択酸化して選択酸化膜を形成し、該選択酸化膜をマスクにして前記ポリシリコン膜をエッチングして成るフローティングゲートを有するものにおいて、前記耐酸化性膜の開口部を被覆するように該開口部下の前記ポリシリコン膜上に酸化膜を形成した状態で該酸化膜とポリシリコン膜との界面に増速酸化用の不純物イオンを注入した後に該ポリシリコン膜を選択酸化することで増速酸化させた選択酸化膜を形成することを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月23日(2004.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体素子の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハを粘着シートに貼付け、
半導体素子単位に切断し、
上記粘着シートを楔型の角度固定治具を支点にして引っ張ることにより、半導体素子から粘着テープを剥がし、
半導体素子に形成された電極と基板上に形成された電極とを相対的に位置決めして上記半導体素子を基板上に搭載することを特徴とする半導体素子の製造方法。