(57)【要約】【課題】  導体層パターンの密着性が高く、信頼性すぐれる導体層パターン付き基材を提供する。【解決手段】  樹脂層を含む基材に導体層パターン積層されている導体層パターン付き基材であって、上記導体層パターンの断面形状が、断面形状全体又は断面形状の上部が台形状であって、上記導体層パターンは、少なくとも上面又は上記台形状の一部が樹脂層からは露出し、少なくとも最大幅の部分から下の部分が上記基材の樹脂層に埋設されてなる導体層パターン付き基材。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂層を含む基材に導体層のパターンが積層されている導体層パターン付き基材であって、上記導体層の断面形状が、断面形状全体又は断面形状の上部が台形状であって、上記導体層は、少なくとも上面又は上記台形状の一部が樹脂層からは露出し、少なくとも最大幅の部分から下の部分が上記基材の樹脂層に埋設されてなる導体層パターン付き基材。
【請求項２】
導体層が、断面形状の台形形状部の一部が露出している請求項１に記載の導体層パターン付き基材。
【請求項３】
導体層が、断面形状の台形形状部の側面の全部及び上面の一部までが樹脂層に被覆されている請求項１に記載の導体層パターン付き基材。
【請求項４】
上記導体層の断面形状の台形形状部の側面の角度が３０°以上８０°以下の範囲である請求項１〜３のいずれかに記載の導体層パターン付き基材。
【請求項５】
上記導体層の厚さが０．１〜３０μｍの範囲である請求項１〜４のいずれかに記載の導体層パターン付き基材。
【請求項６】
台形形状の上底の幅が、０．１〜４０μｍの範囲である請求項１〜５のいずれかに記載の導体層パターン付き基材。
【請求項７】
樹脂層を含む基材が、耐熱性透明基材上に樹脂層を積層してなるものである請求項１〜６のいずれかに記載の導体層パターン付き基材。
【請求項８】
耐熱性透明基材がガラス板である請求項７に記載の導体層パターン付き基材。
【請求項９】
樹脂層を含む基材が、透明プラスチックフィルム上に樹脂層を積層してなるものである請求項１〜６のいずれかに記載の導体層パターン付き基材。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の導体層が露出している面に表面保護用の基材又は樹脂を積層してなる表面保護された導体層パターン付き基材。
【請求項１１】
（Ａ）導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広となった、めっきを形成するための凹部のパターンが形成されているめっき用導電性基材に、その凹部内に又は凹部からはみ出るようにめっきして断面形状が台形状の導体層のパターン又は断面形状が台形状の部分とこの部分に連続しており、この部分より広い幅の部分からなる導体層のパターンを形成する導体層作製工程
及び
（Ｂ）上記導電性基材の凹部に析出した導体層のパターンを、表面に樹脂層を有する基材に転写する転写工程
を含み、上記の転写工程において又は転写工程後で、上記導体層の少なくとも上面の一部又は上記断面形状の台形状の一部を樹脂層からは露出させながら、上記導体層の少なくとも最大幅の部分から下の部分を上記基材の樹脂層に埋設させることを特徴とする導体層パターン付き基材の製造法。
【請求項１２】
樹脂層の樹脂が硬化性樹脂であり、導体層パターンを表面に樹脂層を有する基材に転写した後、表面に樹脂層を有する基材の樹脂層に導体層が少なくともその断面形状の台形状の一部が埋設されている状態で樹脂層の少なくとも表面を硬化させる請求項１１に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項１３】
（Ａ）導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広となった、めっきを形成するための凹部のパターンが形成されているめっき用導電性基材に、その凹部内に又は凹部からはみ出るようにめっきして断面形状が台形状の導体層パターン又は断面形状が台形状の部分とこの部分に連続しており、この部分より広い幅の部分からなる導体層パターンを形成する導体層作製工程、
（Ｂ）上記導電性基材の凹部に析出した導体層パターンを表面に粘着樹脂層を有する基材（Ｉ）に転写する工程
及び
（Ｃ）得られた導体層パターン付き基材の導体層が露出している面に基材（ＩＩ）を積層する工程を含み、
上記の転写の工程において又は転写工程後で、上記導体層パターンの少なくとも上面の一部又は上記断面形状の台形状の一部を粘着樹脂層からは露出させながら、上記導体層パターンの少なくとも最大幅の部分から下の部分を上記基材（Ｉ）の粘着樹脂層に埋設させることを特徴とする表面保護された導体層パターン付き基材の製造法。
【請求項１４】
請求項１３記載の表面保護された導体層パターン付き基材の製造法の工程を全て行った後、得られた表面保護された導体層パターン付き基材の基材（Ｉ）を剥離しながら若しくは剥離した後、露出させた粘着樹脂層に基材（ＩＩＩ）を積層する工程を含む表面保護された導体層パターン付き基材の製造法。
【請求項１５】
基材（ＩＩＩ）が耐熱透明性基材である請求項１４記載の導体層パターン付き基材の製造法。
【請求項１６】
耐熱透明性基材が、ガラス板である請求項１５記載の導体層パターン付き基材の製造法。
【請求項１７】
請求項１〜１０のいずれかに記載の導体層パターン付き基材からなる電磁波遮蔽部材。
【請求項１８】
請求項１７記載の電磁波遮蔽部材を透明基板に貼りあわせてなる電磁波遮蔽板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体層パターン付き基材、その製造法及びそれを用いた電磁波遮蔽部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属メッシュ等の導体層パターンを有する基材（導体層パターン付き基材）は、その導体層パターンを変更することにより、また、基材を種々選択することにより種々の用途に利用可能である。
金属メッシュからなる導体層パターンを有する導体層パターンを有する基材は、電磁波遮蔽部材として有用である。
特定のスロットを有する金属メッシュ等の導電性パターンを有する導体層パターン付き基材は、光透過性が高く、アンテナの利得も高いため、自動車のフロントガラスに貼り合せて用いられるフィルムアンテナとして利用することができる。
太陽電池においては、光電変換層において発生した電子を集電するために透明導電膜が光電変換層に積層されているが、この集電をさらに効率よくするために、透明導電膜への導体層パターン（金属配線層又は銀ペーストによる配線）が施されているが、この金属配線層の施設に導体層パターン付き基材が利用可能である。
また、タッチパネルの透明電極として導体層パターン付き基材の利用が可能である。
【０００３】
上記の導体層パターン付き基材は、例えば、次のようにして形成されている。
金属メッシュ等の導体層パターンを有する基材の製造方法として最も一般的なのは、フォトリソ法である。金属箔と基材を粘着剤を介して貼り合せる工程、感光性レジストを金属箔上に形成する工程、マスクを用いてパターン状に露光する工程、現像工程、金属箔を腐食する液を用いたエッチング工程、感光性レジストを剥離する工程からなる（特許文献１参照）。
【０００４】
また、導電性ペーストを、スクリーン印刷、オフセット印刷、グラビア印刷等の印刷法で基材に直接パターンを形成する方法もある。さらに、パラジウム化合物等の無電解めっき用触媒を樹脂に分散させ、それを上記印刷法で基材上にパターンを形成し、その後、無電解めっきを施し、導体層パターンを有する基材を得ることができる。
これらの方法では、必要に応じて、さらに電解めっきを施し、導電性を向上させることができる。
【０００５】
また、特許文献２では、銀塩写真法によって、ハロゲン化銀粒子を化学現像することによって、金属銀のパターンが得られることが記載されている。該現像銀は、化学現像によって得られるものであり、フィラメント状の金属銀の集合体、または、フィラメント状の金属銀が互いに結合・融着した金属銀の集合体である。
現像銀を得る方法は、一般によく知られている銀塩写真の原理・手法を利用でき、上記公報に記載の方法などを利用することができる。
現像銀は、電解メッキのカソードとして用いるのに十分な導電性とすることが可能であるため、現像銀を形成した後に、電解めっきを施して、導電性を向上させることもできる。
【０００６】
さらに、導体層パターン付き基材の製造法として、特許文献３には、メッシュ状に金属電着が可能な電着基板上に金属電解液を使用して金属を電着し、粘着剤を介して電磁波遮蔽基板に接着転写して電磁波遮蔽板を作製する方法（以下、転写法という）が記載されている。上記の電着基板は、金属板等の導電性基板の上に、電着を阻害する絶縁性膜でメッシュパタ−ンと逆パターンを形成し、メッシュ状に金属電着が可能な電着部を露出させるようにして作製される。また、特許文献１には、絶縁層支持体上に凸状の導電性メッシュ層を形成した電着基板を用いる方法が記載されている。
【０００７】
特許文献３には、電子部品の回路パターンやセラミックコンデンサの電極パターンを作製するための金属層転写用ベースシートが開示されている。金属層転写用ベースシートは、ベース金属層および電気絶縁層を備え、ベース金属層の表面には、転写金属層を電解めっきにより形成するための凸状パターンが形成されており、電気絶縁層は、ベース金属層の表面における前記凸状パターンが形成されていない部分に、形成されているものである。金属層転写用ベースシートの製造法として、ベース金属層の表面に、ドライフィルムレジストなどを用いてエッチングレジストを凸状パターンと同一パターンで形成し、エッチングレジストで覆われず露出しているベース金属層の表面をエッチングして凹部を形成し、この後、エッチングレジストを除去し、エッチングされたベース金属層の全表面に電気絶縁層を形成し、次いで、凸状パターンが露出するまで電気絶縁層を研磨する方法が開示されている。このとき、電気絶縁層の表面とベース金属層の凸状パターンの表面は同一平面上に配置され面一となる。また、その作製方法の他の例として、めっきレジストからなる電気絶縁層を、ベース金属層の表面に、ドライフィルムレジストなどを用いて凸状パターンと逆パターン（反転パターン）で形成し、電気絶縁層の間から露出するベース金属層の表面に、電解めっき金属層を凸状パターンで形成するが、このとき、電解めっき金属層の厚みを、電気絶縁層よりも厚くする方法が記載されている。電解めっき金属層の表面を、電気絶縁層の表面よりも高く形成することによって、凸状パターン上に電気めっきにより形成された転写金属層を粘着シートに転写するときに、上記電気絶縁層がこの粘着シートに損傷を与えることを防止することができる旨記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１０−４１６８２号公報
【特許文献２】特開２００４−２２１５６４号公報
【特許文献３】特開平１１−２６９８０号公報
【特許文献４】特開２００４−１８６４１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
導体層パターン付き基材では、多くの場合、接着層等の樹脂を介して特定の基材に導体層が積層されている。
従来の導体層パターン付き基材では、接着層とパターン面の接触面積が小さいために、樹脂とパターンの密着性は低く、パターンが剥離しやすい。また、ラインの断面が粘着剤層から突出しているため、横方向のせん断力に対しては特に密着性が低い。例えば、電磁波シールド用途では、視認される面では、一般的に樹脂層で被覆されるので、特に問題とはならないが、アース接続部では、導体が露出していなければならないので、高い密着性が要求される。アース接続部では、筐体とのアース接続にガスケットを用いるが、筐体を輸送するときにガスケットとアース接続部が振動により、こすれあい、横方向のせん断力が加わるので、それによりパターンが倒れたり、剥離するなど、アースの接続不良が発生することがある。
その他、フィルムアンテナ、太陽電池、タッチパネル等のように、厳しい環境における用途に導体層パターン付き基材を応用する場合に、導体層パターンの高い密着性が要求され、これが、その製品としての信頼性を向上させることになる。
【００１０】
しかし、前記した導体層パターン付き基材又は導体層のいずれの製造法においても、このような要求を十分に満足する導体層パターン付き基材又は導体層を作製できるものではなかったり、いずれも工程数が多いことなどの理由で生産性よくそのようなものを製造できるものではなかった。
【００１１】
本発明は、このような問題点に鑑み、密着性が高く、信頼性に優れる導体層パターン付き基材、その製造法及びそれを用いた電磁波遮蔽部材を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、次のものに関する。
１．  樹脂層を含む基材に導体層のパターンが積層されている導体層パターン付き基材であって、上記導体層の断面形状が、断面形状全体又は断面形状の上部が台形状であって、上記導体層は、少なくとも上面又は上記台形状の一部が樹脂層からは露出し、少なくとも最大幅の部分から下の部分が上記基材の樹脂層に埋設されてなる導体層パターン付き基材。
２．  導体層が、断面形状の台形形状部の一部が露出している項１に記載の導体層パターン付き基材。
３．  導体層が、断面形状の台形形状部の側面の全部及び上面の一部までが樹脂層に被覆されている項１に記載の導体層パターン付き基材。
４．  上記導体層の断面形状の台形形状部の側面の角度が３０°以上８０°以下の範囲である項１〜３のいずれかに記載の導体層パターン付き基材。
５．  上記導体層の厚さが０．１〜３０μｍの範囲である項１〜４のいずれかに記載の導体層パターン付き基材。
６．台形形状の上底の幅が、０．１〜４０μｍの範囲である項１〜５のいずれかに記載の導体層パターン付き基材。
７．  樹脂層を含む基材が、耐熱性透明基材上に樹脂層を積層してなるものである項１〜６のいずれかに記載の導体層パターン付き基材。
８．  耐熱性透明基材がガラス板である項７に記載の導体層パターン付き基材。
９．  樹脂層を含む基材が、透明プラスチックフィルム上に樹脂層を積層してなるものである項１〜６のいずれかに記載の導体層パターン付き基材。
１０．  項１〜９のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の導体層が露出している面に表面保護用の基材又は樹脂を積層してなる表面保護された導体層パターン付き基材。
１１．  （Ａ）導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広となった、めっきを形成するための凹部のパターンが形成されているめっき用導電性基材に、その凹部内に又は凹部からはみ出るようにめっきして断面形状が台形状の導体層のパターン又は断面形状が台形状の部分とこの部分に連続しており、この部分より広い幅の部分からなる導体層のパターンを形成する導体層作製工程
及び
（Ｂ）上記導電性基材の凹部に析出した導体層のパターンを、表面に樹脂層を有する基材に転写する転写工程
を含み、上記の転写工程において又は転写工程後で、上記導体層の少なくとも上面の一部又は上記断面形状の台形状の一部を樹脂層からは露出させながら、上記導体層の少なくとも最大幅の部分から下の部分を上記基材の樹脂層に埋設させることを特徴とする導体層パターン付き基材の製造法。
１２．  樹脂層の樹脂が硬化性樹脂であり、導体層パターンを表面に樹脂層を有する基材に転写した後、表面に樹脂層を有する基材の樹脂層に導体層が少なくともその断面形状の台形状の一部が埋設されている状態で樹脂層の少なくとも表面を硬化させる項１１に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
１３．  （Ａ）導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広となった、めっきを形成するための凹部のパターンが形成されているめっき用導電性基材に、その凹部内に又は凹部からはみ出るようにめっきして断面形状が台形状の導体層パターン又は断面形状が台形状の部分とこの部分に連続しており、この部分より広い幅の部分からなる導体層パターンを形成する導体層作製工程、
（Ｂ）上記導電性基材の凹部に析出した導体層パターンを表面に粘着樹脂層を有する基材（Ｉ）に転写する工程
及び
（Ｃ）得られた導体層パターン付き基材の導体層が露出している面に基材（ＩＩ）を積層する工程を含み、
上記の転写の工程において又は転写工程後で、上記導体層パターンの少なくとも上面の一部又は上記断面形状の台形状の一部を粘着樹脂層からは露出させながら、上記導体層パターンの少なくとも最大幅の部分から下の部分を上記基材（Ｉ）の粘着樹脂層に埋設させることを特徴とする表面保護された導体層パターン付き基材の製造法。
１４．  項１３記載の表面保護された導体層パターン付き基材の製造法の工程を全て行った後、得られた表面保護された導体層パターン付き基材の基材（Ｉ）を剥離しながら若しくは剥離した後、露出させた粘着樹脂層に基材（ＩＩＩ）を積層する工程を含む表面保護された導体層パターン付き基材の製造法。
１５．  基材（ＩＩＩ）が耐熱透明性基材である項１４記載の導体層パターン付き基材の製造法。
１６．  耐熱透明性基材が、ガラス板である項１５記載の導体層パターン付き基材の製造法。
１７．  項１〜１０のいずれかに記載の導体層パターン付き基材からなる電磁波遮蔽部材。
１８．  項１７記載の電磁波遮蔽部材を透明基板に貼りあわせてなる電磁波遮蔽板。
【発明の効果】
【００１３】
本発明における導体層パターン付き基材では、パターンの最大幅となる部分が、基材上に形成した樹脂層に埋没しているため、樹脂とパターンの接触面積が増え、密着性が向上する。さらに、樹脂層にパターンが埋没しているため、パターンの横方向のせん断密着力が向上する。したがって、例えば、導体層パターンと他の電気配線との接続部の振動試験などの振動衝撃の後のパターン異常がなく、導体層パターンを接続した構造体の輸送後の特性の低下がない。また、加熱加湿試験等の信頼性試験や、耐水試験を行った後の密着力の低下がなく、良好である。
【００１４】
特に、本発明における導体層パターン付き基材では、導体層が露出している表面のなめらかが高いため、特には、導体層がその上面のみ又はほぼ上面のみを樹脂層からは露出しているときには）樹脂をコーティングしたり、粘接着フィルムを貼り合せた場合に、気泡の発生が抑制され、特に導電性部材への導体層の密着性を良好に、しかも気泡の巻き込みなくすことができるため、導体層パターン付き基材を適用した用途での信頼性が優れている。
【００１５】
本発明における導体層パターン付き基材では、上部層である台形形状部の側部の一部または全部（上部層の上面が露出している）、あるいは、場合により上面の一部が樹脂層に被覆されることで、上記した効果がさらに向上する。
【００１６】
本発明の導体層パターン付き基材の製造法によれば、めっきにより得られる導体層パターンの剥離が容易であるため、導体層パターン付き基材が容易に製造でき、また、電磁波シールド性又は導電性に優れた導体層パターン付き基材を容易に製造できる。さらに、また、このような導体層パターン付き基材を生産効率よく製造できる。また、透明性に優れた導体層パターン付き基材を容易に作製することができる。
【００１７】
本発明における導体層パターン付き基材の製造法によれば、めっき用導電性基材に析出しためっき上に基材を貼り合わせる工程やめっきを基材に転写後にカバーフィルム、剥離性フィルム等を貼り合わせる工程によって、必要に応じて加熱加圧することで、導体層を樹脂中に調整して埋没させることができ、導体層の密着性に優れ、また、信頼性に優れる導体層パターン付き基材を容易に得ることができる。これとともに、特に、転写後に導体層が存在する面に貼り合わせるカバーフィルムの濁度を２．０以下とすることで、高透明の導体層パターン付き基材を得ることができる。
【００１８】
本発明における電磁波遮蔽部材及び電磁波遮蔽板は、特定の導体層パターンを使用することにより、導電性、導体層の密着性、信頼性に優れ、また、生産効率よく製造できる。優れた光透過性も付与できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係る導体層パターン付き基材の一例を示す部分切り取り斜視図。
【図２】導体層の一部を切り取った斜視図。
【図３】図２（ｂ）に示す導体層の幅方向の断面図。
【図４】図２（ｂ）に示す導体層の幅方向の他の例の断面図
【図５】導体層の横断面図。
【図６】導体層の横断面図。
【図７】導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図。
【図８】導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図。
【図９】本発明のめっき用導電性基材の一例を示す斜視図。
【図１０】図９のＡ−Ａ断面図。
【図１１】めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を断面図。
【図１２】中間層を有するめっき用導電性基材とその前駆体の断面図を示す。
【図１３】導体層パターン付き基材の作製例の前半を示す断面図。
【図１４】導体層パターン付き基材の作製例の後半を示す断面図。
【図１５】めっき用導電性基材の凹部内にめっきにより導体層パターンを形成した状態を示す断面図。
【図１６】図１５に示す凹部内の導体層パターンを転写して得られた導体層パターン付き基材の断面図。
【図１７】導体層が保護されている導体層パターン付き基材の例を示す断面図。
【図１８】導体層パターン付き基材の一例を示す断面図。
【図１９】導体層付き樹脂層の例を示す断面図。
【図２０】透明導電膜を有する導体層パターン付き基材の例を示す断面図。
【図２１】支持基材の交換工程の一例を示す断面図
【図２２】新しい支持基材として、粘着剤層を有するものを使用して得られた導体層パターン付き基材の断面図。
【図２３】本発明における導体層パターン付き基材を利用した積層物の断面図。
【図２４】別の態様を示す積層物の断面図。
【図２５】本発明に係る導体層パターン付き基材を利用した太陽電池の構成を示す断面図。
【図２６】本発明に係る導体層パターン付き基材を利用した太陽電池の別の構成を示す断面図。
【図２７】太陽電池要素の断面図。
【図２８】別の太陽電池要素の断面図。
【図２９】別の太陽電池要素の断面図。
【図３０】別の太陽電池要素の断面図。
【図３１】太陽電池の一例を示す断面図。
【図３２】太陽電池の他の例を示す断面図。
【図３３】太陽電池の他の例を示す断面図。
【図３４】太陽電池の他の例を示す断面図。
【図３５】回転体を用いて導体層パターン付き基材を連続的に作製するための装置の概念断面図。
【図３６】フープ状のめっき用導電性基材を用いて導体層パターン付き基材を連続的に作製するための装置の概念断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明に係る導体層パターン付き基材は、樹脂層を含む基材及び導体層を含み、基材の表面に導体層がパターン状に配置されている。
図１は、本発明に係る導体層パターン付き基材の一例を示す部分切り取り斜視図（模式図）である。導体層パターン付き基材１は、支持基材２上に樹脂層３を有する基材４の表面に導体層５が埋設されている。
【００２１】
基材４は、従って、それを構成する樹脂層及び支持基材は、用途により選択することができる。ディスプレイ用電磁波遮蔽材、フィルムアンテナ、液晶パネル、タッチパネル、無機ＥＬを使った平面光源、太陽電池（表面側への応用）等への導体層パターン付き基材の応用を考慮すると透明のものが好ましい。このとき、本発明に係る導体層パターン付き基材は、特に可視領域で光透過性を有することが好ましく、一般に全光線透過率が９０％以上のものが好ましい。
上記基材は、その表面のうち導体層を埋設する側に導体層を埋設するための樹脂層を有する。
この樹脂層は、熱可塑性樹脂でもよいが、硬化性樹脂であってもよい。硬化性樹脂は硬化させてあってもそうでなくてもよく、樹脂の硬化は、導体層パターン付き基材を使用に供してから行ってもよい。
また、この樹脂層は、支持基材上に積層されていることが好ましいが、樹脂層だけで基材を構成していてもよい。
【００２２】
支持基材としては、ガラス、プラスチック等からなる板、プラスチックフィルム、プラスチックシートなどがある。ガラスとしては、ソーダガラス、無アルカリガラス、強化ガラス等のガラスを使用することができる。
プラスチックとしては、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などの熱可塑性ポリエステル樹脂、酢酸セルロース樹脂、フッ素樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリウレタン樹脂、フタル酸ジアリル樹脂などの熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂が挙げられる。プラスチックの中では、透明性に優れるポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂が好適に用いられる。別の基材の厚みは、０．５ｍｍ〜５ｍｍがディスプレイの保護や強度、取扱い性から好ましい。
【００２３】
このプラスチックフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ＥＶＡなどのポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂などのプラスチックからなるフィルムで全可視光透過率が７０％以上のものが好ましい。これらは単層で使うこともできるが、２層以上を組合せた多層フィルムとして使用してもよい。前記プラスチックフィルムのうち透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、価格の点からポリエチレンテレフタレートフィルムまたはポリカーボネートフィルムが特に好ましい。
上記プラスチックフィルムの厚さは特に制限はないが、１ｍｍ以下のものが好ましく、厚すぎると可視光透過率が低下しやすくなる傾向がある。また、薄く成りすぎると取扱い性が悪くなることを勘案すると、上記プラスチックフィルムの厚さは５〜５００μｍがより好ましく、５０〜２００μｍとすることがさらに好ましい。
これらのプラスチックフィルム等の基材は、ガラス板、プラスチック板に比較して、より柔軟であり、それを利用してディスプレイの前面からの電磁波の漏洩を防ぐための電磁波シールドフィルム、フィルムアンテナなどに好適である。
【００２４】
樹脂層を形成するための樹脂としては、前記の通り、熱可塑性樹脂又は硬化性樹脂が使用される。
上記の熱可塑性樹脂として代表的なものとして以下のものがあげられる。たとえば天然ゴム、ポリイソプレン、ポリ−１，２−ブタジエン、ポリイソブテン、ポリブテン、ポリ−２−ヘプチル−１，３−ブタジエン、ポリ−２−ｔ−ブチル−１，３−ブタジエン、ポリ−１，３−ブタジエン）などの（ジ）エン類、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルヘキシルエーテル、ポリビニルブチルエーテルなどのポリエーテル類、ポリビニルアセテート、ポリビニルプロピオネートなどのポリエステル類、ポリウレタン、エチルセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリスルホン、ポリスルフィド、フェノキシ樹脂、ポリエチルアクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリ−２−エチルヘキシルアクリレート、ポリ−ｔ−ブチルアクリレート、ポリ−３−エトキシプロピルアクリレート）、ポリオキシカルボニルテトラメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリイソプロピルメタクリレート、ポリドデシルメタクリレート、ポリテトラデシルメタクリレート、ポリ−ｎ−プロピルメタクリレート、ポリ−３，３，５−トリメチルシクロヘキシルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリ−２−ニトロ−２−メチルプロピルメタクリレート、ポリ−１，１−ジエチルプロピルメタクリレート、ポリメチルメタクリレートなどのポリ（メタ）アクリル酸エステル、熱可塑性ポリエステル樹脂、熱可塑性ポリアミド樹脂などが使用可能である。これらのポリマを構成するモノマーは、必要に応じて、２種以上共重合させて得られるコポリマとして用いてもよいし、以上のポリマ又はコポリマを２種類以上ブレンドして使用することも可能である。
【００２５】
前記硬化性樹脂のうち、活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等をベースポリマとし、各々にラジカル重合性あるいはカチオン重合性官能基を付与させた材料が例示できる。ラジカル重合性官能基として、アクリル基（アクリロイル基）、メタクリル基（メタクリロイル基）、ビニル基、アリル基などの炭素−炭素二重結合があり、反応性の良好なアクリル基（アクリロイル基）が好適に用いられる。カチオン重合性官能基としては、エポキシ基（グリシジルエーテル基、グリシジルアミン基）が代表的であり、高反応性の脂環エポキシ基が好適に用いられる。具体的な材料としては、アクリルウレタン、エポキシ（メタ）アクリレート、エポキシ変性ポリブタジエン、エポキシ変性ポリエステル、ポリブタジエン（メタ）アクリレート、アクリル変性ポリエステル等が挙げられる。活性エネルギー線としては、紫外線、電子線等が利用される。
活性エネルギー線が紫外線の場合、紫外線硬化時に添加される光増感剤あるいは光開始剤としては、ベンゾフェノン系、アントラキノン系、ベンゾイン系、スルホニウム塩、ジアゾニウム塩、オニウム塩、ハロニウム塩等の公知の材料を使用することができる。また、上記の材料の他に汎用の熱可塑性樹脂をブレンドしても良い。
【００２６】
また、前記硬化性樹脂のうち、熱硬化性樹脂としては、天然ゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、ポリイソブチ
レン、ブチルゴム、ハロゲン化ブチル、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、ポリイソブテン、カルボキシゴム、ネオプレン、ポリブタジエン等の樹脂と架橋剤としての硫黄、アニリンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂、リグリン樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、アニリン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ホルマリン樹脂、金属酸化物、金属塩化物、オキシム、アルキルフェノール樹脂等の組み合わせで用いられるものがある。なおこれらには、架橋反応速度を増加する目的で、汎用の加硫促進剤等の添加剤を使用することもできる。
【００２７】
熱硬化性樹脂として、硬化剤を利用するものとしては、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミノ基、不飽和炭化水素基等の官能基を有する樹脂とエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、チオール基等の官能基を有する硬化剤あるいは金属塩化物、イソシアネート、酸無水物、金属酸化物、過酸化物等の硬化剤との組み合わせで用いられるものがある。なお、硬化反応速度を増加する目的で、汎用の触媒等の添加剤を使用することもできる。具体的には、硬化性アクリル樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂組成物、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂組成物、ポリウレタン樹脂組成物等が例示される。
【００２８】
さらに、熱硬化性樹脂又は活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル酸又はメタクリル酸の付加物が好ましいものとして例示できる。
アクリル酸又はメタクリル酸の付加物としては、エポキシアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．６０）、ウレタンアクリレート（ｎ＝１．５〜１．６）、ポリエーテルアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．４９）、ポリエステルアクリレート（ｎ＝１．４８〜１．５４）なども使うこともできる。特に接着性の点から、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエーテルアクリレートが優れており、エポキシアクリレートとしては、１、６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、アリルアルコールジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジルエステル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、ソルビトールテトラグリシジルエーテル等の（メタ）アクリル酸付加物が挙げられる。エポキシアクリレートなどのように分子内に水酸基を有するポリマは接着性向上に有効である。これらの共重合樹脂は必要に応じて、２種以上併用することができる。
【００２９】
なお、熱硬化性樹脂又は活性エネルギー線で硬化する樹脂には、汎用の熱可塑性樹脂がブレンドされていてもよい。
また、樹脂層には、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤などの添加剤が配合されていてもよい。
前記樹脂層の厚さは、少なくとも、導体層を埋設させる厚さよりも厚いことが必要である。より確実に導体層を樹脂中に埋没させるためには、樹脂層の厚さは、導体層を埋設させる厚さの１．５倍以上であることがさらに好ましい。また、樹脂層の厚さは、１００μｍ以下が好ましい。必要以上に厚くしてもコストが嵩むことになる。
【００３０】
本発明における導体層は、断面形状が台形状のもの又は断面形状が台形状の上部とこれに連続した下部からなる。
図面を用いて説明する。図２は、導体層５のパターンの一部を切り取った斜視図である。図２（ａ）は、断面形状が台形状の導体層パターンであり、図２（ｂ）は、断面形状が台形状の上部とこの上部より幅広の下部からなる導体層５のパターンである。図３は、図２（ｂ）に示す導体層５の幅方向の断面図であり、断面が台形状の上部６とこの上部に連続しており、この上部より幅広な摧円形状の下部７からなり、上部６の台形状の底辺と下部７の摧円形の弦の部分で一体となっている。図２（ｂ）及び図３において、下部は断面形状が摧円形であるが、これにかぎらない。図２（ｂ）及び図３に示されるような場合には、下部７の上部底辺から突出したような肩部８は、一つの特徴となりうる。なお、上記の摧円形とは、必ずしも真円を切り取った形だけでなく、楕円又は楕円や真円を変形させたような形状を切り取ったものを包含する。例えば、図４（図２（ｂ）に示す導体層の幅方向の断面図の他の例）の（ａ）、（ｂ）又は（ｃ）であらわされるような形状であってもよい。
また、図２及び図３において、下部の最大幅（したがって導体層パターンの最大幅）は、平面部にそってあるが、肩部より下部に最大幅が存在する形状であってもよい。
さらに、導体層パターンは、その横断面において、前記したような上部に対し連続している下部が、上部の最大幅よりも狭い最大幅を有するものであってもよい。また、下部の断面形状が矩形状であってもよい。
【００３１】
導体層の寸法として、導体層全体の厚さは０．１〜３０μｍであることが好ましい。１μｍ未満では、十分に低い抵抗を得ることが困難となる傾向があり、３０μｍを越えると、抵抗はほとんど変化しないため、材料費、工程時間が増え、コスト的に不利になる。また、以上を考慮して０．５〜２０μｍであることがより好ましく、３〜１５μｍの範囲であることがさらに好ましい。
また、導体層の最大幅は適宜決定されるが、光透過性を良くするためには、１〜５０μｍであることが好ましい。導体層の幅が狭すぎると電磁波シールド性が低下する傾向があり、広すぎると可視光透過率が低下する。また、以上を考慮して、幅を５〜３０μｍとすることがさらに好ましい。光透過性が問題にならない場合には、幅を大きくしてもよい。
【００３２】
導体層の寸法を図面を用いてさらに説明する。
図５は、導体層の横断面図を示す。図５（ａ）は台形状であり、図５（ｂ）は、台形状の上部とこの上部より幅広な摧円形状の下部が一体となったものである。両者において、上面幅（台形状の上辺の長さ）Ｌ１、導体層の断面形状における最大幅Ｌは、それぞれ次のようにすることが好ましい。
【００３３】
導体層の厚さＴは、前記の通り、０．１〜３０μｍであることが好ましく、０．５〜２０μｍであることがより好ましく、３〜１５μｍの範囲であることがさらに好ましい。
図５（ｂ）における形状である場合、台形形状の上部の厚さＴ１と下部の厚さＴ２の合計厚さＴが０．１〜３０μｍの範囲となっていれば、Ｔ１とＴ２の値に制限はないが、樹脂層と導体層パターンとの密着性をより高めるためには、Ｔ２が０．５μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがさらに好ましい。
【００３４】
また、導体層の最大幅Ｌは、前記したとおり１〜５０μｍであることが好ましく、５〜３０μｍとすることがさらに好ましい。
【００３５】
図５（ｂ）における形状である場合、上部台形形状の上底の幅Ｌ１と下底の幅Ｌ２は、所望の最大幅Ｌが確保され、後述するように、台形形状の側辺の角度が後記する条件を満たせば、その幅に特に制約はない。下部が完全に埋没し、樹脂層が肩部及び上部の一部を被覆するようになると、導体層と樹脂層の密着性が向上することになるが、この観点からは、最大幅Ｌと上部台形形状の下底の幅Ｌ２の差は、１．０μｍ以上であることが好ましい。導体層の最大幅（Ｔ）や上部台形形状の上底の幅Ｌ１に特に制限はなく、その大きさは、例えば、５ｍｍであってもよい。
【００３６】
図５の（ａ）又は（ｂ）における形状である場合、光透過性を重要視する場合、Ｌ１は後記する製法上、１〜４０μｍとすることが好ましい。
【００３７】
図６の（ａ）及び（ｂ）において、台形状であることは、条件としてその側辺が内側に傾きを持つということであるが、台形状の側辺の傾きは、左右のぞれぞれの内角αが３０°以上９０°未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、３０度以上６０度以下がさらに好ましく、４０度以上６０度以下が特に好ましい。台形形状の角度が小さいと、台形形状の高さに対して幅が広くなるため、透明性を阻害しやすくなる。また、角度が大きくなるほど、製法上、透明導電膜によって側面が覆われにくくなり、電解質液におかされて腐食されやすくなる。台形状の側辺の傾きは、左右のぞれぞれの内角は、等しくなくてもよい。
【００３８】
また、導体層の断面形状が台形の部分は、その幅が、上面に向かって全体として狭まっていればよい。上記図面のように勾配αで一定勾配で狭まっている必要は必ずしもなく、上面に向かって広がっておらず全体として狭まっていればよい。特に、側面が上面に対して垂直となっている部分がないようにすることが好ましい。
【００３９】
前記の導体層の断面形状が台形状の部分に相当する側面は、必ずしも平面ではない。この場合には、図６にその導体層の横断面図を示すように、前記の勾配αは、台形の高さｈと台形の側辺の幅ｓ（水平方向で台形の側辺の幅方向）を求め、式（１）
【数１】
2010034538.tif 000003
・・・・・（１）
によってαを決定する。
αは、角度で３０度以上９０度未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、３０度以上６０度以下がさらに好ましく、４０度以上６０度以下が特に好ましい。
【００４０】
前記図５において、Ｌ３とＴ１は、
【数２】
2010034538.tif 000004
の関係にあることが好ましい。また、
【数３】
2010034538.tif 000005
の関係にあることがより好ましい。
これにより、導体層は、幅方向へのめっきの広がりよりも、厚み方向への広がりが大きく、厚み方向に異方的にめっきが生長するので、表面抵抗を上昇させることなく、ライン幅を微細化することができ、このような導体層を有する導体層パターン付き基材は、透明性と低抵抗の両立を高いレベルで実現可能である。特に、ライン幅が３０μｍ以下の微細パターンにおいて、上記効果は顕著である。めっきが厚み方向に異方的に生長すると、等方的に生長した場合に比較して、断面形状が円形状に近づく。したがって、このような導体層を有する導体層付きパターン基材は、ラインを転写する際の応力によるラインの折れが改善され、抵抗の低下や外観の異常をより良く抑制することができる。特に、めっき厚が薄くなるほど、この効果は、顕著となってくる。
【００４１】
導体層のライン間隔は５０μｍ以上の範囲とすることが好ましい。ライン間隔は、大きいほど開口率は向上し、可視光透過率は向上する。本発明における導体層パターンの開口率は５０％以上が好ましく、６０％以上がさらに好ましく、特に好ましくは８０％以上が好ましい。ライン間隔が大きくなり過ぎると、表明抵抗の低下効果が低下するため、ライン間隔は２０００μｍ（１ｍｍ）以下とするのが好ましく、特に１００〜１０００μｍであることが好ましい。なお、ライン間隔は、導体層パターンで囲まれる幾何学図形等の組合せで複雑となる場合、繰り返し単位を基準として、その面積を正方形の面積に換算してその一辺の長さをライン間隔とする。
【００４２】
本発明における、導体層は、少なくとも上面が露出した状態で全体又は一部が樹脂層に埋設されていることが好ましい。これにより、アンカー効果が発現するので導体層パターンの基材への密着性が向上する。導体層は、断面形状において、少なくともその最大幅の部分以下が樹脂層に埋設していることが密着性を向上させる上、重要である。
図７及び図８に、導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図である。
図７（ａ）では、断面形状が台形の導体層５が一部、樹脂層３に埋設されている状態を示し、図７（ｂ）は、上面が樹脂層３からは露出しながら導体層５全体が樹脂層３に埋設されている状態を示す。図８（ａ）は、断面が台形状の上部６とこの上部より幅広な下部７が、上部６の台形状の底辺と下部７の摧円形の弦の部分で一体となっている導体層の下部７全体（深さ方向で）が樹脂層３に埋設されている状態（肩部８が露出している）を示す。図８（ｂ）は、同様の導体層が上部６の上面を含む一部が樹脂層３からは露出した状態で樹脂層３に埋設されている状態を示す。また、図８（ｃ）は、同様の導体層が上部６の上面のみ樹脂層３からは露出した状態で樹脂層３に埋設されている状態を示す。図７及び８に示す何れの場合も導体層の最大幅の部分は、樹脂層１２に埋設されている。
また、図７（ｂ）又は図８（ｃ）の状態において、さらに、樹脂層３が、導体層５又は上部６の上面の一部を被さるようにして被覆していてもよい。
【００４３】
導体層のパターンとしては、種々のものが可能であるが、用途により適宜選択される。
導体層のパターンとして、導体層自体は線状又は平面的に広がりのある形状であって、導体層自体が、平面形状として、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形（ｎは３以上の整数）、円、だ円、星型などの幾何学図形のものであっても、また、導体層により、特に、線状その他の形状の導体層により、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形（ｎは３以上の整数）、円、だ円、星型などの幾何学図形又はこれらを適宜組み合わせた模様を描くようにしてもよい（たとえば、平面上の導体層にこれらの図形の穴を開けたような形状であってもよい）。これらの単位は、単独で又は２種類以上組み合わせて繰り返されることが可能である。
【００４４】
ディスプレイ前面に用いられる光透過性電磁波遮蔽部材、住宅は自動車の窓に用いられるフィルムアンテナ等の用途では、視界を妨げないように十分大きな開口率を有する導体層パターンが好ましい。特に、メッシュ状のパターンは、作製上も性能上も好ましい。
また、太陽電池用電極基材としては、メッシュ状のパターン、ストライプ状のパターン、櫛状のパターンが好ましい。
半導体装置搭載用基板の配線（ヒートシンク等）は、直線状など必要配線に適合した配線パターンが好ましい。これらの用途において、導体層は導通していることが好ましい。
【００４５】
本発明に係る導体層パターン付き基材の製造法について、説明する。
本発明に係る導体層パターン付き基材は、
（Ｉ）まず、めっき用導電性基材上に導体層パターンをめっきにより形成する導体層作製工程を行い、
（ＩＩ）その後、めっき用導電性基材上に形成された導体層を樹脂層を含む適当な基材に転写する転写工程、
及び
（ＩＩＩ）上記の基材が支持基材を含む場合には、場合により、さらに、該支持基材を別の支持基材に交換する工程
を含む方法により作製される。樹脂層に導体層を埋設する工程は、前記の転写工程において行われるか又は転写工程の後に行われる。
【００４６】
本発明によるめっき用導電性基材は、パターン状のめっき形成部を有する導電性基材であって、導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部（めっき形成部）が形成されている。この凹部の底面には導電性材料が露出している。
【００４７】
本発明において、導電性基材に用いられる導電性材料は、その露出表面に電解めっきで金属を析出させるために十分な導電性を有するものであり、金属であることが特に好ましい。また、その基材は表面に電解めっきにより形成された金属層を接着性支持体に転写させることができるように、その上に形成された金属層との密着力が低く、容易に剥離できるものであることが好ましい。このような導電性基材の材料としてはステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料、ニッケルなどが特に好ましい。
【００４８】
前記の導電性基材の形状としては、シート状、プレート状、ロール状、フープ状等がある。ロール状の場合は、シート状、プレート状のものを回転体（ロール）に取り付けたものであってもよい。フープ状の場合は、フープの内側の２箇所から数箇所にロールを設置し、そのロールにフープ状の導電性基材を通すような形態等が考えられる。ロール状、フープ状ともに金属箔を連続的に生産することが可能であるため、シート状、プレート状に比較すると、生産効率が高く、好ましい。導電性基材をロールに巻きつけて使用する場合、ロールとして導電性のものを使用し、ロールと導電性基材が容易に導通するようにしたものが好ましい。
【００４９】
絶縁層の厚さは、凹部の深さに対応する。凹部の深さは、析出するめっきの厚さとも関係するため、目的に応じて適宜決定される。絶縁層の厚さは、０．１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であることが好ましく、０．５μｍ以上１０μｍ以下の範囲であることがより好ましい。絶縁層が薄すぎると絶縁層にピンホールが発生しやすくなるため、めっきした際に、絶縁層を施した部分にも金属が析出しやすくなる。絶縁層の厚さは、１〜５μｍであることが特に好ましい。
【００５０】
上記の絶縁層は、ダイヤモンドに類似したカーボン薄膜、いわゆるダイヤモンドライクカーボン（以下、ＤＬＣとする）薄膜のうち、絶縁性を有するものにて形成することができる。ＤＬＣ薄膜は、特に、耐久性、耐薬品性に優れているため、特に好ましい。
さらに、絶縁層をＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２のような無機材料で形成することもできる。
【００５１】
凹部又は絶縁層の形状は、前記した導体層のパターンに応じて適宜決定される。凹部には導体層が形成されるので、この形状により、導体層のパターン形状はほぼ決定される。一つのめっき用導電性基材において、凹部の形状と絶縁層の形状は、互いに対応した形状となる。凹部又は絶縁層の形状は、平面形状が、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形（ｎは３以上の整数）、円、だ円、星型、直線などの幾何学図形があり、これらを適宜組み合わせた模様としてもよい、これらの単位は、単独で又は２種類以上組み合わせて繰り返されることが可能である。
【００５２】
本発明の一例を図面を用いて説明する。
図９は、本発明のめっき用導電性基材の一例を示す一部斜視図である。図１０は、図９のＡ−Ａ断面図を示す。図１０の（ａ）は凹部の側面が平面的であるが、（ｂ）は凹部の側面になだらかな凹凸がある場合を示す。めっき用導電性基材１１は、導電性基材１２の上に絶縁層１３が積層されており、絶縁層１３に凹部１４が形成されており、凹部１４の底部は、導電性基材１２が露出している。凹部１４の底部は、導電性基材に導通している導体層であってもよい。
この例においては、絶縁層１３は、幾何学図形としては正方形であり、この正方形の周りに凹部１４が溝状に形成されている。
導電性基材１２と絶縁層１３の間には、絶縁層１３の接着性の改善等を目的として、導電性又は絶縁性の中間層（図示せず）が積層されていてもよい。または、凹部１４は、その幅が、開口方向に向かって全体として幅広になっている。図面のよう勾配αで一定に幅広になっている必要は必ずしもない。めっきにより形成される導体層パターンの剥離に問題がなければ、凹部は、開口方向に向かって幅が狭くなっている部分があってもよいが、このような部分がない方が良く、凹部は開口方向に向かって狭まっておらず全体として広がっていることが好ましい。特に、凹部の一側面がその対面と共に、底面に対して垂直となっている部分が高さ方向で１μｍ以上続く部分がないようにすることが好ましい。このようなめっき用導電性基材であれば、それを用いてめっきを行った後、析出した金属層をめっき用導電性基材から剥離するに際し、金属層と絶縁層との間の摩擦又は抵抗を小さくすることができ、その剥離がより容易になる。
【００５３】
凹部の側面は、必ずしも平面ではない。この場合には、図１０（ｂ）に示すように、前記の勾配αは、凹部の高さｈ（これは、すなわち、絶縁層の厚さとなる）と凹部の側面の幅ｓ（水平方向で凹部の側面の幅方向）を求め、
【数４】
2010034538.tif 000006
によってαを決定する。
αは、角度で３０度以上９０度未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、４０度以上６０度以下が特に好ましい。この角度が小さいと作製が困難となる傾向があり、大きいと凹部にめっきにより形成し得た金属層（導体層パターン）を剥離する際、又は、別の基材に転写する際の抵抗が大きくなる傾向がある。
【００５４】
本発明のめっき用導電性基材における絶縁層の平面形状及びその厚さ若しくは凹部の深さは、本発明のめっき用導電性基材を用いて得られるパターン化金属の用途に応じて適宜決定される。
上記めっき用導電性基材の凹部は、めっきにより生成するパターン化金属の形状に対応するが、同様に導体層パターン付き基材における導体層パターンに対応するものであり、その導体層パターンは、最終的に電磁波遮蔽部材を作製したときの電磁波シールド層に対応するものである。
【００５５】
また、絶縁層の厚さは、前記と同様であるが、これに対応するように、本発明のめっき用導電性基材における凹部４の深さは、０．１〜１００μｍであることが好ましく、０．１〜２０μｍであることがより好ましく、０．５〜１０μｍであることがさらに好ましく、１〜５μｍであることが特に好ましい。
【００５６】
本発明のめっき用導電性基材を用いて転写法により光透過性電磁波遮蔽部材等光透過性が要求される部材又は製品を作製するために使用するときは、図１０に示すような凹部１４の幅は、開口部の幅ｄが２〜６０μｍ、底部の幅ｄ′が１〜４０μｍで有ることが好ましい。また、凹部５４の開口部の幅ｄは４〜１５μｍ、底部の幅ｄ′は３〜１０μｍであることが特に好ましい。凹部５４の中心間隔（ラインピッチ）は５０〜２０００μｍであることが好ましく、特に１００〜１０００μｍであることが好ましい。溝の幅及びその間隔は、導体層パターンの開口率を好ましくは５０％以上、より好ましくは６０％以上、特に好ましくは８０％以上とすることを考慮して決定する。
凹部の幅その他の寸法は、前記した導体層の形状に対応して決定される。
なお、本発明において、凹部の中心間隔（ラインピッチ）は、凹部によって形成されている絶縁層の図形パターンが複雑な図形であったり、複数の図形の組み合わせであったりして簡単に決定できない場合は、パターンの繰り返し単位を基準としてその面積を正方形の面積に換算し、その一辺の長さであると定義する。
【００５７】
ディスプレイ用の電磁波遮蔽材における可視光透過性の点からは、電磁波遮蔽材における上記のような幾何学図形を描く導体層パターン開口率は５０％以上であることが必要とされ、導体層パターンの開口率は８０％以上であることがさらに好ましい。導体層パターンの開口率は、電磁波遮蔽材の有効面積（例えば、上記の幾何学図形が描かれている範囲
の面積等電磁波遮蔽に有効に機能する範囲の面積）に対するその有効面積から導電層で覆われている面積を引いた面積の比の百分率である。
【００５８】
上記のめっき用導電性基材によれば、めっきにより金属層が形成される凹部が開口方向に向かった幅広となっているため、めっきにより得られる導体層パターンの剥離が容易である。また、絶縁層をＤＬＣ又は無機材料からなるため導電性基材への密着性が優れ、その耐剥離性が優れる。その絶縁層は、中間層により導電性基材と絶縁層の間の密着性を向上させることができ、これにより、めっき用導電性基材の寿命を、さらに長くすることができる。本発明の開口方向に向かって幅広の凹部を持つめっき用導電性基材は、導電性基材上に凸状のパターンを形成し、絶縁層を形成後に、絶縁層が付着している凸状のパターンを除去することにより凹部を作製することができるため、その製造が容易で、生産性に富む。
【００５９】
本発明におけるめっき用導電性基材の製造方法としては、導電性基材の表面に、導電性基材を露出させている凹部によって幾何学図形が描かれるように絶縁層を形成する工程を含む。
この工程は、（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程、（Ｂ）除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成す
る工程及び
（Ｃ）絶縁層が付着している凸状のパターンを除去する工程を含む。
【００６０】
上記（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程は、フォトリソグラフ法を利用して、レジストパターンを形成する方法を利用することができる。
この方法（ａ法）は、
（ａ−１）導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
（ａ−２）感光性レジスト層を導体層パターンに対応したマスクを通して露光する工程及び
（ａ−３）露光後の感光性レジスト層を現像する工程
を含む。
【００６１】
また、上記（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程は、レーザ光を利用する方法を適用することができる。この方法（ｂ法）は、
（ｂ−１）導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、
（ｂ−２）感光性レジスト層に導体層パターンに対応した部分にマスクをせずレーザー光を照射する工程及び（ｂ−３）レーザー光を照射後の感光性レジスト層を現像する工程を含む。
【００６２】
感光性レジストとしては、よく知られたネガ型レジスト（光が照射された部分が硬化する）を使用することができる。また、このとき、マスクもネガ型マスク（凹部に対応する部分は光が通過する）が使用される。また、感光性レジストとしてはポジ型レジストを用いることができる。これらの方式に対応して上記ａ法及びｂ法における光照射部分が適宜決定される。
【００６３】
具体的方法として、導電性基材上にドライフィルムレジスト（感光性樹脂層）をラミネートし、マスクを装着して露光することにより、凸状パターンとして残存させる部分を硬化状態に不要部を現像可能状態とし、不要部を現像して除去することにより形成することができる。また、凸状パターンは、導電性基材に液状レジストを塗布した後に溶剤を乾燥するかあるいは仮硬化させた後、マスクを装着して露光することにより、凸状パターンとして残存させる部分を硬化状態に不要部を現像可能状態とし、不要部を現像して除去することにより形成することもできる。液状レジストは、スプレー、ディスペンサー、ディッピング、ロール、スピンコート等により塗布できる。
【００６４】
上記において、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後に、マスクを介して露光する代わりにレーザー光などでマスクを使用せず直接に露光する方法を採用することもできる。光硬化性樹脂にマスクを介して又は介さずして活性エネルギー線を照射することでパターニングできればその態様は問わない。
導電性基材のサイズが大きい場合などはドライフィルムレジストを用いる方法が生産性の観点からは好ましく、導電性基材がめっきドラムなどの場合は、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後にマスクを介さずにレーザー光などで直接に露光する方法が好ましい。
【００６５】
前記において、感光性レジストの代わりに熱硬化性樹脂を用い、レーザー光の照射により熱硬化性樹脂の不要部を除去する方法によっても行うことができる。
【００６６】
印刷法を用いてレジストパターン（凸状パターン）を形成することができるが、この場合には、レジストパターンの印刷方法としては様々な方法を用いることができる。例えば、スクリーン印刷、凸版印刷、凸版オフセット印刷、凸版反転オフセット印刷、凹版印刷、凹版オフセット印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷などを用いることができる。レジストとしては光硬化性又は熱硬化性の樹脂が使用できる。印刷後、光照射又は熱によりレジストを硬化させる。
【００６７】
本発明におけるめっき用導電性基材の製造方法の一例を図面を用いて説明する。
図１１は、めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を断面図で示したものである。
【００６８】
導電性基材１２の上に感光性レジスト層（感光性樹脂層）１５形成されている（図１１（ａ））。この積層物の感光性レジスト層（感光性樹脂層）１５に対し、フォトリソグラフ法を適用して感光性レジスト層１５をパターン化する（図１１（ｂ））。パターン化は、パターンが形成されたフォトマスクを感光性レジスト層１５の上に載置し、露光した後、現像して感光性レジスト層１５の不要部を除去して突起部１６を残すことにより行われる。突起部１６の形状とそれからなる凸状パターンは、導電性基材１２上の凹部１４とそのパターンに対応するよう考慮される。
【００６９】
この時、突起部１６の断面形状において、その側面は、導電性基材に対して垂直であること、又は、突起部１６が導電性基材１２に接する端部に対して、突起部１６の側面上方の少なくとも一部がその端部に覆い被さるような位置にあることが好ましい。突起部１６の幅で言う場合は、凸状パターン幅の最大値ｄ１は、凸状パターンと導電性基材１２に接する幅ｄ０と等しいか大きくすることが好ましい。これは、形成される密着性のよい絶縁層の凹部幅はｄ１によって決定されるからである。ここで、突起部１６の断面形状で、突起部１６の幅の最大値ｄ１が突起部１６と導電性基１２に接する幅ｄ０と等しいか大きくする方法としては、突起部１６の現像時にオーバ現像するか、形状がアンダーカットとなる特性を有するレジストを使用すれば良い。ｄ１は凸部の上部で実現されていることが好ましい。
除去可能な凸部のパターンを形成する突起部１６の形状は、凹部の形状に対応づけられるが、その作製の容易性から、最大幅１μｍ以上、間隔が１μｍ以上、高さが１〜５０μｍであることが好ましい。めっき用導電性基材を、光透過性電磁波遮蔽部材用の導体層パターンを作製するために使用するときは、突起部６は、最大幅１〜４０μｍ、間隔が５０〜１０００μｍ及び高さ１〜３０μｍであることがそれぞれ好ましい。特に最大幅３〜１０μｍ、間隔が１００〜４００μｍであることが好ましい。また、めっき用導電性基材を、穴明き金属箔を作製するために使用するときは、前記したような絶縁層１３が形成されるように、平面形状が適宜の大きさの円形又は矩形である突起部を適当な間隔に配置する。
【００７０】
前記した（Ｂ）除去可能な凸状パターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程について、説明する。
突起部１６からなる凸状パターンを有する導電性基材１２の表面に絶縁層１７を形成する（図１１（ｃ））。
【００７１】
絶縁層としてＤＬＣ薄膜を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、アーク放電法、イオン化蒸着法等の物理気相成長法、プラズマＣＶＤ法等の化学気相成長法等のドライコーティング法を採用し得るが、成膜温度が室温から制御できる高周波やパルス放電を利用するプラズマＣＶＤ法が特に好ましい。
【００７２】
上記ＤＬＣ薄膜をプラズマＣＶＤ法で形成するために、原料となる炭素源として炭化水素系のガスが好んで用いられる。例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン系ガス類、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン系ガス類、ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス類、アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス類、ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香族炭化水素系ガス類、シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン系ガス類、シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン系ガス類、メタノール、エタノール等のアルコール系ガス類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系ガス類、メタナール、エタナール等のアルデヒド系ガス類等が挙げられる。上記
ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。また、元素として炭素と水素を含有する原料ガスとして上記した炭素源と水素ガスとの混合物、上記した炭素源と一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみから構成される化合物のガスと水素ガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスと酸素ガスまたは水蒸気との混合物等が挙げられる。更に、これらの原料ガスには希ガスが含まれていてもよい。希ガスは、周期律表第０属の元素からなるガスであり、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等が挙げられる。これらの希ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。
【００７３】
絶縁層は、その全体を、上述した絶縁性のＤＬＣ薄膜によって形成してもよいが、当該ＤＬＣ薄膜の、金属板等の導電性基材に対する密着性を向上させて、絶縁層の耐久性をさらに向上させるためには、この両者の間に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉもしくはそれらの窒化物又は炭化物から選ばれる一種以上の成分又はその他よりなる中間層を介挿することが好ましい。
上記ＳｉまたはＳｉＣの薄膜は、例えば、ステンレス鋼などの金属との密着性に優れる上、その上に積層する絶縁性のＤＬＣ薄膜との界面においてＳｉＣを形成して、当該ＤＬＣ薄膜の密着性を向上させる効果を有している。
中間層は、前記したようなドライコーティング法により形成させることができる。
中間層の厚みは、１μｍ以下であることが好ましく、生産性を考慮すると０．５μｍ以下であることが更に好ましい。１μｍ以上コーティングするには、コーティング時間が長くなると共に、コーティング膜の内部応力が大きくなるため適さない。
【００７４】
絶縁層をＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２のような無機材料で形成する場合にも、スパッタリング法、イオンプレーティング法といった物理的気相成長法やプラズマＣＶＤといった化学気相成長法を用いることができる。例えばスパッタリング法で形成する場合には、ターゲットをＳｉまたはＡｌにして反応性ガスとして酸素、窒素などの導入することでＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４などの酸化物、窒化物を成膜することができる。また、イオンプレーティング
法を用いる場合にはＳｉやＡｌを原料とし、電子ビームをこれらに照射することで蒸発させ、基板に成膜することができる。その際に、酸素、窒素、アセチレンといった反応性ガスを導入することで酸化物、窒化物、炭化物を成膜することができる。
また、ＣＶＤ法で成膜する場合には金属塩化物、金属水素化物、有機金属化合物などのような化合物ガスを原料とし、それらの化学反応を利用して成膜することでできる。酸化シリコンのＣＶＤは、例えばＴＥＯＳ、オゾンを用いたプラズマＣＶＤで行える。窒化シリコンのＣＶＤは、例えばアンモニアとシランを用いたプラズマＣＶＤで行える。
【００７５】
次に、前記した（Ｃ）絶縁層が付着している凸状パターンを除去する工程について説明する。絶縁層１７が付いている状態（図１１（ｃ）参照）で、突起部１６からなる凸状パターンを除去する（図１１（ｄ）参照）。
絶縁層の付着しているレジストの除去には、市販のレジスト剥離液や無機、有機アルカリ、有機溶剤などを用いることができる。また、パターンを形成するのに使用したレジストに対応する専用の剥離液があれば、それを用いることもできる。
剥離の方法としては、例えば薬液に浸漬することでレジストを膨潤、破壊あるいは溶解させた後これを除去することが可能である。液をレジストに十分含浸させるために超音波、加熱、撹拌等の手法を併用しても良い。また、剥離を促進するためにシャワー、噴流等で液をあてることもできるし、柔らかい布や綿棒などでこすることもできる。
また、絶縁層の耐熱が十分高い場合には高温で焼成してレジストを炭化させて除去することもできるし、レーザーを照射して焼き飛ばす、といった方法も利用できる。
剥離液としては、例えば、３％ＮａＯＨ溶液を用い、剥離法としてシャワーや浸漬が適用できる。
【００７６】
導電性基材１２上に形成される絶縁層と、突起部１６の側面に形成される絶縁層とでは、性質又は特性が異なるようにする。すなわち、硬度が、前者の方が後者より大きい。ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法で形成するときは、このようになる。一般に絶縁膜を形成するときに、絶縁材料の移動速度が例えば９０度の角度で異なるような場合に、上記のように形成される膜の性質又は特性が異なるようになる。
突起部１６を除去するとき、絶縁層は、この境界で分離され、その結果、凹部の側面が、傾斜角αを有するようになる。傾斜角αは、角度で３０度以上９０度未満が好ましく、３０度以上８０度以下がより好ましく、３０度以上６０度以下がさらに好ましく４０度以上６０度以下が特に好ましく、ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤで作製する場合、ほぼ４０〜６０度に制御することが容易になる。すなわち、凹部１４は、開口方向に向かって幅広になるように形成される。傾斜角αの制御方法としては、突起部１６の高さを調整する方法が好ましい。突起部１６の高さが大きくなるほど、傾斜角αを大きく制御しやすくなる。
【００７７】
上記の絶縁層の形成において、導電性基材はレジストの影にならないので、導電性基材上の絶縁層は性質が均一である。これに対し、凸状パターンの側面への絶縁層の形成は、凸状パターンの側面が導電性基材上の膜厚方向に対し角度を有しているため、形成される絶縁層（特にＤＬＣ膜）は、導電性基材上の絶縁層と同じ特性（例えば、同じ硬度）の絶縁層が得られない。このような異質な絶縁層の接触面においては、絶縁層の成長に伴い絶縁層の境界面が形成され、しかも、その境界面は絶縁層の成長面であることから、滑らかである。このため、突起部からなる凸状パターンを除去するとき、絶縁層（特にＤＬＣ膜）は、この境界で容易に分離される。さらに、この境界面、即ち、凹部側面となる傾斜角αは、導電性基材上の膜厚方向に対し突起部の側面で絶縁層の成長が遅れるため、結果として、境界面の傾斜角は、上記のように制御される。
【００７８】
本発明において導電性基材上に形成された絶縁層の硬度は、１０〜４０ＧＰａであることが好ましい。硬度が１０ＧＰａ未満の絶縁層は軟質であり、本導電性基材をめっき用版として用いる際に、繰り返し使用における耐久性が低くなる。硬度が４０ＧＰａ以上では、導電性基材を折り曲げ等の加工をした際に基材の変形に追随できなくなり、絶縁層にひびや割れが発生しやすくなる。導電性基材上に形成される絶縁層の硬度は、より好ましくは１２〜３０ＧＰａである。
これに対して、凸部側面に形成される絶縁層の硬度は１〜１５ＧＰａであることが好ましい。凸部側面に形成される絶縁層は、少なくとも導電性基材上に形成される絶縁層の硬度よりも低くなるように形成しなければならない。そうすることにより両者間に境界面が形成され、後の絶縁層の付着した突起部からなる凸状パターンを剥離する工程を経た後に、幅広な凹部が形成されることになる。突起部側面に形成される絶縁層の硬度は１〜１０ＧＰａであることがより好ましい。
【００７９】
絶縁層の硬度は、ナノインデンテーション法を用いて測定することができる。ナノインデンテーション法とは、先端形状がダイヤモンドチップから成る正三角錐（バーコビッチ型）の圧子を薄膜や材料の表面に押込み、そのときの圧子にかかる荷重と圧子の下の射影面積から硬度を求める。ナノインデンテーション法による測定として、ナノインデンターという装置が市販されている。導電性基材上に形成された膜の硬度はそのまま導電性基材上から圧子を押し込んで測定することができる。また、凸部側面に形成される膜の硬度を測定するためには、導電性基材の一部を切り取って樹脂で注型し、断面から凸部側面に形成された絶縁層に圧子を押し込んで測定することができる。通常ナノインデンテーション法では圧子に１〜１００ｍＮの微少荷重をかけて硬度測定を行うが、本発明では３ｍＮの荷重で１０秒間負荷をかけて測定した値を硬度の値として記載している。
このようにして、めっき用導電性基材１１を作製することができる。
【００８０】
図１２は、中間層を有するめっき用導電性基材とその前駆体の断面図を示す。
突起部１６からなる凸状パターンが形成された導電性基材１２の表面に、絶縁層１７を形成する前に、中間層１８を形成することが好ましい（図１２（ｃ′））。中間層としては、前記したものが使用でき、その形成方法も前記したとおりである。中間層１８を形成した場合、得られるめっき用導電性基材は、凹部１４の底部は、導電性基材１２が露出しており、それ以外では、中間層１８の上に絶縁層１７が形成されている（図１２（ｄ′））。また、中間層は、凸状パターン１６の形成前に、導電性基材１２の表面に形成しても良い。この後、その表面に、前記したように導電性基材を露出させている凹部によって幾何学図形が描かれるように絶縁層を形成する工程を行っても良い。この場合、中間層として、電界めっきが十分可能な程度に導電性のものを使用した場合、凹部の底部はその中間層のままでよいが、十分な導電性を有していない場合は、ドライエッチング等の方法により、凹部の底部の中間層を除去し、導電性基材１２を露出させる。
【００８１】
本発明におけるめっき法は公知の方法を採用することができる。めっき法としては、電解めっき法、無電解めっき法その他のめっき法を適用することができる。
電解めっきについてさらに説明する。例えば、電解銅めっきであれば、めっき用の電解浴には硫酸銅浴、ほうふっ化銅浴、ピロリン酸銅浴、または、シアン化銅浴などを用いることができる。このときに、めっき浴中に有機物等による応力緩和剤（光沢剤としての効果も有する）を添加すれば、より電着応力のばらつきを低下させることができることが知られている。また、電解ニッケルめっきであれば、ワット浴、スルファミン酸浴などを使用することができる。これらの浴にニッケル箔の柔軟性を調整するため、必要に応じてサッカリン、パラトルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、ナフタリントリスルホン酸ナトリウムのような添加剤、及びその調合剤である市販の添加剤を添加して
もよい。さらに、電解金めっきの場合は、シアン化金カリウムを用いた合金めっきや、クエン酸アンモニウム浴やクエン酸カリウム浴を用いた純金めっきなどが用いられる。合金めっきの場合は、金−銅、金−銀、金−コバルトの２元合金や、金−銅−銀の３元合金が用いられる。他の金属に関しても同様に公知の方法を用いることができる。電界めっき法としては、例えば、「現場技術者のための実用めっき」（日本プレーティング協会編、１９８６年槇書店発行）第８７〜５０４頁を参照することができる。
【００８２】
次に、無電解めっきについてさらに説明する。無電解めっき法としては、銅めっき、ニッケルめっき、代表的であるが、その他、すずめっき、金めっき、銀めっき、コバルトめっき、鉄めっき等が挙げられる。工業的に利用されている無電解めっきのプロセスでは、還元剤をめっき液に添加し、その酸化反応によって生ずる電子を金属の析出反応に利用するのであり、めっき液は、金属塩、錯化剤、還元剤、ｐＨ調整剤、ｐＨ緩衝材、安定剤等から成り立っている。無電解銅めっきの場合は、金属塩として硫酸銅、還元剤としてホルマリン、錯化剤としてロッセル塩やエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）が好んで用いられる。また、ｐＨは主として水酸化ナトリウムによって調整されるが、水酸化カリウムや水酸化リチウムなども使用でき、緩衝剤としては、炭酸塩やリン酸塩が用いられ、安定化剤としては、１価の銅と優先的に錯形成するシアン化物、チオ尿素、ビピリジル、Ｏ−フェナントロリン、ネオクプロイン等が用いられる。また、無電解ニッケルめっきの場合は、金属塩として硫酸ニッケル、還元剤には、次亜りん酸ナトリウムやヒドラジン、水素化ホウ素化合物等が好んで用いられる。次亜りん酸ナトリウムを用いた場合には、めっき皮膜中にりんが含有され、耐食性や耐摩耗性が優れている。また、緩衝剤としては、モノカルボン酸またはそのアルカリ金属塩を使用する場合が多い。錯化剤は、めっき液中でニッケルイオンと安定な可溶性錯体を形成するものが使用され、酢酸、乳酸、酒石酸、りんご酸、クエン酸、グリシン、アラニン、ＥＤＴＡ等が用いられ、安定化剤としては、硫黄化合物や鉛イオンが添加される。無電解めっき法については上記非特許文献１の第５０５〜
５４５頁を参照することができる。
さらに、還元剤の還元作用を得るためには、金属表面の触媒活性化が必要になることがある。素地が鉄、鋼、ニッケルなどの金属の場合には、それらの金属が触媒活性を持つため、無電解めっき液に浸漬するだけで析出するが、銅、銀あるいはそれらの合金、ステンレスが素地となる場合には、触媒活性化を付与するために、塩化パラジウムの塩酸酸性溶液中に被めっき物を浸漬し、イオン置換によって、表面にパラジウムを析出させる方法が用いられる。
【００８３】
本発明で利用できる無電解めっきは、例えば、めっき用導電性基材の凹部に、必要に応じてパラジウム触媒を付着させたあと、温度６０〜９０℃程度とした無電解銅めっき液に浸漬して、銅めっきを施す方法である。
無電解めっきでは、基材は必ずしも導電性である必要はない。しかし、基材を陽極酸化処理するような場合は、基材は導電性である必要がある。
特に、導電性基材の材質がＮｉである場合、無電解めっきするには、凹部を陽極酸化した後、無電解銅めっき液に浸漬して、銅を析出させる方法がある。
【００８４】
めっきによって出現又は析出する金属としては、銀、銅、金、アルミニウム、タングステン、ニッケル、鉄、クロム等の導電性を有するものが使用されるが、２０℃での体積抵抗率（比抵抗）が２０μΩ／ｃｍ以下の金属を少なくとも１種類以上含むことが望ましい。本発明により得られる構造体を電磁波遮蔽シートとして用いる場合には電磁波を電流としてアースするためにこれを構成する金属は導電性が高い方が電磁波遮蔽性に優れるためである。このような金属としては、銀（１．６２μΩ／ｃｍ）、銅（１．７２μΩ／ｃｍ）、金（２．４μΩ／ｃｍ）、アルミニウム（２．７５μΩ／ｃｍ）、タングステン（５．５μΩ／ｃｍ）、ニッケル（７．２４μΩ／ｃｍ）、鉄（９．０μΩ／ｃｍ）、クロム（１７μΩ／ｃｍ、全て２０℃での値）などがあるが特にこれらに限定するものではない。できれば体積抵抗率が１０μΩ／ｃｍであることがより好ましく、５μΩ／ｃｍであることがさらに好ましい。金属の価格や入手の容易さを考慮すると銅を用いることが最も好ましい。これらの金属は単体で用いてもよく、さらに機能性を付与するために他の金属との合金でも構わないし、金属の酸化物であってもよい。ただし、体積抵抗率が２０μΩ／ｃｍである金属が成分として最も多く含まれていることが導電性の観点から好ましい。
【００８５】
前記した導電性基材の凹部にめっきにより形成される金属層の厚さ（めっき厚さ）は、目的に応じて適宜決定される。めっき厚さは、十分な導電性を示す（このとき電磁波シールド性が十分に発現する）ためには、０．５μｍ以上であることが好ましく、導体層にピンホールが形成される（このとき、例えば、電磁波シールド性が低下する）可能性を小さくするためには、３μｍ以上の厚さであることがさらに好ましい。また、めっき厚さが大きすぎると、形成された金属層は幅方向にも広がる。これも目的に応じて、適宜調整される。このように、めっき厚さが大きすぎるとラインの幅が広くなり、得られる金属層を電磁波シールド層に利用するとき、その開口率が低下し、電磁波遮蔽部材の透明性、非視認性を低下させる傾向がある。したがって、電磁波遮蔽部材として、十分な透明性、非視認性を確保するためには、形成された金属層の厚みを２０μｍ以下とすることが好ましく、さらに、めっきの時間を短縮し、生産効率をあげるためには、めっきの厚みは１０μｍ以下であることがさらに好ましい。
【００８６】
最終的に得られる導体層パターン付き基材の導体層パターン（金属パターンを黒化処理したときは黒化処理された導体層パターンを意味する）のライン幅は、４０μｍ以下、ライン間隔は５０μｍ以上の範囲とすることが好ましい。また、導体層パターン（幾何学図形）の非視認性の観点からライン幅は２５μｍ以下、可視光透過率の点からライン間隔は１２０μｍ以上がさらに好ましい。ライン幅は、あまりに小さく細くなると表面抵抗が大きくなりすぎて遮蔽効果に劣るので１μｍ以上が好ましい。ライン間隔は、大きいほど開口率は向上し、可視光透過率は向上する。本発明によって得られる導体層パターンをディスプレイ前面に使用する場合、開口率は５０％以上が必要であるが、６０％以上がさらに好ましい。ライン間隔が大きくなり過ぎると、電磁波遮蔽性が低下するため、ライン間隔は１０００μｍ（１ｍｍ）以下とするのが好ましい。なお、ライン間隔は、幾何学図形等の組合せで複雑となる場合、繰り返し単位を基準として、その面積を正方形の面積に換算してその一辺の長さをライン間隔とする。
【００８７】
また、本発明によって得られる導体層パターン付き基材をディスプレイ前面用途に使用する場合、可視光透過率の点から、電磁波シールド機能を担わせる部分の開口率は５０％以上が必要であるが、６０％以上が好ましく、特に８０％以上が好ましい。開口率が大きすぎるとライン幅が小さくなりすぎるため、開口率は９７％以下であることが好ましい。ライン間隔という観点からは、ライン間隔は１０００μｍ（１ｍｍ）以下とするのが好ましい。ライン間隔が大きくなり過ぎると、電磁波遮蔽性が低下する傾向がある。なお、ライン間隔は、幾何学図形等の組合せで複雑となる場合、繰り返し単位を基準として、その面積を正方形の面積に換算してその一辺の長さをライン間隔とする。可視光透過率の点からライン間隔は、５０μｍ以上が好ましく、１００μｍ以上がより好ましく、１２０μｍ以上が特に好ましい。ライン間隔は、大きいほど開口率は向上し、可視光透過率は向上する。
【００８８】
また、導体層パターンの厚みは１００μｍ以下が好ましく、ディスプレイ前面の電磁波遮蔽シートとして適用した場合、厚みが薄いほどディスプレイの視野角が広がり電磁波遮蔽材料として好ましく、また、金属層をめっきにより形成させるのにかかる時間を短縮することにもなるので４０μｍ以下とすることがより好ましく、１８μｍ以下であることがさらに好ましい。あまりに厚みが薄いと表面抵抗が大きくなりすぎて電磁波遮蔽効果に劣るようになり、また、導体層パターンの強度が劣り、転写時の導電性基材からの剥離が困難になるため０．５μｍ以上が好ましく、さらに１μｍ以上がさらに好ましい。
【００８９】
析出する金属層の厚さに対して相対的に凹部がより深くなることにより、析出する金属層をより形状的に規正することができるという観点から、めっきにより形成される金属箔の厚さを絶縁層の高さの２倍以下とすることが好ましく、特に１．５倍以下、さらに１．２倍以下とすることが好ましいが、これに制限されるものではない。
めっきの程度を、析出する金属層が凹部内に存在する程度とすることができる。このような場合であっても、凹部形状が開口方向に幅広であるため、さらには、絶縁層により形成される凹部側面の表面を平滑にできるため、金属箔パターンの剥離時のアンカー効果を小さくできる。また、析出する金属層の幅に対する高さの割合を高くすることが可能となり、透過率をより向上させることができる。
【００９０】
本発明における導体層は、前記しためっき用導電性基材の表面形状に対応した形状となる。その形状及び寸法については前記したとおりである。
【００９１】
前記した導体層のＬ３とＴ１の関係が式（２）〔より好ましくは式（３）〕の関係になるようにするためには、例えば、めっき液として、硫酸銅浴を使用する場合、次の配合からなるものが好ましい。
【００９２】
硫酸銅（五水和物）    ５０〜４００  ｇ／Ｌ（銅分として１２〜１００  ｇ／Ｌ）
硫酸                  ５０〜２００  ｇ／Ｌ
を含み、必要に応じて、
塩素イオン（塩酸または塩化ナトリウム）  ２０〜１００  ｍｇ／Ｌ
光沢剤（３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸塩など）  適量
界面活性剤（ポリエチレングリコール類など）    適量
を溶解・配合した水溶液が用いられる。
光沢剤及び界面活性剤に替わる薬剤として
高分子多糖類
低分子膠
を用いても対応可能である。
【００９３】
ついで、導体層パターン付き基材の製造工程における次の工程、すなわち、（ＩＩ）めっき用導電性基材上に形成された導体層（上記めっき用導電性基材の凹部に析出させた金属）を樹脂層を含む適当な基材に転写する転写工程、について説明する。
【００９４】
上記の適当な基材（樹脂層又は支持基材及びその上の樹脂層を含む）については前記したとおりであるが、転写工程においては、その樹脂層は、粘着性を有しているもの又は粘着性を示すもの（これらを、「粘着剤」又は「粘着樹脂」という）からなる。この粘着剤には、必要に応じて、架橋剤、硬化剤、希釈剤、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤や粘着付与剤などの添加剤を配合していてもよい。なお、上記「粘着性」とは、「接着性」を包含する。
【００９５】
粘着剤層（樹脂層）の厚さは、薄すぎると十分な強度が得られないため、めっきで形成された導体層を転写する際に、導体層が粘着剤層に密着せず、転写不良が発生することがある。したがって、粘着剤層の厚みは、１μｍ以上であることが好ましく、量産時の転写信頼性を確保するためには３μｍ以上であることが更に好ましい。また、粘着剤層の厚さが厚すぎると、粘着剤層の製造コストが高くなるとともに、ラミネートした際に、粘着剤層の変形量が多くなるため、粘着剤層の厚みは１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がさらに好ましい。
基材を、めっき用導電性基材の導体層が形成されている面に貼り合わせる際には、粘着剤層の特性に応じて、特に、粘着剤層が適度な流動性又は粘着性を発揮するために、必要ならば加熱される。基材が粘着剤層を保持する支持基材を有する場合、支持基材は、このような加熱に際しても形状を維持する程度に十分な耐熱性を有することが好ましい。
【００９６】
上記の転写工程を経て導体層パターン付き基材を作製する例を次に示す。
図１３は、導体層パターン付き基材の作製例の前半を示す断面図である。また、図１４はその後半を示す断面図である。
前記のめっき用導電性基材１１上に、前記しためっき工程により、凹部１４内にめっきを施し、導体層１９のパターンを形成する（図１３（ｅ））。ついで、別個に準備された転写用基材２０、これは、支持基材（透明基材）２１に粘着剤層２２が積層されている。導体層１９のパターンが形成されためっき用導電性基材１１に転写用基材２０を粘着剤層２２を向けて圧着する準備を行う（図１３（ｆ））。このとき、支持基材２１として、表面に粘着剤層２２とは異なった粘着剤を有していてもよい。これよって、例えば、後で、支持基材２１を粘着剤層２２から剥離しやすくすることができる。
【００９７】
ついで、導体層パターンが形成されためっき用導電性基材１１に転写用基材２０を粘着剤層２２を向けて圧着する（図１４（ｇ））。このとき、粘着剤層２２が絶縁層１７に接触してもよい。圧着の程度により、導体層の粘着剤層２２への埋設厚さを調整することができる。このとき、粘着剤層２２は、圧力に対して流動性を示すことが好ましく、場合により、粘着剤層２２を流動させるために、加熱される。
【００９８】
導体層パターンが形成されためっき用導電性基材１１に転写用基材２０を粘着剤層２２を向けて圧着する（図１４（ｇ））のと同様の状態は、次のようにしても実現することができる。すなわち、導体層パターンが形成されためっき用導電性基材１１の上に、液状の粘着剤を一定の厚さに塗布するか、シート状の粘着剤を載置し、さらにその上に支持基材２１を載置し、適宜圧力をかけて接着する。このとき、粘着剤としては、活性エネルギー線の照射により硬化する光硬化性樹脂又は熱硬化性樹脂を使用するときは、適宜、活性エネルギー線を照射するか加熱して硬化を進める。硬化の程度は、粘着剤に粘着性を残存させる程度などにより適宜決定される。粘着剤として熱可塑性樹脂を用いた場合には、支持基材の載置後に相対的に冷却して固化させることが好ましい。上記において、支持基材として（又は支持基材の代わり）剥離性基材を用いて、粘着剤層を硬化又は固化させた後剥離するようにしてもよい。このとき、樹脂層を含む基材は支持基材を含まないものになる。
【００９９】
ついで、転写用基材２０を引きはがすと導体層１９のパターンは、その粘着剤層１２に接着してめっき用導電性基材１１から剥離され、この結果、導体層パターン付き基材２３が得られる（図１４（ｈ））。得られた導体層パターン付き基材２３の上からフィルム（剥離性フィルムが好ましい）を介して圧着ロール等で圧着して導体層の粘着剤層２２への埋設させている厚さを調整することができる。このとき、粘着剤層２２は、圧力に対して流動性を示すことが好ましく、場合により、粘着剤層２２を流動させるために、加熱される。
【０１００】
図１５は、めっき用導電性基材の凹部内にめっきにより導体層パターンを形成した状態を示す断面図、図１６は、その凹部内の導体層パターンを転写して得られた導体層パターン付き基材２３の断面図を示す。
めっき用導電性基材にめっきした際、めっきは等方的に生長するため、導電性基材の露出部分から始まっためっきの析出は、それが進むと凹部からあふれて絶縁層に覆い被さるように突出して析出する。転写用基材への貼着の観点から、突出するようにめっきを析出させることが好ましい。しかし、このとき、めっきの析出を凹部１４内に収まる程度に施しても良い。この状態を図１５に示す。この場合でも、図１６に示すように、転写用基材を圧着することにより、導体層１９のパターンを粘着剤層２２に転着して、めっき用導電性基材１１から導体層１９のパターンを剥離して、導体層パターン付き基材２３を作製することができる。この場合には、導体層は粘着剤層２２に完全には埋設されていないので、得られた導体層パターン付き基材２３の上からフィルム（剥離性フィルムが好ましい）を介して圧着ロール等で圧着して適当な厚さだけ導体層を粘着剤層２２に埋設させる。このとき、粘着剤層２２は、圧力に対して流動性を示すことが好ましく、場合により、粘着剤層２２を流動させるために、加熱される。なお、この場合の転写工程においても、前記したように、導体層１９のパターンを有するめっき用導電性基材１１の上に、液状の粘着剤を一定の厚さに塗布するか、シート状の粘着剤を載置し、さらにその上に支持基材２１を載置し、適宜圧力をかけて接着する方法を採用することができる。
【０１０１】
転写工程において、転写用基材２０の粘着剤層２２に、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等の硬化性樹脂を含む粘着剤を使用した場合、その硬化は、転写用基材２０をめっき用導電性基材１１から剥離する前に行っても、剥離した後で行ってもよく、剥離前に半硬化させ、剥離後に完全硬化させてもよい。
特に、硬化性樹脂を含む粘着剤の硬化又は完全硬化を、転写用基材２０をめっき用導電性基材１１から剥離した後に行う場合、カバーレイフィルム、剥離性支持体を積層して、粘着剤層に貼り合わせると同時に行ってもよい。これにより、導体層を保護した導体層パターン付き基材とすることができる。
一般に、前記の導体層パターン付き基材の導体層パターン側を、カバーレフィルム、剥離性支持体等を、場合により樹脂層を介して、貼り合わせることにより、また、樹脂層を塗布などして被覆することにより、導体層を保護した導体層パターン付き基材とすることができる。このような導体層パターン付き基材は、電磁波遮蔽部材、フィルムアンテナ等に使用することができる。
【０１０２】
前記の導体層パターン付き基材２３（図１４（ｈ）又は図１６）は、適宜、導体層１９の粘着剤層２２への埋設厚さを調整した後、使用に供することができる。このとき、粘着剤層２２とそれに埋設された導体層１９の上面が面一になるようにすることが特に好ましい。なお。導体層パターン付き基材が支持基材を含むとき、この支持基材を基材（Ｉ）ということがある。上記の導体層パターン付き基材２３の支持基材２１は、基材（Ｉ）に当たる。
【０１０３】
図１７は、保護基材で、なお、導体層が保護されている導体層パターン付き基材の例を示す断面図である。この保護基材を基材（ＩＩ）ということがある。
図１７は、導体層パターン付き基材２３の導体層側に、保護基材〔基材（ＩＩ）〕を積層したもの、すなわち、表面保護された導体層パターン付き基材２５を示す。すなわち、支持基材２１上の樹脂層２２に導体層１９が埋設されており、その上に保護基材２４が積層されている。方法としては、導体層パターン付き基材２３に、その導体層１９の上からフィルム（剥離性フィルムが好ましい）等の保護基材２４〔基材（ＩＩ）〕を圧着ロール等で圧着して適当な厚さだけ導体層を粘着剤層２２に埋設させるが、図１７では、粘着剤層２２とそれに埋設された導体層１９の上面が面一になっている。このとき、粘着剤層２２は、圧力に対して流動性を示すことが好ましく、場合により、粘着剤層２２を流動させるために、加熱される。上記保護基材２４には、樹脂層２２及び導体層１９への貼着面に、粘着剤が積層されていてもよい。なお、基材（ＩＩ）は、導体層を保護する機能を有していれば、同時に他の機能を有していてもよい。基材（ＩＩ）は、前記した支持基材と同様のものから適宜選択して使用することができる。
表面保護された導体層パターン付き基材２５は、前記した電磁波遮蔽部材、フィルムアンテナ等として使用できる。
【０１０４】
図１８の導体層パターン付き基材の一例を示す断面図であり、図１８に示す導体層パターン付き基材２６は、図１７の表面保護された導体層パターン付き基材２５から保護基材２４を剥離したものであり、支持基材２１上の樹脂層２２に導体層１９が埋設されて、樹脂層２２の表面（導体層１９がない部分）と導体層１９の上面が面一になっている。
導体層パターン付き基材２６は、電磁波遮蔽部材、フィルムアンテナ等として使用できるが、また、太陽電池用電極基材としても使用することができる。導体層パターン付き基材２６を太陽電池用電極基材としても使用するには、露出した樹脂層（粘着剤層）２２の導体層１９の上面が露出してる面を太陽電池要素に接触させるようにして使用する。このような太陽電池用基材としての使用には、裏面電極用基材又はインターコネクター用基材としての使用も包含される。
【０１０５】
導体層パターン付き基材２３は、導体層１９の粘着剤層２２への埋設厚さを調整した後又は調整しないで、導体層１９を有する表面に、ＩＴＯ等の透明電極を蒸着法等により製膜して、太陽電池用基材とすることができる。この太陽電池用基材は、透明導電膜上に太陽電池要素を作製し、結晶系シリコン太陽電池、シリコン薄膜型太陽電池、ＣＩＧＳ薄膜太陽電池、色素増感型太陽電池とすることができる。
【０１０６】
導体層パターン付き基材２３（（図１４（ｈ）又は図１６））又は導体層パターン付き基材２６（図１８）は、また、支持基材２１を剥離して、樹脂層（粘着剤層）２２に導体層１９が埋設されている導体層付き樹脂層（粘着剤層）２７を作製し、これを使用に供することができる。図１９は、この断面図を示す。このとき、導体層１９の埋設厚さは前記したように予め調整しておくことが好ましく、粘着剤層２２はもはや粘着性が残存していなくてもよい。
【０１０７】
図２０は、透明導電膜を有する導体層パターン付き基材の例を示す断面図である。図２０の透明導電膜を有する導体層パターン付き基材２９は、図１８の導体層パターン付き基材２６の導体層１９が露出している面にＩＴＯ等の透明電極２８を蒸着法等により製膜したものである。
【０１０８】
導体層パターン付き基材の製造工程における第３の工程、すなわち、（ＩＩＩ）上記の基材が支持基材を含む場合には、場合により、さらに、該支持基材〔基材（Ｉ）〕を別の支持基材〔これを基材（ＩＩＩ）ともいう〕に交換する工程について説明する。この工程は、適宜行われ、場合により行わなくてもよい。
この工程に関連して、種々の積層構造物を派生して作製することができる。
【０１０９】
前記した（ＩＩ）の転写工程において、めっき用導電性基材上に形成されためっきを樹脂層を含む基材に転写することにより導体層パターン付き基材が得られる。従って、これによって得られる導体層パターン付き基材を以後使用するようにすると、導体層パターン付き基材の製造法としては、工程数が少なくてすむので、好ましいが、量産性を考えると、基材として、柔軟な樹脂フィルムを使用する場合などはよいが、ガラス板等の硬い材料を基材材料として使用する場合は、ロールトゥロール方式等の連続的な製造方法を選択できない等、生産方式に制約がある。
そこで、めっき用導電性基材上に形成されためっきを、樹脂層を含む適当な基材にロールトゥロール方式により転写し、ロール状の導電層担持基材を得た後に、ガラス板等の硬い基材に導電層を貼り合わせて硬い基材に導電層を形成することで、量産性を損なわずに導電層パターン付きの硬い基材を製造でき、かつ簡便にガラス基材等の硬い基材上に導電層を形成できる。
上記（ＩＩＩ）の工程はこのような場合に、便利であり、また、適宜支持基材を交換できるので便利である。
【０１１０】
（ＩＩＩ）の工程を行う場合、前記（ＩＩ）の工程における適当な基材は、支持基材及びその上の樹脂層を含むものであって、既に上述した基材と同様であるが、支持基材としては、プラスチックフィルムが好ましい。また、樹脂層は、粘着性を有する粘着剤層が好ましい。
また、交換する新たな支持基材としては、ガラス板、プラスチック板等のリジッドなものが、上記の方法に特に適合しているが、これらに限られるものではない。
上記の工程中又は工程の後、導体層は少なくともその最大幅の部分から下部を樹脂層に埋設される。転写時または転写後における導体層の埋設厚さの調整は、前記したのと同様に行うことができる。
【０１１１】
上記（ＩＩ）の工程において、導体層の上を、樹脂層を介してカバーレイフィルム、剥離性支持体等を積層することにより、また、樹脂を塗布するなどして被覆することにより、基材（ＩＩ）を積層して表面保護された導体層パターン付き基材とすることができ、これを、次の支持基材の交換工程に供することが好ましい。
上記の積層には、ラミネータ、プレス、ホットプレス、真空加圧ラミネータ等を用いて行うことができる。
【０１１２】
上記（ＩＩＩ）の工程において、交換する新しい支持基材〔基材（ＩＩＩ）〕は、前記した支持基材が使用できるが、その表面に、粘着剤層を有していてもよい。
古い支持基材〔基材（Ｉ）〕と新しい支持基材〔基材（ＩＩＩ）〕の交換方法としては、前者を剥離しつつ若しくは剥離した後、その剥離面に後者（新しい支持基材）をラミネートする方法などがある。
【０１１３】
上記（ＩＩＩ）の工程（交換工程）を図面を用いて説明する。
この工程中、種々の中間的な積層物が得られるが、これらも適宜、特定の用途のための使用に供することができる。
図２１は、支持基材の交換工程の一例を示す断面図である。
図２１（ａ）は、図１７に示す表面保護された導体層パターン付き基材２５の支持基材２１〔基材（Ｉ）〕を剥離するところを示す断面図である。
【０１１４】
図２１（ｂ）は、表面保護された導体層パターン付き基材２５の支持基材２１が完全に剥離された導体層パターン付き基材３０の断面図である。導体層パターン付き基材３０は、この状態で、電磁波シールドフィルム、フィルムアンテナ、その他の用途に使用することできる。樹脂層２２に粘着性が残存しているときは、その粘着性を利用して、また、樹脂層２２に粘着性が無いときには、別個に粘着剤を塗布又は積層して目的物に貼着することができる。
【０１１５】
支持基材２１が剥離された表面保護された導体層パターン付き基材３０には、新しい支持基材が貼着される。図２１（ｃ）は、新しい支持基材が貼着され、表面が保護されている導体層パターン付き基材の断面図である。図２１（ｃ）は、新しい支持基材３１〔基材（ＩＩＩ）〕上に樹脂層２２、それに埋設されているが、上面は樹脂層２２からは露出している導体層１９及びこれを保護するために積層されている保護基材２４〔基材（ＩＩ）〕からなる導体層パターン付き基材３２を示す。
【０１１６】
図２１（ａ）に示すように、支持基材２１〔基材（Ｉ）〕を剥離するためには、樹脂層２２と支持基材２１との接着力よりも樹脂層２２と保護基材２４〔基材（ＩＩ）〕との接着力のほうが高くならなくてはならない。しかし、上記（ＩＩ）の工程において、図１４（ｈ）に示すように転写用基材２３はめっき用導電性基材１２から導体層１９を剥離しなければならない。そのために、導体層１９とめっき用導電性基材１２との接着力より導体層１９と樹脂層２２との接着力のほうが高くなくてはならない。また、樹脂層２２とめっき用導電性基材１２との接着力よりも樹脂層２２と支持基材２１との接着力のほうが高くならなくてはならない。この接着力の関係は、
樹脂層２２とめっき用導電性基材１２との接着力、
樹脂層２２と支持基材２１との接着力
及び
樹脂層２２と保護基材２４との接着力
の順に大きく（以上「関係１」という）、
また、
導体層１９とめっき用導電性基材１２との接着力
及び
導体層１９と樹脂層２２との接着力
の順に大きい（以上「関係２」という）関係となる。
具体的には、樹脂層２２とめっき用導電性基材１２との接着力は低いため、例えば、支持基材２１に中剥離セパレータあるいは重剥離セパレータを用い、保護基材２４にポリエチレンテレフタレートを用いることで、「関係１」を満たすことができる。また、めっき条件等により導体層１９とめっき用導電性基材１２との接着力を低くすることにより、「関係２」を満たすことができる。
【０１１７】
図２１（ｃ）の保護基材を有する新しい導体層パターン付き基材３２は、そのまま、電磁波シールドフィルム、フィルムアンテナ、その他の用途の使用に供されてもよいが、表面の保護基材２４〔基材（ＩＩ）〕を剥離して、太陽電池用電極基材等の使用に供してもよい。図２１（ｄ）は、保護基材を剥離し、導体層の上面が露出した導体層パターン付き基材の断面図である。図２１（ｄ）は、新しい支持基材３１上に樹脂層２２、それに埋設されているが、上面は樹脂層２２から露出している導体層１９が積層された導体層パターン付き基材３３を示す。樹脂層２２は、粘着性が残存しているときは、その粘着性を利用して、また、樹脂層２２に粘着性が無いときには、別個に粘着剤を塗布又は積層して目的物に貼着することができる。
【０１１８】
図２１（ｄ）に示すように、保護基材２４〔基材（ＩＩ）〕を剥離するためには、樹脂層２２と保護基材２４との接着力よりも樹脂層２２と新しい支持基材３１〔基材（ＩＩＩ）〕との接着力のほうが高くならなくてはならない。この接着力の関係は、
樹脂層２２とめっき用導電性基材１２との接着力、
樹脂層２２と支持基材２１との接着力、
樹脂層２２と保護基材２４との接着力
及び
樹脂層２２と新しい支持基材３１との接着力の順に大きい（以下「関係３」という）の関係となる。
樹脂層２２とめっき用導電性基材１２との接着力は低いため、例えば、支持基材２１に中剥離セパレータあるいは重剥離セパレータを用い、保護基材２４にポリエチレンテレフタレートを用い、新しい支持基材３１にガラスを用いることで、「関係３」を満たすことができる。また、熱処理等により被着体への密着性を向上させて、樹脂層２２と新しい支持基材３１との接着力を向上させることで、「関係３」を満たすこともできる。あるいは、熱処理や活性光線の照射等により樹脂層２２中に官能基等を発生させて、樹脂層２２と新しい支持基材３１との接着力を向上させることで、「関係３」を満たすこともできる。
【０１１９】
導体層パターン付き基材３３を太陽電池用基材として使用するときには、樹脂層２２及び導体層１９の表面が太陽電池要素に積層される。例えば、新しい支持基材３１にエチレン−ビニルアセテート共重合体を用いた場合、導電層パターン付き基材３３と太陽電池要素とを積層するプロセスとエチレン−ビニルアセテート共重合体による太陽電池要素の封止プロセスとを同じくすることもできる。
【０１２０】
図２２は、図２１（ｄ）の導体層パターン付き基材３３と同様のものであるが、新しい支持基材として、粘着剤層を有するものを使用して得られた導体層パターン付き基材の断面図である。すなわち、図２２は、新しい支持基材３１上に粘着剤層３４を介して樹脂層２２、それに埋設されているが上面は樹脂層２２からは露出している導体層１９が積層されている導体層パターン付き基材３５を示す。これにより樹脂層２２と新しい支持基材３１との接着力が低く、「関係３」が成立しない場合でも、実現することができる。この場合の接着力の関係は、
樹脂層２２とめっき用導電性基材１２との接着力、
樹脂層２２と支持基材２１との接着力、
樹脂層２２と保護基材２４との接着力
及び
樹脂層２２と粘着剤層３４との接着力
の順に大きく（以下「関係４」という）、
また、
樹脂層２２と保護基材２４との接着力
及び
粘着剤層３４と新しい支持基材３１との接着力
の順に大きい（以下「関係５」という）関係
となる。具体的には、粘着剤層３４に高い接着力の粘着剤を用いれば、「関係４」および「関係５」は満たすことができる。
【０１２１】
本発明における導体層の樹脂層への埋設方法について、さらに説明するが、これに限るものではない。
めっき用導電性基材の凹部に析出しためっきを樹脂層を含む基材に転写した直後においては、導体層の少なくとも最大幅となる部分以下が既に樹脂層に埋没していてもよいし、埋没していなくてもよい。転写した直後において導体層の少なくとも最大幅となる部分以下を既に埋没させるためには、転写時における基材の樹脂層の流動性を高くする必要がある。それには、例えば、ラミネート温度を高くする方法、樹脂層の組成として反応性の低分子量物を添加しておく方法、樹脂層として液状樹脂を使用する方法等がある。また、この場合、基材がめっき用導電性基材に接触している状態で、樹脂層を硬化反応又は固化させてから、透明基材を剥離することが好ましい。硬化反応は、加熱、紫外線等の活性エネルギー線の照射などによるものであるが、瞬時に硬化させた方が生産性が向上するので、紫外線等の活性エネルギー線の照射による硬化が好ましい。
また、導体層を基材に転写した直後において、未だ導体層の最大幅となる部分が樹脂層に埋没していない場合（全く又はほとんど埋設されていない場合を含む）には、別工程で導体層を樹脂層中に少なくとも導体層の最大幅となる部分以下を樹脂層に埋没させる必要がある。そのためには、導体層を基材に転写後、導体層の付いている基材をロールラミネータやプレスなどで、必要に応じて加熱又は活性エネルギー線を照射しながら、加圧して少なくとも導体層の少なくとも最大幅の部分以下を樹脂中に埋没させる。このとき、必要に応じて加熱又はエネルギー線を照射して硬化反応を同時に行ってもよく、加熱は流動性を高めるために行ってもよい。また、この場合、表面を保護したり、加圧工程又は後工程で樹脂を紫外線硬化する場合の酸素遮断を目的に、別途フィルムその他の剥離可能な基材を導体層の付いている基材の導体層の上から積層しても良い。樹脂層に硬化性樹脂を使用した場合は、加圧と同時に硬化させない場合は、上記の加圧後に加熱又は活性エネルギー線を照射するなどして樹脂層を硬化させることが好ましい。
また、樹脂層に硬化性樹脂を用いた場合には、基材を上記の転写に供する前、転写後の埋設工程に供する前に、樹脂層の流動性を調整するために、部分的に硬化反応を行っても良いが、転写前に行うときには、転写に必要な粘着性を損なわない程度に行われる。
【０１２２】
基材の樹脂層は、転写の際にめっき用導電性基材の絶縁層に接触するため、樹脂厚が厚くなると密着性が高くなり、引き剥がしが困難になったり、引き剥がし時にハンチングが発生しめっき折れが発生することがあるので、厚さとしては、１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がさらに好ましい。樹脂層が硬化性樹脂であるなら、基材を転写に供する前に密着性又は流動性を調整するために部分硬化させてもよい。
また、図７（ａ）、（ｂ）、図８の（ｂ）、（ｃ）において、金属配線層の上部の台形形状の全部（上面を除く）又はその一部までが樹脂層に覆われれている。これは転写時又は転写後の埋設工程で、加圧して（さらに、必要に応じて加熱して）樹脂を流動させることにより行うことができる。このためには、樹脂が金属配線層の形状に沿って回り込むように流動することが必要である。従って、金属配線層が図５（ａ）のような形状をしている場合の厚さＴ、また、金属配線層が図５（ｂ）のような形状をしている場合の上部の厚さＴ１が厚いと、樹脂の流動量が大きくなるため、完全に被覆することが困難であったり、あるいは、加熱加圧工程の時間が長くなり生産性が低下することがあるが、これを回避するためには、上記のＴ又はＴ１は、１０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがさらに好ましい。また、金属配線層が図５（ｂ）のような形状をしている場合、Ｔ１が薄いと、下部の上方に存在する樹脂厚が薄くなり、密着性向上効果が小さくなるため、Ｔ１の厚みは１．０μｍ以上が好ましい。
【０１２３】
本発明により得られる導体層パターン付き基材の導体層を黒化処理して、黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材とすることができる。このためには、上記図１４（ｈ）又は図１６に示すような導体層パターン付き基材２３又はこれらの導体層パターン付き基材で導体層の埋設厚さを調整したものの導体層１９を黒化処理する方法、めっき用導電性基材１１の凹部１４に形成された導体層１９をそれが剥離・転写される前に黒化処理する方法及びこれらの両方の黒化処理を行う方法がある。
このように黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽部材としてディスプレイの前面において利用するときは、一般に、黒色層を設けた方の面がディスプレイの視聴者側に向くようにして用いられる。
【０１２４】
上記の黒化処理の方法は、金属パターンに黒色層を形成する手法であるが、このためには、金属層にめっきや酸化処理、印刷などの様々な手法を用いることができる。
【０１２５】
図２３は、本発明における導体層パターン付き基材を利用した積層物の断面図を示す。この積層物は、例えば、図１７に示す表面保護された導体層パターン付き基材２５が、基材２１の導体層パターン１９がある面とは反対の面で、粘着剤３６を介して他の基材３７が貼り合わされたものである。他の基材３７としては、近赤外線フィルム、偏光フィルム等の機能性フィルム、ガラス板、プラスチック板等の支持基材がある。この積層物は、電磁波遮蔽材その他の用途に使用できる。
図２４は、さらに、別の態様の積層物の断面図を示す。この積層物は、図２３における積層物において、保護基材２４を剥離し、代わりに粘着剤３８を介して基材３９が積層されたものである。また、前記した図１８に示す導体層パターン付き基材２６の導体層１９が存在する面に粘着剤３８を介して基材３９を積層し、さらに、反対面を粘着剤３６を介して他の基材３７を貼り合わせて作製される。基材３９としては、他の基材３７として使用できるのと同様のものから選択して使用できる。この積層物も、電磁波遮蔽材その他の用途に使用できる。
透明な粘着剤３６，３８は、コーティング又はフィルム上のものを積層して施すことができ、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のほかに活性エネルギー線で硬化する樹脂を主成分とする粘着剤を用いることもできる。活性エネルギー線で硬化する樹脂を用いることは、それが瞬時に又は短時間に硬化することから、生産性が高くなるので好ましい。
【０１２６】
本発明における導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽体として用いる場合は、そのまま、ディスプレイ画面に適宜別の粘着剤を介して又は介さないで貼着して使用することができるが、他の基材に貼着してからディスプレイに適用してもよい。他の基材は、ディスプレイの前面からの電磁波を遮断するために使用するには透明であることが必要である。
【０１２７】
本発明に係る導体層パターン付き基材の太陽電池への利用を説明する。
図２５は、本発明に係る導体層パターン付き基材を利用した太陽電池の構成を示す断面図である。太陽電池要素４０が、露出した面を有する導体層１９のパターンを埋設して担持している樹脂層２２からなる導体層パターン付き基材２個により挟まれて積層されている〔図２５（ａ）〕。また、導体層パターン付き基材の導体層をが露出している面とは反対の面に、支持基材２１が積層されていてもよい（〔図２５（ｂ）〕。太陽電池要素４０には、導体層パターン付き基材の露出した導体層１９のパターンが接触するように積層される。
【０１２８】
以上の構成の太陽電池は、複数個を、ガラス板及びバックシートの間に透明なエチレン−ビニルアセテート共重合体により担持させることにより太陽電池モジュールとすることができる。その際に、導電層パターンは太陽電池要素を接続する配線の役割を果たす。例えば、太陽電池要素の片面にある導電層パターンの一部が太陽電池要素の端部からはみ出している場合、そのはみ出している部分の導体層パターンと、隣にある太陽電池の反対面に形成された配線と接続することで、太陽電池要素同士の接続を形成することができる。導体層パターンと裏面の配線との接続は、どのような方法でもよく、導電性接着剤を用いた接続、導電性粒子を介しての接続、あるいは樹脂層２２の粘着性による裏面の配線との貼り合せ接続でも良い。
【０１２９】
図２６は、本発明に係る導体層パターン付き基材を利用した太陽電池の別の構成を示す断面図である。太陽電池要素４０が、露出した面を有する導体層１９のパターンを埋設して担持している樹脂層２２からなる導体層パターン付き基材の上に形成されている〔図２６（ｂ）〕。また、導体層パターン付き基材の導体層をが露出している面とは反対の面に、支持基材２１が積層されていてもよい（〔図２６（ｂ）〕。太陽電池要素４０には、導体層パターン付き基材の露出した導体層１９のパターンが接触するように積層される。
【０１３０】
前記した図２５の太陽電池要素４０について説明する。
このような太陽電池要素４０としては、図２７に示すものがある。図２７は、太陽電池要素の断面図である。単結晶ｎ型シリコン４１の両面にＣＶＤ法等にてｉ型アモルファスシリコン４２が積層され、その一方の面をＣＶＤ法等にてｐ型アモルファスシリコン４３、そのもう一方の面をＣＶＤ法等にてｎ型アモルファスシリコン４４、さらに、それらの上にスパッタ法等にてＩＴＯ等の透明導電膜４５が積層された構造を有する。透明導電膜４５の両方に、前記した導体層パターン付き基材がその導体層１９を接触するように、樹脂層２２によって貼着される。
以上の構成の太陽電池は、複数個を、ガラス板及びバックシートの間に透明なエチレン−ビニルアセテート共重合体により担持させることにより太陽電池モジュールとすることができる。
【０１３１】
前記した図２６の太陽電池要素４０について説明する。
このような太陽電池要素４０としては、図２８に示すものがある。図２８は、別の太陽電池要素の断面図である。単結晶ｎ型シリコン４１の両面にＣＶＤ法等にてｉ型アモルファスシリコン４２が積層され、その一方の面にＣＶＤ法等にてｐ型アモルファスシリコン４３及びスパッタ法等にて透明導電膜４５が順次積層され、もう一方の面にＣＶＤ法等にてｎ型アモルファスシリコン４４及びスパッタ法や印刷法にてＡｌやＡｇ等の金属膜４７が順次積層されている構造を有する太陽電池要素４８である。透明導電膜４５に、前記した導体層パターン付き基材がその導体層１９を接触するように、樹脂層２２によって貼着される。
また、図２６の太陽電池要素４０としては、図２９に示すものがある。図２９は、別の太陽電池要素の断面図である。単結晶ｎ型シリコン４１の両面にＣＶＤ法等にてｉ型アモルファスシリコン４２が積層され、その一方の面にＣＶＤ法等にてｐ型アモルファスシリコン４３及びスパッタ法等にて透明導電膜４５が順次積層され、もう一方の面にスパッタ法や印刷法にてＡｌやＡｇ等の金属膜４７が積層されている構造を有する太陽電池要素４９である。透明導電膜４５に、前記した導体層パターン付き基材がその導体層１９を接触するように、樹脂層２２によって貼着される。
また、図２６の太陽電池要素４０としては、図３０に示すものがある。図３０は、別の太陽電池要素の断面図である。単結晶ｎ型シリコン４１の一方の面にＣＶＤ法等にてｉ型アモルファスシリコン４２、ＣＶＤ法等にてｐ型アモルファスシリコン４３及びスパッタ法等にて透明導電膜４５が順次積層され、もう一方の面にスパッタ法や印刷法にてＡｌやＡｇ等の金属膜４７が積層されている構造を有する太陽電池要素５０である。透明導電膜４５に、前記した導体層パターン付き基材がその導体層１９を接触するように、樹脂層２２によって貼着される。
【０１３２】
太陽電池の他の態様を説明する。
図３１は、太陽電池の一例を示す断面図である。
支持基材２１（ガラス板等の透明耐熱性基材）上に積層されている樹脂層２２に導体層１９が露出するように埋設されている。以上の構成は、本発明に係る導体層パターン付き基材の一例である。導体層１９が露出してる面に、ＩＴＯ等の透明導電膜がスパッタ法等により形成され、レーザー、硬質材料の針の機械的研磨などを用いる適当なエッチングにより、溝が形成されて一定のパターンが形成される。透明導電膜の上には、ｐ型アモルファスシリコン４３が特定のパターンにより積層される。そして、この上に重なるようにｉ型アモルファスシリコン４２及びｎ型アモルファスシリコン４４ＣＶＤ法により積層され、レーザー、硬質材料の針の機械的研磨を用いる等の適当なエッチングにより、溝が形成されて一定のパターンが形成される。さらにその上にＭｏ等の金属膜４７をスパッタ法等により積層し、レーザー、硬質材料の針の機械的研磨等を用いる適当なエッチングにより、溝が形成されて一定のパターンが形成される。この金属膜４７は、一方の隣の透明導電膜４７と導通するように、ｐ型アモルファスシリコン４３、ｉ型アモルファスシリコン４２及びｎ型アモルファスシリコン４４の側面を通じて形成される。これにより、太陽電池５１が構成されている。
図３２は、太陽電池の他の例を示す断面図である。図３１に示す太陽電池５１の金属膜４７側を透明なエチレン−ビニルアセテート共重合体５２で封止し、バックシート５３を貼り合わせている構造の太陽電池５４である。
【０１３３】
図３３は、太陽電池の他の例を示す断面図である。
支持基材２１（（エチレン−ビニルアセテート共重合体シート、またはエチレンテトラフロオロエチレン等））上に積層されている樹脂層２２に導体層１９が露出するように埋設されている。以上の構成は、本発明に係る導体層パターン付き基材の一例である。導体層１９の一部は取出電極５５として利用される。
上記の導体層１９が露出している面に、一定のパターンを繰り返すように一定の層構造が形成されている。この一定の層構造は、透明導電膜４５、ｐ型アモルファスシリコン４３、ｉ型アモルファスシリコン４２及びｎ型アモルファスシリコン４４が積層され、さらに、ｐ型アモルファスシリコンゲルマニウム５６、ｉ型アモルファスシリコンゲルマニウム５７及びｎ型アモルファスシリコンゲルマニウム５８が積層され、さらに、金属膜４７（裏面電極）が積層されているが、透明導電膜４５〜金属膜４７は、一定の繰り返しパターンで、ポリイミドフィルム５９の上に形成されていると言える。ポリイミドのもう一方の面には、特定のパターンで、背面電極６０が形成されており、ポリイミドフィルム５９から透明導電膜に至るスルホール６１及びポリイミドフィルム５９から金属膜４７に至るスルホール６２内には、それぞれ、透明導電膜４５又は金属膜４７と背面電極６０とが導通するように、金属が蒸着されている。このようにして構成されている太陽電池６３は、上記の透明導電膜以下の層構造体に、本発明に係る導体層パターン付き基材を圧着して貼着して得られる。このとき、導体層パターン付き基材の樹脂層２２を層構造体を封止するように流動させる。
以上の構成の太陽電池を、エチレンテトラフロオロエチレン（ＥＴＦＥ）とＥＴＦＥあるいはガルバリウム鋼板の間にエチレン−ビニルアセテート共重合体により担持させることにより太陽電池モジュールとすることができる。
【０１３４】
図３４は、太陽電池の他の例を示す断面図である。
支持基材２１（ガラス板等の透明耐熱性基材あるいはエチレン−ビニルアセテート共重合体シート）上に積層されている樹脂層２２に導体層１９が露出するように埋設されている。以上の構成は、本発明に係る導体層パターン付き基材の一例である。導体層１９の一部は取出電極５５として利用される。
上記の導体層１９が露出している面に、一定のパターンを繰り返すように一定の層構造が形成されている。この一定の層構造は、透明導電膜４５、バッファ６４及びＣｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅからなる半導体のＣＩＧＳ光吸収層６５が積層され、さらに、パターン化されたモリブデン裏面電極６６が積層されている。導体層１９の一部は取出電極５５及び取出電極６７となる。バッファ６４はＣｄｓ、ＺｎＯやＩｎＳ等のｎ型層であり、スパッタ法やケミカル・バス・デポジション等にて形成される。ＣＩＧＳ光吸収層６５はＣｕ、Ｉｎ、Ｇａをスパッタ法や蒸着等にて積層してプリカーサを形成し、Ｈ２Ｓｅ雰囲気中でプリカーサをアニールし、セレン化することで得られる。モリブデン裏面電極６６の他の面には、ガラス板６８が積層されていると言える。このようにして構成されている太陽電池６９は、上記の透明導電膜以下の層構造体に、本発明に係る導体層パターン付き基材を圧着して貼着して得られる。このとき、導体層パターン付き基材の樹脂層２２が層構造体を封止するように流動させる。層構造体は、ガラス板の上に上記したのと反対にモリブデン裏面電極６６から透明導電膜４５までを積層形成して形成される。なお、透明導電膜４７は、ＣｄＳバッファ６４及びＣＩＧＳ光吸収層６５の側面を通って隣のモリブデン裏面電極６６と導通している。
支持基材２１がガラス板等の透明耐熱性基材でない場合、以上の構成の太陽電池は、支持基材２１側に、透明なエチレン−ビニルアセテート共重合体で封止するように最外層となるガラス板とをそれぞれ積層することにより太陽電池モジュールとすることができる。
【０１３５】
本発明では、導電性パターン付き基材の導電性パターンを表面に電極（金属電極あるいは透明電極）を有する機能素子に接続することで、機能素子の電気的特性を向上させることができる。例えば、表面に透明電極を有する太陽電池の場合、透明電極に導電性パターンを接続することで、導電性パターンの低い抵抗率のために、太陽電池の発生電力を電力損失を低く抑えて集電することができる。そのため、結晶系Ｓｉ太陽電池に集電極として通常用いられるＡｇ電極を省略することができる。また、薄膜Ｓｉ太陽電池やＣＩＧＳ薄膜太陽電池ではモジュールサイズで顕著になる電力損失を低く抑えるために効率の向上を図ることができる。さらに、導電性パターンは配線機能も有するために、新たな配線材料を必要としない。例えば、結晶Ｓｉ太陽電池に配線として通常用いられるタブ線を省略することができ、薄膜Ｓｉ太陽電池やＣＩＧＳ薄膜太陽電池では取り出し電極の形成を省略することが出来る。このように導電性パターンが太陽電池の集電極および配線に利用されるためにそれらの材料コスト低減につながる。さらに本発明では導電性パターンの形成方法は主として太陽電池等の機能素子に貼り付けるだけであるために、例えば太陽電池の集電極および配線の形成コストも大幅に低減できる。
【０１３６】
導電性パターンを機能素子表面の電極に接続し続けるためには、導電性パターンと機能素子表面の電極との機械的接触を維持する必要があり、そのためには導電性パターンが機能素子表面の電極に押し付けられる方向に力が加わり続けなければならない。例えば、太陽電池においてはその出力は長期間安定していなければならず、信頼性試験としては８５℃８５％ＲＨの高温高湿下で１０００時間経過後も出力電力の低下が５％以内であることが望まれる。本発明では、導電性パターン付き基材の導電性パターンと太陽電池セルの表面電極を接続した場合に、集電極及び配線としての機能を示し、さらに数百時間の安定性も示す。
【０１３７】
また、本発明で用いられるめっき用導電性基材として、回転体（ロール）を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。回転体（ロール）は金属製が好ましい。さらに、回転体としてはドラム式電解析出法に用いるドラム電極などを用いることが好ましい。ドラム電極の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめっき付着性が比較的低い材料を用いることが好ましい。導電性基材として回転体を用いることにより連続的に作製して巻物として導体層パターン付き基材を得ることが可能となるため、この場合、生産性が飛躍的に大きくなる。
【０１３８】
回転体を用いて、電界めっきにより形成されたパターンを連続的に剥離しながら、構造体を巻物として得る工程を、図３５を用いて説明する。図３５は、導電性基材としてドラム電極を用いた場合に、ドラム電極を回転させつつ、金属を電界めっきにより連続的に析出させ、また、析出した金属を連続的に剥離する装置の概念を示す断面図（一部正面図）である。
【０１３９】
すなわち、電解浴１００内の電解液１０１が陽極１０２とドラム電極などの回転体１０３の間のスペースに配管１０４とポンプ１０５により供給されるようになっている。陽極１０２と回転体１０３の間に電圧をかけ、回転体１０３を一定速度で回転させると、回転体１０３の表面に金属が電解析出し、電解液１０１の外で、回転体１０３表面の導電性の凹部に析出した金属１０６に、粘着剤層を形成したフィルム１０７の粘着剤層を圧着ロール１０８で圧着し、連続的に回転体１０３から金属１０６を剥離しつつ粘着剤層を形成したフィルム１０７にその金属１０６を転写し、導体層パターン付き基材１０９とする。これはロール（図示せず）に巻き取ることができる。このようにして導体層パターン付き基材１０９を製造することができる。なお、上記の回転体１０３の表面には、凹部とそれにより描かれている幾何学図形状の絶縁層が形成されている。また、回転中の回転体１０３から、凹部に析出した金属１０６が剥離させられた後で、電解液１０１に浸かる前に、回転体１０３表面をエッチング洗浄したり（図示せず）してもよい。なお、図示していないが陽極１０２の上端には高速で循環している電解液が上方へ噴出するのを防ぐために水切りロールを設置しても良く、水切りロールによってせき止められた電解液は陽極１０２の外部から下の電解液の浴槽へと戻り、ポンプにより循環される。また、図示しないがこの循環の間に消費された銅イオン源や添加剤等を必要に応じて追加する態様を加えることが好ましい。
【０１４０】
さらに、本発明で用いられるめっき用導電性基材として、フープ状のめっき用導電性基材を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。
フープ状のめっき用導電性基材は、帯状の導電性基材の表面に絶縁層と凹部を形成した後、端部をつなぎ合わせるなどして作製できる。導電性基材の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめっき付着性が比較的小さい材料を用いることが好ましい。フープ状の導電性基材を用いた場合には、黒化処理、防錆処理、転写等の工程を、１つの連続した工程で処理可能となるため導電性パターン付き基材の生産性が高く、また、導電性パターン付き基材を連続的に作製して巻物として製品とすることができる。フープ状の導電性基材の厚さは適宜決定すればよいが、１００〜１０００μｍであることが好ましい。
【０１４１】
フープ状の導電性基材を用いて、電界めっきにより形成された導体層パターンを連続的に剥離しながら、構造体を巻物として得る工程を、図３６を用いて説明する。図３６は、導電性基材としてフープ状導電性基材を用いた場合に、連続的に導体層パターンを電界めっきにより析出させながら剥離する装置の概念図である。
【０１４２】
フープ状の導電性基材１１０を、搬送ロール１１１〜１２８を用い、前処理槽１２９、めっき槽１３０、水洗槽１３１、黒化処理槽１３２、水洗槽１３３、防錆処理槽１３４、水洗槽１３５を順次とおり、周回運動するように設置する。前処理槽１２９で導電性基材１１０の脱脂もしくは酸処理等の前処理を行う。その後、めっき槽１３０で、導電性基材１１０上に金属を析出させる。この後に、水洗槽１３１、黒化処理槽１３２、水洗槽１３３、防錆処理槽１３４、水洗槽１３５を順次通して、それぞれで、導電性基材１１０上に析出した金属の表面を黒化し、さらに防錆処理する。各処理工程後にある水洗槽は、１槽しか図示していないが、必要に応じて複数の槽を用いたり、各処理工程の前に他の前処理槽等があってもよい。次いで、接着層を積層したプラスチックフィルム基材１３６を導電性基材１１０の導電性の凹部に析出した金属が転写されるように搬送ロール１２８上の導電性基材１１０と圧着ロール１３７の間を通し、上記金属をプラスチックフィルム基材１３６に転写して、導体層パターン付き基材１３８を連続的に製造することができる。得られる導体層パターン付き基材１３８は、ロール状に巻き取ることができる。必要に応じて、圧着ロール１３７を加熱することもできるし、図示はしないが、プラスチックフィルム基材１３６を、圧着ロールを通過させる前にプレヒート槽を通して予備加熱してもよい。また、転写したフィルムの巻取りには、必要に応じて、離型ＰＥＴ等を挿入してもよい。さらに、金属が転写された後、フープ状導電性基材は、上記の工程を繰り返すこととなる。このようにして、連続的に、高い生産性で導体層パターン付き基材を製造することができる。
【０１４３】
上記のようにして得られる導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽部材として用いる場合には、反射防止層、近赤外線遮蔽層等をさらに積層してもよい。導電性基材に析出した金属を転写する基材そのものが反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。さらに、導体層パターンに保護層を形成する際に用いられるカバーフィルムが、反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。
【０１４４】
また、本発明における導体層パターン付き基材は、上記のような回転ロールやフープを利用した連続的なめっき方法に限らず枚葉で作製することも可能である。枚葉で行った場合、めっき用導電性基材の作製時の取扱が容易であり、同一のめっき用導電性基材を繰り返し使用した後に一箇所だけ絶縁層が剥離した、といった場合でもドラム状やフープ状の基材であると特定部分だけの抜き取りあるいは交換は困難であるが、枚葉であれば不良が発生しためっき用導電性基材のみを抜き取りあるいは交換することが可能である。このように枚葉で作製することにより、めっき用導電性基材に不具合が発生したときの対応が容易である。枚葉状の導電性基材の厚みは適宜決定すればよいが、めっき槽内で液の攪拌等に左右されない十分な強度を持たせることを考慮すると厚みは２０μｍ以上が好ましい。厚すぎると重量が増え取扱が困難であるため１０ｃｍ以下の厚みであることが好ましい。
【０１４５】
また、上記のようにして得られる導体層パターン付き基材は、樹脂層の粘着性を残したまま使用に供することができ、さらに、導体層パターンが存在する面に粘着剤層を積層して使用に供することができる。
【実施例１】
【０１４６】
（パターン仕様１）
以下の仕様で、パターン形成用のネガフィルムを作製した。光透過部のライン幅が１２μｍ、ラインピッチが３００μｍ、バイアス角度が４５°（正四角形のなかに、ラインが正四角形の辺に対して４５度の角度になるように配されている）で、格子状にパターンを１２０ｍｍ角のサイズで形成した。
【０１４７】
（凸状パターンの形成）
レジストフィルム（フォテックＲＹ３３１５、日立化成工業株式会社製）を１５０ｍｍ角のステンレス板（ＳＵＳ３１６Ｌ、＃４００研磨仕上げ、厚さ５００μｍ、日新製鋼（株）製）の両面に貼り合わせた（図１１（ａ）に対応するが同一ではない）。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、パターン仕様１のネガフィルムを、ステンレス板の片面に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムを載置したステンレス板の上下から、紫外線を２５０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに、１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、ＳＵＳ板の上にライン幅１５〜１７μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５度の突起部レジスト膜（突起部；高さ１５μｍ）を得た。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため、現像されず、全面にレジスト膜が形成されている（図１１（ｂ）に対応するが同一ではない）。
【０１４８】
（絶縁層の形成）
ＰＢＩＩ／Ｄ装置（ＴｙｐｅＩＩＩ、株式会社栗田製作所製）によりＤＬＣ膜を形成す
る。チャンバー内にレジスト膜が付いたままのステンレス基板を入れ、チャンバー内を真
空状態にした後、アルゴンガスで基板表面のクリーニングを行った。次いで、チャンバー
内にヘキサメチルジシロキサンを導入し、膜厚０．１μｍとなるように中間層を成膜した
。次いで、トルエン、メタン、アセチレンガスを導入し、膜厚が２〜３μｍとなるように
、中間層の上にＤＬＣ層を形成した（図１１（ｃ）に対応するが同一ではない）。
【０１４９】
（凹部の形成；絶縁層の付着した凸状パターンの除去）
絶縁層が付着したステンレス基板を水酸化ナトリウム水溶液（１０％、５０℃）に浸漬し、時々揺動を加えながら８時間放置した。凸状パターンを形成するレジスト膜とそれに付着したＤＬＣ膜が剥離してきた。一部剥がれにくい部分があったため、布で軽くこすることにより全面剥離し、めっき用導電性基材を得た（図１１（ｄ）に対応するが同一ではない）。
凹部の形状は、開口方向に向かって幅広になっており、その凹部側面の傾斜角は、前記境界面の角度と同じであった。凹部の深さは２〜３μｍであった。また、凹部の底部での幅は、１５〜１７μｍ、開口部での幅（最大幅）は１９〜２３μｍであった。凹部のピッチはピッチ３００μｍであった。
【０１５０】
（銅めっき）
さらに、上記で得られためっき用導電性基材のパターンが形成されていない面（裏面）
に粘着フィルム（ヒタレックスＫ−３９４０Ｂ、日立化成工業（株）製）を貼り付けた。
この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極と
して電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）２５０ｇ／Ｌ、硫酸７０ｇ／Ｌ、キュー
ブライトＡＲ（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）４ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中
に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を１０Ａ／ｄｍ２として、めっき用導電性基材の凹
部に析出した金属の厚さがほぼ６μｍになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部
の中とそれからあふれるようにめっきが形成された。
【０１５１】
（透明基材の作製）
厚さ１００μｍ、１２０ｍｍ角の支持基材であるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の表面に粘着剤であるバイロンＵＲ−１４００（東洋紡（株）製、熱可塑性樹脂であるポリエステルポリウレタン樹脂がトルエンとメチルエチルケトンの混合溶媒で希釈されている。樹脂のガラス転移点は８０℃であった。）を塗布し、１００℃乾燥後の膜厚が２５μｍになるように塗布して支持基材上に粘着剤層を形成して透明基材を作製した。乾燥条件は１００℃１０分間であった。
【０１５２】
（転写及び埋設）
上記透明基材を、１００℃５分間プレヒートしてから、粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度１５０℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード０．１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた透明基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅がに転写されていた。
銅が転写された透明基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図５（ｂ）のような形状であり、上部の上底の幅Ｌ１は１５〜１７μｍ、下底の幅Ｌ２は１７〜１９μｍ、角度αは４５°、最大幅Ｌは２１〜２４μｍ、ＬとＬ２の差は２〜３μｍで、上部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、下部層の厚みＴ２は３〜４μｍ、全体の厚みは５〜６μｍ、ラインピッチ３００μｍの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、同時に図８（ｃ）に示すように、導体層パターンの全部が、その上面が樹脂層から露出した状態で樹脂層に埋設されていることを確認した。
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．０７５Ω／□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学）製を用いて、サンプルサイズ５０ｍｍ角で測定した。また、ガスケットをパターン面に静置し、５００ｇの荷重をかけながら移動させた場合に、パターン面の異常はなかった。さらに、碁盤目試験を行った結果、パターンが剥離する箇所はなかった。
６５℃９５％ＲＨの加熱加湿試験１０００時間後、上記２つの試験を行っても、パターン面に異常及び剥離箇所はなかった。
【０１５３】
（保護膜の形成）
上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、ＵＶ硬化型樹脂ヒタロイド７９８３ＡＡ３（日立化成工業（株）製）をコーティングし、ポリカーボネートフィルム（マクロホールＤＥ、バイエル株式会社製、７５μｍ）でラミネートして導体層パターンをＵＶ硬化型樹脂中に埋没させた後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射してＵＶ硬化型樹脂を硬化させて、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。得られた基材の透過率は７８％、濁度は２．５であった。
【実施例２】
【０１５４】
実施例１のめっき用導電性基材に、実施例１と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施した。
＜透明基材の作製＞
（配合組成物１）
２−エチルヘキシルメタクリレート  ７０重量部
ブチルアクリレート      １５重量部
２−ヒドロキシエチルメタクリレート  １０重量部
アクリル酸    ５重量部
アゾビスイソブチロニトリル  ０．１重量部
トルエン  ６０重量部
酢酸エチル  ６０重量部
温度計、冷却管、窒素導入管を備えた５００ｃｍ３の三つ口フラスコに、上記した配合組成物１を投入し、穏やかに撹拌しながら、６０℃に加熱して重合を開始させ、窒素でバブリングさせながら、６０℃で８時間、還流中で攪拌を行い、側鎖にヒドロキシル基を有するアクリル樹脂を得た。その後、カレンズ  ＭＯＩ（２−イソシアナトエチルメタクリレート；昭和電工（株）製）５重量部を添加し、穏やかに撹拌しながら５０℃で反応させ、側鎖に光重合性官能基を有する反応性ポリマーの溶液１を得た。
得られた反応性ポリマー１は、側鎖にメタクリロイル基を有しており、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーにて測定したポリスチレン換算の重量平均分子量は８００，０００であった。反応性ポリマーの溶液１を１００重量部（固形分）に光重合開始剤として２−メチル−１［４−メチルチオ］フェニル］−２−モルフォリノプロパン−１−オン（商品名イルガキュア９０７、チバガイギー（株））を１重量部、イソシアネート系架橋剤（商品名コロネートＬ−３８ＥＴ、日本ポリウレタン（株）製）を３重量部、トルエンを５０重量部添加し、樹脂組成物１とした。
得られた樹脂組成物を、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の表面に、１００℃乾燥後の膜厚が２０μｍになるように塗布して、支持基材上にＵＶ硬化性を有する粘着剤層を形成して、透明基材を作製した。乾燥条件は、１００℃１０分間であった。
（転写及び埋設）
実施例１と同様のめっき用版を用いて、実施例１と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施した。
次いで、上記透明基材のＵＶ硬化性を有する粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度３０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた透明基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が透明基材に転写されていた。
銅が転写されている透明基材の一部を切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとり、観察し、導体層パターンが図５（ｂ）の様な断面形状であること確かめ、また、任意に五カ所選択し、上部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、下部の厚みＴ２は３〜４μｍであり、下部がその下側の１〜２μｍだけ樹脂層に埋没していることを確認した。
さらに、上記で得た銅が転写されている透明基材の銅の上から厚さ５０μｍのカバーフィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の易接着層とは反対面をロールラミネートで貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度８０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎとした。この後、導体層パターンが形成された面とは反対の面から、照射量１Ｊ／ｃｍ２となるように、紫外線を照射して、カバーフィルムを剥離して、導体層パターン付き基材を得た。
この導体層パターン付き基材の一部を切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとり、観察し、図８（ｃ）に示すように、導体層パターンの全部が、その上面が樹脂層から露出した状態で樹脂層に埋設されていることを確認し、また、任意に五カ所選択して、導体層パターンの上部層の上底の幅Ｌ１は１５〜１７μｍ、下底の幅Ｌ２は１７〜１９μｍ、角度は４５°、最大幅Ｌは２１〜２４μｍ、ＬとＬ２の差は２〜３μｍで、上部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、下部層の厚みＴ２は３〜４μｍ、全体の厚みは５〜６μｍ、ラインピッチ３００μｍの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られたことを確認した。導体層パターンの開口率は８４．０％であった。
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．０７５Ω／□であった。
また、ガスケットをパターン面に静置し、５００ｇの荷重をかけながら移動させた場合に、パターン面の異常はなかった。さらに、碁盤目試験を行った結果、パターンが剥離する箇所はなかった。
６５℃９５％ＲＨの加熱加湿試験１０００時間後、上記２つの試験を行っても、パターン面に異常及び剥離箇所はなかった。得られた基材の透過率は７８％、濁度は２．８であった。
【実施例３】
【０１５５】
（転写及び埋設）
実施例１のめっき用導電性基材に、実施例１と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施した。導電性基材の銅めっきを施した面に、液状の無用剤型ＵＶ硬化型樹脂（商品名：アデカオプトマーＫＲＸ−４００、旭電化（株）製）を、１００ｍｍの幅で１０ｍｌ滴下した。次いで、厚さ１００μｍの支持基材であるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）を樹脂上に接触させ、ロールラミネートした。ラミネート条件は、ロール温度３０℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード２．０ｍ／ｍｉｎとした。これにより、樹脂が一様に広がり、導電性基材と基材フィルムの間に、１５μｍの液状のＵＶ硬化型樹脂層を形成した。その後、支持基材側から、照射量１Ｊ／ｃｍ２となるように、紫外線を照射して粘着剤層を硬化した後、透明基材を剥離して、導体層パターン付き基材を得た。
この導体層パターン付き基材の一部を切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとり、観察し、図５（ｂ）に示すように、導体層パターンの断面が台形形状である上部が、樹脂層から露出した状態で導体層パターンが樹脂層に埋設されていることを確認し、また、樹脂層の厚さが２５μｍであることを確認し、さらに、任意に五カ所選択して、導体層パターンの上部の上底の幅Ｌ１は１５〜１７μｍ、下底の幅Ｌ２は１７〜１９μｍ、角度は４５°であった。また、最大幅Ｌは２１〜２４μｍ、ＬとＬ２の差は２〜３μｍであった。上部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、下部層の厚みＴ２は３〜４μｍ、全体の厚みは５〜６μｍ、ラインピッチ３００μｍであることを確認した。得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．０７５Ω／□であった。また、ガスケットをパターン面に静置し、５００ｇの荷重をかけながら移動させた場合に、パターン面の異常はなかった。さらに、碁盤目試験を行った結果、パターンが剥離する箇所はなかった。
６５℃９５％ＲＨの加熱加湿試験１０００時間後、上記２つの試験を行っても、パターン面に異常及び剥離箇所はなかった。
【０１５６】
（保護膜の形成）
上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、ＵＶ硬化型樹脂ヒタロイド７９８３ＡＡ３（日立化成工業（株）製）をコーティングし、ポリカーボネートフィルム（マクロホールＤＥ、バイエル株式会社製、７５μｍ）でラミネートして導体層パターンをＵＶ硬化型樹脂中に埋没させた後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射してＵＶ硬化型樹脂を硬化させて、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。得られた基材の透過率は７８％、濁度は２．５であった。
【実施例４】
【０１５７】
実施例１と同様にしてめっき用導電性基材を作製した。
【０１５８】
（銅めっき）
さらに、上記で得られためっき用導電性基材のパターンが形成されていない面（裏面）
に粘着フィルム（ヒタレックスＫ−３９４０Ｂ、日立化成工業（株）製）を貼り付けた。
この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極と
して電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）２５０ｇ／Ｌ、硫酸７０ｇ／Ｌ、光沢剤（３−メルカプト−１−プロパンスルホン酸塩）３ｍｌ／Ｌ、界面活性剤（ポリエチレングリコール類）１０ｍＬ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を１０Ａ／ｄｍ２として、めっき用導電性基材の凹部に析出した金属の厚さがほぼ６μｍになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部の中とそれからあふれるようにめっきが形成された。
【０１５９】
実施例１と同様にして透明基材を作製した。
【０１６０】
（転写及び埋設）
上記で得た透明基材を、１００℃５分間プレヒートしてから、粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度１５０℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード０．１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた透明基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が透明基材の粘着剤層に転写されていた。
銅が転写された透明基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図６（ｂ）のような形状であり、上部の上底の幅Ｌ１は１５〜１７μｍ、下底の幅Ｌ２は１７〜１９μｍ、角度αは４５°、最大幅Ｌは１９〜２２μｍ、ＬとＬ２の差は２〜３μｍで、上部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、下部層の厚みＴ２は３〜４μｍ、全体の厚みは６〜７μｍ、ラインピッチ３００μｍの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、肩の部分の幅Ｌ３は、１〜２μｍ、肩の付け根の部分の導体厚Ｔ１は２〜３μｍ、Ｔ１／Ｌ３は、１．５〜２．０であった。また、同時に図９（ｃ）に示すように、導体層パターンの全部が、その上面が樹脂層から露出した状態で樹脂層に埋設されていることを確認した。  得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．０７５Ω／□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学）製を用いて、サンプルサイズ５０ｍｍ角で測定した。また、ガスケットをパターン面に静置し、５００ｇの荷重をかけながら移動させた場合に、パターン面の異常はなかった。さらに、碁盤目試験を行った結果、パターンが剥離する箇所はなかった。また、メッシュパターンの開口率は、８７％であった。
６５℃９５％ＲＨの加熱加湿試験１０００時間後、上記２つの試験を行っても、パターン面に異常及び剥離箇所はなかった。
【０１６１】
（保護膜の形成）
上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、ＵＶ硬化型
樹脂ヒタロイド７９８３ＡＡ３（日立化成工業（株）製）をコーティングし、ポリカーボ
ネートフィルム（マクロホールＤＥ、バイエル株式会社製、７５μｍ）でラミネートして
導体層パターンをＵＶ硬化型樹脂中に埋没させた後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２
の紫外線を照射してＵＶ硬化型樹脂を硬化させて、保護膜を有する導体層パターン付き基
材を得た。得られた基材の透過率は８１％、濁度は２．０であった。
【実施例５】
【０１６２】
実施例２と同様にして透明基材を作製した。
【０１６３】
（めっき、転写及び埋設）
実施例４と同様のめっき用導電性基材を用いて、実施例４と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施した。
次いで、上記透明基材のＵＶ硬化性を有する粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度３０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた透明基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が透明基材に転写されていた。
銅が転写されている透明基材の一部を切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとり、観察し、導体層パターンが図６（ｂ）の様な断面形状であること確かめ、また、任意に五カ所選択し、上部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、下部の厚みＴ２は３〜４μｍであり、下部がその下側の１〜２μｍだけ樹脂層に埋没していることを確認した。
さらに、上記で得た銅が転写されている透明基材の銅の上から厚さ５０μｍのカバーフィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の易接着層とは反対面をロールラミネートで貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度８０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎとした。この後、導体層パターンが形成された面とは反対の面から、照射量１Ｊ／ｃｍ２となるように、紫外線を照射して、カバーフィルムを剥離して、導体層パターン付き基材を得た。
この導体層パターン付き基材の一部を切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとり、観察し、図９（ｃ）に示すように、導体層パターンの全部が、その上面が樹脂層から露出した状態で樹脂層に埋設されていることを確認し、また、任意に五カ所選択して、導体層パターンの上部層の上底の幅Ｌ１は１５〜１７μｍ、下底の幅Ｌ２は１７〜１９μｍ、角度は４５°、最大幅Ｌは１９〜２２μｍ、ＬとＬ２の差は２〜３μｍで、上部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、下部層の厚みＴ２は３〜４μｍ、全体の厚みは６〜７μｍ、ラインピッチ３００μｍの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られたことを確認した。また、また、肩の部分の幅Ｌ３は、１〜２μｍ、肩の付け根の部分の導体厚Ｔ１は２〜３μｍ、Ｔ１／Ｌ３は、１．５〜２．０であった。導体層パターンの開口率は８７．０％であった。
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．０７５Ω／□であった。また、碁盤目試験を行った結果、パターンが剥離する箇所はなかった。
６５℃９５％ＲＨの加熱加湿試験１０００時間後、上記２つの試験を行っても、パターン面に異常及び剥離箇所はなかった。得られた基材の透過率は８１％、濁度は１．９であった。
【実施例６】
【０１６４】
実施例４のめっき用導電性基材に、実施例４と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施した。
【０１６５】
＜基材（Ｉ）の作製＞
粘着フィルム〔基材（Ｉ）〕を作製した。
すなわち、まず、主モノマーとして２−エチルヘキシルアクリレート７０重量％とアクリル酸エチル２０重量％を用い、官能基モノマーとしてヒドロキシエチルメタクリレート６重量％およびアクリル酸４重量部を溶液重合法で重合させてアクリル共重合体を合成した。この合成したアクリル共重合体の重量平均分子量は３０万、ガラス転移点は−３５℃であった。
【０１６６】
このアクリル共重合体１００重量部に対し、多官能イソシアネート架橋剤（日本ポリウレタン工業（株）製、コロネートＬ）を１０重量部配合し、トルエンで濃度３０重量％になるように希釈して得た粘着剤溶液を、厚さ５０μｍの易接着層付ＰＥＴフィルム（東洋紡績（株）製、コスモシャインＡ４１００）に、乾燥時の粘着剤層厚さが１０μｍになるように前記粘着剤溶液を塗工し、１００℃で３０分間乾燥し、基材（Ｉ）を得た。基材（Ｉ）は、粘着剤層付き基材であるが、図１３の支持基材２１に対応する。
【０１６７】
＜保持用樹脂層付基材兼転写用基材の作製＞
まず、主モノマーとしてアクリル酸ブチル８５重量％とアクリル酸エチル１０重量％を用い、官能基モノマーとしてアクリル酸−２−ヒドロキシエチル５重量部を用い、開始剤として過酸化水素を用い、乳化剤としてノニオン系界面活性剤を用い７５℃で３時間乳化重合した後、水洗、乾燥し重量平均分子量８０万、ガラス転移点−４７℃のアクリル共重合体を得た。次いで、これをトルエンに２０重量％になるように溶解し、この溶液の固形分１００重量部に対し多官能イソシアネート架橋剤（日本ポリウレタン工業（株）製、コロネートＬ）を１０重量部添加して粘着剤溶液を調整した。これをシリコーン系剥離剤が塗布されたポリエステルフィルムセパレータ（東洋紡績（株）製、商品名Ｅ−７００２、厚み２５μｍ）に、乾燥後の膜厚が２５μｍになるように塗布し、１００℃で１０分間乾燥して保持用樹脂層付きセパレータを得た。
次いで、基材（Ｉ）の粘着層と保持用樹脂層付きセパレータの保持用樹脂層が接着するように基材（Ｉ）と保持用樹脂層付きセパレータとを貼り合せ、ポリエステルフィルムセパレータのみを剥離して、保持用樹脂層付基材兼転写用基材（図１３の基材２０に対応）を作製した。なお、保持用樹脂層は、図１３の基材２２に対応する。
【０１６８】
＜めっき用導電性基材からの金属配線層の転写＞
上記で金属配線層を形成しためっき用導電性基材上に保持用樹脂層付基材をその保持用樹脂層を向けて圧着した（図１４（ｇ）に対応）。次いで、保持用樹脂層付基材を剥離したところ、金属配線層は保持用樹脂層に転写されており、この時点で導体層パターン付き基材（図１４（ｈ）の導体層パターン付き基材２３に対応）が得られた。金属配線層は、図１４（ｈ）の導体層１９に対応する。
【０１６９】
＜基材（ＩＩ）の貼合＞
金属配線層を形成した保持用樹脂層付基材の金属配線層および保持用樹脂層に基材（ＩＩ）であるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（図１７の２４に対応）を貼り合せ、表面が保護された導体層パターン付き基材（図１７の２５に対応）を得た。
＜基材（Ｉ）の剥離とガラス板〔基材（ＩＩＩ）〕への貼合＞
保持用樹脂層から基材（Ｉ）を剥離し、（図２１（ａ）に対応）、得られた積層物（（図２１（ｂ）に対応））の保持用樹脂層面にガラス板〔基材（ＩＩＩ）〕に貼り合せた（図２１（ｃ）に対応）。貼り合せは、ロールラミネータを用い、ロール温度１５０℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード０．１ｍ／ｍｉｎにて行った。ガラス板は、図２１（ｃ）の３１に対応する。
【０１７０】
＜基材（ＩＩ）の剥離＞
ガラス上の保持用樹脂層から基材（ＩＩ）を剥離した。金属配線層が保持用樹脂層により保持された金属配線層付ガラスを得た（図２１（ｄ）に対応）。
＜金属配線層の埋設状態＞
金属配線層付ガラスの断面を走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にて観察した。任意に五カ所選択し、金属配線層の断面形状が図４（ｂ）のような形状であり、上部の上底の幅Ｌ１は１５〜１７μｍ、下底の幅Ｌ２は１７〜１９μｍ、角度αは４５°、最大幅Ｌは１９〜２２μｍ、ＬとＬ２の差は２〜３μｍで、上部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、下部層の厚みＴ２は３〜４μｍ、全体の厚みは６〜７μｍ、ラインピッチ３００μｍの格子状金属パターンからなる金属配線層付き基材が得られていることを確認した。また、同時に図７（ｃ）に示すように、金属配線層は上部の上底の幅Ｌ１は１５〜１７μｍだけ露出し、金属配線層の全部が保持用樹脂層に埋設されていることを確認した。
【０１７１】
金属配線層の開口率は、８４．０％であった。また、剥離転写時のめっき折れは発生しなかった。
【０１７２】
得られた金属配線層付き基材の表面抵抗は、０．０７５Ω／□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学）製を用いて、サンプルサイズ５０ｍｍ角で測定した。
【実施例７】
【０１７３】
実施例４のめっき用導電性基材に、実施例４と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施した。
【０１７４】
＜透明基材（転写用基材）の作製＞
粘着剤層厚みが２５μｍである両面粘着フィルム（ヒタレックスＤＡ３０２５、日立化成工業株式会社製）の片面からセパレータフィルムを剥離し、ガラスに貼り合せた。ラミネート条件はロール温度１００℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎとした。その後、ガラス上に形成された粘着剤層のもう一方の面からセパレータフィルムを剥離し、粘着剤層を露出した。
【０１７５】
＜転写及び埋設＞
上記透明基材の粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度３０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード０．１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、透明基材に貼り合わせためっき用導電性基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅（導体層パターン）が転写されていた。
【０１７６】
銅が転写された透明基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図５（ｂ）のような形状であり、上部の上底の幅Ｌ１は１５〜１７μｍ、下底の幅Ｌ２は１７〜１９μｍ、角度αは４５°、最大幅Ｌは１９〜２２μｍ、ＬとＬ２の差は２〜３μｍで、上部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、下部層の厚みＴ２は３〜４μｍ、全体の厚みは６〜７μｍ、ラインピッチ３００μｍの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、同時に図８（ｃ）に示すように、導体層パターンの全部が、その上面が樹脂層から露出した状態で樹脂層に埋設されていることを確認した。
【０１７７】
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．０７５Ω／□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学）製を用いて、サンプルサイズ５０ｍｍ角で測定した。
【０１７８】
６５℃９５％ＲＨの加熱加湿試験１０００時間後、上記２つの試験を行っても、パターン面に異常及び剥離箇所はなかった。
【実施例８】
【０１７９】
実施例４のめっき用導電性基材に、めっき厚がほぼ１２μｍになるまでめっきしたこと以外は実施例４と同様にめっき用導電性基材上に銅めっきを施した。
【０１８０】
＜透明基材の作製＞
粘着剤層厚みが２５μｍである両面粘着フィルム（ヒタレックスＤＡ３０２５、日立化成工業株式会社製）の片面からセパレータフィルムを剥離し、ＰＥＴフィルム（１２５μｍ厚、Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）に貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度１００℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎとした。その後、ＰＥＴフィルム上に形成された粘着剤層のもう一方の面からセパレータフィルムを剥離し、粘着剤層を露出した。
【０１８１】
＜転写及び埋設＞
上記透明基材の粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度３０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード０．１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた透明基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が透明基材の粘着剤層に転写されていた。
【０１８２】
銅が転写された透明基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）にとって、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状が図５（ｂ）のような形状であり、上部の上底の幅Ｌ１は１５〜１７μｍ、下底の幅Ｌ２は１７〜１９μｍ、角度αは４５°、最大幅Ｌは２４〜２８μｍ、ＬとＬ２の差は８〜１０μｍで、上部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、下部層の厚みＴ２は８〜１０μｍ、全体の厚みは１１〜１３μｍ、ラインピッチ３００μｍの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、同時に図８（ｃ）に示すように、導体層パターンの全部が、その上面が樹脂層から露出した状態で樹脂層に埋設されていることを確認した。
【０１８３】
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．０４Ω／□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学）製を用いて、サンプルサイズ５０ｍｍ角で測定した。
【０１８４】
６５℃９５％ＲＨの加熱加湿試験１０００時間後、上記２つの試験を行っても、パターン面に異常及び剥離箇所はなかった。
【実施例９】
【０１８５】
＜太陽電池モジュールの作製＞
太陽電池セル（株式会社アドバンテック製、単結晶Ｓｉ太陽電池セル）の裏面の２本のバスバーのそれぞれに細いタブ線をはんだごてを用いてはんだ接続し、２本の細いタブ線を１本の太いタブ線（Ａ）によりはんだごてを用いてはんだ接続した。太陽電池セルの表面（受光面）に、上記実施例８で得られた導体層パターン付き基材を導体層パターンが形成された面と太陽電池表面のフィンガー電極及びバスバーを接触させるように貼り合せた。ラミネート条件は、ロール温度１００℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード０．１ｍ／ｍｉｎとした。太陽電池セルに貼り合せた導体層パターン付き基材の導体層パターンに１本の太いタブ線（Ｂ）をセル端部から１０ｍｍ離して貼り合せた。ラミネート条件は、ロール温度１００℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード０．１ｍ／ｍｉｎとした。導体層パターン付き基材の導体層パターンはタブ線（Ｂ）と接続してあるが、タブ線（Ａ）とは接続されていない。
厚み３ｍｍ、サイズ２００ｍｍ□の太陽電池用白板熱処理ガラスの上にガラスの同じサイズのエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート（ソーラーエバＳＣ５０Ｂ、三井化学ファブロ株式会社製）を置き、上記のタブ線が接続した太陽電池セルをセル表面がガラス側に向くように置いた。太陽電池セルの中心とガラスの中心は一致させて置き、太いタブ線（Ａ）と太いタブ線（Ｂ）をガラスより外側に出した。太陽電池セルの上にガラスと同じサイズのエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート（ソーラーエバＳＣ５０Ｂ、三井化学ファブロ株式会社製）を置き、その上にガラスと同じサイズのＰＥＴフィルム（１２５μｍ厚、Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）を置いた。これらを真空加圧ラミネータにより０．１ＭＰａ、１５０℃３０分間加熱加圧し、太陽電池モジュールを作製した。
【０１８６】
＜高温高湿試験＞
太陽電池モジュールを８５℃８５％ＲＨにて保管した。特性を測定する際は、８５℃８５％ＲＨから取り出したモジュールを２５℃６０％ＲＨにて６時間保管した後、すぐに（０時間）、さらに、８５℃８５％ＲＨにて１６０時間保管後、２８０時間保管後、３６０時間保管後及び４７０時間保管後に直列抵抗の測定を行った。直列抵抗の測定は、の高温高湿試験後の特性として電気抵抗を測定した。測定には、ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ製デジタルマルチメータＡＤ７４６１Ａを用いて、太陽電池モジュールのタブ線（Ａ）とタブ線（Ｂ）の間の直列抵抗を２端子法で測定した。その結果を表１に示した。
【０１８７】
比較例１
＜太陽電池モジュールの作製＞
太陽電池セル（株式会社アドバンテック製、単結晶Ｓｉ太陽電池セル）の裏面の２本のバスバーのそれぞれに細いタブ線をはんだごてを用いてはんだ接続し、２本の細いタブ線を１本の太いタブ線（Ａ）によりはんだごてを用いてはんだ接続した。太陽電池セルの表面（受光面）の２本のバスバーのそれぞれに細いタブ線をはんだごてを用いてはんだ接続し、２本の細いタブ線を１本の太いタブ線（Ｂ）によりはんだごてを用いてはんだ接続した。
厚み３ｍｍ、サイズ２００ｍｍ□の太陽電池用白板熱処理ガラスの上にガラスの同じサイズのエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート（ソーラーエバＳＣ５０Ｂ、三井化学ファブロ株式会社製）を置き、上記のタブ線が接続した太陽電池セルをセル表面がガラス側に向くように置いた。太陽電池セルの中心とガラスの中心は一致させて置き、太いタブ線（Ａ）と太いタブ線（Ｂ）をガラスより外側に出した。太陽電池セルの上にガラスと同じサイズのエチレン酢酸ビニル共重合樹脂シート（ソーラーエバＳＣ５０Ｂ、三井化学ファブロ株式会社製）を置き、その上にガラスと同じサイズのＰＥＴフィルム（１２５μｍ厚、Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）を置いた。これらを真空加圧ラミネータにより０．１ＭＰａ、１５０℃３０分間加熱加圧し、太陽電池モジュールを作製した。
＜高温高湿試験＞
実施例９と同様におこなった。その結果を表１に示した。
【０１８８】
実施例９及び比較例１の太陽電池用モジュールの高温高湿試験結果を表１に示す。
【表１】
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各試験時間における比較例１での抵抗値に対する実施例９での抵抗の比（Ｒｔ）を求め、０ｈｒにおける比較例１での抵抗値に対する実施例９での抵抗の比（Ｒ０）からの変化率（抵抗率の変化率、Ｒｔ／Ｒ０）も示した。８５℃８５％ＲＨにて４７０ｈｒ保管しても、保管開始前の直列抵抗と比べて０．４％増加しただけであった。
実施例９において、８５℃８５％ＲＨにて４７０ｈｒ保管しても、保管開始直後（０時間）の直列抵抗と比べて０．４％増加しただけであった。
【符号の説明】
【０１８９】
１：導体層パターン付基材
２：支持基材
３：樹脂層
４：基材
５：導体層
６：上部
７：下部
８：肩部
１１：めっき用導電性基材
１２：導電性基材
１３：絶縁層
１４：凹部
１５：感光性レジスト層（感光性樹脂層）
１６：突起部
１７：ＤＬＣ膜
１８：中間層
１９：導体層
２０：転写用基材
２１：支持基材
２２：樹脂層（粘着剤層）
２３：導体層パターン付き基材
２４：保護層（保護基材）
２５：表面保護された導体層パターン付き基材
２６：導体層パターン付き基材（少なくとも最大幅部分埋設）
２７：導体層パターン付き樹脂層
２８：透明導電膜
２９：表面に透明導電膜を有する導体層パターン付き基材
３０：支持基材２１が剥離された表面保護された導体層パターン付き基材
３１：新しい支持基材
３２：保護基材を有する新しい導体層パターン付き基材
３３：上面は樹脂層から露出している導体層が積層された導体層パターン付き基材
３４：粘着剤層
３５：上面は樹脂層２２から露出している導体層が積層された導体層パターン付き基材
４０：太陽電池要素
４１：単結晶ｎ型シリコン
４２：ｉ型アモルファスシリコン
４３：ｐ型アモルファスシリコン
４４：ｎ型アモルファスシリコン
４５：透明導電膜
４７：金属膜
５２：透明なエチレン−ビニルアセテート共重合体
５３：バックシート
５５：取出電極
５６：ｐ型アモルファスシリコンゲルマニウム
５７：ｉ型アモルファスシリコンゲルマニウム
５８：ｎ型アモルファスシリコンゲルマニウム
５９：ポリイミドフィルム
６０：背面電極
６１、６２：スルホール
６４：バッファ
６５：半導体のＣＩＧＳ光吸収層
６６：パターン化されたモリブデン裏面電極
６７：取出電極
６８：ガラス板
１００：電解浴
１０１：電解液
１０２：陽極
１０３：回転体
１０４：配管
１０５：ポンプ
１０６：金属
１０７：フィルム
１０８：圧着ロール
１０９：導体層パターン付き基材
１１０：フープ状の導電性基材
１１１〜１２８：搬送ロール
１２９：前処理槽
１３０：めっき槽（電解浴槽）
１３１：水洗槽
１３２：黒化処理槽
１３３：水洗槽
１３４：防錆処理槽
１３５：水洗槽
１３６：プラスチックフィルム基材（接着フィルム）
１３７：圧着ロール
１３８：導体層パターン付き基材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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