【手続補正書】
【提出日】平成16年12月17日(2004.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】            明細書
【発明の名称】  回路基板、回路基板の中間体およびそれらの製造方法
【特許請求の範囲】
【請求項１】  絶縁性基材に形成された貫通孔に、導電体が、前記絶縁性基材の少なくとも一方の表面から突出するように充填されてなる回路基板の中間体であって、
前記絶縁性基材には、前記貫通孔の外周に導電体収容空間が連設されることを特徴とする回路基板の中間体。
【請求項２】  前記絶縁性基材は、絶縁性フィルムの両面に接着剤層が設けられてなり、前記接着剤層は、前記貫通孔よりも大径な部分を有して前記導電体収容空間を構成する請求項１記載の回路基板の中間体。
【請求項３】  前記絶縁性基材の表面から突出するように充填される前記導電体は、導電粒子と樹脂とを含む導電性ペーストであり、前記突出する部分における導電粒子の体積が、前記導電体収容空間より小さい請求項１または２記載の回路基板の中間体。
【請求項４】  絶縁性基材の表面にカバーフィルムを形成するカバーフィルム形成工程と、前記絶縁性基材に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔に導電体を充填する導電体充填工程と、カバーフィルムを剥離するとともに、前記貫通孔の外周に導電体収容空間を連設するカバーフィルム剥離工程とを含むことを特徴とする回路基板の中間体の製造方法。
【請求項５】  前記絶縁性基材は、絶縁性フィルムの両面に接着剤層が設けられてなり、前記貫通孔形成工程では、レーザー加工によって貫通孔を形成すると同時に貫通孔周辺のカバーフィルムを変形させて該カバーフィルムの変形によって貫通孔周辺の前記接着剤層を押しのける請求項４記載の回路基板の中間体の製造方法。
【請求項６】  前記絶縁性基材は、絶縁性フィルムの両面に接着剤層が設けられてなり、前記貫通孔形成工程では、レーザー加工によって貫通孔を形成すると同時に貫通孔周辺のカバーフィルムに前記接着剤層を接着させ、前記カバーフィルム剥離工程では、貫通孔周辺の前記接着剤層をカバーフィルムと共に除去する請求項４記載の回路基板の中間体の製造方法。
【請求項７】  前記絶縁性基材は、絶縁性フィルムの両面に接着剤層が設けられてなり、前記貫通孔形成工程は、前記絶縁性基材の貫通孔形成部分を加圧することにより、前記接着剤層を、貫通孔周辺部分を含んで圧縮変形させる工程と、貫通孔を形成する工程とを含む請求項４記載の回路基板の中間体の製造方法。
【請求項８】  請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の回路基板の中間体の両側に、配線材料または回路基板のいずれかを積層接着する積層接着工程を含む回路基板の製造方法。
【請求項９】  前記積層接着工程には、前記導電体を前記導電体収容空間に収容する収容工程が含まれる請求項８記載の回路基板の製造方法。
【請求項１０】  前記導電体は、導電粒子と樹脂とを含む導電性ペーストであり、前記収容工程では、前記導電性ペースト内の導電粒子を優先的に収容する請求項９記載の回路基板の製造方法。
【請求項１１】  前記導電体は、導電粒子と樹脂とを含む導電性ペーストであり、前記収容工程では、樹脂成分を貫通孔外に排出させる請求項８に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１２】  絶縁性基材に設けられた貫通孔に導電体が充填され、前記貫通孔の上下面に設けられた配線またはランドが前記導電体によって電気的に接続されている回路基板であって、
前記貫通孔の少なくとも一方の貫通孔端でその孔径を大きくしたことを特徴とする回路基板。
【請求項１３】  前記絶縁性基材は、絶縁性フィルムの両面に接着剤層が設けられてなり、前記接着剤層における前記孔径を大きくした請求項１２記載の回路基板。
【請求項１４】  少なくとも一面側の前記接着剤層における前記貫通孔の孔径は、前記絶縁性フィルムの表面から前記接着剤層表面に渡って絶縁性フィルムにおける貫通孔径よりも大きい請求項１２に記載の回路基板。
【請求項１５】  請求項１２または請求項１３に記載の回路基板を少なくとも一部に含む多層の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、インナービアホール接続により複数層の配線が電気的に接続された回路基板、その回路基板の中間体、およびそれらの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、電子機器の小型化および高性能化に伴い、産業用にとどまらず広く民生用機器の分野においても、ＬＳＩ等の半導体チップを高密度に実装できる多層回路基板が安価に供給されることが強く要望されてきている。このような多層回路基板では、微細な配線ピッチで形成された複数層の配線パターン間を、高い信頼性で、電気的に接続できることが重要である。
【０００３】
このような市場の要望に対して、旧来の多層回路基板の層間接続の主流となっていたスルーホール内壁の金属めっき導体に代えて、多層プリント回路基板の任意の電極を任意の配線パターン位置において層間接続できるインナービアホール（ＩＶＨ）接続法を採用した多層回路基板、すなわち全層ＩＶＨ構造樹脂多層基板と呼ばれるものが知られている。（特開平６−２６８３４５号公報参照）
この全層ＩＶＨ構造樹脂多層基板は、多層プリント回路基板のビアホール内に導電体を充填することにより、必要な各層間のみを接続することが可能であり、部品ランド直下にインナービアホールを設けることができるために、基板サイズの小型化や高密度実装を実現することができる。
【０００４】
この全層ＩＶＨ構造樹脂多層基板の製造方法を図１２（ａ）〜（ｈ）に示す。先ず、同図（ａ）に示される絶縁性基材１０１の両側に、同図（ｂ）に示されるように、カバーフィルム１０２を接着する。このカバーフィルム１０２の接着は、ラミネート加工もしくはプレス加工により行われる。次に、同図（ｃ）に示すように、カバーフィルム１０２、絶縁性基材１０１の全てを貫通する貫通孔１０３を形成する。この貫通孔１０３はレーザー等によって形成される。
【０００５】
次に同図（ｄ）に示すように貫通孔１０３に導電性ペースト１０４を充填した後、表面のカバーフィルム１０２を除去することによって同図（ｅ）に示すような絶縁性基材１０１に導電性ペースト１０４が、カバーフィルム１０２の厚さに相当する分突出するように充填された回路基板の中間体が得られる。この時、カバーフィルム１０２は、導電性ペースト１０４の充填量を確保すると共に、絶縁性基材１０１表面に導電性ペースト１０４が付着するのを防ぐ役割も果たしている。
【０００６】
この回路基板の中間体の両側より同図（ｆ）に示すように、配線材料１０５を配置し、同図（ｇ）に示すように、この配線材料１０５を加熱加圧工程によって積層接着する。この加熱加圧工程で導電性ペースト１０４が圧縮される。この圧縮によって導電性ペースト１０４内の導電粒子が強固に結合することとなり、また配線材料１０５と導電性ペースト１０４の界面の結合も強固となる。次に、両側の配線材料１０５をパターニングすることによって、同図（ｈ）に示すような回路基板を形成することができる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
上記したような従来の製造方法の場合、貫通孔付近を詳しく見てみると、図１３（ａ）〜（ｃ）に示すようになっている。この図１３（ａ）〜（ｃ）は、上述の図１２の（ｆ）〜（ｈ）に対応しており、対応する部分には、同一の参照符号を付す。この図１３に示すように、配線材料１０５を積層した際に、カバーフィルム１０２の厚さに相当する分だけ突出していた導電性ペースト１０４が広がり、加熱加圧工程で導電性ペースト１０４が絶縁性基材１０１に埋め込まれる。
【０００８】
近年、回路基板の高密度化に従い、インナービアホールのサイズを小さくし、ビアホールのピッチを挟ピッチ化する要求が高まっている。しかしながら、従来の構造、製造方法で小径ビア、挟ピッチビアを実現しようとすると、図１３（ｃ）に示すようにランド１１０より導電性ペースト１０４が広がる現象が発生する。  この導電性ペースト１０４の広がりは、ビアとビアとの間もしくは、ビアと配線との間に導電パスを形成することとなり、絶縁信頼性が低下することになる。  本発明は、上記した課題を解決するために、導電性ペーストの広がりを抑制することによって、小径、挟ピッチのビアを実現し、信頼性の高いビア接続を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、次のように構成している。
【００１０】
すなわち、本発明の回路基板の中間体は、絶縁性基材に形成された貫通孔に、導電体が、前記絶縁性基材の少なくとも一方の表面から突出するように充填されてなる回路基板の中間体であって、前記絶縁性基材には、前記貫通孔の外周に導電体収容空間が連設されるものである。
【００１１】
本発明によると、配線材料を、本発明の回路基板の中間体に積層接着する際に、導電体を、導電体収容空間に収容し、導電体が無秩序に広がるのを抑制し、挟ピッチのビアを実現し、信頼性の高いビア接続を提供することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、絶縁性基材に形成された貫通孔に、導電体が、前記絶縁性基材の少なくとも一方の表面から突出するように充填されてなる回路基板の中間体であって、前記絶縁性基材には、前記貫通孔の外周に導電体収容空間が連設されるものであり、配線材料を、本発明の回路基板の中間体に積層接着する回路基板製造工程中に、導電体が無秩序に広がるのを抑制し、挟ピッチのビアを有する接続信頼性に優れた回路基板を得ることができる。
【００１３】
本発明の請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の回路基板の中間体において、前記絶縁性基材は、絶縁性フィルムの両面に接着剤層が設けられてなり、前記接着剤層は、前記貫通孔よりも大径な部分を有して前記導電体収容空間を構成するものであり、導電体収容空間が絶縁性基材の表面寄りに設けられるので、配線材料を、本発明の回路基板の中間体に積層接着する際に、配線材料と導電体との接触面積を広く確保することができ、接続抵抗値を低く安定化させ、接続信頼性に優れた回路基板を得ることができ、また、絶縁性基材は、絶縁性フィルムの両面に接着剤層が設けられているので、薄くかつ屈曲性のある回路基板を提供することができる。
【００１４】
本発明の請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の回路基板の中間体において、前記絶縁性基材の表面から突出するように充填される前記導電体は、導電粒子と樹脂とを含む導電性ペーストであり、前記突出する部分における導電粒子の体積が、前記導電体収容空間より小さいものであり、導電性ペースト内の導電粒子が導電体収容空間に円滑に収容されて無秩序な広がりを抑制することができる。
【００１５】
本発明の請求項４に記載の発明は、絶縁性基材の表面にカバーフィルムを形成するカバーフィルム形成工程と、前記絶縁性基材に貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、前記貫通孔に導電体を充填する導電体充填工程と、カバーフィルムを剥離するとともに、前記貫通孔の外周に導電体収容空間を連設するカバーフィルム剥離工程とを含むものであり、導電体収容空間を有する回路基板の中間体を簡便に製造することができる。
【００１６】
本発明の請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の回路基板の中間体の製造方法において、前記絶縁性基材は、絶縁性フィルムの両面に接着剤層が設けられてなり、前記貫通孔形成工程では、レーザー加工によって貫通孔を形成すると同時に貫通孔周辺のカバーフィルムを変形させて該カバーフィルムの変形によって貫通孔周辺の前記接着剤層を押しのけるものであり、カバーフィルム、接着剤層の材質およびレーザー加工条件などの選定によって、導電体収容空間の収容体積を容易に制御することができる。
【００１７】
本発明の請求項６に記載の発明は、請求項４に記載の回路基板の中間体の製造方法において、前記絶縁性基材は、絶縁性フィルムの両面に接着剤層が設けられてなり、前記貫通孔形成工程では、レーザー加工によって貫通孔を形成すると同時に貫通孔周辺のカバーフィルムに前記接着剤層を接着させ、前記カバーフィルム剥離工程では、貫通孔周辺の前記接着剤層をカバーフィルムと共に除去するものであり、導電体収容空間を形成する工程とレーザー加工工程を同時に行うことができ、導電体収容空間を有する回路基板の中間体をさらに簡便に製造することができる。
【００１８】
本発明の請求項７に記載の発明は、請求項４に記載の回路基板の中間体の製造方法において、前記絶縁性基材は、絶縁性フィルムの両面に接着剤層が設けられてなり、前記貫通孔形成工程は、前記絶縁性基材の貫通孔形成部分を加圧することにより、前記接着剤層を、貫通孔周辺部分を含んで圧縮変形させる工程と、貫通孔を形成する工程とを含むものであり、絶縁性基材の成形工程によって、安定した導電体収容空間の製造が可能となる。
【００１９】
本発明の請求項８に記載の発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の回路基板の中間体の両側に、配線材料または回路基板のいずれかを積層接着する積層接着工程を含む回路基板の製造方法であり、挟ピッチのビアを有する、接続信頼性に優れた回路基板を製造することができる。
【００２０】
本発明の請求項９に記載の発明は、請求項８に記載の回路基板の製造方法において、前記積層接着工程には、前記導電体を前記導電体収容空間に収容する収容工程が含まれるものであり、導電体の広がりを小さく制御することができる。
【００２１】
本発明の請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の回路基板の製造方法において、前記導電体は、導電粒子と樹脂とを含む導電性ペーストであり、前記収容工程では、前記導電性ペースト内の導電粒子を優先的に収容するものであり、貫通孔内部の導電粒子密度を高め、接続信頼性に優れた回路基板を製造することができる。
【００２２】
本発明の請求項１１に記載の発明は、請求項８に記載の回路基板の製造方法において、前記導電体は、導電粒子と樹脂とを含む導電性ペーストであり、前記収容工程では、樹脂成分を貫通孔外に排出させるものである。
【００２３】
本発明の請求項１２に記載の発明は、絶縁性基材に設けられた貫通孔に導電体が充填され、前記貫通孔の上下面に設けられた配線またはランドが前記導電体によって電気的に接続されている回路基板であって、前記貫通孔の少なくとも一方の貫通孔端でその孔径を大きくしたものであり、導電体の広がりを抑制し、貫通孔内部の導電体に安定して圧縮を加えることができ、また接続抵抗値に寄与する配線材料との接触面積を広く確保することができる。
【００２４】
本発明の請求項１３に記載の発明は、請求項１２に記載の回路基板において、前記絶縁性基材は、絶縁性フィルムの両面に接着剤層が設けられてなり、前記接着剤層における前記孔径を大きくしたものであり、導電体収容空間を安定して形成できる。
【００２５】
本発明の請求項１４に記載の発明は、請求項１２に記載の回路基板において、少なくとも一面側の前記接着剤層における前記貫通孔の孔径は、前記絶縁性フィルムの表面から前記接着剤層表面に渡って絶縁性フィルムにおける貫通孔径よりも大きいものである。
【００２６】
本発明の請求項１５に記載の発明は、請求項１２または請求項１３に記載の回路基板を少なくとも一部に含む多層の回路基板であり、挟ピッチのビアを有する、接続信頼性に優れた多層回路基板を製造することができる。
【００２７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２８】
（実施の形態１）
図１は、本発明の一つの実施の形態に係る回路基板の中間体２００を示しており、同図（ａ）はその断面図、同図（ｂ）はそのビア部分Ａの拡大断面図である。  ２０１は絶縁性基材であって、この絶縁性基材２０１は、絶縁性フィルム２０２の両面に、接着剤層２０３が形成されて構成されている。この絶縁性基材２０１には、後述のように貫通孔が形成されて導電体としての導電性ペースト２０４が充填されており、この導電性ペースト２０４は、絶縁性基材２０１の少なくとも一方の表面、この実施の形態では、両表面から突出するように充填されている。  また、絶縁性基材２０１には、その両面寄りの前記貫通孔の外周に、該貫通孔よりも大径の導電体収容空間としてのペースト収容空間２０５が連設されている。  このペースト収容空間２０５は、後述のようにして配線材料を積層加圧して回路基板を製造する際に、導電性ペースト２０４が無秩序に流れて広がるのを抑制して接続信頼性を高めるものである。
【００２９】
次に、図１の回路基板の中間体の製造方法を、図２および図３に基づいて説明する。図２は、各工程における回路基板の中間体の断面図であり、図３は、そのビアの部分を拡大した断面図である。
【００３０】
先ず、絶縁性基材２０１は、各図（ａ）に示されるように、絶縁性フィルム２０２の両面に接着剤層２０３が形成されて構成されており、この絶縁性基材２０１の両面に、各図（ｂ）に示されるようにカバーフィルム２０６を形成する。このカバーフィルム２０６は、ラミネート加工によって接着されるのが一般的である。
【００３１】
次に、各図（ｃ）に示されるように、カバーフィルム２０６、絶縁性基材２０１を貫通する貫通孔２０７を形成する。この貫通孔２０７は、レーザー加工によって形成するものであって、このレーザー加工時の熱によって貫通孔２０７端のカバーフィルム２０６が、図３（ｃ）に示されるように、膨張して絶縁性基材２０１側に埋め込まれるように変形し、このカバーフィルム２０６の変形によって貫通孔２０７周辺の軟化している接着剤層２０３を押しのけて該接着剤層２０３を外方へ後退させる。なお、図３（ｃ）では、カバーフィルム２０６の表面を平坦に示しているが、実際は熱によって絶縁性基材２０１の表面から突出する方向にも変形するものである。
【００３２】
次に、各図（ｄ）に示すように、この貫通孔２０７に導電性ペースト２０４を充填する。導電性ペースト２０４の充填は、印刷法によると高い生産性が得られる。さらに、各図（ｅ）に示すように、カバーフィルム２０６を除去すると、絶縁性基材２０１の両面の接着剤層２０３が、外方へ後退しているので、貫通孔２０７の上下の端部には、該貫通孔２０７よりも大径なペースト収容空間２０５が形成されるとともに、絶縁性基材２０１の両面から導電性ペースト２０４が、カバーフィルム２０６の厚みに相当する分だけ突出した図１の回路基板の中間体２００が得られることになる。
【００３３】
このようにレーザー加工による貫通孔２０７の形成と同時に、加工時の熱によってカバーフィルム２０６を、絶縁性基材２０１に埋め込むように変形させて接着剤層２０３を押しのけて外方へ後退させてペースト収容空間用の部分を形成するので、新たにペースト収容空間形成用の工程を追加する必要が無い。また、レーザー加工時の熱によって、絶縁性基材２０１の材料が一時的に軟化するような条件を設定すると、安定してカバーフィルム２０６の埋め込みを形成できる。
【００３４】
また、絶縁性基材２０１の接着剤層２０３の耐熱性と絶縁性フィルム２０２の耐熱性とを考慮した材料の選定によって、接着剤層２０３のみにカバーフィルム２０６が埋め込まれる構成が実現でき、ペースト収容空間２０５を安定して確保することが可能となる。
【００３５】
なお、絶縁性基材２０１の絶縁性フィルム２０２に耐熱性の高いフィルム基材を用いることで上記構成は容易に実現できる。
【００３６】
このようにカバーフィルム２０６を熱によって変形させるには、ＹＡＧレーザーや炭酸ガスレーザーを用いて加工するのが好ましく、カバーフィルム２０６としては、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムやＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルムを用いることができる。但し、波長３５１ｎｍのＹＡＧレーザーで加工する場合には、ＰＥＴフィルムは、波長３５１ｎｍのレーザー光をほとんど吸収しないので、波長３５１ｎｍのレーザー光を吸収する紫外線吸収剤をＰＥＴフィルムに混ぜたり、ＰＥＴフィルムの表面にコーティングすればよい。
【００３７】
また、接着剤層２０３としては、例えば、熱硬化型のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂を用いることができ、絶縁性フィルム２０２は、特に限定されることはなく、例えば、ポリイミドフィルム、アラミドフィルムなどを用いることができる。絶縁性フィルム２０２として、硬化した有機フィルムを用いると、後述の加熱加圧工程によって、導電性ペースト２０４に圧縮を加える際、有機フイルムの部分が壁となり、導電性ペースト２０４にかかる圧縮力を逃がすことがない。つまり、導電性ペースト２０４に十分圧縮を加えることが可能となり、信頼性に優れたビア接続を実現することができる。
【００３８】
また、貫通孔端でその孔径が急激に変化してペースト収容空間２０５を形成しているので、貫通孔２０７の絶縁性フィルム２０２で導電性ペースト２０４を確実に保持することができ、製造工程中に導電性ペースト２０４が抜け落ちることがなく、ビア接続を安定して確保することができる。
【００３９】
次に、この回路基板の中間体を用いて回路基板を製造する工程を、図４および図５に基づいて説明する。
【００４０】
図４は、各工程における回路基板の断面図であり、図５は、そのビアの部分を拡大した断面図である。
【００４１】
２００は、上述の回路基板の中間体であり、この回路基板の中間体２００に対して、各図（ｂ）に示されるように、両側より配線材料２０８を積層し加熱加圧する。この配線材料２０８は、銅箔を用いるのが一般的であるが、銅箔が薄い場合はキャリアー付きの銅箔を用いてもかまわない。
【００４２】
この配線材料２０８の積層時に、突出した導電性ペースト２０４が絶縁性基材２０１に設けられたペースト収容空間２０５に収容され、図５（ｃ）に示すように、導電性ペースト２０４が積層時に無秩序に広がるのを抑制している。
【００４３】
次に、両側の配線材料２０８をパターニングして各図（ｄ）に示す両面回路基板２０９を得る。貫通孔２０７の上下面に設けられた配線２１０及びランド２１１は、図５（ｄ）に示すように貫通孔を覆うように形成されている。
【００４４】
この実施の形態によれば、加圧積層する際に、導電性ペースト２０４が無秩序に広がらず、導電性ペースト２０４の導電粒子には十分な圧縮が加えられるので、より安定したビアでの接続を実現することができる。
【００４５】
また、図５（ｃ）に示すように、無秩序な導電粒子の広がりがないために、ビアと接続するランド径を小さくすることができ、配線の高密度化に対して有利である。この導電粒子の広がり抑制は、隣接する配線、ビア、ランドとのショートを防ぐ効果もある。
【００４６】
また、この実施の形態では、ペースト収容空間２０５を、絶縁性基材２０１の表面寄りに設けているので、導電性ペースト２０４の広がりを抑制し、導電性ペースト２０４の導電粒子を互いに圧縮しつつ、配線材料２０８と導電性ペースト２０４の接触面積を広く確保することができ、接続抵抗値を低く安定化させることができるのである。
【００４７】
上述のペースト収容工程において、導電性ペースト２０４内の導電粒子を優先的にペースト収容空間２０５に収容することで、さらに、導電粒子の広がりを効果的に抑制することとなり、ビア内部の導電粒子密度を高めることとなる。この導電性ペースト２０４内の導電粒子の優先的な収容は、導電性ペースト２０４内部の樹脂成分を積極的に排出することで実現できる。例えば、配線材料２０８の導電性ペースト２０４と接触する面を粗化しておき、導電性ペースト２０４と接触した際に毛細管現象を利用して樹脂成分のみを配線材料２０８表面に沿って排出することによって、導電粒子の優先的な収容が実現できる。
【００４８】
また、配線材料２０８を加圧積層する前の導電性ペースト２０４の突出部における導電粒子の体積を、ペースト収容空間２０５の体積より小さくすることで、配線材料２０８を導電粒子の流れ出し防止壁として利用することができ、導電性ペースト２０４に圧縮を加えた際、導電性ペースト２０４の樹脂成分のみが配線材料２０８と絶縁性基材２０１の界面より染み出すこととなる。このような回路基板の中間体の構成をとることによっても、導電粒子の優先的な収容が実現できる。なお、突出部における導電粒子の体積あるいはペースト収容空間２０５の体積は、形状測定顕微鏡などを用いた形状の測定および導電性ペースト２０４の組成割合などに基づいて、算出できるものである。
【００４９】
上述の実施の形態では、図４および図５に示されるように、回路基板の中間体２００の両面から配線材料２０８を積層する例を示したが、本発明の他の実施の形態として、図６（ａ）〜（ｃ）の回路基板の製造工程に示されるように、少なくとも片側から回路基板２１２を積層する工程を含む製造方法でも同様の効果が得られる。なお、２０８は配線材料、２００は回路基板の中間体、２１２は回路基板である。２１２は全層ＩＶＨ構造樹脂回路基板を示しているが、通常のスルーホール基板でも同様の効果が得られるのは言うまでもない。
【００５０】
また、上述の実施の形態では、図４および図５に示されるように、配線材料２０８を積層接着した後にパターニングする製造方法を示したが、本発明の他の実施の形態として、図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、支持基材２１３上に配線２１４が既にパターニングされた配線転写基材を、回路基板の中間体２００に積層接着し、後に支持基材２１３を除去する製造工程によっても同様の効果を得ることができる。この場合には、絶縁性基材に配線およびランドが埋め込まれた構成となる。
【００５１】
上記配線材料２０８、回路基板２１２、配線転写基材を回路基板の中間体２００にどのような組み合わせで積層しても同様の効果が得られることは言うまでもない。
【００５２】
（実施の形態２）
図８は、本発明の他の実施形態の回路基板の中間体の製造工程を示す上述の図３に対応するビア部分の断面図である。
【００５３】
この実施の形態の絶縁性基材３０１は、同図（ａ）に示されるように絶縁性フィルム３０２と、その両面に形成された接着剤層３０３とから構成されている。
【００５４】
この絶縁性基材３０１の両面に、同図（ｂ）に示すようにカバーフィルム３０６を形成し、次に、同図（ｃ）に示されるように、カバーフィルム３０６および絶縁性基材３０１を貫通する貫通孔３０７を形成する。
【００５５】
この貫通孔形成の際に、絶縁性基材３０１の表面部分の接着剤層３０３の一部をカバーフィルム３０６に接着させる。カバーフィルム３０６と絶縁性基材３０１とは後の工程で剥離するために、同図（ｂ）の工程において、弱い力で接着されている。絶縁性基材３０１の表層の接着剤層３０３が熱硬化型の未硬化樹脂である場合は、熱を加えることでカバーフィルム３０６との密着力を高めることができる。したがって、レーザー加工を用いて貫通孔３０７の形成を行う際に、レーザー加工条件と絶縁性基材３０１の接着剤層３０３の材料とを選択することで、熱エネルギーによって絶縁性基材３０１の接着剤層３０３の貫通孔周辺部分３０３ａをカバーフィルム３０６に接着させることができるのである。すなわち、貫通孔３０７の周辺の接着剤層３０３を部分的に硬化させてカバーフィルム３０６に対する接着性を高めてカバーフィルム３０６側に付着させるのである。
【００５６】
次に同図（ｄ）に示す工程で貫通孔３０７に導電性ペースト３０４を充填する。その後、同図（ｅ）に示すように、カバーフィルム３０６を除去する際にカバーフィルム３０６に付着した絶縁性基材３０１の接着剤層３０３の貫通孔周辺部３０３ａを同時に除去することで、ペースト収容空間３０５を有する回路基板の中間体３００を形成することができるのである。
【００５７】
導電性ペースト３０４は、絶縁性基材３０１の両面からカバーフィルム３０６に相当する厚みだけ突出することになる。
【００５８】
この実施の形態におけるレーザーとしては、上述の実施の形態と同様に、熱加工性のあるＹＡＧレーザー、炭酸ガスレーザーを用いればよい。また、カバーフィルム３０６としては、例えば、耐熱性の高いポリイミドフィルム、液晶ポリマーフィルム、アラミドフィルムなどを用いれば、カバーフィルム３０６の熱による変形が少ないものとなる。接着剤層３０３としては、例えば、熱硬化型のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂を用いれば、加工時の熱で貫通孔周辺の接着剤層３０３が硬化し、カバーフィルム３０６と密着することになる。
【００５９】
その他の構成および効果は、上述の実施の形態１と同様であり、この実施の形態の回路基板の中間体３００を用いた回路基板の製造方法も上述の実施の形態１と同様である。
【００６０】
（実施の形態３）
図９は、本発明の他の実施形態の回路基板の中間体の製造工程を示す上述の図３に対応するビア部分の断面図である。
【００６１】
この実施の形態の絶縁性基材４０１は、同図（ａ）に示されるように絶縁性フィルム４０２と、その両面に形成された接着剤層４０３とから構成されている。
【００６２】
この絶縁性基材４０１の両面に、同図（ｂ）に示すようにカバーフィルム４０６を形成する。
【００６３】
次に、同図（ｃ）に示すように、カバーフィルム４０６が形成された縁性基材４０１に圧力を加え成形を行う。成形は、絶縁性基材４０１が熱硬化性樹脂の場合、樹脂が完全に硬化しない程度に温度を加えると加工がし易い。また、大面積に対して一度にプレスによって成形を行うと生産性を向上させることができる。      【００６４】
接着剤層４０３の材料として、圧縮変形し易い材料を選択することで、同図（ｃ）に示すように接着剤層４０３のみを圧縮成形することが容易にできるのである。
【００６５】
次に絶縁性基材４０１を成形した部分に、同図（ｄ）に示されるようにカバーフィルム４０６、絶縁性基材４０１を貫通する貫通孔４０７を形成する。この場合貫通孔４０７は、前記したプレス工程の際に同時に打ち抜き加工によって形成してもよいし、レーザー加工によって形成してもよい。
【００６６】
さらに、同図（ｅ）に示すように、この貫通孔４０７に導電性ペースト４０４を充填し、後にカバーフィルム４０６を除去することで、同図（ｆ）に示すペースト収容空間４０５を有する回路基板の中間体４００が形成できる。
【００６７】
なお、この実施の形態では、上述の実施の形態１，２とは異なり、図９（ｆ）に示されるように、ペースト収容空間４０５が接着剤層４０３と絶縁性フィルム４０２の境界まで達していないけれども、回路基板製造工程において導電性ペースト４０４の広がりを抑制する効果があることは言うまでもない。
【００６８】
また、レーザー加工によって貫通孔４０７を形成すれば、上述の実施の形態１，２と同様に、接着剤層４０３と絶縁性フィルム４０２との境界までペースト収容空間を形成できるのは勿論である。
【００６９】
なお、圧縮成形の際に、任意の形状の型で圧縮することにより、ペースト収容空間の形状を選択できるようにしてもよい。
【００７０】
その他の構成および効果は、上述の実施の形態１と同様であり、この実施の形態の回路基板の中間体４００を用いた回路基板の製造方法も上述の実施の形態１と同様である。
【００７１】
（その他の実施の形態）
上述の各実施の形態の回路基板の中間体では、導電性ペーストが、絶縁性基材の両面から突出した構成であったけれども、絶縁性基材の一方の面が配線またはランドによって塞がれており、他方の面から導電性ペーストが突出した構成であってもよい。
【００７２】
上述の各実施の形態では、絶縁性基材は、絶縁性フィルムの両面に接着剤層が形成されて構成されたけれども、本発明の他の実施の形態として、図１０に示されるように、絶縁性基材を単一基材５０１で構成してもよく、この絶縁性基材５０１の貫通孔に導電性ペースト５０４を充填するとともに、ペースト収容空間５０５を形成するようにしてもよい。この図１０に示される回路基板の中間体を用いて上述の実施の形態と同様にして図１１に示される回路基板５１２を製造することができる。なお、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のビア部分Ａの拡大図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のビア部分Ｃの拡大図であり、図１１において、５１３は配線、５１４はランドである。
【００７３】
上述の実施の形態では、ペースト収容空間は、絶縁性基材の表面寄りに形成したけれども、本発明の他の実施の形態として、絶縁性基材の中央寄りに形成してもよい。
【００７４】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、絶縁性基材には、導電体収容空間が形成されているので、配線材料を積層接着する回路基板製造工程において、導電性ペーストが広がるのを抑制し、挟ピッチのビアを有する信頼性に優れた回路基板を得ることができる。
【００７５】
また、導電性ペーストの広がりが抑制される結果、ビア内部の導電粒子密度を向上させることができ、信頼性の高い安定した層間接続を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の一つの実施の形態に係る回路基板の中間体を示す図である。
【図２】
図１の回路基板の中間体の製造方法を示す工程断面図である。
【図３】
図２のビア部分を拡大した断面図である。
【図４】
図１の回路基板の中間体を用いた回路基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図５】
図４のビア部分を拡大した断面図である。
【図６】
本発明の他の実施の形態の回路基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図７】
本発明のさらに他の実施の形態の回路基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図８】
本発明の他の実施の形態の回路基板の中間体の製造方法を示す図３に対応する図である。
【図９】
本発明のさらに他の実施の形態の回路基板の中間体の製造方法を示す図３に対応する図である。
【図１０】
本発明の他の実施の形態の回路基板の中間体を示す図である。
【図１１】
図１０の回路基板の中間体を用いて製造された回路基板を示す図である。
【図１２】
従来例の回路基板の製造方法を示す工程断面図である。
【図１３】
図１２の一部の工程におけるビア部分を拡大した断面図である。
【符号の説明】
２００，３００，４００                回路基板の中間体
２０１，３０１，４０１，５０１        絶縁性基材
２０２，３０２，４０２                絶縁性フィルム
２０３，３０３，４０３                接着剤層
２０４，３０４，４０４，５０４        導電性ペースト
２０５，３０５，４０５，５０５        ペースト収容空間
２０６，３０６，４０６                カバーフィルム
２０７，３０７，４０７                  貫通孔