【手続補正書】
【提出日】平成16年8月27日(2004.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に非晶質珪素膜を形成し、
珪素の結晶化を助長する金属元素を前記非晶質珪素膜に添加し、
前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、
前記結晶性珪素膜を島状にし、
前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記ゲイト絶縁膜の一部を除去し前記結晶性珪素膜の一部を露呈させ、
シリサイド形成可能な原子を含む層を前記露呈した結晶性珪素膜上に形成し、
加熱処理を行って前記露呈した結晶性珪素膜の表面にシリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に非晶質珪素膜を形成し、
珪素の結晶化を助長する金属元素を前記非晶質珪素膜に添加し、
前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、
前記結晶性珪素膜を島状にし、
前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記ゲイト絶縁膜を除去し、前記結晶性珪素膜の一部を露呈させ、
前記露呈した結晶性珪素膜にＰ型またはＮ型の不純物を添加し、
シリサイド形成可能な原子を含む層を前記露呈した結晶性珪素膜上に形成し、
加熱処理を行って前記露呈した結晶性珪素膜の表面にシリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上に非晶質珪素膜を形成し、
珪素の結晶化を助長する金属元素を前記非晶質珪素膜に添加し、
前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、
前記結晶性珪素膜を島状にし、
前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記ゲイト絶縁膜を除去し、前記結晶性珪素膜の一部を露呈させ、
シリサイド形成可能な原子を含む層を前記露呈した結晶性珪素膜上に形成し、
前記露呈した結晶性珪素膜にＰ型またはＮ型の不純物を添加し、
加熱処理を行って前記露呈した結晶性珪素膜の表面にシリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面上に非晶質珪素膜を形成し、
珪素の結晶化を助長する金属元素を前記非晶質珪素膜に添加し、
前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、
前記結晶性珪素膜を島状にし、
前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記ゲイト絶縁膜の一部を除去し前記結晶性珪素膜の一部を露呈させ、
シリサイド形成可能な原子を含む溶液を前記露呈した結晶性珪素膜上に塗布し、
加熱処理を行って前記露呈した結晶性珪素膜の表面にシリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面上に非晶質珪素膜を形成し、
珪素の結晶化を助長する金属元素を前記非晶質珪素膜に添加し、
前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、
前記結晶性珪素膜を島状にし、
前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記ゲイト絶縁膜を除去し、前記結晶性珪素膜の一部を露呈させ、
前記露呈した結晶性珪素膜にＰ型またはＮ型の不純物を添加し、
シリサイドを形成可能な原子を含む溶液を前記露呈した結晶性珪素膜上に塗布し、
加熱処理を行って前記露呈した結晶性珪素膜の表面にシリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面上に非晶質珪素膜を形成し、
珪素の結晶化を助長する金属元素を前記非晶質珪素膜に添加し、
前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、
前記結晶性珪素膜を島状にし、
前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記ゲイト絶縁膜を除去し、前記結晶性珪素膜の一部を露呈させ、
シリサイドを形成可能な原子を含む溶液を前記露呈した結晶性珪素膜上に塗布し、
前記露呈した結晶性珪素膜にＰ型またはＮ型の不純物を添加し、
加熱処理を行って前記露呈した結晶性珪素膜の表面にシリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面上に非晶質珪素膜を形成し、
珪素の結晶化を助長する金属元素を前記非晶質珪素膜に添加し、
前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、
前記結晶性珪素膜を島状にし、
前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記ゲイト絶縁膜の一部を除去し前記結晶性珪素膜の一部を露呈させ、
シリサイド形成可能な原子を含む層を前記露呈した結晶性珪素膜上に形成し、
加熱処理を行った後、レーザー光を照射して前記露呈した結晶性珪素膜の表面にシリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面上に非晶質珪素膜を形成し、
珪素の結晶化を助長する金属元素を前記非晶質珪素膜に添加し、
前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、
前記結晶性珪素膜を島状にし、
前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記ゲイト絶縁膜を除去し、前記結晶性珪素膜の一部を露呈させ、
前記露呈した結晶性珪素膜にＰ型またはＮ型の不純物を添加し、
シリサイド形成可能な原子を含む層を前記露呈した結晶性珪素膜上に形成し、
加熱処理を行った後、レーザー光を照射して前記露呈した結晶性珪素膜の表面にシリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁表面上に非晶質珪素膜を形成し、
珪素の結晶化を助長する金属元素を前記非晶質珪素膜に添加し、
前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、
前記結晶性珪素膜を島状にし、
前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記ゲイト絶縁膜を除去し、前記結晶性珪素膜の一部を露呈させ、
シリサイド形成可能な原子を含む層を前記露呈した結晶性珪素膜上に形成し、
前記露呈した結晶性珪素膜にＰ型またはＮ型の不純物を添加し、
加熱処理を行った後、レーザー光を照射して前記露呈した結晶性珪素膜の表面にシリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
絶縁表面上に非晶質珪素膜を形成し、
珪素の結晶化を助長する金属元素を前記非晶質珪素膜に添加し、
前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、
前記結晶性珪素膜を島状にし、
前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記ゲイト絶縁膜の一部を除去し前記結晶性珪素膜の一部を露呈させ、
シリサイド形成可能な原子を含む溶液を前記露呈した結晶性珪素膜上に塗布し、
加熱処理を行った後、レーザー光を照射して前記露呈した結晶性珪素膜の表面にシリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
絶縁表面上に非晶質珪素膜を形成し、
珪素の結晶化を助長する金属元素を前記非晶質珪素膜に添加し、
前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、
前記結晶性珪素膜を島状にし、
前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記ゲイト絶縁膜を除去し、前記結晶性珪素膜の一部を露呈させ、
前記露呈した結晶性珪素膜にＰ型またはＮ型の不純物を添加し、
シリサイドを形成可能な原子を含む溶液を前記露呈した結晶性珪素膜上に塗布し、
加熱処理を行った後、レーザー光を照射して前記露呈した結晶性珪素膜の表面にシリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
絶縁表面上に非晶質珪素膜を形成し、
珪素の結晶化を助長する金属元素を前記非晶質珪素膜に添加し、
前記非晶質珪素膜を結晶性珪素膜にし、
前記結晶性珪素膜を島状にし、
前記結晶性珪素膜を覆って、ゲイト絶縁膜を形成し、
前記ゲイト絶縁膜上にゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記ゲイト絶縁膜を除去し、前記結晶性珪素膜の一部を露呈させ、
シリサイドを形成可能な原子を含む溶液を前記露呈した結晶性珪素膜上に塗布し、
前記露呈した結晶性珪素膜にＰ型またはＮ型の不純物を添加し、
加熱処理を行った後、レーザー光を照射して前記露呈した結晶性珪素膜の表面にシリサイド層を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一において、
前記シリサイドを形成可能な原子を含む溶液をスピンコート法で前記露呈した結晶性珪素膜上に塗布することを特徴とする半導体装置の作製方法。