(57)【要約】【課題】短時間で十分な接着力を発現でき、エキスパンドによる個片化及びモールド時の配線基板の凹凸埋め込み性に優れた半導体用接着シート、この半導体用接着シートを用いたダイシングテープ一体型半導体用接着シート及び半導体装置を提供する。【解決手段】接着剤層を有する半導体用接着シートであって、  硬化後の前記接着剤層は、動的粘弾性測定装置を用いて周波数１０Ｈｚで測定した１５０℃での貯蔵弾性率が６ＭＰａ以上、１７０℃での貯蔵弾性率が５ＭＰａ未満であることを特徴とする半導体用接着シート。【選択図】      なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
接着剤層を有する半導体用接着シートであって、
硬化後の前記接着剤層は、動的粘弾性測定装置を用いて周波数１０Ｈｚで測定した１５０℃での貯蔵弾性率が６ＭＰａ以上、１７０℃での貯蔵弾性率が５ＭＰａ未満であることを特徴とする半導体用接着シート。
【請求項２】
前記接着剤層をシリコンウェハに熱圧着し、１５０℃で２分間硬化させた後の接着剤層硬化物の１７０℃におけるダイシェア強度が０．１ＭＰａ以上である請求項１記載の半導体用接着シート。
【請求項３】
前記接着剤層の厚さが、１〜２０μｍである請求項１又は２記載の半導体用接着シート。
【請求項４】
前記接着剤層が、高分子量成分を含有する請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体用接着シート。
【請求項５】
前記高分子量成分のガラス転移温度が、−１０〜６０℃で、かつ、重量平均分子量が２万〜１００万である請求項４記載の半導体用接着シート。
【請求項６】
前記高分子量成分の含有量が、接着剤層を構成する接着剤組成物の総質量の４０〜９５質量％である請求項４又は５記載の半導体用接着シート。
【請求項７】
前記接着剤層が、フィラーを含有しないことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体用接着シート。
【請求項８】
前記接着剤層が、低分子量成分を含有する請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体用接着シート。
【請求項９】
前記低分子量成分の重量平均分子量が、０．１万〜１０万である請求項８記載の半導体用接着シート。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体用接着シートとダイシングテープを一体化してなるダイシングテープ一体型半導体用接着シート。
【請求項１１】
前記ダイシングテープが、引張り荷重が４０ｋｇ以上、５％伸び弾性率が３ＭＰａ以上であり、引張り変形時に降伏点を有さないものである請求項１０記載のダイシングテープ一体型半導体用接着シート。
【請求項１２】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体用接着シートを用いて、半導体素子と支持部材とを接着した構造を有してなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体用接着シート、ダイシングテープ一体型半導体用接着シート及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材を接合するための接着剤として、銀ペーストが主に使用されていた。しかし、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化・細密化が要求されるようになってきている。こうした要求に対して、銀ペーストでは、はみ出しや半導体素子の傾きに起因するワイヤーボンディング時における不具合の発生、接着剤の膜厚の制御困難性、及び接着剤のボイド発生などにより前記要求に対処しきれなくなってきている。そのため、前記要求に対処するべく、近年、シート状の接着剤が使用されるようになってきた。
【０００３】
この接着シートは、個片貼付け方式又はウェハ裏面貼付け方式において使用されているが、前者の個片貼付け方式の接着シートを用いて半導体装置を製造する場合、リール状の接着シートをカッティング又はパンチングによって個片に切り出した後、その個片化した接着シートを支持部材に接着し、前記接着シート付き支持部材にダイシング工程によって個片化された半導体素子を接合して半導体素子付き支持部材を作製し、その後、必要に応じてワイヤボンド工程、封止工程などを経ることによって半導体装置が得られる。
【０００４】
しかし、前記個片貼付け方式の接着シートを用いるためには、接着シートを個片に切り出して支持部材に接着する専用の組立装置が必要であることから、銀ペーストを使用する方法に比べて製造コストが高くなるという問題があった。
【０００５】
一方、後者のウェハ裏面貼付け方式の接着シートを用いて半導体装置を製造する場合、まず半導体ウェハの裏面に接着シートを貼付け、さらに接着シートの他面にダイシングテープを貼り合わせ、その後、前記ウェハからダイシングによって半導体素子を個片化し、個片化した接着シート付き半導体素子をピックアップし、それを支持部材に接合し、加熱、硬化、ワイヤボンド、封止などの工程を経ることにより半導体装置が得られる。
【０００６】
このウェハ裏面貼付け方式の接着シートは、接着シート付き半導体素子を支持部材に接合するため、接着シートを個片化する装置を必要とせず、従来の銀ペースト用の組立装置をそのまま又は熱盤を付加するなどの装置の一部を改良することにより使用できる。そのため、接着シートを用いる方法の中で製造コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている。
【０００７】
ウェハ裏面貼り付け方式の接着シートを用いる方法においては、ウェハのダイシング工程時に接着シートも切断することが必要であるが、これには従来のダイヤモンドブレードを用いて切断する接触型の切断方法に加え、ウェハにレーザを照射することによりウェハ内部に選択的に改質部を形成し、その後エキスパンドすることにより改質部に沿ってウェハを切断する時に同時に接着シートを切断する方法又は切断されたウェハに接着シートを貼り付け、その後エキスパンドすることによりウェハ切断ラインに沿って接着シートを切断する方法（例えば、特許文献１参照）などがある。しかし、いずれの方法においても、無機物で固いウェハと有機物で柔らかい接着シートの固さの異なる２種類の材料を同じ工程で切断するため、切断性を向上するには、有機物である接着シートに無機フィラーを添加することが有効である。
【０００８】
また、半導体素子をはじめとする各種電子部品を搭載した実装基板として最も重要な特性の一つとして信頼性がある。その中でも、熱疲労に対する接続信頼性は実装基板を用いた機器の信頼性に直接関係するため、非常に重要な項目である。この接続信頼性を低下させる原因として、熱膨張係数の異なる各種材料を用いていることから生じる熱応力が挙げられる。半導体素子の熱膨張係数が約４ｐｐｍ／℃と小さいのに対し、電子部品を実装する配線基板の熱膨張係数が１５ｐｐｍ／℃以上と大きいことから熱衝撃に対して熱ひずみが発生し、その熱ひずみによって熱応力が発生し、この熱応力が接続信頼性を低下させる。優れた接続信頼性を確保するには、熱応力を緩和することが課題である。
【０００９】
また、このような配線基板は配線による凹凸を基板表面に通常有しており、接着シートはこの配線基板の凹凸を埋め込む必要がある。上記の熱応力緩和性、配線基板凹凸埋め込み性の点から、半導体用接着シートは、硬化後の貯蔵弾性率がある程度低いことが望ましいが、接着シートの切断性向上のため無機フィラーを添加すると、一般的に接着シートが高弾性化することが分かっている。このように、半導体パッケージの接続信頼性及び接着シートの配線基板の凹凸埋め込み性と、接着シートの切断性とはトレードオフの関係にあり、それらの性能の両立が課題となっている。
【００１０】
また、従来の接着シートでは、短時間での接着力が不十分であるため、接着シートを貼り付けた半導体素子を実装基板又はウェハに熱圧着した後、搬送している途中で半導体素子が貼り付けた位置からずれを生じたり、モールド時に実装基板と接着シート間に異物が侵入するという不具合が発生する可能性が高かった。さらにまた、従来の接着シートでは、エキスパンドによる接着シートの個片化を可能にするため、フィラーを添加して接着シートの硬化前の貯蔵弾性率を高くする方法が提案されているが、硬化後の高温での貯蔵弾性率が高くなり配線基板の凹凸の埋め込み性が低下し、またその他の特性とバランスさせることはできなかった。さらにフィラーが異物となり、接着シートを２０μｍ以下に薄膜化した場合、より良好な外観を得ることが難しかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００６−０９３２１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、短時間で十分な接着力を発現でき、エキスパンドによる個片化及びモールド時の配線基板の凹凸埋め込み性に優れた半導体用接着シート、この半導体用接着シートを用いたダイシングテープ一体型半導体用接着シート及び半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、（１）接着剤層を有する半導体用接着シートであって、硬化後の前記接着剤層は、動的粘弾性測定装置を用いて周波数１０Ｈｚで測定した１５０℃での貯蔵弾性率が６ＭＰａ以上、１７０℃での貯蔵弾性率が５ＭＰａ未満であることを特徴とする半導体用接着シートに関する。
【００１４】
また、本発明は、（２）前記接着剤層をシリコンウェハに熱圧着し、１５０℃で２分間硬化させた後の接着剤層硬化物の１７０℃におけるダイシェア強度が０．１ＭＰａ以上である前記（１）記載の半導体用接着シートに関する。
【００１５】
また、本発明は、（３）前記接着剤層の厚さが、１〜２０μｍである前記（１）又は（２）記載の半導体用接着シートに関する。
【００１６】
また、本発明は、（４）前記接着剤層が、高分子量成分を含有する前記（１）〜（３）のいずれか一項に記載の半導体用接着シートに関する。
【００１７】
また、本発明は、（５）前記高分子量成分のガラス転移温度が、−１０〜６０℃で、かつ、重量平均分子量が２万〜１００万である前記（４）記載の半導体用接着シートに関する。
【００１８】
また、本発明は、（６）前記高分子量成分の含有量が、接着剤層を構成する接着剤組成物の総質量の４０〜９５質量％である前記（４）又は（５）記載の半導体用接着シートに関する。
【００１９】
また、本発明は、（７）前記接着剤層が、フィラーを含有しないことを特徴とする前記（１）〜（６）のいずれか一項に記載の半導体用接着シートに関する。
【００２０】
また、本発明は、（８）前記接着剤層が、低分子量成分を含有する前記（１）〜（７）のいずれか一項に記載の半導体用接着シートに関する。
【００２１】
また、本発明は、（９）前記低分子量成分の重量平均分子量が、０．１万〜１０万である前記（８）記載の半導体用接着シートに関する。
【００２２】
また、本発明は、（１０）前記（１）〜（９）のいずれか一項に記載の半導体用接着シートとダイシングテープを一体化してなるダイシングテープ一体型半導体用接着シートに関する。
【００２３】
また、本発明は、（１１）前記ダイシングテープが、引張り荷重が４０ｋｇ以上、５％伸び弾性率が３ＭＰａ以上であり、引張り変形時に降伏点を有さないものである前記（１０）記載のダイシングテープ一体型半導体用接着シートに関する。
【００２４】
また、本発明は、（１２）前記（１）〜（９）のいずれか一項に記載の半導体用接着シートを用いて、半導体素子と支持部材とを接着した構造を有してなる半導体装置に関する。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、接着剤層の硬化後の弾性率を制御することにより、短時間で十分な接着力を発現でき、モールド時の配線基板の凹凸埋め込み性に優れた半導体用接着シート、この半導体用接着シートを用いたダイシングテープ一体型半導体用接着シート及び半導体装置を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明の半導体用接着シートは、接着剤層を有する半導体用接着シートであって、硬化後の前記接着剤層は、動的粘弾性測定装置を用いて周波数１０Ｈｚで測定した１５０℃での貯蔵弾性率が６ＭＰａ以上、１７０℃での貯蔵弾性率が５ＭＰａ未満であることを特徴とする。
【００２７】
本発明の半導体用接着シートを構成する接着剤層は、硬化後のＣステージ状態において、動的粘弾性測定装置を用いて周波数１０Ｈｚで測定した１５０℃での貯蔵弾性率が６ＭＰａ以上であり、それによって短時間で十分な接着力を発現することができる。前記貯蔵弾性率が６ＭＰａでは、短時間で充分な接着力が発現できず、また、１５０℃でワイヤーボンディングする場合、強度が不十分となってしまう。
【００２８】
また、本発明の半導体用接着シートを構成する接着剤層は、硬化後のＣステージ状態において、動的粘弾性測定装置を用いて周波数１０Ｈｚで測定した１７０℃での貯蔵弾性率が５ＭＰａ未満であり、それによって配線基板の凹凸埋め込み性が良好となる。前記１７０℃での貯蔵弾性率は、好ましくは１〜４ＭＰａ、より好ましくは２〜４ＭＰａである。前記貯蔵弾性率が５ＭＰａ以上では、配線基板の凹凸の埋め込み性が低下してしまい、本発明の目的を達成することができず、一方、１ＭＰａ未満では、接着シートのはみ出しが生じる可能性がある。
【００２９】
本発明の半導体用接着シートは、硬化後の前記接着剤層の１５０℃での貯蔵弾性率が６ＭＰａ以上、１７０℃での貯蔵弾性率が５ＭＰａ未満であるためには、フィラー含有量が、接着剤組成物の総質量の５質量％以下であることが好ましく、フィラーを含有しないことがより好ましい。前記フィラーの含有量が５質量％超では、１７０℃での貯蔵弾性率が高くなり、配線基板の凸凹埋め込み性が低下する可能性がある。
【００３０】
前記硬化後の接着剤層の貯蔵弾性率は、接着剤層を１７０℃、３時間硬化させた後、動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、商品名ＤＶＥ−Ｖ４）を用いて、接着剤層硬化物に引張り荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度３〜１０℃／分で−５０〜３００℃まで測定する温度依存性測定モードで測定することができる。
【００３１】
本発明の半導体用接着シートは、初期接着力を高める観点で、接着剤層をシリコンウェハに熱圧着し、１５０℃で２分硬化させた後の接着剤層硬化物の１７０℃におけるダイシェア強度が０．１ＭＰａ以上であることが好ましい。前記ダイシェア強度が０．１ＭＰａ未満では、モールド時にシリコンウェハと接着シート間に異物が混入する可能性がある。
【００３２】
前記ダイシェア強度は、接着シートの接着剤層面をシリコンウェハに７０℃で貼り付け、接着剤層を圧力０.４ＭＰａ、時間１.５秒、温度１５０の条件でシリコンウェハに圧着し、１５０℃で２時間硬化させて接着剤硬化物のサンプルを作製し、万能ボンドテスター（Ｄａｇｅ社製）を用いて、測定温度１７０℃で測定することができる。
【００３３】
また、本発明の半導体用接着シートは、接着剤層面を有機基板に貼付し、７０℃で３時間硬化させた後、８５℃、相対湿度８５％、保持時間４８時間の条件で吸湿処理し、処理前後の有機基板に対する接着剤層硬化物の２６５℃におけるダイシェア強度の比（吸湿処理後のダイシェア強度／吸湿処理前のダイシェア強度）が０．７以上であることが好ましい。前記ダイシェア強度比が０．７未満では、耐半田リフロー性に劣り、接着剤層と基板間で剥離が発生する可能性がある。前記ダイシェア強度は接着力の指標であり、ダイシェア強度比が大きいほど耐半田リフロー性に優れ高い信頼性を有することになる。
【００３４】
前記ダイシェア強度比は以下により求めることができる。接着シートの接着剤層面を半導体素子に温度７０℃、圧力０.３ＭＰａ、速度０.３ｍ／分の条件で貼付し、その後、０．１ＭＰａ、時間５秒、温度１２０℃の条件で有機基板に圧着し、１７０℃で３時間硬化させた後、温度８５℃、相対湿度８５％、保持時間４８時間の条件で吸湿処理し、万能ボンドテスター（Ｄａｇｅ社製）を用いて、測定温度２６５℃で吸湿処理後のダイシェア強度を測定し、ダイシェア強度比を算出する。
【００３５】
前記ダイシェア強度比を０.７以上にする方法として、例えば接着剤層を構成する成分である硬化剤として吸水率が２質量％以下のフェノール樹脂を用いることや、硬化促進剤の配合量を調整することが挙げられる。
【００３６】
本発明の半導体用接着シートは接着剤層を有するものであり、接着剤層のみの単層構造でも、支持体フィルムなどとの他の部材との積層構造でもよい。
【００３７】
以下、本発明の半導体用接着シートを構成する接着剤層について説明する。
【００３８】
本発明の半導体用接着シートにおける接着剤層は接着剤組成物から構成され、高分子量成分を含有することが好ましい。前記高分子量成分は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が−１０〜６０℃であることが好ましい。前記Ｔｇが−１０℃未満の場合は、接着強度が低下したり、硬化前状態での接着剤層のタック性が大きくなり、取り扱い性が悪化する可能性があり、６０℃を超える場合は接着シートの柔軟性が低下する可能性がある。また、高分子量成分の重量平均分子量は、２万〜１００万であることが好ましく、１０〜９０万であることがより好ましく、２０〜８０万であることが最も好ましい。前記重量平均分子量が２万未満であると、シート状での強度の低下、可とう性の低下、タック性の増大が起こる可能性があり、１００万を超えると、ワニス作製時の溶剤への溶解性が低下し作業性が悪くなる傾向がある。なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。
高分子量成分の含有量が、接着剤層硬化物の貯蔵弾性率を制御するという観点から、接着剤層を構成する接着剤組成物の総質量の４０〜９５質量％であることが好ましく、４５〜７０質量％であることがより好ましい。前記含有量が４０質量％未満であると、前記接着剤層硬化物の１７０℃における貯蔵弾性率が高くなる傾向にあり、配線基板の凹凸埋め込み性が低下する可能性がある。一方、前記含有量が９５質量％超であると、前記接着剤層硬化物の１５０℃における貯蔵弾性率が低くなる傾向にあり、短時間で充分な接着力が発現し難く、また、ワイヤーボンディングする場合の強度が不十分となり信頼性が低下する可能性がある。
【００３９】
本発明で用いられる高分子量成分は、熱可塑性樹脂が好ましく、例えば、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル共重合体などが挙げられる。これらのなかでも、エポキシ樹脂と非相溶である官能基を有する重量平均分子量が５０万以上である高分子量成分が好ましく、該官能基はポリマー鎖中に有していても、ポリマー鎖末端に有していてもよい。前記官能基としては、例えば、エポキシ基、アクリロイル基、メタクリロイル基、ヒドロキシル基、カルボキシル基、イソシアネート基、アミノ基、アミド基等が挙げられる。これらのなかでも、エポキシ基を有する高分子量成分が好ましく、例えば、グリシジル（メタ）アクリレートなどの官能性モノマーを含有するモノマーを重合して得た、重量平均分子量が５０万以上であるエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体等が好ましい。
【００４０】
エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体は、例えば、エポキシ基含有（メタ）アクリルエステル共重合体、エポキシ基含有アクリルゴム等を挙げることができ、エポキシ基含有アクリルゴムを用いることがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体等からなるゴムである。エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体中のエポキシ基含有モノマーの量は、０．５〜６．０質量％であることが好ましい。前記エポキシ基含有モノマーの量が０．５〜６．０質量％であると、接着シートの接着力が確保し易く、ゲル化を防止し易くなる。かかるグリシジル（メタ）アクリレートを０．５〜６.０質量％含む重量平均分子量が５０万以上であるエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体としては、特に制限はなく、ナガセケムテック株式会社（株）製、商品名ＨＴＲ―８６０Ｐ−３ＤＲなどを用いることができる。
【００４１】
前記官能基モノマーが、カルボン酸タイプのアクリル酸や、水酸基タイプのヒドロキシメチル（メタ）アクリレートを用いると、橋架け反応が進行しやすく、ワニス状態でのゲル化、硬化前状態における硬化度の上昇による接着力の低下等の問題があるため好ましくない。
【００４２】
また、官能基モノマーとして用いるグリシジル（メタ）アクリレートの量は、２〜６質量％の共重合体比とする。２質量％以下であると接着力が低下する可能性があり、６質量％以上であるとゲル化する可能性がある。なお、グリシジル（メタ）アクリレートは、グリシジルアクリレート、グリシジルメタアクリレート及びそれらの混合物を意味する。
【００４３】
グリシジル（メタ）アクリレートと共重合するコモノマーは、エチル（メタ）アクリレートやブチル（メタ）アクリレート又は両者の混合物を用いることができるが、混合比率は、共重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）が−１０〜６０℃の範囲となるよう考慮して決定すればよい。重合方法は特に制限はなく、パール重合、溶液重合等を使用することができる。
【００４４】
本発明の半導体用接着シートにおける接着剤層を構成する接着剤組成物は、低分子量成分を含有することが好ましい。前記低分子量成分の重量平均分子量は、特に制限はないが、０．１万〜１０万であることが好ましく、０.２万〜１万であることがより好ましく、０.３万〜０.５万であることがさらに好ましい。前記重量平均分子量が０．１万未満であると、低粘度の液状である場合が多く、接着シートの破断性を低下させる可能性がある。一方、１０万を超えると、高分子量化に伴い、樹脂間での分子の絡み合いにより、接着シートの破断性を低下させる可能性がある。
【００４５】
本発明で用いられる低分子量成分は、良好な接着力を持たせるために、熱硬化性樹脂を含むことが好ましく、例えば、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミド樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリールフタレート樹脂、シリコーン樹脂、レゾルシノールホルムアルデヒド樹脂、キシレン樹脂、フラン樹脂、ポリウレタン樹脂、ケトン樹脂、トリアリールシアヌレート樹脂、ポリイソシアネート樹脂、トリス（２−ヒドロキシエチル）イソシアヌラートを含有する樹脂、トリアリールトリメリタートを含有する樹脂、シクロペンタジエンから合成された樹脂、芳香族ジシアナミドの三量化による熱硬化性樹脂等が挙げられる。これらのなかでも、高温において優れた接着力を持たせることができる点で、エポキシ樹脂、シアネート樹脂及びビスマレイミド樹脂が好ましく、エポキシ樹脂がより好ましい。なお、これら熱硬化性樹脂は単独又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
【００４６】
エポキシ樹脂としては、環球式で測定した軟化点が５０℃以上であるものが好ましく、例えば、油化シェルエポキシ（株）製、商品名エピコート１００１、１００２、１００３、１０５５、１００４、１００４ＡＦ、１００７、１００９、１００３Ｆ、１００４Ｆ、ダウケミカル日本（株）製、商品名Ｄ．Ｅ．Ｒ．６６１、６６２、６６３Ｕ、６６４、６６４Ｕ、６６７、６４２Ｕ、６７２Ｕ、６７３ＭＦ、６６８、６６９等のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、東都化成（株）製、商品名ＹＤＦ−２００４等のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、日本化薬（株）製、商品名ＥＰＰＮ−２０１等のフェノールノボラック型エポキシ樹脂、油化シェルエポキシ（株）製、商品名エピコート１８０Ｓ６５、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名アラルダイトＥＣＮ１２７３、１２８０、１２９９、東都化成（株）製、商品名ＹＤＣＮ−７０１、７０２、７０３、７０４、日本化薬（株）製、商品名ＥＯＣＮ−１０２０、１０２Ｓ、１０３Ｓ、１０４Ｓ、住友化学工業（株）製、商品名ＥＳＣＮ−１９５Ｘ、２００Ｌ、２２０等のクレゾールノボラックエポキシ樹脂、油化シェルエポキシ（株）製、商品名Ｅｐｏｎ１０３１Ｓ、エピコート１０３２Ｈ６０、１５７Ｓ７０、日本化薬（株）製、商品名ＥＰＰＮ５０１Ｈ、５０２Ｈ等の多官能エポキシ樹脂、チバスペシャリティーケミカルズ社製、商品名アラルダイトＰＴ８１０などの複素環含有エポキシ樹脂等が挙げられるが、これらに制限するものではない。
【００４７】
本発明の半導体用接着シートにおける接着剤層を構成する接着剤組成物は、熱硬化性樹脂の硬化性を高める目的で硬化剤や硬化促進剤を含んでもよい。硬化剤としては、例えば、アミン類、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三フッ化ホウ素、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳのようなフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有するビスフェノール類、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂などが挙げられる。本発明では、吸湿後の接着力の観点から、フェノール樹脂が好ましく、温度８５℃、相対湿度８５％の恒温恒湿槽に４８時間投入後の吸水率が２質量％以下で、熱重量分析計（ＴＧＡ）で測定した３５０℃での加熱質量減少率（昇温速度：５℃／分、雰囲気：窒素）が５質量％未満のものがより好ましい。このようなフェノール樹脂は、フェノール化合物と２価の連結基であるキシリレン化合物を、無触媒又は酸触媒の存在下に反応させて得られるものであり、市販品としては、三井化学株式会社製、商品名ミレックスＸＬＣ−シリーズ、ＸＬシリーズ等がある。
【００４８】
硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、４級ホスホニウム塩類、４級アンモニウム塩類、イミダゾール類、ＤＢＵ脂肪酸塩類、金属キレート類、金属塩類、トリフェニルフォスフィン類等を用いることができる。これらは１種を単独で又は２種以上を併用して用いられる。これら硬化促進剤のなかでも、イミダゾール類が好ましく、その具体例としては、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは１種又は２種以上を併用することもできる。
【００４９】
硬化促進剤の含有量は、熱硬化性樹脂及び硬化剤との総質量１００質量部に対して、０．００３〜５質量部であることが好ましく、０．００５〜３質量部であることがより好ましい。前記含有量が０．００３質量部未満であると硬化性が劣る傾向があり、５質量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。
【００５０】
また、本発明の半導体用接着シートにおける接着剤層を構成する接着剤組成物は、異種材料間の界面結合をよくするために、各種カップリング剤を含有することもできる。カップリング剤としては、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられるが、シラン系カップリング剤が最も好ましい。
【００５１】
シラン系カップリング剤としては、特に制限はなく、例えば、ビニルトリクロルシラン、ビニルトリス（β−メトキシエトキシ）シラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン等のビニルシラン類、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピル−トリメトキシシラン、メチルトリ（メタクリロイルオキエトキシ）シラン等のメタクリロイルシラン類、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、メチルトリ（グリシジルオキシ）シラン等のエポキシ基含有シラン類、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ‐フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピル−トリス（２−メトキシ−エトキシ−エトキシ）シラン、Ｎ−メチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、トリアミノプロピル−トリメトキシシラン、３，４，５−ジヒドロイミダゾール−１−イル−プロピルトリメトキシシラン、アミルトリクロロシラン等のアミノシラン類、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピル−メチルジメトキシシラン等のメルカプトシラン類、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン等の尿素結合含有シラン類、トリメチルシリルイソシアネート、ジメチルシリルイソシアネート、メチルシリルトリイソシアネート、ビニルシリルトリイソシアネート、フェニルシリルトリイソシアネート、テトライソシアネートシラン、エトキシシランイソシアネート等のイソシアネート基含有シラン類、３−クロロプロピル−メチルジメトキシシラン、３−クロロプロピル−ジメトキシシラン、３−シアノプロピル−トリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン、Ｎ，Ｏ−ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリクロロシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、オクチルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、Ｎ−β（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、オクタデシルジメチル〔３−（トリメトキシシリル）プロピル〕アンモニウムクロライド、γ−クロロプロピルメチルジクロロシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシラン等を使用することができ、これらの１種又は２種以上を併用することもできる。
【００５２】
前記カップリング剤の含有量は、その効果や耐熱性及びコストから、接着剤組成物の総質量１００質量部に対し、０．１〜１０質量部であることが好ましい。
【００５３】
さらに本発明の半導体用接着シートにおける接着剤層を構成する接着剤組成物には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性をよくするために、イオン捕捉剤を添加することもできる。イオン捕捉剤としては、特に制限が無く、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤などを使用することができ、また、ジルコニウム系化合物、アンチモンビスマス系化合物、マグネシウムアルミニウム系化合物等の無機イオン吸着剤を使用することもできる。
【００５４】
前記イオン捕捉剤の含有量は、添加による効果や耐熱性、コストなどから、接着剤組成物の総質量１００質量部に対して、１〜１０質量部であることが好ましい。
【００５５】
本発明の半導体用接着シートにおける接着剤層を構成する接着剤組成物は、前記硬化後の前記接着剤層の貯蔵弾性率を制御するという観点から、フィラーの含有量は、接着剤組成物の総質量の５質量％以下であることが好ましく、接着シートをより薄膜化するという観点から、フィラーを含有しないことがより好ましい。前記フィラーの含有量が５質量％超では、１７０℃での貯蔵弾性率が高くなり、配線基板の凸凹埋め込み性が低下する可能性があり、また、接着シートを１０μｍ以下の薄膜とした場合に外観が悪くなる傾向がある。
【００５６】
本発明の半導体用接着シートにおける接着剤層の厚さは、好ましくは１〜２０μｍである。前記接着剤層の厚さが１μｍ未満では、成膜性が低下する傾向があり、２０μｍを超えると経済性に劣る傾向がある。
【００５７】
本発明の半導体用接着シートは、接着剤組成物を溶剤に溶解又は分散してワニスとし、支持体フィルム上に塗布、加熱し溶剤を除去することによって得ることができる。
【００５８】
前記支持体フィルムとしては、特に制限はなく、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルムを使用することができる。また、必要に応じて、これらプラスチックフィルムはプライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理、離型処理等の表面処理を行っても良い。支持体フィルムは、使用時に剥離して接着剤層のみを使用することもできるし、支持体フィルムと接着剤層が積層した状態で使用し、後で支持体フィルムを除去することもできる。
【００５９】
前記ワニスの調製に用いる溶剤としては、各成分を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができるが、フィルム作製時の揮発性等を考慮し、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、２−エトキシエタノール、トルエン、キシレン、ブチルセルソルブ、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノールなど比較的低沸点の溶媒を使用するのが好ましい。また塗膜性を向上させるなどの目的で、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなど比較的高沸点の溶媒を加えることもできる。
【００６０】
支持体フィルムへのワニスの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。
【００６１】
また、本発明の半導体用接着シートにおける接着剤層は、所望の厚さを得るために、２枚以上を貼り合わせることもできる。この場合には、接着剤層同士の剥離が発生しないような貼り合わせ条件が必要である。
【００６２】
また、本発明の半導体用接着シートは、ダイシングテープと予め貼り合わせて一体化してなるダイシングテープ一体型接着シートとしても使用することができる。この場合、ウェハへのラミネート工程が一回で済む点で、作業の効率化が可能となる。前記ダイシングテープ一体型接着シートは、半導体用接着シートの接着剤層面をダイシングテープの粘着剤層面に積層することで得ることができる。
本発明に使用するダイシングテープとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム等のプラスチックフィルム等が挙げられる。これらは他材料との多層構造にして用いることもできる。また、これらのダイシングテープは、必要に応じてプライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理を行ってもよい。ダイシングテープは粘着性を有することが必要であり、ダイシングテープの片面に粘着剤層を設けてもよい。これは、粘着剤層の樹脂組成物において、特に液状成分の比率、高分子量成分のＴｇを調整することによって得られる適度なタック強度を有する樹脂組成物を塗布乾燥することで形成可能である。
【００６３】
また、ダイシングテープ一体型接着シートを半導体装置を製造する際に用いた場合、ダイシング時には半導体素子が飛散しない接着力を有し、その後、半導体用接着シート付き半導体素子をピックアップする時にはダイシングテープから剥離することが必要である。例えば、半導体用接着シートやダイシングテープの粘着性が高すぎて両者を張り合わせたときのピール強度が１５０Ｎ／ｍ超の場合、半導体用接着シート付き半導体素子をダイシングテープから剥離することが困難になることがある。したがって、前記ピール強度は、１５０Ｎ／ｍ以下であることが好ましく、５０Ｎ／ｍ以下であることがより好ましい。
【００６４】
そのため、適宜、半導体用接着シートのタック強度を調節することが好ましく、その方法としては、半導体用接着シートの室温（２５℃）における流動性を上昇させることにより、接着強度及びタック強度も上昇する傾向があり、流動性を低下させれば接着強度及びタック強度も低下する傾向があることを利用すればよい。例えば、流動性を上昇させる場合には、可塑剤の含有量の増加、粘着付与剤の含有量の増加などの方法がある。逆に流動性を低下させる場合には、前記化合物の含有量を減らせばよい。前記可塑剤としては、例えば、単官能のアクリルモノマー、単官能エポキシ樹脂、液状エポキシ樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系のいわゆる希釈剤などが挙げられる。
【００６５】
ダイシングテープ上に半導体用接着シートを積層する方法としては、印刷のほか、予め作製した半導体用接着シートをダイシングテープ上にプレス、ホットロールラミネート方法が挙げられるが、連続的に製造でき、効率がよい点でホットロールラミネート方法が好ましい。
【００６６】
なお、ダイシングテープの膜厚は、特に制限はなく、半導体用接着シートの膜厚やダイシングテープ一体型接着シートの用途によって適宜、当業者の知識に基づいて定められるものであるが、経済性がよく、取扱い性がよい点で、６０〜２００μｍであることが好ましく、７０〜１８０μｍであることがより好ましい。
【００６７】
本発明の半導体用接着シートを容易に個片化し、切断性を向上するには、ダイシングテープは、引張り荷重が４０ｋｇ以上、５％伸び弾性率が３ＭＰａ以上であり、引張り変形時に降伏点を有さないものであることが好ましい。前記引張り荷重と５％伸び弾性率のどちらか一方が前記値を下回ると、ダイシングテープが柔らかくなるため、ダイシングテープ一体型接着シートとして用いた場合、エキスパンド時に十分な引張り力を得ることが出来ず、半導体用接着シートの個片化が困難になる傾向がある。前記引張り荷重のより好ましい値は５０ｋｇ以上であり、５％伸び弾性率のより好ましい値は５ＭＰａ以上であり、前記引張り荷重及び５％伸び弾性率の上限については、エキスパンド装置に依存するため、特性として制限されるものではない。
【００６８】
ダイシングテープの引張り荷重は、幅１０ｍｍ×長さ３０ｍｍの短冊形状のダイシングテープについて、万能試験機（株式会社オリエンテック製、テンシロンＵＣＴ−５Ｔ型）を用い、温度２５℃、引張速度５ｍｍ／分の条件で引っ張り試験を行い、ダイシングテープが破断するまでの応力を引張り荷重とした。
【００６９】
ダイシングテープの５％伸び弾性率は、幅１０ｍｍ×長さ３０ｍｍの短冊形状のダイシングテープについて、万能試験機（株式会社オリエンテック製、テンシロンＵＣＴ−５Ｔ型）を用い、温度２５℃、引張速度５ｍｍ／分の条件で引っ張り試験を行い、伸びと応力の関係から算出されるヤング率のうち、相対的に５％伸びた際に得られたものを５％伸び弾性率とした。
【００７０】
ダイシングテープが引張り変形時に降伏点を有する場合、エキスパンド時に応力集中部分のみが伸びてしまい、半導体用接着シートの個片化が困難になる傾向がある。ここで、「降伏」とは、荷重−伸び線図、応力−ひずみ線図等で見られるように物体に働く応力が弾性限度を超えると荷重又は応力の増大がないのに変形が徐々に進行する現象のことを指し、「降伏点」とは、弾性挙動の最大荷重、最大応力値における点のことを指す。降伏点を有するダイシングテープとは、幅１０ｍｍ×長さ３０ｍｍの短冊形状のダイシングテープについて、万能試験機（株式会社オリエンテック製、テンシロンＵＣＴ−５Ｔ型）を用い、温度２５℃、引張速度５ｍｍ／分の条件で引っ張り試験を行い、ダイシングテープが破断するまでの応力とひずみを測定し、ひずみをＸ軸、応力をＹ軸にそれぞれプロットした場合に、傾きｄＹ／ｄＸが正の値から０又は負の値に変化する応力値をとるものである。すなわち、降伏点を有さないダイシングテープとは、前記傾きｄＹ／ｄＸが正の値から０又は負の値に変化する応力値をとらないものである。降伏点を有するダイシングテープを用いた場合、ダイシングテープに外力を加えて半導体ウエハ及び半導体用接着シートを切断する際に、半導体ウエハ及び半導体用接着シートに応力がかからず、周辺のダイシングテープばかりが伸びて変形を起こすため、半導体ウエハ及び半導体用接着シートが切断できないか又は切断残りが生じるおそれがある。これに対し、降伏点を有さないダイシングテープを用いることにより、応力が半導体ウエハ及び半導体用接着シートにかかりやすく、容易に個片化でき破断性が向上し、半導体ウエハ及び半導体用接着シートを同時に切断することができる。特に、ダイシングテープを放射状に伸展することによって均一にチップ間隔を広げる、いわゆるエキスパンドにより半導体ウエハ及び半導体用接着シートを切断する場合、ダイシングテープが均一に伸長するので破断性が良くなる。さらに、薄い半導体ウエハ、例えば、厚さが１００μｍ以下の半導体ウエハを用いた場合は、チッピング等の不良を低減するべくステルスダイシング又はハーフカットダイシングにより半導体ウエハを区分した後、エキスパンドにより半導体ウエハ及び接着シートを個片化し、切断することが好ましいが、この際に降伏点を有さないダイシングテープを用いることにより、半導体ウエハ及び半導体用接着シートを同時に切断することができるため好適である。
本発明の半導体装置は、半導体用接着シートを用いて、半導体素子と支持部材とを接着した構造を有してなるものである。支持部材としては、ダイパットを有するリードフレーム、セラミック基板や有機基板など基板材質に限定されることなく用いることができる。セラミック基板としては、アルミナ基板、窒化アルミ基板等を用いることができる。有機基板としては、ガラスクロスにエポキシ樹脂を含漬させたＦＲ−４基板、ビスマレイミド−トリアジン樹脂を含漬させたＢＴ基板、さらにはポリイミドフィルムを基材として用いたポリイミドフィルム基板などを用いることができる。さらに、支持部材としては配線が形成されていてもよく、配線が半導体装置の外部表面に現れる場合には、保護樹脂層を設けることが好ましい。配線の構造としては、片面配線、両面配線、多層配線いずれの構造でもよく、必要に応じて電気的に接続された貫通孔、非貫通孔を設けてもよい。
【００７１】
半導体用接着シートを支持部材へ張り付ける方法としては、半導体用接着シートを所定の形状に切断し、その切断された半導体用接着シートを支持部材の所望の位置に熱圧着する方法が一般的ではあるが、これに制限されるものではない。
【００７２】
半導体装置の構造としては、半導体素子の電極と支持部材とがワイヤーボンディングで接続されている構造、半導体素子の電極と支持部材とがテープオートメーテッドボンディング（ＴＡＢ）のインナーリードボンディングで接続されている構造等があるが、これらに制限されるものではなく、何れの場合でも効果がある。半導体素子としては、ＩＣ、ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等一般の半導体素子を使用することができる。半導体素子と支持部材の間に発生する熱応力は、半導体素子と支持部材の面積差が小さい場合に著しいが、半導体装置は低弾性率の接着部材を用いることによりその熱応力を緩和して信頼性を確保する。これらの効果は、半導体素子の面積が、支持部材の面積の７０％以上である場合に非常に有効に現れるものである。また、このように半導体素子と支持部材の面積差が小さい半導体装置においては、外部接続端子はエリア状に設けられる場合が多い。
【００７３】
また、本発明の半導体用接着シートの特性として、前記半導体用接着シートを支持部材の所望の位置に熱圧着する工程や、ワイヤーボンディングで接続する工程等、加熱される工程において、接着剤層からの揮発分を抑制できる。
【実施例】
【００７４】
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００７５】
実施例１〜２、比較例１〜４
＜半導体用接着シートの作製＞
低分子量成分としてエポキシ樹脂（ＹＤＣＮ−７０３：東都化成製商品名、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０）、硬化剤としてフェノール樹脂（ミレックスＸＬＣ−ＬＬ：三井化学株式会社製商品名、フェノール樹脂、水酸基当量１７５、吸水率１．８質量％、３５０℃における加熱質量減少率４質量％）、シランカップリング剤としてＮＵＣ  Ａ−１８９（日本ユニカー株式会社製商品名）及びＮＵＣ  Ａ−１１６０（日本ユニカー株式会社製商品名）、フィラーとして、ＳＯ−Ｃ２（株式会社アドマテック製商品名、シリカ、比表面積７ｍ２／ｇ、平均粒径０．４〜０．６μｍ）又はアエロジルＲ９７２（日本アエロジル株式会社製商品名、シリカ、平均粒径０．０１６μｍ）からなる組成物に、シクロヘキサノンを加えて攪拌混合し、さらにビーズミルを用いて９０分混練した。
【００７６】
これに高分子量成分としてグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート２〜６質量％を含むアクリルゴム（ＨＴＲ−８６０Ｐ−３：ナガセケムテック株式会社製商品名、重量平均分子量１００万）、硬化促進剤としてキュアゾール２ＰＺ−ＣＮ（四国化成株式会社製商品名、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール）を混合攪拌し、真空脱気した。
【００７７】
ワニスを、支持体フィルムとして厚さ３８μｍの離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥して、膜厚が２０μｍのＢステージ状態（硬化前）の接着剤層を形成し、支持体フィルムを備えた半導体用接着シートを作製した。表１に実施例１〜２及び比較例１〜４の配合質量部を示す。
【００７８】
＜半導体用接着シートの貯蔵弾性率の測定＞
半導体用接着シートの接着剤層を１７０℃、３時間熱硬化させた後、動的粘弾性測定装置（レオロジ社製、商品名ＤＶＥ−Ｖ４）を使用し、接着剤層硬化物に引張り荷重をかけて、周波数１０Ｈｚ、昇温速度３〜１０℃／分の条件で２５〜３００℃まで測定する温度依存性測定モードで接着剤層硬化物の１５０℃及び１７０℃における貯蔵弾性率を測定した。１５０℃における貯蔵弾性率が６ＭＰａ以上を「○」、６ＭＰａ未満を「×」とし、１７０℃における貯蔵弾性率が５ＭＰａ未満を「○」、５ＭＰａ以上を「×」とした。結果を表１に示す。
【００７９】
＜半導体用接着シートの評価＞
（１） エキスパンド切断性
動的粘弾性装置に取り付け、５℃、周波数５００Ｈｚ、変位９５μｍの条件でエキスパンドを行い、接着シートの切断性を観察する。切断（破断）できた場合は「○」、切断できない場合は「×」とした。結果を表１に示す。
【００８０】
（２）短時間での接着力の測定
半導体用接着シート（５ｍｍ×５ｍｍ）の接着剤層面をシリコンウェハ（５ｍｍ×５ｍｍ）に７０℃で貼り付け、接着剤層を圧力０．０４ＭＰａ、時間１．５秒及び温度１５０℃の条件でシリコンウェハに圧着し、１５０℃のホットプレート上で２分間硬化した後、万能型ボンドテスター（Ｄａｇｅ社製）を用いて、測定温度１７０℃における接着剤層硬化物のダイシェア強度を測定した。ダイシェア強度が０．１ＭＰａ以上を「○」、０．１ＭＰａ未満を「×」とした。結果を表１に示す。
【００８１】
（３）ダイシェア強度比の測定
半導体用接着シート（５ｍｍ×５ｍｍ）の接着剤層面を半導体素子（５ｍｍ×５ｍｍ）に温度７０℃、圧力０．３ＭＰａ及び速度０．３ｍ／分の条件でホットロールラミネーターを用いて貼りあわせ、その後、圧力０．１ＭＰａ、時間５秒、温度１２０℃の条件で有機基板（ガラスクロスにエポキシ樹脂を含漬させたＦＲ−４にＡＵＳ３０８を塗布した基板）に圧着し、１７０℃、３時間硬化させた後、温度８５℃、相対湿度８５％雰囲気下、保持時間４８時間の条件で吸湿処理し、万能型ボンドテスター（Ｄａｇｅ社製）を用いて、測定温度２６５℃で吸湿処理前後のダイシェア強度を測定した。ダイシェア強度の比（吸湿処理後のダイシェア強度／吸湿処理前のダイシェア強度）を算出し、前記比が０．７以上を「○」、０．７未満を「×」とした。結果を表１に示す。
【００８２】
（４）配線基板の凹凸埋め込み性
半導体用接着シート（１０ｍｍ×１０ｍｍ）の接着剤層面を半導体素子（１０ｍｍ×１０ｍｍ）に、温度７０℃、圧力０．３ＭＰａ及び速度０．３ｍ／分の条件でホットロールラミネーターを用いて貼りあわせ、その後、圧力０．２ＭＰａ、温度１２０℃及び時間２秒の条件で配線段差５μｍの凹凸を有する配線基板に貼り付けた後、１７０℃で３０分硬化した。その後、樹脂封止を行い、評価用パッケージを作製した。配線基板の凹凸埋め込み性について目視で観察した。埋め込み性が充分なら「○」、埋め込み性が不十分なら「×」とした。結果を表１に示す。
【００８３】
（５）半導体用接着シートの薄膜化
厚みが１μｍの半導体用接着シートが作製できた場合を「○」、作製できなかった場合を「×」とした。結果を表１に示す。
【００８４】
以上の評価結果をまとめて表１に示す。
【表１】
2010135765.tif 000002
【００８５】
表１に示されるように、実施例１及び２の半導体用接着シートは、接着剤層の硬化後の貯蔵弾性率が規定値を満たしており、短時間での接着力が高く、切断性、配線基板の凹凸埋め込み性及び信頼性に優れていた。また、厚み１μｍの接着シートの作製も可能であった。
【００８６】
これに対し、比較例１は、硬化剤に対し、高分子量成分を多く含有しているため、硬化後の１５０℃における貯蔵弾性率が６ＭＰａ未満であり、切断性に劣り、短時間での接着力も低い結果となった。またフィラーを含有しているため厚み１μｍの接着シートは作製できなかった。
【００８７】
比較例２は、高分子量成分に対し、フィラーを多く含有しているため、接着剤層の硬化後の１７０℃における貯蔵弾性率が５ＭＰａ以上であり、配線基板の凹凸埋め込み性が劣っていた。またフィラーを含有しているため厚み１μｍの接着シートは作製できなかった。
【００８８】
比較例３は、硬化剤に対し、高分子量成分の含有量が少ないため、接着剤層の硬化後の１７０℃における貯弾性率が５ＭＰａ以上であった。
【００８９】
比較例４は、硬化剤に対し、硬化促進剤の含有量が少ないため、接着剤層の硬化後１５０℃における貯蔵弾性率が６ＭＰａ未満であり、短時間での接着力が低く、信頼性も劣っていた。
【００９０】
＜ダイシングテープ一体型接着シートの作製と評価＞
実施例１又は２で作製した厚さ２０μｍの半導体用接着シートを、各種ダイシングテープの粘着剤層面に積層し、ダイシングテープ一体型接着シートを作製し、半導体用接着シートの切断性について以下のとおり評価した。
厚さ５０μｍのシリコンウェハに、株式会社東京精密製のレーザダイサ「ＭＡＨＯＨ  ＤＩＣＩＮＧ  ＭＡＣＨＩＮＥ」を用いてレーザー光を照射し、シリコンウェハ内部に改質領域を形成した。次に、シリコンウェハとダイシングテープ一体型接着シートの半導体用接着シートが接するように、ホットロールラミネータを用いて、温度７０℃、圧力０.３ＭＰａ、速度０.３ｍ／分でラミネートした。ダイシングテープの外周部にはステンレス製のリングを貼付けた。続いて、エキスパンド装置により、リングを固定しダイシングテープをエキスパンドし、チップを作製した。エキスパンド条件は、温度５℃、エキスパンド速度２００ｍｍ／秒であった。その際、シリコンウェハと半導体用接着シートが同時に切断されたものを「○」（切断性良好）、同時に切断されなかったものを「×」（切断性不良）として評価した。結果を表２に示す。
【００９１】
なお、上記で用いたダイシングテープＡ〜Ｅの引張り荷重、５％伸び弾性率及び降伏点に関しては、以下の方法により測定した。
【００９２】
［引張り荷重の測定］
ダイシングテープの引張り荷重は、幅１０ｍｍ×長さ３０ｍｍの短冊形状のダイシングテープについて、万能試験機（株式会社オリエンテック製、テンシロンＵＣＴ−５Ｔ型）を用い、温度２５℃、引張速度５ｍｍ／分の条件で引っ張り試験を行い、ダイシングテープが破断するまでの応力を引張り荷重とした。
【００９３】
［５％伸び弾性率の測定］
幅１０ｍｍ×長さ３０ｍｍの短冊形状のダイシングテープについて、万能試験機（株式会社オリエンテック製、テンシロンＵＣＴ−５Ｔ型）を用い、温度２５℃、引張速度５ｍｍ／分の条件で引っ張り試験を行い、伸びと応力の関係から算出されるヤング率のうち、相対的に５％伸びた際に得られたものを５％伸び弾性率とした。
【００９４】
［ダイシングテープの降伏点の有無］
幅１０ｍｍ×長さ３０ｍｍの短冊形状のダイシングテープについて、万能試験機（株式会社オリエンテック製、テンシロンＵＣＴ−５Ｔ型）を用い、温度２５℃、引張速度５ｍｍ／分の条件で引っ張り試験を行い、ダイシングテープが破断するまでの応力とひずみを測定し、ひずみをＸ軸、応力をＹ軸にそれぞれプロットした場合に、傾きｄＹ／ｄＸが正の値から０又は負の値に変化する応力値をとるものを「降伏点有り」とし、前記傾きｄＹ／ｄＸが正の値から０又は負の値に変化する応力値をとらないものを「降伏点無し」とした。
【表２】
2010135765.tif 000003
【００９５】
表２に示されるように、ダイシングテープＡ及びＥは、引張り荷重が４０ｋｇ以上、５％伸び弾性率が３ＭＰａ以上、降伏点を有しないため、半導体用接着シートとシリコンウェハを同時に切断することができ切断性に優れていた。
【００９６】
ダイシングテープＢは、降伏点を有しているために、エキスパンド装置と接するダイシングテープ部分のみが伸びてしまい、シリコンウェハ及び半導体用接着シートに応力がかからず、良好な結果が得られなかった。ダイシングテープＣは、引張り荷重が４０ｋｇ未満であるため、ダイシングテープが柔らかく、エキスパンド時に十分な引張り力を得ることが出来ず、良好な結果が得られなかった。ダイシングテープＤは、引張り荷重が４０ｋｇ未満であるため、ダイシングテープが柔らかく、エキスパンド時に十分な引張り力を得ることが出来ず、良好な結果が得られなかった。