【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年9月14日(2021.9.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光センサ（１１０）であって、
少なくとも１つの光導電性材料（１１４）の層（１１２）と、
前記光導電性材料（１１４）の前記層（１１２）と接触する少なくとも２つの個別の電気接点（１３６、１３６'）と、
前記光導電性材料（１１４）上に堆積されたカバー層（１１６）と、を含み、
前記カバー層（１１６）は、少なくとも１つの金属含有化合物（１２０）を含む非晶質層であり、
前記光導電性材料（１１４）の前記層（１１２）は、１５ｎｍを超えるサイズを有する結晶を含み、該結晶は、前記少なくとも１つの光導電性材料（１１４）を含むことを特徴とする光センサ（１１０）。
【請求項２】
少なくとも１つの前記金属含有化合物（１２０）はアルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、マンガン（Ｍｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、およびタングステン（Ｗ）から成る群から選択される金属を含む請求項１に記載の光センサ（１１０）。
【請求項３】
少なくとも１つの前記金属含有化合物（１２０）は、酸化物、水酸化物、カルコゲニド、プニクチド、カーバイド、またはそれらの組み合わせから成る群から選択される請求項１または２に記載の光センサ（１１０）。
【請求項４】
前記カバー層（１１６）は少なくとも２つの隣接層を有する積層体であるかまたは積層体を含み、前記隣接層はそれぞれの組成によって異なり、少なくとも１つの前記隣接層は、少なくとも１つの金属含有化合物を含む請求項１から３のいずれか１項に記載の光センサ（１１０）。
【請求項５】
前記カバー層（１１６）は、１０ｎｍから６００ｎｍの厚さを有する請求項１から４のいずれか１項に記載の光センサ（１１０）。
【請求項６】
前記カバー層（１１６）は、前記光導電性材料（１１４）の前記層（１１２）の隣接面（１１８）に対して共形層である請求項１から５のいずれか１項に記載の光センサ（１１０）。
【請求項７】
前記カバー層（１１６）は、原子堆積層を含む請求項１から６のいずれか１項に記載の光センサ（１１０）。
【請求項８】
前記カバー層（１１６）は、少なくとも１つの追加層（１３４）で少なくとも部分的に被覆されており、および／または、少なくとも１つの前記追加層（１３４）は、前記光導電性材料（１１４）の前記層（１１２）と前記カバー層（１１６）との間に少なくとも部分的に堆積され、前記追加層（１３４）は、反射防止層、光学フィルタ層、封入層、耐スクラッチ層、親水性層、疎水性層、自己清浄層、防曇層、高誘電率層、または導電層のうち少なくとも１つであるかまたは反射防止層、光学フィルタ層、封入層、耐スクラッチ層、親水性層、疎水性層、自己清浄層、防曇層、高誘電率層、または導電層のうち少なくとも１つを含む請求項１から７のいずれか１項に記載の光センサ（１１０）。
【請求項９】
前記光導電性材料（１１４）の前記層（１１２）は、少なくとも１つの基板（１２４）に直接に適用、または中間層（１４８）と共に少なくとも１つの基板（１２４）に適用され、少なくとも１つの前記基板（１２４）と前記カバー層（１１６）は、１つの波長範囲内で光学的に透明である請求項１から８のいずれか１項に記載の光センサ（１１０）。
【請求項１０】
前記光導電性材料（１１４）は、少なくとも１つのカルコゲニドを含み、前記カルコゲニドは、硫化物カルコゲニド、セレン化物カルコゲニド、テルル化物カルコゲニド、三元カルコゲニド、四元カルコゲニド、五元以上のカルコゲニドおよびそれらの固溶体および／またはそれらをドープした変種から成る群から選択される請求項１から９のいずれか１項に記載の光センサ（１１０）。
【請求項１１】
前記カルコゲニドは、硫化鉛（ＰｂＳ）、銅インジウム硫化物（ＣＩＳ）、銅インジウムガリウムセレン（ＣＩＧＳ）、銅亜鉛スズ硫化物（ＣＺＴＳ）、セレン化鉛（ＰｂＳｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、テルル化水銀カドミウム（ＨｇＣｄＴｅ）、テルル化水銀亜鉛（ＨｇＺｎＴｅ）、硫セレン化鉛（ＰｂＳＳｅ）、銅−亜鉛−硫化スズ−セレンカルコゲニド（ＣＺＴＳＳｅ）およびそれらの固溶体および／またはそれらをドープした変種から成る群から選択される請求項１０に記載の光センサ（１１０）。
【請求項１２】
少なくとも１つの対象物（１５２）を光学的に検出するための検出器（１５０）であって、
−  請求項１から１１のいずれか一項に係る少なくとも１つの光センサ（１１０）であって、前記光センサ（１１０）は少なくとも１つのセンサ領域（１７０）を含み、前記光センサ（１１０）は光ビーム（１２６）による前記センサ領域（１７０）の照射に応じて少なくとも１つのセンサ信号を生成するように設計されている光センサ（１１０）と、
−  少なくとも１つの評価装置（１７２）であって、前記光センサ（１１０）の前記センサ信号を評価することによって対象物（１５２）の少なくとも１つの座標を生成するように設計されている評価装置（１７２）と、
を含むことを特徴とする検出器（１５０）。
【請求項１３】
前記センサ信号は縦方向センサ信号であって、縦方向センサ信号は、前記照射の総出力が同じ場合、前記センサ領域（１７０）内の光ビーム（１２６）のビーム断面（１３０）に依存し、前記評価装置（１７２）は、前記縦方向センサ信号を評価することにより、前記対象物（１５２）の縦方向位置に関する少なくとも１つの情報項目を生成するように設計されている請求項１２に記載の検出器（１５０）。
【請求項１４】
前記センサ信号は横方向センサ信号であって、前記横方向センサ信号は、光導電性材料（１１４）に接触する電気接点（１３６，１３６’，１８６，１８８）によって提供され、前記電気接点（１３６，１３６’，１８６，１８８）は少なくとも１つの分割電極として構成され、バイアス電圧源が少なくとも１つの前記分割電極に適用可能であり、前記評価装置（１７２）はさらに、前記バイアス電圧源および少なくとも１つの前記分割電極を印加することにより、および前記横方向センサ信号を評価することにより、前記対象物（１５２）の横方向位置に関する少なくとも１つの情報項目を生成するように設計されている請求項１２または１３に記載の検出器（１５０）。
【請求項１５】
光センサ（１００）を製造する方法であって、
ａ）  少なくとも１つの光導電性材料（１１４）の層（１１２）を提供する工程；
ｂ）  その後、少なくとも１つの金属含有化合物（１２０）にまで反応するように適合された少なくとも１つの前駆体（１７０，１７２）を適用し、それによって、前記金属含有化合物（１２０）は、前記光導電性材料（１１４）の前記層（１１２）の上に非晶質のカバー層（１１６）として堆積される工程；および
ｃ）  その後、前記非晶質のカバー層（１１６）を熱処理する工程；を含み、
前記光導電性材料（１１４）の前記層（１１２）と電気的に接触する少なくとも２つの電気接点（１３６，１３６’）がさらに設けられることを特徴とする光センサの製造方法。
【請求項１６】
請求項１２から１４のいずれか１項に係る検出器（１５０）の使用であって、ガス感知、火災検出、炎検出、熱検出、煙検出、燃焼監視、分光測定、温度感知、動作感知、工業用監視、化学感知、排ガス監視、距離測定、位置測定、娯楽応用、セキュリティアプリケーション、ヒューマンマシンインターフェースアプリケーション、追跡アプリケーション、スキャンアプリケーション；立体視、写真撮影アプリケーション、撮像アプリケーションまたはカメラアプリケーション、少なくとも１つの空間のマップを生成するためのマッピングアプリケーション、車両用のホーミングまたは追跡ビーコン検出器、熱的シグナルを有する対象物の距離および／または位置の測定、マシンビジョンアプリケーション、ロボットアプリケーション、物流アプリケーションからなる群から選択される使用の目的で検出器を使用することを特徴とする検出器（１５０）の使用。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
好ましくは、光導電性材料は、硫化鉛（ＰｂＳ）、セレン化鉛（ＰｂＳｅ）、テルル化鉛（ＰｂＴｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）、テルル化水銀カドミウム（ＨｇＣｄＴｅ；ＭＣＴ）、硫化銅インジウム（ＣＩＳ）、セレン化銅インジウムガリウム（ＣＩＧＳ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、または硫化銅亜鉛スズ（ＣＺＴＳ）から選択される。さらに、それらの固溶体および／またはそれらをドープした変種も可能である。さらに、センサ領域を有する横方向光センサが開示されており、ここでセンサ領域は、２つの透明な導電性酸化物層の間に優先的に埋め込まれた光導電性材料の層と、少なくとも２つの電極とを含んでいる。好ましくは、電極の少なくとも１つは、少なくとも２つの部分電極を有する分割電極であり、部分電極によって提供される横方向センサ信号は、センサ領域内の入射光ビームのｘ位置および／またはｙ位置を示す。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３３】
本発明の目的のために、光センサのセンサ領域に使用される光導電性材料は、好ましくは無機光導電性材料および／またはそれらの固溶体、および／またはそれらのドープした変種を含み得る。本明細書で使用されるとき、「固溶体」という用語は、少なくとも１種の溶質が溶媒中に含まれ得る光導電性材料の状態を指し、それによって均一相が形成され、溶媒の結晶構造が一般的に溶質の存在によって不変となり得る。例として、２成分のテルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）をテルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）中で溶解させてＣｄ１−ｘＺｎｘＴｅに至らしめることができ、式中、ｘの値は０から１の範囲で変動し得る。さらに本明細書使用されるとき、「ドープした変種」という用語は、材料自体の成分とは別に個別の原子が、非ドープ状態の固有原子によって占有される結晶内の部位に導入される光導電性材料の状態を指し得る。例として、特にシリコン結晶の化学的および／または物理的性質を改変するために、純粋なシリコン結晶が、ホウ素、アルミニウム、ガリウム、インジウム、リン、ヒ素、アンチモン、ゲルマニウム、または他の原子のうちの１つまたは複数でドープされ得る。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
特に、セレン化物カルコゲニドは、セレン化鉛（ＰｂＳｅ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、三セレン化ビスマス（Ｂｉ２Ｓｅ３）、セレン化水銀（ＨｇＳｅ）、三セレン化アンチモン（Ｓｂ２Ｓｅ３）、三セレン化ヒ素（Ａｓ２Ｓｅ３）、セレン化ニッケル（ＮｉＳｅ）、セレン化タリウム（ＴｌＳｅ）、セレン化銅（ＣｕＳｅまたはＣｕ２Ｓｅ）、二セレン化モリブデン（ＭｏＳｅ２）、セレン化スズ（ＳｎＳｅ）、セレン化コバルト（ＣｏＳｅ）、およびセレン化インジウム（Ｉｎ２Ｓｅ３）から成る群から選択され得る。さらに、上記の化合物または他のこの種の化合物の固溶体および／またはドープした変種もまた適している。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３８】
特に、テルル化物カルコゲニドは、テルル化鉛（ＰｂＴｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、テルル化水銀（ＨｇＴｅ）、テルル化ビスマス（Ｂｉ２Ｔｅ３）、三テルル化ヒ素（Ａｓ２Ｔｅ３）、三テルル化アンチモン（Ｓｂ２Ｔｅ３）、テルル化ニッケル（ＮｉＴｅ）、テルル化タリウム（ＴｌＴｅ）、テルル化銅（ＣｕＴｅ）、二テルル化モリブデン（ＭｏＴｅ２）、テルル化スズ（ＳｎＴｅ）、テルル化コバルト（ＣｏＴｅ）、テルル化銀（Ａｇ２Ｔｅ）、およびテルル化インジウム（Ｉｎ２Ｔｅ３）から成る群から選択され得る。さらに、上記の化合物または他のこの種の化合物の固溶体および／またはドープした変種もまた適している。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３９】
特に、三元カルコゲニドは、テルル化水銀カドミウム（ＨｇＣｄＴｅ、ＭＣＴ）、テルル化水銀亜鉛（ＨｇＺｎＴｅ）、硫化水銀カドミウム（ＨｇＣｄＳ）、硫化鉛カドミウム（ＰｂＣｄＳ）、硫化鉛水銀（ＰｂＨｇＳ）、二硫化銅インジウム（ＣｕＩｎＳ２、ＣＩＳ）、硫セレン化カドミウム（ＣｄＳＳｅ）、硫セレン化亜鉛（ＺｎＳＳｅ）、硫セレン化タリウム（ＴｌＳＳｅ）、硫化カドミウム亜鉛（ＣｄＺｎＳ）、硫化カドミウムクロム（ＣｄＣｒ２Ｓ４）、硫化水銀クロム（ＨｇＣｒ２Ｓ４）、硫化銅クロム（ＣｕＣｒ２Ｓ４）、セレン化カドミウム鉛（ＣｄＰｂＳｅ）、二セレン化銅インジウム（ＣｕＩｎＳｅ２）、ヒ化インジウムガリウム（ＩｎＧａＡｓ）、硫化一酸化鉛（Ｐｂ２ＯＳ）、セレン化一酸化鉛（Ｐｂ２ＯＳｅ）、硫セレン化鉛（ＰｂＳＳｅ）、セレン化テルル化ヒ素（Ａｓ２Ｓｅ２Ｔｅ）、リン化インジウムガリウム（ＩｎＧａＰ）、ヒ化リン化ガリウム（ＧａＡｓＰ）、リン化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＰ）、亜セレンカドミウム（ＣｄＳｅＯ３）、テルル化カドミウム亜鉛（ＣｄＺｎＴｅ）、およびセレン化カドミウム亜鉛（ＣｄＺｎＳｅ）、前述の２成分カルコゲニドおよび／または２成分第３族−第５族化合物に属する化合物の適用によるさらなる組み合わせから成る群から選択され得る。さらに、上記の化合物または他のこの種の化合物の固溶体および／またはドープした変種もまた適している。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４１】
第３族−第５族化合物に関して、この種の半導体材料はアンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、リン化ホウ素（ＢＰ）、ヒ化ホウ素（ＢＡｓ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、リン化アルミニウム（ＡｌＰ）、ヒ化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、アンチモン化アルミニウム（ＡｌＳｂ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、ヒ化インジウム（ＩｎＡｓ）、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、およびアンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）から成る群から選択され得る。さらに、上記の化合物または他のこの種の化合物の固溶体および／またはドープした変種もまた適している。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
金属酸化物に関して、この種の半導体材料は、光導電性を示し得る既知の金属酸化物、特に酸化銅（ＩＩ）（ＣｕＯ）、酸化銅（Ｉ）（ＣｕＯ２）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化銀（Ａｇ２Ｏ）、酸化マンガン（ＭｎＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化セリウム（ＣｅＯ２）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、フェライト（Ｆｅ３Ｏ４）、およびペロブスカイト酸化物（ＡＢＣ３、式中、Ａは二価陽イオン、Ｂは四価陽イオン、Ｃは酸素を表わす）から成る群から選択され得る。さらに、三元または四元以上の金属酸化物も適用し得る。さらに、上記の化合物または他のこの種の化合物の固溶体および／またはドープした変種であって、化学量論的化合物または非化学量論的化合物に該当し得るものも適している。後でより詳細に説明するとおり、透明性または半透明性をも同時に示し得る金属酸化物の選択が好ましい。
【誤訳訂正９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００６０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００６０】
上述のように、光導電性材料の層は少なくとも１つの基板に直接または間接的に適用することができ、基板およびカバー層の少なくとも１つは、選択された波長範囲内で好ましくは光学的に透明である。したがって、カバー層に使用される金属含有化合物を、好ましくは、所望の波長範囲内で光学的に透明であるように選択することが、特に適切な吸収特性を示すことにより特に有利である。代替的にあるいは追加的に、基板に適用される材料は所望の波長範囲内で光学的に透明な特性を示してもよい。特に、この特徴は基板が十分な透明性を示すことができるため、所望の波長範囲内で光学的に透明ではないかもしれない金属含有化合物のためのより広範囲の材料選択を可能にする。この目的ために、基板は特に、少なくとも部分的に透明な少なくとも１つの絶縁材料を含むことができ、絶縁材料は、好ましくは、少なくとも部分的にガラス、金属酸化物、セラミック材料、またはそれらをドープした変種を含む群から選択される。ここで、絶縁材料は、特に、既知の少なくとも１つの透明ガラス、弱ドープ半導体、金属酸化物またはセラミック材料から選択され、特にサファイア（Ａｌ２Ｏ３）、ガラス、石英、溶融シリカ、シリコン、ゲルマニウム、硫化亜鉛（ＺｎＳ）またはセレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）から選択することができる。代替的に、基板は少なくとも部分的に光学的に透明な特性を有する材料を含む。特に、絶縁材料は、あるいは追加的にカバー層もしたがって、少なくとも部分的に光学的に透明な特性を示すように選択され得る。他方、基板が既に少なくとも部分的に透明である場合、光学的に不透明な材料を含むより多様な異なる材料がカバー層に採用されることができる。
【誤訳訂正１０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０１８７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０１８７】
さらに、本発明による装置は、乗り物、列車、飛行機、船、宇宙船および他の交通用途に使用することができる。このように交通用途に関して上述した用途の他に、航空機、車両などのための受動的追跡システムを挙げることができる。移動対象物の速度および／または方向を監視するため、本発明による少なくとも１つの検出器など、本発明による少なくとも１つの装置の使用が実現可能である。具体的には、陸上、海上、および宇宙を含む空中における高速移動対象物の追跡が挙げられる。本発明による少なくとも１つの検出器など、本発明による少なくとも１つの装置は、具体的には静止している装置および／または移動する装置に取り付けることができる。本発明による少なくとも１つの装置の出力信号は、例えば他の対象物の自律的または誘導された移動のための誘導機構と組み合わせることができる。したがって、追跡対象と操縦対象との間の衝突を回避するため、または衝突を可能にするための用途が実現可能である。本発明による装置は、必要とされる低い計算電力、即時の応答、および、例えばレーダーのような能動システムと比較して一般に検出および妨害することがより困難である検出システムの受動的性質のために、一般に有用かつ有利である。本発明による装置は、限定されないが速度制御および航空交通管制装置に特に有用である。さらに、本発明による装置は、道路料金の自動料金徴収システムに使用することができる。
【誤訳訂正１１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２４４】
実施形態１７：無機光導電性材料は１つまたは複数のセレン、テルル、セレン−テルル合金、光導電性金属酸化物、第４族元素または化合物、第３族−第５族化合物、第２族−第６族化合物、カルコゲニド、プニクトゲニド、ハロゲン化物、およびそれらの固溶体および／またはそれらをドープした変種である実施形態１６に記載の光センサ。
【誤訳訂正１２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２４６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２４６】
実施形態１９：硫化物カルコゲニドは、硫化鉛（ＰｂＳ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、硫化水銀（ＨｇＳ）、硫化銀（Ａｇ２Ｓ）、硫化マンガン（ＭｎＳ）、三硫化ビスマス（Ｂｉ２Ｓ３）、三硫化アンチモン（Ｓｂ２Ｓ３）、三硫化ヒ素（Ａｓ２Ｓ３）、硫化スズ（ＩＩ）（ＳｎＳ）、二硫化スズ（ＳｎＳ２）、硫化インジウム（Ｉｎ２Ｓ３）、硫化銅（ＣｕＳ）、硫化コバルト（ＣｏＳ）、硫化ニッケル（ＮｉＳ）、二硫化モリブデン（ＭｏＳ２）、二硫化鉄（ＦｅＳ２）、三硫化クロム（ＣｒＳ３）、銅インジウム硫化物（ＣＩＳ）、銅インジウムガリウムセレン（ＣＩＧＳ）、銅亜鉛スズ硫化物（ＣＺＴＳ）、およびそれらの固溶体および／またはそれらをドープした変種から成る群から選択される実施形態１８に記載の光センサ。
【誤訳訂正１３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２４７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２４７】
実施形態２０：セレン化物カルコゲニドはセレン化鉛（ＰｂＳｅ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、三セレン化ビスマス（Ｂｉ２Ｓｅ３）、セレン化水銀（ＨｇＳｅ）、三セレン化アンチモン（Ｓｂ２Ｓｅ３）、三セレン化ヒ素（Ａｓ２Ｓｅ３）、セレン化ニッケル（ＮｉＳｅ）、セレン化タリウム（ＴｌＳｅ）、セレン化銅（ＣｕＳｅ）、二セレン化モリブデン（ＭｏＳｅ２）、セレン化スズ（ＳｎＳｅ）、セレン化コバルト（ＣｏＳｅ）、セレン化インジウム（Ｉｎ２Ｓｅ３）、銅亜鉛錫セレン化物（ＣＺＴＳｅ）、およびそれらの固溶体および／またはそれらをドープした変種から成る群から選択される実施形態１８または１９に記載の光センサ。
【誤訳訂正１４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２４８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２４８】
実施形態２１：テルル化物カルコゲニドはテルル化鉛（ＰｂＴｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、テルル化水銀（ＨｇＴｅ）、テルル化ビスマス（Ｂｉ２Ｔｅ３）、三テルル化ヒ素（Ａｓ２Ｔｅ３）、三テルル化アンチモン（Ｓｂ２Ｔｅ３）、テルル化ニッケル（ＮｉＴｅ）、テルル化タリウム（ＴｌＴｅ）、テルル化銅（ＣｕＴｅ）、二テルル化モリブデン（ＭｏＴｅ２）、テルル化スズ（ＳｎＴｅ）、テルル化コバルト（ＣｏＴｅ）、テルル化銀（Ａｇ２Ｔｅ）、テルル化インジウム（Ｉｎ２Ｔｅ３）、およびそれらの固溶体および／またはそれらをドープした変種から成る群から選択される実施形態１８から２０のいずれかに記載の光センサ。
【誤訳訂正１５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２４９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２４９】
実施形態２２：三元カルコゲニドはテルル化水銀カドミウム（ＨｇＣｄＴｅ）、テルル化水銀亜鉛（ＨｇＺｎＴｅ）、硫化水銀カドミウム（ＨｇＣｄＳ）、硫化鉛カドミウム（ＰｂＣｄＳ）、硫化鉛水銀（ＰｂＨｇＳ）、二硫化銅インジウム（ＣｕＩｎＳ２）、硫セレン化カドミウム（ＣｄＳＳｅ）、硫セレン化亜鉛（ＺｎＳＳｅ）、硫セレン化タリウム（ＴｌＳＳｅ）、硫化カドミウム亜鉛（ＣｄＺｎＳ）、硫化カドミウムクロム（ＣｄＣｒ２Ｓ４）、硫化水銀クロム（ＨｇＣｒ２Ｓ４）、硫化銅クロム（ＣｕＣｒ２Ｓ４）、セレン化カドミウム鉛（ＣｄＰｂＳｅ）、二セレン化銅インジウム（ＣｕＩｎＳｅ２）、ヒ化インジウムガリウム（ＩｎＧａＡｓ）、硫化一酸化鉛（Ｐｂ２ＯＳ）、セレン化一酸化鉛（Ｐｂ２ＯＳｅ）、硫セレン化鉛（ＰｂＳＳｅ）、セレン化テルル化ヒ素（Ａｓ２Ｓｅ２Ｔｅ）、リン化インジウムガリウム（ＩｎＧａＰ）、ヒ化リン化ガリウム（ＧａＡｓＰ）、リン化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＰ）、亜セレンカドミウム（ＣｄＳｅＯ３）、テルル化カドミウム亜鉛（ＣｄＺｎＴｅ）、およびセレン化カドミウム亜鉛（ＣｄＺｎＳｅ）、銅−亜鉛−硫化スズ−セレンカルコゲニド（ＣＺＴＳＳｅ）、およびそれらの固溶体および／またはそれらをドープした変種から成る群から選択される実施形態１８から２１のいずれかに記載の光センサ。
【誤訳訂正１６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２５０】
実施形態２３：光導電性金属酸化物は、酸化銅（ＩＩ）（ＣｕＯ）、酸化銅（Ｉ）（ＣｕＯ２）、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化銀（Ａｇ２Ｏ）、酸化マンガン（ＭｎＯ）、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化鉛（ＰｂＯ）、酸化セリウム（ＣｅＯ２）、酸化ビスマス（Ｂｉ２Ｏ３）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）およびそれらの固溶体および／またはそれらをドープ変形から成る群から選択される実施形態１８から２２のいずれかに記載の光センサ。
【誤訳訂正１７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２５１】
実施形態２４：第２族−第６族化合物は、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、セレン化カドミウム（ＣｄＳｅ）、テルル化カドミウム（ＣｄＴｅ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化亜鉛（ＺｎＳｅ）、テルル化亜鉛（ＺｎＴｅ）、硫化水銀（ＨｇＳ）、セレン化水銀（ＨｇＳｅ）、テルル化水銀（ＨｇＴｅ）、テルル化カドミウム亜鉛（ＣｄＺｎＴｅ）、テルル化水銀カドミウム（ＨｇＣｄＴｅ）、テルル化水銀亜鉛（ＨｇＺｎＴｅ）、セレン化水銀亜鉛（ＣｄＺｎＳｅ）およびそれらの固溶体および／またはそれらをドープした変種から成る群から選択される実施形態１８から２３のいずれかに記載の光センサ。
【誤訳訂正１８】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２５２】
実施形態２５：第３族−第５族化合物はアンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、リン化ホウ素（ＢＰ）、ヒ化ホウ素（ＢＡｓ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、リン化アルミニウム（ＡｌＰ）、ヒ化アルミニウム（ＡｌＡｓ）、アンチモン化アルミニウム（ＡｌＳｂ）、窒化インジウム（ＩｎＮ）、リン化インジウム（ＩｎＰ）、ヒ化インジウム（ＩｎＡｓ）、アンチモン化インジウム（ＩｎＳｂ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）、リン化ガリウム（ＧａＰ）、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）、アンチモン化ガリウム（ＧａＳｂ）およびそれらの固溶体および／またはそれらをドープした変種から成る群から選択される実施形態１８から２４のいずれかに記載の光センサ。
【誤訳訂正１９】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０２５３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０２５３】
実施形態２６：第４族の元素または化合物は、ドープダイヤモンド（Ｃ）、ドープシリコン（Ｓｉ）、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）およびそれらの固溶体および／またはそれらをドープした変種から成る群から選択される実施形態１８から２５のいずれかに記載の光センサ。
【誤訳訂正２０】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０３５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０３５２】
実施形態１２５：実施形態１から１２４のいずれかに記載の検出器の使用であって、ガス感知；火災検出；炎検出；熱検出；煙検出；燃焼監視；分光測定；温度感知；動作感知；工業用監視；化学感知；排ガス監視；特に交通技術における距離測定；特に交通技術における位置測定；娯楽応用；セキュリティアプリケーション；ヒューマンマシンインターフェースアプリケーション；追跡アプリケーション；スキャンアプリケーション；立体視；写真撮影アプリケーション；撮像アプリケーションまたはカメラアプリケーション；少なくとも１つの空間のマップを生成するためのマッピングアプリケーション；車両用のホーミングまたは追跡ビーコン検出器；熱的シグナルを有する対象物の距離および／または位置の測定；マシンビジョンアプリケーション；ロボットアプリケーション；物流アプリケーションからなる群から選択される使用の目的で検出器を参照する、検出器の使用。