【手続補正書】
【提出日】平成17年3月28日(2005.3.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を一主面に備える半導体チップと、
接続端子と、
上部端子と、
前記接続端子および上部端子を、対応する前記半導体チップの前記電極と接続する金属配線と、
上面および底面を有し、前記金属配線および前記半導体チップの前記一主面を覆う封止樹脂とを備え、
前記接続端子は、前記封止樹脂の底面から露出しており、
前記上部端子は、前記封止樹脂の上面から露出しており、
前記接続端子、上部端子、および金属配線が同じ材料から形成されている、半導体装置。
【請求項２】
前記上部端子は、対応する前記接続端子の上に接続されている、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記上部端子は、対応する前記金属配線の上に接続されている、請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記接続端子、前記上部端子、および前記金属配線は、ボンディングワイヤによって形成されている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体装置に関し、より具体的には生産能率を大きく向上させることができる小型化された半導体装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明は、生産能率を大きく向上させることができる小型化された半導体装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、電極を一主面に備える半導体チップと、接続端子と、上部端子と、接続端子および上部端子を、対応する半導体チップの電極と接続する金属配線と、上面および底面を有し金属配線および半導体チップの一主面を覆う封止樹脂とを備え、接続端子は、封止樹脂の底面から露出しており、上部端子は、封止樹脂の上面から露出しており、接続端子、上部端子、および金属配線が同じ材料から形成されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記本発明の半導体装置では、金属配線はワイヤボンディングにより形成されたワイヤであり、接続端子が、当該ワイヤの部分がそのワイヤに連続したまま加工されて塊状にされた塊状の接続端子とすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記本発明の半導体装置では、金属配線および接続端子は、ガスデポジション法およびめっき法のいずれかによって形成されることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上記本発明の半導体装置では、接続端子の露出した表面を、半導体チップの一主面と反対側の裏側主面よりも外側に突き出た位置にある構成とすることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
上記本発明の半導体装置では、半導体チップの一主面と反対側の裏側主面に接して板材を配置し、その板材を底面から露出させることができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
上記本発明の半導体装置では、板材を金属板から構成することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
上記本発明の半導体装置では、接続端子の露出部にはんだ材を被着させることができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
上記本発明の半導体装置では、板材の露出部にはんだ材を被着させることができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
上記本発明の半導体装置では、接続端子の上に接して別の上部接続用端子を備えることができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
上記本発明の半導体装置では、金属配線および接続端子がガスデポジション法およびめっき法のいずれかによって形成され、接続端子の上に連続して、半導体チップの一主面の側に高くなるように形成された上部接続用端子を備えることができる。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
上記本発明の半導体装置では、上記の積層構造の半導体装置を単位半導体装置とし、その単位半導体装置が少なくとも２つ積層され、その一方の単位半導体装置の接続端子が他方の単位半導体装置の上部接続用端子に接続されることができる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
上記本発明の半導体装置では、電極の上に接してさらに別の電極上端子を備えることができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
上記本発明の半導体装置では、金属配線がガスデポジション法およびめっき法のいずれかによって形成され、電極と接続する部分の上に連続して形成された電極上端子を備えることができる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
本発明の半導体装置では、上記ガスデポジション法またはめっき法のいずれかで形成された金属配線を有する半導体装置において、その金属配線が、底部と反対側の面側において、少なくとも最も高い位置において露出するようにできる。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
本発明の半導体装置は、上記の上下異位置端子付き半導体装置を単位半導体装置として、一主面と平行に配置した平面に関して単位半導体装置と面対称の配置を有する面対称半導体装置、および単位半導体装置を備える。そして、単位半導体装置の電極上端子に面対称半導体装置の電極上端子が接続され積層される上面突合せ接続構造、および単位半導体装置の接続端子に面対称半導体装置の接続端子が接続され積層される底面突合せ接続構造のいずれか一方の接続構造を備えることができる。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
なお、上記の面対称半導体装置は、単位半導体装置自身が上記面対称性を有する場合、その単位半導体装置を反転して積層することにより、反転積層半導体装置を形成することができる。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
本発明の半導体装置は、接続端子の外側端部をさらに絶縁体の側面から露出させる構成とすることができる。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
本発明の半導体装置は、側部が露出されて側部が接続される接続端子が備えられた半導体装置を２つ以上と、内部に回路配線を含み半導体チップの表面に交差するように立つ壁状回路基板とを備え、半導体装置の接続端子の露出された側面が壁状回路基板に接続され、半導体装置が層状に実装される構成とすることができる。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
本発明の半導体装置は、平面的に見て少なくとも１側面には壁状回路基板が配置されず、その壁状回路基板が接続されない側面において、半導体装置の積層面に沿う回路基板が、接続端子に接続されて側面から平板状に張り出す構成とすることができる。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
本発明の半導体装置は、半導体装置を平面的に見て少なくとも１側面には壁状回路基板が配置されず、その壁状回路基板が接続されない側面において、半導体装置の積層面に沿う放熱板が、半導体チップと熱的に導通して側面から平板状に張り出す構成とすることができる。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
本発明の半導体装置の製造方法は、所定機能を有し外部との電気的接続を図るための電極を有する半導体回路領域を一主面に２つ以上配置した半導体基板から、２つ以上の半導体装置を製造する方法である。この製造方法は、半導体基板の一主面と反対の主面側に支持板を貼り付ける工程と、２つ以上の半導体回路領域を個々の半導体回路領域に分けるように、その半導体回路領域の周囲に支持板が露出されるように溝を形成する工程と、電極と溝内に露出された支持板とを金属配線で結線する工程と、支持板を除去する工程とを備える。
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
本発明の半導体装置の製造方法では、電極と支持板とをワイヤで結線する工程では、ワイヤボンディングにより、支持板に接続されることになる部分付近のワイヤを溶融させ塊状にしたものを支持板に接続させることができる。
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
本発明の半導体装置の製造方法では、金属配線で結線する工程の前に、半導体基板の一主面を絶縁膜で覆う工程を備え、電極と支持板とを金属配線で結線する工程では、ガスデポジション法およびめっき法のいずれかにより、絶縁膜と、電極と、支持板との上に接する金属膜を形成することができる。
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
本発明の半導体装置の製造方法では、半導体基板の一主面と反対の裏側主面に支持板を貼り付ける工程では、陽極接合法を用いて貼り付けるべき部材どうしを貼り付けることができる。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
本発明の半導体装置の製造方法では、溝を形成する工程では、ダイシングソーを用いて溝を形成することができる。
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
本発明の半導体装置の製造方法では、金属配線で結線する工程では、溝を挟んで対向する２つの半導体チップの電極位置は、前記溝の延びる方向に沿って互いにずれており、一方の半導体チップの電極から延びる金属配線は溝内の他方の半導体チップに近い位置の支持板に接続され、他方の半導体チップの電極から延びる金属配線は溝内の一方の半導体チップに近い位置の支持板に接続されることができる。
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
本発明の半導体装置の製造方法では、絶縁物で半導体基板を封止する工程を備え、その封止工程では、流動性のある高分子樹脂をスクリーン印刷法を用いて所定領域に塗布し被覆することができる。
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
本発明の半導体装置の製造方法では、高分子樹脂のパターンの形成の際、溝の中において、半導体チップに接続される接続端子をその半導体チップに附属させて互いに隔てている間隙部には高分子樹脂を配置せず、支持板を除去する工程において、各半導体装置が間隙部に沿って個別に分離される。
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
本発明の半導体装置の製造方法では、高分子樹脂のパターンの形成の際、溝の中において、半導体チップに接続される接続端子をその半導体チップに附属させて互いに隔てている間隙部には、半導体チップが３個以上会合するコーナー部を除いて高分子樹脂を配置せず、支持板を除去する工程において、コーナー部に配置した高分子樹脂によって各半導体装置が繋がれるようにできる。
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
本発明の半導体装置の製造方法では、絶縁体で封止する工程では、前記半導体基板の全面を絶縁体で被覆し、その後のいずれかの工程でその絶縁体の所定部分をダイシングソーで除去して前記半導体回路領域ごとに個片化することができる。
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
本発明の別の局面の半導体装置の製造方法では、所定機能を有し外部との電気的接続を図るための電極を有する半導体回路領域を一主面に２つ以上配置した半導体基板から、２つ以上の半導体装置を製造する方法である。この半導体装置の製造方法は、半導体基板を切断して個々の半導体回路領域に分ける工程と、半導体基板の一主面と反対の主面側に支持板を貼り付ける工程と、電極と溝内に露出された支持板とを金属配線で結線する工程と、支持板を除去する工程とを備える。
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
この構成により、個片化された半導体チップの電極と支持板とを金属配線により接続することができる。このため従来の製造ラインをそのまま用いて製造することができる場合が多くなる。
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
上記別の局面の半導体装置の製造方法では、電極と支持板とを金属配線で結線する工程では、ワイヤボンディングにより、支持板に接続されることになる部分付近のワイヤを溶融させ塊状にしたものを支持板に接続させることができる。
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
上記別の局面の半導体装置の製造方法では、金属配線で結線する工程の前に、半導体基板の一主面を絶縁膜で覆う工程を備え、電極と支持板とを金属配線で結線する工程では、ガスデポジション法およびめっき法のいずれかにより、絶縁膜と、電極と、支持板との上に接して金属膜を形成することができる。
【手続補正３９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
上記の半導体装置の製造方法では、電極および接続端子のいずれか一方に、これらに導通するように、ワイヤボンディング法の応用によって金属配線の一端を溶融させ塊状にした端子を形成することができる。
【手続補正４０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
上記の半導体装置の製造方法では、金属配線で結線する工程において、電極および接続端子のいずれか一方に、これらに導通するように、ガスデポジション法およびめっき法のいずれかにより支持板から離れる方向に延びる接続用端子を形成することができる。
【手続補正４１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
本発明のさらに別の局面の半導体装置の製造方法は、所定機能を有し外部との電気的接続を図るための電極を有する半導体回路領域を一主面に２つ以上配置した半導体基板から、２つ以上の半導体装置を製造するために、前記半導体回路領域の電気特性を検査する方法を含む製造方法である。この製造方法では、半導体基板の一主面と反対の主面側に支持板を貼り付ける工程と、２つ以上の半導体回路領域を個々の半導体回路領域に分けるように、その半導体回路領域の周囲に前記支持板が露出されるように溝を形成する工程とを備える。さらに、この製造方法は、電極と溝内に露出された支持板とをワイヤで結線する工程と、支持板が配置された面と反対側の面に上面支持板を貼り付ける工程とを備える。この製造方法においては、支持板が除去され露出した接続端子に対して、電気特性の良否を判定するために触針検査を行う工程とを備える。