(57)【要約】【課題】複数のサブフィールド毎に画素をオンまたはオフとして中間階調を表示する際に、メモリーに要する容量を削減する。【解決手段】フレームをサブフィールドｓｆ１〜ｓｆ１６に分割するとともに、１６個のサブフィールドを４個ずつのサブフィールドグループに分類する。映像信号をＳＦ指定データに変換してメモリーに記憶する一方、記憶したＳＦ指定データに基づき、１６個のサブフィールドｓｆ１〜ｓｆ１６のそれぞれにおいて画素の表示状態を指定するＳＦビットを出力する。ここで、ＳＦ指定データについては、各サブフィールドグループの「使用」／「不使用」を上位４ビットで規定するとともに、下位４ビットで「使用」サブフィールドグループに属する４個のサブフィールドの各々において当該画素の表示状態を指定する。「不使用」サブフィールドグループに属する４個のサブフィールドの各々において当該画素のオフを指定する。【選択図】図５
2010191242.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素と、サブフィールド指定データ変換回路と、メモリーと、サブフィールドビット出
力回路と、を有し、
フレームは、ｍ個のサブフィールドを有するｊ個のサブフィールドグループからなり、
前記サブフィールド指定データ変換回路は、前記画素の階調を指定する映像信号を、前
記ｊ個のサブフィールドグループのうちｋ個のサブフィールドグループを特定するととも
に（ｋは０以上ｊ以下の整数）前記特定されたｋ個のサブフィールドグループのいずれか
に属するサブフィールドにおける前記画素の表示状態を指定するサブフィールド指定デー
タ、に変換し、
前記メモリーは、前記サブフィールド指定データを記憶し、
前記サブフィールドビット出力回路は、前記メモリーから読み出した前記サブフィール
ド指定データに基づき、ｍ×ｊ個の前記サブフィールドのうち一のサブフィールドにおけ
る前記画素の表示状態を指定するサブフィールドビットを、当該一のサブフィールドに対
応させて出力する
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記ｊ個のサブフィールドグループのうち特定されなかったサブフィールドグループの
いずれかに属するサブフィールドすべてにおける前記画素の表示状態を、オンまたはオフ
のいずれかに指定する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記出力回路は、
前記メモリーから読み出されたサブフィールド指定データを、前記ｍ×ｊ個のサブフィ
ールドの各々における前記画素の表示状態を指定する表示状態指定データからなるサブフ
ィールドビット列に展開するＳＦビット列展開回路と、
前記サブフィールドビット列のうち前記一のサブフィールドにおける前記画素の表示状
態を指定する表示状態指定データを１つ選択し、該表示状態指定データを前記サブフィー
ルドビットとして出力するＳＦビット選択回路と、
を有することを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記ｊ個のサブフィールドグループのうち一のサブフィールドグループに属するｍ個の
サブフィールドは、時間的に離散した
ことを特徴とする請求項１、２または３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
フレームをｎ個のサブフィールドに分割するとともに、画素を前記ｎ個のサブフィール
ド毎に、それぞれサブフィールドビットに応じてオンまたはオフにする電気光学装置の駆
動方法であって、
前記ｎ個のサブフィールドを、ｍ個ずつ、ｊ（ｊ＝ｎ／ｍ）個のサブフィールドグルー
プに分け、
前記画素の階調を指定する映像信号を、前記ｊ個のサブフィールドグループのうちｋ個
（ｋは０以上ｊ以下の整数）のサブフィールドグループを特定するとともに前記特定され
たｋ個のサブフィールドグループのいずれかに属するサブフィールドにおける前記画素の
表示状態を指定するサブフィールド指定データに変換し、
前記サブフィールド指定データをメモリーに記憶させ、
記憶させたサブフィールド指定データに基づき、前記ｎ個のサブフィールドのうち一の
サブフィールドにおける前記画素の表示状態を指定するサブフィールドビットを、当該一
のサブフィールドに対応させて出力する
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれかに記載の電気光学装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレームを複数に分割したサブフィールドの各々において、画素をオンまた
はオフにすることにより階調を表現する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶素子や有機ＥＬ素子などの表示素子を画素として有する電気光学装置において階調
表示を行う際に、次のような技術が提案されている。すなわち、フレーム（フィールド）
を分割した複数のサブフィールド毎に画素（表示素子）をオンまたはオフとし、フレーム
においてオンまたはオフとする時間の割合を変化させることによって中間階調を表示する
技術が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２６６７０９号公報（図３、段落００１６）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記技術では、例えばフレームを構成するサブフィールドの個数がｎ個であ
る場合、ｎビットのデータを階調レベルに応じて生成して、メモリーに記憶するとともに
、ｎビットのうち、サブフィールドに対応するビットを選択して、画素のオンオフすなわ
ち表示状態を指定する構成となっている。このような構成において、多階調を図るために
、サブフィールドの個数ｎを大きくすると、必然的にメモリー等に要する容量が大きくな
ってしまう、といった問題がある。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的の一つは、複数のサブフィ
ールド毎に画素をオンまたはオフにして階調を表現する際に、サブフィールドの個数ｎを
大きくしても、メモリー等の容量を大きくさせない技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置は、画素と、サブフィールド指
定データ変換回路と、メモリーと、サブフィールドビット出力回路と、を有し、フレーム
は、ｍ個のサブフィールドを有するｊ個のサブフィールドグループからなり、前記サブフ
ィールド指定データ変換回路は、前記画素の階調を指定する映像信号を、前記ｊ個のサブ
フィールドグループのうちｋ個のサブフィールドグループを特定するとともに（ｋは０以
上ｊ以下の整数）前記特定されたｋ個のサブフィールドグループのいずれかに属するサブ
フィールドにおける前記画素の表示状態を指定するサブフィールド指定データ、に変換し
、前記メモリーは、前記サブフィールド指定データを記憶し、前記サブフィールドビット
出力回路は、前記メモリーから読み出した前記サブフィールド指定データに基づき、ｍ×
ｊ個の前記サブフィールドのうち一のサブフィールドにおける前記画素の表示状態を指定
するサブフィールドビットを、当該一のサブフィールドに対応させて出力することを特徴
とする。本発明によれば、映像信号をサブフィールド指定データに変換して、メモリーに
記憶させた後、サブフィールド指定データに基づいてサブフィールドビットを出力するの
で、映像信号をサブフィールドビット列に変換してメモリーに記憶する構成として比較し
て、変換に要する容量やメモリーに要する容量の総和を削減することが可能となる。
本発明において、前記ｊ個のサブフィールドグループのうち特定されなかったサブフィ
ールドグループのいずれかに属するサブフィールドすべてにおける前記画素の表示状態を
、オンまたはオフのいずれかに指定しても良い。
また、前記出力回路は、前記メモリーから読み出されたサブフィールド指定データを、
前記ｍ×ｊ個のサブフィールドの各々における前記画素の表示状態を指定する表示状態指
定データからなるサブフィールドビット列に展開するＳＦビット列展開回路と、前記サブ
フィールドビット列のうち前記一のサブフィールドにおける前記画素の表示状態を指定す
る表示状態指定データを１つ選択し、該表示状態指定データを前記サブフィールドビット
として出力するＳＦビット選択回路と、を有する構成としても良い。
さらに、前記ｊ個のサブフィールドグループのうち一のサブフィールドグループに属す
るｍ個のサブフィールドは、時間的に離散した構成としても良い。このように離散させる
と、画素の応答特性を利用して多階調を図ることが可能となる。
なお、本発明は、電気光学装置のほか、電気光学装置の駆動方法や、当該電気光学装置
を有する電子機器としても概念することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の実施形態が適用される電気光学装置の構成を示すブロック図である。
【図２】電気光学装置における表示パネルの構成を示す図である。
【図３】電気光学装置におけるフレームの構成を示す図である。
【図４】電気光学装置におけるＳＦ指定データを示す図である。
【図５】ＳＦ指定データをＳＦビット列に展開した例を示す図である。
【図６】電気光学装置における走査線駆動回路の動作を示す図である。
【図７】映像信号の入力からＳＦビットの出力までの動作を示す図である。
【図８】電気光学装置におけるフレームの構成の別例を示す図である。
【図９】別例におけるＳＦビットへの展開例を示す図である。
【図１０】電気光学装置を適用したプロジェクターの構成を示す図である。
【図１１】比較例におけるＳＦビットへの変換を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。図１は、実施形態に係る電
気光学装置の全体構成を示すブロック図である。
この図に示されるように、電気光学装置１０は、タイミング制御回路２０、サブフィー
ルド（ＳＦ）指定データ変換回路３０、メモリー４０、出力回路５０および表示パネル１
００を含む。
この電気光学装置１０には、映像信号Ｖideoが図示省略した上位回路から各種の同期信
号Ｓyncにしたがって供給される。ここで、映像信号Ｖideoは、表示画像の各画素におけ
る階調レベルをそれぞれ指定するデジタルデータであり、同期信号Ｓyncに含まれる垂直
走査信号、水平走査信号およびドットクロック信号（いずれも図示省略）にしたがって走
査される画素の順で供給される。
タイミング制御回路２０は、上記同期信号Ｓyncに基づいて各部を制御する。
【０００８】
表示パネル１００は、例えばアクティブ・マトリクス型であって、透過型のノーマリー
ブラックモードの液晶表示パネルであり、画素毎に透過率を変調した透過像を生成するも
のである。ここで、表示パネル１００の詳細について図２を参照して説明する。
この図に示されるように、表示パネル１００では、１、２、３、…、７６８行の走査線
１１２が図において横方向に延在するように設けられ、また、１、２、３、…、１０２４
列のデータ線１１４が図において縦方向に延在するように、かつ、各走査線１１２と互い
に電気的に絶縁を保つように設けられている。そして、７６８行の走査線１１２と１０２
４列のデータ線１１４との交点のそれぞれに対応して、画素１１０がそれぞれ配列してい
る。この画素１１０の配列領域が表示領域１０１となり、本実施形態では、画素１１０が
縦７６８行×横１０２４列でマトリクス状に配列することになる。
【０００９】
表示領域１０１の周辺には、走査線駆動回路１３０とデータ線駆動回路１４０とがそれ
ぞれ配置する。
このうち、走査線駆動回路１３０は、タイミング制御回路２０から供給される制御信号
Ｙctにしたがって走査線１１２を駆動するものであり、後述するように各サブフィールド
において走査線１１２を１、２、３、…、７６８行目という順番で選択するととともに、
選択した走査線への走査信号を選択電圧に相当するＨレベルとし、他の走査線への走査信
号を非選択電圧に相当するＬレベルとするものである。なお、１、２、３、…、７６８行
目の走査線１１２に供給される走査信号をそれぞれＧ1、Ｇ2、Ｇ3、…、Ｇ768と表記して
いる。
一方、データ線駆動回路１４０は、タイミング制御回路２０から供給される制御信号Ｘ
ctにしたがって、１〜１０２４列目のデータ線１１４の各々にそれぞれサブフィールド（
ＳＦ）ビットＤbに応じたデータ信号を供給するものである。なお、１、２、３、…、１
０２４列目のデータ線１１４に供給されるデータ信号を、それぞれｄ1、ｄ2、ｄ3、…、
ｄ1024と表記している。
【００１０】
画素１１０は、詳細については特に図示はしないが、画素電極とコモン電極とで液晶を
挟持した周知の液晶素子を有し、走査線１１２が選択されたときに、データ線１１４に供
給されたデータ信号が画素電極に印加される。なお、本実施形態において、データ信号は
、ＳＦビットの“１”に応じたオンレベルと、“０”に応じたオフレベルとのいずれかで
あり、ノーマリーブラックモードであるので、画素電極にオンレベルが印加されたときに
オン（明状態）となる一方、オフレベルが印加されたときにオフ（暗状態）となる。また
、画素１１０としては、ＳＦビットに応じてオンまたはオフの二値表示を行うものであれ
ば、後述するように種々のタイプが適用可能である。
【００１１】
本実施形態では画素１１０がオンとオフとの２通りしか取り得ない。このため、本実施
形態では、単位期間であるフレームを複数のサブフィールドに分割するとともに、サブフ
ィールド毎に画素１１０をオンまたはオフのいずれかに制御し、フレームにわたってオン
（またはオフ）の占める期間の割合を変化させることによって、階調を表現する。なお、
フレームとは、表示パネル１００を駆動することによって画像１コマ分を表示させるため
に要する期間をいい、本実施形態では１６．７ミリ秒としている（垂直走査周波数が６０
Ｈｚである場合）。
【００１２】
本実施形態において、階調レベルが十進値で「０」から「２５５」までの２５６階調を
表現するものとしたとき、フレームについては、例えば図３に示されるように、１６個の
サブフィールドに分割される。
詳細には、図３に示されるように、フレームが第１から第４までのサブフィールドグル
ープに分割されるとともに、各サブフィールドグループがさらに４つのサブフィールドに
それぞれ分割されている。
なお、１６個のサブフィールドを区別するために、時間的な順でｓｆ１〜ｓｆ１６と表
記している。
【００１３】
一般的にはフレームにおけるサブフィールド個数をｎとし、各サブフィールドグループ
におけるサブフィールド個数をｍとしたとき、フレームにおけるサブフィールドグループ
数はｎ／ｍ個となる。このサブフィールドグループの個数ｎ／ｍを、便宜的にｊとする。
フレームにおける各サブフィールドグループを「使用」／「不使用」に分類したとき、そ
の分類の組み合わせについては、２のｊ乗通り存在する。
ここでいう「使用」のサブフィールドグループとは、画素のオン状態またはオフ状態の
いずれか一方に着目して、当該一方の状態にさせるサブフィールドをそのサブフィールド
グループが含む、という意味であり、「特定する」と同義で用いている。また、「不使用
」とは、そのサブフィールドグループに属するすべてのサブフィールドにおいて、画素を
オンまたはオフの他方に状態にさせる、という意味であり、「特定しない」と同義で用い
ている。なお、本実施形態では、「使用」は、画素がオン状態になるサブフィールドをそ
のサブフィールドグループが含むという意味で用いている。
さらに、１つのサブフィールドグループは、ｍ個のサブフィールドを有する。このとき
、１つのサブフィールドグループに属するｍ個のサブフィールドにおいて画素の「オン」
／「オフ」とする割り当てについては、２のｍ乗通り存在する。
したがって、フレームを構成するｎ個のサブフィールドの各々について画素の表示状態
の指定は、サブフィールドグループの分け方と各サブフィールドグループでの割り当てと
を用いると、２ｊ×２ｍ通りで示すことができる。
図３の例では、ｎが「１６」、ｍが「４」であるので、ｊは「４」であり、２４×２４
は、階調表現しようとする数の「２５６」に一致することになる。
【００１４】
説明を図１に戻すと、ＳＦ指定データ変換回路３０は、映像信号Ｖideoを、ＳＦ指定デ
ータＳaに変換するＬＵＴ（ルックアップテーブル）である。ここで、ＳＦ指定データと
は、図４に示されるように、映像信号Ｖideoで指定される階調レベル「０」〜「２５５」
毎に対応付けられる８ビットのデータである。８ビットのＳＦ指定データのうち、上位４
ビットは、４つのサブフィールドグループの「使用」／「不使用」をそれぞれ指定し、下
位４ビットは、「使用」サブフィールドグループに属する４つのサブフィードの各々にお
いて画素の「オン」／「オフ」をそれぞれ指定する。
詳細には、ＳＦ指定データのうち、上位４ビットのビットＭsb、２sb、３sb、４sbは、
それぞれ第４、第３、第２、第１サブフィールドグループに対応するとともに、“１”が
「使用」を指定し、“０”が「不使用」を指定する。また、ＳＦ指定データのうち、下位
４ビットのビット５sb、６sb、７sb、Ｌsbは、「使用」が指定されたサブフィールドグル
ープのうち、第１、第２、第３、第４番目のサブフィールドに対応するとともに、“１”
が画素の「オン」を指定し、“０”が画素の「オフ」を指定する。なお、上位４ビットに
より「不使用」が指定されたサブフィールドグループに属する４つのサブフィールドでは
、画素の「オフ」が指定される。
【００１５】
したがって、図４において、映像信号Ｖideoが指定する階調レベルが例えば「Ｋ」であ
る場合に、当該映像信号Ｖideoは“０００１１１１１”のＳＦ指定データＳaに変換され
るが、当該“０００１１１１１”の意味するところは、図５に示されるように、第１サブ
フィールドグループだけを「使用」とし、その「使用」とする第１サブフィールドグルー
プの第１番目から第４番目までのサブフィールドをそれぞれ“１１１１”に対応させて画
素の「オン」を指定し、他の第２〜第４サブフィールドグループに属するサブフィールド
のすべてにおいて画素の「オフ」を指定する、というものである。簡単にいえば、サブフ
ィールドｓｆ１〜ｓｆ４において画素の「オン」が指定され、サブフィールドｓｆ５〜ｓ
ｆ１６において画素の「オフ」が指定される。
また、例えば階調レベル「２５４」を指定する映像信号Ｖideoは、“１１１１１１０１
”のＳＦ指定データＳaに変換されるが、当該“１１１１１１０１”の意味するところは
、第１から第４サブフィールドグループまでをすべて「使用」とし、各「使用」サブフィ
ールドグループにおいて、第１番目から第４番目までのサブフィールドをそれぞれ“１１
０１”に対応させて、第１、第２および第４番目のサブフィールドにおいて画素の「オン
」を指定し、第３番目のサブフィールドにおいて画素の「オフ」を指定する、というもの
である。このため、第１サブフィールドグループでは、サブフィールドｓｆ１、ｓｆ２、
ｓｆ４において画素の「オン」が指定され、サブフィールドｓｆ３において画素の「オフ
」が指定される。第２、第３および第４サブフィールドグループのサブフィールドについ
ても第１サブフィールドグループと同様なパターンとなる。
【００１６】
なお、図５に示されるようにサブフィールドｓｆ１〜ｓｆ１６の順で画素の表示状態を
指定する１６ビットの配列を、便宜的にＳＦビット列と呼ぶことにする。ＳＦビット列の
各ビットは、各サブフィールドにおける画素の表示状態を指定する表示状態指定データで
ある。
また、図４の変換内容は、あくまでも例示であり、映像信号Ｖideoで指定される階調レ
ベルに対し、どのようにＳＦ指定データに変換すれば良いのか、ひいては、各サブフィー
ルドにおいて画素の表示状態を、どのように指定すれば良いか、については液晶素子の光
学応答性等を考慮して決定される。
【００１７】
メモリー４０では、タイミング制御回路２０の制御にしたがって、ＳＦ指定データＳa
が一旦記憶された後、ＳＦ指定データＳbとして読み出される。
出力回路５０は、読み出されたＳＦ指定データＳbに基づき、サブフィールドに対応し
たＳＦビットＤbを出力するものであり、ＳＦビット列展開回路５２およびＳＦビット選
択回路５４を有する。
このうち、ＳＦビット列展開回路５２は、メモリー４０から読み出された８ビットのＳ
Ｆ指定データＳbを、上述した１６ビットのＳＦビット列に展開するものである。ＳＦビ
ット選択回路５４は、展開されたＳＦビット列のうち、タイミング制御回路２０で通知さ
れたサブフィールドに対応する表示状態指定データを選択して、ＳＦビットＤbとして出
力するものである。
【００１８】
次に、電気光学装置１０の動作について図７を参照して説明する。図７は、映像信号Ｖ
ideoの入力からＳＦビットＤbの出力までの動作を示すフローチャートである。
まず、映像信号Ｖideoが外部上位回路から供給されると、ステップａ１において、ＳＦ
指定データ変換回路３０は、ＬＵＴ（図４参照）を参照し、当該映像信号Ｖideoを階調レ
ベルに応じてＳＦ指定データＳaに変換する。映像信号Ｖideoは、同期信号Ｓyncに同期し
て供給されるので、ＳＦ指定データＳaも同期信号Ｓyncに同期して変換される。このため
、タイミング制御回路２０は、変換されたＳＦ指定データＳaを同期信号Ｓyncにしたがっ
てメモリー４０に逐次記憶する（ステップａ２）。
【００１９】
一方、タイミング制御回路２０は、表示パネル１００の駆動に合わせて、メモリー４０
に記憶されたＳＦ指定データを読み出す（ステップａ３）。
詳細には、タイミング制御回路２０は、サブフィールドｓｆ１〜ｓｆ１６の各々におい
て、走査線駆動回路１３０に対して、図６に示されるように走査信号Ｇ1、Ｇ2、Ｇ3、…
、Ｇ768が順番にＨレベルとなるように制御する。このとき、タイミング制御回路２０は
、ある行の走査線への走査信号をＨレベルとさせるとき、事前にメモリー４０から当該行
の１〜１０２４列の画素に対応するＳＦ指定データＳaを読み出すのである。
【００２０】
ＳＦビット列展開回路５２は、まず、読み出されたＳＦ指定データＳaのうち、上位４
ビットを参照して、第１〜第４サブフィールドグループのそれぞれにおいて「使用」／「
不使用」を決定する（ステップａ４）。続いて、ＳＦビット列展開回路５２は、「使用」
サブフィールドグループに属する４つのサブフィールドの画素の表示状態を、下位４ビッ
トを参照して決定する一方、「不使用」サブフィールドグループに属する４つのサブフィ
ールドの画素については、画素をオフとするための“０”に決定する（ステップａ５）。
ＳＦビット列展開回路５２は、次に、決定した画素の表示状態を指定するビットを、サブ
フィールドｓｆ１〜ｓｆ１６の順で整列させ、これをＳＦビット列とする（ステップａ６
）。
【００２１】
タイミング制御回路２０は、表示パネル１００の駆動制御に際し、現時点におけるサブ
フィールドを示す情報をＳＦビット選択回路５４に通知する。この情報は、例えばサブフ
ィールドの開始点をアップカウントするとともに、フレームの開始で当該アップカウント
の値をリセットするようなカウンターの出力でも代用可能である。
ＳＦビット選択回路５４は、ＳＦビット列のうち、タイミング制御回路２０から通知さ
れたサブフィールドに対応するビットを選択し（ステップａ７）、これを、ＳＦビットＤ
bとしてデータ線駆動回路１４０に供給する。例えば、読み出されたＳＦ指定データが“
１１１１１１０１”であれば、ＳＦビット列は、図５に示されるように“１１０１”を４
回繰り返したものとなり、さらに、表示パネル１００の駆動タイミングが、例えばサブフ
ィールドｓｆ３であれば、ＳＦビットＤbとして“０”がデータ線駆動回路１４０に供給
される。
【００２２】
このようなＳＦビットＤbへの変換については、ある行の走査線が選択される前に、メ
モリー４０から読み出される１〜１０２４列の画素に対応したＳＦ指定データＤbのそれ
ぞれについて実行される。これにより、データ線駆動回路１４０には、当該行の走査線が
選択される前において、当該選択走査線に対応する１〜１０２４列の画素に対応し、かつ
、現時点でのサブフィールドに対応したＳＦビットＤbが供給される。
【００２３】
データ線駆動回路１４０は、当該１行分のＳＦビットＤbを、それぞれオンまたはオフ
レベルのデータ信号に変換するとともに、当該行の走査線が選択されたときに１〜１０２
４列のデータ線１１４に供給する。すなわち、データ線駆動回路１４０は、ＳＦビットが
“１”であればオンレベルのデータ信号に、“０”であればオフレベルのデータ信号に変
換して、該当するデータ線１１４に供給する。
当該行の走査線が選択されたとき、データ線１１４に供給されたデータ信号は、当該行
に対応する液晶素子の画素電極に印加されて、当該液晶素子を有する画素は当該データ信
号に応じてオンまたはオフ状態となる。なお、当該走査線の選択が終了しても、液晶素子
は、オンまたはオフ状態を容量性によって保持する。このため、次回走査線が再び選択さ
れるまで、オンまたはオフ状態が維持される。
このような動作は、各サブフィールドにおいて１、２、３、…、７６８行目の順番で実
行される。これにより、当該サブフィールドにおいて各画素は、ＳＦビットに応じてオン
またはオフ状態となる。さらに、このような動作がサブフィールドｓｆ１〜ｓｆ１６のそ
れぞれにおいて繰り返し実行される。
これにより、各画素は、サブフィールドｓｆ１〜ｓｆ１６に応じた各期間において、Ｓ
Ｆビット列に応じたオンまたはオフ状態となるので、フレームを単位としてみたときの平
均的な透過率は、階調レベルに応じた値となり、これにより階調が表現されることとなる
。
【００２４】
フレームを分割した１６個のサブフィールドの各々において画素の表示状態を指定する
場合、図１１に示されるように、ＳＦビット列は１６ビットになるので、映像信号をＳＦ
ビット列に変換する際のテーブルには、２５６階調を表現する場合であれば、（２５６×
２１６／８）バイトの容量が必要となる。さらに、このＳＦビット列を、映像信号の１コ
マに相当する分、メモリーに記憶させるには（７６８×１０２４×２１６／８）バイトの
容量が必要となる。
これに対して、本実施形態では、映像信号をＳＦ指定データに変換して、メモリー４０
に記憶するので、ＳＦ指定データ変換回路３０におけるテーブル容量が（２５６×２８／
８）バイトで済み、また、メモリー４０に要する容量も（７６８×１０２４×２８／８）
バイトで済む。
このため、本実施形態によれば、変換テーブルおよびメモリー４０の双方に要する容量
の総計が大幅に削減され、これにより、低コスト化を図ることが可能となる。
【００２５】
フレームにおけるサブフィールドグループについては、図３に示したように時間的に隣
接するサブフィールド同士をサブフィールドグループとする手法のほかに、図８に示すよ
うに時間的に離散するサブフィールドをサブフィールドグループとしても良い。
詳細には図８の例では、１、５、９、１３番目のサブフィールドを第１サブフィールド
グループにし、２、６、１０、１４番目のサブフィールドを第２サブフィールドグループ
にし、３、７、１１、１５番目のサブフィールドを第３サブフィールドグループにし、４
、８、１２、１６番目のサブフィールドを第４サブフィールドグループにして、「使用」
のサブフィールドグループに属するサブフィールドを時間的に離散させても良い。
液晶素子のように光学応答が比較的遅い素子では、フレームにおける平均的な透過率が
積分値で反映される。このため、ノーマリーブラックモードにおいて例えば４つのサブフ
ィールドで画素をオンさせる場合に、図５に示したように連続的にオンさせる場合よりも
、図９に示したように離散的にオンさせた方が、低い透過率となる。このため、「使用」
サブフィールドグループに属するサブフィールドを時間的に離散させた方が、サブフィー
ルドを時間的に連続させるときよりも、ガンマ特性を考慮した暗領域（階調レベルが低い
領域）において、平均的な透過率をきめ細かく刻むことが可能となって、多階調の際に有
利となる。
【００２６】
また、実施形態では、「使用」は、画素をオンにさせるサブフィールドを含むサブフィ
ールドグループという意味で用いたが、画素をオフにさせるサブフィールドを含むサブフ
ィールドグループという意味で用いても良い。
画素における液晶素子は透過型に限られず反射型であっても良い。さらに、表示素子と
しては、液晶素子に限られず、ＳＦビットに応じてオンまたはオフとなる素子であれば良
い。例えば有機ＥＬ素子や、電気泳動素子（いわゆる電子ペーパー）、ミラーの傾きが表
示状態に対応した位置をとり、オンまたはオフのいずれか一方の状態のときだけ入射光を
所定方向に反射させるミラー素子などにも適用可能である。
【００２７】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置を用いた電子機器の一例として、電気光学装置をライトバ
ルブとして用いたプロジェクターについて説明する。図１０は、このプロジェクターの構
成を示す平面図である。
この図に示されるように、プロジェクター２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白
色光源からなるランプユニット２１０２が設けられている。このランプユニット２１０２
から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロ
イックミラー２１０８によってＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３原色に分離されて、各
原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。な
お、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐために
、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４からなるリレー
レンズ系２１２１を介して導かれる。
【００２８】
このプロジェクター２１００では、表示パネル１００を含む電気光学装置が、Ｒ、Ｇ、
Ｂの各色に対応して３組設けられる。そして、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色に対応する映像信号がそ
れぞれ外部上位回路から供給されて、ＳＦ指定データに変換後、メモリーに記憶される構
成となっている。ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂの構成は、上述した表
示パネル１００と同様であり、Ｒ、Ｇ、Ｂのそれぞれに対応するＳＦビットに応じて、サ
ブフィールド毎にそれぞれ駆動されるものである。
ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイク
ロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム
２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の光は直進する。
したがって、各色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ２１１４
によってカラー画像が投射されることとなる。
【００２９】
なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂには、ダイクロイックミラー２
１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設
ける必要はない。また、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像は、ダイクロイックプ
リズム２１１２により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像
はそのまま投射されるので、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂによる水平走査方向は、ラ
イトバルブ１００Ｇによる水平走査方向と逆向きにして、左右を反転させた像を表示する
構成となっている。
【００３０】
電子機器としては、図１０を参照して説明した他にも、テレビジョンや、ビューファイ
ンダー型・モニタ直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャ
ー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端
末、デジタルスチルカメラ、携帯電話機、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる
。そして、これらの各種の電子機器に対して、上記電気光学装置が適用可能なのは言うま
でもない。
【符号の説明】
【００３１】
１０…電気光学装置、２０…タイミング制御回路、３０…ＳＦ指定データ変換回路、４０
…メモリー、５０…出力回路、５２…ＳＦビット列展開回路、５４…ＳＦビット選択回路
、１００…表示パネル、１１０…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１３０…走
査線駆動回路、１４０…データ線駆動回路、２１００…プロジェクター
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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