【手続補正書】
【提出日】平成16年12月21日(2004.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成されたトランジスタと、該トランジスタのドレイン出力によって駆動される画素電極と、前記トランジスタのドレイン出力を保持する容量とを含む複数の画像表示素子が、第１及び第２の方向に２次元的にアレイ状に配置された画像表示部を含む液晶表示装置であって、
前記容量が、前記半導体基板の表面に形成された容量拡散層と、絶縁膜を介して、該容量拡散層と対向する容量電極とからなり、
前記複数の画像表示素子が、前記第２の方向に順番に隣りあう第１、第２および第３の画像表示素子と、該第１および第２の画像表示素子に対して前記第１の方向に隣りあい、互いに前記第２の方向に隣りあう第４および第５の前記画像表示素子とを含み、
前記第１、第２、第４および第５の画像表示素子の容量拡散層が一体化され、
前記一体化された容量拡散層に所要の電位を供給するためのコンタクトが、前記第１、第２、第４および第５の画像表示素子の容量電極に囲まれた部分に設けられることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１および第２の画像表示素子のそれぞれの容量拡散層が、該第１および第２の画像表示素子間の境界に沿って、該境界の長さの少なくとも実質的に全体にわたって形成されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
半導体基板上に形成されたトランジスタと、該トランジスタのドレイン出力によって駆動される画素電極と、前記トランジスタのドレイン出力を保持する容量とを含む複数の画像表示素子が、第１及び第２の方向に２次元的にアレイ状に配置された画像表示部を含む液晶表示装置であって、
前記容量が、前記半導体基板の表面に形成された容量拡散層と、絶縁膜を介して、該容量拡散層と対向する容量電極とからなり、
前記複数の画像表示素子が、前記第２の方向に順番に隣りあう第１、第２および第３の画像表示素子を含み、
前記第１および第２の画像表示素子のそれぞれの前記容量拡散層が、該第１および第２の画像表示素子間の境界に沿って、該境界の長さの少なくとも実質的に全体にわたって形成されると共に、該境界において一体化されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
半導体基板上に形成されたトランジスタと、該トランジスタのドレイン出力によって駆動される画素電極と、前記トランジスタのドレイン出力を保持する容量とを含む複数の画像表示素子が、第１及び第２の方向に２次元的にアレイ状に配置された画像表示部を含む液晶表示装置であって、
前記容量が、前記半導体基板の表面に形成された容量拡散層と、絶縁膜を介して、該容量拡散層と対向する容量電極とからなり、
前記複数の画像表示素子が、前記第２の方向に順番に隣りあう第１、第２および第３の画像表示素子を含み、
前記第１および第２の画像表示素子のそれぞれの容量拡散層が、該第１および第２の画像表示素子間の境界に沿って形成されると共に、該境界において一体化され、
前記第２および第３の画像表示素子のトランジスタが、該第２および第３の画像表示素子間の境界線をまたいで前記第２の方向に延びる共有ゲート電極を共有したことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
前記画像表示部が、前記第１、第２および第３の画像表示素子を含んで前記第２の方向に配置された複数の前記画像表示素子を選択する走査線を有し、該走査線が、前記共有ゲート電極と、該共有ゲート電極に接続され、前記第１および第２の画像表示素子の容量電極の上方を前記第２の方向に延びる配線とからなることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
半導体基板上に形成されたトランジスタと、該トランジスタのドレイン出力によって駆動される画素電極と、前記トランジスタのドレイン出力を保持する容量とを含む複数の画像表示素子が、第１及び第２の方向に２次元的にアレイ状に配置された画像表示部を含む液晶表示装置であって、
前記容量が、前記半導体基板の表面に形成された容量拡散層と、絶縁膜を介して、該容量拡散層と対向する容量電極とからなり、
前記複数の画像表示素子が、前記第２の方向に順番に隣りあう第１、第２および第３の画像表示素子を含み、
前記第１および第２の画像表示素子のそれぞれの容量拡散層が、該第１および第２の画像表示素子間の境界に沿って形成されると共に、該境界において一体化され、
前記画像表示部が、前記第１、第２および第３の画像表示素子を含んで前記第２の方向に配置された複数の前記画像表示素子を選択する走査線を有し、該走査線が、前記第１および第２の画像表示素子の容量電極の上方を前記第２の方向に延びる配線を含むことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１および第２の画像表示素子のそれぞれの前記容量電極が、前記第１および第２の画像表示素子間の境界に沿って、該境界の長さの実質的に全体にわたって形成されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記複数の画像表示素子に、前記第１の方向に延びる信号線から画素信号が入力されることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１の画像表示素子の容量拡散層が、該第１の画像表示素子が形成される範囲全体において同一の導電型を有する前記半導体基板の表面に形成されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１の画像表示素子の容量拡散層が第１の導電型を有し、該第１の導電型の前記半導体基板の表面に形成されることを特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記請求項１乃至１０のいずれかに記載の液晶表示装置と、該液晶表示装置に光を入射する光源とを有することを特徴とする表示システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、本発明の第１の態様は、半導体基板上に形成されたトランジスタと、該トランジスタのドレイン出力によって駆動される画素電極と、前記トランジスタのドレイン出力を保持する容量とを含む複数の画像表示素子が、第１及び第２の方向に２次元的にアレイ状に配置された画像表示部を含む液晶表示装置であって、前記容量が、前記半導体基板の表面に形成された容量拡散層と、絶縁膜を介して、該容量拡散層と対向する容量電極とからなり、前記複数の画像表示素子が、前記第２の方向に順番に隣りあう第１、第２および第３の画像表示素子と、該第１および第２の画像表示素子に対して前記第１の方向に隣りあい、互いに前記第２の方向に隣りあう第４および第５の前記画像表示素子とを含み、前記第１、第２、第４および第５の画像表示素子の容量拡散層が一体化され、前記一体化された容量拡散層に所要の電位を供給するためのコンタクトが、前記第１、第２、第４および第５の画像表示素子の容量電極に囲まれた部分に設けられることを特徴とする液晶表示装置を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、前記第１および第２の画像表示素子のそれぞれの容量拡散層が、該第１および第２の画像表示素子間の境界に沿って、該境界の長さの少なくとも実質的に全体にわたって形成されることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、同様に前記課題を解決するために、本発明の第２の態様は、半導体基板上に形成されたトランジスタと、該トランジスタのドレイン出力によって駆動される画素電極と、前記トランジスタのドレイン出力を保持する容量とを含む複数の画像表示素子が、第１及び第２の方向に２次元的にアレイ状に配置された画像表示部を含む液晶表示装置であって、前記容量が、前記半導体基板の表面に形成された容量拡散層と、絶縁膜を介して、該容量拡散層と対向する容量電極とからなり、前記複数の画像表示素子が、前記第２の方向に順番に隣りあう第１、第２および第３の画像表示素子を含み、前記第１および第２の画像表示素子のそれぞれの前記容量拡散層が、該第１および第２の画像表示素子間の境界に沿って、該境界の長さの少なくとも実質的に全体にわたって形成されると共に、該境界において一体化されることを特徴とする液晶表示装置を提供する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
このような液晶表示装置の液晶駆動部は、例えば、概略以下のような工程で形成される。まず、例えばｐ- 型の半導体基板表面の必要な領域にＰウエルおよびＮウエル（図示しない）を形成するとともに、トランジスタや容量のアクティブ領域間を電気的に分離するための分離領域１５を形成する。次に、容量を構成する拡散層２０を、例えばホウ素イオンの注入によって形成する。
続いて、ゲート絶縁膜および容量絶縁膜を兼ねる絶縁膜が、例えば熱酸化によって形成され、多結晶シリコン膜および金属シリサイド膜が堆積され、所要のパターンにパターンニングされることによって、トランジスタのゲート電極と容量の上部電極が形成される。次に、例えばヒ素のイオン注入によって、ゲート電極の両側のアクティブ領域表面にソース、ドレイン拡散層が形成される。その後、全面に絶縁膜が堆積され、平坦化されて第１層間絶縁膜が形成される。そして、第１層間絶縁膜の必要な部分にコンタクト孔が開口され、金属プラグが埋め込まれることによってコンタクト１２ａ、１２ｂ、１２ｃが形成された後、アルミニウム合金膜等の金属膜が堆積され、パターニングされて、第１の配線層１６が形成される。さらに同様に、第２層間絶縁膜が形成され、ビア３２が形成され、第２配線層（遮光層３６）が形成される。そしてさらに、第３層間絶縁膜およびビア３４、第３配線層（反射電極）３８が形成される。
なお、それぞれの画像表示素子の駆動回路をＮチャンネルトランジスタとＰチャンネルトランジスタとの両方で構成する場合には、容量の下部電極を構成する拡散層２０を形成する以前に、それぞれの画像表示素子を形成する領域内の半導体基板表面の所定の位置に、ＰウエルおよびＮウエルを形成しておく必要がある。しかし、一方の導電型のトランジスタのみで駆動回路を構成する場合には、それぞれの画像表示素子を形成する領域内にウエルを形成しておく必要はない。例えば、駆動回路をＮ型トランジスタのみで形成するのであれば、Ｐ- 型半導体基板表面の、第１および第２の方向に配置される複数の画像表示素子を形成する領域全体に共通のＰウエルを形成しておけばよい。この場合、容量を構成する拡散層２０は、それぞれの画像表示素子が形成される領域全体において同一の導電型を有する、すなわち、Ｐウエルが形成された、半導体基板の表面に形成されることになる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、このとき、トランジスタ５０、５２、５４、５６も、前記２つの方向に隣り合うように配置され、各ソース（例えばトランジスタ５０についてはソース５０ａ）は信号線５８に接続され、各ドレインは各負荷容量の上部電極（例えばトランジスタ５０のドレイン５０ｂについては、負荷容量６４の上部電極）に接続される。またトランジスタの各ゲート（例えばトランジスタ５０のゲート電極５０ｃ）を構成するゲート電極５９は配線６１で互いに接続されて走査線６０を形成する。
実際には、図３に示した範囲のみではなく、さらに第１の方向（図の上下）および第２の方向（図の左右）に複数の画像表示素子がアレイ状に配置され、画像表示装置の表示部が形成される。この結果、表示部には、複数の表示素子の負荷容量に共有されて第１の方向に延びる拡散層（共通拡散層）６２が、複数、第２の方向に配置されることになる。それぞれの共有拡散層は、第１の方向に配置される複数の画像表示素子全体におよんで、すなわち、画像表示素子のアレイの全体にわたって延びる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図３にはこのような共有拡散層６２が１つだけ表示されている。しかし、例えば、図では省略されているが、第３および第６の表示素子７２ｃおよび７２ｆの負荷容量の拡散層と、さらにその左側に配置される表示素子の負荷容量の拡散層とが共有され、さらに、それらの上下方向に配置される複数の画像表示素子の負荷容量の拡散層が共有されることによって、縦方向に延びる第２の共有拡散層が形成される。この共有拡散層は、図３に表示された共有拡散層６２の左側に隣りあって配置される。また、第１および第４の表示素子の７２ａ、７２ｄの右側に配置される表示素子の負荷容量の拡散層と、さらにその右側に配置される表示素子の負荷容量の拡散層とが共有され、縦方向に延びる第３の共有拡散層が形成される。これらの共有拡散層は、第２の方向（図の横方向）に、画像表示素子が第２の方向（図の横方向）に配置される周期の２倍の周期で配置される。
そして、これらの第１の方向に延びる複数の共有拡散層の中の、隣りあう２つの共有拡散層の間には、それぞれ、第２の方向に隣りあう２つの表示素子のトランジスタが配置される。例えば、図３に示された共有拡散層６２と、その左側に隣りあって配置される第２の共有拡散層との間には、それぞれ第２の方向に隣りあう、第２および第３の表示素子のトランジスタ５０、５２と、第５および第６の表示素子のトランジスタ５４、５６が、配置される。