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【手続補正書】
【提出日】平成16年2月19日(2004.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡＭ／ＦＭ放送波，ＴＶ放送波，ＧＰＳ波などの各種電波をそれぞれ受信する各受信機のチューナ類を、各受信機本体から分離し、分離したチューナ類を、少なくとも複数のアンテナ素子を含むアンテナ部に一体的に組込み、これらのチューナ類に対し、ディジタル制御信号を車内ＬＡＮを介して与えることにより、受信制御を行なうようにしたことを特徴とする自動車用受信制御システム。
【請求項２】
複数のアンテナ素子は、自動車の後部窓ガラスに張り付けたストリップ導体からなる窓ガラスアンテナ素子であることを特徴とする請求項１に記載の自動車用受信制御システム。
【請求項３】
車内ＬＡＮの信号伝送路が、光ファイバーであることを特徴とする請求項１に記載の自動車用受信制御システム。
【請求項４】
ＦＭ放送波，ＴＶ放送波の少なくとも一方が、ダイバシティ受信方式で受信される如く設けられていることを特徴とする請求項１に記載の自動車用受信制御システム。
【請求項５】
アンテナ部に組込まれたチューナ類が、スレーブコンピュータを介して制御される如く設けられていることを特徴とする請求項１に記載の自動車用受信制御システム。
【請求項６】
アンテナ部のチューナ類がユニット化されていることを特徴とする請求項１に記載の自動車用受信制御システム。
【請求項７】
ＦＭ放送波を受信する為のＦＭ受信回路およびＴＶ放送波を受信する為のＴＶ受信回路の少なくとも一方が、ビームステアリング機能を持つ受信回路であることを特徴とする請求項１に記載の自動車用受信制御システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
1999301377.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月29日(2005.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器と一体のスパウトと、このスパウトの内径とほぼ同じ寸法の外径をもつ有底外筒と開封用の貫通針基部よりやや径の大きな内径を有する内筒と該内筒内に閉ループ状の薄肉部をなすスコアが般けられた前記底部とからなる可撓性を有するプラスチック製の内栓とからなる容器口部構造体。
【請求項２】
前記スコアは前記内筒内の前記貫通針の外径面に対応する位置に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の容器口部構造体。
【請求項３】
嵌合自在の形態で前記内栓の外表部を覆う可撓性のプラスチック材からなるダストキャップとが組み合わされた請求項１又は２に記載の容器口部構造体。
【請求項４】
スコアは断面形状において大きなＶ字溝またはＵ字溝が底部の一面のみに薄肉部として設けられている請求項１乃至３のいずれかに記載の容器口部構造体。
【請求項５】
スコアは断面形状において大小のＶ字溝およびＵ字溝が底部の両面から大小組合わされて薄肉部が設けられている請求項１乃至３のいずれかに記載の容器口部構造体。
【請求項６】
ダストキャップは円板状の板部と、内栓の内筒の内径にほぼ等しい外径を有する筒状体とからなる請求項３乃至５のいずれかに記載の容器口部構造体。
【請求項７】
ダストキャップは円板状の板部と、内栓のフランジ部を抱え込む円周溝と、前記フランジの外周端部を抱え込む環状溝を備えている請求項３乃至５のいずれかに記載の容器口部構造体。
【請求項８】
ダストキャップは内栓の内筒端部を包み込む円周溝を有し外筒内径にほぼ等しい径のフランジ部と、内筒内径にほぼ等しい外径の筒状部と、底部からなり、当該底部にはプルトップ用の指掛け部が取り付けられている請求項３乃至５のいずれかに記載の容器口部構造体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
この従来のものは容器の封止と開封をアルミシール材によってなすものであるが、これにはアルミシール材としてガスバリヤー性の高いポリエチレン・ラミネートが施されたもの、すなわちアルミ箔の上にラミネートされたポリエチレンが積層状に貼り合わされたものが用いられており、貫通針で突き刺そうとしたときこのポリエチレン・ラミネートが剥離してしまいうまく突き破れないこともある。そして、図７のＢに示されたように突き破ったアルミシール材３の周りに剥離し引きちぎれたポリエチレン・ラミネート３ー1が延在し、液の流出と共に貫通針にまつわりついて切溝８ー２や針穴を塞いでしまい、中身の飲料液がスムーズに流出しないことがあった。また、このアルミシール材は内栓の成形時、予め丸い形状に打ち抜いたアルミシール材３を１枚づつ金型内にセットしたところに樹脂を流し込みこのアルミシール材を包むように一体的に成形して、結果的にアルミシール材が内栓に熱溶着されるものであるため、製造工程においてシールをセットするという工程が必要となり、手間がかかる分コスト的に高くついてしまうという欠点もあった。また、ダストカバーの役割を果たす内栓の外表面に貼られるＰＥＴフィルムの接着シールも、はがして使用する旨のメッセージを印刷し、片面に糊付けを施さねばならないため手間が掛かってこれもコストを引き上げる原因となっていた。本発明はこれらの欠点を解決するものであって、封止及び開封機能に優れかつ工程を少なくすることでコストを減できる容器口部構造体を提供しようというものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の構成によれば、工場において容器に飲料液体が注入されると、その注入口でもあるスパウト部に構造として環状の薄肉部スコアが設けられた内栓を嵌合して飲料液を封止する。そしてその注入口部が汚染されないように内栓の外表部を覆う形で可撓性のプラスチック材のダストキャップを内栓若しくはスパウトに嵌合係止させる。これを段ボール等の箱詰めをした状態で工場から出荷され消費地まで輸送されるわけであるが、この間容器に収納された飲料液は内栓により確実に封止されるので、液漏れや細菌の侵入の心配はない。また、さらにキャップにより内栓部全体をカバーしているので、内栓部内にほこり等が侵入付着することもない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明の実施の形態】
本発明の１実施例である容器口部の全体構成を図１に示す。これは可撓性の袋等容器の注入出口であるスパウト１、そのスパウトに嵌合される内栓２、内栓の外表部を覆うダストカバー用のキャップ５からなっている。図１のＡは側面図であり左半分は外面図で、右半分は断面図で表している。Ｂは上方ダストキャップ側から見た平面図。ＣはＡの右半分断面図の拡大詳細図である。スパウト１のフランジ部１ー1が容器となる袋等と一体に接着されており、このスパウトが飲料液の注入時注出時の供給口となっている。充填が終わると内栓２が着けられ封止されるが、その内栓２はスパウト１の内径にほぼ等しい外径を有する円筒状の外筒２ー3と、更に内部に狭い内径の内筒２ー4との二重構造を有している。これは工場で容器に飲料液を注入する際には大流量で充填できるようにスパウト１の口径は大きくされていることと、消費地で使用される時には一杯づつの小流量供給となるため貫通針８の径は比較的小径とされていることによる。すなわちそれぞれの嵌合部材の寸法に整合させるためこの様な構成を採ったものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月23日(2004.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層内に形成されたコンタクトホールに埋め込み形成された導電性プラグと、
前記導電性プラグを含む前記絶縁層上に、前記導電性プラグとコンタクトするように形成された導電性のアライメントマークと、
前記アライメントマークと同じ層に形成された配線と、
前記配線上に形成され、前記アライメントマーク上に対応する部分は除去されているパッシベーション膜
とを具備することを特徴する半導体装置。
【請求項２】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層内に形成されたコンタクトホールに埋め込み形成された導電性プラグと、
前記導電性プラグを含む前記絶縁層上に、前記導電性プラグとコンタクトするようにダイシングライン領域上に形成された導電性のアライメントマーク
とを具備することを特徴する半導体装置。
【請求項３】
半導体基板と、
前記半導体基板上に、絶縁層を介して形成された多層配線と、
前記多層配線の最上層に形成された導電性のアライメントマークと、
前記アライメントマークの下層の前記絶縁層に形成されたコンタクトホールに埋め込み形成され、前記アライメントマークとコンタクトする導電性プラグ
とを具備することを特徴する半導体装置。
【請求項４】
半導体基板と、
前記半導体基板上に、絶縁層を介して形成された多層配線と、
前記多層配線の最上層に形成された導電性のアライメントマークと、
前記多層配線の最上層以外の各層に形成された複数の配線パターンと、
前記アライメントマークの下層の前記絶縁層に形成された複数のコンタクトホールにそれぞれ埋め込み形成され、前記アライメントマークとコンタクトする複数の導電性プラグとを具備し、
前記アライメントマークは、前記複数の導電性プラグ及び複数の配線パターンを通して前記半導体基板に電気的に接続されていることを特徴する半導体装置。
【請求項５】
前記アライメントマーク及び前記導電性プラグはアルミニウムからなることを特徴する請求項１乃至４のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記多層配線の最上層上に形成され、前記アライメントマーク上に対応する部分は除去されているパッシベーション膜をさらに具備することを特徴する請求項３または４記載の半導体装置。
【請求項７】
前記アライメントマークと同じ層に形成され、その上部から前記パッシベーション膜が除去されているボンデイングパッドをさらに具備することを特徴する請求項１、３、４のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ボンデイングパッド上に形成されたバンプをさらに具備することを特徴する請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記アライメントマークはダイシングライン領域上に形成されていることを特徴する請求項１、３、４のいずれか１項記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層内に形成されたコンタクトホールに埋め込み形成された導電性プラグと、前記導電性プラグを含む前記絶縁層上に、前記導電性プラグとコンタクトするように形成された導電性のアライメントマークと、前記アライメントマークと同じ層に形成された配線と、前記配線上に形成され、前記アライメントマーク上に対応する部分は除去されているパッシベーション膜とを具備することを特徴する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
即ち、本発明によれば、アライメントマークが下層のコンタクトホールに埋め込まれたプラグと接続されているので、ボンデイングパッド開口時にアライメントマークが側面までオーバーエッチングされて露出されたとしても、その後の工程でアライメントマークが剥がれてしまうような問題は起きない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
本発明によれば、アライメントマークは、導電性プラグおよび下層の配線を通して半導体基板に電気的に接続された（接地された）状態となっていてチャージアップしないので、アライメントマーク上のバリアメタルを溶液で除去する工程時にアライメントマークまでエッチングされることがない。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
本発明によれば、アライメントマークは、導電性プラグおよび下層の配線を通して半導体基板に電気的に接続された（接地された）状態となっていてチャージアップしないので、バンプ工程に際して、バンプ電極部以外の領域に露出しているバリアメタルを溶液で除去する時にバリアメタル下のアライメントマークまでエッチングされることがない。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月16日(2004.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの露光単位領域を順次移動させながら回路パターンの露光を行う際に露光単位領域における半導体ウエハの厚みムラによる表面凹凸が露光焦点面において最小になるように半導体ウエハを傾けて露光を行う半導体ウエハのパターン露光方法において、
前記露光単位領域内で有効となる素子領域で前記表面凹凸が露光焦点面において最小となるように半導体ウエハを傾けて露光焦点面を設定することを特徴とする半導体ウエハのパターン露光方法。
【請求項２】
前記有効となる素子領域のチップのみ焦点面決定評価を行なうことを特徴とする請求項１記載の半導体ウエハのパターン露光方法。
【請求項３】
半導体ウエハの露光単位領域における半導体ウエハの厚みムラによる表面凹凸が露光焦点面において最小になるように半導体ウエハを傾けるレべリング制御手段を有し、半導体ウエハの露光単位領域を順次移動させながら回路パターンの露光を行う半導体ウエハのパターン露光装置において、
前記レべリング制御手段は、
パターンマスク側と半導体ウエハの露光単位領域内の各チップ内の複数箇所との間で測距を行うためにレーザー光源から半導体ウエハに投射したレーザー光の反射光を受けて電気信号に変換する複数のセンサーと、
半導体ウエハに対して回路パターンの露光を行う際、露光単位領域内に無効チップの少なくとも一部が含まれるか否かを判定し、無効チップの少なくとも一部が含まれる場合には、素子有効領域のチップに対応する一部のセンサーを選択し、無効チップの少なくとも一部が含まれない場合には全てのセンサーを選択し、この選択したセンサーの出力信号を処理して測距を行い、基準面を算出する基準面算出手段と、
前記基準面算出手段により算出された基準面に基づいて前記半導体ウエハを搭載したステージの傾きを制御するウエハ傾き制御機構
とを具備し、露光単位領域内で有効となる素子領域で前記表面凹凸が露光焦点面において最小となるように半導体ウエハを傾けて露光焦点面を設定することを特徴とする半導体ウエハのパターン露光装置。
【請求項４】
半導体ウエハに回路パターンの露光を露光単位領域毎に行うレーザ光源と、
前記レーザ光源から前記半導体ウエハに投射したレーザ光の反射光を受けて電気信号に変換する複数のセンサーと、
前記露光単位領域内に無効チップ領域の少なくとも一部が含まれるか否かを判定する手段と、
前記露光単位領域内に無効チップ領域の少なくとも一部が含まれる場合には有効チップ領域に対応する前記センサーを選択し、無効チップ領域が含まれない場合には全てのセンサーを選択し、この選択したセンサーの出力信号を処理して、パターンマスク側と半導体ウエハの露光単位領域内の各チップ内の複数箇所との間で測距を行い、基準面を算出する基準面算出手段と、
前記基準面算出手段により算出された基準面に基づいて前記半導体ウエハを搭載したステージの傾きを制御するウエハ傾き制御機構
とを具備したことを特徴とする半導体ウエハのパターン露光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月3日(2004.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
濃度フィルタの原理を、図１６を参照して説明する。上段が濃度フィルタの断面構成で、光を透過する基板上に遮光部パターンを作ったものである。中段のグラフは濃度フィルタ直後の光量分布を示したもので、遮光部パターンが密な部分では透過する光量が少なく、粗な部分では透過光量が多い。濃度フィルタと露光用マスクを光学的に共役な位置においてしまうと、マスク上の光量分布が中段のグラフのようになってしまう。濃度フィルタを共役なフォーカス位置からずらして像をぼかしてやることにより、下段のように一様な勾配の光量分布を得ることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
(5) 遮光パターン又は透光パターンの大きさは一定であり、透過率に応じて基本セルの大きさを可変したこと。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また、透過率５０％を境界に遮光パターンと透光パターンを線対称に配置することにより、パターンサイズを大きくすることで発生する透過率分布のうねりを相殺することが可能となる。さらに、パターンサイズ誤差に対して透過率誤差が敏感な５０％近傍で大きなパターンサイズを用い、それ以外の領域では小さなパターンサイズを用いることによって、透過率誤差を更に抑制することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
しかし、以下の手法を用いれば、パターンサイズを大きくすることで発生する透過率分布のうねりを相殺することができる。５０％の透過率となる線分を中心に開口部パターンと遮光部パターンが線対称になるように配置し、且つ濃度フィルタ本体の中心を境界に、遮光パターン同士及び透光パターン同士を線対称に配置すればよい。このように設計を行えば、図１３に示すように、対となる濃度フィルタと重ね合わせたときにうねりの谷の部分と山の部分が、山の部分と谷の部分が重なることになるため、合計で一様な透過率を得ることができる。これは、直線的な濃度勾配を持つ濃度フィルタでは、設計透過率が５０％を中心にして線対称であるために可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月30日(2004.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の高抵抗半導体層と、この高抵抗半導体層の第１の主面に形成された第２導電型の第１の低抵抗半導体層と、この第１の低抵抗半導体層から素子周辺部へ向かい間隔を開けて、前記第１の主面に繰り返し設けられた第２導電型の第２の低抵抗半導体層からなり、これらの第２の低抵抗半導体層の間に第２導電型の高抵抗半導体層を設けたことを特徴とする電力用半導体素子。
【請求項２】
前記第２導電型の高抵抗半導体層は、前記第１の主面に形成された前記第２導電型の第１の低抵抗半導体層に接続していないことを特徴とする請求項１記載の電力用半導体素子。
【請求項３】
前記第２導電型の高抵抗半導体層は、前記繰り返し設けられた第２導電型の第２の低抵抗半導体層より浅いことを特徴とする請求項１記載の電力用半導体素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2001015770.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月1日(2004.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
論理回路と、メモリセルを集積したメモリセルアレーを具備し、
上記論理回路は第１しきい値電圧を持つＮＭＯＳトランジスタと第３しきい値電圧を持つＰＭＯＳトランジスタよりなる第１論理ゲートと、第２しきい値電圧を持つＮＭＯＳトランジスタと第４しきい値電圧を持つＰＭＯＳトランジスタよりなる第２論理ゲートにより形成され、
上記メモリセルアレーは２つの負荷ＭＯＳトランジスタと２つの駆動ＭＯＳトランジスタと、２つの転送ＭＯＳトランジスタからなるスタティック型のメモリセルを集積したメモリセルアレーであり、
上記２つの負荷ＭＯＳトランジスタは上記第４しきい値電圧を有するＰＭＯＳトランジスタにより形成され、
上記２つの駆動ＭＯＳトランジスタは上記第２しきい値電圧を有するＮＭＯＳトランジスタにより形成され、
上記第１しきい値電圧は上記第２しきい値電圧より小さく、
上記第３しきい値電圧の絶対値は上記第４しきい値電圧の絶対値より小さいことを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
上記２つの転送用MOSトランジスタは、上記第１しきい値電圧を有するNMOSトランジスタにより構成されることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項３】
上記メモリセルアレーが複数のバンクにより形成され、
上記メモリセルとビット線対が上記バンク内で接続され、各バンク内のビット線対と上記複数のバンクをまたがって配置されているグローバルビット線対がスイッチＭＯＳを介して接続され、
上記スイッチMOSは上記第２しきい値電圧を有するNMOSトランジスタと第４しきい値電圧を有するPMOSにより構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項２のいずれかに記載の半導体集積回路。
【請求項４】
上記論理回路と上記メモリセルアレーを構成する上記NMOSトランジスタと上記PMOSトランジスタのゲート酸化膜厚は第１値をとることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体集積回路。
【請求項５】
上記第１及び第２しきい値電圧の差と、上記第３及び第４しきい値電圧の差がそれぞれトランジスタのチャネルに存在する第１不純物と第２不純物の量が異なることによるものであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の半導体集積回路。
【請求項６】
上記第１及び第２しきい値電圧の差と、上記第３及び第４しきい値電圧の差がそれぞれトランジスタのチャネル長が異なることよるものであることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の半導体集積回路。
【請求項７】
上記２つの転送ＭＯＳトランジスタは、上記第２しきい値電圧を有するNMOSトランジスタと同じチャネルの不純物量で、チャネル長の長いＮＭＯＳにより構成されてなることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項８】
論理回路と、データ入出力回路を具備し、第１の厚さのゲート酸化膜を持つ第１しきい値電圧を持つＮＭＯＳトランジスタと、上記第１の厚さのゲート酸化膜を持ち、上記第１しきい値電圧よりも大きい第２しきい値電圧を持つＮＭＯＳトランジスタと、上記第１の厚さのゲート酸化膜を持つ第３しきい値電圧を持つPＭＯＳトランジスタと、上記第１の厚さのゲート酸化膜を持ち、上記第３しきい値電圧の絶対値よりも絶対値の大きい第４しきい値電圧を持つPＭＯＳトランジスタと、
上記第１の厚さより厚い第２の厚さのゲート酸化膜を持ち、上記第２しきい値電圧を持つＮＭＯＳトランジスタとチャネルの不純物量が同一の、第５しきい値電圧を持つＮＭＯＳトランジスタと、
上記第２の厚さのゲート酸化膜を持ち、上記第４しきい値電圧を持つＰＭＯＳトランジスタとチャネルの不純物量が同一の第６しきい値電圧を持つＰＭＯＳトランジスタにより構成され、上記論理回路には上記第１と第２しきい値電圧を持つＮＭＯＳトランジスタと、上記第３と第４しきい値電圧を持つＰＭＯＳトランジスタによって構成され、
上記入出回路は上記第５しきい値電圧を持つＮＭＯＳトランジスタと上記第６しきい値電圧を持つＰＭＯＳトランジスタにより構成されていることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項９】
論理回路と、低電圧の信号電圧を高電圧の信号電圧に変換するレベルシフタ回路と、データ入出力回路を具備し、第１の厚さのゲート酸化膜を持つ第１しきい値電圧を持つＮＭＯＳトランジスタと、上記第１の厚さのゲート酸化膜を持ち、上記第１しきい値電圧よりも大きい第２しきい値電圧を持つＮＭＯＳトランジスタと、上記第１の厚さのゲート酸化膜を持つ第３しきい値電圧を持つPＭＯＳトランジスタと、上記第１の厚さのゲート酸化膜を持ち、上記第３しきい値電圧の絶対値よりも絶対値の大きい第４しきい値電圧を持つPＭＯＳトランジスタと、
上記第１の厚さより厚い第２の厚さのゲート酸化膜を持ち、上記第１しきい値電圧を持つＮＭＯＳトランジスタとチャネルの不純物量が同一の第５しきい値電圧を持つＮＭＯＳトランジスタと、
第２の厚さのゲート酸化膜を持ち、上記第２しきい値電圧を持つＮＭＯＳトランジスタとチャネルの不純物量が同一の、第６しきい値電圧を持つＮＭＯＳトランジスタと、
第２の厚さのゲート酸化膜を持ち、上記第３しきい値電圧を持つＰＭＯＳトランジスタとチャネルの不純物量が同一の第７しきい値電圧を持つＰＭＯＳトランジスタと、第２の厚さのゲート酸化膜を持ち、上記第４しきい値電圧を持つＰＭＯＳトランジスタとチャネルの不純物量が同一の第８しきい値電圧を持つＰＭＯＳトランジスタにより構成され、上記論理回路には上記第１と第２しきい値電圧を持つＮＭＯＳトランジスタと、上記第３と第４しきい値電圧を持つＰＭＯＳトランジスタによって構成され、
上記入出回路は上記第６しきい値電圧を持つＮＭＯＳトランジスタと上記第８しきい値電圧を持つＰＭＯＳトランジスタにより構成され上記レベルシフタ回路のうち、上記低電圧の信号電圧を入力するＭＯＳトランジスタが、上記第２の厚さのゲート酸化膜の上記第５しきい値電圧を持つことを特徴とする半導体集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月24日(2004.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
従来の例えば水中ポンプの電動機等の電気機器の制御装置の構成を図４に示す。図において、１は制御装置が支持されるベース、１０はコの字形に形成された回路部品、制御回路が組み込まれたシャーシであり、天板下面に抵抗１１、コイル１２、コンデンサ１３、起動コンデンサ１４等の回路を構成する部品が配置され、上面には電気機器の制御回路が組み込まれた回路基板１５が載置されている。１６は回路基板１５の部分を覆うカバーである。１７は制御回路に接続される制御ケーブル、１８はシャーシ１０とカバー１６が組み合わされ、ベース１に取り付けられた全体を覆う全体カバーであり、制御ケーブル１７が貫通する部分には開口部１８ａが形成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この発明は、上記問題点を解消するためになされたものであり、回路基板の放熱性をよくするとともに、虫類の侵入が防止でき、水滴が直接ふりかからない電気機器の制御装置を提供することを目的とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2001015973.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月11日(2004.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の円筒形電池の製造方法のさらに好ましい実施の形態では、電池ケースの開口部付近にガス排出孔を設ける工程、電池ケースの側面に溝入れ加工をして前記ガス排出孔を底とする環状の溝を形成する工程、電池ケースの開口部に封口板を装着し、電池ケースの開口端をかしめて封口する工程、前記溝に前記ガス排出孔を閉塞する弾性リングを装着する工程、及び電池ケースの開口端を押圧して前記溝の開口縁が狭まるように変形させる工程を有する。
上記の製造方法において、電池ケースの開口部に封口板を装着する前、電池ケースの内面側のガス排出孔縁部に撥水剤を塗布する工程を設けるのが好ましい。
また、前記溝に弾性リングを装着する前に、前記溝内にシール剤を塗布するのが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月11日(2004.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子を放出するエミッタと、エミッタに電界を加え電子を引き出すためのゲート電極からなる電界放出型の電子放出素子において、多数のエミッタを有する素子を複数のブロックに分割し、エミッタ・ゲート間短絡時に電流を自動的に抑制するような能動素子による短絡ブロックを電気的に分離する手段を備えたことを特徴とする電子放出素子。
【請求項２】
前記の能動素子による短絡ブロックを電気的に分離する手段が素子に一体的に形成された電界効果トランジスタにより実現されていることを特徴とする請求項１に記載の電子放出素子。
【請求項３】
内部が真空に保持されている容器と、前記容器内に配置された陽極板と、前記容器内で電子を放出するように前記陽極板に対向して保持されたエミッタ板と、前記エミッタ板は前記陽極板と対向する複数の電界放射部を有する導電性層から成り、前記電子は前記陽極板に放射され前記陽極板と前記エミッタ板の間に電流が流れ、
前記陽極板と前記エミッタ板間の電流を制御するゲート層と、前記ゲート層は前記エミッタ板の複数の電界放射部に対応した複数の開口を有し、前記エミッタ板と前記ゲート層は互いに絶縁して保持され、
前記ゲート層にゲート電圧を供給するゲート電圧供給ターミナルと、前記ゲート層と前記ゲート電圧供給ターミナル間に挿入されたゲート電流抑制素子とを備えることを特徴とする電子放出素子。
【請求項４】
前記エミッタ板と前記ゲート層間にショートが発生した時に電流を抑制する前記ゲート電流抑制素子は能動素子を備えることを特徴とする請求項３記載の電子放出素子。
【請求項５】
前記ゲート層が半導体より成り、前記能動素子は前記ゲート層と一体に作成された接合型電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項４記載の電子放出素子。
【請求項６】
前記接合型電界効果トランジスタは前記ゲート層と同一層に一体的に形成されたことを特徴とする請求項５記載の電子放出素子。
【請求項７】
前記電界効果トランジスタはゲート、ソース、およびドレインを有し、前記ドレインは前記電圧ターミナルに接続され、前記ゲートおよび前記ソース双方とも前記ゲート層に接続されていることを特徴とする請求項５記載の電子放出素子。
【請求項８】
前記能動素子は前記ゲート層と一体に形成されたＭＯＳ型電界効果トランジスタであることを特徴とする請求項４記載の電子放出素子。
【請求項９】
前記ＭＯＳ型電界効果トランジスタは前記ゲート層と同一層に一体的に形成されたことを特徴とする請求項８記載の電子放出素子。
【請求項１０】
前記ＭＯＳ型電界効果トランジスタはゲート、ソース、およびドレインを有し、前記ドレインは前記ゲート電圧ターミナルに接続され、前記ゲートおよび前記ソース双方とも前記ゲート層に接続されていることを特徴とする請求項８記載の電子放出素子。
【請求項１１】
前記ゲート層は複数のブロックに分割され、前記複数のブロックのそれぞれは電流抑制素子を有することを特徴とする請求項３記載の電子放出素子。
【請求項１２】
前記素子は電力スイッチング素子であることを特徴とする請求項３記載の電子放出素子。
【請求項１３】
内部が真空に保持されている容器と、前記容器内部に配置された陽極板と、前記容器内部で電子を放出するように前記陽極板に対向して保持されたエミッタ板と、前記エミッタ板は前記陽極板と対向する複数の電界放出部を有する導電性板より成り、前記電子は前記陽極板に放射され前記陽極板と前記エミッタ板の間に電流が流れ、
前記陽極板と前記エミッタ板の間の前記電流を制御するゲート層と、前記ゲート層は第一の導電型の半導体より成り前記エミッタ板の複数の電界放射部に対応する複数の開口を有し、前記エミッタ板と前記ゲート層は互いに絶縁して支持され、
前記ゲート層の複数の開口部の周囲に前記エミッタから分離して配置された第二の導電型の半導体層と、前記ゲート層にゲート電圧を供給するゲート電圧供給ターミナルと、前記ゲート層と前記ゲート電圧供給ターミナル間に挿入されるゲート電流抑制素子とを備えることを特徴とする電子放出素子。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月15日(2004.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部回路と、
パッドと、
前記内部回路と前記パッドとの間を接続する信号線上のノードと第１の電源との間に接続される保護回路と、
前記保護回路の制御端子に接続され、前記内部回路が通常動作している間は前記保護回路の非導通状態を維持するように動作する論理ゲートと、
テスト回路と
を備え、
前記論理ゲートは、前記テスト回路の出力信号と前記テスト回路を活性化させるための制御信号とを入力信号とすると共に、前記制御信号のレベルに応じて前記保護回路の制御端子に前記出力信号を出力するようにされ、
前記保護回路は、前記テスト回路からの前記出力信号を、前記パッドを介して外部に出力するようにされた
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記保護回路は、ドレインが前記信号線に接続されソースが接地電位端子に接続されたＮＭＯＳトランジスタであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ＮＭＯＳトランジスタが接続されたパッドと電源電位端子の間にテストモードにおいて負荷が接続されることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
ドレインが前記信号線に接続されソースが電源電位端子に接続されたＰＭＯＳトランジスタを有し、前記論理ゲートは、テストモードにおいて前記テスト回路の出力に応じて前記ＮＭＯＳトランジスタのゲートとＰＭＯＳトランジスタのゲートに対して相補信号を与えるものであることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記信号線に、前記テストモード選択信号により制御されて前記保護回路から出力される前記テスト回路の出力の前記内部回路への転送を防止するための転送制御ゲートが挿入されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記テスト回路は、チップ情報を記憶するフューズ回路であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記論理ゲートは、テストモード選択信号により活性化されて前記内部回路のテストを行うテストモードにおいて前記パッドの電位を固定するか否かの制御信号を前記保護トランジスタの制御端子に転送するものであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月30日(2004.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子と該半導体レーザ素子を実装するサブマウント基板と両者を電気的に接続する手段とを有し、該サブマウント基板に少なくとも一つ以上の凹部が形成されており、該凹部の少なくとも一つの面が斜面を有し、前記凹部の底面に実装された前記半導体レーザ素子の出射光の一部が前記斜面で反射されて出力され、残りの一部がサブマウント基板内に入射し前記斜面側の基板表面に形成されたフォトダイオードで受光される半導体レーザ装置において、前記フォトダイオードがｐｉｎ型のフォトダイオードであり、該フォトダイオードのｉ層が前記斜面表面に形成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
サブマウント基板の層構造が少なくとも該サブマウント基板の表面より第一の導電型を持つバッファ層、バッファ層と同一の導電型で低濃度に不純物拡散された低濃度層、バッファ層と同一の導電型で高濃度に不純物拡散された高濃度層の順に形成されており、第二の導電型からなる高濃度に不純物拡散された領域が該基板の表面から斜面にまたがるように、しかも、一部が前記低濃度層内に形成されたことを特徴とする、請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
上の面、低い面およびこれらの面の間に配置された斜面とを含む段差を有するサブマウントと、
前記低い面上にマウントされた半導体レーザ素子とより成り、
前記サブマウントはさらに第一導電型の領域、ｉ型領域、および第二導電型の領域を含むｐｉｎ型フォトダイオードを有し、前記レーザ素子から放射されたレーザビームの一部は前記斜面により反射されてそこから出力され、前記レーザ素子から放射されたレーザビームの残りの部分は前記斜面を通して前記サブマウントに入射し前記フォトダイオードに検出され、前記フォトダイオードの前記ｉ型領域は前記斜面上に配置され、前記レーザビームの残りの大部分は前記フォトダイオードの前記第一導電型の前記領域および前記第二導電型の前記領域を通過することなく前記ｉ型領域に入ることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記斜面に半透過膜が設けられていることを特徴とする請求項３記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記斜面と前記レーザ素子の間の前記低い面に溝が設けられていることを特徴とする請求項３記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記サブマウントは前記第一導電型半導体より成る基板と、前記基板上に設けられた低不純物濃度半導体層とを有し、前記基板は前記フォトダイオードの前記第一の導電型の領域に対応し、前記低不純物濃度の半導体層は前記フォトダイオードの前記ｉ型領域に対応し、前記第二の導電型の領域は前記低不純物濃度半導体層上に選択的に形成されていることを特徴とする請求項３記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記第二の導電型の前記領域は前記斜面に形成されていることを特徴とする請求項６記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
前記第二の導電型の前記領域は前記低不純物濃度の半導体層の最上部の表面に設けられていることを特徴とする請求項６記載の半導体レーザ装置。
【請求項９】
前記サブマウントは前記第一の導電型の半導体より成る基板を有し、前記基板上には低不純物濃度の第一の半導体層が設けられ、前記第一の半導体層上に前記第二の導電型の第二の半導体層が設けられ、前記基板は前記フォトダイオードの前記第一の導電型の領域と対応し、前記第一の半導体層は前記フォトダイオードの前記ｉ型領域に対応し、前記第二の導電型の領域は前記第二の半導体層上に選択的に形成され、前記第二の導電型の領域は前記第二の半導体層よりも高不純物濃度であることを特徴とする請求項３記載の半導体レーザ装置。
【請求項１０】
前記サブマウントは前記低い面に第二のフォトダイオードが設けられていることを特徴とする請求項９記載の半導体レーザ装置。
【請求項１１】
前記サブマウントは前記第一の導電型の半導体より成る基板を有し前記基板上には低不純物濃度の第一の半導体層が設けられ、前記第一の半導体層上に前記第二の導電型の第二の半導体層が設けられ、前記基板は前記フォトダイオードの前記第一の導電型の領域と対応し、前記第一の半導体層は前記フォトダイオードの前記ｉ型領域に対応し、前記第二の半導体層は前記フォトダイオードの前記第二の導電型の領域と対応することを特徴とする請求項３記載の半導体レーザ装置。
【請求項１２】
サブマウントと、前記サブマウントの主面上にマウントされた半導体レーザ素子とより成り、前記レーザ素子は前記主面に実質的に平行な方向にレーザビームを放射し、前記サブマウントは第一の導電型の領域、ｉ型の領域、および第二の導電型の領域を含むｐｉｎ型フォトダイオードを有し、前記レーザ素子から放射された前記レーザビームの大部分は前記ｉ型領域の斜面に入射し、前記斜面により反射した前記レーザビームの第一の部分はそこから出力されて前記サブマウントの前記主面に実質的に垂直方向に向かい、前記斜面を通って前記ｉ型領域に入る前記レーザビームの第二の部分は前記ｐｉｎフォトダイオードにより検出されることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項１３】
第一の導電型の半導体基板と、前記基板上にマウントされた半導体レーザ素子と、前記レーザ素子の光放出表面の前に配置された低不純物濃度の吸収層と、前記吸収層上に設けられた第二の導電型を有する半導体の領域より成り、前記吸収層は前記基板より低い不純物濃度を有し、前記レーザ素子の前記放出表面から放出されたレーザビームの大部分は前記吸収層の斜面に入射し、前記斜面により反射したレーザビームの第一の部分はそこから出力され、前記斜面を通して前記吸収層に入る前記レーザビームの第二の部分はｐｉｎ型フォトダイオードにより検出され、前記フォトダイオードは前記基板、前記吸収層、および前記半導体領域を含むことを特徴とする半導体レーザ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月27日(2004.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
このような３ＤＬＵＴは、例えば、以下のようにして作成することができる。  まず、非常にシャープなＲ，Ｇ，Ｂ光（例えば、レーザ光）で、各色複数レベル、例えば９レベルの組み合わせで、感光材料、例えばカラーネガフィルムに露光する。すると、７２９（＝９×９×９）個の色パッチが生成される。これらの色パッチの中には、Ｒ光のみで露光されたものが９つある。この色パッチにはＧ光、Ｂ光はあたっていないので、この感光材料のＧ層およびＢ層は未感光であり、現像抑制剤が放出されない。従って、この感光材料のＲ層は、他層からの重層効果の影響を受けず現像が進む。すなわち、この９つの色パッチは、重層効果前（他層からの重層効果の影響を受けていないという意味である）の濃度と見なすことができる。ここでは、その濃度データをＤＲ0j（ｊ＝１〜９）と表記する。また、Ｇ光のみ、およびＢ光のみで露光された場合も同様であり、それらの濃度データをＤＧ0j、およびＤＢ0jと表記する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
Ｒ，Ｇ，Ｂ光が同時にあたった色パッチの重層効果前の濃度データは、それぞれＤＲ0j，ＤＧ0j，ＤＢ0jであり、重層効果後（他層からの重層効果の影響を受けているという意味）の濃度（以下、ネガ濃度とも呼ぶ）データは、濃度測定することにより、ＤＲj ，ＤＧj ，ＤＢj として得られる。
こうして、７２９色の全ての色パッチについて、ネガ濃度データＤＲj ，ＤＧj ，ＤＢj と重層効果前の濃度データＤＲ0j，ＤＧ0j，ＤＢ0jの対が、構成される。これがネガ濃度を重層効果前の濃度に変換するための３ＤＬＵＴである。この３ＤＬＵＴは、光源差が調整された重層効果前の濃度をネガ濃度に逆変換するのにも用いられるので、ネガ濃度と重層効果前の濃度との双方向データ変換手段ということができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月28日(2005.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置本体部の原稿載置部上に載置された原稿を押える原稿圧板を備え、
当該原稿圧板が、上記装置本体部に対して開閉可能に取り付けられた第１圧板と、この第１圧板に対して回動連結手段を介して折れ曲げ可能に連結された第２圧板と、これら第１圧板及び第２圧板どうしの間の折れ曲げ角度を規制する開角規制手段と、を有する画像読取装置において、
前記第１圧板と第２圧板が、前記原稿載置部上に載置された原稿を当該第１圧板と第２圧板とにより押え込むように折れ曲げ揺動可能に連結されているとともに、
上記開角規制手段は、上記第１圧板又は第２圧板の一方側の圧板に固定され、他方側の圧板に向かって片持状に延在する可撓性係止部材を含み、
当該片持状に延在する可撓性係止部材の自由先端部分は、上記第１圧板及び第２圧板の折れ曲げ時に前記他方側の圧板側に弾性的に当接して前記第１圧板と第２圧板の折れ曲げ角度を規制するように配置されていることを特徴とする画像読取装置。
【請求項２】
前記可撓性係止部材は、第１圧板及び第２圧板の折れ曲げ時において、前記他方側の圧板又は回動連結手段に当接する位置関係に取り付けられていることを特徴とする請求項１記載の画像読取装置。
【請求項３】
前記可撓性係止部材は、第１圧板及び第２圧板のいずれか一方側の圧板に固定された固定部と、この固定部から他方側の圧板に向かって延出する板バネ部とを有し、
上記板バネ部と他方側の圧板との間には、前記両圧板どうしの自由回転角度範囲に相当する隙間が形成されていることを特徴とする請求項１記載の画像読取装置。
【請求項４】
前記板バネ部と他方側の圧板とは、板バネ部の上下撓み方向のそれぞれにおいて、所定の間隔を介して互いに当接する位置関係になされていることを特徴とする請求項３記載の画像読取装置。
【請求項５】
請求項１又は２又は３又は４記載の画像読取装置を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、請求項１記載の発明では、装置本体部の原稿載置部上に載置された原稿を押える原稿圧板を備え、当該原稿圧板が、上記装置本体部に対して開閉可能に取り付けられた第１圧板と、この第１圧板に対して回動連結手段を介して折れ曲げ可能に連結された第２圧板と、これら第１圧板及び第２圧板どうしの間の折れ曲げ角度を規制する開角規制手段と、を有する画像読取装置において、前記第１圧板と第２圧板が、前記原稿載置部上に載置された原稿を当該第１圧板と第２圧板とにより押え込むように折れ曲げ揺動可能に連結されているとともに、上記開角規制手段は、上記第１圧板又は第２圧板の一方側の圧板に固定され、他方側の圧板に向かって片持状に延在する可撓性係止部材を含み、当該片持状に延在する可撓性係止部材の自由先端部分は、上記第１圧板及び第２圧板の折れ曲げ時に前記他方側の圧板側に弾性的に当接して前記第１圧板と第２圧板の折れ曲げ角度を規制するように配置されている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月31日(2005.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】プリントシステム
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】互いに接続されたデジタルカメラ装置およびプリンタ装置において、前記デジタルカメラ装置には前記プリンタ装置の動作に関するスクリプトを記述するためのスクリプト記述手段と、前記スクリプトを前記プリンタ装置に送信する通信手段とを備え、前記プリンタ装置には前記スクリプトを受信する通信手段と、前記スクリプトを解析して実行するためのスクリプト処理手段とを備え、
前記スクリプト記述手段は、前記デジタルカメラ装置の撮像画像をプリンタ装置で印刷するまでの一連の流れを示したスクリプトを記述し、
前記スクリプト処理手段は、前記スクリプトに基づき、前記デジタルカメラ装置を操作し、読み取った撮像画像を前記プリンタ装置に転送して印刷させることを特徴とするプリントシステム。
【請求項２】前記プリンタ装置には、前記スクリプトを蓄積するためのストレージ及びスクリプト保存手段を備えることを特徴とする請求項１記載のプリントシステム。
【請求項３】前記スクリプトは、前記デジタルカメラの撮像画像の何番目を印刷するか、または用紙にどのように配置して印刷するかの内容を含むことを特徴とする請求項１に記載のプリントシステム。
【請求項４】デジタルカメラ装置と接続可能なプリンタ装置であって、前記デジタルカメラ装置で記述された前記プリンタ装置の動作に関するスクリプトを受信する通信手段と、前記スクリプトを解析して実行するためのスクリプト処理手段とを備え、
前記スクリプト処理手段は、前記スクリプトに基づき、前記デジタルカメラ装置を操作し、読み取った撮像画像を前記プリンタ装置に転送して印刷させることを特徴とするプリント装置。
【請求項５】前記スクリプトは、前記デジタルカメラの撮像画像の何番目を印刷するか、または用紙にどのように配置して印刷するかの内容を含むことを特徴とする請求項４に記載のプリント装置。
【請求項６】プリンタ装置と接続可能なデジタルカメラ装置であって、前記プリンタ装置の動作に関するスクリプトを記述するためのスクリプト記述手段と、前記スクリプトを前記プリンタ装置に送信する通信手段とを備え、
前記スクリプト記述手段は、前記デジタルカメラ装置の撮像画像をプリンタ装置で印刷するまでの一連の流れを示したスクリプトを記述し、
前記スクリプトは、前記プリンタ装置から前記デジタルカメラ装置を操作し、読み取った撮像画像を前記プリンタ装置へ転送して前記撮影画像を印刷させるスクリプトであることを特徴とするデジタルカメラ装置。
【請求項７】前記スクリプトは、前記デジタルカメラで撮像した撮像画像の何番目を印刷するか、または用紙にどのように配置して印刷するかの内容を含むことを特徴とする請求項６に記載のデジタルカメラ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月31日(2005.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿画像中の文字候補画像部分について文字認識する文字認識手段と、
各文字候補画像部分について前記文字認識手段による文字認識結果の尤度が所定の閾値より高いか否か判断する判断手段と、
前記判断手段により文字認識結果の尤度が前記閾値より高いと判断された文字候補画像部分は、当該文字認識結果に該当する文字コードで出力する文字コード出力手段と
前記判断手段により文字認識結果の尤度が前記閾値より高くないと判断された文字候補画像部分は、画像データで出力する画像出力手段と
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
更に、前記文字コード出力手段で出力された文字コードに基づく文字パターンを生成する文字パターン生成手段と、
前記文字パターン生成手段で生成された文字パターンと前記画像出力手段で出力された画像データとを合成して可視画像を形成する画像形成手段と
を備えることを特徴とする請求項第１項に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記判断手段では、前記文字候補画像部分についての特徴量と文字認識辞書に格納されている標準特徴量とに基づいて算出される距離値が、所定の閾値より小さい場合は前記文字認識結果の尤度が高いと判断し、前記所定の閾値以上である場合は前記文字認識結果の尤度が高くないと判断することを特徴とする請求項第１項に記載の画像処理装置。
【請求項４】
更に、前記判断手段により文字認識結果の尤度が高いと判断された複数の文字候補画像部分に基づいて、字体を判定する字体判定手段を備えることを特徴とする請求項第１項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
更に、前記判断手段により文字認識結果の尤度が高いと判断された複数の文字候補画像部分に基づいて、字体を判定する字体判定手段を備え、
前記文字パターン発生手段は当該判定された字体を用いて前記文字コードに基づく文字パターンを生成することを特徴とする請求項第２項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
ユーザの指示に基づいて字体複写モードの設定を行う字体複写設定手段を更に有し、
前記字体複写設定手段により前記字体複写モードに設定されている場合に、前記字体判定手段で字体を判定し、且つ前記文字パターン発生手段で当該判定された字体を用いて前記文字コードに基づく文字パターンを生成することを特徴とする請求項第５項に記載の画像処理装置。
【請求項７】
ユーザの指示に基づいて字体変換モードの設定を行う字体変換設定手段を更に有し、
前記字体変換設定手段により前記字体変換モードに設定されている場合、前記文字パターン発生手段は、予め設定された字体を用いて前記文字コードに基づく文字パターンを生成することを特徴とする請求項第２項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
更に、前記所定の閾値の値をマニュアル操作によって設定する手段を有することを特徴とする請求項第３項に記載の画像処理装置。
【請求項９】
更に、前記原稿画像の文字の占める割合を検出する検出手段と、
該検出手段で検出された割合に応じて前記所定の閾値を自動調整する調整手段と
を備えることを特徴とする請求項第３項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記検出手段は、水平或いは／及び、垂直方向のドットのヒストグラムを生成するヒストグラム作成手段を含み、
前記調整手段は、前記ヒストグラム作成手段で作成したヒストグラムにおける最少頻度値に基づいて前記所定の閾値を調整することを特徴とする請求項第９項に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記検出手段は、原稿画像中の濃度分布を検出する手段を含み、
前記調整手段は、前記濃度分布に応じて前記所定の閾値を調整することを特徴とする請求項第９項に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
ユーザの指示に基づいて認識複写モードの設定を行う認識複写モード設定手段を更に有し、
前記認識複写モード設定手段により前記認識複写モードに設定されている場合は、前記文字認識手段と前記判断手段と前記文字コード出力手段と前記画像出力手段と前記文字パターン生成手段と前記画像形成手段とによる処理を実行することによって、前記原稿画像の文字候補画像部分の少なくとも一部が前記生成された文字パターンで合成された前記可視画像を出力し、
前記認識複写モード設定手段により前記認識複写モードに設定されていない場合は、前記原稿画像に対して通常の複写処理が行われることにより形成された複写画像を出力することを特徴とする請求項第２項に記載の画像処理装置。
【請求項１３】
原稿画像中の文字候補画像部分について文字認識する文字認識工程と、
各文字候補画像部分について前記文字認識工程による文字認識結果の尤度が所定の閾値より高いか否か判断する判断工程と、
前記判断工程で文字認識結果の尤度が前記閾値より高いと判断された文字候補画像部分は、当該文字認識結果に該当する文字コードで出力する文字コード出力工程と
前記判断工程で文字認識結果の尤度が前記閾値より高くないと判断された文字候補画像部分は、画像データで出力する画像出力工程と
の各工程を、画像処理装置が自動的に実行するように制御することを特徴とする画像処理方法。
【請求項１４】
コンピュータが読込み実行することで、原稿画像中の文字候補画像部分について文字認識する画像処理装置として機能させるためのプログラムコードを格納した記憶媒体であって、
各文字候補画像部分について前記文字認識による文字認識結果の尤度が所定の閾値より高いか否か判断する判断手段と、
前記判断手段により文字認識結果の尤度が前記閾値より高いと判断された文字候補画像部分は、当該文字認識結果に該当する文字コードで出力する文字コード出力手段と
前記判断手段により文字認識結果の尤度が前記閾値より高くないと判断された文字候補画像部分は、画像データで出力する画像出力手段と
の各手段を有する画像処理装置として、前記コンピュータを機能させるためのプログラムコードを格納した記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この課題を解決するため、たとえば本発明の画像処理装置は以下の構成を備える。すなわち、
原稿画像中の文字候補画像部分について文字認識する文字認識手段と、
各文字候補画像部分について前記文字認識手段による文字認識結果の尤度が所定の閾値より高いか否か判断する判断手段と、
前記判断手段により文字認識結果の尤度が前記閾値より高いと判断された文字候補画像部分は、当該文字認識結果に該当する文字コードで出力する文字コード出力手段と
前記判断手段により文字認識結果の尤度が前記閾値より高くないと判断された文字候補画像部分は、画像データで出力する画像出力手段とを備える。