(57)【要約】【課題】ＲＩＮ特性を低くすることができる端面発光型半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】活性層１６とｎ側電極３２との間に周期構造層１３を設ける。周期構造層１３は、ＡｌＩｎＮ層とＧａＮ層との周期構造とし、一層の厚さをλ／４ｎ（λは波長、ｎは屈折率をそれぞれ表す。）とする。活性層１６から基板１１側へ放出された自然放出光は、周期構造層１３により反射されて活性層１６へと戻され、ＲＩＮ特性が低くなる。ｐ型超格子クラッド層の超格子構造を変調することにより、周期構造層１３と同様な反射層としての機能をもたせることも可能である。周期構造層１３を、ＡｌＧａＮ層とＧａＮ層との周期構造とし、周期構造層１３の平均アルミニウム組成比Ｘと合計厚さｔとを、ｔ≦０．０００４２２＊Ｘ-2.821の関係を満たすようにしてもよい。【選択図】図１
2010034221.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＧａＮよりなる基板と、
前記基板の一面側に設けられ、３Ｂ族元素のうちの少なくともインジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）と５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）とを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる活性層と、
前記基板の他面に設けられたｎ側電極と、
前記基板および前記活性層を間にして前記ｎ側電極に対向配置されたｐ側電極と、
前記活性層と前記ｎ側電極との間および前記活性層と前記ｐ側電極との間の少なくとも一方に設けられ、アルミニウム（Ａｌ）と、インジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）と、窒素（Ｎ）とを含む層と、インジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）の少なくとも一方と、窒素（Ｎ）とを含む層との周期構造を有し、一層の厚さがλ／４ｎ（λは波長、ｎは屈折率をそれぞれ表す。）である周期構造層と
を備えた端面発光型半導体レーザ。
【請求項２】
前記周期構造層は、前記活性層と前記ｎ側電極との間に設けられると共にＡｌＧａＮ層とＧａＮ層との周期構造を有し、前記周期構造層の平均アルミニウム組成比Ｘと合計厚さｔとが、ｔ≦０．０００４２２＊Ｘ-2.821の関係を満たす
請求項１記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項３】
前記周期構造層を複数形成し、前記複数の周期構造層の間に、前記基板の格子定数に対して前記周期構造層の平均格子定数と逆の格子定数を有する層を形成する
請求項２記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項４】
前記周期構造層の平均格子定数と逆の格子定数を有する層は、ＧａＩｎＮにより構成されている
請求項３記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項５】
前記周期構造層は、前記活性層と前記ｎ側電極との間に設けられていると共にＡｌＩｎＮ層とＧａＮ層との周期構造を有する
請求項１記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項６】
前記周期構造層と前記活性層との間に、ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層を備えた
請求項５記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項７】
前記活性層と前記ｐ側電極との間に、アルミニウム（Ａｌ）と、インジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）と、窒素（Ｎ）とを含む層と、インジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）の少なくとも一方と、窒素（Ｎ）とを含む層との超格子構造を有するｐ型超格子クラッド層を備えた
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項８】
前記ｐ型超格子クラッド層は、平均屈折率ｎ１の超格子構造を有する第１領域と、前記第１領域と異なる平均屈折率ｎ２の超格子構造を有する第２領域とを交互に積層した構成を有し、
前記第１領域の厚さはλ／４ｎ１（λは波長、ｎ１は前記第１領域の平均屈折率をそれぞれ表す。）であり、
前記第２領域の厚さはλ／４ｎ２（λは波長、ｎ２は前記第２領域の平均屈折率をそれぞれ表す）である
請求項７記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項９】
前記第１領域および前記第２領域は、前記アルミニウム（Ａｌ）と、インジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）と、窒素（Ｎ）とを含む層のアルミニウム組成比が異なる
請求項８記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項１０】
前記第１領域および前記第２領域は、超格子の周期が互いに異なる
請求項８または９記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項１１】
前記ｐ型超格子クラッド層は、ＡｌＧａＮ層とＧａＮ層との超格子構造を有する
請求項７ないし１０記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項１２】
前記ｐ型超格子クラッド層は、ＡｌＧａＮ層とＩｎＧａＮ層との超格子構造を有する
請求項７ないし１０のいずれか１項に記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項１３】
前記ｐ型超格子クラッド層は、ＡｌＩｎＮ層とＧａＮ層との超格子構造を有する
請求項７ないし１０のいずれか１項に記載の端面発光型半導体レーザ。
【請求項１４】
ＧａＮよりなる基板に、ｎ型ＧａＮよりなるバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層の上に、アルミニウム（Ａｌ）と、インジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）と、窒素（Ｎ）とを含む層と、インジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）の少なくとも一方と、窒素（Ｎ）とを含む層との周期構造を有し、一層の厚さがλ／４ｎ（λは波長、ｎは屈折率をそれぞれ表す。）である周期構造層を、前記バッファ層よりも低い温度で形成する工程と、
前記周期構造層の上に、ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層を、前記周期構造層よりも高い温度で形成する工程と、
前記ｎ型クラッド層の上に、３Ｂ族元素のうちの少なくともインジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）と５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）とを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる活性層を形成する工程と、
前記活性層の上に、アルミニウム（Ａｌ）と、インジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）と、窒素（Ｎ）とを含む層と、インジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）の少なくとも一方と、窒素（Ｎ）とを含む層との超格子構造を有するｐ型超格子クラッド層を形成する工程と、
前記ｐ型超格子クラッド層の上にｐ側電極を設ける工程と、
前記基板の他面にｎ側電極を設ける工程と
を含む端面発光型半導体レーザの製造方法。
【請求項１５】
前記周期構造層を形成する工程において、窒素の原料ガスとしてＮ2 キャリアガスを用いる
請求項１４記載の端面発光型半導体レーザの製造方法。
【請求項１６】
ＧａＮよりなる基板に、ｎ型ＧａＮよりなるバッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層の上に、アルミニウム（Ａｌ）と、インジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）と、窒素（Ｎ）とを含む層と、インジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）の少なくとも一方と、窒素（Ｎ）とを含む層との周期構造を有し、一層の厚さがλ／４ｎ（λは波長、ｎは屈折率をそれぞれ表す。）である周期構造層を、窒素の原料ガスとしてＮ2 キャリアガスを用いて形成する工程と、
前記周期構造層の上に、ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層を形成する工程と、
前記ｎ型クラッド層の上に、３Ｂ族元素のうちの少なくともインジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）と５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）とを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる活性層を形成する工程と、
前記活性層の上に、アルミニウム（Ａｌ）と、インジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）と、窒素（Ｎ）とを含む層と、インジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）の少なくとも一方と、窒素（Ｎ）とを含む層との超格子構造を有するｐ型超格子クラッド層を形成する工程と、
前記ｐ型超格子クラッド層の上にｐ側電極を設ける工程と、
前記基板の他面にｎ側電極を設ける工程と
を含む端面発光型半導体レーザの製造方法。
【請求項１７】
前記周期構造層を、前記バッファ層および前記ｎ型クラッド層の少なくとも一方よりも低い温度で形成する
請求項１６記載の端面発光型半導体レーザの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大容量光ディスク用の光源などに好適な端面発光型半導体レーザおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、窒化物系化合物半導体を用いた青紫色半導体レーザは、大容量光ディスク用の光源として広く使われており、より高出力で信頼性の高い素子の開発が進められている。図８は、従来の青紫色半導体レーザの一例を表したものである。この半導体レーザは、例えば、ＧａＮよりなる基板１１１の一面側に、バッファ層１１２を介して、ｎ型クラッド層１１４，ｎ型ガイド層１１５，活性層１１６，第１中間層１１７，第２中間層１１８，電子障壁層１１９，ｐ型超格子クラッド層１２０およびｐ側コンタクト層（図示せず）がこの順に積層された構成を有している。
【０００３】
バッファ層１１２は、例えば、ｎ型ＧａＮにより構成されている。ｎ型クラッド層１１４は、例えば、ｎ型ＡｌＧａＮにより構成されている。ｎ型ガイド層１１５は、例えば、ｎ型ＧａＮにより構成されている。
【０００４】
活性層１１６は、例えば、組成の異なるＧａx Ｉｎ1-x Ｎ（但し、ｘ≧０）によりそれぞれ形成された井戸層と障壁層との２重の量子井戸構造を有している。
【０００５】
第１中間層１１７および第２中間層１１８は、半導体レーザの特性温度改善のために導入されたものであり、例えば、第１中間層１１７はＧａＩｎＮ、第２中間層１１８はＡｌＧａＮによりそれぞれ構成されている。電子障壁層１１９は、例えば、ｐ型ＡｌＧａＮにより構成されている。ｐ型超格子クラッド層１２０は、例えば、ｐ型ＡｌＧａＮ層およびｐ型ＧａＮ層の超格子構造を有している。ｐ側コンタクト層（図示せず）は、例えば、ｐ型ＧａＮにより構成されている。
【０００６】
ｐ側コンタクト層の上には、ＳｉＯ2 層１２２ＡおよびＳｉ層１２２Ｂの積層構造を有する埋め込み層１２２を間にして、ｐ側電極１３１が形成されている。一方、基板１１１の裏面には、ｎ側電極１３２が形成されている。
【０００７】
また、このような従来の青紫色半導体レーザでは、高出力化のため、共振器長を８００μｍと長くして放熱性を確保するようにしている。
【特許文献１】特開２０００−２９９５２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、高出力化のために共振器長を長くした場合、図９に示したように、ノイズ（相対雑音強度：ＲＩＮ）特性が悪くなってしまうという問題があった。一般に、ＲＩＮ特性は、光出力が大きくなるほど低くなるので、ＲＩＮ特性が悪化すると再生用パワーを上げる必要が生じ、消費電流の増大、信頼性の低下を招いていた。なお、図９は、図８に示した従来の青紫色半導体レーザについて、動作電流Ｉｏｐを２ｍＡ、光出力を４ｍＷとし、４００ＭＨｚにおけるＲＩＮ特性（ｄＢ／Ｈｚ）（自然放出光含む）を調べた結果を表したものである。
【０００９】
なお、ちなみに、特許文献１では、ＧａＡｓ基板上の９８０ｎｍ帯のレーザに関して、活性層と基板との間に、活性層からの自然放出光を反射させる反射領域を設けることが記載されている。この反射領域は、自然放出光が基板中を導波されることを抑え、波長安定性を確保するためのものである。
【００１０】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、ＲＩＮ特性を低くすることができる端面発光型半導体レーザおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明による端面発光型半導体レーザは、以下の（Ａ）〜（Ｅ）の構成要件を備えたものである。
（Ａ）ＧａＮよりなる基板
（Ｂ）基板の一面側に設けられ、３Ｂ族元素のうちの少なくともインジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）と５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）とを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる活性層
（Ｃ）基板の他面に設けられたｎ側電極
（Ｄ）基板および活性層を間にしてｎ側電極に対向配置されたｐ側電極
（Ｅ）活性層とｎ側電極との間および活性層とｐ側電極との間の少なくとも一方に設けられ、アルミニウム（Ａｌ）と、インジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）と、窒素（Ｎ）とを含む層と、インジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）の少なくとも一方と、窒素（Ｎ）とを含む層との周期構造を有し、一層の厚さがλ／４ｎ（λは波長、ｎは屈折率をそれぞれ表す。）である周期構造層
【００１２】
本発明による第１の端面発光型半導体レーザの製造方法は、以下の（Ａ）〜（Ｇ）の工程を含むものである。
（Ａ）ＧａＮよりなる基板に、ｎ型ＧａＮよりなるバッファ層を形成する工程
（Ｂ）バッファ層の上に、アルミニウム（Ａｌ）と、インジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）と、窒素（Ｎ）とを含む層と、インジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）の少なくとも一方と、窒素（Ｎ）とを含む層との周期構造を有し、一層の厚さがλ／４ｎ（λは波長、ｎは屈折率をそれぞれ表す。）である周期構造層を、バッファ層よりも低い温度で形成する工程
（Ｃ）周期構造層の上に、ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層を、周期構造層よりも高い温度で形成する工程
（Ｄ）ｎ型クラッド層の上に、３Ｂ族元素のうちの少なくともインジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）と５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）とを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる活性層を形成する工程
（Ｅ）活性層の上に、アルミニウム（Ａｌ）と、インジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）と、窒素（Ｎ）とを含む層と、インジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）の少なくとも一方と、窒素（Ｎ）とを含む層との超格子構造を有するｐ型超格子クラッド層を形成する工程
（Ｆ）ｐ型超格子クラッド層の上にｐ側電極を設ける工程
（Ｇ）基板の他面にｎ側電極を設ける工程
【００１３】
本発明による第２の端面発光型半導体レーザの製造方法は、以下の（Ａ）〜（Ｇ）の工程を含むものである。
（Ａ）ＧａＮよりなる基板に、ｎ型ＧａＮよりなるバッファ層を形成する工程
（Ｂ）バッファ層の上に、アルミニウム（Ａｌ）と、インジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）と、窒素（Ｎ）とを含む層と、インジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）の少なくとも一方と、窒素（Ｎ）とを含む層との周期構造を有し、一層の厚さがλ／４ｎ（λは波長、ｎは屈折率をそれぞれ表す。）である周期構造層を、窒素の原料ガスとしてＮ2 キャリアガスを用いて形成する工程
（Ｃ）周期構造層の上に、ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層を形成する工程
（Ｄ）ｎ型クラッド層の上に、３Ｂ族元素のうちの少なくともインジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）と５Ｂ族元素のうちの少なくとも窒素（Ｎ）とを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる活性層を形成する工程
（Ｅ）活性層の上に、アルミニウム（Ａｌ）と、インジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）と、窒素（Ｎ）とを含む層と、インジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）の少なくとも一方と、窒素（Ｎ）とを含む層との超格子構造を有するｐ型超格子クラッド層を形成する工程
（Ｆ）ｐ型超格子クラッド層の上にｐ側電極を設ける工程
（Ｇ）基板の他面にｎ側電極を設ける工程
【００１４】
本発明の端面発光型半導体レーザでは、活性層とｎ側電極との間および活性層とｐ側電極との間の少なくとも一方に、アルミニウム（Ａｌ）と、インジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）と、窒素（Ｎ）とを含む層と、インジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）の少なくとも一方と、窒素（Ｎ）とを含む層との周期構造を有し、一層の厚さがλ／４ｎ（λは波長、ｎは屈折率をそれぞれ表す。）である周期構造層が設けられているので、活性層から基板側へ放出された自然放出光が、周期構造層により反射されて活性層へと戻され、これによりＲＩＮ特性が低くなる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の端面発光型半導体レーザによれば、活性層とｎ側電極との間および活性層とｐ側電極との間の少なくとも一方に、アルミニウム（Ａｌ）と、インジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）と、窒素（Ｎ）とを含む層と、インジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）の少なくとも一方と、窒素（Ｎ）とを含む層との周期構造を有し、一層の厚さがλ／４ｎ（λは波長、ｎは屈折率をそれぞれ表す。）である周期構造層を設けるようにしたので、活性層から基板側へ放出された自然放出光を、周期構造層により反射させ活性層へと戻すことができ、これによりＲＩＮ特性を低くすることが可能となる。
【００１６】
本発明の第１の端面発光型半導体レーザの製造方法によれば、周期構造層を、バッファ層よりも低い温度で形成したのち、ｎ型クラッド層を、周期構造層よりも高い温度で形成するようにしたので、また、本発明の第２の端面発光型半導体レーザの製造方法によれば、周期構造層を、窒素の原料ガスとしてＮ2 キャリアガスを用いて形成するようにしたので、本発明による端面発光型半導体レーザを容易に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１８】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る端面発光型半導体レーザの縦断面構造を表すものである。この端面発光型半導体レーザは、例えば、パーソナルコンピュータや家庭用ゲーム機などのＢＤ再生または記録再生用レーザとして用いられる、例えば４００ｎｍ前後・青紫半導体レーザであり、例えば、ＧａＮよりなる基板１１の一面側に、バッファ層１２を介して、周期構造層１３，ｎ型クラッド層１４，ｎ型ガイド層１５，活性層１６，第１中間層１７，第２中間層１８，電子障壁層１９，ｐ型超格子クラッド層２０およびｐ側コンタクト層（図示せず）がこの順に積層された構成を有している。
【００１９】
基板１１は、例えば、ｎ型不純物としてシリコン（Ｓｉ）を添加したｎ型ＧａＮにより構成されている。バッファ層１２は、例えば、厚さが０．５μｍであり、ｎ型不純物としてシリコン（Ｓｉ）を添加したｎ型ＧａＮにより構成されている。
【００２０】
周期構造層１３は、活性層１６とｎ側電極３２との間に設けられ、活性層１６から基板１１側へ放出された自然放出光を反射させる反射層としての機能を有するものであり、例えば、ＡｌＩｎＮ層とＧａＮ層との周期構造を有し、一層の厚さがλ／４ｎ（λは波長、ｎは屈折率をそれぞれ表す。）である。これにより、この端面発光型半導体レーザでは、ＲＩＮ特性を低くすることができるようになっている。
【００２１】
周期構造層１３のＡｌＩｎＮ層のアルミニウム組成比は、基板１１との格子整合、屈折率段差などを考慮して適切に定めることができる。周期構造層１３の具体的な構成としては、例えば、厚さ４３ｎｍのＡｌ0.83Ｉｎ0.17Ｎ層と、厚さ４０ｎｍのＧａＮ層とを交互に５周期積層した周期構造が好ましい。Ａｌ0.83Ｉｎ0.17ＮとＧａＮとは格子整合し、かつ、屈折率段差を大きくとることができ、従来に比べて大幅な反射率向上を可能とすることができるからである。より好ましくは、１０周期以上とすれば、反射率Ｒを最高６４％に上げることができ、更に好ましくは、３０周期以上とすれば、図２に示したように、反射率Ｒを最高８８％に上げることができる。これに対して、従来のｎ型クラッド層の構成材料であるＡｌ0.05Ｇａ0.95Ｎは、ＧａＮよりなるバッファ層１２との境界面での反射率は１％未満に過ぎなかった。なお、図２は、周期構造層１３を、厚さ４３ｎｍのＡｌ0.83Ｉｎ0.17Ｎ層と、厚さ４０ｎｍのＧａＮ層とを交互に３０周期積層した周期構造とした場合の、波長と反射率Ｒとの関係を表したものである。
【００２２】
図１に示したｎ型クラッド層１４は、例えば、厚さが５００ｎｍであり、Ａｌ0.03Ｇａ0.97Ｎにより構成されている。ｎ型クラッド層１４は、省略することも可能であるが、周期構造層１３とｎ型クラッド層１４との両方を設けることが好ましい。理由は以下のとおりである。Ａｌ0.83Ｉｎ0.17Ｎの屈折率は、４０５ｎｍ帯で２．３６と小さく、平均的な屈折率を考慮しても２．４４と、ＧａＮの屈折率（２．５２）と比べ３％以上小さい。このため、周期構造層１３をクラッド層として用いると、θ⊥が大きくなるおそれがある。ｎ型ガイド層１５によりある程度調整はできるが、周期構造層１３とｎ型クラッド層１４との両方を設けるほうが設計自由度を上げることができる。
【００２３】
図１に示したｎ型ガイド層１５は、例えば、厚さが０．２１μｍであり、ｎ型不純物としてシリコン（Ｓｉ）を添加したｎ型ＧａＮにより構成されている。図１に示した活性層１６は、例えば、厚さが０．０５６μｍであり、組成の異なるＧａx Ｉｎ1-x Ｎ（但し、ｘ≧０）によりそれぞれ形成された井戸層と障壁層との多重量子井戸構造を有している。図１に示した第１中間層１７は、例えば、厚さが０．００５μｍであり、不純物を添加しないアンドープＧａＩｎＮにより構成されている。図１に示した第２中間層１８は、例えば、厚さが０．０２７μｍであり、不純物を添加しないアンドープＡｌＧａＮにより構成されている。図１に示した電子障壁層１９は、例えば、厚さが０．０２μｍであり、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を添加したｐ型ＡｌＧａＮ混晶により構成されている。図１に示したｐ型超格子クラッド層２０は、例えば、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を添加した厚さ２．５ｎｍのｐ型ＡｌＧａＮ層と、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を添加した厚さ２．５ｎｍのｐ型ＧａＮ層とを交互に積層した超格子構造を有している。なお、ｐ側コンタクト層（図示せず）は、例えば、厚さが０．１０μｍであり、ｐ型不純物としてマグネシウム（Ｍｇ）を添加したｐ型ＧａＮにより構成されている。
【００２４】
ｐ型超格子クラッド層２０の一部およびｐ側コンタクト層（図示せず）は、電流狭窄のため共振器方向に延長された細い帯状の突条部（リッジ）２１とされており、活性層１６のうち突条部２１に対応する領域が発光領域（電流注入領域）となっている。ｐ型超格子クラッド層２０およびｐ側コンタクト層（図示せず）の上には、ＳｉＯ2 層２２ＡおよびＳｉ層２２Ｂの積層構造を有する埋め込み層２２を間にして、ｐ側電極３１が形成されている。ｐ側電極３１は、例えば、ｐ型超格子クラッド層２０の側からパラジウム（Ｐｄ），白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）が順次積層された構造を有しており、ｐ側コンタクト層（図示せず）を介してｐ型超格子クラッド層２０と電気的に接続されている。ｐ側電極３１は、また、電流狭窄をするように帯状に延長されており、ｐ側電極３１に対応する活性層１６の領域が発光領域となっている。一方、基板１１の裏面には、ｎ側電極３２が形成されている。ｎ側電極３２は、例えば、チタン（Ｔｉ），白金（Ｐｔ）および金（Ａｕ）が順次積層された構造を有しており、基板１１，バッファ層１２および周期構造層１３を介してｎ型クラッド層１４と電気的に接続されている。
【００２５】
なお、この端面発光型半導体レーザでは、例えばｐ側電極３１の長さ方向において対向する一対の側面が共振器端面となっており、この一対の共振器端面に図示しない一対の反射鏡膜がそれぞれ形成されている。これら一対の反射鏡膜のうち一方の反射鏡膜の反射率は低くなるように、他方の反射鏡膜の反射率は高くなるようにそれぞれ調整されている。これにより、活性層１６において発生した光は一対の反射鏡膜の間を往復して増幅され、一方の反射鏡膜からレーザビームとして出射するようになっている。
【００２６】
この端面発光型半導体レーザは、例えば、次のようにして製造することができる。
【００２７】
まず、例えば、ＧａＮよりなる基板１１を用意し、この基板１１の表面に、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition ；有機金属化学気相成長）法により、上述した材料よりなるバッファ層１２を、成長温度を例えば１０５０℃として成長させる。
【００２８】
次いで、成長温度を例えば８００℃まで下げ、同じくＭＯＣＶＤ法により、厚さ４３ｎｍのＡｌ0.83Ｉｎ0.17Ｎ層と、厚さ４０ｎｍのＧａＮ層とを交互に５周期（より好ましくは１０周期以上、更に好ましくは３０周期以上）積層し、周期構造層１３を成長させる。
【００２９】
続いて、成長温度を例えば１０５０℃まで上げ、同じくＭＯＣＶＤ法により、上述した材料よりなるｎ型クラッド層１４を成長させる。ここで、周期構造層１３を、隣接するバッファ層１２およびｎ型クラッド層１４よりも低い温度で形成することにより、ＡｌＩｎＮ層のインジウム組成比を設計通りにすることができる。
【００３０】
そののち、同じくＭＯＣＶＤ法により、ｎ型ガイド層１５，活性層１６，第１中間層１７，第２中間層１８，電子障壁層１９，ｐ型超格子クラッド層２０およびｐ側コンタクト層（図示せず）を順に成長させる。
【００３１】
なお、ＭＯＣＶＤを行う際、ガリウムの原料ガスとしては例えばトリメチルガリウム（（ＣＨ3 ）3 Ｇａ）、アルミニウムの原料ガスとしては例えばトリメチルアルミニウム（（ＣＨ3 ）3 Ａｌ）、インジウムの原料ガスとしては例えばトリメチルインジウム（（ＣＨ3 ）3 Ｉｎ）をそれぞれ用いる。また、窒素の原料ガスとしてはアンモニア（ＮＨ3 ）を用いるが、周期構造層１３を形成する工程では窒素の原料ガスとしてＮ2 キャリアガスを用いることが好ましい。ＡｌＩｎＮ層のインジウム組成比を設計通りにすることができるからである。また、ケイ素の原料ガスとしては例えばモノシラン（ＳｉＨ4 ）を用い、マグネシウムの原料ガスとしては例えばビス＝シクロペンタジエニルマグネシウム（（Ｃ5 Ｈ5 ）2 Ｍｇ）を用いる。
【００３２】
次いで、ｐ側コンタクト層２３上に図示しないマスクを形成し、このマスクを利用して例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching；反応性イオンエッチング）法によりｐ側コンタクト層（図示せず）およびｐ型超格子クラッド層２０の一部をエッチングして、ｐ型超格子クラッド層２０の上部およびｐ側コンタクト層（図示せず）を細い帯状の突条部２１とする。
【００３３】
続いて、ｐ型超格子クラッド層２０およびｐ側コンタクト層（図示せず）の上に、上述した材料よりなる埋め込み層２２を形成し、この埋め込み層２２に、突条部２１の上面に対応して開口部を設け、ｐ側電極３１を形成する。更に、基板１１の裏面側を例えばラッピングおよびポリッシングして基板１１の厚さを例えば１００μｍ程度としたのち、基板１１の裏面にｎ側電極３２を形成する。そののち、基板１１を所定の大きさに整え、対向する一対の共振器端面に図示しない反射鏡膜を形成する。以上により、図１に示した端面発光型半導体レーザが完成する。
【００３４】
この端面発光型半導体レーザでは、ｎ側電極３２とｐ側電極３１との間に所定の電圧が印加されると、活性層１６に電流が注入されて、電子−正孔再結合により発光が起こる。この光は、一対の反射鏡膜により反射され、その間を往復してレーザ発振を生じ、レーザビームとして外部に射出される。ここでは、活性層１６とｎ側電極３２との間に周期構造層１３が設けられており、この周期構造層１３が、ＡｌＩｎＮ層とＧａＮ層との周期構造を有し、一層の厚さがλ／４ｎ（λは波長、ｎは屈折率をそれぞれ表す。）であるので、活性層１６から基板１１側へ放出された自然放出光が、周期構造層１３により反射されて活性層１６へと戻される。これによりＲＩＮ特性が低くなる。
【００３５】
このように本実施の形態では、活性層１６とｎ側電極３２との間に、ＡｌＩｎＮ層とＧａＮ層との周期構造を有し、一層の厚さがλ／４ｎ（λは波長、ｎは屈折率をそれぞれ表す。）である周期構造層１３を設けるようにしたので、活性層１６から基板１１側へ放出された自然放出光を、周期構造層１３により反射させ活性層１６へと戻すことができ、これによりＲＩＮ特性を低くすることが可能となる。一般にＲＩＮ特性は、光出力が大きくなるほど低くなるので、ＲＩＮ特性を下げることにより、再生パワーを下げることが可能となる。また、再生パワーを下げることができれば、記録パワーを下げることも可能となる。従って、消費電力を低減し、より高い信頼性を得ることが可能となる。
【００３６】
なお、上記実施の形態では、周期構造層１３を、バッファ層１２とｎ型クラッド層１４との間に設けた場合について説明したが、周期構造層１３を設ける位置は、活性層１６とｎ側電極３２との間であれば特に限定されない。
【００３７】
また、上記実施の形態では、周期構造層１３の成長温度を８００℃、隣接するバッファ層１２およびｎ型クラッド層１４の成長温度を１０５０℃とし、周期構造層１３を、隣接するバッファ層１２およびｎ型クラッド層１４よりも低い温度で形成するようにした場合について説明したが、周期構造層１３は、バッファ層１２およびｎ型クラッド層１４の少なくとも一方よりも低い温度で成長させればよい。
【００３８】
更に、上記実施の形態では、周期構造層１３を、隣接するバッファ層１２およびｎ型クラッド層１４よりも低い温度で形成し、かつ、周期構造層１３を形成する工程では窒素の原料ガスとしてＮ2 キャリアガスを用いる場合について説明したが、更に、周期構造層１３を形成する工程において、窒素の原料ガスは変更せず、成長温度のみを変更し、隣接するバッファ層１２およびｎ型クラッド層１４よりも低い温度で形成するようにしてもよい。あるいは、周期構造層１３を形成する工程において、成長温度は変更せず、窒素の原料ガスのみを変更する、すなわち、窒素の原料ガスとしてＮ2 キャリアガスを用いるようにしてもよい。
【００３９】
（第２の実施の形態）
図３は、本発明の第２の実施の形態に係る端面発光型半導体レーザのｐ型超格子クラッド層４０の屈折率分布の一例を表す図である。この端面発光型半導体レーザは、ｐ型超格子クラッド層４０の超格子構造を変調することにより、上記実施の形態の周期構造層１３と同様な反射層としての機能をもたせるようにしたものである。このことを除いては、本実施の形態の端面発光型半導体レーザは、上記第１の実施の形態と同様の構成を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
【００４０】
ｐ型超格子クラッド層４０は、平均屈折率ｎ１の超格子構造を有する第１領域４１と、この第１領域４１と異なる平均屈折率ｎ２の超格子構造を有する第２領域４２とを交互に積層した構成を有している。第１領域４１の厚さはλ／４ｎ１（λは波長、ｎ１は第１領域４１の平均屈折率をそれぞれ表す。）であり、第２領域４２の厚さはλ／４ｎ２（λは波長、ｎ２は第２領域４２の平均屈折率をそれぞれ表す）である。これにより、本実施の形態では、ｐ型超格子クラッド層４０に、活性層１６からｐ型超格子クラッド層４０側へ放出された自然放出光を反射させる反射層としての機能をもたせ、更にＲＩＮ特性を低くすることができるようになっている。
【００４１】
第１領域４１および第２領域４２は、いずれも、アルミニウム（Ａｌ）と、インジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）と、窒素（Ｎ）とを含む層と、インジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）の少なくとも一方と、窒素（Ｎ）とを含む層との超格子構造を有している。ただし、第１領域４１と第２領域４２とでは、アルミニウム（Ａｌ）と、インジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）と、窒素（Ｎ）とを含む層のアルミニウム組成比が異なることにより、屈折率分布および平均屈折率ｎ１，ｎ２が異なっている。
【００４２】
このようなｐ型超格子クラッド層４０の具体的な構成としては、例えば、以下の例が挙げられる。なお、第１領域４１および第２領域は、ＡｌＧａＮ層とＩｎＧａＮ層との超格子構造としてもよい。
（１）第１領域４１：厚さ２．５ｎｍのＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層と、厚さ２．５ｎｍのＧａＮ層とが８対積層されている
（２）第２領域４２：厚さ２．５ｎｍのＡｌ0.02Ｇａ0.98Ｎ層と、厚さ２．５ｎｍのＧａＮ層とが８対積層されている
（３）（１）の第１領域４１と、（２）の第２領域４２とが５周期形成されている
【００４３】
図４は、ｐ型超格子クラッド層４０の屈折率分布の他の例を表したものである。この場合、第１領域４１と第２領域４２とでは、超格子の周期が互いに異なることにより、屈折率分布および平均屈折率ｎ１，ｎ２が異なっている。
【００４４】
図４に示したようなｐ型超格子クラッド層４０の具体的な構成としては、例えば、以下の例が挙げられる。なお、第１領域４１および第２領域４２は、ＡｌＧａＮ層とＩｎＧａＮ層との超格子構造、またはＡｌＩｎＮ層とＧａＮ層との超格子構造としてもよい。
（１）第１領域４１：厚さ２．５ｎｍのＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層と、厚さ２．５ｎｍのＧａＮ層とが８対積層されている
（２）第２領域４２：厚さ１ｎｍのＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層と、厚さ２．５ｎｍのＧａＮ層とが８対積層されている
（３）（１）の第１領域４１と、（２）の第２領域４２とが５周期形成されている（合計厚さ４００ｎｍ）
【００４５】
あるいは、図３および図４の両方の構成を併用し、第１領域４１と第２領域４２とで、アルミニウム（Ａｌ）と、インジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）と、窒素（Ｎ）とを含む層のアルミニウム組成比を異ならせると同時に、超格子の周期を互いに異ならせることにより、屈折率分布および平均屈折率ｎ１，ｎ２を異ならせるようにしてもよい。
【００４６】
なお、このようにｐ型超格子クラッド層４０に反射層としての機能を持たせた場合には、抵抗が高くなるおそれがあるが、第１領域４１および第２領域４２の超格子の組合せにより電圧低減が可能である。
【００４７】
この端面発光型半導体レーザは、例えば、次のようにして製造することができる。
【００４８】
まず、例えば、ＧａＮよりなる基板１１を用意し、この基板１１の表面に、例えばＭＯＣＶＤ法により、第１の実施の形態と同様にして、上述した材料よりなるバッファ層１２，周期構造層１３，ｎ型クラッド層１４，ｎ型ガイド層１５，活性層１６，第１中間層１７，第２中間層１８，電子障壁層１９を順に成長させる。
【００４９】
次いで、同じくＭＯＣＶＤ法により、ｐ型超格子クラッド層４０を形成する。ｐ型超格子クラッド層４０は、Ｈ2 キャリアガスを用いて成長させることができ、温度も変えなくてよい。ただし、ＡｌＩｎＮ層などＩｎを含む場合は、Ｎ2 キャリアガスを用い、ｎ型クラッド層１４よりも低い温度で形成することが好ましい。
【００５０】
続いて、同じくＭＯＣＶＤ法によりｐ側コンタクト層（図示せず）を成長させたのち、ｐ側コンタクト層２３上に図示しないマスクを形成し、このマスクを利用して例えばＲＩＥ法によりｐ側コンタクト層（図示せず）およびｐ型超格子クラッド層４０の一部をエッチングして、ｐ型超格子クラッド層４０の上部およびｐ側コンタクト層（図示せず）を細い帯状の突条部２１とする。
【００５１】
続いて、ｐ型超格子クラッド層４０およびｐ側コンタクト層（図示せず）の上に、上述した材料よりなる埋め込み層２２を形成し、この埋め込み層２２に、突条部２１の上面に対応して開口部を設け、ｐ側電極３１を形成する。更に、基板１１の裏面側を例えばラッピングおよびポリッシングして基板１１の厚さを例えば１００μｍ程度としたのち、基板１１の裏面にｎ側電極３２を形成する。そののち、基板１１を所定の大きさに整え、対向する一対の共振器端面に図示しない反射鏡膜を形成する。以上により、図１に示した端面発光型半導体レーザが完成する。
【００５２】
この端面発光型半導体レーザでは、ｎ側電極３２とｐ側電極３１との間に所定の電圧が印加されると、活性層１６に電流が注入されて、電子−正孔再結合により発光が起こる。この光は、一対の反射鏡膜により反射され、その間を往復してレーザ発振を生じ、レーザビームとして外部に射出される。ここでは、活性層１６とｎ側電極３２との間に周期構造層１３が設けられると共に、活性層１６とｐ側電極３１との間に、超格子が変調されたｐ型超格子クラッド層４０が設けられているので、活性層１６から基板１１側へ放出された自然放出光は、周期構造層１３により反射されて活性層１６へ戻され、活性層１６からｐ型超格子クラッド層４０側へ放出された自然放出光は、ｐ型超格子クラッド層４０により反射されて活性層１６へと戻される。これにより、更にＲＩＮ特性が低くなる。
【００５３】
このように本実施の形態では、活性層１６とｎ側電極３２との間に周期構造層１３を設けると共に、活性層１６とｐ側電極３１との間に、超格子を変調したｐ型超格子クラッド層４０を設けるようにしたので、第１の実施の形態の効果に加えて、活性層１６からｐ型超格子クラッド層４０側へ放出された自然放出光を、ｐ型超格子クラッド層４０により反射させて活性層１６へと戻し、これにより、更にＲＩＮ特性を低くすることができる。
【００５４】
なお、上記実施の形態では、活性層１６とｎ側電極３２との間に周期構造層１３を設けると共に、活性層１６とｐ側電極３１との間に反射層の機能を有するｐ型超格子クラッド層４０を設ける場合について説明したが、本実施の形態において周期構造層１３は必ずしも必須ではない。すなわち、周期構造層１３を設けず、活性層１６とｐ側電極３１との間に反射層の機能を有するｐ型超格子クラッド層４０のみを設けるようにすることも可能である。
【００５５】
（第３の実施の形態）
図５は、本発明の第３の実施の形態に係る端面発光型半導体レーザの断面構成を表したものである。この端面発光型半導体レーザは、周期構造層１３の構成材料が異なることを除いては、上記第１の実施の形態のものと同様の構成、作用および効果を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
【００５６】
基板１１，バッファ層１２，ｎ型ガイド層１５，活性層１６，第１中間層１７，第２中間層１８，電子障壁層１９，ｐ型超格子クラッド層２０およびｐ側コンタクト層（図示せず）は、第１の実施の形態と同様に構成されている。
【００５７】
周期構造層１３は、活性層１６とｎ側電極３２との間に設けられ、ＡｌＧａＮ層とＧａＮ層との周期構造を有している。周期構造層１３の平均アルミニウム組成比Ｘと合計厚さｔとは、図６に示したように、ｔ≦０．０００４２２＊Ｘ-2.821の関係を満たしている。これにより、この端面発光型半導体レーザでは、周期構造層１３をＡｌＧａＮ層およびＧａＮ層の周期構造とした場合に、ＡｌＧａＮ層の厚さを厚くすることによりクラックが発生するのを抑えることができるようになっている。なお、図６は、ＡｌＧａＮ層に含まれるアルミニウム組成比と厚さとの関係を調べた実験結果を表したものであり、臨界膜厚曲線ｙの右側はクラックが発生する領域（クラック領域）である。
【００５８】
周期構造層１３の具体的な構成としては、例えば、厚さ４０．９ｎｍのＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎ層と、厚さ４０ｎｍのＧａＮ層とを交互に２４周期積層した周期構造（合計厚さ１．９５μｍ）が挙げられる。
【００５９】
なお、このように周期構造層１３がＡｌＧａＮ層を含んでいる場合には、周期構造層１３がｎ型クラッド層１４の機能も有することができるので、ｎ型クラッド層１４を省略することが可能である。
【００６０】
この端面発光型半導体レーザは、周期構造層１３を、バッファ層１２と同じく１０５０℃の成長温度で形成することを除いては、上記第１の実施の形態と同様にして製造することができる。
【００６１】
（第４の実施の形態）
図７は、本発明の第４の実施の形態に係る端面発光型半導体レーザの断面構成を表したものである。この端面発光型半導体レーザは、第１周期構造層１３Ａと第２周期構造層１３Ｂとの間に、格子定数調整層５０を設けたものである。このことを除いては、本実施の形態の端面発光型半導体レーザは、第３の実施の形態のものと同様の構成、作用および効果を有し、第３の実施の形態と同様にして製造することができる。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
【００６２】
第１周期構造層１３Ａおよび第２周期構造層１３Ｂは、第３の実施の形態と同様に、活性層１６とｎ側電極３２との間に設けられ、ＡｌＧａＮ層とＧａＮ層との周期構造を有している。第１周期構造層１３Ａおよび第２周期構造層１３Ｂの平均アルミニウム組成比Ｘと合計厚さｔとは、第３の実施の形態と同様に、ｔ≦０．０００４２２＊Ｘ-2.821の関係を満たしている。
【００６３】
格子定数調整層５０は、基板１１の格子定数に対して第１周期構造層１３Ａおよび第２周期構造層１３Ｂの平均格子定数と逆の格子定数を有している。第１周期構造層１３Ａおよび第２周期構造層１３Ｂが基板１１に対して平均格子定数が異なる場合、厚すぎるとクラックが生じるが、格子定数調整層５０を設けることにより、第１周期構造層１３Ａおよび第２周期構造層１３Ｂにクラックを生じさせることなく第１周期構造層１３Ａおよび第２周期構造層１３Ｂの合計厚さを厚くすることが可能となり、反射率を大きくすることができる。ここで、厚さｔ１、格子定数Ａ１の層と、厚さｔ２、格子定数Ａ２の層とで構成される周期構造層の平均格子定数は、（ｔ１＊Ａ１＋ｔ２＊Ａ２）／（ｔ１＋ｔ２）と表すことができる。
【００６４】
このような第１周期構造層１３Ａ，第２周期構造層１３Ｂおよび格子定数調整層５０の具体的構成としては、例えば、以下の例が挙げられる。
第１周期構造層１３Ａ：厚さ４０．９ｎｍのＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層と、厚さ４０ｎｍのＧａＮ層とを交互に２４周期積層した周期構造（合計厚さ１．９５μｍ）
格子定数調整層５０：厚さ１５０ｎｍ、ＧａＩｎＮ（インジウム組成比４％）
第２周期構造層１３Ｂ：厚さ４０．９ｎｍのＡｌ0.1 Ｇａ0.9 Ｎ層と、厚さ４０ｎｍのＧａＮ層とを交互に１０周期積層した周期構造（合計厚さ８０９ｎｍ）
なお、第１周期構造層１３Ａ，第２周期構造層１３Ｂおよび格子定数調整層５０の平均格子定数または格子定数は、ＧａＮ：３．１８Å、ＡｌＮ：３．１１２Å、ＩｎＮ：３．５４８Åでベガード則に則って計算することができる。
【００６５】
なお、格子定数調整層５０は、第１周期構造層１３Ａおよび第２周期構造層１３Ｂの間に、一層だけ形成されてもよいし、２層以上形成されていてもよい。
【００６６】
また、第２周期構造層１３Ｂを設けず、第１周期構造層１３Ａだけを設けるようにしてもよい。その場合、格子定数調整層５０は、第１周期構造層１３Ａに接して、具体的には第１周期構造層１３Ａとｎ型ガイド層１５との間に、形成することができる。
【００６７】
更に、第２周期構造層１３Ｂの上に格子定数調整層５０を配置し、更に周期構造層を多層化することも可能である。
【００６８】
以上、実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料、組成比および厚さ、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料、組成比および厚さとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。例えば、上記実施の形態では、バッファ層１２ないしｐ側コンタクト層（図示せず）をＭＯＣＶＤ法により形成する場合について説明したが、ＭＯＶＰＥ法等の他の有機金属気相成長法により形成してもよく、あるいは、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy；分子線エピタキシー）法等を用いてもよい。
【００６９】
また、例えば、上記実施の形態では、周期構造層１３，１３Ａ，１３ＢがＡｌＩｎＮ層とＧａＮ層との周期構造またはＡｌＧａＮ層とＧａＮ層との周期構造を有する場合について説明したが、周期構造層１３，１３Ａ，１３Ｂは、アルミニウム（Ａｌ）と、インジウム（Ｉｎ）またはガリウム（Ｇａ）と、窒素（Ｎ）とを含む層と、インジウム（Ｉｎ）およびガリウム（Ｇａ）の少なくとも一方と、窒素（Ｎ）とを含む層との周期構造を有していればよい。
【００７０】
更に、上記第２の実施の形態で説明したｐ型超格子クラッド層４０は、第１の実施の形態だけでなく、第３または第４の実施の形態にも適用可能である。
【００７１】
加えて、例えば、上記実施の形態では、端面発光型半導体レーザの構成を具体的に挙げて説明したが、全ての層を備える必要はなく、また、他の層を更に備えていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る端面発光型半導体レーザの構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した周期構造層による波長と反射率との関係を表す図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る端面発光型半導体レーザのｐ型超格子クラッド層の屈折率分布の一例を表す図である。
【図４】ｐ型超格子クラッド層の屈折率分布の他の例を表す図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る端面発光型半導体レーザの構成を表す断面図である。
【図６】図５に示した周期構造層の平均アルミニウム組成比Ｘと合計厚さｔとの関係を表す図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態に係る端面発光型半導体レーザの構成を表す断面図である。
【図８】従来の青紫色半導体レーザの構成を表す断面図である。
【図９】図８に示した従来の青紫色半導体レーザについて、ＲＩＮ特性の共振器長依存性を調べた結果を表す図である。
【符号の説明】
【００７３】
１１…基板、１２…バッファ層、１３…周期構造層、１３Ａ…第１周期構造層、１３Ｂ…第２周期構造層、１４…ｎ型クラッド層、１５…ｎ型ガイド層、１６…活性層、１７…第１中間層、１８…第２中間層、１９…電子障壁層、２０，４０…ｐ型超格子クラッド層、２１…埋め込み層、３１…ｐ側電極、３２…ｎ側電極、４１…第１領域、４２…第２領域、５０…格子定数調整層                                                          
【図１】
2010034221.tif 000003
【図２】
2010034221.tif 000004
【図３】
2010034221.tif 000005
【図４】
2010034221.tif 000006
【図５】
2010034221.tif 000007
【図６】
2010034221.tif 000008
【図７】
2010034221.tif 000009
【図８】
2010034221.tif 000010
【図９】
2010034221.tif 000011