(57)【要約】 【課題】  より少ないコストおよび回路体積で発光素子群ごとに同じ電流値の電流を制御することができる光源装置および表示装置を提供する。【解決手段】  光源装置１は、光源駆動回路１０および光源素子群１７，２７，３７を含んで構成される。光源駆動回路１０は、帰還電圧ＶＦＢが基準電圧ＶＲＥＦに等しくなるように出力電圧を制御する電圧変換部１１と、第１列目の光源素子群１７に直列に接続される抵抗素子１５と、第２列目以降の各光源素子群に、第１列目の光源素子群１７に流れる電流の電流値と同じ電流値の電流を流すための電流制御部、たとえば電流制御部２０，３０とを含んで構成される。光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１が、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２および光源素子群３７の電圧降下ＶＦ３のうちの最大の電圧降下より大きくなるように、各光源素子群を構成する光源素子１６の仕様および数が決定される。【選択図】      図１
2010086826.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力端子、出力端子、および帰還電圧印加端子を有し、第１の基準電圧に基づいて前記入力端子から入力される入力電圧を出力電圧に変換し、変換された出力電圧を前記出力端子から出力する電圧変換部と、
１つの光源素子または直列に接続される複数の光源素子から構成され、前記出力端子に接続される複数の光源素子群と、
前記複数の光源素子群のうちの第１の光源素子群および前記帰還電圧印加端子に接続され、前記第１の光源素子群から流れ込む電流に応じた第２の基準電圧を生成する電圧生成部と、
前記複数の光源素子群のうち前記第１の光源素子群を除く残余の第２の光源素子群ごとに設けられ、前記第２の基準電圧に基づいて、各第２の光源素子群の電流を制御する電流制御部とを備え、
前記第１の光源素子群の電圧降下がいずれの第２の光源素子群の電圧降下より大きいことを特徴とする光源装置。
【請求項２】
前記光源素子は、同じ電流値の電流を流したときの電圧降下の標準値の仕様およびばらつきの範囲の仕様が同じであり、
前記第１の光源素子群に含まれる光源素子の数は、いずれの第２の光源素子群の光源素子の数より多く、かつ各光源素子のばらつきによる第１の光源素子群の電圧降下の最小値が、各光源素子のばらつきによる各第２の光源素子群の電圧降下の最大値のうち最大の電圧降下の値より大きくなる数であることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【請求項３】
前記光源素子は、同じ電流値の電流を流したときの電圧降下の標準値の仕様が異なる複数の種類の光源素子を含み、
各光源素子のばらつきによる第１の光源素子群の電圧降下の最小値が、各光源素子のばらつきによる各第２の光源素子群の電圧降下の最大値のうち最大の電圧降下の値より大きくなるように、第１の光源素子群に含める光源素子の種類および第２の光源素子群に含める光源素子の種類が選択されることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【請求項４】
前記光源素子は、同じ電流値の電流を流したときの電圧降下が予め実測された光源素子であり、
第１の光源素子群の電圧降下が、各第２の光源素子群の電圧降下のうち最大の電圧降下の値より大きくなるように、前記光源素子の予め実測された電圧降下に基づいて、第１の光源素子群に含める光源素子および第２の光源素子群に含める光源素子が選択されることを特徴とする請求項１に記載の光源装置。
【請求項５】
前記第１の光源素子群の電圧降下と前記第２の光源素子群の電圧降下のうち最大の電圧降下との差は、最小値であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１つに記載の光源装置。
【請求項６】
前記電流制御部は、コレクタが第２の光源素子群に接続されるＮＰＮ型のトランジスタと、
一端が前記トランジスタのエミッタに接続され、他端がグランドに接続される抵抗素子と、
非反転入力が前記第１の光源素子群と前記電圧生成部との接続点に接続され、反転入力が前記トランジスタと前記抵抗素子との接続点に接続され、出力が前記トランジスタのベースに接続される演算増幅器とを含むことを特徴とする請求項１から５のいずれか１つに記載の光源装置。
【請求項７】
前記電圧変換部は、スイッチング式電圧変換回路からなることを特徴とする請求項１から６のいずれか１つに記載の光源装置。
【請求項８】
前記電圧生成部は、電流に比例した電圧を生成することを特徴とする請求項１から７のいずれか１つに記載の光源装置。
【請求項９】
前記電圧生成部は、抵抗素子によって構成されることを特徴とする請求項８に記載の光源装置。
【請求項１０】
前記抵抗素子は、一端が第１の光源素子群に接続され、他端がグランドに接続されることを特徴とする請求項９に記載の光源装置。
【請求項１１】
前記第２の基準電圧は、第１の光源素子群と前記電圧生成部との接続点の電圧であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１つに記載の光源装置。
【請求項１２】
前記第１の光源素子群に含まれる光源素子に直列に接続され、その光源素子に流れる電流の電流値に応じた電圧降下を生じる電圧降下部を含むことを特徴とする請求項１から１１のいずれか１つに記載の光源装置。
【請求項１３】
前記電圧降下部は、電流に比例して電圧降下することを特徴とする請求項１２に記載の光源装置。
【請求項１４】
前記電圧降下部は、抵抗素子によって構成されることを特徴とする請求項１３に記載の光源装置。
【請求項１５】
前記電圧生成部は、直列に接続される２つの第２の抵抗素子によって構成され、
前記第２の基準電圧は、前記２つの抵抗素子の接続点の電圧であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１つに記載の光源装置。
【請求項１６】
前記光源素子は、発光ダイオードであることを特徴とする請求項１から１５のいずれか１つに記載の光源装置。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか１つに記載の光源装置を備えることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源を駆動する電流を制御することによって光源の明るさを制御する光源装置および表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図８は、従来の技術による光源駆動回路９０の構成例を示す図である。光源駆動回路９０は、光源素子９９に直流電流を供給して発光させる駆動回路であり、電圧変換部９０１および抵抗素子９０５を含んで構成される。光源素子９９は、ＬＥＤ（Light Emitting
Diode）などによって構成され、印加される電圧が上昇すると、流れる電流が増加し、明るさが増す。
【０００３】
電圧変換部９０１は、入力端子９０２に直流あるいは交流の電圧が入力されると、帰還電圧印加端子９０３に印加される帰還電圧ＶＦＢが基準電圧ＶＲＥＦに等しくなるように、出力端子９０４から出力する出力電圧ＶＯＵＴを制御する。光源素子９９は、一端が出力端子９０４に接続され、他端が直列に接続される抵抗素子９０５を介してグランドに接続される。光源素子９９と抵抗素子９０５との接続点は、帰還電圧印加端子９０３に接続される。帰還電圧印加端子９０３に流入する電流は、無視することができる程度の大きさであるので、これを「０」とすると（以降の説明でも同様に「０」とする）、帰還電圧ＶＦＢは、光源素子９９を流れる電流ＩＬの電流値と抵抗素子９０５の抵抗値Ｒ１とを乗算した値の電圧となる。
【０００４】
たとえば光源素子９９を駆動する前の状態では、光源素子９９に電圧は印加されず、光源素子９９を流れる電流ＩＬの電流値は「０」で、帰還電圧ＶＦＢも「０」である。光源素子９９の駆動を開始すると、出力電圧ＶＯＵＴは徐々に上昇し、光源素子９９を流れる電流ＩＬも増加し、帰還電圧ＶＦＢも上昇する。帰還電圧ＶＦＢが基準電圧ＶＲＥＦに等しくなると、出力電圧ＶＯＵＴの上昇は停止する。
【０００５】
電流ＩＬが定常時の電流値（以下「ＩＬ定常値」という）＝ＶＲＥＦ／Ｒ１より減少しようとすると、電圧変換部９０１は、出力電圧ＶＯＵＴを上昇し、電流ＩＬが定常時の電流値＝ＶＲＥＦ／Ｒ１より増大しようとすると、電圧変換部９０１は、出力電圧ＶＯＵＴを降下させ、電流ＩＬを一定に保つ。以上によりＩＬ定常値は、基準電圧ＶＲＥＦを抵抗素子９０５の抵抗値Ｒ１で除算した値と同値となる。電圧変換部９０１の帰還電圧印加端子９０３は、電圧変換部９０１を構成する演算増幅器の入力に接続され、帰還電圧印加端子９０３への流入電流は、ＩＬ定常時に比較して無視し得る程度の大きさである。
【０００６】
複数の光源素子９９を駆動する場合、図８に示した回路構成を複数用いる形態、図８に示した光源素子９９をすべて直列に接続する形態、たとえば特許文献１に記載される液晶バックライト駆動回路、あるいは接続される複数の発光素子群ごとに駆動する形態、たとえば特許文献２に記載される発光素子駆動回路がある。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−２４４１０３号公報
【特許文献２】特開２００７−２４２４７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、図８に示した回路構成を複数用いる形態は、複数の電圧変換部９０１を設ける必要があり、コストおよび回路の体積が大きくなるという問題がある。光源素子９９をすべて直列に接続する形態は、光源素子９９の数に応じて出力電圧ＶＯＵＴを高くしなければならず、使用部品の制約、たとえば耐電圧および安全性などを考慮すると、高価な部品を用いる必要があり、製造コストなどの経済性の面で問題がある。
【０００９】
特許文献２に記載される発光素子駆動回路は、発光素子群ごとに電流駆動回路が設けられ、各発光素子群にばらつきがあっても、同じ電流値の電流を流すものであるが、すべての発光素子群にそれぞれ電流駆動回路を設けなければならない。
【００１０】
本発明の目的は、より少ないコストおよび回路体積で発光素子群ごとに電流を制御することができる光源装置および表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る光源装置は、入力端子、出力端子、および帰還電圧印加端子を有し、第１の基準電圧に基づいて前記入力端子から入力される入力電圧を出力電圧に変換し、変換された出力電圧を前記出力端子から出力する電圧変換部と、
１つの光源素子または直列に接続される複数の光源素子から構成され、前記出力端子に接続される複数の光源素子群と、
前記複数の光源素子群のうちの第１の光源素子群および前記帰還電圧印加端子に接続され、第１の光源素子群から流れ込む電流に応じた第２の基準電圧を生成する電圧生成部と、
前記複数の光源素子群のうち第１の光源素子群を除く残余の第２の光源素子群ごとに設けられ、前記第２の基準電圧に基づいて、各第２の光源素子群の電流を制御する電流制御部とを備え、
第１の光源素子群の電圧降下がいずれの第２の光源素子群の電圧降下より大きいことを特徴とする。
本発明に係る表示装置は、前記光源装置を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る光源装置によれば、入力端子、出力端子、および帰還電圧印加端子を有する電圧変換部によって、基準電圧に基づいて前記入力端子から入力される入力電圧が出力電圧に変換され、前記変換された出力電圧が前記出力端子から出力される。１つの光源素子または直列に接続される複数の光源素子から構成される複数の光源素子群は各々その一端が、前記出力端子に接続される。前記複数の光源素子群のうちの第１の光源素子群および前記帰還電圧印加端子に接続される電圧生成部によって、第１の光源素子群から流れ込む電流に応じた第２の基準電圧が生成される。前記複数の光源素子群のうちの第１の光源素子群を除く残余の第２の光源素子群ごとに設けられる電流制御部によって、前記第２の基準電圧に基づいて、各第２の光源素子群の電流が制御される。そして、第１の光源素子群の電圧降下がいずれの第２の光源素子群の電圧降下より大きい。
【００１３】
したがって、１つの電圧変換部と、第２の光源素子群ごとに設ける電流制御部とによって、出力端子に接続されるすべての光源端子群の電流を制御することができるので、より少ないコストおよび回路体積で発光素子群ごとに電流を制御することができる。
【００１４】
本発明に係る表示装置は、上述の光源装置を備えているので、上述した光源装置に関する効果と同様の効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
図１は、本発明の実施の一形態である光源装置１の回路構成を示すブロック図である。光源装置１は、光源駆動回路１０および光源素子群１７，２７，３７を含んで構成される。光源駆動回路１０は、電圧変換部１１、抵抗素子１５、および電流制御部２０，３０を含んで構成される。図１には、光源素子群と電流制御部との組み合わせとして、光源素子群２７と電流制御部２０との組み合わせ、および光源素子群３７と電流制御部３０との組み合わせを例示として示しているが、この組み合わせは、１つでもよいし、３つ以上であってもよい。
【００１６】
電圧変換部１１は、入力端子１２、出力端子１３および帰還電圧印加端子１４を含み、入力端子１２に印加される帰還電圧ＶＦＢに基づいて、出力端子１３から出力する出力電圧ＶＯＵＴを制御する。すなわち、電圧変換部１１は、第１の基準電圧である基準電圧ＶＲＥＦと帰還電圧印加端子１４に印加される帰還電圧ＶＦＢとを比較し、帰還電圧ＶＦＢが基準電圧ＶＲＥＦに等しくなるように出力電圧ＶＯＵＴを制御する。具体的には、帰還電圧ＶＦＢが基準電圧ＶＲＥＦより低い電圧であると、出力電圧ＶＯＵＴを上昇し、帰還電圧ＶＦＢが基準電圧ＶＲＥＦより高い電圧であると、出力電圧ＶＯＵＴを低下する。基準電圧ＶＲＥＦは、入力端子１２に印加される電圧に基づいて生成してもよいし、基準電圧ＶＲＥＦを出力する電圧源を用いてもよいし、外部から入力してもよい。帰還電圧ＶＦＢは、第２の基準電圧に相当する。
【００１７】
光源素子群１７，２７，３７は、それぞれ、１つの光源素子１６または直列に接続される複数の光源素子１６から構成される。光源素子１６は、印加される電圧が低下すると流れる電流ＩＬが減少し、発光する明るさが減少する光源であり、たとえば発光ダイオード（Light Emitting Diode；以下「ＬＥＤ」という）、白熱電球などの光源によって構成される。各光源素子１６は、電流ＩＬが流れたときに電圧降下を生じる。その電圧降下は、仕様として標準値およびばらつきの範囲が定められている。
【００１８】
第１の光源素子群である第１列目の光源素子群１７は、一端が出力端子１３に接続され、他端が抵抗素子１５の一端に接続される。電圧生成部である抵抗素子１５は、一端が光源素子群１７の前記他端に接続され、他端がグランドに接続される抵抗素子である。光源素子群１７と抵抗素子１５との接続点は、帰還電圧印加電圧１４に接続される。電圧変換部１１の帰還電圧印加端子１４への電流が、光源素子群１７の電流に比して無視しうる程度の大きさであることから、これを「０」とすると（以降の説明でも同様に「０」とする）、帰還電圧ＶＦＢ、すなわち光源素子群１７と抵抗素子１５との接続点の電圧は、光源素子群１７を流れる電流の電流値と、抵抗素子１５の抵抗値とを乗算した値と同値として扱うことができる。
【００１９】
第２の光源素子群である第２列目の光源素子群２７は、一端が出力端子１３に接続され、他端が電流制御部２０に接続される。電流制御部２０は、抵抗素子２５、ＮＰＮ型のトランジスタ（以下「ＮＰＮトランジスタ」という）２６、および演算増幅器２８を含んで構成される。ＮＰＮトランジスタ２６は、コレクタが光源素子群２７の他端に接続され、エミッタが抵抗素子２５の一端に接続される。抵抗素子２５は、一端がＮＰＮトランジスタ２６のエミッタに接続され、他端がグランドに接続される。抵抗素子２５の抵抗値は、たとえば抵抗素子１５の抵抗値と同じ値である。
【００２０】
演算増幅器２８は、光源素子群１７と抵抗素子１５との接続点が非反転入力に接続され、ＮＰＮトランジスタ２６のエミッタと抵抗素子２５との接続点が反転入力に接続され、出力がＮＰＮトランジスタ２６のベースに接続される。演算増幅器２８は、光源素子群１７と抵抗素子１５との接続点の電圧、すなわち帰還電圧ＶＦＢと、ＮＰＮトランジスタ２６のエミッタと抵抗素子２５との接続点の電圧とを比較することによって、光源素子群２７を流れる電流ＩＬ２の電流値が、光源素子群１７を流れる電流ＩＬ１の電流値と同じ値になるように、ＮＰＮトランジスタ２６のベース電流を制御する。
【００２１】
図１に示した例では、演算増幅器２８の非反転入力に、光源素子群１７と抵抗素子１５との接続点の電圧、すなわち帰還電圧ＶＦＢを印加したが、電圧変換部１１で用いている基準電圧ＶＲＥＦを演算増幅器２８の非反転入力に印加してもよい。また、図１に示した例では、電流制御部２０は、第１列目の光源素子群１７と同じ電流値の電流を第２列目の光源素子群２７に流すように制御するが、必ずしも同じ電流値である必要はなく、異なる電流値の電流を流す場合は、たとえば電流制御部２０の抵抗素子２５の抵抗値を変えることによって異なる電流値の電流を流すことも可能である。
【００２２】
第２の光源素子群である第３列目の光源素子群３７は、一端が出力端子１３に接続され、他端が電流制御部３０に接続される。電流制御部３０は、抵抗素子３５、ＮＰＮトランジスタ３６、および演算増幅器３８を含んで構成される。電流制御部３０は、その構成要素、つまり抵抗素子３５、ＮＰＮトランジスタ３６、および演算増幅器３８が、それぞれ電流制御部２０の抵抗素子２５、ＮＰＮトランジスタ２６、および演算増幅器２８と同じであり、重複を避けるために説明を省略する。
【００２３】
各光源素子群の構成、具体的には、光源素子群の数および各光源素子群に含まれる光源素子１６の数は、電圧変換部１１の出力電圧ＶＯＵＴの制約、ならびに光源駆動回路１０が用いられる光源装置１全体の変換効率および経済性などを勘案して決定される。
【００２４】
その際、光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１は、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２および光源素子群３７の電圧降下ＶＦ３のうちの最大の電圧降下より大きくなるように、各光源素子群を構成する光源素子１６の仕様および数を決定する。各光源素子１６の電圧降下ＶＦは、光源素子１６を所定の明るさで発光させるために光源素子１６に流す必要がある所定の電流値の電流を流しているときに、光源素子１６の両端に生じる電位差である。換言すると、光源素子１６を所定の明るさで発光させるために光源素子１６に流す必要がある電流値の電流を流すために印加すべき電圧である。
【００２５】
光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１が、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２および光源素子群３７の電圧降下ＶＦ３のうちの最大の電圧降下より大きくする第１の実施例は、各光源素子１６の電圧降下ＶＦがばらつきおよび各光源素子群に含まれる光源素子１６の数に差がある可能性があるので、ばらつきおよび各光源素子群で許容される光源素子１６の数の範囲において、光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１の最小値が、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２の最大値および光源素子群３７の電圧降下ＶＦ３の最大値のうちの最大の電圧降下より大きくなるように、光源素子群１７の光源素子１６の数を、光源素子群２７の光源素子１６の数および光源素子群３７の光源素子１６の数のうち大きい方の数より多くする。
【００２６】
光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１が、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２および光源素子群３７の電圧降下ＶＦ３のうちの最大の電圧降下より大きくする第２の実施例は、光源素子１６として、同じ電流値を流したときの電圧降下の標準値の仕様が異なる複数の種類の光源素子１６を用いる。たとえば、各光源素子群で用いることができる光源素子１６の数が決められている場合、光源素子群１７で用いられる光源素子１６として、仕様で決められている標準値の電圧降下が、光源素子群２７，３７で用いられる光源素子１６の電圧降下より大きい電圧降下の光源素子１６を用いることによって、光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１が、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２および光源素子群３７の電圧降下ＶＦ３のうちの最大の電圧降下より大きくする。
【００２７】
たとえば光源素子１６の電圧降下の標準値の仕様として、３．５Ｖの光源素子１６と、３．０Ｖの光源素子１６との２種類の光源素子１６がある場合、光源素子群１７で用いられる光源素子１６として、３．５Ｖの光源素子１６を用い、光源素子群２７，３７で用いられる光源素子１６として、３．０Ｖの光源素子１６を用いることによって、光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１が、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２および光源素子群３７の電圧降下ＶＦ３のうちの最大の電圧降下より大きくする。
【００２８】
光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１が、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２および光源素子群３７の電圧降下ＶＦ３のうちの最大の電圧降下より大きくする第３の実施例は、予め各光源素子１６に所定の電流値の電流を流したときの電圧降下を予め実測しておき、光源素子群１７の光源素子１６として、実測した電圧降下のうちの大きい電圧降下の光源素子１６を用いることによって、光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１を、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２および光源素子群３７の電圧降下ＶＦ３のうちの最大の電圧降下より大きくする。第１の実施例から第３の実施例は、組み合わせてもよい。
【００２９】
このように、１つの電圧変換部１１でも、複数の光源素子１６を接続する複数の光源素子群に分けることによって、複数の光源素子１６をすべて直列に接続して駆動する場合に必要な出力電圧ＶＯＵＴより低い出力電圧で駆動することができる。また、１つの電圧変換部１１と、第２列目以降の光源素子群ごとに設ける電流制御部とによって、より少ないコストおよび回路体積で発光素子群ごとに電流を制御することができる。
【００３０】
さらに、光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１が、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２および光源素子群３７の電圧降下ＶＦ３のうちの最大の電圧降下より大きくされるとともに、光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１と、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２および電圧降下ＶＦ３の電圧降下のうち最大の電圧降下との差は、最小値となるように、すなわち、光源素子１６の電圧降下のばらつき、選択可能な光源素子１６の種類、および各光源素子群で許容される光源素子１６の数の範囲において、電位差０ボルトに最も近い値となるように設定される。
【００３１】
電圧変換部１１は、電圧降下が最も大きい光源素子群１７に所定の電流値を流すための出力電圧ＶＯＵＴを出力する。第１列目の光源素子群１７を除く第２列目以降の光源素子群の電圧降下をＶＦｎ、たとえば第２列目の光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２、第３列目の光源素子群３７の電圧降下ＶＦ３、第ｎ列目の光源素子群の電圧降下ＶＦｎとすると、第２列目以降の各光源素子群においては、第１列目の光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１と各光源素子群の電圧降下ＶＦｎとの電圧差は、過剰な電圧であり、この電圧差による電力Ｑｎ＝（ＶＦ１−ＶＦｎ）×ＩＬは、損失電力となる。ｎは、２以上の整数であり、ＩＬは、所定の電流の電流値である。
【００３２】
光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１が、各光源素子群の電圧降下ＶＦｎのうちの最大の電圧降下より大きくされるとともに、光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１と、各光源素子群の電圧降下ＶＦｎの電圧降下のうち最大の電圧降下との差は、最小値となるようにされる。すなわち「電圧降下ＶＦ１−電圧降下ＶＦｎ」の値が０より大きく、かつ最小となるように設定されるので、上述した損失電力を最小にすることができる。
【００３３】
図２は、光源装置１の詳細な構成を示す回路図である。電圧変換部１１は、たとえばスイッチング式の昇圧型電圧変換回路であり、制御部１１１、スイッチングトランジスタ１１２、チョークコイル１１３、整流ダイオード１１４、平滑コンデンサ１１５，１１６を含んで構成される。制御部１１１は、たとえば基準電圧ＶＲＥＦを生成する基準電圧源、基準電圧ＶＲＥＦと帰還電圧印加端子１４に印加される帰還電圧ＶＦＢとを比較する誤差増幅器、三角波を発生する三角波発生回路、ならびに誤差増幅器の出力と三角波発振回路の出力とを比較し、比較結果に基づいて、スイッチングトランジスタ１１２を駆動するスイッチ波を生成する比較器および増幅器などを含んで構成され、これらの構成要素のうち多くは集積化されている。光源素子群１７，２７，３７および電流制御部２０，３０の構成は、図１に示した構成と同じであり、重複を避けるために説明は省略する。
【００３４】
光源素子１６を所定の明るさで発光させるための所定の電流の電流値（以下「ＩＬ定常値」という）を１０ｍＡとし、基準電圧ＶＲＥＦを１．０Ｖとすると、抵抗素子１５の抵抗値Ｒ１は、１．０Ｖ／１０ｍＡ＝１００Ωとなる。各光源素子群を流れる電流の電流値を同じにする。すなわち第１列目の光源素子群１７を流れる電流をＩＬ１、第ｎ列目の光源素子群の電流をＩＬｎとし、第１列目の光源素子群１７の抵抗素子の抵抗値をＲ１、第ｎ列目の光源素子群の抵抗素子の抵抗値をＲｎとするとき、ＩＬ１＝ＩＬｎとするので、Ｒ１＝Ｒｎとする。ｎは、２以上の整数であり、スイッチングトランジスタ１１２の飽和時(オン時)のコレクタエミッタ間の電位差ＶＣＥは、ほぼ０Ｖである。
【００３５】
図２に示した電圧変換部１１は、スイッチング式の昇圧型電圧変換回路であるが、スイッチング式の降圧型電圧変換回路、スイッチング式の極性反転電圧変換回路、シャント式電圧変換回路、またはこれらに交流電圧から直流電圧への変換機能を備えた変換回路など、直流電圧を出力し、かつその出力電圧を帰還制御する方式の変換回路であれば、方式、構成、および使用部品の種類などは限定されない。
【００３６】
たとえば所定の発光量、つまり所定の明るさを得るために要する光源素子１６の数が１０個であるが、電圧変換部１１の出力電圧ＶＯＵＴの制約によって、直列に接続される光源素子群に含めることができる光源素子１６の数の最大数が９個である場合、１０個の光源素子１６を少なくとも２つの光源素子群に分けることによって対応することができる。
【００３７】
上述した実施例１の場合、１０個の光源素子を２つの光源素子群、光源素子群１７および光源素子群２７に分け、光源素子群１７を６個の光源素子１６によって構成し、光源素子群２７を４個の光源素子１６によって構成し、ＩＬ定常値、つまり電流値が１０ｍＡのときの光源素子１６の電圧降下ＶＦの仕様を、標準値３．５Ｖ、ばらつきの範囲±０．５Ｖとすると、各光源素子群の電圧降下は表１のようになる。
【００３８】
【表１】
2010086826.tif 000003
【００３９】
光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１の最小値１８．０Ｖは、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２の最大値１６．０Ｖより大きく、光源素子１６の電圧降下ＶＦに±０．５Ｖのばらつきがあっても、光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１は、常に光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２より大きくすることができる。
【００４０】
また、上述した実施例２の場合、第２列目の光源素子群２７の光源素子１６として、電圧降下の標準値の仕様が、第１列目の光源素子群１７の光源素子１６の電圧降下の標準値の仕様より小さい種類の光源素子１６を用いる。さらにまた、上述した実施例３の場合、実測した各光源素子１６の電圧降下ＶＦのうち、電圧降下ＶＦの大きいものから第１列目の光源素子群１７に割り当てる。あるいは、第１列目の光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１が第２列目の光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２より大きくなるように、光源素子１６を第１列目の光源素子群１７および第２列目の光源素子群２７に割り当てる。
【００４１】
１０個の光源素子を２つの光源素子群、光源素子群１７および光源素子群２７に分けるとき、光源素子群１７に７個および光源素子群２７に３個割り当てた場合も、光源素子１６の電圧降下ＶＦに±０．５Ｖのばらつきがあっても、光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１は、常に光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２より大きくすることができる。しかし、第２列目のトランジスタ２６の損失電力Ｑ２は、光源素子群１７に７個および光源素子群２７に３個割り当てた場合、Ｑ２＝（ＶＦ１−ＶＦ２）×ＩＬ＝（３．５Ｖ×７−３．５Ｖ×３）×１０ｍＡ＝０．１４Ｗであるが、光源素子群１７に６個および光源素子群２７に４個割り当てた場合、Ｑ２＝（ＶＦ１−ＶＦ２）×ＩＬ＝（３．５Ｖ×６−３．５Ｖ×４）×１０ｍＡ＝０．０７Ｗとなる。
【００４２】
すなわち、光源素子群１７に６個および光源素子群２７に４個割り当てた場合の方が、光源素子群１７に７個および光源素子群２７に３個割り当てた場合より損失電力を少なくすることができる。換言すると、第１列目の光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１と第２列目の光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２との電位差を最小値となるように、すなわち電位差０ボルトに最も近い値となるようにすることによって損失電力を少なくすることができる。
【００４３】
図３は、本発明の実施の他の形態である光源装置２の回路構成を示すブロック図である。光源装置２は、光源駆動回路１０１および光源素子群１７，２７，３７を含んで構成される。光源駆動回路１０１は、光源駆動回路１０の構成要素に抵抗素子１８を追加した回路構成であり、光源装置１および光源駆動回路１０の構成要素と同じ構成要素については、同じ参照符を付して、重複を避けるために説明は省略する。
【００４４】
抵抗素子１８は、第１列目の光源素子群１７と抵抗素子１５との間に直列に接続される電圧降下部である。図３に示した光源装置２では、電圧降下部として１つの抵抗素子を用いているが、たとえばダイオードもしくは定電圧ダイオードなど電圧降下を生じる素子であればよく、複数の素子を組み合わせた素子群によって構成されてもよい。また、電圧降下部を追加する位置は、出力端子１３と光源素子群１７との間に直列に追加してもよい。
【００４５】
抵抗素子１８にＩＬ定常値の電流を流したときの電圧降下をＶＲとし、光源素子列１７および抵抗素子１８による電圧降下をＶＦＲとする。電圧降下ＶＦＲは、ＶＦＲ＝ＶＦ１＋ＶＲである。
【００４６】
光源装置２では、光源素子群１７および抵抗素子１８による電圧降下ＶＦＲは、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２および光源素子群３７の電圧降下ＶＦ３のうちの最大の電圧降下より大きくなるように、各光源素子群を構成する光源素子１６の仕様および数を決定する。第１列目には、抵抗素子１８が追加されているので、光源装置１に比して、光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１を抵抗素子１８の電圧降下ＶＲ分だけ少なくすることができる。
【００４７】
さらに、第１列目の光源素子群１７および抵抗素子１８の電圧降下ＶＦＲと第２列目以降の光源素子群の電圧降下のうち最大の電圧降下との電位差は、最小値となるように設定される。したがって、第２列目以降のトランジスタの損失電力を少なくすることができる。
【００４８】
このように、入力端子１２、出力端子１３、および帰還電圧印加端子１４を有する電圧変換部１１によって、第１の基準電圧である基準電圧ＶＲＥＦに基づいて、入力端子１２から入力される入力電圧が出力電圧に変換され、変換された出力電圧が出力端子１３から出力される。１つの光源素子１６または直列に接続される複数の光源素子１６から構成される複数の光源素子群は、出力端子１３に接続される。前記複数の光源素子群のうちの第１列目の光源素子群１７および帰還電圧印加端子１４に接続される電圧生成部によって、第１列目の光源素子群１７から流れ込む電流に応じた第２の基準電圧が生成される。前記複数の光源素子群のうちの第１列目の光源素子群１７を除く残余の第２列目以降の光源素子群ごとに設けられる電流制御部によって、前記第２の基準電圧に基づいて、各第２の光源素子群の電流が制御される。そして、第１列目の光源素子群１７の電圧降下がいずれの第２列目以降の光源素子群の電圧降下より大きい。
【００４９】
したがって、１つの電圧変換部１１と、第２列目以降の光源素子群ごとに設ける電流制御部とによって、出力端子１３に接続されるすべての光源端子群の電流を制御することができるので、より少ないコストおよび回路体積で発光素子群ごとに電流を制御することができる。
【００５０】
さらに、光源素子１６は、同じ電流値の電流を流したときの電圧降下の標準値の仕様およびばらつきの仕様が同じであり、第１列目の光源素子群に含まれる光源素子１６の数は、第２列目以降のいずれの光源素子群の光源素子１６の数より多く、かつ各光源素子１６のばらつきによる第１列目の光源素子群の電圧降下ＶＦ１の最小値が、各光源素子１６のばらつきによる第２列目以降の各光源素子群の電圧降下ＶＦｎの最大値のうち最大の電圧降下の値より大きくなる数である。したがって、各光源素子群を構成する光源素子１６の数を調整することによって、発光素子群ごとに同じ電流値の電流を流すことができる。
【００５１】
さらに、光源素子１６は、同じ電流値の電流を流したときの電圧降下の標準値の仕様が異なる複数の種類の光源素子１６を含み、各光源素子１６のばらつきによる第１列目の光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１の最小値が、各光源素子１６のばらつきによる第２列目以降の各光源素子群の電圧降下の最大値のうち最大の電圧降下の値より大きくなるように、第１列目の光源素子群に１７含める光源素子１６の種類および第２列目以降の光源素子群に含める光源素子１６の種類が選択される。したがって、各光源素子群を構成する光源素子１６の種類を変えて選択することによって、発光素子群ごとに同じ電流値の電流を流すことができる。
【００５２】
さらに、光源素子１６は、同じ電流値の電流を流したときの電圧降下が予め実測された光源素子であり、第１列目の光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１が、第２列目以降の各光源素子群の電圧降下のうち最大の電圧降下の値より大きくなるように、光源素子１６の予め実測された電圧降下に基づいて、第１列目の光源素子群１７に含める光源素子１６および第２列目以降の光源素子群に含める光源素子１６が選択される。したがって、各光源素子群を構成する光源素子１６の電圧降下を実測して割り当てることによって、発光素子群ごとに同じ電流値の電流を流すことができる。
【００５３】
さらに、第１列目の光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１と抵抗素子１８の電圧降下ＶＲとの合計ＶＦＲと、第２列目以降の光源素子群の電圧降下のうち最大の電圧降下との差は、最小値であるので、損失電力を最小にすることができる。
【００５４】
さらに、前記電流制御部は、コレクタが第２列目以降の光源素子群に接続されるＮＰＮ型のトランジスタと、一端が前記トランジスタのエミッタに接続され、他端がグランドに接続される抵抗素子と、非反転入力が第１列目の光源素子群１７と電圧生成部である抵抗素子１５との接続点に接続され、反転入力が前記トランジスタと前記抵抗素子との接続点に接続され、出力が前記トランジスタのベースに接続される演算増幅器とによって構成される。したがって、ＮＰＮトランジスタ、抵抗素子および演算増幅器などの従来の技術による回路構成で電流制御部を構成することができる。
【００５５】
さらに、電圧変換部１１は、スイッチング式電圧変換回路からなる。したがって、制御部１１１、ＮＰＮトランジスタ１１２、コイル１１３、ダイオード１１４、およびコンデンサ１１６などの従来の技術による回路構成で電圧変換部１１を実現することができる。
【００５６】
さらに、電圧生成部である抵抗素子１５は、電流に比例した電圧を生成する。
さらに、電圧生成部は、抵抗素子１５によって構成されるので、安価で入手が容易な回路素子を用いて電圧生成部を実現することができる。
ので、
さらに、抵抗素子１５は、一端が第１列目の光源素子群１７に接続され、他端がグランドに接続されるので、電流に応じた電圧を、第１列目の光源素子群１７と抵抗素子１５との接続点に接続される一端に生じさせることができる。
【００５７】
図４は、光源装置２の詳細な構成を示す回路図である。電圧変換部１１の構成は、図３に示した光源装置１の電圧変換部１１の構成と同じであり、同じ参照符を付して重複を避けるために説明は省略する。
【００５８】
たとえば所定の発光量、つまり所定の明るさを得るために要する光源素子１６の数が１０個であるが、電圧変換部１１の出力電圧ＶＯＵＴの制約によって、直列に接続される光源素子群に含めることができる光源素子１６の数の最大数が９個である場合、１０個の光源素子１６を少なくとも２つの光源素子群に分けることによって対応することができる。
【００５９】
たとえば光源装置２で上述した第１の実施例に相当する場合、１０個の光源素子を２つの光源素子群、光源素子群１７および光源素子群２７に分け、光源素子群１７を５個の光源素子１６によって構成し、光源素子群２７を５個の光源素子１６によって構成し、ＩＬ定常値、つまり電流値が１０ｍＡのときの光源素子１６の電圧降下ＶＦの仕様を、３．５Ｖ±０．５Ｖとすると、各光源素子群の電圧降下は表２のようになる。
【００６０】
【表２】
2010086826.tif 000004
【００６１】
光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１の最小値１５．０Ｖは、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２の最大値２０．０Ｖより小さくなるが、光源素子群１７に直列に接続される抵抗素子１８によって５．０Ｖより大きい電圧降下を生じさせることによって、光源素子１６の電圧降下ＶＦに±０．５Ｖのばらつきがあっても、光源素子群１７および抵抗素子１８による電圧降下ＶＦＲを、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２の電圧降下ＶＦ２より大きくすることができる。抵抗素子１８の抵抗値は、ＩＬ定常値のときに５．０Ｖ以上の電圧降下を生じさせるために、抵抗値のばらつきを考慮して、電圧降下の最小値が５．０Ｖより大きくなる抵抗値５．０Ｖ／１０ｍＡ＝５００Ωより大きい抵抗値とする。電圧降下部として、定電圧ダイオードを用いる場合は、光源装置２が用いられる温度範囲において、１０ｍＡの通電でツェナ電圧が５．０Ｖより大きいものを用いる。
【００６２】
光源駆動回路１０１は、光源素子群１７を構成する光源素子１６の数に制約があって、光源素子群１７を構成する光源素子１６の数を、光源素子群２７を構成する光源素子１６の数より多くすることができない場合であっても、抵抗素子１８などの電圧降下部を光源素子群１７に直列に接続することによって、光源素子群１７および抵抗素子１８による電圧降下ＶＦＲを、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２の電圧降下ＶＦ２より大きくすることができる。
【００６３】
このように、１つの電圧変換部１１でも、複数の光源素子１６を接続する複数の光源素子群に分けることによって、複数の光源素子１６をすべて直列に接続して駆動する場合に必要な出力電圧ＶＯＵＴより低い出力電圧で駆動することができる。また、１つの電圧変換部１１と、第２列目以降の光源素子群ごとに設ける電流制御部とによって、より少ないコストおよび回路体積で発光素子群ごとに電流を制御することができる。
【００６４】
このように、前記第２の基準電圧は、第１列目の光源素子群１７と抵抗素子１５との接続点の電圧、すなわち帰還電圧ＶＦＢであるので、電圧変換部１１内で用いる基準電圧ＶＲＥＦを電圧変換部１１から取り出す必要がない。
【００６５】
さらに、第１列目の光源素子群１７に含まれる光源素子１６に直列に接続される電圧降下部によって、その光源素子に流れる電流の電流値に応じた電圧降下が生じる。
【００６６】
したがって、第１列目の光源素子群１７を構成する光源素子１６の数に制約があって、光源素子群１７を構成する光源素子１６の数を、第２列目以降の光源素子群２７などを構成する光源素子１６の数より多くすることができない場合であっても、抵抗素子１８などの電圧降下部を光源素子群１７に直列に接続することによって、光源素子群１７および抵抗素子１８による電圧降下ＶＦＲを、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２の電圧降下ＶＦ２より大きくすることができる。
【００６７】
さらに、電圧降下部である抵抗素子１８は、電流に比例して電圧降下するので、電流の電流値に比例する電圧降下を生じさせることができる。
【００６８】
さらに、前記電圧降下部は、抵抗素子１８によって構成されるので、安価で入手が容易な回路素子を用いて電圧生成部を実現することができる。
【００６９】
図５は、本発明の実施のさらに他の形態である光源装置３の回路構成を示すブロック図である。光源装置３は、光源駆動回路１０２および光源素子群１７，２７，３７を含んで構成される。光源駆動回路１０２は、光源駆動回路１０の構成要素の抵抗素子１５を直列に接続される抵抗素子１５１，１５２に置き換え、抵抗素子１５１および抵抗素子１５２によって分圧された電圧を各演算増幅器の非反転入力に印加する構成としたものであり、各電流駆動回路の抵抗素子、たとえば抵抗素子２５および抵抗素子３５の抵抗値を変更している。光源装置１および光源駆動回路１０の構成要素と同じ構成要素については、同じ参照符を付して、重複を避けるために説明は省略し、以下相違点について説明する。抵抗素子１５１および抵抗素子１５２によって分圧された電圧は、第２の基準電圧である。
【００７０】
抵抗素子１５１の抵抗値Ｒ１１および抵抗素子１５２の抵抗値Ｒ１２を合計した抵抗値は、光源駆動回路１０の抵抗素子１５の抵抗値と同じ値であり、各電流駆動回路の抵抗素子、たとえば抵抗素子２５および抵抗素子３５の抵抗値は、第２列目以降の光源素子群、たとえば光源素子群２７および光源素子群３７に、第１列目の光源素子群１７と同じ電流値の電流を流すために、抵抗素子１５２の抵抗値Ｒ１２と同じ抵抗値である。
【００７１】
抵抗素子１５１にＩＬ定常値の電流を流したときの電圧降下をＶＲとし、光源素子列１７および抵抗素子１５１による電圧降下をＶＦＲとする。電圧降下ＶＦＲは、ＶＦＲ＝ＶＦ１＋ＶＲである。
【００７２】
光源装置３では、光源素子群１７および抵抗素子１５１による電圧降下ＶＦＲは、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２および光源素子群３７の電圧降下ＶＦ３のうちの最大の電圧降下より大きくなるように、各光源素子群を構成する光源素子１６の仕様および数を決定する。
【００７３】
光源駆動回路１０２は、帰還電圧ＶＦＢを抵抗素子１５１および抵抗素子１５２によって分圧した電圧を、各演算増幅器、たとえば演算増幅器２８および演算増幅器３８の非反転入力に印加する構成とし、各電流駆動回路の抵抗素子、たとえば抵抗素子２５および抵抗素子３５の抵抗値を、光源駆動回路１０の抵抗素子１５の抵抗値Ｒ１より小さい抵抗値Ｒ１２としているので、光源駆動回路１０１と同じ効果を維持しつつ、光源駆動回路１０１に比して、光源駆動回路１０１の第１列目の光源素子群１７に直列に接続された抵抗素子１８による電力損失、および第２列目以降の電流駆動回路の抵抗値が小さくなった分の電力損失を低減することができる。
【００７４】
図６は、光源装置３の詳細な構成を示す回路図である。電圧変換部１１の構成は、図３に示した光源装置１の電圧変換部１１の構成と同じであり、同じ参照符を付して重複を避けるために説明は省略する。
【００７５】
たとえば所定の発光量、つまり所定の明るさを得るために要する光源素子１６の数が２個であるが、電圧変換部１１の出力電圧ＶＯＵＴの制約によって、直列に接続される光源素子群に含めることができる光源素子１６の数の最大数が１個である場合、２個の光源素子１６を２つの光源素子群に分けることによって対応することができる。
【００７６】
たとえば光源装置３で上述した第１の実施例に相当する場合、２個の光源素子を２つの光源素子群、光源素子群１７および光源素子群２７に分け、光源素子群１７を１個の光源素子１６によって構成し、光源素子群２７を１個の光源素子１６によって構成し、ＩＬ定常値、つまり電流値が１０ｍＡのときの光源素子１６の電圧降下ＶＦの仕様を、標準値３．５Ｖ、ばらつきの範囲±０．３Ｖとすると、各光源素子群の電圧降下は表３のようになる。
【００７７】
【表３】
2010086826.tif 000005
【００７８】
光源素子群１７の電圧降下ＶＦ１の最小値３．２Ｖは、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２の最大値３．８Ｖより小さくなるが、光源素子群１７に直列に接続される抵抗素子１５１によって０．６Ｖより大きい電圧降下を生じさせることによって、光源素子１６の電圧降下ＶＦに±０．３Ｖのばらつきがあっても、光源素子群１７および抵抗素子１５１による電圧降下ＶＦＲを、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２の電圧降下ＶＦ２より大きくすることができる。
【００７９】
抵抗素子１５の抵抗値が１００Ωで、抵抗素子１５１の抵抗値を７０Ω、抵抗素子１５２の抵抗値を３０Ωとすると、ＩＬ定常値のとき、抵抗素子１５１は７０Ω×１０ｍＡ＝０．７Ｖの電圧降下を生じ、抵抗素子１５２は３０Ω×１０ｍＡ＝０．３Ｖの電圧降下を生じる。したがって、光源駆動回路１０２は、抵抗素子１５１によって、０．７Ｖの電圧降下を生じるので、光源素子群１７および抵抗素子１５１による電圧降下ＶＦＲは、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２の電圧降下より大きくすることができる。
【００８０】
このように、電圧生成部は、直列に接続される２つの第２の抵抗素子、たとえば抵抗素子１５１および抵抗素子１５２によって構成され、前記第２の基準電圧は、抵抗素子１５１および抵抗素子１５２の接続点の電圧である。したがって、光源駆動回路１０２は、光源駆動回路１０１に比して、光源駆動回路１０１の第１列目の光源素子群１７に直列に接続された抵抗素子１８による電力損失、および第２列目以降の電流駆動回路の抵抗値が小さくなった分の電力損失を低減することができる。
【００８１】
図３に示した光源駆動回路１０１と図５に示した光源駆動回路１０２とを組み合わせてもよい。図３に示した光源駆動回路１０１、図５に示した光源駆動回路１０２、およびそれらを組み合わせた光源駆動回路では、光源素子群１７および抵抗素子１８による電圧降下ＶＦＲ、光源素子群１７および抵抗素子１５１による電圧降下ＶＦＲ、または光源素子群１７、抵抗素子１８および抵抗素子１５１による電圧降下ＶＦＲは、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２および光源素子群３７の電圧降下ＶＦ３のうちの最大の電圧降下より大きくなるように、各光源素子群を構成する光源素子１６の仕様および数を決定する。あるいは、電圧降下ＶＦＲが、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２および光源素子群３７の電圧降下ＶＦ３のうちの最大の電圧降下より大きくなるとともに、電圧降下ＶＦＲと、光源素子群２７の電圧降下ＶＦ２および電圧降下ＶＦ３の電圧降下のうち最大の電圧降下との差が、最小値となるように、各光源素子群を構成する光源素子１６の仕様および数を決定する。
【００８２】
電圧変換部１１は、電圧降下が最も大きい光源素子群１７に所定の電流値を流すための出力電圧ＶＯＵＴを出力する。第２列目以降の各光源素子群においては、第１列目の電圧降下ＶＦＲと各光源素子群の電圧降下ＶＦｎとの電圧差は、過剰な電圧であり、この電圧差による電力Ｑｎ＝（ＶＦＲ−ＶＦｎ）×ＩＬは、損失電力となる。ｎは、２以上の整数であり、ＩＬは、所定の電流の電流値である。
【００８３】
第１列目の電圧降下ＶＦＲが、各光源素子群の電圧降下ＶＦｎのうちの最大の電圧降下より大きくされるとともに、第１列目の電圧降下ＶＦＲと、各光源素子群の電圧降下ＶＦ３ｎの電圧降下のうち最大の電圧降下との差は、最小値となるようにされる。すなわち電圧降下ＶＦＲ−電圧降下ＶＦｎの値が０より大きく、かつ最小となるように設定されるので、上述した損失電力を最小にすることができる。
【００８４】
図７は、本発明の実施の一形態である表示装置３０の概略の構成を示す断面図である。表示装置３０は、光源装置３１、液晶表示パネル３２および筐体３３を備えている。光源装置３１は、複数の光源部３１１、導光体３１２、光拡散体３１３、反射体３１４、拡散板３１５およびプリズム３１６を備えている。各光源部３１１は、図１に示した光源装置１、図３に示した光源装置２、または図３に示した光源装置３によって構成され、導光体３１２の一端面に配列されて設けられている。光源装置３１は、底面側から、光を反射する反射体３１４、光を拡散する光拡散体３１３、導光体３１２、光を拡散する拡散板３１５およびプリズム３１６の順に積層されて構成される。
【００８５】
液晶表示パネル３２は、透明な２枚の基体の間に液晶から成る液晶層を形成したパネルである。光源装置３１は、バックライトとして液晶表示パネル３２の背後に重ねられて、液晶表示パネル３２とともに筐体３３に収容される。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の実施の一形態である光源装置１の回路構成を示すブロック図である。
【図２】光源装置１の詳細な構成を示す回路図である。
【図３】本発明の実施の他の形態である光源装置２の回路構成を示すブロック図である。
【図４】光源装置２の詳細な構成を示す回路図である。
【図５】本発明の実施のさらに他の形態である光源装置３の回路構成を示すブロック図である。
【図６】光源装置３の詳細な構成を示す回路図である。
【図７】本発明の実施の一形態である表示装置３０の概略の構成を示す断面図である。
【図８】従来の技術による光源駆動回路９０の構成例を示す図である。
【符号の説明】
【００８７】
１，２，３  光源装置
１０，９０，１０１，１０２  光源駆動回路
１１，９０１  電圧変換部
１２，９０２  入力端子
１３，９０４  出力端子
１４，９０３  帰還電圧印加端子
１５，９０５  抵抗素子（電圧生成部）
１６，９９  光源素子
１７  第１の光源素子群
１８  抵抗素子（電圧降下部）
２０，３０  電流制御部
２５，３５，１５１，１５２  抵抗素子
２６，３６  ＮＰＮトランジスタ
２７  第２の光源素子群
２８，３８  演算増幅器
３７  第３の光源素子群
１１１  制御部
１１２  スイッチングトランジスタ
１１３  チョークコイル
１１４  整流ダイオード
１１５，１１６  平滑コンデンサ
３１１  光源部
３１２  導光体
３１３  光拡散体
３１４  反射体
３１５  拡散板
３１６  プリズム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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