【手続補正書】
【提出日】平成16年2月26日(2004.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】アクティブマトリクス基板の製造方法及び液晶パネルの製造方法


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板上に画素領域と駆動回路とを有するアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
前記第１の基板上の前記画素領域に、第１の半導体装置をスイッチング素子とする複数の画素と、該複数の画素に接続された第１の電極配線群とを形成し、前記第１の電極配線群の端子となる部分を露出させて第１の電極露出部とする第１工程と、
前記第１の基板とは異なる第２の基板を用いて、前記駆動回路の能動素子であって半導体層が単結晶または多結晶シリコンである複数の第２の半導体装置と、該複数の第２の半導体装置に接続された第２の電極配線群とを含む被転写層を形成し、前記第２の電極配線群の端子となる部分を露出させて第２の電極露出部とする第２工程と、
前記第１，第２の電極露出部が導通する位置関係にて、前記第１の基板上に前記被転写層を転写する第３工程と、
を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の半導体装置が、アモルファスシリコンをチャネルとする薄膜トランジスタであり、前記第２の半導体装置が、多結晶シリコンをチャネルとする薄膜トランジスタであることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記被転写層より前記第２の基板を除去する第４工程をさらに有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第２工程では、前記第２の基板上に分離層を形成し、前記分離層上に前記被転写層を形成し、
前記第４工程では、前記分離層を境として、前記被転写層より前記第２の基板を除去することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記第２工程は、一枚の前記第２の基板上に、複数の前記被転写層を同時に形成する工程と、複数の前記被転写層を個々に分離する工程と、を含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２工程は、同時に形成された複数の前記被転写層の電気的特性を検査する検査工程を有し、
前記第３工程は、前記検査工程にて良品と判別された被転写層を前記第１の基板上に転写する工程を含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記第３工程は、前記第１の基板上の複数の領域にて、それぞれ被転写層を転写する工程を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかにおいて、
前記第３工程は、異方性導電膜を介在させて、前記第１の基板と前記被転写層とを接続することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかにおいて、
前記第１工程は、前記第１の半導体装置及び第１の電極配線群を第１の設計ルールに従って形成し、
前記第２工程は、前記第２の半導体装置及び第２の電極配線群を、前記第１の設計ルールよりも最小線幅が小となる第２の設計ルールに従って形成することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項１０】
転写基板上に画素領域と駆動回路を転写して液晶パネル用基板を製造する方法であって、
前記転写基板とは異なる第１の製造用基板を用いて、第１の半導体装置をスイッチング素子とする複数の画素と、該複数の画素に接続された第１の電極配線群とを含む第１の被転写層を形成し、前記第１の電極配線群の端子となる部分を露出させて第１の電極露出部とする第１工程と、
前記転写基板とは異なる第２の製造用基板を用いて、前記駆動回路の能動素子であってかつ半導体層が単結晶または多結晶である複数の第２の半導体装置と、該複数の第２の半導体装置に接続された第２の電極配線群とを含む第２の被転写層を形成し、前記第２の電極配線群の端子となる部分を露出させて第２の電極露出部とする第２工程と、
前記転写基板上に、配線層を形成する第３の工程と、
前記転写基板上に形成された配線層に対して、第１，第２の電極露出部が対向する位置関係にて、前記転写基板上に前記第１，第２の被転写層を転写する第４工程と、
少なくとも前記第１の製造用基板を、前記第１の被転写層より除去する第５工程と、を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第１の半導体装置が、アモルファスシリコンをチャネルとする薄膜トランジスタであり、前記第２の半導体装置が、ポリシリコンをチャネルとする薄膜トランジスタであることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０または１１において、
前記第５工程では、前記第２の製造用基板を前記第２の被転写層より除去する工程を含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記第１，第２工程では、前記第１，第２の製造用基板上にそれぞれ分離層を形成し、各々の前記分離層上に前記第１，第２の被転写層をそれぞれ形成し、
前記第５工程では、各々前記分離層を境として、前記第１，第２の被転写層より前記第１，第２の製造用基板をそれぞれ除去することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項１４】
請求項１０乃至１３のいずれかにおいて、
前記第１，第２工程は、一枚の前記第１，第２の製造用基板上に、複数の前記第１，第２の被転写層をそれぞれ同時に形成する工程と、複数の前記第１，第２の被転写層をそれぞれ個々に分離する工程と、を含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記第１，第２工程は、同時に形成された複数の前記第１，第２の被転写層の電気的特性を検査する検査工程を有し、
前記第４工程は、前記検査工程にて良品と判別された第１，第２の被転写層を前記転写基板上に転写する工程を含むことを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項１６】
請求項１０乃至１５のいずれかにおいて、
前記第４工程は、前記転写基板上の複数の領域にて、第１の被転写層および第２の被転写層のいずれか一方または双方を転写する工程を有することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項１７】
請求項１０乃至１６のいずれかにおいて、
前記第４工程は、異方性導電膜を介在させて、前記転写基板と前記第１，第２の被転写層とを接続することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項１８】
請求項１０乃至１７のいずれかにおいて、
前記第１工程は、前記第１の半導体装置及び第１の電極配線群を第１の設計ルールに従って形成し、
前記第２工程は、前記第２の半導体装置及び第２の電極配線群を、前記第１の設計ルールよりも最小線幅が小となる第２の設計ルールに従って形成することを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
【請求項１９】
請求項１乃至１８のいずれかに記載の方法にてアクティブマトリクス基板を製造する工程と、
前記アクティブマトリクス基板と対向基板とを対向させて貼り合わせ、その間に液晶を封入する工程と、
を有することを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、アクティブマトリクス基板及び液晶パネルの製造方法に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の一態様は、第１の基板上に画素領域と駆動回路とを有するアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
前記第１の基板上の前記画素領域に、第１の半導体装置をスイッチング素子とする複数の画素と、該複数の画素に接続された第１の電極配線群とを形成し、前記第１の電極配線群の端子となる部分を露出させて第１の電極露出部とする第１工程と、
前記第１の基板とは異なる第２の基板を用いて、前記駆動回路の能動素子であって半導体層が単結晶または多結晶シリコンである複数の第２の半導体装置と、該複数の第２の半導体装置に接続された第２の電極配線群とを含む被転写層を形成し、前記第２の電極配線群の端子となる部分を露出させて第２の電極露出部とする第２工程と、
前記第１，第２の電極露出部が導通する位置関係にて、前記第１の基板上に前記被転写層を転写する第３工程と、
を有することを特徴とする。
本発明の一態様によれば、アクティブマトリクス基板を構成する第１の基板には、画素領域のみを予め形成しておき、駆動回路はその第１の基板とは異なる第２の基板に形成され、後に第１の基板上に接合される。このため、画素領域には、オフリーク電流の小さい画素用トランジスタに適した第１の半導体装置として、その半導体層（チャネル層）に例えばアモルファスシリコンを用いていることができる。一方、駆動回路の能動素子として、移動度が高い単結晶または多結晶シリコンの半導体層を持つ第２の半導体装置を使用できる。また、第２の半導体装置を含む被転写層を、液晶パネル用基板の基板上に接合する際には、画素領域の第１の電極露出部と、被転写層の第２の電極露出部とが導通するので、後に煩雑な配線作業を伴うことがない。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
ここで、前記第１の半導体装置はアモルファスシリコンＴＦＴとすることができ、前記第２の半導体装置は多結晶シリコンＴＦＴとすることができる。なお、特に第２の半導体装置はＴＦＴに限らず、単結晶シリコン基板を用いた半導体であっても良い。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の一態様では、前記被転写層より前記第２の基板を除去する第４工程をさらに有することができる。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第２の基板を除去する場合には、
前記第２工程では、前記第２の基板上に分離層を形成し、前記分離層上に前記被転写層を形成し、
前記第４工程では、前記分離層を境として、前記被転写層より前記第２の基板を除去することが好ましい。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の一態様では、
前記第２工程は、一枚の前記第２の基板上に、複数の前記被転写層を同時に形成する工程と、複数の前記被転写層を個々に分離する工程と、を含むことができる。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
このとき、
前記第２工程は、同時に形成された複数の前記被転写層の電気的特性を検査する検査工程を有し、
前記第３工程は、前記検査工程にて良品と判別された被転写層を前記第１の基板上に転写する工程を含むことが好ましい。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
前記第３工程は、前記第１の基板上の複数の領域にて、それぞれ被転写層を転写する工程を有することができる。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
前記第３工程は、異方性導電膜を介在させて、前記第１の基板と前記被転写層とを接続することが好ましい。


【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明の一態様では、
前記第１工程は、前記第１の半導体装置及び第１の電極配線群を第１の設計ルールに従って形成し、
前記第２工程は、前記第２の半導体装置及び第２の電極配線群を、前記第１の設計ルールよりも最小線幅が小となる第２の設計ルールに従って形成することを特徴とする。


【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明の他の態様は、転写基板上に画素領域と駆動回路を転写してアクティブマトリクス基板を製造する方法であって、
前記転写基板とは異なる第１の製造用基板を用いて、第１の半導体装置をスイッチング素子とする複数の画素と、該複数の画素に接続された第１の電極配線群とを含む第１の被転写層を形成し、前記第１の電極配線群の端子となる部分を露出させて第１の電極露出部とする第１工程と、
前記転写基板とは異なる第２の製造用基板を用いて、前記駆動回路の能動素子であってかつ半導体層が単結晶または多結晶である複数の第２の半導体装置と、該複数の第２の半導体装置に接続された第２の電極配線群とを含む第２の被転写層を形成し、前記第２の電極配線群の端子となる部分を露出させて第２の電極露出部とする第２工程と、
前記転写基板上に、配線層を形成する第３の工程と、
前記転写基板上に形成された配線層に対して、第１，第２の電極露出部が対向する位置関係にて、前記転写基板上に前記第１，第２の被転写層を転写する第４工程と、
少なくとも前記第１の製造用基板を、前記第１の被転写層より除去する第５工程と、
を有することを特徴とする。


【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明の他の態様は、上述の本発明の一態様とは異なり、画素領域と駆動回路の双方を転写基板に転写して液晶パネル用基板を製造する方法を定義している。この場合にも、本発明の一態様と同様な効果を奏することができる。また、この場合、画素を露出するために第１の製造用基板は第５工程にて必ず除去する必要があるが、第１の製造用基板は請求項１の場合と同様に残存させても良い。


【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】