Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月3日(2004.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
【実施例３】
カーボンナノチューブ：メチルセルロース：純水＝２０：１０：１００（重量比）のカーボンナノチューブ含有溶液を用いて第１の導電性カーボン層を形成し、
その上に、グラファイト：メチルセルロース：純水＝２０：１０：１００（重量比）のグラファイト含有溶液を用いて第２の導電性カーボン層を形成したこと以外は、実施例１と同じ条件で固体電解コンデンサを作製した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
【実施例５】
カーボンナノチューブ：グラファイト：メチルセルロース：純水＝１０：１０：１０：１００（重量比）のカーボンナノチューブ含有溶液を用いて第１の導電性カーボン層を形成し、
その上に、グラファイト：メチルセルロース：純水＝２０：１０：１００（重量比）のグラファイト含有溶液を用いて第２の導電性カーボン層を形成したこと以外は、実施例１と同じ条件で固体電解コンデンサを作製した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
実施例１〜５及び比較例１のコンデンサについて、初期（エージング直後）の電気特性を表１に、高温負荷試験（１０５℃・５００時間）前後の電気特性を表２に耐湿無負荷試験（６０℃・９０％ＲＨ・５００時間）前後の電気特性を表３に示す。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
表１〜３を見ればわかるように、実施例１〜５においては、比較例１に比べて、高温負荷試験による静電容量の変化が小さく、エージング直後、高温負荷試験後及び耐湿無負荷試験後のいずれにおいても、ＥＳＲ及びｔａｎδが小さくなっている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月14日(2004.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
上記処理部４は、ウェーハＡに対する検査、表面保護テープの剥離、ダイボンドテープ張り付け等の処理を行う部分である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
また、スロット１５の間隔を狭く設定した従来のカセット１０に、薄厚のウェーハを吸着ハンド９で収納する場合、上記したように、該ウェーハが異形状になっていると、ウェーハの両側部分が対向するスロット１５内に入らない場合や、上下段差状に入ったりするという問題がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
上記各図において、薄厚ウェーハａ用のカセット２１は、上壁２２と下壁２３及び両側の側壁２４で角筒形に形成され、両側壁２４の対向する内面間に薄厚ウェーハａを支持するための薄い板状の支持板２５がそれぞれ上下に広い一定の間隔で多段に設けられ、各支持板２５上の後端部側で両側の位置に上部が小径となる円錐台形状のストッパー２６が起立状に設けられ、上記両側壁２４の内面で上下支持板２５間の位置に、スペーサ２７が下位支持板２５との対向面間に薄厚ウェーハａの挿入間隔を形成した状態で設けられている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
上記支持板２５は、前縁から後方に吸着ハンド９の通過用切り欠き部２８が後部接続部分２９を残して形成され、この切り欠き部２８の両側が側壁２４の内面に沿って前縁から後方に所定の幅で直線状に伸びる平行部分３０となり、薄厚ウェーハａは、ストッパー２６へ当接する状態で、この支持板２５の両側平行部分３０と後部接続部分２９によって周囲が支持されることになる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
この発明のカセットは、上記のような構成であり、図１３で例示したように、半導体装置を製造するためのウェーハ処理装置のローダ部２とアンローダ部５に配置し、薄厚ウェーハａの取り出しと収納に使用するものであり、図１と図２のように、平面的には、カセット２１内に収納した薄厚ウェーハａは、支持板２５の両側平行部分３０と後部接続部分２９で周縁部が支持された状態で後部周縁がストッパー２６に当接し、正面から見ると図３のように、周縁の両側端部が支持板２５の平行部分３０とスペーサ２７間のスロット３２に収まり、自重で少し垂れ下がる状態になる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月25日(2004.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に導電接着膜によって部品を実装して成る配線基板において、前記導電接着膜の周縁近傍であって該導電接着膜の対角線方向に該導電接着膜を挟んで設けられた少なくとも２つのアライメントマークを有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
基板上に導電接着膜によって部品を実装して成る配線基板において、前記導電接着膜の周縁近傍であって該導電接着膜の少なくとも１つの角部に対応して設けられたアライメントマークを有し、
該アライメントマークは、前記導電接着膜の縦横２方向に関する長さ成分を持った形状を有することを特徴とする配線基板。
【請求項３】
基板上に導電接着膜によって部品を実装して成る配線基板において、前記導電接着膜の周縁近傍であって該導電接着膜の少なくとも１つの角部に対応して設けられたアライメントマークを有し、
該アライメントマークは、前記導電接着膜の前記基板に対する取付け許容誤差に対応した寸法を有することを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つにおいて、
前記アライメントマークは、正方形、長方形、Ｌ字形、三角形、円形のいずれか１つであることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１つにおいて、
前記アライメントマークは、前記導電接着膜の４つの角部のそれぞれに対応して設けられることを特徴とする配線基板。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか１つにおいて、
前記アライメントマークの内周縁は実装目標位置に置かれた前記部品の外形線と一致することを特徴とする配線基板。
【請求項７】
請求項１から請求項５のいずれか１つにおいて、
前記アライメントマークの内周縁は装着目標位置に置かれた前記導電接着膜の外形線と一致することを特徴とする配線基板。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか１つにおいて、
前記部品のためのアライメントマークをさらに有し、
前記導電接着膜のためのアライメントマークは前記部品のためのアライメントマークの内側に配置されることを特徴とする配線基板。
【請求項９】
電気光学物質を配線基板によって支持して成る電気光学装置において、
前記配線基板は、
基板上に導電接着膜によって実装された部品と、
前記導電接着膜の周縁近傍であって該導電接着膜の対角線方向に該導電接着膜を挟んで設けられた少なくとも２つのアライメントマークと
を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
電気光学物質を支持する第１基板と、該第１基板に接続される配線基板とを有する電気光学装置において、
前記配線基板は、第２基板上に導電接着膜によって実装された部品と、
前記導電接着膜の周縁近傍であって該導電接着膜の対角線方向に該導電接着膜を挟んで設けられた少なくとも２つのアライメントマークとを有する
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
像を表示する電気光学装置と、該電気光学装置を支持する筐体とを有する電子機器において、前記電気光学装置は請求項９又は請求項１０に記載した電気光学装置によって構成されることを特徴とする電子機器。
【請求項１２】
基板上に導電接着膜によって部品を実装する部品の実装方法において、
前記導電接着膜の実装目標位置の周縁近傍であって該実装目標位置の対角線方向に該実装目標位置を挟んで設けられた少なくとも２つのアライメントマークを基準として前記導電接着膜を前記基板上に着ける工程と、
前記基板上に着けられた前記導電接着膜に前記部品を固着する工程と
を有することを特徴とする部品の実装方法。
【請求項１３】
基板上に導電接着膜によって部品を実装する部品の実装方法において、
前記導電接着膜の実装目標位置の周縁近傍であって該実装目標位置の少なくとも１つの角部に対応して設けられたアライメントマークを基準として前記導電接着膜を前記基板上に着ける工程と、
前記基板上に着けられた前記導電接着膜に前記部品を固着する工程と有し、
前記アライメントマークは、前記実装目標位置の縦横２方向に関する長さ成分を持った形状を有する
ことを特徴とする部品の実装方法。
【請求項１４】
基板上に導電接着膜によって部品を実装する部品の実装方法において、
前記導電接着膜の実装目標位置の周縁近傍であって該実装目標位置の少なくとも１つの角部に対応して設けられたアライメントマークを基準として前記導電接着膜を前記基板上に着ける工程と、
前記基板上に着けられた前記導電接着膜に前記部品を固着する工程と有し、
前記アライメントマークは、前記実装目標位置の前記基板に対する取付け許容誤差に対応した寸法を有する
ことを特徴とする部品の実装方法。
【請求項１５】
電気光学物質を配線基板によって支持して成る電気光学パネルの形成工程と、
前記配線基板上に部品を実装する工程とを有し，
前記部品を実装する工程は請求項１２から請求項１４のいずれか１つに記載の部品の実装方法によって実現されることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐｎ接合するｐ型半導体層及びｎ型半導体層が形成された半導体基板のデバイス面上に複数の開口を有する絶縁膜と、前記開口内及び前記絶縁膜上に形成され、前記ｐ型半導体層及びｎ型半導体層に電気的に接続する導電体とを具備する半導体装置の前記デバイス面を下向きにして、該デバイス面に研磨パッド表面を当接させた状態で、該研磨パッドと該デバイス面との間にスラリーを供給しつつ、前記半導体装置と前記研磨パッドとを相対的に移動させて、前記導電体に対して化学的機械研磨を行って、前記絶縁膜上の導電体を除去し、前記複数の開口内にそれぞれ配線を形成する工程と、
前記研磨パッド表面に前記半導体装置のデバイス面を当接させた状態で、該研磨パッドと該デバイス面との間に機能水及び有機物が添加された溶液の少なくとも一方を供給する工程と、
前記半導体装置のデバイス面の前記研磨パッドへの当接を解除する工程とを具備することを特徴する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記研磨パッドへの当接が解除されて、デバイス面が上向き又は横向きにされた半導体装置に対して、機能水を含む溶液を供給して前記半導体装置の洗浄を行う工程を更に具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
ｐｎ接合するｐ型半導体層とｎ型半導体層とを含む半導体基板のデバイス面上に形成された複数の第１の開口を有する第１の絶縁膜と、前記第１の開口内に形成され、前記ｐｎ接合を介して電気的に接続する複数の導電体と、第１の絶縁膜及び前記導電体上に形成された第２の絶縁膜とを具備する半導体装置の第２の絶縁に前記複数の導電体が露出する第２の開口を形成する工程と、
前記半導体装置のデバイス面に電解質を含む薬液を供給する工程と、
前記薬液の供給中及び供給後の少なくとも一方の時に前記半導体装置のデバイス面に機能水を供給する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記薬液により、第２の開口形成時に形成された反応生成物を除去することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記機能水として超純電解イオン水、強制的にガスを溶解させた水、またはラジカルを含む水を用いることを特徴とする、請求項１又は３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記有機物として、ベンゾトリアゾール、ベンズイミダゾール、Ｎ−Ｎジエチルジチオカルバミン酸アンモニウム、クペロン、及びピコリン酸の少なくとも１種が添加された溶液を前記半導体装置のデバイス面に供給することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、上記各実施形態では、導電体として銅を用いていたが、導電体としては、シリコン、アルミニウム，タングステン，金，及び銀の少なくとも一つを含む金属或いは合金を用いることができる。また、上記各実施形態においては、ｐ型半導体及びｎ型半導体に直接接続される第１層のダマシン配線について光コロージョンを防止する例を示したが、第２層以上の上層ダマシン配線に対して本発明を適用しても良い。その他、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月7日(2004.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の領域を所定時間間隔ごとに電子線が走査する工程と、
透過電子を検出する工程と、
検出された透過電子信号を走査にあわせて第１の画像として記録する工程と、
前期記録する工程より得られた第１の画像データより位相差画像を求める工程と、
前記位相差画像にもとづいてピーク信号を用いる第１の画像間の位置ずれ量が所定値以上であるかを判定する工程と、
前記判定結果にもとづいて画像のずれ量を前期電子線の走査位置を修正して補正する工程と、
走査位置が補正された電子線により走査して試料から得られるX線を検出する工程と、
検出されたX線にもとづいて第２の画像データを記録する工程と、
を有することを特徴とする荷電粒子線顕微方法。
【請求項２】
請求項１記載の荷電粒子線顕微方法において、
前期第１の画像の一部を登録画像として所定時間間隔ごとに記録する工程を有することを特徴とする荷電粒子線顕微方法。
【請求項３】
請求項１記載の荷電粒子線顕微方法において、
前記第１の画像として画面調整用の画像と計測用とに分けて用いることを特徴とする荷電粒子線顕微方法。
【請求項４】
請求項１記載の荷電粒子線顕微方法において、
前記位相差画像を求める工程の後に逆フーリエ変換する工程を付加した前記判定する工程として、複数の判定を行うことを特徴とする荷電粒子線顕微方法。
【請求項５】
試料のある領域に荷電粒子線を入射する照射手段と、
前記領域から出射する第1の信号を検出して前記領域の第1の画像を形成する画像形成部と、
順次形成される第1の画像を画像積算する演算部と、
前記領域から出射する第2の信号を検出して前記領域の第2の画像を形成する画像形成手段と、
第１の時刻における第2の画像と第2の時刻における第2の画像を各々記録する記録部と、第1の時刻における第2の画像と第2の時刻における第2の画像の間の位置ずれ量と一致度を計算する演算部と、
前記位置ずれ量が前記荷電粒子線に対する前記試料の移動量であるか否かを前記一致度から判断する判断部と、
前記移動量を相殺する様に前期荷電粒子線に対する前記試料の位置を移動させる手段と、第1の画像の画像積算を実行するか否かを前記一致度から判断する判断部と、
を持つことを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項６】
試料のある領域に荷電粒子線を入射する照射手段と、
偏向器と、
試料ステージと、
前記領域から出射する第1の信号を検出する検出器と、
前記第１の信号を検出して第1の画像を形成する画像形成部と、
前記領域から出射する第2の信号を検出して前記領域の第2の画像を形成する画像形成手段と、
第１の時刻における第2の画像と第2の時刻における第2の画像を各々記録する記録部と、
順次形成される第1の画像を画像積算する演算部と、
前記演算部は第1の時刻における第2の画像と第2の時刻における第2の画像の間の位置ずれ量と一致度を計算する手段を有し、
前記位置ずれ量を補正するために偏向器または試料ステージを制御する制御部と、
前記第1の画像の画像積算を実行するか否かを前記一致度から判断する判断部と、
を持つことを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項７】
請求項5または６記載の前期荷電粒子線装置において、
前記判断部は前記第1の画像と第２の画像の一致度が低下した場合には、焦点を補正または前記画像積算を中止する手段を有することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項８】
請求項5または６記載の前期荷電粒子線装置において、
前記荷電粒子線は所定時間間隔毎に入射されることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項９】
請求項５または６記載の前記荷電粒子線装置において、
前記記録部に登録された画像を一定回数計測毎に、または一定時間間隔毎に更新する登録画像更新手段を設けていることを特徴とする荷電粒子線装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月16日(2005.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁膜上に半導体層を有する薄膜トランジスタが形成されており、
シリコンを主成分とし、ゲルマニウムを含有する半導体膜からなる半導体層を活性層とし、該活性層の主表面における表面粗さとしてｒｍｓが１０ｎｍ未満、且つ、Ｐ−Ｖ値が７０ｎｍ未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、前記半導体膜は、ゲルマニウムを０．１〜１０原子％含み、且つ、結晶構造を有するシリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、前記半導体膜は、金属元素を１×１０16／ｃｍ3〜５×１０18／ｃｍ3の濃度で含み、且つ、結晶構造を有するシリコン膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項３において、前記金属元素は、珪素の結晶化を助長する金属元素であり、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一に記載された半導体装置とは、ビデオカメラ、デジタルカメラ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯型情報端末、または電子遊技機器であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
絶縁表面上にゲルマニウムを０．１〜１０原子％含み、且つ、非晶質構造を有する半導体膜を形成する第１工程と、
前記非晶質構造を有する半導体膜を加熱処理した後、レーザー光を照射して結晶化を行い、結晶構造を有する第１の半導体膜及び該膜上に酸化膜を形成する第２工程と、
前記酸化膜を除去する第３工程と、
不活性気体雰囲気または真空中でレーザー光を照射して前記半導体膜の表面を平坦化する第４工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、前記第４工程におけるレーザー光のエネルギー密度は、前記第２工程におけるレーザー光のエネルギー密度より高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７において、前記第４工程におけるレーザー光のエネルギー密度は、前記第２工程におけるレーザー光のエネルギー密度より３０〜６０ｍＪ／ｃｍ2高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一において、前記第２の工程の前に結晶化を助長する金属元素を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
絶縁表面上にゲルマニウムを０．１〜１０原子％含み、且つ、非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成する第１工程と、
前記非晶質構造を有する第１の半導体膜に結晶化を助長する金属元素を添加する第２工程と、
前記第１の半導体膜を加熱処理した後、レーザー光を照射して結晶構造を有する第１の半導体膜及び該膜上に酸化膜を形成する第３工程と、
前記酸化膜を除去する第４工程と、
不活性気体雰囲気または真空中でレーザー光を照射して前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面を平坦化する第５工程と
前記結晶構造を有する第１の半導体膜の表面をオゾンを含む溶液で酸化して酸化膜を形成する第６工程と、
該酸化膜上に希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成する第７工程と、
前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する第１の半導体膜中の前記金属元素を除去または低減する第８工程と、
前記第２の半導体膜を除去する第９工程とを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、前記第５工程におけるレーザー光のエネルギー密度は、前記第３工程におけるレーザー光のエネルギー密度より高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１において、前記第５工程におけるレーザー光のエネルギー密度は、前記第３工程におけるレーザー光のエネルギー密度より３０〜６０ｍＪ／ｃｍ2高いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月23日(2005.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極の間に発光物質として少なくとも発光材料、正孔輸送材料および電子輸送材料が存在し、電気エネルギーにより発光する素子であって、該素子は発光ピーク波長が５８０ｎｍ以上７２０ｎｍ以下で発光し、発光材料に少なくとも下記一般式（１）に示すジケトピロロ［３，４−ｃ］ピロール誘導体と蛍光ピーク波長が５８０ｎｍ以上７２０ｎｍ以下の有機蛍光物質を含み、電子輸送材料のイオン化ポテンシャルが５．９ｅＶ以上であることを特徴とする発光素子。
【化１】
2003086379.tif 000001
｛Ｒ１およびＲ２は同じでも異なっていてもよく、炭素数１〜２５のアルキル基または、下記一般式（２）の中から選ばれ、
【化２】
2003086379.tif 000002
（Ｒ３およびＲ４は同じでも異なっていてもよく、炭素数１〜４のアルキル基、無知間または炭素数１〜３のアルキル基が置換されたフェニル基から選ばれ、Ａｒ３はアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン、フェニル基の中から選ばれた置換基を有するフェニル基、無置換もしくは置換基を有するナフチル基の中から選ばれる。ｍは０〜４の整数を表す。）
Ａｒ１およびＡｒ２は同じでも異なっていてもよく、無置換または置換基を有するフェニル基、ナフチル基、スチリル基、カルバゾリル基から選ばれる。｝
【請求項２】
前記有機蛍光物質が下記一般式（３）に示すピロメテン骨格を有する化合物もしくはその金属錯体であることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
【化３】
2003086379.tif 000003
（ここで、Ｒ５〜Ｒ１１のうち少なくとも一つは芳香環を含むかあるいは隣接置換基との間に縮合環を形成し、残りは水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルセレノ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリールセレノエーテル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル基、隣接置換基との間に形成される縮合環および脂肪族環の中から選ばれる。Ｘは炭素または窒素であるが、窒素の場合には上記Ｒ１１は存在しない。金属錯体の金属は、ホウ素、ベリリウム、マグネシウム、クロム、鉄、コバルト、ニッケル、銅、亜鉛、白金から選ばれる少なくとも一種である。）
【請求項３】
前記金属錯体が下記一般式（４）で表されることを特徴とする請求項２記載の発光素子。
【化４】
2003086379.tif 000004
（ここで、Ｒ１２〜Ｒ１８のうち少なくとも一つは芳香環を含むかあるいは隣接置換基との間に縮合芳香環を形成し、残りは水素、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルキニル基、水酸基、メルカプト基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アルキルセレノ基、アリールエーテル基、アリールチオエーテル基、アリールセレノエーテル基、アリール基、複素環基、ハロゲン、ハロアルカン、ハロアルケン、ハロアルキン、シアノ基、アルデヒド基、カルボニル基、カルボキシル基、エステル基、カルバモイル基、アミノ基、ニトロ基、シリル基、シロキサニル基、隣接置換基との間に形成される縮合環および脂肪族環の中から選ばれる。Ｒ１９およびＲ２０は同じでも異なっていてもよく、ハロゲン、水素、アルキル、アリール、複素環基から選ばれる。Ｘは炭素または窒素であるが、窒素の場合には上記Ｒ１８は存在しない。）
【請求項４】
前記電子輸送材料のイオン化ポテンシャルが５．９ｅＶ以上であり、かつ分子量が４００以上であることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
【請求項５】
前記電子輸送材料のガラス転移温度が９０℃以上であることを特徴とする請求項１記載の発光素子。
【請求項６】
陽極、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、陰極を順次積層することを特徴とする請求項１記載の発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
陽極と陰極の間に発光物質として少なくとも発光材料、正孔輸送材料および電子輸送材料が存在し、電気エネルギーにより発光する素子であって、該素子は発光ピーク波長が５８０ｎｍ以上７２０ｎｍ以下で発光し、発光材料に少なくとも下記一般式（１）に示すジケトピロロ［３，４−ｃ］ピロール誘導体と蛍光ピーク波長が５８０ｎｍ以上７２０ｎｍ以下の有機蛍光物質を含み、電子輸送材料のイオン化ポテンシャルが５．９ｅＶ以上であることを特徴とする発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月25日(2005.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
保護トランジスタ回路３’は、Ｐチャネルトランジスタ（Ｐｃｈ）３’Ｂと、Ｎチャネルトランジスタ（Ｎｃｈ）３’Ｃ、出力トランジスタ回路４’は、Ｐチャネルトランジスタ（Ｐｃｈ）４Ｄと、Ｎチャネルトランジスタ（Ｎｃｈ）４’Ｅでそれぞれ構成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】    
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記した保護回路のサイズは相対的に大きくなってきている。また、ラッチアップ耐性の改善にはそのサージが印加されるところのＰチャネルトランジスタ領域とＮチャネルトランジスタ領域を大きく離して配置させることが単純かつ確実な方法として取られており、これらの理由により保護回路部の面積は大きくＬＳＩの集積化、そしてチップサイズの縮小化の大きなさまたげになっていた。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置、情報処理方法およびその記憶媒体
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
再生を目的としたデータを加工する加工手段と、
前記加工手段による加工処理後のデータの再生時の品質を判定し、その品質を表す品質情報を生成する判定手段と、
前記加工処理後のデータを格納するとともに、前記判定手段で得られた品質情報を該データに対応付けて格納する格納手段とを備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記データは、その再生において時間の経過に従って再生内容が動的に変化する時系列的データであり、
前記判定手段は前記データの所定区間を単位として再生時の品質を判定して品質情報を生成し、
前記格納手段は、前記品質情報を、前記データの各所定区間と対応付けて格納することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記データは動画像データであり、前記所定区間が１フレームに対応することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記格納手段は、前記品質情報が同一品質を示す前記所定区間が連続する区間を示す区間情報と品質情報とを対応付けて格納することを特徴とする請求項２又は３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記格納手段は、各フレームデータ毎の所定領域に前記品質情報を記述して格納することを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記格納手段は、各フレームを特定する識別子と前記品質情報を対応付けて格納することを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記データは静止画データであり、
前記判定手段は、各静止画データ毎に再生時の品質を判定してその品質を表す品質情報を生成することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記加工処理は、変倍制御であることを特徴とする請求項３乃至７のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記品質情報は、品質を所定数の段階に区分けした品質レベルによって再生時の品質を示すことを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項１０】
再生対象のデータと、そのデータの再生時の品質を表す品質情報とが対応付けられて記録された構成のデータより、前記再生対象のデータと対応する品質情報を取得する取得手段と、
前記取得手段で取得された品質情報に基づいて前記再生対象のデータ或いはそれを示す情報の表示をする表示手段とを備えることを特徴とする情報処理装置。
【請求項１１】
前記表示手段は、前記再生対象のデータ或いはそれを示す情報と、前記品質情報が示す当該再生対象のデータの品質を表す情報を同時に表示に表示することを特徴とする請求項１０に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
前記表示手段は、前記品質情報が所定の水準以上の品質を表す再生対象のデータについて、該再生対象のデータ或いはそれを示す情報の表示をすることを特徴とする請求項１０に記載の情報処理装置。
【請求項１３】
更に、前記所定の水準を設定する設定手段を備えることを特徴とする請求項１２に記載の情報処理装置。
【請求項１４】
前記表示手段は、複数の表示モードを有する
ことを特徴とする請求項１０乃至１３のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項１５】
前記再生対象のデータは動画像データであり、前記表示手段は、前記動画データのサムネイルを表示することを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれかに記載の情報処理装置。
【請求項１６】
再生を目的としたデータを加工する加工工程と、
前記加工工程による加工処理後のデータの再生時の品質を判定し、その品質を表す品質情報を生成する判定工程と、
前記加工処理後のデータを格納するとともに、前記判定工程で得られた品質情報を該データに対応付けて記憶媒体に格納する格納工程とを備えることを特徴とする情報処理方法。
【請求項１７】
再生対象のデータと、そのデータの再生時の品質を表す品質情報とが対応付けられて記録された構成のデータより、前記再生対象のデータと対応する品質情報を取得する取得工程と、
前記取得工程で取得された品質情報に基づいて前記再生対象のデータ或いはそれを示す情報を表示をする表示工程とを備えることを特徴とする情報処理方法。
【請求項１８】
請求項１６または１７のいずれかに記載の情報処理方法をコンピュータに実行させるための制御プログラム。
【請求項１９】
請求項１８に記載の制御プログラムを格納する記憶媒体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、再生を目的としたデータを加工する加工手段と、加工手段による加工処理後のデータの再生時の品質を判定し、その品質を表す品質情報を生成する判定手段と、加工処理後のデータを格納するとともに、判定手段で得られた品質情報を該データに対応付けて格納する格納手段とを具備することにより、再生対象となるデータに対して再生時の品質に影響を及ぼす加工処理がなされた場合に、そのデータに再生時の品質に関する情報を持たせることが可能となる。
また、本発明によれば、再生対象のデータと、そのデータの再生時の品質を表す品質情報とが対応付けられて記録された構成のデータより、再生対象のデータと対応する品質情報を取得する取得手段と、取得手段で取得された品質情報に基づいて再生対象のデータ或いはそれを示す情報の表示をする表示手段とを具備することにより、これら再生時の品質に関する情報を利用して、操作性が向上した装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オーディオ信号と映像信号を同時に一つの記録媒体に記録又は記録及び再生が可能なビデオカメラにおいて、
複数のマイクロフォンと、
上記複数の各マイクロフォンから出力されるオーディオ信号のうち２チャンネルのオーディオ信号を１チャンネルのオーディオ信号に変換する変換部と、
上記複数の各マイクロフォンから出力されるオーディオ信号の低域成分を抽出する低域成分抽出部と、
上記複数のマイクロフォンからの出力信号と上記変換部からの出力信号と上記低域成分抽出部からの出力信号とを同時にエンコードするエンコード部とを備え、
上記エンコード部によってエンコードされた出力信号を上記記録媒体に記録する
ことを特徴とするビデオカメラ。
【請求項２】
上記複数のマイクロフォンから出力されるオーディオ信号は、フロント左チャンネル信号、フロント右チャンネル信号、リアー左チャンネル信号、リアー右チャンネル信号の4チャンネル信号であることを特徴とする請求項１記載のビデオカメラ。
【請求項３】
上記変換部に入力される上記オーディオ信号は、上記フロント左チャンネル信号と上記フロント右チャンネル信号であることを特徴とする請求項１記載のビデオカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明に係るビデオカメラは、オーディオ信号と映像信号を同時に一つの記録媒体に記録又は記録及び再生が可能なビデオカメラにおいて、複数のマイクロフォンと、上記複数の各マイクロフォンから出力されるオーディオ信号のうち２チャンネルのオーディオ信号を１チャンネルのオーディオ信号に変換する変換部と、上記複数の各マイクロフォンから出力されるオーディオ信号の低域成分を抽出する低域成分抽出部と、上記複数のマイクロフォンからの出力信号と上記変換部からの出力信号と上記低域成分抽出部からの出力信号とを同時にエンコードするエンコード部とを備え、上記エンコード部によってエンコードされた出力信号を上記記録媒体に記録するようにしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明に係るビデオカメラは、複数のマイクロフォンから出力されたオーディオ信号と、複数の各マイクロフォンから出力される２チャンネルのオーディオ信号を１チャンネルのオーディオ信号に処理したオーディオ信号と、複数の各マイクロフォンから出力されるオーディオ信号から抽出された低域成分とが同時に記録媒体に記録されるので、臨場感溢れる音響再生を映像再生と共に行うことができ、例えば、子供の運動会等で我が子が競技で活躍するダイナミックな姿を、各方位の音のみならず、我が子の後方その他周囲からの声援、歓声、どよめき等のサラウンド音と共に、高い臨場感を伴って再生することができ、家庭での映像及び音響の再生セットの機能を充分に活かして堪能することが可能となる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
なお、複数のマイクロフォンから出力されるオーディオ信号は、フロント左チャンネル信号、フロント右チャンネル信号、リアー左チャンネル信号、リアー右チャンネル信号の4チャンネル信号であり、変換部に入力されるオーディオ信号は、フロント左チャンネル信号とフロント右チャンネル信号である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
【発明の効果】
上述したように、本発明に係るビデオカメラは、複数のマイクロフォンから出力されたオーディオ信号に加えて、複数の各マイクロフォンから出力される２チャンネルのオーディオ信号を１チャンネルのオーディオ信号に処理したオーディオ信号と、複数の各マイクロフォンから出力されるオーディオ信号から抽出された低域成分とが同時に記録媒体に記録されるので、臨場感溢れる音響再生が映像再生と共に行うことができ、例えば、子供の運動会等で我が子が競技で活躍するダイナミックな姿を、各方位の音のみならず、我が子の後方その他周囲からの声援、歓声、どよめき等のサラウンド音と共に、高い臨場感を伴って再生することができ、家庭での映像及び音響の再生セットの機能を充分に活かして堪能することが可能となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
さらに、本発明に係るビデオカメラによれば、サラウンド音録音専用のマイクロフォンを設けなくても分離された各方位の音響とは別に周囲の全方位の音響をキャッチすることができ、再生時に、そのサラウンド音を低音を利かせて独立したスピーカから再生することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月10日(2005.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スキャナの較正方法であって、
完全較正走査を実行するステップと、
少なくとも１回の一部較正走査を実行するステップと、
前記完全較正走査を前記一部較正走査と比較するステップと、
前記一部較正走査と前記完全較正走査との差が少なくとも所定の量に等しい場合、前記完全較正走査を再度実行するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記一部較正走査は走査ヘッドを移動しないで行われる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記一部較正走査はスキャナランプをオフにしないで行われる、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記一部較正走査は定期的に行われる、請求項１、２、または３に記載の方法。
【請求項５】
前記一部較正走査間の期間は時間に基づいている、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記一部較正走査間の期間は温度に基づいている、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
スキャナの較正方法であって、
完全較正走査を実行するステップと、
少なくとも１回の一部較正走査を実行するステップと、
前記完全較正走査を前記一部較正走査と比較するステップと、
前記一部較正走査と前記完全較正走査との差が所定の量より少ない場合、前記完全較正走査の利得を調整するステップと、
を含む方法。
【請求項８】
スキャナの較正方法であって、
完全較正走査を実行し、その結果を基準走査として記憶するステップと、
走査ヘッドを移動せずに少なくとも１回の一部較正走査を実行するステップと、
前記基準走査を前記一部較正走査と比較するステップと、
前記一部較正走査と前記基準走査との差が少なくとも所定の量に等しい場合、感度不均一性（ＰＲＮＵ）較正走査を実行してその結果を基準走査として記憶するステップと、
を含む方法。
【請求項９】
スキャナの較正方法であって、
完全較正走査を実行してその結果を基準走査として記憶するステップと、
走査ヘッドを移動せずに少なくとも１回の一部較正走査を実行するステップと、
前記基準走査を前記一部較正走査と比較するステップと、
前記一部較正走査と前記基準較正走査との差が所定の量より少ない場合、前記基準走査の利得を調整するステップと、
を含む方法。
【請求項１０】
実質的に、添付の図面に関して上記し、添付の図面に示されたような、スキャナの較正方法。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法の方法ステップを実行するよう動作可能な手段を備えているスキャナ。
【請求項１２】
スキャナの較正方法であって、
完全較正走査を実行してその結果を基準走査として記憶するステップと、
走査ヘッドを移動せずに少なくとも１回の一部較正走査を実行するステップと、
前記基準走査を前記一部較正走査と比較するステップと、
前記一部較正走査と前記基準較正走査との差が所定の量より少ない場合、前記基準走査の利得をグローバルに調整するステップと、
を含む方法。
【請求項１３】
前記一部較正走査は定期的に行われる、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
スキャナの較正方法であって、
感度不均一性（ＰＲＮＵ）較正走査を実行し、その結果を基準走査として記憶するステップと、
走査ヘッドを移動せずに少なくとも１回の一部較正走査を実行するステップと、
前記基準走査を前記一部較正走査と比較するステップと、
前記一部較正走査と前記基準走査との差が少なくとも所定の量に等しい場合、前記ＰＲＮＵ較正走査を再度実行するステップと、
を含む方法。
【請求項１５】
スキャナの較正方法であって、
完全較正走査を実行し、その結果を基準走査として記憶するステップと、
走査ヘッドを移動せずに少なくとも１回の一部較正走査を実行するステップと、
前記基準走査を前記一部較正走査と比較するステップと、
前記一部較正走査と前記基準走査との差が少なくとも所定の量に等しい場合、感度不均一性（ＰＲＮＵ）較正走査を実行してその結果を基準走査として記憶するステップと、
を含み、前記一部較正走査は定期的に行われる、方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月12日(2005.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アナログ信号を、Ｎ個のディジタル信号表現に変換するための方法であって、
前記アナログ信号の振幅を、Ｎ個の基準振幅と比較して、該アナログ信号の振幅が、それぞれの該基準振幅より大きいかまたは小さいかを判定するステップであって、該Ｎは、１以上の整数である、ステップと、
それぞれのディジタル信号が、前記アナログ信号の複数の振幅事象の表現を含むまで、前記アナログ信号の振幅がそれぞれの前記基準振幅より大きい場合は、該基準振幅に対応する該ディジタル信号に第１の論理レベルを発生させ、前記アナログ信号の振幅がそれぞれの前記基準振幅より小さい場合は、該対応するディジタル信号に第２の論理レベルを発生させるステップであって、該表現は、該複数の振幅事象に対応する一組のタイムスタンプである、ステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
さらに、
前記ディジタル信号における論理レベルの遷移のそれぞれについて、タイムスタンプを測定して記憶するステップを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アナログ信号の振幅と前記Ｎ個の基準振幅との前記比較は、該Ｎ個の基準振幅について、並列かつ同時に行われる、
請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記アナログ信号の振幅と前記Ｎ個の基準振幅との前記比較は、前記基準振幅のすべてが比較されるまで、該Ｎ個の基準振幅のそれぞれに対して順番に行われる、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の論理レベルは、前記アナログ信号の振幅が、対応する前記基準振幅より大きい時間の長さに比例する期間にわたり、前記対応するディジタル信号に存在する、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記対応するディジタル信号における前記第１の論理レベルまたは前記第２の論理レベルの遷移の時点は、前記アナログ信号の振幅が、対応する前記基準振幅を交差する事象の時点に対応する、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
被試験デバイスからのアナログ信号を、ディジタル信号の表現に変換するための方法であって、
前記アナログ信号の振幅を、基準振幅と比較して、該アナログ信号の振幅が、該基準振幅よりも大きいか、または小さいかを判断するステップと、
前記振幅が前記基準振幅より大きい場合は、第１の論理レベルをディジタル信号に生成し、該振幅が前記基準振幅より小さい場合は、第２の論理レベルを該ディジタル信号に生成するステップと、
前記アナログ信号における複数の振幅事象についての前記ディジタル信号の表現を得るための期間中、前記判断するステップおよび前記生成するステップを繰り返すステップであって、該表現は、該複数の振幅事象に対応する一組のタイムスタンプである、ステップと、
を含む、方法。
【請求項８】
さらに、
前記ディジタル信号における論理レベルの遷移のそれぞれについてタイムスタンプを測定して記録するステップを含む、
請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記振幅事象は、前記アナログ信号の振幅が、前記基本振幅より大きい、または小さい時間の長さを含む、
請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記生成するステップにおいて、前記第１の論理レベルは、前記アナログ信号の振幅が前記基本振幅よりも大きい時間の長さに比例する期間にわたって前記ディジタル信号に存在し、前記第２の論理レベルは、前記アナログ信号の振幅が前記基本振幅よりも小さい時間の長さに比例する期間にわたって前記ディジタル信号に存在する、
請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記生成するステップにおいて、前記ディジタル信号における前記第１の論理レベルおよび前記第２の論理レベルの遷移の時点のそれぞれは、前記アナログ信号の振幅が、前記基準振幅を交差する交差時点に対応する、
請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月6日(2004.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＤＭＡによる下り回線のＲＦ帯域の無線信号を受信するアンテナと、前記アンテナで受信されたＲＦ帯域の無線信号をダウンコンバートおよび帯域制限して出力するＲＦ部と、前記ＲＦ部の出力をＡ／Ｄコンバートして出力するＡ／Ｄ変換器と、前記Ａ／Ｄ変換器の出力を用いてセルサーチおよびパスサーチを行うサーチ部と、該サーチ部のサーチ結果を利用して受信信号の復調を行う復調部とを有するＣＤＭＡ受信装置であって、
前記サーチ部は、下り回線に含まれるセルサーチ用チャネルとパスサーチ用チャネルとで変調方式が異なるＣＤＭＡセルラシステムにおいて、セルサーチに用いるマッチドフィルタとパスサーチに用いるマッチドフィルタを時分割で共用するにあたり、セルサーチ時とパスサーチ時とでマッチドフィルタのタップ長を異ならせてサーチすることを特徴とするＣＤＭＡ受信装置。
【請求項２】
請求項１記載のＣＤＭＡ受信装置であって、該ＣＤＭＡセルラシステムは、基地局間非同期セルラシステムであることを特徴とするＣＤＭＡ受信装置。
【請求項３】
請求項１記載のＣＤＭＡ受信装置であって、該ＣＤＭＡセルラシステムは、セルサーチ用チャネルがＢＰＳＫ変調方式、パスサーチ用チャネルがＢＰＳＫ変調方式以外（例えばＱＰＳＫ変調）で変調されており、セルサーチ時はパスサーチ時におけるタップ長の２倍の長さをもってサーチすることを特徴とするＣＤＭＡ受信装置。
【請求項４】
請求項１記載のＣＤＭＡ受信装置であって、前記サーチ部は、前記Ａ／Ｄ変換器からの出力信号である受信データが入力されるシフトレジスタと、第１および第２の積算部とを有し、
前記セルサーチを行う場合には、前記シフトレジスタから、前記第１の積算部には該シフトレジスタに格納される受信データのうちの第１の部分データを入力し、前記第２の積算部には該シフトレジスタに格納される受信データのうちの第２の部分データを入力し、
前記第１の積算部は、セルサーチ用拡散符号のうち第１の部分系列を係数として該係数と前記第１の部分データとの積算結果を出力し、
前記第２の積算部は、セルサーチ用拡散符号のうち第２の部分系列を係数として該係数と前記第２の部分データとの積算結果を出力し、
前記第１および第２の積算部の出力の和を相関結果として出力し、
前記パスサーチを行う場合には、前記シフトレジスタから、前記第１および第２の積算部に該シフトレジスタに格納される受信データの一部である同じ部分データを入力し、
前記第１の積算部は、パスサーチ用拡散符号のうちのＩ成分の系列を係数として該係数と前記部分データとの積算結果をＩ成分の相関結果として出力し、
前記第２の積算部は、パスサーチ用拡散符号のうちのＱ成分の系列を係数として該係数と前記部分データとの積算結果をＱ成分の相関結果として出力することを特徴とするＣＤＭＡ受信装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月27日(2004.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】        明細書
【発明の名称】    取水具
【特許請求の範囲】
【請求項１】取水具開口部（５）を持つ筒状の取水具本体（１）の下部に吸水口（２）及び吸水管（４）を設けた取水具。
【請求項２】取水具本体（１）の内部に、中かご（１０）を設置してなる請求項１記載の取水具。
【発明の詳細な説明】
【０００１】【発明の属する技術分野】
この発明は、魚を飼っている池の生臭い匂いを取る為に  ろ過装置に取り付ける、取水具に関するものである。
【０００２】【従来の技術】
従来の取水具は、かご状のものを単に水中に設置し、深層水のみを取水するだけであった。しかしこれでは太陽等で温められた表層水は比重の関係で深層水と対流を起さず、ろ過装置を働かせても表層水は滞留したままろ過されず、古くなった水面は魚の出すアンモニア等の影響で悪臭を放つ結果になった。従来その対策として新水を少しずつ流し込んで、表層水を排水口にオーバーフローさせる方法が取られていたが、あまり効果が無く不経済であった。
【０００３】【発明が解決しようとする課題】
本発明は、その悪臭を取除く為、表層水を出来るだけ早く、ろ過装置に送り込み、尚且つ水中の汚れ及び水面のごみも同時に取除く事を課題としてなされたものである。
【０００４】【課題を解決するための手段】
水面より少し下に設置された筒状の取水具本体（１）の下端に吸水口（２）を設け、その少し上に吸水管（４）を設け、内部に中かご（１０）を設置した構成からなる取水具である。
【０００５】【発明の実施の形態】
本発明は以上のような構成であり、図（１）のポンプを内装したろ過器（３）を作動させると、取水具本体（１）の内部の水は吸水管（４）を通って吸水（１４）される、その為に取水具本体（１）の水圧が下がり、取水具本体（１）の水面は水位（７）の位置まで下がる。その結果水面（６）と取水具開口部（５）との落差によって、表層水（８）は水位（７）に向かって流れ込み、吸水口（２）から吸い込まれた深層水（９）と共に中かご（１０）でごみ（１１）を除去され、ろ過器（３）でろ過された水は水面（６）に戻されるのである。又、中かご（１０）がごみ（１１）で一杯になれば図（２）のように抜き取って簡単に洗浄する事が出来る。
なお本発明の主たる目的は、水面から発する悪臭と水中の汚れを同時にろ過する事であるから、図（３）のようにごみ除け網（１２）及び（１３）を取付け、図（１）の中かご（１０）を省いても目的は達成される。
以上の効果は長期の実験に於いても明確に実証されている。
【０００６】【発明の効果】
従来の水中設置タイプの取水具では得られなかった表層水（８）と深層水（９）のろ過及びごみ取りが同時に可能となり、池の悪臭を取り去る事が出来るようになった上に、従来困難であった水中の取水具の洗浄が池の外で簡単に出来るようになった。尚且つ表層水をオーバーフローさせる為の新水の常時注入をせずに済む事は非常に経済的でも有る。
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の断面図及び全体の作動図である。
【図２】
本発明の中かご（１０）だけを取り出した断面図である。
【図３】
本発明の応用の為、ごみ除け網（１２）と（１３）を取り付けたものである。
【符号の説明】
１．取水具本体        ２．吸水口          ３．ろ過器
４．吸水管            ５．開口部          ６．水面
７．水位              ８．表層水          ９．深層水
１０．中かご          １１．ごみ          １２．ごみ除け網
１３．ごみ除け網      １４．吸水


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2003018936.tif 000001
【図２】
2003018936.tif 000002
【図３】
2003018936.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月12日(2004.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワサビダイコンを、ドレッシングに対して５ｗｔ％から２０ｗｔ％、好ましくは１０ｗｔ％から１５ｗｔ％加えてなる香りと辛み成分を含有したドレッシング又はドレッシングタイプ調味料。
【請求項２】
ワサビダイコンがやせた土地で生育した３年生から５年生のものである請求項１に記載のドレッシング又はドレッシングタイプ調味料。
【請求項３】
包接剤としてリングデックスＢ（環状オリゴ糖、シクロデキストリン、サイクロデキストリン）を、ドレッシングに対して１ｗｔ％から５ｗｔ％、好ましくは２ｗｔ％から３ｗｔ％添加する請求項１又は請求項２に記載の香りと辛み成分を含有したドレッシング又はドレッシングタイプ調味料。
【請求項４】
水を水道水にかえて飲用アルカリイオン水にし、ドレッシング又はドレッシングタイプ調味料に使用し、請求項１から請求項３のいずれかに記載の香りと辛み成分を含有したドレッシング又はドレッシングタイプ調味料。
【請求項５】
ワサビダイコンを０．５ｍｍから２．５ｍｍ角の大きさに裁断、粉砕し、又は０．５ｍｍ以下の大きさにすり下ろし、これを食酢、食用植物油、調味料に素早く混合し、攪拌機で１分間攪拌し、その後、水を加えさらに１分間攪拌し、消毒した瓶に瓶詰めし、８０℃から９０℃の温度で２０分間、熱殺菌し、最高温度１５℃から最低温度５℃、好ましくはこの温度が１０℃以下であり、より好ましくは５℃から８℃である中に１０時間から３日おき、ドレッシング又はドレッシングタイプ調味料の中身が上から油層水分層に分離することからなる香りと辛み成分を含有した請求項１から請求項４のいずれかに記載のドレッシング又はドレッシングタイプ調味料の製造方法。
【請求項６】
ワサビダイコンを、ワサビ煮の原材料に対して１０ｗｔ％から２５ｗｔ％加えてなる香りと辛み成分を含有したワサビ煮加工食品。
【請求項７】
ワサビ煮の原材料を詰めた容器に、ワサビダイコンを０．５ｍｍから２．５ｍｍ角の大きさに裁断、粉砕し、または０．５ｍｍ以下の大きさにすり下ろし、これを食酢、食用植物油、調味料に素早く混合し、攪拌機で１分間攪拌し、その後、消毒した瓶に瓶詰めし、８０℃から９０℃の温度で２０分間、熱殺菌を行い原材料を煮て、密封後、最高温度１５℃から最低温度５℃、好ましくはこの温度が１０℃以下であり、より好ましくは５℃から８℃で１０時間から３日おき、香りと辛み成分を染み込ませ含有することを特徴とする請求項６に記載のワサビ煮加工食品の製造方法。