【手続補正書】
【提出日】平成17年7月4日(2005.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に第１のエッチングを施すことで第１半導体領域を形成し、
前記第１半導体領域の一端から他端に向けてレーザービームを走査して、前記第１半導体領域を結晶化させ、
前記結晶化させた第１半導体領域に第２のエッチングを施して、前記薄膜トランジスタの活性層となる第２半導体領域を形成し、
前記第２半導体領域に前記レーザービームの走査方向と、前記薄膜トランジスタにおけるチャネル長方向とが概略一致するようにチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に第１のエッチングを施すことで第１半導体領域を形成し、
前記第１半導体領域の一端から他端に向けてレーザービームを走査して、前記第１半導体領域を結晶化させ、前記第１半導体領域上に非単結晶半導体膜を形成し、
加熱処理により前記非単結晶半導体膜に金属元素を偏析させ、
前記結晶化させた第１半導体領域に第２のエッチングを施して、前記薄膜トランジスタの活性層となる第２半導体領域を形成し、
前記第２半導体領域に前記レーザービームの走査方向と、前記薄膜トランジスタにおけるチャネル長方向とが概略一致するようにチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面上に非晶質半導体膜を形成し、
触媒元素を添加した後、加熱処理により前記非晶質半導体膜を結晶化させて結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜に第１のエッチングを施すことで第１半導体領域を形成し、
前記第１半導体領域の一端から他端に向けてレーザービームを走査して、前記第１半導体領域の結晶性を改質し、
前記結晶性を改質した第１半導体領域に第２のエッチングを施して、前記薄膜トランジスタの活性層となる第２半導体領域を形成し、
前記第２半導体領域に前記レーザービームの走査方向と、前記薄膜トランジスタにおけるチャネル長方向とが概略一致するようにチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項３において、前記結晶質半導体膜を形成した後に、前記触媒元素を除去するゲッタリング処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、前記第１半導体領域は、少なくとも一端に角部を持つ形状に形成されることを特徴とする半導体装置の作成方法。
【請求項６】
請求項５において、前記第１半導体領域の一端から他端に向けてレーザービームを走査することは、前記第１半導体領域の一端に設けられた角部から、前記第１半導体領域の他端に向けてレーザービームを走査することであることを特徴とする半導体装置の作成方法。
【請求項７】
薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面上に非晶質半導体膜を形成し、
触媒元素を選択的に添加した後、加熱処理により前記非晶質半導体膜を、前記触媒元素が選択的に添加された領域から前記絶縁表面と平行な方向に結晶化させて結晶質半導体膜を形成し、
前記結晶質半導体膜に第１のエッチングを施すことで第１半導体領域を形成し、
前記第１半導体領域において、結晶の成長方向と概略一致する方向にレーザービームを走査して、前記第１半導体領域の結晶性を改質し、
前記結晶性を改質した第１半導体領域に第２のエッチングを施して、前記薄膜トランジスタの活性層となる第２半導体領域を形成し、
前記第２半導体領域に前記レーザービームの走査方向と、前記薄膜トランジスタにおけるチャネル長方向とが概略一致するようにチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項７において、前記結晶質半導体膜を形成した後に、前記触媒元素を除去するゲッタリング処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記第１半導体領域に第２のエッチングを施す際に、前記第１半導体領域の歪み領域を除去するようにエッチングを施すことを特徴とする半導体装置の作成方法。
【請求項１０】
薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面上に第１非晶質半導体膜を形成し、
触媒元素を添加した後、加熱処理により前記第１非晶質半導体膜を結晶化させて第１結晶質半導体膜を形成し、
前記第１結晶質半導体膜に第１のエッチングを施して、種結晶領域を形成し、
前記絶縁表面上に、前記種結晶領域に重なる第２非晶質半導体膜を形成し、
前記第２非晶質半導体膜に第２のエッチングを施すことで、少なくとも一部が前記種結晶領域と重なる第１半導体領域を形成し、
前記第１半導体領域において、前記種結晶領域と重なる一端から他端に向けてレーザービームを走査して、前記第１半導体領域を結晶化させ、
前記種結晶領域及び前記結晶化させた第１半導体領域に第３のエッチングを施して、前記薄膜トランジスタの活性層となる第２半導体領域を形成し、
前記第２半導体領域に前記レーザービームの走査方向と、前記薄膜トランジスタにおけるチャネル長方向とが概略一致するようにチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
絶縁表面上に珪素とゲルマニウムを含有する第１非晶質半導体膜を形成し、
触媒元素を添加した後、加熱処理により前記第１非晶質半導体膜を結晶化させて第１結晶質半導体膜を形成し、
前記第１結晶質半導体膜に第１のエッチングを施して、種結晶領域を形成し、
前記絶縁表面上に、前記種結晶領域に重なる第２非晶質半導体膜を形成し、
前記第２非晶質半導体膜に第２のエッチングを施すことで、少なくとも一部が前記種結晶領域と重なる第１半導体領域を形成し、
前記第１半導体領域において、前記種領域と重なる一端から他端に向けてレーザービームを走査して、前記第１半導体領域を結晶化させ、
前記種結晶領域及び前記結晶化させた第１半導体領域に第３のエッチングを施して、前記薄膜トランジスタの活性層となる第２半導体領域を形成し、
前記第２半導体領域に前記レーザービームの走査方向と、前記薄膜トランジスタにおけるチャネル長方向とが概略一致するようにチャネル形成領域を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１において、前記第１半導体領域を結晶化させた後に、前記触媒元素を除去するゲッタリング処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、前記第１半導体領域に第３のエッチングを施す際に、前記第１半導体領域の歪み領域を除去するようにエッチングを施すことを特徴とする半導体装置の作成方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、前記レーザービームは、複数のレーザービームを照射面に重ね合わせて照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、前記レーザービームは、連続発振レーザービームであって、その波長は、４００nm乃至７００nmであることを特徴とする半導体装置の作製方法。