【手続補正書】
【提出日】平成16年8月6日(2004.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】配線の作製方法及び半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属薄膜を形成し、
前記金属薄膜上にレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンを有する金属薄膜にドライエッチングを行い、バイアスパワー密度に応じてテーパー角が制御された配線を形成することを特徴とする配線の作製方法。
【請求項２】
金属薄膜を形成し、
前記金属薄膜上にレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンを有する金属薄膜にドライエッチングを行い、エッチングガス中のフッ素を含む反応ガスの流量比に応じてテーパー角が制御された配線を形成することを特徴とする配線の作製方法。
【請求項３】
絶縁膜上に金属薄膜を形成し、
前記金属薄膜上にレジストパターンを形成し、
前記レジストパターンを有する金属薄膜にドライエッチングを行い、テーパー角が制御された配線を形成し、
前記エッチングは、フッ素を含む第１反応ガスと塩素を含む第２反応ガスとの混合ガスであるエッチングガスを用い、前記エッチングガスにおける前記絶縁膜と前記金属薄膜との選択比が２．５より大きいことを特徴とする配線の作製方法。
【請求項４】
金属薄膜を形成し、
前記金属薄膜上にレジストパターンを形成し、
ＩＣＰエッチング装置を用いて前記レジストパターンを有する金属薄膜にドライエッチングを行い、バイアスパワー密度に応じてテーパー角が制御された配線を形成することを特徴とする配線の作製方法。
【請求項５】
金属薄膜を形成し、
前記金属薄膜上にレジストパターンを形成し、
ＩＣＰエッチング装置を用いて前記レジストパターンを有する金属薄膜にドライエッチングを行い、エッチングガス中のフッ素を含む反応ガスの流量比に応じてテーパー角が制御された配線を形成することを特徴とする配線の作製方法。
【請求項６】
絶縁膜上に金属薄膜を形成し、
前記金属薄膜上にレジストパターンを形成し、
ＩＣＰエッチング装置を用いて前記レジストパターンを有する金属薄膜にドライエッチングを行い、テーパー角が制御された配線を形成し、
前記エッチングは、フッ素を含む第１反応ガスと塩素を含む第２反応ガスとの混合ガスであるエッチングガスを用い、前記エッチングガスにおける前記絶縁膜と前記金属薄膜との選択比が２．５より大きいことを特徴とする配線の作製方法。
【請求項７】
金属薄膜を形成し、
前記金属薄膜上にレジストパターンを形成し、
ＩＣＰエッチング装置を用いて前記レジストパターンを有する金属薄膜にドライエッチングを行い、バイアスパワー密度に応じてテーパー角が制御された配線を形成し、
前記バイアスパワー密度を０．０６４W／ｃｍ2〜３．２W／ｃｍ2とすることを特徴とする配線の作製方法。
【請求項８】
請求項４乃至７のいずれか一において、アンテナコイルを有するＩＣＰエッチング装置を用いて前記エッチングを行うことを特徴とする配線の作製方法。
【請求項９】
請求項４乃至７のいずれか一において、マルチスパイラルコイルを有するＩＣＰエッチング装置を用いて前記エッチングを行うことを特徴とする配線の作製方法。
【請求項１０】
請求項４乃至９のいずれか一において、前記ＩＣＰエッチング装置のＩＣＰパワー密度を０．６１W／ｃｍ2〜２．０４Ｗ／ｃｍ2で、前記金属薄膜をエッチングすることを特徴とする配線の作製方法。
【請求項１１】
請求項４乃至１０のいずれか一において、前記ＩＣＰエッチング装置のエッチングガス雰囲気の圧力を１．０Ｐａ〜２．０Ｐａで前記金属薄膜をエッチングすることを特徴とする配線の作製方法。
【請求項１２】
請求項２または請求項５において、前記フッ素を含む反応ガスは、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、またはＣ4Ｆ8から選ばれたガスであることを特徴とする配線の作製方法。
【請求項１３】
請求項３または請求項６において、前記第１反応ガスは、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6、またはＣ4Ｆ8から選ばれたガスであることを特徴とする配線の作製方法。
【請求項１４】
請求項３、請求項６及び請求項１３のいずれか一において、前記第２反応ガスは、Ｃｌ2、ＳｉＣｌ4、またはＢＣｌ3から選ばれたガスであることを特徴とする配線の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一において、前記金属薄膜は、耐熱性導電性膜であることを特徴とする配線の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１４のいずれか一において、前記金属薄膜は、タングステン膜、タングステン化合物を主成分とする金属化合物膜、またはタングステン合金を主成分とする金属合金膜から選ばれた薄膜、またはそれらの積層膜であることを特徴とする配線の作製方法。
【請求項１７】
請求項１６において、前記金属合金膜は、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｓｉから選ばれた一種の元素または複数種の元素とタングステンとの合金膜であることを特徴とする配線の作製方法。
【請求項１８】
請求項１乃至１４のいずれか一において、前記金属薄膜は、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｓｉを含む膜であることを特徴とする配線の作製方法。
【請求項１９】
絶縁表面を有する基板上に半導体薄膜からなる活性層を有し、
前記活性層上にゲート絶縁膜を有し、
前記ゲート絶縁膜上にテーパー形状を有するゲート電極を有し、
前記活性層は、チャネル形成領域、低濃度不純物領域及び高濃度不純物領域を有し、
前記チャネル領域及び前記低濃度不純物領域は前記ゲート電極と重なっており、
前記ゲート電極のテーパー角が２０度〜７０度の範囲であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１９において、前記ゲート電極のテーパー角が２５度〜３５度の範囲であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項１９または請求項２０において、前記低濃度不純物領域のチャネル長方向の長さが、０．１〜１．５μｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
請求項１９または請求項２０において、前記低濃度不純物領域のチャネル長方向の長さが、０．３〜０．８μｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２３】
請求項１９乃至２２のいずれか一において、前記ゲート電極は、耐熱性導電性膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２４】
請求項１９乃至２２のいずれか一において、前記ゲート電極は、タングステン膜、タングステン化合物を主成分とする金属化合物膜、またはタングステン合金を主成分とする金属合金膜から選ばれた薄膜、またはそれらの積層膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２５】
請求項２４において、前記金属合金膜は、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｓｉから選ばれた一種の元素または複数種の元素とタングステンとの合金膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２６】
請求項１９乃至２２のいずれか一において、前記ゲート電極はＴａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｓｉを含む膜からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２７】
請求項１９乃至２６のいずれか一において、前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極に絶縁膜を有し、
前記絶縁膜上に層間絶縁膜を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２８】
請求項２７において、前記絶縁膜は酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、またはこれらを組み合わせた積層膜であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２９】
請求項２７または請求項２８において、前記層間絶縁膜はポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、またはベンゾシクロブテンであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３０】
請求項１９乃至２９のいずれか一に記載された半導体装置とは、アクティブマトリクス型液晶ディスプレイであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３１】
請求項１９乃至２９のいずれか一に記載された半導体装置とは、エレクトロルミネセンス素子を備えたＥＬディスプレイであることを特徴とする半導体装置。
【請求項３２】
請求項３０または請求項３１に記載された半導体装置を表示媒体として搭載したことを特徴とする半導体装置。
【請求項３３】
請求項３２に記載された半導体装置とは、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯情報端末であることを特徴とする半導体装置。