(57)【要約】      （修正有）【課題】短冊形ターゲットを用いるマグネトロンスパッタ法においてスパッタ処理効率ないし生産効率の向上を実現する。【解決手段】このマグネトロンスパッタ装置１０は、被処理基板ＰL，ＰRを垂直に立てて移動（通過）させながらスパッタ成膜処理を行う縦型通過式のスパッタ装置であって、単一または共通の磁界発生機構４２と、左右対称の双子ターゲット１２Ｌ，１２Ｒとを備える二枚同時処理型のスパッタ装置として構成されている。【選択図】図１
2010100880.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１本の柱状回転軸の外周面に所定の配列パターンで取り付けられた複数の板状磁石からなる回転磁石群を含み、前記回転磁石群を前記柱状回転軸と一体に回転駆動する磁界発生機構と、
各々が前記回転磁石群に背を向けて前記柱状回転軸と平行に延び、前記柱状回転軸の半径方向で相互に重なり合わないように前記回転磁石群の周囲に設けられる複数のターゲット保持機構と、
前記複数のターゲット保持機構のおもて面に対向させて被処理基板をそれぞれ個別に出し入れ可能に収容する減圧可能な複数の処理室と、
各々の前記処理室内にスパッタガスを供給するためのガス供給機構と、
各々の前記処理室内で前記スパッタガスのプラズマを生成するために、各々前記ターゲットに放電用の電力を供給する電力供給機構と
を有し、
前記磁界発生機構により前記スパッタガスのプラズマを閉じ込めるための磁界を形成し、前記複数の処理室内でスパッタ処理を可能にした、
マグネトロンスパッタ装置。
【請求項２】
前記柱状回転軸の周囲に設けられる前記ターゲット保持機構は２つであり、それら２つのターゲット保持機構は前記柱状回転軸を挟んで互いに平行に配置される、請求項１に記載のマグネトロンスパッタ装置。
【請求項３】
前記磁界発生機構が、前記複数のターゲット保持機構に保持されるターゲットのそれぞれのおもて面上において、前記柱状回転軸の軸方向に対して交わる方向に延びる円形または楕円形のプラズマリングを形成し、前記回転磁石群を回転させることにより前記プラズマリングを前記柱状回転軸の軸方向と平行に移動させる、請求項１または請求項２に記載のマグネトロンスパッタ装置。
【請求項４】
前記磁界発生機構が、前記回転磁石群の各々を取り囲むようにそれぞれ配置された複数の固定外周板磁石または強磁性体を有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載のマグネトロンスパッタ装置。
【請求項５】
前記回転磁石群を構成する板状磁石は、表面がＮ極およびＳ極の一方に磁化されており、表面がＮ極およびＳ極の他方に磁化された他の板状磁石または強磁性体と前記柱状回転軸の外周面に沿って帯状に並進しながら巻かれるような配列パターンで前記柱状回転軸に取り付けられる、請求項４に記載のマグネトロンスパッタ装置。  
【請求項６】
前記回転磁石群を構成する板状磁石は、板厚方向で磁化されており、Ｎ極とＳ極とがそれぞれ帯状に前記柱状回転軸の外周面に沿って前記柱状回転軸の軸方向の位置を変化させながら一周するかまたは螺旋状に巻かれるような磁極リングが前記柱状回転軸の軸方向に一定のピッチで１つまたは複数形成される配列パターンで前記柱状回転軸に取り付けられ、
前記固定外周板磁石は、板厚方向で磁化されており、そのＮ極またはＳ極のいずれか一方の磁極が前記ターゲット保持機構と対向するように配置される、
請求項４に記載のマグネトロンスパッタ装置。  
【請求項７】
前記電力供給機構が、前記複数のターゲット保持機構にそれぞれ個別的に電気的に接続される複数の直流電源を有する、請求項１〜６のいずれか一項に記載のマグネトロンスパッタ装置。
【請求項８】
前記電力供給機構が、前記複数のターゲット保持機構にそれぞれ個別的に電気的に接続される複数の高周波電源を有する、請求項１〜７のいずれか一項に記載のマグネトロンスパッタ装置。
【請求項９】
前記電力供給機構より前記複数のターゲット保持機構にそれぞれ与えられる高周波を相互に隔離するために、前記複数のターゲット保持機構の背面側の高周波給電部をそれぞれ個別的に覆う電気的に接地された導電体カバーを有する、請求項８に記載のマグネトロンスパッタ装置。
【請求項１０】
前記複数のターゲット保持機構が、ターゲットを背面側から支持するための複数の導電性バッキングプレートをそれぞれ有し、各々のターゲットを各対応するバッキングプレートを介して前記電力供給機構に電気的に接続する、請求項１〜９のいずれか一項に記載のマグネトロンスパッタ装置。
【請求項１１】
前記磁界発生機構より前記複数のターゲット保持機構にそれぞれ与えられる磁界を相互に隔離するために、前記複数のターゲット保持機構の背面側の磁界空間をそれぞれ個別的に覆う複数の磁性体カバーを有する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のマグネトロンスパッタ装置。
【請求項１２】
各々の前記処理室内で、前記ターゲット保持機構の正面に設けられるスパッタ空間を前記基板が横切って通過するように、前記ターゲット保持機構と平行でかつ前記柱状回転軸の軸方向と交わる方向に前記基板を移動させる基板移動機構を有する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のマグネトロンスパッタ装置。
【請求項１３】
前記基板移動機構が前記基板を重力の方向に略平行な姿勢で移動させるように、装置各部が配置される、請求項１２に記載のマグネトロンスパッタ装置。
【請求項１４】
前記柱状回転軸の軸方向が重力の方向に略一致するように、装置各部が配置される、請求項１３に記載のマグネトロンスパッタ装置。
【請求項１５】
前記複数の処理室の間に前記基板を減圧下で搬送するための搬送室を設けて、前記搬送室を介して各々の前記基板を前記複数の処理室の間で転送し、各々の前記基板に対して各処理室毎の成膜処理をインラインで連続的に施す、請求項１〜１４のいずれか一項に記載のマグネトロンスパッタ装置。
【請求項１６】
第１の柱状回転軸の外周面に所定の配列パターンで取り付けられた複数の板状磁石からなる第１の回転磁石群を含み、前記第１の回転磁石群を前記第１の柱状回転軸と一体に回転駆動する第１の磁界発生機構と、
前記第１の回転磁石群に背を向けて前記第１の柱状回転軸と平行に延び、前記第１の回転磁石群の片側に配置される第１のターゲット保持機構と、
前記第１の回転磁石群に背を向けて前記第１の柱状回転軸と平行に延び、前記第１のターゲット保持機構と平行に向かい合って前記第１の回転磁石群の反対側に配置される第２のターゲット保持機構と、
前記第１の柱状回転軸から離間してそれと平行に延びる第２の柱状回転軸の外周面に所定の配列パターンで取り付けられた複数の板状磁石からなる第２の回転磁石群を含み、前記第２の回転磁石群を前記第２の柱状回転軸と一体に回転駆動する第２の磁界発生機構と、
前記第２の回転磁石群に背を向けて前記第２の柱状回転軸と平行に延び、前記第１のターゲット保持機構と略面一で前記第２の回転磁石群の片側に配置される第３のターゲット保持機構と、
前記第２の回転磁石群に背を向けて前記第２の柱状回転軸と平行に延び、前記第３のターゲット保持機構と平行に向かい合い、かつ前記第２のターゲット保持機構と略面一で前記第２の回転磁石群の反対側に配置される第４のターゲット保持機構と、
前記第１、第２、第３および第４のターゲット保持機構のおもて面に対向させて被処理基板を出し入れ可能にそれぞれ収容する減圧可能な第１、第２、第３および第４の処理室と、
前記第１、第２、第３および第４の処理室内にスパッタガスを供給するためのガス供給機構と、
前記第１、第２、第３および第４の処理室内で前記スパッタガスのプラズマを生成するために、前記第１、第２、第３および第４のターゲット保持機構に放電用の電力を供給する電力供給機構と
を有し、
前記第１の磁界発生機構により第１および第２のターゲット保持機構に対して前記スパッタガスのプラズマを閉じ込めるための磁界を形成して、前記第１および第２の処理室内でスパッタ処理を可能にし、
前記第２の磁界発生機構により第３および第４のターゲット保持機構に対して前記スパッタガスのプラズマを閉じ込めるための磁界を形成して、前記第３および第４の処理室内でスパッタ処理を可能にした、
マグネトロンスパッタ装置。
【請求項１７】
前記第１および第３の処理室内で、前記第１および第３のターゲット保持機構の正面にそれぞれ設けられる第１および第３のスパッタ空間を前記第１の被処理基板が横切って順次通過するように、前記第１および第３のターゲット保持機構と平行でかつ前記第１および第２の柱状回転軸の軸方向と直交する方向に前記第１の被処理基板を移動させる第１の基板移動機構と、
前記第２および第４の処理室内で、前記第２および第４のターゲット保持機構の正面にそれぞれ設けられる第２および第４のスパッタ空間を前記第２の被処理基板が横切って順次通過するように、前記第２および第４のターゲット保持機構と平行でかつ前記第１および第２の柱状回転軸の軸方向と直交する方向に前記第２の被処理基板を移動させる第２の基板移動機構と
を有する、請求項１６に記載のマグネトロンスパッタ装置。
【請求項１８】
１本の柱状回転軸の外周面に所定の配列パターンで取り付けられた複数の板磁石からなる回転磁石群を含み、前記回転磁石群を前記柱状回転軸と一体に回転駆動する磁界発生機構と、
各々が前記回転磁石群に背を向けて前記柱状回転軸と平行に延び、前記柱状回転軸の半径方向で相互に重なり合わないように前記回転磁石群の周囲に設けられる複数のターゲット保持機構と、
前記複数のターゲット保持機構を一括収容し、被処理基板を出し入れ可能に収容する減圧可能な処理室と、
前記複数のターゲット保持機構の中の所望の一つを稼動ターゲット保持機構として前記処理室内に設定された正規スパッタ空間と対向する所定の稼動位置に位置合わせするために、前記複数のターゲット保持機構を前記柱状回転軸の周囲で周回方向に一体的に移動させるインデックス送り機構と、
前記処理室内にスパッタガスを供給するためのガス供給機構と、
前記正規スパッタ空間で前記スパッタガスを放電させるために、前記処理室内で前記稼動ターゲット保持機構に放電用の電力を供給する電力供給機構と
を有し、
前記磁界発生機構により前記稼動ターゲット保持機構に対して前記スパッタガスのプラズマを閉じ込めるための磁界を形成し、前記正規スパッタ空間でスパッタ処理を可能にした、
マグネトロンスパッタ装置。
【請求項１９】
前記処理室内で、前記複数のターゲット保持機構の中の前記稼動ターゲット保持機構以外の１つまたは複数のターゲット保持機構と対向する位置にダミースパッタ空間を設け、
前記電力供給機構が、前記ダミースパッタ空間で前記スパッタガスを放電させるために、前記非稼動ターゲット保持機構にも放電用の電力を供給し、
前記磁界発生機構により前記非稼動ターゲット保持機構に対して前記スパッタガスのプラズマを閉じ込めるための磁界を形成し、前記ダミースパッタ空間でダミースパッタを可能にした、
請求項１８に記載のマグネトロンスパッタ装置。
【請求項２０】
前記非稼動ターゲットに保持されるターゲットより前記ダミースパッタ空間に放出されたスパッタ粒子を受け止めて堆積させるダミースパッタ防着部を有する、請求項１９に記載のマグネトロンスパッタ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタプロセスにマグネトロン放電を利用するマグネトロンスパッタ法に係り、特に短冊形のターゲットを用いるマグネトロンスパッタ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスやフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ：Flat Panel Display）の製造では、被処理基板（半導体ウエハ、ガラス基板等）上に所定の薄膜を形成する工程とその薄膜をリソグラフィでパターニングしてエッチング加工する工程とが数多く繰り返される。スパッタ法は、ターゲット（薄膜母材）をイオン衝撃でスパッタしてターゲット材料原子を基板上に堆積させる物理的気相成長法（ＰＶＤ: Physical Vapor Deposition）の薄膜形成技術であり、半導体プロセスで広く用いられている。中でも、マグネトロンスパッタ法が最も実用的でスパッタ法の主流になっている。
【０００３】
マグネトロンスパッタ法は、一般に平行平板型の２極スパッタ装置において、カソード側のターゲットの裏側に磁石を配置して、ターゲットの表側に漏れる磁界を形成する。ここで、漏れ磁界がターゲット表面と平行になる成分を有し、その平行磁界成分がターゲット表面と平行でかつ磁力線と直交する方向でループ状に分布するように、両極性（Ｎ極／Ｓ極）の磁石を配置する。そうすると、イオンの入射によってターゲット表面からたたき出された二次電子がローレンツ力を受けて上記ループに沿ってサイクロイドの閉じた軌跡を描いて運動しながらターゲット表面付近に束縛され、マグネトロン放電によりスパッタガスのプラズマ化ないしイオン化を促進する。この技法によれば、低い圧力でも大きな電流密度が得られ、低温・高速のスパッタ成膜が可能である。
【０００４】
マグネトロンスパッタ法において、典型的な平行平板型２極スパッタの形態を採る場合は円板形または角板形のターゲットが用いられている。この場合、ターゲット表面に形成される漏れ磁界が静止していると、上記ループつまりプラズマリングと対向する部分でのみ局所的にターゲット表面が侵食されてしまい、ターゲットの有効利用率が低いばかりか、スパッタ成膜の均一性の面でも望ましくない。そこで、プラズマリングがターゲット表面を出来るだけ広い範囲に亘ってなぞるように、ターゲットの裏側で磁石を適宜移動（回転・直進・揺動等）させる機構を設けている。
【０００５】
特許文献１には、比較的細長い角板形つまり短冊形のターゲットを使用し、ターゲット表面の侵食領域をターゲット長手方向で移動させて、ターゲットの利用率および消耗均一性ならびにスパッタ成膜の均一性を向上させたマグネトロンスパッタ装置が開示されている。
【０００６】
このマグネトロンスパッタ装置においては、ターゲットの背後で、ターゲット長手方向と平行に延びる柱状回転軸の外周にＮ極の板磁石およびＳ極の板磁石を軸方向に一定の間隔を空けてそれぞれ螺旋状に貼り付けてなる回転磁石群を構成するとともに、ターゲットと略同等の外郭寸法（幅寸法・長さ寸法）を有し、ターゲットの背面に近接した位置でそれら回転磁石群の周囲を取り囲む矩形の枠状固定外周板磁石を設ける。かかる磁界発生機構によれば、ターゲットのおもて面上に螺旋のピッチに略等しい短軸とターゲットの幅寸法に略等しい長軸とを有する略楕円形のプラズマリングを軸方向に並べて多数形成することができる。そして、回転磁石群を柱状回転軸と一体に回転させることにより、それら多数のプラズマリングをターゲット長手方向で移動させるようにしている。
【特許文献１】国際公開ＷＯ２００７／０４３４７６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１で開示されたマグネトロンスパッタ装置においては、上記のような柱状回転軸に取り付けられる回転磁石群とその周囲に配置される固定外周板磁石との磁気的結合の構造上、原理的には、短冊形ターゲットのサイズが、軸方向では特に限界はないが、幅方向では１２０〜１３０ｍｍ位が限界であるとされている。したがって、一般のＦＰＤ用基板はもちろん大口径（たとえば３００ｍｍ）の半導体ウエハでも、１つの短冊形ターゲットを用いて基板の全面にスパッタ膜を形成するには、ターゲットおよび基板の両者を静止させる方式は使えず、両者を一方向で相対的に移動させて基板の一端から他端までスパッタ成膜の走査を行う方式が採られる。通常は、ターゲット側を固定し、ターゲット正面のスパッタ空間を基板が横切って通過するように基板を移動させるようにしている。
【０００８】
このような走査方式を採ることによって、装置を連続的に動作させ、稼動率を最大限に上げることはできる。しかしながら、ＦＰＤ製造ラインあるいは半導体製造ラインにおいて、様々な減圧処理装置からなるインラインシステムにマグネトロンスパッタ装置を組み込む場合は、稼動率だけでなく装置１台当たりの生産効率が装置採用の重要な要件になる。すなわち、生産効率が低ければ、それを補うために装置台数を増やす結果、装置コストはもちろんフットプリントが増大するという不利点があり、装置性能の評価は下がる。
【０００９】
本発明は、上記のような従来技術の実状および問題点に鑑みてなされたものであって、マグネトロンスパッタ法におけるスパッタ処理効率ないし生産効率の飛躍的な向上を実現するマグネトロンスパッタ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の目的を達成するために、本発明の第１の観点におけるマグネトロンスパッタ装置は、１本の柱状回転軸の外周面に所定の配列パターンで取り付けられた複数の板状磁石からなる回転磁石群を含み、前記回転磁石群を前記柱状回転軸と一体に回転駆動する磁界発生機構と、各々が前記回転磁石群に背を向けて前記柱状回転軸と平行に延び、前記柱状回転軸の半径方向で相互に重なり合わないように前記回転磁石群の周囲に設けられる複数のターゲット保持機構と、前記複数のターゲット保持機構のおもて面に対向させて被処理基板をそれぞれ個別に出し入れ可能に収容する減圧可能な複数の処理室と、各々の前記処理室内にスパッタガスを供給するためのガス供給機構と、各々の前記処理室内で前記スパッタガスのプラズマを生成するために、各々前記ターゲットに放電用の電力を供給する電力供給機構とを有し、前記磁界発生機構により前記スパッタガスのプラズマを閉じ込めるための磁界を形成し、前記複数の処理室内でスパッタ処理を可能とする。
【００１１】
上記第１の観点におけるマグネトロンスパッタ装置においては、上記の構成により、単一または共通の磁界発生機構を用いて複数の処理室で複数のターゲットにより複数の基板に同一材質あるいは異種材質の薄膜を同時形成することが可能であり、コンパクトな装置一台で装置二台分のスループットないし生産効率を実現することができる。また、マグネトロン放電特性に最も影響する磁界発生機構が複数の処理室に対して共通であるため、処理室間の機差をなくすことも可能である。
【００１２】
柱状回転軸の周囲に設けられるターゲット保持機構が２つの場合は、それら２つのターゲット保持機構は柱状回転軸を挟んで互いに平行に配置されてよい。
【００１３】
本発明の好適な一態様においては、磁界発生機構が、複数のターゲット保持機構に保持されるターゲットのおもて面上において、柱状回転軸の軸方向に対して交わる方向に延びる円形または楕円形のプラズマリングを形成し、回転磁石群を回転させることによりプラズマリングを柱状回転軸の軸方向と平行に移動させる。
【００１４】
別の好適な一態様においては、磁界発生機構が、回転磁石群の各々を取り囲むようにそれぞれ配置された複数の固定外周板磁石または強磁性体を有する。この場合、好ましくは、回転磁石群を構成する板状磁石が、表面がＮ極およびＳ極の一方に磁化されており、表面がＮ極およびＳ極の他方に磁化された他の板状磁石または強磁性体と前記柱状回転軸の外周面に沿って帯状に並進しながら巻かれるような配列パターンで前記柱状回転軸に取り付けられる。また、好ましくは、固定外周板磁石は、板厚方向で磁化されており、そのＮ極またはＳ極のいずれか一方の磁極がターゲット保持機構と対向するように配置されてよい。
【００１５】
好適な一態様において、回転磁石群を構成する板状磁石は、板厚方向で磁化されており、Ｎ極とＳ極とがそれぞれ帯状に柱状回転軸の外周面に沿って柱状回転軸の軸方向の位置を変化させながら一周するかまたは螺旋状に巻かれるような磁極リングが柱状回転軸の軸方向に一定のピッチで１つまたは複数形成される配列パターンで前記柱状回転軸に取り付けられる。そして、固定外周板磁石は、板厚方向で磁化されており、そのＮ極またはＳ極のいずれか一方の磁極が前記ターゲット保持機構と対向するように配置される。
【００１６】
別の好適な一態様においては、電力供給機構が、複数のターゲット保持機構にそれぞれ個別的に電気的に接続される複数の直流電源および／または複数の高周波電源を有する。この場合、好ましくは、電力供給機構より複数のターゲット保持機構にそれぞれ与えられる高周波を相互に隔離するために、複数のターゲット保持機構の背面側の高周波給電部をそれぞれ個別的に覆う電気的に接地された導電体カバーが設けられる。そして、複数のターゲット保持機構がターゲットを背面側から支持する複数の導電性バッキングプレートをそれぞれ有し、各々のターゲットは各対応するバッキングプレートを介して電力供給機構に電気的に接続される。
【００１７】
別の好適な一態様においては、磁界発生機構より複数のターゲット保持機構にそれぞれ与えられる磁界を相互に隔離するために、複数のターゲット保持機構の背面側の磁界空間をそれぞれ個別的に覆う複数の磁性体カバーが設けられる。
【００１８】
別の好適な一態様においては、各々の処理室内で、ターゲット保持機構の正面に設けられるスパッタ空間を基板が横切って通過するように、ターゲット保持機構と平行でかつ柱状回転軸の軸方向と直交する方向に基板を移動させる基板移動機構が備えられる。好ましくは、基板移動機構が基板を重力の方向に略平行な姿勢で移動させるように、装置各部が縦型に配置されてよい。典型的には、柱状回転軸の軸方向が重力の方向に略一致するように、装置各部が配置されてよい。
【００１９】
また、本発明のマグネトロンスパッタ装置は、複数の処理室の間に基板を減圧下で搬送するための搬送室を設けて、搬送室を介して各々の基板を複数の処理室の間で転送し、各々の基板に対して各処理室毎の成膜処理をインラインで連続的に施す構成を採ることができる。
【００２０】
本発明の第２の観点におけるマグネトロンスパッタ装置は、第１の柱状回転軸の外周面に所定の配列パターンで取り付けられた複数の板状磁石からなる第１の回転磁石群を含み、前記第１の回転磁石群を前記第１の柱状回転軸と一体に回転駆動する第１の磁界発生機構と、前記第１の回転磁石群に背を向けて前記第１の柱状回転軸と平行に延び、前記第１の回転磁石群の片側に配置される第１のターゲット保持機構と、前記第１の回転磁石群に背を向けて前記第１の柱状回転軸と平行に延び、前記第１のターゲット保持機構と平行に向かい合って前記第１の回転磁石群の反対側に配置される第２のターゲット保持機構と、前記第１の柱状回転軸から離間してそれと平行に延びる第２の柱状回転軸の外周面に所定の配列パターンで取り付けられた複数の板状磁石からなる第２の回転磁石群を含み、前記第２の回転磁石群を前記第２の柱状回転軸と一体に回転駆動する第２の磁界発生機構と、前記第２の回転磁石群に背を向けて前記第２の柱状回転軸と平行に延び、前記第１のターゲット保持機構と略面一で前記第２の回転磁石群の片側に配置される第３のターゲット保持機構と、前記第２の回転磁石群に背を向けて前記第２の柱状回転軸と平行に延び、前記第３のターゲット保持機構と平行に向かい合い、かつ前記第２のターゲット保持機構と略面一で前記第２の回転磁石群の反対側に配置される第４のターゲット保持機構と、前記第１、第２、第３および第４のターゲット保持機構のおもて面に対向させて被処理基板を出し入れ可能にそれぞれ収容する減圧可能な第１、第２、第３および第４の処理室と、前記第１、第２、第３および第４の処理室内にスパッタガスを供給するためのガス供給機構と、前記第１、第２、第３および第４の処理室内で前記スパッタガスのプラズマを生成するために、前記第１、第２、第３および第４のターゲット保持機構に放電用の電力を供給する電力供給機構とを有し、前記第１の磁界発生機構により第１および第２のターゲット保持機構に対して前記スパッタガスのプラズマを閉じ込めるための磁界を形成して、前記第１および第２の処理室内でスパッタ処理を可能とし、前記第２の磁界発生機構により第３および第４のターゲット保持機構に対して前記スパッタガスのプラズマを閉じ込めるための磁界を形成して、前記第３および第４の処理室内でスパッタ処理を可能とする。
【００２１】
上記第２の観点におけるマグネトロンスパッタ装置においては、第１の磁界発生機構に対する第１および第２の処理室の並列配置と第２の磁界発生機構に対する第３および第４の処理室の並列配置とにより、４つの処理室で４つのターゲットを用いて４枚の基板に同一材質あるいは異種材質の薄膜を同時形成することが可能であるとともに、第１および第３の処理室の直列配置と第２および第４の処理室の直列配置とにより同一基板に対する同種または異種の薄膜の積層形成をスムースに効率よく行うことができる。
【００２２】
本発明の好適な一態様によれば、第１および第３の処理室内で、第１および第３のターゲット保持機構の正面にそれぞれ設けられる第１および第３のスパッタ空間を第１の被処理基板が横切って順次通過するように、第１および第３のターゲット保持機構と平行でかつ第１および第２の柱状回転軸の軸方向と直交する方向に第１の被処理基板を移動させる第１の基板移動機構と、第２および第４の処理室内で、第２および第４のターゲット保持機構の正面にそれぞれ設けられる第２および第４のスパッタ空間を第２の被処理基板が横切って順次通過するように、第２および第４のターゲット保持機構と平行でかつ第１および第２の柱状回転軸の軸方向と直交する方向に第２の被処理基板を移動させる第２の基板移動機構とが設けられる。
【００２３】
本発明の第３の観点におけるマグネトロンスパッタ装置は、１本の柱状回転軸の外周面に所定の配列パターンで取り付けられた複数の板磁石からなる回転磁石群を含み、前記回転磁石群を前記柱状回転軸と一体に回転駆動する磁界発生機構と、各々が前記回転磁石群に背を向けて前記柱状回転軸と平行に延び、前記柱状回転軸の半径方向で相互に重なり合わないように前記回転磁石群の周囲に設けられる複数のターゲット保持機構と、前記複数のターゲット保持機構を一括収容し、被処理基板を出し入れ可能に収容する減圧可能な処理室と、前記複数のターゲット保持機構の中の所望の一つを稼動ターゲット保持機構として前記処理室内に設定された正規スパッタ空間と対向する所定の稼動位置に位置合わせするために、前記複数のターゲット保持機構を前記柱状回転軸の周囲で周回方向に一体的に移動させるインデックス送り機構と、前記処理室内にスパッタガスを供給するためのガス供給機構と、前記正規スパッタ空間で前記スパッタガスを放電させるために、前記処理室内で前記稼動ターゲット保持機構に放電用の電力を供給する電力供給機構とを有し、前記磁界発生機構により前記稼動ターゲット保持機構に対して前記スパッタガスのプラズマを閉じ込めるための磁界を形成し、前記正規スパッタ空間でスパッタ処理を可能とする。
【００２４】
上記第３の観点におけるマグネトロンスパッタ装置においては、複数のターゲット保持機構の中からスパッタ成膜処理に供される稼動ターゲット保持機構をインデックス送り機構により任意に選択ないし切り替えることにより、１つの基板上に異種材質または同種材質の薄膜を連続的にスパッタ成膜することができる。
【００２５】
本発明の好適な一態様においては、処理室内で、複数のターゲット保持機構の中の稼動ターゲット保持機構以外の１つまたは複数のターゲット保持機構と対向する位置にダミースパッタ空間を設け、電力供給機構が、ダミースパッタ空間でスパッタガスを放電させるために、非稼動ターゲット保持機構にも放電用の電力を供給し、磁界発生機構により非稼動ターゲット保持機構に対して前記スパッタガスのプラズマを閉じ込めるための磁界を形成し、ダミースパッタ空間でダミースパッタを可能とする。
【００２６】
好適には、非稼動ターゲット保持機構に保持されるターゲットよりダミースパッタ空間に放出されたスパッタ粒子を受け止めて堆積させるダミースパッタ防着部を設けてよい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明のマグネトロンスパッタ装置によれば、上記のような構成および作用により、マグネトロンスパッタ法におけるスパッタ処理効率ないし生産効率を大幅に向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、添付図を参照して本発明の好適な実施の形態を説明する。
［第１の実施形態］
【００２９】
図１〜図６につき、本発明の第１の実施形態におけるマグネトロンスパッタ装置を説明する。
【００３０】
図１に、この実施形態におけるマグネトロンスパッタ装置１０の構成を示す。  このマグネトロンスパッタ装置１０は、被処理基板Ｐを垂直に立てて（つまり重力の方向に略平行な基板姿勢にして）移動（通過）させながらスパッタ成膜処理を行う縦型通過式のスパッタ装置であって、左右（図１では上下）対称の双子ターゲット１２Ｌ，１２Ｒを備える二枚同時処理型のスパッタ装置として構成されている。
【００３１】
ここで、図２Ａおよび図２Ｂに、このマグネトロンスパッタ装置１０に装着される双頭型スパッタガンの外観構成（特に左右対称性）を模式的に示す。図示のように、１つのスパッタガン・ユニット１４の左側面１４Ｌおよび右側面１４Ｒに、短冊形の細長い矩形平板型ターゲット１２Ｌ，１２Ｒがバッキングプレート１６Ｌ，１６Ｒに貼り付けられた状態でそれぞれ取り付けられる。両ターゲット１２Ｌ，１２Ｒは薄膜原料となる任意の材質（金属、絶縁物等）からなり、両者の材質・サイズは同一であっても異なっていてもよい。バッキングプレート１６Ｌ，１６Ｒは、任意の導電体からなり、通常は銅系の金属を用いる。スパッタガン・ユニット１４の内側には、後述するマグネトロン放電用の可動磁石（回転磁石群４８）を含む磁界発生機構４２（図１）が設けられる。
【００３２】
図１において、スパッタガン・ユニット１４の左右両側に減圧可能な真空チャンバ１８Ｌ，１８Ｒが結合される。これらのチャンバ１８Ｌ，１８Ｒは、たとえばアルミニウムからなり、電気的に保安接地されており、ターゲット１２Ｌ，１２Ｒの板面と平行な水平方向（Ｘ方向）にまっすぐ延びる廊下状の処理室２０Ｌ，２０Ｒをそれぞれ形成している。
【００３３】
チャンバ１８Ｌ，１８Ｒ内には、模式的に点線で示すように、被処理基板ＰL，ＰRをＸ方向で移動させるための基板搬送路２２Ｌ，２２Ｒがそれぞれ敷設されている。たとえば、基板ＰL，ＰRを垂直姿勢に保持する縦型のトレイ２４Ｌ，２４Ｒを基板搬送路２２Ｌ，２２Ｒ上で移動可能とし、リニアモータ（図示せず）等からなる搬送駆動部が縦型トレイ２４Ｌ，２４Ｒを基板ＰL，ＰRと一体に搬送駆動するようになっている。
【００３４】
両チャンバ１８Ｌ，１８Ｒの側壁、底壁あるいは天井壁には、スパッタガス供給部２６Ｌ，２６Ｒからのガス供給管２８Ｌ，２８Ｒとそれぞれ接続するガス供給口３０Ｌ，３０Ｒや、排気装置３２Ｌ，３２Ｒに通じる排気管３４Ｌ，３４Ｒとそれぞれ接続する排気口３６Ｌ，３６Ｒ等が設けられている。また、図示省略するが、両チャンバ１８Ｌ，１８Ｒの長手方向（Ｘ方向）の両端には基板Ｐを出し入れするための開閉可能な搬入出口が設けられている。
【００３５】
スパッタガン・ユニット１４の左右両側面に配置されるバッキングプレート１６Ｌ，１６Ｒは、矩形枠状の絶縁体３８Ｌ，３８Ｒを介してチャンバ１８Ｌ，１８Ｒの内側壁の矩形開口４０Ｌ，４０Ｒを閉塞するようにそれぞれ取り付けられる。両バッキングプレート１６Ｌ，１６Ｒには、図示省略するが、チラー装置等より循環供給される冷却媒体を流すための通路が形成されている。
【００３６】
両バッキングプレート１６Ｌ，１６Ｒの裏側スペース、つまり両者（１６Ｌ，１６Ｒ）の間のスペースに、両ターゲット１２Ｌ，１２Ｒのおもて面上にマグネトロン放電用の漏れ磁界を形成するための磁界発生機構４２が設けられている。この磁界発生機構４２は、１本の柱状回転軸４４の外周面に所定の配列パターンで取り付けられた複数の板状磁石４６からなる回転磁石群４８と、この回転磁石群４８を柱状回転軸４４と一体に回転駆動する回転駆動部（図示せず）と、回転磁石群４８の中の一部の磁石との間で両ターゲット１２Ｌ，１２Ｒのおもて面上に漏れ磁界の一部を形成するための固定外周板磁石５０Ｌ，５０Ｒとを有する。磁界発生機構４２の各部の構成および作用は後に詳述する。
【００３７】
バッキングプレート１６Ｌ，１６Ｒの裏面には、ターゲット１２Ｌ，１２Ｒの背面側の磁界空間をそれぞれ個別的に覆う筒状の磁性体カバー５２Ｌ，５２Ｒが取り付けられている。これらの磁性体カバー５２Ｌ，５２Ｒは、磁界発生機構４２より両ターゲット１２Ｌ，１２Ｒにそれぞれ与えられる磁界を内側に閉じ込めて相互に隔離するとともに、周囲の外部磁界からの影響を防止（遮断）するための磁気シールドとして機能する。
【００３８】
さらに、磁界発生機構４２からみて磁性体カバー５２Ｌ，５２Ｒの外側で、放電用の電力を導入するための給電路または伝送路を構成するたとえばアルミニウムからなる筒状の給電体５４Ｌ，５４Ｒがバッキングプレート１６Ｌ，１６Ｒの裏面にそれぞれ取り付けられている。
【００３９】
放電用の電力を供給する電力供給機構５６は、左右の両ターゲット１２Ｌ，１２Ｒに対してそれぞれ専用の高周波／直流電源を備えている。
【００４０】
第１の高周波電源５８Ｌは、整合器６０Ｌ、給電線６２Ｌおよび給電体５４Ｌを介して左側のバッキングプレート１６Ｌに電気的に接続されている。第１の直流電源６４Ｌも、給電線６２Ｌおよび給電体５４Ｌを介して左側バッキングプレート１６Ｌに電気的に接続されている。ターゲット１６Ｌが誘電体であるときは、高周波電源５８Ｌのみが使用される。ターゲット１６Ｌが金属であるときは、直流電源６４Ｌのみが使用され、あるいは直流電源６４Ｌと高周波電源５８Ｌが併用される。
【００４１】
第２の高周波電源５８Ｒは、整合器６０Ｒ、給電線６２Ｒおよび給電体５４Ｒを介して右側のバッキングプレート１６Ｒに電気的に接続されている。第２の直流電源６４Ｒも、給電線６２Ｒおよび給電体５４Ｒを介して右側のバッキングプレート１６Ｒに電気的に接続されている。ターゲット１６Ｒが誘電体であるときは、高周波電源５８Ｒのみが使用される。ターゲット１６Ｒが金属であるときは、直流電源６４Ｒのみが使用され、あるいは直流電源６４Ｒと高周波電源５８Ｒが併用される。
【００４２】
また、磁界発生機構４２からみて筒状給電体５４Ｌ，５４Ｒの外側でチャンバ１８Ｌ，１８Ｒに導電体カバー６６が取り付けられている。この導電体カバー６６は、左右の筒状給電体５４Ｌ，５４Ｒの間に、さらには左右の磁性体カバー５２Ｌ，５２Ｒの間に割り込むように延びている。この導電体カバー６６は、たとえばアルミニウムからなり、チャンバ１８Ｌ，１８Ｒを介して電気的に接地されており、電力供給機構５６より両ターゲット１２Ｌ，１２Ｒにそれぞれ与えられる高周波を相互に隔離するように機能する。
【００４３】
両チャンバ１８Ｌ，１８Ｒ内において、両ターゲット１２Ｌ，１２Ｒの正面にスパッタ空間６８Ｌ，６８Ｒがそれぞれ設定されるとともに、スパッタ空間６８Ｌ，６８ＲをＸ方向に横切って通過する基板ＰL，ＰRの被処理面上のスパッタ領域を所望の形状・サイズに限定するためのスリット７０Ｌ，７０Ｒがそれぞれ設けられる。スリット７０Ｌ，７０Ｒを形成する板体７２は、たとえばアルミニウム等の導体からなり、物理的かつ電気的にチャンバ１８Ｌ，１８Ｒに結合されており、基板ＰL，ＰRが電気的にフローティング状態にあってもプラズマを効率よく励起させるためのグランドプレートとしての機能も有している。
【００４４】
図３に、磁界発生機構４２を構成する柱状回転軸４４、回転磁石群４８およびこれを構成する多数の板磁石４６、固定外周板磁石５０Ｌ（５０Ｒ）、常磁性体７４Ｌ（７４Ｒ）について、その鳥瞰図とバッキングプレート１６Ｌ（１６Ｒ）側から除き見た状態の平面図を示す。
【００４５】
柱状回転軸４４は、たとえばNi-Fe系高透磁率合金からなり、図示しない伝動機構を介してモータに接続され、所望の回転数（たとえば６００ｒｐｍ）で回転駆動されるようになっている。
【００４６】
柱状回転軸４４の外周面は多角形たとえば正八角形となっており、八面体の各面に菱形の板磁石４６が所定の配列で多数取り付けられている。これらの板磁石４６には、残留磁束密度が１．１Ｔ程度のSm-Co系焼結磁石あるいは残留磁束密度が１．３Ｔ程度のNd-Fe-Ｂ系焼結磁石を好適に使用できる。板磁石４６はその板面の垂直方向（板厚方向）に磁化されており、柱状回転軸４４に螺旋状に貼り付けられて複数の螺旋を形成し、柱状回転軸４４の軸方向に隣り合う螺旋同士が柱状回転軸４４の径方向外側に互いに異なる磁極、すなわちＮ極とＳ極を形成している。いわば、帯状のＮ極と帯状のＳ極とが共通の柱状回転軸４４の外周面に沿って並進しながら螺旋状に巻かれた構造になっている。
【００４７】
固定外周板磁石５０Ｌ（５０Ｒ）は、ターゲット１２Ｌ（１２Ｒ）に近接した位置で回転磁石群４８を取り囲むように矩形の枠状に形成されており、ターゲット１２Ｌ（１２Ｒ）あるいはバッキングプレート１６Ｌ（１６Ｒ）と対向する側の面がＳ極で反対側の面がＮ極になっている。この固定外周板磁石５０Ｌ（５０Ｒ）も、たとえばNd-Fe-Ｂ系焼結磁石で構成されてよい。
【００４８】
上記のように柱状回転軸４４に多数の板磁石４６を螺旋状に配置した場合、図４の（ａ）に示すように、近似的にはターゲット１２Ｌ（１２Ｒ）側と対向する面で帯状に延びる板磁石４６のＮ極の周りを付近の他の板磁石４６および固定外周板磁石５０Ｌ（５０Ｒ）のＳ極が囲んでいる。これにより、板磁石４６のＮ極から出た磁力線の一部は、曲線を描いて、バッキングプレート１６Ｌ（１６Ｒ）２を貫通してターゲット１２Ｌ（１２Ｒ）のおもて面上にいったん抜け出た後、そこから反対方向にバッキングプレート１６Ｌ（１６Ｒ）を通り抜けて付近のＳ極で終端する。ここで、ターゲット１２Ｌ（１２Ｒ）おもて面上の漏れ磁界の中の水平成分が二次電子をローレンツ力で補足するのに寄与する。
【００４９】
かかる構成の磁界発生機構４２によれば、ターゲット１２Ｌ（１２Ｒ）のおもて面上に、図４の（ａ），（ｂ）に点線で示すような楕円ループ状のパターン７６に二次電子ないしプラズマを閉じ込めて、同形状のプラズマリング７６を軸方向に並べて多数生成することができる。これらのプラズマリング７６は、固定外周板磁石５０Ｌ（５０Ｒ）の幅寸法に応じた長軸と螺旋ピッチに応じた短軸とを有する。したがって、ターゲット１２Ｌ（１２Ｒ）の幅寸法に応じて固定外周板磁石５０Ｌ（５０Ｒ）の幅寸法を選定することで、プラズマリング７６の長軸がターゲットの一端から他端までカバーするサイズに調整できる。そして、柱状回転軸４４を回転駆動することにより、その回転方向および回転速度に応じた進行方向および進行速度で各プラズマリング７６を軸方向つまりターゲット長手方向で移動させることができる。
【００５０】
なお、ターゲット１２Ｌ（１２Ｒ）側から見て固定外周板磁石５０Ｌ（５０Ｒ）の背面には同形の固定外周常磁性体７４Ｌ（７４Ｒ）が取り付けられ、この固定外周常磁性体７４Ｌ，７４Ｒは常磁性体からなる板状のジョイント７８Ｌ，７８Ｒを介してバッキングプレート１６Ｌ（１６Ｒ）ないし磁性体カバー５２Ｌ（５２Ｒ）に接続されている。固定外周板磁石５０Ｌ（５０Ｒ）の背面（Ｎ極）から出た磁力線は固定外周常磁性体７４Ｌ（７４Ｒ）に入り、外部に拡散しないようになっている。
【００５１】
図５に、回転磁石群４８の別の構成例を示す。この構成例の回転磁石群４８は、Ｎ極とＳ極とがそれぞれ帯状に柱状回転軸４４の外周面に沿って柱状回転軸４４の軸方向の位置を変化させながら一周するような磁極リング８０が柱状回転軸４４の軸方向に一定のピッチで多数形成される配列パターンで、多数の板磁石４６を柱状回転軸４４の外周面に貼り付けている。
【００５２】
より詳細には、柱状回転軸４４の軸方向に隣り合う磁極リング（リング状板磁石群）８０同士がおもて面側の磁極を逆極性（Ｎ極，Ｓ極）としており、柱状回転軸４４の周回方向で一周する間に各磁極リング８０の軸方向の位置が所定のパターンで変化している。
【００５３】
図５の（ｂ）に、柱状回転軸４４の表面および回転磁石群４８の展開図を示す。図示のように、各々の磁極リング８０は、柱状回転軸４４の周回方向に沿って軸方向に変位し、１８０°で所定量（たとえば１ピッチ分）変位し、３６０°で元の位置に戻るパターンとなっている。
【００５４】
この構成例においては、回転磁石群４８を柱状回転軸４４と一緒に一方向（たとえば時計回り）に回転させると、ターゲット１２Ｌ（１２Ｒ）のおもて面上でプラズマリング７６がターゲット長手方向に往復運動（揺動）する。
【００５５】
なお、この実施形態の磁界発生機構４２において、回転磁石群４８を構成するＮ極螺旋部（あるいはＮ極リング）とＳ極螺旋部（あるいはＳ極リング）との間で幅サイズやピッチを異ならせる構成も可能である。
【００５６】
なお、磁界発生機構４２において、固定外周板磁石５０Ｌ（５０Ｒ）を強磁性体で構成することも可能であり、常磁性体７４Ｌ（７４Ｒ）を他の磁性体たとえば強磁性体に置き換える構成も可能である。
【００５７】
次に、このマグネトロンスパッタ装置の全体的な動作を説明する。このマグネトロンスパッタ装置を稼動させるときは、スパッタガス供給部２６Ｌ，２６Ｒよりスパッタガス（たとえばＡｒガス）を所定の流量で気密状態のチャンバ１８Ｌ，１８Ｒ内に導入し、排気装置３２Ｌ，３２Ｒによりチャンバ１８Ｌ，１８Ｒ内の圧力を設定値にする。さらに、高周波電源５８Ｌ，５８Ｒおよび／または直流電源６４Ｌ，６４Ｒをオンにして、所定周波数（たとえば１３．５６ＭＨｚ）の高周波および／または直流電圧を所定のパワーでカソードの両ターゲット１２Ｌ，１２Ｒにそれぞれ印加する。
【００５８】
また、スパッタガン・ユニット１４内の磁界発生機構４２をオンにして、ターゲット１２Ｌ，１２Ｒのおもて面付近にマグネトロン放電によって生成されるプラズマをリング状に閉じ込め、かつリング状のプラズマ（プラズマリング）を所定方向（ターゲット長手方向つまりＺ方向）で移動させる。プラズマリングからのイオンの入射によってターゲット１２Ｌ，１２Ｒのおもて面からそれぞれスパッタ粒子が放出される。
【００５９】
一方、チャンバ１８Ｌ，１８Ｒ内では、縦型トレイ２４Ｌ，２４Ｒが基板ＰL，ＰRを垂直姿勢に保持して基板搬送路２２Ｌ，２２ＲをＸ方向に移動し、基板ＰL，ＰRがスパッタ空間６８Ｌ，６８ＲをＸ方向に横切って通過する。これにより、ターゲット１２Ｌ，１２Ｒから放出されてスリット７０Ｌ，７０Ｒを通り抜けたスパッタ粒子は、スパッタ空間６８Ｌ，６８Ｒを通過する基板ＰL，ＰRの被処理面に入射してそこに堆積する。
【００６０】
このような走査方式によりＸ方向で基板ＰL，ＰRの一端から他端までスパッタ成膜が同時に施され、基板ＰL，ＰRの被処理面全体に同時に薄膜が形成される。上記したようにターゲット１２Ｌ，１２Ｒの材質は各々独立に選定可能であり、一台の装置で２枚の基板ＰL，ＰR上に同一材質あるいは異種材質の薄膜を同時形成することができる。
【００６１】
また、マグネトロン放電特性に最も影響する磁界発生機構４２が左右のチャンバ１８Ｌ，１８Ｒに対して共通であるため、チャンバ１８Ｌ，１８Ｒ間の機差をなくすことも可能である。
【００６２】
なお、左右のチャンバ１８Ｌ，１８Ｒ内の搬送路２２Ｌ，２２Ｒ上で基板ＰL，ＰRを移動させる向きを互いに逆にすることも可能である。
【００６３】
上述したように、この実施形態のマグネトロンスパッタ装置は、略直方体形状を有する単一のスパッタガン・ユニット１４の相対向する２面（左側面／右側面）に双子ターゲット１２Ｌ，１２Ｒを備え、スパッタガン・ユニット１４の左右両側で２枚の基板Ｐi，Ｐj上に同一材質あるいは異種材質の薄膜を同時形成することが可能であり、コンパクトな装置構造でありながら、装置一台で装置二台分のスループットないし生産効率を実現することができる。
【００６４】
この実施形態の一応用例として、図６に示すように、基板Ｐi，Ｐjの移動方向（Ｘ方向）に沿って複数台のスパッタガン・ユニット１４(1)，１４(2)，・・を一列または直列に配置する構成により、本発明による生産効率の倍増効果を一層高めることができる。
［第２の実施形態］
【００６５】
次に、図７〜図９につき、本実施形態のマグネトロンスパッタ装置１０の好適な一適用例として有機ＥＬディスプレイ製造用のインラインシステムを説明する。
【００６６】
図７に示すように、このインラインシステムは、一方向（Ｘ方向）に左右２列で、一対のローダ１００Ｌ，１００Ｒ、一対のクリーニング装置１０２Ｌ，１０２Ｒ、一対の多層式有機層蒸着装置１０４Ｌ，１０４Ｒ、一対のＬi蒸着装置１０６Ｌ，１０６Ｒ、一対の第１横／縦姿勢変換装置１０８Ｌ(1)，１０８Ｒ(1)、縦型の第１マグネトロンスパッタ装置１０(1)、一対の第１縦／横姿勢変換装置１１０Ｌ(1)，１１０Ｒ(1)、一対のエッチング装置１１２Ｌ，１１２Ｒ、一対の第１封止膜ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置１１４Ｌ(1)，１１４Ｒ(1)、一対の第２横／縦姿勢変換装置１０８Ｌ(2)，１０８Ｒ(2)、縦型の第２マグネトロンスパッタ装置１０(2)、一対の第２縦／横姿勢変換装置１１０Ｌ(2)，１１０Ｒ(2)、一対の第２封止膜ＣＶＤ装置１１４Ｌ(2)，１１４Ｒ(2)および一対のアンローダ１１６Ｌ，１１６Ｒをこの順に並べて配置している。
【００６７】
上記ライン上の装置群の中で、初段のローダ１００Ｌ，１００Ｒは、大気圧の下で未処理の基板ＰL，ＰRを導入し、室内を大気圧状態から減圧状態にしたうえで、基板ＰL，ＰRを後段のクリーニング装置１０２Ｌ，１０２Ｒへ送る。クリーニング装置１０２Ｌ，１０２Ｒから第２封止膜ＣＶＤ装置１１４Ｌ(2)，１１４Ｒ(2)までの装置は、いずれも減圧処理装置または減圧姿勢変換装置である。最後段のアンローダ１１６Ｌ，１１６Ｒは、減圧下で処理済の基板ＰL，ＰRを第２封止膜ＣＶＤ装置１１４Ｌ(2)，１１４Ｒ(2)から受け取り、室内を減圧状態から大気圧状態にしたうえで、基板ＰL，ＰRを大気圧下の外に搬出する。
【００６８】
なお、図７において、ＰLは左側のプロセスライン（１００Ｌ〜１１６Ｌ）上で一連の処理を受ける基板を示し、ＰRは右側のプロセスライン（１００Ｒ〜１１６Ｒ）上で一連の処理を受ける基板を示す。
【００６９】
図８および図９につき、このインラインシステムにおける有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明する。
【００７０】
先ず、ローダ１００Ｌ，１００Ｒに搬入される基板ＰL，ＰRは、たとえばガラスなどの透明な板材またはシート等からなり、図８の（ａ）に示すように、その素子形成面１２０上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明な導電性材料からなる陽電極１２２と、後の工程で形成される陰電極１２２の引き出し線１２４とを予め形成している。
【００７１】
基板ＰL，ＰRは、水平な姿勢でローダ装置１００Ｌ，１００Ｒに搬入され、水平姿勢を保ったまま隣室のクリーニング装置１０２Ｌ，１０２Ｒで被処理面をたとえばドライクリーニング法でクリーニングされる。
【００７２】
次に、基板ＰL，ＰRは多層式有機層蒸着装置１０４Ｌ，１０４Ｒの室内で水平姿勢を保ったままＸ方向に搬送され、その間に蒸着法により基板上に有機層が多層（たとえば６層）に重ねて形成される。すなわち、図８の（ｂ）に示すように、陽電極１２２、引き出し線１２４および基板ＰL，ＰRの素子形成面１２０の露出部を覆うように、発光層（有機ＥＬ層）を含む６層の有機層１２６が形成される。なお、この蒸着処理にあたっては、マスクは用いず、実質的に基板の全面に有機層１２６を被着する。
【００７３】
また、この蒸着プロセスは、基板ＰL，ＰRの被処理面を上に向けて、つまりフェースアップで行われる。このフェースアップ方式の蒸着を行うために、多層式有機層蒸着装置１０４Ｌ，１０４Ｒは、気体からなる成膜原料ガスを先ず基板Ｐ上まで輸送し、基板ＰL，ＰR上からその成膜原料ガスを供給するように構成されている。
【００７４】
基板ＰL，ＰRは、有機層蒸着装置１０４Ｌ，１０４Ｒで多層構造の有機層１２６を全面被着された後、Ｌi蒸着装置１０６Ｌ，１０６Ｒに移され、そこで有機層１２６の上に仕事関数調整層として機能するＬi膜（図示せず）を蒸着法で被着される。その後、基板ＰL，ＰRは、第１横／縦姿勢変換装置１０８Ｌ(1)，１０８Ｒ(1)内で水平姿勢から垂直姿勢に変わり、本実施形態による第１の縦型マグネトロンスパッタ装置１０(1)へ送られる。
【００７５】
このマグネトロンスパッタ装置１０(1)では、たとえばパターンマスクを用いたスパッタリング法により、図８の（ｃ）に示すように、たとえばＡg膜からなる陰電極１２８が基板ＰL，ＰR上に形成される。
【００７６】
次いで、基板ＰL，ＰRは、第１縦／横姿勢変換装置１１０Ｌ(1)，１１０Ｒ(1)内で垂直姿勢から水平姿勢に変わり、水平姿勢でエッチング装置１１２Ｌ，１１２Ｒに搬入される。エッチング装置１１２Ｌ，１１２Ｒは、パターニングされている陰電極１２８をマスクにして、たとえばプラズマエッチング法により有機層１２６をエッチング加工して、図９の（ｄ）に示すように、有機層１２６をパターニングする。このエッチング工程は、基板ＰL，ＰRの被処理面を上に向けてフェースアップで行われてよい。
【００７７】
次に、基板ＰL，ＰRは第１封止膜ＣＶＤ装置１１４Ｌ(1)，１１４Ｒ(1)に移され、そこでパターンマスクを用いたＣＶＤ法によりフェースアップで基板ＰL，ＰR上に保護膜が形成される。すなわち、図９の（ｅ）に示すように、陽電極１２２の一部と、有機膜１２６および陰電極１２８を覆うように、たとえば窒化シリコン（ＳiＮ）からなる絶縁性の保護膜１３０がパターニング形成される。
【００７８】
次に、基板ＰL，ＰRは、第２横／縦姿勢変換装置１０８Ｌ(2)，１０８Ｒ(2)内で水平姿勢から垂直姿勢に変わり、本実施形態による第２の縦型マグネトロンスパッタ装置１０(2)に搬入される。
【００７９】
このマグネトロンスパッタ装置１０(2)では、たとえばパターンマスクを用いたスパッタリング法により、図９の（ｆ）に示すように、陰電極１２８と引き出し線１２４とを当該開口部を介して電気的に接続する接続線１３２がパターニング形成される。
【００８０】
次いで、基板ＰL，ＰRは、第２縦／横姿勢変換装置１１０Ｌ(2)，１１０Ｒ(2)内で垂直姿勢から水平姿勢に変わり、水平姿勢で第２封止膜ＣＶＤ装置１１４Ｌ(2)，１１４Ｒ(2)に搬入される。第２封止膜ＣＶＤ装置１１４Ｌ(2)，１１４Ｒ(2)では、パターンマスクを用いたＣＶＤ法によりフェースアップで基板ＰL，ＰR上に保護膜が形成される。すなわち、図９の（ｇ）に示すように、接続線１３２と引き出し線１２４の一部を覆うように、たとえば窒化シリコン（ＳiＮ）からなる絶縁性の保護膜１３４が形成される。
【００８１】
これで、このインラインシステムにおける一連の処理工程が終了し、処理済の基板ＰL，ＰRはアンローダ１１６Ｌ，１１６Ｒより搬出される。
【００８２】
上記のように、このインラインシステムでは、２台の縦型マグネトロンスパッタ装置１０(1)，１０(2)がそれぞれ左右２列のプロセスライン上で同時に稼動し、各々一台で２台分の働きをしている。
【００８３】
また、たとえば、実施形態のマグネトロンスパッタ装置１０の１台当たりのタクトタイムが他の処理装置の１台当たりのタクトタイムよりも著しく短い場合は、タクトタイムを揃えるようにプロセスラインのレイアウトを変形することができる。たとえば、有機層成膜処理部における基板Ｐ一枚分の有機層成膜処理に要する時間が６分であり、マグネトロンスパッタ装置１０における基板Ｐ一枚分のスパッタ成膜処理に要する時間が３分であるとする。この場合は、有機層成膜処理部を並列に４ライン設け、それら４ラインに対してマグネトロンスパッタ装置１０を１台で済ますことができる。
【００８４】
また、実施形態のマグネトロンスパッタ装置１０は、基板Ｐを垂直（起立）姿勢にして成膜処理を行うため、この点でもフットプリントが小さくなっており、さらにはスパッタガン・ユニット１４内部（特に磁界発生機構４２）に容易にアクセス可能であり、メンテナンス性もすぐれている。さらに、大型基板の反り量の管理も容易であり、大型基板を用いる有機ＥＬディスプレイの生産性が向上するという利点もある。
［第３の実施形態］
【００８５】
図１０に、本実施形態のマグネトロンスパッタ装置１０を含む有機ＥＬディスプレイ製造用のインラインシステムの別のレイアウトを示す。
【００８６】
このシステムは、各一台のローダ１００、クリーニング装置１０２、第１横／縦姿勢変換装置１０８(1)、縦型のマグネトロンスパッタ装置１０（特に右側チャンバ１８Ｒ）、第１縦／横姿勢変換装置１１０(1)、多層式有機層蒸着装置１０４をこの順にＸ方向の一方の向きに一列に並べて配置するとともに、矢印１４０で示すように折り返して、Ｘ方向の逆の向きにＬi蒸着装置１０６、第２横／縦姿勢変換装置１０８(2)、マグネトロンスパッタ装置１０（特に左側チャンバ１８Ｌ）、第２縦／横姿勢変換装置１１０(2)、・・、アンローダ１１６をこの順に一列に並べて配置している。
【００８７】
このシステムにおいては、ＩＴＯ膜の無い基板Ｐをローダ１００に搬入し、マグネトロンスパッタ装置１０の右側チャンバ１８Ｒでパターンマスクを用いて基板Ｐ上にＩＴＯ膜１２２を形成する。この場合、右側ターゲット１２Ｒ（図１）の母材にはＩＴＯが用いられる。
【００８８】
次いで、第１縦／横姿勢変換装置１１０(1)で基板Ｐの姿勢を垂直から水平に変えて、多層式有機層蒸着装置１０４で多層構造の有機層を形成する。次いで、基板反転装置（図示せず）により矢印１４０で示すように基板Ｐの向きを反転してから、Ｌi蒸着装置１０６で多層構造の有機層およびＬi層を基板Ｐ上に順次形成する。そして、第２横／縦姿勢変換装置１０８(2)で基板Ｐの姿勢を水平から垂直に変え、マグネトロンスパッタ装置１０の左側チャンバ１８Ｌでパターンマスクを用いて基板Ｐ上にＡg陰電極１２８を形成する。この場合、左側ターゲット１２Ｌ（図１）の母材にはＡgが用いられる。
【００８９】
このように、このシステムでは、１台のマグネトロンスパッタ装置１０において、ＩＴＯ膜形成のスパッタ処理とＡg陰電極形成のスパッタ処理とを各基板Ｐに対しては異なる工程で、異なる基板Ｐ，Ｐに対しては並列的または同時的に施すことができる。
［第４の実施形態］
【００９０】
図１１に、本実施形態のマグネトロンスパッタ装置１０を含む有機ＥＬディスプレイ製造用のインラインシステムの別のレイアウトを示す。
【００９１】
このシステムでは、縦型マグネトロンスパッタ装置１０の右側チャンバ１８Ｒで基板Ｐ上に陰電極１２８としてＡg膜を形成し、次いで基板反転装置（図示せず）により矢印１４２で示すように基板Ｐの向きを反転してから、マグネトロンスパッタ装置１０の左側チャンバ１８Ｌで上記Ａg膜上にＡl膜を積層形成する。このように別々のスパッタ成膜室（１８Ｒ，１８Ｌ）でＡg／Ａlの多層膜を形成するほうが、１つのスパッタ室で積層成膜するよりもはっきりと層の分かれた多層膜を形成することができる。
［第５の実施形態］
【００９２】
次に、図１２および図１３につき、本実施形態のマグネトロンスパッタ装置１０を太陽電池製造用のインラインシステムに適用した実施形態について説明する。
【００９３】
図１２に示すように、このインラインシステムは、一方向（Ｘ方向）に左右２列で、一対のローダ１５０Ｌ，１５０Ｒ、一対の第１横／縦姿勢変換装置１５２Ｌ(1)，１５２Ｒ(1)、第１、第２および第３の縦型マグネトロンスパッタ装置１０(1)，１０(2)，１０(3)、一対の第１縦／横姿勢変換装置１５４Ｌ(1)，１５４Ｒ(1)、一対の第１エッチング装置１５６Ｌ(1)，１５６Ｒ(1)、一対の第２横／縦姿勢変換装置１５２Ｌ(2)，１５２Ｒ(2)、第４および第５の縦型マグネトロンスパッタ装置１０(4)，１０(5)、一対の第２縦／横姿勢変換装置１５４Ｌ(2)，１５４Ｒ(2)、一対の第２エッチング装置１５６Ｌ(2)，１５６Ｒ(2)、一対の封止膜ＣＶＤ装置１５８Ｌ，１５８Ｒおよび一対のアンローダ１６０Ｌ，１６０Ｒをこの順に並べて配置している。
【００９４】
上記ライン上の装置群の中で、第１横／縦姿勢変換装置１５２Ｌ(1)，１５２Ｒ(1)から封止膜ＣＶＤ装置１５８Ｌ，１５８Ｒまでの装置はいずれも減圧処理装置または減圧姿勢変換装置である。
【００９５】
図１２において、ＰLは左側のプロセスライン（１５０Ｌ〜１６０Ｌ）上で一連の処理を受ける基板を示し、ＰRは右側のプロセスライン（１５０Ｒ〜１６０Ｒ）上で一連の処理を受ける基板を示す。
【００９６】
図１３につき、このインラインシステムにおける太陽電池の製造工程を説明する。
【００９７】
先ず、ローダ１５０Ｌ，１５０Ｒに搬入される基板ＰL，ＰRは、たとえばガラスなどの透明な板材またはシートからなり、図１３の（ａ）に示すように、ガラス基板１６２の素子形成面上に、たとえばＧe添加のＺnＯからなる透明導電膜１６４を予め形成している。
【００９８】
基板ＰL，ＰRは、水平な姿勢でローダ装置１５０Ｌ，１５０Ｒに搬入された後、隣室の第１横／縦姿勢変換装置１５２Ｌ(1)，１５２Ｒ(1)内で水平姿勢から垂直姿勢に変わり、次いで第１、第２および第３のマグネトロンスパッタ装置１０(1)，１０(2)，１０(3)で立て続けにスパッタ成膜処理を受ける。図１３の（ｂ）に示すように、第１のマグネトロンスパッタ装置１０(1)ではｐ型の非晶質シリコン層１６６ｐが形成され、第２のマグネトロンスパッタ装置１０(2)では真性（ｉ型）の非晶質シリコン層１６６ｉが形成され、第３のマグネトロンスパッタ装置１０(3)ではｎ型の非晶質シリコン層１６６ｎが形成される。こうして積層形成されたｐｉｎ構造の非晶質シリコン層（１６６ｐ，１６６ｉ，１６６ｎ）は発電層を構成する。
【００９９】
次いで、基板ＰL，ＰRは、第１縦／横姿勢変換装置１５４Ｌ(1)，１５４Ｒ(1)内で垂直姿勢から水平姿勢に変わり、水平姿勢で第１エッチング装置１５６Ｌ(1)，１５６Ｒ(1)に搬入される。第１エッチング装置１５６Ｌ(1)，１５６Ｒ(1)は、図１３の（ｃ）に示すように、たとえばレーザエッチングによって発電層（１６６ｐ，１６６ｉ，１６６ｎ）にコンタクトホール１６８を開ける。
【０１００】
次いで、基板ＰL，ＰRは、第２横／縦姿勢変換装置１５２Ｌ(1)，１５２Ｒ(1)内で水平姿勢から垂直姿勢に変わり、次いで第４および第５のマグネトロンスパッタ装置１０(4)，１０(5)で立て続けにスパッタ成膜処理を受ける。図１３の（ｄ）に示すように、第４のマグネトロンスパッタ装置１０(4)では低仕事関数金属として機能するＭg膜１７０が形成され、第５のマグネトロンスパッタ装置１０(5)ではＡｌ電極１７２が形成される。その際、コンタクトホール１６８にＡｌが埋め込まれる。
【０１０１】
次いで、基板ＰL，ＰRは、第２縦／横姿勢変換装置１５４Ｌ(2)，１５４Ｒ(2)内で垂直姿勢から水平姿勢に変わり、水平姿勢で第２エッチング装置１５６Ｌ(2)，１５６Ｒ(2)に搬入される。第２エッチング装置１５６Ｌ(2)，１５６Ｒ(2)は、図１３の（ｅ）に示すように、たとえばレーザエッチングによって電極層（１７０，１７２）および発電層（１６６ｐ，１６６ｉ，１６６ｎ）を貫通する素子分離およびパッシベーション用の溝１７４を形成する。
【０１０２】
次いで、基板ＰL，ＰRは、水平姿勢のまま第２封止膜ＣＶＤ装置１１４Ｌ(2)，１１４Ｒ(2)に搬入される。第２封止膜ＣＶＤ装置１１４Ｌ(2)，１１４Ｒ(2)では、図１３の（ｆ）に示すように、基板ＰL，ＰRの表面を覆うように、たとえば窒化シリコン（ＳiＮ）からなる絶縁性の保護膜１７６が形成される。その際、溝１７４にも絶縁膜１７６が埋め込まれる。
【０１０３】
これで、このインラインシステムにおける一連の処理工程が終了し、処理済の基板ＰL，ＰRはアンローダ１６０Ｌ，１６０Ｒより大気圧下の外へ搬出される。
【０１０４】
上記のように、この太陽電池製造用のインラインシステムでも、５台の縦型マグネトロンスパッタ装置１０(1)〜１０(5)がいずれも左右２列のプロセスライン上で同時に稼動し、各々一台で２台分の働き（全体では５台で１０台分の働き）をしており、スループットの大幅な向上が図られている。
【０１０５】
上記の例はシングル接合型の太陽電池に係るものであったが、本発明は多接合型（タンデム）型の太陽電池にも適用可能である。
【０１０６】
たとえば、図１４に示すタンデム型太陽電池の発電層は、下から順に、それぞれｐｉｎ構造の非晶質シリコン層１８０pin，微結晶シリコンゲルマニウム層１８２pinおよび微結晶ゲルマニウム層１８４pinを積層形成しており、計９層の半導体薄膜からなる。これら３種類のｐｉｎ接合体１８０pin，１８２pin，１８４pinの禁制帯幅または光吸収スペクトルは異なり、太陽光のエネルギーをより無駄なく電力に変換することができる。
【０１０７】
この場合、図１２と同様のレイアウトを採るインラインシステムは、９層構造の発電層を形成するために９台の縦型マグネトロンスパッタ装置１０(1)〜１０(９)を直列配置して、各々に左右２列のプロセスライン上で同時に稼動させてよい。また、２層構造の上部電極層（１７０，１７２）を形成するために、上記の例と同様に２台の縦型マグネトロンスパッタ装置１０(10)〜１０(11)を直列配置して、各々に左右２列のプロセスライン上で同時に稼動させてよい。したがって、システム全体では、１１台の縦型マグネトロンスパッタ装置１０(1)〜１０(11)に２２台分の働きをさせることが可能であり、シングル接合型以上にスループットの大幅な向上が図れる。
［第６の実施形態］
【０１０８】
図１５に、上記シングル接合型太陽電池製造用のインラインシステム（図１２）の一変形例を示す。
【０１０９】
このインラインシステムは、ローダ１５０、第１横／縦姿勢変換装置１５２(1)、縦型の第１、第２および第３マグネトロンスパッタ装置１０(1)，１０(2)，１０(3)（特にそれぞれの右側チャンバ１８Ｒ）、第１縦／横姿勢変換装置１５４(1)、第１エッチング装置１５６(1)をこの順にＸ方向の一方の向きに一列に並べて配置するとともに、矢印１８６で示すように折り返して、Ｘ方向の逆の向きに第２縦／横姿勢変換装置１５４(2)、第１、第２および第３マグネトロンスパッタ装置１０(1)，１０(2)，１０(3)（特にそれぞれの左側チャンバ１８Ｌ）、第２エッチング装置１５６(2)、封止膜ＣＶＤ装置１５８およびアンローダ１６０をこの順に一列に並べて配置している。
【０１１０】
往路のプロセスラインでは、第１、第２および第３マグネトロンスパッタ装置１０(1)，１０(2)，１０(3)のそれぞれの右側チャンバ１８Ｒで、単一の発電層を構成するためのｐ型の非晶質シリコン層１６６ｐ、真性（ｉ型）の非晶質シリコン層１６６ｉおよびｎ型の非晶質シリコン層１６６ｎがそれぞれ形成される。
【０１１１】
復路のプロセスラインでは、第３マグネトロンスパッタ装置１０(3)の左側チャンバ１８Ｌで低仕事関数金属のＭg膜１７０が形成され。第２および第１マグネトロンスパッタ装置１０(2)，１０(1)の左側チャンバ１８Ｌ．１８ＬでＡｌ電極１７２が形成される。
【０１１２】
なお、マグネトロンスパッタ装置１０で形成されるべき一層分の膜厚が比較的大きくて薄膜形成に比較的長い時間を要する場合は、この実施形態あるいは図６のような直列接続のマルチユニット構造を採ることによって１台当たりのタクトタイムを短縮化することができる。
［第７の実施形態］
【０１１３】
図１６に、別の実施形態におけるマグネトロンスパッタ装置１９０の構成を示す。
【０１１４】
このマグネトロンスパッタ装置１９０は、磁界発生機構４２を取り囲むように複数個たとえば４個のターゲット１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄを一体的な多面体（四面体）に組み立て、このターゲット組立体を磁界発生機構４２の柱状回転軸４４の回りに周回（θ）方向でインデックス送りできる構成を有している。
【０１１５】
このマグネトロンスパッタ装置１９０においては、４個のターゲット１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄの中のいずれか１つを任意に選択してスパッタ処理空間６８に臨ませ（基板Ｐに対向させ）、スパッタ成膜に供することができるとともに、インデックス送りによって別のターゲットに任意に切り替えることもできる。したがって、たとえば、１枚の基板Ｐに対し、稼動ターゲットとして最初にＡlターゲット１２Ａを選んでＡl層を形成し、次いでインデックス送りによりＴｉターゲット１２Ｂに切り替えて上記Ａl層の上にＴi層を積層形成するといった使い方が可能である。このように稼動ターゲットをインデックス送りで切り替えることにより、異種材質または同種材質の薄膜を連続的にスパッタ成膜することができる。
【０１１６】
ターゲット１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄは、誘電体のフレーム材１９２を介して連結されているバッキングプレート１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄにそれぞれ結合されている。バッキングプレート１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄには、個別の電源（電力供給機構）５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃ，５６Ｄがスイッチ１９４Ａ，１９４Ｂ，１９４Ｃ，１９４Ｄを介して電気的に接続されている。
【０１１７】
ハウジング１９６は、たとえばアルミニウムからなり、スパッタ処理空間６８に臨む面（図の下面）が開口しており、電気的に接地されている。ハウジング１９６の室内およびスパッタ処理空間６８は減圧状態に保たれており、スパッタガス供給部２６よりスパッタガス（たとえばＡrガス）が供給される。
【０１１８】
通常の使い方において、たとえばターゲット１２Ａが稼動ターゲットに選ばれているときは、スパッタ処理中にスイッチ１９４Ａだけがオンして、他のスイッチ１９４Ｂ，１９４Ｃ，１９４Ｄはすべてオフ状態に置かれ、非稼動ターゲット１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄに電力は供給されない。
【０１１９】
しかし、使い方の１つとして、非稼動ターゲット１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄのいずれかにも電力を投入して、ハウジング１９６の内壁１９６ａに向けてダミーのスパッタをさせることも可能である。たとえば、部品交換されたばかりの新規ターゲットの表面が酸化している場合は、ダミースパッタによってその酸化膜を除去することが可能であり、このクリーニングの後にスパッタ成膜処理に正式使用してよい。
【０１２０】
このように、ハウジング１９６の室内をダミースパッタ空間に利用することができる。ハウジング１９６の内壁１９６ａは、ダミースパッタによって付着して膜が剥がれないように適度な粗面に形成されてよい。あるいは、ハウジング１９６の内壁１９６ａに防着板（図示せず）を着脱可能に取り付けてもよい。
【０１２１】
なお、スパッタ成膜処理中に、基板Ｐは固定式でスパッタ処理空間６８内で静止していてもよく、あるいは走査式でスパッタ処理空間６８を通過移動してもよい。
［他の実施形態］
【０１２２】
以上好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その技術思想の範囲内で種々の変形が可能である。
【０１２３】
たとえば、上記した実施形態におけるマグネトロンスパッタ装置は基板を垂直に起てた姿勢でスパッタ処理を行う縦型装置であったが、基板を他の姿勢たとえば水平に寝かせた姿勢でスパッタ処理を行う横型装置に構成することも可能である。
【０１２４】
また、ターゲットの侵食状態に依らずにターゲット表面の磁場強度が一定に維持されるように、ターゲットと磁界発生機構（特に回転磁石）との距離を一定に保つ機構（たとえば各ターゲット保持機構を独立に変位させる機構）を設けてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１２５】
【図１】本発明の第１の実施形態におけるマグネトロンスパッタ装置の構成を示す略断面図である。
【図２Ａ】実施形態におけるマグネトロンスパッタ装置に組み込まれるスパッタガン・ユニットの（主に左側面の）概観構成を示す斜視図である。
【図２Ｂ】実施形態におけるマグネトロンスパッタ装置に組み込まれるスパッタガン・ユニットの（主に右側面の）概観構成を示す斜視図である。
【図３】実施形態のマグネトロンスパッタ装置における磁界発生機構の主要部についてその鳥瞰図とターゲット側から矢視した図である。
【図４】実施形態のマグネトロンスパッタ装置におけるプラズマリング生成領域を示す斜視図である。
【図５】実施形態のマグネトロンスパッタ装置における回転磁石群の別の構成例を示す図である。
【図６】実施形態のマグネトロンスパッタ装置において複数のスパッタガン・ユニットを一列に並べる構成の一例を模式的に示す図である。
【図７】一実施形態における有機ＥＬディスプレイ製造用インラインシステムのレイアウトを示す略平面図である。
【図８】有機ＥＬディスプレイの製造工程を段階的に示す略断面図である。
【図９】有機ＥＬディスプレイの製造工程を段階的に示す略断面図である。
【図１０】別の実施形態における有機ＥＬディスプレイ製造用インラインシステムのレイアウトを示す略平面図である。
【図１１】別の実施形態における有機ＥＬディスプレイ製造用インラインシステムの別のレイアウトを示す略平面図である。
【図１２】一実施形態における太陽電池製造用インラインシステムのレイアウトを示す略平面図である。
【図１３】太陽電池の製造工程を段階的に示す略断面図である。
【図１４】タンデム型太陽電池の一例の構造を示す略断面図である。
【図１５】別の実施形態における太陽電池製造用インラインシステムのレイアウトを示す略平面図である。
【図１６】別の実施形態におけるマグネトロンスパッタ装置の構成を示す略断面図である。
【符号の説明】
【０１２６】
１０    マグネトロンスパッタ装置
１２Ｌ，１２Ｒ    ターゲット
１４    スパッタガン・ユニット
１６Ｌ，１６Ｒ    バッキングプレート
１８Ｌ，１８Ｒ    チャンバ
２０Ｌ，２０Ｒ    処理室
２２Ｌ，２２Ｒ    基板搬送路
２４Ｌ，２４Ｒ    縦型トレイ
２６Ｌ，２６Ｒ    スパッタガス供給部
３２Ｌ，３２Ｒ    排気装置
４２    磁界発生機構
４４    回転駆動軸
４６    板磁石
４８    回転磁石群
５０Ｌ，５０Ｒ    固定外周磁石
５２Ｌ，５２Ｒ    磁性体カバー
５４Ｌ，５４Ｒ    給電体  
５６    電力供給機構
５８Ｌ，５８Ｒ    高周波電源
６４Ｌ，６４Ｒ    直流電源
６８Ｌ，６８Ｒ    スパッタ空間  
１９０    マグネトロンスパッタ装置
１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ    ターゲット
１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄ    バッキングプレート
【図１】
2010100880.tif 000003
【図２Ａ】
2010100880.tif 000004
【図２Ｂ】
2010100880.tif 000005
【図３】
2010100880.tif 000006
【図４】
2010100880.tif 000007
【図５】
2010100880.tif 000008
【図６】
2010100880.tif 000009
【図７】
2010100880.tif 000010
【図８】
2010100880.tif 000011
【図９】
2010100880.tif 000012
【図１０】
2010100880.tif 000013
【図１１】
2010100880.tif 000014
【図１２】
2010100880.tif 000015
【図１３】
2010100880.tif 000016
【図１４】
2010100880.tif 000017
【図１５】
2010100880.tif 000018
【図１６】
2010100880.tif 000019