【手続補正書】
【提出日】平成16年4月9日(2004.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂と架橋剤からなる水溶性組成物乃至アルカリ可溶性組成物と、非イオン性界面活性剤とを含むことを特徴とするレジストパターン膨潤化材料。
【請求項２】
波長１９３ｎｍ以降の短波長で露光可能なレジストに用いることを特徴とする請求項１記載のレジストパターン膨潤化材料。
【請求項３】
前記界面活性剤の含有量が１％以上であることを特徴とする請求項１及至２記載のレジストパターン膨潤化材料。
【請求項４】
ポリビニルアルコール，ポリビニルアセタール，ポリビニルアセテートから選ばれた樹脂のうち，少なくともいずれか１種類からなる樹脂組成物と，メラミン誘導体，ユリア誘導体，ウリル誘導体からなる架橋剤群から選ばれた少なくとも１つの架橋剤を含む水溶性組成物に，ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン縮合物系，ポリオキシアルキレンアルキルエーテル系，ポリオキシエチレンアルキルエーテル系，ポリオキシエチレン誘導体系，ソルビタン脂肪酸エステル系，グリセリン脂肪酸エステル系，第１級アルコールエトキシレート系，フェノールエトキシレート系の界面活性剤群の中から選ばれた界面活性剤を少なくとも１つを含むレジストパターン膨潤化材料。
【請求項５】
樹脂と架橋剤とからなる水溶性組成物乃至アルカリ可溶性組成物と、アルコール系，鎖状エステル系，環状エステル系，ケトン系，鎖状エーテル系，環状エーテル系のいずれか少なくとも一種類の有機溶剤を含むことを特徴とするレジストパターン膨潤化材料。
【請求項６】
ポリビニルアルコール，ポリビニルアセタール，ポリビニルアセテートの混合樹脂組成物と，メラミン誘導体，ユリア誘導体，ウリル誘導体からなる架橋剤群から選ばれた少なくとも１種類の架橋剤を含む水溶性組成物に，フェノール系樹脂を含むレジストパターン膨潤化材料。
【請求項７】
前記有機溶剤が環状エーテル系有機溶剤であることを特徴とする前記請求項６記載のレジストパターン膨潤化材料。
【請求項８】
架橋剤として、ウリル誘導体を含む前記請求項６乃至７記載のレジストパターン膨潤化材料。
【請求項９】
ポリビニルアルコール，ポリビニルアセタール，ポリビニルアセテートの混合樹脂組成物と、メラミン誘導体，ユリア誘導体，ウリル誘導体からなる架橋剤群から選ばれた少なくとも１種類の架橋剤を含む水溶性組成物に、フェノール系樹脂を含むレジストパターン膨潤化材料。
【請求項１０】
ポリビニルアルコール，ポリビニルアセタール，ポリビニルアセテートのうち、ポリビニルアセタールが５〜４０重量％含まれることを特徴とする請求項１乃至８記載のレジストパターン膨潤化材料。
【請求項１１】
フェノール系樹脂と，メラミン誘導体，ユリア誘導体，ウリル誘導体からなる架橋剤群から選ばれた少なくとも１種類の架橋剤とを含み，下層のパターン形成済みのレジスト材料を容易に溶解しない溶剤とから構成するレジストパターン膨潤化材料。
【請求項１２】
架橋剤として、ウリル誘導体を含む前記請求項１１記載のレジストパターン膨潤化材料。
【請求項１３】
波長１９３ｎｍ以降の短波長光に用いるレジストパターンを形成後に、該レジストパターンの表面を覆うように、前記請求項１乃至１２記載のレジストパターン膨潤化材料を塗布することにより、レジストパターンを膨潤化させる工程を有する微小パターンの形成方法。
【請求項１４】
前記レジストパターンが脂環族系官能基を側鎖に有するアクリル系レジストであることを特徴とする前記請求項１３記載の微小パターンの形成方法。
【請求項１５】
前記脂環族系官能基が、アダマンチル系官能基かノルボルナン系官能基であることを特徴とする前記請求項１４記載の微小パターンの形成方法。
【請求項１６】
前記レジストパターンがＣＯＭＡ系（シクロオレフィンマレイン酸無水物系）レジストであることを特徴とする前記請求項１３記載の微小パターンの形成方法。
【請求項１７】
波長１９３ｎｍ以降の短波長光に用いるレジストパターンを形成後に、該レジストパターンの表面を覆うように、前記請求項１乃至１２記載のレジストパターン膨潤化材料を塗布することにより、レジストパターンを膨潤化させる工程と、次いで、膨潤化後の前記レジストパターンをマスクとして、ドライエッチングにより下地層をパターニングする工程とを有する小型装置の製造方法。
【請求項１８】
前記レジストパターンが脂環族系官能基を側鎖に有するアクリル系レジストであることを特徴とする前記請求項１７記載の小型装置の製造方法。
【請求項１９】
前記脂環族系官能基が、アダマンチル系官能基かノルボルナン系官能基であることを特徴とする前記請求項１８記載の小型装置の製造方法。
【請求項２０】
前記レジストパターンがＣＯＭＡ系（シクロオレフィンマレイン酸無水物系）レジストであることを特徴とする前記請求項１７記載の小型装置の製造方法。
【請求項２１】
波長１９３ｎｍ以降の短波長光に用いるレジストパターンを形成後に、該レジストパターンの表面を覆うように、前記請求項１乃至１２記載のレジストパターン膨潤化材料を塗布することにより、レジストパターンを膨潤化させる工程と、次いで、膨潤化後の前記レジストパターンをマスクとして、ドライエッチングにより下地層をパターニングする工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
前記レジストパターンが脂環族系官能基を側鎖に有するアクリル系レジストであることを特徴とする前記請求項２１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２３】
前記脂環族系官能基が、アダマンチル系官能基かノルボルナン系官能基であることを特徴とする前記請求項２２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
前記レジストパターンがＣＯＭＡ系（シクロオレフィンマレイン酸無水物系）レジストであることを特徴とする前記請求項２１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
前記レジストパターンがノルボルネン乃至アダマンタンを主鎖に含むシクロオレフィン系レジストであることを特徴とする前記請求項２１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
波長１９３ｎｍ以降の短波長光に用いるレジストパターンを形成後に、該レジストパターン表面に、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン縮合物系，ポリオキシアルキレンアルキルエーテル系，ポリオキシエチレンアルキルエーテル系，ポリオキシエチレン誘導体系，ソルビタン脂肪酸エステル系，グリセリン脂肪酸エステル系，第１級アルコールエトキシレート系，フェノールエトキシレート系の界面活性剤群の中から選ばれた界面活性剤を含む水溶液を塗布する工程と、次いで、前記レジストパターン表面に、ポリビニルアルコール，ポリビニルアセタール，ポリビニルアセテートから選ばれた樹脂のうち、少なくともいずれか１種類からなる樹脂組成物と、メラミン誘導体，ユリア誘導体，ウリル誘導体からなる架橋剤群から選ばれた少なくとも１つの架橋剤を含む水溶性組成物を塗布する工程とを有するレジストパターン膨潤化方法。
【請求項２７】
前記工程に次いで、水または水溶性アルカリ現像液でレジストパターンの膨潤に預からない非膨潤化層を現像除去する工程を有する前記請求項２６記載のレジストパターン膨潤化方法。
【請求項２８】
前記現像除去を、純水を用いて行うことを特徴とする前記請求項２７記載のレジストパターン膨潤化方法。
【請求項２９】
前記レジストパターンが脂環族系官能基を側鎖に有するアクリル系レジストであることを特徴とする前記請求項２６記載のレジストパターン膨潤化方法。
【請求項３０】
前記脂環族系官能基が、アダマンチル系官能基かノルボルナン系官能基であることを特徴とする前記請求項２９記載のレジストパターン膨潤化方法。
【請求項３１】
前記レジストパターンがＣＯＭＡ系（シクロオレフィンマレイン酸無水物系）レジストであることを特徴とする前記請求項２６記載のレジストパターン膨潤化方法。
【請求項３２】
架橋剤として、ウリル誘導体を含む前記請求項２６乃至３１記載のレジストパターン膨潤化方法。
【請求項３３】
ポリビニルアルコール，ポリビニルアセタール，ポリビニルアセテートのうち、ポリビニルアセタールが５〜４０重量％含まれることを特徴とする前記請求項２６乃至３２記載のレジストパターン膨潤化方法。
【請求項３４】
請求項２６乃至３３記載のレジストパターン膨潤化方法により、レジストパターンを膨潤化させる工程を有する微小パターンの形成方法。
【請求項３５】
請求項２６乃至３３記載のレジストパターン膨潤化方法の後に、膨潤化後の前記レジストパターンをマスクとして、ドライエッチングにより下地層をパターニングする工程とを有する小型装置の製造方法。
【請求項３６】
請求項２６乃至３３記載のレジストパターン膨潤化方法の後に、膨潤化後の前記レジストパターンをマスクとして、ドライエッチングにより下地層をパターニングする工程とを有する半導体装置の製造方法。
【請求項３７】
前記レジストパターンが化学増幅型レジストをパターニングして得たものであることを特徴とする請求項１３記載の微小パターンの形成方法。
【請求項３８】
前記レジストパターンが非化学増幅型レジストをパターニングして得たものであることを特徴とする請求項１３記載の微小パターンの形成方法。
【請求項３９】
前記レジストパターンが電子線露光レジストをパターニングして得たものであることを特徴とする請求項１３記載の微小パターンの形成方法。
【請求項４０】
前記レジストパターンが複数レジスト層からなることを特徴とする請求項１３記載の微小パターンの形成方法。
【請求項４１】
前記レジストパターンが化学増幅型レジストをパターニングして得たものであることを特徴とする請求項１７記載の小型装置の製造方法。
【請求項４２】
前記レジストパターンが非化学増幅型レジストをパターニングして得たものであることを特徴とする請求項１７記載の小型装置の製造方法。
【請求項４３】
前記レジストパターンが電子線露光レジストをパターニングして得たものであることを特徴とする請求項１７記載の小型装置の製造方法。
【請求項４４】
前記レジストパターンが複数レジスト層からなることを特徴とする請求項１７記載の小型装置の製造方法。
【請求項４５】
前記レジストパターンが化学増幅型レジストをパターニングして得たものであることを特徴とする請求項２１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４６】
前記レジストパターンが非化学増幅型レジストをパターニングして得たものであることを特徴とする請求項２１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４７】
前記レジストパターンが電子線露光レジストをパターニングして得たものであることを特徴とする請求項２１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４８】
前記レジストパターンが複数レジスト層からなることを特徴とする請求項２１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４９】
前記レジストパターンが化学増幅型レジストをパターニングして得たものであることを特徴とする請求項２６記載のレジストパターン膨潤化方法。
【請求項５０】
前記レジストパターンが非化学増幅型レジストをパターニングして得たものであることを特徴とする請求項２６記載のレジストパターン膨潤化方法。
【請求項５１】
前記レジストパターンが電子線露光レジストをパターニングして得たものであることを特徴とする請求項２６記載のレジストパターン膨潤化方法。
【請求項５２】
前記レジストパターンが複数レジスト層からなることを特徴とする請求項２６記載のレジストパターン膨潤化方法。