【手続補正書】
【提出日】平成17年1月18日(2005.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶構造を有する半導体膜に、周期表１８族元素を添加した不純物領域を形成し、加熱処理により前記不純物領域に、前記半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
結晶構造を有する半導体膜に、一導電型の不純物と、周期表１８族元素と、を添加した不純物領域を形成し、加熱処理により前記不純物領域に、前記半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記周期表１８族元素はＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項２において、前記一導電型の不純物は周期表１５族元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２において、前記一導電型の不純物は周期表１３族元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
非晶質構造を有する第１の半導体膜に、金属元素を添加する第１の工程と、
前記第１の半導体膜を第１の加熱処理により結晶化させ、結晶構造を有する第２の半導体膜を形成する第２の工程と、
前記第２の半導体膜に周期表１８族元素を添加した不純物領域を形成する第３の工程と、
前記第３の工程の後に、第２の加熱処理により、前記不純物領域に、前記第２の半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行う第４の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
非晶質構造を有する第１の半導体膜の第１の領域に、選択的に金属元素を添加する第１の工程と、
前記第１の半導体膜を第１の加熱処理により結晶化させ、結晶構造を有する第２の半導体膜を形成する第２の工程と、
前記第２の半導体膜における前記第１の領域に、周期表１８族元素を添加する第３の工程と、
前記第３の工程の後に、第２の加熱処理により、前記第１の領域に、前記第２の半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行う第４の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
非晶質構造を有する第１の半導体膜に、金属元素を添加する第１の工程と、
前記第１の半導体膜を第１の加熱処理により結晶化させ、結晶構造を有する第２の半導体膜を形成する第２の工程と、
前記第２の半導体膜に、一導電型の不純物と、周期表１８族元素を添加した不純物領域を形成する第３の工程と、
前記第３の工程の後に、第２の加熱処理により、前記不純物領域に、前記第２の半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行う第４の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
非晶質構造を有する第１の半導体膜の第１の領域に、選択的に金属元素を添加する第１の工程と、
前記第１の半導体膜を第１の加熱処理により結晶化させ、結晶構造を有する第２の半導体膜を形成する第２の工程と、
前記第２の半導体膜における前記第１の領域に、一導電型の不純物と、周期表１８族元素を添加する第３の工程と、
前記第３の工程の後に、第２の加熱処理により、前記第１の領域に、前記第２の半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行う第４の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
非晶質構造を有する第１の半導体膜に、金属元素を添加する第１の工程と、
前記第１の半導体膜を第１の加熱処理により結晶化させ、結晶構造を有する第２の半導体膜を形成する第２の工程と、
前記第２の半導体膜上にゲート絶縁膜を形成する第３の工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する第４の工程と、
前記ゲート電極をマスクとして前記第２の半導体膜に、一導電型の不純物と、周期表１８族元素を添加した不純物領域を形成する第５の工程と、
第２の加熱処理により、前記不純物領域に、前記第２の半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行う第６の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
非晶質構造を有する第１の半導体膜の第１の領域に、選択的に金属元素を添加する第１の工程と、
前記第１の半導体膜を第１の加熱処理により結晶化させ、結晶構造を有する第２の半導体膜を形成する第２の工程と、
前記第２の半導体膜上にゲート絶縁膜を形成する第３の工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する第４の工程と、
前記ゲート電極をマスクとして前記第２の半導体膜に、一導電型の不純物と、周期表１８族元素を添加した不純物領域を形成する第５の工程と、
第２の加熱処理により、前記不純物領域に、前記第２の半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行う第６の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
非晶質構造を有する第１の半導体膜に、金属元素を添加する第１の工程と、
前記第１の半導体膜を第１の加熱処理により結晶化させ、結晶構造を有する第２の半導体膜を形成する第２の工程と、
前記第２の半導体膜上にゲート絶縁膜を形成する第３の工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する第４の工程と、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上にマスクを形成する第５の工程と、
前記マスクを用い、前記第２の半導体膜の端部に、周期表１８族元素を添加した不純物領域を形成する第６の工程と、
前記マスクを除去する第７の工程と、
前記ゲート電極をマスクとして前記第２の半導体膜に一導電型の不純物を添加する第８の工程と、
第２の加熱処理により、前記不純物領域に、前記第２の半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行う第９の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
非晶質構造を有する第１の半導体膜の第１の領域に、選択的に金属元素を添加する第１の工程と、
前記第１の半導体膜を第１の加熱処理により結晶化させ、結晶構造を有する第２の半導体膜を形成する第２の工程と、
前記第２の半導体膜上にゲート絶縁膜を形成する第３の工程と、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する第４の工程と、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極上にマスクを形成する第５の工程と、
前記マスクを用い、前記第２の半導体膜の端部に、周期表１８族元素を添加した不純物領域を形成する第６の工程と、
前記マスクを除去する第７の工程と、
前記ゲート電極をマスクとして前記第２の半導体膜に一導電型の不純物を添加する第８の工程と、
第２の加熱処理により、前記不純物領域に、前記第２の半導体膜に含まれる金属元素を偏析させるゲッタリングを行う第９の工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項６乃至請求項１３のいずれか一において、前記周期表１８族元素はＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項８乃至請求項１３のいずれか一において、前記一導電型の不純物は周期表１５族元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項８乃至請求項１３のいずれか一において、前記一導電型の不純物は、周期表１３族元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一において、前記金属元素はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
一導電型の不純物領域に、金属元素と、周期表１８族元素が共に含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
一導電型の第１の不純物領域に接して第２の不純物領域が設けられ、前記第２の不純物領域には金属元素と、周期表１８族元素が共に含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
結晶構造を有する半導体膜に、一導電型の不純物領域と、前記一導電型の不純物領域に接してチャネル形成領域が設けられ、前記一導電型の不純物領域に、金属元素と、周期表１８族元素が共に含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
結晶構造を有する半導体膜に、一導電型の第１の不純物領域と、前記第１の不純物領域に接する第２の不純物領域と、前記第１の不純物領域に接するチャネル形成領域とが設けられ、前記第２の不純物領域に、金属元素と、周期表１８族元素が共に含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
請求項１８乃至請求項２１のいずれか一において、前記金属元素はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置。