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【手続補正書】
【提出日】令和3年5月20日(2021.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アモルファスシリコン層を形成する方法であって、
処理空間内に配置された基板の上に、所定の厚さの酸素含有犠牲誘電体層を堆積させることと、
前記酸素含有犠牲誘電体層を部分的に除去して前記基板の上側表面を露出させることによって、パターニングされたフィーチャを前記基板上に形成することと、
前記パターニングされたフィーチャにプラズマ処理を実施することであって、
前記処理空間に、アンモニア、亜酸化窒素またはそれらの組み合わせを含む処理ガスを流入させることと、
前記基板の前記パターニングされたフィーチャを処理するために、前記処理空間内でプラズマを生成することと
を含む、プラズマ処理を実施することと、
前記パターニングされたフィーチャ上及び前記基板の露出した前記上側表面上に、約１０オングストロームから約１００オングストロームの範囲の厚さを有するアモルファスシリコン層を堆積させることと、
前記アモルファスシリコン層から形成された側壁スペーサの中に前記パターニングされたフィーチャが充填されている状態にするために、異方性エッチングプロセスを使用して、前記パターニングされたフィーチャの上側表面及び前記基板の前記上側表面から、前記アモルファスシリコン層を選択的に除去することとを含む、
方法。
【請求項２】
前記処理ガスがアルゴンをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記処理ガスが水素をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記パターニングされたフィーチャに前記プラズマ処理を実施することが処理チャンバで実施され、前記パターニングされたフィーチャ上及び前記基板の前記露出した上側表面上に前記アモルファスシリコン層を堆積させることとが、同じ処理チャンバ内で実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記酸素含有犠牲誘電体層が酸化ケイ素を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記パターニングされたフィーチャ上及び前記基板の前記露出した上側表面上に前記アモルファスシリコン層を堆積させることが、水素を含むアウトガス可能な化学種を有するアモルファスシリコン層を形成するために、前記パターニングされたフィーチャをケイ素前駆体に曝露することを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記アモルファスシリコン層から前記アウトガス可能な化学種を除去してガス抜きされたアモルファスシリコン層を形成するために、前記アモルファスシリコン層を不活性ガス抜き環境に曝露することを更に含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記不活性ガス抜き環境が実質的に不活性ガスから成る、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記ケイ素前駆体が、ジシラン、トリシラン、テトラシラン、イソテトラシラン、ネオペンタシラン、シクロペンタシラン、ヘキサシラン、シクロヘキサシラン、及びこれらの組み合わせ、のうちの一又は複数を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記ケイ素前駆体がジシランである、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記プラズマが、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）、又はＣＣＰとＩＣＰとの組み合わせである、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
処理チャンバ内で基板上にアモルファスシリコン層を形成する方法であって、
処理空間内に配置された基板の上に、所定の厚さの犠牲誘電体層を堆積させることと、
前記犠牲誘電体層を部分的に除去して前記基板の上側表面を露出させることによって、パターニングされたフィーチャを前記基板上に形成することと、
前記パターニングされたフィーチャ上に自己組織化単分子層（ｓｅｌｆ−ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  ｍｏｎｏｌａｙｅｒ：ＳＡＭ）を形成することであって、前記ＳＡＭは、ビス（ジエチルアミノ）シラン（ＢＤＥＡＳ）、ヘキサクロロジシラン（ＨＣＤＳ）、（３−アミノプロピル）トリエトキシシラン（ＡＰＴＥＳ）、及びオクタデシルトリクロロシラン（ＯＤＴＳ）を含む群から選択されるＳＡＭ前駆体から形成される、ＳＡＭを形成することと、
前記ＳＡＭ上及び前記基板の露出した前記上側表面上に、アモルファスシリコン層を堆積させることと、
前記アモルファスシリコン層から形成された側壁スペーサの中に前記パターニングされたフィーチャが充填されている状態にするために、異方性エッチングプロセスを使用して、前記パターニングされたフィーチャの上側表面及び前記基板の前記上側表面から、前記アモルファスシリコン層を選択的に除去することとを含む、
方法。
【請求項１３】
前記ＳＡＭ上及び前記パターニングされたフィーチャ上及び前記基板の前記露出した上側表面上に前記アモルファスシリコン層を堆積させることが、水素を含むアウトガス可能な化学種を有するアモルファスシリコン層を形成するために、前記パターニングされたフィーチャをケイ素前駆体に曝露することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記アモルファスシリコン層から前記アウトガス可能な化学種を除去してガス抜きされたアモルファスシリコン層を形成するために、前記アモルファスシリコン層を不活性ガス抜き環境に曝露することを更に含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記アモルファスシリコン層が、約１０オングストロームから約１００オングストロームの範囲の厚さを有する、請求項１２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月5日(2021.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン発生装置であって、
開口を有するハウジングと、
前記ハウジング内に配置され、互いの間に前記開口と流体連通する空間を有するアノード及びカソードと、
マイナス端子及びプラス端子を有する電源であって、前記マイナス端子と前記アノードとの間に第１の接続を有し、前記プラス端子と前記カソードとの間に第２の接続を有する、電源と、
内部を画定し、前記開口と流体接続する流体導管と、
空気流を、前記空間を通して前記流体導管の内部及び前記開口の外に導くように配置されたエアムーバーと、
前記流体導管の前記内部に露出し、前記アノードと導電接続されるように、前記流体導管に対して配置される少なくとも１つのニードルであって、該少なくとも１つのニードルの先端部の直径は、３マイクロメートル未満である、少なくとも１つのニードルと、
を備えるイオン発生装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つのニードルは、タングステンを含む、請求項１に記載のイオン発生装置。
【請求項３】
離隔した少なくとも２つのニードルを更に備える、請求項１に記載のイオン発生装置。
【請求項４】
前記少なくとも２つのニードルは、前記導かれた空気流の方向に対して垂直の方向に離隔している、請求項３に記載のイオン発生装置。
【請求項５】
前記少なくとも１つのニードルは、抵抗器を介して前記アノードに導電接続される、請求項１に記載のイオン発生装置。
【請求項６】
前記流体導管は、ダクトであり、前記ニードルの少なくとも第１の部分は、前記ダクトの外部に配置され、前記ニードルの第２の部分は、前記ダクトの前記内部に配置される、請求項１に記載のイオン発生装置。
【請求項７】
前記ニードルは、第１の端部及び遠位側の第２の端部を有し、該第２の端部は、前記先端部を含み、前記ニードルの前記第２の部分は、前記第２の端部を含む、請求項６に記載のイオン発生装置。
【請求項８】
前記ニードルの組成は、耐久性、腐食抵抗、鋭利化できる能力、導電性、鋭さ、直径、又はニードルの幾何学的形状を含む、考慮事項の少なくとも１つのサブセットに基づいて選択される、請求項１に記載のイオン発生装置。
【請求項９】
前記流体導管の前記内部に配置され、前記カソードに導電接続される導電性表面を更に有する、請求項１に記載のイオン発生装置。
【請求項１０】
前記導電性表面は、帯電イオンの蓄積により、イオン発生装置の動作中、イオンを少なくとも部分的に反発させると同時に、前記帯電イオンの蓄積を少なくとも部分的に散逸させることも可能にするバランスをとるように選択される抵抗器を介して、前記カソードに導電接続される、請求項９に記載のイオン発生装置。
【請求項１１】
前記少なくとも１つのニードルは、前記導電性表面から離隔している、請求項９に記載のイオン発生装置。
【請求項１２】
前記導電性表面は、弧形状の導電性表面であり、前記少なくとも１つのニードルから、前記弧の半径を形成する一定の距離だけ離隔している、請求項１１に記載のイオン発生装置。
【請求項１３】
前記少なくとも１つのニードルは、前記空気流の方向に対して、前記導電性表面の下流に配置される、請求項９に記載のイオン発生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
図９は、マウント８０２及びニードル７０７の組の１つの非限定的な例の斜視図を示している。タングステンニードルの先端部の鋭さ（直径）は、例えば、３マイクロメートル未満である。
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月5日(2021.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオン発生装置であって、
開口を有するハウジングと、
前記ハウジング内に配置され、互いの間に空間を有するアノード及びカソードと、
マイナス端子及びプラス端子を有する電源であって、前記マイナス端子と前記アノードとの間に第１の接続を有し、前記プラス端子と前記カソードとの間に第２の接続を有する、電源と、
内部を画定し、前記開口と流体接続する流体導管と、
空気流を、前記空間を通して前記流体導管の内部及び前記開口の外に導くように配置されたエアムーバーと、
前記流体導管の前記内部に露出し、前記アノードと導電接続されるように、前記流体導管に対して配置される少なくとも１つのニードルと、
前記流体導管の前記内部に配置され、前記カソードに導電接続され、前記少なくとも１つのニードルから離隔した導電性表面と、
を備える、イオン発生装置。
【請求項２】
前記少なくとも１つのニードルは、タングステンを含む、請求項１に記載のイオン発生装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つのニードルの先端部の直径は、３マイクロメートル未満である、請求項１に記載のイオン発生装置。
【請求項４】
離隔した少なくとも２つのニードルを更に備える、請求項１に記載のイオン発生装置。
【請求項５】
前記少なくとも２つのニードルは、前記導かれた空気流の方向に対して垂直の方向に離隔している、請求項４に記載のイオン発生装置。
【請求項６】
前記少なくとも１つのニードルは、抵抗器を介して前記アノードに導電接続される、請求項１に記載のイオン発生装置。
【請求項７】
前記流体導管は、ダクトであり、前記ニードルの少なくとも第１の部分は、前記ダクトの外部に配置され、前記ニードルの第２の部分は、前記ダクトの前記内部に配置される、請求項１に記載のイオン発生装置。
【請求項８】
前記ニードルは、第１の端部及び遠位側の第２の端部を有し、該第２の端部は、先端部を含み、前記ニードルの前記第２の部分は、前記第２の端部を含む、請求項７に記載のイオン発生装置。
【請求項９】
前記ニードルの組成は、耐久性、腐食抵抗、鋭利化できる能力、導電性、鋭さ、直径、又はニードルの幾何学的形状を含む、考慮事項の少なくとも１つのサブセットに基づいて選択される、請求項１に記載のイオン発生装置。
【請求項１０】
前記導電性表面は、帯電イオンの蓄積により、イオン発生装置の動作中、イオンを少なくとも部分的に反発させると同時に、前記帯電イオンの蓄積を少なくとも部分的に散逸させることも可能にするバランスをとるように選択される抵抗器を介して、前記カソードに導電接続される、請求項１に記載のイオン発生装置。
【請求項１１】
前記導電性表面は、弧形状の導電性表面であり、前記少なくとも１つのニードルから、前記弧の半径を形成する一定の距離だけ離隔している、請求項１に記載のイオン発生装置。
【請求項１２】
前記導電性表面から離隔した少なくとも２つのニードルを更に備え、前記弧形状の導電性表面は、前記少なくとも２つのニードルに対応する少なくとも２つの弧を有し、該少なくとも２つの弧のそれぞれは、各ニードルから、前記弧の半径を形成する一定の距離だけ離隔している、請求項１１に記載のイオン発生装置。
【請求項１３】
前記弧形状の導電性表面は、王冠形状を含む、請求項１２に記載のイオン発生装置。
【請求項１４】
前記導電性表面は、帯電イオンの蓄積により、イオン発生装置の動作中、イオンを少なくとも部分的に反発させると同時に、前記帯電イオンの蓄積を少なくとも部分的に散逸させることを可能にするバランスをとるように成形される、請求項１２に記載のイオン発生装置。
【請求項１５】
前記一定の距離は、１００ミリメートルである、請求項１２に記載のイオン発生装置。
【請求項１６】
前記弧の前記半径は、５０ミリメートルである、請求項１２に記載のイオン発生装置。
【請求項１７】
前記少なくとも１つのニードルは、前記空気流の方向に対して、前記導電性表面の下流に配置される、請求項１に記載のイオン発生装置。
【請求項１８】
前記少なくとも１つのニードルは、前記少なくとも１つのニードルと前記導電性表面との間の電圧電位が１００００ボルトである場合に、前記空気流の絶縁破壊を阻止するように、前記導電性表面から離隔している、請求項１に記載のイオン発生装置。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年7月27日(2021.7.27)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３７】
行列プロセッサ２４０が計算を完了すると、結果のセットは、例えば、行列プロセッサ２４０の最下行のアキュムレータから、例えば、内積を受信するシフトレジスタを効果的に形成する出力フリップフロップ（図示せず）にシフトされ得る。実施形態では、出力チャネルに対応する行から、例えばクロックサイクルごとに１つ、出力アレイ２２６に結果をプルまたはシフトすることは、状態機械（図示せず）によって達成され得る。状態機械は、例えば、データをＳＲＡＭおよび／または後処理ユニット２２８に送信する前に、出力チャネル上で追加の動作を実行してもよい。行列プロセッサ２４０の内部動作は、以下により詳細に説明される。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年4月23日(2021.4.23)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
洗浄方法であって、
プラズマを使用して、水素含有前駆体及びフッ素含有前駆体を含むエッチング混合ガスを活性化させて、活性化されたエッチング混合ガスを生成することと、
処理チャンバの処理領域に前記活性化されたエッチング混合ガスを供給することであって、前記処理チャンバが、その中に位置付けされた端部リングを有し、前記端部リングが、触媒及び抗触媒物質を含み、前記活性化されたエッチング混合ガスが、前記端部リングから前記抗触媒物質を取り除く、前記活性化されたエッチング混合ガスを供給することと
を含む方法。
【請求項２】
前記水素含有前駆体が、Ｈ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、又はこれらの組み合わせである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記フッ素含有前駆体が、Ｆ２、ＨＦ、ＮＦ３、ＸｅＦ２、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、又はこれらの組み合わせである、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記水素含有前駆体の濃度が、前記フッ素含有前駆体の濃度の少なくとも３倍である、請求項１から３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
エッチング混合ガスを活性化させることが、処理チャンバのリッド内で画定されたプラズマキャビティから遠隔プラズマを形成することをさらに含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記端部リングを摂氏約２５度と摂氏約１０００度との間の温度で維持することをさらに含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
ＲＦ源電力がない状態で遠隔プラズマ処理の間にＲＦバイアス電力を供給することをさらに含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の方法。
【請求項８】
処理圧力を０．５Ｔｏｒｒ未満に維持することをさらに含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の方法。
【請求項９】
前記抗触媒物質がチタンである、請求項１から８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１０】
基板を処理するための方法であって、
処理チャンバの処理領域内に位置付けされた基板をエッチングすることであって、前記基板が、触媒を含む端部リングと共に位置付けされ、前記基板をエッチングすることにより、抗触媒物質が前記端部リング上に堆積される、基板をエッチングすることと、
前記基板を前記処理領域から取り除くことと、
水素含有前駆体及びフッ素含有前駆体を含むエッチング混合ガスを使用して遠隔プラズマを形成することと、
前記処理領域内の前記端部リングに前記遠隔プラズマを供給することであって、前記遠隔プラズマが、前記端部リングから前記抗触媒物質を取り除く、前記遠隔プラズマを供給することと
を含む方法。
【請求項１１】
前記水素含有前駆体が、Ｈ２、Ｈ２Ｏ、Ｈ２Ｏ２、又はこれらの組み合わせであり、前記フッ素含有前駆体が、Ｆ２、ＨＦ、ＮＦ３、ＸｅＦ２、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、又はこれらの組み合わせである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記水素含有前駆体の濃度が、前記フッ素含有前駆体の濃度の少なくとも３倍である、請求項１０または１１に記載の方法。
【請求項１３】
エッチング混合ガスを活性化させることが、処理チャンバのリッド内で画定されたプラズマキャビティから遠隔プラズマを形成することをさらに含む、請求項１０から１２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１４】
ＲＦ源電力がない状態で遠隔プラズマ処理の間にＲＦバイアス電力を供給することをさらに含む、請求項１０から１３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１５】
前記抗触媒物質がチタンである、請求項１０から１４のいずれか一項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３６】
［００３７］一実装形態では、抗触媒物質をエッチングするように選択されたエッチング混合ガスは、少なくとも水素含有ガス及びフッ素含有前駆体を含む。フッ素含有前駆体の適切な例には、Ｆ２、ＨＦ、ＮＦ３、ＸｅＦ２、ＣＦ４、ＣＨＦ３、ＣＨ２Ｆ２、ＣＨ３Ｆ、これらの組み合わせ、又はその他が含まれる。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年11月11日(2020.11.11)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
反応例１〜８のための一般的調製方法
フッ化ビニリデンモノマー単位／ヘキサフルオロプロピレンモノマー単位の組成が７５重量％／２５重量％であるフッ化ビニリデンポリマーの水性ラテックスを、必要な量の脱イオン水を添加することにより、所望の固形分重量％に調節した。その調節したラテックスを、機械式攪拌機ならびに反応剤および不活性ガスを導入するための入口を備えたジャケット付き反応容器に加えた。アルゴンを流し始め、撹拌を開始した。混合物の中へ、第一のビニルポリマーのために必要とされる第一のモノマー混合物をイソオクチル−３−メルカプトプロピオネートと共に添加することを開始し、それと同時に、トリプロピレングリコールメチルエーテルの中に溶解させたアゾビス（２−メチルブチロニトリル）の混合物の添加も開始した。第一のモノマー混合物の添加は、５０〜６０分の時間で終了した。第一のモノマー混合物および連鎖移動剤、ならびにトリプロピレングリコールメチルエーテル中のアゾビス（２−メチルブチロニトリル）の添加が完了したとき、周囲温度での撹拌を３０分間続けた。次いでその混合物を加熱して７５℃とし、３０分間保持した。第二のビニルポリマーのために必要とされる第二のモノマー混合物をイソオクチル−３−メルカプトプロピオネートと共に、混合物の中へ添加することを開始し、６０分の時間をかけて完了させた。さらに３０分してから、さらに水で希釈した７０重量％のｔ−ブチルヒドロペルオキシド水溶液の添加を開始した。ヒドロペルオキシドの添加が完了したら、水の中に溶解させた還元剤のナトリウムホルムアルデヒドスルホキシレートまたはメタ重亜硫酸ナトリウムの添加を開始した。還元剤添加の後、その反応条件を２０分間保持してから、冷却を開始した。そのラテックスを、場合によっては、１０重量％の水酸化アンモニウム溶液を用いてｐＨ７．５〜８．８にまで中和し、また場合によっては、反応器にフィードした全物質を規準にして８００ｐｐｍのレベルで殺生物剤を添加した。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年5月31日(2021.5.31)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５５】
周波数ωＲＦの測定は、ここで、任意の所定の時間で周波数ωβＬＯおよびωβＬＯ２を評価し、それらの相対的な大きさを比較することにより行われる。回路はωβＬＯおよびωβＬＯ２を測定するために使用され、したがってωＲＦの測定は、アナログ−デジタル変換回路、アナログ−デジタル変換回路と合わせた位相同期回路、または当業者によく知られている他のいかなる手段を含むこともある。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年2月3日(2021.2.3)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項６】
キラル補助剤として、錯体形成キラル補助剤が使用されることを含む、請求項１に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項７】
錯体形成キラル補助剤として、（Ｓ）−Ｔａｄｄｏｌが適用されることを含む、請求項６に記載の方法。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４３】
キラル添加剤として、錯体形成キラル添加剤、好ましくは（Ｓ）−Ｔａｄｄｏｌが、好ましくは１モル当量の量で適用される。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月15日(2021.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フルクトース、スクロース又はこれらの組み合わせから構成されるバイオマスから構成される糖供給物を、プロピレングリコール及びエチレングリコールの両方を含む混合低級ポリオール生成物に直接変換するためのプロセスであって、前記糖供給物及び水素源は、反応容器に供給され、且つＭｏ及びＲｕを含む水素化分解触媒の存在下で反応されて、前記混合低級ポリオール生成物中においてエチレングリコールよりも優先的にプロピレングリコールを提供する、プロセス。
【請求項２】
前記Ｍｏは、前記糖供給物の０．５〜１０重量％で存在する、請求項１に記載のプロセス。
【請求項３】
前記Ｒｕは、前記水素化分解触媒の３〜７重量％で存在する、請求項１又は２に記載のプロセス。
【請求項４】
前記水素化分解触媒は、担体材料を含み、好ましくは
前記担体材料は、炭素を含むか、または、
前記担体材料は、炭素系担体材料、活性炭、酸化ジルコニウム、酸化チタン、酸化ニオブ、酸化スズ、酸化ランタン、酸化タングステン、炭化ケイ素、オキシ炭化ケイ素、炭化チタン、オキシ炭化チタン、オキシ炭化ジルコニウム、炭化タングステン、オキシ炭化タングステン及びそれらのいずれかの組み合わせからなる群から選択される、
請求項１〜３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項５】
前記Ｍｏは、前記糖供給物の９〜１０重量％で存在する、請求項１〜４のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項６】
前記Ｒｕは、前記水素化分解触媒の５重量％で存在する、請求項１〜５のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項７】
前記Ｍｏは、モリブデン酸塩の形態、好ましくはモリブデン酸カリウムの形態、より好ましくは前記糖供給物の３〜１０重量％の範囲におけるモリブデン酸カリウムの形態である、請求項１〜６のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項８】
前記糖供給物は、デンプン加水分解プロセス、パルププロセス又はそれらの組み合わせからなる群から選択される別のプロセスの副産物である、請求項１〜７のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項９】
前記糖供給物は、０．２時間−１〜２時間−１の速度の液体毎時空間速度で前記触媒と接触される、請求項１〜８のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１０】
１８０〜２５０℃の反応温度を維持することをさらに含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１１】
６００〜２５００ｐｓｉの水素圧力を維持することをさらに含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１２】
前記反応容器は、密閉された水素化分解反応器であり、及び前記プロセスは、１時間〜１０時間の範囲の期間にわたって実施される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１３】
前記糖供給物は、高フルクトース供給原料である、請求項１〜７又は１０〜１１のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１４】
前記糖供給物は、高スクロース供給原料である、請求項１〜７又は１０〜１１のいずれか一項に記載のプロセス。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月23日(2021.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２９８】
９.Ｒ８が、蛍光同位体、放射性同位体、放射性薬剤またはそれらの組み合わせである放射性部分であって、好ましくは、α放射線放出同位体、β放射線放出同位体、γ放射線放出同位体、オージェ電子放出同位体、Ｘ−ｒａｙ放出同位体、蛍光放出同位体、例えば、１１Ｃ、１８Ｆ、５１Ｃｒ、６７Ｇａ、６８Ｇａ、１１１Ｉｎ、９９ｍＴｃ、１８６Ｒｅ、１８８Ｒｅ、１３９Ｌａ、１４０Ｌａ、１７５Ｙｂ、１５３Ｓｍ、１６６Ｈｏ、８８Ｙ、９０Ｙ、１４９Ｐｍ、１６５Ｄｙ、１６９Ｅｒ、１７７Ｌｕ、４７Ｓｃ、１４２Ｐｒ、１５９Ｇｄ、２１２Ｂｉ、２１３Ｂｉ、７２Ａｓ、７２Ｓｅ、９７Ｒｕ、１０９Ｐｄ、１０５Ｒｈ、１０１ｍＲｈ、１１９Ｓｂ、１２８Ｂａ、１２３Ｉ、１２４Ｉ、１３１Ｉ、１９７Ｈｇ、２１１Ａｔ、１５１Ｅｕ、１５３Ｅｕ、１６９Ｅｕ、２０１Ｔｌ、２０３Ｐｂ、２１２Ｐｂ、６４Ｃｕ、６７Ｃｕ、１８８Ｒｅ、１８６Ｒｅ、１９８Ａｕ、２２５Ａｃ、２２７Ｔｈおよび１９９Ａｇ、好ましくは、１８Ｆ、６４Ｃｕ、６８Ｇａ、９０Ｙ、９９ｍＴｃ、１５３Ｓｍ、１７７Ｌｕおよび１８８Ｒｅ、からなる群から選択される放射性部分である、項目１〜８のいずれか一項に記載の化合物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月31日(2020.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
1×10-9Mまたはそれ以上低いKD値でCD38タンパク質に結合する、
抗体またはその抗原結合断片であって、
CD38タンパク質に結合する場合に、ヒトCD38タンパク質の60番目から89番目に相当するアミノ酸残基における1つまたは複数の残基に結合する、
抗体またはその抗原結合断片。
【請求項２】
前記抗体は、モノクローナル抗体、一本鎖抗体、キメラ抗体、ヒト化抗体及び完全ヒト化抗体の群から選択される、
請求項1に記載の抗体またはその抗原結合断片。
【請求項３】
前記抗原結合断片は、Fab、Fab’、F(ab)2、F(ab’)2、Fv及びScFv断片の群から選択される、
請求項1又は２に記載の抗体またはその抗原結合断片。
【請求項４】
前記CD38タンパク質は、ヒトCD38タンパク質やサルCD38タンパク質である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の抗体またはその抗原結合断片。
【請求項５】
前記CD38タンパク質に、SEQ ID NO:1で表されるアミノ酸配列を含有するLCDR1、SEQ ID NO:2で表されるアミノ酸配列を含有するLCDR2及びSEQ ID NO:3で表されるアミノ酸配列を含有するLCDR3より構成される軽鎖可変領域と、SEQ ID NO:4で表されるアミノ酸配列を含有するHCDR1、SEQ ID NO:5で表されるアミノ酸配列を含有するHCDR2及びSEQ ID NO:6で表されるアミノ酸配列を含有するHCDR3より構成される重鎖可変領域とを含むリファレンス抗体と競合的に結合する、
請求項1〜4のいずれか一項に記載の抗体またはその抗原結合断片。
【請求項６】
前記抗体は、SEQ ID NO:1で表されるアミノ酸配列を含有するLCDR1と、SEQ ID NO:2で表されるアミノ酸配列を含有するLCDR2と、SEQ ID NO:3で表されるアミノ酸配列を含有するLCDR3とより構成されるLCDR1-3を含む抗体の軽鎖又はその断片を含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の抗体またはその抗原結合断片。
【請求項７】
前記抗体の軽鎖又はその断片は、SEQ ID NO:7で表されるアミノ酸配列を含有する軽鎖可変領域VLを含む、
請求項6に記載の抗体またはその抗原結合断片。
【請求項８】
前記抗体の軽鎖又はその断片は、SEQ ID NO:22で表されるアミノ酸配列を含有する、請求項６又は７に記載の抗体またはその抗原結合断片。
【請求項９】
前記抗体の軽鎖又はその断片は、SEQ ID NO:11、SEQ ID NO:16、SEQ ID NO:18及びSEQ ID NO:20のいずれかで表されるアミノ酸配列を含有する、
請求項8に記載の抗体またはその抗原結合断片。
【請求項１０】
前記抗体は、SEQ ID NO:4で表されるアミノ酸配列を含有するHCDR1と、SEQ ID NO:5で表されるアミノ酸配列を含有するHCDR2と、SEQ ID NO:6で表されるアミノ酸配列を含有するHCDR3とより構成される抗体の重鎖又はその断片を含む、
請求項1〜9のいずれか一項に記載の抗体またはその抗原結合断片。
【請求項１１】
前記抗体の重鎖又はその断片は、SEQ ID NO:8で表されるアミノ酸配列を含有する重鎖可変領域VHを含む、
請求項10に記載の抗体またはその抗原結合断片。
【請求項１２】
前記抗体の重鎖は、SEQ ID NO:23で表されるアミノ酸配列を含有する、請求項10又は11に記載の抗体またはその抗原結合断片。
【請求項１３】
前記抗体の重鎖は、SEQ ID NO:13、SEQ ID NO:17、SEQ ID NO:19及びSEQ ID NO:21のいずれかで表されるアミノ酸配列を含有する、
請求項12に記載の抗体またはその抗原結合断片。
【請求項１４】
請求項1〜13のいずれか一項に記載の抗体またはその抗原結合断片をコードするポリヌクレオチドを含む、
単離された核酸分子。
【請求項１５】
前記核酸分子は、少なくとも1種がコドン最適化されるものである、
請求項14に記載の核酸分子。
【請求項１６】
SEQ ID NO:9、SEQ ID NO:10、SEQ ID NO:12及びSEQ ID NO:14の群から選ばれるポリヌクレオチド配列を1つまたは複数含む、
請求項14又は15に記載の核酸分子。
【請求項１７】
請求項14〜16のいずれか一項に記載の核酸分子を含む、
ベクター。
【請求項１８】
請求項14〜16のいずれか一項に記載の核酸分子または請求項17に記載のベクターを含む、
細胞。
【請求項１９】
請求項1〜13のいずれか一項に記載の抗体またはその抗原結合断片を発現させる条件下で、請求項18に記載の細胞を培養することを含む、
前述抗体またはその抗原結合断片を調製する方法。
【請求項２０】
請求項1〜13のいずれか一項に記載の抗体またはその抗原結合断片と、請求項14〜16のいずれか一項に記載の核酸分子と、請求項17に記載のベクター及び/又は請求項18に記載の細胞と、及び任意選択で薬学的に許容可能なアジュバントを含む、
医薬組成物。
【請求項２１】
腫瘍の予防または治療に使用するための請求項1〜13のいずれか一項に記載の抗体またはその抗原結合断片。
【請求項２２】
前記腫瘍は、CD38陽性腫瘍より構成される、
請求項21に記載の抗体またはその抗原結合断片。
【請求項２３】
前記CD38陽性腫瘍は、多発性骨髄腫、リンパ腫及び白血病の群から選ばれる、
請求項22に記載の抗体またはその抗原結合断片。
【請求項２４】
請求項1〜13のいずれか一項に記載の抗体またはその抗原結合断片と、請求項14〜16のいずれか一項に記載の核酸分子と、請求項17に記載のベクター及び/又は請求項18に記載の細胞とを投与することを含む
CD38タンパク質とCD38リガンドとの結合を阻害する方法。
【請求項２５】
前記CD38リガンドは、CD31からなる、
請求項24に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】配列表
【補正方法】変更
【補正の内容】
【配列表】
2021512652000001.app
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月29日(2020.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）酸アミドと、
（ｉｉ）アミンの酸化物処理誘導体と
の混合物又はブレンド物を含む性能向上添加剤の組成物であって、ここで、
前記酸アミドは、ポリイソブチレンコハク酸無水物（ＰＩＢＳＡ）とテトラエチレンペンタミン（ＴＥＰＡ）との反応生成物からなり、
前記アミンの酸化物処理誘導体は、酸化物とアミンとの反応生成物からなり、
前記アミンは、トリイソプロパノールアミン（ＴＩＰＡ）からなり、
前記酸化物は、プロピレンオキサイド（ＰＯ）からなり、かつ、
前記アミンの酸化物処理誘導体は、プロピレンオキシド処理されたトリイソプロパノールアミン（ＰＯ−ＴＩＰＡ）の誘導体である、組成物。
【請求項２】
組成物が、界面活性剤をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
界面活性剤が、ポリイソブチレンスクシンイミド（ＰＩＢＳＩ）である、請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】
エンジンの動力損失を低減することにより、エンジン又は前記エンジンに用いられる燃料の性能を向上させる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の性能向上添加剤の組成物の使用。
【請求項５】
エンジンの動力損失を低減することにより、エンジン又は前記エンジンに用いられる燃料の性能を向上させる方法であって、請求項１〜３のいずれか一項に記載の性能向上添加剤の組成物を、前記エンジン又は前記エンジンに用いられる燃料に添加する工程を含む、方法。
【請求項６】
（Ａ）エンジンで用いられる燃料、及び
（Ｂ）請求項１〜３のいずれか一項に記載の性能向上添加剤の組成物を含む、燃料組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月5日(2020.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発電建材であって、
基板、発電層及び保護層を含み、
前記発電層は前記基板上に設けられ、前記保護層は前記発電層を覆い、
前記保護層は、３００ｎｍ〜１３００ｎｍの波長範囲で、加重平均透過率１０％〜８５％を有し、
前記保護層と前記発電層との間の付着力は、１ＭＰａ以上であることを特徴とする発電建材。
【請求項２】
前記基板は、０．０１ｍｍ〜５ｃｍの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の発電建材。
【請求項３】
前記発電層は、セレン化銅インジウムガリウム薄膜太陽電池、ヒ化ガリウム太陽電池、結晶性シリコン太陽電池、シリコン系薄膜太陽電池、テルル化カドミウム薄膜太陽電池、有機太陽電池、銅亜鉛スズ硫黄薄膜太陽電池又はペロブスカイト薄膜太陽電池の構造を有することを特徴とする請求項１または２に記載の発電建材。
【請求項４】
前記保護層の材質は、無機ケイ酸塩材料又は無機有機複合材料であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発電建材。
【請求項５】
前記保護層の厚さは、０．０１〜５ｍｍであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の発電建材。
【請求項６】
前記発電建材は、前記発電層と前記保護層との間に位置する封止層をさらに含み、
前記封止層の材料は、エチレン−オクテン共重合体又はエチレン−酢酸ビニル共重合体を含むことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発電建材。
【請求項７】
前記封止層の厚さは、０．０５ｍｍ〜３ｍｍであることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発電建材。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の発電建材の製造方法であって、
発電層を基板に付着して、正負極を引き出すか、又は、基板上に発電層を直接製造して、正負極を引き出すステップ１）と、
室温で液体状態である保護層の材料を塗布し、室温で硬化させて、強固なエナメル保護層を形成するステップ２）と、を含むことを特徴とする発電建材の製造方法。
【請求項９】
前記発電層を製造する前に、前記基板に研磨及びクリーニングを行い、
処理された基板は、表面粗さが１００ｎｍ未満であり、接触角が５〜１５°であることを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記ステップ１）は、前記正負極を引き出した後、封止層をその上に形成するステップをさらに含むことを特徴とする請求項８または９に記載の方法。
【請求項１１】
表面層は、１０〜９９％のヘイズを有する請求項１ないし７のいずれか１項に記載の発電建材。
【請求項１２】
前記保護層は、セラミックスフィルム、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、ポリエチレン−ブテン共重合体、シリカゲル、ポリエチレン、ポリエチレン−テトラフルオロエチレン共重合体、パーフルオロエチレンプロピレン共重合体、ポリフッ化ビニリデン、ポリエチレンテレフタレート、無機ガラス、有機ガラス及びポリカーボネートからなる群から選択される１種又は複数種を含み、
前記保護層は、セラミックスフィルムのみを有し、又は、
前記保護層がエチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、ポリエチレンオキシド及びシリカゲルからなる群から選択される１種又は複数種を含む場合、前記保護層は、フロントフィルムをさらに含み、
前記フロントフィルムは、無機ガラス及び／又は高分子材料を含む請求項１ないし７および１１のいずれか１項に記載の発電建材。
【請求項１３】
前記高分子材料は、有機ガラス、ポリカーボネート、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体、ポリフッ化ビニリデン膜、パーフルオロエチレンプロピレン共重合体、ポリエチレンテレフタレート及びポリエチレンテレフタレート／ポリエチレンからなる群から選択される１種又は複数種を含む請求項１２に記載の太陽光発電建材。
【手続補正書】
【提出日】令和2年8月4日(2020.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無線通信システムにおける無線機器によって行われる方法であって、
一つ以上の搬送波を構成する段階と、
ＳＴＣＨ（ｓｉｄｅｌｉｎｋ  ｔｒａｆｆｉｃ  ｃｈａｎｎｅｌ）でデータが利用可能であれば、
前記構成された一つ以上の搬送波を使用したデータ送信が可能ではないことを決定する段階と、
前記構成された一つ以上の搬送波を使用したデータ送信が可能ではないという決定に基づいて、送信搬送波の選択（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ｃａｒｒｉｅｒ  ｓｅｌｅｃｔｉｏｎ）手続を行う段階とを含む、方法。
【請求項２】
前記方法は、前記無線機器のＭＡＣエンティティ（ｅｎｔｉｔｙ）によって実行される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記無線機器の前記ＭＡＣエンティティは、感知（ｓｅｎｓｉｎｇ）、部分感知（ｐａｒｔｉａｌ  ｓｅｎｓｉｎｇ）、又はランダム選択（ｒａｎｄｏｍ  ｓｅｌｅｃｔｉｏｎ）に基づいて、前記一つ以上の搬送波で資源のプール（ｐｏｏｌ）を使用して送信するように前記無線機器の上位層によって構成される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記無線機器の上位層は、前記無線機器のＲＲＣ（ｒａｄｉｏ  ｒｅｓｏｕｒｃｅ  ｃｏｎｔｒｏｌ）層である、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ＳＴＣＨで利用可能な前記データは、前記一つ以上の搬送波の中から選択された搬送波と関連していない、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ＳＴＣＨと前記一つ以上の搬送波との間の関連（ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）は、ネットワークと事前構成（ｐｒｅ−ｃｏｎｆｉｇｕｒａｔｉｏｎ）のうち少なくとも一つにより構成される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ＳＴＣＨは、前記ＳＴＣＨのＣＢＲ（ｃｈａｎｎｅｌ  ｂｕｓｙ  ｒａｔｉｏ）とＰＰＰＰ（ＰｒｏＳｅ（ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ−ｂａｓｅｄ  ｓｅｒｖｉｃｅｓ）  ｐｅｒ−ｐａｃｋｅｔ  ｐｒｉｏｒｉｔｙ）のうち少なくとも一つに基づいて、前記一つ以上の搬送波のうち少なくとも一つの搬送波で送信されることができるように許容される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ＳＴＣＨで利用可能な前記データを前記送信搬送波の選択手続に基づいて選択された少なくとも一つの搬送波を使用して送信する段階をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記無線機器は、ＵＥ（ｕｓｅｒ  ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ：端末）、ネットワーク、及び／又は前記無線機器と異なる自律車両のうち少なくとも一つと通信する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
無線通信システムで作動するように構成された無線機器であって、
送受信機（ｔｒａｎｓｃｅｉｖｅｒ）と、
少なくとも一つのメモリと、
前記少なくとも一つのメモリと作動可能に連結された少なくとも一つのプロセッサとを備え、
前記少なくとも一つのプロセッサは、前記少なくとも一つのプロセッサにより行われる際に、
一つ以上の搬送波を構成する段階と、
ＳＴＣＨ（ｓｉｄｅｌｉｎｋ  ｔｒａｆｆｉｃ  ｃｈａｎｎｅｌ）でデータが利用可能であれば：
前記構成された一つ以上の搬送波を使用したデータ送信が可能ではないことを決定する段階と、
前記構成された一つ以上の搬送波を使用したデータ送信が可能ではないという決定に基づいて、送信搬送波の選択（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ｃａｒｒｉｅｒ  ｓｅｌｅｃｔｉｏｎ）手続を行う段階とを含む作動を実行する指示を保存する、無線機器。
【請求項１１】
前記作動は、前記無線機器のＭＡＣエンティティ（ｅｎｔｉｔｙ）によって実行される、請求項１０に記載の無線機器。
【請求項１２】
前記無線機器の前記ＭＡＣエンティティは、感知（ｓｅｎｓｉｎｇ）、部分感知（ｐａｒｔｉａｌ  ｓｅｎｓｉｎｇ）、又はランダム選択（ｒａｎｄｏｍ  ｓｅｌｅｃｔｉｏｎ）に基づいて、前記一つ以上の搬送波で資源のプール（ｐｏｏｌ）を使用して送信するように上位層によって構成される、請求項１１に記載の無線機器。
【請求項１３】
前記無線機器の上位層は、前記ＵＥのＲＲＣ（ｒａｄｉｏ  ｒｅｓｏｕｒｃｅ  ｃｏｎｔｒｏｌ）層である、請求項１２に記載の無線機器。
【請求項１４】
前記ＳＴＣＨで利用可能な前記データは、前記一つ以上の搬送波の中から選択された搬送波と関連していない、請求項１０に記載の無線機器。
【請求項１５】
装置であって、
少なくとも一つのメモリと、
前記少なくとも一つのメモリと作動可能に連結された少なくとも一つのプロセッサとを備え、
前記少なくとも一つのプロセッサは、前記少なくとも一つのプロセッサにより行われる際に、
一つ以上の搬送波を構成する段階と、
ＳＴＣＨ（ｓｉｄｅｌｉｎｋ  ｔｒａｆｆｉｃ  ｃｈａｎｎｅｌ）でデータが利用可能であれば：
前記構成された一つ以上の搬送波を使用したデータ送信が可能ではないことを決定する段階と、
前記構成された一つ以上の搬送波を使用したデータ送信が可能ではないという決定に基づいて、送信搬送波の選択（ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ  ｃａｒｒｉｅｒ  ｓｅｌｅｃｔｉｏｎ）手続を行う段階とを含む作動を実行する指示を保存する、装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月6日(2021.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信チャネルの受信側であって、
伝送線路からの入力信号と調整された出力信号との間の利得を自動的に調整することによって、前記伝送線路からの入力信号を調節して、前記調整された出力信号上に所定の電圧振幅を生成するように構成された自動利得回路と、
前記所定の電圧振幅に比例する振幅を有する外乱信号を生成するように構成された外乱発生器と、
前記調整された出力信号に前記外乱信号を付加して加算出力を生成するように構成された加算回路と、
前記加算出力をサンプリングし、前記サンプリングされた加算出力から少なくともデータ信号を生成するように構成されたクロック及びデータ回復回路と、
前記データ信号の信号インテグリティを分析するように構成されたデータプロセッサと、を備える、通信チャネルの受信側。
【請求項２】
前記データ信号内のエラーレベルを判定することと、
前記エラーレベルを最大許容エラーレベルと比較することと、
前記比較の結果を結果信号で報告することと、によって、前記データ信号を更に分析するように構成された判定回路を更に備える、請求項１に記載の受信側。
【請求項３】
前記自動利得回路は、前記調整された出力信号を、選択された最大電圧レベルの実質的に近くに設定するために、電圧制御利得で前記入力信号に対して利得を調整するように更に構成されている、請求項１に記載の受信側。
【請求項４】
前記伝送線路は電気信号を搬送するように構成されている、請求項１に記載の受信側。
【請求項５】
前記伝送線路は、光信号を搬送するように構成され、前記伝送線路と前記自動利得回路との間に光／電気変換器を更に備える、請求項１に記載の受信側。
【請求項６】
前記外乱発生器は、前記クロック及びデータ回復回路のジッタ伝達周波数よりも実質的に高い周波数を有する発振信号として前記外乱信号を生成するように更に構成されている、請求項１に記載の受信側。
【請求項７】
前記外乱発生器は、前記ジッタ伝達周波数のコーナー周波数で前記発振信号の前記周波数を生成するように更に構成されている、請求項６に記載の受信側。
【請求項８】
前記外乱発生器は、前記所定の電圧振幅の実質的に５０％付近の振幅を有する前記外乱信号を生成するように更に構成されている、請求項６に記載の受信側。
【請求項９】
通信チャネルの受信側であって、
入力信号の振幅を推定し、振幅指示信号を生成するように構成された受信機と、
前記入力信号の振幅に比例し、かつ前記振幅指示信号に応答する振幅を有する外乱信号を生成するように構成された外乱発生器と、
前記入力信号に前記外乱信号を付加して加算出力を生成するように構成された加算回路と、
前記加算出力をサンプリングし、前記サンプリングされた加算出力から少なくともデータ信号を生成するように構成されたクロック及びデータ回復回路と、
前記データ信号の信号インテグリティを分析するように構成されたデータプロセッサと、を備える、通信チャネルの受信側。
【請求項１０】
前記データプロセッサは、前記振幅指示信号に応答して、前記入力信号の前記振幅に比例する前記振幅を判定するように更に構成されている、請求項９に記載の受信側。
【請求項１１】
前記外乱発生器は、前記振幅指示信号に応答して、前記入力信号の前記振幅に比例する前記振幅を判定するように更に構成されている、請求項９に記載の受信側。
【請求項１２】
前記外乱発生器は、前記クロック及びデータ回復回路のジッタ伝達周波数よりも実質的に高い周波数を有する発振信号として前記外乱信号を生成するように更に構成されている、請求項９に記載の受信側。
【請求項１３】
前記外乱発生器は、前記ジッタ伝達周波数のコーナー周波数で前記発振信号の前記周波数を生成するように更に構成されている、請求項１２に記載の受信側。
【請求項１４】
通信チャネルの信号インテグリティを診断する方法であって、
前記通信チャネルの伝送線路から入力信号を受信するステップと、
所定の電圧振幅を有する調整された出力信号を生成するために、前記入力信号に対して自動利得機能を実行するステップと、
前記調整された出力信号に外乱信号を付加して加算出力を生成するステップと、
前記加算出力からクロック信号及びデータ信号を回復するステップと、
前記加算出力をデジタル化するステップと、
前記デジタル化された加算出力を分析して、エラーレベルを判定するステップと、を含む、方法。
【請求項１５】
前記エラーレベルを最大許容エラーレベルと比較するステップと、
前記比較の結果を結果信号で報告するステップと、を更に含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記調整された出力信号を、選択された最大電圧レベルの実質的に近くに設定するために、電圧制御利得で前記自動利得機能の前記利得を調整するステップを更に含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記デジタル化された加算出力を分析することは、前記データ信号を分析するステップを含み、
前記クロック信号及び前記データ信号を回復するプロセスから、ジッタ伝達周波数よりも実質的に高い周波数を有する発振信号として前記外乱信号を生成するステップを更に含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記発振信号の前記周波数は、前記ジッタ伝達周波数のコーナー周波数を含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
前記外乱信号を生成することは、前記所定の電圧振幅の実質的に半分に近い前記外乱信号の振幅を生成する、請求項１７に記載の方法。
【請求項２０】
通信チャネルの信号インテグリティを診断する方法であって、
前記通信チャネルの伝送線路から入力信号を受信するステップと、
所定の電圧振幅を有する調整された出力信号を生成するために、前記入力信号に対して自動利得機能を実行するステップと、
プロセスの２つ以上のループを実行するステップであって、各ループは、
前記調整された出力信号に外乱信号を付加して加算出力を生成するステップと、
前記加算出力をデジタル化するステップと、
前記デジタル化された加算出力を分析して、前記現在のループに対する前記通信チャネル内の利用可能なマージンを判定するステップと、
前記外乱信号の振幅を調整するステップと、を含む、実行するステップと、
前記２つ以上のループのうちの少なくとも２つからの前記利用可能なマージンに応答して、最終利用可能マージンを示す結果信号を生成するステップと、を含む、方法。
【請求項２１】
前記加算出力をデジタル化するステップは、クロック信号及びデータ信号を前記加算出力から回復するステップを更に含み、
前記デジタル化された加算出力を分析するステップは、前記データ信号を分析するステップを含み、
前記クロック信号及び前記データ信号を回復する前記プロセスから、ジッタ伝達周波数よりも実質的に高い周波数を有する発振信号として前記外乱信号を生成するステップを更に含む、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記発振信号の前記周波数は、前記ジッタ伝達周波数のコーナー周波数を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記外乱信号を生成するステップは、前記所定の電圧振幅の実質的に半分に近い前記外乱信号の振幅を生成する、請求項２１に記載の方法。