Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月6日(2004.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】スロットマシン及び絵柄表示方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外周面に所定間隔で描かれた複数の絵柄のうちの一部が表示窓で表示されるように並列に配置された複数の回転ドラムを備え、所定の開始操作によって各回転ドラムが互いに独立に回転を開始するとともに、所定の停止操作によって各回転ドラムが順次停止し、その停止時に各回転ドラムの絵柄が予め定めた所定の組み合わせで表示窓に並ぶと入賞となるスロットマシンにおいて、
前記表示窓が各回転ドラムの回転方向に沿って複数設けられ、各表示窓に絵柄が１個づつ表示されるとともに、表示窓と表示窓の間に隠された絵柄が存在するように各表示窓が間隔をあけて配置されていること、
を特徴とするスロットマシン。
【請求項２】
所定の停止操作によって回転している複数の回転ドラムが停止するとともに、停止した状態で前記各回転ドラム上の複数の絵柄の内、表示窓によって遊技者に見えるように表示している絵柄が予め定めた所定の組み合わせで並ぶと入賞となるスロットマシンにおいて、
遊技者に見えるように表示している前記絵柄の一部を隠す絵柄隠し部を具備し、
前記スロットマシンは、前記絵柄隠し部によって絵柄の一部を隠すことにより非入賞とする一方、前記表示窓によって遊技者に見えるように表示している絵柄が所定の組み合わせで並ぶと入賞とすること、
を特徴とするスロットマシン。
【請求項３】
所定の停止操作によって回転している複数の回転ドラムが停止するとともに、停止した状態で前記各回転ドラム上の複数の絵柄の内、表示窓によって遊技者に見えるように表示している絵柄が予め定めた所定の組み合わせで並ぶと入賞となるスロットマシンにおいて、
遊技者に見えるように表示している前記絵柄の一部を隠す絵柄隠し部を具備し、
前記スロットマシンは、前記絵柄隠し部によって絵柄の一部を隠すことにより非入賞とする一方、前記絵柄隠し部以外の表示窓によって遊技者に見えるように表示している絵柄が所定の組み合わせで並ぶと入賞とすること、
を特徴とするスロットマシン。
【請求項４】
所定の停止操作によって回転している複数の回転ドラムが停止するとともに、停止した状態で前記各回転ドラム上の複数の絵柄の内、表示窓によって遊技者に見えるように表示している絵柄が予め定めた所定の組み合わせで並ぶと入賞となるスロットマシンの絵柄表示方法において、
遊技者に見えるように表示している前記絵柄の一部を絵柄隠し部によって隠す絵柄隠しステップを含み、
前記絵柄隠しステップは、前記絵柄隠し部によって絵柄の一部を隠すことによって非入賞とする一方、前記絵柄隠し部以外の表示窓によって遊技者に見えるように表示している絵柄が所定の組み合わせで並ぶと入賞とすること、
を特徴とする絵柄表示方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に係る本発明のスロットマシンは、上記の目的を達成する為に、外周面に所定間隔で描かれた複数の絵柄のうちの一部が表示窓で表示されるように並列に配置された複数の回転ドラムを備え、所定の開始操作によって各回転ドラムが互いに独立に回転を開始するとともに、所定の停止操作によって各回転ドラムが順次停止し、その停止時に各回転ドラムの絵柄が予め定めた所定の組み合わせで表示窓に並ぶと入賞となるスロットマシンにおいて、前記表示窓が各回転ドラムの回転方向に沿って複数設けられ、各表示窓に絵柄が１個づつ表示されるとともに、表示窓と表示窓の間に隠された絵柄が存在するように各表示窓が間隔をあけて配置されていることを特徴とする。
請求項２に係る本発明のスロットマシンは、所定の停止操作によって回転している複数の回転ドラムが停止するとともに、停止した状態で前記各回転ドラム上の複数の絵柄の内、表示窓によって遊技者に見えるように表示している絵柄が予め定めた所定の組み合わせで並ぶと入賞となるスロットマシンにおいて、遊技者に見えるように表示している前記絵柄の一部を隠す絵柄隠し部を具備し、前記スロットマシンは、前記絵柄隠し部によって絵柄の一部を隠すことにより非入賞とする一方、前記表示窓によって遊技者に見えるように表示している絵柄が所定の組み合わせで並ぶと入賞とすることを特徴とする。
請求項３に係る本発明のスロットマシンは、所定の停止操作によって回転している複数の回転ドラムが停止するとともに、停止した状態で前記各回転ドラム上の複数の絵柄の内、表示窓によって遊技者に見えるように表示している絵柄が予め定めた所定の組み合わせで並ぶと入賞となるスロットマシンにおいて、遊技者に見えるように表示している前記絵柄の一部を隠す絵柄隠し部を具備し、前記スロットマシンは、前記絵柄隠し部によって絵柄の一部を隠すことにより非入賞とする一方、前記絵柄隠し部以外の表示窓によって遊技者に見えるように表示している絵柄が所定の組み合わせで並ぶと入賞とすることを特徴とする。
請求項４に係る本発明の絵柄表示方法は、所定の停止操作によって回転している複数の回転ドラムが停止するとともに、停止した状態で前記各回転ドラム上の複数の絵柄の内、表示窓によって遊技者に見えるように表示している絵柄が予め定めた所定の組み合わせで並ぶと入賞となるスロットマシンの絵柄表示方法において、遊技者に見えるように表示している前記絵柄の一部を絵柄隠し部によって隠す絵柄隠しステップを含み、前記絵柄隠しステップは、前記絵柄隠し部によって絵柄の一部を隠すことによって非入賞とする一方、前記絵柄隠し部以外の表示窓によって遊技者に見えるように表示している絵柄が所定の組み合わせで並ぶと入賞とすることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月27日(2004.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルカリ金属、又はアルカリ金属とＩＩ族もしくはＩＩＩ族の金属との合金、又はアルカリ金属イオン吸蔵能のあるカーボンを構成材料とする負極と、非水系電解質と、正極材料とからなる電池本体を、高分子膜上に水及び酸素の透過を防ぐ酸化物材料製の薄膜層を形成し、更にこの薄膜上に接着層を設けたラミネート箔の外装材料内に収容し、且つ、金属箔の両面に接着層を形成した導電材料から正極及び負極用のそれぞれのリードを構成したことを特徴とする電池。
【請求項２】
前記外装材料の接着層が熱可塑性高分子物質で形成されている、請求項１記載の電池。
【請求項３】
前記外装材料の接着層が熱硬化型接着剤で形成されている、請求項１記載の電池。
【請求項４】
前記外装材料の接着層が感圧型接着剤で形成されている、請求項１記載の電池。
【請求項５】
前記リードの接着層が熱可塑性高分子物質で形成されている、請求項１から４までのいずれか一つに記載の電池。
【請求項６】
前記リードの接着層が熱硬化型接着剤で形成されている、請求項１から４までのいずれか一つに記載の電池。
【請求項７】
前記リードの接着層が感圧型接着剤で形成されている、請求項１から４までのいずれか一つに記載の電池。
【請求項８】
アルカリ金属、又はアルカリ金属とＩＩ族もしくはＩＩＩ族の金属との合金、又はアルカリ金属イオン吸蔵能のあるカーボンを構成材料とする負極と、非水系電解質と、正極材料とから電池本体を作製し、金属箔の両面に接着層を形成した導電材料のリードを負極と正極のおのおのに接合し、そしてこれらのリードを備えた電池本体を、高分子膜上に水及び酸素の透過を防ぐ酸化物材料製の薄膜層を形成し、更にこの薄膜上に接着層を設けたラミネート箔の外装材料で包み、この外装材料に対して加熱と加圧の両方又は一方を適用して密閉することにより電池を製造することを特徴とする電池の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本願発明による電池は、アルカリ金属、又はアルカリ金属とＩＩ族もしくはＩＩＩ族の金属との合金、又はアルカリ金属イオン吸蔵能のあるカーボンを構成材料とする負極と、非水系電解質と、正極材料とからなる電池本体を、高分子膜上に水及び酸素の透過を防ぐ酸化物材料製の薄膜層を形成し、更にこの薄膜上に接着層を設けたラミネート箔の外装材料内に収容し、且つ、金属箔の両面に接着層を形成した導電材料から正極及び負極用のそれぞれのリードを構成したことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明による電池の製造方法は、アルカリ金属、又はアルカリ金属とＩＩ族もしくはＩＩＩ族の金属との合金、又はアルカリ金属吸蔵能のあるカーボンを構成材料とする負極と、非水系電解質と、正極材料とから電池本体を作製し、金属箔の両面に接着層を形成した導電材料のリードを負極と正極のおのおのに接合し、そしてこれらのリードを備えた電池本体を、高分子膜上に水及び酸素の透過を防ぐ酸化物材料製の薄膜層を形成し、更にこの薄膜上に接着層を設けたラミネート箔の外装材料で包み、この外装材料に対して加熱と加圧の両方又は一方を適用して密閉することにより電池を製造することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
一方、負極材料３（図１）には、還元性の大きい、すなわち容易に酸化される性質を有する材料が使用され、具体的にはアルカリ金属、望ましくはリチウム、あるいはアルカリ金属とＩＩ族もしくはＩＩＩ族の金属との合金、一例としてリチウムとアルミニウムとの合金が使用される。また、安全性の向上のために、リチウムイオンに代表されるアルカリ金属イオンの吸蔵能力を有するカーボン材料を用いてもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月10日(2004.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
Ｍ（ＯＨ）２（ＭはＣｏ，Ｎｉ，Ｍｎの中から選択される任意の種類の金属）を、Ｌｉ塩を含む溶液中で化学的もしくは電気化学的に酸化して金属Ｍの平均酸化数が３を越え４以下とすることを特徴とする非水電解質電池用正極活物質の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、Ｍ（ＯＨ）２（ＭはＣｏ，Ｎｉ，Ｍｎの中から選択される任意の種類の金属）を、Ｌｉ塩を含む溶液中で化学的もしくは電気化学的に酸化して得られ、金属Ｍの平均酸化数が３を越え４以下とする化合物であり、放電が可能な非水電解質電池用正極活物質の製造方法であり、高容量かつ高安定性および高安全性の正極活物質を提供することができる。本発明による非水電解質電池は、前記製造法により得られる非水電解質電池用正極活物質を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【発明の効果】
本発明は、Ｍ（ＯＨ）２（ＭはＣｏ，Ｎｉ，Ｍｎの中から選択される任意の種類の金属）を、Ｌｉ塩を含む溶液中で化学的もしくは電気化学的に酸化して得られ、金属Ｍの平均酸化数が３を越え４以下とする化合物であり、初期充電を要することなく放電が可能なリチウム電池用正極活物質の製造方法である。本発明による正極活物質を用いて、高容量かつ高安定性および高安全性のリチウム電池を作製することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月15日(2004.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、発振回路４１のクロックパルスの周波数をｆ1 ＝８０［ＭＨｚ］とすると、１周期が８ビット（＝２５６）の波形になる。第１の波形合成回路４２を周波数ｆ2 ＝１０［ＭＨｚ］に制御させる場合、周波数設定レジスタ５４には、ｆ1 ＝８０［ＭＨｚ］の１周期８ビット（＝２５６）に対するｆ2 ＝１０［ＭＨｚ］の割合をＦＲとするとＦＲ＝（ｆ2 ／ｆ1 ）×２８＝（１０／８０）×２５６＝３２を入力手段４９で入力すればよい。また、位相差Δθ＝９０°にするときを考える。位相θ＝３６０°が８ビット（＝２５６）に対する位相差Δθ＝９０°の割合ＦＨは、ＦＨ＝（Δθ／θ）×２８ ＝（９０°／３６０°）×２５６＝６４を入力手段４９で位相シフト設定レジスタ５５に設定すればよい。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
また第１の波形合成回路４２及び第２の波形合成回路４４は、前述のように第３の波形合成回路４３から第２の加算器５１及び位相シフト設定レジスタ５５を除いたものに相当するから、その出力は表２のＡＤ（ｉ）の出力に応じて波形記憶回路５２に記憶された波形を読み出すことになるので、図７に破線で示したように変化することになる。したがって、第１の波形合成回路４２の出力は第３の波形合成回路４３の出力に対して位相シフト設定レジスタ５５の設定値に応じて９０°位相差が生じた波形となる。
なお、上記においては発振器４１のクロックパルスの周波数ｆ1と周波数設定レジスタ５４の設定周波数ｆ2 との比をｆ2 ／ｆ1 ＝１／８としたが、この比を大きくすれば、よりなめらかな出力波形が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月18日(2004.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】投影露光装置及び露光方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクに描画された露光用パターンの一部分を照明する照明領域を有する照明系と、
前記マスクを前記照明領域に対して走査させるマスクステージと、
前記照明領域の前記露光用パターンの像を前記照明領域に対応した露光領域に投影する投影光学系と、
前記マスクステージの前記走査と同期して感光基板を前記露光領域に対して走査させる基板ステージと、
前記投影光学系の近傍に配設され、露光中に前記照明領域に達する前の前記マスクの所定領域と、前記露光領域に達する前の前記感光基板の所定領域との前記投影光学系の光軸方向に関する距離を２次元多点で測定する測定手段と、
前記測定手段の測定結果に基づいて、前記マスクの所定領域の仮想のマスク平面に対する前記感光基板の所定領域の相対的な傾きを演算する演算手段と、
前記演算手段の演算結果に基づいて、前記マスクステージと前記基板ステージとの少なくとも一方を駆動して、前記相対的な傾きを補正する補正手段とを備えたことを特徴とする投影露光装置。
【請求項２】
請求項１記載の投影露光装置において、
前記投影光学系は、正立正像等倍の光学系であることを特徴とする投影露光装置。
【請求項３】
請求項２記載の投影露光装置において、
前記測定手段は、前記感光基板面及び前記マスク面の走査方向及び当該走査方向に直角な方向にマトリクス状に並び、それぞれが前記マスク及び前記感光基板間の前記投影光学系の光軸方向の距離を測定する多数の検出器を有していることを特徴とする投影露光装置。
【請求項４】
請求項１記載の投影露光装置において、
前記測定手段は、前記基板の走査方向に所定の長さと、前記走査方向に直角な方向に所定の長さとで囲まれた測定領域を前記２次元多点で計測することを特徴とする投影露光装置。
【請求項５】
マスクに描画された露光用パターンの一部分を照明し、
前記マスクを照明された領域に対して走査させて、前記照明された領域の前記露光用パターンの像を前記照明された領域に対応した感光基板上の露光領域に前記露光用パターンの一部分を投影する投影光学系を介して投影し、
前記マスクを走査させるのと同期して前記感光基板を前記露光領域に対して走査させて、前記感光基板に前記露光用パターンを露光するに際し、前記照明された領域に達する前の前記マスクの所定領域と、前記露光領域に達する前の前記感光基板の所定領域との前記投影光学系の光軸方向に関する距離を２次元多点で測定し、
測定した結果に基づいて、前記マスクの所定領域の仮想のマスク平面に対する前記感光基板の所定領域の相対的な傾きを演算し、
演算した結果に基づいて、前記マスクと前記感光基板との少なくとも一方の前記相対的な傾きを補正することを特徴とする露光方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月15日(2005.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像処理のための２次元線形畳み込み方法であって、
ピクセル・アレイの１行に含まれるピクセルの組合せについて部分畳み込み結果を生成するステップと、
前記部分畳み込み結果をルックアップ・テーブルに格納するステップと、
入力ピクセル・ウィンドウ内の１行分のピクセルを前記ピクセル・アレイの前記行にマッピングするステップと、
突合せする行に関連する前記ルックアップ・テーブルの部分畳み込み結果にアクセスするステップと、
を含む畳み込み方法。
【請求項２】
前記マッピングするステップが、
前記ピクセル・アレイの前記行に含まれる前記ピクセルの組合せから第１の値を導出するステップと、
前記ピクセルの組合せからの前記第１の値を前記ルックアップ・テーブル内の関連する部分畳み込み結果に相関させるステップと、
入力ピクセル・ウィンドウ内の１行分のピクセルから第２の値を導出するステップと、
前記第２の値に等しい第１の値に関連する前記ルックアップ・テーブルの部分畳み込み結果にアクセスするステップと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
１行分のピクセルから入力ビットとして受け取るステップと、前記ビットを等価の１０進数に変換するステップと、によって値が導出される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
第１および第２の入力ピクセル・ウィンドウを第１および第２のバッファにそれぞれ格納するステップと、
前記第１のバッファの内容を処理するステップと、
各処理ステップの終了時に前記第１および第２にバッファの内容を１ピクセル分シフトするステップと、
前記第２のバッファの内容のすべてが前記第１のバッファにシフトされたときに第３の入力ピクセル・ウィンドウを前記第２のバッファに格納するステップと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記部分結果を合計してグレイスケールのピクセルを生成するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記グレイスケールの出力ピクセルに対してしきい値処理ステップを実行して出力ピクセルを生成するステップをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記畳み込みが重み関数から導出される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記部分畳み込み結果を生成するステップにおいて、１つのピクセル行の可能なすべてのパターンに、前記ルックアップ・テーブルに格納するための畳み込みカーネル・マトリックスの対応する行をかける、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記部分結果ルックアップ・テーブルが特定の倍率について事前計算される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ルックアップ・テーブルの部分畳み込み結果が変倍動作中に必要に応じて生成される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記ルックアップ・テーブルが圧縮されてＲＯＭに格納され、ランタイム時に圧縮解除される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記部分畳み込み結果が浮動小数点演算で計算され、固定小数点精度に変換されてから、前記ルックアップ・テーブルに格納される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記部分畳み込み結果が、プログラム可能メモリ、ＲＡＭ、または磁気記憶装置のうちの１つに格納される、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月12日(2004.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体製造装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
密閉チャンバの上端開口部に蓋ベースを固着し、該蓋ベースに少なくとも２つの孔を穿設し、該孔を気密に閉塞する蓋体を回転可能に設けたことを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月22日(2005.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】複数のＵＳＢエンドポイントとＵＳＢホストとの間で共用するＲＡＭ内の動的割り当て空間
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記第１のインタフェースはシリアルインタフェースエンジン（ＳＩＥ）である請求項１記載のＵＳＢマイクロコントローラ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
前記メモリ管理ユニットが外部デバイスインタフェースおよびＵＳＢシリアルインタフェースエンジンに接続された請求項２０記載のメモリ管理ユニット。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２３】
ＵＳＢとのインタフェースを取るためのシリアルインタフェースエンジンと、
少なくとも１つの周辺デバイスとのインタフェースを取るための外部デバイスインタフェースと、前記シリアルインタフェースエンジンおよび前記外部デバイスインタフェースとに接続されたメモリ管理ユニットとを備え、このメモリ管理ユニットは、前記少なくとも１つの周辺デバイスに関連した１つまたは複数のＵＳＢエンドポイントで生成されたパケットと、前記ＵＳＢを介してホストから送信されたパケットとに動的に割り当てられるアドレス空間を有するＲＡＭを有するＵＳＢ周辺マイクロコントローラ。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
【発明の実施の形態】
図３に、本発明の実施の形態によるＵＳＢ周辺マイクロコントローラを示す。このＵＳＢマイクロコントローラは、シリアルインタフェースエンジン（ＳＩＥ）６０と、ＭＣＵインタフェースユニット７０と、メモリ管理ユニット８０とからなる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
シリアルインタフェースエンジン６０は、アナログトランシーバ６２，ＳＩＥファンクションブロック６４，ＳＩＥ ＤＭＡインタフェースロジック６６，およびエンド
ポイント制御ロジック６８を有する。アナログトランシーバ６２はＳＩＥ６０をＵＳＢディファレンシャルライン６１に接続する。このライン６１はＵＳＢホストまたはＵＳＢハブに接続される。このトランシーバの仕様は上記ＵＳＢ仕様の第７章にある。ＳＩＥファンクションブロックは、シリアルＵＳＢビット列のパケットをパラレルデータに変換する。後述するように、このパラレルデータは、ついで、ＭＭＵ８０内のＲＡＭ８２内にバッファリングされる。ＳＩＥファンクションブロック６４は、また、ＭＭＵ８０内のバッファＲＡＭ８２から受け取ったパケットをＵＳＢフォーマットのシリアルパケットに変換する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
メモリ管理ユニット８０は、また、メモリマネージャ９８およびＭＡＰ ＲＡ
Ｍ９９を有する。メモリマネージャ９８およびＭＡＰ ＲＡＭ９９は、共同で、
パケットバッファＲＡＭ８２の物理アドレスを生成する。このようなアドレシングの一つは、上記米国特許第５，３１３，５８６号に詳細に説明されている。例えば、ＲＡＭ８２が、３２ページ×ページ当たり１２８バイトの４ＫＲＡＭである場合を考える。このＲＡＭの各バイトロケーションは１２ビットアドレスを有する。アドレスの上位５ビット（five MSB)は、アービタ８４により生成された
パケット内のパケット番号およびページ番号に応じて、ＭＡＰ ＲＡＭ９９から
出力される。アドレスの下位７ビット(7 LSB)は、アービタ８４により直接出力
されたページオフセットである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
1998326251.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
1998326251.tif 000002
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
1998326251.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月5日(2005.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータ・システムにおいて、言語から独立した手法でメッセージ・ログ・ファイルにおけるメッセージを操作するための方法であって、
前記コンピュータ・システムの第１のプロセスにおいて、言語独立のフォーマットで第１のメッセージを生成するステップと、
前記第１のプロセスに関連づけられたメッセージ・ログ・ファイルに、前記第１のメッセージを格納するステップと、
第２のプロセスによって、前記メッセージ・ログ・ファイルから前記第１のメッセージを抽出するステップと、
前記第２のプロセスに関連づけられたメッセージ・カタログであって、前記第２のプロセスの好ましい言語に対応するメッセージ・カタログを選択するステップと、
前記第２のプロセスにおいて、前記メッセージ・カタログに従い、前記第１のメッセージを、前記好ましい言語でコード化される第２のメッセージに翻訳するステップと、を含み、
前記第１のメッセージを生成するステップは、さらに、前記選択されたメッセージ・カタログにおいて対応するエントリを識別するメッセージＩＤを含むメッセージ・ヘッダ部分を、該第１のメッセージに生成することを含む、
方法。
【請求項２】
前記翻訳するステップは、さらに、
前記メッセージ・ヘッダの前記メッセージＩＤに対応する前記選択されたメッセージ・カタログにおけるエントリを検索するステップであって、該エントリは、前記第１のメッセージを前記第２のメッセージに翻訳するためのテンプレートを含む、ステップと、
前記選択されたメッセージ・カタログにおいて検索されたエントリにおける前記テンプレートに従って、前記第２のメッセージを生成するステップと、を含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１のメッセージを生成するステップは、さらに、
前記第１のメッセージのパラメータ部分を生成するステップを含む、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記パラメータ部分は、少なくとも１つのパラメータ値を含む、
請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記第２のメッセージを生成するステップは、さらに、
前記第１のメッセージの前記パラメータ部分の前記少なくとも１つのパラメータ値のうちの１つによって置き換えられるべきテンプレートの変数部分を、該テンプレートにおいて識別するステップと、
前記少なくとも１つのパラメータの値のうちの前記１つを、前記テンプレートの変数部分に代入するステップと、
を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つのパラメータ値のそれぞれは、ユニークな位置的な印に関連づけられており、
前記第２のメッセージを生成するステップは、さらに、
前記第１のメッセージの前記パラメータ部分の前記少なくとも１つのパラメータ値のうちの識別された１つによって置き換えられるべきテンプレートの変数部分を、該テンプレートにおいて識別するステップであって、該少なくとも１つのパラメータ値のうちの該識別された１つは、該少なくとも１つのパラメータ値のうちの該識別された１つに関連づけられた前記ユニークな位置的な印により識別される、ステップと、
前記少なくとも１つのパラメータ値のうちの前記識別された１つを、前記テンプレートの変数部分に代入するステップと、を含む、
請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記第２のメッセージを生成するステップは、さらに、
特殊パラメータ値により置き換えられるべきテンプレートの変数部分を、該テンプレートにおいて識別するステップと、
前記第１のメッセージの前記メッセージ・ヘッダ部分の情報から、前記特殊パラメータ値を導き出すステップと、
前記テンプレートの変数部分に、前記特殊パラメータ値を代入するステップと、
を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項８】
前記パラメータ部分は、少なくとも１つの特殊パラメータ値を含み、
前記第２のメッセージを生成するステップは、さらに、
前記少なくとも１つの特殊パラメータ値のうちの１つによって置き換えられるべきテンプレートの変数部分を、該テンプレートにおいて識別するステップと、
前記少なくとも１つの特殊パラメータ値のうちの前記１つを、前記テンプレートの変数部分に代入するステップと、を含む、
請求項３に記載の方法。
【請求項９】
前記第１のメッセージを生成するステップは、さらに、
特殊パラメータについて、特殊な書式仕様が前記テンプレートに存在するかどうかを判断するために、該テンプレートを解析するステップと、
前記特殊な書式仕様が前記テンプレートに存在するかどうかの判断に応じて、前記第１のメッセージの前記パラメータ部分に特殊パラメータ値を生成するステップと、を含む、
請求項３に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１のメッセージを生成するステップは、
標準のパラメータについて標準の書式仕様が前記テンプレートに存在するかどうかを判断するために、該テンプレートを解析するステップと、
前記標準の書式仕様が前記テンプレートに存在するかどうかの判断に応じて、前記第１のメッセージの前記パラメータ部分に標準のパラメータ値を生成するステップと、を含む、
請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月27日(2004.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力データを入力するデータ入力手段と、
所要の作業を行う作業手段での作業により生成された複数の異種データファイルてあって、少なくとも２つのファイルが共通のキーワードを含むデータファイルを格納する第一の格納手段と、
前記複数のデータファイルに設定されたキーワードを格納する第二の格納手段と、
前記各キーワードがいずれのデータファイルに含まれるかを示す所在情報を格納する第三の格納手段と、
前記第二の格納手段に格納されたキーワード情報と、第一の更新情報とに基づいて、前記データファイルに含まれるキーワードを複数の異種データファイルにわたって更新する演算手段と
を備えたことを特徴とするデータ管理装置。
【請求項２】
前記演算手段は、異種データファイルに含まれる共通のキーワードを一括して更新する一括更新と、一部を更新する部分更新とを前記入力データにより制御可能としたことを特徴とする請求項１記載のデータ管理装置。
【請求項３】
前記演算手段は、
各キーワード毎に当該キーワードが含まれるデータファイルと、
該データファイル内の前記キーワードが更新されたか否かを示す第二の更新情報とからなる更新管理テーブルと
を生成することことを特徴とする請求項１又は２記載のデータ管理装置。
【請求項４】
前記演算手段は、各データファイルの更新回数を示す版数テーブルを生成することを特徴とする請求項１、請求項２又は請求項３記載のデータ管理装置。
【請求項５】
前記データ入力手段には表示装置を備え、
前記演算手段は、
前記更新管理テーブルの少なくとも一部の情報を表示することを特徴とする請求項２記載のデータ管理装置。
【請求項６】
更新情報を入力する入力部と、
複数のデータファイルと、前記複数のデータファイルに設定されたキーワードと、前記データファイルと前記キーワードとの関係とを格納するデータベースと、
前記複数のデータファイルが有する共通のキーワードを前記更新情報に基づいて同時に更新する演算部と
を備えることを特徴とするデータ管理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明のデータ管理装置は、入力データを入力するデータ入力手段と、所要の作業を行う作業手段での作業により生成された複数の異種データファイルてあって、少なくとも２つのファイルが共通のキーワードを含むデータファイルを格納する第一の格納手段と、
前記複数のデータファイルに設定されたキーワードを格納する第二の格納手段と、前記各キーワードがいずれのデータファイルに含まれるかを示す所在情報を格納する第三の格納手段と、前記第二の格納手段に格納されたキーワード情報と、第一の更新情報とに基づいて、前記データファイルに含まれるキーワードを複数の異種データファイルにわたって更新する演算手段とを備えた。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
演算手段により、第二の格納手段に格納されているキーワード情報と、第三の格納手段に格納されている所在情報とに基づいて、異種データファイル内のキーワードが同時に更新される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月26日(2004.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示装置上に追跡対象を表示する装置において、該装置は、
複数のピクセル値を第１の複数のフィールドに記憶するビデオメモリと、
あるピクセル位置における前記追跡対象の特性を特定するピクセル情報を有した、１もしくは１よりも多くのフィールドの各ピクセル値と、
複数のエントリーを有するピクセル解釈テーブルであって、各エントリーは、前記第１の複数のフィールドにおけるどのピクセル値がそのピクセル位置における前記追跡対象の表示特性を制御すべきかを解釈する、前記ピクセル解釈テーブルと、
前記ピクセル解釈テーブルのエントリーを特定する前記第１の複数のフィールドの中の１つのフィールドにおけるインデックス値と、
前記ピクセル解釈テーブルの前記複数のエントリーを変更する手段であって、前記変更された複数のエントリーは、前記追跡対象の他の特性を表示することに関して前記第１の複数のフィールドの中のどのピクセル値が制御すべきかを再び解釈する、前記変更する手段と、
を備えることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記変更する手段はデバイスドライバーを有する請求項１記載の装置。
【請求項３】
前記ピクセル解釈テーブルの各エントリーは第２の複数のフィールドを備え、前記変更する手段は１もしくは１よりも多くのフィールドを変更して前記エントリーを変更するよう構成されている、請求項１記載の装置。
【請求項４】
前記ピクセル値は色を有し、前記ピクセル解釈テーブルのエントリーは、第１のフレームに第１の色を出力するために第１のフィールドのピクセル値を選択し、前記変更する手段による前記エントリーの変更後に前記第１のフレームに続くフレームに第２の色を出力するために第２のフィールドのピクセル値を選択する、請求項３記載の装置。
【請求項５】
前記インデックス値は、前記ピクセル解釈テーブルに、そのピクセル位置の前記追跡対象がブリンクであることを示す、請求項１記載の装置。
【請求項６】
前記インデックス値は、前記ピクセル解釈テーブルに、そのピクセル位置の前記追跡対象が最新対象位置であることを示す、請求項１記載の装置。
【請求項７】
前記インデックス値は、前記ピクセル解釈テーブルに、その位置の前記追跡対象が以前の追跡位置の１つであることを示す、請求項１記載の装置。
【請求項８】
前記ピクセル値の前記インデックス値を変更する手段を更に備える請求項１記載の装置。
【請求項９】
表示装置上に追跡対象を表示する方法において、該方法は、
複数のピクセル値を第１の複数のフィールドに記憶する段階であって、１もしくは１よりも多くのフィールドの各ピクセル値は、あるピクセル位置における前記追跡対象の特性を特定するピクセル情報を有する、前記段階と、
あるピクセル解釈テーブルに複数のエントリーを形成する段階であって、前記第１の複数のフィールドの中の１つのフィールドにおけるインデックス値は、前記解釈テーブルにおけるエントリーを特定し、各エントリーは、前記第１の複数のフィールドにおけるどのピクセル値がそのピクセル位置における前記追跡対象の表示特性を制御すべきかを解釈する、前記段階と、
前記ピクセル解釈テーブルの前記複数のエントリーを変更する段階であって、前記変更された複数のエントリーは、前記追跡対象の他の特性を表示することに関して前記第１の複数のフィールドの中のどのピクセル値が制御すべきかを再び解釈する、前記段階と、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１０】
前記ピクセル解釈テーブルの各エントリーは、第２の複数のフィールドを備え、前記方法は更に、１もしくは１よりも多くのフィールドを変更して前記エントリーを変更する段階を備える、請求項９記載の装置。
【請求項１１】
前記追跡対象の色を複数のピクセル値にて記憶する段階と、
第１のフレームに第１の色を表示することに関して、前記ピクセル解釈テーブルのエントリーを用いてピクセル値を選択する段階と、
前記ピクセル解釈テーブルの前記エントリーを変更する段階と、
前記第１のフレームに続くフレームに第２の色を表示することに関して、前記変更されたエントリーを用いて他のピクセル値を選択する段階と、
を更に備える請求項１０記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月31日(2004.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザー処理方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザー発振器からのレーザービームをビームホモジェナイザーによって線状のビームに整形して、前記線状のビームを走査しながら被処理物に照射するレーザー処理方法であって、
前記ビームホモジェナイザーは、前記レーザービームを複数のビーム分割し、前記分割されたビームを重ね合わせることにより、定常波を被処理物の照射面に照射するレーザー処理方法であって、
前記線状のビームを、前記線状のビームの幅方向に対して斜めに走査することを特徴とするレーザー処理方法。
【請求項２】
縦方向に光をＮ（ｎ′−１）分割する第１のシリンドリカルレンズ群、光を横方向に（２ｎ＋１）分割するための第２のシリンドリカルレンズ群、前記横方向に分割された光を（ｎ′−１）個に結合し、かつ前記（ｎ′−１）個の光を横方向にｄ／（ｎ′−１）ずつ互いにずらして重ね合わせるための（ｎ′−１）個の第１のシリンドリカルレンズ、及び前記縦方向に分割された光を結合させるための第２のシリンドリカルレンズを少なくとも有する光学系を通して、レーザー発振器からのレーザービームを前記横方向に長手形状を有する線状のビームにし、
前記線状のビームを走査しながら被照射物に照射するレーザー処理方法であって、
前記線状のビームを、前記線状のビームの幅方向に対して斜めに走査し、
前記Ｎは自然数であり、
前記ｎおよびｎ′は、３≦ｎ′≦ｎの範囲にある整数であり、
前記ｄは、前記（ｎ′−１）個の第１のシリンドリカルレンズを構成するレンズの一つを通過するビームが照射面において形成する干渉縞のピークの間隔として定義されることを特徴とするレーザー処理方法。
【請求項３】
縦方向に光をＮ（ｎ′−１）分割するための第１のシリンドリカルレンズ群、光を横方向に（２ｎ＋１）分割するための第２のシリンドリカルレンズ群、前記横方向に分割された光を（ｎ′−１）個に結合し、かつ前記（ｎ′−１）個の光を横方向にｄ／（ｎ′−１）ずつ互いにずらして重ね合わせるための（ｎ′−１）個の第１のシリンドリカルレンズ、及び前記縦方向に分割された光を結合させるための第２のシリンドリカルレンズを少なくとも有する光学系を通して、レーザー発振器からのレーザービームを前記横方向に長手形状を有する線状のビームにし、
前記線状のビームを走査しながら被照射物に照射するレーザー処理方法であって、
前記線状のビームを、前記線状のビームの幅方向に対して斜めに走査し、
前記Ｎは自然数であり、
前記ｎおよびｎ′は、３≦ｎ′≦ｎの範囲にある整数であり、
前記ｄは、λを前記レーザービームの波長とし、ｆを前記第１のシリンドリカルレンズの焦点距離とし、Ｌを前記第２のシリンドリカルレンズ群を構成する一つのレンズの幅として、ｄ＝λｆ／Ｌで示されることを特徴とするレーザー処理方法。
【請求項４】
縦方向に光をＮ（ｎ′−１）分割するための第１のシリンドリカルレンズ群、光を横方向に（２ｎ）分割するための第２のシリンドリカルレンズ群、前記横方向に分割された光を（ｎ′−１）個に結合し、かつ前記（ｎ′−１）個の光を横方向にｄ／（ｎ′−１）ずつ互いにずらして重ね合わせるための（ｎ′−１）個の第１のシリンドリカルレンズ、及び前記縦方向に分割された光を結合させる役割を果たす第２のシリンドリカルレンズを少なくとも有する光学系を通して、レーザー発振器からのレーザービームを前記横方向に長手形状を有する線状のビームにし、
前記線状のビームを走査しながら被照射物に照射するレーザー処理方法であって、
前記線状のビームを、前記線状のビームの幅方向に対して斜めに走査し、
前記Ｎは自然数であり、
前記ｎおよびｎ′は、３≦ｎ′≦ｎの範囲にある整数であり、
前記ｄは、前記（ｎ′−１）個の第１のシリンドリカルレンズを構成するレンズの一つを通過するビームが照射面において形成する干渉縞のピークの間隔として定義されることを特徴とするレーザー処理方法。
【請求項５】
縦方向に光をＮ（ｎ′−１）分割するための第１のシリンドリカルレンズ群、光を横方向に（２ｎ）分割する役割を果たす第２のシリンドリカルレンズ群、前記横方向に分割された光を（ｎ′−１）個に結合し、かつ前記（ｎ′−１）個の光を横方向にｄ／（ｎ′−１）ずつ互いにずらして重ね合わせるための（ｎ′−１）個の第１のシリンドリカルレンズ、及び前記縦方向に分割された光を結合させる役割を果たす第２のシリンドリカルレンズを少なくとも有する光学系を通して、レーザー発振器からのレーザービームを前記横方向に長手形状を有する線状のビームにし、
前記線状のビームを走査しながら被照射物に照射するレーザー処理方法であって、
前記線状のビームを、前記線状のビームの幅方向に対して斜めに走査し、
前記Ｎは自然数であり、
前記ｎおよびｎ′は、３≦ｎ′≦ｎの範囲にある整数であり、
前記ｄは、λを前記レーザービームの波長とし、ｆを前記第１のシリンドリカルレンズの焦点距離とし、Ｌを前記第２のシリンドリカルレンズ群を構成する一つのレンズの幅として、ｄ＝λｆ／Ｌで示されることを特徴とするレーザー処理方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、前記被処理物は半導体膜であることを特徴とするレーザー処理方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、前記被処理物は非晶質珪素膜であり、前記線状のビームを照射することにより、前記非晶質珪素膜を結晶化させることを特徴とするレーザー処理方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、前記被処理物はドーパントが添加された珪素膜であり、前記線状のビームを照射することにより、前記添加されたドーパントを活性化することを特徴とするレーザー処理方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、前記レーザービームはエキシマレーザービームであることを特徴とするレーザー処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月21日(2005.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ほぼ矩形の画像表示域を有する真空外囲器において、少なくとも画像表示域は、真空に維持されている内部と接する内側の層がガラスからなり、外側の層が光透過性樹脂からなる複層材で本質的に構成されており、光透過性樹脂のヤング率ＥＰがガラスのヤング率ＥＧの１／１０〜１／５の範囲であることを特徴とするディスプレイ用真空外囲器。
【請求項２】
ＥＰがＥＧの１／１０〜１／７の範囲であり、かつ光透過性樹脂の密度をρＰ、ガラスの密度をρＧとするとき、ρＰ３／ＥＰがρＧ３／ＥＧ未満である請求項１に記載のディスプレイ用真空外囲器。
【請求項３】
複層材を構成するガラスの厚みが２ｍｍ以上かつ複層材の全体厚みの１／２以下である請求項１または２に記載の陰極線管ディスプレイ用真空外囲器。
【請求項４】
複層材を構成するガラスの厚みが０．７ｍｍ以上かつ複層材の全体厚みの１／２以下である請求項１または２に記載のフィールドエミッションディスプレイ用真空外囲器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
【表１】
2001068041.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
【表２】
2001068041.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月15日(2004.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板面に対して垂直に発光又は受光を行なう少なくとも１つの面型光素子において、該面型光素子の形成に必要な保持基板となる第１の基板を除去或は薄膜化して機能層および受・発光、電気的制御を行なう為に必要な該機能層の少なくとも一方の表面に形成された電極から成る面型光素子が、該第１の基板とは異なる第２の基板に、該機能層の表面に形成された電極と該第２の基板上に形成された電極とが電気的接触が得られる様に接着されており、且つ該第２の基板上に該面型光素子を独立に駆動、制御する為の電極配線が形成されていることを特徴とする面型光素子。
【請求項２】
該面型光素子は２個以上集積化されており、該第１の基板上で該面型光素子を形成したときの最表面の電極を共通電極として、第２の基板に形成した電極に全面を電気的接触が得られる様に接着されており、該２個以上の面型光素子の間は機能層が除去されて素子分離されており、該第１の基板を除去あるいは薄膜化して表れた表面に該共通電極とは異なるもう一方の電極を各素子毎に形成し、その表面に絶縁層を形成するとともに、電極コンタクトを得る為のコンタクトホールと受・発光を行なう為の窓を該絶縁層に形成し、該各素子毎の電極から該第２の基板までに電極配線を形成していることで該面型光素子を独立に駆動、制御することを特徴とする請求項１記載の面型光素子。
【請求項３】
該第２の基板には、該面型光素子を駆動、制御する為のＳｉ集積回路のベアチップがフリップチップ実装されて請求項１または２に記載の面型光素子と集積化されていることを特徴とする光電子融合ＭＣＭ（Ｍｕｌｔｉ−Ｃｈｉｐ−Ｍｏｄｕｌｅ）。
【請求項４】
第１の基板上に機能層を成膜する工程と、面型光素子の形状および電極を加工する工程と、第２の基板に電極を形成して該面型光素子の電極とアライメントして接着する工程と、第１の基板を除去あるいは薄膜化して機能層のみを転写する工程と、該面型光素子の素子間の機能層を除去して素子分離を行なって各素子に電極を形成する工程と、該転写された機能層表面に絶縁層を形成して電極コンタクトを得る部分および受・発光する部分に穴を開ける工程と、該絶縁層上に、転写された機能層表面の電極と該第２の基板との間に電極配線パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする面型光素子の製造方法。
【請求項５】
第１の基板上に機能層を成膜する工程と、面型光素子の形状を加工する工程と、該面型発光素子の素子間の機能層を除去して素子分離を行なってから電極を加工する工程と、第２の基板に電極を形成して該面型光素子の電極とアライメントして接着する工程と、第１の基板を除去あるいは薄膜化して機能層のみを転写する工程と、転写された機能層表面に電極を形成する工程と、該転写された機能層表面に絶縁層を形成して電極コンタクトを得る部分および受・発光する部分に穴を開ける工程と、該絶縁層上に、転写された機能層表面の電極と該第２の基板との間に電極配線パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする面型光素子の製造方法。
【請求項６】
第１の基板上に機能層を成膜する工程と、面型光素子の形状を加工する工程と、該面型光素子の素子間の機能層を除去して素子分離を行なってから電極を加工する工程と、第３の基板にエピタキシャル層表面を接着する工程と、該第１の基板を除去あるいは薄膜化して機能層のみを残す工程と、該除去して現れた機能層表面に電極を形成する工程と、第２の基板に電極を形成して該面型光素子の電極とアライメントして接着する工程と、該第３の基板を除去して該第２の基板に機能層を転写する工程と、該転写された機能層表面に絶縁層を形成して電極コンタクトを得る部分および受・発光する部分に穴を開ける工程と、該絶縁層上に、転写された機能層表面の電極と該第２の基板との間に電極配線パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする面型光素子の製造方法。
【請求項７】
第２の基板上の複数の個所にアレイ状に逐次複数の面型光素子を接着し、該第２の基板上で電極を形成する工程、第１の基板を除去あるいは薄膜化して機能層を転写する工程、転写後に電極配線を行なう工程などを一括して行い、Ｓｉ集積回路をフリップチップ実装する場合にも逐次アレイ状に実装していき、最後に該第２の基板をダイシングすることで請求項３記載の光電子ＭＣＭを一回の工程で複数作製することを特徴とする光電子融合ＭＣＭの製造方法。
【請求項８】
光電子融合ＭＣＭの表面に平坦化した層間絶縁層を形成して挟み更にその表面に光電子融合ＭＣＭを構成するようにして複数の光電子融合ＭＣＭが積層され、各層の信号の授受を光を用いて行うことが可能であることを特徴とする多層光電子融合ＭＣＭ。
【請求項９】
面型光素子が面発光レーザである請求項３記載の光電子融合ＭＣＭを光源として、マルチレーザビームで高速に光記録媒体に記録を行うことを特徴とする光記録装置。