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【手続補正書】
【提出日】令和3年6月11日(2021.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式ＩＩＩ：
【化１】
2020530837.tif 000001
の化合物であって、式中、
Ｗは、ＣＨ２またはＮＨであり；
Ｒは、置換されていてもよいＣ１−８アルキル、ハロゲン、置換されていてもよいＣ１−４アルコキシ、シアノ、ヒドロキシ、置換されていてもよいトリフルオロメチル、またはＣ１−４チオアルコキシであり；
ｎは、０、１、２、または３であり、ただしＲは、ｎが２または３である場合には同じであっても異なっていてもよく；
Ｒ１およびＲ２は、同じであっても異なっていてもよく、水素、置換されていてもよいＣ１−８アルキル、置換されていてもよいアミド、置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいヘテロアリール、置換されていてもよいアリールアルキル、および置換されていてもよいＣ３−７シクロアルキルからなる群から独立に選択されるか；あるいは
Ｒ１およびＲ２が結合して、アルキル基またはアリール基で置換されていてもよい５〜７員の複素環を形成してもよく、ここで、当該環状化合物は、１〜２個の窒素原子および０〜１個の酸素原子を含んでもよく、前記窒素原子は、互いに直接結合しておらず、前記酸素原子とも直接結合していない；
化合物、またはその薬学的に許容される塩。
【請求項２】
Ｒ１およびＲ２が水素である、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
ｎが０である、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
式ＩＩＩａ：
【化２】
2020530837.tif 000002
を有する、請求項１に記載の化合物、またはその薬学的に許容される塩。
【請求項５】
化合物１または２：
【化３】
2020530837.tif 000003
である、請求項４に記載の化合物、またはその薬学的に許容される塩。
【請求項６】
式ＩＶａ：
【化４】
2020530837.tif 000004
を有する、請求項１に記載の化合物、またはその薬学的に許容される塩。
【請求項７】
化合物３または４：
【化５】
2020530837.tif 000005
である、請求項６に記載の化合物、またはその薬学的に許容される塩。
【請求項８】
式Ｖ：
【化６】
2020530837.tif 000006
の化合物であって、式中、
Ｚは、ＯまたはＳであり；
Ｙは、Ｃ＝Ｏ、Ｃ＝Ｓ、またはＳＯ２であり；
Ｒは、置換されていてもよいＣ１−８アルキル、ハロゲン、置換されていてもよいＣ１−４アルコキシ、シアノ、ヒドロキシ、置換されていてもよいトリフルオロメチル、またはＣ１−４チオアルコキシであり；
ｎは、０、１、２、または３であり、ただしＲは、ｎが２または３である場合には同じであっても異なっていてもよく；
Ｒ１およびＲ２は、同じであっても異なっていてもよく、水素、置換されていてもよいＣ１−８アルキル、置換されていてもよいアミド、置換されていてもよいアリール、置換されていてもよいヘテロアリール、置換されていてもよいアリールアルキル、および置換されていてもよいＣ３−７シクロアルキルからなる群から独立に選択されるか；あるいは
Ｒ１およびＲ２が結合して、アルキル基またはアリール基で置換されていてもよい５〜７員の複素環を形成してもよく、ここで、当該環状化合物は、１〜２個の窒素原子および０〜１個の酸素原子を含んでもよく、前記窒素原子は、互いに直接結合しておらず、前記酸素原子とも直接結合しておらず；
ＹがＣ＝Ｏである場合、ＺはＯではない、
化合物、またはその薬学的に許容される塩。
【請求項９】
Ｒ１およびＲ２が水素である、請求項８に記載の化合物。
【請求項１０】
ｎが０である、請求項８に記載の化合物。
【請求項１１】
式Ｖａ：
【化７】
2020530837.tif 000007
を有する、請求項８に記載の化合物、またはその薬学的に許容される塩。
【請求項１２】
化合物５、６、または７：
【化８】
2020530837.tif 000008
である、請求項１１に記載の化合物、またはその薬学的に許容される塩。
【請求項１３】
式ＶＩａ：
【化９】
2020530837.tif 000009
を有する、請求項８に記載の化合物、またはその薬学的に許容される塩。
【請求項１４】
化合物８、９、または１０：
【化１０】
2020530837.tif 000010
である、請求項１３に記載の化合物、またはそれらの薬学的に許容される塩。
【請求項１５】
塩酸塩である、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１６】
請求項１〜１５のいずれか１項に記載の化合物を含む、組成物。
【請求項１７】
前記組成物が剤形であり、即時放出型の経口剤形であってもよく、錠剤またはカプセル剤であってもよい、請求項１６に記載の組成物。
【請求項１８】
その必要がある対象のナルコレプシー、カタプレキシー、日中の過剰な眠気、閉塞型睡眠時無呼吸、特発性過眠症、薬物依存症、性機能障害、疲労、線維筋痛症、注意欠陥／多動障害、レストレスレッグス症候群、うつ病、双極性障害、非定型うつ病、むちゃ食い障害、もしくは肥満から選択される障害もしくは病態を処置する方法またはその必要がある対象の禁煙を促進させる方法において使用するための、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の化合物。
【請求項１９】
前記障害または病態が、ナルコレプシー、カタプレキシー、日中の過剰な眠気、閉塞型睡眠時無呼吸、および特発性過眠症から選択される、請求項１８に記載の化合物。
【請求項２０】
前記日中の過剰な眠気が、特発性過眠症、閉塞型睡眠時無呼吸、多発性硬化症、非定型うつ病、または薬物に関連する過剰な眠気に関連する、請求項１９に記載の化合物。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月16日(2021.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
CRF1受容体拮抗薬又はその薬剤的に許容できる塩を含む、ヒトの先天性副腎過形成（ＣＡＨ）の治療剤であって、前記ヒトにおける副腎皮質刺激ホルモン（ＡＣＴＨ）値がベースラインから低下する、治療剤。
【請求項２】
CRF1受容体拮抗薬又はその薬剤的に許容できる塩を含む、ヒトの先天性副腎過形成（ＣＡＨ）の治療剤であって、前記ヒトにおける１７α−ヒドロキシプロゲステロン（１７−ＯＨＰ）値がベースラインから低下する、治療剤。
【請求項３】
CRF1受容体拮抗薬又はその薬剤的に許容できる塩を含む、ヒトの先天性副腎過形成（ＣＡＨ）の治療剤であって、前記ヒトにおけるアンドロステンジオン（Ａ４）値がベースラインから低下する、治療剤。
【請求項４】
CRF1受容体拮抗薬又はその薬剤的に許容できる塩を含む、ヒトの先天性副腎過形成（ＣＡＨ）の治療剤であって、前記ヒトにおける第１のホルモン値がベースラインから低下し、前記ヒトにおける第２のホルモン値がベースラインから低下する、治療剤。
【請求項５】
第３のホルモン値がベースラインから低下する、請求項４記載の治療剤。
【請求項６】
前記第１のホルモンがＡＣＴＨであり、前記第２のホルモンが１７−ＯＨＰである、請求項４記載の治療剤。
【請求項７】
前記第３のホルモンがＡ４である、請求項５記載の治療剤。
【請求項８】
前記第１のホルモンがＡＣＴＨであり、前記第２のホルモンがＡ４である、請求項４記載の治療剤。
【請求項９】
前記第３のホルモンが１７−ＯＨＰである、請求項８記載の治療剤。
【請求項１０】
前記第１のホルモンが１７−ＯＨＰであり、前記第２のホルモンがＡ４である、請求項４記載の治療剤。
【請求項１１】
前記第３のホルモンがＡＣＴＨである、請求項１０記載の治療剤。
【請求項１２】
ホルモン値がベースラインから少なくとも５％、１０％、１５％、２０％、又は２５％低下し、その後２４時間、低下した値に維持される、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の治療剤。
【請求項１３】
前記CRF1受容体拮抗薬又はその薬剤的に許容できる塩の投与量が、約５０ｍｇ／日〜約１６００ｍｇ／日の用量で投与される、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の治療剤。
【請求項１４】
前記CRF1受容体拮抗薬又はその薬剤的に許容できる塩の投与量が、約１００ｍｇ／日〜約６００ｍｇ／日の用量で投与される、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の治療剤。
【請求項１５】
前記CRF1受容体拮抗薬又はその薬剤的に許容できる塩の投与量が、約２００ｍｇ／日の用量で投与される、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の治療剤。
【請求項１６】
微小粒子の形態にある、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の治療剤。
【請求項１７】
前記微小粒子の平均サイズが約１μｍ〜約２０μｍである、請求項１６記載の治療剤。
【請求項１８】
医薬組成物の形態にある、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の治療剤。
【請求項１９】
前記医薬組成物が、カプセル又は錠剤の形態にある、請求項１８記載の治療剤。
【請求項２０】
ＣＡＨが古典的ＣＡＨである、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の治療剤。
【請求項２１】
ＣＡＨが非古典的ＣＡＨである、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の治療剤。
【請求項２２】
糖質コルチコイド（ＧＣ）をさらに含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の治療剤。
【請求項２３】
就寝の４時間前に投与される、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の治療剤。
【請求項２４】
前記ＧＣが前記CRF1受容体拮抗薬又はその薬剤的に許容できる塩と同時又は前記CRF1受容体拮抗薬又はその薬剤的に許容できる塩の投与から２時間以内に逐次投与される、請求項２２記載の治療剤。
【請求項２５】
前記CRF1受容体拮抗薬が
【化１】
2020530831.tif 000001
である、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の治療剤。
【手続補正書】
【提出日】令和3年6月10日(2021.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベンゾ［ｂ］チオフェンＳＴＩＮＧアゴニストを含む細胞増殖障害の治療用の医薬組成物であって、
ここで、前記ベンゾ［ｂ］チオフェンＳＴＩＮＧアゴニストは、３〜２８日ごとに１回投与され；そして
前記ベンゾ［ｂ］チオフェンＳＴＩＮＧアゴニストは、下記式（Ｉａ）の化合物若しくは該化合物の薬学的に許容される塩から選択される医薬組成物。
【化１】
2020530838.tif 000001
［式中、
Ｒ１は、Ｈ、ハロゲン、ＯＲ６、Ｎ（Ｒ６）２、Ｃ１−Ｃ６アルキル、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル、ＯＲ６によって置換されているＣ１−Ｃ６アルキル、Ｎ（Ｒ６）２によって置換されているＣ１−Ｃ６アルキル、ＣＯＯＲ６、及びＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ６）２からなる群から選択され；
Ｒ２は、ハロゲン、ＣＮ、ＯＲ６、Ｎ（Ｒ６）２、ＣＯＯＲ６、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ６）２、ＳＯ２Ｒ６、Ｃ１−Ｃ６アルキル、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル、ＯＲ６によって置換されているＣ１−Ｃ６アルキル、Ｃ２−Ｃ６アルケニル、Ｃ２−Ｃ６ハロアルケニル、ＯＲ６によって置換されているＣ２−Ｃ６アルケニル、Ｃ２−Ｃ６アルキニル、Ｃ２−Ｃ６ハロアルキニル、ＯＲ６によって置換されているＣ２−Ｃ６アルキニル、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル、及び、Ｏ、Ｓ、Ｎ及びＮ（Ｒ６）からなる群から選択される１〜２個の環員を含む３〜６員複素環からなる群から選択され；
Ｒ３は、ハロゲン、ＣＮ、ＯＲ６、Ｎ（Ｒ６）２、ＣＯＯＲ６、Ｃ（Ｏ）Ｎ（Ｒ６）２、ＳＯ２Ｒ６、Ｃ１−Ｃ６アルキル、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル、ＯＲ６によって置換されているＣ１−Ｃ６アルキル、Ｃ２−Ｃ６アルケニル、Ｃ２−Ｃ６ハロアルケニル、ＯＲ６によって置換されているＣ２−Ｃ６アルケニル、Ｃ２−Ｃ６アルキニル、Ｃ２−Ｃ６ハロアルキニル、ＯＲ６によって置換されているＣ２−Ｃ６アルキニル、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル、及び、Ｏ、Ｓ、Ｎ及びＮ（Ｒ６）からなる群から選択される１〜２個の環員を含む３〜６員複素環からなる群から選択され；
Ｒ４は、Ｈ、ハロゲン、ＯＲ６、Ｎ（Ｒ６）２、Ｃ１−Ｃ６アルキル、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル、ＯＲ６によって置換されているＣ１−Ｃ６アルキル、Ｎ（Ｒ６）２によって置換されているＣ１−Ｃ６アルキル、ＣＯＯＲ６及びＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ６）２からなる群から選択され；
Ｒ５は、Ｈ、ハロゲン、ＯＲ６、Ｎ（Ｒ６）２、ＣＮ、Ｃ１−Ｃ６アルキル、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル、ＯＲ６によって置換されているＣ１−Ｃ６アルキル、ＣＯＯＲ６、及びＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ６）２から選択され；
各Ｒ６は独立に、Ｈ、Ｃ１−Ｃ６アルキル及びＣ１−Ｃ６ハロアルキルからなる群から選択され；Ｘ１はＣ（Ｏ）であり；Ｘ２は（Ｃ（Ｒ８）２）（１−３）であり；
各Ｒ８は独立に、Ｈ、ハロゲン、Ｃ１−Ｃ６アルキル、ＣＮ、ＯＲ６、Ｎ（Ｒ６）２、Ｃ１−Ｃ６ハロアルキル、Ｃ３−Ｃ６シクロアルキル、ＯＲ６によって置換されているＣ１−Ｃ６アルキル、及びＮ（Ｒ６）２によって置換されているＣ１−Ｃ６アルキルからなる群から選択され；
任意に、２個のＲ８が、それらが結合している原子と一緒になって３〜６員縮合環を形成することができ；
任意に、２個のＲ８が、それらが結合している原子と一緒になって３〜６員スピロ環を形成することができ；
Ｘ３は、ＣＯＯＲ６、Ｃ（Ｏ）ＳＲ６、Ｃ（Ｓ）ＯＲ６、ＳＯ２Ｒ６、及びＣ（Ｏ）Ｎ（Ｒ９）２からなる群から選択され；そして
各Ｒ９は独立に、Ｈ、ＣＯＯＲ６及びＳＯ２Ｒ６からなる群から選択され；
ここで、Ｘ１−Ｘ２−Ｘ３がＸ１−ＣＨＲ８−Ｘ３又はＸ１−ＣＨＲ８ＣＨ２−Ｘ３である場合、Ｒ２及びＲ３のうちの少なくとも一つは、ハロゲン、ＯＲ６、Ｃ１−Ｃ６アルキル及びＣ１−Ｃ６ハロアルキルからなる群からは選択されず；そして
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ８及びＲ９のうちの少なくとも一つは、Ｈ以外である。］
【請求項２】
前記細胞増殖障害ががんである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記がんが、１以上の固形腫瘍又はリンパ腫として生じる、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記がんが、進行若しくは転移固形腫瘍及びリンパ腫からなる群から選択される、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記がんが、悪性メラノーマ、頭頸部扁平細胞癌、乳腺腺癌及びリンパ腫からなる群から選択される、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記リンパ腫が、びまん性大細胞型Ｂ細胞リンパ腫、濾胞性リンパ腫、マントル細胞リンパ腫、小リンパ球性リンパ腫、縦隔大細胞型Ｂ細胞リンパ腫、脾性辺縁帯Ｂ細胞リンパ腫、粘膜関連リンパ組織（ｍａｌｔ）の外性辺縁帯Ｂ細胞リンパ腫、節性辺縁帯Ｂ細胞リンパ腫、リンパ形質細胞性リンパ腫、原発性滲出液リンパ腫、バーキットリンパ腫、未分化大細胞リンパ腫（皮膚原発型）、未分化大細胞リンパ腫（全身型）、末梢Ｔ細胞リンパ腫、血管免疫芽球性Ｔ細胞リンパ腫、成人Ｔ細胞リンパ腫、鼻型節外性ＮＫ／Ｔ細胞リンパ腫、腸症関連Ｔ細胞リンパ腫、γ／δ肝脾Ｔ細胞リンパ腫、皮下脂肪織炎様Ｔ細胞リンパ腫、菌状息肉腫及びホジキンリンパ腫からなる群から選択される、請求項３〜５のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記細胞増殖障害が、転移したがんである、請求項２に記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記ベンゾ［ｂ］チオフェンＳＴＩＮＧアゴニストが、経口、静脈注入、腫瘍間（ｉｎｔｅｒｔｕｍｏｒａｌ）注射又は皮下注射によって投与される、請求項１〜７のいずれか１項に記載の医薬組成物。
【請求項９】
ベンゾ［ｂ］チオフェンＳＴＩＮＧアゴニストを含む、細胞増殖障害の治療用の医薬組成物であって、
ここで、前記ベンゾ［ｂ］チオフェンＳＴＩＮＧアゴニストは、３〜２８日ごとに１回投与され；そして
前記ベンゾ［ｂ］チオフェンＳＴＩＮＧアゴニストは、下記のもの又はそれらの薬学的に許容される塩から選択される医薬組成物。
【化２】
2020530838.tif 000002
【請求項１０】
前記ベンゾ［ｂ］チオフェンＳＴＩＮＧアゴニストが、経口、静脈注入、腫瘍間（ｉｎｔｅｒｔｕｍｏｒａｌ）注射又は皮下注射によって投与される、請求項９に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月9日(2021.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｍＴＯＲ経路の阻害剤を含む有効量の化合物を含む、パタチン様ホスホリパーゼドメイン含有タンパク質３（ＰＮＰＬＡ３）関連障害を有する対象を治療するための薬学的組成物であって、前記対象がＰＮＰＬＡ３遺伝子の少なくとも１つの対立遺伝子中にＩ１４８Ｍ突然変異を有し、前記薬学的組成物が前記ＰＮＰＬＡ３遺伝子の発現を調整する、前記薬学的組成物。
【請求項２】
前記化合物が、アピトリシブ（ＧＤＣ−０９８０、ＲＧ７４２２）、ＡＺＤ８０５５、ＢＧＴ２２６（ＮＶＰ−ＢＧＴ２２６）、ＣＣ−２２３、クリソファン酸、ＣＺ４１５、ダクトリシブ（ＢＥＺ２３５、ＮＶＰ−ＢＥＺ２３５）、エベロリムス（ＲＡＤ００１）、ＧＤＣ−０３４９、ジェダトリシブ（ＰＦ−０５２１２３８４、ＰＫＩ−５８７）、ＧＳＫ１０５９６１５、ＩＮＫ１２８（ＭＬＮ０１２８）、ＫＵ−００６３７９４、ＬＹ３０２３４１４、ＭＨＹ１４８５、オミパリシブ（ＧＳＫ２１２６４５８、ＧＳＫ４５８）、ＯＳＩ−０２７、パロミド５２９（Ｐ５２９）、ＰＦ−０４６９１５０２、ＰＩ−１０３、ＰＰ１２１、ラパマイシン（シロリムス）、リダフォロリムス（デフォロリムス、ＭＫ−８６６９）、ＳＦ２５２３、タクロリムス（ＦＫ５０６）、テムシロリムス（ＣＣＩ−７７９、ＮＳＣ６８３８６４）、トリン１、トリン２、トリキニブ（ＰＰ２４２）、ビスツセルチブ（ＡＺＤ２０１４）、ボクスタリシブ（Ｖｏｘｌａｌｉｓｉｂ）（ＳＡＲ２４５４０９、ＸＬ７６５）類似体、ボクスタリシブ（ＸＬ７６５、ＳＡＲ２４５４０９）、ＷＡＹ−６００、ＷＹＥ−１２５１３２（ＷＹＥ−１３２）、ＷＹＥ−３５４、ＷＹＥ−６８７、ＸＬ３８８、ゾタロリムス（ＡＢＴ−５７８）からなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項３】
前記化合物が、ＯＳＩ−０２７を含む、請求項１に記載の薬学的組成物。
【請求項４】
前記化合物が、前記対象におけるＰＮＰＬＡ３遺伝子の発現を低減する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の薬学的組成物。
【請求項５】
ＰＮＰＬＡ３遺伝子の発現が、少なくとも３０％低減される、請求項４に記載の薬学的組成物。
【請求項６】
ＰＮＰＬＡ３遺伝子の発現が、前記対象の肝臓において低減される、請求項４または５に記載の薬学的組成物。
【請求項７】
前記化合物が、ＣＯＬ１Ａ１遺伝子の発現も低減する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の薬学的組成物。
【請求項８】
前記ＣＯＬ１Ａ１遺伝子の発現が、前記対象の肝臓において低減される、請求項７に記載の薬学的組成物。
【請求項９】
ＰＮＰＬＡ３関連障害が、非アルコール性脂肪性肝疾患（ＮＡＦＬＤ）である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の薬学的組成物。
【請求項１０】
ＰＮＰＬＡ３関連障害が、非アルコール性脂肪性肝炎（ＮＡＳＨ）である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の薬学的組成物。
【請求項１１】
ＰＮＰＬＡ３関連障害が、アルコール性肝疾患（ＡＬＤ）である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の薬学的組成物。
【請求項１２】
ｍＴＯＲ経路の阻害剤を含む有効量の化合物を含む、細胞におけるＰＮＰＬＡ３遺伝子の発現を調整するための薬学的組成物であって、前記細胞が前記ＰＮＰＬＡ３遺伝子の少なくとも１つの対立遺伝子中にＩ１４８Ｍ突然変異を有し、前記薬学的組成物が前記ＰＮＰＬＡ３遺伝子のシグナル伝達中心に関連する１つ以上のシグナル伝達分子を変更する、前記薬学的組成物。
【請求項１３】
前記１つ以上のシグナル伝達分子が、ＨＮＦ３ｂ、ＨＮＦ４ａ、ＨＮＦ４、ＨＮＦ６、Ｍｙｃ、ＯＮＥＣＵＴ２及びＹＹ１、ＴＣＦ４、ＨＩＦ１ａ、ＨＮＦ１、ＥＲａ、ＧＲ、ＪＵＮ、ＲＸＲ、ＳＴＡＴ３、ＶＤＲ、ＮＦ−κＢ、ＳＭＡＤ２／３、ＳＴＡＴ１、ＴＥＡＤ１、ｐ５３、ＳＭＡＤ４、ならびにＦＯＳからなる群から選択される、請求項１２に記載の薬学的組成物。
【請求項１４】
前記化合物が、アピトリシブ（ＧＤＣ−０９８０、ＲＧ７４２２）、ＡＺＤ８０５５、ＢＧＴ２２６（ＮＶＰ−ＢＧＴ２２６）、ＣＣ−２２３、クリソファン酸、ＣＺ４１５、ダクトリシブ（ＢＥＺ２３５、ＮＶＰ−ＢＥＺ２３５）、エベロリムス（ＲＡＤ００１）、ＧＤＣ−０３４９、ジェダトリシブ（ＰＦ−０５２１２３８４、ＰＫＩ−５８７）、ＧＳＫ１０５９６１５、ＩＮＫ１２８（ＭＬＮ０１２８）、ＫＵ−００６３７９４、ＬＹ３０２３４１４、ＭＨＹ１４８５、オミパリシブ（ＧＳＫ２１２６４５８、ＧＳＫ４５８）、ＯＳＩ−０２７、パロミド５２９（Ｐ５２９）、ＰＦ−０４６９１５０２、ＰＩ−１０３、ＰＰ１２１、ラパマイシン（シロリムス）、リダフォロリムス（デフォロリムス、ＭＫ−８６６９）、ＳＦ２５２３、タクロリムス（ＦＫ５０６）、テムシロリムス（ＣＣＩ−７７９、ＮＳＣ６８３８６４）、トリン１、トリン２、トリキニブ（ＰＰ２４２）、ビスツセルチブ（ＡＺＤ２０１４）、ボクスタリシブ（ＳＡＲ２４５４０９、ＸＬ７６５）類似体、ボクスタリシブ（ＸＬ７６５、ＳＡＲ２４５４０９）、ＷＡＹ−６００、ＷＹＥ−１２５１３２（ＷＹＥ−１３２）、ＷＹＥ−３５４、ＷＹＥ−６８７、ＸＬ３８８、ゾタロリムス（ＡＢＴ−５７８）からなる群から選択される少なくとも１つを含む、請求項１２に記載の薬学的組成物。
【請求項１５】
前記化合物が、ＯＳＩ−０２７を含む、請求項１２に記載の薬学的組成物。
【請求項１６】
前記化合物が、ＰＮＰＬＡ３遺伝子の発現を低減する、請求項１２〜１５のいずれか１項に記載の薬学的組成物。
【請求項１７】
ＰＮＰＬＡ３遺伝子の発現が、少なくとも３０％低減される、請求項１６に記載の薬学的組成物。
【請求項１８】
前記化合物が、ＣＯＬ１Ａ１遺伝子の発現も低減する、請求項１２〜１７のいずれか１項に記載の薬学的組成物。
【請求項１９】
前記細胞が、哺乳類細胞、ヒト細胞、およびマウス細胞からなる群より選択される、請求項１２〜１８のいずれか１項に記載の薬学的組成物。
【請求項２０】
前記細胞が、肝細胞または肝星細胞である、請求項１２〜１９のいずれか１項に記載の薬学的組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月10日(2021.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者における変形性関節症の１つまたは複数の症状の治療用及び経皮投与用医薬組成物であって、
有効量のカンナビジオール（ＣＢＤ）を含む医薬組成物。
【請求項２】
前記有効量が１日当たり２５０〜５００ｍｇである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記有効量が１日当たり約２５０ｍｇである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記有効量が１日当たり５００ｍｇである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記ＣＢＤが（−）−ＣＢＤである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記ＣＢＤがゲルとして配合される、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記ＣＢＤが浸透促進ゲルとして配合される、請求項６に記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記有効量が約１２５ｍｇである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記医薬組成物内のカンナビジオールの濃度が３％〜５％である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記医薬組成物内のカンナビジオールの濃度が４．２％である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記経皮投与用が、経皮塗布のために好適なゲルの前記患者の皮膚への塗布用であることを含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
前記ＣＢＤが１日当たり単回の用量で配合される、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
前記ＣＢＤが１日当たり２回の用量で配合される、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
前記ＣＢＤが合成ＣＢＤである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１５】
前記ＣＢＤが精製されたＣＢＤである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
前記ＣＢＤが植物由来である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１７】
有効量のＣＢＤの経皮投与により、ベースラインと比較して平均最悪膝疼痛スコアの強度が低減する、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１８】
軽減される前記１つまたは複数の症状が膝疼痛である（ｉｎ  ｋｎｅｅ  ｐａｉｎ）、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１９】
軽減される前記１つまたは複数の症状が疼痛および機能である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項２０】
変形性関節症の１つまたは複数の症状を軽減することが身体機能ＷＯＭＡＣスコアの改善を含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項２１】
変形性関節症の１つまたは複数の症状を軽減することが複合応答解析における改善を含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項２２】
変形性関節症の１つまたは複数の症状を軽減することが疼痛および機能の改善を含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月1日(2021.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水またはその他の水性成分との接触により水素ガスを生成するアルミニウム、アルミニウム合金、またはその他のアルミニウム基複合材料を形成する方法であって、
アルミニウム、アルミニウム合金、またはその他のアルミニウム基複合材料を準備することと、
二次金属、二次合金、またはその他の二次金属基複合材料を準備することと、
アルミニウム、アルミニウム合金、またはその他のアルミニウム基複合材料、および二次金属、合金、またはその他の金属基複合材料をミル加工して粉末を作製することと、
サイズが約１００ｎｍ以下の分散する二次金属、二次合金、またはその他の二次金属基複合材料の微粒子を持つアルミニウムの粒子または亜粒子を備えるミル加工粉末複合材料を作製することとを備える、方法。
【請求項２】
二次金属はスズ（Ｓｎ）を含み、
スズ（Ｓｎ）の延性・脆性遷移温度である１３．２°Ｃ（２８６．２Ｋ）以下の温度でミル加工が行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
二次金属はスズ（Ｓｎ）を含み、
スズ（Ｓｎ）の延性・脆性遷移温度を少なくとも５０°Ｃ下回る温度でミル加工が行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
アルミニウム（Ａｌ）が脆化する約＋１００°Ｃ〜約−２７０°Ｃの温度範囲でミル加工が行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
温度−７５°Ｃ以下の極低温液体の下、または中でミル加工が行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
溶媒中またはマトリクス中の溶質の分散を、２５°Ｃ（２９８Ｋ）および１気圧で５分間のアルミニウムに対する理論的収量の７４％を超えて水素を生成する反応率で行うようにする、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
ガルバニック金属マイクロ構造であって、
アルミニウム、アルミニウム合金、またはその他のアルミニウム基複合材料からなる陽極マトリクスと、
スズ（Ｓｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、シリコン（Ｓｉ）、ビスマス（Ｂｉ）、鉛（Ｐｂ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）およびこれらの混合物および合金からなる群から選択される二次金属、二次合金、またはその他の二次金属基複合材料からなる陰極分散相とを備え、
前記陰極分散相は、約１００ｎｍ以下のサイズの二次金属の微粒子を備え、前記陽極マトリクスとガルバニックカップルを形成し、
前記ガルバニック金属マイクロ構造が水、水溶液、またはその他の電解質に接触する場合に、前記ガルバニック金属マイクロ構造は、水素ガスを生成するものである、ガルバニック金属マイクロ構造。
【請求項８】
陰極分散相の微粒子は、２ｎｍから１００ｎｍの間の粒径を有している、請求項７に記載のガルバニック金属マイクロ構造。
【請求項９】
陰極分散相は、約１ｍｍ以下のサイズの二次金属の大きな粒子を備える、請求項７に記載のガルバニック金属マイクロ構造。
【請求項１０】
陰極分散相は、約１０ｍｍ以下のサイズのすじ状組織（ストリンガ）を備える、請求項７に記載のガルバニック金属マイクロ構造。
【請求項１１】
前記微粒子は、アルミニウム結晶粒内に存在し、大きな粒子は、結晶粒とマトリクスとの間に存在する、請求項７に記載のガルバニック金属マイクロ構造。
【請求項１２】
ガルバニック金属マイクロ構造は、約１０ｃｍ以下の直径のアルミニウム結晶粒を備える、請求項７に記載のガルバニック金属マイクロ構造。
【請求項１３】
陰極分散相は、約７原子パーセント以下のスズ（Ｓｎ）を備える、請求項７に記載のガルバニック金属マイクロ構造。
【請求項１４】
陰極分散相は、主として、スズ（Ｓｎ）またはスズ合金からなる、請求項７に記載のガルバニック金属マイクロ構造。
【請求項１５】
ガルバニック金属マイクロ構造であって、
アルミニウム、アルミニウム合金、または他のアルミニウム基複合材料を備える陽極マトリクスと、
スズ（Ｓｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、シリコン（Ｓｉ）、ビスマス（Ｂｉ）、鉛（Ｐｂ）、ガリウム（Ｇａ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）およびこれらの混合物および合金からなる群から選択された二次金属、二次合金または他の二次金属基複合材料を備える陰極分散相とを備え、
アルミニウムは、約１０ｃｍ以下の結晶粒を形成し、陰極分散相は、約１００ｎｍ以下のサイズの二次金属の微粒子と、約１ｍｍ以下のサイズの二次金属の大きな粒子とを備え、陽極マトリクスとガルバニックカップルを形成し、
ガルバニック金属マイクロ構造は、ガルバニック金属マイクロ構造が水、水溶液、またはその他の電解質に接触する場合に、水素ガスを生成し、その水素ガスの生成量が２５℃（２９８Ｋ）、１気圧、約５分以内で１グラムのアルミニウムあたりで少なくとも１０００ｍLとなるように、構成されている、ガルバニック金属マイクロ構造。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月6日(2021.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
ガス供給ラインでガス混合物を供給することであって、前記ガス混合物は水素（Ｈ2）でバランスされたジボラン（Ｂ2Ｈ6）を含む、ことと、
前記ガス混合物を、前記ガス供給ラインから堆積チャンバの中に、そして半導体基板の表面に導入することであって、前記半導体基板は、複数の水平に向いたフィーチャを有する垂直構造体を含み、前記ジボランは分解して、前記水平に向いたフィーチャ内にホウ素層を形成する、ことと、
前記半導体基板において前記ホウ素層を遷移金属層に変換することと、含む方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記ガス混合物は、水素でバランスされた少なくとも２０体積％のジボランを含む、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、前記ガス混合物は、水素でバランスされた約２０体積％〜約５０体積％のジボランを含む、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記遷移金属層は、モリブデン、ルテニウム、コバルト、またはタングステンを含む、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記ホウ素層を前記遷移金属層に変換することは、前記ホウ素層をタングステン含有前駆体と反応させてタングステン層を形成することを含む、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、前記タングステン含有前駆体は、六フッ化タングステン（ＷＦ6）、六塩化タングステン（ＷＣｌ6）、またはタングステンヘキサカルボニル（Ｗ（ＣＯ）6）を含む、方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法であって、前記ガス混合物は実質的に窒素（Ｎ2）を含まない、方法。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法であって、前記半導体基板は、前記垂直構造体の側壁に開口部を有し、前記複数の水平に向いたフィーチャは前記開口部を通して前記垂直構造体から流体的にアクセス可能である、方法。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法であって、前記垂直構造体は３次元（３Ｄ）垂直ＮＡＮＤ構造である、方法。
【請求項１０】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法であって、前記ホウ素層は、前記垂直構造体の前記水平に向いたフィーチャ内にコンフォーマルに堆積され、前記ホウ素層は少なくとも９０％のステップカバレッジを有する、方法。
【請求項１１】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法であって、前記ガス混合物を導入することは、パルス核形成層（ＰＮＬ）堆積サイクルで約０．１秒〜約１０秒の一定時間にわたって、水素でバランスされた前記ジボランをパルスすることを含む、方法。
【請求項１２】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法であって、前記ガス混合物を導入することは、約１秒〜約６０秒の一定時間にわたって、水素でバランスされた前記ジボランをパルスすることを含む、方法。
【請求項１３】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の方法であって、
前記半導体基板を還元ガスに曝露させることを更に含み、前記還元ガスは、シラン、ジシラン、または水素を含む、方法。
【請求項１４】
装置であって、
水素でバランスされたジボランのガス混合物を含有するガス供給ラインと、
前記ガス供給ラインに結合された堆積チャンバであって、前記堆積チャンバは、前記堆積チャンバ内の半導体基板を処理するように構成され、前記半導体基板は、複数の水平に向いたフィーチャを有する垂直構造体を含む、堆積チャンバと、
命令を伴って構成されているコントローラであって、前記命令は以下の作業：
前記ガス混合物を、前記ガス供給ラインから前記堆積チャンバの中に、そして前記半導体基板の表面まで導入することであって、前記ジボランは分解して、前記水平に向いたフィーチャ内でホウ素層を形成する、ことと、
前記半導体基板において前記ホウ素層を遷移金属層に変換することと、
を実施するためのものである、コントローラと、
を含む装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の装置であって、前記ガス混合物が、水素でバランスされた少なくとも２０体積％のジボランを含む、装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の装置であって、前記ガス混合物は、水素でバランスされた約２０体積％〜約５０体積％のジボランを含む、装置。
【請求項１７】
請求項１４に記載の装置であって、前記遷移金属層は、モリブデン、ルテニウム、コバルト、またはタングステンを含む、装置。
【請求項１８】
請求項１４〜１７のいずれか一項に記載の装置であって、前記ホウ素層を変換する命令を伴って構成されている前記コントローラは、前記ホウ素層を遷移金属前駆体と反応させて前記遷移金属層を形成する命令を伴って構成されている、装置。
【請求項１９】
請求項１４〜１７のいずれか一項に記載の装置であって、前記半導体基板は、前記垂直構造体の側壁に開口部を有し、前記複数の水平に向いたフィーチャは前記開口部を通して前記垂直構造体から流体的にアクセス可能である、装置。
【請求項２０】
請求項１４〜１７のいずれか一項に記載の装置であって、前記コントローラは、前記半導体基板を、シラン、ジシラン、または水素を含む還元ガスに曝露させる作業を実施する命令を伴って更に構成されている、装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
それに応じて、半導体フィーチャの狭窄領域の中へのタングステン含有材料の均一な堆積は、重大な困難をもたらす可能性がある。上述した例は、３Ｄ  ＶＮＡＮＤメモリ構造のメモリワード線を均一に充填する問題に特に関係するが、本明細書に記載される方法は、タングステン含有材料の供給源から、均一なタングステン堆積が望まれるフィーチャの領域までに、比較的くびれた経路が存在する任意の種類のフィーチャに適用できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
分解または反応して、タングステン含有前駆体を還元して、元素タングステンを形成することが可能な層を形成できるホウ素含有化合物を使用できる。例には、ＢnＨn+4、ＢnＨn+6、ＢnＨn+8、ＢnＨmを含むボランが含まれ、ここで、ｎは１〜１０の整数であり、ｎはｍとは異なる整数である。
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月14日(2021.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つ以上のベイパー供与源を保持するために適切であり、かつ媒体吸入器の気道内に適合するようにサイズが決められたベイパー挿入装置であって、
多孔性表面、前部開放端、および後部開放端を有する中空円筒と、
前記前部開放端に結合された前部フランジと、
前記後部開放端に結合された後部フランジと、を備え、
前記前部フランジおよび前記後部フランジが各々、前記中空円筒の周りに周囲の空間を形成するために、前記中空円筒の直径より大きい直径を有する、装置。
【請求項２】
前記多孔性表面がワイヤーメッシュから構築されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記多孔性表面が織布から構築されている、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記多孔性表面が、一つ以上の穴またはスリットを有する固体材料から構築されている、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記前部フランジから前記後部フランジに延びる一つ以上の支柱をさらに備える、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記一つ以上の支柱が、前記中空円筒の前記表面から前記前部フランジと前記後部フランジの前記外側縁部にさらに延びることによって、前記周囲の空間を分割する、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記後部フランジが一つ以上の開口部を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記前部フランジ、または前記後部フランジ、またはその両方が、ゴムまたはシリコーン材料から少なくとも部分的に構築されている、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記周囲の空間が一つ以上のベイパー供与源に適合する、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記ベイパー供与源が、たばこ葉、ゲルビーズ、風味剤、茶葉、コーヒー粉砕物、および注入された繊維状パッドから成る群から選択される、請求項９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月25日(2021.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体から生成物を抽出する供給原料処理システムであって、
互いに流体連通する直列に配置された複数の連続攪拌槽抽出段を含み、１つの連続攪拌槽抽出段からの流出物が、前記複数の連続攪拌槽抽出段の直列の次の連続攪拌槽抽出段に流入するＣＴＳＥシステムであって、前記連続攪拌槽抽出段の少なくとも１つは、測定された量の液体溶媒と前記固体とが前記連続攪拌槽抽出段に導入されるのを可能にするように適合及び構成された入口を有し、前記少なくとも１つの連続攪拌槽抽出段は、前記固体を前記導入された溶媒と混合して均一スラリーを形成し、前記固体に関連する前記生成物を前記溶媒と共に抽出できるように適合及び構成される、前記ＣＴＳＥシステムと、
前記連続攪拌槽抽出段と流体連通するように配置された固液分離器であって、前記少なくとも１つの連続攪拌槽抽出段から流出物を受け取って、前記生成物を含む前記液体溶媒を前記固体から分離して、生成物を含む液体と生成物が除去された固体とを形成するように適合及び構成された前記固液分離器と、
を含む、前記供給原料処理システム。
【請求項２】
前記少なくとも１つの連続攪拌槽抽出段に関連付けられた再循環ループをさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記再循環ループは、前記再循環ループの前記流出物の温度を変更するように構成及び適合された熱交換器を含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記再循環ループは、前記再循環ループの前記流出物の前記固体の粒径の縮小及び形状の変更の少なくとも１つを行うように適合及び構成された装置を含む、請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記少なくとも１つの連続攪拌槽抽出段は、前記連続攪拌槽抽出段の前記固体材料の前記粒径の縮小及び前記形状の変更の少なくとも１つを増加させるように適合及び構成されたブレードを有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
互いに流体連通する直列に配置された第２の複数の連続攪拌槽抽出段を含み、１つの連続攪拌槽抽出段からの流出物が、前記第２の複数の連続攪拌槽抽出段の直列の次の連続攪拌槽抽出段に流入する第２のＣＳＴＥシステムをさらに含み、
前記第２の複数の連続攪拌槽抽出段は、前記生成物が除去された固体を前記固液分離器から受け取るように、前記固液分離器と流体連通し、
前記第２の複数の連続攪拌槽抽出段の前記連続攪拌槽抽出段の少なくとも１つは、第２の測定された量の溶媒と前記生成物が除去された固体とを、前記第２の複数のうちの前記少なくとも１つの連続攪拌槽抽出段に導入できるように適合及び構成された入口を有し、
前記少なくとも１つの連続攪拌槽抽出段は、前記生成物が除去された固体を前記導入された第２の溶媒と混合して、前記生成物が除去された固体に関連する第２の生成物を前記第２の溶媒によって抽出できるように適合及び構成される、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記固体材料は、バイオマス供給原料である、請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記固体を前記少なくとも１つの連続攪拌槽抽出段に導入する前に、前記固体の粒径の縮小、形状及び状態の変更の少なくとも１つを行うように適合及び構成された少なくとも１つの固体調整及び前処理機械をさらに含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項９】
固体から生成物を抽出する方法であって、
互いに流体連通する直列に配置された複数の連続攪拌槽抽出段の少なくとも１つの連続攪拌槽抽出段に前記固体を導入することであって、１つの連続攪拌槽抽出段からの流出物が、前記複数の連続攪拌槽抽出段の直列の次の連続攪拌槽抽出段に流入する、前記固体を導入することと、
測定された量の液体溶媒を、前記少なくとも１つの連続攪拌槽抽出段に導入することと、
前記固体に関連する前記生成物が前記液体溶媒で抽出できるように、前記少なくとも１つの連続攪拌槽抽出段で、前記溶媒を前記固体と混合することと、
前記少なくとも１つの連続攪拌槽抽出段からの流出物を固液分離器に導入することと、
生成物を含む液体と生成物が除去された固体とを形成することと、
を含む、前記方法。
【請求項１０】
（ｉ）前記少なくとも１つの連続攪拌槽抽出段に関連する流出物を再循環すること、
（ｉｉ）前記流出物の再循環中、前記流出物の前記固体の粒径を縮小することと、前記固体の形状を変えることの少なくとも１つを行うこと、
をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
（ｉ）前記少なくとも１つの連続攪拌槽抽出段に関連する流出物を再循環すること、
（ｉｉ）前記流出物の圧力及び温度の少なくとも１つを変更して、前記溶媒の前記生成物の溶解度を上昇させること、
をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記固体を前記溶媒と混合するステップは、前記少なくとも１つの連続攪拌槽抽出段の前記固体材料の前記粒径の縮小と前記形状の変更の少なくとも１つを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
互いに流体連通する直列に配置された第２の複数の連続攪拌槽抽出段を含む第２のＣＳＴＥシステムに前記生成物が除去された固体を導入することであって、１つの連続攪拌槽抽出段からの流出物が、前記第２の複数の連続攪拌槽抽出段の直列の次の連続攪拌槽抽出段に流入する、前記固体を導入することと、
測定された量の第２の溶媒を、前記第２の複数の連続攪拌槽抽出段の前記連続攪拌槽抽出段の少なくとも１つに導入することと、
前記生成物が除去された固体に関連する第２の生成物（複数可）を前記第２の溶媒で抽出できるように、前記少なくとも１つの連続攪拌槽抽出段で、前記生成物が除去された固体を前記第２の溶媒と混合することと、
をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２の複数のうちの前記少なくとも１つの連続攪拌槽抽出段から前記流出物を第２の固液分離器に導入することと、
第２の生成物を含む液体と、第２の生成物が除去された固体とを形成することと、
をさらに含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
互いに流体連通する直列に配置された第３の複数の連続攪拌槽抽出段を含む第３のＣＳＴＥシステムに前記第２の生成物が除去された固体を導入することであって、１つの連続攪拌槽抽出段からの流出物が、前記第３の複数の連続攪拌槽抽出段の直列の次の連続攪拌槽抽出段に流入する、前記固体を導入することと、
測定された量の第３の液体溶媒を、前記第３の複数の連続攪拌槽抽出段のうちの前記連続攪拌槽抽出段の少なくとも１つに導入することと、
前記第２の生成物が除去された固体に関連する第３の生成物（複数可）を前記第３の溶媒で抽出できるように、前記少なくとも１つの連続攪拌槽抽出段で、前記第２の生成物が除去された固体を前記第３の液体溶媒と混合することと、
をさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年6月15日(2021.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内層、ストライク層及び外層並びに前記内層と前記外層との間に位置する編組骨格を含むマイクロカテーテルであって、前記内層は、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）から作製され、且つ０．００１５インチ以下の厚さを有し、前記ストライク層は、ポリエーテルブロックアミドを含み、且つ０．００１インチ以下の厚さを有し、前記外層の遠位部分は、９０Ａ以下のショアを有するポリカーボネートベースの熱可塑性ポリウレタンから作製される、マイクロカテーテル。
【請求項２】
前記ストライク層の前記ポリエーテルブロックアミドは、約５５Ｄのショアを有する、請求項１に記載のマイクロカテーテル。
【請求項３】
前記編組骨格は、１インチ当たり１３０ピック（ＰＰＩ）のワイヤ配列を有する、請求項１または２に記載のマイクロカテーテル。
【請求項４】
前記遠位部分は、２００ｍｍ以下の長さを有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載のマイクロカテーテル。
【請求項５】
前記遠位部分は、第１の遠位セクション及び第２の遠位セクションを含み、前記第１の遠位セクションは、前記第２の遠位セクションに対して遠位にあり、前記第１の遠位セクションは、前記第２の遠位セクションよりも低いショアを有し、
好ましくは、前記第１の遠位セクションは、８０Ａ以下のショアを有し、及び前記第２の遠位セクションは、９０Ａ以下のショアを有する、請求項１〜４のいずれか一項に記載のマイクロカテーテル。
【請求項６】
前記外層の中間部分は、少なくとも第１及び第２の中間セクションを含み、前記第１の中間セクションは、前記第２の中間セクションに対して遠位にあり、前記第１の中間セクションは、前記第２の中間セクションよりも低いショアを有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載のマイクロカテーテル。
【請求項７】
前記中間部分は、第３の中間セクションをさらに含み、前記第３の中間セクションは、前記第２の中間セクションに対して近位にあり、前記第３の中間セクションは、前記第２及び第１の中間セクションよりも高いショアを有し、または、前記第１の中間セクションは、約４０Ｄのショアを有するポリエーテルブロックアミドから作製され、または、前記第２の中間セクションは、約５５Ｄのショアを有するポリエーテルブロックアミドから作製され、または、前記第３の中間セクションは、約６０Ｄのショアを有するポリエーテルブロックアミドから作製され、
前記中間部分は、４００ｍｍ以下の長さを有する、請求項６に記載のマイクロカテーテル。
【請求項８】
前記外層の近位部分は、６５Ｄを超えるショアを有するポリエーテルブロックアミドから作製される、請求項１〜７のいずれか一項に記載のマイクロカテーテル。
【請求項９】
前記マイクロカテーテルの遠位端開口部からおよそ１ｍｍで前記外層の前記第１の遠位セクションに位置付けられた第１の放射線不透過性マーカーバンドをさらに含み、
好ましくは、前記第１の放射線不透過性マーカーバンドは、前記第１の遠位セクションの外層に沈められた放射線不透過性合金から作製される、請求項１〜８のいずれか一項に記載のマイクロカテーテル。
【請求項１０】
前記第１の放射線不透過性マーカーバンドに対して近位に前記外層の前記第１の遠位セクションに位置付けられた第２の放射線不透過性マーカーバンドをさらに含み、
好ましくは、前記第２のマーカーバンドは、前記第１のマーカーバンドに対しておよそ５〜１５ｍｍ近位に位置付けられて位置し、または、前記第２のマーカーバンドは、前記第１の遠位セクションの前記外層に埋め込まれた放射線不透過性粉末を含む、請求項８又は９に記載のマイクロカテーテル。
【請求項１１】
前記近位部分は、約０．００３〜０．０１ｌｂｓ−ｉｎ２の曲げ剛性を有し、または、前記遠位部分は、約０．０００１〜約０．００２ｌｂｓ−ｉｎ２の曲げ剛性を有する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のマイクロカテーテル。
【請求項１２】
０．５０〜０．７ｍｍの内径と、その遠位端で０．８〜０．９ｍｍ及びその近位端で０．８〜１．０ｍｍの外径とを有し、１０５〜１７５ｃｍの範囲の有効長を有する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のマイクロカテーテル。
【請求項１３】
前記遠位セクションの外層は、９０００〜１００００ｐｓｉの最大引張強さ及び３５０〜４５０％の最大伸びを有する、請求項１〜１２のいずれか一項に記載のマイクロカテーテル。
【請求項１４】
内層、ストライク層及び外層並びに前記内層と前記ストライク層との間に位置する編組骨格を含むマイクロカテーテルを製造する方法であって、
ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）及びストライク層で被覆されたマンドレルを提供すること、
前記マンドレルに編組又はコイルを適用すること、
前記ＰＴＦＥ及びストライク層にポリカーボネートベースの熱可塑性ポリウレタンスリーブを適用すること、
前記ポリカーボネートベースの熱可塑性ポリウレタンスリーブに熱収縮スリーブを適用すること、
前記熱収縮層に熱及び／又は圧力を適用し、それにより少なくとも前記外層を前記編組上及び／又はその中に介在させること、
前記熱収縮スリーブを剥がすこと、
前記マンドレルを取り除くこと
を含む方法。
【請求項１５】
前記マイクロカテーテルに親水性コーティングを適用することをさらに含む、請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月2日(2021.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
神経の長さに沿った第１方向において、カフ本体上に軸方向に延びる第１電極の第１配列と、
前記第１方向と垂直な第２方向において、前記カフ本体上に円周方向に離間して延びる第２電極の第２配列と、
を含み、
前記第２電極の少なくともいくつかを選択的に活性化することにより、少なくとも第１神経枝を選択的に刺激する、
装置。
【請求項２】
前記第１配列の前記第１電極は、前記第２方向に沿って軸方向に配置され、前記第２配列それぞれの両端に配置された少なくとも２つの外側電極を含み、
前記第１配列のそれぞれの外側電極は、前記第２配列から離間している、
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
少なくとも１つの前記第２電極はカソードを含み、前記第１配列の前記外側電極のそれぞれはアノードを含み、ガードカソード構成を提供する、
請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記第２配列の少なくとも１つの前記第２電極は、少なくともいくつかの前記第１電極の選択的活性化と組み合わせて、選択的に活性化される、
請求項２に記載の装置。
【請求項５】
少なくとも２つの前記第２電極は、少なくとも前記第１神経枝を選択的に刺激するために選択的に活性化される、
請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記第２電極の少なくともいくつかは、少なくとも前記第１神経枝を選択的に刺激するために、前記第１電極を活性化することなく、選択的に活性化される、
請求項２に記載の装置。
【請求項７】
前記第１電極は、内側電極と、前記内側電極の両端に配置される２つの外側電極を含む、
請求項２に記載の装置。
【請求項８】
前記第１電極の１つは、前記第２電極の１つとして選択的に機能し、任意に、前記第１電極は等間隔に離間している、
請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記カフ本体は、内側軸部分と、前記内側軸部分の両端に配置された２つの外側軸部分と、を含み、
前記内側軸部分と外側軸部分とのそれぞれは、内側円周部分と、前記内側円周部分の両端に配置された２つの外側円周部分と、を含む、
請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記外側円周部分は、第１神経を取り囲む再閉可能な内腔を画定するよう互いに対して解放可能に係合するよう成形および付勢され、
任意に、前記カフ本体により画定される前記再閉可能な内腔は、前記カフ本体の全長に延びる、少なくとも３６０度の円周構造を形成する、
請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記第１電極のそれぞれ１つは、前記内側軸部分および前記外側軸部分のそれぞれに配置され、前記カフ本体のそれぞれの前記外側軸部分の前記外側円周部分は、電極を含まない、
請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記第２電極は、前記カフ本体の前記内側軸部分のそれぞれの前記外側円周部分の少なくとも１つに配置される、
請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記第２電極は、前記内側軸部分のそれぞれの前記外側円周部分の一方に配置される前記第２配列の２つの第２電極を含む、
請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
それぞれの前記外側円周部分の他方は、電極を含まず、前記内側軸部分の前記外側円周部分にある１つの前記第２電極と、前記カフ本体のそれぞれの前記外側軸部分にある外側第１電極との間に刺激信号ベクトルを画定する、
請求項１３に記載の装置。
【請求項１５】
前記第２配列の前記第２電極は、前記内側軸部分の１つの前記外側円周部分に少なくとも３つの第２電極を含む、
請求項１２に記載の装置。
【請求項１６】
１つの前記外側円周部分は、前記第２電極を収容し、前記カフ本体により画定される前記内腔の内部に前記第２電極の一部を露出する、少なくとも１つの厚さの増加した部分を含む、
請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記第２電極は、前記第２方向において、前記カフ本体の接触面の周りで円周方向に等間隔に離間している、
請求項１６に記載の装置。
【請求項１８】
前記神経に向かって内側に向いた少なくとも１つの厚さの増加した部分、および、前記神経から外側に向いた少なくとも１つの厚さの増加した部分、のうち少なくとも１つを含む、
請求項１７に記載の装置。
【請求項１９】
前記第２配列の２つの選択可能な第２電極は、第２神経枝を刺激から略除外しつつ、少なくとも前記第１神経枝を選択的に刺激する、
請求項１に記載の装置。
【請求項２０】
前記第２配列は、２つの前記選択可能な第２電極に加えて、第３の選択可能な第２電極
を含み、
前記第３の選択可能な第２電極は、
前記第２配列の前記第３の選択可能な第２電極を活性化しないこと、および、
前記第２神経枝を選択的に少なくとも部分的に過分極するように前記第２配列の前記第３の選択可能な第２電極を活性化すること、
のうち少なくとも一方により、刺激から前記第２神経枝を除外する、
請求項１９に記載の装置。
【請求項２１】
前記第２配列の第１の前記第２電極は、前記第１神経枝を選択的に刺激し、それぞれの第２の前記第２電極は、前記第１の前記第２電極に隣接し、第３神経枝を個別に選択的に刺激する、
請求項１９に記載の装置。
【請求項２２】
前記第１配列は、少なくとも３つの前記第１電極を含み、
前記少なくとも３つの第１電極は、前記第１方向に沿って軸方向に配置された少なくとも２つの外側電極と、前記少なくとも２つの外側電極の間で軸方向に配置された内側電極と、を含み、
前記第１配列の前記内側電極は、前記第２配列の前記第２電極のうち１つもまた画定する、
請求項２１に記載の装置。