Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月27日(2005.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明は下記式（Ｉ）によって表わされる（メタ）アクリル性二重結合を１個以上有するポリカルボン酸化合物ｎ当量（ｎはカルボキシル基の当量数）と、下記式（ＩＶ）によって表わされる（メタ）アクリル性二重結合を含まないポリカルボン酸化合物１当量（１はカルボキシル基の当量数）と、下記式（ＩＩ）によって表されているエポキシ基を２個以上有するエピクロルヒドリン誘導体ｍ当量（ｍはエポキシ基の当量数）と、下記式（ＩＩＩ）によって表わされる（メタ）アクリル酸（ｍ−（ｎ＋１））当量（ただし、ｍ＞（ｎ＋１））とを反応させて得られることを特徴とする多官能型エポキシ（メタ）アクリレートオリゴマーである：
【化１１】
1999343331.tif 000001
【化１２】
1999343331.tif 000002
【化１３】
1999343331.tif 000003
【化１４】
1999343331.tif 000004
（式中のＲ１，Ｒ２，Ｒ４は脂肪族又は芳香族炭化水素を含む基、Ｒ３，Ｒ５はＨ又はＣＨ３，ｎ，ｍ，ｌは２以上の整数、ｐ，ｑは１以上の整数である）。
これらの多官能型エポキシ（メタ）アクリレートオリゴマーは分子量と官能基数を任意に制御でき、目的とする物性に合わせた多官能型エポキシ（メタ）アクリレートの合成が容易である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月17日(2004.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】印刷液体セット
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水性ベヒクルと、少なくとも１つの第１の着色剤と、少なくとも１つの第１のアニオン性ポリマーとを含有する第１のアニオン性印刷液体と、
水性ベヒクルと、少なくとも１つの第２の着色剤と、少なくとも１つの第２のアニオン性ポリマーと、前記第１のアニオン性インクの少なくとも一つの前記第１のポリマーのｐＫａの値以下のｐＫａをもつ酸添加剤とを含有する第２のアニオン性印刷液体と、
水性ベヒクルと、少なくとも１つの第３の着色剤と、少なくとも１つの第３のカチオン性ポリマーとを含有し、且つ２〜５の範囲のpHを有する第３のカチオン性印刷液体と、
水性ベヒクルと、少なくとも１つのアニオン性染料と、沈殿剤とを含有する第４のアニオン性印刷液体と、
から構成される印刷液体セット。
【請求項２】
前記少なくとも１つの第１のアニオン性ポリマーが、少なくとも１つの中和カルボン酸基を有し、且つ前記少なくとも１つの第２のアニオン性ポリマーが、少なくとも１つのスルホン酸塩基又はホスホン酸塩基を有する、請求項１に記載の印刷液体セット。
【請求項３】
前記第１、第２、及び第３のポリマーが、単独重合体、共重合体、ブロックポリマー、分枝重合体及びグラフト重合体から成る群から個々独立して選択される、請求項２に記載の印刷液体セット。
【請求項４】
前記第１、第２、及び第３の着色剤の少なくとも１つが、個々独立して選択された顔料であり、前記第１のアニオン性ポリマー、前記第２のアニオン性ポリマー及び前記第３のカチオン性ポリマーの少なくとも１つが、顔料分散剤としても作用する、請求項３に記載の印刷液体セット。
【請求項５】
前記少なくとも１つの第３カチオン性ポリマーが、以下の構造式
【化１】
1999343440.tif 000001
〔式中、ＡはＮ、Ｐ及びＳから成る群から選択され、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、Ｈ、炭素数１〜２０のアルキル又はアルキルエーテル、炭素数１〜１０のアリール又はアルキルアリールから成る群から個々独立して選択され、ここで、ＡがＳである場合にはＲ３は存在せず、Ｘはハロゲン化物、有機酸の共役塩基及び無機酸の共役塩基から成る群から選択される〕で表されるペンダント型イオン部位を有する、請求項４に記載の印刷液体セット。
【請求項６】
少なくとも１つの前記カチオン性ポリマーが、ＡＢブロックポリマーである、請求項５に記載の印刷液体セット。
【請求項７】
少なくとも１つの前記カチオン性ＡＢブロックポリマーが、メタクリル酸メチル及びメタクリル酸ブチルの単独重合体又は共重合体から調製されるＡブロックと、ジメチルアミノエチルメタクリル酸塩及びジエチルアミノエチルメタクリル酸塩の単独重合体又は共重合体から調製されるＢブロックとを含む、請求項６に記載の印刷液体セット。
【請求項８】
少なくとも前記第１及び前記第２ポリマーが、ＡＢ、ＢＡＢ及びＡＢＣブロックコポリマー及びＡｘ（ＢＡ）ｙＢｚグラフトコポリマー（ここで、ｘ は０〜１００００、ｙは２〜１０００００、及びｚは０〜１００００である）から成る群から選択される、請求項４に記載の印刷液体セット。
【請求項９】
前記酸添加物が、ポリアクリル酸、酢酸、グリコール酸、マロン酸、リンゴ酸、マレイン酸、アスコルビン酸、コハク酸、グルタル酸、フマル酸、クエン酸、酒石酸、乳酸、ブロモ酢酸、クロロ酢酸、クロロプロピオン酸、フタル酸、スルホン酸、及びオルトリン酸及びそれらの誘導体から成る群から選択される有機酸である、請求項２に記載の印刷液体セット。
【請求項１０】
前記沈殿剤が、Ｚｎ+ 2 、Ｍｇ+ 2 、Ｃａ+ 2 、Ｃｕ+ 2 、Ｃｏ+ 2 、Ｎｉ+ 2 、Ｆｅ+ 2 、Ｌａ+ 3 、Ｎｄ+ 3 、Ｙ + 3 及びＡｌ+ 3 から成る群から選択される多価金属カチオンを含む多価金属塩である、請求項２に記載の印刷液体セット。
【請求項１１】
前記第４のアニオン性インクが、さらに酸添加物を含む、請求項１に記載の印刷液体セット。
【請求項１２】
請求項１から１１の何れか１項に記載の印刷液体セットのインクジェットプリンタにおける使用。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月7日(2005.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）
【化１】
1999343234.tif 000001
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3およびＲ4は、同一または異なって、水素、ヒドロキシ、またはアルキル部分が炭素数１〜６の直鎖もしくは分枝状アルキルである低級アルコキシ、を表す）で示されるテトラヒドロクルクミン誘導体を有効成分とする白内障の予防または治療剤。
【請求項２】
さらに担体を含むことを特徴とする請求項１に記載の予防または治療剤。
【請求項３】
既存の薬剤と組合わせて含むことを特徴とする請求項１または２に記載の予防または治療剤。
【請求項４】
請求項１に定義したテトラヒドロクルクミン誘導体を有効成分として含む、白内障の予防または改善に有用な食品添加物。
【請求項５】
請求項１に定義したテトラヒドロクルクミン誘導体を有効成分として含む、白内障の予防もしくは改善に有用な飲料または食品。
【請求項６】
請求項１に定義したテトラヒドロクルクミン誘導体を有効成分として含む、白内障の予防または改善に有用な動物飼料。
【請求項７】
白内障の予防、治療または改善を可能とする組成物の製造への、請求項１に定義したテトラヒドロクルクミン誘導体の使用。
【請求項８】
組成物が医薬品、食品、飲料、食品添加物または動物飼料であることを特徴とする請求項７に記載の使用。
【請求項９】
請求項１に定義したテトラヒドロクルクミン誘導体を含み、かつ白内障の予防または治療のために用いられるものである旨の表示を付した飲料または食品。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明はまた、上記定義のテトラヒドロクルクミン類を有効成分として含む、白内障の予防または改善に有用な食品添加物を提供する。本発明はさらに、上記定義のテトラヒドロクルクミン類を有効成分として含む、白内障の予防もしくは改善に有用な飲料または食品を提供する。本発明の飲料または食品には、白内障の予防または治療のために用いられるものである旨の表示を付すことができる。本発明はまた、上記定義のテトラヒドロクルクミン類を有効成分として含む、白内障の予防または改善に有用な動物飼料を提供する。本発明はさらに、白内障の予防、治療または改善を可能とする組成物の製造への、上記定義のテトラヒドロクルクミン類の使用を提供する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月9日(2004.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
所定の温度特性を有し、温度変化に応じて出力電圧が変化する温度依存型回路素子と、
上記温度依存型回路素子の出力電圧を抵抗素子で分圧して基準電圧を発生する基準電圧発生回路と、
上記基準電圧発生回路から得た上記基準電圧を入力電圧と比較して当該比較結果に応じた出力信号を得る比較回路と
を有する温度補償回路。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の圧力センサーによれば、外部から加えられる応力に応じて半導体装置に圧力が生じて、当該圧力に応じて半導体基板上に形成された圧力検出用抵抗素子の抵抗値が変化するので、他の直列接続した分圧用抵抗素子により、圧力検出用抵抗素子の抵抗値の変化に応じて変化する分圧電圧が得られる。当該分圧電圧が所定の基準電圧と比較されるので、当該比較結果に応じて圧力を測定できる。さらに、基準電圧を発生する回路において、上述した温度補償回路を用いることにより、発生された基準電圧が温度変化による影響を受けることなく、温度に依存せず常に安定した基準電圧が得られ、温度変化による雑音に影響されず、高精度の圧力センサーを実現できる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図示の回路において、各トランジスタおよび抵抗素子の大きさを適切に設定し、且つ電流源ＩＳ２，ＩＳ３により供給されるバイアス電流を所定の電流値に設定することにより、オフセット電圧の変動の要因は、ほとんど抵抗素子Ｒ１１，Ｒ１２によるものとすることができる。そこで、外部からの圧力が加わると、抵抗素子Ｒ１，Ｒ２はピエゾ効果によりその抵抗値が変化し、これに応じて回路のオフセット電圧が遷移する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月7日(2004.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
最後に、従来の２重ケージタイプの一方向クラッチ８０について、便宜的に図４（ａ）、図４（ｂ）及び図５を用いて説明する。
この一方向クラッチ８０は、既に説明したシングルケージタイプの一方向クラッチ６０とは、スプラグの形状及びスプラグを保持する構成において異なる。
この一方向クラッチ８０は、図８に示す外側保持器８７、内側保持器８８、及び図５に示すリボンスプリング５０によって、スプラグ４３が保持されて構成されている。
このリボンスプリング５０は、図５（ａ）の斜視図に示されるように、長手方向に延び、複数のリンクル５４０が等間隔に形成されたサイドバー５４と、幅方向に延びるクロスバー５２によって形成された空間である窓部を具え、クロスバー５２の中心部からタブ５２２を具えたリンクル５２０が延びている。
図５（ｂ）に、図５（ａ）のリボンスプリング５０にスプラグ４３を組み込んだ状態の斜視図を示す。
胴部にくびれが形成されたスプラグ４３をリボンスプリング５０の窓部に組み込むと、スプラグ４３のくびれとリンクル５２０のタブ５２２が当接し、タブ５２２がスプラグ４３を付勢する。
スプラグ４３は、リボンスプリング５０に組み込まれた状態で、後述の保持器８７，８８によって保持される。
なお、外側保持器８７には、外周部の数ヶ所に弾性片（図示せず）が設けられており、これが外輪内周部に弾性係合することにより、ひきずりトルクが発生するようになっている。符号９４，９６は、一対のエンドベアリングを示している。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月16日(2004.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
取付穴を有し該取付穴に軸が挿入されて該軸に取り付けられる部材の上記取付穴に上記軸の軸径と同じかそれより大きな大径部と該軸径より小さな小径部を形成し、
上記軸が上記小径部に圧入されることにより上記取付部材が上記軸に取り付けられるようにした
ことを特徴とする軸の圧入構造。
【請求項２】
上記小径部が上記取付穴の一端部に形成された
ことを特徴とする請求項１に記載の軸の圧入構造。
【請求項３】
上記取付穴の一端部が、上記取付穴に上記軸が挿入される方向における先端部である
ことを特徴とする請求項２に記載の軸の圧入構造。
【請求項４】
上記取付部材が切削加工により形成された部材である
ことを特徴とする請求項１に記載の軸の圧入構造。
【請求項５】
取付穴を有し該取付穴にモータのモータ軸が挿入されて該モータ軸に取り付けられる回転部材の上記取付穴に上記モータ軸の径と同じかそれより大きな大径部と上記モータ軸の径より小さな小径部を形成し、
上記モータ軸が上記小径部に圧入されることにより上記回転部材が上記モータ軸に取り付けられるようにした
ことを特徴とする回転機構。
【請求項６】
上記小径部が上記取付穴の一端部に形成された
ことを特徴とする請求項５に記載の回転機構。
【請求項７】
上記取付穴の一端部が、上記取付穴に上記モータ軸が挿入される方向における先端部である
ことを特徴とする請求項６に記載の回転機構。
【請求項８】
上記回転部材が切削加工により形成された部材である
ことを特徴とする請求項５に記載の回転機構。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明軸の圧入構造は、上記した課題を解決するために、取付穴を有し該取付穴に軸が挿入されて該軸に取り付けられる取付部材の取付穴に該軸の軸径と同じかそれより大きな大径部と軸径より小さな小径部を形成し、軸が小径部に圧入されることにより取付部材が軸に取り付けられるようにしたものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
【発明の効果】
以上に記載したところから明らかなように、本発明軸の圧入構造にあっては、取付穴を有し該取付穴に軸が挿入されて該軸に取り付けられる取付部材の取付穴に該軸の軸径と同じかそれより大きな大径部と軸径より小さな小径部を形成し、軸が小径部に圧入されることにより取付部材が軸に取り付けられるようにしたので、軸の圧入される部分が短く、軸が取付穴の全体に圧入される場合に比し、取付穴及び軸の円筒度や真直度を特に厳しく管理する必要がない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
請求項３に記載した発明にあっては、上記取付穴の一端部を、取付部材の取付穴に軸が挿入される方向における先端部としたので、取付部材の軸への取付に際し、小径部に軸が挿入されるまでは取付部材及び軸に負荷がかからず非常に簡単に軸を取付穴に挿入させることができ、作業性が良好である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
請求項７に記載した発明にあっては、上記取付穴の一端部を、回転部材の取付穴にモータ軸が挿入される方向における先端部としたので、回転部材のモータ軸への取付に際し、小径部にモータ軸が挿入されるまでは回転部材及びモータ軸に負荷がかからず非常に簡単にモータ軸を取付穴に挿入させることができ、作業性が良好である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月27日(2004.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直動案内軸受装置に防塵カバーを取り付けて成る防塵構造であって、この直動案内軸受装置は、外面に転動体転動溝を有して、軸方向に延びる案内レールと、この案内レールに遊嵌する一つ又は複数のスライダを備えて成り、このスライダは、スライダ本体と、そのスライダ本体の両端部に取り付けられたエンドキャップを備えて成り、前記スライダ本体と前記エンドキャップにより、前記案内レールの転動体転動溝に対向する負荷転動体転動溝及びこの負荷転動体転動溝の両端部に湾曲部を介して連結された転動体戻し路からなる転動体循環路が形成され、この転動体循環路に前記案内レールに沿って前記スライダ本体を相対移動させる転動体が装填されてなるとともに、前記防塵カバーは、一つ又は複数のスライダの端部に、このスライダの外部から嵌め込まれ、嵌め込まれた後は弾性力によってこのスライダの端部に脱落しないように固定されるように構成されてなる、直動案内軸受装置用防塵構造。
【請求項２】
直動案内軸受装置に防塵カバーを取り付けて成る直動案内軸受装置であって、この直動案内軸受装置は、外面に転動体転動溝を有して、軸方向に延びる案内レールと、この案内レールに遊嵌する一つ又は複数のスライダを備えて成り、このスライダは、スライダ本体と、そのスライダ本体の両端部に取り付けられたエンドキャップを備えて成り、前記スライダ本体と前記エンドキャップにより、前記案内レールの転動体転動溝に対向する負荷転動体転動溝及びこの負荷転動体転動溝の両端部に湾曲部を介して連結された転動体戻し路からなる転動体循環路が形成され、この転動体循環路に前記案内レールに沿って前記スライダ本体を相対移動させる転動体が装填されてなるとともに、前記防塵カバーは、スライダ端に装着されるエンドキャップ、サイドシール潤滑剤含有部材の少なくとも一つを覆うように、外部から嵌め込まれ、嵌め込まれた後は弾性力によって各部材に固定されるように構成されてなる、直動案内軸受装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の他の態様は、この防塵構造を成す防塵カバー（防塵部品）であり、さらに他の態様は、防塵カバー付き直動案内軸受装置である。さらに、別の発明は、直動案内軸受装置に防塵カバーを取り付けて成る直動案内軸受装置であって、この直動案内軸受装置は、外面に転動体転動溝を有して、軸方向に延びる案内レールと、この案内レールに遊嵌する一つ又は複数のスライダを備えて成り、このスライダは、スライダ本体と、そのスライダ本体の両端部に取り付けられたエンドキャップを備えて成り、前記スライダ本体と前記エンドキャップにより、前記案内レールの転動体転動溝に対向する負荷転動体転動溝及びこの負荷転動体転動溝の両端部に湾曲部を介して連結された転動体戻し路からなる転動体循環路が形成され、この転動体循環路に前記案内レールに沿って前記スライダ本体を相対移動させる転動体が装填されてなるとともに、前記防塵カバーは、スライダ端に装着されるエンドキャップ、サイドシール潤滑剤含有部材の少なくとも一つを覆うように、外部から嵌め込まれ、嵌め込まれた後は弾性力によって各部材に固定されるように構成されてなる、直動案内軸受装置であることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月27日(2004.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ところが、上記のような、読み出し専用の記録媒体を介して情報提供を行う従来のシステムでは、例えば交通情報や気象情報など、リアルタイム性の高い情報を提供することが困難であった。
そこで、リアルタイム性の高い情報の提供も行えるような車載用ナビゲーションシステムが考案されている。例えば、特開平７−２６２４９３号公報には、地図データおよびその関連情報を情報提供センタから車載端末に通信回線を介してダウンロードするような装置に関する技術的内容が開示されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
地図情報記憶部１６は、地図データおよびその関連データを記憶するためのものであり、例えばハードディスク等の大容量の書き換え型記憶媒体によって実現される。地図情報記憶部１６には、道路ネットワーク情報や経路探索情報等を記述した地図データと、道路の渋滞状況や規制状況を記述した交通データ、天気予報や降雨状況等を記述した気象データ、レストランや各種ショップの情報を記述した店舗データ等からなる地図関連データとが格納されている。これら各種データは、通信回線（公衆回線網２００）を介して移動端末３００側へ提供される。なお、地図情報記憶部１６に格納されている各種データは、情報の内容に応じてそれぞれ適宜更新される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
また、ドライバが入力部１のリモコン（の上下左右移動キー）を操作し、それと連動して地図の表示中心位置が移動するように構成してもよい。それによりドライバは、地図の表示範囲を任意の地点へとスクロールさせることができる。また、同じくリモコン（の縮尺変更キー）を操作し、それと連動して現在表示中の地図データの縮尺率を変更するように構成してもよい。それにより、ドライバは、任意の縮尺の地図データをディスプレイ上に表示させることができる。縮尺率の変更は、例えば、縮尺率の異なる複数の地図データを予め地図情報記憶部７に記憶させておき、そこから地図情報読み込み部１１が指示に応じた縮尺率のものを読み出すことによっても行えるが、地図情報記憶部７の容量には制限があるため、本実施形態では、サーバ１００側から通信によって必要な縮尺率の地図データを取得する（こうした、通信によってサーバ１００側から情報を取得する処理については後述する）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
すなわち、ステップＳ２０８では、地図情報記憶部１６にストアされている地図データを参照して、ダウンロード要求に付加して通知された出発地から目的地までの最短経路を探索する処理が行われる。探索は、例えば演算処理部１８がダイクストラ法のような既存の手法によって実行する。なお、探索の際、地図情報記憶部１６にストアされている交通情報を反映して、渋滞を避けた経路を求めるようにしてもよい。具体的には、地図データに付随して記録されたリンク毎の旅行時間を交通情報（渋滞情報、規制情報など）に基づいて動的に変化させ、変化させて得られる各旅行時間にダイクストラ法を適用して経路を求める。なお、求めた経路は、少なくとも経度緯度座標をもつノード列で表すようにする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
以上のように構成された通信型経路案内システムについて、以下にその動作を説明する。なお、本実施形態で示す各処理は、コンピュータを用いてソフトウェア的に実現するか、あるいはそれら各処理を行う専用のハードウェア回路を用いて実現することができる。ソフトウェア的に実現する場合、そのためプログラムは、ＣＤ−ＲＯＭやフロッピーディスクなどの携帯型記録媒体に格納されて提供されるか、または通信回線（公衆回線網２００）を介してサーバ１００側から移動端末３００ａ側へ供給される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
また、第１および第２の実施形態では、アクセスポイント１０２を選択する際、移動端末（３００、３００ａ）の現在位置の座標と、ＡＰ情報記憶部８に記憶されている複数のアクセスポイント１０２の設置位置の座標との間の直線距離をそれぞれ算出して、距離が最短のものを選択したが、代わりに、次のようにしてアクセスポイント１０２を選択してもよい。すなわち、アクセスポイント１０２毎に、移動端末（３００、３００ａ）がそのエリア内に存在すればそのアクセスポイント１０２が最寄りのポイントであるような領域（以下、アクセスエリア）を設けておく。各移動端末（３００、３００ａ）は、これら複数のアクセスエリアのうち、現在どのアクセスエリアに自己が存在するかを判断し、自己が存在するアクセスエリアに設けられたアクセスポイント１０２へアクセスする。これにより、直線距離算出のための演算が不要になり、移動端末（３００、３００ａ）の処理負荷が軽減される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月29日(2004.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上述の様なローディングカム１０を含んで構成する押圧装置９を組み込んだトロイダル型無段変速機の作動時には、上記カム面１３と入力側ディスク２Ｂの外側面に形成したカム面１４との間に挟持したローラ１２をこれら両カム面１３、１４同士の間で強く挟持する。そして、上記カム面１４を介して上記入力側ディスク２Ｂを回転させる。この結果、この入力側ディスク２Ｂは、この入力側ディスク２Ｂが対向する出力側ディスク４（図５〜６）に、前記各パワーローラ８、８を介して押し付けられる。上記ローディングカム１０の円輪部４４は、この様に入力側ディスク２Ｂを押し付ける反作用として、この入力側ディスク２Ｂと反対向きのスラスト荷重を受ける。実際の押圧装置９の場合には、上記各ローラ１２を、軸方向に分割された複数個（図示の例では３個）のローラ素子５８、５８により構成しており、これら各ローラ素子５８、５８の外周面にはクラウニングを施しているので、上記カム面１３と上記各ローラ１２の外周面との接触面圧の分布は、図９に斜格子で示す様な大きさになる。又、上記各ローラ１２から受けるスラスト荷重に基づいて上記円輪部４４には、外周縁に向かう程上記入力側ディスク２Ｂから離れる方向のモーメント荷重が加わり、前記逃げ溝５３部分に、図９に斜格子で示す様な大きさの引っ張り応力が加わる。更に、前記外輪軌道４９部分の接触面圧の分布は、やはり図９に斜格子で示す様な大きさになる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
更に、前記カム面１３は、表面の硬度を HRc５８以上と高くするだけでなく、表面粗さが良好である（平滑面である）事が好ましい。この為に、上記カム面１３には、必要に応じて研磨処理を施す。又、このカム面１３の凹凸のピッチを正確に等しくする事、方向を放射方向に対して厳密に一致させる事も、トロイダル型無段変速機の構成各部に無理な応力を生じさせず、良好な伝達効率並びに耐久性を確保する上から好ましい。この様な考慮が必要な事は、ローディングカム１０側に設けるカム面１３に限らず、入力側ディスク２Ｂの外側面側に設けるカム面１４の場合でも同様である。又、前記外輪軌道４９の表面の硬度を確保する事と同様に、この外輪軌道４９と対向して前記玉軸受５０を構成する内輪軌道５１の表面の硬度を確保する事が、この玉軸受５０全体としての耐久性確保の為には必要である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月29日(2004.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
先ず、上記偏心量Ｌ7 が過小である場合には、次の様な理由で、トロイダル型無段変速機の変速比が所望値からずれる。前述した様な構成各部材の寸法のずれ、或は動力伝達時に於けるこれら構成各部材の弾性変形を吸収する際には、上記各変位軸７、７を構成する上記各枢支軸部２３、２３が、上記各支持軸部２２、２２を中心に旋回運動する。例えば、動力伝達時に、押圧装置９が発生するスラスト荷重に基づいて出力側ディスク４が、図８の鎖線位置から実線位置に弾性変位し、入力側ディスク２Ｂはこの出力側ディスク４側（図８の右側）に変位する。そして、この変位に伴って、これら両ディスク２Ｂ、４の内側面２ａ、４ａ同士の間に挟持されたパワーローラ８が、入力軸１５ａの軸方向（説明の便宜上、この方向をｘ方向とする）に移動する。この移動の際、上記トラニオン６と変位軸７とパワーローラ８との関係は、図９の（Ａ）に示した状態から（Ｂ）に示した状態にまで変化する。この変化は、上記枢支軸部２３が上記支持軸部２２を中心に旋回する事により実現させるのであるから、この枢支軸部２３及びパワーローラ８は、図１０に示す様に、上記ｘ方向だけでなく、このｘ方向と直角な、トラニオン６を枢支している枢軸５、５の軸方向（説明の便宜上、この方向をｙ方向とする）にも移動する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上記に記述した様に、今までは上記各変位軸７、７を構成する支持軸部２２、２２と枢支軸部２３、２３との偏心量Ｌ7 の設計を、トロイダル型無段変速機の変速性能の面から特に決まった考え方で行なってはいなかった。これに対して、本発明者の研究により、上記偏心量Ｌ7 とトロイダル型無段変速機の変速性能との関係には、特有の傾向があり、この変速性能を確保する為には、上記偏心量Ｌ7 そのものに一定の範囲を設けられる事が分った。
本発明はこの様な事情に鑑みて、上記偏心量Ｌ7 を最適値に規制する事により、良好な変速性能を得られるトロイダル型無段変速機を実現すべく発明したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
これに対して、上記偏心量Ｌ7 を１０mmと仮定すると、同じ条件で上記パワーローラ８が、ｙ方向に０．２０２mm移動し、この移動に伴うパワーローラ８の変速角度は、（０．２０２／４５）×３６０°＝１．６１６°になる。この値と前記全変速角度とを比較すると、１．６１６°／６０°＝０．０２７となる。即ち、偏心量Ｌ7 が３mmである場合に比較して格段に小さい、２．７％の変速角度分の変速のずれで済み、ほぼ所望の変速性能を得られる。更に、上記偏心量Ｌ7 が１５mmである場合及び２０mmである場合を計算すると、上記ｙ方向への変位量ｙ8 は、それぞれ０．１３４mm、０．１００mmとなり、変速角度の変化率は、それぞれ１．８％、１．３％になる。この様に、偏心量Ｌ7 が１５mmである場合と２０mmである場合との間には、あまり差は認められない。この事は、偏心量Ｌ7 を１５mmを越えて大きくしても、上記ｙ方向への変位量ｙ8 を抑えて変速性能の維持を図る面からは、あまり意味のない事になる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月4日(2004.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
前記構成によれば、パワーローラ１０を支持するパワーローラ軸受１１は高速（１００００ｒｐｍ以上）で回転するので多量の油が必要であり、スラストニードル軸受３６はピボット軸２６の揺動を支持するのみの油でよいため、油孔の内径をパワーローラ軸受１１に油を供給するパワーローラ軸受用油孔３４の方をスラストニードル潤滑用油孔３５より大きくすることで油量をコントロールしている。さらに、パワーローラ軸受用油孔３４はピボット軸２６に設けた油孔に対応した位置にあり、油が流れやすくなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
図４〜図６は第２の実施形態を示し、図４はトラニオン８ａ，８ｂの傾転を支持するラジアルニードル軸受２８ａの転送部を示し、ラジアルニードル軸受２８ａの転送部となる円筒部４２と垂直な平面部４３とのつなぎ部４８はＲ形状に形成されている。このＲの大きさは円筒部４２の直径Ｄの０．０５倍以上とすることにより自動車用として実用上十分な耐久性を得ている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
この発明の第２の実施形態におけるトロイダル形無段変速機のトラニオンを示し、（ａ）は縦断正面図、（ｂ）はＢ−Ｂ線に沿う断面図、（ｃ）は下面図。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
従来のトラニオンを示し、（ａ）は縦断正面図、（ｂ）はＣ−Ｃ線に沿う断面図、（ｃ）は下面図。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
1999201250.tif 000001
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
1999201250.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月18日(2005.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法および製造装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空排気ポンプが接続された容器と、プラズマを生成する手段と、ガス供給手段と、前記容器内に設けられたウエハを設置するためのウエハテーブルと、前記ウエハに向かってガスを噴出するガス孔と、ウエハと対向して配置された構造体と、前記構造体を前記ウエハ面上で走査する手段とを有するドライ洗浄装置を用いた半導体装置の製造方法において、
前記ウエハテーブルにウエハを設置する工程と、
前記真空排気ポンプにより前記容器内を減圧維持し、該容器内に前記ガス供給手段より前記容器内にプラズマの原料となる第１のガスを供給させ、前記プラズマ生成手段により前記容器内にプラズマを生成する工程と、
前記構造体を前記ウエハ主面に近接させ、第２のガス種を前記ガス孔より噴出させて前記第２のガス種のガス流による流体摩擦応力と、前記プラズマで生成された電荷あるいは活性粒子の作用との併用にて前記ウエハ主面を洗浄する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記容器内にて第３のガス種でプラズマを生成し、前記ウエハの主面を該プラズマにさらす工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記洗浄工程の後、前記ウエハを前記容器内にて所定時間加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
容器と、プラズマを生成する手段と、プラズマの原料となるガスを供給するガス供給手段と、前記容器内に設けられたウエハを設置するためのウエハテーブルと、前記ウエハに向かってガスを噴出するガス孔と、前記ウエハとの対向面が平面部を具備する平面状の構造体と、前記平面状の構造体を前記ウエハ面上で走査する手段とを有するドライ洗浄装置を用いた半導体装置の製造方法において、
前記ウエハテーブルにウエハを設置する工程と、
前記容器内を減圧維持し、前記前記容器内に前記ガス供給手段より前記容器内にプラズマの原料となる第１のガスを供給させ、前記プラズマを生成する手段により前記容器内にプラズマを生成し、前記プラズマで生成された電荷あるいは活性粒子の作用により前記ウエハ主面に対する洗浄の前処理を行う工程と、
前記平面状の構造体の平面部を前記ウエハ主面に近接させ、第２のガス種を前記ガス孔より噴出させて前記第２のガス種のガス流による流体摩擦応力により前記ウエハ主面を洗浄する工程と、
前記容器内にて第３のガス種でプラズマを生成し、前記ウエハの主面を該プラズマにさらす工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記前洗浄を行う工程と前記洗浄工程とを同時に行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項２または４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記洗浄工程または前記ウエハの主面を前記第３のガス種によって生成されたプラズマにさらす工程において、前記ウエハの加熱手段により前記ウエハを加熱させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１または４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１のガス種の成分が塩素元素、フッ素元素、水素元素、酸素元素のいずれかを含む分子を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項２または４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第３のガス種の成分が水素元素含む分子を有し、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン、ヘリウム、窒素のいずれか一種類のガスにて希釈されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項２または４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第３のガス種がアルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン、ヘリウム、窒素、酸素のいずれか一種類のガスであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１、２、４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１または第３のガスに酸素ガスを添加することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１または４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２のガスは、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素のいずれか一であることを特長とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
真空排気ポンプが接続された容器と、
前記容器内にプラズマの原料となる第１のガスを供給させるガス供給手段と、
プラズマを生成する手段と、
前記容器内に設けられたウエハを載置するためのウエハテーブルと、
前記ウエハに向かって第２のガスを噴出するガス孔と、
ウエハとの対向面が平面部を具備する平面状の構造体と、
前記平面状の構造体を前記ウエハ面上で走査する手段とを備え、
前記平面状の構造体の平面部を前記ウエハ主面に近接させ、前記第２のガスを前記ガス孔より噴出させて前記第２のガス種のガス流による流体摩擦応力と、前記プラズマで生成された電荷あるいは活性粒子の作用との併用にて前記ウエハ主面を洗浄することを特徴とするドライ洗浄装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置の製造装置において、
前記ガス供給手段は第３のガスを供給する手段を備え、
前記容器内にて第３のガス種でプラズマを生成し、前記ウエハの主面を該プラズマにさらすことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１４】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ウエハを前記容器内にて所定時間加熱する手段を含むことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ウエハの加熱手段が、ウエハ設置手段内に設けられた電流による発熱体であることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項１６】
請求項１４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ウエハの加熱手段が、赤外ランプであることを特徴とする半導体装置の製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月29日(2004.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
珪素（Ｓｉ）単結晶基板の表面に、温度Ｔ１（単位：℃）（但し、２５０℃≦Ｔ１≦１２００℃）で、気相成長領域に単位時間に供給する硼素源の濃度に対するリン源の濃度の比率（以下、Ｖ／ＩＩＩ比率という。）を０．２以上で４０以下の第１の比率とし、単位時間内に硼素源より供給される硼素原子の濃度を第１の濃度として、硼素（Ｂ）とリン（Ｐ）とを含む非晶質層を気相成長させる第１の工程と、
該非晶質層上に、温度Ｔ２（単位：℃）（但し、７５０℃≦Ｔ２≦１２００℃）で、Ｖ／ＩＩＩ比率を第１の比率以上の第２の比率とし、単位時間内に硼素源より供給される硼素原子の濃度を第１の濃度以下の第２の濃度として、リン化硼素（ＢＰ）結晶層を気相成長させる第２の工程と、
該リン化硼素結晶層上に、Ｔ２以下かつ２５０℃以上の温度Ｔ３（単位：℃）（但し、２５０℃≦Ｔ３≦Ｔ２）で、ＩＩＩ族窒化物半導体層を気相成長させる第３の工程と、
を有することを特徴とするＩＩＩ族窒化物半導体層の気相成長方法。
【請求項２】
前記非晶質層の層厚が、１ｎｍ以上で５０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物半導体層の気相成長方法。
【請求項３】
前記第２の工程において、リン化硼素結晶層を、Ｖ／ＩＩＩ比率を１．５×１０２以上で１×１０４以下の範囲として気相成長させることを特徴とする請求項１または２に記載のＩＩＩ族窒化物半導体層の気相成長方法。
【請求項４】
前記第２の工程においてリン化硼素（ＢＰ）結晶層を気相成長させる温度Ｔ２を、第１の工程において非晶質層を気相成長させる温度Ｔ１以下の温度とすることを特徴とする請求項１ないし３の何れか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体層の気相成長方法。
【請求項５】
前記第２の工程において供給される硼素原子の濃度である第２の濃度を、前記第１の工程において供給される硼素原子の濃度である第１の濃度に対して、１／３０以上で１／５以下とすることを特徴とする請求項１ないし４の何れか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体層の気相成長方法。
【請求項６】
前記第１の工程において供給される硼素原子の濃度である第１の濃度を、１×１０−６モル（ｍｏｌ）／分以上で４×１０−５モル／分以下とし、前記第２の工程において供給される硼素原子の濃度である第２の濃度を、３．３×１０−８モル／分以上で８×１０−６モル／分以下としたことを特徴とする請求項５に記載のＩＩＩ族窒化物半導体層の気相成長方法。
【請求項７】
前記第３の工程において、ＩＩＩ族窒化物半導体層を、Ｖ／ＩＩＩ比率を１×１０４〜５×１０４として気相成長させることを特徴とする請求項１ないし６の何れか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体層の気相成長方法。
【請求項８】
請求項１ないし７の何れか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体層の気相成長方法に依り、珪素（Ｓｉ）単結晶基板の表面に、硼素（Ｂ）とリン（Ｐ）を含む非晶質層と、リン化硼素結晶層と、ＩＩＩ族窒化物半導体層を順次気相成長させて製造したＩＩＩ族窒化物半導体素子。
【請求項９】
請求項１ないし７の何れか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体層の気相成長方法に依り、ＩＩＩ族窒化物半導体による障壁（ｃｌａｄ）層と、その障壁層上に単一或いは多重量子井戸構造の発光層を設けたＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
【請求項１０】
請求項１ないし７の何れか１項に記載のＩＩＩ族窒化物半導体層の気相成長方法に依り、高抵抗のリン化硼素結晶層上にｎ形の窒化ガリウム・インジウム混晶（ＧａＸＩｎ１−ＸＮ：０≦Ｘ≦１）層をチャネル（ｃｈａｎｎｅｌ）層として設けた、ショットキー（Ｓｃｈｏｔｔｋｙ）接合型電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月23日(2005.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器と、該容器に接続された真空排気手段と、荷重を印加しながら構造体を被処理ウエハに押し付ける機構と、該構造体と該被処理ウエハの間隙にガスを噴出する手段とを有し、該真空排気手段により排気された該容器内にて、該被処理ウエハ表面を洗浄するためのドライ洗浄装置であって、
前記被処理ウエハに近接する前記構造体の面の形状が凹型形状であることを特徴とするドライ洗浄装置。
【請求項２】
請求項１に記載のドライ洗浄装置において、
前記構造体の中心における該構造体と前記被処理ウエハの間隔が該構造体の外周における該構造体と該被処理ウエハの間隔よりも大きいことを特徴とするドライ洗浄装置。
【請求項３】
請求項１に記載のドライ洗浄装置において、
洗浄処理中における前記被処理ウエハ面上のガス圧力は均一でなく最大差が10kPa以上となることを特徴とするドライ洗浄装置。
【請求項４】
請求項１に記載のドライ洗浄装置において、
前記容器内にプラズマを発生させる手段を有することを特徴とするドライ洗浄装置。
【請求項５】
被処理ウエハとガス噴出のための構造体との間にガス流を生じさせてウエハ主面を洗浄するドライ洗浄装置と、除震台とを有し、該ドライ洗浄装置は該除震台に設置されていることを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月10日(2005.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このスピンバルブ型のＴＭＲ素子における抵抗値の変化率は、その対の強磁性層のそれぞれのスピン分極率をＰ１，Ｐ２とすると、下記の式（１）で表される。
２Ｐ１  Ｐ２／（１−Ｐ１  Ｐ２）            （１）
つまり、両強磁性層のスピン分極率Ｐ１，Ｐ２が大きい程、抵抗変化率が大きくなる。この抵抗変化率と強磁性層の材料との関係については、すでに、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等のＦｅ族の強磁性元素や、これら金属の合金についての報告がなされている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このＭＲＡＭに使用されるビット線およびワード線には、通常の半導体装置における配線材料のＣｕや、Ａｌ等の導体薄膜が使用される。このような通常の配線材料を用い、かつ線幅０．２５μｍのビット線およびワード線によって例えば反転磁界が２０〔Ｏｅ〕である磁気メモリ素子に対して、書き込みを行うには、約２ｍＡの電流が必要となる。ビット線およびワード線の厚さが、線幅と同じ０．２５μｍである場合、このときの電流密度は、エレクトロマイグレーションによる断線限界値に近い３．２×１０−６Ａ／ｃｍ２である。
したがって、配線の信頼性を維持するためには、書き込み電流の低減が不可欠である。
また、書き込み電流による発熱の問題や、消費電力の低減の観点からも、書き込み電流を低減させる必要がある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、上述した例では、中間層６が、トンネルバリア層であってＴＭＲ素子構成とした場合であるが、中間層６が、非磁性導電層によって構成され、膜厚方向に通電がなされるいわゆるＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）構成のスピンバルブ型ＧＭＲ素子に適用することもできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
ワード線ＷＬ上の一部に、ＴＭＲ素子１を作製した。このＴＭＲ素子１の形成は、先ず、半導体基板２側から、それぞれ全面的に、順次、厚さ３ｎｍのＴａ層と厚さ１００ｎｍのＣｕ層とによる下地層３、ＰｔＭｎ層による反強磁性層４、厚さ３ｎｍのＣｏＦｅ層と厚さ０．８ｎｍのＲｕ層による非磁性導電層と厚さ２．５ｎｍのＣｏＦｅ層とのフェリ磁性層による磁化固定層５、厚さ１ｎｍのＡｌを酸化処理した中間層６、厚さ５ｎｍのＦｅＣｏＢ層による磁化自由層７、厚さ５ｎｍのＴａ層より成る保護層すなわちトップコート層８を形成した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月1日(2005.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
請求項６記載の記録方法における記録ストラテジを変更する記録線速（予め決められた記録線速）を、記録方法の設定情報として有することを特徴とする相変化型光記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題は、次の１）〜７）の発明（以下、本発明１〜７という）によって解決される。
１）  基板上に少なくとも相変化記録層と反射層を有する相変化型光記録媒体に記録マークを形成するに際し、記録に用いるレーザー光などの光ビームの発光波形を複数のパルスからなる記録パルス列とし、このパルス列を変調することによって記録を行う方法であって、記録マーク部は記録パワー（Ｐｗ）とボトムパワー（Ｐｂ）の間で変調されたパルス列とし、スペース部は記録パワー（Ｐｗ）と消去パワー（Ｐｅ）の間のレベルに設定されたパワー（Ｐｅ＋）と消去パワー（Ｐｅ）の間で変調されていることを特徴とする相変化型光記録媒体の記録方法。
２）  記録マーク部のＰｗのパルスデューティ比を予め０．２〜０．８の範囲に設定し、スペース部のＰｅ＋のパルスデューティ比を予め０．０５〜０．４の範囲に設定することを特徴とする１）記載の相変化型光記録媒体の記録方法。
３）  Ｐｗを、光ビームの照射により相変化記録層が記録材料の融点以上となるパワーとし、Ｐｅ＋を、同じく記録材料の融点未満となるパワーとすることを特徴とする１）記載の相変化型光記録媒体の記録方法。
４）  Ｐｅ＋のパルスデューティ比が０．３以上の場合に、光ビームの照射により相変化記録層が記録材料の融点以上となるパワー条件をＰｅ＋として使用する場合には、スペース部のＰｅ＋のパルスデューティ比が０．３未満であることを特徴とする１）記載の相変化型光記録媒体の記録方法。
５）  Ｐｅが記録マークの形成に最適な記録パワーＰｗの０．２〜０．４倍である１）〜４）の何れかに記載の相変化型光記録媒体の記録方法。
６）  予め決められた記録線速以上の場合には１）〜５）の何れかに記載の記録方法を用い、予め決められた記録線速未満の場合にはスペース部を変調せずに、予め決められたＰｅの連続光とすることを特徴とする相変化型光記録媒体の記録方法。
７）  ６）記載の記録方法における記録ストラテジを変更する記録線速（予め決められた記録線速）を、記録方法の設定情報として有することを特徴とする相変化型光記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月5日(2004.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に垂直磁気記録膜が備えられ、
前記基板と垂直磁気記録膜の間に、Ｐｔによる第１下地膜、Ｐｔによる第３下地膜、及び第１下地膜と第３下地膜の間に介在される第２下地膜を備える多層構造の垂直配向下地膜が介在されていることを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記第１下地膜及び第３下地膜のうち少なくとも何れか１つがＰｔ又はＰｔ合金により形成され、第２下地膜はＴｉ又はＴｉ合金により形成されることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記垂直配向下地膜と前記基板の間に軟磁性膜が介在されていることを特徴とする請求項１または２に記載の垂直磁気記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
垂直磁気記録媒体は、一般に水平磁気記録メカニズムに比べて高い記録密度を有するものと知られている。したがって、最近のハードディスクドライブ（ＨＤＤ）は、高い記録密度を実現するために垂直磁気記録媒体を採用している。ここで、垂直磁気記録媒体は、磁化方向が媒体の平面に対して垂直な方向に配列されるものである。このような垂直磁気記録媒体における記録密度は、垂直磁気記録膜の特性と、磁気記録膜内で磁化を垂直に配向させる下地膜とに大きく影響される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
垂直磁気記録膜１３，２３，２２４の下部に垂直配向下地膜１２，２２３や軟磁性膜２２が備えられている磁気記録媒体の場合、垂直磁気記録膜１３，２３，２２４をなしている元素の種類や構成比によって、垂直配向下地膜の種類及び構造に大きな影響を及ぼす。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために、本発明に係る垂直磁気記録媒体は、基板上に垂直磁気記録膜が備えられ、前記基板と垂直磁気記録膜の間に、Ｐｔによる第１下地膜、Ｐｔによる第３下地膜、及び第１下地膜と第３下地膜の間に介在される第２下地膜を備える多層構造の垂直配向下地膜が介在されている（請求項１）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記本発明に係る垂直磁気記録媒体において、前記第１下地膜及び第３下地膜のうち少なくとも何れか１つがＰｔ又はＰｔ合金により形成され、第２下地膜はＴｉ又はＴｉ合金により形成されることが望ましい（請求項２）。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、前記本発明に係る垂直磁気記録媒体の一実施例によれば、前記垂直配向下地膜と前記基板の間に軟磁性膜が介在される（請求項３）。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明に係る垂直磁気記録媒体によれば、３層構造の垂直配向下地膜を使用して、Ｐｔ下地膜の垂直配向特性と結晶格子との一致性を確保し、かつ、小さな結晶粒を有する垂直配向膜を設け、このような優秀な垂直配向特性と小さな結晶粒とを有する垂直配向膜によって、垂直磁気記録膜の熱的安定性及び高密度記録特性、優秀なＳＮ比特性を得ることが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月8日(2005.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
ここにいうアクリル系二重結合とは、アクリル酸、アクリル酸エステル、アクリル酸アミド、メタクリル酸、メタクリル酸エステル、メタクリル酸アミド等の残基（アクリロイル基またはメタクリロイル基）をいう。アクリル系二重結合含有化合物としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ヘキサメチレングリコール等のグリコールのモノ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパン、グリセリン、トリメチロールエタン等のトリオール化合物のモノ（メタ）アクリレート及びジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール等の４価以上のポリオールのモノ（メタ）アクリレート及びジ（メタ）アクリレート、トリ（メタ）アクリレート、グリセリンモノアリルエーテル、グリセリンジアリルエーテル等のヒドロキシル基含有アクリル系化合物などが好適である。これらのアクリル系二重結合はバインダーの分子内に少なくとも１個以上、好ましくは２〜２０個存在する必要がある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明に係るポリウレタンアクリレート樹脂とは、一般に、ヒドロキシル基含有樹脂とヒドロキシル基含有アクリル系化合物とポリイソシアネート含有化合物と前記の塩基性極性基及びイオウ含有極性基を有する２種の化合物との反応により得られるものである。ヒドロキシル基含有樹脂としては、ポリエチレングリコール、ポリブチレングリコール、ポリプロピレングリコールなどのポリアルキレングリコール、ビスフェノールＡのアルキレンオキサイド付加物、各種のグリコール及びヒドロキシル基を分子鎖末端に有するポリエステルポリオールなどが挙げられる。これらのなかでもポリエステルポリオールを１成分として得られるポリウレタンアクリレート樹脂が好ましい。