【手続補正書】
【提出日】平成17年3月8日(2005.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、ヘルメット、フロントガラス、風防ガラス及びそれらの作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
曲面に配置されている半導体装置において、
前記半導体装置は、
下地膜上に形成された薄膜トランジスタを用いた集積回路と、
前記集積回路上に形成された接着層を介して固定された樹脂基板とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
曲面に配置されている半導体装置において、
前記半導体装置は、
下地膜上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された接着層を介して固定された第１の樹脂基板と、
前記第１の樹脂基板と対をなし、前記第１の樹脂基板との間で前記薄膜トランジスタ及び前記酸化珪素膜が挟持される第２の樹脂基板とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体装置がシールドに配置されているヘルメットにおいて、
前記半導体装置は、
下地膜上に形成された薄膜トランジスタを用いた集積回路と、
前記集積回路上に形成された接着層を介して固定された樹脂基板とを有することを特徴とするヘルメット。
【請求項４】
半導体装置がシールドに配置されているヘルメットにおいて、
前記半導体装置は、
下地膜上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された接着層を介して固定された第１の樹脂基板と、
前記第１の樹脂基板と対をなし、前記第１の樹脂基板との間で前記薄膜トランジスタ及び前記酸化珪素膜が挟持される第２の樹脂基板とを有することを特徴とするヘルメット。
【請求項５】
半導体装置が装着されているフロントガラスにおいて、
前記半導体装置は、
下地膜上に形成された薄膜トランジスタを用いた集積回路と、
前記集積回路上に形成された接着層を介して固定された樹脂基板とを有することを特徴とするフロントガラス。
【請求項６】
半導体装置が装着されているフロントガラスにおいて、
前記半導体装置は、
下地膜上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された接着層を介して固定された第１の樹脂基板と、
前記第１の樹脂基板と対をなし、前記第１の樹脂基板との間で前記薄膜トランジスタ及び前記酸化珪素膜が挟持される第２の樹脂基板とを有することを特徴とするフロントガラス。
【請求項７】
半導体装置が装着されている風防ガラスにおいて、
前記半導体装置は、
下地膜上に形成された薄膜トランジスタを用いた集積回路と、
前記集積回路上に形成された接着層を介して固定された樹脂基板とを有することを特徴とする風防ガラス。
【請求項８】
半導体装置が装着されている風防ガラスにおいて、
前記半導体装置は、
下地膜上に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された接着層を介して固定された第１の樹脂基板と、
前記第１の樹脂基板と対をなし、前記第１の樹脂基板との間で前記薄膜トランジスタ及び前記酸化珪素膜が挟持される第２の樹脂基板とを有することを特徴とする風防ガラス。
【請求項９】
請求項１または請求項２において、前記樹脂基板は可撓性を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項３または請求項４において、前記樹脂基板は可撓性を有することを特徴とするヘルメット。
【請求項１１】
請求項５または請求項６において、前記樹脂基板は可撓性を有することを特徴とするフロントガラス。
【請求項１２】
請求項７または請求項８において、前記樹脂基板は可撓性を有することを特徴とする風防ガラス。
【請求項１３】
請求項５または請求項６において、前記半導体装置は計器であることを特徴とするフロントガラス。
【請求項１４】
請求項７または請求項８において、前記半導体装置は計器であることを特徴とする風防ガラス。
【請求項１５】
飛行機のフロントガラスであることを特徴とする請求項５、６、１１または１３に記載のフロントガラス。
【請求項１６】
車のフロントガラスであることを特徴とする請求項５、６、１１または１３に記載のフロントガラス。
【請求項１７】
飛行機の風防ガラスであることを特徴とする請求項７、８、１２または１４に記載の風防ガラス。
【請求項１８】
基板上に酸化珪素膜を形成し、
前記酸化珪素膜上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上に接着層を形成し、
前記接着層を介して前記基板に第１の樹脂基板を固定し、
前記第１の樹脂基板を固定後、前記第１の樹脂基板に前記薄膜トランジスタが保持された状態で、前記酸化珪素膜をエッチングすることにより前記基板を剥離し、
前記基板を剥離後、前記第１の樹脂基板に前記薄膜トランジスタ及び前記下地膜を介して前記第２の樹脂基板を固定して半導体装置を作製し、
作製された前記半導体装置を曲面に配置することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
基板上に酸化珪素膜を形成し、
前記酸化珪素膜上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上に接着層を形成し、
前記接着層を介して前記基板に第１の樹脂基板を固定し、
前記第１の樹脂基板を固定後、前記第１の樹脂基板に前記薄膜トランジスタが保持された状態で、前記酸化珪素膜をエッチングすることにより前記基板を剥離し、
前記基板を剥離後、前記第１の樹脂基板に前記薄膜トランジスタ及び前記下地膜を介して前記第２の樹脂基板を固定して半導体装置を作製し、
作製された前記半導体装置をヘルメットのシールドに配置することを特徴とするヘルメットの作製方法。
【請求項２０】
基板上に酸化珪素膜を形成し、
前記酸化珪素膜上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上に接着層を形成し、
前記接着層を介して前記基板に第１の樹脂基板を接着し、
前記第１の樹脂基板を接着後、前記第１の樹脂基板に前記薄膜トランジスタが保持された状態で、前記酸化珪素膜をエッチングすることにより前記基板を剥離し、
前記基板を剥離後、前記第１の樹脂基板に前記薄膜トランジスタ及び前記下地膜を介して前記第２の樹脂基板を固定して半導体装置を作製し、
作製された前記半導体装置をガラスの表面に装着することを特徴とするフロントガラスの作製方法。
【請求項２１】
基板上に酸化珪素膜を形成し、
前記酸化珪素膜上に下地膜を形成し、
前記下地膜上に薄膜トランジスタを形成し、
前記薄膜トランジスタ上に接着層を形成し、
前記接着層を介して前記基板に第１の樹脂基板を固定し、
前記第１の樹脂基板を固定後、前記第１の樹脂基板に前記薄膜トランジスタが保持された状態で、前記酸化珪素膜をエッチングすることにより前記基板を剥離し、
前記基板を剥離後、前記第１の樹脂基板に前記薄膜トランジスタ及び前記下地膜を介して前記第２の樹脂基板を固定して半導体装置を作製し、
作製された前記半導体装置をガラスの表面に装着することを特徴とする風防ガラスの作製方法。
【請求項２２】
飛行機のフロントガラスであることを特徴とする請求項１９に記載のフロントガラスの作製方法。
【請求項２３】
車のフロントガラスであることを特徴とする請求項２０に記載のフロントガラスの作製方法。
【請求項２４】
飛行機の風防ガラスであることを特徴とする請求項２１に記載の風防ガラスの作製方法。