【手続補正書】
【提出日】平成16年3月25日(2004.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、（Ｂ）主鎖に脂環式基を有し、且つカルボキシル基を有するポリシクロオレフィン樹脂、及び（Ｃ）下記一般式（Ｉ）で表される基を少なくとも２個有する化合物を含有することを特徴とするポジ型レジスト組成物。
【化１】
1999160877.tif 000001
一般式（Ｉ）中、Ｒ1 〜Ｒ3 は、各々独立に、水素原子、置換基を有していてもよい、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。またＲ1 〜Ｒ3 の内の２つが結合して３〜８個の炭素原子あるいはヘテロ原子から成る環構造を形成してもよい。Ｚは−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ2−又は−ＮＨ−基を示す。
【請求項２】
（Ｂ）成分の樹脂が、更に酸の作用により分解してアルカリ現像液中での溶解性を増大させる基を有する樹脂であることを特徴とする請求項１に記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項３】
（Ｂ）成分の樹脂が、一般式（II）又は（III）で表される主鎖に脂環式基を有する繰り返し構造単位の少なくとも一つと、カルボキシル基を有することを特徴とする請求項１又は２に記載のポジ型レジスト組成物。
【化２】
1999160877.tif 000002
【化３】
1999160877.tif 000003
一般式（II）、（III）中、Ｒ4 〜Ｒ7 は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ヒドロキシ基、アルキル基、ハロアルキル基、アルコキシ基、−ＣＯ−ＯＲ38基又はカルボキシ基を表し、Ｒ4 〜Ｒ7 のうち少なくとも２つが結合し、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜５個のアルキレン基を形成してもよい。Ｒ38は、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基あるいはアルケニル基、もしくは酸の作用により分解する基を表す。Ａ1 〜Ａ3 は、各々独立に、置換基を有していてもよい２価のアルキレン基、アルケニレン基、又は単環もしくは多環のシクロアルキレン基を表す。Ｘは単結合、２価のアルキレン基、アルケニレン基、又は−ＳＯ2−基を表し、ｐ、ｑは、各々独立に、０もしくは１〜４の整数を表す。
【請求項４】
一般式（II）又は（III)で表される主鎖に脂環式基を有する繰り返し構造単位が、一般式（IV）〜（VIII）で表される繰り返し構造単位であることを特徴とする請求項３に記載のポジ型レジスト組成物。
【化４】
1999160877.tif 000004
【化５】
1999160877.tif 000005
【化６】
1999160877.tif 000006
【化７】
1999160877.tif 000007
【化８】
1999160877.tif 000008
一般式（IV）〜（VIII）中、Ｒ4 〜Ｒ7 、Ｒ38、Ｘは各々請求項３に記載のものと同義である。Ｒ8 〜Ｒ37は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、−ＣＯ−ＯＲ38基、又はカルボキシ基を表す。ａ〜ｊは、各々独立に、０もしくは１〜４の整数を表す。また、式（IV）におけるＲ4 〜Ｒ17の内の少なくとも２つ、式（Ｖ）、式（VII)及び式（VIII）におけるＲ4 〜Ｒ10、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ15〜Ｒ27の内の少なくとも２つ、あるいは式（VI）におけるＲ4 〜Ｒ10、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ15〜Ｒ20、Ｒ22、Ｒ23、Ｒ25〜Ｒ37の内の少なくとも２つが結合し、ヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜５個のアルキレン基を形成してもよい。
【請求項５】
（Ｂ）成分の樹脂が、下記一般式（IX）、（Ｘ）又は（XI）で表されるカルボキシル基を有する繰り返し構造単位のうち少なくとも一つを有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のポジ型レジスト組成物。
【化９】
1999160877.tif 000009
一般式（IX）〜（XI）中、Ｒ39〜Ｒ40、Ｒ42〜Ｒ44は、各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、アルキル基又はハロアルキル基を表し、Ｒ41は、シアノ基、−ＣＯ−ＯＲ38又は−ＣＯ−ＮＲ45Ｒ46を表す。Ｘ1〜Ｘ3は、各々独立に、単結合、置換基を有していてもよい２価の、アルキレン基、アルケニレン基、シクロアルキレン基、もしくは−Ｏ−、−ＳＯ2−、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ47−、−ＣＯ−Ｏ−Ｒ48−、又は−ＣＯ−ＮＲ49−Ｒ50−を表す。Ｒ38は、請求項３に記載のものと同義である。Ｒ45〜Ｒ46、Ｒ49は、各々独立に、水素原子、置換基を有していても良い、アルキル基、シクロアルキル基又はアルケニル基を表す。またＲ45、Ｒ46が結合して環を形成してもよい。Ｒ47〜Ｒ48、Ｒ50は、各々独立に
、単結合、２価のアルキレン基、アルケニレン基又はシクロアルキレン基、もしくはこれらがエーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基あるいはウレイド基の少なくとも１つとともに形成した２価の基を表す。
【請求項６】
（Ｂ）成分の樹脂が、一般式（XII)又は（XIII）で表される基を有することを特徴とする請求項２〜５のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化１０】
1999160877.tif 000010
一般式（XII)、（XIII）中、Ｒ51〜Ｒ53は、各々独立に、水素原子、又は置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、アシル基もしくはアルコキシカルボニル基を表し、Ｒ54は、置換基を有していてもよい、アルキル基、シクロアルキル基、又はアルケニル基を表す。但し、式（XII)のＲ51〜Ｒ53の内、少なくとも２つは水素原子以外の基である。また式（XII)のＲ51〜Ｒ53の内の２つ、又は式（XIII）のＲ51、Ｒ52、Ｒ54の内の２つが結合して３〜８個の炭素原子、ヘテロ原子から成る環構造を形成してもよい。
【請求項７】
（Ｂ）成分の樹脂が、水酸基を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項８】
（Ｃ）成分の化合物が、下記一般式（XIV)で示される化合物であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【化１１】
1999160877.tif 000011
一般式（XIV)中、Ｒ1〜Ｒ3、Ｚは各々請求項１に記載のものと同義である。Ｒはヘテロ原子を含んでもよい、ｍ価のアルキレン基、ｍ価のシクロアルキレン基あるいはこれらの基を２つ以上組み合わせて得られるｍ価の基を表し、更にこれらの基は、エーテル基、エステル基、アミド基、ウレタン基あるいはウレイド基の少なくとも１つとともに２価以上の連結基を形成してもよい。ｍは２以上の整数を表す。
【請求項９】
（Ｂ）成分の樹脂と（Ｃ）成分の化合物が塗膜形成時に熱により架橋してアルカリ現像液に対し不溶化し、その（Ｂ）成分の樹脂と（Ｃ）成分の化合物の架橋物が活性光線又は放射線の照射時に発生した酸により分解して、アルカリ現像液に対する溶解性が向上することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物。
【請求項１０】
露光光源として、２２０ｎｍ以下の遠紫外光を使用することを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載にポジ型レジスト組成物。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかに記載のポジ型レジスト組成物によりレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光、現像することを特徴とするパターン形成方法。