【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年12月24日(2020.12.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面と本体を有し、アルカリイオンの内部拡散により形成された、化学強化ガラス基板の応力プロファイルを決定する方法であって、該ガラス基板の応力プロファイルが、該上面に直接隣接した応力の浅いスパイク領域、および、該本体内でゆっくりと変化する応力の深い領域であって、該スパイク領域と膝で交差する深い領域を含む、方法において、、
前記ガラス基板のＴＭモードスペクトルおよびＴＥモードスペクトルであって、各々がモード線および臨界角に関連する移行を含むＴＭモードスペクトルおよびＴＥモードスペクトルを測定する工程、
前記ＴＭおよびＴＥモードスペクトル、または前記アルカリイオンの少なくとも１つの種類の表面濃度の測定を使用して、前記スパイクの表面圧縮応力ＣＳspを決定する工程、
前記移行と該移行に最も隣接したモード線との間の距離を使用して非整数モード計数を得ることを含み、前記ＴＭおよびＴＥモードスペクトルの少なくとも一方のモード線を使用して、前記スパイクの層の深さＤＯＬspを計算する工程、
ＴＥおよびＴＭ移行位置の間の差を測定して、複屈折ＢＲの量を決定する工程、および
ＣＳknee＝（ＣＦＤ）（ＢＲ）／ＳＯＣとして膝応力を計算する工程であって、式中、ＳＯＣは応力光学係数であり、ＣＦＤは、０．５と１．５の間にある較正係数である工程、
を有してなる方法。
【請求項２】
前記深い領域の応力プロファイルを、１．３と４の間の累乗係数を有するベキ乗則により近似する工程をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項３】
上面と本体を有し、アルカリイオンの内部拡散により形成された、化学強化ガラス基板の応力プロファイルを決定する方法であって、該ガラス基板の応力プロファイルが、該上面に直接隣接した応力の浅いスパイク領域、および、該本体内でゆっくりと変化する応力の深い領域であって、該スパイク領域と膝で交差する深い領域を含む、方法において、    前記ガラス基板のＴＭモードスペクトルおよびＴＥモードスペクトルであって、各々が、前記スパイク領域に関連するモード線、全反射（ＴＩＲ）の部分、前記基板の前記深い領域に光結合がある部分反射の部分、および臨界角に関連する、前記２つの部分の間の移行を含むＴＭモードスペクトルおよびＴＥモードスペクトルを測定する工程、
前記ＴＭおよびＴＥモードスペクトルの少なくとも一方、または前記上面に隣接してあるアルカリイオンの少なくとも１種類の表面濃度の測定のいずれかを使用して、前記スパイクの表面圧縮応力ＣＳspを決定する工程、
前記ＴＭおよびＴＥモードスペクトルの少なくとも一方のスパイク領域の複数のモード線を使用して、前記スパイクの応力勾配ｓσを決定する工程、
移行と該移行に最も隣接したモード線との間の距離を使用して非整数モード計数を得ることを含み、前記ＴＭおよびＴＥモードスペクトルの少なくとも一方のモード線を使用して、前記スパイクの層の深さＤＯＬspを計算する工程、および
関係式：
ＣＳknee＝ＣＳsp＋（ＣＦ）（Ｓσ）（ＤＯＬsp）
を使用して、表面圧縮応力ＣＳsp、応力勾配ｓσ、および前記スパイクの層の深さＤＯＬspを使用して、膝での圧縮応力ＣＳkneeの量を計算する工程であって、ＣＦは絶対値で０．５から２の範囲にある較正因子である工程、
を有してなる方法。
【請求項４】
前記応力勾配ｓσを決定する工程が、前記ＴＥモードスペクトルおよび前記ＴＭモードスペクトルの各々の２つの最低次モード線を使用して行われる、請求項３記載の方法。
【請求項５】
前記応力勾配ｓσを決定する工程が、前記ＴＥモードスペクトルおよび前記ＴＭモードスペクトルの少なくとも一方の３つ以上のモード線を使用して行われる、請求項３記載の方法。
【請求項６】
前記応力勾配ｓσを決定する工程が、線形回帰を使用するか、またはモード線の対を使用した平均化法によって、行われる、請求項３記載の方法。
【請求項７】
上面と本体を有し、アルカリイオンの内部拡散により形成された、化学強化ガラス基板の応力プロファイルを決定する方法であって、該ガラス基板の応力プロファイルが、該上面に直接隣接した応力の浅いスパイク領域、および、該本体内でゆっくりと変化する応力の深い領域であって、該スパイク領域と膝で交差する深い領域を含む、方法において、
前記ガラス基板のＴＭモードスペクトルおよびＴＥモードスペクトルであって、各々が、前記スパイク領域に関連するモード線、全反射（ＴＩＲ）の部分、前記基板の前記深い領域に光結合がある部分反射の部分、および臨界角に対応する、前記２つの部分の間の移行を含むＴＭモードスペクトルおよびＴＥモードスペクトルを測定する工程、
前記ＴＭおよびＴＥモードスペクトルの少なくとも一方、または前記表面に隣接してあるアルカリイオンの少なくとも１種類の表面濃度の測定のいずれかを使用して、前記スパイクの表面圧縮応力ＣＳspを決定する工程、
前記移行と該移行に最も隣接したモード線との間の距離を使用して非整数モード計数を得ることを含み、前記ＴＭおよびＴＥモードスペクトルの少なくとも一方のモード線を使用して、前記スパイクの層の深さＤＯＬspを計算する工程、
2018527282.tif 000001
により与えられる応力誘起複屈折ＢＲを推測する工程であって、式中、
2018527282.tif 000002
は最高共通次のＴＥスパイクモードの実効屈折率であり、
2018527282.tif 000003
は最高共通次のＴＭスパイクモードの実効屈折率である工程、および
ＣＳknee＝（ＣＦＤ）（ＢＲ）／ＳＯＣとして膝応力を計算する工程であって、ＳＯＣは応力光学係数であり、ＣＦＤは、０．５と１．５の間にある較正因子である工程、
を有してなる方法。
【請求項８】
前記層の深さＤＯＬspが、前記ＴＭモードスペクトルの前記モード線および前記移行のみを使用して計算される、請求項３または７記載の方法。
【請求項９】
上面と本体を有し、アルカリイオンの内部拡散により形成された、化学強化ガラス基板の応力プロファイルを決定する方法であって、該ガラス基板の応力プロファイルが、該上面に直接隣接した応力の浅いスパイク領域、および、該本体内でゆっくりと変化する応力の深い領域であって、該スパイク領域と膝で交差する深い領域を含む、方法において、
前記ガラス基板のＴＭモードスペクトルおよびＴＥモードスペクトルであって、各々がモード線および臨界角に対応する移行を含むＴＭモードスペクトルおよびＴＥモードスペクトルを測定する工程、
前記ＴＭおよびＴＥモードスペクトルの少なくとも一方、または前記表面に隣接してあるアルカリイオンの少なくとも１種類の表面濃度の測定のいずれかを使用して、前記スパイクの表面圧縮応力ＣＳspを決定する工程、
前記移行領域と該移行領域に最も隣接したモード線との間の距離を使用して非整数モード計数を得ることを含み、前記ＴＭおよびＴＥモードスペクトルの少なくとも一方のモード線を使用して、前記スパイクの層の深さＤＯＬspを計算する工程、
前記ＴＥおよびＴＭ移行位置の間の差を測定して、複屈折ＢＲの量を決定する工程であって、ＢＲが、
2018527282.tif 000004
により与えられ、式中、
2018527282.tif 000005
は最高共通次のＴＥスパイクモードの実効屈折率であり、
2018527282.tif 000006
は最高共通次のＴＭスパイクモードの実効屈折率である工程、および
方程式：
ＣＳk＝Ｋ3×ＢＲ／ＳＯＣ
を使用して、ＣＳkとして膝応力を計算する工程であって、ＳＯＣは応力光学係数であり、Ｋ3は、０．２と２の間にある較正因子である工程、
を有してなる方法。
【請求項１０】
前記層の深さＤＯＬspが、前記ＴＭモードスペクトルのモード線のみを使用して計算される、請求項１または９記載の方法。
【請求項１１】
前記層の深さＤＯＬspが、前記ＴＭモードスペクトルの少なくとも３つのモード線を使用して計算される、請求項１または９記載の方法。
【請求項１２】
上面と本体を有し、アルカリイオンの内部拡散により形成された、化学強化ガラス基板の応力プロファイルを決定する方法であって、該ガラス基板の応力プロファイルが、該上面に直接隣接した応力の浅いスパイク領域、および、該本体内でゆっくりと変化する応力の深い領域であって、該スパイク領域と膝で交差する深い領域を含む、方法において、
前記ガラス基板のＴＭモードスペクトルおよびＴＥモードスペクトルであって、各々が、前記スパイク空間領域に関連するモード線、全反射（ＴＩＲ）の部分、前記基板の前記深い領域に光結合がある部分反射の部分、および臨界角に対応する、前記２つの部分の間の移行を含むＴＭモードスペクトルおよびＴＥモードスペクトルを測定する工程、
前記ＴＭおよびＴＥモードスペクトルの少なくとも一方、または前記表面に隣接してあるアルカリイオンの少なくとも１種類の表面濃度の測定のいずれかを使用して、前記スパイクの表面圧縮応力ＣＳspを決定する工程、
前記移行領域と該移行領域に最も隣接したモード線との間の距離を使用して非整数モード計数を得ることを含み、前記ＴＭおよびＴＥモードスペクトルの少なくとも一方のモード線を使用して、前記スパイクの層の深さＤＯＬspを計算する工程、
前記ＴＥおよびＴＭ移行位置の間の差を測定して、複屈折ＢＲの量を決定する工程であって、ＢＲが、
2018527282.tif 000007
により与えられ、式中、
2018527282.tif 000008
は最高共通次のＴＥスパイクモードの実効屈折率であり、
2018527282.tif 000009
は最高共通次のＴＭスパイクモードの実効屈折率である工程、および
方程式：
2018527282.tif 000010
を使用して、ＣＳkとして膝応力を計算する工程であって、式中、ＣＳsurは代理応力ＣＳsur＝ＢＲ／ＳＯＣであり、ＳＯＣは応力光学係数を表し、
2018527282.tif 000011
は、ＣＳk、ＣＳsur、ＣＳsp、およびＤＯＬの公称値である工程、
を有してなる方法。
【請求項１３】
上面と本体を有し、アルカリイオンの内部拡散により形成された、化学強化ガラス基板の応力プロファイルを決定する方法であって、該ガラス基板の応力プロファイルが、該上面に直接隣接した応力の浅いスパイク領域、および、該本体内でゆっくりと変化する応力の深い領域であって、該スパイク領域と膝で交差する深い領域を含む、方法において、  前記ガラス基板のＴＭモードスペクトルおよびＴＥモードスペクトルであって、各々がモード線および臨界角に関連する移行を含むＴＭモードスペクトルおよびＴＥモードスペクトルを測定する工程、
前記ＴＭおよびＴＥモードスペクトル、または前記アルカリイオンの少なくとも１つの種類の表面濃度の測定を使用して、前記スパイクの表面圧縮応力ＣＳspを決定する工程、
ＴＥおよびＴＭ移行位置の間の差を測定して、複屈折ＢＲの量を決定する工程、および
ＣＳknee＝（ＣＦＤ）（ＢＲ）／ＳＯＣとして膝応力を計算する工程であって、式中、ＳＯＣは応力光学係数であり、ＣＦＤは較正係数である工程、
を有してなる方法。
【請求項１４】
前記深い領域の応力プロファイルを、１．３と４の間の累乗係数を有するベキ乗則により近似する工程をさらに含む、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
上面と本体を有し、アルカリイオンの内部拡散により形成された、化学強化ガラス基板の応力プロファイルを決定する方法であって、該ガラス基板の応力プロファイルが、該上面に直接隣接した応力の浅いスパイク領域、および、該本体内でゆっくりと変化する応力の深い領域であって、該スパイク領域と膝で交差する深い領域を含む、方法において、
前記ガラス基板のＴＭモードスペクトルおよびＴＥモードスペクトルであって、各々が、前記スパイク領域に関連するモード線、全反射（ＴＩＲ）の部分、前記基板の前記深い領域に光結合がある部分反射の部分、および臨界角に対応する、前記２つの部分の間の移行を含むＴＭモードスペクトルおよびＴＥモードスペクトルを測定する工程、
前記ＴＭおよびＴＥモードスペクトルの少なくとも一方、または前記表面に隣接してあるアルカリイオンの少なくとも１種類の表面濃度の測定のいずれかを使用して、前記スパイクの表面圧縮応力ＣＳspを決定する工程、
2018527282.tif 000012
により与えられる応力誘起複屈折ＢＲを推測する工程であって、式中、
2018527282.tif 000013
は最高共通次のＴＥスパイクモードの実効屈折率であり、
2018527282.tif 000014
は最高共通次のＴＭスパイクモードの実効屈折率である工程、および
ＣＳknee＝（ＣＦＤ）（ＢＲ）／ＳＯＣとして膝応力を計算する工程であって、ＳＯＣは応力光学係数であり、ＣＦＤは較正因子である工程、
を有してなる方法。
【請求項１６】
ＣＦＤが０．５と１．５の間にある、請求項１３または１５記載の方法。
【請求項１７】
上面と本体を有し、アルカリイオンの内部拡散により形成された、化学強化ガラス基板の応力プロファイルを決定する方法であって、該ガラス基板の応力プロファイルが、該上面に直接隣接した応力の浅いスパイク領域、および、該本体内でゆっくりと変化する応力の深い領域であって、該スパイク領域と膝で交差する深い領域を含む、方法において、、
前記ガラス基板のＴＭモードスペクトルおよびＴＥモードスペクトルであって、各々がモード線および臨界角に対応する移行を含むＴＭモードスペクトルおよびＴＥモードスペクトルを測定する工程、
前記ＴＭおよびＴＥモードスペクトルの少なくとも一方、または前記表面に隣接してあるアルカリイオンの少なくとも１種類の表面濃度の測定のいずれかを使用して、前記スパイクの表面圧縮応力ＣＳspを決定する工程、
前記ＴＥおよびＴＭ移行位置の間の差を測定して、複屈折ＢＲの量を決定する工程であって、ＢＲが、
2018527282.tif 000015
により与えられ、式中、
2018527282.tif 000016
は最高共通次のＴＥスパイクモードの実効屈折率であり、
2018527282.tif 000017
は最高共通次のＴＭスパイクモードの実効屈折率である工程、および
方程式：
ＣＳk＝Ｋ3×ＢＲ／ＳＯＣ
を使用して、ＣＳkとして膝応力を計算する工程であって、ＳＯＣは応力光学係数であり、Ｋ3は、０．２と２の間にある較正因子である工程、
を有してなる方法。
【請求項１８】
前記ＴＭおよびＴＥモードスペクトルの少なくとも一方が少なくとも所定の数の縞を含むことを確認することによって、前記スパイクの層の深さＤＯＬspが所望の範囲内にあることを判定する工程をさらに含む、請求項１３、１５または１７記載の方法。
【請求項１９】
前記縞の所定の数が２である、請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記スパイクの層の深さＤＯＬspが所望の範囲内にあることを判定する工程が、前記ＴＭモードスペクトルが少なくとも所定の数の縞を含むことを確認する工程を含む、請求項１８記載の方法。
【請求項２１】
前記アルカリイオンがＮａおよびＫであり、前記ガラス基板がＬｉを含有し、前記プロファイルの深い領域にＮａが豊富であり、前記浅い領域にＫが豊富である、請求項１、３、７、９、１３、１５または１７記載の方法。
【請求項２２】
前記ＴＭモードスペクトルおよび前記ＴＥモードスペクトルの各々が、０．２と０．６の間のモード数の端数部分を有する、請求項１３、１５または１７記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００８７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００８７】
膝応力を得るには、今では一工程、すなわち、スパイク深さＤＯＬspの測定が残されており、これは、ＴＭスペクトルの分析によって得られる。最高次導波モードとＴＭ臨界角に対応する屈折率との間の屈折率空間は、先の２つのモードの間隔のどの端数を示すか、そしてより高い精度が望ましい場合には、いくつの導波モードが導波されるかに基づいてモードの端数が割り当てられる。このタイプのＤＯＬ計算は、ＦＳＭ−６０００装置によってごく普通に行われる。