(57)【要約】【課題】  本発明は回路板の製造工程及び回路板を提供する。【解決手段】  回路板の製造工程は以下の工程からなる。少なくとも１つの初期絶縁層を基板上に形成する（Ｓ１００）。続いて、活性化プロセスを行い（Ｓ１０２）、初期絶縁層を活性化絶縁層に変化させる。活性化絶縁層には表面及び表面にある活性エリアを有すると共に、多数の触媒粒子を含む。幾つかの触媒粒子が活性化して活性エリア内で露出する。続いて、活性エリア内で導電パターン層を形成し（Ｓ１０４）、導電パターン層は表面に突出する。このほか、上記回路板の製造工程によって製造された回路板も提案する。【選択図】  図１
2010135719.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路板の製造工程において、
少なくとも１つの初期絶縁層を基板上に形成し、前記初期絶縁層は多数の触媒粒子を含む工程と、
活性化プロセスを行い、前記初期絶縁層を活性化絶縁層に変化させ、前記活性化絶縁層には表面及び前記表面にある活性エリアを有すると共に、前記触媒粒子を含み、そのうち幾つかの触媒粒子が活性化して前記活性エリア内で露出する工程と、
前記活性エリア内で導電パターン層を形成し、前記導電パターン層は前記表面に突出する工程と、
からなることを特徴とする回路板の製造工程。
【請求項２】
前記活性化プロセスを行う方法は、前記初期絶縁層に対してレーザー除去、プラズマエッチング又は機械加工法で行うことを含むことを特徴とする請求項１に記載する回路板の製造工程。
【請求項３】
前記導電パターン層を形成する方法は、無電解メッキ法、化学蒸着法又は電気メッキ法を含むことを特徴とする請求項１に記載する回路板の製造工程。
【請求項４】
さらに、少なくとも１つの樹脂層を前記基板上に形成する工程と、
前記初期絶縁層を前記樹脂層に形成する工程と、
からなり、前記樹脂層はフィルムと空白核心層で構成されたグループから選択することを特徴とする請求項１に記載する回路板の製造工程。
【請求項５】
前記基板は回路基板で、且つ前記回路基板は第１回路層、前記第１回路層に対向する第２回路層、前記第１回路層と前記第２回路層の間にある誘電性層および前記第１回路層と前記第２回路層の間を電気的に接続する内部回路構造からなることを特徴とする請求項１に記載する回路板の製造工程。
【請求項６】
さらに、前記導電パターン層を形成する前に、少なくとも１つのバリアパターン層を前記基板上に形成する工程であって、前記バリアパターン層には前記活性化エリアを露出した透かし彫りパターンを有するものと、
前記導電パターン層を、前記透かし彫りパターンに露出した前記活性化エリア内に形成する工程と、
前記バリアパターン層を取り除く工程と、
からなることを特徴とする請求項１又は５に記載する回路板の製造工程。
【請求項７】
前記導電パターン層を形成する方法は、
前記バリアパターン層を形成する前に、前記表面を全面的に覆う少なくとも１つの金属層を形成する工程と、
前記バリアパターン層を前記金属層上に形成する工程と、
前記金属層に電気メッキを行う工程と、
前記金属層に電気メッキを行い、前記バリアパターン層を取り除いた後、前記金属層の一部を取り除く工程と、
からなることを特徴とする請求項６に記載する回路板の製造工程。
【請求項８】
回路板において、
上表面と前記上表面に対向する下表面を有する基板と、
前記上表面に配置し、第１表面と前記第１表面にある第１活性化エリアを有する第１活性化絶縁層と、
前記下表面に配置し、第２表面と前記第２表面にある第２活性化エリアを有する第２活性化絶縁層であって、前記第１活性化絶縁層と前記第２活性化絶縁層が何れも多数の触媒粒子を含むものと、
前記第１表面に配置し、前記第１活性化エリア内にある触媒粒子に接続する第１導電パターン層であって、前記第１導電パターン層が前記第１表面に突出するものと、
前記第２表面に配置し、前記第２活性化エリア内にある触媒粒子に接続する第２導電パターン層であって、前記第２導電パターン層が前記第２表面に突出するものと、
からなることを特徴とする回路板。
【請求項９】
前記第１活性化エリアの前記第１表面に対向する深度が１０ミクロンより大きくないことを特徴とする請求項８に記載する回路板。
【請求項１０】
前記第２活性化エリアの前記第２表面に対向する深度が１０ミクロンより大きくないことを特徴とする請求項９に記載する回路板。
【請求項１１】
前記基板は回路基板であって、且つ前記回路基板は第１回路層、前記第１回路層に対向する第２回路層、前記第１回路層と前記第２回路層の間にある誘電性層及び前記第１回路層と前記第２回路層の間を電気的に接続する内部回路構造からなることを特徴とする請求項１０に記載する回路板。
【請求項１２】
さらに多層の樹脂層を含み、１層の樹脂層は前記第１活性化絶縁層と前記基板の間に配置し、別の樹脂層は前記第２活性化絶縁層と前記基板の間に配置し、前記樹脂層はフィルムと空白核心層で構成されたグループから選択することを特徴とする請求項８に記載する回路板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路板及びその製造工程に関し、特に活性化絶縁層（ａｃｔｉｖａｂｌｅ  ｉｎｓｕｌａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）を有する回路板及びその製造工程に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路板は、携帯電話やパソコン、デジタルカメラ等電子装置（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｄｅｖｉｃｅ）、及びテレビや洗濯機、冷蔵庫など家電用品に必要な部品である。詳細に述べると、回路板はチップ（ｃｈｉｐ）や受動部品（ｐａｓｓｉｖｅ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）、主動部品（ａｃｔｉｖｅ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）等の多種類の電子部品（ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ）の荷重を受けたり、それらと組み立てられたり、またこれら電子部品を相互に電性連接させたりできる。このように、電気信号はこれら電子部品の間を伝達し、上述の電子裝置及び家電用品を動作させることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、回路板の製造工程を提供し、それを用いて回路板を製造する。
本発明は、回路板を提供し、多数の電子部品と組み立てることができる。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、回路板の製造工程を提供し、少なくとも一つの初期絶縁層を基板上に構成することを含み、その中で初期絶縁層は多数の触媒粒子を含む。続いて、活性化プロセスを行い、それによって初期絶縁層を活性化絶縁層へと変化させる。活性化絶縁層は、表面及びそこに位置する活性エリアを有し、これら触媒粒子を含み、そのうちいくつかの触媒粒子は、活性エリア内で活性化且つ露出する。続いて、活性エリア内で導電パターン層を形成し、そのうち導電パターン層は表面に突出している。
【０００５】
本発明はさらに、基板、第１活性化絶縁層、第２活性化絶縁層、第１導電パターン層及び第２導電パターン層を含む回路板を提供する。基板は、上表面と上表面に向かい合う下表面を有する。第１活性化絶縁層は上表面に配置され、さらに第１表面及び第１表面に位置する第１活性エリアを有する。第２活性化絶縁層は下表面に配置され、さらに第２表面及び第２表面に位置する第２活性エリアを有する。第１活性化絶縁層と第２活性化絶縁層は、ともに多数の触媒粒子を含む。第１導電パターン層は第１表面に配置され、さらに第１活性エリア内に位置する触媒粒子を接続し、そのうち第１導電パターン層は第１表面に突出している。第２導電パターン層は第２表面に配置され、さらに第２活性エリア内に位置する触媒粒子を接続し、そのうち第２導電パターン層は第２表面に突出している。
【発明の効果】
【０００６】
以上のように、上述の活性化絶縁層を利用することによって、本発明は導電パターン層を形成し、さらに多数の電子部品と組み合わせることができる回路板を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の回路板の製造工程の工程図。
【図２Ａ】本発明実施例１の回路板の製造工程の概略図。
【図２Ｂ】本発明実施例１の回路板の製造工程の概略図。
【図２Ｃ】本発明実施例１の回路板の製造工程の概略図。
【図２Ｄ】本発明実施例１の回路板の製造工程の概略図。
【図２Ｅ】本発明実施例１の回路板の製造工程の概略図。
【図２Ｆ】本発明実施例１の回路板の製造工程の概略図。
【図２Ｇ】本発明実施例１の回路板の製造工程の概略図。
【図３Ａ】本発明実施例２の回路板の概略図。
【図３Ｂ】図３Ａ中の回路板が樹脂層を形成する際の概略図。
【図４Ａ】本発明実施例３の回路板の製造工程の概略図。
【図４Ｂ】本発明実施例３の回路板の製造工程の概略図。
【図４Ｃ】本発明実施例３の回路板の製造工程の概略図。
【図４Ｄ】本発明実施例３の回路板の製造工程の概略図。
【図４Ｅ】本発明実施例３の回路板の製造工程の概略図。
【図５Ａ】本発明実施例４の回路板の製造工程の概略図。
【図５Ｂ】本発明実施例４の回路板の製造工程の概略図。
【図５Ｃ】本発明実施例４の回路板の製造工程の概略図。
【図５Ｄ】本発明実施例４の回路板の製造工程の概略図。
【図５Ｅ】本発明実施例４の回路板の製造工程の概略図。
【図５Ｆ】本発明実施例４の回路板の製造工程の概略図。
【図５Ｇ】本発明実施例４の回路板の製造工程の概略図。
【図５Ｈ】本発明実施例４の回路板の製造工程の概略図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図１は、本発明の回路板の製造工程の工程図である。図１で示すように、本発明の回路板の製造工程は、片面回路板（ｓｉｎｇｌｅ−ｓｉｄｅ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）、双面回路板（ｄｏｕｂｌｅ−ｓｉｄｅ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）及び多層回路板（ｍｕｌｔｉ−ｌａｙｅｒ  ｃｉｒｃｕｉｔ  ｂｏａｒｄ）を製造することができる。ここで、回路板の製造工程において、まず、少なくとも一つの初期絶縁層を基板上（Ｓ１００）に形成し、そのうちこの初期絶縁層は乾燥塗膜（ｄｒｙ  ｆｉｌｍ）またはウェットフィルムであり、そのため初期絶縁層はステッチまたは塗布の方式を通じて、基板上に形成される。このほか、基板は回路基板でもあり得る。
【０００９】
初期絶縁層は多数の触媒粒子を含み、そのうちこれら触媒粒子は多数のナノ粒子でもあり、また金属成分を有する金属粒子（ｍｅｔａｌｌｉｃ  ｐａｒｔｉｃｌｅ）でもあり得る。これら金属粒子には多数の異なる種類があり、また活性化もされ得る。特に、これら金属粒子が活性化される前、これら金属粒子の物理及び化学特性は、ある種の金属粒子が活性化される前に絶縁性を有するように、金属塊材（ｍｅｔａｌ  ｂｕｌｋ）と決して同様ではない。
【００１０】
上述を受けて、これら金属粒子の成分は金属原子または金属イオンを含み、またこれら触媒粒子の材質は過渡金属配位化合物を含む。この過渡金属配位化合物は、過渡金属酸化物、過渡金属窒化物、過渡金属コンプレックスまたは過渡金属キレート物などで、そのうち過渡金属配位化合物の材質は、亜鉛、銅、銀、金、ニッケル、パラジウム、プラチナ、コバルト、ロジウム、イリジウム、インジウム、鉄、マンガン、クロム、モリブデン、タングステン、バナジウム、タンタル、チタン、またはこれら金属の任意の組合せから選ぶことができる。
【００１１】
このほか、これら触媒粒子の材質は多種の過渡金属配位化合物を含むことができる。詳細に述べると、これら触媒粒子の材質は、過渡金属酸化物、過渡金属窒化物、過渡金属コンプレックス、過渡金属キレート物、またはこれら化合物の任意の組合せから選ぶことができる。例を述べると、これら触媒粒子は過渡金属酸化物や過渡金属窒化物、過渡金属コンプレックスを含むことができ、またこれら触媒粒子も過渡金属酸化物や過渡金属コンプレックス等の多数の過渡金属配位化合物を含むことができ、そのうちこれら触媒粒子は酸化銅や気化チタン、コバルトとモリブデンの双金属窒化物（Ｃｏ2Ｍｏ3Ｎx）粒子、パラジウム金属粒子といったものである。
【００１２】
初期絶縁層は更に高分子量化合物を含み、またこれら触媒粒子は高分子量化合物の中に分布している。詳細に述べると、この高分子量化合物は高分子重合物であり、その材質は、エポキシ樹脂、変質エポキシ樹脂、ポリエステル、アクリレート、フッ素重合体、ポリフェニレン酸化物、ポリイミド、フェノール樹脂、ポリサルフォン、圭素重合体、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、シアン酸塩エステル、ポリエチレン、ポリカーボネート樹脂、プロピレン−ブタジエニル−スチレン共重合体、ポリエチレン−テレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、液晶高分子、ポリアミド６、ナイロン、共重合体ポリオキシメチレン、ポリフェニレン硫化物、環状オレフィン共重合体、またはこれら高分子材料の任意の組合せから選ぶことができる。
【００１３】
初期絶縁層は基板と接触し、また直接基板上に形成される。しかし、初期絶縁層は基板と接触せず、間接的に基板上に形成されることもある。例を挙げると、初期絶縁層を形成する以前に、少なくとも一層の樹脂層を基板上に形成でき、そのうち樹脂層を形成する方法は樹脂層を基板上にステッチするもので、また樹脂層はフィルム（ｐｒｅｐｒｅｇ）や空白核心層（ｂｌａｎｋ  ｃｏｒｅ）であり得る。その後初期絶縁層をこの樹脂層上に形成する。
【００１４】
初期絶縁層を形成した後、活性化プロセス（Ｓ１０２）を行い、これによって初期絶縁層を活性化絶縁層に変化させ、また活性化絶縁層は上述の高分子量化合物とこの高分子量化合物中に分布するこれら触媒粒子を含むことができる。このため、初期絶縁層と活性化絶縁層の二者の構造は相似しており、二者の顕著な差異は：活性化絶縁層が表面及びその表面に位置する活性エリアを有し、そのうち活性エリア内で活性化をしたりむき出しになったりする触媒粒子もある。
【００１５】
上述の活性化を行うプロセスの方法には多数の種類がある。例を挙げると、活性化を行うプロセスの方法には、初期絶縁層に対してレーザーアブレーションやプラズマエッチングを行うものもある。上述レーザーアブレーションが使用するレーザー，それが発出するレーザービーム（ｌａｓｅｒ  ｂｅａｍ）の波長は、可視光線や赤外光、紫外光の範囲内である。このため、レーザーアブレーションが採用するレーザー光源は、赤外線レーザー、紫外線レーザー、ガーネットレーザー（Ｙｔｔｒｉｕｍ  Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ｇａｒｎｅｔ，ＹＡＧ  ｌａｓｅｒ）、二酸化炭素レーザー、準分子レーザー（ｅｘｃｉｍｅｒ  ｌａｓｅｒ）、遠赤外線レーザーなどである。
【００１６】
その他、活性化を行うプロセスの方法には、初期絶縁層に対して機械加工法を行うものもある。詳細に述べると、この機械加工法は水刀切断やサンドブラスティング、外型切断などを含むことができ、そのうちここで述べる外型切断は、Ｖ型切断（Ｖ−ｃｕｔ）や銑割（ｒｏｕｔｉｎｇ）であり得る。上述の機械加工法を通して、活性エリアも形成できる。
【００１７】
続いて、活性エリア内に導電パターン層（Ｓ１０４）が形成され、そのうち導電パターン層は活性化絶縁層の表面に突出し、また導電パターン層は少なくとも一つのパッド及び多数の線路を含む。導電パターン層を形成する方法は、無電解電気メッキ法（ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ  ｐｌａｔｉｎｇ）または化学蒸着法  （Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＣＶＤ）といった外部電流を加える必要のない化学方法を採用できる。
【００１８】
導電パターン層が上述の化学方法を用いて形成される時、活性化後の触媒粒子能は、直接導電パターン層を形成する反応物と反応を生み出すことができる。詳細に述べると、活性化絶縁層に対してレーザーアブレーションやプラズマエッチングを行う過程において、レーザービームとプラズマは全て在活性エリア内のこれら触媒粒子の化学結合（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｂｏｎｄ）を断ち切り、これら触媒粒子を活性化させることができる。
【００１９】
次に、導電パターン層は少なくとも一層のバリアパターン層を通じて形成でき、そのうちバリアパターン層は透かし彫りパターンを有する。詳細に述べると、導電パターン層を形成する以前に、基板上にバリアパターン層を形成でき、またバリアパターン層は、現像後のウェットタイプフォトレジストや乾燥塗膜（ｄｒｙ  ｆｉｌｍ）のようなパターン化フォトレジスト層であり得る。続いて、透かし彫りパターンの中に導電パターン層を形成する。その後、バリアパターン層を除去する。
【００２０】
本発明中の実施例において、導電パターン層は更に上述バリアパターン層と少なくとも一層の金属層を通して形成され得る。詳細に述べると、まず、活性エリアが、それが位置する活性化絶縁層の表面を完全にカバーする。続いて、活性化絶縁層の活性エリア内に金属層を形成する。活性エリアがその位置する活性化絶縁層の表面を完全にカバーするため、金属層は全面的に活性化絶縁層の表面を覆うことができる。
【００２１】
続いて、金属層上にバリアパターン層を形成し、そのうちバリアパターン層の透かし彫りパターンの局部に金属層を露出させる。その後、金属層に対して電気メッキを行い、それによって透かし彫りパターン内に導電パターン層を形成する。このように、導電パターン層も外部電流を加える電気メッキ法（ｅｌｅｃｔｒｏｐｌａｔｉｎｇ）によって形成できる。この後、部分的に金属層を除去し、それによって活性化絶縁層を部分的に露出させ、そのうち部分的に金属層を除去する方法は、金属層に対してエッチングを行うものでもよい。このように、導電パターン層は形成される。
【００２２】
その他、本発明中の実施例において、上述回路板の製造工程は更に少なくとも一つの導電接続構造（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）の形成することを含むことができる。詳細に述べると、導電接続構造は基板と導電パターン層の間に接続され、導電接続構造を通して、基板と導電パターン層の二者は電気的に導通できる。
【００２３】
導電接続構造を形成する方法には多数の種類がある。そのうち一種類は、導電接続構造を形成する方法において、まず、ホールプロセスを行い、それによって少なくとも一つのブラインドホールを形成し、そのうちこのホールプロセスはレーザーホールまたは機械ドリルである。その後、無電解電気メッキ法や電気メッキ法を行い、それによってブラインドホールの中に導電接続構造を形成する。これによって、導電接続構造は空心導電柱または実体導電棒といった、ブラインドホール内に位置する導電ブラインドホール構造（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｖｉａ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）であり得る。
本発明の特徴を具体的に説明するために、以下に実施例を挙げ，図式と合わせて説明を行う。
【実施例１】
【００２４】
図２Ａから図２Ｇは本発明実施例１の回路板の製造工程の概略図である。まず図２Ｇを参照すると、ここではまず本実施例の回路板２００の構造面での特徴を紹介する。回路板２００は、基板２１０、多層の活性化絶縁層及び多層の導電パターン層を含む。これら活性化絶縁層は第１活性化絶縁層２２０ａと第２活性化絶縁層２２０ｂを含み、またこれら導電パターン層は第１導電パターン層２３０ａと第２導電パターン層２３０ｂを含む。
【００２５】
基板２１０は上表面２１０ａと下表面２１０ｂを有し、また上表面２１０ａは下表面２１０ｂに対向し、そのうち第１活性化絶縁層２２０ａは上表面２１０ａに配置され、第２活性化絶縁層２２０ｂは下表面２１０ｂに配置される。基板２１０は回路基板でもあり得、第１回路層２１２ａ、第２回路層２１２ｂ、誘電性層２１４及び第１回路層２１２ａと第２回路層２１２ｂの間に電気的に接続される内部回路構造（図示せず）を含む。第１回路層２１２ａは第２回路層２１２ｂに対向し、誘電性層２１４は第１回路層２１２ａと第２回路層２１２ｂの間に位置する。
【００２６】
内部回路構造は、少なくとも一つの導電接続構造と少なくとも一層の内部回路層を含むことができ、そのうち内部回路層はこの導電接続構造を電気的に接続し、導電接続構造は導電ブラインドホール構造や導電貫通孔構造（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｔｈｒｏｕｇｈ  ｈｏｌｅ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）、導電マイクロビア（Ｍｉｃｒｏｖｉａ）構造（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｂｕｒｉｅｄ  ｈｏｌｅ  ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）といったものである。
【００２７】
上述の導電接続構造と内部回路層はともに、本発明が属する技術領域中に通常知識者が知っている習得回路板の構造を有するため、たとえ図式が内部回路構造を提示しなくとも、本発明が属する技術領域中に、通常知識者が容易に且つ明確に知ることができる内部回路構造の具体的特徴を依然として有する。
【００２８】
第１活性化絶縁層２２０ａは第１表面２２２ａ及び第１表面２２２ａに位置する第１活性エリア２２４ａを有し、第２活性化絶縁層２２０ｂは第２表面２２２ｂ及び第２表面２２２ｂに位置する第２活性エリア２２４ｂを有し、そのうち第１活性化絶縁層２２０ａと第２活性化絶縁層２２０ｂはともに多数の触媒粒子２２６を含む。
【００２９】
これら触媒粒子２２６は多数のナノ粒子であり得、しかもこれら触媒粒子２２６の材質は少なくとも過渡金属配位化合物を含み、その材質は、亜鉛、銅、銀、金、ニッケル、パラジウム、プラチナ、コバルト、ロジウム、イリジウム、インジウム、鉄、マンガン、クロム、モリブデン、タングステン、バナジウム、タンタル、チタンや、これら金属の組合せの集団から選ばれる。このため、触媒粒子２２６は金属成分を有するナノ粒子であり得る。
【００３０】
このほか、上述の過渡金属配位化合物は、過渡金属酸化物、過渡金属窒化物、過渡金属コンプレックスまたは過渡金属キレート物であり得、またこれら触媒粒子２２６の材質は、過渡金属酸化物、過渡金属窒化物、過渡金属コンプレックス、過渡金属キレート物や、これら化合物の任意の組合せから選ばれる。
【００３１】
第１活性化絶縁層２２０ａと第２活性化絶縁層２２０ｂの二者は更に高分子量化合物２２８を含み、これら触媒粒子２２６は高分子量化合物２２８の中に分布する。高分子量化合物２２８は高分子重合物であり得、その材質は、エポキシ樹脂、変質エポキシ樹脂、ポリエステル、アクリレート、フッ素重合体、ポリフェニレン酸化物、ポリイミド、フェノール樹脂、ポリサルフォン、圭素重合体、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、シアン酸塩エステル、ポリエチレン、ポリカーボネート樹脂、プロピレン−ブタジエニル−スチレン共重合体、ポリエチレン−テレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、液晶高分子、ポリアミド６、ナイロン、共重合体ポリオキシメチレン、ポリフェニレン硫化物、環状オレフィン共重合体や、これら高分子材料の任意の組合せから選ばれる。
【００３２】
第１導電パターン層２３０ａは第１表面２２２ａに配置され、また第１活性エリア２２４ａ内に位置する触媒粒子２２６を接続し、そのうち第１導電パターン層２３０ａは第１表面２２２ａに突出する。第２導電パターン層２３０ｂは第２表面２２２ｂに配置され、また第２活性エリア２２４ｂ内に位置する触媒粒子２２６を接続し、そのうち第２導電パターン層２３０ｂは第２表面２２２ｂに突出する。第１導電パターン層２３０ａと第２導電パターン層２３０ｂの二者はともに、多数の電子部品を接続するのに用いられるパッドと多数の電流を伝達する線路を含む。
【００３３】
そのほか、回路板２００は更に多数の導電接続構造を含むことができ、それは少なくとも一つの第１導電接続構造２４０ａと少なくとも一つの第２導電接続構造２４０ｂを含む。第１導電接続構造２４０ａは第１活性化絶縁層２２０ａの中に配置され、また第１導電パターン層２３０ａと基板２１０の第１回路層２１２ａの間に接続される。第２導電接続構造２４０ｂは第２活性化絶縁層２２０ｂの中に配置され、また第２導電パターン層２３０ｂと基板２１０の第２回路層２１２ｂの間に接続される。
【００３４】
本実施例において、第１導電接続構造２４０ａと第２導電接続構造２４０ｂはともに導電ブラインドホール構造であり得、この導電ブラインドホール構造は空心導電柱といったもので、図２Ｇで示すとおりである。第１導電接続構造２４０ａと第２導電接続構造２４０ｂを通して，第１導電パターン層２３０ａと第２導電パターン層２３０ｂの二者は基板２１０と電気的に導通することができる。
【００３５】
そのほか、その他不提示の実施例において、回路板２００が含む導電接続構造の数量はわずか一個でよい。つまり、回路板２００が含む第１導電接続構造２４０ａと第２導電接続構造２４０ｂの二者の総数量はわずか一個でよい。このため、図２Ｇは示す第１導電接続構造２４０ａと第２導電接続構造２４０ｂの二者の総数量は例を挙げて説明するように、本発明を限定するものではない。
【００３６】
以上、本実施例の回路板２００の構造面における特徴を紹介した。続いて、図２Ａから図２Ｇと合わせて回路板２００の製造工程を紹介する。
【００３７】
図２Ａを参照すると、回路板２００の製造工程において、まず、少なくとも一つの初期絶縁層を形成し、即ち第１初期絶縁層２２０ａ’を基板２１０の上表面２１０ａに形成し、及び第２初期絶縁層２２０ｂ’を基板２１０の下表面２１０ｂに形成する。第１初期絶縁層２２０ａ’と第２初期絶縁層２２０ｂ’の二者は、ステッチや塗布の方式を通して基板２１０上に形成され得る。このほか、第１初期絶縁層２２０ａ’と第２初期絶縁層２２０ｂ’の二者は、高分子量化合物２２８及び高分子量化合物２２８の中に分布されるこれら触媒粒子２２６を含むことができる。
【００３８】
図２Ｂを参照すると、続いて、ホールプロセスを行い、それによって少なくとも一つの第１ブラインドホールＢ１と少なくとも一つの第２ブラインドホールＢ２を形成し、そのうち第１ブラインドホールＢ１と第２ブラインドホールＢ２はレーザーホールや機械ドリルを用いて形成され得る。第１ブラインドホールＢ１は第１初期絶縁層２２０ａ’の中に位置し、第２ブラインドホールＢ２は第２初期絶縁層２２０ｂ’の中に位置する。第１ブラインドホールＢ１は局部的に第１回路層２１２ａを露出させ、第２ブラインドホールＢ２は局部的に第２回路層２１２ｂを露出させる。
【００３９】
図２Ｃを参照すると、続いて、少なくとも一層のバリアパターン層を基板２１０上に形成する。詳細に述べると、バリアパターン層を形成する工程は、第１バリアパターン層２５０ａを第１初期絶縁層２２０ａ’上に形成し、第２バリアパターン層２５０ｂを第２初期絶縁層２２０ｂ’上に形成することを含み、そのうち第１バリアパターン層２５０ａと第２バリアパターン層２５０ｂはともにパターン化フォトレジスト層であり得、それは現像後のウェットタイプフォトレジストや乾燥塗膜（ｄｒｙ  ｆｉｌｍ）といったものである。
【００４０】
以上述べたように、第１バリアパターン層２５０ａは第１透かし彫りパターン２５２ａを有し、また第１透かし彫りパターン２５２ａは局部的に第１初期絶縁層２２０ａ’を露出する。第２バリアパターン層２５０ｂは第２透かし彫りパターン２５２ｂを有し、また第２透かし彫りパターン２５２ｂは局部的に第２初期絶縁層２２０ｂ’を露出する。このほか、第１透かし彫りパターン２５２ａは更に全ての第１ブラインドホールＢ１及び第１ブラインドホールＢ１が露出する第１回路層２１２ａを露出し、また第２透かし彫りパターン２５２ｂは更に全ての第２ブラインドホールＢ２及び第２ブラインドホールＢ２が露出する第２回路層２１２ｂを露出する。
【００４１】
図２Ｃと図２Ｄを参照すると、続いて、活性化プロセスを行い、第１初期絶縁層２２０ａ’を第１活性化絶縁層２２０ａに変化させ、第２初期絶縁層２２０ｂ’は第２活性化絶縁層２２０ｂに変化する。活性化プロセスを行う方法は、第１初期絶縁層２２０ａ’と第２初期絶縁層２２０ｂ’に対してレーザーアブレーションやプラズマエッチング、機械加工法を行うものであり得、そのうちこの機械加工法は水刀切断やサンドブラスティング、外型切断（Ｖ型切断、銑割等）を含み、また上述レーザーアブレーションが採用するレーザー光源は赤外線レーザー、紫外線レーザー、ガーネットレーザー（ＹＡＧ  ｌａｓｅｒ）、二酸化炭素レーザー、準分子レーザーや遠赤外線レーザーであり得る。
【００４２】
第１初期絶縁層２２０ａ’と第２初期絶縁層２２０ｂ’に対してレーザーアブレーションやプラズマエッチングを行う際、第１バリアパターン層２５０ａと第２バリアパターン層２５０ｂをマスクとすることができ、また使用レーザービームやプラズマを使用して、第１初期絶縁層２２０ａ’と第２初期絶縁層２２０ｂ’に対して全面的なアブレーションやエッチングを行い、讓第１活性エリア２２４ａを第１透かし彫りパターン２５２ａに形成させ、第２活性エリア２２４ｂを第２透かし彫りパターン２５２ｂの中に形成させる。
【００４３】
図２Ｅを参照すると、図２Ｄ中の第１活性エリア２２４ａの拡大図である。上述レーザーアブレーションやプラズマエッチングを行った後、部分的な第１初期絶縁層２２０ａ’は除去され、第１活性エリア２２４ａを形成する。つまり、第１活性エリア２２４ａは一種のくぼみで、第１活性エリア２２４ａ第１表面２２２ａの深度Ｄに対向し、１０ミクロンより大きくなくともよく、即ち深度Ｄは１０ミクロンに等しいかそれより小さい。同様に、第２活性エリア２２４ｂは一種のくぼみであり得、また第２活性エリア２２４ｂは第２表面２２２ｂの深度に対向し、１０ミクロンより大きくなくともよい。
【００４４】
図２Ｃと図２Ｄを参照すると、本実施例は在第１バリアパターン層２５０ａと第２バリアパターン層２５０ｂでマスクをなすという条件の下、レーザービームやプラズマを使用して第１初期絶縁層２２０ａ’と第２初期絶縁層２２０ｂ’に対して全面的なアブレーションやエッチングを行うため、部分的な第１バリアパターン層２５０ａと部分的な第２バリアパターン層２５０ｂはアブレーションやエッチングをされ、また図２Ｄで示すように、厚さが比較的薄い第１バリアパターン層２５０ａ’と第２バリアパターン層２５０ｂ’を形成する。
【００４５】
そのほか、第１透かし彫りパターン２５２ａは全ての第１ブラインドホールＢ１を露出し、第２透かし彫りパターン２５２ｂは全ての第２ブラインドホールＢ２（図２Ｃ参照）を露出するため、活性化プロセス行った後、触媒粒子２２６の中には、図２Ｄで示すように、活性化し、第１ブラインドホールＢ１と第２ブラインドホールＢ２内に露出するものもある。異なる言い方をすると、本実施例の活性化プロセスは触媒粒子２２６を活性化し第１活性エリア２２４ａと第２活性エリア２２４ｂ内に露出するだけではなく、同時に別の触媒粒子２２６を活性化し第１ブラインドホールＢ１と第２ブラインドホールＢ２内に露出させる。
【００４６】
図２Ｆを参照すると、続いて、第１活性エリア２２４ａ内で形成第１導電パターン層２３０ａを形成し、及び第２活性エリア２２４ｂ内で第２導電パターン層２３０ｂを形成し、そのうち第１導電パターン層２３０ａは第１透かし彫りパターン２５２ａの中に形成され、第２導電パターン層２３０ｂは第２透かし彫りパターン２５２ｂの中に形成される。第１導電パターン層２３０ａと第２導電パターン層２３０ｂを形成する方法は、無電解電気メッキ法や化学蒸着法  （Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＣＶＤといった、外部から電流を加える必要がない化学方法を採用できる。
【００４７】
詳細に述べると、上述の無電解電気メッキ法や化学蒸着法  （Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＣＶＤ等の化学方法を行う際、第１活性エリア２２４ａと第２活性エリア２２４ｂに位置するこれら活性化後の触媒粒子２２６は直接第１導電パターン層２３０ａ及び第２導電パターン層２３０ｂを形成する反応物と反応し、それによって更に第１導電パターン層２３０ａと第２導電パターン層２３０ｂを形成する。
【００４８】
例を挙げると、第１導電パターン層２３０ａと第２導電パターン層２３０ｂが無電解電気メッキ法によって形成される際、第１活性化絶縁層２２０ａと第２活性化絶縁層２２０ｂは直接電気メッキ液に没入でき、その他シードレイヤー（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）を形成する必要がなく、即ち第１活性エリア２２４ａと第２活性エリア２２４ｂ内に第１導電パターン層２３０ａと第２導電パターン層２３０ｂを形成できる。
【００４９】
触媒粒子２２６には活性化し且つ第１ブラインドホールＢ１と第２ブラインドホールＢ２内に露出するものもあるため、第１導電パターン層２３０ａと第２導電パターン層２３０ｂを形成する際、同時に第１導電接続構造２４０ａと第２導電接続構造２４０ｂもまた各自第１ブラインドホールＢ１と第２ブラインドホールＢ２の中に形成される。つまり、第１導電パターン層２３０ａと第１導電接続構造２４０ａの二者も同時に形成でき、第２導電パターン層２３０ｂと第２導電接続構造２４０ｂの二者も同時に形成できる。
【００５０】
図２Ｆと図２Ｇを参照すると、第１導電パターン層２３０ａ、第２導電パターン層２３０ｂ、第１導電接続構造２４０ａ及び第２導電接続構造２４０ｂが形成された後、バリアパターン層が除去され、即ち第１バリアパターン層２５０ａ’と第２バリアパターン層２５０ｂ’が除去され、第１活性化絶縁層２２０ａの第１表面２２２ａ及び第２活性化絶縁層２２０ｂの第２表面２２２ｂが露出できる。ここで、回路板２００は基本的に製造を完成する。
【００５１】
そのほか、その他図示せずの実施例において、更にはんだマスク（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ）（ｓｏｌｄｅｒ  ｍａｓｋ）を形成でき、そのうち一層のはんだマスク（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ）が第１表面２２２ａに形成され、もう一層のはんだマスク（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ）が第２表面２２２ｂに形成される。これらはんだマスク（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ）は第１導電パターン層２３０ａと第２導電パターン層２３０ｂの二者の多数のパッドを露出する。次に、これらはんだマスク（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ）は更にこれら第１ブラインドホールＢ１と第２ブラインドホールＢ２をいっぱいに埋めることができる。このほか、これらはんだマスク（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ）の類型ははんだマスク定義（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅ，ＳＭＤ）や非はんだマスク定義（Ｎｏｎ−Ｓｏｌｄｅｒ  Ｍａｓｋ  Ｄｅｆｉｎｅ，ＳＭＤ）であり得る。
【００５２】
そのほか、図２Ｇで示す回路板２００は一種の四層回路板であり、図２Ａから図２Ｇは、双面基板の四層回路板の増層法製造工程を利用することを明確に提示する。しかし、本実施例の製造工程はまた片面回路板と多層回路板を製造できる。つまり、その他図示せずの実施例において、回路板２００も一種の片面回路板または多層回路板であり得る。このため、図２Ａから図２Ｇが提示する回路板２００及びその製造工程は例を挙げて説明するのみで、本発明を限定するものでない。
【実施例２】
【００５３】
図３Ａは、本発明実施例２の回路板の概略図である。図３Ａを参照すると、ここでまず本実施例の回路板３００の構造面での特徴を紹介する。構造について述べると、本実施例の回路板３００と実施例１の回路板２００は相似しており、二者間の顕著な明確な差異は：回路板３００は更に少なくとも一層の樹脂層を含み、ここで樹脂層は基板と活性化絶縁層の間に配置される。
【００５４】
具体的に述べると、回路板３００は、基板２１０、第１活性化絶縁層３２０ａ、第２活性化絶縁層３２０ｂ、多層の樹脂層３１０ａと３１０ｂ、第１導電パターン層２３０ａ、第２導電パターン層２３０ｂ、少なくとも一つの第１導電接続構造２４０ａ、及び少なくとも一つの第２導電接続構造２４０ｂを含む。
【００５５】
以上述べたように、第１活性化絶縁層３２０ａと第２活性化絶縁層３２０ｂの二者の材質と、実施例１的第１活性化絶縁層２２０ａと第２活性化絶縁層２２０ｂは同様であり、即ち二者はともに高分子量化合物２２８と高分子量化合物２２８の中に分布する多数の触媒粒子２２６を含む。
【００５６】
樹脂層３１０ａは第１活性化絶縁層３２０ａと基板２１０の間に配置され、樹脂層３１０ｂは第２活性化絶縁層３２０ｂと基板２１０の間に配置される。本実施例においては、これら樹脂層３１０ａ、３１０ｂは多数のフィルムまたは多層の空白核心層であり得、これら樹脂層３１０ａ、３１０ｂは回路板３００の構造を強化できる。
【００５７】
図３Ｂは図３Ａ中の回路板が樹脂層を形成する際の概略図で、図３Ｂを参照すると、本実施例の回路板の製造工程は大体、実施例１を同様で、差異は樹脂層３１０ａ、３１０ｂを形成するところにある。詳細に述べると、回路板３００の製造工程において、まず、樹脂層３１０ａを基板２１０の上表面２１０ａ上に形成し、樹脂層３１０ｂを基板２１０の下表面２１０ｂ上に形成し、そのうち樹脂層３１０ａ、３１０ｂを形成する方法は樹脂層３１０ａ、３１０ｂを基板２１０上にステッチするものでもよい。
【００５８】
続いて、第１初期絶縁層３２０ａ’を樹脂層３１０ａ上に形成し、第２初期絶縁層３２０ｂ’を樹脂層３１０ｂ上に形成し、そのうち第１初期絶縁層３２０ａ’と第２初期絶縁層３２０ｂ’の二者の形成方法と、実施例１中の第１初期絶縁層２２０ａ’と第２初期絶縁層２２０ｂ’は同様であり、重複して紹介しない。
【００５９】
そのほか、第１初期絶縁層３２０ａ’と樹脂層３１０ａは同時に基板２１０の上表面２１０ａに形成でき、第２初期絶縁層３２０ｂ’と樹脂層３１０ｂは同時に基板２１０の下表面２１０ｂに形成できる。例を挙げると、第１初期絶縁層３２０ａ’と樹脂層３１０ａは同時に基板２１０の上表面２１０ａにステッチでき、第２初期絶縁層３２０ｂ’と樹脂層３１０ｂも同時に基板２１０の下表面２１０ｂにステッチできる。
【００６０】
続いて、実施例１中の図２Ｂから図２Ｇで示す工程のように、ホールプロセスと活性化プロセスを行い、及び第１導電パターン層２３０ａ、第２導電パターン層２３０ｂ、第１導電接続構造２４０ａと第２導電接続構造２４０ｂを形成する。上述のホールプロセス、活性化プロセス及び第１導電パターン層２３０ａ、第２導電パターン層２３０ｂ、第１導電接続構造２４０ａと第２導電接続構造２４０ｂの形成方法は全て第１実施と同様で、重複して紹介しない。
【実施例３】
【００６１】
図４Ａから図４Ｅは本発明実施例３の回路板の製造工程の概略図で、そのうち実施例３の製造工程と実施例１は相似しており、そのため、以下本実施例と実施例１の差異を強調して紹介する。
【００６２】
図４Ａを参照すると、活性化プロセスを行い、また第１ブラインドホールＢ３と第２ブラインドホールＢ４を第１初期絶縁層と第２初期絶縁層の中に形成した後、第１ブラインドホールＢ３と第２ブラインドホールＢ４は各自、局部的に基板２１０の第１回路層２１２ａと第２回路層２１２ｂを露出し、触媒粒子２２６には、活性化し、第１ブラインドホールＢ３内と第２ブラインドホールＢ４内に露出するものもある。
【００６３】
第１活性化絶縁層４２０ａと第２活性化絶縁層４２０ｂは全て高分子量化合物２２８及び多数の高分子量化合物２２８に分布する触媒粒子２２６を含み、そのうち第１活性化絶縁層４２０ａは第１表面４２２ａ及び第１表面４２２ａに位置する第１活性エリア４２４ａを有し、第２活性化絶縁層４２０ｂは第２表面４２２ｂ及び第２表面４２２ｂに位置する第２活性エリア４２４ｂを有する。触媒粒子２２６には、活性化し、且つ第１活性エリア４２４ａと第２活性エリア４２４ｂ内に露出するものもある。
【００６４】
第１活性エリア４２４ａは第１表面４２２ａを全てカバーし、第２活性エリア４２４ｂは第２表面４２２ｂを全てカバーする。このため、露出する触媒粒子２２６は、図４Ａで示すように、第１表面４２２ａと第２表面４２２ｂ全てに分布する。第１活性エリア４２４ａと第２活性エリア４２４ｂを形成する方法は多種類ある。例を挙げると、活性化プロセスがレーザーアブレーションやプラズマエッチングを採用する際、レーザービームやプラズマを使用して、第１表面４２２ａと第２表面４２２ｂ全てをアブレーションまたはエッチングし、それによって第１活性エリア４２４ａと第２活性エリア４２４ｂを形成する。
【００６５】
図４Ｂを参照すると、続けて、第１金属層４６０ａを第１表面４２２ａに、また第２金属層４６０ｂを第２表面４２２ｂに形成し、そのうち第１金属層４６０ａと第２金属層４６０ｂを形成する方法は、無電解電気メッキ法や化学蒸着法  （Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ，ＣＶＤといった、外部からの電流をかける必要がない化学方法を採用することもできる。そのほかに、第１活性エリア４２４ａと第２活性エリア４２４ｂは第１表面４２２ａと第２表面４２２ｂ全てをカバーするため、第１金属層４６０ａは全面的に第１表面４２２ａをカバーし、第２金属層４６０ｂは全面的に第２表面４２２ｂをカバーする。
【００６６】
次に、触媒粒子２２６には活性化し、かつ第１ブラインドホールＢ３内と第２ブラインドホールＢ４内に露出するものもあるため、第１金属層４６０ａは更に第１ブラインドホールＢ３内に形成され、第２金属層４６０ｂは更に第２ブラインドホールＢ４内に形成される。第１金属層４６０ａは全面的に第１ブラインドホールＢ３をカバーし、第２金属層４６０ｂは全面的に第２ブラインドホールＢ４をカバーし、そのうち第１金属層４６０ａは第１ブラインドホールＢ３を埋めず、第２金属層４６０ｂも第２ブラインドホールＢ４を埋め満たさない。
【００６７】
図４Ｃを参照すると、続いて、第１バリアパターン層４５０ａを第１金属層４６０ａ上に形成し、及び第２バリアパターン層４５０ｂを第２金属層４６０ｂ上に形成する。第１バリアパターン層４５０ａは局部的に第１金属層４６０ａを露出する第１透かし彫りパターン４５２ａを有し、第２バリアパターン層４５０ｂは局部的に第２金属層４６０ｂを露出する第２透かし彫りパターン４５２ｂを有する。第１バリアパターン層４５０ａと第２バリアパターン層４５０ｂの二者の材質と形成方法は、共に実施例１と同様なので、重複して紹介しない。
【００６８】
図４Ｄを参照すると、第１バリアパターン層４５０ａと第２バリアパターン層４５０ｂが形成された後、第１金属層４６０ａと第２金属層４６０ｂに対して電気メッキを行い、それによって第１導電パターン層４３０ａを第１透かし彫りパターン４５２ａが局部的に露出する第１金属層４６０ａに形成し、２導電パターン層４３０ｂを第２透かし彫りパターン４５２ｂが局部的に露出する第２金属層４６０ｂの中に形成する。そのため、第１導電パターン層４３０ａと第２導電パターン層４３０ｂの二者は外部電流を加える電気メッキ法で形成される。
【００６９】
第１導電パターン層４３０ａと第２導電パターン層４３０ｂが形成される際、電気メッキ法を通じて、同時に第１導電接続構造４４０ａを第１ブラインドホールＢ３の中に形成し、第２導電接続構造４４０ｂを第四ブラインドホールＢ４に形成し、そのうち第１導電接続構造４４０ａは第１導電パターン層４３０ａと基板２１０の第１回路層２１２ａの間に接続され、第２導電接続構造４４０ｂは第２導電パターン層４３０ｂと基板２１０の第２回路層２１２ｂの間に接続される。
【００７０】
本実施例において、第１導電接続構造４４０ａと第２導電接続構造４４０ｂは共に導電ブラインドホール構造であり得、この導電ブラインドホール構造は、図４Ｄで示すような、実体導電棒といったものである。第１導電接続構造４４０ａと第２導電接続構造４４０ｂを通して、第１導電パターン層４３０ａと第２導電パターン層４３０ｂの二者は共に基板２１０と電気的に導通できる。
【００７１】
図４Ｄと図４Ｅを参照すると、続いて、第１バリアパターン層４５０ａと第２バリアパターン層４５０ｂを除去し、第１金属層４６０ａと第２金属層４６０ｂは共に露出させることができる。その後、部分的な第１金属層４６０ａと第２金属層４６０ｂを除去し、それによって第１表面４２２ａと第２表面４２２ｂを露出させ、また第１導電パターン層４３０ａと第２導電パターン層４３０ｂでショートが発生するのを防ぐ。このほか、第１金属層４６０ａと第２金属層４６０ｂを部分的に除去する方法は、第１金属層４６０ａと第２金属層４６０ｂに対してエッチングを行う方法でよい。
【００７２】
部分的な第１金属層４６０ａと第２金属層４６０ｂを除去した後、基本的に、基板２１０、第１活性化絶縁層４２０ａ、第２活性化絶縁層４２０ｂ、第１導電パターン層４３０ａ、第２導電パターン層４３０ｂ、第１導電接続構造４４０ａ及び第２導電接続構造４４０ｂを含む回路板４００が完成する。
【００７３】
その他、実施例２中の樹脂層３１０ａ、３１０ｂは共に実施例３の中に応用できる。詳細に述べると、その他図示せずの実施例において、第１初期絶縁層と第２初期絶縁層を形成する前に、まず一層の樹脂層を基板２１０の上表面２１０ａに形成し、もう一層の樹脂層を基板２１０の下表面２１０ｂに形成することができる。その後、第１初期絶縁層と第２初期絶縁層をこれら樹脂層上に形成する。上述の樹脂層の材質と形成方法は共に実施例２と同様であるため、重覆して紹介しない。
【実施例４】
【００７４】
図５Ａから図５Ｈは本発明実施例４の回路板の製作工程の概略図であり、そのうち実施例４の回路板の製作工程と実施例３は相似しており、二者の明確な差異は、ブラインドホールを形成する時機の違いである。以下、本実施例と実施例３の差異を強調しながら紹介する。
【００７５】
図５Ａを参照すると、活性化プロセスを行った後、第１活性化絶縁層５２０ａと第２活性化絶縁層５２０ｂが共に形成される。第１活性化絶縁層５２０ａと第２活性化絶縁層５２０ｂは、共に高分子量化合物２２８及び多数の高分子量化合物２２８に分布する触媒粒子２２６を含み、そのうち第１活性化絶縁層５２０ａは第１表面５２２ａ及び第１表面５２２ａに位置する第１活性エリア５２４ａを有し、第２活性化絶縁層５２０ｂは第２表面５２２ｂ及び第２表面５２２ｂに位置する第２活性エリア５２４ｂを有する。触媒粒子２２６には、活性化し、且つ第１活性エリア５２４ａと第２活性エリア５２４ｂに露出するものもある。
【００７６】
以上述べたように、第１活性エリア５２４ａは第１表面５２２ａを全てカバーし、第２活性エリア５２４ｂは第２表面５２２ｂを全てカバーする。つまり、露出する触媒粒子２２６は第１表面５２２ａと第２表面５２２ｂ全てに分布し、図５Ａで示すように、第１活性エリア５２４ａと第２活性エリア５２４ｂの形成方法は実施例３と同様であるため、重覆して紹介しない。
【００７７】
図５Ｂを参照すると、続いて、第１金属層５６０ａが第１表面５２２ａに形成され、及び第２金属層５６０ｂが第２表面５２２ｂに形成され、そのうち第１金属層５６０ａは全面的に第１表面５２２ａをカバーし、第２金属層５６０ｂは全面的に第２表面５２２ｂをカバーする。このほか、第１金属層５６０ａと第２金属層５６０ｂの形成方法は、実施例３と同様である。
【００７８】
図５Ｃを参照すると、続いて、第１ブラインドホールＢ５を第１活性化絶縁層５２０ａと第１金属層５６０ａの中に形成し、第２ブラインドホールＢ６を第２活性化絶縁層５２０ｂと第２金属層５６０ｂの中に形成し、そのうち第１ブラインドホールＢ５と第２ブラインドホールＢ６の二者の形成方法は、実施例３と同様である。第１ブラインドホールＢ５は局部的に基板２１０の第１回路層２１２ａを露出し、第２ブラインドホールＢ６は局部的に基板２１０の第２回路層２１２ｂを露出させる。
【００７９】
図５Ｃと図５Ｄを参照すると、続いて、第１金属層５６０ａと第２金属層５６０ｂの二者の厚さを減少させ、それによって第１金属層５６０ａ’と第２金属層５６０ｂ’を形成し、そのうち第１金属層５６０ａと第２金属層５６０ｂの二者の厚さを減少させる方法は、第１金属層５６０ａと第２金属層５６０ｂに対してエッチングを行う方法でよい。
【００８０】
上述第１金属層５６０ａと第２金属層５６０ｂの二者の厚さを減少させる工程は、本実施例中の選択性工程であり、必要工程ではない。このため、その他実施例において、第１金属層５６０ａと第２金属層５６０ｂの二者の厚さは減少する必要はない。
【００８１】
図５Ｅを参照すると、続いて、第１電気メッキ層５７０ａと第２電気メッキ層５７０ｂが形成される。第１電気メッキ層５７０ａは第１ブラインドホールＢ５の表面を覆い、第２電気メッキ層５７０ｂは第２ブラインドホールＢ６の表面を覆い、そのうち第１電気メッキ層５７０ａは第１金属層５６０ａ’を接続し、第２電気メッキ層５７０ｂは第２金属層５６０ｂ’を接続する。
【００８２】
そのほか、第１電気メッキ層５７０ａと第２電気メッキ層５７０ｂは無電解電気メッキ法を用いて形成することができ、そのため第１電気メッキ層５７０ａと第２電気メッキ層５７０ｂを形成する過程において、図５Ｅで示すように、第１金属層５６０ａ’と第２金属層５６０ｂ’の厚さが厚くなる。
【００８３】
図５Ｆを参照すると、第１電気メッキ層５７０ａと第２電気メッキ層５７０ｂが形成された後、第１バリアパターン層５５０ａが第１金属層５６０ａ’上に形成され、第２バリアパターン層５５０ｂが第２金属層５６０ｂ’上に形成され、そのうち第１バリアパターン層５５０ａと第２バリアパターン層５５０ｂの二者の材質と形成方法は共に実施例３と同様である。
【００８４】
以上で述べたように、第１バリアパターン層５５０ａは第１透かし彫りパターン５５２ａを有し、第２バリアパターン層５５０ｂは第２透かし彫りパターン５５２ｂを有する。第１透かし彫りパターン５５２ａは第１電気メッキ層５７０ａを完全に露出し、また局部的に第１金属層５６０ａ’を露出する。第２透かし彫りパターン５５２ｂは第２電気メッキ層５７０ｂを完全に露出し、また局部的に第２金属層５６０ｂ’を露出する。
【００８５】
図５Ｆと図５Ｇを参照すると、続いて、第１電気メッキ層５７０ａと第２電気メッキ層５７０ｂに対して電気メッキを行い、それによって第１導電パターン層５３０ａ、第２導電パターン層５３０ｂ、第１導電接続構造５４０ａ及び第２導電接続構造５４０ｂを形成する。第１導電パターン層５３０ａは第１透かし彫りパターン５５２ａが局部的に露出する第１金属層５６０ａ’に形成され、第２導電パターン層５３０ｂは第２透かし彫りパターン５５２ｂが局部的に露出する第２金属層５６０ｂ’に形成される。
【００８６】
第１導電接続構造５４０ａは第１ブラインドホールＢ５の中に形成され、第２導電接続構造５４０ｂは第２ブラインドホールＢ６の中に形成され、そのうち第１導電接続構造５４０ａは第１導電パターン層５３０ａと第１回路層２１２ａの間に接続され、第２導電接続構造５４０ｂは第２導電パターン層５３０ｂと第２回路層２１２ｂの間に接続される。
【００８７】
図５Ｇと図５Ｈを参照すると、続けて、第１バリアパターン層５５０ａと第２バリアパターン層５５０ｂを除去し、第１金属層５６０ａ’と第２金属層５６０ｂ’を共に露出させる。その後、部分的に第１金属層５６０ａ’と第２金属層５６０ｂ’を除去し、それによって第１表面５２２ａと第２表面５２２ｂを露出させ、また第１導電パターン層５３０ａと第２導電パターン層５３０ｂでショートが発生するのを防ぎ、そのうち部分的に第１金属層５６０ａ’と第２金属層５６０ｂ’を除去する方法は、実施例３と同様である。
【００８８】
部分的に第１金属層５６０ａ’と第２金属層５６０ｂ’を除去した後，基本的に、基板２１０、第１活性化絶縁層５２０ａ、第２活性化絶縁層５２０ｂ、第１導電パターン層５３０ａ、第２導電パターン層５３０ｂ、第１導電接続構造５４０ａ及び第２導電接続構造５４０ｂを含む回路板５００の製造は完成する。このほか、実施例２中の樹脂層３１０ａ、３１０ｂは共に実施例４の中に応用でき、応用方法はすでに前述の実施例中で提示したので、重複して紹介しない。
【００８９】
以上をまとめると、上述の活性化絶縁層（第１活性化絶縁層や第２活性化絶縁層など）を利用して、本発明は多数の線路と多数のパッドを含む導電パターン層（第１導電パターン層や第２導電パターン層など）を形成し、更に多数の電子部品と組み合わさる回路板を製造できる。本発明の回路板を通じて、電気信号はこれら電子部品の間を伝達でき、更に電子裝置や電気用品は動作を行うことができる。
【００９０】
本発明は前述の実施例で提示されるものであるが、本発明のみに限定されるものではなく、同様の如何なる技術にも熟練しており、本発明の精神と範囲内を脱するものではなく、修正と潤飾の等量交換を行い、本発明の特許保護範囲内である。
【符号の説明】
【００９１】
２００、３００、４００、５００  回路板
２１０    基板
２１０ａ  上表面
２１０ｂ  下表面
２１２ａ  第１回路層
２１２ｂ  第２回路層
２１４    誘電性層
２２０ａ、３２０ａ、４２０ａ、５２０ａ  第１活性化絶縁層
２２０ａ’、３２０ａ’  第１初期絶縁層
２２０ｂ、３２０ｂ、４２０ｂ、５２０ｂ  第２活性化絶縁層
２２０ｂ’、３２０ｂ’  第２初期絶縁層
２２２ａ、４２２ａ、５２２ａ  第１表面
２２２ｂ、４２２ｂ、５２２ｂ  第２表面
２２４ａ、４２４ａ、５２４ａ  第１活性エリア
２２４ｂ、４２４ｂ、５２４ｂ  第２活性エリア
２２６    触媒粒子
２２８    高分子化合物
２３０ａ、４３０ａ、５３０ａ  第１導電パターン層
２３０ｂ、４３０ｂ、５３０ｂ  第２導電パターン層
２４０ａ、４４０ａ、５４０ａ  第１導電接続構造
２４０ｂ、４４０ｂ、５４０ｂ  第２導電接続構造
２５０ａ、２５０ａ’、４５０ａ、５５０ａ  第１バリアパターン層
２５０ｂ、２５０ｂ’、４５０ｂ、５５０ｂ  第２バリアパターン層
２５２ａ、４５２ａ、５５２ａ  第１透かし彫りパターン
２５２ｂ、４５２ｂ、５５２ｂ  第２透かし彫りパターン
３１０ａ、３１０ｂ  樹脂層
４６０ａ、５６０ａ’  第１金属層
４６０ｂ、５６０ｂ’  第２金属層
５７０ａ  第１電気メッキ層
５７０ｂ  第２電気メッキ層
Ｂ１、Ｂ３、Ｂ５  第１ブラインドホール
Ｂ２、Ｂ４、Ｂ６  第２ブラインドホール
Ｄ  深度
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図２Ｇ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図５Ｇ】
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【図５Ｈ】
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