(57)【要約】【課題】磁気歳差を使用して垂直書込み磁極での磁化切換え時間を短縮する垂直磁気記録システムを提供する。【解決手段】垂直磁気記録システムは、垂直書込み主磁極が第１及び第２の電気コイルを伴うヨークに連結された書込みヘッドを有する。第１のコイルは主磁極の一方の側でヨークに巻き付けられ、第２のコイルは主磁極の他方の側でヨークに巻き付けられる。各コイルの第１の端部はそれぞれ対応する端子に接続される。この２つのコイルの第２の端部は、互いに接続されてコモン端子に接続される。コモン端子とコイルの１つの第１の端部との間には、リードタイム回路が接続される。ライトドライバによって書込み電流の方向が切り換えられた直後は、リードタイム回路により、一方のコイル内の電流が他方のコイル内の電流よりも先に変化する。２つのコイル間での電流変位により、磁束反転の歳差運動が引き起こされ、これにより書込みヘッド切換え時間が短縮される。【選択図】図５
2010198721.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録層内の領域を磁化するための垂直磁気記録書込みシステムであって、
主磁極と、前記主磁極内に磁束を生成するために前記主磁極と結合される第１の導電性コイルと、前記第１の導電性コイルと接続され、前記主磁極内に磁束を生成するために前記主磁極と結合される第２の導電性コイルとを備える書込みヘッドと、
前記第１及び第２のコイルに書込み電流を供給するライトドライバと、
前記ライトドライバと前記第１及び第２のコイルとの間に配置され、前記ライトドライバが前記第１及び第２のコイルへの書込み電流の方向を切り換えたときに、前記コイルのうちの一方のコイルへの書込み電流を他方のコイルへの書込み電流より先に変化させるリードタイム回路と、を有する垂直磁気記録書込みシステム。
【請求項２】
透磁性材料から成るヨークを更に有し、前記主磁極は前記ヨークに連結され、前記第１のコイルは前記主磁極の第１の側で前記ヨークに巻き付けられ、前記第２のコイルは前記主磁極の第２の側で前記ヨークに巻き付けられる請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記第１のコイルの一端は第１の端子に、他端はコモン端子に接続され、前記第２のコイルの一端は第２の端子に、他端は前記コモン端子に接続され、更に前記ライトドライバは前記第１及び第２の端子に接続される請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記リードタイム回路は前記コモン端子と前記第１及び第２の端子のいずれか一方の端子との間に接続される請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記主磁極は主軸を有し、前記第１のコイルの巻線は前記主軸に直交するラインから正のオフセット角度だけずらして位置決めされ、前記第２のコイルの巻線は前記直交ラインから負のオフセット角度だけずらして位置決めされる請求項２に記載のシステム。
【請求項６】
前記正のオフセット角度と前記負のオフセット角度の大きさが０度より大きく４５度以下である請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記リードタイム回路は、直列に接続された抵抗ＲとコンデンサＣを有する請求項１に記載のシステム。
【請求項８】
前記ライトドライバを前記コイルに接続すると共に特性インピーダンスＺ０を持つ伝送ラインを更に有し、前記リードタイム回路によって設定される、前記第１のコイルに前記書込み電流を流すための時定数τ１は、τ１＝（Ｌ１）／（Ｚ０＋Ｒ）によってほぼ表わされ、式中、Ｌ１は前記第１のコイルのインダクタンスである請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
垂直磁気記録ディスク装置であって、
基板と前記基板上の垂直磁気記録層とを備える磁気記録ディスクと、
透磁性のヨークと、前記ヨークに連結され、前記ディスクの記録層と対面した書込み磁極先端部を備える書込み磁極と、前記書込み磁極の第１の側で前記ヨークに巻き付けられる第１の導電性コイルと、前記第１のコイルに接続され、前記書込み磁極の第２の側で前記ヨークに巻き付けられる第２の導電性コイルを備える書込みヘッドと、
前記第１及び第２のコイルへの２方向の書込み電流を生成可能なライトドライバと、
前記ライトドライバと前記第１及び第２のコイルとの間に配置され、前記ライトドライバが前記第１及び第２のコイルへの書込み電流の方向を切り換えたときに、前記コイルのうちの一方のコイルへの書込み電流を他方のコイルへの書込み電流より先に変化させるリードタイム回路と、を有する垂直磁気記録ディスク装置。
【請求項１０】
前記第１のコイルの一端は第１の端子に、他端はコモン端子に接続され、前記第２のコイルの一端は第２の端子に、他端は前記コモン端子に接続され、前記ライトドライバは前記第１及び第２の端子に接続され、更に、前記リードタイム回路は前記コモン端子と前記第１及び第２の端子のいずれか一方の端子との間に接続される請求項９に記載のディスク装置。
【請求項１１】
前記ディスクと対面したエアベアリング面（ＡＢＳ）と前記ＡＢＳに概ね直交する後端面とを備えるエアベアリングスライダを更に有し、前記第１の端子と前記第２の端子と前記コモン端子は前記スライダの後端面に配置される請求項１０に記載のディスク装置。
【請求項１２】
前記ヨークと、前記書込み磁極と、前記第１及び第２のコイルと、前記リードタイム回路は前記スライダの後端面に配置される請求項１１に記載のディスク装置。
【請求項１３】
前記主磁極は主軸を有し、前記第１のコイルの巻線が前記主軸に直交したラインから正のオフセット角度だけずらして位置決めされ、前記第２のコイルの巻線は前記直交ラインから負のオフセット角度だけずらして位置決めされる請求項９に記載のディスク装置。
【請求項１４】
前記正のオフセット角度と前記負のオフセット角度の大きさが０度より大きく４５度以下である請求項１３に記載のディスク装置。
【請求項１５】
前記リードタイム回路は、直列に接続された抵抗ＲとコンデンサＣを有する請求項９に記載のディスク装置。
【請求項１６】
前記ライトドライバを前記コイルに接続すると共に特性インピーダンスＺ０を持つ伝送ラインを更に有し、前記リードタイム回路によって設定される、前記第１のコイルに前記書込み電流を流すための時定数τ１が、τ１＝（Ｌ１）／（Ｚ０＋Ｒ）によってほぼ表わされ、式中、Ｌ１は前記第１のコイルのインダクタンスである請求項１５に記載のディスク装置。
【請求項１７】
前記ディスクは、前記基板と前記記録層との間に透磁性の磁束リターン下地層を更に有し、前記書込みヘッドは、前記ヨークに連結された磁束リターン磁極を更に有する請求項９に記載のディスク装置。
【請求項１８】
前記書込みヘッドは一対のサイドシールドを更に有し、該一対のサイドシールドの端部は前記書込み磁極の先端部と概ね同一平面上にあり、前記書込み磁極の先端部の両サイドに離間される請求項９に記載のディスク装置。
【請求項１９】
前記書込みヘッドは、前記サイドシールドと隣接したトレーリングシールドを更に有し、これにより回り込みシールドが形成される請求項１８に記載のディスク装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は一般に垂直磁気記録システムに関し、より詳細には、垂直書込みヘッドの磁化方向の切換え時間を短縮するシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
垂直磁気記録は、記録層内において記録ビットを垂直、即ち面外の向きに格納するものであり、この記録方式を採用すれば磁気記録ハードディスク装置で超高密度記録を実現することができる。書込みヘッドは、高ビット密度でのデータ書込みだけでなく、高データレートでのデータ書込みも行えることが必要である。書込み速度は、企業向けディスク装置において特に重要である。しかし、データレートを高くするに従い、書込みヘッドの主磁極の磁化を一方向から反対の方向に切り換えるための切換え時間が制限因子となる。高データレートでは、書込みヘッドから出力される使用可能な磁束（ディスク上の記録層で見られる）は、書込みヘッドの低周波の磁束出力が支配的となる。このような書込み磁束の損失の原因として、書込みヘッドの主磁極における磁化反転の本質的な時定数が遅いことなどが挙げられる。また、データレートの低いシステムでは、磁化反転を助けるためにディスク装置のライトドライバ回路からの書込み電流のオーバーシュートを割り増しすることが依然として必要である。更に、このようにオーバーシュートを割り増しするには、ライトドライバ回路からの電力を増やす必要である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
したがって、高データレートと低データレートの両方の垂直磁気記録に対応するためには、磁化反転時間を短縮すると共に書込みヘッドの主磁極に対するオーバーシュートを低減する書込みヘッド及びシステムが必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、切換え時間が短縮された書込みヘッドを有する垂直磁気記録システムに関する。書込みヘッドは、第１及び第２の電気コイルを伴うヨークに連結された垂直書込み主磁極を有する。第１のコイルは主磁極の一方の側でヨークに巻き付けられ、第２のコイルは主磁極の他方の側でヨークに巻き付けられる。各コイルの第１の端部はそれぞれ対応する端子に接続される。この２つのコイルの第２の端部は、互いに接続されてコモン端子に接続される。コモン端子と一方のコイルの第１の端部との間には、リードタイム（ｌｅａｄ−ｔｉｍｅ）回路が接続される。リードタイム回路では、ライトドライバで書込み電流の方向を切り換えたとき、書込み磁極の磁化が一方向から反対方向へ切り換わるのに要する時間を短縮する。書込み電流の方向が切り換えられた直後は、リードタイム回路により、一方のコイル内の電流が他方のコイル内の電流よりも先に変化する。２つのコイル間での電流変位により、磁束反転の歳差運動が引き起こされ、これにより切換え時間が短縮される。磁気歳差は２つのコイル間での遅延電流によって引き起こされ、これにより、主磁極に自己誘導の直交磁気成分が水平方向に作成される。切換えプロセス時に発生する、２つの電流の間の時間遅延は、リードタイム回路内の素子とコイルのインダクタンスを適切に選択することにより決められる。
【０００５】
書込みヘッドの一実施形態では、書込み磁極を横切る第１のコイルの区分は、書込み磁極の主軸又は垂直軸と直交するラインと第１のオフセット角度で交差し、書込み磁極を横切る第２のコイルの区分は、第１のオフセット角度と逆方向性の第２のオフセット角度にて交差している。この２つのオフセット角度の大きさは同じであり、０度より大きく４５度以下である。
【０００６】
本発明の特性と利点を十分に理解できるように、添付の図を参照しながら以下に詳細を説明する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】ハードディスク装置のヘッド／ディスクアセンブリを上から視た平面図である。
【図２】スライダの拡大端面図と、図１の２−２線に沿ったディスク断面図である。
【図３】図２の３−３線に沿った図であり、ディスクから視た場合の読取り／書込みヘッドの端面を示している。
【図４Ａ】スライダ部分の断面図であり、先行技術に係る垂直書込みヘッドと垂直磁気記録ディスクの一部分とを示している。
【図４Ｂ】図４Ａの４Ｂ−４Ｂ線に沿った図であり、先行技術に係る垂直書込みヘッド用のフレア書込み磁極のフレア領域を示す。
【図５】スライダ上の本発明に係る垂直書込みヘッドを示す断面図である。
【図６】本発明に係るスライダの後端面上のコイル及びリードタイム回路とライトドライバとの接続を示している。
【図７】電流切換えプロセスの４つの段階において本発明に係る垂直書込み磁極及びコイルの略図を示し、更に４段階の各段階においてコイル内を流れる書込み電流のグラフを示す。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図１は、ハードディスク装置１０のヘッド／ディスクアセンブリを、カバーを取り外した状態で上から視た平面図である。ディスク装置１０は、スピンドル１４を支持する剛性ベース１２を備え、スピンドル１４は上部ディスク１６を含むディスクのスタック（積層体）を支持している。スピンドル１４はスピンドルモーター（図示せず）によって回転され、カーブした矢印１７の方向にディスクを回転させる。ハードディスク装置１０は少なくとも１つのロードビームアセンブリ２０を備え、ロードビームアセンブリ２０は一体型リードサスペンション（ＩＬＳ）又はフレクシャ３０と、導電性相互接続トレース又はラインの配列３２とを含む。ロードビームアセンブリ２０は剛性アーム２２に取り付けられ、剛性アーム２２はＥ字形の支持構造体（Ｅブロックと称することもある）２４に連結されている。各フクレクシャ３０は、エアベアリングスライダ２８に取り付けられている。磁気記録読取り／書込みヘッド２９は、スライダ２８の端面又は後端面２５に配置されている。フレクシャ３０の働きにより、スライダ２８は、回転するディスク１６によって生成されるエアベアリング上を「ピッチ運動」及び「ロール運動」することができる。ディスク装置１０はまた、剛性ベース１２に枢支点４１で回転可能に取り付けられたロータリアクチュエータアセンブリ４０を備える。アクチュエータアセンブリ４０は、ベース１２に固定されたマグネットアセンブリ４２とボイスコイル４３とを含むボイスコイルモーター（ＶＣＭ）アクチュエータである。ボイスコイル４３は制御回路（図示せず）によって励磁されると動作し、Ｅブロック２４とこれに取り付けられているアーム２２及びロードビームアセンブリ２０とを一緒に回転させて、読取り／書込みヘッド２９をディスク上のデータトラックに位置決めする。トレース相互接続配列３２は、その一端は読取り／書込みヘッド２９に接続され、他端は、Ｅブロック２４の側面に固定された電気モジュール又はチップ５０内に組み込まれた読取り／書込み回路に接続されている。チップ５０は、リードプリアンプとライトドライバ回路を備えている。
【０００９】
図２はスライダ２８の拡大端面図と、図１の２−２線に沿ったディスク１６の断面図である。スライダ２８は、フレクシャ３０に取り付けられており、ディスク１６に対面するエアベアリング面（ＡＢＳ）２７と、ＡＢＳ２７に対してほぼ垂直である端面又は後端面２５とを含む。ＡＢＳ２７により、回転するディスク１６からの空気流がエアベアリングを生成し、このエアベアリングはディスク１６の表面と極めて近い距離つまりほぼ接触しそうな距離にスライダ２８を支持する。読取り／書込みヘッド２９は、スライダ２８の後端面２５に一連の薄膜を蒸着して形成される。通常、読取り／書込みヘッド２９上にはアルミナ等の絶縁材料の層が蒸着され、スライダ２８の外面としての役割を果たす。読取り／書込みヘッド２９は、端子パッド３１に接続されている。端子パッド３１は、チップ５０（図１）内のリードプリアンプ及びライトドライバとの電気的な接続のために、フレクシャ３０のトレース配列３２に接続される。
【００１０】
図３は、図２の３−３線に沿った図であり、ディスク１６から視た場合の読取り／書込みヘッド２９の端面を示している。読取り／書込みヘッド２９は、スライダ２８の後端面２５に一連の薄膜を蒸着しリソグラフィ法でパターンニングすることにより形成された読取りヘッド９６と書込みヘッド３３とを備え、読取りヘッドの薄膜がまず蒸着され、読取りヘッドの上方に書込みヘッドの薄膜が蒸着されている。磁気抵抗読取りセンサ又はヘッド９６は、２つの磁気シールドＳ１、Ｓ２の間に配置され、第１のシールドＳ１は後端面２５に配置されている。書込みヘッド３３は、垂直書込みヘッドを有し、書込み磁極（ＷＰ）を含んでおり、この書込み磁極はＷＰ先端部７２と磁束リターン磁極７６とを備えている。ＡＢＳでは、通常、オプションのサイドシールド８４とトレーリングシールド８０とによってＷＰ先端部７２を取り囲むことができる。トレーリングシールド８０とサイドシールド８４を連結することにより、回り込みシールド（ＷＡＳ）を形成することができる。ＷＡＳについては、本願と同一の譲受人に譲渡された米国特許第７，００２，７７５  Ｂ２号明細書に従来の垂直記録ヘッド用のシールドとして詳細が記載されている。ＷＡＳ（非磁性ギャップ材料によってＷＰ先端部７２から分離されている）により、書込み時に書込み磁場の角度が変更されて書込み磁場の傾斜が改善されると共に、書込みが行われているトラックから離れているディスク領域において書込み磁場がシールドされる。読取りヘッド９６用のシールドＳ１、Ｓ２及び書込み磁極７２用のシールド８０、８４は、透磁性材料から形成されている。書込みヘッド３３の上方にはアルミナ等の絶縁材料の層が蒸着され、外面２６を形成している。トラックを横切る方向におけるＷＰ先端部７２と読取りヘッド９６の幅は、通常、ディスク１６上のデータトラックのトラック幅（ＴＷ）に対応する。
【００１１】
図４Ａはスライダ２８の部分の断面図であり、垂直書込みヘッド３３と垂直磁気記録ディスク１６の一部分とを示している。ディスク１６は、ディスク基板上に形成された「軟磁性」（即ち、比較的に保持力が小さい透磁性）下地層（ＳＵＬ）上に垂直磁気データ記録層（ＲＬ）を含む。書込みヘッド３３は、主磁極７４と、磁束リターン磁極７６と、主磁極７４及び磁束リターン磁極７６を連結するヨークスタッド７８とから構成されるヨークと、ヨークスタッド７８の周りに巻き付けられた薄膜コイル７９（断面として図示）を含む。図４Ａの書込みヘッド３３には、オプションのＷＡＳ（図３）は示されていない。コイル７９は、スライダ２８の外面２６にある端子（端子３１等）に接続されている。フレア書込み磁極（ＷＰ）７０は主磁極７４の一部であり、フレア部７１とディスク１６の表面に向き合うＷＰ先端部７２とを有する。薄膜コイル７９を流れる書込み電流は、フレアＷＰ７０から磁場（点線９０で示す）を誘導する。この磁場はデータＲＬを通り（ＷＰ７０の下のＲＬの領域を磁化し）、ＳＵＬによって提供される磁束リターンパスを通り抜けてリターン磁極７６に戻る。ディスク１６が矢印１００の方向に書込みヘッド３３を通過するとき、スライダ２８のエアベアリング面（ＡＢＳ）２７はディスク１６表面の上方に支持される。垂直に記録又は磁化されたＲＬの領域が図示されており、隣り合う領域は矢印で示すように磁化方向が逆になっている。それぞれ逆方向に磁化された隣り合う領域の間の磁気転移は、記録されたビットとして読取りヘッド（図４Ａには図示せず）によって検出可能である。チップ５０（図１）内のライトドライバから書込み電流がコイル７９に向けて一方向に流れると（例えば、図４Ａにおいて、ドット印で示す上側のコイル区分では紙面に垂直に裏から表に向かう、Ｘ印で示す下側のコイル区分では紙面に垂直に表から裏に向かう）、ＷＰ先端部７２の下のＲＬの領域は、一方向（図４Ａでは下方つまりディスクの内方向）へ磁化される。ライトドライバがコイル７９に流す書込み電流の方向を切り換えると、ＷＰ先端部７２の下のＲＬの領域は逆方向（即ち、図４Ａでは上方つまりディスクの外方向）へ磁化される。
【００１２】
図４Ｂは、図４Ａの４Ｂ−４Ｂ線に沿った図であり、フレアＷＰ７０のフレア領域７１を示す。ＷＰ先端部７２とフレア部７１の間の領域は、フレアポイント７５と称される。ＷＰ７０のフレアポイント７５は、磁束密度が最高となるポイントでありＷＰ７０が飽和するポイントであることから「チョーク」ポイントと称されることもある。ＷＰ先端部７２の「高さ」又は距離は、ＡＢＳからフレアポイント７５までであり、スロートハイト（ＴＨ）と称されている。図４Ｂに示すように、ＷＰ先端部７２の２つの側壁によりトラックを横切る方向におけるＷＰ先端部の幅が定義され、これにより、ディスク１６のＲＬ内に記録されるデータのトラック幅（ＴＷ）が本質的に定義される。
【００１３】
図５は、ＡＢＳ１２７及び外面１２６を有するスライダ１２８上の本発明に係る垂直書込みヘッド１３３を示す断面図である。書込みヘッド１３３は、透磁性材料から成るヨーク１６０に連結された主書込み磁極１７４を含む。ヨーク１６０は磁束リターン書込み磁極１７６と、オプションの第２の磁極１７７と、ヨークスタッド１７８とを含み、ここで、ヨークスタッド１７８はリターン磁極１７６とオプションの第２の磁極１７７を連結する。フレアＷＰ１７０は主磁極１７４の一部であり、ディスク１６の表面と向き合ったフレア部１７１とＷＰ先端部１７２とを有する。第１の電気コイル（Ｃ１）１７９は主磁極１７４の一方側（外側又は上側）でヨーク１６０に巻き付けられており、第２の電気コイル（Ｃ２）１８０は主磁極１７４の他方側（内側又は下側）でヨーク１６０に巻き付けられている。Ｃ１の第１の終端は外面１２６にある端子Ｔ１に接続され、Ｃ２の第１の終端は外面１２６にある第２の端子Ｔ２に接続されている。Ｃ１の第２の終端及びＣ２の第２の終端は互いに電気的に接続され、外面１２６にあるコモン端子ＴＣに接続されている。リードタイム回路１９０（以下に動作を詳細に説明する）は外面１２６に配置され、Ｔ１とＴＣとの間に接続されている。
【００１４】
ライトドライバからＴ１に入った書込み電流は、Ｃ１の第１のコイル巻線又は区分１７９ａを通り、Ｃ１の巻回部を流れ、最後のコイル巻線又は区分１７９ｂに進む。ドット印とＸ印で示した方向にＣ１のコイル区分を電流が流れる場合、ＷＰ１７０において下方に（ＲＬの内方向に）磁束が生成される。区分１７９ｂはＴＣへ接続されていると共にＣ２のコイル区分１８０ｂへも接続されている。このため、書込み電流は次にＣ２の巻回部を流れて最後のコイル区分１８０ａに進み、更にライトドライバと接続されているＴ２に進む。したがって、Ｃ２を流れる電流の方向は、Ｃ１を流れる電流の方向と逆になる。しかし、Ｃ２はＣ１とはＷＰ１７０を挟んで反対側に配置されているので、この場合もまたＷＰ１７０において下方に（ＲＬの内方向に）磁束が生成される。これらのコイルはほぼ同じものであるため、ＷＰ１７０によって生成される磁束に対して、通常、同様に寄与する。ＲＬの領域を上方に（ＲＬの外向きに）磁化するには、ライトドライバで、書込み電流がＴ２に入ってＴ１から出るように電流の向きを切り換える。
【００１５】
本発明では、ライトドライバが書込み電流の方向を切り換えたときに、コイルＣ１及びＣ２に接続されたリードタイム回路１９０によって、ＷＰ１７０の磁化が一方向から逆方向に切り換わるための時間が短縮される。図６はスライダ１２８の後端面上にパターンニングされたコイルＣ１、コイルＣ２、及びリードタイム回路１９０を示したものである。Ｃ１は、ＷＰ１７０より上に位置しているので実線で示されている。Ｃ２は、ＷＰ１７０及びＣ１より下に位置しているので、図６ではＣ１の部分しか見えない。ＷＰ１７０を横切るＣ１の区分（例えば、第１の区分１７９ａや最終区分１７９ｂ）は、ＷＰ１７０の主軸又は垂直軸と直交するラインと、オフセット角（＋θ１）にて交差している。ＷＰ１７０を横切るＣ２の区分（例えば、第１の区分１８０ｂや最終区分１８０ａ）は、ＷＰ１７０の垂直軸と直交するラインと、逆方向のオフセット角（−θ２）にて交差している。好適な実施形態では、オフセット角度θ１及びθ２の大きさは同じであり、０度より大きく４５度以下である。
【００１６】
図６では、リードタイム回路１９０は、直列に接続された抵抗ＲとキャパシタＣを含み、これらもまた、スライダ１２８の後端面にパターンニングすることができる。リードタイム回路１９０は、図示したように、ＴＣとＴ１（Ｔ１はＣ１と接続されている）の間に位置している。書込み電流の方向が切り換えられた直後は、リードタイム回路１９０により、Ｃ１の電流がＣ２の電流よりも先に変化する。しかし、リードタイム回路１９０は、ＴＣとＴ２の間に配置することも可能である。この場合は、リードタイム回路１９０により、Ｃ２の電流がＣ１の電流よりも先に変化する。
【００１７】
また、図６に示す回路図では、ライトドライバは、端子Ｔ１及び端子Ｔ２にてそれぞれＣ１及びＣ２と接続されている。ライトドライバ回路は、スライダ１２８から離れた場所、通常はＥブロック２４（図１）上にあるチップ５０（図１）内に組み込まれている。ライトドライバ回路は、一体型リードサスペンション（ＩＬＳ）上の相互接続ライン配列３２（図１）を介して、端子Ｔ１、Ｔ２にてＣ１及びＣ２と接続されている。ライトドライバとＴ１、Ｔ２との相互接続には特性インピーダンスＺ０が存在する。
【００１８】
上記した垂直書込みヘッドシステムの動作を、図７を参照しながら説明する。図７は、書込み電流切換えプロセスの４段階Ａ〜Ｄにおける垂直ＷＰ１７０と、上に位置するＣ１の一区分及び下に位置するＣ２の一区分を示すと共に、４段階の各々でのＣ１及びＣ２内の書込み電流を示した略図である。段階Ａでは、Ｃ１及びＣ２の書込み電流ＩＣ１及びＩＣ２は等しくそれぞれ図示した向きに流れているので、矢印２００で示すように磁束は下向きになる。Ｃ１及びＣ２を流れる書込み電流は約−４５ｍＡである。同様に段階Ｄでも書込み電流ＩＣ１及びＩＣ２は等しいが、段階Ｄでは段階Ａの場合とは逆向きに流れているので、矢印２０３で示すように磁束は上向きになる。Ｃ１及びＣ２を流れる書込み電流は約＋４５ｍＡである。段階Ｂは、切換えプロセスの段階Ａと段階Ｄとの間の段階である。リードタイム回路は、ＩＣ１を時間的にＩＣ２よりも先に変化させる。書込み電流ＩＣ１は−４５ｍＡ（段階Ａ）からゼロへと変化し、一方、ＩＣ２は−４５ｍＡから約−２０ｍＡへと変化している。結果として、Ｃ１はＷＰ１７０に磁束をもたらさず、磁束は唯一Ｃ２からもたらされる。このため、磁束の方向は少し回転し、コイルＣ２の区分にほぼ垂直になっている。即ち、磁束は約θ度（ＷＰ１７０の垂直軸に直交するラインとコイル区分とが交差しているオフセット角度の値）だけ回転される。また、電流の大きさが４５ｍＡから２０ｍＡに減少したので、矢印２０１が矢印２００より短くなっていることから分かるように磁束の大きさも減少している。段階Ｃは、切換えプロセスの段階Ｂと段階Ｄとの間の段階である。リードタイム回路は、引き続きＩＣ１を時間的にＩＣ２よりも先に変化させる。書込み電流ＩＣ１はゼロ（段階Ｂ）から約＋２０ｍＡまで変化し、一方、ＩＣ２は−２０ｍＡ（段階Ｂ）からゼロまで変化している。結果として、今度は、Ｃ２はＷＰ１７０に磁束をもたらさず、磁束は唯一Ｃ１からもたらされる。したがって、磁束の方向は矢印２０１の方向から矢印２０２の方向に回転し、コイルＣ１の区分にほぼ垂直になっている。即ち、磁束は段階Ｂでの磁束の方向から約９０＋２θ度だけ回転される。また、電流の大きさは約２０ｍＡとなって段階Ｂの場合と同じであるが、段階Ａでの書込み電流４５ｍＡより小さいので、矢印２０２が矢印２０１と同じ長さであることから分かるように磁束の大きさは段階Ｂと同じである。
【００１９】
したがって、段階Ａと段階Ｂの間ではＸ軸方向（ＡＢＳと平行、且つＷＰ１７０の垂直軸、即ちＹ軸方向と直交する方向）の磁束成分が存在する。これらのＸ軸方向の磁束成分は磁束の反転を手助けし、切換え時間を短縮、ひいてはオーバーシュートの要件を緩和する。好適な実施形態では、互いに反対向きのオフセット角度θ１及びθ２の大きさは等しく、その値は０度より大きく４５度以下である。ただし、θ１及びθ２の大きさは、等しくなくてもよい。また、オフセット角度をゼロにすることもできる。即ち、Ｃ１及びＣ２の区分を両方とも、ＷＰ１７０の垂直軸と直交させることができる（θ１＝θ２＝０）。そのような実施形態では、上方のコイル（Ｃ１）と下方のコイル（Ｃ２）間での電流変位はまた、磁束反転の歳差運動を引き起こし、これによって切換え時間が短縮されるので、リードタイム回路は磁束反転に引き続き有効である。磁気歳差は２つのコイル間での遅延電流によって引き起こされ、これにより、ＷＰ１７０に自己誘導の直交磁気成分が水平方向に作成される。
【００２０】
切換えプロセス時に発生する、２つの電流ＩＣ１及びＩＣ２の間の時間遅延は、リードタイム回路１９０内の素子とコイルのインダクタンスを適切に選択することにより設計可能である。リードタイム回路の素子及び／又はコイルのインダクタンス（Ｌ１及びＬ２）の値を調整することにより、電流ＩＣ１及びＩＣ２についてそれぞれ異なる時定数（τ１及びτ２）を作成することができる。時定数は次の式で表わされる。
【００２１】
τ１＝Ｌ１／（Ｚ０＋Ｒ）      式（１）
τ２＝Ｌ２（Ｚ０＋Ｒ）／（Ｚ０Ｒ）      式（２）
【００２２】
好適な実施形態を参照して本発明を具体的に図示及び説明してきたが、本発明の精神や範囲から逸脱しない限りは形態及び詳細において種々の変更が行えることを当事者であれば理解できよう。したがって、開示された発明は単に例示的なものであって且つ添付の特許請求で指定された範囲内に限定されるものと見なされるべきである。
【符号の説明】
【００２３】
１０：ハードディスク装置    １２：剛性ベース        １４：スピンドル
１６：上部ディスク          １７：カーブした矢印    ２０：ロードビームアセンブリ
２２：：剛性アーム          ２４：Ｅブロック        ２５：端面又は後端面
２６：外面          ２７：エアべアリング面（ＡＢＳ）  ２８：エアべアリングスライダ
２９：磁気記録読取り／書込みヘッド    
３０：一体型リードサスペンション（ＩＬＳ）又はフレクシャ  
３１：端子パッド            ３２：導電性相互接続トレース又はラインの配列  
３３：書込みヘッド          ４０：ロータリアクチュエータアセンブリ  
４１：枢支部                ４２：マグネットアセンブリ      ４３：ボイスコイル  
５０：電気モジュール又はチップ    ７０：フレア書込み磁極    ７１：フレア部  
７２：ＷＰの先端部          ７４：主磁極            ７５：フレアポイント  
７６：磁束リターン磁極      ７８：ヨークスタッド    ７９：薄膜コイル  
８０：トレーリングシールド  ８４：オプションのサイドシールド  ９０：点線  
９６：読取りヘッド          １００：矢印            １２６：外面  
１２７：ＡＢＳ              １２８：スライダ        １３３：垂直書込みヘッド  
１６０：ヨーク              １７０：フレアＷＰ      １７１：フレア部  
１７２：ＷＰ先端部          １７４：主書込み磁極    １７６：磁束リターン書込み磁極  １７７：オプションの第２の磁極      １７８：ヨークスタッド    
１７９：第１の電気コイル（Ｃ１）
１７９ａ：Ｃ１の第１のコイル巻線又は区分１７９ａ
１７９ｂ：最終のコイル巻線又は区分１７９ｂ  
１８０ａ：コイルの最終区分１８０ａ  
１８０ｂ：Ｃ２の第１のコイル区分１８０ｂ
１８０：第２の電気コイル（Ｃ２）      １９０：リードタイム回路  
２００、２０１、２０２、２０３：矢印
Ｒ：抵抗                    Ｃ：コンデンサ              ＩＣ１、ＩＣ２：書込み電流  
Ｓ１、Ｓ２：磁気シールド    Ｔ１：第１の端子            Ｔ２：第２の端子  
ＴＣ：コモン端子            Ｚ０：特性インピーダンス    θ１：オフセット角度  
θ２：オフセット角度        τ１、τ２：時定数。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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