【手続補正書】
【提出日】平成16年12月20日(2004.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】パターン作成方法、マスクパターン作成方法、パターン作成システム、および半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に所望のパターンを形成するためのパターン作成方法であって、
第１のパターンを抽出する工程と、
前記第１のパターンと異なるレイヤー上で、かつ前記第１のパターンと近接あるいは重なって配置されている少なくとも１レイヤー以上の第２のパターンを抽出する工程と、
前記第１および第２のパターン間の半導体基板上での寸法を、所定のプロセス変動を考慮して算出する工程と、
前記寸法が第１と第２のパターン間に与えられた許容寸法変更量を満たすか否かを判定する工程と、
前記変動量を満たさない場合に、前記変動量を満たすように第１もしくは第２のパターンの少なくともいずれか一方を補正する工程と、
を有することを特徴とするパターン作成方法。
【請求項２】
前記第２のパターンは設計パターンもしくはマスク上に配置されるマスクパターンのいずれか一方であり、前記レイヤーとは同時に記載されるパターン群であることを特徴とする請求項１に記載のパターン作成方法。
【請求項３】
前記プロセス変動は、露光装置の露光量、焦点距離、照明ばらつき、レンズ収差、マスク寸法、現像プロセス、エッチングプロセスによる寸法変換差のうち少なくとも１つ以上を含むことを特徴とする請求項１に記載のパターン作成方法。
【請求項４】
前記第１と第２のパターンは所定のデザインルールを満たしていることを特徴とする請求項１に記載のパターン作成方法。
【請求項５】
前記第１と第２のパターンが設計パターンである場合には、前記第１もしくは第２のパターンの少なくともいずれか一方を補正することは、前記第１および第２の設計パターンを所定のデザインルールを満たすように補正することであることを特徴とする請求項１に記載のパターン作成方法。
【請求項６】
前記第１もしくは第２のパターンの少なくともいずれか一方を補正することは、第１および第２のパターン寸法が広くなるように補正することであることを特徴とする請求項１に記載のパターン作成方法。
【請求項７】
前記第１もしくは第２のパターンの少なくともいずれか一方の補正後の第１と第２のパターン間の最小距離は予め定められた最小幅を満たしていることを特徴とする請求項１に記載のパターン作成方法。
【請求項８】
前記デザインルールはシミュレーションまたは実験により定められることを特徴とする請求項４に記載のパターン作成方法。
【請求項９】
前記第１のターゲットパターンは、コンタクト層、ビア層、メタル層、素子分離層、イオン注入層、またはゲート層の内のいずれかの層からなり、前記第２のターゲットパターンは、コンタクト層、ビア層、メタル層、素子分離層、イオン注入層、またはゲート層の内から、前記第１のターゲットパターンとは異なるいずれかの少なくとも１層からなることを特徴とする請求項１に記載のパターン作成方法。
【請求項１０】
半導体基板上に所望のパターンを形成するためのマスクパターン作成方法であって、
第１の設計パターンを抽出する工程と、
前記第１の設計パターンと異なるレイヤー上で、かつ前記第１の設計パターンと近接あるいは重なって配置されている少なくとも１レイヤー以上の第２の設計パターンを抽出する工程と、
第１と第２の設計パターン幅もしくは第１と第２のパターン間距離のうち、少なくともいずれか一方以上に応じて規定された設計パターンの補正ルールに従って第１の設計パターンを補正する工程と、
前記補正後の第１の設計パターンに対してプロセス近接効果補正によりさらに補正を行ったマスクパターンを作成する工程と、
を有することを特徴とするマスクパターン作成方法。
【請求項１１】
前記第１の設計パターンの抽出後に、第１の設計パターンと同一レイヤー上にて、かつ前記第１の設計パターンと近接する第３の設計パターンを抽出し、第１と第３の設計パターン幅もしくは第１と第３のパターン間距離のうち、少なくともいずれか一方以上に応じて規定された設計パターンの補正ルールに従って第１の設計パターンを補正することからなることを特徴とする請求項１０に記載のマスクパターン作成方法。
【請求項１２】
前記プロセス近接効果補正は、エッチング工程による寸法変換差の補正およびリソグラフィプロセスによる寸法変換差の補正およびマスクプロセスによる寸法変換差の補正のうち少なくとも１つ以上を含むことを特徴とする請求項１０に記載のマスクパターン作成方法。
【請求項１３】
半導体基板上に所望のパターンを形成するためのパターン作成システムであって、
第１のパターンを抽出する抽出部と、
前記第１のパターンと異なるレイヤー上で、かつ前記第１のパターンと近接あるいは重なって配置されている少なくとも１レイヤー以上の第２のパタ−ンを抽出する抽出部と、
前記第１および第２のパターン間の半導体基板上での寸法を、所定のプロセス変動を考慮して算出する算出部と、
前記寸法が第１と第２のパターン間に与えられた許容寸法変動量を満たすか否かを判定する判定部と、
前記変動量を満たさない場合に、前記変動量を満たすように第１もしくは第２のパターンの少なくともいずれか一方を補正する補正部と、
を有することを特徴とするパターン作成システム。
【請求項１４】
半導体基板上に所望のパターンを形成するためのマスクパターン作成システムであって、
第１の設計パターンを抽出する抽出部と、
前記第１の設計パターンと異なるレイヤー上で、かつ前記第１の設計パターンと近接あるいは重なって配置されている少なくとも１レイヤー以上の第２の設計パタ−ンを抽出する抽出部と、
第１と第２の設計パターン幅もしくは第１と第２のパターン間距離のうち、少なくともいずれか一方以上に応じて規定された設計パターンの補正ルールに従って第１の設計パターンを補正する補正部と、
前記補正後の第１の設計パターンに対してプロセス近接効果補正によりさらに補正を行ったマスクパターンを作成する作成部と
を有することを特徴とするマスクパターン作成システム。
【請求項１５】
第１のパターンを抽出する工程と、
前記第１のパターンと異なるレイヤー上で、かつ前記第１のパターンと近接あるいは重なって配置されている少なくとも１レイヤー以上の第２のパターンを抽出する工程と、
前記第１および第２のパターン間の半導体基板上での寸法を、所定のプロセス変動を考慮して算出する工程と、
前記寸法が第１と第２のパターン間に与えられた許容寸法変更量を満たすか否かを判定する工程と、
前記変動量を満たさない場合に、前記変動量を満たすように第１もしくは第２のパターンの少なくともいずれか一方を補正する工程と、
前記補正されたパターンにしたがって露光マスクを形成する工程と、
前記形成した露光マスクを用いてリソグラフィ処理を介して半導体基板に所望のパターンを形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、パターン作成方法に係わり、例えば十分なプロセス裕度を有するパターンを形成するのに好適なパターン作成方法、該パターン作成システム、および該方法を用いた半導体装置の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
上記目的を達成するために、本発明の一態様のパターン作成方法では、半導体基板上に所望のパターンを形成するためのパターン作成方法であって、第１のパターンを抽出する工程と、前記第１のパターンと異なるレイヤー上で、かつ前記第１のパターンと近接あるいは重なって配置されている少なくとも１レイヤー以上の第２のパターンを抽出する工程と、前記第１および第２のパターン間の半導体基板上での寸法を、所定のプロセス変動を考慮して算出する工程と、前記寸法が第１と第２のパターン間に与えられた許容寸法変更量を満たすか否かを判定する工程と、前記変動量を満たさない場合に、前記変動量を満たすように第１もしくは第２のパターンの少なくともいずれか一方を補正する工程とを有することを特徴としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、本発明の一態様のパターン作成システムでは、半導体基板上に所望のパターンを形成するためのパターン作成システムであって、第１のパターンを抽出する抽出部と、前記第１のパターンと異なるレイヤー上で、かつ前記第１のパターンと近接あるいは重なって配置されている少なくとも１レイヤー以上の第２のパタ−ンを抽出する抽出部と、前記第１および第２のパターン間の半導体基板上での寸法を、所定のプロセス変動を考慮して算出する算出部と、前記寸法が第１と第２のパターン間に与えられた許容寸法変動量を満たすか否かを判定する判定部と、前記変動量を満たさない場合に、前記変動量を満たすように第１もしくは第２のパターンの少なくともいずれか一方を補正する補正部とを有することを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
更に、本発明の一態様の半導体装置の製造方法では、第１のパターンを抽出する工程と、前記第１のパターンと異なるレイヤー上で、かつ前記第１のパターンと近接あるいは重なって配置されている少なくとも１レイヤー以上の第２のパターンを抽出する工程と、前記第１および第２のパターン間の半導体基板上での寸法を、所定のプロセス変動を考慮して算出する工程と、前記寸法が第１と第２のパターン間に与えられた許容寸法変更量を満たすか否かを判定する工程と、前記変動量を満たさない場合に、前記変動量を満たすように第１もしくは第２のパターンの少なくともいずれか一方を補正する工程と、前記補正されたパターンにしたがって露光マスクを形成する工程と、前記形成した露光マスクを用いてリソグラフィ処理を介して半導体基板に所望のパターンを形成するする工程とを有することを特徴としている。