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【手続補正書】
【提出日】令和3年2月2日(2021.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的検出システムであって、前記検出システムは、同様の複数の単位セルを有するエンコーダと、前記検出システムを通過する入力光の一般的な伝搬方向に対して前記単位セルの下流側のある距離に配置されたセンサセルアレイとを備え、
前記センサセルアレイは、複数のサブアレイ単位セルを画定し、各々のサブアレイは、前記エンコーダの複数の単位セルのうちの１つの単位セルに対応し、各々のサブアレイは、所定数Ｍのセンサ素子を備え、
前記エンコーダは、前記検出システムによって収集された入力光に所定の変調を付与するように構成され、前記所定の変調により、前記エンコーダの各々の単位セルがそこに入射する収集入力光の一部をそれに対応するサブアレイ単位セルへと、かつ、所定の近接領域内の１つ以上の隣接サブアレイ単位セルへと方向付けるようになり、
前記所定数Ｍは、前記所定の近接領域内のサブアレイ単位セルの所定数に従って決定される、検出システム。
【請求項２】
前記サブアレイ単位セルのセンサ素子の所定数Ｍは、（Ｍ≧２ｎＲ＋１）という条件を満たすように選択され、式中、ｎＲは、前記所定近接領域内の隣接サブアレイ単位セルの所定数である、請求項１に記載の検出システム。
【請求項３】
前記サブアレイ単位セルのセンサ素子の所定数Ｍは、収集入力光場の相互コヒーレンス情報の再構成における使用のために選択されたコヒーレンス行列基底関数の所定数に従って選択される、請求項１に記載の検出システム。
【請求項４】
前記エンコーダの単位セルの配列は、前記収集光の離散的単位基準を定義し、前記エンコーダの単位セルの物理的寸法は、前記検出システムによって収集された光の回折限界スポットに関する所定の要件によって定義される、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の検出システム。
【請求項５】
前記単位セルの物理的寸法は、前記回折限界スポットについての要件より小さい、請求項４に記載の検出システム。
【請求項６】
前記単位セルの物理的寸法は、前記回折限界スポットの０．１〜０．２５である、請求項５に記載の検出システム。
【請求項７】
前記エンコーダは、１つ以上の選択波長域の光を収集して符号化するように構成される、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の検出システム。
【請求項８】
前記エンコーダは、所定波長域内の入力光に所定の変調を付与するように構成され、その変調関数は、選択された波長域に対して同様である、請求項７に記載の検出システム。
【請求項９】
前記エンコーダは、１つ以上の波長域の集合内の入力光に１つ以上の所定の変調を付与するように構成され、前記エンコーダは、前記集合内の各々の波長域に対して変調関数を定義する、請求項７または８に記載の検出システム。
【請求項１０】
前記センサセルアレイは、２つ以上の波長域の光強度を別個に検出するように構成されたセンサセルを備える、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の検出システム。
【請求項１１】
前記センサセルアレイによって収集された入力データを受信し、前記エンコーダによって収集された入力光の相互コヒーレンスを示すデータを決定するために前記エンコーダの変調関数に関するデータに従って前記入力データを処理するように構成されかつ動作可能な制御ユニットをさらに備える、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の検出システム。
【請求項１２】
前記制御ユニットは、前記エンコーダの変調関数に関する事前に提供されているデータに従って、前記センサセルアレイによって収集されたデータに関連付けられた強度パターンを提供する係数の集合を決定し、前記係数の 集合を利用して、前記係数の集合を有する所定のコヒーレンス基底関数の代数和である、前記エンコーダによって収集された入力光の相互コヒーレンスを決定するように構成されかつ動作可能である、請求項１１に記載の検出システム。
【請求項１３】
前記制御ユニットは、処理ユーティリティ、記憶ユーティリティ、および前記センサセルアレイからの収集強度マップに関するデータを受信するための入力ポートを備え、前記記憶ユーティリティは、前記エンコーダの１つ以上の単位セルを通過する光成分の変調関数を示すデータを事前にロードされ、前記処理ユーティリティは、前記収集強度マップに関するデータを受信し、収集光のコヒーレンス行列に関するデータを決定するために前記エンコーダの１つ以上の単位セルを通過する光成分の変調関数に関するデータに従って前記データを処理するように構成されかつ動作可能である、請求項１１または１２に記載の検出システム。
【請求項１４】
前記エンコーダの変調関数に関するデータは、前記エンコーダによって異なる形に変調された対応する選択波長域の集合に関連付けられた波長変調関数の集合を含む、請求項１１乃至１３のいずれか一項に記載の検出システム。
【請求項１５】
前記エンコーダは、位相および振幅の周期性パターンのうちの少なくとも１つを有するマスクユニットを備える、請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の検出システム。
【請求項１６】
前記エンコーダは、選択された周期性を有する、マイクロレンズアレイ、マイクロプリズムアレイ格子、および位相マスクのうちの少なくとも１つを備える、請求項１乃至１５のいずれか一項に記載の検出システム。
【請求項１７】
前記エンコーダの単位セルは、複数の同様のクラスタ内で配列され、各々のクラスタは、波長選択フィルタリングの変化、偏光配向における変化、エンコーダ配向における変化、およびエンコーダ変調における変化のうちの少なくとも１つに関連付けられたセルを備える、請求項１乃至１６のいずれか一項に記載の検出システム。
【請求項１８】
光学的検出における使用のための方法であって、前記方法は、
収集面でエンコーダを通過する入力光放射線を収集して、その単位セルに衝突する光放射線の少なくとも一部を下流側の所定の近接領域まで拡大する所定の変調関数を各々有する同様の複数の単位セルで構成された周期的変調を収集入力光放射線に付与することと、
センサセルアレイを前記収集面から選択された距離に配設することであって、前記センサセルアレイは、それぞれ、所定数Ｍのセンサセルを備え、前記エンコーダの単位セルに対応する複数のサブアレイ単位セルを配設するセル形状および配列で構成されることと、
収集光放射線に応答して前記センサセルアレイの出力に関連付けられた強度マップを生成することと、
収集光の相互コヒーレンス関数を決定するために前記所定の変調関数に関するデータに従って前記強度マップを処理することと、
を含み、
前記近接領域は、特定の単位セルに対応するサブアレイ単位セルと、所定数の１つ以上の隣接サブアレイ単位セルとの配列を含み、それにより、センササブアレイと前記エンコーダの単位セルとの間にクロストークを導入する、方法。
【請求項１９】
前記処理することは、対応するコヒーレンス基底関数の集合に関連付けられた強度基底関数の集合の形態で前記変調関数を示す事前に記憶されているデータを取得することと、前記強度基底関数の集合の加重和を前記強度マップに関係づける係数の集合を決定することと、前記係数の集合および前記コヒーレンス基底関数の集合に従って前記相互コヒーレンス行列を決定することとを含む、請求項１８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月25日(2021.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シンチレータと、
光学格子と、
検出器と、
を含み、
前記光学格子は、前記シンチレータと前記検出器との間に配置され、電子的に調整可能であり、
前記シンチレータは、放射Ｘ線を光学的放射線に変換し、
前記光学格子は、Ｘ線位相コントラストシステムの位相格子に適応されたアナライザ格子であり、
前記光学格子と前記シンチレータとの間の光路には、光学的放射線用の集束要素がない、Ｘ線位相コントラストシステム用の検出器装置。
【請求項２】
ＬＣＤピクセルアレイが前記光学格子を提供し、
前記ＬＣＤピクセルアレイは、前記光学格子のステッピングを提供する、請求項１に記載の検出器装置。
【請求項３】
光学偏光ユニットを含み、
前記光学偏光ユニットは、前記光学格子と前記シンチレータとの間に配置され、
前記ＬＣＤピクセルアレイは、前記アナライザ格子の偏光を動的に変更するアクティブＬＣＤピクセルアレイである、請求項２に記載の検出器装置。
【請求項４】
放射Ｘ線を放出する放射線源と、
撮像される物体が配置される物体収容空間と、
位相格子と、
請求項１から３の何れか一項に記載の検出器装置と、
を有するＸ線干渉計セットアップを含む、Ｘ線位相コントラスト撮像システム。
【請求項５】
前記光学格子は、前記位相格子に適応するピッチであって、前記光学格子と前記放射線源との間の距離に適応されたピッチを持つ、請求項４に記載のＸ線位相コントラスト撮像システム。
【請求項６】
請求項３に記載の検出器装置、及び、
処理ユニットを含み、
前記処理ユニットは、前記アクティブＬＣＤピクセルアレイを制御する、請求項４又は５に記載のＸ線位相コントラスト撮像システム。
【請求項７】
前記放射線源は、放射Ｘ線を放出する点状放射線源である、請求項４から６の何れか一項に記載のＸ線位相コントラスト撮像システム。
【請求項８】
前記放射線源は、放射Ｘ線を放出する大焦点放射線源であり、
前記放射線源と前記物体収容空間との間に、吸収格子を含む、請求項４から６の何れか一項に記載のＸ線位相コントラスト撮像システム。
【請求項９】
ａ）シンチレータを用いて放射Ｘ線を光学的放射線に変換するステップと、
ｂ）サブサンプリングされた光学的放射線パターンが生成されるように、光学格子を用いて前記光学的放射線をサブサンプリングするステップと、
ｃ）検出器を用いて前記サブサンプリングされた光学的放射線パターンを検出するステップと、
を含み、
前記光学格子と前記シンチレータとの間の光路には、光学的放射線用の集束要素がない、Ｘ線位相コントラスト撮像のための方法。
【請求項１０】
前記光学格子は、ピクセルアレイによって提供され、
前記方法は、
ｄ）前記ピクセルアレイを制御する処理ユニットを用いて前記ピクセルアレイ上の前記光学格子の位置を変更するステップを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記サブサンプリングするステップは、
ｅ）偏光された光学的放射線が生成されるように、偏光ユニットを用いて前記光学的放射線を偏光させるステップと、
ｆ）前記光学格子を提供するアクティブＬＣＤピクセルアレイ上の偏光マスクパターンを用いて偏光された前記光学的放射線の一部を吸収するステップと、
によって行われる、請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】
ｇ）前記アクティブＬＣＤピクセルアレイを制御する処理ユニットを用いて前記偏光マスクパターンの相対位相位置を変更するステップを更に含む、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
処理ユニットによって実行されると、請求項９から１２の何れか一項に記載の方法のステップを行う、請求項１から３の何れか一項に記載の検出器装置、又は請求項４から８の何れか一項に記載のＸ線位相コントラスト撮像システムを制御するためのコンピュータプログラム。
【請求項１４】
請求項１３に記載のコンピュータプログラムを格納したコンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月18日(2021.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
次に図８を参照すると（可能であれば、類似の参照符号は類似の要素を参照する）、本発明の別の態様による充電システムが組み込まれた車両１０の側面立面図が示されている。具体的には、バッテリシステム４０は、図示されるように、バッテリシステム４０のコネクタ１０２が第１の位置で給電レール１０４と接触しているときに電力を受けるように構成されている。図示されるように、バッテリシステム４０及びコネクタ１０２は積載エリア２２に取り付けられてよく、給電レール１０４はマスト２０の１つに取り付けられる。従って、コネクタ１０２は、第１の位置においては、給電レール１０４の長さにわたって電気的接触を有しながら給電レール１０４に沿って動くことが可能である。従って、第１の位置では、動力バッテリシステム４０の直接接触式の充電が達成可能である。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月25日(2021.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入口側および出口側、第１ゾーンおよび第２ゾーンを含む基材を含む触媒物品であって、
第１ゾーンが、担体上の白金族金属および第１のＳＣＲ触媒を含むアンモニアスリップ触媒（ＡＳＣ）を含み、
第２ゾーンが、ディーゼル酸化触媒（ＤＯＣ）およびディーゼル発熱触媒（ＤＥＣ）からなる群から選択される触媒を含み、
第１ゾーンが、第２ゾーンの上流に位置する、触媒物品。
【請求項２】
第１ゾーンが、
ａ．（１）担体上の白金族金属および（２）第１のＳＣＲ触媒のブレンドを含む底層、および
ｂ．底層の上方に位置する、第２のＳＣＲ触媒を含む上層
を含む、請求項１に記載の触媒物品。
【請求項３】
担体がケイ質物質を含む、請求項１に記載の触媒物品。
【請求項４】
ケイ質物質が、（１）シリカ、（２）２００より高いシリカ対アルミナ比を有するゼオライト、および（３）ＳｉＯ２含有量≧４０％を有する、非晶質シリカをドープしたアルミナからなる群から選択される物質を含む、請求項３に記載の触媒物品。
【請求項５】
白金族金属が、白金族金属および担体の全重量の約０．５重量％から約１０重量％の量で担体上に存在する、請求項１に記載の触媒物品。
【請求項６】
ブレンド内で、第１のＳＣＲ触媒対担体上の白金族金属の重量比が、約５：１から約１００：１である、請求項２に記載の触媒物品。
【請求項７】
第１のＳＣＲ触媒が銅を含む、請求項１に記載の触媒物品。
【請求項８】
第１ゾーンおよび第２ゾーンが、単一の基材上に位置し、第１ゾーンが、基材の入口側に位置し、第２ゾーンが、基材の出口側に位置する、請求項１に記載の触媒物品。
【請求項９】
基材が第１基材および第２基材を含み、第１ゾーンが、第１基材上に位置し、第２ゾーンが、第２基材上に位置し、第１基材が第２基材の上流に位置する、請求項１に記載の触媒物品。
【請求項１０】
第１ゾーンが、
ａ．担体上の白金族金属を含む底層、
ｂ．底層の上方に位置する、第１のＳＣＲ触媒を含む上層
を含む、請求項１に記載の触媒物品。
【請求項１１】
排気流を、請求項１に記載の触媒物品と接触させることを含む、排気流からの放出を減らす方法。
【請求項１２】
入口端および出口端、第１ゾーン、第２ゾーン、および第３ゾーンを含む基材を含む触媒物品であって、
第１ゾーンが、第２のＳＣＲ触媒を含み、
第２ゾーンが、（１）担体上の白金族金属および（２）第１のＳＣＲ触媒のブレンドを含むアンモニアスリップ触媒（ＡＳＣ）を含み、
第３ゾーンが、ディーゼル酸化触媒（ＤＯＣ）およびディーゼル発熱触媒（ＤＥＣ）からなる群から選択される触媒（「第３ゾーン触媒」）を含み、
第１ゾーンが、第２ゾーンの上流に位置し、第２ゾーンが、第３ゾーンの上流に位置する、触媒物品。
【請求項１３】
ＡＳＣが、第１層に含まれ、
第３ゾーン触媒が、第１層の上に位置するとともに第１層よりも長さが短い、出口端から基材の全長未満に広がる第２層に含まれ、
第２のＳＣＲ触媒が、入口端から基材の全長未満に広がり、第１層と少なくとも部分的に重複する層に含まれる、請求項１２に記載の触媒物品。
【請求項１４】
第１層が、出口端から基材の全長未満に広がる、請求項１３に記載の触媒物品。
【請求項１５】
担体がケイ質物質を含む、請求項１２に記載の触媒物品。
【請求項１６】
ケイ質物質が、（１）シリカ、（２）２００より高いシリカ対アルミナ比を有するゼオライト、および（３）ＳｉＯ２含有量≧４０％を有する、非晶質シリカをドープしたアルミナからなる群から選択される物質を含む、請求項１５に記載の触媒物品。
【請求項１７】
白金族金属が、白金族金属および担体の全重量の約１重量％から約６重量％の量で担体上に存在する、請求項１２に記載の触媒物品。
【請求項１８】
ブレンド内で、第１のＳＣＲ触媒対担体上の白金族金属の重量比が、約５：１から約１００：１である、請求項１２に記載の触媒物品。
【請求項１９】
第１のＳＣＲ触媒が銅を含む、請求項１２に記載の触媒物品。
【請求項２０】
第１ゾーン、第２ゾーン、および第３ゾーンが、単一の基材上に位置し、第１ゾーンが、基材の入口側に位置し、第３ゾーンが、基材の出口側に位置する、請求項１２に記載の触媒物品。
【請求項２１】
基材が第１基材および第２基材を含み、第１ゾーンおよび第２ゾーンが、第１基材上に位置し、第３ゾーンが、第２基材上に位置し、第１基材が第２基材の上流に位置する、請求項１２に記載の触媒物品。
【請求項２２】
基材が第１基材、第２基材、および第３基材を含み、第１ゾーンが、第１基材上に位置し、第２ゾーンが、第２基材上に位置し、第３ゾーンが、第３基材上に位置し、第１基材が第２基材の上流に位置し、第２基材が第３基材の上流に位置する、請求項１２に記載の触媒物品。
【請求項２３】
排気流を、請求項１２に記載の触媒物品と接触させることを含む、排気流からの放出を減らす方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月19日(2020.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バインダーによる点結合によって、所定の位置で空間的に結合された複数の個別の吸着剤粒子を含み、
大部分の前記粒子の外表面積の少なくとも２５％は前記バインダーによってシールされず、吸着に使用することができる固形吸着剤を含む、
固形吸着剤システム。
【請求項２】
実質的にすべての前記粒子の外表面積の少なくとも２５％は前記バインダーによってシールされず、吸着に使用することができる、請求項１に記載の固形吸着剤システム。
【請求項３】
前記吸着剤粒子は、０．１ミクロン〜５００ミクロンの間の平均有効直径を有する、請求項１又は２に記載の固形吸着剤システム。
【請求項４】
前記バインダーはポリマー、熱可塑性ホモポリマー、コポリマー樹脂、若しくはそれらの組み合わせ、又は、ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）樹脂である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の固形吸着剤システム。
【請求項５】
前記固形吸着剤は５重量％〜３０重量％の前記バインダーを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の固形吸着剤システム。
【請求項６】
前記固形吸着剤は、少なくとも１：１の、長さと有効直径の比を有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の固形吸着剤システム。
【請求項７】
前記吸着剤粒子は、吸水材料、分子ふるい材料、ゼオライト粉末若しくはそれらの組み合わせを含み、又は、前記吸着剤粒子は、ゼオライト、金属有機構造体材料、ゼオライトイミダゾレート構造体材料、無水ケイ酸とアルミナ四面体の三次元の相互接続網を有する結晶性アルミノケイ酸塩、多孔質ガラス、活性炭、粘土、二酸化ケイ素、シリカゲル、メソポーラスシリカ、酸化カルシウム、硫酸カルシウム、活性アルミナ、若しくはそれらの組み合わせを含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の固形吸着剤システム。
【請求項８】
前記吸着剤粒子は前記バインダーに焼結される、請求項１〜７のいずれか一項に記載の固形吸着剤システム。
【請求項９】
前記固形吸着剤は、前記固形吸着剤の少なくとも１０％の体積を占める空隙が内部に形成されている、請求項１〜８のいずれか一項に記載の固形吸着剤システム。
【請求項１０】
前記固形吸着剤は、７０重量％〜９５重量％の前記吸着剤粒子を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載の固形吸着剤システム。
【請求項１１】
前記吸着剤粒子と前記バインダーは、９５：５〜７５：２５の重量比を有する、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の固形吸着剤システム。
【請求項１２】
前記システムは、その中に冷却流体が流れるように構成された空調流路をさらに含み、前記吸着剤は前記流路内に配置される、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の固形吸着剤システム。
【請求項１３】
前記空調流路は、コンデンサ内の空調流路であり、前記吸着剤は、それを通って延在する中央開口部を含み、その中を前記冷却流体が流れることが可能な、請求項１２に記載の固形吸着剤システム。
【請求項１４】
固形吸着剤を含む吸着システムは、
バインダーとの点結合によって所定の位置に空間的に結合された複数の個別の吸着剤粒子を含み、大部分の前記粒子の外表面積の少なくとも２５％は前記バインダーによってシールされず、吸着に使用することができ、冷却流体が流れるように構成された空調流路を含み、前記吸着剤は前記流路内に配置されることを含む、吸着システム。
【請求項１５】
システムにおける水の量を減少させるための方法であって、
前記システムにバインダーとの点結合によって所定の位置に空間的に結合された複数の個別の吸着剤粒子を含む固形吸着剤を配置し、大部分の前記粒子の外表面積の少なくとも２５％は前記バインダーによってシールされず、吸着に使用することができる、
システムにおける水の量を減少させるための方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固形吸着剤システム
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月28日(2021.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記基板材料が、ＴｉＯ２接着層および多結晶Ｐｔ（１１１）層を備えたシリコンウェハである、請求項５に記載のアノード。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
加えて、アルカリ電解媒体中のペロブスカイトの溶解プロセス、すなわち金属イオンの浸出は、元素Ｃ、特にＴｉを用いた本発明によるドーピングによって著しく遅くなる。ドーピングは、酸素の化学量論を調整する働きをする、つまり、ドーピング元素によって酸素空孔が生成される。ペロブスカイト結晶構造の結果として生じる再配列の正確な図は、文献１１に記載されており、その内容はここに完全に含まれている。特に、文献１１のｐ．１１１の図９が参照されている。本発明によれば、ドーピング元素は、容易に酸化状態＋４をとることができ、その原子半径が結晶格子に適合する元素でなければならない。Ｔｉ４＋は比較的大きいが、本発明によれば驚くほどうまく機能する。Ｈｆ４＋を使用した実験では、あまり良い触媒が得られなかった。したがって、ドーパントとしてＴｉが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月17日(2021.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
容器（1）内への固形製品の重量充填方法であって、
Ａ）     ほぼ円筒形の本体（2）を含み、その上部に容器（1）の本体（2）の直径よりわずかに大きい直径の隆起部（3）を備えた容器（1）を用意する工程、
Ｂ）     容器（1）を中空のシリンダー（4）に挿入し、その内部空洞（5）は容器（1）の本体（2）の直径よりわずかに大きい直径を有し、 内側空洞（5）の上部領域にある凹部（6）でが備え付けられ、容器（1）の隆起部（3）がシリンダーの内部空洞（5）の上部領域の凹部（6）内に位置できるようにし、それは容器（1）の隆起部（3）とシリンダー（4）の内部空洞（5）の上部領域の凹部（6）との間の接触領域であり、容器（1）とシリンダー（4）間の唯一の接触領域である。容器（1）がシリンダー（4）の内部空洞（5）内に懸架され、その上面（7）がシリンダーの上面（8）のわずかに下に位置するようにする工程、
C）      シリンダー（4）と容器（1）のユニットを、その秤量面（10）に、内側の直径より小さい直径を有する突起（11）を備えた秤量セル（9）の上方に配置し、秤量面（10）は、シリンダー（4）の内部空洞（5）の直径よりも小さい直径と、容器（1）を十分な高さ（ｈ）だけ上昇させるのに適した高さとを有し、これによって、容器の隆起部（3）がもはやシリンダー（4）の内部空洞（5）の、上部領域の凹部（6）と接触しないようにするが、ただし、容器（１）の上面（7）がシリンダー（4）の上面（8）の高さを超えないようにする。容器（１）が秤量セル（9）の前記表面（10）に設けられた突起（11）の上方に完全に吊り下げられているので、その上にその全重量が載るようにする工程、
Ｄ）     オリフィス（13）を備えた蓋（12）によって気密にシリンダー（4）の上面（8）を覆うことにより、投与要素またはノズル（14）によって固体製品を加えることが可能にする工程、
Ｅ）    秤量セル（9）の表面（10）に設けられた突起（11）の上方に吊り下げられている間に容器（1）を所望の精度で秤量し、その上にその全重量を載せる、および
Ｆ）    蓋（12）のオリフィス（13）を通して容器（1）に固体製品を充填し、秤量セル（9）によってそれに添加される製品の量を重量制御する工程。
【請求項２】
容器（1）とシリンダー（4）との間に、シリンダー（4）の内部空洞（5）内での容器（1）の垂直性および吊り下げを保証するように設計された容器（1）を覆う少なくとも1つのスリーブを設け、容器（1）もそのカバースリーブもシリンダー（4）の内壁に触れないようにする請求項1に記載の方法。
【請求項３】
2つ以上の固体製品を容器（1）に投入する場合には、段階ｃ）〜ｆ）を必要な回数繰り返す、請求項1または2に記載の方法。
【請求項４】
ここで、段階ａ）〜ｆ）のいずれかに先立って、続いてまたは同時に、容器（1）および／またはシリンダー（4）のイオン化段階を導入してその静電荷を中和する、請求項1〜3のいずれか記載の方法。
【請求項５】
前記イオン化段階が、前記容器（1）内および／または前記シリンダー（4）内にイオン化バー、針またはリングを導入することによって行われる、請求項4に記載の方法。
【請求項６】
圧縮空気または滅菌Ｎ 2の流れが、イオン化と同時に容器（1）および／またはシリンダー（4）に導入され、投与を助け、必要な滅菌条件を提供する、請求項4または5に記載の方法。
【請求項７】
工程ｆ）の容器（1）への固形製品の充填は、エンドレススクリュー、ホッパーと高精度ノズル、シングルスレッドドーザ、ダブルスレッドドーザ、振動チャネル、振動ホッパを備えたドーザ、コンベヤベルトを備えたドーザ、圧縮システムを備えたドーザを装備した減量式重量測定装置によって行われる、請求項1〜4のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記ホッパーが、前記容器（1）内の前記固体生成物の一定の流体供給を保証するための攪拌機を備えている、請求項7に記載の方法。
【請求項９】
前記シリンダー（4）が、それぞれが前記容器（1）を受け入れることができる多数の内部空洞（5）を備えている、請求項1から4のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記秤量セル（9）は、前記シリンダー（4）の前記多数の内部空洞（5）に備えられた多数の前記容器（1）を秤量するという目的のため複数である、請求項9に記載の方法。
【請求項１１】
前記容器（1）が、固形物質を収容するように設計された注射器、バイアル、カプセル、アンプル、単回投与装置、吸入器、瓶、毛嚢ブリスター、サシェまたは袋である、請求項1〜7のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記容器（1）がシリンジまたはカープルである、請求項11に記載の方法。
【請求項１３】
前記シリンダー（4）が、チタン、鋼、プラスチック、水晶、ガラス、石または樹脂の金属製シリンダである、請求項1から4のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
シリンダー（4）がプライヤまたはクランプによって支持されることができるか、またはシリンダー（4）が、いくつかの地点から他の給油所にレールの数が増えることによって移動されることができるように設計された、外側隆起部をシリンダ（4）が備える、 請求項13に記載の方法。
【請求項１５】
前記秤量セル（9）の表面（10）に設けられた突起部（11）がほぼ円筒形であり、その上面が実質的に平坦、円錐形、円錐台形である、請求項1〜7のいずれかに記載の方法。
【請求項１６】
前記容器（1）に充填される前記固形製品が、以下の粒径分布を有する、請求項1から4のいずれかに記載の方法。
-       粒子の全体積の10％以下が20ミクロン未満で、
-       230超、140未満ではない粒子は総量の10%以下
-       60〜160ミクロンの範囲での値はd0.5
ここで、d 0.5は、母集団を正確に2等分する2つの半分に分割する粒子サイズの平均値を示し、分布の50％がこの値より上、50％下になる。
【請求項１７】
前記容器（1）に充填される前記固形製品が、以下の粒径分布を有する、請求項1〜15のいずれかに記載の方法。
-       粒子の全体積の10％以下が20ミクロン未満で、
-       粒子の全体積の10％以下が325より大きく、245より下にならない、
-       100〜155ミクロンの範囲内の値はｄ 0.5。
【請求項１８】
前記容器（1）に充填されるべき固形製品はリスペリドン、パリペリドン、フェンタニル、オランザピン、レトロゾール、アリピプラゾール、アナストロゾール、アセナピン、ブレクスピプラゾール、カリプラジン、クロザピン、イロペリドン、ルラシドン、クエチアピン、ジプラシドン、それらの誘導体、代謝産物、塩、これらが単独または組み合わせたものからなる群から選択される、 請求項16または17に記載の方法。
【請求項１９】
層流キャビン内の無菌環境において行われる、請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月15日(2021.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の表面にソフトタッチコーティングを形成するための方法であって、
ａ）少なくとも１つの放射線硬化性化合物、スリップ添加剤及び粒子状表面改質剤からなる群から選択される少なくとも１つの表面コンディショナー添加剤、並びに少なくとも１つの光開始剤から構成されるコーティング組成物の層を基材の表面の少なくとも一部に塗布する工程、
ｂ）前記コーティング組成物の層を長波長紫外線に曝露させる工程、並びに
ｃ）前記コーティング組成物の層を短波長紫外線に曝露させる工程
を連続して含む、方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの表面コンディショナー添加剤が、ポリシロキサン、天然及び合成ワックス、並びにフルオロポリマーからなる群から選択される少なくとも１つのスリップ添加剤を含み、前記スリップ添加剤が、任意で少なくとも１つの放射線硬化性二重結合を含んでもよい、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つの表面コンディショナー添加剤が、シリコーンポリエーテルコポリマー及びシリコーンアクリレートからなる群から選択される少なくとも１つのポリシロキサンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記コーティング組成物が、０．２〜２０重量パーセントのスリップ添加剤から構成される、請求項１〜３のいずれかに記載の方法。
【請求項５】
前記少なくとも１つの放射線硬化性化合物が、脂肪族モノアルコールの（メタ）アクリレートエステル、アルコキシル化脂肪族モノアルコールの（メタ）アクリレートエステル、脂肪族ポリオールの（メタ）アクリレートエステル、アルコキシル化脂肪族ポリオールの（メタ）アクリレートエステル、芳香族アルコールの（メタ）アクリレートエステル、アルコキシル化芳香族アルコールの（メタ）アクリレートエステル、エポキシ（メタ）アクリレート、ポリエーテル（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、ポリエステル（メタ）アクリレート及びそれらのアミン変性誘導体及びスルフィド変性誘導体、並びにそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの（メタ）アクリレート官能化モノマー又はオリゴマーを含む、請求項１〜４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの表面コンディショナー添加剤が、シリカ、ポリマービーズ及びワックス粒子からなる群から選択される少なくとも１つの粒子状表面改質剤を含む、請求項１〜５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記コーティング組成物が、０．２〜３０重量パーセントの粒子状表面改質剤から構成される、請求項１〜６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
前記コーティング組成物が、少なくとも１つのスリップ添加剤及び少なくとも１つの粒子状表面改質剤を含む、請求項１〜７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記コーティング組成物が、少なくとも１つのスリップ添加剤及び粒子状表面改質剤として少なくとも１つのシリカを含む、請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
前記コーティング組成物が、スリップ添加剤として少なくとも１つのポリシロキサン及び粒子状表面改質剤として少なくとも１つのシリカを含む、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの光開始剤が、アルファ−ヒドロキシケトン、フェニルグリオキシレート、ベンジルジメチルケタール、アルファ−アミノケトン、モノアシルホスフィン、ビスアシルホスフィン、メタロセン、ホスフィンオキシド、ベンゾインエーテル及びベンゾフェノン並びにそれらの組み合わせからなる群から選択される少なくとも１つの光開始剤を含む、請求項１〜１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
前記コーティング組成物が、合計で１重量％以下の非反応性溶媒及び水から構成される、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記長波長ＵＶ光が、３００〜４２０ｎｍ又は３２０〜４００ｎｍの波長を有する、請求項１〜１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記短波長ＵＶ光が、２２０〜２８０ｎｍ又は２３０〜２７０ｎｍの波長を有する、請求項１〜１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれかに記載の方法により得られるソフトタッチコーティングを有する基材。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月24日(2021.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面及び第２の主面を有する剥離可能な層であって、前記第２の主面が、接着物品を表面に接着できる感圧接着剤を含む、剥離可能な層と、
第１の主面及び第２の主面を有するコンプライアント層であって、前記コンプライアント層の前記第２の主面が、前記剥離可能な層の前記第１の主面に隣接している、コンプライアント層と、
前記コンプライアント層の前記第１の主面に隣接しているハードグッドと、を備える接着物品。
【請求項２】
前記剥離可能な層は、前記接着物品が３５度未満の角度で伸長剥離されたときに、前記表面と前記コンプライアント層との両方から脱結合し、
前記ハードグッドは、前記接着物品が３５度未満の角度で伸長剥離されたときに、前記コンプライアント層から脱結合しない、請求項１に記載の接着物品。
【請求項３】
前記剥離可能な層は、多層構造である、請求項１又は２に記載の接着物品。
【請求項４】
前記剥離可能な層は、伸長剥離可能な部分及び接着剤層を含む、請求項１に記載の接着物品。
【請求項５】
前記剥離可能な層は、２つの接着剤層の間に配置された伸長剥離可能な部分を含む、請求項１に記載の接着物品。
【請求項６】
前記剥離可能な層は、第１の伸長剥離可能な層及び第２の伸長剥離可能な層を含む、請求項１に記載の接着物品。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月18日(2021.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ある信号周波数を有する変調されたセンサ信号を作るセンサを備えるセンサチップ及び前記センサに関するデータを記憶し、前記変調されたセンサ信号に応じて前記データの少なくとも一部分を含むメモリ出力信号を生成する不揮発性メモリを含む器具先端部と、
前記センサチップをグランドに接続するための第１の供給ワイヤと、
前記センサチップに供給電圧を提供するために前記センサチップを電源装置に接続するための第２の供給ワイヤと、
前記変調されたセンサ信号と前記メモリ出力信号とを結合して結合信号とし、前記結合信号を変調信号として前記供給電圧に重畳する回路構成部と
を備える、侵襲性器具。
【請求項２】
前記回路構成部は、前記第２の供給ワイヤに結合された出力部を有し、前記変調されたセンサ信号を第１の入力として、前記メモリ出力信号を第２の入力として受信し、前記変調されたセンサ信号と前記メモリ出力信号との乗算結果として前記結合信号を作る乗算器を備える、請求項１に記載の侵襲性器具。
【請求項３】
前記変調されたセンサ信号は可変的信号周波数を有し、前記可変的信号周波数は前記変調を定めるか、又は、前記変調されたセンサ信号は固定的信号周波数を有し、埋込クロック信号を有するデジタル変調された信号を備える、請求項１又は２に記載の侵襲性器具。
【請求項４】
前記不揮発性メモリは、一回しか書き込めないメモリである、請求項１から３のいずれか一項に記載の侵襲性器具。
【請求項５】
前記電源装置と前記センサとの間にフィルタを更に備え、前記フィルタは、前記センサに提供される前記供給電圧から前記変調信号を取り除く、請求項１から４のいずれか一項に記載の侵襲性器具。
【請求項６】
前記不揮発性メモリは、
乗算器に結合されるとともに、前記センサに関する前記データを記憶するための複数のレジスタ要素を備えるデータシフトレジスタと、
前記変調されたセンサ信号に応答するとともに、前記データシフトレジスタのそれぞれのレジスタ要素に対する複数のアドレスポインタを含むアドレスシフトレジスタと
を備える、請求項１から５のいずれか一項に記載の侵襲性器具。
【請求項７】
前記データシフトレジスタは、エンコードされたフォーマットにおいて前記センサに関する前記データがプログラムされる、請求項６に記載の侵襲性器具。
【請求項８】
前記エンコードされたフォーマットは、ＤＣフリーエンコードであり、８ｂ／１０ｂ符号化である、請求項７に記載の侵襲性器具。
【請求項９】
前記データシフトレジスタは、センサ識別情報及び前記データシフトレジスタのプログラム可能部の開始点を定める識別情報を記憶するハードコード領域を備える、請求項６から８のいずれか一項に記載の侵襲性器具。
【請求項１０】
前記データシフトレジスタ又は前記データシフトレジスタに結合されたプログラミングワイヤに結合されたプローブパッド又はワイヤ接着パッドを更に備える、請求項６から９のいずれか一項に記載の侵襲性器具。
【請求項１１】
ガイドワイヤ又はカテーテルである、請求項１から１０のいずれか一項に記載の侵襲性器具。
【請求項１２】
前記センサは圧力センサである、請求項１から１１のいずれか一項に記載の侵襲性器具。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれか一項に記載の侵襲性器具と、
制御モジュールであって、
前記第１の供給ワイヤに接続するための接地端子及び前記第２の供給ワイヤに接続するための供給電圧端子を有する電源装置モジュールと、
前記供給電圧への前記変調信号から前記変調されたセンサ信号及び前記メモリ出力信号を抽出する読み出しモジュールと
を含む制御モジュールと
を備える、システム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月21日(2021.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの隣接する骨構造の間に埋め込むように構成された医療用インプラント用の多孔質構造であって、
体積内の複数のストラットによってそれぞれ画定される複数の繰り返し単位セルを有する三次元格子構造を備え、
前記体積は、
主軸に沿った長さと、
前記主軸に垂直なｘ軸に沿った長さと、
前記ｘ軸に垂直であるｙ軸に沿った長さと、
前記主軸から９０度以内の荷重方向と、を有し、
前記多孔質構造は、前記ｘ軸に沿った弾性係数よりも荷重方向に沿った弾性係数が低い、医療用インプラント用の多孔質構造。
【請求項２】
前記単位セルは、放射状菱形十二面体構造と、菱形十二面体構造と、の少なくとも１つを有する、請求項１に記載の多孔質構造。
【請求項３】
前記格子構造は、前記荷重方向に沿った０．３ＧＰａ以上１２ＧＰａ以下の弾性係数と、前記ｘ軸に沿った２ＧＰａ以上２５ＧＰａ以下の弾性係数と、少なくとも１つの方向における０．３７５ＧＰａ以上４ＧＰａ以下の弾性係数と、の少なくとも１つを有する、請求項１に記載の多孔質構造。
【請求項４】
前記多孔質構造は、患者の体内での埋め込み時に前記主軸が患者の脊椎の前弯に従うように構成されている、請求項３に記載の多孔質構造。
【請求項５】
前記多孔質構造は、圧縮せん断強度と、３００Ｎ以上６６０Ｎ以下の圧縮せん断降伏荷重と、３００Ｎ以上１５０００Ｎ以下の圧縮せん断荷重と、静荷重および５Ｈｚで最大５，０００，０００サイクルの動荷重における３００Ｎ以上１５０００Ｎ以下の軸荷重と、最大１５Ｎｍのねじり降伏荷重と、の少なくとも１つを有する、請求項１に記載の多孔質構造。
【請求項６】
前記格子構造は、５％以上４０％以下の体積密度と、３０％以上３８％以下の体積密度と、３２％以上３８％以下の体積密度と、の少なくとも１つを有する、請求項１に記載の多孔質構造。
【請求項７】
医療用インプラント用の構造であって、
２つの隣接する骨構造の間で延び、前記２つの隣接する骨構造の間に単独の機械的間隔を提供するように構成された三次元格子構造を備え、前記三次元格子構造は、
複数の繰り返し単位セルと、
前記三次元格子構造の体積内に設けられた複数の流体的に相互接続された開口部と、を有し、前記複数の流体的に相互接続された開口部は、第１の幅を有する開口部の第１のグループと、第２の幅を有する開口部の第２のグループと、を有し、前記第２の幅は前記第１の幅よりも大きく、前記開口部の第２のグループの開口部の数は前記開口部の第１のグループの開口部の数に対する比率が約１：１から１：２５である、医療用インプラント用の構造。
【請求項８】
前記複数の単位セルは、前記三次元格子構造によって画定されるアモルファス体積内のストラットによって画定される菱形十二面体構造と、前記三次元格子構造によって画定されるアモルファス体積内のストラットによって画定される放射状菱形十二面体構造と、の少なくとも１つを有する、請求項７に記載の構造。
【請求項９】
医療用インプラント用の構造であって、
前記構造が埋め込まれる場所の少なくとも２つ領域の間に単独の機械的間隔を提供するように構成された三次元格子構造を備え、前記三次元格子構造は、
複数のストラットと、
前記複数のストラットによって確定される複数の流体的に相互接続された開口部と、を有し、前記複数の開口部は、骨芽細胞の内部成長を促進するように構成された開口部の第１のグループと、骨単位の内部成長を促進するように構成された開口部の第２のグループと、を有し、前記開口部の第２のグループの幅は前記開口部の第１のグループの幅よりも大きい、医療用インプラント用の構造。
【請求項１０】
前記三次元格子構造は、５％以上４０％以下の体積密度を有する、請求項９に記載の構造。
【請求項１１】
医療用インプラントの製造方法であって、
複数のサブ単位セルを製作するステップを有し、各々の前記サブ単位セルは、
体積内の中央に位置するとともに複数のノード面を有するノードであって、前記複数のノード面は前記複数のノード面の第１ノード面が第２ノード面から約１８０度横方向に分離するように構成された、ノードと、
複数のストラットであって、各々の追加のストラットはその近位端でノード面に固定され、且つ、そのノード面に最も近い前記体積の角部に向けて延びる、複数のストラットと、を有する、医療用インプラントの製造方法。
【請求項１２】
前記複数のノード面は、前記第１ノード面から約９０度横方向に分離する第３ノード面と、前記第３ノード面から約１８０度横方向に分離する第４ノード面と、を有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記体積は、直方体体積と、六面体体積と、アモルファス体積と、１つ以上の非直交側面を有する体積と、の少なくとも１つを有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記ノードは、八面体と、双四角錐と、の少なくとも１つを有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記複数のノード面は、少なくとも１つの三角形のノード面を有する、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月3日(2021.9.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イメージングゾーン内でメイン磁場を生成するメイン磁石と、
無線周波数（ＲＦ）入力端子及びＲＦ出力端子を含むＲＦアンテナと、
ＲＦ電力を前記ＲＦ入力端子に供給して前記ＲＦアンテナを励起するＲＦシステムであって、前記ＲＦアンテナは更に、磁気共鳴信号を前記イメージングゾーンからピックアップする、ＲＦシステムと、
前記ＲＦ出力端子から前記磁気共鳴信号を受信するデータ取得システムと、
を備える磁気共鳴イメージングシステムであって、
前記ＲＦ入力端子は、前記ＲＦアンテナとガルバニック接続し、前記ＲＦ出力端子は前記ＲＦアンテナと誘導結合する、磁気共鳴イメージングシステム。
【請求項２】
前置増幅器を更に備え、前記ＲＦ出力端子の前記誘導結合は、前記ＲＦアンテナと前記前置増幅器との誘導結合と、前記前置増幅器と前記ＲＦ出力端子とのガルバニック接続とを含む、請求項１に記載の磁気共鳴イメージングシステム。
【請求項３】
前記ＲＦ入力端子及び／又は前記ＲＦ出力端子は各々、それぞれの端子のインピーダンスを所望のインピーダンスに整合させるための、独立して調整可能なインピーダンス整合回路を備える、請求項１に記載の磁気共鳴イメージングシステム。
【請求項４】
前記ＲＦ入力端子の前記インピーダンス整合回路は、前記ＲＦシステムから前記ＲＦ入力端子に供給されるＲＦ電力に対する整合インピーダンス、及び前記ＲＦアンテナによってピックアップされた前記磁気共鳴信号の電流に対する固定の高インピーダンスを提供する、請求項３に記載の磁気共鳴イメージングシステム。
【請求項５】
ＡＤ変換器を更に備え、前記ＡＤ変換器のアナログポートは前記ＲＦ出力端子に結合されている、請求項１に記載の磁気共鳴イメージングシステム。
【請求項６】
前記ＲＦ出力端子との前記ＲＦアンテナの結合及び分離を選択的に行うスイッチを更に備える、請求項１に記載の磁気共鳴イメージングシステム。
【請求項７】
前記ＲＦアンテナは複数のコイル素子を備え、前記ＲＦアンテナは、複数の前記ＲＦ入力端子及び前記ＲＦ出力端子を備え、前記ＲＦ入力端子の各々は前記複数のコイル素子のうちの少なくとも１つとガルバニック結合され、前記ＲＦ出力端子の各々は前記複数のコイル素子のうちの少なくとも１つと誘導結合される、請求項１に記載の磁気共鳴イメージングシステム。
【請求項８】
前記ＲＦ出力端子のうちの１つを選択して、選択された前記ＲＦ出力端子から、前記磁気共鳴信号を前記データ取得システムに提供するセレクタを更に備える、請求項７に記載の磁気共鳴イメージングシステム。
【請求項９】
マシン実行可能命令を記憶するメモリと、前記磁気共鳴イメージングシステムを制御するプロセッサとを更に備え、前記マシン実行可能命令の実行は、前記プロセッサに、
前記ＲＦ出力端子のうちのどのＲＦ出力端子が、少なくとも所定の信号対雑音比で前記磁気共鳴信号を提供するかを決定することと、
前記決定されたＲＦ出力端子を選択するように前記セレクタを制御することと、
を行うように当該磁気共鳴イメージングシステムを制御させる、請求項８に記載の磁気共鳴イメージングシステム。
【請求項１０】
前記ＲＦアンテナの前記コイル素子がバードケージ又はＴＥＭ構成を含む、請求項７に記載の磁気共鳴イメージングシステム。
【請求項１１】
前記ガルバニック接続及び前記誘導結合のうちの少なくとも一方が、前記コイル素子のうちの２つのコイル素子間にある、請求項１０に記載の磁気共鳴イメージングシステム。
【請求項１２】
マシン実行可能命令を記憶するメモリと、前記磁気共鳴イメージングシステムを制御するプロセッサとを更に備え、前記マシン実行可能命令の実行は更に、前記プロセッサに、
イメージングパルスシーケンスコマンドを用いてイメージング磁気共鳴データを取得するように、前記磁気共鳴イメージングシステムを制御することであって、前記イメージングパルスシーケンスコマンドは、磁気共鳴イメージングプロトコルに従って前記イメージング磁気共鳴信号を取得するように前記磁気共鳴イメージングシステムを制御することと、
前記イメージング磁気共鳴データを用いて磁気共鳴画像を再構成することと、
を行わせる、請求項１に記載の磁気共鳴イメージングシステム。
【請求項１３】
磁気共鳴イメージングシステムにおいて用いるための無線周波数（ＲＦ）アンテナであって、前記ＲＦアンテナは、ＲＦ入力端子及びＲＦ出力端子を備え、
前記ＲＦ入力端子は、前記ＲＦアンテナにガルバニック接続され、前記ＲＦアンテナを励起するためのＲＦ入力信号を受信し、
前記ＲＦ出力端子は、前記ＲＦアンテナに誘導結合され、前記ＲＦアンテナによってピックアップされる磁気共鳴信号を提供する、ＲＦアンテナ。
【請求項１４】
磁気共鳴イメージングシステムの作動方法であって、前記磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）システムは、
イメージングゾーン内でメイン磁場を生成するためのメイン磁石と、
無線周波数（ＲＦ）入力端子及びＲＦ出力端子を含むＲＦアンテナと
を備え、前記方法は、
ＲＦシステムを用いて、ＲＦ電力を前記ＲＦ入力端子に供給して前記ＲＦアンテナを励起するステップと、
前記ＲＦアンテナを用いて、磁気共鳴信号を前記イメージングゾーンからピックアップするステップと、
データ取得システムを用いて、前記ＲＦ出力端子から前記磁気共鳴信号を受信するステップと、
を含み、
前記ＲＦ入力端子は、前記ＲＦアンテナとガルバニック接続し、前記ＲＦ出力端子は前記ＲＦアンテナと誘導結合する、方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の方法を実行するために磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）システムを制御するためのプロセッサによって実行可能な前記ＭＲＩシステムの非一時的コンピュータ可読媒体に記憶される命令を記憶する、非一時的コンピュータ可読媒体。
【請求項１６】
前記ＲＦ入力端子及び／又は前記ＲＦ出力端子は各々、それぞれの端子のインピーダンスを所望のインピーダンスに整合させるための、独立して調整可能なインピーダンス整合回路を備える、請求項１３に記載のＲＦアンテナ。
【請求項１７】
前記ＲＦ入力端子の前記インピーダンス整合回路は、ＲＦシステムから前記ＲＦ入力端子に供給されるＲＦ電力に対する整合インピーダンス、及び前記ＲＦアンテナによってピックアップされた前記磁気共鳴信号の電流に対する固定の高インピーダンスを提供する、請求項１６に記載のＲＦアンテナ。
【請求項１８】
前記ＲＦアンテナは複数のコイル素子を更に備え、前記ＲＦアンテナは、複数の前記ＲＦ入力端子及び前記ＲＦ出力端子を備え、前記ＲＦ入力端子の各々は前記複数のコイル素子のうちの少なくとも１つとガルバニック結合され、前記ＲＦ出力端子の各々は前記複数のコイル素子のうちの少なくとも１つと誘導結合される、請求項１３に記載のＲＦアンテナ。
【請求項１９】
前記コイル素子がバードケージ又はＴＥＭ構成を備える、請求項１８に記載のＲＦアンテナ。
【請求項２０】
前記ガルバニック接続及び前記誘導結合のうちの少なくとも一方が、前記コイル素子のうちの２つのコイル素子間にある、請求項１９に記載のＲＦアンテナ。