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【手続補正書】
【提出日】平成16年3月26日(2004.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン半導体基板と、
前記シリコン半導体基板の表面領域に形成されたｎＭＩＳＦＥＴとｐＭＩＳＦＥＴとから構成された相補型ＭＩＳＦＥＴ回路と、
前記相補型ＭＩＳＦＥＴ回路が形成されたシリコン半導体基板上に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜に形成され、前記ｎＭＩＳＦＥＴを構成するｎ型不純物拡散領域を底面に露出させた第１のコンタクト孔と、
前記第１のコンタクト孔の底部に前記ｎ型不純物拡散領域との反応により形成された第１の金属シリサイド層と、
前記絶縁膜に形成され、前記ｐＭＩＳＦＥＴを構成するｐ型不純物拡散領域を底面に露出させた第２のコンタクト孔と、
前記第２のコンタクト孔の底部に前記ｐ型不純物拡散領域との反応により形成された第２の金属シリサイド層とを備え、
前記第２の金属シリサイド層の仕事関数は、前記第１の金属シリサイド層の仕事関数よりも高いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１のコンタクト孔に埋め込まれる第１のコンタクトは、前記第１のコンタクト孔底面の第１の金属シリサイド層、前記第１のコンタクト孔側面に形成されたバリア層及び前記バリア層と前記第１の金属シリサイド層とに囲まれた金属膜から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
シリコン半導体基板の表面領域にｎＭＩＳＦＥＴとｐＭＩＳＦＥＴとから構成された相補型ＭＩＳＦＥＴ回路を形成する工程と、
前記相補型ＭＩＳＦＥＴ回路が形成されたシリコン半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に前記ｎＭＩＳＦＥＴを構成するｎ型不純物拡散領域を底面に露出させた第１のコンタクト孔及び前記ｐＭＩＳＦＥＴを構成するｐ型不純物拡散領域を底面に露出させた第２のコンタクト孔を形成する工程と、
前記第１のコンタクト孔及び第２のコンタクト孔に第１の導電膜を形成し、その後第２の導電膜を前記第１の導電膜上に形成する工程と、
前記シリコン半導体基板を熱処理して前記第１のコンタクト孔の底部に前記ｎ型不純物拡散領域との反応により形成された第１の金属シリサイド層及び前記第２のコンタクト孔の底部に前記ｐ型不純物拡散領域との反応により形成された第１の金属シリサイド層とを形成する工程と、
前記第２のコンタクト孔内に形成された前記第１の導電膜、前記第２の導電膜及び前記第１の金属シリサイド層を除去する工程と、
前記第２のコンタクト孔内の底面に第３の導電膜を形成し、これを熱処理して前記ｐ型不純物拡散領域との反応により形成された第２の金属シリサイド層を形成する工程と、
前記第２のコンタクト孔内において、前記第２の金属シリサイド層上に前記前記第１の導電膜及び前記第２の導電膜を順次形成する工程とを備え、
前記第２の金属シリサイド層の仕事関数は、前記第１の金属シリサイド層の仕事関数よりも高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
シリコン半導体基板の表面領域にｎＭＩＳＦＥＴとｐＭＩＳＦＥＴとから構成された相補型ＭＩＳＦＥＴ回路を形成する工程と、
前記相補型ＭＩＳＦＥＴ回路が形成されたシリコン半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に前記ｎＭＩＳＦＥＴを構成するｎ型不純物拡散領域を底面に露出させた第１のコンタクト孔及び前記ｐＭＩＳＦＥＴを構成するｐ型不純物拡散領域を底面に露出させた第２のコンタクト孔を形成する工程と、
前記第１のコンタクト孔及び第２のコンタクト孔に第１の導電膜を形成し、その後前記第２のコンタクト孔に第２の導電膜を前記第１の導電膜上に形成する工程と、
前記シリコン半導体基板を熱処理して前記第１のコンタクト孔の底部に前記第１の導電膜と前記ｎ型不純物拡散領域との反応により形成された第１の金属シリサイド層及び前記第２のコンタクト孔の底部に前記第１及び第２の導電膜と前記ｐ型不純物拡散領域との反応により形成された第２の金属シリサイド層とを形成する工程と、
前記第１のコンタクト孔内の前記第１の導電膜上に第３の導電膜を形成する工程とを備え、
前記第２の金属シリサイド層の仕事関数は、前記第１の金属シリサイド層の仕事関数よりも高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
シリコン半導体基板の表面領域にｎＭＩＳＦＥＴとｐＭＩＳＦＥＴとから構成された相補型ＭＩＳＦＥＴ回路を形成する工程と、
前記相補型ＭＩＳＦＥＴ回路が形成されたシリコン半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に前記ｎＭＩＳＦＥＴを構成するｎ型不純物拡散領域を底面に露出させた第１のコンタクト孔及び前記ｐＭＩＳＦＥＴを構成するｐ型不純物拡散領域を底面に露出させた第２のコンタクト孔を形成する工程と、
前記第１のコンタクト孔底面に第１の導電膜を形成する工程と、
前記底面に第１の導電膜が形成された前記第１のコンタクト孔内及び前記第２のコンタクト孔内に第２の導電膜を形成する工程と、
前記シリコン半導体基板を熱処理して前記第１のコンタクト孔の底部に前記第１及び第２の導電膜と前記ｎ型不純物拡散領域との反応により形成された第１の金属シリサイド層及び前記第２のコンタクト孔の底部に前記第２の導電膜と前記ｐ型不純物拡散領域との反応により形成された第２の金属シリサイド層とを形成する工程と、
前記第１及び第２のコンタクト孔内の第２の導電膜上に第３の導電膜を形成する工程とを備え、
前記第２の金属シリサイド層の仕事関数は、前記第１の金属シリサイド層の仕事関数よりも高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月27日(2005.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層を含む活性領域と、活性領域を挟む対の上部及び下部多層膜反射鏡とを基板上に有する面発光半導体レーザ素子において、
上部多層膜反射鏡を構成する多層膜の少なくとも一層（以下、特定層と言う）はＡｌＡｓ層又はＡｌ組成が０．９５以上のＡｌＧａＡｓ層であって、かつ上部多層膜反射鏡はメサ構造として形成されて誘電体で埋め込まれ、
特定層がウエットエッチング法によりエッチングされて、特定層の横断面がメサ構造の横断面外形寸法より小さい外形寸法に縮小し、かつ縮小した特定層の外側に生じている間隙は、メサ構造を埋め込んだ誘電体で充填されていることを特徴とする面発光半導体レーザ素子。
【請求項２】
ウエットエッチング法によりエッチングされた特定層の横断面形状は、メサ構造の外形寸法より外形寸法の小さい四角形及び六角形を含む多角形のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の面発光半導体レーザ素子。
【請求項３】
発光層を含む活性領域と、活性領域を挟む対の上部及び下部多層膜反射鏡とを基板上に有する面発光半導体レーザ素子の製造方法において、
基板上に、順次、下部多層膜反射鏡、活性領域、及び少なくとも１層のＡｌＡｓ層又はＡｌ組成が０．９５以上のＡｌＧａＡｓ層（以下、特定層と言う）を有する上部多層膜反射鏡を形成する工程と、
少なくとも上部多層膜反射鏡をエッチングしてメサを形成する工程と、
上部多層膜反射鏡の特定層をウエットエッチング法によりエッチングして、特定層の横断面をメサの横断面外形寸法より小さい外形寸法に縮小させる工程と、
メサを誘電体で埋め込むと共に、特定層の外側に生じている間隙を誘電体で充填する工程と
を有することを特徴とする面発光半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項４】
ウエットエッチング法によるエッチング工程では、メサを形成したウエハをエッチャントに浸漬することを特徴とする請求項３に記載の面発光半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項５】
ウエットエッチング法によるエッチング工程では、エッチングの進行中に、エッチャントからウエハを引き上げて、特定層のエッチング進行状況を光学顕微鏡で観察し、エッチングの進行を管理することを特徴とする請求項４に記載の面発光半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項６】
ウエットエッチング法によるエッチングでは、エッチャントとして、有機アルカリ溶液、無機アルカリ溶液、ふっ酸系エッチャント、及びクエン酸系エッチャントのいずれかを使用することを特徴とする請求項３から５のうちのいずれか１項に記載の面発光半導体レーザ素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月21日(2005.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】  前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂と潜在性硬化触媒を含有し、昇温速度を５℃／分としたレオメーターによる測定によって得られる粘度−温度曲線において、前記熱硬化性樹脂の粘度は、５０〜１００℃の温度範囲のうちの少なくとも１０℃の幅の温度範囲において１．０×１０Ｐａ・ｓ以下となり、温度の上昇と共に上昇し、且つ温度変化量が１５℃以下の範囲内で１．０×１０２Ｐａ・ｓから１．０×１０５Ｐａ・ｓに変化する挙動を示すことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の電子部品の実装方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、本発明の電子部品の実装方法において、熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂と潜在性硬化触媒を含有し、昇温速度を５℃／分としたレオメーターによる測定によって得られる粘度−温度曲線において、熱硬化性樹脂の粘度は、５０〜１００℃の温度範囲のうちの少なくとも１０℃の幅の温度範囲において１．０×１０Ｐａ・ｓ以下となり、温度の上昇と共に上昇し、且つ温度変化量が１５℃以下の範囲内で１．０×１０２Ｐａ・ｓから１．０×１０５Ｐａ・ｓに変化する挙動を示してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月4日(2005.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項９】
筐体密閉部において、通風路を通る低温空気の風速が速い位置ほど発熱量の大きい電子機器を配置することを特徴とする請求項８記載の電子機器筐体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月6日(2004.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
着脱可能な第１のコネクタ部と第２のコネクタ部とからなるコネクタであって、
前記第１のコネクタ部は、
前記第２のコネクタと電気的に接続される第１の接続部と、
前記第１の接続部を保護するために前記第１の接続部を覆う第１の位置と、前記第２のコネクタ部と前記第１の接続部が接続できるように前記第１の接続部が露出する第２の位置との間で移動可能な保護部と、
前記保護部を前記第１の位置にロックするロック部と、
前記第１のコネクタ部の側面に設けられ、前記ロック部の一部が露出する開口部とを有し、
前記第２のコネクタ部は、
前記第１の接続部と接続する第２の接続部と、
前記第１のコネクタ部と前記第２のコネクタ部とが接続されるときに、前記保護部を前記第１の位置から前記第２の位置へ移動させる第１の部材と、
前記ロック部を解除する第２の部材とを有し、
前記開口部から露出する前記ロック部の一部が、前記開口部の開口面に並行な面と前記開口面に斜めの面とを有することを特徴とするコネクタ。
【請求項２】
前記第１のコネクタの側面に凹部を有し、
前記開口部は、前記凹部に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のコネクタ。
【請求項３】
前記保護部を、前記第２の位置から前記第１の位置の方向へ押すバネを更に有することを特徴とする請求項１に記載のコネクタ。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３の何れかに記載の第１のコネクタ部が搭載されたことを特徴とする電子機器。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３の何れかに記載の第１のコネクタ部が搭載された電子機器と、請求項１乃至請求項３の何れかに記載の第２のコネクタ部が搭載された本体とか構成されることを特徴とする情報処理装置。
【請求項６】
着脱可能な第１のコネクタ部と第２のコネクタ部とからなるコネクタであって、
前記第１のコネクタ部は、
前記第１のコネクタと電気的に接続される第１の接続部と、
前記第１の接続部を保護するために前記第１の接続部を覆う第１の位置と、前記第２のコネクタ部と前記第１の接続部が接続できるように前記第１の接続部が露出する第２の位置との間で移動可能な保護部と、
前記保護部が前記第２の位置にあるときに、前記保護部の一部に設けられた開口部から一部が露出し、前記保護部を前記第２の位置から前記第１の位置の方へ押すバネを固定するための第１の部材と、
前記保護部を前記第１の位置にロックするロック部とを有し、
前記第２のコネクタ部は、
前記第１の接続部と接続する第２の接続部と、
前記第１のコネクタ部と前記第２のコネクタ部とが接続されるときに、前記保護部を前記第１の位置から前記第２の位置へ移動させる第２の部材と、
前記ロック部を解除する第３の部材と、
前記第１の部材に対応する位置に設けられた凹部とを有し、
前記第３の部材により前記ロック部が解除され、前記第２の部材により前記保護部を移動することにより、前記第１の接続部と前記第２の接続部とが接続されることを特徴とするコネクタ。
【請求項７】
請求項６に記載の第１のコネクタ部が搭載されたことを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項６に記載の第１のコネクタ部が搭載された電子機器と、請求項６に記載の第２のコネクタ部が搭載された本体とか構成されることを特徴とする情報処理装置。
【請求項９】
情報処理装置に装着可能な電子機器であって、
前記情報処理装置と電気的に接続可能な接続部と、
前記接続部を保護するために前記接続部を覆う第１の位置と、前記情報処理装置と前記接続部が接続できるように前記接続部を露出させる第２の位置との間で移動可能な保護部と、
前記保護部を前記第１の位置にロックするロック部と、
前記電子機器の側面に設けられ、前記ロック部の一部が露出する開口部と、
を有する電子機器。
【請求項１０】
前記保護部は電子機器の装着方向と平行な方向に移動可能することで、前記第１の位置と前記第２の位置との間を移動することを特徴とする請求項９に記載の電子機器。
【請求項１１】
前記保護部の移動を案内する案内部を有することを特徴とする請求項９または１０に記載の電子機器。
【請求項１２】
接続部を保護する保護部を有する電子機器を装着可能な情報処理装置であって、
前記電子機器の接続部と電気的に接続可能な接続部と、
前記接続部の周囲に形成され、前記電子機器の装着時に前記電子機器の保護部を押圧して前記保護部を前記第１の位置から前記第２の位置へ移動させる押圧部と、
前記押圧部が前記保護部を押圧する前に前記電子機器の側面と接触する接触部と
を有する情報処理装置。
【請求項１３】
前記接触部は前記電子機器の側面に形成されたガイド溝に接触することを特徴とする請求項１２に記載の情報処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月2日(2004.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基体と、
前記半導体基体に設けられ第１及び第２の素子領域を囲む素子分離領域と、
前記第１の素子領域に形成されると共に、少なくともゲート電極膜におけるゲート絶縁膜に接する領域が、第１の金属シリサイドで構成されたＮチャネル電界効果トランジスタと、
前記第２の素子領域に形成されると共に、ゲート電極膜が、前記第１の金属シリサイドを構成する金属とは異なる金属からなる第２の金属シリサイドと、前記第１の金属シリサイドの構成材料である金属及び前記第１の金属シリサイドと同じ構成材料であり、かつ、前記第１の金属シリサイドよりもシリコン含有量が少ない第３の金属シリサイドから選ばれる少なくとも一方とから構成されたＰチャネル電界効果トランジスタを有し、
前記Ｎチャネル電界効果トランジスタのゲート電極膜の仕事関数が、前記Ｐチャネル電界効果トランジスタのゲート電極膜の仕事関数よりも小さいことを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置。
【請求項２】
前記Ｐチャネル電界効果トランジスタのゲート電極膜におけるゲート絶縁膜に接する領域が、前記第１の金属シリサイドを構成する金属とは異なる金属からなる第２の金属シリサイドと、前記第１の金属シリサイドの構成材料である金属及び前記第１の金属シリサイドと同じ構成材料であり、かつ、前記第１の金属シリサイドよりもシリコン含有量が少ない第３の金属シリサイドから選ばれる少なくとも一方とから構成されていることを特徴とする請求項１に記載の絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置。
【請求項３】
前記Ｐチャネル電界効果トランジスタのゲート電極膜におけるゲート絶縁膜に接する領域が、前記第１の金属シリサイドの構成材料である金属、及び前記第１の金属シリサイドと同じ構成材料であり、かつ、前記第１の金属シリサイドよりもシリコン含有量が少ない第３の金属シリサイドから選ばれる少なくとも一方とから構成されていることを特徴とする請求項１に記載の絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置。
【請求項４】
半導体基体上に素子分離領域を形成して、前記素子分離領域に囲まれるＮチャネル電界効果トランジスタ領域、及び前記素子分離領域に囲まれるＰチャネル電界効果トランジスタ領域を形成する工程と、
前記半導体基体上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に導電膜を形成する工程と、
前記導電膜を選択的にパターニングしてゲート領域を形成する工程と、
パターニングされた前記導電膜に対して自己整合的に、前記Ｎチャネル電界効果トランジスタ領域及び前記Ｐチャネル電界効果トランジスタ領域にソース及びドレイン領域を形成する工程と、
前記導電膜の周囲に側壁絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート領域の前記導電膜及び前記絶縁膜を除去し、前記側壁絶縁膜に囲まれる空間領域を形成する工程と、
前記空間領域に囲まれた前記Ｎチャネル電界効果トランジスタ領域及び前記Ｐチャネル電界効果トランジスタ領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記空間領域内の前記ゲート絶縁膜上に第１の金属シリサイド膜を形成する工程と、
前記Ｐチャネル電界効果トランジスタ領域上に、前記第１の金属シリサイド膜を構成する金属とは異なる金属膜を形成する工程と、
前記Ｐチャネル電界効果トランジスタ領域の第１の金属シリサイド膜を、前記第１の金属シリサイドを構成する金属とは異なる金属からなる第２の金属シリサイド、及び前記第１の金属シリサイドの構成材料である金属並びに前記第１の金属シリサイドと同じ構成材料であり、かつ、前記第１の金属シリサイドよりもシリコン含有量が少ない第３の金属シリサイドから選ばれる少なくとも一種とで構成された膜に変換する熱処理の工程とを有することを特徴とする絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の金属シリサイドとして、単位体積当りのシリコンの原子数が、単位体積当りの金属の原子数の２．５倍以上である膜を形成することを特徴とする請求項４に記載の絶縁ゲート型電界効果トランジスタを含む半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月27日(2005.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタの作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面を有する基板上に形成された半導体層上にドーパントを含む液体を塗布し、
レーザー光を照射することによって前記前記半導体にドーパントの添加を行うことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記ドーパントを含む液体は水溶液であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
請求項２において、前記ドーパントを含む液体を塗布する前に前記半導体層上にオゾン水を塗布することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項４】
絶縁表面を有する基板上に形成された非晶質半導体層上にドーパントを含む液体を塗布し、
レーザー光を照射することによって前記非晶質半導体層を結晶化し、結晶質半導体層とすることと同時に、前記結晶質半導体層にドーパントの添加を行うことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項５】
請求項４において、前記ドーパントを含む液体は水溶液であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項６】
請求項５において、前記ドーパントを含む液体を塗布する前に前記非晶質半導体層上にオゾン水を塗布することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項７】
請求項１又は請求項４において、前記ドーパントを含む液体の溶媒は有機溶媒であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記レーザー光はエキシマレーザーにより発振されたレーザー光であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記レーザー光は固体レーザーにより発振されたレーザー光であり、
非線形光学素子を用いて高次高調波に変換されたレーザー光であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１０】
絶縁表面を有する基板上に形成された非晶質半導体層上にドーパント及び結晶化を助長する元素を含む液体を塗布し、
レーザー光を照射することによって前記非晶質半導体層を結晶化し、結晶質半導体層とすることと同時に、前記結晶質半導体層にドーパントの添加を行うことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１１】
請求項１０において、前記ドーパント及び結晶化を助長する元素を含む液体は水溶液であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１２】
請求項１１において、前記ドーパント及び結晶化を助長する元素を含む液体を塗布する前に前記非晶質半導体層上にオゾン水を塗布することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１３】
絶縁表面を有する基板上に形成された非晶質半導体層上に結晶化を助長する元素を含む液体を塗布し、
前記非晶質半導体層を加熱することにより結晶化して結晶質半導体膜とし、
前記結晶質半導体層上にドーパントを含む液体を塗布し、
レーザー光を照射することによって前記結晶質半導体層にドーパントの添加を行うことを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１４】
請求項１３において、前記ドーパントを含む液体は水溶液であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１５】
請求項１４において、前記ドーパントを含む液体を塗布する前に前記結晶質半導体層上にオゾン水を塗布することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１６】
請求項１０又は請求項１３において、前記ドーパント及び結晶化を助長する元素を含む液体又は前記ドーパントを含む液体の溶媒は有機溶媒であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１７】
請求項１０乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記レーザー光はエキシマレーザーにより発振されたレーザー光であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１８】
請求項１０乃至請求項１６のいずれか一項において、
前記レーザー光は固体レーザーにより発振されたレーザー光であり、
非線形光学素子を用いて高次高調波に変換されたレーザー光であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項１９】
請求項１０乃至請求項１８のいずれか一項において、
ドーパントの添加を行った後、前記結晶質半導体の表層部を除去することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２０】
請求項１９において、前記除去する表層部の厚さは３０〜６０ｎｍであることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２１】
請求項１０乃至請求項１８のいずれか一項において、
前記結晶化を助長する元素とは、ニッケル、鉄、パラジウム、スズ、鉛、コバルト、白金、銅、金のうちいずれか一つ、または複数であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７１】
なお、本実施の形態は、実施の形態３とも組み合わせて使用することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月1日(2005.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  デバイスの製造に利用されるデバイス製造装置であって、
温調用のガスを流すためのダクトと、
前記ダクト外の所定部の状態を検知するため又は前記所定部を駆動若しくは制御するために前記ダクト外に配置された第１部品と、
前記ダクト内に配置され、前記所定部の状態に関する電気信号を前記第１部品から受け取るように又は前記所定部を駆動若しくは制御するために生成された電気信号を前記第１部品に供給するように、前記第１部品に電気的に接続された第２部品と、
を備えることを特徴とするデバイス製造装置。
【請求項２】  前記ダクトに設けられた断熱材を更に備えることを特徴とする請求項１に記載のデバイス製造装置。
【請求項３】  前記ダクトの一部を構成するように配置された中継基板を更に備え、前記第１部品と前記第２部品は、前記中継基板を介して電気的に接続されていることを特徴とするデバイス製造装置。
【請求項４】  前記中継基板の少なくとも一部に断熱材が設けられていることを特徴とする請求項３に記載のデバイス製造装置。
【請求項５】  前記ダクトは、シャッタ付きの開口部を有し、前記第１部品と前記第２部品は、前記開口部を通るケーブルによって電気的に接続されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のデバイス製造装置。
【請求項６】  前記シャッタは、前記シャッタが閉じられた状態で前記シャッタが前記ケーブルに接触する部分に、伸縮性の部材を有することを特徴とする請求項５に記載のデバイス製造装置。
【請求項７】  前記伸縮性の部材は、断熱機能を有することを特徴とする請求項６に記載のデバイス製造装置。
【請求項８】  前記第２部品は、動作時に発熱する部品であることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載のデバイス製造装置。
【請求項９】  露光装置として構成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載のデバイス製造装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月21日(2004.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データから文字領域、図形領域および写真領域を分離して抽出する領域抽出手段と、
前記領域抽出手段により抽出された各領域データに圧縮処理を施す領域圧縮手段と、
前記領域圧縮手段により圧縮処理された各領域データを合成する領域合成手段とを有する画像処理装置であって、
前記領域抽出手段により抽出された所定領域データの画像サイズを算出する画像サイズ算出手段をさらに有し、
前記領域圧縮手段は、前記画像サイズ算出手段により算出された前記所定領域データの画像サイズがしきい値以上の場合第１の圧縮方式により前記所定領域データに圧縮処理を施し、前記画像サイズ算出手段により算出された前記所定領域データの画像サイズが前記しきい値未満の場合第２の圧縮方式により前記所定領域データに圧縮処理を施すことを特徴とする、
画像処理装置。
【請求項２】
前記第１の圧縮方式は、圧縮処理前の画像サイズが前記しきい値未満の前記所定領域データに適用した場合圧縮処理後の画像サイズが圧縮処理前の画像サイズより大きくなるものであり、
前記第２の圧縮方式は、圧縮処理前の画像サイズが前記しきい値未満の前記所定領域データに適用した場合でも圧縮処理後の画像サイズが圧縮処理前より大きくならないものである、
請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記所定領域データは文字領域データである、請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記第１の圧縮方式はＭＭＲ圧縮であり、前記第２の圧縮方式はＦｌａｔｅ圧縮である、請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
画像データから文字領域を抽出する第１段階と、
前記第１段階で抽出された各文字領域データの画像サイズを算出する第２段階と、
前記第２段階で算出された前記各文字領域データの画像サイズがしきい値以上の場合圧縮方式としてＭＭＲ圧縮を選択し、前記第３段階で算出された前記各文字領域データの画像サイズがしきい値未満の場合圧縮方式としてＦｌａｔｅ圧縮を選択する第３段階と、
前記第３段階で選択された圧縮方式により前記各文字領域データに圧縮処理を施す第４段階と、
を有することを特徴とする画像処理方法。
【請求項６】
前記第１の圧縮方式は、前記所定領域データに対するデフォルトの圧縮方式である、請求項１または２に記載の画像処理装置。
【請求項７】
画像データから文字領域、図形領域および写真領域を分離して抽出する段階（１）と、
段階（１）で抽出された各領域データに圧縮処理を施す段階（２）と、
段階（２）で圧縮処理された各領域データを合成する段階（３）とを有する画像処理方法であって、
段階（１）で抽出された所定領域データの画像サイズを算出する段階（４）をさらに有し、
段階（２）は、前記画像サイズ算出手段により算出された前記所定領域データの画像サイズがしきい値以上の場合第１の圧縮方式により前記所定領域データに圧縮処理を施し、前記画像サイズ算出手段により算出された前記所定領域データの画像サイズが前記しきい値未満の場合第２の圧縮方式により前記所定領域データに圧縮処理を施すことを特徴とする、
画像処理方法。
【請求項８】
前記第１の圧縮方式は、圧縮処理前の画像サイズが前記しきい値未満の前記所定領域データに適用した場合圧縮処理後の画像サイズが圧縮処理前の画像サイズより大きくなるものであり、
前記第２の圧縮方式は、圧縮処理前の画像サイズが前記しきい値未満の前記所定領域データに適用した場合でも圧縮処理後の画像サイズが圧縮処理前より大きくならないものである、
請求項７に記載の画像処理方法。
【請求項９】
前記第１の圧縮方式は、前記所定領域データに対するデフォルトの圧縮方式である、請求項７または８に記載の画像処理方法。
【請求項１０】
前記所定領域データは文字領域データである、請求項７〜９のいずれか１つに記載の画像処理方法。
【請求項１１】
前記第１の圧縮方式はＭＭＲ圧縮であり、前記第２の圧縮方式はＦｌａｔｅ圧縮である、請求項１０に記載の画像処理方法。
【請求項１２】
画像データから文字領域、図形領域および写真領域を分離して抽出する手順（１）と、
手順（１）で抽出された各領域データに圧縮処理を施す手順（２）と、
手順（２）で圧縮処理された各領域データを合成する手順（３）とを画像処理装置に実行させる画像処理プログラムであって、
手順（１）で抽出された所定領域データの画像サイズを算出する手順（４）をさらに画像処理装置に実行させるものであり、
手順（２）は、前記画像サイズ算出手段により算出された前記所定領域データの画像サイズがしきい値以上の場合第１の圧縮方式により前記所定領域データに圧縮処理を施し、前記画像サイズ算出手段により算出された前記所定領域データの画像サイズが前記しきい値未満の場合第２の圧縮方式により前記所定領域データに圧縮処理を施すことを特徴とする、
画像処理プログラム。
【請求項１３】
前記第１の圧縮方式は、圧縮処理前の画像サイズが前記しきい値未満の前記所定領域データに適用した場合圧縮処理後の画像サイズが圧縮処理前の画像サイズより大きくなるものであり、
前記第２の圧縮方式は、圧縮処理前の画像サイズが前記しきい値未満の前記所定領域データに適用した場合でも圧縮処理後の画像サイズが圧縮処理前より大きくならないものである、
請求項１２に記載の画像処理プログラム。
【請求項１４】
前記第１の圧縮方式は、前記所定領域データに対するデフォルトの圧縮方式である、請求項１２または１３に記載の画像処理プログラム。
【請求項１５】
前記所定領域データは文字領域データである、請求項１１〜１３のいずれか１つに記載の画像処理プログラム。
【請求項１６】
前記第１の圧縮方式はＭＭＲ圧縮であり、前記第２の圧縮方式はＦｌａｔｅ圧縮である、請求項１５に記載の画像処理プログラム。
【請求項１７】
請求項１２〜１６のいずれか１つに記載の画像処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月16日(2005.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極及び蛍光体を内面に有する前面基板と、電子源を有する背面基板と、
前記前面基板と前記背面基板の間で前記表示領域を周回して介挿され、所定の間隔を保持するための支持体と、
この支持体の端面と前記前面基板及び前記背面基板とをそれぞれ気密封着する封着部材とを有する表示装置であって、
前記封着部材は前記支持体からのはみ出し形状が表示領域側となる内側と大気側となる外側とで異なることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記封着部材は前記支持体から前記内側へのはみ出し寸法が前記外側へのはみ出し寸法と異なることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記封着部材は前記支持体から前記内側へのはみ出し寸法が前記外側へのはみ出し寸法より大であることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記封着部材は非晶質フリットガラスを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
前記支持体の前記表示領域側へ近接して分散ゲッターを備えたことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の表示装置。
【請求項６】
陽極及び蛍光体を内面に有する前面基板と、電子源を有する背面基板と、
前記前面基板と前記背面基板の間で前記表示領域を周回して介挿され、所定の間隔を保持するための支持体と、
この支持体の端面と前記両基板とをそれぞれ気密封着する封着部材とを有する表示装置の製造方法であって、
前記封着部材の軟化開始に略連動して前記支持体と前記両基板とで囲まれた内部を排気する工程と、
前記封着部材が流動性を発現する温度迄昇温させる工程と、
前記軟化開始温度以上で、かつ前記流動性を発現しない温度迄降温した後更に本排気する工程とを備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項７】
陽極及び蛍光体を内面に有する前面基板と、電子源を有する背面基板と、
前記前面基板と前記背面基板の間で前記表示領域を周回して介挿され、所定の間隔を保持するための支持体と、
この支持体の端面と前記両基板とをそれぞれ気密封着する封着部材とを有する表示装置の製造方法であって、
前記封着部材の軟化開始に略連動して前記支持体と前記両基板とで囲まれた内部を排気する工程と、
前記封着部材が流動性を発現する温度迄昇温させる工程と、
前記軟化開始温度以上で、かつ前記流動性を発現しない温度迄降温した後更に本排気する工程と、前記軟化開始温度以下で、かつ前記本排気中に行う不活性ガスによるフラッシング工程とを備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記フラッシング工程前にエージング工程を行うことを特徴とする請求項７に記載の表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月27日(2005.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に形成された半導体膜に、第１の０族元素を添加し、
第２の０族元素の雰囲気下において、前記第１の０族元素が添加された半導体膜に第１及び第２のレーザ光を照射し、
前記第１のレーザ光は高調波であり、
前記第２のレーザ光は基本波であり、
前記第１及び第２のレーザ光の照射の際に、前記第１の０族元素が添加された半導体膜に磁場を印加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に形成された半導体膜に、第１の０族元素を添加し、
第２の０族元素の雰囲気下において、前記第１の０族元素が添加された半導体膜に第１及び第２のレーザ光を照射し、
前記第１のレーザ光は高調波であり、
前記第２のレーザ光は基本波であり、
前記第１及び第２のレーザ光の照射の際に、前記第１の０族元素が添加された半導体膜に、前記半導体膜に対して垂直の方向に磁場を印加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
絶縁表面上に形成された半導体膜に、第１の０族元素を添加し、
第２の０族元素の雰囲気下において、前記第１の０族元素が添加された半導体膜に第１及び第２のレーザ光を照射し、
前記第１のレーザ光は高調波であり、
前記第２のレーザ光は基本波であり、
前記第１及び第２のレーザ光の照射の際に、前記第１の０族元素が添加された半導体膜に、前記半導体膜に対して平行の方向に磁場を印加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
絶縁表面上に形成された半導体膜に、第１の０族元素を添加し、
第２の０族元素の雰囲気下において、前記第１の０族元素が添加された半導体膜に第１及び第２のレーザ光を照射し、
前記第１のレーザ光は高調波であり、
前記第２のレーザ光は基本波であり、
前記第１及び第２のレーザ光の照射の際に、前記第１の０族元素が添加された半導体膜に、前記第１のレーザ光の走査方向と平行となる方向に磁場を印加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面上に形成された半導体膜に、第１の０族元素を添加し、
第２の０族元素の雰囲気下において、前記第１の０族元素が添加された半導体膜に第１及び第２のレーザ光を照射し、
前記第１のレーザ光は高調波であり、
前記第２のレーザ光は基本波であり、
前記第１及び第２のレーザ光の照射の際に、前記第１の０族元素が添加された半導体膜に、前記半導体膜に対して平行であり、なおかつ前記第１のレーザ光の走査方向と垂直となる方向に磁場を印加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記第１及び第２のレーザ光は、連続発振のレーザ光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記第１のレーザ光は、第２高調波であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項において、
前記第１のレーザ光のビームスポットは、前記第２のレーザ光のビームスポットに完全に重なっていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
前記第１の０族元素と前記第２の０族元素は、同じ元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項において、
前記第１の０族元素と前記第２の０族元素は、異なる元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項において、
前記第１の０族元素は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、ＫｒまたはＸｅであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項において、
前記第２の０族元素は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、ＫｒまたはＸｅであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項において、
前記半導体膜に添加された前記第１の０族元素の濃度は、５×１０１８〜１×１０２１  ａｔｏｍｓ／ｃｍ３であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか１項において、
前記磁場の磁束密度は、１０００Ｇ〜１００００Ｇであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか１項において、
前記第１の０族元素は、イオンドーピング法によって前記半導体膜に添加されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
第１のレーザ発振器及び第２のレーザ発振器と、
前記第１のレーザ発振器から発振された第１のレーザ光を集光する第１の光学系と、
前記第２のレーザ発振器から発振された第２のレーザ光を集光する第２の光学系と、
前記第１のレーザ光及び第２のレーザ光を透過する窓を備えたチャンバーと、
前記チャンバー内にガスを供給する手段と、
前記チャンバー内の排気を行なう手段と、
被処理物を載置するステージと、
前記被処理物に磁場を印加する手段と、
を有し、
前記第１のレーザ光は高調波であり、前記第２のレーザ光は基本波であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記第１のレーザ発振器及び第２のレーザ発振器は、連続発振であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１８】
請求項１６または請求項１７において、
前記第１のレーザ光は、第２高調波であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１９】
請求項１６乃至請求項１８のいずれか１項において、
前記ガスは、０族元素のガスであることを特徴とするレーザ照射装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月29日(2005.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ光を用いてレチクルのパターンを縮小投影する投影光学系において、
凹面形状の第１ミラー、凹面形状の第２ミラー、凸面形状の第３ミラー、凹面形状の第４ミラー、凸面形状の第５ミラー、凹面形状の第６ミラーの順に光を反射するように配置された６枚のミラーを有しており、
前記６枚のミラーのそれぞれの曲率半径の絶対値が１５００ｍｍ以下であることを特徴とする投影光学系。
【請求項２】
前記投影光学系は、前記レチクルのパターンの中間像を前記第４ミラーと前記第５ミラーとの間に形成することを特徴とする請求項１記載の投影光学系。
【請求項３】
ＥＵＶ光を用いてレチクルのパターンを縮小投影する投影光学系において、
凹面形状の第１ミラー、第２ミラー、凸面形状の第３ミラー、凹面形状の第４ミラー、凸面形状の第５ミラー、凹面形状の第６ミラーの順に光を反射するように配置された６枚のミラーを有しており、
前記６枚のミラーのそれぞれの曲率半径の絶対値が１５００ｍｍ以下であって、
前記投影光学系は、前記レチクルのパターンの中間像を前記第４ミラーと前記第５ミラーとの間に形成することを特徴とする投影光学系。
【請求項４】
レチクル上に形成されたパターンを被投影面上に縮小投影する投影光学系は、前記パターン側から順に、凹形状の反射面を持つ第１ミラー、反射面を持つ第２ミラー、凸形状の反射面を持つ第３ミラー、凹形状の反射面を持つ第４ミラー、凸形状の反射面を持つ第５ミラー、凹形状の反射面を持つ第６ミラーを有しており、
前記第４ミラーの曲率半径の絶対値は４００ｍｍ以上８００ｍｍ以下であることを特徴とする投影光学系。
【請求項５】
レチクル上に形成されたパターンを被投影面上に縮小投影する投影光学系は、前記パターン側から順に、凹形状の反射面を持つ第１ミラー、反射面を持つ第２ミラー、凸形状の反射面を持つ第３ミラー、凹形状の反射面を持つ第４ミラー、凸形状の反射面を持つ第５ミラー、凹形状の反射面を持つ第６ミラーを有しており、
前記第６ミラーの反射面の曲率半径の絶対値は４００ｍｍ以上６００ｍｍ以下であることを特徴とする投影光学系。
【請求項６】
前記第１ミラーの反射面の曲率半径、前記第２ミラーの反射面の曲率半径、前記第３ミラーの反射面の曲率半径、前記第４ミラーの反射面の曲率半径、前記第５ミラーの反射面の曲率半径、前記第６ミラーの反射面の曲率半径の絶対値は、いずれも１５００ｍｍ以下であることを特徴とする請求項４又は５記載の投影光学系。
【請求項７】
レチクル上に形成されたパターンを被投影面上に縮小投影する投影光学系は、前記パターン側から順に、凹形状の反射面を持つ第１ミラー、反射面を持つ第２ミラー、凸形状の反射面を持つ第３ミラー、凹形状の反射面を持つ第４ミラー、凸形状の反射面を持つ第５ミラー、凹形状の反射面を持つ第６ミラーを有しており、
前記第４ミラーの曲率半径の絶対値は４００ｍｍ以上８００ｍｍ以下であり、
前記第６ミラーの反射面の曲率半径の絶対値は４００ｍｍ以上６００ｍｍ以下であり、
前記第１ミラーの反射面の曲率半径、前記第２ミラーの反射面の曲率半径、前記第３ミラーの反射面の曲率半径、前記第４ミラーの反射面の曲率半径、前記第５ミラーの反射面の曲率半径、前記第６ミラーの反射面の曲率半径の絶対値は、いずれも１５００ｍｍ以下であることを特徴とする投影光学系。
【請求項８】
前記レチクルを前記ＥＵＶ光により照明する照明光学系と、
前記レチクルからの光を前記被投影面に導く、請求項１乃至７いずれかに記載の投影光学系と有することを特徴とする露光装置。
【請求項９】
請求項８に記載の露光装置によりデバイスパターンでウエハを露光する段階と、該露光したウエハを現像する段階とを含むデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月18日(2005.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
高分子ポリオールの数平均分子量は４００〜２０００の範囲内にあることが好ましく、５００〜１５００の範囲内にあることがより好ましい。この範囲内の数平均分子量を有する高分子ジオールを使用することにより、高硬度の熱可塑性ポリウレタンを良好に製造することができる。高分子ポリオールの数平均分子量が２０００を越える場合、押出成形、または射出成形でシートを成形する際に、成形機中で増粘現象を起こして不溶融物が発生し、成形運転を中断し内部洗浄をしなければならないことがある。一方、高分子ポリオールの数平均分子量が４００未満の場合、得られる研磨材の耐磨耗性が劣る。なお、本明細書でいう高分子ポリオールの数平均分子量は、いずれもＪＩＳ  Ｋ１５５７に準拠して測定した水酸基価に基づいて算出した数平均分子量を意味する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
本発明において使用されるポリアミドを構成するジカルボン酸単位（ａ）は、テレフタル酸単位を５０〜１００モル％含有する。ジカルボン酸単位（ａ）におけるテレフタル酸単位の含有量は、７５〜１００モル％の範囲内であることが好ましく、９０〜１００モル％の範囲内であることがより好ましい。テレフタル酸単位の含有量が５０モル％未満の場合には、得られる研磨材の耐熱性、耐水性、耐薬品性などが低下する。
上記のジカルボン酸単位（ａ）は、５０モル％以下であれば、テレフタル酸単位以外の他のジカルボン酸単位を含んでいてもよい。該他のジカルボン酸単位としては、マロン酸、ジメチルマロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、２−メチルアジピン酸、トリメチルアジピン酸、ピメリン酸、２，２−ジメチルグルタル酸、２，２−ジエチルコハク酸、アゼライン酸、セバシン酸、スベリン酸等の脂肪族ジカルボン酸；１，３−シクロペンタンジカルボン酸、１，４−シクロヘキサンジカルボン酸等の脂環式ジカルボン酸；イソフタル酸、２，６−ナフタレンジカルボン酸、２，７−ナフタレンジカルボン酸、１，４−ナフタレンジカルボン酸、１，４−フェニレンジオキシジ酢酸、１，３−フェニレンジオキシジ酢酸、ジフェン酸、４，４’−オキシジ安息香酸、ジフェニルメタン−４，４’−ジカルボン酸、ジフェニルスルホン−４，４’−ジカルボン酸、４，４’−ビフェニルジカルボン酸等の芳香族ジカルボン酸から誘導される単位を挙げることができ、これらのうち１種または２種以上を使用することができる。これらのなかでも芳香族ジカルボン酸から誘導される単位を使用することが好ましい。これらの他のジカルボン酸単位の含有量は、２５モル％以下であることが好ましく、１０モル％以下であることがより好ましい。さらに、トリメリット酸、トリメシン酸、ピロメリット酸などの多価カルボン酸から誘導される単位を、溶融成形が可能な範囲内で含んでいてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
スタンパーに形成される凹凸パターンは、シートに形成される凹部に対応したものとする必要がある。すなわち、スタンパーには、シートに形成される凹部の形状、高さ、密度に対応した凸部が形成されていることが必要である。
また、スタンパーの材質としては、特に制限はないが、ニッケル、アルミニウムなどの金属であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月26日(2004.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
使用済み二次電池を買い取り、充電された使用済み二次電池を販売するトレードインバッテリーシステムにおいて、買取ステップ、保管前劣化度検査ステップ、充電ステップ、保管ステップ、包装ステップおよび販売ステップを含むことを特徴とするトレードインバッテリーシステム。
【請求項２】
さらに電池外観検査ステップ又は／及び保管劣化度検査ステップを含むことを特徴とする請求項１記載のトレードインバッテリーシステム。
【請求項３】
買取ステップ、その後に保管前劣化度検査ステップ、その後に充電ステップ、その後に保管ステップ、その後に電池性能検査ステップ、その後に包装ステップ及びその後に販売ステップを行うか、又は買取ステップ、その後に保管前劣化度検査ステップ、その後に保管ステップ、その後に保管劣化度検査ステップ、その後に充電ステップ、その後に包装ステップ及びその後に販売ステップを行うことを特徴とする請求項２記載のトレードインバッテリーシステム。
【請求項４】
電池に、電池個体を表わす識別コードを表示するとともに包装に充電済み電池を表す識別コードを表示することを特徴とする請求項１に記載のトレードインバッテリーシステム。
【請求項５】
保管前劣化度検査ステップが、充放電回数調査を含んでいることを特徴とする請求項１に記載のトレードインバッテリーシステム。
【請求項６】
保管前劣化度検査ステップ後にメモリー効果調査を行い、さらにメモリー効果を生じている電池にはリフレッシュ放電を行うことを特徴とする請求項１に記載のトレードインバッテリーシステム。
【請求項７】
保管前劣化度検査ステップで不合格と判定された電池に不良を識別できるマーキングを施すことを特徴とする請求項１に記載のトレードインバッテリーシステム。
【請求項８】
保管ステップが、温度管理されている環境で充電された二次電池を保存することによって行われることを特徴とする請求項１に記載のトレードインバッテリーシステム。
【請求項９】
包装ステップが、充電済み二次電池外部表面に密着するフィルム包装によって行われ、所望により更に充電済み二次電池外部表面に密着しない商品包装によって行われることを特徴とする請求項１記載のトレードインバッテリーシステム。
【請求項１０】
フィルム包装が、熱収縮性高分子フィルムで二次電池の正極端子と負極端子とを同時にタスキ状に被覆することを特徴とする請求項９記載のトレードインバッテリーシステム。
【請求項１１】
熱収縮性高分子フィルムが幅方向にミシン目のあるフィルムであることを特徴とする請求項１０記載のトレードインバッテリーシステム。
【請求項１２】
熱収縮性高分子フィルムに少なくとも電池個体と充電状態を表わす識別コードを表示することを特徴とする請求項１０に記載のトレードインバッテリーシステム。
【請求項１３】
フィルム包装又は／及び商品包装に、トレードインバッテリー用二次電池であると判断できる表示、充電日日付表示、保管終了日日付表示及びトレードインバッテリー用二次電池の取扱店を判断できる表示の１以上を施すことを特徴とする請求項９記載のトレードインバッテリーシステム。
【請求項１４】
熱収縮性高分子フィルムで充電済み二次電池の正極端子と負極端子とを同時にタスキ状に被覆することを特徴とする二次電池のフィルム包装方法。
【請求項１５】
熱収縮性高分子フィルムが幅方向にミシン目のあるタスキ状のフィルムであることを特徴とする請求項１４記載の二次電池のフィルム包装方法。
【請求項１６】
使用済みの二次電池を投入口から投入すると、買取ステップ、保管前劣化度検査ステップ、充電ステップ、保管ステップ、包装ステップおよび販売ステップを自動的に行い、受取り口に包装された充電済み二次電池を供給できることを特徴とするトレードインバッテリーシステム用装置。
【請求項１７】
さらに電池外観検査ステップ又は／及び保管劣化度検査ステップを自動的に行うことができることを特徴とする請求項１６記載のトレードインバッテリーシステム用装置。
【請求項１８】
請求項１７記載の装置の請求項１記載のトレードインバッテリーシステムへの使用。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
しかしながら、消費の２０世紀から、環境の２１世紀へ移行したといわれるように、資源を有効利用し、環境負荷をできるだけ小さくする意識をもつユーザーも増え始めている。そこで、電池メーカーとしては、一次電池の利便性と環境負荷の小さい再利用特性とを兼ね備えた二次電池の使用を推進する方策を考えることが不可欠といえる。上記二次電池の使用を推進する方策としては、例えば販売方法における工夫等が挙げられ、既に一次電池と同様の販路を備えた二次電池のサービス（特許文献１）、又は環境負荷の小さい再利用特性を備えた二次電池の使用を推進する販売装置及び販売方法（特許文献２）等が検討されているが、一次電池の利便性、使用済み二次電池と充電済み二次電池との判別、使用済み二次電池又は充電済み二次電池の品質検査・管理など実用面での課題が多い。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月24日(2004.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
本発明において、一般式(I-1)、(I-2)で表される化合物をハロゲン化銀写真感光材料に添加する方法としては、写真感光材料に添加剤を加える場合に通常用いられる方法を適用する。例えば水溶性の化合物は適当な濃度の水溶液とし、水に不溶または難溶性の化合物は水と混和しうる適当な有機溶媒、例えば、アルコール類、グリコール類、ケトン類、エステル類、アミド類のうちで写真性に悪い影響を与えない溶媒に溶解し、溶液として添加することが出来る。また、前述した様に、一般式(I-1)、(I-2) で表される化合物は上記の文献に記載の方法で合成単離したものを用いてもよいし、単離せずにパラジウム化合物と配位子の混合溶液の形でハロゲン化銀写真感光材料に添加してもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６６】
【化１９】
2000231175.tif 000001