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【手続補正書】
【提出日】平成16年2月13日(2004.2.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
完全隠蔽において測定した１０／９０チント反射スペクトルが、４６０ｎｍ±１０ｎｍに極大を有する４００ｎｍから７００ｎｍまでの広幅ピーク、波長の増加につれて負が減少する４８０ｎｍから７００ｎｍまでの負勾配および４６０ｎｍにおける反射率の少なくとも２５パーセントである７００ｎｍにおける反射率を示すことを特徴とする銅フタロシアニン顔料。
【請求項２】
全隠蔽において測定した上色反射スペクトルが、４６０ｎｍ±１０ｎｍに極大を有する４００ｎｍから５２０ｎｍまでの第１のピーク、６３０ｎｍ±１０ｎｍに極大を有する５４０ｎｍから６８０ｎｍまでの第２のピークおよび６８０乃至７００ｎｍの正勾配の特徴を示す請求項１に記載の銅フタロシアニン顔料。
【請求項３】
ベースコート／クリヤコート塗料系によって完全被覆まで塗られたパネルを使用して反射スペクトルを測定した場合において、上色反射スペクトルは４６０ｎｍ±１０ｎｍにおいて６パーセント以上の極大反射率、４８０ｎｍにおいて５パーセント以上の反射率、６２０ｎｍにおいて４．６パーセント以上の反射率、７００ｎｍにおいて４．５パーセント以上の反射率を示しそして１０／９０チント反射スペクトルは４６０ｎｍ±１０ｎｍにおいて５２パーセント以上の極大反射率、５００ｎｍにおいて４５パーセント以上の反射率、６００ｎｍにおいて２２パーセント以上の反射率、７００ｎｍにおいて１７パーセント以上の反射率を示すことを特徴とする請求項１に記載の銅フタロシアニン顔料。
【請求項４】
ベースコート／クリヤコート塗料において二酸化チタンコーティング雲母またはアルミニウム効果顔料と組み合わせられた場合に、緑青色から赤青色までの変動を示す請求項１乃至３のいずれか１項に記載の銅フタロシアニン顔料。
【請求項５】
高分子有機材料と有効着色量の請求項１乃至４のいずれか１項に記載の銅フタロシアニン顔料とを含有する組成物。
【請求項６】
高分子有機材料に有効着色量の請求項１乃至４のいずれか１項に記載の銅フタロシアニン顔料を配合することを特徴とする高分子有機材料の着色方法。
【請求項７】
コンディショニングされた顔料の製造方法において、アゾ，アゾメチン、メチン、アントラキノン、フタロシアニン、ペリノン、ペリレン、ジケトピロロピロール、チオインジゴ、イミノイソインドリン、イミノイソインドリノン、フラバントロン、インダントロン、アントラピリミジン、及びキノフタロン顔料からなる群より選択された粗製有機顔料または再結晶大粒子サイズ有機顔料を空気噴射微粉砕の工程にかけることを特徴とする方法。
【請求項８】
コンディショニングされた顔料の粒子の少なくとも９５パーセントが０．１乃至９ミクロンの範囲の粒子サイズを有しそして該粒子の少なくとも５０パーセントは０．５乃至３．５ミクロンの範囲の粒子サイズを有している請求項７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月2日(2005.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）：
【化１】
1998259313.tif 000001
（式中、
Ｒ1及びＲ2は、互いに独立して、水素、スルホ、Ｃ1−Ｃ4アルキル、Ｃ1−Ｃ4アルコキシ又はハロゲンであり、
Ｘは、フルオロ又はクロロであり、そして
Ｙは、−ＣＨＴ−ＣＨ2Ｔ基又は−ＣＴ＝ＣＨ2基であり、Ｔは、ブロモ又はクロロである）で示される反応性染料。
【請求項２】
式（１ａ）：
【化２】
1998259313.tif 000002
（式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｘ及びＹは、請求項１と同義である）で示される、請求項１記載の反応性染料。
【請求項３】
式（２）：
【化３】
1998259313.tif 000003
（式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｘ及びＹは、請求項１と同義である）で示される、請求項１記載の反応性染料。
【請求項４】
Ｒ1及びＲ2が、水素である、請求項１〜３のいずれか１項記載の反応性染料。
【請求項５】
Ｘが、クロロである、請求項１〜４のいずれか１項記載の反応性染料。
【請求項６】
Ｙが、−ＣＨＴ−ＣＨ2Ｔ基である、請求項１〜５のいずれか１項記載の反応性染料。
【請求項７】
Ｔが、ブロモである、請求項１〜６のいずれか１項記載の反応性染料。
【請求項８】
Ｙが、−ＣＨＴ−ＣＨ2Ｔ基であり、そしてＴが、ブロモである、請求項１〜７のいずれか１項記載の反応性染料。
【請求項９】
Ｒ1及びＲ2が、水素であり、Ｘが、クロロであり、Ｙが、−ＣＨＴ−ＣＨ2Ｔ基であり、そしてＴが、ブロモである、請求項１〜３のいずれか１項記載の反応性染料。
【請求項１０】
請求項１記載の反応性染料を製造する方法であって、
式（３）：
【化４】
1998259313.tif 000004
で示される化合物を、シアヌル酸クロリド又はシアヌル酸フルオリド及び式（４）：
【化５】
1998259313.tif 000005
（上記式中、
Ｒ1、Ｒ2、Ｘ及びＹは、請求項１と同義である）で示されるジアミンと、互いにいかなる順序においてもよく、反応させることを特徴とする方法。
【請求項１１】
ヒドロキシル基−含有又は窒素−含有繊維材料を、浸染又は捺染する方法であって、請求項１記載の式（１）の反応性染料の少なくとも１種を用いることを特徴とする方法。
【請求項１２】
式（１）：
【化６】
1998259313.tif 000006
（式中、
Ｒ1及びＲ2は、互いに独立して、水素、スルホ、Ｃ1−Ｃ4アルキル、Ｃ1−Ｃ4アルコキシ又はハロゲンであり、
Ｘは、フルオロ又はクロロであり、そして
Ｙは、−ＣＨＴ−ＣＨ2Ｔ基又は−ＣＴ＝ＣＨ2基であり、Ｔは、ブロモ又はクロロである）で示される反応性染料の少なくとも１種を５〜５０重量％含む濃水性配合物。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月4日(2004.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【背景技術】
従来、オレンジ色顔料としては、カドミウム系顔料が唯一知られているにすぎない。カドミウム系顔料は、硫化カドミウム（ＣｄＳ）を主成分として、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、セレン化カドミウム、硫化水銀（ＨｇＳ）を適当な割合で固溶体を形成させたものからなる顔料である。このカドミウム系顔料は鮮明性が高く、代替する顔料がほとんどないといわれる程顔料として優れた着色剤である（綱島ら、「最新顔料応用技術」２４頁、株式会社  シーエムシー発行）とされ、広く使用されてきた。しかし、カドミウム系顔料は、カドミウム公害が社会問題になってからその使用が忌避され、最近ではほとんど使用されなくなってきている。
一方、薄片状基質に酸化鉄もしくは酸化鉄を含む金属酸化物が被覆された顔料としては、次のような顔料が市販あるいは提案されているが、オレンジ色パール顔料は未だ開発されていない。
本発明者は、先に雲母表面上に酸化鉄及び／又はその水和物を被覆した透明性の着色顔料を開示した（特公平１−６０５１１号公報参照）。この顔料は、その粒子径がＳＥＭ観察によると、針状晶を呈しており、大きさが０．１〜０．２μと大きく、従って反射光の散乱が大きくなり、故に高透明性で隠蔽力の低いオレンジ色顔料である。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
また、板状酸化鉄粒子もしくは板状粒子に酸化鉄を被覆した板状酸化鉄粒子上にアルミニウム化合物層、あるいはこのアルミニウム化合物層に酸化鉄−アルミナ複合化合物を含有せしめた層を所定の光学的膜厚で被覆した橙色から青赤色までの赤色系顔料が提案されている（特開平６ー１００７９４号公報参照）。この顔料は、板状粒子に被覆された酸化鉄の吸収による反射色（補色）と、更にその上層に被覆した酸化アルミニウム層の膜厚を制御する二重被覆構造によって赤色系の干渉色を発色させるものである。その効果としては、干渉色と反射色が合わさることによって、酸化鉄単一成分からなる色彩（反射色）よりも遥かにシャープな色調で彩度の低下しない赤色系色彩が得られるとしている。更にこの顔料は、上層の酸化アルミニウム層を酸化鉄と酸化アルミニウムとの複合酸化物層とすることにより彩度を改善することができるとしている。しかしながら、これらの顔料の製造方法は、従来公知の一般的に採用されている方法、即ち被覆させる金属化合物の原料となる鉄塩及びアルミニウム塩を用いて、中和分解法、尿素法（均一沈殿反応法）や熱加水分解法によって行われるものであって、オレンジ色のパール顔料は得られていない。
このように、オレンジ色顔料としては、カドミウム系顔料が知られているのみであり、それに代る安全かつ高彩度のオレンジ色パール顔料の開発が求められている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月11日(2005.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
下記式Ｉ*１で表わされる１種または２種以上の化合物を含有することを特徴とする、請求項１に記載の媒体：
【化５】
1998259377.tif 000001
式中、Ｒ´はＨ、ＣＨ3、Ｃ2Ｈ5またはｎ−Ｃ３Ｈ7であり、そしてｓは１〜８である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月5日(2004.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヘクトライト０．２〜５重量％および水１０〜３０重量％を水溶性溶剤に配合して成るワイヤソー用水溶性切削液。
【請求項２】
水溶性溶剤がエチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール、グリセリン、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、ポリエチレングリコールおよびポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール共重合体から成る群から選択される１種または２種以上の溶剤である請求項１記載の切削液。
【請求項３】
水溶性増粘剤を０．１〜５重量％さらに含有する請求項１または２記載の切削液。
【請求項４】
水溶性増粘剤がポリビニルピロリドンである請求項３記載の切削液。
【請求項５】
シリカゲル、アルミナおよび酸化チタンから成る群から選択される無機酸化物粉末０．５〜３０重量％をグリコール系溶剤に配合して成るワイヤソー用水溶性切削液。
【請求項６】
グリコール系溶剤がエチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール、グリセリン、１，３−プロパンジオール、１，４−ブタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、ポリエチレングリコールおよびポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコール共重合体から成る群から選択される１種または２種以上の溶剤である請求項５記載の切削液。
【請求項７】
水溶性増粘剤を０．１〜５重量％さらに含有する請求項５または６記載の切削液。
【請求項８】
水溶性増粘剤がポリビニルピロリドンである請求項７記載の切削液。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
一方、この種のハロゲン系溶剤の使用は、作業衛生や環境保全等の見地から実質的に禁止されるようになっているために、水溶性の切削液の開発が要請され、既に種々の水溶性切削液が提案されている。
このような水溶性切削液としては、（ｉ）アルカリ水溶液または酸水溶液を含有する切削液（特開平２−２６２９５５号公報および特開平３−２３９５０７号公報参照）、（ii）グリコール、水溶液増粘剤（メチルセルロースおよびポリアクリル酸等）および水を含有する切削液（特開平４−２１６８９７号公報および特開平４−２１８５９４号公報参照）、（iii）脂肪酸イミダゾール水溶液を含有する切削液（特開平８−５７８４８号公報参照）および（iv）有機または無機ベントナイトおよび水を含有する切削液（特開平８−５７８４７号公報参照）が例示される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
即ち本発明は、「ヘクトライト０．２〜５重量％および水１０〜３０重量％を水溶性溶剤に配合して成るワイヤソー用水溶性切削液」並びに「シリカゲル、アルミナおよび酸化チタンから成る群から選択される無機酸化物微粉末０．５〜３０重量％をグリコール系溶剤に配合して成るワイヤソー用水溶性切削液」に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の第二の観点によれば、シリカゲル、アルミナおよび酸化チタンから成る群から選択される無機酸化物微粉末０．５〜３０重量％をグリコール系溶剤に配合して成るワイヤソー用水溶性切削液が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
無機酸化物微粒子を分散させるグリコール系水溶性溶剤としては、前述のエチレングリコール等のグリコール系溶剤を適宜使用すればよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
ワイヤソーへの炭化ケイ素砥粒の付着性
上記分散液中にワイヤソーを１分間浸漬した後、引きあげ、ワイヤソーへの砥粒の付着性を目視によって評価する。
上記の評価結果を以下の表２に示す。なお、切削液の粘度および分散安定性も表２に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月18日(2004.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パストリア（Ｐａｓｔｅｕｒｉａ）属細菌を内包する綿虫に寄生された植物の根を（ａ）水を加えて粉砕し、数百ミクロン以下の網、もしくは遠心分離器を用いて大部分の夾雑する植物根の粉砕物、土壌を除き、パストリア属細菌を含む懸濁液を得る、または（ｂ）乾燥後、粉砕器を用いて紛化し、水を加えて懸濁した後、数百ミクロン以下の網、もしくは遠心分離器を用いて大部分の夾雑する植物根の粉砕物、土壌を除き、パストリア属細菌を含む懸濁液を得る、このようにして得られたパストリア属細菌を含む懸濁液を遠心分離器で濃縮し、無機質、有機質分散剤の１種以上を添加混合して、８０℃以下で乾燥させた後、解砕したことを特徴とする、再分散性と保存安定性に優れた線虫寄生細菌の水懸濁用乾燥製剤。
【請求項２】
前記した無機質分散剤として、水溶性塩類、珪酸を除く鉱物粉末、または水溶性塩類と珪酸を除く鉱物粉末の双方を使用した請求項１記載の再分散性と保存安定性に優れた線虫寄生細菌の水懸濁用乾燥製剤。
【請求項３】
前記した鉱物粉末として、タルクおよび／またはベントナイト系鉱物を使用した請求項２記載の再分散性と保存安定性に優れた線虫寄生細菌の水懸濁用乾燥製剤。
【請求項４】
前記した有機質分散剤として、界面活性剤、糖類、糖誘導体、ポリアクリル酸塩、ポリアクリルアミドの一種以上を使用した請求項１記載の再分散性と保存安定性に優れた線虫寄生細菌の水懸濁用乾燥製剤。
【請求項５】
界面活性剤として、陰イオン界面活性剤および／または非イオン界面活性剤を使用した請求項４記載の再分散性と保存安定性に優れた線虫寄生細菌の水懸濁用乾燥製剤。
【請求項６】
陰イオン界面活性剤として、リグニンスルホン酸および／またはポリカルボン酸塩を使用した請求項５記載の再分散性と保存安定性に優れた線虫寄生細菌の水懸濁用乾燥製剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は作物に被害をもたらす植物寄生綿虫に寄生して、作物の綿虫害を抑制するパストリア（Ｐａｓｔｅｕｒｉａ）属細菌の水懸濁用乾燥製剤技術に関する。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは水に容易に分散可能で、パストリア属細菌に影響を与えない乾燥製剤を得ようとして検討を重ねた結果本発明を完成した。即ち、本発明は、パストリア（Ｐａｓｔｅｕｒｉａ）属細菌を内包する綿虫に寄生された植物の根を粉砕してパストリア以外の大部分の夾雑物を除いたものに無機質、有機質分散剤の一種以上を添加混合して乾燥させたことを特徴とする再分散性と保存安定性に優れた線虫寄生細菌の水懸濁用乾燥製剤であり、さらには、無機質分散として、珪酸を除く鉱物粉末および／または水溶性塩類を使用した乾燥させた水懸濁用製剤であり、無機質分散剤としての鉱物粉末として、タルクおよび／またはベントナイト系鉱物を使用した乾燥させた再分散性と保存安定性に優れた線虫寄生細菌の水懸濁用乾燥製剤であり、又さらに、有機質分散剤として、界面活性剤、糖類、糖誘導体、ポリアクリル酸塩、ポリアクリルアミドの一種以上を使用した再分散性と保存安定性に優れた線虫寄生細菌の水懸濁用乾燥製剤であり、界面活性剤として、陰イオン界面活性剤および／または非イオン界面活性剤を使用した再分散性と保存安定性に優れた線虫寄生細菌の水懸濁用乾燥製剤であり、陰イオン界面活性剤として、リグニンスルホン酸および／またはポリカルボン酸塩を使用した再分散性と保存安定性に優れた線虫寄生細菌の水懸濁用乾燥製剤である。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、パストリア属細菌を含む植物の根に水を加えて粉砕し、数百ミクロン以下の網、もしくは、遠心分離器を用いて大部分の夾雑する植物根の粉砕物、土壌を除き、パストリア属細菌を含む懸濁液を得る。または、パストリア属細菌を含む根を乾燥後、粉砕器を用いて粉化し、水を加えて懸濁した後、数百ミクロン以下の網、もしくは、遠心分離器を用いて大部分の夾雑する根の粉砕物、土壌を除き、パストリア属細菌を含む懸濁液を得る。このようにして得たパストリア属細菌の懸濁液を遠心分離器で濃縮し、パストリア属細菌密度の調整、分散を促すため、界面活性剤、水溶性塩類、糖類、糖誘導体、ポリアクリル酸塩、ポリアクリルアミド等の水溶性有機物、珪酸を除く鉱物粉末の内から１種以上を添加混合して乾燥させ、解砕したものである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
分散剤としての水溶性塩酸としては、硫酸、硝酸、塩酸、リン酸など強酸のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、アンモニウム塩や炭酸、低級有機カルボン酸のアルカリ金属塩、アンモニウム塩等の強電解質塩が優れている。糖類は、単糖類、二糖類、デキストリン、デンプン、セルロースおよび糖誘導体、たとえば、カルボキシメチルセルロースなどが適している。水溶性の有機物としてはポリアクリル酸塩、ポリアクリルアミド等があげられる。鉱物粉末としては、たとえば、パーライト、ベントナイト、酸性白土、カオリンクレー、珪藻土、焼成珪藻土、タルク、ゼオライト、炭酸カルシウム、硫酸カルシウムなどを使用できる。これらのうちベントナイト、タルクはパストリア属細菌の分散が特に優れている。一方、珪酸の粉末はパストリア属細菌の再分散を強く阻害するので不適である。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【表２】
1998259106.tif 000001
調製した乾燥粉末１００ｍｇを１００ｍｌ容の三角フラスコにとり水５０ｍｌを加えて３０回撹拌した。光学顕微鏡と細菌計数板を用いてパストリア  ペネトランスの数を定量し、原液から推定される密度に比較しての再分散率を算出した。結晶水を有するもの、水など揮発性溶剤を含む界面活性剤は補正して算出した。定量は３回行い、その平均値を［表３］に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月28日(2005.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１００℃以下の温度で３価金属カチオンの触媒量及び第３アミンの存在下で、水溶液中のグリオキシル酸と不活性雰囲気中のフェノールの凝縮によってオルトヒドロキシマンデル酸ナトリウムを連続的に製造する方法において、その方法が連続して設置された少なくとも二つの反応器（Ｒ１，−−−−−，Ｒｎ）において連続的に実施され、第１のものがグリオキシル酸及び３価金属カチオンを含有する第１タンク（Ｃ１）によって及びフェノール及び第３アミンを含有する第２タンク（Ｃ２）によって供給されること、水性相及び有機相からなり少なくとも二つの反応器の最後の出口で得られた反応媒体が連続して設置された二つのミキサ−デカンター（ＭＤ１及びＭＤ２）の第１のものの中に移動されること、第１のミキサ−デカンター（ＭＤ１）の水性相がそれから期待されるオルトヒドロキシマンデル酸ナトリウムを抽出するために回収され、一方ＭＤ１から生じた有機相が第２のミキサ−デカンター（ＭＤ２）の中に移動され水で洗浄されること、及び第２のミキサ−デカンター（ＭＤ２）の有機相が第２タンク（Ｃ２）に移動されることを特徴とするオルトヒドロキシマンデル酸ナトリウムの連続的製造方法。
【請求項２】
第２のミキサ−デカンター（ＭＤ２）から生じた有機相がフェノールの水溶液と混合され、水性相の全て又は一部を除去するために濃縮され、次いで第２タンク（Ｃ２）に送られることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
第１のミキサ−デカンター（ＭＤ１）から生じる水性相が抽出カラム（Ｓ）中に送られ、そこでそれは第３アミン及びフェノールを溶解するエーテルと混合され、これから生じる有機相が第２ミキサ−デカンター（ＭＤ２
）から生じたものと同時に第２タンク（Ｃ２）に送られ、一方期待されるオルトヒドロキシマンデル酸ナトリウムを含有する水性相が回収されることを特徴とする請求項２記載の方法。
【請求項４】
出発試薬のモル割合が１〜１５ｍｏｌのフェノール、０．８〜１．２ｍｏｌの第３アミン、及び０．００１〜０．１ｍｏｌの３価金属カチオンに対して１ｍｏｌのグリオキシル酸であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
第３アミンがトリブチルアミンであり、３価金属カチオンがアルミニウムであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか記載の方法。
【請求項６】
各反応器中の反応媒体の滞留時間がそれぞれ３０〜１２０分である請求項１〜５のいずれか記載の方法。
【請求項７】
各反応器中の反応媒体の滞留時間が約４５分であることを特徴とする請求項６記載の方法。
【請求項８】
三つの反応器（Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３）が連続して使用されること、第１反応器（Ｒ１）が３０〜８０℃の温度で保持され、第２反応器（Ｒ２）が７０〜９０℃の温度で保持され、第３反応器（Ｒ３）が７０〜９０℃の温度で保持されることを特徴とする請求項１〜７のいずれか記載の方法。
【請求項９】
方法が第１反応器について７５±５℃に、第２及び第３反応器について８５±５℃に保持された三つの反応器中で実施されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか記載の方法。
【請求項１０】
ソーダ又はカリウムの如きアルカリ水酸化物、及びフェノール及び第３アミンを溶解するエーテルが第１のミキサ−デカンター（ＭＤ１）に加えられることを特徴とする請求項１〜９のいずれか記載の方法。
【請求項１１】
アルカリ水酸化物がソーダであり、エーテルが第３アミルメチルエーテル（ＴＡＭＥ）であることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
抽出カラム（Ｓ）に残っている水性相が最終的に求めるオルトヒドロキシマンデル酸ナトリウム溶液であることを特徴とする請求項３記載の方法。
【請求項１３】
第１反応器が１ｍｏｌのグリオキシル酸に対して１〜１５ｍｏｌのフェノール、０．８〜１．２ｍｏｌの第３アミン、及び０．００１〜０．１ｍｏｌの３価金属カチオンを含有する水溶液で一定供給速度で連続的に供給されることを特徴とする請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月1日(2005.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）
【化１】
1998259154.tif 000001
のハロゲン化ヒドロキシジフェニル化合物の製造方法において、後記の反応図式に従って、ハロゲン化ベンゼン化合物をアシル化し（第１工程）、そのアシル化された化合物をハロゲン化フェノール化合物を使用してエーテル化し（第２工程）、そのエーテル化された化合物を酸化し（第３工程）、そして第４工程において、その酸化された化合物を加水分解することを特徴とする方法
【化２】
1998259154.tif 000002
（式中、
Ｒ１とＲ２とは互いに独立的にＦ、Ｃｌ  またはＢｒ  、
Ｒ３とＲ４とは互いに独立的に水素またはＣ１−Ｃ４  アルキル、
ｍは１乃至３、そして
ｎは１または２である）。
【請求項２】
アシル化反応（第１工程）において、式（５）の化合物が形成される請求項１記載の方法。
【請求項３】
アシル化反応（第１工程）が、ルイス酸の存在下において実施される請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
ハロゲン化アシル、好ましくは塩化アセチルが、アシル化反応のために使用される請求項１乃至３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
エーテル化反応（第２工程）において、式（７）の化合物が形成される請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
式（６）のハロゲン化フェノール化合物の遊離ＯＨ基のエーテル化が、強塩基好ましくはＮａＯＨまたはＫＯＨを使用して、アルカリ性媒質中において実施される請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
酸化（第２工程）において、式（８）の化合物が形成される請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
ｍ−クロロペル安息香酸の存在下において、酸化が実施される請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
ホウ酸ナトリウムとトリフルオロ酢酸との混合物の存在下において、酸化が実施される請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
下記式の化合物を製造する請求項１乃至９のいずれか１項に記載の方法
【化３】
1998259154.tif 000003
（式中、
Ｒ１とＲ２とはＣｌであり、
ｍは２であり、そして、
ｎは１である）。
【請求項１１】
下記式の化合物を製造することに関する請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法。
【化４】
1998259154.tif 000004
【請求項１２】
下記式の化合物を製造することに関する請求項１乃至９のいずれか１項に記載の方法。
【化５】
1998259154.tif 000005
【請求項１３】
下記式の化合物
【化６】
1998259154.tif 000006
（式中、
Ｒ１’、Ｒ２’およびＲ３’は互いに独立的にＦ，ＣｌまたはＢｒであり、そして
Ｒ４’とＲ５’とは互いに独立的に水素またはＣ１−Ｃ５アルキルである）。
【請求項１４】
請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の方法によって製造された化合物の、微生物の攻撃から有機材料を保護するための消毒剤としての使用。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月4日(2005.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無水マレイン酸、無水シトラコン酸、無水イタコン酸、１，２，３，６−テトラヒドロフタル酸無水物、５−ノルボルネン−２，３−ジカルボン酸無水物、ビシクロ［２．２．２］−５−オクテン−２，３−ジカルボン酸無水物、３−メチル−１，２，６−テトラヒドロフタル酸無水物、および２−メチル−１，３，６−テトラヒドロフタル酸無水物の１以上から選択されるモノマーを、
（ａ）芳香族炭化水素、
（ｂ）モノマー重量の３から３０重量％のジアルキルパーオキサイド、および
（ｃ）モノマー重量の０．０１から３重量％のアミン化合物の存在下に、
酸無水物モノマーの９０重量％よりも多い量がポリマーに転化するまで重合することを含む、酸無水物ポリマーの製造方法。
【請求項２】
重合が８０℃から１８０℃の温度で行われる、請求項１記載の方法。
【請求項３】
モノマーが、モノマーの総重量の少なくとも９０重量％の無水マレイン酸を含む、請求項１記載の方法。
【請求項４】
芳香族炭化水素が、トルエン、（Ｃ８）芳香族炭化水素、（Ｃ９）芳香族炭化水素、および（Ｃ１０）芳香族炭化水素の１以上から選択される、請求項１記載の方法。
【請求項５】
（Ｃ８）芳香族炭化水素が、エチルベンゼン、オルト−キシレン、メタ−キシレン、およびパラ−キシレンの１以上から選択される、請求項４記載の方法。
【請求項６】
アミン化合物が、アンモニア、（Ｃ１−Ｃ２２）脂肪族アミン、および（Ｃ６−Ｃ２０）芳香族アミンの１以上から選択される、請求項１記載の方法。
【請求項７】
アミン化合物が、ジブチルアミン、エチルヘキシルアミン、メチルジブチル−アミン、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、ｎ−オクチルアミン、１，１，３，３−テトラメチルブチルアミン、およびジメチルアニリンの１以上から選択される、請求項１記載の方法。
【請求項８】
ジアルキルパーオキサイドがモノマー重量の１０から２０重量％の量で使用される、請求項１記載の方法。
【請求項９】
アミン化合物がモノマー重量の０．１から１重量％の量で使用される、請求項１記載の方法。
【請求項１０】
酸無水物ポリマーが２０００未満の重量平均分子量を有する、請求項１記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月4日(2004.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
局部発振器１０１は、予め定められた周波数ｆC を有する局部発振信号ＳLOを生成して、９０度分配器１０２に出力する。ここで、後述の実施形態での便宜のため、局部発振信号ＳLOの発振周波数ｆC をｆC1とする。９０度分配器１０２は、入力局部発振信号ＳLOから、基準位相信号ＳREF および直交信号ＳQRを生成する。ここで、基準位相信号ＳREF および直交信号ＳQRは理想的には、９０度の位相差を有し、かつ互いに同じ振幅を有する。また、基準位相信号ＳREF は、入力局部発振信号ＳLOのものと同じ位相を有する場合には、同相信号と呼ばれる。以上の基準位相信号ＳREF は、ミキサ１０５に出力され、直交信号ＳQRは、ミキサ１０６に出力される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
ここで、９０度分配器１０２の３つの構成例について、図１３〜図１５を参照して説明する。図１３は、９０度分配器１０２の第１の構成例であるＲＣ移相器の回路構成を示す模式図である。図１３において、ＲＣ移相器は、入力端子２０１と、分配器２０２と、直列容量２０３と、並列抵抗２０４と、直列抵抗２０５と、並列容量２０６と、２個の出力端子２０７および２０８とを備えている。以上のような構成のＲＣ移相器において、入力端子２０１に、上述の局部発振信号ＳLOが与えられると、出力端子２０７および２０８からは、上述の基準位相信号ＳREF および直交信号ＳQRが出力される。以上のようなＲＣ移相器を応用した９０度分配器については、例えば、"RF Microelectronics"（Behzad Razavi著）の第１３８頁に記載されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
９０度分配器３は、９０度分配器１０２（図１３〜図１５参照）と同様の回路構成を有するが、後述するように、９０度分配器３を構成する回路素子（つまり、抵抗および／または容量）の値は、９０度分配器１０２の回路素子の値より大きい。以上の９０度分配器３は、入力端子１と結線され、入力局部発振信号ＳLOから、中間基準位相信号ＩＳREF および中間直交信号ＩＳQRを生成する。中間基準位相信号ＩＳREF および中間直交信号ＩＳQRはそれぞれ、上記発振周波数ｆC1／２と同じ周波数を有するが、中間直交信号ＩＳQRの位相は、中間基準位相信号ＩＳREF のものと直交する。以上の中間基準位相信号ＩＳREF はミキサ６に出力され、また、中間直交信号ＩＳQRはミキサ７に出力される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
他にも、局部発振器１０の発振周波数ｆC を従来よりも低く抑えることができるので、信号生成回路ＳＧ1 を低コストで製造できるという技術的効果も得ることができる。
また、本信号生成回路ＳＧ1 では、ミキサ６および７の前段に、局部発振信号ＳLOの振幅値を減衰させる９０度分配器３が配置されている。これによって、基準位相信号ＳREF および直交信号ＳQRの飽和レベルを、従来のものよりも向上させることが可能になる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、以上の実施形態では、好ましい例として、入力端子１および２の双方に局部発振器１０が結線されていた。これによって、発振周波数ｆC を２逓倍した周波数を有する基準位相信号ＳREF および直交信号ＳQRを、信号生成回路ＳＧ1 は生成していた。しかし、これに限らず、例えば、入力端子１および２に、互いに発振周波数の相違する第１および第２の局部発振器を結線することで、２逓倍以外にも対応することが可能となる。他にも、９０度分配器３への入力局部発振信号ＳLO、移相器４への入力局部発振信号ＳLO  中間基準位相信号ＩＳREF および中間直交信号ＩＳQRの両方、および移相信号ＳSFT のいずれかを周波数変換することでも２逓倍以外に対応できる信号生成回路ＳＧ1 を提供することが可能となる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
なお、以上の説明では、中間基準位相信号ＩＳREF を、Ａ・ｅｘｐ（ｊωｔ）と、中間直交信号ＩＳQRを、Ａ・ｅｘｐ（ｊωｔ＋π／２）とおいていた。つまり、中間基準位相信号ＩＳREF の位相は０度で、中間直交信号ＩＳQRの位相は９０度である。しかし、このような位相関係以外であっても、上述のような技術的効果は得られる。具体的には、ミキサ６に入力される２信号の位相差が実質的に４５度または１３５度で、ミキサ７への入力２信号の位相差も実質的に４５度または１３５度という条件さえ満たせば、９０度分配器３は、上述のような位相関係以外の中間基準位相信号ＩＳREF および中間直交信号ＩＳQRを生成しても良い。例えば、９０度分配器３が、入力局部発振信号ＳLOから、＋４５度の位相を有する中間基準位相信号ＩＳREF と、−４５度の中間直交信号ＩＳQRを生成する場合について説明する。この場合には、入力端子２からミキサ６および７までの至る経路長と、入力端子１からミキサ６および７までの経路長との差があれば、両ミキサ６および７の動作は非対称になるが、上述の信号生成回路ＳＧ1 によれば、移相器４により、上述の経路差に起因して生じる位相差を補償することが可能になる。その結果、ミキサ６からの出力基準位相信号ＳREF と、ミキサ７からの出力直交信号ＳQRとの振幅誤差を飛躍的に小さくすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
分配器６１は、９０度分配器３の出力中間基準位相信号ＩＳREF を２分岐して、一方を増幅器６３に出力し、他方を増幅器６４に出力する。増幅器６３は、入力中間基準位相信号ＩＳREF を増幅して、ミキサ６に出力する。増幅器６４は、入力中間基準位相信号ＩＳREF を増幅して、合成器６７に出力する。
分配器６２は、９０度分配器３の出力中間直交信号ＩＳQRを２分岐して、一方を増幅器６５に出力し、他方を増幅器６６に出力する。増幅器６５は、入力中間直交信号ＩＳQRを増幅して、ミキサ７に出力する。増幅器６６は、入力直交信号ＩＳQRを増幅して、合成器６７に出力する。合成器６７は、入力中間基準位相信号ＩＳREF および入力中間直交信号ＩＳQRを合成して合成信号ＳCMP を生成し、これを分配器５に出力する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月4日(2005.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
数多くの投光素子を一列に配置した投光器と、該投光器の投光素子と同じ数の受光素子を一列に配置した受光器とを含む多光軸光電センサユニットを含む多光軸光電式安全装置に組み込まれる表示モニタであって、
複数の表示灯で構成され、前記多光軸光電センサユニットの投光素子と受光素子とで形成される光軸の入光／遮光を表示するための第１の表示手段と、
前記多光軸光電センサユニットの投光素子と受光素子とで形成される数多くの光軸を、前記第１の表示手段の表示灯の数を単位としてブロック分けした光軸エリアを選択するための第１のスイッチ手段とを有し、
該第１のスイッチ手段を操作することにより、前記光軸エリアを選択して、該選択された光軸エリアに含まれる光軸の受光／遮光の情報を前記第１の表示手段によって表示することを特徴とする表示モニタ。
【請求項２】
前記多光軸光電式安全装置が、直列に配置可能な複数の多光軸光電センサユニットを含み、
該複数の多光軸光電センサユニットのうち、前記第１の表示手段で表示する多光軸光電センサユニットを選択するための第２スイッチ手段を更に有する請求項１の表示モニタ。
【請求項３】
前記第２のスイッチ手段により選択された多光軸光電センサユニットを視覚的に明らかにするための第２の表示手段を更に有する請求項２の表示モニタ。
【請求項４】
数多くの投光素子を一列に配置した投光器と、該投光器の投光素子と同じ数の受光素子を一列に配置した受光器とを含む多光軸光電センサユニットを含み、ユーザが光軸毎に任意に設定可能な特殊機能を有する多光軸光電式安全装置に組み込まれる表示モニタであって
、
複数の表示灯で構成され、前記多光軸光電センサユニットの投光素子と受光素子とで形成される光軸の入光／遮光を表示するための第１の表示手段と、
前記第１の表示手段と同じ数の表示灯で構成され、前記多光軸光電センサユニットの光軸毎に前記特殊機能が設定されているか否かを表示するための第３の表示手段と、
前記多光軸光電センサユニットの投光素子と受光素子とで形成される数多くの光軸を、前記第１の表示手段の表示灯の数を単位としてブロック分けした光軸エリアを選択するための第１のスイッチ手段とを有し、
該第１のスイッチ手段を操作することにより、前記光軸エリアを選択して、該選択された光軸エリアに含まれる光軸の受光／遮光の情報を前記第１の表示手段によって表示し、また、該選択された光軸エリアに含まれる光軸の前記特殊機能の設定の有無を前記第３の表示手段によって表示することを特徴とする表示モニタ。
【請求項５】
前記多光軸光電式安全装置が、直列に配置された複数の多光軸光電センサユニットを含み、前記第１及び第３の表示手段で表示する多光軸光電センサユニットを選択するための第２スイッチ手段を更に有する請求項４の表示モニタ。
【請求項６】
前記多光軸光電式安全装置が、複数の前記特殊機能を有し、
該複数の特殊機能のうち、前記第３の表示手段に表示すべき特殊機能を選択するための第３のスイッチ手段を更に有する請求項４又は５の表示モニタ。
【請求項７】
前記複数の特殊機能のうち、第３のスイッチ手段により選択された特殊機能を視覚的に明らかにするための第４の表示手段を更に有する請求項６の表示モニタ。
【請求項８】
数多くの投光素子を一列に配置した投光器と、該投光器の投光素子と同じ数の受光素子を一列に配置した受光器とを含む多光軸光電センサユニットを直列に複数連結可能であり、
各ユニットの光軸毎にユーザが任意に設定可能な特殊機能を有する多光軸光電式安全装置に組み込まれる表示モニタであって、
前記多光軸光電式安全装置に含まれる光軸をブロック分けした光軸エリアに含まれる光軸の各々の入光／遮光状態を表示する複数の表示灯からなる入光／遮光状態表示灯群と、
該入光／遮光状態表示灯群と同じ数の表示灯からなり、前記光軸エリアに含まれる光軸の各々の前記特殊機能の設定状態を表示するモード状態表示灯群と、
前記複数の多光軸光電センサユニットのうち前記入光／遮光状態表示灯群及び前記モード状態表示灯群に表示すべきユニットを選択するための第１の選択手段と、
該第１の選択手段により選択されたユニットを視覚的に明らかにするための第１の群の複数の表示灯と、
前記光軸エリアを選択するための第２の選択手段と、
該第２の選択手段により選択された光軸エリアを視覚的に明らかにするための第２の群の複数の表示灯と、
前記複数の特殊機能のうち前記表示モニタに表示すべき特殊機能を選択するための第３の選択手段と、
該第３の選択手段により選択された特殊機能を視覚的に明らかにするための第３の群の複数の表示灯とを有することを特徴とする表示モニタ。
【請求項９】
選択されていないユニット及び／又は光軸エリアで、特殊機能が設定されている及び／又は遮光状態にあることを前記第１〜第３の表示灯群で表示可能である請求項８の表示モニタ。
【請求項１０】
前記表示モニタはさらに、前記前記多光軸光電式安全装置に含まれる光軸をブロック分けした光軸エリアの始まりの光軸番号及び／または終わりの光軸番号を指定する指定手段を有し、
前記入光／遮光状態表示灯群及びモード状態表示灯群は、前記指定された光軸エリアの光軸の表示を行う請求項８の表示モニタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】上記課題は、本発明の第３の観点によれば、数多くの投光素子を一列に配置した投光器と、該投光器の投光素子と同じ数の受光素子を一列に配置した受光器とを含む多光軸光電センサユニットを直列に複数連結可能であり、各ユニットの光軸毎にユーザが任意に設定可能な特殊機能を有する多光軸光電式安全装置に組み込まれる表示モニタであって、前記多光軸光電式安全装置に含まれる光軸をブロック分けした光軸エリアに含まれる光軸の各々の入光／遮光状態を表示する複数の表示灯からなる入光／遮光状態表示灯群と、該入光／遮光状態表示灯群と同じ数の表示灯からなり、前記光軸エリアに含まれる光軸の各々の前記特殊機能の設定状態を表示するモード状態表示灯群と、前記複数の多光軸光電センサユニットのうち前記入光／遮光状態表示灯群及び前記モード状態表示灯群に表示すべきユニットを選択するための第１の選択手段と、該第１の選択手段により選択されたユニットを視覚的に明らかにするための第１の群の複数の表示灯と、前記光軸エリアを選択するための第２の選択手段と、該第２の選択手段により選択された光軸エリアを視覚的に明らかにするための第２の群の複数の表示灯と、前記複数の特殊機能のうち前記表示モニタに表示すべき特殊機能を選択するための第３の選択手段と、該第３の選択手段により選択された特殊機能を視覚的に明らかにするための第３の群の複数の表示灯とを有することを特徴とする表示モニタを提供することにより達成される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月1日(2004.9.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電源に接続されて主電流の入出力にかかわる第１の端子と、第２の端子と、制御端子とを備えた半導体素子の駆動装置であって、主電流の導通及び遮断を入力信号に応じて制御し、主電流の導通及び遮断時に発生する過電圧サージを抑制する駆動装置において、
前記過電圧サージ電圧の抑制時に、前記制御端子に流れる電流を制限する要素と、前記主半導体素子の遮断時に制御端子の電圧を放電する回路に流れる電流を制限する要素と、前記電流により駆動回路内で発生する損失を低減する要素とを備えたことを特徴とする半導体素子の駆動装置。
【請求項２】
請求項１において、前記制御端子へ接続した第１の抵抗器と、前記第２の端子に接続した前記入力信号もしくは、前記第１の端子と第２の端子との間の電圧に応じて抵抗値を変化させる第１の抵抗手段と、前記入力信号により前記第１の抵抗手段に流れる電流の導通及び遮断を制御するスイッチ手段を備えた第１の可変抵抗手段と、前記第１の端子と第２の端子との間が第１の電圧以上のときに、前記第１の電源より低い電圧である第２の電源を経由して前記第１の抵抗器に電流を注入する電流源を備え、前記第１の可変抵抗手段と前記電流源とが、前記第１の抵抗器により前記制御端子に接続されることを特徴とする半導体素子の駆動装置。
【請求項３】
請求項１，２の何れかにおいて、前記電流源が、前記第１の端子に接続される前記第１の端子と第２の端子との間の電圧が前記第１の電圧値に到達することにより電流が流れるツェナー型もしくはアバランシェ型の第１のダイオードと、該ダイオードに接続した第３の抵抗器と、前記第１のダイオードの電流を検知し前記第１の電源より低い電圧である第２の電源を経由して前記第１の抵抗器に電流を注入する要素を備えることを特徴とする半導体素子の駆動装置。
【請求項４】
請求項１〜３の何れかにおいて、前記主半導体素子の第１及び第２の端子との間の電圧が、その導通状態での定格電流時の電圧より大きくなる場合に、前記第１の抵抗手段の抵抗値が高くなることを特徴とする半導体素子の駆動装置。
【請求項５】
請求項４において、前記入力信号が前記主半導体素子の主電流を遮断する指令を発生し、第１の時間が経過した後に前記第１の抵抗手段の抵抗値が高くなることを特徴とする半導体素子の駆動装置。
【請求項６】
請求項１〜３の何れかにおいて、前記第１の抵抗手段が制御電圧を微分する回路と、その微分値を判定する要素とを備え、前記微分値が一定値になった場合に前記第１の抵抗手段の抵抗値が高くなることを特徴とする半導体素子の駆動装置。
【請求項７】
請求項１〜６の何れかにおいて、前記第１の可変抵抗手段が、並列接続した複数の
ＭＯＳＦＥＴを備え、前記入力信号が前記主半導体素子の主電流を遮断する指令を発生した時に、前記複数のＭＯＳＦＥＴが導通状態に変化して低抵抗状態となり、その後少なくとも１つ以上のＭＯＳＦＥＴが遮断状態となることで高抵抗となることを特徴とする半導体素子の駆動装置。
【請求項８】
請求項１〜７の何れかにおいて、前記第１の抵抗器として前記制御端子の電圧の低下により抵抗値が増加し、前記制御端子の電圧を前記主半導体素子のしきい電圧以下の第２の電圧に維持する機能を備えた第１の非線型素子を設けたことを特徴とする半導体素子の駆動装置。
【請求項９】
請求項８において、前記第１の非線型素子が第２のダイオードと第４の抵抗器とを直列に接続したことを特徴とする半導体素子の駆動装置。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れかの半導体素子の駆動装置により駆動される半導体装置を備えたことを特徴とする電力変換装置。
【請求項１１】
半導体素子が請求項１〜９の何れかの駆動装置により駆動され、前記主半導体素子と第１の電源の間の主回路インダクタンスがＬｓである電力変換装置において、
ＶＢを第１の電源電圧、ｆを電力変換装置キャリア周波数、Ｒｏｎ(Ｖ)を前記主半導体装置のオン抵抗を素子の耐電圧の関数として表したときに、前記第１の電圧を、下記の式（１）を満たす電圧Ｖの近傍に設定したことを特徴とする電力変換装置。
ｄＲｏｎ(Ｖ)／ｄＶ＝Ｌｓ×ｆ／２×ＶＢ／(Ｖ−ＶＢ)2                 …（１）
【請求項１２】
主電流の入出力に係わる主半導体素子を制御する駆動装置を１チップの半導体基板に集積回路化した３相インバータ型の電力変換装置において、
前記駆動装置の主半導体素子への制御信号の出力回路部が集積回路の周辺部に形成され、前記集積回路の周辺沿面方向に、第１の相の上アーム，第２の相の上アーム，第３の相の上アーム，第３の相の下アーム，第２の相の下アーム，第１の相の上アームの順番に設け、前記インバータの制御のための前記制御回路への外部信号の入力回路を、第１の相の上アーム，第２の相の上アーム，第３の相の上アーム、第３の相の下アームの各領域の間以外の領域に設けたことを特徴とする電力変換装置。
【請求項１３】
請求項５，１０,１１,１２の何れかの電力変換装置を備えた電気車であって、前記主半導体素子がＭＯＳＦＥＴであり、前記電力変換装置の半導体駆動装置が１つの集積回路チップに集積され、ＶＢを第１の電源電圧、ｆを電力変換装置キャリア周波数、Ｒｏｎ(Ｖ)を前記主半導体装置のオン抵抗を素子の耐電圧の関数として表したときに、その上限が下記の式（１）
ｄＲｏｎ(Ｖ)／ｄＶ＝Ｌｓ×ｆ／２×ＶＢ／(Ｖ−ＶＢ)2                 …（１）
を満たす電圧近傍に設けられており、前記主半導体素子の第１及び第２の端子間の耐電圧が前記第１の電圧より大きくかつその近傍の値となることを特徴とする電気車。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月30日(2004.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高レベルと低レベルとの間で電気信号のレベルを制御することが可能な集積回路であって、
ドライバ回路とレシーバ回路との間で信号を伝送するための信号経路と、
該信号経路に接続された複数のレベル制御サブ回路とを含み、
該複数のレベル制御サブ回路のそれぞれが、
前記低レベルにほぼ等しい低電圧源に接続されたゲートと、前記高レベルにほぼ等しい高電圧源に接続されたドレインと、前記信号経路に接続されたソースとを有するｎチャネル電界効果トランジスタと、
前記高電圧源に接続されたゲートと、前記低電圧源に接続されたドレインと、前記信号経路に接続されたソースとを有するｐチャネル電界効果トランジスタとからなり、
前記信号経路が前記低レベル未満になると、前記ｎチャネル電界効果トランジスタがバイアスをかけられてオンになり、前記信号経路が、前記高電圧源によって充電され、及び前記信号経路が前記高レベルを超えると、前記ｐチャネル電界効果トランジスタがバイアスをかけられてオンになり、前記信号経路が、前記低レベル電圧になるまで放電する、集積回路。
【請求項２】
高レベルと低レベルとの間で電気信号のレベルを制御するためのシステムであって、
前記高レベルにほぼ等しい高電圧源に接続されたドレインと前記信号に接続されたゲートとを有するｎチャネルトランジスタからなる第１のスイッチと、
前記低レベルにほぼ等しい低電圧源に接続されたドレインと前記信号に接続されたゲートとを有するｐチャネルトランジスタからなる第２のスイッチとを含み、
前記信号が前記高レベルを超えると前記第１のスイッチがバイアスをかけられてオンになり、前記信号が前記低レベル未満になると前記第２のスイッチがバイアスをかけられてオンになり、これにより該第１及び第２のスイッチが、前記信号を前記低レベルと前記高レベルとの間に維持するよう動作する、
電気信号のレベルを制御するためのシステム。
【請求項３】
高レベルと低レベルとの間で電気信号のレベルを制御することが可能な集積回路であって、
ドライバ回路とレシーバ回路との間で信号を伝送するための信号経路と、
該信号経路に接続された複数のレベル制御サブ回路とを含み、
該複数のレベル制御サブ回路のそれぞれが、
第１及び第２のトランジスタを含み、前記信号経路が該第１及び第２のトランジスタ間で前記レベル制御サブ回路に接続され、該第１のトランジスタが、前記高レベルにほぼ等しい高電圧源に接続されたｎチャネルトランジスタからなり、そのゲートが前記低レベルにほぼ等しい低電圧源に接続され、前記第２のトランジスタが、前記低電圧源に接続されたｐチャネルトランジスタからなり、そのゲートが前記高電圧源に接続され、
前記信号が前記低レベル未満になると前記第１のトランジスタがバイアスをかけられてオンになって前記信号が前記高電圧源により充電され、前記信号が前記高レベルを超えると前記第２のトランジスタがバイアスをかけられてオンになって前記信号が前記低レベル電圧まで放電される、集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月21日(2005.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１の論理回路からなる第１回路と、
前記第１の論理回路と同一論理機能を有するとともに、複数の前記第１の論理回路の少なくとも一つにその入出力が互いに接続された第２の論理回路と、前記第２の論理回路からなる第２回路と、前記第２の論理回路への電源の供給又は遮断を行う制御トランジスタと、前記制御トランジスタへ制御信号を送る制御回路とを有し、
前記制御回路からの制御信号により、前記制御トランジスタの電源の供給又は遮断動作を切り替えることを特徴とする半導体集積回路。
【請求項２】
前記第１の論理回路は同一または少なくとも一つが異なる論理機能を有する論理回路から構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項３】
前記第２の論理回路の電源は、一端が前記制御トランジスタを介して電位の高い電源線に接続され、他端が別の前記制御トランジスタを介して電位の低い電源線に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項４】
複数の前記第１の論理回路からなる論理回路網において、前記論理回路網の入出力間を伝わる信号の伝播時間が、所定のディレイ値を満たさない信号経路が存在する場合、前記信号経路中にあって前記所定のディレイ値を満たさない第１の論理回路に、前記第２の論理回路を接続することを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項５】
前記複数の第１の論理回路の少なくとも二つに、それぞれの入出力が互いに結線された前記第２の論理回路が接続され、該第２の論理回路のいずれかの少なくとも一つには、さらに前記第１もしくは第２の論理回路が並列に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。
【請求項６】
同一動作状態で動作する複数の第２の論理回路が存在する場合、それぞれの前記第２の論理回路の電源に接続された一つの前記制御トランジスタを共通に用いることを特徴とする請求項１に記載の半導体集積回路。