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【手続補正書】
【提出日】平成16年2月6日(2004.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一基板上にＮチャネル型の薄膜トランジスタとＰチャネル型の薄膜トランジスタとを有し、
前記Ｎチャネル型の薄膜トランジスタには、ＬＤＤ領域が形成されており、
前記Ｐチャネル型の薄膜トランジスタは、チャネル形成領域、第１の不純物領域、及び 第２の不純物領域を有し、
前記第１の不純物領域は、前記チャネル形成領域と前記第２の不純物領域とで挟まれて おり、
前記第１の不純物領域は、Ｐ型を付与する不純物のみが添加されており、
前記第２の不純物領域は、Ｎ型およびＰ型を付与する不純物が添加されていることを特  徴とする半導体装置。
【請求項２】
同一基板上にＮチャネル型の薄膜トランジスタとＰチャネル型の薄膜トランジスタとを有し、
前記Ｎチャネル型の薄膜トランジスタには、オフセットゲイト領域が形成されており、
前記Ｐチャネル型の薄膜トランジスタは、チャネル形成領域、第１の不純物領域、及び 第２の不純物領域を有し、
前記第１の不純物領域は、前記チャネル形成領域と前記第２の不純物領域とで挟まれて おり、
前記第１の不純物領域は、Ｐ型を付与する不純物のみが添加されており、
前記第２の不純物領域は、Ｎ型およびＰ型を付与する不純物が添加されていることを特 徴とする半導体装置。
【請求項３】
同一基板上にＮチャネル型の薄膜トランジスタとＰチャネル型の薄膜トランジスタとを有し、
前記Ｎチャネル型の薄膜トランジスタには、ＬＤＤ領域が形成されており、
前記Ｐチャネル型の薄膜トランジスタは、チャネル形成領域、第１の不純物領域、及び 第２の不純物領域を有し、
前記第１の不純物領域は、前記チャネル形成領域と前記第２の不純物領域とで挟まれて おり、
前記第１の不純物領域は、Ｐ型を付与する不純物のみが添加されており、
前記第２の不純物領域は、Ｎ型およびＰ型を付与する不純物が添加されている半導体装置であって、
前記Ｎチャネル型薄膜トランジスタまたは前記Ｐチャネル型薄膜トランジスタには、オフセットゲイト領域が配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
同一基板上にＮチャネル型の薄膜トランジスタとＰチャネル型の薄膜トランジスタとを有し、
前記Ｎチャネル型の薄膜トランジスタには、ＬＤＤ領域が形成されており、
前記Ｐチャネル型の薄膜トランジスタは、チャネル形成領域、第１の不純物領域、及び 第２の不純物領域を有し、
前記第１の不純物領域は、前記チャネル形成領域と前記第２の不純物領域とで挟まれて おり、
前記第１の不純物領域は、Ｐ型を付与する不純物のみが添加されており、
前記第２の不純物領域は、Ｎ型およびＰ型を付与する不純物が添加されている半導体装置であって、
前記Ｎチャネル型薄膜トランジスタ及び前記Ｐチャネル型薄膜トランジスタには、オフ セットゲイト領域が配置されており、
前記Ｎチャネル型の薄膜トランジスタのオフセットゲイト領域は、前記Ｐチャネル型の薄膜トランジスタのオフセットゲイト領域よりもオフセット幅が長いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記Ｎチャネル型または前記Ｐチャネル型の薄膜トランジスタのチャネル形成領域には一導電型を付与する不純物が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、前記Ｎチャネル型及び前記Ｐチャネル型の薄膜トランジスタの半導体層には水素とハロゲン元素とが含まれることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
同一基板上にマトリクス状に薄膜トランジスタが配置されたアクティブマトリクス領域と、該領域に配置された薄膜トランジスタを駆動するための周辺駆動回路とを有し、
前記アクティブマトリクス領域にはＮチャネル型の薄膜トランジスタが配置されており、
前記周辺駆動回路にはＮチャネル型の薄膜トランジスタとＰチャネル型の薄膜トランジスタとを相補型に構成した回路が配置されており、
前記周辺駆動回路に配置されたＮチャネル型の薄膜トランジスタには、ＬＤＤ領域またはオフセットゲイト領域が形成され、
前記周辺駆動回路に配置されたＰチャネル型の薄膜トランジスタは、チャネル形成領域 、第１の不純物領域、及び第２の不純物領域を有し、
前記第１の不純物領域は、前記チャネル形成領域と前記第２の不純物領域とで挟まれて おり、
前記第１の不純物領域は、Ｐ型を付与する不純物のみが添加されており、
前記第２の不純物領域は、Ｎ型およびＰ型を付与する不純物が添加されていることを特  徴とする半導体装置。
【請求項８】
同一基板上にマトリクス状に薄膜トランジスタが配置されたアクティブマトリクス領域と、該領域に配置された薄膜トランジスタを駆動するための周辺駆動回路とを有し、
前記アクティブマトリクス領域にはＰチャネル型の薄膜トランジスタが配置されており、
前記周辺駆動回路にはＮチャネル型の薄膜トランジスタとＰチャネル型の薄膜トランジスタとを相補型に構成した回路が配置されており、
前記周辺駆動回路に配置されたＮチャネル型の薄膜トランジスタには、ＬＤＤ領域またはオフセットゲイト領域が形成され、
前記アクティブマトリクス領域と前記周辺駆動回路に配置されたＰチャネル型の薄膜ト  ランジスタは、それぞれチャネル形成領域、第１の不純物領域、及び第２の不純物領域 を有し、
前記第１の不純物領域は、前記チャネル形成領域と前記第２の不純物領域とで挟まれて おり、
前記第１の不純物領域は、Ｐ型を付与する不純物のみが添加されており、
前記第２の不純物領域は、Ｎ型およびＰ型を付与する不純物が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項７または請求項８において、Ｎチャネル型またはＰチャネル型の薄膜トランジスタのチャネル形成領域には一導電型を付与する不純物が添加されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項７乃至請求項９のいずれか一項において、Ｎチャネル型およびＰチャネル型の薄膜トランジスタの半導体層には水素とハロゲン元素とが含まれることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月4日(2004.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
底部（４）を有する缶胴（１）の上端に蓋部（３）を設けると共に、該缶胴（１）の軸方向に沿って拡径部（６）と縮径部（７）とを交互に形成した蛇腹状の屈曲促進構造（５）を備える飲料用缶（２）において、
前記屈曲促進構造（５）の一部に、前記缶胴（１）の軸方向への屈曲を促進する応力集中部（８）を形成した、ことを特徴とする飲料用缶。
【請求項２】
前記応力集中部（８）は、
前記缶胴（１）の軸方向の中間部分における拡径部（６）の外径と縮径部（７）の外径との距離（ｘ１、ｙ１、ｚ１）を他の部分の拡径部（６）の外径と縮径部（７）の外径との距離（ｘ２、ｙ２、ｚ２）より長く形成したものである、ことを特徴とする請求項１の飲料用缶。
【請求項３】
前記応力集中部（８）は、
前記缶胴（１）の軸方向の中間部分における拡径部（６）と縮径部（７）との曲折角度（α１、β１、γ１）を他の部分の拡径部（６）と縮径部（７）との曲折角度（α２、β２、γ２）より鋭角に形成したものである、ことを特徴とする請求項１の飲料用缶。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の飲料用缶によれば、底部（４）を有する缶胴（１）の上端に蓋部（３）を設けると共に、該缶胴（１）の軸方向に沿って拡径部（６）と縮径部（７）とを交互に形成した蛇腹状の屈曲促進構造（５）を備える飲料用缶（２）において、前記屈曲促進構造（５）の一部に、前記缶胴（１）の軸方向への屈曲を促進する応力集中部（８）を形成した、ことを特徴とする飲料用缶が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この応力集中部（８）は、押し潰す際に、缶胴（１）の軸方向の中間部分における拡径部（６）と縮径部（７）との曲折角度（α１、β１、γ１）が他の部分の曲折角度（α２、β２、γ２）より鋭角に形成し、変形しやすいので、弱い圧縮力でも容易に押し潰すことが可能になる。そこで、缶の製造に際して、蓋部（３）又は底部（４）の巻締めに際しては缶胴（１）に軸方向からある程度の荷重がかかっても変形することなく、加工工程を完了することができる。しかも、飲料後には屈曲促進構造（１１）の応力集中部（８）部分で容易に押し潰すことができる。また、缶の運搬中あるいは店頭における山積み状態においても不用意に缶胴（１）が凹むことはない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図２及び図３は飲料用缶の第一の実施の形態の変形例を示す断面図である。応力集中部８は、足又は手からの荷重応力を局部的に集中させ、この部分が潰れる契機になり、連鎖して他の拡径部６と縮径部７に荷重を伝播させ、これらを連鎖して潰す機能を有する部分である。そこで、応力集中部８は、必ずしも缶胴１の軸方向の中間部分、即ち屈曲促進構造５の中間部分に形成する必要はない。図２に示すように、応力集中部８は、屈曲促進構造５の蓋部３の近傍に形成することができる。即ち、蓋部３の近傍における拡径部６の外径と縮径部７の外径との距離ｙ１が、この蓋部３近傍部分以外における拡径部６の外径と縮径部７の外径との距離ｙ２より長く形成したものであっても良い。更に、この応力集中部８は、1箇所に限定されず飲料用缶２の長さに合わせて複数箇所に形成することも可能である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
同様に、図７に示すように、この応力集中部８は、屈曲促進構造１１の底部４の近傍に形成することができる。即ち、底部４の近傍における拡径部６と縮径部７との曲折角度γ１が、底部４近傍部分以外における拡径部６と縮径部７との曲折角度γ２より鋭角に形成したものであっても良い。更に、この応力集中部８は、1箇所に限定されず飲料用缶２の長さに合わせて複数箇所に形成することも可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月15日(2004.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スチレン系単量体単位およびジエン系単量体単位を有するゴム状共重合体（Ａ）ならびにスチレン系単量体単位および（メタ）アクリル酸エステル系単量体単位を有する共重合体（Ｂ）からなり、下記条件（１）〜（５）を満たすことを特徴とする樹脂組成物。
（１）温度６０℃、相対湿度９０％での飽和吸水率が０．８％以下、
（２）曲げ弾性率が１８００ＭＰａ以上、
（３）ノッチ付きアイゾット衝撃強度が２ｋＪ／ｍ2以上、
（４）厚さ２ｍｍのシートとしたときの、全光線透過率が８５％以上、ヘイズ値が５％以下、
（５）ビカット軟化温度が９０℃以上。
【請求項２】
請求項１記載の樹脂組成物を基材とする光学スクリーン用シート。
【請求項３】
請求項１記載の樹脂組成物を基材とするシートを、その両面にせん断刃を入刃して切断する光学スクリーン用シートの製造方法。
【請求項４】
前記ゴム状共重合体（Ａ）、スチレン系単量体、（メタ）アクリル酸エステル系単量体および必要に応じて用いられる他の単量体を混合して重合させる請求項１に記載の樹脂組成物の製造方法。
【請求項５】
前記ゴム状共重合体（Ａ）、スチレン系単量体、（メタ）アクリル酸エステル系単量体および必要に応じて他の単量体の合計を基準として前記ゴム状共重合体（Ａ）の使用量が１〜２０重量％であり、
スチレン系単量体、（メタ）アクリル酸エステル系単量体および必要に応じて他の単量体の合計を基準として、スチレン系単量体の使用量が２５〜６５重量％であり、（メタ）アクリル酸エステル系単量体の使用量が３５〜７５重量％であり、他の単量体の使用量が０〜４０重量％である請求項４に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月12日(2005.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸性官能基、酸性官能基に由来するアニオン基、あるいは前記基の混合物から選択される１つあるいは複数の基を有するヘアスタイリングポリマーと、アミノ基、アミノ基の酸塩、あるいは前記基の混合物から選択される１つあるいは複数の基を有する、１個の芳香環を含む部分あるいは完全フッ素化化合物と、化粧品として許容される希釈剤あるいは担体とを含む化粧用あるいはパーソナルケア用組成物。
【請求項２】
部分あるいは完全フッ素化化合物がＲＮＲ１Ｒ２の式を有し、式中、Ｒはアリール、アラルキル、ヘテロアリールあるいはヘテロアラルキル基から選択される部分あるいは完全フッ素化された基であり、Ｒ１およびＲ２は独立して１から１２個の炭素原子を有するアルキル、アリール、アラルキル、ヘテロアリールあるいはヘテロアラルキル（基）から選択され、前記各基は場合によってフッ素化されているかあるいはＨである、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
Ｒ１およびＲ２がＨであり、Ｒがフッ素または部分もしくは完全フッ素化Ｃ１〜Ｃ６アルキルから選択される１つあるいは複数の基で環上を置換されたフェニル基である、請求項１または２に記載の組成物。
【請求項４】
部分あるいは完全フッ素化化合物が２，３，５，６−テトラフルオロ−４−（トリフルオロメチル）アニリン、４−（トリフルオロメチル）アニリンおよびこれらの混合物からなるグループから選択される、請求項１から３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項５】
さらに非フッ素化アミンを含む、請求項１から４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
非フッ素化アミンが２−アミノ−２−メチル−１，３−プロパンジオール、２−アミノ−２−エチル−１，３−プロパンジオール、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール、２−アミノ−１−ブタノール、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ジメチルステアラミンおよびこれらの混合物からなるグループから選択される、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
ヘアスタイリングポリマーがカルボン酸基および／あるいはこれらの塩を含む、請求項１から６のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項８】
さらに無機塩基を含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項９】
無機塩基が水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、ホウ砂およびこれらの混合物からなるグループから選択される、請求項８に記載の組成物。
【請求項１０】
部分あるいは完全フッ素化化合物と非フッ素化アミンとの重量比が１０：１から１：１０の範囲にある、請求項１から９のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１１】
無機塩基と部分あるいは完全フッ素化化合物および非フッ素化アミンとの重量比が１００：１から１：１００の範囲にある、請求項１から１０のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１２】
ヘアスタイリングポリマーの中和率が１０から１００％の範囲にある、請求項１から１１のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１３】
ヘアスタイリングポリマーが０．０１から１０重量％の量で存在する、請求項１から１２のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１４】
部分あるいは完全フッ素化化合物が０．００１から１０重量％の量で存在する、請求項１から１３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１５】
さらにシリコーンを０．０１から１０重量％の量で含む、請求項１から１４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１６】
化粧品として許容される希釈剤あるいは担体がエタノールおよび／あるいは水を含む、請求項１から１５のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１７】
組成物が少なくとも４０重量％の水を含む、請求項１６に記載の組成物。
【請求項１８】
非エアゾールポンプスプレーの形態で包装される、請求項１から１７のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項１９】
ヘアスタイリング組成物である、請求項１から１８のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項２０】
請求項１から１９のいずれか一項に記載の組成物を毛髪に適用することを含む、毛髪のトリートメント法。
【請求項２１】
請求項１から１９のいずれか一項に記載の毛髪美容トリートメントのための組成物の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月30日(2004.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
次いで、該溶液をメタノールで希釈して濃度３０％に調整してニーダーに仕込み、溶液温度を４０℃に保ちながら、水酸化ナトリウムの２％メタノール溶液を共重合体中の酢酸ビニル（Ａ）１モルに対して８ミリモルとなる量を加えてケン化及び脱炭酸を行った。ケン化及び脱炭酸が進行すると共にケン化物が析出し、遂には粒子状となった。生成したポリビニルアルコールを濾別し、メタノールでよく洗浄して熱風乾燥機中で乾燥し、目的物を得た。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
次いで、該溶液をメタノールで希釈して濃度３０％に調整してニーダーに仕込み、溶液温度を４０℃に保ちながら、水酸化ナトリウムの２％メタノール溶液を共重合体（Ａ−Ｂ）中の酢酸ビニル（Ａ）１モルに対して９ミリモルとなる量を加えてケン化及び脱炭酸を行った。ケン化及び脱炭酸が進行すると共にケン化物が析出し、遂には粒子状となった。生成したポリビニルアルコールを濾別し、メタノールでよく洗浄して熱風乾燥機中で乾燥し、目的物を得た。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
次いで、該溶液をメタノールで希釈して濃度３０％に調整してニーダーに仕込み、溶液温度を４０℃に保ちながら、水酸化ナトリウムの２％メタノール溶液を共重合体（Ａ−Ｃ）中の酢酸ビニル（Ａ）１モルに対して９ミリモルとなる量を加えてケン化を行った。ケン化が進行すると共にケン化物が析出し、遂には粒子状となった。
かかるケン化物を３Ｎの塩酸（水／メタノール＝１／１の混合溶媒）中に分散させ、６０℃で脱ケタール化を行い、生成したポリビニルアルコールを濾別し、メタノールでよく洗浄して熱風乾燥機中で乾燥し、目的物を得た。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
次いで、該溶液をメタノールで希釈して濃度３０％に調整してニーダーに仕込み、溶液温度を４０℃に保ちながら、水酸化ナトリウムの２％メタノール溶液を共重合体（Ａ−Ｃ）中の酢酸ビニル（Ａ）１モルに対して９ミリモルとなる量を加えてケン化を行った。ケン化が進行すると共にケン化物が析出し、遂には粒子状となった。
かかるケン化物を３Ｎの塩酸（水／メタノール＝１／１の混合溶媒）中に分散させ、６０℃で脱ケタール化を行い、生成したポリビニルアルコールを濾別し、メタノールでよく洗浄して熱風乾燥機中で乾燥し、目的物を得た。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
次いで、該溶液をメタノールで希釈して濃度４０％に調整してニーダーに仕込み、溶液温度を４０℃に保ちながら、水酸化ナトリウムの２％メタノール溶液を共重合体中の酢酸ビニル（Ａ）１モルに対して９ミリモルとなる量を加えてケン化を行った。ケン化が進行すると共にケン化物が析出し、遂には粒子状となった。
かかるケン化物を濾別し、メタノールでよく洗浄して熱風乾燥機中で乾燥し、目的物を得た。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
次いで、該溶液をメタノールで希釈して濃度４０％に調整してニーダーに仕込み、溶液温度を４０℃に保ちながら、水酸化ナトリウムの２％メタノール溶液を共重合体中の酢酸ビニル（Ａ）１モルに対して１０ミリモルとなる量を加えてケン化を行った。ケン化が進行すると共にケン化物が析出し、遂には粒子状となった。
かかるケン化物を濾別し、メタノールでよく洗浄して熱風乾燥機中で乾燥し、目的物を得た。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）
【化１】
2002284841.tif 000001
で表されるエポキシ樹脂及び下記式（２）
【化２】
2002284841.tif 000002
（式中ｎは繰り返し数を示す整数を表す。）
で表されるエポキシ樹脂を混合して得られるエポキシ樹脂混合物。
【請求項２】
式（１）のエポキシ樹脂１０〜９０重量部に対し、式（２）のエポキシ樹脂を９０〜１０重量部となる割合で混合した請求項１記載のエポキシ樹脂混合物。
【請求項３】
請求項１記載のエポキシ樹脂混合物及び硬化剤を含有してなるエポキシ樹脂組成物。
【請求項４】
硬化促進剤を含有する請求項３記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項５】
無機充填剤を含有する請求項３または４記載のエポキシ樹脂組成物。
【請求項６】
請求項３〜５のいずれか１項に記載のエポキシ樹脂組成物を硬化してなる硬化物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月8日(2005.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  マスクパターンを用いて感光材料を露光する露光方法において、
直線偏光からなる露光光を、金属材料で構成される前記マスクパターンに照射し、前記マスクパターンの外形のうち前記直線偏光の偏光方向と略直交する部分で発生する近接場光を利用して前記近接場光が届く位置に保持される前記感光材料を露光することを特徴とする露光方法。
【請求項２】  前記直線偏光の偏光方向を前記露光光の光軸周りに回転させて露光を行うことを特徴とする請求項１記載の露光方法。
【請求項３】  前記露光光が前記マスクパターンに照射されている時間中に、前記直線偏光の偏光方向を常に回転させていることを特徴とする請求項２記載の露光方法。
【請求項４】  前記露光光が前記マスクパターンに照射されている時間中は、前記直線偏光の偏光方向が停止して露光する停止露光と、前記露光光が前記マスクパターンに照射されていない間に前記直線偏光の偏光方向を変更する変更ステップを有し、少なくとも一回以上は前記停止露光と前記変更ステップを繰り返すことを特徴とする請求項２記載の露光方法。
【請求項５】  前記直線偏光の偏光方向を偏光素子を用いて回転させることを特徴とする請求項２から４のいずれか一つに記載の露光方法。
【請求項６】  前記マスクパターンと前記感光材料との間に、前記直線偏光の偏光方向と略垂直な透過軸を有する偏光板を挿入して露光を行うことを特徴とする請求項１から５のいずれか一つに記載の露光方法。
【請求項７】  前記偏光板の透過軸が、露光光の直線偏光の向きに対して所定の角度を保つように回転させることを特徴とする請求項６記載の露光方法。
【請求項８】  直線偏光を発生する露光源と、
前記露光源で発生する露光光が照射される位置に配置され、金属材料で構成されるマスクパターンを有するマスクと、
前記マスクパターンの外形のうち前記直線偏光の偏光方向と略直交する部分で発生する近接場光が届く位置に保持される感光材料が塗布された基板を、前記マスクに対して相対的に移動自在に保持する基板保持手段とを有し、前記感光材料を露光することを特徴とする露光装置。
【請求項９】  前記マスクパターンと前記感光材料との間に前記露光光の光軸を中心とした軸回転する偏光板を有することを特徴とする請求項８記載の露光装置。
【請求項１０】  前記マスクパターンを構成する金属の側面が、前記露光光の進行方向に対して順テーパとなっていることを特徴とする請求項８または９に記載の露光装置。
【請求項１１】  前記マスクパターンを構成する金属の側面が、前記露光光の進行方向にたいして逆テーパとなっており、前記露光光の光軸と前記金属の側面とがなす角度が０度以上６０度以下であることを特徴とする請求項８または９に記載の露光装置。
【請求項１２】  前記マスクパターンを構成する金属の少なくとも一部が金であることを特徴とする請求項８から１１のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１３】  前記マスクパターンを構成する金属の少なくとも一部が銀であることを特徴とする請求項８から１１のいずれかに記載の露光装置。
【請求項１４】  前記マスクパターンを構成する金属の少なくとも一部がアルミニウムであることを特徴とする請求項８から１１のいずれかに記載の露光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月30日(2005.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  シリコン半導体からなる第１の領域及び第２の領域それぞれにゲート絶縁膜、シリコンからなる導電体膜、及びシリコン窒化膜に対して選択的にエッチングが可能な部材からなるキャップ絶縁膜を順次形成し、
上記キャップ絶縁膜及び導電体膜からなる積層膜をパターニングして、上記第１の領域及び上記第２の領域それぞれに上記導電体膜からなるゲート電極を形成し、
上記積層膜を不純物導入用のマスクとして用いて不純物を選択的に導入することで、上記第１の領域及び第２の領域それぞれにソース、ドレインとなる拡散領域を形成し、
上記各積層膜の側壁上に第１のシリコン窒化膜を形成し、
全面に第２のシリコン窒化膜を形成し、
全面に第１の絶縁膜を堆積した後、上記第１の領域の各ゲート電極相互間に上記第１の絶縁膜を残し、
上記第２の領域に第２の絶縁膜を堆積した後、第２の領域の各積層膜の側壁上に上記第２の絶縁膜を残し、
上記各積層膜上の第２のシリコン窒化膜及び上記第２の領域の表面上に残っている上記第２のシリコン窒化膜を剥離し、
上記各ゲート電極の上部に残っている上記キャップ絶縁膜を除去し、
上記各ゲート電極の上記導電体膜の表面に金属シリサイド膜を形成すると共に上記第２の領域に形成された拡散領域の各表面に金属シリサイド膜を形成し、
全面に第３のシリコン窒化膜を堆積した後、この第３のシリコン窒化膜を上記各ゲート電極上に残す
ことを特徴とする半導体集積回路の製造方法。
【請求項２】  前記ゲート電極を形成する際に、前記第２の領域に形成されるゲート電極相互の間隔が前記第１の領域に形成されるゲート電極相互の間隔よりも広くなるように形成すること特徴とする請求項１記載の半導体集積回路の製造方法。
【請求項３】  前記第３のシリコン窒化膜を前記各ゲート電極上に残した後に、
全面に第３の絶縁膜を堆積した後、平坦化し、
上記第３の絶縁膜を選択的にエッチングして前記第２の領域の前記拡散領域の表面を露出させ、
表面が露出した前記拡散領域に接続されるようにコンタクト電極を形成することを特徴とする請求項１記載の半導体集積回路の製造方法。
【請求項４】  シリコン半導体からなる第１の領域上にそれぞれゲート絶縁膜を介して設けられたシリコン導電体膜からなる一対の第１のゲート電極と、
上記一対の第１のゲート電極相互間の上記第１の領域に設けられた第１の拡散領域と、
上記一対の第１のゲート電極の上部表面にそれぞれ設けられた第１の金属シリサイド膜と、
上記一対の第１のゲート電極上にそれぞれ設けられた第１のシリコン窒化膜と、
上記一対の第１のゲート電極及び第１のシリコン窒化膜からなる積層膜の側壁上にそれぞれ設けられた第２のシリコン窒化膜と、
上記一対の第１のゲート電極相互間に位置する平坦部分では上記第１の拡散領域が露出するように上記第２のシリコン窒化膜上に設けられた第３のシリコン窒化膜と、
上記一対の第１のゲート電極相互間に設けられ、上記拡散領域と電気的に接続される自己整合コンタクトと、
シリコン半導体からなる第２の領域上にゲート絶縁膜を介して形成されたシリコン導電体膜からなる第２のゲート電極と、
上記第２のゲート電極の両側面に位置する上記第２の領域に形成された一対の第２の拡散領域と、
上記第２のゲート電極の上部表面に形成された第２の金属シリサイド膜と、
上記第２のゲート電極上に設けられた第４のシリコン窒化膜と、
上記第２のゲート電極及び上記第４のシリコン窒化膜からなる積層膜の側壁上に設けられた第５のシリコン窒化膜と、
上記一対の第２の拡散領域表面の一部上に延在するように上記第５のシリコン窒化膜上に設けられた第６のシリコン窒化膜と、
上記第６のシリコン窒化膜によって覆われていない上記一対の第２の拡散領域の表面にそれぞれ設けられた第３の金属シリサイド膜と、
上記第６のシリコン窒化膜上に設けられた絶縁膜と、
上記絶縁膜上に設けられた第７のシリコン窒化膜
とを具備したことを特徴とする半導体集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月21日(2004.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
封止部材７は、例えばガラス材料からなる平板部材に収納部である凹部７ａを形成してなるものである。封止部材７は、凹部７ａを取り囲むように形成される支持部７ｂを、例えば紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を介しガラス基板２上に気密的に配設することで、封止部材７とガラス基板２とで有機ＥＬ素子９を収納する気密空間Ｓを構成する。封止部材７は、透明電極３のリード端子３ｃ及び背面電極６のリード端子６ｂが外部に露出するようにガラス基板２よりも若干小さ目に構成されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
有機ＥＬパネル１の接合構造において特徴となる点は、フレキシブル回路基板８の接続端子８ｂと有機ＥＬパネル１のリード端子３ｃ，６ｂとを異方性導電膜１１を介して接合する場合において、異方性導電膜１１がリード部３ｂ，６ａ上に形成される補助電極１０に接触しない状態にて接続端子８ｂとリード端子３ｃ，６ｂとを接合し、異方性導電膜１１を用いた接合個所において、リード部３ｂ，６ａ上に補助電極１０が形成されず、かつ異方性導電膜１１によって接合されない空き領域１２が存在する従来に比べ（図５（ｂ）参照）、図５（ａ）に示すように、異方性導電膜１１の一端側（有機ＥＬ素子９側）が補助電極１０の一部分に重なる重合部１３を形成し、図５（ｂ）で示すような空き領域１２を形成しない点にある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2004327148.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月10日(2005.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、上記第１電極の上部に配置され、絶縁層で埋設された第２電極と、上記絶縁層に埋設された第２電極の上部に配置された第３電極と、および上記第１電極と前記第３電極の両方に接する半導体層とからなり、第１電極がドレインまたはソース電極であり、第２電極がゲート電極であり、第３電極がソースまたはドレイン電極である電界効果トランジスタにおいて、第２電極が、第１および第３電極の構成材料よりも小さな酸化電位の材料からなることを特徴とする電界効果トランジスタ。
【請求項２】
絶縁層が、酸化膜、陽極酸化膜および有機自己組織化膜の少なくとも１つを含む請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項３】
第１電極および第３電極が白金であり、第２電極がアルミニウムまたはタンタルである請求項１〜２のいずれか１つに記載の電界効果トランジスタ。
【請求項４】
半導体層、絶縁層および電極から選択される少なくとも１つが、有機材料で形成される請求項１〜３のいずれか１つに記載の電界効果トランジスタ。
【請求項５】
半導体層が、ペンタセン、フッ素化フタロシアニン、ペリレンおよびその誘導体、ポリチオフェンおよびその誘導体、チオフェンオリゴマーおよびその誘導体、チェニレンビニレンおよびその誘導体、ポリフェニレンビニレンおよびその誘導体、フルオレン−ビチオフェンコポリマーである請求項１〜４のいずれか１つに記載の電界効果トランジスタ。
【請求項６】
基材上に第１電極層を形成する工程と、
上記第１電極層上に第１絶縁層を形成する工程と、
上記第１絶縁層上の一部に第２電極層を形成する工程と、
上記第１絶縁層および上記第２電極層上に第２絶縁層を形成する工程と、
上記第２絶縁層の上部に第３電極層を形成する工程と、
所定の形状の第３電極、第２電極、および第１電極を形成するために、第３電極層、第２絶縁層、第２電極層、第１絶縁層、および第１電極層を加工する工程と、
形成された第２電極の側面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
所定の形状の第１電極と所定の形状の第３電極との両方に接する半導体層を形成する工程と
からなり、第１電極がドレインまたはソース電極であり、第２電極がゲート電極であり、第３電極がソースまたはドレイン電極であることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項７】
レジスト光を透過する基材上に第１電極層を形成する工程と、
上記第１電極層上に第１絶縁層を形成する工程と、
上記第１絶縁層上の一部に第２電極層を形成する工程と、
上記第１絶縁層および上記第２電極層上に第２絶縁層を形成する工程と、
所定の形状の第１電極、および第２電極を形成するために、第２絶縁層、第２電極層、第１絶縁層、および第１電極層を加工する工程と、
形成された第２電極の側面にゲート絶縁膜を形成する工程と、
形成された第２絶縁層上が開口したレジストパターンを形成する工程と、
上記レジストパターンを用いて第２絶縁層上の開口部に第３電極を形成する工程と、
形成された第１電極と形成された第３電極との両方に接する半導体層を形成する工程と
からなり、第１電極がドレインまたはソース電極であり、第２電極がゲート電極であり、第３電極がソースまたはドレイン電極であることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項８】
レジスト光を透過する基材上に第１電極層を形成する工程と、
上記第１電極層上に第１絶縁層を形成する工程と、
上記第１絶縁層上に第２電極層を形成する工程と、
所定の形状の第１電極、および第２電極を形成するために、第１電極層、第１絶縁層および第２電極層を加工する工程と、
形成された第２電極の表面および側面に第２絶縁層およびゲート絶縁膜を形成する工程と、
形成された第２絶縁層上が開口したレジストパターンを形成する工程と、
上記レジストパターンを用いて第２絶縁層上の開口部に第３電極を形成する工程と、
形成された第１電極と形成された第３電極との両方に接する半導体層を形成する工程と
からなり、第１電極がドレインまたはソース電極であり、第２電極がゲート電極であり、第３電極がソースまたはドレイン電極であることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項９】
所定の形状に加工する工程が、請求項６では第３電極を、請求項７および請求項８では第２絶縁層をマスクとして、反応性イオンエッチングにより順次加工する請求項６〜８のいずれか１つに記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【請求項１０】
請求項６および請求項７のゲート絶縁膜を形成する工程、ならびに請求項８のゲート絶縁膜および第２絶縁層を形成する工程が、第２電極を酸化することを含む請求項６〜９のいずれか１つに記載の電界効果トランジスタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
かくして、本発明によれば、
第１電極と、上記第１電極の上部に配置され、絶縁層で埋設された第２電極と、上記絶縁層に埋設された第２電極の上部に配置された第３電極と、および上記第１電極と前記第３電極の両方に接する半導体層とからなり、第１電極がドレインまたはソース電極であり、第２電極がゲート電極であり、第３電極がソースまたはドレイン電極である電界効果トランジスタにおいて、第２電極が、第１および第３電極の構成材料よりも小さな酸化電位の材料からなることを特徴とする電界効果トランジスタが提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年11月9日(2005.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の形成方法及び半導体装置のアウターリード切断装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が載置されたリードフレームを樹脂成形用の金型に挿入し、前記半導体素子を樹脂によりモールドするとともに前記半導体素子の載置されていない前記リードフレーム上の領域に樹脂だまりを形成する工程と、
前記リードフレームがリード切断装置の所定位置に載置されるよう、前記樹脂だまりの位置に合わせて前記リードフレームを位置決めする工程と、
前記所定位置において、前記リード切断装置により前記リードフレームを切断し、アウターリードを所定の長さにする工程を具備することを特徴とする半導体装置の形成方法。
【請求項２】
モールドされた半導体素子と樹脂だまりの形成されたリードフレームを載置し、アウターリードを切断するための一対の金型を備え、前記金型は、前記樹脂だまりの位置に対応して前記リードフレームを所定位置に載置する位置補正機構を有することを特徴とする半導体装置のアウターリード切断装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の形成方法は、半導体素子が載置されたリードフレームを樹脂成形用の金型に挿入し、前記半導体素子を樹脂によりモールドするとともに前記半導体素子の載置されていない前記リードフレーム上の領域に樹脂だまりを形成する工程と、前記リードフレームがリード切断装置の所定位置に載置されるよう、前記樹脂だまりの位置に合わせて前記リードフレームを位置決めする工程と、前記所定位置において、前記リード切断装置により前記リードフレームを切断し、アウターリードを所定の長さにする工程を具備することを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
そして、本発明の半導体装置のアウターリード切断装置は、モールドされた半導体素子と樹脂だまりの形成されたリードフレームを載置し、アウターリードを切断するための一対の金型を備え、前記金型は、前記樹脂だまりの位置に対応して前記リードフレームを所定位置に載置する位置補正機構を有することを特徴とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【発明の効果】
本発明によれば、半導体装置のダメージを発生させることなく、高精度なアウターリード長さの制御が可能な半導体装置の形成方法及び半導体装置のアウターリード切断装置を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月7日(2004.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
高温割れは、凝固中の溶接部に引張応力が作用することに起因する。溶接部は一般にある一点の限られた温度で凝固するものではない。超純粋な単一元素又は単一化合物材料を扱わない限り、凝固はある温度範囲にわたって起こる。凝固が起こるにつれて、凝固中に進展する収縮又は温度低下による収縮が応力の発生を引き起こす。かかる応力が凝固中の材料に作用すると、高温割れが発生するようになる。これは、存在している液体が引張応力を支えきれないからである。このような割れは、引張応力ではなくて圧縮応力が発生すれば阻止できる。
【特許文献１】
米国特許５２９６６７５号公報
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月28日(2005.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリンダと、このシリンダの軸方向に往復動するピストン及び
ディスプレーサと、該ディスプレーサを弾性支持するディスプレーサ支持バネとを有し、このディスプレーサ支持バネの中心部に前記ディスプレーサを固定してなるスターリング機関であって、目標共振周波数に達する算定付加重量に相当する重量のワッシャとともに前記ディスプレーサを前記ディスプレーサ支持バネに固定してなることを特徴とするスターリング機関。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月3日(2004.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とする低分子化合物の固相担体への固定方法。
（１）光反応性化合物が表面に結合している固相担体に、低分子化合物を含む溶液を接触させる工程
（２）低分子化合物を含む溶液を、固相担体に接触させた状態で乾固させる工程
（３）固相担体に光を照射し、光反応性化合物と低分子化合物との間に共有結合を形成させる工程
【請求項２】
光反応性化合物が、ナイトレン、カルベン、ラジカル、又は炭素求電子剤を発生し得る化合物であることを特徴とする請求項１記載の低分子化合物の固相担体への固定方法。
【請求項３】
光反応性化合物が、ジアゾニウム基、アジド基、ジアジリン環、又はジアゾ基を部分構造として含む化合物であることを特徴とする請求項１記載の低分子化合物の固相担体への固定方法。
【請求項４】
光反応性化合物が、式（Ｉ）：
【化１】
2004309372.tif 000001
〔式中、Ｘは、−Ｎ３、−Ｃ＊（Ｒ１）Ｎ＝Ｎ＊（＊同士は連結して三員環を形成する）、−Ｎ２＋Ｚ−、−Ｃ（Ｒ２）＝Ｏ、−ＣＨ＝ＣＨ２、−ＮＯ２、−ＮＨ２、−Ｃ（＝Ｏ）Ｎ３、−Ｃｌ、又は−ＮＨ−ＣＨ２−ＣＯ−ＣＨ＝Ｎ２を表し；Ｒ１は、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、又は置換基を有していてもよいアリール基を表し；Ｒ２は置換基を有していてもよいアリール基を表し；Ｚ−は陰イオンを表し；Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、及びＹ５のいずれか一つは固相担体表面に担持された官能基と反応して共有結合を形成しうる基を表し、他の四つはそれぞれ独立して水素原子又はハロゲン原子を表す。〕
で表される化合物であることを特徴とする請求項１記載の低分子化合物の固相担体への固定方法。
【請求項５】
固相担体が、マイクロアレイ用基板であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載の低分子化合物の固相担体への固定方法。
【請求項６】
請求項５記載の方法によって得られる低分子マイクロアレイ。
【請求項７】
以下の工程を含むことを特徴とする低分子化合物と相互作用をする物質の検出方法。
（１）請求項６記載の低分子マイクロアレイに、標識された試料物質を含む溶液を接触させる工程
（２）低分子化合物と結合しない物質を除去する工程
（３）試料物質の標識を検出する工程
【請求項８】
以下の工程を含むことを特徴とする低分子化合物における相互作用部位の特定方法。
（１）光反応性化合物と、特定物質と相互作用をする低分子化合物を混合する工程
（２）前記混合物に光を照射し、光反応性化合物と低分子化合物との間に共有結合を形成させる工程
（３）光反応性化合物と低分子化合物の複合体を、低分子化合物の結合部位の違いにより分別する工程
（４）分別された前記複合体をそれぞれ固相担体に固定する工程
（５）前記固相担体上に固定された複合体に、標識された前記特定物質を含む溶液を接触させる工程
（６）固相担体上に固定された複合体のうち、標識が検出されないものを選択し、その結合体の低分子化合物と光反応性化合物との間の結合部位を特定する工程
【請求項９】
固相担体が、ビーズであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項記載の低分子化合物の固相担体への固定方法。
【請求項１０】
請求項９記載の方法によって得られる、低分子化合物が固定されたビーズ。
【請求項１１】
以下の工程を含むことを特徴とする低分子化合物と相互作用をする物質の精製方法。
（１）請求項１０記載のビーズに、試料物質を含む溶液を接触させる工程
（２）低分子化合物と結合しない物質を除去する工程
【請求項１２】
以下の工程を含むことを特徴とする低分子化合物と相互作用をする物質の検出方法。
（１）請求項１０記載のビーズに、標識された試料物質を含む溶液を接触させる工程
（２）低分子化合物と結合しない物質を除去する工程
（３）試料物質の標識を検出する工程
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月28日(2005.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  入射瞳を少なくとも２つ有して互いに視差を有する左眼用の第１の像と右眼用の第２の像を撮像する撮像手段を有する立体撮像ユニットと、前記立体撮像ユニットで撮像した２つの像を表示する２つの画像表示手段を有する立体表示ユニットとからなる立体観察システムにおいて、
前記画像表示手段により表示された前記第１の像の中心を見る観察者の左眼の視線と、前記画像表示手段により表示された前記第２の像の中心を見る観察者の右眼の視線が互いに輻輳角α2をなすように前記立体表示ユニットを構成し、前記輻輳角α2は以下の条件(1)を満たすことを特徴とする立体観察システム。
（α1−２tan-1（ｄ／２Ｌ））×（ｗ2／ｗ1）×0.83
≦α2
≦｛２sin-1（Ｇ／２Ｄ）−（２tan-1（ｄ／２Ｓ）−α1）×（ｗ2／ｗ1）｝×1.2
・・・(1)
ただし、α1は前記立体撮像ユニットの輻輳角（内向角）、ｄは前記立体撮像ユニットの２つの入射瞳中心を結ぶ距離、Ｌは前記立体撮像ユニットの被写界深度の遠点から立体撮像ユニットの入射瞳までの距離、Ｓは前記立体撮像ユニットの被写界深度の近点から立体撮像ユニットの入射瞳までの距離、ｗ1は前記立体撮像ユニットの画角、ｗ2は前記立体表示ユニットの画角、Ｇは観察者の左右瞳孔間距離、Ｄは観察者の瞳孔位置から観察画像までの距離である。
【請求項２】  以下の条件(2)を満たすことを特徴とする請求項１に記載の立体観察システム。
0.7≦α1／α2≦1.7      ・・・(2)
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで我々は、メチルグリオキサールの生体への影響を間接的に評価する指標
としてアルグピリミジンの測定は、メチルグリオキサールで問題となる試料採取
、保管および搬送を容易とし、糖尿病性合併症発症予知、防御および治療法開発
のための指標として有用であると考え、鋭意研究を行ってきた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
検体は、ＭＧ−ａｄｄｕｃｔを認識する抗体を利用する抗原抗体反応系によっ
て、ＭＧ−ａｄｄｕｃｔの測定が行われる。抗体は、アルグピリミジン構造を特
異的に認識する抗体である。この抗体は既に本発明の共同出願人の日本油脂株式
会社によって実用化及び市場に提供されており、例えば特許文献１に開示される
。抗体は、ポリクローナル抗体及びモノクローナル抗体のどちらも利用できるが
、より好ましくはモノクローナル抗体である。抗体作製動物としてウサギ、ヒツ
ジ、ヤギについていずれも利用でき特に限定されない。以下、本発明で利用され
る好適な抗体を抗ＭＧモノクローナル抗体として例示することもある。また、本
発明で使用する抗原とは、アルグピリミジンあるいはＢｏｃ−アルグピリミジン
を意味する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月13日(2005.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
投射イオンビームを試料に照射するための照射光学系と、
前記投射イオンビームの照射によって発生する二次粒子を検出する二次粒子検出手段と、
前記試料を載置する試料ステージと、
該試料ステージに載置された前記試料を格納する試料室と、
前記試料室内に、前記投射イオンビームを照射して前記試料より分離された試料片を前記試料から摘出して該試料片を移動させる移送手段とを備えることを特徴とする試料加工装置。
【請求項２】
投射イオンビームを試料に照射するための照射光学系と、
前記投射イオンビームの照射によって発生する二次粒子を検出する二次粒子検出手段と、
前記試料を載置する試料ステージと、
該試料ステージに載置された前記試料を格納する試料室と、
プローブを含む移送手段と，
少なくとも前記試料片と前記プローブとの間、前記試料片と前記試料ホルダの間のいずれか一方にデポジション膜を形成するためのガス供給源とを備えることを特徴とする試料加工装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の試料加工装置において、
前記試料ステージを微動させる微動手段を備え、
前記微動手段は前記試料室の外部に設けられることを特徴とする試料加工装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の試料加工装置において、
前記試料ステージから摘出された前記試料片を移設するための保持手段を備えた第二の試料ステージを有することを特徴とする試料加工装置。
【請求項５】
請求項４に記載の試料加工装置において、
前記試料保持手段とは、試料ホルダまたは保持用メッシュであることを特徴とする試料加工方法。    
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の試料加工装置において、
前記第二の試料ステージは、前記試料ステージから前記試料片が前記移動手段により摘出された後に前記試料ステージと交換して前記試料室に搭載されることを特徴とする試料作成装置。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の試料加工装置において、
前記微動手段に前記第二のステージを搭載して、当該第二のステージを前記試料室内に搭載することを特徴とする試料加工装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれかに記載の試料加工装置において、
前記試料ステージ及び第二の試料ステージはサイドエントリ型であることを特徴とする試料加工装置。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載の試料加工装置において、
前記投射イオンビームを前記試料に照射するためのステンシルマスクを備えることを特徴とする試料加工装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の試料加工装置において、
前記試料ステージは試料設置面を備えた試料設置部と、該試料設置部を前記試料設置面の面内に回転させる面内回転調整部を備えたことを特徴とする試料加工装置。
【請求項１１】
請求項１から１０のいずれかに記載の試料加工装置において、
前記試料ステージがSEMにも導入できる形状であることを特徴とする試料加工装置。
【請求項１２】
請求項１または２に記載の試料加工装置において、
試料の加工を増速するガスを供給するエッチングガス供給手段を備えることを特徴とする試料加工装置。
【請求項１３】
投射イオンビームを試料に照射するための照射光学系と、
該照射光学系を制御するイオンビーム制御部と、
前記試料を載置する試料ステージと、
該試料ステージに載置された前記試料を格納する試料室と、
該試料室内に設けられ、前記試料から摘出された試料片を載せる試料保持手段と、
前記試料片を前記試料保持手段に載せるための移送手段と、
前記試料保持手段へ前記試料片を載せる作業が前記試料室内で実行可能であることを特徴とする試料加工装置。
【請求項１４】
イオンビームを発生するイオン源と、所望の形状の開口を有するマスクと、偏向器とを少なくとも有する照射光学系と、
該照射光学系を制御するイオンビーム制御部と、
試料を載置する試料ステージと、
該試料ステージに載置された前記試料を格納する試料室と、
該試料室内に設けられ、前記試料から摘出された試料片を載せる試料保持手段と、
前記試料片を前記試料保持手段に載せるための移送手段と、
前記試料保持手段へ前記試料片を載せる作業が前記試料室内で実行可能であることを特徴とする装置。
【請求項１５】
イオンビームを発生するイオン源と、所望の形状の開口を有するマスクと、偏向器とを少なくとも有する照射光学系と、
前記試料を載置する試料ステージと、
前記試料から摘出された試料片を載せる試料保持手段と、
プローブを含む移送手段と，
少なくとも前記試料片と前記プローブとの間、前記試料片と前記試料ホルダの間のいずれか一方にデポジション膜を形成するためのガス供給源と、
少なくとも前記試料ステージ、前記プローブ及び前記試料保持手段を格納する試料室とを備えることを特徴とする試料加工装置。
【請求項１６】
請求項１４または１５に記載の試料加工装置において、
前記マスクはステンシルマスクであることを特徴とする装置。
【請求項１７】
請求項１４または１５に記載の試料加工装置において、
前記イオン源は液体金属イオン源を含むことを特徴とする装置。