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【手続補正書】
【提出日】令和3年1月28日(2021.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
抵抗処理ユニット（ＲＰＵ）アレイのクロスポイント・デバイスに重みを記憶するための方法であって、
前記クロスポイント・デバイスの複数の単一ビット・カウンタからの各単一ビット・カウンタの状態を設定するステップであり、前記単一ビット・カウンタの前記状態が前記クロスポイント・デバイスに記憶される前記重みを表す、前記設定するステップと、
前記クロスポイント・デバイスの抵抗器デバイスの電気コンダクタンスを調整するステップであり、前記抵抗器デバイスが複数の抵抗回路を含み、各抵抗回路が前記複数の単一ビット・カウンタからのそれぞれの単一ビット・カウンタに関連付けられ、前記電気コンダクタンスが、前記関連付けられた単一ビット・カウンタの状態に応じて、各抵抗回路を活性化または非活性化することによって調整される、前記調整するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記抵抗回路が直列に通信可能に結合されている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記抵抗回路が２次関数的に増加する抵抗を含み、第１の抵抗回路が所定の抵抗を有し、さらなる後続の各抵抗回路が、前の抵抗回路の値の２倍の抵抗を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記抵抗回路が電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）を含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記ＦＥＴが２次関数的に減少するトランジスタ幅に少なくとも部分的に基づいて、２次関数的に増加する抵抗を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記ＦＥＴが、２次関数的に増加するゲート長に少なくとも部分的に基づいて、２次関数的に増加する抵抗を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項７】
前記ＦＥＴが、ＦＥＴの縦型スタックの一部である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記抵抗回路が抵抗器ラダーを含み、前記抵抗回路のそれぞれが、
論理ゲートと、
直列の抵抗器と、
を備え、
前記論理ゲートが、前記対応する単一ビット・カウンタの前記状態に少なくとも部分的に基づいて活性化される、
請求項３に記載の方法。
【請求項９】
抵抗処理ユニット（ＲＰＵ）アレイのクロスポイントに重み値を記憶するためのクロスポイント・デバイスであって、
複数の単一ビット・カウンタを含むカウンタであり、前記単一ビット・カウンタの状態が前記クロスポイント・デバイスに記憶される前記重みを表す、前記カウンタと、
複数の抵抗回路を備える抵抗器デバイスであり、各抵抗回路が前記複数の単一ビット・カウンタからのそれぞれの単一ビット・カウンタに関連付けられており、前記抵抗回路が前記関連付けられた単一ビット・カウンタの状態に従って活性化または非活性化され、前記抵抗器デバイスの電気コンダクタンスが、活性化されている前記抵抗回路に少なくとも部分的に基づいて調整される、前記抵抗器デバイスと、
を備える、クロスポイント・デバイス。
【請求項１０】
ニューラル・ネットワークを実施するためのクロスポイント・アレイであって、
前記クロスポイント・アレイの各ノードにある複数のクロスポイント・デバイスを含み、各ノードが前記ニューラル・ネットワークのニューロン間の接続を表し、各ノードが当該ノードに割り当てられた重みを記憶し、前記複数のクロスポイント・デバイスの各々が請求項９に記載のものである、クロスポイント・アレイ。
【請求項１１】
ニューラル・ネットワークを実施するためのシステムであって、
請求項１０に記載のクロスポイント・アレイと、
前記クロスポイント・アレイの各クロスポイント・デバイスに記憶された値を調整するように構成されたグローバル・コントローラと、
を備えるシステム。
【請求項１２】
前記クロスポイント・アレイが、
各クロスポイントにおけるローカル・メモリであって、前記クロスポイントの前記クロスポイント・デバイスに割り当てられた複数の重みを記憶するように構成され、前記複数の重みのそれぞれが前記ニューラル・ネットワークからのそれぞれの層間接続に対応する、前記ローカル・メモリと、
各クロスポイントにおけるローカル・コントローラであって、前記ローカル・メモリと結合され、
前記ローカル・メモリから重みを読み出し、
前記クロスポイントにおける前記クロスポイント・デバイスのカウンタの値として重みを設定する、
ように構成されている、前記ローカル・コントローラと、
をさらに備える、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記ローカル・コントローラが前記クロスポイント・デバイスの前記カウンタの前記値を前記ローカル・メモリに記憶するようにさらに構成されている、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
ニューラル・ネットワークを実施するための方法であって、
グローバル・コントローラによって、クロスポイント・アレイにロードされるマトリックスを選択するステップであり、前記マトリックスが前記ニューラル・ネットワークの２つの層間の接続に対応する、前記選択するステップと、
それに応じて、前記クロスポイント・アレイのクロスポイントのローカル・コントローラによって、前記クロスポイントに関連付けられたクロスポイント・デバイスの重み値をロードするステップであり、前記重み値が前記選択されたマトリックスの前記クロスポイントに割り当てられ、請求項１ないし８のいずれかに記載の方法のステップを含む、前記ロードするステップと、
それに応じて、前記クロスポイント・デバイスによって、前記クロスポイントに関連付けられた抵抗器デバイスのコンダクタンスを調整するステップであり、前記コンダクタンスが前記クロスポイント・デバイスにロードされた前記重み値に対応する、前記調整するステップと、
を含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月1日(2021.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ファイバ増幅器システムであって、
光学的なシード・ビームを提供する光学的ソースと、
前記シード・ビームと第１のＲＦ駆動信号とに応答する周波数変調（ＦＭ）電気光学変調器（ＥＯＭ）であって、前記シード・ビームのスペクトル線幅を拡幅するように、前記第１の駆動信号を用いて前記シード・ビームを周波数変調するＦＭ  ＥＯＭと、
前記シード・ビームと第２のＲＦ駆動信号とに応答する振幅変調（ＡＭ）ＥＯＭであって、前記周波数変調されたシード・ビームと同期の振幅変調されたシード・ビームを提供するように、前記第２の駆動信号を用いて前記シード・ビームを振幅変調するＡＭ  ＥＯＭと、
ＡＭ変調およびＦＭ変調された前記シード・ビーム受け取り、前記シード・ビームを増幅する非線形ファイバ増幅器であって、前記振幅変調されたシード・ビームにより前記ファイバ増幅器において自己位相変調を生じさせ、前記シード・ビームが前記ファイバ増幅器により増幅されているときに前記シード・ビームを位相変調し、ＦＭ  ＥＯＭにより生じさせられるスペクトル線幅の拡幅を相殺するように働かせる、非線形ファイバ増幅器と
を含むファイバ増幅器システム。
【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、前記ＦＭ  ＥＯＭと前記ＡＭ  ＥＯＭとは別個の変調デバイスである、システム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムであって、前記ＦＭ  ＥＯＭと前記ＡＭ  ＥＯＭとは１つに組み合わされた変調デバイスである、システム。
【請求項４】
請求項３に記載のシステムであって、前記第２の駆動信号は、前記振幅変調のために位相シフトされ増幅された前記第１の駆動信号の変化したものである、システム。
【請求項５】
請求項１に記載のシステムであって、前記第１の駆動信号と前記第２の駆動信号とはシングル・トーン正弦波信号である、システム。
【請求項６】
請求項５に記載のシステムであって、前記第１の駆動信号の振幅は、前記ＦＭ  ＥＯＭにより前記シード・ビームの０次周波数からのパワーのほとんどを除去するように、選択される、システム。
【請求項７】
請求項５に記載のシステムであって、前記第１の駆動信号の振幅は、前記ＦＭ  ＥＯＭにより前記シード・ビームの０次および＋／−１次の周波数において等しい振幅のパワーを生成するように、選択される、システム。
【請求項８】
請求項５に記載のシステムであって、前記第１の駆動信号は３２ＧＨｚの周波数を有する、システム。
【請求項９】
請求項１に記載のシステムであって、周波数変調拡幅を提供するように前記シード・ビームを周波数変調する補助ＥＯＭを更に含むシステム。
【請求項１０】
請求項１に記載のシステムであって、前記光学的なソースはマスタ発振器である、システム。
【請求項１１】
請求項１に記載のシステムであって、前記ファイバ増幅器システムは、コヒーレント・ビーム結合（ＣＢＣ）ファイバ増幅器システムまたはスペクトル・ビーム結合（ＳＢＣ）ファイバ増幅器システムの一部である、システム。
【請求項１２】
ファイバ増幅器システムであって、
光学的なシード・ビームを提供する光学的ソースと、
周波数変調拡幅を提供するために前記シード・ビームを周波数変調する補助電気光学変調器（ＥＯＭ）と、
前記シード・ビームと、第１のＲＦ駆動信号と、第２のＲＦ駆動信号とに応答する、組み合わせ型の周波数変調（ＦＭ）および振幅変調（ＡＭ）ＥＯＭであって、前記シード・ビームのスペクトル線幅を拡幅するように、前記第１の駆動信号を用いて前記シード・ビームを周波数変調し、前記周波数変調されたシード・ビームと同期の振幅変調されたシード・ビームを提供するように、前記第２の駆動信号を用いて前記シード・ビームを振幅変調するＦＭおよびＡＭ  ＥＯＭと、
ＡＭ変調およびＦＭ変調された前記シード・ビーム受け取り、前記シード・ビームを増幅する非線形ファイバ増幅器であって、前記振幅変調されたシード・ビームにより前記ファイバ増幅器において自己位相変調を生じさせ、前記シード・ビームが前記ファイバ増幅器により増幅されているときに前記シード・ビームを位相変調し、ＦＭおよびＡＭ  ＥＯＭにより生じさせられるスペクトル線幅の拡幅を相殺するように働かせる、非線形ファイバ増幅器と
を含むファイバ増幅器システム。
【請求項１３】
請求項１２に記載のシステムであって、前記第２の駆動信号は、前記振幅変調のために位相シフトされ増幅された前記第１の駆動信号の変化したものであるシステム。
【請求項１４】
請求項１２に記載のシステムであって、前記第１の駆動信号と前記第２の駆動信号とはシングル・トーン正弦波信号である、システム。
【請求項１５】
請求項１４に記載のシステムであって、
前記第１の駆動信号の振幅は、前記ＦＭおよびＡＭ  ＥＯＭにより前記シード・ビームの０次周波数からのパワーのほとんどを除去するように、選択される、システム。
【請求項１６】
請求項１４に記載のシステムであって、前記第１の駆動信号の振幅は、前記ＦＭおよびＡＭ  ＥＯＭにおいて前記シード・ビームの０次および＋／−１次の周波数において等しい振幅のパワーを生成するように、選択される、システム。
【請求項１７】
光学的なシード・ビームを増幅する方法であって、
前記シード・ビームを、そのスペクトル線幅を拡げるように、第１のＲＦ駆動信号を用いて周波数変調するステップと、
前記周波数変調されたシード・ビームと同期の振幅変調されたシード・ビームを提供するように、前記シード・ビームを、第２のＲＦ駆動信号を用いて周波数変調するステップと、
非線形ファイバ増幅器において前記周波数変調および振幅変調されたシード・ビームを増幅することにより、前記振幅変調されたシード・ビームが、前記ファイバ増幅器において生じる自己位相変調を生じさせ、前記シード・ビームが前記ファイバ増幅器により増幅されているときに前記シード・ビームを変調し、前記周波数変調による影響を受ける前記スペクトル線幅を相殺するように働くようにするステップと
を含む方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載の方法であって、前記第１の駆動信号と前記第２の駆動信号とはシングル・トーン正弦波信号である、方法。
【請求項１９】
請求項１８に記載の方法であって、前記第１の駆動信号の振幅は、前記周波数変調の間に前記シード・ビームの０次周波数からのパワーのほとんどを除去するように、選択される、方法。
【請求項２０】
請求項１８に記載の方法であって、
前記第１の駆動信号の振幅は、前記周波数変調の間に前記シード・ビームの０次および＋／−１次の周波数において等しい振幅のパワーを生成するように、選択される、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月21日(2021.7.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ユーザ機器(UE)によるワイヤレス通信の方法であって、
複数のスケジューリング要求(SR)構成を識別するステップであり、各SR構成が、前記UEが基地局とそれを介して通信する複数のサービスの中の1つまたは複数のサービスに関連付けられる、ステップと、
前記複数のSR構成に基づいてSR衝突の潜在的な発生を検出するステップであり、SR衝突が、前記複数のサービスの中の第1のサービスのSR機会と前記複数のサービスの中の第2のサービスのSR機会とが少なくとも部分的に重複したときに発生する、ステップと、
前記第1のサービスのPUCCHフォーマットと前記第2のサービスのPUCCHフォーマットに少なくとも部分的に基づいて前記SR衝突の前記潜在的な発生を解決するステップであって、前記PUCCHフォーマットは、長いPUCCHフォーマットまたは短いPUCCHフォーマットを含み、
前記SR衝突の前記潜在的な発生を解決するステップが、
現在送信中の１つまたは複数のSRを中断するステップと、
SR機会の間に異なる１つまたは複数のSRを送信するステップと、
を含む、解決するステップと、
前記SR衝突の前記潜在的な発生の解決に従って前記基地局と通信するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記SR衝突の前記潜在的な発生を解決する前記ステップが、
前記第1のサービスの優先度および前記第2のサービスの優先度を決定するステップ
を含み、通信する前記ステップが、
前記第1のサービスが前記第2のサービスよりも高い優先度を有するとき、前記第1のサービスに関連付けられたSRを送信するステップと、
前記第2のサービスが前記第1のサービスよりも低い優先度を有するとき、前記第2のサービスに関連付けられたSRの送信を控えるステップと
を含む、
請求項1に記載の方法。
【請求項３】
控える前記ステップが、前記送信を実行するUEの送信電力レベルに基づいて実行される、請求項2に記載の方法。
【請求項４】
SR機会の間に、前記対応するSR構成に基づいて前記複数のサービスの各々についてのスケジューリング要求を送信するステップ
をさらに含む、請求項1に記載の方法。
【請求項５】
前記中断された1つまたは複数のSRが、前記異なる1つまたは複数のSRよりも低い優先度を有する、請求項1に記載の方法。
【請求項６】
前記SR衝突の前記潜在的な発生を解決するステップが、
前記少なくとも部分的に重複するSR機会の1つまたは複数でSR送信を一時停止するステップ
を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項７】
前記SR衝突の前記潜在的な発生を解決するステップが、
前記複数のサービスのうちの1つまたは複数の低優先度のサービスのSRを一時停止するステップ
を含む、請求項1に記載の方法。
【請求項８】
1つまたは複数の低優先度サービスを識別する制御信号を受信するステップと、
前記制御信号に基づいて、1つまたは複数の低優先度サービスのSRを一時停止するステップと
をさらに含む請求項1に記載の方法。
【請求項９】
前記1つまたは複数のSRが1ビットSRである、請求項2に記載の方法。
【請求項１０】
前記1つまたは複数のSRがマルチビットSRである、請求項2に記載の方法。
【請求項１１】
マルチビットSRが、複数のサービスのためにSRをシグナリングする単一のSR送信である、請求項10に記載の方法。
【請求項１２】
前記第1のサービスの前記SR機会、前記第2のサービスの前記SR機会、またはその両方が非周期的なSR機会でもよい、請求項2に記載の方法。
【請求項１３】
前記複数のサービスのうちの少なくとも1つが、複数のSR構成に関連付けられている、請求項2に記載の方法。
【請求項１４】
ワイヤレス通信のための装置であって、
複数のスケジューリング要求(SR)構成を識別するための手段であり、各SR構成が、UEが基地局とそれを介して通信する複数のサービスの中の1つまたは複数のサービスに関連付けられる、手段と、
前記複数のSR構成に基づいてSR衝突の潜在的な発生を検出するための手段であり、SR衝突が、前記複数のサービスの中の第1のサービスのSR機会と前記複数のサービスの中の第2のサービスのSR機会とが少なくとも部分的に重複したときに発生する、手段と、
前記第1のサービスのPUCCHフォーマットと前記第2のサービスのPUCCHフォーマットに少なくとも部分的に基づいて前記SR衝突の前記潜在的な発生を解決するための手段であって、前記PUCCHフォーマットは、長いPUCCHフォーマットまたは短いPUCCHフォーマットを含み、
前記SR衝突の前記潜在的な発生を解決することが、
現在送信中の１つまたは複数のSRを中断することと、
SR機会の間に異なる１つまたは複数のSRを送信することと、
を含む、解決するための手段と、
前記SR衝突の前記潜在的な発生の解決に従って前記基地局と通信するための手段と
を含む装置。
【請求項１５】
プログラムコードを記録したコンピュータ可読記憶媒体であって、前記プログラムコードが、
ワイヤレス通信装置に請求項１乃至１３の何れか一項に記載の方法を実行させるためのコードを含む、
コンピュータ可読記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和2年6月17日(2020.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電ゲートと、
前記導電ゲートに隣接する電荷阻止領域であって、酸窒化ケイ素と二酸化ケイ素とを含む前記電荷阻止領域と、
前記電荷阻止領域に隣接する電荷蓄積領域と、
前記電荷蓄積領域に隣接するトンネリング材料と、
前記トンネリング材料に隣接するチャネル材料であって、前記トンネリング材料は、前記チャネル材料と前記電荷蓄積領域との間にある、前記チャネル材料と
を含む、メモリセル。
【請求項２】
前記電荷阻止領域は、前記導電ゲートに近接して前記酸窒化ケイ素を含み、前記酸窒化ケイ素によって前記導電ゲートから離隔された前記二酸化ケイ素を含む、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項３】
前記電荷阻止領域の前記二酸化ケイ素は、前記電荷蓄積領域に直接接する、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項４】
前記電荷蓄積領域は窒化ケイ素を含み、前記窒化ケイ素は、前記電荷阻止領域の前記二酸化ケイ素に直接接する、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項５】
前記電荷阻止領域は、前記導電ゲートと前記電荷蓄積領域との間に約５０Åから約１５０Åまでの範囲内の厚さを有し、前記電荷阻止領域の前記二酸化ケイ素は、前記導電ゲートと前記電荷蓄積領域との間に約１０Åから約３０Åまでの範囲内の厚さを有する、請求項１に記載のメモリセル。
【請求項６】
交互の絶縁レベル及びワード線レベルの垂直方向のスタックであって、前記ワード線レベルは導電領域を含む、前記スタックと、
前記導電領域に隣接する電荷蓄積領域と、
前記電荷蓄積領域と前記導電領域との間の電荷阻止領域であって、前記電荷阻止領域は、酸窒化ケイ素に沿って垂直方向に拡張する二酸化ケイ素を含み、前記二酸化ケイ素は、前記酸窒化ケイ素と前記電荷蓄積領域との間にある、前記電荷阻止領域と
を含む、アセンブリ。
【請求項７】
前記スタックに沿って垂直方向に拡張するチャネル材料を含み、前記電荷蓄積領域は、前記導電領域と前記チャネル材料との間にある、請求項６に記載のアセンブリ。
【請求項８】
前記チャネル材料は、前記垂直方向に沿って蛇行し、前記絶縁レベルに沿った前記チャネル材料の区域は内側へ突出し、前記ワード線レベルに沿った前記チャネル材料の区域は外側へ突出する、請求項７に記載のアセンブリ。
【請求項９】
前記導電領域と前記電荷阻止領域の前記酸窒化ケイ素との間に誘電障壁領域を含む、請求項６に記載のアセンブリ。
【請求項１０】
交互の第１及び第２のレベルのスタックを通じて第１の開口部を形成することであって、前記第１のレベルは第１の材料を含み、前記第２のレベルは第２の材料を含むことと、
間隙を形成するために前記第１の開口部に沿って前記第１のレベルの前記第１の材料を凹部加工することであって、前記間隙は、前記第２のレベルの前記第２の材料の区域の間に垂直方向にあり、前記第２のレベルの前記第２の材料の前記区域は、前記間隙の上方及び下方のレッジであることと、
前記第１の材料の残存部分に沿って電荷阻止領域を形成するために、前記間隙に沿って前記第１のレベルの前記第１の材料の縁を酸化することと、
前記間隙内に、及び前記電荷阻止領域に沿って電荷捕獲領域を形成することと、
前記第１の開口部内に、垂直方向に拡張するトンネリング材料を形成することであって、前記トンネリング材料は、前記第２のレベルの前記第２の材料の縁に沿って、及び前記電荷捕獲領域に沿って拡張することと、
前記第１の開口部内に、及び前記トンネリング材料に隣接してチャネル材料を形成することと、
前記スタックを通じて第２の開口部を形成することであって、前記第２の開口部は、前記第１の材料の前記残存部分を通じて拡張することと、
前記第２の開口部に沿って空洞を形成するために、前記第１の材料の前記残存部分を除去することと、
前記空洞内に導電領域を形成することと
を含む、アセンブリを形成する方法。
【請求項１１】
前記酸化することは、ｉｎ  ｓｉｔｕ  ｓｔｅａｍ  ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎを利用する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記酸化することは、プラズマを利用する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１の材料は窒化ケイ素を含み、前記第２の材料は二酸化ケイ素を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の材料は窒化ケイ素を含み、前記電荷阻止領域は酸窒化ケイ素を含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１５】
前記チャネル材料は、垂直方向に沿って蛇行し、前記第２のレベルに沿った前記チャネル材料の区域は、前記第１の開口部に対して内側へ側面において突出し、前記第１のレベルに沿った前記チャネル材料の区域は、前記第１の開口部に対して外側へ側面において突出する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１６】
前記トンネリング材料は第２のトンネリング材料であり、前記電荷捕獲領域の縁に沿って第１のトンネリング材料を形成することを更に含み、前記第１のトンネリング材料は、前記間隙内にのみあり、前記第２のトンネリング材料は、前記第１のトンネリング材料と前記チャネル材料との間にあり、前記第２のトンネリング材料は、前記第１のトンネリング材料とは組成的に異なる、請求項１０に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
本明細書で説明される実施形態は、垂直方向に蛇行するチャネル材料４６、湾曲したトンネリング領域７２、湾曲した電荷蓄積領域３８、湾曲した電荷阻止領域３０、湾曲した誘電障壁材料５４、及びゲート領域に沿った湾曲した面７３を形成するために利用され得、それらの全ては図１６に示されている。他の実施形態では、チャネル材料は、実質的に垂直方向に直線であり得、トンネリング領域７２は、実質的に垂直方向に直線であり得、電荷蓄積領域３８は、実質的に垂直方向に直線であり得、電荷阻止領域３０は、実質的に垂直方向に直線であり得、誘電障壁材料５４は、実質的に垂直方向に直線であり得、及び／又はゲート領域に沿った面７３は、実質的に垂直方向に直線であり得る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2021507545.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月18日(2021.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に論理デバイスおよびパワー・デバイスを形成する方法であって、
前記基板の第１の領域上に第１の垂直フィンを形成し、前記基板の第２の領域上に第２の垂直フィンを形成すること
を含み、分離領域が前記第１の領域を前記第２の領域から分離し、前記方法がさらに、
前記第２の垂直フィン上に誘電性下層セグメントを形成すること、ならびに
前記誘電性下層セグメント上および前記第２の垂直フィン上に第１のゲート構造体を形成すること
を含む方法。
【請求項２】
前記誘電性下層セグメントが５ｎｍから１０ｎｍの範囲の厚さを有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記誘電性下層セグメントが、酸化シリコン（ＳｉＯ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、ホウ素化炭化窒化シリコン（ＳｉＢＣＮ）、酸化炭化窒化シリコン（ＳｉＯＣＮ）およびこれらの組合せからなるグループから選択された材料でできた、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記第１のゲート構造体が、前記誘電性下層セグメント上のゲート誘電体層、前記ゲート誘電体層上の仕事関数層、および前記仕事関数層上の導電性ゲート充填材を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１の垂直フィン上に第２のゲート構造体を形成することをさらに含み、前記ゲート構造体が、前記第１の垂直フィン上の第２のゲート誘電体層、前記ゲート誘電体層上の第２の仕事関数層、および前記第２の仕事関数層上の第２の導電性ゲート充填材を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の垂直フィン上の前記第２のゲート構造体および前記第２の垂直フィン上の前記第１のゲート構造体がそれぞれ逆Ｔ字形のゲート構造体であり、前記第２の領域上の導電性領域が逆Ｔ字形の形状を有する、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の垂直フィンの下の前記基板内に下ソース／ドレイン領域を形成すること、および前記第２の垂直フィンの下の前記基板内にドープされたウェルを形成することをさらに含み、前記下ソース／ドレイン領域が、前記ドープされたウェルのドーパント濃度の少なくとも５倍のドーパント濃度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の垂直フィン上に上ソース／ドレインを形成し、前記第２の垂直フィン上に上ソース／ドレインを形成することをさらに含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記上ソース／ドレイン上、前記ドープされたウェル上および前記下ソース／ドレイン領域上にコンタクト層を形成することをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
基板上の論理デバイスおよびパワー・デバイスであって、
前記基板の第１の領域上の第１の垂直フィンおよび前記基板の第２の領域上の第２の垂直フィンであり、分離領域が前記第１の領域を前記第２の領域から分離した、前記第１の垂直フィンおよび前記第２の垂直フィンと、
前記第１の垂直フィンの下方の前記基板内のドープされた第１のウェルおよび下ソース／ドレイン領域と、
前記第２の垂直フィンの下方の前記基板内のドープされた第２のウェルと、
前記下ソース／ドレイン領域上および前記ドープされた第２のウェル上の下スペーサ層と、
前記下スペーサ層上および前記第２の垂直フィン上の誘電性下層セグメントと、
前記誘電性下層セグメント上の第１のゲート誘電体層と
を備える、基板上の論理デバイスおよびパワー・デバイス。
【請求項１１】
前記第１の領域上の前記下スペーサ層上および前記第１の垂直フィン上の第２のゲート誘電体層をさらに備える、請求項１０に記載の論理デバイスおよびパワー・デバイス。
【請求項１２】
前記ドープされた第１のウェルをｐ型にドープされたウェルとし、前記ドープされた第２のウェルをｎ型にドープされたウェルとすることができ、前記ｎ型にドープされたウェルが、１×１０１７原子／ｃｍ３から１×１０１９原子／ｃｍ３の範囲のドーパント濃度を有し、前記下ソース／ドレイン領域が、１×１０１８原子／ｃｍ３から１×１０２１原子／ｃｍ３の範囲のドーパント濃度を有する、請求項１０に記載の論理デバイスおよびパワー・デバイス。
【請求項１３】
前記ｎ型にドープされたウェル上に形成されたコンタクト層をさらに備え、前記コンタクト層と前記第２の垂直フィンとの間の横方向距離が２０ｎｍから２００ｎｍの範囲にある、請求項１２に記載の論理デバイスおよびパワー・デバイス。
【請求項１４】
前記下ソース／ドレイン領域が、前記ｎ型にドープされたウェルのドーパント濃度の少なくとも５倍の前記ドーパント濃度を有し、前記ｎ型にドープされたウェルが３０ｎｍから１５０ｎｍの範囲の深さを有する、請求項１２に記載の論理デバイスおよびパワー・デバイス。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月19日(2021.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスを形成する方法であって、
基板上に電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のソース端子とドレイン端子とを形成することであって、前記ソース端子と前記ドレイン端子とがチャネル領域の両側に形成される、前記形成することと、
前記ソース端子と前記チャネル領域とに隣接してエネルギー障壁を形成することと、
前記チャネル領域の上に導電ゲートを形成することとを含む、方法。
【請求項２】
前記エネルギー障壁と前記チャネル領域とが第１のドーパントを使用してドープされ、前記エネルギー障壁が前記チャネル領域よりも高いドーピング濃度を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ソース端子と前記ドレイン端子とが第２のドーパントを使用してドープされる、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記導電ゲートに隣接してスペーサ側壁を形成することをさらに含み、前記ゲート上に蓄積された電荷が前記スペーサ側壁に、前記エネルギー障壁の高さを調節するフリンジ場を生じさせる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記エネルギー障壁がヘテロ障壁材料から形成される、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記導電ゲートにおいてフローティング・ゲートを形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記導電ゲートにおいて金属層上に強誘電体の層を形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
半導体デバイスを形成する方法であって、
基板上に半導体フィンのソース端子を形成することと、
前記ソース端子の一表面上にエネルギー障壁を形成することと、
前記エネルギー障壁の一表面上にチャネルを形成することと、
前記チャネルの一表面上にドレイン端子を形成することと、
前記チャネルの両側で前記ドレイン端子と前記チャネルとを陥凹化させることと、
前記陥凹化させることによって形成された凹部においてエネルギー障壁をエッチングすることと、
前記エネルギー障壁をエッチングすることによって形成された前記凹部内の前記ソース端子の一部を除去するように時間調節エッチングを使用して前記ソース端子を陥凹化させることと、
前記ソース端子の一表面と前記半導体フィンの側壁の上に第１の下部スペーサを形成することと、
前記第１の下部スペーサの表面上にゲート・スタックを形成することとを含む、方法。
【請求項９】
前記ゲート・スタックをエッチングすることと、
前記ゲート・スタックの一表面上に第２の下部スペーサを形成することと、
前記ドレイン端子を第１の線に接続するアクティブ接点を形成することと、
前記ゲート・スタックを第２の線に接続するゲート接点を形成することとをさらに含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の下部スペーサはシリコン窒化物からなり、前記ドレイン端子と前記ソース端子とはＰ＋ドープＳｉＧｅからなり、前記チャネルはＮ−ドープＳｉＧｅからなり、前記エネルギー障壁はＳｉからなる、請求項８に記載の方法。
【請求項１１】
半導体デバイスであって、
ソース端子と、
ドレイン端子であって、前記ソース端子と前記ドレイン端子とが基板上の所定のチャネル領域の両側に形成された、前記ドレイン端子と、
前記ソース端子と前記チャネル領域とに隣接したエネルギー障壁と、
前記チャネル領域の上に形成された導電ゲート・スタックとを含む、半導体デバイス。
【請求項１２】
前記エネルギー障壁は第１のエネルギー障壁を含み、
前記ドレイン端子と前記チャネル領域とに隣接して第２のエネルギー障壁が形成された、請求項１１に記載の半導体デバイス。
【請求項１３】
半導体デバイスであって、
基板上に形成された半導体フィンであって、前記半導体フィンのソース端子とチャネル領域との間にエネルギー障壁を含む、前記半導体フィンと、
前記半導体フィンの前記チャネル領域の上の導電ゲートと、
前記導電ゲートと前記基板との間の下部スペーサとを含む、半導体デバイス。
【請求項１４】
前記半導体フィンが、前記半導体フィンのドレイン端子と前記チャネル領域の間に第２のエネルギー障壁をさらに含む、請求項１３に記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
前記導電ゲートが金属層上の強誘電体の層を含む、請求項１３に記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
半導体デバイスであって、
基板上に形成された半導体フィンを含み、前記半導体フィンは、
第１のドーパントを使用してドープされたソース端子と、
第２のドーパントを使用して第１の濃度でドープされたドレイン端子と、
前記第２のドーパントを使用して第２の濃度でドープされたチャネルとを含み、
前記第２の濃度は前記第１の濃度よりも低い、半導体デバイス。
【請求項１７】
前記チャネルの上に形成されたゲート・スタックをさらに含む、請求項１６に記載の半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月10日(2021.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下を含む、組換えポリペプチド：
切断型UV損傷エンドヌクレアーゼ (UVDE) であって、切断が酵素活性に必要なUVDEの保存領域のアミノ末端（N末端）側である、切断型UVDE；および
UVDEのカルボキシ末端(C末端)側にある少なくとも1つの異種性標的化配列。
【請求項２】
SEQ ID NO: 16のアミノ酸229〜599に示される切断型UV損傷エンドヌクレアーゼ (UVDE)；および
UVDEのカルボキシ末端(C末端)側にあるSEQ ID NO: 2の転写のトランス活性化因子 (TAT) アミノ酸配列
を含む、請求項1記載の組換えポリペプチド。
【請求項３】
切断型UVDEが、SEQ ID NO: 16の最初の228アミノ酸を欠くシゾサッカロミセス・ポンベ (Schizosaccharomyces pombe) Uve1pである、請求項1記載の組換えポリペプチド。
【請求項４】
少なくとも1つの異種性標的化配列が、
細胞透過性ペプチド；
核局在化シグナル (NLS)；または
NLSおよびTATタンパク質形質導入ドメイン
を含む、請求項1記載の組換えポリペプチド。
【請求項５】
SEQ ID NO: 12のアミノ酸1〜383またはSEQ ID NO: 14のアミノ酸1〜391を含む、請求項1記載の組換えポリペプチド。
【請求項６】
1つまたは複数の精製タグをさらに含む、請求項1記載の組換えポリペプチド。
【請求項７】
プロテアーゼによって特異的に認識される少なくとも1つの配列をさらに含む、組換えポリペプチドであって、プロテアーゼ認識配列が、切断型UVDEと少なくとも1つの異種性標的化配列との間に位置する、請求項1記載の組換えポリペプチド。
【請求項８】
リポソームに封入される、請求項1〜7のいずれか一項記載の組換えポリペプチド。
【請求項９】
請求項1〜7のいずれか一項記載の組換えポリペプチドをコードする、組換えポリヌクレオチド。
【請求項１０】
請求項9記載の組換えポリヌクレオチドを含む、ベクター。
【請求項１１】
請求項1〜8のいずれか一項記載の組換えポリペプチドまたは請求項10記載のベクターを含む、宿主細胞。
【請求項１２】
請求項1〜8のいずれか一項記載の組換えポリペプチドまたは請求項9記載の組換えポリヌクレオチドの治療的有効量を含む、局所製剤。
【請求項１３】
ローション、クリーム、軟膏、ペースト、粉末、日焼け止め、液体、エアロゾル、懸濁液、エマルション、フォーム、ゲル、ヒドロゲル、硬膏剤、パッチ、包帯、ワイプ、マイクロスポンジ、エラストマー、またはフィルムに組み込まれる、請求項12記載の局所製剤。
【請求項１４】
組換えポリペプチドまたは組換えポリヌクレオチドがリポソームに封入されている、請求項12記載の局所製剤。
【請求項１５】
請求項1〜8のいずれか一項記載の組換えポリペプチドまたは請求項9記載の組換えポリヌクレオチド、および薬学的に許容される担体を含む、組成物。
【請求項１６】
組換えポリペプチドまたは組換えポリヌクレオチドがリポソームに封入されている、請求項15記載の組成物。
【請求項１７】
対象の皮膚と接触させるための、請求項1〜8のいずれか一項記載の組換えポリペプチドまたは請求項9記載の組換えポリヌクレオチドを含む薬学的組成物。
【請求項１８】
対象の皮膚におけるUV誘導性DNA損傷を修復するため；
UV照射に曝露された対象における腫瘍の数、腫瘍のサイズ、および／もしくは全腫瘍量を減少させるため；ならびに／または
対象における皮膚障害を処置するかもしくはそのリスクを低下させるため
の、請求項17記載の薬学的組成物。
【請求項１９】
皮膚障害が、黒色腫、非黒色腫皮膚がん (NMSC)、光線性角化症 (AK)、血管線維腫、先天性爪肥厚症、または色素性乾皮症である、請求項18記載の薬学的組成物。
【請求項２０】
NMSCが、基底細胞がん (BCC)、扁平上皮がん (SCC)、メルケル細胞がん、皮膚性（皮膚）リンパ腫、カポジ肉腫、皮膚付属器腫瘍、および肉腫を含む、請求項19記載の薬学的組成物。
【請求項２１】
対象が色素性乾皮症を有するかまたは臓器移植患者である、請求項20記載の薬学的組成物。
【請求項２２】
AKの頻度が低下する、請求項21記載の薬学的組成物。
【請求項２３】
それを必要とする対象においてUV誘導性免疫抑制を処置するまたは減少させるための、
請求項1〜8のいずれか一項記載の組換えポリペプチドまたは請求項9記載の組換えポリヌクレオチドの治療的有効量を含む薬学的組成物であって、
対象への薬学的組成物の投与により、該対象において、それを必要とし且つ請求項1〜8のいずれか一項記載の組換えポリペプチドまたは請求項9記載の組換えポリヌクレオチドの治療的有効量を投与されていない対象と比較してUV誘導性免疫抑制が処置されるかまたは減少する、前記薬学的組成物。
【請求項２４】
前記組換えポリペプチドまたは前記組換えポリヌクレオチドの治療的有効量を投与されていない対象と比較して、前記組換えポリペプチドまたは前記組換えポリヌクレオチドの治療的有効量を投与された対象において、CPDおよび／または6-4 PPの修復の増加が生じる、請求項23記載の薬学的組成物。
【請求項２５】
それを必要とする対象においてUV誘導性炎症応答の重症度を軽減するための、
請求項1〜8のいずれか一項記載の組換えポリペプチドまたは請求項9記載の組換えポリヌクレオチドの治療的有効量を含む薬学的組成物であって、
対象への薬学的組成物の投与により、該対象において、それを必要とし且つ請求項1〜8のいずれか一項記載の組換えポリペプチドまたは請求項9記載の組換えポリヌクレオチドの治療的有効量を投与されていない対象と比較してUV誘導性炎症応答の重症度が軽減する、前記薬学的組成物。
【請求項２６】
前記組換えポリペプチドまたは前記組換えポリヌクレオチドの治療的有効量を投与された対象において、循環リンパ球、単球、および／または好酸球の量が減少する、請求項25記載の薬学的組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年7月1日(2020.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加湿された呼吸ガスの流れを患者の気道に送達する気道圧補助システム用の加湿器であって、前記気道圧補助システムは、患者インタフェース装置及びガス流生成器を有し、前記ガス流生成器は、前記患者インタフェース装置を介して前記患者の気道に送達される前記呼吸ガスの流れを生成するように構成され、当該加湿器は、
ある量の水を収容するように構成された水チャンバと、
導管であり、
前記ガス流生成器に流体的に接続されるように構成された第１端、
前記患者インタフェース装置に流体的に接続されるように構成された、反対側の第２端、及び
前記第１端と前記第２端との間を延在する内部通路を画成する壁部であり、前記内部通路が、前記第１端と前記第２端との間で前記呼吸ガスの流れを伝えるように構成される、壁部、
を有する導管と、
前記水チャンバに流体的に接続され、前記水チャンバから受け取った水から水滴を作り出すように構成された出口を有するノズルと、
前記壁部に結合され且つ前記内部通路に露出したヒータプレートであり、当該ヒータプレートは、前記ノズルに面する第１の面と、反対側の、前記ノズルに面しない第２の面とを持ち、前記第１の面が、前記ノズルからの前記水滴を受けるように位置付けられる、ヒータプレートと、
前記ヒータプレートの前記第２の面に結合された複数の加熱素子と、
を有し、
当該加湿器は更に、前記ヒータプレートの前記第２の面に結合されたサーミスタを有し、前記サーミスタは、前記ノズルの前記出口に対して、前記複数の加熱素子が前記ノズルの前記出口に対するよりも近くに配置される、
ことを特徴とする加湿器。
【請求項２】
前記ノズルは、縦軸を中心に配置され、前記縦軸は、前記ヒータプレートの前記第１の面及び前記第２の面を貫いて延び、前記縦軸は、前記複数の加熱素子の加熱素子を通らない、請求項１に記載の加湿器。
【請求項３】
前記ヒータプレートの前記第１の面は、前記ノズルの前記出口に対して、前記ヒータプレートの前記第１の面上の他のいずれの位置よりも近くに配置された中心位置を持つ、請求項２に記載の加湿器。
【請求項４】
前記ヒータプレートの前記第１の面は、前記ノズルの前記出口に対して、前記ヒータプレートの前記第１の面上の他のいずれの位置よりも近くに配置された中心位置を持ち、前記第２の面は、前記第１の面の前記中心位置の正反対に中心位置を持ち、前記サーミスタは、前記ヒータプレートの前記第２の面の前記中心位置に配置され、前記複数の加熱素子は、前記第２の面の前記中心位置から少なくとも半径（Ｒ）だけ離間され、前記ノズルの前記出口は、前記第１の面の前記中心位置から高さ（Ｈ）に配置される、請求項１に記載の加湿器。
【請求項５】
前記高さは、約４ミリメートルから約Ｘミリメートルの範囲内であり、Ｘ＝（前記半径）／タンジェント（最大動作角度（θ））である、請求項４に記載の加湿器。
【請求項６】
前記最大動作角度は約２０度である、請求項５に記載の加湿器。
【請求項７】
前記半径は約３ミリメートルである、請求項６に記載の加湿器。
【請求項８】
前記高さは約６ミリメートルである、請求項７に記載の加湿器。
【請求項９】
前記サーミスタは、前記複数の加熱素子の各々から少なくとも３ミリメートル離間される、請求項１に記載の加湿器。
【請求項１０】
加湿された呼吸ガスの流れを患者の気道に送達する気道圧補助システムであって、
患者インタフェース装置と、
前記患者インタフェース装置を介して前記患者の気道に送達される前記呼吸ガスの流れを生成するように構成されたガス流生成器と、
請求項１乃至９のいずれかに記載の加湿器と、
を有する気道圧補助システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上述したような圧力補助療法は、ソフトで柔軟性のあるシーリングクッションを有するマスクコンポーネントを含んだ患者インタフェース装置を患者の顔に配置することを伴う。マスクコンポーネントは、限定されないが、患者の鼻を覆う鼻マスク、患者の鼻と口を覆う鼻／口マスク、又は患者の顔を覆うフルフェイスマスクとし得る。このような患者インタフェース装置はまた、例えば前額部サポート、頬パッド及び顎パッドなどの他の患者接触コンポーネントを使用し得る。患者インタフェース装置は典型的に、ヘッドギアコンポーネントによって患者の頭部に固定される。患者インタフェース装置は、ガス送達チューブ又はガス送達導管に接続されて、圧力補助装置と患者の気道とのインタフェースとなり、それにより、圧力／流れ生成装置から患者の気道に呼吸ガスの流れを送達することができる。
国際公開第２０１６／０３６２６０号は、患者の気道に提供される前にガス通路を通るガスを加湿する呼吸加湿システムを開示している。その呼吸加湿システムは、制御された液体流を提供する液体流コントローラと、ガス通路内に配置されて、通路を通るガスに加湿を提供するように構成された加熱面を含む加熱システムであり、制御された液体流を受け取る加熱システムと、加熱システムにおいて受け取られる制御された液体流を調節するように液体流コントローラに指示することによって、ガス通路を通るガスの湿度の決定論的制御を提供する１つ以上のハードウェアプロセッサとを含み得る。
国際公開第２０１２／０８０９２３号は、エアロゾル化ミストの加熱を利用して、患者に供給されるガスを加湿するシステム及び方法を提供する。患者にガスを供給する患者回路に加湿ユニットが設けられる。その加湿ユニットは、液体源から液体を受け取る液体チャンバと、該液体チャンバからの液体を霧状にする噴霧器と、該噴霧器からのエアロゾル化された液体を受け取るエアロゾルチャンバと、エアロゾル化された液体を、患者回路内のガスを加湿する蒸気へと変換する熱源とを含んでいる。
独国特許出願公開第４３１２７９３号は、１００℃よりも高い温度まで加熱されることができる蒸発器を有する装置を開示している。その蒸発器の蒸発チャンバが、狭窄部を介して呼吸ガスラインと連通する。ポンプが水を少しずつ蒸発チャンバに送る。蒸発チャンバに入る水の即座の蒸発を実現するように、ポンプの体積出力及び蒸発器の加熱能力が適応される。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月9日(2021.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒトまたは動物用の気道装置であって、前記装置は、遠位端および近位端を有する気道チューブを備え、前記気道チューブの前記遠位端は、事前に形成された非膨張式の咽頭周囲ボウルを備え付け、
前記咽頭周囲ボウルは、後背部と、前記後背部の周囲の周りに延在し前記後背部の周囲から垂下して内部空間を画定する側壁と、を有する後方ボウル部分を備え、前記咽頭周囲ボウルは、前記内部空間から離れる方向に前記後背部の前記側壁から横方向に延在する弾性変形可能なフランジをさらに備え、前記弾性変形可能なフランジは、拡張内部空間を画定し、前記弾性変形可能なフランジが、周縁に延在する内面および外面を有し、前記周縁が、周縁リップを備え、前記弾性変形可能なフランジが、前記咽頭周囲ボウルの周囲全体の周りに延在するように構成され、前記弾性変形可能なフランジが、ヒトまたは動物の患者の体内にある場合、前記咽頭周囲ボウル内の声門を包むことによって、前記ヒトまたは動物の患者の咽頭壁および下咽頭壁の粘膜内部にそれらに対抗して、下咽頭の喉頭周囲とのシールを形成し、前記内部空間および前記拡張内部空間は共に、組み合わされた内部空間を含み、前記組み合わされた内部空間は、前記気道装置がヒトまたは動物の患者の体内にある場合、ヒトまたは動物の患者の、上記画定された喉頭の本体の５０％〜１００％を含み、そこには接触せずに包む、
気道装置。
【請求項２】
前記周縁が、丸くなっており、かつ直角縁部を含まないように、丸みを帯びているか、または湾曲している、
請求項１に記載の気道装置。
【請求項３】
前記周縁リップが、丸くなっており、かつ直角縁部を含まないように、丸みを帯びているか、または湾曲している、
請求項１または請求項２に記載の気道装置。
【請求項４】
前記周縁リップが、前記周縁に、前記弾性変形可能なフランジの外面に向かって曲がりを設けることによって形成される、
請求項１から３のいずれか一項に記載の気道装置。
【請求項５】
前記曲がりが７０°〜９０°である、
請求項４に記載の気道装置。
【請求項６】
前記周縁リップが、前記弾性変形可能なフランジの厚さと同じ深さおよび厚さである、
請求項１から５のいずれか一項に記載の気道装置。
【請求項７】
前記弾性変形可能なフランジが、略卵形の形状を形成する、
請求項１から６のいずれか一項に記載の気道装置。
【請求項８】
前記弾性変形可能なフランジが、力が加えられると外向きに広がる、
請求項１から７のいずれか一項に記載の気道装置。
【請求項９】
前記弾性変形可能なフランジが、ヒトまたは動物の患者の体内にある場合、力が加えられると外向きに広がる、
請求項１から８のいずれか一項に記載の気道装置。
【請求項１０】
前記弾性変形可能なフランジが、前記喉頭の前記本体の前部、後部、および側部までの前記粘膜の最も平坦な領域との、実質的に連続した卵形のシールを形成する、
請求項１から９のいずれか一項に記載の気道装置。
【請求項１１】
前記弾性変形可能なフランジの前記周縁が前記シールを形成する、
請求項１から１０のいずれか一項に記載の気道装置。
【請求項１２】
前記周縁の前記周縁リップが前記シールを形成する、
請求項１から１１のいずれか一項に記載の気道装置。
【請求項１３】
前記弾性変形可能なフランジの深さが、前記咽頭周囲ボウルの周囲の周りで変化するように構成される、
請求項１から１２のいずれか一項に記載の気道装置。
【請求項１４】
前記咽頭周囲ボウルの前記弾性変形可能なフランジの厚さが、その最も広い点での前記咽頭周囲ボウルの外幅の約１％〜１５％である、
請求項１から１３のいずれか一項に記載の気道装置。
【請求項１５】
前記咽頭周囲ボウルの前記後背部の厚さが約１ｍｍ〜約１５ｍｍの間であり、前記側壁の厚さが約０．５ｍｍ〜約１０ｍｍの間であり、前記弾性変形可能なフランジの厚さが、約０．５ｍｍ〜約５ｍｍの間である、
請求項１から１４のいずれか一項に記載の気道装置。
【請求項１６】
前記咽頭周囲ボウルが、前記ヒトまたは動物の上部食道領域内に押し込むように構成された先端を前記咽頭周囲ボウルの遠位端の先端に備え付ける、
請求項１から１５のいずれか一項に記載の気道装置。
【請求項１７】
前記後方ボウル部分の外部が、前記後背部の外部と前記後方ボウルの前記側壁との間に丸みを帯びた直角の角を備え付ける、
請求項１から１６のいずれか一項に記載の気道装置。
【請求項１８】
前記後方ボウル部分の外部が、平坦化された後背部を備え付ける、
請求項１から１７のいずれか一項に記載の気道装置。
【請求項１９】
前記気道装置が、胃管通路をさらに備え付ける、
請求項１から１８のいずれか一項に記載の気道装置。
【請求項２０】
前記装置をガス供給源に結合するためのコネクタをさらに備え付ける、
請求項１から１９のいずれか一項に記載の気道装置。
【請求項２１】
前記コネクタが、水にさらされた場合に、その構造および／または剛性を失う材料から形成される、
請求項２０に記載の気道装置。
【請求項２２】
前記装置が、前記コネクタの周りに外側被覆されたプラスチック材料の単一のショットから形成される、
請求項２０または請求項２１に記載の気道装置を作成する方法。
【請求項２３】
前記プラスチック材料は、Ａスケールで１０から９０のショア硬度である、
請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
前記コネクタが、ループ、リング、または他の部材を備え付けており、外側被覆される場合、やはり前記装置の前記気道チューブを破壊することなく、前記コネクタが、前記装置の前記気道チューブから外れるのを防止する、
請求項２２または請求項２３に記載の方法。