【手続補正書】
【提出日】平成17年10月17日(2005.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  非磁性基板上に、少なくとも軟磁性材料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とが設けられ、
配向制御膜は、ｈｃｐ構造を有し、かつ（０００２）配向面のΔθ５０が、３〜１０度とされており、配向制御膜のΔθ５０（ｏｒｉ）と、垂直磁性膜のΔθ５０（ｍａｇ）との差（Δθ５０（ｍａｇ）−Δθ５０（ｏｒｉ））が、１〜８度とされていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】  配向制御膜は、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｃｏのうちから選ばれる１種または２種以上を５０ａｔ％以上含有するものであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項３】  配向制御膜は、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうちから選ばれる１種または２種以上を含有するものであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項４】  配向制御膜が、Ｎｉであることを特徴とする請求項３記載の磁気記録媒体。
【請求項５】  配向制御膜は、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｐのうちから選ばれる１種または２種以上を含有するものであることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項６】  配向制御膜は、ＡｇＧｅ系合金、ＣｕＧｅ系合金、ＲｕＮｂ系合金のうちいずれかからなることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体。
【請求項７】  配向制御膜と垂直磁性膜の間に、非磁性中間膜が設けられ、この非磁性中間膜は、Ｃｏを４０〜７０ａｔ％含む材料からなるものであることを特徴とする請求項１〜６のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項８】  配向制御膜は、グラニュラー構造を有し、かつ平均結晶粒径が４〜２０ｎｍであることを特徴とする請求項１〜７のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項９】  非磁性基板上に、少なくとも軟磁性材料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とが設けられ、
配向制御膜は、ｆｃｃ構造を有し、かつ（１１１）配向面のΔθ５０が、３〜１０度とされており、配向制御膜のΔθ５０（ｏｒｉ）と、垂直磁性膜のΔθ５０（ｍａｇ）との差（Δθ５０（ｍａｇ）−Δθ５０（ｏｒｉ））が、１〜８度とされていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１０】  配向制御膜は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ａｕ、Ａｌのうちから選ばれる１種または２種以上を５０ａｔ％以上含有するものであることを特徴とする請求項９記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】  配向制御膜が、Ｎｉであることを特徴とする請求項１０記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】  配向制御膜は、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｃｒ、Ｓｉのうちから選ばれる１種または２種以上を含有するものであることを特徴とする請求項９記載の磁気記録媒体。
【請求項１３】  垂直磁性膜の逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）が０（Ｏｅ）以上であることを特徴とする請求項１〜１２のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項１４】  軟磁性下地膜と配向制御膜との間に、配向制御下地膜が設けられていることを特徴とする請求項１〜１３のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項１５】  配向制御下地膜は、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｈｆのうち１種または２種以上を主成分とする材料からなるものであることを特徴とする請求項１４記載の磁気記録媒体。
【請求項１６】  配向制御下地膜は、Ｂ２構造を有する材料からなるものであることを特徴とする請求項１４または１５記載の磁気記録媒体。
【請求項１７】  非磁性基板と軟磁性下地膜との間に、面内磁気異方性を有する硬磁性材料からなる面内硬磁性膜が設けられていることを特徴とする請求項１〜１６のうちいずれか１項記載の磁気記録媒体。
【請求項１８】  非磁性基板上に、少なくとも軟磁性材料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とを設ける磁気記録媒体の製造方法であって、
配向制御膜を、ｈｃｐ構造またはｆｃｃ構造を有し、かつ（０００２）配向面または（１１１）配向面のΔθ５０が、３〜１０度とされ、配向制御膜のΔθ５０（ｏｒｉ）と、垂直磁性膜のΔθ５０（ｍａｇ）との差（Δθ５０（ｍａｇ）−Δθ５０（ｏｒｉ））が、１〜８度とされたものとすることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１９】  磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備え、
磁気記録媒体は、非磁性基板上に、少なくとも軟磁性材料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とが設けられ、配向制御膜が、ｈｃｐ構造またはｆｃｃ構造を有し、かつ（０００２）配向面または（１１１）配向面のΔθ５０が、３〜１０度とされており、配向制御膜のΔθ５０（ｏｒｉ）と、垂直磁性膜のΔθ５０（ｍａｇ）との差（Δθ５０（ｍａｇ）−Δθ５０（ｏｒｉ））が、１〜８度とされていることを特徴とする磁気記録再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明の磁気記録媒体では、非磁性基板上に、少なくとも軟磁性材料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とが設けられ、配向制御膜が、ｈｃｐ構造を有し、かつ（０００２）配向面のΔθ５０が、３〜１０度とされており、配向制御膜のΔθ５０（ｏｒｉ）と、垂直磁性膜のΔθ５０（ｍａｇ）との差（Δθ５０（ｍａｇ）−Δθ５０（ｏｒｉ））が、１〜８度とされていることを特徴とする。
配向制御膜は、Ｔｉ、Ｚｎ、Ｙ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｃｏのうちから選ばれる１種または２種以上を５０ａｔ％以上含有する構成とすることができる。
配向制御膜は、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうちから選ばれる１種または２種以上を含有する構成とすることができる。
配向制御膜は、Ｎｉである構成とすることができる。
配向制御膜は、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｐのうちから選ばれる１種または２種以上を含有する構成とすることができる。
配向制御膜は、ＡｇＧｅ系合金、ＣｕＧｅ系合金、ＲｕＮｂ系合金のうちいずれかからなる構成とすることができる。
本発明では、配向制御膜と垂直磁性膜の間に、非磁性中間膜が設けられ、この非磁性中間膜が、Ｃｏを４０〜７０ａｔ％含む材料からなる構成を採用できる。
配向制御膜は、グラニュラー構造を有し、かつ平均結晶粒径が４〜２０ｎｍである構成とすることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の磁気記録媒体は、非磁性基板上に、少なくとも軟磁性材料からなる軟磁性下地膜と、直上の膜の配向性を制御する配向制御膜と、磁化容易軸が基板に対し主に垂直に配向した垂直磁性膜と、保護膜とが設けられ、配向制御膜が、ｆｃｃ構造を有し、かつ（１１１）配向面のΔθ５０が、３〜１０度とされており、配向制御膜のΔθ５０（ｏｒｉ）と、垂直磁性膜のΔθ５０（ｍａｇ）との差（Δθ５０（ｍａｇ）−Δθ５０（ｏｒｉ））が、１〜８度とされた構成とすることができる。
配向制御膜は、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ａｕ、Ａｌのうちから選ばれる１種または２種以上を５０ａｔ％以上含有する構成とすることができる。
配向制御膜は、Ｎｉである構成とすることができる。
配向制御膜は、Ｂ、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｐ、Ｃｒ、Ｓｉのうちから選ばれる１種または２種以上を含有する構成とすることができる。
垂直磁性膜の逆磁区核形成磁界（−Ｈｎ）は、０（Ｏｅ）以上であることが好ましい。