【手続補正書】
【提出日】令和2年11月19日(2020.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
本発明について、好ましい実施形態を参照しながら記述してきたが、当業者なら、本発明の趣旨及び範囲から逸脱することなく形態及び詳細において変更が行われ得ることを、認識するであろう。以下、例示的実施形態について述べる。
［１］
フレキシブルデバイス用のアセンブリ層であって、
約０〜約５０重量％のＣ１〜Ｃ９アルキル（メタ）アクリレート、
約４０〜約９９重量％のＣ１０〜Ｃ２４（メタ）アクリレート、
約０〜約３０重量％のヒドロキシル（メタ）アクリレート、
約０〜約１０重量％の非ヒドロキシ官能性極性モノマー、
及び約０〜約５重量％の架橋剤、
を含む前駆体から誘導される、アセンブリ層。
［２］
約−３０℃〜約９０℃の温度範囲内で、周波数１Ｈｚにおいて約２ＭＰａを超えないせん断貯蔵弾性率と、約２０ｋＰａ〜約２００ｋＰａの間でせん断応力を負荷して５秒で測定された場合に少なくとも約６×１０−６  １／Ｐａであるせん断クリープコンプライアンス（Ｊ）と、約２０ｋＰａ〜約２００ｋＰａの範囲内の少なくとも１点でせん断応力が負荷された場合において前記負荷されたせん断応力の解除後約１分以内に少なくとも約５０％である歪み回復と、を有する、［１］に記載のアセンブリ層。
［３］
約１００ｋＨｚの周波数で測定したときに、約５．０未満の誘電率（Ｄｋ）を有する、［１］に記載のアセンブリ層。
［４］
前記アセンブリ層の前記誘電率（Ｄｋ）が、約６５℃／相対湿度９０％の条件に約４００時間よりも長く曝露されたとき、その初期値の約４０％超だけ変化しない、［１］に記載のアセンブリ層。
［５］
前記フレキシブルデバイスが、フレキシブル電子ディスプレイである、［１］に記載のアセンブリ層。
［６］
光学的に透明である、［１］に記載のアセンブリ層。
［７］
約−２０℃未満のガラス転移温度を有する、［１］に記載のアセンブリ層。
［８］
第１のフレキシブル基材と、
第２のフレキシブル基材と、
前記第１のフレキシブル基材と前記第２のフレキシブル基材との間に前記第１のフレキシブル基材及び前記第２のフレキシブル基材と接触して配置されたアセンブリ層と
を含み、前記アセンブリ層が、
約０〜約５０重量％のＣ１〜Ｃ９アルキル（メタ）アクリレート、
約４０〜約９９重量％のＣ１０〜Ｃ２４（メタ）アクリレート、
約０〜約３０重量％のヒドロキシル（メタ）アクリレート、
約０〜約１０重量％の非ヒドロキシ官能性極性モノマー、
及び約０〜約５重量％の架橋剤、
を含む前駆体から誘導される、ラミネート。
［９］
約−３０℃〜約９０℃の温度範囲内で、前記アセンブリ層が、周波数１Ｈｚにおいて約２ＭＰａを超えないせん断貯蔵弾性率と、約２０ｋＰａ〜約２００ｋＰａの間でせん断応力を負荷して５秒で測定された場合に少なくとも約６×１０−６  １／Ｐａであるせん断クリープコンプライアンス（Ｊ）と、約２０ｋＰａ〜約２００ｋＰａの範囲内の少なくとも１点でせん断応力が負荷された場合において前記負荷されたせん断応力の解除後約１分以内に少なくとも約５０％である歪み回復と、を有する、［８］に記載のラミネート。
［１０］
前記第１の基材及び前記第２の基材のうちの少なくとも１つが光学的に透明である、［８］に記載のラミネート。
［１１］
前記アセンブリ層が、約−２０℃のガラス転移温度を有する、［８］に記載のラミネート。
［１２］
前記ラミネートが、約１０ｍｍ未満の曲率半径を強いるチャネル内に室温で２４時間の期間にわたって配置されたとき、不良を示さない、［８］に記載のラミネート。
［１３］
室温で前記２４時間の期間後に前記チャネルから取り出された後、少なくとも約１３０度の夾角まで復帰する、［１２］に記載のラミネート。
［１４］
曲率半径約１０ｍｍ未満で折り曲げる約１０，０００サイクルの、室温での動的折り曲げ試験に供されたとき、不良を示さない、［８］に記載のラミネート。
［１５］
第１の基材と第２の基材とを接着する方法であって、前記第１の基材と前記第２の基材の両方が可撓性であり、前記方法が、
前記第１の可撓性の基材と前記第２の可撓性の基材との間に、
約０〜約５０重量％のＣ１〜Ｃ９アルキル（メタ）アクリレート、
約４０〜約９９重量％のＣ１０〜Ｃ２４（メタ）アクリレート、
約０〜約３０重量％のヒドロキシル（メタ）アクリレート、
約０〜約１０重量％の非ヒドロキシ官能性極性モノマー、
及び約０〜約５重量％の架橋剤、
を含む前駆体から誘導されたアセンブリ層を配置することと、
圧力及び熱のうちの少なくとも１つを加えてラミネートを形成することと、
を含む、方法。
［１６］
約−３０℃〜約９０℃の温度範囲内で、前記アセンブリ層が、周波数１Ｈｚにおいて約２ＭＰａを超えないせん断貯蔵弾性率と、約２０ｋＰａ〜約２００ｋＰａの間でせん断応力を負荷して５秒で測定された場合に少なくとも約６×１０−６  １／Ｐａであるせん断クリープコンプライアンス（Ｊ）と、約２０ｋＰａ〜約２００ｋＰａの範囲内の少なくとも１点でせん断応力が負荷された場合において前記負荷されたせん断応力の解除後約１分以内に少なくとも約５０％である歪み回復と、を有する、［１５］に記載の方法。
［１７］
前記アセンブリ層が光学的に透明である、［１５］に記載の方法。
［１８］
前記ラミネートが、約１０ｍｍ未満の曲率半径を強いるチャネル内に室温で２４時間の期間にわたって配置されたとき、不良を示さない、［１５］に記載の方法。
［１９］
前記ラミネートが、室温で前記２４時間の期間後に前記チャネルから取り出された後、少なくとも約１３０度の夾角まで復帰する、［１８］に記載の方法。
［２０］
曲率半径約１０ｍｍ未満の折り曲げる約１０，０００サイクル超の、室温での動的折り曲げ試験に供されたとき、前記ラミネートが不良を示さない、［１５］に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブルデバイス用のアセンブリ層であって、
約０〜約５０重量％のＣ１〜Ｃ９アルキル（メタ）アクリレート、
約４０〜約９９重量％のＣ１０〜Ｃ２４（メタ）アクリレート、
約０〜約３０重量％のヒドロキシル（メタ）アクリレート、
約０〜約１０重量％の非ヒドロキシ官能性極性モノマー、
及び約０〜約５重量％の架橋剤、
を含む前駆体から誘導される、アセンブリ層。
【請求項２】
約−３０℃〜約９０℃の温度範囲内で、周波数１Ｈｚにおいて約２ＭＰａを超えないせん断貯蔵弾性率と、約２０ｋＰａ〜約２００ｋＰａの間でせん断応力を負荷して５秒で測定された場合に少なくとも約６×１０−６  １／Ｐａであるせん断クリープコンプライアンス（Ｊ）と、約２０ｋＰａ〜約２００ｋＰａの範囲内の少なくとも１点でせん断応力が負荷された場合において前記負荷されたせん断応力の解除後約１分以内に少なくとも約５０％である歪み回復と、を有する、請求項１に記載のアセンブリ層。
【請求項３】
約１００ｋＨｚの周波数で測定したときに、約５．０未満の誘電率（Ｄｋ）を有する、請求項１に記載のアセンブリ層。
【請求項４】
前記アセンブリ層の前記誘電率（Ｄｋ）が、約６５℃／相対湿度９０％の条件に約４００時間よりも長く曝露されたとき、その初期値の約４０％超だけ変化しない、請求項１に記載のアセンブリ層。
【請求項５】
光学的に透明である、請求項１に記載のアセンブリ層。
【請求項６】
約−２０℃未満のガラス転移温度を有する、請求項１に記載のアセンブリ層。
【請求項７】
第１のフレキシブル基材と、
第２のフレキシブル基材と、
前記第１のフレキシブル基材と前記第２のフレキシブル基材との間に前記第１のフレキシブル基材及び前記第２のフレキシブル基材と接触して配置されたアセンブリ層と
を含み、前記アセンブリ層が、
約０〜約５０重量％のＣ１〜Ｃ９アルキル（メタ）アクリレート、
約４０〜約９９重量％のＣ１０〜Ｃ２４（メタ）アクリレート、
約０〜約３０重量％のヒドロキシル（メタ）アクリレート、
約０〜約１０重量％の非ヒドロキシ官能性極性モノマー、
及び約０〜約５重量％の架橋剤、
を含む前駆体から誘導される、ラミネート。
【請求項８】
前記ラミネートが、約１０ｍｍ未満の曲率半径を強いるチャネル内に室温で２４時間の期間にわたって配置されたとき、不良を示さない、請求項７に記載のラミネート。
【請求項９】
曲率半径約１０ｍｍ未満で折り曲げる約１０，０００サイクルの、室温での動的折り曲げ試験に供されたとき、不良を示さない、請求項７に記載のラミネート。
【請求項１０】
第１の基材と第２の基材とを接着する方法であって、前記第１の基材と前記第２の基材の両方が可撓性であり、前記方法が、
前記第１の可撓性の基材と前記第２の可撓性の基材との間に、
約０〜約５０重量％のＣ１〜Ｃ９アルキル（メタ）アクリレート、
約４０〜約９９重量％のＣ１０〜Ｃ２４（メタ）アクリレート、
約０〜約３０重量％のヒドロキシル（メタ）アクリレート、
約０〜約１０重量％の非ヒドロキシ官能性極性モノマー、
及び約０〜約５重量％の架橋剤、
を含む前駆体から誘導されたアセンブリ層を配置することと、
圧力及び熱のうちの少なくとも１つを加えてラミネートを形成することと、
を含む、方法。