【手続補正書】
【提出日】平成16年6月11日(2004.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型Ａｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎ（但し、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）からなる半導体層上にＮｉ層、Ｔｉ層、ボンディングメタル層としてのＡｕ層を順次積層させたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
上記ｐ型Ａｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎが、発光半導体素子のｐ型半導体層を構成することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
ｎ型ＳｉＣからなる半導体層上にＮｉ層、Ｔｉ層、ボンディングメタル層としてのＡｕ層を順次積層させたことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
上記ｎ型ＳｉＣが、発光半導体素子のｎ型半導体層を構成することを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
上記ｎ型ＳｉＣ上に設けた積層構造の最上層となるｐ型Ａｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎ（但し、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）を設けると共に、前記ｐ型Ａｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎに接するＮｉ層を設け、前記Ｎｉ層とボンディングメタル層としてのＡｕ層との間にＴｉ層を介在させることを特徴とする請求項３または４に記載の半導体装置。
【請求項６】
半導体層上にＮｉ層を堆積させたのち、引き続いて、前記Ｎｉ層上に、Ｔｉ層及びＡｕ層を順次堆積させたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体層にＮｉ層を堆積させたのち、アニール処理を施し、次いで、前記Ｎｉ層上に、Ｔｉ層及びＡｕ層を順次堆積させたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
上記半導体層が、ｐ型Ａｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎ（但し、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）であることを特徴とする請求項６または７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
上記アニール処理の温度が、８００℃以下であることを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
上記ｐ型Ａｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎが、発光半導体素子のｐ型半導体層を構成することを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
上記半導体層が、ｎ型ＳｉＣであることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
上記アニール処理の温度が、８００℃以上であることを特徴とする請求項１１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
上記アニール処理を施したのち、Ｔｉ層を堆積する前にフッ酸系溶剤による処理を行うことを特徴とする請求項１２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
上記ｎ型ＳｉＣが、発光半導体素子のｎ型半導体層を構成することを特徴とする請求項７乃至請求項１３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
上記ｎ型ＳｉＣ上に、ｐ型Ａｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎ（但し、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）を最上層とする多層構造を設けると共に、前記ｐ型Ａｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y ＮにＮｉ層を堆積させたのち、前記Ｎｉ層上に、Ｔｉ層３及びＡｕ層４を順次堆積させたことを特徴とする請求項７乃至１４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
上記ｎ型ＳｉＣに対するｎ側電極を形成したのち、上記ｐ型Ａｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎに対するｐ側電極を形成することを特徴とする請求項１５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
上記Ｎｉ層、Ｔｉ層、及び、Ａｕ層のうち、少なくとも、Ｔｉ層及びＡｕ層を所定の形状にエッチングして電極を形成することを特徴とする請求項６乃至１６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成の説明図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
（１）本発明は、半導体装置において、ｐ型Ａｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎ（但し、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）からなる半導体層１上にＮｉ層２、Ｔｉ層３、ボンディングメタル層としてのＡｕ層４を順次積層させたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この様に、ｐ型Ａｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎ（但し、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）からなる半導体層１に対するオーミックコンタクト層としてのＮｉ層２とボンディングメタル層としてのＡｕ層４との間に、Ｔｉ層３を介在させることによって密着性が高まり、電極の剥離を防止することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（２）本発明は、上記（１）において、ｐ型Ａｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎが、発光半導体素子のｐ型半導体層を構成することを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この様な構成のｐ型Ａｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎに対するｐ側電極は、特に、青色半導体レーザや青色発光ダイオード等の発光半導体素子用のｐ側電極として好適である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
（３）また、本発明は、半導体装置において、ｎ型ＳｉＣからなる半導体層１上にＮｉ層２、Ｔｉ層３、ボンディングメタル層としてのＡｕ層４を順次積層させたことを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この様に、ｎ型ＳｉＣからなる半導体層１に対するオーミックコンタクト層としてのＮｉ層２とボンディングメタル層としてのＡｕ層４との間に、Ｔｉ層３を介在させることによって密着性が高まり、電極の剥離を防止することができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（４）また、本発明は、上記（３）において、ｎ型ＳｉＣが、発光半導体素子のｎ型半導体層を構成することを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
（５）本発明は、上記（３）または（４）において、ｎ型ＳｉＣ上に設ける積層構造の最上層としてのｐ型Ａｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎ（但し、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）を設けるとともに、このｐ型Ａｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎに接するＮｉ層２と、ボンディングメタル層としてのＡｕ層４との間にＴｉ層３を介在させたことを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
（６）また、本発明は、半導体装置の製造方法において、半導体層１上にＮｉ層２を堆積させたのち、引き続いて、その上に、Ｔｉ層３及びＡｕ層４を順次堆積させたことを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
（７）また、本発明は、半導体装置の製造方法において、半導体層１にＮｉ層２を堆積させたのち、アニール処理を施し、次いで、その上に、Ｔｉ層３及びＡｕ層４を順次堆積させたことを特徴とする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
（８）また、本発明は、上記（６）または（７）において、半導体層１がｐ型Ａｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎ（但し、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）であることを特徴とする。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
（９）また、本発明は、上記（８）において、アニール処理の温度が８００℃以下であることを特徴とする。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
（１０）また、本発明は、上記（６）乃至（９）のいずれかにおいて、ｐ型Ａｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎ１が、発光半導体素子のｐ型半導体層を構成することを特徴とする。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
（１１）また、本発明は、上記（７）において、半導体層１がｎ型ＳｉＣであることを特徴とする。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
（１２）また、本発明は、上記（１１）において、アニール処理の温度が８００℃以上であることを特徴とする。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
（１３）また、本発明は、上記（１２）において、アニール処理を施したのち、Ｔｉ層を堆積する前にフッ酸系溶剤による処理を行うことを特徴とする。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
（１４）また、本発明は、上記（７）乃至（１３）のいずれかにおいて、ｎ型ＳｉＣが、発光半導体素子のｎ型半導体層を構成することを特徴とする。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
（１５）また、本発明は、上記（７）乃至（１４）のいずれかにおいて、ｎ型ＳｉＣ上に、ｐ型Ａｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎ（但し、０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）を最上層とする多層構造を形成すると共に、このｐ型Ａｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y ＮにＮｉ層２を堆積させたのち、その上に、Ｔｉ層３及びＡｕ層４を順次堆積させたことを特徴とする。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
（１６）また、本発明は、上記（１５）において、ｎ型ＳｉＣに対するｎ側電極を設けたのち、ｐ型Ａｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎに対するｐ側電極を形成することを特徴とする。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
（１７）また、本発明は、上記（６）乃至（１６）のいずれかにおいて、Ｎｉ層２、Ｔｉ層３、及び、Ａｕ層４のうち、少なくとも、Ｔｉ層３及びＡｕ層４を所定の形状にエッチングして電極を形成することを特徴とする。