(57)【要約】【課題】面接続端子とチップ部品との接続信頼性を向上させることにより、信頼性を向上させることができる多層配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】多層配線基板は、凹部形成工程、金拡散防止層形成工程、端子形成工程、樹脂絶縁層形成工程、導体形成工程及び金属層除去工程を経て製造される。凹部形成工程では、銅箔層７３をハーフエッチして凹部７８を形成する。金拡散防止層形成工程では、凹部７８に金拡散防止層を形成する。端子形成工程では、金拡散防止層上に、金層３３、ニッケル層３２及び銅層３１をこの順序で積層し、面接続端子３０を形成する。樹脂絶縁層形成工程では樹脂絶縁層を形成し、導体形成工程ではビア導体及び導体層を形成する。金属層形成工程では、銅箔層７３及び金拡散防止層を除去して、金層３３を積層構造体の主面から突出させる。【選択図】図１１
2010135474.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体層及び樹脂絶縁層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、チップ部品の端子を面接続するための複数の面接続端子が前記積層構造体の主面上に形成され、前記複数の面接続端子に接続する複数のビア導体が前記樹脂絶縁層に形成された多層配線基板の製造方法であって、
後に除去される銅箔層上にエッチング用のマスクを配置し、前記銅箔層において前記マスクの開口部から露出している部分をハーフエッチして、凹部を形成する凹部形成工程と、
前記凹部に、銅中に金が拡散するのを防止するための金拡散防止層を形成する金拡散防止層形成工程と、
前記金拡散防止層上に、金層、ニッケル層及び銅層をこの順序で積層することにより、前記複数の面接続端子を形成する端子形成工程と、
前記マスクを除去した後、前記面接続端子を被覆する前記樹脂絶縁層を形成する樹脂絶縁層形成工程と、
前記樹脂絶縁層に前記ビア導体及び前記導体層を形成する導体形成工程と、
前記導体形成工程後に前記銅箔層及び前記金拡散防止層を除去して、前記複数の面接続端子における前記金層を前記主面から突出させる金属層除去工程と
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記金拡散防止層は、エッチングにより除去可能な金属であることを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記金拡散防止層は、ニッケル、パラジウム及びチタンから選択される１種の金属であることを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記凹部の深さは、前記金拡散防止層及び前記金層の厚さの和よりも大きいことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記多層配線基板はコア基板を有さず、前記複数のビア導体は前記樹脂絶縁層の各層において同一方向に拡径していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
導体層及び樹脂絶縁層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、チップ部品の端子を面接続するための複数の面接続端子が前記積層構造体の主面上に形成され、前記複数の面接続端子に接続する複数のビア導体が前記樹脂絶縁層に形成された多層配線基板であって、
前記複数の面接続端子は、銅層、ニッケル層及び金層をこの順序で積層した構造を有し、前記金層が前記主面から突出していることを特徴とする多層配線基板。
【請求項７】
前記複数のビア導体は前記積層構造体の裏面の方向に拡径し、前記複数の面接続端子は前記複数のビア導体における小径側端面に接続していることを特徴とする請求項６に記載の多層配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体層及び樹脂絶縁層を交互に積層して多層化した積層構造体を有する多層配線基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなる半導体パッケージを作製し、その半導体パッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
なお、ＩＣチップ搭載用配線基板は、例えば以下の工程を経て製造される。まず、支持基板上に銅箔層を配置し、銅箔層上に所定のマスクを配置する。次に、銅箔層においてマスクの開口部から露出している部分に、金層、ニッケル層及び銅層をこの順序で積層する。これにより、ＩＣチップ接続用のはんだバンプを配設するための面接続端子が形成される（端子形成工程）。次に、マスクを除去した後、支持基板上に面接続端子を被覆する樹脂絶縁層を形成する（樹脂絶縁層形成工程）。さらに、面接続端子に接続するビア導体を樹脂絶縁層に形成するとともに、導体層及び樹脂絶縁層を交互に積層して多層化し、積層構造体を形成する。その後、支持基板及び銅箔層を除去すれば（除去工程）、積層構造体を有する多層配線基板を得ることができる。
【特許文献１】特開２００２−２６５００号公報（図１など）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところが、端子形成工程において金層が銅箔層に接触するため、後の積層構造体の形成時において熱が加わった際に、銅中に金が拡散してしまうことがある。この場合、はんだとの接合性が良好な金が面接続端子上に残らなくなるため、除去工程後に面接続端子上にはんだバンプを形成しようとしても、面接続端子とはんだバンプとの接合が困難になる。ゆえに、面接続端子とＩＣチップとの接続信頼性が低下し、ひいては多層配線基板の信頼性が低下してしまう。
【０００５】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、面接続端子とチップ部品との接続信頼性を向上させることにより、信頼性を向上させることができる多層配線基板の製造方法を提供することにある。また、本発明の別の目的は、チップ部品との接続信頼性を向上させることができる面接続端子を有する多層配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、導体層及び樹脂絶縁層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、チップ部品の端子を面接続するための複数の面接続端子が前記積層構造体の主面上に形成され、前記複数の面接続端子に接続する複数のビア導体が前記樹脂絶縁層に形成された多層配線基板の製造方法であって、後に除去される銅箔層上にエッチング用のマスクを配置し、前記銅箔層において前記マスクの開口部から露出している部分をハーフエッチして、凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部に、銅中に金が拡散するのを防止するための金拡散防止層を形成する金拡散防止層形成工程と、前記金拡散防止層上に、金層、ニッケル層及び銅層をこの順序で積層することにより、前記複数の面接続端子を形成する端子形成工程と、前記マスクを除去した後、前記面接続端子を被覆する前記樹脂絶縁層を形成する樹脂絶縁層形成工程と、前記樹脂絶縁層に前記ビア導体及び前記導体層を形成する導体形成工程と、前記導体形成工程後に前記銅箔層及び前記金拡散防止層を除去して、前記複数の面接続端子における前記金層を前記主面から突出させる金属層除去工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法がある。
【０００７】
従って、上記手段１の発明によれば、金拡散防止層形成工程において銅箔層に金拡散防止層を形成した後で、端子形成工程において金拡散防止層上に金層を積層している。よって、金属層除去工程を行うまでの間は、金層が直接銅箔層に接触しないため、銅中に金が拡散しなくなる。その結果、はんだとの接合性が良好な金が面接続端子の表層に確実に残るため、金属層除去工程後に面接続端子上にはんだバンプを形成する場合に、面接続端子とはんだバンプとを金層を介して確実に接合することができる。ゆえに、面接続端子と、はんだバンプを介して面接続端子に接続されるチップ部品の端子との接続信頼性が向上し、ひいては多層配線基板の信頼性が向上する。
【０００８】
また、銅箔層に形成した凹部内に金拡散防止層や金層を形成するため、金属層除去工程において銅箔層及び金拡散防止層を除去した際に、面接続端子における金層が積層構造体の主面から突出しやすくなる。その結果、面接続端子上にはんだバンプを形成する場合に、面接続端子とはんだバンプとの接触面積が金層を突出させない場合よりも大きくなるため、両者の密着強度を高めることができ、面接続端子とチップ部品の端子との接続信頼性がよりいっそう向上する。
【０００９】
なお、上記多層配線基板は、コスト性、加工性、絶縁性、機械的強度などを考慮して適宜選択することができる。多層配線基板としては、導体層及び樹脂絶縁層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、チップ部品の端子を面接続するための複数の面接続端子が前記積層構造体の主面上に形成され、前記複数の面接続端子に接続する複数のビア導体が前記樹脂絶縁層に形成された構造のものが使用される。
【００１０】
また、チップ部品としては、コンデンサ、半導体集積回路素子（ＩＣチップ）、半導体製造プロセスで製造されたＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）素子などを挙げることができる。さらに、ＩＣチップとしては、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory ）などを挙げることができる。ここで、「半導体集積回路素子」とは、主としてコンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される素子をいう。またチップ部品としては、チップトランジスタ、チップダイオード、チップ抵抗、チップコンデンサ、チップコイルなどを挙げることができる。
【００１１】
ところで、近年では、半導体集積回路素子の高速化に伴い、使用される信号周波数が高周波帯域となってきている。この場合、多層配線基板がコア基板を有していると、コア基板を貫通する配線が大きなインダクタンスとして寄与し、高周波信号の伝送ロスや回路誤動作の発生につながり、高速化の妨げとなってしまう。そこで、前記多層配線基板はコア基板を有さず、前記複数のビア導体は前記樹脂絶縁層の各層において同一方向に拡径していることが好ましい。即ち、多層配線基板は、同一の前記樹脂絶縁層を主体として形成され、同一方向に拡径したビア導体のみによりそれぞれの前記導体層を接続するコアレス配線基板であることが好ましい。このようにすれば、比較的厚いコア基板を省略することにより配線の配線長が短くなるため、高周波信号の伝送ロスが低減され、半導体集積回路素子を高速で動作させることが可能となる。
【００１２】
以下、上記手段１に係る多層配線基板の製造方法について説明する。
【００１３】
凹部形成工程では、後に除去される銅箔層上にエッチング用のマスクを配置し、前記銅箔層において前記マスクの開口部から露出している部分をハーフエッチして、凹部を形成する。
【００１４】
ここで、前記凹部の深さは、前記金拡散防止層及び前記金層の厚さの和よりも大きいことが好ましい。このようにすれば、後に金属層除去工程を行って銅箔層を除去すると、凹部内に形成された面接続端子が積層構造体の主面から確実に突出する。これにより、面接続端子の表面積がよりいっそう大きくなるため、面接続端子上にはんだバンプを形成する場合に、面接続端子とはんだバンプとの密着強度がよりいっそう高くなる。また、凹部形成用の金属箔層を銅箔層とは別に設けなくても済むため、多層配線基板の製造コストを低減できる。
【００１５】
続く金拡散防止層形成工程では、前記凹部に、銅中に金が拡散するのを防止するための金拡散防止層を形成する。
【００１６】
ここで、前記金拡散防止層は、金の拡散を防止できる金属であれば特に限定されることはなく、例えば、ニッケル、パラジウム及びチタンから選択される１種の金属であることが好ましい。特に金拡散防止層は、ニッケルからなることが好ましい。このようにすれば、金拡散防止層が他の材料からなる場合よりも、金拡散防止層を安価に形成することができる。
【００１７】
また、前記金拡散防止層は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって形成される。具体的に言うと、例えば、金属箔のエッチング、無電解めっきあるいは電解めっきなどの手法が適用される。なお、前記金拡散防止層は、例えば厚さが１μｍ以上５μｍ以下のニッケルめっき層であることが好ましい。仮に、金拡散防止層の厚さが１μｍ未満であると、金拡散防止層が破れて金層が銅箔層に接触しやすくなるため、銅中に金が拡散してしまう可能性がある。一方、金拡散防止層の厚さが５μｍよりも大きくなると、金拡散防止層が凹部内の殆どの領域を占めてしまうため、これに伴って凹部内において面接続端子が占める領域が少なくなる。その結果、面接続端子における金層の積層構造体の主面からの突出量が少なくなるため、面接続端子上にはんだバンプを形成する場合に、面接続端子とはんだバンプとの接触面積が小さくなってしまう。ゆえに、両者の密着強度が低下してしまい、面接続端子とチップ部品の端子との接続信頼性が低下する可能性がある。
【００１８】
続く端子形成工程では、前記金拡散防止層上に、金層、ニッケル層及び銅層をこの順序で積層することにより、前記複数の面接続端子を形成する。前記金層、前記ニッケル層、前記銅層は、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって形成される。具体的に言うと、例えば、金属箔（金箔、ニッケル箔、銅箔）のエッチング、無電解めっき（無電解金めっき、無電解ニッケルめっき、無電解銅めっき）あるいは電解めっき（電解金めっき、電解ニッケルめっき、電解銅めっき）などの手法が適用される。なお、導電性ペースト等の印刷により金層、ニッケル層及び銅層を形成したりすることも可能である。
【００１９】
続く樹脂絶縁層形成工程では、前記マスクを除去した後、前記面接続端子を被覆する前記樹脂絶縁層を形成する。前記樹脂絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。樹脂絶縁層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。
【００２０】
続く導体形成工程では、前記樹脂絶縁層に前記ビア導体及び前記導体層を形成する。前記導体層は主として銅からなり、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって形成される。具体的に言うと、例えば、銅箔のエッチング、無電解銅めっきあるいは電解銅めっきなどの手法が適用される。なお、スパッタやＣＶＤ等の手法により薄膜を形成した後にエッチングを行うことで導体層を形成したり、導電性ペースト等の印刷により導体層を形成したりすることも可能である。
【００２１】
続く金属層除去工程では、前記導体層形成工程後に前記銅箔層及び前記金拡散防止層を除去して、前記複数の面接続端子における前記金層を前記主面から突出させる。これにより、多層配線基板を得ることができる。
【００２２】
なお、前記金拡散防止層は、エッチングにより除去可能な金属であることが好ましい。このようにすれば、エッチングを行った際に金拡散防止層と同時に銅箔層も除去できるため、多層配線基板の製造効率が向上する。
【００２３】
上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、導体層及び樹脂絶縁層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、チップ部品の端子を面接続するための複数の面接続端子が前記積層構造体の主面上に形成され、前記複数の面接続端子に接続する複数のビア導体が前記樹脂絶縁層に形成された多層配線基板であって、前記複数の面接続端子は、銅層、ニッケル層及び金層をこの順序で積層した構造を有し、前記金層が前記主面から突出していることを特徴とする多層配線基板がある。
【００２４】
従って、上記手段２の発明によれば、複数の面接続端子における金層が積層構造体の主面から突出するため、金層を主面から突出させない場合よりも面接続端子の表面積が大きくなる。特に、前記金層の前記主面を基準とした突出量を５μｍ以上にすれば、面接続端子の表面積はより確実に大きくなる。これにより、面接続端子上にはんだバンプを形成する場合に、面接続端子とはんだバンプとの密着強度を高めることができるため、面接続端子とチップ部品の端子との接続信頼性がよりいっそう向上する。
【００２５】
なお、前記複数のビア導体は前記積層構造体の裏面の方向に拡径し、前記複数の面接続端子は前記複数のビア導体における小径側端面に接続していることが好ましい。このようにすれば、ビア導体が積層構造体の裏面の方向に拡径する形状であるので、ビア導体の外周面と、ビア導体が形成されるビア穴の内壁面との密着強度が高められる。従って、多層配線基板が反って過度なストレスが加わった場合でも、ビア導体の密着不良や、ビア導体が小径側端面側に抜けることなどの問題を回避することができ、多層配線基板の製品歩留まりが向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００２７】
図１，図２に示されるように、本実施形態の半導体パッケージ１０は、多層配線基板１１と、半導体集積回路素子であるＩＣチップ２１（チップ部品）とからなるＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）である。なお、半導体パッケージ１０の形態は、ＢＧＡのみに限定されず、例えばＰＧＡ（ピングリッドアレイ）やＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）等であってもよい。ＩＣチップ２１は、縦１５．０ｍｍ×横１５．０ｍｍ×厚さ０．８ｍｍの矩形平板状であって、熱膨張係数が４．２ｐｐｍ／℃のシリコンからなる。
【００２８】
一方、多層配線基板１１は、コア基板を有さず、銅からなる導体層５１とエポキシ樹脂からなる４層の樹脂絶縁層４３，４４，４５，４６とを交互に積層して多層化した配線積層部４０（積層構造体）を有している。本実施形態の配線積層部４０は、縦５０．０ｍｍ×横５０．０ｍｍ×厚さ０．４ｍｍの平面視略矩形状である。本実施形態において、樹脂絶縁層４３〜４６の熱膨張係数は、１０〜６０ｐｐｍ／℃程度（具体的には２０ｐｐｍ／℃程度）となっている。なお、樹脂絶縁層４３〜４６の熱膨張係数は、３０℃〜ガラス転移温度（Ｔｇ）間の測定値の平均値をいう。
【００２９】
図１，図２に示されるように、配線積層部４０の主面４１上（第４層の樹脂絶縁層４６の表面上）には、端子パッド３０（面接続端子）がアレイ状に配置されている。図３に示されるように、端子パッド３０は、銅めっき層３１（銅層）、ニッケルめっき層３２（ニッケル層）及び金めっき層３３（金層）をこの順序で積層した構造を有している。ここでは、銅めっき層３１の厚さを１０μｍ、ニッケルめっき層３２の厚さを７μｍ以上２０μｍ以下（本実施形態では７μｍ）、金めっき層３３の厚さを０．４μｍに設定している。また、ニッケルめっき層３２の一部（本実施形態では上半分）及び金めっき層３３全体は、配線積層部４０の主面４１から突出している。そして、金めっき層３３は、ニッケルめっき層３２の突出部分全体（具体的には、ニッケルめっき層３２の上面と側面の一部）を覆っている。なお本実施形態では、主面４１を基準としたニッケルめっき層３２の突出量（の最大値）が５．０μｍに設定され、主面４１を基準とした金めっき層３３の突出量（の最大値）が５．４μｍに設定されている。
【００３０】
さらに、端子パッド３０の表面上には、複数のはんだバンプ５４が配設されている。各はんだバンプ５４には、前記ＩＣチップ２１の端子２２が面接続されている。即ち、ＩＣチップ２１は、配線積層部４０の主面４１側に搭載されている。なお、各端子パッド３０及び各はんだバンプ５４が形成されている領域は、ＩＣチップ２１を搭載可能なＩＣチップ搭載領域２３である。
【００３１】
一方、図１，図２に示されるように、配線積層部４０の裏面４２上（第１層の樹脂絶縁層４３の下面上）には、ＢＧＡ用パッド５３がアレイ状に配設されている。ＢＧＡ用パッド５３は、銅端子上にニッケルめっき層及び金めっき層をこの順序で積層した構造を有している。また、樹脂絶縁層４３の下面は、ソルダーレジスト４７によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト４７の所定箇所には、ＢＧＡ用パッド５３を露出させる開口部４８が形成されている。各ＢＧＡ用パッド５３の表面上には、マザーボード接続用の複数のはんだバンプ５５が配設されており、各はんだバンプ５５により、配線積層部４０は図示しないマザーボード上に実装される。
【００３２】
図１〜図３に示されるように、各樹脂絶縁層４３〜４６には、それぞれビア穴５６及びビア導体５７が設けられている。各ビア穴５６は、円錐台形状をなし、各樹脂絶縁層４３〜４６に対してＹＡＧレーザまたは炭酸ガスレーザを用いた穴あけ加工を施すことで形成される。各ビア導体５７は、配線積層部４０の裏面４２の方向（図１では下方向）に拡径した導体であって、各導体層５１、前記端子パッド３０及びＢＧＡ用パッド５３を相互に電気的に接続している。そして、端子パッド３０は、ビア導体５７における小径側端面５８（図３参照）に接続している。
【００３３】
次に、多層配線基板１１の製造方法について説明する。
【００３４】
本実施形態では、十分な強度を有する支持基板（ガラスエポキシ基板など）を準備し、その支持基板上に、多層配線基板１１（配線積層部４０）の導体層５１及び樹脂絶縁層４３〜４６をビルドアップしていく方法を採用している。図４〜図２４は、その製造方法を示す説明図であり、支持基板の上面及び下面に形成される樹脂絶縁層４３〜４６及び導体層５１等を示している。
【００３５】
詳述すると、図４に示されるように、支持基板７０の両面に、それぞれ積層金属シート体７２を配置する。両積層金属シート体７２は、２枚の銅箔層７３，７４を剥離可能な状態で密着させてなる。具体的には、金属めっき（例えば、クロムめっき）を介して各銅箔層７３，７４を積層することで積層金属シート体７２が形成されている。
【００３６】
続く凹部形成工程では、銅箔層７３上にエッチング用のマスクであるドライフィルム７６（厚さ１２μｍ）をラミネートする（図５参照）。次に、露光及び現像を行うことにより、ドライフィルム７６の所定箇所に開口部７７（内径１００μｍ）を形成し、銅箔層７３の表面の一部を露出させる（図６，図７参照）。そして、銅箔層７３において開口部７７から露出している部分をハーフエッチし、深さ８μｍの凹部７８を形成する（図８参照）。
【００３７】
続く金拡散防止層形成工程では、ドライフィルム７６を介して凹部７８の内側面に対するニッケルめっきを行う。その結果、凹部７８の内側面上に、厚さ２〜３μｍ程度（本実施形態では２．６μｍ）の金拡散防止層３４が形成される（図９参照）。即ち、金拡散防止層３４は、エッチングにより除去可能な金属（ニッケル）によって形成されたニッケルめっき層である。なお、金拡散防止層３４は、銅箔層７３を構成する銅中に金めっき層３３に含まれる金が拡散するのを防止する層である。
【００３８】
続く端子形成工程では、金拡散防止層３４上に、金めっき層３３、ニッケルめっき層３２及び銅めっき層３１をこの順序で積層することにより、端子パッド３０を形成する（図１０，図１１参照）。より詳しくは、まず、ドライフィルム７６を介して金拡散防止層３４上に対する金めっきを行い、金拡散防止層３４上に金めっき層３３を形成する。なお、凹部７８の深さ（８μｍ）は、金拡散防止層３４の厚さ（２．６μｍ）及び金めっき層３３の厚さ（０．４μｍ）の和（３μｍ）よりも大きくなっている。次に、ドライフィルム７６を介して金めっき層３３上に対するニッケルめっきを行い、金めっき層３３上にニッケルめっき層３２を形成する。さらに、ドライフィルム７６を介してニッケルめっき層３２上に対する銅めっきを行うことにより、ニッケルめっき層３２上に銅めっき層３１が形成され、端子パッド３０が完成する。その後、ドライフィルム７６を除去し、端子パッド３０を銅箔層７３の表面から突出させる（図１２，図１３参照）。
【００３９】
続く樹脂絶縁層形成工程では、前記両積層金属シート体７２の上にシート状の絶縁樹脂基材７５を積層し、真空圧着熱プレス機（図示略）を用いて真空下にて加圧加熱した後、硬化させることにより、端子パッド３０を被覆する第４層の樹脂絶縁層４６を形成する（図１４，図１５参照）。そして、図１６に示されるように、レーザ加工を施すことによって樹脂絶縁層４６の所定の位置にビア穴５６を形成し、次いで各ビア穴５６内のスミアを除去するデスミア処理を行う。
【００４０】
続く導体形成工程では、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことで、各ビア穴５６内にビア導体５７を形成する（図１７，図１８参照）。このとき、樹脂絶縁層４６に形成されたビア導体５７の小径側端面５８が、端子パッド３０に接続される。さらに、従来公知の手法（例えばセミアディティブ法）によってエッチングを行うことで、樹脂絶縁層４６上に導体層５１をパターン形成する（図１７参照）。
【００４１】
また、第１層〜第３層の樹脂絶縁層４３〜４５及び導体層５１についても、上述した第４層の樹脂絶縁層４６及び導体層５１と同様の手法によって形成し、樹脂絶縁層４６上に積層していく。そして、ＢＧＡ用パッド５３が形成された樹脂絶縁層４３上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト４７を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト４７に開口部４８をパターニングする。以上の製造工程によって、支持基板７０の両側にそれぞれ積層金属シート体７２、樹脂絶縁層４３〜４６及び導体層５１を積層した積層体８０が形成される（図１９参照）。なお図１９に示されるように、積層体８０において積層金属シート体７２上に位置する領域が、配線積層部４０となる。
【００４２】
そして、この積層体８０をダイシング装置（図示略）により切断し、積層体８０における配線積層部４０の周囲領域を除去する。この際、配線積層部４０とその周囲部８１との境界部分（図１９の一点鎖線参照）において、配線積層部４０を支持基板７０ごと切断する。この切断によって、樹脂絶縁層４６にて封止されていた積層金属シート体７２の外縁部が露出した状態となる。つまり、周囲部８１の除去によって、支持基板７０と樹脂絶縁層４６との密着部分が失われる。この結果、配線積層部４０及び支持基板７０が積層金属シート体７２のみを介して連結した状態となる（図２０参照）。
【００４３】
次に、積層体８０を配線積層部４０と支持基板７０とに分離し、銅箔層７３を露出させる。具体的に言うと、積層金属シート体７２を２枚の銅箔層７３，７４の界面にて剥離して、配線積層部４０を支持基板７０から分離する（図２１，図２２参照）。
【００４４】
続く金属層除去工程では、配線積層部４０（樹脂絶縁層４６）の主面４１上にある銅箔層７３に対してエッチングを行い、銅箔層７３を除去する（図２３，図２４参照）。この際、銅箔層７３が除去されるのと同時に、銅箔層７３に接触している金拡散防止層３４も除去される。その結果、端子パッド３０が露出し、端子パッド３０における金めっき層３３が主面４１から突出する。
【００４５】
続くはんだバンプ形成工程では、最表層の樹脂絶縁層４６上に形成された複数の端子パッド３０上に、ＩＣチップ接続用のはんだバンプ５４を形成する。具体的には、図示しないはんだボール搭載装置を用いて各端子パッド３０上にはんだボールを配置した後、はんだボールを所定の温度に加熱してリフローすることにより、各端子パッド３０上にはんだバンプ５４を形成する。同様に、樹脂絶縁層４３上に形成された複数のＢＧＡ用パッド５３上に、はんだバンプ５５を形成する。
【００４６】
その後、配線積層部４０のＩＣチップ搭載領域２３にＩＣチップ２１を載置する。このとき、ＩＣチップ２１側の端子２２と、配線積層部４０側のはんだバンプ５４とを位置合わせするようにする。そして、加熱して各はんだバンプ５４をリフローすることにより、端子２２とはんだバンプ５４とが接合され、配線積層部４０にＩＣチップ２１が搭載される。
【００４７】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００４８】
（１）本実施形態の多層配線基板１１の製造方法によれば、金拡散防止層形成工程において銅箔層７３に金拡散防止層３４を形成した後で、端子形成工程において金拡散防止層３４上に金めっき層３３を積層している。よって、金属層除去工程を行うまでの間は、金めっき層３３が直接銅箔層７３に接触しないため、銅箔層７３を構成する銅中に金めっき層３３に含まれる金が拡散しなくなる。その結果、はんだとの接合性が良好な金が端子パッド３０の表層（金めっき層３３）に確実に残るため、端子パッド３０とはんだバンプ５４とを金めっき層３３を介して確実に接合することができる。ゆえに、端子パッド３０とＩＣチップ２１の端子２２との接続信頼性が向上し、ひいては多層配線基板１１の信頼性が向上する。
【００４９】
（２）本実施形態では、端子形成工程を行うことにより、銅箔層７３に形成した凹部７８内に金拡散防止層３４や金めっき層３３が位置するようになる。このため、金属層除去工程において銅箔層７３及び金拡散防止層３４を除去すれば、金めっき層３３が配線積層部４０の主面４１から突出するようになる。その結果、金めっき層３３を突出させない場合よりも端子パッド３０とはんだバンプ５４との接触面積が大きくなるため、端子パッド３０とはんだバンプ５４との密着強度を高めることができ、端子パッド３０とＩＣチップ２１の端子２２との接続信頼性がよりいっそう向上する。
【００５０】
なお、本実施形態を以下のように変更してもよい。
【００５１】
・上記実施形態では、支持基板７０の両側に配線積層部４０を形成したが、支持基板７０の片側のみに配線積層部４０を形成してもよい。
【００５２】
・上記実施形態において、配線積層部４０における主面４１上や裏面４２上には、ＩＣチップ２１のほかに電子部品が実装されていてもよい。電子部品としては、例えば、裏面または側面に複数の端子を有する部品（例えばトランジスタ、ダイオード、抵抗、チップコンデンサ、コイルなど）などがある。
【００５３】
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００５４】
（１）導体層及び樹脂絶縁層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、チップ部品の端子を面接続するための複数の面接続端子が前記積層構造体の主面上に形成され、前記複数の面接続端子に接続する複数のビア導体が前記樹脂絶縁層に形成された多層配線基板の製造方法であって、後に除去される銅箔層上にエッチング用のマスクを配置し、前記銅箔層において前記マスクの開口部から露出している部分をハーフエッチして、凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部に、銅中に金が拡散するのを防止するためのニッケルめっき層を形成するニッケルめっき層形成工程と、前記ニッケルめっき層上に、金層、ニッケル層及び銅層をこの順序で積層することにより、前記複数の面接続端子を形成する端子形成工程と、前記マスクを除去した後、前記面接続端子を被覆する前記樹脂絶縁層を形成する樹脂絶縁層形成工程と、前記樹脂絶縁層に前記ビア導体及び前記導体層を形成する導体形成工程と、前記導体形成工程後に前記銅箔層及び前記ニッケルめっき層を除去して、前記複数の面接続端子における前記金層を前記主面から突出させる金属層除去工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【００５５】
（２）導体層及び樹脂絶縁層を交互に積層して多層化した積層構造体を有し、チップ部品の端子を面接続するための複数の面接続端子が前記積層構造体の主面上に形成され、前記複数の面接続端子に接続する複数のビア導体が前記樹脂絶縁層に形成された多層配線基板の製造方法であって、後に除去される銅箔層上にエッチング用のマスクを配置し、前記銅箔層において前記マスクの開口部から露出している部分をハーフエッチして、凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部に、銅中に金が拡散するのを防止するための金拡散防止層を形成する金拡散防止層形成工程と、前記金拡散防止層上に、金層、ニッケル層及び銅層をこの順序で積層することにより、前記複数の面接続端子を形成する端子形成工程と、前記マスクを除去した後、前記面接続端子を被覆する前記樹脂絶縁層を形成する樹脂絶縁層形成工程と、前記樹脂絶縁層に前記ビア導体及び前記導体層を形成する導体形成工程と、前記導体形成工程後に前記銅箔層及び前記金拡散防止層を除去して、前記複数の面接続端子における前記金層を前記主面から突出させる金属層除去工程とを含み、前記主面を基準とした前記金層の突出量は、５μｍ以上であることを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本実施形態における半導体パッケージの概略構成を示す概略断面図。
【図２】多層配線基板を示す要部断面図。
【図３】端子パッド及びビア導体などを示す要部断面図。
【図４】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図５】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図６】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図７】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図８】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図９】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１０】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１１】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１２】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１３】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１４】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１５】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１６】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１７】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１８】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１９】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図２０】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図２１】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図２２】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図２３】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図２４】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【符号の説明】
【００５７】
１１…多層配線基板
２１…チップ部品としてのＩＣチップ
２２…チップ部品の端子
３０…面接続端子としての端子パッド
３１…銅層としての銅めっき層
３２…ニッケル層としてのニッケルめっき層
３３…金層としての金めっき層
３４…金拡散防止層
４０…積層構造体としての配線積層部
４１…積層構造体の主面
４２…積層構造体の裏面
４３，４４，４５，４６…樹脂絶縁層
５１…導体層
５７…ビア導体
５８…小径側端面
７３…銅箔層
７６…マスクとしてのドライフィルム
７７…マスクの開口部
７８…凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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