【手続補正書】
【提出日】平成16年4月7日(2004.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面に金属層を堆積する方法であって、
前記表面の少なくとも一部の上で、ハロゲン含有前駆体及び金属含有前駆体から金属ハライド層を成長させること、及び
前記金属ハライド層を還元剤に曝露して前記金属層を提供すること
を含んでなる、方法。
【請求項２】
前記成長工程が、
前記表面の少なくとも一部の上でハロゲン含有前駆体を化学吸着させること、及び
前記表面の少なくとも一部の上で金属含有前駆体を化学吸着させること
を含み、その際、前記前駆体内の金属とハロゲンを反応させて前記金属ハライド層を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ハロゲン含有前駆体及び前記金属含有前駆体を順次供給して前記金属ハライド層を形成する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記ハロゲン含有前駆体及び前記金属含有前駆体を共反応させて前記金属ハライド層を形成する、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記ハロゲン含有前駆体が、ハロゲン含有酸、ハロゲン含有シラン、アルキルクロロシラン、アルキルブロモシラン、アルキルヨードシラン、シリコンハライド化合物、ハロゲン化錫化合物、ゲルマン化合物、三ハロゲン化ホウ素化合物、アルキルアルミニウムハライド化合物、アルミニウムハライド化合物、ガリウムハライド化合物又はその組み合わせからなる群からの少なくとも一員である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記ハロゲン含有前駆体がハロゲン含有酸である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記ハロゲン含有前駆体がＨＣｌである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記金属含有前駆体が銅を含む、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記金属含有前駆体が、Ｃｕ(I)β−ジケトネート(L)（式中、(L)は、オレフィン、ジエン、シリルオレフィン、シリルアルキレンのアルキレン、イソニトリル、一酸化炭素及びトリアルキルホスフィンから選ばれた安定化配位子である）、Ｃｕ(II)ビス（β−ジケトネート）、Ｃｕ(II)ビス（β−ジイミン）、Ｃｕ(I)β−ジイミン(L)（式中、(L)は、オレフィン、シリルオレフィン、シリルアルキレンのアルキレン、ジエン、イソニトリル、一酸化炭素及びトリアルキルホスフィンから選ばれた安定化配位子である）、Ｃｕ(I)アルコキシド、Ｃｕ(I)アミド、Ｃｕ(II)β−ケトイミン、Ｃｕ(I)β−ケトイミン(L)（式中、(L)は、オレフィン、シリルオレフィン、シリルアルキレンのアルキレン、ジエン、イソニトリル、一酸化炭素及びトリアルキルホスフィンから選ばれた配位子である）、Ｃｕ(II)ビス（アルコキシアミン）、Ｃｕ(I)アルキル、Ｃｕ(I)アリール又はＣｕ(I)フェノキシドからなる群からの少なくとも一員である、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記金属含有前駆体が、次の構造式によって表される少なくとも１種類の化合物を含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法：
【化１】
2004156141.tif 000001
（上式において、
Ｍ及びＭ’は、それぞれ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Оｓ又はＩｒであり、
Ｘ及びＸ’は、それぞれ、Ｎ又はОであり、
Ｙ及びＹ’は、それぞれ、Ｓｉ、Ｃ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｂ又はＡｌであり、
Ｚ及びＺ’は、それぞれ、Ｃ、Ｎ又はОであり、
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ１’及びＲ２’は、それぞれ独立して、アルキル、アルケニル、アルキニル、部分フッ素化アルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分フッ素化アリール、フルオロアルキル置換アリール、トリアルキルシリルであり、あるいはＸ及びＸ’がＮである時にトリアリールシリルであり、
Ｒ１及びＲ１’は、それぞれ独立して、アルキル、アルケニル、アルキニル、部分フッ素化アルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分フッ素化アリール、フルオロアルキル置換アリール、トリアルキルシリルであり、あるいはＸ及びＸ’がОである時にトリアリールシリルであり、
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ３’及びＲ４’は、それぞれ独立して、水素、アルキル、部分フッ素化アルキル、トリアルキルシリル、トリアリールシリル、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、アリール、アルキル置換アリール、部分フッ素化アリール、フルオロアルキル置換アリール又はアルコキシであり、
Ｒ５、Ｒ６、Ｒ５’及びＲ６’は、それぞれ独立して、水素、アルキル、アルケニル、アルキニル、部分フッ素化アルキル、アリール、アルキル置換アリール、部分フッ素化アリール、フルオロアルキル置換アリール、トリアルキルシロキシ、トリアリールシロキシ、トリアルキルシリル、トリアリールシリルもしくはアルコキシ、ＳｉＲ７Ｒ８Ｎ（Ｒ９Ｒ１０）基又はＳｉＲ７Ｒ８ОＲ１１基であり、式中のＲ７、Ｒ８、Ｒ９、Ｒ１０及びＲ１１はアルキルであることができ、
但し、Ｘ及びＸ’がそれぞれОである場合、Ｒ２及びＲ２’のところには置換基は存在せず、
また、Ｚ及びＺ’がそれぞれＮである場合、Ｒ６及びＲ６’のところには置換基は存在せず、
さらに、Ｚ及びＺ’がそれぞれОである場合、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ５’又はＲ６’のところには置換基は存在せず、そして
前記アルキル及びアルコキシドは１〜８個の炭素を有し、前記アルケニル及びアルキニルは２〜８個の炭素を有し、かつ前記アリールは６個の炭素を有する）。
【請求項１１】
前記半導体基板がバリア層を有し、このバリア層の上に前記金属ハライド層が成長せしめられる、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記バリア層が、窒化チタン化合物、チタン化合物、窒化タンタル化合物、タングステン窒化炭素化合物、タンタル化合物、前記のシリサイド化合物又はその混合物からなる群から選ばれた少なくとも一員である、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記還元剤が、水素、シラン、ボラン、アラン、ゲルマン、ヒドラジン又はその混合物からなる群から選ばれた少なくとも一員である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
前記還元剤がシランである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記還元剤がジエチルシランである、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記成長工程の完結に先がけて前記曝露工程を実施する、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
前記成長工程の完結の後に前記曝露工程を実施する、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれか１項に記載の方法によって形成された金属層を含む半導体基板。
【請求項１９】
基板の表面に金属層を形成する方法であって、
前記表面をハロゲン含有前駆体及び金属含有前駆体と接触させることによって金属ハライド層を成長させ、その際、前記前駆体中のハロゲン及び金属を反応させて前記金属ハライド層を形成すること、及び
前記金属ハライド層を還元剤に曝露して前記金属層を提供すること
を含んでなる、方法。
【請求項２０】
合金金属含有前駆体から合金金属ハライド層を成長させる工程をさらに含み、その際、前記合金金属含有前駆体の金属は、前記金属含有前駆体の金属とは異なるものとする、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
前記合金金属含有前駆体が、Ａｇ、Ａｕ、Оｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｃо、Ｒｕ又はその組み合わせからなる群からの少なくとも一員である、請求項１９又は２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記第２の成長工程を前記曝露工程に先がけて実施する、請求項１９〜２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
前記成膜工程の完結に先がけて前記曝露工程を実施する、請求項１９〜２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
前記成膜工程の完結の後に前記曝露工程を実施する、請求項１９〜２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２５】
半導体基板の表面に金属層を堆積する方法であって、
前記表面の少なくとも一部の上で、酸を含むハロゲン含有前駆体及び金属含有前駆体から金属ハライド層を成長させ、その際、前記半導体基板がバリア層を有し、このバリア層の上に前記金属ハライド層が成長せしめられること、及び
前記金属ハライド層を還元剤に曝露して前記金属層を提供すること
を含んでなる、方法。
【請求項２６】
前記酸が、ハロゲン化水素酸又はフッ素化された酸からなる群から選ばれた少なくとも一員である、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
前記バリア層が、窒化チタン化合物、チタン化合物、窒化タンタル化合物、タングステン窒化炭素化合物、タンタル化合物、前記のシリサイド化合物又はその混合物からなる群から選ばれた少なくとも１種の化合物である、請求項２５に記載の方法。