【手続補正書】
【提出日】平成16年3月15日(2004.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基準電圧を発生する第１の基準電圧発生回路、
前記第１の基準電圧とレベルの異なる第２の基準電圧を発生する第２の基準電圧発生回路、
第１の電源ノードの電圧を一方動作電源電圧として動作し、前記第１の基準電圧発生回路の出力ノードの電圧と第１の内部電源線上の電圧とを比較する第１の比較回路、
前記第１の電源ノードと前記第１の内部電源線との間に結合され、前記第１の比較回路の出力信号に従って前記第１の電源ノードから前記第１の内部電源線へ電流を供給する第１の電流ドライブ素子、
前記第１の電源ノードと前記第１の基準電圧発生回路の出力ノードとの間に結合され、ストレス加速モード指示信号の活性化に応答して、前記第１の基準電圧発生回路の出力ノードと前記第１の電源ノードとを電気的に結合する第１のスイッチング素子、
前記第２の基準電圧発生回路の出力ノードの電圧と前記第１の内部電源線とは別に設けられる第２の内部電源線上の電圧とを比較する第２の比較回路、
第２の電源ノードと前記第２の内部電源線との間に結合され、前記第２の比較回路の出力信号に従って前記第２の電源ノードから前記第２の内部電源線へ電流を供給する第２の電流ドライブ素子、
前記第２の電源ノードと前記第２の基準電圧発生回路の出力ノードとの間に結合され、前記ストレス加速モード指示信号の活性化に応答して前記第２の電源ノードと前記第２の基準電圧発生回路の出力ノードとを電気的に結合する第２のスイッチング素子を備え、
前記第１および第２の電源ノードは、各々が外部電源電圧を受けかつ別々に設けられる外部電源端子にそれぞれ結合され、かつ前記第１および第２の電源ノードが電源配線により相互接続され、
前記第２のスイッチング素子は、前記ストレス加速モード指示信号の活性化時、前記第１の電源ノード上の電圧を所定値降下させて前記第１の内部電源線へ伝達する手段を含む、半導体集積回路装置。
【請求項２】
第１の基準電圧を発生する第１の基準電圧発生回路、
前記第１の基準電圧とレベルの異なる第２の基準電圧を発生する第２の基準電圧発生回路、
第１の電源ノードの電圧を一方動作電源電圧として動作し、前記第１の基準電圧発生回路の出力ノードの電圧と第１の内部電源線上の電圧とを比較する第１の比較回路、
前記第１の電源ノードと前記第１の内部電源線との間に結合され、前記第１の比較回路の出力信号に従って前記第１の電源ノードから前記第１の内部電源線へ電流を供給する第１の電流ドライブ素子、
前記第１の電源ノードと前記第１の基準電圧発生回路の出力ノードとの間に結合され、ストレス加速モード指示信号の活性化に応答して、前記第１の基準電圧発生回路の出力ノードと前記第１の電源ノードとを電気的に結合する第１のスイッチング素子、
前記第２の基準電圧発生回路の出力ノードの電圧と前記第１の内部電源線とは別に設けられる第２の内部電源線上の電圧とを比較する第２の比較回路、
第２の電源ノードと前記第２の内部電源線との間に結合され、前記第２の比較回路の出力信号に従って前記第２の電源ノードから前記第２の内部電源線へ電流を供給する第２の電流ドライブ素子、
前記第２の電源ノードと前記第２の基準電圧発生回路の出力ノードとの間に結合され、前記ストレス加速モード指示信号の活性化に応答して前記第２の電源ノードと前記第２の基準電圧発生回路の出力ノードとを電気的に結合する第２のスイッチング素子、および
前記第１の電源ノードと前記第２の電源ノードとの間に結合され、前記ストレス加速モード指示信号の活性化に応答して非導通状態となりかつ前記ストレス加速モード指示信号の非活性化に応答して導通状態となる第３のスイッチング素子を備える、半導体集積回路装置。
【請求項３】
行列状に配列される複数のメモリセルを有するメモリアレイと、
前記メモリアレイの各列に対応して設けられ、活性化時前記第１の内部電源線上の電圧を一方動作電源電圧として動作し対応の列上のメモリセルデータの検知および増幅を行なうセンスアンプと、
前記第２の内部電源線上の電圧を一方動作電源電圧として動作し、アドレス信号に従って前記メモリセルアレイのアドレス指定されたメモリセルを選択する選択手段をさらに含む、請求項１または２に記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】
互いに分離して配置される複数の内部電源線、
前記複数の内部電源線それぞれに対応して設けられ、互いに電圧レベルの異なる基準電圧を発生する複数の基準電圧発生手段、
前記複数の基準電圧発生手段それぞれに対応して設けられ、対応の基準電圧発生手段からの基準電圧と対応の内部電源線上の電圧とを差動増幅し、該増幅結果に従って対応の内部電源線上の電圧を調整して対応の内部電源線上の電圧を対応の基準電圧出力ノード上の電圧レベルに維持するための複数の内部電圧発生手段、および
ストレス加速モード指示信号に応答して、前記複数の基準電圧発生手段のそれぞれの基準電圧出力ノードを対応の外部電源電圧供給ノードに結合する手段を備える、半導体集積回路装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る半導体集積回路装置は、第１の基準電圧を発生する第１の基準電圧発生回路と、第１の基準電圧とレベルの異なる第２の基準電圧を発生する第２の基準電圧発生回路と、第１の電源ノードの電圧を一方動作電源電圧として動作し、この第１の基準電圧発生回路の出力ノードの電圧と第１の内部電源線上の電圧とを比較する第１の比較回路と、第１の電源ノードと第２の内部電源線との間に結合され、第１の比較回路の出力信号に従って第１の電源ノードから第１の内部電源線へ電流を供給する第１の電流ドライブ素子と、第１の電源ノードと第１の基準電圧発生回路の出力ノードとの間に結合され、ストレス加速モード指示信号の活性化に応答して、第１の基準電圧発生回路の出力ノードと第１の電源ノードとを電気的に結合する第１のスイッチング素子と、第２の基準電圧発生回路の出力ノードの電圧と第１の内部電源線と別に設けられる第２の内部電源線上の電圧とを比較する第２の比較回路と、第２の電源ノードと第２の内部電源線との間に結合され、第２の比較回路の出力信号に従って第２の電源ノードから第２の内部電源線へ電流を供給する第２の電流ドライブ素子と、第２の電源ノードと第２の基準電圧発生回路の出力ノードとの間に結合され、ストレス加速モード指示信号の活性化に応答して第２の電源ノードと第２の基準電圧発生回路の出力ノードとを電気的に結合する第２のスイッチング素子を備える。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
請求項１に係る半導体集積回路装置は、さらに、第１および第２の電源ノードは、各々が外部電源電圧を受けかつ別々に設けられる外部電源端子にそれぞれ結合され、第１および第２の電源ノードは電源配線により相互接続される。また、第２のスイッチング素子が、ストレス加速モード指示信号の活性化時、第１の電源ノード上の電圧を所定値降下させて第１の内部電源線へ伝達する手段を含む。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
請求項２に係る半導体集積回路装置は、第１の基準電圧を発生する第１の基準電圧発生回路と、第１の基準電圧とレベルの異なる第２の基準電圧を発生する第２の基準電圧発生回路と、第１の電源ノードの電圧を一方動作電源電圧として動作し、この第１の基準電圧発生回路の出力ノードの電圧と第１の内部電源線上の電圧とを比較する第１の比較回路と、第１の電源ノードと第２の内部電源線との間に結合され、第１の比較回路の出力信号に従って第１の電源ノードから第１の内部電源線へ電流を供給する第１の電流ドライブ素子と、第１の電源ノードと第１の基準電圧発生回路の出力ノードとの間に結合され、ストレス加速モード指示信号の活性化に応答して、第１の基準電圧発生回路の出力ノードと第１の電源ノードとを電気的に結合する第１のスイッチング素子と、第２の基準電圧発生回路の出力ノードの電圧と第１の内部電源線と別に設けられる第２の内部電源線上の電圧とを比較する第２の比較回路と、第２の電源ノードと第２の内部電源線との間に結合され、第２の比較回路の出力信号に従って第２の電源ノードから第２の内部電源線へ電流を供給する第２の電流ドライブ素子と、第２の電源ノードと第２の基準電圧発生回路の出力ノードとの間に結合され、ストレス加速モード指示信号の活性化に応答して第２の電源ノードと第２の基準電圧発生回路の出力ノードとを電気的に結合する第２のスイッチング素子と、第１の電源ノードと第２の電源ノードとの間に結合され、ストレス加速モード指示信号の活性化に応答して導通状態となりかつストレス加速モード指示信号の非活性化に応答して導通状態となる第３のスイッチング素子を備える。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
請求項３に係る半導体集積回路装置は、請求項１または２の構成に加えて、行列状に配列される複数のメモリセルを有するメモリアレイと、メモリアレイの各列に対応して設けられ、活性化時第１の内部電源線上の電圧を一方動作電源電圧として動作し、対応の列上のメモリセルデータの検知および増幅を行なうセンスアンプと、第２の内部電源線上の電圧を一方動作電源電圧として動作し、アドレス信号に従ってメモリセルアレイのアドレス指定されたメモリセルを選択する選択手段をさらに含む。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
請求項４に係る半導体集積回路装置は、複数の内部電源線と、これら複数の内部電源線それぞれに対応して設けられ、互いに電圧レベルの異なる複数の基準電圧を発生する基準電圧発生手段と、これら複数の基準電圧発生手段それぞれに対応して設けられ、対応の基準電圧と対応の内部電源線上の電圧とを差動増幅し、該増幅結果に従って対応の内部電源線上の電圧を調整し、対応の内部電源線上の電圧を対応の基準電圧出力ノード上の電圧レベルに保持する複数の内部電圧発生手段と、ストレス加速モード指示信号に応答して基準電圧発生手段の各基準電圧出力ノードを外部電源電圧供給ノードに結合する手段とを備える。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３０】
また、第１および第２の電源ノードを電源配線で相互接続しているため、高電圧サージなどが電源パッドに印加された場合においても、この高電圧サージの電荷を分散して吸収させることができ、電源ノイズに強い内部電源電圧発生回路を実現することができる。さらに、ストレス加速モード時、一方の外部電源電圧を所定値低下させて対応の基準電圧発生回路の出力ノードへ伝達するように構成しているため、ストレス加速モード時においても、通常動作モード時と同じ条件で電圧ストレスの加速を容易に行なうことができ、正確に信頼性評価を行なうことができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３２】
請求項２に係る発明に従えば、第１および第２の電源ノードの間に、ストレス加速モード時非導通状態となり、ストレス加速モード以外の動作モード時は導通状態となるスイッチング素子を設けているため、ストレス加速モード時においては、第１および第２の内部電源電圧を互いに独立に設定することができ、一様なストレス加速を実現して、信頼性の高い信頼性評価を行なうことができ、また通常の動作モード時においては、第１および第２の電源パッドが電源配線で接続されることになり、高電圧サージおよびノイズなどが生じてもそれらを電荷分散により吸収することができ、電源ノイズに強い内部電源電圧発生回路を実現することができる。また、請求項１の発明と同様、内部回路の動作特性に合わせて内部電源電圧を最適レベルに設定することができ、高速動作および低消費電流を実現することができる。さらに、第１および第２のスイッチング素子により、基準電圧ノードが外部電源ノードにそれぞれ電気的に接続されるため、ストレス加速モード時、比較回路に対する電圧ストレスを加速することができ、確実に電圧降下回路の信頼性評価を行うことができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３４】
請求項３に係る発明に従えば、メモリアレイに関連するアレイ系回路と周辺系回路それぞれに対し別々に内部電源電圧のレベルを設定するように構成しているため、アレイ系回路の消費電流を低減しかつ周辺系回路の高速動作を保障する、低消費電流かつ高速動作する半導体記憶装置を実現することができる。


【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３５】
請求項４に係る発明に従えば、複数の電源電圧レベルの異なる基準電圧を発生し、これらの基準電圧に従って互いに電圧レベルの異なる内部電源電圧を対応の内部電源線に伝達し、また基準電圧発生手段それぞれの出力ノードをストレス加速モード時、外部電源電圧供給ノードに結合するように構成したため、ストレス加速モード時この電圧発生手段のストレス加速を行なうことができるとともに、各内部回路の動作特性に合わせた最適な電圧レベルの内部電源電圧を発生することができる。