【手続補正書】
【提出日】平成16年2月23日(2004.2.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光学的にパターンを形成するパターン形成体において、基材上に、光触媒含有層を有し、前記光触媒含有層は、パターンの露光によって光触媒の作用により濡れ性が変化する物質を含有することを特徴とするパターン形成体。
【請求項２】
前記光触媒の作用により濡れ性が変化する物質が結着剤であることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成体。
【請求項３】
光学的にパターンを形成するパターン形成体において、基材上に光触媒含有層を有し、光触媒含有層上に、パターンの露光によって光触媒の作用により濡れ性が変化する物質の含有層を有することを特徴とするパターン形成体。
【請求項４】
前記濡れ性の変化する物質が、シリコーンを含有することを特徴とする請求項３または請求項４に記載のパターン形成体。
【請求項５】
前記濡れ性が変化する物質が、ケイ素原子に結合したオルガノ基としてフルオロアルキル基を含有したシリコーンであることを特徴とする請求項４に記載のパターン形成体。
【請求項６】
前記濡れ性が変化する物質が、ケイ素原子に結合したオルガノ基としてビニル基を含有したシリコーンであることを特徴とする請求項４に記載のパターン形成体。
【請求項７】
前記光触媒の作用により濡れ性が変化する物質が、ケイ素原子に結合したオルガノ基としてアミノ基を含有したシリコーンであることを特徴とする請求項４に記載のパターン形成体。
【請求項８】
前記光触媒の作用により濡れ性が変化する物質が、ケイ素原子に結合したオルガノ基としてエポキシ基を含有したシリコーンであることを特徴とする請求項４に記載のパターン形成体。
【請求項９】
前記シリコーンが、フェニルトリクロルシラン、フェニルトリブロムシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリイソプロポキシシラン、フェニルトリｔ−ブトキシシラン；ジメトキシジエトキシシラン；ジメチルジクロルシラン、ジメチルジブロムシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン；ジフェニルジクロルシラン、ジフェニルジブロムシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン；フェニルメチルジクロルシラン、フェニルメチルジブロムシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、およびフェニルメチルジエトキシシランからなる群から選択される1種もしくは2種以上を含む化合物の加水分解縮合物または共加水分解縮合物であることを特徴とする請求項４に記載のパターン形成体。
【請求項１０】
前記シリコーンが、γ−メタアクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタアクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メタアクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタアクリロキシプロピルトリエトキシシラン、γ−メタアクリロキシプロピルトリイソプロポキシシラン、γ−メタアクリロキシプロピルトリｔ−ブトキシシランからなる群から選択される1種もしくは2種以上を含む化合物の加水分解縮合物または共加水分解縮合物であることを特徴とする請求項４に記載のパターン形成体。
【請求項１１】
前記シリコーンが、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリイソプロポキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリｔ−ブトキシシランからなる群から選択される1種もしくは2種以上を含む化合物の加水分解縮合物または共加水分解縮合物であることを特徴とする請求項４に記載のパターン形成体。
【請求項１２】
前記濡れ性が変化する物質が、シランカップリング剤、クロロシラン、アルキルシランから選ばれるシラン化合物であることを特徴とする請求項３記載のパターン形成体。
【請求項１３】
前記光触媒含有層が可視およびその他の波長に感受性を有するものであることを特徴とする請求項１から請求項１２までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体。
【請求項１４】
前記光触媒含有層に金属イオンがドープされていることを特徴とする請求項１３記載のパターン形成体。
【請求項１５】
前記光触媒含有層に蛍光物質が添加されていることを特徴とする請求項１３記載のパターン形成体。
【請求項１６】
前記光触媒含有層に感光性色素が添加されていることを特徴とする請求項１３記載のパターン形成体。
【請求項１７】
パターン形成体が印刷版原版であることを特徴とする請求項１から請求項１６までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体。
【請求項１８】
光学的にパターンを形成する方法において、基材上に光触媒の作用により濡れ性が変化する物質を含有した光触媒含有層を設けたパターン形成体にパターンの露光をし、光触媒の作用によって表面の濡れ性を変化させることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１９】
光学的にパターンを形成する方法において、基材上に形成した光触媒含有層上に光触媒の作用により濡れ性が変化する物質の含有層を形成したパターン形成体にパターンの露光をし、光触媒の作用によって表面の濡れ性を変化させることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２０】
光触媒含有層に対するパターン露光は、光描画照射により行うことを特徴とする請求項１８または請求項１９に記載のパターン形成方法。
【請求項２１】
光触媒含有層に対するパターン露光は、フォトマスクを介した露光によって行うことを特徴とする請求項１８または請求項１９に記載のパターン形成方法。
【請求項２２】
光触媒含有層に対するパターン露光は、パターン形成体を加熱しながら行うことを特徴とする請求項１８から請求項２１までのいずれかの請求項に記載のパターン形成方法。
【請求項２３】
基材上に請求項１から請求項１６までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体を有し、請求項１８から請求項２２までのいずれかの請求項に記載のパターン形成方法によって得られた該パターン形成体のパターンに対応した部位上に機能性層が配置されたことを特徴とする素子。
【請求項２４】
パターン形成体上に請求項１８から請求項２２までのいずれかの請求項に記載のパターン形成方法によって得られた該パターン形成体のパターンに対応した部位上に形成された機能性層を、他の基材上に転写することによって形成したものであることを特徴とする素子。
【請求項２５】
基材上に請求項１から請求項１６までのいずれかの請求項に記載のパターン形成体を有し、請求項１８から請求項２２までのいずれかの請求項に記載のパターン形成方法によって得られた該パターン形成体のパターンに対応した部位上に機能性層を形成することを特徴とする素子作製方法。
【請求項２６】
パターン形成体上に、請求項１８から請求項２２までのいずれかの請求項に記載のパターン形成方法によって得られた該パターン形成体のパターンに対応した部位上に機能性層を、他の基材上に転写することによって基材上に機能性層を形成したことを特徴とする素子作製方法。
【請求項２７】
パターン形成体の全面に機能性層用組成物を積層する工程、未露光部の反撥作用によって露光部の濡れ性の変化した部位上のみにパターン状に機能性層を形成する工程を有することを特徴とする請求項２５記載の素子作製方法。
【請求項２８】
パターン形成体の全面に機能性層用組成物を積層する工程、未露光部の機能性層を除去することによってパターン状に機能性層を形成する工程を有することを特徴とする請求項２５記載の素子作製方法。
【請求項２９】
パターン形成体の全面に機能性層用組成物を積層する工程、未露光部の反撥作用によって露光部の濡れ性の変化した部位上のみにパターン状に機能性層を形成する工程を有することを特徴とする請求項２６記載の素子作製方法。
【請求項３０】
パターン形成体の全面に機能性層用組成物を積層する工程、未露光部の機能性層を除去することによってパターン状に機能性層を形成する工程を有することを特徴とする請求項２６記載の素子作製方法。
【請求項３１】
パターン形成体への機能性層の形成が、機能性層用組成物の塗布によることを特徴とする請求項２８から請求項３０までのいずれかの請求項に記載の素子作製方法。
【請求項３２】
パターン形成体への機能性層の形成が、機能性層用組成物のノズルからの吐出によることを特徴とする請求項２８から請求項３０までのいずれかの請求項に記載の素子作製方法。
【請求項３３】
パターン形成体への機能性層の形成が、機能性層用組成物塗布フィルムからの熱または圧力による転写によることを特徴とする請求項２８から請求項３０までのいずれかの請求項に記載の素子作製方法。
【請求項３４】
パターン形成体への機能性層の形成が、真空を利用した成膜によることを特徴とする請求項２８から請求項３０までのいずれかの請求項に記載の素子作製方法。
【請求項３５】
パターン形成体への機能性層の形成が、無電解めっきを利用した成膜によることを特徴とする請求項２８から請求項３０までのいずれかの請求項に記載の素子作製方法。