【手続補正書】
【提出日】平成17年1月7日(2005.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン基板上に酸化シリコン膜およびシリコン窒化膜を順に形成する第１の工程と、前記シリコン窒化膜および前記酸化シリコン膜を貫通して前記シリコン基板の内部に至る溝を形成する第２の工程と、前記溝の内壁に熱酸化膜を形成する第３の工程と、前記溝に酸化物を堆積する第４の工程と、前記シリコン窒化膜を停止層とした研磨処理により前記酸化物の一部を除去する第５の工程と、前記第１の工程において形成される前記シリコン窒化膜の第１の膜厚、前記第２の工程を終えた前記シリコン窒化膜の第２の膜厚、前記第４の工程において前記溝に堆積される前記酸化物の第１の高さ、前記第５の工程を終えた前記シリコン窒化膜の第３の膜厚、および前記第５の工程を終えた前記酸化物の第２の高さのうち少なくとも一つの測定値に基づいて、前記第５の工程の後、前記酸化物を所定量エッチングする第６の工程と、前記第６の工程の後に前記シリコン窒化膜をエッチングする第７の工程と、前記第７の工程の後に前記酸化シリコン膜をエッチングする第８の工程とを含むトレンチ型素子分離構造の製造方法。
【請求項２】
第６の工程において、シリコン窒化膜の第２の膜厚に酸化物の第２の高さを加えた値から前記酸化物の第１の高さを減じて得られる値に基づいて、前記酸化物を所定量エッチングすることを特徴とする請求項１に記載のトレンチ型素子分離構造の製造方法。
【請求項３】
第６の工程において、シリコン窒化膜の第２の膜厚および酸化物の第２の高さに基づいて、前記酸化物を所定量エッチングすることを特徴とする請求項１に記載のトレンチ型素子分離構造の製造方法。
【請求項４】
シリコン基板上に酸化シリコン膜およびシリコン窒化膜を順に形成する第１の工程と、前記シリコン窒化膜および前記酸化シリコン膜を貫通して前記シリコン基板の内部に至る溝を形成する第２の工程と、前記溝の内壁に熱酸化膜を形成する第３の工程と、前記溝に酸化物を堆積する第４の工程と、前記シリコン窒化膜を停止層とした研磨処理により前記酸化物の一部を除去する第５の工程と、前記第５の工程の後、前記酸化物を所定量エッチングする第６の工程と、前記第６の工程の後に前記シリコン窒化膜をエッチングする第７の工程と、前記第７の工程の際にエッチング溶液に溶解したシリコンの量に基づいて、前記酸化シリコン膜と共に前記酸化物を所定量エッチングする第８の工程とを含むトレンチ型素子分離構造の製造方法。
【請求項５】
シリコン基板上に酸化シリコン膜およびシリコン窒化膜を順に形成する第１の工程と、前記シリコン窒化膜および前記酸化シリコン膜を貫通して前記シリコン基板の内部に至る溝を形成する第２の工程と、前記溝の内壁に熱酸化膜を形成する第３の工程と、前記溝に酸化物を堆積する第４の工程と、前記シリコン窒化膜を停止層とした研磨処理により前記酸化物の一部を除去する第５の工程と、前記第５の工程の後に前記シリコン窒化膜をエッチングする第６の工程と、前記第６の工程により形成される前記酸化シリコン膜と前記酸化物との段差の測定値に基づいて、前記酸化シリコン膜とともに前記酸化物を所定量エッチングする第７の工程とを含むトレンチ型素子分離構造の製造方法。
【請求項６】
シリコン基板上に酸化シリコン膜、ポリシリコン膜、およびシリコン窒化膜を順に形成する第１の工程と、前記シリコン窒化膜、前記ポリシリコン膜、および前記酸化シリコン膜を貫通して前記シリコン基板の内部に至る溝を形成する第２の工程と、前記溝の内壁に熱酸化膜を形成する第３の工程と、前記溝に酸化物を堆積する第４の工程と、前記シリコン窒化膜を停止層とした研磨処理により前記酸化物の一部を除去する第５の工程と、前記第１の工程において形成される前記シリコン窒化膜の第１の膜厚、前記第２の工程を終えた前記シリコン窒化膜の第２の膜厚、前記第４の工程において前記溝に堆積される前記酸化物の第１の高さ、前記第５の工程を終えた前記シリコン窒化膜の第３の膜厚、および前記第５の工程を終えた前記酸化物の第２の高さのうち少なくとも一つの測定値に基づいて、前記第５の工程の後、前記酸化物を所定量エッチングする第６の工程と、前記第６の工程の後に前記シリコン窒化膜および前記ポリシリコン膜を順にエッチングする第７の工程と、前記第７の工程の後に前記酸化シリコン膜をエッチングする第８の工程とを含むトレンチ型素子分離構造の製造方法。
【請求項７】
シリコン基板上に酸化シリコン膜、ポリシリコン膜、およびシリコン窒化膜を順に形成する第１の工程と、前記シリコン窒化膜、前記ポリシリコン膜、および前記酸化シリコン膜を貫通して前記シリコン基板の内部に至る溝を形成する第２の工程と、前記溝の内壁に熱酸化膜を形成する第３の工程と、前記溝に酸化物を堆積する第４の工程と、前記シリコン窒化膜を停止層とした研磨処理により前記酸化物の一部を除去する第５の工程と、前記第１の工程において形成される前記シリコン窒化膜の第１の膜厚、前記第２の工程を終えた前記シリコン窒化膜の第２の膜厚、前記第４の工程において前記溝に堆積される前記酸化物の第１の高さ、前記第５の工程を終えた前記シリコン窒化膜の第３の膜厚、および前記第５の工程を終えた前記酸化物の第２の高さのうち少なくとも一つの測定値に基づいて、前記第５の工程の後、前記酸化物を所定量エッチングする第６の工程と、前記第６の工程の後に前記シリコン窒化膜をエッチングする第７の工程とを含むトレンチ型素子分離構造の製造方法。
【請求項８】
第６の工程において、シリコン窒化膜の第２の膜厚に酸化物の第２の高さを加えた値から前記酸化物の第１の高さを減じて得られる値に基づいて、前記酸化物を所定量エッチングすることを特徴とする請求項６または７に記載のトレンチ型素子分離構造の製造方法。
【請求項９】
第６の工程において、シリコン窒化膜の第２の膜厚および酸化物の第２の高さに基づいて、前記酸化物を所定量エッチングすることを特徴とする請求項６または７に記載のトレンチ型素子分離構造の製造方法。
【請求項１０】
シリコン基板上に酸化シリコン膜、ポリシリコン膜、およびシリコン窒化膜を順に形成する第１の工程と、前記シリコン窒化膜、前記ポリシリコン膜、および前記酸化シリコン膜を貫通して前記シリコン基板の内部に至る溝を形成する第２の工程と、前記溝の内壁に熱酸化膜を形成する第３の工程と、前記溝に酸化物を堆積する第４の工程と、前記シリコン窒化膜を停止層とした研磨処理により前記酸化物の一部を除去する第５の工程と、前記第５の工程の後、前記酸化物を所定量エッチングする第６の工程と、前記第６の工程の後に前記シリコン窒化膜および前記ポリシリコン膜を順にエッチングする第７の工程と、前記第７の工程の際に前記シリコン窒化膜のエッチング溶液に溶解したシリコンの量に基づいて、前記酸化物を所定量エッチングする第８の工程とを含むトレンチ型素子分離構造の製造方法。
【請求項１１】
シリコン基板上に酸化シリコン膜、ポリシリコン膜、およびシリコン窒化膜を順に形成する第１の工程と、前記シリコン窒化膜、前記ポリシリコン膜、および前記酸化シリコン膜を貫通して前記シリコン基板の内部に至る溝を形成する第２の工程と、前記溝の内壁に熱酸化膜を形成する第３の工程と、前記溝に酸化物を堆積する第４の工程と、前記シリコン窒化膜を停止層とした研磨処理により前記酸化物の一部を除去する第５の工程と、前記第５の工程の後、前記酸化物を所定量エッチングする第６の工程と、前記第６の工程の後に前記シリコン窒化膜をエッチングする第７の工程と、前記第７の工程の際に前記シリコン窒化膜のエッチング溶液に溶解したシリコンの量に基づいて、前記酸化物を所定量エッチングする第８の工程とを含むトレンチ型素子分離構造の製造方法。
【請求項１２】
シリコン基板上に酸化シリコン膜、ポリシリコン膜、およびシリコン窒化膜を順に形成する第１の工程と、前記シリコン窒化膜、前記ポリシリコン膜、および前記酸化シリコン膜を貫通して前記シリコン基板の内部に至る溝を形成する第２の工程と、前記溝の内壁に熱酸化膜を形成する第３の工程と、前記溝に酸化物を堆積する第４の工程と、前記シリコン窒化膜を停止層とした研磨処理により前記酸化物の一部を除去する第５の工程と、前記第５の工程の後に前記シリコン窒化膜および前記ポリシリコン膜を順にエッチングする第６の工程と、前記第６の工程において、前記シリコン窒化膜をエッチングすることにより形成される前記ポリシリコン膜と前記酸化物との段差、または前記ポリシリコン膜をエッチングすることにより形成される前記酸化シリコン膜と前記酸化物との段差の測定値に基づいて前記酸化シリコン膜とともに前記酸化物を所定量エッチングする第７の工程とを含むトレンチ型素子分離構造の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明による第５のトレンチ型素子分離構造の製造方法は、シリコン基板上に酸化シリコン膜、ポリシリコン膜、およびシリコン窒化膜を順に形成する第１の工程と、前記シリコン窒化膜、前記ポリシリコン膜、および前記酸化シリコン膜を貫通して前記シリコン基板の内部に至る溝を形成する第２の工程と、前記溝の内壁に熱酸化膜を形成する第３の工程と、前記溝に酸化物を堆積する第４の工程と、前記シリコン窒化膜を停止層とした研磨処理により前記酸化物の一部を除去する第５の工程と、前記第５の工程の後、前記酸化物を所定量エッチングする第６の工程と、前記第６の工程の後に前記シリコン窒化膜および前記ポリシリコン膜を順にエッチングする第７の工程と、前記第７の工程の際に前記シリコン窒化膜のエッチング溶液に溶解したシリコンの量に基づいて、前記酸化物を所定量エッチングする第８の工程とを含むものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
請求項１０に記載された第５のトレンチ型素子分離構造の製造方法は、シリコン窒化膜のエッチング溶液に溶解したシリコンの量に基づいて、酸化物を所定量エッチングするので、前記エッチング溶液の新旧度合いに影響されることなく、シリコン基板面からの前記酸化物の高さを適切な大きさに制御することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
請求項１２に記載された第６のトレンチ型素子分離構造の製造方法は、第６の工程により形成される酸化シリコン膜と酸化物との段差の測定値に基づいて、前記酸化シリコン膜とともに前記酸化物を所定量エッチングするので、エッチング溶液の新旧度合いに影響されることなく、シリコン基板面からの前記酸化物の高さを適切な大きさに制御するとともに、酸化物の周囲に生じるくぼみを抑制することができる。