【手続補正書】
【提出日】平成17年10月6日(2005.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可視光線以下の波長のレーザビームを射出する第１のレーザ発振器と、
前記第１のレーザ発振器から射出される第１のレーザビームを照射面もしくはその近傍において楕円状又は長方形状に加工する手段と、
基本波のレーザビームを射出する第２のレーザ発振器と、
前記照射面において、前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームが照射される範囲に、前記第２のレーザ発振器から射出される第２のレーザビームを照射する手段と、
を有するレーザ照射装置。
【請求項２】
可視光線以下の波長のレーザビームを射出する第１のレーザ発振器と、
前記第１のレーザ発振器から射出される第１のレーザビームを照射面もしくはその近傍において楕円状又は長方形状に加工する手段と、
基本波のレーザビームを射出する第２のレーザ発振器と、
前記照射面において、前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームが照射される範囲に、前記第２のレーザ発振器から射出される第２のレーザビームを照射する手段と、
前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビーム及び前記第２のレーザビームに対して前記照射面を相対的に第１方向に移動させる手段と、
前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビーム及び前記第２のレーザビームに対して前記照射面を相対的に第２方向に移動させる手段と、
を有するレーザ照射装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第１のレーザ発振器または前記第２のレーザ発振器は、気体レーザ、固体レーザまたは金属レーザであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
請求項１又は請求項２において、
前記第１のレーザ発振器または前記第２のレーザ発振器は、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、ＸｅＦエキシマレーザ、ＣＯ2レーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイヤレーザ、ヘリウムカドミウムレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
請求項２において、
前記第１方向と前記第２方向は互いに直交することを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項において、
前記第２のレーザービームは、第２高調波のレーザービームであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記照射面は、前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームに対して透光性を有する厚さｄの基板に成膜された膜の表面であり、
前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームの長径の長さをＷとすると、前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームの前記照射面に対する入射角度φは、
φ≧ａｒｃｔａｎ（Ｗ／２ｄ）
を満たすことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項において、
前記照射面は、前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームに対して透光性を有する厚さｄの基板に成膜された膜の表面であり、
前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームの短径の長さをＷとすると、前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームの前記照射面に対する入射角度φは、
φ≧ａｒｃｔａｎ（Ｗ／２ｄ）
を満たすことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項９】
可視光線以下の波長を有する第１のレーザビームを照射面もしくはその近傍にて楕円状又は長方形状に加工し、
前記照射面において、前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビーム及び前記第２のレーザビームが照射される範囲に、基本波である第２のレーザビームを前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームと同時に照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビーム及び前記第２のレーザビームに対して前記照射面を相対的に第１方向に移動しながら照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１１】
請求項９又は請求項１０において、
前記第１のレーザビームまたは前記第２のレーザビームは、気体レーザ、固体レーザまたは金属レーザから射出されることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１２】
請求項９又は請求項１０において、
前記第１のレーザビームまたは前記第２のレーザビームは、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、ＸｅＦエキシマレーザ、ＣＯ2レーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイヤレーザ、ヘリウムカドミウムレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザから射出されることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１２のいずれか１項において、
前記第２のレーザービームは、第２高調波のレーザービームであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１４】
請求項９乃至請求項１３のいずれか１項において、
前記照射面は、前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームに対して透光性を有する厚さｄの基板に成膜された膜の表面であり、
前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームの長径の長さをＷとすると、前記第１のレーザビームの前記照射面に対する入射角度φは、
φ≧ａｒｃｔａｎ（Ｗ／２ｄ）
を満たすことを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１５】
請求項９乃至請求項１３のいずれか１項において、
前記照射面は、前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームに対して透光性を有する厚さｄの基板に成膜された膜の表面であり、
前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームの短径の長さをＷとすると、楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームの前記照射面に対する入射角度φは、
φ≧ａｒｃｔａｎ（Ｗ／２ｄ）
を満たすことを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項１６】
可視光線以下の波長を有する第１のレーザビームを半導体膜の表面もしくはその近傍にて楕円状又は長方形状に加工し、
前記半導体膜の表面において、前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームが照射される範囲に、基本波である第２のレーザビームを前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームと同時に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビーム及び前記第２のレーザビームに対して前記半導体膜の表面を相対的に第１方向に移動しながら照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
可視光線以下の波長を有する第１のレーザビームを半導体膜の表面もしくはその近傍にて楕円状又は長方形状に加工し、
前記半導体膜の表面において、前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームが照射される範囲に、基本波である第２のレーザビームを前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームと同時に照射し、
前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビーム及び前記第２のレーザビームに対して前記半導体膜の表面を相対的に第１方向に移動しながら照射して、前記半導体膜の結晶化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
可視光線以下の波長を有する第１のレーザビームを半導体膜の表面もしくはその近傍にて楕円状又は長方形状に加工し、
前記半導体膜の表面において、前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームが照射される範囲に、基本波である第２のレーザビームを前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームと同時に照射し、
前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビーム及び前記第２のレーザビームに対して前記半導体膜の表面を相対的に第１方向に移動しながら照射して、前記半導体膜に形成された不純物領域の活性化を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
ガラス基板上に導電膜を形成し、
前記ガラス基板と前記導電膜との間に、前記導電膜の内側に位置する半導体膜と、前記半導体膜の上面及び側面を被覆する絶縁膜とを形成し、
可視光線以下の波長を有する第１のレーザビームを前記導電膜の表面もしくはその近傍にて楕円状又は長方形状に加工し、
前記導電膜の表面において前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームが照射される範囲に、基本波である第２のレーザビームを前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームと同時に照射し、
前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビーム及び前記第２のレーザビームに対して前記導電膜の表面を相対的に第１方向に移動しながら照射して、前記導電膜が形成された領域を選択的に加熱して、前記半導体膜及び前記絶縁膜の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項１６乃至請求項２０のいずれか１項において、
前記第１のレーザビームまたは前記第２のレーザビームは、気体レーザ、固体レーザまたは金属レーザから射出されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項１６乃至請求項２０のいずれか１項において、
前記第１のレーザビームまたは前記第２のレーザビームは、Ａｒレーザ、Ｋｒレーザ、ＸｅＦエキシマレーザ、ＣＯ2レーザ、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイヤレーザ、ヘリウムカドミウムレーザ、銅蒸気レーザまたは金蒸気レーザから射出されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１６乃至請求項２２のいずれか１項において、
前記第２のレーザービームは、第２高調波のレーザービームであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１６、請求項１８及び請求項１９のいずれか１項において、
前記半導体膜は、前記第１のレーザビームに対して透光性を有する厚さｄの基板上に成膜され、
前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームの長径の長さをＷとすると、前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームの前記半導体膜の表面に対する入射角度φは、
φ≧ａｒｃｔａｎ（Ｗ／２ｄ）
を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項１６、請求項１８及び請求項１９のいずれか１項において、
前記半導体膜は、前記第１のレーザビームに対して透光性を有する厚さｄの基板上に成膜され、
前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームの短径の長さをＷとすると、前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームの前記半導体膜の表面に対する入射角度φは、
φ≧ａｒｃｔａｎ（Ｗ／２ｄ）
を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項２０において、
前記ガラス基板の厚さをｄとし、
前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームの長径の長さをＷとすると、前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームの前記導電膜の表面に対する入射角度φは、
φ≧ａｒｃｔａｎ（Ｗ／２ｄ）
を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２７】
請求項２０において、
前記ガラス基板の厚さをｄとし、
前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームの短径の長さをＷとすると、前記楕円状又は長方形状に加工された第１のレーザビームの前記導電膜の表面に対する入射角度φは、
φ≧ａｒｃｔａｎ（Ｗ／２ｄ）
を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。