Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月27日(2004.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスクに形成されたパターンの像を投影光学系を介して基板上に投影露光する投影露光装置において、
前記投影光学系として前記マスクから前記基板に対する投影倍率が切り換え自在である倍率可変の投影光学系を用い、
該投影光学系の投影倍率に応じて所定の結像特性を調整するための結像特性調整部材を設け、
転写条件に応じて前記投影光学系の投影倍率を切り換えると共に、切り換え後の投影倍率に応じて前記結像特性調整部材を介して前記所定の結像特性を調整することを特徴とする投影露光装置。
【請求項２】
請求項１記載の投影露光装置であって、
前記倍率可変の投影光学系による前記マスクから前記基板に対する投影倍率は、１／５倍より小さく１／７倍以上の倍率αと１／２倍以下で１／５倍以上の倍率βとの間で切り換え自在であることを特徴とする投影露光装置。
【請求項３】
請求項２記載の投影露光装置であって、
前記倍率βは前記倍率αの整数倍であることを特徴とする投影露光装置。
【請求項４】
請求項１、２又は３記載の投影露光装置であって、
前記倍率可変の投影光学系による前記基板上での投影領域の大きさは、該投影光学系の投影倍率に依らずに一定であることを特徴とする投影露光装置。
【請求項５】
請求項１、２又は３記載の投影露光装置であって、
前記倍率可変の投影光学系による前記マスク上での転写対象領域の大きさは、該投影光学系の投影倍率に依らずに一定であることを特徴とする投影露光装置。
【請求項６】
請求項１〜５の何れか一項記載の投影露光装置であって、
前記結像特性調整部材は、前記投影光学系のディストーションを補正するディストーション補正部材、又は前記マスクの前記投影光学系の光軸方向の位置を調整するマスク移動装置であることを特徴とする投影露光装置。
【請求項７】
請求項１〜６の何れか一項記載の投影露光装置を用いた露光方法であって、
前記基板上で高い解像度が必要とされる第１のレイヤに対しては前記投影光学系の投影倍率を小さく設定し、
前記基板上で前記第１のレイヤに比べて解像度が低くともよい第２のレイヤに対しては前記投影光学系の投影倍率を大きく設定することを特徴とする露光方法。
【請求項８】
マスクに形成されたパターンの像を基板上に投影露光する投影露光装置において、
一部の光学系が交換可能に構成され、前記パターンの像を前記基板上に投影する投影光学系と、
前記投影光学系の一部を第１光学系から第２光学系に交換したときに、該交換後の第２の光学系に合わせて所定の結像特性を調整する第１調整装置と、を備えたことを特徴とする投影露光装置。
【請求項９】
前記第１光学系から前記第２光学系への交換によって、前記投影光学系によって形成される露光領域の所定方向の幅が変化しないように、前記第１調整装置による結像特性の調整が行われることを特徴とする請求項８に記載の投影露光装置。
【請求項１０】
前記露光領域に対して前記基板を前記所定方向と直交する走査方向に移動することによって、前記基板を露光することを特徴とする請求項９に記載の投影露光装置。
【請求項１１】
前記第１調整装置は、前記マスクの前記投影光学系の光軸方向の位置を調整するマスク移動装置であることを特徴とする請求項８〜１０の何れか一項に記載の投影露光装置。
【請求項１２】
前記投影光学系は、前記第１光学系と前記第２光学系との両方に共通に用いられる共通光学系を有し、
該共通光学系には、前記第１調整装置とは別に、所定の結像特性を調整する第２調整装置が組み込まれていることを特徴とする請求項８〜１１の何れか一項に記載の投影露光装置。
【請求項１３】
前記第２調整装置は、露光光の照射に起因する結像特性の変化を補償することを特徴とする請求項１２に記載の投影露光装置。
【請求項１４】
前記第２調整装置は、大気圧変化に起因する結像特性の変化を補償することを特徴とする請求項１２に記載の投影露光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、上記のようにその結像特性調整部材の一例は、その投影光学系のディストーションを補正するディストーション補正部材（１５Ａ，１５Ｂ）、又はそのマスクのその投影光学系の光軸方向の位置を調整するマスク移動装置（１３，１４）である。
次に、本発明による露光方法は、上記の本発明による投影露光装置を用いた露光方法であって、その基板上で高い解像度が必要とされる第１のレイヤに対してはその投影光学系の投影倍率を小さく設定し、その基板上でその第１のレイヤに比べて解像度が低くともよい第２のレイヤに対してはその投影光学系の投影倍率を大きく設定するものである。即ち、解像度を重視するレイヤでは投影倍率を小さくしてマスクパターンの描画誤差の影響を軽減し、スループットを重視するレイヤでは投影倍率を大きくすることで、種々のレイヤへの露光に対応できる。
また、本発明による別の投影露光装置は、マスク（Ｒ）に形成されたパターンの像を基板（Ｗ）上に投影露光する投影露光装置において、一部の光学系が交換可能に構成され、そのパターンの像をその基板上に投影する投影光学系（ＰＬ１，ＰＬ２）と、その投影光学系の一部を第１光学系（１６Ａ，１６Ｃ）から第２光学系（１６Ｂ，１６Ｄ）に交換したときに、この交換後の第２の光学系に合わせて所定の結像特性を調整する第１調整装置（１３，１４等）と、を備えたものである。
この投影露光装置によれば、１台の投影露光装置を投影光学系の一部を交換することによって、種々のレイヤの露光に対応させることができる。
この投影露光装置において、一例として、その第１調整装置は、そのマスクのその投影光学系の光軸方向の位置を調整するマスク移動装置である。
また、一例として、その投影光学系は、その第１光学系とその第２光学系との両方に共通に用いられる共通光学系（１７）を有し、この共通光学系には、その第１調整装置とは別に、所定の結像特性を調整する第２調整装置が組み込まれていてもよい。
その第２調整装置は、露光光の照射又は大気圧変化に起因する結像特性の変化を補償してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月21日(2004.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下円板と円筒とで構成される密閉室を有し、上記密閉室の上部または下部に加熱源を有し、上記密閉室の内部に円形ウェーハ受けを有し、上記密閉室の上部でウェーハの中心部にガス導入管を設け、上記密閉室の側部にウェーハ出入口を有する熱処理装置において、
前記ウェーハの冷却時には、前記ガス導入管から不活性ガスを導入するようにした熱処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月12日(2004.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を熱処理するための処理容器と、この処理容器に収納された前記基板を加熱するための加熱源と、前記処理容器に収納された前記基板の表面の温度を均一にするための均熱板とを備え、前記均熱板は、その熱容量を部分的に変更するように構成されていることを特徴とする熱処理装置。
【請求項２】
前記均熱板に設けられ、この均熱板の熱容量を部分的に変更するために熱容量変更部材を備えたことを特徴とする請求項１記載の熱処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月4日(2004.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このような問題点を解決するために、隣接するセル室に跨って排気部を形成し、それぞれのセル室と排気部とを連通させると、電池を横置きにして使用する場合、それぞれのセル室に残留する流動する電解液が、排気部の連通口から侵入して外部に逸出するという不具合があった。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、電池の幅寸法が小さくても所定の大きさを有する排気部を蓋に取り付けることができると共に、電解液が排気部より漏れない密閉形鉛蓄電池を提供することにある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月19日(2004.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉛−カルシウム−錫系合金板の片面または両面に、アンチモン含有量が１．５から７重量％、セレン含有量が０．００５から０．０３重量％である鉛−アンチモン−セレン系合金からなるシートを重ね、これを圧延することによって一体とし、エキスパンド加工または打抜き加工してなる格子を正極に用いたことを特徴とする鉛蓄電池。
【請求項２】
鉛−カルシウム−錫系合金板と鉛−アンチモン−セレン系合金からなるシートとの重ね合せに際し、重ね合わせ面の表面の酸化皮膜が除去されてなることを特徴とする請求項１に記載の鉛蓄電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明鉛蓄電池は、鉛−カルシウム−錫系合金板の片面または両面に、アンチモン含有量が１．５から７重量％、セレン含有量が０．００５から０．０３重量％である鉛−アンチモン−セレン系合金からなるシートを重ね、これを圧延することによって一体とし、エキスパンド加工または打抜き加工してなる格子を正極に用いたことを特徴とする。また、鉛−カルシウム−錫系合金板と鉛−アンチモン−セレン系合金からなるシートとの重ね合せに際し、重ね合わせ面の表面の酸化皮膜が除去されてなることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明による鉛蓄電池は、上記問題点を解決するもので、鉛−カルシウム−錫系合金板の片面または両面に、アンチモン含有量が１．５から７重量％、セレン含有量が０．００５から０．０３重量％である鉛−アンチモン−セレン系合金からなるシートを重ね、これを圧延することによって一体とし、エキスパンド加工または打抜き加工してなる格子を正極に用いる。また、鉛−カルシウム−錫系合金板と鉛−アンチモン−セレン系合金からなるシートとの重ね合せに際し、重ね合わせ面の表面の酸化皮膜が除去される、このようにすることにより、鉛−カルシウム系合金の特徴であるメンテナンス・フリー性能を活かしながら、鉛−アンチモン系合金の特徴である寿命性能の安定性とを兼ね備えた鉛蓄電池を提供することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月5日(2004.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムイオンを吸蔵・放出することが可能な活物質を担持してなる負極と、リチウムイオン伝導性の非水電解質と、次の一般式で表されるスピネル系リチウムマンガン複合酸化物からなる活物質を担持してなる正極とを具備した非水電解質二次電池であって、該正極活物質のＢＥＴ比表面積が０．１ｍ２／ｇ〜１．５ｍ２／ｇであり、かつ一次粒子の平均粒径が０．５μｍ〜５μｍであり、かつ二次粒子の平均粒径が５μｍ〜３０μｍであり、該正極の空隙率が１５％〜４０％であることを特徴とする非水電解質二次電池。
Ｌｉ（ＬｉｘＭｎ２−ｘ）Ｏ４  （ただし、０＜ｘ≦０．１８）
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、リチウムイオンを吸蔵・放出することが可能な活物質を担持してなる負極と、リチウムイオン伝導性の非水電解質と、次の一般式で表されるスピネル系リチウムマンガン複合酸化物からなる活物質を担持してなる正極とを具備した非水電解質二次電池であって、該正極活物質のＢＥＴ比表面積が０．１ｍ２／ｇ〜１．５ｍ２／ｇであり、かつ一次粒子の平均粒径が０．５μｍ〜５μｍであり、かつ二次粒子の平均粒径が５μｍ〜３０μｍであり、該正極の空隙率が１５％〜４０％であることを特徴とする非水電解質二次電池である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
比表面積を１．５ｍ２／ｇ以下にするために、第１の８００〜９５０℃の熱処理が必要である。さらに第２の熱処理を行うことが重要であり、第２の熱処理を行わないとＬｉ２ＭｎＯ３、Ｍｎ３Ｏ４などの目的以外の相が残存しやすく好ましくない。従って、第２の熱処理は、Ｌｉ２ＭｎＯ３やＭｎ３Ｏ４の分解温度以上であるが、マンガンとリチウムを十分置換できるように４００〜７００℃の範囲であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月19日(2004.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解液面が負極ストラップ下面まで低下した場合でも、電解液比重（２０℃換算値）が１．３７以下であることを特徴とする鉛蓄電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明鉛蓄電池は、電解液面が負極ストラップ下面まで低下した場合でも、電解液比重（２０℃換算値）が１．３７以下であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明による鉛蓄電池は、電解液中の水の電気分解，蒸発等によって電解液面が負極ストラップ下面まで低下した場合でも、電解液比重（２０℃換算値）が１．３７以下であるようにする。このようにすることにより、厳しい使用条件下でも負極耳の腐食が防止でき、鉛蓄電池の信頼性と安全性を確保することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【表１】
1998321251.tif 000001
表１から明らかなように、電解液比重が１．３１以下の場合には負極耳の腐食は起こらなかったが、電解液比重が１．３４になるとわずかに負極耳の腐食が認められた。電解液比重が１．３７になると負極耳の腐食がもう少し増加したが、実用上問題になるレベルではなかった。しかし、比重が１．４２になると腐食が急に著しく激しくなった。このことからストラップ下面の電解液比重を１．３７以下にすれば負極耳の腐食が少なくなることが分かった。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月22日(2004.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基体上にトップゲート薄膜トランジスタを直接的に製造する方法であって、
該ガラスの表面を浸出処理して浸出処理ガラス表面を形成し、
該浸出処理ガラス表面上にシリコンコーティングを直接的に形成し、
該シリコンコーティングにパターンを形成して、前記薄膜トランジスタの基板を形成し、
該薄膜トランジスタを製造するのに必要な製造工程を続ける各工程を有してなることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記薄膜トランジスタ内のソースドレーン半導体領域が、前記浸出処理ガラス表面と直接的に接触していることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記浸出処理工程が、０−６および／または８−14の間のｐＨを有する液体または気体を使用することを含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記シリコンコーティングを形成する工程が、前記浸出処理ガラス表面と密接している非晶質シリコンまたは多結晶質シリコンフイルムを形成する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記浸出処理工程が、前記ＴＦＴのゼロゲート電圧でのソースドレーン電流が、該トランジスタが浸出処理されていないガラス基体上に製造された場合のゼロゲート電圧でのソースドレーン電流よりも、
少なくとも１桁だけ、
少なくとも1.5桁だけ、または
少なくとも２桁だけ小さくなるようにするのに十分であることを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記浸出処理工程により形成された浸出処理ガラス表面が、前記浸出処理工程を供する前の表面と比較して、
５μｍ×５μｍの区域に亘り500オングストローム未満、
５μｍ×５μｍの区域に亘り200オングストローム未満、または
５μｍ×５μｍの区域に亘り100オングストローム未満の増大した表面荒さを示すことを特徴とする請求項１記載の方法。
【請求項７】
10Ｖのソースドレーン電圧およびゼロボルトのゲート電圧がＴＦＴに加えられた場合、前記ＴＦＴのソースドレーン電流が10−１０アンペア未満であることを特徴とする請求項１または３記載の方法。
【請求項８】
前記ＴＦＴのしきい電圧が３ボルト未満であることを特徴とする請求項７記載の方法。
【請求項９】
前記浸出処理工程により形成された浸出処理ガラス表面が、該浸出処理工程を供する前の表面と比較して、５μｍ×５μｍの区域に亘り500オングストローム未満の増大した表面荒さを示すことを特徴とする請求項８記載の方法。
【請求項１０】
ガラス基体上に薄膜トランジスタを製造する方法であって、
該ガラスの表面を浸出処理して、浸出処理ガラス表面を形成し、
該浸出処理ガラス表面上にシリコンコーティングを直接的に形成し、
該シリコンコーティングにパターンを形成して、前記薄膜トランジスタの基板を形成し、
該薄膜トランジスタを製造するのに必要な製造工程を続ける各工程を有してなり、それにより、前記形成、パターン形成、および続いての製造工程により、前記浸出処理ガラス表面と直接的に接触しているソースドレーン半導体領域を有するＴＦＴが形成されることを特徴とする方法。
【請求項１１】
前記浸出処理工程が、前記ＴＦＴのゼロゲート電圧でのソースドレーン電流が、前記トランジスタが浸出処理されていないガラス基体上に製造された場合のゼロゲート電圧でのソースドレーン電流よりも少なくとも１桁小さくなるようにするのに十分であることを特徴とする請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
前記ＴＦＴのソースドレーン電流が、10Ｖのソースドレーン電圧およびゼロボルトのゲート電圧が該ＴＦＴに施される場合、１×10−１０アンペア未満であることを特徴とする請求の範囲１０記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月15日(2004.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１と第２の主面を有し、前記第１および第２の主面のいずれかに少なくとも一つの段差により形成された凹部を有する高抵抗の第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の前記凹部が形成された領域に少なくともその１部が形成された、電界緩和構造を有する電力用半導体素子と、
を具備することを特徴とする高耐圧電力用半導体装置。
【請求項２】
前記電力用半導体素子は活性領域を有する主素子と第２導電型の前記電界緩和構造を含み、前記半導体素子の前記主素子が形成された前記半導体基板の高抵抗部分の厚さが、前記電界緩和構造下の前記半導体基板の高抵抗部分の厚さよりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の高耐圧電力用半導体装置。
【請求項３】
前記電界緩和構造は、前記第１の主面に形成された前記凹部の底部表面の一部および側壁部表面から前記凹部を取り囲む前記第１の主面に達する領域に形成され、かつ第１導電型の前記半導体基板との界面に複数の段差を有することを特徴とする請求項１に記載の高耐圧電力用半導体装置。
【請求項４】
前記電界緩和構造は、リサーフ層およびガードリングのいずれかを含むことを特徴とする請求項１に記載の高耐圧電力用半導体装置。
【請求項５】
前記半導体素子がダイオードであり、前記ダイオードの第２導電型アノード層が、前記第１導電型の半導体基板との界面に複数の段差を有することを特徴とする請求項１に記載の高耐圧電力用半導体装置。
【請求項６】
前記電界緩和構造はリサーフ層を含み、前記リサーフ層は前記半導体基板の前記第１の主面または第２の主面に形成された前記凹部を取り囲み前記ダイオードの前記第２導電型アノード層に接していることを特徴とする請求項５に記載の高耐圧電力用半導体装置。
【請求項７】
前記半導体素子がＩＧＢＴであり、前記ＩＧＢＴの第２導電型ベース層下の前記半導体基板の高抵抗部分の厚さが、前記ＩＧＢＴの終端部に設けられた前記電界緩和構造下の前記半導体基板の高抵抗部分の厚さより小さいことを特徴とする請求項１に記載の高耐圧電力用半導体装置。
【請求項８】
前記凹部が形成された領域に還流ダイオードが形成され、前記凹部が形成された領域以外の領域にＩＧＢＴが形成されることを特徴とする請求項１に記載の高耐圧電力用半導体装置。
【請求項９】
前記凹部が形成された領域に縦形ＭＯＳＦＥＴが形成され、前記凹部が形成された領域以外の領域にＩＧＢＴが形成されることを特徴とする請求項１に記載の高耐圧電力用半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月6日(2004.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鉄とニッケルを主成分とし、前記ニッケル成分の濃度を制御して、線熱膨張係数が２．０ｐｐｍ／℃〜１０．０ｐｐｍ／℃である可撓性基板上に非単結晶珪素膜を積層して構成された光電変換層を有することを特徴とする太陽電池。
【請求項２】
鉄とニッケルを含む合金であって、前記合金中のニッケル成分が３０重量％〜５１重量％である可撓性基板上に非単結晶珪素膜を積層して構成された光電変換層を有することを特徴とする太陽電池。
【請求項３】
鉄とニッケルを含む合金であって、前記合金中のニッケル成分が３０重量％〜５１重量％であり、線熱膨張係数が２．０ｐｐｍ／℃〜１０．０ｐｐｍ／℃である可撓性基板上に非単結晶珪素膜を積層して構成された光電変換層を有することを特徴とする太陽電池。
【請求項４】
鉄とニッケルを含む合金でなる可撓性基板上に非単結晶珪素膜を積層して構成された光電変換層を有し、前記合金中のニッケル成分の量が、前記非単結晶半導体膜の線膨張係数と近くなるように制御されていることを特徴とする太陽電池。
【請求項５】
鉄とニッケルを含む合金であって、線熱膨張係数が２．０ｐｐｍ／℃〜１０．０ｐｐｍ／℃となるように、前記ニッケル成分の量を制御して可撓性基板を形成し、前記可撓性基板上に、非単結晶珪素薄膜を積層して光電変換層を形成することを特徴とする太陽電池の作製方法。
【請求項６】
鉄とニッケルを含む合金であって、前記ニッケル成分の量を、３０重量％〜５１重量％となるように、前記ニッケル成分の量を制御して可撓性基板を形成し、前記可撓性基板上に、非単結晶珪素薄膜を積層して光電変換層を形成することを特徴とする太陽電池の作製方法。
【請求項７】
可撓性基板上に光電変換層を設ける太陽電池の作製方法であって、前記可撓性基板を鉄とニッケルを含む合金で形成するときに、前記光電変換層に加わる応力が少なくなるように、前記ニッケル成分の量を制御することを特徴とする太陽電池の作製方法。
【請求項８】
可撓性基板上に光電変換層を設ける太陽電池の作製方法であって、前記可撓性基板を鉄とニッケルを含む合金で形成するときに、前記ニッケル成分の量を３０重量％〜５１重量％となるように、前記ニッケル成分の量を制御することを特徴とする太陽電池の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月15日(2005.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に、トンネル絶縁膜とメモリ窒化膜とトップ酸化膜とからなるメモリ絶縁膜を介してメモリゲート電極を設けてなる半導体不揮発性メモリトランジスタであって、
前記トンネル絶縁膜は、酸素と窒素を含むシリコン窒化酸化膜からなり、前記半導体基板との界面近傍が、前記メモリ窒化膜との界面近傍より窒素含有量が多いことを特徴とする半導体不揮発性メモリトランジスタ。
【請求項２】
前記トンネル絶縁膜の前記半導体基板との界面近傍は、窒素含有量が酸素含有量より多いシリコン窒化酸化膜からなり、前記トンネル絶縁膜の前記メモリ窒化膜との界面近傍は、酸素含有量が窒素含有量より多い酸素リッチシリコン窒化酸化膜からなることを特徴とする請求項１記載の半導体不揮発性メモリトランジスタ。
【請求項３】
半導体基板上に、トンネル絶縁膜とメモリ窒化膜とトップ酸化膜とからなるメモリ絶縁膜を介してメモリゲート電極を設けてなる半導体不揮発性メモリトランジスタであって、
前記トンネル絶縁膜は、前記半導体基板との界面近傍はシリコン窒化膜からなり、前記メモリ窒化膜との界面近傍はシリコン酸化膜からなることを特徴とする半導体不揮発性メモリトランジスタ。
【請求項４】
半導体基板上にトンネル絶縁膜を設け、該トンネル絶縁膜上にメモリ窒化膜を設け、該メモリ窒化膜上にシリコン酸化膜からなるトップ酸化膜を設けて、メモリ絶縁膜とする半導体不揮発性メモリトランジスタの製造方法であって、
前記半導体基板上に酸化処理によりシリコン酸化膜を形成する工程と、
該シリコン酸化膜を窒化処理して前記トンネル絶縁膜として機能するシリコン窒化酸化膜にする工程と、
該シリコン窒化酸化膜の表面近傍を酸化処理して、前記メモリ窒化膜側の界面近傍が酸素含有量の多い酸素リッチシリコン窒化酸化膜にする工程と、
を有することを特徴とする半導体不揮発性メモリトランジスタの製造方法。
【請求項５】
半導体基板上にトンネル絶縁膜を設け、該トンネル絶縁膜上にメモリ窒化膜を設け、該メモリ窒化膜上にシリコン酸化膜からなるトップ酸化膜を設け、メモリ絶縁膜とする半導体不揮発性メモリトランジスタの製造方法であって、
前記半導体基板の表面を窒化処理して前記トンネル絶縁膜として機能するシリコン窒化酸化膜を形成する工程と、
該シリコン窒化酸化膜の表面近傍を酸素雰囲気中で熱処理して、前記メモリ窒化酸化膜側の界面近傍が酸素含有量の多い酸素リッチシリコン窒化酸化膜となるようにする工程と、
を有することを特徴とする半導体不揮発性メモリトランジスタの製造方法。
【請求項６】
半導体基板上にトンネル絶縁膜を設け、該トンネル絶縁膜上にメモリ窒化膜を設け、該メモリ窒化膜上にシリコン酸化膜からなるトップ酸化膜を設けて、メモリ絶縁膜とする半導体不揮発性メモリトランジスタの製造方法であって、
前記半導体基板上に酸化処理によりシリコン酸化膜を形成する工程と、
該シリコン酸化膜に窒素イオンを注入した後、酸素を含む窒素雰囲気中で熱処理して、前記半導体基板側の界面近傍では窒素含有量が酸素含有量より多く、前記メモリ窒化膜側の界面近傍では酸素含有量が窒素含有量より多くなるような前記トンネル絶縁膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体不揮発性メモリトランジスタの製造方法。
【請求項７】
半導体基板上にトンネル絶縁膜を設け、該トンネル絶縁膜上にメモリ窒化膜を設け、該メモリ窒化膜上にシリコン酸化膜からなるトップ酸化膜を設けて、メモリ絶縁膜とする半導体不揮発性メモリトランジスタの製造方法であって、
前記半導体基板上に酸化処理によりシリコン酸化膜を形成する工程と、
該シリコン酸化膜を窒化処理してシリコン窒化酸化膜にし、該シリコン窒化酸化膜の前記メモリ窒化膜側の表面にＣＶＤ法により薄膜シリコン酸化膜を形成し、前記トンネル絶縁膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体不揮発性メモリトランジスタの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
この発明による半導体不揮発性メモリトランジスタの製造方法は、半導体基板上にトンネル絶縁膜を設け、該トンネル絶縁膜上にメモリ窒化膜を設け、該メモリ窒化膜上にシリコン酸化膜からなるトップ酸化膜を設けて、メモリ絶縁膜とする半導体不揮発性メモリトランジスタの製造方法であって、次の各工程を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
上記半導体基板上に酸化処理によりシリコン酸化膜を形成する工程、
該シリコン酸化膜を窒化処理して前記トンネル絶縁膜として機能するシリコン窒化酸化膜にする工程、
および、上記シリコン窒化酸化膜の表面近傍を酸化処理して、前記メモリ窒化膜側の界面近傍が酸素含有量の多い酸素リッチシリコン窒化酸化膜にする工程。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
あるいは、上記半導体基板の表面を窒化処理して前記トンネル絶縁膜として機能するシリコン窒化酸化膜を形成する工程と、
それに続いて、上記シリコン窒化酸化膜の表面近傍を酸素雰囲気中で熱処理して、上記メモリ窒化酸化膜側の界面近傍が酸素含有量の多い酸素リッチシリコン窒化酸化膜となるようにする工程とを実施してもよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
あるいはまた、上記半導体基板上に酸化処理によりシリコン酸化膜を形成する工程と、
該シリコン酸化膜に窒素イオンを注入した後、酸素を含む窒素雰囲気中で熱処理して、上記半導体基板側の界面近傍では窒素含有量が酸素含有量より多く、上記メモリ窒化膜側の界面近傍では酸素含有量が窒素含有量より多くなるような上記トンネル絶縁膜を形成する工程とを実施するようにしてもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
または、上記半導体基板上に酸化処理によりシリコン酸化膜を形成する工程と、
該シリコン酸化膜を窒化処理してシリコン窒化酸化膜にし、該シリコン窒化酸化膜の上記メモリ窒化膜側の表面にＣＶＤ法により薄膜シリコン酸化膜を形成し、上記トンネル絶縁膜を形成する工程とを実施することもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月20日(2004.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
今、マスク本体が低熱膨張のアンバー、マスクフレームが軟鋼、フレームホルダーがステンレス鋼からなるシャドウマスクについて考えると、このマスク本体の熱膨張係数は、マスクフレームの熱膨張係数の約１／１０と小さくなる。そのため、このシャドウマスクが熱膨張すると、図６に示すように、マスク本体２は、マスクフレーム４の熱膨張により外側に引っ張られるが、このマスクフレーム４の熱膨張は、マスク本体２のスカート部７で吸収され、実質的にマスク本体２の有効部８に影響を及ぼさない。しかし図４に示したシャドウマスク３のたとえば短辺でのマスクフレーム４のマスク本体溶接点は、上下方向（Ｙ軸方向）に動く。その結果、マスク本体２の短辺周辺部は、上下方向に変位する。同様にマスク本体２の長辺周辺部は、左右方向（Ｘ軸方向）に変位する。さらにこれら上下左右方向のずれにより、マスク本体２の周辺部は、回転方向に変位する。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
より具体的には、フレームホルダー２５のマスクフレーム溶接点からスタッドピン２３の中心までの距離をｌH、フレームホルダー２５のマスクフレーム溶接点からマスクフレーム２１のマスク本体２０の側辺溶接点間での距離をｌF、フレームホルダー２５の熱膨張係数をαH、マスクフレーム２１の熱膨張係数をαFとするとき、
［数１］
ｌF／ｌH＝（０．７５〜１．００）・αH／αF
の関係を満たすように、フレームホルダー２５のマスクフレーム溶接点および上記マスクフレーム２１のマスク本体２０の側辺溶接点が設定されている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
この場合、
ｌH＝３６．０mm
αF＝１１．６×１０−６／℃
αH＝１７．０×１０−６／℃
また図３（ａ）および（ｂ）から、フレームホルダーの温度上昇ΔｔH、マスクフレームの温度上昇ΔｔFの比ΔｔH／ΔｔFは、
ΔｔH／ΔｔF＝０．８７〜０．９５
であるから、
ｌF／ｌH＝（０．８７〜０．９５）・αH／αF
ｌF＝（１．２８〜１．３９）・ｌH
となり、
ｌF＝（１．２８〜１．３９）×３６．０
＝４６．１mm〜５０．０mm
となる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
1998321153.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月22日(2005.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材（１０）から直流成長によって形成される磁気マイクロスイッチであって、長さがＬで幅がａの導電性帯片（１）と長さがＬ’で幅がａの導電性帯片（２）とを有し、これら導電性帯片がその一端においてそれぞれ電気接続手段（２１，２２）に接続されており、各導電性帯片が断面積がａ×ｂの末端部（５）および断面積がａ×ｂ’の末端部（５’）をそれぞれ有し、これら末端部の長さｒに亙る重複部分が距離ｅの空隙を画成し、少なくとも一方の導電性帯片（１）が磁気材料から形成されて脚部（９）を介して上記基材に取り付けられる一端（３）と中間部（４）と長さがＬ０の末端部（５）とを有し、該一方の導電性帯片が磁界が無いときの開成位置と２つの導電性帯片が磁界の影響で相互に接触する閉成位置との間で他方の導電性帯片（２）の末端部に対して撓曲可能である磁気マイクロスイッチにおいて、上記可撓性を有する方の導電性帯片が磁界の影響による接触を行うように少なくとも上記ｅに等しい大きさだけ撓曲すると共に磁界が無いときに開成位置に向けて十分な戻り力を有するように、該可撓性を有する方の導電性帯片（１）の中間部（４）が上記末端部（５）の断面積よりも小さい断面積を有するように形成されて、より小さな曲げ抵抗を有することを特徴とする磁気マイクロスイッチ。
【請求項２】
付与される磁界が上記２つの導電性帯片（１，２）に平行である場合、これら導電性帯片が磁性材料から形成されることを特徴とする請求項１記載の磁気マイクロスイッチ。
【請求項３】
上記可撓性を有する方の導電性帯片（１）が一定の厚みｂを有し、上記中間部（４）が上記脚部（９）に固着された端部（３）に上記末端部（５）を接続する少なくとも１つの峡部（８ａ，８ｂ，８ｃ）により形成されることを特徴とする請求項１記載の磁気マイクロスイッチ。
【請求項４】
上記中間部が実質的に矩形もしくは正方形の１つの開口（６）を形成するように上記導電性帯片の縁部に配置された２つの峡部（８ａ，８ｂ）を有することを特徴とする請求項３記載の磁気マイクロスイッチ。
【請求項５】
上記中間部（４）が上記導電性帯片の丈に平行に延伸して実質的に矩形もしくは正方形の複数の開口（６ａ，６ｂ）を形成する２つより多い峡部（８ａ，８ｂ，８ｃ）を有することを特徴とする請求項３記載の磁気マイクロスイッチ。
【請求項６】
実質的に矩形もしくは正方形の連続する複数の開口（６ａ，６ｂ，６ｃ）を形成するように上記導電性帯片の縁部に配置された２つの峡部（８ａ，８ｂ）の断面積が上記脚部への取付領域から上記末端部に向って増大することを特徴とする請求項４記載の磁気マイクロスイッチ。
【請求項７】
上記中間部（４）が上記導電性帯片の各縁部に凹所（６ｄ，６ｅ）を画成する１つの中央峡部（８ｃ）を有することを特徴とする請求項１記載の磁気マイクロスイッチ。
【請求項８】
上記中間部（４）の厚みが上記末端部（５）の厚みｂよりも小さいことを特徴とする請求項１記載の磁気マイクロスイッチ。
【請求項９】
上記導電性帯片（１，２）の長手軸心に平行に磁界が付与される場合、他方の導電性帯片（２）が上記基材に取り付けられると共に一定の断面積と実質的に上記Ｌ０に等しい長さＬ’とを有することを特徴とする請求項１記載の磁気マイクロスイッチ。
【請求項１０】
上記導電性帯片（１，２）の長手軸心に直交して磁界が付与される場合、他方の導電性帯片（２）が上記基材に取り付けられると共に一定の断面積と実質的に上記ｒに等しい長さＬ’とを有することを特徴とする請求項１記載の磁気マイクロスイッチ。
【請求項１１】
上記２つの導電性帯片（１，２）がそれぞれ脚部（９，１１）を介して上記基材に取り付けられることを特徴とする請求項１記載の磁気マイクロスイッチ。
【請求項１２】
各導電性帯片の中間部が小さな曲げ抵抗を有するように形成されることを特徴とする請求項１１記載の磁気マイクロスイッチ。
【請求項１３】
上記導電性帯片（１，２）の長手軸心に平行に磁界が付与される場合、２つの導電性帯片（１，２）の末端部が同じ厚み（ｂ＝ｂ’）を有することを特徴とする請求項１記載の磁気マイクロスイッチ。
【請求項１４】
上記導電性帯片（１，２）の厚みｂ、ｂ’を増加することによって当該磁気マイクロスイッチ全体のスペース上の要件を変えることなく空隙ｅを相対的に減少することができることを特徴とする請求項１３記載の磁気マイクロスイッチ。
【請求項１５】
電気的に絶縁された２つの経路（１２，１３）を基材（１０）上に形成するステップと、直流成長を段階的に行えるように連続した厚寸のフォトレジスト層（１４，１５，１６）を形成するステップと、帯片を形成するステップそれぞれの前に既に得られている構造の表面全体に中間金属被覆（１７）を行うステップと、１つ以上のステップにおいて上記フォトレジスト層および上記中間金属被覆層を除去するステップとを具備することを特徴とする請求項１記載の磁気マイクロスイッチを製造する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月12日(2005.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】１種または２種以上の酸素系漂白基剤（Ａ）と、アミノ酸−Ｎ，Ｎ−二酢酸のアルカリ金属及び／またはアルカリ土類金属塩（Ｂ）を含有することを特徴とする酸素系漂白剤組成物。
【請求項２】アミノ酸−Ｎ，Ｎ−二酢酸のアルカリ金属及び／またはアルカリ土類金属塩（Ｂ）が０．１〜２０重量％である請求項１に記載の酸素系漂白剤組成物。
【請求項３】アミノ酸−Ｎ，Ｎ−二酢酸のアルカリ金属及び／またはアルカリ土類金属塩（Ｂ）のカチオン部分の１／２以上がアルカリ土類金属イオンである請求項１または２に記載の酸素系漂白剤組成物。
【請求項４】アミノ酸−Ｎ，Ｎ−二酢酸がグルタミン酸−Ｎ，Ｎ−二酢酸、アスパラギン酸−Ｎ，Ｎ−二酢酸、α−アラニン−Ｎ，Ｎ−二酢酸、β−アラニン−Ｎ，Ｎ−二酢酸、またはセリン−Ｎ，Ｎ−二酢酸である請求項１乃至３に記載の酸素系漂白剤組成物。
【請求項５】アミノ酸−Ｎ，Ｎ−二酢酸のアルカリ金属及び／またはアルカリ土類金属塩（Ｂ）が、グルタミン酸−Ｎ，Ｎ−二酢酸のナトリウム及び／またはマグネシウム塩である請求項１または２に記載の酸素系漂白剤組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
（ａ）１種または２種以上の酸素系漂白基剤（Ａ）と、アミノ酸−Ｎ，Ｎ−二酢酸のアルカリ金属及び／またはアルカリ土類金属塩（Ｂ）を含有することを特徴とする酸素系漂白剤組成物を提供する。
（ｂ）アミノ酸−Ｎ，Ｎ−二酢酸のアルカリ金属及び／またはアルカリ土類金属塩（Ｂ）が０．１〜２０重量％である（ａ）に記載の酸素系漂白剤組成物を提供する。
（ｃ）アミノ酸−Ｎ，Ｎ−二酢酸のアルカリ金属及び／またはアルカリ土類金属塩（Ｂ）のカチオン部分の１／２以上がアルカリ土類金属イオンである（ａ）または（ｂ）に記載の酸素系漂白剤組成物を提供する。
（ｄ）アミノ酸−Ｎ，Ｎ−二酢酸のアルカリ金属及び／またはアルカリ土類金属塩（Ｂ）が、グルタミン酸−Ｎ，Ｎ−二酢酸のナトリウム及び／またはマグネシウム塩である（ａ）〜（ｃ）に記載の酸素系漂白剤組成物を提供する。
（ｅ）アミノ酸−Ｎ，Ｎ−二酢酸がグルタミン酸−Ｎ，Ｎ−二酢酸、アスパラギン酸−Ｎ，Ｎ−二酢酸、α−アラニン−Ｎ，Ｎ−二酢酸、β−アラニン−Ｎ，Ｎ−二酢酸、またはセリン−Ｎ，Ｎ−二酢酸である（ａ）〜（ｃ）に記載の酸素系漂白剤組成物を提供する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
アミノ酸−Ｎ，Ｎ−二酢酸のアルカリ金属及び／またはアルカリ土類金属塩（以下「アミノカルボン酸塩（Ｂ）」という）のアミノカルボン酸としては、グルタミン酸−Ｎ，Ｎ−二酢酸、アスパラギン酸−Ｎ，Ｎ−二酢酸などのアミノジカルボン酸−Ｎ, Ｎ−二酢酸や、α−アラニン−Ｎ，Ｎ−二酢酸、β−アラニン−Ｎ，Ｎ−二酢酸、セリン−Ｎ，Ｎ−二酢酸などが例示される。好ましくは、グルタミン酸−Ｎ，Ｎ−二酢酸が挙げられる。これらのアミノカルボン酸は、例えば、対応するアミノ酸を原料として、ストレッカー反応やモノクロロ酢酸法などの公知の方法により合成される。原料アミノ酸が光学活性体の場合は生分解性の観点から、Ｌ体が好ましい。
【プルーフの要否】要
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月24日(2004.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光体原料を混合して蛍光体原料混合物を調製した後、この蛍光体原料混合物を弱還元性もしくは中性雰囲気下で焼成することにより、下記基本組成式（Ｉ）で表わされる希土類賦活アルカリ土類金属フッ化ハロゲン化物系蛍光体の製造方法であって、
前記蛍光体原料混合物を、蛍光体原料混合物１ｋｇに対して２〜５００リットルの焼成部分容積を有する炉中に配置し、該炉の焼成部分容積１リットルに対して室温における体積で０．１〜２００ミリリットルの酸素を導入て、５５０〜１０００℃の温度で焼成する工程を有することを特徴とする蛍光体の製造方法。
[化１]
（Ｂａ1-a,ＭIIa ）ＦＸ・ｂＭI ・ｃＭIII ・ｄＡ：ｘＬｎ  ・・（Ｉ）
式中、ＭIIa はＳｒ、Ｃａ、Ｍｇからなる群より選択される少なくとも一種のアルカリ土類金属を表し、ＭI はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓからなる群より選択される少なくとも一種のアルカリ金属を表し、ＭIII はＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属元素を表す。ＸはＣｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表し、ＬｎはＣｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表す。
ＡはＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 およびＺｒＯ2 からなる群より選ばれる少なくとも一種の金属酸化物であり; そしてａ、ｂ、ｃ、ｄ、およびｘはそれぞれ、０≦ａ≦０．３、０＜ｂ≦２、０≦ｃ≦２、５×１０-5≦ｄ≦０．５および０＜ｘ≦０．２の範囲の数値である。
【請求項２】
前記酸素の導入量が、焼成部分容積１リットルに対して室温における体積で１〜１００ミリリットルであることを特徴とする請求項１に記載の蛍光体の製造方法。
【請求項３】
前記酸素の導入を、空気、或いは、窒素又は不活性ガスで希釈した酸素を用いて行うことを特徴とする請求項１に記載の蛍光体の製造方法。
【請求項４】
前記焼成を、０．５乃至６時間行うことを特徴とする請求項１に記載の蛍光体の製造方法。
【請求項５】
前記酸素の導入を、前記炉内を真空排気した後に行なうことを特徴とする請求項１に記載の蛍光体の製造方法。
【請求項６】
前記酸素の導入が、前記炉内を焼成開始後直ちに０．１ｔｏｒｒ以下の真空度に排気する工程と、前記炉内に所定量の酸素を導入する工程と、酸素を実質的に含有しない窒素或いは不活性ガスを導入する工程と、を有することを特徴とする請求項５に記載の蛍光体の製造方法。
【請求項７】
前記酸素を実質的に含有しない窒素或いは不活性ガスを導入する工程を炉内の圧が大気圧近傍となるまで行うことを特徴とする請求項６に記載の蛍光体の製造方法。
【請求項８】
前記酸素の導入を、前記炉内の酸素分圧が連続的又は断続的に増加する雰囲気で行うことを特徴とする請求項１に記載の蛍光体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
式中、ＭIIa はＳｒ、Ｃａ、Ｍｇからなる群より選択される少なくとも一種のアルカリ土類金属を表し、ＭI はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓからなる群より選択される少なくとも一種のアルカリ金属を表し、ＭIII はＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属元素を表す。ＸはＣｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表し、ＬｎはＣｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表す。
ＡはＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 およびＺｒＯ2 からなる群より選ばれる少なくとも一種の金属酸化物であり; そしてａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘはそれぞれ、０≦ａ≦０．３、０＜ｂ≦２、０≦ｃ≦２、５×１０-5≦ｄ≦０．５および０＜ｘ≦０．２の範囲の数値である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
式中、ＭIIa はＳｒ、Ｃａ、Ｍｇからなる群より選択される少なくとも一種のアルカリ土類金属を表し、ＭI はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓからなる群より選択される少なくとも一種のアルカリ金属を表し、ＭIII はＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ、Ｌｕからなる群より選ばれる少なくとも一種の三価金属元素を表す。ＸはＣｌ、Ｂｒ及びＩからなる群より選ばれる少なくとも一種のハロゲンを表し、ＬｎはＣｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｐｒ、Ｈｏ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂからなる群より選ばれる少なくとも一種の希土類元素を表す。
ＡはＡｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 およびＺｒＯ2 からなる群より選ばれる少なくとも一種の金属酸化物であり; そしてａ、ｂ、ｃ、ｄおよびｘはそれぞれ、０≦ａ≦０．３、０＜ｂ≦２、０≦ｃ≦２、０≦ｄ≦２、５×１０-5≦ｄ≦０．５および０＜ｘ≦０．２の範囲の数値である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月24日(2004.11.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部が架橋改質されたセルロース系繊維を含有する布帛であって、該布帛の下記式で定義される架橋指数が１〜４であり、かつ、繊維表面にポリフルオロアルキル基含有アクリル共重合体、アミノシリコーン系樹脂、およびアミノプラスト樹脂および／または多官能ブロックイソシアネート基含有ウレタン樹脂が付着していることを特徴とするセルロース系繊維含有布帛。
架橋指数＝Ａ−Ｂ
ここで、
Ａ：温度３０℃、相対湿度９０％ＲＨ雰囲気下での架橋改質後のセルロース系繊維の吸湿率（％）
Ｂ：温度２０℃、相対湿度６５％ＲＨ雰囲気下での架橋改質後のセルロース系繊維の吸湿率（％）
【請求項２】
架橋改質されたセルロース系繊維を繊維重量で１０重量％以上含有することを特徴とする請求項１記載のセルロース系繊維含有布帛。
【請求項３】
架橋改質するための架橋剤が下記一般式[Ｉ]で示される化合物であることを特徴とする請求項１または２に記載のセルロース系繊維含有布帛。
【化１】
2000192371.tif 000001
ここで、
Ｒ1、Ｒ2は、−Ｈ、炭素数１〜４のアルキル基または−ＣＨ2ＯＲ7のいずれかである同種または異種の基であり、
Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6は、−Ｈまたは−ＯＲ8のいずれかである同種または異種の基であり、
Ｒ7、Ｒ8は、−Ｈまたは炭素数１〜４のアルキル基のいずれかである同種又は異種の基であることを示す。
【請求項４】
該アミノシリコーン系樹脂が、アミノ当量５００〜１２０００グラム当量／モルであることを特徴とする請求項１〜３いずれかに記載のセルロース系繊維含有布帛。
【請求項５】
請求項１〜４いずれかのセルロース系繊維含有布帛を用いてなることを特徴とするシャツ。
【請求項６】
請求項１〜４いずれかのセルロース系繊維含有布帛を用いてなることを特徴とするユニフォーム。
【請求項７】
請求項１〜４いずれかのセルロース系繊維含有布帛を用いてなることを特徴とするコート。
【請求項８】
請求項１〜４いずれかのセルロース系繊維含有布帛を用いてなることを特徴とするスポーツ衣料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
架橋指数＝Ａ−Ｂ
ここで、
Ａ：温度３０℃、相対湿度９０％ＲＨ雰囲気下での架橋改質後のセルロース系繊維の吸湿率（％）
Ｂ：温度２０℃、相対湿度６５％ＲＨ雰囲気下での架橋改質後のセルロース系繊維の吸湿率（％）
また、本発明の他の態様は、前記セルロース系繊維含有布帛を用いてなるシャツ、ユニフォーム、コートまたはスポーツ衣料である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
なお、実施例中の架橋剤とその触媒、ポリフルオロアルキル基含有アクリル共重合体、シリコーン系樹脂Ａ、アミノプラスト樹脂とその触媒、多官能ブロックイソシアネート基含有ウレタン樹脂とその触媒としては以下のものを用いた。
［架橋剤］
ジメチロールジヒドロキシエチレン尿素樹脂水溶液（固形分２０％）
［架橋剤の触媒］
塩化マグネシウム
［ポリフルオロアルキル基含有アクリル共重合体］
下記に示す量の化合物と蒸留水とを共重合反応せしめた共重合体（固形分３０％）
Ｃ12Ｆ25（ＣＨ2）2ＯＣＯＣＨ＝ＣＨ2                   ８８ｇ
ＣＨ3（Ｃ2Ｈ5）ＣＮＯＮＣＨ（Ｃ6Ｈ4）ＣＨ2（Ｃ6Ｈ4）
ＮＨＣＯＯ（ＣＨ2）ＣＨ＝ＣＨ2                        １ｇ
ステアリルアクリレート                                ９ｇ
塩化ビニール                                          ４ｇ
ステアリルメチルアンモニウムクロライド                ２ｇ
Ｃ12Ｈ25Ｏ（Ｃ2Ｈ4Ｏ）12Ｈ                           ２．４ｇ
アセトン                                             ６０ｇ
蒸留水                                             ４１５ｇ
アミン系触媒                                       ０．８ｇ
［シリコーン系樹脂Ａ］
アミノ当量３０００グラム当量／モルのアミノシリコーン樹脂（固形分２０％）
［アミノプラスト樹脂］
ヘキサメチロールメラミン樹脂（固形分８０％）
［アミノプラスト樹脂の触媒］
有機アミン化合物
［多官能ブロックイソシアネート基含有ウレタン樹脂］
ジフェニールメタンジイソシアネートのメチルエチルケトオキシムの水分散液体（固形分３０％）
［多官能ブロックイソシアネート基含有ウレタン樹脂の触媒］
ジブチルスズジオレート
また、比較例中のシリコーン樹脂Ｂ、Ｃは以下のものを用いた。
［シリコーン系樹脂Ｂ］
アミノ当量３００グラム当量／モルのアミノシリコーン樹脂（固形分３０％）
［シリコーン系樹脂Ｃ］
アミノ当量２００００グラム当量／モルのアミノシリコーン樹脂（固形分３０％）
得られた試料は次の方法で評価した。
［架橋指数］
架橋指数＝Ａ−Ｂ
ここで、
Ａ：温度３０℃、相対湿度９０％ＲＨ雰囲気下での架橋改質後のセルロース系繊維の吸湿率（％）
Ｂ：温度２０℃、相対湿度６５％ＲＨ雰囲気下での架橋改質後のセルロース系繊維の吸湿率（％）
［防しわ性］
ＡＡＴＣＣ−１２４−１９８４  ５段階レプリ法に基づいて判定を行った。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明に用いられるＰＶＡには、溶融粘度を下げるためや繊維化したときの延伸性・柔軟性を付与するために可塑剤を添加してもよい。可塑剤としては、ＰＶＡのガラス転移点や溶融粘度を低下させうる化合物であれば特に制限はないが、例えば、水、エチレングリコールおよびそのオリゴマー、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、およびそのオリゴマー、ポリプロピレングリコール等のグリコール誘導体、グリセリンおよびそのオリゴマー、ポリグリセリンやグリセリン等にエチレンオキサイド、プロピレンオキサイド等が付加したグリセリン誘導体、ソルビトール、ペンタエリスリトール等が挙げられる。なかでもグリセリン、エチレングリコール、プロピレングリコール、ソルビトール、ペンタエリスリトール等の多価アルコールおよびその誘導体が好適に使用される。可塑剤の添加量に制限はないが、ＰＶＡ１００重量部に対して、０．０１〜１００重量部の範囲で可塑剤を添加することが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月22日(2005.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
実施例６、比較例６
実施例１および比較例２の混合紡糸繊維を実施例１と同様に延伸、捲縮、カットしカット長さ５１ｍｍのステープルを得た。このステープルをカージングし、重ね合わせてニードルパンチして目付５００ｇ／ｍ２の不織布を作成した。この不織布にポリエーテル系ポリウレタンの１５％ジメチルホルムアミド溶液を含浸し、ジメチルホルムアミド水溶液により湿式凝固し、水洗した後８５℃トルエンにより海成分のポリエチレンを抽出除去し、人工皮革基体を得た。
本発明の方法（実施例１）の混合紡糸繊維より得た人工皮革基体は引裂強力が高く、風合いが柔らかいものが得られた。一方、２種類のポリアミドのＭＦＲが本発明の範囲より少ない、比較例の混合紡糸繊維より得た人工皮革基体は引裂強力が低く、ボキボキとした風合の基布となった。