(57)【要約】【課題】基板上に形成された膜の厚みが不均一であったり基板上の部位によって膜質の違いがあったりしても、基板面内における処理速度の不均一を緩和して、基板の主面全体における処理品質の均一性を向上させることができる装置を提供する。【解決手段】処理チャンバ３６と、処理チャンバ内で基板Ｗを水平方向へ搬送する搬送ローラ４２と、搬送ローラによって搬送される基板の上面へエッチング液４８を吐出するスプレーノズル４４と、搬送ローラによって搬送される基板上面の所要領域に対して冷風または温風を吐出する気体吐出ノズル５２とを備える。気体吐出ノズル５２から冷風または温風を基板Ｗの上面へ吐出することにより、基板の上面上のエッチング液の温度を領域によって部分的に調節する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を搬送しつつ基板を処理液で処理する基板処理装置において、
基板をその主面に沿った方向へ搬送する基板搬送手段と、
基板の主面へ処理液を供給する処理液供給手段と、
基板の主面上の処理液の温度を、基板の主面に沿った平面内における領域によって部分的に調節するように、基板の主面の所要領域に対して気体を吐出する気体吐出手段と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記気体吐出手段が冷却気体を吐出することを特徴とする基板処理装置。
【請求項３】
請求項１に記載の基板処理装置において、
前記気体吐出手段が加熱気体を吐出することを特徴とする基板処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
処理液の供給口を有し処理液を貯留する貯留槽を備え、
前記基板搬送手段は、前記貯留槽内に貯留された処理液中で基板を搬送するものであり、
前記処理液供給手段は、前記貯留槽内へその供給口を通して処理液を供給するものであることを特徴とする基板処理装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
処理チャンバを備え、
前記基板搬送手段は、前記処理チャンバ内で基板を水平方向へ搬送するものであり、
前記処理液供給手段は、前記基板搬送手段によって搬送される基板の主面へ処理液を吐出するスプレーノズルを備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、
処理チャンバを備え、
前記基板搬送手段は、前記処理チャンバ内で基板を水平方向へ搬送するものであり、
前記処理液供給手段は、前記処理チャンバの入口付近に配設され処理チャンバ内へ搬入されてきて前記基板搬送手段によって搬送される基板の主面へその幅方向全体にわたってスリット状吐出口から処理液をカーテン状に吐出して基板の主面に液盛りするスリットノズルを備えることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、液晶表示装置（ＬＣＤ）用、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）用、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）用、電界放出ディスプレイ（ＦＥＤ）用、真空蛍光ディスプレイ（ＶＦＤ）用等のガラス基板、磁気／光ディスク用のガラス／セラミック基板、半導体ウエハ、電子デバイス基板等の各種の基板に対して、エッチング液等の処理液で湿式処理を行う基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＬＣＤ、ＰＤＰ等のデバイスの製造プロセスにおいて、ガラス基板に対して湿式処理、例えばウェットエッチング処理を施す方法として、基板をエッチング液中に浸漬させた状態で搬送しつつ処理を行うディップ方式（浸漬方式）、基板を水平方向へ搬送しつつスプレーノズルから基板の表面へエッチング液を吐出して処理を行うスプレー方式、および、スリットノズルから基板の表面へエッチング液をカーテン状に吐出して基板表面に液盛りした状態で基板を水平方向へ往復移動させて処理を行うパドル方式がある。これらの処理のうち、例えばディップ処理を行う基板処理装置は、図７に概略側面断面図を示すように、基板の搬入口２および搬出口３を有し内部に処理液４を貯留する貯留槽１を備えている。貯留槽１の基板搬入口２および搬出口３には、その各開口部をそれぞれ開放および閉塞するシャッタ５、６が設けられている。貯留槽１の内部には、互いに平行に基板Ｗの搬送方向に沿って複数の搬送ローラ７を配列して構成されたローラコンベアが設置されており、複数の搬送ローラ７をそれぞれ正転および逆転させることにより、貯留槽１内において基板Ｗがその主面に沿った方向、図示例では水平方向へ往復移動（揺動）させられる。貯留槽１の底部には、処理液の供給口８が設けられており、その供給口８に、後記の処理液タンクに流路接続された処理液供給管９が連通接続されている。また、図示していないが、貯留槽１の底部には、貯留槽１内の処理液４の液面高さを調整する排液弁が介挿され処理液タンクに流路接続された排液用配管が連通接続されている。そして、貯留槽１内の処理液４は、排液用配管を通って処理液タンク内に回収され、ポンプにより処理液タンク内から前記の処理液供給管９を介し供給口８を通って処理液が貯留槽１内へ供給されて、処理液が循環させられている。
【０００３】
上記した構成を有する基板処理装置では、搬入口２を開放して基板Ｗを貯留槽１内へ搬入し、搬入口２をシャッタ５によって閉塞した後（このとき、搬出口３はシャッタ６によって閉塞されている）、ポンプにより処理液供給管９を通って貯留槽１内へ処理液を供給して、貯留槽１内の処理液４の液面を、図７に示したように基板Ｗの上面より高くなる液位まで上昇させる。この状態で、ローラコンベアによって基板Ｗを揺動させながら、基板Ｗに対してエッチング処理等の処理を施す。基板Ｗの処理が終了すると、搬出口３を開放し（このとき、搬入口２はシャッタ５によって閉塞されたままである）、基板Ｗを貯留槽１内から搬出する。このようなディップ処理では、基板Ｗの全面に処理液が均一に接して処理が行われることとなる（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平１１−３０５４４９号公報（第４−５頁、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の基板処理装置では、所定温度に調整された処理液をポンプアップして貯留槽１内へ供給し、貯留槽１内に処理液４を所定の液面高さとなるように貯留していた。したがって、貯留槽１内の処理液４の温度は槽内で一様であった。このため、基板Ｗの主面全体を均一な温度で処理することができた。このように基板の主面全体を均一な温度で処理、例えばエッチング処理すると、主面上に均一に成膜された基板に対して均一な処理を行うことができるので、望ましい。ところが、基板上に形成された膜の厚みが不均一である場合、特に基板の主面上に積層膜が形成されている場合には、基板の主面全体を均一な温度でエッチング処理すると、基板の中央部におけるエッチング速度と基板の周縁部におけるエッチング速度とに差を生じることとなる。また、基板上の部位によって膜質の違い、例えば金属の密度、硬さ、表面状態（酸化膜が部分的に形成されている等）の違いがある場合にも、基板の主面全体を均一な温度でエッチング処理すると、基板の部位によってエッチング速度が違ってくる、といった問題点がある。
以上のような事情は、ディップ処理を行う装置に限らず、スプレー方式やパドル方式で湿式処理を行う装置についても同様に言えることである。
【０００５】
この発明は、以上のような事情に鑑みてなされたものであり、基板上に形成された膜の厚みが不均一であったり基板上の部位によって膜質の違いがあったりしても、基板面内における処理速度の不均一を緩和して、基板の主面全体における処理品質の均一性を向上させることができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に係る発明は、基板を搬送しつつ基板を処理液で処理する基板処理装置において、基板をその主面に沿った方向へ搬送する基板搬送手段と、基板の主面へ処理液を供給する処理液供給手段と、基板の主面上の処理液の温度を、基板の主面に沿った平面内における領域によって部分的に調節するように、基板の主面の所要領域に対して気体を吐出する気体吐出手段と、を備えたことを特徴とする。
【０００７】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、気体吐出手段が冷却気体を吐出することを特徴とする。
【０００８】
請求項３に係る発明は、請求項１に記載の基板処理装置において、気体吐出手段が加熱気体を吐出することを特徴とする。
【０００９】
請求項４に係る発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、処理液の供給口を有し処理液を貯留する貯留槽を備え、基板搬送手段により、前記貯留槽内に貯留された処理液中で基板を搬送し、処理液供給手段により、前記貯留槽内へその供給口を通して処理液を供給することを特徴とする。
【００１０】
請求項５に係る発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、処理チャンバを備え、基板搬送手段により、前記処理チャンバ内で基板を水平方向へ搬送し、処理液供給手段を構成するスプレーノズルから、前記基板搬送手段によって搬送される基板の主面へ処理液を吐出することを特徴とする。
【００１１】
請求項６に係る発明は、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の基板処理装置において、処理チャンバを備え、基板搬送手段により、前記処理チャンバ内で基板を水平方向へ搬送し、処理チャンバの入口付近に配設された処理液供給手段を構成するスリットノズルのスリット状吐出口から、処理チャンバ内へ搬入されてきて前記基板搬送手段によって搬送される基板の主面へその幅方向全体にわたって処理液をカーテン状に吐出して基板の主面に液盛りすることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１に係る発明の基板処理装置においては、気体吐出手段から冷却されあるいは加熱された気体が基板の主面の所要領域に対して吐出されることにより、処理すべき基板の成膜状態に応じて基板の主面上の処理液の温度を部分的に調節することが可能である。そして、この際、気体吐出手段からの風圧を受けて基板の主面上の液厚が薄くなることにより、基板の主面上の処理液が冷えやすくなりあるいは温まりやすくなるので、前記した部分的な温度調節の実効が上がる。このため、例えば基板をエッチング処理する場合に、基板上の他の部位に比べてエッチング速度が大きくなる部位上の処理液を部分的に冷却したり、あるいは、基板上の他の部位に比べてエッチング速度が小さくなる部位上の処理液を部分的に加熱したりすることにより、基板の各部位におけるエッチング速度の差を少なくすることができる。
したがって、請求項１に係る発明の基板処理装置を使用すると、基板上に形成された膜の厚みが不均一であったり基板上の部位によって膜質の違いがあったりしても、基板面内における処理速度の不均一が緩和されて、基板の主面全体における処理品質の均一性が向上する。また、その結果、ＬＣＤ、ＰＤＰ等のデバイスの製品歩留りが改善されることとなる。
【００１３】
請求項２に係る発明の基板処理装置では、例えば基板をエッチング処理する場合に、基板上の他の部位に比べてエッチング速度が大きくなる部位上の処理液に向けて気体吐出手段から冷却気体が吐出されることにより、当該部位上の処理液が部分的に冷却される。このため、基板上の各部位におけるエッチング速度の差を少なくすることができる。
【００１４】
請求項３に係る発明は、例えば基板をエッチング処理する場合に、基板上の他の部位に比べてエッチング速度が小さくなる部位上の処理液に向けて気体吐出手段から加熱気体が吐出されることにより、当該部位上の処理液が部分的に加熱される。このため、基板上の各部位におけるエッチング速度の差を少なくすることができる。
【００１５】
請求項４に係る発明の基板処理装置では、貯留槽内に貯留された処理液の液面に向けて気体吐出手段から加熱されあるいは冷却された気体が吐出されることにより、基板の主面上の処理液の温度を部分的に調節することが可能である。したがって、ディップ処理を行う場合に、基板の各部位におけるエッチング速度等の処理速度の差を少なくすることができる。
【００１６】
請求項５に係る発明の基板処理装置では、スプレーノズルから吐出されて基板の主面上に滞留する処理液の液膜に向けて気体吐出手段から加熱されあるいは冷却された気体が吐出されることにより、基板の主面上の処理液の温度を部分的に調節することが可能である。したがって、スプレー方式で湿式処理を行う場合に、基板の各部位におけるエッチング速度等の処理速度の差を少なくすることができる。
【００１７】
請求項６に係る発明の基板処理装置では、スリットノズルのスリット状吐出口からカーテン状に吐出されて基板の主面に液盛りされた処理液層の表面に向けて気体吐出手段から加熱されあるいは冷却された気体が吐出されることにより、基板の主面上の処理液の温度を部分的に調節することが可能である。したがって、パドル方式で湿式処理を行う場合に、基板の各部位におけるエッチング速度等の処理速度の差を少なくすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、この発明の最良の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図１および図２は、この発明の実施形態の１例を示し、ディップ式の基板処理装置の貯留槽の概略構成を示す側面断面図であり、図２は、その平面断面図である。
【００１９】
この基板処理装置は、図７に示した従来の装置と同様に、それぞれ開閉シャッタ１６、１８が設けられた基板の搬入口１２および搬出口１４を有し、処理液、例えばエッチング液２０を貯留する貯留槽１０を備えている。貯留槽１０の底部には、エッチング液の供給口２２が設けられており、その供給口２２に処理液供給管２４が連通接続されている。また、図示していないが、貯留槽１０の底部に、貯留槽１０内のエッチング液２０の液面高さを調整する排液弁が介挿され処理液タンクに流路接続された排液用配管が連通接続されている。そして、貯留槽１０内のエッチング液２０は、排液用配管を通って処理液タンク内に回収され、ポンプにより処理液タンク内から処理液供給管２４を介し供給口２２を通ってエッチング液が貯留槽１０内へ供給され、エッチング液が循環させられている。また、貯留槽１０の内部には、互いに平行に基板Ｗの搬送方向に沿って複数の搬送ローラ２６（図２には図示を省略）を配列して構成されたローラコンベアが設置されており、このローラコンベアにより、貯留槽１０に貯留されたエッチング液２０中で基板Ｗがその主面に沿った方向、図示例では水平方向へ往復移動（揺動）させられる。
【００２０】
そして、この装置には、貯留槽１０の上方に、複数の吐出口３０を有する気体吐出ノズル２８が配設されている。この気体吐出ノズル２８の複数の吐出口３０は、ローラコンベアによって揺動させられる基板Ｗの主面（上面）の主として周縁領域に対向するように下向きに形設されている。そして、基板Ｗ上に形成された積層膜の厚みや膜質が基板Ｗ上の部位によって相違することにより、基板Ｗの中央部と周縁部とでエッチング速度に差を生じる場合に、例えば、基板Ｗの周縁部におけるエッチング速度が大きくて破線矢印で示すように基板Ｗの中央部に向かうほどエッチング速度が小さくなるような場合には、冷却された気体、例えば空気（冷風）を気体吐出ノズル２８の複数の吐出口３０から貯留槽１０内のエッチング液２０の液面に向けて吹き付けるようにする。これにより、基板Ｗの上面の主として周縁領域と液面との間に存在するエッチング液が冷却されて、その領域のエッチング液の温度が部分的に低下する。また、このとき、気体吐出ノズル２８の吐出口３０から吐出される冷風の圧力により、基板Ｗの上面と液面との間に存在するエッチング液が周囲へ押しやられて、その部分の液厚が薄くなるので、冷風が当たる部分の処理液が冷えやすくなる。このため、基板Ｗの周縁部と中央部とでのエッチング速度の差が緩和され、基板Ｗの主面全体における処理結果の均一性が向上することとなる。なお、気体吐出ノズル２８の吐出口３０から吐出される空気の流量、圧力、温度、吐出時間などを調整することにより、基板Ｗの各領域ににおけるエッチング速度を制御することも可能である。
【００２１】
また、逆に、基板Ｗの周縁部におけるエッチング速度が基板Ｗの中央部におけるエッチング速度に比べて小さくなるような場合には、加熱された気体、例えば空気（温風）を気体吐出ノズル２８の複数の吐出口３０から貯留槽１０内のエッチング液２０の液面に向けて吹き付けるようにする。これにより、基板Ｗの上面の主として周縁領域と液面との間に存在するエッチング液が加熱されて、その領域のエッチング液の温度が部分的に上昇する。このため、基板Ｗの周縁部と中央部とでのエッチング速度の差が緩和されることとなる。
【００２２】
次に、図３に貯留槽の平面断面図を示した装置では、貯留槽１０の中央部上方に、複数の吐出口３４を有する気体吐出ノズル３２が複数、並列して配設されている。この複数の気体吐出ノズル３２の複数の吐出口３４は、ローラコンベアによって揺動させられる基板Ｗの上面の主として中央領域に対向するように下向きに形設されている。そして、例えば、基板Ｗの中央部におけるエッチング速度が大きくて破線矢印で示すように基板Ｗの周縁部に向かうほどエッチング速度が小さくなるような場合には、冷却された気体、例えば冷風を複数の気体吐出ノズル３２の複数の吐出口３４から貯留槽１０内のエッチング液２０の液面に向けて吹き付けるようにする。これにより、基板Ｗの上面の主として中央領域と液面との間に存在するエッチング液が冷却されて、その領域のエッチング液の温度が部分的に低下する。このため、基板Ｗの中央部と周縁部とでのエッチング速度の差が緩和されることとなる。逆に、基板Ｗの中央部におけるエッチング速度が基板Ｗの周縁部におけるエッチング速度に比べて小さくなるような場合には、加熱された気体、例えば温風を複数の気体吐出ノズル３２の複数の吐出口３４から貯留槽１０内のエッチング液２０の液面に向けて吹き付けるようにする。これにより、基板Ｗの上面の主として中央領域と液面との間に存在するエッチング液が加熱されて、その領域のエッチング液の温度が部分的に上昇する。したがって、基板Ｗの中央部と周縁部とでのエッチング速度の差が緩和されることとなる。
【００２３】
図４および図５は、この発明の別の実施形態を示し、図４は、スプレー式の基板処理装置の概略構成を模式的に示す側面図であり、図５は、その模式的平面図である。
この基板処理装置は、基板の搬入口３８および搬出口４０を有する処理チャンバ３６を備えている。処理チャンバ３６の内部には、互いに平行に基板Ｗの搬送方向に沿って複数の搬送ローラ４２（図５には図示を省略）を配列して構成されたローラコンベアが設置されており、このローラコンベアにより、処理チャンバ３６内において基板Ｗが水平方向へ往復移動（揺動）させられる。また、処理チャンバ３６内部の基板搬送路の上方には、一列に設けられた複数の吐出口４６から下向きに処理液、例えばエッチング液４８を吐出するスプレーノズル４４が複数、互いに平行に並列して配設されている。処理チャンバ３６の底部には、スプレーノズル４４から吐出され基板Ｗ上から流下したエッチング液を排出する排液用配管５０が連通接続されている。
【００２４】
そして、この装置には、処理チャンバ３６内部の基板搬送路の上方に、複数の吐出口５４を有する気体吐出ノズル５２が配設されている。気体吐出ノズル５２の複数の吐出口５４は、図１および図２に示した装置と同様に、ローラコンベアによって揺動させられる基板Ｗの主面（上面）の主として周縁領域に対向するように下向きに形設されている。そして、基板Ｗの中央部と周縁部とでエッチング速度に差を生じる場合に、例えば、基板Ｗの周縁部におけるエッチング速度が大きくて基板Ｗの中央部に向かうほどエッチング速度が小さくなるような場合には、冷却された気体、例えば冷風を気体吐出ノズル５２の複数の吐出口５４から基板Ｗの上面上のエッチング液の液膜に向けて吹き付けるようにする。これにより、基板Ｗの上面の主として周縁領域上のエッチング液が冷却されて、その領域のエッチング液の温度が部分的に低下する。逆に、基板Ｗの周縁部におけるエッチング速度が基板Ｗの中央部におけるエッチング速度に比べて小さくなるような場合には、加熱された気体、例えば温風を気体吐出ノズル５２の複数の吐出口５４から基板Ｗの上面上のエッチング液の液膜に向けて吹き付けるようにする。これにより、基板Ｗの上面の主として周縁領域上のエッチング液が加熱されて、その領域のエッチング液の温度が部分的に上昇する。以上のようにして、基板Ｗの周縁部と中央部とでのエッチング速度の差が緩和されることとなる。
【００２５】
また、図３に示した装置と同様に、ローラコンベアによって揺動させられる基板の上面の主として中央領域に複数の吐出口が対向するように複数の気体吐出ノズルを配設し、それら複数の気体吐出ノズルの複数の吐出口から冷風あるいは温風を基板の上面上のエッチング液の液膜に向けて吹き付ける、といった構成とすることができる。
【００２６】
次に、図６は、この発明のさらに別の実施形態を示し、パドル式の基板処理装置の概略構成を模式的に示す側面図である。
この基板処理装置は、基板の搬入口５８および搬出口６０を有する処理チャンバ５６を備え、処理チャンバ５６の内部に、互いに平行に基板Ｗの搬送方向に沿って複数の搬送ローラ６２を配列して構成されたローラコンベアが設置されている。このローラコンベアにより、処理チャンバ５６内において基板Ｗが水平方向へ往復移動（揺動）させられる。処理チャンバ５６の内部の搬入口５８付近には、基板搬送路の直上に基板搬送方向と直交するようにスリットノズル６４が設置されている。このスリットノズル６４の下面には、その長手方向にスリット状吐出口が形設されている。そして、スリットノズル６４のスリット状吐出口から、処理チャンバ５６内へ搬入されてきてローラコンベアによって搬送される基板Ｗの上面へその幅方向全体にわたって処理液、例えばエッチング液をカーテン状に吐出することにより、基板Ｗの上面全体に液盛りされて、基板Ｗの上面にエッチング液層６６が形成される。
【００２７】
そして、この装置には、処理チャンバ５６内部の基板搬送路の上方に、複数の吐出口７０を有する気体吐出ノズル６８が配設されている。気体吐出ノズル６８の複数の吐出口７０は、図１、図２および図４、図５に示した装置と同様に、ローラコンベアによって揺動させられる基板Ｗの主面（上面）の主として周縁領域に対向するように下向きに形設されている。あるいは、気体吐出ノズルの複数の吐出口は、図３に示した装置と同様に、ローラコンベアによって揺動させられる基板Ｗの上面の主として中央領域に対向するように下向きに形設される。そして、基板Ｗの中央部と周縁部とでエッチング速度に差を生じる場合に、冷却された気体、例えば冷風、あるいは加熱された気体、例えば温風を気体吐出ノズル６８の複数の吐出口７０から基板Ｗの上面上のエッチング液の液層６６に向けて吹き付けるようにする。これにより、基板Ｗの上面の主として周縁領域上のエッチング液が冷却されあるいは加熱されて、その領域のエッチング液の温度が部分的に低下しあるいは上昇し、また、基板Ｗの上面の主として中央領域上のエッチング液が冷却されあるいは加熱されて、その領域のエッチング液の温度が部分的に低下しあるいは上昇する。このようにして、基板Ｗの周縁部と中央部とでのエッチング速度の差が緩和されることとなる。
【００２８】
なお、上記した実施形態では、気体吐出ノズルを、その複数の吐出口が基板の上面の周縁領域もしくは中央領域に対向するように配設しているが、気体ノズルの配置の仕方は実施形態のものに限定されない。また、気体吐出ノズルの吐出口の形状は、一列に並んだ複数個の小孔に限らず、スリット状であってもよい。さらに、上記実施形態では、基板をエッチング処理する基板処理装置について説明したが、この発明は、エッチング処理以外の処理、例えば現像処理を行う基板処理装置についても同様に適用し得るものである。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】この発明の実施形態の１例を示し、ディップ式の基板処理装置の貯留槽の概略構成を示す側面断面図である。
【図２】図１に示した装置の平面断面図である。
【図３】この発明の別の実施形態を示し、ディップ式の基板処理装置の貯留槽の概略構成を示す平面断面図である。
【図４】この発明のさらに別の実施形態を示し、スプレー式の基板処理装置の概略構成を模式的に示す側面図である。
【図５】図４に示した装置の模式的平面図である。
【図６】この発明のさらに別の実施形態を示し、パドル式の基板処理装置の概略構成を模式的に示す側面図である。
【図７】ディップ処理を行う従来の基板処理装置の構成例を示す概略側面断面図である。
【符号の説明】
【００３０】
１０  貯留槽
２０、４８  エッチング液
２２  エッチング液の供給口
２４  処理液供給管
２６、４２、６２  搬送ローラ
２８、３２、５２、６８  気体吐出ノズル
３０、３４、５４、７０  気体吐出ノズルの吐出口
３６、５６  処理チャンバ
４４  スプレーノズル
４６  スプレーノズルの吐出口
６４  スリットノズル
６６  エッチング液層
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
2010135452.tif 000004
【図３】
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【図４】
2010135452.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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