【手続補正書】
【提出日】令和2年12月14日(2020.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの固体（１）から少なくとも１つの固体層（４）を分離するための方法であって、剥離面（８）を形成するために、レーザー光線によって前記固体（１）の内部に複数の改質部（９）を生成することと、
前記複数の改質部（９）を生成した後に、前記固体（１）の最初に露出する表面（５）上にまたはこの表面の上方に、層および／または構成部材（１５０）を配置または生成することによって複合構造体を生成することとを有し、この場合露出する前記表面（５）が分離すべき前記固体層（４）の構成部分であり、
さらに、前記固体（１）内に応力を発生するために前記固体（１）に外力を加えることを有し、この場合外力は、応力が前記剥離面（８）に沿った亀裂が始まるような強さであり、
前記外力を加えることが、
前記応力が機械的に発生するように、ポリマー材料を含む受容層（１４０）を、前記複合構造体の露出する表面上に、または、分離すべき前記固体層（４）上に、熱的に加えることと、
前記受容層（１４０）の前記ポリマー材料がガラス転移を終えて、前記機械的に発生した応力によって前記固体（１）内の亀裂が前記剥離面（８）に沿って広がって、前記亀裂が前記固体層（４）を前記固体（１）から分離するように、前記受容層（１４０）を周囲温度よりも低い温度に冷却することと、を含む方法。
【請求項２】
前記受容層（１４０）が、複合構造体を形成するために層および／または構成部材（１５０）を配置した表面（５）とは反対側の前記固体（１）の表面に熱的に加えられている、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記受容層（１４０）が、−１３０°Ｃ〜０°Ｃのガラス転移を有するポリマー材料を、または、中に充填材を有するポリマーマトリックスを形成するポリマーハイブリッド材料を、含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
霧化された窒素、窒素浴（１７８）、または、窒素噴霧により、前記受容層（１４０）を−１３０〜−１０°Ｃの温度に冷却する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記複合構造体の露出した層または露出した前記構成部材（１５０）上に安定化層（１４２）を形成することをさらに含み、前記安定化層（１４２）が前記複合構造体の露出した層または露出した前記構成部材（１５０）の機械的な応力から生じる変形を制限する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記安定化層（１４２）がセラミックス材料および／またはポリマー材料を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記安定化層（１４２）がインサイチュで生成されるかまたはフィルムとして提供される、および／または、前記安定化層（１４２）が前記露出した層または前記露出した構成部材（１５０）を包む、および／または、前記安定化層（１４２）が溶剤を塗布することによってまたは溶剤に浸漬することによって前記露出した層または前記露出した構成部材（１５０）から除去される、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記安定化層（１４２）がガラスウェハであるか、または、ガラスウェハが前記安定化層（１４２）上に配置されている、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記剥離面（８）の発生前に、７０°Ｃと、前記固体（１）の溶融温度または蒸発温度との間の温度で実施される高温方法を使用して、前記固体（１）を処理することをさらに含み、
前記高温方法がエピタキシャル成長方法、ドープ方法またはプラズマを用いた方法であり、
前記高温方法によって、少なくとも１つの層（１４５）が前記固体（１）上に生成され、
前記少なくとも１つの生成された層（１４５）が予め定めたパラメータを有し、少なくとも１つの予め定めた前記パラメータがレーザー光波の屈折および／または吸収および／または反射の最大度合いであり、屈折および／または吸収および／または反射のこの度合いが５％以下である、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記改質部（９）によって前記固体（１）内に圧縮応力が発生させられ、圧縮応力を発生する前記改質部（９）の少なくとも一部が、前記固体（１）から前記固体層（４）を分離する際に、前記固体層（４）に残る、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記固体（１）から前記固体層（４）を分離することによって露出する表面に、スパッタリングまたは電気化学的な被膜形成によって金属層（２０）を生成すること、をさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記金属層（２０）が第１状態でおよび室温よりも高い温度で前記固体層（４）上に生成され、そして室温で第２状態にあり、この場合第１状態から第２状態への移行によって、前記金属層（２０）が前記固体層（４）にあたり、前記固体層（４）に残る改質部（９）の部分の圧縮応力によって生じる変形を少なくとも部分的に補償する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記金属層（２０）が、室温よりも高い温度範囲で前記固体層（４）上に生成され、この場合温度範囲が室温よりも少なくとも１００°Ｃ高く、最高で２０００°Ｃ以下であるかまたは固体材料の溶融温度または蒸発温度よりも低い、請求項１１に記載の方法。
【請求項１４】
前記複数の改質部（９）を生成することが、
複数のベース改質部を予め定めたプロセスパラメータを使用して生成することと、
臨界以下の亀裂を誘発するために誘発改質部を生成することと、を含み、誘発改質部を生成するための少なくとも１つのプロセスパラメータがベース改質部を生成するための少なくとも１つのプロセスパラメータとは異なっている、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記誘発改質部が、前記ベース改質部を生成する線の延在方向に対して傾斜したまたは離隔された方向に生成される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
臨界以下の亀裂が、５〜２００μｍだけ前記固体内で広がる、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記臨界以下の亀裂を形成した、複数の線を有する領域間の部分が、裂ける、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記固体材料がシリコンまたはＳｉＣである、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
電気的な要素を生成するための方法であって、
剥離面（８）を形成するためにレーザー光線によって固体（１）の内部に複数の改質部（９）を生成して、前記複数の改質部（９）によって前記固体（１）内に圧縮応力が発生させられるようにすることと、
前記固体（１）の最初に露出する表面（５）上にまたはこの表面の上方に、層および／または構成部材（１５０）を配置または生成することによって複合構造体を生成することとを含み、この場合前記露出する表面（５）が前記固体（１）から分離すべき固体層（４）の構成部分であり、
さらに、前記剥離面（８）に沿って前記固体（１）から前記固体層（４）を分離することを含み、この場合圧縮応力を発生する前記複数の改質部（９）の少なくとも構成部分が前記固体層（４）上に残り、
この場合前記固体層（４）が前記固体（１）から分離されるほど多くの改質部（９）が生成され、
あるいは
この場合前記固体（１）内に他の応力を発生させるために、外力が前記固体（１）に加えられ、この場合外力は、応力が前記複数の改質部（９）によって形成された前記剥離面（８）に沿って亀裂の進行を生じるような強さであり、
さらに、前記改質部の部分によって生じる圧縮応力を少なくとも部分的に補償するために、前記固体（１）からの前記固体層（４）の分離によって露出する表面に金属層（２０）を生成することを含み、
前記外力を前記固体（１）に加えることが、
前記応力が機械的に発生するように、ポリマー材料を含む受容層（１４０）を、前記複合構造体の露出する表面上に、または、分離すべき前記固体層（４）上に、熱的に加えることと、
前記受容層（１４０）の前記ポリマー材料がガラス転移を終えて、前記機械的に発生した応力によって前記固体（１）内の亀裂が前記剥離面（８）に沿って広がって、前記亀裂が前記固体層（４）を前記固体（１）から分離するように、前記受容層（１４０）を周囲温度よりも低い温度に冷却することと、による、方法。
【請求項２０】
前記電気的な要素が、ショットキーダイオード（２００）および／またはトランジスタであり、この場合前記金属層がオーム接触部および／または熱排出のためのインターフェースを形成し、
平均して、前記固体層の平らな表面側の１ｃｍ２あたり、少なくとも４個の電気的な要素が生成される、請求項１９に記載の方法。