(57)【要約】【課題】本発明は送信信号による妨害の発生が少ない高周波信号受信装置を提供することを目的とするものである。【解決手段】本発明は、この課題を解決するために基板３１上に形成された受信回路を覆う金属性のシールドカバー３２を備え、前記受信回路には少なくともチップインダクタ２３ａを含むフィルタ２３と、このフィルタ２３の出力が供給される周波数変換部８とを設け、チップインダクタ２３ａは配線導体４２が敷設された絶縁部材４１が複数枚積層された積層体とし、チップインダクタ２３ａはチップインダクタ２３ａの磁束が基板３１の上面に対し垂直となる向きに装着されるとともに、少なくともチップインダクタ２３ａの上方がシールドカバー３２で覆われることにより、入力された送信信号によって発生した磁束が遮断されるものである。これにより、送信器の信号が入力されても、チップインダクタ２３ａからの送信信号の放射を少なくできる。【選択図】図１
2010135960.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、この基板上に装着された複数の電子部品によって形成された受信回路と、この受信回路を覆うように少なくとも前記電子部品の上方に設けられた金属性のシールド導体とを備え、前記受信回路には、受信アンテナで受信した第１の高周波信号が入力される入力端子と、少なくともチップインダクタを含むとともに、前記入力端子に接続されたフィルタと、このフィルタの出力が供給される周波数変換部と、この周波数変換部が接続された出力端子とを設け、前記チップインダクタは前記チップインダクタの磁束が前記基板の上面に対し垂直となる向きに装着されるとともに、少なくとも前記チップインダクタの上方が前記シールド導体で覆われることにより、前記磁束が遮断される高周波信号受信装置。
【請求項２】
前記基板の内層にはグランドパターンが形成され、前記チップインダクタの下方には前記グランドパターンが敷設された請求項１に記載の高周波信号受信装置。
【請求項３】
前記フィルタは前記チップインダクタとＳＡＷフィルタとの直列接続体とした請求項２に記載の高周波信号受信装置。
【請求項４】
前記チップインダクタにはコンデンサが並列に接続された請求項３に記載の高周波信号受信装置。
【請求項５】
前記入力端子は前記チップインダクタへ接続されるとともに、前記ＳＡＷフィルタの出力が前記周波数変換部へ供給された請求項３に記載の高周波信号受信装置。
【請求項６】
前記ＳＡＷフィルタと前記周波数変換部との間には巻き線型チップインダクタが挿入された請求項５に記載の高周波信号受信装置。
【請求項７】
前記シールド導体と前記チップインダクタとの間には絶縁部が形成された請求項１に記載の高周波信号受信装置。
【請求項８】
基板と、この基板上に装着された複数の電子部品によって形成された受信回路と、この受信回路を覆うように少なくとも前記電子部品の上方に設けられた金属性のシールド導体とを備え、前記受信回路には、受信アンテナで受信した第１の高周波信号が入力される入力端子と、少なくともチップインダクタを含むとともに、前記入力端子に接続されたフィルタと、このフィルタの出力が供給される周波数変換部と、この周波数変換部が接続された出力端子とを設け、前記チップインダクタは配線導体が敷設された絶縁部材が複数枚積層された積層体とし、前記チップインダクタは配線導体とシールド導体とが対向する向きに装着された高周波信号受信装置。
【請求項９】
前記基板の内層に設けられたグランドパターンは、前記チップインダクタの下方に敷設され、前記チップインダクタは基材上に前記積層体が積み重ねられて形成されるとともに、前記積層体側が前記基板に近接する向きで装着された請求項８に記載の高周波信号受信装置。
【請求項１０】
前記受信アンテナと、この受信アンテナに接続された請求項１または９に記載の高周波信号受信装置と、前記第１の高周波信号よりも高い周波数帯域の第２の高周波信号を送信する送信アンテナと、この送信アンテナが接続された送信器とを有し、前記フィルタは前記第２の周波数帯域を減衰する電子機器。
【請求項１１】
前記受信アンテナと、この受信アンテナが接続された請求項４に記載の高周波信号受信装置と、前記第１の高周波信号よりも高い周波数帯域の第２の高周波信号を送信する送信アンテナと、この送信アンテナが接続された送信器とを有し、前記チップインダクタと前記キャパシタとで構成されたトラップ回路の周波数は前記第２の周波数帯域内もしくは近傍の周波数とした電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、送信器と同じ筐体内に搭載される高周波信号受信装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来のチューナ１（高周波受信装置の一例として用いた）について図面を用いて説明する。図５は、従来のチューナ１を用いた携帯電話２の回路ブロック図である。
【０００３】
図５において従来の携帯電話２は、電話あるいは通信用の信号を送信する送信アンテナ３と、この送信アンテナ３が接続された送信器４と、ＴＶ放送信号を受信する受信アンテナ５と、この受信アンテナ５が接続されたチューナ１とを有している。
【０００４】
従来のチューナ１について説明を行う。従来のチューナ１において、受信アンテナ５で受信したＴＶ放送信号は入力端子６へと入力される。この入力端子６へ入力されたＴＶ放送信号はフィルタ７を介して周波数変換部８に入力される。この周波数変換部８には、局部発信器８ａと、一方の入力に局部発信器８ａの出力が供給されるとともに、他方にはフィルタ７の出力が接続された混合器８ｂと、この混合器８ｂの出力が接続されたフィルタ８ｃとを含み、希望チャンネルのＴＶ放送信号を規定の周波数の信号へと変換し、出力端子９から出力する。
【０００５】
このようなチューナ１におけるフィルタ７は、ＴＶ放送の周波数帯域を通過させ、それ以外の周波数帯域を阻止するように、ＳＡＷフィルタ７ａと３個のインダクタとで構成されている。このＳＡＷフィルタ７ａには、入力端子６とＳＡＷフィルタ７ａとのインピーダンス整合を取るためにインダクタ７ｂが挿入され、ＳＡＷフィルタ７ａと周波数変換部８との間のインピーダンス整合を取るためにインダクタ７ｃが挿入され、さらにＳＡＷフィルタ７ａの段間にインダクタ７ｄが接続されている。
【０００６】
ここで通信用に用いられる信号の周波数は、ＴＶ放送で使用している周波数帯域の上限の周波数に対し非常に近い周波数である。例えば日本におけるＴＶ放送において使用される周波数帯域は４７０ＭＨｚから７７０ＭＨｚであり、一方通信に用いられる周波数帯域は８００ＭＨｚ帯が用いられている。また、送信器４から出力された信号は遠方の基地局まで到達させる必要があるので、非常に大きなレベルの信号である。一般的な携帯電話２において、送信アンテナ３から出力される信号のレベルは０．２５Ｗから１Ｗ程度である。
【０００７】
ところがこのような大きな送信信号が受信アンテナ５を介して周波数変換部８へ入力されると、受信信号が飽和、歪を発生してＴＶ放送が受信できなくなる。そこでＳＡＷフィルタ７ａの通過特性には、ＴＶ放送の通過帯域に近い側の周波数帯である８００ＭＨｚ帯に対してノッチを入れておくことにより、このような大きなレベルの通信用の信号が周波数変換部８へ入力されないようにしている。
【０００８】
ここでフィルタ７は４７０ＭＨｚから７７０ＭＨｚまでの周波数に対する信号の通過損失を小さくし、かつ送信周波数帯である８００ＭＨｚ帯の周波数に対しては大きな減衰量を確保しなければならない。そこで一般的にはこれらのインダクタ７ｂ、インダクタ７ｃ、インダクタ７ｄにはＱ値の大きな空芯コイルなどが用いられる。
【０００９】
ところが通信用の信号としては８００ＭＨｚ帯以外にも２ＧＨｚも用いられており、この周波数の信号が、インダクタ７ｂ、インダクタ７ｃ、インダクタ７ｄなどの結合によって、周波数変換部８へ入力されることが考えられる。そこで、これらの結合を防ぐためにインダクタ７ｂ、７ｃ、７ｄのそれぞれを金属ケース１０ａ、１０ｂ、１０ｃなどで覆うことにより、２ＧＨｚの信号が周波数変換部８へ入力されることを防止している。また他の方法として、これらのインダクタ７ｂ、７ｃ、７ｄに対して、フェライトなどにより磁気シールドされたコイルを用いる方法もある。
【００１０】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１、２が知られている。
【特許文献１】特開平０３−１７５８０８号公報
【特許文献２】実開昭６３−５６８１９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、従来のチューナ１におけるフィルタ７では、インダクタ７ｂ、インダクタ７ｃ、インダクタ７ｄに対し金属ケース１０ａ、１０ｂ、１０ｃや磁気シールド品を用いるなどしなければ、送信信号に対しインダクタ７ｂ、７ｃ、７ｄがアンテナとなり、それぞれのインダクタ７ｂ、７ｃ、７ｄ間での結合や、インダクタ７ｂと周波数変換部８の入力部配線などの間の結合などによって、通信用の信号が周波数変換部８へ入力されてしまう課題を有していた。
【００１２】
そこで本発明は、この問題を解決したもので、金属ケース１０ａ、１０ｂ、１０ｃあるいは磁気シールド品を用いずとも、送信器４の信号が周波数変換部８へ入力され難く、通信用の信号による妨害が発生し難い高周波信号受信装置を提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この目的を達成するために基板上に装着された複数の電子部品の上方に設けられた金属性のシールド導体を備え、この受信回路のフィルタに用いるチップインダクタは、前記チップインダクタの磁束が前記基板の上面に対し垂直となる向きに装着されるとともに、少なくとも前記チップインダクタの上方が前記シールド導体で覆われることにより、前記磁束が遮断されるものである。これにより所期の目的を達成することができる。
【発明の効果】
【００１４】
以上のように本発明によれば、基板上に装着された複数の電子部品によって形成された受信回路と、この受信回路を覆うように少なくとも前記電子部品の上方に設けられた金属性のシールド導体とを備え、前記受信回路には、受信アンテナで受信した第１の高周波信号が入力される入力端子と、少なくともチップインダクタを含むとともに、前記入力端子に接続されたフィルタと、このフィルタの出力が供給される周波数変換部と、この周波数変換部が接続された出力端子とを設け、前記チップインダクタは前記チップインダクタの磁束が前記基板の上面に対し垂直となる向きに装着されるとともに、少なくとも前記チップインダクタの上方が前記シールド導体で覆われることにより、前記磁束が遮断される高周波信号受信装置である。
【００１５】
これによりチップインダクタの配線導体がシールド導体と対向するので、シールド導体により磁気シールドされる。従って、たとえチップインダクタに対して送信器の信号が入力されても、その信号が放射され難くなるので、送信器の信号が周波数変換部へ入力され難くなり、通信用の信号による妨害が発生し難い高周波信号受信装置を実現できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
（実施の形態１）
以下、本実施の形態におけるチューナ２１（高周波信号受信装置の一例として用いた）について図面を用いて説明する。図４は本実施の形態における携帯電話２２（電子機器の一例として用いた）におけるチューナ２１の回路である。なお、図４において、図１と同じものには同じ番号を用い、その説明は簡略化している。
【００１７】
図４において、本実施の形態における携帯電話２２は、電話あるいは通信用の信号（第２の高周波信号の一例として用いた）を送信する送信アンテナ３と、この送信アンテナ３が接続された送信器４と、ＴＶ放送信号（高周波信号の一例として用いた）を受信する受信アンテナ５と、この受信アンテナ５が接続されたチューナ２１とを有している。ここでは、日本におけるデジタルＴＶ放送を例に説明する。従って、本実施の形態においてチューナ２１は、４７０ＭＨｚから７７０ＭＨｚの周波数の信号を受信する。
【００１８】
本実施の形態におけるチューナ２１について説明を行う。チューナ２１において、受信アンテナ５で受信したＴＶ放送信号は入力端子６へと入力される。この入力端子６へ入力されたＴＶ放送信号はフィルタ２３を介して周波数変換部８に入力される。この周波数変換部８には、局部発信器８ａと、一方の入力に局部発信器８ａの出力が供給されるとともに、他方にはフィルタ７の出力が接続された混合器８ｂと、この混合器８ｂの出力が接続されたローパスフィルタ８ｃとを含み、希望チャンネルのＴＶ放送信号を規定の周波数の信号へと変換し、出力端子９から出力する。なお、本実施の形態における混合器８ｂでは、受信希望のチャンネルの信号を５００ＫＨｚの中間周波数の信号へと変換して出力するものとする。
【００１９】
本実施の形態のチューナ２１において、送信器４から送信される信号による妨害について詳しく説明する。本実施の形態における携帯電話２２では、電話あるいはデータなどの通信のために、８００ＭＨｚ帯と２ＧＨｚ帯との周波数帯域の信号が用いられる。送信器４は、音声信号やデータなどの信号を８００ＭＨｚ帯もしくは２ＧＨｚ帯の周波数の送信信号へと変換し、送信アンテナ３を介して空中に放射する。このとき遠方にある基地局まで送信信号を確実に届けるために、送信信号は０．２５Ｗから１Ｗ程度の大きなレベルで送信アンテナ３から放射される。
【００２０】
携帯電話２２のような携帯機器において、受信アンテナ５は送信アンテナ３と同じ筐体内に近接して配置される。従って受信アンテナ５は、送信信号のレベルがほとんど減衰しないままの送信信号を受信することになる。一般的に送信アンテナ３と受信アンテナ５との間ではアイソレーション量が、１０ｄＢ程度であるので、受信アンテナ５には０．０２５Ｗから０．１Ｗ程度のレベルの送信信号が入力されることとなる。
【００２１】
一方チューナ２１に対しては、放送局から送られてくる非常に小さなレベルの信号を受信することが要求される。本実施の形態におけるチューナ２１では、−１００ｄＢｍ程度のレベルの放送でも受信を可能としてある。そこで、このような小さなレベルの信号を良好に受信するために、周波数変換部８において混合器８ｂの前に増幅器８ｄが挿入されている。ところがこのように小さなレベルの信号を増幅するように設定された増幅器８ｄに対して、ＴＶ放送信号に比べ非常にレベルの大きな送信信号が入力されると、増幅器８ｄの飽和によって出力信号に歪を生じ、これにより受信波への妨害が発生する。
【００２２】
またたとえ、増幅器８ｄへ入力される送信信号のレベルが、増幅器８ｄの飽和レベルに達しない場合でも妨害が発生する場合がある。本実施の形態におけるチューナ２１においては、たとえば４３ｃｈの放送を受信しようとした場合に発生する。４３ｃｈの放送信号の周波数は６５３．１４３ＭＨｚである。ここで、混合器８ｂからの出力信号の周波数（以降ＩＦ周波数という）が５００ＫＨｚであるので、局部発信器８ａの発振周波数は、６５２．６４３ＭＨｚとなる。
【００２３】
一般的に局部発信器８ａでは、基本波だけでなく、基本波の整数倍の周波数をもつ高調波も同時に出力している。たとえば４３ｃｈを受信する場合に、局部発信器８ａの３次高調波の周波数は、１９５７．９２９ＭＨｚとなる。そして、送信器４から入力された送信信号の周波数が、３次高調波からＩＦ周波数だけはなれた周波数である場合、３次高調波と送信器４の送信信号（１９５７．２ＭＨｚ）とが、混合器８ｂで混合されＩＦ周波数と近い周波数へと変換されることで、妨害が発生する。
【００２４】
そこで、本実施の形態のように送信器４とチューナ２１とが同じ筐体内に収納され、また送信アンテナ３と受信アンテナ５とを有した機器に用いられるチューナ２１では、送信器４から送信される信号が周波数変換部８へ入力されないようにすることが必要となる。
【００２５】
次に、本実施の形態において、送信器４の送信信号の周波数変換部８への入力を防ぐチューナ２１の構成について説明する。フィルタ２３はＴＶ放送の周波数帯域を通過させ、それ以外の周波数帯域を阻止させるものである。具体的には、４７０ＭＨｚから７７０ＭＨｚは通過するバンドパスフィルタの特性に、８００ＭＨｚ帯の周波数を減衰させるノッチフィルタの特性が兼ね備えられたものである。
【００２６】
そして本実施の形態においてフィルタ２３は、ＳＡＷフィルタ７ａと３個のチップ型のインダクタと、１個のチップ型コンデンサとを含んでいる。ＳＡＷフィルタ７ａの入力端子６側には、積層型のチップインダクタ２３ａが接続され、入力端子６とＳＡＷフィルタ７ａとのインピーダンス整合を取る。一方ＳＡＷフィルタ７ａの周波数変換部８側には、チップインダクタ２３ｂが接続され、ＳＡＷフィルタ７ａと周波数変換部８との間のインピーダンス整合を取る。なおＳＡＷフィルタ７ａの段間には、チップインダクタ２３ｃが挿入されている。本実施の形態においてチップインダクタ２３ｂ、２３ｃには、比較的Ｑ値が高い巻き線型のチップインダクタを用いている。これによって、フィルタ２３における減衰特性を急峻にできる。従って、ＴＶ放送信号の周波数帯域と非常に近い８００ＭＨｚ帯の送信信号を良好に減衰させることができる。一方、フィルタ２３の通過帯域である４７０ＭＨｚから７７０ＭＨｚの周波数に対しては、信号の通過損失を小さくできるので、微弱なＴＶ放送信号（弱電界）をも良好に受信することが可能となる。
【００２７】
さらに本実施の形態においてチップインダクタ２３ａには、このチップインダクタ２３ａと並列にチップコンデンサ２３ｄを接続している。これによって、トラップフィルタが構成され、フィルタ２３における送信信号の周波数に対する減衰量をさらに大きくできる。従って、さらにフィルタ２３は、送信信号をさらに減衰させることができるので、送信信号が周波数変換部８へ入力され難くできる。本実施の形態では、チップインダクタ２３ａと並列にチップコンデンサ２３ｄを接続したが、これはチップインダクタ２３ｂと並列に接続してもよい。あるいは両方に対して、チップコンデンサ２３ｄを並列に接続してもよい。なお本実施の形態においては、チップコンデンサ２３ｄとチップインダクタ２３ａとの共振周波数を送信信号の周波数である約２ＧＨｚとしている。
【００２８】
以上のような構成により、送信信号がフィルタ２３などの回路を経由して周波数変換部８へ入力される経路に関して説明した。しかし送信信号が周波数変換部８へ入力される経路はこれ以外にも存在する。具体的には、チップインダクタ２３ａ、２３ｂ、２３ｃが微小アンテナとして動作し、インダクタから送信信号が放射されたり、あるいはインダクタ同士あるいはインダクタと回路間での結合などによって、送信信号が直接各インダクタや回路へ飛び込んだりすることによるものである。これは、送信アンテナ３から放射される送信信号のレベルが非常に大きいため、インダクタがアンテナとして働き、これらのチップインダクタ２３ａ、２３ｂ、２３ｃが送信信号を受信あるいは放射してしまうことにより発生する。
【００２９】
次に送信信号が、このような飛び込みや放射などによって、周波数変換部８へ入力され難くする構成について説明する。図１は、本実施の形態におけるチューナの断面図であり、図２は同、要部拡大図であり、図３は積層型のチップインダクタの分解図である。なおこれらの図面において、図４や図５と同じものには、同じ番号を用いており、その説明は簡略化している。
【００３０】
図１、図２において基板３１は多層基板であり、この基板３１の上面側にＳＡＷフィルタ７ａ、チップインダクタ２３ａ、チップインダクタ２３ｂ、チップインダクタ２３ｃや周波数変換部８を構成する回路部品などの複数の電子部品が搭載され、フィルタ２３や周波数変換部８などを含む受信回路が構成されている。
【００３１】
ここで入力端子６は、基板３１の下面において、フィルタ２３の近傍となる位置に設けられる。一方、出力端子９は、基板３１の下面において、周波数変換部８の近傍となる位置に設けられる。これら入力端子６や出力端子９は、基板３１の上面に形成された受信回路部品とスルーホールによって接続されている。また、本実施の形態において基板３１は６層基板であり、上から３層目に受信回路のグランド層３１ａが形成されている。このグランド層３１ａは、いわゆるベタグランドであり、入力端子６や出力端子９などのスルーホールの箇所を除いて、基板３１の全面に亘って形成されている。
【００３２】
そしてこのように形成された受信回路は、基板３１の上面にシールドカバー３２（シールド導体の一例として用いた）が装着され、シールドされる。このシールドカバー３２には、電子部品の上方に設けられた天面部と、この天面部の四方に折り曲げて形成された側面部とを有し、この側面部がグランド層３１ａと接続される。これにより受信回路はシールドカバー３２とグランド層３１ａとによって囲まれることとなるので、良好にシールドができる。従って、送信器４の信号が直接受信回路へ飛び込むことを阻止している。特にインピーダンス値が高く、信号の飛び込みが発生しやすいチップインダクタ２３ａ、２３ｂ、２３ｄなどへの直接の飛び込みを防止できる。
【００３３】
ここでグランド層３１ａは、スルーホールを介して、基板３１の下面に設けられたグランド端子３３へ接続されている。一方受信回路のグランドは基板３１の下面に設けられたグランド端子３４へと接続される。つまり受信回路のグランドは、基板３１においてシールドカバー３２やグランド層３１ａとは接続しない。このように受信回路のグランドを分離しておけば、たとえシールドカバー３２やグランド層３１ａに対して送信信号が飛び込んでも、チップインダクタ２３ａ、２３ｂ、２３ｄなどへの直接の飛び込みを防止できる。
【００３４】
本実施の形態において、チップインダクタ２３ａには積層型のチップインダクタを用いる。図３は本実施の形態における積層型チップインダクタの分解図である。図３において、セラミック製の絶縁部材４１には、配線導体４２が配線されている。そして積層型のチップインダクタ２３ａは、絶縁部材４１が複数枚積層された積層体の上に無垢の絶縁部材４１が積み重ねられ、配線導体同士がスルーホール４３によって接続されることで、コイルが形成されたものである。
【００３５】
このような積層型のチップインダクタ２３ａにおいて発生する磁束の方向は、絶縁部材４１ａや配線導体４２ａの積層された方向へ発生することとなる。そして、本実施の形態におけるチューナ２１において、チップインダクタ２３ａは、各配線導体４２がシールドカバー３２およびグランド層３１ａと対向する方向に装着されている。
【００３６】
以上のような構成において、積層型のチップインダクタ２３ａの上方にはシールドカバー３２、下方にはグランド層３１ａを設けておく。この積層型のチップインダクタ２３ａで発生する磁束は、基板３１の上面に対して垂直となる方向に発生することとなる。従ってシールドカバー３２とグランド層３１ａとの間にチップインダクタ２３ａが挟まれているので、チップインダクタ２３ａで発生する磁束は遮断されることとなる。これにより、チップインダクタ２３ａが他のインダクタや回路と結合し難くなり、送信器４の送信信号が入力端子６から入力された場合でも、チップインダクタ２３ａからの送信信号の放射を防止できる。従って、送信器４の送信信号が周波数変換部８へ入力され難くなり、送信器４の信号による妨害の発生が少ないチューナ２１を実現できる。
【００３７】
このことより、チップインダクタ２３ｂ、チップインダクタ２３ｃにも積層型のチップインダクタを用いれば、さらに送信信号の飛び込みや放射による妨害が発生しにくくできる。これは、送信器４の送信信号のレベルが本実施の形態よりも大きい場合、特に有効となる。
【００３８】
ところが、フィルタ２３に対し急峻な減衰特性を得るためには、フィルタ２３の整合用として用いるチップインダクタはＱ値の高い巻き線型のチップインダクタを用いることが望ましい。そこで本実施の形態では、３個のチップインダクタのうち２個は巻き線型のチップインダクタを用い、１個のみに積層型のチップインダクタを用いる。このとき、ＳＡＷフィルタ７ａの入力端子６側のチップインダクタ２３ａを積層型のチップインダクタとすると良い。
【００３９】
これは、チップインダクタ２３ｂや２３ｃに入力される送信信号波は、ＳＡＷフィルタ７ａで既に減衰させられているので、チップインダクタ２３ｂや２３ｃにおける送信信号のレベルは小さくなっている。従って、チップインダクタ２３ｂや２３ｃにおいては、送信信号の放射レベルは低下している。そこで、送信アンテナ３と受信アンテナ５との間のアイソレーション量が大きい場合や、送信器４からの送信信号のレベルがさほど大きくないような場合には、チップインダクタ２３ａには積層型のチップインダクタを用い、チップインダクタ２３ｂや２３ｃにはＱ値の大きな巻き線型のチップインダクタを用いてもよい。これによって、フィルタ２３は急峻な減衰特性を実現できるとともに、フィルタ２３の通過帯域において信号の通過損失も小さくできる。
【００４０】
そしてさらに本実施の形態では、チップインダクタ２３ａに対してチップコンデンサ２３ｄを並列接続し、２ＧＨｚに対するトラップフィルタが構成されている。つまりこの構成によって、さらに２ＧＨｚの送信信号のレベルを減衰させることができる。これによって、チップインダクタ２３ｂやチップインダクタ２３ｃへ入力される送信信号のレベルをさらに小さくできる。従って、チューナ２１に本実施の形態のような大きなレベルの送信信号が入力されるような場合においても、これらのチップインダクタ２３ｂ、チップインダクタ２３ｃに対して巻き線型のチップインダクタを用いることができ、フィルタ２３に対して良好な減衰特性を得ることができるとともに、送信信号の放射を少なくすることができるので、さらに送信信号による妨害の発生が少ないチューナ２１を得ることができる。
【００４１】
このようなチューナ２１においては、送信信号をできる限り受信回路の入力端子６に近い場所で減衰させ、以降の回路への入力や飛び込みを小さくすることが望ましい。そこで本実施の形態では、受信回路の初段であるチップインダクタ２３ａに積層型のチップインダクタを用いる。これにより受信回路の初段であるチップインダクタ２３ａにおいて、受信信号によって生じる磁束は、シールドカバー３２やグランド層３１ａとの間に閉じ込められる。これにより、受信信号による磁束をしっかりと遮断できるので、チップインダクタ２３ａからの送信信号の放射を小さくできる。さらに、このチップインダクタ２３ａに対しチップコンデンサ２３ｄを並列に接続して送信信号を減衰させるトラップフィルタ２３を構成しているので、受信回路の初段で送信信号を減衰でき、送信信号が回路を経由して周波数変換部８へ入力されることを防ぐことができる。そしてさらに、チップインダクタ２３ａとチップコンデンサ２３ｄとによるトラップフィルタと、入力端子６との間を接続するパターンは極力短くしておく。そのためにチップインダクタ２３ａは、入力端子６のすぐ上の位置に配置している。この構成により、送信信号による妨害を発生の少ないチューナ２１を得ることができることとなる。
【００４２】
なお、本実施の形態では、基板３１には６層基板を用い、グランド層３１ａは３層目に設けている。したがって、チップインダクタ２３ａとグランド層３１ａとの間の距離４４は非常に近接しておりこれによりチップインダクタ２３ａの下方に対して、グランド層３１ａが近接することとなるので、さらに良好にチップインダクタ２３ａが発生する磁束を確実に遮断できる。
【００４３】
さらに本実施の形態におけるシールドカバー３２の内面側には、絶縁部４５を設けている。これにより、チップインダクタ２３ａの上面とシールドカバー３２との間の短絡が生じないので、その間の距離４６も非常に小さくできる。これによりチップインダクタ２３ａの上方向に対して、シールドカバー３２が近接することとなるので、さらに良好にチップインダクタ２３ａが発生する磁束を確実に遮断できる。
【００４４】
本実施の形態において絶縁部４５は、電子部品の電極部とシールドカバーの接触防止のために用い、シールドカバー３２にポリイミドフィルム等の絶縁物を貼り付けることによって形成されている。ポリイミドフィルムなどの絶縁物は、印刷などにより形成した絶縁に比べてピンホールが少ないので、チップインダクタ２３ａとシールドカバー３２との間の距離をさらに小さくできる。これにより本実施の形態では、距離４６は例として０．１５ｍｍとしているので、非常にその遮断効果は良好である。
【００４５】
以上説明したように、磁束を良好に遮断するためには、距離４４や距離４６を小さくすることが望ましい。しかし、距離４４や距離４６を小さくすると、チップインダクタ２３ａとシールドカバー３２との間やチップインダクタ２３ａとグランド層３１ａとの間に浮遊容量が発生する。
【００４６】
そこで、本実施の形態ではチップインダクタ２３ａに積層型のチップインダクタを用いているので、配線導体４２とシールドカバー３２、あるいは配線導体４２とグランド層３１ａとが対向する面積が小さくなる。従って、チップインダクタ２３ａとシールドカバー３２との間やチップインダクタ２３ａとグランド層３１ａとの間に浮遊容量の値が小さくなるので距離４４や距離４６のばらつきによる変動も小さい。従って、積層型のチップインダクタを用いれば、チップインダクタの装着位置やシールドカバー３２自体の寸法ばらつきや、シールドカバー３２の装着のばらつき（浮き）などによる、フィルタ２３の通過特性の変化が少なくなる。本実施の形態では、チップインダクタ２３ａに対して積層型のチップインダクタが用いられている。従って、特にチップインダクタ２３ａとチップコンデンサ２３ｄとで構成されたトラップフィルタが減衰する周波数のばらつきを小さくできる。
【００４７】
ここで、チップインダクタ２３ｂ、２３ｃはシールドカバー３２の側面（基板３１の外縁）からできる限り離した位置に配置すると良い。従ってこれらを基板３１中央に配置できれば良いが、回路のレイアウト的に不可能であり、一般的にチップインダクタ２３ａ、２３ｂ、２３ｃはシールドカバー３２の近傍に配置されている。そこでこのような場合、チップインダクタ２３ｂ、２３ｃに比べ、チップインダクタ２３ａがシールドカバー３２に近い位置に配置される。これにより、たとえシールドカバー３２の装着ばらつき（浮き）などによって、シールドカバー３２の側面下端部と基板３１上面との間に隙間を有していても、送信信号のチップインダクタ２３ｂ、２３ｃへの飛び込みを少なくできる。
【００４８】
さらに、本実施の形態ではチップインダクタ２３ａに積層型のチップインダクタを用いたが、これは薄膜型のチップインダクタやフィルム型のチップインダクタなどを用いても良い。これらは、セラミックなどの絶縁基材上に、配線導体が形成された薄膜（あるいはフィルム）などの絶縁部材が複数層積層されたものである。ただし、このような薄膜型のチップインダクタやフィルム型のチップインダクタを用いる場合、絶縁部材の積層された側が基板上面と対向する向きで実装すると良い。これは、一般的にチップインダクタよりも高さが（厚さ）高い部品（ＳＡＷフィルタ７ａや周波数変換部８など）があり、距離４４の方が距離４６よりも小さいため、絶縁部材の積層された側を基板上面に対向する向きで実装した方が磁束の遮断効果が大きいためである。
【００４９】
さらにまた本実施の形態において絶縁部４５は、シールドカバー３２の内側にポリイミドによるフィルムを貼り付けることで形成したが、これはシールドカバーに樹脂などを印刷して形成しても良い。また、基板３１の上面とシールドカバー３２との間の空間に、樹脂などを充填して形成しても良い。そしてこの場合、シールドカバー３２に代えて、メッキや導電性ペーストなどによって形成した表皮効果を無視できるような厚さの金属膜としても良い。
【００５０】
また本実施の形態では、シールドカバー３２と受信回路とのグランドとをそれぞれ別に設けた。しかしこれは、実質的にシールドカバー３２やグランド層３１ａに飛び乗った送信信号が、チップインダクタ２３ａなどへ入り込まない程度に接続されていても構わない。このときには、受信回路のグランドはフィルタ２３が形成された領域から離れてグランド層３１ａへ接続する。このようにしておくことにより、送信信号が、グランド層３１ａを介してチップインダクタ２３ａへ飛び込みを少なくできる。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明にかかる高周波信号受信装置は、送信器から送信される送信信号による妨害が少ないという効果を有し、通信用の送信回路と共に用いられる携帯電話などに搭載されるＴＶチューナ等に用いると有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本実施の形態におけるチューナの断面図
【図２】同、要部を拡大した断面図
【図３】同、チップインダクタの分解図
【図４】同、携帯電話の回路ブロック図
【図５】従来の携帯電話の回路ブロック図
【符号の説明】
【００５３】
５  受信アンテナ
６  入力端子
８  周波数変換部
９  出力端子
２１  チューナ
２３  フィルタ
２３ａ  チップインダクタ
３１  基板
３２  シールドカバー
４１  絶縁部材
４２  配線導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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