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【手続補正書】
【提出日】令和3年10月8日(2021.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被験者の心血管系内の少なくとも第１の固定位置と少なくとも第２の固定位置との間の脈波伝達時間（ＰＴＴ）を判定するための少なくとも第１および第２のウェアラブルセンサを含む、携帯型システムであって、
少なくとも第１のデバイスであって、前記第１のデバイスが、前記被験者の皮膚に接触することができ、前記第１のデバイスが、前記第１の固定位置に近接して配置される、第１のデバイスと、
少なくとも第２のデバイスであって、前記第２のデバイスが、前記被験者の皮膚に接触することができ、前記第２のデバイスが、前記第２の固定位置に近接して配置される、第２のデバイスと、
前記第１および第２のデバイスと通信するデータ収集モジュールと、を含み、
前記第１のデバイスが、前記被験者の心周期内のタイミングキューを検出するように構成されており、前記第２のデバイスが、前記第２の固定位置を通過する脈圧波を検出するように構成されており、前記データ収集モジュールが、前記第２の固定位置を通過する前記脈圧波の遷移に関するデータを収集し、それにより、前記第１の固定位置と前記第２の固定位置との間の脈波伝達時間（ＰＴＴ）の判定を可能にする、システム。
【請求項２】
前記システムが、前記ＰＴＴから脈波伝播速度（ＰＷＶ）測定値を判定するように構成されている、請求項１に記載の携帯型システム。
【請求項３】
前記システムが、血圧測定値を判定するように構成されている、請求項１に記載の携帯型システム。
【請求項４】
前記第１のデバイスが、表面心電図（ＥＣＧ）の少なくとも１つのセンサを含む、請求項１に記載の携帯型システム。
【請求項５】
前記タイミングキューが、前記ＥＣＧのＱＲＳ複合の少なくとも一部の時間である、請求項４に記載の携帯型システム。
【請求項６】
前記第１のデバイスが、超音波トランスデューサを含む、請求項１に記載の携帯型システム。
【請求項７】
前記第１のデバイスが、前記第１の固定位置を通過する脈圧波を検出するように構成されている、請求項６に記載の携帯型システム。
【請求項８】
前記タイミングキューが、前記第１の固定位置を通過する脈圧波である、請求項７に記載の携帯型システム。
【請求項９】
前記第２のデバイスが、超音波トランスデューサを含む、請求項１に記載の携帯型システム。
【請求項１０】
前記第１および第２のデバイスが、パッチ内に含まれる、請求項１に記載の携帯型システム。
【請求項１１】
前記第１のデバイスが第１のパッチ内に含まれ、前記第２のデバイスが第２のパッチ内に含まれる、請求項１に記載の携帯型システム。
【請求項１２】
前記パッチのうちの１つ以上の一部または全部が、皮下に埋め込まれている、請求項１１に記載の携帯型システム。
【請求項１３】
前記パッチのうちの１つ以上が、前記被験者の身体の表面上に位置する、請求項１１に記載の携帯型システム。
【請求項１４】
前記パッチのうちの１つ以上が、生体適合性接着剤を含む、請求項１１に記載の携帯型システム。
【請求項１５】
前記生体適合性接着剤が親水コロイド接着剤である、請求項１４に記載の携帯型システム。
【請求項１６】
前記第１の固定位置は、心臓、任意選択で、大動脈弁内に含まれる、請求項１に記載の携帯型システム。
【請求項１７】
前記デバイスのうちの１つ以上が、電気皮膚反応、温度、心拍数、フォトプレチスモグラフィー、および運動のうちの１つ以上を測定するように構成されているセンサも含む、請求項１に記載の携帯型システム。
【請求項１８】
前記固定位置のうちのいずれかが、大動脈弓、下行大動脈、下大静脈、上大静脈、上腕動脈、大腿動脈および頸動脈のうちの１つ以上から選択される身体構造の一部または全部である、請求項１に記載の携帯型システム。
【請求項１９】
前記デバイスのうちのいずれかが、超音波エコーウィンドウと登録されて配置される、請求項１に記載の携帯型システム。
【請求項２０】
前記超音波エコーウィンドウが、心尖部長軸、胸骨上、傍胸骨長軸左心室、傍胸骨短軸大動脈弁レベル、大動脈弓の高さの後部、腸骨分岐部のすぐ上の後部、左頸動脈、右頸動脈、肋骨下４室短軸（ＩＶＣ）、右鎖骨上（ＳＶＣ）、左上腕動脈、右上腕動脈、左大腿動脈、および右大腿動脈のうちの１つ以上から選択される、請求項１９に記載の携帯型システム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年6月2日(2021.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
側方視野角を有する内視鏡（２）用の偏向プリズムアセンブリ（２０）であって、プリズムホルダ（３０）と前記プリズムホルダ（３０）に収容された偏向プリズム（２２）とを備え、前記偏向プリズム（２２）は、光出口面（２７）、および、該プリズムに対し斜めに配置された光導入面（２６）を有し、側面（２３）は、前記光導入面および前記光出口面の間に延びる、前記プリズムホルダ（３０）が前記偏向プリズム（２２）の前記側面（２３）における特定範囲を囲うようにして、前記プリズムホルダ（３０）が前記偏向プリズム（２２）を収容することを特徴とする、偏向プリズムアセンブリ（２０）。
【請求項２】
前記プリズムホルダ（３０）は、前記プリズムホルダ（３０）が前記偏向プリズム（２２）の潜在的外周のいずれかにおいて、前記偏向プリズム（２２）を完全には内包しないように形成され、前記外周は前記偏向プリズム（２２）の前記側面（２３）上において、前記光出口面（２７）と平行に走ることを特徴とする、請求項１に記載の偏向プリズムアセンブリ（２０）。
【請求項３】
前記プリズムホルダ（３０）は、第１の部分（３０ａ）と第２の部分（３０ｂ）とを備え、前記第１の部分（３０ａ）は前記偏向プリズム（２２）の全長に沿って延び、前記第２の部分（３０ｂ）は前記偏向プリズム（２２）の一部の長さに沿って延び、前記長さとは、前記偏向プリズム（２２）の前記前記光出口面（２７）に対する垂直方向での延長であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の偏向プリズムアセンブリ（２０）。
【請求項４】
前記光導入面（２６）は、斜め配置のために、前記光出口面（２７）に対して近辺部分面（２６ｂ）および遠方部分面（２６ａ）を有し、前記プリズムホルダ（３０）の第１の部分（３０ａ）は、前記光出口面（２７）から前記近辺部分面（２６ｂ）まで延び、前記プリズムホルダ（３０）の第２の部分（３０ｂ）は、前記光出口面（２７）から前記遠方部分面（２６ａ）の方向に延びることを特徴とする、請求項３に記載の偏向プリズムアセンブリ（２０）。
【請求項５】
前記プリズムホルダ（３０）の第２の部分（３０ｂ）は上側保持面（３２）を備え、前記偏向プリズム（２２）の反射面（２８）は前記上側保持面（３２）に固定されていることを特徴とする、請求項３又は４に記載の偏向プリズムアセンブリ（２０）。
【請求項６】
前記プリズムホルダ（３０）の第１の部分（３０ａ）は下側保持面（３４ａ、３４ｂ、３４ｃ）を備え、前記偏向プリズム（２２）は相補形状となる底面（２９ａ、２９ｂ、２９ｃ）を備え、前記下側保持面（３４ａ、３４ｂ、３４ｃ）および前記底面（２９ａ、２９ｂ、２９ｃ）は、前記光出口面（２７）に垂直に配置され、前記底面（２９ａ、２９ｂ、２９ｃ）は前記下側保持面（３４ａ、３４ｂ、３４ｃ）に固定されていることを特徴とする、請求項５に記載の偏向プリズムアセンブリ（２０）。
【請求項７】
前記プリズムホルダ（３０）の第１の部分（３０ａ）は、少なくとも２つの隣接する下側保持面（３４ａ、３４ｂ、３４ｃ）を備え、前記偏向プリズム（２２）は、前記下側保持面（３４ａ、３４ｂ、３４ｃ）に付随する底面（２９ａ、２９ｂ、２９ｃ）を備えることを特徴とする、請求項６に記載の偏向プリズムアセンブリ（２０）。
【請求項８】
総角度（α）、すなわち前記隣接する下側保持面（３４ａ、３４ｂ、３４ｃ）の個々の角度の合計が、６０°から１２０°の間であることを特徴とする、請求項７に記載の偏向プリズムアセンブリ（２０）。
【請求項９】
第１の部分（３０ａ）と第２の部分（３０ｂ）とは前記プリズムホルダ（３０）の止め具（３０ｃ）によって接続され、前記止め具（３０ｃ）は、環状であることを特徴とする、請求項６から８のいずれか１項に記載の偏向プリズムアセンブリ（２０）。
【請求項１０】
前記止め具（３０ｃ）は、前記偏向プリズム（２２）の前記光出口面（２７）に平行な面である接触面（３３）を備え、前記光出口面（２７）は前記接触面（３３）の特定範囲に位置することを特徴とする、請求項９に記載の偏向プリズムアセンブリ（２０）。
【請求項１１】
ギャップ幅を有する接着ギャップ（３５）は、前記下側保持面（３４ａ、３４ｂ、３４ｃ）と前記付随する底面（２９ａ、２９ｂ、２９ｃ）の間、および／または、前記上側保持面（３２）と前記付随する反射面（２８）の間に構成され、前記光出口面（２７）が前記接触面（３３）の特定範囲に位置する場合に、製造交差を考慮した上で、前記下側保持面（３４ａ、３４ｂ、３４ｃ）が前記底面（２９ａ、２９ｂ、２９ｃ）のどの位置にも位置しない程、および／または、前記上側保持面（３２）が前記反射面（２８）のどの位置にも位置しない程に、前記ギャップ幅が大きいことを特徴とする、請求項１０に記載の偏向プリズムアセンブリ（２０）。
【請求項１２】
前記側面（２３）の外周の少なくとも３分の１が円形であることを特徴とする、請求項１から１１のうちいずれか１つに記載の偏向プリズムアセンブリ（２０）。
【請求項１３】
前記プリズムホルダ（３０）の外周の少なくとも３分の１が円形であることを特徴とする、請求項１から１２のいずれか１項に記載の偏向プリズムアセンブリ（２０）。
【請求項１４】
請求項１から１３のいずれか１項に記載の偏向プリズムアセンブリ（２０）を備える内視鏡（２）。
【請求項１５】
側方視野角を有する内視鏡（２）用のプリズムホルダ（３０）および偏向プリズム（２２）を備える、偏向プリズムアセンブリ（２０）の組立方法であって、
前記偏向プリズム（２２）の側面（２３）の外周および前記プリズムホルダ（３０）の外周を位置合わせすることにより、前記偏向プリズム（２２）を前記プリズムホルダ（３０）に対してセンタリングする工程と、
前記偏向プリズム（２２）の光出口面の特定範囲（２７）を、前記プリズムホルダ（３０）の接触面（３３）に位置させるようにすることにより、前記プリズムホルダ（３０）に対し、前記偏向プリズム（２２）を位置合わせする工程と、
前記偏向プリズム（２２）の少なくとも１つの底面（２９ａ、２９ｂ、２９ｃ）を、前記プリズムホルダ（３０）の少なくとも１つの下側保持面（３４ａ、３４ｂ、３４ｃ）に固定し、前記偏向プリズム（２２）の反射面（２８）を前記プリズムホルダ（３０）の上側保持面（３２）に固定する工程と、
を含む、偏向プリズムアセンブリ（２０）の組立方法。
【請求項１６】
前記総角度（α）、すなわち前記隣接する下側保持面（３４ａ、３４ｂ、３４ｃ）の個々の角度の合計が約９０°であることを特徴とする、請求項８に記載の偏向プリズムアセンブリ（２０）。
【請求項１７】
前記側面（２３）の外周の少なくとも３分の２が円形であることを特徴とする、請求項１２に記載の偏向プリズムアセンブリ（２０）。
【請求項１８】
前記プリズムホルダ（３０）の全外周が円形であることを特徴とする、請求項１３に記載の偏向プリズムアセンブリ（２０）。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月20日(2021.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カンジダ・アルビカンスの検出のための多孔質材料であって、内部細孔内に指標化学種を含むと共に、前記材料の外表面に固定されたカンジダ・アルビカンスのゲノムの断片に相補的な少なくとも１種のＤＮＡを含み、前記相補的ＤＮＡ配列が、担体の内部細孔からの前記指標化学種の放出を遮断する、多孔質材料。
【請求項２】
前記相補的ＤＮＡ配列は、中性有機基及び結合用オリゴヌクレオチドによって前記担体の外表面に結合されている、請求項１に記載の多孔質材料。
【請求項３】
前記中性有機基は、カルボン酸（−ＣＯＯＨ）、アルコール（−ＯＨ）、アルデヒド（−ＣＨＯ）、アルケン、アルキン、アミン（−ＮＨ2又は−ＮＲ’Ｒ’’）、アミド（−Ｃ（Ｏ）ＮＲ’Ｒ’’）、アジド（−Ｎ3）、ケトン（−Ｃ＝Ｏ）、エステル（−ＣＯＯＲ’）、エーテル（Ｒ’−Ｏ−Ｒ’’）、ハロゲン、イミン（ＲＲ’Ｃ＝ＮＲ’’）、イソシアネート（−ＮＣＯ）、イソチオシアネート（−Ｎ＝Ｃ＝Ｓ）、ニトリル（−Ｃ≡Ｎ）、ニトロ（−ＮＯ2）又はチオール（−ＳＨ）から選択される、請求項２に記載の多孔質材料。
【請求項４】
前記結合用オリゴヌクレオチドは、オリゴヌクレオチドＯ１（配列番号１）である、請求項３に記載の多孔質材料。
【請求項５】
オリゴヌクレオチドＯ１（配列番号１）は、オリゴヌクレオチドＯ２（配列番号２）とハイブリダイズしている、請求項４に記載の多孔質材料。
【請求項６】
前記相補的ＤＮＡ配列は、カチオン性有機基によって前記担体の外表面に結合されている、請求項１に記載の多孔質材料。
【請求項７】
前記カチオン性有機基は、アミン類、グアニジン基（Ｈ−Ｎ＝（ＮＨＲ）ＮＨ2）、ホスホニウム（ＰＨ4+）又は第四級アンモニウム（ＮＲ4+）から選択される、請求項６に記載の多孔質材料。
【請求項８】
前記相補的ＤＮＡ配列は、オリゴヌクレオチドＯ３（配列番号３）である、請求項７に記載の多孔質材料。
【請求項９】
２００ｍ2ｇ-1から１４００ｍ2ｇ-1の間の比表面積を有するメソ多孔質二酸化ケイ素のみからなることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の多孔質材料。
【請求項１０】
ナノ多孔質陽極酸化アルミナからできたフィルム又はプレートのみからなることを特徴とする、請求項１〜８のいずれか一項に記載の多孔質材料。
【請求項１１】
カンジダ・アルビカンスを検出するｉｎ  ｖｉｔｒｏの方法であって、
ａ）請求項１に記載の多孔質材料を、分析対象のＤＮＡ試料と水溶液中で接触させることと、
ｂ）工程ａ）の混合物をインキュベートすることで、ハイブリダイゼーション反応を引き起こすことと、
ｃ）前記混合物の水相中に放出された指標化学種の量を測定することと、
を含む、方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の多孔質材料の作製方法であって、以下の工程：
ａ）多孔質二酸化ケイ素又はナノ多孔質陽極酸化アルミナからできた担体を調製する工程と、
ｂ）工程ａ）で調製された基材の内部細孔内に前記指標化学種を導入する工程と、
ｃ）工程ｂ）で得られた負荷された基材を、前記基材の表面への中性有機基又はカチオン性有機基の結合により機能化させる工程と、
ｄ）必要に応じて、前記基材を、前記中性有機基に結合された結合用オリゴヌクレオチドにより誘導体化する工程と、
ｅ）前記カンジダ・アルビカンスのゲノムの断片に相補的なＤＮＡ配列を、工程ｃ）又は工程ｄ）で得られた多孔質無機担体に添加する工程と、
を含むことを特徴とする、方法。
【請求項１３】
カンジダ・アルビカンスのゲノムの断片に相補的なＤＮＡ配列とハイブリダイズするＤＮＡ配列を、工程ｅ）で得られた担体に添加することを特徴とする、請求項１２に記載の多孔質材料の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月1日(2021.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｃｐｆ１  ｃｒＲＮＡと、該ｃｒＲＮＡの５’に位置する少なくともヌクレオチド４個の伸長配列と、随意的に、前記ｃｒＲＮＡ及び伸長配列の間のプロセッシング配列とを含む核酸であって、前記プロセッシング配列はＣｐｆ１によって自己切断される配列である、核酸。
【請求項２】
プロセッシング配列を含み、該プロセッシング配列は、Ｃｐｆ１アレイの直接リピート配列の断片を含み、該直接リピート配列は、ｃｒＲＮＡ配列部分と、該ｃｒＲＮＡ配列部分の５’に位置するプロセッシング部分とを含み、前記断片は前記直接リピート配列のプロセッシング部分の少なくとも５個の連続したヌクレオチドを含む、請求項１に記載の核酸。
【請求項３】
前記プロセッシング配列は前記直接リピート配列のプロセッシング部分の少なくともヌクレオチド１０個の断片を含む、請求項２に記載の核酸。
【請求項４】
前記プロセッシング配列は前記直接リピート配列のプロセッシング部分の全体を含む、請求項２に記載の核酸。
【請求項５】
前記伸長配列は少なくともヌクレオチド６個を含む、請求項１〜４のいずれかの核酸。
【請求項６】
前記伸長配列はヌクレオチド６０個未満を含む、請求項５の核酸。
【請求項７】
前記伸長配列はヌクレオチド１０〜１００個を含む、請求項５の核酸。
【請求項８】
１個のＣｐｆ１  ｃｒＲＮＡ配列だけを含む、請求項１〜７のいずれかの核酸。
【請求項９】
前記伸長配列の５’の第２のプロセッシング配列と、該第２のプロセッシング配列の５’の第２の伸長配列とをさらに含む、請求項１〜８のいずれかの核酸。
【請求項１０】
雑種形成又は共有結合で連結された供与体核酸をさらに含む、請求項１〜９のいずれかの核酸。
【請求項１１】
前記供与体核酸は前記プロセッシング配列の５’か、前記伸長配列の５’かに共有結合で連結される、請求項１０に記載の核酸。
【請求項１２】
前記供与体核酸は、前記伸長配列及び／又はプロセッシング配列に雑種形成される、請求項１０に記載の核酸。
【請求項１３】
前記Ｃｐｆ１  ｃｒＲＮＡの３’にターゲッティング核酸をさらに含む、請求項１〜１２のいずれかに記載の核酸。
【請求項１４】
プロセッシング配列を含まない、請求項１又は５〜１３のいずれかに記載の核酸。
【請求項１５】
前記伸長配列は自己雑種形成配列、随意的に、繰り返すトリヌクレオチドモチーフを含む、請求項１〜１４のいずれかに記載の核酸。
【請求項１６】
前記伸長配列又はその部分はヌクレアーゼ分解に抵抗性があるか、前記伸長配列は１個以上の改変ヌクレオチド間結合を含むか、又は、前記伸長配列は１個以上のゼノ核酸（ＸＮＡ）を含む、請求項１〜１５のいずれかに記載の核酸。
【請求項１７】
前記伸長配列の５’末端に付着したビオチン及び／又はアビジン若しくはストレプトアビジン分子をさらに含む、請求項１〜１６のいずれかに記載の核酸。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれかに記載の核酸及び担体を含み、随意的に、Ｃｐｆ１タンパク質をさらに含む、組成物。
【請求項１９】
前記核酸はリポソームの中に存在するか、又は、前記核酸は、ポリマーナノ粒子に部分的若しくは完全に封入されているか、若しくは、金属又はポリマーナノ粒子に付着している、請求項１８に記載の組成物。
【請求項２０】
標的真核細胞、随意的に、哺乳類又はヒト細胞を遺伝的に改変するための請求項１〜１７のいずれかの核酸、又は、請求項１８若しくは１９の組成物であって、前記Ｃｐｆ１  ｃｒＲＮＡは、前記標的細胞内の標的配列と雑種形成するターゲッティング配列を含む、核酸又は組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月5日(2021.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロモーター及び導入遺伝子を含む発現カセットを含む、複製能力のあるサルアデノウイルスベクターであって、前記発現カセットが前記ベクターのHE1部位又はHE2部位に挿入されている、複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
【請求項２】
発現カセットがHE1領域に挿入されている、請求項1に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
【請求項３】
発現カセットがHE2領域に挿入されている、請求項1に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
【請求項４】
疾患の予防又は治療に使用するための、請求項1〜3のいずれか一項に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
【請求項５】
筋肉内注射により投与するための、請求項4に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
【請求項６】
経口投与するための、請求項4に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
【請求項７】
プロモーター及び導入遺伝子を含む発現カセットを含む、複製能力のあるサルアデノウイルスベクターであって、前記発現カセットが前記ベクターのE3領域に挿入されており、経口投与により疾患の予防又は治療に使用するためのものである、複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
【請求項８】
サルがチンパンジーである、請求項1〜7のいずれか1項に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
【請求項９】
チンパンジーアデノウイルスファイバーポリペプチドをコードするヌクレオチド配列及び/又はチンパンジーアデノウイルスE4領域をさらに含む、請求項1〜8のいずれか1項に記載の複製能力のあるチンパンジーアデノウイルスベクター。
【請求項１０】
ベクターが、ChAd155である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
【請求項１１】
ベクターが、ChAd83である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
【請求項１２】
プロモーターがCASIプロモーターである、請求項1〜7のいずれか1項に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
【請求項１３】
プロモーターが、強化されたサイトメガロウイルスプロモーターである、請求項1〜7のいずれか1項に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
【請求項１４】
発現カセットが転写後調節エレメントをさらに含む、請求項1〜7のいずれか1項に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
【請求項１５】
導入遺伝子が抗原である、請求項1〜7のいずれか1項に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
導入遺伝子は抗原であり得る。抗原は、狂犬病ウイルス抗原、呼吸器合胞体ウイルス抗原、ヒト免疫不全ウイルス抗原、結核抗原、マラリア抗原、C型肝炎ウイルス抗原、チクングニア抗原及びB型肝炎ウイルス抗原から選択され得る。
本発明は以下の態様に関する。
［１］  プロモーター及び導入遺伝子を含む発現カセットを含む、複製能力のあるサルアデノウイルスベクターであって、前記発現カセットが前記ベクターのE3領域、HE1部位又はHE2部位に挿入されている、複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
［２］  サルがチンパンジーである、上記[1]に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
［３］  チンパンジーアデノウイルスファイバーポリペプチド若しくはその機能的誘導体をコードするヌクレオチド配列及び/又はチンパンジーアデノウイルスE4領域をさらに含む、上記[1]に記載の複製能力のあるチンパンジーアデノウイルスベクター。
［４］  ベクターが、ヒトにおける血清有病率が低いアデノウイルスである、上記[1]に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
［５］  ベクターが、ChAd155である、上記[4]に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
［６］  ベクターが、ChAd83である、上記[4]に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
［７］  プロモーターが、CASIプロモーター及び強化されたサイトメガロウイルスプロモーターから選択される、上記[1]に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
［８］  プロモーターがCASIプロモーターである、上記[7]に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
［９］  プロモーターが、強化されたサイトメガロウイルスプロモーターである、上記[7]に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
［１０］  発現カセットが転写後調節エレメントをさらに含む、上記[1]に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
［１１］  転写後調節エレメントが、ウッドチャック肝炎転写後調節エレメントである、上記[10]に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
［１２］  導入遺伝子が抗原である、上記[1]に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
［１３］  抗原が、狂犬病ウイルス抗原、呼吸器合胞体ウイルス抗原、ヒト免疫不全ウイルス抗原、結核抗原、マラリア抗原、C型肝炎ウイルス抗原、チクングニア抗原及びB型肝炎ウイルス抗原から選択される、上記[12]に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
［１４］  発現カセットがE3領域に挿入されている、上記[1]に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
［１５］  発現カセットがHE1領域に挿入されている、上記[1]に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
［１６］  発現カセットがHE2領域に挿入されている、上記[1]に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
［１７］  上記[1]〜[16]に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクターを使用して、それを必要とする対象において病原体によって引き起こされる疾患に対する免疫応答を誘導する方法。
［１８］  疾患の予防又は治療のための、上記[1]〜[16]に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクターの使用。
［１９］  筋肉内注射により投与される、上記[1]〜[16]に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
［２０］  経口投与される、上記[1]〜[16]に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクター。
［２１］  筋肉内注射により投与される、上記[1]〜[16]に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクターを使用する方法。
［２２］  経口投与される、上記[1]〜[16]に記載の複製能力のあるサルアデノウイルスベクターを使用する方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本発明の好ましい実施形態では、サルはチンパンジーである。本発明の一部の実施形態では、複製能力のあるチンパンジーアデノウイルスベクターは、チンパンジーアデノウイルスファイバーポリペプチド若しくはその機能的誘導体をコードするヌクレオチド配列及び/又はチンパンジーアデノウイルスE4領域をさらに含む。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月6日(2021.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
管腔内超音波イメージングシステムであって：
処理システムと、患者の体内管腔内に配置されるように構成される管腔内超音波装置との間に通信可能に配置される患者インターフェースモジュール（ＰＩＭ）を有し、前記ＰＩＭは、送信器と、アナログデジタル変換器（ＡＤＣ）と、通信ケーブルを有する通信装置とを有し、前記ＰＩＭは：
前記送信器で、第１の信号を前記管腔内超音波装置に送信し；
前記管腔内超音波装置からの前記第１の信号に関連する超音波エコー信号を受信し；
前記ＡＤＣで前記超音波エコー信号をデジタル化し；
デジタル化された前記超音波エコー信号を、前記通信装置を介して通信可能な第２の信号に変換し；
前記第２の信号を、前記通信装置の前記通信ケーブルを介して、前記処理システムに伝送する；
ように構成され、
前記超音波エコー信号は、前記ＰＩＭ内の前記ＡＤＣまで差動信号経路を伝わる、
管腔内超音波イメージングシステム。
【請求項２】
前記処理システムは、前記第２の信号に基づいて前記超音波エコー信号を表す管腔内超音波画像を生成し、前記処理システムと通信するディスプレイ装置に前記管腔内超音波画像を表示するように構成される、
請求項１に記載の管腔内超音波イメージングシステム。
【請求項３】
前記通信ケーブルは、イーサネット（登録商標）ケーブルである、又は
前記通信ケーブルは、ＵＳＢケーブルである、
請求項１に記載の管腔内超音波イメージングシステム。
【請求項４】
前記ＰＩＭはさらに、前記送信器、前記ＡＤＣ、及び前記通信装置と通信するコントローラを有する、
請求項１に記載の管腔内超音波イメージングシステム。
【請求項５】
前記コントローラは、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）である、
請求項４に記載の管腔内超音波イメージングシステム。
【請求項６】
前記管腔内超音波装置は：
近位部分及び遠位部分を有する回転可能な可撓性の細長い駆動ケーブルと；
前記駆動ケーブルの前記遠位部分に配置され、回転する間に前記体内管腔のイメージングデータを取得するように構成される超音波素子と；を有する、
請求項１に記載の管腔内超音波イメージングシステム。
【請求項７】
前記管腔内超音波装置は、血管内に位置決めされるように構成される血管内超音波（ＩＶＵＳ）装置である、
請求項１に記載の管腔内超音波イメージングシステム。
【請求項８】
前記差動信号経路は、１つ又は複数の増幅器及びバンドパスフィルタを有する、
請求項１に記載の管腔内超音波イメージングシステム。
【請求項９】
管腔内超音波イメージングの方法であって：
患者の体内管腔内に位置決めされる管腔内超音波装置で第１の信号を送信するステップと；
前記管腔内超音波装置と処理システムとの間に通信可能に配置される患者インターフェースモジュール（ＰＩＭ）で、前記管腔内超音波装置からの前記第１の信号に関連する超音波エコー信号を受信するステップと；
前記ＰＩＭ内のＡＤＣまで差動信号経路に沿って前記超音波エコー信号を伝送するステップと；
前記ＰＩＭ内の前記ＡＤＣで前記超音波エコー信号をデジタル化するステップと；
デジタル化された前記超音波エコー信号を、通信装置を介して通信可能な第２の信号に変換するステップと；
前記通信装置を介して前記処理システムに前記第２の信号を伝送するステップと；
を含む、
方法。
【請求項１０】
前記処理システムと通信するディスプレイ装置で、前記超音波エコー信号を表す管腔内超音波画像を表示するステップをさらに含む、
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＰＩＭによって、前記ディスプレイ装置の画像表示フォーマットに従って前記超音波エコー信号をフォーマットするステップをさらに含む、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記通信装置は、イーサネット（登録商標）ケーブルである、又は
前記通信装置は、ＵＳＢケーブルである、
請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記コントローラは、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）である、
請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記デジタル化された超音波エコー信号を第２の信号にイーサネット（登録商標）物理層（ＰＨＹ）デバイスで変換するステップをさらに含む、
請求項９に記載の方法。
【請求項１５】
前記管腔内超音波装置は：
近位部分及び遠位部分を有する回転可能な可撓性の細長い駆動ケーブルと；
前記駆動ケーブルの前記遠位部分に配置され、回転する間に前記体内管腔のイメージングデータを取得するように構成される超音波素子と；
を有する、
請求項９に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月16日(2021.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
近位端と、出口ポート（２５）を有する遠位端とを含む可撓性バッグとして構成された薬剤容器（２４）であって、可撓性バッグは、潰れたとき、近位端と遠位端の間で長さが増大するように構成された前記薬剤容器。
【請求項２】
容器（２４）は、該容器（２４）の近位端および／または遠位端に向かって減少する輪郭を有する、請求項１に記載の薬剤容器（２４）。
【請求項３】
出口ポート（２５）は、中空の管または針（１７）によって穿孔されるように適用された薄膜（３１）を含む、請求項１または２に記載の薬剤容器（２４）。
【請求項４】
薬剤容器（２４）の近位端は、平坦なセクション（２９）を含む、請求項１〜３のいずれか１項に記載の薬剤容器（２４）。
【請求項５】
平坦なセクション（２９）は、１つまたはそれ以上の孔（３０）を含む、請求項４に記載の薬剤容器（２４）。
【請求項６】
一連の形状が識別子を形成するように、少なくとも２つの異なる形状からのものをそれぞれの孔（３０）が有する、少なくとも２つの孔（３０）が設けられる、請求項５に記載の薬剤容器（２４）。
【請求項７】
薬剤容器（２４）の内側は、該容器（２４）の材料が薬剤と反応するのを阻止するためのコーティングを有する、請求項１〜６のいずれか１項に記載の薬剤容器（２４）。
【請求項８】
容器（２４）は、特にプラスチック、アルミニウム、ポリエチレン、熱可塑性エラストマー、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニルニトリル、熱可塑性エラストマー−溶融加工可能ゴム、熱可塑性エラストマー−ビニルベース、熱可塑性加硫物、ポリオレフィンプラストマー、および熱可塑性ポリエステル共重合体のうちの１つである、可撓性材料を含むバッグとして構成される、請求項１〜７のいずれか１項に記載の薬剤容器（２４）。
【請求項９】
薬剤容器（２４）は、衝撃押出しにより、または射出成形および／もしくは吹込み成形により形成される、請求項８に記載の薬剤容器（２４）。
【請求項１０】
平坦なセクション（２９）は、最初は開口していた近位端を折り畳むことにより、または接合、特に超音波溶接することにより形成される、請求項３〜９のいずれか１項に記載の薬剤容器（２４）。
【請求項１１】
薬剤を含む、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の薬剤容器（２４）。
【請求項１２】
薬物送達デバイス（１０）であって、請求項３〜１１のいずれか１項に記載の薬剤容器（２４）を受けるように適用されたハウジング（１１）と、駆動機構（２７）によって駆動されたとき、薬剤容器（２４）を潰すように適用されたスクイーザ（２６）と、ハウジング（１１）内に固定された二重先端注射針（１７）とを含み、薬剤容器（２４）が潰れる前の初期状態において、針（１７）の近位先端（１７．１）は、薄膜（３１）から離される、前記薬物送達デバイス。
【請求項１３】
スクイーザ（２６）は、少なくとも１つのローラ（２６．１、２６．２）を含み、該少なくとも１つのローラは、遠位方向（Ｄ）に移動したとき、薬剤容器（２４）を潰すように適用され、一方、容器（２４）の近位端はハウジング（１１）内の定位置に留まっており、したがって、可撓性バッグが、潰れたとき、近位端と遠位端の間で長さが増大するにつれて、薄膜（３１）が近位先端（１７．１）に向かって移動し、近位先端（１７．１）が薄膜（３１）を穿孔するようになる、請求項１２に記載の薬物送達デバイス（１０）。
【請求項１４】
スクイーザ（２６）は、遠位方向（Ｄ）に移動したとき、薬剤容器（２４）を、それらの間で潰すように適用された２つのローラ（２６．１、２６．２）を含む、および／または、ハウジング（１１）は、遠位方向（Ｄ）に動く間に、少なくとも１つのローラ（２６．１、２６．２）を案内するためのローラトラック（２８）を含む、請求項１３に記載の薬物送達デバイス（１０）。
【請求項１５】
薬剤を含む請求項１〜１１のいずれか１項に記載の薬剤容器（２４）を含む、請求項１２〜１４のいずれか１項に記載の薬物送達デバイス（１０）。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月7日(2021.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理装置と患者の体内に配置されるように構成された感知装置との間に通信可能に配置された患者インタフェースモジュール（ＰＩＭ）であって、前記ＰＩＭが、送信器、アナログ・デジタル変換器（ＡＤＣ）、通信装置を有し、前記ＰＩＭが、無線充電システムにより電力供給されるように構成され、前記ＰＩＭが、
前記送信器で、第１の信号を前記感知装置に送信し、
前記感知装置から前記第１の信号と関連付けられた測定信号を受信し、
前記ＡＤＣで前記測定信号をデジタル化し、
前記通信装置を介して無線で前記処理システムに前記デジタル化された測定信号を送信し、
前記無線充電システムによる充電中に全ての伝達を停止する、
ように構成される、前記ＰＩＭ、
を有する感知システム。
【請求項２】
前記感知装置が、前記患者の身体内腔内に配置されるように構成された腔内超音波装置であり、前記測定信号が、超音波エコー信号である、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記処理システムが、前記超音波エコー信号を表す腔内超音波画像を生成し、前記処理システムと通信する表示装置上に前記腔内超音波画像を表示するように構成される、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記無線充電システムが、前記ＰＩＭ内に配置された再充電可能バッテリ及びＱｉ誘導充電ベースを有する、請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項５】
前記ＰＩＭが、前記Ｑｉ誘導充電ベースに接続されている場合に信号を送信又は受信しない、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記ＰＩＭが、前記Ｑｉ誘導充電ベースに接続されている場合に前記ＰＩＭとの信号の受信又は送信を防ぐスイッチを有する、請求項４に記載のシステム。
【請求項７】
前記ＰＩＭが、充電ケーブルにより電力供給されるように更に構成される、請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項８】
前記ＰＩＭが、前記送信器、前記ＡＤＣ、及び前記通信装置と通信するコントローラを更に有する、請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項９】
前記コントローラが、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡ）である、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記腔内超音波装置が、
近位部分及び遠位部分を有する回転可能な可撓性細長駆動ケーブルと、
前記駆動ケーブルの前記遠位部分に配置され、回転している間に前記身体内腔の撮像データを取得するように構成される超音波素子と、
を有する、請求項２に記載のシステム。
【請求項１１】
前記腔内超音波装置が、血管内に配置されるように構成された血管内超音波（ＩＶＵＳ）装置である、請求項２に記載のシステム。
【請求項１２】
前記超音波エコー信号が、前記ＰＩＭ内の前記ＡＤＣに差動信号経路上を移動する、請求項２に記載のシステム。
【請求項１３】
前記差動信号経路が、１以上の増幅器及びバンドパスフィルタを有する、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
無線充電システムで、感知装置と処理システムとの間に通信可能に配置された患者インタフェースモジュール（ＰＩＭ）に電力供給するステップと、
前記ＰＩＭの送信器を使用して、患者の体内に配置されている場合に前記感知装置に第１の信号を送信することにより前記感知装置を制御するステップと、
前記ＰＩＭで、前記感知装置から前記第１の信号と関連付けられた測定信号を受信するステップと、
前記ＰＩＭ内のＡＤＣで前記測定信号をデジタル化するステップと、
無線通信装置を介して前記デジタル化された測定信号を前記処理システムに送信するステップと、
を有し、
前記ＰＩＭによる全ての伝達が、前記無線充電システムによる前記ＰＩＭの充電中に停止される、
感知方法。
【請求項１５】
前記感知装置が、前記患者の身体内腔内に配置されるように構成された腔内超音波装置であり、前記測定信号が、超音波エコー信号である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記処理システムと通信する表示装置で、前記超音波エコー信号を表す腔内超音波画像を表示するステップを更に有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ＰＩＭにより、前記表示装置の画像表示フォーマットによって前記超音波エコー信号をフォーマット化するステップを更に有する、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記無線充電システムが、前記ＰＩＭ内に配置された再充電可能バッテリ及びＱｉ誘導充電ベースを有する、請求項１４又は１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記ＰＩＭが前記Ｑｉ誘導充電ベースに接続されている場合に前記ＰＩＭによる信号の送信を防ぐステップを更に有する、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
差動信号経路に沿って前記ＰＩＭ内の前記ＡＤＣに前記超音波エコー信号を送信するステップを更に有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項２１】
前記腔内超音波装置が、
近位部分及び遠位部分を有する回転可能な可撓性細長駆動ケーブルと、
前記駆動ケーブルの前記遠位部分に配置され、回転しながら前記身体内腔の撮像データを取得するように構成される超音波素子と、
を有する、請求項１５に記載の方法。
【請求項２２】
前記腔内超音波装置が、血管内に配置されるように構成された血管内超音波（ＩＶＵＳ）装置である、請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月29日(2021.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ電子デバイスであって、
構成要素表面と、前記構成要素表面の反対側に位置するダイ取り付け表面とを有する基板と、
前記構成要素表面に近接して位置する構成要素と、
前記ダイ取り付け表面上の銅含有層であって、前記ダイ取り付け表面の横方向外周から窪んでいる、前記銅含有層と、
前記銅含有層上のダイ取り付け材料と、
を含み、
前記銅含有層が前記ダイ取り付け材料によってパッケージ部材に取り付けられる、マイクロ電子デバイス。
【請求項２】
請求項１に記載のマイクロ電子デバイスであって、
前記銅含有層が５ミクロン〜１０ミクロンの厚みである、マイクロ電子デバイス。
【請求項３】
請求項１に記載のマイクロ電子デバイスであって、
前記銅含有層と前記ダイ取り付け表面との間に中間層を更に含む、マイクロ電子デバイス。
【請求項４】
請求項３に記載のマイクロ電子デバイスであって、
前記中間層がチタンを含む、マイクロ電子デバイス。
【請求項５】
請求項１に記載のマイクロ電子デバイスであって、
前記銅含有層と前記ダイ取り付け材料との間の保護金属層を更に含み、
前記保護金属層が、錫と銀とニッケルとからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む、マイクロ電子デバイス。
【請求項６】
請求項１に記載のマイクロ電子デバイスであって、
前記ダイ取り付け材料がはんだを含む、マイクロ電子デバイス。
【請求項７】
請求項１に記載のマイクロ電子デバイスであって、
前記基板が１５ミクロン〜３００ミクロンの厚みである、マイクロ電子デバイス。
【請求項８】
マイクロ電子デバイスを形成する方法であって、
構成要素面と、前記構成要素面の反対側に位置するダイ取り付け面とを有する基板ウェハであって、前記基板が、前記構成要素面に近接する前記マイクロ電子デバイスの構成要素を含む、前記基板ウェハを提供することと、
前記ダイ取り付け面において前記基板ウェハから材料を除去することと、
前記ダイ取り付け面上に銅含有層を形成することであって、前記銅含有層が前記マイクロ電子デバイスのためのエリアの横方向外周から窪まされている、前記銅含有層を形成することと、
めっきプロセスによって前記銅含有層上に保護金属層を形成することと、
を含む、方法。
【請求項９】
請求項８に記載の方法であって、
前記保護金属層が、錫と銀とニッケルとからなる群から選択される少なくとも１つの金属を含む、方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の方法であって、
前記基板ウェハから材料を除去することの前の前記基板ウェハの厚みが３００ミクロンより大きく、前記基板ウェハから材料を除去することの後の前記基板ウェハの厚みが３００ミクロン未満である、方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の方法であって、
前記銅含有層を形成することが、
前記ダイ取り付け面にシード層を形成することと、
前記シード層上にめっきマスクを形成することであって、前記シード層が前記銅含有層のためのエリアを露出させる、前記めっきマスクを形成することと、
めっきプロセスによって前記めっきマスクにより露出された箇所の前記シード層上の銅をめっきすることと、
前記めっきマスクを除去することと、
を含む、方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の方法であって、
前記銅含有層が５ミクロン〜１０ミクロンの厚みである、方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の方法であって、
前記銅含有層を形成することと同時に、前記構成要素面上に銅含有ピラーの少なくとも一部を形成することを更に含む、方法。
【請求項１４】
請求項８に記載の方法であって、
前記銅含有層を形成することが、前記ダイ取り付け面上に銅含有材料を堆積させるアディティブ法を含む、方法。
【請求項１５】
請求項８に記載の方法であって、
前記基板ウェハから材料を除去することの後であり前記銅含有層を形成することの前に、前記ダイ取り付け面上に中間層を形成することを更に含み、
前記銅含有層が前記中間層上に形成される、方法。
【請求項１６】
マイクロ電子デバイスを形成する方法であって、
構成要素表面と、前記構成要素表面と反対側に位置するダイ取り付け表面とを有する、３００ミクロン未満の厚みの基板を提供することであって、前記基板が、前記構成要素表面に近接する構成要素を含み、前記基板が、前記ダイ取り付け表面上に銅含有層を有し、前記銅含有層が、前記ダイ取り付け表面の横方向外周から窪んでおり、前記基板が、前記銅含有層上に保護金属層を有し、前記銅含有層が、前記ダイ取り付け表面と前記保護金属層との間にある、前記基板を提供することと、
ダイ取り付け材料でパッケージ部材に前記基板を取り付けることと、
を含み、
前記銅含有層が前記ダイ取り付け材料によって前記パッケージ部材に取り付けられる、方法。
【請求項１７】
請求項１６に記載の方法であって、
前記基板をパッケージ部材に取り付けることの前に、前記保護金属層を取り除くことを更に含む、方法。
【請求項１８】
請求項１６に記載の方法であって、
前記銅含有層が５ミクロン〜１０ミクロンの厚みである、方法。
【請求項１９】
請求項１６に記載の方法であって、
前記ダイ取り付け材料がはんだを含む、方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、
前記基板をパッケージ部材に取り付けることが、はんだリフロープロセスを含む、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月4日(2021.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体パッケージを形成する方法であって、
第１の複数のチャネルを形成するために切断パターンに従って金属ストリップの第１の側を第１の深さまで切断することであって、前記第１の深さが前記金属ストリップの垂直方向の厚さより小さい、前記金属ストリップの第１の側を切断することと、
第２の複数のチャネルを形成するために前記金属ストリップの前記第１の側と反対の第２の側を前記金属ストリップの垂直方向の厚さよりも小さい第２の深さＤ２までエッチングすることであって、前記第２の複数のチャネルが第１のモールディング化合物によって充填されている、前記金属ストリップの第２の側をエッチングすることと、
半導体ダイの複数のバンプを前記金属ストリップの第１の側に結合することと、
前記半導体パッケージを形成するために前記半導体ダイの少なくとも一部と前記金属ストリップの少なくとも一部とを第２のモールディング化合物で覆うことと、
を含み、
前記切断パターンが非線形である、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、
前記第２の複数のチャネルがフォトレジストパターンに従って形成される、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、
前記金属ストリップの垂直方向の厚さが、前記金属ストリップの第１の側と第２の側との間である、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、
前記複数のバンプが多数の行に配列され、前記多数の行の異なるが隣接する行からの前記複数のバンプの少なくとも２つが、前記半導体パッケージの側面から見て互いに重なり合う、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、
前記第２の深さが前記第１の深さより大きい、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、
前記金属ストリップの第１の側を切断することが、レーザ、精密ウォータージェット又はプラズマカッターを用いることを含む、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、
前記切断パターンが前記フォトレジストパターンに少なくとも部分的に整合される、方法。
【請求項８】
請求項２に記載の方法であって、
前記金属ストリップの第２の側をエッチングすることが、前記金属ストリップの垂直方向の厚さの５０〜８０パーセントまで継続する、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、
前記金属ストリップの第１の側を切断することが、５０ミクロンよりも小さい横方向の幅を有する切断を形成することを含む、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、
前記フォトレジストパターンが実質的に線形である、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、
前記第１の複数の開口と前記第２の複数の開口とが前記金属ストリップの複数のリードを共に分離する、方法。
【請求項１２】
半導体パッケージを形成する方法であって、
第１の側と、前記第１の側の反対側の第２の側と、前記第１の側と前記第２の側との間の垂直方向の厚さＨとを有する金属ストリップを提供することと、
第１の複数の開口を形成するために切断パターンに従って前記金属ストリップの第１の側を深さＤ１まで切断することであって、前記深さＤ１が前記垂直方向の厚さＨより小さい、前記金属ストリップの第１の側を切断することと、
前記金属ストリップの第２の側にフォトレジストを適用することと、
第２の複数の開口を形成するためにフォトレジストパターンに従って前記金属ストリップの第２の側に化学エッチングを適用することであって、前記第２の複数の開口が前記金属ストリップの垂直方向の厚さＨより小さい第２の深さＤ２を有する、前記金属ストリップの第２の側に化学エッチングを適用することと、
前記金属ストリップの第２の側から前記フォトレジストを除去することと、
前記第２の複数の開口内に絶縁材料を適用することと、
半導体ダイと前記金属ストリップの複数のバンプランディングサイトとの間に複数のバンプを結合することと、
前記半導体パッケージを形成するために前記半導体ダイの少なくとも一部と前記金属ストリップの少なくとも一部とをモールディング化合物で覆うことと、
を含む、方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
前記複数のバンプが多数の行に配列され、前記多数の行の異なるが隣接する行からの前記複数のバンプの少なくとも２つが前記半導体パッケージの側面から見て互いに重なり合う、方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の方法であって、
前記化学エッチングが、前記第２の複数の開口の深さＤ２が前記金属ストリップの垂直方向の厚さＨの５０〜８０％になるまで行われる、方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載の方法であって、
前記金属ストリップの第１の側を切断することが、レーザ、精密ウォータージェット又はプラズマカッターを用いることを含む、方法。
【請求項１６】
請求項１２に記載の方法であって、
前記絶縁材料を前記第２の複数の開口に適用することが、前記第２の複数の開口を前記絶縁材料で実質的に充填することを含む、方法。
【請求項１７】
請求項１２に記載の方法であって、
前記金属ストリップの第１の側を切断することが、５０ミクロンより小さい横方向の幅Ｗ１を有する切断を形成することを含む、方法。
【請求項１８】
請求項１２に記載の方法であって、
前記絶縁材料がモールディング化合物である、方法。
【請求項１９】
請求項１２に記載の方法であって、
前記金属ストリップの第１の側を切断することが、前記金属ストリップの一部を完全に分離して前記半導体パッケージの絶縁アイランドにすること含む、方法。
【請求項２０】
請求項１２に記載の方法であって、
前記切断パターンが前記半導体パッケージの上面から見て非線形である、方法。
【請求項２１】
請求項１２に記載の方法であって、
前記切断パターンが実質的に正弦曲線パターンを含む、方法。