【手続補正書】
【提出日】平成16年9月16日(2004.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の製造工程における縮小投影露光処理に際し、感光性有機膜および減光体膜を有する半透明位相シフタパターンがマスク基板上に形成された第１の半透明位相シフトマスクと、無機膜からなる半透明位相シフタパターンがマスク基板上に形成された第２の半透明位相シフトマスクとを、前記半導体装置の生産量に応じて使い分けて露光処理に用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置の製造の立ち上げ時には前記第１の半透明位相シフトマスクを用い、前記半導体装置の量産時には前記第２の半透明位相シフトマスクを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置のマスタ層においては露光光に対する遮光体が金属膜からなるフォトマスクまたは前記第２の半透明位相シフトマスクの少なくとも一方を用い、前記半導体装置のカスタム層においては前記第１の半透明位相シフトマスクを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
（ａ）前記第１の半透明位相シフトマスクを用いる生産タイプおよび前記第２の半透明位相シフトマスクを用いる生産タイプを含む顧客用メニューを生産者側で用意する工程、
（ｂ）前記顧客用メニューの中から半導体装置の種類または半導体装置の所定の製造工程に最適な生産タイプを生産依頼者が選択する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法；
（ａ）半導体装置の生産量が、予め定められた生産量のしきい値よりも多いか否かを判断する工程、
（ｂ）前記半導体装置の生産量が前記しきい値よりも少ない場合には、感光性有機膜および減光体膜を有する半透明位相シフタパターンがマスク基板上に形成された第１の半透明位相シフトマスクを用いてウエハ上に所定のパターンを縮小投影露光する工程。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置の生産量が拡大され、その生産量が前記しきい値を上回った段階で、無機膜からなる半透明位相シフタパターンがマスク基板上に形成された第２の半透明位相シフトマスクを用いてウエハ上に所定のパターンを縮小投影露光する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法；
（ａ）半導体装置の生産量が、予め定められた生産量のしきい値よりも多いか否かを判断する工程、
（ｂ）前記半導体装置の生産量が前記しきい値よりも多い場合には、前記半導体装置の機能が確定しているか否かについて判断する工程、
（ｃ）前記機能が確定していない場合には、感光性有機膜および減光体膜を有する半透明位相シフタパターンがマスク基板上に形成された第１の半透明位相シフトマスクを用いてウエハ上に所定のパターンを縮小投影露光する工程。
【請求項８】
請求項７記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置の機能が確定した段階で、無機膜からなる半透明位相シフタパターンがマスク基板上に形成された第２の半透明位相シフトマスクを用いてウエハ上に所定のパターンを縮小投影露光する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
半導体装置の製造工程において、量産工程の前は、露光処理に際して、感光性有機膜および減光体膜を有する半透明位相シフタパターンがマスク基板上に形成された第１の半透明位相シフトマスクを用いてウエハ上に所定のパターンを縮小投影露光することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
半導体装置の製造工程において、量産工程の前は、露光処理に際して、感光性有機膜および減光体膜を有する半透明位相シフタパターンがマスク基板上に形成された第１の半透明位相シフトマスクを用いてウエハ上に所定のパターンを縮小投影露光し、量産工程時には、無機膜からなる半透明位相シフタパターンがマスク基板上に形成された第２の半透明位相シフトマスクを用いてウエハ上に所定のパターンを縮小投影露光することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
感光性有機膜および減光体膜を有する半透明位相シフタパターンが形成された第１の半透明位相シフトマスクと、無機膜からなる半透明位相シフタパターンがマスク基板上に形成された第２の半透明位相シフトマスクとを、半導体装置の製造工程に応じて使い分けて露光処理に用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、半導体装置の配線を形成するための露光工程に際しては、前記第１の半透明位相シフトマスクを用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の半導体装置の製造方法において、前記半導体装置の配線を形成するための露光工程は、電極、配線または孔をウエハ上に転写するための工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
感光性有機膜および減光体膜を有する半透明位相シフタパターンがマスク基板上に形成された第１の半透明位相シフトマスクと、無機膜からなる半透明位相シフタパターンがマスク基板上に形成された第２の半透明位相シフトマスクとを、ウエハ露光数に応じて使い分けて露光処理に用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
感光性有機膜および減光体膜を有する半透明位相シフタパターンがマスク基板上に形成された半透明位相シフトマスクを用いてウエハ上のレジスト膜に所定のパターンを縮小投影露光する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、
（ａ）前記半透明位相シフタパターンを透過する露光光の位相を測定する工程、
（ｂ）前記（ａ）工程により所望の位相が得られない場合には前記半透明位相シフタパターンから露出するマスク基板部分を掘ることにより前記位相を調整する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、前記半透明位相シフトマスクが設置されている領域の雰囲気を非酸化性雰囲気とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、前記露光工程に際して、半透明位相シフトマスクの転写領域内のパターンを、ウエハ上のレジスト膜の異なる平面位置に繰り返し縮小投影露光することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１８記載の半導体装置の製造方法において、前記半透明位相シフトマスクの転写領域の外周に、前記半透明位相シフタパターンの光透過率よりも露光光の透過率が低い遮光帯を設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、前記減光体膜が金属からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項２０記載の半導体装置の製造方法において、前記減光体膜がクロムからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２２】
以下の工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法；
（ａ）マスク基板の第１の主面上に形成された半透明位相シフタパターンが、前記マスク基板上に形成された減光体膜と、その上に形成された感光性有機膜との積層膜からなる半透明位相シフトマスクを用意する工程、
（ｂ）前記マスク基板の第１の主面をウエハ側に向けた状態で、前記半透明位相シフトマスクを縮小投影露光装置に装着する工程、
（ｃ）前記半透明位相シフトマスクにおいてマスク基板の第１の主面に対して反対側の第２の主面側から露光光を照射することにより、前記ウエハ上のレジスト膜に、前記半透明位相シフトマスクのパターンを縮小投影露光する工程。
【請求項２３】
請求項２２記載の半導体装置の製造方法において、
（ａ）前記半透明位相シフタパターンを透過する露光光の位相を測定する工程、
（ｂ）前記（ａ）工程により所望の位相が得られない場合には前記半透明位相シフタパターンから露出するマスク基板部分を掘ることにより前記位相を調整する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２４】
請求項２３記載の半導体装置の製造方法において、前記半透明位相シフトマスクが設置されている領域の雰囲気を非酸化性雰囲気とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２５】
請求項２２記載の半導体装置の製造方法において、前記露光工程に際して、半透明位相シフトマスクの転写領域内のパターンを、ウエハ上のレジスト膜の異なる平面位置に繰り返し縮小投影露光することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２６】
請求項２２記載の半導体装置の製造方法において、前記半透明位相シフトマスクの転写領域の外周に、前記半透明位相シフタパターンの光透過率よりも露光光の透過率が低い遮光帯を設けたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２７】
請求項２２記載の半導体装置の製造方法において、前記減光体膜が金属からなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２８】
請求項２７記載の半導体装置の製造方法において、前記減光体膜がクロムからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２９】
請求項１，５，７，９，１０，１１および１４の何れか１項に記載の半導体装置の製造方法において、前記第１の半透明位相シフトマスクは前記感光性有機膜が前記減光体膜の陰となるように露光されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３０】
請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、前記半透明位相シフトマスクは前記感光性有機膜が前記減光体膜の陰となるように露光されることを特徴とする半導体装置の製造方法。