(57)【要約】【課題】  基板を切断しながら、ブレードの切削性低下の抑制やブレードの破損の抑制を図る。【解決手段】  スクライブライン上に金属の存在する領域を切り込むことにより生じたブレード面の傾きが、予め求めておいた、ブレードが破損するときのブレード面の傾きの臨界値に達する前に、金属の存在しないスクライブラインへの切り込みを行うものである。【選択図】  図４
2010034515.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スクライブライン上に金属膜の存在する当該スクライブラインと、スクライブライン上に金属膜の存在しない当該スクライブラインと、が有る基板を提供する工程と、
前記金属膜が存在するスクライブラインに、ブレードにより切り込みを開始し、前記スクライブラインに沿って前記基板を切り込む工程と、
前記金属膜が存在するスクライブラインを切り込むことにより前記ブレードに生じるブレード面に生じる曲がりの量が、予め求めておいた、前記ブレードの破損に関わるブレード面の曲がりの量を元に算出された臨界値に達する前に、前記金属膜が存在しないスクライブラインへの切り込みを行い、前記ブレードの曲がり量が、前記金属膜が存在するスクライブラインを切り込むことにより生じるブレード面の曲がり量よりも小さい曲がり量で、前記金属膜の存在しないスクライブラインに沿って前記基板を切り込む工程と、
を有するダイシング方法。
【請求項２】
前記金属膜はアルミニウムを含むことを特徴とする請求項１に記載のダイシング方法。
【請求項３】
スクライブライン上に、金属膜の存在するスクライブラインと、金属膜の存在しないスクライブラインと、が有る基板の、前記金属膜の存在するスクライブラインに対して、ブレードにより切り込みを行うステップと、
前記ブレードで前記スクライブラインに沿って前記基板の切断を行った後、前記ブレードの進行方向の正面から撮影機器を用いて前記基板の内部の前記スクライブラインの断面の映像を撮るステップと、
得られた映像から前記断面の傾きを求めるステップと、
前記断面の傾きと、予め求められた前記ブレードの破損に関わる前記ブレードのブレード面の曲がり量の臨界値と、を比較し、前記傾きが前記臨界値以上になっている場合には、前記金属膜の存在する前記スクライブラインへの切り込みを行うことなく、前記金属膜の存在しない前記スクライブラインへの切り込みを行うステップと、
をコンピューターに実行させるプログラム。
【請求項４】
前記プログラムはさらに、前記基板と同様のパターンのスクライブラインとスクライブライン上の金属膜とが設けられた基板の、前記金属膜が設けられたスクライブラインに切り込みを行うことにより前記臨界値を求めるステップを実行させることを特徴とする請求項３に記載のプログラム。
【請求項５】
請求項４に記載のプログラムを格納したことを特徴とする記憶媒体。
【請求項６】
基板上に形成されたマスクパターンと、前記基板を切断するために用いられるブレードの破損に関わるブレード面の傾きの臨界値の情報を取得する取得ステップと、
前記取得ステップによって得られた前記マスクパターンの情報から前記基板に設けられている複数のスクライブラインに関する情報を抽出する抽出ステップと、
前記情報に基づいて前記複数のスクライブラインごとに、それぞれのスクライブラインを前記ブレードで切断した場合に生じる前記ブレード面の曲がり量に関わる評価を行う評価ステップと、
前記評価ステップにより行われた評価に応じて、前記複数のスクライブラインに切り込みを入れる順序を決定する決定ステップと、
前記決定ステップによって決定された順序に従い、前記複数のスクライブラインに切り込みを入れるために前記ブレードを制御する制御ステップと、
をコンピューターに実行させることを特徴とするプログラム。
【請求項７】
請求項６に記載のプログラムを格納したことを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の溝加工や切断加工を行うダイシング方法、ダイシング方法のプログラム及び該プログラムが格納された記憶媒体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のダイシング方法としては、回転するブレードを用い、パターン形成されている基板上のスクライブラインに沿って端から順に切削され、個々のチップを得る方法が一般的である。
【０００３】
しかしながら、露光方法によっては、スクライブライン上に金属堆積物が存在する場合がある。例えば、シリコンのような半導体基板に半導体素子を形成する際、レチクルに描かれた回路パターンをステッパーと呼ばれる露光装置により基板表面上に縮小投影して露光する。
【０００４】
この際、１チップあるいは複数チップ分の回路パターン分を１回の露光で行い、１ショットによる露光エリア１０を基板の面上に形成する。基板表面上の露光位置を移動して隣のチップ（あるいはチップ群）の露光を行うという動作を繰り返す。これにより、１枚の基板の面上に、四角形の露光エリア１０が複数個、隣接して形成される。また、図１２に示すように、基板最外周の無効素子（基板の端部に位置することによって、適切に製造されない素子）のみが形成された領域に対しては、露光は行われず、未露光部はエッチングされない。そのため、アルミニウム等の金属堆積物が残存することになる。
【０００５】
このような場合、スクライブライン上に金属堆積物が残存する半導体基板をスクライブラインに沿って端から順に連続して切断すると、切削性の低下により徐々に切断位置のズレを引き起こす。また、金属堆積物の残存量が特に多い場合には、加工初期にてブレードが破損に至ることもある。例えば、基板上に金属堆積物が形成されたスクライブラインを４０ｍｍを超える長さをブレードで切断すると、基板枚数にして数枚程度でブレード破損に至る場合がある。
【０００６】
このようにブレードの刃の切削性が低下した場合は、ドレス部材にブレードを切り込ませることで、刃の目詰まりを解消したり、刃の表面のダイヤモンド砥粒をその表面から脱落させて刃内部の新たなダイヤモンド砥粒を現出させる作業が必要となる。具体的には、ドレス部材にブレードを切り込ませることで、ブレードの刃の切削性を回復させる。これをドレッシングと言う。
【０００７】
特許文献１では、通常、被加工品である基板を載置する吸着テーブルにドレス部材を載置する作業をオペレータが行うところを、搬送装置でドレス部材を吸着テーブルに自動搬送するようにしたダイシング装置が記載されている。
【０００８】
特許文献２では、ダイシングテープ面上の基板に隣接してドレス部材を貼付し、ブレードによる基板の切削加工に引き続き、又は基板の切削加工に先行してドレス部材を切り込むことにより、ブレードの切削性の低下を抑制するダイシング方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平１１−２０４４６２号公報
【特許文献２】特開２００４−２８８９６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかし、特許文献１のダイシング装置では、基板の加工途中でドレッシングが必要になった場合には、基板の加工を一時中断し、基板を一旦吸着テーブルから取り外してからドレス部材を載置しなければならなかった。そのため、ドレッシング後に基板を再度吸着テーブルに載置し直して位置決めをやり直さなければならず、高精度な加工を行う場合に、作業再開後の位置決めを高精度で実現する必要があった。また、基板やドレス部材の搬送・搬出や基板の位置決めをやり直すための作業時間を余分に必要とした。
【００１１】
また、特許文献１のダイシング方法では、通常のシリコンウエハのような円形の基板に対しては、対応しにくいものであった。また、ダイシングテープの面上の基板が貼付されていない空領域にドレス部材を貼付する必要があるため、そのためのスペースを確保する必要もあった。
【００１２】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものである。つまり、本発明は、ブレードの切削性の回復のための、加工中の基板の取り外しや、ドレス部材貼付のための余分なスペースを不要とし、基板を切断しながら、切削性低下の抑制やブレード破損の抑制を図る方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、スクライブライン上に金属膜の存在する当該スクライブラインと、スクライブライン上に金属膜の存在しない当該スクライブラインと、が有る基板を提供する工程と、前記金属膜が存在するスクライブラインに、ブレードにより切り込みを開始し、前記スクライブラインに沿って前記基板を切り込む工程と、前記金属膜が存在するスクライブラインを切り込むことにより前記ブレードに生じるブレード面に生じる曲がりの量が、予め求めておいた、前記ブレードの破損に関わるブレード面の曲がりの量を元に算出された臨界値に達する前に、前記金属膜が存在しないスクライブラインへの切り込みを行い、前記ブレードの曲がり量が、前記金属膜が存在するスクライブラインを切り込むことにより生じるブレード面の曲がり量よりも小さい曲がり量で、前記金属膜の存在しないスクライブラインに沿って前記基板を切り込む工程と、を有するダイシング方法である。
【００１４】
また本発明は、スクライブライン上に、金属膜の存在するスクライブラインと、金属膜の存在しないスクライブラインと、が有る基板の、前記金属膜の存在するスクライブラインに対して、ブレードにより切り込みを行うステップと、
前記ブレードで前記スクライブラインに沿って前記基板の切断を行った後、前記ブレードの進行方向の正面から撮影機器を用いて前記基板の内部の前記スクライブラインの断面の映像を撮るステップと、得られた映像から前記断面の傾きを求めるステップと、前記断面の傾きと、予め求められた前記ブレードの破損に関わる前記ブレードのブレード面の曲がり量の臨界値と、を比較し、前記傾きが前記臨界値以上になっている場合には、前記金属膜の存在する前記スクライブラインへの切り込みを行うことなく、前記金属膜の存在しない前記スクライブラインへの切り込みを行うステップと、をコンピューターに実行させるプログラムである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、加工中の基板を取り外すことや、余分なスペースを必要とせずに、基板上で、切削性低下の抑制やブレード破損の抑制を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】スクライブライン上に金属堆積物が存在する領域と金属堆積物が存在しない領域とを有するシリコン基板の模式図である。
【図２】Ｙ１−Ｙ２上及びＹ３−Ｙ４上の断面図である。
【図３】ブレードによる切り込みを行う際の模式図である。
【図４】シリコン基板を切り込む際のブレードの傾きを示す模式図である。
【図５】スクライブライン上に金属堆積物が存在する領域と金属堆積物が存在しない領域とを有するシリコン基板の模式図である。
【図６】スクライブラインからずれた際のブレードの傾きを示す模式図である。
【図７】スクライブライン上に金属堆積物が存在する領域と金属堆積物が存在しない領域とを有するシリコン基板を切り込む際の順序を示した模式図模式図である。
【図８】ブレードの傾斜の測定結果である。
【図９】ブレードの切削性を回復させるシステムのフローチャートである。
【図１０】システムの構成の模式図である。
【図１１】マスクパターンの一例である。
【図１２】ステッパーを用いた際の未露光部と露光部を有するシリコン基板の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１を用いて、本発明に係るダイシング方法を説明する。
【００１８】
図１（ａ）は、ステッパーを用いて半導体基板としてのシリコン基板１に半導体素子を形成した際の、基板上に設けられたレジストの露光部と未露光部を示す模式図である。
【００１９】
図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ部を拡大した図である。また、図２（ａ）及び図２（ｂ）は、それぞれ図１（ｂ）のＹ３−Ｙ４断面及びＹ１−Ｙ２断面を示す。
【００２０】
３ａはレジストの露光された領域であり、３ａの部分のレジストは除去され、それにより露出する領域３ａにあるスクライブライン２上のアルミニウム等の金属堆積物５は、エッチングにより除去される。つまり、ブレード８によるシリコン基板１への切り込みにより切削される切削除去領域６を覆う金属堆積物５はエッチングにより除去されている。この金属堆積物５は、図２（ａ）に示すように、半導体素子の回路パターンを形成する配線となる金属膜を形成するものである。一方、３ｂは未露光領域であり、スクライブライン２上の金属堆積物５上にレジストがエッチング時に残され、金属堆積物５はエッチング除去されないため、図２（ｂ）に示すようにスクライブライン２上に金属堆積物５が残存することがある。つまり、切削除去領域６を覆う金属堆積物５は金属膜として残存している。この金属膜としては、例えば、上記配線に使用されるアルミや金、上記回路パターンの保護層等に利用されるＴａ、その他貴金属等が、挙げられる。符号５で示されるものを堆積物として例示したが、堆積によって生じるもの以外に、塗布、メッキ等で金属膜として形成されてもよい。
【００２１】
本発明者らは、このスクライブライン２上の金属堆積物５の影響を確認するため、以下のような検討を行った。
【００２２】
まず、スクライブライン２上に金属堆積物５の存在しないシリコン基板１のみの切り込みを行い、ブレード８の様子を調べた。図３は、ブレード８の進行方向から見た、加工中のブレード８の先端部を模式化したものである。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＢ部の拡大図である。
【００２３】
図に示すように、通常、ブレード８の両面のダイヤモンド砥粒９の突出量（目立て）を一致させることは難しく、多少の目立て差が両面の間で生じる。このようなブレード面の目立ての差は、ブレード８の両面それぞれの切削性の違いとして現れる。
【００２４】
例えば、ブレード面Ｂがブレード面Ａに比べて目立て量が多い場合、ブレード面Ｂ側の切削性が相対的に高くなる。このような状態においてダイシングを行うと、ブレード先端は、図４（ａ）に示すように、シリコン基板上に切り込んだ際、僅かであるがブレード面Ｂ側へ傾く傾向があることが解った。また、切断後にスクライブライン２の断面の傾きを測定することにより、シリコン基板１に接していない（基板に切り込んでいない）ブレード８の部分は傾いておらず、シリコン基板１に切り込んでいるブレード８の部分のみが傾いていることが解った。
【００２５】
例えば、厚み６２５μｍの６インチのシリコン基板１を、ブレード８（（株）ディスコ製  型式：ＮＢＣ−ＺＨ２０５Ｏ）を使用してフルカット切断を５００ライン程度行った場合、約１０μｍのブレード８の傾斜を引き起こすことが解った。なお、このときのブレード８の送り速度は３０ｍｍ／ｓｅｃ、回転数は４５０００ｒｐｍであった。この傾斜は、金属堆積物５の無い領域のシリコン基板１のみを切断する場合、ほぼ変化しないものだった。ここでいう傾斜とは、図４（ａ）でｘで示されるように、シリコン基板１の面に対して垂直なブレード８の部分と、シリコン基板１に傾いて切り込んでいるブレード８の先端部と、のシリコン基板１の面に平行な方向の最大差を表す。
【００２６】
また、金属堆積物５のないシリコン基板１を切断したブレード８の両面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察を行うと、シリコンの切削紛はブレード８の両面にはほとんど確認できなかった。
【００２７】
次に、スクライブライン２上に金属堆積物５が形成されているシリコン基板１の切り込みを行い、ブレード８への影響を確認した。
【００２８】
実験では、まずアルミニウムが１μｍ程度成膜されたシリコン基板１を、前述のシリコン基板切断条件と同様の条件にて切断を行った。切断後、シリコン基板１のスクライブライン２を観察することによりブレード８の曲がり量を評価するため、ブレード８に部分的に生じる傾斜を測定した（図４（ｂ））。
【００２９】
結果として、各スクライブライン２を切断する毎に、ｘの値として５μｍ前後に相当するブレード面の傾斜の増加が見られた。つまり、この傾斜は、アルミニウムが形成されたシリコン基板１を連続して切断することで、５μｍ、１０μｍ、１５μｍと増加して行くことが解った。前述の金属堆積物５の無いシリコン基板１の切断においては、スクライブライン２を５００ライン程度切断しても１０μｍ程度の傾斜しか発生しないことを考えると、金属堆積物５の形成されている場合は、極端に大きな変化を起こしていることになる。
【００３０】
これは、アルミニウム等の金属堆積物５が形成された領域へ切り込むことにより、切削性の低いブレード面Ａ側においてブレード８の目詰まりが急速に進行し、この面から大きな切削抵抗を受けることになる。そして、この切削抵抗の増加が、ブレード面Ａ側への応力となり、さらにブレード８の傾斜を大きくしていると考えられる。
【００３１】
また、アルミニウムの膜が形成されたシリコン基板１を切断したブレード８の両面を、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察を行うと、目立ての少ない（図４（ｂ）のブレード面Ａ）側に多量のシリコン紛の付着が見られた。これは、切削性の低下により、切削領域からの切削紛の排出性が低下し、この面にシリコン紛が滞留しているものと考えられる。
【００３２】
このことからも、金属堆積物５の形成された領域へ切り込むことにより、切削性の低いブレード面Ａ側において、ブレード８の目詰まりが急速に進行し、さらにブレード面Ａ、Ｂの切削性の差が増加したことで、ブレード８の傾斜を大きくしていると考えられる。また、金属堆積物５を切り込んだことにより、シリコン基板１の表面に付着した金属の展性、延性の影響で、シリコン紛の排出を阻害している可能性もある。
【００３３】
次に、図５に模式的に示すように、アルミニウムが１μｍ程度成膜され、パターニングされた１．６インチのシリコン基板１を用いて実験を行った。ブレード８は、ＮＢＣ−ＺＨ２０５Ｏ／（株）ディスコ製を使用し、回転数は４５０００回転、送りは３０ｍｍ／ｓｅｃにて、スクライブラインＬ１０１から順に切り込みを行った。この際、ブレード８の先端はダイシングテープ７へ３５μｍ切り込み、ブレード８の先端のＲ形状がチップ断面の平面性に影響しないようにする。
【００３４】
この結果、ブレード８の傾斜を測定すると、スクライブライン２を５０ライン切ったあたりで、急に傾斜が増加していることが分かった。これは、５０ラインあたりでブレード８が破損したと考えられる。
【００３５】
また、破損したと考えられる点に至るまでには、図６に示すように、ブレード８の切断表面の位置がスクライブライン２上からずれていることが分かった。スクライブライン２は、あらかじめブレード８の幅より少し大きめのマージン領域を持っているが、本実施形態では、切断表面が、このマージン領域を含むスクライブライン２から外れた点のブレード８の傾斜を臨界値とする。つまり、ブレード８の傾斜が臨界値に達する前は、上述のようにシリコン基板１に接触していないブレード８の部分は傾いておらず、シリコン基板１に切り込んでいるブレード８の部分から傾いている。ブレード８の傾斜が臨界値を越えると、図６に示すようにシリコン基板１に接していないブレード８の部分も傾き始める。そして、この臨界値を越えてシリコン基板１の切り込みを続けると、ブレード８の破損に到ると考えられる。
【００３６】
続いて、図７に模式的に示すように、アルミニウムが１μｍ程度成膜され、パターニングされたシリコン基板１を用いて、以下のような実験を行った。
【００３７】
ブレード８は、ＮＢＣ−ＺＨ２０５Ｏ／（株）ディスコ製を使用し、回転数は４５０００回転、送りは３０ｍｍ／ｓｅｃにて切断を行った。この際、ブレード先端はダイシングテープ７へ３５μｍ切り込み、ブレード８の先端のＲ形状がチップ断面の平面性に影響しないようにする。
【００３８】
まず、スクライブライン上にアルミニウムが形成されたスクライブラインＬ２０１の切り込みを行い、ブレード８をシリコン基板１に当てることで得られるブレード８の傾斜を初期の傾斜とした。続いて、スクライブライン上にアルミニウムが形成されたスクライブラインＬ２０２へ切り込んだ後、スクライブライン上にアルミニウムの存在しないスクライブラインＬ２０３への切り込みを行った。その後、順にスクライブラインＬ２０４〜Ｌ２０８へと切り込みを行った。各スクライブラインＬ２０１〜Ｌ２０８を観察することにより得られたブレード８の傾斜の値を図８に示す。この結果から、スクライブライン上にアルミニウムが形成されたスクライブラインＬ２０１、Ｌ２０２を切り込むことにより傾斜したブレード８は、スクライブラインＬ２０３〜Ｌ２０８へ切り込みを入れることにより、その傾斜が初期の状態に戻ることが判った。
【００３９】
これは、金属堆積物５の存在するスクライブライン２を切り込むことにより、目立ての低い方のブレード面側に付着して目詰まりを起こしていたシリコン紛が、金属堆積物５の存在しないスクライブライン２を切り込むことで、取り除かれたものと考えられる。
【００４０】
つまり、金属堆積物５の存在するスクライブライン２へ切り込むことにより低下した切削性は、金属堆積物５の存在しないスクライブライン２へ切り込みを行うことにより、低下する前の状態へ戻っていく。
【００４１】
これらの実験結果より、ブレード８の傾斜が増加する前、つまり臨界値に達する前に、金属堆積物５の存在しないスクライブライン２へ切り込みを行えば、切削性の低下、特に破損に繋がるブレード８の傾斜の増加を抑制することができることが解った。ただし、ブレード８の傾斜に影響を及ぼす金属堆積物５は、上述したようなアルミニウムに限らず、金や白金、銀など展性、延性を持つ他の金属の場合にも適用され、切断される基板もシリコン基板１の場合のみに限らず、ガラス基板等でもよい。
【００４２】
次に、予め前以て切断されるシリコン基板１と同じパターンの金属堆積物５の形成されたシリコン基板１の切り込みを行い、そのシリコン基板１とブレード８に固有となる臨界値を測定し、自動的にブレード８の切削性の回復動作を行うシステムについて説明する。
【００４３】
まず、切削性回復のためのシステムの第１実施例について説明する。
【００４４】
予め前以て切断されるシリコン基板１と同じパターンの金属堆積物５の形成されたシリコン基板１の切り込みを行い、そのシリコン基板１とブレード８に固有となる臨界値を算出するために測定する。同じパターンとは、基板上の金属堆積物の存在する領域と存在しない領域との分布が同じであることをいう。この臨界値は、実際にブレード８が破損するに到るまでに一定の余裕を見込める値にする。つまり、実際にブレード８が破損したときのブレード８のブレード面の傾きより多少小さい傾きの値とする。
【００４５】
次に、ブレード８でシリコン基板１のスクライブライン２の切断を開始し、スクライブラインに沿って切断を行った後、ブレードの進行方向の正面から例えば図３や図４のようなシリコン基板１の内部のスクライブライン断面の映像を撮る。映像はビデオカメラ等の撮影機器を用いて撮る。これは、スクライブライン２の切断毎に行っても良く、あるいは複数回のスクライブライン２の切断毎に行っても良い。
【００４６】
次に、得られた映像から切断線の傾きを図形認識によって図４のｘに相当する値を求める。この値が先に求めておいた臨界値と比較し、臨界値を越えていない場合にはそのまま切断工程を継続して行う。もし、臨界値以上になっている場合には、金属堆積物５の存在する次のスクライブライン２の切断を行うことなく、金属堆積物５の存在しないスクライブライン２への切り込みを行う。これにより、ブレードの曲がり量は金属堆積物５の存在するスクライブライン２を切断していた際のブレードの曲がり量よりも小さい曲がり量となる。この切削性回復のための金属堆積物５の存在しないスクライブライン２への切り込みは、先の撮影機器を用いた方法で、ブレード面の傾きが少なくとも臨界値より小さくなるまで続ける。十分小さくなることが望ましい。
【００４７】
その後、通常の切断工程に戻って、金属堆積物５の存在するスクライブライン２の切断を継続する。
【００４８】
更に、他の切削性回復の例として、切削性回復のためのシステムの第２実施例について説明する。
【００４９】
図９は、そのシステムのＣＰＵ（コンピューターに相当）４０１の動作の実行に関わるプログラムのフローチャートである。また、図１０は、そのシステムの構成の模式図である。
【００５０】
図１０に示すように、ＣＰＵ４０１はこれからダイシングを行う（切断される）シリコン基板１のマスクパターン及びブレード８の臨界値をハードディスク４０２から取得する（Ｓ１０１）。ブレード８の臨界値は、上述したように、使用するブレード８と同種のブレードを用い、あらかじめ同じパターンの金属堆積物５の形成されたシリコン基板１の切り込みを行って、そのシリコン基板１とブレード８とに固有となる臨界値を算出しておいたものである。このマスクパターン及びブレード８の臨界値は、これらのデータを保持させた、ハードディスク４０２から取得しても、ＣＤ−ＲＯＭ４０３等の記憶媒体から取得しても、また、ネットワークを介したデータベース４０４から取得するようにしても良い。このときの臨界値は、メモリ４０５に一時的に格納・記憶される。
【００５１】
Ｓ１０１で取得したマスクパターンを元に、ＣＰＵ４０１はマスクパターンを解析し、シリコン基板１上のスクライブライン２のパターンを抽出する（Ｓ１０２）。
【００５２】
上述のマスクパターンとシリコン基板１との関連性を例を挙げて説明する。図１１を参照すると、マスクパターンとしては金属堆積膜をエッチング除去するためのレジスト層そのものが挙げられる。シリコン基板１上の金属堆積物上にレジスト層が設けられ、３ｂに対応する箇所（未露光部）はレジスト層存在箇所、他方３ａに対応する箇所（露光部）レジスト層非存在箇所である。このレジスト層のパターンは金属堆積膜のエッチング除去のマスクパターンとして機能するため、レジスト層の形状は金属堆積膜のパターン形状と対応関係がある。基板上のレジスト層の形状をマスクパターンに関する情報としてＳ１０１で取得して、それをもとに、エッチング後の基板上の金属堆積膜のパターンに関する情報をＳ１０２で抽出することができる。
【００５３】
また、金属堆積膜のエッチング用レジスト層のパターン形状を得る際、露光部３ａ、未露光部３ｂを形成することとなるが、その形成に関わってレジスト層に露光を行うための露光装置に搭載されるマスク（レチクル）もマスクパターンとして扱うことができる。露光装置が有するマスクの形状はレジスト層のパターンに反映され、それを利用して金属堆積膜の基板上でのパターンが決定されるため、露光装置のマスクに関する情報と金属堆積膜のパターンとを対応づけることができる。
【００５４】
Ｓ１０２で抽出したスクライブライン２の情報から、ＣＰＵ４０１はスクライブライン２毎に評価を行う（Ｓ１０３）。ここで、ＣＰＵ４０１によるスクライブラインの評価は、１つのスクライブライン２中に存在する金属堆積物５の厚さ、スクライブラインに沿った長さに応じて点数による重み付けを付与することによって行う。例えば、図１１に例示するようなマスクパターンにおいて、ＣＰＵ４０１はスクライブラインＬ３０１に「−２」点、スクライブラインＬ３０２に「−５」点、スクライブラインＬ３０３に「−９」点をそれぞれ付与する。同様にして、スクライブラインＬ３０４に「＋７」点、スクライブラインＬ３０５に「＋５」、スクライブラインＬ３０６に「＋３」点、スクライブラインＬ３０７に「＋１」点をそれぞれ付与する。付与されたそれぞれの点は、メモリ４０５に一時的に記憶される。
【００５５】
Ｓ１０３でスクライブラインを評価して相応の点数を付与した後、ＣＰＵ４０１はブレード８の評価を行う（Ｓ１０４）。例えば、図１１のようなマスクパターンの場合、基板に切り込みを入れる前のブレード８の持ち点を暫定的に「１０」点とする。この時のブレード８の持ち点はメモリ４０５に記憶される。またこの時、ブレード８は初期の持ち点の１０点を超えないものとして、ＣＰＵ４０１に決定される。仮にブレード８がスクライブライン３０４に初めに切り込みを入れたとしても、ＣＰＵはブレード８の持ち点が１７点とは判断せず、１０点と判断する。
【００５６】
Ｓ１０３、Ｓ１０４により取得した情報に応じて、ＣＰＵ４０１はシリコン基板１上のスクライブライン２に切り込みを入れる全ての順序を検索する。即ち、ＣＰＵ４０１はＳ１０４で評価したブレード８の持ち点に対して、Ｓ１０３で評価したスクライブライン２の点を加算する。この時、順序ごとにブレード８の持ち点の変化をメモリ４０５に記憶させる。ＣＰＵ４０１はメモリ４０５に保持されたブレード８の変化する持ち点のうち、順序ごとに最小値を検索する（Ｓ１０５）。図１１において、ＣＰＵ４０１によって決定される最小値はスクライブライン２に切り込みを入れる順序によって変動する。
【００５７】
その最小値が、メモリ４０５に保持された臨界値の点数より大きくなる順序があるか判断する（Ｓ１０６）。臨界値の点数より大きくなる順序があるならＳ１０７に進み、臨界値の点数より大きくなる順序が存在しないなら、Ｓ１０９へ進む。
【００５８】
Ｓ１０６で行われた判断により、持ち点の最小値が臨界値の点数より大きくなる順序が存在しない場合、ＣＰＵ４０１は、「ダイシング加工中にブレードの臨界値を超える」という表示を出す（Ｓ１０７）。その後、処理を終了する。
【００５９】
Ｓ１０６で行われた判断により、持ち点の最小値が臨界値の点数より大きくなる順序が存在する場合は、その順序を決定する（Ｓ１０８）。例えば図１１のようなマスクパターンの場合、臨界値の点数を「０」点とすると、ブレード８の持ち点の最小値が０点より大きくなるのは、Ｌ３０１、Ｌ３０２、Ｌ３０４、Ｌ３０３、Ｌ３０５、Ｌ３０６、Ｌ３０７の順序である。この場合の順序は、ブレード８の持ち点の最小値が１点をとる順序である。
【００６０】
Ｓ１０８で取得したスクライブライン２に切り込みを入れる順序に従い、ＣＰＵ４０１はブレードを制御する（Ｓ１０９）。
【００６１】
本実施例では、図１１に示す基板に対し一方向に切り込みを入れる場合について述べたが、どの方向に切り込みを入れる場合においても適用できる。また、本実施形態では１つのスクライブライン２中に存在する金属堆積物５の厚さ、スクライブラインに沿った長さに応じて点数をつける例を示したが、他の方法で点数をつけても構わない。例えば、単純に金属堆積物５の存在するスクライブライン２を「−５」点とし、金属堆積物５の存在しないスクライブライン２を「３」点としてもよい。また、臨界値より大きくなる順序が複数ある場合、ブレード８の持ち点の最小値が最大になる順序を決定してもよいし、ブレード８の移動距離を考慮してもよい。
【００６２】
上述した、切削性回復のためのシステムの第１実施例及び第２実施例それぞれの工程は、システムの動作を制御するＣＰＵのプログラムとして提供することができるとともに、そのプログラムをデータとして保持・格納する記憶媒体としても提供することができる。
【符号の説明】
【００６３】
１  シリコン基板
２  スクライブライン
３ａ  露光領域
３ｂ  未露光領域
５  金属堆積物
６  切断除去領域
７  ダイシングテープ
８  ブレード
９  ダイヤモンド砥粒
１０  露光エリア
４０１  ＣＰＵ
４０２  ハードディスク
４０３  ＣＤ−ＲＯＭ
４０４  ネットワークデータベース
４０５  メモリ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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