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【手続補正書】
【提出日】平成16年6月14日(2004.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】
真空容器内に設置された接地電位の移送手段により、一方から未処理物を連続的に供給し、中間部で当該プラズマ表面処理を施し、他方から既処理物を連続的に取り出し、連続一貫プラズマ表面処理を行なうことを特徴とする請求項１乃至請求項３記載のプラズマ表面処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明の請求項４に係るプラズマ表面処理法は、請求項１乃至請求項３記載のプラズマ表面処理において、真空容器内に設置された接地電位の移送手段により、一方から未処理物を連続的に供給し、中間部で当該プラズマ表面処理を施し、他方から既処理物を連続的に取り出し、連続一貫プラズマ表面処理を行なうように構成した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
本発明の請求項６に係るプラズマ表面処理装置は、接地された真空容器と、該真空容器の内部に導電性の支持体又は運動・移動機構に支持されて配置され接地電位にある被処理物と、前記真空容器の内部に正電位にバイアスされたプラズマを発生させるプラズマ発生用電源及びプラズマ発生用アンテナ又は電極とからなり、前記被処理物の周囲を覆う接地電位の導電性包囲体を設けた構成とした。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】  ここで、γはイオンの種類とエネルギーＥ(ｅＶ)、そして被処理物の材質や表面状態で変わるが、エネルギーが概ね１ｋｅＶを超えると、
【数３】
γ＝αＥ1/2                  ・・・・（３）
と近似できる。αは係数である。γの例は文献（例えば、M.M. Shamin, J.T. Scheuer, R.P. Fetherton and J.R. Conrad: J. Appl. Phys., 70,4756(1991)）に記されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
次に、本発明を実施するための基本構成と動作を、前述の従来技術（図１１及び図１２を参照）と対比させて、図２の装置構成と図３の被処理物の周囲のイオンシース形成と電位分布図を用いて説明する。図２において、接地された真空容器１１の内部に、別に設けたプラズマ発生用電源１６及びプラズマ発生用アンテナ又は電極１５によってプラズマ１２を発生させる。プラズマ発生法は、熱陰極を用いた直流アーク放電、高周波容量結合放電、高周波誘導結合放電、マイクロ波放電、ＥＣＲ放電等が用いられる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
本願発明によって、上述の課題１乃至課題４がどのように解決されるかを説明する。正パルスバイアス法および装置では、被処理物１０は真空容器１１と同じ接地電位におかれるので、まず課題１及び課題２が解決する。真空容器１１内に設置された、これも接地電位の運動・移動機構１９を利用して、一方から未処理物を連続的に供給し、中間部で当該プラズマ表面処理を施し、他方から既処理物を連続的に取り出し、連続一貫プラズマ表面処理プロセスが構成できる。これによって表面処理の生産性が著しく向上する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
マスフローコントローラ（図示せず）を介してアルゴンガスが導入され、バラトロン真空計（図示せず）で常に０.１Ｐａの圧力に調整される。石英管の外側にはループアンテナが巻かれ、１４０ＭＨｚ、２０Ｗの高周波電力を供給して、アルゴンの誘導放電プラズマが生成される。石英管の上部には、真空フィードスルーを介して直径３ｃｍの陽極（ＳA=7cm2）が導入される。陽極もSUS304製で、裏面はセラミックスで絶縁されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
本実施例では、２つのケースを比較した。ケース１は、ＳK ＝３１１ｃｍ2，ＳK/ＳA＝４４であり、ケース２は、絶縁材を全て除去した場合で、ＳK ＝５８０ｃｍ2，ＳK/Ｓ
＝３６８である。一方、正パルスバイアスが印加されるための理論的条件は、式（６）から、１０ｋｅＶのアルゴン正イオン（Ａｒ+）として、γの経験値を用いると、
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004031461.tif 000001
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2004031461.tif 000002
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004031461.tif 000003
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2004031461.tif 000004
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2004031461.tif 000005
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2004031461.tif 000006
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月4日(2005.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空を維持することが可能な真空容器と、前記真空容器内にあり、プラズマによって処理されるウエハが載置されるウエハホルダと、前記ウエハホルダに対向して配設された電極に電力を印加する電源と、前記電極を囲むように配置される防着板とからなるスパッタリング装置において、前記防着板を金属材にて二重にかつ互いに非接触状態に設置し、前記防着板のいずれか一方を接地電位とし、かつ互いに向かい合う面間の距離が異なるように設定したことを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】
真空を維持することが可能な真空容器と、前記真空容器内にあり、プラズマによって処理されるウエハが載置されるウエハホルダと、前記ウエハホルダに対向して配設された電極に電力を印加する電源と、前記電極を囲むように配置される防着板とからなるスパッタリング装置において、前記防着板を金属材にて二重にかつ互いに非接触状態に設置し、前記防着板の両方を接地電位とし、かつ互いに向かい合う面間の距離が異なるように設定したことを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項３】
真空を維持することが可能な真空容器と、前記真空容器内にあり、プラズマによって処理されるウエハが載置されるウエハホルダと、前記ウエハホルダに対向して配設された電極に電力を印加する電源と、前記電極を囲むように配置される防着板とからなるスパッタリング装置において、前記防着板を金属材にて二重にかつ互いに非接触状態に設置し、外側の防着板を接地電位とし、内側の防着板を直流負電位とし、かつ前記内外側の防着板の互いに向かい合う面間の距離が異なるように設定したことを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項４】
前記二重の防着板において、内側の防着板における内面を絶縁体により被覆したことを特徴とする請求項１〜３いずれか１項記載のスパッタリング装置。
【請求項５】
前記プラズマ処理が誘電体薄膜、あるいは強誘電体薄膜を形成するスパッタリング処理であることを特徴とする請求項１〜４いずれか１項記載のスパッタリング装置。
【請求項６】
複数のウエハが載置され、前記ウエハを処理位置に順次移動させて連続的に処理させる移動手段を備えたことを特徴とする請求項１〜５いずれか１項記載のスパッタリング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、真空を維持することが可能な真空容器と、前記真空容器内にあり、プラズマによって処理されるウエハが載置されるウエハホルダと、前記ウエハホルダに対向して配設された電極に電力を印加する電源と、前記電極を囲むように配置される防着板とからなるスパッタリング装置において、前記防着板を金属材にて二重にかつ互いに非接触状態に設置し、前記防着板のいずれか一方を接地電位とし、かつ互いに向かい合う面間の距離が異なるように設定したことを特徴とし、この構成によって、プラズマが防着板の外へ広がることを防ぐことができ、安定してプラズマ処理を行うことができる。また被処理ウエハ以外のウエハがプラズマにさらされることを防ぐことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項２に記載の発明は、真空を維持することが可能な真空容器と、前記真空容器内にあり、プラズマによって処理されるウエハが載置されるウエハホルダと、前記ウエハホルダに対向して配設された電極に電力を印加する電源と、前記電極を囲むように配置される防着板とからなるスパッタリング装置において、前記防着板を金属材にて二重にかつ互いに非接触状態に設置し、前記防着板の両方を接地電位とし、かつ互いに向かい合う面間の距離が異なるように設定したことを特徴とし、この構成によって、プラズマが防着板の外へ広がることを防ぐことができ、安定してプラズマ処理を行うことができる。また被処理ウエハ以外のウエハがプラズマにさらされることを防ぐことができる。しかも、二重の防着板において内側と外側の両方の防着板を接地電位とすることにより、２枚の防着板間で放電が生じることを防ぐことができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項３に記載の発明は、真空を維持することが可能な真空容器と、前記真空容器内にあり、プラズマによって処理されるウエハが載置されるウエハホルダと、前記ウエハホルダに対向して配設された電極に電力を印加する電源と、前記電極を囲むように配置される防着板とからなるスパッタリング装置において、前記防着板を金属材にて二重にかつ互いに非接触状態に設置し、外側の防着板を接地電位とし、内側の防着板を直流負電位とし、かつ前記内外側の防着板の互いに向かい合う面間の距離が異なるように設定したことを特徴とし、この構成によって、プラズマが防着板の外へ広がることを防ぐことができ、安定してプラズマ処理を行うことができる。また被処理ウエハ以外のウエハがプラズマにさらされることを防ぐことができる。しかも、外側の防着板を接地電位とし、内側の防着板を直流負電位とすることにより、付着した絶縁物を取り除きながらプラズマ処理を行うことができるため、防着板のメンテナンス周期を延ばすことができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係るスパッタリング装置は、防着板を金属で二重に形成し、少なくともいずれか一方を接地電位とし、かつ防着板の互いに向かい合う面間の距離が異なるようにしたことにより、処理中におけるプラズマが防着板の外へ広がることを防ぐことができ、安定したプラズマ処理を行うことができる。また連続してウエハを投入しても、被処理ウエハ以外のウエハがプラズマにさらされることを防ぐことが可能になる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月4日(2004.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
図１１乃至図１６に示す懐中電灯は、図１乃至図７に示す実施の形態の懐中電灯の載置部６ａに重り３０を設けたものである。この実施の形態の懐中電灯１は、蓋体６の載置部６ａに円形孔２０ａを中心に有する円板状の重り３０が埋め込まれており、この重り３０によって電灯本体３の自立立設状態が安定し、かつ所定震度で確実に倒れることができる。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
図１７に示す懐中電灯は、図８に示す実施の形態の懐中電灯の載置部６ａに重り３０を設けたものであり、図１８示す懐中電灯は、図９に示す実施の形態の懐中電灯の載置部６ａに重り３０を設けたものであり、図１９に示す懐中電灯は、図１０に示す実施の形態の懐中電灯の載置部６ａに重り３０を設けたものであり、いずれも蓋体６の載置部６ａに円形孔３０ａを中心に有する円板状の重り３０が埋め込まれており、この重り３０によって電灯本体３の自立立設状態が安定し、かつ所定震度で確実に倒れることができる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
図２０は懐中電灯の他の実施の形態を示す図である。この実施の形態の懐中電灯１は、蓋体６に支持ホルダ５０が挿着され、支持ホルダ５０に設けたバネ接片７が乾電池２に接触している。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
この蓋体６の載置部６ａには円形孔３０ａを中心に有する円板状の重り３０が埋め込まれている。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図２０（ａ）の状態では、進退自在スイッチ８がコイル状の付勢バネ５１によって載置部６ａから突出する方向に付勢され、接点５２が接続接点５３の他端部５３ｂに接続すると共に、接続接点５４の他端部５４ｂに接続するから、手動スイッチ４のオンで点灯回路Ａが閉じ、照明部５を点灯する。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図２０（ｂ）の自立立設状態では、進退自在スイッチ８がコイル状の付勢バネ５１に抗して内側に押され、接点５２が接続接点５３の他端部５３ｂから離れると共に、接続接点５４の他端部５４ｂから離れるから、手動スイッチ４のオンで点灯回路Ａが閉じ、照明部５を点灯するようにしていても、進退自在スイッチ８で点灯回路Ａが開き、照明部５を点灯しない。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
この自立立設状態では、重り３０によって電灯本体３の自立立設状態が安定し、かつ所定震度で確実に倒れることができる。


【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
この懐中電灯１が所定震度で倒れると、図２０（ａ）のように、進退自在スイッチ８がコイル状の付勢バネ５１によって載置部６ａから突出する方向に付勢され、接点５２が接続接点５３の他端部５３ｂに接続すると共に、接続接点５４の他端部５４ｂに接続するから、手動スイッチ４のオンで点灯回路Ａが閉じ、照明部５を点灯する。


【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004031315.tif 000001
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2004031315.tif 000002
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１２】
2004031315.tif 000003
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2004031315.tif 000004
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2004031315.tif 000005
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2004031315.tif 000006
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１６】
2004031315.tif 000007
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2004031315.tif 000008
【手続補正１７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１８】
2004031315.tif 000009
【手続補正１８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１９】
2004031315.tif 000010
【手続補正１９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２０】
2004031315.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月2日(2005.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高誘電体材料を用いて形成されたゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法において、
半導体基板に酸化ハフニウム膜または酸化ジルコニウム膜を形成する工程と、
形成された前記酸化ハフニウム膜または前記酸化ジルコニウム膜をオゾン雰囲気または酸素ラジカル雰囲気に晒して前記酸化ハフニウム膜中または前記酸化ジルコニウム膜中に含まれている不要不純物を除去する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
形成した前記酸化ハフニウム膜または前記酸化ジルコニウム膜をオゾン雰囲気または酸素ラジカル雰囲気に晒して前記酸化ハフニウム膜中または前記酸化ジルコニウム膜中に含まれている前記不要不純物を除去する工程の後に、
前記酸化ハフニウム膜の表面または前記酸化ジルコニウム膜の表面にシリコン窒化膜を形成する工程と、
形成された前記シリコン窒化膜上にゲート電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記シリコン窒化膜は、前記酸化ハフニウム膜または前記酸化ジルコニウム膜に対してシリコン原料とアンモニアとを交互に供給することによって形成することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
ゲート電極とゲート絶縁膜との間に窒化膜が形成された半導体装置の製造方法において、
半導体基板にゲート絶縁膜を形成する工程と、
形成された前記ゲート絶縁膜の表面に、前記ゲート絶縁膜に対してシリコン原料とアンモニアとを交互に供給することによってシリコン窒化膜を形成する工程と、
形成された前記シリコン窒化膜上にゲート電極を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
形成された前記ゲート絶縁膜の前記表面に、前記ゲート絶縁膜に対して前記シリコン原料と前記アンモニアとを交互に供給することによって前記シリコン窒化膜を形成する工程においては、
前記アンモニアは、前記アンモニアをプラズマ状態にして、または前記アンモニアに紫外線を照射した状態で、供給することを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明では上記課題を解決するために、図１に示すフローで実現可能な半導体装置の製造方法が提供される。本発明の半導体装置の製造方法は、高誘電体材料を用いて形成されたゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法において、半導体基板に酸化ハフニウム膜または酸化ジルコニウム膜を形成する工程と、形成された前記酸化ハフニウム膜または前記酸化ジルコニウム膜をオゾン雰囲気または酸素ラジカル雰囲気に晒して前記酸化ハフニウム膜中または前記酸化ジルコニウム膜中に含まれている不要不純物を除去する工程と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
このような半導体装置の製造方法によれば、酸化ハフニウムや酸化ジルコニウムなどの高誘電体材料を用いて高誘電体膜を形成した後（ステップＳ１）、この高誘電体膜をオゾン雰囲気または酸素ラジカル雰囲気に晒す（ステップＳ２）。これにより、高誘電体膜中に含まれている不要不純物は、反応性の高いオゾンや酸素ラジカルによって酸化されるなどして、高誘電体膜外へと除去される。
【手続補正書】
【提出日】平成15年10月17日(2003.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【発明の名称】スカイライト  リフレクター（天窓反射板）
【背景技術】
【０００１】一日中日照のない北側部屋で、以前は天窓をつけて明るさを取ったが、最近のような２階以上の建物で１階部分に天窓をつけるには、大きな吹き抜けを作らなければならず、現実は経済的に困難である。また、最近の発明で、ビルの屋上にパラボラ集光器を設置し太陽光を集め、光ファイバーで地下室まで運び、地下室で日照を再現したことをきいている。これでは設備費がかかり、一般家庭には普及しない。最近の都市家屋は、過密化、高層化して、日照の不十分な部屋が増加している。このような部屋では、昼間でも照明を点けなければ、文字が読めず、仕事も、勉強も出来ない。これは電力の無駄使いのみならず、健康にも良くないと思う。
【発明が解決しようとしている課題】
【０００２】本発明は、日照の不充分な部屋を、安い設備投資で、運転費を全く掛けないで明るくする技術を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００３】課題を解決するためには、以下のような諸点を解決する必要がある。（Ａ）北側部屋のように日照はないが、天窓と同じ位に室内を明るくしたい場合。この場合は、図１のように、窓外に水平から４５度傾斜した平面反射板２を設置し、真上の天空光１を部屋に取り入れば、６畳位の部屋なら驚く程の明るさとなる。反射板にステンレス板を使用した場合に、板面積の半分の天窓とほぼ同等の効果が期待される。つまり１ｍｘ５０ｃｍのステンレス板を使用すれば、５０ｃｍ四方の天窓とほぼ同じ明るさになる。窓から北側のスペースが少ない場合には、反射板の横幅を窓幅と同じにし、縦を短くすれば良い。反射板の面積を広くすれば、それに比例して部屋の中は明るくなるのである。平面反射板の場合、部屋の中に板の形の明るい場所がくっきりと映る、他の場所はその再乱反射光で明るくなる。（Ｂ）部屋の水平面を広く明るくしたい場合。図２のようにステンレス板の横方向を丸めて、円筒形の曲面を作る。この円筒型反射板９を上記平面反射板の代わりに設置すれば、窓枠幅一杯の光を取り入れる事が出来、部屋の平面方向の明るさにむらがなくなる。（Ｃ）部屋全体を明るくしたい場合。図３のような球面型反射板を使えば、反射光は拡散し部屋全体が明るくなる。この際は、反射光全てが室内に入るように、反射板の形と位置を択ぶ必要がある。（Ｄ）次に、東側或いは西側に窓があり、数時間、日照のある部屋の場合。円筒型反射板９、或いは球面型反射板１０を使えば、太陽光の移動を捕らえ、日照時間を増やし、部屋を長時間明るくする事ができる。（Ｅ）北側部屋で、日照が欲しい場合。図４のように、屋上で昼間太陽光１が当り、且つ窓外の反射板が見通せる場所に、円筒型反射板９を設置し、そこで反射された太陽光を下の窓外の反射板で再反射すれば、室内に日照を昼間再現することが出来る。この場合の窓外の反射板は、平面、円筒形、球面の何れでも、好みに合わせて使用可能である。尚、上記例は２枚の反射板で構成できた場合であるが、必要ならば反射板の数を増やしても構わない。また、屋上の反射板を複数枚使用し、その反射光全部を窓外の反射板に集めれば、太陽の移動にも対応し易いし、明るさも増す。
【０００４】次に反射板の材質、支持方法について提案する。（Ｆ）反射板の材質は、鏡、メッキした金属やプラスチックも考えられるが、ステンレスが光反射率、強度、対候性、加工性、コストの面で最適の素材と思う。（Ｇ）各反射板とも、寸法別に規格統一すれば、施工もしやすくなり、コストも下がる。（Ｈ）反射板の支持方法は、各反射板に金属製の四角形フレーム３を付ける。反射板を建物に固定するには、このフレームを支持枠に固定する。１階ならば図１のように、地上から立てた４本の支持枠７に、反射板をつけたフレーム３を取り付ける。２階以上では、支持枠を建物に取り付けることになる。
【発明の効果】
【０００５】（Ａ）本装置は３種類の反射板と支持枠で構成される。夫々サイズの異なる規格品を準備すれば、施工も簡単で、安価に出来る。（Ｂ）本発明は天窓を造るのとは違って、既存家屋でも簡単に、安価に取り付けられる。（Ｃ）何よりも、今までの薄暗い部屋が突然明るくなることの喜びは、家庭円満にも繋がり、健康にも良いことである。（Ｄ）この装置を事務所や工場の昼間照明に利用すれば、日本全体では相当な電力消費量の節約にもなり、環境破壊の減少にもなる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】は天空光１を平面反射板２で反射させ、その反射光５を室内照明に利用しようとする本発明の基本的概念図である。
【図２】は円筒型反射板の斜視図である。
【図３】は球面型反射板の側面図である。
【図４】は反射板２枚を使って、太陽光を２回反射させ、北側部屋に日照を導入する概念図である。
【符号の説明】
【０００７】    １      天空光或いは太陽光    ２      平面反射板    ３      反射板取付け用フレーム    ４      窓    ５      反射光    ６      建物壁    ７      支持枠    ８      地面    ９      円筒型反射板  １０      球面型反射板
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】全図
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2004031365.tif 000001
【図２】
2004031365.tif 000002
【図３】
2004031365.tif 000003
【図４】
2004031365.tif 000004
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
日照の不充分な部屋の窓外に光反射板を置き、日光或いは天空の明るさを、室内に反射させることにより、室内を明るくする装置。
【請求項２】
屋上の昼間太陽光が当る場所に反射板を設置し、その反射太陽光を窓外の反射板で室内に再反射し、昼間室内に日照を再現する装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月29日(2005.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向して配設された一対のプレート間に、ガス媒体が封入された放電空間が形成されると共に前記一対のプレートの対向する面の少なくとも一方に電極及び蛍光体層が配設され、放電に伴って紫外線を発し前記蛍光体層で可視光に変換することによって発光するガス放電パネルであって、
前記ガス媒体は、
ヘリウム，ネオン，キセノン，アルゴンを含む希ガスの混合物であって、
アルゴンが０．５体積％以下、ヘリウムが５５体積％未満含有されていることを特徴とするガス放電パネル。
【請求項２】
前記ガス媒体の封入圧力は、８００Ｔｏｒｒ以上４０００Ｔｏｒｒ以下であることを特徴とする請求項１記載のガス放電パネル。
【請求項３】
請求項１または２記載のガス放電パネルと、
前記電極に電圧を印加することによって前記放電パネルを駆動する駆動回路とからなる表示装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月3日(2005.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子分離領域及びゲートからエッジを離隔して配設されたソース電極及びドレイン電極を備えてなることを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
ソース電極形成予定領域及びドレイン電極形成予定領域にＳｉ面が表出されている基板上に遷移金属膜を形成する工程と、
次いで、該遷移金属膜のシリサイド化処理を行ってソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
次いで、該ソース電極及びドレイン電極のシンニング処理を行って該ソース電極及びドレイン電極のエッジを素子間分離領域及びゲートから離隔する工程と
が含まれてなることを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項３】
ソース電極形成予定領域及びドレイン電極形成予定領域にＳｉ面が表出されている基板上に遷移金属膜を形成する工程と、
次いで、該遷移金属膜の一次熱処理を行ってソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
次いで、該遷移金属からなるソース電極及びドレイン電極のシンニング処理を行って該ソース電極及びドレイン電極のエッジを素子間分離領域及びゲートから離隔する工程と、
次いで、該遷移金属からなるソース電極及びドレイン電極の２次熱処理を行う工程と
が含まれてなることを特徴とする半導体素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月16日(2005.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の工程として下地絶縁膜上に非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成し、
第２の工程として前記第１の半導体膜表面に結晶化を助長する金属元素を添加し、
第３の工程として前記第１の半導体膜上にバリア層を形成し、
第４の工程として前記バリア層上に非晶質構造を有し、希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成し、
第５の工程として加熱処理を行い、前記第１の半導体膜を結晶化させ、かつ前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングし、
第６の工程として前記第２の半導体膜を除去し、
前記第１の工程から前記第５の工程は大気雰囲気に曝されることなく連続的に処理されることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項２】
第１の工程として下地絶縁膜上に非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成し、
第２の工程として前記第１の半導体膜表面に結晶化を助長する金属元素を添加し、
第３の工程として前記第１の半導体膜上にバリア層を形成し、
第４の工程として前記バリア層上に非晶質構造を有し希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成し、
第５の工程として加熱処理を行い前記第１の半導体膜を結晶化させ、かつ前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングし、
第６の工程として前記第２の半導体膜を除去し、
前記第１の工程から前記第６の工程は大気雰囲気に曝されることなく連続的に処理されることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項３】
第１の工程として下地絶縁膜表面に結晶化を助長する金属元素を添加し、
第２の工程として前記第１の工程に続いて非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成し、
第３の工程として前記第１の半導体膜上にバリア層を形成し、
第４の工程として前記バリア層上に非晶質構造を有し、希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成し、
第５の工程として加熱処理を行い、前記第１の半導体膜を結晶化させ、かつ前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングし、
第６工程として前記第２の半導体膜を除去し、
前記第１の工程から前記第５の工程は大気雰囲気に曝されることなく連続的に処理されることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項４】
第１の工程として下地絶縁膜表面に結晶化を助長する金属元素を添加し、
第２の工程として前記第１の工程に続いて非晶質構造を有する第１の半導体膜を形成し、
第３の工程として前記第１の半導体膜上にバリア層を形成し、
第４の工程として前記バリア層上に非晶質構造を有し、希ガス元素を含む第２の半導体膜を形成し、
第５の工程として加熱処理を行い、前記第１の半導体膜を結晶化させ、かつ前記第２の半導体膜に前記金属元素をゲッタリングし、
第６の工程として前記第２の半導体膜を除去し、
前記第１の工程から前記第６の工程は大気雰囲気に曝されることなく連続的に処理されることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、前記希ガス元素は、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記金属元素は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記バリア層はＣＶＤ法、またはプラズマ処理を行うことによって形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記加熱処理は、ファーネスアニール法、またはラピットサーマルアニール法で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月2日(2005.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面とその反対側の裏面とを有し、配線とこれにバイパス状に電気的に接続された補助配線とが形成された配線基板と、
前記配線基板の主面に搭載され、前記主面の接続端子と電気的に接続された半導体チップと、
前記配線基板に設けられ、前記半導体チップの表面電極とそれぞれに電気的に接続される複数の外部端子とを有し、
前記補助配線は、前記配線基板の主面または裏面の少なくとも何れか一方に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
主面とその反対側の裏面とを有し、配線とこれに両端が電気的に接続された補助配線とが前記主面に形成された配線基板と、
前記配線基板の主面に搭載され、前記主面の接続端子と電気的に接続された半導体チップと、
前記配線基板に設けられ、前記半導体チップの表面電極とそれぞれに電気的に接続される複数の外部端子とを有し、
前記補助配線は、前記配線基板の主面における前記半導体チップの裏面の端部に対応した領域に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
主面とその反対側の裏面とを有し、配線とこれに両端が電気的に接続された補助配線とが形成された配線基板と、
前記配線基板の主面に搭載され、前記主面の接続端子と電気的に接続された半導体チップと、
前記配線基板に設けられ、前記半導体チップの表面電極とそれぞれに電気的に接続される複数の外部端子とを有し、
前記配線と前記補助配線とで配線幅が異なっていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
主面とその反対側の裏面とを有し、配線とこれに両端が電気的に接続された補助配線とが形成された配線基板と、
前記配線基板の主面に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記配線基板の接続端子とをそれぞれに電気的に接続する複数のワイヤと、
前記配線基板の裏面に設けられた外部端子である複数のバンプ電極と、
前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する封止部とを有し、
前記補助配線は、前記配線基板の主面における前記半導体チップの裏面の端部に対応した領域と前記配線基板の裏面とに形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
配線とこれにバイパス状に電気的に接続された補助配線とを有し、前記補助配線が主面に形成された配線基板を準備する工程と、
前記配線基板の主面の前記補助配線上に半導体チップの裏面の端部が配置されるように前記配線基板上に前記半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記配線基板の接続端子とを電気的に接続する工程と、
前記半導体チップを樹脂封止する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１または３の何れか一項に記載の半導体装置において、前記補助配線は、前記配線基板の主面における前記半導体チップの裏面の端部に対応した領域に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１，２，３または４の何れか一項に記載の半導体装置において、前記補助配線の太さは、前記配線の太さよりも細いことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１または４の何れか一項に記載の半導体装置において、前記外部端子は、ビア配線を介して前記接続端子と電気的に接続され、前記配線基板の前記裏面に形成された前記補助配線は、前記ビア配線とは異なるスルーホール配線を介して前記接続端子と電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、本発明は、配線とこれにバイパス状に電気的に接続された補助配線とを有し、かつ前記補助配線が主面に形成された配線基板を準備する工程と、前記配線基板の主面の前記補助配線上に半導体チップの裏面の端部が配置されるように前記配線基板上に前記半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップの表面電極とこれに対応する前記配線基板の接続端子とを電気的に接続する工程と、前記半導体チップを樹脂封止する工程とを有するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月2日(2005.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面と、前記主面と対向する裏面と、前記主面に配置された複数の接続端子と、前記裏面に配置された複数のランドと、前記主面と前記裏面の間に形成された複数の貫通孔とを有する基板と、
前記基板の前記主面上に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップの複数のパッドと前記複数の接続端子とを夫々電気的に接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップと前記複数のワイヤを封止する封止部と、
前記複数のランド夫々に設けられた複数のバンプ電極とを有し、
前記貫通孔は、前記接続端子及び前記ランドと平面的に重なる位置に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置において、前記貫通孔の内部には、導体部材が埋め込まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置において、前記バンプ電極は、前記半導体チップと平面的に重なる位置に設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１記載の半導体装置において、前記半導体チップは、絶縁性ペースト材を介して前記基板の前記主面に搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１記載の半導体装置において、前記接続端子及び前記ランドの形状は、三角形であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
（ａ）主面と、前記主面と対向する裏面と、前記主面に配置された複数の接続端子と、前記裏面に配置された複数のランドと、前記主面と前記裏面の間に形成され、かつ前記接続端子及び前記ランドと平面的に重なる位置に形成された複数の貫通孔とを有する基板を準備する工程と、
（ｂ）前記基板の前記主面に複数の半導体チップを搭載する工程と、
（ｃ）前記複数の半導体チップ夫々の複数のパッドと前記複数の接続端子とを複数のワイヤを介して夫々電気的に接続する工程と、
（ｄ）前記複数の半導体チップと前記複数のワイヤを一括して封止する一括封止部を形成する工程と、
（ｅ）前記複数のランド夫々に複数のバンプ電極を設ける工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、前記複数の接続端子は、等ピッチであり、かつ格子状に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、前記貫通孔の内部に、導体部材を埋め込むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
すなわち、本発明は、主面と、前記主面と対向する裏面と、前記主面に配置された複数の接続端子と、前記裏面に配置された複数のランドと、前記主面と前記裏面の間に形成された複数の貫通孔とを有する基板と、前記基板の前記主面上に搭載された半導体チップと、前記半導体チップの複数のパッドと前記複数の接続端子とを夫々電気的に接続する複数のワイヤと、前記半導体チップと前記複数のワイヤを封止する封止部と、前記複数のランド夫々に設けられた複数のバンプ電極とを有し、前記貫通孔は、前記接続端子及び前記ランドと平面的に重なる位置に形成されているものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、本発明は、（ａ）主面と、前記主面と対向する裏面と、前記主面に配置された複数の接続端子と、前記裏面に配置された複数のランドと、前記主面と前記裏面の間に形成され、かつ前記接続端子及び前記ランドと平面的に重なる位置に形成された複数の貫通孔とを有する基板を準備する工程と、（ｂ）前記基板の前記主面に複数の半導体チップを搭載する工程と、（ｃ）前記複数の半導体チップ夫々の複数のパッドと前記複数の接続端子とを複数のワイヤを介して夫々電気的に接続する工程と、（ｄ）前記複数の半導体チップと前記複数のワイヤを一括して封止する一括封止部を形成する工程と、（ｅ）前記複数のランド夫々に複数のバンプ電極を設ける工程とを有するものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月30日(2004.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テロメラーゼＲＮＡと会合するときテロメラーゼ触媒活性を有するポリペプチドをコードする、単離された、合成の、実質的に純粋な、または組換えのポリヌクレオチドであって：
（ａ）プラスミドＡＴＣＣ２０９０１６の挿入物の配列を有するポリヌクレオチド；または
（ｂ）配列番号３または配列番号８に示される配列を有するポリヌクレオチド；または
（ｃ）該（ａ）または該（ｂ）に正確に相補的なポリヌクレオチドにストリンジェントな条件下でハイブリダイズするポリヌクレオチド；または
（ｄ）配列番号２に記載のアミノ酸配列、または該アミノ酸配列中に１またはそれ以上の保存的置換を含むアミノ酸配列を有するポリペプチドをコードするポリヌクレオチドである、
ポリヌクレオチド。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月2日(2004.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記シリコーン化合物（Ａ）と下記シリコン化合物（Ｂ）、および／または、下記含フッ素シリコーン化合物（Ａ1）と下式３で表されるシリコン化合物（Ｂ1）との部分共加水分解生成物、を必須として含むことを特徴とする表面処理剤組成物。
シリコーン化合物（Ａ）：下式１で表される１価含フッ素有機基がケイ素原子に結合したオルガノシロキサン単位（ａ1）と下式２で表される１価含ケイ素有機基がケイ素原子に結合したオルガノシロキサン単位（ａ2）とを必須として構成された含フッ素シリコーン化合物（Ａ1）、および、該含フッ素シリコーン化合物（Ａ1）の部分加水分解生成物（Ａ2）、から選ばれる１種以上の化合物。
シリコン化合物（Ｂ）：下式３で表されるシリコン化合物（Ｂ1）、および、該シリコン化合物（Ｂ1）の部分加水分解生成物（Ｂ2）、から選ばれる１種以上の化合物。
−Ｘ−Ｒf                          ・・・式１
−（ＣＨ2）aＳｉ（Ｒ1）3-b（Ｙ1）b・・・式２
（Ｒ20）4-jＳｉ（Ｙ2）j           ・・・式３
ただし、式１〜３中の記号は以下の意味を示す。
Ｒf：１価ポリフルオロ炭化水素基、または、１価ポリフルオロ炭化水素基の炭素−炭素結合間にエーテル性酸素原子が挿入された基。
Ｘ：２価炭化水素基、または、２価炭化水素基の炭素−炭素結合間にエーテル性酸素原子が挿入された基。
Ｒ1、Ｒ20：それぞれ独立に、１価有機基。
Ｙ1、Ｙ2：それぞれ独立に、１価加水分解性基、または、イソシアネート基。
ａ：１以上の整数。
ｂ：１、２、または３。
ｊ：１、２、３、または４。
【請求項２】
含フッ素シリコーン化合物（Ａ1）と式３で表されるシリコン化合物（Ｂ1）との部分共加水分解生成物、を必須として含むことを特徴とする請求項１に記載の表面処理剤組成物。
【請求項３】
有機溶剤を含有する請求項１または２に記載の表面処理剤組成物。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の表面処理剤組成物から形成された被膜を基材表面に有する表面処理された基材。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれかに記載の表面処理剤組成物を、基材表面に付着させ、つぎに、０℃〜４００℃で乾燥させることを特徴とする、表面処理された基材の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月9日(2005.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
（５）耐摩耗性
耐摩耗性は、フィルムの表面に、表面を布で覆った１０×１５ｍｍの大きさの摩耗子を載せ、５００ｇの荷重を負荷しながら、３０ｍｍの距離を往復して１時間連続走査し、摩耗子に付着するフィルムの量により評価した。そして、フィルムが多量に付着し、その量が５０ｍｇ以上の場合を×、フィルムが全く付着せず、その量が０ｍｇの場合を○、その中間を△として表した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
以上の比較例に対し、実施例１〜４に示すように、多段階所望にわたる熱処理を施すことにより、フィルムの耐熱温度は、熱処理前のもの（比較例１）に対し１００℃以上も高い３５０℃以上にまで高められる。このため、ＦＰＣへの部品実装時に、該ＦＰＣをハンダ浴に浸漬するような場合でも、変形などが発生せず、良好な実装が行える。しかも、実施例１の（３）から明らかなように、フィルムは熱処理により処理時間を長くすると溶解ピーク温度ＴＡが順次上昇し、これに準じて熱変形温度Ｔｄｅｆも上昇するので、フィルムの第ｎ段階での熱処理によって、もはや溶融しない状態のフィルムを得ることもできる。また、実施例１〜４に示すように、多段階にわたる熱処理を施すことにより、耐熱性および耐摩耗性に優れ、しかも接着強度および寸法安定性に優れた積層体が得られる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月19日(2004.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の画像記録装置１０は、振り分け部２２において多列に振り分けられた露光済感光材料を、そのまま（多列のまま）後述する排出口２４から排出し、この排出口２４に連結された現像装置２５に供給するための装置である。なお、図示例の画像記録装置１０においては、裏印字部１４およびレジスト部１６は、本発明の上流搬送部を構成する。
また、図面を簡略化して本発明の構成を明瞭にするために図示を省略しているが、画像記録装置１０には、感光材料Ａを各部位に搬送するための搬送ローラ対等の搬送手段、感光材料Ａの搬送ガイド、各種のセンサ等、通常の記録装置に配置される各種の部材が、必要に応じて配置されていることはいうまでもない。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
裏印字部１４は、感光材料Ａの裏面（非乳剤面）に、写真の撮影日、プリント焼付日、コマ番号、フィルムＩＤ番号（符号）、撮影に使用したカメラのＩＤ番号、フォトプリンタのＩＤ番号等の各種の情報を裏印字（いわゆるバックプリント）する部分であって、裏印字装置（バックプリンタ）３４とプラテンガイド３５とからなる。裏印字に用いられる裏印字装置３４としては、後段の現像装置２５における湿式処理（例えば、現像液、定着漂白液、洗浄水）によっても消えることのない非水溶性インク等を用いて印字するものであればどのような印字プリンタでもよい。ここで用いられる裏印字装置３４としては、例えば、ドットインパクトプリンタ、熱転写プリンタ、インクジェットプリンタ等を挙げることができ、特に、非水溶性で常温で固体の熱溶融性インクを用いたインクジェットプリンタは好ましく例示される。
図示例においては、所定長に切断された感光材料Ａは、裏印字部１４において、プラテンを兼ねるガイド３５に案内されつつ裏印字装置３４によって裏印字される。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
なお、本発明に用いられる副走査部１８は、上述した対をなす２組の搬送ローラ対を用いる副走査搬送手段に限定されるわけではなく、走査露光、特にラスター走査露光に供される各種のシート状感光材料の副走査搬送手段であれば、どのような副走査搬送手段をも用いることができる。例えば、感光材料Ａを露光位置Ｘに保持しつつ搬送する露光ドラムと、露光位置Ｘを挟んで露光ドラムに当接する２本のニップローラとを用いる副走査搬送手段や、感光材料Ａを搬送ベルトに載置して副走査搬送する搬送手段等を挙げることができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
1999046287.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月8日(2004.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子メールの受信機能を備えるとともに、受信した電子メールを蓄積するメモリを備えた電子メール受信装置において、
受信したメッセージのサイズが上記メモリ容量より大きいか否かを判別する判別手段と、
メモリ容量の方がメッセージのサイズより小さい場合に、メッセージ固有のＩＤをメッセージと共にメモリに保存する書き込み手段とを備えたことを特徴とする電子メール受信装置。
【請求項２】
メッセージの一部しか受信できなかったときには、メッセージの一部のみを受信した旨の符号に基づいてその旨を表示する表示手段を備えたことを特徴とする請求項１に記載の電子メール受信装置。
【請求項３】
前記一部しか受信できなかったメッセージの残りを受信し、前記メッセージＩＤに基づいてメッセージ全体を見ることができることを特徴とする請求項２記載の電子メール受信装置。
【請求項４】
受信した電子メールを蓄積する前記メモリは、複数の記憶領域に分割されており、
記憶領域のサイズより大きなサイズのメッセージを受信した場合に、該メッセージを記憶領域のサイズに分割して、メッセージ管理手段に渡す受信処理手段を備えたことを特徴とする請求項１、２、３に記載の電子メール受信装置。
【請求項５】
前記受信処理手段で受信したデータを所定の記憶領域に格納するとともに、各データ間の継ながりを示すリンク情報をメッセージ管理テーブルに登録するメッセージ管理手段と、
上記リンク情報が登録されるメッセージ管理テーブルを備えたことを特徴とする請求項４に記載の電子メール受信装置。
【請求項６】
分割受信したデータをリンクしてメッセージ全体の表示を行う表示制御手段を備えた電子メール受信装置。
【請求項７】
電子メールの受信機能を備えるとともに、受信した電子メールをメモリに蓄積する電子メール受信方法において、
メッセージ受信時に、メッセージの全データ量を受信するだけのメモリサイズがない場合、メッセージ固有のＩＤをメッセージと共にメモリに保存することを特徴とする電子メール受信方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
ここで、メッセージ本体バッファ１０８のサイズはメモリ１１０サイズと同じになっているものとする。一方、情報付加手段１０３には予めメモリ１１０のサイズが設定されており、該設定サイズａと上記のように一旦メッセージサイズバッファ１０７に格納されたメッセージサイズｂが判別手段１３１によって判別される。ここで、設定サイズａ＞メッセージサイズｂであるときには、メモリ１１０にメッセージ本体を格納する（図２、ステップＳ２２→Ｓ２３）。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月31日(2005.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともチャネル形成領域が、複数の棒状または偏平棒状結晶が互いに概略平行に特定の方向性をもって並んだ結晶構造体からなる薄膜トランジスタであって、
オン状態にある時の前記チャネル形成領域は８０〜２５０℃の温度に加熱されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項２】
少なくともチャネル形成領域が、複数の棒状または偏平棒状結晶が互いに概略平行に特定の方向に規則性をもって並んだ結晶構造体からなり、該結晶構造体の結晶粒界において結晶格子に連続性を有する薄膜トランジスタであって、
オン状態にある時の前記チャネル形成領域は８０〜２５０℃の温度に加熱されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記チャネル形成領域にはＮｉ、Ｇｅ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種の元素が、 5×1017atoms/cm3 以下の濃度で存在することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、オン状態にある時の前記チャネル形成領域は完全に空乏化していることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、オン状態にある時の前記チャネル形成領域は自己発熱によって加熱されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項において、前記チャネル形成領域のチャネル長をＬ、チャネル幅をＷとするとＬ／Ｗ＝０．０１以下であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、前記チャネル形成領域のチャネル幅は１００μｍ以上であることを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記薄膜トランジスタのゲート電極は側面にサイドウォールを有することを特徴とする薄膜トランジスタ。
【請求項９】
複数の棒状または偏平棒状結晶が互いに概略平行に特定の方向性をもって並んだ結晶構造体からなるチャネル形成領域を有する薄膜トランジスタを、８０〜２５０℃の温度に加熱した状態で動作させることを特徴とする薄膜トランジスタの動作方法。
【請求項１０】
複数の棒状または偏平棒状結晶が互いに概略平行に特定の方向性をもって並んだ結晶構造体からなるチャネル形成領域のチャネル幅を１００μｍ以上とし、８０〜２５０℃に自己発熱させることを特徴とする薄膜トランジスタの動作方法。
【請求項１１】
複数の棒状または偏平棒状結晶が互いに概略平行に特定の方向性をもって並んだ結晶構造体からなるチャネル形成領域を有する薄膜トランジスタを動作させるにあたって、
前記チャネル形成領域のチャネル長をＬ、チャネル幅をＷとした時、Ｌ／Ｗ＝０．０１以下とし、８０〜２５０℃に自己発熱させることを特徴とする薄膜トランジスタの動作方法。