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【手続補正書】
【提出日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
任意のサンプリングレートの時間領域信号から周波数領域変換によってスペクトルを得る変換手段と、
前記スペクトルに付加して前記スペクトルの帯域幅を拡張する拡張スペクトルの帯域幅を、前記任意のサンプリングレートおよび所望の出力サンプリングレートに基づいて決定する決定手段と、
を具備するサンプリングレート変換装置。
【請求項２】
帯域幅が拡張された前記スペクトルは、
前記任意のサンプリングレートの時間領域信号を前記所望の出力サンプリングレートまでアップサンプリングした信号と等価である、
請求項１記載のサンプリングレート変換装置。
【請求項３】
任意のサンプリングレートの時間領域信号から周波数領域変換によってスペクトルを得る変換手段と、
前記スペクトルに付加して前記スペクトルの帯域幅を拡張する拡張スペクトルの帯域幅を、前記任意のサンプリングレートおよび所望の出力サンプリングレートに基づいて決定する決定手段と、
前記スペクトルに基づいて前記拡張スペクトルを生成する生成手段と、
前記スペクトルおよび前記拡張スペクトルを符号化する符号化手段と、
を具備する符号化装置。
【請求項４】
前記生成手段は、
前記スペクトルに基づいて、前記スペクトルに類似する前記拡張スペクトルを生成する、
請求項３記載の符号化装置。
【請求項５】
前記符号化手段は、
前記拡張スペクトルを２以上のサブバンドに分割し、各サブバンド毎に符号化を行う、
請求項３記載の符号化装置。
【請求項６】
音声信号またはオーディオ信号の第１帯域を符号化する第１符号化手段と、
前記音声信号または前記オーディオ信号の第２帯域を符号化する第２符号化手段と、
を具備し、
前記第２符号化手段は、
前記第１符号化手段で得られる第１サンプリングレートの時間領域信号から、周波数領域変換によってスペクトルを得る変換手段と、
前記スペクトルに付加して前記スペクトルの帯域幅を拡張する拡張スペクトルの帯域幅を、前記第１サンプリングレート、および前記第２帯域に相当する第２サンプリングレートに基づいて決定する決定手段と、
前記スペクトルに基づいて前記拡張スペクトルを生成する生成手段と、
前記スペクトルおよび前記拡張スペクトルを符号化する符号化手段と、
を具備する、
スケーラブル符号化装置。
【請求項７】
請求項３記載の符号化装置を具備する通信端末装置。
【請求項８】
請求項３記載の符号化装置を具備する基地局装置。
【請求項９】
符号化装置で生成される符号化情報を取得する取得手段と、
前記符号化情報に含まれる任意のサンプリングレートの時間領域信号から、周波数領域変換によってスペクトルを得る第１変換手段と、
前記スペクトルに付加して前記スペクトルの帯域幅を拡張する拡張スペクトルの帯域幅を、前記特定の時間領域信号のサンプリングレートおよび所望の出力サンプリングレートに基づいて決定する決定手段と、
前記符号化情報に基づいて前記拡張スペクトルを生成する生成手段と、
前記スペクトルおよび前記拡張スペクトルから、時間領域変換によって時間領域信号を得る第２変換手段と、
を具備する復号化装置。
【請求項１０】
前記生成手段は、
前記符号化情報に基づいて、前記スペクトルに類似する前記拡張スペクトルを生成する、
請求項９記載の復号化装置。
【請求項１１】
前記符号化情報は、
前記拡張スペクトルが２以上のサブバンドに分割され、各サブバンド毎に符号化された前記拡張スペクトルの符号化情報を含む、
請求項９記載の復号化装置。
【請求項１２】
音声信号またはオーディオ信号の第１帯域を復号化する第１復号化手段と、
前記音声信号または前記オーディオ信号の第２帯域を復号化する第２復号化手段と、
を具備し、
前記第２復号化手段は、
前記第１復号化手段で得られる第１サンプリングレートの時間領域信号から、周波数領域変換によってスペクトルを得る第１変換手段と、
前記スペクトルに付加して前記スペクトルの帯域幅を拡張する拡張スペクトルの帯域幅を、前記第１サンプリングレート、および前記第２帯域に相当する第２サンプリングレートに基づいて決定する決定手段と、
スケーラブル符号化装置で生成される符号化情報に基づいて前記拡張スペクトルを生成する生成手段と、
前記スペクトルおよび前記拡張スペクトルから、時間領域変換によって時間領域信号を得る第２変換手段と、
を具備する、
スケーラブル復号化装置。
【請求項１３】
前記音声信号または前記オーディオ信号の第３帯域を復号化する第３復号化手段をさらに具備し、
前記第３復号化手段は、
前記第１サンプリングレートの時間領域信号からスペクトルを生成し、このスペクトルの高域部に対しゼロ挿入若しくは削除の処理を施して前記第３帯域のスペクトルを得、この第３帯域のスペクトルを時間領域信号に変換する、
請求項１２記載のスケーラブル復号化装置。
【請求項１４】
請求項９記載の復号化装置を具備する通信端末装置。
【請求項１５】
請求項９記載の復号化装置を具備する基地局装置。
【請求項１６】
任意のサンプリングレートの時間領域信号から周波数領域変換によってスペクトルを得るステップと、
前記スペクトルに付加して前記スペクトルの帯域幅を拡張する拡張スペクトルの帯域幅を、前記任意のサンプリングレートおよび所望の出力サンプリングレートに基づいて決定するステップと、
を具備するサンプリングレート変換方法。
【請求項１７】
任意のサンプリングレートの時間領域信号から周波数領域変換によってスペクトルを得るステップと、
前記スペクトルに付加して前記スペクトルの帯域幅を拡張する拡張スペクトルの帯域幅を、前記任意のサンプリングレートおよび所望の出力サンプリングレートに基づいて決定するステップと、
前記スペクトルに基づいて前記拡張スペクトルを生成するステップと、
前記スペクトルおよび前記拡張スペクトルを符号化するステップと、
を具備する符号化方法。
【請求項１８】
符号化装置で生成される符号化情報を取得するステップと、
前記符号化情報に含まれる任意のサンプリングレートの時間領域信号から、周波数領域変換によってスペクトルを得るステップと、
前記スペクトルに付加して前記スペクトルの帯域幅を拡張する拡張スペクトルの帯域幅を、前記特定の時間領域信号のサンプリングレートおよび所望の出力サンプリングレートに基づいて決定するステップと、
前記符号化情報に基づいて前記拡張スペクトルを生成するステップと、
前記スペクトルおよび前記拡張スペクトルから、時間領域変換によって時間領域信号を得るステップと、
を具備する復号化方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月11日(2004.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機絶縁性フィルム、接着剤層、保護フィルム層からなる積層フィルムであって、有機絶縁性フィルムの厚さが３〜８０μｍ、接着剤層の厚さが２〜２０μｍ、接着剤層付きの有機絶縁性フィルムの水分含有率が０．３〜３ｗｔ％であり、接着剤層はフェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂、フラン樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ビニルエステル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリウレタンから選ばれる少なくとも１種類以上の樹脂を含むことを特徴とする積層フィルム
【請求項２】
前記積層フィルムにおいて接着剤層付きの有機絶縁性フィルムを７５℃以上に加熱して金属箔を貼り合わせることを特徴とする請求項１記載の積層フィルム。
【請求項３】
有機絶縁性フィルムの厚さが３〜６０μｍであることを特徴とする請求項１記載の積層フィルム。
【請求項４】
金属箔が銅箔であることを特徴とする請求項２記載の積層フィルム。
【請求項５】
請求項１記載の積層フィルムを用いたことを特徴とする電子部品材料。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
すなわち、本発明は有機絶縁性フィルム、接着剤層、保護フィルム層からなる積層フィルムであって、有機絶縁性フィルムの厚さが３〜８０μｍ、接着剤層の厚さが２〜２０μｍ、接着剤層付きの有機絶縁性フィルムの水分含有率が０．３〜３ｗｔ％であり、接着剤層はフェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂、フラン樹脂、アミノ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂、ビニルエステル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリウレタンから選ばれる少なくとも１種類以上の樹脂を含むことを特徴とする積層フィルムである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月22日(2005.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コレクタと、エミッタとそして前記コレクタ及び前記エミッタ間に位置するベースとを含むヘテロ接合バイポーラトランジスタであって、前記ベースが４９ｎｍ未満の厚さを持つガリウム砒素アンチモン（ＧａＡｓＳｂ）層を含むことを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項２】
前記ベースの組成が、約５１％の砒素（Ａｓ）を含むことを特徴とする、請求項１に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項３】
前記ベースの組成が、約５５％の砒素（Ａｓ）を含むことを特徴とする、請求項１に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項４】
前記ＧａＡｓＳｂベース層の厚さが２０ｎｍ未満であることを特徴とする、請求項１に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項５】
前記ＧａＡｓＳｂベース層の格子定数が前記コレクタ層及び前記エミッタ層の格子定数に一致するように、前記ＧａＡｓＳｂベース層に歪みを持たせたことを特徴とする、請求項１に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項６】
前記ＧａＡｓＳｂベース層が、ベリリウム（Ｂｅ）を約６×１０１９〜４×１０２０アクセプタ／ｃｍ３の濃度に添加したものであることを特徴とする、請求項１に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項７】
前記ＧａＡｓＳｂベース層が、炭素（Ｃ）を約６×１０１９〜４×１０２０アクセプタ／ｃｍ３の濃度に添加したものであることを特徴とする、請求項１に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項８】
ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法であって、
コレクタを形成するステップと、
エミッタを形成するステップと、
前記コレクタ及び前記エミッタの間に位置するベースを形成するステップとを含み、前記ベース層が４９ｎｍ未満の厚さを持つガリウム砒素アンチモン（ＧａＡｓＳｂ）層を含むことを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月22日(2005.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コレクタと、前記コレクタ上に位置するベースと、そして前記ベース上に位置するエミッタとを含むヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）であって、前記エミッタが前記ベースに接触する中間層を含み、前記中間層が前記ベース及び前記エミッタに対して実質的に電気透過性であり、前記中間層の格子定数が前記ベース及び前記エミッタの格子定数に一致していることを特徴とするヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項２】
前記コレクタはインジウム燐（ＩｎＰ）であり、前記ベースはガリウム砒素アンチモン（ＧａＡｓＳｂ）であり、そして前記エミッタはＩｎＰからなる中間層及びアルミニウムインジウム砒素（ＡｌＩｎＡｓ）からなる層を含むことを特徴とする、請求項１に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項３】
前記ベースのバンドギャップは、前記エミッタのバンドギャップよりも小さいことを特徴とする、請求項１に記載のヘテロ接合バイポーラトランジスタ。
【請求項４】
ヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法であって、
コレクタを形成するステップと、
前記コレクタ上にベースを形成するステップと、
前記ベース上にエミッタを形成するステップとを含み、
前記エミッタが前記ベースに接触する中間層を含み、前記中間層が前記ベース及び前記エミッタに対して実質的に電気透過性であり、前記中間層の格子定数が前記ベース及び前記エミッタの格子定数に一致するようにすることを特徴とする方法。
【請求項５】
前記コレクタはインジウム燐（ＩｎＰ）を用いて形成され、前記ベースはガリウム砒素アンチモン（ＧａＡｓＳｂ）を用いて形成され、そして前記エミッタはＩｎＰからなる中間層及びアルミニウムインジウム砒素（ＡｌＩｎＡｓ）からなる層により形成されることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記中間層は、仮晶的に成長するようにすることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月17日(2004.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体単結晶基板を製作する方法であって、
ａ）結晶格子における少なくとも１つの不連続性を表面に局所的に有する初期単結晶基板を形成するステップと、
ｂ）前記初期単結晶基板の前記不連続性の所に凹部を設けるステップと、
ｃ）前記凹部の周囲の前記結晶格子を非晶質化するステップと、
ｄ）前記初期単結晶基板と同じ化学的組成を有するアモルファス材料の層を、前記ステップｃ）で得られた構造上に堆積するステップと、
ｅ）前記初期単結晶基板の単結晶格子と連続になるように前記アモルファス材料を再結晶化するため、前記ステップｄ）で得られた構造を熱的にアニールするステップと、
を含む、半導体単結晶基板を製作する方法。
【請求項２】
前記ステップｅ）の前または後に、表面を平坦化するステップを含む、
請求項１に記載の半導体単結晶基板を製作する方法。
【請求項３】
前記平坦化するステップは、化学機械研磨するステップを含む、
請求項２に記載の半導体単結晶基板を製作する方法。
【請求項４】
前記初期単結晶基板は、シリコン、ゲルマニウム、炭化シリコン、ヒ化ガリウム、およびこれらの要素のうちの少なくともいくつかの合金、から形成されるグループのうちの、少なくとも１つの材料を含む、
請求項１から３のいずれかに記載の半導体単結晶基板を製作する方法。
【請求項５】
前記非晶質化するステップは、マスク工程によって前記凹部の周りに局所的にイオン打込みを行うことを含む、
請求項１から４のいずれかに記載の半導体単結晶基板を製作する方法。
【請求項６】
前記ステップａ）において、第１の材料の第１の層および第２の材料の第２の層を、前記初期単結晶基板に連続して堆積し、次にトレンチをエッチングして充填材料で充填し、該充填されたトレンチが前記結晶格子の不連続性を形成するようにし、さらに、
前記ステップｂ）において、前記結晶格子の不連続性の所に水平方向の空所および前記凹部を形成するように、前記第１の層および前記トレンチ充填材料の上部を、前記第２の層に対して選択的にエッチングし、さらに、該第２の層を除去する、
請求項１から５のいずれかに記載の半導体単結晶基板を製作する方法。
【請求項７】
前記充填材料は、シリコン、酸化シリコン、および窒化シリコンで形成されるグループのうちの少なくとも１つの要素を含む、
請求項６に記載の半導体単結晶基板を製作する方法。
【請求項８】
前記トレンチを、少なくとも部分的に絶縁充填材料で充填する、
請求項６に記載の半導体単結晶基板を製作する方法。
【請求項９】
前記充填は、コンフォーマル・コーティングとして酸化シリコンを堆積することによって行われる、
請求項６に記載の半導体単結晶基板を製作する方法。
【請求項１０】
前記充填は、シリコンの熱酸化で行われる、
請求項６に記載の半導体単結晶基板を製作する方法。
【請求項１１】
前記ステップａ）において、埋込みコンデンサを前記トレンチに形成する、
請求項６から１０のいずれかに記載の半導体単結晶基板を製作する方法。
【請求項１２】
前記ステップａ）における前記トレンチの充填は、さらに、
熱酸化により酸化物で前記トレンチの壁を覆うステップと、
前記トレンチを充填するように、該トレンチに高ドープ多結晶シリコンを堆積するステップと、
前記トレンチの充填レベルが前記初期単結晶基板の表面よりも下になるように、前記堆積された多結晶シリコンをエッチングするステップと、
を含む、請求項１１に記載の半導体単結晶基板を製作する方法。
【請求項１３】
前記ステップａ）において、埋込みダイオードを前記トレンチに形成する、
請求項６から１０のいずれかに記載の半導体単結晶基板を製作する方法。
【請求項１４】
前記ステップａ）における前記トレンチの充填は、さらに、
前記トレンチを充填するように、該トレンチに高ドープ多結晶シリコンを堆積するステップと、
前記トレンチの充填レベルが前記初期単結晶基板の表面よりも下になるように、前記堆積された多結晶シリコンをエッチングするステップと、
を含む、請求項１３に記載の半導体単結晶基板を製作する方法。
【請求項１５】
前記非晶質化は、前記トレンチに対してセルフアラインされる、
請求項６から１４のいずれかに記載の半導体単結晶基板を製作する方法。
【請求項１６】
請求項１から１５のいずれかの方法で形成された単結晶シリコン基板を含む集積回路。
【請求項１７】
少なくとも１つの埋込みトレンチを有する基板に形成された少なくとも２つの隣接するトランジスタを有する集積回路であって、該基板の表面は、請求項６から１０のいずれかの方法に従って一様にされ、前記トレンチが、該トランジスタの連続した埋込み層を隔てる分離トレンチを形成する、
請求項１６に記載の集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月17日(2004.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルス発振型のレーザを光源とするレーザ光を複数のレーザ光に分割し、
前記複数のレーザ光のうち少なくとも１つのレーザ光を他のレーザ光より遅延させて形成されるレーザ光を半導体膜に照射し、
前記少なくとも１つのレーザ光は前記他のレーザ光と同じ強度もしくは高い強度を有し、
前記少なくとも１つのレーザ光が照射されることによって、前記半導体膜が溶融することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
パルス発振型のレーザを光源とするレーザ光をｓ成分およびｐ成分で分割して複数のレーザ光とし、
前記複数のレーザ光のうち少なくとも１つのレーザ光を他のレーザ光より遅延させて形成されるレーザ光を半導体膜に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
パルス発振型のレーザを光源とするレーザ光をｓ成分およびｐ成分で分割して複数のレーザ光とし、
前記複数のレーザ光のうち少なくとも１つのレーザ光を他のレーザ光より遅延させて形成されるレーザ光を半導体膜に照射し、
前記少なくとも１つのレーザ光は前記他のレーザ光と同じ強度もしくは高い強度を有し、
前記少なくとも１つのレーザ光が照射されることによって、前記半導体膜が溶融することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
複数のパルス発振型のレーザ光を光源とする複数のレーザ光のうち、少なくとも１つのレーザ光を他のレーザ光より遅延させて形成されるレーザ光を半導体膜に照射し、
前記少なくとも１つのレーザ光は前記他のレーザ光と同じ強度もしくは高い強度を有し、
前記少なくとも１つのレーザ光が照射されることによって、前記半導体膜が溶融することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記少なくとも１つのレーザ光の光路長を前記他のレーザ光の光路長より大きくすることによって、前記少なくとも１つのレーザ光を前記他のレーザ光より遅延させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
パルス発振型のレーザを光源とするレーザ光を発振し、
前記レーザ光を薄膜偏光素子を用いてｓ成分およびｐ成分で分割して複数のレーザ光とし、
前記複数のレーザ光のうち少なくとも１つのレーザ光の光路長を変化させ、
前記複数のレーザ光を薄膜偏光素子を用いて合成し、
合成された複数のレーザ光を線上に加工して半導体膜に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記レーザ光の出力時間は、１〜５０ｎｓであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
複数のパルス発振型のレーザのうち、少なくとも１つのパルス発振型のレーザから第１のレーザ光を発振し、他のパルス発振型のレーザから第２のレーザ光を発振し、
前記第２のレーザ光を前記第１のレーザ光より遅延させることで形成されるレーザ光を半導体膜に照射し、
前記第２のレーザ光は、前記第１のレーザ光と同じ強度もしくは高い強度を有し、
前記第２のレーザ光が照射されることによって、前記半導体膜が溶融することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
複数のパルス発振型のレーザのうち、少なくとも１つのパルス発振型のレーザからｓ成分またはｐ成分からなる第１のレーザ光を発振し、他のパルス発振型のレーザから前記第１のレーザ光とは成分が異なるｐ成分またはｓ成分からなる第２のレーザ光を発振し、
前記第２のレーザ光を前記第１のレーザ光より遅延させることで形成されるレーザ光を半導体膜に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
複数のパルス発振型のレーザのうち、少なくとも１つのパルス発振型のレーザからｓ成分またはｐ成分からなる第１のレーザ光を発振し、他のパルス発振型のレーザから前記第１のレーザ光とは成分が異なるｐ成分またはｓ成分からなる第２のレーザ光を発振し、
前記第２のレーザ光を前記第１のレーザ光より遅延させることで形成されるレーザ光を半導体膜に照射し、
前記第２のレーザ光は、前記第１のレーザ光と同じ強度もしくは高い強度を有し、
前記第２のレーザ光が照射されることによって、前記半導体膜が溶融することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第２のレーザ光の光路長を前記第１のレーザ光の光路長より大きくすることによって、前記第２のレーザ光を前記第１のレーザ光より遅延させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記１つのパルス発振型のレーザから第１のレーザ光を発振した後に、時間差を設けて前記他のパルス発振型のレーザから第２のレーザ光を発振させることによって、前記第２のレーザ光を前記第１のレーザ光より遅延させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
複数のパルス発振型のレーザのうち、少なくとも１つのパルス発振型のレーザからｐ成分からなる第１のレーザ光を発振し、他のパルス発振型のレーザからｓ成分からなる第２のレーザ光を発振し、
第１のレーザ光または第２のレーザ光のいずれか一方の光路長を変化させ、
前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光を薄膜偏光素子を用いて合成し、
合成された前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光を薄膜偏光素子を用いて分割し、
前記第１のレーザ光または前記第２のレーザ光のいずれか一方の光路長を変化させ、
前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光を薄膜偏光素子を用いて合成し、
合成された前記第１のレーザ光と前記第２のレーザを線上に加工して半導体膜に照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項８乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記第１レーザ光および前記第２のレーザ光の出力時間は、１〜５０ｎｓであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記パルス発振型のレーザは、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ4レーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＡｌＯ3レーザ、ガラスレーザ、ルビーレーザ、アレキサンドライドレーザ、Ｔｉ：サファイアレーザ、ヘリウムカドミウムレーザ、銅蒸気レーザ、金蒸気レーザから選ばれた一種もしくは複数種を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月6日(2004.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板表面の第１薬液処理後、基板表面から薬液を除去するリンス処理前に、基板表面に防錆剤を含む第２薬液処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
【請求項２】
前記防錆剤を含む第２薬液処理を、キレート剤を添加して行うことを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記第１薬液処理が基板の周縁部の不要な成膜部分をエッチング除去する処理であることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記第１薬液処理前の基板表面には銅が成膜されていることを特徴とする請求項３に記載の基板処理方法。
【請求項５】
基板を保持して回転させる基板保持部と、
該基板保持部で保持される基板の表面に薬液を供給する薬液供給ノズルと、
前記基板保持部で保持される基板の表面に防錆剤を含む薬液とリンス用の超純水を個別にまたは兼用して供給する洗浄液供給ノズルとを有することを特徴とする基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】 
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、基板表面の第１薬液処理後、基板表面から薬液を除去するリンス処理前に、基板表面に防錆剤を含む第２薬液処理を行うことを特徴とする基板処理方法である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
請求項２に記載の発明は、前記防錆剤を含む第２薬液処理を、キレート剤を添加して行うことを特徴とする請求項１に記載の基板処理方法である。これにより、防錆剤が完全に金属材料を被覆するまでに溶出する金属イオンを、基板表面に付着するよりも優先的にキレート剤と反応させて基板への付着を抑制することで、金属が基板に付着するのを抑制する効果をより高めることができる。なお、キレート剤を超純水に添加する場合、キレート剤が多すぎると、金属材料から溶出する金属の絶対量がかえって増大し、汚染量を増やしてしまう。そのため、キレート剤の含有量は、超純水中で、好ましくは０．００１〜１０ｍｇ／Ｌの範囲であり、更に好ましくは０．０１〜１ｍｇ／Ｌの範囲である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
請求項３に記載の発明は、前記第１薬液処理が基板の周縁部の不要な成膜部分をエッチング除去する処理であることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理方法である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
請求項４に記載の発明は、前記第１薬液処理前の基板表面には銅が成膜されていることを特徴とする請求項３に記載の基板処理方法である。これにより、例えば基板表面に銅配線を形成する際に、基板の周縁部に残った不要な銅をエッチング除去するとともに、このエッチング除去した基板周縁部表面への金属汚染を抑制することができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2002270561.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月21日(2005.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】  工程３：図５（ｃ）に示すように、素子分離膜５４を直交する方向に長い帯状に導電膜５６をエッチングしてワード線としてのゲート電極５６ａを形成する（ただし、エッチング領域は紙面に対して平行な面になされるので、図示されていない）。次に、ゲート電極５６ａをマスクとしボロンなどのＰ型不純物をイオン注入し、ソース領域及びドレイン領域を形成する（ソース領域、ドレイン領域は紙面に対し垂直な方向のゲート電極両端部下に形成されるので、図示されていない）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】  工程３：図１（ｃ）に示すように、素子分離膜４と直交する方向に長い帯状に、導電膜６及びシリサイド膜７をエッチングしてワード線としてのゲート電極８を形成する（ただし、エッチング領域は紙面に対して平行な面になされるので、図示されていない）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】  工程４：図２（ａ）に示すように、前記層間絶縁膜１４上にＡｌ膜等から成る金属膜を形成し、当該金属膜をパターニングしてビット線となるＡｌ配線１５を形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】  工程３：図１（ｃ）に示すように、素子分離膜４と直交する方向に長い帯状に、導電膜６及びシリサイド膜７をエッチングしてワード線としてのゲート電極８を形成する（ただし、エッチング領域は紙面に対して平行な面になされるので、図示されていない）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】  工程４：図４（ａ）に示すように、前記層間絶縁膜１４ａ上にＡｌ膜等から成る金属膜を形成し、当該金属膜をパターニングしてビット線となる第１のＡｌ配線１５を形成する。また、このとき、上記実施形態と同様にＡｌ配線１５の端部１５ａ（図２，図３参照）が、素子分離膜４の端部の直上に配置されるように形成する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】  そして、全面に平坦化のためシリコン酸化膜２０、ＳＯＧ膜２１、シリコン酸化膜２２の３層膜から成る第２の層間絶縁膜２３を６００ｎｍで形成し、前記層間絶縁膜２３上にＡｌ膜等から成る金属膜を形成し、当該金属膜をパターニングして第２のＡｌ配線２４を形成する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】  また、本発明をマスクＲＯＭの製造方法に適用して、情報を書き込むためのイオン注入工程に用いることで、素子分離膜下に不純物イオンが注入されることが防止でき、素子分離不良の発生を抑止できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月21日(2005.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
工程３：図５（ｃ）に示すように、素子分離膜５４を直交する方向に長い帯状に導電膜５６をエッチングしてワード線としてのゲート電極５６ａを形成する（ただし、エッチング領域は紙面に対して平行な面になされるので、図示されていない）。次に、ゲート電極５６ａをマスクとしボロンなどのＰ型不純物をイオン注入し、ソース領域及びドレイン領域を形成する（ソース領域、ドレイン領域は紙面に対し垂直な方向のゲート電極両端部下に形成されるので、図示されていない）。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
工程３：図１（ｃ）に示すように、素子分離膜４と直交する方向に長い帯状に、導電膜６及びシリサイド膜７をエッチングしてワード線としてのゲート電極８を形成する（ただし、エッチング領域は紙面に対して平行な面になされるので、図示されていない）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
工程４：図２（ａ）に示すように、前記層間絶縁膜１４上にＡｌ膜等から成る金属膜を形成し、当該金属膜をパターニングしてビット線となるＡｌ配線１５を形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
本工程は本発明の特徴をなす工程であり、先ず前記層間絶縁膜１４上にＡｌ膜等から成る金属膜を５００ｎｍで形成し、当該金属膜上にチタン膜を７０ｎｍで形成し、更にチタンナイトライド膜を３５ｎｍで形成して成る保護膜を形成し、これらの膜をパターニングしてビット線となるＡｌ配線１５を形成している。このように本発明では、Ａｌ配線１５上に保護膜１７が形成されることで、後述する当該Ａｌ配線１５をマスクに層間絶縁膜をエッチングする際に、当該保護膜１７によりＡｌ配線１５がエッチングされることがなく、従来のような層間絶縁膜の開口部６５ａに側壁デポ物６６が形成されることがない（図７参照）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
工程５：図２（ｂ）に示すように、全面に平坦化のためシリコン酸化膜２０、ＳＯＧ膜２１、シリコン酸化膜２２の３層膜から成る第２の層間絶縁膜２３を６００ｎｍで形成し、前記層間絶縁膜２３上にＡｌ膜等から成る金属膜を形成し、当該金属膜をパターニングして第２のＡｌ配線２４を形成する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月29日(2005.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】  正極合剤中の正極活物質を母材とする主剤の組成が、一般式Ａｘ＋ａ Ｃｏ１−ｂ ＭｂＸｃＯｄ（Ａはアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素を表し、ＭはＡおよびＣｏを除く金属元素およびＧｅより選ばれる少なくとも１種の元素を表し、ＸはＣ、Ｎ、Ｓ、Ｐ、Ｓｉ、Ｆ、Ｃｌ、ＩおよびＢｒより選ばれる少なくとも１種の元素を表し、ｘ、ａ、ｂ、ｃ、ｄは、それぞれ、０＜ｘ≦１、０＜ａ≦０．２、０．０００１≦ｂ≦０．２、０．０００１≦ｃ≦２０、１≦ｄ≦５である）で表されることを特徴とする請求項１記載の非水二次電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
上記正極活物質を母材とする主剤の組成を表す一般式Ａｘ＋ａＣｏ１−ｂＭｂＸｃＯｄにおいて、例えば、ＡがＬｉの場合、Ｌｉ量を表すｘの値は、充電、放電により変動する。すなわち、充電によりＬｉイオンのディインターカレーションが起こりｘの値は小さくなる。つまり、ｘの値は、０＜ｘ≦１で変動し、充電によりｘは０に近付き、ａの値は０≦ａ≦０．２である。ａが０．２より大きい場合は、焼成の過程で生成する炭酸リチウム、酸化リチウム、水酸化リチウムなどの副生成物量が多くなりすぎるため、それらの物質が正極を作製する際に使用するバインダーと反応して、正極の作製を困難にする。正極の作製を容易にするためには、副生成物が少ないほど好ましく、ａの値は０．２以下である。また、金属元素のＭの量を表すｂの値は、充放電により変動しないが、０．０００１≦ｂ≦０．２の範囲である。ｂの値が０．０００１より小さい場合、Ｍの効果が充分に発現しないため、平均電圧の低下が著しく、高電圧で充電したときのサイクル特性も悪い。また、ｂの値が０．２より大きい場合には、電池特性の低下が大きくなる傾向があり好ましくない。金属元素Ｍを添加することによって０．２Ｃ放電電位曲線においてＬｉ基準電位で４．０Ｖ以上４．２Ｖ以下の領域に変曲点を有するようになり、４．０Ｖから４．２Ｖの間で結晶構造が変化して高電圧下においても劣化しにくくなる。この変曲点は特に４．１Ｖ以上が好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月27日(2005.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の接続孔内に端子の半田付け部を挿入し、この端子を起立させた状態で前記基板のランド部と該端子の半田付け部とを半田付けにより保持するようにした端子の保持構造において、
前記基板に対して所定クリアランス隔てて対向する位置に該基板の接続孔に前記端子の半田付け部を案内する端子プレートを配置し、この端子プレートに前記端子の中途部を保持する位置決め孔を設ける一方、前記端子の中途部の前記端子プレートの上側に突出する端子圧入部に対向する位置に、該端子圧入部に形成された位置決め孔内に係止される係止部を設けたことを特徴とする端子の保持構造。
【請求項２】
請求項１記載の端子の保持構造であって、
前記端子プレートの位置決め孔を、該端子プレートの上側に突出する端子圧入部に設けたことを特徴とする端子の保持構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
請求項１の発明は、基板の接続孔内に端子の半田付け部を挿入し、この端子を起立させた状態で前記基板のランド部と該端子の半田付け部とを半田付けにより保持するようにした端子の保持構造において、前記基板に対して所定クリアランス隔てて対向する位置に該基板の接続孔に前記端子の半田付け部を案内する端子プレートを配置し、この端子プレートに前記端子の中途部を保持する位置決め孔を設ける一方、前記端子の中途部の前記端子プレートの上側に突出する端子圧入部に対向する位置に、該端子圧入部に形成された位置決め孔内に係止される係止部を設けたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
この端子の保持構造では、基板に対して所定クリアランス隔てて対向する位置に配置された端子プレートの上側に突出する端子圧入部の位置決め孔内に端子の中途部に設けられた係止部を係止するようにしたので、端子に電気部品を着脱する際に、端子の半田付け部と基板のランド部との半田付け部分に作用する力学的応力が緩和される。また、端子プレートの上側に突出する端子圧入部の位置決め孔内に係止される端子の係止部が半田付け部分から離れているため、半田付け部分に作用する熱応力が緩和される。さらに、端子の係止部と基板のランド部が離れているため、端子の係止部によりランド部が損傷されることがない。これらにより、半田付け部分の半田クラックの発生が確実に防止される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【発明の効果】
以上説明したように、請求項１の発明によれば、基板に対して所定クリアランス隔てて対向する位置に配置された端子プレートの上側に突出する端子圧入部の位置決め孔内に端子の中途部に設けられた係止部を係止するようにしたので、端子に電気部品を着脱する際に、端子の半田付け部と基板のランド部との半田付け部分に作用する力学的応力を緩和することができる。また、端子プレートの上側に突出する端子圧入部の位置決め孔内に係止される端子の係止部を半田付け部分から離したので、半田付け部分に作用する熱応力を緩和することができる。さらに、端子の係止部と基板のランド部とが離れているので、端子の係止部で基板のランド部を損傷することがない。これらにより、半田付け部分の半田クラックの発生を確実に防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月8日(2004.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水素吸蔵合金を主成分とし、アルミナ粉末に担持した酸化セリウムを含有したことを特徴とする水素吸蔵合金電極。
【請求項２】
前記酸化セリウムが、化学式ＣｅＯ2-x（０＜ｘ＜０．５）で表される不定比酸化物であることを特徴とする請求項１記載の水素吸蔵合金電極。
【請求項３】
前記アルミナ粉末が、針状のベーマイトを前駆体にして合成したγアルミナであることを特徴とする請求項２記載の水素吸蔵合金電極。
【請求項４】
電極中に占める前記酸化セリウム担持アルミナ粉末の比率が０．１〜１０ｗｔ％であることを特徴とする請求項１および請求項２記載の水素吸蔵合金電極。
【請求項５】
請求項１に記載の水素吸蔵合金電極を備えたニッケル水素蓄電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明において適用する酸化セリウムの酸化数は、３〜４価をとり一般式ＣｅＯ2-x（０＜ｘ＜０．５）で表される。代表例にはＣｅＯ2やＣｅ2Ｏ3等がある。これら酸価セリウムをアルミナ粉末に担持させることによって、少量のＣｅ含有量で高い触媒作用を得ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明に適用するセリウム酸化物は、前記酸化物の中でも、化学式ＣｅＯ2-x（ｘ＝０．２〜０．３）で表される不定比酸化物であることが望ましい。このような不定比の酸化セリウムは、特に酸素吸収反応の触媒機能（以下単に触媒作用と記述する）が高い。前記セリウムの不定比酸化物は空気雰囲気で不安定であるが、針状のベーマイト（水酸化アルミニウム）を前駆体とするγアルミナに担持させる（以下該担持方法をベーマイト法と記述する）ことによって安定になることが判っている。従って、本発明においては、水素吸蔵合金粉末に不定比の酸化セリウムを、前記γアルミナに担持させたものを添加することが特に望ましい。本発明によれば、微量の酸化セリウムで高い触媒作用を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月8日(2004.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
水酸化ニッケルを主成分とする芯層と、コバルト化合物から成る導電性の表面層を有する粒子状のニッケル電極用活物質であって、希土類元素を含み、粒子内部に比べて粒子表面において、希土類元素の濃度が高いことを特徴とするニッケル電極用活物質。
【請求項２】
前記希土類元素が、エルビウム、ツリウム、イッテルビウム、ルテチウムおよびイットリウムの中から選ばれた少なくとも一種を含むことを特徴とする請求項１記載のニッケル電極用活物質。
【請求項３】
前記希土類元素が、主として粒子表面に水酸化物または酸化物として存在し、該水酸化物または酸化物が、前記水酸化ニッケルおよび導電性コバルト化合物とは別の相として存在することを特徴とする請求項１記載または請求項２記載のニッケル電極用活物質。
【請求項４】
水酸化ニッケルを主成分とする芯層粒子の表面にコバルト化合物から成る導電性の表面層を形成し、粒子の最外面に前記希土類元素の水酸化物を析出させることを特徴とする請求項１、請求項２または請求項３記載のニッケル電極用活物質の製造方法。
【請求項５】
請求項１、請求項２または請求項３に記載の活物質粒子を耐アルカリ性基板に担持させたことを特徴とするニッケル電極。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月20日(2004.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システム制御用発振子及び時計カウント用発振子を備えるシステムにおける時計補正装置であって、
電源のオン／オフに関係なく、所定時間間隔で前記システム制御用発振子から信号を出力させ、前記時計カウント用発振子のカウント値と前記システム制御用発振子のカウント値とを用いて、前記時計カウント用発振子の出力周波数の誤差を測定する手段と、
測定した誤差に基づいて、前記時計カウント用発振子のカウント値を補正する手段と、
を具備することを特徴とする時計補正装置。
【請求項２】
前記測定手段は、前記時計カウント用発振子のカウント値に基づいて前記システム制御用発振子のカウント値を測定し、測定したカウント値とシステム制御用発振子の理論上のカウント値とを比較することにより前記誤差を測定し、
前記補正手段は、測定した誤差を、前記所定時間間隔の間の補正値に換算し、この換算値により前記補正を行う請求項１に記載の時計補正装置。
【請求項３】
前記補正手段によるカウントの補正は、表示時刻の桁上げ前のタイミングで行う請求項１又は２に記載の時計補正装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は上記目的を達成するためになされたものである。本発明のシステム制御用発振子及び時計カウント用発振子を備えるシステムにおける時計補正装置は、電源のオン／オフに関係なく、所定時間間隔で前記システム制御用発振子から信号を出力させ、前記時計カウント用発振子のカウント値と前記システム制御用発振子のカウント値とを用いて、前記時計カウント用発振子の出力周波数の誤差を測定し、測定した誤差に基づいて、前記時計カウント用発振子のカウント値を補正する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月31日(2005.1.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
より具体的には、本実施形態に係る腕時計１の主制御部１２０は、ユーザが表示日付を変更した場合に、何日（以下、「変更前日付ＢＤ」という）から何日（以下、「変更後日付ＡＤ」という）に変更したかを特定し、暦カウンタ１０９の日カウンタ１０９Ａのカウント値を変更後日付ＡＤに対応する値にセットするとともに、実際の暦における「月」を推測して暦カウンタ１０９の月カウンタ１０９Ｂをセットする。そして、主制御部１２０は、それ以降、日カウンタ１０９Ａのカウント値が「０」になる（すなわち、３１日分の日数が経過する）か、または、ユーザにより表示された日付が変更されると、実際の暦に合わせるべく、暦カウンタ１０９の暦情報を更新する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2003232873.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月6日(2004.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
現在時刻を計測する機能と時刻計測以外の機能を有し、前記機能のうち1つを選択する選択手段と、前記選択手段で選択された機能を表示する指針手段と、警報を発する音響手段とを備えた電子時計において、前記音響手段は前記選択手段で選択された機能の動作信号に同期して警報を発すると共に、前記選択手段で選択された表示されている前記時刻計測以外の機能が停止した場合でも、表示上の前記指針手段を停止させ、前記音響手段のアラーム音の同期を取るための動作は継続させることを特徴とする電子時計。
【請求項２】
前記選択手段で選択された時刻計測以外の機能は一定期間で動作を停止する機能であることを特徴とする請求項１記載の電子時計。
【請求項３】
前記音響手段が警報を発する期間中に、前記選択手段で選択された前記時刻計測以外の機能の前記一定期間が経過した場合には、前記指針手段の指針の動作を停止し，前記音響手段のアラーム音の警報発生が終了後に前記音響手段のアラーム音の同期を取るための動作を停止することを特徴とする請求項１又は請求項２記載の電子時計。
【請求項４】
前記時刻計測以外の機能はタイマ機能又はストップウォッチ機能であることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の電子時計。
【請求項５】
前記指針手段を駆動するタイミングと前記音響手段が警報を発するタイミングを一致させないことを特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載の電子時計。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月17日(2004.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動体上の、少なくとも二つのアンテナと、該アンテナで複数の測位用衛星からの電波をそれぞれ受信し、前記複数のアンテナのうち一つの基準アンテナに対する他のアンテナの相対位置を求め、該アンテナの相対位置から前記移動体の方位および姿勢を検出する、移動体の方位および姿勢検出装置において、
１重位相差または２重位相差を観測し、これらの位相差の整数バイアスを決定する手段と、
該整数バイアスの決定された前記位相差より前記相対位置を求める手段と、
前記移動体の姿勢角と該姿勢角の誤差共分散とを求める手段と、
前記整数バイアスを再決定する場合に、前記姿勢角と姿勢角の誤差共分散とから、前記測位用衛星毎の前記１重位相差、または二つの前記測位用衛星の組み合わせ毎の前記２重位相差による、少なくとも一つの整数バイアスの候補値を算出し、該候補値から前記整数バイアスを決定する整数バイアス再決定手段とを備えた移動体の方位および姿勢検出装置。
【請求項２】
移動体上の、少なくとも二つのアンテナと、該アンテナで複数の測位用衛星からの電波をそれぞれ受信し、前記複数のアンテナのうち一つの基準アンテナに対する他のアンテナの相対位置を求め、該アンテナの相対位置から前記移動体の方位および姿勢を検出する、移動体の方位および姿勢検出装置において、
１重位相差または２重位相差を観測するとともに、これらの位相差の整数バイアスを決定する手段と、
該整数バイアスの決定された前記位相差より前記相対位置を求める手段と、
前記移動体の姿勢角と該姿勢角の誤差共分散とを求め、該姿勢角の誤差共分散を補正する手段と、
前記整数バイアスを再決定する場合に、前記姿勢角と前記姿勢角の誤差共分散の補正値とから、前記測位用衛星毎の前記１重位相差、または二つの前記測位用衛星の組み合わせ毎の前記２重位相差による、少なくとも一つの整数バイアスの候補値を算出し、該候補値から前記整数バイアスを決定する整数バイアス再決定手段とを備えた移動体の方位および姿勢検出装置。
【請求項３】
前記整数バイアスを再決定する場合に、前記姿勢角と姿勢角の誤差共分散とから前記整数バイアスを決定する手段と、前記１重位相差または２重位相差から位相差の整数バイアスを決定する手段とを併用または、いずれかを選択して用いるようにした請求項１または請求項２に記載の移動体の方位および姿勢検出装置。
【請求項４】
前記姿勢角を求める手段を、角速度センサと、該角速度センサの出力により、移動体の姿勢角を算出する手段とから構成した、請求項１〜３のいずれかに記載の移動体の方位および姿勢検出装置。
【請求項５】
前記姿勢角と姿勢角の誤差共分散とを求める手段を、前記移動体の状態により仮定したモデルに基づいて姿勢角と姿勢角の誤差共分散とを予測する手段で構成した、請求項１〜３のいずれかに記載の移動体の方位および姿勢検出装置。
【請求項６】
前記整数バイアス再決定手段は、floating ambiguityと該floating ambiguityの誤差共分散とを算出する手段を備える請求項１〜５のいずれかに記載の移動体の方位および姿勢検出装置。
【請求項７】
前記整数バイアス再決定手段は、ＬＡＭＢＤＡ法により前記整数バイアスの候補値を決定する手段を備える請求項１〜６のいずれかに記載の移動体の方位および姿勢検出装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
また、この発明は、１重位相差または２重位相差を観測し、これらの位相差の整数バイアスを決定する手段と、整数バイアスの決定された位相差から相対位置を求める手段と、移動体の姿勢角と該姿勢角の誤差共分散とを求め、姿勢角の誤差共分散を補正する手段と、整数バイアスを再決定する場合に、姿勢角と姿勢角の誤差共分散の補正値とから、１重位相差または２重位相差による、少なくとも一つの整数バイアスの候補値を算出し、該候補値から整数バイアスを決定する手段とを備える。これにより、１重位相差または２重位相差から整数バイアスが決定できなくなった時点での、姿勢角と、この姿勢角の誤差共分散を所定の補正項により補正した値とを用いて、整数バイアスを再決定する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
サイクルスリップ等の発生により、整数バイアスを再決定する必要が生じた場合には、姿勢角から求まるfloating ambiguityの標準偏差から、整数バイアス候補点を作成し、その候補点から最も確かであろう候補点を選定して整数バイアスに決定する。これにより、姿勢角から求まるfloating ambiguityを丸め込みによって整数化した場合よりも、誤りを少なくして、整数バイアスを決定することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１６】
次に、姿勢角演算処理部における再初期化判定部で、サイクルスリップが生じたか否かを判定し（ｎ１３→ｎ１４）、サイクルスリップが生じたことを検出すれば、前記のように算出された姿勢角と姿勢角誤差共分散とを用いて、整数バイアスを決定し、基線ベクトルを推定する（ｎ１５→ｎ１６→ｎ１７→ｎ１８→ｎ４）。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月24日(2005.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、警戒受信の際に複数の異なる周波数の信号を同時に受信するためには、広帯域フェーズドアレイアンテナをサブアレイに開口分割し、サブアレイ毎の高周波受信信号を個別に受信処理する必要があり、モノパルスコンパレータの出力信号と各サブアレイからの出力信号に対応して、周波数変換器やＡ／Ｄ変換器が多数必要となる。例えば、図５の例では、サブアレイの分割数が４であるのに対し、周波数変換器５やＡ／Ｄ変換器６の個数はそれよりも多く、具体的には７つ設けられている。また、広帯域モノパルスコンパレータの前段に機能切換のスイッチが必要である。よって、ハードウェア及びソフトウェア構成の複雑化が問題となっていた。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
実施の形態３．
この発明の実施の形態３に関わるレーダ装置について図面を参照しながら説明する。図４は、レーダ、警戒受信等の複数機能を一つの広帯域フェーズドアレイアンテナにより実施可能な、この発明の実施の形態３に関わるレーダ装置の構成を示す図である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図４において、１は広帯域フェーズドアレイアンテナ、２は送受信切換用のサーキュレータ、６ｂはＡ／Ｄ変換器、２９はディジタルフィルタ、７ｂは受信信号分析処理器、８ｂは受信信号識別処理器、９ｂは制御器、１０はモノパルス処理器、１１はレーダ信号処理器、１２ｂは励振機、１３はビーム制御器、２２は振幅・位相補正データメモリ、２３は補正処理器、２４はディジタルモノパルスコンパレータである。ここで、１、２、５ｂ、６ｂ、７ｂ、８ｂ、９ｂ、１０、１１、１２ｂ、１３、２２〜２４の構成や動作は実施の形態２と同等のものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
Ａ／Ｄ変換器６ｂにてディジタル変換された４つのサブアレイの受信信号Σ１〜Σ４は、ディジタルフィルタ２９を経て、振幅・位相補正データメモリに格納された補正データから、制御器９ｂからの周波数情報に対応するデータを補正処理器に送出し、補正処理器２３にてサブアレイ間振幅・位相バラツキを補正し、ディジタルモノパルスコンパレータ２４にて式１〜３の結果を各々出力した後に、モノパルス処理器１０、レーダ信号処理器１１を経て、制御器９ｂからの目標の角度情報を、図示しない表示器へ出力する。