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【手続補正書】
【提出日】平成16年11月9日(2004.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザ照射装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルス発振型の固体レーザと、
前記固体レーザからのレーザ光を、第１のレーザ光と第２のレーザ光に分割するため第１の薄膜偏光素子と、
ミラーと、
前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光を合成するための第２の薄膜偏光素子と、
を有し、
前記第１のレーザ光は、前記固体レーザからのレーザ光が前記第１の薄膜偏光素子によって反射され、その後前記ミラーによって反射されるレーザ光であり、
前記第２のレーザ光は、前記固体レーザからのレーザ光が前記第１の薄膜偏光素子を透過するレーザ光であり、
前記第１の薄膜偏光素子と前記第２の薄膜偏光素子の間の前記第１のレーザ光の光路長は、前記第１の薄膜偏光素子と前記第２の薄膜偏光素子の間の前記第２のレーザ光の光路長よりも長いことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項２】
パルス発振型の固体レーザと、
前記固体レーザからのレーザ光を、第１のレーザ光と第２のレーザ光に分割するためのの第１の薄膜偏光素子と、
ミラーと、
前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光を合成するための第２の薄膜偏光素子と、
前記合成されたレーザ光を線状に加工するための光学系と、
前記第２の薄膜偏光素子と前記光学系との間に設けられたシャッター系と、
を有し、
前記第１のレーザ光は、前記固体レーザからのレーザ光が前記第１の薄膜偏光素子によって反射され、その後前記ミラーによって反射されるレーザ光であり、
前記第２のレーザ光は、前記固体レーザからのレーザ光が前記第１の薄膜偏光素子を透過するレーザ光であり、
前記第１の薄膜偏光素子と前記第２の薄膜偏光素子の間の前記第１のレーザ光の光路長は、前記第１の薄膜偏光素子と前記第２の薄膜偏光素子の間の前記第２のレーザ光の光路長よりも長いことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項３】
請求項１または２において、前記第１のレーザ光はｓ成分であり、前記第２のレーザ光はｐ成分であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項において、前記レーザ光の出力時間は、１ｎｓ〜５０ｎｓであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、前記パルス発振型の固体レーザは、ＹＡＧレーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＶＯ4レーザ、およびＹＡｌＯ3レーザから選ばれた一種であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項６】
第１のレーザ光を発振する第１のパルス発振型の固体レーザと、
第２のレーザ光を発振する第２のパルス発振型の固体レーザと、
前記第１のレーザ光を反射するための第１のミラーと、
前記第１のミラーによって反射された前記第１のレーザ光を反射させ、前記第２のレーザ光を透過させるための第１の薄膜偏光素子と、
前記第１の薄膜偏光素子によって反射された前記第１のレーザ光を反射させ、前記第１の薄膜偏光素子を透過した前記第２のレーザ光を透過させるための第２の薄膜偏光素子と、
前記第２の薄膜偏光素子によって反射された前記第１のレーザ光を反射するための第２のミラーと、
前記第２の薄膜偏光素子を透過した前記第１のレーザ光と、前記第２のミラーに反射された前記第２のレーザ光を合成するための第３の薄膜偏光素子と、
を有し、
前記第２の薄膜偏光素子と前記第３の薄膜偏光素子の間の前記第１のレーザ光の光路長は、前記第２の薄膜偏光素子と前記第３の薄膜偏光素子の間の前記第２のレーザ光の光路長よりも長いことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項７】
第１のレーザ光を発振する第１のパルス発振型の固体レーザと、
第２のレーザ光を発振する第２のパルス発振型の固体レーザと、
前記第１のレーザ光を反射するための第１のミラーと、
前記第１のミラーによって反射された前記第１のレーザ光を反射させ、前記第２のレーザ光を透過させるための第１の薄膜偏光素子と、
前記第１の薄膜偏光素子によって反射された前記第１のレーザ光を反射させ、前記第１の薄膜偏光素子を透過した前記第２のレーザ光を透過させるための第２の薄膜偏光素子と、
前記第２の薄膜偏光素子によって反射された前記第１のレーザ光を反射するための第２のミラーと、
前記第２の薄膜偏光素子を透過した前記第１のレーザ光と、前記第２のミラーに反射された前記第２のレーザ光を合成するための第３の薄膜偏光素子と、
前記合成されたレーザ光を線状に加工するするための光学系と、
前記第３の薄膜偏光素子と前記光学系との間に設けられたシャッターと、
を有し、
前記第２の薄膜偏光素子と前記第３の薄膜偏光素子の間の前記第１のレーザ光の光路長は、前記第２の薄膜偏光素子と前記第３の薄膜偏光素子の間の前記第２のレーザ光の光路長よりも長いことを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項８】
請求項６または７において、前記第１のレーザ光はｓ成分であり、前記第２のレーザ光はｐ成分であることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項において、前記第１のレーザ光及び第２のレーザ光の出力時間は、１〜５０ｎｓであることを特徴とするレーザ照射装置。
【請求項１０】
請求項６乃至９のいずれか一項において、前記第１のパルス発振型の固体レーザ及び前記第２のパルス発振型の固体レーザとして、ＹＡＧレーザ、ＹＬＦレーザ、ＹＶＯ4レーザ、およびＹＡｌＯ3レーザから選ばれた一種であることを特徴とするレーザ照射装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月8日(2004.10.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被照射体が形成されている基板の表面側から第１のレーザビームを照射し、
前記基板の裏面側から第２のレーザビームを照射するレーザ照射方法であって、
前記第２のレーザビームは、前記第１のレーザビームの一部が前記被照射体および前記基板を透過して、前記基板の裏面側に設けられた反射体によって反射されたレーザビームであることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項２】
被照射体が形成されている基板の表面側から第１のレーザビームを照射し、
前記基板の裏面側から第２のレーザビームを照射するレーザ照射方法であって、
前記第２のレーザビームは、前記第１のレーザビームの一部が前記被照射体および前記基板を透過して、前記基板の裏面側に設けられた反射体によって反射されたレーザビームであり、
前記基板および前記反射体は、前記第１のレーザビームおよび前記第２のレーザビームに対して相対的に移動しながら照射されることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項３】
被照射体が形成されている基板の表面側から第１のレーザビームを照射し、
前記基板の裏面側から第２のレーザビームを照射するレーザ照射方法であって、
前記第２のレーザビームは、前記第１のレーザビームの一部が前記被照射体および前記基板を透過して、前記基板の裏面側に設けられた反射体によって反射されたレーザビームであり、
前記基板は、前記第１のレーザビーム、前記第２のレーザビームおよび前記反射体に対して相対的に移動しながら照射されることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記反射体は、選択的にパターニングされた反射層を有していることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記反射体は、選択的にパターニングされた反射層を有し、
前記被照射体および前記基板を透過した第１のレーザビームのうち、前記反射層に反射されたレーザビームのみが第２のレーザビームとして前記被照射体を照射することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記反射体における前記第１のレーザビームが反射する面が曲面であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１のレーザビームおよび前記第２のレーザビームの波長は、３５０ｎｍ以上であることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項８】
半導体膜が形成されている基板の表面側から第１のレーザビームを照射し、
前記基板の裏面側から第２のレーザビームを照射する工程を有する半導体装置の作製方法であって、
前記第２のレーザビームは、前記第１のレーザビームの一部が前記半導体膜および前記基板を透過して、前記基板の裏面側に設けられた反射体によって反射されたレーザビームであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
半導体膜が形成されている基板の表面側から第１のレーザビームを照射し、
前記基板の裏面側から第２のレーザビームを照射する工程を有する半導体装置の作製方法であって、
前記第２のレーザビームは、前記第１のレーザビームの一部が前記半導体膜および前記基板を透過して、前記基板の裏面側に設けられた反射体によって反射されたレーザビームであり、
前記基板および前記反射体は、前記第１のレーザビームおよび前記第２のレーザビームに対して相対的に移動しながら照射されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
半導体膜が形成されている基板の表面側から第１のレーザビームを照射し、
前記基板の裏面側から第２のレーザビームを照射する工程を有する半導体装置の作製方法であって、
前記第２のレーザビームは、前記第１のレーザビームの一部が前記半導体膜および前記基板を透過して、前記基板の裏面側に設けられた反射体によって反射されたレーザビームであり、
前記基板は、前記第１のレーザビーム、前記第２のレーザビームおよび前記反射体に対して相対的に移動しながら照射されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記反射体は、選択的にパターニングされた反射層を有していることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記反射体は、選択的にパターニングされた反射層を有し、
前記半導体膜および前記基板を透過した第１のレーザビームのうち、前記反射層に反射されたレーザビームのみが第２のレーザビームとして前記基板の裏面を照射することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記反射体における前記第１のレーザビームが反射する面が曲面であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項８乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記第１のレーザビームおよび前記第２のレーザビームの波長は、３５０ｎｍ以上であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月19日(2004.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】異物検査方法及び荷電粒子線装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成された試料の異物が存在する検査領域を電子線で走査し、異物を含んだパターンの二次電子プロファイルを取得するステップと、
前記検査領域と同一のパターンを有する他の領域であって異物が存在しない領域を電子線で走査し、異物を含まないパターンの二次電子プロファイルを取得するステップと、
前記異物を含んだパターンの二次電子プロファイルと異物を含まないパターンの二次電子プロファイルから異物の二次電子プロファイルを得るステップと、
前記異物の二次電子プロファイルと異物を含まないパターンの二次電子プロファイルとを比較することによって異物がパターンにおいて致命的なものであるか否かを判定する判定ステップとを含むことを特徴とする異物検査方法。
【請求項２】
請求項１記載の異物検査方法において、前記判定ステップでは、前記異物の二次電子プロファイルのピーク波形と異物を含まないパターンの二次電子プロファイルのピーク波形とが接触あるいは重なり合う箇所があった場合、その箇所で異物がパターンと接触あるいはパターンに重なっていると判定することを特徴とする異物検査方法。
【請求項３】
請求項１記載の異物検査方法において、前記判定ステップでは、前記異物の二次電子プロファイルのピーク波形のエッジ位置が、異物を含まないパターンの二次電子プロファイルのピーク波形の異物側のエッジ位置と接触あるいは当該エッジ位置を越えてパターン側に存在するとき、その箇所で異物がパターンと接触あるいはパターンに重なっていると判定することを特徴とする異物検査方法。
【請求項４】
請求項１，２又は３記載の異物検査方法において、ライン・アンド・スペースパターンに対して１つの異物が同時に２つ以上のラインに接触あるいは重なっていると判定されたとき、その異物はパターンにおいて致命的であると判定することを特徴とする異物検査方法。
【請求項５】
請求項１，２又は３記載の異物検査方法において、異物がホールパターンに重なっていると判定されたとき、その異物はパターンにおいて致命的であると判定することを特徴とする異物検査方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項記載の異物検査方法において、前記異物の二次電子プロファイルのピーク波形の両端のエッジ間の距離を異物のサイズとして求めることを特徴とする異物検査方法。
【請求項７】
荷電粒子源と、当該荷電粒子源から放出される荷電粒子線を収束して試料上で走査する荷電粒子光学系と、試料を配置する試料ステージと、当該荷電粒子線の走査によって試料から発生する二次信号を検出する検出手段とを備えた荷電粒子線装置において、
パターンが形成された試料の異物が存在する検査領域を電子線で走査し、異物を含んだパターンの二次電子プロファイルを取得する手段と、前記検査領域と同一のパターンを有する他の領域であって異物が存在しない領域を電子線で走査し、異物を含まないパターンの二次電子プロファイルを取得する手段と、前記異物を含んだパターンの二次電子プロファイルと異物を含まないパターンの二次電子プロファイルから異物の二次電子プロファイルを得る手段と、前記異物の二次電子プロファイルと前記異物を含まないパターンの二次電子プロファイルを比較することによって異物がパターンと接触あるいは重なっているかどうかを判定する手段とを備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項８】
請求項７記載の荷電粒子線装置において、前記判定手段は、前記異物の二次電子プロファイルのピーク波形と異物を含まないパターンの二次電子プロファイルのピーク波形とが接触あるいは重なり合う箇所があった場合、その箇所で異物がパターンと接触あるいはパターンに重なっていると判定することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項９】
請求項７又は８記載の荷電粒子線装置において、ライン・アンド・スペースパターンに対して１つの異物が同時に２つ以上のラインに接触あるいは重なっていると判定されたとき、その異物はパターンにおいて致命的であると判定することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１０】
請求項７又は８記載の荷電粒子線装置において、異物がホールパターンに重なっていると判定されたとき、その異物はパターンにおいて致命的であると判定することを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１１】
請求項７〜１０のいずれか１項記載の荷電粒子線装置において、前記異物の二次電子プロファイルのピーク波形の両端のエッジ間の距離を異物のサイズとして算出する手段を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１２】
荷電粒子源と、当該荷電粒子源から放出される荷電粒子線を収束して試料上で走査する荷電粒子光学系と、試料を配置する試料ステージと、当該荷電粒子線の走査によって試料から発生する二次信号を検出する検出手段とを備えた荷電粒子線装置において、
パターンが形成された試料の異物が存在する検査領域を電子線で走査し、異物を含んだパターンの二次電子プロファイルを取得する手段と、前記検査領域と同一のパターンを有する他の領域であって異物が存在しない領域を電子線で走査し、異物を含まないパターンの二次電子プロファイルを取得する手段と、前記異物を含んだパターンの二次電子プロファイルと前記異物を含まないパターンの二次電子プロファイルから異物がパターンと接触あるいは重なっているかどうかを判定する手段とを備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１３】
請求項７又は１２記載の荷電粒子線装置において、前記判定手段は、前記異物の二次電子プロファイルのピーク波形のエッジ位置が、異物を含まないパターンの二次電子プロファイルのピーク波形の異物側のエッジ位置と接触あるいは当該エッジ位置を越えてパターン側に存在するとき、その箇所で異物がパターンと接触あるいはパターンに重なっていると判定することを特徴とする荷電粒子線装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月24日(2004.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１導電型の第１のバッファ層と、
前記第１のバッファ層の上に形成された高抵抗の第１導電型の高抵抗層と、
前記高抵抗層の上に形成された第２導電型のベース層と、
前記ベース層の表面に形成された第１導電型のソース領域と、
前記ソース領域、前記ベース層、及び高抵抗層から絶縁して形成されたゲート電極と、
前記第１のバッファ層の前記高抵抗層が形成される面と反対側に形成された低ドーズ量の第２導電型のドレイン層と、
前記第１のバッファ層と前記ドレイン層との間に形成された前記第１のバッファ層より不純物濃度が高い第１導電型の第２のバッファ層と
を具備することを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は、第１導電型の第１のバッファ層と、前記第１のバッファ層の上に形成された高抵抗の第１導電型の高抵抗層と、前記高抵抗層の上に形成された第２導電型のベース層と、前記ベース層の表面に形成された第１導電型のソース領域と、前記ソース領域、前記ベース層、及び高抵抗層から絶縁して形成されたゲート電極と、前記第１のバッファ層の前記高抵抗層が形成される面と反対側に形成された低ドーズ量の第２導電型のドレイン層と、前記第１のバッファ層と前記ドレイン層との間に形成された前記第１のバッファ層より不純物濃度が高い第１導電型の第２のバッファ層とを具備している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
上記ＩＧＢＴは、低ドーズ量のｐ＋型のドレイン層２２を採用している。このため、アノードからのキャリアの注入効率を下げることができ、ライフタイム制御を施すことなく高速化することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月9日(2004.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱膨張緩和体を中間に介して半導体チップの一方の面を高温半田を用いて接合支持する支持電極体と、
前記支持電極体を圧入する穴部を有する放熱板とを備え、前記半導体チップに発生した熱を前記放熱板を介して放熱する半導体装置において、
前記支持電極体が、ジルコニウムを含有する銅合金製であって、前記支持電極体の硬度が前記放熱板の硬度よりも大きく、前記支持電極体が前記半導体チップを前記熱膨張緩和体を介して収容する凹部を有する柱状体であって、該支持電極体の凹部の底面が前記放熱板の上面と下面との間に位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、前記支持電極が、ジルコニウムを０．１ｗｔ％から０．２ｗｔ％含有する銅合金製であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１あるいは請求項２の何れかに記載の半導体装置において、前記熱膨張緩和体が銅−インバー−銅クラッド材であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３の何れかに記載の半導体装置において、前記放熱板が銅製であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１から請求項３の何れかに記載の半導体装置において、前記放熱板がアルミニウム製であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１から請求項３の何れかに記載の半導体装置において、前記半導体チップの他方の面にリード電極体を接続していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１から請求碩３の何れかに記載の半導体装置において、前記支持電極体のジルコニウムを含有する銅合金が、温度２５０℃から５００℃の間の温度で１時間焼きなました後のビッカース硬度が１２０より大きいことを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項１から請求項３の何れかに記載の半導体装置において、前記放熱板の穴部に前記支持電極体を圧入したことを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置において、前記支持電極体の外径が１２．７５ｍｍであって、該支持電極体の外経と、前記放熱板の穴部の直径との差が０．１ｍｍから０．３ｍｍの間であることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
熱膨張緩和体を中間に介して半導体チップの一方の面を高温半田を用いて接合支持する支持電極体と、前記支持電極体を圧入する穴部を有する放熱板とを備え、前記半導体チップに発生した熱を前記放熱板を介して放熱する半導体装置において、前記支持電極体が、ジルコニウムを含有する銅合金製であって、前記支持電極体の硬度が前記放熱板の硬度よりも大きく、前記支持電極体が前記半導体チップを前記熱膨張緩和体を介して収容する凹部を有する柱状体であって、該支持電極体の凹部の底面が前記放熱板の上面と下面との間に位置する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月13日(2004.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報処理装置を利用して対称鍵暗号化処理を行なう方法であって、
（１）入力される平文Ｍに秘密鍵Ｋを適用する暗号化処理Ｚ＝Ｅ（Ｍ，Ｋ）を行なってその結果Ｚをメモリに格納し、
（２）前記メモリ上の結果Ｚに対して復号化処理Ｗ＝Ｄ（Ｚ，Ｋ）を行なってその結果Ｗをメモリ上に格納し、
（３）前記の処理結果Ｗと平文Ｍとが一致している場合には、処理結果Ｚを出力し、
（４）前記の処理結果Ｗと平文Ｍとが不一致の場合には、処理結果の出力を抑止することを特徴とする暗号処理方法。
【請求項２】
前記暗号化処理及び復号化処理をＤＥＳ(Data Encryption Standard)に従って実行することを特徴とする請求項１記載の暗号処理方法。
【請求項３】
前記処理結果の出力を抑止する方法として、前記情報処理装置をリセットすることを特徴とする請求項１記載の暗号処理方法。
【請求項４】
前記情報処理装置及び前記メモリは、ＩＣカード上に搭載されるそれぞれ演算装置及び記憶装置であることを特徴とする請求項１記載の暗号処理方法。
【請求項５】
情報処理装置を利用して対称鍵復号化処理を行なう方法であって、
（１）入力される暗号文Ｃに秘密鍵Ｋを適用する復号化処理Ｚ＝Ｄ（Ｃ，Ｋ）を行なってその結果Ｚをメモリに格納し、
（２）前記メモリ上の結果Ｚに対して暗号化処理Ｗ＝Ｅ（Ｚ，Ｋ）を行なってその結果Ｗをメモリ上に格納し、
（３）前記の処理結果Ｗと暗号文Ｃとが一致している場合には、処理結果Ｚを出力し、
（４）前記の処理結果Ｗと暗号文Ｃとが不一致の場合には、処理結果の出力を抑止することを特徴とする暗号処理方法。
【請求項６】
前記暗号化処理及び復号化処理をＤＥＳ(Data Encryption Standard)に従って実行することを特徴とする請求項５記載の暗号処理方法。
【請求項７】
前記処理結果の出力を抑止する方法として、前記情報処理装置をリセットすることを特徴とする請求項５記載の暗号処理方法。
【請求項８】
前記情報処理装置及び前記メモリは、ＩＣカード上に搭載されるそれぞれ演算装置及び記憶装置であることを特徴とする請求項５記載の暗号処理方法。
【請求項９】
情報処理装置を利用して非対称鍵復号化処理を行なう方法であって、
（１）入力される暗号文Ｃに秘密鍵Ｘを適用する復号化処理Ｚ＝Ｄ（Ｃ，Ｘ）を行なってその結果Ｚをメモリに格納し、
（２）前記メモリ上の結果Ｚに公開鍵Ｊを適用する暗号化処理Ｗ＝Ｅ（Ｚ，Ｊ）を行なってその結果Ｗをメモリ上に格納し、
（３）前記の処理結果Ｗと暗号文Ｃとが一致している場合には、処理結果Ｚを出力し、
（４）前記の処理結果Ｗと暗号文Ｃとが不一致の場合には、処理結果の出力を抑止することを特徴とする暗号処理方法。
【請求項１０】
前記暗号化処理及び復号化処理をＲＳＡ暗号化方式に従って実行することを特徴とする請求項９記載の暗号処理方法。
【請求項１１】
前記処理結果の出力を抑止する方法として、前記情報処理装置をリセットすることを特徴とする請求項９記載の暗号処理方法。
【請求項１２】
前記情報処理装置及び前記メモリは、ＩＣカード上に搭載されるそれぞれ演算装置及び記憶装置であることを特徴とする請求項９記載の暗号処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月11日(2005.1.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号ストリームを符号化する方法であって、
該入力信号ストリームの入力値と前回の２進値の積分関数の出力値とを比較し、該比較に基づく新たな２進値を生成するステップと、
前記比較するステップからの複数の連続した２進値を記録するステップと、
複数の連続した２進値の複数の可能なビット・シーケンスに対する積分関数をシミュレートするステップと、
前記入力信号ストリームと前記積分関数の出力値との間のエラーを結果として最小にするシーケンスを判定するステップと、
前記判定されたシーケンスの最上位ビットを利用して、前記積分関数に調整を加えるステップと
を含んでなる方法。
【請求項２】
前記判定されたシーケンスの最上位ビットを利用するステップが、該判定されたシーケンスの最上位ビットに基づいて、前記積分関数のステップ・サイズを適宜調整することをさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記判定されたシーケンスの最上位ビットの連続したいくつかの値に基づいて、前記積分関数のステップ・サイズを適宜調整するステップをさらに含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
入力信号ストリームを符号化するためのエンコーダであって、
前記入力信号ストリームの入力値と前回の２進値の積分関数の出力値とを比較して、該比較に基づく新たな２進値を生成するよう構成された比較器と、
該比較器からの複数の連続した２進値を記憶するように構成されたメモリと、
前記複数の連続した２進値の複数の可能なビット・シーケンスに関して積分関数をシミュレートするための手段と、
前記入力信号ストリームと前記積分関数の前記出力値との間のエラーが結果として最小になるのがどのシーケンスであるかを判定するための手段と、
前記判定されたシーケンスの最上位ビットに基づいて前記積分関数を調整するための手段と
を含んでなるエンコーダ。
【請求項５】
前記請求項４に記載のエンコーダによって実行されるプログラムコードを含むコンピュータに読み取り可能な記録媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
所定の利点及び新規の特徴を実現するため、本発明は、一般に、入力信号ストリームを符号化するためのシステム及び方法を目標としている。本発明の態様の１つによれば、この方法は、入力信号ストリームの入力値と前回の２進値の積分関数の出力値とを比較して、その比較に基づく新規の２進値を生成する働きをする。そして、この方法では、比較ステップからの複数の連続した２進値を記憶する。その後、この方法では、複数の連続した２進値からなる複数の可能なビット・シーケンスに関する積分関数のシミュレーションを行う。そして、この方法では、結果として、入力信号ストリームと積分関数の出力値との間のエラーが最も小さくなるのがどのシーケンスであるかを判定する。最後に、この方法では、判定されたシーケンスの最上位ビットを利用して、積分関数を調整する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
本発明の一実施態様によれば、可能な複数のビット・シーケンスに関してシミュレートされる積分関数は、可能な全てのビット・シーケンスに関する積分関数のシミュレーションを含んでいる。別の実施態様の場合には、この方法は、積分関数の出力値と入力値の二乗平均平方根（root mean square：以下、「ＲＭＳ」とよぶ）エラー値を計算することによってエラーが結果として最小になるのはどのシーケンスであるかを判定する。望ましい実施態様の場合には、この方法は、判定されたシーケンスの最上位ビットの連続した値（successive value）に基づいて、積分関数のステップ・サイズを適応するように調整する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明のもう１つの態様によれば、入力信号ストリームを符号化するためのエンコーダが得られる。エンコーダは、入力信号ストリームの入力値と前回の２進値の積分関数の出力値を比較して、その比較に基づく新たな２進値を生成するように構成された比較器を含んでいる。エンコーダは、比較器からの複数の連続した２進値を記憶するように構成されたメモリと、複数の連続した２進値からなる複数の可能なビット・シーケンスに関して積分関数をシミュレートするための手段とをさらに含んでいる。比較器は、入力信号ストリームと積分関数の出力値との間のエラーが結果として最小になるのがどのシーケンスであるかを判定するための手段と、判定されたシーケンスの最上位ビットに基づいて積分関数に調整を加えるための手段とをさらに含んでいる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月1日(2004.10.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ・ワードをサブワード・パス上へのデータ・サブワードに分割するステップと、
サブワード・パス間の通信を可能にするステップと、
データ・サブワードを符号化済みデータ・サブワードに符号化するステップとを含む方法であって、
データ・ワードの情報内容が符号化済みデータ・サブワードと符号化済みデータ・サブワードの重みとの間で分散される方法。
【請求項２】
サブワード・パス間の通信を可能にするステップと、
符号化済みデータ・サブワードをデータ・サブワードに復号するステップとを含む方法であって、
データ・サブワードがデータ・ワードを形成し、それによりデータ・ワードの情報内容がデータ・ワードに再び集中する方法。
【請求項３】
少なくとも第１の論理状態および第２の論理状態をそのデータ要素が占めるデータ・ワードを符号化するためのエンコーダ・モジュールであって、
データ・ワードのデータ要素セットを含むデータ・サブワードをそれぞれが受け取る少なくとも２つのサブワード・パスと、
前記少なくとも２つのサブワード・パスに結合されたエンコーダであって、データ・サブワードを符号化済みデータ・サブワードに符号化するエンコーダとを備え、
符号化済みデータ・サブワードが符号化済みデータ・ワードを形成し、データ・ワードの情報内容が符号化済みデータ・サブワードと符号化済みデータ・サブワードの重みとの間で分散される、エンコーダ・モジュール。
【請求項４】
少なくとも第１の論理状態および第２の論理状態をそのデータ要素が占めるデータ・ワードを符号化する方法であって、
サブワード・パス上へのデータ・サブワードを受け取るステップであって、データ・サブワードはデータ・ワードのデータ要素セットを含むステップと、
データ・サブワードを符号化済みデータ・サブワードに符号化するステップとを含み、
符号化済みデータ・サブワードが符号化済みデータ・ワードを形成し、データ・ワードの情報内容が符号化済みデータ・サブワードと符号化済みデータ・サブワードの重みとの間で分散される方法。
【請求項５】
少なくとも第１の論理状態および第２の論理状態をその符号化済みデータ要素が占める符号化済みデータ・ワードを復号するためのデコーダ・モジュールであって、
少なくとも２つのサブワード・パスであって、それぞれが、符号化済みデータ・ワードのデータ要素セットを含む符号化済みデータ・サブワードを受け取り、少なくとも２つのサブワード・パス間で情報が共用されるように少なくとも２つのサブワード・パス間の通信を可能にするサブワード・パスと、
前記少なくとも２つのサブワード・パスに結合されたデコーダであって、符号化済みデータ・サブワードをデータ・サブワードに復号するデコーダとを備え、データ・サブワードがデータ・ワードを形成する、デコーダ・モジュール。
【請求項６】
少なくとも第１の論理状態および第２の論理状態をその符号化済みデータ要素が占める符号化済みデータ・ワードを復号する方法であって、
サブワード・パス上への符号化済みデータ・サブワードを受け取るステップであって、符号化済みデータ・サブワードは符号化済みデータ・ワードのデータ要素セットを含むステップと、
サブワード・パス間で情報を共用できるようにサブワード・パス間の通信を可能にするステップと、
符号化済みデータ・サブワードをデータ・サブワードに復号するステップとを含み、
データ・サブワードはデータ・ワードを形成する方法。
【請求項７】
データ・ワードのデータ要素セットを含むデータ・サブワードをそれぞれが受け取る少なくとも２つのサブワード・パスと、
前記少なくとも２つのサブワード・パスに結合され、データ・サブワードを符号化済みデータ・サブワードに符号化するエンコーダであって、符号化済みデータ・サブワードが符号化済みデータ・ワードを形成し、データ・ワードの情報内容が符号化済みデータ・サブワードと符号化済みデータ・サブワードの重みとの間で分散されるエンコーダと、
前記少なくとも２つのサブワード・パスに結合され、符号化済みデータ・サブワードを受け取り、符号化済みデータ・サブワードの伝送を容易にする並列符号化済みデータ・ライン・バスと、
前記並列符号化済みデータ・ライン・バスに結合された少なくとも２つのサブワード・パスであって、それぞれが、符号化済みデータ・ワードのデータ要素セットを含む符号化済みデータ・サブワードを受け取り、少なくとも２つのサブワード・パス間で情報を共用するように少なくとも２つのサブワード・パス間の通信を可能にするサブワード・パスと、
前記少なくとも２つのサブワード・パスに結合されたデコーダであって、符号化済みデータ・サブワードをデータ・サブワードに復号するデコーダとを備え、データ・サブワードがデータ・ワードを形成する、データ処理システム。
【請求項８】
データ処理システム中でデータ・ワードを伝送する方法であって、
サブワード・パス上へのデータ・サブワードを受け取るステップであって、データ・サブワードはデータ・ワードのデータ要素セットを含むステップと、
データ・サブワードを符号化済みデータ・サブワードに符号化するステップであって、符号化済みデータ・サブワードが符号化済みデータ・ワードを形成し、データ・ワードの情報内容が符号化済みデータ・サブワードと符号化済みデータ・サブワードの重みとの間で分散されるステップと、
並列符号化済みデータ・ライン・バスを介して符号化済みデータ・サブワードを送信するステップと、
サブワード・パス上への符号化済みデータ・サブワードを受け取るステップであって、符号化済みデータ・サブワードが符号化済みデータ・ワードのデータ要素セットを含むステップと、
サブワード・パス間で情報を共用できるようにサブワード・パス間の通信を可能にするステップと、
符号化済みデータ・サブワードをデータ・サブワードに復号するステップとを含み、
データ・サブワードはデータ・ワードを形成する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月16日(2004.7.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＬビットのデータワードをαＬビットのコードワードに変換するデータ符号化方法において、
前記ＬビットのデータワードをＭビットデータワードとＮビットのデータワードに分割し(Ｍ≧Ｎ)、
前記Ｍビットのデータワードを第１の変換テーブルにより、前記Ｍビットのデータワードと前記Ｎビットのデータワードの組み合わせで作成された内容に基づくパターンのβＭビットのコードワードに変換し、
前記Ｎビットのデータワードを第２の変換テーブルにより、前記Ｍビットのデータワードと前記Ｎビットのデータワードの組み合わせ内容に基づくパターンのγＮビットのコードワードに変換し、
前記βＭビットのコードワードとγＮビットのコードワードを接続し前記αＬビットのコードワードに変換する
ことを特徴とするデータ符号化方法。
【請求項２】
前記αＬビットのコードワードの出力"1"に対しては反転し、"0"に対しては保持するＮＲＺＩ変換を行うことを特徴とする請求項1記載のデータ符号化方法。
【請求項３】
前記第２の変換テーブルの一部のワードコード（γＮビット）は、前記αＬビットのワードコードを形成したときに、このワードコード（αＬビット）のデジタルサムバリューを制御する直流（ＤＣ）制御ビットを含むことを特徴とする請求項1記載のデータ符号化方法。
【請求項４】
前記第１の変換テーブルのコードワードは少なくとも"1"を１個以上含み、前記αＬビットのコードワードは少なくとも"0"が２個以上連続している部分を含むことを特徴とする請求項1記載のデータ符号化方法。
【請求項５】
前記Ｌビットの上位ビットをＭビットとし、下位ビットをＮビットとするとともに、前記αＬビットの上位ビットをβＭビットとし、下位ビットをγＮビットとすることを特徴とする請求項1記載のデータ符号化方法。
【請求項６】
ＬビットのデータワードをαＬビットのコードワードに変換するデータ符号化装置において、
前記ＬビットのデータワードをＭビットデータワードとＮビットのデータワードに分割する手段と(Ｍ≧Ｎ)、
前記Ｍビットのデータワードを第１の変換テーブルにより、前記Ｍビットのデータワードと前記Ｎビットのデータワードの組み合わせで作成された内容に基づくパターンのβＭビットのコードワードに変換する手段と、
前記Ｎビットのデータワードを第２の変換テーブルにより、前記Ｍビットのデータワードと前記Ｎビットのデータワードの組み合わせ内容に基づくパターンのγＮビットのコードワードに変換する手段と、
前記βＭビットのコードワードとγＮビットのコードワードを接続し前記αＬビットのコードワードに変換する手段と
を具備したことを特徴とするデータ符号化装置。
【請求項７】
前記αＬビットのコードワードの出力"1"に対しては反転し、"0"に対しては保持するＮＲＺＩ変換を行う手段を有したことを特徴とする請求項６記載のデータ符号化装置。
【請求項８】
情報媒体に、ＬビットのデータワードをαＬビットのコードワードに変換して供給する方法において、
前記ＬビットのデータワードをＭビットデータワードとＮビットのデータワードに分割し(Ｍ≧Ｎ)、
前記Ｍビットのデータワードを第１の変換テーブルにより、前記Ｍビットのデータワードと前記Ｎビットのデータワードの組み合わせで作成された内容に基づくパターンのβＭビットのコードワードに変換し、
前記Ｎビットのデータワードを第２の変換テーブルにより、前記Ｍビットのデータワードと前記Ｎビットのデータワードの組み合わせ内容に基づくパターンのγＮビットのコードワードに変換し、
前記βＭビットのコードワードとγＮビットのコードワードを接続し前記αＬビットのコードワードに変換する
ことを特徴とするデータ符号化方法。
【請求項９】
情報媒体に、ＬビットのデータワードをαＬビットのコードワードに変換して供給するデータ符号化装置において、
前記ＬビットのデータワードをＭビットデータワードとＮビットのデータワードに分割する手段と(Ｍ≧Ｎ)、
前記Ｍビットのデータワードを第１の変換テーブルにより、前記Ｍビットのデータワードと前記Ｎビットのデータワードの組み合わせで作成された内容に基づくパターンのβＭビットのコードワードに変換する手段と、
前記Ｎビットのデータワードを第２の変換テーブルにより、前記Ｍビットのデータワードと前記Ｎビットのデータワードの組み合わせ内容に基づくパターンのγＮビットのコードワードに変換する手段と、
前記βＭビットのコードワードとγＮビットのコードワードを接続し前記αＬビットのコードワードに変換する手段と
を具備したことを特徴とするデータ符号化装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月28日(2004.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層をｐ型クラッド層とｎ型クラッド層とで挟みこむ導波路構造を有する窒化物半導体レーザ素子において、
前記活性層がＩｎを含む窒化物半導体を有し発振波長が４４０ｎｍ以上であり、
前記導波路内に、互いに組成が異なり、導波路が非対称となるように、ｎ型クラッド層、ｐ型クラッド層と活性層との間に、それぞれ第１の窒化物半導体層、第２の窒化物半導体層、とを有すると共に、
前記第１の窒化物半導体層が、Ｉｎを含む窒化物半導体であり、第１の窒化物半導体層と前記ｎ型クラッド層との間に、第１の窒化物半導体層とは組成が異なるｎ側光ガイド層を有する窒化物半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記ｎ側光ガイド層のＩｎ混晶比が、前記第１の窒化物半導体層より小さい請求項１記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記ｐ型クラッド層、ｎ型クラッド層が、Ａｌを含む窒化物半導体を有する請求項１又は２記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記第１の窒化物半導体層がｎ型不純物ドープされ、前記ｎ側光ガイド層がアンドープである請求項１乃至３記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記活性層がＩｎを含む窒化物半導体からなる井戸層を有する量子井戸構造を有し、前記第１の窒化物半導体層のＩｎ混晶比ｚが井戸層のＩｎ混晶比ｗより小さく（ｚ＜ｗ）、障壁層のＩｎ混晶比ｖ以下（ｚ≦ｖ）である請求項１乃至４記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記第１の窒化物半導体層が活性層に接して設けられることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ素子素子。
【請求項７】
ｐ型クラッド層と活性層との間に前記第２の窒化物半導体層からなるｐ型光ガイド層と、該ｐ型光ガイド層と活性層との間にＡｌを含む窒化物半導体からなるｐ側電子閉込め層を有する請求項１乃至６記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記ｎ側、ｐ側光ガイド層の少なくとも一方が、Ｉｎを含む窒化物半導体の超格子多層膜である請求項１乃至７記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項９】
前記活性層と第１の窒化物半導体層との間に、Ｉｎ混晶比が０である窒化物半導体からなるｎ型光ガイド層を有することを特徴とする請求項１乃至７記載の窒化物半導体素子。
【請求項１０】
前記第１の窒化物半導体層の膜厚が３００Å以上であることを特徴とする請求項１乃至９記載の窒化物半導体レーザ素子。
【請求項１１】
前記活性層内で最もｎ型クラッド層側に配置された層としてｎ側障壁層を有し、該ｎ側障壁層と前記第１の窒化物半導体層との膜厚の和が、３００Å以上であることを特徴とする請求項１乃至１０記載の窒化物半導体レーザ素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】窒化物半導体レーザ素子
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月14日(2004.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は表面弾性波素子に係り、特に、移動体通信機器のＲＦ（無線周波数）フィルタやＩＦ（中間周波数）フィルタ、アンテナ共用器等に用いて好適な表面弾性波素子に関するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来の表面弾性波フィルタを、例えば、携帯用通信機器に適用した場合、伝播する表面弾性波の音速ｖは３０００〜４０００ｍ／ｓであるから、共振周波数ｆを実用上必要とされる２ＧＨｚ帯以上とすると、電極指の幅ｗが０．５μｍ以下という薄膜電極を用いる必要がある。このような薄膜電極では、大電力で動作させた場合にエレクトロマイグレーション等により劣化し易く、その結果、ＳＡＷ共振器４の耐電力性が低下し、表面弾性波フィルタの信頼性が低下してしまうことになる。また、この表面弾性波フィルタをアンテナ共用器に適用しようとした場合、耐電力性の点で難があり、実用化に至っていない。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月6日(2004.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基材内へ電子部品を埋設し、
埋設された上記電子部品の電極と電気的に接続する回路パターンを上記第１基材の回路形成面に形成して上記電極と上記回路パターンとの電気的接続を図る、
ことを特徴とする電子部品実装済部品の製造方法。
【請求項２】
上記第１基材内への上記電子部品の埋設後、上記回路パターン形成前に、埋設された上記電子部品の上記電極を上記回路形成面に露出させ、該露出後に上記回路パターンを形成する、請求項１記載の電子部品実装済部品の製造方法。
【請求項３】
上記回路パターン形成後、該回路パターンを上記第１基材内へ押し込んで上記電気的接続を図るとともに上記回路形成面を平坦化する、請求項１記載の電子部品実装済部品の製造方法。
【請求項４】
樹脂材にてなる上記第１基材と、加熱された上記電子部品とを相対的に押圧することで上記第１基材内への上記電子部品の埋設を行ない上記回路パターンを形成する、請求項１から３のいずれかに記載の電子部品実装済部品の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の電子部品実装済部品の製造方法を用いて電子部品実装済部品を製造した後、
上記電極と上記回路パターンとの上記電気的接続後、上記第１基材の厚み方向から第２基材及び第３基材にて上記第１基材のラミネート処理を行なうことを特徴とする電子部品実装済完成品の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の、電子部品実装済完成品の製造方法にて製造されたことを特徴とする電子部品実装済完成品。
【請求項７】
非接触ＩＣカードを構成するため、上記回路パターンは、無線にて情報の送受信を行なうアンテナコイル形状にてなる、請求項６記載の電子部品実装済完成品。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月26日(2005.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子装置を支持及び相互接続する相互接続装置であって、
上面及び底面を備えた回路基板と、
前記上面又は前記上面内部において、第１のコネクタ・トレース・フィールドに接続されている第１の複数のピンを含む第１のコネクタと、
前記底面又は前記底面内部において、第２のコネクタ・トレース・フィールドに接続されている第２の複数のピンを含む第２のコネクタと、
前記第１及び第２のコネクタ・トレース・フィールドとサイズ及び構成が実質的に同じである上部バイア・フィールド及び底部バイア・フィールドを含み、
前記基板面又は基板内部において、前記第１と第２のコネクタの間に配置されていて、
前記基板を貫通して前記上部バイア・フィールドと底部バイア・フィールドを相互接続するバイア・コネクタを含んでいる
バイア・トレース・フィールドと、
前記基板の前記上面又は前記上面内部にあって、前記第１のコネクタ・フィールドと前記上部バイア・フィールドとを相互接続する複数の上部差動バス・トレース対と、
前記基板の前記底面又は前記底面内部にあって、前記第２のコネクタ・フィールドと前記底部バイア・フィールドとを相互接続する複数の底部差動バス・トレース対とが含まれている、
相互接続装置。
【請求項２】
前記上部及び底部バイア・フィールドに、トレース対が含まれることと、前記トレース対のうち１つの全長と他のトレース対の全長とを等しくするため、前記トレース対の中の少なくとも一つが不等波形をなしていることと、を特徴とする、請求項１に記載の相互接続装置。
【請求項３】
前記第１及び第２のコネクタが同一線上に長手軸を備えていることと、前記バイア・フィールドが、前記コネクタの前記縦軸に対して平行であり、間隔のあいた長手軸を備えていることと、を特徴とする、請求項１に記載の相互接続装置。
【請求項４】
前記バイア・フィールドが、前記第１及び第２のコネクタ間の途中に配置されることを特徴とする、請求項３に記載の相互接続装置。
【請求項５】
前記第１及び第２のコネクタが、平行であり間隔のあいた長手軸を備えていることと、前記バイア・フィールドが、前記コネクタの前記長手軸に対して直交する長手軸を備えることと、を特徴とする、請求項１に記載の相互接続装置。
【請求項６】
前記コネクタのうち少なくとも１つが、互いに関して側方に変位したコネクタ・フィールドのグループを備えていることと、前記バイア・フィールドが、前記コネクタ・フィールドの前記側方に変位することによってもたらされる前記上部トレース対と底部差動トレース対との長さの差を補償するように、互いに関してオフセットしたバイア・フィールド・グループを備えていることと、を特徴とする、請求項５に記載の相互接続装置。
【請求項７】
前記上部バイア・フィールドと前記底部バイア・フィールドに、前記上部差動トレース対と前記底部差動トレース対とのうち、選択されたトレース対間において導体配列パターンの反転が含まれることを特徴とする、請求項１に記載の相互接続装置。
【請求項８】
前記導体配列の反転が、前記上部トレース対と前記底部トレース対との間のクロストークを中和するために、繰り返しパターンで選択的に行われることを特徴とする、請求項７に記載の相互接続装置。
【請求項９】
電子装置を支持及び相互接続する相互接続装置であって、
上面及び底面を備えた回路基板と、
前記上面又は前記上面内部において、第１のコネクタ・トレース・フィールドに接続されている第１の複数のピンを含む第１のコネクタと、
前記底面又は前記底面内部において、第２のコネクタ・トレース・フィールドに接続されている第２の複数のピンを含む第２のコネクタと、
前記第１及び第２のコネクタ・トレース・フィールドとサイズ及び構成が実質的に同じである上部バイア・フィールド及び底部バイア・フィールドを含み、前記基板面又は基板内部において、前記第１と第２のコネクタの間に配置されていて、前記基板を貫通して前記上部バイア・フィールドと底部バイア・フィールドを相互接続するバイア・コネクタを含んでいるバイア・トレース・フィールドが設けられた、前記第１のコネクタ・トレース・フィールドと、前記第２のコネクタ・トレース・フィールドとを相互接続する差動トレース手段と、
が含まれている相互接続装置。
【請求項１０】
電子装置を支持及び相互接続する相互接続装置であって、
上面及び底面を備えた回路基板と、
前記上面又は前記上面内部において、第１のコネクタ・トレース・フィールドに接続されている第１の複数のピンを含む第１のコネクタと、
前記底面又は前記底面内部において、第２のコネクタ・トレース・フィールドに接続されている第２の複数のピンを含む第２のコネクタと、
前記第１及び第２のコネクタ・トレース・フィールドとサイズ及び構成が実質的に同じである上部バイア・フィールド及び底部バイア・フィールドを含み、前記基板面又は基板内部において、前記第１と第２のコネクタの間に配置されていて、前記基板の少なくとも一部を通って前記上部バイア・フィールドと底部バイア・フィールドを相互接続するバイア・コネクタを含んでいるバイア・トレース・フィールドと、
前記基板の前記上面内部にあって、前記第１のコネクタ・フィールドと前記上部バイア・フィールドとを相互接続する複数の上部差動バス・トレース対と、
前記基板の前記底面内部にあって、前記第２のコネクタ・フィールドと前記底部バイア・フィールドとを相互接続する複数の底部差動バス・トレース対と、
が含まれている、相互接続装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月20日(2004.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硫酸第一鉄と硫酸とを含有する水溶液の撹拌下に、酸化剤水溶液及び水ガラス水溶液を徐々に添加することを特徴とする、凝集剤の製造方法。
【請求項２】
前記酸化剤が過酸化水素である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の製造方法によって得られる凝集剤。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
前記課題は、本発明による、硫酸第一鉄と硫酸とを含有する水溶液の撹拌下に、酸化剤水溶液及び水ガラス水溶液を徐々に添加することを特徴とする、凝集剤の製造方法により解決することができる。
また、本発明は前記製造方法によって得られる凝集剤にも関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【作用】
本発明の製造方法により得られる凝集剤は、後述の実施例における評価例１に示すように、特願２０００−２０２４９２号に記載の凝集剤、すなわち、ポリ硫酸第二鉄水溶液の撹拌下に、水ガラス水溶液を徐々に添加することにより得られる凝集剤に比べ、高い凝集効果を示す。また、後述の実施例における評価例２に示すように、特願２０００−２０２４９２号に記載の凝集剤よりも、長期安定性に優れている。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
2002326003.tif 000001