【手続補正書】
【提出日】平成17年5月31日(2005.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の論理に対応する第１の電位から第２の論理に対応する第２の電位へと遷移する入力信号が入力する入力端子と、
出力端子と、
前記入力端子に接続されたゲート電極と、前記第１の論理に対応する第３の電位が与えられる第１の電流電極と、前記出力端子に接続された第２の電流電極と、ボディ電極とを有し、前記第３の電位から第１のしきい値の絶対値だけ前記第２の電位へと離れた電位が前記ゲート電極に与えられて導通する第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタの前記第２の電流電極における電位が前記第２の論理に対応する場合に、前記入力信号を前記第１のトランジスタの前記ボディ電極に伝達する伝達回路と
を備える動的しきい値ＭＯＳトランジスタを用いたバッファ。
【請求項２】
前記第１のトランジスタが半導体基板を更に備え、
前記半導体基板は表面を有し、
前記第１の電流電極及び前記第２の電流電極が前記表面に形成され、
前記半導体基板のうち、前記第１の電流電極と前記第２の電流電極とに挟まれた領域が前記ボディ電極となり、
前記ゲート電極は前記ボディ電極に対向して形成された
請求項１記載の動的しきい値ＭＯＳトランジスタを用いたバッファ。
【請求項３】
前記第１のトランジスタが、
前記第１の電流電極及び前記第２の電流電極及び前記ボディ電極に接し、前記ゲート電極と対向する絶縁膜層を
更に備える、
請求項２記載の動的しきい値ＭＯＳトランジスタを用いたバッファ。
【請求項４】
前記入力端子に接続されたゲート電極と、前記第２の論理に対応する第４の電位が与えられる第１の電流電極と、前記出力端子に接続された第２の電流電極とを有し、前記第１のトランジスタとは導電型が逆の第２のトランジスタ
をさらに備える、請求項１記載の動的しきい値ＭＯＳトランジスタを用いたバッファ。
【請求項５】
前記伝達回路は、
前記第１のトランジスタの前記第２の電流電極に接続された入力端と、出力端とを有するインバータと、
前記インバータの前記出力端に接続されたゲート電極と、前記入力端子に接続された第１の電流電極と、前記第１のトランジスタの前記ボディ電極に接続された第２の電流電極とを有し、前記第１のトランジスタとは導電型が逆の第２のトランジスタと
を備える、請求項１記載の動的しきい値ＭＯＳトランジスタを用いたバッファ。
【請求項６】
前記インバータは、奇数個のＣＭＯＳインバータを直列接続したものである、
請求項５記載の動的しきい値ＭＯＳトランジスタを用いたバッファ。
【請求項７】
前記第２のトランジスタの前記ゲート電極に接続されたゲート電極と、前記第１の論理に対応する第４の電位に接続された第１の電流電極と、前記第１のトランジスタの前記ボディ電極に接続された第２の電流電極とを有し、前記第１のトランジスタと同じ導電型の第３のトランジスタ
を更に備える、請求項５記載の動的しきい値ＭＯＳトランジスタを用いたバッファ。
【請求項８】
前記入力信号は前記第２の電位から前記第１の電位へも遷移し、
前記入力端子に接続されたゲート電極と、前記第２の論理に対応する第４の電位が与えられる第１の電流電極と、前記出力端子に接続された第２の電流電極と、ボディ電極とを有し、前記第４の電位から第２のしきい値の絶対値だけ前記第１の電位へと離れた電位が与えられて導通する第２のトランジスタと、
前記第２のトランジスタの前記第２の電流電極における電位が前記第１の論理に対応する場合に、前記入力信号を前記第２のトランジスタの前記ボディ電極に伝達する第２の伝達回路と
を更に備える、請求項１記載の動的しきい値ＭＯＳトランジスタを用いたバッファ。
【請求項９】
前記第１のトランジスタの前記ボディ電極における電位と前記第１の電流電極における電位との電位差の絶対値が、
前記ボディ電極と前記第１の電流電極とで形成されるＰＮ接合の拡散電位を超えない、請求項１記載の動的しきい値ＭＯＳトランジスタを用いたバッファ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明のうち請求項１にかかるものは、第１の論理に対応する第１の電位から第２の論理に対応する第２の電位へと遷移する入力信号が入力する入力端子と、出力端子と、前記入力端子に接続されたゲート電極と、前記第１の論理に対応する第３の電位が与えられる第１の電流電極と、前記出力端子に接続された第２の電流電極と、ボディ電極とを有し、前記第３の電位から第１のしきい値の絶対値だけ前記第２の電位へと離れた電位が前記ゲート電極に与えられて導通する第１のトランジスタと、前記第１のトランジスタの前記第２の電流電極における電位が前記第２の論理に対応する場合に、前記入力信号を前記第１のトランジスタの前記ボディ電極に伝達する伝達回路とを備える動的しきい値ＭＯＳトランジスタを用いたバッファである。
この発明のうち請求項２にかかるものは、前記第１のトランジスタが半導体基板を更に備え、前記半導体基板は表面を有し、前記第１の電流電極及び前記第２の電流電極が前記表面に形成され、前記半導体基板のうち、前記第１の電流電極と前記第２の電流電極とに挟まれた領域が前記ボディ電極となり、前記ゲート電極は前記ボディ電極に対向して形成された請求項１記載の動的しきい値ＭＯＳトランジスタを用いたバッファである。
この発明のうち請求項３にかかるものは、前記第１のトランジスタが、前記第１の電流電極及び前記第２の電流電極及び前記ボディ電極に接し、前記ゲート電極と対向する絶縁膜層を更に備える、請求項２記載の動的しきい値ＭＯＳトランジスタを用いたバッファである。
この発明のうち請求項４にかかるものは、前記入力端子に接続されたゲート電極と、前記第２の論理に対応する第４の電位が与えられる第１の電流電極と、前記出力端子に接続された第２の電流電極とを有し、前記第１のトランジスタとは導電型が逆の第２のトランジスタをさらに備える、請求項１記載の動的しきい値ＭＯＳトランジスタを用いたバッファである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
この発明のうち請求項５にかかるものは、前記伝達回路は、前記第１のトランジスタの前記第２の電流電極に接続された入力端と、出力端とを有するインバータと、前記インバータの前記出力端に接続されたゲート電極と、前記入力端子に接続された第１の電流電極と、前記第１のトランジスタの前記ボディ電極に接続された第２の電流電極とを有し、前記第１のトランジスタとは導電型が逆の第２のトランジスタとを備える、請求項１記載の動的しきい値ＭＯＳトランジスタを用いたバッファである。
この発明のうち請求項６にかかるものは、前記インバータは、奇数個のＣＭＯＳインバータを直列接続したものである、請求項５記載の動的しきい値ＭＯＳトランジスタを用いたバッファである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この発明のうち請求項７にかかるものは、前記第２のトランジスタの前記ゲート電極に接続されたゲート電極と、前記第２の論理に対応する第４の電位に接続された第１の電流電極と、前記第１のトランジスタの前記ボディ電極に接続された第２の電流電極とを有し、前記第１のトランジスタと同じ導電型の第３のトランジスタを更に備える、請求項２記載の動的しきい値ＭＯＳトランジスタを用いたバッファである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
この発明のうち請求項８にかかるものは、前記入力信号は前記第２の電位から前記第１の電位へも遷移し、前記入力端子に接続されたゲート電極と、前記第２の論理に対応する第４の電位が与えられる第１の電流電極と、前記出力端子に接続された第２の電流電極と、ボディ電極とを有し、前記第４の電位から第２のしきい値の絶対値だけ前記第１の電位へと離れた電位が与えられて導通する第２のトランジスタと、前記第２のトランジスタの前記第２の電流電極における電位が前記第１の論理に対応する場合に、前記入力信号を前記第３のトランジスタの前記ボディ電極に伝達する第２の伝達回路とを更に備える、請求項１記載の動的しきい値ＭＯＳトランジスタを用いたバッファである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この発明のうち請求項９にかかるものは、前記第１のトランジスタの前記ボディ電極における電位と前記第１の電流電極における電位との電位差の絶対値が、前記ボディ電極と前記第１の電流電極とで形成されるＰＮ接合の拡散電位を超えない、請求項１記載の動的しきい値ＭＯＳトランジスタを用いたバッファである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
【発明の効果】
この発明のうち請求項１乃至４にかかる動的しきい値ＭＯＳトランジスタを用いたバッファによれば、伝達回路が導通状態にあるときには、第１のトランジスタのボディ電位はほぼ入力信号の電位と等しく、入力信号の電位が変化すればボディ電位もそれに伴って変化する。ボディ電位と第３の電位との電位差の絶対値が大きくなると、ボディ電位が第１の電位にあるときに比べ第１のしきい値は小さくなるので、入力信号が第１の電位から第２の電位へと遷移する際に、第１のトランジスタは導通し易くなる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
この発明のうち請求項５および６にかかる動的しきい値ＭＯＳトランジスタを用いたバッファによれば、インバータの出力が第１の論理に対応して第２のトランジスタを導通させることにより、第１のトランジスタのボディ電位をほぼ入力信号の電位として請求項１にかかる発明の効果を得ることができる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
この発明のうち請求項７にかかる動的しきい値ＭＯＳトランジスタを用いたバッファによれば、入力信号が第２の電位へと遷移すると、インバータの出力が第２の論理に対応して第２のトランジスタを導通させなくする一方、第３のトランジスタを導通させるので、第１のトランジスタのボディ電位はほぼ第４の電位となる。よって、第１のトランジスタのボディとソースとの間に流れる電流は入力信号が遷移する短期間にとどまり消費電力が削減できる。また、第１のトランジスタのボディ電位がほぼ第４の電位になり第１のしきい値が大きくなることから、入力信号が第２の電位にあるときに雑音による誤動作を抑制することができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
この発明のうち請求項８にかかる動的しきい値ＭＯＳトランジスタを用いたバッファによれば、伝達回路が導通状態にあるときには、第２のトランジスタのボディ電位はほぼ入力信号の電位と等しく、入力信号の電位が変化すればボディ電位もそれに伴って変化する。ボディ電位と第４の電位との電位差の絶対値が大きくなると、ボディ電位が第２の電位にあるときに比べ第２のしきい値は小さくなるので、入力信号が第２の電位から第１の電位へと遷移する際に、第２のトランジスタは導通し易くなる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
この発明のうち請求項９にかかる動的しきい値ＭＯＳトランジスタを用いたバッファによれば、第１のトランジスタのボディ電極と第１の電流電極とで形成されるＰＮ接合での順バイアスに起因する、前記ボディ電極から前記第１の電流電極へと流れる電流が制限されるので、消費電力を最小限にとどめることができる。