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【手続補正書】
【提出日】平成17年8月25日(2005.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  燃料電池と他の電源を備える電源装置であって、
電力を伝える配線に接続された燃料電池と、
前記燃料電池の電流と電圧の少なくとも一方を含む電力指標値を測定する燃料電池用センサと、
前記配線に対して前記燃料電池と並列に接続され、電力変換器を備えた他の電源と、
前記燃料電池の目標供給電力Ｐpermと、前記他の電源の第１の目標供給電力Ｐ1BATとを設定する第１の制御部と、
前記燃料電池用センサの信号を受け取って、前記燃料電池の実際の供給電力に応じて前記電力変換器を制御することによって、前記他の電源の供給電力を調整し、その結果、前記燃料電池の前記実際の供給電力を前記目標供給電力Ｐperm近傍の所定の範囲内に制御する第２の制御部と、を備える電源装置。
【請求項２】  請求項１記載の電源装置であって、
前記第２の制御部は、前記燃料電池用センサの信号を受け取って、前記燃料電池の実際の供給電力が前記燃料電池の前記目標供給電力Ｐpermよりも多い場合には、前記他の電源の供給電力を前記第１の目標供給電力Ｐ1BATから増やすように前記電力変換器を制御する、電源装置。
【請求項３】  請求項１記載の電源装置であって、
前記第２の制御部は、前記燃料電池用センサの信号を受け取って、前記燃料電池の実際の供給電力が前記燃料電池の前記目標供給電力Ｐpermよりも少ない場合には、前記他の電源の供給電力を前記第１の目標供給電力Ｐ1BATから減らすように前記電力変換器を制御する、電源装置。
【請求項４】  請求項１記載の電源装置であって、
前記燃料電池に供給される酸化ガスの量と燃料ガスの量との少なくとも一方を含む供給ガス量指標値を測定する流量センサを備え、
前記流量センサが測定した前記供給ガス量指標値において前記目標供給電力Ｐpermを供給する際の前記燃料電池の電流をＩpermとしたとき、前記Ｉpermは、前記流量センサが測定した前記供給ガス量指標値において前記燃料電池が最大量の電力を供給するときの電流値Ｉmaxよりも小さな電流値に設定される、電源装置。
【請求項５】  請求項４記載の電源装置であって、
前記Ｉpermは、前記Ｉmaxの５０％以下の電流値に設定される、電源装置。
【請求項６】  請求項１記載の電源装置であって、さらに、
前記燃料電池に供給される酸化ガスの量と燃料ガスの量との少なくとも一方を含む供給ガス量指標値を測定する流量センサを備え、
前記燃料電池用センサは、前記燃料電池の電圧ＶFCmを少なくとも測定するように構成されており、
前記第１の制御部は、
（ａ）負荷の要求に基づいて前記電源装置全体の目標供給電力Ｐreqを計算し、
（ｂ）前記流量センサからの信号に基づいて前記燃料電池の前記目標供給電力Ｐpermおよび目標電圧ＶFCを計算し、
（ｃ）前記Ｐreqと前記Ｐpermとの差分ＰABATに基づいて、前記他の電源の第１の目標供給電力Ｐ1BATを設定するように構成されており、
前記第２の制御部は、
（ｄ）前記ＶFCと前記ＶFCmとの差分（ＶFC−ＶFCm）に応じて前記目標供給電力Ｐ1BATを補正することによって、前記他の電源の前記第２の目標供給電力Ｐ2BATを決定し、
（ｅ）前記第２の目標供給電力Ｐ2BATに基づいて前記電力変換器を制御するように構成されている、電源装置。
【請求項７】  請求項６記載の電源装置であって、
前記他の電源としての複数の２次電池と、
前記各２次電池の出力電圧をそれぞれ測定する複数の２次電池用センサと、
前記各２次電池にそれぞれ対応する複数の前記第２の制御部と、を備え、
前記各第２の制御部は、さらに、前記２次電池用センサによって測定された前記各２次電池の出力電圧に基づいて、前記電力変換器をそれぞれ制御する、電源装置。
【請求項８】  請求項７記載の電源装置であって、
Ｋ0を定数とし、ＮAを、前記複数の２次電池のうち前記出力電圧が所定の基準値よりも大きい２次電池の個数としたとき、
前記各第２の制御部は、
前記各第２の制御部の制御対象である２次電池の前記出力電圧が、所定の基準値よりも大きい場合には、前記制御対象である２次電池の前記第２の目標供給電力Ｐ2BATを、
Ｐ2BAT＝Ｐ1BAT＋Ｋ0／ＮA×（ＶFC−ＶFCm）
で得られる値とし、
前記各第２の制御部の制御対象である２次電池の前記出力電圧が、所定の基準値よりも小さい場合には、前記制御対象である２次電池の前記第２の目標供給電力Ｐ2BATを０とする、電源装置。
【請求項９】  請求項６記載の電源装置であって、
前記他の電源は２次電池であり、
前記第１の制御部は、時間の経過とともに、前記（ａ）、（ｂ）および（ｃ）の処理を繰り返し行うように構成されており、
前記第２の制御部は、時間の経過とともに、前記（ｄ）および（ｅ）の処理を繰り返し行うように構成されており、
前記第２の制御部が前記（ｄ）および（ｅ）の処理を繰り返し行う際の周期は、前記第１の制御部が前記（ａ）、（ｂ）および（ｃ）の処理を繰り返し行う際の周期よりも短い、電源装置。
【請求項１０】  電力を伝える配線に対して並列に接続された燃料電池と他の電源を備える電源装置の制御方法であって、
（ａ）前記燃料電池の目標供給電力Ｐpermと、前記他の電源の第１の目標供給電力Ｐ1BATとを設定する工程と、
（ｂ）前記燃料電池の実際の供給電力に応じて前記電力変換器を制御することによって、前記他の電源の供給電力を調整し、その結果、前記燃料電池の前記実際の供給電力を前記目標供給電力Ｐperm近傍の所定の範囲内に制御する工程と、を備える電源装置の制御方法。
【請求項１１】  請求項１０記載の電源装置の制御方法であって、
前記行程（ｂ）は、前記燃料電池の実際の供給電力が前記燃料電池の前記目標供給電力Ｐpermよりも多い場合には、前記他の電源の供給電力を前記第１の目標供給電力Ｐ1BATから増やすように前記電力変換器を制御する工程を含む、電源装置の制御方法。
【請求項１２】  請求項１０記載の電源装置の制御方法であって、
前記行程（ｂ）は、前記燃料電池の実際の供給電力が前記燃料電池の前記目標供給電力Ｐpermよりも少ない場合には、前記他の電源の供給電力を前記第１の目標供給電力Ｐ1BATから減らすように前記電力変換器を制御する工程を含む、電源装置の制御方法。
【請求項１３】  燃料電池と他の電源を備える電源装置であって、
電力を伝える配線に接続された燃料電池と、
前記燃料電池の電圧を測定する燃料電池用センサと、
前記配線に対して前記燃料電池と並列に接続され、電力変換器を備えた他の電源と、
前記燃料電池の目標供給電力Ｐpermと、前記他の電源の第１の目標供給電力Ｐ1BATとを設定する第１の制御部と、
前記燃料電池用センサの信号を受け取って、前記燃料電池の電圧に応じて前記電力変換器を制御することによって、前記他の電源の第１の目標供給電力Ｐ1BATを補正する第２の制御部と、を備える電源装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月30日(2005.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
（実施例４９）
実施例４３〜４６では、陽極に金属を用いたが、実施例１〜４２の組成のＩｎ−Ｓｉ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｓｉ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｗ−Ｓｉ−Ｏ系非晶質薄膜を室温から３００℃の基板温度にて作製し、この薄膜を陽極に用いた以外は実施例４３と同様の方法で、図７の構造の有機ＥＬ素子を作製した。
この有機ＥＬ素子は、陰極だけでなく陽極にも発光可能となる。発光特性を調べたが、同様に良好な発光特性がみられ、２００時間経過後でもダークスポットも観察されなかった。しかし、陽極に比較例１〜６のＩｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ系薄膜を用いた同様の有機ＥＬ素子は２００時間経過後でダークスポットが多数観察された。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月29日(2005.8.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】冷陰極放電管の電極の製造方法であって、ガラスバルブの両端部に封入される導入金属体の先端にホロー電極を取り付けるステップと、固定具を用いて前記導入金属体を長手方向で水平に保持するステップと、エミッターの液槽から塗布治具により前記エミッターを汲み上げるステップと、固定された前記ホロー電極の下方から前記塗布治具を接近させて、前記ホロー電極の外側に前記エミッターを塗布するステップとを具備することを特徴とする電極の製造方法。
【請求項２】ホロー電極の長手方向に沿った塗布治具の長さは、前期ホロー電極の長手方向の長さより短いことを特徴とする請求項１記載の電極の製造方法。
【請求項３】エミッター塗布後、ホロー電極から塗布治具を離間させるステップと、ホロー電極の周方向に沿って前記固定具を所定角度回転させることにより、前記ホロー電極を所定角度回転させるステップと、前記回転後、再び前記エミッターを塗布するステップとをさらに具備することを特徴とする請求項１または２記載の電極の製造方法。
【請求項４】ガラスバルブ内に希ガスが封入されるとともに前記ガラスバルブの端部にホロー電極が封止され、前記ホロー電極の外周面にエミッタが塗布された放電管であって、前記エミッタは少なくとも前記ホロー電極の外周面の先端部を除いて塗布されていることを特徴とする放電管。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月10日(2005.8.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【書類名】明細書
【発明の名称】鉛蓄電池
【特許請求の範囲】
【請求項１】  正極板と負極板とが同枚数の構成であると共に、負極活物質量／正極活物質量の質量比が０．７５以上、かつ０．９以下であることを特徴とする鉛蓄電池。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は鉛蓄電池に関する。
【０００２】
【従来の技術】  
現在、鉛蓄電池は自動車用や産業用をはじめとしてあらゆる分野で用いられており、軽量化、コストダウン、メンテナンスフリー化、長寿命化、品質の安定化等が強く求められている。
【０００３】
従来の鉛蓄電池では正極板枚数に比べ負極板枚数が１枚多い構成が採用されている。この構成の欠点は、正極板と負極板とをセパレータを介して積層した極板群の両端に位置する負極板が極板群間に位置する負極板に比べて放電反応、特に高率放電において十分に寄与していないことである。
【０００４】
充放電反応の寄与していない負極活物質があるということは、鉛蓄電池の重量効率を低下させているということである。ちなみに、鉛蓄電池の正極活物質の理論容量は４．４６３ｇ／Ａｈであり、負極活物質の理論容量は３．８６６ｇ／Ａｈであることから、正極活物質も負極活物質も１００％活用されるなら、負極活物質量／正極活物質量の比は理論的には０．８７（３．８６６ｇ÷４．４６３ｇ）でよいことになるが、前述のように極板群間に位置する負極板は十分に利用されないため、現実に０．９〜１．０となっている。
【０００５】
鉛蓄電池に対する軽量化およびコストダウンの要求の中で、極板群の両端に位置する負極板のみ活物質を減ずることも考えられるが、その場合には製造コストが高つくことになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、軽量化およびコストダウンが可能で、かつ実用に耐える鉛蓄電池を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
そこで、正極板と負極板とが同枚数の構成であると共に、負極活物質量／正極活物質量の質量比が０．７５以上、かつ０．９以下であることを特徴とする鉛蓄電池とすることにより、前記課題を解決するものである。
【０００８】
鉛蓄電池においては、負極板を正極板より1枚多くし、極板群の両端に負極板を配することは、充放電特性維持上、当然に必要と考えられ、正極板と負極板とを同枚数の構成とすれば性能が低下し実用に耐えないと考えられていた。しかしながら、本願発明者は、負極板の枚数と正極板の枚数を同数とし、負極活物質量／正極活物質量の比率を種々かえた試験を行った結果、０．７５以上、かつ０．９以下とすれば、従来並みの実用性能を保ち、かつ重量低減も可能な鉛蓄電池が提供できることを見いだした。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
【００１０】
【実施例】
本発明の効果を明確にするためにＪＩＳ Ｄ５３０１に規定されている自動車用鉛蓄電池５５Ｄ２３について、従来の（正極板枚数５＋負極板枚数６）および（正極板枚数５＋負極板枚数５）の蓄電池を作製した。後者については負極活物質量／正極活物質量の比を種々変えた。
【００１１】
試験内容を以下に示す。
〔初期性能試験〕
−１５℃、３００Ａ放電、終止電圧：１．００Ｖ／セル
〔寿命試験〕
ＪＩＳ Ｄ ５３０１に規定されている軽負荷試験を行った。
【００１２】
試験結果を表１に示す。
【００１３】
なお、初期性能試験および寿命試験の結果は、従来品の（正極板枚数５＋負極板枚数６）の蓄電池を１００とした時の比率で表した。
【００１４】
【表１】
2004087248.tif 000001
【００１５】
表１に示すように、負極板１枚を減じ、（正極板枚数５＋負極板枚数５）とした蓄電池では、負極活物質量／正極活物質量が０．７２の比較品Ｎｏ．６は、従来品の（正極板枚数５＋負極板枚数６）のＮｏ．１に比べて初期性能が劣った。これは、負極活物質量／正極活物質量を０．７２としたことで負極活物質量が十分でなかったためと考えられる。負極活物質量／正極活物質量が０．９０〜０．７５のＮｏ．２〜Ｎｏ．５は初期容量および軽負荷寿命試験のいずれも、従来品Ｎｏ．１と遜色ない性能を示した。特に、軽負荷寿命試験では、寿命性能での正極板の占める比率が高いことから、Ｎｏ．２〜４は従来品Ｎｏ．１より若干優れた寿命性能を示した。
【００１６】
蓄電池重量に関しては、負極板を1枚減らした分の格子重量分と、負極活物質を減じた分、従来品に比べて軽量化が達成できる。
【００１７】
削除
【００１８】
【発明の効果】
正極板と負極板とが同枚数の構成であると共に、負極活物質量／正極活物質量の質量比が０．７５以上、かつ０．９以下であることを特徴とする鉛蓄電池とすることにより、従来品と同等の初期性能および同等以上の寿命性能が得られ、かつ、蓄電池の軽量化が実現できる。しかも極板枚数を減じたことによる、組み立て時の極板積み重ね工数が低減され、また、負極板にエンベロープセパレータを採用した場合にセパレータの材料費が節減できコストダウンに寄与しその工業的効果が大である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月13日(2004.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する第一フイルムと、可撓性を有する第二フイルムとを重ね合わせて第一，第二金型間に収納・挟持し、
第二金型側から第二フイルムを介して、又は第一金型側から第一フイルムを介して、第一，第二フイルム間の第一，第二金型によって形成されるキャビティー内に溶融成形樹脂を充填して固化し、その後金型を取り外すことで成形樹脂製のキートップ本体の上下面を第一，第二フイルムで覆う構造のキートップを製造するキートップの製造方法であって、
前記第二金型の前記キャビティーに面する部分に、前記溶融成形樹脂によって第二フイルムに生じるしわを防止する凸部を設けたことを特徴とするキートップの製造方法。
【請求項２】
可撓性を有するフイルムを第一，第二金型間に収納・挟持し、
第二金型側から前記フイルムを介して、又は第一金型側から、フイルムの上部の第一，第二金型によって形成されるキャビティー内に溶融成形樹脂を充填して固化し、その後第一，第二金型を取り外すことで、フイルム上に成形樹脂製のキートップ本体を取り付けた構造のキートップを製造するキートップの製造方法であって、
前記第二金型の前記キャビティー内に、前記溶融成形樹脂によってフイルムに生じるしわを防止する凸部を設けたことを特徴とするキートップの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そこで上記問題点を解決するため本発明は、可撓性を有する第一フイルムと、可撓性を有する第二フイルムとを重ね合わせて第一，第二金型間に収納・挟持し、第二金型側から第二フイルムを介して、又は第一金型側から第一フイルムを介して、第一，第二フイルム間の第一，第二金型によって形成されるキャビティー内に溶融成形樹脂を充填して固化し、その後金型を取り外すことで成形樹脂製のキートップ本体の上下面を第一，第二フイルムで覆う構造のキートップを製造するキートップの製造方法であって、前記第二金型の前記キャビティーに面する部分に、前記溶融成形樹脂によって第二フイルムに生じるしわを防止する凸部を設けたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また本発明は、可撓性を有するフイルムを第一，第二金型間に収納・挟持し、第二金型側から前記フイルムを介して、又は第一金型側から、フイルムの上部の第一，第二金型によって形成されるキャビティー内に溶融成形樹脂を充填して固化し、その後第一，第二金型を取り外すことで、フイルム上に成形樹脂製のキートップ本体を取り付けた構造のキートップを製造するキートップの製造方法であって、前記第二金型の前記キャビティー内に、前記溶融成形樹脂によってフイルムに生じるしわを防止する凸部を設けたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月12日(2005.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いにチップサイズの異なる複数個の半導体チップが同一のキャリアの一主面にボンディングされた半導体装置の製造方法であって、
前記互いにチップサイズの異なる複数個の半導体チップを前記半導体チップの主面側からピックアップした後に１８０度反転して前記半導体チップの裏面側をボンディングヘッドに吸着するようにして、同一の前記ボンディングヘッドに順次に保持されて前記キャリアに順次にボンディングされて行くことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ボンディングヘッドが前記半導体チップを保持するに際して、前記ボンディングヘッドの中心をその保持する半導体チップの中心からずらすことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ボンディングヘッドが前記半導体チップを保持するに際して、前記半導体チップを１８０度反転した後に、前記ボンディングヘッドに吸着する時に前記半導体チップの中心位置を画像認識装置により認識して前記半導体チップの位置が認識されることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体チップを前記半導体チップの主面側からピックアップするピックアップヘッドと、このピックアップヘッドを反転させる反転装置と、前記ピックアップヘッドがピックアップして反転させた半導体チップを受け取って前記半導体チップの裏面側から保持してキャリアの主面にボンディングするボンディングヘッドと、このボンディングヘッドが前記半導体チップを前記ピックアップヘッドから受け取る際に前記半導体チップの位置を認識する画像認識装置とを備えていることを特徴とするボンディング装置。
【請求項５】
前記ボンディングヘッドが前記半導体チップを前記ピックアップヘッドから受け取る際に、前記画像認識装置の認識結果に基づいて前記ボンディングヘッドの中心をその保持する半導体チップの中心からずらして受け取ることを特徴とする請求項４に記載のボンディング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
なお、ＢＧＡ／ＣＳＰ用ダイボンダおよびフリップチップボンダを述べている例としては、株式会社工業調査会２０００年１１月２７日発行「電子材料２０００年１１月号別冊」Ｐ１２４〜Ｐ１２９、がある。
また、特開平６−１４０４７０号公報には、チップサイズが異なる半導体チップを１枚の基板にフリップチップボンディングするために、チップサイズごとのチップ吸着ユニットを備えてそれぞれ半導体チップの画像認識用撮影カメラおよび基板の画像認識用撮影カメラを備えて位置決めをしてから半導体チップをフリップチップボンディングする装置の開示がある（段落【００２０】〜【００２２】、図１、図２）。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月19日(2005.7.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数本の導波路を有し、各導波路を経由して相互に異なる波長のレーザ光を出射する半導体レーザ素子であって、
（１００）面より〔０−１−１〕方向に傾斜した傾斜面を有し、かつ高領域と前記高領域より低い低領域とを段差で区切るステップ状構造を前記傾斜面上に備えた基板と、
Ｉｎを含む２種類のＩＩＩ族元素及びＰを含むＶ族元素を含む活性層と、前記活性層の上下にそれぞれ設けられ、前記活性層を挟む第１導電型のクラッド層及び第２導電型のクラッド層とを有して前記基板上に設けられた半導体積層体と
を備え、
前記半導体積層体の上から平面的に見て、前記各導波路が、前記導波路と前記ステップ状構造の段差との距離が相互に異なる配置で、前記ステップ状構造の高領域の段差近傍に設けられている
ことを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記基板の（１００）面の〔０−１−１〕方向への傾斜角が２°以上１５°以下であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
前記基板が、ＧａＡｓ、ＧａＰ及びＩｎＰのいずれかからなることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項４】
共振器方向が前記基板の〔０１−１〕方向であることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記導波路のうちの少なくとも１つの導波路が、当該導波路と前記ステップ状構造の段差との距離が５０μｍ以下となる位置に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項６】
前記ステップ状構造が、凹状の段差を有する凹溝として前記基板に形成され、前記複数本の導波路が、前記導波路と前記凹溝の段差との距離が相互に異なる位置で前記凹溝の段差近傍の高領域上に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項７】
前記導波路のうちの少なくとも１つの導波路が、当該導波路と前記凹溝の段差との距離が５０μｍ以下となる位置に設けられていることを特徴とする請求項６に記載の半導体レーザ素子。
【請求項８】
前記ステップ状構造が、前記導波路の幅以上のリッジ幅で、凸状の段差を有するリッジとして前記基板に形成され、前記複数本の導波路が、前記導波路と前記リッジの段差との距離が相互に異なる配置で前記段差近傍のリッジ上に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項９】
前記リッジが、相互に異なる幅を有する複数個のリッジからなることを特徴とする請求項８に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１０】
複数本の導波路を有し、各導波路を経由して相互に異なる波長のレーザ光を出射する半導体レーザ素子であって、
高領域と前記高領域より低い低領域とを段差で区切るステップ状構造を基板面上に備えた基板と、
Ｉｎを含む２種類のＩＩＩ族元素及びＮを含むＶ族元素を含む活性層と、前記活性層の上下にそれぞれ設けられ、前記活性層を挟む第１導電型のクラッド層及び第２導電型のクラッド層とを有して前記基板上に設けられた半導体積層体と
を備え、
前記半導体積層体の上から平面的に見て、前記各導波路が、前記導波路と前記ステップ状構造の段差との距離が相互に異なる配置で、前記ステップ状構造の高領域の段差近傍に設けられていることを特徴とする半導体レーザ素子。
【請求項１１】
前記基板が、ＧａＮ基板、サファイア基板、及びサファイア基板上にＧａＮ系半導体層を積層してなる基板のいずれかであることを特徴とする請求項１０に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１２】
前記導波路のうちの少なくとも１つの導波路が、当該導波路と前記ステップ状構造の段差との距離が５０μｍ以下となる位置に設けられていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１３】
前記ステップ状構造が、凹状の段差を有する凹溝として前記基板に形成され、前記複数本の導波路が、前記導波路と前記凹溝の段差との距離が相互に異なる位置で前記凹溝の段差近傍の高領域上に設けられていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１４】
前記導波路のうちの少なくとも１つの導波路が、当該導波路と前記凹溝の段差との距離が５０μｍ以下となる位置に設けられていることを特徴とする請求項１３に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１５】
前記ステップ状構造が、前記導波路の幅以上のリッジ幅で、凸状の段差を有するリッジとして前記基板に形成され、前記複数本の導波路が、前記導波路と前記リッジの段差との距離が相互に異なる配置で前記段差近傍のリッジ上に設けられていることを特徴とする請求項１０に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１６】
前記リッジが、相互に異なる幅を有する複数個のリッジからなることを特徴とする請求項１５に記載の半導体レーザ素子。
【請求項１７】
前記複数本の導波路を有し、各導波路を経由して相互に異なる波長のレーザ光を出射する半導体レーザ素子の製造方法であって、
（１００）面より〔０−１−１〕方向に傾斜した基板の傾斜面上に、高領域と前記高領域より低い低領域とを段差で区切るステップ状構造を設ける工程と、
Ｉｎを含む２種類のＩＩＩ族元素及びＰを含むＶ族元素を含む活性層と、前記活性層の上下にそれぞれ設けられた、前記活性層を挟む第１導電型のクラッド層及び第２導電型のクラッド層とを有する半導体積層体を基板上に形成する工程と、
前記半導体積層体の上から平面的に見て、前記導波路と前記ステップ状構造の段差との距離が相互に異なる配置で、前記ステップ状構造の段差近傍の高領域上に各導波路を設ける工程と
を有することを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【請求項１８】
複数本の導波路を有し、各導波路を経由して相互に異なる波長のレーザ光を出射する半導体レーザ素子の製造方法であって、
高領域と前記高領域より低い低領域とを段差で区切るステップ状構造を基板面上に設ける工程と、
Ｉｎを含む２種類のＩＩＩ族元素及びＮを含むＶ族元素を含む活性層と、前記活性層の上下にそれぞれ配置された、前記活性層を挟む第１導電型のクラッド層及び第２導電型のクラッド層とを有する半導体積層体を基板上に形成する工程と、
前記半導体積層体の上から平面的に見て、前記導波路と前記ステップ状構造の段差との距離が相互に異なる配置で、前記ステップ状構造の段差近傍の高領域上に各導波路を設ける工程と
を有する
ことを特徴とする半導体レーザ素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月29日(2005.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、順次、ＭＯＣＶＤ法により、インジウムを実質的に含まない第１の窒化ガリウム系化合物半導体層、インジウムを含有する第２の窒化ガリウム系化合物半導体層、及びインジウムを実質的に含まない第３の窒化ガリウム系化合物半導体層を含む積層構造を形成する工程を有する窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法において、
窒素原料としてＮＨ3 を用い、９００℃を越える成長温度でＭＯＣＶＤ法により前記第１の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる工程と、
次に、窒素原料としてＮＨ3 を用い、９００℃以下の第１の成長温度でＭＯＣＶＤ法により前記第２の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる工程と、
次に、窒素原料としてＮＨ3 以外の有機窒素化合物を用い、前記第１の成長温度以上９００℃以下の成長温度でＭＯＣＶＤ法により前記第３の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる工程と
を有することを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記第２の窒化ガリウム系化合物半導体層、次いで前記第３の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる工程では、前記第２の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる際の成長温度と、前記第３の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる際の成長温度とが同じであることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記第２の窒化ガリウム系化合物半導体層が、多重量子井戸構造の活性層であって、当該井戸層がIII 族金属の２０原子％以上５０原子％以下のインジウムを含む層であることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記有機窒素化合物は、ヒドラジン（Ｎ2 Ｈ4 ）又はヒドラジンの置換体であることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
【請求項５】
窒素原料としてＮＨ3 以外の有機窒素化合物を用い、前記第３の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる工程では、窒素原料としてＮＨ3 以外の有機窒素化合物に加えて、同時にＮＨ3 を用いることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
【請求項６】
基板上に、順次、ＭＯＣＶＤ法により、インジウムを実質的に含まない第１の窒化ガリウム系化合物半導体層、インジウムを含有する第２の窒化ガリウム系化合物半導体層、及びインジウムを実質的に含まない第３の窒化ガリウム系化合物半導体層を含む積層構造を形成する工程を有する窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法において、
窒素原料としてＮＨ3 を用い、９００℃を越える成長温度でＭＯＣＶＤ法により前記第１の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる工程と、
続いて、窒素原料としてＮＨ3 以外の有機窒素化合物を用い、９００℃以下の成長温度でＭＯＣＶＤ法により前記第２の窒化ガリウム系化合物半導体層、次いで前記第３の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる工程と
を有することを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記第２の窒化ガリウム系化合物半導体層が、多重量子井戸構造の活性層であって、当該井戸層がIII 族金属の２０原子％以上５０原子％以下のインジウムを含む層であることを特徴とする請求項６に記載の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記有機窒素化合物は、ヒドラジン（Ｎ2 Ｈ4 ）又はヒドラジンの置換体であることを特徴とする請求項６に記載の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】
窒素原料としてＮＨ3 以外の有機窒素化合物を用い、前記第３の窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる工程では、窒素原料としてＮＨ3 以外の有機窒素化合物に加えて、同時にＮＨ3 を用いることを特徴とする請求項６に記載の窒化ガリウム系半導体発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月12日(2005.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二個の半導体チップがそれぞれ半導体チップの裏面を吸着された状態で加熱されてキャリアの表裏面に同時にボンディングされることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記二個の半導体チップのアクティブエリア側主面がいずれも、前記キャリア側に向けられてボンディングされることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記二個の半導体チップがキャリアの表裏面に同時にボンディングされる以前に、前記二個の半導体チップおよび前記キャリアの位置が、前記キャリアの表面側に搭載された画像認識装置で表面側の前記半導体チップとキャリアとの位置合わせを行ない、前記キャリアの裏面側に搭載された画像認識装置で裏面側の前記半導体チップとキャリアとの位置合わせを行なうことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
キャリアを支持して一方向に移動させるフィーダと、半導体チップをピックアップするピックアップヘッドと、このピックアップヘッドを１８０度反転させる反転装置と、前記フィーダに支持されたキャリアの一方の片側に設置されて前記ピックアップヘッドがピックアップした半導体チップを受け取って前記キャリアの一方の主面にボンディングする第一ボンディングヘッドと、前記フィーダに支持されたキャリアの他方の片側に設置されて前記ピックアップヘッドがピックアップし前記ピックアップヘッドにて１８０度反転した半導体チップを受け取って前記キャリアの他方の主面にボンディングする第二ボンディングヘッドとを備えていることを特徴とするボンディング装置。
【請求項５】
前記第一ボンディングヘッドが受け取った前記半導体チップおよび前記キャリアの一方の主面のパターンを認識する前記キャリアの一方の側に配置された第一画像認識装置と、前記第二ボンディングヘッドが受け取った前記半導体チップおよび前記キャリアの他方の主面のパターンを認識する前記キャリアの他方の側に配置された第二画像認識装置とを備えていることを特徴とする請求項４に記載のボンディング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
なお、ＢＧＡ／ＣＳＰ用ダイボンダおよびフリップチップボンダを述べている例としては、株式会社工業調査会２０００年１１月２７日発行「電子材料２０００年１１月号別冊」Ｐ１２４〜Ｐ１２９、がある。
また、特開平６−１４０４７０号公報にはチップサイズが異なる半導体チップを１枚の基板にフリップチップボンディングするために、チップサイズごとのチップ吸着ユニットを備えてそれぞれ半導体チップの画像認識用撮影カメラおよび基板の画像認識用撮影カメラを備えて位置決めをしてから半導体チップをフリップチップボンディングする装置の開示がある（段落【００２０】〜【００２２】、図１、図２）。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月18日(2005.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０６】
追記装置２００では、変調情報記憶手段２１０に予め変調信号送出装置１４０の用いた追記関連情報４１０、あるいは変調信号データパターンが記憶されている。追記制御手段２２０は、追記関連情報４１０あるいは変調信号データパターンに基づいて、追記情報４２０を記録する領域を算出し、この領域に追記情報４２０を追記するように追記手段２３０を制御する。追記手段２３０は、追記制御手段２２０に従って、追記情報４２０を半製品の光ディスク３４０に記録し、製品の光ディスク３５０を製作する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１５】
2004087063.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月9日(2004.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理装置の保守システムであって，
通信ネットワークを通じて基板処理装置側に遠隔操作情報を送信し，基板処理装置に遠隔操作情報を提供することによって，遠隔地から基板処理装置を操作する遠隔操作装置と，
基板処理装置側に送信された前記遠隔操作情報を受信し，当該遠隔操作情報を前記基板処理装置に提供する通信制御装置と，を備え，
前記通信制御装置は，遠隔操作に対する基板処理装置側の作業員の許可設定がある場合にのみ前記遠隔操作情報を基板処理装置に提供することを特徴とする，保守システム。
【請求項２】
前記通信制御装置は，遠隔操作の前記許可設定を行う許可設定部を備え，
前記許可設定部は，前記通信ネットワークの基板処理装置側にのみ設けられていることを特徴とする，請求項１に記載の保守システム。
【請求項３】
遠隔操作の前記許可設定は，複数の段階に分けられていることを特徴とする，請求項１又は２のいずれかに記載の保守システム。
【請求項４】
基板処理装置の駆動を伴う遠隔操作の許可設定と，基板処理装置の駆動を伴わない遠隔操作の許可設定は，別の段階に含まれていることを特徴とする，請求項３に記載の保守システム。
【請求項５】
前記基板処理装置側には，人が基板処理装置に接近したことを検出するセンサが設けられていることを特徴とする，請求項１，２，３又は４のいずれかに記載の保守システム。
【請求項６】
前記センサの検出開始の操作は，通信ネットワークを挟んだ基板処理装置側と遠隔操作装置側で行うことができ，前記センサの検出停止の操作は，基板処理装置側のみで行うことができることを特徴とする，請求項５に記載の保守システム。
【請求項７】
前記センサは，予め定められた作業員以外の人の接近を選択的に検出できることを特徴とする，請求項５又は６のいずれかに記載の保守システム。
【請求項８】
前記通信ネットワークを通じて行われる情報通信は，通信許可の設定がある場合にのみ可能になることを特徴とする，請求項１，２，３，４，５，６又は７のいずれかに記載の保守システム。
【請求項９】
基板処理を行うための基板搬送部材を初めとする各種諸元と，
遠隔地にある遠隔操作装置から通信ネットワークを通じて送信された遠隔操作情報が，遠隔操作に対する基板処理装置の作業員による許可設定がある場合にのみ提供され，当該提供された遠隔操作情報に基づいて前記各種諸元を制御する制御部と，を備えたことを特徴とする，基板処理装置。
【請求項１０】
遠隔操作の前記許可設定を行う許可設定部は，前記通信ネットワークの基板処理装置側にのみ設けられていることを特徴とする，請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
遠隔操作の前記許可設定は，複数の段階に分けられていることを特徴とする，請求項９又は１０のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１２】
この基板処理装置の駆動を伴う遠隔操作の許可設定と，この基板処理装置の駆動を伴わない遠隔操作の許可設定は，別の段階に含まれていることを特徴とする，請求項１１に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
この基板処理装置に人が接近したことを検出するセンサを備えたことを特徴とする，請求項９，１０，１１又は１２のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１４】
前記センサの検出開始の操作は，通信ネットワークを挟んだこの基板処理装置側と遠隔操作装置側で行うことができ，前記センサの検出停止の操作は，この基板処理装置側のみで行うことができることを特徴とする，請求項１３に記載の基板処理装置。
【請求項１５】
前記センサは，予め定められた作業員以外の人の接近を選択的に検出できることを特徴とする，請求項１３又は１４のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１６】
前記通信ネットワークを通じて行われる情報通信は，通信許可の設定がある場合にのみ可能になることを特徴とする，請求項９，１０，１１，１２，１３，１４又は１５のいずれかに記載の基板処理装置。
【請求項１７】
通信ネットワークを通じて基板処理装置側に遠隔操作情報を送信し，当該遠隔操作情報を基板処理装置に提供することによって，基板処理装置を遠隔操作することができ，
前記基板処理装置側に送信された遠隔操作情報は，遠隔操作に対する基板処理装置側の作業員の許可設定がある場合にのみ基板処理装置に提供されることを特徴とする，遠隔操作装置。
【請求項１８】
遠隔操作の前記許可設定を行う許可設定部は，前記通信ネットワークの基板処理装置側にのみ設けられていることを特徴とする，請求項１７に記載の遠隔操作装置。
【請求項１９】
遠隔操作の前記許可設定は，複数の段階に分けられていることを特徴とする，請求項１７又は１８のいずれかに記載の遠隔操作装置。
【請求項２０】
基板処理装置に対する駆動を伴う遠隔操作の許可設定と，基板処理装置に対する駆動を伴わない遠隔操作の許可設定は，別の段階に含まれていることを特徴とする，請求項１９に記載の遠隔操作装置。
【請求項２１】
前記基板処理装置側には，人が基板処理装置に接近したことを検出するセンサが設けられていることを特徴とする，請求項１７，１８，１９又は２０のいずれかに記載の遠隔操作装置。
【請求項２２】
前記センサの検出開始の操作は，通信ネットワークを挟んだ基板処理装置側とこの遠隔操作装置側で行うことができ，前記センサの検出停止の操作は，基板処理装置側のみで行うことができることを特徴とする，請求項２１に記載の遠隔操作装置。
【請求項２３】
前記センサは，予め定められた作業員以外の人の接近を選択的に検出できることを特徴とする，請求項２１又は２２のいずれかに記載の遠隔操作装置。
【請求項２４】
前記通信ネットワークを通じて行われる情報通信は，通信許可の設定がある場合にのみ可能になることを特徴とする，請求項１７，１８，１９，２０，２１，２２又は２３のいずれかに記載の遠隔操作装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月29日(2005.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎを含む窒化物系化合物半導体層からなる量子井戸構造の活性層を有する窒化物系半導体発光素子において、
前記量子井戸構造を構成する障壁層のバンドギャップエネルギーより大きなバンドギャップエネルギーを有する歪補償層が、前記量子井戸構造を構成する井戸層のうち少なくとも１層の井戸層と該少なくとも一層の井戸層を挟む両障壁層との間にそれぞれ介在していることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
【請求項２】
前記井戸層と前記井戸層を挟む両障壁層との間にそれぞれ介在する２層の前記歪補償層の組成が相互に異なることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項３】
前記井戸層及び前記障壁層がＩｎＧａＮ層で構成されているとき、前記歪補償層がＡｌＧａＮ層であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項４】
前記歪補償層の膜厚が、前記井戸層の膜厚及び前記障壁層の膜厚の双方より薄いことを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項５】
Ｉｎを含む窒化物系化合物半導体層からなる量子井戸構造の活性層を有する窒化物系半導体発光素子において、
前記量子井戸構造を構成する障壁層のバンドギャップエネルギーより大きなバンドギャップエネルギーを有する歪補償層が、前記障壁層内又は井戸層内に介在していることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
【請求項６】
各障壁層内又は各井戸層内にそれぞれ介在している障壁層のうち少なくとも２層の障壁層の組成が相互に異なることを特徴とする請求項５に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項７】
前記井戸層及び前記障壁層がＩｎＧａＮ層で構成されているとき、前記歪補償層がＡｌＧａＮ層であることを特徴とする請求項５に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項８】
前記歪補償層の膜厚が、前記井戸層の膜厚及び前記障壁層の膜厚の双方より薄いことを特徴とする請求項５に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項９】
Ｉｎを含む窒化物系化合物半導体層からなる量子井戸構造の活性層を有する窒化物系半導体発光素子において、
光ガイド層及び量子井戸構造を構成する障壁層の双方のバンドギャップエネルギーより大きなバンドギャップエネルギーを有する歪補償層が、前記活性層の上下に設けられている前記光ガイド層の少なくとも一方の光ガイド層内に介在していることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
【請求項１０】
複数層の前記歪補償層が前記光ガイド層内に周期的に介在することを特徴とする請求項９に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項１１】
前記光ガイド層がＩｎＧａＮ層で構成されているとき、前記歪補償層がＡｌＧａＮ層であることを特徴とする請求項９に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項１２】
前記歪補償層の膜厚が、前記井戸層の膜厚及び前記障壁層の膜厚の双方より薄いことを特徴とする請求項９に記載の窒化物系半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月7日(2004.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
その後、Ｈ2ＳＯ4−Ｈ2Ｏ2混合液等により洗浄を実施しても良い（ステップ１０５）。Ｈ2ＳＯ4−Ｈ2Ｏ2混合液は、ウェット洗浄の分野ではＳＰＭ（Ｓｕｌｆｕｒｉｃ  ａｃｉｄ−Ｈｙｄｒｏｇｅｎ  ｐｅｒｏｘｉｄｅ  Ｍｉｘｔｕｒｅ）の略称で知られ、有機汚染物質の除去に用いられる洗浄液である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
図１は本発明のＳＯＩウエーハの製造方法の工程順の一例を模式図とともに示すフローチャートである。図１において図７と同一又は類似部材は同一符号で示される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
図１に示した本発明のＳＯＩウエーハの製造フローは図７に示した従来のＳＯＩウエーハの製造フローと基本的な工程順は同じであるので、同一工程についての再度の説明は省略し、相違点のみについて以下に説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月29日(2005.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎを有する発光層を含む窒化物系化合物半導体層の積層構造を基板上に備えた窒化物系半導体発光素子において、
前記積層構造が、
基板上に設けられた第１の窒化物系化合物半導体層と、
格子緩和層として前記第１の窒化物系化合物半導体層上に設けられ、格子緩和層のフリースタンディング状態での格子定数（ｄ1-fs）が前記第１の窒化物系化合物半導体層のフリースタンディング状態での格子定数（ｄ1fs ）よりも大きな（ｄ1-fs＞ｄ1fs ）窒化物系化合物半導体層の少なくとも１層と、
前記発光層の下層でかつ前記格子緩和層上に設けられた第２の窒化物系化合物半導体層とを備え、当該第２の窒化物系化合物半導体層の格子定数が前記格子緩和層により緩和され、前記格子緩和層上に積層状態の前記第２の窒化物系化合物半導体層の基板水平方向の格子定数（ｄ2 ）が、前記格子緩和層下に積層状態の前記第１の窒化物系化合物半導体層の基板水平方向の格子定数（ｄ1 ）よりも大きく（ｄ2 ＞ｄ1 ）なっていることを特徴とする窒化物系半導体発光素子。
【請求項２】
前記格子緩和層のフリースタンディング状態での格子定数（ｄ1-fs）が、前記第１の窒化物系化合物半導体層のフリースタンディング状態での格子定数（ｄ1fs ）よりも大きく（ｄ1-fs＞ｄ1fs ）、かつ前記発光層のフリースタンディング状態での格子定数（ｄa-fs）よりも大きくない（ｄa-fs≧ｄ1-fs）ことを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項３】
前記第１の窒化物系化合物半導体層がＧａＮ層で、かつ前記発光層がＩｎＧａＮ層であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項４】
前記格子緩和層がＡｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎ（ｘ≧０，ｙ＞０，ｘ＋ｙ＝１）層として、又はＡｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎ（ｘ≧０，ｙ＞０，ｘ＋ｙ＝１）層とＧａＮ層とを含む積層膜として形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項５】
前記格子緩和層がＡｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎ（ｘ＞０，ｙ＞０，ｘ＋ｙ＝１）層、又はＡｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎ（ｘ＞０，ｙ＞０，ｘ＋ｙ＝１）層とＧａＮ層とを含む積層膜として形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体発光素子。
【請求項６】
前記第２の窒化物系化合物半導体層及び前記発光層上の第３の窒化物系化合物半導体層がＡｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎ（ｘ＞０，ｙ＞０，ｘ＋ｙ＝１）層、又はＡｌx Ｉｎy Ｇａ1-x-y Ｎ（ｘ＞０，ｙ＞０，ｘ＋ｙ＝１）層とＧａＮ層とを含む積層膜として形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物系半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月24日(2005.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一表面に予め半導体素子、絶縁膜及び前記絶縁膜に開口部を設けて前記半導体素子の電極に接続された導体プラグを順次形成する工程と、前記導体プラグに接続された上部配線層を前記半導体基板上に形成する工程とを有する半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板上に上部配線層を形成する工程においては、前記導体プラグが形成された半導体基板上に低誘電率絶縁膜を形成する第１の工程と、前記低誘電率絶縁膜に配線形成用の開口溝部を形成する第２の工程と、前記開口溝部と前記低誘電率絶縁膜表面にバリア層となる第１の導電膜を形成し、前記第１の導電膜上に上部配線層となる第２の導電膜を形成する第３の工程と、前記半導体基板上に形成された第２の導電膜と第１の導電膜の一部を電解研磨加工手段を備えた平坦化加工装置により除去し、前記開口溝部内に第１の導電膜と第２の導電膜とを埋め込む第４の工程とを有して成り、
前記第４の工程は、前記開口溝部以外に残留する少なくとも前記第２の導電膜の研磨残り領域位置を、画像検知器により検知する第１の副工程と、この検知された画像情報に基づいて研磨残りを局所的に除去する第２の副工程とを含み、
前記第２の副工程においては、前記電解研磨加工手段を備えた平坦化加工装置の電解工具として、プラス極とマイナス極とを有し、一方の極の周囲を所定間隔をおいて他極が包囲して一対の単位電極を構成し、かつ前記画像情報に基づいて前記一対の単位電極に選択的に電圧を印加する電解研磨加工手段を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の導電膜は銅を含むことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第４の工程において、前記第２の導電膜のキレート化合物が形成され、このキレート化合物は前記研磨装置における研磨工具のぬぐう作用により除去されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記電解研磨加工手段を備えた平坦化加工装置が前記電解工具と研摩工具とを組み合わせた複合工具を備えていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記電解工具と研磨工具の位置関係を同一面内から相対的に位置を変えられる構成とし、加工中にこれら両工具の相対位置を変えて平坦化加工する工程を含むことを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の導電膜の加工工程及び前記第２の導電膜の研磨残りを除去する工程は電解工具で行い、第１の導電膜の一部を加工する工程は前記研磨工具に切換えて行うことを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第２の導電膜の加工に用いる加工液として電解液を用いる工程を含むことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記電解液は酸化剤と防食剤を含むことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記酸化剤として過酸化水素水、リン酸、乳酸、りんご酸、キナルジン酸、クエン酸及び酒石酸のいずれかを含み、防食剤としてベンゾトリアゾールを含むことを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記酸化剤は前記第２の導電膜を構成する金属と反応し、かつキレート化合物を生成する酸化剤であることを特徴とする請求項８記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
半導体基板を保持しながら回動するプラテンと、前記プラテンに保持された半導体基板に回転しながら接触させて前記基板表面を電解研摩する電解工具と、前記電解工具に設けられた電極に電圧を印加する電源と、電解液を前記半導体基板面に供給する電解液供給手段と、電解研摩された前記半導体基板面の研摩状態を検出する画像検知器とを備えた平坦化加工装置であって、前記電解工具は、一方の極の周囲を所定間隔をおいて他極が包囲して構成された一対の単位電極が複数個設けられた支持体を有し、前記電極には前記電源からパルス電圧が印加される構成を有していることを特徴とする平坦化加工装置。
【請求項１２】
前記電解工具を構成する支持体には、所定の間隔で直線状に、もしくは蜂の巣状に配列された一対の単位電極が複数個植設されると共に、前記電極の端部より突出した高さの砥石が複数個設けられていることを特徴とする請求項１１記載の平坦化加工装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月10日(2004.9.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
ワイヤボンディング装置は、例えば、ＬＳＩ等の半導体チップにおける入出力端子等の第１ボンディング点と、半導体チップが搭載される回路基板の端子の第２ボンディング点との間を細い金属ワイヤで接続する装置である。この場合に、第１ボンディング点と第２ボンディング点との間が適切な形状のワイヤループで接続されることが好ましい。すなわち、ワイヤループの高さが高すぎるとパッケージ等の大きさが大きくなり、ワイヤの垂れを生じやすい。ワイヤループが低すぎると、半導体チップや配線パターンにワイヤが接触する恐れがある。そこで、適切なワイヤループを形成するために、ワイヤボンディング装置の動作の制御が行われる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月26日(2005.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体にエネルギーを照射することによって記録媒体に局所的な物理的変化を引き起こし情報の記録を行う情報記録装置において、上記エネルギーの記録波形におけるスペースの直前のマークのマーク長が最短マーク長であるかどうかを判定する比較器と、該スペースの先頭に設けられる第１のレベルの第１の期間と該第１の期間に続き上記第１のレベルよりも大きい第２のレベルの第２の期間のうち上記第１の期間の長さを上記比較器の出力により切り換える波形エンコーダとを有することを特徴とした情報記録装置。
【請求項２】
記録媒体にエネルギーを照射することによって記録媒体に局所的な物理的変化を引き起こし情報の記録を行う情報記録方法において、上記エネルギーの記録波形におけるスペースの直前のマークのマーク長が最短マーク長であるかどうかを判定し、最短マーク長であれば該スペースの先頭に設けられる第１のレベルの第１の期間と該第１の期間に続き上記第１のレベルよりも大きい第２のレベルの第２の期間のうち上記第１の期間の長さをＴｂ１とし、最短マーク長でなければ上記第１の期間を上記Ｔｂ１よりも短い時間とする情報記録方法。