【手続補正書】
【提出日】平成17年4月14日(2005.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リフォーミング触媒または芳香族炭化水素製造触媒の移動床再生方法であって、前記触媒は、担体と、少なくとも１つの貴金属と、少なくとも１つのハロゲンとを含んでおり、連続する少なくとも２つの燃焼帯域内での移動床触媒処理を用いる燃焼工程と、オキシクロレーション工程と、焼成工程とを含む方法において、各燃焼帯域は、触媒を通過させておくために、またガスの通過を妨げるために隣接する燃焼帯域から分離されており、燃焼工程の各帯域内に酸素を含む少なくとも１つのガスが導入され、生成ガスが各帯域から抜き出され、燃焼工程の各帯域内での操作条件の苛酷度は、触媒の流れ方向と共に増大し、ガスは、オキシクロレーション工程について少なくとも１つの塩素化剤と、酸素および水を含む少なくとも１つのガスとをＨ２Ｏ／ＨＣｌモル比１〜５０で導入され、オキシクロレーション工程は、酸素を２１％以下で含みかつ塩素を少なくとも５０重量ｐｐｍ（ＨＣＬで計算された）で含むオキシクロレーション・ガスの存在下に温度３５０〜６００℃で行われる、再生方法。
【請求項２】
燃焼帯域から抜き出されたガスの少なくとも一部が、場合によっては行われる酸素の供給を伴って（触媒の流れ方向における）次の帯域内に搬送される、請求項１記載の方法。
【請求項３】
燃焼帯域から抜き出されたガスの全部が、場合によっては行われる酸素の供給を伴って次の帯域内に搬送される、請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
燃焼工程が、燃焼達成の制御と称される最終帯域内で終了し、この帯域内において、酸素の消費量が前記帯域内に入る酸素の１０％未満である、請求項１〜３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
燃焼工程から生じたガスは、冷却され、不純物を除去するために処理され、乾燥され、圧縮され、次いで２つの流に分別され、第一流は、酸素供給および場合による再加熱後に第一燃焼帯域内に搬送され、第二流は、酸素、水および塩素化剤の供給後、並びに加熱後にオキシクロレーション工程に搬送され、オキシクロレーションから生じたガスは処理されて、装置外に排出される、請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
第一燃焼帯域に次ぐ第二燃焼帯域内での触媒処理を用いる燃焼工程を含む請求項５による方法であって、この方法において、帯域は、触媒を通過させておくために、またガスの通過を妨げるために分離されており、第二燃焼帯域は、その下部に燃焼達成の制御帯域を有しており、第一燃焼帯域から抜き出されたガスは、酸素供給後に全部第二燃焼帯域内に搬送され、第二燃焼帯域から生じたガスは、冷却され、不純物を除去するために処理され、パージされ、乾燥され、圧縮され、次いで２つの流に分離され、第一流は、酸素供給後に第一燃焼帯域に導入されかつ場合による再加熱後に制御帯域に導入され、第二流は、再加熱された酸素を含む乾燥ガスが添加されて、水および塩素化剤の添加後にオキシクロレーション帯域に搬送される方法。
【請求項７】
第一流は、２つの留分に分離され、一方の留分は、酸素供給後に第一燃焼帯域内に導入され、他方の留分は、酸素が添加され、再加熱され次いで制御帯域内に導入される、請求項６記載の方法。
【請求項８】
第一流は、２つの留分に分離され、各留分には、酸素が供給され、一方の留分については第一燃焼帯域に導入される前に、また他方の留分については制御帯域に導入される前に再加熱される、請求項６記載の方法。
【請求項９】
燃焼工程から生じたガスは、冷却され、不純物を除去するために処理され、圧縮され、乾燥され、次いで２つの流に分別され、第一流は、酸素供給および場合による再加熱後に第一燃焼帯域内に搬送され、第二流は、酸素、水および塩素化剤の供給後、並びに加熱後にオキシクロレーション工程に搬送され、オキシクロレーションから生じたガスは処理されて、装置外に排出される、請求項１〜４のいずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
第一流は、２つの留分に分離され、一方の留分は、水および塩素化剤の添加後にオキシクロレーション帯域に搬送され、他方の留分は、焼成帯域に搬送される、請求項５〜８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
第一流から生じた２つの留分が再加熱される、請求項５〜９のいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
第一流の留分が、制御帯域内に導入される前に再加熱される、請求項５〜９のいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
各燃焼または制御帯域において、導入ガスの酸素含有量は０．０１〜２％であり、導入ガスの温度は３５０〜６００℃であり、帯域内での触媒の滞留時間は、５分〜３時間であり、ＰＰＨは１〜５０ｈ−１であり、操作条件の苛酷化は、温度および／または導入ガスの酸素含有量を増加させて得られる、請求項１〜１２のいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
温度が、制御帯域内でほぼ一定である、請求項１〜１３のいずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
焼成工程が、酸素多くとも２１％と水１％未満とを含むガスの存在下に行われる、請求項１〜１４のいずれか１項記載の方法。
【請求項１６】
担体と、少なくとも１つの貴金属と、少なくとも１つのハロゲンとを含むリフォーミング触媒または芳香族化合物還元触媒のための再生装置であって、閉鎖容器の触媒の少なくとも１つの導入導管および排出導管(4)を含み、移動床形態での前記触媒は、燃焼帯域、オキシクロレーション帯域および焼成帯域を相次いで通過し、前記閉鎖容器は、直列状に配置された放射状の少なくとも２つの燃焼帯域(A1)(A2)であり、該燃焼帯域の間に、導管内の前記帯域の間の触媒の通過を可能にするが、前記帯域間のガスの通過を妨げる分離手段が配置されているものと、最終燃焼帯域の下部に位置する燃焼達成制御帯域(FC)と、第一燃焼帯域内での少なくとも１つの酸素含有ガス導入用導管(30)、燃焼帯域のガス排出用および次の燃焼帯域内へのそれらガスの導入用の少なくとも１つの導管(32)、並びに制御帯域への酸素含有ガス導入用の少なくとも１つの導管(31)と、閉鎖容器の外側での燃焼工程から生じたガス排出用の少なくとも１つの導管(5)であって、前記導管は、オキシクロレーション帯域の前に位置するものであり、閉鎖容器は、少なくとも１つのガス冷却用手段、少なくとも１つの不純物除去用ガス処理手段、少なくとも１つのガス乾燥用手段、および少なくとも１つのガス圧縮用手段を含むものと、圧縮されかつ導管(30)(31)に連結された、燃焼から生じたガスの一部を排出するための少なくとも１つの導管(9)と、圧縮された、燃焼から生じたガスの別の一部を排出するための少なくとも１つの導管(10)であって、前記導管上に少なくとも１つのガス加熱手段(16)が配置されており、前記導管は、少なくとも１つの導管(17)に連結され、該導管は、前記ガスの少なくとも一部をオキシクロレーション帯域に導き、前記導管(17)は、少なくとも１つの水導入用導管(20)および少なくとも１つの塩素化剤導入用導管(19)に連結されるものと、焼成帯域への少なくとも１つの酸素含有ガス導入用導管(18)と、装置外にガスを排出する前の前記ガスの少なくとも１つの処理手段(22)を含むオキシクロレーション帯域から生じたガスの少なくとも１つの排出用導管(21)とを備える再生装置。
【請求項１７】
導管(9)が、制御帯域に導入されるガスの少なくとも１つの加熱手段を備える、請求項１６記載の閉鎖容器。
【請求項１８】
各導管(30)(31)に少なくとも１つのガス加熱手段(36)(37)が配置される、請求項１６または１７記載の閉鎖容器。
【請求項１９】
導管(5)が、少なくとも１つの冷却手段の後に少なくとも１つの乾燥機、次いで少なくとも１つの圧縮手段を備える、請求項１６記載の閉鎖容器。