【手続補正書】
【提出日】平成17年9月16日(2005.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】レーザ装置、レーザ照射方法、および半導体装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振器から発振されるレーザ光の一部をサンプリングするための光学系と、
前記サンプリングされたレーザ光の一部を用いて、前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む電気信号を生成する手段と、
透過率に従って、前記発振器から発振されるレーザ光のエネルギーを調整する光量調整手段と、
前記電気信号に信号処理を施すことで、前記レーザ光のエネルギーの変動の周波数と、振幅と、位相とを算出し、前記発振器からのレーザ光の発振に同期した信号の位相と、前記算出された位相との間の位相差、前記発振器から発振されるレーザ光とサンプリングされたレーザ光とのエネルギーの比率、及び前記算出された周波数と振幅を用い、前記透過率が前記レーザ光のエネルギーの変動とは逆の位相で、なおかつ前記発振器から発振されるレーザ光の振幅が抑えられるような振幅で変化するように制御する信号処理部と、
を有することを特徴とするレーザ装置。
【請求項２】
透過率に従って入射したレーザ光のエネルギーを調整する光量調整手段と、
前記光量調整手段の透過率を制御するドライバと、
前記光量調整手段に入射する前記レーザ光の一部をサンプリングする入射側光学系と、
前記入射側光学系によりサンプリングされた一部のレーザ光を用いて、前記光量調整手段に入射する前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む第１の電気信号を生成する手段と、
前記光量調整手段においてエネルギーが調整されたレーザ光の一部をサンプリングする出射側光学系と、
前記出射側光学系によりサンプリングされた一部のレーザ光を用いて、前記光量調整手段においてエネルギーが調整されたレーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む第２の電気信号を、生成する手段と、
前記第１の電気信号と、前記第２の電気信号に信号処理を施すことで、前記光量調整手段に入射するレーザ光と、前記光量調整手段においてエネルギーが調整されたレーザ光のエネルギーの変動の状態を把握し、前記透過率が前記光量調整手段に入射するレーザ光のエネルギーの変動とは逆の位相で変化するように前記ドライバを制御する信号処理部と、
を有することを特徴とするレーザ装置。
【請求項３】
発振器から発振されるレーザ光の一部をサンプリングする光学系と、
前記発振器が有する放電管に印加される電圧を制御する電圧制御手段と、
前記光学系によりサンプリングされた前記一部のレーザ光を用いて、前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む電気信号を生成する手段と、
前記電気信号に信号処理を施すことで、前記レーザ光のエネルギーの変動の状態を把握し、前記放電管に印加する電圧が、前記レーザ光のエネルギーの変動とは逆の位相で変化するように前記電圧制御手段を制御する信号処理部と、
を有することを特徴とするレーザ装置。
【請求項４】
発振器から発振されるレーザ光の一部をサンプリングする光学系と、
前記発振器が有する放電管に印加される電圧を制御する電圧制御手段と、
前記光学系によりサンプリングされた前記一部のレーザ光を用いて、前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む電気信号を生成する手段と、
前記電気信号に信号処理を施すことで、前記レーザ光のエネルギーの変動の周波数と、振幅と、位相とを算出し、前記発振器からのレーザ光の発振に同期した信号の位相と、前記算出された位相との間の位相差、前記発振器から発振されるレーザ光とサンプリングされたレーザ光とのエネルギーの比率、及び前記算出された周波数と振幅を用い、前記放電管に印加する電圧が前記レーザ光のエネルギーの変動とは逆の位相で、なおかつ前記発振器から発振されるレーザ光の振幅が抑えられるような振幅で変化するように前記電圧制御手段を制御する信号処理部と、
を有することを特徴とするレーザ装置。
【請求項５】
発振器から発振されるレーザ光の一部をサンプリングし、
前記サンプリングされたレーザ光の一部を用いて、前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む電気信号を生成し、
前記電気信号に信号処理を施すことで、前記レーザ光のエネルギーの変動の周波数と、振幅と、位相とを算出し、前記発振器からのレーザ光の発振に同期した信号の位相と、前記算出された位相との間の位相差、前記発振器から発振されるレーザ光とサンプリングされたレーザ光とのエネルギーの比率、及び前記算出された周波数と振幅を用い、光量調整手段の透過率が前記レーザ光のエネルギーの変動とは逆の位相で、なおかつ前記発振器から発振されるレーザ光の振幅が抑えられるような振幅で変化するように制御し、
前記光量調整手段において、前記透過率に従って前記発振器から発振される前記レーザ光のエネルギーが調整されることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項６】
光量調整手段に入射するレーザ光の一部をサンプリングし、前記光量調整手段に入射する前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む第１の電気信号を生成し、
前記光量調整手段においてエネルギーが調整されたレーザ光の一部をサンプリングし、前記光量調整手段においてエネルギーが調整されたレーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む第２の電気信号を生成し、
前記第１の電気信号と、前記第２の電気信号に信号処理を施すことで、前記光量調整手段に入射するレーザ光と、前記光量調整手段においてエネルギーが調整されたレーザ光のエネルギーの変動の状態を把握し、前記光量調整手段の透過率が前記入射するレーザ光のエネルギーの変動とは逆の位相で、なおかつ前記入射するレーザ光の振幅が抑えられるような振幅で変化するように制御し、
前記光量調整手段において、前記透過率に従って前記発振器から発振される前記レーザ光のエネルギーが調整されることを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項７】
発振器から発振されるレーザ光の一部をサンプリングし、
前記一部のレーザ光を用いて、前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む電気信号を生成し、
前記電気信号に信号処理を施すことで、前記レーザ光のエネルギーの変動の状態を把握し、前記発振器が有する放電管に印加する電圧が、前記レーザ光のエネルギーの変動とは逆の位相で変化するように制御することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項８】
発振器から発振されるレーザ光の一部をサンプリングし、
前記一部のレーザ光を用いて、前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む電気信号を生成し、
前記電気信号に信号処理を施すことで、前記レーザ光のエネルギーの変動の周波数と、振幅と、位相とを算出し、前記発振器からのレーザ光の発振に同期した信号の位相と、前記算出された位相との間の位相差、前記発振器から発振されるレーザ光とサンプリングされたレーザ光とのエネルギーの比率、及び前記算出された周波数と振幅を用い、前記発振器が有する放電管に印加する電圧が前記レーザ光のエネルギーの変動とは逆の位相で、なおかつ前記発振器から発振されるレーザ光の振幅が抑えられるような振幅で変化するように制御することを特徴とするレーザ照射方法。
【請求項９】
発振器から発振されるレーザ光の一部をサンプリングし、
前記サンプリングされたレーザ光の一部を用いて、前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む電気信号を生成し、
前記電気信号に信号処理を施すことで、前記レーザ光のエネルギーの変動の周波数と、振幅と、位相とを算出し、前記発振器からのレーザ光の発振に同期した信号の位相と、前記算出された位相との間の位相差、前記発振器から発振されるレーザ光とサンプリングされたレーザ光とのエネルギーの比率、及び前記算出された周波数と振幅を用い、光量調整手段の透過率が前記レーザ光のエネルギーの変動とは逆の位相で、なおかつ前記発振器から発振されるレーザ光の振幅が抑えられるような振幅で変化するように制御し、
前記光量調整手段において、前記透過率に従って前記発振器から発振される前記レーザ光のエネルギーが調整され、
半導体膜におけるビームスポットが走査方向において重なるように、前記エネルギーが調整されたレーザ光を前記半導体膜に対して照射することで、前記半導体膜の結晶性を高めることを特徴とする半導体装置の生産方法。
【請求項１０】
光量調整手段に入射するレーザ光の一部をサンプリングし、前記光量調整手段に入射する前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む第１の電気信号を生成し、
前記光量調整手段においてエネルギーが調整されたレーザ光の一部をサンプリングし、前記光量調整手段においてエネルギーが調整されたレーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む第２の電気信号を生成し、
前記第１の電気信号と、前記第２の電気信号に信号処理を施すことで、前記光量調整手段に入射するレーザ光と、前記光量調整手段においてエネルギーが調整されたレーザ光のエネルギーの変動の状態を把握し、光量調整手段の透過率が前記入射するレーザ光のエネルギーの変動とは逆の位相で、なおかつ前記入射するレーザ光の振幅が抑えられるような振幅で変化するように制御し、
前記光量調整手段において、前記透過率に従って前記発振器から発振される前記レーザ光のエネルギーが調整され、
半導体膜におけるビームスポットが走査方向において重なるように、前記エネルギーが調整されたレーザ光を前記半導体膜に対して照射することで、前記半導体膜の結晶性を高めることを特徴とする半導体装置の生産方法。
【請求項１１】
発振器から発振されるレーザ光の一部をサンプリングし、
前記一部のレーザ光を用いて、前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む電気信号を生成し、
前記電気信号に信号処理を施すことで、前記レーザ光のエネルギーの変動の状態を把握し、前記発振器が有する放電管に印加する電圧が、前記レーザ光のエネルギーの変動とは逆の位相で変化するように制御し、
半導体膜におけるビームスポットが走査方向において重なるように、前記電圧を制御することで得られるレーザ光を前記半導体膜に対して照射することで、前記半導体膜の結晶性を高めることを特徴とする半導体装置の生産方法。
【請求項１２】
発振器から発振されるレーザ光の一部をサンプリングし、
前記一部のレーザ光を用いて、前記レーザ光のエネルギーの変動をデータとして含む電気信号を生成し、
前記電気信号に信号処理を施すことで、前記レーザ光のエネルギーの変動の周波数と、振幅と、位相とを算出し、前記発振器からのレーザ光の発振に同期した信号の位相と、前記算出された位相との間の位相差、前記発振器から発振されるレーザ光とサンプリングされたレーザ光とのエネルギーの比率、及び前記算出された周波数と振幅を用い、前記発振器が有する放電管に印加する電圧が前記レーザ光のエネルギーの変動とは逆の位相で、なおかつ前記発振器から発振されるレーザ光の振幅が抑えられるような振幅で変化するように制御し、
半導体膜におけるビームスポットが走査方向において重なるように、前記電圧を制御することで得られるレーザ光を前記半導体膜に対して照射することで、前記半導体膜の結晶性を高めることを特徴とする半導体装置の生産方法。