(57)【要約】【課題】局所段差だけでなく、グローバル段差も低減できるようにした半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ウエーハＷを支持すると共に、支持したウエーハＷを当該ウエーハＷの中心を通る垂線を軸に回転させる工程と、ウエーハＷの表面に液体を供給する工程と、ウエーハＷが回転しているときに、このウエーハＷの表面上における空気の流れを調整する工程と、を含む。また、上記の空気の流れを調整する工程では、ウエーハＷの表面と向かい合う位置に配置された気流調整板２１を、ウエーハＷの回転方向と同じ方向に回転させる。これにより、ウエーハＷが回転しているときに、ウエーハＷの表面上における風速を低減することができ、ウエーハＷの表面に供給されたＳＯＧ液にかかる風圧を低減することができる。【選択図】図１
2010034477.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を支持すると共に、支持した前記半導体基板を当該半導体基板の中心を通る垂線を軸に回転させる支持回転手段と、
前記半導体基板の一方の面に液体を供給する液体供給手段と、
前記半導体基板が回転しているときに、当該半導体基板の一方の面上における空気の流れを調整する気流調整手段と、を備えることを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
前記気流調整手段は、前記半導体基板の一方の面と向かい合う位置に配置されて、前記半導体基板の回転方向と同じ方向に回転する回転部、を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項３】
前記回転部は、前記半導体基板と同じ速度で回転することを特徴とする請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記回転部は、前記半導体基板よりも径が大きいことを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
前記回転部は、羽根を有するファンであることを含むことを特徴とする請求項２から請求項４の何れか一項に記載の半導体製造装置。
【請求項６】
前記支持回転手段による前記半導体基板の回転が開始されてから１秒が経過する前までに、前記回転部が回転し始めることを特徴とする請求項２から請求項５の何れか一項に記載の半導体製造装置。
【請求項７】
前記気流調整手段は、
密閉可能な処理室と、前記処理室内を排気するポンプと、を有し、
前記支持回転手段は前記処理室内に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体製造装置。
【請求項８】
半導体基板を支持すると共に、支持した前記半導体基板を当該半導体基板の中心を通る垂線を軸に回転させる工程と、
前記半導体基板の一方の面に液体を供給する工程と、
前記半導体基板が回転しているときに、当該半導体基板の一方の面上における空気の流れを調整する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体基板の一方の面において、局所段差とグローバル段差の両方を低減できるようにしたものである。
【背景技術】
【０００２】
この種の従来技術としては、例えば特許文献１に開示されたものがあり、かかる文献には、層間絶縁膜の表面にＳＯＧ（ｓｐｉｎ  ｏｎ  ｇｌａｓｓ）液を塗布して膜を形成することにより、層間絶縁膜の表面の凹凸を埋め込むことが記載されている。
【特許文献１】特開２００５−１８３６２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、ＳＯＧ液は、シラノールのようなシリコン化合物を有機溶剤に溶かしたものであり、様々な種類のものがある。どの種類のＳＯＧ液（膜）を用いた場合であっても、局所的な段差を低減することはできるが、グローバル段差を低減することは難しかった。
例えば、図７（ａ）に示すように、シリコン基板５１上にフィールド酸化膜５３と、ポリシリコン配線５５と、メタル配線５７と、層間絶縁膜５９、６１とが積層された領域Ａと、シリコン基板５１上に層間絶縁膜５９、６１のみが積層された領域Ｂとでは、断面視で高さが異なる。領域Ａと領域Ｂは近接しており、このような狭い範囲の局所的な段差（以下、局所段差ともいう。）をＳＯＧ膜６３で埋め込むことにより、領域Ａ、Ｂ間の高さの勾配を緩やかにすることができる。
【０００４】
しかしながら、領域Ａ、Ｂ間のごく狭い範囲だけでなく、例えば、シリコン基板５１上にフィールド酸化膜５３と、層間絶縁膜５９、６１とが積層された領域Ｃを含むより広い範囲（即ち、領域Ａ〜Ｃ）では、全体的な段差（即ち、グローバル段差）Ｇ´が大きく残り、層間絶縁膜６１上を十分に平坦化することができていなかった。
そこで、本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、局所段差だけでなく、グローバル段差も低減できるようにした半導体製造装置及び半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
〔発明１〕  上記目的を達成するために、発明１の半導体製造装置は、半導体基板を支持すると共に、支持した前記半導体基板を当該半導体基板の中心を通る垂線を軸に回転させる支持回転手段と、前記半導体基板の一方の面に液体を供給する液体供給手段と、前記半導体基板が回転しているときに、当該半導体基板の一方の面上における空気の流れを調整する気流調整手段と、を備えることを特徴とするものである。
このような構成であれば、半導体基板が回転しているときに、半導体基板の一方の面上における風速を低減することができ、半導体基板の一方の面に供給された液体にかかる風圧を低減することができる。これにより、風圧による液体の過度な飛散を抑制することができ、半導体基板の一方の面の全体に液体を残すことが容易となる。その結果、局所段差だけでなく、グローバル段差の低減も可能となる。
【０００６】
〔発明２〕  発明２の半導体製造装置は、発明１の半導体製造装置において、前記気流調整手段は、前記半導体基板の一方の面と向かい合う位置に配置されて、前記半導体基板の回転方向と同じ方向に回転する回転部、を有することを特徴とするものである。
このような構成であれば、気流調整手段の回転部と半導体基板の一方の面との間に存在する空気を半導体基板の回転方向に流すことができる。
〔発明３〕  発明３の半導体製造装置は、発明２の半導体製造装置において、前記回転部は、前記半導体基板と同じ速度で回転することを特徴とするものである。
このような構成であれば、半導体基板の一方の面上における風速をさらに低減することができ、半導体基板の一方の面に供給された液体にかかる風圧をさらに低減することができる。
【０００７】
〔発明４〕  発明４の半導体製造装置は、発明２又は発明３の半導体製造装置において、前記回転部は、前記半導体基板よりも径が大きいことを特徴とするものである。
このような構成であれば、半導体基板の一方の面の全体を回転部で覆うことができるので、半導体基板の一方の面の全体に、風速・風圧の低減効果を及ぼすことができる。
〔発明５〕  発明５の半導体製造装置は、発明２から発明４の何れか一の半導体製造装置において、前記回転部は、羽根を有するファンであることを含むことを特徴とするものである。
このような構成であれば、ファンを回転させることにより、半導体基板の一方の面上の空気をファンの回転方向に効率良く送ることができ、空気の流れを効率良く調整することができる。
【０００８】
〔発明６〕  発明６の半導体製造装置は、発明２から発明５の何れか一の半導体製造装置において前記支持回転手段による前記半導体基板の回転が開始されてから１秒が経過する前までに、前記回転部が回転し始めることを特徴とするものである。ここで、本発明者の知見によれば、半導体基板の一方の面に供給される液体がＳＯＧの場合は、半導体基板の回転を開始してから、１秒以内でＳＯＧ液の広がり具合（つまり、グローバル段差の埋め込み具合）がほぼ決まる。
このような構成であれば、半導体基板の一方の面の中心から外周に向けてＳＯＧ液が広がる際に、このＳＯＧ液と接する空気の流れを調整することができるので、一方の面上により多くのＳＯＧ液を残すことができる。これにより、グローバル段差をより低減することができる。
【０００９】
〔発明７〕  発明７の半導体製造装置は、発明１の半導体製造装置において、前記気流調整手段は、密閉可能な処理室と、前記処理室内を排気するポンプと、を有し、前記支持回転手段は前記処理室内に配置されていることを特徴とするものである。
このような構成であれば、密閉された処理室内を真空状態にすることができる。これにより、半導体基板の回転の有無に関わらず、半導体基板の一方の面上での風速をほぼゼロ（０）にすることができ、半導体基板の一方の面に供給された液体にかかる風圧をほぼゼロ（０）にすることができる。
【００１０】
〔発明８〕  発明８の半導体装置の製造方法は、半導体基板を支持すると共に、支持した前記半導体基板を当該半導体基板の中心を通る垂線を軸に回転させる工程と、前記半導体基板の一方の面に液体を供給する工程と、前記半導体基板が回転しているときに、当該半導体基板の一方の面上における空気の流れを調整する工程と、を含むことを特徴とするものである。
このような方法によれば、半導体基板が回転しているときに、半導体基板の一方の面上における風速を低減することができ、半導体基板の一方の面に供給された液体にかかる風圧を低減することができる。これにより、風圧による液体の過度な飛散を抑制することができ、半導体基板の一方の面の全体に液体を残すことが容易となる。その結果、局所的な段差の低減のみならず、グローバル段差の低減も可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その重複する説明は省略する。
（１）第１実施形態
図１は、本発明の第１実施形態に係るスピンコーター１００の構成例を示す概念図である。このスピンコーター１００は、例えばＳＯＧ液をウエーハＷの表面に塗布する装置である。図１に示すように、このスピンコーター１００は、例えばステージ１と、ノズル１１と、カップ１３と、気流調整板２１と、第１の軸３を介してステージ１を回転させる第１のモーター５と、第２の軸２３を介して気流調整板２１を回転させる第２のモーター２５と、を含んだ構成となっている。
【００１２】
これらの中で、ステージ１は、ウエーハＷの裏面を回転可能に支持するものである。例えば、このステージ１のウエーハＷの裏面と接触する面（以下で、接触面という）には、多数の孔が設けられている。これらの孔は、真空ポンプ（図示せず）に接続されている。ウエーハＷをステージ１上に載置した状態で、これらの孔を通して真空引きすると、ウエーハＷの裏面はステージ１の接触面に吸着されて固定される。
また、このステージ１の中心には軸３が固定されており、この軸３はモーター５が駆動することによって回転するようになっている。従って、ステージ１の接触面の中心と、ウエーハＷの中心とを重ね合わせるようにして、このステージ１上にウエーハＷを載置し、この状態でモーター５を駆動することにより、ウエーハＷをその表面の中心を通る垂線を軸に回転（即ち、自転）させることができる。
【００１３】
ノズル１１は、その先端部に吐出口１１ａを有し、その後端部が図示しないＳＯＧ液圧送部に接続されている。スピンコーター１００では、このＳＯＧ液圧送部が行う圧送動作によって、ＳＯＧ液を吐出口１１ａまで圧送することができ、吐出口１１ａからその直下に配置されたウエーハＷの表面へ滴下することができる。また、このノズル１１の吐出口１１ａは、図示しない駆動機構によって、カップ１３の内側と外側との間を行き来できるようになっている。
カップ１３は、その上面に開口部を有し、その下面に底部を有する容器状のものである。図１に示すように、このカップ１３は、ステージ１に支持されたウエーハＷの側方及び下方をやや離れた位置から取り囲むようにして配置されている。このカップ１３によって、ウエーハＷの回転によるレジスト液の周囲への飛散が防止される。
【００１４】
気流調整板２１は、ステージ１上に載置されたウエーハＷの表面上における空気の流れを調整するためのものである。この気流調整板２１は、ウエーハＷの表面と向かい合う位置に配置されている。また、この気流調整板２１は例えばウエーハＷとほぼ同じ形状であり、その平面視による形状は円形である。また、この気流調整板２１の直径は、ウエーハＷの直径よりも大きい。このように、気流調整板２１は、ウエーハＷとほぼ同じ形状で、且つ、その大きさはウエーハＷよりも大であるため、ステージ１上に載置されたウエーハＷの表面全体を、接触しないように覆うことができる。
また、この気流調整板２１の中心には軸２３が固定されており、この軸２３はモーター２５が駆動することによって回転するようになっている。このスピンコーター１００では、モーター２５を駆動することにより、気流調整板２１をその表面の中心を通る垂線を軸に回転（即ち、自転）させることができる。さらに、気流調整板２１を支える軸２３は、図示しない駆動機構によって上下方向に移動することができるようになっている。次に、このような構成のスピンコーター１００を用いて、ウエーハＷの表面上にＳＯＧ液を塗布する場合について説明する。
【００１５】
図２は、スピンコーター１００を用いたＳＯＧ液の塗布方法を示すフローチャートである。まず始めに、図２のステップＳ１では、ステージ１上にウエーハＷを載置して固定する。次に、ノズル１１を移動させて、吐出口１１ａをステージ１の中心部上方（即ち、ウエーハＷの真上）に配置する。そして、ステップＳ２では、吐出口１１ａからウエーハＷの表面上にＳＯＧ液を滴下する。次に、ステップＳ３では、ノズル１１をカップ１３の内側から外側へ移動させる。そして、ステップＳ４では、気流調整板２１を下降させて、例えば図３に示すように、気流調整板２１の表面とウエーハＷの表面とを近接させる（但し、気流調整板２１はＳＯＧ液と接触させない。）。
次に、ステップＳ５では、例えば図３に示すように、ステージ１の回転と気流調整板２１の回転とを開始する。ここでは、気流調整板２１の回転を、例えばステージ１の回転と同期して行う。また、気流調整板２１の回転を、例えばステージ１の回転と同じ加速度で、同じ回転速度で、同じ方向へ回るように行う。
【００１６】
これにより、ウエーハＷが回転しているときでも、ウエーハＷの表面上での風速をゼロ（０）に近づけることができ、ウエーハＷの表面上に滴下されたＳＯＧ液にかかる風圧を低減することができる。ウエーハＷの表面上での風速・風圧が低く抑えられることで、ＳＯＧ液の過度な飛散を抑制することができ、ウエーハＷの表面全体にＳＯＧ液を残すことが容易となる。それゆえ、例えば図７（ｂ）に示すように、低い部分（即ち、図７（ｂ）の右側部分）にもＳＯＧ液を厚く残すことができる。
なお、上記の例では、気流調整板２１の回転をステージ１の回転と同期させると共に、同じ加速度で、同じ回転速度で行う場合について説明したが、本発明はこれに限られることはない。例えば、気流調整板２１の回転は、ステージ１の回転が開始されるよりも前に始めても良いし、ステージ１の回転が開始された後で始めても良い。但し、本発明者の知見によれば、ウエーハＷの表面上におけるＳＯＧ液の広がり具合は、ウエーハＷの回転を開始してから約１秒の間にほぼ決まる。このため、気流調整板２１の回転は、ステージ１の回転が開始されてから、遅くとも１秒が経過する前までに行うことが好ましい。
【００１７】
また、例えば、気流調整板２１の回転の加速度と、ステージ１の回転の加速度は必ずしも同じでなくても良い。さらに、気流調整板２１の回転速度と、ステージ１の回転速度も必ずしも同じでなくても良い。これらが同一の値でない場合であっても、気流調整板２１の回転方向がウエーハＷの回転方向と同じであれば、ウエーハＷの表面上での風速を低減することができる。
次に、ステップＳ６では、ステージ１及び気流調整板２１の回転を終了する。ここでは、気流調整板２１の回転とステージ１の回転とを同時に終了させても良いし、別々のタイミングで終了させても良い。上記のように、ウエーハＷの表面上におけるＳＯＧ液の広がり具合はウエーハＷの回転を開始してから約１秒の間にほぼ決まるので、ステージ１の回転を開始してから１秒が経過した後であれば、ステージ１の回転が止まるよりも前に、気流調整板２１の回転を止めたとしても、ＳＯＧ液の広がり具合に悪影響を与えることはない。
【００１８】
次に、ステップＳ７では、気流調整板２１を上昇させ、ステージ１上からウエーハＷを搬出する。これにより、１枚のウエーハＷに対するＳＯＧ液の塗布処理を終了する。なお、複数枚のウエーハＷに対してＳＯＧ液の塗布処理を行う場合は、上記の手順に従って、２枚目以降のウエーハＷを１枚ずつ処理すれば良い。また、このようにＳＯＧ液が塗布されたウエーハＷは、その後、例えば拡散炉などに搬入されてバッチ式の熱処理が施される。そして、この熱処理により、ＳＯＧ液に含まれる溶媒成分は揮発し、ＳＯＧ液はＳＯＧ膜となる。
このように、本発明の第１実施形態によれば、ウエーハＷが回転しているときでも、ウエーハＷの表面上での風速をゼロ（０）に近づけることができ、ウエーハＷの表面に供給されたＳＯＧ液にかかる風圧を低減することができる。従って、風圧によるＳＯＧ液の過度な飛散を抑制することができ、ウエーハＷの表面全体にＳＯＧ液を残すことが容易となる。例えば図７（ｂ）に示したように、低い部分（即ち、図７（ｂ）の右側部分）にもＳＯＧ液を厚く残すことができる。これにより、局所的な段差だけでなく、グローバル段差Ｇも低減することができる。
【００１９】
層間絶縁膜６１上の平坦化が十分でないと、この層間絶縁膜６１上に形成される配線は層間絶縁膜６１の凹凸を反映した形となるので、断線の可能性が高まる。しかしながら、本発明の第１実施形態によれば、層間絶縁膜６１の平坦性を向上できるので、断線の可能性を低減することができる。
この第１実施形態では、ウエーハＷが本発明の「半導体基板」に対応し、ステージ１、軸３及びモーター５の組み合わせが本発明の「支持回転手段」に対応している。また、ノズル１１が本発明の「液体供給手段」に対応し、気流調整板２１と、軸２３及びモーター２５の組み合わせが本発明の「気流調整手段」に対応している。また、気流調整板２１が本発明の「回転部」に対応している。そして、スピンコーター１００が本発明の「半導体製造装置」に対応している。
【００２０】
（２）第２実施形態
上記の第１実施形態では、本発明の「回転部」の一例として、気流調整板２１を例示した。しかしながら、本発明の回転部はこれに限られることはなく、例えば、図４に示すような、複数枚の羽根３１を備えたファン３０であっても良い。
図４は本発明の第２実施形態に係るスピンコーター２００の構成例を示す概念図である。図４に示すように、スピンコーター２００は、複数枚の羽根３１を有するファン３０と、軸３３とを備えている。ファン３０の中心には軸３３が固定されており、この軸３３はモーター３５が駆動することによって回転するようになっている。つまり、このスピンコーター２００では、モーター３５を駆動することにより、ファン３０を回転させることができるようになっている。さらに、ファン３０を支える軸３３は、図示しない駆動機構によって上下方向に移動することができるようになっている。
【００２１】
このような構成であれば、ファン３０を回転させることにより、ウエーハＷの表面上の空気をファン３０の回転方向に効率良く送ることができるので、第１実施形態と比べて、より効率良く空気の流れを調整することができる。
また、このスピンコーター２００を用いたＳＯＧ液の塗布方法は、図３に示したフローチャートと同じである。即ち、まず始めに、図示しないノズル１１の吐出口１１ａからウエーハＷの表面上にＳＯＧ液を滴下する（例えば、図３のステップＳ１〜Ｓ３）。次に、ウエーハＷの直上に配置されたファン３０と、ステージ１を同じ方向に回転させる（例えば、図３のステップＳ４、Ｓ５）。これにより、ウエーハＷの表面上での風速をゼロ（０）に近づけることができる。その後、ファン３０とステージ１の回転を止め、必要に応じてファン３０を上昇させた後で、スピンコーター２００からウエーハＷを搬出する（例えば、図３のステップ６〜８）。
【００２２】
このように、本発明の第２実施形態によれば、第１実施形態と同様、ウエーハＷが回転しているときでも、ウエーハＷの表面上での風速・風圧を低く抑えることができる。従って、例えば図７（ｂ）に示したように、低い部分（即ち、図７（ｂ）の右側部分）にもＳＯＧ液を厚く残すことができ、局所的な段差だけでなく、グローバル段差Ｇも低減することができる。
この第２実施形態では、ファン３０が本発明の「回転部」に対応し、ファン３０と、軸３３及びモーター３５の組み合わせが本発明の「気流調整手段」に対応している。また、スピンコーター２００が本発明の「半導体製造装置」に対応している。その他の対応関係は第１実施形態と同じである。
【００２３】
（３）第３実施形態
上記の第１、第２実施形態では、本発明の気流調整手段が、気流調整板２１やファン３０などに例示される回転部を有し、この回転部が回転することにより、ウエーハＷの表面上での風速・風圧を低く抑える場合ついて説明した。しかしながら、本発明の気流調整手段はこれに限られることはない。
図５は、本発明の第３実施形態に係る半導体製造装置３００の構成例を示す概念図である。図５に示すように、この半導体製造装置３００は、減圧処理室４１と、減圧処理室４１に設けられた開閉扉４２と、搬送アーム４５と、この減圧処理室４１内を排気するためのポンプ４７と、スピンコーター１１０と、を含んだ構成となっている。
【００２４】
これらの中で、減圧処理室４１は、開閉扉４２を閉じた状態で真空状態を保持することが可能な密閉構造を有するものである。この減圧処理室４１の内部に搬送アーム４５やスピンコーター１１０が配置されている。また、複数枚（例えば、１ロット）のウエーハＷを収納するためのカセット４３も、開閉扉４２を介して減圧処理室４１内に配置することができるようになっている。
スピンコーター１１０は、例えばステージ１と、軸３と、モーター５と、ノズル１１と、カップ１３と、を含んだ構成となっている。つまり、このスピンコーター１１０は、第１実施形態で説明したスピンコーター１００から気流調整板２１と軸２３及びモーター２５を除いた構成（又は、第２実施形態で説明したスピンコーター２００から、ファン３０と軸３３及びモーター３５を除いた構成）となっている。
【００２５】
搬送アーム４５は、減圧処理室４１内に配置されたカセット４３と、ステージ１との間でウエーハＷを搬送するためのものである。例えば、搬送アーム４５は、ＳＯＧ液を塗布する前のウエーハＷをカセット４３から取り出してステージ１上に載せたり、ＳＯＧ液を塗布した後のウエーハＷをステージ１上から動かしてカセット４３に戻したりする。次に、このような構成の半導体製造装置３００を用いて、ウエーハＷの表面上にＳＯＧ液を塗布する場合について説明する。
【００２６】
図６は、スピンコーター１１０を用いたＳＯＧ液の塗布方法を示すフローチャートである。まず始めに、図６のステップＳ´１では、減圧処理室４１の開閉扉４２を開けて、例えば複数枚（以下、Ｘ枚とする）のウエーハＷを収納したカセット４３を減圧処理室４１内の所定位置に配置する。カセット４３を配置した後は、開閉扉４２を閉じて減圧処理室４１内を密閉する。
次に、ステップＳ´２では、ポンプ４７を稼動させて、減圧処理室４１内を真空状態（例えば、圧力が１０ｋ［Ｐａ］以下）にする。そして、ステップＳ´３では、カセット４３から１枚のウエーハＷを取り出し、取り出したウエーハＷをステージ１上に載置して固定する。このようなカセット４３からステージ１へのウエーハＷの搬送は、搬送アーム４５が行う。
【００２７】
次に、ステップＳ´４では、ノズル１１の吐出口１１ａからウエーハＷの表面上にＳＯＧ液を滴下する。そして、ステップＳ´５では、ステージ１の回転を開始する。ここで、減圧処理室４１内は真空状態に保持されているので、ウエーハＷが回転しているときでも、ウエーハＷの表面上での風速は極度に抑えられ、その値はゼロ（０）に近い値となる。従って、ウエーハＷの表面上に滴下されたＳＯＧ液にかかる風圧は低く、ＳＯＧ液の過度な飛散を抑制することができる。
【００２８】
次に、ステップＳ´６では、ＳＯＧ液を塗布した後のウエーハＷをステージ１上から搬出し、カセット４３に戻す。ステージ１からカセット４３へのウエーハＷの搬送は、搬送アーム４５が行う。そして、ステップＳ´７では、ＳＯＧ液の塗布処理が行われていない（即ち、未処理の）ウエーハＷがカセット４３内に有るか無いかを判断する。この判断は、例えば、半導体製造装置３００の制御部（図示せず）が行う。例えば、制御部は、カセット４３に収納されたウエーハＷの枚数Ｘと、このカセット４３が減圧処理室４１内に配置されてからの塗布処理の回数Ｙとを比較し、Ｘ＞Ｙであれば未処理のウエーハＷがカセット４３内に有ると判断し、Ｘ＝Ｙであれば未処理のウエーハＷがカセット４３内に無いと判断する。未処理のウエーハＷが有ると判断した場合は、ステップＳ´３に戻って、次のウエーハＷ（即ち、未処理のウエーハＷ）をステージ１上に載置して固定する。
【００２９】
一方、未処理のウエーハＷが無いと判断した場合は、ステップＳ´８へ進む。ステップＳ´８では、例えばポンプ４７の駆動を止めると共に、図示しない弁を開放して、減圧処理室４１内を緩やかに大気圧（即ち、常圧）の状態に戻す。そして、大気圧の状態に戻した後は、ステップＳ´９で開閉扉４２を開き、減圧処理室４１内からカセット４３を取り出す。これにより、Ｘ枚のウエーハＷに対する、ＳＯＧ液の塗布処理を終了する。
【００３０】
このように、本発明の第３実施形態によれば、密閉された減圧処理室４１内を真空状態にすることができる。これにより、ウエーハＷの回転の有無に関わらず、ウエーハＷの表面上での風速をほぼゼロ（０）にすることができ、ウエーハＷの表面に供給されたＳＯＧ液にかかる風圧をほぼゼロ（０）にすることができる。大気圧下で塗布処理を行う場合と比べて、ウエーハＷの表面上での風速・風圧を低く抑えることができ、風圧によるＳＯＧ液の過度な飛散を抑制することができる。従って、例えば図７（ｂ）に示したように、低い部分（即ち、図７（ｂ）の右側部分）にもＳＯＧ液を厚く残すことができ、局所的な段差だけでなく、グローバル段差Ｇも低減することができる。
この第３実施形態では、減圧処理室４１が本発明の「処理室」に対応し、減圧処理室４１と、開閉扉４２及びポンプ４７の組み合わせが本発明の「気流調整手段」に対応している。また、半導体製造装置３００が本発明の「半導体製造装置」に対応している。その他の対応関係は第１、第２実施形態と同じである。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】第１実施形態に係るスピンコーター１００の構成例を示す図。
【図２】第１実施形態に係るＳＯＧ液の塗布方法を示すフローティングチャート。
【図３】第１実施形態に係るスピンコーター１００の動作例を示す図。
【図４】第２実施形態に係るスピンコーター２００の構成例を示す図。
【図５】第３実施形態に係る半導体製造装置３００の構成例を示す図。
【図６】第３実施形態に係るＳＯＧ液の塗布方法を示すフローティングチャート。
【図７】従来例と本発明との間で、グローバル段差を比較するための図。
【符号の説明】
【００３２】
１  ステージ、３、２３、３３  軸、５、２５、３５  モーター、１１  ノズル、１１ａ  吐出口、１３  カップ、２１  気流調整板、３０  ファン、３１  羽根、４１  減圧処理室、４２  開閉扉、４３  カセット、４５  搬送アーム、４７  ポンプ、５１  シリコン基板、５３  フィールド酸化膜、５５シリコン配線、５７  メタル配線、５９、６１  層間絶縁膜、１００、１１０、２００  スピンコーター、  Ａ、Ｂ、Ｃ  領域、Ｇ  グローバル段差、Ｗ  ウエーハ
【図１】
2010034477.tif 000003
【図２】
2010034477.tif 000004
【図３】
2010034477.tif 000005
【図４】
2010034477.tif 000006
【図５】
2010034477.tif 000007
【図６】
2010034477.tif 000008
【図７】
2010034477.tif 000009