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【手続補正書】
【提出日】平成17年4月7日(2005.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スリットが形成された陽極と、陰極との間に有機化合物層を有し、
前記有機化合物層は、前記スリットを充填しなおかつ前記陽極の上部を覆って形成された正孔発生層を含み、
前記正孔発生層は前記陽極に接していることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
薄膜トランジスタと接続され、かつスリットが形成された陽極と、陰極との間に有機化合物層をし、
前記有機化合物層は、前記スリットを充填しなおかつ前記陽極の上部を覆って形成された正孔発生層を含み、
前記正孔発生層は前記陽極に接していることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
スリットが形成された陽極と、陰極との間に有機化合物層を有し、
前記有機化合物層は、前記スリットを充填しなおかつ前記陽極の上部を覆って形成された正孔発生層を含み、
前記正孔発生層は前記陽極に接し、
前記正孔発生層の成膜表面は平坦であることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
薄膜トランジスタと接続され、かつスリットが形成された陽極と、陰極との間に有機化合物層を有し、
前記有機化合物層は、前記スリットを充填しなおかつ前記陽極の上部を覆って形成された正孔発生層を含み、
前記正孔発生層は前記陽極に接し、
前記正孔発生層の成膜表面は平坦であることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
スリットが形成された陽極と、陰極との間に有機化合物層を有し、
前記有機化合物層は、前記スリットを充填しなおかつ前記陽極の上部を覆って形成された正孔発生層を含み、
前記正孔発生層は前記陽極に接し、
前記正孔発生層は前記陽極から前記有機化合物層にかかる電界を均一にするものであることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
薄膜トランジスタと接続され、かつスリットが形成された陽極と、陰極との間に有機化合物層を有し、
前記有機化合物層は、前記スリットを充填しなおかつ前記陽極の上部を覆って形成された正孔発生層を含み、
前記正孔発生層は前記陽極に接し、
前記正孔発生層は前記陽極から前記有機化合物層にかかる電界を均一にするものであることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記有機化合物層は、発光層と、正孔注入層、正孔輸送層または電子輸送層とを含むことを特徴とする発光装置。
【請求項８】
スリットが形成された陽極と、陰極との間に有機化合物層を有し、
前記有機化合物層は、前記スリットを充填しなおかつ前記陽極の上部を覆って形成された正孔発生層、及び前記正孔発生層と接して形成された正孔注入層を含み、
前記正孔発生層は前記陽極に接していることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
薄膜トランジスタと接続され、かつスリットが形成された陽極と、陰極との間に有機化合物層を有し、
前記有機化合物層は、前記スリットを充填しなおかつ前記陽極の上部を覆って形成された正孔発生層、及び前記正孔発生層と接して形成された正孔注入層を含み、
前記正孔発生層は前記陽極に接していることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、前記正孔発生層及び前記正孔注入層が同一の材料を有することを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記正孔発生層は低分子材料及び電子受容体からなることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記正孔発生層は高分子材料及び電子受容体からなることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか一において、
前記スリットの間隔が０．５〜３μｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一において、
前記スリットの幅が前記スリットの間隔の５〜１５倍であることを特徴とする発光装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一において、
前記陽極の面積に対して前記スリットが形成される面積の割合が７０〜９０％であることを特徴とする発光装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一において、
前記陽極は金属膜からなることを特徴とする発光装置。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一に記載の発光装置を用いたことを特徴とする電気器具。
【請求項１８】
スリットを有する陽極を形成し、
前記スリットを充填し、なおかつ前記陽極の上部を覆って正孔発生層を形成し、
前記正孔発生層と接して正孔注入層、正孔輸送層、発光層または電子輸送層を形成し、
前記正孔発生層は前記陽極に接し、
前記正孔発生層の成膜表面は平坦であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１９】
スリットを有する陽極を形成し、
薄膜トランジスタと前記陽極を接続し、
前記スリットを充填し、なおかつ前記陽極の上部を覆って正孔発生層を形成し、
前記正孔発生層と接して正孔注入層、正孔輸送層、発光層または電子輸送層を形成し、
前記正孔発生層は前記陽極に接し、
前記正孔発生層の成膜表面は平坦であることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１８または請求項１９において、
前記陽極は金属膜からなることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月31日(2004.5.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記指数関数曲線に近似した線は、該指数関数曲線上の複数の点を直線で結ぶ多角形からなることを特徴とする請求項１記載の円偏波発生器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月24日(2005.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
図４に示すように、オフセットパラボラ反射鏡２と１次放射器４とを備えたオフセットパラボラアンテナでは、通常、１次放射器４は、オフセットパラボラ反射鏡２の焦点位置に配置される。この場合、１次放射器４から放射されたビームのうち、実線で示すようにオフセットパラボラ反射鏡２の中心において反射されたものは、反射鏡２の回転中心に平行に放射される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明は、オフセットパラボラ反射鏡と、１次放射器とを、具備するオフセットパラボラアンテナにおいて、１次放射器が、前記オフセットパラボラ反射鏡の焦点位置から前記反射鏡の先端方向側に位置するように配置されている。これによって、有効開口面積は増加し、この増加に伴うアンテナ効率は増加する。一方、位相誤差に基づいてアンテナ効率は低下する。このオフセットパラボラアンテナにおけるビーム偏向角が、前記パラボラ反射鏡の有効面積の増加に基づく効率増加と、前記１次放射器の偏向による位相誤差に基づく効率低下とを結合した効率が、前記焦点位置に１次放射器があるときの前記効率よりも大きくなる角度に選択されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
このように、θＢ＝φとなるまで、給電偏位させることによって、有効化以降面積が大きくなればなるほど、オフセットパラボラアンテナの効率は増加する。一方、このように給電偏位することによって、位相誤差が生じ、オフセットパラボラアンテナの効率は低下する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月8日(2005.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と、
前記回路基板に実装された発熱する回路素子と、
前記回路素子から熱が伝えられる伝熱部を有し、この伝熱部が前記回路素子に相対した状態で前記回路基板に固定されるヒートシンクと、
前記回路素子と前記ヒートシンクとの間に設けられ、前記回路基板と前記ヒートシンクとが互いに固定される際に押圧されて弾性変形するとともに、前記回路素子が発生する熱を前記ヒートシンクに伝えるシート状の伝熱部材と、
前記ヒートシンクと前記回路基板とが互いに固定される際に、前記伝熱部材の弾性変形量を規制する規制部と、を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項２】
前記伝熱部が、前記回路素子に相対する平坦な伝熱面を有し、
前記規制部が、前記伝熱面の中心に関して点対称となる位置に設けられることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記伝熱部が、前記回路素子に相対する平坦な伝熱面を有し、
前記規制部が、前記伝熱面の中心を中心とした周方向に沿って等間隔に設けられることを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項４】
前記規制部が、前記伝熱面の周縁部に設けられることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の電子機器。
【請求項５】
前記規制部が、前記伝熱面から前記回路基板に向って突出して形成されることを特徴とする請求項２ないし請求項４のいずれかに記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ポータブルコンピュータや移動体情報端末のような電子機器に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の一つの形態に係る電子機器は、回路基板と、前記回路基板に実装された発熱する回路素子と、前記回路素子から熱が伝えられる伝熱部を有し、この伝熱部が前記回路素子に相対した状態で前記回路基板に固定されるヒートシンクと、前記回路素子と前記ヒートシンクとの間に設けられ、前記回路基板と前記ヒートシンクとが互いに固定される際に押圧されて弾性変形するとともに、前記回路素子が発生する熱を前記ヒートシンクに伝えるシート状の伝熱部材と、前記ヒートシンクと前記回路基板とが互いに固定される際に、前記伝熱部材の弾性変形量を規制する規制部と、を備えていることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
さらに、前記規制部が前記伝熱部材の弾性変形量を規制するので、回路基板とヒートシンクとの間の間隔が電子機器毎にばらついても、回路素子の動作に影響が与えられることがない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、前記アッパハウジング７の上壁７ａの前部は、平坦なパームレスト８となっており、このパームレスト８の後方に、情報を入力する手段としての前述したキーボード５を配置している。前記アッパハウジング７の上壁７ａの後端部には、一対のディスプレイ支持部１３ａ，１３ｂが形成されている。これらディスプレイ支持部１３ａ，１３ｂは、コンピュータ本体２の筐体４の幅方向に離間して配置されており、前記ディスプレイユニット３を支持している。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
これらヒンジ部１８ａ，１８ｂ及びディスプレイ支持部１３ａ，１３ｂは、それぞれ図示しない枢軸としてのヒンジ軸によって、互いに回動自在に連結されている。前記ディスプレイユニット３は、前記ヒンジ軸を介して前記コンピュータ本体２に回動自在に枢支されている。このため、ディスプレイユニット３は、前記パームレスト８やキーボード５を覆い隠す閉じ位置と、前記パームレスト８やキーボード５を露出させる開き位置とに亘って、開閉自在に回動し得るようになっている。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図４及び図５に示すように、前記第２の回路基板２１の表面２１ａには、回路素子としての四角形状のマイクロプロセッサ２３が実装されている。マイクロプロセッサ２３は、第２の回路基板２１の表面２１ａ上にマトリックス状に並べられた半田ボール１９を介して、第２の回路基板２１と電気的に接続されている。マイクロプロセッサ２３は、面実装形半導体パッケージとしてのボールグリッドアレイ形（ＢＧＡ：Ball Grid Array）半導体パッケージとなっている。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
【発明の効果】
以上詳述した本発明によれば、電子機器毎の、伝熱部材のヒートシンクに対する接触面積のばらつきが抑制されるので、増大する傾向にある回路素子の熱を、全ての電子機器において確実に放出することができる。さらに、規制部が伝熱部材の弾性変形量を規制するので、回路基板とヒートシンクとの間の間隔が電子機器毎にばらついても、回路素子の動作に影響が与えられることがない。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月22日(2004.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上のメモリセル領域に形成したキャパシタセルと、ビット線と、ワード線とＭＯＳトランジスタとからなる半導体装置であって、前記ＭＯＳトランジスタのゲートはワード線からなり、前記キャパシタセルは前記ＭＯＳトランジスタのソース、ドレインの一方と電気的に接続されており、前記キャパシタセルは第１電極と第２電極からなり、第１、第２電極は誘電体膜で分離されており、第１電極は底面部と多数の壁状体からなり、それぞれの壁状体は低面部で電気的に接続されており、壁状体の上部は隣接の壁状体に物理的に接続されておらず、それぞれのキャパシタセルの底面部はＭＯＳトランジスタの上の第１絶縁膜上に形成されており、絶縁膜ストライプが第１絶縁膜上の隣接する壁状体の底面部に形成されており、底面部は前記ストライプで囲まれており、電気的に隣接する底面部と分離されてストライプの上面と底面部の上面は同じ面にあり、壁状体のそれぞれはワード線に並列な方向に並列に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置において、キャパシタセルの壁状体の数は４以上であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置において、隣接する底面部の距離は壁状体の幅より長く、壁状体の幅の合計の幅より短く、隣接する壁状体の距離より短いことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体基板上のメモリセル領域に形成したキャパシタセルと、ビット線と、ワード線とＭＯＳトランジスタとからなる半導体装置であって、前記ＭＯＳトランジスタのゲートはワード線からなり、前記キャパシタセルは前記ＭＯＳトランジスタのソース、ドレインの一方と電気的に接続されており、前記キャパシタセルは第１電極と第２電極からなり、第１、第２電極は誘電体膜で分離されており、第１電極は底面部と多数の壁状体からなり、それぞれの壁状体は低面部で電気的に接続されており、壁状体の上部は隣接の壁状体に物理的に接続されておらず、それぞれのキャパシタセルの底面部はＭＯＳトランジスタの上の第１絶縁膜上に形成されており、絶縁膜ストライプが第１絶縁膜上の隣接する壁状体の底面部に形成されており、ストライプの上面と底面部の上面は同じ面にあり、壁状体のそれぞれはワード線に並列な方向に並列に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
半導体基板上のメモリセル領域に形成したキャパシタセルと、ビット線と、ワード線とＭＯＳトランジスタとからなる半導体装置であって、前記ＭＯＳトランジスタのゲートはワード線からなり、前記キャパシタセルは前記ＭＯＳトランジスタのソース、ドレインの一方と電気的に接続されており、前記キャパシタセルは第１電極と第２電極からなり、第１、第２電極は誘電体膜で分離されており、第１電極は底面部と多数の壁状体からなり、それぞれの壁状体は低面部で電気的に接続されており、壁状体の上部は隣接の壁状体に物理的に接続されておらず、それぞれのキャパシタセルの底面部はＭＯＳトランジスタの上の第１絶縁膜上に形成されており、絶縁膜ストライプが第１絶縁膜上の隣接する壁状体の底面部に形成されており、誘電体膜膜と第２電極は底面部と絶縁膜のストライプの上に形成されており、ストライプの上面と底面部の上面は同じ面にあり、壁状体のそれぞれはワード線に並列な方向に並列に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月22日(2005.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換素子と該光電変換素子に接続されたスイッチ素子とを有するセンサセルを基板上に２次元に複数個備えて構成される光電変換装置において、
複数の前記センサセルは、前記スイッチ素子が除去されたセンサセルを含んでいることを特徴とする光電変換装置。
【請求項２】
前記スイッチ素子は、１行ごとに接続された制御配線を介して前記光電変換素子を制御し、前記光電変換素子が１列ごとに接続された信号配線に前記光電変換素子で変換された信号電荷を前記信号配線に転送することを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。
【請求項３】
前記光電変換素子は入射された信号光により第１及び第２のキャリアを発生させる光電変換半導体層と、ゲート電極を形成する下部電極層と、ソース、ドレイン電極を形成する上部電極層とを備え、
前記光電変換素子に電界を与えることにより、前記第１のキャリアを前記光電変換半導体層に蓄積し、かつ、前記第２のキャリアを前記上部電極層へ注入する光電変換手段と、
前記光電変換素子に電界を与えることにより、前記第１のキャリアを前記光電変換半導体層から前記上部電極層へ注入するリフレッシュ手段と、
前記光電変換手段による光電変換動作中に前記光電変換半導体層に蓄積された前記第１のキャリアもしくは前記上部電極層に注入された前記第２のキャリアを検出する検出手段とを有することを特徴とする請求項１記載の光電変換装置。
【請求項４】
光電変換素子と該光電変換素子に接続されたスイッチ素子とを有するセンサセルを基板上に２次元に複数個備えて構成される光電変換装置のリペア方法において、
正常に動作しない前記スイッチ素子をレーザー照射により蒸散することを特徴とする光電変換装置のリペア方法。
【請求項５】
前記光電変換素子は入射された信号光により第１及び第２のキャリアを発生させる光電変換半導体層と、ゲート電極を形成する下部電極層と、ソース、ドレイン電極を形成する上部電極層とを備え、
前記光電変換素子に電界を与えることにより、前記第１のキャリアを前記光電変換半導体層に蓄積し、かつ、前記第２のキャリアを前記上部電極層へ注入し、
前記光電変換素子に電界を与えることにより、前記第１のキャリアを前記光電変換半導体層から前記上部電極層へ注入し、
光電変換中に前記光電変換半導体層に蓄積された前記第１のキャリアもしくは前記上部電極層に注入された前記第２のキャリアを検出することを特徴とする請求項４記載の光電変換装置のリペア方法。
【請求項６】
入力されたＸ線を光に変換する蛍光体を備える請求項１から３のいずれか記載の光電変換装置と、
前記光電変換装置からの信号を処理する信号処理手段と、
前記信号処理手段からの信号を記録するための記録手段と、
前記信号処理手段からの信号を表示するための表示手段と、
前記信号処理手段からの信号を伝送するための伝送処理手段と、
前記Ｘ線を発生させるためのＸ線源とを具備することを特徴とするＸ線撮像システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成すべく、本発明にかかる光電変換装置は、光電変換素子と該光電変換素子に接続されたスイッチ素子とを有するセンサセルを基板上に２次元に複数個備えて構成される光電変換装置において、複数の前記センサセルは、前記スイッチ素子が除去されたセンサセルを含んでいることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
また、本発明にかかる光電変換装置のリペア方法は、光電変換素子と該光電変換素子に接続されたスイッチ素子とを有するセンサセルを基板上に２次元に複数個備えて構成される光電変換装置のリペア方法において、正常に動作しない前記スイッチ素子をレーザー照射により蒸散することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月22日(2005.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
四塩化炭素を炭素源に用いたｐ型ＧａＡｓの膜厚と炭素源供給量との関係を図２に○印で示した。四塩化炭素を炭素源に用いた場合、炭素源の供給量を上げていくと、成長膜厚は著しい減少を示し、p型ＧａＡｓの成長と同時にエッチングが生じていることが明らかである。４．３×１０19／ｃｍ3のホール濃度を有するｐ型ＧａＡｓにおいて、同条件で成長したノンドープのＧａＡｓの成長膜厚の６０％程度であった。この膜厚は、炭素源に一臭化三塩化炭素を用いて同成長条件のもとで同程度のキャリア濃度を得る場合の７３％である。四塩化炭素に比較してもエッチング量を抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月10日(2005.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に分離用の層を有する試料を処理する処理装置であって、
前記分離用の層の所定領域を未分離領域として残すようにして、該分離用の層で前記試料を部分的に分離する分離機構を備えることを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記分離機構は、前記分離用の層に向けて流体を噴射する噴射部を有し、流体により前記試料を部分的に分離することを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記分離機構は、前記未分離領域として略円形の領域を残すようにして、前記試料を部分的に分離することを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項４】
前記分離機構は、前記未分離領域として略円形の領域を前記分離用の層の略中央部分に残すようにして、前記試料を部分的に分離することを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項５】
前記分離機構は、
前記分離用の層に直交する軸を中心として前記試料を回転させる駆動機構と、
前記分離用の層に向けて流体を噴射する噴射部と、
を有し、前記駆動機構により前記試料を回転させながら該試料の部分的な分離処理を実行することを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項６】
前記未分離領域は、前記分離用の層が分離される領域よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項７】
内部に分離用の層を有する試料を処理する処理方法であって、
前記分離用の層の所定領域を未分離領域として残すようにして、該分離用の層で前記試料を部分的に分離することを特徴とする処理方法。
【請求項８】
前記分離用の層に向けて流体を噴射することにより前記試料を部分的に分離することを特徴とする請求項７に記載の処理方法。
【請求項９】
前記試料は、前記分離用の層として脆弱な構造の層を有する板状部材であることを特徴とする請求項７に記載の処理方法。
【請求項１０】
前記未分離領域として略円形の領域を残すようにして、前記試料を部分的に分離することを特徴とする請求項７に記載の処理方法。
【請求項１１】
前記未分離領域として略円形の領域を前記分離用の層の略中央部分に残すようにして、前記試料を部分的に分離することを特徴とする請求項７に記載の処理方法。
【請求項１２】
前記未分離領域は、前記分離用の層が分離される領域よりも小さいことを特徴とする請求項７に記載の処理方法。
【請求項１３】
前記試料は、脆弱な層を内部に有する第１の板状部材と、第２の板状部材とを貼り合わせてなることを特徴とする請求項７に記載の処理方法。
【請求項１４】
前記脆弱な層は、多孔質層であることを特徴とする請求項１３に記載の処理方法。
【請求項１５】
前記第１の板状部材は、半導体基板であることを特徴とする請求項１３に記載の処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月10日(2005.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に分離用の層を有する試料を該分離用の層で分離する分離装置であって、
前記分離用の層の所定領域を未分離領域として残すようにして、該分離用の層で前記試料を部分的に分離する第１の分離手段と、
前記第１の分離手段により処理された前記試料の前記未分離領域に対して所定方向から力を作用させて前記試料を完全に分離する第２の分離手段と、
を備えることを特徴とする分離装置。
【請求項２】
前記第１の分離手段は、前記分離用の層に直交する軸を中心として該試料を回転させながら、該試料の前記分離用の層に向けて流体を噴射することにより該試料を部分的に分離し、
前記第２の分離手段は、前記試料の回転を実質的に停止させて、部分的な分離処理により生じた該試料の隙間に向けて流体を噴射することにより、該試料に残っている前記未分離領域を分離することを特徴とする請求項１に記載の分離装置。
【請求項３】
前記第２の分離手段は、部分的な分離処理により生じた前記試料の隙間に楔を挿入することにより、該試料を完全に分離することを特徴とする請求項１に記載の分離装置。
【請求項４】
内部に分離用の層を有する試料を該分離用の層で分離する分離装置であって、
前記分離用の層の所定領域を未分離領域として残すようにして該分離用の層で部分的に分離された試料の一部を保持して実質的に静止させる保持機構と、
前記保持機構により保持された試料の前記未分離領域に対して所定方向から力を作用させて該試料を完全に分離する分離機構と、
を備えることを特徴とする分離装置。
【請求項５】
前記分離機構は、部分的な分離処理により形成された前記試料の隙間に向けて流体を噴射することにより該試料を完全に分離することを特徴とする請求項４に記載の分離装置。
【請求項６】
前記分離機構は、部分的な分離処理により形成された前記試料の隙間に楔を挿入することにより、該試料を完全に分離することを特徴とする請求項４に記載の分離装置。
【請求項７】
内部に分離用の層を有する試料を該分離用の層で分離する分離方法であって、
前記分離用の層の所定領域を未分離領域として残すようにして、該分離用の層で前記試料を部分的に分離する第１の分離工程と、
前記第１の分離工程で処理された前記試料の前記未分離領域に対して所定方向から力を作用させて前記試料を完全に分離する第２の分離工程と、
を有することを特徴とする分離方法。
【請求項８】
前記試料は、前記分離用の層として脆弱な構造の層を有する板状部材であることを特徴とする請求項７に記載の分離方法。
【請求項９】
前記第１の分離工程では、前記分離用の層に直交する軸を中心として該試料を回転させながら、該分離用の層に向けて流体を噴射することにより該試料を部分的に分離し、
前記第２の分離工程では、前記試料を回転させることなく保持して、部分的な分離処理により生じた該試料の隙間に向けて流体を噴射することにより、該試料に残っている前記未分離領域を分離することを特徴とする請求項７に記載の分離方法。
【請求項１０】
前記第１の分離工程では、前記分離用の層に直交する軸を中心として該試料を回転させながら、該試料の前記分離用の層に向けて流体を噴射することにより該試料を部分的に分離し、
前記第２の分離工程では、前記試料の回転を実質的に停止させて、部分的な分離処理により生じた該試料の隙間に向けて流体を噴射することにより、該試料に残っている前記未分離領域を分離することを特徴とする請求項７に記載の分離方法。
【請求項１１】
前記第２の分離工程では、部分的な分離処理により生じた前記試料の隙間に楔を挿入することにより、該試料を完全に分離することを特徴とする請求項７に記載の分離方法。
【請求項１２】
前記試料は、脆弱な層を内部に有する第１の板状部材と、第２の板状部材とを貼り合わせてなることを特徴とする請求項７に記載の分離方法。
【請求項１３】
前記脆弱な層は、多孔質層であることを特徴とする請求項１２に記載の分離方法。
【請求項１４】
前記第１の板状部材は、半導体基板であることを特徴とする請求項１２に記載の分離方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月22日(2004.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
積層鉄心のジョイント部或いはエアギャップ部に接着剤を使用する電磁機器において、
前記接着剤は、常温および加熱で硬化する接着剤を使用することを特徴とする電磁機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記接着剤は、２段階硬化接着剤であって、エポキシ樹脂／アミン硬化系の２段階（常温硬化＋加熱硬化）型の硬化接着剤を使用することを特徴とする請求項１記載又は請求項２記載の電磁機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために、請求項１記載の本発明に係る電磁機器は、積層鉄心のジョイント部或いはエアギャップ部に接着剤を使用する電磁機器において、前記接着剤に常温および加熱で硬化する接着剤を使用することを特徴とするものである。上記構成において、製品組立時、当該常温硬化接着剤は常温で硬化される。さらに、実使用時の自己発熱により加熱硬化接着剤の加熱硬化が進み、最終硬化に至るので、接着剤の垂れによる特性のずれや騒音の原因が解消できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
請求項３記載の本発明に係る電磁機器は、接着剤にエポキシ樹脂／アミン硬化系２段階硬化接着剤を使用することを特徴とするものである。上記の構成において、（常温硬化＋加熱硬化）型の２段階硬化接着剤を使用することにより、製品組立時、当該接着剤は常温で硬化される。さらに、実使用時の自己発熱により加熱硬化が進み、最終硬化に至るので、接着剤の垂れによる特性のずれや騒音の原因が解消できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月3日(2004.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
略四角形の板状で一面に所定の回路が形成された半導体チップと
、前記半導体チップを搭載するダイパッドと、前記ダイパッドから伸びる複数の支持リードと、前記ダイパッドの近傍から外方に向かって延在し、前記半導体チップの一面に設けられた電極パッドと電気的に接続される複数のリードと、前記半導体チップ及び前記リードの前記電極パッドとの接続部一帯を封止するパッケージとを有する半導体装置において、前記ダイパッドは略十字形状に形成され、かつ前記ダイパッドの半導体チップ搭載面に絶縁性の接着テープを有しており、前記半導体チップが前記接着テープを介してダイパットに搭載されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記略十字形状に形成されたダイパッドが、前記支持リードの幅
より幅広に構成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
一主面に複数の電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂封止体と、一端側が前記半導体チップを囲むように配置され他端側が前記半導体チップから遠ざかる方向に伸び前記樹脂封止体から露出する複数のリードと、前記半導体チップの複数の電極パッドと前記複数のリードの一端側とを接続する接続手段と、前記半導体チップの一主面と対向する他の主面を部分的に支持する支持リードとを有し、
前記半導体チップは、樹脂基板の両面に接着剤層を設けた接着テープを介して前記支持リードに固定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記樹脂基板は、ポリイミド系樹脂基板であることを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ダイパッドが、その搭載面から他面に開口する開口部を有し
ていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
一主面に複数の電極が形成された半導体チップと、前記半導体チップを封止する樹脂封止体と、前記半導体チップの電極に電気的に接続され、前記樹脂封止体の内外に亘って延在する複数のリードと、前記半導体チップの一主面と対向する他の主面を部分的に支持する支持リードとを有し、
前記半導体チップは、熱可塑性ポリイミドによるテープを介して前記支持リードに固定されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
所定の回路が形成された半導体チップを搭載するダイパッドと、前記ダイパッドを支持する支持リードと、前記ダイパッドの近傍に設けられ前記半導体チップと電気的に接続される複数のリードとを有するリードフレームにおいて、前記ダイパッドが十字形状に形成され、かつ前記ダイパッドの搭載面に半導体チップを固定するための接着テープが設けられていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項８】
前記十字形状に形成されたダイパッドが、前記支持リードの幅より幅広に形成されていることを特徴とする請求項７記載のリードフレーム。
【請求項９】
略四角形の板状で一面に所定の回路が形成された半導体チップを搭載する略十字形状のダイパッドと、前記ダイパッドを支持する支持リードと、前記ダイパッドに搭載される半導体チップと電気的に接続される複数のリードと、前記ダイパッドの搭載面に半導体チップを固定する絶縁性の接着テープとからなるリードフレームを準備する工程と、前記略十字形状のダイパッドに半導体チップを、該半導体チップの略対角線上に配置するように位置決めし、前記ダイパッドの搭載面に設けられた絶縁性の接着テープにより搭載する工程と、前記半導体チップの一面に設けられた電極パッドと前記リードとを電気的に接続する工程と、前記半導体チップの電極パッドと前記リードとを電気的に接続したリードフレームを上下で一対となるモールド金型により型締めし、前記モールド金型に溶融された樹脂を注入することにより前記リードフレームにパッケージを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体チップが、前記電極パッドを露出するように前記一面を前記ダイパッドに搭載されることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記リードフレームのダイパッドが、前記モールド金型へ樹脂を注入する際に、前記リードフレームを型締めしたモールド金型の上側の空間と下側の空間とを略同一にするようにダウンセット加工されていることを特徴とする請求項９記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】音声通話装置、音声通話システム、および音声通話方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
通信を介して複数の人が音声通話するようになされた音声通話システムに用いられる音声通話装置において、
通話中に各人の音声の音量を検出する音量検出手段と、
上記音量検出手段により検出される音量を所定のしきい値で２値化することにより音声の有無を判別する判別手段と、
上記判別手段の判別結果により、通話中の各人の音声の重なりを判定し、上記音声の重なりに応じて通話中の各人の音声のレベルを調整する音量調整手段と
を備えたことを特徴とする音声通話装置。
【請求項２】
通信を介して複数の人が音声通話するようになされた音声通話システムにおいて、
双方向通信路を介して複数の音声通話装置が結合され、
上記音声通話装置は、
他の音声通話装置との通信のための通信手段と、
通話中に各人の音声の音量を検出する音量検出手段と、
上記音量検出手段により検出される音量を所定のしきい値で２値化することにより音声の有無を判別する判別手段と、
上記判別手段の判別結果により、通話中の各人の音声の重なりを判定し、上記音声の重なりに応じて通話中の各人の音声のレベルを調整する音量調整手段と
を備えたことを特徴とする音声通話システム。
【請求項３】
請求項１において、
上記音量調整手段は、過去の所定区間の音声信号に基づいて音量調整を行うことを特徴とする装置。
【請求項４】
請求項１において、
上記音量調整手段の音声の重なりに応じた処理は、所定区間の音声の重なり時間と話相手と想定される人の発声時間とによる演算結果に基づいてなされることを特徴とする装置。
【請求項５】
請求項１において、
上記音量調整手段の音声の重なりに応じた処理に用いられる演算結果は、音声の重なり時間をＴ１とし、話相手と想定される人の発声時間をＴ２として、下式により算出されるＷであることを特徴とする装置。
Ｗ＝Ｔ１／Ｔ２
【請求項６】
通信を介して複数の人が音声通話するようになされた音声通話に用いられる音声通話方法において、
通話中に各人の音声の音量を検出する音量検出工程と、
上記音量検出工程により検出される音量を所定のしきい値で２値化することにより音声の有無を判別する判別工程と、
上記判別工程の判別結果により、通話中の各人の音声の重なりを判定し、上記音声の重なりに応じて通話中の各人の音声のレベルを調整する音量調整工程とを備えたことを特徴とする音声通話方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、例えば、３人以上の話者の間において音声通話する際に用いられ、電話会議や遠隔テレビ会議等に用いて好適な音声通話装置、音声通話システム、および音声通話方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
従って、この発明の目的は、会話の中心となる相手の話を聞き分けることが容易で使い勝手が良く、然も、各話者の音量レベルが自動的に適正レベルとすることができる音声通話装置、音声通話システム、および音声通話方法を提供することにある。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月26日(2004.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】携帯機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
携帯機器の不揮発性メモリに格納されている電話帳の登録データをメールにて送信する手段と、メールを受信する手段と、受信したデータを前記携帯機器の前記不揮発性メモリに登録する手段とを具備することを特徴とする携帯機器。
【請求項２】
携帯機器の不揮発性メモリに格納されている電話帳の登録データをテキストデータとしてメールにて送信する手段と、メールを受信する手段と、受信したテキストデータを前記電話帳の登録データとして前記不揮発性メモリに登録する手段とを具備することを特徴とする携帯機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、携帯機器に関し、特に、携帯電話などの携帯機器に登録されている電話帳などのメモリデータをメールで送受信して登録する携帯機器に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記問題を解決するために、本発明では、携帯機器を、携帯機器の不揮発性メモリに格納されている電話帳の登録データをメールにて送信する手段と、メールを受信する手段と、受信したデータを携帯機器の不揮発性メモリに登録する手段とを具備する構成とした。このように構成したことにより、携帯機器に登録されたメモリデータを容易に他の携帯機器に登録できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、携帯機器を、携帯機器の不揮発性メモリに格納されている電話帳の登録データをテキストデータとしてメールにて送信する手段と、メールを受信する手段と、受信したテキストデータを電話帳の登録データとして不揮発性メモリに登録する手段とを具備する構成とした。このように構成したことにより、メモリデータを文字化けすることなく受信して登録できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、携帯機器の不揮発性メモリに格納されている電話帳の登録データをメールにて送信する手段と、メールを受信する手段と、受信したデータを前記携帯機器の前記不揮発性メモリに登録する手段とを具備する携帯機器であり、携帯機器のメモリデータをメールサービスにより転送して登録するという作用を有する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の請求項２に記載の発明は、携帯機器の不揮発性メモリに格納されている電話帳の登録データをテキストデータとしてメールにて送信する手段と、メールを受信する手段と、受信したテキストデータを前記電話帳の登録データとして前記不揮発性メモリに登録する手段とを具備する携帯機器であり、メモリデータを文字化けすることなく受信できるという作用を有する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月1日(2005.7.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各々異なる基地局識別信号を送信する複数の基地局と、
該基地局に無線回線を解して接続される移動局とを含む無線通信システムにおいて、
上記移動局に、前方アンテナと、
該前方アンテナから後方に配置された後方アンテナと、
前方アンテナで受信した信号を復調する第１の受信機と、
後方アンテナで受信した信号を復調する第２の受信機と、
該第１の受信機の出力と第２の受信機の出力とを切り替え制御する切替制御部とを具備し、
該切替制御部は、第１と第２の受信機で同一の基地局識別信号を受信したときはダイバーシティ受信を行うように制御し、
何れかの受信機が受信不能になった場合は、もう一方の受信機出力を選択し、
第１と第２の受信機で異なる基地局識別信号を受信した場合は、予め定めた一方の受信機出力を選択するように構成したことを特徴とする無線通信システム。
【請求項２】
請求項１記載の無線通信システムにおいて、
上記移動局の前方アンテナと後方アンテナ間の距離を、
当該無線通信システムにおける移動局の受信不能な区間長と、
移動局で上記基地局識別信号を検出するための時間を距離換算した距離とを合わせた距離以上に長く設定したことを特徴とする無線通信システム。
【請求項３】
請求項１記載の無線通信システムにおいて、
上記複数の基地局は、それぞれ異なるＬＣＸケーブルに接続され、
該ＬＣＸケーブルを介して上記移動局と通信を行うように構成したことを特徴とする無線通信システム。
【請求項４】
各々異なる基地局識別信号を送信する複数の基地局と、
該基地局に無線回線を介して接続され、前方にある第１のアンテナと後方にある第２のアンテナの少なくとも２つのアンテナを有する移動局とを含む無線通信システムの出力選択方法であって、
該出力選択方法は、上記前方アンテナで受信した信号を復調する第１の復調ステップと、
上記後方アンテナで受信した信号を復調する第２の復調ステップと、
該第１と第２のステップによって復調された信号を比較する比較ステップと、
該比較ステップによって得られた結果から各アンテナの受信信号を出力するか、またはダイバーシティ出力に切り替える切替ステップからなることを特徴とした無線通信システムの出力選択方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月8日(2005.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号を直交変換処理して係数データを生成する直交変換手段と、
前記係数データに入力データを埋め込んで出力する入力データ処理手段と、
前記入力データ処理手段の出力データを逆直交変換処理して出力する逆直交変換手段とを備えることを特徴とする信号処理装置。
【請求項２】
前記入力信号は、
オーディオ信号であり、
前記直交変換手段は、
前記入力信号を改良離散コサイン変換処理して周波数スペクトラムデータによる前記係数データを生成する改良離散コサイン変換処理手段であり、
前記逆直交変換手段は、
前記周波数スペクトラムデータによる前記係数データを逆改良離散コサイン変換処理する逆改良離散コサイン変換処理手段であることを特徴とする請求項１に記載の信号処理装置。
【請求項３】
所定の入力信号を記録した記録媒体において、
前記入力信号を直交変換処理して係数データを生成した後、前記係数データに入力データを埋め込んで逆直交変換処理して元の前記入力信号に変換し、該入力信号を記録したことを特徴とする記録媒体。
【請求項４】
前記入力信号は、
オーディオ信号であり、
前記直交変換処理は、
前記入力信号を改良離散コサイン変換処理して周波数スペクトラムデータによる前記係数データを生成する改良離散コサイン変換処理であり、
前記逆直交変換処理は、
前記周波数スペクトラムデータによる前記係数データを逆改良離散コサイン変換処理する逆改良離散コサイン変換処理であることを特徴とする請求項３に記載の記録媒体。
【請求項５】
入力信号を直交変換処理して係数データを生成する直交変換手段と、
前記係数データより前記入力信号に埋め込まれたデータを再生するデータ再生手段とを備えることを特徴とする信号処理装置。
【請求項６】
入力信号を直交変換処理して係数データを生成し、
前記係数データに入力データを埋め込んだ後、逆直交変換処理して出力することを特徴とする信号処理方法。
【請求項７】
前記係数データのうちの、所定の係数データの所定ビットを前記入力データの論理値に対応した論理値に設定することにより、前記係数データに前記入力データを埋め込むことを特徴とする請求項６に記載の信号処理方法。
【請求項８】
前記係数データのうちの、所定の係数データの所定ビットを前記入力データの論理値に対応した論理値に設定すると共に、少なくとも最下位ビットに対する加算及び減算により前記所定ビットの論理値が変化しないように、前記所定ビットより下位ビットの論理値を設定することにより、前記係数データに前記入力データを埋め込むことを特徴とする請求項６に記載の信号処理方法。
【請求項９】
前記入力信号は、
オーディオ信号であり、
前記直交変換処理は、
前記入力信号を改良離散コサイン変換処理して周波数スペクトラムデータによる前記係数データを生成する改良離散コサイン変換処理であり、
前記逆直交変換処理は、
前記周波数スペクトラムデータによる前記係数データを逆改良離散コサイン変換処理する逆改良離散コサイン変換処理であることを特徴とする請求項６に記載の信号処理方法。
【請求項１０】
前記周波数スペクトラムデータのうちの所定の周波数スペクトラム近傍の複数のスペクトラム値の２乗和のデータにおいて、所定ビットが前記入力データの論理値に対応した論理値になるように、前記周波数スペクトラムデータに前記入力データを埋め込むことを特徴とする請求項９に記載の信号処理方法。
【請求項１１】
前記周波数スペクトラムデータのうちの所定の周波数スペクトラム近傍の複数のスペクトラム値の２乗和のデータを検出し、
前記２乗和のデータにおいて、所定ビットを前記入力データの論理値に対応した論理値に設定して前記２乗和の補正データを生成し、
前記２乗和の補正データに応じて、前記複数のスペクトラム値を補正することにより、前記周波数スペクトラムデータに前記入力データを埋め込むことを特徴とする請求項９に記載の信号処理方法。
【請求項１２】
前記周波数スペクトラムデータのうちの所定の周波数スペクトラム近傍の複数のスペクトラム値の２乗和のデータを検出し、
前記２乗和のデータにおいて、所定ビットを前記入力データの論理値に対応した論理値に設定すると共に、少なくとも最下位ビットに対する加算及び減算により前記所定ビットの論理値が変化しないように、前記所定ビットより下位ビットの論理値を設定して前記２乗和の補正データを生成し、
前記２乗和の補正データに応じて、前記複数のスペクトラム値を補正することにより、前記周波数スペクトラムデータに前記入力データを埋め込むことを特徴とする請求項９に記載の信号処理方法。
【請求項１３】
入力信号を直交変換処理して係数データを生成し、
前記係数データより前記入力信号に埋め込まれたデータを再生することを特徴とする信号処理方法。
【請求項１４】
前記係数データのうちの、所定の係数データの所定ビットを検出することにより、前記入力信号に埋め込まれたデータを再生することを特徴とする請求項１３に記載の信号処理方法。
【請求項１５】
前記入力信号は、
オーディオ信号であり、
前記直交変換処理は、
前記入力信号を改良離散コサイン変換処理して周波数スペクトラムデータによる前記係数データを生成する改良離散コサイン変換処理であることを特徴とする請求項１３に記載の信号処理方法。
【請求項１６】
前記周波数スペクトラムデータのうちの所定の周波数スペクトラム近傍の複数のスペクトラム値の２乗和のデータを検出し、前記入力信号に埋め込まれたデータを再生することを特徴とする請求項１５に記載の信号処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月8日(2005.3.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号を直交変換して係数データを生成する直交変換手段と、
前記係数データのうちの所定の係数データに入力データを埋め込んで前記係数データの補正データを生成する係数データ処理手段と、
前記係数データの補正データを符号化処理する符号化手段とを備えることを特徴とする信号処理装置。
【請求項２】
入力信号を復号化して係数データを出力する復号手段と、
前記係数データに埋め込まれた所定のデータを検出する係数データ処理手段と、
前記係数データを逆直交変換処理して出力する逆直交変換手段とを備えることを特徴とする信号処理装置。
【請求項３】
入力信号を直交変換処理して生成した係数データのうちの、所定の係数データに入力データを埋め込んで前記係数データの補正データを生成した後、前記係数データの補正データを符号化処理して記録したことを特徴とする記録媒体。
【請求項４】
入力信号を直交変換処理して係数データを生成し、
前記係数データのうちの所定の係数データに入力データを埋め込んで前記係数データの補正データを生成し、
前記係数データの補正データを符号化処理することを特徴とする信号処理方法。
【請求項５】
前記入力信号は、
オーディオ信号であり、
前記直交変換処理は、
前記入力信号を改良離散コサイン変換処理して周波数スペクトラムデータによる前記係数データを生成し、
前記符号化処理は、
前記周波数スペクトラムデータによる係数データを適応符号化処理することを特徴とする請求項４に記載の信号処理方法。
【請求項６】
前記入力信号は、
オーディオ信号であり、
前記信号処理方法は、
前記オーディオ信号を所定の前処理により信号処理して前記直交変換処理し、
前記前処理は、
前記オーディオ信号を帯域分割して出力し、
前記直交変換処理は、
前記前処理による各帯域のオーディオ信号毎に、改良離散コサイン変換処理による直交変換処理であり、
前記符号化処理は、
周波数スペクトラムデータによる係数データを適応符号化処理することを特徴とする請求項４に記載の信号処理方法。
【請求項７】
前記入力信号は、
オーディオ信号であり、
前記信号処理方法は、
前記オーディオ信号を所定の前処理により信号処理して前記直交変換処理し、
前記前処理は、
前記オーディオ信号を帯域分割すると共に信号レベルを補正し、
前記直交変換処理は、
前記信号処理による各帯域のオーディオ信号毎に、改良離散コサイン変換処理による直交変換処理であり、
前記符号化処理は、
周波数スペクトラムデータによる係数データを適応符号化処理することを特徴とする請求項４に記載の信号処理方法。
【請求項８】
前記所定の係数データが連続して所定値以上の場合に、前記入力データを埋め込むことを特徴とする請求項４に記載の信号処理方法。
【請求項９】
入力信号を復号化して係数データを生成し、
前記係数データに埋め込まれた所定のデータを検出すると共に、前記係数データを逆直交変換処理して出力することを特徴とする信号処理方法。
【請求項１０】
前記逆直交変換処理は、
前記係数データを逆改良離散コサイン変換してオーディオ信号を出力する処理であることを特徴とする請求項９に記載の信号処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月7日(2004.7.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記第２の期間をクロックのカウント数により求め、該カウント数の設計値と実際値の比率に基づいて、以後の前記第２の積分定数により行う積分期間を求めるクロックの周期を調整することを特徴とする請求項１に記載の積分型Ａ／Ｄ変換校正方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記クロックを発生させる発振器の出力側に分周器を設け、該分周器の出力クロックのカウント数により前記第１及び第２の期間を求め、それ以後の前記第２の積分定数により行う積分期間のカウントを行うとき、前記分周器の分周比として前記第２の期間のカウント値を使用することを特徴とする請求項２に記載の積分型Ａ／Ｄ変換校正方法。