【手続補正書】
【提出日】平成16年5月18日(2004.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機高分子からなる絶縁層の少なくとも一面に配線を形成する配線形成方法であって、（ａ）シート状の金属材の粗面化処理された面側に、有機高分子からなる絶縁層を形成する工程と、（ｂ）シート状の金属材をエッチング除去する工程と、（ｃ）絶縁層のシート状の金属材と接していた側の面にアディティブ法により金属配線を形成するための下地導電薄膜層を形成する工程と、（ｄ）下地導電薄膜層上にアディティブ法により金属配線を形成する工程と、（ｅ）金属配線形成領域以外の下地導電薄膜層をエッチング除去する工程とを、有することを特徴とする配線形成方法。
【請求項２】
請求項１において、シート状の金属材の粗面化処理された面側に、有機高分子からなる絶縁層を形成する工程は、キャスティングによることを特徴とする配線形成方法。
【請求項３】
請求項１ないし２におけるシート状の金属材が、金属箔であることを特徴とする配線形成方法。
【請求項４】
請求項１ないし３における有機高分子がポリイミドからなることを特徴とする配線形成方法。
【請求項５】
請求項１ないし４におけるシート状の金属材の粗面化処理は、粗面化された面のＪＩＳ  Ｂ０６０１の中心線平均粗さＲａが０．５〜２μｍで、十点平均粗さＲｚが５〜１０μｍであることを特徴とする配線形成方法。
【請求項６】
請求項１ないし５において、シート状の金属材をエッチング除去した後に、絶縁層のシート状の金属材と接していた側の面に改質処理を施してから、金属配線を形成するための下地導電薄膜層を形成することを特徴とする配線形成方法。
【請求項７】
配線をアディディブ法により形成するためにその一面を粗化した有機高分子からなる絶縁層を供給するための基板で、シート状の金属材の粗面化処理された面側に、有機高分子からなる絶縁層を設けたものであり、前記シート状の金属材の粗面化処理は、粗面化された面のＪＩＳＢ０６０１の中心線平均粗さＲａが０．５〜２μｍで、十点平均粗さＲｚが５〜１０μｍであることを特徴とする２層基板。
【請求項８】
請求項７において、キャスティングにより、シート状の金属材の粗面化処理された面側に、有機高分子からなる絶縁層を設けたものであることを特徴とする２層基板。
【請求項９】
請求項７ないし８におけるシート状の金属材が、金属箔であることを特徴とする２層基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明の配線形成方法は、有機高分子からなる絶縁層の少なくとも一面に配線を形成する配線形成方法であって、（ａ）シート状の金属材の粗面化処理された面側に、有機高分子からなる絶縁層を形成する工程と、（ｂ）シート状の金属材をエッチング除去する工程と、（ｃ）絶縁層のシート状の金属材と接していた側の面にアディティブ法により金属配線を形成するための下地導電薄膜層を形成する工程と、（ｄ）下地導電薄膜層上にアディティブ法により金属配線を形成する工程と、（ｅ）金属配線形成領域以外の下地導電薄膜層をエッチング除去する工程とを有することを特徴とするものである。
そして、上記において、シート状の金属材の粗面化処理された面側に、有機高分子からなる絶縁層を形成する工程は、キャスティングによることを特徴とするものである。
そしてまた、上記におけるシート状の金属材が、金属箔であることを特徴とするものである。
また、上記における有機高分子がポリイミドからなることを特徴とするものである。
また、上記におけるシート状の金属材の粗面化処理は、粗面化された面のＪＩＳ  Ｂ０６０１の中心線平均粗さＲａが０．５〜２μｍで、十点平均粗さＲｚが５〜１０μｍであることを特徴とするものである。
また、上記において、シート状の金属材をエッチング除去した後に、絶縁層のシート状の金属材と接していた側の面に改質処理を施してから、金属配線を形成するための下地導電薄膜層を形成することを特徴とするものである。
尚、ここで言う改質処理とは、物理的に表面粗さを変えることではなく、化学的に変質させ、ヌレ性を上げる処理である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の２層基板は、配線をアディディブ法により形成するためにその一面を粗化した有機高分子からなる絶縁層を供給するための基板で、シート状の金属材の粗面化処理された面側に、有機高分子からなる絶縁層を設けたものであり、前記シート状の金属材の粗面化処理は、粗面化された面のたものであり、前記シート状の金属材の粗面化処理は、粗面化された面のＪＩＳＢ０６０１の中心線平均粗さＲａが０．５〜２μｍで、十点平均粗さＲｚが５〜１０μｍであることを特徴とするものである。
そして、上記において、キャスティングにより、シート状の金属材の粗面化処理された面側に、有機高分子からなる絶縁層を設けたものであることを特徴とするものである。
そしてまた、上記におけるシート状の金属材が、金属箔であることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【作用】
本発明の配線形成方法は、このような構成にすることにより、配線と絶縁層との密着性に優れ、且つ、微細配線を可能とする、配線形成方法の提供を可能としている。同時に、これを低コストで達成できるものとしている。
具体的には、（ａ）シート状の金属材の粗面化処理された面側に、有機高分子からなる絶縁層を形成する工程と、（ｂ）シート状の金属材をエッチング除去する工程と、（ｃ）絶縁層のシート状の金属材と接していた側の面にアディティブ法により金属配線を形成するための下地導電薄膜層を形成する工程と、（ｄ）下地導電薄膜層上にアディティブ法により金属配線を形成する工程と、（ｅ）金属配線以外の下地導電薄膜層をエッチング除去する工程とを有することにより、これを達成している。
更に具体的には、シート状の金属材の粗面化処理された面側に、キャスティングにて、有機高分子からなる絶縁層を形成することにより、絶縁層の、シート状の金属材側面を、金属材の粗面化処理面に合わせた粗面形状として作成するものであり、更に、絶縁層の粗面形状とした側の面上に、下地導電薄膜層を介して金属配線を形成するため、絶縁層上の配線部は密着性が良いもとなり、結果、このような本発明の配線形成方法においては、図５に示す３層基板を用い、その銅層から配線部を形成した場合と、同程度以上の密着力を持つ配線を形成することができる。
尚、絶縁層上に下地導電薄膜層を設ける際、改質処理を絶縁層面に施さなくても、密着性に優れた配線部を形成できるため、この場合には、配線基板の製造コストを低く抑えることができる。
また、有機高分子からなる絶縁層にアディテイブ法により金属配線を形成するため、微細配線を可能としている。
そして、シート状の金属材として金属箔を用いることにより、金属配線形成領域以外の下地導電薄膜層をエッチング除去する際に、エッチングを容易なものとしている。
有機高分子がポリイミドからなることにより、耐熱性、屈曲性、耐マイグレーション性、ボンディング性の特性に優れる、接着剤層を含まない銅、ポリイミド等の２層配線基板が提供できる。
シート状の金属材の粗面化処理は、粗面化された面のＪＩＳ  Ｂ０６０１の中心線平均粗さＲａが０．５〜２μｍで、十点平均粗さＲｚが５〜１０μｍであることにより、特に、金属配線の密着性を良いものとしている。
更に、配線基板材料の租面化処理されたシート状の金属材をエッチング除去した後に露出した有機高分子表面を改質処理することにより、より配線の密着力の高い銅、ポリイミド等の２層配線基板が提供できる。
尚、言うまでもなく、このようにして作製された２層配線基板を更に複数枚重ねてた配線基板を作製することもできる。