【手続補正書】
【提出日】平成17年7月6日(2005.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第１の薄膜トランジスタと、第２の薄膜トランジスタと、発光素子とを有し、
前記第１の薄膜トランジスタ及び前記第２の薄膜トランジスタは、第１の電極と、前記第１の電極に接する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に接する半導体膜と、前記半導体膜に接する第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜に接する第２の電極とをそれぞれ有しており、
前記第１の配線を覆って前記第１の絶縁膜が形成されており、前記第２の絶縁膜上に前記第２の配線及び前記第３の配線が形成されており、前記第２の配線及び前記第３の配線を覆って第３の絶縁膜が形成されており、前記第３の絶縁膜上に前記第４の配線が形成されており、
前記第１の配線と、前記第１の薄膜トランジスタの前記第１の電極とが接続されており、
前記第２の配線と、前記第１の薄膜トランジスタの前記第２の電極とが接続されており、
前記第１の薄膜トランジスタの前記半導体膜が有する２つの不純物領域は、一方は前記第３の配線に、他方は前記第２の薄膜トランジスタの前記第１の電極及び前記第２の電極に接続されており、
前記第２の薄膜トランジスタの前記半導体膜が有する２つの不純物領域は、一方は前記第４の配線に、他方は前記発光素子が有する画素電極に接続されており、
前記半導体膜は前記２つの不純物領域に挟まれたチャネル形成領域を有しており、
前記第１の電極と前記第２の電極は、前記チャネル形成領域を間に挟んで重なり合っており、
前記第１の絶縁膜の前記第１の電極と重なっている部分における厚さｄ１と、前記第２の絶縁膜の前記第２の電極と重なっている部分における厚さｄ２は、｜ｄ１−ｄ２｜／ｄ１≦０．０５であり、かつ、｜ｄ１−ｄ２｜／ｄ２≦０．０５であることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
隣り合う前記第２の配線は、前記第３の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第３の絶縁膜上に形成された第５の配線に共に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第１の薄膜トランジスタと、第２の薄膜トランジスタと、発光素子とを有し、
前記第１の薄膜トランジスタ及び前記第２の薄膜トランジスタは、第１の電極と、前記第１の電極に接する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に接する半導体膜と、前記半導体膜に接する第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜に接する第２の電極とをそれぞれ有しており、
前記第１の配線を覆って前記第１の絶縁膜が形成されており、前記第２の絶縁膜上に前記第３の配線及び前記第４の配線が形成されており、前記第３の配線及び前記第４の配線を覆って第３の絶縁膜が形成されており、前記第３の絶縁膜上に前記第２の配線が形成されており、
前記第１の配線と、前記第１の薄膜トランジスタの前記第１の電極とが接続されており、
前記第２の配線と、前記第１の薄膜トランジスタの前記第２の電極とが接続されており、
前記第１の薄膜トランジスタの前記半導体膜が有する２つの不純物領域は、一方は前記第３の配線に、他方は前記第２の薄膜トランジスタの前記第１の電極及び前記第２の電極に接続されており、
前記第２の薄膜トランジスタの前記半導体膜が有する２つの不純物領域は、一方は前記第４の配線に、他方は前記発光素子が有する画素電極に接続されており、
前記半導体膜は前記２つの不純物領域に挟まれたチャネル形成領域を有しており、
前記第１の電極と前記第２の電極は、前記チャネル形成領域を間に挟んで重なり合っており、
前記第１の絶縁膜の前記第１の電極と重なっている部分における厚さｄ１と、前記第２の絶縁膜の前記第２の電極と重なっている部分における厚さｄ２は、｜ｄ１−ｄ２｜／ｄ１≦０．０５であり、かつ、｜ｄ１−ｄ２｜／ｄ２≦０．０５であることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第１の薄膜トランジスタと、第２の薄膜トランジスタと、発光素子とを有し、
前記第１の薄膜トランジスタ及び前記第２の薄膜トランジスタは、第１の電極と、前記第１の電極に接する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に接する半導体膜と、前記半導体膜に接する第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜に接する第２の電極とをそれぞれ有しており、
前記第１の配線を覆って前記第１の絶縁膜が形成されており、前記第２の絶縁膜上に前記第３の配線が形成されており、前記第３の配線を覆って第３の絶縁膜が形成されており、前記第３の絶縁膜上に前記第２の配線及び前記第４の配線が形成されており、
前記第１の配線と、前記第１の薄膜トランジスタの前記第１の電極とが接続されており、
前記第２の配線と、前記第１の薄膜トランジスタの前記第２の電極とが接続されており、
前記第１の薄膜トランジスタの前記半導体膜が有する２つの不純物領域は、一方は前記第３の配線に、他方は前記第２の薄膜トランジスタの前記第１の電極及び前記第２の電極に接続されており、
前記第２の薄膜トランジスタの前記半導体膜が有する２つの不純物領域は、一方は前記第４の配線に、他方は前記発光素子が有する画素電極に接続されており、
前記半導体膜は前記２つの不純物領域に挟まれたチャネル形成領域を有しており、
前記第１の電極と前記第２の電極は、前記チャネル形成領域を間に挟んで重なり合っており、
前記第１の絶縁膜の前記第１の電極と重なっている部分における厚さｄ１と、前記第２の絶縁膜の前記第２の電極と重なっている部分における厚さｄ２は、｜ｄ１−ｄ２｜／ｄ１≦０．０５であり、かつ、｜ｄ１−ｄ２｜／ｄ２≦０．０５であることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項４において、
隣り合う前記第２の配線は、前記第３の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第２の絶縁膜上に形成された第５の配線に共に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第１の薄膜トランジスタと、第２の薄膜トランジスタと、発光素子とを有し、
前記第１の薄膜トランジスタ及び前記第２の薄膜トランジスタは、第１の電極と、前記第１の電極に接する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に接する半導体膜と、前記半導体膜に接する第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜に接する第２の電極とをそれぞれ有しており、
前記第１の配線及び前記第４の配線を覆って前記第１の絶縁膜が形成されており、前記第２の絶縁膜上に前記第３の配線が形成されており、前記第３の配線を覆って第３の絶縁膜が形成されており、前記第３の絶縁膜上に前記第２の配線が形成されており、
前記第１の配線と、前記第１の薄膜トランジスタの前記第１の電極とが接続されており、
前記第２の配線と、前記第１の薄膜トランジスタの前記第２の電極とが接続されており、
前記第１の薄膜トランジスタの前記半導体膜が有する２つの不純物領域は、一方は前記第３の配線に、他方は前記第２の薄膜トランジスタの前記第１の電極及び前記第２の電極に接続されており、
前記第２の薄膜トランジスタの前記半導体膜が有する２つの不純物領域は、一方は前記第４の配線に、他方は前記発光素子が有する画素電極に接続されており、
前記半導体膜は前記２つの不純物領域に挟まれたチャネル形成領域を有しており、
前記第１の電極と前記第２の電極は、前記チャネル形成領域を間に挟んで重なり合っており、
前記第１の絶縁膜の前記第１の電極と重なっている部分における厚さｄ１と、前記第２の絶縁膜の前記第２の電極と重なっている部分における厚さｄ２は、｜ｄ１−ｄ２｜／ｄ１≦０．０５であり、かつ、｜ｄ１−ｄ２｜／ｄ２≦０．０５であることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項６において、
隣り合う前記第４の配線は、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第２の絶縁膜上に形成された第５の配線に共に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
第１の配線と、第２の配線と、第３の配線と、第４の配線と、第１の薄膜トランジスタと、第２の薄膜トランジスタと、発光素子とを有し、
前記第１の薄膜トランジスタ及び前記第２の薄膜トランジスタは、第１の電極と、前記第１の電極に接する第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜に接する半導体膜と、前記半導体膜に接する第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜に接する第２の電極とをそれぞれ有しており、
前記第１の配線を覆って前記第１の絶縁膜が形成されており、前記第２の絶縁膜上に前記第２の配線及び前記第３の配線が形成されており、前記第２の配線及び前記第３の配線を覆って第３の絶縁膜が形成されており、前記第３の絶縁膜上に前記第４の配線が形成されており、
前記第１の配線と、前記第１の薄膜トランジスタ及び前記第２の薄膜トランジスタの前記第１の電極とが接続されており、
前記第２の配線と、前記第１の薄膜トランジスタの前記第２の電極とが接続されており、
前記第１の薄膜トランジスタの前記半導体膜が有する２つの不純物領域は、一方は前記第３の配線に、他方は前記第２の薄膜トランジスタの前記第２の電極に接続されており、
前記第２の薄膜トランジスタの前記半導体膜が有する２つの不純物領域は、一方は前記第４の配線に、他方は前記発光素子が有する画素電極に接続されており、
前記半導体膜は前記２つの不純物領域に挟まれたチャネル形成領域を有しており、
前記第１の電極と前記第２の電極は、前記チャネル形成領域を間に挟んで重なり合っており、
前記第１の絶縁膜の前記第１の電極と重なっている部分における厚さｄ１と、前記第２の絶縁膜の前記第２の電極と重なっている部分における厚さｄ２は、｜ｄ１−ｄ２｜／ｄ１≦０．０５であり、かつ、｜ｄ１−ｄ２｜／ｄ２≦０．０５であることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項８において、
隣り合う前記第２の配線は、前記第３の絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記第３の絶縁膜上に形成された第５の配線に共に接続されていることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項において、
前記第１の薄膜トランジスタの前記半導体膜が有する２つの不純物領域は、一方は前記第３の絶縁膜上に形成された第６の配線に、他方は前記第３の絶縁膜上に形成された第７の配線に、前記第２の絶縁膜及び前記第３の絶縁膜に形成された第２のコンタクトホールを介して接続されており、
前記第６の配線は、前記第３の絶縁膜に形成された第３のコンタクトホールを介して前記第３の配線に接続されており、
前記第７の配線は、前記第３の絶縁膜に形成された第４のコンタクトホールを介して前記第２の薄膜トランジスタの前記第２の電極に接続されており、
前記第２の薄膜トランジスタの前記第２の電極は、前記第２の絶縁膜に形成された第５のコンタクトホールを介して前記第２の薄膜トランジスタの前記第１の電極に接続されており、
前記半導体膜は前記２つの不純物領域に挟まれたチャネル形成領域を有しており、
前記第１の電極と前記第２の電極は、前記チャネル形成領域を間に挟んで重なり合っており、
前記第１の絶縁膜の前記第１の電極と重なっている部分における厚さｄ１と、前記第２の絶縁膜の前記第２の電極と重なっている部分における厚さｄ２は、｜ｄ１−ｄ２｜／ｄ１≦０．０５であり、かつ、｜ｄ１−ｄ２｜／ｄ２≦０．０５であることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項において、
前記第１の絶縁膜は、化学的機械研磨により平坦化されていることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか１項において、
前記第１の絶縁膜は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜又は酸化窒化シリコン膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１２のいずれか１項において、
前記第１の絶縁膜は２層構造であり、その１層目として１０ｎｍ以下の窒化シリコン膜を用いることを特徴とする発光装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか１項において、
前記第２の絶縁膜は、シリコンを含む絶縁膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか１項において、
前記第２の絶縁膜の厚さは、４０ｎｍ〜１５０ｎｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の発光装置を備えた電子機器。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の発光装置を表示部に用いた表示装置。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の発光装置を表示部に用いたデジタルスチルカメラ。
【請求項１９】
請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の発光装置を表示部に用いたパーソナルコンピュータ。
【請求項２０】
請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の発光装置を表示部に用いたモバイルコンピュータ。
【請求項２１】
請求項１乃至請求項１５のいずれか１項に記載の発光装置を表示部に用いた携帯電話機。