(57)【要約】      （修正有）【課題】ビア導体内の応力を良好に分散させることが求められている。【解決手段】一実施形態にかかる配線基板は、下地層７ａｘと下地層７ａｘの上面から突出する突出部７ａｙとを有する第一導電層７ａと、下地層７ａｘ及び突出部７ａｙを被覆するように、第一導電層７ａ上に位置する絶縁層６と、絶縁層６上に位置する第二導電層７ｂと、絶縁層６内に形成され、第一導電層７ａの突出部７ａｙと第二導電層７ｂとを接続するビア導体１０と、を備え、第一導電層７ａの突出部７ａｙは、その上部側面から下地層７ａｘの上面に沿った方向に張り出すとともに下地層７ａｘの上面から絶縁層６を介して離間する張り出し部７ａｚを有し、ビア導体１０と張り出し部７ａｚとの間、並びに張り出し部７ａｚと張り出し部７ａｚ下方の突出部７ａｙとの間に、窪んでなる角部７ａｖを有することを特徴とする。【選択図】図３
2010034258.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下地層と該下地層の上面から突出する突出部とを有する第一導電層と、
前記下地層及び前記突出部を被覆するように、前記第一導電層上に位置する絶縁層と、
前記絶縁層上に位置する第二導電層と、
前記絶縁層内に形成され、前記第一導電層の前記突出部と前記第二導電層とを接続するビア導体と、を備え、
前記第一導電層の前記突出部は、その上部側面から前記下地層の上面に沿った方向に張り出すとともに前記下地層の上面から前記絶縁層を介して離間する張り出し部を有し、
前記ビア導体と前記張り出し部との間、並びに前記張り出し部と前記張り出し部下方の前記突出部との間に、窪んでなる角部を有することを特徴とする配線基板
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板において、
前記第二導電層の下面と前記張り出し部の上面との距離が、前記張り出し部が張り出す方向に向かって、大きくなるように、前記張り出し部の上面が、前記第二導電層の下面に対して傾斜していることを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１に記載の配線基板において、
前記張り出し部と前記張り出し部下方の前記突出部との間に位置する前記角部が、曲面を有することを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１に記載の配線基板において、
前記張り出し部下方の前記突出部の断面積は、前記下地層から前記張り出し部に向かって小さくなっていることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
下地層と該下地層の上面から突出する突出部とを有する第一導電層と、前記下地層及び前記突出部を被覆するように、前記第一導電層上に位置する絶縁層と、前記絶縁層上に位置する第二導電層と、前記絶縁層内に形成され、前記第一導電層の前記突出部と前記第二導電層とを接続するビア導体と、を備えた配線基板と、
前記配線基板上に実装され、前記第一導電層及び前記第二導電層と電気的に接続された電子部品と、
を具備し、
前記第一導電層の前記突出部は、その上部側面から前記下地層の上面に沿った方向に張り出すとともに前記下地層の上面から前記絶縁層を介して離間する張り出し部を有し、
前記ビア導体と前記張り出し部との間、並びに前記張り出し部と前記張り出し部下方の前記突出部との間に、窪んでなる角部を有することを特徴とする実装構造体。
【請求項６】
下地層と該下地層の上面から突出する突出部とを有する第一導電層を準備する工程と、
前記下地層及び前記突出部を被覆するように、前記第一導電層上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層にビア孔を形成し、該ビア孔内に前記突出部の一部を露出させる工程と、
前記ビア孔内に前記突出部と接続するビア導体を形成する工程と、
前記絶縁層上に前記ビア導体と接続する第二導電層を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の配線基板の製造方法において、
前記第一導電層を準備する工程は、
前記下地層を準備する工程と、
前記下地層上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層間に露出する前記下地層上に前記突出部を形成する工程と、
前記レジスト層を除去する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の配線基板の製造方法において、
前記突出部を形成する工程では、
前記突出部の一部が前記レジスト層の上面に形成されるように、前記突出部を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器に使用される配線基板と、かかる配線基板に電子部品を実装した実装構造体と、かかる配線基板の製造方法に関するものである。かかる電子機器は、各種オーディオビジュアル機器、家電機器、通信機器、コンピュータ機器又はその周辺機器等である。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＩＣ（Integrated Circuit）又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の半導体素子又はコンデンサ等の電子部品が実装される配線基板が知られている。
【０００３】
かかる配線基板は、第一導電層と、前記第一導電層上に位置する絶縁層と、前記絶縁層上に位置する第二導電層と、前記絶縁層内に形成され、第一導電層と第二導電層とを接続するビア導体と、を備えた構成が知られている。ビア導体については、特許文献１に、中央部位の断面積がその上部及び下部の断面積よりも小さいビア導体が記載されている。
【０００４】
ところで、絶縁層はビア導体より熱膨張率が高いため、電子部品を配線基板に実装する際に行われるはんだリフローの加熱又は電子部品の発熱等により配線基板に熱が印加されると、絶縁層はビア導体に比べ上下方向に大きく熱膨張する。一方、絶縁層は第一導電層及び第二導電層の双方に接触しており、ビア導体は第一導電層及び第二導電層の双方に接続している。それ故、絶縁層の上下方向への熱膨張により、絶縁層の上面に形成された第一導電層が上方に、絶縁層の下面に形成された第二導電層が下方に、それぞれ押圧され、該押圧力により、ビア導体に上下方向への引っ張り応力が加わる。かかる引っ張り応力はビア導体の中央部位に集中する傾向にあるため、中央部位にてビア導体にクラックが生じ、配線基板の電気的信頼性が低下しやすくなる。
【特許文献１】特開２００６−２５３１８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このため、ビア導体内の応力を良好に分散させることが求められており、本発明はかかる要求に応える配線基板、実装構造体及び配線基板の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一形態にかかる配線基板は、下地層と下地層の上面から突出する突出部とを有する第一導電層と、下地層及び突出部を被覆するように、第一導電層上に位置する絶縁層と、絶縁層上に位置する第二導電層と、絶縁層内に形成され、第一導電層の突出部と第二導電層とを接続するビア導体と、を備え、第一導電層の突出部は、その上部側面から下地層の上面に沿った方向に張り出すとともに下地層の上面から絶縁層を介して離間する張り出し部を有し、前記ビア導体と前記張り出し部との間、並びに前記張り出し部と前記張り出し部下方の前記突出部との間に、窪んでなる角部を有することを特徴とする。
【０００７】
本発明の一形態にかかる実装構造体は、下地層と下地層の上面から突出する突出部とを有する第一導電層と、下地層及び突出部を被覆するように、第一導電層上に位置する絶縁層と、絶縁層上に位置する第二導電層と、絶縁層内に形成され、第一導電層の突出部と第二導電層とを接続するビア導体と、を備えた配線基板と、配線基板上に実装され、第一導電層及び第二導電層と電気的に接続された電子部品と、を具備し、第一導電層の突出部は、その上部側面から下地層の上面に沿った方向に張り出すとともに下地層の上面から絶縁層を介して離間する張り出し部を有し、前記ビア導体と前記張り出し部との間、並びに前記張り出し部と前記張り出し部下方の前記突出部との間に、窪んでなる角部を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明の一形態にかかる配線基板の製造方法は、下地層と該下地層の上面から突出する突出部とを有する第一導電層を準備する工程と、前記下地層及び前記突出部を被覆するように、前記第一導電層上に絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層にビア孔を形成し、該ビア孔内に前記突出部の一部を露出させる工程と、前記ビア孔内に前記突出部と接続するビア導体を形成する工程と、前記絶縁層上に前記ビア導体と接続する第二導電層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一形態にかかる配線基板、実装構造体及び配線基板の製造方法によれば、ビア導体に印加される応力を分散できる。その結果、電気的信頼性に優れた配線基板及び実装構造体を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に、本発明の実施形態にかかる配線基板を含む実装構造体を図１及び図２に基づいて詳細に説明する。
【００１１】
図１及び図２に示す実装構造体１は、配線基板２と、配線基板２の上面にバンプ３を介してフリップチップ実装された電子部品４と、を含んで構成されている。
【００１２】
配線基板２は、基体５と、基体５の上面及び下面に積層された複数の絶縁層６と、絶縁層６の上面及び下面に配置された複数の導電層７と、を含んで構成されている。
【００１３】
また、基体５は、上下方向（Ｚ方向）に貫通するスルーホールＳが形成されている。スルーホールＳの内壁には、スルーホール導体８が形成されている。スルーホール導体８は、基体５の上面及び下面に形成された導電層７同士を電気的に接続している。スルーホール導体８は導電材料からなる。導電材料は、例えば銅、銀、ニッケル又はクロム等を含む。本実施形態においては、スルーホール導体８は、円筒状に形成されており、基体５の平坦性を担保するため、該円筒状の内部に絶縁体９が充填されている。なお、絶縁体９は、樹脂材料、フィラー、エラストマー、難燃剤及び硬化剤等を含む。樹脂材料としては、例えばエポキシ樹脂又はシアネート樹脂等が用いられる。また、フィラーとしては、例えば酸化ケイ素又は酸化アルミニウム等が用いられる。また、エラストマーとしては、スチレン系エラストマー又はポリエステル系エラストマー等が用いられる。
【００１４】
絶縁層６は、接着層６ａと樹脂層６ｂとを有する。
【００１５】
接着層６ａは、樹脂層６ｂ同士又は樹脂層６ｂと基体５とを、強固に接着するためのものであり、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂等を含む。熱硬化性樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコン樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂のうち少なくともいずれか一つを用いることができる。熱可塑性樹脂としては、はんだリフロー時の加熱に耐える耐熱性を有する必要があることから、構成する材料の軟化温度が２００℃以上であることが望ましく、例えば液晶ポリマー等を使用することができる。なお、接着層６ａの熱膨張率は、例えば１５ｐｐｍ／℃以上８０ｐｐｍ／℃以下に設定されていることが望ましい。また、接着層６ａは、厚みが例えば２μｍ以上２０μｍ以下となるように設定されていることが望ましい。
【００１６】
樹脂層６ｂは、配線基板２の機械的強度を向上させるためのものであり、基材を備えておらず、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂を含むことが望ましい。熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂としては、弾性変形可能であって、耐熱性と硬さに優れた特性の材料を用いることが望ましい。この様な特性を有する熱硬化性樹脂としては、例えば、ポリイミドベンゾオキサゾール樹脂、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、又は全芳香族ポリエステル樹脂等を用いることができる。また、熱可塑性樹脂としては、例えば、熱可塑性ポリイミド樹脂又は液晶ポリマー樹脂等を用いることができる。そして、上記材料のなかでも、ポリイミドベンゾオキサゾール樹脂又はポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂を用いることが望ましい。ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂は、熱膨張率が−５ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下と小さい。このような低熱膨張樹脂を使用することによって、配線基板２の熱膨張率を、電子部品４の熱膨張率に近づけることができ、配線基板２と電子部品４との間の熱応力を低減することができる。なお、樹脂層６ｂの厚みは、例えば２μｍ以上２０μｍ以下となるように設定されていることが望ましい。
【００１７】
絶縁層６には、ビア孔Ｖが形成されており、ビア孔Ｖ内にはビア導体１０が形成されている。ビア導体１０は、絶縁層６の上面及び下面に配置された導電層７に接続する。また、ビア導体１０は、例えば基体５の上面から配線基板２の上面に向かって、又は基体５の下面から配線基板２の下面に向かって、断面積が大きくなるように形成されている。なお、ビア導体１０は、導電材料により形成される。導電材料は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等を含む。また、ビア導体１０の熱膨張率は、例えば１２ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下に設定されていることが望ましい。なお、断面積は、平面方向（ＸＹ平面方向）への断面の面積のことをいう。
【００１８】
配線基板２の上面側に位置するビア導体１０は、下面側に位置するビア導体１０より、配線基板２の平面（ＸＹ平面）の中心に近いことが望ましい。その結果、電子部品４が実装される配線基板２の上面側の配線密度を、外部回路に接続される配線基板２の下面側の配線基板密度に比べて高くすることができるため、配線基板２に小型の電子部品４を実装することが可能となる。
【００１９】
導電層７は、電気信号を伝達する信号層と、電子部品４に接続されるグランド層と、を含んで構成されている。なお、導電層７は、導電性材料により形成される。導電性材料は、例えば銅、銀、金、ニッケル、クロム、チタン、モリブデン、タングステン又はジルコニウムあるいはこれらの合金等を含む。また、導電層７の熱膨張率は、例えば１２ｐｐｍ／℃以上２０ｐｐｍ／℃以下に設定されていることが望ましい。
【００２０】
電子部品４は、バンプ３を介して導電層７に電気的に接続されている。バンプ３の材料には、導電性材料が用いられる。導電性材料としては、例えば銅、銀、亜鉛、錫、インジウム、ビスマス又はアンチモン等を用いても構わない。電子部品４は、半導体素子又はコンデンサ等を用いても構わない。半導体素子は、例えばＩＣ若しくはＬＳＩ等を用いても構わない。半導体素子の材料としてはシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等を用いても構わない。また、電子部品４の厚み寸法は、例えば０．１ｍｍから１ｍｍのものを使用することが望ましい。
【００２１】
次に導電層７の構成について、より詳細に説明する。
【００２２】
図３に示すように、導電層７は、絶縁層６の下面に形成された第一導電層７ａと、絶縁層６の上面に形成された導電層７を第二導電層７ｂと、を有する。第一導電層７ａは、平坦な下地層７ａｘと、下地層７ａｘの上面から突出する突出部７ａｙと、を有する。
【００２３】
突出部７ａｙは、ビア導体１０と下地層７ａｘとの間に介在されており、ビア導体１０に接続される。また、突出部７ａｙは、その上部側面に、該側面より下地層７ａｘの上面に沿った方向（ＸＹ平面方向）に張り出す張り出し部７ａｚを有している。張り出し部７ａｚと下地層７ａｘとの間の領域には絶縁層６が介在しており、張り出し部７ａｚが絶縁層６を介して下地層７ａｘと離間している。なお、張り出し部７ａｚの下方に位置する突出部７ａｙの一部を柱状部７ａｗとする。
【００２４】
このように、本実施形態の配線基板２において、ビア導体１０は突出部７ａｙに接続され、突出部７ａｙは張り出し部７ａｚを有する。それ故、ビア導体１０と突出部７ａｙとの間の側面、並びに張り出し部７ａｚと柱状部７ａｗとの間の側面が、不連続面を形成し、ビア導体１０又は突出部７ａｙの内部に向かって窪んでなる角部７ａｖが形成されている。すなわち、本実施形態の配線基板２において、ビア導体１０と突出部７ａｙとの間、並びに張り出し部７ａｚと柱状部７ａｗとの間に、括れが形成されている。角部７ａｖは、ビア導体１０と張り出し部７ａｚとの間に位置する第一角部７ａｖ１と、張り出し部７ａｚと柱状部６ｗとの間に位置する第二角部７ａｖ２と、を有する。その結果、絶縁層６が熱膨張した場合に印加される応力は、第一角部７ａｖ１及び第二角部７ａｖ２に分散され、ビア導体１０及び突出部７ａｙにクラックが生じる可能性を低減し、配線基板２の電気的信頼性を高めることができる。
【００２５】
また、絶縁層６は、第二導電層７ｂと張り出し部７ａｚとの間と、張り出し部７ａｚと第一導電層７ａとの間に、に存在している。これにより、第二導電層７ｂと張り出し部７ａｚとの間に位置する絶縁層６が熱膨張すると、第二導電層７ｂが上方に、張り出し部７ａｚが下方に押圧される。また、張り出し部７ａｚと第一導電層７ａとの間に位置する絶縁層６が熱膨張すると、張り出し部７ａｚが上方に、第二導電層７ａｚが下方に押圧される。その結果、絶縁層６が熱膨張した場合に、ビア導体１０及び突出部７ａｙに印加される応力を、張り出し部７ａｚ上方に位置するビア導体１０及び突出部７ａｙと、張り出し部７ａｚ下方に位置する柱状部７ａｗと、に分散することができる。
【００２６】
下地層７ａｘの厚みは、３μｍ以上１２μｍ以下に設定されていることが望ましい。また、突出部７ａｙの突出する長さは、３μｍ以上１６μｍ以下に設定されることが望ましい。また、柱状部７ａｗの高さは、２μｍ以上１５μｍ以下に設定され、柱状部７ａｗの幅は、３０μｍ以上１００μｍ以下に設定されていることが望ましい。また、張り出し部７ａｚの張り出す長さは、０．３μｍ以上５μｍ以下に設定され、張り出し部７ａｚの厚みは、０．３μｍ以上３μｍ以下に設定されていることが望ましい。また、ビア導体１０と突出部６ｂｙとの接続部の幅は、５μｍ以上３０μｍ以下に設定され、ビア導体１０の上下方向の長さは、３μｍ以上２５μｍ以下に設定されていることが望ましい。なお、幅は、平面方向（ＸＹ平面方向）への長さのことをいう。
【００２７】
また、第二導電層７ｂの下面と張り出し部７ａｚの上面との距離が、張り出し部７ａｚが張り出す方向に向かって、大きくなるように、張り出し部７ａｚの上面が、第二導電層７ｂの下面に対して傾斜していることが望ましい。この場合、第二導電層７ｂと張り出し部７ａｚとの間に位置する絶縁層６が上下方向に熱膨張し、張り出し部７ａｚの上面が下方に押圧されると、該押圧力の一部は張り出し部７ａの先端に向かって伝達される。その結果、ビア導体１０及び突出部７ａｙに印加される応力を低減できる。
【００２８】
また、張り出し部７ａｚと柱状部７ａｗとの間に位置する第二角部７ａｖ２は、曲面を有することが望ましい。その結果、第二角部７ａｖ２に印加される応力を、第二角部７ａｖ内にて分散できる。なお、かかる曲面は、上下方向へ断面視した時、内接する円の半径が０．２μｍ以上２μｍ以下に設定されていることが望ましい。
【００２９】
また、突出部７ａｙの柱状部７ａｗの断面積は、下地層７ａｘから張り出し部６ａｙに向かって小さくなっていることが望ましい。その結果、第二角部７ａｖ２における突出部７ａｙへの切り込みを鋭くし、ビア導体１０及び突出部７ａｙに印加される応力の第二角部７ａｖ２への分散を大きくすることができる。なお、柱状部７ａｗは、下地層７ａｘ側の端部の幅が張り出し部６ａｙ側の端部の幅の１倍より大きく１．１倍以下であることが望ましい。
【００３０】
また、張り出し部７ａｚは、突出部７ａｙの全周に渡って設けられていることが望ましい。その結果、突出部７ａｙにおいて、張り出し部７ａｚが形成される領域が増加し、ビア導体１０及び突出部７ａｙに印加される応力の第二角部７ａｖ２への分散を大きくすることができる。
【００３１】
上述したように、本実施の形態によれば、第一導電層７ａの突出部７ａｙに張り出し部７ａｚを形成することにより、ビア導体１０及び突出部７ａｙに印加される応力を分散できるため、ビア導体１０及び突出部７ａｙにクラックが生じる可能性を低減し、配線基板２の電気的信頼性を高めることができる。
【００３２】
次に、上述した配線基板２を含む実装構造体１の製造方法を、図４から図１４に基づいて説明する。
【００３３】
（１）図４Ａに示すように、基体５を準備する。具体的には、基材に熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂シートを複数枚準備した後、それらの樹脂シートを積層し、加熱加圧をすることにより、基体５を準備する。なお、基体５の厚みは、例えば０．３ｍｍ以上１．５ｍｍ以下に設定されていることが望ましい。
【００３４】
（２）図４Ｂに示すように、基体５に、上下方向に貫通したスルーホールＳを形成する。スルーホールＳは、例えばドリル加工又はレーザー加工等により、形成される。また、スルーホールＳは、数個形成されることが望ましい。また、スルーホールＳの幅は、例えば０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下に設定されていることが望ましい。
【００３５】
（３）図４Ｃに示すように、基体５の表面に導電材料を被着させて、導電材料層７ｗを形成する。導電材料層７ｗは、スルーホールＳの内壁面にて、円筒状のスルーホール導体８を構成する。かかる導電材料層７ｗは、例えば無電解めっき法により形成される。
【００３６】
（４）図５Ａに示すように、円筒状のスルーホール導体８の内部に、樹脂材料等を充填し、絶縁体９を形成する。
【００３７】
（５）図５Ｂに示すように、導電材料を絶縁体９の露出部に被着させて、導電材料層７ｗを絶縁体９の露出部に形成する。かかる導電材料は、例えば無電解めっき、蒸着法、ＣＶＤ法又はスパッタリング法等により被着される。
【００３８】
（６）図５Ｃに示すように、導電材料層７ｗをパターニングし、下地層７ａｘを形成する。導電材料層７ｗのパターニングは、従来周知のフォトリソグラフィー技術等を用いて行われる。
【００３９】
（７）図６Ａ及び図６Ｂに示すように、下地層７ａｘ上に、開口部Ｏを有するレジスト層１１を形成する。ここで、例えばレジスト層１１として感光性樹脂を用いる場合、レジスト層１１を露光する際の光量を低減させることにより、レジスト層１１間の開口部Ｏの断面積が、レジスト層１１の下部から上部に向かって小さくなるように、レジスト層１１を形成することができる。その結果、突出部７ａｙの断面積を、下地層７ａｘから上方に向かって小さくすることができる。
【００４０】
また、レジスト層１１として感光性樹脂を用いる場合、レジスト層１１を現像する際に、現像液を０．２ＭＰａ以上の圧力で噴出することにより、開口部Ｏに露出するレジスト層１１の側面とレジスト層１１の上面との間の角１１ａの表面を曲面にすることができる。その結果、突出部７ａｙを形成する際に、突出部７ａｙの角部７ａｖの表面を、曲面にすることができる。かかる現像液は、例えばメタ‐ケイ酸ソーダ水溶液又は炭酸ナトリウム水溶液等を用いても構わない。
【００４１】
（８）図７Ａ及び図７Ｂに示すように、レジスト層１１間の開口部Ｏより露出する下地層７ａｘの表面に導電材料を被着させることにより、下地層７ａｘ上に突出部７ａｙを形成する。かかる導電材料は、無電解めっき法又は電気めっき法等により被着される。
【００４２】
ここで、図８Ａ及び図８Ｂに示すように、突出部７ａｙを、レジスト層１１の上面の高さよりも高くなるように形成し、更に、図９Ａ及び図９Ｂに示すように、突出部７ａｙの一部がレジスト層１１の上面に被着されるように形成すると、レジスト層１１の上面に張り出し部７ａｚを形成することができる。
【００４３】
（９）図１０Ａに示すように、レジスト層１１を除去する。レジスト層１１の除去は、例えば水酸化ナトリウム水溶液等にレジスト層１１を浸漬させることにより行われる。
【００４４】
（１０）図１０Ｂ及び図１１Ａに示すように、接着層６ａが下地層７ａｘ及び突出部７ａｙを被覆するように、第一導電層７ａ上に、フィルム状の樹脂層６ｂを、接着層６ａを介して貼り合わせる。貼り合わせは、例えば加熱プレス機を用いて、加熱加圧をすることにより行われる。このようにして、第一導電層７ａ上に、接着層６ａと樹脂層６ｂとから成る絶縁層６を形成することができる。
【００４５】
（１１）図１１Ｂに示すように、絶縁層６にビア孔Ｖを形成し、ビア孔Ｖ内に突出部７ａｙの一部を露出させる。具体的には、例えばＹＡＧレーザー装置又は炭酸ガスレーザー装置等を用いて、突出部７ａｙの直上に位置する絶縁層６に、突出部７ａｙの一部が露出するまでレーザー光を照射することにより、ビア孔Ｖを形成する。
【００４６】
ここで、絶縁層６は、突出部７ａｙの直上に位置する領域が、他の領域と比較して、突出部７ａｙが突出している分、厚みが薄くなるように形成されているため、ビア孔Ｖの上下方向の長さが短くなり、レーザー光の照射時間を短くすることができる。その結果、ビア孔Ｖを形成するための時間を短縮できる。また、突出部７ａｙでの第一導電層７ａの厚みが厚いため、第一導電層７ａは、レーザー光の照射に対する耐久性が突出部７ａｙで向上している。その結果、出力の高いレーザー光を用いてビア孔Ｖを形成することができ、ビア孔Ｖの形成に要する時間を短縮することが可能となる。
【００４７】
また、レーザー光の照射により形成すされたビア孔Ｖは、上部から下部に向かって幅が狭くなることがある。この場合、第一導電層７ａとビア孔Ｖ内に形成されるビア導体１０との接続部の幅が狭くなる。ところが、本実施形態においては、レーザー光の照射領域における絶縁層６の厚みが薄いため、突出部７ａｙとの接続部におけるビア導体１０の幅を広くできる。その結果、第一導電層７ａとビア導体１０との接続部に集中する応力を低減することができる。
【００４８】
（１２）図１２Ａに示すように、ビア孔Ｖに、突出部７ａｙと接続するビア導体１０を形成し、更に、樹脂層６ｂの上面に、ビア導体１０と接続する第二導電層７ｂを形成する。ビア導体１０及び第二導電層７ｂは、従来周知のセミアディティブ法、サブトラクティブ法又はフルアディティブ法等により形成され、なかでもセミアディティブ法により形成されることが望ましい。
【００４９】
ここで、レーザー光によりビア孔Ｖを形成しているため、ビア孔Ｖ内に露出する突出部７ａｙの表面に、異物が付着していることがある。このような突出部７ａｙ状にビア導体１０を形成すると、突出部７ａｙとビア導体１０との間に、気泡又は異物が含まれることがある。したがって、顕微鏡観察により気泡又は異物を観察することにより、突出部７ａｙとビア導体１０との界面を容易に発見できる。顕微鏡観察は、切断した配線基板２の断面を鏡面状態に研磨し、その断面を、走査電子顕微鏡等を用いて観察することにより、行われる。また、突出部７ａｙとビア導体１０との形成方法が異なる場合は、それぞれの結晶構造が異なるため、突出部７ａｙとビア導体１０との界面を容易に発見できる。例えば、突出部７ａｙを電気めっき法により形成した後、ビア孔Ｖ内に露出した突出部７ａｙの表面に、無電解めっき法によりめっきを被着させた場合、ビア導体１０の無電解めっき法により形成された部分は、突出部６ａｖと結晶状態が異なるため、上述の顕微鏡観察により、突出部７ａｙとビア導体１０との界面を容易に発見できる。
【００５０】
（１３）図１２Ｂに示すように、樹脂層６ｂの表面に形成された第二導電層７ｂを、第一導電層７ａの下地層７ａｘとし、その下地層７ａｘ上に突出部７ａｙを形成する。突出部７ａｙは、（７）から（９）の工程と同様の工程により、下地層７ａｘ上に形成される。
【００５１】
（１４）図１３Ａ、図１３Ｂ及び図１４Ａに示すように、（１０）から（１２）の工程と同様の工程により、第一導電層上に絶縁層６を形成し、絶縁層６にビア孔Ｖを形成し、ビア孔Ｖ内に突出部７ａｙの少なくとも一部を露出させる。次に、ビア孔Ｖに、突出部７ａｙと接続するビア導体１０を形成し、樹脂層６ｂの上面に、ビア導体１０と接続する第二導電層７ｂを形成する。
【００５２】
以上のようにして、多層配線の配線基板２を作製できる。なお、（１３）及び（１４）の工程を繰り返すことにより、配線基板２を更に多層配線化することができる。
【００５３】
（１５）図１４Ｂに示すように、配線基板２に電子部品４をバンプ３を介してフリップチップ実装することにより、実装構造体１を作製できる。
【００５４】
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。例えば、上述した本発明の実施形態は、基体５の上面及び下面に形成される絶縁層６が２層である構成に関して説明したが、絶縁層６は１層又は３層以上であっても構わない。
【００５５】
また、上述した本発明の実施形態は、絶縁層６が接着層６ａと樹脂層６ｂとを有する構成に関して説明したが、絶縁層６は、接着層６ａのみからなる構成でも構わない。この場合、（１０）の工程にて、第一導電層７ａ上に、フィルム状の樹脂層６ｂを、接着層６ａを介して貼り合わせる代わりに、接着層６ａのみを貼り合わせることにより、第一導電層７ａ上に、接着層６ａのみからなる絶縁層６を形成することができる。
【００５６】
また、上述した本発明の実施形態は、（７）から（９）の工程及び（１３）の工程にて、第一導電層７ａの下地層７ａｘに突出部７ａｙを形成する製造方法に関して説明したが、（７）から（９）の工程又は（１３）の工程のどちらか一方においてのみ、第一導電層７ａの下地層７ａｘに突出部７ａｙを形成しても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明の実施形態にかかる実装構造体の平面図である。
【図２】本発明の実施形態にかかる実装構造体の断面図である。
【図３】図２に示す実装構造体のＸ１部分の拡大図である。
【図４】図４Ａ、図４Ｂ及び図４Ｃは、図２に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図５】図５Ａ、図５Ｂ及び図５Ｃは、図２に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である
【図６】図６Ａは、図２に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図であり、図６Ｂは、図６Ａに示す実装構造体の製造工程を説明するＸ２部分の拡大図である。
【図７】図７Ａは、図２に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図であり、図７Ｂは、図７Ａに示す実装構造体の製造工程を説明するＸ３部分の拡大図である。
【図８】図８Ａは、図２に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図であり、図８Ｂは、図８Ａに示す実装構造体の製造工程を説明するＸ４部分の拡大図である。
【図９】図９Ａは、図２に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図であり、図９Ｂは、図９Ａに示す実装構造体の製造工程を説明するＸ５部分の拡大図である。
【図１０】図１０Ａ及び図１０Ｂは、図２に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図１１】図１１Ａ及び図１１Ｂは、図２に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図１２】図１２Ａ及び図１２Ｂは、図２に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図１３】図１３Ａ及び図１３Ｂは、図２に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図１４】図１４Ａ及び図１４Ｂは、図２に示す実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００５８】
１        実装構造体
２        配線基板
３        バンプ
４        電子部品
５        基体
６        絶縁層
６ａ      接着層
６ｂ      フィルム層
７        導電層
７ａ      第一導電層
７ａｘ    下地層
７ａｙ    突出部
７ａｚ    張り出し部
７ａｖ    角部
７ａｗ    柱状部
７ｂ      第二導電層
７ｗ      導電材料層
８        スルーホール導体       
９        絶縁体
１０      ビア導体
１１      レジスト層
Ｓ        スルーホール
Ｖ        ビア孔   
Ｏ        開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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