【手続補正書】
【提出日】平成17年1月21日(2005.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物及びその合成中間体、これらの製造方法、並びに有機電界発光素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式〔Ｉ〕、〔II〕、〔III〕又は〔IV〕で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物。
【化１】
2001106658.tif 000001
〔但し、前記一般式〔Ｉ〕において、Ｒ2及びＲ3は無置換のアリール基であり、Ｒ1及びＲ4は下記一般式（１）で表されるアリール基であり
【化２】
2001106658.tif 000002
（但し、前記一般式（１）において、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも一つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基である。）、Ｒ5及びＲ6は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である（但し、Ｒ5及びＲ6が共に水素原子である場合を除く。）。〕
【化３】
2001106658.tif 000003
〔但し、前記一般式〔II〕において、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15は互いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（２）で表されるアリール基であり
【化４】
2001106658.tif 000004
（但し、前記一般式（２）において、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21及びＲ22は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも一つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基である。）、Ｒ16及びＲ17は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である（但し、Ｒ16及びＲ17が共に水素原子である場合を除く。）。〕
【化５】
2001106658.tif 000005
〔但し、前記一般式〔III〕において、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25及びＲ26は少なくとも１つが下記一般式（３）で表されるアリール基であり、残りが無置換のアリール基であり
【化６】
2001106658.tif 000006
（但し、前記一般式（３）において、Ｒ29、Ｒ30、Ｒ31、Ｒ32及びＲ33は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも一つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基である。）、Ｒ27及びＲ28は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である（但し、Ｒ27及びＲ28が共に水素原子である場合を除く。）。〕
【化７】
2001106658.tif 000007
〔但し、前記一般式〔IV〕において、Ｒ35及びＲ36は互いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（４）で表されるアリール基であり
【化８】
2001106658.tif 000008
（但し、前記一般式（４）において、Ｒ40、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43及びＲ44は互いに同一の又は異なる基であって、水素原子、又はそれらの少なくとも一つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基である。）、Ｒ34及びＲ37は互いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（５）で表されるアリール基であり
【化９】
2001106658.tif 000009
（但し、前記一般式（５）において、Ｒ45、Ｒ46、Ｒ47、Ｒ48、Ｒ49、Ｒ50及びＲ51は互いに同一の又は異なる基であって、水素原子、又はそれらの少なくとも一つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基である。）、Ｒ38及びＲ39は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である（但し、Ｒ38及びＲ39が共に水素原子である場合を除く。）。〕
【請求項２】
下記一般式（６）で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物。
【化１０】
2001106658.tif 000010
〔但し、前記一般式（６）において、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3及びＡｒ4はそれぞれ、置換基を有してもよい互いに同一の又は異なるアリール基であって、置換基を有する場合には下記一般式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）又は（１２”）で表されるアリール基から選ばれた基である。
【化１１】
2001106658.tif 000011
2001106658.tif 000012
2001106658.tif 000013
（但し、前記一般式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）及び（１２”）において、Ｒ52、Ｒ53及びＲ54は炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60は互いに同一の又は異なる炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、ｎは０〜６の整数であり、ｍは０〜３の整数であり、ｌは０〜４の整数である。）〕
【請求項３】
前記Ｒ52、Ｒ53、Ｒ54、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60の炭素数が１〜６である、請求項２に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物。
【請求項４】
下記一般式（１３）、（１３’）、（１４）、（１５）、（１６）、（１７）、（１８）、（１８’）、（１９）、（１９−１）、（１９−２）又は（１９−３）で表される、請求項１又は２に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物。
【化１２】
2001106658.tif 000014
（但し、前記一般式（１３）において、Ｒ61は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１３】
2001106658.tif 000015
（但し、前記一般式（１３’）において、Ｒ61は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１４】
2001106658.tif 000016
（但し、前記一般式（１４）において、Ｒ62は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１５】
2001106658.tif 000017
（但し、前記一般式（１５）において、Ｒ63は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１６】
2001106658.tif 000018
（但し、前記一般式（１６）において、Ｒ64は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１７】
2001106658.tif 000019
（但し、前記一般式（１７）において、Ｒ65は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１８】
2001106658.tif 000020
（但し、前記一般式（１８）において、Ｒ66は水素原子又は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１９】
2001106658.tif 000021
（但し、前記一般式（１８’）において、Ｒ66は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化２０】
2001106658.tif 000022
2001106658.tif 000023
（但し、前記一般式（１９）、（１９−１）、（１９−２）、（１９−３）において、Ｒ67、Ｒ99は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【請求項５】
下記構造式（２０）−１、（２０）−２、（２０）−３、（２０）−４、（２０）−５、（２０）−６、（２０）−７、（２０）−８、（２０）−９、（２０）−１０、（２０）−１１、（２０）−１２、（２０）−１２’、（２０）−１３、（２０）−１４、（２０）−１５、（２０）−１６、（２０）−１７又は（２０）−１８で表される、請求項１又は２に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物。
【化２１】
2001106658.tif 000024
2001106658.tif 000025
2001106658.tif 000026
2001106658.tif 000027
2001106658.tif 000028
2001106658.tif 000029
2001106658.tif 000030
2001106658.tif 000031
2001106658.tif 000032
2001106658.tif 000033
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2001106658.tif 000036
2001106658.tif 000037
2001106658.tif 000038
2001106658.tif 000039
2001106658.tif 000040
【請求項６】
下記一般式（２１）で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物。
【化２２】
2001106658.tif 000041
〔但し、前記一般式（２１）において、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3及びＡｒ4はそれぞれ、置換基を有してもよい互いに同一の又は異なるアリール基であって、置換基を有する場合には下記一般式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）又は（１２”）で表されるアリール基から選ばれた基である。
【化２３】
2001106658.tif 000042
2001106658.tif 000043
2001106658.tif 000044
（但し、前記一般式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）及び（１２”）において、Ｒ52、Ｒ53及びＲ54は炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60は互いに同一の又は異なる炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、ｎは０〜６の整数であり、ｍは０〜３の整数であり、ｌは０〜４の整数である。）〕
【請求項７】
前記Ｒ52、Ｒ53、Ｒ54、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60の炭素数が１〜６である、請求項６に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物。
【請求項８】
下記一般式（２２）、（２３）、（２４）、（２５）、（２６）、（２７）、（２７’）、（２８）、（２８−１）、（２８−２）又は（２８−３）で表される、請求項１又は６に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物。
【化２４】
2001106658.tif 000045
（但し、前記一般式（２２）において、Ｒ61は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化２５】
2001106658.tif 000046
（但し、前記一般式（２３）において、Ｒ62は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化２６】
2001106658.tif 000047
（但し、前記一般式（２４）において、Ｒ63は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基又は炭化水素オキシ基である。）
【化２７】
2001106658.tif 000048
（但し、前記一般式（２５）において、Ｒ64は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化２８】
2001106658.tif 000049
（但し、前記一般式（２６）において、Ｒ65は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化２９】
2001106658.tif 000050
（但し、前記一般式（２７）において、Ｒ66は水素原子又は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化３０】
2001106658.tif 000051
（但し、前記一般式（２７’）において、Ｒ66は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化３１】
2001106658.tif 000052
2001106658.tif 000053
（但し、前記一般式（２８）、（２８−１）、（２８−２）、（２８−３）において、Ｒ67、Ｒ99は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【請求項９】
下記構造式（２９）−１、（２９）−２、（２９）−３、（２９）−４、（２９）−５、（２９）−６、（２９）−７、（２９）−８、（２９）−９、（２９）−１０、（２９）−１１、（２９）−１２、（２９）−１２’、（２９）−１３、（２９）−１４、（２９）−１５、（２９）−１６、（２９）−１７又は（２９）−１８で表される、請求項１又は６に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物。
【化３２】
2001106658.tif 000054
2001106658.tif 000055
2001106658.tif 000056
2001106658.tif 000057
2001106658.tif 000058
2001106658.tif 000059
2001106658.tif 000060
2001106658.tif 000061
2001106658.tif 000062
2001106658.tif 000063
2001106658.tif 000064
2001106658.tif 000065
2001106658.tif 000066
2001106658.tif 000067
2001106658.tif 000068
2001106658.tif 000069
2001106658.tif 000070
【請求項１０】
下記一般式〔Ｖ〕又は〔VI〕で表される４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドの少なくとも１種と；下記一般式〔VII〕で表されるジホスホン酸エステル又は下記一般式〔VIII〕で表されるジホスホニウムと；を縮合させることによって、下記一般式〔Ｉ〕、〔II〕、〔III〕又は〔IV〕で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物を得る、ビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の製造方法。
【化３３】
2001106658.tif 000071
（但し、前記一般式〔Ｖ〕及び〔VI〕において、Ｒ68及びＲ69はそれぞれ、下記Ｒ1、Ｒ2、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ34又はＲ35に相当するアリール基であり、Ｒ70及びＲ71はそれぞれ、下記Ｒ3、Ｒ4、Ｒ14、Ｒ15、Ｒ25、Ｒ26、Ｒ36又はＲ37に相当するアリール基である。）
【化３４】
2001106658.tif 000072
（但し、前記一般式〔VII〕及び〔VIII〕において、Ｒ72及びＲ73はそれぞれ、互いに同一の又は異なる炭化水素基であり、Ｒ74及びＲ75はそれぞれ、下記Ｒ5、Ｒ6、Ｒ16、Ｒ17、Ｒ27、Ｒ28、Ｒ38又はＲ39に相当する基であり、Ｘはハロゲン原子である。）
【化３５】
2001106658.tif 000073
〔但し、前記一般式〔Ｉ〕において、Ｒ2及びＲ3は無置換のアリール基であり、Ｒ1及びＲ4は下記一般式（１）で表されるアリール基であり
【化３６】
2001106658.tif 000074
（但し、前記一般式（１）において、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも一つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基である。）、Ｒ5及びＲ6は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である（但し、Ｒ5及びＲ6が共に水素原子である場合を除く。）。〕
【化３７】
2001106658.tif 000075
〔但し、前記一般式〔II〕において、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15は互いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（２）で表されるアリール基であり
【化３８】
2001106658.tif 000076
（但し、前記一般式（２）において、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21及びＲ22は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基である。）、Ｒ16及びＲ17は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である（但し、Ｒ16及びＲ17が共に水素原子である場合を除く。）。〕
【化３９】
2001106658.tif 000077
〔但し、前記一般式〔III〕において、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25及びＲ26は、少なくとも１つが下記一般式（３）で表されるアリール基であり、残りが無置換のアリール基であり
【化４０】
2001106658.tif 000078
（但し、前記一般式（３）において、Ｒ29、Ｒ30、Ｒ31、Ｒ32及びＲ33は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基である。）、Ｒ27及びＲ28は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である（但し、Ｒ27及びＲ28が共に水素原子である場合を除く。）。〕
【化４１】
2001106658.tif 000079
〔但し、前記一般式〔IV〕において、Ｒ35及びＲ36は互いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（４）で表されるアリール基であり
【化４２】
2001106658.tif 000080
（但し、前記一般式（４）において、Ｒ40、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43及びＲ44は互いに同一の又は異なる基であって、水素原子、又はそれらの少なくとも一つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基又は炭化水素アミノ基である。）、Ｒ34及びＲ37は互いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（５）で表されるアリール基であり
【化４３】
2001106658.tif 000081
（但し、前記一般式（５）において、Ｒ45、Ｒ46、Ｒ47、Ｒ48、Ｒ49、Ｒ50及びＲ51は互いに同一の又は異なる基であって、水素原子、又はそれらの少なくとも一つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基である。）、Ｒ38及びＲ39は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である（但し、Ｒ38及びＲ39が共に水素原子である場合を除く。）。〕
【請求項１１】
前記縮合をウイッティヒ−ホーナー（Wittig-Horner)反応又はウイッティヒ(Wittig)反応によって行い、前記ジホスホン酸エステル及び／又は前記ジホスホニウムを溶媒中で塩基で処理することによってカルボアニオンを生成させ、このカルボアニオンと前記４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドとを縮合させる、請求項１０に記載した、ビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の製造方法。
【請求項１２】
下記一般式（６）で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物を得るに際し
【化４４】
2001106658.tif 000082
〔但し、前記一般式（６）において、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3及びＡｒ4はそれぞれ、置換基を有してもよい互いに同一の又は異なるアリール基であって、置換基を有する場合には下記一般式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）又は（１２”）で表されるアリール基から選ばれた基である。
【化４５】
2001106658.tif 000083
2001106658.tif 000084
2001106658.tif 000085
（但し、前記一般式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）及び（１２”）において、Ｒ52、Ｒ53及びＲ54は炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60は互いに同一の又は異なる炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、ｎは０〜６の整数であり、ｍは０〜３の整数であり、ｌは０〜４の整数である。）〕、
下記一般式（３９）又は（４０）で表される４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドの少なくとも１種と；下記一般式（４１）で表されるジホスホン酸エステル又は下記一般式（４２）で表されるジホスホニウムと；を縮合させる、請求項１０に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の製造方法。
【化４６】
2001106658.tif 000086
2001106658.tif 000087
（但し、前記一般式（３９）、（４０）、（４１）及び（４２）において、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4、Ｒ72、Ｒ73及びＸは前記したものと同じである。）
【請求項１３】
前記Ｒ72及びＲ73を炭素数１〜４の飽和炭化水素基とする、請求項１２に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の製造方法。
【請求項１４】
前記Ｒ52、Ｒ53、Ｒ54、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60の炭素数を１〜６とする、請求項１２に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の製造方法。
【請求項１５】
下記一般式（１３）、（１４）、（１５）、（１６）、（１７）、（１８）、（１８’）、（１９）、（１９）−１、（１９）−２又は（１９）−３で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物を得る、請求項１０又は１２に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の製造方法。
【化４７】
2001106658.tif 000088
（但し、前記一般式（１３）において、Ｒ61は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化４８】
2001106658.tif 000089
（但し、前記一般式（１４）において、Ｒ62は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化４９】
2001106658.tif 000090
（但し、前記一般式（１５）において、Ｒ63は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基又は炭化水素オキシ基である。）
【化５０】
2001106658.tif 000091
（但し、前記一般式（１６）において、Ｒ64は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化５１】
2001106658.tif 000092
（但し、前記一般式（１７）において、Ｒ65は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化５２】
2001106658.tif 000093
（但し、前記一般式（１８）において、Ｒ66は水素原子又は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化５３】
2001106658.tif 000094
（但し、前記一般式（１８’）において、Ｒ66は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化５４】
2001106658.tif 000095
2001106658.tif 000096
（但し、前記一般式（１９）、（１９−１）、（１９−２）、（１９−３）において、Ｒ67、Ｒ99は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【請求項１６】
下記構造式（２０）−１、（２０）−２、（２０）−３、（２０）−４、（２０）−５、（２０）−６、（２０）−７、（２０）−８、（２０）−９、（２０）−１０、（２０）−１１、（２０）−１２、（２０）−１２’、（２０）−１３、（２０）−１４、（２０）−１５、（２０）−１６、（２０）−１７又は（２０）−１８で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物を得る、請求項１０又は１２に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の製造方法。
【化５５】
2001106658.tif 000097
2001106658.tif 000098
2001106658.tif 000099
2001106658.tif 000100
2001106658.tif 000101
2001106658.tif 000102
2001106658.tif 000103
2001106658.tif 000104
2001106658.tif 000105
2001106658.tif 000106
2001106658.tif 000107
2001106658.tif 000108
2001106658.tif 000109
2001106658.tif 000110
2001106658.tif 000111
2001106658.tif 000112
2001106658.tif 000113
【請求項１７】
下記一般式（２１）で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物を得るに際し
【化５６】
2001106658.tif 000114
〔但し、前記一般式（２１）において、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3及びＡｒ4はそれぞれ、置換基を有してもよい互いに同一の又は異なるアリール基であって、置換基を有する場合には下記一般式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）又は（１２”）で表されるアリール基から選ばれた基である。
【化５７】
2001106658.tif 000115
2001106658.tif 000116
2001106658.tif 000117
（但し、前記一般式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）及び（１２”）において、Ｒ52、Ｒ53及びＲ54は炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60は互いに同一の又は異なる炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、ｎは０〜６の整数であり、ｍは０〜３の整数であり、ｌは０〜４の整数である。）〕、
下記一般式（３９）又は（４０）で表される４−（Ｎ，Ｎ−ジアリールアミノ）ベンズアルデヒドの少なくとも１種と；下記一般式（４３）で表されるジホスホン酸エステル又は下記一般式（４４）で表されるジホスホニウムと；を縮合させる、請求項１０に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の製造方法。
【化５８】
2001106658.tif 000118
2001106658.tif 000119
（但し、前記一般式（３9 ）、（４０）、（４３）及び（４４）において、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3、Ａｒ4、Ｒ72、Ｒ73及びＸは前記したものと同じである。）
【請求項１８】
前記Ｒ72及びＲ73を炭素数１〜４の飽和炭化水素基とする、請求項１７に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の製造方法。
【請求項１９】
前記Ｒ52、Ｒ53、Ｒ54、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60の炭素数を１〜６とする、請求項１７に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の製造方法。
【請求項２０】
下記一般式（２２）、（２３）、（２４）、（２５）、（２６）、（２７）、（２７’）、（２８）、（２８−１）、（２８−２）又は（２８−３）で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物、請求項１０又は１７に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の製造方法。
【化５９】
2001106658.tif 000120
（但し、前記一般式（２２）において、Ｒ61は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化６０】
2001106658.tif 000121
（但し、前記一般式（２３）において、Ｒ62は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化６１】
2001106658.tif 000122
（但し、前記一般式（２４）において、Ｒ63は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基又は炭化水素オキシ基である。）
【化６２】
2001106658.tif 000123
（但し、前記一般式（２５）において、Ｒ64は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化６３】
2001106658.tif 000124
（但し、前記一般式（２６）において、Ｒ65は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化６４】
2001106658.tif 000125
（但し、前記一般式（２７）において、Ｒ66は水素原子又は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化６５】
2001106658.tif 000126
（但し、前記一般式（２７’）において、Ｒ66は水素原子又は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化６６】
2001106658.tif 000127
2001106658.tif 000128
（但し、前記一般式（２８）、（２８−１）、（２８−２）、（２８−３）において、Ｒ67、Ｒ99は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【請求項２１】
下記構造式（２９）−１、（２９）−２、（２９）−３、（２９）−４、（２９）−５、（２９）−６、（２９）−７、（２９）−８、（２９）−９、（２９）−１０、（２９）−１１、（２９）−１２、（２９）−１２’、（２９）−１３、（２９）−１４、（２９）−１５、（２９）−１６、（２９）−１７又は（２９）−１８で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物を得る、請求項１０又は１７に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の製造方法。
【化６７】
2001106658.tif 000129
2001106658.tif 000130
2001106658.tif 000131
2001106658.tif 000132
2001106658.tif 000133
2001106658.tif 000134
2001106658.tif 000135
2001106658.tif 000136
2001106658.tif 000137
2001106658.tif 000138
2001106658.tif 000139
2001106658.tif 000140
2001106658.tif 000141
2001106658.tif 000142
2001106658.tif 000143
2001106658.tif 000144
2001106658.tif 000145
【請求項２２】
下記一般式〔VII〕又は〔VIII〕で表されるジホスホン酸エステル又はジホスホニウム。
【化６８】
2001106658.tif 000146
（但し、前記一般式〔VII〕及び〔VIII〕において、Ｒ72及びＲ73はそれぞれ、互いに同一の又は異なる炭化水素基であり、Ｒ74及びＲ75はそれぞれ、互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子であり（但し、Ｒ74及びＲ75が共に水素原子である場合を除く。）、Ｘはハロゲン原子である。）
【請求項２３】
前記Ｒ72及びＲ73が炭素数１〜４の飽和炭化水素基である、請求項２２に記載したジホスホン酸エステル又はジホスホニウム。
【請求項２４】
下記一般式（４１）又は（４２）で表される、請求項２２に記載したジホスホン酸エステル又はジホスホニウム。
【化６９】
2001106658.tif 000147
（但し、前記一般式（４１）及び（４２）において、Ｒ72、Ｒ73及びＸは前記したものと同じである。）
【請求項２５】
下記一般式（４３）又は（４４）で表される、請求項２２に記載したジホスホン酸エステル又はジホスホニウム。
【化７０】
2001106658.tif 000148
（但し、前記一般式（４３）及び（４４）において、Ｒ72、Ｒ73及びＸは前記したものと同じである。）
【請求項２６】
下記一般式〔IX〕で表されるハロゲン化アリール化合物と、下記一般式〔Ｘ〕で表される亜リン酸トリアルキル又はトリフェニルホスフィン（ＰＰｈ3）とを反応させることによって、下記一般式〔VII〕又は〔VIII〕で表されるジホスホン酸エステル又はジホスホニウムを得る、ジホスホン酸エステル又はジホスホニウムの製造方法。
【化７１】
2001106658.tif 000149
（但し、前記一般式〔IX〕において、Ｒ74及びＲ75はそれぞれ、互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子であり（但し、Ｒ74及びＲ75が共に水素原子である場合を除く。）、Ｘはハロゲン原子である。）
一般式  〔Ｘ〕:
Ｐ(ＯＲ76)3  又は  Ｐ(ＯＲ77)3
（但し、前記一般式〔Ｘ〕において、Ｒ76及びＲ77はそれぞれ、同一の又は異なる炭化水素基である。）
【化７２】
2001106658.tif 000150
（但し、前記一般式〔VII〕及び〔VIII〕において、Ｒ72及びＲ73はそれぞれ、互いに同一の又は異なる炭化水素基であり、Ｒ74、Ｒ75及びＸは前記したものと同じである。）
【請求項２７】
前記Ｒ72及びＲ73を炭素数１〜４の飽和炭化水素基とする、請求項２６に記載したジホスホン酸エステル又はジホスホニウムの製造方法。
【請求項２８】
下記一般式（４１）又は（４２）で表されるジホスホン酸エステル又はジホスホニウムを得る、請求項２６に記載したジホスホン酸エステル又はジホスホニウムの製造方法。
【化７３】
2001106658.tif 000151
（但し、前記一般式（４１）及び（４２）において、Ｒ72、Ｒ73及びＸは前記したものと同じである。）
【請求項２９】
下記一般式（４３）又は（４４）で表されるジホスホン酸エステル又はジホスホニウムを得る、請求項２６に記載したジホスホン酸エステル又はジホスホニウムの製造方法。
【化７４】
2001106658.tif 000152
（但し、前記一般式（４３）及び（４４）において、Ｒ72、Ｒ73及びＸは前記したものと同じである。）
【請求項３０】
下記一般式〔IX〕で表されるハロゲン化アリール化合物。
【化７５】
2001106658.tif 000153
（但し、一般式〔IX〕において、Ｒ74及びＲ75はそれぞれ、同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも一つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子であり（但し、Ｒ74及びＲ75が共に水素原子である場合を除く。）、Ｘはハロゲン原子である。）
【請求項３１】
下記一般式〔XI〕で表されるナフタレン化合物と、下記一般式〔XII〕で表されるＮ−ハロゲン化スクシンイミドとを反応させることによって、下記一般式〔IX〕で表されるハロゲン化アリール化合物を得る、ハロゲン化アリール化合物の製造方法。
【化７６】
2001106658.tif 000154
（但し、前記一般式〔XI〕において、Ｒ74及びＲ75はそれぞれ、同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも一つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子である（但し、Ｒ74及びＲ75が共に水素原子である場合を除く。）。）
【化７７】
2001106658.tif 000155
（但し、前記一般式〔XII〕において、Ｘはハロゲン原子である。）
【化７８】
2001106658.tif 000156
（但し、前記一般式〔IX〕において、Ｒ74及びＲ75は前記したものと同じであり、Ｘはハロゲン原子である。）
【請求項３２】
発光領域を有する有機層が陽極と陰極との間に設けられている有機電界発光素子において、前記有機層に請求項１に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の少なくとも１種が含まれていることを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項３３】
前記有機層が、正孔輸送層と電子輸送層とが積層された有機積層構造を有しており、前記正孔輸送層又は電子輸送層又は発光層の形成材料として前記ビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の少なくとも１種が用いられている、請求項３２に記載した有機電界発光素子。
【請求項３４】
発光領域を有する有機層が陰極と陽極との間に設けられている有機電界発光素子において、前記有機層に請求項２又は６に記載したビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の少なくとも１種が含まれていることを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項３５】
前記有機層が、正孔輸送層と電子輸送層とが積層された有機積層構造を有しており、前記正孔輸送層又は電子輸送層又は発光層の形成材料として前記ビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物の少なくとも１種が用いられている、請求項３４に記載した有機電界発光素子。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、所望の発光色を呈する有機発光材料として好適なビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物及びその合成中間体、これらの製造方法、並びに有機電界発光素子に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の目的は、上記のような現状に鑑み、強い発光を呈する特に黄色〜赤色の有機発光材料として好適な化合物及びその合成中間体と、これらを高効率に製造する方法、並びに有機電界発光素子を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
即ち、本発明はまず、下記一般式〔Ｉ〕、〔II〕、〔III〕又は〔IV〕で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物（以下、本発明の化合物と称する。）に係るものである。
【化１０５】
2001106658.tif 000157
〔但し、前記一般式〔Ｉ〕において、Ｒ2及びＲ3は無置換のアリール基であり、Ｒ1及びＲ4は下記一般式（１）で表されるアリール基であり
【化１０６】
2001106658.tif 000158
（但し、前記一般式（１）において、Ｒ7、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10及びＲ11は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも一つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基である。）、Ｒ5及びＲ6は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、又はハロゲン原子（Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ等：以下、同様）である（但し、Ｒ5及びＲ6が共に水素原子である場合を除く。）。〕
【化１０７】
2001106658.tif 000159
〔但し、前記一般式〔II〕において、Ｒ12、Ｒ13、Ｒ14及びＲ15は互いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（２）で表されるアリール基であり
【化１０８】
2001106658.tif 000160
（但し、前記一般式（２）において、Ｒ18、Ｒ19、Ｒ20、Ｒ21及びＲ22は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基である。）、Ｒ16及びＲ17は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、又はハロゲン原子である（但し、Ｒ16及びＲ17が共に水素原子である場合を除く。）。〕
【化１０９】
2001106658.tif 000161
〔但し、前記一般式〔III〕において、Ｒ23、Ｒ24、Ｒ25及びＲ26は少なくとも１つが下記一般式（３）で表されるアリール基であり、残りが無置換のアリール基であり
【化１１０】
2001106658.tif 000162
（但し、前記一般式（３）において、Ｒ29、Ｒ30、Ｒ31、Ｒ32及びＲ33は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも一つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基である。）、Ｒ27及びＲ28は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、又はハロゲン原子である（但し、Ｒ27及びＲ28が共に水素原子である場合を除く。）。〕
【化１１１】
2001106658.tif 000163
〔但し、前記一般式〔IV〕において、Ｒ35及びＲ36は互いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（４）で表されるアリール基であり
【化１１２】
2001106658.tif 000164
（但し、前記一般式（４）において、Ｒ40、Ｒ41、Ｒ42、Ｒ43及びＲ44は互いに同一の又は異なる基であって、水素原子、又はそれらの少なくとも一つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基である。）、Ｒ34及びＲ37は互いに同一の又は異なる基であって、下記一般式（５）で表されるアリール基であり
【化１１３】
2001106658.tif 000165
（但し、前記一般式（５）において、Ｒ45、Ｒ46、Ｒ47、Ｒ48、Ｒ49、Ｒ50及びＲ51は互いに同一の又は異なる基であって、水素原子、又はそれらの少なくとも一つが炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素オキシ基、炭化水素基、又は炭化水素アミノ基である。）、Ｒ38及びＲ39は互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、又はハロゲン原子である（但し、Ｒ38及びＲ39が共に水素原子である場合を除く。）。〕
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明の化合物の参考例として、下記一般式で表されるものが挙げられる。
【化１３７】
2001106658.tif 000166
〔但し、前記一般式（３０）において、Ａｒ1、Ａｒ2、Ａｒ3及びＡｒ4はそれぞれ、置換基を有してもよい互いに同一の又は異なるアリール基であって、置換基を有する場合には下記一般式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）又は（１２”）で表されるアリール基から選ばれた基である。
【化１３８】
2001106658.tif 000167
2001106658.tif 000168
2001106658.tif 000169
（但し、前記一般式（７）、（８）、（９）、（１０）、（１１）、（１２）、（１２’）及び（１２”）において、Ｒ52、Ｒ53及びＲ54炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、Ｒ55、Ｒ56、Ｒ57、Ｒ58、Ｒ59及びＲ60は互いに同一の又は異なる炭素数１以上の飽和又は不飽和の炭化水素基であり、ｎは０〜６の整数であり、ｍは０〜３の整数であり、ｌは０〜４の整数である。）〕
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この参考例の化合物は、より具体的には、下記一般式（３１）、（３２）、（３３）、（３４）、（３５）、（３６）、（３６’）又は（３７）で表されるものがある。
【化１３９】
2001106658.tif 000170
（但し、前記一般式（３１）において、Ｒ61は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１４０】
2001106658.tif 000171
（但し、前記一般式（３２）において、Ｒ62は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１４１】
2001106658.tif 000172
（但し、前記一般式（３３）において、Ｒ63は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基又は炭化水素オキシ基である。）
【化１４２】
2001106658.tif 000173
（但し、前記一般式（３４）において、Ｒ64は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１４３】
2001106658.tif 000174
（但し、前記一般式（３５）において、Ｒ65は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１４４】
2001106658.tif 000175
（但し、前記一般式（３６）において、Ｒ66は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１４５】
2001106658.tif 000176
（但し、前記一般式（３６’）において、Ｒ66は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【化１４６】
2001106658.tif 000177
（但し、前記一般式（３７）において、Ｒ67は炭素数１〜６の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
この参考例の化合物は、下記構造式（３８）−１、（３８）−２、（３８）−３、（３８）−４、（３８）−５、（３８）−６、（３８）−７、（３８）−８、（３８）−９、（３８）−１０、（３８）−１１、（３８）−１２、（３８）−１２’、（３８）−１３又は（３８）−１４で表されるものが具体的に例示される。
【化１４７】
2001106658.tif 000178
2001106658.tif 000179
2001106658.tif 000180
2001106658.tif 000181
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2001106658.tif 000183
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2001106658.tif 000185
2001106658.tif 000186
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2001106658.tif 000188
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2001106658.tif 000191
2001106658.tif 000192
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
上記及び上記以外の本発明の化合物として、次の化合物も例示することができる。
2001106658.tif 000193
2001106658.tif 000194
2001106658.tif 000195
2001106658.tif 000196
2001106658.tif 000197
2001106658.tif 000198
2001106658.tif 000199
2001106658.tif 000200
以下は、参考例としての化合物の追加例である。
2001106658.tif 000201
2001106658.tif 000202
2001106658.tif 000203
2001106658.tif 000204
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
本発明の化合物の製造方法によって、前記一般式（１３）、（１３’）、（１４）、（１５）、（１６）、（１７）、（１８）、（１８’）、（１９）、（２１）、（２２）、（２３）、（２４）、（２５）、（２６）、（２７）、（２７’）、（２８）、（３０）で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物を得ることができ、具体的には、前記構造式（２０）−１、（２０）−２、（２０）−３、（２０）−４、（２０）−５、（２０）−６、（２０）−７、（２０）−８、（２０）−９、（２０）−１０、（２０）−１１、（２０）−１２、（２０）−１２’、（２０）−１３、（２０）−１４、（２０）−１５、（２９）−１、（２９）−２、（２９）−３、（２９）−４、（２９）−５、（２９）−６、（２９）−７、（２９）−８、（２９）−９、（２９）−１０、（２９）−１１、（２９）−１２、（２９）−１２’、（２９）−１３、（２９）−１４、（２９）−１５で表されるビス（アミノスチリル）ナフタレン化合物を得ることができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
この合成中間体（以下、本発明の合成中間体１と称する。）は、下記一般式（４１）、（４２）、（４３）又は（４４）で表される。
【化１５４】
2001106658.tif 000205
2001106658.tif 000206
（前記一般式（４１）、（４２）、（４３）及び（４４）において、Ｒ72、Ｒ73及びＸは前記したものと同じである。）
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
即ち、下記一般式〔IX〕で表される、ハロゲン化アリール化合物と、下記一般式〔Ｘ〕で表される亜リン酸トリアルキル又はトリフェニルホスフィン（ＰＰｈ3）とを反応させることによって、前記一般式〔VII〕で表されるジホスホン酸エステル、又は前記一般式〔VIII〕で表されるジホスホニウムを合成中間体として得る。この反応は、無溶媒又は１２０℃以上の沸点を有するキシレン等の溶媒中、又は大過剰の亜リン酸トリアルキル中で反応温度１２０℃〜１６０℃、常圧で反応時間３０分〜２４時間としてよい。
【化１５５】
2001106658.tif 000207
（但し、前記一般式〔IX〕において、Ｒ74及びＲ75はそれぞれ、互いに同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基又はハロゲン原子であり（但し、Ｒ74及びＲ75が共に水素原子である場合を除く。）、Ｘはハロゲン原子である。）
一般式  〔Ｘ〕:
Ｐ(ＯＲ76)3  又は  Ｐ(ＯＲ77)3
（但し、前記一般式〔Ｘ〕において、Ｒ76及びＲ77はそれぞれ、同一の又は異なる炭化水素基、特に炭素数１〜４の飽和又は不飽和の炭化水素基である。）
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
本発明の合成中間体２は、下記一般式〔XI〕で表されるジメチルナフタレン化合物と、下記一般式〔XII〕で表されるＮ−ハロゲン化スクシンイミドとを光照射下に反応させることによって得ることができる。例えば、四塩化炭素、クロロホルム、ベンゼン、クロロベンゼン等の溶媒中、高圧水銀灯、低圧水銀灯、キセノン灯、ハロゲン灯、日光、蛍光灯等の光源を用いて２０〜１２０℃の温度、常圧で３０分〜４８時間の反応時間で反応させる。
【化１５６】
2001106658.tif 000208
（但し、前記一般式〔XI〕において、Ｒ74及びＲ75はそれぞれ、同一の又は異なる基であって、それらの少なくとも１つが水素原子、シアノ基、ニトロ基、トリフルオロメチル基、又はハロゲン原子である（但し、Ｒ74及びＲ75が共に水素原子である場合を除く。）。）
【化１５７】
2001106658.tif 000209
（但し、前記一般式〔XII〕において、Ｘはハロゲン原子である。）