【手続補正書】
【提出日】平成16年11月1日(2004.11.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリセルであって、
強磁性材料で被覆されている導体と、
該被覆されている導体の両側に配設されている第１及び第２のスペーサ層と、
前記第１のスペーサ層上に配設されている第１のデータ層と、
前記第２のスペーサ層上に配設されている第２のデータ層と
を含むメモリセル。
【請求項２】
前記導体が完全に被覆されている請求項１に記載のメモリセル。
【請求項３】
前記導体の上面及び下面のみが被覆されている請求項１に記載のメモリセル。
【請求項４】
前記被覆された導体が軟磁性である請求項１に記載のメモリセル。
【請求項５】
前記第１及び第２のデータ層の飽和保磁力が、前記被覆されている導体の飽和保磁力よりも大幅に高い請求項１に記載のメモリセル。
【請求項６】
前記第１及び第２のデータ層が、前記導体上の前記被覆とは異なる強磁性材料から形成されている請求項１に記載のメモリセル。
【請求項７】
前記スペーサ層が絶縁性トンネル障壁であり、前記第１のデータ層及び前記第１のスペーサ層及び前記被覆されている導体が第１の磁気トンネル接合を形成し、前記第２のデータ層及び前記第２のスペーサ層及び前記被覆されている導体が第２の磁気トンネル接合を形成する請求項１に記載のメモリセル。
【請求項８】
前記メモリセルが少なくとも４つの検出可能な異なる論理状態を有する請求項７に記載のメモリセル。
【請求項９】
前記第１のデータ層上に配設されている第１の導体と、前記第２のデータ層上に配設されている第２の導体とを更に含み、前記被覆されている導体が前記第１及び第２の導体と直交している請求項７に記載のメモリセル。
【請求項１０】
複数の第１の導体及び複数の第２の導体及び複数の第３の導体であって、該第１の導体が強磁性材料で被覆され、該第１の導体が該第２の導体及び該第３の導体と交点を形成している複数の第１の導体及び複数の第２の導体及び複数の第３の導体と、
前記第１の導体と前記第２の導体の交点の間の第１の絶縁性トンネル障壁及び第１のデータ強磁性層と、
前記第１の導体と前記第３の導体の交点の間の第２の絶縁性トンネル障壁及び第２のデータ強磁性層と
を含むデータストレージデバイス。
【請求項１１】
メモリセル上でビット-ビットバー動作を実行する読み出し／書き込み回路をさらに含む請求項１０に記載のデータストレージデバイス。
【請求項１２】
メモリセル上でデュアルビット動作を実行する読み出し／書き込み回路をさらに含む請求項１０に記載のデータストレージデバイス。
【請求項１３】
メモリセル上で読み出し／書き込み動作を実行する手段をさらに含む請求項１０に記載のデータストレージデバイス。
【請求項１４】
前記第１のデータ層及び前記第２のデータ層の飽和保持力が、前記被覆されている導体の飽和保持力よりも大幅に高い請求項１０に記載のデータストレージデバイス。
【請求項１５】
前記絶縁性トンネル障壁及びデータ強磁性層がメモリセルのアレイ内に配列され、各メモリセルが第１及び第２の磁気トンネル接合を含み、各第１の磁気トンネル接合が第１のトンネル障壁及び第１のデータ層を含み、各第２の磁気トンネル接合が第２のトンネル障壁及び第２のデータ層を含む請求項１０に記載のデータストレージデバイス。
【請求項１６】
各メモリセルが少なくとも４つの検出可能な異なる論理状態を有する請求項１５に記載のデータストレージデバイス。
【請求項１７】
選択された被覆されている導体に読み出し電流を供給し、選択されたメモリセルの第１及び第２の磁気トンネル接合を介して第１及び第２の電流を流す読み出し回路をさらに含む請求項１５に記載のデータストレージデバイス。
【請求項１８】
前記読み出し回路が、前記選択された被覆されている導体の全電流を測定し、前記選択されたメモリセルの磁気トンネル接合の少なくとも一つの抵抗状態を判定する請求項１７に記載のデータストレージデバイス。
【請求項１９】
前記読み出し回路が、前記選択されたメモリセルの各磁気トンネル接合を介して流れる電流を測定し、互いの測定値を比較し、その比較が、第１の論理状態又は第２の論理状態のどちらが前記選択されたメモリセルに格納されているかを示す請求項１７に記載のデータストレージデバイス。
【請求項２０】
前記読み出し回路が、前記選択されたメモリセルの各磁気トンネル接合を介して流れる電流を測定し、その測定値を閾値と比較し、その比較が、抵抗状態、したがって前記選択されたメモリセルの磁気トンネル接合の論理値を示す請求項１７に記載のデータストレージデバイス。
【請求項２１】
前記磁気トンネル接合の一方に論理値を、及び前記磁気トンネル接合の他方に補数を書き込むことによって、選択されたメモリセルにその論理値を書き込み、読み出し動作の間、前記選択されたメモリセルの磁気トンネル接合を介して検知電流を流し、検知電流を測定し、その測定値を互いに比較して前記選択されたメモリセルの論理状態を判定する読み出し／書き込み回路をさらに含む請求項１５に記載のデータストレージデバイス。
【請求項２２】
選択された第２の導体及び第３の導体に同時に第１の書き込み電流及び第２の書き込み電流を供給し、わずかに遅延して選択された第１の導体に第３の書き込み電流を供給する書き込み回路をさらに含む請求項１０に記載のデータストレージデバイス。
【請求項２３】
選択されたメモリセルに第１の電位を適用し、読み出し動作の間、選択されていない導体のサブセットに第２の電位を適用する読み出し回路をさらに含み、該第１の電位と第２の電位が等しい請求項１０に記載のデータストレージデバイス。
【請求項２４】
前記第１の電位が選択された第２及び第３の導体に供給され、前記第２の電位が選択されていない第２及び第３の全ての導体に供給される請求項２３に記載のデータストレージデバイス。
【請求項２５】
選択された第２の導体に第１の電位を、及び選択された第３の導体に第２の電位を適用する読み出し回路をさらに含む請求項１０に記載のデータストレージデバイス。
【請求項２６】
前記第１及び第２の電位がアレイ電圧に等しい請求項２５に記載のデータストレージデバイス。
【請求項２７】
Ｖ1が前記第１の電位であり、Ｖ2が前記第２の電位であり、εが数十mVに等しいとき、Ｖ1がεに等しく、Ｖ2が-εに等しい請求項２５に記載のデータストレージデバイス。
【請求項２８】
前記読み出し回路が、選択された第１の導体に基準電位を、及び複数の選択されていない第２及び第３の導体にグランド電位を適用し、
Ｖ1が前記第１の電位であり、Ｖ2が前記第２の電位であるとき、Ｖ1がεに等しく、Ｖ2が-εに等しく、
GNDが前記グランド電位であり、Ｖが基準電位であるとき、GND＜ε≪Ｖである請求項２５に記載のデータストレージデバイス。
【請求項２９】
前記読み出し回路が、選択された第１の導体にグランド電位を、及び複数の選択されていない第２及び第３の導体に基準電位を適用し、
Ｖ1が前記第１の電位であり、Ｖ2が前記第２の電位であるとき、Ｖ1がεに等しく、Ｖ2が-εに等しく、
GNDが前記グランド電位であり、Ｖが基準電位であるとき、GND＜ε≪Ｖである請求項２５に記載のデータストレージデバイス。
【請求項３０】
前記第１及び第２の電位が、前記アレイを介して流れる寄生電流の大きさを低減することができるように選択されている請求項２５に記載のデータストレージデバイス。
【請求項３１】
読み出し動作の間、寄生電流を分流する手段をさらに含む請求項１０に記載のデータストレージデバイス。
【請求項３２】
前記導体が完全に被覆されている請求項１０に記載のデータストレージデバイス。
【請求項３３】
前記導体の上面及び下面のみが被覆されている請求項１０に記載のデータストレージデバイス。
【請求項３４】
メモリセルのアレイを含むMRAMデバイスであって、各メモリセルが、
強磁性材料で被覆されている導体と、
前記被覆されている導体上の第１の絶縁性トンネル障壁及び第１のデータ層であって、該第１のデータ層及び該第１の絶縁性トンネル障壁及び前記被覆されている導体が第１の磁気トンネル接合を形成する第１の絶縁性トンネル障壁及び第１のデータ層と、
前記被覆されている導体上の第２の絶縁性トンネル障壁及び第２のデータ層であって、該第２のデータ層及び該第２の絶縁性トンネル障壁及び前記被覆されている導体が第２の磁気トンネル接合を形成する第２の絶縁性トンネル障壁及び第２のデータ層と
を含むMRAMデバイス。