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【手続補正書】
【提出日】令和3年10月20日(2021.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有効量のＮＥＯ−２０１抗体の、それを必要とする患者において、がん腫細胞を死滅させるための、がん腫を処置するための、がん腫の再発を予防するための、又は腫瘍量を減少させるための、使用であって、
（ａ）前記抗体は、補体媒介性細胞毒性（ＣＤＣ）を媒介し、それにより前記患者のがん腫細胞を死滅させる；及び
（ｂ）前記患者は、前記投与前または前記投与時にナチュラルキラー（「ＮＫ」）が枯渇している、
使用。
【請求項２】
前記患者は、前記投与前または前記投与時に重度のＮＫ枯渇である、請求項１に記載の使用。
【請求項３】
前記投与前または前記投与時に、
前記患者が、ＮＫ枯渇しているか、又は前記患者が重度にＮＫ枯渇しているかを決定すること、
をさらに含む、請求項１又は２に記載の使用。
【請求項４】
以下を含む、請求項１〜３のいずれかに記載の使用：
（ａ）前記患者は、任意によりＣＮＫＤ（例えば、ＣＮＫＤ１、ＣＮＫＤ２）、またはＦＮＫＤ（例えば、ＦＮＫＤ１）を含むＮＫ細胞欠損症（ＮＫＤ）を有する；
（ｂ）前記患者は、別の治療法の結果としてＮＫが枯渇しているか、または重度にＮＫが枯渇している；
（ｃ）前記患者はがん治療を受けている；又は
（ｄ）前記患者は化学療法または放射線療法を受けていて、任意に、
前記化学療法は、１つ以上のプロテアソーム阻害剤（例えば、ボルテゾミブ、ＭＧ１３２）、ヒストンデアセチラーゼ阻害剤（例えば、バルプロ酸、トリコスタチンＡ、スベロイルアニリド−ヒドロキサム酸（ＳＡＨ）、酪酸ナトリウム）、遺伝毒性剤（例えば、ドキソルビシン、メルファラン、シスプラチン、Ａｒａ−Ｃ、アフィジコリン、マイトマイシン、メトトレキサート、エトポシド）、ＧＳＫ阻害剤（例えば、ＬｉＣｌ、ＢＩＯ、ＳＢ２１）、ＢＥＴ阻害剤（例えば、ＪＱ１）、ＨＳＰ９０阻害剤（例えば、ラディシコラ（ｒａｄｉｃｉｃｏｌａ））、１７−ＡＡＧ）、微小管集合阻害剤（例えば、ビンクリスチン、サイトカラシンＤ、ノコダゾール、ドセタキセル）、及び／または免疫調節薬（例えば、レナリドマイド）を投与することを含む。
【請求項５】
以下を含む、請求項１〜４のいずれかに記載の使用：
前記投与前または前記投与時に、
（ａ）ＮＫ細胞は、前記個体における末梢血単核細胞（ＰＢＭＣ）の５％未満を構成する；
（ｂ）ＮＫ細胞は、前記個体における末梢血単核細胞（ＰＢＭＣ）の３％未満を構成する；
（ｃ）前記患者の７０％未満のＰＢＭＣ  ＮＫ細胞がＣＤ５６ｄｉｍＣＤ１６＋ＮＫ細胞である；又は
（ｄ）前記患者の５０％未満のＰＢＭＣ  ＮＫ細胞がＣＤ５６ｄｉｍＣＤ１６＋ＮＫ細胞である。
【請求項６】
以下を含む、請求項１〜５のいずれかに記載の使用：
前記ＮＥＯ−２０１抗体は、
（ａ）配列番号２８及び配列番号２９に含まれるＣＤＲ配列の少なくとも１つ、２つ、３つ、４つ、５つ、または６つすべてを含む；
（ｂ）配列番号３８に対して少なくとも９０％の同一性を有する可変重鎖配列を含む；
（ｃ）配列番号３９に対して少なくとも９０％の同一性を有する可変軽鎖配列を含む；
（ｄ）配列番号３８に対して少なくとも９０％の同一性を有する可変重鎖配列、及び配列番号３９に対して少なくとも９０％の同一性を有する可変軽鎖配列を含む；
（ｅ）配列番号３８の可変重鎖配列及び配列番号３９の可変軽鎖配列を含む；
（ｆ）配列番号２８のアミノ酸２０〜４７０に対して少なくとも９０％の同一性を有する重鎖配列、及び配列番号２９のアミノ酸２０〜２３３に対して少なくとも９０％の同一性を有する軽鎖配列を含む；
（ｇ）配列番号２８及び配列番号２９に含まれる６つすべての前記ＣＤＲ配列を含む、請求項２２または２３に記載の方法。
（ｈ）配列番号２８の前記重鎖可変領域配列及び配列番号２９の前記軽鎖可変領域配列を含む；
（ｉ）配列番号２８のアミノ酸２０〜４７０を含む重鎖配列、及び配列番号２９のアミノ酸２０〜２３３を含む軽鎖配列を含む；
（ｊ）ヒトＩｇＧ１の定常ドメインを含む；
（ｋ）ヒト化されている；
（ｌ）別の部分にコンジュゲートされている；及び／又は
（ｍ）別の細胞毒性部分、標識、放射性部分、または親和性タグにコンジュゲートされている。
【請求項７】
前記ＮＥＯ−２０１抗体が、以下と組み合わせて投与されるためのものである、請求項１〜６のいずれかに記載の使用：
（ａ）前記がん腫の細胞の死滅を増強するかまたは刺激するための有効量のサイトカインアゴニスト、ただし、任意に、前記サイトカインアゴニストは、インターロイキン−２（ＩＬ−２）、インターロイキン２１（ＩＬ−２１）、ＡＬＴ−８０３、ＩＬ−１５阻害剤、チェックポイント阻害剤、抗ＰＤ１、抗ＰＤＬ１、抗ＣＴＬＡ−４、抗−４１ＢＢ、抗ＯＸ４０、抗Ｔｉｍ−３、もしくはそれらの組み合わせ、ＩＬ−１５アゴニストもしくはＩＬ−１５スーパーアゴニスト、又はＩＬ−１５受容体α／ＩｇＧ１  Ｆｃ融合タンパク質に結合したＩＬ−１５変異体（ＩＬ−１５Ｎ７２Ｄ）からなる複合体（ＡＬＴ−８０３のような複合体）、を含む；又は
（ｂ）前記がん腫の細胞の死滅を増強するかまたは刺激するための有効量の補体調節タンパク質（ＣＲＰ）アンタゴニスト、
前記ＣＲＰアンタゴニストは、任意に、ＣＤ４６、ＣＤ５５、またはＣＤ５９のうちの１つ以上に拮抗し、前記ＣＲＰアンタゴニストは、任意に、抗体またはその抗原結合断片を含む。
【請求項８】
前記ＮＥＯ−２０１抗体の前記有効投与量が、前記サイトカインアゴニストを含まない前記ＮＥＯ−２０１抗体単独での治療と比較して低減される、請求項７に記載の使用。
【請求項９】
前記がんは、結腸癌、膵癌、卵巣癌、胃癌、肺癌、乳癌、又は子宮癌である、請求項１〜８のいずれかに記載の使用。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月6日(2021.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の蛍光体（１）と第２の蛍光体（２）とを含む、蛍光体組み合わせ体（１０）であって、
前記第２の蛍光体（２）は赤色発光量子ドット蛍光体であり、
前記蛍光体組み合わせ体（１０）は、下記式
（ＭＢ）（ＴＡ）３−２ｘ（ＴＣ）１＋２ｘＯ４−４ｘＮ４ｘ：Ｅ
を有する第３の蛍光体（３）を含み、ここで、
ＴＡは、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｕ、Ａｇおよびこれらの組み合わせを含む一価金属の群から選択されており、
ＭＢは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎおよびこれらの組み合わせを含む二価金属の群から選択されており、
ＴＣは、Ｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｙ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｓｃ、希土類金属およびこれらの組み合わせを含む三価金属の群から選択されており、
Ｅは、Ｅｕ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｙｂおよびこれらの組み合わせを含む群から選択されており、
ただし０＜ｘ＜０．８７５が適用される、
蛍光体組み合わせ体（１０）。
【請求項２】
前記第１の蛍光体（１）は緑色発光蛍光体である、
請求項１記載の蛍光体組み合わせ体（１０）。
【請求項３】
前記第１の蛍光体（１）は量子ドット蛍光体ではない、
請求項１または２記載の蛍光体組み合わせ体（１０）。
【請求項４】
前記第１の蛍光体（１）は、平均粒径が１μｍ〜１０００μｍである粒子を有する、
請求項１から３までのいずれか１項記載の蛍光体組み合わせ体（１０）。
【請求項５】
前記赤色発光量子ドット蛍光体（２）は、１ｎｍ〜３００ｎｍの平均粒径を有する、
請求項１から４までのいずれか１項記載の蛍光体組み合わせ体（１０）。
【請求項６】
前記赤色発光量子ドット蛍光体（２）は、以下の半導体材料すなわち、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＨｇＴｅ、ＨｇＳｅ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＳｂ、ＡｌＰ、ＡｌＡｓ、ＡｌＳｂ、ＩｎＰ、ＩｎＡｓ、ＩｎＳｂ、ＳｉＣ、ＩｎＮ、Ａ１Ｎ、ならびに該半導体材料の固溶体、または該半導体材料の組み合わせ、の群から選択された半導体材料のうち少なくとも１つの半導体材料を含む、
請求項１から５までのいずれか１項記載の蛍光体組み合わせ体（１０）。
【請求項７】
前記赤色発光量子ドット蛍光体（２）は、コアシェル構造（２ａ，２ｂ）を有する、
請求項１から６までのいずれか１項記載の蛍光体組み合わせ体（１０）。
【請求項８】
前記赤色発光量子ドット蛍光体（２）は、平均直径が１〜２００ｎｍであるコアを有し、かつ平均厚が２００ｎｍまでのシェルを有する、
請求項７記載の蛍光体組み合わせ体（１０）。
【請求項９】
当該蛍光体組み合わせ体（１０）の蛍光体総量に対する前記赤色発光量子ドット蛍光体（２）の割合は、最大で６０重量パーセントを有する、
請求項１から８までのいずれか１項記載の蛍光体組み合わせ体（１０）。
【請求項１０】
前記第３の蛍光体（３）は、正方晶の空間群Ｐ４２／ｍで結晶化している、
請求項１から９までのいずれか１項記載の蛍光体組み合わせ体（１０）。
【請求項１１】
ｘ＝０．５であり、したがって前記第３の蛍光体（３）は式（ＭＢ）Ｌｉ２Ａｌ２Ｏ２Ｎ２：Ｅを有し、
ここでＭＢは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎまたはこれらの組み合わせを含む二価金属の群から選択されており、
ここでＥは、Ｅｕ、Ｍｎ、Ｃｅ、Ｙｂおよびこれらの組み合わせを含む群から選択されている、
請求項１から１０までのいずれか１項記載の蛍光体組み合わせ体（１０）。
【請求項１２】
前記第３の蛍光体（３）は式ＳｒＬｉ２Ａｌ２Ｏ２Ｎ２：Ｅｕ２＋を有する、
請求項１から１１までのいずれか１項記載の蛍光体組み合わせ体（１０）。
【請求項１３】
当該蛍光体組み合わせ体（１０）の蛍光体総量に対する前記第３の蛍光体（３）の割合は、少なくとも１０重量パーセントである、
請求項２または請求項１から１２までのいずれか１項記載の蛍光体組み合わせ体（１０）。
【請求項１４】
少なくとも１つのさらなる蛍光体を含む、
請求項１から１３までのいずれか１項記載の蛍光体組み合わせ体（１０）。
【請求項１５】
請求項１から１４までのいずれか１項記載の蛍光体組み合わせ体（１０）を有する変換素子（２０）。
【請求項１６】
第１の波長領域の電磁放射を放出する放射放出半導体チップ（５０）と、請求項１から１４までのいずれか１項記載の蛍光体組み合わせ体（１０）とを含む、
オプトエレクトロニクス装置（３０）。
【請求項１７】
前記蛍光体組み合わせ体（１０）は、前記半導体チップ（５０）上に配置された変換素子（２０）内に、または前記半導体チップ上に存在する注封部材（４０）内に、設けられている、
請求項１６記載のオプトエレクトロニクス装置（３０）。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月12日(2021.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者におけるボツリヌス毒素療法の副作用を軽減するための、１以上の抗コリンエステラーゼを含む医薬組成物あって、前記患者が過活動膀胱または尿意ひっ迫の処置のためにボツリヌス毒素を投与され、かつ前記医薬組成物がボツリヌス毒素により除神経された膀胱筋肉へ局所投与されるものである、医薬組成物。
【請求項２】
ボツリヌス毒素がＡ型ボツリヌス毒素である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
１以上の抗コリンエステラーゼがネオスチグミン、エドロホニウム、ピリドスチグミン、フィゾスチグミン、リバスチグミン、ドネペジル、ガランタミンおよびそれらの組合せから選択される、請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項４】
１以上の抗コリンエステラーゼがネオスチグミン、エドロホニウム、ピリドスチグミン、フィゾスチグミン、リバスチグミンおよびそれらの組合せから成る群から選択される、請求項１または２に記載の医薬組成物。
【請求項５】
抗コリンエステラーゼがピリドスチグミンである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
抗コリンエステラーゼがリバスチグミンである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項７】
抗コリンエステラーゼが式：
【化１】
2021502981.tif 000001
〔式中、
ＹはＣＲ３またはＮ＋Ｘ−Ｒ４であり、ここでＸはハロゲンであり；
Ｒ１は水素、Ｃ１−Ｃ６アルキル、−ＣＯ(ＯＨ)、−ＣＯ(Ｃ１−Ｃ６アルコキシ)、−ＣＯ(ＮＨ２)、−ＣＯＮＨ(Ｃ１−Ｃ６アルキル)および−ＣＯＮ(Ｃ１−Ｃ６アルキル)２から選択され；
Ｒ２は水素であるか、またはＲ２およびＲ３は、それらが結合する原子と一体となって、場合により置換されていてよいヘテロ環を形成し；
Ｒ３はＣ１−Ｃ６アルキル、Ｃ１−Ｃ６アルコキシ、ヒドロキシＣ１−Ｃ６アルキル、アミノＣ１−Ｃ６アルキル、(Ｃ１−Ｃ６アルキルアミノ)Ｃ１−Ｃ６アルキル、(ジＣ１−Ｃ６アルキルアミノ)Ｃ１−Ｃ６アルキル、Ｃ１−Ｃ６アルコキシＣ１−Ｃ６アルキル、−ＯＨ、−ＮＨ２、−ＮＨ(Ｃ１−Ｃ６アルキル)、−Ｎ(Ｃ１−Ｃ６アルキル)２および−Ｎ＋(Ｃ１−Ｃ６アルキル)３Ｘ−から選択され；そして
Ｒ４はＣ１−Ｃ６アルキル、ヒドロキシＣ１−Ｃ６アルキル、またはＣ１−Ｃ６アルコキシＣ１−Ｃ６アルキルから選択される〕
のものである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項８】
１以上の抗コリンエステラーゼがカルバメート、三級アンモニウム、および四級アンモニウムから選択される１以上の基を有する可逆性抗コリンエステラーゼである、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項９】
局所投与が膀胱筋肉への排尿筋内注射によるものである、請求項１〜８のいずれか一項のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
局所投与が膀胱または膀胱筋肉への膀胱内注入によるものである、請求項１〜８のいずれか一項のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
膀胱内注入が膀胱内での１以上の抗コリンエステラーゼの滞留時間を延長する、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
滞留時間が医療デバイスにより延長される、請求項１１に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
１以上の抗コリンエステラーゼが膀胱壁への浸透を促進するための薬剤と製剤される、または共投与される、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
滞留時間が薬剤との製剤または共投与により延長される、請求項１３に記載の使用。
【請求項１５】
薬剤が粘膜付着剤である、請求項１４に記載の医薬組成物。
【請求項１６】
１以上の粘膜付着剤をさらに含む、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１７】
１以上の浸透強化剤をさらに含む、請求項１０に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月2日(2021.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象内における癌の治療に用いるための、ナルトレキソン、その代謝物、または、メチルナルトレキソン、ナロキソン、ナルメフェン、およびナロルフィンからなる群より選択される類似体、を含む医薬組成物であって、治療的有効量の前記ナルトレキソン、その代謝物、またはいずれかの前記類似体が第一治療段階において前記対象に投与され、前記第一治療段階の後、第二治療段階で治療的有効量のカンナビノイドが前記対象に投与される、医薬組成物。
【請求項２】
対象内における癌の治療に用いるための、カンナビノイドを含む医薬組成物であって、前記対象は治療的有効量のナルトレキソン、その代謝物、または、メチルナルトレキソン、ナロキソン、ナルメフェン、およびナロルフィンからなる群より選択される類似体を投与される第一治療段階を経ることを特徴とし、前記第一治療段階の後、治療的有効量の前記カンナビノイドが前記対象に投与される、医薬組成物。
【請求項３】
対象内における癌の治療に用いるための、ナルトレキソン、その代謝物、または、メチルナルトレキソン、ナロキソン、ナルメフェン、およびナロルフィンからなる群より選択される類似体；ならびに、カンナビノイド；を含む製剤であって、前記ナルトレキソン、その代謝物、またはいずれかの前記類似体は第一治療段階における投与のために治療的有効量で提供され、前記カンナビノイドは該第一治療段階に続く第二治療段階における投与のために治療的有効量で提供される、製剤。
【請求項４】
前記第一治療段階が少なくとも２日間の投与のためのものである、請求項１〜３のいずれか１項に記載の医薬組成物または製剤。
【請求項５】
前記第一治療段階および第二治療段階が回復段階によって分離されており、前記回復段階が前記ナルトレキソン、その代謝物、前記類似体、および前記カンナビノイドの投与がいずれも行われないことによって特徴づけられる請求項１〜４のいずれか１項に記載の医薬組成物または製剤。
【請求項６】
前記回復段階が少なくとも１日間である、請求項５に記載の医薬組成物または製剤。
【請求項７】
前記回復段階が１〜７日間の範囲内である、請求項５に記載の医薬組成物または製剤。
【請求項８】
前記第二治療段階が少なくとも１日間の投与のためのものである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の医薬組成物または製剤。
【請求項９】
前記組成物または製剤がナルトレキソンを含む、請求項１〜８のいずれか１項に記載の医薬組成物または製剤。
【請求項１０】
前記組成物または製剤が６−β−ナルトレキソールを含む、請求項１〜９のいずれか１項に記載の医薬組成物または製剤。
【請求項１１】
前記カンナビノイドが、カンナビジオール、カンナビジオール酸、カンナビノール、カンナビゲロール、カンナビバリン、テトラヒドロカンナビバリン、カンナビジバリン、カンナビクロメン、アラキドノイルエタノールアミン、２−アラキドノイルグリセロール、２−アラキドノイルグリセリルエーテル、Ｎ−アラキドノイルドーパミン、ビロダミン、ドロナビノール、ナビロン、リモナバン、またはそれらの組み合わせからなるリストより選択される、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の医薬組成物または製剤。
【請求項１２】
前記カンナビノイドがカンナビジオールである、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の医薬組成物または製剤。
【請求項１３】
前記癌が乳癌である、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の医薬組成物または製剤。
【請求項１４】
癌を有する対象の、第二治療段階におけるカンナビノイドを用いた治療に対する適合性を決定するための方法であって、前記対象は、第一治療段階において治療的有効量のナルトレキソン、その代謝物、または、メチルナルトレキソン、ナロキソン、ナルメフェン、およびナロルフィンからなる群より選択される類似体が投与されており、前記方法が、
ｉ．回復段階後または回復段階中に前記対象から得た試料をＣＢ２に特異的なプローブに接触させる工程と、
ｉｉ．前記試料内のＣＢ２の濃度を決定する工程と、
ｉｉｉ．前記試料内のＣＢ２の濃度を、前記第一治療段階前に前記対象から得た試料から決定されたＣＢ２の濃度と比較する工程と、
を含み、ＣＢ２濃度が第一治療段階後に少なくとも２倍に増加した場合に前記対象が前記第二治療段階に適合している、方法。
【請求項１５】
前記試料が腫瘍生検試料である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記対象が乳癌を有する、請求項１４または１５のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月20日(2021.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＦＸに結合することができる抗体またはその抗原結合性断片であって、前記抗体または抗原結合性断片が、
ａ．ＦＸ活性化を刺激することができるか、
ｂ．ＦＩＸａによるＦＸ活性化を刺激することができるか、
ｃ．ＦＸ活性化を刺激するか、
ｄ．ＦＩＸａによるＦＸ活性化を刺激するか、
ｅ．ＦＸをよりタンパク質分解しやすくすることができるか、または
ｆ．ＦＸをＦＩＸａによってよりタンパク質分解しやすくすることができる、
抗体またはその抗原結合性断片。
【請求項２】
前記ＦＸの活性化／タンパク質分解が、本明細書の実施例３に説明されるように決定される、請求項１に記載の抗体またはその抗原結合性断片。
【請求項３】
前記抗体またはその抗原結合性断片が、ＦＸの活性化ペプチド（配列番号２のアミノ酸残基１４３〜１９４）に結合することができる、請求項１または２に記載の抗体またはその抗原結合性断片。
【請求項４】
前記抗体またはその抗原結合性断片が、前記ＦＸの活性化ペプチドに結合することができ、ペプチドアレイにより決定される共通最小エピトープが、アミノ酸残基「ＬＬ」（配列番号２のアミノ酸残基１７７〜１７８）を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の抗体またはその抗原結合性断片。
【請求項５】
ＦＸに結合することができる抗体またはその抗原結合性断片であって、
ａ．ｍＡｂ  ００９１６の重鎖可変ドメイン（配列番号４）および軽鎖可変ドメイン（配列番号５）を含むか、
ｂ．ｍＡｂ  ００９１６の前記重鎖可変ドメイン（配列番号４）の３つのＣＤＲおよび前記軽鎖可変ドメイン（配列番号５）の３つのＣＤＲを含むか、
ｃ．ｍＡｂ  １３Ｆ６２の重鎖可変ドメイン（配列番号６）および軽鎖可変ドメイン（配列番号７）を含むか、
ｄ．ｍＡｂ  １３Ｆ６２の前記重鎖可変ドメイン（配列番号６）の３つのＣＤＲおよび前記軽鎖可変ドメイン（配列番号７）の３つのＣＤＲを含むか、
ｅ．配列番号８、９、１０、１１、５４、５５、５６もしくは５７を含むか、または
ｆ．配列番号８、９、１０、１１、５４、５５、５６もしくは５７の３つのＣＤＲを含む、抗体またはその抗原結合性断片。
【請求項６】
前記抗体またはその抗原結合性断片が、配列番号８、９、１０、１１、５４、５５、５６、または５７により識別された配列に対して、それぞれ少なくとも９０、９１、９２、９３、９４、９５、９６、９７、９８、または９９％同一である重鎖可変ドメインを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の抗体またはその抗原結合性断片。
【請求項７】
ＦＸに結合することができる抗体またはその抗原性結合断片であって、請求項５に記載の参照抗体またはその抗原結合性断片と競合する、抗体またはその抗原性結合断片。
【請求項８】
前記抗体または抗原結合性断片が、
ａ．ＦＸ活性化を刺激することができるか、
ｂ．ＦＩＸａによるＦＸ活性化を刺激することができるか、
ｃ．ＦＸ活性化を刺激するか、
ｄ．ＦＩＸａによるＦＸ活性化を刺激するか、
ｅ．ＦＸをよりタンパク質分解しやすくすることができるか、または
ｆ．ＦＸをＦＩＸａによってよりタンパク質分解しやすくすることができる、請求項５または７に記載の抗体またはその抗原結合性断片。
【請求項９】
前記抗体またはその抗原結合性断片が、ＦＩＸａ結合剤の存在と無関係に、ＦＩＸａによるＦＸ活性化を刺激する、請求項１〜８のいずれか一項に記載の抗体またはその抗原結合性断片。
【請求項１０】
前記抗体または抗原結合性断片が、１０μＭ未満、例えば９μＭ未満、例えば８μＭ未満、例えば７μＭ未満、例えば６μＭ未満、例えば５μＭ未満、例えば４μＭ未満、例えば３μＭ未満、または例えば２μＭ未満の平衡解離定数（ＫＤ）として決定される結合親和性を有する、請求項１〜９のいずれか一項に記載の抗体またはその抗原結合性断片。
【請求項１１】
前記抗体または抗原結合性断片が、一価であり、例えば免疫グロブリン単一可変ドメインまたはその抗原結合性断片、Ｎａｎｏｂｏｄｙ（登録商標）、ＶＨＨ、ヒト化ＶＨＨ、ラクダ化ＶＨドメイン、例えばＦａｂ、ｓｃＦａｂ、ＦｖまたはｓｃＦｖである、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の抗体またはその抗原結合性断片。
【請求項１２】
前記抗体またはその抗原結合性断片が、二価であり、例えば全長ｍＡｂまたはＦａｂ’２である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の抗体またはその抗原結合性断片。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の抗体またはその抗原結合性断片を含む、二重特異性または多重特異性抗体。
【請求項１４】
阻害物質を有するか、または有しない、血友病ＡまたはＢなどの血友病の治療において使用するための薬品の製造のための、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の抗体またはその抗原結合性断片の使用。
【請求項１５】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の抗体またはその抗原結合性断片を含む、阻害物質を有するか、または有しない、血友病ＡまたはＢなどの血友病の治療用の医薬。
【請求項１６】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の抗体またはその抗原結合性断片および薬学的に許容される担体を含む、医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和2年5月18日(2020.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロリアクター系またはメソリアクター系において連続フロー条件下でＣＣ結合を形成する方法であって、
有機基質をドナー溶媒の存在下、前記系において有機リチウム化合物と反応させてＬｉ中間体を形成し、それを、ｉｎ  ｓｉｔｕまたは後続の第２の反応ステップで求電子試薬と反応させて有機二次生成物を形成することができ、
前記有機リチウム化合物を炭化水素溶液または炭化水素混合溶液として使用し、かつ、前記溶液の前記有機リチウム化合物濃度は少なくとも３Ｍであること
を特徴とする、前記方法。
【請求項２】
前記有機リチウム化合物は式ＲＬｉで表され、ここで、Ｒは、２〜１２個のＣ原子を有するアルキル基であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ブチルリチウムまたはヘキシルリチウムを前記有機リチウム化合物として使用すること、及びブチルリチウムを使用する場合に前記ブチルリチウム濃度は前記溶液の少なくとも２７重量％であり、ヘキシルリチウムを使用する場合に前記ヘキシルリチウム濃度は前記溶液の少なくとも３９重量％であることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記ブチルリチウム濃度は前記溶液の少なくとも３６重量％であること、及び前記ヘキシルリチウム濃度は前記溶液の少なくとも５３重量％であることを特徴とする、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記溶液の前記有機リチウム化合物濃度は３〜８Ｍの範囲にあることを特徴とする、請求項１〜３に記載の方法。
【請求項６】
前記溶液の前記有機リチウム化合物濃度は３．５〜７Ｍの範囲にあることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記炭化水素溶媒は、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、トルエン、エチルベンゼン、ク
メン、及び／またはキシレンを含むことを特徴とする、請求項１〜６に記載の方法。
【請求項８】
前記ドナー溶媒は、エーテル、アミン、スルホキシド、リントリアミドからなる群から選択されることを特徴とする、請求項１〜７に記載の方法。
【請求項９】
ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、ジブチルエーテル、シクロペンチルメチルエーテル、メチルｔｅｒｔ−ブチルエーテル、メチルｔｅｒｔ−アミルエーテル、テトラヒドロフラン、２−メチルテトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、４−メチルテトラヒドロピラン、１，２−ジメトキシメタン及びより高級のグリム；アンモニア、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、テトラメチルエチレンジアミン、ビス（２−ジメチルアミノエチル）（メチル）アミン、ヘキサメチルホスホルアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルアセトアミド、１，３−ジメチル−３，４，５，６−テトラヒドロ−２（１Ｈ）−ピリミジノンまたはその任意の混合物を前記ドナー溶媒として使用することを特徴とする、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記反応において任意選択で前記有機リチウム化合物から形成される前記アルカンＲＨまたはハロゲン化物Ｒ−Ｈａｌ（Ｈａｌ＝Ｃｌ、Ｂｒ、またはＩ）は考慮しない場合に、前記溶液、前記ドナー溶媒、前記基質、及び前記求電子試薬成分を合わせた後ならびに反応処理前の前記反応混合物中の炭化水素溶媒（複数可）の重量割合は最高で１１重量％であることを特徴とする、請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
炭化水素溶媒の重量割合（複数可）は最大８重量％であることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
アルデヒド、ケトン、カルボン酸エステル、カルボキサミドからなる群から選択されるカルボニル化合物、またはニトリル、イミン、ハロゲン、ハロゲン化合物、ジスルフィド、及び水を前記求電子試薬として使用することを特徴とする、請求項１〜１１のいずれかに記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月2日(2021.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浅いエネルギー準位不純物、低い濃度の深いエネルギー準位ドーパント及び極めて少量の真性点欠陥を含み、
前記深いエネルギー準位ドーパントは、前記真性点欠陥と共に浅いエネルギー準位不純物を補償し、前記深いエネルギー準位ドーパントの濃度は、ドープ半絶縁炭化ケイ素単結晶の中の深いエネルギー準位ドーパントの濃度より小さく、
前記真性点欠陥の濃度は、室温での炭化ケイ素単結晶の中の真性点欠陥の元の濃度であり、前記真性点欠陥の室温での濃度は、１×１０１４ｃｍ−３以下であり、前記真性点欠陥の濃度は、炭化ケイ素単結晶の電気的性能の安定性に影響を与えず、前記真性点欠陥の元の濃度は、炭化ケイ素単結晶を成長するプロセスにおいて自熱して形成された真性点欠陥の濃度であり、炭化ケイ素単結晶の後続する処理を行う際に導入された真性点欠陥の濃度を含まれておらず、
前記深いエネルギー準位ドーパントの濃度は、１×１０１７ｃｍ−３より小さく、
前記炭化ケイ素単結晶は、抵抗率が１×１０１１Ω・ｃｍより大きく、前記炭化ケイ素単結晶が９００〜１２００℃の温度で０．５〜１０ｈ維持されるという処理の前後の抵抗率の平均値の変化値は、３１％以下であることを特徴とする、少量のバナジウムがドーピングされた高品質の半絶縁炭化ケイ素単結晶。
【請求項２】
前記浅いエネルギー準位不純物の濃度の合計は、１×１０１７ｃｍ−３より小さいことを特徴とする請求項１に記載の半絶縁炭化ケイ素単結晶。
【請求項３】
前記浅いエネルギー準位不純物の濃度の合計は、１×１０１５ｃｍ−３以上であり、前記深いエネルギー準位ドーパントの濃度は、１×１０１５ｃｍ−３以上であることを特徴とする請求項２に記載の半絶縁炭化ケイ素単結晶。
【請求項４】
前記浅いエネルギー準位不純物は、元素周期表の中のＩＩＩＡ及びＶＡ主族元素の中の一種類又は複数の種類を含み、
前記深いエネルギー準位ドーパントは、元素周期表の中のＶＢ族元素から選択される少なくとも一種類であることを特徴とする請求項１に記載の半絶縁炭化ケイ素単結晶。
【請求項５】
前記深いエネルギー準位ドーパントは、バナジウムであることを特徴とする請求項４に記載の半絶縁炭化ケイ素単結晶。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の半絶縁炭化ケイ素単結晶の製造方法であり、
熱場装置から不純物を除去するステップ（１）と、
一定の量の深いエネルギー準位ドーパントを炭化ケイ素の粉材料の中にドーピングすることによって、材料を混合させるステップ（２）と、
ステップ（２）で製造された、深いエネルギー準位ドーパントがドーピングされた炭化ケイ素の粉材料を、ステップ（１）で処理された熱場装置に置いた後、結晶成長を始めさせ、結晶成長が終わった後の深いエネルギー準位ドープ中心元素の濃度は、５×１０１５ｃｍ−３〜１×１０１７ｃｍ−３であるステップ（３）と、
ステップ（３）で処理された炭化ケイ素単結晶の初期製品に対してアニール処理を行うことによって、半絶縁炭化ケイ素単結晶を製造するステップ（４）と、を含むことを特徴とする、少量のバナジウムをドーピングした高品質の半絶縁炭化ケイ素単結晶の製造方法。
【請求項７】
前記ステップ（３）における結晶成長のステップは、高温前処理段階と、結晶成長段階とを備え、
前記高温前処理段階は、１８００℃〜２０００℃の温度で且つ８００〜９００ｍｂａｒの圧力で３０〜５０ｈの時間維持することを含み、
前記結晶成長段階の条件は、１０〜３０℃／ｍｉｎの速度で２２００℃以上に温度を上昇させると同時に、圧力を５〜５０ｍｂａｒに下げさせることであり、
前記ステップ（４）におけるアニール処理の条件は、ステップ（３）で製造された炭化ケイ素単結晶の初期製品をアニール炉の中に置き、１８００〜２２００℃の温度で１０〜５０ｈ維持することであることを特徴とする請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜５の何れか１つに記載の半絶縁炭化ケイ素単結晶を用いて製造されることを特徴とする半絶縁炭化ケイ素単結晶基板。
【請求項９】
請求項８に記載の半絶縁炭化ケイ素単結晶基板を含むエピタキシャルウェハ及び／又はトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月2日(2021.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
坩堝と、加熱ユニットと、断熱構造とを含む炭化ケイ素単結晶を成長させる熱場構造であって、
当該断熱構造は、断熱構造の頂部、断熱構造の側部及び断熱構造の底部を有し、当該坩堝は、当該断熱構造の密閉チャンバー内に位置し、
前記加熱ユニットは、誘導する方法で坩堝の外壁を加熱し、
当該坩堝の側壁の開口領域の壁の厚さは、底部領域の壁の厚さより大きく、
当該坩堝の開口の断面からその上方の断熱構造の頂部の内表面までは、第一の距離を有し、前記第一の距離は、坩堝の中心から坩堝のエッジに向かう方向に沿って増加し、当該断熱構造の頂部は、坩堝のエッジから中心に向かう方向に沿って厚くなり、当該第一の距離の変化値は、５〜５０ｍｍであり、
当該坩堝の側壁は、坩堝の底部から開口に向かう方向に沿って線形的に厚くなる一方、当該坩堝の底部からその開口に向かう方向に沿い、当該断熱構造の側部の内表面は、当該坩堝の中心軸線から離れる方向に沿って延び、当該坩堝の側壁の内表面は、大体円柱状であり、当該坩堝の外壁は、当該断熱構造の側部の内表面と大体同じ延伸方向を有し、
当該断熱構造の外表面は、円柱体であり、当該断熱構造の側部の璧部は、坩堝の開口から底部に向かう方向に沿って線形的に厚くなり、
当該坩堝と当該断熱構造は、第一の中心軸線を共有し、
当該第一の中心軸線は、当該坩堝の側壁の内表面及び当該断熱構造の側部の外表面と大体平行し、
当該第一の中心軸線と当該坩堝の側壁の外表面は、第一の夾角を有し、当該第一の中心軸線と当該断熱構造の側部の内表面は、第二の夾角を有し、当該第一の夾角の値は、５〜３０°であり、当該第二の夾角の値は、５〜３０°であり、当該第一の夾角及び第二の夾角は、大体同じであることを特徴とする炭化ケイ素単結晶を成長させる熱場構造。
【請求項２】
当該断熱構造の頂部は、開口を有せず、当該断熱構造の底部の内表面は、大体円柱状である
ことを特徴とする請求項１に記載の熱場構造。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の熱場構造を含み、
前記結晶体成長装置は、直径が４〜１２インチである半絶縁炭化ケイ素単結晶を製造するために用いられることを特徴とする結晶体成長装置。
【請求項４】
請求項３に記載の結晶体成長装置を用いて製造する大型サイズの高純度炭化ケイ素単結晶の製造方法であり、
炭化ケイ素の粉材料が充填された坩堝にシード結晶ユニットを取り付け、坩堝を密閉断熱構造のチャンバー内に置き、結晶体成長装置内に入れるという組立工程（１）と、
結晶体成長装置を密封し、真空排気し、不純物が除去された後に保護気体を入れるという不純物除去工程（２）と、
結晶体成長装置の加熱ユニットを用いて坩堝の温度を制御し、結晶を成長させることによって、高純度炭化ケイ素単結晶を製造するという結晶成長工程（３）と、を含み、
前記結晶成長工程は、３０〜５０ｍｂａｒ／ｈの速度で結晶体成長装置内の圧力を１０〜１００ｍｂａｒに上昇させると同時に、１０〜２０℃／ｈの速度で結晶体成長装置内の温度を２１００〜２２００℃に上昇させ、５０〜１００ｈ維持することを特徴とする大型サイズの高純度炭化ケイ素単結晶の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月2日(2021.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化ケイ素単結晶基板表層と炭化ケイ素単結晶基板メイン層を少なくとも含む高純度炭化ケイ素単結晶基板であって、
前記炭化ケイ素単結晶基板表層の真性点欠陥の室温濃度は、１×１０１３ｃｍ−３以下であり、前記炭化ケイ素単結晶基板メイン層の真性点欠陥の濃度は、１×１０１４〜１×１０１６ｃｍ−３であり、
前記炭化ケイ素単結晶基板表層は、室温では、殆ど真性点欠陥を含まず、前記炭化ケイ素単結晶基板メイン層の真性点欠陥の濃度により、前記高純度炭化ケイ素単結晶基板が半絶縁性を有することを特徴とする高純度炭化ケイ素単結晶基板。
【請求項２】
前記炭化ケイ素単結晶基板表層と炭化ケイ素単結晶基板メイン層は、厚さの比が１：４〜２５であることを特徴とする請求項１に記載の高純度炭化ケイ素単結晶基板。
【請求項３】
前記炭化ケイ素単結晶基板表層の厚さは、１５０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の高純度炭化ケイ素単結晶基板。
【請求項４】
高純度炭化ケイ素ウェハに対して高温迅速熱処理及び表面アニール処理を行う製造方法によって製造されることを特徴とする、請求項１〜３の何れか１つに記載の高純度炭化ケイ素単結晶基板。
【請求項５】
前記高温迅速熱処理は、迅速温度上昇加熱段階及び迅速温度降下段階を含み、
前記迅速温度上昇加熱段階では、３０〜１００℃／ｓの速度で温度を１８００〜２３００℃に上昇させ、６０〜６００ｓ維持するステップを含み、前記迅速温度降下段階では、５０〜１５０℃／ｓの速度で迅速で室温に冷却するステップを含むことを特徴とする請求項４に記載の高純度炭化ケイ素単結晶基板。
【請求項６】
前記表面アニール処理で制御された炭化ケイ素ウェハは、表面温度が１２００〜１８００℃であり、アニール処理の時間が３０〜９０ｍｉｎであることを特徴とする請求項４に記載の高純度炭化ケイ素単結晶基板。
【請求項７】
前記表面アニール処理は、表面へのレーザを用いて高温迅速熱処理が行われた炭化ケイ素ウェハの表面を加熱することであり、
前記レーザで加熱するステップは、レーザを用いて高温迅速熱処理が行われた炭化ケイ素ウェハに対して往復の面スキャンを行うことによって、表面アニール処理を行うことを含み、前記レーザの移動速度は、０．５〜３０００ｍｍ／ｓであることを特徴とする請求項６に記載の高純度炭化ケイ素単結晶基板。
【請求項８】
請求項１〜７の何れか１つに記載の高純度炭化ケイ素単結晶基板を含む半導体デバイス。
【手続補正書】
【提出日】令和2年4月27日(2020.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸方向に延びる中心軸を中心にして回転可能なベースを備えるタイヤ組み立てドラムであって、前記タイヤ組み立てドラムが、クラウンセクションと、クラウンセクションに軸方向に隣接するビードロックセクションとを備え、前記クラウンセクションが、前記中心軸を中心にして周方向に分布し、前記ベースに対してクラウンダウン位置から、前記中心軸に垂直な半径方向に少なくともベクトル成分を有するクラウンアップ方向のクラウンアップ位置に移動可能な複数のクラウンセグメントを備え、前記クラウンセグメントが一緒に、前記半径方向外向きのクラウン表面と、前記クラウンセグメントが前記クラウンダウン位置にあるときに前記軸方向で前記ビードロックセクションに向いている前縁部と、前記クラウン表面から前記前縁部までの移行を画定する肩部と、を形成し、前記前縁部が、前記中心軸に垂直な半径方向平面に延び、前記肩部が、前記複数のクラウンセグメントと前記軸方向の前記半径方向平面との間に空隙を残し、前記タイヤ組み立てドラムが、前記クラウンセグメントが前記クラウンダウン位置にあるときに、前記周方向に分布し、前記空隙内に延びる、複数の支持部材を更に備え、各クラウンセグメントが、前記周方向に第１の側部及び前記第１の側部と反対側の第２の側部を備え、各クラウンセグメントが、１つ以上の案内チャネルを更に備え、各案内チャネルが、前記第１の側部と前記第２の側部との間の前記それぞれのクラウンセグメント内に前記複数の支持部材のそれぞれ１つを受容するように構成される、タイヤ組み立てドラム。
【請求項２】
前記複数の支持部材が、前記空隙を通って前記軸方向に延びる、請求項１に記載のタイヤ組み立てドラム。
【請求項３】
各クラウンセグメントが半径方向外向きの外面を備え、前記複数のクラウンセグメントの前記外面が一緒に前記クラウン表面を形成し、各支持体が、前記複数のクラウンセグメントが前記クラウンダウン位置にあるとき、前記クラウン表面の連続として前記空隙に延びる前記支持面を形成する、請求項１又は２に記載のタイヤ組み立てドラム。
【請求項４】
前記クラウン表面が、前記中心軸に対してクラウンダウン半径で延び、前記支持面が、前記同じクラウンダウン半径で前記空隙内に延びる、請求項３に記載のタイヤ組み立てドラム。
【請求項５】
前記支持面が前記軸方向に平行に延びる、請求項３又は４に記載のタイヤ組み立てドラム。
【請求項６】
前記複数の支持部材が前記ベースに対して前記半径方向に固定され、前記複数のクラウンセグメントが前記複数の支持部材に対して前記クラウンアップ方向に移動可能である、請求項１〜５のいずれか一項に記載のタイヤ組み立てドラム。
【請求項７】
前記複数の支持部材が、前記複数のクラウンセグメントの前記クラウンアップ方向への前記移動を案内するように構成される、請求項１〜６のいずれか一項に記載のタイヤ組み立てドラム。
【請求項８】
前記複数の支持部材の１つ以上が、前記１つ以上の案内チャネルのそれぞれ１つと係合する案内レールとして成形されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載のタイヤ組み立てドラム。
【請求項９】
各案内チャネルが、前記クラウンアップ方向に平行な方向で前記案内レールのそれぞれ１つを受容するように配置され、前記案内レールが、前記クラウンアップ方向に横方向又は垂直な方向における前記各クラウンセグメントの移動を防止する、請求項８に記載のタイヤ組み立てドラム。
【請求項１０】
前記タイヤ組み立てドラムが、前記クラウンセクションと前記ビードロックセクションとの間に中間部材を備え、前記中間部材が、前記複数のクラウンセグメントに面し、各クラウンセグメントが、前記クラウンアップ方向に平行に延びる走行面を備え、各クラウンセグメントが、前記クラウンアップ方向に平行に延びて前記走行面上を前記クラウンアップ方向にスライドするスライド面を備える、請求項１〜９のいずれか一項に記載のタイヤ組み立てドラム。
【請求項１１】
前記複数の支持部材が、前記クラウンセグメントが前記クラウンダウン位置にあるときに、半径方向平面と前記滑走表面との間のエリアに更に延びる、請求項１０に記載のタイヤ組み立てドラム。
【請求項１２】
前記複数の支持部材が前記走行面に接続される、請求項１１に記載のタイヤ組み立てドラム。
【請求項１３】
各クラウンセグメントが、前記半径方向で外側に向く外面を備え、前記肩部が、前記外面と前記スライド面との間に延び、前記肩部が、前記外面と前記スライド面との間で少なくとも部分的に丸みを帯びている、請求項１１又は１２に記載のタイヤ組み立てドラム。
【請求項１４】
前記タイヤ組み立てドラムが、前記複数のクラウンセグメントの周りに前記周方向に延びるスリーブを更に備え、前記スリーブが、前記空隙を越えて前記軸方向に延び、前記複数の支持部材が、前記複数のクラウンセグメントが前記クラウンダウン位置にあるときに、前記空隙において前記スリーブを少なくとも部分的に支持するように構成される、請求項１〜１３のいずれか一項に記載のタイヤ組み立てドラム。     
【請求項１５】
請求項１〜１４のいずれか一項に記載のタイヤ組み立てドラムを使用したタイヤ組み立て方法であって、前記方法は、
−前記複数のクラウンセグメントを前記クラウンダウン位置に移動させて、１つ以上のタイヤ構成要素を受容するステップと、
−前記複数のクラウンセグメントが前記クラウンダウン位置にあるときに、前記１つ以上のタイヤ構成要素を前記空隙において前記複数の支持部材上に支持するステップと、を含む、
方法。
【請求項１６】
前記方法が、
−前記複数のクラウンセグメントの周りに前記周方向に、前記空隙を越えて前記軸方向に延びるスリーブを設けるステップと、
−前記スリーブ上に前記１つ以上のタイヤ構成要素を支持するステップと、
−前記複数のクラウンセグメントが前記クラウンダウン位置にあるときに、前記空隙において前記複数の支持部材上のスリーブを少なくとも部分的に支持するステップと、
を更に含む、請求項１５に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月9日(2020.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
収容され配送準備ができた切削工具（１）であって、前記切削工具（１）が、前記切削工具（１）の物理的構成に関連する少なくとも１つの実寸法を有し、前記実寸法が、前記切削工具（１）によって実行される切削工程に関連している前記切削工具（１）において、少なくとも１つの情報源（２）が、前記収容され配送準備ができた切削工具と（１）に配置され、前記少なくとも１つの情報源（２）が、ユーザ又はデータ処理システムによって読み取ることができ、目標寸法又は実寸法自身からの少なくとも１つの実寸法の偏差に関する情報を提供又は符号化する切削工具。
【請求項２】
前記少なくとも１つの情報源（２）が、前記切削工具（１）自身の内又は中及び／又は前記収容された切削工具（１）のパッケージ（３）の内又は中に配置された請求項１に記載の切削工具。
【請求項３】
前記少なくとも１つの情報源（２）が、英数字及び／又は符号化の形で実施され、前記符号化は、
−  バーコード又はＱＲコード
−  記号又は記号列
−  色又は色の組み合わせ
−  表面形状の形態学的表現
−  永久磁場又は過渡電磁場キャリア
−  消失しないデータキャリア
−  ホログラフィコード
の少なくとも１つで実施された請求項１又は２の少なくとも１項に記載の切削工具。
【請求項４】
前記切削工具（１）が、交換可能な切削インサートとして、又は、割り出し可能インサートとして実施された請求項１〜３の少なくとも１項に記載の切削工具。
【請求項５】
前記切削工具（１）が、旋削加工、フライス加工、又は穴あけ加工用に設計された請求項１〜４の少なくとも１項に記載の切削工具。
【請求項６】
前記少なくとも１つの情報源（２）が、レーザー加工、エッチング、ニードル打抜き加工、又は色褪せしない色による標識法によって、前記収容され配送準備ができた切削工具（１）に消失しないように配置された請求項１又は請求項３〜５の少なくとも１項に記載の切削工具。
【請求項７】
前記少なくとも１つの情報源（２）が、前記収容され配送準備ができた切削工具（１）に永続的に配置された請求項１〜６の少なくとも１項に記載の切削工具。
【請求項８】
前記少なくとも１つの情報源（２）が、前記収容され配送準備ができた切削工具（１）に一時的に配置され、又は、前記少なくとも１つの情報源（２）が、配送により壊れるように前記切削工具（１）上に配置された請求項１〜６の少なくとも１項に記載の切削工具。
【請求項９】
前記切削工具（１）が、少なくとも２つの刃先を有し、
−前記少なくとも２つの刃先のそれぞれに目標寸法又は実寸法自身からの少なくとも１つの実寸法の偏差に関する情報を提供又は符号化する情報源（２）を配置するか、又は
−２つの情報源（２）を配置し、そのうちの１つの情報源（２）が、前記少なくとも２つの刃先の１つに関して、目標寸法又は実寸法自身からの少なくとも１つの実寸法の偏差に
関する情報をそれぞれ提供又は符号化するか、
のいずれかである請求項１〜８の少なくとも１項に記載の切削工具。
【請求項１０】
前記切削工具（１）が、前記保持具（４）に着脱自在に取り付けられ、前記保持具（４）が、少なくとも１つの方向に対して前記保持具（４）上の前記切削工具（１）の位置を設定するための設定装置（６）を備える前記切削工具（１）用の前記保持具（４）において、前記保持具（４）が、前記少なくとも１つの情報源（２）によって提供又は符号化された情報に応じて前記保持具（４）上の前記切削工具（１）の位置を設定するためのマーキング（７）、又は前記少なくとも１つの情報源（２）によって提供又は符号化された情報を自動的に読み取るための読み取り装置を備えた請求項１〜９の少なくとも１項に記載の保持具。
【請求項１１】
請求項１〜９の少なくとも１項に記載の切削工具（１）を備えた工作機械（５）であって、前記工作機械（５）は、前記少なくとも１つの情報源（２）によって提供又は符号化された情報を自動的に読み取るための読み取り装置を備え、前記工作機械（５）は、
−前記少なくとも１つの情報源（２）によって提供又は符号化された情報をユーザに読み取り可能に表示、及び／又は
−前記少なくとも１つの情報源（２）によって提供又は符号化された情報に応じて前記切削工具（１）の設定を自動的に実行する、
ように設計された工作機械。
【請求項１２】
請求項１０に記載の前記保持具（４）を備え、前記切削工具（１）の自動設定のための前記工作機械（５）が、前記保持具（４）の前記設定装置（６）を自動的に作動させるために設計された請求項１１に記載の工作機械。
【請求項１３】
前記読み取り装置が、バーコードリーダ又はＱＲコードリーダとして実施された請求項１１又は１２に記載の工作機械。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２ａ】
2021502907.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２ｂ】
2021502907.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月18日(2021.10.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重合性樹脂、および
約１％〜約１０％ｗ／ｗの、約３μｍ〜約６μｍの直径および約２００μｍ〜約５００μｍの長さを有する繊維
を含む歯科用コンポジット。
【請求項２】
前記繊維のアスペクト比（ＡＲ）が約２０〜約２００である、請求項１に記載のコンポジット。
【請求項３】
前記繊維が、２つ以上の繊維集団を含み、１つの繊維集団の平均アスペクト比（ＡＲ）が、少なくとも１つの他の繊維集団の平均アスペクト比（ＡＲ）とは異なり、１つの繊維集団の前記平均アスペクト比（ＡＲ）が、約２０〜約１００であり、前記少なくとも１つの他の繊維集団の前記平均アスペクト比（ＡＲ）が約７０〜約２００である、請求項１又は２に記載のコンポジット。
【請求項４】
８０％ｗ／ｗを超える前記繊維が約２００μｍ〜約５００μｍの長さを有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載のコンポジット。
【請求項５】
前記繊維が、前記歯科用コンポジットの約５％ｗ／ｗを構成する、請求項１〜４のいずれか一項に記載のコンポジット。
【請求項６】
前記繊維がガラスで構成され、前記ガラスが、アルミノケイ酸塩ガラス、バリウムガラス、フッ素ガラス、石英、溶融シリカ、ホウケイ酸塩ガラス、アルミノフルオロケイ酸塩ガラス、高カルシウムガラス、高マグネシウムガラスおよびそれらの混合物から選択されるか、又は、前記ガラスがＳガラスである、請求項１〜５のいずれか一項に記載のコンポジット。
【請求項７】
前記繊維が前記歯科用コンポジット中で実質的にランダムに配向している、請求項１〜６のいずれか一項に記載のコンポジット。
【請求項８】
歯科用コンポジットを製造するためのプロセスであって、前記プロセスが、重合性樹脂および約１％〜約１０％ｗ／ｗの、約３μｍ〜約６μｍの直径、および約２００μｍ〜約５００μｍの長さを有する繊維を混合する工程を含む、プロセス。
【請求項９】
前記繊維のアスペクト比（ＡＲ）が約２０〜約２００である、請求項８に記載のプロセス。
【請求項１０】
前記繊維が、２つ以上の繊維集団を含み、１つの繊維集団の平均アスペクト比（ＡＲ）が、少なくとも１つの他の繊維集団の平均アスペクト比（ＡＲ）とは異なり、１つの繊維集団の前記平均アスペクト比（ＡＲ）が、約２０〜約１００であり、前記少なくとも１つの他の繊維集団の前記平均アスペクト比（ＡＲ）が約７０〜約２００である、請求項８又は９に記載のプロセス。
【請求項１１】
８０％ｗ／ｗを超える前記繊維が約２００μｍ〜約５００μｍの長さを有する、請求項８〜１０のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１２】
前記繊維が、前記歯科用コンポジットの約５％ｗ／ｗを構成する、請求項８〜１１のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１３】
前記繊維がガラスで構成され、前記ガラスが、アルミノケイ酸塩ガラス、バリウムガラス、フッ素ガラス、石英、溶融シリカ、ホウケイ酸塩ガラス、アルミノフルオロケイ酸塩ガラス、高カルシウムガラス、高マグネシウムガラスおよびそれらの混合物から選択されるか、又は、前記ガラスがＳガラスである、請求項８〜１２のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１４】
前記繊維が前記歯科用コンポジット中で実質的にランダムに配向している、請求項８〜１３のいずれか一項に記載のプロセス。
【請求項１５】
歯の修復用である、請求項１〜７のいずれか一項に記載のコンポジット。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月15日(2021.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
核酸を含むアデノ随伴ウイルスベクターであって、
前記核酸はヒトＲＤＨ１２ＤＮＡを含み、
前記ヒトＲＤＨ１２ＤＮＡは、配列番号２の全長と少なくとも７０％、８０％、９０％、９５％、または９９％同一であるタンパク質をコードし、レチノール脱水素酵素１２（ＲＤＨ１２）タンパク質をコードする遺伝子における１つ以上の機能喪失変異により眼科的状態を有するヒト対象を治療する方法における使用のためであり、
前記方法は、前記対象の少なくとも片方の眼に、アデノ随伴ウイルスベクターを投与することを含み、
前記アデノ随伴ウイルスベクターは、ＡＡＶ−２、血清型−５（ＡＡＶ２／５）である、
ことを特徴とする、アデノ随伴ウイルスベクター。
【請求項２】
前記眼科的状態が、レーバー先天性黒内障（ＬＣＡ）である、または、
前記ＲＤＨ１２ＤＮＡが、ヒトロドプシンキナーゼ１（ｈＧＲＫ１）プロモーターの発現制御下にあり、好ましくは、ｈＧＲＫ１プロモーターが配列番号３を含む、または、
前記ＲＤＨ１２ＤＮＡが、配列番号１に少なくとも６０％または７０％同一である配列を含む、または、
前記核酸を約２×１０１０ウイルスゲノム／ミリリットル（ｖｇ／ｍＬ）〜約２×１０１２ｖｇ／ｍＬの力価で投与することを含む、または、
前記核酸が、網膜下腔内に投与される、
ことを特徴とする、請求項１に記載の使用のためのアデノ随伴ウイルスベクター。
【請求項３】
前記核酸が、前記網膜下腔内に挿入されるマイクロ注入カニューレで、前記網膜下腔内に投与される、
ことを特徴とする、請求項２に記載の使用のためのアデノ随伴ウイルスベクター。
【請求項４】
ヒトＲＤＨ１２ＤＮＡをコードする核酸を含み、
前記ヒトＲＤＨ１２ＤＮＡが、配列番号２の全長と少なくとも７０％、８０％、９０％、９５％、または９９％同一であるタンパク質をコードし、
前記ＲＤＨ１２ＤＮＡが、ヒトロドプシンキナーゼ１（ｈＧＲＫ１）プロモーターの制御下にあり、
前記アデノ随伴ウイルスベクターは、ＡＡＶ−２、血清型−５（ＡＡＶ２／５）である、
ことを特徴とする、アデノ随伴ウイルスベクター。
【請求項５】
前記ｈＧＲＫ１プロモーターが、配列番号３を含み、または
前記ヒトＲＤＨ１２ＤＮＡが、配列番号２を含むタンパク質をコードする、
ことを特徴とする、請求項４に記載のアデノ随伴ウイルスベクター。
【請求項６】
前記ヒトＲＤＨ１２ＤＮＡが、配列番号１の全長と少なくとも６０％または７０％同一である、請求項４に記載のアデノ随伴ウイルスベクター。
【請求項７】
請求項４から６のいずれか一項に記載のアデノ随伴ウイルスベクターを含む、単離された宿主細胞。
【請求項８】
前記細胞が、ヒトＲＤＨ１２タンパク質を発現する、請求項７に記載の単離された宿主細胞。