【手続補正書】
【提出日】平成16年12月2日(2004.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波電力が供給されるプラズマ発生機構と反応ガスを供給する反応ガス供給手段とを真空容器の上部に有し、真空容器内における前記反応ガス供給手段のガス供給口の下方に被プロセス処理基板を保持するサセプタを備えた真空処理装置において、
真空容器の内部に、前記ガス供給口より供給される反応ガスを拡散させるために、前記ガス供給口を覆う多孔体を配設したことを特徴とする真空処理装置。
【請求項２】
高周波電力が供給されるプラズマ発生機構と反応ガスを供給する反応ガス供給手段とを真空容器の上部に有し、真空容器内における前記反応ガス供給手段のガス供給口の下方に被プロセス処理基板を保持するサセプタを備えた真空処理装置において、
真空容器の内部に、前記ガス供給口より供給される反応ガスを拡散させるために、前記ガス供給口を覆う一側端部と側面とに開口を形成したケースに多孔質材料を充填してなる連通孔性柱状体を配設したことを特徴とする真空処理装置。
【請求項３】
高周波電力が供給されるプラズマ発生機構と反応ガスを供給する反応ガス供給手段とを真空容器の上部に有し、真空容器内における前記反応ガス供給手段のガス供給口の下方に被プロセス処理基板を保持するサセプタを備えた真空処理装置において、
真空容器の内部に、前記ガス供給口より供給される反応ガスを拡散させるために、前記ガス供給口を覆う一側端部と側面とに開口を形成した中空円錘体を配設したことを特徴とする真空処理装置。
【請求項４】
高周波電力が供給されるプラズマ発生機構と反応ガスを供給する反応ガス供給手段とを真空容器の上部に有し、真空容器内における前記反応ガス供給手段のガス供給口の下方に被プロセス処理基板を保持するサセプタを備えた真空処理装置において、
真空容器の内部に、前記ガス供給口より供給される反応ガスを拡散させるために、前記
ガス供給口の下方の容器内流路を覆う多孔板を配設したことを特徴とする真空処理装置。
【請求項５】
真空容器の上部において反応ガスを拡散させつつ、高周波電力を供給してプラズマを発生させ、拡散して流下する反応ガスにより運ばれるプラズマによって被プロセス処理基板をプロセス処理することを特徴とする真空処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の請求項１記載の真空処理装置は、高周波電力が供給されるプラズマ発生機構と反応ガスを供給する反応ガス供給手段とを真空容器の上部に有し、真空容器内における前記反応ガス供給手段のガス供給口の下方に被プロセス処理基板を保持するサセプタを備えた真空処理装置において、真空容器の内部に、前記ガス供給口より供給される反応ガスを拡散させるために、前記ガス供給口を覆う多孔体を配設したことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この構成によれば、ガス供給口より供給された反応ガスは、多孔体の各孔部より種々の方向に分割流出することで拡散して被処理基板側へ流下するので、この反応ガスによって運ばれるプラズマ中のラジカル・イオンの被処理基板への照射を緩和することができ、被処理基板のチャージアップダメージを低減できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の請求項２記載の真空処理装置は、高周波電力が供給されるプラズマ発生機構と反応ガスを供給する反応ガス供給手段とを真空容器の上部に有し、真空容器内における前記反応ガス供給手段のガス供給口の下方に被プロセス処理基板を保持するサセプタを備えた真空処理装置において、真空容器の内部に、前記ガス供給口より供給される反応ガスを拡散させるために、前記ガス供給口を覆う一側端部と側面とに開口を形成したケースに多孔質材料を充填してなる連通孔性柱状体を配設したことを特徴とする。
この構成によれば、反応性ガスはケース内で多孔質材料を通る際に種々の方向に分散し、側面開口を通じて側方に流出することで拡散して、被処理基板側へ流下するので、この反応ガスによって運ばれるプラズマ中のラジカル・イオンの被処理基板への照射を緩和することができ、被処理基板のチャージアップダメージを低減できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の請求項３記載の真空処理装置は、高周波電力が供給されるプラズマ発生機構と反応ガスを供給する反応ガス供給手段とを真空容器の上部に有し、真空容器内における前記反応ガス供給手段のガス供給口の下方に被プロセス処理基板を保持するサセプタを備えた真空処理装置において、真空容器の内部に、前記ガス供給口より供給される反応ガスを拡散させるために、前記ガス供給口を覆う一側端部と側面とに開口を形成した中空円錘体を配設したことを特徴とする。
この構成によれば、反応性ガスは側面開口を通じて側方に流出することで拡散して、被処理基板側へ流下するので、この反応ガスによって運ばれるプラズマ中のラジカル・イオンの被処理基板への照射を緩和することができ、被処理基板のチャージアップダメージを低減できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の請求項４記載の真空処理装置は、高周波電力が供給されるプラズマ発生機構と反応ガスを供給する反応ガス供給手段とを真空容器の上部に有し、真空容器内における前記反応ガス供給手段のガス供給口の下方に被プロセス処理基板を保持するサセプタを備えた真空処理装置において、真空容器の内部に、前記ガス供給口より供給される反応ガスを拡散させるために、前記ガス供給口の下方の容器内流路を覆う多孔板を配設したことを特徴とする。
この構成によれば、ガス供給口より流出した反応性ガスはある程度拡散してからさらに多孔板の各孔部より分割流出することで拡散して、被処理基板側へ流下するので、この反応ガスによって運ばれるプラズマ中のラジカル・イオンの被処理基板への照射を緩和することができ、被処理基板のチャージアップダメージを低減できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の請求項５記載の真空処理方法は、真空容器の上部において反応ガスを拡散させつつ、高周波電力を供給してプラズマを発生させ、拡散して流下する反応ガスにより運ばれるプラズマによって被プロセス処理基板をプロセス処理することを特徴とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この構成によれば、プラズマ中のラジカル・イオンの被プロセス処理基板への照射が緩和され、被プロセス処理基板のチャージアップダメージは生じにくい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、ダウンフロー方式の真空処理装置の真空容器内上部で反応ガスを拡散させて被プロセス処理基板側へ流下させるようにしたので、容器内上部で発生させるプラズマ中のラジカル・イオンの、ガス流れに依存する基板への照射を緩和することができ、基板のチャージアップダメージを低減できる。