(57)【要約】【課題】置換アミノビニルエーテル誘導体を提供すること。【解決手段】式（１）2010100589.tif 000037（式中、mは1以上の整数を表し、nは2以上の整数を表す。Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基を表し、Ｒ１とＲ２が結合し、又はＲ２とＲ３が結合して環を形成していてもよい。Ｒ８及び Ｒ９はそれぞれ独立に、水素原子、アルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシル基、ベンゾイル基、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基を表わす。但し、Ｒ８とＲ９の少なくとも一方が水素原子以外の置換基である。また、Ｒ８とＲ９が結合し、環を形成した構造を有するジカルボニル基、ジスルホニル基であっても良い。）で示される置換アミノビニルエーテル誘導体【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１）
2010100589.tif 000029
（式中、mは1以上の整数を表し、nは2以上の整数を表す。Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基を表し、Ｒ１とＲ２が結合し、又はＲ２とＲ３が結合して環を形成していてもよい。Ｒ８及び Ｒ９はそれぞれ独立に、水素原子、置換基を有していても良いアルキルオキシカルボニル基、置換基を有していても良いアリールオキシカルボニル基、置換基を有していても良いアシル基、置換基を有していても良いベンゾイル基、置換基を有していても良いアルキルスルホニル基、置換基を有していても良いアリールスルホニル基を表わす。但し、Ｒ８とＲ９の少なくとも一方が水素原子以外の置換基である。また、Ｒ８とＲ９が結合し、環を形成した構造を有するジカルボニル基、ジスルホニル基であっても良い。）
で示される置換アミノビニルエーテル誘導体。
【請求項２】
式（２）
2010100589.tif 000030
（式中、mは2以上の整数を表し、nは2以上の整数を表す。Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いアリール基を表し、Ｒ１とＲ２が結合し、又はＲ２とＲ３が結合して環を形成していてもよい。）
で示される無置換アミノビニルエーテル誘導体。
【請求項３】
式（３）
2010100589.tif 000031
（式中、mは0以上の整数を表し、nは2以上の整数を表す。Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いアリール基を表し、複数の置換基で環を形成していても良い。）
で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体と式（４）
2010100589.tif 000032
（式中、Ｒ５は、1,2-エチレン基、1,2-フェニレン基、1,3-プロピレン基を表わす。）
で示されるイミド化合物とを、ホスフィン化合物及び式（５）
2010100589.tif 000033
（式中、Ｒ６はメトキシ基、イソプロポキシ基、エトキシ基、ベンジルオキシ基、ジメチルアミノ基又はピペリジニル基を表わす。）
で示されるジアゾ化合物の存在下、反応させて（６）
2010100589.tif 000034
（式中、mは0以上の整数を表し、nは2以上の整数を表す。Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、、水素原子、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いアリール基を表し、Ｒ１とＲ２が結合し、又はＲ２とＲ３が結合して環を形成していてもよい。Ｒ５は、1,2-エチレン基、1,2-フェニレン基又は1,3-プロピレン基を表わす。）
で示されるイミジルビニルエーテル誘導体を得、次いで脱保護剤を加えて脱保護反応を行うことを特徴とする式（２’）
2010100589.tif 000035
（式中、mは0以上の整数を表し、nは2以上の整数を表す。Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いアリール基を表し、Ｒ１とＲ２が結合し、又はＲ２とＲ３が結合して環を形成していてもよい。）
で示される無置換アミノビニルエーテル誘導体の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の式（３）で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体と請求項３に記載の式（４）で示されるイミド化合物とを、ホスフィン化合物及び請求項３に記載の式（５）で示されるジアゾ化合物の存在下、反応させ請求項３に記載の式（６）で示されるイミジルビニルエーテル誘導体を得、次いで脱保護剤を加えて脱保護反応を行い、請求項３に記載の式（２’）で示される無置換アミノビニルエーテル誘導体を得、次いで求電子剤を加え置換反応を行うことを特徴とする式（１’）
2010100589.tif 000036
（式中、mは0以上の整数を表し、nは2以上の整数を表す。Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基を表し、Ｒ１とＲ２が結合し、又はＲ２とＲ３が結合して環を形成していてもよい。Ｒ８及び Ｒ９はそれぞれ独立に、水素原子、置換基を有していても良いアルキルオキシカルボニル基、置換基を有していても良いアリールオキシカルボニル基、置換基を有していても良いアシル基、置換基を有していても良いベンゾイル基、置換基を有していても良いアルキルスルホニル基、置換基を有していても良いアリールスルホニル基を表わす。但し、Ｒ８とＲ９の少なくとも一方が水素原子以外の置換基である。また、Ｒ８とＲ９が結合し、環を形成した構造を有するジカルボニル基、ジスルホニル基であっても良い。）
で示される置換ビニルエーテル誘導体の製造方法。
【請求項５】
請求項３又は４に記載の脱保護反応の後処理において、下記（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）工程を実施することを特徴とする請求項３又は４に記載の製造方法。
(a)反応終了後に反応液を濃縮後、濃縮残渣を弱溶出溶媒で順相系シリカゲルカラムにチャージし、無置換アミノビニルエーテル誘導体を吸着させた後、弱溶出溶媒で低極性不純物を溶出除去する工程。
(b)強溶出溶媒で無置換アミノビニルエーテル誘導体を溶出する工程。
(c)無置換アミノビニルエーテル誘導体を含む画分を濃縮する工程。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリオキシエチレン構造とアミノ基を有するビニルエーテル誘導体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ビニルエーテル誘導体は種々の有機合成上の重要な中間体として知られているだけではなく、有機ポリマー系クロマトグラフィー用充填剤の原料モノマーとしての利用例として、n-オクタデシルビニルエーテルの重合体がクロマトグラフィー用充填剤として汎用されるシリカゲル類に比べ耐アルカリ性を有していることが報告されている（例えば、非特許文献１）。また、末端にアミノ基の官能基を有し、重合体に機能性を付与した例として、生理活性物質を不可逆的に担持し標的臓器に効率良く運搬する機能を有するアミノエチルビニルエーテルの重合体（例えば、特許文献１）、亜鉛の高分子凝集剤としてのアミノエトキシエチルビニルエーテルの2-メチル-2-プロペン酸カリウム共重合体（例えば、非特許文献２）など報告があるものの、ポリオキシエチレン鎖を伸長し非特異的吸着タンパク質抑制などの生体適合性等の機能（例えば、非特許文献３を参照）を強化した下記式（１）におけるｍが１以上であるビニルエーテル誘導体、また、下記式（２）におけるmが２以上であるビニルエーテル誘導体は知られていない。その背景として、オキシエチレングリコール類の鎖長に関わらない一般性のある製造方法が知られていないことが挙げられる。従来から知られている製造方法として、クロロエチルビニルエーテルとフタルイミドカリウム塩とから調製するN-フタロイルエチルビニルエーテルの製造方法が報告されているが（例えば、特許文献１）、ポリオキシエチレン類を伸長したものの末端クロル体が入手困難であることが問題であった。また、水酸化カリウム存在下、エタノールアミンとアセチレンを反応させることによるビニロキシエチルアミンの製造方法が報告されているが（例えば、非特許文献４）、取扱いに注意を要するアセチレンを使用していることが問題であった。
【特許文献１】WO2008022309
【非特許文献１】Chromatographia 1992, 33, 19-24.
【非特許文献２】Izv. Vyssh. Uchebn. Zaved., Tsvetn. Metall. 1988, 3, 8-13. (Chem. Abstr. 109:213865)
【非特許文献３】Bioconjugate Chem. 2003, 14, 1222-1230.
【非特許文献４】Zh. Prikl. Khim. 1990, 43(4), 835.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
このような状況下、本発明者は安価かつ簡便にポリオキシエチレン類の官能基とアミノ基を有するビニルエーテル誘導体の製造方法に付いて鋭意検討したところ、下記式（３）で示されるヒドロキシルビニルエーテル誘導体と下記式（４）で示されるイミド化合物を反応させた後、脱保護反応を行うことにより下記式（２’）で示される無置換アミノビニルエーテル誘導体が製造できること、さらに置換反応を行うことにより下記式（１’）で示される置換アミノビニルエーテル誘導体を製造できることを見出し、本発明に至った。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
すなわち、本発明は、
［１］：
式（１）
2010100589.tif 000002
（式中、mは1以上の整数を表し、nは2以上の整数を表す。Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基を表し、Ｒ１とＲ２が結合し、又はＲ２とＲ３が結合して環を形成していてもよい。Ｒ８及び Ｒ９はそれぞれ独立に、水素原子、置換基を有していても良いアルキルオキシカルボニル基、置換基を有していても良いアリールオキシカルボニル基、置換基を有していても良いアシル基、置換基を有していても良いベンゾイル基、置換基を有していても良いアルキルスルホニル基、置換基を有していても良いアリールスルホニル基を表わす。但し、Ｒ８とＲ９の少なくとも一方が水素原子以外の置換基である。また、Ｒ８とＲ９が結合し、環を形成した構造を有するジカルボニル基、ジスルホニル基であっても良い。）
で示される置換アミノビニルエーテル誘導体。
［２］：
式（２）
2010100589.tif 000003
（式中、mは2以上の整数を表し、nは2以上の整数を表す。Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いアリール基を表し、Ｒ１とＲ２が結合し、又はＲ２とＲ３が結合して環を形成していてもよい。）
で示される無置換アミノビニルエーテル誘導体。
［３］：
式（３）
2010100589.tif 000004
（式中、mは0以上の整数を表し、nは2以上の整数を表す。Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いアリール基を表し、複数の置換基で環を形成していても良い。）
で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体と式（４）
2010100589.tif 000005
（式中、Ｒ５は、1,2-エチレン基、1,2-フェニレン基、1,3-プロピレン基を表わす。）
で示されるイミド化合物とを、ホスフィン化合物及び式（５）
2010100589.tif 000006
（式中、Ｒ６はメトキシ基、イソプロポキシ基、エトキシ基、ベンジルオキシ基、ジメチルアミノ基又はピペリジニル基を表わす。）
で示されるジアゾ化合物の存在下反応させ、式（６）
2010100589.tif 000007
（式中、mは0以上の整数を表し、nは2以上の整数を表す。Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、、水素原子、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いアリール基を表し、Ｒ１とＲ２が結合し、又はＲ２とＲ３が結合して環を形成していてもよい。Ｒ５は、1,2-エチレン基、1,2-フェニレン基又は1,3-プロピレン基を表わす。）
で示されるイミジルビニルエーテル誘導体を得、次いで脱保護剤を加えて脱保護反応を行うことを特徴とする式（２’）
2010100589.tif 000008
（式中、mは0以上の整数を表し、nは2以上の整数を表す。Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いアリール基を表し、Ｒ１とＲ２が結合し、又はＲ２とＲ３が結合して環を形成していてもよい。）
で示される無置換アミノビニルエーテル誘導体の製造方法。
［４］：
上記［３］に記載の式（３）で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体と式（４）で示されるイミド化合物とを、ホスフィン化合物及び式（５）で示されるジアゾ化合物の存在下反応させ、式（６）で示されるイミジルビニルエーテル誘導体を得、次いで脱保護剤を加えて脱保護反応を行い、式（２’）で示される無置換アミノビニルエーテル誘導体を得、次いで求電子剤を加え置換反応を行うことを特徴とする式（１’）
2010100589.tif 000009
（式中、mは0以上の整数を表し、nは2以上の整数を表す。Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基を表し、Ｒ１とＲ２が結合し、又はＲ２とＲ３が結合して環を形成していてもよい。Ｒ８及び Ｒ９はそれぞれ独立に、水素原子、置換基を有していても良いアルキルオキシカルボニル基、置換基を有していても良いアリールオキシカルボニル基、置換基を有していても良いアシル基、置換基を有していても良いベンゾイル基、置換基を有していても良いアルキルスルホニル基、置換基を有していても良いアリールスルホニル基を表わす。但し、Ｒ８とＲ９の少なくとも一方が水素原子以外の置換基である。また、Ｒ８とＲ９が結合し、環を形成した構造を有するジカルボニル基、ジスルホニル基であっても良い。）
で示される置換ビニルエーテル誘導体の製造方法。
［５］：
上記［３］又は［４］に記載の脱保護反応の後処理において、下記（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）工程を実施することを特徴とする［３］又は［４］に記載の製造方法。
(a)反応終了後に反応液を濃縮後、濃縮残渣を弱溶出溶媒で順相系シリカゲルカラムにチャージし、無置換アミノビニルエーテル誘導体を吸着させた後、弱溶出溶媒で低極性不純物を溶出除去する工程。
(b)強溶出溶媒で無置換アミノビニルエーテル誘導体を溶出する工程。
(c)無置換アミノビニルエーテル誘導体を含む画分を濃縮する工程。
を提供するものである。
【発明の効果】
【０００５】
本発明の方法によれば、生体適合性等機能性を有する高分子製造用モノマーとして有用なビニルエーテル誘導体を簡便にかつ工業的有利に製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
以下、本発明について詳細に説明する。
【０００７】
先ず、式（６）で示されるイミジルビニルエーテル誘導体の製造方法について詳述する。
式（６）で示されるイミジルビニルエーテル誘導体は、式（３）で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体と式（４）で示されるイミド化合物とを、ホスフィン化合物及び式（５）で示されるジアゾ化合物の存在下反応させることにより得ることができる（下記スキーム１参照）。
2010100589.tif 000010
【０００８】
出発原料である式（３）で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体としては、市販品もしくは公知の方法で製造したものを用いることができる。また、後述するポリオキシエチレン鎖伸長反応により製造した式（７）
2010100589.tif 000011
（式中、Ｙは1以上の整数を表し、式（９）におけるＡと式（１０）におけるＢの和である。ｎは2以上の整数を表す。Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は、それぞれ、水素原子、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いアリール基を表し、Ｒ１とＲ２が結合し、又はＲ２とＲ３が結合して環を形成していてもよい。）
で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体を用いることができる。
【０００９】
式（３）で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体の具体例としては、例えば、2-ビニロキシエタノール、2-(2-ビニロキシエトキシ)エタノール、2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、3-ビニロキシプロパノール、2-(3-ビニロキシプロポキシ)エタノール、4-ビニロキシブタノール、2-(4-ビニロキシブトキシ)エタノール、
2-(1-メチルビニロキシ)エタノール、2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、3-(1-メチルビニロキシ)プロパノール、2-(3-(1-メチルビニロキシ)プロポキシ)エタノール、4-(1-メチルビニロキシ)ブタノール、2-(4-(1-メチルビニロキシ)ブトキシ)エタノール、
2-(2-メチルビニロキシ)エタノール、2-(2-(2-メチルビニロキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、3-(2-メチルビニロキシ)プロパノール、2-(3-(2-メチルビニロキシ)プロポキシ)エタノール、4-(2-メチルビニロキシ)ブタノール、2-(4-(2-メチルビニロキシ)ブトキシ)エタノール、
2-(1-フェニルビニロキシ)エタノール、2-(2-(1-フェニルビニロキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(1-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(1-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(1-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(1-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(1-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、3-(1-フェニルビニロキシ)プロパノール、2-(3-(1-フェニルビニロキシ)プロポキシ)エタノール、4-(1-フェニルビニロキシ)ブタノール、2-(4-(1-フェニルビニロキシ)ブトキシ)エタノール、
2-(2-フェニルビニロキシ)エタノール、2-(2-(2-フェニルビニロキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、3-(2-フェニルビニロキシ)プロパノール、2-(3-(2-フェニルビニロキシ)プロポキシ)エタノール、4-(2-フェニルビニロキシ)ブタノール、2-(4-(2-フェニルビニロキシ)ブトキシ)エタノール、
2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エタノール、2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、3-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)プロパノール、2-(3-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)プロポキシ)エタノール、4-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)ブタノール、2-(4-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)ブトキシ)エタノール等が挙げられる。
【００１０】
式（４）で示されるイミド化合物は、通常市販品が用いられ、式（３）で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体に対し１当量以上、好ましくは１〜５当量用いられる。
【００１１】
式（４）で示されるイミド化合物の具体例としては、例えば、スクシンイミド、フタルイミド、グルタルイミド等が挙げられる。
【００１２】
ホスフィン化合物としては、通常市販品が用いられ、式（３）で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体に対し１当量以上、好ましくは１〜５当量用いられる。
【００１３】
式（３）で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体の具体例としては、例えば、トリフェニルホスフィン、n-ブチルホスフィン、tert-ブチルホスフィン、ジフェニル-2-ピリジルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、4-(ジメチルアミノ)フェニルジフェニルホスフィン、4-ジフェニルホスフィノポリスチレン、4-ジフェニルホスフィノメチルポリスチレン等が挙げられる。
【００１４】
式（５）で示されるジアゾ化合物としては、通常市販のものが用いられ、式（３）で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体に対し１当量以上、好ましくは１〜５当量用いられる。
【００１５】
式（５）で示されるジアゾ化合物の具体例としては、例えば、1,1'-アゾビス(N,N-ジメチルホルムアミド)、1,1'-(アゾジカルボニル)ジピペリジン、アゾジカルボン酸ジベンジル、アゾジカルボン酸ジエチル、アゾジカルボン酸ジイソプロピル、アゾジカルボン酸ジメチル等が挙げられる。
【００１６】
式（３）で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体と式（４）で示されるイミド化合物とを、ホスフィン化合物及び式（５）で示されるジアゾ化合物存在下反応させ、式（６）で示されるイミジルビニルエーテル誘導体を得る工程（以下、光延反応と記す）において、用いられる溶媒としては、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N,N-ジメチルアセトアミド、アセトニトリル、ヘキサメチルホスホリックトリアミド等の非プロトン性極性溶媒、n-ヘキサン、シクロヘキサン、n-ペンタン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドラフラン、1,4-ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒、クロロホルム、ジエチルエーテル、テトラクロロエタン等のハロゲン系溶媒等が挙げられ、好ましくは、エーテル系溶媒が用いられる。また、２種以上の溶媒を混合して使用しても良い。溶媒使用量の制限は特に無い。
【００１７】
光延反応の反応温度は、通常、−10℃〜使用する溶媒の沸点の範囲であるが、0℃〜40℃が好ましい。
反応時間は用いられる式（３）で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体、式（４）で示されるイミド化合物、ホスフィン化合物および式（５）で示されるジアゾ化合物の種類ならびに反応温度で異なるが、通常、３分から１５時間の範囲である。反応後、通常の後処理、例えば抽出、再結晶、各種クロマトグラフィーなどの操作をすることにより式（６）で示されるイミジルビニルエーテル誘導体を得ることができる。なお、通常は本工程で精製を行わず、反応液をそのまま次の式（２’）で示される無置換アミノビニルエーテル誘導体の製造に供することが好ましい。
【００１８】
かくして得られる式（６）で示されるイミジルビニルエーテル誘導体の具体例としては、例えば、
N-(2-ビニロキシエチル)フタルイミド、N-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エチル)フタルイミド、N-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エチル)フタルイミド、N-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)フタルイミド、N-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)フタルイミド、N-(2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)フタルイミド、N-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)フタルイミド、N-(3-ビニロキシプロパニル)フタルイミド、N-(2-(3-ビニロキシプロポキシ)エチル)フタルイミド、N-(4-ビニロキシブチル)フタルイミド、N-(2-(4-ビニロキシブトキシ)エチル)フタルイミド、
N-(2-ビニロキシエチル)スクシンイミド、N-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エチル) スクシンイミド、N-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エチル)スクシンイミド、N-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)スクシンイミド、N-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)スクシンイミド、N-(2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)スクシンイミド、N-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)スクシンイミド、N-(3-ビニロキシプロパニル)スクシンイミド、N-(2-(3-ビニロキシプロポキシ)エチル)スクシンイミド、N-(4-ビニロキシブチル)スクシンイミド、N-(2-(4-ビニロキシブトキシ)エチル)スクシンイミド、
N-(2-ビニロキシエチル)グルタルイミド、N-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エチル)グルタルイミド、N-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エチル)グルタルイミド、N-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)グルタルイミド、N-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)グルタルイミド、N-(2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)グルタルイミド、N-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)グルタルイミド、N-(3-ビニロキシプロパニル)グルタルイミド、N-(2-(3-ビニロキシプロポキシ)エチル)グルタルイミド、N-(4-ビニロキシブチル)グルタルイミド、N-(2-(4-ビニロキシブトキシ)エチル)グルタルイミド、
N-(2-(1-メチルビニロキシ)エチル)フタルイミド、N-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エチル)フタルイミド、N-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)フタルイミド、N-(2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)フタルイミド、N-(2-(2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)フタルイミド、N-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)フタルイミド、N-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)フタルイミド、N-(3-(1-メチルビニロキシ)プロパニル)フタルイミド、N-(2-(3-(1-メチルビニロキシ)プロポキシ)エチル)フタルイミド、N-(4-(1-メチルビニロキシ)ブチル)フタルイミド、N-(2-(4-(1-メチルビニロキシ)ブトキシ)エチル)フタルイミド、
N-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エチル)フタルイミド、N-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エチル)フタルイミド、N-(2-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)フタルイミド、N-(2-(2-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)フタルイミド、N-(2-(2-(2-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)フタルイミド、N-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)フタルイミド、N-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)フタルイミド、N-(3-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)プロパニル)フタルイミド、N-(2-(3-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)プロポキシ)エチル)フタルイミド、N-(4-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)ブチル)フタルイミド、N-(2-(4-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)ブトキシ)エチル)フタルイミド、
等が挙げられる。
【００１９】
以下に、式（２’）で示される無置換アミノビニルエーテル誘導体の製造方法について詳述する。
【００２０】
式（２’）で示される無置換アミノビニルエーテル誘導体の製造は、式（６）で示されるイミジルビニルエーテル誘導体に脱保護剤を加えることにより実施することが出来る（スキーム２参照）。
2010100589.tif 000012
【００２１】
上記、脱保護反応に用いられる脱保護剤はProtective Groups in Orgnic Chemistry(Greene et al., John Wiley & Sons, inc.)等に記載の公知のものを用いることができ、好ましくは式（８）
Ｒ７−ＮＨ２      （８）
（式中、Ｒ７は水素原子、アミノ基、アルキル基、アルキルアミノ基、アリールアミノ基又はアリール基を表わす。）
で示されるアミノ化合物を用いることができる。
ここで、アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基等が挙げられる。アルキルアミノ基としては、例えば、メチルアミノ基、エチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基等が挙げられる。アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。アリールアミノ基としては、例えば、フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基等が挙げられる。
【００２２】
脱保護剤は通常、市販のものが用いられ、式（６）で示されるイミジルビニルエーテル誘導体に対して１当量以上、好ましくは１〜５０当量用いられる。式（６）で示されるイミジルビニルエーテル誘導体の具体例としては、例えば、ヒドラジン、メチルヒドラジン、ジメチルヒドラジン、フェニルヒドラジン、アンモニア、メチルアミン、エチルアミン等が挙げられる。
【００２３】
脱保護反応は、上記製造方法で調製した式（６）で示されるイミジルビニルエーテル誘導体の粗反応液に、もしくは単離精製物を適当な溶媒に混合したものに、脱保護剤を加えることにより実施することができる。
【００２４】
用いられる溶媒としては、メタノール、エタノール、n-プロパノール、イソプロパノール、n-ブタノール、tert-ブタノール等のアルコール系溶媒、アセトニトリル等の非プロトン性極性溶媒、n-ヘキサン、シクロヘキサン、n-ペンタン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドラフラン、1,4-ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒、クロロホルム、ジエチルエーテル、テトラクロロエタン等のハロゲン系溶媒等が挙げられ、２種以上の溶媒を混合して使用しても良い。好ましくは、アルコール系−エーテル系混合溶媒が用いられる。溶媒使用量の制限は特にない。
【００２５】
脱保護反応の反応温度は通常、−10℃〜使用する溶媒の沸点の範囲であるが、25℃〜80℃が好ましい。
反応時間は、用いられる式（６）で示されるイミジルビニルエーテル誘導体、脱保護剤の種類ならびに反応温度で異なるが、通常３分から１５時間の範囲である。
【００２６】
反応後、通常の後処理、例えば抽出、再結晶、各種クロマトグラフィーなどの操作をすることにより式（２’）で示される無置換ビニルエーテル誘導体を得ることができる。
【００２７】
上記脱保護反応の後処理において、下記工程を実施することにより容易に式（２’）で示される無置換アミノビニルエーテル誘導体を取り出すことができる。特に、脱保護反応を未精製の式（６）で示されるイミジルビニルエーテル誘導体（上記製造方法における粗反応溶液）を用いて実施した場合に混入するホスフィンオキサイドの除去が容易である。
(a)反応終了後に反応液を濃縮後、濃縮残渣を弱溶出溶媒で順相系シリカゲルカラムにチャージし目的物を吸着させた後、弱溶出溶媒で低極性不純物を溶出除去する工程。
(b)強溶出溶媒で目的物を溶出する工程。
(c)目的物を含む画分を濃縮する工程。
【００２８】
上記弱溶出溶媒としては、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、クロロホルム、ジクロロメタン等の塩素系溶媒、ノルマルヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒から主に選ばれ、適宜、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、1,4-ジオキサン、テトラヒドラフラン、メチル-tert-ブチルエーテル等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、n-プロパノール、2-プロパノール、n-ブタノール、tert-ブタノール等のアルコール系溶媒、アセトニトリル、アセトン、メチル-tert-ブチルケトン等の非プロトン系溶媒を混合し極性を調整したものが用いられる。
なお、弱溶出溶媒組成選択の基準としては、展開溶媒として目的物を順相系薄層シリカゲルクロマトグラフィーに供した場合Rf値が0.1以下であることが望ましい。
【００２９】
上記強溶出溶媒としては、メタノール、エタノール、n-プロパノール、2-プロパノール、n-ブタノール、tert-ブタノール等のアルコール系溶媒、アセトニトリル、アセトン、メチル-tert-ブチルケトン等の非プロトン系溶媒が主に選ばれ、適宜、酢酸エチル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、クロロホルム、ジクロロメタン等の塩素系溶媒、ノルマルヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、1,4-ジオキサン、テトラヒドラフラン、メチル-tert-ブチルエーテル等のエーテル系溶媒を混合し極性を調整したものが用いられる。なお、強溶出溶媒組成選択の基準としては、展開溶媒として目的物を順相系薄層シリカゲルクロマトグラフィーに供した場合Rf値が0.3以上であることが望ましい。
【００３０】
シリカゲルとしては通常市販の順相系クロマトグラフィー用シリカゲルが用いられる。
【００３１】
かくして得られる式（２’）で示される無置換ビニルエーテル誘導体の具体例としては、例えば、
2-ビニロキシエチルアミン、2-(2-ビニロキシエトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、3-ビニロキシプロピルアミン、2-(3-ビニロキシプロポキシ)エチルアミン、4-ビニロキシブチルアミン、2-(4-ビニロキシブトキシ)エチルアミン、
2-(1-メチルビニロキシ)エチルアミン、2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、3-(1-メチルビニロキシ)プロピルアミン、2-(3-(1-メチルビニロキシ)プロポキシ)エチルアミン、4-(1-メチルビニロキシ)ブチルアミン、2-(4-(1-メチルビニロキシ)ブトキシ)エチルアミン、
2-(2-メチルビニロキシ)エチルアミン、2-(2-(2-メチルビニロキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-(2-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-(2-(2-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、3-(2-メチルビニロキシ)プロピルアミン、2-(3-(2-メチルビニロキシ)プロポキシ)エチルアミン、4-(2-メチルビニロキシ)ブチルアミン、2-(4-(2-メチルビニロキシ)ブトキシ)エチルアミン、
2-(1-フェニルビニロキシ)エチルアミン、2-(2-(1-フェニルビニロキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(1-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-(1-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-(2-(1-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-(2-(2-(1-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(1-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、3-(1-フェニルビニロキシ)プロピルアミン、2-(3-(1-フェニルビニロキシ)プロポキシ)エチルアミン、4-(1-フェニルビニロキシ)ブチルアミン、2-(4-(1-フェニルビニロキシ)ブトキシ)エチルアミン、
2-(2-フェニルビニロキシ)エチルアミン、2-(2-(2-フェニルビニロキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-(2-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-(2-(2-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、3-(2-フェニルビニロキシ)プロピルアミン、2-(3-(2-フェニルビニロキシ)プロポキシ)エチルアミン、4-(2-フェニルビニロキシ)ブチルアミン、2-(4-(2-フェニルビニロキシ)ブトキシ)エチルアミン、
2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エチルアミン、2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、3-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)プロピルアミン、2-(3-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)プロポキシ)エチルアミン、4-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)ブチルアミン、2-(4-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)ブトキシ)エチルアミン
等が挙げられる。
【００３２】
式（1'）で示される置換ビニルエーテル誘導体は、式（２’）で示される無置換アミノビニルエーテル誘導体に求電子剤を加えることにより実施できる（以下スキーム３参照）。
2010100589.tif 000013
【００３３】
求電子剤としては、具体的には、クロロ炭酸tert-ブチル、クロロ炭酸メチル、クロロ炭酸エチル、二炭酸ジ-tert-ブチル、二炭酸ジメチル、二炭酸ジエチル、クロロ炭酸9H-フルオレン-9-イルメチル、スクシニルオキシ炭酸9H-フルオレン-9-イルメチル、ベンジルクロリド、ベンゾイルクロリド、4-メチルベンゾイルクロリド、フタル酸無水物、フタロイルジクロリド、酢酸クロリド、無水酢酸、無水トリフルオロ酢酸等が挙げられ、式（２’）で示される無置換アミノビニルエーテル誘導体に対して1当量以上、好ましくは1.5〜3当量用いられる。
【００３４】
用いられる溶媒としては、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N,N-ジメチルアセトアミド、アセトニトリル、ヘキサメチルホスホリックトリアミド等の非プロトン性極性溶媒、n-ヘキサン、シクロヘキサン、n-ペンタン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドラフラン、1,4-ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒、クロロホルム、ジエチルエーテル、テトラクロロエタン等のハロゲン系溶媒等が挙げられ、２種以上の溶媒を混合して使用しても良い。好ましくは、エーテル系混合溶媒が用いられる。溶媒使用量の制限は特にない。
【００３５】
また、反応系に塩基を加えることにより反応の促進、及び置換反応に伴う脱離する酸類を捕捉することができる。用いられる塩基としては、具体的には、トリエチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、N-メチルイミダゾール、ピリジン等の有機塩基、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機塩基があげられ、式（２’）で示される無置換アミノビニルエーテル誘導体に対して1当量以上、好ましくは1.5〜3当量用いられる。
【００３６】
置換反応における反応温度は、通常、−10℃〜使用する溶媒の沸点の範囲であるが、0℃〜80℃が好ましい。反応時間は、用いられる式（２’）で示される無置換アミノビニルエーテル誘導体、求電子剤の種類ならびに反応温度で異なるが、通常、３分から１５時間の範囲である。
反応後、通常の後処理、例えば抽出、再結晶、各種クロマトグラフィーなどの操作をすることにより式（1'）で示される置換ビニルエーテル誘導体を得ることができる。
【００３７】
式（1'）で示される置換ビニルエーテル誘導体において、mは0以上の整数を表し、nは2以上の整数を表す。Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基を表し、Ｒ１とＲ２が結合し、又はＲ２とＲ３が結合して環を形成していてもよい。Ｒ８及び Ｒ９はそれぞれ独立に、水素原子、置換基を有していても良いアルキルオキシカルボニル基、置換基を有していても良いアリールオキシカルボニル基、置換基を有していても良いアシル基、置換基を有していても良いベンゾイル基、置換基を有していても良いアルキルスルホニル基、置換基を有していても良いアリールスルホニル基を表わす。但し、Ｒ８とＲ９の少なくとも一方が水素原子以外の置換基である。また、Ｒ８とＲ９が結合し、環を形成した構造を有するジカルボニル基、ジスルホニル基であっても良い。
【００３８】
置換基を有していても良いアルキルオキシカルボニル基の具体例としては、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、n-プロポキシカルボニル基、2-プロポキシカルボニル基、n-ブチルカルボニル基、2-ブトキシカルボニル基、tert-ブトキシカルボニル基、フェニルメトキシカルボニル基、9H-フルオレン-9-イルメトキシカルボニル基等が挙げられる。
【００３９】
置換基を有していても良いアリールオキシカルボニル基の具体例としては、例えば、フェノキシカルボニル基、4-メトキシフェニルカルボニル基、4-メチルフェノキシカルボニル基、4-ニトロフェノキシカルボニル基、4-クロロフェノキシルボニル基、4-ブロモフェノキシカルボニル基、4-ヨードフェノキシカルボニル基、2-メトキシフェニルカルボニル基、2-メチルフェノキシカルボニル基、2-ニトロフェノキシカルボニル基、2-クロロフェノキシルボニル基、2-ブロモフェノキシカルボニル基、2-ヨードフェノキシカルボニル基、3-メトキシフェニルカルボニル基、3-メチルフェノキシカルボニル基、3-ニトロフェノキシカルボニル基、3-クロロフェノキシルボニル基、3-ブロモフェノキシカルボニル基、3-ヨードフェノキシカルボニル基等が挙げられる。
【００４０】
置換基を有していても良いアシル基の具体例としては、例えば、アセチル基、クロロアセチル基、ジクロロアセチル基、テトラクロロアセチル基、トリフルオロアセチル基、フェニルアセチル基、エチルカルボニル基、n-プロピルカルボニル基、2-プロピルカルボニル基、n-ブチルカルボニル基、2-ブチルカルボニル基、tert-ブチルカルボニル基等が挙げられる。
【００４１】
置換基を有していても良いベンゾイル基の具体例としては、例えば、ベンゾイル基、4-メチルベンゾイル基、4-メチルベンゾイル基、4-ニトロベンゾイル基、4-クロロベンゾイル基、4-ブロモベンゾイル基、4-ヨードベンゾイル基、4-テトラフルオロメチルベンゾイル基、3-メチルベンゾイル基、3-メチルベンゾイル基、3-ニトロベンゾイル基、3-クロロベンゾイル基、3-ブロモベンゾイル基、3-ヨードベンゾイル基、3-テトラフルオロメチルベンゾイル基、2-メチルベンゾイル基、2-メチルベンゾイル基、2-ニトロベンゾイル基、2-クロロベンゾイル基、2-ブロモベンゾイル基、2-ヨードベンゾイル基、2-テトラフルオロメチルベンゾイル基が挙げられる。
【００４２】
置換基を有していても良いアルキルスルホニル基の具体例としては、例えば、メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、n-プロピルスルホニル基、2-プロピルスルホニル基、tert-ブチルスルホニル基、n-ブチルスルホニル基、トリフルオロメチルスルホニル基等が挙げられる。
【００４３】
置換基を有していても良いアリールスルホニル基の具体例としては、例えば、ベンゼンスルホニル基、4-メチルベンゼンスルホニル基、4-ニトロベンゼンスルホニル基、4-クロロベンゼンスルホニル基、4-ブロモベンゼンスルホニル基、4-ヨードベンゼンスルホニル基、3-メチルベンゼンスルホニル基、3-メチルベンゼンスルホニル基、3-ニトロベンゼンスルホニル基、3-クロロベンゼンスルホニル基、3-ブロモベンゼンスルホニル基、3-ヨードベンゼンスルホニル基、3-テトラフルオロメチルベンゼンスルホニル基、2-メチルベンゼンスルホニル基、2-メチルベンゼンスルホニル基、2-ニトロベンゼンスルホニル基、2-クロロベンゼンスルホニル基、2-ブロモベンゼンスルホニル基、2-ヨードベンゼンスルホニル基、2-テトラフルオロメチルベンゼンスルホニル基が挙げられる。
【００４４】
Ｒ８とＲ９が結合し、環を形成した構造を有するジカルボニル基の具体例としては、例えば、フタロイル基、グルタロイル基、ヘキサノイル基、プロパノイル基、スクシニル基等が挙げられる。
【００４５】
Ｒ８とＲ９が結合し、環を形成した構造を有するジスルホニル基の具体例としては、例えば、1,2-フェニレンジスルホニル基、1,1'-ビナフタレン-2,2'-イルジスルホニル基、1,3-プロピレンジスルホニル基、1,1'-ビフェニル-2,2'-イルジスルホニル基等が挙げられる。
【００４６】
かくして得られる式（1'）で示される置換アミノビニルエーテル誘導体としては、具体的には、
N-tert-ブトキシカルボニル-2-ビニロキシエチルアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-2-(2-ビニロキシエトキシ)エチルアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エチルアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-3-ビニロキシプロピルアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-2-(3-ビニロキシプロポキシ)エチルアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-4-ビニロキシブチルアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-2-(4-ビニロキシブトキシ)エチルアミン、
N-アセチル-2-ビニロキシエチルアミン、N-アセチル-2-(2-ビニロキシエトキシ)エチルアミン、N-アセチル-2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エチルアミン、N-アセチル-2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、N-アセチル-2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、N-アセチル-2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、N-アセチル-2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、N-アセチル-3-ビニロキシプロピルアミン、N-アセチル-2-(3-ビニロキシプロポキシ)エチルアミン、N-アセチル-4-ビニロキシブチルアミン、N-アセチル-2-(4-ビニロキシブトキシ)エチルアミン、
N-(9H-フルオレン-9-イルメトキシカルボニル)-2-ビニロキシエチルアミン、N-(9H-フルオレン-9-イルメトキシカルボニル)-2-(2-ビニロキシエトキシ)エチルアミン、N-(9H-フルオレン-9-イルメトキシカルボニル)-2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エチルアミン、N-(9H-フルオレン-9-イルメトキシカルボニル)-2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、N-(9H-フルオレン-9-イルメトキシカルボニル)-2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、N-(9H-フルオレン-9-イルメトキシカルボニル)-2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、N-(9H-フルオレン-9-イルメトキシカルボニル)-2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、N-(9H-フルオレン-9-イルメトキシカルボニル)-3-ビニロキシプロピルアミン、N-(9H-フルオレン-9-イルメトキシカルボニル)-2-(3-ビニロキシプロポキシ)エチルアミン、N-アセチル-4-ビニロキシブチルアミン、N-(9H-フルオレン-9-イルメトキシカルボニル)-2-(4-ビニロキシブトキシ)エチルアミン、
N-tert-ブトキシカルボニル-2-(1-メチルビニロキシ)エチルアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エチルアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-2-(2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-2-(2-(2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-3-(1-メチルビニロキシ)プロピルアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-2-(3-(1-メチルビニロキシ)プロポキシ)エチルアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-4-(1-メチルビニロキシ)ブチルアミン、N-tert-ブトキシカルボニル-2-(4-(1-メチルビニロキシ)ブトキシ)エチルアミン、
N-(2-ビニロキシエチル)フタルイミド、N-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エチル)フタルイミド、N-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エチル)フタルイミド、N-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)フタルイミド、N-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)フタルイミド、N-(2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)フタルイミド、N-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)フタルイミド、N-(3-ビニロキシプロパニル)フタルイミド、N-(2-(3-ビニロキシプロポキシ)エチル)フタルイミド、N-(4-ビニロキシブチル)フタルイミド、N-(2-(4-ビニロキシブトキシ)エチル)フタルイミド、
等が挙げられる。
【００４７】
本発明の出発原料である式（３）で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体としては、市販品もしくは公知の方法で製造したものを用いるか、また、ポリオキシエチレン鎖伸長反応により製造した式（７）
2010100589.tif 000014
（式中、Ｙは1以上の整数を表し、式（９）におけるＡと式（１０）におけるＢの和である。ｎは2以上の整数を表す。Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は、それぞれ、水素原子、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いアリール基を表し、Ｒ１とＲ２が結合し、又はＲ２とＲ３が結合して環を形成していてもよい。）
で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体を用いることができる。
【００４８】
以下に、式（７）で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体の製造方法について説明する。
【００４９】
式（７）で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体の製造は、式（９）
2010100589.tif 000015
（式中、Ａは、０以上の整数を表し、nは2以上の整数を表わす。Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は、前記と同じ意味を表わす。Ｒ４は、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いアリール基を表す。）
で示されるスルホニルオキシビニルエーテル誘導体と式（１０）
2010100589.tif 000016
（式中、Bは1以上の整数を表す。）
で示されるポリオキシエチレン化合物とを塩基存在下反応させるポリオキシエチレン鎖伸長反応により実施することができる（以下スキーム４参照）。
2010100589.tif 000017
【００５０】
ポリオキシエチレン伸長反応に用いられる式（９）で示されるスルホニルオキシビニルエーテル誘導体は後述するスルホニレート化反応により製造することができる。
【００５１】
上記ポリオキシエチレン鎖伸長反応に用いられる式（１０）で示されるポリオキシエチレン化合物は、式（３）で示されるスルホニルオキシビニルエーテル誘導体に対し通常、１当量以上、好ましくは１〜３当量用いられる。
【００５２】
式（１０）で示されるポリオキシエチレン化合物としては、通常市販のものが用いられ、具体的には、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ペンタエチレングリコール、ヘキサエチレングリコール、オクタエチレングリコール、ポリエチレングリコール100、ポリエチレングリコール400、ポリエチレングリコール1000、ポリエチレングリコール10000、ポリエチレングリコール200000等が挙げられる。
【００５３】
ポリオキシエチレン鎖伸長反応に用いられる塩基としては、水素化ナトリウム、水素化カリウム、tert-ブトキシカリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸セシウム、ピリジン、トリエチルアミン、N-メチルイミダゾール、ジイソプロピルエチルアミン等が挙げられるが、好ましくはtert-ブトキシカリウムが用いられる。
塩基の使用量は、式（３）で示されるスルホニルオキシビニルエーテル誘導体に対し、通常、１当量以上、好ましくは１〜３当量用いられる。
【００５４】
上記反応には通常、溶媒が用いられ、溶媒としては、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N,N-ジメチルアセトアミド、アセトニトリル、ヘキサメチルホスホリックトリアミド等の非プロトン性極性溶媒、n-ヘキサン、シクロヘキサン、n-ペンタン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、又はジエチルエーテル、テトラヒドラフラン、1,4-ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒、クロロホルム、ジエチルエーテル、テトラクロロエタン等のハロゲン系溶媒等が挙げられ、好ましくは、エーテル系溶媒が用いられる。また、２種以上の溶媒を混合して使用しても良い。溶媒使用量の制限は特に無い。
【００５５】
反応温度は通常、−10℃〜使用する溶媒の沸点の範囲であるが、0℃〜40℃が好ましい。
【００５６】
反応時間は、用いられる式（９）で示されるスルホニルオキシビニルエーテル誘導体、式（１０）で示されるポリオキシエチレン化合物や塩基の種類ならびに反応温度で異なるが、通常３分から１５時間の範囲である。反応後、通常の後処理、例えば抽出、再結晶、各種クロマトグラフィーなどの操作をすることにより式（７）で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体を得ることができる。
【００５７】
かくして得られる式（７）で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体の具体例としては、例えば、2-(2-ビニロキシエトキシ)エタノール、2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(3-ビニロキシプロポキシ)エタノール、2-(4-ビニロキシブトキシ)エタノール、
2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(3-(1-メチルビニロキシ)プロポキシ)エタノール、2-(4-(1-メチルビニロキシ)ブトキシ)エタノール、
2-(2-(2-メチルビニロキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(3-(2-メチルビニロキシ)プロポキシ)エタノール、2-(4-(2-メチルビニロキシ)ブトキシ)エタノール、
2-(2-(1-フェニルビニロキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(1-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(1-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(1-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(1-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(1-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(3-(1-フェニルビニロキシ)プロポキシ)エタノール、2-(4-(1-フェニルビニロキシ)ブトキシ)エタノール、
2-(2-(2-フェニルビニロキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(3-(2-フェニルビニロキシ)プロポキシ)エタノール、2-(4-(2-フェニルビニロキシ)ブトキシ)エタノール、
2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)-エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(3-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)プロポキシ)エタノール、2-(4-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)ブトキシ)エタノール、
等が挙げられる。
【００５８】
以下に式（９）で示されるスルホニルオキシビニルエーテル誘導体の製造方法について説明する。
式（９）で示されるスルホニルオキシビニルエーテル誘導体は、
式（１１）
2010100589.tif 000018
（式中、Aは0以上の整数を表し、nは2以上の整数を表わす。Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は、前記と同じ意味を表わす。）
で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体と、式（１２）
2010100589.tif 000019
（Ｒ４は、置換基を有していても良いアルキル基、置換基を有していても良いアリール基を表す。Ｘはハロゲン原子を表す。）
で示されるスルホニルハライド化合物とを塩基存在下反応させるスルホネート化反応により実施される（スキーム５参照）。
【００５９】
2010100589.tif 000020
【００６０】
スルホネート化反応に用いられる、式（１１）で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体としては、市販もしくは公知の方法で製造したものを用いることができるが、前記式（７）で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体を用いてもよい。
【００６１】
式中、Aは0以上の整数を表し、nは2以上の整数を表わす。Ｒ１，Ｒ２及びＲ３は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基を表し、Ｒ１とＲ２が結合し、又はＲ２とＲ３が結合して環を形成していてもよい。
【００６２】
置換基を有していても良いアルキル基としては、具体的にはメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基、s-ブチル基、メトキシメチル基、フェニルメチル基等が挙げられる。
置換基を有していても良いアリール基としては、具体的にはフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、4-メトキシフェニル基、2-メトキシフェニル基、3-メトキシフェニル基、4-メチルフェニル基、2-メチルフェニル基、3-メチルフェニル基、4-クロロフェニル基、2-クロロフェニル基、3-クロロフェニル基等が挙げられる。
また、複数の置換基で環を形成する場合としては、具体的にはＲ１とＲ２が結合した置換基−Ｒ１−Ｒ２−もしくは、Ｒ２とＲ３が結合した置換基−Ｒ２−Ｒ３−が、例えば、−（ＣＨ２）４−である場合が挙げられる。
【００６３】
スルホネート化に用いられる式（１１）で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体の具体例としては、例えば、2-ビニロキシエタノール、2-(2-ビニロキシエトキシ)エタノール、2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、3-ビニロキシプロプロパノール、2-(3-ビニロキシプロポキシ)エタノール、4-ビニロキシブタノール、2-(4-ビニロキシブトキシ)エタノール、
2-(1-メチルビニロキシ)エタノール、2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、3-(1-メチルビニロキシ)プロパノール、2-(3-(1-メチルビニロキシ)プロポキシ)エタノール、4-(1-メチルビニロキシ)ブタノール、2-(4-(1-メチルビニロキシ)ブトキシ)エタノール、
2-(2-メチルビニロキシ)エタノール、2-(2-(2-メチルビニロキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、3-(2-メチルビニロキシ)プロパノール、2-(3-(2-メチルビニロキシ)プロポキシ)エタノール、4-(2-メチルビニロキシ)ブタノール、2-(4-(2-メチルビニロキシ)ブトキシ)エタノール、
2-(1-フェニルビニロキシ)エタノール、2-(2-(1-フェニルビニロキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(1-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(1-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(1-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(1-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、3-(1-フェニルビニロキシ)プロパノール、2-(3-(1-フェニルビニロキシ)プロポキシ)エタノール、4-(1-フェニルビニロキシ)ブタノール、2-(4-(1-フェニルビニロキシ)ブトキシ)エタノール、
2-(2-フェニルビニロキシ)エタノール、2-(2-(2-フェニルビニロキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(2-フェニルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、3-(2-フェニルビニロキシ)プロパノール、2-(3-(2-フェニルビニロキシ)プロポキシ)エタノール、4-(2-フェニルビニロキシ)ブタノール、2-(4-(2-フェニルビニロキシ)ブトキシ)エタノール、
2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エタノール、2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、2-(2-(2-(2-(2-(2-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール、3-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)プロパノール、2-(3-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)プロポキシ)エタノール、4-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)ブタノール、2-(4-(シクロヘキセ-1-ニルオキシ)ブトキシ)エタノール等が挙げられる。
【００６４】
スルホネート化反応には、式（１２）で示されるスルホニルハロゲン化合物が用いられ、式（１１）で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体に対し通常、１当量以上、好ましくは１〜３当量用いられる。
【００６５】
Ｒ４は、置換基を有していても良いアルキル基又は置換基を有していても良いアリール基を表す。
置換基を有していても良いアルキル基としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、s-ブチル基、tert-ブチル基、カンファニル基、フェニルメチル基等が挙げられる。
置換基を有していても良いアリール基としては、フェニル基、4-メチルフェニル基、1-メチルフェニル基、3-メチルフェニル基、4-クロロフェニル基、1-クロロフェニル基、3-クロロフェニル基、4-ニトロフェニル基、1-ニトロフェニル基、3-ニトロフェニル基、1-ナフチル基、2-ナフチル基、アントラセニル基、ピレニル基等が挙げられる。Ｘはハロゲン原子を表し、具体的には、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子を表す。
【００６６】
式（１２）で示されるスルホニルハロゲン化合物は通常市販のものが用いられ、具体的には、メタンスルホニルクロリド、エタンスルホニルクロリド、１−プロパンスルホニルクロリド、イソプロピルスルホニルクロリド、１−ブタンスルホニルクロリド、sec−ブチルスルホニルクロリド、 ｔ−ブチルスルホニルクロリド、ベンゼンスルホニルクロリド、１−ナフタレンスルホニルクロリド、２−ナフタレンスルホニルクロリド、 ｏ―トルエンスルホニルクロリド、 ｍ―トルエンスルホニルクロリド、ｐ―トルエンスルホニルクロリド、 ｏ−メトキシベンゼンスルホニルクロリド、ｍ−メトキシベンゼンスルホニルクロリド、ｐ−メトキシベンゼンスルホニルクロリド、 ｏ−クロロベンゼンスルホニルクロリド、 ｍ−クロロベンゼンスルホニルクロリド、ｐ−クロロベンゼンスルホニルクロリド、ｏ−ブロモベンゼンスルホニルクロリド、 ｍ−ブロモベンゼンスルホニルクロリド、ｐ−ブロモベンゼンスルホニルクロリド、ｏ−ヨードベンゼンスルホニルクロリド、 ｍ−ヨードベンゼンスルホニルクロリド、ｐ−ヨードモベンゼンスルホニルクロリド、 ｏ−フルオロベンゼンスルホニルクロリド、 ｍ−フルオロベンゼンスルホニルクロリド、ｐ−フルオロベンゼンスルホニルクロリド、ｏ−ニトロベンゼンスルホニルクロリド、 ｍ−ニトロベンゼンスルホニルクロリド、ｐ−ニトロベンゼンスルホニルクロリド、ｏ，ｐ−ジニトロベンゼンスルホニルクロリド、カンファースルホニルクロリド、ベンジルスルホニルクロリド、ベンゼンスルホン酸フロリド、ベンゼンスルホン酸ブロミド、ベンゼンスルホン酸ヨージド、トルエンスルホニルフロリド、トルエンスルホニルブロミド、トルエンスルホニルヨージド、9-アントラセンスルホニルクロリド、1-ピレンスルホニルクロリド等が挙げられる。
この中でも特にメタンスルホニルクロリド、ベンゼンスルホニルクロリド、ｐ−トルエンスルホニルクロリド、ｏ−ニトロベンゼンスルホニルクロリド、ｐ−ニトロベンゼンスルホニルクロリド、ｏ，ｐ−ジニトロベンゼンスルホニルクロリドが好ましく用いられる。
【００６７】
上記スルホネート化反応に用いられる塩基としては、具体的には、例えば、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸セシウム、水素化ナトリウム、水素化カリウム、tert-ブトキシカリウム、ピリジン、トリエチルアミン、N-メチルイミダゾール、ジイソプロピルエチルアミンが挙げられるが、好ましくは、後処理で容易に除去可能な３級ジアミン4-(N,N-ジメチルアミノ)ピリジン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラエチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，３−ジアミノプロパン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，３−ジアミノブタン、Ｎ’，Ｎ’−テトラメチル−１，４−ジアミノブタン、 Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラメチルフェニレンジアミン等が用いられる。
塩基の使用量は、式（１１）で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体に対し通常、１当量以上、好ましくは１〜３０当量用いられる。
【００６８】
スルホネート化反応には、通常、溶媒が用いられ、用いられる溶媒としては、N,N-ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N,N-ジメチルアセトアミド、アセトニトリル、ヘキサメチルホスホリックトリアミド等の非プロトン性極性溶媒、n-ヘキサン、シクロヘキサン、n-ペンタン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、又はジエチルエーテル、テトラヒドラフラン、1,4-ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒、クロロホルム、ジエチルエーテル、テトラクロロエタン等のハロゲン系溶媒等が挙げられ、好ましくは、エーテル系溶媒、非プロトン性溶媒が用いられる。また、２種以上の溶媒を混合して使用しても良い。溶媒の使用量の制限は特にない。
【００６９】
反応温度は通常，−10℃〜使用する溶媒の沸点の範囲であるが、0℃〜40℃が好ましい。
【００７０】
反応時間は、用いられる式（１１）で示されるヒドロキシビニルエーテル誘導体、式（１２）で示されるスルホニルハライド化合物や塩基の種類ならびに反応温度で異なるが、通常、３分から１５時間の範囲である。
反応後、通常の後処理、例えば抽出、再結晶、各種クロマトグラフィーなどの操作をすることにより式（９）で示されるスルホニルオキシビニルエーテル誘導体を得ることができる。
【００７１】
また、スルホニレート化における塩基として３級アミンを用いた場合、反応後処理において分液操作によって有機相に目的物を主に分配し、水層側に塩基を主に分配した後、水層を分離することにより塩基を容易に除去することができる。
【００７２】
上記後処理の分液操作において、有機層に用いられる抽出溶媒としては、例えば、n-ヘキサン、シクロヘキサン、n-ペンタン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒、又はジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、メチル-tert-ブチルエーテル等のエーテル系溶媒、クロロホルム、ジエチルエーテル、テトラクロロエタン等のハロゲン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル等が挙げられ、水と混じりあわない溶媒が選択される。また、２種類以上の混合溶媒であってもよい。
【００７３】
また、上記後処理の分液操作において、水層に用いられる水溶液としては、硫酸、塩化水素、硫酸水素ナトリウム、硫酸水素カリウム、クエン酸、重曹、塩化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等の酸もしくは塩の水溶液が用いられる。
酸性系でアミン類を良好に水層へ溶解させ、かつ、有機層濃縮後にビニルエーテルの分解の原因となる揮発酸の残留が少ない、硫酸水素ナトリウム、硫酸水素カリウムがより好ましい。また、２種類以上の酸もしくは塩の水溶液で洗浄してもよい。
【００７４】
一般にビニルエーテル誘導体は酸存在下で重合や分解が起こることから、後処理後のスルホニルハライド化合物の残留を回避する必要があるが、上記スルホニレート化反応後、反応液に飽和重曹水を加え撹拌し残留するスルホニルハライド化合物を分解することにより、抽出・濃縮後に式（９）で示されるスルホニルオキシビニルエーテル誘導体の分解を抑えることができる。
【００７５】
上記スルホニルハライド分解工程における撹拌時間は５〜３０分程度であり、撹拌温度は、−10℃〜４０℃、好ましくは0〜30℃である。
【００７６】
かくして得られる式（９）で示されるスルホニルオキシビニルエーテル誘導体の具体例としては、例えば、2-ビニロキシエチル トルエンスルホネート、2-(2-ビニロキシエトキシ)エチル トルエンスルホネート、2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エチル トルエンスルホネート、2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル トルエンスルホネート、2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル トルエンスルホネート、2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル トルエンスルホネート、3-ビニロキシプロパニル トルエンスルホネート、2-(3-ビニロキシプロポキシ)エチル トルエンスルホネート、4-ビニロキシブタニル トルエンスルホネート、2-(4-ビニロキシブトキシ)エチル トルエンスルホネート、
2-ビニロキシエチル メタンスルホネート、2-(2-ビニロキシエトキシ)エチル メタンスルホネート、2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エチル メタンスルホネート、2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル メタンスルホネート、2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル メタンスルホネート、2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ）エチル メタンスルホネート、3-ビニロキシプロパニル メタンスルホネート、2-(3-ビニロキシプロポキシ)エチル メタンスルホネート、4-ビニロキシブタニル メタンスルホネート、2-(4-ビニロキシブトキシ)エチル メタンスルホネート、
2-(1-メチルビニロキシ)エチル トルエンスルホネート、2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エチル トルエンスルホネート、2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エチル トルエンスルホネート、2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル トルエンスルホネート、2-(2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル トルエンスルホネート、2-(2-(2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル トルエンスルホネート、3-(1-メチルビニロキシ)プロパニル トルエンスルホネート、2-(3-(1-メチルビニロキシ)プロポキシ)エチル トルエンスルホネート、4-(1-メチルビニロキシ)ブタニル トルエンスルホネート、2-(4-(1-メチルビニロキシ)ブトキシ)エチル トルエンスルホネート、
2-(1-メチルビニロキシ)エチル メタンスルホネート、2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エチル メタンスルホネート、2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エチル メタンスルホネート、2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル メタンスルホネート、2-(2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル メタンスルホネート、2-(2-(2-(2-(2-(2-(1-メチルビニロキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル メタンスルホネート、3-(1-メチルビニロキシ)プロパニル メタンスルホネート、2-(3-(1-メチルビニロキシ)プロポキシ)エチル メタンスルホネート、4-(1-メチルビニロキシ)ブタニル メタンスルホネート、2-(4-(1-メチルビニロキシ)ブトキシ)エチル メタンスルホネート等が挙げられる。
【実施例】
【００７７】
以下、実施例により、本発明をさらに詳細に説明するが本発明はこれらにより限定されるものではない。
［実施例１］
N-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エチル)フタルイミドの合成
2010100589.tif 000021
2-(2-ビニロキシエトキシ)エタノール(2.5g, 0.019mol)、フタルイミド(3.1g, 0.021mol)、トリフェニルホスフィン(5.5g, 0.021mol)のテトラヒドロフラン溶液(30mL)にアゾジカルボン酸ジイソプロピル(DIAD,40%トルエン溶液, 10.8mL, 0.020mol)を室温で滴下し、さらに反応液を２時間室温で攪拌した。反応液は精製操作を行うことなく、次工程に用いた。なお、反応液の一部を分取薄層クロマトグラフィーに供し生成物のNMRによる構造確認を行ったところ、N-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エチル)フタルイミドであった。
TLC(順相系シリカゲル, ヘキサン-酢酸エチル2:1、検出：ヨウ素): Rf 0.44
１H NMR（CDCl３, 270MHz）：7.85 (dd, J=3.1, 5.6Hz, 2H), 7.71 (dd, J=3.3, 5.6Hz, 2H), 6.39 (dd, J=6.8, 14.3Hz, 1H), 4.12 (dd, J=2.1, 14.3Hz, 1H), 3.70-3.94(m, 9H).
【００７８】
［実施例２］
2-(2-ビニロキシエトキシ)エチルアミンの合成
2010100589.tif 000022
実施例１におけるN-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エチル)フタルイミド合成後の反応液に40%メチルアミンメタノール溶液(3mL)を室温で滴下し、60℃で３時間攪拌した後、室温で放冷した。析出しているN-メチルフタルイミドを濾過により除去し、濃縮した。濃縮物をクロロホルムに溶解しシリカゲルカラム（順相系シリカゲル20g）にチャージし、クロロホルムで実施例１の反応で副生したトリフェニルホスフィンオキサイドを溶出した後、クロロホルム-メタノール(1:1)で目的物を溶出させた。クロロホルム-メタノール（1:1）画分を濃縮することにより、2-(2-ビニロキシエトキシ)エチルアミン(1.5g, 収率60%(実施例１から通算して))を得た。
TLC(順相系シリカゲル, クロロホルム-メタノール10:1、検出：ヨウ素): Rf 0.21
ESI(+)-MS：132 [M+H+ calcd. for C6H14NO2: 132.10]
【００７９】
［実施例３］
N-tert-ブトキシカルボニル-2-(2-ビニロキシエトキシ)エチルアミンの合成
2010100589.tif 000023
2-(2-ビニロキシエトキシ)エチルアミン(1.5g, 0.011mol)のテトラヒドロフラン溶液(20mL)に二炭酸ジ-tert-ブチル(4.5g, 0.021mol)を室温で加え、さらに室温で３時間攪拌した。反応液を濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（順相系シリカゲル30g, ヘキサン-酢酸エチル4:1）に供し、N-tert-ブトキシカルボニル-2-(2-ビニロキシエトキシ)エチルアミン(2.64g,収率>99%)を得た。
TLC(順相系シリカゲル, ヘキサン-酢酸エチル3:1、検出：ヨウ素)： Rf 0.52
1H NMR(CDCl3, 270MHz): 6.50 (dd, J=6.9, 14.3Hz, 1H), 4.96 (br. s,1H), 4.21 (dd, J=2.1, 14.3Hz, 1H), 4.03 (dd, J=2.1, 6.8Hz, 1H), 3.84(d, J=6.4Hz, 1H), 3.83 (d, J=4.8Hz, 1H), 3.71 (d, J=4.8Hz, 1H), 3.69(d, J=6.4Hz, 1H), 3.56 (t, J=5.3Hz, 2H), 3.33 (q, J=5.03, 2H), 1.45 (s,9H).
【００８０】
［実施例４］
2-(1-ビニロキシエトキシ)エチル トルエンスルホネートの合成
2010100589.tif 000024
2-(2-ビニロキシエトキシ)エタノール(1.3g, 0.010mol)、N,N,N',N'-テトラメチル-プロピル-1,3-ジアミン(1.4g, 0.011mol)のテトラヒドロフラン溶液(20mL)にトルエンスルホン酸クロリド(1.9g, 0.010mol)を室温で加え、さらに室温で３時間攪拌した。飽和重曹水(20mL)を加え５分室温で攪拌し未反応のトルエンスルホン酸クロリドを分解した後、酢酸エチル(20mL)を加え分液し、有機層を飽和重曹水(20mL)で２回、1M硫酸水素カリウム水溶液(20mL)で２回、飽和食塩水(20mL)で洗浄した。硫酸ナトリウムで乾燥後、濃縮し2-(1-ビニロキシエトキシ)エチル トルエンスルホネート(2.3g, 収率80%)を得た。
TLC(順相系シリカゲル、ヘキサン-酢酸エチル2:1、検出：ヨウ素): Rf0.55 
１H NMR (CDCl３, 270MHz): 7.86 (dd, J=2.0, 8.2Hz, 2H), 7.34 (dd, J=0.7, 8.6Hz, 2H), 6.46 (dd, J=6.8, 14.3Hz, 1H), 4.14-4.20 (m, 3H), 4.01(dd, J=2.1, 6.8Hz, 1H), 3.65-3.78(m, 6H), 2.45 (s, 3H).
【００８１】
［実施例５］
2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノールの合成
2010100589.tif 000025
テトラエチレングリコール(1.56g, 0.008mol)のテトラヒドロフラン溶液(20mL)にtert-ブトキシカリウム(1.35g, 0.012mol)を室温で加えた。室温で１５分攪拌後、2-(1-ビニロキシエトキシ)エチル トルエンスルホネート(2.3g, 0.008mol)のテトラヒドロフラン溶液(10mL)を加え、60℃で１時間攪拌し、室温で放冷した。不溶の塩を濾過により除去し、濃縮した。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(順相系シリカゲル30g、酢酸エチル→酢酸エチル-アセトン20:1→10:1→5:1→3:1→2:1)に供し、2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール(0.76g, 収率31%)を得た。
TLC(クロロホルム-メタノール10:1、検出：ヨウ素): Rf 0.41 
1H NMR(CDCl3, 270MHz)：6.50 (dd, J=6.9, 14.6 Hz, 1H), 4.19 (dd, J=2.0, 14.2Hz, 1H), 4.01 (dd, J=2.1, 6.8Hz, 1H), 3.85 (d, J=6.4Hz, 1H), 3.84 (d, J=5.3Hz, 1H), 3.59-3.79 (m, 22H), 2.78 (br. s, 1H).
【００８２】
［実施例６］
N-(2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)フタルイミドの合成
2010100589.tif 000026
2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エタノール(0.58g, 0.0019mol)、フタルイミド(0.33g, 0.0023mol)、トリフェニルホスフィン(0.59g, 0.0023mol)のテトラヒドロフラン溶液(20mL)にアゾジカルボン酸ジイソプロピル(DIAD, 40%トルエン溶液, 1.2mL, 0.0023mol)を室温で滴下し、さらに２時間室温で攪拌した。反応液は精製操作を行うことなく、次工程に用いた。なお、反応液を一部分取薄層クロマトグラフィーに供し生成物のNMRによる構造確認を行ったところ、N-(2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)フタルイミドであった。
TLC(順相系シリカゲル、酢酸エチル-アセトン10:1、検出：ヨウ素): Rf 0.58 
１H NMR（CDCl３, 270MHz）：7.85 (dd, J=3.1, 5.4Hz, 2H), 7.71 (dd, J=3.0,5.4Hz, 2H), 6.49 (dd, J=6.6, 14.3 Hz, 1H), 4.18 (dd, J=2.0, 14.3Hz, 1H), 4.00 (dd, J=2.1, 6.8Hz, 1H), 3.58-3.92 (m, 24H).
【００８３】
［実施例７］
2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミンの合成
2010100589.tif 000027
実施例６におけるN-(2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチル)フタルイミド合成後の反応液に40%メチルアミンメタノール溶液(3mL)を室温で滴下し、60℃で３時間攪拌した後、室温で放冷した。析出しているN-メチルフタルイミドを濾過により除去し、濃縮した。濃縮物をクロロホルムに溶解しシリカゲルカラム（順相系シリカゲル20g）にチャージし、クロロホルムで実施例６の反応で副生したトリフェニルホスフィンオキサイドを溶出した後、クロロホルム-メタノール(1:1)で目的物を溶出させた。クロロホルム-メタノール（1:1）画分を濃縮することにより、2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン(0.25g, 収率43%(実施例６から通算で))を得た。
TLC(順相系シリカゲル、クロロホルム-メタノール５:1、検出：ヨウ素): Rf 0.13
ESI(+)-MS：308 [M+H+ calcd. for C14H30NO6: 308.21].
【００８４】
［実施例８］
N-tert-ブトキシカルボニル-2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミンの合成
2010100589.tif 000028
2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン(0.25g, 0.0008mol)のテトラヒドロフラン溶液(20mL)に二炭酸ジ-tert-ブチル(0.47g, 0.0021mol)を室温で加え、さらに室温で３時間攪拌した。反応液を濃縮後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（順相系シリカゲル30g, ヘキサン-酢酸エチル1:1→酢酸エチル）に供し、N-tert-ブトキシカルボニル-2-(2-(2-(2-(2-(2-ビニロキシエトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エトキシ)エチルアミン(0.33g,収率>99%)を得た。
TLC(順相系シリカゲル、ヘキサン：酢酸エチル１：１、検出：ヨウ素)： Rf0.25
１H NMR(CDCl３，270MHz): 6.49 (dd, J=6.8, 14.3Hz, 1H), 5.07 (br. s, 1H), 4.18 (dd, J=2.0, 14.2Hz, 1H), 4.01 (dd, J=2.0, 6.8Hz, 1H), 3.85 (d, J=6.3Hz, 1H), 3.84 (d, J=5.1Hz, 1H), 3.74 (d, J=5.3Hz, 1H), 3.73 (d, J=6.6Hz, 1H), 3.62-3.67 (m, 16H), 3.54 (t, J=5.1Hz, 2H), 3.31 (q, J=5.3, 2H), 1.44 (s, 9H).