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【手続補正書】
【提出日】平成17年5月25日(2005.5.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒形状の第１筒部材と、
該第１筒部材に対して円筒中心に沿った方向に移動可能に構成された第２筒部材と、
該第２筒部材に対して円筒中心に沿った方向に移動可能に構成された第３筒部材と、
該第２筒部材に固定された電気回路実装部と、
該電気回路実装部に一端が固定された第１のフレキシブルプリント配線板と、
該電気回路実装部に一端が固定された第２のフレキシブルプリント配線板とを有し、
該第１のフレキシブルプリント配線板の他端は該第１筒部材に固定され、該第２のフレキシブルプリント配線板の他端は該第３筒部材に固定され、該第１及び第２のフレキシブルプリント配線板は該電気回路実装部に対して該筒部材の径方向の互いに異なる方向に曲げられたＵターン部をそれぞれ有することを特徴とするレンズ鏡筒。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、フレキシブルプリント配線板を有するレンズ鏡筒に関するものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
【発明の実施の態様】
本発明は、円筒形状の第１筒部材と、該第１筒部材に対して円筒中心に沿った方向に移動可能に構成された第２筒部材と、該第２筒部材に対して円筒中心に沿った方向に移動可能に構成された第３筒部材と、該第２筒部材に固定された電気回路実装部と、該電気回路実装部に一端が固定された第１のフレキシブルプリント配線板と、該電気回路実装部に一端が固定された第２のフレキシブルプリント配線板とを有し、該第１のフレキシブルプリント配線板の他端は該第１筒部材に固定され、該第２のフレキシブルプリント配線板の他端は該第３筒部材に固定され、該第１及び第２のフレキシブルプリント配線板は該電気回路実装部に対して該筒部材の径方向の互いに異なる方向に曲げられたＵターン部をそれぞれ有することを特徴としている。これにより、繰出し量の大きいマクロレンズ等においても複雑な形状のフレキシブルプリント配線板を必要とすることなく、簡単に配置できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、円筒形状の第１筒部材と、該第１筒部材に対して円筒中心に沿った方向に移動可能に構成された第２筒部材と、該第２筒部材に対して円筒中心に沿った方向に移動可能に構成された第３筒部材と、該第２筒部材に固定された電気回路実装部と、該電気回路実装部に一端が固定された第１のフレキシブルプリント配線板と、該電気回路実装部に一端が固定された第２のフレキシブルプリント配線板とを有し、該第１のフレキシブルプリント配線板の他端は該第１筒部材に固定され、該第２のフレキシブルプリント配線板の他端は該第３筒部材に固定され、該第１及び第２のフレキシブルプリント配線板は該電気回路実装部に対して該筒部材の径方向の互いに異なる方向に曲げられたＵターン部をそれぞれ有することにより、繰出し量の大きなマクロレンズ等においても複雑な形状のフレキシブルプリント配線板を必要とせず、簡単なフレキシブルプリント配線板の配置をすることができ、かつ鏡筒部品の該フレキシブルプリント配線板による干渉防止のための切り欠きを小さくすることが可能となり、鏡筒の強度の低下を防ぐことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月17日(2005.5.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光走査手段を有し水密的に構成されて体腔内に挿入可能な光走査型プローブと、
前記光走査型プローブの検出信号および／または検出光を受ける制御部と、
前記光走査型プローブと水密的に固着され、前記制御部に着脱自在に接続するコネクタと、
を備え、
前記コネクタは水密的に構成されていることを特徴とする光走査装置。
【請求項２】
前記光走査手段を有し水密的に構成されて体腔内に挿入可能な光走査型プローブと、
前記光走査型プローブの検出信号および／または検出光を受ける制御部と、
前記光走査型プローブと水密的に固着され、前記制御部に着脱自在に接続するコネクタと、
前記コネクタと嵌合し、前記コネクタを水密・気密な状態にする防水キャップと、
を備えることを特徴とする光走査装置。
【請求項３】
前記光走査型プローブは、前記制御部からの光を導光する機能を有し、かつ前記光を前記体腔内の被検部位に照射すると共に前記被検部位からの反射光を受け取る一方の端部を有するシングルモードファイバと、
前記シングルモードファイバの前記一方の端部からの光を前記被検部位に合焦させると共に、前記被検部位からの前記反射光を集光して前記シングルモードファイバの前記一方の端部上に合焦させる光学系と、
を備え、
前記制御部は、点光源と、
前記点光源から照射される光を前記シングルモードファイバへ導光すると共に、前記シングルモードファイバからの前記反射光を受け取り導光する導光手段と、
前記導光手段からの前記反射光を前記点光源から照射される光より分離する光分離手段と、
前記光分離手段により分離された前記反射光を検出する反射光検出手段と、
前記光走査手段を駆動する光走査駆動手段と、
を有し、
前記光走査手段は、前記シングルモードファイバの前記一方の端部から照射される前記光を前記被検部位の焦点面上で走査させ、
前記光走査型プローブが前記コネクタにより前記制御部に接続されると、前記シングルモードファイバと前記導光手段とが光学的に接続されると共に、前記光分離手段により前記反射光が前記点光源からの前記光から分離され、さらに、前記光走査手段と前記光走査駆動手段とが電気的に接続されることを特徴とする請求項１又は２に記載の光走査装置。
【請求項４】
前記光走査型プローブは、先端が開口していない細長く柔軟な筒状のシースであって、少なくともその先端側の側面は光透過性を有する素材で形成されているシースと、
前記シースの内部に長手方向の軸まわりに回転自在に設けられている柔軟なコイルシャフトと、
前記コイルシャフトの内部に設けられている前記シングルモードファイバで形成され、その基端部および先端部はそれぞれ前記コイルシャフトの基端および先端に固定されているファイバと、
前記ファイバの前記先端部からある特定の距離をおいて設けられ、前記ファイバから出射される光を特定の位置に集光させるためのレンズと、
前記レンズに固定され、前記出射される光の光路を変更する出射光路変更手段と、
を備え、
前記制御部は、低干渉性光源と、
前記低干渉性光源に接続され、前記低干渉性光源からの光を観察光と参照光に分離する光分離手段と、
前記観察光の被検体内における散乱または反射による戻り光と前記参照光とを干渉させる光干渉手段と、
前記光干渉手段で生成された干渉光を検出する光検出手段と、
前記コイルシャフトに回転力を付与する回転駆動装置と、
を備え、
前記ファイバは、前記光分離手段から分離された前記観察光が前記基端部に入射するように設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の光走査装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項１に記載の光走査装置は、光走査手段を有し水密的に構成されて体腔内に挿入可能な光走査型プローブと、前記光走査型プローブの検出信号および／または検出光を受ける制御部と、前記光走査型プローブと水密的に固着され、前記制御部に着脱自在に接続するコネクタと、を備え、前記コネクタは水密的に構成されていることを特徴とする。
請求項２に記載の光走査装置は、光走査手段を有し水密的に構成されて体腔内に挿入可能な光走査型プローブと、前記光走査型プローブの検出信号および／または検出光を受ける制御部と、前記光走査型プローブと水密的に固着され、前記制御部に着脱自在に接続するコネクタと、前記コネクタと嵌合し、前記コネクタを水密・気密な状態にする防水キャップと、を備えることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月27日(2005.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンベアによって搬送された密封容器にＸ線を照射するＸ線源と、前記密封容器を挟んで前記Ｘ線源と対向配置され前記密封容器の透過線量を検出するものであって、前記密封容器内にあらかじめ設けられた空気の層より幅の狭い単位センサを液面と直交方向に複数配列してなるＸ線ラインセンサと、このＸ線ラインセンサの各単位センサの出力を前記密封容器の底面方向に位置するものから順次入力し、順次入力された単位センサの出力のうち最初にＸ線出力が所定の値の変化を示した位置の単位センサにより前記密封容器の液面を判定する手段と、
を備えたことを特徴とするＸ線液量検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月2日(2005.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
システム電源（２２）によって電力を供給される照明システム（２０）において、前記システム電源（２２）と動作接続し、ランプ入力信号を発生するように設計された安定器（２６）と、前記ランプ入力信号を受信するように動作接続されたランプ入力線（３０）と、前記ランプ入力信号を受信するように前記ランプ入力線と動作接続されたガス放電ランプ（３２）と、前記ランプ入力線（３０）と動作接続され、前記ガス放電ランプに受信される前記ランプ入力信号に先立って振幅変調信号を送出することによって前記ランプ入力信号の振幅を周期的に変調するように構成される振幅変調回路（３６）とを具備し、前記ランプ入力信号の振幅を周期的に変調することで前記ランプ（３２）内の可視光条を除去する照明システム。
【請求項２】
前記振幅変調回路は、振幅変調電源（８０）によって電力を供給される振幅変調電子回路（６０）と、前記振幅変調電子回路によって動作制御されるスイッチング機構（９８）とを有する請求項１記載のシステム。
【請求項３】
前記安定器（２６）によって電力を供給される少なくとも第２のガス放電ランプ（１４６）を更に具備し、前記安定器（２６）と一体化した前記振幅変調回路（３６）は、前記ガス放電ランプ（１４４）及び前記少なくとも第２のガス放電ランプ（１４６）の前記入力ランプ信号を周期的に変調する請求項１記載のシステム。
【請求項４】
前記振幅変調回路は、前記ランプ入力線（３０）の電流から電圧を発生する振幅変調電源（８０）と、前記振幅変調電源によって電力を供給される振幅変調電子回路（６０）と、前記振幅変調電子回路（６０）によって動作制御されるスイッチング機構（９８）とを有する請求項１記載のシステム。
【請求項５】
前記振幅変調回路（３６）は前記安定器内で一体的に構成される請求項１記載のシステム。
【請求項６】
前記振幅変調回路（３６）は、ガス放電ランプに接続されたモジュール、又はガス放電ランプと一体化したモジュールとして使用するために構成される場合、前記システムの効果を約１/２％以下だけ減少させる請求項１記載のシステム。
【請求項７】
前記振幅変調回路（３６）は、前記システム（２０）の効果を約１/２％未満だけ減少させる請求項１記載のシステム。
【請求項８】
前記振幅変調信号を送出することにより、ランプ入力信号の電流値が変調されるが、周波数は変化しない請求項１記載のシステム。
【請求項９】
ランプ中に発生する可視光条を除去するランプ照明システム（２０）のガス放電ランプ（３２）に信号を送る方法であって、安定器（２６）によってランプ入力信号を発生し、ランプ入力線（３０）を介して前記ガス放電ランプ（３２）に前記ランプ入力信号を送り、振幅変調回路（３６）から前記ランプ入力信号へ周期的振幅変調信号を挿入し、前記ランプ入力信号のピーク値は前記可視光条を除去するために変更される請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記周期的振幅変調信号を挿入することにより、前記ランプ入力信号の反復共振信号が変更される請求項９記載の方法。
【請求項１１】
振幅変調信号を送出することにより、ランプ入力信号の電流値が変調されるが、周波数は変化しない請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月14日(2005.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板形のワークピースを乾燥するための方法であって、
ワークピースを液体中に提供する段階と、
ワークピースを上昇させて、ワークピースを液体から取り出す段階であって、ワークピースの上昇は、ワークピースが液体から離れるときに、異なった速度で行われる段階とを有し、
ワークピースの上部が液体の液面を通過する間、ワークピースを第１速度で上昇させ、ワークピースの上部が液体の液面を通過した後所定時間の間、ワークピースを第２速度で上昇させ、ワークピースの下部が液体の液面を通過する間、ワークピースを第３速度で上昇させ、前記第１速度及び前記第３速度は、前記第２速度より遅いことを特徴とする方法。
【請求項２】
ワークピースを乾燥するための方法であって、
ワークピースを液体中に提供する段階と、
ワークピースと液体の液面との間の相対的な動きを引き起こして、ワークピースを取り出して液体から離す段階とを有し、ワークピースの液体の液面に対する前記相対的な動きは、ワークピースを取り出して、液体から離すときに異なる速度で行われ、
さらに、ワークピースを乾燥する段階を有し、この乾燥段階の少なくとも一部は、前記相対的な動きを引き起こす動作の間に起こり、
前記相対的な動きは、ワークピースの上部が液体の液面から出る間、第１速度であり、ワークピースの上部が、液体の液面から出た後所定時間の間第２速度であり、前記第１速度は、前記第２速度より遅いことを特徴とする方法。
【請求項３】
前記相対的な動きは、ワークピースの下部が、液体の液面から出る間前記第３速度であり、該第３速度は、前記第２速度より遅い請求項２に記載の方法。
【請求項４】
ワークピースは、中央に配置された開口を有し、前記相対的な動きは、前記中央に配置された開口の上部が、液体の表面を通過する間、第４速度であり、前記相対的な動きは、前記中央に配置された開口の上部が、液体の液面を通過した後、前記開口の下部が液体の液面を通過する前に、第５速度であり、前記相対的な動きは、前記開口の下部が液体の液面を通過する間、第６速度であり、前記第４速度及び前記第６速度は、前記第５速度より遅い請求項３に記載の方法。
【請求項５】
ワークピースを乾燥するための方法であって、
ワークピースを液体槽中に提供する段階であって、ワークピースを第１ホルダーにより保持して、ワークピースを槽内に浸漬させる段階と、
ワークピースを前記第１ホルダによって保持する間、ワークピースの第１部分が前記槽から延出するが、ワークピースの第２部分が前記槽内のままであるように、前記槽内でワークピースと液体の液面との間に相対的な動きを引き起こす段階とを有し、前記第１ホルダは、ワークピースに所定接触面積で接触し、前記第１ホルダがワークピースに接触し、前記相対的な動きによりワークピースが前記液体槽から部分的に延出するとき、全接触面積が前記槽内にあり、
さらに、ワークピースの前記第２部分がまだ前記槽内にある間、第２ホルダをしてワークピースの前記第１部分を保持させ、且つ第１ホルダをしてワークピースの保持をやめさせる段階を有し、前記方法の間、ワークピースの前記第１部分を保持する前記第２ホルダの部分が、液体と接触しないようにし、
さらに、ワークピースと液体の表面との間の相対的な動きを引き起こして、前記第２ホルダが、ワークピースを保持する間、ワークピースを取り出して液体から離す段階と、
ワークピースを乾燥する段階であって、該乾燥の少なくとも一部を前記引き起こす動作の間に起こす段階とを有する、ことを特徴とする方法。
【請求項６】
前記第１部分を前記第２ホルダによって把持して、ワークピース上の乾燥マーク或いは汚染マークの生成を実質的に避けられるように、前記第１部分が十分に乾燥している、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
ワークピースを乾燥するために、マランゴニ乾燥蒸気を液体より上に導入する段階を有する、請求項１ないし６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
ワークピースを乾燥するための装置であって、
液体槽を含む容器と、
ワークピースが前記液体槽から部分的に延出するように、液体槽の上面とワークピースとの間に相対的な動きがある間、ワークピースを前記液体槽内に保持する第１ホルダとを有し、
該第１ホルダは、ワークピースに所定接触面積で接触し、全接触面積は前記液体槽内にあり、
さらに、ワークピースの前記第１部分が前記液体槽から延出するが、ワークピースの第２部分が前記液体槽内にある間、ワークピースの第１部分を把持する第２ホルダを有し、
ワークピースの前記第１部分を把持する前記第２ホルダの部分を前記液体槽内に浸漬せずに、ワークピースを前記第２ホルダによって保持する間、ワークピースが前記槽から完全に延出するように、液体槽の上面とワークピースとの間で相対的な動きが起こる、
ことを特徴とする装置。
【請求項９】
前記第１部分を前記第２ホルダによって把持するときに、この把持の結果としてワークピース上の乾燥マーク或いは汚染マークが生成するのを実質的に回避できるように前記第１部分が十分に乾燥している、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
ワークピースを乾燥するための装置であって、
液体を保持する容器を有し、
ワークピースが液体内にある間、ワークピースを保持するために少なくとも第１ホルダを有し、ワークピースと液体の液面との間の相対的な動きが複数の異なる速度で起こり、ワークピースと液面との間の相対的な動きは、ワークピースの上部が液面から出るとき、第１速度であり、前記相対的な動きは、ワークピースの上部が液面から出た後、第２速度であり、該第２速度は、前記第１速度より速いことを特徴とする装置。
【請求項１１】
前記相対的な動きは、ワークピースの下部が液体の液面から出る間、前記第２速度より遅い第３速度である、請求項１０の装置。
【請求項１２】
ワークピースは、中央に配置された開口を有し、
前記相対的な動きは、前記中央に配置された開口の上部が、液体の表面を通過する間、第４速度であり、前記相対的な動きは、前記開口の前記上部が、液体の液面を通過した後、前記開口の下部が液体の表面を通過する前に、第５速度であり、前記相対的な動きは、前記開口の前記下部が、液体の液面を通過する間、第６速度であり、前記第４速度及び前記第６速度は、前記第５速度より遅い、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
ワークピースを乾燥するために、液体より上にマランゴニ乾燥チャンバと、前記マランゴニ乾燥チャンバに蒸気を提供して、前記マランゴニ乾燥チャンバ内でマランゴニ効果を奏する、前記マランゴニ乾燥チャンバに結合された蒸気源とをさらに有する、請求項８ないし請求項１２のいずれか１項に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月7日(2005.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電型半導体基板上に一対の第２の導電型不純物領域を設けるステップと、該第２の導電型不純物領域間であって、前記第１の導電型半導体基板上に絶縁膜を設けるステップと、該絶縁膜上に導電膜を堆積するステップとを備え、前記導電膜を堆積するステップは前記絶縁膜上にアモルファス微粒子を供給してから前記導電膜を形成することを特徴とするＭＯＳトランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記アモルファス微粒子の粒径が１０ｎｍ以下であり、前記導電膜に含まれる前記アモルファス微粒子の密度が１０１１ｃｍ−２以上であることを特徴とする請求項１に記載のＭＯＳトランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜上に供給された、原料ガスを熱又はプラズマのエネルギーで分解する方法、微粒子の成分からなる液体又は固体を熱又はレーザー照射又はイオン照射の手段を用いて蒸発させる方法、または前記微粒子の成分を含む溶液中での電気化学反応を用いる方法の何れかを用いて前記アモルファス微粒子を形成することを特徴とする請求項１に記載のＭＯＳトランジスタの製造方法。
【請求項４】
前記絶縁膜が酸化膜であり、前記アモルファス微粒子がシリコンであって、前記導電膜が多結晶シリコンゲルマニウム膜であることを特徴とする請求項１に記載のＭＯＳトランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記アモルファス微粒子がシリコンであり、前記導電膜が多結晶シリコンゲルマニウム膜であって、前記絶縁膜上に供給されるＳｉＨ４とＧｅＨ４の混合比を変えることによって、前記アモルファス微粒子の形成と前記多結晶シリコンゲルマニウム膜の形成とが連続して行われることを特徴とする請求項１に記載のＭＯＳトランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記多結晶シリコンゲルマニウム膜の形成が、先ず２０ｎｍ以下の膜厚を有する膜を形成し、次いで更なる高温度で膜形成がなされることを特徴とする請求項５に記載のＭＯＳトランジスタの製造方法。
【請求項７】
第１の導電型半導体基板上に一対の第２の導電型不純物領域を設けるステップと、前記第２の導電型不純物領域間であって、前記第１の導電型半導体基板上に絶縁膜を設けるステップと、該絶縁膜上に微粒子を形成した後に熱処理を行うステップと、該絶縁膜上に導電膜を堆積するステップとを備えてなることを特徴とするＭＯＳトランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記微粒子がシリコン微粒子であって、前記熱処理を行うステップが前記微粒子上に形成したシリコンゲルマニウム微結晶粒を熱処理することであること特徴とする請求項７に記載のＭＯＳトランジスタの製造方法。
【請求項９】
第一の導電型半導体基板上に、少なくとも、素子形成領域を区画するための素子分離領域と、一対の第二の導電型不純物領域と、該第二の導電型不純物領域間に設けられた絶縁膜と、該絶縁膜上に設けられた導電膜とを備えたＭＯＳトランジスタであって、前記導電膜が微結晶構造を有し、該微結晶の粒径が３０ｎｍ以下であることを特徴とするＭＯＳトランジスタ。
【請求項１０】
前記絶縁膜と接する領域における前記導電膜の粒径の相対標準偏差が４０％以下であることを特徴とする請求項９に記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項１１】
前記絶縁膜が酸化膜であり、前記導電膜が多結晶シリコンゲルマニウム膜であることを特徴とする請求項９に記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項１２】
前記多結晶シリコンゲルマニウム膜に含まれるＧｅ原子濃度の割合、Ｇｅ／（Ｓｉ＋Ｇｅ）が１５〜３０％であることを特徴とする請求項１１に記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項１３】
前記多結晶シリコンゲルマニウム膜中のＧｅ原子濃度に比較して、前記酸化膜に接する領域における前記多結晶シリコンゲルマニウム膜のＧｅ原子濃度が８０％以上であることを特徴とする請求項１１に記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項１４】
前記酸化膜に接する側の前記多結晶シリコンゲルマニウム膜のＧｅ原子濃度が該多結晶シリコンゲルマニウム膜に含まれる平均Ｇｅ原子濃度より小さいことを特徴とする請求項１１に記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項１５】
前記多結晶シリコンゲルマニウム膜であって、前記Ｇｅ原子濃度が小さい領域の厚さが１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１４に記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項１６】
前記酸化膜と接する側の前記多結晶シリコンゲルマニウム膜の面内であって、含有するＧｅ原子濃度が小さい領域の占める割合が２０％以下であることを特徴とする請求項１４に記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項１７】
前記多結晶シリコンゲルマニウム膜であって、（２２０）回折強度に対する２２０）回折、（１１１）回折、及び（３１１）回折の合計強度との比が５０％以下であることを特徴とする請求項１１に記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項１８】
前記微結晶の最大粒径が前記導電膜の膜厚の半分以下であることを特徴とする請求項９に記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項１９】
前記多結晶シリコンゲルマニウム膜の（２２０）回折ピークであって、高角度側における半値幅と低角度側における半値幅との差が、（２２０）回折ピーク半値幅の４０％以下であることを特徴とする請求項１１に記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項２０】
前記多結晶シリコンゲルマニウム膜は２層積層構造体であって、膜厚成長方向に向かって前記積層構造体の膜厚がそれぞれ３０ｎｍ以下及び７０ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１１に記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項２１】
前記導電膜がＣｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ  、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｎ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｂ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒ、Ｒｕ、Ｃｄの単体、又は合金、又は酸化物、又は窒化物のいずれかを含んでなることを特徴とする請求項９に記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項２２】
前記導電膜が面心立方構造を有する金属膜であって、前記絶縁膜と接する側の前記金属膜の（１１１）面方位の結晶の占める割合が７０％以上であることを特徴とする請求項９に記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項２３】
前記導電膜が体心立方構造を有する金属膜であって、前記絶縁膜と接する側の前記金属膜の（１１０）面方位の結晶の占める割合が７０％以上であることを特徴とする請求項９に記載のＭＯＳトランジスタ。
【請求項２４】
前記導電膜は、互いに異なる元素を含む膜の２層構造からなる金属膜であることを特徴とする請求項９に記載のＭＯＳトランジスタ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月26日(2005.8.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アレイ基板上に回路または回路素子と、２次コイルと、整流回路および波形形成回路を形成する工程と、
前記回路または回路素子を電気的に接続し、前記２次コイルと前記整流回路もしくは前記２次コイルと前記波形整形回路とを接続する配線を形成する工程と、
交流の電圧を印加された１次コイルを有するチェック基板と前記２次コイルが形成されたアレイ基板とを一定の間隔を保つように重ね、前記回路または回路素子において生じる電界の強さを測定した結果から前記回路または回路素子の欠陥を検査する工程と、
前記アレイ基板上に形成された前記回路または回路素子と、前記２次コイル、前記整流回路および前記波形形成回路とを分断する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
アレイ基板上に回路または回路素子と、２次コイルと、整流回路および波形形成回路を形成する工程と、
前記回路または回路素子を電気的に接続し、前記２次コイルと前記整流回路もしくは前記２次コイルと前記波形整形回路とを接続する配線を形成する工程と、
交流の電圧を印加された１次コイルを有するチェック基板と前記２次コイルが形成されたアレイ基板とを一定の間隔を保つように重ね、前記回路または回路素子において生じる電磁波の強さを測定した結果から前記回路または回路素子の欠陥を検査する工程と、
前記アレイ基板上に形成された前記回路または回路素子と、前記２次コイル、前記整流回路および前記波形形成回路とを分断する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
アレイ基板上に回路または回路素子と、２次コイルと、整流回路および波形整形回路を形成する工程と、
前記回路または回路素子を電気的に接続し、前記２次コイルと前記整流回路もしくは前記２次コイルと前記波形整形回路とを接続する配線を形成する工程と、
１次コイルを有するチェック基板を用いて前記アレイ基板上に形成された前記回路または回路素子を検査する工程と、
前記アレイ基板上に形成された前記回路または回路素子と、前記２次コイル、前記整流回路および前記波形形成回路を分断する工程と、
前記分断されたアレイ基板上に有機化合物層および電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
アレイ基板上に回路または回路素子と、２次コイルと、整流回路および波形整形回路を形成する工程と、
前記回路または回路素子を電気的に接続し、前記２次コイルと前記整流回路もしくは前記２次コイルと前記波形整形回路とを接続する配線を形成する工程と、
前記アレイ基板上に画素電極を形成する工程と、
１次コイルを有するチェック基板を用いて前記アレイ基板上に形成された前記回路または回路素子を検査する工程と、
前記アレイ基板上に形成された前記回路または回路素子と、前記２次コイル、前記整流回路および前記波形形成回路を分断する工程と、
前記画素電極上に有機化合物層および電極を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、前記チェック基板は前記アレイ基板近傍に非接触で重ねて前記アレイ基板上に形成された回路または回路素子に駆動電源および駆動信号を供給し、かつ前記アレイ基板上の回路および回路素子の動作情報を電界および電磁界の変化で検出する基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、前記２次コイルは回路または回路素子が有するＴＦＴのゲート電極を形成する導電膜を用いて形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、前記整流回路および前記波形整形回路は、外部信号入力端子に接続されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、前記チェック基板と前記アレイ基板との間に気体または液体を流入することによって、前記チェック基板と前記アレイ基板を一定の間隔で制御し、検査する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、前記２次コイル、前記整流回路および前記波形整形回路はアレイ基板を分断する工程において、分断された基板から電気的かつ物理的に切り離されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、前記アレイ基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板もしくはプラスチック基板であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、前記１次コイルに駆動電源および駆動信号を供給することによって前記２次コイルに交流電圧が生じ、
前記交流電圧を前記整流回路により直流電圧とし、かつ前記波形整形回路により整形することによって駆動信号とし、
前記アレイ基板上に形成された回路および回路素子に前記直流電圧と前記駆動信号を供給し、前記回路および前記回路素子を検査する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、前記チェック基板は前記１次コイルおよび電界により光学特性が変化する液晶もしくはポッケルスセルが形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、前記チェック基板に形成されたポッケルスセルは、ＮＨ4Ｈ2ＰＯ4、ＢａＴｉＯ3、ＫＨ2ＰＯ（ＫＨＰ）、ＫＤ2ＰＯ4（Ｄ・ＫＤＰ）、ＬｉＮｂＯ3、ＺｎＴｅまたはＺｎＯの結晶体であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１２又は請求項１３において、前記ポッケルスセルの屈折率の変化を観察することで、前記アレイ基板に形成された回路または回路素子を検査する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１１のいずれか一において、前記チェック基板にはさらに小型アンテナが形成され、
前記小型アンテナによりアレイ基板上に形成された回路および回路素子から発生する電磁波の強度、周波数を測定し、製品化可能な回路及び回路素子から発生する電磁波の強度、周波数と比較することで前記アレイ基板上の前記回路または回路素子を検査する工程を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月11日(2005.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース部（２）と、このベース部から離れて位置されたヘッド部（３）とを具備し、これらベース部とヘッド部とは、少なくとも１つの調整装置（８）によって互いに接続され、この調整装置（８）は、複数の側部（１０、１１）を有し、これら側部の間の間隔は、長さ調整装置（１７、２８）によって調整もしくは設定可能であり、この調整装置は、互いに対向する側部（１０、１１）の間に締結された横断部（１２）を有している、半導体リソグラフィーにおいて光学部材の設定を調整するための装置において、
前記調整装置（８）に加えて微調整装置（９）が設けられ、この微調整装置（９）には少なくとも２つの平行なリム（２０、２１）が設けられ、これらリムの間の間隔が精密設定部材（１８）によって変えられ得ることを特徴とする装置。
【請求項２】
前記２つの側部（１０、１１）は、前記横断部（１２）と共に、２つの台形形状を形成していることを特徴とする請求項１の装置。
【請求項３】
前記長さ調整装置（１７、１８）には、温度補償部材（１６）が設けられていることを特徴とする請求項１もしくは２の装置。
【請求項４】
前記温度補償部材は、温度が上昇したときの前記装置の長さの変化を打ち消す熱膨張係数を有する１つ以上の膨張ブロック（１６）を有していることを特徴とする請求項３の装置。
【請求項５】
前記微調整装置（９）は、粗調整装置（８）に一体的にされていることを特徴とする請求項１の装置。
【請求項６】
前記微調整装置（９）は、前記横断部（１２）の横断溝（２２）によって形成されていることを特徴とする請求項５の装置。
【請求項７】
前記調整装置のために設けられた関節部の少なくとも一部が、固体の関節部としてデザインされていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１の装置。
【請求項８】
複数の調整装置（１、１’、１”）が、互いに垂直に位置された複数の平面内で（微）調整が可能となるように、異なる平面内で互いに接続されている（図５および図６）ことを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１に記載の装置。
【請求項９】
ベース部（２）と、このベース部から離れて位置されたヘッド部（３）とを具備し、これら２つの部分は、少なくとも１つの調整装置（８）によって互いに接続され、この調整装置（８）は複数の側部（１０、１１）を有し、これら側部の間の間隔は長さ調整装置（１７、２８）によって調整または設定可能である、半導体リソグラフィーにおいて光学部材（５）の設定を調整する装置において、
前記調整装置（８）は、チューブ（３０）によって回転対称に構成されており、前記チューブは、多数のスロットとウェブ（２９）とから形成され、ベース部（２）とヘッド部（３）との間に挿入されていることを特徴とする装置。
【請求項１０】
前記調整装置（８）は、前記スリットバー（２９）を広げるための円錐環状のクランプ部材（３１）を有し、圧力機能部材（３２）によって駆動され得ることを特徴とする請求項９の装置。
【請求項１１】
前記回転対称に構成された調整装置（２９、３０）は、２つの台形の形に配置された前記側部（１０、１１）内で前記調整装置（８）と組合わされ、環状に配置された複数の調整装置（８）は、前記チューブ（３０）から径方向外方に延出している（図８）ことを特徴とする請求項９もしくは１０の装置。
【請求項１２】
前記回転対称に構成された調整装置（２９、３０）と、前記環状に配置された複数の調整装置（８）とは、ミラーである光学部材のために設けられている（図７）ことを特徴とする請求項１１の装置。
【請求項１３】
ベース部（２）と、このベース部から離れて位置されたヘッド部（３）とを具備し、これら２つの部分は、少なくとも１つの調整装置（８）によって互いに接続され、この調整装置（８）は、複数の側部（１０、１１）を有し、これら側部の間の間隔は、長さ調整装置（１７、２８）によって調整もしくは設定可能である、半導体リソグラフィーにおいて、光学部材（５）の設定を調整するための装置において、前記調整装置（８、９）には、２つのディスク（３４、３５）が設けられ、これらディスクの間の間隔は、微調整装置（９）によって変えられ得る（図９、図１０）ことを特徴とする装置。
【請求項１４】
前記調整装置（８、９）は、液圧式駆動装置（４０、４１、４２、４３）によって駆動され得る（図１１）ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１の装置。
【請求項１５】
前記液圧式駆動装置は、下部リング（４９）と上部リング（４８）とから形成されたレンズ間隔リングに設けられ、調整装置（８、９）が、スリーブ状の拡張部（５０）によって形成され、前記２つのリングと共に、これら２つのリングの間に圧力チャンバ（５５）を形成している（図１４）ことを特徴とする請求項１４の装置。
【請求項１６】
前記調整装置（８、９）は、電気的駆動装置（４５、４６、４７）によって駆動され得る（図１３）ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１の装置。
【請求項１７】
温度補償装置（５７）が、ベース部（２）とヘッド部（３）とにアルミニウムのプロフィールで一体的にされている（図１５）ことを特徴とする請求項１の装置。
【請求項１８】
前記アルミニウムのプロフィールには、調整装置（１８）が設けられている（図１６）ことを特徴とする請求項１７の装置。
【請求項１９】
前記アルミニウムのプロフィールは、固体の関節部（５９）を備えた複数の側部（１０、１１）が設けられている（図１７）ことを特徴とする請求項１７または１８の装置。
【請求項２０】
温度補償装置（５７）が設けられた複数のアルミニウムのプロフィールが、互いに接続されていることを特徴とする請求項１７乃至１９のいずれか１の装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月17日(2004.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面と、前記表面と反対側の裏面と、前記表面を複数の領域に区画する溝とを有する金属基板を準備する工程と、
その主面に複数の電極を有する半導体チップを準備する工程と、
前記半導体チップを前記金属基板の表面側に搭載する工程と、
前記半導体チップの電極と前記溝によって区画された前記金属基板の複数の領域とを複数の導電性ワイヤで電気的に接続する工程と、
前記半導体チップ、前記複数の導電性ワイヤ及び前記金属基板の複数の領域とを封止する樹脂体を形成する工程と、
前記樹脂体を形成する工程の後に、前記金属基板の裏面をエッチングすることにより、前記金属基板の複数の領域を互いに電気的に分離する工程と、
前記金属基板の複数の領域を互いに電気的に分離する工程の後に、前記エッチングにより露出した前記金属基板の複数の領域の裏面に、印刷法により半田層を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記金属基板の裏面側には、前記金属基板を準備する工程において、溝が形成されていないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１において、前記複数の導電性ワイヤは、前記半導体チップが搭載された領域より外側の前記金属基板の複数の領域に接続され、前記半導体チップの下部の前記金属基板の複数の領域は、前記複数の導電性ワイヤに接続されないことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月30日(2005.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
非常に高い短絡電流さえ非常に確実に切ることができるためには、中間層に隣接する第二の成形体の面に少なくとも１つの材料凹部を形成して、粉末状の消弧媒体を受け入れるのが好適である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【発明の実施の形態】
全ての図において、同じ参照符号が同じように作用する部品に関連している。図に示したヒューズは１２５Ａまでの定格電流と８，４ｋＶまでの定格電圧で負荷することができる。図１と２から明らかなように、ヒューズは作用部材１ならびにこの作用部材と接続された２つの電流端子２、３を有する。作用部材はサンドイッチの様式にしたがって形成され、かつ２つの安定した成形体４および５と、両方の成形体の間に配置されかつ両方の成形体により囲まれた導電性の良い材料からなる中間層６とを有する。成形体４は熱伝導率の良いセラミック板またはガラス板として実施されるが、これらの板は好ましくは酸化アルミニウム、酸化ベリリウムまたは窒化アルミニウムを基礎とするセラミック板として、またはほうけい酸を基礎とするガラス板として実施され、また成形体４は観察者に向けられた平らな板側上に、ヒューズ要素として役立つ中間層６を担持している。成形体５は、中間層６が上に取り付けられている成形体４ならびに電流端子２、３の部分を囲み、これらの電流端子の部分は対向して配置された中間層の端部と導電性をもって接続されている。成形体５は鋳造部品として実施されかつ成形体４および電流端子２、３と一体に鋳込むことによりまたは図２から明らかな２つの部分体５を組み合わせることにより形成されている。いずれの場合でも、成形体５は中間層６上に存在する部分に消弧媒体を含む。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月26日(2005.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の金属化レベルおよび接続パッドを含む集積回路であって、該接続バッドのそれぞれは、
最上位の金属化レベルに配置され、上面に接続ワイヤを結合するための領域を上面に有する、連続した最上位金属レイヤ（ＣＭＳ）と、
前記結合するための領域下にある補強構造（ＳＴＲ）であって、次に下位にある金属化レベルに配置される少なくとも１つの不連続金属レイヤ（ＣＭＤ４）と、該不連続金属レイヤを前記最上位金属レイヤの下面に接続する金属バイア（ＶＳ）と、該２つの金属レイヤ間のインターバイア空間と、前記不連続金属レイヤおよび該不連続金属レイヤの不連続部分を覆う絶縁被覆（ＯＸ）と、を含む補強構造（ＳＴＲ）と、
を備える集積回路。
【請求項２】
前記不連続金属レイヤは、規則的に分布する個々のパターン（ＭＴＦ１−ＭＴＦ４）により形成される、
請求項１に記載の集積回路。
【請求項３】
２つの近接した前記パターン（ＭＴＦ１、ＭＴＦ２）について、該パターン全体の方向は、例えば直交するというように、異なっている、
請求項２に記載の集積回路。
【請求項４】
前記パターンのそれぞれは、複数の平行分離金属ストライプにより形成され、該金属ストライプのそれぞれは、複数の分離金属バイアをサポートする、
請求項２または３に記載の集積回路。
【請求項５】
前記最上位金属レイヤは、周辺領域（ＺＰ）を下面に有しており、
前記接続パッドは、さらに、前記不連続金属レイヤと同じ金属化レベルにある周辺金属リングであって、該不連続金属レイヤを取り囲むと共に、前記絶縁被覆により該不連続金属レイヤから電気的に絶縁される周辺金属リング（ＣＲＰ４）を含み、
周辺金属バイアは、前記最上位金属レイヤの前記周辺領域を、前記周辺金属リングに接続する、
請求項１から４のいずれかに記載の集積回路。
【請求項６】
前記接続パッドは、さらに、異なる金属化レベルに対応するよう積まれた複数の周辺金属リング（ＣＲＰ１−ＣＲＰ４）を含み、
該周辺金属リングのそれぞれは、周辺金属バイアにより、隣接する該周辺金属リングに接続される、
請求項５に記載の集積回路。
【請求項７】
前記補強構造は、さらに、異なる金属化レベルに対応するよう積まれた複数の不連続金属レイヤであって、金属バイアにより相互に接続される複数の不連続金属レイヤ（ＣＭＤ１−ＣＭＤ４）を含み、
前記絶縁被覆は、さらに、２つの隣接する該不連続金属レイヤ間のインターバイア空間と、それぞれの前記不連続金属レイヤおよび該不連続金属レイヤの不連続部分と、を覆う、
請求項１から６のいずれかに記載の集積回路。
【請求項８】
２つの隣接する前記不連続金属レイヤに対応するよう積まれた２つの前記パターン（ＭＴＦ１、ＭＴＦ３０）は、相互にオフセットされ、または、例えば直交するというように、該パターン全体が異なる方向を有する、
請求項７に記載の集積回路。
【請求項９】
前記金属レイヤは、アルミニウムからなり、前記バイアは、タングステンからなる、
請求項１から８のいずれかに記載の集積回路。
【請求項１０】
前記金属レイヤおよび前記バイアは、銅からなり、
該銅の濃度が、およそ５０μｍ×５０μｍウィンドウにおいて、およそ２０％から８０％となるよう、それぞれの前記不連続金属レイヤの前記不連続部分が選択される、
請求項１から８のいずれかに記載の集積回路。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月29日(2004.10.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＣＯＦ用フィルムのインナーリードと半導体チップ上のバンプとを電気的に接続し、該接続部を封止材で封止した半導体装置であって、前記ＣＯＦ用フィルムには、前記半導体チップ上のバンプに対応する間隔でインナーリードが形成され、さらに、前記半導体チップ上の特定のパターンと位置合わせを行うための位置合わせパターンが形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ＣＯＦ用フィルムのインナーリードと半導体チップ上のバンプとを電気的に接続し、該接続部を封止材で封止した半導体装置であって、前記ＣＯＦ用フィルムのインナーリードは、絶縁性フィルム上に、前記半導体チップ上のバンプに対応する間隔で形成したものであり、前記インナーリードの内、前記半導体チップの特定のバンプに対応するインナーリードには、前記インナーリードと前記半導体チップ上のバンプとの位置合わせ用パターンを付加したことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、前記位置合わせ用パターンを付加したインナーリードは、前記半導体チップの４隅に形成されたバンプに対応するインナーリードであることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体装置において、前記位置合わせ用パターンは、半導体チップ上のメタルガードリングの外周に合わせたＬ字型の形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項２に記載の半導体装置において、前記位置合わせ用パターンを付加したインナーリードの幅寸法が他のインナーリードの幅寸法と異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項２に記載の半導体装置において、前記位置合わせ用パターンを付加したインナーリードに対応する半導体チップ上のバンプのサイズが、他のバンプのサイズと異なることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
ＣＯＦ用フィルムのインナーリードと前記半導体チップ上のバンプとを位置合わせした後電気的に接続し、該接続部を封止材で封止する半導体装置の製造方法であって、前記絶縁性フィルム上に位置合わせ用パターンを付加したインナーリードを形成するＣＯＦ用フィルム形成工程と、前記ＣＯＦ用フィルム上の特定のリードに付加された位置合わせ用パターンを、該位置合わせ用パターンに対応する半導体チップのバンプに位置合わせを行う位置合わせ工程と、該位置合わせした状態のままでインナーリードボンディングを行うインナーリードボンディング工程とを備えたことを特徴とするＣＯＦ型半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月29日(2004.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一つのメモリセルが、フローティングのチャネルボディと、このチャネルボディの第１の面に形成されたチャネルを形成するための主ゲートと、前記チャネルボディの第１の面と反対側の第２の面に容量結合するように形成された補助ゲートとを有する完全空乏型の一つのＭＩＳＦＥＴにより構成され、
前記ＭＩＳＦＥＴは、前記主ゲートからの電界により前記チャネルボディが完全空乏化した状態で且つ、前記補助ゲートからの電界により前記チャネルボディの第２の面に多数キャリアが蓄積可能とした状態を基準状態として、前記チャネルボディの第２の面に多数キャリアが蓄積された第１データ状態と、前記チャネルボディの第２の面の多数キャリアを放出させた第２データ状態とをダイナミックに記憶する
ことを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項２】
半導体基板と、
この半導体基板上に絶縁膜により分離された状態で形成された半導体層と、
この半導体層に形成されたフローティングのチャネルボディを有し、このチャネルボディの第１の面に形成されたチャネルを形成するための主ゲート及び第１の面と反対側の第２の面に容量結合するように形成された補助ゲートを有する完全空乏型のＭＩＳＦＥＴとを備え、
前記ＭＩＳＦＥＴは、前記主ゲートからの電界により前記チャネルボディが完全空乏化した状態で且つ、前記補助ゲートからの電界により前記チャネルボディの第２の面に多数キャリアが蓄積可能とした状態を基準状態として、前記チャネルボディの第２の面に多数キャリアが蓄積された第１データ状態と、前記チャネルボディの第２の面の多数キャリアを放出させた第２データ状態とをダイナミックに記憶する
ことを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項３】
半導体基板と、
この半導体基板上に柱状にパターン形成された半導体層からなるチャネルボディ、
このチャネルボディの第１の側面に形成されたチャネルを形成するための主ゲート及び第１の側面と反対側の第２の側面に容量結合するように形成された補助ゲートを有する完全空乏型のＭＩＳＦＥＴとを備え、
前記ＭＩＳＦＥＴは、前記主ゲートからの電界により前記チャネルボディが完全空乏化した状態で且つ、前記補助ゲートからの電界により前記チャネルボディの第２の側面に多数キャリアが蓄積可能とした状態を基準状態として、前記チャネルボディの第２の側面に多数キャリアが蓄積された第１データ状態と、前記チャネルボディの第２の側面の多数キャリアを放出させた第２データ状態とをダイナミックに記憶する
ことを特徴とする半導体メモリ装置。
【請求項４】
前記第１データ状態は、ＭＩＳＦＥＴを５極管動作させてドレイン接合近傍でインパクトイオン化を起こすことにより書き込まれ、
前記第２データ状態は、前記チャネルボディとドレインの間に順方向バイアス電流を流すことにより書き込まれる
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体メモリ装置。
【請求項５】
前記ＭＩＳＦＥＴは、前記半導体層の表面を第１の面とし、前記絶縁膜に接する裏面を第２の面として、表面にゲート絶縁膜を介して主ゲートが形成されている
ことを特徴とする請求項２記載の半導体メモリ装置。
【請求項６】
前記補助ゲートは、前記半導体基板又はその前記絶縁膜との界面に形成された不純物拡散層である
ことを特徴とする請求項５記載の半導体メモリ装置。
【請求項７】
前記補助ゲートは、前記絶縁膜内部又は前記半導体基板との界面部に前記半導体層の裏面に対向するように埋め込まれている
ことを特徴とする請求項５記載の半導体メモリ装置。
【請求項８】
複数のＭＩＳＦＥＴがマトリクス配列され、各ＭＩＳＦＥＴのドレインはビット線に、主ゲートはビット線と交差するワード線に、ソースは固定電位線にそれぞれ接続されてセルアレイが構成され、補助ゲートは前記セルアレイ全体にまたがる共通電極として又は各ワード線と並行するプレート線として形成されている
ことを特徴とする請求項１又は２記載の半導体メモリ装置。
【請求項９】
複数のＭＩＳＦＥＴがマトリクス配列され、各ＭＩＳＦＥＴのドレインはビット線に、主ゲートはビット線と交差するワード線に、補助ゲートは各ワード線と並行するプレート線に、ソースは固定電位線にそれぞれ接続されてセルアレイが構成されている
ことを特徴とする請求項３記載の半導体メモリ装置。
【請求項１０】
複数のＭＩＳＦＥＴがマトリクス配列され、各ＭＩＳＦＥＴのドレインはビット線に、主ゲートはビット線と交差するワード線に、補助ゲートはビット線と並行するプレート線に、ソースは固定電位線にそれぞれ接続されてセルアレイが構成されている
ことを特徴とする請求項２記載の半導体メモリ装置。
【請求項１１】
前記主ゲートに書き込み／読み出し／保持の各動作モードに応じて与えられる各種制御電圧及び、前記補助ゲートにメモリ動作中与えられる固定電圧を発生する内部電圧発生回路と、
テストの結果に応じて、前記各種制御電圧及び固定電圧の電圧値をプログラミングできる不揮発性記憶回路と、
この不揮発性記憶回路の読み出しデータを保持して前記内部電圧発生回路の出力電圧を制御する初期設定レジスタと、
を有することを特徴とする請求項８乃至１０のいずれかに記載の半導体メモリ装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月26日(2004.10.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に設けられた溝、あるいは半導体基板上に形成された膜パターンによる凹凸部を表面に有する基板面に対し、
前記凹凸部における凹部を埋めるように、高密度プラズマ化学的気相成長（以下、ＨＤＰ−ＣＶＤという）法により第１のシリコン酸化膜を前記凹部の上面より低い位置まで形成する工程と、
前記凹部を埋めるように、前記第１のシリコン酸化膜上に、スピンオングラス（以下、ＳＯＧという）法により第２のシリコン酸化膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記凹凸部が、実質的に前記半導体基板に設けられた溝の深さと前記半導体基板上に形成された溝形成用のマスクの厚さ分の段差を有するものであり、前記第１のシリコン酸化膜は、前記凹部内で前記半導体基板の上面以上の深さまで形成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体基板に設けられた溝、あるいは半導体基板上に形成された膜パターンによる凹凸部を表面に有する基板面に対し、
前記凹凸部における凹部を埋めるように、ＳＯＧ法により第１のシリコン酸化膜を前記凹部の上面より低い位置まで形成する工程と、
前記凹部を埋めるように、前記第１のシリコン酸化膜上に、ＨＤＰ−ＣＶＤ法により第２のシリコン酸化膜を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板に設けられた溝、あるいは半導体基板上に形成された膜パターンによる凹凸部を表面に有する基板面に対し、前記凹凸部における凹部を埋めるように、ＨＤＰ−ＣＶＤ法により第１のシリコン酸化膜を前記凹部の上面より低い位置まで形成する工程と、前記凹部を埋めるように、前記第１のシリコン酸化膜上に、ＳＯＧ法により第２のシリコン酸化膜を形成する工程とを備えることを特徴としている。