【手続補正書】
【提出日】令和3年2月17日(2021.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワーモジュール（１０）のハウジング（１２）であって、前記ハウジング（１２）は、
前記ハウジング（１２）内部の半導体要素を収容するための収容部（２６）と、
パワー端子板（２８）が設けられる、前記収容部（２６）上のパワー端子領域（２２）と、
前記パワー端子領域（２２）よりも低い高度の前記収容部（２６）上の補助端子領域（２４）と、
ばね部（４６）によって相互接続されるパワー端子コネクタ部（４２）および補助端子コネクタ部（４４）を有する、相互接続部材（３６）と、を備え、前記ばね部（４６）は、前記パワー端子板（２８）のそばに位置合わせされ、
前記ばね部（４６）は、少なくとも部分的に前記パワー端子コネクタ部（４２）よりも高い高度で延びるように形成され、
前記ばね部（４６）が前記パワー端子板（２８）のそばで前記パワー端子領域（２２）に係合するとともに前記補助端子領域（２４）まで延び、前記補助端子コネクタ部（４４）が前記補助端子領域（２４）上に配置されるように、前記相互接続部材（３６）は、前記パワー端子コネクタ部（４２）が前記パワー端子板（２８）の下方の前記収容部（２６）の開口（４０）を通るように挿入される、ハウジング（１２）。
【請求項２】
前記ばね部（４６）は、前記補助端子コネクタ部（４４）が前記パワー端子コネクタ部（４２）よりも低い高度で位置合わせされるように形成される、請求項１に記載のハウジング（１２）。
【請求項３】
前記補助端子領域（２４）上に前記補助端子コネクタ部（４４）を位置決めするための誘導構造（６０）が、前記補助端子領域（２４）および前記パワー端子領域（２２）の少なくとも１つに設けられる、請求項１または請求項２に記載のハウジング（１２）。
【請求項４】
前記誘導構造（６０）は、前記補助端子領域（２４）から突出する突出部（６２）を備え、前記突出部（６２）の間に前記補助端子コネクタ部（４４）が誘導される、請求項３に記載のハウジング（１２）。
【請求項５】
ナット（５８）が、前記収容部（２６）の前記パワー端子板（２８）の下方に位置決めされ、前記パワー端子コネクタ部（４２）が、前記パワー端子板（２８）と前記ナット（５８）との間に位置決めされ、
前記パワー端子コネクタ部（４２）および前記パワー端子板（２８）は、ねじのための穴を備える、請求項１〜４のいずれか１項に記載のハウジング（１２）。
【請求項６】
前記補助端子コネクタ部（４４）は、ねじのための穴を備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載のハウジング（１２）。
【請求項７】
前記相互接続部材（３６）は、シート金属で作製され、
前記相互接続部材（３６）は、ばね鋼合金で作製される、請求項１〜６のいずれか１項に記載のハウジング（１２）。
【請求項８】
前記相互接続部材（３６）の厚さは、０．１ｍｍ〜０．２ｍｍの間であり、
前記相互接続部材のビッカーズ硬度は、少なくともＨＶ４００である、請求項１〜７のいずれか１項に記載のハウジング（１２）。
【請求項９】
前記相互接続部材（３６）の厚さに対する前記ばね部（４６）の長さの比は、前記ばね部（４６）の長さに対する前記パワー端子領域（２２）と前記補助端子領域（２４）との間の直交距離との比よりも２５０〜１０００倍大きい、請求項１〜８のいずれか１項に記載のハウジング（１２）。
【請求項１０】
少なくとも１つのさらなる補助端子（３０）が、前記補助端子領域（２４）上に設けられる、請求項１〜９のいずれか１項に記載のハウジング（１２）。
【請求項１１】
第２のパワー端子板（２８）が設けられる、前記収容部（２６）上の第２のパワー端子領域（２０）をさらに備え、
第２の前記パワー端子領域（２０）は、前記補助端子領域（２４）よりも高い高度にあり、
第２の前記パワー端子領域（２０）は、第１の前記パワー端子領域（２２）と同じ高度にあり、
前記補助端子領域（２４）は、第１の前記パワー端子領域（２２）と第２の前記パワー端子領域（２０）との間に設けられる、請求項１〜１０のいずれか１項に記載のハウジング（１２）。
【請求項１２】
第２のパワー端子コネクタ部（４２）と、第２の前記パワー端子コネクタ部（４２）から突出する第２の補助端子コネクタ部（４４）とを有する、第２の相互接続部材（３８）をさらに備え、
第２の前記相互接続部材（３８）は、第２の前記補助端子コネクタ部（４４）が前記補助端子領域（２４）上に配置されるように、第２の前記パワー端子コネクタ部（４２）が第２の前記パワー端子板（２８）の下方の前記収容部（２６）の第２の開口（４０）を通るように挿入される、請求項１１に記載のハウジング（１２）。
【請求項１３】
第２の前記相互接続部材（３８）は、第２の前記パワー端子コネクタ部（４２）および第２の前記補助端子コネクタ部（４４）を相互接続する中間部（５７）を備え、
前記中間部（５７）は、第２の前記パワー端子コネクタ部（４２）および第２の前記補助端子コネクタ部（４４）に直交して位置合わせされる、請求項１２に記載のハウジング（１２）。
【請求項１４】
補助端子（３２）を有するパワーモジュール（１０）のハウジング（１２）を提供する方法であって、前記方法は、
前記ハウジング（１２）に、前記ハウジング（１２）内部の半導体要素を収容するための収容部（２６）と、パワー端子板（２８）が設けられる前記収容部（２６）上のパワー端子領域（２２）と、前記パワー端子領域（２２）よりも低い高度の前記収容部（２６）上の補助端子領域（２４）とを提供することと、
相互接続部材（３６）に、ばね部（４６）で相互接続されるパワー端子コネクタ部（４２）および補助端子コネクタ部（４４）を提供することと、を含み、前記ばね部（４６）は、前記パワー端子コネクタ部（４２）のそばに位置合わせされ、前記ばね部（４６）は、少なくとも部分的に前記パワー端子コネクタ部（４２）よりも高い高度で延びるように形成され、前記方法はさらに、
前記補助端子コネクタ部（４４）が前記パワー端子コネクタ部（４２）よりも高い高度にあるように、前記ばね部（４６）を弾性的に曲げることと、
前記パワー端子コネクタ部（４２）が前記パワー端子板（２８）の下方の前記収容部（２６）の開口（４０）を通るように、前記相互接続部材（３６）を挿入することと、
前記補助端子コネクタ部（４４）が前記補助端子領域（２４）上に配置されるように、および、前記ばね部（４６）が前記パワー端子板（２８）のそばで前記パワー端子領域（２２）に係合するとともに前記補助端子領域（２４）まで延びるように、前記ばね部（４６）を解放すること、とを含む、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
さらに、２つの追加のオプションで導入可能な補助端子３２，３４が、補助端子領域２４に設けられ得る。補助端子３２は、ＡＣ端子領域２２上のパワー端子板２８に接続される相互接続材３６によって提供される。補助端子３４は、ＤＣ−端子領域２０上のパワー端子板２８に接続される、異なって設計された相互接続部材３８によって提供される。したがって、両方の補助端子３２，３４は、パワーモジュール１０によって提供されるハーフブリッジの低側の半導体スイッチおよび高側の半導体スイッチに電気的に接続される補助エミッタ端子であり得る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
他の補助端子３０およびパワー端子板２８によって提供されるパワー端子が、収容部２６に取り外し不能で接続され得る、および／または、収容部２６の製造の間に収容部の中へ統合され得る一方、相互接続部材３６，３８は、その後、収容部２６に設置され得る。一般に、それらは、それぞれのパワー端子板２８の下方のスロットまたは開口４０の中へ部分的に挿入される。