【手続補正書】
【提出日】平成16年11月29日(2004.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱含量またはエンタルピーの変化を伴うプロセスをモニターするためのデバイスであって、少なくとも１つの熱電対により形成された、第１基板の一部分と接触するサーモパイルであって、それぞれの熱電対は第１接点および第２接点を有し、第１接点および第２接点は、異なり、それぞれが温接点または冷接点であるサーモパイル、第１基質が第１接点に熱的に接続され、第２基質が第２接点に熱的に接続され、第１基質が第２基質から離れて熱的に隔離されている第１基質および第２基質を供給するための供給手段、サーモパイルを機械的に支持し、熱的および電気的に隔離する支持手段を有して成るデバイス。
【請求項２】
サーモパイル上に少なくとも１つの隔離層を更に有して成る請求項１記載のデバイス。
【請求項３】
第１基板は、シリコンウエハー、シリコンスライス、ガラススライスおよびガラスプレートを含んで成る群から選択される請求項１記載のデバイス。
【請求項４】
支持手段は、サーモパイルを支持して隔離する第２絶縁基板を有して成る請求項１記載のデバイス。
【請求項５】
第２基板は、ガラスプレートまたはポリ塩化ビニルプレートである請求項４記載のデバイス。
【請求項６】
支持手段はメンブレンを有して成る請求項１記載のデバイス。
【請求項７】
メンブレンはシリコーンゴムにより形成される請求項６記載のデバイス。
【請求項８】
第２基板上に形成されるゴムメンブレンは、第２基板の一部分と接触し、第２基板はシリコンウエハーまたはガラススライスである請求項７記載のデバイス。
【請求項９】
供給手段は、基板上に形成された第１チャンネルおよび第２チャンネルを更に有して成り、第１チャンネルおよび第２チャンネルは相互に離れ、第１チャンネルは第１接点の近傍に第１基質を配置するために使用され、第２チャンネルは第２接点の近傍に第２基質を配置するために使用される請求項１記載のデバイス。
【請求項１０】
第１チャンネルおよび第２チャンネルは交換可能チューブを取り付けるモールドとして作用する請求項９記載のデバイス。
【請求項１１】
ゴムメンブレンを製造する方法であって、ａ）第１基板の第１サイド上に少なくとも１つの硬質マスク層を付着する工程、ｂ）少なくとも１つのリソグラフィーステップおよび少なくとも１つのエッチングステップのシーケンスにより硬質マスク層のパターン付けをする工程、ｃ）シリコーンゴムにより第１基板の第２サイドを被覆する工程、ｄ）シリコーンゴムにより第１基板の第２サイドに第２基板を結合する工程、ｅ）少なくとも１つの加熱ステップを実施することによりシリコーンゴムを硬化させる工程、ｆ）マスクとしての第１のパターン付き硬質マスクを使用して基板をエッチングし、それにより、メンブレンの両側をフリーにする工程を含んで成る方法。
【請求項１２】
ｃ．１）第１基板の第２サイドに少なくとも１つのエッチングストップ層を付着する工程を更に含んで成る請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
第１基板および第２基板は、それぞれ、シリコンウエハー、シリコンスライス、ガラススライスおよびガラスプレートを含んで成る群から選択される請求項１１記載の方法。
【請求項１４】
硬質マスク層は、シリコン酸化物層およびシリコン窒化物層を有して成る２層構造物である請求項１１記載の方法。
【請求項１５】
エッチングは、ＫＯＨをエッチャントとして使用するエッチング工程のシーケンスであり、各エッチング工程は２０〜１００℃の温度にて２０〜６０重量％のＫＯＨを用いて実施する請求項１１記載の方法。
【請求項１６】
熱的な検知を実施するデバイスの製造方法であって、第１基板の第１サイドに少なくとも１つの硬質マスク層を付着する工程、第１基板の第２サイドに少なくとも１つの隔離エッチングストップ層を付着する工程、少なくとも１つのリソグラフィー工程および少なくとも１つのエッチング工程のシーケンスにより第１基板の第１サイド上の硬質マスク層をパターン付けして、それによりエッチングマスクを形成する工程、第１基板の第２サイドにサーモパイルを形成する工程、サーモパイルを熱的および電気的に隔離し、また、機械的に支持するメンブレンをサーモパイル上に形成する工程を含んで成る方法。
【請求項１７】
メンブレンはシリコーンゴムにより形成される請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
硬質マスク層は、シリコン酸化物層およびシリコン窒化物層を有して成る２層構造物である請求項１６記載の方法。
【請求項１９】
エッチングストップ層はシリコン酸化物層またはシリコン窒化物層である請求項１６記載の方法。
【請求項２０】
メンブレンを形成する工程は、サーモパイルに絶縁層を付着する工程、メンブレンに第２基板を取り付ける工程、エッチングマスクを使用して第１基板および第２基板をエッチングし、それにより、メンブレンの少なくとも一部分をフリーにする工程を更に含んで成る請求項１６記載の方法。
【請求項２１】
第１基板および第２基板は、それぞれ、シリコンウエハー、シリコンスライス、ガラススライスおよびガラスプレートを含んで成る群から選択される請求項２０記載の方法。
【請求項２２】
第１基板および第２基板のエッチングは、ＫＯＨをエッチャントとして使用するエッチング工程のシーケンスであり、各エッチング工程は２０〜１００℃の温度にて２０〜６０重量％のＫＯＨを用いて実施する請求項２０記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【発明の背景】
組み合わせ化学における最近の手法により、短時間に何百万もの化合物を作り出す可能性がもたらされた。複数のパラメーターに関してこれらの化合物のそれぞれを分析することは、例えばM. A. ShoffnerらのNucleic Acids Research, 1996年第24巻、第2号、375−9頁に記載されているように、相当なボトルネックとなることが判っている。セルの数、試験試薬の体積、処理量および自動化による使用の容易性は全て重要なパラメーターであり、最近の薬品のスクリーニングのための厳しい要件を満たすために最適化する必要がある。更に、少量の価値のある試薬により、コストが下がり、無駄が減り、また、可能な分析の数が増加する。この種の分析の有望なものは熱量計である。熱量計は、電気的出力信号を発生するが、熱の種類の入力または中間信号を有するデバイスである。熱量分析法は、ｐＨ測定法よりも、一般的な利点を有する：全ての化学的プロセスおよび物理的プロセスは、熱含量またはエンタルピーの変化を伴う。実際、生物細胞の活性、小用量化学反応および他の微量分析用途の分析のために微量熱量計を使用することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
最もしばしば使用されている市販の熱量計は、Thermometric 2277 Thermal Activity MonitorおよびMicroCal MCS Isothermal Titration Calorimeterである。これらは、２またはそれより多い、参照用としての共通のヒートシンクを有する、熱−電気デバイス、いわゆるサーモパイル（熱電対列、thermopile）を使用することに基づく。サーモパイルは、温度検知要素である少なくとも１つの熱電対であり、また、同じ熱電対に熱的に並列に、また、電気的に直列に接続されている。熱電対は、温度自体ではなく、２つの接点の温度差を測定する。温度検知要素として熱電対を使用する利点は、オフセットが存在しない、即ち、温度差が存在しない場合は、電圧がゼロであることであり、これにより、キャリブレーションが不要となる。図２に示すような熱電対、即ち、２つの異なる（半）導電性材料の組み合わせは、２つの接点の間の熱的な差異を２つの構造的熱電材料（thermo-electric material）の組み合わせゼーベック係数Ｓによって電圧差に変換する。実際、熱電対は、第１導体材料（１４）および第２導体材料（１３）を有して成り、その間に絶縁層（１５）を有する。熱電対は、第１材料と第２材料が短絡しているいわゆるホット−ジャンクション（温接点、１１）および第１材料と第２材料が絶縁層により相互に隔てられているコールド−ジャンクション（冷接点、１５）を有する。コールド−ジャンクションにおいて、ホット−ジャンクションとコールドジャンクションとの間の温度差△Ｔを示す電気的出力信号を測定できる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
全体の発生した電圧は、熱電対の電圧の総和である。各熱電対が同じで、ｎ個（ｎは０より大きい正の整数）の熱電対の場合、このことは次のように書くことができる：
Ｕtp＝ｎ×Ｓ×△Ｔ
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の１つの要旨において、熱含量またはエンタルピーの変化を伴う化学的プロセスおよび物理的プロセスをモニターする、サーモパイルを有して成るデバイスが開示され、このサーモパイルは、基板（例えばシリコンウエハー）の少なくとも一部分またはその残りの部分と接触し、また、このサーモパイルは、第１導体材料および第２導体材料とその間の絶縁層を有して成る少なくとも１つの熱電対のセット（または組）である。この第１材料および第２材料はこれらの熱起電力が異なるように選択する。第１基質、即ち、参照基質をこのサーモパイルの冷接点に熱的に接続でき、他方、第２基質、即ち、試験基質を同じサーモパイルの温接点に熱的に接続できる。別法では、第１基質、即ち、試験基質をこのサーモパイルの冷接点に熱的に接続し、他方、第２基質、即ち、参照基質を同じサーモパイルの温接点に熱的に接続してよい。測定時間を短縮するため、または、同じ時間で多くの基質を試験するために、各デバイスが１つのサーモパイルを有するデバイスのアレイ（または列）を有して成るモジュールシステムを同じ基板上に構成することができる。このようなデバイスは、基質とサーモパイルとの間の直接的な接触を避けてサーモパイルの損傷を防止するために、サーモパイル上に薄い隔離層、例えば酸化物層または窒化物層を更に有して成ってよい。このようなデバイスは、サーモパイルを熱的および電気的に隔離するために、また、サーモパイルを機械的に支持するために、更に、メンブレン（membrane、膜状物または隔膜）を有して成ってよい。酸化ケイ素および／または窒化ケイ素をメンブレン材料として使用できる。特に、液状ゴム、即ち、ELASTOSIL LR3003/10A, Bをメンブレン材料として使用できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の１つの要旨において、熱含量またはエンタルピーの変化を伴う化学的プロセスおよび物理的プロセスをモニターするために使用するデバイスの製造方法が開示される。このデバイスは、非常に少量の基質を取り扱うことができる。これらの要件は、ＩＣ製造技術に密接に関連する技術である微細加工により達成できる。出発物質は、基板等、例えば半導体ウエハー、特に、単結晶シリコンウエハーまたは絶縁材料のスライス、即ちガラススライスである。この基板上に、層をコーティングしてリソグラフィー工程ならびにウエットおよび／またはドライエッチング工程のシーケンスによりパターン付けできる。このように処理された基板は、相互に結合させたり、他の材料と結合させて３次元構造にすることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の１つの要旨において、熱含量またはエンタルピーの変化を伴う化学的プロセスおよび物理的プロセスをモニターするために使用するデバイスの製造方法が開示される。この方法は、以下の工程を有して成る：基板の第１サイド上に、基板を少なくとも部分的に除去する場合に、エッチングマスクとして機能する少なくとも１つの硬質マスク層を付着させる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
用いるエッチング方法に応じてエッチングストップ層として、ならびに／またはサーモパイルを熱的および電気的に隔離するためにおよび／もしくは基質とサーモパイルとの間の直接的な接触を防止する絶縁層として機能できる、少なくとも１つの硬質マスク層を基板の第２サイドに付着させてよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
基板の第２サイド上に、典型的には０．３μｍ〜１μｍの範囲の厚さに第１導体層を付着させる。この第１導体層、例えばドープされたポリシリコン層をパターン付けしてそれによりサーモパイル（即ち、熱的に並列に、また、電気的に直列に接続された熱電対のセット）の第１材料を形成する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
第１導体層の熱起電力と異なる熱起電力を有する第２導体層、即ち、厚さ２００ｎｍのアルミニウム層を基板の第２サイドに付着させる。この第２導体層をパターン付けして、それにより、サーモパイルの第２材料を形成する。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
基板の第２サイド上に、メンブレンとして機能する隔離層を付着させる。このメンブレンは、熱的および電気的にサーモパイルを隔離し、サーモパイルを機械的に支持する。メンブレン材料として、シリコン酸化物および／またはシリコン窒化物を使用できるが、液状ゴム、即ち、ELASTOSIL LR3003/10A, Bを使用するのが好ましい。第２基板を第１基板に結合またはのり付けしてよい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明に基づいて、デバイスの例（図１（ｂ））を、基板（１）、例えばシリコーンウエハーの一部分またはその残りと接触している１つのサーモパイル（２）に基づいて説明する。このサーモパイルの冷接点は、第１基質を有して成る第１チャンネル（３）に熱的に接続され、サーモパイルの温接点は、第２基質を有して成る第２チャンネル（４）に熱的に接続され、第１および第２チャンネルは、相互に離れて熱的に隔離されている。このデバイスは、ポリ塩化ビニル（PVC−C）支持プレート（６）を下側に更に有して成り、上側でチャンネルを閉じるために同様のプレート（７）を使用する。古典的なヒートシンクを省略し、それにより、温度検知要素として熱電対を使用して差を測定する固有の利点を十分に利用して、全体のディメンジョンを小さくする。使用する面積がより小さくなり、流体を供給するチャンネルのデッドボリューム（よどむ体積部分）が小さくなる。このデバイスは、非常に少量、典型的には１マイクロリットル〜３０マイクロリットルの基質を取り扱うことができる。例えば薬品のスクリーニングに使用する場合、第１基質を形成する参照細胞を第１チャンネルに取り付け、第２チャンネルにて薬品目的物を産生する遺伝学的に処理された細胞を培養する。潜在的な薬品候補物が有効である場合、第２基質を構成する遺伝学的に処理された細胞は活性化され、これらがサーモパイルの片側、即ち、温接点にて熱変化を起こし、それにより、電圧差が生じる（熱伝導型熱量計）。参照サンプルは、生理学的活性化による温度変化を生じないことを除いて、実質的に試験サンプルと同等である。従って、熱容量および表面の関係も同じである。このデバイスは、非常に高い同相信号除去比（common mode rejection ratio）を有し、試験下における細胞の代謝を刺激または抑制する潜在的な薬品候補物からのみ生じる信号を提供する。生きた細胞および付着性を有する試薬を取り扱うために、デバイスを構成し、細胞と接触する材料は十分に生態適合性があり、また、殺菌可能である必要がある。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明に基づいて、熱含量またはエンタルピーの変化を伴う化学的プロセスおよび物理的プロセスをモニターするために使用するデバイスの製造方法を説明する。このデバイスは、非常に少量の基質を取り扱うことができる。これらの要件は、ＩＣ（集積回路）製造技術に密接に関連する技術である微細加工により達成できる。出発物質は、基板状のもの、例えば半導体ウエハー、特に単結晶シリコンウエハーまたは絶縁性材料のスライス、即ち、ガラススライスである。この基板の上に、層をコーティングし、リソグラフィー工程ならびにウエットおよび／またはドライエッチング工程のシーケンスにより層をパターン付けする。３次元構造とするために、そのように処理された基板を相互にまたは他の材料に結合してよい。そのような方法の可能性のある実施を例として以下に説明するが、これは本発明の範囲を限定するものではない。この例において言及する材料、ディメンジョンおよび方法の工程は、均等物または均等の工程により容易に置き換えることができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
この方法は、厚さ４７０ｎｍの酸化物層を基板（２１）、即ち、単結晶シリコンウエハーの第１サイド（２２）および第２サイド（２３）に付着（または蒸着）させることから始まる（図３、工程ａ））。磨いていないサイド、即ち、第１サイド上に、厚さ１５０nｍの窒化物層（２４）を付着（または蒸着）させ、他方、反対の側、即ち、第２サイドに、第１導体層（２５）、即ち、厚さ約１μｍのｐ型にドープした多結晶シリコン（またはポリシリコン）層を付着（または蒸着）させる（図３、工程ｂ））。基板の第２サイド上の酸化物層は、バックエッチング用のエッチングストップ層、基質のサーモパイルへの直接接触を防止する層として供給され、熱的および電気的にサーモパイルの一部分である第１導体層を隔離する。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
支持プレートの代わりに、熱含量またはエンタルピーの変化を伴う化学的プロセスおよび物理的プロセスをモニターするために使用し、また、少なくとも１つのサーモパイルを有して成るデバイスにメンブレンを使用してよく、サーモパイルを熱的および電気的に隔離して機械的に支持してよい。数平方センチメートルより大きいメンブレンを形成する必要がある場合、常套の微細加工技術には限界がある。常套のメンブレンである場合、材料は、例えばシリコン酸化物および／またはシリコン窒化物から構成される。メンブレンを形成するこれらのシリコン酸化物および／またはシリコン窒化物層における残留応力のために、層は容易に曲がり、クラックが入り、または破壊さえする。従って、フレキシブルな大きい面積のメンブレンを形成するために、幾つかのポリマー、特にシリコーンゴムを検討した。使用したシリコーンゴムは、２成分液状シリコーンゴムであるELASTOSIL LR3003/10A, B（Wacker Chemie製）である。このゴムは、非常に大きい機械的強度、即ち、約２．５ＭＰａの引っ張り強さ、約６２０％の優秀な破断点伸び、十分な生態適合性、約０．２Ｗ／ｍＫの小さい熱伝導率、約５×１０15Ω・ｃｍの大きい電気抵抗率、小さい吸水性、大きいガス透過性および比較的小さい粘度を有する。最後の性質は、スピンコート技術を適用できるようにする。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
このシリコーンゴムの生態適合性、高い機械的強度、高い透明性および小さい熱伝導性は、常套の微細加工技術がうまく行かない多くの用途分野に可能性をもたらす。このシリコーンゴムは、サーモパイルを有して成る検知デバイスのメンブレンとして用いることができる。ゴムの熱伝導率は非常に小さい（０．２Ｗ／ｍＫ）ので、また、メンブレンを非常に薄くできる（マイクロメートルの範囲）のでサーモパイルをゴムメンブレンに移すことにより、サーモパイルに優秀な熱隔離特性が与えられる。更に、良好な断熱および高い感度が望まれる場合に必要である大きい寸法のサーモパイルを製造する可能性ももたらす。大きい面積は、生物学的細胞の代謝を試験する場合にも必要であるが、それは、細胞は好ましくは単一層（monolayer）で試験し、大きい信号を得るために多数の細胞が必要である（単一の細胞の出力の形成は、ピコワットのオーダーである）からである。更に、ゴムメンブレンは、厳しい生態適合性要件を満たすが、これにより医用の用途に適するようになり、また、比較的大きい圧力を保持できる。このシリコーンゴムの使用は、サーモパイルを有して成る検知デバイスのメンブレンとしての機能に限定されるものではない。大きい熱抵抗のために、このゴムは、全ての種類の検知デバイスの少なくとも一部分を断熱するために使用できる。このゴムの機械的強度および弾性のために、このゴムは、これらの特性から利益を享受する全ての種類の検知デバイス、例えば流れ検知デバイス、アクチュエーターなどにおいて使用できる。このゴムの小さい粘度故に、このゴムを保護、封止およびパッケージング目的のためにスピンコート手法によって検知デバイスに使用することができる。更に、ゴムの透明性により、光学的アクセスが必要とされる用途、例えば顕微鏡を用いる分析技術の分野が開かれる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
基板の第２サイドに、メンブレンパターンを規定するエッチングストップとして機能するシリコン酸化物／シリコン窒化物スタックを付着（または蒸着）させる。酸化物層（３４）は４７０ｎｍの厚さを有し、窒化物層（３５）は１５０ｎｍの厚さを有する。他の、好ましくは絶縁性の、材料および／もしくは他の厚さならびに／または別の層数を使用してエッチングストップとして機能するようにしてよい。酸化物／窒化物スタックを使用する場合、引っ張り力および圧縮力をバランスさせるために、酸化物と窒化物層の厚さの比は約３であるのが好ましい。また、エッチング手法に応じて、このエッチングストップを省略することもできる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
基板の第１サイドにおいて、窒化物／酸化物スタックをパターン付けして（図５、工程ｂ））、下のサーモパイルまたはサーモパイル上のエッチングストップ複数層構造の少なくとも一部分を露出させるために、下に位置するシリコンをエッチング除去するためのエッチングウインドウを形成する。これは、サーモパイルの接点の近傍においてチャンネル領域を形成するように実施してよい。これらのチャンネル領域は、試験基質または参照基質をサーモパイルの接点と接触させるか、またはその近傍に配置するように用いることができる。また、試験または参照基質をサーモパイルの近傍に配置して、それにより、基質とサーモパイルとの間の直接的な接触を避ける場合には、これらのチャンネル領域は、例えばガラスチューブを取り付けるための台（またはモールド（mold)）として使用できる。別法では、エッチングチャンネル領域の代わりに、下に位置するサーモパイルまたは全体としてのサーモパイル上のエッチングストップ複数層構造を露出させてもよい。この後者の場合では、参照基質または試験基質をサーモパイルに直接適用する。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
第１導体層と異なる熱起電力を有する第２導体層（５６）、即ち、厚さ２００ｎｍのアルミニウム層を基板の第２サイドに例えば蒸発により付着させる。この第２導体層をパターン付けしてそれによりサーモパイルの第２材料を形成する。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
サーモパイルおよびメンブレンを露出させるために、６０℃にて３５重量％ＫＯＨにおいて化学的バックエッチングを実施する（図５、工程ｆ））。シリコンの最後の１０μｍを室温でエッチングしてサーモパイル上の酸化物／窒化物層の破壊の危険を最小限にする。使用する種類のゴムは、室温ではＫＯＨにより攻撃されず、従って、第２犠牲基板はエッチングストップを必要としない。シリコンウエハーの代わりにワックスを有するガラスプレートを使用する場合、このプレートの第２サイドを４０℃にてＫＯＨでエッチングする。このワックスは、１，１，１−トリクロロエタンにより除去する。別法では、エッチングマスク（５９）、例えばシリコン酸化物／シリコン窒化物スタックを、第２基板の自由表面に付着（または蒸着）させてパターン付けする。そのようにすることにより、バックエッチングの間、例えばガラスまたはサーモパイルの下のシリコンのみが除去され、それにより、メンブレンが露出する。