【手続補正書】
【提出日】平成16年2月16日(2004.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウム，ガリウムおよび窒素を含むと共にマグネシウムを含まない第１の層と、ガリウムおよび窒素を含み、マグネシウムが添加された第２の層とを交互に複数層それぞれ備えたことを特徴とするｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体。
【請求項２】
アルミニウム，ガリウムおよび窒素を含み、かつマグネシウムが相対的に低い濃度で添加された第１の層と、ガリウムおよび窒素を含み、マグネシウムが相対的に高い濃度で添加された第２の層とを交互に複数層それぞれ備えたことを特徴とするｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体。
【請求項３】
アルミニウム，ガリウムおよび窒素を含むと共に、アルミニウムの含有量が相対的に高く、かつマグネシウムが相対的に低い濃度で添加された第１の層と、アルミニウム，ガリウムおよび窒素を含むと共に、アルミニウムの含有量が相対的に低く、かつマグネシウムが相対的に高い濃度で添加された第２の層とを交互に複数層それぞれ備えたことを特徴とするｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ガリウム（Ｇａ），アルミニウム（Ａｌ），ホウ素（Ｂ）およびインジウム（Ｉｎ）からなる群のうちの少なくとも１種のＩＩＩ族元素と、窒素（Ｎ）と、マグネシウム（Ｍｇ），亜鉛（Ｚｎ）および炭素（Ｃ）からなる群のうちの少なくとも１種のｐ型不純物とを含むｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、結晶性および電気伝導性が高く、かつ結晶の成長面内における組成比やｐ型不純物濃度が均一のｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体を提供することにある。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１のｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体は、アルミニウム，ガリウムおよび窒素を含むと共にマグネシウムを含まない第１の層と、ガリウムおよび窒素を含み、マグネシウムが添加された第２の層とを交互に複数層それぞれ備えたものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の第２のｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体は、アルミニウム，ガリウムおよび窒素を含み、かつマグネシウムが相対的に低い濃度で添加された第１の層と、ガリウムおよび窒素を含み、マグネシウムが相対的に高い濃度で添加された第２の層とを交互に複数層それぞれ備えたものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の第３のｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体は、アルミニウム，ガリウムおよび窒素を含むと共に、アルミニウムの含有量が相対的に高く、かつマグネシウムが相対的に低い濃度で添加された第１の層と、アルミニウム，ガリウムおよび窒素を含むと共に、アルミニウムの含有量が相対的に低く、かつマグネシウムが相対的に高い濃度で添加された第２の層とを交互に複数層それぞれ備えたものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の第１乃至第３のｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体では、組成あるいは含有するＩＩＩ族元素の種類とｐ型不純物（マグネシウム）の濃度とが互いに異なる第１の層と第２の層とが交互に複数層それぞれ積層されており、全体で１つのｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体としての性質を有している。これにより、共に含まれると良好な結晶を成長させることができないＩＩＩ族元素とｐ型不純物とを、第１の層と第２の層とに分けて形成することができる。


【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
例えば、図１において括弧書きにより例示したように、第１の層１１はＡｌＧａＮ混晶により構成され、第２の層１２はｐ型不純物としてマグネシウムを含むｐ型ＧａＮにより構成される。すなわち、このｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体は、構成元素であるＩＩＩ族元素のアルミニウムとｐ型不純物のマグネシウムとのうち、アルミニウムを含みマグネシウムを含まない第１の層１１とマグネシウムを含みアルミニウムを含まない第２の層１２とを交互に積層したものである。


【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
なお、第１の層１１および第２の層１２の厚さは、例えばそれぞれ１〜１００ｎｍ程度である。このように、本実施の形態に係るｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体は第１の層１１および第２の層１２の厚さがそれぞれ薄いので、マグネシウムを含まない第１の層１１とアルミニウムを含まない第２の層１２とを積層したものであっても、全体としてはｐ型ＡｌＧａＮ混晶としての性質を持つことができる。また、マグネシウムの濃度およびアルミニウムの組成比が異なる第１の層１１と第２の層１２とを積層したものであっても、全体としては１つのｐ型ＡｌＧａＮ混晶としての性質を持つことができる。ちなみに、第１の層１１と第２の層１２の厚さは同一でも同一でなくてもよい。


【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
【発明の効果】
以上説明したように本発明のｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体によれば、アルミニウム，ガリウムおよび窒素を含むと共にマグネシウムを含まない第１の層と、ガリウムおよび窒素を含み、マグネシウムが添加された第２の層とを交互に複数層それぞれ備え、または、アルミニウム，ガリウムおよび窒素を含み、かつマグネシウムが相対的に低い濃度で添加された第１の層と、ガリウムおよび窒素を含み、マグネシウムが相対的に高い濃度で添加された第２の層とを交互に複数層それぞれ備え、あるいは、アルミニウム，ガリウムおよび窒素を含むと共に、アルミニウムの含有量が相対的に高く、かつマグネシウムが相対的に低い濃度で添加された第１の層と、アルミニウム，ガリウムおよび窒素を含むと共に、アルミニウムの含有量が相対的に低く、かつマグネシウムが相対的に高い濃度で添加された第２の層とを交互に複数層それぞれ備えるようにしたので、第１の層および第２の層の結晶性などをそれぞれ容易に高めることができる。よって、全体の結晶性および電気伝導性を向上させることができると共に、成長面内における組成およびｐ型不純物濃度の均一性も向上させることができる。従って、このｐ型ＩＩＩ族ナイトライド化合物半導体を用いて短波長光源素子や耐環境素子や高周波電子素子などを構成すれば、その品質を改善することができるという効果を奏する。