【手続補正書】
【提出日】平成16年10月20日(2004.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の表層部に選択的に形成された第２導電型のウエル領域と、
前記ウエル領域の表層部に一部が重なるように選択的に形成された第２導電型の第１のシャロウウエル領域と、
前記第１のシャロウウエル領域の表層部に選択的に形成された第１導電型の拡散領域からなる第１のＭＯＳトランジスタのソース領域およびドレイン領域と、
前記第１のＭＯＳトランジスタのソース領域・ドレイン領域間のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成された第１のゲート電極と、
前記ウエル領域の表層部に形成された第２導電型の拡散領域からなる第１のシャロウウエル引き出し領域と、
前記ウエル領域の表層部で前記第１のＭＯＳトランジスタのドレイン領域と第１のシャロウウエル引き出し領域との相互間に前記第１のシャロウウエル領域より深く形成された第１のシャロウトレンチ分離領域と、
前記半導体基板の表層部に選択的に形成された第２導電型の拡散領域からなる第２のＭＯＳトランジスタのソース領域およびドレイン領域と、
前記第２のＭＯＳトランジスタのソース領域・ドレイン領域間のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成された第２のゲート電極と、
前記半導体基板の表層部で前記第１のシャロウウエル領域と第２のＭＯＳトランジスタのドレイン領域との相互間に前記第１のシャロウウエル領域より深く形成されたＣＭＯＳトランジスタ分離用の第２のシャロウトレンチ分離領域
とを具備することを特徴とするＣＭＯＳ半導体装置。
【請求項２】
前記ウエル領域の表層部に選択的に形成された第２導電型の第２のシャロウウエル領域をさらに具備することを特徴とする請求項１記載のＣＭＯＳ半導体装置。
【請求項３】
第１導電型の半導体基板と、
前記半導体基板の表層部に選択的に形成された第２導電型のウエル領域と、
前記ウエル領域の表層部に一部が重なるように選択的に形成された第２導電型の第１のシャロウウエル領域と、
前記第１のシャロウウエル領域の表層部に選択的に形成された第１導電型の拡散領域からなる第１のＭＯＳトランジスタのソース領域およびドレイン領域と、
前記第１のＭＯＳトランジスタのソース領域・ドレイン領域間のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成された第１のゲート電極と、
前記ウエル領域の表層部に選択的に形成された第２導電型の第２のシャロウウエル領域と、
前記第２のシャロウウエル領域の表層部に形成された第２導電型の拡散領域からなる第１のシャロウウエル引き出し領域と、
前記ウエル領域の表層部で前記第１のＭＯＳトランジスタのドレイン領域と第１のシャロウウエル引き出し領域との相互間および前記第１のシャロウウエル領域と第２のシャロウウエル領域との相互間に前記第１のシャロウウエル領域および第２のシャロウウエル領域より深く形成された第１のシャロウトレンチ分離領域と、
前記半導体基板の表層部に選択的に形成された第１導電型の第３のシャロウウエル領域と、
前記半導体基板の表層部に選択的に形成された第１導電型の第４のシャロウウエル領域と、
前記第３のシャロウウエル領域の表層部に選択的に形成された第２導電型の拡散領域からなる第２のＭＯＳトランジスタのソース領域およびドレイン領域と、
前記第２のＭＯＳトランジスタのソース領域・ドレイン領域間のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成された第２のゲート電極と、
前記第４のシャロウウエル領域の表層部に形成された第１導電型の拡散領域からなる第２のシャロウウエル引き出し領域と、
前記半導体基板の表層部で前記第２のＭＯＳトランジスタのドレイン領域と第２のシャロウウエル引き出し領域との相互間および前記第３のシャロウウエル領域と第４のシャロウウエル領域との相互間に前記第３のシャロウウエル領域および第４のシャロウウエル領域より深く形成された第２のシャロウトレンチ分離領域と、
前記半導体基板の表層部で前記第１のＭＯＳトランジスタのドレイン領域と第２のＭＯＳトランジスタのドレイン領域との相互間および前記第１のシャロウウエル領域および第３のシャロウウエル領域の相互間に前記第１のシャロウウエル領域および第３のシャロウウエル領域より深く形成されたＣＭＯＳトランジスタ分離用の第３のシャロウトレンチ分離領域と、
前記半導体基板の表層部で前記第１のシャロウウエル引き出し領域および前記第２のシャロウウエル引き出し領域から他の素子領域を分離するように形成されたＣＭＯＳ領域分離用の第４のシャロウトレンチ分離領域
とを具備することを特徴とするＣＭＯＳ半導体装置。
【請求項４】
前記半導体基板の表層部で前記第３のシャロウウエル領域の底面部および第４のシャロウウエル領域の底面部を接続する位置に形成された第１導電型のウエル領域をさらに具備することを特徴とする請求項３記載のＣＭＯＳ半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
第１の発明のＣＭＯＳ半導体装置は、第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の表層部に選択的に形成された第２導電型のウエル領域と、前記ウエル領域の表層部に一部が重なるように選択的に形成された第２導電型の第１のシャロウウエル領域と、前記第１のシャロウウエル領域の表層部に選択的に形成された第１導電型の拡散領域からなる第１のＭＯＳトランジスタのソース領域およびドレイン領域と、  前記第１のＭＯＳトランジスタのソース領域・ドレイン領域間のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成された第１のゲート電極と、前記ウエル領域の表層部に形成された第２導電型の拡散領域からなる第１のシャロウウエル引き出し領域と、前記ウエル領域の表層部で前記第１のＭＯＳトランジスタのドレイン領域と第１のシャロウウエル引き出し領域との相互間に前記第１のシャロウウエル領域より深く形成された第１のシャロウトレンチ分離領域と、前記半導体基板の表層部に選択的に形成された第２導電型の拡散領域からなる第２のＭＯＳトランジスタのソース領域およびドレイン領域と、前記第２のＭＯＳトランジスタのソース領域・ドレイン領域間のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成された第２のゲート電極と、前記半導体基板の表層部で前記第１のシャロウウエル領域と第２のＭＯＳトランジスタのドレイン領域との相互間に前記第１のシャロウウエル領域より深く形成されたＣＭＯＳトランジスタ分離用の第２のシャロウトレンチ分離領域とを具備することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第２の発明のＣＭＯＳ半導体装置は、第１導電型の半導体基板と、前記半導体基板の表層部に選択的に形成された第２導電型のウエル領域と、前記ウエル領域の表層部に一部が重なるように選択的に形成された第２導電型の第１のシャロウウエル領域と、前記第１のシャロウウエル領域の表層部に選択的に形成された第１導電型の拡散領域からなる第１のＭＯＳトランジスタのソース領域およびドレイン領域と、前記第１のＭＯＳトランジスタのソース領域・ドレイン領域間のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成された第１のゲート電極と、前記ウエル領域の表層部に選択的に形成された第２導電型の第２のシャロウウエル領域と、前記第２のシャロウウエル領域の表層部に形成された第２導電型の拡散領域からなる第１のシャロウウエル引き出し領域と、前記ウエル領域の表層部で前記第１のＭＯＳトランジスタのドレイン領域と第１のシャロウウエル引き出し領域との相互間および前記第１のシャロウウエル領域と第２のシャロウウエル領域との相互間に前記第１のシャロウウエル領域および第２のシャロウウエル領域より深く形成された第１のシャロウトレンチ分離領域と、前記半導体基板の表層部に選択的に形成された第１導電型の第３のシャロウウエル領域と、前記半導体基板の表層部に選択的に形成された第１導電型の第４のシャロウウエル領域と、前記第３のシャロウウエル領域の表層部に選択的に形成された第２導電型の拡散領域からなる第２のＭＯＳトランジスタのソース領域およびドレイン領域と、前記第２のＭＯＳトランジスタのソース領域・ドレイン領域間のチャネル領域上にゲート絶縁膜を介して形成された第２のゲート電極と、前記第４のシャロウウエル領域の表層部に形成された第１導電型の拡散領域からなる第２のシャロウウエル引き出し領域と、前記半導体基板の表層部で前記第２のＭＯＳトランジスタのドレイン領域と第２のシャロウウエル引き出し領域との相互間および前記第３のシャロウウエル領域と第４のシャロウウエル領域との相互間に前記第３のシャロウウエル領域および第４のシャロウウエル領域より深く形成された第２のシャロウトレンチ分離領域と、前記半導体基板の表層部で前記第１のＭＯＳトランジスタのドレイン領域と第２のＭＯＳトランジスタのドレイン領域との相互間および前記第１のシャロウウエル領域および第３のシャロウウエル領域の相互間に前記第１のシャロウウエル領域および第３のシャロウウエル領域より深く形成されたＣＭＯＳトランジスタ分離用の第３のシャロウトレンチ分離領域と、前記半導体基板の表層部で前記第１のシャロウウエル引き出し領域および前記第２のシャロウウエル引き出し領域から他の素子領域を分離するように形成されたＣＭＯＳ領域分離用の第４のシャロウトレンチ分離領域とを具備することを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】