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【手続補正書】
【提出日】平成17年6月30日(2005.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素繊維のマルチフィラメント糸を経糸及び緯糸に用いて製織するに際し、予め特定の高張力以上の経糸張力下で整経した後、引続き連続して特定の低張力以下の経糸張力下で製織することを特徴とする特殊強化繊維織物の製造方法。
【請求項２】
前記経糸を経糸送り方向と直交する方向に延在する振動開繊バーに接触させ振動開繊バーを振動して開繊拡幅する、請求項１記載の特殊強化繊維織物の製造方法。
【請求項３】
振動開繊バーに接触した前記経糸に熱風を付与する請求項１または２記載の特殊強化繊維織物の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記課題に対し、経糸の繊維幅を均一に整えて織物を形成せしめるものであり、そのための手段の主要な構成は炭素繊維のマルチフィラメント糸を経糸及び緯糸に用いて製織する際し、予め特定の高張力以上の経糸張力下で整経した後、引続き連続して特定の低張力以下の経糸張力下で製織することを特徴としている。また、経糸方向と直交する方向に延在する振動開繊バーに接触させ、且つ、熱風を該経糸に付与しながら該振動開繊バーを振動させて開繊拡幅させる。さらに、炭素繊維のフィラメント数が３０００本以上であることが好ましく、かかる経糸をもって、経糸密度が８本／２．５４ｃｍ以下の織物を製織することが望ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
そこで、本発明ではバックテンションロール１を介在させて、経糸群を織幅とほぼ同幅に揃えることにより、織幅方向の糸張力がきわめて均一化された糸配列となる。前記バックテンション１から引き出された経糸は、２本並列して配された振動開繊バー２により糸幅を開繊拡幅しながら幅方向の均一化を行う。なお、振動開繊バーは２本並列して配しなければならないものではなく、１本或いは３本以上使用しても差し支えない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
振動開繊バー２の代わりに擦過ロール２’により繊維幅をある程度まで拡幅しながら幅方向の均一化を行うことも可能である。この場合は、拡幅の程度により該擦過ロール２’への接触角度やロール数、ロール径を調整して行うのが一般的である。なぜならば、該擦過ロール方式では元の繊維幅の２倍以上の拡幅は困難
であり、しかも拡幅幅に比例して擦過張力も大きくなり毛羽が発生する。しかし、フィラメント数が多い場合や炭素繊維に付着するサイズ剤が柔らかい場合などのように、拡幅が比較的容易である場合や、拡幅が３０〜５０％程度であっても十分目的が達成される場合などは、擦過ロール方式を採用しても十分に実施化が可能である。この場合、繊維幅と擦過張力とのバランスを考慮し、適宜変更すれば良い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
このダンサロール８を通過した後の経糸張力は０．００４ｃＮ／ｄｔｅｘ以上となるように荷重を設定することが望ましく、更に好ましくは０.００７ｃＮ／ｄｔｅｘ以上とすることが良好である。このようにして消極送りで均一化された後、ニップロール７によりニップして低張力製織するために、荷重を変更し積極送りによる製織を始める。消極送りにより均一化された経糸は積極送りされニップロールから定量送りされて連続した安定製織が得られる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
そのため、製織安定性を実現でき、ヘルドや筬による擦過や織縮みによる収束が起きてもこれらを吸収できる程度の低張力で製織することが望ましいが、０．００２ｃＮ／ｄｔｅｘより低いと経糸が緩みすぎて製織が不安定であり、また、擦ロールを使う場合や振動開繊バーに熱風を付与しない場合には、０. ００７ｃＮ／ｄｔｅｘを超えると、張力が高すぎて繊維幅が不均一になる。また、熱風を付与する場合は、０．００８ｃＮ／ｄｔｅｘを超えると、同じく張力が高すぎて繊維幅が不均一になる。よって、適正張力は上述の範囲を逸脱しない範囲であることが好ましく、更に好ましくはいずれの場合も０. ００２〜０. ００４ｃＮ／ｄｔｅｘの範囲内が良好である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月13日(2004.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
Si：0.05％以上2.0％以下
Siには、0.05％以上含有することにより、合金化溶融亜鉛めっき鋼板の加工性を高める作用がある。しかしながら、Si含有量が2.0％を超えると、めっき時の濡れ性や合金化速度が著しく低下する。そこで、本実施の形態では、Si含有量は0.05％以上2.0％以下と限定する。同様の観点から、Si含有量の下限は0.2％であることが望ましく、0.4％であることがさらに望ましく、また、Si含有量の上限は1.5％であることが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月3日(2005.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
好ましくは、パイプの孔１３１の径ｄは、焼入れプロセスを行うのに十分な量の流体を鍛造物Ｆに噴射するのに適した大きさである。例えば、孔１３１の径を、約０．０５５”〜０．０７５”（１．３９７ｍｍ〜１．９０５ｍｍ）とすることができる。径ｄの大きさをこのような値にした場合、約０．００２〜０．０１ｌｂ／ｓｅｃの流体が、約２００〜１０００ｆｔ／ｓｅｃの速度で、各孔１３１を流れるようにすることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月27日(2005.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｎ源として、２価のＳｎの無機酸塩と４価のＳｎの無機酸塩を同時に用いることを特徴とするＡｕ−Ｓｎ合金めっき液。
【請求項２】
前記２価および４価のＳｎ濃度の合計に対する前記２価のＳｎ濃度の比（Ｓｎ2+／（Ｓｎ2+＋Ｓｎ4+））をＲｃとすると、Ｒｃは0.02＜Ｒｃ＜0.6を満足している請求項１記載のＡｕ−Ｓｎ合金めっき液。
【請求項３】
前記無機酸塩が、塩酸塩もしくは硫酸塩である請求項１または２に記載のＡｕ−Ｓｎ合金めっき液。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明によれば、Ｓｎ源として、２価のＳｎの無機酸塩と４価のＳｎの無機酸塩を同時に用いるＡｕ−Ｓｎ合金めっき液が提供される。
かかるめっき液において、これらの２価および４価のＳｎ濃度の合計に対する前記２価のＳｎ濃度の比（Ｓｎ2+／（Ｓｎ2+＋Ｓｎ4+））をＲｃとすると、Ｒｃは、0.02＜Ｒｃ＜0.6を満足していることが好ましく、さらに、無機酸塩が、塩酸塩もしくは硫酸塩であることが好ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【発明の実施の形態】
本発明はＡｕ−Ｓｎ合金めっき液において、Ｓｎ源として、２価のＳｎの無機酸塩と４価のＳｎの無機酸塩を同時に使用することに特徴を有するものである。２価のＳｎ（Ｓｎ2+）と４価のＳｎ（Ｓｎ4+）の無機酸塩を併せて使用しためっき液である。
本発明のめっき液を使用して形成されるめっき層の組成はとくに限定されるものではないが、電子部品、光部品などの接合に使用される場合、質量％でＡｕ80％−Ｓｎ20％程度のものが好適である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月12日(2005.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
組成式が（Ｆｅ1-mＴm）100-x-y-z-nＱxＲyＴｉzＭn（ただし、ＴはＣｏおよびＮｉからなる群から選択された少なくとも１種の元素、ＱはＢおよびＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素、ＲはＮｄ、Ｐｒ、ＤｙおよびＴｂからなる群から選択された少なくとも１種の希土類元素であり、少なくともＮｄおよびＰｒからなる群から選択された少なくとも１種の希土類元素を含み、Ｍは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、ＡｕおよびＰｂからなる群から選択された少なくとも１種の元素）で表現され、組成比率ｘ、ｙ、ｚ、ｍおよびｎが、それぞれ、１０＜ｘ≦２０原子％、６≦ｙ＜１０原子％、０．５≦ｚ≦１２原子％、０≦ｍ≦０．５、および０≦ｎ≦１０原子％）で表現される組成を有するナノコンポジット磁石であって、
酸素含有率が質量基準で１５００ｐｐｍ以下であり、６０体積％以上の硬磁性相を有する、ナノコンポジット磁石。
【請求項２】
軟磁性相と硬磁性相とを含む２種類以上の強磁性結晶相を含有し、前記軟磁性相は前記硬磁性相の周囲に粒界相あるいは亜粒界相として存在する、請求項１に記載のナノコンポジット磁石。
【請求項３】
前記硬磁性相の平均結晶粒径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下で、前記軟磁性相の平均結晶粒径が１ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にある組織を有する、請求項２に記載のナノコンポジット磁石。
【請求項４】
前記軟磁性相の平均結晶粒径は前記硬磁性相の平均結晶粒径よりも小さい、請求項２または３に記載のナノコンポジット磁石。
【請求項５】
前記硬磁性相はＲ2Ｆｅ14Ｂ型化合物相を含む、請求項２から４のいずれかに記載のナノコンポジット磁石。
【請求項６】
残留磁束密度Ｂr≧０．７Ｔ、固有保磁力ＨcJ≧４８０ｋＡ／ｍの硬磁気特性を有する、請求項１から５のいずれかに記載のナノコンポジット磁石。
【請求項７】
酸素含有率が質量基準で７００ｐｐｍ以下である請求項１から６のいずれかに記載のナノコンポジット磁石。
【請求項８】
窒素含有率が質量基準で４００ｐｐｍ以下である請求項１から７のいずれかに記載のナノコンポジット磁石。
【請求項９】
残留磁束密度Ｂr≧０．８Ｔ、固有保磁力ＨcJ≧５５０ｋＡ／ｍの硬磁気特性を有する、請求項８に記載のナノコンポジット磁石。
【請求項１０】
組成式が（Ｆｅ1-mＴm）100-x-y-z-nＱxＲyＴｉzＭn（ただし、ＴはＣｏおよびＮｉからなる群から選択された少なくとも１種の元素、ＱはＢおよびＣからなる群から選択された少なくとも１種の元素、ＲはＮｄ、Ｐｒ、ＤｙおよびＴｂからなる群から選択された少なくとも１種の希土類元素であり、少なくともＮｄおよびＰｒからなる群から選択された少なくとも１種の希土類元素を含み、Ｍは、Ａｌ、Ｓｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔ、ＡｕおよびＰｂからなる群から選択された少なくとも１種の元素）で表現され、組成比率ｘ、ｙ、ｚ、ｍおよびｎが、それぞれ、１０＜ｘ≦２０原子％、６≦ｙ＜１０原子％、０．５≦ｚ≦１２原子％、０≦ｍ≦０．５、および０≦ｎ≦１０原子％）で表現される組成を有するナノコンポジット磁石であって、
窒素含有率が質量基準で４００ｐｐｍ以下であり、６０体積％以上の硬磁性相を有する、ナノコンポジット磁石。
【請求項１１】
軟磁性相と硬磁性相とを含む２種類以上の強磁性結晶相を含有し、前記軟磁性相は前記硬磁性相の周囲に粒界相あるいは亜粒界相として存在する、請求項１０に記載のナノコンポジット磁石。
【請求項１２】
前記硬磁性相の平均結晶粒径が５ｎｍ以上２００ｎｍ以下で、前記軟磁性相の平均結晶粒径が１ｎｍ以上５０ｎｍ以下の範囲内にある組織を有する、請求項１１に記載のナノコンポジット磁石。
【請求項１３】
前記軟磁性相の平均結晶粒径は前記硬磁性相の平均結晶粒径よりも小さい、請求項１１または１２に記載のナノコンポジット磁石。
【請求項１４】
前記硬磁性相はＲ2Ｆｅ14Ｂ型化合物相を含む、請求項１０から１３のいずれかに記載のナノコンポジット磁石。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月27日(2004.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
真空チャンバ１２の内部が所定の真空度になったら、モータ２８ａによってターンテーブル３０を所定速度で回転しつつ、イオン銃１８によるイオン照射エッチングを行って、基板Ｓ表面に付着している不純物等を除去する。この際の、イオン銃１８の動作条件としては、例えば、Ａｒガス雰囲気で、イオン電流１００ｍＡ〜６Ａ，ビーム電圧−１００Ｖ〜−２０００Ｖ程度が好ましく、実施例では、イオン電流１Ａ，ビーム電圧−５００Ｖとしている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１０  製造装置
１２  真空チャンバ
１４  基板回転機構
１８  イオン銃
２２  加熱蒸発部
２８  回転軸
２８ａ  モータ
３０  ターンテーブル
３４  シースヒータ
３８  Ｅｕ蒸発部
４０  Ｃｓ蒸発部
４２  抵抗加熱装置
４４  電子銃
４６  材料供給手段
５６  ガス導入手段
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号を差動信号に変換するための光通信用モジュールであって、
光信号を受光して電気信号へと変換する受光素子と、
絶縁性の基板と、
前記基板上に配設され、前記電気信号を反転信号及び非反転信号として取り出す出力部と、
前記出力部と接続され、前記反転信号及び前記非反転信号をそれぞれ出力する第１接続端子及び第２接続端子と、
前記基板上に配設された第１配線パターン及び第２配線パターンと、
を具備し、
前記第１接続端子は前記第１配線パターン及び第２配線パターンの一方と電気的に接続され、前記第２接続端子は前記第１配線パターン及び第２配線パターンの他方と電気的に接続され、前記第１配線パターンは第１端部を有し、前記第２配線パターンは第２端部を有し、前記第１端部は前記第１接続端子と前記第２接続端子とを結ぶ仮想線と前記第２端部との間に配設される、ことを特徴とする光通信用モジュール。
【請求項２】
差動信号を光信号に変換するための光通信用モジュールであって、
絶縁性の基板と、
反転信号及び非反転信号をそれぞれ供給される第１接続端子及び第２接続端子と、
前記基板上に配設され、前記第１接続端子及び前記第２接続端子と接続され、前記反転信号及び前記非反転信号に応じて電気信号を出力する、入力部と、
前記電気信号に応じて光信号を発光する発光素子と、
前記基板上に配設された第１配線パターン及び第２配線パターンと、
を具備し、
前記第１接続端子は前記第１配線パターン及び第２配線パターンの一方と電気的に接続され、前記第２接続端子は前記第１配線パターン及び第２配線パターンの他方と電気的に接続され、前記第１配線パターンは第１端部を有し、前記第２配線パターンは第２端部を有し、前記第１端部は前記第１接続端子と前記第２接続端子とを結ぶ仮想線と前記第２端部との間に配設される、ことを特徴とする光通信用モジュール。
【請求項３】
前記第１配線パターン及び前記第２配線パターンが、
信号線と、
前記信号線の両側に所定の間隔を持ってそれぞれ配設された接地線と、
をそれぞれ具備することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光通信用モジュール。
【請求項４】
光信号を差動信号に変換するための光通信用モジュールであって、
光信号を受光して電気信号へと変換する受光素子と、
第１主面と、前記第１主面と対向する第２主面と、を有する絶縁性の基板と、
前記第１主面上に配設され、前記電気信号を反転信号及び非反転信号として取り出す出力部と、
前記出力部と接続され、前記反転信号および前記非反転信号をそれぞれ出力する第１接続端子及び第２接続端子と、
前記第１主面上に配設され、前記第１接続端子と非接触状態で対向する第１配線パターンと、
前記第１主面上に配設され、前記第２接続端子と非接触状態で対向する第２配線パターンと、
一端が前記第１接続端子と非接触状態で対向し、他端が前記第２配線パターンと非接触状態で対向する第１交差パターンと、
一端が前記第２接続端子と非接触状態で対向し、他端が前記第１配線パターンと非接触状態で対向し、前記第１交差パターンと非接触状態で前記第１主面と前記第２主面とを結ぶ方向において交差する第２交差パターンと、
を具備することを特徴とする光通信用モジュール。
【請求項５】
差動信号を光信号に変換するための光通信用モジュールであって、
第１主面と、前記第１主面と対向する第２主面と、を有する絶縁性の基板と、
反転信号及び非反転信号をそれぞれ供給される第１接続端子及び第２接続端子と、
前記第１主面上に配設され、前記第１接続端子及び前記第２接続端子と接続され、前記反転信号及び前記非反転信号に応じて電気信号を出力する入力部と、
前記電気信号に応じて光信号を発光する発光素子と、
前記第１主面上に配設され、前記第１接続端子と非接触状態で対向する第１配線パターンと、
前記第１主面上に配設され、前記第２接続端子と非接触状態で対向する第２配線パターンと、
一端が前記第１接続端子と非接触状態で対向し、他端が前記第２配線パターンと非接触状態で対向する第１交差パターンと、
一端が前記第２接続端子と非接触状態で対向し、他端が前記第１配線パターンと非接触状態で対向し、前記第１交差パターンと非接触状態で前記第１主面と前記第２主面とを結ぶ方向において交差する第２交差パターンと、
を具備することを特徴とする光通信用モジュール。
【請求項６】
前記第１接続端子と前記第１配線パターンとを電気的に接続するとともに前記第２接続端子と前記第２配線パターンとを電気的に接続するか、前記第１接続端子と前記第２配線パターンとを前記第１交差パターンを介して電気的に接続するとともに前記第２接続端子と前記第１配線パターンとを前記第２交差パターンを介して電気的に接続する、接続パターンをさらに具備することを特徴とする請求項４または請求項５に記載の光通信用モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
配線パターン３５ａ，３５ｂの直線部は、それぞれ略中央部にパターンの欠落部３６ａ，３６ｂを有し、この部分が非導通とされることによりそれぞれが２つの部分に分離されている。すなわち、配線パターン３５ａは、一端が接続ピン３４ａと接続された第１の配線パターン３５ｃと、欠落部３６ａを介してこの第１の部分３５ｃの他端と一端が対向するように配置された第２の配線パターン３５ｄとを有する。また、同様に、配線パターン３５ｂは、一端が接続ピン３４ｂと接続された第３の配線パターン３５ｅと、欠落部３６ｂを介してこの第１の部分３５ｅの他端と一端が対向するように配置された第４の配線パターン３５ｆとを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
上記配線パターン３５ａ，３５ｂ相互間には、第１，第２の交錯パターン３７ａ，３７ｂが形成される。第１の交錯パターン３７ａは、一端が第１の配線パターン３５ｃの他端と間隔を有し、他端が第４の配線パターン３５ｆの一端と間隔を有するように、配線基板５上に配置される。また、第２の交錯パターン３７ｂは、一端が第２の配線パターン３５ｄの一端と間隔を有し、他端が第３の配線パターン３５ｅの他端と間隔を有するように、配線基板５上に配置される。さらに、第２の交錯パターン３７ｂの一端と他端とを相互に接続する部分は、配線基板５の裏面上に配置され、これら一端及び他端と、接続部分とは、配線基板５に形成されたスルーホール３９を介して接続される。または、配線基板５を多層構造として、この接続部分を層間に設けても構わない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2003101043.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月1日(2005.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
前記透明電極はスパッタリングにて形成することとし、前記透明電極を形成するためのスパッタリング装置内で、前記プラズマ処理を施す請求項１〜７の何れかに記載の光起電力装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
第８発明に係る光起電力装置の製造方法は、第１〜第７発明の何れかにおいて、前記透明電極はスパッタリングにて形成することとし、前記透明電極を形成するためのスパッタリング装置内で、前記プラズマ処理を施すことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月15日(2004.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】回路基板の製造方法および回路基板用部材
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性フィルムを剥離可能な有機物層を介して、補強板のヤング率（ｋｇ／ｍｍ２）と厚さ（ｍｍ）の３乗の積が、２ｋｇ・ｍｍ以上８６００００ｋｇ・ｍｍ以下の範囲である補強板と貼り合わせ、次いで、可撓性フィルム上に回路パターンを形成した後、可撓性フィルムを補強板から剥離することを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
可撓性フィルムの補強板との貼り合わせ面の反対面から接続孔を形成することを特徴とする請求項１記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
補強板が枚葉であり、長尺可撓性フィルムを該枚葉補強板に合わせて切断して貼り合わせることを特徴とする請求項１記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
補強板がガラスであり、ヤング率（ｋｇ／ｍｍ２）と厚さ（ｍｍ）の３乗の積が、８５０ｋｇ・ｍｍ以上８６００００ｋｇ・ｍｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項４記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
補強板が金属であり、ヤング率（ｋｇ／ｍｍ２）と厚さ（ｍｍ）の３乗の積が、２ｋｇ・ｍｍ以上１６２５６０ｋｇ・ｍｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項４記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
補強板が枚葉であり、剥離可能な有機物層および／またはフォトレジストをダイコータで補強板に塗布することを特徴とする請求項１記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
補強板、剥離可能な有機物層、可撓性フィルム、回路パターンの順に積層された回路基板用部材であって、補強板のヤング率（ｋｇ／ｍｍ２）と厚さ（ｍｍ）の３乗の積が、２ｋｇ・ｍｍ以上８６００００ｋｇ・ｍｍ以下の範囲であることを特徴とする回路基板用部材。
【請求項８】
補強板がガラスであり、補強板のヤング率（ｋｇ／ｍｍ２）と厚さ（ｍｍ）の３乗の積が、８５０ｋｇ・ｍｍ以上８６００００ｋｇ・ｍｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項７記載の回路基板用部材。
【請求項９】
補強板が金属であり、補強板のヤング率（ｋｇ／ｍｍ２）と厚さ（ｍｍ）の３乗の積が、２ｋｇ・ｍｍ以上１６２５６０ｋｇ・ｍｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項７記載の回路基板用部材。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
すなわち本発明は以下の構成および製造法により達成される。
（１）可撓性フィルムを剥離可能な有機物層を介して、補強板のヤング率（ｋｇ／ｍｍ２）と厚さ（ｍｍ）の３乗の積が、２ｋｇ・ｍｍ以上８６００００ｋｇ・ｍｍ以下の範囲である補強板と貼り合わせ、次いで、可撓性フィルム上に回路パターンを形成した後、可撓性フィルムを補強板から剥離することを特徴とする回路基板の製造方法。
（２）可撓性フィルムの補強板との貼り合わせ面の反対面から接続孔を形成することを特徴とする請求項１記載の回路基板の製造方法。
（３）補強板が枚葉であり、長尺可撓性フィルムを該枚葉補強板に合わせて切断して貼り合わせることを特徴とする請求項１記載の回路基板の製造方法。
（４）補強板がガラスであり、ヤング率（ｋｇ／ｍｍ２）と厚さ（ｍｍ）の３乗の積が、８５０ｋｇ・ｍｍ以上８６００００ｋｇ・ｍｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項４記載の回路基板の製造方法。
（５）補強板が金属であり、ヤング率（ｋｇ／ｍｍ２）と厚さ（ｍｍ）の３乗の積が、２ｋｇ・ｍｍ以上１６２５６０ｋｇ・ｍｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項４記載の回路基板の製造方法。
（６）補強板が枚葉であり、剥離可能な有機物層および／またはフォトレジストをダイコータで補強板に塗布することを特徴とする請求項１記載の回路基板の製造方法。
（７）補強板、剥離可能な有機物層、可撓性フィルム、回路パターンの順に積層された回路基板用部材であって、補強板のヤング率（ｋｇ／ｍｍ２）と厚さ（ｍｍ）の３乗の積が、２ｋｇ・ｍｍ以上８６００００ｋｇ・ｍｍ以下の範囲であることを特徴とする回路基板用部材。
（８）補強板がガラスであり、補強板のヤング率（ｋｇ／ｍｍ２）と厚さ（ｍｍ）の３乗の積が、８５０ｋｇ・ｍｍ以上８６００００ｋｇ・ｍｍ以下の範囲であることを特徴とする上記（７）記載の回路基板用部材。
（９）補強板が金属であり、補強板のヤング率（ｋｇ／ｍｍ２）と厚さ（ｍｍ）の３乗の積が、２ｋｇ・ｍｍ以上１６２５６０ｋｇ・ｍｍ以下の範囲であることを特徴とする上記（７）記載の回路基板用部材。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
次に厚さ２５μｍのポリイミドフィルムを準備する。ガラス基板上の空気遮断用フィルムを剥がして、ポリイミドフィルムをガラス基板に貼り付ける。前述のように、該ポリイミドフィルムの片面または両面に金属層があらかじめ形成されていても良い。ポリイミドフィルムの貼り付け面側に金属層を設けておいた場合は、電磁波遮蔽のためのグラウンド層などとして利用することができ、好ましい。該ポリイミドフィルムはあらかじめ所定の大きさのカットシートにしておいて貼り付けても良いし、長尺ロールから巻だしながら、貼り付けと切断をしてもよい。このような貼り付け作業には、ロール式ラミネーターや真空ラミネーターを使用することができる。いずれにしても枚葉基板であるガラス基板への貼り合わせ工程前のポリイミドフィルムは、長尺状態であり、上述のように、ポリイミドフィルムの片面または両面に金属膜を連続的に形成しておいたり、あるいは、後述のように、セミアディティブ法において、下地層形成に先立ってポリイミドフィルム表面に、接着力向上のための処理や塗膜形成を連続的に実施することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月7日(2005.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体基板と該窒化物半導体基板の表面上に積層される複数の窒化物半導体層から成る窒化物半導体積層部とを備えた窒化物半導体レーザ素子と、該窒化物半導体レーザ素子を固定する支持基体とを備えた窒化物半導体レーザ装置において、
前記支持基体が、熱膨張係数が前記窒化物半導体レーザ素子を構成する窒化物半導体基板の熱膨張係数よりも大きい材質で構成されるとともに、その厚さが前記窒化物半導体基板と前記窒化物半導体積層部とで成る窒化物半導体積層構造部の厚さの１．２倍以上であることを特徴とする窒化物半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記窒化物半導体積層構造部と前記支持基体との間の金属層の厚さが、前記窒化物半導体積層構造部の厚さの半分以下であることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記窒化物半導体レーザ素子に圧縮性応力がかかっていることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記窒化物半導体レーザ素子を前記支持基体に固定するためのハンダの材質が、ＡｕＳｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、ＩｎＡｌ、ＡｇＳｎ、ＡｇＣｕＳｎ、ＺｎＳｎ、ＰｂＩｎ、ＰｂＳｎ、ＩｎＳｎ、ＡｕＳｉ若しくはＡｕＧｅ、又はこれらのいずれかを含む化合物であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記支持基体を備えたステムを有するとともに、前記支持基体がサブマウントであり、前記サブマウントを固定するチップ搭載部が前記ステムに設けられることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記サブマウントに前記窒化物半導体レーザ素子を固定するためのハンダの融点が、前記チップ搭載部に前記サブマウントを固定するためのハンダの融点より高いことを特徴とする請求項５に記載の窒化物半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記支持基体を備えたステムを有するとともに、前記支持基体が前記ステムに設けられたチップ搭載部であることを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ装置。
【請求項８】
前記窒化物半導体レーザ素子の前記窒化物半導体基板側が前記支持基体に固定されることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ装置。
【請求項９】
前記窒化物半導体基板と前記支持基体との間の金属層の厚さが、１μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とする請求項８に記載の窒化物半導体レーザ装置。
【請求項１０】
前記窒化物半導体レーザ素子の前記窒化物半導体積層部側が前記支持基体に固定されることを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれかに記載の窒化物半導体レーザ装置。
【請求項１１】
前記窒化物半導体レーザ素子の支持基体に固定される側が、平坦に形成されていることを特徴とする請求項１０に記載の窒化物半導体レーザ装置。
【請求項１２】
前記窒化物半導体積層部と前記支持基体との間の金属層の厚さが、１μｍ以上１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の窒化物半導体レーザ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
又、前記窒化物半導体レーザ素子を前記支持基体に固定するためのハンダの材質に、ＡｕＳｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、ＩｎＡｌ、ＡｇＳｎ、ＡｇＣｕＳｎ、ＺｎＳｎ、ＰｂＩｎ、ＰｂＳｎ、ＩｎＳｎ、ＡｕＳｉ若しくはＡｕＧｅ、又はこれらのいずれかを含む化合物を用いる。このようなハンダにおいて、融点の高い材質のものとしても良い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
又、前記窒化物半導体レーザ素子の前記窒化物半導体基板側が前記支持基体に固定されるようにしても構わない。このとき、前記窒化物半導体基板と前記支持基体との間の金属層の厚さが、１μｍ以上５０μｍ以下とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
又、前記窒化物半導体レーザ素子の前記窒化物半導体積層部側が前記支持基体に固定されるようにしても構わない。このとき、前記窒化物半導体レーザ素子の支持基体に固定される側が平坦に形成されており、前記窒化物半導体積層部と前記支持基体との間の金属層の厚さが、１μｍ以上１０μｍ以下とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
尚、本実施形態では、サブマウント１０２の材料としてＣｕを用いたが、その熱膨張係数がＧａＮの熱膨張係数よりも大きい材料、例えば、図６に示すＧａＡｓ、ＣｕＷ１０、Ａｌ2Ｏ3、ＣｕＷ１５、ＢｅＯ、ＣｕＷ２０、Ａｌ−ＳｉＣ、Ｆｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌなどでも構わない。又、これらの中で、熱伝導率が大きい材質は、放熱特性が良好であり好ましい。更に、このサブマウント１０２は、その表面にＡｕなどの薄膜が形成されていても構わない。尚、用いる材料の電気伝導性が低い場合は、サブマウント１０２の窒化物半導体レーザ素子１０３をマウントしている面とチップ搭載部１０１の間をワイヤーで配線し、電気的接続を取るようにすると良い。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
更に、第１の実施形態と同様、チップ搭載部１０１の材料として、Ｃｕ以外に、熱膨張係数がＧａＮの熱膨張係数よりも大きい材料、例えば、図６に示すＧａＡｓ、ＣｕＷ１０、Ａｌ2Ｏ3、ＣｕＷ１５、ＢｅＯ、ＣｕＷ２０、Ａｌ−ＳｉＣ、Ｆｅ、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌなどでも構わない。又、これらの中で、熱伝導率が大きい材質は、放熱特性が良好であり好ましい。更に、このチップ搭載部１０１は、その表面にＡｕなどの薄膜が形成されていても構わない。尚、用いる材料の電気伝導性が低い場合は、表面に金属層を形成し、或いは、更に配線を施すことにより電気的接続を取るようにすると良い。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2003101113.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月25日(2004.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】集積化素子の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザおよび受光素子を立方晶系構造の基板に付着させる第１工程であって、
前記レーザは、六方晶系構造の基板上に、六方晶系構造のｐ型半導体、多重量子発光井戸層、および六方晶系構造のｎ型半導体を順に有し、
前記レーザが有する六方晶系構造のｎ型半導体と前記立方晶系構造の基板とが接触すると共に特定の面方位を合わせるようにして、前記レーザおよび受光素子を前記立方晶系構造の基板に付着させる第１工程、
前記レーザおよび受光素子が付着した立方晶系構造の基板を熱処理することにより、前記レーザが有する六方晶系構造のｎ型半導体と前記立方晶系構造の基板との界面を融着させると共に、前記六方晶系構造を有するｐ型半導体のキャリアを活性化する第２工程、
前記六方晶系構造の基板を除去する第３工程、および
前記レーザが有する六方晶系構造のｐ型半導体をエッチングしてメサを形成する第４工程、
を順に有する、集積化素子の製造方法。
【請求項２】
前記熱処理が窒素ガス雰囲気中で行われる、請求項１に記載の集積化素子の製造方法。
【請求項３】
前記六方晶系構造のｐ型半導体が、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮまたはその積層構造で構成される、請求項１に記載の集積化素子の製造方法。
【請求項４】
前記六方晶系構造の基板がサファイアからなる、請求項１に記載の集積化素子の製造方法。
【請求項５】
前記立方晶系構造の基板が、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、Ｓｉ、Ｇｅ、またはＧｅＰからなる、請求項１に記載の集積化素子の製造方法。
【請求項６】
前記熱処理が９００℃で行われる、請求項１に記載の集積化素子の製造方法。
【請求項７】
前記六方晶系構造の基板の
【数１】
2003101153.tif 000001
方向と、前記立方晶系構造の基板の＜１１０＞方向とを一致させて、前記六方晶系構造のｎ型半導体上に立方晶系構造の基板を付着させる、請求項１に記載の集積化素子の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の集積化素子の製造方法は、第１工程、第２工程、第３工程、および第４工程を順に有し、
第１工程は、レーザと受光素子とを立方晶系構造の基板に付着させる工程であって、
レーザは、六方晶系構造の基板上に、六方晶系構造のｐ型半導体、多重量子発光井戸層、および六方晶系構造のｎ型半導体を順に有し、
レーザが有する六方晶系構造のｎ型半導体と立方晶系構造の基板とが接触すると共に特定の面方位を合わせるようにして、レーザおよび受光素子を立方晶系構造の基板に付着させる工程であり、
第２工程は、レーザおよび受光素子が付着した立方晶系構造の基板を熱処理することにより、レーザが有する六方晶系構造のｎ型半導体と立方晶系構造の基板との界面を融着させると共に、六方晶系構造を有するｐ型半導体のキャリアを活性化する工程であり、
第３工程は、六方晶系構造の基板を除去する工程であり
第４工程は、レーザが有する六方晶系構造のｐ型半導体をエッチングしてメサを形成する工程である。
熱処理は窒素ガス雰囲気中で行われることが好ましい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
六方晶系構造を有するｐ型半導体は、ＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮまたはその積層構造で構成されることが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
六方晶系構造を有する基板はサファイアからなることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
立方晶系構造を有する基板は、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、Ｓｉ、Ｇｅ、またはＧｅＰからなることが好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
熱処理は９００℃で行われることが好ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
六方晶系構造を有する基板の
【数２】
2003101153.tif 000002
方向と、立方晶系構造を有する基板の＜１１０＞方向とを一致させて、六方晶系構造を有するｎ型半導体上に立方晶系構造を有する基板を付着させることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月27日(2004.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
活性層が、ｎ導電側の窒化物半導体層とｐ導電側の窒化物半導体層との間に形成されてなる窒化物半導体素子であって、
前記ｎ導電側の窒化物半導体層において、前記活性層と離れた位置、若しくは接した位置に、互いにバンドギャップエネルギーが異なりかつ互いにｎ型不純物濃度が異なり、２元混晶若しくは３元混晶の窒化物半導体からなる第１と第２の窒化物半導体層とが積層されてなるｎ側超格子層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】
活性層が、ｎ導電側の窒化物半導体層とｐ導電側の窒化物半導体層との間に形成されてなる窒化物半導体素子であって、
前記ｎ導電側の窒化物半導体層において、前記活性層と離れた位置、若しくは接した位置に、互いにバンドギャップエネルギーが異なりかつ互いにｎ型不純物濃度が異なり、２元混晶若しくは３元混晶の窒化物半導体からなる第１と第２の窒化物半導体層とが積層されてなるｎ側超格子層と、
前記ｐ導電側の窒化物半導体層において、前記活性層と離れた位置、若しくは接した位置に、互いにバンドギャップエネルギーが異なりかつ互いにｎ型不純物濃度が異なり、２元混晶若しくは３元混晶の窒化物半導体からなる第３と第４の窒化物半導体層とが積層されてなるｐ側超格子層と、
を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項３】
前記第１の窒化物半導体層はＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ＜１）からなり、前記第２の窒化物半導体層はＡｌＹＧａ１−ＹＮ（０＜Y＜１，Ｘ＞Ｙ）からなる請求項１又は２に記載の窒化物半導体素子。
【請求項４】
前記第１の窒化物半導体層はＡｌＹＧａ１−ＹＮ（０＜Y＜１）からなり、前記第２の窒化物半導体層はＩｎＸＧａ１−ＸＮ（０≦X＜１）からなる請求項１又は２に記載の窒化物半導体素子。
【請求項５】
活性層が、ｎ導電側の窒化物半導体層とｐ導電側の窒化物半導体層との間に形成されてなる窒化物半導体素子であって、
前記ｐ導電側の窒化物半導体層において、前記活性層と離れた位置、若しくは接した位置に、互いにバンドギャップエネルギーが異なりかつ互いにｎ型不純物濃度が異なり、２元混晶若しくは３元混晶の窒化物半導体からなる第３と第４の窒化物半導体層とが積層されてなるｐ側超格子層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項６】
前記第３の窒化物半導体層はＡｌＸＧａ１−ＸＮ（０＜Ｘ＜１）からなり、前記第４の窒化物半導体層はＡｌＹＧａ１−ＹＮ（０＜Y＜１，Ｘ＞Ｙ）からなる請求項２又は５に記載の窒化物半導体素子。
【請求項７】
前記第３の窒化物半導体層はＡｌＹＧａ１−ＹＮ（０＜Y＜１）からなり、前記第４の窒化物半導体層はＩｎＸＧａ１−ＸＮ（０≦X＜１）からなる請求項２又は５に記載の窒化物半導体素子。
【請求項８】
前記ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（０≦X＜１）層がＧａＮである請求項４又は７記載の窒化物半導体素子。
【請求項９】
前記ｎ側超格子層において、前記第１の窒化物半導体層は、前記第２の窒化物半導体層より大きいバンドギャップエネルギーと前記第２の窒化物半導体層より小さいｎ型不純物濃度とを有する請求項１乃至４のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
【請求項１０】
前記ｎ側超格子層において、前記第１の窒化物半導体層は、前記第２の窒化物半導体層より大きいバンドギャップエネルギーと前記第２の窒化物半導体層より大きいｎ型不純物濃度とを有する請求項１乃至４のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
【請求項１１】
前記ｐ側超格子層において、前記第３の窒化物半導体層は、前記第４の窒化物半導体層より大きいバンドギャップエネルギーと前記第４の窒化物半導体層より小さいｐ型不純物濃度とを有する請求項２，５乃至８のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
【請求項１２】
前記ｐ側超格子層において、前記第３の窒化物半導体層は、前記第４の窒化物半導体層より大きいバンドギャップエネルギーと前記第４の窒化物半導体層より大きいｐ型不純物濃度とを有する請求項２，５乃至８のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
【請求項１３】
前記窒化物半導体素子は、前記活性層がｐ側クラッド層とｎ側クラッド層の間に位置する発光素子であって、
前記ｐ側クラッド層と前記ｎ側クラッド層のうちの少なくとも一方が、前記ｎ側超格子層又は前記ｐ側超格子層である請求項１乃至１２のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
【請求項１４】
前記窒化物半導体発光素子は、前記ｐ側クラッド層と活性層との間、又は前記ｐ側クラッド層と活性層との間の少なくとも一方に光ガイド層が設けられたレーザ素子であって、
前記ｎ側光ガイド層、ｐ側光ガイド層の少なくとも一方が、前記ｎ側超格子層又は前記ｐ側超格子層である請求項１３に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１５】
前記窒化物半導体発光素子は、前記ｐ側クラッド層と活性層との間、又は前記ｐ側クラッド層と活性層との間の少なくとも一方に光ガイド層が設けられたレーザ素子であって、
前記ｎ側光ガイド層、ｐ側光ガイド層の少なくとも一方が、Ｉｎを含む窒化物半導体、ＧａＮ、若しくはＩｎを含む窒化物半導体とＧａＮとの超格子層である請求項１３に記載の窒化物半導体素子。
【請求項１６】
前記超格子層が少なくともｐ電導側の窒化物半導体層に設けられている請求項１３乃至１５のいずれか１つに記載の窒化物半導体素子。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月22日(2004.6.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
トランジスタ２のエミッタ端子に接続される抵抗４とトランジスタ２とで定電流源（直流電源）５が構成される。トランジスタ２のエミッタ端子は、抵抗４を介してグランド電位より高い第１電位（＋Ｖ１）よりさらに高電位の第２電位（＋Ｖ２）に維持される第２電源線Ｌ３に接続されている。トランジスタ２のベース端子は、ＮＰＮ型トランジスタ２０のコレクタ端子と抵抗２２との接続点に接続されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
以上説明したように、図４に示す本実施の形態による駆動回路は、前段に入力信号レベル変換回路５８を備え、後段にレーザダイオード駆動回路の主要部である定電流源部５６を備えており、定電流源部５６を構成する回路は全てグランドから絶縁した状態で動作している。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月13日(2004.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
樹脂組成物における各成分の含有量は、樹脂組成物全体を１００重量部とした時、前記の絶縁性樹脂を５〜３０重量部、好ましくは７〜１５重量部、更に好ましくは９〜１１重量部とし、無機フィラーを７０〜９５重量部、好ましくは８５〜９３重量部、更に好ましくは８９〜９１重量部とするのが適当である。無機フィラーの配合比率がこの範囲より多い場合には、樹脂組成物の流動性および接着性が低下し、金属箔と接着させることが困難になる。またこの範囲より小さい場合、基板の放熱性が不良になる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月6日(2004.4.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
リレー装置１０は、最高の優先度（表１では最小の数）を有するブルートゥース・モジュールを探す。２つ以上のブルートゥース・モジュールが同じＱｏＳグループを、従って同じ優先数を有するならば、第２の基準を適用しなければならない。例えば、ＢＴ１がＱｏＳグループ２で進行中の最高優先度送信を有し、ＢＴ２が同じＱｏＳグループ２で進行中の最高優先度送信を有し、ＢＴ３及びＢＴ４が対応する送信をそれぞれＱｏＳグループ３及び４で有すると仮定しよう。また一方では、もし同一の優先度及び同一のスロット必要条件を各々有する２つ以上のブルートゥース・モジュールがあるならば、それらのうちのいずれか１つが、その他の送信が異なるように時間調整されなくても良いので、主マスターとして選択されることができる。しかし、主マスターとして選択される同様の機会を全てのブルートゥース・モジュールに与えるために主マスターをランダムに或いは循環的に選択することが好ましい。


【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2003101500.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月28日(2004.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれが１個あるいは複数の異なる波長を有するＫ個の入力信号をＫ個の光学入力ポートから受領しこれらを組み合わせて１個の出力ポートに出力するプログラマブルマルチプレクサにおいて、
前記Ｋ個の入力信号は、全部でＮ個の異なる波長を含み、                    （Ａ）
Ｋ＋１個のレンズを有するマイクロレンズアレイ（５２０）と、
ここで、（ａ）  １個のレンズは出力ポート（５１０）に整合し、残りのレンズは対応する入力ポート（５７０）に整合し、
（ｂ）  各入力信号は、前記マイクロレンズアレイのそれぞれのレンズによりコリメートされ、
（Ｂ）  Ｎ個の傾斜マイクロミラーを含むマイクロミラーアレイ（５６０）と、
（Ｃ）  各入力ポートから放射されたコリメートされたビームを回折グレーティング（５５０）に向ける手段（５３０，５４０）と、
（Ｄ）  対応する波長を表す入射ビーム（５３５）を所望の方向に反射させるようマイクロミラーアレイ（５６０）内の各ミラーを個別に制御する手段（５８０）と
を有し、
前記回折グレーティング（５５０）は、その波長に応じて光学信号を回折し、
前記回折グレーティング（５５０）は、独自の波長を有する個々の分離したビームを前記マイクロミラーアレイ（５６０）内の特定のマイクロミラーに伝搬させ、
前記入射ビーム（５３５）は、前記回折グレーティング（５５０）の単一の場所に再方向付けられ、前記回折グレーティングから、出力ポートに整合したマイクロレンズアレイの特定のレンズを介して、出力ポート（５１０）に結合する
ことを特徴とするプログラマブルマルチプレクサ。
【請求項２】
複数の波長を含む混成光学信号を受領し、前記波長の信号を複数の出力ポートの内の所望のポートに向ける光学ディマルチプレクサにおいて、
（Ａ）  回折グレーティングと、
（Ｂ）  前記回折グレーティングに前記混成信号を向ける第１手段と、
この第１手段により前記複数の波長は波長に従って個別の伝搬角度で分散し、それにより異なる波長を有するＮ個の個別のビームを形成し、
（Ｃ）  複数の素子を有するビーム変更アレイと
（Ｄ）  前記Ｎ個の個別のビームを、前記ビーム変更アレイ内の素子の一つに向ける第２手段と
（Ｅ）  前記ビーム変更アレイ内の素子を制御する手段と
を有し、
前記ビーム変更アレイ内の素子で変更された後のＮ個の個別のビームを複数の出力ポートの内の所望の出力ポートに向ける
ことを特徴とするディマルチプレクサ。
【請求項３】
前記ビーム変更アレイ内の素子は、傾斜ミラーである
ことを特徴とする請求項２記載の光学ディマルチプレクサ。
【請求項４】
前記ビーム変更アレイ内の素子は、平行移動するルーフトッププリズムである
ことを特徴とする請求項２記載のディマルチプレクサ。
【請求項５】
（Ｆ）  前記反射されたビームの内複数のビームを、前記複数の出力ポートの内の特定の一つの出力ポートに結合する手段
をさらに有することを特徴とする請求項２記載のディマルチプレクサ。
【請求項６】
前記Ｎ個の個別のビームは、前記マイクロレンズアレイ内の他のレンズを介して複数の出力ポートの内の所望の出力ポートに向けられる
ことを特徴とする請求項２記載のディマルチプレクサ。
【請求項７】
前記第２手段は、レンズを含む
ことを特徴とする請求項２記載のディマルチプレクサ。
【請求項８】
それぞれが１個あるいは複数個の異なる波長を有するｒ個の入力信号をｒ個の光学入力ポートから受領しこれらを組み合わせてｓ個の出力ポートに出力するプログラマブル光学スイッチにおいて、
前記波長の内１つあるいは複数の波長は、異なるｓ個の出力ポートで得られ、
前記ｒ個の入力信号は、漸増的に異なる波長を含み、
（Ａ）  ｒ＋ｓ個のレンズを有するマイクロレンズアレイと、
ここで、（ａ）  １個のレンズは、前記ｓ個の出力ポート内の対応した一つの出力ポートに整合し、残りのレンズは、前記ｒ個の入力ポートの内対応する一つの入力ポートに整合し
（ｂ）  各入力信号は前記マイクロレンズアレイのそれぞれのレンズによりコリメートされ、
（Ｂ）  複数の傾斜マイクロミラーを含むマイクロミラーアレイと、
（Ｃ）  各ｒ個の入力ポートから放射されたｒ個のコリメートされたビームを回折グレーティングに向ける手段と、
前記回折グレーティングは、その波長に応じてｒ個の光学信号を回折し、
前記回折グレーティングは、独自の波長及び別の伝搬角を有する個々の分離したビームを前記マイクロミラーアレイ内の特定のマイクロミラーに伝搬させ、
（Ｄ）  対応する波長を表す入射ビームを所望の方向に反射させるよう、マイクロミラーアレイ内の各ミラーを個別に制御する手段と
を有し、
前記入射ビームは、回折グレーティングの単一の場所に再方向付けられ、前記回折グレーティングから、１つの出力ポートに整合したマイクロレンズアレイの特定のレンズを介して、ｓ個の出力ポートの内の前記１つの出力ポートに結合される
ことを特徴とするプログラマブルマルチプレクサ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月28日(2004.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カメラのストロボ・エネルギーを設定する方法であって、
ａ）事前設定されたストロボ・エネルギーを使用してシーンの第１の試験的な写真を撮影する段階と、
ｂ）周囲照明だけを使用して前記シーンの第２の試験的な写真を撮影する段階と、
ｃ）前記第２の試験的な写真の飽和画素を識別する段階と、
ｄ）前記第２の試験的な写真の飽和画素に関する情報を、前記第１の試験的な写真からの情報と組み合わせて、最終写真のストロボ・エネルギーを計算する段階と、
を含む方法。
【請求項２】
前記２つの試験的な写真に関する情報を収集するために露出ヒストグラムが使用され、さらに
ａ）飽和画素が、写真内の最も明るい画素を表す露出ヒストグラム・ビン内にある画素として識別され、
ｂ）前記最終写真の前記ストロボ・エネルギーの前記計算の前に、前記第２の試験的な写真内の飽和画素の影響があらかじめ除去されることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
ストロボと、
周囲光だけを使用して得られた第２の試験的な写真からの情報を使用して、前記ストロボを使用して得られた第１の試験的な写真からのデータを修正し、前記修正したデータを使用して最終写真のストロボ・エネルギーを計算するように構成されたプロセッサと、を含むカメラ。
【請求項４】
ディジタル・カメラであって、
前記２つの試験的な写真に関する情報を収集するために露出ヒストグラムが使用され、
飽和画素が、写真内の前記最も明るい画素を表す露出ヒストグラム・ビン内にある画素として識別され、さらに
最終写真の前記ストロボ・エネルギーの前記計算の前に、前記周囲光の試験的な写真内の前記飽和画素の数が、前記試験的なストロボ写真の露出ヒストグラム内の前記飽和画素の数から減算される請求項３に記載のカメラ。