(57)【要約】【課題】エピタキシャルウェーハを製造するにあたって、オートドープ現象の発生を抑制できかつ、エピタキシャルウェーハの信頼性を確保できるサセプタを提供すること。【解決手段】サセプタ２Ｂは、エピタキシャルウェーハＥＰＷを製造する際に基板ウェーハＷが載置される。このサセプタ２Ｂは、基板ウェーハＷが載置された際に基板ウェーハＷおよび該サセプタ２の間で形成される空間部２２３と該サセプタ２外部とを連通する連通路２０Ｂを有する。連通路２０Ｂは、空間部２２３に面した開口、およびサセプタ２外部に面した開口がサセプタ２の厚み方向に平面的に干渉しないように形成されている。サセプタ２Ｂの側面部は、上方側から下方側に向うにしたがって断面積が縮小する段付き状に形成され、段差部２６を有する。連通路２０Ｂは、段差部２６に形成され、空間部２２３およびサセプタ２Ｂ外部を連通する。【選択図】図７
2010135847.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板ウェーハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造する際に前記基板ウェーハが載置されるサセプタであって、
前記基板ウェーハが載置された際に前記基板ウェーハおよび当該サセプタの間で形成される空間部と当該サセプタ外部とを連通する少なくとも１つの連通路を有し、
前記連通路は、前記空間部に面した開口、および当該サセプタ外部に面した開口が当該サセプタの厚み方向に平面的に干渉しないように形成され、
当該サセプタの側面部は、上方側から下方側に向うにしたがって断面積が縮小する段付き状に形成され、段差部を有し、
前記連通路は、前記段差部に形成され、前記空間部および当該サセプタ外部を連通することを特徴とするサセプタ。
【請求項２】
請求項１に記載のサセプタにおいて、
前記段差部は、下方側に向うにしたがって、断面積が拡大するテーパ状に形成されていることを特徴とするサセプタ。
【請求項３】
基板ウェーハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造するエピタキシャルウェーハの製造装置であって、
請求項１または請求項２に記載のサセプタと、
前記サセプタが内部に設置され、前記基板ウェーハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させるための反応ガスを内部に供給可能とする反応容器と、
前記エピタキシャル膜を気相成長させる際に前記基板ウェーハを加熱するための加熱装置とを備えていることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造装置。
【請求項４】
基板ウェーハをサセプタに載置し、前記サセプタ上の前記基板ウェーハを加熱しながら前記基板ウェーハに反応ガスを供給し、前記基板ウェーハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造するエピタキシャルウェーハの製造方法であって、
前記サセプタは、前記基板ウェーハが載置された際に前記基板ウェーハおよび当該サセプタの間で形成される空間部と当該サセプタ外部とを連通する少なくとも１つの連通路を有し、
前記連通路は、前記空間部に面した開口、および当該サセプタ外部に面した開口が当該サセプタの厚み方向に平面的に干渉しないように形成され、
当該サセプタの側面部は、上方側から下方側に向うにしたがって、断面積が縮小する段付き状に形成され、段差部を有し、
前記連通路は、前記段差部に形成され、前記空間部および当該サセプタ外部を連通し、
前記エピタキシャル膜を気相成長させる際に、前記サセプタの上面側に反応ガスを供給するとともに、前記サセプタの側面および／または下面側にパージガスを供給することを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サセプタ、エピタキシャルウェーハの製造装置、およびエピタキシャルウェーハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子の高集積化に伴い、半導体中の結晶欠陥、特に表面および表面近傍の結晶欠陥の低減が重要になってきている。このため、基板ウェーハの表面に結晶性に優れたエピタキシャル膜を気相成長させたエピタキシャルウェーハの需要が年々高まってきている。
このようなエピタキシャルウェーハでは、ゲッタリング効果の高い基板ウェーハ、すなわち、ドーパントを高濃度に含有した基板ウェーハ（ｐ+、ｐ++型等の基板ウェーハ）が多く用いられる。
しかしながら、このような基板ウェーハを用いた場合、エピタキシャル膜を気相成長させる際に基板ウェーハに赤外ランプ光等を照射することで該基板ウェーハを加熱するので、基板ウェーハ内のドーパントが外方拡散して気相中に放出され、放出されたドーパントがエピタキシャル膜内に取り込まれる現象、いわゆるオートドープ現象が発生する。このため、エピタキシャル膜面内においてドーパント濃度のバラつきが生じ、エピタキシャル膜外周部の抵抗率が低下して面内の抵抗率分布が均一化しない問題があった。
【０００３】
このような問題を回避するために、エピタキシャルウェーハを製造する際に基板ウェーハが載置されるサセプタの構造に関する技術が提案されている（例えば、特許文献１または特許文献２参照）。
特許文献１または特許文献２に記載のサセプタは、基板ウェーハの載置面から該載置面に対向する裏面にかけて貫通孔が形成されたものである。このようにサセプタに貫通孔を形成することにより、エピタキシャル膜を気相成長させる際に基板ウェーハの裏面から外方拡散され気相中に放出されるドーパントは、サセプタの貫通孔を介してサセプタの下面側から放出される。このため、ドーパントが基板ウェーハの表面側に回り込むことを抑制でき、オートドープ現象の発生を抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２２９３７０号公報
【特許文献２】特開２００３−１９７５３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１または特許文献２に記載のサセプタでは、エピタキシャル膜を気相成長させる際に、貫通孔を介して赤外ランプ光等が基板ウェーハの裏面の一部に直接照射されることとなる。このため、基板ウェーハの裏面において、赤外ランプ光等の照射部位と非照射部位との温度差が大きくなり、基板ウェーハにスリップ転位が生じやすく、また、エピタキシャルウェーハにおける厚みの一様性を確保しにくい。
したがって、エピタキシャルウェーハを製造するにあたって、エピタキシャルウェーハの信頼性を維持することが難しい、という問題がある。
【０００６】
本発明の目的は、エピタキシャルウェーハを製造するにあたって、オートドープ現象の発生を抑制できかつ、エピタキシャルウェーハの信頼性を確保できるサセプタ、エピタキシャルウェーハの製造装置、およびエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のサセプタは、基板ウェーハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造する際に前記基板ウェーハが載置されるサセプタであって、前記基板ウェーハが載置された際に前記基板ウェーハおよび当該サセプタの間で形成される空間部と当該サセプタ外部とを連通する少なくとも１つの連通路を有し、前記連通路は、前記空間部に面した開口、および当該サセプタ外部に面した開口が当該サセプタの厚み方向に平面的に干渉しないように形成され、当該サセプタの側面部は、上方側から下方側に向うにしたがって断面積が縮小する段付き状に形成され、段差部を有し、前記連通路は、前記段差部に形成され、前記空間部および当該サセプタ外部を連通することを特徴とする。
なお、上述した断面積とは、サセプタを水平面で切断した際の断面積を意味する。
本発明によれば、少なくとも１つの連通路が空間部とサセプタ外部とを連通しているので、エピタキシャル膜を気相成長させる際に基板ウェーハの裏面から外方拡散して空間部内に放出されるドーパントを、連通路を介してサセプタ外部へと放出させることができる。このため、ドーパントが基板ウェーハの表面側に回り込むことを抑制でき、オートドープ現象の発生を効率的に抑制し、面内の抵抗率分布の一様なエピタキシャルウェーハを製造できる。
また、連通路は、空間部に面した開口、およびサセプタ外部に面した開口がサセプタの厚み方向に平面的に干渉しないように形成されている。すなわち、連通路は、サセプタの厚み方向に平面視で、空間部に面した開口からサセプタ外部に面した開口が見えないように形成されているので、連通路を介して赤外ランプ光等が基板ウェーハの裏面の一部に直接照射されることがない。このため、基板ウェーハの裏面全体の温度を均一化でき、基板ウェーハにスリップ転位が生じることなくかつ、厚みの一様なエピタキシャルウェーハを製造できる。
【０００８】
さらに、連通路がサセプタの側面部に形成されているので、連通路を介して空間部からサセプタ外部へとドーパントを良好に放出しオートドープ現象の発生を効率的に抑制できる。
ところで、例えば連通路をサセプタの下面部に形成した場合には、連通路には赤外ランプ光等が直接照射されないので、連通路が形成される形成部位と連通路が形成されない非形成部位とに温度差が生じやすい。このため、サセプタにおいて、その面内方向に熱応力がかかることとなり、連通路の大きさ、および／または形成位置によっては、変形または破壊が生じる虞がある。
本発明によれば、連通路は、サセプタの側面部に形成され、すなわち、下面部には形成されていないので、サセプタの下面部に温度差が生じることがない。したがって、上述した熱応力によりサセプタの変形および破壊等が生じることがなく、エピタキシャルウェーハを製造する際に基板ウェーハを良好に支持でき、エピタキシャルウェーハを良好に製造できる。
【０００９】
ここで、前記段差部は、下方側に向うにしたがって、断面積が拡大するテーパ状に形成されていることが好ましい。
なお、上述した断面積とは、サセプタを水平面で切断した際の断面積を意味する。
【００１０】
本発明の製造装置は、基板ウェーハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造するエピタキシャルウェーハの製造装置であって、上述したサセプタと、前記サセプタが内部に設置され、前記基板ウェーハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させるための反応ガスを内部に供給可能とする反応容器と、前記エピタキシャル膜を気相成長させる際に前記基板ウェーハを加熱するための加熱装置とを備えていることを特徴とする。
本発明によれば、製造装置は、上述したサセプタ、反応容器、および加熱装置を備えているので、上述したサセプタと同様の作用・効果を享受できる。
【００１１】
本発明の製造方法は、基板ウェーハをサセプタに載置し、前記サセプタ上の前記基板ウェーハを加熱しながら前記基板ウェーハに反応ガスを供給し、前記基板ウェーハの表面上にエピタキシャル膜を気相成長させてエピタキシャルウェーハを製造するエピタキシャルウェーハの製造方法であって、前記サセプタは、前記基板ウェーハが載置された際に前記基板ウェーハおよび当該サセプタの間で形成される空間部と当該サセプタ外部とを連通する少なくとも１つの連通路を有し、前記連通路は、前記空間部に面した開口、および当該サセプタ外部に面した開口が当該サセプタの厚み方向に平面的に干渉しないように形成され、当該サセプタの側面部は、上方側から下方側に向うにしたがって、断面積が縮小する段付き状に形成され、段差部を有し、前記連通路は、前記段差部に形成され、前記空間部および当該サセプタ外部を連通し、前記エピタキシャル膜を気相成長させる際に、前記サセプタの上面側に反応ガスを供給するとともに、前記サセプタの側面および／または下面側にパージガスを供給することを特徴とする。
本発明によれば、上述したサセプタを用い、エピタキシャル膜を気相成長させる際に、サセプタの上面側に反応ガスを供給するとともに、サセプタの側面および／または下面側にパージガスを供給するので、基板ウェーハの裏面から外方拡散して空間部内に放出されるドーパントを、連通路を介してサセプタ外部に良好に放出させることができ、パージガスの流れにしたがって基板ウェーハから離隔した場所に容易に導くことができる。このため、ドーパントが基板ウェーハの表面側に回り込むことを抑制でき、面内の抵抗率分布の一様なエピタキシャルウェーハを製造できる。
また、上述したサセプタを用いることで、エピタキシャル膜を気相成長させる際に基板ウェーハの裏面の温度を均一化できるので、基板ウェーハにスリップ転位が生じることなくかつ、厚みの一様なエピタキシャルウェーハを製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明に係るエピタキシャルウェーハの製造装置を模式的に示す断面図。
【図２】第１実施形態におけるサセプタの概略構成を示す図。
【図３】第１実施形態におけるエピタキシャルウェーハの製造方法を説明するための図。
【図４】第２実施形態におけるサセプタの概略構成を示す図。
【図５】第２実施形態におけるパージガスの流通状態を説明するための図。
【図６】第３実施形態におけるサセプタの概略構成を示す図。
【図７】第３実施形態におけるパージガスの流通状態を説明するための図。
【図８】第４実施形態におけるサセプタの概略構成を示す図。
【図９】第５実施形態におけるサセプタの概略構成を示す図。
【図１０】第５実施形態におけるパージガスの流通状態を説明するための図。
【図１１】第１実施形態および第２実施形態の変形例を示す図。
【図１２】第１実施形態および第２実施形態の変形例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
[第１実施形態]
以下、本発明の第１実施形態を図面に基づいて説明する。
〔エピタキシャルウェーハの製造装置の構成〕
図１は、本発明に係るエピタキシャルウェーハの製造装置１を模式的に示す断面図である。
製造装置１は、基板ウェーハＷ上にエピタキシャル膜ＥＰを気相成長させてエピタキシャルウェーハＥＰＷを製造する枚葉式の製造装置である。例えば、製造装置１は、ドーパントを高濃度に含有した基板ウェーハＷ（ｐ+型、またはｐ++型のシリコン単結晶ウェーハ）上にエピタキシャル膜ＥＰ（例えば、ｐ型のエピタキシャル膜）を気相成長させてエピタキシャルウェーハＥＰＷを製造する製造装置として利用できる。なお、ドーパント濃度が高い基板ウェーハＷ上に低濃度のエピタキシャル膜ＥＰを気相成長させてエピタキシャルウェーハＥＰＷを製造する製造装置として利用する他、逆に、例えばｐ／ｐ+型、あるいは、ｎ／ｎ+型のエピタキシャルウェーハＥＰＷを製造する製造装置として利用してもよい。この製造装置１は、図１に示すように、サセプタ２と、反応容器３と、加熱装置４とを備える。
サセプタ２は、具体的には後述するが、基板ウェーハＷが載置される部材であり、反応容器３内部に設置される。このサセプタ２としては、炭素基材の表面にＳｉＣ被膜をコーティングしたものを採用できる。
【００１４】
反応容器３は、サセプタ２が内部に設置され、内部に反応ガスおよびパージガスを供給可能に構成されている。そして、反応ガスをサセプタ２上に載置された基板ウェーハＷに供給することで、基板ウェーハＷの表面上にエピタキシャル膜ＥＰを気相成長させる。この反応容器３は、図１に示すように、上側ドーム３１と、下側ドーム３２と、ドーム取付体３３と、サセプタ支持部３４とを備える。
上側ドーム３１および下側ドーム３２は、石英等の透光性部材から構成され、平面視略中央部分が反応容器３の内部から外側に向けて窪む略凹状に形成されている。
ドーム取付体３３は、上方および下方が開放された略筒状部材から構成され、上方側の開口部分および下方側の開口部分にて上側ドーム３１および下側ドーム３２を支持するものである。そして、ドーム取付体３３に上側ドーム３１および下側ドーム３２を取り付けることで、図１に示すように、反応容器３内部に反応室３Ａが形成される。
このドーム取付体３３において、その側面には、図１に示すように、反応ガス供給管３３１、反応ガス排出管３３２、パージガス供給管３３３、およびパージガス排出管３３４が設けられている。そして、これら反応ガス供給管３３１、反応ガス排出管３３２、パージガス供給管３３３、およびパージガス排出管３３４は、反応室３Ａおよび反応容器３外部を連通するように形成されている。
【００１５】
反応ガス供給管３３１および反応ガス排出管３３２は、反応容器３の上方側に対向配置するように設けられる。そして、このような構成では、反応ガス供給管３３１を介して反応容器３外部から反応室３Ａ内に反応ガスを供給すると、サセプタ支持部３４にて支持されたサセプタ２上の基板ウェーハＷの表面を水平に反応ガスが流通するとともに、反応ガス排出管３３２を介して反応室３Ａ内の反応ガス等が反応容器３外部に排出される。
ここで、反応ガスとしては、エピタキシャル膜ＥＰを気相成長させるための原料ガスの他、キャリアガスを混合させたものを採用できる。原料ガスとしては、気相成長させるエピタキシャル膜ＥＰに応じたものを採用すればよく、例えば、シリコンソースであるＳｉＨＣｌ３およびボロンドーパントソースＢ２Ｈ６を水素ガスで希釈した混合反応ガスを採用できる。また、キャリアガスとしては、例えば水素を含んだものを採用できる。
【００１６】
パージガス供給管３３３およびパージガス排出管３３４は、反応容器３の下方側に対向配置するように設けられる。そして、このような構成では、具体的には後述するが、パージガス供給管３３３を介して反応容器３外部から反応室３Ａ内にパージガスを供給すると、サセプタ支持部３４にて支持されたサセプタ２内部をパージガスが流通するとともに、サセプタ２内部を流通したパージガス、反応室３Ａ内のパージガス等がパージガス排出管３３４を介して反応容器３外部に排出される。
ここで、パージガスとしては、種々のものを採用でき、例えば水素ガス等を採用できる。
【００１７】
サセプタ支持部３４は、石英等の透光性部材から構成され、反応容器３の下側ドーム３２の略中央部分から反応室３Ａ内に突出し、サセプタ２を水平状態で反応容器３内に設置するとともに、ウェーハをサセプタ２に設置するものである。そして、このサセプタ支持部３４は、例えば、外部の図示しない制御装置による制御の下、回転軸Ｒを中心として回転自在に構成されている。このサセプタ支持部３４は、図１に示すように、サセプタ支持部本体３４１と、ウェーハ昇降部３４２とを備える。
サセプタ支持部本体３４１は、下側ドーム３２の略中央部分から反応室３Ａ内に突出する基部３４１Ａと、基部３４１Ａの上方側端部から、反応室３Ａ内にてドーム取付体３３の内側面に近接する方向に延出する３つの延出部３４１Ｂとを備える。そして、サセプタ支持部本体３４１は、３つの延出部３４１Ｂの先端部分が上方に向けて延出し、該先端部分にてサセプタ２の下面外周縁部分を３点で支持する。サセプタ支持部本体３４１がサセプタ２を支持することで、サセプタ２は、反応室３Ａ内に水平状態で設置される。
なお、サセプタ支持部本体３４１の形状は、上述したものに限らず、延出部３４１Ｂを３つ以上形成してもよく、延出部３４１Ｂを基部３４１Ａの上方側端部から放射状に拡がる平面視円形状となるように形成してもよい。
【００１８】
ウェーハ昇降部３４２は、サセプタ支持部３４の基端部分を囲うように筒状に形成された基部３４２Ａと、基部３４２Ａの上方側端部から、反応室３Ａ内にてドーム取付体３３の内側面に近接する方向に延出する３つの延出部３４２Ｂと、３つの延出部の先端部分に取り付けられ上方に向けて延びる３つのピン状部材３４２Ｃとを備える。
このウェーハ昇降部３４２は、回転軸Ｒを中心として回転自在に構成されているとともに、サセプタ支持部本体３４１に対して上下方向に進退自在に構成されている。そして、ウェーハ昇降部３４２が上下方向に進退移動することで、ピン状部材３４２Ｃの先端部分がサセプタ２の後述するピン挿通孔を介して基板ウェーハＷに当接し、該基板ウェーハＷを上下方向に移動させる。
すなわち、本実施形態の製造装置１は、該製造装置１へのウェーハ搬入、搬出を行う図示しない搬送治具とサセプタ２間の移載方式が、ウェーハ下面をピン状部材３４２Ｃにて支持してウェーハ昇降部３４２の進退移動によりウェーハを移載するタイプで構成されている。
なお、ウェーハ昇降部３４２を省略し、製造装置１へのウェーハ搬入、搬出を行う前記搬送治具とサセプタ２間の移載方式として、ベルヌイチャック方式または前記搬送治具の昇降方式によりウェーハを移載するタイプを採用してもよい。
【００１９】
加熱装置４は、反応容器３の上方側および下方側にそれぞれ配設され、反応容器３の上側ドーム３１および下側ドーム３２を介して、サセプタ２上に載置された基板ウェーハＷ、およびサセプタ２を放射熱により加熱し、基板ウェーハＷを所定温度に設定するものである。この加熱装置４としては、例えば、ハロゲンランプや赤外ランプ等を採用できる。
【００２０】
〔サセプタの構造〕
図２は、サセプタ２の概略構成を示す図である。具体的に、図２（Ａ）は、サセプタ２の上面図である。図２（Ｂ）は、サセプタ２の側面図である。図２（Ｃ）は、図２（Ａ）におけるＡ−Ａ線の断面図である。
サセプタ２は、図２に示すように、平面視略円盤形状を有し、内部に中空部２１（図２（Ｃ））を有する中空部材で構成され、基板ウェーハＷを全周に亘って支持する。
このサセプタ２において、その上面には、図２（Ａ）または図２（Ｃ）に示すように、略中央部分に、基板ウェーハＷの外形形状に応じた平面視円形状の凹部２２が形成され、該凹部２２内部に基板ウェーハＷが設置される。
【００２１】
この凹部２２は、図２（Ａ）または図２（Ｃ）に示すように、基板ウェーハＷの裏面外周縁部分全体を支持する円環状の第１凹部２２１と、第１凹部２２１よりも中心側下段に位置する平面視円形状の第２凹部２２２とを有する段付状に形成されている。そして、第１凹部２２１に基板ウェーハＷを支持させた状態では、基板ウェーハＷの裏面と第２凹部２２２の底面とが離隔し、基板ウェーハＷと第２凹部２２２との間に空間部２２３（図３参照）が形成される。
また、第２凹部２２２の底面には、図２（Ａ）または図２（Ｃ）に示すように、外周に沿って、内部の中空部２１に向けて貫通された複数の第１の連通孔２３が形成されている。本実施形態では、外周に沿って計１２個の連通孔２３が形成されている。なお、連通孔２３の数は、これに限らず、少なくとも１つの連通孔２３が形成されていればよい。また、連通孔２３は、後述するピン挿通孔２５より小さな孔、例えば、２ｍｍ以下の径を有する孔で形成することが好ましい。さらに、複数の連通孔２３は、等間隔で形成することが好ましい。
【００２２】
また、このサセプタ２において、その側面の下方側には、図２（Ｂ）または図２（Ｃ）に示すように、内部の中空部２１に向けて貫通された複数の第２の連通孔２４が形成されている。本実施形態では、側面全周に計１２個の連通孔２４が形成されている。なお、連通孔２４の数は、連通孔２３と同様に、これに限らず、少なくとも１つの連通孔２４が形成されていればよい。また、複数の連通孔２４は、等間隔で形成することが好ましい。
すなわち、上述した構成では、連通孔２３，２４、および中空部２１により、空間部２２３（図３参照）およびサセプタ２外部を連通する複数の連通路２０が形成される。また、連通孔２３，２４は、従来のようなサセプタの厚み方向に貫通する貫通孔と異なり、互いの開口がサセプタ２の厚み方向に平面的に干渉しない構成となっている。すなわち、連通孔２３，２４の一方の連通孔から他方の連通孔をサセプタ２の厚み方向から見た場合に平面視で他方の連通孔が見えない構成となっている。
【００２３】
さらに、このサセプタ２において、第２凹部２２２の底面、および該サセプタ２の下面には、図２（Ａ）または図２（Ｃ）に示すように、内部の中空部２１に向けて貫通し、サセプタ支持部３４を構成するウェーハ昇降部３４２のピン状部材３４２Ｃを挿通可能とする３つのピン挿通孔２５が形成されている。
【００２４】
〔エピタキシャルウェーハの製造方法〕
次に、上述した製造装置１によるエピタキシャルウェーハＥＰＷの製造方法を説明する。
図３は、エピタキシャルウェーハＥＰＷの製造方法を説明するための図である。
先ず、上述したウェーハの移載方式により、図示しない搬送治具を移動させるとともにウェーハ昇降部３４２のピン状部材３４２Ｃを進退移動させることで、基板ウェーハＷをサセプタ２の第１凹部２２１に載置する。
次に、加熱装置４を駆動し、基板ウェーハＷを所望の成長温度に加熱する。
【００２５】
そして、回転軸Ｒを中心としてサセプタ支持部３４を回転させながら、以下に示すように、基板ウェーハＷ上にエピタキシャル膜ＥＰを気相成長させる。
すなわち、反応ガス供給管３３１を介して、基板ウェーハＷの表面上に水平に反応ガスを供給するとともに、パージガス供給管３３３を介して、サセプタ２の側面に形成された少なくとも１つの連通孔２４を介してサセプタ２の中空部２１内にパージガスを導入する。
具体的には、反応ガスの流量とパージガスの流量を制御することで、エピタキシャル膜ＥＰの気相成長時に、図３に示すように、基板ウェーハＷの上方側を反応ガスが流通する反応ガス流Ｇ１が形成され、基板ウェーハＷの下方側、すなわち、サセプタ２内部にパージガスが流通するパージガス流Ｇ２が形成される。このようにして気相成長を実施することにより、基板ウェーハＷの表面上にエピタキシャル膜ＥＰが形成され、エピタキシャルウェーハＥＰＷが製造される。
【００２６】
ところで、エピタキシャル膜ＥＰの気相成長中は、基板ウェーハＷを加熱しているので、基板ウェーハＷに含まれるドーパントＰが外方拡散して気相中に放出される。また、気相成長中に流通させる反応ガス、およびパージガスには、例えば水素が含まれているため、この水素によっても基板ウェーハＷが僅かにエッチングされドーパントＰが気相中に放出される。さらに、気相成長の直前には、例えば塩化水素ガスを基板ウェーハＷ表面に流すことにより気相エッチングを実施して基板ウェーハＷ表面の自然酸化膜を除去するため、基板ウェーハＷが僅かにエッチングされて気相エッチング時にもドーパントＰが気相中に放出される。
【００２７】
そして、基板ウェーハＷの裏面側から空間部２２３内に放出されたドーパントＰは、図３に示すように、サセプタ２の中空部２１を流通するパージガス流Ｇ２により、連通孔２３を介して、中空部２１内に引き寄せられる。中空部２１内に引き寄せられたドーパントＰは、中空部２１内に一時的に蓄積されるとともに、パージガス流Ｇ２に取り込まれる。パージガス流Ｇ２に取り込まれたドーパントＰは、パージガス流Ｇ２のパージガスとともに、パージガスを流入させる連通孔２４を除く他の連通孔２４を介してサセプタ２外部に流出するとともに、パージガス排出管３３４を介して反応容器３外部に排出される。すなわち、空間部２２３内に放出されたドーパントＰは、複数の連通路２０を介してサセプタ２外部へと放出される。
【００２８】
上述したように、エピタキシャルウェーハＥＰＷを製造した後、ウェーハ昇降部３４２のピン状部材３４２Ｃを進退移動させるとともに図示しない搬送治具を移動させることで、エピタキシャルウェーハＥＰＷを反応容器３外部に搬出する。
【００２９】
上述した第１実施形態によれば、以下の効果がある。
（１）サセプタ２は、空間部２２３、および該サセプタ２外部を連通する複数の連通路２０を有しているので、エピタキシャル膜ＥＰを気相成長させる際に、基板ウェーハＷの裏面から外方拡散して空間部２２３内に放出されるドーパントＰを、複数の連通路２０を介してサセプタ２外部に放出させることができる。このため、ドーパントＰが基板ウェーハＷの表面側に回り込むことを抑制でき、オートドープ現象の発生を効率的に抑制できる。したがって、面内の抵抗率分布の一様なエピタキシャルウェーハＥＰＷを製造できる。
【００３０】
（２）連通孔２３，２４は、第２凹部２２２の底面、およびサセプタ２の側面を貫通するように形成されているので、互いの開口がサセプタ２の厚み方向に平面的に干渉しない。このため、連通孔２３，２４を介して加熱装置４からの放射光が基板ウェーハＷの裏面の一部に直接照射されることがなく、基板ウェーハＷの裏面全体の温度を均一化できる。したがって、基板ウェーハＷにスリップ転位が生じることなくかつ、厚みの一様なエピタキシャルウェーハＥＰＷを製造できる。
【００３１】
（３）サセプタ２は、内部に中空部２１を有する中空部材から構成されているので、エピタキシャル膜ＥＰを気相成長させる際に基板ウェーハＷの裏面から外方拡散して空間部２２３内に放出されるドーパントＰを、連通孔２３を介して中空部２１内に一時的に蓄積させることができる。さらに、連通孔２４が中空部２１とサセプタ２外部とを連通するように形成されているので、中空部２１内に一時的に蓄積されたドーパントＰをサセプタ２外部に放出させることができる。このように、中空部２１内に一時的にドーパントＰを蓄積することで、基板ウェーハＷの表面側に回り込むドーパントＰの量を低減でき、オートドープ現象の発生をさらに効率的に抑制できる。
【００３２】
（４）そして、エピタキシャル膜ＥＰの気相成長時には、サセプタ２の側面に形成された少なくとも１つの連通孔２４を介して中空部２１内にパージガスを導入させるので、複数の連通孔２３を介して中空部２１内に一時的に蓄積されたドーパントＰを、パージガス流Ｇ２に容易に取り込むことができる。さらに、パージガス流Ｇ２に取り込んだドーパントＰを、パージガスを中空部２１内に導入させる連通孔２４を除く他の連通孔２４を介してサセプタ２外部に放出させることができ、パージガス流Ｇ２の流れにしたがってパージガス排出管３３４を介して反応容器３外部に排出させることができる。したがって、オートドープ現象の発生をさらに一層効率的に抑制でき、面内の抵抗率分布のさらに一様なエピタキシャルウェーハＥＰＷを製造できる。
【００３３】
（５）連通孔２４は、サセプタ２の側面を貫通し、サセプタ２の下面を貫通していないので、サセプタ２の下面には、加熱装置４からの放射光が一様に照射されることとなる。このため、サセプタ２の下面に温度差が生じることがない。したがって、サセプタ２の下面に生じる面内方向の熱応力により、変形および破壊等が生じることがなく、エピタキシャルウェーハＥＰＷを製造する際に基板ウェーハＷを良好に支持でき、エピタキシャルウェーハＥＰＷを良好に製造できる。
（６）サセプタ２が基板ウェーハＷを全周に亘って支持しているので、基板ウェーハＷにスリップ転位が生じることを効果的に抑制できる。
【００３４】
[第２実施形態]
次に、本発明の第２実施形態を図面に基づいて説明する。
以下の説明では、前記第１実施形態と同様の構造および同一部材には同一符号を付して、その詳細な説明は省略または簡略化する。
図４は、第２実施形態におけるサセプタ２Ａの概略構成を示す図である。具体的に、図４（Ａ）は、サセプタ２Ａの上面図である。図４（Ｂ）は、サセプタ２Ａの下面図である。図４（Ｃ）は、図４（Ａ）におけるＢ−Ｂ線の断面図である。
サセプタ２Ａは、図４に示すように、平面視円盤形状を有し、前記第１実施形態で説明したサセプタ２と同様の中空部２１、凹部２２（第１凹部２２１、第２凹部２２２を含む）、複数の連通孔２３、および３つのピン挿通孔２５を有し、基板ウェーハＷを全周に亘って支持する。
また、このサセプタ２Ａにおいて、複数の第２の連通孔２４Ａは、図４（Ｂ）に示すように、下面の外周端部近傍に外周に沿って所定間隔で形成されている。本実施形態では、外周に沿って計１２個の連通孔２４Ａが形成されている。なお、連通孔２４Ａの数は、これに限らず、少なくとも１つの連通孔２４Ａが形成されていればよい。また、複数の連通孔２４Ａは、図４（Ｃ）に示すように、基板ウェーハＷのサイズよりも外周側に位置するように形成することが好ましい。
すなわち、上述した構成では、連通孔２３，２４Ａ、および中空部２１により、前記第１実施形態と略同様に、第１凹部２２１に基板ウェーハＷが支持された状態で基板ウェーハＷと第２凹部２２２とで形成される空間部２２３（図５参照）およびサセプタ２外部を連通する複数の連通路２０Ａが形成される。また、連通孔２３，２４Ａは、前記第１実施形態と同様に、従来のようなサセプタの厚み方向に貫通する貫通孔と異なり、互いの開口がサセプタ２Ａの厚み方向に平面的に干渉しない構成となっている。すなわち、連通孔２３，２４Ａの一方の連通孔から他方の連通孔をサセプタ２の厚み方向から見た場合に平面視で他方の連通孔が見えない構成となっている。
【００３５】
次に、第２実施形態におけるエピタキシャルウェーハＥＰＷの製造方法を説明する。なお、第２実施形態におけるエピタキシャルウェーハＥＰＷの製造方法は、前記第１実施形態で説明した製造方法と略同様に実施でき、パージガスの流通状態が異なるのみであるので、以下では、このパージガスの流通状態のみを説明する。
図５は、第２実施形態におけるパージガスの流通状態を説明するための図である。
エピタキシャル膜ＥＰの気相成長時には、図５に示すように、反応ガス供給管３３１を介して基板ウェーハＷの表面上に水平に反応ガスを供給し反応ガス流Ｇ１を形成するとともに、パージガス供給管３３３を介してサセプタ２Ａの下面に水平にパージガスを供給しパージガス流Ｇ３を形成する。
【００３６】
この際、基板ウェーハＷの裏面側から空間部２２３内に放出されたドーパントＰは、図５に示すように、サセプタ２Ａの下方側を流通するパージガス流Ｇ３により、連通孔２３を介して中空部２１内に引き寄せられる。中空部２１内に引き寄せられたドーパントＰは、中空部２１内に一時的に蓄積されるとともに、サセプタ２Ａの下方側を流通するパージガス流Ｇ３により、連通孔２４Ａを介して中空部２１外部に流出し、パージガス流Ｇ３に取り込まれる。そして、パージガス流に取り込まれたドーパントＰは、パージガス流Ｇ３のパージガスとともに、パージガス排出管３３４を介して反応容器３外部に排出される。すなわち、空間部２２３内に放出されたドーパントＰは、複数の連通路２０Ａを介してサセプタ２Ａ外部へと放出される。
【００３７】
上述した第２実施形態によれば、下面に連通孔２４Ａを形成したサセプタ２Ａを採用した場合でも、前記第１実施形態の前述した（１）〜（４）、（６）と略同様の効果を得ることができる。また、これらの効果の他、以下の効果がある。
（７）前記第１実施形態で説明したサセプタ２と比較して、連通孔２４Ａがサセプタ２Ａの下面に形成されているので連通孔２４Ａの総開口面積を大きくとることができ、連通孔２４Ａを下面に形成した場合でも中空部２１からサセプタ２Ａ外部へと放出するドーパントＰの排出効率を向上させることができる。
【００３８】
[第３実施形態]
次に、本発明の第３実施形態を図面に基づいて説明する。
以下の説明では、前記第１実施形態と同様の構造および同一部材には同一符号を付して、その詳細な説明は省略または簡略化する。
図６は、第３実施形態におけるサセプタ２Ｂの概略構成を示す図である。具体的に、図６（Ａ）は、サセプタ２Ｂの上面図である。図６（Ｂ）は、サセプタ２Ｂの下面図である。図６（Ｃ）は、図６（Ａ）におけるＣ−Ｃ線の断面図である。
サセプタ２Ｂは、図６に示すように、平面視円盤形状を有し、基板ウェーハＷを全周に亘って支持する。そして、その側面は、上方側から下方側に向かうにしたがって断面積が縮小する段付状に形成され、段差部２６を有している。また、この段差部２６は、図６（Ｂ）または図６（Ｃ）に示すように、下方側に向かうにしたがって、断面積が拡大するテーパ状に形成されている。
【００３９】
このサセプタ２Ｂには、図６（Ａ）または図６（Ｃ）に示すように、前記第１実施形態で説明したサセプタ２と同様に、凹部２２（第１凹部２２１および第２凹部２２２を含む）が形成されている。また、表裏を貫通するように、前記第１実施形態で説明したサセプタ２と同様に、３つのピン挿通孔２５が形成されている。
また、このサセプタ２Ｂには、図６に示すように、第２凹部２２２の底面、および段差部２６を貫通する複数の連通路２０Ｂが形成されている。
これら連通路２０Ｂは、一端が第２凹部２２２の底面の外周側に形成されるとともに、他端が段差部２６における基端部分に形成される。本実施形態では、第２凹部２２２の底面の外周に沿いかつ、段差部２６全周に計１２個の連通路２０Ｂが形成されている。なお、連通路２０Ｂの数は、これに限らず、少なくとも１つの連通路２０Ｂが形成されていればよい。また、複数の連通路２０Ｂは、等間隔で形成することが好ましい。さらに、これら連通路２０Ｂは、第２凹部２２２の底面に形成される一端側がピン挿通孔２５より小さな孔、例えば、２ｍｍ以下の径を有する孔となるように形成し、段差部２６における基端部分に形成される他端側が一端側よりも大きな径を有する孔となるように形成することが好ましい。特に、これら連通路２０Ｂにおける他端側を、サセプタ２Ｂの強度に問題が生じない範囲で、サセプタ２Ｂの肉厚に近い径を有する孔となるように形成することが好ましい。また、連通路２０Ｂは、貫通孔とすることが好ましい。
すなわち、上述した構成では、連通路２０Ｂにより、前記第１実施形態と略同様に、第１凹部２２１に基板ウェーハＷが支持された状態で基板ウェーハＷと第２凹部２２２とで形成される空間部２２３（図７参照）とサセプタ２Ｂ外部とが連通することとなる。また、連通路２０Ｂは、前記第１実施形態と同様に、従来のようなサセプタの厚み方向に貫通する貫通孔と異なり、一端側の第２凹部２２２の底面に形成された開口と、他端側の段差部２６に形成された開口とがサセプタ２Ｂの厚み方向に平面的に干渉しない構成となっている。すなわち、連通路２０Ｂは、一端側の開口から他端側の開口をサセプタ２Ｂの厚み方向から見た場合に平面視で他端側の開口が見えない構成となっている。
【００４０】
次に、第３実施形態におけるエピタキシャルウェーハＥＰＷの製造方法を説明する。なお、第３実施形態におけるエピタキシャルウェーハＥＰＷの製造方法は、前記第３実施形態で説明した製造方法と略同様に実施でき、パージガスの流通状態が異なるのみであるので、以下では、このパージガスの流通状態のみを説明する。
図７は、第３実施形態におけるパージガスの流通状態を説明するための図である。
前記第１実施形態と同様に、反応ガスの流量とパージガスの流量を制御することで、エピタキシャル膜ＥＰの気相成長時に、図７に示すように、反応ガス供給管３３１を介して基板ウェーハＷの表面上に水平に反応ガスを供給し反応ガス流Ｇ１を形成するとともに、パージガス供給管３３３を介してサセプタ２Ｂの側面にパージガスを供給する。そして、サセプタ２Ｂの側面に供給されたパージガスの一部は、図７に示すように、パージガス供給管３３３側に形成された少なくとも１つの連通路２０Ｂを介して空間部２２３内を流通し、他の連通路２０Ｂを介してサセプタ２Ｂ外部に流通する。そして、図７に示すように、パージガス流Ｇ４が形成される。また、サセプタ２Ｂの側面に供給された他のパージガスは、図７に示すように、サセプタ２Ｂの下面に沿って流通する。そして、図７に示すように、パージガス流Ｇ５が形成される。
【００４１】
この際、基板ウェーハＷの裏面側から空間部２２３内に放出されたドーパントＰの一部は、図７に示すように、空間部２２３内を流通するパージガス流Ｇ４に取り込まれ、パージガス流Ｇ４のパージガスとともに、パージガスを流入させる連通路２０Ｂを除く他の連通路２０Ｂを介してサセプタ２Ｂ外部に流出し、パージガス排出管３３４を介して反応容器３外部に排出される。
また、基板ウェーハＷの裏面側から空間部２２３内に放出された他のドーパントＰは、具体的な図示は省略するが、サセプタ２Ｂの下面に沿って流通するパージガス流Ｇ５により、パージガスを流入させる連通路２０Ｂを除く他の連通路２０Ｂを介して、サセプタ２Ｂ外部に引き込まれる。そして、パージガス流Ｇ５のパージガスとともに、パージガス排出管３３４を介して反応容器３外部に排出される。
【００４２】
上述した第３実施形態によれば、中空部２１を有しないサセプタ２Ｂを採用した場合でも、前記第１実施形態の前述した（１）、（２）、（５）、（６）と略同様の効果を得ることができる。また、これらの効果の他、以下の効果がある。
（８）連通路２０Ｂが第２凹部２２２の底面および段差部２６を貫通するように形成されているので、連通路２０Ｂを介して段差部２６側からサセプタ２Ｂ外部に放出されるドーパントＰがサセプタ２Ｂの上部側により基板ウェーハＷの表面側にさらに回り込みにくい構造となる。このため、オートドープ現象の発生をさらに効率的に抑制できる。
【００４３】
（９）そして、エピタキシャル膜ＥＰの気相成長時には、サセプタ２Ｂの段差部２６に形成された少なくとも１つの連通路２０Ｂを介して空間部２２３内にパージガスを導入させるので、基板ウェーハＷの裏面略全体から外方拡散して空間部２２３内に放出されるドーパントＰをパージガス流Ｇ４に容易に取り込むことができる。さらに、パージガス流Ｇ４に取り込んだドーパントＰを、パージガスを流入させる連通路２０Ｂを除く他の連通路２０Ｂを介してサセプタ２Ｂ外部に放出させることができ、パージガス流Ｇ４，Ｇ５の流れにしたがってパージガス排出管３３４を介して反応容器３外部に排出させることができる。したがって、基板ウェーハＷから空間部２２３内に放出されるドーパントＰを迅速に反応容器３外部に排出させることができ、反応室３Ａ内におけるドーパントＰの残存量を低減できる。
【００４４】
[第４実施形態]
次に、本発明の第４実施形態を図面に基づいて説明する。
以下の説明では、前記第３実施形態と同様の構造および同一部材には同一符号を付して、その詳細な説明は省略または簡略化する。
図８は、第４実施形態におけるサセプタ２Ｃの概略構成を示す図である。具体的に、図８（Ａ）は、サセプタ２Ｃの上面図である。図８（Ｂ）は、サセプタ２Ｂの側面図である。図８（Ｃ）は、図８（Ａ）におけるＤ−Ｄ線の断面図である。
サセプタ２Ｃは、その側面が略面一に形成されている点以外は、前記第３実施形態で説明したサセプタ２Ｂと同様であり、サセプタ２Ｂと同様の凹部２２（第１凹部２２１および第２凹部２２２を含む）、３つのピン挿通孔２５、および複数の連通路２０Ｂを有し、基板ウェーハＷを全周に亘って支持する。
このうち、第４実施形態における連通路２０Ｂは、サセプタ２Ｃの側面、および第２凹部２２２の底面を貫通していることにより、前記第３実施形態で説明した連通路２０Ｂよりも、水平方向の長さ寸法が長くなっている。
【００４５】
なお、第４実施形態におけるエピタキシャルウェーハＥＰＷの製造方法、およびパージガスの流通状態は、前記第３実施形態で説明した製造方法および流通状態と略同様であるので、説明を省略する。
【００４６】
上述した第４実施形態によれば、前記第３実施形態の前述した（１）、（２）、（５）、（６）（９）と略同様の効果を得ることができる。また、これらの効果の他、以下の効果がある。
（１０）サセプタ２Ｃの側面は、段差部２６を有することなく略面一に形成されているので、前記第３実施形態で説明した連通路２０Ｂよりも水平方向の長さ寸法の長い連通路２０Ｂを形成できる。このため、パージガス供給管３３３から供給されるパージガスを、連通路２０Ｂに導入しやすく、すなわち、空間部２２３内に流通させるパージガスの流量を多くできる。したがって、基板ウェーハＷから気相中に放出されるドーパントＰを、さらに容易にパージガス流Ｇ４に取り込むことができ、パージガス流Ｇ４，Ｇ５の流れにしたがって反応容器３外部により迅速に排出させることができる。
【００４７】
[第５実施形態]
次に、本発明の第５実施形態を図面に基づいて説明する。
以下の説明では、前記第４実施形態と同様の構造および同一部材には同一符号を付して、その詳細な説明は省略または簡略化する。
図９は、第５実施形態におけるサセプタ２Ｄの概略構成を示す図である。具体的に、図９（Ａ）は、サセプタ２Ｄの上面図である。図９（Ｂ）は、サセプタ２Ｄの側面図である。図９（Ｃ）は、図９（Ａ）におけるＥ−Ｅ線の断面図である。
サセプタ２Ｄは、連通路２０Ｄの形成位置以外は、前記第４実施形態で説明したサセプタ２Ｃと同様であり、サセプタ２Ｃと同様の凹部２２（第１凹部２２１および第２凹部２２２を含む）、およびピン挿通孔２５を有し、基板ウェーハＷを全周に亘って支持する。
このうち、第５実施形態における第２凹部２２２の底面とサセプタ２Ｄの下面との間の厚み寸法は、図９（Ｃ）に示すように、前記第４実施形態で説明した第２凹部２２２の底面とサセプタ２Ｃの下面との間の厚み寸法よりも小さくなるように形成されている。
【００４８】
複数の連通路２０Ｄは、図９に示すように、第２凹部２２２の側壁、およびサセプタ２Ｄの側面を貫通し、第２凹部２２２の底面と直線上に連続するように形成されている。本実施形態では、第２凹部２２２の側壁、およびサセプタ２Ｄの側面全周に沿って、計１２個の連通路２０Ｄが形成されている。なお、連通路２０Ｄの数は、これに限らず、少なくとも１つの連通路２０Ｃが形成されていればよい。また、複数の連通路２０Ｄは、等間隔で形成することが好ましい。また、複数の連通路２０Ｄは、貫通孔とすることが好ましい。
すなわち、上述した構成では、連通路２０Ｄにより、前記第４実施形態と略同様に、第１凹部２２１に基板ウェーハＷが支持された状態で基板ウェーハＷと第２凹部２２２とで形成される空間部２２３（図１０参照）とサセプタ２Ｄ外部とが連通することとなる。また、連通路２０Ｄは、前記第１実施形態と同様に、従来のようなサセプタの厚み方向に貫通する貫通孔と異なり、一端側の第２凹部２２２の側壁に形成された開口と、他端側のサセプタ２Ｄの側面に形成された開口とがサセプタ２Ｄの厚み方向に平面的に干渉しない構成となっている。すなわち、連通路２０Ｄは、一端側の開口から他端側の開口をサセプタ２Ｄの厚み方向から見た場合に平面視で他端側の開口が見えない構成となっている。
【００４９】
次に、第５実施形態におけるエピタキシャルウェーハＥＰＷの製造方法を説明する。なお、第５実施形態におけるエピタキシャルウェーハＥＰＷの製造方法は、前記第４実施形態で説明した製造方法と略同様に実施でき、パージガスの流通状態が異なるのみであるので、以下では、このパージガスの流通状態のみを説明する。
図１０は、第５実施形態におけるパージガスの流通状態を説明するための図である。
前記第１実施形態と同様に、反応ガスの流量とパージガスの流量を制御することで、エピタキシャル膜ＥＰの気相成長時に、図１０に示すように、反応ガス供給管３３１を介して、基板ウェーハＷの表面上に水平に反応ガスを供給し反応ガス流Ｇ１を形成するとともに、パージガス供給管３３３を介してサセプタ２Ｄの側面にパージガスを供給する。サセプタ２Ｄの側面に供給されたパージガスは、図１０に示すように、パージガス供給管３３３側に形成された少なくとも１つの連通路２０Ｄを介して空間部２２３内を屈曲することなく流通し、他の連通路２０Ｄを介してサセプタ２Ｄ外部に流通する。そして、図１０に示すように、パージガス流Ｇ６が形成される。
【００５０】
この際、基板ウェーハＷの裏面側から空間部２２３内に放出されたドーパントＰは、図１０に示すように、空間部２２３内を流通するパージガス流Ｇ６に取り込まれ、パージガス流Ｇ６のパージガスとともに、パージガスを流入させる連通路２０Ｄを除く他の連通路２０Ｄを介してサセプタ２Ｄ外部に流出し、パージガス排出管３３４を介して反応容器３外部に排出される。
【００５１】
上述した第５実施形態によれば、前記第４実施形態の前述した（１）、（２）、（５）、（６）（９）、（１０）と略同様の効果を得ることができる。また、これらの効果の他、以下の効果がある。
（１１）複数の連通路２０Ｄは、第２凹部２２２の側壁、およびサセプタ２Ｄの側面を貫通し、第２凹部２２２の底面と直線上に連続するように形成されているので、連通路２０Ｄを介して空間部２２３内に導入させるパージガスをサセプタ２Ｄ内部において屈曲することなく円滑に流通させることができる。このため、パージガス流Ｇ６の流速が変化することがない。したがって、基板ウェーハＷから気相中に放出されるドーパントＰを、さらに一層容易にパージガス流Ｇ６に取り込むことができ、パージガス流Ｇ６の流れにしたがって反応容器３外部により迅速に排出させることができる。また、基板ウェーハＷから気相中に放出されるドーパントＰを、基板ウェーハＷ側に流出させることなく、サセプタ２Ｄ外部に排出させることができる。
【００５２】
以上、本発明について好適な実施形態を挙げて説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の改良並びに設計の変更が可能である。
前記各実施形態では、載置部は、凹部２２で構成されていたが、これに限らず、第１凹部２２１を形成せずに基板ウェーハＷを上面に直接載置する構成を採用してもよい。このような構成を採用した場合であっても、本発明の目的を十分に達成できる。
【００５３】
前記第１実施形態および前記第２実施形態において、第１の連通孔２３の形成位置およびその数は、前記第１実施形態および前記第２実施形態で説明した形成位置および数に限らない。
例えば、図１１に示すように、第２凹部２２２の底面全体に亘って万遍なく、第１の連通孔２３Ａを形成する構成を採用してもよい。なお、図１１では、一部の連通孔２３Ａのみに符号を付している。また、第２実施形態のサセプタ２Ａに連通孔２３Ａを採用した場合には、該連通孔２３Ａの開口とサセプタ２Ａの下面に形成される第２の連通孔２４Ａの開口とが、サセプタ２Ａの厚み方向に平面的に干渉しないように形成すればよく、連通孔２４Ａも連通孔２３Ａと同様に、サセプタ２Ａの下面全体に亘って万遍なく形成してもよい。
また、例えば、図１２に示すように、第２凹部２２２の底面全体に第１の連通孔２３Ｂを形成する、すなわち、１つのみ連通孔２３Ｂを形成する構成を採用してもよい。なお、図１２（Ａ）は、前記第１実施形態のサセプタ２に連通孔２３Ｂを採用した構成を示している。図１２（Ｂ）は、前記第２実施形態のサセプタ２Ａに連通孔２３Ｂを採用した構成を示している。
上述したような図１１および図１２に示す構成では、エピタキシャル膜ＥＰの気相成長時に、基板ウェーハＷの裏面略全体から外方拡散し気相中に放出されるドーパントＰを良好に中空部２１に放出させることができる。
【００５４】
前記第３実施形態ないし前記第５実施形態では、連通路２０Ｂ，２０Ｄは、該連通路２０Ｂ，２０Ｄの他端側がサセプタ２Ｂ，２Ｃ，２Ｄの側面に形成される構成であったが、これに限らず、前記第２実施形態と略同様に、サセプタ２Ｂ，２Ｃ，２Ｄの下面に形成される構成を採用してもよい。この際、連通路２０Ｂ，２０Ｄにおいて、凹部２２に形成される一端側の開口と、下面に形成される他端側の開口とがサセプタ２Ｂ，２Ｃ，２Ｄの厚み方向に平面的に干渉しないように形成すればよい。
【００５５】
前記第３実施形態では、段差部２６は、側面全周に亘って形成されていたが、これに限らず、連通路２０Ｂを介して段差部２６側から放出されるドーパントＰが、サセプタ２Ｂの上部側により基板ウェーハＷの表面側に回り込むことを防止できればよく、連通路２０Ｂが形成される部位にのみ段差部２６を形成してもよい。
【００５６】
前記各実施形態において、製造装置１は、前記各実施形態で説明した構造、および形状に限らない。例えば、製造装置１には、反応ガス排出管３３２およびパージガス排出管３３４が形成されていたが、これに限らず、排出管を１つのみ形成し、反応ガスおよびパージガスの双方を一括して排出する構成を採用してもよい。
【００５７】
本発明を実施するための最良の構成などは、以上の記載で開示されているが、本発明は、これに限定されるものではない。すなわち、本発明は、主に特定の実施形態に関して特に図示され、かつ、説明されているが、本発明の技術的思想および目的の範囲から逸脱することなく、以上述べた実施形態に対し、形状、材質、数量、その他の詳細な構成において、当業者が様々な変形を加えることができるものである。
したがって、上記に開示した形状、材質などを限定した記載は、本発明の理解を容易にするために例示的に記載したものであり、本発明を限定するものではないから、それらの形状、材質などの限定の一部若しくは全部の限定を外した部材の名称での記載は、本発明に含まれるものである。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明のサセプタは、エピタキシャルウェーハを製造するにあたって、オートドープ現象の発生を抑制できかつ、エピタキシャルウェーハの信頼性を確保できるため、エピタキシャルウェーハを製造する製造装置に用いられるサセプタとして有用である。
【符号の説明】
【００５９】
１・・・製造装置
２，２Ａ，２Ｂ，２Ｃ，２Ｄ・・・サセプタ
３・・・反応容器
４・・・加熱装置
２０，２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｄ・・・連通路
２１・・・中空部
２３，２３Ａ，２３Ｂ・・・第１の連通孔
２４，２４Ａ・・・第２の連通孔
２６・・・段差部
２２１・・・第１凹部
２２２・・・第２凹部
２２３・・・空間部
ＥＰ・・・エピタキシャル膜
ＥＰＷ・・・エピタキシャルウェーハ
Ｗ・・・基板ウェーハ
【図１】
2010135847.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010135847.tif 000009
【図８】
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【図９】
2010135847.tif 000011
【図１０】
2010135847.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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