【手続補正書】
【提出日】平成17年4月12日(2005.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたＴＦＴと、
前記ＴＦＴと電気的に接続されている画素電極と、
前記ＴＦＴ上に形成された層間絶縁膜と、
前記ＴＦＴと光が透過する領域との間に設けられた、前記基板に達する溝に形成された遮光膜とを有し、
前記遮光膜は、前記溝から前記ＴＦＴを覆うように前記層間絶縁膜上まで連続的に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に形成された下部遮光膜と、
前記下部遮光膜上に形成されたＴＦＴと、
前記ＴＦＴと電気的に接続されている画素電極と、
前記ＴＦＴ上に形成された層間絶縁膜と、
前記ＴＦＴと光が透過する領域との間に設けられた、前記下部遮光膜に達する溝に形成された上部遮光膜とを有し、
前記上部遮光膜は、前記溝から前記ＴＦＴを覆うように前記層間絶縁膜上まで連続的に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
基板上に形成されたＴＦＴと、
前記ＴＦＴと電気的に接続されている画素電極と、
前記ＴＦＴと前記画素電極との間に形成された遮光膜と、
前記ＴＦＴと前記遮光膜との間に形成された層間絶縁膜と、
前記画素電極と前記基板との間に、前記層間絶縁膜を除去して形成されたウィンドウとを有し、
前記遮光膜は、前記ウィンドウの底面から前記ＴＦＴを覆うように前記層間絶縁膜上まで連続的に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
基板上に形成された下部遮光膜と、
前記下部遮光膜上に形成されたＴＦＴと、
前記ＴＦＴと電気的に接続されている画素電極と、
前記ＴＦＴと前記画素電極との間に形成された上部遮光膜と、
前記ＴＦＴと前記上部遮光膜との間に形成された層間絶縁膜と、
前記画素電極と前記基板との間に、前記層間絶縁膜を除去して形成されたウィンドウとを有し、
前記上部遮光膜は、前記ウィンドウの底面から前記ＴＦＴを覆うように前記層間絶縁膜上まで連続的に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
基板上に形成された下部遮光膜と、
前記下部遮光膜上に形成されたＴＦＴと、
前記ＴＦＴと並列に形成された保持容量素子と、
前記ＴＦＴと電気的に接続されている画素電極と、
前記ＴＦＴと前記画素電極との間に形成された上部遮光膜と、
前記ＴＦＴ及び前記保持容量素子と前記上部遮光膜との間に形成された層間絶縁膜と、
前記画素電極と前記基板との間に、前記層間絶縁膜を除去して形成されたウィンドウとを有し、
前記上部遮光膜は、前記ウィンドウの底面から前記ＴＦＴを覆うように前記層間絶縁膜上まで連続的に形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４または５において、前記下部遮光膜と前記上部遮光膜とは、前記ウィンドウの底面で接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項３乃至６のいずれか一項において、前記ウィンドウは透光性有機絶縁膜により平坦化されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
請求項３乃至６のいずれか一項において、前記ウィンドウには、赤、緑、または青に着色されたフォトレジスト膜及び透光性の有機絶縁膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
基板上に形成された下部遮光膜と、
前記下部遮光膜上に形成されたＴＦＴと、
前記ＴＦＴと電気的に接続されている画素電極と、
前記ＴＦＴと前記画素電極との間に形成された、上部遮光膜と絶縁膜とが交互に積層された積層体と、
前記ＴＦＴと前記積層体との間に形成された層間絶縁膜と、
前記画素電極と前記基板との間に、前記層間絶縁膜を除去して形成されたウィンドウとを有し、
前記ウィンドウは透光性有機絶縁膜により平坦化されており、
前記積層体は前記ウィンドウの底面から前記ＴＦＴを覆うように形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項９において、前記積層体は前記上部遮光膜を複数含み、複数の前記上部遮光膜の少なくとも一つを介して前記ＴＦＴと前記画素電極とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項９において、前記積層体は前記上部遮光膜を複数含み、前記積層体における前記絶縁膜及び当該絶縁膜を介して形成された複数の前記上部遮光膜とで保持容量が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項９において、前記積層体は前記上部遮光膜を複数含み、複数の前記上部遮光膜の最下層と前記下部遮光膜とは、前記画素電極と基板との間の前記ウィンドウの底面において、接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項３乃至１２のいずれか一項において、前記ウィンドウ内部には開口部が形成されており、前記ウィンドウの面積は、前記開口部の面積とほぼ等しいことを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
請求項３乃至１３のいずれか一項において、前記ウィンドウの壁面は、テーパー状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一項に記載の半導体装置を表示部に組み込んだ電気器具。
【請求項１６】
請求項１５に記載の電気器具は、プロジェクター、ビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、パーソナルコンピュータ、モバイルコンピュータ、携帯情報端末、携帯電話、電子書籍、またはディスプレイである。
【請求項１７】
基板上に下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に半導体層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極からなるＴＦＴを形成する工程と、
前記ゲート電極上に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜上に第２の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜及び前記第２の層間絶縁膜を貫通し、前記半導体層に達する第１のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第１のコンタクトホールにおいて前記半導体層に接続する配線を形成する工程と、
前記配線を覆うように第３の層間絶縁膜を形成する工程と、
光が透過する領域とＴＦＴとの間に、前記第３の層間絶縁膜を貫通し、前記基板に達する溝を形成する工程と、
前記第３の層間絶縁膜上から前記ＴＦＴを覆うように前記溝まで連続的に遮光膜を形成する工程と、
前記第３の層間絶縁膜を貫通し、前記配線に達する第２のコンタクトホールを形成する工程と、
前記遮光膜上に第４の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第２のコンタクトホールに形成された前記第４の層間絶縁膜を除去する工程と、
前記第２のコンタクトホールにおいて前記配線に接続する画素電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１７において、前記基板と前記下地膜との間に下部遮光膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
基板上に下地膜を形成する工程と、
前記下地膜上に半導体層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極からなるＴＦＴを形成する工程と、
前記ゲート電極上に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜上に第２の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の層間絶縁膜及び前記第２の層間絶縁膜を貫通し、前記半導体層に達する第１のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第１のコンタクトホールにおいて前記半導体層に接続する配線を形成する工程と、
前記配線を覆うように第３の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記下地膜、前記ゲート絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、前記第２の層間絶縁膜、及び前記第３の層間絶縁膜の一部を除去してウィンドウを形成する工程と、
前記ウィンドウの底面から前記ＴＦＴを覆うように第３の層間絶縁膜上まで連続的に上部遮光膜を形成する工程と、
前記ウィンドウの底面に形成された前記上部遮光膜を除去する工程と、
前記第３の層間絶縁膜及び前記上部遮光膜が除去されたウィンドウの底面上に第４の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記ウィンドウを平坦化する工程と、
前記第４の層間絶縁膜及び前記平坦化されたウィンドウ上に第５の層間絶縁膜を形成する工程と、
前記第４の層間絶縁膜及び前記第５の層間絶縁膜を貫通し、前記配線に達する第２のコンタクトホールを形成する工程と、
前記第２のコンタクトホールにおいて前記配線に接続する画素電極を形成する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
請求項１９において、前記基板と前記下地膜との間に下部遮光膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２１】
請求項２０において、前記下部遮光膜と前記上部遮光膜とを、前記ウィンドウの底面で接するように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２２】
請求項２０または２１において、前記上部遮光膜及び前記下部遮光膜に接地電位となる配線を接続することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
請求項１９乃至２２のいずれか一項において、前記ウィンドウを平坦化する工程は、透光性有機絶縁膜を用いて行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
請求項１９乃至２２のいずれか一項において、前記ウィンドウを平坦化する工程は、赤、緑、もしくは青に着色されたフォトレジスト膜及び透光性有機絶縁膜を積層して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項１９乃至２４のいずれか一項において、前記ウィンドウを形成する工程は、壁面がテーパー状になるように形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
上記のような構造の場合、このゲート絶縁膜、層間絶縁膜の一部が除去された領域（ウィンドウ）の面積は、画素において、表示を制御することを意図した領域（開口部）とほぼ等しい面積であり、かつ表示を制御することを意図した領域(開口部)は、前記少なくともゲート絶縁膜、層間絶縁膜の一部が除去された領域（ウィンドウ）より狭い面積となる。開口部がウィンドウより狭い面積となるのは、図１（Ｂ）に示すとおり、ウィンドウの壁面がテーパー状となるためである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
また上記発明において、前記上部遮光膜の第１層目（すなわち、積層体における複数の上部遮光膜の最下層）と前記下部遮光膜とは、前記画素電極と基板との間の前記ウィンドウの底面において、接していることを特徴とする。