【手続補正書】
【提出日】平成16年8月30日(2004.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体層上に互いに離隔して形成されたソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域とドレイン領域との間の前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記半導体層上に前記ゲート絶縁膜を介在して形成されたゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜の少なくとも一部に接するようにして形成され、前記ソース領域とドレイン領域との間のキャリアの走行領域を含み、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、及び前記半導体層を含むＭＩＳ構造により形成される表面空乏層端部における不純物濃度が、前記半導体層と前記ゲート絶縁膜との界面よりも高いチャネル領域と
を具備し、前記半導体層の不純物濃度は、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、前記チャネル領域が順次設けられる方向に沿って変化し、且つ前記表面空乏層端部の近傍において直線的に増加する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
半導体層上に互いに離隔して形成されたソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域とドレイン領域との間の前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記半導体層上に前記ゲート絶縁膜を介在して形成されたゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜の少なくとも一部に接するようにして形成され、前記ソース領域とドレイン領域との間のキャリアの走行領域を含み、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、及び前記半導体層を含むＭＩＳ構造により形成される表面空乏層端部における不純物濃度が、前記半導体層と前記ゲート絶縁膜との界面よりも高いチャネル領域と
を具備し、前記半導体層の不純物濃度は、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、前記チャネル領域が順次設けられる方向に沿って変化し、且つ前記表面空乏層端部における前記不純物濃度の変化勾配は、前記ゲート絶縁膜と前記半導体層との界面における変化勾配よりも大きい
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
半導体層上に互いに離隔して形成されたソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域とドレイン領域との間の前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記半導体層上に前記ゲート絶縁膜を介在して形成されたゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜の少なくとも一部に接するようにして形成され、前記ソース領域とドレイン領域との間のキャリアの走行領域を含み、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、及び前記半導体層を含むＭＩＳ構造により形成される表面空乏層端部における不純物濃度が、前記半導体層と前記ゲート絶縁膜との界面よりも高いチャネル領域と
を具備し、前記半導体層の不純物濃度は、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、前記チャネル領域が順次設けられる方向に沿って変化し、且つ前記表面空乏層近傍における２階の微係数が正である
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体層上に互いに離隔して形成されたソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域とドレイン領域との間の前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記半導体層上に前記ゲート絶縁膜を介在して形成されたゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜の少なくとも一部に接するようにして形成され、前記ソース領域とドレイン領域との間のキャリアの走行領域を含み、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、及び前記半導体層を含むＭＩＳ構造により形成される表面空乏層端部における不純物濃度の変化勾配が正であるチャネル領域と
を具備することを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記半導体層の不純物濃度は、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、前記チャネル領域が順次設けられる方向に沿って変化し、且つ前記表面空乏層端部の近傍において直線的に増加する
ことを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体層の不純物濃度は、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、前記チャネル領域が順次設けられる方向に沿って変化し、且つ前記表面空乏層内において直線的に増加する
ことを特徴とする請求項４または５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体層の不純物濃度は、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、前記チャネル領域が順次設けられる方向に沿って変化し、且つ前記チャネル領域の全体に渡って、前記表面空乏層内において直線的に増加する
ことを特徴とする請求項４乃至６いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体層の不純物濃度は、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、前記チャネル領域が順次設けられる方向に沿って変化し、且つ前記表面空乏層近傍における２階の微係数が正である
ことを特徴とする請求項４乃至７いずれか１項記載の半導体装置。
【請求項９】
半導体層上に互いに離隔して形成されたソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域とドレイン領域との間の前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記半導体層上に前記ゲート絶縁膜を介在して形成されたゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜の少なくとも一部に接するようにして形成され、前記ソース領域とドレイン領域との間のキャリアの走行領域を含み、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、及び前記半導体層を含むＭＩＳ構造により形成される表面空乏層端部における不純物濃度の変化勾配が正であるチャネル領域と
を具備し、前記半導体層の不純物濃度は、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、前記チャネル領域が順次設けられる方向に沿って変化し、且つ前記表面空乏層端部における変化勾配が、前記ゲート絶縁膜と前記半導体層との界面における変化勾配よりも大きい
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体層の不純物濃度は、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、前記チャネル領域が順次設けられる方向に沿って変化し、且つ前記チャネル領域の全体に渡って、前記表面空乏層端部近傍において直線的に増加する
ことを特徴とする請求項１または５記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記半導体層の不純物濃度は、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、前記チャネル領域が順次設けられる方向に沿って変化し、且つ前記表面空乏層端部における変化勾配が、前記チャネル領域の全体に渡って、前記ゲート絶縁膜と前記半導体層との界面における変化勾配よりも大きい
ことを特徴とする請求項２または９記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記半導体層の不純物濃度は、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、前記チャネル町域が順次設けられる方向に沿って変化し、且つ前記表面空乏層近傍における２階の微係数が、前記チャネル領域の全体に渡って正である
ことを特徴とする請求項３または８記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記チャネル領域は、イオン注入法と急速熱処理法によって形成される
ことを特徴とする請求項１乃至１２いずれか１項記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
この発明の一態様に係る半導体装置は、半導体層上に互いに離隔して形成されたソース領域及びドレイン領域と、
前記ソース領域とドレイン領域との間の前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記半導体層上に前記ゲート絶縁膜を介在して形成されたゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜の少なくとも一部に接するようにして形成され、前記ソース領域とドレイン領域との間のキャリアの走行領域を含み、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、及び前記半導体層を含むＭＩＳ構造により形成される表面空乏層端部における不純物濃度が、前記半導体層と前記ゲート絶縁膜との界面よりも高いチャネル領域と、
を具備し、前記不純物濃度は、前記ゲート電極、前記ゲート絶縁膜、前記チャネル領域が順次設けられる方向に沿って変化し、且つ前記表面空乏層端部の近傍において直線的に増加する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】