【手続補正書】
【提出日】平成16年7月26日(2004.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
化学的気相蒸着によって交互の層を堆積させるための方法であって、基材上に有機の接着促進層を堆積させ、かつ無機のバリヤ層を堆積させる処理ステップを含み、有機材料と無機材料の交互の層が交互に堆積され、有機の接着促進層が第１の層として堆積されてかつ無機のバリヤ層が第２の層として堆積され、有機の接着促進層の堆積のためのコーティング時間が０．０５秒と４．０秒の間にあり、かつ／または無機のバリヤ層の堆積のためのコーティング時間が０．１秒と６．０秒の間にある方法。
【請求項２】
交互の層が、少なくとも１つ、好ましくは少なくとも２つの処理パラメータを変えることによって堆積される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
好ましくは２．４５ＧＨｚの周波数を有するマイクロ波によって発生するプラズマが層の堆積のために使用される、請求項１または２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項４】
マイクロ波によって発生するプラズマがパルス化される、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
交互の層がＰＥＣＶＤ（プラズマ励起式化学的気相蒸着）法によって堆積される、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
変更される処理パラメータが、前駆体濃度、平均マイクロ波電力、圧力、合計流量、パルス電力、パルス長およびパルス間周期の持続時間で構成されるグループから選択される、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
有機の接着促進層の堆積のための前駆体濃度が合計流の５％から８０％の範囲にあり、かつ／またはバリヤ層の堆積のための前駆体濃度が全体流の０．５％から４％の範囲、好ましくは０．８％と３％の間にある、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
有機層のためのパルス間周期が２ｍｓから１００ｍｓの範囲、好ましくは５ｍｓと６０ｍｓの間にあり、無機層については５ｍｓと２００ｍｓの間、好ましくは２０ｍｓと５０ｍｓの間にある、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
有機層のためのパルス電力が１００Ｗから５０００Ｗの範囲、好ましくは４００Ｗから１５００Ｗの範囲にあり、かつ／または第２の無機層のためのパルス電力が１００Ｗから５０００Ｗの範囲、好ましくは４００Ｗから１５００Ｗの範囲にある、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
有機層のための平均マイクロ波電力が１０Ｗから５０００Ｗの範囲、好ましくは１０Ｗから５００Ｗの範囲にあり、かつ／または無機層のための平均マイクロ波電力が１０Ｗから５０００Ｗの範囲、好ましくは３０Ｗから２０００Ｗの範囲にある、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
基材が、好ましくは同時に、外側で圧力Ｐ１まで排気され、内側で基底圧力Ｐ２＜Ｐ１までポンプ排気される中空体であって、圧力Ｐ１が特に１０から５０ｍｂａｒの範囲にあり、基底圧力Ｐ２が特に１ｍｂａｒ未満、好ましくは０．５ｍｂａｒ未満にある、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前駆体を含むガス混合物が、Ｐ２＜Ｐ３＜Ｐ１であり、圧力Ｐ３が特に０．２ｍｂａｒから１．０ｍｂａｒの範囲にある場合に圧力Ｐ３で基材の内部に入る、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
無機バリヤ層の堆積の間の全体流および／または基材の内部の圧力Ｐ３が、有機の接着促進層の堆積の間の全体流および／または基材の内部の圧力Ｐ３と少なくとも等しく、かつ特定するとそれらよりも高い、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
第１の有機層のための圧力Ｐ３が０．１ｍｂａｒから１．０ｍｂａｒの範囲、好ましくは０．２ｍｂａｒから０．５ｍｂａｒの範囲にあり、かつ第２の無機層については０．１ｍｂａｒから１．０ｍｂａｒの範囲、好ましくは０．２５ｍｂａｒから０．６ｍｂａｒの範囲にある、請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
ランス長が、コーティング対象の基材の高さの５％から８０％の範囲、好ましくは１０％から５０％の範囲にある、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
有機の接着促進層のための全体流量が１０ｓｃｃｍから２５０ｓｃｃｍの範囲、好ましくは４０ｓｃｃｍから１００ｓｃｃｍの範囲にあり、かつ無機層のための全体流量が２００ｓｃｃｍから１０００ｓｃｃｍの範囲、好ましくは２５０ｓｃｃｍから４００ｓｃｃｍの範囲にある、請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
層のための処理ガスが各々のケースで、プラズマの着火直前の圧力Ｐ５よりも高い圧力Ｐ４にあることを許容される、請求項１乃至１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
処理圧力が、層の堆積の間で次の層の堆積を開始するまで下がり続ける、請求項１乃至１７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
コーティングの堆積の間で温度が上昇し続ける、請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２０】
２つのコーティング工程の移行時に処理パラメータが変化している間でプラズマが灯り続ける、請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２１】
移行時にプラズマが中断され、それが特に０から１．０秒の範囲、好ましくは０．００５秒と０．５秒の間であり、２つのコーティング工程の間の移行時に処理パラメータが変更されている、請求項１乃至１９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２２】
パルス化されたプラズマについて、移行時間がパルス間周期よりも長い、請求項１乃至２１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２３】
コーティングを堆積させる前に、持続時間が５秒を下回る、好ましくは１秒を下回るプラズマ前処理が実行される、請求項１乃至２２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２４】
少なくとも１つの処理パラメータが連続的に変えられる、請求項１乃至２３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２５】
少なくとも１つの処理パラメータが不連続的に変えられる、請求項１乃至２４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２６】
少なくとも１つの処理パラメータが、一部は連続的に、かつ一部は不連続的に変えられる、請求項１乃至２５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２７】
バリヤ作用が拡散径路を長くすることによって達成される、請求項１乃至２６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２８】
ガス混合物が、酸素と、少なくとも１種類のシリコン含有有機化合物、好ましくはヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳＮ）および／またはヘキサメチルジソロキサン（ＨＭＤＳＯ）を含む、請求項１乃至２７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項２９】
第１の層と第２の層を堆積させる処理工程が繰り返される、請求項１乃至２８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３０】
交互の層が誘電性材料の上に堆積される、請求項１乃至２９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３１】
交互の層がプラスティックの上に堆積される、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
有機層については堆積速度が１２０ｎｍ／ｍｉｎから５０００ｎｍ／ｍｉｎの範囲、好ましくは５００ｎｍ／ｍｉｎから２０００ｎｍ／ｍｉｎの範囲であり、かつ／または無機層については堆積速度が６０ｎｍ／ｍｉｎから２０００ｎｍ／ｍｉｎの範囲、好ましくは１００ｎｍ／ｍｉｎから１０００ｎｍ／ｍｉｎの範囲である、請求項１乃至３１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項３３】
基材と、有機と無機のコーティングを含む少なくとも１つの交互層を含む複合材料であって、請求項１乃至３２のいずれか１項に記載の方法を使用して堆積される複合材料。
【請求項３４】
コーティングされていないがそれ以外は同一である材料と比較すると、増大したバリヤ作用および／または増大した接着性、増大した伸縮性、圧縮負荷条件下の層‐基材複合体の増大した機械的安定性および／または引き伸ばし負荷条件下の増大した機械的安定性および／または負荷時とその後の塑性変形によって見分けられる、請求項３３に記載の複合材料。
【請求項３５】
４％を超える長さ変化を伴う引っ張りおよび／または塑性変形の後に、バリヤの向上は維持され、酸素バリヤの向上は１．５を超える因数、好ましくは２．０を超える因数である、請求項３４に記載の複合材料。
【請求項３６】
有機の接着促進層が１ｎｍから２００ｎｍの厚さ、好ましくは２ｎｍから５０ｎｍの厚さを有し、かつ／または無機のバリヤ層が５ｎｍから２００ｎｍの厚さ、好ましくは５ｎｍから５０ｎｍの厚さを有する、請求項３３または３５のいずれか１項に記載の複合材料。
【請求項３７】
特に、高温充填によって引き起こされる温度負荷が加わるときに熱的に安定な、請求項３３乃至３６のいずれか１項に記載の複合材料。
【請求項３８】
有機と無機のコーティングを有する少なくとも１つの交互層に加えてカバー層を含む、請求項３３乃至３７のいずれか１項に記載の複合材料。
【請求項３９】
実質的に透明である、請求項３３乃至３７のいずれか１項に記載の複合材料。