Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月26日(2004.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
タービンの検査と再組立を容易にするために、これまで推奨されてきた作業は遷移部品とその他の燃焼構成部品を除去することであった。検査は主として補助照明を当てて裸眼で見る方法であった。既知の問題区域におけるこの視覚に依る方法は、小さなヘアクラックを見易くするための液体赤色染料浸透探傷の使用によって高められた。これらの検査は、これまで典型的には燃焼検査工程とは別に実施されて来た。従来のかかる検査作業は、分解や組立てに時間がかかること、工学的評価や履歴比較のための直接検索可能な欠陥データを欠いていること、完全に人間的要素に依存していることといった多くの不都合を有する。従って、運転休止時間を最短化し、同時に各遷移部品の状態を正確に評価することのできる、ガスタービン燃焼システムの遷移部品を検査するための、より効率の良い方法が必要とされている。
【特許文献１】特開２０００−１６２３５０号公報
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月6日(2004.8.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎｉを２０〜７０重量％含有し、Ｍｎを含有する水素吸蔵合金からなる原料粉末を、９０℃以上で、水酸化ナトリウムを３０〜８０重量％含む水溶液に浸漬する第一の工程、および第一の工程が施された粉末を水洗する第二の工程を有する電極用合金粉末の製造法。
【請求項２】
前記原料粉末が、希土類元素の混合物を含有する請求項１記載の電極用合金粉末の製造法。
【請求項３】
前記原料粉末が、ＣａＣｕ5型の結晶構造を有する請求項２記載の電極用合金粉末の製造法。
【請求項４】
第二の工程の後、水洗された粉末を水中で酸化剤と混合する第三の工程を有する請求項１〜３のいずれかに記載の電極用合金粉末の製造法。
【請求項５】
前記原料粉末が、さらにＣｏおよびＡｌを含む合金からなる請求項３記載の電極用合金粉末の製造法。
【請求項６】
前記原料粉末におけるＣｏの含有量が６重量％以下である請求項５記載の電極用合金粉末の製造法。
【請求項７】
前記原料粉末の平均粒径が、５〜３０μｍである請求項１〜３のいずれかに記載の電極用合金粉末の製造法。
【請求項８】
前記原料粉末における酸素含有量が、１重量％以下である請求項１〜３のいずれかに記載の電極用合金粉末の製造法。
【請求項９】
第一の工程を行う前に、前記原料粉末を水と混合して湿らせる工程を行い、湿った状態の原料粉末を用いて第一の工程を行う請求項１〜３のいずれかに記載の電極用合金粉末の製造法。
【請求項１０】
前記原料粉末を水と混合して湿らせる工程が、Ｎｉを２０〜７０重量％含有し、Ｍｎを含有する水素吸蔵合金の粗粒子を、水の存在下で、平均粒径５〜３０μｍに粉砕する工程である請求項９記載の電極用合金粉末の製造法。
【請求項１１】
第一の工程が、前記原料粉末を、水酸化ナトリウムを３０〜８０重量％含む水溶液に０．２〜３時間浸漬する工程である請求項１〜３のいずれかに記載の電極用合金粉末の製造法。
【請求項１２】
第二の工程が、水洗に用いられた水のｐＨが９以下になるまで第一の工程が施された粉末を水洗する工程である請求項１〜３のいずれかに記載の電極用合金粉末の製造法。
【請求項１３】
第３の工程が、粉末を分散させたｐＨ７以上の水中に酸化剤を投入する工程からなる請求項４記載の電極用合金粉末の製造法。
【請求項１４】
第３の工程が、粉末を分散させたｐＨ７以上の水中に、撹拌しながら過酸化水素水を投入する工程からなる請求項４記載の電極用合金粉末の製造法。
【請求項１５】
投入される過酸化水素の量が、原料粉末１００重量部あたり、０．５〜１５重量部である請求項１４記載の電極用合金粉末の製造法。
【請求項１６】
請求項１〜３のいずれかに記載の製造法により得られた電極用合金粉末であって、金属ニッケルからなる磁性体を３〜９重量％含有する電極用合金粉末。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、Ｎｉを２０〜７０重量％含有し、Ｍｎを含有する水素吸蔵合金からなる原料粉末を、９０℃以上で、水酸化ナトリウムを３０〜８０重量％含む水溶液に浸漬する第一の工程、および第一の工程が施された粉末を水洗する第二の工程を有する電極用合金粉末の製造法に関する。
本発明は、また、第二の工程の後、水洗された粉末を水中で酸化剤と混合する第三の工程を有する電極用合金粉末の製造法に関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第一の工程を行う前には、前記原料粉末を水と混合して湿らせる工程を行い、湿った状態の原料粉末を用いて第一の工程を行うことが好ましい。
この場合、前記原料粉末を水と混合して湿らせる工程としては、Ｎｉを２０〜７０重量％含有し、Ｍｎを含有する水素吸蔵合金の粗粒子を、水の存在下で、平均粒径５〜３０μｍに粉砕する工程を行うことが有効である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第３の工程は、粉末を分散させたｐＨ７以上の水中に酸化剤を投入する工程からなることが好ましい。第３の工程は、例えば、粉末を分散させたｐＨ７以上の水中に、撹拌しながら過酸化水素水を投入する工程からなることが好ましい。投入される過酸化水素の量は、原料粉末１００重量部あたり、０．５〜１５重量部であることが好ましい。
本発明は、また、上記本発明の製造法により得られた電極用合金粉末に関し、なかでも金属ニッケルからなる磁性体を３〜９重量％含有する電極用合金粉末に関する。  
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
原料として用いる水素吸蔵合金は、電気化学的な水素の吸蔵・放出を高効率で行える必要がある。そのためには、合金が少なくともＮｉを２０〜７０重量％含有し、Ｍｎを含有していることが望ましい。Ｎｉを２０〜７０重量％含有する水素吸蔵合金からなる原料粉末をアルカリ水溶液に浸漬すると、金属ニッケルからなる微細な磁性体が、合金粉末を被覆するような状態で形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月15日(2004.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３７０ｎｍの光で励起するとＩ≦０．２０Ｉ０であるようなλｍａｘの波長における最大発光強度Ｉ０及びλｍａｘ＋３０ｎｍにおける発光強度Ｉを示すＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体。
【請求項２】
下記工程を含むＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体を製造するための方法：
−  ＣｓＢｒを１０−３ｍｏｌ％〜５ｍｏｌ％のユウロピウム化合物と混合する；
−  前記混合物を４５０℃以上の温度で加熱する；
−  前記混合物を室温まで冷却する；
−  前記混合物を冷却後８０〜２２０℃の温度にもたらす；及び
−  前記混合物を１０分〜１５時間その温度で維持する。
【請求項３】
下記工程を含む結合剤のないＣｓＢｒ：Ｅｕ燐光体スクリーンの製造方法：
−  ＣｓＢｒを１０−３ｍｏｌ％〜５ｍｏｌ％のユウロピウム化合物と混合する；
−  その混合物を支持体上に蒸着し、結合剤のない燐光体スクリーンを形成する；
−  前記燐光体スクリーンを室温まで冷却する；
−  前記燐光体スクリーンを８０〜２２０℃の温度にもたらす；及び
−  それを１０分〜１５時間その温度で維持する。
【請求項４】
前記ユウロピウム化合物がＥｕＸ′２、ＥｕＸ′３及びＥｕＯＸ′（Ｘ′はＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ及びその組合せからなる群から選択される）から選択される一つの要素である請求項２又は３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月25日(2005.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
又、上記各外筒１９ａ、１９ｂは、それぞれ上記内筒１８の筒部２６に微小隙間を持たせて外嵌自在で、且つ上記支持孔８ａに挿入自在である。そして、上記各外筒１９ａ、１９ｂの内周面の軸方向中間部に、全周に亙り凹溝２９、２９を形成すると共に、上記各外筒１９ａ、１９ｂの一部に、上記凹溝２９、２９の底面とこれら各外筒１９ａ、１９ｂの外周面とを通じさせる外筒側小孔３０、３０を形成している。尚、図示の例では、上記各内筒側小孔２８、２８及び各外筒側小孔３０、３０を、一方（図１の左方）の外筒１９ａの側に１本、他方（図１の右方）の外筒１９ｂの側に２本、それぞれ形成している。又、上記各内筒側小孔２８、２８と上記各凹溝２９、２９と上記各外筒側小孔３０、３０と前記各分岐通路７ａ、７ｂとの軸方向に亙る位置は、上記内筒１８に上記各外筒１９ａ、１９ｂ、上記各シールリング２４、２４、及び前記スペーサ２０を外嵌し、上記供給プラグ２２と上記内筒１８に設けたフランジ部２７との間で、上記シールリング２４、２４を圧縮した場合に、上記各内筒側小孔２８、２８と上記各凹溝２９、２９とが整合し、これら各内筒側小孔２８、２８と上記各外筒側小孔３０、３０とが、これら各外筒側小孔３０、３０と上記ハウジング１６に設けた各分岐通路７ａ、７ｂとが、それぞれ互いに連通する様にしている。尚、本例の場合、上記支持孔８ａの内周面で上記各分岐通路７ａ、７ｂと整合する位置に、第二の凹溝３４、３４をそれぞれ形成している。そして、この第二の凹溝３４、３４により、上記各外筒１９ａ、１９ａを上記支持孔８ａ内に固定する場合の円周方向に亙る位置の規制を不要としている。尚、これら第二の凹溝３４、３４は、上記支持孔８ａの内周面に代えて、上記各外筒１９ａ、１９ｂの外周面の軸方向中間部に形成しても良い。又、上記スペーサ２０は、上記各外筒１９ａ、１９ｂ同士の間隔を規制する役目を有する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上述の様なオイルエア分配器１７ａを構成する各部材は、上記内筒１８ａを上記支持孔８ａに挿入しない状態で、図４に示す様に組み合わせる。即ち、上記内筒１８ａを上記支持孔８ａに挿入しない状態で、上記内筒１８ａを構成する筒部２６の外周面に、２個の外筒１９ａ、１９ｂと１個のスペーサ２０とを、それぞれ複数のシールリング２４、２４を介して外嵌する。そして、上記筒部２６の他端部外周面に設けた雄ねじ部３８にナット３９を螺着する事により、このナット３９の片面（図４の左側面）と、上記供給プラグ部３７の片面（図４の右側面）である段部４０との間で、上記各外筒１９ａ、１９ｂとスペーサ２０とシールリング２４、２４とを、軸方向に亙って挟持し、これら各シールリング２４、２４を軸方向に圧縮する。又、この状態で、これら各シールリング２４、２４の外径を、上記支持孔８ａの内径よりも、僅かに大きくする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
次に、図７〜８は、請求項１、４、６に対応する、本発明の実施の形態の第４例を示している。本例の場合には、オイルエア分配器１７ｃを構成する内筒３５ａを全体を略円筒状とし、その内部に軸方向に貫通する第一の給油孔２５ｂを設けている。又、この内筒３５ａの外周面には、上述した第３例の場合の内筒３５（図５〜６）と同様、複数の凹溝４８、４８と複数のシール溝４９、４９とを、それぞれ全周に亙り形成している。又、上記内筒３５ａの中間部の軸方向に亙り互いに離隔した位置で、円周方向に亙る同位置及び直径方向反対側位置に、上記各凹溝４８、４８の底面と上記内筒３５ａの内周面とを通じさせる複数の内筒側小孔２８、２８を形成している。又、上記内筒３５ａをハウジング１６ａに設けた支持孔８ａの内側に挿入自在とすると共に、この内筒３５ａの両端面を、供給プラグ２２ａの片端面と上記支持孔８ａの奥端面とに、それぞれ突き当て自在としている。又、本例の場合には、上述した第３例の場合と異なり、上記ハウジング１６ａに第二の分岐通路５５（図５）を形成していない。又、上記支持孔８ａの開口端部には、上述した第１例及び第３例の場合の様に、雌ねじ部４７（図１、５参照）を形成せず、その代わりにシール溝５８を全周に亙り形成している。そして、この支持孔８ａの開口端部に供給プラグ２２ａを結合自在としている。即ち、この供給プラグ２２ａは、一端部（図７の右端部）外周面を単なる円筒面とし、中間部外周面に第二のフランジ部３２ａを形成している。そして、この供給プラグ２２ａの一端部を上記支持孔８ａの開口端部に圧入する事により、この供給プラグ２２ａを上記ハウジング１６ａに対し結合固定自在としている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月21日(2004.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
庫内の背面壁に冷却器と冷気ダクトを設け、これらの前側に仕切りを挟んで上と下に貯蔵室を形成した冷蔵庫において、
前記仕切りは段差部が形成されて奥側が底上げされており、前記仕切りの下であって上記段差部よりも奥側に冷気吐出口を備えた冷蔵庫。
【請求項２】
庫内の背面壁に冷却器と冷気ダクトを設け、これらの前側にＬ字形の仕切りを設けて、
この仕切りの上と下に貯蔵室を形成した冷蔵庫において、
前記仕切りの下の貯蔵室を冷却するために設けた冷気吐出口を、該仕切りの下面の後方部の底上げによって形成される段差の投影面内に配設したことを特徴とする冷蔵庫。
【請求項３】
前記仕切りの上の貯蔵室には収納容器を装備し、この収納容器の底面部を、前記仕切りの上面の後方部の立上げによってできる段差に合わせて形成し、この収納容器の内底の後方部を前方部よりも浅くしたことを特徴とする請求項１又は２に記載の冷蔵庫。
【請求項４】
前記収納容器の上部に前後方向にスライド可能な第二の収納容器を有し、前記収納容器の内底の後方部と前記第二の収納容器との間の収納深さを浅くして野菜の取り出しを容易としたことを特徴とする請求項３記載の冷蔵庫。
【請求項５】
前記仕切りの下面の後方部の底上げによってできる段差部の傾斜を緩やかにし、冷気吐出口からの冷気をこの傾斜に沿って庫内の前方へ導けるようにしたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の冷蔵庫。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】【課題を解決するための手段】  上記第一の目的を達成するために、本発明の冷蔵庫に係る第一の手段は、庫内の背面壁に冷却器と冷気ダクトを設け、これらの前側に仕切りを挟んで上と下に貯蔵室を形成した冷蔵庫において、前記仕切りは段差部が形成されて奥側が底上げされており、前記仕切りの下であって上記段差部よりも奥側に冷気吐出口を備えたものである。また、本発明の冷蔵庫に係る第二の手段は、庫内の背面壁に冷却器と冷気ダクトを設け、これらの前側にＬ字形の仕切りを設けて、この仕切りの上と下に貯蔵室を形成した冷蔵庫において、前記仕切りの下の貯蔵室を冷却するために設けた冷気吐出口を、該仕切りの下面の後方部の底上げによって形成される段差の投影面内に配設したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】  また、上記第二の目的を達成するために、本発明の冷蔵庫に係る第三の手段は、前記仕切りの上の貯蔵室には収納容器を装備し、この収納容器の底面部を、前記仕切りの上面の後方部の立上げによってできる段差に合わせて形成し、この収納容器の内底の後方部を前方部よりも浅くしたものである。また、本発明の冷蔵庫に係る第四の手段は、前記収納容器の上部に前後方向にスライド可能な第二の収納容器を有し、前記収納容器の内底の後方部と前記第二の収納容器との間の収納深さを浅くして野菜の取り出しを容易としたものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】  さらに、上記第三の目的を達成するために、本発明の冷蔵庫に係る第五の手段は、前記仕切りの下面の後方部の底上げによってできる段差部の傾斜を緩やかにし、冷気吐出口からの冷気をこの傾斜に沿って庫内の前方へ導けるようにしたものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】  このようにしたことにより、冷凍容器の上部奥側にあったデッドスペースがなくなり、冷凍容器の有効内容積を大きくすることができた。また、Ｌ字形の仕切りの上の部屋に配設した収納容器の底面の後方部が浅くなり、野菜の積み重ねができないようにし、野菜の取り出しを容易にし、野菜のつぶれ等も解消できるようにした。さらには、冷気吐出口からの冷気を庫内の前方に導き、冷凍容器の上部前側の冷却を可能にした。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月6日(2004.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
排出管の内面部分がセラミックスで構成されてなることを特徴とするセラミックス排出管。
【請求項２】
排出管本体の内壁が分割されたセラミックス円筒により嵌合および／または接合され、さらに接着により組付形成されてなることを特徴とする請求項１に記載のセラミックス排出管。
【請求項３】
排出管の内面部分を構成するセラミックスが正方晶系ジルコニア、窒化珪素、炭化珪素、炭化チタンおよび炭化タングステンのうちから選ばれるセラミックスと、アルミナ、ムライト、正方晶系ジルコニア、窒化珪素、炭化珪素、炭化チタンおよび炭化タングステンのうちから選ばれるセラミックスとであることを特徴とする請求項１または２に記載のセラミックス排出管。
【請求項４】
排出管の内面部分を構成するセラミックスがイットリアを２〜４モル％含有する正方晶系ジルコニア１５〜８０重量％と、残部がアルミナ、ムライト、窒化珪素、炭化珪素、炭化チタン、炭化タングステンのうちいずれか少なくとも１種以上のセラミックスから選ばれることを特徴とする請求項１または２に記載のセラミックス排出管。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
排出管の内面部分を構成するセラミックスが正方晶系ジルコニア、窒化珪素、炭化珪素、炭化チタンおよび炭化タングステンのうちから選ばれるセラミックスと、アルミナ、ムライト、正方晶系ジルコニア、窒化珪素、炭化珪素、炭化チタンおよび炭化タングステンのうちから選ばれるセラミックスとであることにより、液体のキャビテー磨耗やスラリーのエロージョン磨耗に対して、十分な耐磨耗性を保証し、長時間の使用に耐え得る。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
このように組付け方式により、磨耗の最も激しい絞り部分には、セラミックスの中でも強度、靱性、熱衝撃、耐摩耗性に優れた正方晶系ジルコニア（ＨＩＰ処理を含む）、窒化珪素、炭化珪素、炭化チタンおよび炭化タングステンのうちから選ばれるセラミックスと、アルミナ、ムライト、正方晶系ジルコニア、窒化珪素、炭化珪素、炭化チタンおよび炭化タングステンのうちから選ばれるセラミックスとを採用するが、中でも正方晶系ジルコニアおよび正方晶系ジルコニアとアルミナ、ムライト、窒化珪素、炭化珪素、炭化チタン、炭化タングステンとが特に好ましい。なお、ＨＩＰ処理とは、セラミックスの常圧焼結品（白色）をアルゴンガス中で高温、高圧の処理を行うことである。この処理を行うと、常圧下で焼結した組織中の内部ポアが押しつぶされて品質が安定（強度、靱性が向上）する。従って、衝撃磨耗が伴う部分には少しでもこのグレードを上げる方が耐寿命的に好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月18日(2004.6.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリンダと、このシリンダ内に偏心配置されシリンダとの間に複数の圧縮室が連続して形成されるローラと、このローラの内部において係合されローラを駆動する回転軸と、この回転軸を回転自在に枢支する軸受などで構成される圧縮機構部を具備したヘリカルブレード式圧縮機において、
上記ローラの内部に、最終圧縮室から吐出されるガスを流通案内する吐出ガス流路が設けられることを特徴とするヘリカルブレード式圧縮機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明は、上記事情にもとづいてなされたものであり、その目的とするところは、たとえ低周波数での運転を行なってもローラ内に潤滑油が溜まることがなく、運転周波数全域において振動が低減して、圧縮効率の向上を得るヘリカルブレード式圧縮機を提供しようとするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記目的を満足するため本発明のヘリカルブレード式圧縮機は、シリンダと、このシリンダ内に偏心配置されシリンダとの間に複数の圧縮室が連続して形成されるローラと、このローラの内部において係合されローラを駆動する回転軸と、この回転軸を回転自在に枢支する軸受などで構成される圧縮機構部を具備したヘリカルブレード式圧縮機において、上記ローラの内部に、最終圧縮室から吐出されるガスを流通案内する吐出ガス流路が設けられることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
このような課題を解決する手段を備えることにより、圧縮機の運転周波数に関わらず、ローラ内部空間に潤滑油が溜ることがなく、回転軸にかかる重量バランスが一定で、運転周波数全域に亘って低振動で、かつ圧縮効率の向上を図れる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、運転周波数全域に亘ってローラ内に潤滑油が溜まることがなく、振動の発生を抑制して、圧縮効率の向上を得るという効果を奏する。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月31日(2005.10.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  携帯型電話機の如き装置及び器具で使用され、電気を発生する１つ以上のセルと、該セルを器具に接続する出力接触子と、上壁、下壁及び側壁を含む外壁を有する筐体とを設けられたバッテリユニットであって、
筐体は平坦なリブとリブの間の１つ以上の受容部とを有する略平坦な枠体を有し、
該１つ以上のセルは枠体の１つ以上の受容部の中に設けられ、
該壁は枠体の回りに設けられた薄い金属被覆の部分よりなる外側覆いの一部を形成することを特徴とするバッテリユニット。
【請求項２】  バッテリユニットは、プリント配線を有する支持板であるプリント回路板と、該出力接触子と、該１つ以上のセルをプリント回路板に接続する接続接触子とを設けられ、
上記プリント回路板は枠体の分離リブによって該１つ以上のセルが存在する受容部から分離された枠体の受容部の中に存在し、
該分離リブは枠体の厚さ内で該１つ以上のセルをプリント回路板に接続する導体が通るための局部凹部を設けられることを特徴とする、請求項１記載のバッテリユニット。
【請求項３】  上記プリント回路板はバッテリユニットの保護及び／又は動作の制御のための電子回路素子を更に有することを特徴とする、請求項２記載のバッテリユニット。
【請求項４】  各セルはその全体の概形が矩形であるリチウムポリマーセルを含み、
該リチウムポリマーセルは、底部と垂直壁と該垂直壁に合体され該底部に平行な周囲フランジとを有する熱成形された細長槽状の部分と、該周囲フランジ上に設けられた平坦な蓋とからなる２つの部分を有するフォイルエンベロープを含み、
蓋及び周囲フランジは熱融着によって互いに一体とされることを特徴とする、請求項１乃至３のうちいずれか１項記載のバッテリユニット。
【請求項５】  上記枠体は段を付けられた周囲部分を設けられ、フォイルエンベロープの周囲縁は枠体の段部の上に延在し、枠体の厚さ寸法内に配置されることを特徴とする、請求項４記載のバッテリユニット。
【請求項６】  上記外側覆いは、底部と垂直壁と該垂直壁と合体し該底部に平行な周囲フランジとを有する細長槽状の部分と、蓋とを含み、
該フォイルエンベロープは、フォイルエンベロープの蓋が細長槽状の部分の底部に対向するよう外側覆いの該細長槽状の部分の中に設けられ、
外側覆いの周囲フランジは、該フランジの折り返し部分が枠体の当該のリブの幅の一部を覆うようその中に配置される枠体の上に折り返され、
外側覆いの該蓋は周囲縁と共に該フランジの折り返し部分の中にあるよう枠体の上に設けられ、
該折り返し部分と外側覆いの蓋とは共に枠体に接続されることを特徴とする、請求項１乃至５記載のバッテリユニット。
【請求項７】  上記枠体は段を付けられた周囲部を有し、外側覆いの蓋の周囲縁と折り返し部分とは枠体の段部の上に延在し、少なくとも部分的に枠体の厚さ寸法の中に配置されることを特徴とする、請求項６記載のバッテリユニット。
【請求項８】  バッテリユニットの外側覆いは１つ以上の電気セルに接続された少なくとも１つのプリント回路板を含むことを特徴とする、請求項１乃至７のうちいずれか１項記載のバッテリユニット。
【請求項９】  バッテリユニットは装置の外側に露出し、外部フランジを装置の内側に向けるよう外部フランジを装置の中に存在する溝の中に挿入することを特徴とする、請求項６記載のバッテリユニットを含む携帯型バッテリ式装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月6日(2005.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された絶縁膜であって、厚みが０．５〜５μｍで、かつ表面粗さＲａが０．０１〜０．５μｍであることを特徴とする絶縁膜。
【請求項２】
ガラス転移点４００〜５５０℃、軟化点４５０〜６００℃のガラスからなることを特徴とする請求項１に記載の絶縁膜。
【請求項３】
酸化物換算表記で、
酸化ビスマス          ２０〜７０重量％
酸化珪素                ３〜３０重量％
酸化ホウ素            １０〜３０重量％
酸化亜鉛              １０〜４０重量％
酸化ジルコニウム        ３〜１０重量％
の範囲の組成からなるガラスを８０重量％以上含有することを特徴とする請求項１または２に記載の絶縁膜。
【請求項４】
酸化物換算表記で、
酸化鉛                ６０〜７０重量％
酸化珪素              １２〜１７重量％
酸化ホウ素              ８〜１５重量％
酸化亜鉛                ５〜１２重量％
酸化アルミニウム      ０．１〜５重量％
の範囲の組成からなるガラスを８０重量％以上含有することを特徴とする請求項１または２に記載の絶縁膜。
【請求項５】
実質的にアルカリ金属を含有しないことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の絶縁膜。
【請求項６】
電子放出素子を用いた画像形成装置、プラズマディスプレイパネル、プラズマアドレス液晶ディスプレイの絶縁膜に用いられることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載の絶縁膜。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月26日(2004.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
管内径６〜９mmのバルブと；
バルブの内面に形成される蛍光体と；
バルブ内に封入され、封入圧力が３〜６torrのアルゴンガスと；
バルブの両端に封装され、バルブ内に７〜１５Ｗのランプ電力によって電流密度が３〜５ mA/mm2の放電を生起させる電極と；
を具備していることを特徴とする蛍光ランプ。
【請求項２】
バルブは、Ｕ字状に屈曲された後に蛍光体が塗布されている
ことを特徴とする請求項１記載の蛍光ランプ。
【請求項３】
請求項１または２記載の蛍光ランプと；
７〜１５Ｗのランプ電力により蛍光ランプのバルブ内の電流密度が３〜５ mA/mm2で点灯させる点灯回路と；
を具備していることを特徴とする蛍光ランプ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
請求項１記載の蛍光ランプは、管内径６〜９mmのバルブと；バルブの内面に形成される蛍光体と；バルブ内に封入され、封入圧力が３〜６torrのアルゴンガスと；バルブの両端に封装され、バルブ内に７〜１５Ｗのランプ電力によって電流密度が３〜５ mA/mm2の放電を生起させる電極と；を具備しているものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そして、管内径６〜９mmのバルブ内に、封入圧力が３〜６torrのアルゴンガスを封入して、７〜１５Ｗのランプ電力によって電流密度が３〜５ mA/mm2の放電を生起させるので、バルブの小形化に伴って、バルブ内の封入ガスおよび電流密度について最適な条件を規定し、始動電圧およびランプ効率を向上可能とする。また、アルゴンガスの封入圧力が３torr以下では、電極が短寿命となるともに、電極ロスが増加し、発光効率が低下し、一方、アルゴンガスの封入圧力が６torr以上では、始動電圧が高くなるものの発光効率が低下する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
【発明の効果】
請求項１記載の蛍光ランプによれば、管内径６〜９mmのバルブ内に、封入圧力が３〜６torrのアルゴンガスを封入して、７〜１５Ｗのランプ電力によって電流密度が３〜５ mA/mm2の放電を生起させるので、バルブの小形化に伴って、バルブ内の封入ガスおよび電流密度について最適な条件を規定でき、始動電圧およびランプ効率を向上できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月22日(2005.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明は、半導体レーザと、前記半導体レーザの前方出射端面から出射された前方レーザ光を信号再生用レーザ光およびフォーカシングあるいはトラッキング誤差検出用レーザ光に分離する分離素子と、信号再生用レーザ光およびフォーカシングあるいはトラックング誤差検出用レーザ光を光記録媒体に集光させるための集光手段と、光記録媒体からの戻り光を検出するための信号再生用受光素子と、前記半導体レーザから出射される前方レーザ光の出力をフィードバック制御するためのモニター用受光素子と、前記戻り光を前記信号再生用受光素子に導くための導光系とを有し、前記半導体レーザ、前記信号再生用受光素子および前記モニター用受光素子は共通のパッケージに内臓されて光源ユニットとして一体化されており、前記導光系は前記戻り光を前記半導体レーザからの前記前方レーザ光から回折分離する回折素子を備えている光ピックアップ装置において、前記光源ユニットは、前記パッケージ内に前記モニター用受光素子が形成された基板面を備えた半導体基板を有し、当該モニター用受光素子は、前記半導体レーザの前記前方出射端面の前方に配置され、前記前方レーザ光の一部が当該モニター用受光素子に直接に入射することを特徴としている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
ここで、発明者の光ピックアップ装置においては、フォーカシングあるいはトラッキング誤差検出用レーザ光を用いて集光手段の焦点誤差検出を行うことが望ましい。このようにすると、光記録媒体からの戻り光を回折分離する回折素子として、単純な光路分離機能のみを備えたものを採用することができる。このような回折素子では、回折パターンを単純化できる。例えば、直線状の回折パターンとすることができる。このような回折パターンを備えた回折素子は半導体レーザから出射される前方レーザ光の波長変動、各光学素子に取付位置のずれなどによる回折特性の劣化を少なくできる。これにより、光ピックアップ装置の動作の安定性を図ることができる。また、単純化した回折パターンを作製すれば良いので、回折パターンの作製誤差許容度を大きくでき、回折素子の作製コストを低減できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月30日(2005.6.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体が挿入口に挿入されてなる記録媒体の挿入機構において、
前記記録媒体の挿入に対応して作動する挿入検知手段を備え、前記挿入検知手段の作動状態に基いて、前記挿入口に対する前記記録媒体の挿入方向を判断するものであることを特徴とする記録媒体の挿入機構。
【請求項２】
記録媒体が挿入口に挿入されてなる記録媒体の挿入機構において、
前記記録媒体の挿入に伴って移動する移動手段と、前記移動手段の移動を規制する規制手段と、前記規制手段による規制または規制の解除を行う規制制御手段とを備えてなることを特徴とする記録媒体の挿入機構。
【請求項３】
前記記録媒体の挿入方向において左右に各々設けられ、該記録媒体の挿入に対応して作動する挿入検知スイッチを備え、前記移動手段の移動によって前記挿入検知スイッチを作動させ、前記各挿入検知スイッチの作動状態に基いて、前記挿入口に対する前記記録媒体の挿入方向を判断するもにであることを特徴とする請求項２記載の記録媒体の挿入機構。
【請求項４】
前記移動手段は、前記記録媒体と当接して曲がることにより前記挿入検知スイッチを作動させる板バネであって、
前記規制手段は、バネ力を有し該バネ力により前記板バネに当接して該板バネの曲がりを規制するストッパーブロックであって、前記規制制御手段は、前記記録媒体を前記挿入口を介して装填するとともに昇降動作を行う昇降手段に設けられ、該昇降手段の昇降動作に連動して、該昇降手段が該記録媒体の装填位置にあるとき前記ストッパーブロックを押圧し前記バネ力に抗して該ストッパーブロックを抑えてストッパーブロックによる前記板バネの曲がりに対する規制を解除し、該昇降手段が該装填位置とは異なる位置にあるときに該ストッパーブロックとの押圧を解除し該バネ力を開放して該ストッパーブロックによる該板バネの曲がりを規制させる押圧スライドピンであることを特徴とする請求項３記載の記録媒体の挿入機構。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】    【課題を解決するための手段】  上記目的を達成するために本発明は、記録媒体が挿入口に挿入されてなる記録媒体の挿入機構において、  前記記録媒体の挿入に対応して作動する挿入検知手段を備え、前記挿入検知手段の作動状態に基いて、前記挿入口に対する前記記録媒体の挿入方向を判断するものであることを特徴とするものである。  また、記録媒体が挿入口に挿入されてなる記録媒体の挿入機構において、  前記記録媒体の挿入に伴って移動する移動手段と、前記移動手段の移動を規制する規制手段と、前記規制手段による規制または規制の解除を行う規制制御手段とを備えてなることを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】  また、前記記録媒体の挿入方向において左右に各々設けられ、該記録媒体の挿入に対応して作動する挿入検知スイッチを備え、前記移動手段の移動によって前記挿入検知スイッチを作動させ、前記各挿入検知スイッチの作動状態に基いて、前記挿入口に対する前記記録媒体の挿入方向を判断するものであることを特徴とするものである。  また、前記記録媒体の挿入に伴って移動する移動手段と、前記移動手段の移動を規制する規制手段と、前記規制手段による規制または規制の解除を行う規制制御手段とを備えてなることを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】  また、前記移動手段は、前記記録媒体と当接して曲がることにより前記挿入検知スイッチを作動させる板バネであって、  前記規制手段は、バネ力を有し該バネ力により前記板バネに当接して該板バネの曲がりを規制するストッパーブロックであって、前記規制制御手段は、前記記録媒体を前記挿入口を介して装填するとともに昇降動作を行う昇降手段に設けられ、該昇降手段の昇降動作に連動して、該昇降手段が該記録媒体の装填位置にあるとき前記ストッパーブロックを押圧し前記バネ力に抗して該ストッパーブロックを抑えてストッパーブロックによる前記板バネの曲がりに対する規制を解除し、該昇降手段が該装填位置とは異なる位置にあるときに該ストッパーブロックとの押圧を解除し該バネ力を開放して該ストッパーブロックによる該板バネの曲がりを規制させる押圧スライドピンであることを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月2日(2004.11.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上に形成された、段差部を有する半導体積層構造と、
該段差部にまたがるように該半導体積層構造の上面に形成された配線層と、
該配線層が該段差部の下面に接することなく該段差部の上面のみに接するように、該段差部を埋め込むように設けられたサポート部材と、
を備え、
該段差部の該上面と該サポート部材の上面とが、実質的に同一面に存在している、半導体装置。
【請求項２】
半導体基板の上に形成され、メサ部分を有する半導体積層構造と、
前記メサ部分を埋め込むように設けられたサポート部材と、
前記半導体積層構造の上面から前記サポート部材の上面に延出するように、該メサ部分の上面に接して設けられた導電性膜とを備え、
前記サポート部材の上面は、前記メサ部分の上面と同じ高さの第１の高さと、該第１の高さとは異なる第２の高さとを有し、第１の高さから第２の高さにかけて滑らかな表面形状になっており、
前記メサ部分の上面と、前記サポート部材の滑らかな表面との隣接部分同士が同一面に構成されている、半導体装置。
【請求項３】
前記サポート部材が熱変形する材料によって構成されている、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記サポート部材が溶媒によって膨潤する材料によって構成されている、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記サポート部材がポリイミドによって構成されている、請求項１から４の何れか一つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記段差部または前記メサ部分の前記上面が、前記半導体積層構造に含まれるベース層の上面であり、前記サポート部材が絶縁膜である、請求項１から５の何れか一つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記サポート部材の第２の高さは、前記メサ部分の上面に対応する前記第１の高さよりも高くなっている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記サポート部材の前記第１の高さと前記第２の高さとの差は、前記サポート部材の上面形成時に形成される段差に等しい、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記サポート部材の前記第１の高さと前記第２の高さとの差は、前記導電性膜の厚さよりも大きい、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記サポート部材の少なくとも一部を覆うように絶縁膜が形成されて、該絶縁膜に複数のコンタクトホールが形成されており、前記導電性膜は、前記コンタクトホールのそれぞれ内部に延出するように設けられている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記導電性膜は、ヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）のベース電極である、請求項１０に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記サポート部材の上面における滑らかな表面は、前記第１の高さから前記第２高さにかけて段差を形成することなく円滑に移行する表面部分と、該表面部分の両側においてそれぞれ形成された相互に平行な第１および第２の平行部分とを有し、前記第２の高さが前記第１の高さよりも高くなっている、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項１３】
半導体基板の上に半導体積層構造を形成する工程と、
所定のエッチングマスクを使用して、該半導体積層構造に段差部を形成する工程と、
サポート部材を、該段差部を含めて該半導体積層構造の上に形成する工程と、
該段差部の上面の近傍に至るまで該サポート部材をエッチバックするエッチバック工程と、
該エッチングマスクを除去する工程と、
該段差部の近傍における該サポート部材の形状を変化させて、該段差部の該上面と該段差部を埋め込むように存在している該サポート部材の上面とを、実質的に同一レベルに存在させる形状変化工程と、
該段差部にまたがるように該半導体積層構造の上面に配線層を形成する工程と、
を包含する、半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記サポート部材を、熱変形する材料によって構成し、
前記形状変化工程では、該サポート部材を熱処理する、請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記熱処理は、前記サポート部材の構成物質の軟化温度以上の温度で行われる、請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記サポート部材を、溶媒で膨潤する材料によって構成し、
前記形状変化工程では、該サポート部材を該溶媒によって処理する、請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記サポート部材がポリイミドによって構成されている、請求項１３から１６の何れか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記エッチバック工程において、前記エッチングマスクにサイドエッチングが無い場合には、前記サポート部材のエッチバックを、前記段差部の前記上面と該サポート部材の上面との界面よりも上方で停止させる、請求項１３から１７の何れか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記段差部の前記上面が、前記半導体積層構造に含まれるベース層の上面であり、前記サポート部材が絶縁膜である、請求項１３から１８の何れか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
配線の主体をなす金属物質に対してバリヤ性をもつ下地上に前記配線の主体をなす金属物質の配向性に影響を与えることが可能な金属物質からなる第１の金属配線を配向性を制御して形成する工程と、
次いで、前記第１の金属配線を表出する開口をもち且つ前記配線の主体をなす金属物質に対してバリヤ性をもつ層間絶縁膜を形成する工程と、
次いで、前記開口内を前記配線の主体をなす金属物質で埋めて第２の金属配線を形成する工程と
を含んでなることを特徴とする金属配線形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
配線の主体をなす金属物質に対してバリヤ性をもたない下地上にバリヤ性をもつ絶縁膜を形成する工程と、
次いで、前記絶縁膜上に前記配線の主体をなす金属物質の配向性に影響を与えることが可能な金属物質からなる第１の金属配線を配向性を制御して形成する工程と、
次いで、前記第１の金属配線を周囲に若干の余裕をもって表出する開口をもち且つ前記配線の主体をなす金属物質に対してバリヤ性をもたない層間絶縁膜を形成する工程と、
次いで、前記開口内に表出された前記層間絶縁膜側壁を覆い前記配線の主体をなす金属物質に対してバリヤ性をもつ被膜を形成する工程と、
次いで、前記被膜が形成された前記開口内を前記配線の主体をなす金属物質で埋めて第２の金属配線を形成する工程と
を含んでなることを特徴とする金属配線形成方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
前記したところから、本発明に依る金属配線形成方法に於いては、
（１）
配線の主体をなす金属物質（例えばＣｕ）に対してバリヤ性をもつ下地（例えばＣＦからなる層間絶縁膜１１）上に前記配線の主体をなす金属物質の配向性に影響を与えることが可能な金属物質からなる第１の金属配線（例えば配線パターン化されたＣｕ膜１２）を配向性を制御して形成する工程と、次いで、前記第１の金属配線を表出する開口（例えば開口１４Ａ）をもち且つ前記配線の主体をなす金属物質に対してバリヤ性をもつ層間絶縁膜（例えばＣＦからなる層間絶縁膜１４）を形成する工程と、次いで、前記開口内を前記配線の主体をなす金属物質で埋めて第２の金属配線（例えば配線１５）を形成する工程とを含んでなることを特徴とするか、又は、
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（２）
配線の主体をなす金属物質（例えばＣｕ）に対してバリヤ性をもたない下地（例えばＳｉＯ2 からなる層間絶縁膜２１）上にバリヤ性をもつ絶縁膜（例えばＳｉＮからなるバリヤ膜２２）を形成する工程と、次いで、前記絶縁膜上に前記配線の主体をなす金属物質の配向性に影響を与えることが可能な金属物質からなる第１の金属配線（例えば配線パターン化されたＣｕ膜２３）を配向性を制御して形成する工程と、次いで、前記第１の金属配線を周囲に若干の余裕をもって表出する開口（例えば開口２５Ａ）をもち且つ前記配線の主体をなす金属物質に対してバリヤ性をもたない層間絶縁膜（例えばＳｉＯ2 からなる層間絶縁膜２５）を形成する工程と、次いで、前記開口内に表出された前記層間絶縁膜側壁を覆い前記配線の主体をなす金属物質に対してバリヤ性をもつ被膜（例えばＳｉＮからなるサイド・ウォール２６Ｓ）を形成する工程と、次いで、前記被膜が形成された前記開口内を前記配線の主体をなす金属物質で埋めて第２の金属配線（例えば配線２７）を形成する工程とを含んでなることを特徴とするか、又は、
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
【発明の効果】
本発明に依る金属配線形成方法に於いては、配線の主体をなす金属物質に対してバリヤ性をもつ下地上に前記配線の主体をなす金属物質の配向性に影響を与えることが可能な金属物質からなる第１の金属配線を配向性を制御して形成し、第１の金属配線を表出する開口をもち且つ配線の主体をなす金属物質に対してバリヤ性をもつ層間絶縁膜を形成し、開口内を配線の主体をなす金属物質で埋めて第２の金属配線を形成するか、また、前記構成に於いて、下地が配線の主体をなす金属物質に対してバリヤ性をもたない場合、バリヤ性をもつ絶縁膜を積層し、そして、開口内はバリヤ性をもつ被膜で覆うことが基本になっている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月18日(2005.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空チャンバー内にプラズマを発生させるプラズマ発生装置を設け、ハロゲン系のガスを主体とする気体を真空中に導入し、低圧でプラズマを形成すると共に導入気体を分解し、発生した原子、分子、ラジカル、イオンを利用し、プラズマに接する基板電極に交番電場或いは高周波電場を印加して基板電極上に載置された基板を、基板とレジストの選択比１〜２の範囲内でエッチングする反応性イオンエッチング方法において、
基板電極近傍に質量分析計を配置して、プラズマ中で生成されるＣＨＦ＋２を含む各種イオンをモニターしてＣＨＦ＋２イオンを含むピーク強度の時間変化から終点検出し、検出した信号に基づきプラズマ発生装置の電源制御装置を制御して放電を終了させることを特徴とする反応性イオンエッチング方法。
【請求項２】
塗布したレジストマスクをエッチバックしてパターン転写する工程に使用することを特徴とする請求項１に記載の反応性イオンエッチング方法。
【請求項３】
真空チャンバー内に連続して存在する磁場ゼロの位置である環状磁気中性線を形成するための磁場発生手段と、この磁気中性線に沿って交番電場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生するための１重を含む多重の高周波コイルとからなるプラズマ発生装置を設け、ハロゲン系のガスを主体とする気体を真空中に導入し、低圧でプラズマを形成すると共に導入気体を分解し、発生した原子、分子、ラジカル、イオンを積極的に利用し、プラズマに接する基板電極に交番電場或いは高周波電場を印加して基板電極上に載置された基板を、基板とレジストの選択比１〜２の範囲内でエッチングする反応性イオンエッチング方法において、
基板電極近傍に質量分析計を配置して、プラズマ中で生成されるＣＨＦ＋２を含む各種イオンをモニターしてＣＨＦ＋２イオンを含むピーク強度の時間変化から終点検出し、検出した信号に基づきプラズマ発生装置の電源制御装置を制御して放電を終了させることを特徴とする反応性イオンエッチング方法。
【請求項４】
塗布したレジストマスクをエッチバックしてパターン転写する工程に使用することを特徴とする請求項３に記載の反応性イオンエッチング方法。
【請求項５】
真空チャンバー内にプラズマを発生させるプラズマ発生装置を設け、ハロゲン系のガスを主体とする気体を真空中に導入し、低圧でプラズマを形成すると共に導入気体を分解し、発生した原子、分子、ラジカル、イオンを利用し、プラズマに接する基板電極に交番電場或いは高周波電場を印加して基板電極上に載置された基板を、基板とレジストの選択比１〜２の範囲内でエッチングするように構成すると共に、基板電極近傍に、プラズマ中で生成されるＣＨＦ＋２含む各種イオンをモニターする質量分析計を設け、またこの質量分析計の出力からＣＨＦ＋２イオンを含むピーク強度の時間変化から終点検出する終点検出手段を設け、終点検出手段で検出した信号に基づきプラズマ発生装置の電源制御装置を制御して放電を終了させるように構成したことを特徴とする反応性イオンエッチング装置。
【請求項６】
真空チャンバー内にプラズマを発生させるプラズマ発生装置が、真空チャンバー内に連続して存在する磁場ゼロの位置である環状磁気中性線を形成するための磁場発生手段と、この磁気中性線に沿って交番電場を加えてこの磁気中性線に放電プラズマを発生するための１重を含む多重の高周波コイルとから成っていることを特徴とする請求項４に記載の反応性イオンエッチング装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月18日(2005.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ディスク面上に情報を記録再生する磁気ヘッドを搭載し、前記磁気ディスクの回転に伴って発生する空気流を利用して、前記磁気ディスク面上に微小な空気膜を介して浮上する磁気ヘッドスライダにおいて、
スライダ面に浮上力を発生する浮上用パッドが設けられ、前記浮上用パッドは、平面部と、平面部から空気の流入側にほぼ直角方向に窪んだ段差部と段差面とで構成され、前記段差面に前記平面部よりも高いか、或いはほぼ等しい高さの微小突起を形成したことを特徴とする磁気ヘッドスライダ。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気ヘッドスライダにおいて、前記段差部の高さを２００ｎｍ以下としたことを特徴とする磁気ヘッドスライダ。
【請求項３】
請求項１に記載の磁気ヘッドスライダにおいて、前記微小突起の位置を、空気流入側でかつスライダ幅方向の外側となる前記段差面の角部に近い位置に配置したことを特徴とする磁気ヘッドスライダ。
【請求項４】
請求項１に記載の磁気ヘッドスライダにおいて、前記段差面の空気流入側の前縁が、スライダの空気流入側の前縁と略一致していることを特徴とする磁気ヘッドスライダ。
【請求項５】
請求項１に記載の磁気ヘッドスライダにおいて、前記平面部の側方に段差面を配置し、前記微小突起を前記平面部の前方に設けた段差面の、スライダの幅方向の外側に各々１つ配置したことを特徴とする磁気ヘッドスライダ。
【請求項６】
請求項１に記載の磁気ヘッドスライダにおいて、前記浮上用パッドをスライダの空気流入側で、かつ幅方向の両側に各々１つ配置し、スライダの空気流出側で、かつ幅方向の中央に１つ配置したことを特徴とする磁気ヘッドスライダ。
【請求項７】
磁気ディスクと、前記磁気ディスクを回転駆動するスピンドルモータと、前記磁気ディスク面上に情報を記録又は再生するための磁気ヘッドを備えた磁気ヘッドスライダと、前記磁気ヘッドスライダを支持するサスペンションと、前記サスペンションを回転駆動する駆動機構を備えた磁気ディスク装置において、
前記磁気ヘッドスライダ面に浮上力を発生する浮上用パッドが設けられ、前記浮上用パッドは、平面部と、平面部から空気の流入側にほぼ直角方向に窪んだ段差部と段差面とで構成され、前記段差面に前記平面部よりも高いか、或いはほぼ等しい高さの微小突起を形成したことを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項８】
請求項７に記載の磁気ディスク装置において、前記段差部の高さを２００ｎｍ以下とし、前記磁気ディスク面の平均面粗さＲａが２ｎｍ以下としたことを特徴とする磁気ディスク装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月28日(2004.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
本発明の一般式（１）で示される化合物は、ｍとｎとにより定まる基本骨格となる芳香族縮合環として、ｍ＝ｎ＝１の場合にはアントラセン、ｍ＋ｎ＝３（ｍ＝１，ｎ＝２またはｍ＝２，ｎ＝１）の場合にはナフタセン、ｍ＝ｎ＝２の場合にはペンタセンを有する。