【手続補正書】
【提出日】平成17年9月14日(2005.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１以上の任意に置換されたアリールジカルボキシレート基を含む成分を含む反射防止組成物層、および該反射防止組成物層の上のフォトレジスト層を含む、被覆された基体。
【請求項２】
該反射防止組成物が１以上の任意に置換された炭素環式アリールジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項１記載の基体。
【請求項３】
該反射防止組成物が１以上の任意に置換されたナフチルジカルボキシレート基を有する成分を含む、請求項１記載の基体。
【請求項４】
該反射防止組成物が１以上の任意に置換されたフェニルジカルボキシレート基を有する成分を含む、請求項１記載の基体。
【請求項５】
反射防止組成物層がさらに架橋成分を含む請求項１から４のいずれか１項記載の基体。
【請求項６】
反射防止組成物が架橋されている請求項１から５のいずれか１項記載の基体。
【請求項７】
反射防止組成物がさらに酸または酸生成化合物を含む、請求項１から６のいずれか１項記載の基体。
【請求項８】
反射防止組成物がポリエステル樹脂を含む、請求項１から７のいずれか１項記載の基体。
【請求項９】
反射防止組成物層が、１以上の任意に置換されたアリールジカルボキシレート基を有する樹脂を含む、請求項１から８のいずれか１項記載の基体。
【請求項１０】
樹脂が１以上の任意に置換された炭素環式アリールジカルボキシレート基を含む、請求項９記載の基体。
【請求項１１】
樹脂が１以上の任意に置換されたフェニルジカルボキシレート基を含む、請求項９記載の基体。
【請求項１２】
樹脂が１以上の任意に置換されたナフチルジカルボキシレート基を含む、請求項９記載の基体。
【請求項１３】
反射防止組成物が１以上のオキシイソ酪酸エステルを含む溶剤成分と配合される、請求項１から１２のいずれか１項記載の基体。
【請求項１４】
反射防止組成物がメチル−２−ヒドロキシイソブチレートを含む溶剤成分と配合される、請求項１から１２のいずれか１項記載の基体。
【請求項１５】
フォトレジスト組成物が化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物である、請求項１から１４のいずれか１項記載の基体。
【請求項１６】
フォトレジスト組成物がネガ型レジストである、請求項１から１４のいずれか１項記載の基体。
【請求項１７】
基体がマイクロエレクトロニックウエハー基体である請求項１から１６のいずれか１項記載の基体。
【請求項１８】
１以上のオキシイソ酪酸エステルを含む溶剤成分を含む溶剤成分と配合された反射防止組成物層を含む、被覆された基体。
【請求項１９】
反射防止組成物がメチル−２−ヒドロキシイソブチレートを含む溶剤成分と配合される、請求項１８記載の基体。
【請求項２０】
反射防止組成物層がさらに架橋成分を含む請求項１８または１９項記載の基体。
【請求項２１】
反射防止組成物が架橋されている請求項１８から２０のいずれか１項項記載の基体。
【請求項２２】
反射防止組成物がさらに酸または酸生成化合物を含む、請求項１８から２１のいずれか１項記載の基体。
【請求項２３】
反射防止組成物が樹脂を含む、請求項１８から２２のいずれか１項記載の基体。
【請求項２４】
樹脂がポリエステルである、請求項２３記載の基体。
【請求項２５】
樹脂がコポリマーである、請求項２３または２４記載の基体。
【請求項２６】
樹脂がターポリマーである、請求項２３または２４記載の基体。
【請求項２７】
樹脂がテトラポリマーである、請求項２３または２４記載の基体。
【請求項２８】
樹脂がアクリレート単位を含む、請求項２３から２７のいずれか１項記載の基体。
【請求項２９】
樹脂が発色団基を含む、請求項２３から２８のいずれか１項記載の基体。
【請求項３０】
反射防止組成物が樹脂とは異なる物質中に存在する発色団基を有する、請求項１８から２９のいずれか１項記載の基体。
【請求項３１】
反射防止層が任意に置換されたアントラセニル基、任意に置換されたナフチレン基、または任意に置換されたフェニル基を含む、請求項１８から３０のいずれか１項記載の基体。
【請求項３２】
反射防止組成物が複数の異なる樹脂を含む、請求項１８から３１のいずれか１項記載の基体。
【請求項３３】
フォトレジスト組成物が化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物である、請求項１８から３２のいずれか１項記載の基体。
【請求項３４】
フォトレジスト組成物がネガ型レジストである、請求項１８から３２のいずれか１項記載の基体。
【請求項３５】
基体がマイクロエレクトロニックウエハー基体である請求項１８から３４のいずれか１項記載の基体。
【請求項３６】
１以上のオキシイソ酪酸エステルを含む溶剤成分を含む反射防止組成物の層を基体の上に適用する工程、該反射防止組成物層の上にフォトレジスト組成物の層を適用する工程、およびフォトレジスト層を露光し、現像してレジストレリーフイメージを提供する工程を含む、フォトレジストレリーフイメージを形成する方法。
【請求項３７】
反射防止組成物がメチル−２−ヒドロキシイソブチレートを含む溶剤成分を含む、請求項３６記載の方法。
【請求項３８】
反射防止組成物がさらに架橋成分を含む請求項３６または３７記載の方法。
【請求項３９】
フォトレジストの適用の前に反射防止組成物が架橋されている請求項３６から３８のいずれか１項記載の方法。
【請求項４０】
フォトレジスト層が、約３００ｎｍ未満の波長の放射線で露光される請求項３６から３９のいずれか１項記載の方法。
【請求項４１】
フォトレジスト層が、約２００ｎｍ未満の波長の放射線で露光される請求項３６から３９のいずれか１項記載の方法。
【請求項４２】
フォトレジスト層が、約２４８ｎｍの波長の放射線で露光される請求項３６から３９のいずれか１項記載の方法。
【請求項４３】
フォトレジスト層が、約１９３ｎｍの波長の放射線で露光される請求項３６から３９のいずれか１項記載の方法。
【請求項４４】
反射防止組成物がさらに酸または酸生成化合物を含む、請求項３６から４３のいずれか１項記載の方法。
【請求項４５】
反射防止組成物が樹脂を含む、請求項３６から４４のいずれか１項記載の方法。
【請求項４６】
樹脂骨格がエステル繰り返し単位を含む、請求項４５記載の方法。
【請求項４７】
樹脂がコポリマーである、請求項４５または４６記載の方法。
【請求項４８】
樹脂がターポリマーである、請求項４５または４６記載の方法。
【請求項４９】
樹脂がテトラポリマーである、請求項４５または４６記載の方法。
【請求項５０】
樹脂がアクリレート単位を含む、請求項４５から４９のいずれか１項記載の方法。
【請求項５１】
樹脂が発色団基を含む、請求項４５から５０のいずれか１項記載の方法。
【請求項５２】
反射防止組成物が樹脂とは異なる物質中に存在する発色団基を有する、請求項３６から５１のいずれか１項記載の方法。
【請求項５３】
反射防止層が任意に置換されたアントラセニル基、任意に置換されたナフチレン基、または任意に置換されたフェニル基を含む、請求項３６から５２のいずれか１項記載の方法。
【請求項５４】
反射防止層が１以上の任意に置換されたアリールジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項３６から５３のいずれか１項記載の方法。
【請求項５５】
反射防止層が１以上の任意に置換された炭素環式アリールジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項５４記載の方法。
【請求項５６】
反射防止層が１以上の任意に置換されたフェニルジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項５５記載の方法。
【請求項５７】
反射防止層が１以上の任意に置換されたナフチルジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項５５記載の方法。
【請求項５８】
反射防止組成物が複数の異なる樹脂を含む、請求項３６から５７のいずれか１項記載の方法。
【請求項５９】
フォトレジスト組成物が化学増幅ポジ型フォトレジスト組成物である、請求項３６から５８のいずれか１項記載の方法。
【請求項６０】
フォトレジスト組成物がネガ型レジストである、請求項３６から５８のいずれか１項記載の方法。
【請求項６１】
基体がマイクロエレクトロニックウエハー基体である請求項３６から６０のいずれか１項記載の方法。
【請求項６２】
現像後に基体を処理してマイクロエレクトロニックウエハーを製造する工程をさらに含む請求項３６から６１のいずれか１項記載の方法。
【請求項６３】
１以上の任意に置換されたアリールジカルボキシレート基を含む成分を含む反射防止組成物の層を基体の上に適用する工程、該反射防止組成物層の上にフォトレジスト組成物の層を適用する工程、およびフォトレジスト層を露光し、現像してレジストレリーフイメージを提供する工程を含む、フォトレジストレリーフイメージを形成する方法。
【請求項６４】
反射防止組成物が１以上の任意に置換された炭素環式アリールジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項６３記載の方法。
【請求項６５】
反射防止組成物が１以上の任意に置換されたナフチルジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項６３記載の方法。
【請求項６６】
反射防止組成物が１以上の任意に置換されたフェニルジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項６３記載の方法。
【請求項６７】
反射防止組成物がさらに架橋成分を含む請求項６３から６６のいずれか１項記載の方法。
【請求項６８】
反射防止組成物がフォトレジストの塗布の前に架橋されている請求項６３から６７のいずれか１項記載の方法。
【請求項６９】
フォトレジスト層が、約３００ｎｍ未満の波長の放射線で露光される請求項６３から６８のいずれか１項記載の方法。
【請求項７０】
フォトレジスト層が、約２００ｎｍ未満の波長の放射線で露光される請求項６３から６８のいずれか１項記載の方法。
【請求項７１】
フォトレジスト層が、約２４８ｎｍの波長の放射線で露光される請求項６３から６８のいずれか１項記載の方法。
【請求項７２】
フォトレジスト層が、約１９３ｎｍの波長の放射線で露光される請求項６３から６８のいずれか１項記載の方法。
【請求項７３】
反射防止組成物がさらに酸または酸生成化合物を含む、請求項６３から７２のいずれか１項記載の方法。
【請求項７４】
反射防止組成物が樹脂を含む、請求項６３から７３のいずれか１項記載の方法。
【請求項７５】
反射防止組成物が１以上の任意に置換されたアリールジカルボキシレート基を含む樹脂を含む、請求項６３から７４のいずれか１項記載の方法。
【請求項７６】
樹脂が１以上の任意に置換されたアリールジカルボキシレート基を含む、請求項７５記載の方法。
【請求項７７】
樹脂が１以上の任意に置換されたナフチルジカルボキシレート基を含む、請求項７５記載の方法。
【請求項７８】
樹脂が１以上の任意に置換されたフェニルジカルボキシレート基を含む、請求項７５記載の方法。
【請求項７９】
樹脂がナフチレンジカルボキシレート基を含むアクリレート単位を含む、請求項７４から７８のいずれか１項記載の方法。
【請求項８０】
樹脂がコポリマーである、請求項７４から７９のいずれか１項記載の方法。
【請求項８１】
樹脂がターポリマーである、請求項７４から７９のいずれか１項記載の方法。
【請求項８２】
樹脂がテトラポリマーである、請求項７４から７９のいずれか１項記載の方法。
【請求項８３】
現像後に基体を処理してマイクロエレクトロニックウエハーを製造する工程をさらに含む請求項６２から８２のいずれか１項記載の方法。
【請求項８４】
現像後に基体を化学エッチングする、請求項８３記載の方法。
【請求項８５】
樹脂、酸または酸生成化合物、および１以上のオキシイソ酪酸エステルを含む溶剤成分を含む、反射防止コーティング組成物。
【請求項８６】
溶剤成分がメチル−２−ヒドロキシイソブチレートを含む、請求項８５記載の組成物。
【請求項８７】
組成物がさらに架橋剤成分を含む、請求項８５または８６記載の組成物。
【請求項８８】
組成物が１以上の任意に置換されたフェニル基、任意に置換されたナフチル基、または任意に置換されたアントラセン基を含む成分を含む、請求項８５から８７のいずれか１項記載の組成物。
【請求項８９】
組成物が１以上の任意に置換されたナフチレンジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項８５から８８のいずれか１項記載の組成物。
【請求項９０】
１以上の任意に置換されたアリールジカルボキシレート基を含む成分を含む、反射防止コーティング組成物。
【請求項９１】  
反射防止組成物が１以上の任意に置換された炭素環式アリールジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項９０記載の組成物。
【請求項９２】
反射防止組成物が１以上の任意に置換されたナフチルジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項９０記載の組成物。
【請求項９３】
反射防止組成物が１以上の任意に置換されたフェニルジカルボキシレート基を含む成分を含む、請求項９０記載の組成物。
【請求項９４】
組成物が架橋剤成分を含む、請求項９０から９３のいずれか１項記載の組成物。
【請求項９５】
組成物が酸または酸生成化合物を含む、請求項９０から９４のいずれか１項記載の組成物。
【請求項９６】
組成物が１以上のオキシイソ酪酸エステルを含む溶剤成分を含む、請求項９０から９５のいずれか１項記載の組成物。
【請求項９７】
組成物がメチル−２−ヒドロキシイソブチレートを含む溶剤成分を含む、請求項９０から９６のいずれか１項記載の組成物。