【手続補正書】
【提出日】平成17年8月23日(2005.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された半導体装置であって、
外部から信号が入力される入力端子、
前記入力端子に入力された信号に応答して所定の動作を行なう内部回路、
前記半導体基板の表面に形成され金属配線によって前記入力端子および前記内部回路に接続される第１の不純物拡散領域を含み、前記入力端子に流入したサージ電流から前記内部回路を保護するための内部保護手段、および
前記内部保護手段の前記第１の不純物拡散領域の下側の半導体基板部分のうちの少なくとも該第１の不純物拡散領域と前記金属配線との接触部に対応する部分に形成された該第１の不純物拡散領域よりも不純物濃度が低い第２の不純物拡散領域を備える、半導体装置。
【請求項２】
半導体基板上に形成された半導体装置であって、
外部から信号が入力される入力端子、
前記入力端子に入力された信号に応答して所定の動作を行なう内部回路、
前記半導体基板の表面に形成された第１の不純物拡散領域を含み、前記入力端子に入力したサージ電流から前記内部回路を保護するための内部保護手段、および
前記内部保護手段の前記第１の不純物拡散領域の表面に形成され、金属配線によって前記入力端子および前記内部保護手段に接続される前記第１の不純物拡散領域よりも不純物濃度が高い第２の不純物拡散領域を備える、半導体装置。
【請求項３】
前記内部保護手段の前記第１の不純物拡散領域は拡散抵抗素子を構成する、請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半導体基板上に形成された半導体装置であって、
外部から信号が入力される入力端子、
前記入力端子に流入したサージ電流から内部を保護するための内部保護手段、
金属配線によって前記入力端子に接続される第１の不純物拡散領域を含み、前記入力端子に入力された信号に応答して所定の動作を行なう内部回路、および
前記内部回路の前記第１の不純物拡散領域の下側の半導体基板部分のうちの少なくとも該第１の不純物拡散領域と前記金属配線との接触部に対応する部分に形成された該第１の不純物拡散領域よりも不純物濃度が低い第２の不純物拡散領域を備える、半導体装置。
【請求項５】
半導体基板上に形成された半導体装置であって、
外部から入力された信号に応答して所定の動作を行なう内部回路、
前記半導体基板の表面に形成される第１の不純物拡散領域を含み、前記内部手段の出力信号を増幅するための出力トランジスタ、
金属配線によって前記出力トランジスタの前記第１の不純物拡散領域に接続され、前記出力トランジスタによって増幅された前記内部回路の出力信号を外部に出力するための出力端子、および
前記出力トランジスタの前記第１の不純物拡散領域の下側の半導体基板部分のうちの少なくとも該第１の不純物拡散領域と前記金属配線との接触部に対応する部分に形成された該第１の不純物を拡散領域よりも不純物濃度が低い第２の不純物拡散領域を備える、半導体装置。
【請求項６】
半導体基板上に形成された半導体装置であって、
外部から入力された信号に応答して所定の動作を行なう内部回路、
外部から前記内部回路に電源電圧を与えるための電源端子、
前記半導体基板の表面に形成され金属配線によって前記内部回路および前記電源端子に接続される第１の不純物拡散領域を含み、前記電源端子から前記内部回路へ前記電源電圧を供給し、またはその供給を停止するためのトランジスタ、および
前記トランジスタのうちの前記第１の不純物拡散領域の下側の半導体基板部分のうちの少なくとも該第１の不純物拡散領域と前記金属配線との接触部に対応する部分に形成された該第１の不純物拡散領域よりも不純物濃度が低い第２の不純物拡散領域を備える、半導体装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は半導体装置に関し、特に、サージ電流から内部を保護するように構成された半導体装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
それゆえに、この発明の主たる目的は、サージ耐量が大きな半導体装置を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体装置は、半導体基板上に形成された半導体装置であって、外部から信号が入力される入力端子と、入力端子に入力された信号に応答して所定の動作を行なう内部回路と、半導体基板の表面に形成され金属配線によって入力端子および内部回路に接続される第１の不純物拡散領域を含み、入力端子に流入したサージ電流から内部回路を保護するための内部保護手段と、内部保護手段の第１の不純物拡散領域の下側の半導体基板部分のうちの少なくとも第１の不純物拡散領域と金属配線の接触部に対応する部分に形成された第１の不純物拡散領域よりも不純物濃度が低い第２の不純物拡散領域とを備えたものである。したがって、従来よりも不純物拡散領域と半導体基板との接合部が深くなり、かつ接合部における不純物濃度差が小さくなる。よって、接合部の破損が防止され、サージ耐量が増大する。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
また、この発明に係る他の半導体装置は、半導体基板上に形成された半導体装置であって、外部から信号が入力される入力端子と、入力端子に入力された信号に応答して所定の動作を行なう内部回路と、半導体基板の表面に形成された第１の不純物拡散領域を含み、入力端子に入力したサージ電流から内部回路を保護するための内部保護手段と、内部保護手段の第１の不純物拡散領域の表面に形成され、金属配線によって入力端子および内部保護手段に接続される第１の不純物拡散領域よりも不純物濃度が高い第２の不純物拡散領域とを備えたものである。したがって、不純物拡散領域と半導体基板との接合部が深くなり、かつ接合部における不純物濃度差が小さくなる。よって、不純物拡散領域と半導体基板との接合部の破損が防止され、サージ耐量が増大する。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
好ましくは、内部保護手段の第１の不純物拡散領域は拡散抵抗素子を構成する。
【手続補正２４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
また、この発明に係るさらに他の半導体装置は、半導体基板上に形成された半導体装置であって、外部から信号が入力される入力端子と、入力端子に流入したサージ電流から内部を保護するための内部保護手段と、金属配線によって入力端子に接続される第１の不純物拡散領域を含み、入力端子に入力された信号に応答して所定の動作を行なう内部回路と、内部回路の第１の不純物拡散領域の下側の半導体基板部分のうちの少なくとも第１の不純物拡散領域と金属配線との接触部に対応する部分に形成された第１の不純物拡散領域よりも不純物濃度が低い第２の不純物拡散領域とを備えたものである。したがって、不純物拡散領域と半導体基板との接合部が深くなり、かつ接合部における不純物濃度差が小さくなる。よって、接合部の破損が防止され、サージ耐量が増大する。
【手続補正２５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
また、この発明に係るさらに他の半導体装置は、半導体基板上に形成された半導体装置であって、外部から入力された信号に応答して所定の動作を行なう内部回路と、半導体基板の表面に形成される第１の不純物拡散領域を含み、内部手段の出力信号を増幅するための出力トランジスタと、金属配線によって出力トランジスタの第１の不純物拡散領域に接続され、出力トランジスタによって増幅された内部回路の出力信号を外部に出力するための出力端子と、出力トランジスタの第１の不純物拡散領域の下側の半導体基板部分のうちの少なくとも第１の不純物拡散領域と金属配線との接触部に対応する部分に形成された第１の不純物拡散領域よりも不純物濃度が低い第２の不純物拡散領域とを備えたものである。したがって、不純物拡散領域と半導体基板との接合部が深くなり、かつ接合部における不純物の濃度差が小さくなる。よって、接合部の破損が防止され、サージ耐量が増大する。
【手続補正２９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
また、この発明に係るさらに他の半導体装置は、半導体基板上に形成された半導体装置であって、外部から入力された信号に応答して所定の動作を行なう内部回路と、外部から内部回路に電源電圧を与えるための電源端子と、半導体基板の表面に形成され金属配線によって内部回路および電源端子に接続される第１の不純物拡散領域を含み、電源端子から内部回路へ電源電圧を供給し、またはその供給を停止するためのトランジスタと、トランジスタのうちの第１の不純物拡散領域の下側の半導体基板部分のうちの少なくとも第１の不純物拡散領域と金属配線との接触部に対応する部分に形成された第１の不純物拡散領域よりも不純物濃度が低い第２の不純物拡散領域とを備えたものである。したがって、不純物拡散領域と半導体基板との接合部が深くなり、かつ接合部における不純物濃度差が小さくなる。よって、接合部の破損が防止され、サージ耐量が増大する。
【手続補正３３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】削除
【補正の内容】