Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月30日(2005.5.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光束を供給するための光源手段と、該光源手段からの光束に基づいて多数の光源からなる第１多数光源を形成するための第１オプティカルインテグレータと、該第１オプティカルインテグレータにより形成される第１多数光源からの光束に基づいてより多数の光源からなる第２多数光源を形成するための第２オプティカルインテグレータと、該第２オプティカルインテグレータにより形成される第２多数光源からの光束を集光して被照射面を照明するためのコンデンサー光学系とを備えた照明光学装置において、
前記第１オプティカルインテグレータと前記第２オプティカルインテグレータとの間の光路中には、前記第１オプティカルインテグレータにより形成される第１多数光源からの光束に基づいて、前記第２オプティカルインテグレータの入射面に関して基準光軸に対し偏心した複数の照射領域を形成するプリズム光学系が配置され、
前記プリズム光学系は、前記複数の照射領域の位置を調整可能に構成されていることを特徴とする照明光学装置。
【請求項２】
前記プリズム光学系は、光源側から順に、第１プリズム部材および第２プリズム部材を有し、
前記第１プリズム部材は、前記被照射面側に向けて凹状に形成された屈折面を持つ射出面を有し、
前記第２プリズム部材は、前記基準光軸回りに配置されるとともに前記基準光軸に対して傾斜可能に設けられた複数の偏角プリズムを有し、
前記偏角プリズムは、前記光源側に屈折面を持つ入射面と、前記被照射面側に平面を持つ射出面とを有することを特徴とする請求項１に記載の照明光学装置。
【請求項３】
前記第１プリズム部材の射出面は、前記基準光軸に関して対称な正四角錐の角錐面で形成される４つの屈折面を有し、
前記第２オプティカルインテグレータの入射面に前記基準光軸に対して偏心した４つの照射領域をそれぞれ所定位置に形成するために、前記第２プリズム部材中の４つの偏角プリズムが前記基準光軸に関して対称となるように傾斜可能に構成されていることを特徴とする請求項２に記載の照明光学装置。
【請求項４】
前記第１プリズム部材の射出面は、前記基準光軸に関して対称な円錐の円錐面で形成される屈折面を有し、
前記第２オプティカルインテグレータの入射面に前記基準光軸に対して偏心した少なくとも４つの照射領域をほぼ輪帯状に整列させるために、前記第２プリズム部材中の少なくとも４つの偏角プリズムが前記基準光軸に関して対称となるように傾斜可能に構成されていることを特徴とする請求項２に記載の照明光学装置。
【請求項５】
前記プリズム光学系と前記第２オプティカルインテグレータとの間の光路中には、前記第１オプティカルインテグレータにより形成される第１多数光源と前記第２オプティカルインテグレータにより形成される第２多数光源とを光学的に共役にするリレー光学系が配置され、
前記第１オプティカルインテグレータと前記リレー光学系とのうちの少なくとも一方は、前記第２オプティカルインテグレータの入射面に形成される前記複数の照射領域の大きさを変化させるために、焦点距離が可変に構成され、
前記プリズム光学系は、前記第１オプティカルインテグレータと前記リレー光学系とのうちの少なくとも一方の焦点距離が変化することに応じて、前記複数の照射領域の位置を調整することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の照明光学装置。
【請求項６】
前記第２プリズム部材の前記複数の偏角プリズムをそれぞれ傾斜させるために駆動する駆動手段を備え、
前記駆動手段は、前記基準光軸に沿って延びるように配置されたロッド部材と、該ロッド部材に対して前記基準光軸の方向に沿って滑動自在に取り付けられた押さえ部材と、一端が前記押さえ部材に枢着され且つ他端が前記複数の偏角プリズムの各々に枢着された複数のアーム部材とを有し、前記押さえ部材の滑動により前記複数の偏角プリズムを前記基準光軸に関して対称となるように傾斜させることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の照明光学装置。
【請求項７】
前記プリズム光学系と前記第２オプティカルインテグレータとの間の光路中には、焦点距離が可変なリレー光学系が配置されることを特徴とする請求項１に記載の照明光学装置。
【請求項８】
光束を供給するための光源手段と、第１オプティカルインテグレータと、第２オプティカルインテグレータと、前記第１及び第２オプティカルインテグレータを介して形成される２次光源からの光束を集光して被照射面を照明するためのコンデンサー光学系とを備えた照明光学装置において、
前記第１オプティカルインテグレータと前記第２オプティカルインテグレータとの間の光路中には、基準光軸に対して偏心した複数の領域を持つ前記２次光源を形成するプリズム光学系が配置され、
前記プリズム光学系は、前記複数の領域の位置を調整可能に構成されていることを特徴とする照明光学装置。
【請求項９】
前記プリズム光学系と前記第２オプティカルインテグレータとの間の光路中には、焦点距離が可変なリレー光学系が配置されることを特徴とする請求項８に記載の照明光学装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の照明光学装置と、前記被照射面上に配置されたマスクのパターンを感光性基板に投影露光するための投影光学系とを備えていることを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の照明光学装置を用いて、前記被照射面上に配置されたマスクのパターンを感光性基板上に露光する工程を含むことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月28日(2005.2.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
位置決め対象物を載置して２次元的に移動する可動テーブルと、該可動テーブルの第１の方向の位置を計測する第１の位置計測系と、前記第１の方向に交差する第２の方向の前記可動テーブルの位置を計測する第２の位置計測系と、を備え、
前記第１及び第２の位置計測系の計測結果に基づいて前記可動テーブルが前記第１及び第２の方向に位置決めされるステージ装置の特性計測方法において、
前記可動テーブル上に複数の基準マークを形成しておき、
前記可動テーブルを所定の方向に駆動することによって、前記複数の基準マークを順次所定のマーク検出系の検出領域内に移動して、それぞれ前記マーク検出系を介して前記基準マークの位置を検出し、
前記複数の基準マークの前記マーク検出系による位置検出結果に基づいて前記ステージ装置の特性を計測することを特徴とするステージ装置の特性計測方法。
【請求項２】
前記複数の基準マークの前記マーク検出系による位置検出結果により計測される特性を所定の基準値と比較し、
該比較結果に基づいて前記特性が所定の許容範囲を超えて変動しているかどうかを判定することを特徴とする請求項１記載のステージ装置の特性計測方法。
【請求項３】
前記特性が所定の許容範囲を超えて変動しているときに、前記特性を表すパラメータの値を更新することを特徴とする請求項２記載のステージ装置の特性計測方法。
【請求項４】
位置決め対象物としての基板が載置された可動テーブルを２次元的に位置決めするステージ装置を備え、該ステージ装置によって位置決めされる前記基板上にマスクパターンを転写する露光装置において、
前記ステージ装置の可動テーブル上に形成された複数の基準マークと、
該複数の基準マークの位置を検出する一つのマーク検出系と、
該マーク検出系によって検出される前記複数の基準マークのそれぞれの位置に基づいて前記ステージ装置の特性を求める演算系と、
該演算系によって求められる特性を所定の基準値と比較することによって前記特性が所定の許容範囲を超えて変動しているか否かを判定する判定系と、を有することを特徴とする露光装置。
【請求項５】
位置計測に用いられる基準面を有し、該基準面に基づいて２次元平面内で移動し位置決めされる可動テーブルを備えるステージ装置の特性計測方法であって、
前記可動テーブル上に設けられた一直線上にない少なくとも３つの基準マークの位置をマーク検出系を介して計測するステップと、
前記計測結果に基づいて、前記基準面の配置に関する特性を算出するステップと、
前記算出された特性を、予め設定された基準値と比較するステップと、
前記比較した結果、前記特性が前記基準値を超えている場合、警報を発するステップとを有する特性計測方法。
【請求項６】
前記基準面は、前記２次元平面と直交し、かつ互いに交差する２つの面を含み、前記特性は、前記２つの面の交差する角度である請求項５記載の特性計測方法。
【請求項７】
前記マークの位置を計測するステップと、前記特性を算出するステップと、前記比較するステップとは、定期的に行われることを特徴とする請求項５または６記載の特性計測方法。
【請求項８】
前記計測するステップは、前記マーク検出系の検出位置を補正する補正計測動作の一部として行われることを特徴とする請求項５または６記載の特性計測方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
次に、本発明による露光装置は、位置決め対象物としての基板（９）が載置された可動テーブル（１１）を２次元的に位置決めするステージ装置を備え、このステージ装置によって位置決めされるその基板上にマスクパターン（２）を転写する露光装置において、そのステージ装置の可動テーブル（１１）上に形成された複数の基準マーク（Ｆａ，Ｆｂ；Ｆｃ，Ｆｄ）と、これらの複数の基準マークの位置を検出する一つのマーク検出系（６ａ；８）と、このマーク検出系によって検出されるそれら複数の基準マークのそれぞれの位置に基づいてそのステージ装置の特性を求める演算系（２０ａ）と、この演算系によって求められる特性を所定の基準値と比較することによってその特性が所定の許容範囲を超えて変動しているか否かを判定する判定系（２０）と、を有するものである。斯かる本発明によれば、本発明のステージ装置の特性計測方法を使用できる。
また、本発明による別の観点によるステージ装置の特性計測方法は、位置計測に用いられる基準面（１４Ｘ、１４Ｙ）を有し、該基準面に基づいて２次元平面内で移動し位置決めされる可動テーブル（１１）を備えるステージ装置の特性計測方法であって、その可動テーブル上に設けられた一直線上にない少なくとも３つの基準マーク（Ｆａ、Ｆｂ、Ｆｃ、Ｆｄ）の位置をマーク検出系（６ａ、８）を介して計測するステップと、その計測結果に基づいて、その基準面の位置に関する特性を算出するステップと、その算出された特性を、予め設定された基準値と比較するステップと、比較した結果、その特性が基準値を超えている場合、警報を発するステップとを有するものである。
この場合において、その基準面は、その２次元平面と直交し、かつ互いに交差する２つの面を含み、その特性は、その２つの面の交差する角度とすることができる。また、基準マークの位置を計測するステップと、特性を算出するステップと、比較するステップとは、定期的に行われるものとすることができる。また、計測するステップは、マーク検出系の検出位置を補正する補正計測動作の一部として行われるようにしてもよい。
本発明の特性計測方法によれば、ステージ装置の特性、例えば基準面の直交度について、デバイスの露光工程を中断することなくモニターすることができる。また、直交度が基準値を超えた場合には警報が発せられるので、その直交度が基準値を超えたことを知らずに露光工程を続行して製品不良を出すことを防止することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月17日(2004.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長が２５０ｎｍ以下の露光ビームを用いてマスク上のパターンを基板上に投影露光する露光装置において、該露光装置内部に空調気体を循環させる空調手段を備え、循環する気体中のオゾンを除去する除去手段とオゾンを検出する検出手段の少なくとも一方を設けたことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記除去手段はオゾンを酸素に変換する変換器を備えることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
【請求項３】
前記変換器は活性炭素を用いてオゾンを酸素に変換するものであることを特徴とする請求項２記載の露光装置。
【請求項４】
前記検出手段によって検出されたオゾンの濃度に基づいて露光装置の扉の開放を不可能にするインターロック機構を設けたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の露光装置。
【請求項５】
前記検出手段によって検出されたオゾンの濃度情報を表示する表示手段を設けたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載の露光装置。
【請求項６】
前記検出手段の検出に基づいて前記除去手段の能力を可変にする手段を有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか記載の露光装置。
【請求項７】
露光ビームはエキシマレーザであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか記載の露光装置。
【請求項８】
露光ビームはＡｒＦエキシマレーザであることを特徴とする請求項７記載の露光装置。
【請求項９】
マスク上のパターンを基板上に転写する露光装置であって、扉と、前記扉によって閉じられた空間内のオゾンを検出するオゾン濃度測定器と、前記オゾン濃度測定器の測定結果に基づいて前記ドアの開閉を制御する制御手段とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
マスク上のパターンを基板上に転写する露光装置であって、扉と、前記扉によって閉じられた空間内のオゾンを検出するオゾン濃度測定器と、前記オゾン濃度測定器により測定されたオゾン濃度が所定値以下であり且つ露光動作中でない場合にのみ、前記扉を開放可能とする安全機構とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項１１】
マスク上のパターンを基板上に転写する露光装置であって、扉と、前記扉によって閉じられた空間内のオゾンを検出するオゾン濃度測定器と、前記オゾン濃度測定器により測定されたオゾン濃度が所定値以上の場合に、前記扉をロックする安全機構とを有することを特徴とする露光装置。
【請求項１２】
前記閉じられた空間内のオゾンを除去する除去手段を有することを特徴とする請求項９乃至１１いずれかに記載の露光装置。
【請求項１３】
前記除去手段は、前記閉じられた空間内のオゾンを酸素に変換する変換器を含むことを特徴とする請求項１２記載の露光装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか記載の露光装置を用意する工程と、該露光装置を用いて基板にパターンを転写する工程を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項１５】
露光前に基板にレジストを塗布する工程と、露光後にレジストを現像する工程をさらに有することを特徴とする請求項１４記載のデバイス製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月23日(2005.3.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いにほぼ直交する第１および第２方向に沿ってステージに設けられる２つの反射面に、それぞれレーザビームを照射する光波干渉計の出力と、前記２つの反射面の少なくとも一方に関して計測された曲がり量とに基づいて、前記第１および第２方向に関する前記ステージの座標位置を測定する位置測定方法において、
前記ステージに保持される物体の所定の処理に伴う前記計測された曲がり量を用いた前記ステージの移動中に、前記光波干渉計の出力に基づいて前記少なくとも一方の反射面に関する曲がり量を算出することを特徴とする位置測定方法。
【請求項２】
前記算出された曲がり量は、前記物体の所定の処理後における前記ステージの移動に利用される、または前記ステージの移動を確認するために前記計測された曲がり量との比較に利用されることを特徴とする請求項１記載の位置測定方法。
【請求項３】
前記計測された曲がり量と前記算出された曲がり量との偏差が所定値を越えたときに、前記物体の所定の処理に関して異常が発生していると判定することを特徴とする請求項２記載の位置測定方法。
【請求項４】
前記ステージは、前記光波干渉計の出力に対応した計測位置を前記曲がり量で補正して得られる座標位置に従って移動され、
前記物体の所定の処理後に、前記算出された曲がり量に基づいて前記補正された座標位置を随時更新することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の位置測定方法。
【請求項５】
前記２つの反射面の一方に関する曲がり量を算出するために、前記２つの反射面の他方に照射される少なくとも２本のレーザビームに対応する前記光波干渉計の出力に基づいて、前記第１および第２方向を含む面内での前記ステージの回転量を検出することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の位置測定方法。
【請求項６】
互いにほぼ直交する第１および第２方向に沿ってステージに設けられる第１および第２反射面にそれぞれレーザビームを照射する光波干渉計と、
前記第１および第２反射面の少なくとも一方に関する曲がり量を記憶するメモリとを備え、
前記光波干渉計の出力と前記記憶された曲がり量とに基づいて、前記第１および第２方向に関する前記ステージの座標位置を測定する位置測定装置において、
前記ステージに保持される物体の所定の処理に伴い、前記記憶された曲がり量を用いて前記ステージを移動している間に、前記光波干渉計の出力に基づいて前記少なくとも一方の反射面に関する曲がり量を算出する演算器を備えたことを特徴とする位置測定装置。
【請求項７】
前記光波干渉計は、前記第１方向に離れた少なくとも２本のレーザビームを前記第１反射面に照射する第１干渉計と、
前記第２方向に離れた少なくとも２本のレーザビームを前記第２反射面に照射する第２干渉計とを有し、
前記演算器は、前記第１反射面に関する曲がり量を算出するために、前記第２干渉計によって検出される前記第１および第２方向を含む面内での前記ステージの回転量を用いることを特徴とする請求項６記載の位置測定装置。
【請求項８】
前記演算器は、前記記憶された曲がり量および前記算出された曲がり量の偏差と所定値とを比較する比較回路を有し、前記偏差が前記所定値を越えるときに警告を発することを特徴とする請求項６または７記載の位置測定装置。
【請求項９】
請求項６から８のいずれか一項に記載された位置測定装置が、マスクを保持するマスクステージと、前記マスクのパターンが転写される基板を保持する基板ステージとの少なくとも一方に設けられ、
前記光波干渉計の出力を前記記憶された曲がり量で補正して得られる座標位置を、前記算出された曲がり量で随時更新して、前記マスクのパターンに対する前記基板の露光位置を調整するアライメント・コントローラを備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
前記基板の複数の区画領域にそれぞれ前記マスクのパターンを順次転写している間に、前記光波干渉計の出力から前記一方の反射面に関する曲がり量が算出されることを特徴とする請求項９記載の露光装置。
【請求項１１】
互いにほぼ直交する第１および第２方向に沿ってステージに設けられる２つの反射面に、それぞれレーザービームを照射する光波干渉計の出力に基づいて、前記第１および第２方向に関する前記ステージの座標位置を測定する位置測定方法において、
前記ステージが保持した物体に対して所定の処理を実行するために前記ステージが移動している間の前記光波干渉計の出力を記録する段階と、
前記記録した前記光波干渉計の出力に基づいて前記少なくとも一方の反射面に関する曲がり量を算出する段階とを有する位置測定方法。
【請求項１２】
前記算出された曲がり量に基づいて、前記ステージの座標位置を随時更新する段階を有する請求項１１記載の位置測定方法。
【請求項１３】
予め記憶してある判定値と前記算出された曲がり量とを比較し、前記算出された曲がり量が前記判定値を超えた場合に警告を発する段階を有する請求項１１又は１２に記載の位置測定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
そして、この露光装置では、アライメント・コントローラ（２４）が、光波干渉計（１４）の出力をメモリに記憶された曲がり量で補正して得られる座標位置を、基板（Ｗ）の複数の区画領域にそれぞれマスク（Ｒ）のパターンを順次転写している間に演算器で算出された曲がり量で随時更新することにより、マスク（Ｒ）のパターンに対する基板（Ｗ）の露光位置を調整することができる。
また、本発明の他の位置測定方法は、互いにほぼ直交する第１および第２方向（ｘおよびｙ方向）に沿ってステージ（８）に設けられる２つの反射面（２２Ｘ、２２Ｙ）に、それぞれレーザービームを照射する光波干渉計（１４）の出力に基づいて、第１および第２方向に関するステージの座標位置を測定する位置測定方法において、ステージが保持した物体（Ｗ）に対して所定の処理を実行するためにステージが移動している間の光波干渉計の出力を記録する段階と、記録した前記光波干渉計の出力に基づいて前記少なくとも一方の反射面に関する曲がり量を算出する段階とを有するものである。本位置測定方法は、その算出された曲がり量に基づいて、ステージの座標位置を随時更新する段階を有するものとすることができる。更に、予め記憶してある判定値と算出された曲がり量とを比較し、その算出された曲がり量がその判定値を超えた場合に警告を発する段階を有するものとしてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
また、この露光装置では、露光処理に何らかの異常が発生したときに、異常発生が検知された区画領域列以外の露光領域においては、露光不良の原因を排除した状態で露光処理を行うことができるため、露光処理によって得られる製品の不良品を低減させることができる。また、請求項１１から１３に係る位置測定方法では、物体に所定の処理を実行するためにステージが移動している間の光波干渉計の出力を記録しておき、これを用いて反射面の曲がり量を算出しているので、反射面の曲がり計測のために特別に時間を割く必要がなく、稼働率を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月4日(2005.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の方形導波管を上記導波管の幅の狭い面が接するように配置し、上記各導波管の幅の広い面上に管軸に平行な複数の放射スロットを１／２管内波長ごとに配置した導波管スロットアレイアンテナにおいて、上記各方形導波管を導波管の管軸方向にずらして配置したことを特徴とする導波管スロットアレイアンテナ。
【請求項２】
複数の方形導波管を上記導波管の幅の狭い面が接するように配置し、上記各導波管の幅の広い面上に管軸に平行な複数の細長い放射スロットを１／２管内波長ごとに配置した導波管スロットアレイアンテナにおいて、上記各方形導波管を導波管の管軸方向に１／４管内波長ずつずらして配置したことを特徴とする導波管スロットアレイアンテナ。
【請求項３】
複数の方形導波管を上記導波管の幅の狭い面が接するように配置し、上記各導波管の幅の広い面上に管軸に平行な複数の細長い放射スロットを１／２管内波長ごとに配置した導波管スロットアレイアンテナにおいて、上記各導波管の放射スロット面の間に遮蔽板を装荷し、上記遮蔽板の上端部を周期性を持たないような形状としたことを特徴とする導波管スロットアレイアンテナ。
【請求項４】
上記遮蔽板に穴を設けたことを特徴とする請求項３記載の導波管スロットアレイアンテナ。
【請求項５】
複数の方形導波管を上記導波管の幅の狭い面が接するように配置し、上記各導波管の幅の広い面上に管軸に平行な複数の細長い放射スロットを１／２管内波長ごとに配置した導波管スロットアレイアンテナにおいて、２つの導波管が接する管壁に穴を設けたことを特徴とする導波管スロットアレイアンテナ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
実施の形態４を図４を参照し詳細に説明する。図中Ａは任意の放射用導波管上の任意のスロットの位置を示し、Ｂは上記導波管に併設された導波管上の上記スロットに隣接するスロットの位置を示し、ＣはＡより放射され遮蔽板の上端部で回折、散乱してＢに到達する電波を示し、ＤはＡより放射され遮蔽板上に設けられた穴を通ってＢに到達する電波を示す。Ａから放射された電波のうち遮蔽板の上端部で回折、散乱されＢに到達する電波Ｃが存在する。また、Ａから放射された電波のうち遮蔽板上に設けられた穴を通してＢに到達する電波Ｄが存在する。一般にはＣとＤの振幅は等しくならず、任意の位相差をもつ。Ｂにおける２つの電波Ｃ、Ｄの振幅が等しく、位相差が１８０度となるような遮蔽板の高さ、穴の寸法、位置とすることにより、２つの電波は相殺され相互結合を減少させ、放射パターン、インピーダンス特性を改善することが可能である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
実施の形態５．
図５はこの発明の実施の形態５を示す導波管スロットアレイアンテナであり、図において１は放射スロット、２は放射用方形導波管、７は給電用導波管の幅の狭い面に設けられた穴である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
実施の形態５を図５を参照し詳細に説明する。図中Ａは任意の放射用導波管上の任意のスロットの位置を示し、Ｂは上記導波管に併設された導波管上の上記スロットに隣接するスロットの位置を示し、ＣはＡから放射されＢに到達する電波、ＤはＣによりＢを通し導波管内に誘起される電磁波、Ｅは上記２つの放射用導波管が接する管壁に設けられた穴により導波管内に生じる電磁波を示す。ＡからＢへ放射される電波ＣによりＢを通し導波管内に電磁波Ｄが生じる。また、上記２つの放射用導波管が接する管壁に設けられた穴により、導波管内に電磁波Ｅが生じる。一般に、導波管内の２つの電磁波Ｄ、Ｅの振幅は等しくなく、任意の位相差をもつ。２つの電磁波Ｄ、Ｅの振幅が等しく、位相差が１８０度となるような穴の寸法、位置とすることにより２つの電波は相殺され相互結合を減少させ、放射パターン、インピーダンス特性を改善することが可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月10日(2005.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジョセフソン集積回路装置と半導体集積回路装置とを接続する４．２Ｋジョセフソン昇電圧回路と２入力タイプの７７Ｋ高電子移動度トランジスタ差動増幅器からなるジョセフソン−半導体インターフェイス装置において、前記４．２Ｋジョセフソン昇電圧回路におけるジョセフソン接合の段数を、４．２Ｋジョセフソン昇電圧回路の出力電圧が前記高移動度トランジスタの閾値電圧のチップ内又はウェハ内のバラツキ以上になる段数としたことを特徴とするジョセフソン−半導体インターフェイス装置。
【請求項２】
前記ジョセフソン集積回路装置からの信号電圧を前記４．２Ｋジョセフソン昇電圧回路で昇圧したのち前記２入力タイプの７７Ｋ高電子移動度トランジスタ差動増幅器に入力することを特徴とする請求項１に記載のジョセフソン−半導体インターフェイス装置。
【請求項３】
前記差動増幅器を構成する高電子移動度トランジスタがノーマリ・オン型であり、前記４．２Ｋジョセフソン昇電圧回路におけるジョセフソン接合の段数が、４．２Ｋジョセフソン昇電圧回路の出力電圧が前記高電子移動度トランジスタの閾値電圧の１／２以下になる段数までとしたことを特徴とする請求項１又は２に記載のジョセフソン−半導体インターフェイス装置。
【請求項４】
前記差動増幅器を構成する高電子移動度トランジスタがノーマリ・オフ型であり、前記４．２Ｋジョセフソン昇電圧回路におけるジョセフソン接合の段数が、４．２Ｋジョセフソン昇電圧回路の出力電圧が前記高電子移動度トランジスタの順方向最大電圧と閾値電圧の１／２の差以下になる段数までとしたことを特徴とする請求項１又は２に記載のジョセフソン−半導体インターフェイス装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成の説明図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照
（１）本発明は、ジョセフソン集積回路装置１と半導体集積回路装置４とを接続する４．２Ｋジョセフソン昇電圧回路２と２入力タイプの７７Ｋ高電子移動度トランジスタ差動増幅器３からなるジョセフソン−半導体インターフェイス装置において、４．２Ｋジョセフソン昇電圧回路２におけるジョセフソン接合の段数を、４．２Ｋジョセフソン昇電圧回路２の出力電圧が高移動度トランジスタの閾値電圧のチップ内又はウェハ内のバラツキ以上になる段数とし、ジョセフソン集積回路装置１からの信号電圧を４．２Ｋジョセフソン昇電圧回路２で昇圧したのち２入力タイプの７７Ｋ高電子移動度トランジスタ差動増幅器３に入力することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
あるいは、４．２Ｋジョセフソン昇電圧回路２におけるジョセフソン接合の段数を、４．２Ｋジョセフソン昇電圧回路２の出力電圧が高移動度トランジスタの閾値電圧Ｖthのウェハ内のバラツキ以上になる段数としているので、複数個のインターフェイスを並列的に使用する場合にも、高移動度トランジスタを同一ウェハ内から選択することによって、インターフェイスを並列的に設けたシステムが誤動作することなく、常に正常な増幅信号を半導体集積回路装置４へ入力することができ、また、２入力タイプの半導体増幅回路装置を高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）で構成しているので、液体窒素温度（７７Ｋ）での高速性・低消費電力性に優れる。
なお、高電子移動度トランジスタの閾値電圧Ｖthの１ウェハ内のバラツキは約２０ｍＶ程度であるので、ジョセフソン接合を出力電圧が約２．８ｍＶのニオブ接合で形成した場合には、ジョセフソン接合の段数は８段（出力電圧＝２２．４ｍＶ）以上必要になる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
（２）また、本発明は、上記（１）において、ジョセフソン集積回路装置１からの信号電圧を４．２Ｋジョセフソン昇電圧回路２で昇圧したのち２入力タイプの７７Ｋ高電子移動度トランジスタ差動増幅器３に入力することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月22日(2004.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
比較手段Ｃ０，Ｃ１，…，Ｃ２n −２は例えばコンパレ−タからなり、比較手段の出力信号はエンコ−ダ２に供給される。また、比較手段としては差動増幅回路を備え、エミッタが共通接続された２個のバイポ−ラトランジスタ即ち差動対のバイポ−ラトランジスタを前記差動増幅回路に備えたものが知られている。
エンコ−ダ２は比較手段からの出力信号を２進数に変換し、ｎビット例えば８ビットのディジタルコ−ドを生成する。
なお、比較回路とエンコ−ダとの間に論理積回路（ＡＮＤ回路）による微分回路を設け、微分結果をエンコ−ダに供給する構成とすることもある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
図２は、８ビットの並列比較型アナログ／ディジタル変換回路のレイアウトを説明する説明図である。図３は図２の説明図を簡略化した模式図であり、６ビットエンコ−ダ２１及び８ビットエンコ−ダ２２を省略して図示している。
実際の回路構成上では２５５個のコンパレ−タを直線上に配置するのは現実的ではなく、コンパレ−タ２５６個が１列３２個ずつで８列折り返して配置されている。以下、コンパレ−タの各列をコンパレ−タバンクＣＢという。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
コンパレ−タの入力段には種々の形式がある。
たとえば、エミッタフォロア回路を介して差動対のバイポ−ラトランジスタ（トランジスタ）に入力信号を供給する形式がある。
また、入力段を差動対のトランジスタで構成し、エミッタフォロア回路を介さずに直接に差動対のトランジスタに入力信号を供給する形式がある。
差動対のトランジスタに直接に入力信号を供給するコンパレ−タは、エミッタフォロア回路を介するコンパレ−タに比べ、素子数を減らすことができると共に入力電圧を電源電圧よりも低く設定することができる利点がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
一方、エミッタフォロア回路を介して差動対のトランジスタに入力信号を供給するコンパレ−タを図１の比較手段Ｃ０，Ｃ１，…，Ｃ２n −２に用いた場合は、各コンパレ−タが図１の分圧抵抗Ｒ０，Ｒ１，…，Ｒ２n −１から入力する入力電流の総和は、アナログ入力信号ＶINに依存せずに一定である。
また、図２の比較手段Ｃ０，Ｃ１，…，Ｃ２５５に用いた場合は、各コンパレ−タが図２の金属配線１１から入力する入力電流の総和は、アナログ入力信号ＶINに依存せずに一定である。
このため、図２のように、位置ａ１，ａ２，ａ３に等しい大きさの補正電流ＩA1，ＩA2，ＩA3を供給することで、アナログ／ディジタル変換回路の積分直線性誤差（Integral Linearity Error）を充分に小さくすることができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
上式（６）と図２のアナログ／ディジタル変換回路とを、次のようにして対応させる。
例えばアルミニウム配線からなる金属配線１１およびこの金属配線１１を所定の抵抗値毎に区分する出力端は、電圧ＶRTと電圧ＶRBの差電圧からなる基準電圧を分圧する。
金属配線１１の抵抗値の総和をＲとする。また、金属配線１１から電流が各コンパレ−タに流入する場合に、当該各電流の大きさは、コンパレ−タの入力段のトランジスタのベ−ス電流ｉb とする。
すなわち、金属配線１１上の電位が電圧ＶRT〜ＶIN（ＶRT＞ＶIN＞ＶRB）となる位置から各コンパレ−タに入力する電流値をｉb とおく。
そして、２５６個のコンパレ−タＣ０〜Ｃ２５５における金属配線１１からの入力電流値の最大合計値をＩｏとし、Ｉｏ＝２５６ｉb とする。
また、電圧ＶRTの印加位置からの抵抗値ｒと総和Ｒとの比ｒ／ＲをＬとおく。抵抗値ｒは、電圧ＶRTの印加位置からの分圧抵抗の抵抗値を加え合わせた値に対応している。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図３の模式図で示されるアナログ／ディジタル変換回路に代えて、図８の模式図に示すように、位置ａ１に補正電流を供給せず、位置ａ２に補正電流ＩA2＝３２ｉb を供給し、位置ａ３に補正電流ＩA3＝６４ｉb を供給する。
図８の模式図で示されるアナログ／ディジタル変換回路では、補正電流ＩA2，ＩA3は、補正電流供給手段２０のＡ２，Ａ３端子から各々供給される。
なお、図８の模式図で示されるアナログ／ディジタル変換回路は、図２のアナログ／ディジタル変換回路と比較して、補正電流の大きさとこれに伴う補正電流供給手段の回路構成と補正電流供給位置とが異なる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
図１２は、補正電流供給手段の回路図である。
電源電圧Ｖccの供給線には、ｎｐｎトランジスタＱ２のコレクタおよびベ−ス、ｎｐｎトランジスタＱ８，Ｑ１０のコレクタ、抵抗素子ｒ３，ｒ４，ｒ６，ｒ７，ｒ８，ｒ９が接続されている。トランジスタＱ８，Ｑ１０は多（マルチ）エミッタトランジスタからなる。
トランジスタＱ２のエミッタには、ｎｐｎトランジスタＱ１，Ｑ３，Ｑ６のコレクタが接続されている。トランジスタＱ１のベ−スはコレクタに接続されており、トランジスタＱ１，Ｑ３，Ｑ６のベ−スは各々接続されている。
トランジスタＱ１のエミッタはｎｐｎトランジスタＱ５のベ−スに接続されている。
トランジスタＱ３のエミッタは、トランジスタＱ６のエミッタ、トランジスタＱ５のコレクタおよびｎｐｎトランジスタＱ７のベ−スに接続されている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
ｐｎｐトランジスタＰ１，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ７のエミッタは、各々抵抗素子ｒ３，ｒ４，ｒ６，ｒ７，ｒ８，ｒ９に接続されている。
ｐｎｐトランジスタＰ１，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ７のベ−スは、各々接続されている。
ｐｎｐトランジスタＰ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ７は、多（マルチ）エミッタトランジスタからなる。
トランジスタＰ１のコレクタは、トランジスタＱ１２のコレクタおよびｐｎｐトランジスタＰ２のベ−スに接続されている。
トランジスタＰ２のエミッタは、トランジスタＰ３のベ−スおよびコレクタに接続されており、トランジスタＰ２のコレクタは接地されている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月11日(2005.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】集積回路を試験するためのデバイス（１００）の構成要素の許容差を試験するためのシステムであって、該デバイスは、試験ヘッド（２０５）に配置された複数の試験コネクタを有しており、それぞれの該試験コネクタは、試験チャネルの電気信号を伝えるための導体（５０６）を有しており、それぞれの該試験チャネルは、少なくとも１つのドライバ（４０２）および少なくとも１つのレシーバ（４０４）を含む回路基板（４００）に対応しており、
第１および第２の前記試験コネクタの導体間に、低インピーダンスの電気的な接続を確立し、第１の前記回路基板（４００ａ）の第１の前記ドライバ（４０２ａ）を、低インピーダンスの経路を介して、第２の前記回路基板（４００ｂ）の測定ユニット（４０６ｂ）に電気的に接続する短絡手段（５００）と、
前記第１のドライバを制御して、予め定められた目標値の電気信号を出力するよう構成されるコントローラ（２０６）と、
前記測定ユニットにより受け取られた電圧レベルが、前記予め定められた目標値の予め定められた範囲内におさまっているかどうかを検証するよう構成される検証手段（２０６，７１２）と、
を備える、システム。
【請求項２】集積回路を試験するためのデバイスの構成要素の許容差を試験するためのシステムであって、該デバイスは、試験ヘッド（２０５）に配置された複数の試験コネクタを有しており、それぞれの該試験コネクタは、試験チャネルの電気信号を伝えるための導体（５０６）を有しており、それぞれの該試験チャネルは、少なくとも１つのドライバ（４０２）および少なくとも１つのレシーバ（４０４）を含む回路基板（４００）に対応しており、
第１および第２の前記試験コネクタの導体間に、低インピーダンスの電気的な接続を確立し、第１の前記回路基板（４００ａ）の第１の前記ドライバ（４０２ａ）を、低インピーダンスの経路を介して、第２の前記回路基板（４００ｂ）の第１の前記レシーバ（４０２ｂ）に電気的に接続する短絡手段（５００）と、
前記第１のドライバを制御して、予め定められた値の電気信号を出力するよう構成されるコントローラ（２０６）と、
前記第１のレシーバに伝達された電圧レベルの信号を解読するよう設計される評価手段（２０６，８０８，８１０）と、
前記解釈した信号が、前記予め定められた値の特定の範囲内におさまっているかどうかを検証するよう構成される検証手段（２０６，８１２）と、
を備える、システム。
【請求項３】前記短絡手段は、前記第１の試験コネクタのピンと前記第２の試験コネクタのピンとの間に直接的な導電性の経路を確立する金属層を含むプリント回路基板を備える、
請求項２に記載のシステム。
【請求項４】前記評価手段および検証手段は、処理ユニットの動作を制御するプログラムコードを介して実現される、
請求項２に記載のシステム。
【請求項５】前記処理ユニットは、マイクロプロセッサ、マイクロコントローラ、組み込み型のコントローラ、特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、および、処理と制御機能を実行するのに専用に設計された専用ハードウェア、から成るグループから選択されるデバイスである、
請求項２に記載のシステム。
【請求項６】試験ヘッドに配置された複数の試験コネクタを持つ集積回路を試験するための試験デバイスにおいて、構成要素の変動を診断するための方法であって、それぞれの該試験コネクタは、試験チャネルの電気信号を伝えるための導体を有しており、それぞれの該試験チャネルは、少なくとも１つのドライバおよび少なくとも１つのレシーバを含む回路基板に対応しており、
第１および第２の試験コネクタの導体間に電気的な接続を確立して、第１の前記回路基板の第１の前記ドライバを、第２の前記回路基板の第１の前記レシーバに、低インピーダンスの経路を介して電気的に接続するステップであって、該第１のドライバは、指定された許容差内におさまっていることが既知である、ステップと、
前記第１のドライバの出力を制御して、予め定められた値に電気信号を駆動するステップと、
前記第１のレシーバで解読された信号レベルを評価するステップと、
前記解読された信号レベルが、前記予め定められた値の指定された範囲内におさまっているかどうかを検証するステップと、
を含む、方法。
【請求項７】さらに、
第１および第２の前記試験コネクタの導体間に電気的な接続を確立して、第１の回路基板の第２のドライバを、低インピーダンスの経路を介して第２の回路基板の第２のレシーバに電気的に接続するステップであって、該第２のドライバは、指定された許容差内におさまっていることが既知である、ステップと、
前記第２のドライバの出力を制御して、予め定められた値に電気信号を駆動するステップと、
前記第２のレシーバで解読された信号レベルを評価するステップと、
前記第２のレシーバで解読された信号レベルが、前記第２のドライバの出力の前記予め定められた値の指定された範囲内におさまっているかどうかを検証するステップと、
を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】前記電気的な接続を確立するステップは、さらに、
前記第１および第２の試験コネクタの導体間に電気的な接続を確立し、前記第１の回路基板の複数のドライバを、低インピーダンスの経路を介して、前記第２の回路基板の複数のレシーバに電気的に接続すると共に、前記第２の回路基板の複数のドライバを、低インピーダンスの経路を介して、前記第１の回路基板の複数のレシーバに電気的に接続するステップであって、該複数のドライバのそれぞれは、指定された許容差内におさまっていることが既知である、ステップを含む、
請求項６に記載の方法。
【請求項９】前記第１のドライバの出力を制御することは、さらに、
出力の高い信号について規定された低いマージンを表す第１のレベルに、前記第１のドライバの出力を制御し、
前記検証するステップは、前記第１のレシーバで受け取られた値が、少なくともこの値であることを確認する、
請求項６に記載の方法。
【請求項１０】前記第１のドライバの出力を制御することは、さらに、
出力の高い信号について規定された高いマージンを表す第１のレベルに、前記第１のドライバの出力を制御し、
前記検証するステップは、前記第１のレシーバで受け取られた値が、この値より大きくないことを確認する、
請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月13日(2005.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
図１は、いわゆるＦＤ（Floating Diffusion）型構成によるＭＯＳ型固体撮像装置の要部の構成図を示す。この固体撮像装置は、それぞれ複数の行および列、すなわち水平および垂直方向にそれぞれ複数の単位画素１０１(図１においては、１つの単位画素のみを示す)が配列され、各単位画素１０１は、光電変換素子のフォトダイオード１０２によるセンサー部を有し、このセンサー部で得た信号電荷をＦＤ読み出しＭＯＳトランジスタ１０３によって読み出し、この信号電荷を、各単位画素において、ＦＤ増幅ＭＯＳトランジスタ１０４によって信号電圧もしくは信号電流に増幅する構成とされている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明によるＭＯＳ型固体撮像装置の一形態は、図１のＦＤ型ＭＯＳ型固体撮像装置とすることができる。この固体撮像装置は、前述したように、それぞれ複数の行および列、すなわち水平および垂直方向にそれぞれ複数の単位画素１０１が配列され、各単位画素１０１は、光電変換がなされるセンサー部を有し、このセンサー部で得た信号電荷をＭＯＳトランジスタ１０３によって読み出し、この信号電荷を、各単位画素においてＭＯＳトランジスタ１０４によって信号電圧もしくは信号電流に増幅する構成としたいわゆる増幅型撮像装置とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月18日(2005.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に絶縁膜を堆積する第１の工程と、
前記絶縁膜を加工し、所定幅の帯状となる中央部位が最も厚く、幅方向へ離れるにつれて徐々に薄くなって略一定膜厚となる形状のマスクを形成する第２の工程と、
前記半導体基板に対して、前記マスクの前記中央部位を通過して前記半導体基板内の所定部位に不純物が達する条件で前記不純物を導入し、前記中央部位の下方に最も浅い部位を有し当該部位から離れるにつれて徐々に深くなる形状のウェル領域を前記半導体基板の表層に形成する第３の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板上に画定された素子活性領域上を横切るように帯状の電極構造と、前記電極構造の両側の前記素子活性領域に一対の不純物拡散層とを備えてなる半導体装置の製造方法において、
半導体基板上に絶縁膜を堆積する第１の工程と、
前記絶縁膜を加工し、前記電極構造以上の所定幅の帯状となる中央部位が最も厚く、幅方向へ離れるにつれて徐々に薄くなって略一定膜厚となる形状のマスクを形成する第２の工程と、
前記半導体基板に対して、前記マスクの前記中央部位を通過して前記半導体基板内の所定部位に不純物が達する条件で前記不純物を導入し、前記中央部位の下方に最も浅い部位を有し当該部位から離れるにつれて徐々に深くなる形状のウェル領域を前記半導体基板の表層に形成する第３の工程と、
前記マスクを除去した後、前記ウェル領域の前記最も浅い部位を含む前記素子活性領域を囲む素子分離構造を形成する第４の工程と、
前記ウェル領域の前記最も浅い部位の上に相当する前記半導体基板上に、前記電極構造を形成する第５の工程と、
前記電極構造の両側における前記ウェル領域内に当該ウェル領域と逆導電型の不純物を導入し、前記一対の不純物拡散層を形成する第６の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体基板上に第１の絶縁膜を堆積する第１の工程と、
前記第１の絶縁膜を加工し、所定幅であり中央部位が最も厚く幅方向へ離れるにつれて徐々に薄くなる帯状に残るように前記第１の絶縁膜を除去する第２の工程と、
露出した前記半導体基板の表面に残存した前記第１の絶縁膜と接続されるように前記第１の絶縁膜の中央部位より薄い第２の絶縁膜を形成し、前記第１及び第２の絶縁膜からなるマスクを形成する第３の工程と、
前記半導体基板に対して、前記マスクを通過して前記半導体基板内の所定部位に不純物が達する条件で前記不純物を導入し、前記中央部位の下方に最も浅い部位を有し当該部位から離れるにつれて徐々に深くなる形状のウェル領域を前記半導体基板の表層に形成する第４の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体基板上に画定された素子活性領域上を横切るように帯状の電極構造と、前記電極構造の両側の前記素子活性領域に一対の不純物拡散層とを備えてなる半導体装置の製造方法において、
半導体基板上に第１の絶縁膜を堆積する第１の工程と、
前記第１の絶縁膜を加工し、前記電極構造以上の所定幅であり中央部位が最も厚く幅方向へ離れるにつれて徐々に薄くなる帯状に残るように前記第１の絶縁膜を除去する第２の工程と、
露出した前記半導体基板の表面に残存した前記第１の絶縁膜と接続されるように前記第１の絶縁膜の中央部位より薄い第２の絶縁膜を形成し、前記第１及び第２の絶縁膜からなるマスクを形成する第３の工程と、
前記半導体基板の全面に対して、前記マスクを通過して前記半導体基板内の所定部位に不純物が達する条件で前記不純物を導入し、前記マスクの前記中央部位の下方に最も浅い部位を有し当該部位から離れるにつれて徐々に深くなる形状のウェル領域を前記半導体基板の表層に形成する第４の工程と、
前記マスクを除去した後、前記ウェル領域の前記最も浅い部位を含む前記素子活性領域を囲む素子分離構造を形成する第５の工程と、
前記ウェル領域の前記最も浅い部位の上に相当する前記半導体基板上に、前記電極構造を形成する第６の工程と、
前記電極構造の両側における前記ウェル領域内に当該ウェル領域と逆導電型の不純物を導入し、前記一対の不純物拡散層を形成する第７の工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第２の工程において、前記絶縁膜の前記中央部位に相当する箇所にレジストパターンを形成し、前記絶縁膜をウェットエッチングすることで前記マスクを形成することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第２の工程において、前記第１の絶縁膜の前記中央部位に相当する箇所にレジストパターンを形成し、前記第１の絶縁膜を等方性エッチングすることで前記第１の絶縁膜を加工することを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第３の工程において、前記半導体基板の表面を熱酸化することで前記第２の絶縁膜を形成することを特徴とする請求項３、４、６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に半導体基板に形成されたウェルにゲート電極構造及びソース／ドレインを有するＭＯＳトランジスタに適用して好適である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
そこで、本発明の目的は、アライメント精度を緩和して電極構造の形成位置に多少ずれが生じた場合でも、高いサブスレシュホールド特性を保ち、電極構造の空乏容量を抑えてジャンクションリーク電流を低下させる信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供することである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を堆積する第１の工程と、前記絶縁膜を加工し、所定幅の帯状となる中央部位が最も厚く、幅方向へ離れるにつれて徐々に薄くなって略一定膜厚となる形状のマスクを形成する第２の工程と、前記半導体基板に対して、前記マスクの前記中央部位を通過して前記半導体基板内の所定部位に不純物が達する条件で前記不純物を導入し、前記中央部位の下方に最も浅い部位を有し当該部位から離れるにつれて徐々に深くなる形状のウェル領域を前記半導体基板の表層に形成する第３の工程とを有する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月22日(2004.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化化合物半導体からなるｎ型半導体層と、
前記半導体層上に堆積され、パラジウム（Ｐｄ）、スカンジウム（Ｓｃ）、バナジウム（Ｖ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）よりなる群から選択された少なくともいずれかの元素を主成分とした第１の金属層と、を備えることを特徴とする窒化化合物半導体発光素子。
【請求項２】
前記第１の金属層は、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）およびハフニウム（Hf)から選択された少なくともいずれかの元素をさらに含有することを特徴とする窒化化合物半導体発光素子。
【請求項３】
前記半導体層と前記第１の金属層との間に形成された第２の金属層をさらに備え、
前記第２の金属層は、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）およびハフニウム（Ｈｆ）よりなる群から選択された少なくともいずれかの元素で形成されることを特徴とする請求項１に記載の窒化化合物半導体発光素子。
【請求項４】
前記第２の金属層の膜厚は、５ｎｍ以下であることを特徴とする請求項３に記載の窒化化合物半導体発光素子。
【請求項５】
前記第１および第２金属層はいずれも合金であることを特徴とする請求項３または４に記載の窒化化合物半導体発光素子。
【請求項６】
窒化化合物半導体からなるｐ型半導体層と、
前記半導体層の上に堆積され、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、マグネシウム（Ｍｇ）および金（Ａｕ）よりなる群から選択された少なくともいずれかの元素を主成分とした第１の金属層と、
前記第１の金属層の上に堆積され、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、マグネシウム（Ｍｇ）、金（Ａｕ）よりなる群から選択された少なくともいずれかの元素からなる第２の金属層と、
前記第２の金属層の上に堆積され、パラジウム（Ｐｄ）、スカンジウム（Ｓｃ）、バナジウム（Ｖ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、白金（Ｐｔ）よりなる群から選択された少なくともいずれかの元素を主成分とした第３の金属層と、を備えたことを特徴とする窒化化合物半導体発光素子。
【請求項７】
前記第３の金属層の上に堆積された透光性電極層をさらに備えることを特徴とする請求項６に記載の窒化化合物半導体発光素子。
【請求項８】
前記第１の金属層の層厚は、５ｎｍ以下であり、
前記第２の金属層の層厚は、５ｎｍ以下であり、
前記第３の金属層の層厚は、１０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項７記載の窒化化合物半導体発光素子。
【請求項９】
前記第１、第２および第３の金属層は、いずれも合金であることを特徴とする請求項８に記載の窒化化合物半導体発光素子。
【請求項１０】
前記透光性電極層は、インジウム・スズ酸化物で形成されることを特徴とする請求項９に記載の窒化化合物半導体発光素子。
【請求項１１】
前記第１の金属層は、前記半導体層上に島状に成形され、
前記第２の金属層は、前記半導体層または前記第１の金属層上に島状に成形されることを特徴とする請求項７に記載の窒化化合物半導体発光素子。
【請求項１２】
前記第１の金属層の膜厚は、１ｎｍ以下であり、
前記第２の金属層の膜厚は、１ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１１に記載の窒化化合物半導体発光素子。