【手続補正書】
【提出日】平成16年5月7日(2004.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に導電体膜を形成する工程と、
前記導電体膜上に側壁を有する第１のレジスト膜を形成する工程と、
前記第１のレジスト膜をマスクとして、エッチングを用いて前記導電体膜を部分的に除去することにより、前記第１のレジスト膜の側壁の位置より内側に側壁を有する第１のゲート電極を形成するとともに、前記第１のゲート電極から分離された前記導電体膜の分離部分を残存させる工程と、
前記第１のレジスト膜を除去する工程と、
前記第１のゲート電極と前記分離部分とをマスクとして、前記半導体膜に不純物を注入することにより、前記半導体膜において前記第１のゲート電極に隣接する領域に、第１導電型のソースおよびドレイン領域を形成する工程と、
前記第１のゲート電極と前記第１導電型のソースおよびドレイン領域と前記分離部分との上に、前記分離部分上に側壁を有する第２のレジスト膜を形成する工程と、
前記第２のレジスト膜をマスクとして、前記導電体膜の前記分離部分を部分的に除去することにより、前記第２のレジスト膜の側壁の位置より内側に側壁を有する第２のゲート電極を形成する工程と、
前記第２のレジスト膜をマスクとして、エッチングを用いて前記絶縁膜を部分的に除去することにより、前記第２のゲート電極の側壁より外側に位置する側壁を有する延在部を含むゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第２のレジスト膜をマスクとして、前記半導体膜に不純物を注入することにより、前記延在部の側壁から離れた前記半導体膜の領域に、第２導電型のソースおよびドレイン領域の一方の高濃度不純物領域を形成する工程と、
前記第２のレジスト膜を除去する工程と、
前記第２のレジスト膜を除去する工程の後、前記第２のゲート電極をマスクとして前記半導体膜に不純物を注入することにより、前記延在部下に位置する前記半導体膜の領域に前記高濃度不純物領域より相対的に不純物の濃度が低い、前記第２導電型のソースおよびドレイン領域の一方の低濃度不純物領域を形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
基板上に半導体膜を形成する工程と、
前記半導体膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜上に導電体膜を形成する工程と、
前記導電体膜上に側壁を有する第１のレジスト膜を形成する工程と、
前記第１のレジスト膜をマスクとして、エッチングを用いて前記導電体膜を部分的に除去することにより、前記第１のレジスト膜の側壁の位置より内側に側壁を有する第１のゲート電極を形成するとともに、前記第１のゲート電極から分離された前記導電体膜の分離部分を残存させる工程と、
前記第１のレジスト膜を除去する工程と、
前記第１のゲート電極と前記分離部分とをマスクとして、前記半導体膜に不純物を注入することにより、前記半導体膜において前記第１のゲート電極に隣接する領域に、第１導電型のソースおよびドレイン領域を形成する工程と、
前記第１のゲート電極と前記第１導電型のソースおよびドレイン領域と前記分離部分との上に、前記分離部分上に側壁を有する第２のレジスト膜を形成する工程と、
前記第２のレジスト膜をマスクとして、前記導電体膜の前記分離部分を部分的に除去することにより、前記第２のレジスト膜の側壁の位置より内側に側壁を有する第２のゲート電極を形成する工程と、
前記第２のレジスト膜をマスクとして、エッチングを用いて前記絶縁膜を部分的に除去することにより、前記第２のゲート電極の側壁より外側に位置する側壁を有する延在部を含むゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記第２のレジスト膜を除去する工程と、
前記ゲート絶縁膜をマスクとして、前記半導体膜に不純物を注入することにより、前記延在部の側壁から離れた前記半導体膜の領域に第２導電型のソースおよびドレイン領域の一方の高濃度不純物領域を形成する工程と、
前記第２のゲート電極をマスクとして、前記半導体膜に不純物を注入することにより、前記延在部下に位置する前記半導体膜の領域に前記高濃度不純物領域より相対的に不純物の濃度が低い、前記第２導電型のソースおよびドレイン領域の一方の低濃度不純物領域を形成する工程とを備える、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記高濃度不純物領域を形成する工程と前記低濃度不純物領域を形成する工程とを同時に行なう、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ゲート絶縁膜を形成する工程では、前記高濃度不純物領域となるべき半導体膜上に前記ゲート絶縁膜の延在部の膜厚より薄い膜厚を有する絶縁膜部分を残存させる、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１導電型のソースおよびドレイン領域に注入される不純物はｐ型導電性不純物であり、
前記第２導電型の前記低濃度不純物領域と前記高濃度不純物領域とに注入される不純物はｎ型導電性不純物である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ゲート絶縁膜を形成する工程では、前記延在部の側壁を前記基板の主表面に対して傾斜するように形成する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記ゲート絶縁膜を形成する工程では、等方性エッチングにより前記絶縁膜を部分的に除去することにより、前記延在部の側壁を前記基板の主表面に対して傾斜させる、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記ゲート絶縁膜を形成する工程では、レジスト後退法を用いて前記延在部の側壁を前記基板の主表面に対して傾斜させる、請求項６に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法を用いた液晶表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
【課題を解決するための手段】
この発明の別の局面における半導体装置の製造方法では、基板上に半導体膜を形成する。半導体膜上に絶縁膜を形成する。絶縁膜上に導電体膜を形成する。導電体膜上に側壁を有する第１のレジスト膜を形成する。第１のレジスト膜をマスクとして、エッチングを用いて導電体膜を部分的に除去することにより、第１のレジスト膜の側壁の位置より内側に側壁を有する第１のゲート電極を形成する。また、同時に第１のゲート電極から分離された導電体膜の分離部分を残存させる。次に、第１のレジスト膜を除去する。第１のゲート電極と分離部分とをマスクとして、半導体膜に不純物を注入することにより、半導体膜において第１のゲート電極に隣接する領域に、第１導電型のソースおよびドレイン領域を形成する。第１のゲート電極と第１導電型のソースおよびドレイン領域と分離部分との上に第２のレジスト膜を形成する。第２のレジスト膜は、分離部分上に側壁を有する。第２のレジスト膜をマスクとして、導電体膜の分離部分を部分的に除去することにより、第２のレジスト膜の側壁の位置より内側に側壁を有する第２のゲート電極を形成する。第２のレジスト膜をマスクとして、エッチングを用いて絶縁膜を部分的に除去することにより、第２のゲート電極の側壁より外側に位置する側壁を有する延在部を含むゲート絶縁膜を形成する。第２のレジスト膜をマスクとして、半導体膜に不純物を注入することにより、延在部の側壁から離れた半導体膜の領域に、第２導電型のソースおよびドレイン領域の一方の高濃度不純物領域を形成する。第２のレジスト膜を除去する。第２のレジスト膜を除去する工程の後、第２のゲート電極をマスクとして半導体膜に不純物を注入することにより、延在部下に位置する半導体膜の領域に高濃度不純物領域より相対的に不純物の濃度が低い、第２導電型のソースおよびドレイン領域の一方の低濃度不純物領域を形成する。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
この発明のもう１つの局面における半導体装置の製造方法では、基板上に半導体膜を形成する。半導体膜上に絶縁膜を形成する。絶縁膜上に導電体膜を形成する。導電体膜上に側壁を有する第１のレジスト膜を形成する。第１のレジスト膜をマスクとして、エッチングを用いて導電体膜を部分的に除去することにより、第１のレジスト膜の側壁の位置より内側に側壁を有する第１のゲート電極を形成する。また、同時に第１のゲート電極から分離された導電体膜の分離部分を残存させる。次に、第１のレジスト膜を除去する。第１のゲート電極と分離部分とをマスクとして、半導体膜に不純物を注入することにより、半導体膜において第１のゲート電極に隣接する領域に、第１導電型のソースおよびドレイン領域を形成する。第１のゲート電極と第１導電型のソースおよびドレイン領域と分離部分との上に第２のレジスト膜を形成する。第２のレジスト膜は、分離部分上に側壁を有する。第２のレジスト膜をマスクとして、導電体膜の分離部分を部分的に除去することにより、第２のレジスト膜の側壁の位置より内側に側壁を有する第２のゲート電極を形成する。第２のレジスト膜をマスクとして、エッチングを用いて絶縁膜を部分的に除去することにより、第２のゲート電極の側壁より外側に位置する側壁を有する延在部を含むゲート絶縁膜を形成する。第２のレジスト膜を除去する。ゲート絶縁膜をマスクとして、半導体膜に不純物を注入することにより、延在部の側壁から離れた半導体膜の領域に第２導電型のソースおよびドレイン領域の一方の高濃度不純物領域を形成する。第２のゲート電極をマスクとして、半導体膜に不純物を注入することにより、延在部下に位置する半導体膜の領域に高濃度不純物領域より相対的に不純物の濃度が低い、第２導電型のソースおよびドレイン領域の一方の低濃度不純物領域を形成する。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
上記もう１つの局面における半導体装置の製造方法では、高濃度不純物領域を形成する工程と低濃度不純物領域を形成する工程とを同時に行なうことが好ましい。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
この場合、半導体装置の製造工程をより簡略化することができる。
上記別の局面またはもう１つの局面における半導体装置の製造方法では、ゲート絶縁膜を形成する工程において、高濃度不純物領域となるべき半導体膜上にゲート絶縁膜の延在部の膜厚より薄い膜厚を有する絶縁膜部分を残存させることが好ましい。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
上記別の局面またはもう１つの局面における半導体装置の製造方法では、第１導電型のソースおよびドレイン領域に注入される不純物はｐ型導電性不純物であり、第２導電型の低濃度不純物領域と高濃度不純物領域とに注入される不純物はｎ型導電性不純物であることが好ましい。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
上記別の局面またはもう１つの局面における半導体装置の製造方法では、ゲート絶縁膜を形成する工程において、延在部の側壁を基板の主表面に対して傾斜するように形成することが好ましい。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
上記別の局面またはもう１つの局面における半導体装置の製造方法では、ゲート絶縁膜を形成する工程において、等方性エッチングにより絶縁膜を部分的に除去することにより、延在部の側壁を基板の主表面に対して傾斜させることが好ましい。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
上記別の局面またはもう１つの局面における半導体装置の製造方法では、ゲート絶縁膜を形成する工程において、レジスト後退法を用いて延在部の側壁を基板の主表面に対して傾斜させることが好ましい。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
この発明のさらに他の局面における液晶表示装置の製造方法では、上記別の局面またはもう１つの局面における半導体装置の製造方法を用いる。