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【手続補正書】
【提出日】平成16年6月15日(2004.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
式（ＩＩ）
【化２】
1998060294.tif 000001
（式中、Ｒ1 ，Ｒ2 ，Ｒ3 及びｎは式（Ｉ）に記載された意味を有する。）
のアミン１種又はそれ以上をジアゾ化し、ジアゾ化生成物を式ＩＩＩ
【化３】
1998060294.tif 000002
の化合物と１：０．９〜１．１、好ましくは１：０．９５〜１．０５のモル比でカップリングする、請求項１ないし５のいずれかに記載の式（Ｉ）の化合物の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】
式（ＩＩ）のジアゾ化されたアミンの溶液、懸濁液又は分散液を、式（ＩＩＩ）の化合物の分散液又は懸濁液に加えるか、あるいは式（ＩＩＩ）の化合物の懸濁液又は分散液を式（ＩＩ）のジアゾ化されたアミンの溶液、懸濁液又は分散液に加える、請求項６記載の方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項８】
高分子量の有機材料、ペイント、塗料材料、印刷インク、電子写真トナー及び現像剤、摩擦電気的に又は界面動電的に噴霧することができる粉末及び粉末塗料を顔料着色するために、請求項１ないし５のいずれかに記載の式（Ｉ）の化合物を使用する方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
特に重要な式（Ｉ）の化合物は、式中Ｒ3 が水素原子、メチル、エチル、メトキシ、エトキシ、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ニトロ、ＣＦ3 、ＣＯＯＣＨ3 又はＣＯＯＣ2 Ｈ5 であるものである。
式（Ｉ）は考えられる式とみなされ、対応する対掌体化合物、並びに各対掌体形の可能な立体配置異性体も包含する。式（Ｉ）の化合物は通常ヒドラゾン形で存在する。したがって式（Ｉ）は、特にヒドラゾン形も包含する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
式（ＩＩＩ）のカップリング成分は、Ｎ- アセトアセチルデヒドロチオトルイジンである。この化合物の製造は、たとえばドイツ特許（ＤＲＰ）第４０９９４９号明細書中に記載されている。
本発明の式（Ｉ）の化合物は、ジアゾ化されたアミンを上述のカップリング成分で、必要ならば水性媒体中で濁り度を有することができる非イオン、アニオン又はカチオン界面活性剤の存在下に水性媒体中でカップリングしてそれ自体公知方法で製造される。必要ならば他の助剤、たとえば天然又は合成樹脂又は樹脂誘導体、又はペイント、印刷インク又はプラスチックスのための慣用の添加物も場合により使用することができる。カップリングも全体を又は一部を有機溶剤中で実施することもできる。カップリング反応を、水性媒体中で、慣用方法の１つによって、すなわち
ａ）ジアゾニウム塩の溶液、懸濁液又は分散液をカップリング成分の懸濁液又は分散液に添加するか又は
ｂ）ジアゾニウム塩の溶液、懸濁液又は分散液及びカップリング成分の溶液、懸濁液又は分散液を同時に緩衝溶液又は混合ノズル中に配量添加するか又は
ｃ）カップリング成分の溶液をジアゾニウム塩の溶液、懸濁液又は分散液に添加するか又は
ｄ）カップリング成分の懸濁液又は分散液をジアゾニウム塩の溶液、懸濁液又は分散液に添加することに
よって実施する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明の式（Ｉ）の化合物は、高分子量の有機材料、ペイント、塗料材料、印刷インク、電子写真トナー及び現像剤、摩擦電気的に又は界面動電的に噴霧することができる粉末及び粉末塗料を顔料着色するのに特に適する。高分子量有機材料は、たとえばセルロースエーテル及びエステル、たとえばエチルセルロース、ニトロセルロース、酢酸セルロース及び酪酸セルロース、天然樹脂又は合成樹脂、たとえば重合樹脂又は縮合樹脂、たとえばアミノプラスト、特に尿素- 及びメラミンホルムアルデヒド樹脂、アルキド樹脂、アクリル樹脂及びフエノプラスト、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリビニル化合物、特にポリビニルクロライド又は酢酸ポリビニル、ポリオレフィン、特にポリエチレン及びポリプロピレン、ポリアクリル化合物、特にポリアクリロニトリル及びポリアクリル酸エステル、ポリアミド、ポリウレタン又はポリエステル、ゴム、カゼイン、シリコーン及びシリコーン樹脂であり、これらを単独で又は混合物の形で使用する。セルロースエステル、たとえばニトロセルロース及びポリオレフィン、たとえばポリエチレン及びポリプロピレンは媒体として特に好ましい。  
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
典型的なトナー結合剤は付加重合、重付加及び重縮合樹脂、たとえばスチレン、スチレンアクリレート、スチレン- ブタジエン、アクリレート、ポリエステル、フエノール- 及びエポキシ樹脂、ポリスルホン、ポリウレタン単独で又はこれらの混合物で、並びにポリエチレン及びポリプロピレンであり、これは他の構成成分、たとえば電荷調節剤、ロウ又は流動助剤を含有することができるか又は次いでこれらの添加物で変化させることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
【表１】
1998060294.tif 000003
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
【表２】
1998060294.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月8日(2004.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
式（１）：
【化１】
1998060297.tif 000001
〔式中、
Ｘ1 及びＸ2 の一方は、ヒドロキシルであり、他方は、アミノであり、
Ｄ1 は、式（２）：
【化２】
1998060297.tif 000002
（式中、
Ｚは、基：−ＣＨＴ−ＣＨ2 Ｔ又はＣＴ＝ＣＨ2 （ここで、Ｔは、ブロモ又はクロロである）で示される基であり、そして
Ｄ2 は、式（３）：
【化３】
1998060297.tif 000003
（式中、
Ｒ及びＲ′は、互いに独立して、それぞれ水素又は置換若しくは非置換Ｃ1 −Ｃ4 アルキルであり、
Ｒ1 及びＲ2 は、互いに独立して、それぞれ水素、スルホ、Ｃ1 −Ｃ4 アルキル、Ｃ1 −Ｃ4 アルコキシ又はハロゲンであり、
Ｒ3 は、式（４ａ）、（４ｂ）又は（４ｃ）：
【化４】
1998060297.tif 000004
（式中、
Ｘは、ハロゲン又は置換若しくは非置換ピリジルであり、
Ｙは、ビニル又は基：−ＣＨ2 −ＣＨ2 −Ｕ（ここで、Ｕは、脱離基である）であり、
Ｚは、上記と同義であり、そして
ｎは、１〜６の整数である）で示される繊維−反応性基である）で示される基である〕で示される化合物、並びに
式（１ｃ）及び（１ｄ）：
【化３２】
1998060297.tif 000005
〔式中、
Ｘ1及びＸ2は、上記と同義であり、
ｍは、０又は１であり、そして
Ｄ2は、式（３ｂ）又は（３ｃ）：
【化３３】
1998060297.tif 000006
で示される基である〕
で示される化合物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１１】
請求項１記載の式（１）の化合物を製造するための方法であって、
式（５ａ）、（５ｂ）及び（６）：
【化９】
1998060297.tif 000007
（上記式中、Ｄ1 、Ｄ2 、Ｘ1 及びＸ2 は、それぞれ請求項１と同義である）の化合物のそれぞれ約１モル当量を、いかなる順序においてもよく、それぞれジアゾ化により、反応させ、次いでジカップリングさせることを特徴とする方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
実施例４７〜６０
下記式：
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月9日(2004.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の構成要素からなる着色顔料：
（ａ）実質的に透明な材料または金属の反射性材料からなるコア、
（ｂ）本質的に１種またはそれ以上の酸化ケイ素からなる少なくとも１つのコーティング、このコーティング（ｂ）の平均値でのケイ素に対する酸素のモル比は０．２５乃至０．９５である。
【請求項２】
下記の構成要素からなる請求項１記載の顔料：
（ａ）実質的に透明な材料または金属の反射性材料からなるコア、
（ｂ）本質的に１種またはそれ以上の酸化ケイ素からなる少なくとも１つのコーティング、および
（ｃ）コア（ａ）のコーティング（ｂ）と同じ側に付与された少なくともいま１つのコーティング、このコーティングは任意の固体材料からなり、そのコーティングの組成はコーティング（ｂ）の組成とは異なる、
ここにおいて、該コア（ａ）に対するコーティング（ｂ）と（ｃ）との相対的配置は任意であり、そしてコーティング（ｂ）の平均値でのケイ素に対する酸素のモル比は０．２５乃至０．９５である。
【請求項３】
該コーティング（ｃ）の材料が、１種またはそれ以上の金属酸化物または１種またはそれ以上の金属フッ化物、好ましくはＳi 、Ｔi 、Ｚn 、Ｓn 、Ｇe 、Ｚr 、Ａl 、Ｆe 、Ｖ、Ｎi 、Ｃo 、Ｃu 、Ｃr またはＰb の１種またはそれ以上の酸化物または混合酸化物、またはＭg またはＣa の１種またはそれ以上のフッ化物からなり、特に好ましくは、Ｓi Ｏ２ からなる請求項２記載の顔料。
【請求項４】
実質的になめらかな表面を有し、少なくとも１つの寸法が２００μｍ以上であり、そして１種またはそれ以上の酸化ケイ素の１つの層を含有し、該酸化ケイ素層の平均値でのケイ素に対する酸素のモル比が０．２５乃至０．９５である、コーティングされた透明な、または金属の反射性基材。
【請求項５】
３．０・１０−４Ｐａ乃至１．８・１０−３Ｐａの酸素分圧下において、ガス状酸素の存在下で金属ケイ素を真空蒸着、スパッタリングまたは化学蒸着することによって、平均値でのケイ素に対する酸素のモル比が０．２５乃至０．９５である１種またはそれ以上の酸化ケイ素から本質的になるコーティング層で基材をコーティングする方法。
【請求項６】
ガス状酸素の存在下で金属ケイ素を真空蒸着、スパッタリングまたは化学蒸着することによって、基材をそれぞれが本質的に１種またはそれ以上の酸化ケイ素からなる２つのコーティング層（ｂ”）と（ｃ”）とでコーティングする方法において、
−  コーティング（ｂ”）の平均値でのケイ素に対する酸素のモル比が０．２５乃至０．９５である、
−  コーティング（ｃ”）の平均値でのケイ素に対する酸素のモル比が１．０乃至２．０である、
−  酸素分圧をコーティング工程の途中において変える、
ことを特徴とする方法。
【請求項７】
高分子有機材料と、該高分子有機材料を基準にして０．１乃至３０重量％、好ましくは１乃至２０重量％の請求項１記載の顔料とを含有する着色された組成物。
【請求項８】
高分子有機材料を着色するための請求項１記載の顔料の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月26日(2004.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インキ組成物を調製する方法であって、
少なくとも液状ビヒクルと、溶媒と、顔料分散物とを含む混合物を調製する工程と、
前記混合物に高圧剪断力を与え、顔料粒子のサイズが微小化され再分散された分散物を生成する工程と、
得られた前記分散物を濾過し、インキ組成物を生成する工程と、
を含むことを特徴とするインキ組成物の調製方法。
【請求項２】
インキ組成物を調製する方法であって、
第一顔料分散物を生成する工程と、
前記第一分散物に高圧剪断力を与え、顔料粒子を微小化し再分散された第二顔料分散物を生成する工程と、
液状ビヒクルと溶媒とを前記第二顔料分散物に添加し、混合物を調製する工程と、
前記混合物を濾過し、インキ組成物を生成する工程と、
を含むことを特徴とするインキ組成物の調製方法。
【請求項３】
請求項１に記載のインク組成物の調製方法において、
前記高圧剪断力は、精密流動化装置により得られることを特徴とするインク組成物の調製方法。
【請求項４】
請求項３に記載のインク組成物の調製方法において、
前記液状ビヒクルは水であり、前記溶媒はスルホランであることを特徴とするインク組成物の調製方法。
【請求項５】
請求項４に記載のインク組成物の調製方法において、
前記精密流動化装置は、７０ないし１００ｐｓｉの入口圧力と、１０，０００ないし２０，０００ｐｓｉの液体圧力とに設定されることを特徴とするインク組成物の調製方法。
【請求項６】
請求項１に記載のインク組成物の調製方法において、
前記濾過する工程では、０．２μｍから３．０μｍまでの範囲の細孔サイズを有するフィルタを使用することを特徴とするインク組成物の調製方法。
【請求項７】
請求項２に記載のインク組成物の調製方法において、
前記高圧剪断力は、精密流動化装置により得られることを特徴とするインク組成物の調製方法。
【請求項８】
請求項２に記載のインク組成物の調製方法において、
前記液状ビヒクルは水であり、前記溶媒はスルホランであり、
前記混合物は、約８重量％の顔料分散物と、１５重量％のスルホランと、７７重量％の水とを含むことを特徴とするインク組成物の調製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月1日(2004.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
また、ターゲットの組成の改良に関する提案も多くなされている。たとえば、純Ａｌ膜では比抵抗は低いが耐熱性に問題があり、ＴＦＴ（Thin-Film-Transistor）製造プロセス上不可避である電極膜形成後の加熱工程（250〜400℃程度）等において、ヒロックといわれる微小な突起が表面に生じるという問題点がある。
このヒロックはストレスマイグレーション、サーマルマイグレーション等により発生すると考えられ、このヒロックが発生するとＡｌ配線膜上に絶縁膜や保護膜等を形成し、さらに配線膜、電極膜等を形成しようとした場合に電気的短絡（ショート）や、このヒロックを通してエッチング液等が侵入しＡｌ配線膜が腐食してしまうという問題点がある。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
さらに、これらの問題は、大型のインゴットを溶解法で製造する場合、さらに深刻となる。大型化により、熱収縮が大きくなり引け巣が大きくなるとともに、冷却速度が遅くなり重力偏析により均一な組成となりにくい。また、重力偏析を防ぐために急冷すると放出された水素が抜けづらくなり、水素欠陥の発生が多くなる。
これに対して、焼結法を適用する本発明では、鋳造時の巣の発生や、溶存ガスの放出に起因する空隙の発生はない。また、粉末状態で混合できるため、重力偏析も実質的に起こらず、均質なターゲットを得ることができるのである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月21日(2004.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
不銹性の、あるいは耐食性の合金鋼を包含する特殊鋼は、最適の耐薬品性を達成するためには、より表面の粗さ(Rauhtiefe) の少ない、金属的に清浄な表面を有しなければならない。このことを達成するためには、熱成形ないしは熱処理の際に生ずるスケール層(Zunderschicht) およびさび色(Anlauffarben)を除去しなければならない。何故ならば、これらのものは、腐食を防止する不動態化層
(Passivschicht) を損なうからである。特殊鋼においても、また上記のスケール層およびさび色は、酸洗い工程(Beizvorgang) によって除去される。しかしながら、そのような酸洗い工程においては、本体の金属は、酸の攻撃に対して比較的抵抗性があるが、酸のより強い攻撃の際には、表面は均一的にではなく、部分的により強く侵食されるということを考慮すべきである。存在するスケール層は、本体の金属に比較的強く固着しており、従って除去することが著しく困難であって多大の費用が必要とされる。更に、特殊鋼においては、スケール層が鉄の酸化物のほかに合金金属の酸化物および混合酸化物をもまた含有することもまた考慮すべきである。また、特殊鋼の酸洗い性(Beizbarkeit) にとってオーステナイト、フエライト、マルテンサイト、オーステノ- フエライトおよびフエライト- マルテンサイトでありうるという組織の状態もまた重要であることを考慮すべきである。これらの事情を考慮した上で、特殊鋼からなる帯状物は、まずブラストクリーニング(Strahl-) およびブラッシング工程(Buerst-vorgang)によって機械的にスケール除去される。次いで、帯状物は、組織の状態に応じて、硫酸、フッ化水素酸および硝酸不含添加物、混酸（フッ化水素酸- 硝酸混合物）のような異なった酸洗い液を入れた数個の容器内において、あるいは硫酸または中性塩の電解浴中で酸洗いされる。十分に洗滌された後に、特殊鋼帯状物は、不動態化される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
図３においては、酸洗いがいわゆる中性電位法(Mittelleiterverfahren) によって実施される処理容器２が示されている。この場合においても、処理容器２は、同様にカソードとアノードとが交互に配置されている個々の電解槽３ないし区画に分けられている。このことによって、更に帯状鋼１は、通過する際に、反復される極性の交代にかけられ、それによって水素蓄積およびそれに関連する酸洗いによる脆化が回避される。塩素ガスの遊離化は、電極の極性の交代によって回避される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
帯状鋼１は、処理容器２に続いて、浸漬酸洗い容器として構成されており、そして同様にもっぱら塩酸を含有する酸洗い液が満たされているもう一つの処理容器５に達する。この場合、酸洗い液を帯状鋼１の移動方向に対して向流的に導くことが有利である。この処理容器５においても、酸洗い液は、処理容器２とほぼ同じ濃度および同じ温度を有する。必要な場合には、処理容器２と処理容器５との間に、この実施例の場合においては図示されていないが、処理容器５として後置されているものと同様な、いわゆるスプレー処理容器６として構成されている処理容器を配置することも可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月19日(2004.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも５０重量％の非ホスフェートビルダー、および０から２０重量％のホスフェートビルダーを含む錠剤の洗浄剤であって、４０℃から１２０℃のガラス転移温度を有する親水性または疎水性モノマーのポリマーの中和物をバインダーとして０．３から５重量％その中に含み、該モノマーが（メタ）アクリル酸、無水マレイン酸、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリル酸、アルキル（メタ）アクリレート、アルキルヒドロキシ（メタ）アクリレート、アルキル（メタ）アクリル酸またはスチレンを含み、該ポリマーが１０，０００から１２０，０００の重量平均分子量を有する、前記錠剤の洗浄剤。
【請求項２】
ａ）少なくとも５０重量％の非ホスフェートビルダー、および任意に２０重量％以下のホスフェートビルダー、並びに４０℃から１２０℃のガラス転移温度を有する親水性または疎水性モノマーのポリマーの中和物であって、該モノマーが（メタ）アクリル酸、無水マレイン酸、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリル酸、アルキル（メタ）アクリレート、アルキルヒドロキシ（メタ）アクリレート、アルキル（メタ）アクリル酸またはスチレンを含み、１０，０００から１２０，０００の重量平均分子量を有する該ポリマーの中和物を０．３から５重量％含む組成物を凝集させる工程、ｂ）得られた凝集物を錠剤にする工程を含む、錠剤の洗浄剤の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
存在する場合には、ホスフェートビルダーの量は５重量％以下、好ましくは０から１重量％、より好ましくは０から０．１重量％である。ポリマーを溶解可能とするためには、ポリマーは中和されることが必要である。ポリマーの分子量は、好ましくは２５，０００から９５，０００、最も好ましくは４０，０００から５０，０００である。ポリマーのガラス転移温度は好ましくは４０℃から１００℃である。錠剤中の好ましい量は、０．５から２重量％である。本発明の錠剤の洗浄剤は、多量の非ホスフェートバインダーを有する公知の錠剤に比較して優れた物理特性を示す。
本発明は以下の態様を包含する。
１）少なくとも５０重量％の非ホスフェートビルダー、および０から２０重量％のホスフェートビルダーを含む錠剤の洗浄剤であって、４０℃から１２０℃のガラス転移温度を有する親水性または疎水性モノマーのポリマーの中和物をバインダーとして０．３から５重量％その中に含み、該モノマーが（メタ）アクリル酸、無水マレイン酸、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリル酸、アルキル（メタ）アクリレート、アルキルヒドロキシ（メタ）アクリレート、アルキル（メタ）アクリル酸またはスチレンを含み、該ポリマーが１０，０００から１２０，０００の重量平均分子量を有する、前記錠剤の洗浄剤。
２）ａ）少なくとも５０重量％の非ホスフェートビルダー、および任意に２０重量％以下のホスフェートビルダー、並びに４０℃から１２０℃のガラス転移温度を有する親水性または疎水性モノマーのポリマーの中和物であって、該モノマーが（メタ）アクリル酸、無水マレイン酸、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリル酸、アルキル（メタ）アクリレート、アルキルヒドロキシ（メタ）アクリレート、アルキル（メタ）アクリル酸またはスチレンを含み、１０，０００から１２０，０００の重量平均分子量を有する該ポリマーの中和物を０．３から５重量％含む組成物を凝集させる工程、ｂ）得られた凝集物を錠剤にする工程を含む、錠剤の洗浄剤の製造方法。
３）ポリマーが２５，０００から９５，０００の分子量を有する、項１）または２）記載の錠剤の洗浄剤またはその製造方法。
４）ポリマーが４０，０００から５０，０００の分子量を有する、項１）、２）または３）記載の錠剤の洗浄剤またはその製造方法。
５）ホスフェートビルダーの量が０から５重量％である、項１）から４）のいずれか１項記載の錠剤の洗浄剤またはその製造方法。
６）ホスフェートビルダーの量が０から１重量％、好ましくは０から０．１重量％である、項５）記載の錠剤の洗浄剤またはその製造方法。
７）ポリマーが４０から１００℃のガラス転移温度を有する項１）から６）のいずれか１項記載の錠剤の洗浄剤またはその製造方法。
８）ポリマーがメチルメタクリレート、ブチルアクリレート、メタクリル酸、ヒドロキシエチルメタクリレート、または２−ヒドロキシエチルアクリレートの単位を含む、項１）から７）のいずれか１項記載の錠剤の洗浄剤またはその製造方法。
９）ポリマーがメチルメタクリレート４７重量％、ブチルアクリレート２５重量％、メタクリル酸１８重量％、ヒドロキシエチルメタクリレート１０重量％を含む、項１）から８）のいずれか１項記載の錠剤の洗浄剤またはその製造方法。
１０）無機ビルダーがクエン酸塩、珪酸塩、ジシリケート、ゼオライト、炭酸塩、または炭酸水素塩を含む、項１）から９）のいずれか１項記載の錠剤の洗浄剤またはその製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月1日(2004.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
例えば、窓ガラスの上辺側と下辺側にそれぞれバスバー（電極）がほぼ平行して配され、上辺側バスバーと下辺側バスバーとの間を渡すように数百本の抵抗加熱線が設けられた乗用車のフロントガラス用の電熱窓ガラスが提案されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
電熱窓ガラスは、一般に２枚の板ガラスと、該２枚の板ガラス間に挟まれた中間樹脂膜と、上記２枚の板ガラス間にあってその周辺部に設けられた一対のバスバーと、これらの一対のバスバー間に設けられた多数の抵抗加熱線から構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
従来、バスバーは、抵抗加熱線を挟むようにテープ状の上側（図２（ａ）における上側）のバスバーとテープ状の下側（図２（ａ）における下側）のバスバーとからなり、抵抗加熱線をテープ状の上側のバスバーとテープ状の下側のバスバーとの間に接着固定する場合、ハンダのみで行われていた。しかし、上下のテープ状バスバー間に挟まれる抵抗加熱線の近傍にはハンダは留まらず間隙が生じる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図１のＸ−Ｘ断面図（バスバーが存在する位置の断面図）を図２（ｂ）に示す。なお、図２（ｂ）には図１では省略した上面の板ガラス１’も図示した。本発明の電熱窓ガラスは、図２（ｂ）に示すように、板ガラス１の面に中間樹脂膜７が設けられ、その上にバスバーの下部を構成する下側のバスバー（以下、下バスバーという）８、抵抗加熱線６、バスバーの上部を構成する上側のバスバー（以下、上バスバーという）９および上方板ガラス１’がこの順に積層された構造になっている。そして、下バスバー８と上バスバー９との間にはフラックス１０が充填されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る電熱窓ガラスの一例の平面を説明する図。
【図２】（ａ）従来の電熱窓ガラスの模式断面図。（ｂ）図１のＸ−Ｘ矢視断面図。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
Ａ：電熱窓ガラス
１：板ガラス
２、３：バスバー
４、５：リード線
６：抵抗加熱線
７：中間樹脂膜
８：下側のバスバー（下バスバー）
９：上側のバスバー（上バスバー）
１０：フラックス
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月30日(2005.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、安全規格等の制約から一般的に加熱体に比較して熱伝導が悪い絶縁部材を加熱体に対してオーバーコートする必要性があり、加熱体からの熱を十分には活用できていない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
そこで、本形態では、ガラス７の厚みｔ１とガラス１１の厚みｔ２を同じ厚さ、例えば２０〜３０μｍでオーバーコートし、ガラス７の材料に、ガラス１１の材料よりも熱伝導度（熱伝導率）が悪いペースト材（例えば１／１００以下）を使用して塗布している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
３７はプリンタ内の下部に装着した給紙カセットであり、被記録材Ｐを積載収納させてある。この給紙カセット３７内の被記録材Ｐが給紙ローラー３８と分離爪部材３９により１枚分離給送され、シートパス４０、レジストローラー対４１、シートパス４２の経路で転写部位へ所定の制御タイミングにて給送される。転写部位にてトナー像の転写を受けた被記録材Ｐは回転感光ドラムＤ面から順次に分離されて、像加熱装置としての定着装置Ｒへ導入されてトナー像の定着処理（加熱加圧による永久固定画像化）を受け、シートパス４３、排紙ローラー４４を経由して排紙トレイ４５に送り出される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１ 加熱体ホルダ
２ 基材（絶縁基材）
３ 抵抗発熱体
４、１８、１９  導体パターン
８  フィルム
９  加圧ローラー
１０  加熱体
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月30日(2005.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真方式を用いた複写機、プリンター、ファクシミリ等に用いられる加熱体、加熱装置及び画像形成装置に関するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
フィルム加熱方式の加熱装置は、加熱体として低熱容量線状加熱体を、フィルムとして薄膜の低熱容量のものを用いることが出来るため、省電力化・ウェイトタイム短縮化（クイックスタート性）が可能である。またこの種の定着方式においては、定着フィルムの駆動方式にフィルム内周面に駆動ローラを設け、フィルムにテンションを加えながら駆動する方式、フィルムをフィルムガイドにルーズに嵌合させ、加圧用回転体を駆動することで、フィルムを加圧用回転体に対し従動回転させる方式が知られているが、近年では部品点数が少なくて済むことから、後者の加圧用回転体駆動方式が採用されることが多い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７３】
回転感光ドラムＤ面に形成されたトナー像は、感光ドラムＤと転写装置３５との対向部である転写部位において、該転写部位に対して所定の制御タイミングにて給送された記録紙（転写材・被記録材）８に対して順次に転写される。転写装置３５としては図に示したコロナ帯電器以外に、導電弾性回転体に電源から電流を供給して記録紙に転写電荷を付与しながら搬送する転写ローラ方式等がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
３７はプリンター内の下部に装着した給紙カセットであり、記録紙８を積載収納させてある。この給紙カセット３７内の記録紙８が給紙ローラ３８と分離爪部材３９により１枚分離給送され、シートパス４０、レジストローラ対４１、シートパス４２の経路で転写部位へ所定の制御タイミングにて給送される。転写部位にてトナー像の転写を受けた記録紙８は回転感光ドラムＤ面から順次に分離されて、像加熱装置としての定着器Ｒへ導入されてトナー像の定着処理（加熱加圧による永久固定画像化）を受け、シートパス４３、排紙ローラ４４を経由して排紙トレイ４５に送り出される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
ｃ）加圧部材９はローラでなくともよい。例えばベルト部材にすることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月25日(2005.7.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップに形成された複数の電極パッドと、前記電極パッド上に形成された突起電極と、前記突起電極と対向するように設けられ、前記突起電極と接続する端子電極が形成された基板と、を備え、
前記突起電極のうち少なくともひとつの突起電極が複数の前記端子電極と接続されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記複数の端子電極に接続された前記突起電極と異なる突起電極と対向するように設けられた端子電極のうち、少なくとも一つの端子電極の周りには、これを囲むとともに該端子電極とは電気的に独立した配線パターンが前記基板上に設けられたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体チップに形成された複数の電極パッドと、前記電極パッド上に形成された突起電極と、前記突起電極と対向するように設けられ、前記突起電極と接続する端子電極が形成された基板と、を備え、
前記端子電極の少なくとも一つの端子電極の周りには、これを囲むとともに該端子電極とは電気的に独立した配線パターンが前記基板上に設けられたことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体チップに形成された複数の電極パッドと、前記電極パッド上に形成された突起電極と、前記突起電極と対向するように設けられ、前記突起電極と接続する端子電極が形成された基板と、を備え、前記突起電極のうち少なくともひとつの突起電極が複数の前記端子電極と接続された半導体装置の検査方法であって、
前記複数の突起電極のうち一つの突起電極に電源と電流計を直列に接続し、他の突起電極に電圧計を接続することを特徴とする半導体装置の検査方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月7日(2004.4.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガリウムとインジウムとを含有する酸化錫系の透明導電膜であって、ガリウムをＧａ２Ｏ３に換算し、インジウムをＩｎ２Ｏ３に換算し、錫をＳｎＯ２に換算したときＧａ２Ｏ３とＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との総量に対して、ガリウムをＧａ２Ｏ３換算で０．１〜３０モル％含有し、かつインジウムをＩｎ２Ｏ３換算で０．１〜３０モル％含有し、さらに、長周期型周期表における３族（ランタノイドを含む、アクチノイドは含まず）、４族および５族からなる群から選ばれる１種以上の金属を含有することを特徴とする透明導電膜。
【請求項２】
ガリウムの含有割合が、Ｇａ２Ｏ３換算でＧａ２Ｏ３とＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との総量に対して１〜１５モル％であり、かつインジウムの含有割合が、Ｉｎ２Ｏ３換算でＧａ２Ｏ３とＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との総量に対して１〜１５モル％である請求項１に記載の透明導電膜。
【請求項３】
アンチモンおよび／またはテルルを含有する請求項１または２に記載の透明導電膜。
【請求項４】
基体上に請求項１、２または３に記載の透明導電膜が形成されたことを特徴とする透明導電膜付き基体。
【請求項５】
ガリウムとインジウムとを含有する酸化錫系のスパッタリングターゲットであって、ガリウムをＧａ２Ｏ３に換算し、インジウムをＩｎ２Ｏ３に換算し、錫をＳｎＯ２に換算したとき、Ｇａ２Ｏ３とＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との総量に対して、ガリウムをＧａ２Ｏ３換算で０．１〜３０モル％含有し、かつインジウムをＩｎ２Ｏ３換算で０．１〜３０モル％含有し、さらに、長周期型周期表における３族（ランタノイドを含む、アクチノイドは含まず）、４族および５族からなる群から選ばれる１種以上の金属を含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項６】
ガリウムの含有割合が、Ｇａ２Ｏ３換算でＧａ２Ｏ３とＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との総量に対して１〜１５モル％で、かつインジウムの含有割合が、Ｉｎ２Ｏ３換算でＧａ２Ｏ３とＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との総量に対して１〜１５モル％である請求項５に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項７】
アンチモンおよび／またはテルルを含有する請求項５または６に記載のスパッタリングターゲット。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
本発明は、ガリウムとインジウムとを含有する酸化錫系の透明導電膜であって、ガリウムをＧａ２Ｏ３に換算し、インジウムをＩｎ２Ｏ３に換算し、錫をＳｎＯ２に換算したときＧａ２Ｏ３とＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との総量に対して、ガリウムをＧａ２Ｏ３換算で０．１〜３０モル％含有し、かつインジウムをＩｎ２Ｏ３換算で０．１〜３０モル％含有し、さらに、長周期型周期表における３族（ランタノイドを含む、アクチノイドは含まず）、４族および５族からなる群から選ばれる１種以上の金属を含有することを特徴とする透明導電膜を提供する。
ガリウムおよびインジウムの含有割合の定義については以下も同様とする。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
ガリウムとインジウムのいずれかの含有割合が酸化物換算で０．１モル％未満であると、膜の比抵抗が高くなり、また、膜が結晶性となる。また、いずれかの含有割合が酸化物換算で３０モル％より多いと、膜の比抵抗が高くなる。
より低抵抗の膜が得られることから、ガリウムの含有割合がＧａ２Ｏ３換算でＧａ２Ｏ３とＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との総量に対して１〜１５モル％であり、かつインジウムの含有割合がＩｎ２Ｏ３換算でＧａ２Ｏ３とＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との総量に対して１〜１５モル％であることが好ましい。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の透明導電膜において、耐擦傷性をより向上する点で、長周期型周期表における３族（ランタノイドを含む、アクチノイドは含まず）、４族および５族からなる群から選ばれる１種以上の金属（以下、３〜５族金属という）を含有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明は、また、ガリウムとインジウムとを含有する酸化錫系のスパッタリングターゲットであって、ガリウムをＧａ２Ｏ３に換算し、インジウムをＩｎ２Ｏ３に換算し、錫をＳｎＯ２に換算したとき、Ｇａ２Ｏ３とＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との総量に対して、ガリウムをＧａ２Ｏ３換算で０．１〜３０モル％含有し、かつインジウムをＩｎ２Ｏ３換算で０．１〜３０モル％含有し、さらに、長周期型周期表における３族（ランタノイドを含む、アクチノイドは含まず）、４族および５族からなる群から選ばれる１種以上の金属を含有することを特徴とするスパッタリングターゲットを提供する。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
ガリウムとインジウムのいずれかの含有割合が酸化物換算で０．１モル％未満であると、成膜した膜の比抵抗が高くなり、また、膜が結晶性となる。また、いずれかの含有割合が酸化物換算で３０モル％より多いと、膜の比抵抗が高くなる。
得られる膜がより低抵抗となることから、ガリウムの含有割合がＧａ２Ｏ３換算でＧａ２Ｏ３とＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との総量に対して１〜１５モル％であり、かつインジウムの含有割合がＩｎ２Ｏ３換算でＧａ２Ｏ３とＩｎ２Ｏ３とＳｎＯ２との総量に対して１〜１５モル％であることが好ましい。


【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
【実施例】
以下において、例１〜１９および例３０、３１が参考例、例２０〜２６が実施例、例２７〜２９が比較例に相当する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月19日(2004.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】荷電粒子線装置における合わせマークの検出方法および荷電粒子線装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料に形成された対称な合わせマークを検出する合わせマーク検出方法において、試料から合わせマークを含む被検出画像を取得するステップと、前記被検出画像及び前記被検出画像を回転させた回転画像を用いて前記被検出画像内における合わせマークの基準位置を検出するステップとを含むことを特徴とする合わせマーク検出方法。
【請求項２】
請求項１記載の合わせマーク検出方法において、前記被検出画像と前記被検出画像を各々異なる角度に回転した複数の回転画像とを用いて前記基準位置を検出することを特徴とする合わせマーク検出方法。
【請求項３】
テンプレート画像を用いて試料に形成された合わせマークを検出する合わせマーク検出方法において、請求項１又は２記載の合わせマーク検出方法で検出された基準位置を基準として前記被検出画像からテンプレート画像を抽出することを特徴とする合わせマーク検出方法。
【請求項４】
試料に形成された合わせマークを検出する合わせマーク検出方法において、試料から合わせマークを含む被検出画像を取得するステップと、前記被検出画像のうち前記合わせマークを含む部分領域の画像を仮のテンプレート画像として前記被検出画像から前記合わせマークを検出する際に得られる評価値のうち、最も高い評価値が得られるピクセル位置及びその周囲のピクセル位置における評価値の傾向から、前記被検出画像における前記合わせマークの基準位置を推測するステップとを含み、前記合わせマークの基準位置をピクセル以下の分解能で検出することを特徴とする合わせマーク検出方法。
【請求項５】
テンプレート画像を用いて試料に形成された合わせマークを検出する合わせマーク検出方法において、請求項４記載の合わせマーク検出方法によって試料に形成された合わせマークの基準位置をピクセル以下の分解能で検出し、前記基準位置をピクセル単位で丸め、前記基準位置が含まれるピクセルを基準にテンプレート画像を抽出するとともに丸めにより切捨てた分を補正値として保持し、前記テンプレート画像及び前記補正値を用いて試料に形成された合わせマークの基準位置を検出することを特徴とする合わせマーク検出方法。
【請求項６】
テンプレート画像を用いて試料に形成された合わせマークを検出する合わせマーク検出方法において、請求項４記載の合わせマーク検出方法によって試料に形成された合わせマークの基準位置をピクセル以下の分解能で検出し、前記基準位置がテンプレート画像の基準位置となるように試料から合わせマークを含む被検出画像を再取得し、前記再取得した被検出画像からテンプレート画像を抽出することを特徴とする合わせマーク検出方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項記載の合わせマーク検出方法において、前記合わせマークの設計値に基づいて予め形成したテンプレート画像を用いて、前記合わせマークの基準位置を検出する前に、前記合わせマークの基準位置を粗く求めることを特徴とする合わせマーク検出方法。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項記載の合わせマーク検出方法において、前記合わせマークの特徴量を求めておき、前記被検出画像から前記特徴量を含む領域を抽出することにより、前記合わせマークの基準位置を検出する前に、前記合わせマークの基準位置を粗く求めることを特徴とする合わせマーク検出方法。
【請求項９】
電子線描画装置又は光露光装置を用いて試料にパターンを形成するパターン形成方法において、請求項１〜８のいずれか１項記載の合わせマーク検出方法によって試料の合わせマークを検出し、検出された合わせマークに対して予め定められた位置関係となるようにパターン形成を行うことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項１０】
荷電粒子線装置において、試料から合わせマークを含む被検出画像を取得する手段と、前記被検出画像及び前記被検出画像を回転させた回転画像を用いて前記被検出画像内における合わせマークの基準位置を検出する手段とを備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の荷電粒子線装置において、前記被検出画像と前記被検出画像を各々異なる角度に回転した複数の回転画像とを用いて前記基準位置を検出する手段を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１２】
請求項１０又は１１記載の荷電粒子線装置において、前記基準位置を基準として前記被検出画像からテンプレート画像を抽出する手段を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１３】
荷電粒子線装置において、試料から合わせマークを含む被検出画像を取得する手段と、前記被検出画像のうち前記合わせマークを含む部分領域の画像を仮のテンプレート画像として前記被検出画像から前記合わせマークを検出する際に得られる評価値のうち、最も高い評価値が得られるピクセル位置及びその周囲のピクセル位置における評価値の傾向から、前記被検出画像における前記合わせマークの基準位置を推測する手段と、前記合わせマークの基準位置を検出する手段とを備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１４】
請求項１３記載の荷電粒子線装置において、前記基準位置をピクセル以下の分解能で検出する手段と、前記基準位置をピクセル単位で四捨五入もしくは切り捨て、前記基準位置が含まれるピクセルを基準にテンプレート画像を抽出する手段と、前記四捨五入もしくは切り捨てた分を補正値として保持し、前記テンプレート画像及び前記補正値を用いて試料に形成された合わせマークの基準位置を検出する手段とを備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１５】
請求項１３記載の荷電粒子線装置において、前記基準位置がテンプレート画像の基準位置となるように試料から合わせマークを含む被検出画像を再取得する手段と、前記再取得した被検出画像からテンプレート画像を抽出する手段とを備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１６】
請求項１０〜１５のいずれか１項記載の荷電粒子線装置において、前記合わせマークの設計値に基づいて予め形成したテンプレート画像を用いて、前記合わせマークの基準位置を粗く求める手段を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
【請求項１７】
請求項１０〜１５のいずれか１項記載の荷電粒子線装置において、前記合わせマークの特徴量を求めておき、前記被検出画像から前記特徴量を含む領域を抽出することにより、前記合わせマークの基準位置を粗く求める手段を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月19日(2004.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ステージ装置及び荷電粒子線装置


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料載置面に試料を保持して互いに直交する２方向に移動可能なステージと、前記ステージを前記試料載置面に平行な傾斜軸のまわりに回動させて傾斜させる傾斜手段と、前記ステージを前記互いに直交する２方向に駆動するステージ駆動手段とを含むステージ装置において、前記ステージ駆動手段は、前記傾斜軸と同軸に設けられた駆動力伝達機構を有し、前記駆動力伝達機構を介して駆動力を前記ステージに伝達することを特徴とするステージ装置。
【請求項２】
傾斜軸のまわりに回動可能な傾斜フレームと、前記傾斜フレームを前記傾斜軸のまわりに回動させて傾斜させる傾斜手段と、前記傾斜フレーム上を前記傾斜軸に平行な第１の方向に移動可能な第１のステージと、前記第１のステージ上を前記第１の方向と直交する第２の方向に移動可能な第２のステージと、前記第１及び第２のステージを駆動するステージ駆動手段とを含むステージ装置において、前記ステージ駆動手段は、前記傾斜軸と同軸に設けられた駆動力伝達機構を有し、前記駆動力伝達機構を介して駆動力を前記ステージに伝達することを特徴とするステージ装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載のステージ装置において、前記ステージ駆動手段は、前記傾斜軸と同軸に設けられ駆動源によって回転される回転軸と、前記ステージに固定されたナットとねじ結合したボールねじと、前記回転軸の回転を前記ボールねじに伝達するベルト、パーフォレーション付ベルト、鎖又は歯付きベルトとを備えることを特徴とするステージ装置。
【請求項４】
請求項１又は２記載のステージ装置において、前記ステージ駆動手段は、前記傾斜軸と同軸に設けられ駆動源によって回転される回転軸と、前記ステージに固定されたナットとねじ結合したボールねじと、前記回転軸の回転を前記ボールねじに伝達する平歯車列、傘歯車又はねじ歯車とを備えることを特徴とするステージ装置。
【請求項５】
請求項３又は４記載のステージ装置において、前記傾斜手段を動作させたとき遊星運動によって前記ボールねじが回転することによるステージ移動を補償するように前記駆動源を制御する制御系を備えることを特徴とするステージ装置。
【請求項６】
請求項３又は４記載のステージ装置において、前記傾斜手段を動作させたとき遊星運動によって前記ボールねじが回転することで移動した前記ステージの移動量を計測する計測手段と、前記計測手段によって計測されたステージ移動を補償するように前記駆動源を制御する制御系とを備えることを特徴とするステージ装置。
【請求項７】
請求項１乃至６記載のステージ装置を備えることを特徴とする荷電粒子線装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月3日(2004.8.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発電手段を収納するカンと、
前記カンの開口部にガスケットを介して結合密封され、電池内圧によって外向変形する可変プレートと、
前記可変プレートに対し最も上方に配置されるターミナルキャップと、
前記可変プレートと前記ターミナルキャップとの間に設置され、前記可変プレートの変形圧力によって剪断されて電流を遮断する電流遮断手段とを備え、
前記電流遮断手段は、
前記可変プレートの変形中心の上部を横切るように設置されたトラバースと、
該トラバースに形成された破断部及びビアホールとを含む絶縁印刷基板と、
前記絶縁印刷基板の上部に形成された上部導電薄膜と、
前記ビアホール内部に形成され、前記可変プレート及び前記上部導電薄膜を通電する端子部とを備えることを特徴とする密閉電池。
【請求項２】
前記電流遮断手段は、前記絶縁印刷基板の下部に形成された下部導電薄膜をさらに備え、
前記端子部は、下部導電薄膜と上部導電薄膜とを通電することを特徴とする請求項１記載の密閉電池。
【請求項３】
前記上部導電薄膜は、片側の端部のみが前記ターミナルキャップと接触するように前記トラバースより短く形成され、
前記下部導電薄膜は、端部が前記上部導電薄膜と一部重なるように前記上部導電薄膜に反比例する長さに形成されていることを特徴とする請求項２記載の密閉電池。
【請求項４】
前記上部導電薄膜、前記下部導電薄膜または前記絶縁印刷基板は、リング状部材を備えることを特徴とする請求項２又は３記載の密閉電池。
【請求項５】
前記端子部は、前記上部導電薄膜と前記下部導電薄膜の重なる領域に形成された破断部の孔をビアホールとして使用し、該ビアホールの内部に形成されていることを特徴とする請求項２乃至４の何れかに記載の密閉電池。
【請求項６】
前記破断部は、前記トラバースに形成された孔を備え、脆弱な構造とされていることを特徴とする請求項１乃至５の何れかに記載の密閉電池。
【請求項７】
前記破断部が複数設置されていることを特徴とする請求項６記載の密閉電池。
【請求項８】
前記破断部は、前記トラバースの中央に設置されていることを特徴とする請求項５記載の密閉電池。
【請求項９】
前記下部及び上部導電薄膜は、銅または鉛で形成されていることを特徴とする請求項２乃至５の何れかに記載の密閉電池。
【請求項１０】
前記電流遮断手段は、前記ターミナルキャップと接続される前記上部導電薄膜の一部領域を除いた残りの領域に塗布される絶縁膜を備えていることを特徴とする請求項１乃至９の何れかに記載の密閉電池。
【請求項１１】
前記絶縁膜は、絶縁インクを塗布して形成されていることを特徴とする請求項１０記載の密閉電池。
【請求項１２】
前記可変プレートは、電池内圧によって破断される安全弁を備えることを特徴とする請求項１乃至１１の何れかに記載の密閉電池。
【請求項１３】
前記安全弁の破断圧力を前記破断部の圧力より大きく設定していることを特徴とする請求項１２記載の密閉電池。
【請求項１４】
前記可変プレートの外向変形する変位を1ｍｍ以下に設定していることを特徴とする請求項１乃至１３の何れかに記載の密閉電池。
【請求項１５】
前記可変プレートは、補強ビードを備えることを特徴とする請求項１乃至１４の何れかに記載の密閉電池。
【請求項１６】
前記可変プレートは、平板であることを特徴とする請求項１乃至１５の何れかに記載の密閉電池。
【請求項１７】
前記電流遮断手段と前記ターミナルキャップの間に、電池が安全温度以上に昇温すると電流を抑制又は遮断する電流制限器がさらに設置されていることを特徴とする請求項１乃至１６の何れかに記載の密閉電池。
【請求項１８】
前記電流制限器は、上下２枚の金属薄板の間にカーボンとポリマーの混合物を挿入形成したものであり、前記２枚のうち下部の金属薄板と、前記電流遮断手段の前記上部導電薄膜とが、一体に形成されていることを特徴とする請求項１７記載の密閉電池。