【手続補正書】
【提出日】平成17年3月18日(2005.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物系化合物半導体を有する半導体発光素子であって、
不純物を含むシリコン又はリコン化合物から成り且つ低い抵抗率を有し且つ一方の主面がミラー指数で示す結晶の面方位において（１１１）ジャスト面又は（１１１）面から−４度から＋４度の範囲で傾いている面である基板と、
前記基板の一方の主面上に配置され、ＡｌxＧａ1-xＮ（但し、ｘは０＜ｘ≦１を満足する数値である。）から成る第１の層とＧａＮ又はＡｌyＧａ1-yＮ（但し、ｙはｙ＜ｘ及び０＜ｙ＜１を満足する数値である。）から成る第2の層との複合層から成るバッファ層と、
発光機能を得るために前記バッファ層の上に配置された複数の窒化物系化合物層を含んでいる半導体領域と、
前記半導体領域の表面上に配置された第１の電極と、
前記基板の他方の主面に配置された第２の電極と
を備えていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記バッファ層は、ＡｌxＧａ1-xＮから成る複数の第１の層と、ＧａＮ又はＡｌyＧａ1-yＮから成る複数の第2の層とを有し、前記第1の層と前記第２の層が交互に積層されていることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記バッファ層における前記第1の層の厚みが、量子力学的トンネル効果が生じるように設定され、前記第2の層の厚みが１０ｎｍ〜３００ｎｍとされていることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記第２の層はｎ形不純物としてシリコンを含むことを特徴とする請求項１又は２又は３記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記半導体領域の前記複数の窒化物系化合物半導体層のそれぞれは、ＧａＮ（窒化ガリウム）層、ＡｌＩｎＮ（窒化インジウム  アルミニウム）層、ＡｌＧａＮ（窒化ガリウム  アルミニウム）層、ＩｎＧａＮ（窒化ガリウム  インジウム）層、及びＡｌＩｎＧａＮ（窒化ガリウム  インジウム    アルミニウム）層から選択されたものであることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記半導体領域は、
前記バッファ層の上に配置された窒化物系化合物半導体から成る第１の導電形の第１の半導体層と、
前記第１の半導体層の上に配置された窒化物系化合物半導体から成る活性層と、
前記活性層の上に配置された窒化物系化合物半導体から成り且つ前記第１の導電形と反対の第2の導電形を有している第２の半導体層と
を備えていることを特徴とする請求項１又は２又は３又は４又は５記載の半導体発光素子。
【請求項７】
窒化物系化合物半導体を有する半導体発光素子の製造方法であって、
不純物を含むシリコン又はシリコン化合物からなり且つ低い抵抗率を有し且つ一方の主面がミラー指数で示す結晶の面方位の結晶方位において（１１１）ジャスト面又は（１１１）面から−４度から＋４度の範囲で傾いている面である基板を用意する工程と、
前記基板の一方の主面上に、気相成長法によってＡｌxＧａ1-xＮ（但し、ｘは、０＜ｘ≦１を満足する数値である。）から成る第１の層とＧａＮ又はＡｌyＧａ1-yＮ(但しｙは、ｙ＜ｘ及び０＜ｙ＜１を満足する数値である。)から成る第２の層とを順次に形成してバッファ層を得る工程と、
前記バッファ層上に、発光機能を得るための複数の窒化物系化合物層から成る半導体領域を気相成長法で形成する工程と、
前記半導体領域の表面上に第１の電極を形成し、前記基板の他方の主面に第２の電極を形成する工程と
を有していることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決し、上記目的を達成するための本発明は、窒化物系化合物半導体を有する半導体発光素子であって、不純物を含むシリコン又はシリコン化合物から成り且つ低い抵抗率を有し且つ一方の主面がミラー指数で示す結晶の面方位いおいて（１１１）ジャスト面又は（１１１）面から−４度から＋４度の範囲で傾いている面である基板と、前記基板の一方の主面上に配置され、ＡｌxＧａ1-xＮ（但し、ｘは０＜ｘ≦１を満足する数値である。）から成る第１の層とＧａＮ又はＡｌyＧａ1-yＮ（但し、ｙはｙ＜ｘ及び０＜ｙ＜１を満足する数値である。）から成る第2の層との複合層から成るバッファ層と、発光機能を得るために前記バッファ層の上に配置された複数の窒化物系化合物層を含んでいる半導体領域と、前記半導体領域の表面上に配置された第１の電極と、前記基板の他方の主面に配置された第２の電極とを備えていることを特徴とする半導体発光素子に係るものである。
なお、前記第2の層を、化学式ＡｌyＧａ1-yＮ（但し、ｙはｙ＜ｘ及び０≦ｙ＜１を満足する数値である。）で表すこともできる。この化学式において、ｙが０の場合に前記第2の層はＧａＮになる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
なお、請求項２に示すように、前記バッファ層は、ＡｌxＧａ1-xＮから成る複数の第１の層と、ＧａＮ又はＡｌyＧａ1-yＮから成る複数の第2の層とを有し、前記第1の層と前記第２の層が交互に積層されていることが望ましい。
また、請求項３に示すように、前記バッファ層における前記第1の層の厚みが、量子力学的トンネル効果が生じるように設定され、前記第2の層の厚みが１０ｎｍ〜３００ｎｍとされていることが望ましい。
また、請求項４に示すように、前記第２の層はｎ形不純物としてシリコンを含むことことが望ましい。
また、請求項５に示すように、発光機能を得るための前記半導体領域の前記複数の窒化物系化合物半導体層のそれぞれは、ＧａＮ（窒化ガリウム）層、ＡｌＩｎＮ（窒化インジウム  アルミニウム）層、ＡｌＧａＮ（窒化ガリウム  アルミニウム）層、ＩｎＧａＮ（窒化ガリウム  インジウム）層、及びＡｌＩｎＧａＮ（窒化ガリウム  インジウム  アルミニウム）層から選択されたものであることが望ましい。即ち、例えば、後述の実施形態の半導体層１３、活性層１４、及び半導体層１５等の窒化物系化合物半導体層のそれぞれは、窒化ガリウム系化合物半導体層又は窒化インジウム系化合物半導体層であることが望ましい。
また、請求項６に示すように、前記半導体領域は、前記バッファ層の上に配置された窒化物系化合物半導体から成る第１の導電形の第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に配置された窒化物系化合物半導体から成る活性層と、前記活性層の上に配置された窒化物系化合物半導体から成り且つ前記第１の導電形と反対の導電形を有している第２の半導体層とを備えていることが望ましい。
また、請求項７に示すように、窒化物系化合物半導体を有する半導体発光素子の製造方法において、不純物を含むシリコン又はシリコン化合物から成り且つ低い抵抗率を有し且つ一方の主面がミラー指数で示す結晶の面方位において（１１１）ジャスト面又は（１１１）面から−４度から＋４度の範囲で傾いている面である基板を用意する工程と、前記基板上に、気相成長法によってＡｌxＧａ1-xＮ（但し、ｘは、０＜ｘ≦１を満足する数値である。）から成る第１の層とＧａＮ又はＡｌyＧａ1-yＮ(但しｙは、ｙ＜ｘ及び０＜ｙ＜１を満足する数値である。)から成る第２の層とを順次に形成してバッファ層を得る工程と、前記バッファ層上に、発光機能を得るための複数の窒化物系化合物層から成る半導体領域を気相成長法で形成する工程と、前記半導体領域の表面上に第１の電極を形成し、前記基板の他方の主面に第２の電極を形成する工程とを有していることが望ましい。