【手続補正書】
【提出日】平成16年9月15日(2004.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置の作製方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極上に接して、発光層及び電子伝達層を含む有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に接して陰極を形成する発光装置の作製方法であって、
前記有機化合物層は、前記陽極上に前記発光層を形成し該発光層上に前記電子伝達層を形成することにより形成され、
前記電子伝達層は、前記有機化合物層の一部にドナー性分子をドーピングすることにより形成され、
前記陰極は前記電子伝達層上に接して形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項２】
陰極上に接して、発光層及び電子伝達層を含む有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に接して陽極を形成する発光装置の作製方法であって、
前記有機化合物層は、前記陰極上に接して前記電子伝達層を形成し該電子伝達層上に前記発光層を形成することにより形成され、
前記電子伝達層は、前記有機化合物層の一部にドナー性分子をドーピングすることにより形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項３】
陽極上に接して、発光層、電子伝達層及び電子輸送層を含む有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に接して陰極を形成する発光装置の作製方法であって、
前記陽極上に前記発光層を形成し、
電子輸送性の材料を蒸着することにより、前記発光層上に前記電子輸送層を形成し、
前記電子輸送性の材料とドナー性分子とを共蒸着することにより、前記電子輸送層上に前記電子伝達層を形成し、
前記電子伝達層上に接して前記陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項４】
陰極上に接して、発光層、電子伝達層及び電子輸送層を含む有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に接して陽極を形成する発光装置の作製方法であって、
電子輸送性の材料とドナー性分子とを共蒸着することにより、前記陰極上に接して前記電子伝達層を形成し、
前記電子輸送性の材料を蒸着することにより、前記電子伝達層上に前記電子輸送性の有機化合物を用いて前記電子輸送層を形成し、
前記電子輸送層上に前記発光層を形成し、
前記発光層上に前記陽極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項５】
絶縁表面上にPチャネル型薄膜トランジスタを形成し、
前記Pチャネル型薄膜トランジスタ上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に、前記Pチャネル型薄膜トランジスタの不純物領域と電気的に接続する陽極を形成し、
前記陽極上に接して、発光層及び電子伝達層を含む有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に接して陰極を形成する発光装置の作製方法であって、
前記有機化合物層は、前記陽極上に前記発光層を形成し該発光層上に前記電子伝達層を形成することにより形成され、
前記電子伝達層は、前記有機化合物層の一部にドナー性分子をドーピングすることにより形成され、
前記陰極は前記電子伝達層上に接して形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面上にNチャネル型薄膜トランジスタを形成し、
前記Nチャネル型薄膜トランジスタ上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に、前記Nチャネル型薄膜トランジスタの不純物領域と電気的に接続する陰極を形成し、
前記陰極上に接して、発光層及び電子伝達層を含む有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に接して陽極を形成する発光装置の作製方法であって、
前記有機化合物層は、前記陰極上に接して前記電子伝達層を形成し該電子伝達層上に前記発光層を形成することにより形成され、
前記電子伝達層は、前記有機化合物層の一部にドナー性分子をドーピングすることにより形成されることを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項７】
絶縁表面上にPチャネル型薄膜トランジスタを形成し、
前記Pチャネル型薄膜トランジスタ上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に、前記Pチャネル型薄膜トランジスタの不純物領域と電気的に接続する陽極を形成し、
前記陽極上に接して、発光層、電子伝達層及び電子輸送層を含む有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に接して陰極を形成する発光装置の作製方法であって、
前記陽極上に前記発光層を形成し、
電子輸送性の材料を蒸着することにより、前記発光層上に前記電子輸送層を形成し、
前記電子輸送性の材料とドナー性分子とを共蒸着することにより、前記電子輸送層上に前記電子伝達層を形成し、
前記電子伝達層上に接して前記陰極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
絶縁表面上にNチャネル型薄膜トランジスタを形成し、
前記Nチャネル型薄膜トランジスタ上に層間絶縁膜を形成し、
前記層間絶縁膜上に、前記Ｎチャネル型薄膜トランジスタの不純物領域と電気的に接続する陰極を形成し、
前記陰極上に接して、発光層、電子伝達層及び電子輸送層を含む有機化合物層を形成し、
前記有機化合物層上に接して陽極を形成する発光装置の作製方法であって、
電子輸送性の材料とドナー性分子とを共蒸着することにより、前記陰極上に接して前記電子伝達層を形成し、
前記電子輸送性の材料を蒸着することにより、前記電子伝達層上に前記電子輸送性の有機化合物を用いて前記電子輸送層を形成し、
前記電子輸送層上に前記発光層を形成し、
前記発光層上に前記陽極を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記ドナー性分子は、フルバレン型ドナー、イオウ含有ヘテロ環式ドナー、アミン型ドナー、金属錯体型ドナー、シアニン色素ドナー、窒素含有ヘテロ環式ドナー、またはポリマー型ドナーであることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
また、有機化合物層１０３は、発光層１１２および電子伝達層１１４を含み、正孔注入層、正孔輸送層、ブロッキング層、電子輸送層、および電子注入層といったキャリアに対する機能の異なる層のいずれか一つ、もしくは複数を組み合わせて積層することにより形成される。なお、本実施の形態においては、有機化合物層１０３が正孔輸送層１１１、発光層１１２、電子輸送層１１３及び電子伝達層１１４からなる積層構造を有する場合について説明する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
次に、陰極１０４が形成される。陰極１０４を形成する材料としては、陰極１０４からの電子の注入性を向上させるために仕事関数が３．８ｅＶ以下の仕事関数の小さい材料を用いる。なお、陰極１０４が透光性を有する場合には、陰極１０４の可視光に対する透過率は４０％以上であることが好ましい。一方、陰極１０４が遮光性を有する場合には、陰極を形成する膜に対する可視光の透過率が１０％未満となるように形成する。例えばＡｌ、Ｔｉ、Ｗ、等からなる単層膜や、仕事関数の小さい材料との積層膜により形成する。
【００４９】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
図２（Ａ）において、基板２０１上に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されている。なお、ここでは、発光素子２１５の第１の電極２１１と電気的に接続され、発光素子２１５に供給される電流を制御する機能を有する電流制御用ＴＦＴ２２２と、電流制御用ＴＦＴ２２２のゲート電極に印加されるビデオ信号を制御するためのスイッチング用ＴＦＴ２２１を示す。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
また、第１の電極（陽極）２１１の端部、および配線２０７等を覆って絶縁層２１２が形成される。次に、第１の電極（陽極）２１１上に有機化合物層２１３が形成され、その上に、陰極となる第２の電極２１４を形成することにより発光素子２１５を完成させることができる。なお、本実施の形態では、第２の電極（陰極）２１４が光透過性を有するように形成する必要があることから、第２の電極（陰極）２１４は、光（可視光）を透過する程度の膜厚で形成される。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６８】
以上の様にして、ｎチャネル型ＴＦＴ７０１、ｐチャネル型ＴＦＴ７０２を有する駆動回路７０５と、ｎチャネル型ＴＦＴからなるスイッチング用ＴＦＴ７０３、ｐチャネル型ＴＦＴからなる電流制御用ＴＦＴ７０４とを有する画素部７０６を同一基板上に形成することができる（図１０（Ｃ））。本明細書中ではこのような基板を便宜上アクティブマトリクス基板と呼ぶ。