【手続補正書】
【提出日】平成17年2月17日(2005.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタによって流れる電流が制御される発光素子を備える発光装置であって、
前記薄膜トランジスタの上方に前記画素電極が形成され、
前記発光素子は、画素間分離された前記画素電極上に、インクジェットプリンティング法によって形成される
ことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記薄膜トランジスタはｐチャネル型であることを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記画素間分離がレジストを用いてなされることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記レジストは、前記薄膜トランジスタの上方に形成されることを特徴とする請求項３記載の発光装置。
【請求項５】
前記発光素子は、インクジェットプリンティング法により形成されるＥＬ層と、正孔注入層とを含むことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の発光装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の発光装置は、薄膜トランジスタによって流れる電流が制御される発光素子を備える発光装置であって、前記薄膜トランジスタの上方に前記画素電極が形成され、前記発光素子は、各画素間分離された前記画素電極上に、インクジェットプリンティング法によって形成されることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
これらの画素７は、走査線１１１を介して走査信号がゲート電極２１（第１のゲート電極）に供給される第１薄膜トランジスタ（以下、スイッチング薄膜トランジスタと称す。）１２１が構成されている。このスイッチング薄膜トランジスタ１２１のソース・ドレイン領域の一方は、データ線１１２に電気的に接続され、他方のソース・ドレイン領域は電位保持電極１１３に電気的に接続されている。また、走査線１１１に対して共通線１１４が並列配置され、この共通線１１４と電位保持電極１１３との間には保持容量１２３が形成されている。共通線は定電位に保持されている。従って、走査信号によって選択されてスイッチング薄膜トランジスタ１２１がオン状態になると、データ線１１２から画像信号がスイッチング薄膜トランジスタを介して保持容量１２３に書き込まれる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（実施例１）
図２は、本発明の実施例１に係る薄膜トランジスタを備えた有機ＥＬ表示素子の等価回路図、図３は、本発明の実施例１に係る薄膜トランジスタを備えた有機ＥＬ表示素子の駆動電圧図、図４は、本発明の実施例１に係るカレント薄膜トランジスタの電流電圧特性図、図５は、本発明の実施例１に係る有機ＥＬ表示素子の電流電圧特性図である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
図２において、１１１は走査線、１１２はデータ線、１１３は保持電極、１１４は共通線、１１５はＡｌで形成された画素電極、１１６はＩＴＯで形成された対向電極、１２１はスイッチング薄膜トランジスタ、１２２はｎチャネル型カレント薄膜トランジスタ、１２３は保持容量、１３１は対向電極１１６から画素電極１１５に向かって流れる電流により発光する有機ＥＬ表示素子（以下、正置有機ＥＬ表示素子と称す。）１３、１４１は有機ＥＬ表示素子の電流の向きである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
図３において、２１１は走査電位、２１２は信号電位、２１３は保持電位、２１４は共通電位、２１５は画素電位、２１６は対向電位である。尚、図３には各電位関係を説明するために各電位の一部だけが記載されている。走査線１１１の電位が走査電位２１１、データ線１１２の電位が信号電位２１２、保持電極１１３の電位が保持電位２１３、共通線１１４の電位が共通電位２１４、Ａｌで形成された画素電極１１５の電位が画素電位２１５、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍｕ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）で形成された対向電極１１６の電位が対向電位２１６に対応する。尚、図３は、各信号電位を模式的に部分的に記載するものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
ｎチャネル型カレント薄膜トランジスタ１２２は、図４に示す特性をもっており、保持電極１１３の電位により、共通線１１４と画素電極１１５との導通を制御する。すなわち、保持電位２１３により、共通電位２１４と画素電位２１５との導通を制御する。画素が表示状態となる期間２２１に対しては、保持電位２１３は高電位であるため、共通線１１４と画素電極１１５が導通され、画素が非表示状態となる期間２２２に対しては、保持電位２１３は低電位であるため、共通線１１４と画素電極１１５が切断される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
図６（ａ）において、１３２は正孔注入層、１３３は有機ＥＬ層、１５１はレジスト  なお、ここでは、スイッチング薄膜トランジスタ１２１およびｎチャネル型カレント薄膜トランジスタ１２２に関して、薄膜トランジスタ液晶表示素子で用いられている、低温ポリシリコン薄膜トランジスタの構造およびプロセス、すなわち、トップゲート構造および最高温度６００度以下のプロセスを使用したが、他の構造およびプロセスであってもかまわない。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
画素が表示状態になる期間２２１において、ｎチャネル型カレント薄膜トランジスタ１２２は、オン状態となる。正置有機ＥＬ表示素子１３１を流れる電流、すなわち、ｎチャネル型カレント薄膜トランジスタ１２２のオン電流は、図４に示すように、ゲート電圧に依存する。ここで、ゲート電圧とは、保持電位２１３と、共通電位２１４と画素電位２１５との低い方の電位との、電位差である。本実施例によれば、共通電位２１４が画素電位２１５よりも低電位となるので、ゲート電圧は、保持電位２１３と共通電位２１４との電位差となる。この電位差は、十分大きくとれるので、十分大きなオン電流が得られる。なお、ｎチャネル型カレント薄膜トランジスタ１２２のオン電流は、ドレイン電圧にも依存するが、ここでの結論は変わらない。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
さらに、本実施例では、非表示状態にする画素に対する信号電位２１２は、共通電位２１４と比べて高電位である。画素が非表示状態になる期間２２２において、信号電位２１２を、共通電位２１４と比べて、わずかに高電位とした場合、ｎチャネル型カレント薄膜トランジスタ１２２は、完全にオフ状態とはならない。しかし、ｎチャネル型カレント薄膜トランジスタ１２２のソース−ドレイン間抵抗は、図４に示すように、かなり高抵抗となる。このため、共通電位２１４と対向電位２１６を、ｎチャネル型カレント薄膜トランジスタ１２２の抵抗値と正置有機ＥＬ表示素子１３１の抵抗値で、分割することで決定される、画素電位２１５は、対向電位２１６に近い電位となる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
（実施例２）
図７は、本発明の実施例２に係る薄膜トランジスタを備えた有機ＥＬ表示素子の等価回路図、図８は、本発明の実施例２に係る薄膜トランジスタを備えた有機ＥＬ表示素子の駆動電圧図、図９は、本発明の実施例２に係るカレント薄膜トランジスタの電流電圧特性図、図１０は、本発明の実施例２に係る有機ＥＬ表示素子の電流電圧特性図である。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図７において、６１５はＩＴＯで形成された画素電極、６１６はＡｌで形成された対向電極、６２２はｐチャネル型カレント薄膜トランジスタ、６３１は画素電極６１５から対向電極６１６に流れる電流により発光する有機ＥＬ表示素子（以下、逆置有機ＥＬ表示素子と称す。）である。６４１は有機ＥＬ表示素子の電流の向きであるが、図２とは方向が逆である。それ以外は、上記の実施例１及び図２と同様である。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
図８において、各電位のレベルは、図３とは異なっている。それ以外は、図３と同様である。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図１１（ａ）は、本発明の実施例に係る薄膜トランジスタを備えた有機ＥＬ表示素子（１画素）の断面図、図１１（ｂ）は、本発明の実施例２に係る薄膜トランジスタ有機ＥＬ表示素子（１画素）の平面図である。図１１（ａ）の断面Ａ−Ａ’は、図１１（ｂ）の断面Ａ−Ａ’に対応する。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
図１１（ａ）において、６３２は正孔注入層、６３３は有機ＥＬ層である。それ以外は、図６（ａ）と同様である。ＩＴＯで形成された画素電極６１５、Ａｌで形成された対向電極６１６、正孔注入層６３２および有機ＥＬ層６３３により、逆置有機ＥＬ表示素子６３１が形成されている。この逆置有機ＥＬ表示素子６３１では、有機ＥＬ表示素子の電流の向き６４１を、ＩＴＯで形成された画素電極６１５から、Ａｌで形成された対向電極６１６への向きとすることができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
本実施例の薄膜トランジスタ有機ＥＬ表示素子のすべての効果も、カレント薄膜トランジスタがｐチャネル型薄膜トランジスタ６２２であることにより、カレント薄膜トランジスタに関連する電位関係が反転していること以外は、実施例１と同様である。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
次に、層間絶縁膜４４を形成して平坦化した後、コンタクトホールを形成して、カレント薄膜トランジスタの一方の電極の接続されるようにＩＴＯ４５を１０００〜２０００オングストローム、好ましくは約１６００オングストローム形成する。次に、各画素領域に対して、２．０μｍ以上のバンク層４６、４７を区画形成する。次に、バンク層４６、４７で囲われた領域に、インクジェット方式等により有機ＥＬ層４８を形成する。有機ＥＬ４８を形成した後に、有機ＥＬ層４８上に６０００〜８０００オングストロームからなるアルミニウムリチウムを対向電極４９として形成する。有機ＥＬ４８と対向電極４９の間に図６（ａ）に示されるように正孔注入層を設けてもよい。