(57)【要約】【課題】洗浄・乾燥時間の短縮が図れると共に、乾燥縞の欠陥除去を図れるようにした現像処理方法及び現像処理装置を提供する。【解決手段】露光された半導体ウエハＷの表面に現像液を供給して現像を行った後に、ウエハの表面に純水を供給して洗浄を行う現像処理方法において、ウエハを水平に保持したスピンチャックを鉛直軸回りに回転させながらウエハの中心部上方からリンスノズル５８より純水を供給すると同時に、リンスノズルに隣接するディフューザ５３によりウエハの回転により生じる気流Ａを純水の液膜Ｆに誘導拡散し、リンスノズルとディフューザとを平行状態にしてウエハの中心部からウエハの外周縁に向かって径方向に同時に移動させて、ウエハの洗浄及び乾燥を行う。【選択図】    図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光された基板の表面に現像液を供給して現像を行った後に、基板の表面に洗浄液を供給して洗浄を行う現像処理方法において、
基板を水平に保持した基板保持部を鉛直軸回りに回転させながら基板の中心部上方から洗浄液供給ノズルより洗浄液を供給すると同時に、洗浄液供給ノズルに隣接する気流誘導拡散部により基板の回転により生じる気流を洗浄液の液膜に誘導拡散し、
上記洗浄液供給ノズルと気流誘導拡散部とを平行状態にして基板の中心部から基板の外周縁に向かって径方向に同時に移動させて、基板の洗浄及び乾燥を行う、
ことを特徴とする現像処理方法。
【請求項２】
露光された基板の表面に現像液を供給して現像を行った後に、基板の表面に洗浄液を供給して洗浄を行う現像処理方法において、
基板を水平に保持した基板保持部を鉛直軸回りに回転させながら基板の中心部上方から洗浄液供給ノズルより洗浄液を供給すると同時に、上記洗浄液供給ノズルにそれぞれ隣接する気流誘導拡散部と該気流誘導拡散部と協働して不活性ガスの気流を洗浄液の液膜に誘導する不活性ガスノズルにより不活性ガスを上記液膜に誘導拡散し、
上記洗浄液供給ノズル、気流誘導拡散部及び不活性ガスノズルを互いに平行状態にして基板の中心部から基板の外周縁に向かって径方向に同時に移動させて、基板の洗浄及び乾燥を行う、
ことを特徴とする現像処理方法。
【請求項３】
請求項２記載の現像処理方法において、
基板表面に上記洗浄液供給ノズルより洗浄液を供給すると同時に不活性ガスノズルより不活性ガスを供給する前に、補助不活性ガスノズルより基板の中心部に不活性ガスを供給して基板中心部に乾燥域を形成し、その後、基板表面に上記洗浄液供給ノズルより洗浄液を供給すると同時に不活性ガスノズルより不活性ガスを供給する、ことを特徴とする現像処理方法。
【請求項４】
露光された基板の表面に現像液を供給して現像を行った後に、基板の表面に洗浄液を供給して洗浄を行う現像処理装置において、
基板を水平に保持する基板保持部と、
上記基板保持部を鉛直軸回りに回転させる回転機構と、
基板の上方に位置し、基板表面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、
上記洗浄液供給ノズルに対して平行に隣接し、基板の回転により生じる気流を洗浄液の液膜に誘導拡散させる気流誘導拡散部と、
上記洗浄液供給ノズル及び気流誘導拡散部を互いに平行状態に保持すると共に、基板の中心部から基板の外周縁に向かって径方向に移動させる移動機構と、
上記回転機構、上記洗浄液供給ノズルと洗浄液供給源とを接続する洗浄液供給管に介設される開閉弁及び上記移動機構に接続される制御手段と、を具備し、
上記制御手段により、鉛直軸回りに回転する基板の中心部に洗浄液を供給すると同時に、基板の回転により生じる気流を洗浄液の液膜に誘導拡散しながら、上記洗浄液供給ノズルと気流誘導拡散部とを平行状態にして基板の中心部から基板の外周縁に向かって径方向に同時に移動させて、基板の洗浄及び乾燥を行う、ことを特徴とする現像処理装置。
【請求項５】
露光された基板の表面に現像液を供給して現像を行った後に、基板の表面に洗浄液を供給して洗浄を行う現像処理装置において、
基板を水平に保持する基板保持部と、
上記基板保持部を鉛直軸回りに回転させる回転機構と、
基板の上方に位置し、基板表面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、
上記洗浄液供給ノズルに隣接する気流誘導拡散部と、
上記気流誘導拡散部と協働して不活性ガスの気流を洗浄液の液膜に誘導する不活性ガスノズルと、
上記洗浄液供給ノズル、気流誘導拡散部及び不活性ガスノズルを互いに平行状態に保持すると共に、基板の中心部から基板の外周縁に向かって径方向に移動させる移動機構と、
上記回転機構、上記洗浄液供給ノズルと洗浄液供給源とを接続する洗浄液供給管に介設される第１の開閉弁と、上記不活性ガスノズルと不活性ガス供給源とを接続する不活性ガス供給管に介設される第２の開閉弁及び上記移動機構に接続される制御手段と、を具備し、
上記制御手段により、鉛直軸回りに回転する基板の中心部に洗浄液を供給すると同時に、上記気流誘導拡散部と不活性ガスノズルとが協働して不活性ガスを洗浄液の液膜に誘導拡散しながら、上記洗浄液供給ノズル、気流誘導拡散部及び不活性ガスノズルを互いに平行状態にして基板の中心部から基板の外周縁に向かって径方向に同時に移動させて、基板の洗浄及び乾燥を行う、ことを特徴とする現像処理装置。
【請求項６】
請求項５記載の現像処理装置において、
上記洗浄液供給ノズルに隣接される補助不活性ガス供給ノズルと、
上記補助不活性ガス供給ノズルを基板の中心部に移動させる移動機構と、
上記補助不活性ガス供給ノズルと不活性ガス供給源とを接続する不活性ガス供給管に介設される第３の開閉弁と、を更に具備すると共に、
上記移動機構及び第３の開閉弁に上記制御手段を接続してなり、
上記制御手段により、基板表面に上記洗浄液供給ノズルより洗浄液を供給すると同時に不活性ガスノズルより不活性ガスを供給する前に、上記補助不活性ガスノズルより基板の中心部に不活性ガスを供給して基板中心部に乾燥域を形成し、その後、基板表面に上記洗浄液供給ノズルより洗浄液を供給すると同時に上記不活性ガスノズルより不活性ガスを供給する、ことを特徴とする現像処理装置。
【請求項７】
請求項４ないし６のいずれかに記載の現像処理装置において、
上記気流誘導拡散部が平板状部材である、ことを特徴とする現像処理装置。
【請求項８】
請求項５又は６に記載の現像処理装置において、
上記気流誘導拡散部は、隙間をおいて互いに平行な複数の部材であり、各部材間の隙間内に不活性ガスノズルの供給口を配設してなる、ことを特徴とする現像処理装置。
【請求項９】
請求項５又は６に記載の現像処理装置において、
上記気流誘導拡散部が不活性ガスノズルを内方側に収容する断面略コ字状部材である、ことを特徴とする現像処理装置。
【請求項１０】
請求項５又は６に記載の現像処理装置において、
上記気流誘導拡散部が不活性ガスノズルの少なくとも一部を嵌挿する保持溝を有する部材である、ことを特徴とする現像処理装置。
【請求項１１】
請求項５又は６に記載の現像処理装置において、
上記気流誘導拡散部が不活性ガスノズルを内方側に収容する断面略円弧状部材である、ことを特徴とする現像処理装置。
【請求項１２】
請求項５又は６に記載の現像処理装置において、
上記気流誘導拡散部が不活性ガスノズルを内方側に収容する第１の断面略円弧状部と、該第１の断面略円弧状部の両側端にそれぞれ連なる第２の断面略円弧状部及び第３の断面略円弧状部とを有する部材である、ことを特徴とする現像処理装置。
【請求項１３】
請求項５又は６に記載の現像処理装置において、
上記気流誘導拡散部が洗浄液供給ノズル側に対する裏面側に幅方向に連続する波形状凹凸部を有する部材である、ことを特徴とする現像処理装置。
【請求項１４】
請求項５又は６に記載の現像処理装置において、
上記気流誘導拡散部は、不活性ガスノズルに接続する空洞室を有する中空部材によって形成され、上記中空部材は、その一側に洗浄液供給ノズルの供給口に向かって下り勾配の傾斜面を設け、上記空洞室の底部に多数のガス吐出口を設けてなる、ことを特徴とする現像処理装置。
【請求項１５】
請求項５又は６に記載の現像処理装置において、
上記気流誘導拡散部は、不活性ガスノズルに接続する空洞室を有する中空部材によって形成され、上記中空部材は、洗浄液供給ノズルと平行な扁平箱状に形成され、該中空部材における上記洗浄液供給ノズル及び気流誘導拡散部の移動方向の後方上端角部に上記不活性ガスノズルを接続し、上記空洞室の底部及び上記移動方向先方の側壁に連なるスリット状のガス吐出口を設けてなる、ことを特徴とする現像処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、露光された基板を現像した後に、洗浄液を供給して洗浄を行う現像処理方法及び現像処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体デバイスの製造においては、半導体ウエハ等の基板の上にフォトレジストを塗布し、これにより形成されたレジスト膜を所定の回路パターンに応じて露光し、この露光パターンを現像処理することによりレジスト膜に回路パターンが形成される。このようなフォトリソグラフィ工程においては、一般にレジストの塗布・現像を行う塗布・現像装置に、露光装置を接続したシステムが用いられている。
【０００３】
一般の現像処理では、レジストの溶解物を現像液と共に基板表面から除去するために洗浄処理が行われる。
【０００４】
従来のこの種の洗浄処理の手法として、基板の中心部に洗浄液を供給し、その遠心力により液膜を拡げ、その液流に載せて上記溶解物及び現像液を基板上から除去するスピン洗浄方法が知られている。
【０００５】
また、別の洗浄手法として、基板を水平に保持しながら鉛直軸回りに回転させ、基板の上方で中心側に位置する不活性ガスノズルと、基板の上方で外周側に位置する洗浄液供給ノズルとを、基板の中心から外周にかけて径方向に同時に移動させて、基板表面の洗浄液膜を噴射不活性ガスによって排除し乾燥する方法（装置）が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第３３２２８５３号公報（特許請求の範囲、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前者すなわちスピン洗浄方法においては、溶解生成物を十分に取り除くことができず、残留した溶解生成物が現像欠陥として現れる度合いが高くなる。このため、スピン洗浄を長時間行っているのが現状でありスループットの低下の大きな要因になっている。また、レジスト材料の高撥水化に伴い長く洗浄を行っても、溶解生成物の取り残しがあり、十分な洗浄が行えない懸念がある。
【０００７】
一方、後者すなわち特許文献１記載の技術においては、基板の上方中心側に位置する不活性ガスノズルと、基板の上方で外周側に位置する洗浄液供給ノズルとを、基板の中心から外周にかけて径方向に同時に移動させながら洗浄液と不活性ガスを基板に供給するため、上記スピン洗浄に比べて洗浄時間の短縮を図ることができる。しかし、特許文献１記載の技術においては、洗浄液供給ノズルより供給（吐出）された洗浄液の中心側の横で不活性ガスを供給（噴射）しながら基板の外周縁に移動すると、乾燥した領域に液滴が飛散して乾燥縞となる欠陥が発生する問題がある。
【０００８】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、洗浄・乾燥時間の短縮が図れると共に、乾燥縞の欠陥除去を図れるようにした現像処理方法及び現像処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、この発明の現像処理方法は、露光された基板の表面に現像液を供給して現像を行った後に、基板の表面に洗浄液を供給して洗浄を行う現像処理方法を前提とし、第１の現像処理方法は、基板を水平に保持した基板保持部を鉛直軸回りに回転させながら基板の中心部上方から洗浄液供給ノズルより洗浄液を供給すると同時に、洗浄液供給ノズルに隣接する気流誘導拡散部により基板の回転により生じる気流を洗浄液の液膜に誘導拡散し、  上記洗浄液供給ノズルと気流誘導拡散部とを平行状態にして基板の中心部から基板の外周縁に向かって径方向に同時に移動させて、基板の洗浄及び乾燥を行う、ことを特徴とする。
【００１０】
また、この発明の第２の現像処理方法は、基板を水平に保持した基板保持部を鉛直軸回りに回転させながら基板の中心部上方から洗浄液供給ノズルより洗浄液を供給すると同時に、上記洗浄液供給ノズルにそれぞれ隣接する気流誘導拡散部と該気流誘導拡散部と協働して不活性ガスの気流を洗浄液の液膜に誘導する不活性ガスノズルにより不活性ガスを上記液膜に誘導拡散し、  上記洗浄液供給ノズル、気流誘導拡散部及び不活性ガスノズルを互いに平行状態にして基板の中心部から基板の外周縁に向かって径方向に同時に移動させて、基板の洗浄及び乾燥を行う、ことを特徴とする。
【００１１】
また、第２の現像処理方法において、基板表面に上記洗浄液供給ノズルより洗浄液を供給すると同時に不活性ガスノズルより不活性ガスを供給する前に、補助不活性ガスノズルより基板の中心部に不活性ガスを供給して基板中心部に乾燥域を形成し、その後、基板表面に上記洗浄液供給ノズルより洗浄液を供給すると同時に不活性ガスノズルより不活性ガスを供給するようにしてもよい（請求項３）。
【００１２】
また、この発明の第１の現像処理装置は、この発明の第１の現像処理方法を具現化するもので、露光された基板の表面に現像液を供給して現像を行った後に、基板の表面に洗浄液を供給して洗浄を行う現像処理装置において、  基板を水平に保持する基板保持部と、  上記基板保持部を鉛直軸回りに回転させる回転機構と、  基板の上方に位置し、基板表面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、  上記洗浄液供給ノズルに対して平行に隣接し、基板の回転により生じる気流を洗浄液の液膜に誘導拡散させる気流誘導拡散部と、  上記洗浄液供給ノズル及び気流誘導拡散部を互いに平行状態に保持すると共に、基板の中心部から基板の外周縁に向かって径方向に移動させる移動機構と、  上記回転機構、上記洗浄液供給ノズルと洗浄液供給源とを接続する洗浄液供給管に介設される開閉弁及び上記移動機構に接続される制御手段と、を具備し、  上記制御手段により、鉛直軸回りに回転する基板の中心部に洗浄液を供給すると同時に、基板の回転により生じる気流を洗浄液の液膜に誘導拡散しながら、上記洗浄液供給ノズルと気流誘導拡散部とを平行状態にして基板の中心部から基板の外周縁に向かって径方向に同時に移動させて、基板の洗浄及び乾燥を行う、ことを特徴とする（請求項４）。
【００１３】
また、この発明の第２の現像処理装置は、この発明の第２の現像処理方法を具現化するもので、露光された基板の表面に現像液を供給して現像を行った後に、基板の表面に洗浄液を供給して洗浄を行う現像処理装置において、  基板を水平に保持する基板保持部と、
上記基板保持部を鉛直軸回りに回転させる回転機構と、  基板の上方に位置し、基板表面に洗浄液を供給する洗浄液供給ノズルと、  上記洗浄液供給ノズルに隣接する気流誘導拡散部と、  上記気流誘導拡散部と協働して不活性ガスの気流を洗浄液の液膜に誘導する不活性ガスノズルと、  上記洗浄液供給ノズル、気流誘導拡散部及び不活性ガスノズルを互いに平行状態に保持すると共に、基板の中心部から基板の外周縁に向かって径方向に移動させる移動機構と、  上記回転機構、上記洗浄液供給ノズルと洗浄液供給源とを接続する洗浄液供給管に介設される第１の開閉弁と、上記不活性ガスノズルと不活性ガス供給源とを接続する不活性ガス供給管に介設される第２の開閉弁及び上記移動機構に接続される制御手段と、を具備し、  上記制御手段により、鉛直軸回りに回転する基板の中心部に洗浄液を供給すると同時に、上記気流誘導拡散部と不活性ガスノズルとが協働して不活性ガスを洗浄液の液膜に誘導拡散しながら、上記洗浄液供給ノズル、気流誘導拡散部及び不活性ガスノズルを互いに平行状態にして基板の中心部から基板の外周縁に向かって径方向に同時に移動させて、基板の洗浄及び乾燥を行う、ことを特徴とする（請求項５）。
【００１４】
また、請求項６記載の発明は、請求項５記載の現像処理装置において、  上記洗浄液供給ノズルに隣接される補助不活性ガス供給ノズルと、  上記補助不活性ガス供給ノズルを基板の中心部に移動させる移動機構と、  上記補助不活性ガス供給ノズルと不活性ガス供給源とを接続する不活性ガス供給管に介設される第３の開閉弁と、を更に具備すると共に、  上記移動機構及び第３の開閉弁に上記制御手段を接続してなり、  上記制御手段により、基板表面に上記洗浄液供給ノズルより洗浄液を供給すると同時に不活性ガスノズルより不活性ガスを供給する前に、上記補助不活性ガスノズルより基板の中心部に不活性ガスを供給して基板中心部に乾燥域を形成し、その後、基板表面に上記洗浄液供給ノズルより洗浄液を供給すると同時に上記不活性ガスノズルより不活性ガスを供給する、ことを特徴とする。
【００１５】
この発明の現像処理装置において、上記気流誘導拡散部を任意の形状にすることができる。例えば、気流誘導拡散部を平板状部材にて形成してもよい（請求項７）。
【００１６】
また、不活性ガスノズルを用いる場合は、上記気流誘導拡散部を互いに平行な複数の部材にて形成し、各部材間の隙間内に不活性ガスノズルの供給口を配設する構成としてもよい（請求項８）。
【００１７】
また、不活性ガスノズルを用いる場合、気流誘導拡散部は、不活性ガスノズルを内方側に収容する断面略コ字状部材にて形成するか（請求項９）、不活性ガスノズルの少なくとも一部を嵌挿する保持溝を有する部材にて形成するか（請求項１０）、不活性ガスノズルを内方側に収容する断面略円弧状部材にて形成するか（請求項１１）、又は、不活性ガスノズルを内方側に収容する第１の断面略円弧状部と、該第１の断面略円弧状部の両側端にそれぞれ連なる第２の断面略円弧状部及び第３の断面略円弧状部とを有する部材にて形成するか（請求項１２）、あるいは、洗浄液供給ノズル側に対する裏面側に幅方向に連続する波形状凹凸部を有する部材にて形成することができる（請求項１３）。
【００１８】
加えて、上記気流誘導拡散部を、不活性ガスノズルに接続する空洞室を有する中空部材にて形成してもよい。この場合、上記中空部材の一側に洗浄液供給ノズルの供給口に向かって下り勾配の傾斜面を設け、上記空洞室の底部に多数のガス吐出口を設ける構造としてもよい（請求項１４）。また、上記中空部材を、洗浄液供給ノズルと平行な扁平箱状に形成し、該中空部材における上記洗浄液供給ノズル及び気流誘導拡散部の移動方向の後方上端角部に上記不活性ガスノズルを接続し、上記空洞室の底部及び上記移動方向先方の側壁に連なるスリット状のガス吐出口を設ける構造としてもよい（請求項１５）。
【００１９】
請求項１，４，７記載の発明によれば、水平に保持され、鉛直軸回りに回転する基板の中心部上方から洗浄液供給ノズルより洗浄液を供給すると同時に、洗浄液供給ノズルに隣接する気流誘導拡散部により基板の回転により生じる気流を洗浄液の液膜に誘導拡散することにより、液膜を薄くして乾燥域を形成することができる。この状態で、洗浄液供給ノズルと気流誘導拡散部とを平行状態にして基板の中心部から基板の外周縁に向かって径方向に同時に移動させることで、洗浄液供給ノズルより供給（吐出）された洗浄液の乾燥域側への飛散を気流誘導拡散部によって阻止することができるので、乾燥域に洗浄液の液滴が飛散されることなく基板の洗浄及び乾燥を行うことができる。
【００２０】
請求項２，５，７，９〜１３記載の発明によれば、水平に保持され、鉛直軸回りに回転する基板の中心部上方から洗浄液供給ノズルより洗浄液を供給すると同時に、気流誘導拡散部と該気流誘導拡散部と協働して不活性ガスの気流を洗浄液の液膜に誘導する不活性ガスノズルにより不活性ガスを液膜に誘導拡散することにより、液膜を薄くして乾燥域を形成することができる。この状態で、洗浄液供給ノズル、気流誘導拡散部及び不活性ガスノズルを互いに平行状態にして基板の中心部から基板の外周縁に向かって径方向に同時に移動させることで、洗浄液供給ノズルより供給（吐出）された洗浄液の乾燥域側への飛散を気流誘導拡散部によって阻止することができるので、乾燥域に洗浄液の液滴が飛散されることなく基板の洗浄及び乾燥を行うことができる。
【００２１】
請求項３，６記載の発明によれば、基板表面に洗浄液供給ノズルより洗浄液を供給すると同時に不活性ガスノズルより不活性ガスを供給する前に、補助不活性ガスノズルより基板の中心部に不活性ガスを供給して基板中心部に乾燥域を形成し、その後、基板表面に洗浄液供給ノズルより洗浄液を供給すると同時に不活性ガスノズルより不活性ガスを供給することにより、乾燥の促進が図れる。
【００２２】
また、請求項８記載の発明によれば、気流誘導拡散部を互いに平行な複数の部材にて形成し、各部材間の隙間内に不活性ガスノズルの供給口を配設することにより、多くの不活性ガス量によって液膜を薄くする領域すなわち乾燥領域を拡げることができる。
【００２３】
また、請求項１４記載の発明によれば、空洞部を有する中空部材の一側に洗浄液供給ノズルの供給口に向かって下り勾配の傾斜面を設け、空洞室の底部に多数のガス吐出口を設けることにより、不活性ガスノズルより供給された不活性ガスを一旦空洞室に溜めた後、空洞室の底部に設けられた多数のガス吐出口より吐出して洗浄液の液膜に吹き付けることができる。
【００２４】
また、請求項１５記載の発明によれば、空洞部を有する中空部材を、洗浄液供給ノズルと平行な扁平箱状に形成し、該中空部材における洗浄液供給ノズル及び気流誘導拡散部の移動方向の後方上端角部に不活性ガスノズルを接続し、空洞室の底部及び上記移動方向先方の側壁に連なるスリット状のガス吐出口を設けることにより、不活性ガスノズルより供給された不活性ガスを一旦空洞室に溜めた後、ガス吐出口より吐出して洗浄液の液膜に吹き付けることができる。この際、不活性ガスノズルは洗浄液供給ノズル及び気流誘導拡散部の移動方向に吹き付けられる。
【発明の効果】
【００２５】
この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような効果が得られる。
【００２６】
（１）請求項１，４，７記載の発明によれば、回転する基板の中心部上方から洗浄液供給ノズルより洗浄液を供給すると同時に、気流誘導拡散部により基板の回転により生じる気流を洗浄液の液膜に誘導拡散することにより、液膜を薄くして乾燥域を形成することができる。また、洗浄液供給ノズルと気流誘導拡散部とを平行状態にして基板の中心部から基板の外周縁に向かって径方向に同時に移動させることで、洗浄液供給ノズルより供給（吐出）された洗浄液の乾燥域側への飛散を気流誘導拡散部によって阻止することができるので、乾燥域に洗浄液の液滴が飛散されることなく基板の洗浄及び乾燥を行うことができる。したがって、洗浄・乾燥時間の短縮が図れると共に、乾燥縞の欠陥除去を図ることができる。
【００２７】
（２）請求項２，５，７，９〜１３記載の発明によれば、回転する基板の中心部上方から洗浄液供給ノズルより洗浄液を供給すると同時に、気流誘導拡散部と該気流誘導拡散部と協働して不活性ガスの気流を洗浄液の液膜に誘導する不活性ガスノズルにより不活性ガスを液膜に誘導拡散することにより、液膜を薄くして乾燥域を形成することができる。また、洗浄液供給ノズル、気流誘導拡散部及び不活性ガスノズルを互いに平行状態にして基板の中心部から基板の外周縁に向かって径方向に同時に移動させることで、洗浄液供給ノズルより供給（吐出）された洗浄液の乾燥域側への飛散を気流誘導拡散部によって阻止することができるので、乾燥域に洗浄液の液滴が飛散されることなく基板の洗浄及び乾燥を行うことができる。したがって、洗浄・乾燥時間の短縮が図れると共に、乾燥縞の欠陥除去を図ることができる。
【００２８】
（３）請求項３，６記載の発明によれば、基板表面に洗浄液供給ノズルより洗浄液を供給すると同時に不活性ガスノズルより不活性ガスを供給する前に、補助不活性ガスノズルより基板の中心部に不活性ガスを供給して基板中心部に乾燥域を形成するので、上記（２）に加えて更に乾燥の促進が図れる。
【００２９】
（４）請求項８記載の発明によれば、多くの不活性ガス量によって液膜を薄くする領域すなわち乾燥領域を拡げることができるので、上記（２），（３）に加えて更に乾燥の促進が図れる。
【００３０】
（５）請求項１４記載の発明によれば、不活性ガスノズルより供給された不活性ガスを一旦空洞室に溜めた後、空洞室の底部に設けられた多数のガス吐出口より吐出して洗浄液の液膜に吹き付けることができるので、上記（２），（３）に加えて更に不活性ガスの誘導拡散領域を均一にして乾燥の促進を図ることができる。
【００３１】
（６）請求項１５記載の発明によれば、不活性ガスノズルより供給された不活性ガスを一旦空洞室に溜めた後、ガス吐出口より吐出して洗浄液の液膜に吹き付けることができ、不活性ガスノズルは洗浄液供給ノズル及び気流誘導拡散部の移動方向に吹き付けられるので、上記（２），（３）に加えて更に不活性ガスの誘導拡散領域を均一にして乾燥の促進を図ることができると共に、基板中心側の乾燥域を確実に確保することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
以下、この発明の最良の形態について、添付図面に基づいて説明する。
【００３３】
図１は、この発明に係る現像処理装置を適用する塗布・現像処理装置に露光処理装置を接続した処理システムの全体を示す概略平面図、図２は、上記処理システム概略斜視図である。
【００３４】
上記処理システムは、被処理基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を複数枚例えば２５枚密閉収納するキャリア１０を搬出入するためのキャリアステーション１と、このキャリアステーション１から取り出されたウエハＷにレジスト塗布，現像処理等を施す処理部２と、ウエハＷの表面に光を透過する液層を形成した状態でウエハＷの表面を液浸露光する露光部４と、処理部２と露光部４との間に接続されて、ウエハＷの受け渡しを行うインターフェース部３とを具備している。
【００３５】
キャリアステーション１は、キャリア１０を複数個並べて載置可能な載置部１１と、この載置部１１から見て前方の壁面に設けられる開閉部１２と、開閉部１２を介してキャリア１０からウエハＷを取り出すための受け渡し手段Ａ１とが設けられている。
【００３６】
インターフェース部３は、処理部２と露光部４との間に前後に設けられる第１の搬送室３Ａ及び第２の搬送室３Ｂにて構成されており、それぞれに第１のウエハ搬送部３０Ａ及び第２のウエハ搬送部３０Ｂが設けられている。
【００３７】
また、キャリアステーション１の奥側には筐体２０にて周囲を囲まれる処理部２が接続されており、この処理部２には手前側から順に加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３及び液処理ユニットＵ４，Ｕ５の各ユニット間のウエハＷの受け渡しを行う主搬送手段Ａ２，Ａ３が交互に配列して設けられている。また、主搬送手段Ａ２，Ａ３は、キャリアステーション１から見て前後方向に配置される棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３側の一面部と、後述する例えば右側の液処理ユニットＵ４，Ｕ５側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで構成される区画壁２１により囲まれる空間内に置かれている。また、キャリアステーション１と処理部２との間、処理部２とインターフェース部３との間には、各ユニットで用いられる処理液の温度調節装置や温湿度調節用のダクト等を備えた温湿度調節ユニット２２が配置されている。
【００３８】
棚ユニットＵ１，Ｕ２，Ｕ３は、液処理ユニットＵ４，Ｕ５にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば１０段に積層した構成とされており、その組み合わせはウエハＷを加熱（ベーク）する加熱ユニット（ＨＰ）、ウエハＷを冷却する冷却ユニット（ＣＰＬ）等が含まれる。また、液処理ユニットＵ４，Ｕ５は、例えば図２に示すように、レジストや現像液などの薬液収納部の上に反射防止膜を塗布するボトム反射防止膜塗布ユニット（ＢＣＴ）２３，塗布ユニット（ＣＯＴ）２４、ウエハＷに現像液を供給して現像処理する現像ユニット（ＤＥＶ）２５等を複数段例えば５段に積層して構成されている。この発明に係る現像処理装置５０は現像ユニット（ＤＥＶ）２５に設けられている。
【００３９】
＜第１実施形態＞
図３は、この発明に係る現像処理装置の第１実施形態を示す概略断面図、図４は、上記現像処理装置の概略平面図である。
【００４０】
上記現像処理装置５０は、図３及び図４に示すように、ウエハＷの搬入出口５１ａを有するケーシング５１内に、ウエハＷの裏面側中央部を吸引吸着して水平に保持する基板保持部をなすスピンチャック４０を具備している。なお、搬入出口５１ａにはシャッタ５１ｂが開閉可能に配設されている。
【００４１】
上記スピンチャック４０は軸部４１を介して例えばサーボモータ等の回転機構４２に連結されており、この回転機構４２によりウエハＷを保持した状態で回転可能に構成されている。なお、回転機構４２は、制御手段であるコントローラ６０に電気的に接続されており、コントローラ６０からの制御信号に基づいてスピンチャック４０の回転数が制御されるようになっている。
【００４２】
また、スピンチャック４０に保持されたウエハＷの側方を囲むようにしてカップ４３が設けられている。このカップ４３は、円筒状の外カップ４３ａと、上部側が内側に傾斜した筒状の内カップ４３ｂとからなり、外カップ４３ａの下端部に接続された例えばシリンダ等の昇降機構４４により外カップ４３ａが昇降し、更に内カップ３２は外カップ４３ａの下端側内周面に形成された段部に押し上げられて昇降可能なように構成されている。なお、昇降機構４４はコントローラ６０に電気的に接続されており、コントローラ６０からの制御信号に基づいて外カップ４３ａが昇降するように構成されている。
【００４３】
また、スピンチャック４０の下方側には円形板４５が設けられており、この円形板４５の外側には断面が凹部状に形成された液受け部４６が全周に亘って設けられている。液受け部４６の底面にはドレイン排出口４７が形成されており、ウエハＷから零れ落ちるか、あるいは振り切られて液受け部４６に貯留された現像液やリンス液はこのドレイン排出口４７を介して装置の外部に排出される。また、円形板４５の外側には断面山形のリング部材４８が設けられている。なお、図示は省略するが、円形板４５を貫通する例えば３本の基板支持ピンである昇降ピンが設けられており、この昇降ピンと図示しない基板搬送手段との協働作用によりウエハＷはスピンチャック４０に受け渡しされるように構成されている。
【００４４】
一方、スピンチャック４０に保持されたウエハＷの上方側には、ウエハＷの表面の中央部と隙間を介して対向するようにして、昇降及び水平移動可能な現像液供給ノズル５２（以下に現像ノズル５２という）が設けられている。この場合、現像ノズル５２は、帯状に現像液を吐出（供給）するスリット状の吐出口（図示せず）を有している。この吐出口は、例えば、その長さ方向がウエハＷの中心部から外周部に向かうように配置されている。なお、吐出口は、ウエハＷの中心部から外周部に向かう直線（半径）に沿って伸びる場合だけでなく、この直線に対して僅かに角度をもたせて交差させてもよい。
【００４５】
現像ノズル５２は、ノズルアーム５４Ａの一端側に支持されており、このノズルアーム５４Ａの他端側は図示しない昇降機構を備えた移動基台５５Ａと連結されており、更に移動基台５５Ａは例えばボールねじやタイミングベルト等のノズル移動機構５６ＡにてＸ方向に伸びるガイド部材５７Ａに沿って横方向に移動可能なように構成されている。このように構成することにより、ノズル移動機構５６Ａを駆動することにより、現像ノズル５２は、ウエハＷの中心部から外周部に向かう直線（半径）に沿って移動する。
【００４６】
なお、カップ４３の一方の外方側には、現像ノズル５２の待機部５９Ａが設けられており、この待機部５９Ａで現像ノズル５２のノズル先端部の洗浄などが行われる。
【００４７】
また、スピンチャック４０に保持されたウエハＷの上方側には、ウエハＷの表面の中央部と隙間を介して対向するようにして、洗浄液であるリンス液例えば純水を吐出（供給）するリンスノズル５８と、このリンスノズル５８に平行に隣接する気流誘導拡散部５３（以下にディフューザ５３という）が昇降及び水平移動可能に設けられている。この場合、ディフューザ５３は、図５に示すように、リンスノズル５８の吐出口側に向かって下り勾配に傾斜する板状部材にて形成されており、ウエハＷの回転により生じる気流Ａを純水ＤＩＷの液膜Ｆに誘導拡散させるように形成されている。
【００４８】
このリンスノズル５８とディフューザ５３は、ノズルアーム５４Ｂの一端側に互いに平行状態に保持されており、このノズルアーム５４Ｂの他端側は図示しない昇降機構を備えた移動基台５５Ｂと連結されており、更に移動基台５５Ｂは例えばボールねじやタイミングベルト等のノズル移動機構５６ＢにてＸ方向に伸びるガイド部材５７Ｂに沿って横方向に移動可能、すなわちウエハＷの中心部から基板の外周縁に向かって径方向に移動可能なように構成されている。なお、カップ４３の一方の外方側には、リンスノズル５８の待機部５９Ｂが設けられている。
【００４９】
なお、現像ノズル５２は、開閉弁Ｖを介設した現像液供給管７０を介して現像液供給源７１に接続されている。また、リンスノズル５８は、リンスノズル５８と洗浄液供給源である純水供給源７３とを接続する純水供給管７２に第１の開閉弁Ｖ1が介設されている。
【００５０】
なお、上記ノズル移動機構５６Ａ，５６Ｂ、開閉弁Ｖ，Ｖ1は、それぞれ上記コントローラ６０に電気的に接続されており、コントローラ６０に予め記憶された制御信号に基づいて現像ノズル５２の水平移動、リンスノズル５８及びディフューザ５３の水平移動、開閉弁Ｖ，Ｖ1の開閉駆動が行われるように構成されている。
【００５１】
次に、上記のように構成される現像処理装置５０の動作態様について説明する。まず、ノズル移動機構５６Ａを駆動して現像ノズル５２をウエハ表面の中心部上方位置に移動し、回転するウエハＷの表面に現像ノズル５２より現像液を吐出（供給）した状態で、現像ノズル５２をウエハＷの中心部から外周部に向かう直線（半径）に沿って移動して現像処理を行う。この現像処理後、ノズル移動機構５６Ｂを駆動してリンスノズル５８及びディフューザ５３をウエハ表面の中心部上方位置に移動し、回転するウエハＷの表面にリンスノズル５８よりリンス液すなわち純水を吐出（供給）すると同時に、ディフューザ５３によりウエハＷの回転により生じる気流Ａを純水ＤＩＷの液膜Ｆに誘導拡散する。これによりリンスノズル５８より吐出（供給）された純水ＤＩＷによってウエハ表面のレジスト溶解成分を含む現像液が洗い流されると同時に、ディフューザ５３によって誘導拡散された気流Ａを液膜Ｆに当てて純水ＤＩＷの乾燥を促す。その後、回転機構４２の駆動によりウエハＷを高速回転例えば回転数を２０００ｒｐｍにしてウエハ表面の液を振り切るスピン乾燥処理を行う。
【００５２】
次に、上記塗布・現像装置を用いてウエハＷを処理する手順について、図１及び図２を参照しながら簡単に説明する。ここでは、ウエハＷの表面にボトム反射防止膜（ＢＡＲＣ）を形成し、その上層にノントップコートレジストを塗布した場合について説明する。まず、例えば２５枚のウエハＷを収納したキャリア１０が載置部１１に載置されると、開閉部１２と共にキャリア１０の蓋体が外されて受け渡し手段Ａ１によりウエハＷが取り出される。そして、ウエハＷは棚ユニットＵ１の一段をなす受け渡しユニット（図示せず）を介して主搬送手段Ａ２へと受け渡され、塗布処理の前処理として例えばユニット（ＢＣＴ）２３にてその表面にボトム反射防止膜（ＢＡＲＣ）が形成される。その後、主搬送手段Ａ２により棚ユニットＵ１〜Ｕ３の一つの棚をなす加熱処理部に搬送されてプリベーク（ＣＬＨＰ）され、更に冷却された後、主搬送手段Ａ２によりウエハＷは塗布ユニット（ＣＯＴ）２４内に搬入され、ウエハＷの表面全体に薄膜状にノントップコートレジストが塗布される。その後、主搬送手段Ａ２により棚ユニットＵ１〜Ｕ３の一つの棚をなす加熱処理部に搬送されてプリベーク（ＣＬＨＰ）され、更に冷却された後、棚ユニットＵ３の受け渡しユニットを経由してインターフェース部３へ搬送される。このインターフェース部３において、第１の搬送室３Ａ及び第２の搬送室３Ｂの第１のウエハ搬送部３０Ａ及び第２のウエハ搬送部３０Ｂによって露光部４に搬送され、ウエハＷの表面に対向するように露光手段（図示せず）が配置されて液浸露光が行われる。液浸露光を終えたウエハＷは逆の経路で主搬送手段Ａ３まで搬送され、現像ユニット（ＤＥＶ）２５に搬入される。現像ユニット（ＤＥＶ）２５に搬入されたウエハＷは、現像処理装置５０によって、上述したように、現像処理後、リンスノズル５８及びディフューザ５３をウエハ表面の中心部上方位置に移動し、回転するウエハＷの表面にリンスノズル５８より純水を吐出（供給）すると同時に、ディフューザ５３によりウエハＷの回転により生じる気流Ａを純水ＤＩＷの液膜Ｆに誘導拡散して洗浄及び乾燥処理が施され、所定のレジストパターンが形成される。
【００５３】
その後、ウエハＷは主搬送手段Ａ３により現像ユニット（ＤＥＶ）２５から搬出され、主搬送手段Ａ２、受け渡し手段Ａ１を経由して載置部１１上の元のキャリア１０へと戻されて一連の塗布・現像処理を終了する。
【００５４】
なお、上記実施形態では、ウエハＷの表面にボトム反射防止膜（ＢＡＲＣ）を形成し、その表面にレジスト層を形成した場合について説明したが、ボトム反射防止膜（ＢＡＲＣ）なしの場合においても、上記実施形態と同様の効果が得られる。この場合の処理手順は、レジスト塗布工程→プリベーク工程→液浸露光工程→ポストエクスポージャーベーク工程→現像工程（現像処理→洗浄・乾燥処理）の順に処理される。
【００５５】
＜第２実施形態＞
図６は、この発明に係る現像処理装置の第２実施形態を示す概略断面図、図７は、上記現像処理装置の概略平面図である。
【００５６】
第２実施形態の現像処理装置５０Ａは、リンスノズル５８に隣接してこのリンスノズル５８に対して互いに平行なディフューザ５３と不活性ガスノズル８０を設け、ディフューザ５３と不活性ガスノズル８０とが協働して不活性ガスノズル８０より吐出（供給）される不活性ガス例えば窒素（Ｎ２）ガスを、リンスノズル５８より吐出（供給）された純水ＤＩＷの液膜Ｆに誘導拡散して、乾燥域Ｄを形成するようにした場合である。
【００５７】
この場合、ディフューザ５３は、図８に示すように、リンスノズル５８の吐出口側に向かって下り勾配に傾斜する板状部材にて形成されている。また、不活性ガスノズル８０（以下にＮ２ガスノズル８０という）は、板状部材にて形成されるディフューザ５３と平行に沿設される構造｛図８（ａ））、あるいは、水平に配設されてＮ２ガスを板状部材にて形成されるディフューザ５３に向かって吐出する構造｛図８（ｂ）｝となっている。
【００５８】
上記のように構成されるディフューザ５３とＮ２ガスノズル８０とが協働してＮ２ガスノズル８０より吐出（供給）されるＮ２ガスを、リンスノズル５８より吐出（供給）された純水ＤＩＷの液膜Ｆに誘導拡散して、乾燥域Ｄを形成する。
【００５９】
上記リンスノズル５８とディフューザ５３及びＮ２ガスノズル８０は、上記ノズルアーム５４Ｂの一端側に互いに平行状態に保持されており、このノズルアーム５４Ｂの他端側は図示しない昇降機構を備えた移動基台５５Ｂと連結されており、更に移動基台５５Ｂは例えばボールねじやタイミングベルト等のノズル移動機構５６ＢにてＸ方向に伸びるガイド部材５７Ｂに沿って横方向に移動可能、すなわちウエハＷの中心部から基板の外周縁に向かって径方向に移動可能なように構成されている。なお、カップ４３の一方の外方側には、リンスノズル５８の待機部５９Ｂが設けられている。
【００６０】
なお、Ｎ２ガスノズル８０は、第２の開閉弁Ｖ2を介設したＮ２ガス供給管７５を介してＮ２ガス供給源７４に接続されている。
【００６１】
なお、第２実施形態において、その他の部分は第１実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００６２】
なお、第２実施形態において、上記ノズル移動機構５６Ａ，５６Ｂ、開閉弁Ｖ，Ｖ1，Ｖ2は、それぞれ上記コントローラ６０に電気的に接続されており、コントローラ６０に予め記憶された制御信号に基づいて現像ノズル５２の水平移動、リンスノズル５８及びディフューザ５３の水平移動、開閉弁Ｖ，Ｖ1，Ｖ2の開閉駆動が行われるように構成されている。
【００６３】
第２実施形態の現像処理装置５０Ａによれば、現像処理後、リンスノズル５８とディフューザ５３及びＮ２ガスノズル８０をウエハ表面の中心部上方位置に移動し、回転するウエハＷの表面にリンスノズル５８より純水を吐出（供給）すると同時に、ディフューザ５３とＮ２ガスノズル８０とが協働してＮ２ガスノズル８０より吐出（供給）されるＮ２ガスを、リンスノズル５８より吐出（供給）された純水ＤＩＷの液膜Ｆに誘導拡散して、乾燥域Ｄを形成することができる。
【００６４】
上記説明では、１枚の板状のディフューザ５３とＮ２ガスノズル８０の場合について説明したが、図９（ａ），（ｂ）に示すように、ディフューザ５３Ａを、隙間７６をおいて互いに平行な複数（図面では、３枚の場合を示す）の部材にて形成し、各部材間の隙間７６内にＮ２ガスノズル８０の供給口（吐出口）８０ａを配設してもよい。このように構成することにより、Ｎ２ガスの供給量（吐出量）を増やすことができるので、更に乾燥域Ｄを拡げることができ、乾燥の促進を図ることができる。
【００６５】
なお、上記ディフューザ５３は必ずしも板状部材である必要はなく、別の形状にしてもよい。例えば、Ｎ２ガスノズル８０を内方側に収容する断面略コ字状部材５３ａ｛図１０（ａ）参照｝、Ｎ２ガスノズル８０の少なくとも一部を嵌挿する保持溝５３ｈを有する部材５３ｂ｛図１０（ｂ）参照｝、Ｎ２ガスノズル８０を内方側に収容する断面略円弧状部材５３ｃ｛図１０（ｃ）参照｝、Ｎ２ガスノズル８０を内方側に収容する第１の断面略円弧状部５３ｉと、該第１の断面略円弧状部５３ｉの両側端にそれぞれ連なる第２の断面略円弧状部５３ｊ及び第３の断面略円弧状部５３ｋとを有する断面略Ｗ字状の部材５３ｄ｛図１０（ｄ）参照｝、あるいは、リンスノズル５８側に対する裏面側に幅方向に連続する三角波形状凹凸部５３ｌを有する部材５３ｅ｛図１０（ｅ）参照｝としてもよい。
【００６６】
また、図１１に示すように、気流誘導拡散部を、Ｎ２ガスノズル８０に接続する空洞室５３ｍと、該空洞室５３ｍの底部５３ｎに設けられるガス吐出口５３おを有する中空部材５３ｆによって形成してもよい。この場合、中空部材５３ｆの一側にリンスノズル５８の供給口５８ａに向かって下り勾配の傾斜面５３ｐが設けられ、空洞室５３ｍの底部５３ｎに多数のガス吐出口５３が設けられている。
【００６７】
上記のように構成することにより、Ｎ２ガスノズル８０より供給されたＮ２ガスを一旦空洞室５３ｍに溜めた後、ガス吐出口５３より吐出して純水ＤＩＷの液膜Ｆに吹き付けることができるので、Ｎ２ガスの誘導拡散領域を均一にして乾燥の促進を図ることができる。
【００６８】
また、図１２に示すように、気流誘導拡散部を、Ｎ２ガスノズル８０に接続する空洞室５３ｍと、該空洞室５３ｍの底部５３ｎに設けられるガス吐出口５３ａを有する中空部材５３ｇによって形成してもよい。この場合、中空部材５３ｇをリンスノズル５８と平行な扁平箱状に形成し、該中空部材５３ｇにおけるリンスノズル５８及び気流誘導拡散部の移動方向の後方上端角部５３ｑにＮ２ガスノズル８０を接続し、底部５３ｎ及び移動方向先方の側壁５３ｒに連なるスリット状のガス吐出口５３ｓが設けられている。
【００６９】
上記のように構成することにより、Ｎ２ガスノズル８０より供給されたＮ２ガスを一旦空洞室５３ｍに溜めた後、ガス吐出口５３ｓより吐出して純水ＤＩＷの液膜Ｆに吹き付けることができる。この際、Ｎ２ガスはリンスノズル５８及び気流誘導拡散部の移動方向に吹き付けられるので、Ｎ２ガスの誘導拡散領域を均一にして乾燥の促進を図ることができると共に、ウエハＷ中心側の乾燥域を確実に確保することができる。
【００７０】
＜第３実施形態＞
図１３は、この発明に係る現像処理装置の第３実施形態の要部を示す概略断面図である。第３実施形態は、ウエハ表面にリンスノズル５８より純水を供給すると同時にＮ２ガスノズル８０よりＮ２ガスを供給する前に、ウエハＷの中心部に乾燥域を形成するようにした場合である。
【００７１】
すなわち、第３実施形態の現像処理装置５０Ｂは、リンスノズル５８に隣接される補助不活性ガス供給ノズルである補助Ｎ２ガスノズル８０と、補助Ｎ２ガスノズル８０ＡをウエハＷの中心部に移動させる上記移動機構（図１３では図示省略）と、補助Ｎ２ガスノズル８０ＡとＮ２ガス供給源７４とを接続するＮ２ガス供給管に介設される第３の開閉弁Ｖ3と、を更に具備すると共に、移動機構及び第３の開閉弁Ｖ3に上記コントローラ６０電気的に接続した場合である。なお、第３実施形態において、その他の部分は第２実施形態と同じであるので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。
【００７２】
上記のように構成される第３実施形態の現像処理装置５０Ｂによれば、コントローラ６０により、ウエハ表面にリンスノズル５８より純水を供給（吐出）すると同時にＮ２ガスノズル８０よりＮ２ガスを供給する前に、補助Ｎ２ガスノズル８０ＡよりウエハＷの中心部にＮ２ガスを供給してウエハＷの中心部に乾燥域を形成し、その後、ウエハ表面にリンスノズル５８より純水を供給（吐出）すると同時にＮ２ガスノズルよりＮ２ガスを供給（吐出）することにより、乾燥の促進が図れる。
【００７３】
なお、図１３では、Ｎ２ガスノズル８０と補助Ｎ２ガスノズル８０Ａを、それぞれＮ２ガス供給管７５を介してＮ２ガス供給源７４に接続する場合について説明したが、図１４に示すように、Ｎ２ガスノズル８０とＮ２ガス供給源７４とを接続するＮ２ガス供給管７５から分岐管７７を介して補助Ｎ２ガスノズル８０Ａを接続し、Ｎ２ガス供給管７５と分岐管７７の分岐部に第２の開閉弁Ｖｔと第３の開閉弁Ｖ3を兼用する切換弁Ｖ4を介設してもよい。この切換弁Ｖ4にコントローラ６０が電気的に接続され、コントローラ６０からの制御信号に基づいて切換弁Ｖ4が切換制御されるようになっている。
【００７４】
このように構成される現像処理装置によれば、ウエハ表面にリンスノズル５８より純水を供給（吐出）すると同時にＮ２ガスノズル８０よりＮ２ガスを供給する前に、コントローラ６０からの制御信号によって切換弁Ｖ4を補助Ｎ２ガスノズル８０Ａ側に切り換えて、補助Ｎ２ガスノズル８０ＡよりウエハＷの中心部にＮ２ガスを供給してウエハＷの中心部に乾燥域を形成し、その後、コントローラ６０からの制御信号によって第１の開閉弁Ｖ1を開放すると共に、切換弁Ｖ4をＮ２ガスノズル８０側に切り換えてウエハ表面にリンスノズル５８より純水を供給（吐出）すると同時にＮ２ガスノズルよりＮ２ガスを供給（吐出）することにより、乾燥の促進が図れる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】この発明に係る現像処理装置を適用した塗布・現像処理装置に露光処理装置を接続した処理システムの全体を示す概略平面図である。
【図２】上記処理システムの概略斜視図である。
【図３】この発明に係る現像処理装置の第１実施形態を示す概略断面図である。
【図４】上記第１実施形態の現像処理装置を示す概略平面図である。
【図５】第１実施形態におけるリンスノズルとディフューザを示す概略斜視図（ａ）及び（ａ）のＩ−Ｉ線に沿う断面図（ｂ）である。
【図６】この発明に係る現像処理装置の第２実施形態を示す概略断面図である。
【図７】上記第１実施形態の現像処理装置を示す概略平面図である。
【図８】この発明におけるリンスノズル、ディフューザ及びＮ２ガスノズルの別の例を示す概略側面図である。
【図９】この発明におけるリンスノズル、ディフューザ及びＮ２ガスノズルの更に別の例を示す概略側面図である。
【図１０】この発明におけるディフューザの別の形状を示す断面斜視図である。
【図１１】この発明におけるディフューザを中空部材にて形成した場合の概略斜視図（ａ）及び概略断面図（ｂ）である。
【図１２】この発明におけるディフューザを別の中空部材にて形成した場合の概略斜視図（ａ）及び概略断面図（ｂ）である。
【図１３】この発明に係る現像処理装置の第３実施形態の要部を示す概略断面図である。
【図１４】第３実施形態の別の要部を示す概略断面図である。
【符号の説明】
【００７６】
Ｗ  半導体ウエハ（基板）
４０  スピンチャック（基板保持部）
４２  回転機構
５０，５０Ａ，５０Ｂ  現像処理装置
５２  現像ノズル
５３  ディフューザ（気流誘導拡散部）
５３ａ  断面略コ字状部材
５３ｂ  保持溝５３ｈを有する部材
５３ｃ  断面略円弧状部材
５３ｄ  断面略山形状部材
５３ｅ  波形状凹凸部５３ｌを有する部材
５３ｆ  中空部材
５３ｍ  空洞部
５３ｎ  底部
５３ｏ  ガス吐出口
５３ｓ  スリット状ガス吐出口
５６Ａ  ノズル移動機構
５６Ｂ  ノズル移動機構
５８  リンスノズル
５８ａ  供給口
６０  コントローラ（制御手段）
７２  純水供給管（洗浄液供給管）
７３  純水供給源（洗浄液供給源）
７４  Ｎ２ガス供給源（不活性ガス供給源）
７５  Ｎ２ガス供給管（不活性ガス供給管）
７６  隙間
８０  Ｎ２ガスノズル（不活性ガスノズル）
８０Ａ  補助Ｎ２ガスノズル（補助不活性ガス供給ノズル）
Ｖ1  第１の開閉弁
Ｖ2  第２の開閉弁
Ｖ3  第３の開閉
Ｖ4  弁切換弁（第２の開閉弁兼第３の開閉弁）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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