【手続補正書】
【提出日】令和3年11月15日(2021.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２シータに関して、７．０±０．２°、９．７±０．２°、および１９．４±０．２°のピークを含む粉末Ｘ線回折パターンによって特徴付けられる、（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項２】
２シータに関して、１５．４±０．２°、および２９．３±０．２°のピークをさらに含む粉末Ｘ線回折パターンによってさらに特徴付けられる、請求項１に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項３】
２シータに関して、２０．１±０．２°、２１．０±０．２°、および２３．２±０．２°のピークをさらに含む粉末Ｘ線回折パターンによってさらに特徴付けられる、請求項１に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項４】
２シータに関して、７．０±０．２°、９．７±０．２°、および１５．４±０．２°のピークを含む粉末Ｘ線回折パターンによって特徴付けられる、（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項５】
２シータに関して、９．３±０．２°、および１９．４±０．２°のピークをさらに含む粉末Ｘ線回折パターンによってさらに特徴付けられる、請求項４に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項６】
２シータに関して、１４．９±０．２°、１６．９±０．２°、および２０．１±０．２°のピークをさらに含む粉末Ｘ線回折パターンによってさらに特徴付けられる、請求項４に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項７】
２シータに関して、１９．０±０．２°、２１．０±０．２°、および２３．２±０．２°のピークをさらに含む粉末Ｘ線回折パターンによってさらに特徴付けられる、請求項４に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項８】
図２Ｂ：
2021505595.tif 000001
に実質的に記載される粉末Ｘ線回折パターンによって特徴付けられる、請求項４に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項９】
約１０２±３℃の融点を有することによってさらに特徴付けられる、請求項１に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項１０】
１０１±３℃のピークを含む示差走査熱量サーモグラムを有する、請求項１に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項１１】
図２Ａ：
2021505595.tif 000002
に実質的に記載される示差走査熱量サーモグラムを有する、請求項１に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項１２】
２シータに関して、７．０±０．２°、９．７±０．２°、および１９．４±０．２°のピークを含む粉末Ｘ線回折パターンによって特徴付けられる、（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項１３】
２シータに関して、１５．４±０．２°、および２９．３±０．２°のピークをさらに含む粉末Ｘ線回折パターンによってさらに特徴付けられる、請求項１２に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項１４】
２シータに関して、２０．１±０．２°、２１．０±０．２°、および２３．２±０．２°のピークをさらに含む粉末Ｘ線回折パターンによってさらに特徴付けられる、請求項１２に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項１５】
２シータに関して、７．０±０．２°、９．７±０．２°、および１５．４±０．２°のピークを含む粉末Ｘ線回折パターンによって特徴付けられる、（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項１６】
２シータに関して、９．３±０．２°、および１９．４±０．２°のピークをさらに含む粉末Ｘ線回折パターンによってさらに特徴付けられる、請求項１５に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項１７】
２シータに関して、１４．９±０．２°、１６．９±０．２°、および２０．２±０．２°のピークをさらに含む粉末Ｘ線回折パターンによってさらに特徴付けられる、請求項１５に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項１８】
２シータに関して、１９．１±０．２°、２１．０±０．２°、および２３．２±０．２°のピークをさらに含む粉末Ｘ線回折パターンによってさらに特徴付けられる、請求項１５に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項１９】
図３Ｂ：
2021505595.tif 000003
に実質的に記載される粉末Ｘ線回折パターンによって特徴付けられる、請求項１２に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項２０】
約１０２±３℃の融点を有することによってさらに特徴付けられる、請求項１２に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項２１】
１０１±３℃のピークを含む示差走査熱量サーモグラムを有する、請求項１２に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項２２】
図３Ａ：
2021505595.tif 000004
に実質的に記載される示差走査熱量サーモグラムを有する、請求項１２に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項２３】
Ｐ１空間群および４の格子式単位（Ｚ）を有する単結晶Ｘ線回折によって特徴付けられる、（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドまたは（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項２４】
前記Ｐ１空間群が、単位格子パラメータ：ａが、約１２．３Åであり、ｂが、約１２．８Åであり、ｃが、約１４．１Åであり、αが、約６４．０°であり、βが、約７３．４°であり、およびγが、約７５．９°であるものを有する、請求項２３に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項２５】
前記Ｐ１空間群が、単位格子パラメータ：ａが、約１２．４Åであり、ｂが、約１２．８Åであり、ｃが、約１４．１Åであり、αが、約６４．２°であり、βが、約７３．６°であり、およびγが、約７５．８°であるものを有する、請求項２３に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項２６】
前記（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドのキラル純度が、約９０％以上であり、前記（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドが、約９０％以上の多形純度の結晶形態Ａである、請求項１に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶を含む、組成物。
【請求項２７】
前記組成物の化学的純度が、約９９％以上の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドである、請求項１に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体を含む、組成物。
【請求項２８】
前記（Ｓ）−（−）−アミスルプリドのキラル純度が、約９０％以上であり、前記（Ｓ）−（−）−アミスルプリドが、約９０％以上の多形純度の結晶形態Ａ’である、請求項１２または２５に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体を含む、組成物。
【請求項２９】
前記組成物の化学的純度が、約９９％以上の（Ｓ）−（−）−アミスルプリドである、請求項１２に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体を含む、組成物。
【請求項３０】
２シータに関して、６．４±０．２°、８．３±０．２°、および２０．８±０．２°のピークを含む粉末Ｘ線回折パターンによって特徴付けられる、（Ｒ）−（＋）−アミスルプリド酢酸エチル溶媒和物の結晶体。
【請求項３１】
２シータに関して、１４．１±０．２°および２５．３±０．２°のピークをさらに含む粉末Ｘ線回折パターンによってさらに特徴付けられる、請求項３０に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリド酢酸エチル溶媒和物の結晶体。
【請求項３２】
２シータに関して、１４．１±０．２°のピークをさらに含む粉末Ｘ線回折パターンによってさらに特徴付けられる、請求項３０に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリド酢酸エチル溶媒和物の結晶体。
【請求項３３】
図５：
2021505595.tif 000005
に実質的に記載される粉末Ｘ線回折パターンによって特徴付けられる、請求項３０に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリド酢酸エチル溶媒和物の結晶体。
【請求項３４】
前記（Ｒ）−（＋）−アミスルプリド酢酸エチル溶媒和物のキラル純度が、約９０％以上であり、前記（Ｒ）−（＋）−アミスルプリド酢酸エチル溶媒和物が、約８０％以上の多形純度の結晶形態Ｂである、請求項３０に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリド酢酸エチル溶媒和物の結晶体を含む、組成物。
【請求項３５】
前記組成物の化学的純度が、約９５％以上の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリド酢酸エチル溶媒和物である、請求項３０に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリド酢酸エチル溶媒和物の結晶体を含む、組成物。
【請求項３６】
２シータに関して、６．４±０．２°、８．３±０．２°、および２０．８±０．２°のピークを含む粉末Ｘ線回折パターンによって特徴付けられる、（Ｓ）−（−）−アミスルプリド酢酸エチル溶媒和物の結晶体。
【請求項３７】
２シータに関して、１４．１±０．２°および２５．３±０．２°のピークをさらに含む粉末Ｘ線回折パターンによってさらに特徴付けられる、請求項３６に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリド酢酸エチル溶媒和物の結晶体。
【請求項３８】
２シータに関して、１４．１±０．２°のピークをさらに含む粉末Ｘ線回折パターンによってさらに特徴付けられる、請求項３６に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリド酢酸エチル溶媒和物の結晶体。
【請求項３９】
図８：
2021505595.tif 000006
に実質的に記載される粉末Ｘ線回折パターンによって特徴付けられる、請求項３６に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリド酢酸エチル溶媒和物の結晶体。
【請求項４０】
前記（Ｓ）−（−）−アミスルプリド酢酸エチル溶媒和物のキラル純度が、約９０％以上であり、前記（Ｓ）−（−）−アミスルプリド酢酸エチル溶媒和物が、約８０％以上の多形純度の結晶形態Ｂ’である、請求項３６に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリド酢酸エチル溶媒和物の結晶体を含む、組成物。
【請求項４１】
前記組成物の化学的純度が、約９５％以上の（Ｓ）−（−）−アミスルプリド酢酸エチル溶媒和物である、請求項３６に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリド酢酸エチル溶媒和物の結晶体を含む、組成物。
【請求項４２】
２シータに関して、少なくとも７．０±０．２°、９．７±０．２°、および１９．４±０．２°のピークを含む粉末Ｘ線結晶パターンを有するアミスルプリドの鏡像異性的に純粋な結晶体の製造方法であって：
（ａ）Ｒ−４−アミノ−Ｎ−［（１−エチル−２−ピロリジニル）メチル］−５−（エチルスルホニル）−２−メトキシベンズアミドまたはＳ−４−アミノ−Ｎ−［（１−エチル−２−ピロリジニル）メチル］−５−（エチルスルホニル）−２−メトキシベンズアミドを含む出発物質を供し；
（ｂ）前記出発物質を第１の溶媒と溶媒和させて、出発物質および第１の溶媒の溶媒和物を形成させることであって、前記第１の溶媒が、５個またはそれ以下の炭素を有するカルボニル含有化合物であり；
（ｃ）前記溶媒和させた出発物質を、水以外の第２の溶媒を加えることによって前記第１の溶媒から遊離させて、約２０ｗｔ/ｗｔ％以下の出発物質の溶解性を有する混合物を形成させ；次いで
（ｄ）前記出発物質の遊離塩基を含む混合物から、２シータに関して、少なくとも７．０±０．２°、９．７±０．２°、および１９．４±０．２°のピークを含む粉末Ｘ線結晶パターンを有する出発物質の結晶体を単離する
工程を含む、方法。
【請求項４３】
工程（ｄ）の出発物質の結晶体を再結晶化する工程をさらに含む、請求項４２に記載の方法。
【請求項４４】
再結晶化工程が、
（ａ）工程（ｄ）における物質を溶解させ、貧溶媒を加えること；
（ｂ）前記混合物を−１０±２℃に冷却すること；および
（ｃ）前記混合物を撒種すること
のうちの１つまたはそれ以上を含む、請求項４３に記載の方法。
【請求項４５】
２シータに関して、少なくとも６．４±０．２°、８．３±０．２°、および２０．８±０．２°のピークを含む粉末Ｘ線結晶パターンを有する、アミスルプリドの鏡像異性的に純粋な酢酸エチル溶媒和物の結晶体の製造方法であって：
（ａ）Ｒ−４−アミノ−Ｎ−［（１−エチル−２−ピロリジニル）メチル］−５−（エチルスルホニル）−２−メトキシベンズアミドまたはＳ−４−アミノ−Ｎ−［（１−エチル−２−ピロリジニル）メチル］−５−（エチルスルホニル）−２−メトキシベンズアミドを含む出発物質を供し；
（ｂ）前記出発物質を酢酸エチルと溶媒和させて、出発物質および第１の溶媒との酢酸エチル溶媒和物を形成させ；次いで
（ｃ）工程（ｂ）の前記混合物から、２シータに関して、少なくとも６．４±０．２°、８．３±０．２°、および２０．８±０．２°のピークを含む粉末Ｘ線結晶パターンを有する出発物質の酢酸エチル溶媒和物の結晶体を単離する
工程を含む、方法。
【請求項４６】
前記単離工程が、
（ａ）貧溶媒を加えること；
（ｂ）前記混合物を−１０±２℃に冷却すること；および
（ｃ）前記混合物を撒種すること
のうちの１つまたはそれ以上を含む、請求項４５に記載の方法。
【請求項４７】
アミスルプリドの非鏡像異性的に純粋な混合物の分割方法であって：
（ａ）アミスルプリドの非鏡像異性的に純粋な混合物を出発物質として供し；
（ｂ）前記出発物質の溶液を、エナンチオマー酒石酸を含む溶媒中に形成させ；
（ｃ）工程（ｂ）の前記混合物から、前記出発物質の１つのエナンチオマーの酒石酸塩を単離し；
（ｄ）前記出発物質の前記１つのエナンチオマーを前記酒石酸塩から遊離させ；次いで
（ｅ）工程（ｄ）の前記混合物から、前記出発物質の前記１つのエナンチオマーの遊離塩基を単離する
工程を含む、方法。
【請求項４８】
（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドを含み、前記（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの約９０％以上が、形態Ａである、医薬組成物。
【請求項４９】
（Ｓ）−（−）−アミスルプリドを含み、前記（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの約９０％以上が、形態Ａ’である、医薬組成物。
【請求項５０】
請求項４に記載の結晶体、および医薬的に許容される担体または希釈剤を含む医薬組成物。
【請求項５１】
請求項１５に記載の結晶体、および医薬的に許容される担体または希釈剤を含む医薬組成物。
【請求項５２】
（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体が約９５％以上のキラル純度を有する、請求項４に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項５３】
（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体が約９７％以上のキラル純度を有する、請求項５２に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項５４】
（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体が約９９％以上のキラル純度を有する、請求項５３に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項５５】
（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体が約９５％以上の化学的純度を有する、請求項４に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項５６】
（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体が約９７％以上の化学的純度を有する、請求項５５に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項５７】
（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体が約９９％以上の化学的純度を有する、請求項５６に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項５８】
（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体が約９０％以上の多形純度を有する、請求項４に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項５９】
（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体が、約９７％以上のキラル純度、９７％以上の化学的純度、および９０％以上の多形純度を有する、請求項４に記載の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項６０】
（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体が約９５％以上のキラル純度を有する、請求項１５に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項６１】
（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体が約９７％以上のキラル純度を有する、請求項６０に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項６２】
（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体が約９９％以上のキラル純度を有する、請求項６１に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項６３】
（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体が約９５％以上の化学的純度を有する、請求項１５に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項６４】
（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体が約９７％以上の化学的純度を有する、請求項６３に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項６５】
（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体が約９９％以上の化学的純度を有する、請求項６４に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項６６】
（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体が約９０％以上の多形純度を有する、請求項１５に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項６７】
（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体が、約９７％以上のキラル純度、９７％以上の化学的純度、および９０％以上の多形純度を有する、請求項１５に記載の（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体。
【請求項６８】
２シータに関して、７．０±０．２°、９．７±０．２°、および１５．４±０．２°のピークを含む粉末Ｘ線回折パターンによって特徴付けられる（Ｒ）−（＋）−アミスルプリド、または２シータに関して、７．０±０．２°、９．７±０．２°、および１５．４±０．２°のピークを含む粉末Ｘ線回折パターンによって特徴付けられる（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの鏡像異性的に純粋な結晶体の製造方法であって：
（ａ）（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドまたは（Ｓ）−（−）−アミスルプリドを含む出発物質を供し；
（ｂ）前記出発物質を第１の溶媒と溶媒和させて、出発物質および第１の溶媒の溶媒和物を形成させることであって、前記第１の溶媒が、５個またはそれ以下の炭素を有するカルボニル含有化合物であり；
（ｃ）前記溶媒和させた出発物質を、水以外の第２の溶媒を加えることによって前記第１の溶媒から遊離させて、約２０ｗｔ/ｗｔ％以下の出発物質の溶解性を有する混合物を形成させ；次いで
（ｄ）工程（ｃ）の混合物から、（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドまたは（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体を単離する
工程を含む、方法。
【請求項６９】
方法が、
（ａ）（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドを含む出発物質を供し；
（ｂ）前記出発物質を第１の溶媒と溶媒和させて、出発物質および第１の溶媒の溶媒和物を形成させることであって、前記第１の溶媒が、５個またはそれ以下の炭素を有するカルボニル含有化合物であり；
（ｃ）前記溶媒和させた出発物質を、水以外の第２の溶媒を加えることによって前記第１の溶媒から遊離させて、約２０ｗｔ/ｗｔ％以下の出発物質の溶解性を有する混合物を形成させ；次いで
（ｄ）工程（ｃ）の混合物から、（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体を単離する
工程を含む、請求項６８の方法。
【請求項７０】
方法が、
（ａ）（Ｓ）−（−）−アミスルプリドを含む出発物質を供し；
（ｂ）前記出発物質を第１の溶媒と溶媒和させて、出発物質および第１の溶媒の溶媒和物を形成させることであって、前記第１の溶媒が、５個またはそれ以下の炭素を有するカルボニル含有化合物であり；
（ｃ）前記溶媒和させた出発物質を、水以外の第２の溶媒を加えることによって前記第１の溶媒から遊離させて、約２０ｗｔ/ｗｔ％以下の出発物質の溶解性を有する混合物を形成させ；次いで
（ｄ）工程（ｃ）の混合物から、（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体を単離する
工程を含む、請求項６８の方法。
【請求項７１】
（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドを含む出発物質が約９５％以上のキラル純度を有し、工程（ｄ）の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体が約９５％以上のキラル純度を有する、請求項６８の方法。
【請求項７２】
（Ｓ）−（−）−アミスルプリドを含む出発物質が約９５％以上のキラル純度を有し、工程（ｄ）の（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体が約９５％以上のキラル純度を有する、請求項６８の方法。
【請求項７３】
第１の溶媒がアルデヒド類、ケトン類、またはエステル類である、請求項６８の方法。
【請求項７４】
第１の溶媒が約３重量％未満の含水量である、請求項６８の方法。
【請求項７５】
第１の溶媒が約１重量％未満の含水量である、請求項６８の方法。
【請求項７６】
第１の溶媒が約０．５重量％未満の含水量である、請求項６８の方法。
【請求項７７】
第１の溶媒が酢酸エチルである、請求項６８の方法。
【請求項７８】
第１の溶媒が酢酸プロピルである、請求項６８の方法。
【請求項７９】
第１の溶媒がメチルエチルケトンである、請求項６８の方法。
【請求項８０】
第１の溶媒が約１重量％未満の含水量の酢酸エチルである、請求項６８の方法。
【請求項８１】
溶媒和工程が第１の溶媒の出発物質の混合物を塩基性化にし、ｐＨを約９．５以上にすることを含む、請求項６８の方法。
【請求項８２】
塩基性化工程が炭酸カリウム水溶液を加えることを含む、請求項６８の方法。
【請求項８３】
炭酸カリウム水溶液が約４０重量％の炭酸カリウムである、請求項８２の方法。
【請求項８４】
第２の溶媒がメチルｔ−ブチルエーテルである、請求項６８の方法。
【請求項８５】
溶媒和させた出発物質を遊離する工程が、約１０ｗｔ／ｗｔ％以下の出発物質の溶解性を有する混合物を形成させることを含む、請求項６８の方法。
【請求項８６】
溶媒和させた出発物質を遊離する工程が、約５ｗｔ／ｗｔ％以下の出発物質の溶解性を有する混合物を形成させることを含む、請求項６８の方法。
【請求項８７】
工程（ｄ）の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの結晶体が約９０％以上の化学純度を有する、請求項６８の方法。
【請求項８８】
工程（ｄ）の（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体が約９０％以上の化学純度を有する、請求項６８の方法。
【請求項８９】
工程（ｄ）後、（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドの９５重量％以上が、２シータに関して、７．０±０．２°、９．７±０．２°、および１５．４±０．２°のピークを含む粉末Ｘ線回折パターンを有する結晶体にある、請求項６８の方法。
【請求項９０】
工程（ｄ）後、（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの９５重量％以上が、２シータに関して、７．０±０．２°、９．７±０．２°、および１５．４±０．２°のピークを含む粉末Ｘ線回折パターンを有する結晶体にある、請求項６８の方法。
【請求項９１】
前記単離工程が、
（ｉ）工程（ｃ）の混合物に貧溶媒を加えること；
（ii）工程（ｉ）の混合物を−１０±２℃に冷却すること；および
（iii）工程（ii）の冷却された混合物を撒種すること
のうちの１つまたはそれ以上を含む、請求項６８の方法。
【請求項９２】
前記貧溶媒がメチルｔ−ブチルエーテルである、請求項９１の方法。
【請求項９３】
工程（ｄ）の（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドまたは（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体を再結晶化する工程をさらに含む、請求項６８の方法。
【請求項９４】
再結晶化工程が、
（ｉ）工程（ｄ）からの（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドまたは（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体を溶解させ、貧溶媒を加え、混合物を形成すること；
（ii）工程（ｉ）の混合物を−１０±２℃に冷却すること；および
（iii）工程（ii）の混合物を撒種すること
のうちの１つまたはそれ以上を含む、請求項９３に記載の方法。
【請求項９５】
再結晶化工程が、
（ｉ）工程（ｄ）からの（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドまたは（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体を溶媒／貧溶媒溶液中に溶解させること；
（ii）（Ｒ）−（＋）−アミスルプリドまたは（Ｓ）−（−）−アミスルプリドの結晶体、および溶媒／貧溶媒溶液を含む溶液を冷却すること；および
（iii）工程（ii）の冷却された溶液に種晶を加えること
を含む請求項９３に記載の方法。