(57)【要約】【課題】磁性記録部の断面形状（深さ方向の形状）の精度を向上することにより、磁気特性の劣化を防止することができる磁気記録媒体およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明にかかる磁気記録媒体１００、２００は、磁気記録層１２２の面内方向に所定のパターンの磁性記録部１４０と非記録部１５０を有し、非記録部１５０が、非硬磁性層１３６と非硬磁性層１３６の上に形成された非磁性層１３８とからなることを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録層の面内方向に所定のパターンの磁性記録部と非記録部を有し、
前記非記録部が、非硬磁性層と該非硬磁性層の上に形成された非磁性層とからなることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
前記非硬磁性層は、イオン注入によって形成されており、前記非磁性層は充填によって形成されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
前記磁性記録部は、
柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性物質からなる粒界部を形成したグラニュラー構造の磁気記録層と、
前記グラニュラー構造の磁気記録層の上に設けられ、面内方向に磁気的に連続した補助記録層とを備え、
前記非記録部の前記非磁性層は、隣接する磁性記録部の補助記録層を分断していることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
磁気記録層に、所定のパターンでエッチングを行うエッチング工程と、
前記所定のパターンでイオン注入を行うイオン注入工程、を両方行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記磁気記録層は、
柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性物質からなる粒界部を形成したグラニュラー構造の強磁性層と、
前記グラニュラー構造の強磁性層の上に設けられ、面内方向に磁気的に連続した補助記録層とからなり、
前記エッチング工程は、前記補助記録層を分断するまでエッチングすることを特徴とする請求項４に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）などに搭載される磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に磁気記録技術を用いたＨＤＤの面記録密度は年率１００％程度の割合で増加し続けている。最近では、ＨＤＤ等に用いられる２．５インチ径磁気ディスクにして、１枚あたり２００ＧＢｙｔｅを超える情報記録容量が求められるようになってきており、このような要請にこたえるためには１平方インチあたり４００ＧＢｉｔを超える情報記録密度を実現することが求められる。
【０００３】
ＨＤＤ等に用いられる磁気ディスクにおいて高記録密度を達成するために、近年、垂直磁気記録方式の磁気ディスク（垂直磁気記録ディスク）が提案されている。従来の面内磁気記録方式は磁気記録層の磁化容易軸が基体面の平面方向に配向されていたが、垂直磁気記録方式は磁化容易軸が基体面に対して垂直方向に配向するよう調整されている。垂直磁気記録方式は面内記録方式に比べて、高密度記録時に、より熱揺らぎ現象を抑制することができるので、高記録密度化に対して好適である。
【０００４】
さらに記録密度および熱揺らぎ耐性を向上させた技術として、記録用の磁性トラックの間に非磁性トラックを平行させるようにパターニングして隣接した記録トラックの干渉を防ぐディスクリートトラックメディアや、任意のパターンを人工的に規則正しく並べたビットパターンメディアと呼ばれる磁気記録媒体が提案されている。
【０００５】
上記したディスクリートトラックメディアやビットパターンメディアといったパターンドメディアは、非磁性基体の上に磁気記録層を形成した後、部分的にイオンを注入することにより、非磁性化もしくは非晶質化することにより磁気的に分断した磁性パターンを形成する技術（例えば特許文献１）や、非磁性基体の上に磁気記録層を形成した後、部分的に当該磁気記録層をエッチングすることにより凹凸を形成し、物理的に磁気記録層を分断させ、磁性パターンを形成する技術（例えば特許文献２）が提案されている。
【０００６】
具体的には、まず、磁気記録層の上にレジストを成膜し所望する凹凸パターンが形成されたスタンパをインプリントしてレジストに凹凸パターンを転写したり、磁気記録層の上にフォトレジストを成膜しフォトリソグラフィ技術により所望する凹凸パターンをフォトレジストに形成したりする。そして、形成された凹部を介して、磁気記録層にイオンを注入したり、凹部の表面に露出した磁気記録層をＩＢＥ（Ion Beam Etching：イオンビームエッチング）によってイオンミリングしたりすることにより、磁気記録層を分断する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平５−２０５２５７号公報
【特許文献２】特開２００６−０１２２８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、イオン注入は、レジストの凹部のみに打ち込めるわけではなく、それ以外の位置にもイオンが分散してしまう。そして、磁気記録層を十分に分断するためには、多量にイオンを打ち込まなくてはならないので、磁性記録部の特性を劣化させてしまうおそれがある。
【０００９】
また、エッチングにより磁気記録層を除去する場合、磁気記録層そのものを直接エッチング（イオンミリング）するため、エッチングによる磁性記録部へのダメージや、エッチングガスおよびエッチング液の残留成分による腐食など、磁性記録部の特性を劣化させてしまうおそれがある。
【００１０】
本発明は、このような問題に鑑み、磁性記録部の断面形状（深さ方向の形状）の精度を向上することにより、磁気特性の劣化を防止することができる磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明にかかる磁気記録媒体の代表的な構成は、磁気記録層の面内方向に所定のパターンの磁性記録部と非記録部を有し、非記録部が、非硬磁性層と非硬磁性層の上に形成された非磁性層とからなることを特徴とする。
【００１２】
また、上記の非硬磁性層は、イオン注入によって形成されており、非磁性層は充填によって形成されていてもよい。
【００１３】
かかる構成によって、イオン注入によるイオンの分散の抑制、および、エッチングによる磁性記録部へのダメージの低減を図ることができる。これにより、磁性記録部の断面形状（深さ方向の形状）の精度を向上させ、磁気特性の劣化を防止することができる。
【００１４】
上記の磁性記録部は、柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性物質からなる粒界部を形成したグラニュラー構造の磁気記録層と、グラニュラー構造の磁気記録層の上に設けられ、面内方向に磁気的に連続した補助記録層とを備え、非記録部の非磁性層は、隣接する磁性記録部の補助記録層を分断していることとしてもよい。これにより、隣接する磁性記録部間の磁気的な連続性を確実に分断できるため、ＳＮ比（Signal-Noise Ratio）を向上させることができる。
【００１５】
上記課題を解決するために、本発明にかかる磁気記録媒体の製造方法の代表的な構成は、磁気記録層に、所定のパターンでエッチングを行うエッチング工程と、前記所定のパターンでイオン注入を行うイオン注入工程を両方行うことを特徴とする。
【００１６】
かかる構成によって、磁性記録部を確実に分断するとともに、イオン注入およびエッチングのプロセスを単独で用いる場合より、タクトタイムの短縮を図ることができる、故に、製造工程全体での生産性を向上させることができる。
【００１７】
上記の磁気記録層は、柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性物質からなる粒界部を形成したグラニュラー構造の磁気記録層と、グラニュラー構造の磁気記録層の上に設けられ、面内方向に磁気的に連続した補助記録層とからなり、エッチング工程は、前記補助記録層を分断するまでエッチングすることとしてもよい。
【００１８】
上記した磁気記録媒体の技術的思想に基づく構成要素やその説明は、当該磁気記録媒体の製造方法にも適用可能である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、磁性記録部の断面形状（深さ方向の形状）の精度を向上することにより、磁気特性の劣化を防止した磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１実施形態にかかる磁気記録媒体としてのディスクリートトラックメディアの断面図である。
【図２】第１実施形態にかかるディスクリートトラックメディアの磁気トラックパターン形成工程について説明するための説明図である。
【図３】第２実施形態にかかる磁気記録媒体としてのビットパターンメディアの断面図である。
【図４】第２実施形態にかかるビットパターンメディアのビットパターン形成工程について説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。かかる実施形態に示す寸法、材料、その他具体的な数値などは、発明の理解を容易とするための例示にすぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能、構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略し、また本発明に直接関係のない要素は図示を省略する。
【００２２】
（第１実施形態）
図１は第１実施形態にかかる磁気記録媒体としてのディスクリートトラックメディア１００（Discrete Truck Recording Medium;以下ＤＴＲメディアと略称する）の断面図である。
【００２３】
ディスクリートトラックメディア１００は、ディスク基体１１０、付着層１１２、第１軟磁性層１１４ａ、スペーサ層１１４ｂ、第２軟磁性層１１４ｃ、前下地層１１６、第１下地層１１８ａ、第２下地層１１８ｂ、非磁性グラニュラー層１２０、磁気記録層１２２、補助記録層１２４、保護層１２６、潤滑層１２８で構成されている。
【００２４】
磁気記録層１２２と補助記録層１２４は、磁性記録部１４０と非記録部１５０から構成されている。また、非記録部１５０は、非硬磁性層１３６と、その上に形成された非磁性層１３８とで構成されている。
【００２５】
なお第１軟磁性層１１４ａ、スペーサ層１１４ｂ、第２軟磁性層１１４ｃは、あわせて軟磁性層１１４を構成する。第１下地層１１８ａと第２下地層１１８ｂはあわせて下地層１１８を構成する。
【００２６】
以下、本実施形態のＤＴＲメディア１００の製造工程を説明しながら各層の構成について詳述する。
【００２７】
[基体成型工程]
ディスク基体１１０は、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円板状に成型したガラスディスクを用いることができる。なおガラスディスクの種類、サイズ、厚さ等は特に制限されない。ガラスディスクの材質としては、例えば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノケイ酸ガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラス、石英ガラス、チェーンシリケートガラス、又は、結晶化ガラス等のガラスセラミックなどが挙げられる。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性のディスク基体１１０を得ることができる。
【００２８】
[成膜工程]
上記した工程で得られたディスク基体１１０上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にて成膜することで、付着層１１２、軟磁性層１１４、前下地層１１６、下地層１１８、非磁性グラニュラー層１２０、磁気記録層１２２、補助記録層１２４を形成することができる。また、保護層１２６はＣＶＤ法により、成膜することができる。なお、生産性が高いという点で、インライン型成膜方法を用いることも好ましい。
【００２９】
付着層１１２は５ｎｍのＴｉ合金層となるように、Ｔｉ合金ターゲットを用いて成膜した。付着層１１２を形成することにより、ディスク基体１１０と軟磁性層１１４との間の付着性を向上させることができるので、軟磁性層１１４の剥離を防止することができる。付着層１１２の材料としては、例えばＣｒＴｉ合金を用いることができる。実用上の観点からは付着層の膜厚は、１ｎｍ〜５０ｎｍとすることが好ましい。
【００３０】
軟磁性層１１４は、第１軟磁性層１１４ａと第２軟磁性層１１４ｃの間に非磁性のスペーサ層１１４ｂを介在させることによって、ＡＦＣ（Antiferro-magnetic exchange coupling：反強磁性交換結合）を備えるように構成した。これにより軟磁性層1１４の磁化方向を高い精度で磁路（磁気回路）に沿って整列させることができ、軟磁性層1１４から生じるノイズを低減することができる。具体的には、第一軟磁性層1１４ａ、第二軟磁性層1１４ｃの組成はＣｏＣｒＦｅＢとし、スペーサ層1１４ｂの組成はＲｕ（ルテニウム）とした。
【００３１】
前下地層１１６は、軟磁性層１１４を防護する作用と、下地層１１８の結晶粒の配向の整列を促進する作用を備える。配向制御層の材質としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂから選択することができる。さらにこれらの金属を主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗのいずれか１つ以上の添加元素を含む合金としてもよい。例えばＮｉＷ、ＣｕＷ、ＣｕＣｒを好適に選択することができる。
【００３２】
下地層１１８はｈｃｐ構造であって、磁気記録層１２２のｈｃｐ構造の結晶をグラニュラー構造として成長させることができる。したがって、下地層１１８の結晶配向性が高いほど、磁気記録層１２２の配向性を向上させることができる。下地層の材質としては、Ｒｕの他に、ＲｕＣｒ、ＲｕＣｏから選択することができる。Ｒｕはｈｃｐ構造をとり、Ｃｏを主成分とする磁気記録層を良好に配向させることができる。
【００３３】
下地層１１８は、Ｒｕからなる２層構造となっている。上層側の第２下地層１１８ｂを形成する際に、下層側の第１下地層１１８ａを形成するときよりもＡｒのガス圧を高くしている。ガス圧を高くするとスパッタリングされた粒子の平均自由工程が短くなるため、成膜速度が遅くなり、結晶配向性を改善することができる。また高圧にすることにより、結晶格子の大きさが小さくなる。Ｒｕの結晶格子の大きさはＣｏの結晶格子よりも大きいため、Ｒｕの結晶格子を小さくすればＣｏのそれに近づき、Ｃｏのグラニュラー層の結晶配向性をさらに向上させることができる。
【００３４】
非磁性グラニュラー層１２０は、下地層１１８のｈｃｐ結晶構造の上に非磁性のグラニュラー層を形成し、この上に磁気記録層１２２のグラニュラー層を成長させることにより、磁性のグラニュラー層を初期段階（立ち上がり）から分離させる作用を有している。非磁製グラニュラー層１２０の組成は非磁性のＣｏＣｒ−ＳｉＯ２とした。
【００３５】
磁気記録層１２２は、Ｃｏ系合金、Ｆｅ系合金、Ｎｉ系合金から選択される硬磁性体の磁性粒の周囲に非磁性物質を偏析させて粒界を形成した柱状のグラニュラー構造を有した強磁性層である。この磁性粒は、非磁性グラニュラー層１２０を設けることにより、そのグラニュラー構造から継続してエピタキシャル成長することができる。本第一実施形態は、ＤＴＲメディア１００であるため、磁気記録層１２２がグラニュラー構造をとる構成により、ＳＮＲ（Signal-Noise Ratio）を向上させることが可能となる。
【００３６】
補助記録層１２４は、グラニュラー構造を有する磁気記録層１２２の上に形成される面内方向に磁気的に連続した層である。補助記録層１２４を設けることにより磁気記録層１２２の高密度記録性と低ノイズ性に加えて、逆磁区核形成磁界Ｈｎの向上、耐熱揺らぎ特性の改善、オーバーライト特性の改善を図ることができる。
【００３７】
なお、本実施形態では、製造工程の簡略化を図るために、後述する磁気トラックパターン形成工程後に保護層１２６の成膜を行っているが、製造工程における汚染の低減を図るために、補助記録層１２４の成膜後に保護層１２６の成膜を行っても良い。
【００３８】
[磁気トラックパターン形成工程]
次に、本実施形態の磁気記録層１２２に磁気的に分離した磁性記録部１４０と非記録部１５０を形成する工程について詳述する。図２は第１実施形態にかかるＤＴＲメディア１００の磁気トラックパターン形成工程について説明するための説明図である。なお、磁気トラックパターン形成工程は、レジスト層成膜工程、パターニング工程、エッチング工程、イオン注入工程、充填工程、除去工程を含んで構成される。以下、磁気トラックパターン形成工程における各工程について説明する。なお、図２において、理解を容易にするために非磁性グラニュラー層１２０よりディスク基体１１０側の層の記載を省略する。
【００３９】
＜レジスト層成膜工程＞
図２（ａ）に示すように、補助記録層１２４の上に、スピンコート法を用いてレジスト層１６２を成膜する。レジスト層１６２としてシリカを主成分とするＳＯＧ（Spin On Glass）、一般的なノボラック系のフォトレジスト等を好適に利用できる。
【００４０】
＜パターニング工程＞
図２（ｂ）に示すように、レジスト層１６２にスタンパ１６０を押し当てることによって、磁性トラックパターンを転写する（インプリント法）。スタンパ１６０には転写しようとする記録領域としてのトラック部と、プリアンブル部、アドレス部、およびバースト部等のサーボ情報を記憶するためのサーボパターン部と、トラック部とサーボパターン部を離隔するブロック部と、のそれぞれのパターンに対応する凹凸パターン（磁性記録部１４０と非記録部１５０のパターン）を有する。
【００４１】
スタンパ１６０によってレジスト層１６２に磁性トラックパターンを転写した後、スタンパ１６０をレジスト層１６２から取り除くことにより、レジスト層１６２に凹凸パターン（磁性記録部１４０と非記録部１５０のパターン）が形成される。また、スタンパ１６２の表面にはフッ素系剥離剤を塗布していると好ましい。これにより、レジスト層１６２から良好にスタンパ１６０を剥離することが可能となる。
【００４２】
なお本実施形態においてパターニング工程は、スタンパ１６２を用いたインプリント法を利用しているが、フォトリソグラフィ法も好適に利用することができる。ただし、フォトリソグラフィ法を利用する場合には、上記レジスト層成膜工程においては、フォトレジストをレジスト層として成膜し、成膜したフォトレジストを、マスクを用いて露光・現像し、磁気トラック部としての所定のパターンを転写する。
【００４３】
＜エッチング工程＞
図２（ｃ）に示すように、上記パターニング工程で所定のパターンにパターニングされたレジスト層１６２の凹部から、補助記録層１２４を分断するまでＡｒを用いたＩＢＥ（Ion Beam Etching：イオンビームエッチング（イオンミリング））を行うことにより、所定のパターンの凸部と凹部が形成される。これにより、隣接する磁性記録部間の磁気的な連続性を確実に分断できるため、ＳＮ比（Signal-Noise Ratio）を向上させることができる。また、エッチングガスおよびエッチング液の残留成分による磁気記録層１２２内部の腐食を防ぐことができる。なお、ＩＢＥを行った凹部断面は、おおむね台形状となる。
【００４４】
ＩＢＥのプラズマ源は、ＥＣＲプラズマを好適に利用することができるが、低圧で高密度プラズマが生成可能なＩＣＰや、一般的な平行平板型ＲＩＥ装置を利用することもできる。ＥＣＲイオンガンを用いたイオンミリングでは、静止対向型（イオン入射角９０°）でエッチングすることで、磁気記録層１２２に形成される凹部、凸部にテーパを設けず加工することが可能となる。
【００４５】
＜イオン注入工程＞
図２（ｄ）に示すように、上記エッチング工程で所定のパターンに分断されたレジスト層１６２および補助記録層１２４の凹部から、磁気記録層１２２にイオンビーム法を用いてイオンを注入すると、イオンが分散される円状の範囲を構造的に破壊し、分離させることができる。これにより、非硬磁性層１３６が形成される。非硬磁性層１３６は、ある程度の磁性（比透磁率μ＝２〜１００程度）を有することが好ましい。オーバーライト特性と電磁変換特性を向上させることができるからである。
【００４６】
注入するイオンとしては、Ａｒ、Ｎ、Ｏの１または複数を用いることができる。その他のイオンとして、Ｂ、Ｐ、Ｓｉ，Ｆ、Ｃ、Ｉｎ、Ｂｉ、Ｋｒ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｗ、Ａｓ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｓｎ、Ｎ、Ｏからなる群から選択されたいずれか１または複数のイオンを注入してもよい。
【００４７】
＜充填工程＞
図２（ｅ）に示すように、上記イオン注入工程により形成した非硬磁性層の上に、非磁性層１３８を充填する。非磁性層１３８としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯＣ、ＴｉＯ２、Ｃを利用することができる。非磁性層１３８は、バイアスをかけないスパッタ法で充填する。ここで、基体にバイアスをかけながらスパッタを行うバイアススパッタ法を利用すると、凹部に容易に非磁性層１３８を充填することができるが、バイアス電圧をかけることによる基体の温度上昇およびこれに伴う基体の溶解が生じたり、スパッタダストが生じることによる基体表面の平坦化への妨げが発生したりするため、バイアスをかけないスパッタ法が好適である。
【００４８】
＜除去工程＞
図２（ｆ）に示すように、レジスト層１６２をフッ素系ガスを用いたＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）により除去する。本実施形態において、エッチングガスにＳＦ６を用いているが、これに限定されず、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６からなる群から選択されたいずれか１種または複数の混合ガスも好適に利用することができる。
【００４９】
本実施形態では、レジスト層１６２としてＳＯＧを用いているため、フッ素系ガスを用いて、エッチングを行っているが、レジスト層１６２の材質によってガスの種類を適宜変更することはいうまでもない。例えば、レジスト層１６２としてノボラック系フォトレジストを用いた場合、酸素ガスを用いたＲＩＥが好適である。
【００５０】
本実施形態においてＲＩＥのプラズマ源は、低圧で高密度プラズマが生成可能なＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）を利用しているが、これに限定されず、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）プラズマや、一般的な平行平板型ＲＩＥ装置を利用することもできる。
【００５１】
以上、本実施形態にかかる磁気トラックパターン形成工程を説明したが、エッチング工程、イオン注入工程、充填工程などの順序は、上記実施形態に限定されるものではなく、適宜都合により変更することができる。例えば、充填工程をイオン注入行程の前に行ったり、イオン注入工程をエッチング工程の前に行ったりしてもよい。
【００５２】
上記トラックパターン形成工程によれば、イオン注入工程とエッチング工程を併用することにより、それらを単独で用いる場合より、タクトタイムの短縮を図ることができる。更に、エッチングによる断面形状とイオン注入による円状のイオン分散範囲を勘案し、両工程を併用して用いることにより、磁性記録部１４０の断面形状（深さ方向の形状）の精度を向上し、磁気特性の劣化を防止できる。
【００５３】
[保護層・潤滑層成膜工程]
保護層１２６は、真空を保ったままカーボンをＣＶＤ法により成膜して形成することができる。保護層１２６は、磁気ヘッドの衝撃から磁気記録層１２２を防護するための層である。一般にＣＶＤ法によって成膜されたカーボンはスパッタ法によって成膜したものと比べて膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に磁気記録層１２２を防護することができる。
【００５４】
潤滑層１２８は、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）をディップコート法により成膜することができる。ＰＦＰＥは長い鎖状の分子構造を有し、保護層１２６表面のＮ原子と高い親和性をもって結合する。この潤滑層１２８の作用により、ＤＴＲメディア１００の表面に磁気ヘッドが接触しても、保護層１２６の損傷や欠損を防止することができる。
【００５５】
以上、本実施形態によれば、磁性記録部の断面形状（深さ方向の形状）の精度を向上し、磁気特性の劣化を防止できるＤＴＲメディア１００を提供することができる。
【００５６】
（第２実施形態）
図３は第２実施形態にかかる磁気記録媒体としてのビットパターンメディア２００の断面図である。ビットパターンメディア２００は、磁性記録部２４０と非記録部２５０から構成されている。なお、ビットパターンメディア２００の磁性記録部２４０と非記録部２５０の形成間隔は、高密度化実現のために、ＤＴＲメディア１００より狭められている。
【００５７】
磁性記録部２４０は、ディスク基体１１０、付着層１１２、第１軟磁性層１１４ａ、スペーサ層１１４ｂ、第２軟磁性層１１４ｃ、前下地層１１６、第１下地層１１８ａ、第２下地層１１８ｂ、磁気記録層１２２、保護層１２６、潤滑層１２８で構成されている。また、非記録部２５０は、ディスク基体１１０、付着層１１２、第１軟磁性層１１４ａ、スペーサ層１１４ｂ、第２軟磁性層１１４ｃ、前下地層１１６、第１下地層１１８ａ、第２下地層１１８ｂ、非硬磁性層１３６、非磁性層１３８、保護層１２６、潤滑層１２８で構成されている。
【００５８】
ＤＴＲメディア１００の場合には、補助記録層１２４が非記録部１４０（凹部）によって分断されても、トラック方向には連続していることになる。このため補助記録層１２４はトラック方向に隣接する磁性粒子に亘って磁気的に連続することとなり、補助記録層１２４としての役割を発揮することができる。しかし、本実施形態にかかるビットパターンメディア２００では、記録ビット単位で補助記録層１２４、磁気記録層１２２を分断してしまうので、必ずしも補助記録層の設置、グラニュラー構造の形成を行う必要がない。これゆえ、本実施形態では非磁性グラニュラー層１２０および補助記録層１２４を省略する。当然ではあるが、適宜都合に応じて非磁性グラニュラー層１２０、補助記録層１２４を設けてもよい。
【００５９】
以下、本実施形態のビットパターンメディア２００の製造工程を説明しながら各層の構成について詳述する。なお、本実施形態において、上述した要素と実質的に同一の機能、構成を有するものについては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００６０】
ビットパターンメディア２００は、上述した基体成型工程、成膜工程、後述するビットパターン形成工程、保護層・潤滑層成膜工程を経て製造される。以下、ＤＴＲメディア１００の製造工程と異なる、ビットパターン形成工程について詳述する。
【００６１】
[ビットパターン形成工程]
本実施形態の磁気記録層１２２に磁気的に分離した磁性記録部２４０と非記録部２５０を形成する工程について詳述する。図４は第２実施形態にかかるビットパターンメディアのビットパターン形成工程について説明するための説明図である。なお、ビットパターン形成工程は、レジスト層成膜工程、パターニング工程、エッチング工程、イオン注入工程、充填工程、除去工程を含んで構成される。なお、図４において、理解を容易にするために磁気記録層１２２よりディスク基体１１０側の層の記載を省略する。
【００６２】
＜レジスト層成膜工程＞
図４（ａ）に示すように、磁気記録層１２２の上に、スピンコート法を用いてレジスト層１６２を成膜する。レジスト層１６２としてシリカを主成分とするＳＯＧ（Spin On Glass）、一般的なノボラック系のフォトレジスト等を好適に利用できる。
【００６３】
＜パターニング工程＞
図４（ｂ）に示すように、レジスト層１６２にスタンパ１６０を押し当てることによって、パターンを転写する（インプリント法）。スタンパ１６０には転写しようとする磁性記録部２４０と非記録部２５０に対応する凹凸パターンを有する。なお、本実施形態においてパターニング工程は、スタンパ１６２を用いたインプリント法を利用しているが、フォトリソグラフィ法も好適に利用することができる。
【００６４】
＜エッチング工程＞
図４（ｃ）に示すように、上記パターニング工程で所定のパターンにパターニングされたレジスト層１６２の凹部から、Ａｒを用いたＩＢＥ（Ion Beam Etching：イオンビームエッチング（イオンミリング））を行う。このとき、非記録部２５０の微小化に伴い、磁気記録層１２２を十分に分断できていなくても構わない。
【００６５】
＜イオン注入工程＞
図４（ｄ）に示すように、上記エッチング工程で所定のパターンに分断されたレジスト層１６２および磁気記録層１２２の凹部から、イオンビーム法を用いてイオンを注入する。これにより、非記録部２５０の位置の、面内方向に磁気的に連続している磁気記録層１２２を構造的に破壊し、非硬磁性層１３６を形成することができる。
【００６６】
＜充填工程＞
図４（ｅ）に示すように、上記イオン注入工程により形成した非硬磁性層１３６の上に、非磁性層１３８を充填する。非磁性層１３８としては、ＳｉＯ２、ＳｉＯＣ、ＴｉＯ２、Ｃを利用することができる。
【００６７】
＜除去工程＞
図４（ｆ）に示すように、レジスト層１６２をフッ素系ガスを用いたＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）により除去する。本実施形態において、エッチングガスにＳＦ６を用いているが、これに限定されず、ＣＦ４、ＣＨＦ３、Ｃ２Ｆ６からなる群から選択されたいずれか１種または複数の混合ガスも好適に利用することができる。
【００６８】
以上、本実施形態にかかるビットパターン形成工程を説明したが、エッチング工程、イオン注入工程、充填工程などの順序は、上記実施形態に限定されるものではなく、適宜都合により変更することができる。例えば、充填工程をイオン注入行程の前に行ったり、イオン注入工程をエッチング工程の前に行ったりしてもよい。
【００６９】
上記ビットパターン形成工程によれば、エッチングの断面形状とイオン注入による円状のイオン分散範囲を勘案し両工程を併用して用いることにより、磁気記録層を十分に分断することができるので、微細なビットパターンを形成し、ビットパターンメディアの更なる高密度化を実現することが可能となる。
【００７０】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００７１】
本発明は、磁気記録方式のＨＤＤなどに搭載される磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体として利用可能である。
【符号の説明】
【００７２】
１００          …ディスクリートトラックメディア
１１０          …ディスク基体
１１２          …付着層
１１４          …軟磁性層
１１４ａ        …第１軟磁性層
１１４ｂ        …スペーサ層
１１４ｃ        …第２軟磁性層
１１６          …前下地層
１１８          …下地層
１１８ａ        …第１下地層
１１８ｂ        …第２下地層
１２０          …非磁性グラニュラー層
１２２          …磁気記録層
１２４          …補助記録層
１２６          …保護層
１２８         …潤滑層
１３６          …非硬磁性層
１３８          …非磁性層
１４０、２４０  …磁性記録部
１５０、２５０  …非記録部
１６０          …スタンパ
１６２          …レジスト層
２００          …ビットパターンメディア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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