(57)【要約】【課題】寄生ＬＣＲが小さく、小型な可変容量素子を提供する。【解決手段】可変容量素子は、基板１０に設けられた信号線路１と、前記信号線路１を跨ぐように設けられ、両端が基板１０に対して固定された可動電極３ａ、３ｂ、３ｃと、可動電極３ａ、３ｂ、３ｃの両端のうち少なくとも一端と基板１０との間に設けられる固定容量４ａ、４ｂ、４ｃを有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に設けられた信号線路と、
前記信号線路を跨ぐように設けられ、両端が前記基板に対して固定された可動電極と、
前記可動電極の前記両端のうち少なくとも一端と前記基板との間に設けられる固定容量を有する可変容量素子。
【請求項２】
基板に設けられた信号線路と、
前記信号線路を跨ぐように設けられ、両端が前記基板に対して固定された、複数の可動電極と、
前記複数の可動電極それぞれの両端のうち少なくとも一端と前記基板との間に設けられる固定容量とを含む複数の可変容量素子であって、
前記複数の可動電極に設けられる前記固定容量の値は互いに異なる、可変容量素子。
【請求項３】
前記固定容量は、前記可動電極の両端に設けられる、請求項１または２に記載の可変容量素子。
【請求項４】
前記可動電極の両端に設けられた固定容量は、容量の値または電極形状が等しい、請求項３に記載の可変容量素子。
【請求項５】
前記可動電極の両端に設けられた固定容量の形状は、前記信号線に対して対称に形成される、請求項３に記載の可変容量素子。
【請求項６】
前記固定容量は、前記可動電極に接続された上部電極と、当該上部電極と誘電体を挟んで対向して、前記基板上に設けられる下部電極とを含み、
前記下部電極と前記信号線路との間にも誘電体が設けられている、請求項１または２に記載の可変容量素子。
【請求項７】
前記可動電極を前記基板へ引き出すバイアス線路を備え、
前記バイアス線路は、前記誘電体によって前記下部電極と絶縁されている、請求項６に記載の可変容量素子。
【請求項８】
前記固定容量は、前記可動電極に接続された上部電極と、当該上部電極と誘電体を挟んで対向して、前記基板上に設けられる下部電極とを含み、
前記可動電極に接続された前記上部電極を前記基板へ引き出すバイアス線路を備え、
バイアス線路には、抵抗膜が挿入され、前記抵抗膜は保護膜で覆われている、請求項１または２に記載の可変容量素子。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の可変容量素子を備えたモジュール。
【請求項１０】
請求項９に記載のモジュールを備えた通信機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、通信機器等の電気回路に用いられる可変容量素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
可変容量素子は、例えば、可変周波数発振器、同調増幅器、位相シフタ、インピーダンス整合回路などを含む電気回路において用いられる重要な部品である。近年、可変容量素子が携帯機器へ搭載されることが増えてきている。従来、主に使用されているバラクダダイオードに比べて、ＭＥＭＳ技術を用いて作製された可変容量素子は、損失が小さくてＱ値を高くできるという利点がある。そのため、その可変容量素子の開発が急がれている。
【０００３】
可変容量素子は、対向する２つの電極間の距離を変化させて容量を変化させる構成が一般的である（例えば、特許文献１参照）。図１Ａおよび図１Ｂは、従来の可変容量素子の構成を示す図である。基板４１に固定電極４３が設けられ、固定電極４３と対向する位置に可動電極４５が支持されている。可動電極４５は弾性を有するので固定電極４３に対して可動である。固定電極４３と可動電極４５との間に電圧を加えることで発生する静電引力により、可動電極４５と固定電極４３との間の距離が変化する。これにより、静電容量が変化する。また、固定電極４３と可動電極４５との間には、電極間の接触による短絡を防止するために誘電体層４９が設置されている。
【０００４】
デジタル型の可変容量素子では、固定電極４３と可動電極４５とが離れた状態（図１Ａ）で形成される容量が最小となる。このときの固定電極４３と可動電極４５との電圧（すなわち駆動電圧）をＶｏｆｆとする。また、固定電極４３と可動電極４５とが、誘電体層４９を解して接触した状態（図１Ｂ）で容量が最大となる。このときの駆動電圧をＶｏｎとする。デジタル型の可変容量素子は、この２つの状態、すなわち駆動電圧がＶｏｎの状態とＶｏｆｆの状態で使用される。
【０００５】
図１Ｃは、可変容量素子における駆動電圧（横軸）と静電容量（縦軸）の関係を示すグラフである。駆動電圧を大きくしていくとある電圧で急激に静電容量が増加し、その後一定（最大容量）となり、その後、駆動電圧を小さくしていくと、ある電圧で急激に静電容量が減少し一定（最小容量）となる。
【特許文献１】特開２００６−２６１４８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
例えば、図２に示すような入力端子Ｉｎと出力端子Ｏｕｔ間を結ぶ信号線路に並列に可変容量が接続されたインピーダンス整合回路を作製する場合、可変容量素子は、信号線路とグランドとの間の線路上に形成される。
【０００７】
このように、可変容量素子が挿入されることにより、信号線路とグランドとの距離が長くなる。これに伴い寄生ＬＣＲが大きくなるので、インピーダンス整合回路の特性が劣化する。さらに、デバイスのサイズも大きくなる。
【０００８】
ゆえに、本発明は、寄生ＬＣＲが小さく、小型な可変容量素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願開示の可変容量素子は、基板に設けられた信号線路と、前記信号線路を跨ぐように設けられ、両端が前記基板に対して固定された可動電極と、前記可動電極の前記両端のうち少なくとも一端と前記基板との間に設けられる固定容量を有する。
【発明の効果】
【００１０】
本願明細書の開示によれば、寄生ＬＣＲが小さく、小型な可変容量素子を提供することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の第１の実施形態について図面を参照して具体的に説明する。
【００１２】
（第１の実施形態）
［可変容量素子の構成］
図３は、第１の実施形態に係る可変容量素子の上面図、図４は、図３に示す可変キャパシタの等価回路図、図５は、図３におけるＡ−Ａ線面図である。本実施形態は、３つの可変容量素子２ａ、２ｂ、２ｃを信号線路１に対して並列に接続する場合の例である。
【００１３】
図３に示す例では、基板１０上の信号線路１を跨ぐ３つの可動電極３ａ、３ｂ、３ｃが設けられている。可動電極３ａ、３ｂ、３ｃの両端は、基板１０に対して固定されている。そして、可動電極３ａ、３ｂ、３ｃの両端には、それぞれ、固定容量４ａ―１，４ａ−２、４ｂ−１，４ｂ−２、４ｃ−１，４ｃ−２が配置される。すなわち、信号線路１に対向する可動電極とその両端に設けられた固定容量によって可変容量素子が形成されている。この可変容量素子が３つ、信号線路１に対して並列に接続されている。信号線路１上の可動電極３ａ、３ｂ、３ｃに対向する部分には、誘電体層５ａ、５ｂ、５ｃが設けられる。
【００１４】
各可変容量素子２ａ、２ｂ、２ｃの一端側は、バイアス線路６ａ、６ｂ、６ｃが設けられる。バイアス線路６ａ、６ｂ、６ｃにより、可動電極３ａ、３ｂ、３ｃが基板１０へ引き出される。可動電極３ａ、３ｂ、３ｃのバイアス線路６ａ、６ｂ、６ｃには、図３には示していないが、ＲＦブロック１１と電源１２が直列に接続される（図４の等価回路参照）。
【００１５】
図５に示すように、可変容量素子２ａにおいて、可動電極３ａの両端は、固定容量４ａ―１，４ａ−２の上部電極に接続されている。上部電極は、誘電体層９を挟んで基板１０上に設けられたグランド電極（下部電極）７と対向している。これらの上部電極が誘電体層９を挟んでグランド電極７と対向する領域が固定容量４ａ―１，４ａ−２となる。すなわち、可動電極３ａの両端の下に、グランド電極７および誘電体層９が設けられることにより、固定容量４ａ―１，４ａ−２が形成される。
【００１６】
また、固定容量４ａ−２の上部電極は、バイアス線路６ａにより基板１０へ引き出されている。バイアス線路６ａとグランド電極７の間にも誘電体層９が設けられている。これにより、固定容量４ａ−２の下部電極であるグランド電極７と、可動電極３ａに繋がるバイアス線路６ａとは電気的に分離されている。バイアス線路６ａは、例えば、ＲＦブロック１１を介して電源１２（図４参照）に接続される。なお、可変容量素子２ｂ、２ｃの断面も図５と略同様である。
【００１７】
信号線路１と可動電極３ａ、３ｂ、３ｃとの間に電圧を印加することで、信号線路１と可動電極３ａ、３ｂ、３ｃとの距離が変化する。この距離の変化に応じて容量も変化する。例えば、可動電極３ａ、３ｂ、３ｃが誘電体層５ａ、５ｂ、５ｃと接触する状態で容量が最大となり、可動電極３ａ、３ｂ、３ｃと信号線路１との間の静電引力が最も弱い状態で容量が最小となる。この静電引力は、可動電極３ａ、３ｂ、３ｃと信号線路１との間の駆動電圧により制御することができる。そのため、駆動電圧により、可変容量素子２ａ、２ｂ、２ｃの容量を制御することができる。
【００１８】
図４の等価回路図に示すように、上記駆動電圧を供給する電源１２は、可動電極３ａ、３ｂ、３ｃ（信号線路と可動電極による可変容量）と、固定容量４ａ、４ｂ、４ｃとの間にＲＦブロック１１を介して接続される。それぞれの固定容量４ａ、４ｂ、４ｃは、ＤＣブロックの役割を果たしている。
【００１９】
上記の可変容量素子は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System)技術を用いて作製することができる。また、可変容量素子は、可変キャパシタと呼ばれることもある。
【００２０】
上記図３および図５に示す例では、可動電極３ａの両端の固定容量４ａ−１、４ａ―２は、同じ形状の上部電極を有しており、容量の値も同じである。このように、可動電極の両端の固定容量を同形状かつ同容量とすることで、共振の発生を抑制できる。その結果、より広い周波数帯域での可変容量素子の使用が可能となる。なお、同形状または同容量のいずれかのみの構成であっても、共振の発生を抑制する効果は得られる。
【００２１】
［変形例］
図６は、図５に示す可変容量素子の断面構成の変形例を示す図である。図６に示す例では、可動電極３ａの両端の固定容量における上部電極と下部電極（グランド電極７）間の誘電体層９が、下部電極の信号線路１側を覆っている。このように、下部電極と信号線路１間に誘電体層９を設けることで、下部電極と信号線路１間および下部電極と可動電極３ａ間のリークを抑制することができる。
【００２２】
例えば、固定容量４ａ―１，4ａ−２の静電容量を大きくするには、誘電体層９を薄くすればよい。しかし、誘電体層９を薄くすればするほど、可動電極３ａと固定容量の下部電極との間でリークが発生しやすくなる。このため、図６に示すように、誘電体層９で、固定容量の下部電極の信号線路１側端面を覆うことで、リークを抑えることができる。
【００２３】
［効果の説明、その他］
図７は、比較のための可変容量素子の上面図である。図８は、図７に示す可変容量素子の等価回路図である。図７に示す例では、信号線路３１に固定容量３４を介して接続される線路を跨ぐ位置に可動電極３２ａ、３２ｂ、３２ｃが設けられている。可動電極３２ａ、３２ｂ、３２ｃの両端はグランド電極３７に接続される。これらの可動電極３２ａ、３２ｂ、３２ｃが跨ぐ線路の一端である固定電極３６ａ、３６ｂ、３６ｃには、ＲＦブロック１１を介して、電源１２が接続される（図８参照）。このようにして、可動電極３２ａ、３２ｂ、３２ｃにより３つの可変容量素子が形成される。
【００２４】
図３に示した構成に比べると、図７に示す構成では、信号線路３１から可変容量素子までの距離が長くなる。これに伴い寄生ＬＣＲが大きくなりインピーダンス整合回路の特性が劣化、また、デバイスのサイズが大きくなる。これに対して、図３に示す可動電極は、入力端子Ｉｎと出力端子Ｏｕｔを繋ぐ信号線路１を跨ぐように可動電極３ａ、３ｂ、３ｃが設けられるので、信号線路１から可変容量素子までの距離が小さくなる。その結果、寄生ＬＣＲを小さくでき、さらに素子の小型化が可能となる。
【００２５】
（第２の実施形態）
図９は、第２の実施形態にかかる可変容量素子の平面図である。図１０Ａは、図９におけるＡ−Ａ線の断面図である。図１０Ｂは、図９におけるＡ−Ａ線の断面構成の変形例を示す図である。図９、図１０Ａおよび図１０Ｂにおいては、図３および図５と同じ部材には同じ番号が付されている。
【００２６】
図９および、図１０Ａまたは図１０Ｂに示す例では、基板１０に、ＲＦブロック１１が搭載されている。ＲＦブロック１１は、基板１０上に設けられたＳｉＣｒ膜１４により形成される。ＳｉＣｒ膜１４は、バイアス線路６ａに接続されている。ＳｉＣｒ膜１４は、保護膜１３により覆われている。保護膜１３は、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮｘまたはアルミナ等の絶縁膜で形成することができる。
【００２７】
信号線路１と可動電極３ａとの間の空間形成には、犠牲層エッチング技術が用いられることが多い。この犠牲層を除去するときに、ＳｉＣｒ膜はダメージを受けやすく、上面に保護膜を形成することで安定した特性を得られる。
【００２８】
なお、ＲＦブロック１１を形成する膜は、ＳｉＣｒに限られず、その他の抵抗膜を用いることができる。例えば、抵抗膜としては、ＺｎＯ、Ｗ、Ｓｉ、Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｃｒ−Ｆｅ合金等が使用される。このように、基板１０上のバイアス線路６ａの一部を抵抗膜とすることで、ＲＦブロックを基板１０上に搭載することができる。これにより、ＲＦブロックのために、別途チップ部品を設ける必要がなくなる。また、基板１０にＲＦブロックを搭載することで、電源までの線路の長さを短くすることができる。そのため、線路の長さによる特性の劣化が防がれる。
【００２９】
（第３の実施形態）
図１１は、第３の実施形態にかかる可変容量素子の平面図である。図１２は、図１１に示す可変容量素子の等価回路図である。図１１および図１２においては、図３および図４と同じ部材には同じ番号が付されている。
【００３０】
図３では、信号線路１に対して可変容量素子２ａ、２ｂ、２ｃを並列に接続されている。これに対して、図１１では、信号線路１に対して可変容量素子２ａ、２ｂ、２ｃが直列に接続されている。このように、可変容量素子は、信号線路に対して直列に形成することもできる。
【００３１】
図１１に示す例では、可動電極３ａ、３ｂ、３ｃの両端に設けられる固定容量の下部電極が、出力端子Ｏｕｔ側の信号線路１に接続されている。これにより、３つの可変容量素子２ａ、２ｂ、２ｃを、信号線路１に対して直列に接続することができる。
【００３２】
（第４の実施形態）
本実施形態は、上記第１〜３いずれかの実施形態における可変容量素子を用いたモジュールの例である。図１３は、可変容量素子を用いた通信モジュールの構成例を示す回路図である。図１３に示す通信モジュール２０は、通信機器のＲＦフロントエンド部のモジュールである。この通信モジュール２０は、受信信号および送信信号の周波数帯域を調整することができる通信モジュールである。なお、図１３中の矢印は信号の流れる向きを示している。
【００３３】
図１３に示す通信モジュール２０は、チューナブルアンテナ２１、インピーダンスチューナー（整合器）２２、スイッチ（またはＤＰＸ）２３、チューナブルフィルタ２４、チューナブルＬＮＡ２５、チューナブルＶＣＯ２６およびチューナブルＰＡ２７を備える。
【００３４】
チューナブルアンテナ２１は、指向性の方向を自由に調整可能なアンテナである。チューナブルアンテナ２１とスイッチ２３の間に、インピーダンスチューナー２２が接続される。インピーダンスチューナー２２は、アンテナ周りの状態に応じてインピーダンスを調整して最適化する。スイッチ２３は、チューナブルアンテナ２１からの線路を、送信端子Ｔｘ側の線路と受信端子Ｒｘ側の線路に分岐する。
【００３５】
スイッチ２３と受信端子Ｒｘ側との間の線路には、通過周波数帯域の調整が可能なチューナブルフィルタ２４、チューナブルＬＮＡ２５およびチューナブルＶＣＯ２６が接続される。チューナブルＬＮＡ２５は、効率、パワーおよび周波数の調整が可能なローノイズアンプである。チューナブルＶＣＯ２６は、周波数調整が可能な発信機である。
【００３６】
スイッチ２３と送信端子Ｔｘとの間には、チューナブルＰＡ２７が接続される。チューナブルＰＡ２７は、効率、パワーおよび周波数の調整が可能なパワーアンプである。
【００３７】
上記の構成要素のうち、チューナブルアンテナ２１、インピーダンスチューナー２２、チューナブルフィルタ２４、チューナブルＬＮＡ２５、チューナブルＶＣＯ２６およびチューナブルＰＡ２７には、上記第１〜３いずれかの実施形態における可変容量素子が搭載されている。これにより、寄生ＬＣＲを小さくでき、さらに小型化された可変容量素子が用いられるので、より特性が向上し、かつ、より小型の通信モジュールが提供される。
【００３８】
図１４Ａ〜図１４Ｄは、インピーダンスチューナー２２の回路構成例を示す図である。図１４Ａに示すインピーダンスチューナーは、入力端子Ｉｎおよび出力端子Ｏｕｔを結ぶ信号線路に対して直列に接続されたインダクタと、並列に接続された２つの可変容量を含む。図１４Ｂでは、信号線路に対して、１つのインダクタが直列に接続され、１つの可変容量が並列に接続されている。図１４Ｃでは、信号線路に対して、１つの可変容量が直列に接続され、２つのインダクタが並列に接続されている。図１４Ｄでは、信号線路に対して、１つの可変容量が直列に接続され、１つのインダクタが並列に接続されている。図１４Ａ〜図１４Ｄにおける可変容量は、上記の第１〜３いずれかの実施形態における可変容量素子が用いられる。
【００３９】
例えば、図１４Ａまたは図１４Ｂの回路図で示される１つの並列可変容量は、図３に示すような、信号線路を跨ぐ３つの可変容量素子で形成することができる。図１４Ｃおよび図１４Ｄに示される直列の可変容量素子は、例えば、図１１に示すような３つの可変容量素子で形成することができる。尚、可変容量素子の個数は、３つに限定されるわけではない。
【００４０】
可変容量素子を用いたモジュールは、図１３に示した通信モジュールに限られない。図１３に示す通信モジュールに含まれる構成要素のうち少なくとも１つを含むモジュールや、さらに、構成要素が追加されたモジュールも本発明の実施形態に含まれる。
【００４１】
例えば、図１３に示す通信モジュール２０を含む通信機器も本発明の実施形態に含まれる。図１５は、通信機器の構成例を示す図である。図１５に示す通信機器５０においては、モジュール基板５１上に、図１３に示したフロントエンド部の通信モジュール２０、ＲＦＩＣ５３およびベースバンドＩＣ５４が設けられている。
【００４２】
通信モジュール２０の送信端子ＴｘはＲＦＩＣ５３に接続され、受信端子ＲｘもＲＦＩＣ５３に接続されている。ＲＦＩＣ５３はベースバンドＩＣ５４に接続されている。ＲＦＩＣ５３は、半導体チップおよびその他の部品により形成することができる。ＲＦＩＣ５３には、受信端子から入力された受信信号を処理するための受信回路および、送信信号を処理するための送信回路を含む回路が集積されている。
【００４３】
また、ベースバンドＩＣ５４も半導体チップおよびその他の部品により実現することができる。ベースバンドＩＣ５４には、ＲＦＩＣ５３に含まれる受信回路から受け取った受信信号を、音声信号やパッケットデータに変換するための回路と、音声信号やパッケットデータを送信信号に変換してＲＦＩＣ５３に含まれる送信回路に出力するため回路とが集積される。
【００４４】
図示しないが、ベースバンドＩＣ５４には、例えば、スピーカ、ディスプレイ等の出力機器が接続されており、ベースバンドＩＣ５４で受信信号から変換された音声信号やパケットデータを出力し、通信機器５０のユーザに認識させることができる。また、マイク、ボタン等の通信機器５０が備える入力機器もベースバンドＩＣ５４に接続されており、ユーザから入力された音声やデータをベースバンドＩＣ５４が送信信号に変換することができる構成になっている。なお、通信機器５０の構成は、図１５に示す例に限られない。
【００４５】
また、図１３に示した、上記のチューナブルアンテナ２１、インピーダンスチューナー２２、チューナブルフィルタ２４、チューナブルＬＮＡ２５およびチューナブル発信機２６のような単体の素子も本発明の実施形態に含まれる。さらに、第１〜３の可変容量素子は、上記の素子以外にも利用することができる。
【００４６】
以上の第１〜４の実施形態は、本発明の実施形態の例であり、本発明の実施の形態は上記例に限られない。例えば、上記実施形態では、可動電極の両端に固定容量が設けられる例を説明したが、可動電極の両端のうち、一方だけに固定容量を設けた構成であっても、寄生ＬＣＲを小さくでき、小型化が可能になるという効果を得ることはできる。また、可変容量素子の数は必ずしも３つである必要はない。
【００４７】
実施形態において、本願開示の可変容量素子は、基板に設けられた信号線路と、前記信号線路を跨ぐように設けられ、両端が前記基板に対して固定された可動電極と、前記可動電極の前記両端のうち少なくとも一端と前記基板との間に設けられる固定容量を有する。
【００４８】
このように、信号線路を跨ぐ（対向する）可動電極の少なくとも一端に固定容量（固定キャパシタ）を配置することで、信号線路に対向する位置に可動電極を配置することができる。そのため、信号線と可変容量素子との距離を短くすることができる。その結果、寄生ＬＣＲの影響を低減でき、かつ、デバイスの小型化が可能となる。なお、信号線路は、信号の入力端子と出力端子とを結ぶ線路である。
【００４９】
実施形態において、本願開示の可変容量素子は、基板に設けられた信号線路と、前記信号線路を跨ぐように設けられ、両端が前記基板に対して固定された、複数の可動電極と、前記複数の可動電極それぞれの両端のうち少なくとも一端と前記基板との間に設けられる固定容量とを含む複数の可変容量素子であって、前記複数の可動電極に設けられる前記固定容量の値は互いに異なる可変容量素子も、本発明の実施形態の一つである。上記構成により、信号線路に対して効率よく配置され、かつ多様な仕様に応じた可変容量素子が実現される。
【００５０】
実施形態において、前記固定容量は、前記可動電極の両端に設けられることが好ましい。これにより、可動電極および固定容量を効率よく配置することができる。
【００５１】
実施形態において、前記可動電極の両端に設けられた固定容量は、容量の値または電極形状が等しい態様であってもよい。このように、可動電極両端の固定容量を同容量または同形状にすることで、共振が抑制され、安定した特性を得ることができる。
【００５２】
実施形態において、前記可動電極の両端に設けられた固定容量の形状は、前記信号線に対して対称に形成される態様であってもよい。このように、可動電極両端の固定容量を信号線に対して対称に配置（ミラー配置）することで、共振が抑制され、安定した特性を得ることができる。
【００５３】
実施形態において、前記固定容量は、前記可動電極に接続された上部電極と、当該上部電極と誘電体を挟んで対向して、前記基板上に設けられる下部電極とを含み、前記下部電極と前記信号線路との間にも誘電体が設けられている態様であってもよい。これにより、信号線を跨ぐ可動電極と固定容量の下部電極との間のリーク発生を抑えることができるので、可変容量素子の信頼性及び歩留りが向上する。
【００５４】
実施形態において、可変容量素子は、前記可動電極を前記基板へ引き出すバイアス線路を備え、前記バイアス線路は、前記誘電体によって前記下部電極と絶縁されている態様であってもよい。
【００５５】
上記構成により、可動電極が基板に引き出される際に、両端のうち少なくとも１つに設けられた固定容量とは絶縁された状態が保たれる。これにより、可動電極および固定容量の効率的な配置が実現される。
【００５６】
実施形態において、前記固定容量は、前記可動電極に接続された上部電極と、当該上部電極と誘電体を挟んで対向して、前記基板上に設けられる下部電極とを含み、前記可動電極に接続された前記上部電極を前記基板へ引き出すバイアス線路を備え、バイアス線路には、抵抗膜が挿入され、前記抵抗膜は保護膜で覆われている態様であってもよい。上記構成により、例えば、ＲＦブロック等のように抵抗膜により形成される素子を基板に搭載することが可能になる。
【００５７】
上記の可変容量素子を備えたモジュールおよび、そのようなモジュールを備えた通信機器も、本発明の実施形態に含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１Ａ】従来の可変容量素子の構成を示す図
【図１Ｂ】従来の可変容量素子の構成を示す図
【図１Ｃ】可変容量素子における駆動電圧と静電容量の関係を示すグラフ
【図２】インピーダンス整合回路の一例を示す回路図
【図３】第１の実施形態に係る可変容量素子の上面図
【図４】図３に示す可変キャパシタの等価回路図
【図５】図３におけるＡ−Ａ線の断面図である。
【図６】図５に示す可変容量素子の断面構成の変形例を示す図
【図７】比較のための可変容量素子の上面図
【図８】図７に示す可変容量素子の等価回路図
【図９】第２の実施形態にかかる可変容量素子の平面図である。
【図１０Ａ】図９におけるＡ−Ａ線の断面図
【図１０Ｂ】図９におけるＡ−Ａ線の断面構成の変形例を示す図
【図１１】第３の実施形態にかかる可変容量素子の平面図
【図１２】図１１に示す可変容量素子の等価回路図
【図１３】可変容量素子を用いた通信モジュールの構成例を示す回路図
【図１４Ａ】インピーダンスチューナーの回路構成例を示す図
【図１４Ｂ】インピーダンスチューナーの回路構成例を示す図
【図１４Ｃ】インピーダンスチューナーの回路構成例を示す図
【図１４Ｄ】インピーダンスチューナーの回路構成例を示す図
【図１５】通信機器の構成例を示す図
【符号の説明】
【００５９】
１      信号線路
２ａ、２ｂ、２ｃ        可変容量素子
３ａ、３ｂ、３ｃ        可動電極
４ａ、４ｂ、４ｃ        固定容量
５ａ、５ｂ、５ｃ        誘電体層
６ａ、６ｂ、６ｃ        バイアス線路
７      グランド電極
９      誘電体層
１０    基板
１１    ＲＦブロック
１２    電源
１３    保護膜
１４    ＳｉＣｒ膜
２０    通信モジュール
２１    チューナブルアンテナ
２２    インピーダンスチューナー
２３    スイッチ
２４    チューナブルフィルタ
２５    チューナブルＬＮＡ
２６    チューナブル発信機
５０    通信機器
５１    モジュール基板
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１４Ｃ】
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【図１４Ｄ】
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【図１５】
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