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【手続補正書】
【提出日】令和3年3月4日(2021.3.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シミュレーションを介して冠血流予備量比値を決定する生物物理学的シミュレータ、及び、前記シミュレーションの１つ以上の時点におけるコンピューティングシステムとのユーザインタラクションを追跡して前記冠血流予備量比値を決定するトラフィックライトエンジンを含む、コンピュータ実行可能命令を有するコンピュータ可読記憶媒体と、
前記生物物理学的シミュレータを実行して前記冠血流予備量比値を決定し、また、前記トラフィックライトエンジンを実行して前記冠血流予備量比値の決定に関する前記ユーザインタラクションを追跡し、また、誤っている可能性のあるインタラクションがあるとの決定に応えて警告を出すプロセッサと、
ある時点から前記シミュレーションを続行するために前記警告が検証を要求することを表示するディスプレイと、
を含み、
前記生物物理学的シミュレータは、ボリュメトリック画像データを受信し、前記ボリュメトリック画像データから冠動脈の３Ｄ解剖モデルを生成する冠動脈枝モデリングコンポーネントを含み、前記トラフィックライトエンジンは、前記ボリュメトリック画像データから、前記ボリュメトリック画像データを記述する特徴のセットを抽出し、抽出された前記特徴のセットに基づいて前記ユーザインタラクションの品質スコアを決定し、前記警告は、前記品質スコアに基づくものであり、
前記シミュレーションは、前記プロセッサが、要求した前記検証を受信した場合にのみ再開される、システム。
【請求項２】
抽出された前記特徴のセットは、ハウンズフィールドユニット、信号対ノイズ比又は動きのうちの１つ以上を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記生物物理学的シミュレータは更に、冠動脈の前記３Ｄ解剖モデルを受け取り、前記３Ｄ解剖モデルから個人化された特徴を抽出する個人特徴抽出コンポーネントを含む、請求項１又は２に記載のシステム。
【請求項４】
前記ユーザインタラクションは、冠動脈血管の中心線を変更することを含み、前記トラフィックライトエンジンは、変更された前記中心線に関する特徴のセットを抽出し、抽出された前記特徴のセットに基づいて前記品質スコアを決定し、前記特徴のセットは、変更された前記中心線を記述する、請求項３に記載のシステム。
【請求項５】
前記特徴のセットは、前記中心線に沿った強度プロファイル、前記中心線強度プロファイルの一次導関数、前記中心線に沿った強度の変化、前記中心線に沿った幾何学的曲率、並びに、中心線の空間的な位置及び長さのうちの１つ以上を含む、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記ユーザインタラクションは、冠動脈血管の輪郭線を変更することを含み、前記トラフィックライトエンジンは、変更された前記輪郭線に関する特徴のセットを抽出し、抽出された前記特徴のセットに基づいて前記品質スコアを決定し、前記特徴のセットは、変更された前記輪郭線を記述する、請求項３から５の何れか一項に記載のシステム。
【請求項７】
前記特徴のセットは、血管内部の強度分布、各断面における中心線強度プロファイルの一次導関数、前記血管内部の強度の変動、輪郭線の幾何学的曲率、輪郭線におけるエッジの鮮明度、又は、血管半径のうちの１つ以上を含む、請求項４に記載のシステム。
【請求項８】
前記トラフィックライトエンジンは、ルールベースのアルゴリズム又は機械学習アルゴリズムの少なくとも一方で前記品質スコアを計算する、請求項１から７の何れか一項に記載のシステム。
【請求項９】
前記ルールベースのアルゴリズムは、前記品質スコアを所定の閾値と比較し、前記品質スコアが前記所定の閾値を満たさないことに応えて前記警告を出す、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記プロセッサは、前記ユーザインタラクションが不十分であることを示す前記品質スコアに応えて勧告を出す、請求項１から９の何れか一項に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
冠血流予備量比（ＦＦＲ）は、ＦＦＲ指標を介して、石灰化プラーク又は軟質プラークによる冠動脈病変の血行動態的意義を定量化するためのカテーテル検査室（Ｃａｔｈ  Ｌａｂ）における侵襲的手段である。指標は、冠動脈造影中に行われた圧力測定から計算される冠動脈狭窄の機能的重症度を示し、充血状態での（小孔近くの）近位血圧に対する（狭窄の後ろの）遠位血圧として定義される。つまり、ＦＦＲ指標は、狭窄がないと仮定した場合の血管の最大流量と比較される狭窄がある場合の最大流量を表す。ＦＦＲ値は、０から１の絶対値であり、値０．５０は、所与の狭窄が５０％の血圧低下を引き起こしていることを示す。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月25日(2021.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
血管系の関心領域を含む２次元（２Ｄ）画像データ、及び前記関心領域の３次元（３Ｄ）画像データを受信するデータ受信部と、
前記３Ｄ画像データ及び前記２Ｄ画像データの組み合わせに基づいて前記関心領域の拡張３Ｄモデルを生成する画像処理システムと、を備え、
前記組み合わせは、ｉ）前記２Ｄ画像データから導出される血管中心線データ及び血管径データに基づいて疑似３Ｄモデルを構築することと、ｉｉ）前記２Ｄ画像データから導出される前記血管中心線データと前記３Ｄ画像データから導出される血管中心線データとのレジストレーションを含む、前記３Ｄ画像データから導出される３Ｄモデル及び前記疑似３Ｄモデルにおける３Ｄ／３Ｄレジストレーション及び変形プロセスを実行することとを伴う、血管系モデリングシステム。
【請求項２】
前記２Ｄ画像データの空間解像度は、前記３Ｄ画像データの空間解像度より大きい、請求項１に記載の血管系モデリングシステム。
【請求項３】
前記画像処理システムは、前記２Ｄ画像データから導出される血管径データに基づいて前記関心領域の前記拡張３Ｄモデルを生成する、請求項１に記載の血管系モデリングシステム。
【請求項４】
前記画像処理システムは、前記３Ｄ画像データから導出される血管断面形状データに基づいて前記関心領域の前記拡張３Ｄモデルを生成する、請求項１に記載の血管系モデリングシステム。
【請求項５】
前記画像処理システムは、前記３Ｄ画像データから導出される血管中心線データに基づいて前記関心領域の前記拡張３Ｄモデルを生成する、請求項１に記載の血管系モデリングシステム。
【請求項６】
前記画像処理システムは、前記２Ｄ画像データの空間解像度を有する前記関心領域の前記拡張３Ｄモデルを生成する、請求項１に記載の血管系モデリングシステム。
【請求項７】
前記画像処理システムは、前記拡張３Ｄモデルにおいて、
前記３Ｄ画像データから導出される血管中心線、
前記３Ｄ画像データから導出される断面形状、
前記２Ｄ画像データから導出される空間解像度、及び
前記２Ｄ画像データから導出される血管径
のうちの少なくとも１つを維持するための条件を含む画像レジストレーション及び画像変形技法を使用して、前記３Ｄ画像データ及び前記２Ｄ画像データを組み合わせることによって、前記関心領域の前記拡張３Ｄモデルを生成する、請求項１に記載の血管系モデリングシステム。
【請求項８】
前記３Ｄ画像データは、磁気共鳴映像（ＭＲＩ）画像データ又はコンピュータ断層撮影（ＣＴ）画像データである、及び／又は、前記２Ｄ画像データは血管造影画像データである、請求項１に記載の血管系モデリングシステム。
【請求項９】
前記拡張３Ｄモデルを使用して血行動態シミュレーションを行い、前記血行動態シミュレーションに基づいて少なくとも１つの血行動態パラメータを導出する、血行動態シミュレータを備える、請求項１に記載の血管系モデリングシステム。
【請求項１０】
前記画像処理システムは、前記２Ｄ画像データ及び前記３Ｄ画像データに基づいて２Ｄ／３Ｄ画像レジストレーションプロセスを行って、レジストレーションされた２Ｄ及び３Ｄ画像データを作り出し、前記レジストレーションされた２Ｄ及び３Ｄ画像データに基づいて画像変形プロセスを行う、請求項１に記載の血管系モデリングシステム。
【請求項１１】
血管系の関心領域を含む２次元（２Ｄ）画像データ、及び前記関心領域の３次元（３Ｄ）画像データを受信するステップと、
前記３Ｄ画像データ及び前記２Ｄ画像データの組み合わせに基づいて前記関心領域の拡張３Ｄモデルを生成するステップと、を有する、血管系モデリングのためのコンピュータ実施方法であって、
前記生成するステップは、
ｉ）前記２Ｄ画像データから導出される血管中心線データ及び血管径データに基づいて疑似３Ｄモデルを構築するステップと、
ｉｉ）前記２Ｄ画像データから導出される前記血管中心線データと前記３Ｄ画像データから導出される血管中心線データとのレジストレーションを含む、前記３Ｄ画像データから導出される３Ｄモデル及び前記疑似３Ｄモデルにおける３Ｄ／３Ｄレジストレーション及び変形プロセスを実行するステップと
を含む、コンピュータ実施方法。
【請求項１２】
前記拡張３Ｄモデルに対する血行動態シミュレーションを行うステップと、前記血行動態シミュレーションから血行動態パラメータを導出するステップと、を有する、請求項１１に記載のコンピュータ実施方法。
【請求項１３】
前記３Ｄ／３Ｄレジストレーション及び変形プロセスを実行するステップは、
前記拡張３Ｄモデルにおいて、
前記３Ｄ画像データから導出される血管中心線、
前記３Ｄ画像データから導出される断面形状、
前記２Ｄ画像データから導出される空間解像度、及び
前記２Ｄ画像データから導出される血管径
のうちの少なくとも１つを維持することを含む、請求項１１に記載のコンピュータ実施方法。
【請求項１４】
少なくとも１つのプロセッサによって実行される時、請求項１から１０のいずれか一項に記載の血管系モデリングシステムを実施する、又は請求項１１から１３のいずれか一項に記載のコンピュータ実施方法のステップを実行する、コンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月25日(2021.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
流体の流れを、小さい方の流体プラグから幅の広い方の流体プラグに分配するための分配器（１００）であって、流入口（１１０）および複数の流出口（１２０）と、前記流入口（１１０）と前記複数の流出口（１２０）の間の流路構造（１３０）と、を備え、前記流路構造（１３０）は、交互分岐流路下部構造（１３２）と、共通流路下部構造（１３４）と、を備え、前記下部構造（１３２、１３４）は、分岐流路下部構造（１３２）とは異なる流路を出る流体が、後続の共通流路下部構造（１３４）内で混合するように配置されることにより、前記分岐流路下部構造（１３２）の流路は、端部で前記後続の共通流路下部構造（１３４）に接触しないように配置され、前記共通流路下部構造（１３４）は、長軸が前記構造のネット順方向の流れに略垂直であり、前記共通流路下部構造（１３４）の端部は、前記長軸の終点に対応している、分配器（１００）。
【請求項２】
少なくとも１つの共通流路下部構造（１３４）は、相互に離間して配置される複数の柱要素で満たされる共通流路を備える、請求項１に記載の分配器（１００）。
【請求項３】
少なくとも１つの共通流路内の前記複数の柱要素は、偶数列に整列する柱要素であり、ｎ列ごとの異なる柱間要素空間の中心線の半径方向の位置が、先の分岐する流路の出口と一致する一方、ｎ−１列ごとの異なる柱間要素空間の中心線の半径方向の位置が、次の列の柱の中心線と一致する、請求項２に記載の分配器（１００）。
【請求項４】
前記各共通流路下部構造（１３２）は、相互に離間して配置される複数の柱要素で満たされている、請求項２または３に記載の分配器（１００）。
【請求項５】
各共通流路について、前記柱要素が、偶数ｎ列に整列し、ｎ列ごとの異なる柱間要素空間の中心線の半径方向の位置が、先の分岐する流路の出口と一致する一方、ｎ−１列ごとの異なる柱間要素空間の中心線の半径方向の位置が、次の列の柱の中心線と一致する、請求項４に記載の分配器（１００）。
【請求項６】
前記入口（１１０）付近の共通流路下部構造（１３４）内の柱要素の列の数が、前記出口（１２０）付近の共通流路下部構造（１３４）内の柱要素の列の数よりも多い、請求項５に記載の分配器（１００）。
【請求項７】
前記柱構造が、矩形、ひし形、または楕円形である、請求項２〜６のいずれか一項に記載の分配器（１００）。
【請求項８】
前記共通流路下部構造（１３４）の共通流路内には柱構造が存在しない、請求項１に記載の分配器（１００）。
【請求項９】
流体出力の数は（２ｍ）であり、ｍは自然数である、請求項１〜８のいずれか１項に記載の分配器（１００）。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の分配器（１００）を備える、ミクロ流体構造。
【請求項１１】
クロマトグラフィシステムの分離構造である、請求項１０に記載のミクロ流体構造。
【請求項１２】
請求項１０または１１に記載のミクロ流体構造を備える、クロマトグラフィシステム。
【請求項１３】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の流れ分配器（１００）、または請求項１０もしくは１１に記載のミクロ流体構造を備える、化学反応器。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月24日(2021.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入口端及び出口端を含む基材、第１のゾーン、第２のゾーン並びに第３のゾーンを含む触媒物品であって、
第１のゾーンが、第２のＳＣＲ触媒を含み、
第２のゾーンが、（１）担体上の白金族金属と（２）第１のＳＣＲ触媒のブレンドを含むアンモニアスリップ触媒（ＡＳＣ）を含み、
第３のゾーンが、ディーゼル酸化触媒（ＤＯＣ）及びディーゼル発熱触媒（ＤＥＣ）からなる群より選択される触媒（「第３のゾーン触媒」）を含み、
第１のゾーンが第２のゾーンの上流に位置し、第２のゾーンが第３のゾーンの上流に位置しており、
触媒物品が受動的ＮＯｘ吸着体（「ＰＮＡ」）を含む、
触媒物品。
【請求項２】
第１のゾーンがＰＮＡを含む、請求項１に記載の触媒物品。
【請求項３】
第２のゾーンがＰＮＡを含む、請求項１に記載の触媒物品。
【請求項４】
ＡＳＣが第１の層に含まれており、
第３のゾーン触媒が、出口端から基材の全長未満まで延びる第２の層に含まれ、第２の層が第１の層の最上部に位置し、第１の層よりも長さが短く、且つ
第２のＳＣＲ触媒が、入口端から基材の全長未満まで延び、第１の層と少なくとも部分的に重なる層に含まれている、
請求項１に記載の触媒物品。
【請求項５】
第１の層が出口端から基材の全長未満まで延びている、請求項４に記載の触媒物品。
【請求項６】
第１の層が入口端から基材の全長未満まで延びている、請求項４に記載の触媒物品。
【請求項７】
第１の層が基材の全長にわたって延びている、請求項４に記載の触媒物品。
【請求項８】
第１の層が第１のゾーン及び第２のゾーンの全長を覆っている、請求項４に記載の触媒物品。
【請求項９】
第１の層がＰＮＡをさらに含む、請求項４に記載の触媒物品。
【請求項１０】
第１の層がＰＮＡを含むセクション（「ＰＮＡセクション」）を含み、ＰＮＡセクションがブレンドの上流に位置している、請求項９に記載の触媒物品。
【請求項１１】
ブレンドがＰＮＡをさらに含む、請求項１に記載の触媒物品。
【請求項１２】
第１の層がＰＮＡ及び第３のＳＣＲ触媒を含むセクション（「ＰＮＡ／ＳＣＲセクション」）を含む、請求項４に記載の触媒物品。
【請求項１３】
第１の層がＰＮＡ／ＳＣＲセクション及びブレンドを含み、ＰＮＡ／ＳＣＲ層がブレンドの上流に位置している、請求項１２に記載の触媒物品。
【請求項１４】
第１の層がＰＮＡ／ＳＣＲセクションを含み、ブレンドがＰＮＡ／ＳＣＲセクションの最上部に位置している、請求項１２に記載の触媒物品。
【請求項１５】
第１の層がブレンドを含み、ＰＮＡ／ＳＣＲセクションがブレンドの最上部に位置している、請求項１２に記載の触媒物品。
【請求項１６】
担体が、（１）シリカ、及び（２）２００より高いシリカ対アルミナ比を有するゼオライトからなる群より選択されるケイ質材料を含む、請求項１に記載の触媒物品。
【請求項１７】
白金族金属が、白金族金属及び担体の総重量の約０．５ｗｔ％から約１０ｗｔ％の量で担体上に存在する、請求項１に記載の触媒物品。
【請求項１８】
ブレンド内で、第１のＳＣＲ触媒の、担体上の白金族金属に対する重量比が約１０：１から約５０：１である、請求項１に記載の触媒物品。
【請求項１９】
第１のＳＣＲ触媒とＰＮＡが５：１から１：５の比で存在する、請求項１に記載の触媒物品。
【請求項２０】
ＰＮＡがモレキュラーシーブ上の白金族金属を含む、請求項１に記載の触媒物品。
【請求項２１】
ＰＮＡがゼオライト上のＰｄを含む、請求項１に記載の触媒物品。
【請求項２２】
排気流からの排出を減少させる方法であって、
排気流を、請求項１に記載の触媒物品と接触させることを含む、
方法。
【請求項２３】
触媒物品に入る排気流の温度が≦１８０℃であるとき、排気流が≧１のアンモニア：ＮＯｘ比を含む、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
触媒物品に入る排気流の温度が≧１８０℃であるとき、排気流が＞０．５のアンモニア：ＮＯｘ比を含む、請求項２２に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月24日(2021.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
乾燥粉末を収容する解凝集室の少なくとも一部を画定し、前記解凝集室の外側境界を形成する室壁を含む第１の部材と、
前記第１の部材に連結され、前記解凝集室を覆う表面を含み、吸気流路と排気流路を画定する第２の部材とを備える装置であって、
前記排気流路が、前記第２の部材の前記表面によって画定される排気開口部を介して前記解凝集室と流体的に連結されるように構成され、前記吸気流路が吸気ポートを介して前記解凝集室と流体的に連結されるように構成され、前記吸気流路の一部の中心線が、前記吸気流路を介して前記解凝集室に運ばれる流入気流の一部が前記解凝集室の中心軸の周りで回転運動するように、前記第１の部材の前記室壁の一部に接し、前記吸気ポートが、吸気ランプによって少なくとも部分的に画定され、前記吸気ランプが、前記表面に対して１０５度未満の排気角を形成する移行面を含む、装置。
【請求項２】
前記吸気ランプの前記移行面が、前記中心軸に対して平行である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記室壁が、前記中心軸を囲む外側室壁であり、
前記第１の部材が、前記解凝集室の内側境界を形成する内側室壁を含み、前記内側室壁が、前記中心軸を囲んでいる、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記内側室壁が、突出面で終端し、前記中心軸が、前記突出面と交差し、前記排気開口部が、前記突出面の反対側の前記中心軸に沿っている、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記第２の部材が、該第２の部材の前記表面から延びる突起を含み、前記突起が、前記突出面と接触し、前記突出面と前記排気開口部との間に距離を維持させる、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記解凝集室の前記一部が、第１の部分であり、
前記第２の部材の前記表面が、前記解凝集室の第２の部分を画定する、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記第１の部材と前記第２の部材との間に配置され、前記解凝集室の前記一部内に前記乾燥粉末を保持するストリップをさらに備え、前記ストリップは、前記ストリップが第１の位置にあるとき、前記解凝集室の前記一部を前記吸気流路および前記排気流路から流体的に隔離し、かつ、前記第１の部材に対して第２の位置に移動するように構成され、前記解凝集室の前記一部は、前記ストリップが前記第２の位置にあるとき、前記吸気流路および前記排気流路と流体的に連通する、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記乾燥粉末が、硫酸アルブテロール、レバルブテロール、イプラトロピウム、アルブテロール／イプラトロピウム、ピルブテロール、またはフェノテロールのいずれか１つを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記乾燥粉末が、未篩分けラクトース賦形剤を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記第１の部材および前記第２の部材が、前記第１の部材と前記第２の部材との間にリビングヒンジを備え、モノリシックに構築される、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
乾燥粉末を収容する解凝集室の少なくとも一部を画定し、前記解凝集室の外側境界を形成する室壁を含む第１の部材と、
前記第１の部材に連結され、前記解凝集室を覆う表面を含み、吸気流路と排気流路とを画定する第２の部材とを備える装置であって、前記排気流路が、前記２の部材の前記表面によって画定される排気開口部を介して前記解凝集室に流体的に連結され、前記吸気流路が、吸気ポートを介して前記解凝集室と流体的に連結されるように構成され、前記吸気流路の中心線が、前記吸気流路を介して前記解凝集室に運ばれる流入気流の第１の部分が前記排気開口部の周りで回転運動するように、前記第１の部材の前記室壁の一部に接し、前記吸気ポートが、吸気ランプによって少なくとも部分的に画定され、前記吸気ランプが、前記吸気流路を介して前記解凝集室に運ばれる前記流入気流の第２の部分が前記室壁に向かって運ばれるように、前記室壁に向かって外向きに湾曲している、装置。
【請求項１２】
前記流入気流の前記第１の部分が、中心軸の周りで回転し、
前記吸気ランプが、前記中心軸に垂直な第１平面内の第１曲率半径と、前記第１平面に垂直な第２平面内の第２曲率半径とを画定し、前記第１曲率半径および前記第２曲率半径が、それぞれ、前記室壁に向かって外向きに開いている、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
前記吸気ランプが、１０５度未満の排気角で前記第２の部材の前記表面で終端する、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
前記第１の部材と前記第２の部材との間に配置され、前記解凝集室の前記一部内に前記乾燥粉末を保持するストリップをさらに備え、前記ストリップは、前記ストリップが第１の位置にあるとき、前記解凝集室の前記一部を前記吸気流路および前記排気流路から流体的に隔離し、かつ、前記第１の部材に対して第２の位置に移動するように構成され、前記解凝集室の前記一部は、前記ストリップが前記第２の位置にあるとき、前記吸気流路および前記排気流路と流体的に連通する、請求項１１に記載の装置。
【請求項１５】
前記第２の部材が、前記排気流路と流体的に連通するマウスピース開口部を画定するマウスピースを含み、
前記ストリップが、前記マウスピースを越えて延びる引き抜き部を含み、
前記第１の部材と前記第２の部材とが、前記第１の部材と前記第２の部材との間の逃がし距離を維持する逃がし容積を画定する、請求項１４に記載の装置。
【請求項１６】
前記第１の部材または前記第２の部材の少なくとも一方が、前記逃がし容積の境界を形成する接触壁を画定する、請求項１５に記載の装置。
【請求項１７】
前記室壁が、その周りで前記流入気流の前記第１の部分が回転する中心軸を囲む外側室壁であり、
前記乾燥粉末は圧縮プラグとして形成され、
前記第１の部材が、前記解凝集室の底部境界を形成する底部室壁を含み、前記底部室壁は、前記乾燥粉末の前記圧縮プラグを配置するための標的表面を含む、請求項１４に記載の装置。
【請求項１８】
乾燥粉末を収容する解凝集室の少なくとも第１の部分を画定し、前記解凝集室の中心軸に沿う突出面を含む第１の部材と、
前記第１の部材に連結され、前記解凝集室を覆う表面を含み、吸気流路および排気流路を画定する第２の部材とを備える装置であって、前記吸気流路が、吸気ポートを介して前記解凝集室に流体的に連結され、前記排気流路が、前記第２の部材の前記表面によって画定される排気開口部を介して前記解凝集室に流体的に連結され、前記排気開口部が、前記中心軸に沿っており、前記第１の部材または前記第２の部材の少なくとも一方が、前記第２の部材の前記表面と前記第１の部材の前記突出面との間にスペーサを含み、前記突出面と前記排気開口部との間の距離を維持させる、装置。
【請求項１９】
前記表面が、内側表面であり、
前記スペーサが、前記内側表面から延びる突起であり、
前記吸気流路が、外側表面によって画定される外部開口部により、前記解凝集室の外部の外部容積に流体的に連結され、前記外側表面が、前記外部開口部を少なくとも部分的に囲む複数の障壁面を含み、前記複数の障壁面が、前記外部開口部の閉塞を制限するように構成される、請求項１８に記載の装置。
【請求項２０】
前記吸気流路が、前記吸気流路および前記外部開口部を通る、前記解凝集室からの前記乾燥粉末の移動を制限する曲がりくねった経路を含む、請求項１９に記載の装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月16日(2020.12.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１００ｎｍ以下の直径を有するシリコンエミッタと、
前記シリコンエミッタの外面上に配設された保護キャップ層であって、ルテニウムを含む保護キャップ層と、
を備える装置。
【請求項２】
前記シリコンエミッタは、１ｍｍ２未満の放出領域を有する、
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記保護キャップ層は、１ｎｍから１００ｎｍまでの厚さを有する、
請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記保護キャップ層は、１ｎｍから２０ｎｍまでの厚さを有する、
請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記シリコンエミッタは、１ｎｍから５０ｎｍまでの先端部半径を有する、
請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記保護キャップ層は、少なくとも放出領域内にピンホールが無い、
請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記保護キャップ層は、少なくとも放出領域内に気泡及び介在物が無い、
請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記保護キャップ層は、１ｎｍ未満の直径又は長さ寸法を有する欠陥だけを有する、
請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記保護キャップ層は、１０４個未満の不純物を有する、
請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記不純物は、炭素、酸化物、溶解ガスとしての酸素、ナトリウム又はカリウムを含む、
請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記保護キャップ層は、２５％以下の気孔率を有する、
請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記保護キャップ層は、０．９２以上の充填密度を有する、
請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
外面を有するシリコンエミッタを提供することであって、前記シリコンエミッタは、１００ｎｍ以下の直径を有し、
保護キャップ層を前記シリコンエミッタの外面に適用することであって、前記保護キャップ層は、ルテニウムを含む、
方法。
【請求項１４】
前記適用することは、スパッタ堆積を含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記適用することは、原子層堆積を含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
前記適用することは、イオンスパッタリングを含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
シリコンエミッタを提供することであって、前記シリコンエミッタは、前記シリコンエミッタの外面上に配設された保護キャップ層を含み、前記シリコンエミッタは、１００ｎｍ以下の直径を有し、前記保護キャップ層は、ルテニウムを含み、
電界を前記シリコンエミッタに適用し、
電子ビームを前記シリコンエミッタから生成する、
方法。
【請求項１８】
前記シリコンエミッタは、１０−９トル以下の減圧内で作動する、
請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
電子ビーム源と、
前記電子ビーム源内のシリコンエミッタであって、１００ｎｍ以下の直径を有するシリコンエミッタと、
前記シリコンエミッタの外面上に配設された保護キャップ層であって、ルテニウムを含む保護キャップ層と、
検出器と、
を備えるシステム。
【請求項２０】
前記保護キャップ層は、少なくとも放出領域内にピンホールが無い、
請求項１９に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月10日(2021.3.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照明要素のアレイであって、前記照明要素のそれぞれは、コンフィギュラブルな光出力強度を有する、照明要素のアレイと、
前記アレイに動作可能に結合されており、前記アレイ上のコンフィギュラブルな場所においてコンフィギュラブルな光効果を生成するために、前記照明要素の前記光出力強度を個別に制御するようにコンフィギュレーションされている、コントローラであって、前記コンフィギュラブルな光効果が、規定のエッジ急峻度を呈するコンフィギュラブルな輝度分布を有するコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、第１の場所における現在の光効果を、前記第１の場所から空間的に隔てられている第２の場所に、前記第１の場所と前記第２の場所との間の経路に沿ってある速度で移行させるように前記コントローラに指示する制御命令に応答し、
前記コントローラは、前記現在の光効果が移行されるべき速度が閾値速度レベルを下回る場合にのみ、前記現在の光効果の前記輝度分布の前記エッジ急峻度を、前記経路に沿った前記現在の光効果の移行の持続時間中に低減するように適合されている、
照明システム。
【請求項２】
前記コントローラは、予め定義された閾値を前記急峻度が超過する場合にのみ前記エッジ急峻度を低減するように適合されている、請求項１に記載の照明システム。
【請求項３】
前記アレイは、規定のピッチを有し、前記コントローラは、前記輝度分布の前記エッジの幅を特定するように、及び特定された前記幅が前記規定のピッチの幅よりも小さい場合にのみ前記エッジ急峻度を低減するように適合されている、請求項１又は２に記載の照明システム。
【請求項４】
前記コントローラは、前記輝度分布の前記エッジ急峻度を低減する際に前記光効果の一定の全光束を維持するように適合されている、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の照明システム。
【請求項５】
前記コントローラは、前記光効果によってカバーされる総面積を増大させることにより、及び前記光効果の前記エッジを、面積の前記増大へと外向きに分散させることにより、前記エッジ急峻度を低減するように適合されている、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の照明システム。
【請求項６】
前記第２の場所における移行された前記光効果は、前記第１の場所における前記光効果とは異なる、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の照明システム。
【請求項７】
前記現在の光効果の前記輝度分布は、少なくとも部分的にガウス分布に従い、前記コントローラは、前記ガウス分布の幅を増大させることにより、前記分布の前記エッジ急峻度を低減するように適合されている、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の照明システム。
【請求項８】
前記閾値速度レベルが、５ｍ／ｓ、２ｍ／ｓ、又は１ｍ／ｓである、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の照明システム。
【請求項９】
前記照明要素の前記光出力強度は、特定のリフレッシュ時間を必要とするリフレッシュレートを有し、ある１つの照明要素から前記照明要素の隣接照明要素への前記光効果の移動は、特定の移動時間を有し、
前記移動時間は、前記リフレッシュ時間よりも大きいか、又は、前記移動時間は、前記リフレッシュ時間の２倍である、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の照明システム。
【請求項１０】
前記アレイの前記照明要素が、交差軸のセットによって画定されるグリッド構成として配置されており、前記コントローラは、前記第１の場所と前記第２の場所との間の前記経路の少なくとも一部分が前記グリッドを画定する前記軸のいずれかに対して規定の閾値角度を超過する角度で延びている場合にのみ、前記エッジ急峻度を低減するように適合されている、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の照明システム。
【請求項１１】
前記制御命令を受けるために、前記照明システムは、前記コントローラに通信可能に結合されるデータ通信インタフェースを備え、オプションとして、前記データ通信インタフェースは、１つ以上のユーザ入力コマンドを受けるためのものである、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の照明システム。
【請求項１２】
前記コントローラは、前記エッジ急峻度を連続的に低減するように適合されている、請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の照明システム。
【請求項１３】
照明要素のアレイの制御によりコンフィギュラブルな光効果を生成する方法であって、前記照明要素はそれぞれ、コンフィギュラブルな光出力強度を有し、前記コンフィギュラブルな光効果は、規定のエッジ急峻度を呈するコンフィギュラブルな輝度分布を有し、前記方法は、
第１の場所における現在の光効果を、前記アレイ上の前記第１の場所から空間的に隔てられている第２の場所に、前記第１の場所と前記第２の場所との間の経路に沿ってある速度で移行させるように、前記照明要素を制御するステップと、
前記現在の光効果が移行されるべき速度が閾値速度レベルを下回る場合にのみ、前記現在の光効果の前記輝度分布の前記エッジ急峻度を前記経路に沿った前記現在の光効果の移行の持続時間中に低減するステップと、
を含む、方法。
【請求項１４】
前記エッジ急峻度は、前記急峻度が予め定義された閾値を超過する場合にのみ低減される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記輝度分布の前記エッジ急峻度は、前記光効果の一定の全光束を維持しつつ低減される、請求項１３又は１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月28日(2020.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
半導体産業でのメモリ応用において、プラズマエッチングによって、酸化ケイ素または窒化ケイ素層などのケイ素含有膜を半導体基材から除去する。ＤＲＡＭおよび２Ｄ  ＮＡＮＤは、模範的なメモリ応用である。３ＤＮＡＮＤに関して、複数のＳｉＯ／ＳｉＮまたはＳｉＯ／ポリケイ素（ｐ−Ｓｉ）層のスタックのエッチングは重要である。例えば、Ｓａｍｓｕｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ  Ｃｏ．，Ｌｔｄ．への米国特許出願公開第２０１１／０１８０９４１号明細書を参照のこと。マスクとエッチングされる層との間の高い選択性を有するエッチング剤が不可欠である。さらに、エッチングされた構造は、歪曲を有さないストレートな垂直プロフィールおよび低いラインエッジ粗さ（ＬＥＲ）を有するべきである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２１６】
「エッチング停止層」という用語は、下の層を保護する、エッチングされる層の下の層を意味する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３３】
開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、式ＣａＨｘＦｙＩｚ（式中、ａ＝１〜３であり、ｘ＝０〜６であり、ｙ＝１〜７であり、ｚ＝１〜２であり、ａ＝１である場合、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４であり、ａ＝２である場合、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４または６であり、ａ＝３である場合、ｘ＋ｙ＋ｚ＝６または８である）を有する。模範的なヨウ素含有エッチング化合物を表２に列挙する。これらの分子は商業的に入手可能であるか、または当該技術で既知の方法によって合成され得る。それらの構造式、ＣＡＳ番号および沸点も表２に含まれる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２３５】
【表２−２】
2020515047.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４２】
ａ＝１である場合、開示されたヨウ素含有エッチング化合物は、式ＣＨｘＦｙＩｚ（ｘ＝０〜２であり、ｙ＝１〜２であり、ｚ＝１〜２であり、ｘ＋ｙ＋ｚ＝４である）を有する。模範的な化合物としては、ＣＦ３Ｉ、ＣＦ２Ｉ２、ＣＨＦ２Ｉ、ＣＨ２ＦＩおよびＣＨＦＩ２、好ましくは、ＣＦ２Ｉ２が含まれる。出願人らは、開示されたヨウ素含有エッチング化合物が、少なくとも１個のＨを含む場合、マスク層に対する高い選択性を維持しながら、ＳｉＮのエッチング速度が強化され得ると考える。ａ＝１である場合、１個のＨを有するヨウ素含有エッチング化合物は、式ＣＨｘＦｙＩｚ（式中、ｘ＝１〜２であり、ｙ＝１〜２であり、かつｚ＝１〜２である）を有する。模範的な化合物としては、ＣＨＦ２Ｉ、ＣＨ２ＦＩおよびＣＨＦＩ２が含まれる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２８６】
別の非限定的な模範的なプラズマエッチングプロセスにおいて、１，２−ジフルオロ−１−ヨード−エテンは、制御ガスフローデバイスを使用して、２００ｍｍデュアルＣＣＰプラズマエッチングツールへと導入される。制御ガスフローデバイスは、マスフロー制御器であり得る。高沸点分子の場合、Ｂｒｏｏｋｓ  Ａｕｔｏｍａｔｉｏｎ（Ｎｏ．ＧＦ１２０ＸＳＤ）、ＭＫＳ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓなどからの特別な低圧損失マスフロー制御器が使用され得る。反応チャンバーの圧力は、約３０ｍＴｏｒｒに設定される。蒸気圧力が十分である場合、ガス供給源の加熱は必要とされなくてもよい。２つのＣＣＰ電極間の距離は１．３５ｃｍに保持され、かつ上部電極ＲＦ電力は７５０Ｗに固定される。底部電極ＲＦ電力は、１，２−ジフルオロ−１−ヨード−エテンの性能を分析するために変更される。反応チャンバーは、図２に示される層と同様に、その上にＳｉＯ厚層１０４ａを有する基材１００を含有する。このプロセスの前に、反射防止コーティング層１０８は、フッ化炭化水素（例えば、ＣＦ４）および酸素含有ガス（例えば、Ｏ２）によって除去され、そしてａ−Ｃマスク層１０６は酸素含有ガスによって除去される。アルゴンは、独立して、２５０ｓｃｃｍフロー速度においてチャンバー中に導入される。１，２−ジフルオロ−１−ヨード−エテンは、独立して、１５ｓｃｃｍにおいてチャンバー中に導入される。Ｏ２は、独立して、最適エッチング条件を決定するために０ｓｃｃｍ〜２０ｓｃｃｍにおいてチャンバー中に導入される。１０：１以上のアスペクト比を有するアパーチャーが作成され、それはＤＲＡＭ中のコンタクトホールとして使用され得る。類似の例は、図１ａおよび３ａに示されるような他のスタック層に関して使用されてもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３１９】
ヨウ素の添加によって、Ｃ−Ｉのより弱い結合による断片化の増加が生じる。表面に衝撃を与えるＩイオンのより低いイオン化閾値は、非晶質炭素（ａ−Ｃ）またはポリケイ素（ポリ−Ｓｉ）に対する酸化物のエッチングに関する選択性の増加をもたらす。図１４、１６および１７は、Ｈまたは不飽和を有するガスの重合からであり、かつａ−Ｃ、ポリＳｉおよびＳｉＮに対する酸化物のエッチングに関する堆積および無限の選択性を示す。図１３、１５および１８の飽和分子は、堆積を示さず、したがって、無限の選択性を有さないが、非ヨウ素含有エッチングガスより高い選択性を示す。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０３２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０３２３】
図１４と比較して、酸素の代わりにＣＦ４を使用することによって、スループットのために重要なＳｉＯ２エッチング速度も増加させながら、ａ−Ｃに対する選択性を改善する。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月20日(2020.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
規定された最小周波数以上でかつ規定された最大周波数以下の動作周波数範囲に渡って動作可能な磁気誘電材料において、
誘電材料と強磁性材料との間で交互になり複数の強磁性材料層と交互に配置された複数の誘電材料層を形成するそれぞれの隣接層と直接的に接触する複数の層であって、前記複数の層の最下層及び最上層はそれぞれ誘電材料である、複数の層を含み、
前記複数の強磁性材料層の各層は、前記規定された最大周波数における前記それぞれの強磁性材料の表皮深さの１／１５以上で、かつ前記規定された最大周波数における前記それぞれの強磁性材料の前記表皮深さの１／５以下の厚さを有し、
前記複数の強磁性材料層の各層は窒化鉄からなり、
前記複数の誘電材料層の各層は、１５０ボルトピーク以上でかつ１，５００ボルトピーク以下の、それぞれの厚さに渡る絶縁耐電圧をもたらす、厚さ及び誘電定数を有し、
前記複数の層は、前記複数の層における前記規定された最小周波数の１波長以下の全体的厚さを有する、磁気誘電材料。
【請求項２】
前記複数の誘電材料層のうちの少なくとも１つの層の少なくとも１つの面は、規定された最大ＲＭＳ値以下の平均表面粗さＲＭＳ値を有し、前記規定された最大ＲＭＳ値は、６０ナノメートル以下であり、
前記規定された最大ＲＭＳ値は、測定規格ＡＳＭＥ  Ｂ４６．１に従った評価長さ内の平均線を基準にした表面プロファイルの高さの偏差の二乗平均平方根平均である、請求項１に記載の磁気誘電材料。
【請求項３】
前記規定された最大ＲＭＳ値は２０ナノメートルである、請求項２に記載の磁気誘電材料。
【請求項４】
前記規定された最大ＲＭＳ値は１０ナノメートルである、請求項２に記載の磁気誘電材料。
【請求項５】
前記複数の誘電材料層のうちの前記少なくとも１つの層の各面は、前記規定された最大ＲＭＳ値以下のＲＭＳ値を有する、請求項２に記載の磁気誘電材料。
【請求項６】
前記複数の誘電材料層のうちの各層の少なくとも１つの面は、前記規定された最大ＲＭＳ値以下のＲＭＳ値を有する、請求項２に記載の磁気誘電材料。
【請求項７】
前記複数の誘電材料層のうちの各層の各面は、前記規定された最大ＲＭＳ値以下のＲＭＳ値を有する、請求項２に記載の磁気誘電材料。
【請求項８】
前記規定された最大ＲＭＳ値は、前記複数の誘電材料層のそれぞれの層のそれぞれの面の表面領域全体にわたる複数の直線方向での測定によって決定される、請求項２に記載の磁気誘電材料。
【請求項９】
前記複数の誘電材料層と前記複数の強磁性材料層のうちの隣接する層の間の少なくとも１つの界面は、規定された最大ＲＭＳ値以下の平均界面粗さＲＭＳ値を有し、前記規定された最大ＲＭＳ値は６０ナノメートル以下であり、
前記規定された最大ＲＭＳ値は、測定規格ＡＳＭＥ  Ｂ４６．１に従った評価長さ内の平均線を基準にした表面プロファイルの高さの偏差の二乗平均平方根平均である、請求項１に記載の磁気誘電材料。
【請求項１０】
前記規定された最大ＲＭＳ値は２０ナノメートルである、請求項９に記載の磁気誘電材料。
【請求項１１】
前記規定された最大ＲＭＳ値は１０ナノメートルである、請求項９に記載の磁気誘電材料。
【請求項１２】
前記複数の誘電材料層と前記複数の強磁性材料層のうちの隣接する層の間のそれぞれの界面は、前記規定された最大ＲＭＳ値以下の平均界面粗さＲＭＳ値を有する、請求項９に記載の磁気誘電材料。
【請求項１３】
前記規定された最大ＲＭＳ値は、前記複数の誘電材料層と前記複数の強磁性材料層のそれぞれの隣接する層のそれぞれの界面領域全体にわたる複数の直線方向での測定によって決定される、請求項９に記載の磁気誘電材料。
【請求項１４】
前記動作周波数範囲内の共振周波数ｆｃヘルツ（Ｈｚ）で動作可能である請求項１に記載の磁気誘電材料であって、
前記複数の層は、直交ｘ−ｙ−ｚ座標系のｚ方向に層状になっており、前記複数の層の各層は、ｘ−ｙ平面に実質的に平行に配置され、
前記複数の層は、前記ｘ−ｙ平面において初期比透磁率ｕｉを有し、
前記複数の層は、約７ｎｍに等しい前記複数の層のうちの少なくとも１層のＲａ表面粗さにおいて、６×１０１１Ｈｚ以上でかつ８×１０１１Ｈｚ以下であるｆｃによる、スヌークの積ｕｉ×ｆｃを有する、磁気誘電材料。
【請求項１５】
前記動作周波数範囲内の共振周波数ｆｃヘルツ（Ｈｚ）で動作可能である請求項１に記載の磁気誘電材料であって、
前記複数の層は、直交ｘ−ｙ−ｚ座標系のｚ方向に層状になっており、前記複数の層の各層は、ｘ−ｙ平面に実質的に平行に配置され、
前記複数の層は、前記ｘ−ｙ平面において初期比透磁率ｕｉを有し、
前記複数の層は、１ｎｍ未満である前記複数の層のうちの少なくとも１層のＲａ表面粗さにおいて、１．１×１０１２Ｈｚ以上でかつ１．８×１０１２Ｈｚ以下であるｆｃによる、スヌークの積ｕｉ×ｆｃを有する、磁気誘電材料。
【請求項１６】
前記複数の層は、直交ｘ−ｙ−ｚ座標系内のｘ−ｙ平面と平行に配置され、前記複数の層の全体的な厚さはｚ方向にあり、前記複数の層内の波長は次式
λ＝ｃ／［ｆ＊平方根（ε０＊εｒ＊μ０＊μｒ）］
（但し、
ｃは真空での光の速度（単位：メートル／秒）であり、
ｆは前記規定された最小周波数（単位：ヘルツ）であり、
ε０は真空の誘電率（単位：ファラド／メートル）であり、
εｒはｚ方向における前記複数の層の比誘電率であり、
μ０は真空の透磁率（単位：ヘンリー／メートル）であり、
μｒは前記ｘ−ｙ平面における前記複数の層の比透磁率である）
によって与えられる、
請求項１に記載の磁気誘電材料。
【請求項１７】
前記複数の強磁性材料層の各層は１００ナノメートル以上、かつ２００ナノメートル以下の厚さを有する、請求項１に記載の磁気誘電材料。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月21日(2020.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カメラであって、前記カメラの視野にわたって延在するシーンをキャプチャするように構成されているカメラと、
前記カメラの前記視野を照射するよう構成されている照明系であって、前記視野の中心において前記視野のエッジにおける照明強度より低い強度を有するように整形された分布を有する照明を生成するよう構成されている照明系と、
前記照明系により照射されたシーンに対応する第１の画像データを、環境光による前記シーンに対応する第２の画像データを用いて操作するよう構成されているプロセッサと、
を有するシステム。
【請求項２】
前記カメラによってキャプチャされた、前記シーンを表す画像データは、実質的に均一な信号対雑音比を有する、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記プロセッサは、前記第１の画像データを前記第２の画像データと組み合わせるように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記プロセッサは、前記第１の画像データから前記第２の画像データを除くように構成されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記照明系は、
光源と、
第１の強度の光を、前記光源から前記視野の第１の領域に向けるように構成されており、かつ、第２の強度の光を、前記光源から前記視野の第２の領域に向けるように構成されているレンズあって、前記第２の強度は、前記第１の強度よりも大きい、レンズと、
を含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記レンズは、前記照明系からの照明が矩形断面を有するように、前記照明系からの前記照明を変更するように構成されている、請求項５に記載のシステム。
【請求項７】
前記光源は、光源領域から光を生成するように構成されており、前記光源領域からの前記光は、空間的に不均一である、請求項５に記載のシステム。
【請求項８】
前記光源は、前記光源領域にわたって分散されている複数の光素子であって、空間的に不均一な照明を生成するよう動作する複数の光素子を含む、請求項７に記載のシステム。
【請求項９】
前記光源領域は、前記レンズの焦点面に配置されている、請求項７に記載のシステム。
【請求項１０】
前記照明系は、回転対称の照明を生成する、請求項１に記載のシステム。
【請求項１１】
前記照明系は、発光ダイオードのアレイを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１２】
前記照明系は、前記発光ダイオードからのビームの発散を制御するように配置されている拡散器をさらに含む、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記照明系は半導体レーザのアレイを含む、請求項１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記照明系は、前記半導体レーザからのビームの発散を制御するように配置されている拡散器をさらに含む、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
カメラの視野にわたって延在するシーンをキャプチャするように構成されている前記カメラを配置するステップと、
前記シーンを照射する照明を生成するステップであって、前記照明は

前記前記視野の中心において前記視野のエッジにおける照明強度より低い強度を有する整形された分布を有する、ステップと、
前記カメラを使用して、前記整形された分布を有する前記照明で照射された前記シーンを表す第１の画像データをキャプチャするステップと、
前記カメラを使用して、前記整形された分布を有する前記照明なく環境光における前記シーンを表す第２の画像データをキャプチャするステップと、
を含む、方法。
【請求項１６】
前記第１の画像データと前記第２の画像データとを組み合わせて、実質的に均一な信号対雑音比を有する第３の画像データを生成するステップ、
をさらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記整形された分布を有する前記照明によって照射された場合の前記シーンを表す前記第１の画像データから、環境光での前記シーンを表す前記第２の画像データの少なくとも一部を取り除き、実質的に均一な信号対雑音比を有する第３の画像データを生成するステップを、さらに含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記カメラは、前記照明の特性に基づいて、前記整形された分布を有する前記照明で照射された前記シーンを表す前記第１の画像データをキャプチャするよう構成されている、請求項１５に記載の方法。
【請求項１９】
前記照明の前記特性は、偏光、波長、及び周波数のうちの少なくとも１つを含む、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
カメラであって、前記カメラの視野にわたって延在するシーンをキャプチャするように構成されているカメラと、
前記カメラの前記視野を照射する照明を生成するよう構成されている照明系であって、前記照明は、前記視野の中心において前記視野のエッジにおける照明強度より低い強度を有するように整形された分布を有する、照明系と、
光源領域から光を生成するように構成されている光源であって、前記光源領域からの前記光は、空間的に不均一である、光源と、
第１の強度の光を、前記光源から前記視野の第１の領域に向けるように構成されており、かつ、第２の強度の光を、前記光源から前記視野の第２の領域に向けるように構成されているレンズあって、前記第２の強度は前記第１の強度よりも大きい、レンズと、
前記照明系により照射された前記シーンに対応する第１の画像データを、環境光による前記シーンに対応する第２の画像データを用いて操作するよう構成されているプロセッサと、
を有するシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月6日(2021.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
例えば、流体が空気であるとき、真空流入２８または圧力流出２９の典型的な空気流は、毎分約２０標準リットルから毎分約４０標準リットルの範囲であってよい。（標準リットルを特徴付ける温度および圧力の値は、異なるユーザーの間でおよび異なる用途の間で異なってよい。）圧力流出２９に対する真空流入２８の割合は（例えば、支持される物体が、対応する真空ノズル１４および圧力ノズル１６をカバーしないとき）、典型的に１より大きくてよく、例えば約１．５または１より大きい別の値であってよい。（例えば、割合は、支持される物体が、対応する真空ノズル１４および圧力ノズル１６をカバーするとき、真空流入２８が圧力流出２９に等しいように、選択されてよい。）
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月25日(2021.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板；
前記第１基板上に配置される第１電極部；
前記第１電極部上に配置される熱電半導体；
前記熱電半導体上に配置される第２電極部；及び
前記第２電極部上に配置される第２基板を含み、
前記第２基板は、
第１面；及び
前記第１面と対向する第２面を含み、
前記第１面には、前記第２電極部が配置され、
前記第２面には、前記第２電極部の少なくとも一つが延びて形成されるターミナル電極部が配置され、
前記第２基板は、前記ターミナル電極部と前記第２電極部との間に形成される貫通孔を含み、
前記貫通孔は、前記第２基板の一側面から他側面方向に延びて形成される熱電素子。
【請求項２】
前記ターミナル電極部は、前記第２電極部の少なくとも一つが前記第２基板の側面に沿って延びて配置される、請求項１に記載の熱電素子。
【請求項３】
前記第２基板は、前記ターミナル電極部を形成するための連結孔をさらに含む、請求項１に記載の熱電素子。
【請求項４】
前記連結孔は、前記ターミナル電極部と前記第２電極部が重畳される領域に形成される、請求項３に記載の熱電素子。
【請求項５】
前記ターミナル電極部は、外部の配線と連結される、請求項１に記載の熱電素子。
【請求項６】
前記ターミナル電極部は、前記第２電極部と同一物質を含む、請求項１に記載の熱電素子。
【請求項７】
前記第１面及び前記第２面を連結する第３面をさらに含み、
前記ターミナル電極部は、前記第１面から前記第３面及び前記第２面方向に延びて配置される、請求項１に記載の熱電素子。
【請求項８】
前記貫通孔の幅のサイズは、前記ターミナル電極部と前記ターミナル電極部と最も隣接した前記第２電極部との間の距離のサイズに対して４０％ないし６０％である、請求項１に記載の熱電素子。
【請求項９】
前記貫通孔には、バッファ部材が配置され、
前記バッファ部材は、ポリイミドまたはパリレンを含む、請求項１に記載の熱電素子。
【請求項１０】
前記熱電半導体は、Ｐ型熱電脚及びＮ型熱電脚を含み、
前記ターミナル電極部と重畳される領域上には、前記Ｐ型熱電脚または前記Ｎ型熱電脚が配置される、請求項１に記載の熱電素子。
【請求項１１】
前記貫通孔は、前記第２電極部の側面に沿って延びて形成される、請求項１に記載の熱電素子。
【請求項１２】
第１基板；
前記第１基板上に配置される第１電極部；
前記第１電極部上に配置される熱電半導体；
前記熱電半導体上に配置される第２電極部；及び
前記第２電極部上に配置される第２基板を含み、
前記第２基板は、
第１面；及び
前記第１面に対向する第２面を含み、
前記第１面には、前記第２電極部が配置され、
前記第２面には、前記第２電極部の少なくとも一つが延びて形成されるターミナル電極部が配置され、
前記第２基板は、前記第２電極部が配置される第１領域及び前記ターミナル電極部が配置される第２領域を含み、
前記第１領域及び前記第２領域は、一体に形成され、
前記第１領域と前記第２領域は、段差を有し、
前記第２領域の厚さは、前記第１領域の厚さより大きい熱電素子。
【請求項１３】
前記第２領域の熱伝導性は、段差部によって前記第１領域の熱伝導性より低い、請求項１２に記載の熱電素子。
【請求項１４】
前記第２領域は、異方的な熱伝導度を有する、請求項１２に記載の熱電素子。
【請求項１５】
前記第２領域での垂直的熱伝導率は、３０％以下である、請求項１４に記載の熱電素子
。
【請求項１６】
前記第２領域は、セラミックス物質またはボロンナイトライド（ＢＮ）物質を含む、請求項１４に記載の熱電素子。
【請求項１７】
前記ターミナル電極部は、外部の配線と連結される、請求項１２に記載の熱電素子。
【請求項１８】
前記第２領域の厚さは、前記第１領域の厚さに対して１．５ないし３倍である、請求項１２に記載の熱電素子。
【請求項１９】
前記第１領域上には、熱電素子チップが配置され、
前記熱電素子チップの高さは、前記段差部の高さ以下である、請求項１３に記載の熱電素子。
【請求項２０】
前記熱電半導体は、Ｐ型熱電脚及びＮ型熱電脚を含み、
前記第２領域には、前記Ｐ型熱電脚または前記Ｎ型熱電脚が配置される、請求項１２に記載の熱電素子。