(57)【要約】【課題】ビス止めの押圧力が回路基板に作用する状況でも、回路基板を被覆する絶縁層にクラックが発生することによる耐圧の劣化が防止された回路装置を提供する。【解決手段】混成集積回路装置１０は、導電パターン２２および半導体素子２４から成る混成集積回路が上面に組み込まれた回路基板１８と、額縁状の形状を有して回路基板１８に当接することで混成集積回路が封止される領域を形成するケース材１２と、ケース材１２に囲まれる領域に充填されて混成集積回路を封止する封止樹脂１６とを有する構成となっている。更に、混成集積回路装置１０では、回路基板１８を貫通する貫通孔３４の周辺部の絶縁層２０を部分的に除去して除去領域３２を設け、この除去領域３２によりクラックの進行を抑制している。【選択図】図２
2010034346.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属から成る回路基板と、
前記回路基板の上面を被覆するとともにフィラーが充填された樹脂から成る絶縁層と、
前記絶縁層の上面に形成された導電パターンおよび回路素子から成る構成集積回路と、
前記構成集積回路が封止されるように前記回路基板の少なくとも上面を被覆する封止部材と、
前記封止部材により被覆されない露出領域の前記回路基板を部分的に開口して設けられた貫通孔と、を備え、
前記貫通孔の周辺部に位置する前記絶縁層を部分的に除去した除去領域を設けることを特徴とする回路装置。
【請求項２】
前記貫通孔を取り囲むように環状に前記絶縁層を除去することを特徴とする請求項１記載の回路装置。
【請求項３】
前記除去領域は、回路装置の固定に用いられる押圧手段が押圧する領域よりも外側に設けられることを特徴とする請求項２に記載の回路装置。
【請求項４】
前記露出領域に対応する領域の前記絶縁層を全て除去し、
前記露出領域には前記回路基板を構成する金属材料が露出することを特徴とする請求項３に記載の回路装置。
【請求項５】
金属から成る回路基板と、
前記回路基板の上面を被覆するとともにフィラーが充填された樹脂から成る絶縁層と、
前記絶縁層の上面に形成された導電パターンおよび回路素子から成る構成集積回路と、
前記混成集積回路が封止されるように前記回路基板の少なくとも上面を被覆する封止部材と、
前記封止部材により被覆されない露出領域の前記回路基板を部分的に開口して設けられた貫通孔と、を備え、
前記露出領域の前記貫通孔を囲む領域に環状に前記導電パターンを配置することを特徴とする回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は回路装置に関し、特に、回路基板の上面に構築された混成集積回路が封止部材により封止される回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１０を参照して、従来から用いられている混成集積回路装置の構成を説明する。図１０（Ａ）はケース材１１１を用いて封止される構成の混成集積回路装置１００の断面であり、図１０（Ｂ）はトランスファーモールドにより樹脂封止された混成集積回路装置１００Ａを示す斜視図である。
【０００３】
図１０（Ａ）を参照して、先ず、矩形の基板１０１の表面には、絶縁層１０２を介して導電パターン１０３が形成され、この導電パターン１０３の所望の箇所に回路素子が固着されて、所定の混成集積回路が形成される。ここでは、回路素子として半導体素子１０５Ａおよびチップ素子１０５Ｂが、導電パターン１０３に接続されている。リード１０４は、基板１０１の周辺部に形成された導電パターン１０３から成るパッド１０９に接続され、外部端子として機能している。封止樹脂１０８は、基板１０１の表面に形成された電気回路を封止する機能を有する。
【０００４】
ケース材１１１は、略額縁形状を有して基板１０１の側面に当接している。更に、基板１０１の上面に封止する空間を確保するために、ケース材１１１の上端部は、基板１０１の上面よりも上方に位置している。そして、基板１０１の上方にてケース材１１１により囲まれる空間には封止樹脂１０８が充填され、この封止樹脂１０８により半導体素子等の回路素子がされている。この構成により、基板１０１が比較的大きいものであっても、ケース材１１１等により囲まれる空間に封止樹脂１０８を充填させることで、基板１０１の上面を組み込まれた回路素子等を樹脂封止することができる。
【０００５】
図１０（Ｂ）に示す混成集積回路装置１００Ａの概略的な構成は、上記した混成集積回路装置１００と同様であり、ここでは、トランスファーモールドにより封止樹脂１０８が形成されている。具体的には、モールド金型を用いた射出成形により、基板１０１の上面および側面が被覆されるように封止樹脂１０８が形成されている。
【０００６】
更に、封止樹脂１０８の周辺部を部分的に窪ませることにより固定部１１２が形成されており、混成集積回路装置１００Ａの下面をヒートシンク等に当接させるときは、固定部１１２にビス止めが施される。また同様に、図１０（Ａ）に示す混成集積回路装置１００でも、ケース材１１１の周辺部に設けた段差部分をビス止めに使用する場合もある。
【０００７】
また、ビス止めによる装置の固定方法としては、基板１０１を部分的に外部に露出させて、この露出する部分の基板１０１に設けた貫通孔にビスを通す方法もある。
【特許文献１】特開２００７−０３６０１４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記したように基板１０１に直にビス止めを行うと、基板１０１の耐圧性が低下する恐れがあった。具体的には、金属から成る基板１０１の上面は、基板１０１と導電パターン１０３とを絶縁させるために、上記したように絶縁層１０２により全面的に被覆されている。この絶縁層１０２は、熱抵抗を低減させるために、粒状の無機フィラーが高充填された樹脂から成り、非常に脆い性質を備えている。従って、基板１０１を貫通するビスにより基板１０１に対して押圧力を加えると、基板１０１の上面を被覆する絶縁層１０２にビスの圧力が加わりクラックが発生する場合がある。そして、導電パターン１０３が形成された領域までクラックが到達すると、クラックに沿って電流が流れて、導電パターン１０３と基板１０１とがショートしてしまう恐れがある。
【０００９】
本発明はこの様な問題を鑑みてなされ、本発明の主たる目的は、ビス止めの押圧力が回路基板に作用する状況でも、回路基板を被覆する絶縁層にクラックが発生することによる耐圧の劣化が防止された回路装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の回路装置は、金属から成る回路基板と、前記回路基板の上面を被覆するとともにフィラーが充填された樹脂から成る絶縁層と、前記絶縁層の上面に形成された導電パターンおよび回路素子から成る構成集積回路と、前記構成集積回路が封止されるように前記回路基板の少なくとも上面を被覆する封止部材と、前記封止部材により被覆されない露出領域の前記回路基板を部分的に開口して設けられた貫通孔と、を備え、前記貫通孔の周辺部に位置する前記絶縁層を部分的に除去した除去領域を設けることを特徴とする。
【００１１】
本発明の回路装置は、金属から成る回路基板と、前記回路基板の上面を被覆するとともにフィラーが充填された樹脂から成る絶縁層と、前記絶縁層の上面に形成された導電パターンおよび回路素子から成る構成集積回路と、前記混成集積回路が封止されるように前記回路基板の少なくとも上面を被覆する封止部材と、前記封止部材により被覆されない露出領域の前記回路基板を部分的に開口して設けられた貫通孔と、を備え、前記露出領域の前記貫通孔を囲む領域に環状に前記導電パターンを配置することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ビス止めの為に使用される貫通孔の周辺部において、回路基板の上面を被覆する絶縁層を部分的に除去している。従って、ビス止めの押圧力により、貫通孔付近の絶縁層にクラックが発生しても、このクラックは導電パターンが形成された領域までは進行しない。従って、絶縁層に発生するクラックに起因した耐圧の低下が防止される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
＜第１の実施の形態＞
図１から図４を参照して、回路装置の一例として混成集積回路装置１０の構造を説明する。
【００１４】
先ず、図１および図２を参照して、混成集積回路装置１０の構成を説明する。図１（Ａ）は混成集積回路装置１０を斜め上方から見た斜視図である。図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ−Ｂ’線に於ける断面図であり、図２（Ａ）は図１（Ａ）のＣ−Ｃ’線に於ける断面図であり、図２（Ｂ）は貫通孔３４が設けられた部分を上方から見た平面図である。
【００１５】
図１の各図を参照して、混成集積回路装置１０は、導電パターン２２および半導体素子２４等（回路素子）から成る混成集積回路が上面に組み込まれた回路基板１８と、額縁状の形状を有して回路基板１８に当接することで混成集積回路が封止される領域を形成するケース材１２と、ケース材１２に囲まれる領域に充填されて混成集積回路を封止する封止樹脂１６と、導電パターン２２から成るパッド１３に固着されて外部に延在するリード１４とを有する構成となっている。更に、混成集積回路装置１０では、回路基板１８の上面の一部が封止樹脂１６により被覆されず、この部分の回路基板１８を貫通する貫通孔３４を設けている。
【００１６】
回路基板１８は、アルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等を主材料とする金属基板である。回路基板１８の具体的な大きさは、例えば、縦×横＝６１ｍｍ×８８ｍｍ程度である。また、回路基板１８の厚みは、例えば１．５ｍｍまたは２．０ｍｍ程度である。回路基板１８としてアルミニウムより成る基板を採用した場合は、回路基板１８の両主面は陽極酸化膜により被覆される。
【００１７】
絶縁層２０は、回路基板１８の上面全域を覆うように形成されている。絶縁層２０は、ＡＬ２Ｏ３等のフィラーが例えば６０重量％〜８０重量％程度に高充填されたエポキシ樹脂等から成る。フィラーが混入されることにより、絶縁層２０の熱抵抗が低減されるので、内蔵される回路素子から発生した熱を、絶縁層２０および回路基板１８を経由して良好に外部に放出することができる。絶縁層２０の具体的な厚みは、例えば５０μｍ程度である。また、図１（Ｂ）では、回路基板１８の上面のみが絶縁層２０により被覆されているが、回路基板１８の下面も絶縁層２０により被覆されても良い。このようにすることで、回路基板１８の裏面を外部に露出させても、回路基板１８の裏面を外部と絶縁させることができる。
【００１８】
導電パターン２２は銅等の金属から成り、所定の電気回路が形成されるように絶縁層２０の表面に形成される。また、リード１４が固着される部分に、導電パターン２２からなるパッドが設けられる。更に、半導体素子２４の周囲にも多数個のパッドが形成され、このパッドと半導体素子２４とは金属細線３８により接続される。ここでは単層の導電パターン２２が図示されているが、絶縁層を介して積層された多層の導電パターン２２が回路基板１８の上面に形成されても良い。
【００１９】
導電パターン２２に電気的に接続される回路素子としては、能動素子や受動素子を全般的に採用することができる。具体的には、トランジスタ、ＬＳＩチップ、ダイオード、チップ抵抗、チップコンデンサ、インダクタンス、サーミスタ、アンテナ、発振器などを回路素子として採用することができる。更にまた、樹脂封止型のパッケージ等も、回路素子として導電パターン２２に固着することができる。図１（Ｂ）を参照すると、回路基板１８の上面には、回路素子として半導体素子２４およびチップ素子２６が配置されている。半導体素子２４は導電パターン２２に固着され、上面の電極は金属細線３８を経由して導電パターン２２に接続されている。チップ素子２６は、両端の電極が半田等の固着材を介して導電パターン２２に接続されている。ここで、発熱量の多いパワー素子が半導体素子２４として採用された場合は、導電パターン２２の上面に固着された金属片から成るヒートシンクの上面に半導体素子２４が載置されても良い。このことにより、半導体素子２４から発生する熱を効率的にヒートシンクおよび回路基板１８を経由して外部に放出させることができる。
【００２０】
封止樹脂１６は、回路基板１８に構築された混成集積回路を封止する機能を有し、具体的には、回路基板１８の上面に形成された導電パターン２２、半導体素子２４等の回路素子、リード１４の接合箇所が封止されるように、回路基板１８の上面に封止樹脂１６が形成されている。また、封止樹脂１６は、ケース材１２により囲まれる回路基板１８の上方の空間に充填されている。封止樹脂１６の材料としては、熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂が採用される。更に、封止樹脂１６には、熱伝導性の向上等を目的として、酸化シリコン等のフィラーが例えば１０重量％〜２０重量％程度混入されても良い。
【００２１】
また、本実施の形態では、回路基板１８の上面は全面的に封止樹脂１６により被覆されているのではなく、一部は上面が外部に露出している。図１（Ａ）を参照すると、ケース材１２の内部側壁部１２Ｅ、１２Ｆにより囲まれる領域は封止樹脂１６が充填されず、回路基板１８の上面が露出している状態となっている。この部分の回路基板１８は、ビス止めの為の領域として使用され、この詳細は図２（Ａ）を参照して詳述する。
【００２２】
リード１４は、回路基板１８の対向する側辺に沿って設けられており、混成集積回路装置１０の入出力端子として機能している。これらのリードは、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）またはＦｅ−Ｎｉの合金等などを主成分とした金属から成る。図では、各リード１４は上方に引き出されているが、リード１４は途中で直角に曲折されて側方に引き出されても良い。
【００２３】
図１（Ａ）を参照して、額縁状の形状を呈するケース材１２は、回路基板１８の４つの側辺に対応して、４つの側壁部を有する。具体的には、第１側壁部１２Ａ、第２側壁部１２Ｂ、第３側壁部１２Ｃおよび第４側壁部１２Ｄから主にケース材１２は構成されている。更に、第２側壁部１２Ｂから連続して内側に内部側壁部１２Ｆが形成されており、第１側壁部１２Ａから連続して内側に内部側壁部１２Ｅが形成されている。ケース材１２のサイズは、各側壁部の内壁が回路基板１８の側面に当接する大きさとなっている。そして、ケース材１２に回路基板１８と嵌合させると、ケース材１２の下面と回路基板１８の下面とは、同一平面上に位置する。なお、ケース材１２は、エポキシ樹脂等の樹脂材料を射出成形して形成されたものである。
【００２４】
図２を参照して、貫通孔３４が設けられた回路基板１８の上面は、封止樹脂１６により被覆されずに上面が露出して露出領域３０を構成している。露出領域３０は、ケース材１２の内部側壁部１２Ｆにより露出領域３０を囲い込み、形成時には液状または半固形状の封止樹脂１６の流入を阻止することで形成される。そして、混成集積回路装置の下面をヒートシンク等の放熱体に当接させるときは、ビス４２にて回路基板１８を上面から押圧する。具体的には、ビス４２は、ネジ山が周囲に設けられた柱部４２Ｂと、この柱部４２Ｂと一体であり平面的に大きく形成された頭部４２Ａから成る。この形状のビス４２の柱部を貫通孔３４に通して、ビス４２の頭部４２Ａの下面が回路基板１８の上面を押圧することで、混成集積回路装置１０が固定される。
【００２５】
具体的には、ビス４２の頭部４２Ａは、回路基板１８の上面を被覆する絶縁層２０を押圧するが、この絶縁層２０はフィラーが高充填された樹脂から成るので脆い性質を備える。従って、ビス４２の頭部４２Ａにより、回路基板１８の上面を被覆する絶縁層２０が押圧されると、頭部４２Ａの下方に位置する絶縁層２０にクラックが発生する場合がある。そして、このクラックが導電パターン２２まで延伸すると、このクラックを経由して導電パターン２２と回路基板１８とがショートする恐れがある。
【００２６】
このショートを防止するために、本実施の形態では、絶縁層２０を部分的に除去して除去領域３２を設けている。この絶縁層２０の除去は、エッチング、レーザー照射またはドリル加工等の機械的加工により行われる。従って、この除去領域３２からは、回路基板１８を構成する金属材料または絶縁膜が露出する。図２（Ｂ）を参照すると、除去領域３２は、貫通孔３４を取り囲むように円環状に連続して形成されている。除去領域３２の形状としては円以外の多角形形状でも良い。また、除去領域３２が形成される位置としては、ビス４２の頭部４２Ａよりも外側が好適である。
【００２７】
この様に絶縁層２０を部分的に除去した除去領域３２を設けることで、絶縁層２０に発生したクラックが周囲に延伸することが防止される。具体的には、ビス４２の頭部４２Ａが、貫通孔３４の周囲の絶縁層２０を押圧することにより、除去領域３２よりも内側に位置する絶縁層２０にクラックが発生する。しかしながら、発生したクラックは、除去領域３２にてストップして、それよりも外側には進行しない。従って、クラックは導電パターン２２が配置された領域までは進行しないので、上記したショートが防止される。
【００２８】
図３（Ａ）および図３（Ｂ）を参照すると、ここでは、露出領域３０の全域に渡って絶縁層２０を除去することで除去領域３２が形成されている。この様にしたら、ビス４２で回路基板１８を締め付けても、ビス４２は回路基板１８を構成する金属材料に直に接触し、絶縁層２０に接触しないので、ビス４２の押圧力に起因した絶縁層２０へのクラックの発生が抑制される。
【００２９】
図４（Ａ）および図４（Ｂ）を参照して、絶縁層２０へのクラックの発生を抑制する他の構成を説明する。ここでは、ビス４２の頭部４２Ａが接触する領域の回路基板１８の上面に導電パターン２２を円環状に残存させている。この様にすることで、ビス４２にて回路基板１８を固定すると、ビス４２の頭部４２Ａが導電パターン２２に接触する。導電パターン２２は、銅等の軟性に優れた材料から成るので、この導電パターン２２がクッション材として機能する。結果的に、ビス４２の頭部４２Ａの下方に位置する絶縁層２０にクラックが発生することが抑制される。ここで、図４（Ｂ）を参照すると、円環状の導電パターン２２が貫通孔３４を囲むように設けられているが、導電パターン２２の形状としては円環状以外の多角形形状や楕円形状でも良い。更には、導電パターン２２の形状は、連続した環状でも良いし、不連続に形成された状態でも良い。ここで、貫通孔３４の周囲の導電パターン２２は、他の導電パターン２２と同じ工程で同時に形成される。従って、上記した他の構成と比較すると、絶縁層２０を除去する工程が不要であるので、少ない工数で絶縁層２０のクラック対策が施せるメリットがある。
【００３０】
次に、図５から図８を参照して、上記した構成の混成集積回路装置１０の製造方法を説明する。
【００３１】
図５を参照して、最初に、所定の混成集積回路を回路基板１８の上面に組み込む。図５（Ａ）は回路基板１８の断面図であり、図５（Ｂ）−図５（Ｄ）は貫通孔３４の周辺部を拡大して部分的に示す断面図である。
【００３２】
先ず、図５（Ａ）を参照して、アルミニウム等の金属から成る回路基板１８の上面は、フィラーが混入された樹脂から成る絶縁層２０により被覆されており、この絶縁層２０の上面に所定形状の導電パターン２２が形成されている。そして、導電パターン２２の所定の箇所に、回路素子として半導体素子２４およびチップ素子２６が固着されている。また、回路基板１８の周辺部には導電パターン２２から成るパッドが形成され、このパッドにはリード１４が固着されている。
【００３３】
本実施の形態では、ビス止めの為の貫通孔３４が回路基板１８を貫通して設けられており、このビス止めに伴うクラックを抑制するために、図５（Ｂ）−図５（Ｄ）に示すような対策を施している。
【００３４】
図５（Ｂ）を参照して、ここでは、貫通孔３４の周囲の回路基板１８を被覆する絶縁層２０を円環状に除去して、除去領域３２が設けられている。ここで、絶縁層２０は、粒子状の酸化シリコン等のフィラーが８０重量％程度に高充填された樹脂から成る。本工程では、エッチング、レーザー照射、ドリル加工等により絶縁層２０を部分的に除去している。
【００３５】
図５（Ｃ）を参照すると、貫通孔３４の周囲の絶縁層２０が部分的に除去されている。ここでは、少なくとも固定時のビスにて押圧されるよう領域に対応する領域を被覆する絶縁層２０が除去されている。
【００３６】
図５（Ｄ）を参照して、ここでは、後の工程でビスにより押圧される貫通孔３４の周囲の領域に、導電パターン２２を残存させている。貫通孔３４の周囲の導電パターン２２は、ビスの押圧力を緩和するクッション材として機能する。
【００３７】
図６を参照して、次に、ケース材１２を回路基板１８に填め込む。図６（Ａ）はこの工程を示す断面図であり、図６（Ｂ）はケース材１２の構成を示す平面図である。
【００３８】
図６（Ａ）を参照して、ケース材１２を回路基板１８に組み込む。ケース材１２の側壁部（第１側壁部１２Ａおよび第２側壁部１２Ｂ）の内側の下端には、回路基板１８の厚みに即した凹部が設けられており、この凹部が回路基板１８の上面周辺部および側面に接触する。また、ケース材１２と回路基板１８とが接触する部分には、接着剤が塗布される。
【００３９】
図６（Ｂ）を参照して、本工程では、ケース材１２に設けた内部側壁部１２Ｅ、１２Ｆの下部が、回路基板１８の上面に当接し、この内部側壁部により囲まれる領域は、次工程にて封止樹脂が形成されない。また、回路基板１８に設けられた貫通孔３４は、この内部側壁部の内側に位置している。
【００４０】
図７を参照して、次に、ケース材１２に囲まれる空間に封止樹脂１６を充填させて、回路基板１８の上面に形成された混成集積回路を樹脂封止する。図７（Ａ）および図７（Ｂ）は本工程を示す断面図である。
【００４１】
図７（Ａ）を参照して、本工程では、液状又は半固形状の封止樹脂１６をケース材１２により囲まれる領域に供給する。封止樹脂１６は、ノズル４０の先端部から回路基板１８の上面に供給されている。封止樹脂１６により、回路基板１８の上面に形成された導電パターン２２、半導体素子２４、チップ素子２６、金属細線およびリード１４の接続部分が被覆される。また、封止樹脂１６は、粒子状のフィラーが混入された熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂から成る。封止樹脂１６の充填が終了した後は、必要に応じて加熱硬化を行う。
【００４２】
図７（Ｂ）を参照して、ビス止めの為の貫通孔３４が設けられた部分の回路基板は、ケース材１２の内部側壁部１２Ｆにより囲まれている。従って、回路基板１８の上面に液状の封止樹脂１６を供給しても、内部側壁部１２Ｆにより囲まれている貫通孔３４の周辺部の回路基板１８上面は、封止樹脂１６により被覆されない。即ち、内部側壁部１２Ｆにより囲まれる領域は、封止樹脂１６が形成されずに回路基板１８の上面が露出する露出領域３０となる。
【００４３】
図８を参照して、次に、混成集積回路装置１０の裏面をヒートシンク４４に当接させる。図８（Ａ）は本工程を示す断面図であり、図８（Ｂ）は拡大された断面図である。
【００４４】
図８（Ａ）および図８（Ｂ）を参照して、本工程では、混成集積回路装置１０の貫通孔３４およびヒートシンク４４の孔部４６に、ビス４２を通してネジ止めすることで、混成集積回路装置１０の裏面をヒートシンク４４の上面に接触させている。
【００４５】
ヒートシンク４４は、銅やアルミニウム等の金属から成る。従って、回路基板１８が露出する混成集積回路装置１０の裏面をヒートシンク４４の上面に接触させると、混成集積回路装置に内蔵された回路素子から発生した熱を、回路基板１８およびヒートシンク４４を経由して、良好に外部に放出させることができる。
【００４６】
ここで、混成集積回路装置１０は、全体的に下側に凸となるように湾曲した形状となっている。この様に混成集積回路装置１０が湾曲する原因は、回路基板１８の上面を被覆する封止樹脂１６が硬化する際に収縮するからである。ここでは、混成集積回路装置１０の両端部付近に設けたビス４２により回路基板１８を押圧して、混成集積回路装置１０の形状を平坦に矯正することで、混成集積回路装置１０の裏面とヒートシンク４４の上面に密着させている。
【００４７】
図８（Ｂ）を参照して、上記のようにビス４２の押圧力により回路基板１８の湾曲を平坦に矯正する必要があるので、ビス４２が回路基板１８に加える押圧力は非常に大きい。このことから、ビス４２に押圧される部分の絶縁層２０にはクラックが発生する場合がある。本実施の形態では、ビス４２に押圧される領域を囲むように除去領域３２を設けているので、この除去領域３２によりクラックの延伸が防止される。結果的に、回路素子が配置される領域まではクラックが延在せず、ショートが防止される。
【００４８】
更に本工程では、金属材料である回路基板１８に対してビス４２の押圧力を加えているので、長時間が経過しても回路基板１８が変形することは殆ど無く、ビス４２による押圧力が変化しない。従って、長期間に渡り、回路基板１８の下面をヒートシンク４４の上面に当接した状態に維持できる。
【００４９】
また、上記の説明では、ケース材を用いた封止構造が示されたが、封止構造としてはトランスファーモールドにより形成される封止樹脂１６でも良い。図９に示す混成集積回路装置１０Ａでは、回路基板の上面および側面が、モールド金型を使用したトランスファーモールドにより形成された封止樹脂１６により被覆されている。そして、封止樹脂１６の側面からリード１４が外部に導出している。また、貫通孔３４付近の回路基板の上面は、封止樹脂１６により被覆されない露出領域４８と成っている。他の構成は、図１等に示した構成の混成集積回路装置１０と同様である。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図２】本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図３】本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図４】本発明の回路装置を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図５】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）−（Ｄ）は断面図である。
【図６】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図７】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は断面図である。
【図８】本発明の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）は断面図である。
【図９】本発明の回路装置を示す斜視図である。
【図１０】従来の混成集積回路装置を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は斜視図である。
【符号の説明】
【００５１】
１０、１０Ａ      混成集積回路装置
１２      ケース材
１２Ａ      第１側壁部
１２Ｂ      第２側壁部
１２Ｃ      第３側壁部
１２Ｄ      第４側壁部
１２Ｅ      内部側壁部
１２Ｆ      内部側壁部
１４      リード
１６      封止樹脂
１８      回路基板
２０      絶縁層
２２      導電パターン
２４      半導体素子
２６      チップ素子
３０      露出領域
３２      除去領域
３４      貫通孔
３８      金属細線
４０      ノズル
４２      ビス
４２Ａ      頭部
４２Ｂ      柱部
４４      ヒートシンク
４６      孔部
４８      露出領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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