(57)【要約】【課題】高反射率及び高信頼性の発光ダイオード及びこれを有するバックライトユニットを提供する。【解決手段】発光ダイオードは、光を発生させる発光チップと、発光チップが実装される金属部材と、金属部材と結合されて金属部材を固定させ、発光チップ及び金属部材の少なくとも一部を露出させる開口部が形成されたハウジングと、を備える。金属部材は、ベース金属層と、ベース金属層の表面上に形成された光反射層と、光反射層の表面上に金属で形成された保護層と、を有する。このように、反射率が高い光反射層上に薄い厚さの金属保護層を形成することにより、リードフレームの反射率を一定水準以上に維持しつつ腐食及び変色等の不良発生を抑制することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース金属層と、
前記ベース金属層の表面上に形成された光反射層と、
前記光反射層の表面上に金属で形成された保護層と、
を備えることを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記光反射層は、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）で形成されたことを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記保護層は、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、又はチタニウム（Ｔｉ）で形成されたことを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記保護層が金（Ａｕ）で形成された場合、前記保護層は６００ｎｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項３記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記保護層がニッケル（Ｎｉ）又はチタニウム（Ｔｉ）で形成された場合、前記保護層は２０ｎｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項３記載のリードフレーム。
【請求項６】
前記ベース金属層と前記光反射層との間に形成されたニッケル層を更に備えることを特徴とする請求項１記載のリードフレーム。
【請求項７】
光を発生させる発光チップと、
前記発光チップが実装される金属部材と、
前記金属部材と結合されて前記金属部材を固定させ、前記発光チップ及び前記金属部材の少なくとも一部を露出させる開口部が形成されたハウジングと、を備え、
前記金属部材は、ベース金属層と、前記ベース金属層の表面上に形成された光反射層と、前記光反射層の表面上に金属で形成された保護層と、を有することを特徴とする発光ダイオード。
【請求項８】
前記光反射層は、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）で形成されたことを特徴とする請求項７記載の発光ダイオード。
【請求項９】
前記保護層は、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、又はチタニウム（Ｔｉ）で形成されたことを特徴とする請求項７記載の発光ダイオード。
【請求項１０】
前記保護層が金（Ａｕ）で形成された場合、前記保護層は６００ｎｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項９記載の発光ダイオード。
【請求項１１】
前記保護層がニッケル（Ｎｉ）又はチタニウム（Ｔｉ）で形成された場合、前記保護層は２０ｎｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項９記載の発光ダイオード。
【請求項１２】
前記金属部材は、前記ベース金属層と前記光反射層との間に形成されたニッケル層を更に備えることを特徴とする請求項７記載の発光ダイオード。
【請求項１３】
前記金属部材は、前記発光チップから発生された熱を放出するためのスラグ（ｓｌａｇ）を有することを特徴とする請求項７記載の発光ダイオード。
【請求項１４】
前記発光チップに電源を印加するためのリードフレームを更に備えることを特徴とする請求項７記載の発光ダイオード。
【請求項１５】
前記金属部材は、前記発光チップに電源を印加するためのリードフレームであることを特徴とする請求項７記載の発光ダイオード。
【請求項１６】
前記リードフレームは、
前記発光チップが実装されるチップ実装部と、前記チップ実装部で折り曲げられて形成された少なくとも１つの光反射面と、を有する第１リード端子と、
前記第１リード端子から離隔した第２リード端子と、を有することを特徴とする請求項１４又は１５記載の発光ダイオード。
【請求項１７】
前記第１リード端子は、前記チップ実装部から折り曲げられて形成された段差部と、前記チップ実装部と前記段差部との間で光反射面を形成する第１傾斜面と、を有することを特徴とする請求項１６記載の発光ダイオード。
【請求項１８】
前記第１リード端子は、前記チップ実装部から折り曲げられて形成され、前記第１傾斜面に対向して位置する第２傾斜面を更に有することを特徴とする請求項１７記載の発光ダイオード。
【請求項１９】
前記第１リード端子は、前記チップ実装部から折り曲げられて形成され、前記第１及び第２傾斜面と隣接する第３傾斜面及び第４傾斜面を更に有することを特徴とする請求項１８記載の発光ダイオード。
【請求項２０】
前記第１リード端子は、前記チップ実装部で上側に対向するように折り曲げられて形成され、前記光反射面を形成する第１翼部を有することを特徴とする請求項１６記載の発光ダイオード。
【請求項２１】
前記第２リード端子は、
ワイヤボンディング部と、前記ワイヤボンディング部で上側に対向するように折り曲げられて形成され、前記第１翼部と平行に配置される第２翼部と、を有することを特徴とする請求項２０記載の発光ダイオード。
【請求項２２】
前記第１翼部及び前記第２翼部のうち少なくとも１つは、前記チップ実装部及び前記ワイヤボンディング部から離れるほど幅が広く形成されたことを特徴とする請求項２０記載の発光ダイオード。
【請求項２３】
前記ハウジングは、前記第１翼部及び前記第２翼部の外面を覆うことを特徴とする請求項２１又は２２記載の発光ダイオード。
【請求項２４】
前記第１翼部及び前記第２翼部の外面のうち少なくとも一部は、前記ハウジングの外部に露出することを特徴とする請求項２１又は２２記載の発光ダイオード。
【請求項２５】
前記リードフレームは、
前記発光チップが実装されるチップ実装部と、前記チップ実装部から前記ハウジングの外部に延長されて形成された第１外部リード部と、及び前記チップ実装部から延長されて形成された第１翼部と、を有する第１リード端子と、
前記第１リード端子と離隔し、ワイヤボンディング部と、前記ワイヤボンディング部から前記ハウジングの外部に延長されて形成された第２外部リード部と、前記ワイヤボンディング部から延長されて形成された第２翼部と、を有する第２リード端子と、を有し、
前記第１翼部及び前記第２翼部は、前記チップ実装部及び前記ワイヤボンディング部からそれぞれ折り曲げられて形成されて前記チップ実装部の両側にそれぞれ配置されたことを特徴とする請求項１５記載の発光ダイオード。
【請求項２６】
前記第１翼部は、前記第２リード端子の前記ワイヤボンディング部の側面に延長されて形成されたことを特徴とする請求項２５記載の発光ダイオード。
【請求項２７】
前記第１翼部及び前記第２翼部のうち少なくとも１つは、前記チップ実装部から離れるほど幅が広く形成されたことを特徴とする請求項２５記載の発光ダイオード。
【請求項２８】
前記ハウジングは、前記第１翼部及び前記第２翼部の外面を覆うことを特徴とする請求項２５記載の発光ダイオード。
【請求項２９】
前記第１翼部及び前記第２翼部の外面のうち少なくとも一部は、前記ハウジングの外部に露出することを特徴とする請求項２５記載の発光ダイオード。
【請求項３０】
前記第１リード端子及び前記第２リード端子は、互いに隣接する凹部を有し、前記凹部は前記発光チップが実装されるカップを形成することを特徴とする請求項２５記載の発光ダイオード。
【請求項３１】
前記第１リード端子及び前記第２リード端子は、前記凹部のそれぞれから前記ハウジングの外側に延長されて形成された翼部を有することを特徴とする請求項３０記載の発光ダイオード。
【請求項３２】
前記第１リード端子及び前記第２リード端子は、前記凹部の底面から傾斜するように延長されて形成された前記翼部と連結される傾斜面を有することを特徴とする請求項３１記載の発光ダイオード。
【請求項３３】
前記開口部が形成された前記ハウジングの内壁に形成されたリフレクタを更に含み、前記リフレクタは、前記金属部材と同一の材質で形成されたことを特徴とする請求項７記載の発光ダイオード。
【請求項３４】
前記リフレクタは、前記開口部が形成された前記ハウジングの内壁に接して配置された光反射部と、前記光反射部から延長されて形成されて前記ハウジングの外部に露出する放熱部と、を有することを特徴とする請求項３３記載の発光ダイオード。
【請求項３５】
前記ハウジングは、前記開口部と隣接した領域の一部が陥入するように形成されて、ワイヤボンディング領域を露出させる少なくとも１つの切開部を有することを特徴とする請求項３３記載の発光ダイオード。
【請求項３６】
前記発光チップを覆うように前記ハウジングの前記開口部内に満たされ、前記発光チップから発生される光の少なくとも一部を他の波長の光に変換させるための蛍光体を含む封止剤を更に有することを特徴とする請求項７記載の発光ダイオード。
【請求項３７】
前記発光チップは、青色光を発生させる青色発光チップを有し、
前記蛍光体は、前記青色発光チップから発生された青色光の少なくとも一部を黄色光に変換させる黄色蛍光体を有することを特徴とする請求項３６記載の発光ダイオード。
【請求項３８】
前記発光チップは、青色光を発生させる青色発光チップを有し、
前記蛍光体は、前記青色発光チップから発生された青色光の少なくとも一部を赤色光及び緑色光にそれぞれ変換させる赤色蛍光体及び緑色蛍光体を含むことを特徴とする請求項３６記載の発光ダイオード。
【請求項３９】
前記発光チップは、青色光を発生させる青色発光チップ及び赤色光を発生させる赤色発光チップを含み、
前記蛍光体は、前記青色発光チップ及び前記赤色発光チップから発生された青色光及び赤色光の少なくとも一部を緑色光に変換させる緑色蛍光体を含むことを特徴とする請求項３６記載の発光ダイオード。
【請求項４０】
前記発光チップは、青色光を発生させる青色発光チップ及び緑色光を発生させる緑色発光チップを含み、
前記蛍光体は、前記青色発光チップ及び前記緑色発光チップから発生された青色光及び緑色光の少なくとも一部を赤色光に変換させる赤色蛍光体を含むことを特徴とする請求項３６記載の発光ダイオード。
【請求項４１】
導光板と、
前記導光板の側面に配置されて前記導光板に光を供給する少なくとも１つの発光ダイオードと、を備え、
前記発光ダイオードは、
ベース金属層と、前記ベース金属層の表面上に形成された光反射層と、前記光反射層の表面上に金属で形成された保護層と、を有するリードフレームと、
前記リードフレームに実装され、前記リードフレームを通じて印加される電源に反応して光を発生させる発光チップと、を含むバックライトユニット。
【請求項４２】
前記光反射層は、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）で形成されたことを特徴とする請求項４１記載のバックライトユニット。
【請求項４３】
前記保護層は、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、又はチタニウム（Ｔｉ）形成されたことを特徴とする請求項４１記載のバックライトユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード及びこれを有するバックライトユニットに関し、より詳細には、高反射率及び高信頼性を有するリードフレームを通じて発光効率を向上させることができる発光ダイオード及びこれを有するバックライトユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、発光ダイオード（ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ；ＬＥＤ）は、化合物半導体の特性を用いて電気信号を光に変換させて出力することに使用される半導体素子の一種であって、発光効率が高く、寿命が長く、消費電力が低く、親環境的であるという多くの長所を有しているので、発光ダイオードを用いる技術分野が漸次増加している趨勢である。
【０００３】
このような発光ダイオードは、通常、発光チップがリードフレームに搭載されたパッケージの構造で製作され、リードフレームを通じて外部から印加される電源に反応して発光チップが発光動作を行うように構成される。
【０００４】
従来の発光ダイオードは、反射率を向上させるために、主に銀メッキされたリードフレームを使用したが、銀メッキされたリードフレームは湿気や熱に弱いため、長時間駆動した場合、腐食や変色等による光度低下及び寿命低下が発生するという問題がある。又、腐食問題を改善するために、銀メッキの代わりに金メッキしたリードフレームが開発されたが、金の反射率が非常に低いので、発光ダイオードの光効率を低下させるという問題が発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１６８２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記のような問題点を勘案したものであり、一つの目的は、高い反射率を維持しつつ腐食に強いリードフレームを提供することである。
【０００７】
本発明の他の目的は、前記したリードフレームを用いて発光効率を向上させることができる発光ダイオードを提供することである。
【０００８】
本発明の更に他の目的は、前記した発光ダイオードを有するバックライトユニットを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一特徴によるリードフレームは、ベース金属層、前記ベース金属層の表面上に形成された反射層、及び前記反射層の表面上に金属で形成された保護層を含む。前記反射層は、銀（Ａｇ）及びアルミニウム（Ａｌ）のうちから選択されたいずれか１つを含む。前記保護層は、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びチタニウム（Ｔｉ）のうちから選択されたいずれか１つを含む。
【００１０】
前記保護層が金で形成された場合、前記保護層は６００ｎｍ以下の厚さに形成することができる。前記保護層がニッケル又はチタニウムで形成された場合、前記保護層は２０ｎｍ以下の厚さに形成することができる。
【００１１】
前記リードフレームは、前記ベース金属層と前記反射層との間に形成されたニッケル層を更に含むことができる。
【００１２】
本発明の一特徴による発光ダイオードは、光を発生させる発光チップ、前記発光チップが実装される金属部材、及び前記金属部材と結合され前記金属部材を固定させ、前記発光チップ及び前記金属部材の少なくとも一部を露出させる開口部が形成されたハウジングを含む。前記金属部材は、ベース金属層、前記ベース金属層の表面上に形成された反射層及び前記反射層の表面上に金属で形成された保護層を含む。前記反射層は、銀（Ａｇ）及びアルミニウム（Ａｌ）のうちから選択されたいずれか１つを含むことができる。前記保護層は、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びチタニウム（Ｔｉ）のうちから選択されたいずれか１つを含むことができる。前記保護層が金で形成された場合、前記保護層は６００ｎｍ以下の厚さに形成することができる。前記保護層がニッケル又はチタニウムで形成された場合、前記保護層は２０ｎｍ以下の厚さに形成することができる。前記金属部材は、前記ベース金属層と前記反射層との間に形成されたニッケル層を更に含むことができる。
【００１３】
一実施例として、前記金属部材は、前記発光チップから発生された熱を放出するためのスラグからなる。この際、前記発光ダイオードは、前記発光チップに電源を印加するためのリードフレームを更に含むことができる。
【００１４】
他の実施例として、前記金属部材は、前記発光チップに電源を印加するためのリードフレームからなる。
【００１５】
一例実施例として、前記リードフレームは、前記発光チップが実装されるチップ実装部及び前記チップ実装部で折り曲げられて形成された少なくとも１つの反射面を含む第１リード端子、及び前記第１リード端子から離隔した第２リード端子を含む。前記第１リード端子は、前記チップ実装部から折り曲げられて形成された段差部及び前記チップ実装部と前記段差部との間で前記反射面を形成する第１傾斜面を含むことができる。前記第１リード端子は、前記チップ実装部から折り曲げられて形成され、前記第１傾斜面に対向して位置する第２傾斜面を更に含むことができる。前記第１リード端子は、前記チップ実装部から折り曲げられて形成され、前記第１及び第２傾斜面と隣接する第３及び第４傾斜面を更に含むことができる。又、前記第１リード端子は、前記チップ実装部で上側に対向するように折り曲げられて前記反射面を形成する第１翼部を含むことができる。前記第２リード端子は、ワイヤボンディング部及び前記ワイヤボンディング部で上側に対向するように折り曲げられて前記第１翼部と平行に配置される第２翼部を含むことができる。前記第１翼部及び前記第２翼部のうち少なくとも１つは、前記チップ実装部及び前記ワイヤボンディング部から離れるほど幅が広くなるように形成することができる。前記ハウジングは、前記第１翼部及び前記第２翼部の外面を覆うように形成することができる。一方、前記第１翼部及び前記第２翼部の外面のうち少なくとも一部は、外部に露出することができる。
【００１６】
他の実施例として、前記リードフレームは、前記発光チップが実装されるチップ実装部、前記チップ実装部から前記ハウジングの外部に延長される第１外部リード部、及び前記チップ実装部から延長された第１翼部を含む第１リード端子と、前記第１リード端子と離隔し、ワイヤボンディング部、前記ワイヤボンディング部から前記ハウジングの外部に延長される第２外部リード部、及び前記ワイヤボンディング部から延長された第２翼部を含む第２リード端子と、を含むことができる。前記第１翼部及び前記第２翼部は、前記チップ実装部及び前記ワイヤボンディング部からそれぞれ折り曲げられて前記チップ実装部の両側にそれぞれ配置される。前記第１翼部は、前記第２リード端子の前記ワイヤボンディング部の側面に延長するように形成することができる。前記第１翼部及び前記第２翼部のうち少なくとも１つは、前記チップ実装部から離れるほど幅が広くなるように形成することができる。前記ハウジングは、前記第１翼部及び前記第２翼部の外面を覆うように形成することができる。一方、前記第１翼部及び前記第２翼部の外面のうち少なくとも一部は外部に露出するように形成することができる。
【００１７】
更に他の実施例として、前記リードフレームは互いに隣接する凹部を具備するが、前記陥凹部が前記発光チップが実装される１つのカップを形成する第１リード端子及び第２リード端子を含む。前記第１リード端子及び前記第２リード端子は、前記陥凹部のそれぞれから前記ハウジングの外側に延長された翼部を含む。前記第１リード端子及び前記第２リード端子は、前記陥凹部の底面から傾斜するように延長され前記翼部と連結される傾斜面を含むことができる。
【００１８】
前記発光ダイオードは、前記ハウジングの開口部の内壁に形成されるリフレクタを更に含むことができる。前記リフレクタは、前記金属部材と同一の材質で形成される。前記リフレクタは、前記ハウジングの開口部の内側面に接して位置する中空形の反射部及び前記反射部から延長され前記ハウジングの外部に露出する放熱部を含むことができる。
【００１９】
前記ハウジングは、ワイヤボンディング領域を露出させるために、前記開口部と隣接した領域の一部が陥入するように形成された少なくとも１つの切開部を含むことができる。
【００２０】
前記発光ダイオードは、前記発光チップを覆うように前記ハウジングの開口部内に満たされ、前記発光チップから発生される光の少なくとも一部を他の波長の光に変換させるための蛍光体を含む封止剤を更に含むことができる。
【００２１】
白色光を具現するために、前記発光チップは、青色光を発生させる青色チップを含み、前記蛍光体は、前記青色チップから発生された青色光の少なくとも一部を黄色光に変換させる黄色蛍光体を含むことができる。これと異なり、前記発光チップは、青色光を発生させる青色チップを含み、前記蛍光体は、前記青色チップから発生された青色光の少なくとも一部を赤色光及び緑色光にそれぞれ変換させる赤色蛍光体及び緑色蛍光体を含むことができる。又、前記発光チップは、青色光を発生させる青色チップ及び赤色光を発生させる赤色チップを含み、前記蛍光体は、前記青色チップ及び前記赤色チップから発生された青色光及び赤色光の少なくとも一部を緑色光に変換させる緑色蛍光体を含むことができる。又、前記発光チップは、青色光を発生させる青色チップ及び緑色光を発生させる緑色チップを含み、前記蛍光体は、前記青色チップ及び前記緑色チップから発生された青色光及び緑色光の少なくとも一部を赤色光に変換させる赤色蛍光体を含むことができる。
【００２２】
本発明の一特徴によるバックライトユニットは、導光板、及び前記導光板の側面に配置され前記導光板に光を供給する少なくとも１つの発光ダイオードを備える。前記発光ダイオードは、リードフレーム及び発光チップを有する。前記リードフレームは、ベース金属層、前記ベース金属層の表面上に形成された反射層及び前記反射層の表面上に金属で形成された保護層を有する。前記発光チップは、前記リードフレームに実装され、前記リードフレームを通じて印加される電源に反応して光を発生させる。前記反射層は、銀（Ａｇ）及びアルミニウム（Ａｌ）のうちからいずれか１つを選択してもよい。前記保護層は、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、及びチタニウム（Ｔｉ）のうちからいずれか１つを選択してもよい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明のリードフレーム、発光ダイオード、及びこれを有するバックライトユニットによれば、発光ダイオードパッケージに使用される金属材質のリードフレーム、スラグ、又はリフレクタ等を使用することにおいて、銀又はアルミニウムで形成された反射層上に金、ニッケル、又はチタニウムで形成された保護層を薄い厚さに形成することにより、反射率を一定水準以上に維持しつつ腐食及び変色などの不良発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施の形態に係る発光ダイオードを示す平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面図である。
【図３】図２に図示されたリードフレームを具体的に示す拡大図である。
【図４】金で形成された光反射層の厚さ変化による発光ダイオードパッケージの光効率を示すグラフである。
【図５】ニッケル又はチタニウムで形成された保護層の厚さによる光透過率を示すグラフである。
【図６】本発明の他の実施の形態に係るリードフレームを示す図である。
【図７】本発明の他の実施の形態に係る発光ダイオードを示す断面図である。
【図８】本発明の他の実施の形態に係る発光ダイオードを透視して示す平面図である。
【図９】図８のＡ−Ａ’線に沿って切断した断面図である。
【図１０】図８のＢ−Ｂ’線に沿って切断した断面図である。
【図１１】図８のＣ−Ｃ’線に沿って切断した断面図である。
【図１２】本発明の一実施例に係る第１リード端子及び第２リード端子の製作過程を示す図である。
【図１３】本発明の他の実施例に係るリードフレームの形状を示す図である。
【図１４】本発明の他の実施例に係る発光ダイオードを示す平面図である。
【図１５】図１４のＢ−Ｂ線に沿って切断した断面図である。
【図１６】本発明の発光ダイオードに適用可能な第１リード端子の各種形状を示す図である。
【図１７】本発明の他の実施例に係る第１リード端子を示す図である。
【図１８】本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを説明するための概略図であり、（ａ）は発光ダイオードを示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線に沿って切断した断面図、（ｃ）は（ａ）のＤ−Ｄ線に沿って切断した断面図である。
【図１９】図１８に図示された第１リード端子及び第２リード端子の製作過程を示す図である。
【図２０】他の実施例に係る第１リード端子及び第２リード端子の製作過程を示す図である。
【図２１】本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを説明するための概略図であり、（ａ）は発光ダイオードを示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線に沿って切断した断面図、（ｃ）は（ａ）のＤ−Ｄ線に沿って切断した断面図である。
【図２２】本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを説明するための概略図であり、（ａ）は発光ダイオードを示す平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線に沿って切断した断面図、（ｃ）は（ａ）のＤ−Ｄ線に沿って切断した断面図である。
【図２３】本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを示す斜視図である。
【図２４】図２３に図示された発光ダイオードの断面図であり、（ａ）は図２３のＣ−Ｃ線に沿って切断した断面図、（ｂ）は（ａ）に図示されたＡ部分の拡大図である。
【図２５】（ａ）は本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）に図示されたＡ部分の拡大図である。
【図２６】本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを示す斜視図である。
【図２７】図２６に図示された発光ダイオードの平面図である。
【図２８】図２７のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【図２９】本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを示す平面図である。
【図３０】図２９のＡ−Ａ線に沿って切断された発光ダイオードを示す断面図である。
【図３１】本発明の一実施の形態に係るバックライトユニットを示す分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施の形態をより詳細に説明する。
【００２６】
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の一実施の形態に係る発光ダイオードを示す平面図であり、図２は、図１のＩ−Ｉ’線に沿って切断した断面図であり、図３は、図２に図示されたリードフレームを具体的に示す拡大図である。
【００２７】
図１、図２、及び図３を参照すると、本発明の一実施の形態に係る発光ダイオード１００は、発光チップ１１０、発光チップ１１０が実装される金属部材１２０、及び金属部材１２０と結合され金属部材１２０を固定させるハウジング１３０を含む。又、発光ダイオード１００は、発光チップ１１０と金属部材１２０とを電気的に連結するための第１及び第２導電性ワイヤ１４０、１５０とハウジング１３０の開口部１３２内に満たされる封止剤１６０を更に含むようにしてもよい。
【００２８】
本実施の形態において、発光チップ１１０が実装される金属部材１２０は、発光チップ１１０に電源を印加するためのリードフレームで構成される。説明の便宜のため、図１では、リードフレームに金属部材１２０と同じ符号を付与して説明する。
【００２９】
リードフレーム１２０は、発光チップ１１０を支持し、発光チップ１１０の発光に必要な電源の印加を外部から受けて発光チップ１１０に供給する。
【００３０】
リードフレーム１２０は、所定間隔だけ離隔して電気的に互いに分離された第１リード端子１２２及び第２リード端子１２４を含むようにしもよい。発光チップ１１０は、例えば、第１リード端子１２２に実装される。
【００３１】
第１リード端子１２２は、第１導電性ワイヤ１４０を通じて発光チップ１１０と電気的に連結され、第２リード端子１２４は、第２導電性ワイヤ１５０を通じて発光チップ１１０と電気的に連結される。一方、第１リード端子１２２は、導電性接着剤（図示せず）を介して発光チップ１１０の下部面と電気的に連結される。第１リード端子１２２及び第２リード端子１２４の一部分は、外部の回路基板と電気的に連結するためにハウジング１３０の外部に露出する。
【００３２】
図３に示すように、リードフレーム１２０は、ベース金属層１２０ａ、ベース金属層１２０ａの表面上に形成された光反射層１２０ｂ、及び光反射層１２０ｂの表面上に金属で形成された保護層１２０ｃを含む。
【００３３】
ベース金属層１２０ａは、伝導性及び加工性に優れた金属で形成される。例えば、ベース金属層１２０ａは、銅（Ｃｕ）、又は、銅に亜鉛（Ｚｎ）又は鉄（Ｆｅ）等が混合された銅合金で形成される。ベース金属層１２０ａは、例えば、約０．１〜１．０ｍｍの厚さに形成される。
【００３４】
光反射層１２０ｂは、リードフレーム１２０の光反射率を向上させるために、ベース金属層１２０ａの表面上に光反射率が高い金属で形成される。例えば、光反射層１２０ｂは、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）で形成される。光反射層１２０ｂは、メッキ等の方法を用いてベース金属層１２０ａの表面上に形成される。光反射層１２０ｂの厚さが厚いほど光反射率は高くなるが、材料費が上昇する虞があるので、光反射率と材料費を考慮して適正な厚さに形成することが好ましい。例えば、光反射層１２０ｂは、ベース金属層１２０ａの表面上に約１〜５０μｍの厚さに形成される。
【００３５】
保護層１２０ｃは、リードフレーム１２０の腐食から光反射層１２０ｂを保護するため、光反射層１２０ｂの表面上に形成される。ベース金属層１２０ａの表面上に形成された光反射層１２０ｂは光反射率は高いが、高温、高湿に弱くて腐食及び変色がよく生ずるので、腐食及び変色を防止するために光反射層１２０ｂの表面上に保護層１２０ｃが形成される。
【００３６】
保護層１２０ｃは、光反射層１２０ｂより反射率は低いが、拡散防止（ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ  ｂａｒｒｉｅｒ）特性が優れた金属で形成される。例えば、保護層１２０ｃは、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、又はチタニウム（Ｔｉ）で形成される。金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、又はチタニウム（Ｔｉ）で形成された保護層１２０ｃは、メッキ工程を用いて形成される。メッキ工程を行う場合、金属イオンを提供する溶液を直接電解メッキするか、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、又はチタニウム（Ｔｉ）イオンを提供する電解溶液をジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ：ｄｉｍｅｔｙｌａｍｉｎｂｏｒａｎ）又はＥＤＴＡ標準溶液のような還元剤と腐食防止剤を適当に混合して無電解メッキを実施して、金、ニッケル、又はチタニウム膜を得ることができる。これと異なり、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、又はチタニウム（Ｔｉ）からなる保護層１２０ｃは、スパッタリング法を用いて形成することができる。
【００３７】
保護層１２０ｃの厚さが厚いほど光反射層１２０ｂを化学的攻撃から保護する機能は強くなるが、発光ダイオード１００の光度が低下し、保護層１２０ｃの厚さが薄いほど光度は増加するが、製造が容易ではなく、保護膜としての機能が弱くなる可能性がある。従って、保護層１２０ｃは、高反射率と酸化防止膜としての機能を同時に備える最適の厚さを選択することが好ましい。
【００３８】
図４は、金で形成された保護層の厚さ変化による発光ダイオードパッケージの光効率を示すグラフである。図４において、ｙ軸であるパッケージ光効率では、銀で形成された反射層上に金で形成された保護層を形成しないリードフレームを使用したパッケージの光効率を１００％と仮定した場合、銀で形成された反射層上に金で形成された保護層が形成されたリードフレームを使用したパッケージの光効率の比率を示す。又、図４において、光反射層の厚さは約３μｍに固定されている。
【００３９】
図３及び図４を参照すると、約３μｍ厚さの光反射層１２０ｂ上に金で形成された保護層１２０ｃを約２ｎｍ以下の厚みに形成すると、約９０％の光効率が得られ、保護層１２０ｃを約２００ｎｍの厚さに形成すると、約８５％の光効率が得られ、保護層１２０ｃを約３００ｎｍの厚さに形成すると、約８３％の光効率が得られ、保護層１２０ｃを約６００ｎｍの厚さに形成すると、約７５％の光効率が得られることが確認できた。保護層１２０ｃを約６４０ｎｍの厚さに形成すると、約７０％の光効率が得られ、保護層１２０ｃを約７００ｎｍの厚みに形成すると、約６０％の光効率が得られる。よって、保護層１２０ｃを約６００ｎｍ以上の厚さに形成すると、リードフレーム１２０の光効率が本来金の光効率である約６０％に急激に低下することが確認できた。
【００４０】
従って、光反射層１２０ｂ上に形成される金の保護層１２０ｃの厚さを、光反射層１２０ｂの腐食を防止することができる最小厚さである約０．１ｎｍ以上に形成し、光効率を一定水準以上に維持することができる最大厚さである約６００ｎｍ以下の厚さに形成することにより、反射層１２０ｂの腐食を防止すると共に、発光ダイオード１００のパッケージ光効率を約７５％以上に維持させることができる。
【００４１】
図５は、ニッケル（Ｎｉ）又はチタニウム（Ｔｉ）で形成された保護層の厚さによる光透過率を示すグラフである。
【００４２】
図３及び図５を参照すると、保護層１２０ｃを透過した光は、光反射率が高い光反射層１２０ｂで反射されるので、保護層１２０ｃの光透過率が高いほどリードフレーム１２０の光反射率は高くなる。保護層１２０ｃとして使用されたニッケル（Ｎｉ）層又はチタニウム（Ｔｉ）層の厚さが増加するほど光透過率が低下するが、ニッケル（Ｎｉ）層又はチタニウム（Ｔｉ）層が約２０ｎｍの厚さでも約１０％以上の光透過率が得られることが確認できた。保護層１２０ｃの厚さが増加するほどリードフレーム１２０の光反射率は低下するが、保護層１２０ｃの保護機能は良くなるので、保護層１２０ｃが腐食及び変色しなければ、光反射層１２０ｂの光反射率を向上することができる。
【００４３】
従って、光反射層１２０ｂ上に形成されるニッケル（Ｎｉ）又はチタニウム（Ｔｉ）の保護層１２０ｃの厚さを、光反射層１２０ｂを腐食から保護することができる最小厚さである約０．１ｎｍ以上に形成し、光反射層１２０ｂの光透過率を一定水準以上に維持することができる保護層１２０ｃの厚さを最大厚さである約２０ｎｍ以下に形成することにより、光反射層１２０ｂを腐食及び変色から防止すると共に、リードフレーム１２０の光反射率の低下を減少させることができる。
【００４４】
光反射層１２０ｂ及び保護層１２０ｃは、リードフレーム１２０の両面全部に全体的に形成するか、一面又は必要な部分にのみ形成することもできる。
【００４５】
図６は、本発明の他の実施例に係るリードフレームの断面を示す図である。図６において、ニッケル層が追加されることを除いた残りの構成は、図３に図示されたリードフレームと同じなので、同じ構成要素には同じ参照符号を付与して、その重複説明は省略する。
【００４６】
図６を参照すると、リードフレーム１２０は、ベース金属層１２０ａと光反射層１２０ｂとの間に形成されたニッケル層１２０ｄを更に含むことができる。このように、ベース金属層１２０ａの上にニッケル層１２０ｄを形成し、次いで、ニッケル層１２０ｄの上に光反射層１２０ｂ及び保護層１２０ｃを順に形成しても、図３と同様の光反射率を得ることができる。このように、銀（Ａｇ）等の光反射層１２０ｂより材料費が安いニッケル層１２０ｄを形成することにより、光反射層１２０ｂの厚みを減少させて製造コストを低減することができる。
【００４７】
図１及び図２を再度参照すると、発光チップ１１０はリードフレーム１２０に実装され、リードフレーム１２０を通じて印加される電源に反応して光を発生させる。例えば、発光チップ１１０は第１リード端子１２２に実装され、第１導電性ワイヤ１４０及び第２導電性ワイヤ１５０を通じて第１リード端子１２２及び第２リード端子１２４とそれぞれ電気的に接続される。発光チップ１１０は、例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）、窒化ガリウムヒ素（ＧａＡｓＮ）、又は窒化インジウム（ＩＮ）等のような半導体物質で製造される。発光チップ１１０は、その用途によって多様な波長帯の光を発生させる半導体材料を用いることができる。例えば、発光チップ１１０は、青色光、赤色光、黄色光、又は紫外線波長帯の光を発生させることができる。
【００４８】
ハウジング１３０は、リードフレーム１２０と結合されリードフレーム１２０を固定させる。即ち、ハウジング１３０は、第１リード端子１２２及び第２リード端子１２４の少なくとも一部分は囲むように形成され、第１リード端子１２２及び第２リード端子１２４の位置を固定させる。ハウジング１３０は、例えば、ポリフタルアミド（Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍｉｄｅ：ＰＰＡ）樹脂等で形成される。
【００４９】
ハウジング１３０には、発光チップ１１０及び発光チップ１１０が実装されたリードフレーム１２０の一部領域を露出させるための開口部１３２が形成される。開口部１３２は、リードフレーム１２０と隣接した下部から上部に行くほど開口面積が広くなる漏斗形状に形成される。従って、開口部１３２に応じてハウジング１３０の内面は一定の角度で傾いた傾斜面で形成され、内面には光反射層が形成される。
【００５０】
封止剤１６０は、発光チップ１１０を覆うようにハウジング１３０の開口部１３２の内部に満たされる。封止剤１６０は、発光チップ１１０を外部から保護するためのもので、例えば、透明なエポキシ又はシリコン樹脂で形成される。封止剤１６０内には、発光チップ１１０から発生された光の波長を変換させるための蛍光体１６２が含まれる。例えば、封止剤１６０内には、赤色、緑色、及び青色蛍光体のうち、いずれか１つ以上が含まれ、白色光等の所望する色相の光を発生させることができる。
【００５１】
発光ダイオード１００は、発光チップ１１０と蛍光体１６２の組合せにより白色光を発生させることができる。
【００５２】
一実施例として、発光チップ１１０は青色光を発生させる青色発光チップで形成され、蛍光体１６２は、青色発光チップから発生された青色光の少なくとも一部を黄色光に変換させて白色光を発生させる黄色蛍光体で形成される。発光チップ１１０により発生される青色光は、約４３０ｎｍ〜４７０ｎｍの範囲の波長を有することができ、例えば、窒化インジウム・ガリウム（ＩｎＧａＮ）半導体で形成される。黄色蛍光体は、青色発光チップから発生された青色光の一部によって励起され黄色光を発生する。黄色蛍光体は、例えば、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（Ｙｔｔｒｉｕｍ  Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ｇａｒｎｅｔ（Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２；以下、「ＹＡＧ」と称する））系列、シリケート（Ｓｉｌｉｃａｔｅ）系列、又はＴＡＧ系列の蛍光物質を含むことができる。従って、発光ダイオード１００は、青色発光チップから発生された青色光と、黄色蛍光体から発生された黄色光が互いに混合されて白色光を発生することになる。
【００５３】
他の実施例として、発光チップ１１０は青色光を発生させる青色発光チップで形成され、蛍光体１６２は、青色発光チップから発生された青色光の少なくとも一部を赤色光及び緑色光にそれぞれ変換させる赤色蛍光体及び緑色蛍光体を含むようにしてもよい。赤色蛍光体は、例えば、ＳｒＳ：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｃａ）Ｓ：Ｅｕ、ＣａＳ：Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｃａ）ＧｅＳ：Ｅｕ、及びＣａＡｌＳｉＮ３等と同様の結晶構造を有する無機物質又は固溶体で形成される。緑色蛍光体は、例えば、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ及び（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ等で形成される。従って、発光ダイオード１００は、青色発光チップから発生された青色光と、赤色蛍光体から発生された赤色光と、緑色蛍光体から放出された緑色光が互いに混合されて白色光を発生することになる。上述のように、青色発光チップからなる発光チップ１１０と、赤色蛍光体及び緑色蛍光体を用いて白色光を発生させる場合、約８５の色再現性を有する青色発光チップと黄色蛍光体を用いることにより発生される白色光の比率は約２０％改善され、色再現性の範囲は約９０％から約１１０％に拡大される。
【００５４】
更に他の実施例として、発光ダイオード１００は、互いに異なる色の光を発生させる２つの発光チップ１１０と１種類の蛍光体１６２を含ませてもよい。例えば、発光チップ１１０は、青色光を発生させる青色発光チップ及び赤色光を発生させる赤色発光チップを含み、蛍光体１６２は、青色発光チップ及び赤色発光チップから発生された青色光及び赤色光の少なくとも一部を緑色光に変換させる緑色蛍光体を含ませてもよい。これと異なり、２つの発光チップ１１０は、青色光を発生させる青色発光チップ及び緑色光を発生させる緑色発光チップを含み、蛍光体１６２は青色発光チップ及び緑色発光チップから発生された青色光及び緑色光の少なくとも一部を赤色光に変換させる赤色蛍光体を含ませてもよい。
【００５５】
上述のような構成を有する発光ダイオード１００によると、発光チップ１１０又は蛍光体１６２から発生される下部方向に向かう光は、リードフレーム１２０によって反射されて上部方向に向かうことになる。この際、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）で形成された光反射層１２０ｂ上に金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、又はチタニウム（Ｔｉ）で形成された保護層１２０ｃを含むリードフレーム１２０を使用することにより、リードフレーム１２０の光反射率を一定水準以上に維持しつつ腐食及び変色を抑制することができる。
【００５６】
リードフレーム１２０は、トップ型（ｔｏｐ  ｖｉｅｗ）パッケージ、側面発光型（ｓｉｄｅ  ｖｉｅｗ）パッケージ、ランプ型パッケージ、チップ型パッケージ等の多様なモデルに適用することができる。
【００５７】
図７は、本発明の他の実施の形態に係る発光ダイオードを示す断面図である。
【００５８】
図７を参照すると、本発明の他の実施の形態に係る発光ダイオード２００は、発光チップ１１０、発光チップ１１０が実装される金属部材２２０、発光チップ１１０に電源を印加するためのリードフレーム１２０、及び金属部材２２０とリードフレーム１２０を固定させるハウジング１３０を含む。発光ダイオード２００は、発光チップ１１０とリードフレーム１２０とを電気的に接続するための第１及び第２導電性ワイヤ１４０、１５０と、発光チップ１１０を覆うように形成された封止剤１６０を更に含めてもよい。
【００５９】
本実施例において、発光チップ１１０が実装される金属部材２２０は、発光チップ１１０から発生された熱を放出するためのスラグで構成される。説明の便宜のため、スラグに金属部材２２０と同じ符号を用いる。又、スラグ２２０を除いた残り構成要素は、図１及び図２に図示されたものと同様の構成を有するので、同じ符号を使用して、その重複説明は省略する。
【００６０】
スラグ２２０は、ハウジング１３０の中央部に配置され、その上部には発光チップ１１０が実装され、その下部は熱放出効率を向上させるためにハウジング１３０の外部に露出される。
【００６１】
スラグ２２０は、高い光反射率を維持しつつ腐食及び変色から光反射層１２０ｂを防止するために、図３に図示されたリードフレーム１２０と同様に、ベース金属層１２０ａ、ベース金属層１２０ａの表面上に形成された光反射層１２０ｂ、及び光反射層１２０ｂの表面上に金属で形成された保護層１２０ｃを含む。例えば、光反射層１２０ｂは、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）で形成され、保護層１２０ｃは、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、又はチタニウム（Ｔｉ）で形成される。このように、スラグ２２０は、形状を除いて、図３に示したリードフレーム１２０と実質的に同じなので、これと関連した詳細な説明は省略する。
【００６２】
図８は、本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードの部分を示す平面図であり、図９は、図８のＡ−Ａ’線に沿って切断した断面図であり、図１０は、図８のＢ−Ｂ’線に沿って切断した断面図であり、図１１は、図８のＣ−Ｃ’線に沿って切断した断面図である。
【００６３】
図８乃至図１１を参照すると、本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードは、第１リード端子２１及び第２リード端子２３で構成されたリードフレームを含む。第１リード端子２１及び第２リード端子２３は、例えば、図３に示すように、ベース金属層、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）からなり、ベース金属層上に形成される光反射層、及び金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）又はチタニウム（Ｔｉ）からなり、光反射層上に形成される保護層を含めてもよい。
【００６４】
第１リード端子２１は、発光チップ２７が実装されるチップ実装部２１ａ、チップ実装部２１ａからハウジング２５の外部に延長される第１外部リード部２１ｂ、及びチップ実装部２１ａから延長された第１翼部２１ｃを含む。第２リード端子２３は、ワイヤボンディング部２３ａ、ワイヤボンディング部２３ａからハウジング２５の外部に延長される第２外部リード部２３ｂ、及びワイヤボンディング部２３ａから延長された第２翼部２３ｃを含む。第１リード端子２１と第２リード端子２３は、互いに離隔して電気的に分離される。第１翼部２１ｃ及び第２翼部２３ｃは、チップ実装部２１ａ及びワイヤボンディング部２３ａからそれぞれ折り曲げられて、チップ実装部２１ａの両側にそれぞれ配置され両側光反射面を形成する。第１翼部２１ｃ及び第２翼部２３ｃは、チップ実装部２１ａを中心として互いに対向して平行に配置される。
【００６５】
第１翼部２１ｃは、第２リード端子２３のワイヤボンディング部２３ｃの側面に隣接して延長して配置される。図８に示すように、第１翼部２１ｃは第２翼部２３ｃより広い幅を有するが、これに限定されるものではなく、第１翼部２１ｃは第２翼部２３ｃの幅と同等、又は、第２翼部２３ｃの幅より狭い幅を有してもよい。例えば、第２翼部２３ｃは、第１外部リード端子２１に接続されるチップ実装部２１ａ内で第１外部リード部２１ｂの部分まで延長してもよく、これによって第２翼部２３ｃは第１翼部２１ｃと同じ幅を有するか、より広い幅を有することもできる。
【００６６】
第１翼部２１ｃ及び第２翼部２３ｃは、チップ実装部２１ａ及びワイヤボンディング部２３ａからそれぞれ折り曲げられた構造を有する。第１翼部２１ｃ及び第２翼部２３ｃによって形成された光反射面は、チップ実装部２１ａに対して一定の傾斜角を有するように形成されるか、又は、チップ実装部２１ａに対して垂直に形成してもよい。このような第１翼部２１ｃ及び第２翼部２３ｃは、リードフレームから折り曲げて形成されるが、これに限定されず、例えば、プレス加工方法又は溶接法等の多様な方法で形成してもよい。
【００６７】
ハウジング２５は、第１リード端子２１及び第２リード端子２３と結合され、それらを支持する。ハウジング２５は、モールディング法で形成される。詳細には、第１リード端子２１及び第２リード端子２３は、モールディング・キャスト内に挿入され、モールディング樹脂は、ハウジング２５を形成するためにモールディング・キャスト内に注入される。ハウジング２５は、チップ実装部２１ａ及びワイヤボンディング部２３ａの下部面を覆う。又、ハウジング２５は、第１翼部２１ｃ及び第２翼部２３ｃの外面を覆うことができる。第１翼部２１ｃ及び第２翼部２３ｃの外面は、ハウジング２５によって完全に覆われるが、これに限定されず、第１翼部２１ｃ及び第２翼部２３ｃの外面の部分のうち少なくとも一部を外部に露出させるようにしてもよい。
【００６８】
ハウジング２５は、第１翼部２１ｃ及び第２翼部２３ｃとともに開口部の内壁を形成する。特に、ハウジング２５は、第１翼部２１ｃ及び第２翼部２３ｃによって形成される両側光反射面に対して実質的に直交する両側面開口部の内壁２５ｗを形成する。内壁２５ｗは傾斜するように形成してもよい。チップ実装部２１ａ及びワイヤボンディング部２３ａは、記開口部の底面を形成する。
【００６９】
第１リード端子２１及び第２リード端子２３は、外部電源に電気的に接続されるために、それぞれハウジング２５の外部に突出された第１外部リード部２１ｂ及び第２外部リード部２３ｂを含む。第１外部リード部２１ｂ及び第２外部リード部２３ｂは、多様な形状を有することができ、多様な形状に折り曲げることができる。
【００７０】
発光チップ２７は、第１リード端子２１のチップ実装部２１ａに実装され、第１導電性ワイヤ２９ａを介して第２リード端子２３のワイヤボンディング部２３ａに電気的に接続される。一方、発光チップ２７は、第２導電性ワイヤ２９ｂを介して第１リード端子２１と電気的に接続されるか、又は、導電性接着剤を介して第１リード端子２１に電気的に接続される。
【００７１】
蛍光体を含む封止剤（図示せず）は、発光チップ２７を覆うようにハウジング２５の開口内部に充填されてコーティングされる。蛍光体を含む封止剤のコーティングについては、図２を参照して既に説明したので、その重複説明は省略する。
【００７２】
本実施例によると、第１リード端子２１の第１翼部２１ｃ及び第２リード端子２３の第２翼部２３ｃは、開口部内壁の光反射率を向上させるように、開口部の２つの内壁を形成する。特に、長い形状の開口部を有する側面発光型ダイオードにおいて、第１翼部２１ｃ及び第２翼部２３ｃは、第１翼部２１ｃ及び第２翼部２３ｃにより形成された光反射面の領域を増加させるように、開口部の主軸方向（長軸方向）に沿って配置される。さらに、第１翼部２１ｃ及び第２翼部２３ｃは、ハウジング２５が変色することを防止するために、ハウジング２５に入射する光を反射する。又、第２翼部２３ｃで吸収され変換された熱は、第２リード端子２３を通じて外部に放出することができる。従って、第２リード端子２３も第１リード端子２１と同様に熱を放出するため、発光ダイオードの熱放出容量を向上させることができる。
【００７３】
図１２は、本発明の一実施例に係る第１リード端子及び第２リード端子の製作過程を示す平面図である。
【００７４】
図１２を参照すると、第１リード端子２１及び第２リード端子２３は、平らな金属板を打ち抜き加工して、互いに離隔して形成される。第１リード端子２１は、チップ実装部２１ａ、第１外部リード部２１ｂ、及び第１翼部２１ｃを含み、第１翼部２１ｃは点線Ｂに沿って上方に折り曲げられて第１光反射面を形成する。第２リード端子２３は、ワイヤボンディング部２３ａ、第２外部リード部２３ｂ、及び第２翼部２３ｃを含み、第２翼部２３ｃは、点線Ｂに沿って上方に折り曲げられて第２光反射面を形成する。第１翼部２１ｃは、第２リード端子２３のワイヤボンディング部２３ａの側面に沿って延長される。第２翼部２３ｃは、チップ実装部２１ａに隣接する領域に終端されるが、第２翼部２３ｃは、チップ実装部２１ａと第１外部リード部２１ｂが接続される領域まで延長するようにしてもよい。
【００７５】
第１リード端子２１及び第２リード端子２３は、鋳造法や溶接法を用いて製造するようにしてもよい。第１翼部２１ｃ及び第２翼部２３ｃを鋳造法や溶接法を用いて製造した場合、第１翼部２１ｃ及び第２翼部２３ｃを折り曲げる工程が省略される。
【００７６】
本実施例において、第１リード端子２１及び第２リード端子２３がそれぞれ四角形の第１翼部２１ｃ及び第２翼部２３ｃを有することを図示したが、これに限定されず、第１翼部２１ｃ及び第２翼部２３ｃの形状は、発光ダイオードのパッケージの形状に応じて多様な形状に調整するようにしてもよい。
【００７７】
図１３は、本発明の他の実施例に係るリードフレームの形状を示す平面図である。
【００７８】
図１３を参照すると、図１２を参照して説明したように、第１リード端子３１は、チップ実装部３１ａ、第１外部リード部３１ｂ、及び第１翼部３１ｃを含み、第２リード端子３３は、ワイヤボンディング部３３ａ、第２外部リード部３３ｂ、及び第２翼部３３ｃを含む。第１翼部３１ｃ及び第２翼部３３ｃのうち少なくとも１つは、チップ実装部３１ａから離れるほど幅が広くなるように形成される。第１翼部３１ｃ及び第２翼部３３ｃは、図９に示すように、開口部の内壁２５ｗが傾斜するように形成された場合、その光反射面の領域が増加するように、内壁２５ｗの形状に対応して傾斜面に対応して幅が広くなり、これによって開口部の両側面により広い反射面を形成することができる。
【００７９】
本実施例では、長い形状の開口部を有する側面型発光ダイオードのパッケージを例として図示及び説明したが、本実施例は、長い形状の開口部を有する側面型発光ダイオードに限定されず、プラスティックハウジング及びリードフレームを使用する多様な類型のパッケージ、例えば、リードフレームと、プラスチックのハウジングと、円形又は四角形の開口部等を有する様々なパッケージにも適用することができる。
【００８０】
図１４は、本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを示す平面図であり、図１５は、図１４のＢ−Ｂ線に沿って切断した断面図であり、図１６（ａ）〜（ｃ）は、発光ダイオードに適用可能な多様な第１リード端子の部分を示す斜視図であり、図１７は、本発明の他の実施例に係る第１リード端子の部分を示す斜視図である。
【００８１】
図１４及び図１５を参照すると、発光ダイオードは、第１リード端子５１及び第２リード端子５３を含む。第１リード端子５１及び第２リード端子５３は、図３に示すように、ベース金属層、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）からなる光反射層、及び金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）又はチタニウム（Ｔｉ）からなる保護層を含むようにしてもよい。
【００８２】
第１リード端子５１は、発光チップ５７が実装されるチップ実装部５１ｂ、チップ実装部５１ｂから折り曲げられて形成され、チップ実装部５１ｂの下側に配置された段差部５１ａ、及びチップ実装部５１ｂと段差部５１ａとの間に配置され光反射面を形成する第１傾斜面５１ｃを含む（図１６（ａ）参照）。第２リード端子５３は、第１リード端子５１から離隔して位置し、第１リード端子５１の段差部５１ａと同じ高さに配置される。
【００８３】
第１リード端子５１は、チップ実装部５１ｂから折り曲げられて形成され、第１傾斜面５１ｃに対向して配置されてチップ実装部５１ｂに接続される第２傾斜面５１ｄを更に含めてもよい（図１６（ｂ）参照）。又、第１リード端子５１は、第２傾斜面５１ｄから延長され、チップ実装部５１ｂと同じ高さで配置された端部５１ｅを更に含めてもよい（図１６（ｃ）参照）。
【００８４】
第１リード端子５１及び第２リード端子５３は、ハウジング５５によって支持される。便宜上、ハウジング５５は、第１リード端子５１の段差部５１ａ及び第２リード端子５３の上部及び下部に配置されて、上部ハウジング５５ａと下部ハウジング５５ｂに区分される。
【００８５】
ハウジング５５は、第１リード端子５１及び第２リード端子５３の一部を露出させる開口部５６を有する。開口部５６は、第１リード端子５１のチップ実装部５１ｂと、第１及び第２傾斜面５１ｃ、５１ｄと、第２リード端子５３の一部を露出する。更に、開口部５６は、第１リード端子５１の段差部５１ａの一部を露出させてもよい。
【００８６】
第１リード端子５１及び第２リード端子５３は、開口部５６内で互いに離隔して位置する。第１リード端子５１及び第２リード端子５３は、外部電源に電気的に接続するためにそれぞれハウジング５５の側壁を貫通して外部に延長される。ハウジング５５の外部に延長された第１リード端子５１及び第２リード端子５３は、多様な形状に折り曲げることができる。
【００８７】
第１リード端子５１のチップ実装部５１ｂは、下部ハウジング５５ｂ側に下がって配置させるため、開口部５６の底面に凹部が形成される。第１リード端子５１の第１傾斜面５１ｃは、開口部５６の主軸方向（長軸方向）を横切って、ハウジング５５の副軸方向（短軸方向）の内壁と接触するか、又は、内壁と接触する前に終端される。即ち、開口部５６によって露出した第１傾斜面５１ｃは、連続的でなく断続的である。従って、副軸方向（短軸方向）の指向性を変化させることなく、主軸方向（長軸方向）の光反射率を向上させることができ、主軸方向（長軸方向）と副軸方向（短軸方向）の光分布を個別に制御することが可能である。第１リード端子５１の第２傾斜面５１ｄも開口部５６の主軸方向（長軸方向）を横切って、ハウジング５５の副軸方向（短軸方向）の内壁と接触するか、又は、内壁と接触する前に終端される。第２傾斜面５１ｄは、第１傾斜面５１ｃと対称的に形成され、これによって対称性を有する光分布を得ることができる。
【００８８】
発光チップ５７は、チップ実装部５１ｂに実装され、導電性ワイヤ５９を介して第２リード端子５３と電気的に接続される。発光チップ５７から発生された光は、ハウジング５５の内壁５５ｗに到達する前に第１傾斜面５１ｃ及び第２傾斜面５１ｄで反射される。従って、発光チップ５７から発生された光の一部が光反射率を有する第１傾斜面５１ｃ及び第２傾斜面５１ｄで反射されるので、発光ダイオードの発光効率が向上される。又、ハウジング５５の内壁に直接入射される光量を減少させるので、ハウジング５５の内壁が変色されることを緩和させることができ、その結果、発光ダイオードの寿命を延長させることができる。
【００８９】
図１７を参照すると、副軸方向（短軸方向）の光反射率を向上させ、副軸方向（短軸方向）のハウジング５５の内壁の変色を防止するために、第１リード端子５１はチップ実装部５１ｂから開口部５６の副軸方向（短軸方向）の両側にそれぞれ沿って延長された翼部５１ｆを更に含めてもよい。チップ実装部５１ｂに接続される翼部５１ｆは、チップ実装部５１ｂから折り曲げられて第３及び第４傾斜面を形成する。又、翼部５１ｆは、第１及び第２傾斜面５１ｃ、５１ｄと離れて形成されているので、第１及び第２傾斜面５１ｃ、５１ｄの傾斜角と異なる傾斜角を有するように折り曲げることができ、副軸方向（短軸方向）の光反射特性と主軸方向（長軸方向）の光反射特性を個別に調節することができる。
【００９０】
蛍光体を含む封止剤６３は、発光チップ５７を封止するように形成される。封止剤６３は、蛍光体を含む透明樹脂をチップ実装部５１ｂの凹部内に充填してコーティングすることにより形成することができる。従って、凹部内に限定して凸形状を有する封止剤６３を形成することができる。蛍光体を含む封止剤６３のコーティングは、図２を参照して既に説明したので、その重複説明は省略する。
【００９１】
封止剤６３は、開口部５６を満たすこともでき、凹部内に封止剤６３を満たした後、開口部５６を透明なモールディング部６５で満たすこともできる。
【００９２】
図１８は、本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを説明するための概略図である。図１８において、（ａ）はパッケージ本体を透視して示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＣ−Ｃ線に沿って切断した断面図であり、（ｃ）は、（ａ）のＤ−Ｄ線に沿って切断した断面図であって、翼部は点線で示されている。
【００９３】
図１８（ａ）〜（ｃ）を参照すると、本発明の一実施例に係る発光ダイオードは、第１リード端子７１及び第２リード端子７３を含む。第１リード端子７１及び第２リード端子７３は、図３に示すように、ベース金属層、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）からなる光反射層、及び金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）又はチタニウム（Ｔｉ）からなる保護層を含めてもよい。
【００９４】
第１リード端子７１は、発光チップ７７が実装されるチップ実装部７１ａと、チップ実装部７１ａから上側に対向するように折り曲げられて延長されて光反射面を形成する第１翼部７１ｗと、を含む。第２リード端子７３は、ワイヤボンディング部７３ａと、ワイヤボンディング部７３ａから上側に対向するように折り曲げられて延長されて光反射面を形成する第２翼部７３ｗと、を含めてもよい。第１リード端子７１及び第２リード端子７３は、互いに離隔して配置され、第１翼部７１ｗ及び第２翼部７３ｗは互いに平行に配置されて光反射面を形成する。第１翼部７１ｗ及び第２翼部７３ｗは、図示するように、チップ実装部７１ａ及びワイヤボンディング部７３ａを中心にして対向しており、これによって対称性を有する光分布を得ることができる。しかし、これに限定されず、第１翼部７１ｗ及び第２翼部７３ｗは、それぞれ互いに異なる幅を有する非対称構造でも良い。
【００９５】
ハウジング７５は、第１リード端子７１及び第２リード端子７３と結合され、それらを支持する。ハウジング７５は、第１リード端子７１及び第２リード端子７３の下面を覆い、第１翼部７１ｗ及び第２翼部７３ｗの外面を封止する。ハウジング７５は、第１リード端子７１のチップ実装部７１ａと第２リード端子の７３のワイヤボンディング部７３ａとの間の間隙を満たし、第１翼部７１ｗと第２翼部７３ｗとの間の間隙を満たすことができる。又、ハウジング７５は、第１翼部７１ｗ及び第２翼部７３ｗの上面を覆うことができる。
【００９６】
第１リード端子７１及び第２リード端子７３は、外部電源に電気的に接続するために、それぞれハウジング７５の外部に延長される。外部に延長された第１リード端子７１及び第２リード端子７３は、多様な方法で多様な形状に折り曲げてもよい。
【００９７】
第１翼部７１ｗ及び第２翼部７３ｗは、互いに平行に配置されて光反射面を形成し、ハウジング７５は、第１翼部７１ｗ及び第２翼部７３ｗと共に開口部の内壁を形成する。ハウジング７５は、第１翼部７１ｗ及び第２翼部７３ｗによって形成された両側光反射面を結合する両側面の内壁７５ｗを有する。内壁７５ｗは、図１８（ｃ）に示すように、傾斜するように形成してもよい。
【００９８】
発光チップ７７は、第１リード端子７１のチップ実装部７１ａに実装され、導電性ワイヤ７９を介して第２リード端子７３に電気的に接続される。発光チップ７７は、２つの導電性ワイヤ７９を介して第１リード端子７１及び第２リード端子７３にそれぞれ接続され、導電性接着剤を介して第１リード端子７１に電気的に接続され、１つの導電性ワイヤ７９を介して第２リード端子７３に電気的に接続される。
【００９９】
本実施例によると、第１リード端子７１及び第２リード端子７３が開口部の底面及び両側面に配置されることにより、発光チップ７７から発生された光の反射効率を向上させることができる。特に、長い形状の開口部を有する側面型発光ダイオードにおいて、第１翼部７１ｗ及び第２翼部７３ｗが主軸方向（長軸方向）に沿って形成されることにより、光反射面の面積を拡大することができる。第１翼部７１ｗ及び第２翼部７３ｗは、ハウジング７５に入射される光を反射させることにより、光によってハウジング７５が変色されることを減少させる。又、第１翼部７１ｗ及び第２翼部７３ｗを通じて熱を放出するため、パッケージの放熱性能が向上する。更に、第１翼部７１ｗ及び第２翼部７３ｗの外面を囲むハウジング７５の厚みを減少させる場合、ハウジング７５を通じた熱放出が促進し、放熱性能がより向上する。
【０１００】
図１９は、図１８（ａ）〜（ｃ）に図示した第１リード端子及び第２リード端子の製作過程を示す平面図であり、図２０は、本発明の他の実施例に係る第１リード端子及び第２リード端子の製作過程を示す平面図である。
【０１０１】
図１９を参照すると、平らな金属板を打ち抜き、又は、プレス加工して、互いに離隔した第１リード端子７１及び第２リード端子７３を形成する。第１リード端子７１は、チップ実装部７１ａ及びチップ実装部７１ａから延長された第１翼部７１ａを含み、第２リード端子７３は、ワイヤボンディング部７３及びワイヤボンディング部７３から延長された第２翼部７３ｗを含む。第１翼部７１ｗ及び第２翼部７３ｗは、上方に折り曲げられることにより光反射面を形成する。
【０１０２】
本実施例において、第１リード端子７１及び第２リード端子７３は、それぞれ長方形の第１翼部７１ｗ及び第２翼部７３ｗを有すると図示したが、この形状に限定されない。
【０１０３】
図２０を参照すると、第１リード端子８１は、チップ実装部８１ａ及びチップ実装部８１ａに結合される第１翼部８１ａを含み、第２リード端子８３は、ワイヤボンディング部８３ａ及びワイヤボンディング部８３ａに結合される第２翼部８３ｗを含む。第１翼部８１ａ及び第２翼部８３ｗは、それぞれチップ実装部８１ａ及びワイヤボンディング部８３ａから離れるほど幅が広くなる。第１翼部８１ｗ及び第２翼部８３ｗは、傾斜する内壁７５ｗに応じて幅が広くなる。例えば、図１８に示すように、内壁７５ｗが傾斜するように形成された場合、長手方向に沿って光反射面の面積は拡大する。
【０１０４】
図２１は、本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを説明するための概略図である。図２１において、（ａ）はハウジングを透視して示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線に沿って切断した断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＤ−Ｄ線に沿って切断した断面図であり、翼部は点線で示されている。便宜上、発光チップと導電性ワイヤは省略した。
【０１０５】
図２１（ａ）〜（ｃ）を参照すると、本実施例に係る発光ダイオードは、図１８を参照して説明した発光ダイオードと殆ど同じ構成要素を有する。但し、第１翼部７１ｗ及び第２翼部７３ｗの外面がハウジング８５の外部に露出したことに差異がある。即ち、第１翼部７１ｗ及び第２翼部７３ｗの外面のうち少なくとも一部は外部に露出される。これによって、発光ダイオードから発生された熱は、第１翼部７１ｗ及び第２翼部７３ｗを通じて外部に放出することができ、放熱効率を向上させることができる。
【０１０６】
図２２は、本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを説明するための概略図である。図２２において、（ａ）はハウジングを透視して示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線に沿って切断した断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＤ−Ｄ線に沿って切断した断面図であり、翼部は点線で示されている。便宜上、発光チップと導電性ワイヤは省略した。
【０１０７】
図２２（ａ）〜（ｃ）を参照すると、本実施例に係る発光ダイオードは、図１８を参照して説明した発光ダイオードと殆ど同じ構成要素を有する。但し、第１リード端子９１のチップ実装部９１ａ、第２リード端子９３のワイヤボンディング部９３ａ、第１翼部９１ｗ、及び第２翼部９３ｗが図１８に示した構成要素に対して長く形成され、第１翼部９１ｗ及び第２翼部９３ｗがパッケージの両側面の大部分を占める。ハウジング９５は、第１リード端子９１及び第２リード端子９３の下面を覆い、それらの間の間隙を満たしてこれらを結合する。又、ハウジング９５は、第１翼部９１ｗ及び第２翼部９３ｗの端部を結合し、光反射面として機能する内壁９５ｗを形成することによって両側光反射面が形成される。内壁９５ｗは傾斜するように形成してもよい。
【０１０８】
本実施例によると、第１翼部９１ｗ及び第２翼部９３ｗの幅は、ハウジング９５の幅に応じて増加することにより、放熱効率をより向上させることができる。
【０１０９】
前述した実施例では、長い形状の開口部を有する側面型発光ダイオードのパッケージを例として図示及び説明したが、本実施例は側面型発光ダイオードのパッケージに限定されず、プラスティックハウジング、円形又は四角形の開口部等を有する多様な発光ダイオードのパッケージにも適用することができる。
【０１１０】
図２３は、本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを示す斜視図であり、図２４（ａ）は、図２３に図示された発光ダイオードの断面図であり、図２４（ｂ）は、図２４（ａ）のＡ部分の拡大図である。
【０１１１】
図２３及び図２４（ａ）、（ｂ）を参照すると、本実施例の発光ダイオードは、発光チップ２、発光チップ２に電源を印加するための第１リード端子１２及び第２リード端子１４、第１リード端子１２及び第２リード端子１４を支持するハウジング２０、及び発光チップ２を保護するように形成された光透過性の封止剤３０を含む。
【０１１２】
図２３に示すように、第１リード端子１２及び第２リード端子１４は、ベース金属層、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）からなる反射層、及び金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）又はチタニウム（Ｔｉ）からなる保護層を含む。
【０１１３】
第１リード端子１２及び第２リード端子１４は、平板状に形成される。第１リード端子１２及び第２リード端子１４は、ハウジング３０によって支持された状態で互いに離隔するように形成される。第１リード端子１２及び第２リード端子１４の互いに隣接する端部には、互いに向かって開かれている同じ深さの凹部１２２、１４２が形成される。第１リード端子１２及び第２リード端子１４の凹部１２２、１４２には、その内側に発光チップ２が実装されるカップが形成される。カップの外側に配置される第１リード端子１２及び第２リード端子１４の間の第１ギャップは、第１ギャップの内側に配置される第１リード端子１２及び第２リード端子１４の間の第２ギャップより大きくすることにより、第１リード端子１２及び第２リード端子１４を支持するハウジング２０の支持強度及び耐久性を向上させる。
【０１１４】
ハウジング２０は、凹部１２２、１４２によって形成されたカップの底面を避けて第１リード端子１２及び第２リード端子１４の一部を覆うように形成される。凹部１２２、１４２の底面、又は、カップの底面１２３、１４３は外部に露出する。又、カップの底面１２３、１４３は、ハウジング２０の底面と同一平面に配置することが好ましい。この場合、カップの底面１２３、１４３は、発光チップ２に電源を印加するため、外部の回路基板に電気的に接続されることが好ましい。カップの底面１２３、１４３は、発光チップ２の熱放射を向上するために、比較的に薄い厚さで、かつ広い面積で外部に露出されているので、発光チップ２の熱を外部に放出する機能を果たすことができる。
【０１１５】
第１リード端子１２及び第２リード端子１４は、それぞれハウジング２０から外部に露出するために凹部１２２、１４２から延長された翼部１２４、１４４を含む。翼部１２４、１４４は、発光チップ２から発生された熱を放出する放熱部として機能する。翼部１２４、１４４は、広い面積で外部に露出しているので、発光チップ２から発生された熱を効果的に放出させることができる。翼部１２４、１４４は、発光チップ２に電源を印加するため、外部の回路基板に電気的に接続されることが好ましい。この場合、カップの底面１２３、１４３は放熱のみを行う。
【０１１６】
発光チップ２は、第１リード端子１２の凹部１２２に実装され、第１リード端子１２と電気的に接続される。発光チップ２と第２リード端子１４の凹部１４２は導電性ワイヤを介して電気的に接続される。
【０１１７】
第１リード端子１２及び第２リード端子１４は、翼部１２４、１４４に対して凹部１２２、１４２の底面（又は、カップの底面１２３、１４３）に結合される傾斜部を含む。傾斜部は、発光チップ２から放出された光の一部を反射させるための凹部１２２、１４２に関する内壁（slat）である。
【０１１８】
図２４（ｂ）の拡大図に示すように、第１リード端子１２及び第２リード端子１４は、粗面Ｒを含む。粗面Ｒは、例えば、サンドブラスティング加工のような表面処理加工によって形成される。凹部１２２、１４２の粗面Ｒは、光を散乱させて光の指向角を広くし、光の効率を向上させる。第１リード端子１２及び第２リード端子１４の粗面Ｒは、ハウジング２０によって覆われた凹部１２２、１４２の外側に配置され、ハウジング２０を形成する樹脂に対して第１リード端子１２及び第２リード端子１４の接着性を向上させることができる。
【０１１９】
凹部１２２、１４２によって形成されたカップの内部には、光透過性樹脂からなる封止剤３０が満たされる。例えば、封止剤３０には、シリコン（又は、シリコン樹脂）を主成分とする第１封止部３２と、エポキシ樹脂又は硬質シリコン（又は、シリコン樹脂）を主成分とする第２封止部３４を含む。少なくとも第１封止部３２及び第２封止部３４のうちいずれか１つには分散される蛍光体が含まれる。
【０１２０】
図２５（ａ）は、本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを示す断面図であり、図２５（ｂ）は、図２５（ａ）のＡ部分の拡大図である。本発明の他の実施例に係る発光ダイオードは、縦に延長された部分を除いて図２４に示した発光ダイオードの実質的に構成要素は同じであるため、図２２（ａ）及び図２４（ｂ）に示した同一の構成要素と同一の参照符号を用いて、重複説明は省略する。
【０１２１】
図２５（ａ）、（ｂ）を参照すると、第１リード端子１２及び第２リード端子１４は、凹部１２２、１４２と、（又は、カップの底面１２３、１４３）、凹部１２２、１４２から垂直に延長されカップのベース部５を形成する垂直部と、カップの上部６を形成するために垂直部から延長された傾斜部と、傾斜部から延長された翼部１２４、１４４と、を含む。
【０１２２】
このようにカップは、垂直部及び凹部１２２、１４２によって形成されたベース部５と、傾斜部により形成された上部６とを含む。ベース部５は、第１封止部３２を形成することが容易である。上部６には、光透過性樹脂からなる封止剤３０を順次形成することができる。これによって、レンズ形状をより効果的に形成することができる。
【０１２３】
図２６は、本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを示す斜視図であり、図２７は、図２６に図示された発光ダイオードの平面図であり、図２８は、図２７のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図である。
【０１２４】
図２６、図２７、及び図２８を参照すると、発光ダイオードは、発光チップ２、ハウジング１０、リードフレーム２０、封止剤３０、及びリフレクタ４０を備える。
【０１２５】
リードフレーム２０は、６つのリード端子２２、２４を含めてもよい。６つのリード端子２２、２４は、ハウジング１０によって支持される。リードフレーム２０は、図３に示すように、ベース金属層、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）からなる光反射層、及び、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）又はチタニウム（Ｔｉ）からなる保護層を含めてもよい。
【０１２６】
ハウジング１０は、樹脂をモールディングしたもので、ハウジング１０の上部の中央には発光チップ２が配置される空間である開口部１２が形成される。ハウジング１０は、６つのリード端子２２、２４のそれぞれを開口部１２の内側に配置する内部リード端子２２ａ、２４ａと、開口部１２の外側に配置する外部リード端子２２ｂ、２４ｂに分離する。リードフレーム２０を構成するリード端子２２、２４の個数は多様に変更してもよい。
【０１２７】
リードフレーム２０のうち３つのリード端子２２には発光チップ２が電気的に接続され、残り３つのリード端子２４には発光チップ２が導電性ワイヤを介して電気的に接続される。
【０１２８】
リフレクタ４０は、少なくともハウジング１０の開口部１２の内壁に覆われるように形成される。リフレクタ４０は、リードフレーム２０と同じ材質で形成してもよい。即ち、リフレクタ４０は、図３に示すように、ベース金属層、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）からなる反射層、及び金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、又はチタニウム（Ｔｉ）からなる保護層を含めてもよい。
【０１２９】
リフレクタ４０は、リードフレーム２０と共にハウジング１０によって支持される。リフレクタ４０は、ハウジング１０の開口部１２の内壁に覆われて先端が切断された円錐形状を反転した形状を有する光反射部４２と、光反射部４２から延長されてハウジング１０の外部に露出する放熱部４４と、を含めてもよい。
【０１３０】
光反射部４２は、開口部１２から続いて先端が切断された円錐形状を反転した形状を含み、その形状は上部直径が下部直径より大きく形成される。このような光反射部４２の形状は、ハウジング１０の開口部１２の形状に対応し、従って、光反射部４２は、その側面が開口部１２の内壁に接している。
【０１３１】
放熱部４４は、光反射部４２から延長されてハウジング１０の外部に露出する部分である。例えば、放熱部４４は、光反射部４２の上端部からハウジング１０の側部方向に延長されて形成される。ハウジング１０の側面には、放熱部４４の熱放出を許容する放熱穴１３が形成される。
【０１３２】
放熱部４４は、その個数の増加によって発光ダイオードの放熱特性を向上させることができる。放熱部４４は、光反射部４２の上部の円周の一部分から延長された折り曲げ型のストリップ（ｓｔｒｉｐ）形状を有するが、光反射部４２の下部の円周の一部分、又は、光反射部４２の上部と下部の間の内壁から延長して形成してもよい。又、放熱部４４は、光反射部４２の円周全体から延長された円環形状としもよい。
【０１３３】
リフレクタ４０は、ハウジング１０の開口部１２を囲むものであれば、多様な形状としてもよい。
【０１３４】
図２９は、本発明の更に他の実施例に係る発光ダイオードを示す平面図であり、図３０は、図２９に図示された発光ダイオードの断面図である。
【０１３５】
図２９及び図３０を参照すると、発光ダイオードは、第１リード端子２１０及び第２リード端子２２０を含むリードフレームと、発光チップ３００と、導電性ワイヤ４００と、ハウジング５１０と、及び封止剤６００と、を含む。
【０１３６】
第１リード端子２１０及び第２リード端子２２０は、発光チップ３００に電源を印加するためのもので、図３に示すように、ベース金属層、銀（Ａｇ）又はアルミニウム（Ａｌ）からなる光反射層、及び、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）又はチタニウム（Ｎｉ）からなる保護層を含めてもよい。
【０１３７】
発光チップ３００は、第１リード端子２１０に実装され、導電性ワイヤ４００を介して第２リード端子２２０と電気的に接続される。
【０１３８】
ハウジング５１０は、発光チップ３００と、第１リード端子２１０及び第２リード端子２２０の一部分と、を露出させるための開口部５２０が形成される。開口部５２０は、先端が切断された円錐形状を反転した形状に形成してもよい。即ち、開口部５２０は、ハウジング５１０の上部から下部方向に沿って大きさが漸次減少する形状に形成される。
【０１３９】
又、ハウジング５１０には、ワイヤボンディング領域を露出させるために、開口部５２０と隣接した領域の一部が陥入するように形成された少なくとも１つの切開部５３０が形成される。切開部５３０は、第２リード端子２２０の一部領域、即ち、発光チップ３００がワイヤ４００を介して第２リード端子２２０の一部と電気的に接続される導電性ワイヤ４００を露出させるように、開口部５２０の領域上に形成される。このように、発光チップ３００は、第１リード端子２１０に実装され、第１リード端子２１０に接触することにより第１リード端子２１０に電気的に接続され、発光チップ３００は、ハウジング５１０の凹部５２０の一部に陥入することにより形成される切開部５３０を介して露出される第２リード端子２２０に電気的に接続される。
【０１４０】
第２リード端子２２０のワイヤボンディング領域の形状及びサイズは、切開部５３０の形状及びサイズに対応して調整して、多様の形状に変形させてもよい。導電性ワイヤ４００が２つ以上であるか、発光チップ３００が２つ以上である場合、切開部５３０は、導電性ワイヤ４００の個数に対応して複数個形成してもよい。
【０１４１】
封止剤６００は、ハウジング５１０の開口部５２０及び切開部５３０を満たすように形成されて、発光チップ３００を封止する。
【０１４２】
図２９及び図３０には図示していないが、リフレクタは、開口部５２０及び切開部５３０の内壁に形成とてもよい。
【０１４３】
上述のように、ハウジング５１０の一部領域にワイヤボンディングのための切開部５３０を形成すると、ハウジング５１０のサイズを減少させて、発光ダイオードの小型化を達成すると共に、ワイヤボンディングのための空間を確保して、ワイヤボンディング時に発生する虞がある不良を最小限にすることができる。
【０１４４】
図３１は、本発明の一実施の形態に係るバックライトユニットを示す分解斜視図である。
【０１４５】
図３１を参照すると、バックライトユニット３００は、導光板３１０と、導光板３１０の側面に配置されて導光板３１０に光を供給する少なくとも１つの発光ダイオード３２０と、を備える。
【０１４６】
発光ダイオード３２０は、回路基板（ＰＣＢ）又はフレキシブル回路基板（ＦＰＣＢ）などの回路基板３３０に実装される。発光ダイオード３２０は、例えば、回路基板３３０の長手方向に沿って一定の間隔に一列に配列される。発光ダイオード３２０は、回路基板３３０を通じて印加される電源により光を出射する。
【０１４７】
発光ダイオード３２０は、図１乃至図３０に図示された多様な実施例で構成されることができるので、その詳細な説明は省略する。
【０１４８】
導光板３１０は、側面に配置された発光ダイオード３２０から入射される光の経路を変更して上部に配置される液晶表示パネルの方向に光を導く。導光板３１０は、光の損失を最小化するために、透明な物質で形成することが好ましい。導光板３１０は、例えば、透明なポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）又はポリカボネート（ＰＣ）で形成される。
【０１４９】
導光板３１０の下面には、光の散乱反射するための所定の光反射パターン（図示せず）が形成される。例えば、導光板３１０の下面に形成される光反射パターンは、印刷パターン又は凸凹パターン等を含めてもよい。従って、発光ダイオード３２０から導光板３１０に入射された光は、光反射パターンによって散乱反射され、導光板３１０の上面に特定臨界角を超える角度で入射される光は導光板３１０の上面を通じて出射することになる。
【０１５０】
導光板３１０は、一定の厚みを有する。すなわち、導光板３１０は、発光ダイオード３２０から発生され光を入射して通す入射面と、その入射面の反対面が互いに同じ厚さを有するプレート形状を有するか、入射面から反対面に行くほど厚さが薄くなるくさび形状を有する。
【０１５１】
バックライトユニット３００は、導光板３１０の下面に配置される反射シート３４０を更に含めてもよい。反射シート３４０は、導光板３１０の下部を通じて外部に漏洩する光を導光板３１０の内部に反射させて光の利用効率を向上させる。反射シート３４０は、例えば、白色のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）又はポリカボネート（ＰＣ）で形成される。
【０１５２】
バックライトユニット３００は、導光板３１０の上部に配置される少なくとも１つの光学シート３５０を更に含めてもよい。光学シート３５０は、光を拡散させて輝度均一度を向上させるための拡散シートと、光を集光させて正面輝度を向上させるための集光シート、光の再利用により輝度を増加させるための反射偏光シート等で少なくとも１つ以上を含めてもよい。
【０１５３】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特徴請求の範囲に記載された技術的思想の範囲内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【０１５４】
１００，２００…発光ダイオード、２，２７，５７，７７，１１０…発光チップ、２０，１２０…金属部材（リードフレーム）、２１ａ，３１ａ，５１ｂ，７１ａ，８１ａ，９１ａ…チップ実装部、４０…リフレクタ、５１ａ…段差部、５１ｃ…第１傾斜面、５１ｄ…第２傾斜面、２１ｂ，３１ｂ…第１外部リード部、２３ｂ，３３ｂ…第２外部リード部、１２０ａ…ベース金属層、１２０ｂ…光反射層、１２０ｃ…保護層、１２，２１，５１，７１，１２２，２１０…第１リード端子、１４，２３，３３，５３，７３，８３，９３，１２４，２２０…第２リード端子、１０，２０，２５，７５，８５，１３０，５１０…ハウジング、２１ｃ，３１ｃ，７１ｗ，８１ａ，９１ｗ…第１翼部、２３ｃ，３３ｃ，７３ｗ，９３ｗ…第２翼部、２３ａ，３３ａ，７３ａ，８３ａ，９３ａ…ワイヤボンディング部、１２２，１４２，５２０…凹部、５６，１３２，５２０…開口部、５３０…切開部、３００…バックライトユニット。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図４】
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【図５】
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