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【手続補正書】
【提出日】平成17年1月17日(2005.1.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を添加する第１工程と、
前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する第２工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜に、希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成する第３工程と、
前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減する第４工程と、
前記不純物領域を除去する第５工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
請求項１において、前記第３工程における前記希ガス元素に加えて、Ｈ、Ｈ2、Ｏ、Ｏ2、Ｐから選ばれた一種または複数種を添加することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記第３工程は、希ガス元素及び水蒸気を含む雰囲気下で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記第５工程の後、前記半導体膜に強光またはレーザー光を表面側または裏面側から照射して前記不純物元素を活性化する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記第２工程の後、第３工程の前にオゾンを含む溶液で前記結晶構造を有する半導体膜の表面を酸化する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第２工程は、加熱処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第２工程は、前記非晶質構造を有する半導体膜に強光を照射する処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記第２工程は、加熱処理を行い、且つ、前記非晶質構造を有する半導体膜に強光を照射する処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記第４工程は、加熱処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記第４工程は、前記半導体膜に強光を照射する処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項１乃至８のいずれか一において、前記第４工程は、加熱処理を行い、且つ、前記半導体膜に強光を照射する処理であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項５乃至１１のいずれか一において、前記強光は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、または高圧水銀ランプから射出された光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記金属元素はＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｕから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一において、前記希ガス元素はＨｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を添加する第１工程と、
前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する第２工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜上に第１のマスクを形成する第３工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜に、希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成する第４工程と、
前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減する第５工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜上に第２のマスクを形成する第６工程と、
前記半導体膜を選択的に除去する第７工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１５において、前記第７の工程は、前記不純物領域と、前記結晶構造を有する半導体膜の一部とを除去する工程であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１５において、前記第２のマスクは、前記第１のマスクの端部より内側の位置に設けることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
非晶質構造を有する半導体膜に第１のマスクを形成する第１工程と、
前記非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を選択的に添加する第２工程と、
前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する第３工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜に、希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成する第４工程と、
前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減する第５工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜上に第２のマスクを形成する第６工程と、
前記半導体膜を選択的に除去する第７工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１９】
非晶質構造を有する半導体膜に第１のマスクを形成する第１工程と、
前記非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を選択的に添加する第２工程と、
前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する第３工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜上に第２のマスクを形成する第４工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜に、希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成する第５工程と、
前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減する第６工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜上に第３のマスクを形成する第７工程と、
前記半導体膜を選択的に除去する第８工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２０】
非晶質構造を有する半導体膜に金属元素を添加する第１工程と、
前記半導体膜を結晶化させて結晶構造を有する半導体膜を形成する第２工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜上に酸化珪素膜を形成する第３工程と、
前記酸化珪素膜上に第１のマスクを形成する第４工程と、
前記第１のマスクを用いて前記酸化珪素膜を通して前記結晶構造を有する半導体膜に、希ガス元素を選択的に添加して不純物領域を形成する第５工程と、
前記第１のマスクを除去する第６工程と、
前記不純物領域に前記金属元素をゲッタリングして結晶構造を有する半導体膜中の前記金属元素を選択的に除去または低減する第７工程と、
前記酸化珪素膜を除去する第８工程と、
前記結晶構造を有する半導体膜上に第２のマスクを形成する第９工程と、
前記半導体膜を選択的に除去する第１０工程と、を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月26日(2004.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
強誘電体キャパシタの両電極をそれぞれ第１のＭＩＳトランジスタのソースとドレインに接続し、この第１のＭＩＳトランジスタのゲートはワード線に接続してなるメモリセル複数個を直列に接続し、この直列接続の一方の端はプレート線に、他方の端はブロック選択用の第２のＭＩＳトランジスタを介してビット線に接続する構成を有し、前記ビット線とこれと相補的なビット線の電位とを比較増幅するセンスアンプを備えた強誘電体メモリのテスト方法であって、
前記ワード線のうち選択されるメモリセルに接続されたワード線の電位を下降させ、非選択のメモリセルに接続されたワード線の電位を上昇させた状態で、前記プレート線の電位を上昇させる第１のステップと、
前記プレート線の電位を、一定値を保った後下降させる第２のステップと、
前記第１及び第２のステップの動作を一回乃至複数回繰り返した後に、前記メモリセルのデータを読み出す事により、前記強誘電体キャパシタの分極量の減衰を調べる第３のステップとを具備し、
前記プレート線の電位が下降した後に、前記ビット線の電位が上昇するまでの時間をτＰＢ、前記ビット線の電位が下降した後に、前記プレート線の電位が上昇するまでの時間をτＢＰとすると、τＰＢ＞０且つτＢＰ＞０である事を特徴とする強誘電体メモリのテスト方法。
【請求項２】
強誘電体キャパシタの両電極をそれぞれ第１のＭＩＳトランジスタのソースとドレインに接続し、この第１のＭＩＳトランジスタのゲートはワード線に接続してなるメモリセル複数個を直列に接続し、この直列接続の一方の端はプレート線に、他方の端はブロック選択用の第２のＭＩＳトランジスタを介してビット線に接続する構成を有し、前記ビット線とこれと相補的なビット線の電位とを比較増幅するセンスアンプを備えた強誘電体メモリのテスト方法であって、
前記ワード線のうち選択されるメモリセルに接続されたワード線の電位を下降させ、非選択のメモリセルに接続されたワード線の電位を上昇させた状態で、前記プレート線の電位を上昇させる第１のステップと、
前記プレート線の電位を、一定値を保った後下降させる第２のステップと、
前記第１及び第２のステップの動作を一回乃至複数回繰り返した後に、前記メモリセルのデータを読み出す事により、前記強誘電体キャパシタの分極量の減衰を調べる第３のステップとを具備し、
前記プレート線の電位と前記ビット線の電位がともにハイレベルを保っている時間をτＢＯＴＨとすると、τＢＯＴＨ＞０である事を特徴とする強誘電体メモリのテスト方法。
【請求項３】
強誘電体キャパシタの両電極をそれぞれ第１のＭＩＳトランジスタのソースとドレインに接続し、この第１のＭＩＳトランジスタのゲートはワード線に接続してなるメモリセル複数個を直列に接続し、この直列接続の一方の端はプレート線に、他方の端はブロック選択用の第２のＭＩＳトランジスタを介してビット線に接続する構成を有し、前記ビット線とこれと相補的なビット線の電位とを比較増幅するセンスアンプを備えた強誘電体メモリのテスト方法であって、
前記ワード線の選択／非選択動作を一回乃至複数回繰り返した後に、前記メモリセルのデータを読み出す事により、前記強誘電体キャパシタの分極量の減衰を調べる事を特徴とする強誘電体メモリのテスト方法。
【請求項４】
強誘電体キャパシタの両電極をそれぞれ第１のＭＩＳトランジスタのソースとドレインに接続し、この第１のＭＩＳトランジスタのゲートはワード線に接続してなるメモリセル複数個を直列に接続し、この直列接続の一方の端はプレート線に、他方の端はブロック選択用の第２のＭＩＳトランジスタを介してビット線に接続する構成を有し、前記ビット線とこれと相補的なビット線の電位とを比較増幅するセンスアンプを備えた強誘電体メモリのテスト方法であって、
前記ワード線を選択後、前記ビット線の電位を一定に保った状態で前記プレート線の電位の上昇／下降動作を一回乃至複数回行った後に、前記メモリセルのデータを読み出す事により、前記強誘電体キャパシタの分極量の減衰を調べる事を特徴とする強誘電体メモリのテスト方法。
【請求項５】
強誘電体キャパシタの両電極をそれぞれ第１のＭＩＳトランジスタのソースとドレインに接続し、この第１のＭＩＳトランジスタのゲートはワード線に接続してなるメモリセル複数個を直列に接続し、この直列接続の一方の端はプレート線に、他方の端はブロック選択用の第２のＭＩＳトランジスタを介してビット線に接続する構成を有し、前記ビット線とこれと相補的なビット線の電位とを比較増幅するセンスアンプを備えた強誘電体メモリのテスト方法であって、
前記ワード線を選択後、前記プレート線の電位を一定に保った状態で前記ビット線の電位の上昇／下降動作を一回乃至複数回行った後に、前記メモリセルのデータを読み出す事により、前記強誘電体キャパシタの分極量の減衰を調べ事を特徴とする強誘電体メモリのテスト方法。
【請求項６】
強誘電体キャパシタの両電極をそれぞれ第１のＭＩＳトランジスタのソース及びドレインに接続してなるメモリセルを複数個直列に接続したメモリセルユニットと、
前記メモリセルユニットの各第１のＭＩＳトランジスタのゲートにそれぞれ対応して接続された複数本のワード線と、
前記メモリセルユニットの一端に接続されたプレート線と、
通常動作時に前記プレート線に固定電位を印加し、テストモード時にパルス駆動するプレートドライバと、
前記メモリセルユニットの他端にブロック選択用スイッチ素子を介して接続された第１のビット線と、
前記第１のビット線及びこれと相補的な第２のビット線の電位差を比較増幅するセンスアンプと、
通常動作時に前記第１及び第２のビット線に固定電位を印加し、テストモード時にパルス駆動するビット線ドライバと、
前記ブロック選択用スイッチ素子とセンスアンプとの間に挿入された第２のＭＩＳトランジスタと
を具備する事を特徴とする強誘電体メモリ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月25日(2004.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
データ入力バスとデータ出力バスが分離された入出力構造を有する半導体メモリ装置における読み出し及び書き込み装置において、
アドレス信号を受けて読み出しまたは書き込みアドレスとしてラッチするアドレスレジスタと、
クロックを提供するクロックバッファと、
前記アドレスレジスタにラッチされた読み出しまたは書き込みアドレスをデコーディングするデコーダーと、
前記デコーダーでデコーディングされた読み出しまたは書き込みアドレスデコーディング信号が入力されると、ワードラインと列経路をイネーブルするメモリセルアレイと、
前記ワードラインと列経路がイネーブルされると読み出し動作のためにイネーブルされる感知増幅器と、
前記ワードラインと列経路がイネーブルされると書き込み動作のためにイネーブルされてセルにデータを書き込む書き込みドライバと、
前記感知増幅器がイネーブルされるとデータをラッチした後これを次のサイクルのクロックに同期させて出力するデータ出力レジスタと、
データ入力レジスタと、
読み出し動作と書き込み動作のうち先に実行される動作の間に動作する任意の信号をトラッキングして後にする動作を実行する制御器と、
を具備することを特徴とする半導体装置における読み出し及び書き込み装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月10日(2004.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高導電性金属からなるマトリックス中に偏平板形状を有する耐火性金属粉が分散する組織を成し、前記耐火性金属粉は偏平面が一方向に配向し、前記耐火性金属粉の偏平面と平行な面を接点面とすることを特徴とする電気接点部材。
【請求項２】
請求項１において、偏平板形状を有する耐火性金属粉は、偏平面の最大長さをそれに垂直な面の最小寸法で除した値が３〜３０であることを特徴とする電気接点部材。
【請求項３】
請求項１又は２において、偏平板形状を有する耐火性金属粉のうちの９０重量％以上が、偏平面が接点面に対して＋４０°〜−４０°の範囲に配向することを特徴とする電気接点部材。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかにおいて、偏平板形状を有する耐火性金属粉はＣｒ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｂｅ、Ｈｆ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ｔｅ、Ｓｉ、Ｒｈ及びＲｕの中の１種叉は２種以上の混合物あるいはこれらの化合物からなり、高導電性金属はＣｕ、Ａｇ又はＡｕあるいはこれらを主にした合金からなることを特徴とする電気接点部材。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれかにおいて、偏平板形状を有する耐火性金属粉は酸素を５０〜２０００ｐｐｍ、Ａｌを５０〜３０００ｐｐｍ、Ｓｉを１００〜２５００ｐｐｍ含むことを特徴とする電気接点部材。
【請求項６】
１５〜４０重量％の偏平板形状を有する耐火性金属粉と、６０〜８５重量％の高導電性金属からなる請求項１〜５に記載の電気接点部材。
【請求項７】
接点面における偏平板形状を有する耐火性金属粉が占める面積比は３０〜５０％、接点面と垂直な面における偏平板形状を有する耐火性金属粉が占める面積比は１４〜２５％であることを特徴とする請求項１〜６に記載の電気接点部材。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかにおいて、前記偏平板形状を有する耐火性金属粉は含有酸素量が２５００ｐｐｍ以下であることを特徴とする電気接点部材。
【請求項９】
偏平板形状を有する耐火性金属粉と高導電性金属粉との混合粉末を、１２０〜５００ＭＰａで加圧成形して成形体を作製し、該成形体を真空中又は不活性雰囲気中において前記高導電性金属粉の融点以下で焼結し、成形過程の加圧面と平行に接点面とすることを特徴とする電気接点部材の製法。
【請求項１０】
偏平板形状を有する耐火性金属粉と高導電性金属粉との混合粉末を、押出し圧縮成形により連続的な板状あるいは棒状の成形体を作製し、該成形体を不活性雰囲気中において前記高導電性金属粉の融点以下で連続的に焼結し、押出し方向と平行な面を接点面とすることを特徴とする電気接点部材の製法。
【請求項１１】
請求項９又は１０において、高導電性金属粉の粒径は８０μｍ以下であることを特徴とする電気接点部材の製法。
【請求項１２】
真空容器内に固定側電極と可動側電極とを備えた真空バルブにおいて、前記固定側電極及び前記可動側電極に請求項１〜８に記載の電気接点部材を使用したことを特徴とする真空バルブ。
【請求項１３】
真空容器内に固定側電極と可動側電極とを備えた真空バルブにおいて、前記両電極は請求項１〜８に記載の電気接点部材を使用した電気接点と、それに連なる電極棒からなり、前記真空容器は円筒であり、定格電圧（ｋＶ）と遮断電流実効値（ｋＡ）とを乗算した値ｙが前記真空容器外径ｘ（ｍｍ）に基づいて以下の（１）式によって求められる値以下及び（２）式によって求められる値以上の範囲内にあることを特徴とする真空バルブ。
ｙ＝１１．２５ｘ−５２５                   …（１）
ｙ＝５．３５ｘ−２４２                     …（２）
【請求項１４】
真空容器内に固定側電極と可動側電極とを備えた真空バルブにおいて、前記両電極は請求項１〜８のいずれかに記載の電気接点部材を使用した電気接点と、それに連なる電極棒からなり、前記電気接点の直径ｙ（ｍｍ）は定格電圧（ｋＶ）と遮断電流実効値（ｋＡ）とを乗算した値ｘ（ｋＶＡ×１０3）に基づいて以下の（３）式によって求められる値以下及び（４）式によって求められる値以上の範囲内にあることを特徴とする真空バルブ。
ｙ＝０．１５ｘ＋２２                       …（３）
ｙ＝０．０７７ｘ＋２０                     …（４）
【請求項１５】
真空容器内に固定側電極と可動側電極とを備えた真空バルブにおいて、前記両電極は請求項１〜８のいずれかに記載の電気接点部材を使用した電気接点と、それに連なる電極棒からなり、前記真空容器は円筒であり、該真空容器の外径ｙ（ｍｍ）は前記電気接点の直径ｘ（ｍｍ）に基づいて以下の（５）式によって求められる値
以下及び（６）式によって求められる値以上の範囲内にあることを特徴とする真空バルブ及びそれを用いた真空遮断器。
ｙ＝１．２６ｘ＋３０                       …（５）
ｙ＝１．２６ｘ＋１０                       …（６）
【請求項１６】
真空容器内に固定側電極と可動側電極とを備えた真空バルブと、該真空バルブ内の前記固定側電極と前記可動側電極との各々に前記真空バルブ外に接続された絶縁ロッドを介して前記可動側電極を駆動する開閉手段とを備えた真空遮断器において、前記真空バルブが請求項１３〜１５のいずれかに記載の真空バルブからなることを特徴とする真空遮断器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
又、本発明は、真空容器内に固定側電極と可動側電極とを備えた真空バルブと、該真空バルブ内の前記固定側電極と前記可動側電極との各々に前記真空バルブ外に接続された絶縁ロッドを介して前記可動側電極を駆動する開閉手段とを備えた真空遮断器において、前記真空バルブが前述に記載の真空バルブからなることを特徴とする。
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月12日(2004.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極、陰極、および有機化合物膜からなる発光素子を有する発光装置において、
前記有機化合物膜は、前記陽極側から前記陰極側に向けて順次形成された正孔輸送材料からなる正孔輸送領域、前記正孔輸送材料と電子輸送材料との比率がｘ：ｙ（ただし、ｘおよびｙは正の定数）になるまで前記電子輸送材料の割合が前記陽極側から前記陰極側に向けて増加する第一の濃度変化領域、前記ｘ：ｙの比率で前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料を含む混合領域、前記ｘ：ｙの比率から前記電子輸送材料の割合が前記陽極側から前記陰極側に向けて増加する第二の濃度変化領域、および前記電子輸送材料からなる電子輸送領域とを有し、
前記混合領域には、発光材料が添加されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
陽極、陰極、正孔注入領域、および有機化合物膜からなる発光素子を有する発光装置において、
前記正孔注入領域は、前記陽極と接して形成され、
前記有機化合物膜は、前記正孔注入領域および前記陰極と接して形成され、
前記有機化合物膜は、前記陽極側から前記陰極側に向けて順次形成された正孔輸送材料からなる正孔輸送領域、前記正孔輸送材料と電子輸送材料との比率がｘ：ｙ（ただし、ｘおよびｙは正の定数）になるまで前記電子輸送材料の割合が前記陽極側から前記陰極側に向けて増加する第一の濃度変化領域、前記ｘ：ｙの比率で前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料を含む混合領域、前記ｘ：ｙの比率から前記電子輸送材料の割合が前記陽極側から前記陰極側に向けて増加する第二の濃度変化領域、および前記電子輸送材料からなる電子輸送領域とを有し、
前記混合領域には、発光材料が添加されていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
陽極、陰極、電子注入領域、および有機化合物膜からなる発光素子を有する発光装置において、
前記電子注入領域は、前記陰極と接して形成され、
前記有機化合物膜は、前記電子注入領域および前記陽極と接して形成され、
前記有機化合物膜は、前記陽極側から前記陰極側に向けて順次形成された正孔輸送材料からなる正孔輸送領域、前記正孔輸送材料と電子輸送材料との比率がｘ：ｙ（ただし、ｘおよびｙは正の定数）になるまで前記電子輸送材料の割合が前記陽極側から前記陰極側に向けて増加する第一の濃度変化領域、前記ｘ：ｙの比率で前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料を含む混合領域、前記ｘ：ｙの比率から前記電子輸送材料の割合が前記陽極側から前記陰極側に向けて増加する第二の濃度変化領域、および前記電子輸送材料からなる電子輸送領域とを有し、
前記混合領域には、発光材料が添加されていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
陽極、陰極、正孔注入領域、電子注入領域、および有機化合物膜からなる発光素子を有する発光装置において、
前記正孔注入領域は、前記陽極と接して形成され、
前記電子注入領域は、前記陰極と接して形成され、
前記有機化合物膜は、前記正孔注入領域および前記電子注入領域と接して形成され、
前記有機化合物膜は、前記陽極側から前記陰極側に向けて順次形成された正孔輸送材料からなる正孔輸送領域、前記正孔輸送材料と電子輸送材料との比率がｘ：ｙ（ただし、ｘおよびｙは正の定数）になるまで前記電子輸送材料の割合が前記陽極側から前記陰極側に向けて増加する第一の濃度変化領域、前記ｘ：ｙの比率で前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料を含む混合領域と、前記ｘ：ｙの比率から前記電子輸送材料の割合が前記陽極側から前記陰極側に向けて増加する第二の濃度変化領域、および前記電子輸送材料からなる電子輸送領域とを有し、
前記混合領域には、発光材料が添加されていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記混合領域の一部に前記発光材料が添加されていることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料よりも最高被占分子軌道と最低空分子軌道とのエネルギー差が大きいブロッキング材料が、前記混合領域の一部に添加されており、かつ、前記発光材料が添加された領域は、前記ブロッキング材料が添加されている領域よりも前記陽極側に位置することを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料よりも最高被占分子軌道と最低空分子軌道とのエネルギー差が大きいブロッキング材料が、前記混合領域に添加されていることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
前記発光材料は、三重項励起状態からの発光を呈することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記混合領域において前記正孔輸送材料および前記電子輸送材料の合計質量に対する前記正孔輸送材料の質量の百分率は、１０％以上９０％以下であることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一において、
前記混合領域は、１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下の厚さであることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一に記載の発光装置を用いたことを特徴とする電気器具。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月2日(2004.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック粉末と有機物とを含有するセラミックシートを加圧および前記有機物のガラス転移点以上融点未満に加熱し空隙率を減少させる第１工程と、支持体上に金属ペーストを用いて導電体層を形成する第２工程と、前記セラミックシートと前記支持体上に形成した導電体層とを挟み込んで加圧して導電体層側に支持体を備えた導電体層付きセラミックシートを作製する第３工程と、前記導電体層付きセラミックシートを支持体より剥離して導電体層がセラミックシートを挟んで対向するように複数枚積層し加圧して積層体を得る第４工程と、前記積層体を焼成する第５工程とを有するセラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
セラミック粉末と有機物とを含有するセラミックシートを加圧および前記有機物のガラス転移点以上融点未満に加熱し空隙率を減少させる第１工程と、支持体上に金属ペーストを用いて導電体層を形成する第２工程と、前記セラミックシートと前記支持体上に形成した導電体層とを挟み込んで加圧して導電体層側に支持体を備えた導電体層付きセラミックシートを作製する第３工程と、前記導電体層付きセラミックシートを支持体側より支持体ごと加圧して積層した後支持体を剥離する工程を所定の回数くり返して積層体を得る第４工程と、前記積層体を焼成する第５工程とを有するセラミック電子部品の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するために本発明のセラミック電子部品の製造方法は、セラミック粉末と有機物とを含有するセラミックシートを加圧および前記有機物のガラス転移点以上融点未満に加熱し空隙率を減少させる第１工程と、支持体上に金属ペーストを用いて導電体層を形成する第２工程と、前記セラミックシートと前記支持体上に形成した導電体層とを挟み込んで加圧して導電体層側に支持体を備えた導電体層付きセラミックシートを作製する第３工程と、前記導電体層付きセラミックシートを支持体より剥離して導電体層がセラミックシートを挟んで対向するように複数枚積層し加圧して積層体を得る第４工程と、前記積層体を焼成する第５工程とを有するものであり、空隙率を減少させてからセラミックシート上に導電体層を形成するため、セラミックシートの内部への金属成分の侵入を抑制することができ、導電体層間のショートを防止することが出来る。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、セラミック粉末と有機物とを含有するセラミックシートを加圧および前記有機物のガラス転移点以上融点未満に加熱し空隙率を減少させる第１工程と、支持体上に金属ペーストを用いて導電体層を形成する第２工程と、前記セラミックシートと前記支持体上に形成した導電体層とを挟み込んで加圧して導電体層側に支持体を備えた導電体層付きセラミックシートを作製する第３工程と、前記導電体層付きセラミックシートを支持体より剥離して導電体層がセラミックシートを挟んで対向するように複数枚積層し加圧して積層体を得る第４工程と、前記積層体を焼成する第５工程とを有するセラミック電子部品の製造方法であり、ショート不良の少ないセラミック電子部品を得ることができる。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項２に記載の発明は、セラミック粉末と有機物とを含有するセラミックシートを加圧および前記有機物のガラス転移点以上融点未満に加熱し空隙率を減少させる第１工程と、支持体上に金属ペーストを用いて導電体層を形成する第２工程と、前記セラミックシートと前記支持体上に形成した導電体層とを挟み込んで加圧して導電体層側に支持体を備えた導電体層付きセラミックシートを作製する第３工程と、前記導電体層付きセラミックシートを支持体側より支持体ごと加圧して積層した後支持体を剥離する工程を所定の回数くり返して積層体を得る第４工程と、前記積層体を焼成する第５工程とを有するセラミック電子部品の製造方法であり、ショート不良の少ないセラミック電子部品を得ることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月28日(2005.1.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
そして、内燃機関の排気管に取り付けられる酸素センサとしては、特開平１−１６９３５０号公報に示されるように、センサ素子部の周囲に排ガスの流れを均一にするようにした保護カバーや、エンジンの始動時に発生する凝縮水の付着（いわゆる水掛かり）を防止するようにした保護カバーが知られている。また、二重構造の保護カバーを取り付けた酸素センサとしては、米国特許第４５９７８５０号公報、米国特許第４６８３０４９号公報に示されるものが公知になっている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９８】
中間ガス導入孔１３０は、それぞれ直径ｄ４＝約１．４ｍｍであり、６等配に形成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
比較例２は、水掛かり状況が０／１０であって凝縮水の付着がなく、センサ素子１２へのクラックの発生もなかった。これは、比較例２の保護カバーが、主に耐飛水性の向上を目的として構成されているため、応答性は第１の実験例（図１３参照）からもわかるように低下している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３４】
そして、中間保護カバー１０４の前端面の中央に、直径ｄ５＝約２．０ｍｍの中間ガス排出孔１４２が形成され、内側保護カバー１００の内側ガス排出孔１０８の直径ｄ３は約４．５ｍｍとされている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2000304719.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月8日(2004.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
人体から発生する呼気の臭気成分に感応する半導体ガスセンサと、センサによる呼気成分の測定を制御する制御手段とを有し、前記半導体ガスセンサを内部に有する本体ケースに吹込口と吹抜口を形成し、吹込口より吹き込まれた呼気を正常に感知した場合に、報知装置により報知することを特徴とする臭気成分測定器。
【請求項２】
更に、測定された臭気成分に応じて結果を図形で表示する表示装置を有し、
前記半導体ガスセンサのヒートクリーニング中に、該表示装置に表示する図形を変化することで待機時間を報知することを特徴とする請求項１に記載の臭気成分測定器。
【請求項３】
前記表示装置に表示される図形は、人物の顔の表情が変化するものであることを特徴とする請求項２に記載の臭気成分測定器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【実施例】
本発明の実施例を図面を用いて説明する。第１の実施例として、臭気成分のうち、呼気に含まれる口臭を測定する場合を説明する。図１は口臭測定器のブロック図であり、図２は外観を表すもので、（ａ）は表側（ｂ）は裏側を表す図である。口臭測定器１のケース体２外部には、表側に吹込口３と裏側に吹抜口４が形成されケース体２の内部と貫通しており、スイッチ５と表示部６も設けられている。この表示部６は測定した結果を示す他、測定待機中の待ち時間やバッテリーの消耗を図形を用いて報知するのにも使用される。ケース体２内部には電源７、ブザー８と演算、制御を行うＣＰＵ９、電池収納部等が内蔵され、
前記吹込口３と吹抜口４の間には半導体ガスセンサ１０が配置されている。この半導体ガスセンサ１０としては、ヒータコイルをセラミックの絶縁体で覆い、更にその絶縁体を酸化第二錫（ＳｎＯ２）からなる半導体で被覆するのが一般的に用いられているので、これを使用する。この半導体ガスセンサの構造・作用については、特開平１−３５３６８号公報に記載されているので、ここでは詳しく記載しない。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
第２の実施例として、アルコール濃度を測定する場合を説明する。アルコール濃度測定器の場合も外観的には図４のようになり（ａ）は表側（ｂ）は裏側を表す図である。ブロック図は実施例１の口臭測定器と同様に構成されるので省略する。アルコール濃度測定器１１のケース体１２外部には、表側に吹込口１３と裏側に吹抜口１４が形成されケース体１２の内部と貫通しており、スイッチ１５と表示部１６も設けられている。この表示部１６は測定した結果を示す他、測定待機中の待ち時間やバッテリーの消耗を報知するのに用いられる。ケース体２内部には電源７、ブザー８と演算、制御を行うＣＰＵ、電池収納部等が内蔵され、前記吹込口１３と吹抜口１４の間には半導体ガスセンサが配置されている。アルコール濃度検知においても半導体ガスセンサとして、ヒータコイルをセラミックの絶縁体で覆い、更にその絶縁体を酸化第二錫（ＳｎＯ２）からなる半導体で被覆した半導体ガスセンサが一般的に用いられているので、これを使用する。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月31日(2004.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも２つの部材を含み、そのうちの少なくとも２つが接着剤により接合されている分析装置であって、該接着剤が吸着性物質を含むものである前記分析装置。
【請求項２】
前記吸着性物質が多孔質の固体である、請求項１に記載の分析装置。
【請求項３】
前記固体が活性炭、カーボンブラック、酸化アルミニウム、シリカゲルまたはゼオライトである、請求項２に記載の分析装置。
【請求項４】
前記分析装置が検査エレメントである、請求項１〜３までのいずれか一項に記載の分析装置。
【請求項５】
分析装置を製造するための、吸着性物質を含む接着剤の使用。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月1日(2004.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外輪の内周面と内輪の外周面にそれぞれ軌道面を形成し、該軌道面同士の間に複数の転動体を介装させて組付けた転がり軸受において、
前記外輪の軌道面と前記内輪の軌道面との間に形成される空間に、該空間容積の０．３乃至３％の潤滑剤を封入したことを特徴とする転がり軸受。
【請求項２】
磁気ディスク装置用スイングアームに用いられ、前記転動体が玉からなることを特徴とする請求項１に記載の転がり軸受。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するための本発明に係る転がり軸受は、外輪の内周面と内輪の外周面にそれぞれ軌道面を形成し、該軌道面同士の間に複数の転動体を介装させて組付けた転がり軸受において、前記外輪の軌道面と前記内輪の軌道面との間に形成される空間に、該空間容積の０．３乃至３％の潤滑剤を封入したことを特徴とする。
また、本発明に係る転がり軸受は、磁気ディスク装置用スイングアームに用いられ、転動体が玉である玉軸受であってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月7日(2005.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
一定の周期で送波した超音波のエコーを表示する水中探知装置において、
少なくとも前回送波によるエコーを記憶するメモリを備え、
(1)今回送波によるエコーをそのまま表示に供するモード、
(2)今回送波によるエコーと過去の送波によるエコーから最低のレベルのエコーを表示に供するモード、
(3)今回送波によるエコーと過去の送波によるエコーから中間のレベルのエコーを表示に供するモード、
(4)今回送波によるエコーと過去の送波によるエコーから中間もしくは最低のレベルを持つエコーを抽出し、抽出したエコーのレベルが所定値を上回るとき、そのエコーに替えて最大レベルのエコーを表示に供するモード、
を選択可能としたことを特徴とする水中探知装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
信号処理回路１９においては、
(1)処理機を行わずに検出した信号をそのまま出力するスルーモード
(2)今回検出した信号(Ｉａ)、前回検出の信号(Ｉｂ)、前々回検出の信号(Ｉｃ)の３つの信号から最低レベルの信号を採用するＭＩＮ処理モード
(3)前記３つの信号から中間レベルの信号を採用するＭＥＤＩＡＮ処理モード(図８)
(4)今回送波によるエコーと過去の送波によるエコーから中間もしくは最低のレベルを持つエコーを抽出し、抽出したエコーのレベルが所定値を上回るとき、そのエコーに替えて最大レベルのエコーを表示に供するＭＡＸモード(図９)
を選択して実行できるようにしている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月8日(2005.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
すなわち、移動アイソレータ装置１ａには一面側に開口接続部１０ａが設けられ、他面側に手押し用把手１１が設けられており、一方の固定アイソレータ装置１ｂからワークｗを受け取った後、その下部に設けたキャスタ５により１８０度転回して、該開口接続部１０ａの位置を反転し、その開口接続部１０ａを他方の固定アイソレータ装置１ｂの開口接続部１０ｂに接続し、開口接続部１０ａ，１０ｂを開放作動して、庫内相互を連通する。そして移動アイソレータ装置１ａ内のワークｗが固定アイソレータ装置１ｂ内へ移送される。ここで各庫内のワークｗの移送は、その内部に設けられたコンベヤで自動搬送されるか、又はワークｗを支持するトレー７６をグローブ３により手作業で移送することにより行われる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
次にかかる構成の作動を説明する。
図６で示すように、移動アイソレータ装置１ａ，固定アイソレータ装置１ｂが非接続状態にあっては、昇降シリンダ４７，４７のシリンダロッドが伸出状態となり内部が遮閉化される。一方、空気吹き出し面２２，２２にはスペーサ５８が配設され、このため該伸出状態で、可変連通路１２が閉狭路態様Ｘとなった場合に、可動ゲート２０ａ，２０ｂの上面がスペーサ５８と当接して、可変連通路１２は完全に閉鎖されず、連通狭隙ｓが形成される。このとき、空気吹き出し面２２からは可変連通路１２へ常に圧力空気が印加され、しかも連通狭隙ｓは開口度が小さいから、開広路態様Ｙの状態のときに比して、可変連通路１２に高圧空気が印加される。このため、該可変連通路１２の連通狭隙ｓ内で高速気流が可動ゲート２０ａ，２０ｂの空気連通面３９にぶつかり、かつ乱流となって、その大部分が可変連通路１２から庫外へ流出することとなる。而して、庫外に向かう高速気流が生成され、かつその通過表面である可変連通路１２の周囲面が清浄化される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
この連通状態にあって、空気吹き出し面２２，２２からは常に可変連通路１２，１２側へ空気圧が印加されており、開口状態で、可変連通路１２，１２は開口接続部１０ａ，１０ｂの外周囲の空気圧に対して陽圧となっており、このため、エアーダクト１７ａ，１７ｂ相互または可動ゲート２０ａ，２０ｂ相互が完全に密に当接した状態とならず、クリアランスがあったとしても、外部の汚染された空気が開口接続部１０ａ，１０ｂ対間等から内部に侵入することは無い。さらには、このとき、上述したように、天井ダクト３６の空気連通面３７の吸引作用により、上部の雰囲気を負圧状態とし、可変連通路１２，１２の内圧に対して、周囲雰囲気が確実に低くなるようにしているから、外部からの汚染空気の侵入が確実に防止される。この開放状態での空気吹き出し面２２，２２からの吹き出し速度は、医薬製造工程にあってはＷＨＯあるいはＦＤＡなどのＧＭＰ基準またはガイドラインの０．３〜０．４ｍ／ｓが採用されるが、そのほか工程によっては０．１〜２ｍ／ｓの風速としても良い。
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2000304324.tif 000001
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2000304324.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月26日(2005.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
ディスコティック液晶性分子の円盤面と透明支持体面との平均傾斜角が５°未満の状態でディスコティック液晶性分子を配向させるためには、ディスコティック液晶性分子と相分離できる化合物を一定の範囲の量で使用することが好ましい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
ディスコティック液晶性分子と相分離できる化合物には、含フッ素界面活性剤および１，３，５−トリアジン環を有する化合物が含まれる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月8日(2005.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
溶融材料が真空チャンバ中の減圧に遭遇したときに生成される泡沫を調節する方法であって、
該溶融材料を、該溶融材料が前記泡沫の気泡の間から流れ出るようにして該真空チャンバ中の熟成区域を通過させる工程、および
材料の流れ出た泡沫の気泡を破壊する工程、
を有してなることを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
減圧清澄器において、
大気圧より低い圧力を有する清澄チャンバ、
該清澄チャンバに溶融材料を導くための第１の導管であって、該第１の導管は垂直に対して傾斜しており、前記溶融材料中の気泡が、該溶融材料が該第１の導管を通って流動するときに該第１の導管の表面に集積される第１の導管、および
前記清澄チャンバから前記溶融材料を除去するための第２の導管、
を備えてなる減圧清澄器。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月25日(2005.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶解槽でガラス原料から溶融ガラスを作製し、次いでその全量を蓄積槽へ移し替えたのち、前記溶解槽と蓄積槽とを遮断状態とし、蓄積槽中の溶融ガラスを成形工程へ流出させると共に、溶解槽で次の溶融ガラスを作製する操作を行うことを特徴とするガラスの溶解方法。
【請求項２】
溶解槽でガラス原料を溶解、清澄、均質化して溶融ガラスを作製する溶解工程と、前記溶解槽中の溶融ガラス全量を蓄積槽へ移し替えたのち、溶解槽から蓄積槽への溶融ガラスの流入を遮断する移し替え工程と、蓄積槽中の溶融ガラスを成形工程へ流出させる流出工程を含み、かつ前記移し替え工程後、流出工程と並行して次の溶解工程を行う請求項１に記載のガラスの溶解方法。
【請求項３】
移し替え工程前後の溶解工程で作製される溶融ガラスが異種のガラスである請求項２に記載のガラスの溶解方法。
【請求項４】
溶解槽から蓄積槽への溶融ガラスの移し替えが、溶解槽内の溶融ガラスを蓄積槽へ導く連結パイプに通電し、パイプ内のガラスを直接加熱することにより行われ、溶解槽と蓄積槽との遮断が、前記連結パイプの通電をオフにすることにより行われる請求項１〜３のいずれか一項に記載のガラスの溶解方法。
【請求項５】
ガラス原料を溶解し、ガラス成形品を製造するための溶融ガラスを作製するガラス溶解装置において、ガラス原料を溶解、清澄、均質化する溶解槽と、前記溶解槽で得られた溶融ガラスを蓄積する蓄積槽と、前記溶解槽から蓄積槽への溶融ガラスの導入、遮断が可能な連結機構と、前記蓄積槽に蓄積された溶融ガラスを成形工程へ流出させる流出機構とを有することを特徴とするガラス溶解装置。
【請求項６】
蓄積槽が溶解槽の容量以上の容量を有し、かつ高さ（ｍ）／容量（ｍ3）比が１〜５である請求項５に記載のガラス溶解装置。
【請求項７】
前記連結機構が、通電機構を備えた連結パイプである請求項５または６に記載のガラス溶解装置。
【請求項８】
請求項１〜４のいずれか一項に記載のガラスの溶解方法により流出する溶融ガラスを成形することを特徴とするガラス成形品の製造方法。
【請求項９】
成形型を用いてガラス成形品を製造するに際し、溶解工程に要する時間よりも流出工程に要する時間を短くし、流出工程終了後に、前記成形型の交換を行って異形状のガラス成形品を作製する請求項８に記載のガラス成形品の製造方法。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の方法によりプレス成形して光学素子ブランクを得たのち、研削、研磨処理を行うことを特徴とする光学素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月21日(2004.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
結晶構造が、化学式（ＲＭ）（ＱＯ4）3（ただし、ＲはＺｒ，Ｈｆまたはこれらの混合系で示される４価の金属元素、ＭはＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｒａまたはこれらの混合系で示される２価の金属元素、ＱはＷ，Ｍｏから選択される６価の金属元素、で定義される物質）で示される複合酸化物を含むことを特徴とする零熱膨張材料。
【請求項２】
ＲはＺｒ，Ｈｆまたはこれらを含む４価の金属元素、ＭはＭｇ、ＱはＷ，Ｍｏから選択される６価の金属元素、であることを特徴とする請求項１記載の零熱膨張材料。
【請求項３】
ＲはＨｆ、ＭはＭｇ、ＱはＷ、であることを特徴とする請求項１記載の零熱膨張材料。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか記載の零熱膨張材料を用いたことを特徴とする高周波回路基板。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか記載の零熱膨張材料を用いたことを特徴とする高周波回路部品。
【請求項６】
請求項１から３のいずれか記載の零熱膨張材料を用いたことを特徴とする精密機械部品。
【請求項７】
請求項１から３のいずれか記載の零熱膨張材料を用いたことを特徴とする構造材料。
【請求項８】
負の熱膨張材料と正の熱膨張材料とを混合した後に焼成してなる零熱膨張材料の製造方法であって、
前記負の熱膨張材料は、化学式ＲＱ2Ｏ8（ただし、ＲはＺｒ，Ｈｆまたはこれらの混合系で示される４価の金属元素、ＱはＷ，Ｍｏから選択される６価の金属元素）で示される化合物を含む複合酸化物であり、
前記正の熱膨張材料は、化学式ＭＱＸ4（ただし、ＭはＭｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ，Ｒａまたはこれらの混合系で示される２価の金属元素、ＱはＷ，Ｍｏから選択される６価の金属元素、ＸはＯ，Ｓから選択される元素）である、
零熱膨張材料の製造方法。
【請求項９】
ＲはＺｒ，Ｈｆまたはこれらを含む４価の金属元素、ＭはＭｇ、ＱはＷ，Ｍｏから選択される６価の金属元素、であることを特徴とする請求項８記載の零熱膨張材料の製造方法。
【請求項１０】
ＲはＨｆ、ＭはＭｇ、ＱはＷ、であることを特徴とする請求項８記載の零熱膨張材料の製造方法。
【請求項１１】
前記負の熱膨張材料と前記正の熱膨張材料との混合比が約１：１である、請求項８記載の零熱膨張材料の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月23日(2004.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
蓄圧室、釘を打ち込むピストンを内蔵し、作業者が手で保持するハンドルを有する出力部と、出力部の下方に釘が順次打ち出される射出口を有する鋼材から成るノーズ部と、一端及び中間部が夫々射出口の側面に設けられた開口部及びハンドル部に係合すると共に連結釘を収納し、スプリングにより釘をノーズ部の射出口内に順次給送するアルミニウム又はマグネシウム等の非鉄金属からなるマガジンを有する釘打機であって、
前記ノーズ部とマガジンの間にプラスチック等の弾性部材から成るスペーサを介在させ、ノーズ部開口部の上方両脇のマガジン側に設けた突起と嵌合可能な凹部をスペーサのノーズ部側に設けると共にスペーサのマガジン側にはマガジンと嵌合可能な凸部を設けたことを特徴とする釘打機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は作業者が手で保持し例えば圧縮空気を動力源として連結釘を順次打ち込む釘打機に関するもので、軽量で耐久性に優れた釘打機を安価に提供できるようにしたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月24日(2005.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円板状の台金（２）の外周に多数の歯（３）を設け、該台金（２）に内周から外周に向かって延びるスリット（５，６）を円周方向に所定の間隔をおいて形成し、少なくとも内周部に形成した各スリット（６）に白色系及び黒色系を除く有色の色彩を持たせた常温で粘性を有する粘性材料（７）を充填してなることを特徴とする回転鋸。
【請求項２】
円板状の台金（２）の外周に多数の歯（３）を設け、該台金（２）に内周から外周に向かって延びるスリット（５，６）を円周方向に所定の間隔をおいて形成し、少なくとも内周部に形成した各スリット（６）に白色系及び黒色系を除く有色の顔料が混入された常温で粘性を有する粘性材料（７）を充填してなることを特徴とする回転鋸。
【請求項３】
円板状の台金（２）の外周に多数の歯（３）を設け、該台金（２）の外周部に外端が所定の歯（３）の歯底（３ａ）に開口する外周スリット（５）を円周方向に所定の間隔をおいて形成し、前記各外周スリット（５）間の台金（２）の内周部に互いに湾曲形状が異なって内周から外周に向かって延びる複数個の内周スリット（６ａ，６ｂ）を円周方向に所定の間隔をおいて形成し、少なくとも前記各内周スリット（６ａ，６ｂ）に白色系及び黒色系を除く有色の顔料が混入された常温で粘性を有する粘性材料（７）を充填したことを特徴とする回転鋸。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために以下の如く構成したものである。即ち、請求項１の発明は、円板状の台金の外周に多数の歯を設け、該台金に内周から外周に向かって延びるスリットを円周方向に所定の間隔をおいて形成し、少なくとも内周部に形成した各スリットに白色系及び黒色系を除く有色の色彩を持たせた常温で粘性を有する粘性材料を充填する構成にしたものである。
また、請求項２に係る発明は、前記各スリットに白色系及び黒色系を除く有色の顔料が混入された常温で粘性を有する粘性材料を充填する構成にしたものである。
また、請求項３に係る発明は、円板状の台金の外周に多数の歯を設け、該台金の外周部に外端が所定の歯の歯底に開口する外周スリットを円周方向に所定の間隔をおいて形成し、前記各外周スリット間の台金の内周部に互いに湾曲形状が異なって内周から外周に向かって延びる複数個の内周スリットを円周方向に所定の間隔をおいて形成し、少なくとも前記各内周スリットに白色系及び黒色系を除く有色の顔料が混入された常温で粘性を有する粘性材料を充填する構成にしたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月26日(2005.1.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記の問題点を解決すべく、鋭意検討を重ねた結果、絶縁性薄膜製造用塗布組成物中に含有される１官能性および／または２官能性のアルコキシシランおよびその加水分解物、重縮合物に由来する珪素原子のモル数を４官能性のアルコキシランおよびその加水分解物、重縮合物に由来する珪素原子のモル数より少なくなるように制御したシリカ前駆体と、特定の有機ポリマーと、特定の溶媒とを含有する絶縁性薄膜製造用塗布組成物が上記課題を解決することを見出し本発明を完成した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
一例として、アルコキシシランとしてテトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）とジメチルジエトキシシラン（ＤＭＤＥＳ）を用いた場合の塗布組成物中のＤＭＤＥＳ起因のＳｉ原子のモル％（シリカ組成比）の算出法を説明する。
装置：ＪＥＯＬ−ラムダ４００
測定モード：ＮＮＥ
試料管：外径１０ｍｍ、内径３ｍｍ
（塗布組成物、薄膜ともＤ化エタノール、ＴＭＳを少量添加）
積算回数：１３００回
ＰＤ（パルスディレー）  ２５０秒
ＢＦ（ブロードニングファクター）  ３０Ｈｚ
以上の測定装置および測定条件から得られた数値を用いて以下に示す計算式より算出する。
ＤＭＤＥＳのモル％＝１００×（Ｄ０＋Ｄ１＋Ｄ２）／｛（Ｔ０＋Ｔ１＋Ｔ２＋Ｔ３
＋Ｔ４）＋（Ｄ０＋Ｄ１＋Ｄ２）｝
（式中、Ｔ０、Ｄ０はそれぞれ上記の装置で原料のＴＥＯＳおよびＤＭＤＥＳ中のエトキシ基が少なくとも一部加水分解されて水酸基となった化合物に帰属されるシグナル積分強度を表し、Ｔ１、Ｄ１はＴＥＯＳおよびＤＭＤＥＳの各Ｓｉの一箇所が隣接のＳｉ原子と酸素原子を介して結合して形成される基に帰属されるシグナルの積分強度を表し、Ｔ２、Ｄ２はＴＥＯＳおよびＤＭＤＥＳ中の各Ｓｉの二箇所が隣接のＳｉ原子と酸素原子を介して結合して形成される基に帰属されるシグナルの積分強度を表し、Ｔ３はＴＥＯＳ中のＳｉの三箇所が隣接のＳｉ原子と酸素原子を介して結合して形成される基に帰属されるシグナルの積分強度を表し、Ｔ４はＴＥＯＳ中のＳｉの四箇所が隣接のＳｉ原子と酸素原子を介して結合して形成される基に帰属されるシグナルの積分強度を表す）。