【手続補正書】
【提出日】令和3年5月11日(2021.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリマーまたはガラス材料を含み、１００μｍ以下の厚さを有する、第１のプレートと、
ポリマーまたはガラス材料を含み、１００μｍ以下の厚さを有する、第２のプレートと、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に配置された加熱／冷却層であって、６×１０−５Ｗ／Ｋに前記加熱／冷却層の厚さを乗じた値から１．５×１０−４Ｗ／Ｋに前記加熱／冷却層の前記厚さを乗じた値の間の熱コンダクタンスを有する、加熱／冷却層と
を備えるデバイスであって、
前記加熱／冷却層の前記厚さが、１５ｕｍ以下であり、かつ黒体の表面熱放射能力の少なくとも５０％の表面熱放射能力を有し、
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートが、平行配置で互いに向かい合い、かつ１５０ｕｍ以下である距離により互いから分離され、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートが、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた流体試料を受容するように構成されている、デバイス。
【請求項２】
試料温度を急速に変化させるためのデバイスであって、
ポリマーまたはガラス材料を含み、１００μｍ以下の厚さを有する、第１のプレートと、
ポリマーまたはガラス材料を含み、１００μｍ以下の厚さを有する、第２のプレートと、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に配置された加熱／冷却層であって、６×１０−５Ｗ／Ｋに前記加熱／冷却層の厚さを乗じた値から１．５×１０−４Ｗ／Ｋに前記加熱／冷却層の前記厚さを乗じた値の間の熱コンダクタンスを有する、加熱／冷却層と、
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを圧縮して前記２つのプレートを一緒に固定するクランプであって、前記圧縮が前記プレート上に圧力をかける、クランプと
を備え、
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートが、平行配置で互いに向かい合い、かつ１５０ｕｍ以下である距離により互いから分離され、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートが、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた流体試料を受容するように構成され、
前記圧力が、前記挟まれた試料の領域を包囲する領域上にかかり、これにより、前記圧力が前記領域からの前記試料の流出を低減する、デバイス。
【請求項３】
試料温度を急速に変化させるための方法であって、
ｉ．請求項1に記載のデバイスを提供することと、
ｉｉ．前記第１のプレートまたは前記第２のプレートの試料接触領域のうちの一方または両方の上に流体試料を付着させることと、
ｉｉｉ．前記プレートを手で押圧して、それらの間に前記試料を挟み、前記試料の少なくとも一部を押圧して薄層にすることと、
ｉｖ．前記デバイス内の関連体積の温度を変化させ、かつ／または維持することと
を含む、方法。
【請求項４】
試料温度を急速に変化させるための方法であって、
ｉ．第１のプレートと、第２のプレートと、加熱／冷却層とを備えるデバイスを提供することであって、
ａ．前記第１のプレートが、ポリマーまたはガラス材料を含み、かつ１００μｍ以下の厚さを有し、
ｂ．前記第２のプレートが、ポリマーまたはガラス材料を含み、かつ１００μｍ以下の厚さを有し、
ｃ．前記加熱／冷却層が、前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に配置され、前記加熱／冷却層が、６×１０−５Ｗ／Ｋに前記加熱／冷却層の厚さを乗じた値から１．５×１０−４Ｗ／Ｋに前記加熱／冷却層の前記厚さを乗じた値の間の熱コンダクタンスを有し、
ｄ．前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを圧縮して前記２つのプレートを一緒に固定するクランプであって、前記圧縮が前記プレート上に圧力をかける、
提供することと、
ｉｉ．前記第１のプレートまたは前記第２のプレートの試料接触領域のうちの一方または両方の上に流体試料を付着させることと、
ｉｉｉ．前記プレートを手で押圧して、前記試料接触領域を互いに向かい合わせにすることと
を含み、
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートが、平行配置で互いに向かい合い、かつ１５０ｕｍ以下である距離により互いから分離され、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートが、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた流体試料を受容するように構成され、
前記圧力が、前記挟まれた試料の領域を包囲する領域上にかかり、これにより、前記圧力が前記領域からの試料流の流出を低減する、方法。
【請求項５】
ポリマーまたはガラス材料を含み、１００μｍ以下の厚さを有する、第１のプレートと、
ポリマーまたはガラス材料を含み、１００μｍ以下の厚さを有する、第２のプレートと、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に配置された加熱／冷却層であって、６×１０−５Ｗ／Ｋに前記加熱／冷却層の厚さを乗じた値から１．５×１０−４Ｗ／Ｋに前記加熱／冷却層の前記厚さを乗じた値の間の熱コンダクタンスを有する、加熱／冷却層と
を備えるデバイスであって、
前記加熱／冷却が、１５ｕｍ以下であり、かつ黒体の表面熱放射能力の少なくとも５０％の表面熱放射能力を有し、
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートが、異なる構成になるように移動可能であり、
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートが、平行配置で互いに向かい合い、かつ１５０ｕｍ以下である距離により互いから分離され、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートが、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた流体試料を受容するように構成されている、デバイス。
【請求項６】
第１のプレートと、
１００μｍ以下の厚さを有する第２のプレートであって、前記第２のプレートの内面が、平行配置で前記第２のプレートの前記厚さ以下の距離だけ前記第１のプレートの内面から分離されている、第２のプレートと、
前記第２のプレートの前記内面上または外面上に配置された加熱／冷却層と、
前記第１のプレートの前記内面上で乾燥された試薬の層と
を備えるデバイス。
【請求項７】
ポリマー材料を含み、１００μｍ以下の厚さを有する、第１のプレート、
ポリマー材料を含み、１００μｍ以下の厚さを有する第２のプレートであって、平行配置で前記第２のプレートの前記厚さ以下の距離だけ前記第１のプレートから分離されている、第２のプレート、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に配置された加熱／冷却層であって、ある厚さを有し、６×１０−５Ｗ／Ｋに前記加熱／冷却層の前記厚さを乗じた値から１．５×１０−４Ｗ／Ｋに前記加熱／冷却層の前記厚さを乗じた値の間の熱伝導率を有する、加熱／冷却層、ならびに
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つを支持するように構成された、支持フレーム
を備えるデバイスと、
前記デバイスを受容するように構成された第１の開口、および少なくとも１つの他の開口を有する、筐体と、
電磁放射線を前記加熱／冷却層に向けて方向付けるように構成された光源と
を備えるシステムであって、
前記加熱／冷却層が、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた液体試料の少なくとも一部分が少なくとも３０℃／秒の速度で加熱されるように前記電磁放射線の少なくとも一部分を吸収するよう構成され、
前記加熱／冷却層が前記光源によって発生した前記電磁放射線を受けていないときに、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた前記液体試料の少なくとも前記一部分が、少なくとも３０℃／秒の速度で冷却され、
前記システムが５００ｍＷ未満の電力を消費する、システム。
【請求項８】
第１のプレート、
１００μｍ以下の厚さを有する第２のプレートであって、平行配置で前記第２のプレートの前記厚さ以下の距離だけ前記第１のプレートから分離されている、第２のプレート、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に配置された加熱／冷却層、ならびに
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つを支持するように構成された、支持フレーム
を備えるデバイスと、
電磁放射線を前記加熱／冷却層に向けて方向付けるように構成された光源と
を備えるシステムであって、
前記加熱／冷却層が前記光源によって発生した前記電磁放射線を受けていないときに、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた液体試料の少なくとも一部分が、少なくとも３０℃／秒の速度で冷却される、システム。
【請求項９】
第１のプレート、
１００μｍ以下の厚さを有する第２のプレートであって、平行配置で前記第２のプレートの前記厚さ以下の距離だけ前記第１のプレートから分離されている、第２のプレート、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に配置された加熱／冷却層、ならびに
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つを支持するように構成された、支持フレーム
を備えるデバイスと、
前記デバイスを受容するように構成された第１の開口、および少なくとも１つの他の開口を有する、筐体と、
電磁放射線を前記筐体の前記少なくとも１つの他の開口を通して、かつ前記加熱／冷却層に向けて方向付けるように構成された光源と
を備えるシステムであって、
前記加熱／冷却層が前記光源によって発生した前記電磁放射線を受けていないときに、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた液体試料が、少なくとも３０℃／秒の速度で冷却される、システム。
【請求項１０】
前記加熱／冷却層上に配置された光吸収層をさらに備え、前記光吸収層が、少なくとも３０％の平均光吸収率を有する、請求項6に記載のデバイス。
【請求項１１】
前記光吸収層が、黒色塗料を含む、請求項6に記載のデバイス。
【請求項１２】
前記第１のプレートが、前記第２のプレートに対して移動可能である、請求項6に記載のデバイス。
【請求項１３】
前記加熱／冷却層の厚さが、３μｍ以下である、請求項6に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つが、その主表面にわたって約４００ｍｍ２の面積を有する、請求項6に記載のデバイス。
【請求項１５】
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に配置された複数の球状スペーサをさらに備える、請求項6に記載のデバイス。
【請求項１６】
約１０ｕｍの高さを有する複数のスペーサをさらに備え、前記複数のスペーサが、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に配置される、請求項6に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間の距離が、１００μｍ以下である、請求項1に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記第１のプレートを前記第２のプレートと接続するように構成されかつ前記第１のプレートまたは前記第２のプレートの縁部に連結されたヒンジをさらに備える、請求項6に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記液体試料の前記少なくとも一部分が、前記電磁放射線の経路に沿ったある体積の前記試料を含む、請求項8に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記液体試料の前記少なくとも一部分が、前記加熱／冷却層に隣接するある体積の前記試料を含む、請求項8に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記乾燥試薬の層が、核酸増幅に使用される試薬を含む、請求項6に記載のデバイス。
【請求項２２】
前記デバイスが、前記加熱／冷却層上に配置された光吸収層をさらに備え、前記光吸収層が、少なくとも３０％の平均光吸収率を有する、請求項8に記載のシステム。
【請求項２３】
前記光吸収層が、黒色塗料を含む、請求項8に記載のシステム。
【請求項２４】
前記第１のプレートが、前記第２のプレートに対して移動可能である、請求項8に記載のシステム。
【請求項２５】
前記加熱／冷却層の厚さが、３μｍ以下である、請求項8に記載のシステム。
【請求項２６】
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つが、その主表面にわたって約４００ｍｍ２の面積を有する、請求項8に記載のシステム。
【請求項２７】
前記光源が、発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む、請求項8に記載のシステム。
【請求項２８】
前記電磁放射線を前記光源から前記加熱／冷却層へ誘導するように構成された光学パイプをさらに備える、請求項8に記載のシステム。
【請求項２９】
前記筐体の前記少なくとも１つの他の開口が、前記デバイスが前記第１の開口を介して前記筐体内に配設されるときに、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた前記液体試料の少なくとも前記一部分にわたって位置合わせされるように構成されている、請求項8に記載のシステム。
【請求項３０】
前記支持フレームが、前記第１のプレートまたは第２のプレートの外周に沿って少なくとも前記第１のプレートまたは前記第２のプレートを支持するように構成されている、請求項8に記載のシステム。
【請求項３１】
前記ＬＥＤが、青色ＬＥＤを含む、請求項27に記載のシステム。
【請求項３２】
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートが、前記加熱層上に配置された光吸収層をさらに備え、前記光吸収層が、少なくとも３０％の平均光吸収率を有する、請求項3に記載の方法。
【請求項３３】
前記光吸収層が、黒色塗料を含む、請求項3に記載の方法。
【請求項３４】
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に接続されたヒンジを使用して、前記第１のプレートの上で前記第２のプレートを閉鎖することをさらに含む、請求項3に記載の方法。
【請求項３５】
前記加熱層の厚さが、３μｍ以下である、請求項3に記載の方法。
【請求項３６】
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つが、その主表面にわたって約４００ｍｍ２の面積を有する、請求項3に記載の方法。
【請求項３７】
支持フレーム上で前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの外周を支持することをさらに含む、請求項3に記載の方法。
【請求項３８】
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートが、前記加熱／冷却層上に配置された光吸収層をさらに備え、前記光吸収層が、少なくとも３０％の平均光吸収率を有する、請求項3に記載の方法。
【請求項３９】
前記光吸収層が、黒色塗料を含む、請求項3に記載の方法。
【請求項４０】
（ｉ）請求項6に記載のデバイスと、
（ｉｉ）予混合されたポリメラーゼ連鎖反応媒体と
を備える、キット。
【請求項４１】
前記予混合されたポリメラーゼ連鎖反応媒体が、ＤＮＡテンプレート、２種のプライマー、ＤＮＡポリメラーゼ、デオキシヌクレオシド三リン酸（ｄＮＴＰ）、二価カチオン、一価カチオン、および緩衝液を含む、請求項40に記載のキット。
【請求項４２】
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを圧縮して、前記２つのプレートを閉鎖構成で一緒に固定するクランプをさらに備え、前記プレート上に加えられた前記クランプの圧力が、０．０１ｋｇ／ｃｍ＾２以上である、請求項6に記載のデバイス。
【請求項４３】
前記加熱層が、６０％以上の吸収係数を有し、かつ２ｍｍ未満の厚さを有する、請求項6に記載のデバイス。
【請求項４４】
前記クランプが、前記クランプと前記プレートとの間の熱伝導を低減するための断熱層を備えるように構成されており、前記断熱層が、２Ｗ／ｍ−Ｋの熱伝導率の材料を含む、請求項2に記載のデバイス。
【請求項４５】
前記クランプが、前記試料を加熱または冷却する必要がある熱質量を低減するための断熱層を備えるように構成されており、前記断熱層が、２Ｗ／ｍ−Ｋの熱伝導率の材料を含む、請求項2に記載のデバイス。
【請求項４６】
閉鎖構成において、前記クランプが、前記プレートの前記表面の一部と熱伝導接触するように構成されている、請求項2に記載のデバイス。
【請求項４７】
閉鎖構成において、前記クランプが、前記プレートの周辺表面領域のみと熱伝導接触する、請求項2に記載のデバイス。
【請求項４８】
前記クランプが、外側の光が前記プレートに入ることまたはプレートの内側の光が外に出ることを可能にする透明な窓を備える、請求項2に記載のデバイス。
【請求項４９】
前記クランプが、外側の光が前記プレートに入ることまたはプレートの内側の光が外に出ることを可能にする透明な窓を備え、透明度が、３０％超、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、１００％であるか、またはそれらの値のうちのいずれか２つの間の範囲である、請求項2に記載のデバイス。
【請求項５０】
前記クランプが、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを圧縮するための圧力を加え、前記圧力が、０．０１ｋｇ／ｃｍ２、０．１ｋｇ／ｃｍ２、０．５ｋｇ／ｃｍ２、１ｋｇ／ｃｍ２、２ｋｇ／ｃｍ２、ｋｇ／ｃｍ２、５ｋｇ／ｃｍ２、１０ｋｇ／ｃｍ２、２０ｋｇ／ｃｍ２、３０ｋｇ／ｃｍ２、４０ｋｇ／ｃｍ２、５０ｋｇ／ｃｍ２、６０ｋｇ／ｃｍ２、１００ｋｇ／ｃｍ２、１５０ｋｇ／ｃｍ２、２００ｋｇ／ｃｍ２、４００ｋｇ／ｃｍ２であるか、またはそれらの値のうちのいずれか２つの間の範囲である、請求項2に記載のデバイス。
【請求項５１】
前記クランプが、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを圧縮するための圧力を加え、前記圧力が、０．１ｋｇ／ｃｍ２〜２０ｋｇ／ｃｍ２である、請求項2に記載のデバイス。
【請求項５２】
前記クランプが、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを圧縮するための圧力を加え、前記圧力が、０．５ｋｇ／ｃｍ２〜４０ｋｇ／ｃｍ２である、請求項2に記載のデバイス。
【請求項５３】
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを閉鎖構成において一緒に圧縮するクランプをさらに備え、かつ前記第１のプレートの少なくとも一部と前記第２のプレートとの間に密封材料をさらに備え、前記プレート上に加えられた前記クランプの圧力が０．０１ｋｇ／ｃｍ＾２以上である、請求項6に記載のデバイス。
【請求項５４】
前記プレートのうちの一方または両方が、低い熱伝導率を有する、請求項6に記載のデバイス。
【請求項５５】
前記試料が、予混合されたポリメラーゼ連鎖反応（ＰＣＲ）媒体である、請求項1に記載のデバイス。
【請求項５６】
前記デバイスが、所定のプログラムに従って前記試料の温度を変化させるためのＰＣＲアッセイを容易にするように構成されている、請求項1に記載のデバイス。
【請求項５７】
前記デバイスが、診断試験、健康管理、環境試験、および／または法医学的試験を実行するように構成されている、請求項6に記載のデバイス。
【請求項５８】
前記デバイスが、ＤＮＡ増幅、ＤＮＡ定量化、選択的ＤＮＡ単離、遺伝分析、組織適合検査、癌遺伝子同定、感染症試験、遺伝子指紋法、および／または父子鑑定を実行するように構成されている、請求項6に記載のデバイス。
【請求項５９】
前記電磁波の存在、強度、波長、周波数、および／または角度を制御するように構成されているコントローラをさらに備える、請求項8に記載のシステム。
【請求項６０】
前記試料接触領域またはその近傍の温度を測定し、前記測定された温度に基づいて前記コントローラに信号を送信するように構成されている温度計をさらに備える、請求項59に記載のシステム。
【請求項６１】
前記温度計が、光ファイバ温度計、赤外線温度計、液晶温度計、高温計、水晶温度計、シリコンバンドギャップ温度センサ、温度ストリップ、サーミスタ、および熱電対からなる群から選択される、請求項60に記載のシステムまたは方法。
【請求項６２】
ＤＮＡテンプレート、プライマー、ＤＮＡポリメラーゼ、デオキシヌクレオシド三リン酸（ｄＮＴＰ）、二価カチオン（例えば、Ｍｇ２＋）、一価カチオン（例えば、Ｋ＋）、および緩衝液から選択される試薬をさらに含む、請求項6に記載のデバイス。
【請求項６３】
前記スペーサが、実質的に平坦な頂部を有する、請求項16に記載のデバイス。
【請求項６４】
前記プレートのうちの１つが、５０ｕｍ以下である、請求項6に記載のデバイス。
【請求項６５】
均一な厚さの前記試料の前記少なくとも一部の近くに放射線吸収層をさらに備え、前記試料の前記少なくとも一部および前記放射線吸収層の領域が、前記均一な厚さよりも実質的に大きい、請求項１に記載のデバイス。
【請求項６６】
薄い流体試料層の温度を急速に変化させるためのシステムであって、
ｉ．請求項65に記載のデバイスと、
ｉｉ．前記放射線吸収層が顕著に吸収する電磁波を放射するように構成された、放射線源と
を備え、
ｉｉｉ．前記コントローラが、前記放射線源を制御し、前記試料の前記温度を急速に変化させるように構成されている、システム。
【請求項６７】
薄い流体試料層の温度を急速に変化させるための方法であって、
ｉ．請求項66に記載のシステムを提供することと、
ｉｉ．前記プレートの一方または両方の上に流体試料を付着させることと、
ｉｉｉ．前記プレートを閉鎖構成へと押圧することと、
ｉｖ．前記放射線源からの前記電磁波の存在、強度、波長、周波数、および／または角度を変化させることによって、前記試料層の前記温度を変化させ維持することと
を含む、方法。
【請求項６８】
前記試料の温度を変化させることが、前記温度を周期的に上下に変化させる熱サイクリングである、請求項67に記載の方法。
【請求項６９】
前記試料の温度を変化させることが熱サイクリングであり、前記熱サイクリングが、ポリメラーゼ連鎖作用（ＰＣＲ）を使用した核酸の増幅のためである、請求項67に記載の方法。
【請求項７０】
前記試料の前記温度の前記変化が、核酸の等温増幅のためである、請求項67に記載の方法。
【請求項７１】
前記試料の前記少なくとも一部および前記放射線吸収層の領域が、前記均一な厚さよりも実質的に大きい、請求項65に記載のデバイス。
【請求項７２】
前記放射線吸収層が、ディスク結合ドットオンピラーアンテナ（Ｄ２ＰＡ）アレイ、シリコンサンドイッチ、グラフェン、超格子、または他のプラズモン材料、その他それらの組み合わせを含む、請求項65に記載のデバイス。
【請求項７３】
前記放射線吸収層が、カーボンもしくはブラックナノ構造またはそれらの組み合わせを含む、請求項65に記載のデバイス。
【請求項７４】
前記放射線吸収層が、放射線エネルギーを吸収するように構成されている、請求項65に記載のデバイス。
【請求項７５】
前記放射線吸収層が、放射線エネルギーを吸収した後、熱の形態でエネルギーを放射するように構成されている、請求項65に記載のデバイス。
【請求項７６】
前記放射線吸収層が、前記試料層の下に、かつ前記試料層と直接接触して位置付けられている、請求項66に記載のデバイス。
【請求項７７】
前記放射線吸収層が、電波、マイクロ波、赤外波、可視光、紫外波、Ｘ線、ガンマ線、および熱放射からなる群から選択される電磁波を吸収するように構成されている、請求項65に記載のデバイス。
【請求項７８】
前記プレートのうちの少なくとも１つが、前記放射線吸収層が吸収する放射線を遮断しない、請求項66に記載のデバイス。
【請求項７９】
前記プレートのうちの一方または両方が、低い熱伝導率を有する、請求項65に記載のデバイス。
【請求項８０】
前記試料層の前記均一な厚さが、前記プレートのうちの一方または両方に固定されている１つ以上のスペーサによって調節される、請求項65に記載のデバイス。
【請求項８１】
前記放射線源および前記放射線吸収層は、前記電磁波が少なくとも１０℃／秒の平均昇温速度傾斜を生じさせ、前記電磁波の除去が少なくとも５℃／秒の平均降温速度傾斜をもたらすように構成されている、請求項66に記載のシステム。
【請求項８２】
前記放射線源および前記放射線吸収層が、少なくとも１０℃／秒の平均昇温速度傾斜および少なくとも５℃／秒の平均降温速度傾斜を生み出すように構成されている、請求項66に記載のシステム。
【請求項８３】
前記放射線源および前記放射線吸収層が、ＰＣＲ中に初期化ステップ、変性ステップ、および／または延伸／伸長ステップに到達するために少なくとも１０℃／秒の平均昇温速度傾斜を生み出し、ならびにＰＣＲ中にアニーリングステップおよび／または最終冷却ステップに到達するために少なくとも５℃／秒の平均降温速度傾斜を生み出すように構成されている、請求項66に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
放射加熱および冷却が好ましい。
［本発明１００１］
ポリマーまたはガラス材料を含み、１００μｍ以下の厚さを有する、第１のプレートと、
ポリマーまたはガラス材料を含み、１００μｍ以下の厚さを有する、第２のプレートと、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に配置された加熱／冷却層であって、６×１０−５Ｗ／Ｋに前記加熱／冷却層の厚さを乗じた値から１．５×１０−４Ｗ／Ｋに前記加熱／冷却層の前記厚さを乗じた値の間の熱コンダクタンスを有する、加熱／冷却層と
を備えるデバイスであって、
前記加熱／冷却が、１５ｕｍ以下であり、かつ黒体の表面熱放射能力の少なくとも５０％の表面熱放射能力を有し、
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートが、平行配置で互いに向かい合い、かつ１５０ｕｍ以下である距離により互いから分離され、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートが、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた流体試料を受容するように構成されている、デバイス。
［本発明１００２］
試料温度を急速に変化させるためのデバイスであって、
ポリマーまたはガラス材料を含み、１００μｍ以下の厚さを有する、第１のプレートと、
ポリマーまたはガラス材料を含み、１００μｍ以下の厚さを有する、第２のプレートと、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に配置された加熱／冷却層であって、６×１０−５Ｗ／Ｋに前記加熱／冷却層の厚さを乗じた値から１．５×１０−４Ｗ／Ｋに前記加熱／冷却層の前記厚さを乗じた値の間の熱コンダクタンスを有する、加熱／冷却層と、
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを圧縮して前記２つのプレートを一緒に固定するクランプであって、前記圧縮が前記プレート上に圧力をかける、クランプと
を備え、
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートが、平行配置で互いに向かい合い、かつ１５０ｕｍ以下である距離により互いから分離され、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートが、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた流体試料を受容するように構成され、
前記圧力が、前記挟まれた試料の領域を包囲する領域上にかかり、これにより、前記圧力が前記領域からの前記試料の流出を低減する、デバイス。
［本発明１００３］
試料温度を急速に変化させるための方法であって、
ｉ．いずれかの本発明に記載のデバイスを提供することと、
ｉｉ．前記第１のプレートまたは前記第２のプレートの試料接触領域のうちの一方または両方の上に流体試料を付着させることと、
ｉｉｉ．前記プレートを手で押圧して、それらの間に前記試料を挟み、前記試料の少なくとも一部を押圧して薄層にすることと、
ｉｖ．前記デバイス内の関連体積の温度を変化させ、かつ／または維持することと
を含む、方法。
［本発明１００４］
試料温度を急速に変化させるための方法であって、
ｉ．第１のプレートと、第２のプレートと、加熱／冷却層とを備えるデバイスを提供することであって、
ａ．前記第１のプレートが、ポリマーまたはガラス材料を含み、かつ１００μｍ以下の厚さを有し、
ｂ．前記第２のプレートが、ポリマーまたはガラス材料を含み、かつ１００μｍ以下の厚さを有し、
ｃ．前記加熱／冷却層が、前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に配置され、前記加熱／冷却層が、６×１０−５Ｗ／Ｋに前記加熱／冷却層の厚さを乗じた値から１．５×１０−４Ｗ／Ｋに前記加熱／冷却層の前記厚さを乗じた値の間の熱コンダクタンスを有し、
ｄ．前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを圧縮して前記２つのプレートを一緒に固定するクランプであって、前記圧縮が前記プレート上に圧力をかける、
提供することと、
ｉｉ．前記第１のプレートまたは前記第２のプレートの試料接触領域のうちの一方または両方の上に流体試料を付着させることと、
ｉｉｉ．前記プレートを手で押圧して、前記試料接触領域を互いに向かい合わせにすることと
を含み、
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートが、平行配置で互いに向かい合い、かつ１５０ｕｍ以下である距離により互いから分離され、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートが、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた流体試料を受容するように構成され、
前記圧力が、前記挟まれた試料の領域を包囲する領域上にかかり、これにより、前記圧力が前記領域からの試料流の流出を低減する、方法。
［本発明１００５］
ポリマーまたはガラス材料を含み、１００μｍ以下の厚さを有する、第１のプレートと、
ポリマーまたはガラス材料を含み、１００μｍ以下の厚さを有する、第２のプレートと、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に配置された加熱／冷却層であって、６×１０−５Ｗ／Ｋに前記加熱／冷却層の厚さを乗じた値から１．５×１０−４Ｗ／Ｋに前記加熱／冷却層の前記厚さを乗じた値の間の熱コンダクタンスを有する、加熱／冷却層と
を備えるデバイスであって、
前記加熱／冷却が、１５ｕｍ以下であり、かつ黒体の表面熱放射能力の少なくとも５０％の表面熱放射能力を有し、
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートが、異なる構成になるように移動可能であり、
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートが、平行配置で互いに向かい合い、かつ１５０ｕｍ以下である距離により互いから分離され、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートが、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた流体試料を受容するように構成されている、デバイス。
［本発明１００６］
第１のプレートと、
１００μｍ以下の厚さを有する第２のプレートであって、平行配置で前記第２のプレートの厚さ以下の距離だけ前記第１のプレートから分離されている、第２のプレートと、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に配置された加熱／冷却層と
を備えるデバイスであって、
前記加熱／冷却層が、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた液体試料の少なくとも一部分が少なくとも３０℃／秒の速度で加熱されるように電磁放射線を受けるよう構成されている、デバイス。
［本発明１００７］
第１のプレートと、
１００μｍ以下の厚さを有する第２のプレートであって、平行配置で前記第２のプレートの前記厚さ以下の距離だけ前記第１のプレートから分離されている、第２のプレートと、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に配置された加熱／冷却層と
を備えるデバイスであって、
前記加熱／冷却層が光源によって発生した電磁放射線を受けていないときに、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた液体試料の少なくとも一部分が、少なくとも３０℃／秒の速度で冷却される、デバイス。
［本発明１００８］
第１のプレートと、
１００μｍ以下の厚さを有する第２のプレートであって、前記第２のプレートの内面が、平行配置で前記第２のプレートの前記厚さ以下の距離だけ前記第１のプレートの内面から分離されている、第２のプレートと、
前記第２のプレートの前記内面上または外面上に配置された加熱／冷却層と、
前記第１のプレートの前記内面上で乾燥された試薬の層と
を備えるデバイス。
［本発明１００９］
ポリマー材料を含み、１００μｍ以下の厚さを有する、第１のプレート、
ポリマー材料を含み、１００μｍ以下の厚さを有する第２のプレートであって、平行配置で前記第２のプレートの前記厚さ以下の距離だけ前記第１のプレートから分離されている、第２のプレート、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に配置された加熱／冷却層であって、ある厚さを有し、６×１０−５Ｗ／Ｋに前記加熱／冷却層の前記厚さを乗じた値から１．５×１０−４Ｗ／Ｋに前記加熱／冷却層の前記厚さを乗じた値の間の熱伝導率を有する、加熱／冷却層、ならびに
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つを支持するように構成された、支持フレーム
を備えるデバイスと、
前記デバイスを受容するように構成された第１の開口、および少なくとも１つの他の開口を有する、筐体と、
電磁放射線を前記加熱／冷却層に向けて方向付けるように構成された光源と
を備えるシステムであって、
前記加熱／冷却層が、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた液体試料の少なくとも一部分が少なくとも３０℃／秒の速度で加熱されるように前記電磁放射線の少なくとも一部分を吸収するよう構成され、
前記加熱／冷却層が前記光源によって発生した前記電磁放射線を受けていないときに、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた前記液体試料の少なくとも前記一部分が、少なくとも３０℃／秒の速度で冷却され、
前記システムが５００ｍＷ未満の電力を消費する、システム。
［本発明１０１０］
第１のプレート、
１００μｍ以下の厚さを有する第２のプレートであって、平行配置で前記第２のプレートの前記厚さ以下の距離だけ前記第１のプレートから分離されている、第２のプレート、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に配置された加熱／冷却層、ならびに
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つを支持するように構成された、支持フレーム
を備えるデバイスと、
電磁放射線を前記加熱／冷却層に向けて方向付けるように構成された光源と
を備えるシステムであって、
前記加熱／冷却層が前記光源によって発生した前記電磁放射線を受けていないときに、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた液体試料の少なくとも一部分が、少なくとも３０℃／秒の速度で冷却される、システム。
［本発明１０１１］
第１のプレート、
１００μｍ以下の厚さを有する第２のプレートであって、平行配置で前記第２のプレートの前記厚さ以下の距離だけ前記第１のプレートから分離されている、第２のプレート、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に配置された加熱／冷却層
を備えるデバイスと、
電磁放射線を前記加熱／冷却層に向けて方向付けるように構成された光源と
を備えるシステムであって、５００ｍＷ未満の電力を消費する、システム。
［本発明１０１２］
第１のプレート、
１００μｍ以下の厚さを有する第２のプレートであって、平行配置で前記第２のプレートの前記厚さ以下の距離だけ前記第１のプレートから分離されている、第２のプレート、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に配置された加熱／冷却層、ならびに
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つを支持するように構成された、支持フレーム
を備えるデバイスと、
前記デバイスを受容するように構成された第１の開口、および少なくとも１つの他の開口を有する、筐体と、
電磁放射線を前記筐体の前記少なくとも１つの他の開口を通して、かつ前記加熱／冷却層に向けて方向付けるように構成された光源と
を備えるシステムであって、
前記加熱／冷却層が前記光源によって発生した前記電磁放射線を受けていないときに、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた液体試料が、少なくとも３０℃／秒の速度で冷却される、システム。
［本発明１０１３］
デバイスを使用する方法であって、
流体試料が、第１のプレートおよび第２のプレートのうちの少なくとも１つの上に位置する１つ以上のスペーサによって決定された厚さで、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれるように、前記第２のプレートを前記第１のプレートの上に配設することと、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に位置する加熱層に向かって電磁放射線を放射するように構成された熱源を作動させることと、
少なくとも前記加熱層を使用して、少なくとも３０℃／秒の速度で前記流体試料の少なくとも一部分を加熱することと
を含む、方法。
［本発明１０１４］
デバイスを使用する方法であって、
流体試料が、第１のプレートおよび第２のプレートのうちの少なくとも１つの上に位置する１つ以上のスペーサによって決定された厚さで、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれるように、前記第２のプレートを前記第１のプレートの上に配設することと、
所与の期間にわたって、前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に位置する加熱／冷却層に向かって電磁放射線を放射するように構成された熱源を作動させることと、
前記所与の期間後に前記熱源を停止することであって、前記流体試料の少なくとも一部分が前記停止後に少なくとも３０℃／秒の速度で冷却する、停止することと
を含む、方法。
［本発明１０１５］
デバイスを使用する方法であって、
流体試料が、第１のプレートおよび第２のプレートのうちの少なくとも１つの上に位置する１つ以上のスペーサによって決定された厚さで、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれるように、前記第２のプレートを前記第１のプレートの上に配設することと、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に位置する加熱層に向かって電磁放射線を放射するように構成された熱源を作動させることであって、前記熱源が５００ｍＷ未満の電力を消費する、作動させることと、
少なくとも前記加熱層を使用して、前記流体試料の少なくとも一部分を加熱することと
を含む、方法。
［本発明１０１６］
核酸を増幅する方法であって、
核酸を含有する流体試料を、流体デバイスの第１のプレート上に付着させることと、
前記流体試料が前記第１のプレートと第２のプレートとの間に挟まれるように前記第２のプレートを前記第１のプレートの上に配設することであって、核酸増幅のための試薬が、前記第２のプレートの内面上に存在する、配設することと、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に位置する加熱層に向かって電磁放射線を放射するように構成された熱源を作動させることと、
少なくとも前記加熱層を使用して、少なくとも３０℃／秒の速度で前記流体試料の少なくとも一部分を加熱することと、
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた前記流体試料の少なくとも前記一部分中に核酸増幅産物を蓄積することと
を含む、方法。
［本発明１０１７］
核酸を増幅する方法であって、
核酸を含有する流体試料を、流体デバイスの第１のプレート上に付着させることと、
前記流体試料が前記第１のプレートと第２のプレートとの間に挟まれるように前記第２のプレートを前記第１のプレートの上に配設することであって、核酸増幅のための試薬が、前記第２のプレートの内面上に存在する、配設することと、
１つ以上のＰＣＲサイクルを実行することによって前記試料中の核酸を増幅することであって、各ＰＣＲサイクルが、変性ステップ、アニーリングステップ、および伸長ステップを含む、増幅することと
を含み、
前記変性ステップ、前記アニーリングステップ、および／または前記伸長ステップのうちの１つ以上が、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に位置する加熱層に向かって電磁放射線を放射するように構成された熱源を作動させることと、
少なくとも前記加熱層を使用して、少なくとも３０℃／秒の速度で前記流体試料の少なくとも一部分を加熱することと
を含む、方法。
［本発明１０１８］
核酸を増幅する方法であって、
核酸を含有する流体試料を、流体デバイスの第１のプレート上に付着させることと、
前記流体試料が前記第１のプレートと第２のプレートとの間に挟まれるように前記第２のプレートを前記第１のプレートの上に配設することであって、核酸増幅のための試薬が、前記第２のプレートの内面上に存在する、配設することと、
所与の期間にわたって、前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に位置する加熱／冷却層に向かって電磁放射線を放射するように構成された熱源を作動させることと、
前記所与の期間後に前記熱源を停止することであって、前記加熱／冷却層に隣接する前記流体試料の少なくとも一部分が、前記停止後に少なくとも３０℃／秒の速度で冷却する、停止することと、
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた前記流体試料の少なくとも前記一部分中に核酸増幅産物を蓄積することと
を含む、方法。
［本発明１０１９］
核酸を増幅する方法であって、
核酸を含有する流体試料を、流体デバイスの第１のプレート上に付着させることと、
前記流体試料が前記第１のプレートと第２のプレートとの間に挟まれるように前記第２のプレートを前記第１のプレートの上に配設することであって、核酸増幅のための試薬が、前記第２のプレートの内面上に存在する、配設することと、
１つ以上のＰＣＲサイクルを実行することによって前記試料中の核酸を増幅することであって、各ＰＣＲサイクルが、変性ステップ、アニーリングステップ、および伸長ステップを含む、増幅することと
を含み、
前記変性ステップ、前記アニーリングステップ、および／または前記伸長ステップのうちの１つ以上が、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に位置する加熱層に向かって電磁放射線を放射するように構成された熱源を作動させることと、
所与の期間後に前記熱源を停止することであって、前記加熱／冷却層に隣接する前記流体試料の少なくとも一部分が、前記停止後に少なくとも３０℃／秒の速度で冷却する、停止することと、
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた前記流体試料の少なくとも前記一部分中に核酸増幅産物を蓄積することと
を含む、方法。
［本発明１０２０］
核酸を増幅する方法であって、
核酸を含有する流体試料を、流体デバイスの第１のプレート上に付着させることと、
前記流体試料が、前記第１のプレートおよび第２のプレートのうちの少なくとも１つの上に位置する１つ以上のスペーサによって決定された厚さで、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれるように、前記第２のプレートを前記第１のプレートの上に配設することであって、核酸増幅のための試薬が、前記第２のプレートの内面上に存在する、配設することと、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に位置する加熱層に向かって電磁放射線を放射するように構成された熱源を作動させることであって、前記熱源が５００ｍＷ未満の電力を消費する、作動させることと、
少なくとも前記加熱層を使用して、前記流体試料の少なくとも一部分を加熱することと、
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた前記流体試料の少なくとも前記一部分中に核酸増幅産物を蓄積することと
を含む、方法。
［本発明１０２１］
核酸を増幅する方法であって、
核酸を含有する流体試料を、流体デバイスの第１のプレート上に付着させることと、
前記流体試料が、前記第１のプレートおよび第２のプレートのうちの少なくとも１つの上に位置する１つ以上のスペーサによって決定された厚さで、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれるように、前記第２のプレートを前記第１のプレートの上に配設することであって、核酸増幅のための試薬が、前記第２のプレートの内面上に存在する、配設することと、
１つ以上のＰＣＲサイクルを実行することによって前記試料中の核酸を増幅することであって、各ＰＣＲサイクルが、変性ステップ、アニーリングステップ、および伸長ステップを含む、増幅することと
を含み、
前記変性ステップ、前記アニーリングステップ、および／または前記伸長ステップのうちの１つ以上が、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に位置する加熱層に向かって電磁放射線を放射するように構成された熱源を作動させることであって、前記熱源が５００ｍＷ未満の電力を消費する、作動させることと、
少なくとも前記加熱層を使用して、前記流体試料の少なくとも一部分を加熱することと、
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた前記流体試料の少なくとも前記一部分中に核酸増幅産物を蓄積することと
を含む、方法。
［本発明１０２２］
試料中に標的核酸配列が存在するかまたは存在しないかを検出するための方法であって、
核酸を含有する流体試料を、流体デバイスの第１のプレート上に付着させることと、
前記流体試料が前記第１のプレートと第２のプレートとの間に挟まれるように前記第２のプレートを前記第１のプレートの上に配設することであって、核酸増幅のための試薬が、前記第２のプレートの内面上に存在し、前記試薬が、前記標的核酸とハイブリダイズすることができるプライマーを含む、配設することと、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に位置する加熱層に向かって電磁放射線を放射するように構成された熱源を作動させることと、
少なくとも前記加熱層を使用して、少なくとも３０℃／秒の速度で前記流体試料の少なくとも一部分を加熱することと、
前記流体試料が前記標的核酸配列の増幅産物を含有するかどうかを検出することと
を含む、方法。
［本発明１０２３］
試料中に標的核酸配列が存在するかまたは存在しないかを検出するための方法であって、
核酸を含有する流体試料を、流体デバイスの第１のプレート上に付着させることと、
前記流体試料が前記第１のプレートと第２のプレートとの間に挟まれるように前記第２のプレートを前記第１のプレートの上に配設することであって、核酸増幅のための試薬が、前記第２のプレートの内面上に存在し、前記試薬が、前記標的核酸とハイブリダイズすることができるプライマーを含む、配設することと、
所与の期間にわたって、前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に位置する加熱／冷却層に向かって電磁放射線を放射するように構成された熱源を作動させることと、
前記所与の期間後に前記熱源を停止することであって、前記加熱／冷却層に隣接する前記流体試料の少なくとも一部分が、前記停止後に少なくとも３０℃／秒の速度で冷却する、停止することと、
前記流体試料が前記標的核酸配列の増幅産物を含有するかどうかを検出することと
を含む、方法。
［本発明１０２４］
試料中に標的核酸配列が存在するかまたは存在しないかを検出するための方法であって、
核酸を含有する流体試料を、流体デバイスの第１のプレート上に付着させることと、
前記流体試料が前記第１のプレートと第２のプレートとの間に挟まれるように前記第２のプレートを前記第１のプレートの上に配設することであって、核酸増幅のための試薬が、前記第２のプレートの内面上に存在し、前記試薬が、前記標的核酸とハイブリダイズすることができるプライマーを含む、配設することと、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に位置する加熱層に向かって電磁放射線を放射するように構成された熱源を作動させることであって、前記熱源が５００ｍＷ未満の電力を消費する、作動させることと、
少なくとも前記加熱層を使用して、前記流体試料の少なくとも一部分を加熱することと、
前記流体試料が前記標的核酸配列の増幅産物を含有するかどうかを検出することと
を含む、方法。
［本発明１０２５］
試料中の分析物の有無を検出するための方法であって、
流体試料を流体デバイスの第１のプレート上に付着させることと、
前記流体試料が前記第１のプレートと第２のプレートとの間に挟まれるように前記第２のプレートを前記第１のプレートの上に配設することであって、前記分析物の検出のための試薬が、前記第２のプレートの内面上に存在する、配設することと、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に位置する加熱層に向かって電磁放射線を放射するように構成された熱源を作動させることと、
少なくとも前記加熱層を使用して、少なくとも３０℃／秒の速度で前記流体試料の少なくとも一部分を加熱することと、
前記流体試料が前記分析物を含有するかどうかを検出することと
を含む、方法。
［本発明１０２６］
試料中の分析物の有無を検出するための方法であって、
含有する流体試料を、流体デバイスの第１のプレート上に付着させることと、
前記流体試料が前記第１のプレートと第２のプレートとの間に挟まれるように前記第２のプレートを前記第１のプレートの上に配設することであって、前記分析物の検出のための試薬が、前記第２のプレートの内面上に存在する、配設することと、
所与の期間にわたって、前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に位置する加熱／冷却層に向かって電磁放射線を放射するように構成された熱源を作動させることと、
前記所与の期間後に前記熱源を停止することであって、前記加熱／冷却層に隣接する前記流体試料の少なくとも一部分が、前記停止後に少なくとも３０℃／秒の速度で冷却する、停止することと、
前記流体試料が前記分析物を含有するかどうかを検出することと
を含む、方法。
［本発明１０２７］
試料中の分析物の有無を検出するための方法であって、
流体試料を流体デバイスの第１のプレート上に付着させることと、
前記流体試料が前記第１のプレートと第２のプレートとの間に挟まれるように前記第２のプレートを前記第１のプレートの上に配設することであって、前記分析物の検出のための試薬が、前記第２のプレートの内面上に存在する、配設することと、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に位置する加熱層に向かって電磁放射線を放射するように構成された熱源を作動させることであって、前記熱源が５００ｍＷ未満の電力を消費する、作動させることと、
少なくとも前記加熱層を使用して、前記流体試料の少なくとも一部分を加熱することと、
前記流体試料が前記分析物を含有するかどうかを検出することと
を含む、方法。
［本発明１０２８］
対象における状態を診断するための方法であって、
前記対象からの流体試料を流体デバイスの第１のプレート上に付着させることと、
前記流体試料が前記第１のプレートと第２のプレートとの間に挟まれるように前記第２のプレートを前記第１のプレートの上に配設することであって、分析物の検出のための試薬が、前記第２のプレートの内面上に存在する、配設することと、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に位置する加熱層に向かって電磁放射線を放射するように構成された熱源を作動させることと、
少なくとも前記加熱層を使用して、少なくとも３０℃／秒の速度で前記流体試料の少なくとも一部分を加熱することと、
前記流体試料が前記分析物を含有するかどうかを検出することと
を含み、
前記分析物の有無が、前記対象が前記状態を有することを示す、方法。
［本発明１０２９］
対象における状態を診断するための方法であって、
前記対象からの流体試料を流体デバイスの第１のプレート上に付着させることと、
前記流体試料が前記第１のプレートと第２のプレートとの間に挟まれるように前記第２のプレートを前記第１のプレートの上に配設することであって、分析物の検出のための試薬が、前記第２のプレートの内面上に存在する、配設することと、
所与の期間にわたって、前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に位置する加熱／冷却層に向かって電磁放射線を放射するように構成された熱源を作動させることと、
前記所与の期間後に前記熱源を停止することであって、前記加熱／冷却層に隣接する前記流体試料の少なくとも一部分が、前記停止後に少なくとも３０℃／秒の速度で冷却する、停止することと、
前記流体試料が前記分析物を含有するかどうかを検出することと
を含み、
前記分析物の有無が、前記対象が前記状態を有することを示す、方法。
［本発明１０３０］
対象における状態を診断するための方法であって、
前記対象からの流体試料を流体デバイスの第１のプレート上に付着させることと、
前記流体試料が前記第１のプレートと第２のプレートとの間に挟まれるように前記第２のプレートを前記第１のプレートの上に配設することであって、分析物の検出のための試薬が、前記第２のプレートの内面上に存在する、配設することと、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に位置する加熱層に向かって電磁放射線を放射するように構成された熱源を作動させることであって、前記熱源が５００ｍＷ未満の電力を消費する、作動させることと、
少なくとも前記加熱層を使用して、前記流体試料の少なくとも一部分を加熱することと、
前記流体試料が前記分析物を含有するかどうかを検出することと
を含み、
前記分析物の有無が、前記対象が前記状態を有することを示す、方法。
［本発明１０３１］
対象における状態を診断するための方法であって、
前記対象からの流体試料を流体デバイスの第１のプレート上に付着させることと、
前記流体試料が前記第１のプレートと第２のプレートとの間に挟まれるように前記第２のプレートを前記第１のプレートの上に配設することであって、分析物の検出のための試薬が、前記第２のプレートの内面上に存在する、配設することと、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に位置する加熱層に向かって電磁放射線を放射するように構成された熱源を作動させることと、
少なくとも前記加熱層を使用して、少なくとも３０℃／秒の速度で前記流体試料の少なくとも一部分を加熱することと、
前記流体試料中の前記分析物の量を定量化することと、
前記量を前記分析物の対照量または参照量と比較することと
を含み、
前記対照量または参照量と比較して、前記試料中の前記分析物の量がより多いことまたは低減していることが、前記対象が前記状態を有することを示す、方法。
［本発明１０３２］
対象における状態を診断するための方法であって、
前記対象からの流体試料を流体デバイスの第１のプレート上に付着させることと、
前記流体試料が前記第１のプレートと第２のプレートとの間に挟まれるように前記第２のプレートを前記第１のプレートの上に配設することであって、分析物の検出のための試薬が、前記第２のプレートの内面上に存在する、配設することと、
所与の期間にわたって、前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に位置する加熱／冷却層に向かって電磁放射線を放射するように構成された熱源を作動させることと、
前記所与の期間後に前記熱源を停止することであって、前記加熱／冷却層に隣接する前記流体試料の少なくとも一部分が、前記停止後に少なくとも３０℃／秒の速度で冷却する、停止することと、
前記流体試料中の前記分析物の量を定量化することと、
前記量を前記分析物の対照量または参照量と比較することと
を含み、
前記対照量または参照量と比較して、前記試料中の前記分析物の量がより多いことまたは低減していることが、前記対象が前記状態を有することを示す、方法。
［本発明１０３３］
対象における状態を診断するための方法であって、
前記対象からの流体試料を流体デバイスの第１のプレート上に付着させることと、
前記流体試料が前記第１のプレートと第２のプレートとの間に挟まれるように前記第２のプレートを前記第１のプレートの上に配設することであって、分析物の検出のための試薬が、前記第２のプレートの内面上に存在する、配設することと、
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの上に位置する加熱層に向かって電磁放射線を放射するように構成された熱源を作動させることであって、前記熱源が５００ｍＷ未満の電力を消費する、作動させることと、
少なくとも前記加熱層を使用して、前記流体試料の少なくとも一部分を加熱することと、
前記流体試料中の前記分析物の量を定量化することと、
前記量を前記分析物の対照量または参照量と比較することと
を含み、
前記対照量または参照量と比較して、前記試料中の前記分析物の量がより多いことまたは低減していることが、前記対象が前記状態を有することを示す、方法。
［本発明１０３４］
前記加熱／冷却層上に配置された光吸収層をさらに備え、前記光吸収層が、少なくとも３０％の平均光吸収率を有する、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０３５］
前記光吸収層が、黒色塗料を含む、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０３６］
前記第１のプレートが、前記第２のプレートに対して移動可能である、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０３７］
前記加熱／冷却層の厚さが、３μｍ以下である、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０３８］
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つが、その主表面にわたって約４００ｍｍ２の面積を有する、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０３９］
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に配置された複数の球状スペーサをさらに備える、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０４０］
約１０ｕｍの高さを有する複数のスペーサをさらに備え、前記複数のスペーサが、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に配置される、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０４１］
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間の距離が、１００μｍ以下である、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０４２］
前記第１のプレートを前記第２のプレートと接続するように構成されかつ前記第１のプレートまたは前記第２のプレートの縁部に連結されたヒンジをさらに備える、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０４３］
前記加熱／冷却層上に配置された光吸収層をさらに備え、前記光吸収層が、少なくとも３０％の平均光吸収率を有する、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０４４］
前記光吸収層が、黒色塗料を含む、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０４５］
前記第１のプレートが、前記第２のプレートに対して移動可能である、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０４６］
前記加熱／冷却層の厚さが、３μｍ以下である、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０４７］
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つが、その主表面にわたって約４００ｍｍ２の面積を有する、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０４８］
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に配置された複数の球状スペーサをさらに備える、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０４９］
約１０ｕｍの高さを有する複数のスペーサをさらに備え、前記複数のスペーサが、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に配置される、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０５０］
前記液体試料の前記少なくとも一部分が、前記電磁放射線の経路に沿ったある体積の前記試料を含む、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０５１］
前記第１のプレートを前記第２のプレートと接続するように構成されかつ前記第１のプレートまたは前記第２のプレートの縁部に連結されたヒンジをさらに備える、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０５２］
前記加熱／冷却層上に配置された光吸収層をさらに備え、前記光吸収層が、少なくとも３０％の平均光吸収率を有する、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０５３］
前記光吸収層が、黒色塗料を含む、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０５４］
前記第１のプレートが、前記第２のプレートに対して移動可能である、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０５５］
前記加熱／冷却層の厚さが、３μｍ以下である、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０５６］
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つが、その主表面にわたって約４００ｍｍ２の面積を有する、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０５７］
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に配置された複数の球状スペーサをさらに備える、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０５８］
約１０ｕｍの高さを有する複数のスペーサをさらに備え、前記複数のスペーサが、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に配置される、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０５９］
前記液体試料の前記少なくとも一部分が、前記加熱／冷却層に隣接するある体積の前記試料を含む、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０６０］
前記第１のプレートを前記第２のプレートと接続するように構成されかつ前記第１のプレートまたは前記第２のプレートの縁部に連結されたヒンジをさらに備える、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０６１］
前記加熱／冷却層上に配置された光吸収層をさらに備え、前記光吸収層が、少なくとも３０％の平均光吸収率を有する、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０６２］
前記光吸収層が、黒色塗料を含む、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０６３］
前記第１のプレートが、前記第２のプレートに対して移動可能である、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０６４］
前記加熱／冷却層の厚さが、３μｍ以下である、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０６５］
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つが、その主表面にわたって約４００ｍｍ２の面積を有する、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０６６］
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に配置された複数の球状スペーサをさらに備える、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０６７］
約１０ｕｍの高さを有する複数のスペーサをさらに備え、前記複数のスペーサが、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に配置される、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０６８］
前記乾燥試薬の層が、核酸増幅に使用される試薬を含む、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０６９］
前記第１のプレートを前記第２のプレートと接続するように構成されかつ前記第１のプレートまたは前記第２のプレートの縁部に連結されたヒンジをさらに備える、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１０７０］
前記デバイスが、前記加熱／冷却層上に配置された光吸収層をさらに備え、前記光吸収層が、少なくとも３０％の平均光吸収率を有する、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０７１］
前記光吸収層が、黒色塗料を含む、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０７２］
前記第１のプレートが、前記第２のプレートに対して移動可能である、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０７３］
前記加熱／冷却層の厚さが、３μｍ以下である、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０７４］
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つが、その主表面にわたって約４００ｍｍ２の面積を有する、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０７５］
前記光源が、発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０７６］
前記電磁放射線を前記光源から前記加熱／冷却層へ誘導するように構成された光学パイプをさらに備える、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０７７］
前記筐体の前記少なくとも１つの他の開口が、前記デバイスが前記第１の開口を介して前記筐体内に配設されるときに、前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に挟まれた前記液体試料の少なくとも前記一部分にわたって位置合わせされるように構成されている、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０７８］
前記支持フレームが、前記第１のプレートまたは第２のプレートの外周に沿って少なくとも前記第１のプレートまたは前記第２のプレートを支持するように構成されている、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０７９］
前記デバイスが、前記加熱／冷却層上に配置された光吸収層をさらに備え、前記光吸収層が、少なくとも３０％の平均光吸収率を有する、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０８０］
前記光吸収層が、黒色塗料を含む、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０８１］
前記第１のプレートが、前記第２のプレートに対して移動可能である、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０８２］
前記加熱／冷却層の厚さが、３μｍ以下である、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０８３］
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つが、その主表面にわたって約４００ｍｍ２の面積を有する、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０８４］
前記光源が、発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０８５］
前記ＬＥＤが、青色ＬＥＤを含む、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０８６］
前記電磁放射線を前記光源から前記加熱／冷却層へ誘導するように構成された光学パイプをさらに備える、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０８７］
前記支持フレームが、前記第１のプレートまたは第２のプレートの外周に沿って少なくとも前記第１のプレートまたは前記第２のプレートを支持するように構成されている、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０８８］
前記デバイスが、前記加熱／冷却層上に配置された光吸収層をさらに備え、前記光吸収層が、少なくとも３０％の平均光吸収率を有する、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０８９］
前記光吸収層が、黒色塗料を含む、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０９０］
前記第１のプレートが、前記第２のプレートに対して移動可能である、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０９１］
前記加熱／冷却層の厚さが、３μｍ以下である、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０９２］
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つが、その主表面にわたって約４００ｍｍ２の面積を有する、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０９３］
前記光源が、発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０９４］
前記ＬＥＤが、青色ＬＥＤを含む、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０９５］
前記電磁放射線を前記光源から前記加熱／冷却層へ誘導するように構成された光学パイプをさらに備える、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０９６］
前記第１のプレートまたは第２のプレートの外周に沿って少なくとも前記第１のプレートまたは前記第２のプレートを支持するように構成された支持フレームをさらに備える、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０９７］
前記デバイスが、前記加熱／冷却層上に配置された光吸収層をさらに備え、前記光吸収層が、少なくとも３０％の平均光吸収率を有する、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０９８］
前記光吸収層が、黒色塗料を含む、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１０９９］
前記第１のプレートが、前記第２のプレートに対して移動可能である、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１１００］
前記加熱／冷却層の厚さが、３μｍ以下である、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１１０１］
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つが、その主表面にわたって約４００ｍｍ２の面積を有する、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１１０２］
前記光源が、発光ダイオード（ＬＥＤ）を含む、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１１０３］
前記ＬＥＤが、青色ＬＥＤを含む、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１１０４］
前記電磁放射線を前記光源から前記加熱／冷却層へ誘導するように構成された光学パイプをさらに備える、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１１０５］
前記支持フレームが、前記第１のプレートまたは第２のプレートの外周に沿って少なくとも前記第１のプレートまたは前記第２のプレートを支持するように構成されている、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１１０６］
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートが、前記加熱層上に配置された光吸収層をさらに備え、前記光吸収層が、少なくとも３０％の平均光吸収率を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１０７］
前記光吸収層が、黒色塗料を含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１０８］
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に接続されたヒンジを使用して、前記第１のプレートの上で前記第２のプレートを閉鎖することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１０９］
前記加熱層の厚さが、３μｍ以下である、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１１０］
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つが、その主表面にわたって約４００ｍｍ２の面積を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１１１］
熱源を作動させることが、ＬＥＤを作動させて前記加熱層に向かって光を放射することを含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１１２］
前記流体試料の前記一部分の測定温度または推定温度に基づいて前記ＬＥＤの出力を制御することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１１３］
前記電磁放射線が前記加熱層に到達する前に、ビームエキスパンダを使用して前記電磁放射線を拡大することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１１４］
支持フレーム上で前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの外周を支持することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１１５］
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートが、前記加熱／冷却層上に配置された光吸収層をさらに備え、前記光吸収層が、少なくとも３０％の平均光吸収率を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１１６］
前記光吸収層が、黒色塗料を含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１１７］
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に接続されたヒンジを使用して、前記第１のプレートの上で前記第２のプレートを閉鎖することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１１８］
前記加熱／冷却層の厚さが、３μｍ以下である、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１１９］
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つが、その主表面にわたって約４００ｍｍ２の面積を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１２０］
熱源を作動させることが、ＬＥＤを作動させて前記加熱／冷却層に向かって光を放射することを含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１２１］
前記流体試料の前記一部分の測定温度または推定温度に基づいて前記ＬＥＤの出力を制御することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１２２］
前記電磁放射線が前記加熱層に到達する前に、ビームエキスパンダを使用して前記電磁放射線を拡大することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１２３］
支持フレーム上で前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの外周を支持することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１２４］
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートが、前記加熱層上に配置された光吸収層をさらに備え、前記光吸収層が、少なくとも３０％の平均光吸収率を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１２５］
前記光吸収層が、黒色塗料を含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１２６］
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に接続されたヒンジを使用して、前記第１のプレートの上で前記第２のプレートを閉鎖することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１２７］
前記加熱層の厚さが、３μｍ以下である、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１２８］
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つが、その主表面にわたって約４００ｍｍ２の面積を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１２９］
熱源を作動させることが、ＬＥＤを作動させて前記加熱層に向かって光を放射することを含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１３０］
前記流体試料の前記一部分の測定温度または推定温度に基づいて前記ＬＥＤの出力を制御することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１３１］
前記電磁放射線が前記加熱層に到達する前に、ビームエキスパンダを使用して前記電磁放射線を拡大することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１３２］
支持フレーム上で前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの外周を支持することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１３３］
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートが、前記加熱／冷却層上に配置された光吸収層をさらに備え、前記光吸収層が、少なくとも３０％の平均光吸収率を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１３４］
前記光吸収層が、黒色塗料を含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１３５］
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に接続されたヒンジを使用して、前記第１のプレートの上で前記第２のプレートを閉鎖することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１３６］
前記加熱／冷却層の厚さが、３μｍ以下である、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１３７］
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つが、その主表面にわたって約４００ｍｍ２の面積を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１３８］
熱源を作動させることが、ＬＥＤを作動させて前記加熱／冷却層に向かって光を放射することを含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１３９］
前記流体試料の前記一部分の測定温度または推定温度に基づいて前記ＬＥＤの出力を制御することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１４０］
前記電磁放射線が前記加熱層に到達する前に、ビームエキスパンダを使用して前記電磁放射線を拡大することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１４１］
支持フレーム上で前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの外周を支持することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１４２］
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートが、前記加熱／冷却層上に配置された光吸収層をさらに備え、前記光吸収層が、少なくとも３０％の平均光吸収率を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１４３］
前記光吸収層が、黒色塗料を含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１４４］
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に接続されたヒンジを使用して、前記第１のプレートの上で前記第２のプレートを閉鎖することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１４５］
前記加熱／冷却層の厚さが、３μｍ以下である、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１４６］
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つが、その主表面にわたって約４００ｍｍ２の面積を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１４７］
熱源を作動させることが、ＬＥＤを作動させて前記加熱／冷却層に向かって光を放射することを含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１４８］
前記流体試料の前記一部分の測定温度または推定温度に基づいて前記ＬＥＤの出力を制御することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１４９］
前記電磁放射線が前記加熱層に到達する前に、ビームエキスパンダを使用して前記電磁放射線を拡大することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１５０］
支持フレーム上で前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの外周を支持することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１５１］
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートが、前記加熱／冷却層上に配置された光吸収層をさらに備え、前記光吸収層が、少なくとも３０％の平均光吸収率を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１５２］
前記光吸収層が、黒色塗料を含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１５３］
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に接続されたヒンジを使用して、前記第１のプレートの上で前記第２のプレートを閉鎖することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１５４］
前記加熱／冷却層の厚さが、３μｍ以下である、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１５５］
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つが、その主表面にわたって約４００ｍｍ２の面積を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１５６］
熱源を作動させることが、ＬＥＤを作動させて前記加熱／冷却層に向かって光を放射することを含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１５７］
前記流体試料の前記一部分の測定温度または推定温度に基づいて前記ＬＥＤの出力を制御することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１５８］
前記電磁放射線が前記加熱層に到達する前に、ビームエキスパンダを使用して前記電磁放射線を拡大することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１５９］
支持フレーム上で前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの外周を支持することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１６０］
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートが、前記加熱／冷却層上に配置された光吸収層をさらに備え、前記光吸収層が、少なくとも３０％の平均光吸収率を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１６１］
前記光吸収層が、黒色塗料を含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１６２］
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に接続されたヒンジを使用して、前記第１のプレートの上で前記第２のプレートを閉鎖することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１６３］
前記加熱／冷却層の厚さが、３μｍ以下である、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１６４］
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つが、その主表面にわたって約４００ｍｍ２の面積を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１６５］
熱源を作動させることが、ＬＥＤを作動させて前記加熱／冷却層に向かって光を放射することを含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１６６］
前記流体試料の前記一部分の測定温度または推定温度に基づいて前記ＬＥＤの出力を制御することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１６７］
前記電磁放射線が前記加熱層に到達する前に、ビームエキスパンダを使用して前記電磁放射線を拡大することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１６８］
支持フレーム上で前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの外周を支持することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１６９］
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートが、前記加熱／冷却層上に配置された光吸収層をさらに備え、前記光吸収層が、少なくとも３０％の平均光吸収率を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１７０］
前記光吸収層が、黒色塗料を含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１７１］
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に接続されたヒンジを使用して、前記第１のプレートの上で前記第２のプレートを閉鎖することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１７２］
前記加熱／冷却層の厚さが、３μｍ以下である、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１７３］
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つが、その主表面にわたって約４００ｍｍ２の面積を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１７４］
熱源を作動させることが、ＬＥＤを作動させて前記加熱／冷却層に向かって光を放射することを含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１７５］
前記流体試料の前記一部分の測定温度または推定温度に基づいて前記ＬＥＤの出力を制御することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１７６］
前記電磁放射線が前記加熱層に到達する前に、ビームエキスパンダを使用して前記電磁放射線を拡大することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１７７］
支持フレーム上で前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの外周を支持することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１７８］
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートが、前記加熱／冷却層上に配置された光吸収層をさらに備え、前記光吸収層が、少なくとも３０％の平均光吸収率を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１７９］
前記光吸収層が、黒色塗料を含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１８０］
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に接続されたヒンジを使用して、前記第１のプレートの上で前記第２のプレートを閉鎖することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１８１］
前記加熱／冷却層の厚さが、３μｍ以下である、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１８２］
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つが、その主表面にわたって約４００ｍｍ２の面積を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１８３］
熱源を作動させることが、ＬＥＤを作動させて前記加熱／冷却層に向かって光を放射することを含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１８４］
前記流体試料の前記一部分の測定温度または推定温度に基づいて前記ＬＥＤの出力を制御することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１８５］
前記電磁放射線が前記加熱層に到達する前に、ビームエキスパンダを使用して前記電磁放射線を拡大することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１８６］
支持フレーム上で前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの外周を支持することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１８７］
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートが、前記加熱／冷却層上に配置された光吸収層をさらに備え、前記光吸収層が、少なくとも３０％の平均光吸収率を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１８８］
前記光吸収層が、黒色塗料を含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１８９］
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に接続されたヒンジを使用して、前記第１のプレートの上で前記第２のプレートを閉鎖することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１９０］
前記加熱／冷却層の厚さが、３μｍ以下である、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１９１］
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つが、その主表面にわたって約４００ｍｍ２の面積を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１９２］
熱源を作動させることが、ＬＥＤを作動させて前記加熱／冷却層に向かって光を放射することを含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１９３］
前記流体試料の前記一部分の測定温度または推定温度に基づいて前記ＬＥＤの出力を制御することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１９４］
前記電磁放射線が前記加熱層に到達する前に、ビームエキスパンダを使用して前記電磁放射線を拡大することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１９５］
支持フレーム上で前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの外周を支持することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１９６］
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートが、前記加熱／冷却層上に配置された光吸収層をさらに備え、前記光吸収層が、少なくとも３０％の平均光吸収率を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１９７］
前記光吸収層が、黒色塗料を含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１９８］
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に接続されたヒンジを使用して、前記第１のプレートの上で前記第２のプレートを閉鎖することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１１９９］
前記加熱／冷却層の厚さが、３μｍ以下である、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１２００］
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つが、その主表面にわたって約４００ｍｍ２の面積を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１２０１］
熱源を作動させることが、ＬＥＤを作動させて前記加熱／冷却層に向かって光を放射することを含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１２０２］
前記流体試料の前記一部分の測定温度または推定温度に基づいて前記ＬＥＤの出力を制御することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１２０３］
前記電磁放射線が前記加熱層に到達する前に、ビームエキスパンダを使用して前記電磁放射線を拡大することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１２０４］
支持フレーム上で前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの外周を支持することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１２０５］
前記第１のプレートまたは前記第２のプレートが、前記加熱／冷却層上に配置された光吸収層をさらに備え、前記光吸収層が、少なくとも３０％の平均光吸収率を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１２０６］
前記光吸収層が、黒色塗料を含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１２０７］
前記第１のプレートと前記第２のプレートとの間に接続されたヒンジを使用して、前記第１のプレートの上で前記第２のプレートを閉鎖することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１２０８］
前記加熱／冷却層の厚さが、３μｍ以下である、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１２０９］
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートのうちの少なくとも１つが、その主表面にわたって約４００ｍｍ２の面積を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１２１０］
熱源を作動させることが、ＬＥＤを作動させて前記加熱／冷却層に向かって光を放射することを含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１２１１］
前記流体試料の前記一部分の測定温度または推定温度に基づいて前記ＬＥＤの出力を制御することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１２１２］
前記電磁放射線が前記加熱層に到達する前に、ビームエキスパンダを使用して前記電磁放射線を拡大することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１２１３］
支持フレーム上で前記第１のプレートまたは前記第２のプレートのいずれかの外周を支持することをさらに含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１２１４］
（ｉ）前記本発明のいずれかのデバイスと、
（ｉｉ）予混合されたポリメラーゼ連鎖反応媒体と
を備える、キット。
［本発明１２１５］
前記予混合されたポリメラーゼ連鎖反応媒体が、ＤＮＡテンプレート、２種のプライマー、ＤＮＡポリメラーゼ、デオキシヌクレオシド三リン酸（ｄＮＴＰ）、二価カチオン、一価カチオン、および緩衝液を含む、前記本発明のいずれかのキット。
［本発明１２１６］
薄い流体試料層をアッセイするためのデバイスであって、
第１のプレートと、第２のプレートと、スペーサと、クランプとを備え、
ｉ．前記第１のプレートおよび前記第２のプレートが、開放構成および閉鎖構成を含む異なる構成になるように互いに対して移動可能であり、
ｉｉ．前記プレートの各々が、そのそれぞれの表面上に、流体試料と接触するための試料接触領域を備え、
ｉｉｉ．前記プレートのうちの一方または両方が、それぞれのプレートに固定されている前記スペーサを備え、
ｉｖ．前記スペーサが、２００ミクロン以下である所定の実質的に均一な高さを有し、前記スペーサのうちの少なくとも１つが、前記試料接触領域内にあり、
ｖ．加熱層が、前記流体試料を加熱するように構成され、
前記加熱層が、（ａ）前記プレートのうちの１つの上（内面もしくは外面の上もしくは近くのいずれか）または前記プレートのうちの１つの内側にあり、かつ（ｂ）加熱源によって加熱することが可能であり、前記加熱源が、光学的に、電気的に、高周波（ＲＦ）放射によって、またはそれらの組み合わせによって、前記加熱層に熱エネルギーを送達し、
開放構成では、前記２つのプレートが部分的または完全に分離されており、前記プレート間の間隔は前記スペーサによって調節されず、前記試料が前記プレートのうちの一方または両方の上に付着し、
前記開放構成で前記試料が付着した後に構成される閉鎖構成では、前記試料の少なくとも一部が、前記２つのプレートによって圧縮されて実質的に均一な厚さの層になり、かつ前記プレートに対して実質的に流れず、前記層の前記均一な厚さが、前記２つのプレートの前記試料接触領域によって限定され、かつ前記プレートおよび前記スペーサによって調節され、
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートが、前記試料の少なくとも一部を、０．１〜２００ｕｍの非常に均一な厚さでありかつ前記プレートに対して実質的に流れない層になるよう閉じ込めるように構成され、
前記第１のプレートが５００ｕｍ以下の厚さを有し、前記第２のプレートが５ｍｍ以下の厚さを有する、デバイス。
［本発明１２１７］
前記プレートおよび前記試料厚さが、前記試料の温度が１０℃／秒以上の速度で変化することを可能にするように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１２１８］
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを圧縮して、前記２つのプレートを前記閉鎖構成で一緒に固定するクランプをさらに備え、前記プレート上に加えられた前記クランプの圧力が、０．０１ｋｇ／ｃｍ＾２以上である、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１２１９］
前記加熱層が、前記プレートのうちの１つの上または近くにあり、６０％以上の吸収係数を有し、かつ２ｍｍ未満の厚さを有する、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１２２０］
均一な厚さの前記試料の前記少なくとも一部の近くに放射線吸収層をさらに備え、前記試料の前記少なくとも一部および前記放射線吸収層の領域が、前記均一な厚さよりも実質的に大きい、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１２２１］
前記試料の前記少なくとも一部および前記放射線吸収層の領域が、前記試料の前記均一な厚さよりも実質的に大きい、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１２２２］
前記デバイスの前記プレートのうちの１つの厚さが、１００ｕｍ以下である、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１２２３］
均一な厚さの前記試料の前記少なくとも一部の近くに放射線吸収層をさらに備え、前記デバイスの前記プレートのうちの１つの厚さが１００ｕｍ以下である、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１２２４］
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを前記閉鎖構成において一緒に圧縮するクランプをさらに備え、前記プレート上に加えられた前記クランプの圧力が、０．０１ｋｇ／ｃｍ＾２以上である、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１２２５］
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを前記閉鎖構成において一緒に圧縮するクランプをさらに備え、かつ均一な厚さの前記試料の前記少なくとも一部の近くに放射線吸収層をさらに備え、前記プレート上に加えられた前記クランプの圧力が、０．０１ｋｇ／ｃｍ＾２以上である、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１２２６］
薄い流体試料層の温度を急速に変化させるためのシステムであって、
ｉ．前記本発明のいずれかのデバイスと、
ｉｉ．前記放射線吸収層が顕著に吸収する電磁波を放射するように構成された、放射線源と
を備え、
ｉｉｉ．コントローラが、前記放射線源を制御し、前記試料の前記温度を変化させるように構成されている、システム。
［本発明１２２７］
薄い流体試料層の温度を急速に変化させるための方法であって、
ｉ．前記本発明のいずれかのデバイスまたはシステムを提供することと、
ｉｉ．前記デバイスの前記プレートのうちの一方または両方の上に流体試料を付着させることと、
ｉｉｉ．ｉｉの後、前記プレートを閉鎖構成へと押圧することであって、前記プレートが、前記試料の少なくとも一部を圧縮して２００ｕｍ未満の厚さの薄層にする、押圧することと、
ｉｖ．前記放射線源からの前記電磁波の存在、強度、波長、周波数、および／または角度を変化させることによって、前記試料層の前記温度を変化させ維持することと
を含む、方法。
［本発明１２２８］
前記クランプが、前記クランプと前記プレートとの間の熱伝導を低減するための断熱層を備えるように構成されており、前記断熱層が、２Ｗ／ｍ−Ｋの熱伝導率の材料を含む、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２２９］
前記クランプが、前記試料を加熱または冷却する必要がある熱質量を低減するための断熱層を備えるように構成されており、前記断熱層が、２Ｗ／ｍ−Ｋの熱伝導率の材料を含む、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２３０］
閉鎖構成において、前記クランプが、ＱＭＡＸカード全体を密封するように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２３１］
閉鎖構成において、前記クランプが、前記プレートの前記表面の一部と熱伝導接触するように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２３２］
閉鎖構成において、前記クランプが、前記プレートの周辺表面領域のみと熱伝導接触する、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２３３］
閉鎖構成において、前記クランプが、前記プレートの表面領域のみと熱伝導接触し、前記表面領域が、核酸が増幅される前記試料の前記一部分の外側にある、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２３４］
前記クランプが、外側の光が前記プレートに入ることまたはプレートの内側の光が外に出ることを可能にする透明な窓を備える、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２３５］
前記クランプが、外側の光が前記プレートに入ることまたはプレートの内側の光が外に出ることを可能にする透明な窓を備え、透明度が、３０％超、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、１００％であるか、またはそれらの値のうちのいずれか２つの間の範囲である、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２３６］
前記クランプが、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを圧縮するための圧力を加え、前記圧力が、０．０１ｋｇ／ｃｍ２、０．１ｋｇ／ｃｍ２、０．５ｋｇ／ｃｍ２、１ｋｇ／ｃｍ２、２ｋｇ／ｃｍ２、ｋｇ／ｃｍ２、５ｋｇ／ｃｍ２、１０ｋｇ／ｃｍ２、２０ｋｇ／ｃｍ２、３０ｋｇ／ｃｍ２、４０ｋｇ／ｃｍ２、５０ｋｇ／ｃｍ２、６０ｋｇ／ｃｍ２、１００ｋｇ／ｃｍ２、１５０ｋｇ／ｃｍ２、２００ｋｇ／ｃｍ２、４００ｋｇ／ｃｍ２であるか、またはそれらの値のうちのいずれか２つの間の範囲である、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２３７］
前記クランプが、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを圧縮するための圧力を加え、前記圧力が、０．１ｋｇ／ｃｍ２〜２０ｋｇ／ｃｍ２である、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２３８］
前記クランプが、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを圧縮するための圧力を加え、前記圧力が、０．１ｋｇ／ｃｍ２〜２０ｋｇ／ｃｍ２である、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２３９］
前記クランプが、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを圧縮するための圧力を加え、前記圧力が、０．５ｋｇ／ｃｍ２〜４０ｋｇ／ｃｍ２である、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２４０］
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを前記閉鎖構成において一緒に圧縮するクランプをさらに備え、かつ前記第１のプレートの少なくとも一部と前記第２のプレートとの間に密封材料をさらに備え、前記プレート上に加えられた前記クランプの圧力が０．０１ｋｇ／ｃｍ＾２以上である、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２４１］
前記試料の温度を変化させることが、前記温度を周期的に上下に変化させる熱サイクリングである、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２４２］
前記試料の温度を変化させることが熱サイクリングであり、前記熱サイクリングが、ポリメラーゼ連鎖作用（ＰＣＲ）を使用した核酸の増幅のためである、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２４３］
前記試料の前記温度の前記変化が、核酸の等温増幅のためである、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２４４］
前記試料の前記少なくとも一部および前記放射線吸収層の領域が、前記均一な厚さよりも実質的に大きい、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２４５］
前記放射線吸収層が、ディスク結合ドットオンピラーアンテナ（ｄｉｓｋ−ｃｏｕｐｌｅｄ  ｄｏｔｓ−ｏｎ−ｐｉｌｌａｒ  ａｎｔｅｎｎａ）（Ｄ２ＰＡ）アレイ、シリコンサンドイッチ、グラフェン、超格子、または他のプラズモン材料、その他それらの組み合わせを含む、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２４６］
前記放射線吸収層が、カーボンもしくはブラックナノ構造またはそれらの組み合わせを含む、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２４７］
前記放射線吸収層が、放射線エネルギーを吸収するように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２４８］
前記放射線吸収層が、放射線エネルギーを吸収した後、熱の形態でエネルギーを放射するように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２４９］
前記放射線吸収層が、前記試料層の下に、かつ前記試料層と直接接触して位置付けられている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２５０］
前記放射線吸収層が、電波、マイクロ波、赤外波、可視光、紫外波、Ｘ線、ガンマ線、および熱放射からなる群から選択される電磁波を吸収するように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２５１］
前記プレートのうちの少なくとも１つが、前記放射線吸収層が吸収する放射線を遮断しない、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２５２］
前記プレートのうちの一方または両方が、低い熱伝導率を有する、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２５３］
前記試料層の前記均一な厚さが、前記プレートのうちの一方または両方に固定されている１つ以上のスペーサによって調節される、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２５４］
前記試料が、予混合されたポリメラーゼ連鎖反応（ＰＣＲ）媒体である、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２５５］
前記デバイスが、所定のプログラムに従って前記試料の温度を変化させるためのＰＣＲアッセイを容易にするように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２５６］
前記デバイスが、診断試験、健康管理、環境試験、および／または法医学的試験を実行するように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２５７］
前記デバイスが、ＤＮＡ増幅、ＤＮＡ定量化、選択的ＤＮＡ単離、遺伝分析、組織適合検査、癌遺伝子同定、感染症試験、遺伝子指紋法、および／または父子鑑定を実行するように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２５８］
前記試料層が、試料蒸発を低減するために横方向に密封されている、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１２５９］
前記電磁波の存在、強度、波長、周波数、および／または角度を制御するように構成されているコントローラをさらに備える、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１２６０］
前記試料接触領域またはその近傍の温度を測定し、前記測定された温度に基づいて前記コントローラに信号を送信するように構成されている温度計をさらに備える、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１２６１］
前記温度計が、光ファイバ温度計、赤外線温度計、液晶温度計、高温計、水晶温度計、シリコンバンドギャップ温度センサ、温度ストリップ、サーミスタ、および熱電対からなる群から選択される、前記本発明のいずれかのシステムまたは方法。
［本発明１２６２］
前記コントローラが、前記放射線源からの前記電磁波の存在、強度、波長、周波数、および／または角度を制御するように構成されている、前記本発明のいずれかのシステムまたは方法。
［本発明１２６３］
前記放射線源および前記放射線吸収層は、前記電磁波が少なくとも１０℃／秒の平均昇温速度傾斜を生じさせ、前記電磁波の除去が少なくとも５℃／秒の平均降温速度傾斜をもたらすように構成されている、前記本発明のいずれかのシステムまたは方法。
［本発明１２６４］
前記放射線源および前記放射線吸収層が、少なくとも１０℃／秒の平均昇温速度傾斜および少なくとも５℃／秒の平均降温速度傾斜を生み出すように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２６５］
前記放射線源および前記放射線吸収層が、ＰＣＲ中に初期化ステップ、変性ステップ、および／または延伸／伸長ステップに到達するために少なくとも１０℃／秒の平均昇温速度傾斜を生み出し、ならびにＰＣＲ中にアニーリングステップおよび／または最終冷却ステップに到達するために少なくとも５℃／秒の平均降温速度傾斜を生み出すように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２６６］
前記ＰＣＲ試料が、テンプレートＤＮＡ、プライマーＤＮＡ、カチオン、ポリメラーゼ、および緩衝剤を含む、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２６７］
前記プレートを閉鎖形態へと押圧するステップが、前記プレートを不正確な押圧力で押圧することを含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１２６８］
前記プレートを閉鎖形態へと押圧するステップが、前記プレートを人間の手で直接押圧することを含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１２６９］
非常に均一な厚さの前記層が、１０％未満の厚さの変動を有する、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１２７０］
前記試料の温度を変化させることが熱サイクリングであり、前記熱サイクリングが、ホットスタートＰＣＲ、ネステッドＰＣＲ、タッチダウンＰＣＲ、逆転写ＰＣＲ、ＲＡＣＥ  ＰＣＲ、およびデジタルＰＣＲの群から選択されるポリメラーゼ連鎖作用（ＰＣＲ）を使用した核酸の増幅のためである、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２７１］
前記試料の前記温度の前記変化が、ループ介在等温増幅、鎖置換増幅、ヘリカーゼ依存性増幅、ニッキング酵素増幅、ローリングサークル増幅、およびリコンビナーゼポリメラーゼ増幅の群から選択される核酸の等温増幅のためである、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２７２］
ＤＮＡテンプレート、プライマー、ＤＮＡポリメラーゼ、デオキシヌクレオシド三リン酸（ｄＮＴＰ）、二価カチオン（例えば、Ｍｇ２＋）、一価カチオン（例えば、Ｋ＋）、および緩衝液から選択される試薬をさらに含む、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２７３］
前記スペーサが、実質的に平坦な頂部を有する、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２７４］
前記プレートのうちの１つが、５０ｕｍ以下である、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２７５］
薄い流体試料層の温度を急速に変化させるためのデバイスであって、
第１のプレートと、第２のプレートと、スペーサとを備え、
ｉ．前記第１のプレートおよび前記第２のプレートが、開放構成および閉鎖構成を含む異なる構成になるように互いに対して移動可能であり、
ｉｉ．前記プレートの各々が、そのそれぞれの表面上に、流体試料と接触するための試料接触領域を備え、その少なくとも一部の温度が急速に変化する必要があり、
ｉｉｉ．前記プレートが、前記試料の温度を急速に変化させるための構成を有し、
ｉｖ．前記スペーサが、２００ミクロン以下の所定の実質的に均一な高さを有し、
ｖ．前記スペーサのうちの少なくとも１つが、前記試料接触領域内にあり、
開放構成では、前記２つのプレートが部分的または完全に分離されており、前記プレート間の間隔は前記スペーサによって調節されず、前記試料が前記プレートのうちの一方または両方の上に付着し、
前記開放構成において前記試料が付着した後に構成される閉鎖構成では、前記２つのプレートが実質的に平行であり、前記試料の少なくとも一部が、前記２つのプレートによって圧縮されて実質的に均一な厚さの層になり、かつ前記プレートに対して実質的に流れず、前記層の前記均一な厚さが、前記２つのプレートの前記試料接触領域によって限定され、かつ前記プレートおよび前記スペーサによって調節され、前記プレートが、前記試料の前記温度を少なくとも１０℃／秒の速度で変化させるように構成されている、デバイス。
［本発明１２７６］
均一な厚さの前記試料の前記少なくとも一部の近くに放射線吸収層をさらに備え、前記試料の前記少なくとも一部および前記放射線吸収層の領域が、前記均一な厚さよりも実質的に大きい、本発明１００１に記載のデバイス。
［本発明１２７７］
薄い流体試料層の温度を急速に変化させるためのシステムであって、
ｉｖ．前記本発明のいずれかのデバイスと、
ｖ．前記放射線吸収層が顕著に吸収する電磁波を放射するように構成された、放射線源と
を備え、
ｖｉ．前記コントローラが、前記放射線源を制御し、前記試料の前記温度を急速に変化させるように構成されている、システム。
［本発明１２７８］
薄い流体試料層の温度を急速に変化させるための方法であって、
ｖ．前記本発明のいずれかのデバイスまたはシステムを提供することと、
ｖｉ．前記プレートの一方または両方の上に流体試料を付着させることと、
ｖｉｉ．前記プレートを閉鎖構成へと押圧することと、
ｖｉｉｉ．前記放射線源からの前記電磁波の存在、強度、波長、周波数、および／または角度を変化させることによって、前記試料層の前記温度を変化させ維持することと
を含む、方法。
［本発明１２７９］
前記試料の温度を変化させることが、前記温度を周期的に上下に変化させる熱サイクリングである、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２８０］
前記試料の温度を変化させることが熱サイクリングであり、前記熱サイクリングが、ポリメラーゼ連鎖作用（ＰＣＲ）を使用した核酸の増幅のためである、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２８１］
前記試料の前記温度の前記変化が、核酸の等温増幅のためである、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２８２］
前記試料の前記少なくとも一部および前記放射線吸収層の領域が、前記均一な厚さよりも実質的に大きい、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２８３］
前記放射線吸収層が、ディスク結合ドットオンピラーアンテナ（Ｄ２ＰＡ）アレイ、シリコンサンドイッチ、グラフェン、超格子、または他のプラズモン材料、その他それらの組み合わせを含む、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２８４］
前記放射線吸収層が、カーボンもしくはブラックナノ構造またはそれらの組み合わせを含む、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２８５］
前記放射線吸収層が、放射線エネルギーを吸収するように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２８６］
前記放射線吸収層が、放射線エネルギーを吸収した後、熱の形態でエネルギーを放射するように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２８７］
前記放射線吸収層が、前記試料層の下に、かつ前記試料層と直接接触して位置付けられている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２８８］
前記放射線吸収層が、電波、マイクロ波、赤外波、可視光、紫外波、Ｘ線、ガンマ線、および熱放射からなる群から選択される電磁波を吸収するように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２８９］
前記プレートのうちの少なくとも１つが、前記放射線吸収層が吸収する放射線を遮断しない、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２９０］
前記プレートのうちの一方または両方が、低い熱伝導率を有する、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２９１］
前記試料層の前記均一な厚さが、前記プレートのうちの一方または両方に固定されている１つ以上のスペーサによって調節される、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２９２］
前記試料が、予混合されたポリメラーゼ連鎖反応（ＰＣＲ）媒体である、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２９３］
前記デバイスが、所定のプログラムに従って前記試料の温度を変化させるためのＰＣＲアッセイを容易にするように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２９４］
前記デバイスが、診断試験、健康管理、環境試験、および／または法医学的試験を実行するように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２９５］
前記デバイスが、ＤＮＡ増幅、ＤＮＡ定量化、選択的ＤＮＡ単離、遺伝分析、組織適合検査、癌遺伝子同定、感染症試験、遺伝子指紋法、および／または父子鑑定を実行するように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１２９６］
前記試料層が、試料蒸発を低減するために横方向に密封されている、前記本発明のいずれかのデバイス。
［本発明１２９７］
前記電磁波の存在、強度、波長、周波数、および／または角度を制御するように構成されているコントローラをさらに備える、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１２９８］
前記試料接触領域またはその近傍の温度を測定し、前記測定された温度に基づいて前記コントローラに信号を送信するように構成されている温度計をさらに備える、前記本発明のいずれかのシステム。
［本発明１２９９］
前記温度計が、光ファイバ温度計、赤外線温度計、液晶温度計、高温計、水晶温度計、シリコンバンドギャップ温度センサ、温度ストリップ、サーミスタ、および熱電対からなる群から選択される、前記本発明のいずれかのシステムまたは方法。
［本発明１３００］
前記コントローラが、前記放射線源からの前記電磁波の存在、強度、波長、周波数、および／または角度を制御するように構成されている、前記本発明のいずれかのシステムまたは方法。
［本発明１３０１］
前記放射線源および前記放射線吸収層は、前記電磁波が少なくとも１０℃／秒の平均昇温速度傾斜を生じさせ、前記電磁波の除去が少なくとも５℃／秒の平均降温速度傾斜をもたらすように構成されている、前記本発明のいずれかのシステムまたは方法。
［本発明１３０２］
前記放射線源および前記放射線吸収層が、少なくとも１０℃／秒の平均昇温速度傾斜および少なくとも５℃／秒の平均降温速度傾斜を生み出すように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１３０３］
前記放射線源および前記放射線吸収層が、ＰＣＲ中に初期化ステップ、変性ステップ、および／または延伸／伸長ステップに到達するために少なくとも１０℃／秒の平均昇温速度傾斜を生み出し、ならびにＰＣＲ中にアニーリングステップおよび／または最終冷却ステップに到達するために少なくとも５℃／秒の平均降温速度傾斜を生み出すように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１３０４］
前記ＰＣＲ試料が、テンプレートＤＮＡ、プライマーＤＮＡ、カチオン、ポリメラーゼ、および緩衝剤を含む、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
［本発明１３０５］
前記プレートを閉鎖形態へと押圧するステップが、前記プレートを不正確な押圧力で押圧することを含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１３０６］
前記プレートを閉鎖形態へと押圧するステップが、前記プレートを人間の手で直接押圧することを含む、前記本発明のいずれかの方法。
［本発明１３０７］
非常に均一な厚さの前記層が、１０％未満の厚さの変動を有する、前記本発明のいずれかの方法。