Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月21日(2004.5.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が形成されている基板からなるウエハの上に、絶縁膜を形成した後、前記絶縁膜の選択的な領域にスルーホールを形成する工程と、
前記スルーホール内面および前記絶縁膜の表面に薄膜のバリアメタル膜を形成し、前記バリアメタル膜上に、タングステン膜を堆積した後、前記絶縁膜の上の前記タングステン膜を取り除くと共に前記スルーホールに埋め込まれている前記タングステン膜の表面の一部と前記絶縁膜上の前記バリアメタル膜の表面とを同一の平面とし、前記スルーホールに埋め込まれている前記タングステン膜からなるプラグを形成する工程と、
前記バリアメタル膜などにおける異物の生成要素を水噴射洗浄処理によって取り除く工程と、
前記ウエハの上に、配線層を形成し、前記配線層および前記絶縁膜上の前記バリアメタル膜を同時に加工して配線パターンを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、前記バリアメタル膜などにおける異物の生成要素を水噴射洗浄処理によって取り除く工程の後に、前記ウエハを熱処理する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体装置の製造方法であって、前記バリアメタル膜などにおける異物の生成要素を水噴射洗浄処理によって取り除く工程の後に、前記ウエハをクリーンルーム内に放置する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
半導体素子が形成されている基板からなるウエハの上に、絶縁膜を形成した後、前記絶縁膜の選択的な領域にスルーホールを形成する工程と、
前記スルーホール内面および前記絶縁膜の表面に薄膜のバリアメタル膜を形成し、前記バリアメタル膜上にタングステン膜を堆積する工程と、
前記タングステン膜の不要な領域を取り除くための製造装置と前記ウエハの上に配線層を堆積するための製造装置との間に前記ウエハを搬送する密閉トンネルが設置されている半導体製造装置を使用して、前記絶縁膜の上の前記タングステン膜を取り除くと共に前記スルーホールに埋め込まれている前記タングステン膜の表面の一部と前記絶縁膜上の前記バリアメタル膜の表面とを同一の平面とし、前記スルーホールに埋め込まれている前記タングステン膜からなるプラグを形成する工程と、
前記タングステン膜の不要な領域を取り除くための製造装置と前記ウエハの上に配線層を堆積するための製造装置との間に前記ウエハを搬送する密閉トンネルが設置されている半導体製造装置を使用して、前記ウエハの上に配線層を堆積し、前記配線層および前記絶縁膜上の前記バリアメタル膜を同時に加工して配線パターンを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
半導体素子が形成されている基板からなるウエハの上に、絶縁膜を形成した後、前記絶縁膜の選択的な領域にスルーホールを形成する工程と、
前記スルーホールおよび前記絶縁膜の表面に薄膜のバリアメタル膜を形成し、前記バリアメタル膜上に、タングステン膜を堆積する工程と、
前記タングステン膜の不要な領域を取り除くための製造装置と前記ウエハの上に配線層を堆積するための製造装置との間に前記ウエハを放置する中央室が設置されているクラスト型製造装置を使用して、前記絶縁膜の上の前記タングステン膜を取り除くと共に前記スルーホールに埋め込まれている前記タングステン膜の表面の一部と前記絶縁膜上の前記バリアメタル膜の表面とを同一の平面とし、前記スルーホールに埋め込まれている前記タングステン膜からなるプラグを形成する工程と、
前記タングステン膜の不要な領域を取り除くための製造装置と前記ウエハの上に配線層を堆積するための製造装置との間に前記ウエハを放置する中央室が設置されているクラスト型製造装置を使用して、前記ウエハの上に配線層を堆積し、前記配線層および前記絶縁膜上の前記バリアメタル膜を同時に加工して配線パターンを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４または５記載の半導体装置の製造方法であって、前記タングステン膜の不要な領域を取り除くための製造装置は、エッチバック法を使用した製造装置であり、前記ウエハの上に配線層を堆積するための製造装置は、スパッタリング法またはＣＶＤ法を使用した製造装置であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記バリアメタル膜は、窒化チタン膜またはチタン膜などのチタン系膜であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法であって、前記配線層は、アルミニウム層からなる配線層であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
なお、半導体装置における配線層の形成技術について記載されている文献としては、例えば平成元年１１月２日、（株）プレスジャーナル発行の「'９０最新半導体プロセス技術」ｐ２６７〜ｐ２７３に記載されているものがある。また絶縁膜にコンタクトホールを形成してコンタクトホール内にバリア膜と金属膜を形成し、コンタクトホール内の金属膜上にバリア膜を残したままアルミ配線を形成する方法が特開平１０−２４２２７６号公報，特開平８−１９１１０４号公報に開示されている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月15日(2005.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に複数個形成された電極と、上記電極の周辺端部上に延在するように形成された絶縁膜と、上記電極上部に形成されためっき膜と、上記めっき膜上に形成された突起電極とを備えた半導体装置において、上記めっき膜の上記電極と接する側が無電解めっき膜にて形成され、上記電極と上記無電解めっき膜との間に活性化層を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
活性化層が、パラジウム活性化層にて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体基板上に複数個形成された電極と、上記電極の周辺端部上に延在するように形成された絶縁膜と、上記電極上部に形成された下地金属膜と、上記下地金属膜上に形成された突起電極とを備えた半導体装置において、上記下地金属膜の上記電極と接する側がスパッタ膜にて形成され、上記突起電極と接する側がめっき膜にて形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
めっき膜は、突起電極と接する側が、無電解めっき膜側からニッケル膜、パラジウム膜および金膜が順次積層して成る膜にて形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
電極のめっき膜側に、導電性を有し、上記電極の表面の酸化を防止する防御膜を備えたことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項６】
複数の電極の形成された半導体基板上の、上記電極の周辺端部上に延在するように絶縁膜を形成する工程と、上記電極および上記絶縁膜上部に活性化層を形成する工程と、上記電極および上記絶縁膜上部に第１の無電解めっき膜を形成する工程と、上記第１の無電解めっき膜上面に、上記電極と対応する箇所に開口部を有するレジスト膜を形成する工程と、上記レジスト膜をマスクとして、上記開口部にて露出された上記第１の無電解めっき膜上面に第２の無電解めっき膜を形成する工程と、上記レジスト膜を除去する工程と、上記第２の無電解めっき膜をマスクとして上記第１の無電解めっき膜をパターニングする工程と、上記第２の無電解めっき膜上に突起電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
複数の電極の形成された半導体基板上の、上記電極の周辺端部上に延在するように絶縁膜を形成する工程と、上記電極および上記絶縁膜上部に活性化層を形成する工程と、上記電極および上記絶縁膜上部に無電解めっき膜を形成する工程と、上記無電解めっき膜上面に、上記電極と対応する箇所に開口部を形成するレジスト膜を形成する工程と、上記レジスト膜をマスクとして上記開口部にて露出された上記無電解めっき膜上面に、上記無電解めっき膜を陰極として電解めっき膜を形成する工程と、上記レジスト膜を除去する工程と、上記電解めっき膜をマスクとして上記無電解めっき膜をパターニングする工程と、上記電解めっき膜上に突起電極を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
複数の電極の形成された半導体基板上の、上記電極の周辺端部上に延在するように絶縁膜を形成する工程と、上記電極および上記絶縁膜上部にスパッタ膜を形成する工程と、上記スパッタ膜上面に、上記電極と対応する箇所に開口部を有するレジスト膜を形成する工程と、上記レジスト膜をマスクとして、上記開口部にて露出された上記スパッタ膜上面にめっき膜を形成する工程と、上記レジスト膜を除去する工程と、上記めっき膜をマスクとして上記スパッタ膜をパターニングする工程と、上記めっき膜上に突起電極を形成する工程とを備えたたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
複数の電極が形成された半導体基板の上記複数の電極の上部に電気的に接続するＮｉ無電解めっき膜を形成する工程と、上記Ｎｉ無電解めっき膜の上部にＰｄ無電解めっき膜を形成する工程と、上記Ｐｄ無電解めっき膜上部にＡｕ無電解めっき膜を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
上記Ａｕ無電解めっき膜の上に半田バンプを形成する工程を備えたことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
上記複数の電極の上部に上記複数の電極を相互に電気的に接続する金属膜を形成する工程を備え、上記Ｎｉ無電解めっき膜は上記金属膜の上に形成することを特徴とする請求項９または請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
上記金属膜の上に上記金属膜をその底部に露出する複数の開口を有する第１の膜を形成する工程を有し、上記Ｎｉ無電解めっき膜、上記Ｐｄ無電解めっき膜、および上記Ａｕ無電解めっき膜を、上記複数の開口の内部に形成することを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
上記Ａｕ無電解めっき膜を形成する工程の後に、上記第１の膜を除去する工程を備えたことを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月13日(2004.7.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
また、前記純化処理終了後、インナーチャンバー３内の処理室４を真空下として処理材の脱気を行なうが、処理室４の真空排気は、耐ハロゲン対策として水封ポンプを使用することから、真空度は１０〜３０Ｔｏｒｒが排気限界であり、そのため高純度を得ることができない。なお、高真空排気装置を設けて、１０−１Ｔｏｒｒに排気することが考えられるが、高濃度ガスのトラップ装置等が必要で、また排気装置の耐久性に問題がある。
さらに、ヒータ５がインナーチャンバー３と炉殻内面との空間に配設した構成であるため、ヒータ５を補修するには、前記インナーチャンバー３を解体する必要があり、メンテナンスが非常に面倒である等多くの課題を有する。なお、６は純化処理用ガス供給手段、７は不活性ガス供給手段で、８はガス排気手段である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
その後、冷却室１０内でほぼ１０Ｔｏｒｒまで真空排気し、この真空状態で純化処理済の処理材Ｗは、約４００℃になるまで自然放冷されるとともに、処理材Ｗ中の塩化化合物が除去されて最終脱気が行なわれる。
ついで、前記冷却室１０内および中間扉フード４０内にＮ２ガスが供給されてほぼ大気圧まで復圧したのち、加熱室３０内を同様に復圧する。処理材Ｗは冷却室１０内で循環ファン２２の回転にもとづく冷却気体通路２０から噴出する冷却ガス（Ｎ２ガス）による対流冷却により約４０℃に冷却されたのち、装入・抽出扉２５の開により炉外に抽出されることになる。この場合、冷却室１０内は区画ダンパー２４により２室に区画されるため効率的に処理材Ｗを冷却する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】  本発明の黒鉛材の純化処理炉の断面図。
【図２】  図１のII−II線断面図。
【図３】  図１のIII−III線断面図。
【図４】  加熱室の炉殻部分の断面図。
【図５】  加熱室と冷却室のヒートパターン図。
【図６】  加熱室と冷却室の圧力パターン図。
【図７】  公知の黒鉛材の純化処理炉の断面図。
【符号の説明】
１０…冷却室、１２…キャリッジ、１８…リフター、１９…バッフル、２１…ガスクーラ、２２…循環ファン、２４…区画ダンパー、２５…装入・抽出扉、２９…クランプシリンダ、３０…加熱室、３１…炉殻、３３…断熱材、３３ａ…黒鉛ファイバー成形体、３３ｂ…黒鉛製保護板、３７…電熱ヒータ、３８…リフター、４０…中間扉フード、４４，４５…中間扉、４５…クランプシリンダ、Ｗ…処理材（黒鉛材）。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月14日(2004.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
一方、栽培に於ける効率的な施用に関した農業技術の進展も著しく、被覆粒状肥料の使い方についての幾つかの提案がなされている。例えば、特開平６−２６３５７７号公報では、肥効特性の異なる被覆粒状肥料及び／又は速効性肥料を、園芸用作物の時期別必要養分量の経時パターンに一致ないし近似するようにした配合肥料が提案されている。更に、特開平６−３２９４９０号公報には、肥効持続期間が極めて短い被覆粒状肥料と長い被覆粒状肥料とからなる水稲向け肥料としての配合肥料の提案がなされている。これらはいずれも肥料効果の時期別の発現に於いて、速効性の機能を有する肥料と緩効性の機能を有する肥料の混合体であって、栽培全期に渡り、充分量の養分を作物に供給することにより、省力施肥のもとで施用肥料の効率を高めようとするものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
前記した施肥形態の中で、特開平６−２６３５７７号公報では、園芸作物の品質向上については何等言及されておらず、特開平６−３２９４９０号公報では、生育時期別に養分供給量を調節することによる米の食味増を効果として挙げているに過ぎない。近年、要求が高まってきている作物の品質向上を主目的とした施肥技術の点からは充分な提案とは云いがたい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月10日(2004.11.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シートを排出するシート排出手段と、
前記シート排出手段により排出されたシートを積載するものであって、装置本体に沿って上下動自在の積載手段と、
前記積載手段を駆動する積載手段駆動手段と、
前記積載手段に排出されるシートの所定枚数を検知する所定排出枚数検知手段と、
前記積載手段に排出されるシートの最上面を検知する紙面検知手段と、
前記所定排出枚数検知手段により検知されたシート枚数が所定の枚数に達する毎に、前記紙面検知手段による前記積載手段上のシート最上面の検知を行って、前記積載手段駆動手段により前記積載手段の高さを制御する制御手段と、を有することを特徴とするシート処理装置。
【請求項２】
前記紙面検知手段は、前記積載手段上に積載されているシート最上面に略平行の光の導通／遮断によりシート最上面を検知する貫通センサであることを特徴とする請求項１に記載のシート処理装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記積載手段上のシート最上面の高さが所定位置よりも高いことを前記紙面検知手段が検知したときに、前記積載手段駆動手段を制御し、前記積載手段を所定量下降させることを特徴とする請求項１又は２に記載のシート処理装置。
【請求項４】
請求項１ないし３に何れか１項記載のシート処理装置と、
搬送されるシートに画像を形成する画像形成手段と、
前記画像形成手段により画像形成したシートを前記シート処理装置に排出する排出手段と、を有することを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る発明は、シートを排出するシート排出手段と、前記シート排出手段により排出されたシートを積載するものであって、装置本体に沿って上下動自在の積載手段と、前記積載手段を駆動する積載手段駆動手段と、前記積載手段に排出されるシートの所定枚数を検知する所定排出枚数検知手段と、前記積載手段に排出されるシートの最上面を検知する紙面検知手段と、前記所定排出枚数検知手段により検知されたシート枚数が所定の枚数に達する毎に、前記紙面検知手段による前記積載手段上のシート最上面の検知を行って、前記積載手段駆動手段により前記積載手段の高さを制御する制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項２に係る発明は、前記紙面検知手段は、前記積載手段上に積載されているシート最上面に略平行の光の導通／遮断によりシート最上面を検知する貫通センサであることを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
請求項３に係る発明は、前記制御手段は、前記積載手段上のシート最上面の高さが所定位置よりも高いことを前記紙面検知手段が検知したときに、前記積載手段駆動手段を制御し、前記積載手段を所定量下降させることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８１】
次に、送られてきたシートＰは、フラッパ１０の上を通り、搬送大ローラ５にステイプルソートモードで述べた動作と同様に巻きつけられ、束排出終了後の処理トレイ１３０に排出される。束排出する少数枚束の枚数は、実験により２０枚以下が望ましい。この枚数については、
原稿枚数≧束排出する枚数≦２０枚
を満足する枚数になるようにする。よって、プログラムを組むときに、束排出する枚数を５枚と設定したら、原稿枚数が４枚の時は４枚ずつ束排出する。原稿枚数が５枚以上の場合、たとえば１４枚だった場合、５枚＋５枚＋４枚に分けてそれぞれ整合し、束排出する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
２部目は、オフセットした位置で整合され、１部目と同様に少数枚ずつ束排出される。２部目が終了したら、手前整合部材１４１と奥整合部材１４２は、１部目を整合した位置に戻り、３部目を整合する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
上記説明で、コピー、もしくはプリンタ出力を通常積載するのがスタックトレイ２００であり、上述したステイプラ１０１等による処理されたものや、未綴じで少数枚ずつ排出される束を受け取ることができ、最大で２０００枚相当分の積載が可能であり、それをセンサ２０３ｄで検知している。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９１】
紙面検知手段Ｓ２０４により、サンプルトレイ２０１上のシートのシート上面が、所定位置よりも高いことを検知した場合、サンプルトレイモータＭ２０１が駆動されて、サンプルトレイ２０１を所定量下降させる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
上述したように、排出シートの複数枚毎に、シート処理装置センサＳ２０４によるシート上面の検知を許容させることで、シートが１枚排出される毎に紙面検知をしたときのようなサンプルトレイ２０１の小刻みな動きや、騒音等の弊害をなくすことができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月1日(2004.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
可動媒体ガイドと前記可動媒体ガイドの移動に応答するセンサとを設けたことを特徴とするプリント媒体重量検出器。
【請求項２】
前記可動媒体ガイドは、前記可動媒体ガイドを通過して前進するプリント媒体に対向してバイアスされていることを特徴とする請求項１記載の検出器。
【請求項３】
接触面を有する媒体ガイドと、
前記媒体ガイドに接続されているゲートと、
前記ゲートに連動して作動するセンサとを有し、
前記接触面は、前記ガイドを通過して前進する前記プリント媒体に対向してバイアスされており、前記ガイドは、前記センサが第１の信号を出力する第１の位置と、前記センサが前記第１の信号とは異なる第２の信号を出力する第２の位置との間を移動することができることを特徴とするプリント媒体重量検出器。
【請求項４】
曲がった媒体接触面と、基体に枢動可能に取付けられている前縁部分と、後縁部分とを備えた可動媒体ガイドと、
前記可動媒体ガイドに連結されて作動するバイアス要素と、
前記可動媒体ガイドの移動に応答するセンサとを有し、
前記バイアス要素の付勢によって、前記可動媒体ガイドの前記接触面がプリント媒体に抵抗することを特徴とするプリント媒体重量検出器。
【請求項５】
前記可動媒体ガイドは、前記センサが第１の信号を出力する第１の位置と、前記センサが前記第１の信号とは異なる第２の信号を出力する第２の位置との間を移動することができることを特徴とする請求項４記載の検出器。
【請求項６】
前記センサは光源と光センサを有し、前記光源からの光を前記光センサにより検知できるように互いに設置されていることを特徴とする請求項５記載の検出器。
【請求項７】
前記可動媒体ガイドの後縁部分は、前記可動媒体ガイドが前記第１の位置にあるとき光センサへの光を遮り、前記可動媒体ガイドが前記第２の位置にあるとき光センサへの光を遮らないことを特徴とする請求項６記載の検出器。
【請求項８】
プリント・コントローラと、
前記プリント・コントローラに連結されて作動するフォーマッタと、
前記プリント・コントローラに連結されて作動するプリント・エンジンと、
前記プリント・コントローラに連結されて作動するプリント媒体の重量検出器とを有し、前記重量検出器は、可動媒体ガイドと前記可動媒体ガイドの移動に応答するセンサとを備えていることを特徴とする画像形成装置。
【請求項９】
プリント媒体が媒体ガイドを通過して前進することに応答して前記媒体ガイドを移動させるステップと、
前記媒体ガイドの移動の有無を検知するステップと、
前記媒体ガイドの移動の有無に応答して１つまたは複数のプリンタ動作を制御するステップとを有することを特徴とする画像形成装置のプリント動作を制御する方法。
【請求項１０】
前記画像形成装置は電子写真式画像形成機械であり、融着温度、融着圧力、転写電流及びプリント媒体が前記画像形成装置内を前進するときの移動スピード、の１つまたは複数のものを前記媒体ガイドの移動の有無の検知に従って制御するステップを更に有することを特徴とする請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月14日(2005.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の紙層を含むチューブからなるスリーブを具備し、また前記スリーブ内に挿入されそこへ密封された態様で接合された二つの正面壁を具備し、前記正面壁（４，５）は各々外方へ突出するリム（６，９）を有し、リム（６，９）のまわりに前記チューブ（２６）が曲げられてヒートシールにより接合されている缶。
【請求項２】
前記チューブ（２６）はリム（６）の各側でヒートシール継ぎ目（２４，２５）を形成する請求項１の缶。
【請求項３】
前記正面壁（４）は前記リム（６）の区域において少なくとも一側でヒートシール可能プラスチック層（１６，１７）を含んでいる請求項１又は２の缶。
【請求項４】
前記チューブ（２６）はその内側（２２）でヒートシール可能プラスチック層（２３）を含んでいる請求項１乃至３の缶。
【請求項５】
前記正面壁（４，５）は紙から作られている請求項１乃至４の缶。
【請求項６】
前記正面壁（４，５）はリム（６）の区域の外側では、少なくともほぼ平らである請求項１乃至５の缶。
【請求項７】
前記正面壁（４）は充填開口（１２）を含む請求項１乃至６の缶。
【請求項８】
チューブを供給するためのワーク・ステーション、各チューブに少なくとも一つの正面壁を挿入するための諸ワーク・ステーション、チューブを当該挿入正面壁に対して曲げるための諸ワーク・ステーション、および正面壁をチューブに結合するヒートシール継ぎ目を作るための諸ワーク・ステーションを具備し、そこにおいてはチューブ（２６）を加熱するための少なくとも一つのワーク・ステーション（４２，５０）が前記正面壁（４，５）を挿入するための諸ワーク・ステーション（４３，５１）の上流に配列されている請求項１の缶を製造するための装置。
【請求項９】
チューブ（２６）を加熱するためのワーク・ステーション（４２，５０）は、チューブ（２６）の端区域（２７，２８）の内側（２２）が加熱されるように、設計されている請求項８の装置。
【請求項１０】
チューブ（２６）を加熱するためのワーク・ステーション（４２，５０）は、チューブ（２６）の端区域（２７，２８）の外側が加熱されるように、設計されている請求項８または９の装置。
【請求項１１】
チューブ（２６）を加熱するためのワーク・ステーション（４２，５０）は、チューブ（２６）へ熱い空気を供給するための少なくとも一つの装置（７０）を含んでいる請求項８乃至１０の装置。
【請求項１２】
二つの星形輪（３５，３６）が設けられ、その各々は前記チューブ（２６）を加熱するためのワーク・ステーション（４２，５０）、正面壁（４，５）を挿入するためのワーク・ステーション（４３，５１）、チューブ（２６）を曲げるためのワーク・ステーション（４６，５４）、および少なくとも一つのヒートシール継ぎ目（２４，２５）を作るための少なくとも一つのワーク・ステーション（４７，４８，５５，５６）を含み、そして輪の各々は部分的に完成した紙缶（３４）のための保持装置（３７，３８）を含んでいる請求項８乃至１１の装置。
【請求項１３】
チューブ（２６）を供給するためのワーク・ステーション（４１）は第１の星形輪（３５）に配列されている請求項１２の装置。
【請求項１４】
前記装置は充填開口（１２）に閉鎖素子（１３）を取り付けるためのワーク・ステーション（６４）を含んでいる請求項８乃至１３の装置。
【請求項１５】
前記装置は充填開口（１２）から閉鎖素子（１３）を立ちのかせるためのワーク・ステーション（４９）を含んでいる請求項８乃至１４の装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
紙またはボール紙は正面壁４および５のための包装材として用いられ、この包装材は紙またはボール紙からなる層を少なくとも一層有する。更なる層、例えば一つまたはそれ以上のプラスチック層、あるいは金属箔が包装材中に在ってもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月12日(2004.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の式（１）：
【化１】
1999147878.tif 000001
［式（１）中、ｎは１−１０の整数である］
で表される構造を有する化合物。
【請求項２】
請求項１に記載された化合物と高分子化合物又は標識物質との結合体。
【請求項３】
請求項１に記載の化合物と高分子化合物を結合させることにより抗原を作製し、当該抗原を用いることにより、以下の式（２）：
【化２】
1999147878.tif 000002
で表される構造を有する化合物、及び／または、式（３）：
【化３】
1999147878.tif 000003
で表される構造を有する化合物に反応性を示す抗体を製造することを特徴とする、式（２）及び／または（３）で表される化合物に反応性を示す抗体または抗原と結合可能なそのフラグメントの製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の結合体を抗原として用いることにより製造された、式（２）及び／または（３）で表される化合物に反応性を示す抗体または抗原と結合可能なそのフラグメント。
【請求項５】
モノクローナル抗体である、請求項４に記載の抗体または抗原と結合可能なそのフラグメント。
【請求項６】
ＩＰＤ２−５４またはＩＰＤ４−１８８である、請求項４または５に記載の抗体または抗原と結合可能なそのフラグメント。
【請求項７】
請求項４ないし６のいずれか１項に記載の抗体を産生するハイブリドーマ。
【請求項８】
寄託番号ＦＥＲＭ  Ｐ−１６５１９またはＦＥＲＭ  Ｐ−１６５２０で寄託されている、請求項７に記載のハイブリドーマ。
【請求項９】
請求項４ないし６のいずれか１項に記載の抗体または抗原と結合可能なそのフラグメントを用いることを特徴とする、式（２）及び／または（３）で表される化合物の免疫学的測定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、３−（３，５−ジクロロフェニル）−Ｎ−イソプロピル−２，４−ジオキソイミダゾリジン−１−カルボキサミド（以下、本明細書中「イプロジオン」と言う）及び／またはその代謝化合物であるＮ−（３，５−ジクロロフェニル）−３−イソプロピル−２，４−ジオキソイミダゾリジン−１−カルボキサミド（以下、「イプロジオン代謝物」と言う）のハプテン化合物、抗原、抗体及び抗原と結合可能なそのフラグメントに関する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
本発明は、さらに前記抗原、抗体及び抗原と結合可能なそのフラグメントを用いた免疫学的測定方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
従来、例えば農産物中のイプロジオンは、穀類、果実、野菜、豆類、いも類等の試料から抽出し、精製した後、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）により分析されてきた。例えば、試料をアセトンで抽出し、ヘキサンに転溶、フロリジルカラムクロマトグラフィーで精製した後、イプロジオン及びイプロジオン代謝物をＧＣで分析する方法が採用されてきた。これらの方法は、試料の調製が煩雑で多大の手間と時間を必要とし、分析に熟練を要すること、並びに、測定装置や設備等に高額の費用を必要とする等の問題点がある。イプロジオンの測定は短時間で膨大な数の試料の分析結果を出す必要があり、精度面だけでなく、簡便性、迅速性及び経済性をも具備した新規測定方法が要求されてきている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、イプロジオン及び／またはイプロジオン代謝物に反応する新規な抗体もしくは抗原と結合可能なそのフラグメント、及びその作製方法を提供することを目的とする。尚、本明細書において抗体の「フラグメント」とは、抗原と結合可能な抗体の一部分、例えばＦａｂ断片等を意味する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明は、さらにまた、前記抗体を産生するハイブリドーマを提供することを目的とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明は、さらに、前記抗体もしくは抗原と結合可能なそのフラグメント及び／又は前記イプロジオン誘導体と高分子化合物との結合体を使用することを含む、イプロジオン及び／またはイプロジオン代謝物の免疫学的測定方法を提供することを目的とする。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
次いで、式（Ｘ５）の化合物を、縮合環化反応させることにより、以下の式（Ｘ６）：
【化１４】
1999147878.tif 000004
［式（Ｘ６）中、ｎは先に定義した通りである］
で表される構造を有する化合物を得る。縮合環化反応は、例えば濃塩酸、臭化水素酸等の強酸中、０℃から２００℃、好ましくは室温から１５０℃において、０．５時間−１５時間、好ましくは１時間−５時間行う。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
また、上記と同様の方法により、酵素等の標識物質をイプロジオン誘導体に結合させたものを、免疫学的測定方法において使用することができる。標識物質としては、西洋わさびペルオキシダーゼ（以下「ＨＲＰ」と言う）、アルカリフォスファターゼ等の酵素、フルオレセインイソシアネート、ローダミン等の蛍光物質、３２Ｐ、１２５Ｉ等の放射性物質、化学発光物質などがある。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
脾細胞とミエロ−マとが融合し、抗体産生能及び増殖能を獲得したハイブリドーマ群の選択は、例えば、ミエローマ細胞株としてヒポキサンチングアニンホスホリボシルトランスフェラーゼ欠損株を使用した場合、例えば上述のＤＭＥＭやＩＭＤＭにヒポキサンチン・アミノプテリン・チミジンを添加して調製したＨＡＴ培地の使用により行うことができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８０】
（ｄ）工程において当該化合物を抗体固相化担体に接触させ、混合物中のイプロジオン及び／またはイプロジオン代謝物と酵素結合ハプテンとの競合阻害反応により、これらと固相化担体との複合体が生成する。イプロジオン及び／またはイプロジオン代謝物を含む試料は適当な緩衝液で希釈して使用する。限定されるわけではないが、反応は例えば、室温でおよそ１時間行う。反応終了後、緩衝液で担体を洗浄し、未反応の酵素結合ハプテンを除去する。洗浄液は、例えばＰＢＳを使用することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月15日(2004.11.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）〔化１〕
【化１】
1999147869.tif 000001
（式中、Ｒ1−Ｒ5はそれぞれ独立して水素原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、炭素数１〜４の低級アルキル基、炭素数１〜４の低級アルコキシ基、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、炭素数１〜４の低級アルキル置換アミノ基、低級アシル基、カルボキシ基、炭素数１〜４の低級アルコキシカルボニル基、チオール基、炭素数１〜４の低級アルキルチオ基、スルホ基、カルバモイル基、または炭素数１〜４の低級アルキル置換カルバモイル基を表す。）で示される化合物の製造において、一般式（２）〔化２〕で示される化合物
【化２】
1999147869.tif 000002
（式中、Ｒ1−Ｒ5はそれぞれ独立して水素原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、炭素数１〜４の低級アルキル基、炭素数１〜４の低級アルコキシ基、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、炭素数１〜４の低級アルキル置換アミノ基、低級アシル基、カルボキシ基、炭素数１〜４の低級アルコキシカルボニル基、チオール基、炭素数１〜４の低級アルキルチオ基、スルホ基、カルバモイル基、または炭素数１〜４の低級アルキル置換カルバモイル基を表す。）と１，１−シクロプロパンジカルボン酸とを原料に用いることを特徴とする製造法。
【請求項２】
Ｒ1，Ｒ2，Ｒ4，Ｒ5が水素原子、Ｒ3が塩素原子、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ4，Ｒ5が水素原子、Ｒ3が臭素原子およびＲ1，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5が水素原子、Ｒ2がトリフルオロメチル基で表される請求項１に記載の化合物の製造法。
【請求項３】
一般式（１）〔化１〕
【化３】
1999147869.tif 000003
（式中、Ｒ1−Ｒ5はそれぞれ独立して水素原子、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、炭素数１〜４の低級アルキル基、炭素数１〜４の低級アルコキシ基、炭素数１〜４のパーフルオロアルキル基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、炭素数１〜４の低級アルキル置換アミノ基、低級アシル基、カルボキシ基、炭素数１〜４の低級アルコキシカルボニル基、チオール基、炭素数１〜４の低級アルキルチオ基、スルホ基、カルバモイル基、または炭素数１〜４の低級アルキル置換カルバモイル基を表す。）で示される化合物（但し、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ4，Ｒ5が水素原子であり、Ｒ3がメトキシ基で表される化合物；Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ5が水素原子であり、Ｒ4がトリフルオロメチル基で表される化合物；Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4，Ｒ5が水素原子で表される化合物；Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3，Ｒ4が水素原子であり、Ｒ5がメチル基で表される化合物；Ｒ1，Ｒ2，Ｒ5が水素原子であり、Ｒ3，Ｒ4が塩素原子で表される化合物；並びにＲ1，Ｒ2，Ｒ4及びＲ5が水素原子であり、Ｒ3が塩素原子である化合物を除く。）、及びその塩。
【請求項４】
Ｒ1，Ｒ2，Ｒ4，Ｒ5が水素原子であり、Ｒ3が塩素原子以外のハロゲン原子で表される請求項３に記載の化合物、及びその塩。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【実施例】
以下に、実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
〔実施例１〕  ３−カルボキシ−１−（４−クロロフェニル）−２−ピロリジノンの製造
水２．７ｇ中に、１，１−シクロプロパンジカルボン酸２．０ｇおよび４−クロロアニリン２．９ｇを加え、８０℃にて２０時間攪拌した。
反応液に２５％ＮａＯＨ水２０mlと酢酸エチル２０mlとを加えよく攪拌した。水層を酢酸エチルで洗浄し、次いで水層を塩酸を用いて酸性にした。析出晶を濾取後水洗し、得られた結晶を乾燥し目的物２．２ｇ（収率５９．７％）を得た。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
実施例２  １−（４−ブロモフェニル）−３−カルボキシ−２−ピロリジノンの製造
アセトニトリル５０ml中に、１，１−シクロプロパンジカルボン酸３０ｇおよび４−ブロモアニリン５０ｇ加え、攪拌下に７時間加熱還流した。
反応液を減圧下に脱溶媒した後、炭酸水素ナトリウム水、酢酸エチルを加えよく攪拌した。水層を酢酸エチルで洗浄し、次いで水層を塩酸を用いて酸性した後、酢酸エチルを用いて抽出を行った。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後減圧濃縮を行い、得られた減圧濃縮物をジエチルエーテルでスラッジして目的物３２．８ｇ（粗収率５０．２％）を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δｐｐｍ）：２．３９−２．６８（２Ｈ，ｍ），３．６６（１Ｈ，ｔ），３．８５（２Ｈ，ｍ），７．５１（４Ｈ，ｓ）
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
実施例３  ３−カルボキシ−１−（３−トリフルオロメチルフェニル）−２−ピロリジノンの製造
アセトニトリル１５ml中に、１，１−シクロプロパンジカルボン酸１０．０ｇおよび３−トリフルオロメチルアニリン１２．４ｇを加え、攪拌下に７時間加熱還流した。以下実施例２と同様の方法で処理し、目的物７．１ｇ（収率３８．８％）を得た。
1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3，δｐｐｍ）：２．４３−２．６７（２Ｈ，ｍ），３．７３（１Ｈ，ｔ），３．９７（２Ｈ，ｔ），７．４７−７．５４（２Ｈ，ｍ），７．７５−７．８７（２Ｈ，ｍ）
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月23日(2005.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）脂環式エポキシ樹脂、
（ｂ）ＯＨを末端に有するポリシロキサン、
（ｃ）ポリシロキサン／ポリエーテルコポリマー、及び
（ｄ）環状ポリシロキサン
からなる組成物。
【請求項２】
組成物全体を基準として、９４．０ないし９９．７重量％の成分（ａ）、０．１ないし２．０重量％の成分（ｂ）、０．１ないし２．０重量％の成分（ｃ）、及び０．１ないし２．０重量％の成分（ｄ）からなり、成分（ａ）、（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）の合計が１００重量％である請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
成分（ａ）がヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル又は３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキシレートである請求項１に記載の組成物。
【請求項４】
成分（ｂ）が式Ｉ；
【化１】
1999147942.tif 000001
（式中Ｒ1及びＲ2は互いに独立し、炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子数５ないし１４のアリール基又は炭素原子数６ないし２４のアルアルキル基を表し、そしてｎは３ないし６０の平均値である。）で表されるポリシロキサンである請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
成分（ｂ）が式Ｉ（式中Ｒ1及びＲ2は互いに独立してメチル基、エチル基又はフェニル基を表す。）で表されるポリシロキサンである請求項４に記載の組成物。
【請求項６】
成分（ｂ）が式Ｉ（式中Ｒ1及びＲ2はメチル基を表す。）で表されるポリシロキサンである請求項４に記載の組成物。
【請求項７】
成分（ｃ）がポリシロキサンセグメントとしてポリジメチルシロキサンを含むコポリマーである請求項１に記載の組成物。
【請求項８】
成分（ｃ）がポリエーテルセグメントとしてポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド又はポリエチレンオキシド／ポリプロピレンオキシドコポリマーを含むコポリマーである請求項１に記載の組成物。
【請求項９】
成分（ｄ）が式ＩＩ；
【化２】
1999147942.tif 000002
（式中Ｒ1及びＲ2は互いに独立して炭素原子数１ないし１８のアルキル基、炭素原子数５ないし１４のアリール基又は炭素原子数６ないし２４のアルアルキル基を表し、そしてｍは４ないし１２の整数である。）で表される環状ポリシロキサンである請求項１に記載の組成物。
【請求項１０】
成分（ｄ）が式ＩＩ（式中Ｒ1及びＲ2は互いに独立してメチル基、エチル基又はフェニル基を表し、そしてｍは４ないし６の整数である。）で表される環状ポリシロキサンである請求項９に記載の組成物。
【請求項１１】
成分（ｄ）がオクタメチルシクロテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン又はドデカメチルシクロヘキサシロキサンである請求項９に記載の組成物。
【請求項１２】
付加的に成分（ｅ）としてポリカルボン酸無水物を含む請求項１に記載の組成物。
【請求項１３】
請求項１２に記載の組成物を硬化させることにより得ることが可能な架橋生成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月26日(2005.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
溶融加工性フルオロポリマー組成物であって、官能基のあるフルオロポリマー樹脂、高温体制サーモプラスチック樹脂接着促進剤および官能基のないフルオロポリマー樹脂の総重量を基準として、１〜３０重量％の官能基のあるフルオロポリマー樹脂と、０．５〜１０重量％の高温耐性サーモプラスチック樹脂接着促進剤と、少なくとも５０重量％の官能基のないフルオロポリマー樹脂とを含むことを特徴とする溶融加工性フルオロポリマー組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
本発明の積層品で使用される溶融加工性フルオロポリマー組成物の溶融加工性フルオロポリマー組成物における、フルオロポリマー樹脂の成分中、すなわち官能基のないフルオロポリマーを加えた官能基のあるフルオロポリマー中の官能基の濃度は、ＨＴＲＰ接着促進剤の効果を改善し、それにより低いＨＴＲＰ濃度での金属への良好な接着を可能にするのに有効である。当業者なら分かるであろうが、ＨＴＲＰ接着促進剤の効果を改善するのに有効な官能基の濃度は、少なくとも官能基のタイプおよびＨＴＲＰのタイプによって変わる可能性がある。存在する官能基の濃度は、フルオロポリマー樹脂中の主鎖炭素原子の数に対して表すことができる。一般に、存在する官能基の濃度は、この組成物のフルオロポリマーの総数に対して、少なくとも主鎖炭素原子の約２５／１０6である。官能基の濃度は、存在するフルオロポリマーの総数に対して、通常は主鎖炭素原子１０6個あたり２５〜２５００個の範囲であり、好ましくは主鎖炭素原子１０6個あたり５０〜２０００個の範囲である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
以下の例が示すとおり、本発明の溶融加工性フルオロポリマー組成物は、低いＨＴＲＰ濃度で良好な金属に対する接着性を呈する。良好な接着性は、以下に記載するアルミニウムに対する剥離試験で測定した、少なくとも７００ｇ／ｃｍ、好ましくは少なくとも１０００ｇ／ｃｍの剥離強さによって示される。したがって、この組成物はプライマとしても唯一のフルオロポリマー成分としても積層品中で有効である。金属表面は粗くすることも滑らかにすることもできる。以下の例は、本発明の溶融加工性組成物が粗い表面への接着より難しい滑らかな金属表面に接着することができることを示すものである。当業者には周知の通り、金属に対する被覆の接着性は、例えばサンドブラストによって金属表面を粗くすることによって改善することができる。一般に、金属表面にはちりおよび油脂がないものとする。
以下に、本発明の好ましい態様を示す。
１．  少量の官能基のあるフルオロポリマー樹脂および高温耐性サーモプラスチック樹脂接着促進剤と、大量の官能基のないフルオロポリマー樹脂とを含むことを特徴とする溶融加工性フルオロポリマー組成物。
２．  官能基のない溶融加工性フルオロポリマー樹脂も含むことを特徴とする１．に記載の組成物。
３．  前記の官能基のあるフルオロポリマーの官能基が、−Ｚを−ＯＨ、−Ｏ−（ＣＯ）−ＮＨ２、または−ＯＰ（Ｏ）（ＯＨ）２として−ＳＯ２Ｆおよび−ＣＨ２−Ｚの少なくとも一方であることを特徴とする１．に記載の組成物。
４．  前記官能基が−ＣＨ２−ＯＨであることを特徴とする３．に記載の組成物。
５．  前記官能基が−ＣＨ２−ＯＰ（Ｏ）（ＯＨ）２であることを特徴とする３．に記載の組成物。
６．  前記高温耐性サーモプラスチックが、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルケトンケトン、ポリフェニレンスルフィド、ポリエーテルスルホン、およびポリアミドイミドの少なくとも１つであることを特徴とする１．に記載の組成物。
７．  前記高温耐性サーモプラスチックがポリエーテルエーテルケトンであることを特徴とする６．に記載の組成物。
８．  前記高温耐性サーモプラスチックがポリエーテルケトンケトンであることを特徴とする６．に記載の組成物。
９．  前記高温耐性サーモプラスチックがポリフェニレンスルフィドであることを特徴とする６．に記載の組成物。
１０．  前記高温耐性サーモプラスチックがポリエーテルスルホンであることを特徴とする６．に記載の組成物。
１１．  前記高温耐性サーモプラスチックがポリアミドイミドであることを特徴とする６．に記載の組成物。
１２．  前記高温耐性サーモプラスチック樹脂接着促進剤が、存在する高温耐性サーモプラスチック樹脂接着促進剤、官能基のあるフルオロポリマー樹脂、および官能基のないフルオロポリマー樹脂の合計重量に対して０．５〜１０重量％の量で存在することを特徴とする１．に記載の組成物。
１３．  不活性充填剤も含むことを特徴とする１．に記載の組成物。
１４．  前記官能基が−ＣＨ２−Ｏ−（ＣＯ）−ＮＨ２であることを特徴とする３．に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月28日(2005.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、（Ａ）分子当たり２個のジオルガノアルケニルシロキシ末端基を有し、不飽和炭化水素基の全濃度が０．１１８〜０．１５６モル％である第１のポリジオルガノシロキサン；（Ｂ）分子当たり２個のジオルガノアルケニルシロキシ末端基を有し、かつ検出可能な濃度の不飽和炭化水素側基が存在しない第２のポリジオルガノシロキサン；（Ｃ）分子当たり２個のジオルガノアルケニルシロキシ末端基を有し、不飽和炭化水素基の全濃度が１．３７〜２．２４モル％である第３のポリジオルガノシロキサン；（Ｄ）ケイ素−水素結合を含む架橋剤であって、前記ポリジオルガノシロキサン（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）に存在する全エチレン系不飽和炭化水素基に対するケイ素−水素結合の比が１．００〜２．２５である架橋剤；（Ｅ）５〜８０重量％のシリカ充填剤；並びに（Ｆ）触媒的有効量の白金族金属触媒を含む熱硬化性ポリオルガノシロキサン組成物であって、前記ポリジオルガノシロキサン（Ａ）、（Ｂ）及び（Ｃ）の重量比が（Ｃ）／（Ａ＋Ｂ）＝０．０３７９〜０．１０７１及びＡ／Ｂ＝１．４６０〜２．１１５の関係を満たす熱硬化性ポリオルガノシロキサン組成物である。場合に応じて、本発明の組成物は抑制剤を含んでもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月28日(2004.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
（ｃ３）：ポリスチレン−水素添加されたポリブタジエン−ポリスチレンの構造を有し、結合スチレン量４８％、数平均分子量９１，０００、分子量分布１，０６、水素添加前のポリブタジエンの全ビニル結合量(１，２−ビニル結合)が７６％、水素添加率が９９．６％の水添ブロック共重合体を合成した。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月29日(2004.6.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】吸水剤、吸水性物品および吸水性樹脂の製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクリル酸またはその塩を主成分とする親水性単量体水溶液を有機溶剤中に分散・懸濁させて液滴状態としたものを逆相懸濁重合して得られた吸水性樹脂の表面近傍を架橋処理してなる吸水剤であって、
気泡が内在されており、平均粒子径２００〜１０００μｍで、角がなく、多孔質であることを特徴とする吸水剤。
【請求項２】
請求項１記載の吸水剤と繊維質材料とを含み、吸水性樹脂と繊維質材料の総和に対する前記吸水剤の比率が４０重量％以上である吸水性物品。
【請求項３】
親水性単量体水溶液を有機溶剤中に分散・懸濁させて液滴状態としたものを逆相懸濁重合することにより吸水性樹脂を製造する方法において、
前記液滴中に気泡を内在させた状態で逆相懸濁重合を行うことを特徴とする吸水性樹脂の製造方法。
【請求項４】
親水性単量体水溶液を有機溶剤中に分散・懸濁させて液滴状態としたものを逆相懸濁重合することにより吸水性樹脂を製造する方法において、
分散剤としてセルロース誘導体を用い、かつ、前記親水性単量体水溶液の粘度が１５ｃｐｓ以上であることを特徴とする吸水性樹脂の製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、吸水剤、吸水性物品および吸水性樹脂の製造方法に関する。さらに詳しくは、高濃度条件下で使用されて高荷重がかかった場合にも、十分高い吸収倍率を示すことのできる表面架橋された吸水剤およびそれを用いた吸水性物品と、そのような吸水剤を提供できるような吸水性樹脂の製造方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、本発明の課題は、高濃度条件下で使用されて高荷重がかかった場合にも、十分高い吸収倍率を示すことのできる表面架橋された吸水剤およびそれを用いた吸水性物品と、そのような吸水剤を提供できるような吸水性樹脂の製造方法を提供することにある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明は、以下の構成をとる。
(1) アクリル酸またはその塩を主成分とする親水性単量体水溶液を有機溶剤中に分散・懸濁させて液滴状態としたものを逆相懸濁重合して得られた吸水性樹脂の表面近傍を架橋処理してなる吸水剤であって、
気泡が内在されており、平均粒子径２００〜１０００μｍで、角がなく、多孔質であることを特徴とする吸水剤。
(2) 前記(1)記載の吸水剤と繊維質材料を含み、吸水性樹脂と繊維質材料の総和に対する吸水性樹脂の比率が４０重量％以上である吸水性物品。
(3)   親水性単量体水溶液を有機溶剤中に分散・懸濁させて液滴状態としたものを逆相懸濁重合することにより吸水性樹脂を製造する方法において、
前記液滴中に気泡を内在させた状態で逆相懸濁重合を行うことを特徴とする吸水性樹脂の製造方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
(4)   親水性単量体水溶液を有機溶剤中に分散・懸濁させて液滴状態としたものを逆相懸濁重合することにより吸水性樹脂を製造する方法において、
分散剤としてセルロース誘導体を用い、かつ、前記親水性単量体水溶液の粘度が１５ｃｐｓ以上であることを特徴とする吸水性樹脂の製造方法。