(57)【要約】【課題】小型化が容易な発光装置、及び量産性に富むその製造方法を提供する。【解決手段】貫通電極を有する基板と、前記基板の上に接着され、前記貫通電極に接続された発光素子と、前記発光素子と離間して設けられ、前記基板との間に内部空間を形成し、透光性を有する無機材料からなる誘電体膜と、を備え、前記発光素子からの放出光を前記誘電体膜を介して放出可能としたことを特徴とする発光装置及びその製造方法が提供される。  【選択図】図１
2010135488.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通電極を有する基板と、
前記基板の上に接着され、前記貫通電極に接続された発光素子と、
前記発光素子と離間して設けられ、前記基板との間に内部空間を形成し、透光性を有する無機材料からなる誘電体膜と、  
を備え、
前記発光素子からの放出光を前記誘電体膜を介して放出可能としたことを特徴とする発光装置。  
【請求項２】
前記誘電体膜と前記発光素子との間に設けられ、前記放出光を吸収して前記放出光の波長よりも長い波長を有する波長変換光を放出可能な蛍光体層をさらに備え、
前記放出光と、前記波長変換光と、を前記誘電体膜を介して放出可能としたことを特徴とする請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記誘電体膜は、前記放出光の集束及び発散の少なくともいずれかを可能としたレンズ曲面を有することを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。    
【請求項４】
発光層を有する積層体と、前記積層体に接続されたｐ側電極及びｎ側電極と、を有する発光素子を形成する工程と、
貫通電極が設けられた基板の上面に、前記発光素子を接着し且つ前記ｐ側電極及び前記ｎ側電極を前記貫通電極とそれぞれ電気的に接続する工程と、
前記発光素子の少なくとも側面及び前記基板の前記上面を覆うように有機膜を形成する工程と、
前記有機膜を覆うように、透光性を有する無機材料からなる第１の誘電体膜を形成する工程と、
前記第１の誘電体膜に設けられた開口を通して前記有機膜を除去したのち、透光性を有する無機材料からなる第２の誘電体膜を用いて前記開口を封止する工程と、
を備えたことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項５】
透光性基板と、第１の面が前記透光性基板の第１の面に隣接するように形成され且つ発光層を有する積層体と、前記積層体の前記第１の面とは反対側の第２の面に設けられたｐ側電極及びｎ側電極と、を有する発光素子と、
前記ｐ側電極及び前記ｎ側電極がバンプを介してそれぞれ接続された貫通電極を有する基板と、
前記透光性基板の前記第１の面とは反対側の第２の面を少なくとも覆うように設けられ、前記発光素子からの放出光を吸収して前記放出光の波長よりも長い波長を有する波長変換光を放出可能な蛍光体層と、
前記基板の上に設けられ、前記蛍光体層、前記発光素子、及び前記バンプを包み、透光性を有する無機材料からなる誘電体膜と、
を備え、
前記誘電体膜は、前記放出光と前記波長変換光の集束及び発散の少なくともいずれかを可能としたレンズ曲面を有することを特徴とする発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
可視光及び白色光を放出可能な発光装置の用途は、照明装置、画像表示装置のバックライト光源、及びディスプレイ装置などに拡大している。
【０００３】
これらの用途では小型化の要求がますます強まっており、リードフレーム上に発光素子チップを接着し、且つ樹脂を用いて成型したＳＭＤ（Surface−Mounted  Device)型発光装置が用いられる。
【０００４】
また、電力損失を低減した半導体発光装置を用いたで照明装置により蛍光灯や白熱電球を置き換えるには、量産性を高め価格を低減することが要求される。
【０００５】
さらなる小型化のための技術開示例がある（特許文献１）。この技術開示例では、透明基板に設けられた配線層と発光素子チップとがフリップチップ接続され、柱状電極及びボールを介して外部から駆動可能とされる。また、透明基板上において、発光素子チップ及び柱状電極は封止材により覆われる。
しかしながら、この技術開示例では、発光素子チップとレンズ、または発光素子チップと蛍光体層との距離を短くすることが困難であり小型化及び薄型化には限界がある。また、量産性が十分であるとは言えない。
【特許文献１】特開２００６−１２８６２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
小型化が容易な発光装置、及び量産性に富むその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、貫通電極を有する基板と、前記基板の上に接着され、前記貫通電極に接続された発光素子と、前記発光素子と離間して設けられ、前記基板との間に内部空間を形成し、透光性を有する無機材料からなる誘電体膜と、を備え、前記発光素子からの放出光を前記誘電体膜を介して放出可能としたことを特徴とする発光装置が提供される。
【０００８】
また、本発明の他の一態様によれば、発光層を有する積層体と、前記積層体に接続されたｐ側電極及びｎ側電極と、を有する発光素子を形成する工程と、貫通電極が設けられた基板の上面に、前記発光素子を接着し且つ前記ｐ側電極及び前記ｎ側電極を前記貫通電極とそれぞれ電気的に接続する工程と、前記発光素子の少なくとも側面及び前記基板の前記上面を覆うように有機膜を形成する工程と、前記有機膜を覆うように、透光性を有する無機材料からなる第１の誘電体膜を形成する工程と、前記第１の誘電体膜に設けられた開口を通して前記有機膜を除去したのち、透光性を有する無機材料からなる第２の誘電体膜を用いて前記開口を封止する工程と、を備えたことを特徴とする発光装置の製造方法が提供される。  
【０００９】
また、本発明のさらに他の一態様によれば、透光性基板と、第１の面が前記透光性基板の第１の面に隣接するように形成され且つ発光層を有する積層体と、前記積層体の前記第１の面とは反対側の第２の面に設けられたｐ側電極及びｎ側電極と、を有する発光素子と、前記ｐ側電極及び前記ｎ側電極がバンプを介してそれぞれ接続された貫通電極を有する基板と、前記透光性基板の前記第１の面とは反対側の第２の面を少なくとも覆うように設けられ、前記発光素子からの放出光を吸収して前記放出光の波長よりも長い波長を有する波長変換光を放出可能な蛍光体層と、前記基板の上に設けられ、前記蛍光体層、前記発光素子、及び前記バンプを包み、透光性を有する無機材料からなる誘電体膜と、を備え、前記誘電体膜は、前記放出光と前記波長変換光の集束及び発散の少なくともいずれかを可能としたレンズ曲面を有することを特徴とする発光装置が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
小型化が容易な発光装置、及び量産性に富むその製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図１は、第１の実施形態にかかる発光装置の模式断面図である。
発光素子５は、透光性基板１０ と、第１の面１２ｃが透光性基板１０に隣接するように形成され且つ発光層１２ｅを有する積層体１２と、積層体１２の第１の面１２ｃとは反対側の第２の面１２ｄに形成されたｐ側電極１４及びｎ側電極１６と、を有している。
【００１２】
積層体１２は、例えば透光性基板１０側から、ｎ型層、ｎ型クラッド層、発光層１２ｅ、及びｐ型クラッド層などがこの順序で積層された構造とされる。なお、導電型はこれに限定されず、逆導電型であってもよい。
【００１３】
段差を有する積層体１２の第２の面１２ｄにはｎ側電極１６及びｐ側電極１４がそれぞれ設けられている。
【００１４】
基板３０は、貫通電極３２、３３を有し、さらに上面３０ａに設けられた導電部３８に発光素子５のチップが導電性ペーストなどの接着剤を用いて接着されている。また積層体１２の第２の面１２ｄに設けられたｐ側電極１４と、貫通電極を有する基板３０の上面３０ａに設けられた導電部３６と、がボンディングワイヤ４８により接続されている。また、積層体１２の第２の面１２ｄに設けられたｎ側電極１６と、基板３０の上面３０ａに設けられた導電部３４と、がボンディングワイヤ４９により接続されている。
【００１５】
また、発光素子５のチップを覆うように蛍光体層２０が設けられており、蛍光体層２０から離間して開口を有する第１の誘電体膜６０、及びその開口６０ａを封止する第２の誘電体膜６２が設けられている。本図のように、第２の誘電体膜６２の上面に曲面を形成し、凸レンズ４１とすることもできる。
【００１６】
本実施形態では、発光素子５のチップ近傍に内部空間７２を設けているので、積層体１２の第２の面１２ｄを上方に向けて接着し、第１の誘電体膜６０と接触することなくボンディングワイヤ４８、４９を導電部３４、３６に配線することが容易である。
【００１７】
なお図１の発光装置は、発光素子５からの放出光と、放出光を吸収した蛍光体層２０から放出され、放出光よりも長い波長光である波長変換光と、を第１及び第２の誘電体膜６０、６２を介して上方へ放出可能とされる。このために、これらの混合光として、白色光や電球色などを得ることが容易となる。しかしながら本発明はこれに限定されず、蛍光体層を設けず発光素子５からの放出光を第１及び第２の誘電体膜６０、６２を介して上方へ放出可能とされるものも含む。
【００１８】
また、貫通電極を有する基板３０が高抵抗Ｓｉの場合、内部にツェナーダイオード２９を設け、導電部３４、３６とそれぞれ配線すると、発光素子５に過大な電圧が生じた場合に発光素子５を保護することが容易となる。なお、基板３０は、ＳｉやＳｉＣのような半導体基板やサファイヤのような絶縁基板とすることができる。
【００１９】
図２は、第１の実施形態の製造方法のうち、内部空間を有する第１の誘電体膜を形成するまでの工程を表す。Ｓｉなどの半導体からなる基板３０には、貫通電極３２、３３、導電部３４、３５、３６、３７、３８が設けられている。発光素子５を半田ペーストや樹脂ペーストなどによりマウントし、Ａｕ線などによりワイヤボンデイングを行う。また蛍光体粒子が混合された液状ガラスを塗布し、加熱硬化を行い蛍光体層２０を形成する。さらに、蛍光体層２０を覆うように、例えば第１の有機膜５０、第１の有機膜よりも小さい第２の有機膜５２、及び第２の有機膜よりも小さい第３の有機膜５４を、順に積層する（図２（ａ））。有機膜として、例えばポリマー構造を有するものを用いることができる。
【００２０】
さらにその上にＳｉＯ２などの無機材料からなる第１の誘電体膜６０を例えば１μｍ程度形成し（図２（ｂ））、内部の有機膜をドライエッチング可能な程度の大きさの開口６０ａを形成する（図２（ｃ））。続いて、ドライエッチング法などを用いて、第１から第３の有機膜５０、５２、５４を除去する（図２（ｄ））。
【００２１】
図３は、さらにレンズを形成するまでの工程を表す。
第１〜第３の有機膜５０、５２、５４のエッチングののち、開口６０ａを有する第１の誘電体膜６０の上に、ＳｉＯ２などの無機材料からなる第２の誘電体膜６２を、例えば３μｍ程度形成し、第１の誘電体膜６０の開口６０ａを封止する（図３（ａ））。発光素子からの放出光または混合光を集束または発散する必要が無い場合には、図３（ａ）の構造により上方から混合光を放出可能である。
【００２２】
放出光または混合光を集束または発散する場合、さらにレンズ形成工程を行う。すなわち、第２の誘電体膜６２を、例えば５〜１０μｍとなるように厚くする（図３（ｂ））。
【００２３】
続いて、対レジスト低選択比条件によるドライエッチング加工法などを用いて凸レンズ４１を形成すると、図１のような集光により高輝度が容易な発光装置が完成する。
他方、凹レンズ４３を形成すると、図３（ｃ）のような発散が容易な発光装置が完成する。
【００２４】
このように、本実施形態では、Ｓｉ基板などのウェーハレベルで発光素子チップを用いた組立工程を行うことが容易である。また、ウェーハレベルで検査工程を行うことができる。このような発光装置をＷＬＰ（Wafer-Level  Package）型発光装置と呼ぶ。ＷＬＰ型発光装置のサイズは、発光素子ベアチップのサイズに近くできるので、ＣＳＰ（Chip  Size  Package)と呼ぶことができる。またＷＬＰ型発光装置は製造工程の量産性を高めることが容易であり、結果として価格低減が可能となる。このように小型且つ量産性に富むＷＬＰ型発光装置は、照明装置、画像表示装置のバックライト光源、及びディスプレイ装置などに広く使用することができる。 
【００２５】
また、貫通電極３２、３３が設けられ、Ｓｉなどからなる基板と、無機材料からなる第２の誘電体膜６２と、により封止された本発光装置では、気密性及び耐水性が改善され信頼性をより高めることが容易となる。
【００２６】
図４は、第１の実施形態の変形例の発光装置の模式断面図である。
第２の誘電体膜６２とは異なる無機材料からなる第３の誘電体膜６４をさらに設け、その厚さを、例えば２〜７μｍとすることにより、レンズ加工をより確実にすることができる（図４（ａ））。このような材料として、例えば石英ガラスなどとすることができる。第３の誘電体膜６４の表面に、凸レンズ４１となる曲面を形成すると光を集束可能であり、（図４（ｂ））、また凹レンズ４３となる曲面を形成すると光を発散可能となる（図４（ｃ））。
【００２７】
図５は、第２の実施形態にかかる発光装置の工程断面図である。
貫通電極を有する基板３０の第１の面３０ａに発光素子がマウントされ、ワイヤボンディングが行われたのち、第１〜第３の有機膜５０、５２、５４により覆う。さらに第１〜第３の有機膜、５０、５２、５４を覆うように蛍光体層２１、第１の誘電体膜６０をこの順序でを形成する（図５（ａ））。
続いて第１の誘電体膜６０及び蛍光体層２１に開口７０を形成する（図５（ｂ））。
【００２８】
ドライエッチング法などを用いて、第１〜第３の有機膜５０、５２、５４を開口７０を通して除去し内部空間７２を形成する（図５（ｃ））。内部空間７２の形成により、ボンディングワイヤ４８、４９の変形を抑制できる。続いて、第２の誘電体膜６２を形成して開口７０を封止する。この場合、第２の誘電体膜６２を厚くすると凸レンズ４１、または凹レンズを形成することが容易となり、放出光の集束、または発散が制御可能となる（図５（ｄ））。
【００２９】
図６は、第３の実施形態にかかる発光装置の模式断面図である。
本実施形態では、発光素子５がフリップチップ接続されている。すなわち、貫通電極を有する基板３０の第１の面３０ａには導電部３４、３６と、第２の面３０ｂには導電部３５、３７と、がそれぞれ設けられている。また、第１の面３０ａに設けられた導電部３４と、第２の面３０ｂに設けられた導電部３５とは、貫通電極３３により接続されている。また第１の面３０ａに設けられた導電部３６と、第２の面３０ｂに設けられた導電部３７と、は貫通電極３２により接続されている。
【００３０】
発光素子５のｐ側電極１４及び貫通電極を有する基板３０の第１の面３０ａに設けられた導電部３４はバンプ４４により、また発光素子５のｎ側電極１６及び基板３０の第１の面３０ａに設けられた導電部３６はバンプ４６により、それぞれフリップチップ接続されており、貫通電極３２、３３を介して基板３０の第２の面３０ｂに設けられた導電部３５、３７へそれぞれ接続される。また、発光素子５を包むように蛍光体層２０がスパッタ法または蛍光体粒子が混合された液状ガラス塗布法などにより形成されている。
【００３１】
このあと、第１の実施形態と同様な工程を経て、内部空間７２が形成される（図６（ａ））。さらに第２の誘電体膜６２と同一の無機材料によりその厚さを、例えば５〜１０μｍ程度とする（図６（ｂ））。さらに第２の誘電体膜６２をレンズ加工する（図６（ｃ））。本図では凸レンズ４１を表しているが、凹レンズとすることも容易である。
【００３２】
図７は、第３の実施形態の変形例である。第２の誘電体６２を覆うように、第２の誘電体膜６２とは材質の異なる無機材料からなる第３の誘電体６４を、例えば２〜７μｍ程度形成し、さらにその表面にレンズ曲面を形成する。図７（ａ）は凸レンズ４１、図７（ｂ）は凹レンズ４３、をそれぞれ表す。
【００３３】
図８は、第４の実施形態にかかる発光装置の模式断面図である。
本実施形態では、第１の誘電体膜６０は蛍光体層２０の上面２０ａと隣接して形成される（図８（ａ））。このために、内部空間７３が発光素子５の側方に形成され、第１の誘電体膜６０及び第２の誘電体膜６２の積層構造を堅固にすることができ、レンズ固定強度が改善される。図８（ｂ）は、凸レンズ４１、図８（ｃ）は凹レンズ４３、をそれぞれ表している。なお、凸レンズ４１及び凹レンズ４３は、第２の誘電体膜６２とは異なる材質の第３の誘電体膜６４であってもよい。
【００３４】
図９は、第５の実施形態にかかる発光装置の工程断面図である。
本実施形態では、第２の実施形態のように、蛍光体層２１が開口７０を有する第１の誘電体膜６０の内壁を覆うように形成される（図９（ａ））。図９（ｂ）は凸レンズ４１、図９（ｃ）は凹レンズ４３、をそれぞれ表す。なお、凸レンズ４１及び凹レンズ４３は、第２の誘電体膜６２とは異なる材質の第３の誘電体膜としてもよい。
【００３５】
図１０は、第６の実施形態にかかる発光装置の模式断面図である。
本実施形態では、蛍光体層２１と透光性基板１０とは隣接して形成される（図１０（ａ））。このために、内部空間７３が発光素子５の側方に形成され、第１及び第２の誘電体膜６０、６２の積層構造を堅固にすることができ、レンズ固定強度が改善される。図１０（ｂ）は凸レンズ４１、図１０（ｃ）は凹レンズ４３、をそれぞれ表す。なお、凸レンズ４１及び凹レンズ４３は、第２の誘電体膜６２とは異なる材質の第３の誘電体膜６４としてもよい。
【００３６】
図１１は、第７の実施形態にかかる発光装置の模式図である。すなわち、図１１（ａ）はその断面図、図１１（ｂ）はその変形例の断面図、である。
発光素子は、透光性基板１０ と、第１の面１２ｃが透光性基板１０の第１の面１０ａに隣接するように形成され、且つ発光層１２ｅを有する積層体１２と、積層体１２の第２の面１２ｄに形成されたｐ側電極１４及びｎ側電極１６と、を有している。
【００３７】
また、積層体１２は、ｎ型層、ｎ型クラッド層、発光層１２ｅ、及びｐ型クラッド層などを有している。なお、導電型はこれに限定されず、逆導電型であってもよい。
段差を有する積層体１２の第２の面１２ｄにはｎ側電極１６及びｐ側電極１４がそれぞれ設けられている。
【００３８】
他方、貫通電極を有する基板３０の上面（第１の面）３０ａには導電部３４、３６が、また第２の面３０ｂには導電部３５、３７が、それぞれ設けられている。また、第１の面３０ａに設けられた導電部３４と、第２の面３０ｂに設けられた導電部３５とは、貫通電極３３により接続されている。また第１の面３０ａに設けられた導電部３６と、第２の面３０ｂに設けられた導電部３７と、は貫通電極３２により接続されている。
【００３９】
発光素子のｐ側電極１４及び貫通電極を有する基板３０の第１の面３０ａに設けられた導電部３４はバンプ４４により、また発光素子のｎ側電極１６及び貫通電極に設けられた基板３０に設けられた導電部３６はバンプ４６により、フリップチップ接続されており、貫通電極３２、３３を介して基板３０の第２の面３０ｂに設けられた導電部３５、３７へそれぞれ接続される。
【００４０】
蛍光体層２０はスパッタ法または蛍光体粒子が混合された液状ガラス塗布法などにより、発光素子を包むように形成されている。さらに透光性を有し、ＳｉＯ２、ガラスなどの無機材料からなる誘電体膜２２が、発光素子及びバンプ４４、４６などを包むように基板３０上に設けられている。誘電体膜２２を無機材料とすることにより、気密性及び耐水性が改善され信頼性が高めれた発光装置が可能となる。誘電体膜２２の上面２２ａには凸レンズ曲面が形成されており、放出光を集束することが可能である。
【００４１】
また、例えば、発光層１２ｅを窒化物系半導体とし、透光性基板１０をサファイヤとし、基板３０をシリコンなどとすることができる。さらに蛍光体層２０を珪酸塩系材料である黄色蛍光体とすれば、発光層１２ｅからの青色放出光と、黄色蛍光体による波長変換光である黄色光と、の混合光として白色光などを、誘電体膜２２の上面２２ａまたは側面２２ｂから取り出すことができる。
【００４２】
さらに、貫通電極を有する基板３０がシリコン（Ｓｉ）の場合、例えばツェナーダイオード２９を基板３０内に作り込み基板３０の第１の面３０ａに設けられた導電部３４と導電部３６との間に配線しておくと、発光素子と並列に接続がすることができる。このために、発光素子への印加電圧が過大となると、ツェナーダイオード２９に逆方向電流が流れ発光素子の保護が容易となる。
【００４３】
図１１（ａ）では、誘電体膜２２の上面２２ａを凸レンズ４１曲面としたが、図１１（ｂ）のようアレイ状に凸レンズを配置することができる。また、アレイ状に配置された凹レンズとすることもできる。このように本実施形態では、封止樹脂や内部空間を設けないためより薄型とすることが容易となる。さらに、製造工程がより簡素であり、量産性をより高めることが容易となる。
【００４４】
本実施形態及びその変形例では、Ｓｉからなる基板３０を用いて発光装置を形成する。すなわち、発光素子チップを用いてウェーハレベルで組立工程及び検査工程を行うことができる発光装置をＷＬＰ（Wafer-Level  Package）型発光装置であり、製造工程の量産性を高めることが容易であり、結果として価格低減が可能となる。このように小型且つ量産性に富む発光装置は、照明装置、画像表示装置のバックライト光源、及びディスプレイ装置などに広く使用することができる。
【００４５】
図１２は、第８の実施形態にかかる発光装置の模式断面図である。
誘電体膜２２の上面２２ａに石英ガラスなどからなる凸レンズ４０が、且つ誘電体膜２２の側面２２ｂに反射膜２４が、それぞれ設けられている。発光素子から側方へ向かった放出光は反射膜２４により上方に向かって反射される。このために上方における輝度をより高めることが容易となる。反射膜としては、ＡｌやＡｇのように可視光波長範囲において高い反射率を有する金属、金属酸化物粒子などが混合された樹脂、及びＳｉＯ２やＳｉ３Ｎ４などからなる多層反射膜などとすることができる。
【００４６】
図１３は、第９の実施形態にかかる発光装置の模式断面図である。
誘電体膜２２の上面２２ａに石英ガラスなどからなる凹レンズ４２を設け、上方に向かう光を側方に広げることができる。また、誘電体膜２２の側面２２ｂから光をさらに側方に広げることが容易である。このために、画像表示装置のバックライト光源に用いる場合、放出光を横方向に広げ光が導光板表面から均一に出射することが容易となる。
【００４７】
以上、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかしながら本発明はこれらの実施形態に限定されない。本発明を構成する発光素子、積層体、蛍光体層、レンズ、有機膜、誘電体膜、透光性基板、基板、電極、バンプ、のサイズ、材質、形状、配置などに関して当業者が各種の設計変更を行ったものであっても、本発明の主旨を逸脱しない限り本発明の範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】第１の実施形態にかかる発光装置の模式断面図
【図２】第１の実施形態の工程断面図
【図３】第１の実施形態の工程断面図
【図４】第１の実施形態の変形例の模式断面図
【図５】第２の実施形態にかかる発光装置の工程断面図
【図６】第３の実施形態にかかる発光装置の模式断面図
【図７】第３の実施形態にかかる発光装置の変形例
【図８】第４の実施形態にかかる発光装置の模式断面図
【図９】第５の実施形態にかかる発光装置の模式断面図
【図１０】第６の実施形態にかかる発光装置の模式断面図
【図１１】第７の実施形態にかかる発光装置の模式断面図
【図１２】第８の実施形態にかかる発光装置の模式断面図
【図１３】第９の実施形態にかかる発光装置の模式断面図
【符号の説明】
【００４９】
５  発光素子、１０  透光性基板、１２  積層体、１４  ｐ側電極、１６  ｎ側電極、２０、２１  蛍光体層、３０  基板、３２、３３  貫通電極、４０、４１、凸レンズ、４２、４３  凹レンズ、４４、４６  バンプ、７０  開口、７２、７３  内部空間、５０、５２、５４  有機膜、６０、６２、６４  誘電体膜
【図１】
2010135488.tif 000003
【図２】
2010135488.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2010135488.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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