【手続補正書】
【提出日】平成16年11月25日(2004.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導波領域を内部に有する、半導体材料からなる本体と、
前記導波領域内に配置され、ある光モードの光子を発生させる手段と、
前記導波領域の両側に位置し、互いに反対の導電型となるように少なくとも部分的にドーピングされたクラッド領域と、
を備える半導体レーザダイオードであって、
前記導波領域は、意図的なドーピングがされておらず、光子を自身の内部に実質的に閉じ込め、自身に沿って光子が流れることを可能にする材料から構成されており、
前記導波領域の厚さ、ならびに前記導波領域および前記クラッド領域の組成は、前記導波領域で発生する光モードの前記クラッド領域への重畳が約５％以下となるものである、半導体レーザダイオード。
【請求項２】
前記導波領域の厚さは、少なくとも５００ナノメートルである、請求項１記載の半導体レーザダイオード。
【請求項３】
前記導波領域は、約５×１０１６／ｃｍ３以下のドーピングレベルを有している、請求項２記載の半導体レーザダイオード。
【請求項４】
前記導波領域および前記クラッド領域の材料は、前記光モードの前記クラッド領域への重畳が５％以下となるような前記導波領域への光モードの閉込めをもたらす屈折率を有している、請求項３記載の半導体レーザダイオード。
【請求項５】
前記導波領域中の前記光子発生手段は、少なくとも一つの量子井戸領域を含んでいる、請求項４記載の半導体レーザダイオード。
【請求項６】
前記導波領域中の前記光子発生手段は、複数の離間した量子井戸領域を含んでおり、隣接する前記量子井戸領域の各対の間にバリヤ領域が設けられている、請求項５記載の半導体レーザダイオード。
【請求項７】
前記クラッド領域は、前記導波領域のうち前記クラッド領域に隣接する部分の材料よりも低い屈折率を有する半導体材料から構成されている、請求項５記載の半導体レーザダイオード。
【請求項８】
前記導波領域のうち前記量子井戸領域の両側に位置する部分は、前記量子井戸領域よりも大きなバンドギャップを有する半導体材料から構成されている、請求項７記載の半導体レーザダイオード。
【請求項９】
前記導波領域のうち前記量子井戸領域の両側に位置する前記部分は、その厚さの全体にわたって均一の組成を有している、請求項８記載の半導体レーザダイオード。
【請求項１０】
前記導波領域のうち前記量子井戸領域の両側に位置する前記部分の各々は、前記量子井戸領域に隣接する内側部分であって前記量子井戸領域よりも大きなバンドギャップを有する内側部分と、前記クラッド領域に隣接する外側部分であって前記内側部分よりも大きなバンドギャップを有する外側部分と、を有している、請求項８記載の半導体レーザダイオード。
【請求項１１】
前記導波領域のうち前記量子井戸領域の両側に位置する前記部分は、グレーデッド型の組成を有している、請求項８記載の半導体レーザダイオード。
【請求項１２】
上面および底面ならびに互いに対向する端面を有する、半導体材料からなる本体と、
前記本体中に位置し、前記端面間において前記本体を横断して延在する導波領域であって、意図的なドーピングがされておらず、光子を自身の内部に実質的に閉じ込め、光子が自身に沿って流れることを可能にする材料から構成された導波領域と、
前記導波領域内に位置し、ある光モードの光子を発生させる手段と、
前記導波領域と前記本体の上面との間に位置する所定の導電型の第１クラッド領域と、
前記導波領域と前記本体の底面との間に位置する反対の導電型の第２クラッド領域と、
を備える半導体レーザダイオードであって、
前記光子発生手段は、前記導波領域の厚さよりも薄く、前記クラッド領域から離間しており、
前記導波領域の厚さ、ならびに前記導波領域および前記クラッド領域の組成は、発生した光モードが前記導波領域から前記クラッド領域に約５％を超えて重畳しないようなものである、半導体レーザダイオード。
【請求項１３】
前記導波領域の厚さは、少なくとも５００ナノメートルである、請求項１２記載の半導体レーザダイオード。
【請求項１４】
前記導波領域は、約５×１０１６／ｃｍ３以下のドーピングレベルを有している、請求項１３記載の半導体レーザダイオード。
【請求項１５】
前記導波領域および前記クラッド領域の材料は、前記光モードの前記クラッド領域への重畳が５％以下となるような前記導波領域への光モードの閉込めをもたらす屈折率を有している、請求項１４記載の半導体レーザダイオード。
【請求項１６】
前記導波領域中の前記光子発生手段は、少なくとも一つの量子井戸領域を含んでいる、請求項１５記載の半導体レーザダイオード。
【請求項１７】
前記導波領域中の前記光子発生手段は、複数の離間した量子井戸領域を含んでいる、請求項１６記載の半導体レーザダイオード。
【請求項１８】
前記クラッド領域は、前記導波領域のうち前記クラッド領域に隣接する部分の材料よりも低い屈折率を有する半導体材料から構成されている、請求項１６記載の半導体レーザダイオード。
【請求項１９】
前記導波領域のうち前記量子井戸領域の両側に位置する部分は、前記量子井戸領域よりも大きなバンドギャップを有する半導体材料から構成されている、請求項１８記載の半導体レーザダイオード。
【請求項２０】
導波領域を内部に有する、半導体材料からなる本体と、
前記導波領域内に配置され、ある光モードの光子を発生させる手段と、
前記導波領域の両側に位置し、互いに反対の導電型となるように少なくとも部分的にドーピングされたクラッド領域と、
を備える半導体レーザダイオードであって、
前記導波領域は、意図的なドーピングがされておらず、光子を自身の内部に実質的に閉じ込め、自身に沿って光子が流れることを可能にする材料から構成されており、
前記光子発生手段は、前記導波領域の厚さよりも薄く、前記クラッド領域から離間しており、
前記導波領域のうち、少なくとも前記光子発生手段の両側に位置する部分は、その厚さの全体にわたって均一の組成を有しており、
前記導波領域の厚さ、ならびに前記導波領域および前記クラッド領域の組成は、前記導波領域で発生する光モードの前記クラッド領域への重畳が約５％以下となるものである、半導体レーザダイオード。
【請求項２１】
前記導波領域の厚さは、少なくとも５００ナノメートルである、請求項２０記載の半導体レーザダイオード。
【請求項２２】
前記導波領域は、５×１０１６／ｃｍ３以下のドーピングレベルを有している、請求項２０記載の半導体レーザダイオード。
【請求項２３】
前記導波領域および前記クラッド領域の材料は、前記光モードの前記クラッド領域への重畳が５％以下となるような前記導波領域への光モードの閉込めをもたらす屈折率を有している、請求項２０記載の半導体レーザダイオード。
【請求項２４】
前記導波領域中の前記光子発生手段は、少なくとも一つの量子井戸領域を含んでいる、請求項２０記載の半導体レーザダイオード。
【請求項２５】
前記導波領域中の前記光子発生手段は、複数の離間した量子井戸領域を含んでおり、隣接する前記量子井戸領域の各対の間には、バリヤ領域が設けられている、請求項２０記載の半導体レーザダイオード。
【請求項２６】
前記クラッド領域は、前記導波領域のうち前記クラッド領域に隣接する部分の材料よりも低い屈折率を有する半導体材料から構成されている、請求項２０記載の半導体レーザダイオード。
【請求項２７】
前記導波領域のうち前記量子井戸領域の両側に位置する部分は、前記量子井戸領域よりも大きなバンドギャップを有する半導体材料から構成されている、請求項２４記載の半導体レーザダイオード。
【請求項２８】
前記導波領域のうち前記量子井戸領域の両側に位置する部分の各々は、前記量子井戸領域に隣接する内側部分であって前記量子井戸領域よりも大きなバンドギャップを有する内側部分と、前記クラッド領域に隣接する外側部分であって前記内側部分よりも大きなバンドギャップを有する外側部分と、を有している、請求項２４記載の半導体レーザダイオード。
【請求項２９】
前記導波領域の厚さ、ならびに前記導波領域および前記クラッド領域の組成は、前記導波領域で発生する光モードの前記クラッド領域への重畳が約２％以下となるものである、請求項２０記載の半導体レーザダイオード。
【請求項３０】
前記導波領域は、約２．０ｍｍを超える長さを有している、請求項２０記載の半導体レーザダイオード。
【請求項３１】
前記導波領域は、約０．７μｍの厚さを有している、請求項２０記載の半導体レーザダイオード。
【請求項３２】
前記導波領域は、約１．３μｍの厚さを有している、請求項２０記載の半導体レーザダイオード。
【請求項３３】
前記量子井戸領域は、実質上ＩｎＧａＡｓから成る、請求項２４記載の半導体レーザダイオード。
【請求項３４】
前記導波領域は、実質上ＡｌＧａＡｓから成る、請求項２０記載の半導体レーザダイオード。
【請求項３５】
前記量子井戸領域は、実質上ＩｎＧａＡｓＰから成る、請求項２４記載の半導体レーザダイオード。
【請求項３６】
前記導波領域は、実質上ＩｎＧａＡｓＰから成る、請求項２０記載の半導体レーザダイオード。
【請求項３７】
前記導波領域は、ＩｎおよびＧａを含んでいる、請求項２０記載の半導体レーザダイオード。
【請求項３８】
ＩｎおよびＧａを含む導波領域を内部に有する、半導体材料からなる本体と、
前記導波領域内に配置され、ある光モードの光子を生成する量子井戸領域と、
前記導波領域の両側に位置し、互いに反対の導電型となるように少なくとも部分的にドーピングされたクラッド領域と、
を備える半導体レーザダイオードであって、
前記導波領域は、意図的なドーピングがされておらず、光子を自身の内部に実質的に閉じ込め、自身に沿って光子が流れることを可能にし、
前記量子井戸領域は、前記導波領域の厚さよりも薄く、前記クラッド領域から離間しており、
前記導波領域の厚さ、ならびに前記導波領域および前記クラッド領域の組成は、前記導波領域で発生する光モードの前記クラッド領域への重畳が約５％以下となるものである、半導体レーザダイオード。
【請求項３９】
前記量子井戸領域は、実質上ＩｎＧａＡｓから成る、請求項３８記載の半導体レーザダイオード。
【請求項４０】
前記導波領域は、実質上ＡｌＧａＡｓから成る、請求項３８記載の半導体レーザダイオード。
【請求項４１】
前記量子井戸領域は、実質上ＩｎＧａＡｓＰから成る、請求項３８記載の半導体レーザダイオード。
【請求項４２】
前記導波領域は、実質上ＩｎＧａＡｓＰから成る、請求項３８記載の半導体レーザダイオード。
【請求項４３】
前記導波領域の厚さは、少なくとも５００ナノメートルである、請求項３８記載の半導体レーザダイオード。
【請求項４４】
前記導波領域は、５×１０１６／ｃｍ３以下のドーピングレベルを有している、請求項３８記載の半導体レーザダイオード。
【請求項４５】
前記導波領域および前記クラッド領域の材料は、前記光モードの前記クラッド領域への重畳が５％以下となるような前記導波領域への光モードの閉込めをもたらす屈折率を有している、請求項３８記載の半導体レーザダイオード。
【請求項４６】
前記導波領域内に配置され、ある光モードの光子を発生させる複数の離間した量子井戸領域を備え、隣接する前記量子井戸領域の各対の間にバリヤ領域が設けられている、請求項３８記載の半導体レーザダイオード。
【請求項４７】
前記クラッド領域は、前記導波領域のうち前記クラッド領域に隣接する部分の材料よりも低い屈折率を有する半導体材料から構成されている、請求項３８記載の半導体レーザダイオード。
【請求項４８】
前記導波領域のうち前記量子井戸領域の両側に位置する部分は、前記量子井戸領域よりも大きなバンドギャップを有する半導体材料から構成されている、請求項３８記載の半導体レーザダイオード。
【請求項４９】
前記導波領域のうち前記量子井戸領域の両側に位置する部分の各々は、前記量子井戸領域に隣接する内側部分であって前記量子井戸領域よりも大きなバンドギャップを有する内側部分と、前記クラッド領域に隣接する外側部分であって前記内側部分よりも大きなバンドギャップを有する外側部分と、を有している、請求項３８記載の半導体レーザダイオード。
【請求項５０】
前記導波領域のうち前記量子井戸領域の両側に位置する部分は、グレーデッド型の組成を有している、請求項３８記載の半導体レーザダイオード。
【請求項５１】
前記導波領域のうち前記量子井戸領域の両側に位置する部分は、均一な組成を有している、請求項３８記載の半導体レーザダイオード。
【請求項５２】
前記導波領域の厚さ、ならびに前記導波領域および前記クラッド領域の組成は、前記導波領域で発生する光モードの前記クラッド領域への重畳が約２％以下となるものである、請求項３８記載の半導体レーザダイオード。
【請求項５３】
前記導波領域は、約２．０ｍｍを超える長さを有している、請求項３８記載の半導体レーザダイオード。
【請求項５４】
前記導波領域は、約０．７μｍの厚さを有している、請求項３８記載の半導体レーザダイオード。
【請求項５５】
前記導波領域は、約１．３μｍの厚さを有している、請求項３８記載の半導体レーザダイオード。