【手続補正書】
【提出日】平成16年4月8日(2004.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の処理に使用されるガスが導入される処理容器と、この処理容器からガスを排出する配管系と、この配管系の途中に配置された冷却トラップとこの配管系から退避させた冷却トラップとを交換する交換手段と、前記配管系から退避させた冷却トラップにトラップされているガスを該冷却トラップから離脱させて該冷却トラップを再生する再生手段と、この再生手段によって冷却トラップから離脱したガスを回収する回収手段とを有することを特徴とするガスプロセス装置。
【請求項２】
前記配管系の途中に設けられた冷却トラップを通過したガスを前記処理容器に再導入する再導入手段をさらに設けたことを特徴とする請求項１に記載のガスプロセス装置。
【請求項３】
前記冷却トラップの温度を制御することにより前記冷却トラップに吸着させるガス種または前記冷却トラップから離脱させるガス種を制御する温度制御手段をさらに設けたことを特徴とする請求項１または２に記載のガスプロセス装置。
【請求項４】
前記処理容器、配管系、交換手段および再生手段によって構成される装置を複数設け、各再生手段によって各冷却トラップから離脱したガスを前記回収手段によって集中的に回収することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のガスプロセス装置。
【請求項５】
所定の処理に使用されるガスが導入される処理容器と、この処理容器からガスを排出する配管系と、この配管系の途中に配置された冷却トラップとこの配管系から退避させた冷却トラップとを交換する交換手段と、前記配管系から退避させた冷却トラップにトラップされているガスを該冷却トラップから離脱させて該冷却トラップを再生する再生手段と、この再生手段によって冷却トラップから離脱したガスを回収する回収手段とを有し、前記配管系の途中に配置された冷却トラップによって配管系を流れるガスをトラップする処理と、前記配管系から退避させた冷却トラップにトラップされているガスを前記再生手段によって離脱させる処理とを並行して行うことを特徴とするガスプロセス装置の使用方法。
【請求項６】
被処理基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内で前記被処理基板を保持するサセプタと、
前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理容器に接続され前記処理容器からのフロロカーボンガスを含んだ排気ガスを流す排気ラインと、前記排気ラインに配置され前記処理容器内を排気する排気ポンプとを有するガス排気手段と、
前記排気ガス中のフロロカーボンガスを冷却吸着によってトラップすることが可能であるとともに、吸着されたフロロカーボンガスを加熱によって離脱させることが可能なトラップと、
前記トラップが前記排気ラインから離隔された状態で、前記吸着されたフロロカーボンガスを前記トラップから離脱させるための再生ラインと、
前記トラップから離脱したフロロカーボンガスを回収するために前記再生ラインに接続された回収手段と、
前記トラップが前記排気ラインに位置するトラップモードと前記トラップが前記再生ラインに位置する再生モードとを切り換えるものであって、前記トラップモードにあるトラップを前記処理容器と前記排気ポンプとの間に位置させる切り換え手段と、
前記トラップモードにあるトラップを冷却する冷却手段と、
前記再生モードにあるトラップを加熱する加熱手段と、
を備えた半導体処理システムであって、
前記冷却手段は、前記トラップモードにあるトラップを、前記フロロカーボンガスが冷却吸着によって前記トラップに吸着され且つ前記フロロカーボンガスよりも高い蒸気圧を有するその他のガスが前記トラップを通過するような温度に冷却するものであることを特徴とする半導体処理システム。
【請求項７】
被処理基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内で前記被処理基板を保持するサセプタと、
前記処理容器内に処理ガスを供給するガス供給手段と、
前記処理容器に接続され前記処理容器からのフロロカーボンガスを含んだ排気ガスを流す排気ラインと、前記排気ラインに配置され前記処理容器内を排気する排気ポンプとを有するガス排気手段と、
前記排気ガス中のフロロカーボンガスを冷却吸着によってトラップすることが可能であるとともに、吸着されたフロロカーボンガスを加熱によって離脱させることが可能な二つのトラップと、
前記トラップが前記排気ラインから離隔された状態で、前記吸着されたフロロカーボンガスを前記トラップから離脱させるための再生ラインと、
前記トラップから離脱したフロロカーボンガスを回収するために前記再生ラインに接続された回収手段と、
前記トラップの一方が前記排気ラインに位置するトラップモードであり且つ前記トラップの他方が前記再生ラインに位置する再生モードである状態と、前記トラップの一方が再生モードであり且つ前記トラップの他方がトラップモードである状態とを交互に切り換えるものであって、前記トラップモードにあるトラップを前記処理容器と前記排気ポンプとの間に位置させる切り換え手段と、
前記トラップモードにあるトラップを冷却する冷却手段と、
前記再生モードにあるトラップを加熱する加熱手段と、
を備えた半導体処理システムであって、
前記冷却手段は、前記トラップモードにあるトラップを、前記フロロカーボンガスが冷却吸着によって前記トラップモードにあるトラップに吸着され且つ前記フロロカーボンガスよりも高い蒸気圧を有するその他のガスが前記トラップモードにあるトラップを通過するような温度に冷却するものであることを特徴とする半導体処理システム。
【請求項８】
前記再生モードにあるトラップにキャリアガスを供給するために前記再生ラインに接続されたキャリアガス供給手段をさらに備えたことを特徴とする請求項６又は７に記載の半導体処理システム。
【請求項９】
前記キャリアガスと前記フロロカーボンガスとを分離するガス分離手段をさらに備えたことを特徴とする請求項８に記載の半導体処理システム。
【請求項１０】
前記排気ガスを前記処理容器に再導入するために、前記トラップモードにあるトラップと前記排気ポンプとの間で前記排気ラインに接続された再導入ラインをさらに備えたことを特徴とする請求項６又は７に記載の半導体処理システム。
【請求項１１】
ターボ分子ポンプと前記排気ポンプを構成するドライポンプとが前記排気ラインに配置され、前記トラップモードにあるトラップは前記ターボ分子ポンプと前記ドライポンプとの間に配置されることを特徴とする請求項６又は７に記載の半導体処理システム。
【請求項１２】
前記切り換え手段は、前記トラップを前記排気ライン及び前記再生ライン間で移動させることを特徴とする請求項６又は７に記載の半導体処理システム。
【請求項１３】
請求項７に記載の半導体処理システムの使用方法であって、
前記排気ガス中のフロロカーボンガスを前記トラップの一方でトラップする第１のトラップ工程と、
前記トラップの他方に吸着されたフロロカーボンガスを離脱させることにより、前記第１のトラップ工程と並行して前記トラップの他方を再生する第１の再生工程と、
前記排気ガス中のフロロカーボンガスを前記トラップの他方でトラップする第２のトラップ工程と、
前記トラップの一方に吸着されたフロロカーボンガスを離脱させることにより、前記第２のトラップ工程と並行して前記トラップの一方を再生する第２の再生工程と、を備え、
前記第１のトラップ工程及び第１の再生工程と、前記第２のトラップ工程及び第２の再生工程とを交互に行うことを特徴とする半導体処理システムの使用方法。