(57)【要約】【課題】  グラニュラー層の皮膜の強度を高めることで信頼性を向上しつつ、高いＳＮＲを確保することが可能な垂直磁気記録媒体および垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】  本発明にかかる垂直磁気記録媒体の構成は、ディスク基体１１０上に少なくとも、Ｃｏ系合金からなり結晶粒子が柱状に成長したグラニュラー構造を有するグラニュラー層を備える垂直磁気記録媒体１００において、グラニュラー層（非磁性グラニュラー層１２０、第１磁気記録層１２２ａ、第２磁気記録層１２２ｂ）は、ディスク基体１１０に成膜速度を、低速度から高速度または高速度から低速度のいずれかで変化させて成膜したことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク基体上に少なくとも、Ｃｏ系合金からなり結晶粒子が柱状に成長したグラニュラー構造を有するグラニュラー層を備える垂直磁気記録媒体において、
前記グラニュラー層は、前記ディスク基体に成膜速度を、低速度から高速度または高速度から低速度のいずれかで変化させて成膜したことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
前記グラニュラー層は、非磁性グラニュラー層または磁気記録層であることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記グラニュラー層は磁気記録層であり、
前記磁気記録層は、第１磁気記録層および第２磁気記録層から構成され、
少なくとも前記第２磁気記録層は、前記ディスク基体に成膜速度を、低速度から高速度または高速度から低速度のいずれかで変化させて成膜したことを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記低速度の範囲は０．５〜１．５ｎｍ／ｓｅｃであり、
前記高速度の範囲は３．５〜５．０ｎｍ／ｓｅｃであることを特徴とする請求項１に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
ディスク基体上に、Ｃｏ系合金からなり結晶粒子が柱状に成長したグラニュラー構造を有するグラニュラー層を、該ディスク基体に成膜速度を低速度から高速度または高速度から低速度のいずれかで変化させて成膜することを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤ（ハードディスクドライブ）などに搭載される垂直磁気記録媒体および垂直磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の情報処理の大容量化に伴い、各種の情報記録技術が開発されている。特に磁気記録技術を用いたＨＤＤの面記録密度は年率１００％程度の割合で増加し続けている。最近では、ＨＤＤ等に用いられる２．５インチ径の磁気記録媒体にして、１枚あたり２００ＧＢを超える情報記録容量が求められるようになってきており、このような要請にこたえるためには１平方インチあたり４００ＧＢを超える情報記録密度を実現することが求められる。
【０００３】
ＨＤＤ等に用いられる磁気記録媒体において高記録密度を達成するために、近年、垂直磁気記録方式の垂直磁気記録媒体が提案されている。垂直磁気記録方式は、磁気記録層の磁化容易軸が基板面に対して垂直方向に配向するよう調整されている。垂直磁気記録方式は従来の面内記録方式に比べて、超常磁性現象により記録信号の熱的安定性が損なわれ、記録信号が消失してしまう、いわゆる熱揺らぎ現象を抑制することができるので、高記録密度化に対して好適である。
【０００４】
垂直磁気記録方式に用いる磁気記録媒体としては、高い熱安定性と良好な記録特性を示すことから、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２垂直磁気記録媒体（非特許文献１参照）が提案されている。これは磁気記録層において、Ｃｏのｈｃｐ構造（六方最密結晶格子）の結晶が柱状に連続して成長した磁性粒子の間に、ＳｉＯ２が偏析した非磁性の粒界部を形成したグラニュラー構造を構成し、磁性粒子の微細化と保磁力Ｈｃの向上をあわせて図るものである。非磁性の粒界（磁性粒子間の非磁性部分）には酸化物を用いることが知られており、例えばＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＴｉＯ、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５のいずれか１つを用いることが提案されている（特許文献１）。
【非特許文献１】T. Oikawa et. al., IEEE Trans. Magn, vol.38, 1976-1978(2002)
【特許文献１】特開２００６−０２４３４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の如く高記録密度化している磁気記録媒体であるが、今後さらなる記録密度の向上が要請されている。高記録密度化のために重要な要素としては、保磁力Ｈｃや逆磁区核形成磁界Ｈｎなどの静磁気特性の向上と、オーバーライト特性（ＯＷ特性）やＳＮＲなどの電磁変換特性の向上、トラック幅の狭小化など様々なものがある。その中でもＳＮＲ（Signal to Noise Ratio：シグナルノイズ比）の向上は、面積の小さな記録ビットにおいても正確に且つ高速に読み書きするために重要である。
【０００６】
ＳＮＲの向上は、主に磁気記録層の磁化遷移領域ノイズの低減により行われる。ノイズ低減のために有効な要素としては、磁気記録層の結晶配向性の向上、磁性粒子の粒径の微細化、および磁性粒子の孤立化が挙げられる。中でも、磁性粒子の孤立化が促進されるとその交換相互作用を遮断されるため、ノイズを大幅に低減することができ、ＳＮＲを著しく向上させることが可能となる。
【０００７】
したがって、磁性粒子の孤立化を促進するために、チャンバー内の雰囲気ガスの圧力を所定圧力とした状態で磁気記録層を成膜するという手法が従来から用いられていた。これにより、成膜速度を低下させ、皮膜に微細な空孔を形成することで磁性粒子（結晶粒子）の孤立化を促進していた。しかし、皮膜に空孔が存在することにより、皮膜は粗な状態となる。その結果、皮膜強度が低下してしまい、磁気ヘッドとの接触による損傷や欠損が生じやすくなり、磁気記録媒体の信頼性低下を招いていた。
【０００８】
しかしながら、信頼性を向上するために皮膜を高密度化すると、磁性粒子の孤立化が阻害されるため、ＳＮＲが低下してしまう。したがって、現状では磁気記録媒体におけるＳＮＲと信頼性はトレードオフの関係にあり、両性能を共に高めることは困難であった。このため、高いＳＮＲを確保しつつ信頼性を向上する手法の確立が課題となっていた。
【０００９】
本発明は、このような課題に鑑み、グラニュラー層の皮膜の強度を高めることで信頼性を向上しつつ、高いＳＮＲを確保することが可能な垂直磁気記録媒体および垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上述したように、成膜速度を調節すると、スパッタによる飛散粒子の運動エネルギーが変化し、堆積した膜の状態が変化することは明らかである。すなわち、グラニュラー層の成膜速度を速くすると、ディスク基体上に堆積した原子がその上を不規則に移動するマイグレーションが促進され皮膜が密な状態（高密度）となる。しかし、皮膜を高密度とすることにより、結晶粒子の孤立化が阻害されてしまう。逆に成膜速度を遅くすると、皮膜を粗な状態とし、結晶粒子の孤立化を促進できるが、磁気記録媒体の信頼性が低下してしまう。
【００１１】
上記課題を解決するために発明者らが鋭意検討したところ、磁気記録層等のグラニュラー構造を有するグラニュラー層の膜構成に着目した。すなわち、従来は一定の速度で成膜していたグラニュラー層を、成膜速度を変化させながら成膜することで、１つのグラニュラー層を、状態の異なる２つの皮膜から構成することが可能であると考えた。そして、さらに研究を重ねることにより、その成膜速度を調節することで２つの皮膜の状態を最適化することができ、高ＳＮＲを確保しつつ信頼性を向上するという課題の解決に有効であることを見出し、本発明を完成するに到った。
【００１２】
すなわち、上記課題を解決するために、本発明にかかる垂直磁気記録媒体の代表的な構成は、ディスク基体上に少なくとも、Ｃｏ系合金からなり結晶粒子が柱状に成長したグラニュラー構造を有するグラニュラー層を備える垂直磁気記録媒体において、グラニュラー層は、ディスク基体に成膜速度を、低速度から高速度または高速度から低速度のいずれかで変化させて成膜したことを特徴とする。
【００１３】
グラニュラー層成膜時の成膜速度を低速度とすることで、成膜後の皮膜（グラニュラー層）は、従来の成膜速度（以下「中速度」と称する。）で成膜した皮膜よりも密度が低い（以下「低密度」と称する。）皮膜となり、従来の皮膜よりも結晶粒子の孤立化が促進された皮膜となる。したがって、かかる低密度の皮膜をグラニュラー層に設けることにより、ＳＮＲの向上が可能となる。
【００１４】
またグラニュラー層の成膜時の成膜速度を高速度とすることで、成膜後の皮膜の密度は、従来の成膜速度（中速度）で成膜した皮膜よりも密度が高い（以下「高密度」と称する。）皮膜となり、従来の成膜速度（中速度）で成膜した皮膜（以下、「中密度の皮膜」と称する。）よりも皮膜強度が向上した皮膜となる。したがって、グラニュラー層にかかる高密度の皮膜を設けることにより、磁気記録媒体の信頼性を向上することができる。
【００１５】
故に上記構成によれば、グラニュラー層の成膜時に成膜速度を低速度から高速度で変化させた場合には、ディスク基体側に低密度の皮膜が、その上に高密度の皮膜が形成される。また、成膜速度を高速度から低速度で変化させた場合には、ディスク基体側に高密度の皮膜が、その上に低密度の皮膜が形成される。したがって、いずれの場合においてもグラニュラー層は、低密度の皮膜および高密度の皮膜で構成されることとなる。これにより、グラニュラー層に、低密度の皮膜を設けるとこで高ＳＮＲを確保し、高密度の皮膜を設けることで当該垂直磁気記録媒体の信頼性を向上することができ、高ＳＮＲを確保しつつ信頼性を向上することが可能となる。
【００１６】
なお上述の如く、グラニュラー層における低密度および高密度の皮膜の上下の位置関係は限定されない。これは、高ＳＮＲを確保しつつ信頼性を向上するという本発明の課題を解決するためには、グラニュラー層が低密度の皮膜および高密度の皮膜からなる２層構成であることが重要であり、その上下の位置関係、すなわち低密度の皮膜および高密度の皮膜の成膜順序は本発明の課題を解決するための要素ではないからである。
【００１７】
また、グラニュラー層を高密度の皮膜または低密度の皮膜のどちらか一方でのみで構成するのは好ましくない。例えば、グラニュラー層を高密度の皮膜のみで構成した場合、皮膜強度が向上するため、信頼性が著しく増大する。しかし、グラニュラー層の結晶粒子の孤立化が阻害されてしまい、ＳＮＲが著しく低下してしまう。また、グラニュラー層を低密度の皮膜のみで構成した場合、グラニュラー層の結晶粒子の孤立化は促進されているため、高ＳＮＲは確保される。しかし、低密度の皮膜は従来の皮膜よりも祖な状態のため、当該垂直磁気記録媒体の信頼性を向上させることができない。したがって、高ＳＮＲを確保しつつ信頼性を向上するためには、上記構成の如くグラニュラー層を高密度の皮膜および中密度の皮膜の２層で構成するべきである。
【００１８】
なお、グラニュラー層成膜時の成膜速度を変化させるための手法としては、成膜時の基板に印加する電圧であるバイアス電圧の調整、成膜時のターゲットに印加する電圧である成膜パワーの調整、成膜時のチャンバー内の雰囲気ガスの圧力の調整等を例示することができる。これらの群から１または複数を選択し、グラニュラー層の成膜時にこれらを調整することにより、成膜速度を所望の速度に変化させることが可能となる。
【００１９】
上記のバイアス電圧により成膜速度を変化させる場合、バイアス電圧を高くすることにより成膜速度を高速度に、バイアス電圧を低くすることにより成膜速度を低速度にすることができる。また成膜パワーにより成膜速度を変化させる場合、成膜パワーを高パワーとすることにより成膜速度を高速度に、成膜パワーを低パワーとすることにより成膜速度を低速度にすることができる。雰囲気ガスの圧力により成膜速度を変化させる場合、雰囲気ガスの圧力を高ガス圧とすることにより成膜速度を低速度に、雰囲気ガスの圧力を低ガス圧とすることにより成膜速度を高速度にすることができる。したがって、これらの手法により成膜速度を変化させ、成膜速度を高速度とすることで高密度の皮膜を、成膜速度を低速度とすることで低密度の皮膜を得ることができる。
【００２０】
上記のグラニュラー層は、非磁性グラニュラー層または磁気記録層であるとよい。
【００２１】
非磁性グラニュラー層および磁気記録層は、Ｃｏ系合金からなり結晶粒子が柱状に成長したグラニュラー構造を有する層、すなわちグラニュラー層である。したがって、非磁性グラニュラー層または磁気記録層を成膜する際に成膜速度を上述したように変化させることで、かかる層を低密度の皮膜および高密度の皮膜の２層から構成させ、結晶粒子が孤立化した状態を維持し且つ皮膜強度を向上することができる。これにより、高ＳＮＲを確保しつつ信頼性を向上することが可能となる。
【００２２】
なお、グラニュラー層を磁気記録層とすれば、直接的に磁気記録層の結晶粒子（磁性粒子）の孤立化を促進しつつ、皮膜の密度が高められる。したがって、磁気記録層の皮膜強度を向上させて磁気記録媒体の信頼性を向上し、且つ高ＳＮＲを確保することができる。また、グラニュラー層を非磁性グラニュラー層とすれば、非磁性グラニュラー層の結晶粒子の孤立化が促進され、その結晶粒子の上に磁気記録層の結晶粒子（磁性粒子）が成長するため、間接的に磁気記録層の結晶粒子の孤立化を促進することができる。そして、非磁性グラニュラー層の強度が向上することで、垂直磁気記録媒体全体としての強度が増大する。したがって、いずれにおいても磁気記録媒体の高ＳＮＲを確保し、且つ信頼性を向上することが可能となる。
【００２３】
上記のグラニュラー層は磁気記録層であり、磁気記録層は、第１磁気記録層および第２磁気記録層から構成され、少なくとも第２磁気記録層は、ディスク基体に成膜速度を、低速度から高速度または高速度から低速度のいずれかで変化させて成膜するとよい。
【００２４】
上記構成の如く、磁気記録層を第１磁気記録層および第２磁気記録層からなる２層構成とすることで、第１磁気記録層の結晶粒子から継続して第２磁気記録層の小さな結晶粒子が成長する。これにより、主記録層たる第２磁気記録層の微細化を図ることができ、ＳＮＲの向上が可能となる。
【００２５】
また第２磁気記録層を成膜する際に成膜速度を上述したように変化させることで、第２磁気記録層を低密度の皮膜および高密度の皮膜の２層構成とすることができる。これにより、第２磁気記録層の結晶粒子（磁性粒子）を孤立化させた状態とし且つ皮膜強度を向上することができる。したがって、高ＳＮＲを確保しつつ信頼性を向上することが可能となる。
【００２６】
なお上記構成において、少なくとも第２磁気記録層の成膜時に成膜速度を変化させるとしたのは、磁気記録媒体に複数のグラニュラー層が存在する場合、主記録層たる第２磁気記録層の磁性粒子が孤立化した状態を維持することが、高ＳＮＲを確保するために最も有効だからである。更に、複数のグラニュラー層が存在する場合、ディスク基体側から見て最上位のグラニュラー層となるのは第２磁気記録層であるため、かかる第２磁気記録層の皮膜強度を向上することで、第２磁気記録層よりもディスク基体側に成膜された層を磁気ヘッドとの接触による損傷から防護することができる。したがって、磁気記録媒体の信頼性向上の観点から考えても、第２磁気記録層の成膜時に成膜速度を変化させ、その皮膜強度を向上することが最も好ましいからである。
【００２７】
上記の低速度の範囲は０．５〜１．５ｎｍ／ｓｅｃであり、高速度の範囲は３．５〜５．０ｎｍ／ｓｅｃであるとよい。成膜速度の低速度および高速度の値をかかる範囲内とすることで、上述した効果を最も効率的に得ることができる。
【００２８】
上記課題を解決するために、本発明にかかる垂直磁気記録媒体の製造方法の代表的な構成は、ディスク基体上に、Ｃｏ系合金からなり結晶粒子が柱状に成長したグラニュラー構造を有するグラニュラー層を、ディスク基体に成膜速度を低速度から高速度または高速度から低速度のいずれかで変化させて成膜することを特徴とする。
【００２９】
上述した、垂直磁気記録媒体の技術的思想に基づく構成要素やその説明は、当該垂直磁気記録媒体の製造方法にも適用可能である。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、グラニュラー層の皮膜の強度を高めることで信頼性を向上しつつ、高いＳＮＲを確保することが可能な垂直磁気記録媒体および垂直磁気記録媒体の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。かかる実施形態に示す寸法、材料、その他具体的な数値などは、発明の理解を容易とするための例示に過ぎず、特に断る場合を除き、本発明を限定するものではない。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能、構成を有する要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略し、また本発明に直接関係のない要素は図示を省略する。
【００３２】
（実施形態）
本実施形態では、まず本発明にかかる垂直磁気記録媒体およびその製造方法の実施形態について説明した後に、本発明の特徴であるグラニュラー層における膜構成について詳細に説明する。
【００３３】
［垂直磁気記録媒体およびその製造方法］
図１は、本実施形態にかかる垂直磁気記録媒体１００の構成を説明する図である。図１に示す垂直磁気記録媒体１００は、ディスク基体１１０、付着層１１２、第１軟磁性層１１４ａ、スペーサ層１１４ｂ、第２軟磁性層１１４ｃ、前下地層１１６、第１下地層１１８ａ、第２下地層１１８ｂ、非磁性グラニュラー層１２０、第１磁気記録層１２２ａ、第２磁気記録層１２２ｂ、補助記録層１２４、媒体保護層１２６、潤滑層１２８で構成されている。なお第１軟磁性層１１４ａ、スペーサ層１１４ｂ、第２軟磁性層１１４ｃは、あわせて軟磁性層１１４を構成する。第１下地層１１８ａと第２下地層１１８ｂはあわせて下地層１１８を構成する。第１磁気記録層１２２ａと第２磁気記録層１２２ｂとはあわせて磁気記録層１２２を構成する。
【００３４】
ディスク基体１１０は、アモルファスのアルミノシリケートガラスをダイレクトプレスで円板状に成型したガラスディスクを用いることができる。なおガラスディスクの種類、サイズ、厚さ等は特に制限されない。ガラスディスクの材質としては、例えば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ソーダアルミノケイ酸ガラス、アルミノボロシリケートガラス、ボロシリケートガラス、石英ガラス、チェーンシリケートガラス、又は、結晶化ガラス等のガラスセラミックなどが挙げられる。このガラスディスクに研削、研磨、化学強化を順次施し、化学強化ガラスディスクからなる平滑な非磁性のディスク基体１１０を得ることができる。
【００３５】
ディスク基体１１０上に、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にて付着層１１２から補助記録層１２４まで順次成膜を行い、媒体保護層１２６はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により成膜することができる。この後、潤滑層１２８をディップコート法により形成することができる。なお、生産性が高いという点で、インライン型成膜方法を用いることも好ましい。以下、各層の構成および製造方法について説明する。
【００３６】
付着層１１２はディスク基体１１０に接して形成され、この上に成膜される軟磁性層１１４とディスク基体１１０との剥離強度を高める機能と、この上に成膜される各層の結晶グレインを微細化及び均一化させる機能を備えている。付着層１１２は、ディスク基体１１０がアモルファスガラスからなる場合、そのアモルファスガラス表面に対応させる為にアモルファス（非晶質）の合金膜とすることが好ましい。
【００３７】
付着層１１２としては、例えばＣｒＴｉ系非晶質層、ＣｏＷ系非晶質層、ＣｒＷ系非晶質層、ＣｒＴａ系非晶質層、ＣｒＮｂ系非晶質層から選択することができる。中でもＣｏＷ系合金膜は、微結晶を含むアモルファス金属膜を形成するので特に好ましい。付着層１１２は単一材料からなる単層でも良いが、複数層を積層して形成してもよい。例えばＣｒＴｉ層の上にＣｏＷ層またはＣｒＷ層を形成してもよい。またこれらの付着層１１２は、二酸化炭素、一酸化炭素、窒素、又は酸素を含む材料によってスパッタを行うか、もしくは表面層をこれらのガスで暴露したものであることが好ましい。
【００３８】
軟磁性層１１４は、垂直磁気記録方式において記録層に垂直方向に磁束を通過させるために、記録時に一時的に磁路を形成する層である。軟磁性層１１４は第１軟磁性層１１４ａと第２軟磁性層１１４ｃの間に非磁性のスペーサ層１１４ｂを介在させることによって、ＡＦＣ（Antiferro-magnetic exchange coupling：反強磁性交換結合）を備えるように構成することができる。これにより軟磁性層１１４の磁化方向を高い精度で磁路（磁気回路）に沿って整列させることができ、磁化方向の垂直成分が極めて少なくなるため、軟磁性層１１４から生じるノイズを低減することができる。第１軟磁性層１１４ａ、第２軟磁性層１１４ｃの組成としては、ＣｏＴａＺｒなどのコバルト系合金、ＣｏＣｒＦｅＢ、ＣｏＦｅＴａＺｒなどのＣｏ−Ｆｅ系合金、［Ｎｉ−Ｆｅ／Ｓｎ］ｎ多層構造のようなＮｉ−Ｆｅ系合金などを用いることができる。
【００３９】
前下地層１１６は非磁性の合金層であり、軟磁性層１１４を防護する作用と、この上に成膜される下地層１１８に含まれる六方最密充填構造（ｈｃｐ構造）の磁化容易軸をディスク垂直方向に配向させる機能を備える。前下地層１１６は面心立方構造（ｆｃｃ構造）の（１１１）面がディスク基体１１０の主表面と平行となっていることが好ましい。また前下地層１１６は、これらの結晶構造とアモルファスとが混在した構成としてもよい。前下地層１１６の材質としては、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａから選択することができる。さらにこれらの金属を主成分とし、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗのいずれか１つ以上の添加元素を含む合金としてもよい。例えばｆｃｃ構造としてはＮｉＷ、ＣｕＷ、ＣｕＣｒを好適に選択することができる。
【００４０】
下地層１１８はｈｃｐ構造であって、磁気記録層１２２のＣｏのｈｃｐ構造の結晶をグラニュラー構造として成長させる作用を有している。したがって、下地層１１８の結晶配向性が高いほど、すなわち下地層１１８の結晶の（０００１）面がディスク基体１１０の主表面と平行になっているほど、磁気記録層１２２の配向性を向上させることができる。下地層１１８の材質としてはＲｕが代表的であるが、その他に、ＲｕＣｒ、ＲｕＣｏから選択することができる。Ｒｕはｈｃｐ構造をとり、また結晶の格子間隔がＣｏと近いため、Ｃｏを主成分とする磁気記録層１２２を良好に配向させることができる。
【００４１】
下地層１１８をＲｕとした場合において、スパッタ時のガス圧を変更することによりＲｕからなる２層構造とすることができる。具体的には、下層側の第１下地層１１８ａを形成する際にはＡｒのガス圧を所定圧力、すなわち低圧にし、上層側の第２下地層１１８ｂを形成する際には、下層側の第１下地層１１８ａを形成するときよりもＡｒのガス圧を高くする、すなわち高圧にする。これにより、第１下地層１１８ａによる磁気記録層１２２の結晶配向性の向上、および第２下地層１１８ｂによる磁気記録層１２２の磁性粒子の粒径の微細化が可能となる。
【００４２】
また、ガス圧を高くするとスパッタリングされるプラズマイオンの平均自由行程が短くなるため、成膜速度が遅くなり、皮膜が粗になるため、Ｒｕの結晶粒子の分離微細化を促進することができ、Ｃｏの結晶粒子の微細化も可能となる。
【００４３】
非磁性グラニュラー層１２０はグラニュラー構造を有する非磁性の層である。下地層１１８のｈｃｐ結晶構造の上に非磁性のグラニュラー層を形成し、この上に第１磁気記録層１２２ａ（または磁気記録層１２２）のグラニュラー層を成長させることにより、磁性のグラニュラー層を初期成長の段階（立ち上がり）から分離させる作用を有している。これにより、磁気記録層１２２の磁性粒子の孤立化を促進することができる。非磁性グラニュラー層１２０の組成は、Ｃｏ系合金からなる非磁性の結晶粒子の間に、非磁性物質を偏析させて粒界を形成することにより、グラニュラー構造とすることができる。なお、上記の非磁性グラニュラー層１２０のスパッタ時には、チャンバー内の雰囲気ガスの圧力を、１〜３Ｐａとした。
【００４４】
本実施形態においては、かかる非磁性グラニュラー層１２０にＣｏＣｒ−ＳｉＯ２を用いる。これにより、Ｃｏ系合金（非磁性の結晶粒子）の間にＳｉＯ２（非磁性物質）が偏析して粒界を形成し、非磁性グラニュラー層１２０がグラニュラー構造となる。なお、ＣｏＣｒ−ＳｉＯ２は一例であり、これに限定されるものではない。他には、ＣｏＣｒＲｕ−ＳｉＯ２を好適に用いることができ、さらにＲｕに代えてＲｈ（ロジウム）、Ｐｄ（パラジウム）、Ａｇ（銀）、Ｏｓ（オスミウム）、Ｉｒ（イリジウム）、Ａｕ（金）も利用することができる。また非磁性物質とは、磁性粒子（磁性グレイン）間の交換相互作用が抑制、または、遮断されるように、磁性粒子の周囲に粒界部を形成しうる物質であって、コバルト（Ｃｏ）と固溶しない非磁性物質であればよい。例えば酸化珪素（ＳｉＯｘ）、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（ＣｒＯ２、Ｃｒ２Ｏ３）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコン（ＺｒＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を例示できる。
【００４５】
なお本実施形態では、下地層１８８（第２下地層１８８ｂ）の上に非磁性グラニュラー層１２０を設けているが、これに限定されるものではなく、非磁性グラニュラー層１２０を設けずに垂直磁気記録媒体１００を構成することも可能である。
【００４６】
磁気記録層１２２は、Ｃｏ系合金、Ｆｅ系合金、Ｎｉ系合金から選択される硬磁性体の磁性粒子の周囲に非磁性物質を偏析させて粒界を形成した柱状のグラニュラー構造を有している。この磁性粒子は、非磁性グラニュラー層１２０を設けることにより、そのグラニュラー構造から継続してエピタキシャル成長することができる。磁気記録層１２２は単層でもよいが、本実施形態では組成および膜厚の異なる第１磁気記録層１２２ａと、第２磁気記録層１２２ｂとから構成されている。これにより、第１磁気記録層１２２ａの結晶粒子から継続して第２磁気記録層１２２ｂの小さな結晶粒子が成長し、主記録層たる第２磁気記録層１２２ｂの微細化を図ることができ、ＳＮＲの向上が可能となる。なお、上記の第１磁気記録層１２２ａおよび第２磁気記録層１２２ｂのスパッタ時には、チャンバー内の雰囲気ガスの圧力を２〜４Ｐａとした。
【００４７】
本実施形態では、第１磁気記録層１２２ａにＣｏＣｒＰｔ−Ｃｒ２Ｏ３を用いる。ＣｏＣｒＰｔ−Ｃｒ２Ｏ３は、ＣｏＣｒＰｔからなる磁性粒（グレイン）の周囲に、非磁性物質であるＣｒおよびＣｒ２Ｏ３（酸化物）が偏析して粒界を形成し、磁性粒が柱状に成長したグラニュラー構造を形成した。この磁性粒子は、非磁性グラニュラー層１２０のグラニュラー構造から継続してエピタキシャル成長した。
【００４８】
また第２磁気記録層１２２ｂには、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２−ＴｉＯ２を用いる。第２磁気記録層１２２ｂにおいても、ＣｏＣｒＰｔからなる磁性粒（グレイン）の周囲に非磁性物質であるＣｒおよびＳｉＯ２、ＴｉＯ２（複合酸化物）が偏析して粒界を形成し、磁性粒子が柱状に成長したグラニュラー構造を形成した。
【００４９】
更に本実施形態においては、第２磁気記録層１２２ｂ成膜時に、成膜速度を低速度から高速度または高速度から低速度のいずれかで変化させる。かかる低速度の範囲は０．５〜１．５ｎｍ／ｓｅｃであり、高速度の範囲は３．５〜５．０ｎｍ／ｓｅｃである。これにより、第２磁気記録層１２２ｂを低密度の皮膜および高密度の皮膜からなる２層の皮膜で構成することができる。したがって、低密度の皮膜により高ＳＮＲの維持を、高密度の皮膜により当該垂直磁気記録媒体１００の信頼性の向上を図ることができ、高ＳＮＲを確保しつつ信頼性を向上することが可能となる。
【００５０】
なお、上記のように成膜速度を変化させるために、本実施形態においては、第２磁気記録層１２２ｂ成膜時にターゲットに印加する電圧である成膜パワーを調整した。かかる成膜パワーの範囲については、用いるスパッタリング装置により異なるため、成膜速度が上記の範囲内になるよう、スパッタリング装置ごとに適した範囲にするとよい。
【００５１】
また、本実施形態では上述した如く成膜パワーを調整することによって成膜速度を変化させたが、これに限定されるものではなく、成膜時の基板に印加する電圧であるバイアス電圧の調整、成膜時のチャンバー内の雰囲気ガスの圧力の調整等によっても成膜速度を所望の速度に変化させることが可能である。
【００５２】
なお、上記に示した第１磁気記録層１２２ａおよび第２磁気記録層１２２ｂに用いた物質は一例であり、これに限定されるものではない。また、本実施形態では、第１磁気記録層２２ａと第２磁気記録層２２ｂで異なる材料（ターゲット）であるが、これに限定されず組成や種類が同じ材料であってもよい。非磁性領域を形成するための非磁性物質としては、例えば酸化珪素（ＳｉＯｘ）、クロム（Ｃｒ）、酸化クロム（ＣｒＸＯＹ）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化ジルコン（ＺｒＯ２）、酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）、酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）、酸化ボロン（Ｂ２Ｏ３）等の酸化物を例示できる。また、ＢＮ等の窒化物、Ｂ４Ｃ３等の炭化物も好適に用いることができる。
【００５３】
さらに本実施形態では、第１磁気記録層１２２ａにおいて１種類の、第２磁気記録層１２２ｂにおいて２種類の非磁性物質（酸化物）を用いているが、これに限定されるものではなく、第１磁気記録層１２２ａまたは第２磁気記録層１２２ｂのいずれかまたは両方において２種類以上の非磁性物質を複合して用いることも可能である。このとき含有する非磁性物質の種類には限定がないが、本実施形態の如く特にＳｉＯ２およびＴｉＯ２を含むことが好ましい。したがって、本実施形態とは異なり、磁気記録層１２２が１層のみで構成される場合、かかる磁気記録層１２２はＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２−ＴｉＯ２からなることが好ましい。
【００５４】
補助記録層１２４は基体主表面の面内方向に磁気的にほぼ連続した磁性層である。補助記録層１２４は磁気記録層１２２に対して磁気的相互作用を有するように、隣接または近接している必要がある。補助記録層１２４の材質としては、例えばＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔＢ、またはこれらに微少量の酸化物を含有させて構成することができる。補助記録層１２４は逆磁区核形成磁界Ｈｎの調整、保磁力Ｈｃの調整を行い、これにより耐熱揺らぎ特性、ＯＷ特性、およびＳＮＲの改善を図ることを目的としている。この目的を達成するために、補助記録層１２４は垂直磁気異方性Ｋｕおよび飽和磁化Ｍｓが高いことが望ましい。なお本実施形態において補助記録層１２４は磁気記録層１２２の上方に設けているが、下方に設けてもよい。
【００５５】
なお、「磁気的に連続している」とは磁性が連続していることを意味している。「ほぼ連続している」とは、補助記録層１２４全体で観察すれば一つの磁石ではなく、結晶粒子の粒界などによって磁性が不連続となっていてもよいことを意味している。粒界は結晶の不連続のみではなく、Ｃｒが偏析していてもよく、さらに微少量の酸化物を含有させて偏析させても良い。ただし補助記録層１２４に酸化物を含有する粒界を形成した場合であっても、磁気記録層１２２の粒界よりも面積が小さい（酸化物の含有量が少ない）ことが好ましい。補助記録層１２４の機能と作用については必ずしも明確ではないが、磁気記録層１２２のグラニュラー磁性粒と磁気的相互作用を有する（交換結合を行う）ことによってＨｎおよびＨｃを調整することができ、耐熱揺らぎ特性およびＳＮＲを向上させていると考えられる。またグラニュラー磁性粒と接続する結晶粒子（磁気的相互作用を有する結晶粒子）がグラニュラー磁性粒の断面よりも広面積となるため磁気ヘッドから多くの磁束を受けて磁化反転しやすくなり、全体のＯＷ特性を向上させるものと考えられる。
【００５６】
媒体保護層１２６は、真空を保ったままカーボンをＣＶＤ法により成膜して形成することができる。媒体保護層１２６は、磁気ヘッドの衝撃から垂直磁気記録媒体１００を防護するための層である。一般にＣＶＤ法によって成膜されたカーボンはスパッタ法によって成膜したものと比べて膜硬度が向上するので、磁気ヘッドからの衝撃に対してより有効に垂直磁気記録媒体１００を防護することができる。
【００５７】
潤滑層１２８は、ＰＦＰＥ（パーフロロポリエーテル）をディップコート法により成膜することができる。ＰＦＰＥは長い鎖状の分子構造を有し、媒体保護層１２６表面のＮ原子と高い親和性をもって結合する。この潤滑層１２８の作用により、垂直磁気記録媒体１００の表面に磁気ヘッドが接触しても、媒体保護層１２６の損傷や欠損を防止することができる。
【００５８】
以上の製造工程により、垂直磁気記録媒体１００を得ることができた。次に、本発明の特徴であるグラニュラー層における膜構成について説明する。
【００５９】
［グラニュラー層における膜構成］
既に述べた本実施形態において、Ｃｏ系合金からなり結晶粒子が柱状に成長したグラニュラー構造を有する層は、非磁性グラニュラー層１２０、および磁気記録層１２２（第１磁気記録層１２２ａおよび第２磁気記録層１２２ｂ）である。したがって、本実施形態におけるグラニュラー層とは、非磁性グラニュラー層１２０、磁気記録層１２２（第１磁気記録層１２２ａおよび第２磁気記録層１２２ｂ）のことである。
【００６０】
上記のグラニュラー層の成膜時に、成膜速度を、低速度から高速度または高速度から低速度のいずれかで変化させる。なお、低速度の範囲は０．５〜１．５ｎｍ／ｓｅｃとし、高速度の範囲は３．５〜５．０ｎｍ／ｓｅｃとするとよい。このような成膜速度を変化させる、すなわち本実施形態においては成膜パワーを変化させる成膜工程を、いずれか一つのグラニュラー層を成膜する工程において行ってもよいし、複数または全てのグラニュラー層を成膜する工程において行ってもよい。また、２段または多段で成膜パワーを切り替えてもよいし、徐々に成膜パワーを変化させてもよい。
【００６１】
グラニュラー層を低速度（遅い成膜速度）で成膜した場合、すなわち低い成膜パワー（低パワー）において成膜した場合、成膜後の皮膜は、低密度（従来の中速度で成膜した中密度の皮膜よりも低い密度）の皮膜となり、結晶粒子の孤立化が促進される。したがって、グラニュラー層にかかる皮膜を設けることで高ＳＮＲの維持が可能となる。また、グラニュラー層を高速度（早い成膜速度）で成膜した場合、すなわち高い成膜パワー（高パワー）において成膜した場合、成膜後の皮膜は、高密度（従来の中速度で成膜した中密度の皮膜よりも高い密度）の皮膜となり、皮膜強度が著しく向上する。故に、グラニュラー層にかかる皮膜を設けることで垂直磁気記録媒体１００の信頼性を向上することができる。
【００６２】
したがって、成膜速度を低速度から高速度で変化させた場合には、グラニュラー層は、ディスク基体１１０側の低密度の皮膜、およびその上の高密度の皮膜からなる２層の皮膜で構成され、高速度から低速度で変化させた場合には、グラニュラー層は、ディスク基体１１０側の高密度の皮膜、およびその上の低密度の皮膜からなる２層の皮膜で構成されることとなる。すなわち、いずれの場合においてもグラニュラー層は、低密度の皮膜および高密度の皮膜で構成される。これにより、グラニュラー層の、低密度の皮膜による高ＳＮＲの維持、高密度の皮膜による当該垂直磁気記録媒体１００の信頼性の向上を図ることができ、従来ではトレードオフの関係であった両性能を共に高めることが可能となる。
【００６３】
なお、上記のグラニュラー層として磁気記録層１２２を選択した場合、直接的に磁気記録層１２２の結晶粒子（磁性粒子）の孤立化を維持しつつ、当該磁気記録層１２２の皮膜強度が高められる。グラニュラー層として非磁性グラニュラー層１２０を選択した場合、非磁性グラニュラー層１２０の結晶粒子の孤立化を維持することで、間接的に磁気記録層１２２の結晶粒子の孤立化を維持することができ、非磁性グラニュラー層１２０の皮膜強度を向上させることで、垂直磁気記録媒体１００全体としての信頼性を増大する。したがって、いずれの場合においても垂直磁気記録媒体１００の高ＳＮＲを確保し、且つ信頼性を向上することが可能となるが、磁気記録層１２２の結晶粒子の孤立化および皮膜強度の向上を効率的に行うためには、グラニュラー層として磁気記録層１２２を選択することが好ましい。
【００６４】
更に、本実施形態の如く磁気記録層１２２が第１磁気記録層１２２ａおよび第２磁気記録層１２２ｂから構成される場合には、少なくとも第２磁気記録層１２２ｂは、成膜速度を低速度から高速度または高速度から低速度のいずれかで変化させて成膜するとよい。これにより、第２磁気記録層１２２ｂを低密度の皮膜および高密度の皮膜の２層構成とし、第２磁気記録層１２２ｂの結晶粒子（磁性粒子）を孤立化させた状態とし且つ皮膜強度を向上することができる。したがって、高ＳＮＲを確保しつつ信頼性を向上することが可能となる。
【００６５】
なお、少なくとも第２磁気記録層１２２ｂの成膜時に成膜速度を変化させるとしたのは、主記録層たる第２磁気記録層１２２ｂの磁性粒子が孤立化した状態を維持することが、高ＳＮＲを確保するために最も有効であり、且つディスク基体１１０側から見て最上位のグラニュラー層である第２磁気記録層１２２ｂの皮膜強度を向上することで、第２磁気記録層１２２ｂよりもディスク基体１１０側に成膜された層を磁気ヘッドとの接触による損傷から防護することができるからである。
【００６６】
したがって、磁気記録層１２２が第１磁気記録層１２２ａおよび第２磁気記録層１２２ｂから構成される場合には、少なくとも第２磁気記録層１２２ｂの成膜時に成膜速度を変化させ、第２磁気記録層１２２ｂの磁性粒子が孤立化した状態を維持しつつ、その皮膜強度を向上することが好ましい。しかし、これに限定されるものではなく、第１磁気記録層１２２ａおよび第２磁気記録層１２２ｂの両方の層の成膜時に成膜速度を変化させてもよい。
【００６７】
なお、上述した如くグラニュラー層における低密度の皮膜および高密度の皮膜の成膜順序、すなわち上下の位置関係は限定されない。これは、グラニュラー層が低密度の皮膜および高密度の皮膜からなる２層構成であれば、高ＳＮＲを確保しつつ信頼性を向上するという課題を解決できるからである。
【００６８】
また、グラニュラー層を高密度の皮膜または低密度の皮膜のどちらか一方でのみで構成するのは好ましくない。グラニュラー層を高密度の皮膜のみで構成すると、皮膜強度の向上により信頼性が著しく増大するが、グラニュラー層の結晶粒子の孤立化の阻害によりＳＮＲが著しく低下してしまう。グラニュラー層を低密度の皮膜のみで構成すると、グラニュラー層の結晶粒子の孤立化の促進により高ＳＮＲは確保されるが、皮膜強度の不足により信頼性の確保がなされない。したがって、高ＳＮＲを確保しつつ信頼性を向上するためには、上記構成の如くグラニュラー層は高密度の皮膜および低密度の皮膜からなる２層構成とするべきである。
【００６９】
更に、本実施形態では磁気記録層１２２においても第１磁気記録層１２２ａと第２磁気記録層１２２ｂからなる２層構造となっているが、これに限定されるものではなく、磁気記録層１２２は単層であってもよい。
【００７０】
（実施例）
ディスク基体１１０上に、真空引きを行った成膜装置を用いて、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にてＡｒ雰囲気中で、付着層１１２から補助記録層１２４まで順次成膜を行った。付着層１１２は、ＣｒＴｉとした。軟磁性層１１４は、第１軟磁性層１１４ａ、第２軟磁性層１１４ｃの組成はＣｏＦｅＴａＺｒとし、スペーサ層１１４ｂの組成はＲｕとした。前下地層１１６の組成はｆｃｃ構造のＮｉＷ合金とした。第１下地層１１８ａは、所定圧力（低圧：例えば０．６〜０．７Ｐａ）のＡｒ雰囲気下でＲｕ膜を成膜した。第２下地層１１８ｂは、所定圧力より高い圧力（高圧：例えば４．５〜７Ｐａ）のＡｒ雰囲気下でＲｕ膜を成膜した。非磁性グラニュラー層１２０は、圧力１〜３ＰａのＡｒ雰囲気下で成膜し、その組成は非磁性のＣｏＣｒ−ＳｉＯ２とした。第１磁気記録層１２２ａは、圧力２〜４ＰａのＡｒ雰囲気下で、粒界部に酸化物の例としてＣｒ２Ｏ３を含有し、ＣｏＣｒＰｔ−Ｃｒ２Ｏ３のｈｃｐ結晶構造を形成した。第２磁気記録層１２２ｂは、圧力２〜４ＰａのＡｒ雰囲気下で、ターゲットに印加する電圧である成膜パワーを、低パワーから高パワーまたは高パワーから低パワーのいずれかで変化させることにより、成膜速度を、低速度から高速度または高速度から低速度のいずれかで変化させて成膜し、粒界部に複合酸化物（複数の種類の酸化物）の例としてＳｉＯ２とＴｉＯ２を含有し、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２−ＴｉＯ２のｈｃｐ結晶構造を形成した。なお、低速度の範囲は０．５〜１．５ｎｍ／ｓｅｃとし、高速度の範囲は３．５〜５．０ｎｍ／ｓｅｃである。補助記録層１２４の組成はＣｏＣｒＰｔＢとした。媒体保護層１２６はＣＶＤ法によりＣ２Ｈ４およびＣＮを用いて成膜し、潤滑層１２８はディップコート法によりＰＦＰＥを用いて形成した。
【００７１】
以下に、上記製造方法により得た垂直磁気記録媒体１００を用いて、本発明の有効性を評価する。図２は、実施例および比較例の垂直磁気記録媒体１００の性能評価を説明する図である。なお、実施例１は、成膜速度を低速度から高速度で変化させて第２磁気記録層１２２ｂを成膜した垂直磁気記録媒体１００であり、実施例２は、成膜速度を高速度から低速度で変化させて第２磁気記録層１２２ｂを成膜した垂直磁気記録媒体１００である。比較例は、成膜速度を変化させず、従来と同様に中速度一定で第２磁気記録層１２２ｂを成膜した垂直磁気記録媒体である。ここで、成膜速度の高速度とは３．５〜５．０ｎｍ／ｓｅｃ、中速度とは１．５〜３．５ｎｍ／ｓｅｃ、低速度とは０．５〜１．５ｎｍ／ｓｅｃの範囲である。
【００７２】
また、図２に示す信頼性は、信頼性試験の一つである腐食性試験（コロージョンテスト）により評価した。かかる腐食性試験では、温度９０℃、湿度９５％の環境下にて３日間経過後の実施例および比較例の垂直磁気記録媒体を、光学式表面欠陥解析装置（ＯＳＡ：Optical Surface Analyzer）にて観測し、その表面の欠陥数を計数した。
【００７３】
図２に示すように、実施例１における磁気記録層１２２は、第２磁気記録層１２２ｂのうち、第１磁気記録層１２２ａ側（ディスク基体１１０側）に低密度の皮膜、その上に高密度の皮膜という構成になる。また実施例２における磁気記録層１２２は、第２磁気記録層１２２ｂのうち、第１磁気記録層１２２ａ側（ディスク基体１１０側）に高密度の皮膜、その上に低密度の皮膜という構成になる。そして、比較例は、従来と同様に中密度の皮膜のみから構成される。
【００７４】
実施例および比較例のＳＮＲの評価を参照すると、実施例１、実施例２、比較例の順にＳＮＲの評価が高くなる。また、実施例および比較例の信頼性の評価を参照すると、比較例、実施例２、実施例１の順に高評価となる。
【００７５】
図３は、図２の評価の詳細を説明する図である。図３（ａ）は、実施例および比較例におけるＳＮＲとトラック幅を示しており、図３（ｂ）は、実施例および比較例における腐食性試験の結果を示している。なお、上記のトラック幅とは、垂直磁気記録媒体１００の実際のトラック幅ではなく、記憶可能幅試験において求められたトラックプロファイルが所定の割合を示すトラックの幅である。
【００７６】
図３（ａ）に示すように、全体的に、実施例１および２は比較例よりもＳＮＲが若干低下しているものの、実施例のすべての系列において垂直磁気記録媒体１００の高記録密度化を図るには十分なＳＮＲを得ている。また実施例２は、低密度の皮膜、すなわち高密度の皮膜よりも磁性粒子の孤立化が促進されている層が上層にあるため、実施例１よりも高いＳＮＲを確保することができたと考えられる。
【００７７】
また図３（ａ）から、トラック幅においても、実施例（実施例１および実施例２）と比較例との差は最大で１．５ｎｍ程度であることから、実施例と比較例では、高記録密度化を妨げるほどの差は生じていない。
【００７８】
図３（ｂ）に示すように、実施例１、実施例２、比較例の順にコロージョンスポット数が増えている。このことから、実施例の如く成膜速度を変化させて第２磁気記録層１２２ｂを成膜することで、第２磁気記録層１２２ｂの皮膜強度を増大させることができ、これにより、コロージョンの発生を低下させ、垂直磁気記録媒体１００の信頼性を向上させることが可能であることが理解できる。また実施例１は、高密度の皮膜、すなわち低密度の皮膜よりも強度が高い皮膜が上層にあるため、実施例２よりも高い信頼性を得ることができたと考えられる。
【００７９】
上記説明した如く、本発明によれば、成膜速度を、低速度から高速度または高速度から低速度のいずれかで変化させてグラニュラー層を成膜することで、グラニュラー層を低密度の皮膜および高密度の皮膜の２つの皮膜で構成することができる。これにより、グラニュラー層の、低密度の皮膜による高ＳＮＲの維持、高密度の皮膜による信頼性の向上を図ることが可能となる。したがって、垂直磁気記録媒体１００の高記録密度化をはかりつつ、その品質を更に向上することができる。
【００８０】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施例について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明は、垂直磁気記録方式のＨＤＤなどに搭載される垂直磁気記録媒体および垂直磁気記録媒体の製造方法として利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８２】
【図１】本実施形態に係る磁気記録媒体の構成を説明する図である。
【図２】実施例および比較例の垂直磁気記録媒体の性能評価を説明する図である。
【図３】図２の評価の詳細を説明する図である。
【符号の説明】
【００８３】
１００…垂直磁気記録媒体、１１０…ディスク基体、１１２…付着層、１１４…軟磁性層、１１４ａ…第１軟磁性層、１１４ｂ…スペーサ層、１１４ｃ…第２軟磁性層、１１６…前下地層、１１８…下地層、１１８ａ…第１下地層、１１８ｂ…第２下地層、１２０…非磁性グラニュラー層、１２２…磁気記録層、１２２ａ…第１磁気記録層、１２２ｂ…第２磁気記録層、１２４…補助記録層、１２６…媒体保護層、１２８…潤滑層
【図１】
2010086583.tif 000003
【図２】
2010086583.tif 000004
【図３】
2010086583.tif 000005