Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月20日(2005.6.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
トラッキングサーボ制御をオープンとした再生状態で、記録媒体の種類を判別する記録媒体判別装置において、
記録媒体の読取信号に基づきラジアルプッシュプル信号を生成する信号生成手段と、
前記ラジアルプッシュプル信号に基づいた２値信号の自己相関値を演算処理する処理手段と、
前記処理手段から出力されたデータと所定の基準値とを比較し、比較結果に基づいて前記記録媒体の種類を判別する判別手段と、
を備えることを特徴とする記録媒体判別装置。
【請求項２】
前記処理手段は、
前記ラジアルプッシュプル信号に含まれる前記記録媒体の偏心によるレベル変動成分を低減するフィルタ手段と、
前記フィルタ手段の出力を２値化する２値化手段と、
前記２値化手段から出力された前記２値信号の前記自己相関値を計算する自己相関計算手段と、
前記自己相関計算手段から出力された信号の最大値を検出する最大値検出手段と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載の記録媒体判別装置。
【請求項３】
前記自己相関計算手段は、
前記２値化手段から出力された信号を符号付きデータに変換するデータ変換手段と、
前記符号付きデータを所定時間遅延して、その符号を反転させる遅延符号反転手段と、
前記符号付きデータと前記遅延符号反転手段から出力される符号反転データとを乗算する乗算手段と、
前記乗算手段から出力された乗算データを積分する積分手段と、
を備えることを特徴とする請求項２に記載の記録媒体判別装置。
【請求項４】
前記所定時間は、前記ラジアルプッシュプル信号に含まれるウォブル信号の半周期である
ことを特徴とする請求項３に記載の記録媒体判別装置。
【請求項５】
前記処理手段は、前記自己相関計算手段と最大値検出手段とを制御するための制御信号を発生する信号発生手段をさらに備える
ことを特徴とする請求項２に記載の記録媒体判別装置。
【請求項６】
前記判別手段は、前記最大値検出手段から出力された最大値と前記基準値とを比較して、前記記録媒体が再生専用の記録媒体であるか記録可能な記録媒体であるかを判別する
ことを特徴とする請求項２に記載の記録媒体判別装置。
【請求項７】
トラッキングサーボ制御をオープンとした再生状態で、記録媒体の種類を判別する記録媒体判別方法において、
記録媒体の読取信号に基づきラジアルプッシュプル信号を生成する信号生成工程と、
前記ラジアルプッシュプル信号に基づいた２値信号の自己相関値を演算処理する処理工程と、
前記処理工程にて出力されたデータと所定の基準値とを比較し、比較結果に基づいて前記記録媒体の種類を判別する判別工程と、
を有することを特徴とする記録媒体判別方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、トラッキングサーボ制御をオープンとした再生状態で、記録媒体の種類を判別する記録媒体判別装置において、記録媒体の読取信号に基づきラジアルプッシュプル信号を生成する信号生成手段と、前記ラジアルプッシュプル信号に基づいた２値信号の自己相関値を演算処理する処理手段と、前記処理手段から出力されたデータと所定の基準値とを比較し、比較結果に基づいて前記記録媒体の種類を判別する判別手段と、を備えることを特徴とする記録媒体判別装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
請求項７に記載の発明は、トラッキングサーボ制御をオープンとした再生状態で、記録媒体の種類を判別する記録媒体判別方法において、記録媒体の読取信号に基づきラジアルプッシュプル信号を生成する信号生成工程と、前記ラジアルプッシュプル信号に基づいた２値信号の自己相関値を演算処理する処理工程と、前記処理工程にて出力されたデータと所定の基準値とを比較し、比較結果に基づいて前記記録媒体の種類を判別する判別工程と、を有することを特徴とする記録媒体判別方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
先ず、１／２Ｄの周波数を持つ正弦波信号を平滑化信号Shppとして入力した場合を説明する。図３（ａ）に示される平滑化信号Shppは、２値化回路２０２により”Ｈ”、”Ｌ”の２値信号に変換される。この２値信号は、データ変換器２１１により正負（＋１／−１）の符号付き離散値に変換され、図３（ｂ）に示されるように離散値出力信号Ｄppとなって出力される。この離散値出力信号Ｄppは、遅延・符号反転器２１２により、遅延時間Ｄの遅延および符号反転されて、図３（ｃ）に示されるように遅延・符号反転出力信号Ｄdlppとなって出力される。ここで、離散値出力信号Ｄppの半周期が遅延・符号反転器２１２の遅延時間Ｄに等しいため、出力される遅延・符号反転出力信号Ｄdlppは、離散値出力信号Ｄppと略等しい矩形波となる。そして、離散値出力信号Ｄppと遅延・符号反転出力信号Ｄdlppは、乗算器２１３により乗算され、図３（ｄ）に示されるように乗算値出力信号Ｄprdとなって出力される。上述したように離散値出力信号Ｄppと遅延・符号反転出力信号Ｄdlppが略等しいため、出力される乗算値出力信号Ｄprdは、離散値出力信号Ｄppと遅延・符号反転出力信号Ｄdlppのエッジ期間を除く略全期間にわたって正の離散値をとる。従って、この乗算値出力信号Ｄprdが積分器２１４にて積分されると、積分値出力信号Ｄintは、図３（ｅ）に示されるように右肩上がりで増加する。このように、自己相関計算回路２１０は、１／２Ｄの周波数を持つ正弦波信号を平滑化信号Shppとして入力した場合、その積分値出力信号Ｄintを右肩上がり急激に増加させる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月4日(2005.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非極性の溶媒中に分散している隣接する磁性微粒子と自己組織的に結合する磁性体を、スピンコート法によって被塗布基板上に成膜するスピンコート装置において、成膜中に磁場を発生させ、成膜する磁性体の磁化容易磁区を発生させた磁場と同一方向に揃えるための磁場印加機構を備えたことを特徴とするスピンコート装置。
【請求項２】
上記磁場印加機構が、発生する磁場強度の可変機構を備えた超伝導磁石或いは常伝導磁石のいずれかであることを特徴とする請求項１記載のスピンコート装置。
【請求項３】
上記磁場印加機構は、被塗布基板との距離を可変にできる移動機構を備えた永久磁石であることを特徴とする請求項１記載のスピンコート装置。
【請求項４】
上記磁場印加機構と被塗布基板を回転させるためのモータとの間には磁気的シールドを設けたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のスピンコート装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
図１は本発明の原理的構成の説明図であり、この図１を参照して本発明における課題を解決するための手段を説明する。
図１参照  
上記目的を達成するため、本発明は、非極性の溶媒中に分散している隣接する磁性微粒子と自己組織的に結合する磁性体を、スピンコート法によって被塗布基板２上に成膜するスピンコート装置において、成膜中に磁場を発生させ、成膜する磁性体の磁化容易磁区を発生させた磁場と同一方向に揃えるための磁場印加機構５を備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この様に、成膜中に磁場を印加することによって、隣接する磁性微粒子と自己組織的に結合する磁性を有する磁性体の磁化容易磁区は印加した磁場の方向に再現性良く整列するので、磁気ディスク基板等の記録性能を向上することができる。
なお、隣接する磁性微粒子と自己組織的に結合する磁性体は、上述の本発明者等による提案（特願２００２−１１７００７号）に述べているように、溶媒を密閉成膜室に別途供給して密閉成膜室を溶媒雰囲気とし、コート液中の溶媒の蒸発をゆっくり行うことにより得られる構成であり、具体的には後述する実施の形態に記載した工程で得られる構成である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６７】
ここで、再び図１を参照して、改めて本発明の詳細な特徴を説明する。
再び、図１参照
（付記１）  非極性の溶媒中に分散している隣接する磁性微粒子と自己組織的に結合する磁性体を、スピンコート法によって被塗布基板２上に成膜するスピンコート装置において、成膜中に磁場を発生させ、成膜する磁性体の磁化容易磁区を発生させた磁場と同一方向に揃えるための磁場印加機構５を備えたことを特徴とするスピンコート装置。
（付記２）  上記磁場印加機構５が、発生する磁場強度の可変機構を備えた超伝導磁石或いは常伝導磁石のいずれかであることを特徴とする付記１記載のスピンコート装置。    （付記３）  上記磁場印加機構５は、被塗布基板２との距離を可変にできる移動機構を備えた永久磁石であることを特徴とする付記１記載のスピンコート装置。
（付記４）  上記磁場印加機構５と被塗布基板２を回転させるためのモータとの間には磁気的シールドを設けたことを特徴とする付記１乃至３のいずれか１に記載のスピンコート装置。
（付記５）  上記被塗布基板２の裏面へのコート液の回り込みを防ぐ回り込み防止手段を備えたことを特徴とする付記１乃至４のいずれか１に記載のスピンコート装置。
（付記６）  上記回り込み防止手段が、被塗布基板２の裏面へ雰囲気を吹きかけるファンからなることを特徴とする付記５記載のスピンコート装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月6日(2004.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】光ディスク
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスク再生装置に用いる光ピックアップまたはディスクドライブ装置を調整するテスト用の光ディスクにおいて、
材料としてガラスを用い、スピンドル挿入孔を有すると共に、チャッキングテーブルとの当接面を有するガラス基板を備え、
前記当接面は、ガラス基板の下面に対して、断面が傾斜しており、凹凸を有することを特徴とする光ディスク。
【請求項２】
光ディスク再生装置に用いる光ピックアップまたはディスクドライブ装置を調整するテスト用の光ディスクにおいて、
材料としてガラスを用い、スピンドル挿入孔を有するガラス基板と、
スピンドル挿入孔を有すると共に、チャッキングテーブルとの当接面を有し、ガラス基板に固着されるスペーサーとを備え、
前記ガラス基板には、前記スペーサーを固着する凹部が形成され、
前記当接面は、断面が傾斜しており、ガラス基板にスペーサーが固着された状態において、ガラス基板の下面に対して凹凸を有することを特徴とする光ディスク。
【請求項３】
光ディスク再生装置に用いる光ピックアップまたはディスクドライブ装置を調整するテスト用の光ディスクにおいて、
材料としてガラスを用い、スピンドル挿入孔を有する第１ガラス基板と、
材料としてガラスを用い、スピンドル挿入孔よりも大きな穴を有する第２ガラス基板と、
スピンドル挿入孔を有すると共に、チャッキングテーブルとの当接面を有し、両ガラス基板に固着されるスペーサーとを備え、
前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板は貼り合わされ、
前記スペーサーは、前記第２ガラス基板の穴に挿入された状態で、両ガラス基板に固着され、
前記当接面は、断面が傾斜しており、両ガラス基板にスペーサーが固着された状態において、第２ガラス基板の下面に対して凹凸を有することを特徴とする光ディスク。
【請求項４】
前記スペーサーは、材料としてガラス、金属または樹脂を用いることを特徴とする請求項２または３記載の光ディスク。
【請求項５】
前記スペーサーは円柱状であり、前記スペーサーの当接面は楕円であり、前記当接面に対向する面は正円であり、前記スペーサーの直径は３４ｍｍであることを特徴とする請求項２乃至４のいずれかに記載の光ディスク。
【請求項６】
前記ガラス基板の直径は１２０ｍｍより短くすることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の光ディスク。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、光ディスク再生装置に用いる光ピックアップまたはディスクドライブ装置を調整するテスト用の光ディスクに関し、例えば、ポリカーボネートを材料とする光ディスクを回転させる光ディスク装置のテストのために当該光ディスクに代えて光ディスク装置に装着される、光ディスクに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に係る本発明は、光ディスク再生装置に用いる光ピックアップまたはディスクドライブ装置を調整するテスト用の光ディスクにおいて、材料としてガラスを用い、スピンドル挿入孔を有すると共に、チャッキングテーブルとの当接面を有するガラス基板を備え、前記当接面は、ガラス基板の下面に対して、断面が傾斜しており、凹凸を有することを特徴とする光ディスクである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
請求項２に係る本発明は、光ディスク再生装置に用いる光ピックアップまたはディスクドライブ装置を調整するテスト用の光ディスクにおいて、材料としてガラスを用い、スピンドル挿入孔を有するガラス基板と、スピンドル挿入孔を有すると共に、チャッキングテーブルとの当接面を有し、ガラス基板に固着されるスペーサーとを備え、前記ガラス基板には、前記スペーサーを固着する凹部が形成され、前記当接面は、断面が傾斜しており、ガラス基板にスペーサーが固着された状態において、ガラス基板の下面に対して凹凸を有することを特徴とする光ディスクである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項３に係る本発明は、光ディスク再生装置に用いる光ピックアップまたはディスクドライブ装置を調整するテスト用の光ディスクにおいて、材料としてガラスを用い、スピンドル挿入孔を有する第１ガラス基板と、材料としてガラスを用い、スピンドル挿入孔よりも大きな穴を有する第２ガラス基板と、スピンドル挿入孔を有すると共に、チャッキングテーブルとの当接面を有し、両ガラス基板に固着されるスペーサーとを備え、前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板は貼り合わされ、前記スペーサーは、前記第２ガラス基板の穴に挿入された状態で、両ガラス基板に固着され、前記当接面は、断面が傾斜しており、両ガラス基板にスペーサーが固着された状態において、第２ガラス基板の下面に対して凹凸を有することを特徴とする光ディスクである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
前記スペーサーは、材料としてガラス、金属または樹脂を用いることが望ましい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、前記スペーサーは円柱状であり、前記スペーサーの当接面は楕円であり、前記当接面に対向する面は正円であり、前記スペーサーの直径は３４ｍｍであることが望ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
さらに、前記ガラス基板の直径は１２０ｍｍより短くすることが望ましい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
本発明は、光ピックアップまたはディスクドライブ調整用光ディスク基板（テストディスク）においてガラス材料を利用した面振れ光ディスクである。ガラス材料を特殊加工することにより、ガラス面振れディスクを作成することができる。製造方法にはガラス貼り合せ技術を利用してガラス板に面振れを持たせる方法などがある。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
例えば、当接面１１の傾きは、０．４９３９°、内径部の凸部の角度は、８９．５０６１°である。内径部の凹凸の深さ及び高さは、共に０．１４６６ｍｍである。このときの面振れ量は、Ｒ５８において、＋０．５ｍｍから−０．５ｍｍである。尚、光ディスクの重さは１８．２４ｇである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月6日(2004.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、再生手段が、制御データに基づいてコンテンツデータを再生するために、複数の記録媒体のうちの１の記憶媒体からデータ群を読み出す読出手段とを備えている場合には、後続処理として、データ群を読み出すべき記録媒体を変更する構成としてもよい。例えば、この構成は、データ再生装置がＤＶＤチェンジャー等のディスクチェンジャーを備えている場合に好適に適用できる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
操作部１７は、ユーザがＤＶＤビデオプレーヤ１０に対し、例えば再生開始、再生停止、機能の選択などの指示を入力することを可能とするユーザインターフェースである。具体的には、ＤＶＤビデオプレーヤ本体に設けられたスイッチや、モニタ１６の周辺に設けられたスイッチ１７ａおよびリモコン１７ｂなどを備えている（図２および図８参照）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
一方、図７中のステップＳ１１で、セル２６ａの再生中にＥＸＩＴコマンドＣ１が実行されなかったときには（ステップＳ１１：ＮＯ）、次に、セル２６ａの再生中にボタンコマンドとして記述された遷移コマンドＣ２が実行されたか否かを判定する（ステップＳ１２）。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
一方、セルコマンド２４ｂの実行に際してＥＸＩＴコマンドＣ１が実行されなかったときには（ステップＳ１４：ＮＯ）、次に、セルコマンド２４ｂの実行に際して、遷移コマンドＣ２が実行されたか否かを判定する（ステップＳ１５）。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
そして、現在再生の対象となっているＰＧＣを構成するセル２６ａのうち、まだ再生すべきセル２６ａが存在する場合、すなわち、ＰＧＣの再生がまだ途中の場合には、ステップＳ１０〜Ｓ１６を繰り返し実行し、セル２６ａの再生を続行し、残余のセル２６ａを順次再生する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８２】
一方、ポストコマンド２４ｃの実行に際してＥＸＩＴコマンドＣ１が実行されなかったときには（ステップＳ１７：ＮＯ）、次に、ポストコマンド２４ｃの実行に際して、遷移コマンドＣ２が実行されたか否かを判定する（ステップＳ１８）。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
以上より、本実施例にかかるＤＶＤビデオプレーヤ１０によれば、（１）ＤＶＤ１に記録されたデータの再生中に、プリコマンド２４ａ、セルコマンド２４ｂ、ポストコマンド２４ｃもしくはボタンコマンド４３が実行され、その際にＥＸＩＴコマンドＣ１が実行されたとき、または、（２）現在再生の対象となっているＰＧＣのポストコマンド２４ｃの実行が終了した時点で、次に再生すべきＰＧＣを指定する後続ＰＧＣ番号２３ａが存在しないときには、プレゼンテーションデータの再生の停止と共に、ユーザにより予め設定された後続処理が実行される。これにより、ＤＶＤ１に記録されたタイトルの再生が、ＥＸＩＴコマンドの実行または後続ＰＧＣの不存在により終了したと同時に、ユーザの希望する処理を自動的に実行することができる。したがって、ＤＶＤビデオプレーヤ１０の操作性、利便性を向上させることができる。例えば、ＤＶＤビデオプレーヤ１０を車載用の映像・音声再生装置として用いたときには、自動車の運転手の運転環境を高めることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９０】
さらに、本実施例にかかるＤＶＤビデオプレーヤ１０では、後続処理の内容として、メニュー再生を選択可能とした。これにより、再生が停止した後に、ユーザはメニューを見て、所望のコンテンツデータを速やかに再生させることができ、便利である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９６】
また、上述した実施例では、１枚のＤＶＤを再生するＤＶＤプレーヤを例に挙げたが、本発明はこれに限らず、複数のディスクを収容し、複数のディスクの中から１枚のディスクを選んで再生するタイプのプレーヤ（例えば、ＣＤチェンジャーやＤＶＤチェンジャー等のディスクチェンジャーを備えたプレーヤ）にも適用することができる。この場合には、後続処理として、ディスクの変更を行う構成としてもよい。例えば、図８に示すように、プレーヤにディスクチェンジャーを接続した場合には、後続処理の設定処理（図６中のステップＳ３）において、モニタ１６に、「次のディスクを再生する」という選択項目が表示される。ユーザはモニタ１６を見ながら、後続処理の内容として「次のディスクを再生する」を選択することができる。これにより、ＥＸＩＴコマンドが実行されたときなどには、ディスクチェンジャーに収容された新たなディスクを再生することができ、再生を継続させることができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
また、本発明は、請求の範囲および明細書全体から読み取ることのできる発明の要旨または思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴うデータ再生装置およびデータ再生方法並びにこれらの機能を実現するコンピュータプログラムもまた本発明の技術思想に含まれる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月8日(2005.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ領域に対し光ビームを照射し、情報の記録及び再生を行う、プリフォーマット情報を有する磁壁移動型光磁気記録媒体の記録再生装置において、
前記プリフォーマット情報から得られた検出信号を基準として所定のタイミングで前記データ領域に記録を開始する記録回路と、
前記検出信号を基準として前記所定のタイミングより早いタイミングで前記データ領域に記録された情報の再生を開始する再生回路とを有することを特徴とする記録再生装置。
【請求項２】
前記所定のタイミングは、前記プリフォーマット情報に含まれるクロックピットをもとに生成されたクロックにより計られることを特徴とする請求項１に記載の記録再生装置。
【請求項３】
前記記録と再生のタイミング差は、記録時に記録マークの磁壁が形成される位置と光ビームの中心との距離と再生時に前記磁壁の移動が開始される位置と光ビームの中心との距離とを足し合わせた距離を前記媒体の線速度で除算した時間に相当することを特徴とする請求項１に記載の記録再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
そして、上記目的は、データ領域に対し光ビームを照射し、情報の記録及び再生を行う、プリフォーマット情報を有する磁壁移動型光磁気記録媒体の記録再生装置において、
前記プリフォーマット情報から得られた検出信号を基準として所定のタイミングで前記データ領域に記録を開始する記録回路と、
前記検出信号を基準として前記所定のタイミングより早いタイミングで前記データ領域に記録された情報の再生を開始する再生回路とを有することを特徴とする記録再生装置により達成される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月12日(2004.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
また、本体部５８の後端近傍の、膨出部分５６ａと反対側の壁部６４には、他のコネクタ、例えば、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）コネクタを受容する受容部６６が形成されている。前述のカバー部６０にも、受容部６６に対応する小カバー部６７が形成されている。本体部５８の後端近傍にはカード１０の挿抜方向と直交する方向に延びる幅広溝６８、７０が、本体部５８の後端部の全幅に亘って形成されている。幅広溝６８は、幅広溝７０より僅かに深く、且つ長く形成されている。幅広溝６８の、図４において右端近傍、即ち、幅広溝７０近傍には挿抜方向に延びるカム突起７２、７４が底壁６２と一体に形成されている。カム突起７４は挿抜方向に沿って離隔して１対形成され、各々はカム突起７２よりも高さが高く、カム突起７２よりも幅広溝７０側に突設されている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月26日(2004.7.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
上面に開口部を有する本体ケースと、該本体ケース内で開口位置に配設された複数の加熱用コイルと、該本体ケースの上面に配設されるセラミックス材より成る平板状の天板と、該天板の周囲を保持する枠体とを備えてなる加熱調理器において、
前記枠体に前記天板の外周縁を保持手段により着脱自在に取り付けて天板組立体を形成し、該天板組立体を前記本体ケースに載置自在に形成したことを特徴とする加熱調理器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１に係る加熱調理器は、上面に開口部を有する本体ケースと、該本体ケース内で開口位置に配設された複数の加熱用コイルと、該本体ケースの上面に配設されるセラミックス材より成る平板状の天板と、該天板の周囲を保持する枠体とを備えてなる加熱調理器において、
前記枠体に前記天板の外周縁を保持手段により着脱自在に取り付けて天板組立体を形成し、該天板組立体を前記本体ケースに載置自在に形成したものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
【発明の効果】
以上のように本発明の請求項１によれば、上面に開口部を有する本体ケースの上面に配設されるセラミックス材より成る平板状の天板の周囲を保持する枠体に該天板の外周縁を保持手段により着脱自在に取り付けて天板組立体を形成し、該天板組立体を本体ケースに載置自在に形成するようにしたので、保持手段を用いることにより枠体に天板を一体化した天板組立体を容易に組み立てることができ、その天板組立体を本体ケースの上面に載置させるだけで加熱調理器を簡単に完成させることができるという効果がある。
また、天板にヒビや割れが生じて天板を交換する場合に、枠体に天板の外周縁を着脱自在に取り付けている保持手段による保持を解除することにより、簡単に天板と枠体とを分離することができるため、天板単体の交換を容易に行うことができ、異材質の部品を分離するリサイクル処理も容易に行うことができるという効果がある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月15日(2005.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
負極活物質を有する負極と、リチウム塩を溶解させた非水電解液とを備え、下記一般式（１）で表されるハロゲン元素を含有したホスファゼン系化合物が前記非水電解液に含まれる非水電解質二次電池であって、前記負極活物質の結着剤が非ハロゲン系の材料であることを特徴とする非水電解質二次電池。
【化１】
2004055208.tif 000001
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
すなわち、本発明の一つは、負極活物質を有する負極と、リチウム塩を溶解させた非水電解液とを備え、下記一般式（１）で表されるハロゲン元素を含有したホスファゼン系化合物が前記非水電解液に含まれる非水電解質二次電池であって、前記負極活物質の結着剤が非ハロゲン系の材料であることを特徴とする非水電解質二次電池である。
【化２】
2004055208.tif 000002
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
本発明による非水電解質二次電池の電池ケース内には、リチウム塩を溶解させた非水電解液が備えられ、下記一般式（１）で表されるハロゲン元素を含有したホスファゼン系化合物がその非水電解液に含まれる。本発明に用いられる、ハロゲン元素を含有したホスファゼン系化合物の例としては、下記式（１）で示される鎖状ホスファゼン誘導体が好適に挙げられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
【化３】
2004055208.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
【発明の効果】  以上から明らかなように、負極活物質を有する負極と、リチウム塩を溶解させた非水電解液とを備え、一般式（１）で表されるハロゲン元素を含有したホスファゼン系化合物が前記非水電解液に含まれる非水電解質二次電池において、負極活物質の結着剤を非ハロゲン系の材料とすることによって、電池の安全性を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月15日(2005.7.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に有機物の薄膜を形成する有機膜形成装置において、
前記基板を収納するチャンバーと、
前記チャンバーに設けられ、有機膜形成面に画素塗り分けマスクが取り付けられた前記基板を保持する保持手段と、
有機原料を気相に変化させて原料ガスを生成する気化昇華手段と、
前記原料ガスとキャリアガスを混合するキャリアガス導入手段と、
前記キャリアガスを用いて前記原料ガスを輸送する原料ガス輸送手段と、
前記原料ガス輸送手段で輸送された前記原料ガスを前記チャンバー内に放出する放出手段と、
前記チャンバーの排気を行う排気手段とを備え、
前記チャンバー内における前記基板の配置を、前記有機膜形成面が水平方向に対して垂直となる配置、あるいは前記有機膜形成面が傾斜した配置のいずれかから選択した
ことを特徴とする有機膜形成装置。
【請求項２】
前記チャンバー内における前記基板の配置は、水平方向に対して＋８０°〜−６０°の範囲の円周に沿った位置の中から選択される
ことを特徴とする請求項１記載の有機膜形成装置。
【請求項３】
前記放出手段は、前記基板の前記有機膜形成面に直交する方向に対して±９０°以内の範囲から原料ガスを放出する
ことを特徴とする請求項１記載の有機膜形成装置。
【請求項４】
前記放出手段は、前記基板の前記有機膜形成面に直交する方向に対して±４５°以内の範囲から原料ガスを放出する
ことを特徴とする請求項１記載の有機膜形成装置。
【請求項５】
前記放出手段は、前記基板の前記有機膜形成面に対して直交する方向から原料ガスを放出する
ことを特徴とする請求項１記載の有機膜形成装置。
【請求項６】
前記保持手段は、前記画素塗り分けマスクが取り付けられた前記基板をスライド移動させる
ことを特徴とする請求項１記載の有機膜形成装置。
【請求項７】
前記保持手段は、前記画素塗り分けマスクが取り付けられた前記基板を回転させる
ことを特徴とする請求項１記載の有機膜形成装置。
【請求項８】
前記保持手段は、前記画素塗り分けマスクが取り付けられた前記基板をスライド移動させながら回転させる
ことを特徴とする請求項１記載の有機膜形成装置。
【請求項９】
前記保持手段に、前記画素塗り分けマスクが取り付けられた前記基板の裏面を冷却する冷却手段を備えた
ことを特徴とする請求項１記載の有機膜形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子は発光層に有機物を利用した発光材料である。この有機ＥＬ素子は、コンピュータやテレビジョン受信機に使用されるフラットパネルディスプレイや、携帯電話のディスプレイや、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）と呼ばれる携帯端末のディスプレイ等の各種表示装置を構成する発光材料として、また、発光ダイオード等の発光素子として用いられる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するため、本発明に係る有機膜形成装置は、基板上に有機物の薄膜を形成する有機膜形成装置において、基板を収納するチャンバーと、このチャンバーに設けられ、有機膜形成面に画素塗り分けマスクが取り付けられた基板を保持する保持手段と、有機原料を気相に変化させて原料ガスを生成する気化昇華手段と、原料ガスとキャリアガスを混合するキャリアガス導入手段と、キャリアガスを用いて原料ガスを輸送する原料ガス輸送手段と、原料ガス輸送手段で輸送された原料ガスをチャンバー内に放出する放出手段と、チャンバーの排気を行う排気手段とを備え、チャンバー内における基板の配置を、有機膜形成面が水平方向に対して垂直となる配置、あるいは有機膜形成面が傾斜した配置のいずれかから選択したものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の有機膜形成装置の実施の形態を説明する。図１は本実施の形態の有機膜形成装置の全体構成図である。本実施の形態の有機膜形成装置１は、低真空としたチャンバー２内に基板３を保持し、このチャンバー２内に気相の有機原料をキャリアガスを用いて輸送して基板３に有機膜を形成する有機気相蒸着法（organic vapor phase deposition）と呼ばれる構成において、基板３の配置を、良質な有機膜を形成するために必要な諸条件を考慮して決定するものである。ここで、基板３とは、図１０等で説明した透明ガラス基板１０２にＩＴＯ透明電極を形成したもの、あるいは図示しないＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板等である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、気相状態の有機原料をキャリアガスを用いて輸送して成膜する有機膜形成装置で、チャンバー内における基板の配置を、有機膜形成面が水平方向に対して垂直となる配置、あるいは有機膜形成面が傾斜した配置のいずれかから選択したものである。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
また、本発明は、基板の有機膜形成面が鉛直上向きとならない配置で成膜を行うことができるので、基板へのパーティクルの付着を抑えることができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月6日(2005.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】直流リアクトルおよびそれを用いたインバータ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数個のコアを磁気的空隙を介して対向させ、その磁気的空隙近傍に永久磁石を配置させかつ前記複数個のコアのいずれか１つ以上に１個以上のコイルを巻回して成る直流リアクトルにおいて、前記コアが積層させた二方向性電磁鋼板から成るものであることを特徴とする直流リアクトル。
【請求項２】
前記コアがＥ、Ｔ、ＣおよびＩ字状コアのうちの複数個の組み合わせから成るものであり、各コア中に流れる磁束の方向が積層させた二方向性電磁鋼板の磁化容易磁化方向と同じにすることを特徴とする請求項１記載の直流リアクトル。
【請求項３】
前記コアがＥ字状とＩ字状の積層させた二方向性電磁鋼板を組み合わせたものであることを特徴とする請求項２記載の直流リアクトル。
【請求項４】
前記コアがＴ字状とＣ字状の積層させた二方向性電磁鋼板を組み合わせたものであることを特徴とする請求項２記載の直流リアクトル。
【請求項５】
前記コアがＩ字状とＣ字状の積層させた二方向性電磁鋼板を組み合わせたものであることを特徴とする請求項２記載の直流リアクトル。
【請求項６】
前記コアが２個のＣ字状の積層させた二方向性電磁鋼板を組み合わせたものであることを特徴とする請求項２記載の直流リアクトル。
【請求項７】
前記コアが４個のＩ字状の積層させた二方向性電磁鋼板を組み合わせたものであることを特徴とする請求項２記載の直流リアクトル。
【請求項８】
前記コアが対向した磁気的空隙の中に永久磁石の磁化方向がコア中に流れる磁束の方向と平行な方向となるように前記永久磁石を配置したことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の直流リアクトル。
【請求項９】
前記コアが対向した磁気的空隙の横に永久磁石の磁化方向がコア中に流れる磁束の方向と垂直な方向となるように前記永久磁石およびヨークを配置したことを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項記載の直流リアクトル。
【請求項１０】
前記コア中に流れる磁束の方向を容易磁化方向と一致するように二方向性電磁鋼板を打ち抜き、これを積層してコアを形成し、このコアを２個以上対向させ、１個以上のコイルを前記コアに巻回し、該コアが対向して形成した磁気的空隙の近傍に永久磁石を配置することを特徴とする直流リアクトルの製造方法。
【請求項１１】
請求項１ないし９のいずれかに記載の直流リアクトルを搭載したことを特徴とするインバータ。
【請求項１２】
請求項１０に記載の方法により製造された直流リアクトルを搭載したことを特徴とするインバータ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月12日(2005.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚さの異なるゲート絶縁膜を有する半導体装置であって、
主表面を有し、その主表面にトレンチが形成された半導体基板と、
前記トレンチを充填し、第１の頂面を有する分離絶縁膜と、
前記主表面の上に形成され、第２の頂面を有する第１のゲート絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜と前記分離絶縁膜との間で前記主表面上に形成され、第３の頂面を有する中間絶縁膜と、
前記第１のゲート絶縁膜とは異なる主表面の上に形成され、前記第１のゲート絶縁膜よりも厚い第２のゲート絶縁膜と、
前記第１から第３の頂面および前記第２のゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを備え、
前記分離絶縁膜と前記第１および第２のゲート絶縁膜と前記中間絶縁膜とはほぼ同一の組成を有し、
前記主表面から前記第１の頂面までの高さをｈ１とし、前記主表面から前記第２の頂面までの高さをｈ２とし、前記主表面から前記第３の頂面までの高さをｈ３とすると、前記高さｈ１、ｈ２およびｈ３は、ｈ２＜ｈ３＜ｈ１で示す関係を満たす、半導体装置。
【請求項２】
前記第１から第３の頂面は連続して階段状に形成され、かつ、前記第１から第３の頂面は前記主表面に対してほぼ平行に形成される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２のゲート絶縁膜は第４の頂面を有し、前記主表面から前記第４の頂面までの高さをｈ４とすると、前記高さｈ１、ｈ２およびｈ４は、ｈ２＜ｈ４＜ｈ１で示す関係を満たす、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
厚さの異なるゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法であって、
第１および第２の領域を有する半導体基板の主表面にトレンチを形成する工程と、
前記トレンチを充填する分離絶縁膜を形成する工程と、
前記分離絶縁膜に連なり前記主表面を覆う第１の絶縁膜を形成する工程と、
前記第１の領域において、
前記分離絶縁膜に連なる前記第１の絶縁膜の部分を覆い、かつ前記第１の絶縁膜の他の部分を露出させるマスク層を前記第１の絶縁膜の上に形成するとともに、
前記第２の領域において、前記第１の絶縁膜の上にマスク層を形成する工程と、
前記マスク層をマスクとして前記マスク層から露出した前記第１の絶縁膜の部分をエッチングして前記主表面を露出させる工程と、
前記マスク層を除去する工程と、
前記第１の領域において、
露出した前記主表面にゲート絶縁膜を形成するとともに、前記分離絶縁膜と前記ゲート絶縁膜との間に残存した前記第１の絶縁膜の厚みを増加させて中間絶縁膜を形成するとともに、
前記第２の領域において、残存した前記第１の絶縁膜の厚みを増加させて中間絶縁膜を形成する工程と、
前記第１および第２の領域において、
前記ゲート絶縁膜と前記中間絶縁膜と前記分離絶縁膜との上にゲート電極を形成する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
この発明に従った半導体装置は、厚さの異なるゲート絶縁膜を有する半導体装置であって、主表面を有し、その主表面にトレンチが形成された半導体基板と、トレンチを充填し、第１の頂面を有する分離絶縁膜と、主表面の上に形成され、第２の頂面を有する第１のゲート絶縁膜と、第１のゲート絶縁膜と分離絶縁膜との間で主表面上に形成され、第３の頂面を有する中間絶縁膜と、第１のゲート絶縁膜とは異なる主表面の上に形成され、第１のゲート絶縁膜よりも厚い第２のゲート絶縁膜と、第１から第３の頂面および第２のゲート絶縁膜の上に形成されたゲート電極とを備える。分離絶縁膜と第１および第２のゲート絶縁膜と中間絶縁膜とはほぼ同一の組成を有する。主表面から第１の頂面までの高さをｈ１とし、主表面から第２の頂面までの高さをｈ２とし、主表面から第３の頂面までの高さをｈ３とすると、高さｈ１、ｈ２およびｈ３は、ｈ２＜ｈ３＜ｈ１で示す関係を満たす。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また好ましくは、第１から第３の頂面は連続して階段状に形成され、かつ第１から第３の頂面は主表面に対してほぼ平行に形成される。
第２のゲート絶縁膜は第４の頂面を有し、主表面から第４の頂面までの高さをｈ４とすると、高さｈ１、ｈ２およびｈ４は、ｈ２＜ｈ４＜ｈ１で示す関係を満たす。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
この発明に従った半導体装置の製造方法は、厚さの異なるゲート絶縁膜を有する半導体装置の製造方法であって、第１および第２の領域を有する半導体基板の主表面にトレンチを形成する工程と、トレンチを充填する分離絶縁膜を形成する工程と、分離絶縁膜に連なり主表面を覆う第１の絶縁膜を形成する工程と、第１の領域において、分離絶縁膜に連なる第１の絶縁膜の部分を覆い、かつ第１の絶縁膜の他の部分を露出させるマスク層を第１の絶縁膜の上に形成するとともに、第２の領域において、第１の絶縁膜の上にマスク層を形成する工程と、マスク層をマスクとしてマスク層から露出した第１の絶縁膜の部分をエッチングして主表面を露出させる工程と、マスク層を除去する工程と、第１の領域において、露出した主表面にゲート絶縁膜を形成するとともに、分離絶縁膜とゲート絶縁膜との間に残存した第１の絶縁膜の厚みを増加させて中間絶縁膜を形成するとともに、第２の領域において、残存した第１の絶縁膜の厚みを増加させて中間絶縁膜を形成する工程と、第１および第２の領域において、ゲート絶縁膜と中間絶縁膜と分離絶縁膜との上にゲート電極を形成する工程とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月14日(2005.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜トランジスタ又は半導体装置の設計方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上にソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を有する半導体膜を形成し、前記半導体膜上にゲート電極を形成する薄膜トランジスタの設計方法において、
前記ゲート電極の表面積が一定以下かつ前記チャネル形成領域の面積が一定以上となる第１の条件、前記ゲート電極の表面積が一定以上かつ前記チャネル形成領域の面積が一定以上となる第２の条件、又は前記ゲート電極の表面積が一定以下かつ前記チャネル形成領域の面積が一定以下となる第３の条件のうち少なくとも１つの条件を満たすように設計することを特徴とする薄膜トランジスタの設計方法。
【請求項２】
絶縁表面上にソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を有する半導体膜を形成し、前記半導体膜上にゲート電極を形成する薄膜トランジスタの設計方法において、
前記ゲート電極の表面積が１０００μｍ2以下かつ前記チャネル形成領域の面積が８０μｍ2以上となる第１の条件、前記ゲート電極の表面積が１０００μｍ2以上かつ前記チャネル形成領域の面積が８０μｍ2以上となる第２の条件、又は前記ゲート電極の表面積が１０００μｍ2以下かつ前記チャネル形成領域の面積が８０μｍ2以下となる第３の条件のうち少なくとも１つの条件を満たすように設計することを特徴とする薄膜トランジスタの設計方法。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記チャネル形成領域はチャネル長が１０μｍ以上又はチャネル幅が１０μｍ以上であることを特徴とする薄膜トランジスタの設計方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記ソース領域及び前記ドレイン領域と、前記チャネル形成領域との間に前記ゲート電極と重なって設けられた低濃度不純物領域を有し、前記チャネル形成領域の面積は前記チャネル形成領域と前記低濃度不純物領域を合わせた面積であることを特徴とする薄膜トランジスタの設計方法。
【請求項５】
絶縁表面上にソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を有する半導体膜を形成し、前記半導体膜上に複数のゲート電極を形成する薄膜トランジスタの設計方法において、
前記ゲート電極の表面積の和が１０００μｍ2以下かつ前記チャネル形成領域の面積の和が８０μｍ2以上となる第１の条件、前記ゲート電極の表面積の和が１０００μｍ2以上かつ前記チャネル形成領域の面積の和が８０μｍ2以上となる第２の条件、又は前記ゲート電極の表面積の和が１０００μｍ2以下かつ前記チャネル形成領域の面積の和が８０μｍ2以下となる第３の条件のうち少なくとも１つの条件を満たすように設計することを特徴とする薄膜トランジスタの設計方法。
【請求項６】
絶縁表面上に形成されたソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を有する複数の半導体膜と、前記複数の半導体膜上に形成された各々ゲート電極と、前記ゲート電極を覆って形成された絶縁膜と、前記絶縁膜において前記ソース領域及び前記ドレイン領域上方に形成された開口部と、前記開口部に形成された配線とを有し、前記配線により複数のゲート電極が電気的に接続される複数の薄膜トランジスタの設計方法において、
前記各々のゲート電極の表面積が１０００μｍ2以上であるとき前記チャネル形成領域の面積が８０μｍ2以上となるように設計することを特徴とする薄膜トランジスタの設計方法。
【請求項７】
請求項２乃至６のいずれか一において、前記絶縁表面はガラス基板の表面であることを特徴とする薄膜トランジスタの設計方法。
【請求項８】
絶縁表面上に形成されたソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を有する半導体膜と、前記半導体膜上に形成されたゲート電極とを有する複数の薄膜トランジスタを備えた半導体装置の設計方法において、
前記ゲート電極の表面積が１０００μｍ2以下かつ前記チャネル形成領域の面積が８０μｍ2以上となる第１の条件、前記ゲート電極の表面積が１０００μｍ2以上かつ前記チャネル形成領域の面積が８０μｍ2以上となる第２の条件、又は前記ゲート電極の表面積が１０００μｍ2以下かつ前記チャネル形成領域の面積が８０μｍ2以下となる第３の条件から選ばれたいずれか一つ又は複数の条件を満たすように設計する複数の薄膜トランジスタを備えた半導体装置の設計方法。
【請求項９】
請求項８において、前記チャネル形成領域面積はチャネル長が１０μｍ以上又はチャネル幅が１０μｍ以上であることを特徴とする半導体装置の設計方法。
【請求項１０】
請求項８又は９において、前記ソース領域及び前記ドレイン領域と、前記チャネル形成領域との間に前記ゲート電極と重なって設けられた低濃度不純物領域を有し、前記チャネル形成領域の面積は前記チャネル形成領域と前記低濃度不純物領域を合わせた面積であることを特徴とする半導体装置の設計方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月23日(2005.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
セミカスタムＬＳＩは、ＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｌｏｇｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅ）、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｇａｔｅ  Ａｒｒａｙ）、ゲートアレイ、セルベース方式（スタンダードセルとも呼ばれる。）に大別される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
このように形成された基本集合素子では、突出部以外のｐ型の活性領域４１上及びｎ型の活性領域４２上で、ゲート配線４３，４４，４５，４６の間にコンタクトホール４７，４８，４９，５０，５１，５２が存在しなくなる。そのため、ゲート配線４３，４４，４５，４６は、コンタクトホール４７，４８，４９，５０，５１，５２の位置の制限を受けることなく、突出部以外のｐ型の活性領域４１上及びｎ型の活性領域４２上に配置することができる。従って、ゲート配線４３，４４，４５，４６のゲートパターン（ゲート形状）は、突出部以外のｐ型の活性領域４１及びｎ型の活性領域４２上で均一の配置することが可能となる。なお、ゲート配線４３，４４，４５，４６は、突出部を迂回するように形成される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月21日(2005.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
このコンタクト孔形成工程の簡略化が可能になる半導体装置の製造方法として、特開平１１−２８４１３８号公報に開示の半導体装置の製造方法がある。上記公報に開示された半導体装置の製造方法においては、ゲート電極保護用の窒化膜系絶縁膜の一部を、予め層間絶縁膜を堆積する工程の前に除去しておくことにより、コンタクト孔形成工程において同時に基板コンタクト孔と電極コンタクト孔とを開孔することが可能になる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
次に、図７を参照して、レジスト膜３１の除去後、周辺回路トランジスタのソース領域およびドレイン領域の一部となるエクステンション層１９ａ，２０ａのイオン注入を行なう。この後、シリコン基板１主表面の全面に２０００Åのサイドウォール絶縁膜となる酸化膜２１を堆積する。なお、メモリセルトランジスタのコントロールゲート電極に対して自己整合的に基板コンタクトを形成する場合には、上記２０００Å程度の酸化膜に代えて、１００Å程度の下敷き酸化膜および１９００Å程度の窒化膜を順次積層する。