【手続補正書】
【提出日】令和3年2月12日(2021.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理領域およびプラズマ領域を画定するチャンバ本体を有する処理チャンバと、
前記処理チャンバに結合されたチャンバシーズニングシステムであって、前記処理領域および前記プラズマ領域をシーズニングするように構成されたチャンバシーズニングシステムと、
前記処理チャンバと連通する遠隔プラズマ洗浄システムであって、前記処理領域および前記プラズマ領域を洗浄するように構成された遠隔プラズマ洗浄システムと、
を備えるプラズマ処理システムであって、前記処理チャンバが、
ブロッカープレートと、
無線周波数（ＲＦ）電源に接続された電極である、前記ブロッカープレートの下方に位置付けられたフェースプレートと、
前記ＲＦ電源に接続された電極である、前記フェースプレートの下方に位置付けられたイオンブロッカープレートであって、前記フェースプレートと当該イオンブロッカープレートはそれらの間に前記プラズマ領域を画定する、イオンブロッカプレートと、
前記イオンブロッカプレートの下に位置付けられたデュアルチャネルシャワーヘッドであって、前記イオンブロッカープレートの底面と接触するデュアルチャネルシャワーヘッドと
を備える、プラズマ処理システム。
【請求項２】
前記イオンブロッカープレートが、六角形パターンに配置された複数の開孔が形成されたディスク形状の本体を備え、前記デュアルチャネルシャワーヘッドが、それを貫通して形成された複数の開口部を備え、前記デュアルチャネルシャワーヘッドの前記複数の開口部が、前記イオンブロッカプレートの前記六角形パターンからオフセットされたパターンで配置されている、請求項１に記載のプラズマ処理システム。
【請求項３】
前記デュアルチャネルシャワーヘッドが、
前記デュアルチャネルシャワーヘッドに形成された１つ以上のガス通路と、
前記デュアルチャネルシャワーヘッドに形成された第２の複数の開口部であって、前記第２の複数の開口部の各々が、前記１つ以上のガス通路に流体的に結合されている、第２の複数の開口部と、
をさらに備える、請求項２に記載のプラズマ処理システム。
【請求項４】
前記チャンバシーズニングシステムが、
前記チャンバ本体の上部マニホールドに結合された第１のバルブであって、開位置と閉位置との間で設定可能である第１のバルブと、
前記処理領域と流体連通する第２のバルブと、
を備える、請求項１に記載のプラズマ処理システム。
【請求項５】
前記遠隔プラズマ洗浄システムが、
遠隔プラズマ発生器と、
前記遠隔プラズマ発生器に結合された上部分割マニホールドと、
を備え、前記上部分割マニホールドが、
前記上部分割マニホールドを前記処理チャンバの上部マニホールドに結合する第１のバルブであって、開状態と閉状態との間で設定可能である第１のバルブを備える、請求項１に記載のプラズマ処理システム。
【請求項６】
第２の処理領域および第２のプラズマ領域を画定するチャンバ本体を有する第２の処理チャンバであって、前記チャンバシーズニングシステムが、前記第２の処理チャンバに結合されていて、前記第２の処理領域および前記第２のプラズマ領域をシーズニングするように構成されており、前記遠隔プラズマ洗浄システムが、前記第２の処理チャンバと連通していて、前記第２の処理領域および前記第２のプラズマ領域を洗浄するように構成されている、第２の処理チャンバを、さらに備える、請求項１に記載のプラズマ処理システム。
【請求項７】
処理チャンバをシーズニングする方法であって、
前記処理チャンバ内でプラズマを生成することを含む、前記処理チャンバの第１の領域をシーズニングすることと、
前記第１の領域をシーズニングすることに続いて実行される、前記処理チャンバの第２の領域をシーズニングすることと、
を含む方法。
【請求項８】
前記処理チャンバの前記第１の領域をシーズニングすることが、
チャンバシーズニングシステムと前記処理チャンバとの間の第１のバルブであって、前記チャンバシーズニングシステムから前記処理チャンバの前記第１の領域へのシーズニングガスの流れを制御する第１のバルブを開くことと、
前記チャンバシーズニングシステムと前記処理チャンバとの間の第２のバルブであって、前記チャンバシーズニングシステムから前記処理チャンバの前記第２の領域への前記シーズニングガスの流れを制御する第２のバルブを閉じることにより、流れを止めることと、
を含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記処理チャンバの第２の領域をシーズニングすることが、前記第１の領域をシーズニングすることに続いて実行され、
チャンバシーズニングシステムと前記処理チャンバとの間の第２のバルブであって、前記チャンバシーズニングシステムから前記処理チャンバの前記第２の領域へのシーズニングガスの流れを制御する第２のバルブを開くことを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
前記処理チャンバの第２の領域をシーズニングすることが、前記第１の領域をシーズニングすることに続いて実行され、
チャンバシーズニングシステムと前記処理チャンバとの間の第１のバルブであって、前記チャンバシーズニングシステムから前記処理チャンバの前記第１の領域への前記シーズニングガスの流れを制御する第１のバルブを閉じることにより、流れを止めることを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記処理チャンバの前記第１の領域が、前記処理チャンバのフェースプレートと選択的調節装置との間に画定されたプラズマ領域であり、前記処理チャンバの前記第２の領域が、前記処理チャンバのシャワーヘッドとペデスタルとの間に画定された処理領域である、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
基板を処理する方法であって、
基板処理チャンバ内のイオンブロッカとフェースプレートとの間に画定されたプラズマ領域内に導電結合プラズマを生成することと、
ラジカルが前記イオンブロッカを通過して前記基板の上の処理領域に入ることができるようにしながら、前記導電結合プラズマ内のイオンをフィルタリングすることと、
前駆体ガスと前記プラズマの前記ラジカルが前記処理領域内で反応するように、シャワーヘッドを通して前記前駆体ガスを前記処理領域に流すことと、
を含む方法。
【請求項１３】
基板処理チャンバ内のイオンブロッカとフェースプレートとの間に画定されたプラズマ領域内に導電結合プラズマを生成することが、
ＲＦ電力を前記イオンブロッカおよび前記フェースプレートに印加して、前記プラズマ領域内の反応ガスに印加することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記反応ガスが、酸素系ガスであり、
前記前駆体ガスが、シリコン系ガスである、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記導電結合プラズマがフッ素ラジカルを含む、請求項１２に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
［００３８］ブロック５０４で、処理チャンバ１１０Ａの第１の領域が、シーズニングプロセスを受ける。例えば、処理チャンバ１１０Ａの第１の領域は、イオンブロッカプレート１２８とフェースプレート１２６との間のプラズマ領域１１１であってもよい。ブロック５０４は、サブブロック５０６〜５１０を含む。サブブロック５０６で、チャンバシーズニングシステム１６０の第１のバルブ１６６が、開かれる。チャンバシーズニングシステム１６０の第１のバルブ１６６は、１つ以上のガス源からプラズマ領域１１１への流体連通を提供する。開位置で、シーズニングガスが、ガス源からプラズマ領域１１１に流れることができる。例えば、シーズニングガスは、ガス源１２４によって供給される反応ガスおよびキャリアガスと混合するキャリアガスと前駆体ガスの混合物を含んでもよい。サブブロック５０８で、チャンバシーズニングシステム１６０の第２のバルブ１６８が、閉位置に維持されるか、または閉位置に設定される。チャンバシーズニングシステム１６０の第２のバルブ１６８は、１つ以上のガス源から、シャワーヘッド１４４を介して、シャワーヘッド１４４とペデスタル１１４との間に画定された処理領域１３１への流体連通を提供する。サブブロック５１０で、フェースプレート１２６およびイオンブロッカプレート１２８にＲＦ電力が印加されて、プラズマ領域１１１内にプラズマを発生させる。例えば、シーズニングガスがフェースプレート１２６を通ってプラズマ領域１１１に入ると、フェースプレート１２６とイオンブロッカプレート１２８にＲＦが印加される。したがって、反応ガスが解離し始め、前駆体の追加のために、膜の堆積が、ほぼ即座に始まる。こうして、ＲＦが印加されると、解離と堆積の両方が、ほぼ同時に始まる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
［００３９］ブロック５１２で、処理チャンバ１１０Ａの第２の領域が、シーズニングプロセスを受ける。例えば、処理チャンバ１１０Ａの第２の領域は、シャワーヘッド１４４とペデスタル１１４との間の処理領域１３１であってもよい。ブロック５１２は、サブブロック５１４〜５２０を含む。サブブロック５１４で、チャンバシーズニングシステム１６０の第２のバルブ１６８が、開かれる。チャンバシーズニングシステム１６０の第２のバルブ１６８は、１つ以上のガス源から処理領域１３１への流体連通を提供する。開位置で、シーズニングガスが、ガス源から処理領域１３１に流れることができる。例えば、シーズニングガスは、ガス源１２４によって供給される反応ガスおよびキャリアガスと混合するキャリアガスと前駆体ガスの混合物を含んでもよい。サブブロック５１６で、チャンバシーズニングシステム１６０の第１のバルブ１６６が、閉位置に設定される。第１のバルブ１６６を閉じると、ガス源からプラズマ領域１１１へのガスの流れが遮断され、ガスの流れを第２のバルブへ移動させる。サブブロック５１８で、反応ガスが、処理チャンバ１１０Ａに供給される。それによって、反応ガスは、プラズマ領域１１１に入る。サブブロック５２０で、フェースプレート１２６およびイオンブロッカプレート１２８にＲＦ電力が印加されて、プラズマ領域１１１内にプラズマを発生させる。例えば、反応ガスがプラズマ領域１１１に入ると、フェースプレート１２６とイオンブロッカプレート１２８にＲＦが印加される。それによって、反応ガスは、その中で解離し始める。上部シーズニングとは異なり、前駆体ガスはプラズマ領域１１１の下のシャワーヘッド１４４に供給されており、他方、前駆体ガスはプラズマ領域１１１を通って流れていないので、プラズマ領域１１１内で堆積は起こらない。次いで、キャリアガスを伴う前駆体が、シャワーヘッド１４４に入る。したがって、キャリアガスを伴う前駆体は、第１の複数の開口部を通ってシャワーヘッド１４４を出て、プラズマ領域１１１で形成されたプラズマは、第２の複数の開口部を通ってシャワーヘッド１４４を出る。それゆえ、前駆体およびキャリアガスは、処理領域１３１に入るまで、反応ガスと混合しない。したがって、シャワーヘッド１４４を通過するガスとラジカルとの混合物は、シャワーヘッド１４４を通過する前駆体ガスおよびキャリアガスと、処理領域１３１内で混合し、反応して、堆積が生じ得る。