(57)【要約】【課題】半導体ウェーハの表裏面を保持することなく半導体ウェーハの周辺部を研磨する。【解決手段】半導体ウェーハ周辺部の研磨方法は、表裏面をフリーな状態にして所定の間隔をあけて鉛直方向に保持された複数の半導体ウェーハ１４を、研磨スラリー１１を保持し回転する研磨ローラ１３に接触回転させてウェーハの周辺部を研磨する。研磨装置は、研磨スラリーが貯留されて上方が開放したタンク１２と、ローラの一部がスラリーの液面より上部に存在してかつ水平にタンクに設けられた研磨ローラと、研磨ローラと平行に設けられウェーハ周辺部形状に相応した形状の複数の周溝１６ａが所定の間隔をあけて形成された周溝にウェーハ周辺部を収容することにより研磨ローラとともに複数の半導体ウェーハを鉛直状態に保持する複数の回転ローラ１６と、研磨ローラを回転駆動する第１ローラ回転手段と、複数の回転ローラを回転駆動する第２ローラ回転手段とを備える。【選択図】  図１
2010034429.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハ表裏面をフリーな状態にして所定の間隔をあけて鉛直方向に保持された複数の半導体ウェーハを、研磨スラリーを保持して回転する研磨ローラに接触回転させて前記ウェーハの周辺部を研磨することを特徴とする半導体ウェーハ周辺部の研磨方法。
【請求項２】
研磨ローラに接触回転した直後の半導体ウェーハの周辺部に超純水を噴射して前記ウェーハに付着した研磨スラリーを除去することを特徴とする請求項１記載の半導体ウェーハ周辺部の研磨方法。
【請求項３】
研磨ローラに接触回転して研磨される半導体ウェーハの数と少なくとも同数の周溝が前記研磨ローラに形成され、前記周溝の内面形状が前記ウェーハの所望の面取り形状に相応する請求項１又は２記載の半導体ウェーハ周辺部の研磨方法。
【請求項４】
研磨ローラの周囲を研削した後、前記研磨ローラに接触回転して研磨される半導体ウェーハの数と少なくとも同数の周溝を前記研磨ローラに形成することを特徴とする請求項３記載の半導体ウェーハ周辺部の研磨方法。
【請求項５】
複数の半導体ウェーハをウェーハキャリアに収容した状態で研磨ローラに接触回転させることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体ウェーハ周辺部の研磨方法。
【請求項６】
ウェーハキャリアに収容していた複数の半導体ウェーハを前記キャリアから取り出した状態で研磨ローラに接触回転させることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体ウェーハ周辺部の研磨方法。
【請求項７】
研磨スラリーが貯留されて上方が開放したタンクと、
ローラの一部が前記スラリーの液面より上部に存在して、かつ水平に前記タンクに設けられた研磨ローラと、
前記研磨ローラと平行に設けられウェーハ周辺部形状に相応した形状の複数の周溝が所定の間隔をあけて形成され前記周溝にウェーハ周辺部を収容することにより前記研磨ローラとともに複数の半導体ウェーハを鉛直状態に保持する複数の回転ローラと、
前記研磨ローラを回転駆動する第１ローラ回転手段と、
前記複数の回転ローラを回転駆動する第２ローラ回転手段と
を備え、
前記第１及び第２ローラ回転手段により前記研磨ローラ及び前記複数の回転ローラを回転駆動して前記ウェーハを円周方向に回転させることにより前記研磨ローラに保持された研磨スラリーで前記ウェーハの周辺部を研磨する
ことを特徴とする半導体ウェーハ周辺部の研磨装置。
【請求項８】
研磨ローラに接触回転した直後の半導体ウェーハの周辺部に超純水を噴射するためのシャワーノズルを更に備えたことを特徴とする請求項７記載の半導体ウェーハ周辺部の研磨装置。
【請求項９】
研磨ローラに接触回転して研磨される半導体ウェーハの数と少なくとも同数の周溝が前記研磨ローラに形成され、前記周溝の内面形状が前記ウェーハの所望の面取り形状に相応することを特徴とする請求項７又は８記載の半導体ウェーハ周辺部の研磨装置。
【請求項１０】
研磨ローラが高硬度材料からなる軸芯とこの軸芯の周囲に設けられたエンジニアリングプラスチックと前記エンジニアリングプラスチックの周囲に設けられた研磨クロスとにより構成されたことを特徴とする請求項７記載の半導体ウェーハ周辺部の研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハの周辺部を研磨する方法及びその装置に関する。更に詳しくは面取り工程（ＰＣＲ工程）に続く研磨工程で損傷した半導体ウェーハの周辺部を研磨する方法及びその装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の標準的なウェーハの加工プロセスは、スライス工程、１次面取り工程、ラップ工程、仕上げ面取り工程、エッチング工程を備える。即ち、スライス工程では、ブロック切断されたインゴットからシリコンウェーハをスライスする。次に、１次面取り工程を行い、この工程では、このシリコンウェーハの外周部に粗い面取り加工を施す。続いてラップ工程を行い、このラップ工程では、ラップ盤によりそのシリコンウェーハの表裏両面をラッピング加工する。このラッピングの工程の場合、通常、片面で２０〜４０μｍ、両面で４０〜８０μｍ程度の取り代となる。その後、必要に応じて仕上げ面取り工程が施される。この仕上げ面取り工程では、１次面取りされたシリコンウェーハの外周面を仕上げ面取りする。続いて、シリコンウェーハを所定のエッチング液（混酸、アルカリ又はアルカリと混酸との混合溶液）に浸漬し、そのラップ加工での歪み、面取り工程での歪みなどを除去する。このエッチング工程では、通常、片面で１０〜２０μｍ、両面で２０〜４０μｍをエッチングする。
【０００３】
また、従来の標準的なウェーハの加工プロセスでは、上記エッチング工程の後に、面取り工程であるＰＣＲ（Polishing Corner Rounding）工程、１次研磨工程及び仕上げ研磨工程が行われる。即ち、次のＰＣＲ工程では、シリコンウェーハの表裏両面がチャックに吸着された状態でウェーハ外周部にＰＣＲ加工が施される。このＰＣＲ加工では、面取り面が研磨布により鏡面仕上げされる。続いて１次研磨工程が行われる。この１次研磨工程では、両面研磨装置を用いて、シリコンウェーハの表裏両面を１次研磨する。このとき、シリコンウェーハの表裏両面が、それぞれ５〜１０μｍ研磨される。これにより、エッチング後のシリコンウェーハの凹凸を除去し、平坦度を向上させる。その後、仕上げ研磨工程が行われ、この仕上げ研磨工程では、２μｍ以下の研磨量で仕上げ研磨される。そして、最終洗浄、検査が施されてデバイスメーカなどへ出荷される。
【０００４】
しかし、１次研磨工程では、キャリアプレート（ウェーハ保持板）に形成されたウェーハ保持孔内にシリコンウェーハを挿入・保持し、その後に研磨砥粒を含む研磨液をシリコンウェーハに供給しながら、各シリコンウェーハの表裏面を同時に研磨するので、この１次研磨にあっては、直前のＰＣＲ工程で鏡面仕上げしたシリコンウェーハの外周面取り面が、キャリアプレートのウェーハ保持孔の内周面と接触し、擦れを起こしてシリコンウェーハＷの最外周部を傷つけるおそれがあった。
【０００５】
この問題点を解消するために、面取りされた半導体ウェーハを、ウェーハ保持板に形成されたウェーハ保持孔に挿入・保持して、この半導体ウェーハに粗い研磨を施す粗研磨工程と、粗研磨後、半導体ウェーハの外周部の面取り面を鏡面仕上げするＰＣＲ工程と、ＰＣＲ加工後、半導体ウェーハの研磨面を仕上げ研磨する仕上げ研磨工程とを備えた半導体ウェーハの製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。この製造方法によれば、粗研磨工程と仕上げ研磨工程との間にＰＣＲ工程を配置したので、仮に粗研磨中、半導体ウェーハの面取り面が、研磨装置に配備されたウェーハ保持板のウェーハ保持孔の内周面と接触し、半導体ウェーハの最外周部に擦れによる傷をつけたとしても、その後のＰＣＲ工程で、半導体ウェーハの最外周部の擦れによるダメージを除去することができるとしている。
【特許文献１】特開２００２−２９９２９０号公報（明細書［０００９］、［００１４］、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上記従来の半導体ウェーハの製造方法では、そのＰＣＲ工程時には、半導体ウェーハの片面又は表裏両面を保持板に吸着した状態で行われる。即ち、ＰＣＲ加工装置としては、例えば円筒形状のウレタンバフを回転させ、この回転しているバフの外周面又は内周面に、保持板に吸着・保持された半導体ウェーハの外周面を接触させて、この外周面を鏡面加工するものなどが採用される。従って、このＰＣＲ工程では、その吸着・保持面であるウェーハ面がその吸着保持によりダメージを受ける不具合がある。このダメージを解消するために、その後の仕上げ研磨工程が必須の工程となり、全体の作業工程を短縮することに限界があった。
本発明の目的は、半導体ウェーハの片面又は表裏両面を保持することなく半導体ウェーハの周辺部を研磨し、その後の仕上げ研磨工程を不要にし得る半導体ウェーハ周辺部の研磨方法及びその装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に係る発明は、ウェーハ表裏面をフリーな状態にして所定の間隔をあけて鉛直方向に保持された複数の半導体ウェーハを、研磨スラリーを保持し回転する研磨ローラに接触回転させてウェーハの周辺部を研磨する半導体ウェーハ周辺部の研磨方法である。
請求項２に係る発明は、請求項1に係る発明であって、研磨ローラに接触回転した直後の半導体ウェーハの周辺部に超純水を噴射してウェーハに付着した研磨スラリーを除去することを特徴とする。
【０００８】
請求項３に係る発明は、請求項1又は２に係る発明であって、研磨ローラに接触回転して研磨される半導体ウェーハの数と少なくとも同数の周溝が研磨ローラに形成され、周溝の内面形状がウェーハの所望の面取り形状に相応することを特徴とする。
請求項４に係る発明は、請求項３に係る発明であって、研磨ローラの周囲を研削した後、研磨ローラに接触回転して研磨される半導体ウェーハの数と少なくとも同数の周溝を研磨ローラに形成することを特徴とする。
【０００９】
請求項５に係る発明は、請求項1又は２に係る発明であって、複数の半導体ウェーハをウェーハキャリアに収容した状態で研磨ローラに接触回転させることを特徴とする。
請求項６に係る発明は、請求項1又は２に係る発明であって、ウェーハキャリアに収容していた複数の半導体ウェーハをキャリアから取り出した状態で研磨ローラに接触回転させることを特徴とする。
【００１０】
請求項７に係る発明は、研磨スラリーが貯留されて上方が開放したタンクと、ローラの一部がスラリーの上部に存在して、かつ水平にタンクに設けられた研磨ローラと、研磨ローラと平行に設けられウェーハ周辺部形状に相応した形状の複数の周溝が所定の間隔をあけて形成され周溝にウェーハ周辺部を収容することにより研磨ローラとともに複数の半導体ウェーハを鉛直状態に保持する複数の回転ローラと、研磨ローラを回転駆動する第１ローラ回転手段と、複数の回転ローラを回転駆動する第２ローラ回転手段とを備え、第１及び第２ローラ回転手段により研磨ローラ及び複数の回転ローラを回転駆動してウェーハを円周方向に回転させることにより研磨ローラに保持された研磨スラリーでウェーハの周辺部を研磨することを特徴とする半導体ウェーハ周辺部の研磨装置である。
【００１１】
請求項８に係る発明は、請求項７に係る発明であって、研磨ローラに接触回転した直後の半導体ウェーハの周辺部に超純水を噴射するためのシャワーノズルを更に備えたことを特徴とする。
請求項９に係る発明は、請求項７又は８に係る発明であって、研磨ローラに接触回転して研磨される半導体ウェーハの数と少なくとも同数の周溝が研磨ローラに形成され、周溝の内面形状がウェーハの所望の面取り形状に相応することを特徴とする。
請求項１０に係る発明は、請求項７に係る発明であって、研磨ローラが高硬度材料からなる軸芯とこの軸芯の周囲に設けられたエンジニアリングプラスチックとこのエンジニアリングプラスチックの周囲に設けられた研磨クロスとにより構成されたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の半導体ウェーハ周辺部の研磨方法及びその装置では、ウェーハ表裏面をフリーな状態にして所定の間隔をあけて鉛直方向に保持された複数の半導体ウェーハを、研磨スラリーを保持し回転する研磨ローラに接触回転させてウェーハの周辺部を研磨するので、その研摩に際して半導体ウェーハの片面又は表裏両面を保持板に吸着させるようなことをしない。このため、その吸着・保持面であるウェーハの片面又は表裏面がその吸着保持によりダメージを受けるようなことはなく、このダメージを解消するために従来必要とされた仕上げ研磨工程を不要とすることができ、全体の作業工程を著しく短縮することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
次に本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
図１及び図２に示すように、本発明の半導体ウェーハ周辺部の研磨装置１０は、研磨スラリー１１が貯留されて上方が開放したタンク１２と、スラリー１１の液面より上部が存在して、かつ水平にタンク１２に設けられた研磨ローラ１３と、研磨ローラ１３とともに複数の半導体ウェーハ１４をその表裏面をフリーな状態にして鉛直状態に保持する複数の回転ローラ１６とを備える。研磨スラリー１１は半導体ウェーハ１４の周辺部を研磨するためのものであり、コロイダルシリカ（シリカゾル）などの遊離低粒を含むものが挙げられる。このスラリー１１を貯留するタンク１２は、細長の金属製もしくは樹脂製容器であって、研磨ローラ１３はその長手方向の全長にわたってローラ１３の一部がスラリー１１の上部に存在して、かつ水平に設けられる。
【００１４】
回転ローラ１６は、半導体ウェーハ１４を鉛直状態に保持するものであり、この実施の形態では、５本の回転ローラ１６が研磨ローラ１３と平行に設けられる場合を示す。そして、この５本の回転ローラ１６は、半導体ウェーハ１４を下から支えるためのものとして２本用いられ、半導体ウェーハ１４を上から押さえるものとして３本用いられる。このようにして５本の回転ローラ１６は、半導体ウェーハ１４を上下から挟むように半導体ウェーハ１４の上下にそれぞれ設けられる。そして、これらの複数の回転ローラ１６には、ウェーハ１４周辺部形状に相応した形状の複数の周溝１６ａが所定の間隔をあけてそれぞれ形成され（図２）、その周溝１６ａにウェーハ１４の周辺部を収容することにより、研磨ローラ１３とともに複数の半導体ウェーハ１４の全てを所定の間隔をあけた状態で鉛直状態に保持するように構成される。
【００１５】
図３に示すように、タンク１２に設けられたこの実施の形態における研磨ローラ１３は、ステンレス鋼などの高硬度材料からなる軸芯１３ａと、この軸芯１３ａの周囲に設けられたエンジニアリングプラスチック１３ｂと、このエンジニアリングプラスチック１３ｂの周囲に設けられた研磨クロス１３ｃとにより構成される。そして、図４に詳しく示すように、研磨ローラ１３に研磨される半導体ウェーハ１４の数と少なくとも同数の周溝１３ｄがこの研磨ローラ１３の研磨クロス１３ｃに形成され、その周溝１３ｄの内面形状がウェーハ１４の所望の面取り形状に形成される。ここで、図４ではその断面形状が半円形のものを示し、その半円形状に相応して面取り形状が形成されるものを示す。
【００１６】
図１及び図２に戻って、研磨ローラ１３に接触回転した直後の半導体ウェーハ１４の周辺部に超純水１８（図１）を噴射するためのシャワーノスル１７が備えられる。そして、図示しないが、本発明の研磨装置１０は、研磨ローラ１３を回転駆動する第１ローラ回転手段と、複数の回転ローラ１６を回転駆動する第２ローラ回転手段が設けられる。この実施の形態におけるこれらの回転手段は電動モータが用いられるが、これらの回転手段はブラシレスモータ、サーボモータや超音波モータであっても良い。そして、この図示しない第２ローラ回転手段により複数の回転ローラ１６を図の実線矢印で示すように回転駆動させると、ウェーハ１４が円周方向に図１の実線矢印で示すように回転するように構成される。この状態で、図示しない第１ローラ回転手段により研磨ローラ１３を同様に図１の実線矢印で示すように回転駆動させると、研磨ローラ１３に保持された研磨スラリー１１でウェーハ１４の周辺部を研磨するように構成される。
【００１７】
次に、このような装置を用いた本発明の半導体ウェーハ周辺部の研磨方法を説明する。
図１に示すように、先ず、表裏面をフリーな状態にして複数の半導体ウェーハ１４を所定の間隔をあけて鉛直方向に保持する。一般的に、複数の半導体ウェーハ１４はウェーハキャリアに収容されているが、この周辺部の研磨はそのキャリアから取り出した状態で研磨される場合を示す。即ち、図示しないキャリアから取り出された複数の半導体ウェーハ１４の保持は、５本の回転ローラ１６により行われ、そのうちの２本が半導体ウェーハ１４を下から支え、残りの３本がその半導体ウェーハ１４を上から押さえる。その際、回転ローラ１６の周溝１６ａにウェーハ１４の周辺部を収容し、複数の回転ローラ１６により上下から挟むことにより、複数の半導体ウェーハ１４の全てを所定の間隔をあけた状態で鉛直状態に保持する。
【００１８】
次に、図示しない第２ローラ回転手段により複数の回転ローラ１６を図１の実線矢印で示すように回転駆動させ、複数の半導体ウェーハ１４の全てを円周方向に矢印で示すように回転させる。それとともに、複数の半導体ウェーハ１４の周辺部に研磨ローラ１３の周囲を接触させ、図示しない第１ローラ回転手段により研磨ローラ１３を同様に図１の実線矢印で示すように回転駆動させる。すると、研磨ローラ１３は、研磨スラリー１１を保持して回転することになり、このようにして複数の半導体ウェーハ１４の周辺部を研磨する。
【００１９】
従って、本発明の半導体ウェーハ周辺部の研磨方法及びその装置にあっては、その研摩に際して半導体ウェーハ１４の片面又は表裏両面を保持板に吸着させるようなことをしない。このため、その吸着・保持面であるウェーハの片面又は表裏両面がその吸着保持によりダメージを受けるようなことはなく、このダメージを解消するために従来必要とされた仕上げ研磨工程を不要とすることができ、全体の作業工程を著しく短縮することができる。
【００２０】
ここで、図４に示すように、研磨ローラ１３には、研磨される半導体ウェーハ１４の数と少なくとも同数の周溝１３ｄを研磨ローラ１３におけるクロス１３ｃに形成したので、半導体ウェーハ１４の周辺部を研磨すると、その周溝１３ｄの内面形状をウェーハ１４の所望の面取り形状に相応して研磨することができる。一方、使用によりクロス１３ｃには摩耗や目詰まりが生じるが、この実施の形態における研磨ローラ１３は、図３に示すように、ステンレス鋼などの高硬度材料からなる軸芯１３ａと、この軸芯１３ａの周囲に設けられたエンジニアリングプラスチック１３ｂと、このエンジニアリングプラスチック１３ｂの周囲に設けられた研磨クロス１３ｃとにより構成したので、このクロス１３ｃの周囲を研削することによりその目詰まりなどを解消させることができ、図６に示すように、クロス１３ｃを平坦に研削した後、図４に示すような周溝１３ｄを再び形成することも可能となる。
【００２１】
そして、図１に示すように、シャワーノズル１７からは、研磨ローラ１３に接触回転した直後の半導体ウェーハ１４の周辺部に超純水１８が噴射される。このため、半導体ウェーハ１４に付着した研磨スラリー１１はその噴射された超純水により半導体ウェーハ１４から除去され、ウェーハ１４の表面にスラリー１１が残存することによる不具合を回避することができる。
【００２２】
なお、上述した実施の形態では、断面形状が半円形の周溝１３ｄを有する研磨ローラ１３を例示したが、図５に示すように、その断面形状は台形状であっても良く、その研磨クロスを研削して、図６に示すように、その断面形状が平坦なものであっても良い。
【００２３】
また、上述した実施の形態では、ウェーハキャリアに収容していた複数の半導体ウェーハ１４をそのキャリアから取り出した状態で研磨ローラ１３に接触回転させる場合を説明したが、図７に示すように、複数の半導体ウェーハ１４をウェーハキャリア２１に収容した状態で研磨ローラ１３に接触回転させるようにしても良い。この場合に使用されるウェーハキャリア２１を図８に示す。このウェーハキャリア２１は、平行し対向する両側面に収納側壁２１ａ、２１ｂを有している。対向する両収納側壁２１ａ、２１ｂは、一方の収納側壁２１ａの端部と、これに対向する他方の収納側壁２１ｂの端部とを連結するように側壁２１ｃ、２１ｄによって支持されている。この側壁２１ｃ、２１ｄの略中央には開口部が設けられている。
【００２４】
収納側壁２１ａ、２１ｂの内側面には、ウェーハを垂直に収納可能な凹溝２１ｅ，２１ｆが一定の間隔を保ち多数配列し設けられている。凹溝２１ｅ，２１ｆは、ウェーハキャリア２１の対向する収納側壁２１ａ、２１ｂの内側面から中心に向かい、お互いに対向して設けられており、この凹溝２１ｅ，２１ｆは、約２〜５ｍｍほどの深さを有している。この凹溝２１ｅ，２１ｆは左側面に配設した凹溝２１ｅと、右側面に配設した凹溝２１ｆとを左右一対に具備している。また、ウェーハキャリア２１の底部には、収納側壁２１ａ、２１ｂと、凹溝２１ｅ，２１ｆとが垂直内側へ略Ｊ形状に屈曲し延長され底部が形成される。この底部には長手方向に連続する下部開口２１ｇが形成され、図７に示すように、この下部開口２１ｇを介してキャリア２１に収容されたウェーハ１４を回転させる回転ローラ１６とウェーハ１４の周辺部を研磨する研磨ローラ１３をそれぞれの周囲にウェーハ１４の周辺部が接触可能に構成される。
【００２５】
このような構成により形成されたウェーハキャリア２１を使用する場合、収納側壁２１ａ、２１ｂの内側面に複数整列された凹溝２１ｅ，２１ｆに、ウェーハ１４を挿入し複数配列させる。するとウェーハ１４は、その凹溝２１ｅ，２１ｆにより平行に複数枚が鉛直に支持された状態で配列され、互いのウェーハ１４はその凹溝２１ｅ，２１ｆにより一枚ずつ独立して収納されて接触することがない。その状態で、図７に示すように、そのキャリア２１の下部開口２１ｇを介して回転ローラ１６と研磨ローラ１３をそれぞれウェーハ１４の周辺部に接触させる。
【００２６】
ここで、ウェーハ１４がウェーハキャリア２１内に完全に収容されると、ウェーハ１４の外周面と凹溝２１ｅ，２１ｆとが互いに接触する面積が大きくなるため、ウェーハ１４の外周面と凹溝２１ｅ，２１ｆとの接触による摩擦力が大きくなる。このような状態で回転ローラ１６と研磨ローラ１３によってウェーハ１４を回転させると、摩擦力が大きいため、ウェーハ１４をスムーズに回転させることができなくなる。そこで、ウェーハ１４をウェーハキャリア２１内に完全に収容しない状態でウェーハ１４を回転させる。具体的には、下部開口２１ｇにおいて、回転ローラ１６及び研磨ローラ１３の高さ方向での位置を、ウェーハ１４がウェーハキャリア２１内に完全に収容されるような高さ方向での位置に対して上方へ１０〜２０ｍｍの位置に設定する。これにより、ウェーハ１４の外周面と凹溝２１ｅ，２１ｆとが互いに接触する面積が小さくなるため、ウェーハ１４の外周面と凹溝２１ｅ，２１ｆとの接触による摩擦力が小さくなり、結果として、ウェーハキャリア２１内に収容したウェーハ１４をスムーズに回転させることができる。
【００２７】
その後、図示しない第２ローラ回転手段により複数の回転ローラ１６を回転駆動させ、複数の半導体ウェーハ１４の全てを円周方向に矢印で示すように回転させる。それとともに、図示しない第１ローラ回転手段により研磨ローラ１３を回転駆動させ、キャリア２１の下部開口２１ｇを介して複数の半導体ウェーハ１４の周辺部を研磨する。
【００２８】
このように、複数の半導体ウェーハ１４をウェーハキャリア２１に収容した状態で研磨ローラ１３に接触回転させるようにすれば、半導体ウェーハ１４をウェーハキャリア２１から取り出す手間を省くことができ、研摩後の半導体ウェーハ１４をウェーハキャリア２１内に収容した状態で次の工程の作業場に運搬することができ。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の実施形態の半導体ウェーハ周辺部の研磨装置の断面構成図である。
【図２】本発明の実施形態の半導体ウェーハ周辺部の研磨装置の側面図である。
【図３】研摩ローラの断面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線断面図である。
【図５】断面が台形状の周溝を有する研摩ローラを示す、図４に対応する断面図である。
【図６】平坦な表面を有する研摩ローラを示す、図４に対応する断面図である。
【図７】ウェーハキャリアに収容したウェーハの周辺部を研磨する、図１に対応する断面構成図である。
【図８】ウェーハキャリアの斜視図である。
【符号の説明】
【００３０】
１０  研磨装置
１１  研磨スラリー
１２  タンク
１３  研磨ローラ
１３ａ  軸芯
１３ｂ  エンジニアリングプラスチック
１３ｃ  研磨クロス
１３ｄ  周溝
１４  半導体ウェーハ
１６  回転ローラ
１６ａ  周溝
１７  シャワーノズル
１８  超純水
２１  ウェーハキャリア
２１ａ，２１ｂ  収納側壁
２１ｅ，２１ｆ  凹溝
２１ｇ  下部開口
【図１】
2010034429.tif 000003
【図２】
2010034429.tif 000004
【図３】
2010034429.tif 000005
【図４】
2010034429.tif 000006
【図５】
2010034429.tif 000007
【図６】
2010034429.tif 000008
【図７】
2010034429.tif 000009
【図８】
2010034429.tif 000010