【手続補正書】
【提出日】平成17年3月24日(2005.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された薄膜トランジスタを含むレベル変換回路を備える表示装置であって、
前記レベル変換回路は、振幅が１．２Ｖ以下の非差動の入力信号を、より大きな振幅の信号に変換することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記入力信号は、振幅が、前記薄膜トランジスタのしきい値電圧の２倍より小さい信号であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記入力信号は、振幅が、前記薄膜トランジスタのしきい値電圧の１．６倍以下の信号であることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記入力信号は、振幅が、前記薄膜トランジスタのしきい値電圧以上、１．６倍以下の信号であることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記入力信号は、制御信号、あるいは表示データであることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記入力信号は、制御信号であり、
前記レベル変換回路は、第１電圧が供給される第１電源線と出力端子との間に接続され、ゲート電極に第１容量素子を介して前記入力信号が印加される第１導電型の第１トランジスタと、
前記出力端子と第２電圧が供給される第２電源線との間に接続され、ゲート電極に第２容量素子を介して前記入力信号が印加される第２導電型の第２トランジスタと、
前記第１トランジスタのゲート電極に第１バイアス電圧を印加する第１バイアス回路と、
前記第２トランジスタのゲート電極に第２バイアス電圧を印加する第２バイアス回路とを有し、
前記第１バイアス電圧は、前記第１トランジスタのゲート電極に印加される電圧が最大値のときに、前記第１トランジスタがオフとなる電圧であり、
前記第２バイアス電圧は、前記第２トランジスタのゲート電極に印加される電圧が最小値のときに、前記第２トランジスタがオフとなる電圧であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１バイアス電圧は、前記第１トランジスタのゲート電極に印加される電圧の最大値が、前記第１電圧から前記第１トランジスタのしきい値電圧を減算した電圧値となる電圧であり、
前記第２バイアス電圧は、前記第２トランジスタのゲート電極に印加される電圧の最小値が、前記第２電圧に前記第２トランジスタのしきい値電圧を加算した電圧値となる電圧であることを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記入力信号は、表示データであり、
前記レベル変換回路は、前記入力信号をサンプリングするサンプルホールド回路と、
ゲート電極に前記サンプルホールド回路の出力電圧が印加されるトランジスタと、
第１の電極が、第１電圧が供給される第１電源線に接続される第１スイッチング素子と、
第２の電極が、前記第１スイッチング素子の第２の電極に接続され、第１の電極が、前記トランジスタの第２の電極に接続される第２スイッチング素子と、
前記第２スイッチング素子の第２の電極に接続される電圧保持回路と、
前記第１電源線と、第２電圧が供給される第２電源線との間に接続され、前記電圧保持回路の出力電圧が入力されるインバータ回路と、
前記トランジスタの第１の電極にバイアス電圧を印加するバイアス回路とを有し、
前記バイアス電圧は、前記トランジスタのゲート電極に印加される電圧が最小値のときに、前記トランジスタがオフとなる電圧であることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
前記バイアス電圧は、前記第２電圧から前記トランジスタのしきい値電圧を減算した電圧であることを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
低振幅の制御信号を、より大きな振幅の信号に変換する第１のレベル変換回路と、
低振幅の表示データを、より大きな振幅の信号に変換する第２のレベル変換回路とを備える表示装置であって、
前記第１のレベル変換回路は、第１電圧が供給される第１電源線と出力端子との間に接続され、ゲート電極に第１容量素子を介して前記制御信号が印加される第１導電型の第１トランジスタと、
前記出力端子と第２電圧が供給される第２電源線との間に接続され、ゲート電極に第２容量素子を介して前記制御信号が印加される第２導電型の第２トランジスタと、
前記第１トランジスタのゲート電極に第１バイアス電圧を印加する第１バイアス回路と、
前記第２トランジスタのゲート電極に第２バイアス電圧を印加する第２バイアス回路とを有し、
前記第１バイアス電圧は、前記第１トランジスタのゲート電極に印加される電圧が最大値のときに、前記第１トランジスタがオフとなる電圧であり、
前記第２バイアス電圧は、前記第２トランジスタのゲート電極に印加される電圧が最小値のときに、前記第２トランジスタがオフとなる電圧であり、
前記第２のレベル変換回路は、前記表示データをサンプリングするサンプルホールド回路と、
ゲート電極に前記サンプルホールド回路の出力電圧が印加される第３トランジスタと、
第１の電極が、前記第１電源線に接続される第１スイッチング素子と、
第２の電極が、前記第１スイッチング素子の第２の電極に接続され、第１の電極が、前記第３トランジスタの第２の電極に接続される第２スイッチング素子と、
前記第２スイッチング素子の第２の電極に接続される電圧保持回路と、
前記第１電源線と、前記第２電源線との間に接続され、前記電圧保持回路の出力電圧が入力されるインバータ回路と、
前記第３トランジスタの第１の電極に第３バイアス電圧を印加する第３バイアス回路とを有し、
前記第３バイアス電圧は、前記第３トランジスタのゲート電極に印加される電圧が最小値のときに、前記第３トランジスタがオフとなる電圧であることを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
前記第１バイアス電圧は、前記第１トランジスタのゲート電極に印加される電圧の最大値が、前記第１電圧から前記第１トランジスタのしきい値電圧を減算した電圧値となる電圧であり、
前記第２バイアス電圧は、前記第２トランジスタのゲート電極に印加される電圧の最小値が、前記第２電圧に前記第２トランジスタのしきい値電圧を加算した電圧値となる電圧であり、
前記第３バイアス電圧は、前記第２電圧から前記第３トランジスタのしきい値電圧を減算した電圧であることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記第１のレベル変換回路から出力される制御信号に基づき、前記第２のレベル変換回路の前記第１スイッチング素子および前記第２スイッチング素子を駆動することを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１のレベル変換回路、および前記第２のレベル変換回路は、基板上に形成された薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請求項１０ないし請求項１２のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１４】
低振幅の入力信号を、より大きな振幅の信号に変換するレベル変換回路を備える表示装置であって、
前記レベル変換回路は、第１電圧が供給される第１電源線と出力端子との間に接続され、ゲート電極に第１容量素子を介して前記入力信号が印加される第１導電型の第１トランジスタと、
前記出力端子と第２電圧が供給される第２電源線との間に接続され、ゲート電極に第２容量素子を介して前記入力信号が印加される第２導電型の第２トランジスタと、
前記第１トランジスタのゲート電極に第１バイアス電圧を印加する第１バイアス回路と、
前記第２トランジスタのゲート電極に第２バイアス電圧を印加する第２バイアス回路とを有し、
前記第１バイアス電圧は、前記第１トランジスタのゲート電極に印加される電圧が最大値のときに、前記第１トランジスタがオフとなる電圧であり、
前記第２バイアス電圧は、前記第２トランジスタのゲート電極に印加される電圧が最小値のときに、前記第２トランジスタがオフとなる電圧であることを特徴とする表示装置。
【請求項１５】
前記第１バイアス電圧は、前記第１トランジスタのゲート電極に印加される電圧の最大値が、前記第１電圧から前記第１トランジスタのしきい値電圧を減算した電圧値となる電圧であり、
前記第２バイアス電圧は、前記第２トランジスタのゲート電極に印加される電圧の最小値が、前記第２電圧に前記第２トランジスタのしきい値電圧を加算した電圧値となる電圧であることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
低振幅の入力信号を、より大きな振幅の信号に変換するレベル変換回路を備える表示装置であって、
前記レベル変換回路は、前記入力信号をサンプリングするサンプルホールド回路と、
ゲート電極に前記サンプルホールド回路の出力電圧が印加されるトランジスタと、
第１の電極が、第１電圧が供給される第１電源線に接続される第１スイッチング素子と、
第２の電極が、前記第１スイッチング素子の第２の電極に接続され、第１の電極が、前記トランジスタの第２の電極に接続される第２スイッチング素子と、
前記第２スイッチング素子の第２の電極に接続される電圧保持回路と、
前記第１電源線と、第２電圧が供給される第２電源線との間に接続され、前記電圧保持回路の出力電圧が入力されるインバータ回路と、
前記トランジスタの第１の電極にバイアス電圧を印加するバイアス回路とを有し、
前記バイアス電圧は、前記トランジスタのゲート電極に印加される電圧が最小値のときに、前記トランジスタがオフとなる電圧であることを特徴とする表示装置。
【請求項１７】
前記バイアス電圧は、前記第２電圧から前記トランジスタのしきい値電圧を減算した電圧であることを特徴とする請求項１６に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記レベル変換回路は、基板上に形成された薄膜トランジスタを含むことを特徴とする請求項１４ないし請求項１７のいずれか１項に記載の表示装置。