Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月2日(2004.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
地図情報を記憶する地図情報記憶手段と、
移動体の現在位置を検出し、該地図情報と照合する位置検出手段と、
該地図情報記憶手段に記憶された地図情報によって表される地図上の第１位置から第２位置までの区間に対応する実際の移動区間を通過するのに必要な時間を計測する計測手段と、
該計測手段で計測された時間を表す区間通過時間情報を、無線回線を介して基地局装置に送信する送信手段、
とを備えた移動局装置。
【請求項２】
地図上の第１位置から第２位置までの区間に対応する実際の移動区間を通過するのに必要な時間を表す区間通過時間情報を、無線回線を介して受信する受信手段と、
該受信手段で受信された閾値以上の数の区間通過時間情報を集計し、統計処理を行うことによって、前記移動区間を通過するのに必要な時間を算出する算出手段、
とを備えた基地局装置。
【請求項３】
前記受信手段と前記算出手段との間はネットワークで接続される請求項２に記載の基地局装置。
【請求項４】
地図情報を記憶する地図情報記憶手段と、
移動体の現在位置を検出し、該地図情報と照合する位置検出手段と、
該地図情報記憶手段に記憶された地図情報によって表される地図上の第１位置から第２位置までの区間に対応する実際の移動区間を通過するのに必要な時間を計測する計測手段と、
該計測手段で計測された時間を表す区間通過時間情報を、無線回線を介して基地局装置に送信する送信手段とを備えた移動局装置と、
該移動局装置の送信手段からの区間通過時間情報を、無線回線を介して受信する受信手段と、
該受信手段で受信された閾値以上の数の区間通過時間情報を集計し、統計処理を行うことによって、前記移動区間を通過するのに必要な時間を算出する算出手段とを備えた基地局装置と、
で成る移動体情報システム。
【請求項５】
地図情報を記憶する地図情報記憶手段と、
移動体の現在位置を検出し、該地図情報と照合する位置検出手段と、
該地図情報記憶手段に記憶された地図情報によって表される地図上の任意の経路を設定する経路設定手段と、
該経路設定手段で設定された経路を表す経路情報を送信する第１の送信手段と、
該経路設定手段で設定された経路上の第１位置から第２位置までの区間に対応する実際の移動区間を通過するのに必要な時間を計測する計測手段と、
該計測手段で計測された時間を表す区間通過時間情報を、無線回線を介して送信する第２の送信手段と、
該経路情報によって表される経路に対応する実経路を通過するのに必要な時間を表す経路通過時間情報を、無線回線を介して受信する受信手段と、
該受信手段で受信された経路通過時間情報を出力する出力手段、
とを備えた移動局装置。
【請求項６】
地図上の経路を表す経路情報を、無線回線を介して受信する第１の受信手段と、
該第１の受信手段で受信された経路情報によって表される経路上の第１位置から第２位置までの区間に対応する移動区間を通過するのに必要な時間を表す区間通過時間情報を、無線回線を介して受信する第２の受信手段と、
該第２の受信手段で受信された閾値以上の数の区間通過時間情報を集計し、統計処理を行うことによって、該第１の受信手段で受信された経路情報によって表される経路に対応する実経路を通過するのに必要な時間を算出する算出手段と、
該算出手段で算出された時間を表す経路通過時間情報を送信する送信手段、
とを備えた基地局装置。
【請求項７】
前記第１の受信手段及び前記第２の受信手段と前記算出手段との間はネットワークで接続される請求項６に記載の基地局装置。
【請求項８】
移動局装置と基地局装置とで成る移動体情報システムであって、
前記移動局装置は、
地図情報を記憶する地図情報記憶手段と、
移動体の現在位置を検出し、該地図情報と照合する位置検出手段と、
該地図情報記憶手段に記憶された地図情報によって表される地図上の任意の経路を設定する経路設定手段と、
該経路設定手段で設定された経路を表す経路情報を、無線回線を介して前記基地局装置に送信する第１の送信手段と、
該経路設定手段で設定された経路上の第１位置から第２位置までの区間に対応する実際の区間を通過するのに必要な時間を計測する計測手段と、
該計測手段で計測された時間を表す区間通過時間情報を、無線回線を介して前記基地局装置に送信する第２の送信手段と、
該経路情報によって表される経路に対応する実経路を通過するのに必要な時間を表す経路通過時間情報を前記基地局装置から、無線回線を介して受信する受信手段と、
該受信手段で受信された経路通過時間情報を出力する出力手段、とを備え、
前記基地局装置は、
前記移動局装置からの経路情報を、無線回線を介して受信する第１の受信手段と、
前記移動局装置からの区間通過時間情報を、無線回線を介して受信する第２の受信手段と、
該第２の受信手段で受信された閾値以上の数の区間通過時間情報を集計し、統計処理を行うことによって、該第１の受信手段で受信された経路情報によって表される経路に対応する実経路を通過するのに必要な時間を算出する算出手段と、
該算出手段で算出された時間を表す経路通過時間情報を前記移動局装置に、無線回線を介して送信する送信手段、とを備えた移動体情報システム。
【請求項９】
前記位置検出手段は、ナビゲーションシステムで構成される請求項１に記載の移動局装置。
【請求項１０】
移動体の現在位置を検出し、
地図情報を記憶し、
該記憶された地図情報によって表される地図上の第１位置から第２位置までの区間に対応する実際の移動区間を通過するのに必要な時間を計測し、
該計測された時間を表す区間通過時間情報を、無線回線を介して送信し、
該送信された区間通過時間情報を、無線回線を介して受信し、
該受信された閾値以上の数の区間通過時間情報を集計し、統計処理を行うことによって、前記移動区間を通過するのに必要な時間を算出する、
移動体情報生成方法。
【請求項１１】
移動体の現在位置を検出し、
地図情報を記憶し、
該記憶された地図情報によって表される地図上の任意の経路を設定し、
該設定された経路を表す経路情報を、無線回線を介して送信し、
該設定された経路上の第１位置から第２位置までの区間に対応する実際の移動区間を通過するのに必要な時間を計測し、
該計測された時間を表す区間通過時間情報を、無線回線を介して送信し、
該送信された経路情報を、無線回線を介して受信し、
該送信された区間通過時間情報を、無線回線を介して受信し、
該受信された閾値以上の数の区間通過時間情報を集計し、統計処理を行うことによって、該受信された経路情報によって表される経路に対応する実経路を通過するのに必要な時間を算出し、
該算出された時間を表す経路通過時間情報を、無線回線を介して送信し、
該送信された経路通過時間情報を、無線回線を介して受信し、
該受信された経路通過時間情報を出力する、
移動体情報生成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月12日(2005.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
重合して屈折率が重合の度合いに従って変化するタイプの光透過性で光重合性材料のシートを準備し、前記材料に、バックグラウンドは照射強度のより低いかまたはゼロであってスポットは照射強度の高いスポット配列でまたはバックグラウンドは照射強度が高くスポットは照射強度のより低いかまたはゼロのスポット配列からなる所定パターンの重合光線を照射することからなる光拡散スクリーンの製造方法であって、
前記材料の照射の間、少なくとも二つの異なる方向からの重合光線に暴露され、照射される前記材料領域にわたって、照射位置それぞれが該２方向からの重合光線に曝されることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記２方向が、光透過性の光重合性材料のシート面に垂直である面に対して相互に対向して傾斜していることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記２方向からの光照射が、２枚の鏡を使って共通光源からの光線を光重合性材料の同一領域上に反射させることにより得られることを特徴とする請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記２方向からの照射が、一連の平行した切妻形状の稜線を有する光透過性プリズム材料シートを光重合性材料の上に積層し、重合光線のビームをプリズム材料上に向けることにより得られることを特徴とする請求項３に記載の方法。
【請求項５】
光重合性材料の前記シートの面に対して垂直な前記面について、前記２方向が互いに異なった角度を有することを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
光重合性材料の前記シートの面に対して垂直な前記面について、前記２方向が対向して同等に傾斜していることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
光重合性材料を光照射する際に、照射される光重合性材料領域にわたって、照射位置それぞれが三方向またはそれ以上の方向からの重合光線に曝されることを特徴とする方法。
【請求項８】
光重合性材料を照射する際に、光重合性材料のシートの面に垂直な軸上に中心付けた実環状範囲または仮想環状範囲からの光線により照射が行われることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項９】
内部反射面を有し、端部が開口した中空の回転体の形をした鏡を使用して重合光線を光重合性材料に照射し、
前記光重合性材料は前記回転体の軸上の、環状鏡の一端またはその付近に配置され、また、前記重合光線の光源は前記軸上の、環状鏡の他端もしくはその付近に配置され、そのために前記光源から放出された光線は前記回転体に入射し、その内壁により前記材料上に反射されることが可能なことを特徴とする請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記回転体が円筒状であることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記回転体が円錐台であることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記材料に前記光源より直接光線が到達することを阻止または制限するために絞りが設けられていることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１３】
前記光重合性材料への照射に於いて、該材料は光重合性材料のシート面に対して傾斜した方向から重合光線が照射され、その間該材料がそれ自身の面内で回転するか、または前記光源が前記材料面に対する垂直軸を中心として回転することを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
光拡散シート材料であって、該材料の面に対して傾いた初めの一つの方向に沿って伸びる光軸を有する初めの一組の階調型屈折率レンズと、該材料の面に対して傾いたもう一つの方向であって第１の方向とは異なる方向に沿って伸びる光軸を有するもう一つの一組の階調型屈折率レンズを有する材料であり、
第１の組の階調型屈折率レンズがある各位置毎に、第２の組の階調型屈折率レンズもまたあり、そして階調型屈折率レンズの組のそれぞれは材料シートの同一領域を占めることを特徴とする光拡散シート材料。
【請求項１５】
感光性重合体からなることを特徴とする請求項１４に記載の光拡散シート材料。
【請求項１６】
前記階調型屈折率レンズの平均配向方向が前記シート材料面に垂直であることを特徴とする請求項１４に記載の光拡散シート材料。
【請求項１７】
前記階調型屈折率レンズの平均配向方向がそれ自身材料面に対して傾斜していることを特徴とする請求項１４に記載の光拡散シート材料。
【請求項１８】  主たる伸張面を有する光透過性材料のシートからなる光拡散素子部材であって、前記材料には階調型屈折率レンズの配列が組み込まれ、これにより前記シートの全面にわたって、前記レンズの光学軸はシートの前記面に対しては傾斜し相互には平行し、前記面に均一に傾斜しているものである前記光拡散素子部材。
【請求項１９】前記シートが感光性樹脂からなる請求項１８に記載の光拡散素子部材。
【請求項２０】液晶表示装置であって、請求項１８または１９に記載のいずれかの光拡散素子部材が該装置の液晶層の前後のいずれかに配置されている前記液晶表示装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
1997211728.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
1997211728.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
1997211728.tif 000003
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
1997211728.tif 000004
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
1997211728.tif 000005
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
1997211728.tif 000006
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
1997211728.tif 000007
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
1997211728.tif 000008
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のＰＭＯＳトランジスタと、
第２のＰＭＯＳトランジスタと、
第１のＮＭＯＳトランジスタと、
第２のＮＭＯＳトランジスタと、
それぞれが共通の出力端子に接続された前記第２のＰＭＯＳトランジスタのドレインおよび前記第２のＮＭＯＳトランジスタのドレインと、
前記第１のＰＭＯＳトランジスタのドレインに接続された前記第２のＰＭＯＳトランジスタのソースと、
電源電圧に接続された前記第１のＰＭＯＳトランジスタのソースと、
前記第１のＮＭＯＳトランジスタのドレインに接続された前記第２のＮＭＯＳトランジスタのソースと、
接地された前記第１のＮＭＯＳトランジスタのソースと、
前記第１のＰＭＯＳトランジスタおよび前記第１のＮＭＯＳトランジスタのスイッチング速度またはスイッチング時期を、それぞれ前記第２のＰＭＯＳトランジスタおよび前記第２のＮＭＯＳトランジスタのスイッチング速度またはスイッチング時期と異ならせるための手段と、
を備え、
前記手段は、前記第２のＰＭＯＳトランジスタおよび前記第２のＮＭＯＳトランジスタのスイッチング速度またはスイッチング時期を、それぞれ前記第１のＰＭＯＳトランジスタおよび前記第１のＮＭＯＳトランジスタのスイッチング速度またはスイッチング時期よりも遅らせ、
前記手段は、前記第２のＰＭＯＳトランジスタおよび前記第２のＮＭＯＳトランジスタのチャネル抵抗を、それぞれ前記第１のＰＭＯＳトランジスタおよび前記第１のＮＭＯＳトランジスタのチャネル抵抗よりも大きくする、
ことを特徴とするＣＭＯＳ回路。
【請求項２】
第１のＰＭＯＳトランジスタと、
第２のＰＭＯＳトランジスタと、
第１のＮＭＯＳトランジスタと、
第２のＮＭＯＳトランジスタと、
それぞれが共通の出力端子に接続された前記第２のＰＭＯＳトランジスタのドレインおよび前記第２のＮＭＯＳトランジスタのドレインと、
前記第１のＰＭＯＳトランジスタのドレインに接続された前記第２のＰＭＯＳトランジスタのソースと、
電源電圧に接続された前記第１のＰＭＯＳトランジスタのソースと、
前記第１のＮＭＯＳトランジスタのドレインに接続された前記第２のＮＭＯＳトランジスタのソースと、
接地された前記第１のＮＭＯＳトランジスタのソースと、
前記第１のＰＭＯＳトランジスタおよび前記第１のＮＭＯＳトランジスタのスイッチング速度またはスイッチング時期を、それぞれ前記第２のＰＭＯＳトランジスタおよび前記第２のＮＭＯＳトランジスタのスイッチング速度またはスイッチング時期と異ならせるための手段と、
を備え、
前記手段は、前記第２のＰＭＯＳトランジスタおよび前記第２のＮＭＯＳトランジスタのスイッチング速度またはスイッチング時期を、それぞれ前記第１のＰＭＯＳトランジスタおよび前記第１のＮＭＯＳトランジスタのスイッチング速度またはスイッチング時期よりも遅らせ、
前記手段は、前記第２のＰＭＯＳトランジスタおよび前記第２のＮＭＯＳトランジスタのゲートしきい値電圧を、それぞれ前記第１のＰＭＯＳトランジスタおよび前記第１のＮＭＯＳトランジスタのゲートしきい値電圧よりも大きくする、
ことを特徴とするＣＭＯＳ回路。
【請求項３】
第１のＰＭＯＳトランジスタと、
第２のＰＭＯＳトランジスタと、
第１のＮＭＯＳトランジスタと、
第２のＮＭＯＳトランジスタと、
それぞれが共通の出力端子に接続された前記第２のＰＭＯＳトランジスタのドレインおよび前記第２のＮＭＯＳトランジスタのドレインと、
前記第１のＰＭＯＳトランジスタのドレインに接続された前記第２のＰＭＯＳトランジスタのソースと、
電源電圧に接続された前記第１のＰＭＯＳトランジスタのソースと、
前記第１のＮＭＯＳトランジスタのドレインに接続された前記第２のＮＭＯＳトランジスタのソースと、
接地された前記第１のＮＭＯＳトランジスタのソースと、
前記第１のＰＭＯＳトランジスタおよび前記第１のＮＭＯＳトランジスタのスイッチング速度またはスイッチング時期を、それぞれ前記第２のＰＭＯＳトランジスタおよび前記第２のＮＭＯＳトランジスタのスイッチング速度またはスイッチング時期と異ならせるための手段と、
を備え、
前記手段は、前記第２のＰＭＯＳトランジスタおよび前記第２のＮＭＯＳトランジスタのスイッチング速度またはスイッチング時期を、それぞれ前記第１のＰＭＯＳトランジスタおよび前記第１のＮＭＯＳトランジスタのスイッチング速度またはスイッチング時期よりも遅らせ、
前記手段は、前記第２のＰＭＯＳトランジスタおよび前記第２のＮＭＯＳトランジスタのゲート容量およびゲート抵抗から決まる時定数を、それぞれ前記第１のＰＭＯＳトランジスタおよび前記第１のＮＭＯＳトランジスタのゲート容量およびゲート抵抗から決まる時定数よりも大きくする、
ことを特徴とするＣＭＯＳ回路。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月14日(2005.3.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステップ減衰器ユニットであって、
動作時、低速尾部効果を示す複数のＧａＡｓ  ＦＥＴスイッチを含むＧａＡｓ  ＦＥＴ  ＩＣスイッチ装置と、
それぞれ、前記ＧａＡｓ  ＦＥＴスイッチのそれぞれに対応し、動作時、それぞれのＧａＡｓ  ＦＥＴスイッチを照射して、前記低速尾部効果を軽減するか、最小限に抑えるのに十分な光の強度レベルを備える、前記ステップ減衰器ユニット内に配置された複数の光源が含まれている、
ステップ減衰器ユニット。
【請求項２】
前記光源にＬＥＤが含まれることを特徴とする、請求項１に記載のステップ減衰器ユニット。
【請求項３】
前記ＬＥＤが、超高輝度ＬＥＤであることを特徴とする、請求項２に記載のステップ減衰器ユニット。
【請求項４】
前記光の強度レベルが少なくとも約５００ミリカンデラであることを特徴とする、請求項３に記載のステップ減衰器ユニット。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月26日(2004.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】エレクトロルミネッセンス素子
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光面（９１）を有するエレクトロルミネッセンス要素（９）と、
複数のプリズムが配置された表面（１１）および該表面（１１）と対向する背面（１２）を有し、該発光面（９１）の上に配置されたプリズムフィルム（１）とを含んでなるエレクトロルミネッセンス素子において、
プリズムフィルム（１）の背面（１２）とエレクトロルミネッセンス要素（９）の発光面（９１）とが光学的に密着したエレクトロルミネッセンス素子。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月27日(2004.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ライト手段とテレビカメラより成り該テレビカメラとともに前記ライト手段を水中に沈め、その映像を撮像するシステムにおいて、前記ライト手段のライトのオンオフ制御をするフロートスイッチを有し、該フロートスイッチを、前記テレビカメラが水中に没するのに合わせて前記ライトが水中時のみにオンとなり前記ライトを点灯し、水面上でオフとなるようにオンオフすることを特徴とするライト付の水中テレビカメラ。
【請求項２】
ライトと、該ライトをオンオフするためのフロートスイッチとを備えたテレビカメラであって、前記テレビカメラが水中にある時には前記フロートスイッチがオンとなることを特徴とする水中テレビカメラ。
【請求項３】
ライトと、該ライトをオンオフするためのフロートスイッチとを備えたテレビカメラであって、前記テレビカメラが水中より上がる時には前記フロートスイッチがオフとなることを特徴とする水中テレビカメラ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月8日(2004.6.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
珪素を主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、パラジウム、白金、銅又は金の元素を含む、複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜であって、面方位は｛111｝配向であり、且つ、膜中に存在する炭素、窒素及び硫黄の濃度は 5×1018atoms/cm3未満または0.01atomic% 未満であり、且つ、膜中に存在する酸素の濃度は 1.5×1019atoms/cm3未満または0.03atomic% 未満であることを特徴とする半導体薄膜。
【請求項２】
珪素を主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、パラジウム、白金、銅又は金の元素を含む、複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜であって、｛111｝配向比率が0.9以上であり、且つ、膜中に存在する炭素、窒素及び硫黄の濃度は 5×1018atoms/cm3未満または0.01atomic% 未満であり、且つ、膜中に存在する酸素の濃度は 1.5×1019atoms/cm3未満または0.03atomic% 未満であることを特徴とする半導体薄膜。
【請求項３】
請求項１又は２において、前記半導体薄膜にはハロゲン元素が1×1015〜1×1020atoms/cm3の濃度で含まれていることを特徴とする半導体薄膜。
【請求項４】
前記複数の棒状または偏平棒状結晶は互いに平行に特定の方向性をもって並んでいることを特徴とする請求項1乃至３のいずれか一に記載の半導体薄膜。
【請求項５】
珪素を主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、パラジウム、白金、銅又は金の元素を含む、複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜で構成される半導体装置であって、前記半導体薄膜の面方位は｛111｝配向であり、且つ、膜中に存在する炭素、窒素及び硫黄の濃度は 5×1018atoms/cm3未満または0.01atomic% 未満であり、且つ、膜中に存在する酸素の濃度は 1.5×1019atoms/cm3未満または0.03atomic% 未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
珪素を主成分とし、ニッケル、コバルト、鉄、パラジウム、白金、銅又は金の元素を含む、複数の棒状または偏平棒状結晶の集合体からなる半導体薄膜で構成される半導体装置であって、前記半導体薄膜の｛111｝配向比率が0.9以上であり、且つ、膜中に存在する炭素、窒素及び硫黄の濃度は 5×1018atoms/cm3未満または0.01atomic% 未満であり、且つ、膜中に存在する酸素の濃度は 1.5×1019atoms/cm3未満または0.03atomic% 未満であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項５又は６において、前記半導体薄膜にはハロゲン元素が1×1015〜1×1020atoms/cm3の濃度で含まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記複数の棒状または偏平棒状結晶は互いに平行に特定の方向性をもって並んでいることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月1日(2004.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】薄膜形成装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に薄膜を形成するための薄膜形成室と、前記基板の表面に前記薄膜を形成する薄膜形成処理が前記薄膜形成室で実行されるたびに、この薄膜形成処理によって基板に形成された前記薄膜の膜厚を検出する膜厚検出手段と、この膜厚検出手段により検出された前記基板の膜厚を累積加算する累積加算手段と、この累積加算手段の累積加算値と予め定めたしきい値とを比較することにより、前記薄膜形成室の保守時期を検知する保守時期検知手段とを備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
【請求項２】
基板の表面に薄膜を形成する薄膜形成処理が薄膜形成室で実行されるたびに、この薄膜形成処理によって基板に形成された前記薄膜の膜厚を検出する膜厚検出工程と、この検出された前記基板の膜厚を累積加算する累積加算工程と、前記累積加算した値と予め定めたしきい値とを比較することにより、前記薄膜形成室の保守時期を検知する保守時期検知工程とを有することを特徴とする薄膜形成方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月18日(2005.4.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にレジスト層を塗布した基板を所定の露光基準面に配置し、該基板にマスクのパターンを所定のエネルギー量で露光する露光装置を用いて、該基板への露光条件を測定する方法において、前記基板上の異なる複数の部分領域の各々に、前記露光基準面と前記基板との間隔を変えるとともに、前記複数の部分領域の各々において、前記所定のパターンのレジスト像が現像により消失するまで露光エネルギーを変化させながら前記所定のパターンを露光することを特徴とする露光条件測定方法。
【請求項２】
変化させた前記露光エネルギーを逐次記憶することを特徴とする請求項第１項に記載の方法。
【請求項３】
現像後の前記レジスト像の有無に基づいて、前記レジスト像が消失する露光エネルギーを求めることを特徴とする請求項第１項または第２項に記載の方法。
【請求項４】
前記露光基準面と前記基板との間隔方向における各位置にて、前記消失する露光エネルギーを求めることを特徴とする請求項第３項に記載の方法。
【請求項５】
前記消失する露光エネルギーに基づいて、前記レジスト像のコントラストに対応する値を求めることを特徴とする請求項第３項に記載の方法。
【請求項６】
前記消失する露光エネルギーを所定の基準露光エネルギーで規格化し、前記コントラストに対応する値を求めることを特徴とする請求項第５項に記載の方法。
【請求項７】
前記コントラストに基づいて、前記露光装置の最良結像面を求めることを特徴とする請求項第５項または請求項第６項に記載の方法。
【請求項８】
前記露光装置内に設けられた検出装置により前記レジスト像を検出することを特徴とする請求項第１項に記載の方法。
【請求項９】
前記検出装置の検出結果に基づいて、前記レジスト像の消失の有無を判定することを特徴とする請求項第８項に記載の方法。
【請求項１０】
表面にレジスト層を塗布した基板を所定の露光基準面に配置し、該基板にマスクのパターンを所定のエネルギー量で露光する露光装置を用いて、該露光装置の投影光学系を評価する方法において、前記基板上の異なる複数の部分領域の各々に、前記露光基準面と前記基板との間隔を変えるとともに、前記複数の部分領域の各々において、前記所定のパターンのレジスト像が現像により消失するまで露光エネルギーを変化させながら前記所定のパターンを露光し、前記レジスト像が消失する露光エネルギーに基づいて前記投影光学系を評価することを特徴する投影光学系の評価方法。
【請求項１１】
表面にレジスト層を塗布した基板を所定の露光基準面に配置し、該基板にマスクのパターンを所定のエネルギー量で露光し、現像後に前記レジスト上に形成された前記マスクパターンを検出する露光装置を用いて、該露光装置の投影光学系を評価するリソグラフイシステムにおいて、前記基板を載置し、前記投影光学系と前記基板との間隔方向の位置を調整するとともに、前記基板を２次元移動する基板ステ-ジと；前記基板上の異なる複数の部分領域の各々に、前記露光基準面と前記基板との間隔を変えながら所定のパターンを露光するように前記基板ステ-ジを制御するとともに、前記複数の部分領域の各々において、前記所定のパターンのレジスト像が現像により消失するまで露光エネルギーを変化させる制御系と；前記複数の部分領域内の前記レジスト像を検出する検出系と；  前記検出系の検出結果に基づいて、前記レジスト像が消失するエネルギーを前記部分領域毎に検出するとともに、該消失するエネルギーに基づいて前記投影光学系の結像特性を算出することを特徴するリソグラフイシステム
【請求項１２】
表面にレジストを塗布した基板を投影光学系の露光基準面に配置し、該基板に所定のエネルギー量でパターンを露光する露光装置を用いて、該基板への露光条件を測定する方法において、
前記投影光学系と前記基板との間隔を変えるとともに、所定のパターンのレジスト像が現像により消失する露光エネルギー量を超えるまで露光エネルギー量を変えながら、前記所定のパターンを前記基板上に順次露光し、前記間隔と前記露光エネルギー量との組み合わせがそれぞれ異なる複数の部分領域を前記基板上に形成するステップと、
現像後に、前記各部分領域における前記レジスト像の有無を検出するステップと、
前記レジスト像が消失している前記部分領域に対応する露光エネルギー量を、前記間隔毎に特定するステップと、
前記間隔と、該間隔毎に特定された前記露光エネルギー量とに基づいて、前記露光基準面に対応する前記間隔を求めるステップとを備える露光条件測定方法。
【請求項１３】
前記所定パターンが現像により消失する露光エネルギー量は、レジストが現像液に溶解する露光強度の略２倍の露光エネルギー量である請求項１２記載の露光条件測定方法。
【請求項１４】
前記露光装置の備えるレジスト像検出装置を用いて前記レジスト像の有無を検出する請求項１２または１３に記載の露光条件測定方法。
【請求項１５】
前記レジスト像検出装置は、撮像素子を用いて前記レジスト像を検出することを特徴とする請求項１４記載の露光条件測定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
さらに、表面にレジスト層を塗布した基板を所定の露光基準面に配置し、該基板にマスクのパターンを所定のエネルギー量で露光し、現像後に前記レジスト上に形成された前記マスクパターンを検出する露光装置を用いて、該露光装置の投影光学系を評価するリソグラフィシステムにおいて、基板を載置し、投影光学系と基板との間隔方向の位置を調整するとともに、基板を２次元移動する基板ステージと；基板上の異なる複数の部分領域の各々に、露光基準面と基板との間隔を変えながら所定のパターンを露光するように基板ステージを制御するとともに、複数の部分領域の各々において、所定のパターンのレジスト像が現像により消失するエネルギーまで露光エネルギーを変化させる制御系と；複数の部分領域内のレジスト像を検出する検出系と；検出系の検出結果に基づいて、レジスト像が消失するエネルギーを部分領域毎に検出するとともに、該消失するエネルギーに基づいて投影光学系の結像特性を算出することとした。また、表面にレジストを塗布した基板を投影光学系の露光基準面に配置し、該基板に所定のエネルギー量でパターンを露光する露光装置を用いて、該基板への露光条件を測定する方法において、その投影光学系と基板との間隔を変えるとともに、所定のパターンのレジスト像が現像により消失する露光エネルギー量を超えるまで露光エネルギー量を変えながら、所定のパターンを基板上に順次露光し、その間隔とその露光エネルギー量との組み合わせがそれぞれ異なる複数の部分領域を基板上に形成するステップと、現像後に、各部分領域における前記レジスト像の有無を検出するステップと、レジスト像が消失している部分領域に対応する露光エネルギー量を、その間隔毎に特定するステップと、その間隔と、該間隔毎に特定された露光エネルギー量とに基づいて、露光基準面に対応する間隔を求めるステップとを備えることとした。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月1日(2004.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の非晶質珪素膜にニッケルを導入し、
前記非晶質珪素膜を結晶化させて結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜にP2O5またはHxPO3を含有した溶液を選択的に塗布し、
前記結晶性珪素膜を加熱処理することにより、前記溶液を選択的に塗布した領域に前記ニッケルをゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上の非晶質珪素膜上に、前記非晶質珪素膜の一部を露呈させる開口部を有するマスクを形成し、
前記マスクを用いて、前記非晶質珪素膜に選択的にニッケルを導入し、
前記非晶質珪素膜を結晶化させて結晶性珪素膜を形成し、
前記マスクを用いて、前記結晶性珪素膜にP2O5またはHxPO3を含有した溶液を選択的に塗布し、
前記結晶性珪素膜を加熱処理することにより、前記溶液を選択的に塗布した領域に前記ニッケルをゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上の非晶質珪素膜にニッケルを導入し、
前記非晶質珪素膜を結晶化させて結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜にP2O5またはHxPO3を含有した溶液を選択的に塗布し、
前記結晶性珪素膜を加熱処理することにより、前記溶液を選択的に塗布した領域に前記ニッケルをゲッタリングさせ、
前記ゲッタリング後、前記溶液を選択的に塗布した領域を避けて、前記結晶性珪素膜からなる活性層を形成し、
前記活性層上にゲイト絶縁膜を介してゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記活性層に燐をドーピングすることで、前記活性層にソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を形成し、
前記活性層を加熱処理することにより、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に前記ニッケルをゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上の非晶質珪素膜上に、前記非晶質珪素膜の一部を露呈させる開口部を有するマスクを形成し、
前記マスクを用いて、前記非晶質珪素膜に選択的にニッケルを導入し、
前記非晶質珪素膜を結晶化させて結晶性珪素膜を形成し、
前記マスクを用いて、前記結晶性珪素膜にP2O5またはHxPO3を含有した溶液を選択的に塗布し、
前記結晶性珪素膜を加熱処理することにより、前記溶液を選択的に塗布した領域に前記ニッケルをゲッタリングさせ、
前記ゲッタリング後、前記溶液を選択的に塗布した領域を避けて、前記結晶性珪素膜からなる活性層を形成し、
前記活性層上にゲイト絶縁膜を介してゲイト電極を形成し、
前記ゲイト電極をマスクとして前記活性層に燐をドーピングすることで、前記活性層にソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を形成し、
前記活性層を加熱処理することにより、前記ソース領域及び前記ドレイン領域に前記ニッケルをゲッタリングさせることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項２又は請求項４において、前記結晶性珪素膜を形成する際には、前記選択的にニッケルを導入した領域から他の領域へと前記ニッケルを拡散させて前記基板に平行な方向に結晶成長を行わせ、前記溶液を選択的に塗布した領域に前記ニッケルをゲッタリングさせる際には、前記拡散と逆の経路を辿って前記ニッケルを移動させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項1乃至請求項５のいずれか一項において、前記溶液を選択的に塗布した後で且つ前記溶液を選択的に塗布した領域に前記ニッケルをゲッタリングさせる前に、前記溶液を固相化させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項1乃至請求項６のいずれか一項において、前記溶液を選択的に塗布した領域に前記ニッケルをゲッタリングさせるための加熱処理をＲＴＡにより行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項1乃至請求項７のいずれか一項において、前記溶液を選択的に塗布した領域に前記ニッケルをゲッタリングさせるための加熱処理は、５５０℃〜８００℃の温度で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項1乃至請求項８のいずれか一項において、前記P2O5またはHxPO3を含有した溶液の代わりに、燐酸化合物を溶かした溶液を用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、前記燐酸化合物を溶かした溶液は、燐酸と燐酸塩とを混合した溶液であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
次にニッケル酢酸塩溶液を塗布し、図１（Ｂ）の１０５で示すようにニッケル元素が表面に接して保持された状態を得る。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月27日(2005.4.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電話回線交換網の容量を高める装置であって、
帯域内トラヒックを、端局から、ビジー状態の中継線上で無音を検出したことに反応して音声信号を圧縮してその圧縮音声信号および帯域内制御データを前記電話回線交換網へ伝送する前にサブタイムスロットのフォーマットにするよう構成された前記装置に向けて、ルーティングする第一の接続と、
前記装置からのトラヒックを、前記端局に向けてルーティングバックする第二の接続と、
前記装置からの出トラヒックを、当該端局にデータ供給する中継局に接続された網付属装置に向けてルーティングする第三の接続と、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項２】
電話回線交換網の容量を高める装置であって、
帯域内トラヒックを、第１中継局から、サブタイムスロット化されたフレーム内の圧縮無音データを検出し且つサブタイムスロット化されていないフレームに非圧縮無音データを充填するよう構成された第１網付属装置である前記装置に向けてルーティングする第一の接続と、
前記装置からのトラヒックを、前記第１中継局に向けてルーティングバックする第二の接続と、
前記装置からの出トラヒックを、前記第１中継局にデータ供給する第２中継局に接続された第２網付属装置の入力に向けてルーティングする第三の接続と、
前記装置からの出トラヒックを、前記第１中継局にデータ供給する集中局に接続された第３網付属装置の入力に向けてルーティングする第四の接続と、
出トラヒックを前記第１中継局から、前記第１中継局にデータ供給する端局に接続された第４網付属装置の入力に向けてルーティングする第五の接続と、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項３】
電話回線交換網の容量を高める装置であって、
帯域内トラヒックを第１集中局から前記装置に向けてルーティングする第一の接続と、
サブタイムスロット化されたフレーム内の圧縮無音データを検出し且つサブタイムスロット化されていないフレームに非圧縮無音データを充填するよう構成された第１網付属装置である前記装置からのトラヒックを、前記第１集中局に向けてルーティングバックする第二の接続と、
前記装置からの出トラヒックを、前記第１集中局にデータ供給する中継局に接続された第２網付属装置の入力に向けてルーティングする第三の接続と、
前記装置からの出トラヒックを、前記第１集中局にデータ供給する第２集中局に接続された第３網付属装置の入力に向けてルーティングする第四の接続と、
を含むことを特徴とする装置。
【請求項４】
動的に帯域が割り当てられる電話回線交換網であって、
ビジー状態の中継線上で無音を検出したことに反応して音声信号を圧縮して、その圧縮音声信号および帯域内制御データを前記電話回線交換網へ伝送する前にサブタイムスロットのフォーマットにするよう構成された、複数の端局網付属装置と、
中継局に接続された複数の中継局網付属装置と、
集中局に接続された複数の集中局網付属装置と、
を有し、
前記網付属装置は、フォーマット変更されたフレームのサブタイムスロットを用いて情報通信を行うこと、
を特徴とする電話回線交換網。
【請求項５】
請求項１に記載の装置であって、
Ｔ１フォーマットのフレームを受信するよう構成された装置。
【請求項６】
請求項１に記載の装置であって、
Ｅ１フォーマットのフレームを受信するよう構成された装置。
【請求項７】
請求項１に記載の装置であって、
データ通信を検出するよう構成された装置。
【請求項８】
請求項１に記載の装置であって、
ファクス通信を検出するよう構成された装置。
【請求項９】
請求項１に記載の装置であって、
音声アクティビティを検出するよう構成された装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の装置であって、
トラヒックのピーク時に、中継線群全体がビジー状態であることを検出するよう構成された装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の装置であって、
トラヒックのピーク時に、中継線群全体がビジー状態であることを検出したことに反応して、音声符号化レベルを低下させるよう構成された装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の装置であって、
前記サブタイムスロットのフォーマットでは、サブタイムスロット０にフレーミングビットが含まれる装置。
【請求項１３】
請求項１に記載の装置であって、
前記サブタイムスロットのフォーマットに関する制御情報を提供するよう構成された装置。
【請求項１４】
請求項１に記載の装置であって、
前記サブタイムスロットのフォーマットに関するフレームの境界を提供するよう構成された装置。
【請求項１５】
請求項１に記載の装置であって、
８Ｋｂｐｓの符号器をさらに含む装置。
【請求項１６】
請求項１に記載の装置であって、
１６Ｋｂｐｓの符号器をさらに含む装置。
【請求項１７】
請求項１に記載の装置であって、
２４Ｋｂｐｓの符号器をさらに含む装置。
【請求項１８】
請求項１に記載の装置であって、
ファクス信号音が検出された場合に、低レートの音声符号器から高レートの音声符号器に自動的に切り替わるように構成された装置。
【請求項１９】
請求項１に記載の装置であって、
無音が検出された期間に続いて音声信号音が検出された場合に、低レートの音声符号器から高レートの音声符号器に自動的に切り替わるように構成された装置。
【請求項２０】
請求項１に記載の装置であって、
網付属装置との通信にプロトコルスタックを使用するよう構成された装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月19日(2004.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマを用いた化学蒸着により酸化シリコン薄膜を形成する方法において、
基板を所定温度まで加熱した後、酸素、オゾン、Ｎ２Ｏガスのうち少なくとも１種類以上のガスを含む酸化性ガスをプラズマ室に導入後プラズマを生成せしめ、前記基板に該プラズマを照射することにより基板表面を活性酸素で終端させ、しかる後にシラン系の反応ガスをプラズマ室を経由せず直接反応容器に導入して該薄膜の成長を開始することを特徴とする初期パーティクルの発生を抑制した酸化シリコン薄膜の形成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマを用いた化学蒸着により酸化シリコン薄膜を形成する方法に関するものであり、半導体装置の製造工程における配線間の絶縁層形成技術に属するものである。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
電子サイクロトロン共鳴プラズマ（以降、ＥＣＲプラズマと呼ぶ）を用いたＣＶＤは、この高密度プラズマＣＶＤ技術の最も代表的な技術である。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、プラズマを用いた化学蒸着により酸化シリコン薄膜を形成する方法において、初期パーティクルの生成が原因で引き起こされている歩留りや信頼性の低下という問題を解決するために、初期パーティクルの生成を抑制しようとするものである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、プラズマを用いた化学蒸着により酸化シリコン薄膜を形成する方法において、基板を所定温度まで加熱した後、酸素、オゾン、Ｎ２Ｏガスのうち少なくとも１種類以上のガスを含む酸化性ガスをプラズマ室に導入後プラズマを生成せしめ、前記基板に該プラズマを照射することにより基板表面を活性酸素で終端させ、しかる後にシラン系の反応ガスをプラズマ室を経由せず直接反応容器に導入して該薄膜の成長を開始することを特徴とする初期パーティクルの発生を抑制した酸化シリコン薄膜の形成方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月4日(2004.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転ローラを含む押出ヘッドに取り付けられるようになった、押出製品をゴムコンパウンド系材料で重ねることによって被覆する装置であって、該装置は、収束するリブを支持する凹形の外面を有する前記材料を収集する要素と、前記収集要素の凹形の外面の曲率よりも大きい曲率をもつ凹形の外面を有する前記材料を凝集性の塊に凝集させる要素と、この塊を薄層化し、分配するブレードを含む要素とを次々に含むことを特徴とする装置。
【請求項２】
収集要素の凹形の外面は発散する中央リブを支持することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
収集要素の凹形の外面は、ローラの外面とほぼ平行であり、該収集要素の凹形の外面は、ローラの外面と協働して作用して収集材料のための通路を構成することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
凝集要素は、ローラに対して横断方向に、形成された凝集性の塊の広がりを制限する両側縁を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項５】
ブレードは、ローラと共に流れオリフィスを構成していることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項６】
ブレードは凝集要素に作られた開口に挿入されており、前記開口に配置されたブレードの位置を調節する手段が、ブレードとローラとの間にほぼ一定の距離があることを確保していることを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項７】
ゴムコンパウンド製の製品を作るための押出ヘッドであって、該押出ヘッドは、ゴムコンパウンドを押し出す押出オリフィイスに通ずる蓄積チャンバに前記ゴムコンパウンドを通すための入口通路を備え、前記押出オリフィスは、製品の輪郭を決めるように回転ローラと協働して作用する壁を含み、前記押出ヘッドは、押出オリフィスのすぐ下流にあり、押出製品の縁をばり取りするためのナイフと、得られたばりのストランドを、入口通路と押出オリフィスの間で直接蓄積チャンバに送り戻すことによって再利用する装置と、を含み、該装置は、請求項１に記載の被覆装置を含む押出ヘッド。
【請求項８】
ばりのストランドは、蓄積チャンバの上流でローラ上に送り戻される請求項７に記載の押出ヘッド。
【請求項９】
再利用装置は、ばり取りナイフの下流にあり、再利用装置は、前記ローラの回転方向に前記ローラに沿って押出オリフィスまでばりのストランドを連行するように前記ローラと協働して作用することを特徴とする請求項７に記載の押出ヘッド。
【請求項１０】
再利用装置は、入口通路から出た製品に上から重ねるようにローラの表面上にばりのストランドから作られたコンパウンドを分配することを特徴とする請求項７に記載の押出ヘッド。
【請求項１１】
ローラの回転軸線と平行な回転軸線をもち、再利用装置の方にばりのストランドを連行するのを容易にする小さなホイールを備えた安全装置を含むことを特徴とする請求項７に記載の押出ヘッド。
【請求項１２】
ゴムコンパウンド系の製品を製造する押出機であって、該押出機は、ゴムコンパウンド製の製品を作るための押出ヘッドであって、該押出ヘッドは、ゴムコンパウンドを押し出す押出オリフィイスに通ずる蓄積チャンバに前記ゴムコンパウンドを通すための入口通路を備え、前記押出オリフィスは、製品の輪郭を決めるように回転ローラと協働して作用する壁を含み、前記押出ヘッドは、押出オリフィスのすぐ下流にあり、押出製品の縁をばり取りするためのナイフと、得られたばりのストランドを、入口通路と押出オリフィスの間で直接蓄積チャンバに送り戻すことによって再利用する装置と、を含み、該装置は、請求項１に記載の被覆装置を含む押出ヘッドを含む押出機。
【請求項１３】
ゴムコンパウンド製の製品を作るための押出ヘッドであって、該押出ヘッドは、ゴムコンパウンドを押し出す押出オリフィイスに通ずる蓄積チャンバに前記ゴムコンパウンドを通すための入口通路を備え、前記押出オリフィスは、製品の輪郭を決めるように回転ローラと協働して作用する壁を含み、前記押出ヘッドは、入口通路と押出オリフィスの間で直接蓄積チャンバにゴムコンパウンド系材料を送り、入口通路から出た製品に上から重ねるようにローラの表面上にこのゴムコンパウンド系材料を分配する請求項１に記載の被覆装置を含むことを特徴とする押出ヘッド。
【請求項１４】
ローラの回転軸線と平行な回転軸線をもち、被覆装置の方にゴムコンパウンド系材料を連行するのを容易にする小さなホイールを備えた安全装置を被覆装置の上流に含むことを特徴とする請求項１３に記載の押出ヘッド。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月19日(2005.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
このスピンバルブ型のＴＭＲ素子における抵抗値の変化率は、その対の強磁性層のそれぞれのスピン分極率をＰ１，Ｐ２とすると、下記の式（１）で表される。
２Ｐ１  Ｐ２  ／（１−Ｐ１  Ｐ２  ）                （１）
つまり、両強磁性層のスピン分極率Ｐ１，Ｐ２が大きい程、抵抗変化率が大きくなる。この抵抗変化率と強磁性層の材料との関係については、すでに、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等のＦｅ族の強磁性元素や、これら金属の合金についての報告がなされている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
このＭＲＡＭのビット線およびワード線には、通常の半導体装置における配線材料のＣｕや、Ａｌ等の導体薄膜が使用される。このような通常の配線材料を用い、かつ線幅０．２５μｍのビット線およびワード線によって例えば反転磁界Ｈｃが２０〔Ｏｅ〕である磁気メモリ素子に対して、書き込みを行うには、約２ｍＡの電流が必要となる。ビット線およびワード線の厚さが、線幅と同じ０．２５μｍである場合、このときの電流密度は、エレクトロマイグレーションによる断線限界値に近い３．２×１０−６Ａ／ｃｍ２である。
したがって、配線の信頼性を維持するためには、書き込み電流の低減が不可欠である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
また、図１で示した例では、磁化固定層５を単層構造とした場合であるが、図２にその一例の概略断面図を示すように、その磁化固定層５を、強磁性積層フェリ構造とすることができる。
この例では、反強磁性層４上に、この反強磁性層４と反強磁性結合する第１の磁化固定層５ａが成膜され、この上に非磁性導電層５ｃを介して第２の磁化固定層５ｂが積層されている。
非磁性導電層５ｃは、例えばＲｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ａｕ、Ａｇ等の金属膜によって構成することができる。
尚、図２において、図１と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。
また、上述した例では、中間層６が、トンネルバリア層であってＴＭＲ素子構成とした場合であるが、中間層６が、非磁性導電層によって構成され、膜厚方向に通電がなされるいわゆるＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）構成のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子に適用することもできる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
ワード線ＷＬ上の一部に、ＴＭＲ素子１を作製した。このＴＭＲ素子１の形成は、先ず、半導体基板２側から、それぞれ全面的に、順次、厚さ３ｎｍのＴａ層と厚さ１００ｎｍのＣｕ層とによる下地層３、ＰｔＭｎ層による反強磁性層４、厚さ３ｎｍのＣｏＦｅ層と厚さ０．８ｎｍのＲｕ層による非磁性導電層と厚さ２．５ｎｍのＣｏＦｅ層とのフェリ磁性層による磁化固定層５、厚さ１ｎｍのＡｌを酸化処理した中間層６、厚さ５ｎｍのＦｅＣｏＢ層による磁化自由層７、厚さ５ｎｍのＴａ層より成る保護層８を形成した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
ワード線ＷＬおよびビット線ＢＬは、それぞれ金属膜を形成し、これをフォトリソグラフィを用いたＡｒプラズマエッチングによってパターン化して形成した。
ワード線ＷＬおよびビット線ＢＬの両端には、図７に示すように、それぞれ端子パッドを２３および２４を延長形成した。
このＴＥＧは、共通の基板２上に、多数個配列形成した。
このようにして作製したサンプルのＴＥＧにおける結晶化温度を測定したところ３００℃であった。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月21日(2005.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第一の電極を表面に備えた配線基板と、第二の電極を表面に備えた半導体素子とを有し、上記第一の電極と上記第二の電極とが対向した状態で上記配線基板と上記半導体素子との電気的接続がなされ、かつ上記配線基板と上記半導体素子との間隙に硬化した樹脂接着剤が充填されている半導体装置において、
上記硬化した樹脂接着剤は、上記半導体素子の側面を覆い、かつその上面は上記半導体素子の裏面と略同じ高さに揃っていることを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
【課題を解決するための手段】
この発明に係る半導体装置は、第一の電極を表面に備えた配線基板と第二の電極を表面に備えた半導体素子との電極同士が対向し、配線基板と半導体素子との間隙に充填されている硬化した樹脂接着剤が半導体素子の側面を覆い、かつその上面が半導体素子の裏面と略同じ高さに揃っているものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、硬化した樹脂接着剤が、半導体素子の側面を覆い、かつその上面は半導体素子の裏面と略同じ高さに揃うように半導体装置を構成したので、半導体素子の機械的強度を保ちながらも、薄型化を実現することが可能な半導体装置が得られる効果がある。