【手続補正書】
【提出日】令和3年2月19日(2021.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトリソグラフィーレチクルを検査する方法であって、
同じ設計で製造された第１及び第２のレチクルを１以上の検査ツールに装填するステップと、
前記１以上の検査ツールに装填される間に、前記１以上の検査ツールによって前記第１及び第２のレチクルから第１及び第２のレチクルイメージを取得するステップと、
前記第１のレチクルイメージを前記第２のレチクルイメージと比較して、前記第１又は第２のレチクルのいずれかにある候補欠陥に対応する複数の差分イベントを有する差分イメージを出力するステップと、
前記候補欠陥の検査レポートを生成するステップと、
を包含する、方法。
【請求項２】
前記第１及び第２のレチクルイメージが、同じ検査ツールにおいて、前記第１及び第２のレチクルをそのような検査ツールに一緒に装填することによって取得される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第１及び第２のレチクルイメージを、そのような第１及び第２のレチクルイメージの比較に先立って前記第１及び第２のレチクルの両方における同じ位置の焦点の差及び／又は光レベルの差に関して補正するステップをさらに包含する、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１及び第２のレチクルイメージが、同じ検査ツールにおいて、前記第１及び第２のレチクルをそのような検査ツールに連続して一つずつ装填することによって取得される、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第１及び第２のレチクルイメージを、そのような第１及び第２のレチクルイメージの比較に先立って前記第１及び第２のレチクルの両方における同じ位置の焦点の差及び／又は光レベルの差に関して補正するステップをさらに包含する、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１及び第２のレチクルイメージが異なる検査ツールによって取得されて、
そのような第１及び第２のレチクルイメージの比較に先立って、前記第１及び第２のレチクルイメージの同じ位置に影響するツールパラメータの差に関して前記第１及び第２のレチクルイメージを補正するステップをさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のレチクルイメージを前記第２のレチクルイメージと比較して差分イメージを出力するステップが、
前記第１及び第２のレチクルイメージの各々の複数のパッチの各々について、各パッチにおける複数の位置についての平均又は中間強度値を決定するステップと、
前記第１のレチクルイメージからの各パッチの平均又は中間強度値を前記第２のレチクルの同じ位置におけるパッチの平均又は中間強度値の対応する一つと比較して、複数の差分平均又は中間強度値を得て、そのような差分平均又は中間強度値が候補欠陥として規定されるべきかどうかを決定するためにそれらが分析されるステップと、
を包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記差分平均又は中間強度値を臨界寸法（ＣＤ）変動と相関するステップをさらに包含する、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記第１及び第２のレチクルが各々単一のダイを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１及び第２のレチクルイメージの比較に先立って、前記第１のレチクルイメージにてセル毎の検査を実行するステップと、
前記セル毎の検査をパスした前記第１及び第２のレチクルイメージの領域を、お互いに比較されるステップから排除するステップと、
をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１のレチクルは新しく製造されてフォトリソグラフィープロセスで使用されておらず、前記第２のレチクルはフォトリソグラフィープロセスで使用されている、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記第１及び第２のレチクルの両方が新しく且つフォトリソグラフィープロセスで使用されておらず、前記第１及び第２のレチクルが新しいときにそれらに対して見つけられた候補欠陥が、ベースラインイベントとして規定され、
前記ベースラインイベントが規定された後に、前記第１及び第２のレチクルの一方又は両方をフォトリソグラフィープロセスで使用するステップと、
第１及び第２のレチクルイメージを取得し且つそのような第１及び第２のレチクルイメージを比較する操作を、結果として得られる前記ベースラインイベントに合致する任意の差分イベントを検査レポートから除外することによって前記第１又は第２のレチクルが使用された後に、繰り返すステップと、
をさらに包含する、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１及び第２のレチクルは、それぞれ光学的近接補正（ＯＰＣ）構造を有する複数のダイを備え、前記ＯＰＣ構造は少なくともいくつかのダイ間で異なる、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
フォトリソグラフィーレチクルを検査する検査システムであって、前記システムは、少なくとも一つのメモリと、
同じ設計で製造された第１及び第２のレチクルを前記検査システムの１以上の検査ツールにおいて受信し、
前記１以上の検査ツールに装填される間に、前記１以上の検査ツールによって前記第１及び第２のレチクルから第１及び第２のレチクルイメージを取得し、
前記第１のレチクルイメージを前記第２のレチクルイメージと比較して、前記第１又は第２のレチクルのいずれかにある候補欠陥に対応する複数の差分イベントを有する差分イメージを出力して、
前記候補欠陥の検査レポートを生成する、
という操作を実行するように構成された少なくとも一つのプロセッサと、を備えている、検査システム。
【請求項１５】
前記検査システムが単一の検査ツールを含み、前記第１及び第２のレチクルイメージが前記単一の検査ツールにおいて、前記第１及び第２のレチクルをそのような検査ツールに一緒に装填することによって取得する、請求項１４に記載の検査システム。
【請求項１６】
前記少なくとも一つのメモリ及び少なくとも一つのプロセッサがさらに、前記第１及び第２のレチクルイメージを、そのような第１及び第２のレチクルイメージの比較に先立って、前記第１及び第２のレチクルの両方における同じ位置の焦点の差及び／又は光レベルの差に関して補正するように構成されている、請求項１５に記載の検査システム。
【請求項１７】
少なくとも一つの記憶デバイスをさらに備えており、前記検査システムが単一の検査ツールを含み、前記第１及び第２のレチクルイメージが前記単一の検査ツールにおいて、前記第１及び第２のレチクルをそのような検査ツールに一緒に装填することによって取得して、前記第1のレチクルイメージが前記比較操作の間に前記少なくとも一つの記憶デバイスに記憶され且つそこから再生される、請求項１４に記載の検査システム。
【請求項１８】
前記少なくとも一つのメモリ及び少なくとも一つのプロセッサがさらに、前記第１及び第２のレチクルイメージを、そのような第１及び第２のレチクルイメージの比較に先立って、前記第１及び第２のレチクルの両方における同じ位置の焦点の差及び／又は光レベルの差に関して補正するように構成されている、請求項１７に記載の検査システム。
【請求項１９】
前記検査システムが異なる検査ツールと少なくとも一つの記憶デバイスとを含み、前記第１及び第２のレチクルイメージが前記異なる検査ツールによって取得され、
前記少なくとも一つのメモリ及び少なくとも一つのプロセッサが、そのような第１及び第２のレチクルイメージの比較に先立って、前記第１及び第２のレチクルイメージの同じ位置に影響するツールパラメータの差に関して前記第１及び第２のレチクルイメージを補正する操作をさらに包含し、前記第1のレチクルイメージが前記比較操作の間に前記少なくとも一つの記憶デバイスに記憶され且つそこから再生されるように構成されている、請求項１４に記載の検査システム。
【請求項２０】
前記第１のレチクルイメージを前記第２のレチクルイメージと比較して差分イメージを出力する操作が、
前記第１及び第２のレチクルイメージの各々の複数のパッチの各々について、各パッチにおける複数の位置についての平均又は中間強度値を決定する操作と、
前記第１のレチクルイメージからの各パッチの平均又は中間強度値を前記第２のレチクルの同じ位置におけるパッチの平均又は中間強度値の対応する一つと比較して、複数の差分平均又は中間強度値を得て、そのような差分平均又は中間強度値が候補欠陥として規定されるべきかどうかを決定するためにそれらが分析される操作と、
を包含する、請求項１４に記載の検査システム。
【請求項２１】
前記少なくとも一つのメモリ及び少なくとも一つのプロセッサがさらに、前記差分平均又は中間強度値を臨界寸法（ＣＤ）変動と相関するように構成されている、請求項２０に記載の検査システム。
【請求項２２】
前記少なくとも一つのメモリ及び少なくとも一つのプロセッサが、前記第１のレチクルイメージからの各パッチの平均又は中間強度値を前記第２のレチクルの同じ位置におけるパッチの平均又は中間強度値の対応する一つと比較して、複数の差分平均又は中間強度値を得て、そのような差分平均又は中間強度値が候補欠陥として規定されるべきかどうかを決定するためにそれらが分析される操作をさらに包含するように構成されている、請求項１４に記載の検査システム。
【請求項２３】
前記第１及び第２のレチクルが各々単一のダイを含む、請求項１４に記載の検査システム。
【請求項２４】
前記少なくとも一つのメモリ及び少なくとも一つのプロセッサがさらに、
前記第１及び第２のレチクルイメージの比較に先立って、前記第１のレチクルイメージにてセル毎の検査を実行し、
前記セル毎の検査をパスした前記第１及び第２のレチクルイメージの領域を、お互いに比較される操作から排除する、
ように構成されている、請求項１４に記載の検査システム。
【請求項２５】
前記第１のレチクルは新しく製造されてフォトリソグラフィープロセスで使用されておらず、前記第２のレチクルはフォトリソグラフィープロセスで使用されている、請求項１４に記載の検査システム。
【請求項２６】
前記第１及び第２のレチクルの両方が新しく且つフォトリソグラフィープロセスで使用されておらず、前記第１及び第２のレチクルが新しいときにそれらに対して見つけられた候補欠陥が、ベースラインイベントとして規定され、
前記少なくとも一つのメモリ及び少なくとも一つのプロセッサがさらに、
前記ベースラインイベントが規定された後に、かつ、前記第１及び第２のレチクルの一方又は両方をフォトリソグラフィープロセスで使用した後に、
第１及び第２のレチクルイメージを取得して且つそのような第１及び第２のレチクルイメージを比較する操作を、結果として得られる前記ベースラインイベントに合致する任意の差分イベントを検査レポートから除外することによって前記第１又は第２のレチクルが使用された後に、繰り返す、
ように構成されている、請求項１４に記載の検査システム。
【請求項２７】
前記第１及び第２のレチクルは、それぞれ光学的近接補正（ＯＰＣ）構造を有する複数のダイを備え、前記ＯＰＣ構造は少なくともいくつかのダイ間で異なる、請求項１４に記載の検査システム。
【請求項２８】
同じ設計で製造された第１及び第２のレチクルを１以上の検査ツールに装填し、
前記１以上の検査ツールに装填される間に、前記１以上の検査ツールによって前記第１及び第２のレチクルから第１及び第２のレチクルイメージを取得し、
前記第１のレチクルイメージを前記第２のレチクルイメージと比較して、前記第１又は第２のレチクルのいずれかにある候補欠陥に対応する複数の差分イベントを有する差分イメージを出力して、
前記候補欠陥の検査レポートを生成する、
という操作を実行するためにそこに記憶されている指令を有するコンピュータ読み取り可能媒体。