(57)【要約】      （修正有）【課題】本発明は熱放出特性を向上させることのできるヒートシンクが備えられた電子チップモジュールを提供する。【解決手段】モジュール用回路基板１００の底面とヒートシンク１６０の上面を金属線（Ｍｅｔａｌ  ｗｉｒｅ）１５０を用いて直接接触させることにより、モジュール用回路基板１１０に実装された発熱素子チップ１１０が動作するとき発生する熱を効果的に外部へ放出させることが出来る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱素子チップと、
前記発熱素子チップが実装される第１面と、前記一面と反対する第２面を有し、前記発熱素子チップが実装される領域の前記第１及び第２面を貫通するよう形成された少なくとも一つ以上の放熱ビアを有するモジュール用回路基板と、
前記モジュール用回路基板の第２面に接着した接合樹脂層と、
前記接合樹脂層の底面と接着し、前記接合樹脂層を介して前記モジュール用回路基板が装着されたヒートシンクと、
前記接合樹脂層の底面に露出されヒートシンクに直接接触するよう、前記モジュール用回路基板の第２面の放熱ビアが形成された領域に形成された金属線と、
を含むことを特徴とする電子チップモジュール。
【請求項２】
前記モジュール用回路基板の第２面の放熱ビアが形成された領域と前記金属線との間には金属板がさらに含まれることを特徴とする請求項１に記載の電子チップモジュール。
【請求項３】
前記モジュール用回路基板の第２面には追加の回路パターン及び受動素子がさらに備えられることを特徴とする請求項２に記載の電子チップモジュール。
【請求項４】
前記受動素子は、厚膜抵抗であることを特徴とする請求項３に記載の電子チップモジュール。
【請求項５】
前記接合樹脂層は、絶縁性を有するエポキシ樹脂からなることを特徴とする請求項４に記載の電子チップモジュール。
【請求項６】
前記接合樹脂層は、伝導性を有するエポキシ樹脂層であることを特徴とする請求項４に記載の電子チップモジュール。
【請求項７】
前記受動素子及び金属板には電気的な絶縁のための絶縁手段がさらに備えられることを特徴とする請求項６に記載の電子チップモジュール。
【請求項８】
前記絶縁手段は、前記受動素子及び金属板を覆うよう塗布されたオーバーグレーズ層であることを特徴とする請求項７に記載の電子チップモジュール。
【請求項９】
前記モジュール用回路基板は、セラミック基板であることを特徴とする請求項１に記載の電子チップモジュール。
【請求項１０】
前記モジュール用回路基板は、第１面に追加の素子の実装が出来ることを特徴とする請求項１に記載の電子チップモジュール。
【請求項１１】
前記金属線は、ワイヤボンディングにより形成されることを特徴とする請求項１に記載の電子チップモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子チップモジュールに関するもので、特に、放熱性を向上させることのできる電子チップモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、集積回路（ＩＣ）などの電子部品の使用により、携帯電話やＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）などの電子装置の小型軽量化及び薄型化が進行し、便利性が向上している。
【０００３】
電子装置の小型軽量化及び薄型化を図るためには、電子部品自体の小型軽量化及び薄型化と同時に、このような電子部品を搭載する多重チップモジュール全体の小型軽量化及び薄型化を図る必要がある。従って、電子部品搭載の多重チップモジュール全体を小型軽量化及び薄型化する場合に、電子部品搭載の多重チップモジュール全体の放熱構造が重要な課題として考えられている。
【０００４】
即ち、パワーモジュール、ＩＣチップなどのような発熱素子は高温で発熱するため、機器の誤作動を防ぐために、必ずヒートシンクのような放熱手段が装着される。このようなヒートシンクは多重チップモジュール（Ｍｕｌｔｉ−ｃｈｉｐ  ｍｏｄｕｌ）の配線が行われた基板の背面に付着した形態で使用されている。
【０００５】
上記基板は主面上に発熱素子を複数実装し、上記基板上の発熱素子が実装される箇所に複数の放熱ビア（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｖｉａ）を設置し、上記発熱素子が実装される主面と反対する（対向する）主面に樹脂層を介してヒートシンクを形成している。そして、放熱ビアを通してヒートシンクに熱を放出した。そして、基板としてセラミック（ｃｅｒａｍｉｃ）やアルミナ（ａｌｕｍｉｎａ）などの熱伝導率の高い基板を用いて放熱性を高めている。
【０００６】
しかし、発熱素子から発生した熱が基板、樹脂層、ヒートシンクに進行する過程で、それぞれの構成品が異種の材質で形成されているため熱伝導率が大きく低下し、特に、配線が行われた基板のヒートシンクを接合する樹脂層の存在により、基板からヒートシンクに行くほど熱伝導率が大きく低下するという問題点がある。即ち、放熱損失（Ｔｈｅｒｍａｌ  ｌｏｓｓ）が発生するようになる。従って、このような放熱構造は放熱樹脂の低い熱伝導度により十分な熱放出を期待するのが難しい。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上述の従来の問題点を改善するため、発熱素子チップが実装されたモジュール用回路基板の底面のうち放熱ビアが形成された領域に、熱伝導度に優れた金属線（Ｍｅｔａｌ  ｗｉｒｅ）を線接合（ｗｉｒｅ  ｂｏｎｄｉｎｇ）またはこれと類似な工法を通して形成し、このように形成されたモジュール用回路基板をヒートシンク（ｈｅａｔ  ｓｉｎｋ）に直接接触するようにすることにより、発熱素子チップが動作するとき発生する熱を外部に放熱する熱通路（Ｈｅａｔ  Ｐａｔｈ）の確保を通して熱伝達の損失を減らし発熱素子の熱特性を改善して放熱性を向上させることができる電子チップモジュールを提供しようとする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の技術的課題を達成すべく、本発明の一実施形態による電子チップモジュールは発熱素子チップと、上記発熱素子チップが実装される第１面と、上記一面と反対する第２面を有し、上記発熱素子チップが実装される領域の上記第１及び第２面を貫通するよう形成された少なくとも一つ以上の放熱ビアを有するモジュール用回路基板と、上記モジュール用回路基板の第２面に接着した接合樹脂層と、上記接合樹脂層の底面と接着し、上記接合樹脂層を介して上記モジュール用回路基板が装着されたヒートシンクと、上記接合樹脂層の底面に露出されヒートシンクに直接接触するよう、上記モジュール用回路基板の第２面の放熱ビアが形成された領域に形成された金属線と、を含む。
【０００９】
好ましくは、上記モジュール用回路基板の第２面の放熱ビアが形成された領域と上記金属線との間には金属板がさらに含まれ、上記モジュール用回路基板の第２面には追加の回路パターン及び受動素子がさらに備えられ、上記受動素子は厚膜抵抗であることが出来る。
【００１０】
好ましくは、上記接合樹脂層は絶縁性を有するエポキシ樹脂または伝導性を有するエポキシ樹脂からなることができ、上記接合樹脂層が伝導性の樹脂層であると、上記受動素子及び金属板には電気的な絶縁のための絶縁手段がさらに備えられ、上記絶縁手段は上記受動素子及び金属板を覆うよう塗布されたオーバーグレーズ層であることが出来る。
【００１１】
好ましくは、上記モジュール用回路基板はセラミック基板であり、上記モジュール用回路基板は第１面に追加の素子の実装が可能で、上記金属線はワイヤボンディングにより形成される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によると、金属線を発熱素子チップが実装されたモジュール用回路基板の底面に形成してヒートシンクと直接接触させることにより、発熱素子チップの動作するとき発生する熱に対してヒートシンクまでの熱伝導率を向上させ、ヒートシンクの大きさ及びデザインの設計を変形することなく容易に放熱特性を改善することができ、また、放熱特性の向上によりヒートシンクの大きさの減少ができてコスト低減の効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態による電子チップモジュールの垂直断面図である。
【図２】（ａ）は図１に図示された本発明による電子チップモジュールのモジュール用回路基板の第２面に金属線が形成される前を表した平面図であり、（ｂ）は図１に図示された本発明による電子チップモジュールのモジュール用回路基板の第２面に金属線が形成された後を表した平面図である。
【図３】本発明の他の実施形態による電子チップモジュールの垂直断面図である。
【図４】（ａ）は図３に図示された本発明による電子チップモジュールの第２面に金属線が形成される前を表した平面図であり、（ｂ）は図３に図示された本発明による電子チップモジュールの第２面に金属線が形成された後を表した平面図である。
【図５】本発明のさらに他の実施形態による電子チップモジュールの垂直断面図である。
【図６】（ａ）は図５に図示された本発明による電子チップモジュールの第２面に金属線が形成される前を表した平面図であり、（ｂ）は図５に図示された本発明による電子チップモジュールの第２面に金属線が形成された後を表した平面図である。
【図７】ヒートシンクのみ備えた既存の多重チップモジュールの放熱効果をシミュレーションした結果を表した図面である。
【図８】図１、図３及び図５に図示された電子チップモジュールの放熱効果をシミュレーションした結果を表した図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、添付の図面を参照して本発明の実施形態を詳しく説明する。しかし、本発明の実施形態は様々な他の形態に変形することができ、本発明の範囲が以下に説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は当業界において通常の知識を有している者に本発明をさらに完全に説明するために提供される。従って、図面における要素の形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
【００１５】
図１は、本発明の一実施形態による電子チップモジュールの垂直断面図を表したものである。図１に図示された通り、本発明による電子チップモジュールは第１面に発熱素子チップ１１０が実装されたモジュール用回路基板１００、モジュール用回路基板１００を貫通して形成された少なくとも一つ以上の放熱ビア１３０、モジュール用回路基板１００の第１面と反対側（対向側）の第２面（図中下面）に形成された接合樹脂層１４０、接合樹脂層１４０を介してモジュール用回路基板１００の第２面と接着するヒートシンク１６０及びモジュール用回路基板１００の第２面の放熱ビア１３０が形成された領域に形成され接合樹脂層１４０を貫通してヒートシンク１６０と直接接触する少なくとも一つ以上の金属線１５０で構成される。
【００１６】
モジュール用回路基板１００は、発熱素子チップ１１０が実装された領域の第１面と第２面を貫通して形成された少なくとも一つ以上の放熱ビア１３０を有する。このようなモジュール用回路基板１００の第１面のうち放熱ビア１３０が形成された領域に発熱素子チップ１１０が実装される。そして、モジュール用回路基板１００はセラミック基板（ＬＴＣＣ）であることができ、モジュール用回路基板１００の第１面には発熱素子だけでなく追加の素子１２０ａ、１２０ｂの実装が可能で、また、モジュール用回路基板１００の第２面にも追加の回路パターン及び厚膜抵抗のような受動素子１２０ｃが形成されることが出来る。
【００１７】
接合樹脂層１４０はモジュール用回路基板１００の第２面とヒートシンク１６０の上面を接着させ、絶縁性のエポキシ樹脂などからなる。なお、接合樹脂層１４０の底面（図中下面）はヒートシンク１６０の上面（図中上面）と接着している。このような接合樹脂層１４０はモジュール用回路基板１００の第２面に形成される追加の回路パターン及び受動素子１２０ｃがヒートシンク１６０と直接接触することを防ぐ。即ち、受動素子１２０ｃがヒートシンク１６０と直接接触すると、配線間に電気的に連結されてショートが発生するため、これを防ぐために接合樹脂層１４０は一定の厚さを有するようになる。
【００１８】
金属線１５０は、ワイヤボンディングによりモジュール用回路基板１００の第２面において放熱ビア１３０が形成された領域にボンディングされる。このようにボンディングされた金属線１５０は、接合樹脂層１４０を貫通してヒートシンク１６０に直接接触することとなる。ワイヤは特性上、小さい力でも曲がるためヒートシンク１６０の上面にディスペンシングされた接合樹脂層にモジュール用回路基板１００を貼るとき、軽く押すだけでワイヤが自然に基板１００とヒートシンク１６０との間に接触するようになる。
【００１９】
具体的に、少なくとも一つ以上の金属線１５０は、モジュール用回路基板１００の第２面に相互離隔された間隔を有するようボンディングされた後、ヒートシンク１６０の上面に形成された接合樹脂層１４０と接着するように上げられ、加圧される。この際、複数の金属線１５０の間へと接合樹脂層１４０が押し出されることで金属線１５０が接合樹脂層１４０に露出して貫通され、直接ヒートシンク１６０と接触するようになる。
【００２０】
金属線１５０を形成するワイヤの厚さは通常２０μｍ〜１００μｍであるため、モジュール用回路基板１００の第２面に形成された受動素子１２０ｃがヒートシンク１６０と接触しない十分な厚さが確保される。従って、金属線１５０を通して発熱素子チップ１１０の動作時に発生した熱の放熱効果を改善するだけでなく、モジュール用回路基板１００の第２面に形成された追加の回路パターン及び受動素子１２０ｃがヒートシンク１６０と接触しないようにすることによりショートを防ぐ。
【００２１】
そして、本発明による電子チップモジュールは、モジュール用回路基板１００の第２面の放熱ビア１３０が形成された領域に金属板（Ｍｅｔａｌ  ｈｅａｔ  ｐｌａｔｅ）が形成された場合にも適用することが出来る。このような場合、金属線１５０は金属板にボンディングされる。この際、接合樹脂層１４０は絶縁性のエポキシ樹脂からなる。即ち、放熱ビア１３０が形成されたモジュール用回路基板１００の第２面と金属線１５０との間に金属板がさらに追加された構造になることにより、放熱特性をさらに向上させることが出来る。これに関する詳しい説明は以下の図３及び図４において説明する。
【００２２】
また、本発明による電子チップモジュールは、モジュール用回路基板１００の第２面に形成された放熱ビア１３０に形成された金属板と、モジュール用回路基板１００の第２面に形成された受動素子１２０ｃに、絶縁手段であるオーバーグレーズ（ｏｖｅｒ  ｇｌａｚｅ）層がさらに形成された場合にも適用することが出来る。このような場合、金属線１５０は金属板に塗布されたオーバーグレーズ層にボンディングされヒートシンク１６０と直接接触され、接合樹脂層１４０は絶縁性の放熱エポキシ樹脂または伝導性のエポキシ樹脂のいずれも使用可能である。これに関する説明は以下の図６及び図７において説明する。
【００２３】
従って、本発明はモジュール用回路基板の第２面の放熱ビア、金属板またはオーバーグレーズ層上に金属線をボンディングすることにより、発熱素子チップが実装されたモジュール用回路基板とヒートシンクとの直接接触を可能にする。金属の場合、熱伝導度が非金属の場合に比べて、多い場合は数百倍まで優れるため金属を用いた金属線を使用する場合は、発熱素子チップが動作するとき発生する熱をヒートシンクまで、より効率的に伝導することが可能となる。
【００２４】
図２の（ａ）及び（ｂ）は、図１に図示された本発明による電子チップモジュールのモジュール用回路基板の第２面に金属線が形成される前と後を表した平面図である。
【００２５】
図２の（ａ）を参照すると、モジュール用回路基板２００の第２面の一部領域に少なくとも一つ以上の放熱ビア２３０が形成される。放熱ビア２３０が形成された領域の反対側のモジュール用回路基板２００の第１面には発熱素子チップが実装される。
【００２６】
図２の（ｂ）を参照すると、モジュール用回路基板２００の第２面のうち放熱ビア２３０が形成された領域の放熱ビア２３０を相互連結する少なくとも一つ以上の金属線２５０が相互離隔された間隔を有して形成される。
【００２７】
図３は、本発明の他の実施形態による電子チップモジュールの垂直断面図を表したものである。図３に図示された通り、本発明による電子チップモジュールは、第１面に発熱素子チップ３１０が実装されたモジュール用回路基板３００、発熱素子チップ３１０が実装された領域にモジュール用回路基板３００を貫通して形成された少なくとも一つ以上の放熱ビア３３０、モジュール用回路基板３００の第１面と反対側（対向側）の第２面（図中下面）に形成された放熱ビア３３０に接触して形成された金属板３７０、モジュール用回路基板３００の第２面と接着した接合樹脂層３４０、接合樹脂層３４０を介してモジュール用回路基板３００の第２面と接着するヒートシンク３６０及び金属板３７０にボンディングされて形成され接合樹脂層３４０を貫通してヒートシンク３６０と直接接触する少なくとも一つ以上の金属線３５０で構成される。
【００２８】
モジュール用回路基板３００は、自分（基板自体）の第１面と第２面を貫通するよう形成された少なくとも一つ以上の放熱ビア３３０を有する。このようなモジュール用回路基板３００の第１面のうち放熱ビア３３０が形成された領域に発熱素子チップ３１０が実装される。そして、モジュール用回路基板３００はセラミック基板（ＬＴＣＣ）であることができ、モジュール用回路基板３００の第１面には発熱素子だけでなく追加の素子３２０ａ、３２０ｂの実装が可能で、また、モジュール用回路基板３００の第２面にも追加の回路パターン及び厚膜抵抗のような受動素子３２０ｃが形成されることが出来る。
【００２９】
接合樹脂層３４０はモジュール用回路基板３００の第２面とヒートシンク３６０の上面を接着させ、絶縁性の放熱エポキシ樹脂などからなることが好ましい。このような接合樹脂層３４０はモジュール用回路基板３００の第２面に形成される追加の回路パターン及び受動素子３２０ｃがヒートシンク３６０と直接接触されることを防ぐ。即ち、受動素子３２０ｃがヒートシンク３６０と直接接触すると、配線間に電気的に連結されショートが発生するため、これを防ぐため接合樹脂層３４０は一定の厚さに形成される。
【００３０】
金属線３５０は、ワイヤボンディングによりモジュール用回路基板３００の第２面の金属板３７０にボンディングされる。このようにボンディングされた金属線３５０は接合樹脂層３４０を貫通してヒートシンク３６０に直接接触するようになる。ワイヤはその特性上、小さい力でも曲がるためヒートシンクの上面にディスペンシングされた接合樹脂層にモジュール用回路基板を貼るとき、軽く押すだけでワイヤが自然に基板とヒートシンクとの間に接触するようになる。
【００３１】
具体的に、少なくとも一つ以上の金属線３５０は、相互離隔された間隔を有するようモジュール用回路基板３００にボンディングされた後、ヒートシンク３６０の上面に形成された接合樹脂層３４０と接着するよう上げられ、加圧される。そうすると、複数の金属線３５０の間へと接合樹脂層３４０が押し出され金属線３５０が接合樹脂層３４０に露出して貫通されることで直接ヒートシンク３６０と接触する。
【００３２】
金属線３５０を形成するワイヤの厚さは通常２０μｍ〜１００μｍ以下であるため、モジュール用回路基板３００の第２面に形成された受動素子３２０ｃがヒートシンク３６０と接触しない十分な厚さが確保される。従って、金属線３５０を通して発熱素子チップ３１０の動作時に発生する熱に対する放熱効果を改善するだけでなく、モジュール用回路基板３００の第２面に形成された追加の回路パターン及び受動素子３２０ｃがヒートシンク３６０と直接接触しないようにする。
【００３３】
図４の（ａ）及び（ｂ）は、図３に図示された本発明による電子チップモジュールの第２面に金属線が形成される前と後を表した平面図である。
【００３４】
図４の（ａ）を参照すると、モジュール用回路基板４００の第２面の一部領域に少なくとも一つ以上の放熱ビア４３０が形成され、放熱ビア４３０が形成された領域に接触して金属板４７０が形成される。
【００３５】
図４の（ｂ）を参照すると、金属板４７０には少なくとも一つ以上の金属線４５０が相互離隔された間隔を有しながらボンディングされて形成される。
【００３６】
図５は、本発明のさらに他の実施形態による電子チップモジュールの垂直断面図を表したものである。図５に図示された通り、本発明による電子チップモジュールは、第１面に発熱素子チップ５１０が実装されたモジュール用回路基板５００、発熱素子チップ５１０が実装された領域のモジュール用回路基板５００を貫通して形成された少なくとも一つ以上の放熱ビア５３０、モジュール用回路基板５００の第１面と反対側（対向側）の第２面（図中下面）に形成された放熱ビア５３０に形成された金属板５７０、金属板５７０に塗布された絶縁手段５８０ａ、モジュール用回路基板５００の第２面と接着した接合樹脂層５４０、接合樹脂層５４０を介してモジュール用回路基板５００の第２面と接着するヒートシンク５６０及びモジュール用回路基板５００の第２面の絶縁手段５８０ａに形成され接合樹脂層５４０を貫通してヒートシンク５６０と直接接触する少なくとも一つ以上の金属線５５０で構成される。
【００３７】
モジュール用回路基板５００は、自分の第１面と第２面を貫通するよう形成された少なくとも一つ以上の放熱ビア５３０を有する。このようなモジュール用回路基板５００の第１面のうち放熱ビア５３０が形成された領域に発熱素子チップ５１０が実装される。そして、モジュール用回路基板５００はセラミック基板であることができ、モジュール用回路基板５００の第１面には発熱素子だけでなく追加の素子５２０ａ、５２０ｂの実装が可能で、また、モジュール用回路基板５００の第２面にも追加の回路パターン及び厚膜抵抗のような受動素子５２０ｃが形成されることが出来る。そして、受動素子５２０ｃは絶縁手段５８０ｂにより塗布される。
【００３８】
接合樹脂層５４０はモジュール用回路基板５００の第２面とヒートシンク５６０の上面を接着させ、放熱性の改善のために伝導性のエポキシ樹脂からなる。即ち、接合樹脂層５４０として伝導性のエポキシ樹脂を使用するために、金属板５７０及びモジュール用回路基板５００の第２面に形成された受動素子５２０ｃを絶縁手段５８０ａ、５８０ｂで塗布する。また、絶縁手段５８０ａ、５８０ｂが塗布されているため、接合樹脂層５４０は絶縁性のエポキシ樹脂を使用することも出来る。そして、絶縁手段５８０ａ、５８０ｂとしてオーバーグレーズ層を用いることが出来る。
【００３９】
金属線５５０はワイヤボンディングによりモジュール用回路基板５００の第２面の絶縁手段５８０ａにボンディングされる。このようにボンディングされた金属線５５０は、接合樹脂層５４０を貫通してヒートシンク５６０に直接接触するようになる。ワイヤはその特性上、小さい力でも曲がるためヒートシンクの上面にディスペンシングされた接合樹脂層にモジュール用回路基板を貼るとき、軽く押すだけでワイヤが自然に基板とヒートシンクとの間に接触することとなる。
【００４０】
具体的に、絶縁手段５８０ａにボンディングされた相互離隔された間隔を有する複数の金属線５５０がヒートシンク５６０の上面に形成された接合樹脂層５４０と接着するよう上げられた後加圧されると、複数の金属線５５０の間へと接合樹脂層５４０が押し出され金属線５５０は接合樹脂層５４０に露出して貫通する。これにより金属線５５０は直接ヒートシンク５６０と接触するようになる。このようにボンディングされた金属線５５０を通して発熱素子チップ５１０の動作時に発生する熱の放熱効果を改善させることが出来る。
【００４１】
図６の（ａ）及び（ｂ）は、図５に図示された本発明による電子チップモジュールの第２面に金属線が形成される前と後を表した平面図である。
【００４２】
図６の（ａ）を参照すると、モジュール用回路基板６００の第２面の一部領域に少なくとも一つ以上の放熱ビア６３０が形成され、放熱ビア６３０が形成された領域に金属板が形成される。そして、金属板及び受動素子を覆うよう絶縁手段６８０ａ、６８０ｂが形成される。絶縁手段６８０ａ、６８０ｂはオーバーグレーズ層であることが出来る。
【００４３】
図６の（ｂ）を参照すると、少なくとも一つ以上の金属線６５０は金属板に形成された絶縁手段６８０ａにボンディングを通して相互離隔された間隔を有するよう形成される。
【００４４】
図７は、ヒートシンクのみ備えた既存の多重チップモジュールの放熱効果をシミュレーションした結果を表したものである。シミュレーション条件は、各部品の熱伝導係数（Ｗ／ｍ℃）が、発熱素子は１１０、Ａｇで充填された放熱ビアは４２７、発熱素子が実装されたセラミック基板は３、放熱エポキシは２０７、Ａｌからなるヒートシンクは２３７である。そして、発熱素子の電気的な性能はＩＤ＝６５Ａ、ＲＤＳ＝３ｍΩで、周囲の温度は２５℃に設定する。
【００４５】
図７に図示された通り、シミュレーションの結果、ヒートシンクのみ備えた多重チップモジュールは基板に実装された発熱素子の最高温度が２４５℃で、温度はＤ領域で、ヒートシンクの温度はＡ領域である。即ち、発熱素子から発生した熱がヒートシンクまで円滑に放熱されないことが分かる。
【００４６】
図８は、図１、図３及び図５に図示された電子チップモジュールの放熱効果をシミュレーションした結果を表したものである。シミュレーション条件は図７のヒートシンクを備えた既存の多重チップモジュールのシミュレーション条件と同じで、さらに、金属板（Ａｌ）の熱伝導係数（Ｗ／ｍ℃）は２３７、金属線（Ａｌ）の熱伝導係数（Ｗ／ｍ℃）は２３７である。
【００４７】
図８に図示された通り、シミュレーションの結果、発熱素子チップの最高温度が２２６℃で、温度はＤ領域で、発熱素子チップが実装された周囲の温度はＣ及びＢ領域、ヒートシンクの温度はＢ領域である。即ち、発熱素子チップから発生した熱がヒートシンクに円滑に伝達されヒートシンクの温度が上昇したことが分かる。
【００４８】
従って、図７及び図８に図示されたシミュレーションの結果から分かるように、同一な電圧を発熱素子に印加した場合、既存のヒートシンクのみ備えた従来の方式と比べて、本発明による電子チップモジュールは発熱素子チップに対する温度において１９℃程度の、より優れた放熱効果があることが分かる。
【００４９】
本発明は上述の実施形態及び添付の図面により限定されるものではなく、添付の請求範囲により限定する。従って、請求範囲に記載された本発明の技術的な思想を外れない範囲内で当技術分野の通常の知識を有している者により様々な形態の置換、変形及び変更が可能で、これもまた本発明の範囲に属する。
【図１】
2010034507.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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