【手続補正書】
【提出日】令和3年4月19日(2021.4.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板を処理するための半導体基板処理装置であって、
半導体基板が処理され得る処理ゾーンを含む真空チャンバと、
前記真空チャンバと流体連通し、前記真空チャンバの中にプロセスガスを供給するためのプロセスガス源と、
前記プロセスガス源からのプロセスガスが、前記真空チャンバの前記処理ゾーンに供給される際に通過するシャワーヘッドモジュールと、
処理中に半導体基板を支持するように構成されている上面を有するセラミック材料製のプラテン、及び、前記プラテンを支持する上部ステムフランジを有するセラミック材料製のステムを含む静電チャックを含む、基板台座モジュールと、を備え、
前記プラテンは、前記プラテン内に埋設されている同一平面の電極を含み、前記電極は、外側ＲＦ電極、及び内側静電クランプ電極を含み、前記外側ＲＦ電極は、リング状電極、及び前記リング状電極から前記プラテンの中央部分まで延びる少なくとも１つの半径方向に延びる供給ストリップを含み、前記プラテンの前記セラミック材料及び前記電極は、単一の焼結ステップで作製された単一構造体から成る、半導体基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体基板処理装置であって、前記プラテンは、前記リング状電極の内側に第１及び第２のＤ字形静電クランプ電極を含み、前記半径方向に延びる供給ストリップは、前記プラテンを対角線状に横切って延び、１８０°離れた２つの位置において前記リング状電極に接続され、前記第１及び第２のＤ字形電極は、前記半径方向に延びる供給ストリップを挟んで対向する、半導体基板処理装置。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体基板処理装置であって、前記プラテンは、前記プラテンの中心にある第１の端子、前記第１の端子から半径方向にオフセットしている第２の端子、及び前記第１の端子から半径方向にオフセットしている第３の端子を含み、前記第１の端子は、前記リング状電極の半径方向に延びる前記供給ストリップに電気的に接続され、前記第２の端子は前記第１のＤ字形電極に電気的に接続され、前記第３の端子は他方の前記Ｄ字形電極に電気的に接続されている、半導体基板処理装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体基板処理装置であって、前記第１、第２及び第３の端子は、前記プラテン内の開口部を通って軸線方向に延び、前記第２及び第３の端子は、前記第１の端子の位置を通る対角線に沿って整列されている、半導体基板処理装置。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体基板処理装置であって、（ａ）前記プラテンは窒化アルミニウムで作製され、前記電極はタングステンで作製され、（ｂ）前記プラテンはリフトピンを収容するように構成されている３つの貫通孔を含み、及び／又は（ｃ）前記プラテンは少なくとも３００ｍｍの直径を有する、半導体基板処理装置。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体基板処理装置はさらに、前記同一平面の電極の下方において前記プラテンに内に埋設されている同一平面の抵抗加熱器を備え、前記抵抗加熱器の各々は、前記プラテンの下側から延びる端子に接続され、前記同一平面上の電極は、前記プラテンの前記下側から延びる端子に接続され、前記抵抗加熱器の前記端子、及び前記電極の前記端子は、中空部を有する前記セラミック材料製のステムの内側に位置する軸線方向に延びる供給ロッドに接続され、前記供給ロッドは、前記セラミック材料製のステムの前記中空部の下端を越えて延びている、半導体基板処理装置。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体基板処理装置であって、前記プラテンは、前記リング状電極の内側に第１、第２、第３、及び第４のＤ字形静電クランプ電極を含み、少なくとも１つの半径方向に延びる前記供給ストリップは、前記プラテンを横切って対角線状に延びる２つの供給ストリップを備え、前記供給ストリップの各々は、１８０°離れた２つの位置において前記リング状電極に接続され、前記供給ストリップは、対角線状に延びる前記供給ストリップの間に位置する前記第１、第２、第３、及び第４の静電クランプ電極と、前記プラテンの前記中央において交差している、半導体基板処理装置。
【請求項８】
請求項２に記載の半導体基板処理装置であって、前記リング状電極は、前記第１のＤ字形電極の周りに延びるセラミック材料の第１の連続壁と、前記第２のＤ字形電極の周りに延びるセラミック材料の第２の連続壁とによって前記Ｄ字形電極から分離され、前記第１及び第２の壁は同じ幅を有し、セラミック材料の前記第１及び第２の壁の幅は、半径方向に延びる前記供給ストリップの幅よりも小さい、半導体基板処理装置。
【請求項９】
請求項１に記載の半導体基板処理装置であって、前記同一平面上の電極の下方において前記プラテンに内に埋設されている同一平面上の抵抗加熱器を更に備え、前記抵抗加熱器の各々は、前記プラテン内の開口部を通って軸線方向に延びる一対の端子に接続されている、半導体基板処理装置。
【請求項１０】
半導体基板が処理され得る処理ゾーンを含む真空チャンバ内で半導体基板を処理するために有用な静電チャックであって、
処理中に半導体基板を支持するように構成されている上面を有するセラミック材料製のプラテンと、
前記プラテン内に埋設されている同一平面上の電極と、を備え、
前記電極は、外側ＲＦ電極、及び内側静電クランプ電極を含み、前記外側ＲＦ電極は、リング状電極、及び前記リング状電極から前記プラテンの中央部分まで延びる少なくとも１つの半径方向に延びる供給ストリップを含み、前記プラテンの前記セラミック材料及び前記電極は、単一の焼結ステップで作製された単一構造体から成る、静電チャック。
【請求項１１】
請求項１０に記載の静電チャックであって、前記プラテンは、前記リング状電極の内側に第１及び第２のＤ字形静電クランプ電極を含み、少なくとも１つの前記半径方向に延びる供給ストリップは、前記プラテンを対角線状に横切って延びる単一の供給ストリップを備え、前記単一の供給ストリップは、１８０°離れた２つの位置において前記リング状電極に接続され、前記第１及び第２のＤ字形電極は、前記単一の供給ストリップを挟んで対向する、静電チャック。
【請求項１２】
請求項１０に記載の静電チャックであって、前記プラテンは、前記リング状電極の内側に第１、第２、第３、及び第４のＤ字形静電クランプ電極を含み、少なくとも１つの前記半径方向に延びる供給ストリップは、前記プラテンを横切って対角線状に延びる２つの供給ストリップを備え、前記供給ストリップの各々は、１８０°離れた２つの位置において前記リング状電極に接続され、前記供給ストリップは、対角線状に延びる前記供給ストリップの間に位置する前記第１、第２、第３、及び第４の静電クランプ電極と、前記プラテンの前記中央において交差している、静電チャック。
【請求項１３】
請求項１１に記載の静電チャックであって、前記プラテンは、前記プラテンの中心にある第１の端子、前記第１の端子から半径方向にオフセットしている第２の端子、及び前記第１の端子から半径方向にオフセットしている第３の端子を含み、前記第１の端子は、前記リング状電極の前記半径方向に延びる供給ストリップに電気的に接続され、前記第２の端子は前記第１のＤ字形電極に電気的に接続され、前記第３の端子は他方の前記Ｄ字形電極に電気的に接続されている、静電チャック。
【請求項１４】
請求項１０に記載の静電チャックであって、前記同一平面上の電極の下方において前記プラテンに内に埋設されている同一平面上の抵抗加熱器を更に備え、前記抵抗加熱器の各々は、前記プラテン内の開口部を通って軸線方向に延びる端子に接続されている、静電チャック。
【請求項１５】
請求項１０に記載の静電チャックであって、（ａ）前記プラテンは窒化アルミニウムで作製され、前記電極はタングステンで作製され、（ｂ）前記プラテンはリフトピンを収容するように構成されている貫通孔を含み、及び／又は（ｃ）前記プラテンは少なくとも３００ｍｍの直径を有する、静電チャック。
【請求項１６】
請求項１１に記載の静電チャックであって、前記リング状電極は、前記第１のＤ字形電極の周りに延びるセラミック材料の第１の連続壁と、前記第２のＤ字形電極の周りに延びるセラミック材料の第２の連続壁とによって前記第１及び第２のＤ字形電極から分離され、前記第１及び第２の壁は同じ幅を有する、静電チャック。
【請求項１７】
請求項１６に記載の静電チャックであって、セラミック材料の前記第１及び第２の壁の幅は、前記半径方向に延びる供給ストリップの幅よりも小さい、静電チャック。
【請求項１８】
請求項１０に記載のプラテンと、前記プラテンの下側に拡散接合されている上端部を有する中空セラミックステムとを含む基板台座モジュール。
【請求項１９】
請求項１８に記載の基板台座モジュールであって、前記同一平面上の電極の下方において前記プラテン内に埋設されている同一平面上の抵抗加熱器を更に備え、前記抵抗加熱器の各々は、前記プラテンの下側から延びる端子に接続され、前記同一平面上の電極は、前記プラテンの前記下側から延びる端子に接続され、前記抵抗加熱器の前記端子、及び前記電極の前記端子は、前記中空セラミックステムの内側に位置する軸線方向に延びる供給ロッドに接続され、前記供給ロッドは、前記中空セラミックステムの下端を越えて延びている、基板台座モジュール。
【請求項２０】
請求項１８に記載の基板台座モジュールであって、前記プラテンは、前記リング状電極の内側に第１及び第２のＤ字形静電クランプ電極を含み、少なくとも１つの前記半径方向に延びる供給ストリップは、前記プラテンを対角線状に横切って延びる単一の供給ストリップを備え、１８０°離れた２つの位置において前記リング状電極に接続され、前記第１及び第２のＤ字形電極は、前記単一の供給ストリップを挟んで対向する、基板台座モジュール。