【手続補正書】
【提出日】平成16年12月24日(2004.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁表面上に半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層上に絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記絶縁膜上に、第１の幅を有する第１の導電層と、第２の導電層との積層からなる第１の電極を形成する第３の工程と、
前記第１の電極をマスクとして、前記半導体層に不純物元素を添加して高濃度不純物領域を形成する第４の工程と、
前記第１の電極における前記第２の導電層をエッチングして、前記第１の幅を有する第１の導電層と、第２の幅を有する第２の導電層との積層からなる第２の電極を形成する第５の工程と、
前記第２の電極における前記第１の導電層をエッチングして、第３の幅を有する第１の導電層と、前記第２の幅を有する第２の導電層との積層からなる第３の電極を形成する第６の工程と、
前記第２の導電層をマスクとして、前記第１の導電層または前記絶縁膜を通過させて前記半導体層に不純物元素を添加して低濃度不純物領域を形成する第７の工程と、
を有する半導体装置の作製方法。
【請求項２】
絶縁表面上に半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層上に絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記絶縁膜上に、第１の幅を有する第１の導電層と、第２の導電層との積層からなる第１の電極を形成する第３の工程と、
前記第１の電極における前記第２の導電層をエッチングして、前記第１の幅を有する第１の導電層と、第２の幅を有する第２の導電層との積層からなる第２の電極を形成する第４の工程と、
前記第２の電極をマスクとして、前記半導体層に不純物元素を添加して高濃度不純物領域を形成する第５の工程と、
前記第２の電極における前記第１の導電層をエッチングして、第３の幅を有する第１の導電層と、前記第２の幅を有する第２の導電層との積層からなる第３の電極を形成する第６の工程と、
前記第２の導電層をマスクとして、前記第１の導電層または前記絶縁膜を通過させて前記半導体層に不純物元素を添加して低濃度不純物領域を形成する第７の工程と、
を有する半導体装置の作製方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、前記第２の幅は、前記第１の幅より狭いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一において、前記第３の幅は、前記第１の幅より狭く、且つ、前記第２の幅より広いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記第３の工程は、
前記絶縁膜上に、第１の導電膜と第２の導電膜を積層形成した後、
前記第２の導電膜に第１のエッチング処理を行って前記第２の導電層を形成し、
前記第１の導電膜に第２のエッチング処理を行って前記第１の導電層を形成して、前記第１の幅を有する第１の導電層と、前記第２の導電層との積層からなる前記第１の電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
絶縁表面上に半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層上に絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記絶縁膜上に第１の導電膜と第２の導電膜を積層形成する第３の工程と、
前記第２の導電膜をエッチングして、第１の幅を有する第２の導電層を形成する第４の工程と、
前記第１の幅を有する第２の導電層をマスクとして、前記第１の導電膜または前記絶縁膜を通過させて前記半導体層に不純物元素を添加して高濃度不純物領域を形成する第５の工程と、
前記第１の導電膜をエッチングして、前記第２の幅を有する第１の導電層と、第３の幅を有する第２の導電層との積層からなる第１の電極を形成する第６の工程と、
前記第１の電極における前記第２の導電層をエッチングして、前記第２の幅を有する第１の導電層と、第４の幅を有する第２の導電層との積層からなる第２の電極を形成する第７の工程と、
前記第２の電極における前記第１の導電層をエッチングして、第５の幅を有する第１の導電層と、前記第４の幅を有する第２の導電層との積層からなる第３の電極を形成する第８の工程と、
前記第４の幅を有する第２の導電層をマスクとして、前記第１の導電層または前記絶縁膜を通過させて前記半導体層に不純物元素を添加して低濃度不純物領域を形成する第９の工程と、
を有する半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、前記第２の幅は、前記第１の幅より狭いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、前記第５の幅は、前記第２の幅より狭く、且つ、前記第４の幅より広いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
絶縁表面上に半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層上に絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記絶縁膜上に第１の導電膜と第２の導電膜を積層形成する第３の工程と、
前記第２の導電膜をエッチングして、第１の幅を有する第２の導電層を形成する第４の工程と、
前記第１の幅を有する第２の導電層をマスクとして、前記第１の導電膜または前記絶縁膜を通過させて前記半導体層に不純物元素を添加して高濃度不純物領域を形成する第５の工程と、
前記第２の導電層をエッチングして、前記第２の幅を有する第２の導電層を形成する第６の工程と、
前記第１の導電膜をエッチングして、第３の幅を有する第１の導電層と、前記第２の幅を有する第２の導電層との積層からなる電極を形成する第７の工程と、
前記第２の幅を有する第２の導電層をマスクとして、前記第１の導電層または前記絶縁膜を通過させて前記半導体層に不純物元素を添加して低濃度不純物領域を形成する第８の工程と、
を有する半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、前記第２の幅は、前記第１の幅より狭いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、前記第３の幅は、前記第１の幅より狭く、且つ、前記第２の幅より広いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
絶縁表面上に半導体層を形成する第１の工程と、
前記半導体層上に絶縁膜を形成する第２の工程と、
前記絶縁膜上に第１の導電膜と第２の導電膜を積層形成する第３の工程と、
前記第２の導電膜をエッチングして、第１の幅を有する第２の導電層を形成する第４の工程と、
前記第１の幅を有する第２の導電層をマスクとして、前記第１の導電膜または前記絶縁膜を通過させて前記半導体層に不純物元素を添加して高濃度不純物領域を形成する第５の工程と、
前記第１の導電膜及び前記第２の導電層をエッチングして、第２の幅を有する第１の導電層と、第３の幅を有する第２の導電層との積層からなる電極を形成する第６の工程と、
前記第３の幅を有する第２の導電層をマスクとして、前記第１の導電層または前記絶縁膜を通過させて前記半導体層に不純物元素を添加して低濃度不純物領域を形成する第７の工程と、
を有する半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１２において、前記第３の幅は、前記第１の幅より狭いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１４】
請求項１２または請求項１３において、前記第２の幅は、前記第１の幅より狭く、且つ、前記第３の幅より広いことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１乃至１４のいずれか一において、前記不純物元素は、半導体にｎ型またはｐ型を付与する不純物元素であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１乃至１５のいずれか一において、前記第１の導電層はＴａＮ層であり、前記第２の導電層はＷ層であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１乃至１６のいずれか一に記載された半導体装置とは、ビデオカメラ、デジタルカメラ、プロジェクター、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯型情報端末、デジタルビデオディスクプレーヤー、または電子遊技機器である。