(57)【要約】【課題】本発明は、半導体素子との接着性を良好に維持することが可能な配線基板の製造方法を提供することができる。【解決手段】導電板上に絶縁層が積層された基板を準備する工程と、前記絶縁層を貫通する貫通孔を形成する工程と、前記導電板を電極として、前記導電板に電気を流し電気メッキにより前記貫通孔にビア導体を形成する工程と、前記導電板を前記絶縁層及び前記ビア導体から剥離する工程と、前記導電板を剥離することにより露出する前記絶縁層の一部をエッチングして、前記ビア導体の一部を前記絶縁層の表面から突出させる工程と、を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電板上に絶縁層が積層された基板を準備する工程と、
前記絶縁層を貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記導電板を電極として、前記導電板に電気を流し電気メッキにより前記貫通孔にビア導体を形成する工程と、
前記導電板を前記絶縁層及び前記ビア導体から剥離する工程と、
前記導電板を剥離することにより露出する前記絶縁層の一部をエッチングして、前記ビア導体の一部を前記絶縁層の表面から突出させる工程と、
を備えたことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板の製造方法において、
前記絶縁層は、前記導電層上に形成された接着層と、前記接着層上に形成されたフィルム層との積層体であって、
前記導電板を剥離することによって前記接着層を露出させ、その後、前記接着層をエッチングして前記フィルム層を露出させて、前記ビア導体を前記フィルム層の表面から突出させることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載の配線基板の製造方法において、
前記絶縁層は、前記導電板上に形成された接着層と、前記接着層上に形成され前記接着層よりも熱分解温度が高いフィルム層との積層体であって、
前記貫通孔は、前記フィルム層側から前記接着層側に向かってレーザー光が照射され、前記フィルム層よりも前記接着層が幅広にエッチングされて形成されることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の配線基板の製造方法において、
前記絶縁層は、前記金属板上に形成された接着層と、前記接着層上に形成され前記接着層よりも高剛性のフィルム層との積層体であって、
前記貫通孔を形成した後であって、前記ビア導体を形成する前に、
前記貫通孔にエッチング液を流入し、前記フィルム層よりも前記接着層を幅広にエッチングすることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項３又は請求項４に記載の配線基板の製造方法において、
前記ビア導体は、前記フィルム層から突出する前記ビア導体の最大幅が、前記フィルム層内に位置する前記ビア導体の最大幅よりも幅広に形成されていることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の配線基板の製造方法において、
前記絶縁層の表面から突出した前記ビア導体の一部を、電子部品と電気的に接続させるバンプとして用いることを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種オーディオビジュアル機器や家電機器、通信機器、コンピュータ機器又はその周辺機器などの電子機器に使用される配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ＩＣ（Integrated Circuit）又はＬＳＩ（Large Scale Integration）等の半導体素子を実装することが可能な配線基板が知られている。
【０００３】
近年では、電子部品の小型軽量化を目的として、絶縁層と導電層とを交互に複数積層した配線基板が開発されている。このような配線基板は、上下位置の異なる導電層同士をビア導体を介して接続している。
【０００４】
ビア導体の形成方法として、銅箔上に貫通孔を有するプリント基板を準備し、電気メッキ法を用いて、メッキ条件を観察しながら貫通孔に銅箔側からビア導体を形成する方法が開示されている（下記特許文献１参照）。また、ビア導体上に半田を介して半導体素子を実装する技術が開示されている（下記特許文献２参照）。しかしながら、配線基板と半導体素子との間の距離が短いと、両者の熱膨張率の違いにより、外部からの熱に起因して両者が剥離する虞がある。
【特許文献１】特開２００１−１７７２３８号公報
【特許文献２】特開２００５−２４３７８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、半導体素子との接着性を良好に維持することが可能な配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法は、導電板上に絶縁層が積層された基板を準備する工程と、前記絶縁層を貫通する貫通孔を形成する工程と、前記導電板を電極として、前記導電板に電気を流し電気メッキにより前記貫通孔にビア導体を形成する工程と、前記導電板を前記絶縁層及び前記ビア導体から剥離する工程と、前記導電板を剥離することにより露出する前記絶縁層の一部をエッチングして、前記ビア導体の一部を前記絶縁層の表面から突出させる工程と、を備えている。
【０００７】
また、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法は、前記絶縁層が、前記導電層上に形成された接着層と、前記接着層上に形成されたフィルム層との積層体であって、前記導電板を剥離することによって前記接着層を露出させ、その後、前記接着層をエッチングして前記フィルム層を露出させて、前記ビア導体を前記フィルム層の表面から突出させる。
【０００８】
また、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法は、前記絶縁層が、前記導電板上に形成された接着層と、前記接着層上に形成され前記接着層よりも熱分解温度が高いフィルム層との積層体であって、前記貫通孔は、前記フィルム層側から前記接着層側に向かってレーザー光が照射され、前記フィルム層よりも前記接着層が幅広にエッチングされて形成される。
【０００９】
また、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法は、前記絶縁層が、前記金属板上に形成された接着層と、前記接着層上に形成され前記接着層よりも高剛性のフィルム層との積層体であって、前記貫通孔を形成した後であって、前記ビア導体を形成する前に、前記貫通孔にエッチング液を流入し、前記フィルム層よりも前記接着層を幅広にエッチングする。
【００１０】
また、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法は、前記ビア導体は、前記フィルム層から突出する前記ビア導体の最大幅が、前記フィルム層内に位置する前記ビア導体の最大幅よりも幅広に形成されている。
【００１１】
また、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法は、前記絶縁層の表面から突出した前記ビア導体の一部を、電子部品と電気的に接続させるバンプとして用いる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明は、半導体素子との接着性を良好に維持することが可能な配線基板の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、本発明の一実施形態に係る配線基板を含む実装構造体を図面に基づいて詳細に説明する。図１は本発明の一実施形態に係る配線基板を含む実装構造体の断面図である。図２は、図１のＸ部分の拡大図であって、配線基板の一主面から突出するビア導体の断面図である。
【００１４】
本発明の一実施形態に係る実装構造体１は、配線基板２と、配線基板２に半田３を介してフリップチップ実装された、ＩＣ又はＬＳＩ等の電子部品としての半導体素子４と、を含んで構成されている。
【００１５】
また、配線基板２は、導電層５と絶縁層６とを交互に複数積層して構成されている。導電層５は、電気信号を伝達する信号線路としての機能と、半導体素子４を共通の電位、例えばアース電位にするグランド層としての機能とを備えている。なお、導電層５は、例えば、銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の金属材料からなる。
【００１６】
絶縁層６は、接着層６ａとフィルム層６ｂとを交互に複数積層して構成されている。接着層６ａは、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂が使用される。かかる熱硬化性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂、シリコン樹脂又はビスマレイミドトリアジン樹脂等からなる。熱可塑性樹脂としては、半田リフロー時の加熱に耐える耐熱性を有する必要があることから、構成する材料の軟化温度が２００℃以上であることが望ましく、例えば、液晶ポリマー、熱可塑性ポリイミド、ポリエーテルケトン又はシンジオ型ポリスチレン等からなる。なお、接着層６ａの熱膨張率は、例えば１５ｐｐｍ／℃以上８０ｐｐｍ／℃以下である。また、接着層６ａは、乾燥後の厚みが例えば１μｍ以上１５μｍ以下となるように設定されている。なお、本発明の一実施形態おいて、熱膨張率は、ＩＳＯ  １１３５９−２に準ずる。
【００１７】
また、接着層６ａには、多数のフィラーが含有されていても構わない。接着層６ａにフィラーが含有されていることによって、接着層６ａの硬化前の粘度を調整することができ、接着層６ａの厚み寸法を所望の値に近づけることができる。フィラーは、略球状である。フィラーは、例えば、酸化珪素、炭化珪素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム又は水酸化アルミニウム等から成る。フィラーの径は、例えば０．０５μｍ以上６μｍ以下に設定されている。なお、フィラーの熱膨張率は、例えば−５ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下である。
【００１８】
フィルム層６ｂは、接着層６ａを介して導電層５上に積層される。フィルム層６ｂは、配線基板２の平坦性を確保するために精密に厚さが制御されている。また、フィルム層６ｂは、弾性変形可能であって、耐熱性と硬さに優れた特性の材料であることが望ましい。この様な特性を有するフィルム層６ｂとしては、例えば、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂、全芳香族ポリアミド樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂又は液晶ポリマー樹脂等、あるいはこれらの樹脂の混合物を用いることができる。
【００１９】
フィルム層６ｂとしては、ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂を使用することが望ましい。ポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂は、熱膨張率が−５ｐｐｍ／℃以上５ｐｐｍ／℃以下と小さい。このような低熱膨張樹脂を使用することによって、半導体素子４を実装する配線基板２自体の熱膨張を抑制することができる。その結果、配線基板２を半導体素子４の熱膨張率に近づけることができ、半導体素子４と配線基板２との接着性を良好に維持することができる。なお、フィルム層６ｂの厚みは、例えば２μｍ以上２０μｍ以下となるように設定されている。
【００２０】
図２に示すように、配線基板２の最上層に位置する絶縁層には、配線基板２内から配線基板２外に向って突出するビア導体７が形成されている。ビア導体７は、導電層５とビア導体７上に設けられる半導体素子４とを電気的に接続するためのものである。ビア導体７の一部は、配線基板２の最上層に位置する絶縁層から突出しており、その上端に半田３が形成される。なお、ビア導体７は、例えば、銅、銀、金、白金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料からなる。
【００２１】
ここで、配線基板２の最上層に位置する絶縁層は、フィルム層６ｂである。半導体素子４を実装する側の層を、平坦性に優れたフィルム層６ｂとすることによって、配線基板２の最上層の表面に対する半導体素子４の傾きを小さくすることができる。その結果、半導体素子４と配線基板２の上面とを略平行にすることで、外部からの熱に起因して、半導体素子４と配線基板２との複数ある接続箇所に対して加わる応力を効率良く分散させることができる。そして、半導体素子４と配線基板２との接続を良好に維持することができる。
【００２２】
ビア導体７の下端は、導電層５と接続されており、両者は一体に形成されている。そのため、ビア導体７の下端と導電層５との接着力を強く、両者の接続を良好に維持することができる。
【００２３】
突出するビア導体７の一部は、絶縁層６に埋設されているビア導体７の一部よりも幅広に形成されている。具体的には、ビア導体７を配線基板２の厚み方向に断面視したとき、突出するビア導体７の一部の最大径は、絶縁層６に埋設されているビア導体７の一部の最大径よりも大きく設定されている。そのため、配線基板２から外部に突出しているビア導体７は、幅広に形成されているため、絶縁層６内に位置するビア導体７よりも衝撃に優れている。また、突出するビア導体７の一部と絶縁層６に埋設されているビア導体７の一部は一体に形成されているため、両者の結合力が大きく、両者の接続状態を良好に維持することができる。かかる突出するビア導体７の一部の最大径は、例えば５０μｍ以上１５０μｍ以下に設定されている。また、絶縁層６に埋設されているビア導体７の一部の最大径は、例えば３０μｍ以上８０μｍ以下に設定されている。
【００２４】
また、配線基板２の上面からビア導体７の上端までの長さは、例えば３０μｍ以上１５０μｍ以下に設定されている。ビア導体７を配線基板２の上面よりも高く設けることで、配線基板２の上面の高さ位置と半導体素子４の高さ位置の間の距離を長くすることができる。配線基板２と半導体素子４との間の距離が短いと、配線基板２及び半導体素子４は、両者の熱膨張の差に起因して、外部からの熱が加わると、両者が剥離しやすい。一方、本発明の一実施形態に係る配線基板によれば、配線基板２の上面から突出したビア導体７の上端に半田３を設け、その上方に半導体素子４を設けたことにより、配線基板２と半導体素子４との間の距離を長くすることができる。その結果、外部から熱が加わったとしても、突出しているビア導体７が大きく撓む。そして、ビア導体７が撓むことにより、配線基板２と半導体素子４との熱膨張の差に基づく応力を、ビア導体７にて吸収することができる。
【００２５】
また、ビア導体７の突出している一部と配線基板の最上層に位置する絶縁層６との間には、空隙Ｐが形成されている。外部からの熱に起因してビア導体７が撓む場合、空隙Ｐが存在することにより、突出するビア導体７の周囲にそのビア導体７の移動を抑制する物体を低減することができる。その結果、ビア導体７が撓むのを抑制する力を低減することができ、ビア導体７が大きく撓むことができる。
【００２６】
空隙Ｐの大きさについて説明する。ビア導体７の配線基板２の上面に位置するビア導体７の径と、突出するビア導体７の最大開口径との差が、空隙Ｐの横幅の大きさである。空隙Ｐの横幅の大きさは、例えば５０μｍ以上１５０μｍ以下に設定されている。また、配線基板２の上面の高さ位置から突出するビア導体７の最大開口径の高さ位置までが、空隙Ｐの縦幅の大きさである。空隙Ｐの縦幅の大きさは、例えば３０μｍ以上１５０μｍ以下に設定されている。
【００２７】
ビア導体７の上端には、導電部材８が形成されている。導電部材８は、平面視してビア導体７の内側に位置するように設けられている。導電部材８は、上部よりも下部が幅広に形成されている。そのため、導電部材８とビア導体７との接着面積を大きくすることができ、両者の接着性を良好に維持することができる。また、導電部材８は、ビア導体７との接着性の優れた材料からなり、例えばニッケル、クロム、銀又は錫等からなる。
【００２８】
導電部材８を被覆するように半田３が形成されている。半田３の下面は、ビア導体７から導電部材８にかけて形成されている。そして、半田３は、平坦でない凸状の導電部材８の周囲を被覆することにより、半田３と導電部材８との接触面積を大きくすることができ、両者の接着性を良好に維持することができる。
【００２９】
絶縁層６の内部には、導電層５同士を接続するための接続部材９が形成されている。接続部材９は、上部よりも下部が幅広に形成されている。なお、接続部材９は、例えば、銅、銀、金、白金、アルミニウム、ニッケル又はクロム等の導電材料からなる。
【００３０】
半導体素子４には、絶縁層６の熱膨張率と近似する材料が使用され、例えばシリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム砒素リン、窒化ガリウム又は炭化珪素等を用いることができる。なお、半導体素子４の厚み寸法は、例えば０．１ｍｍから１ｍｍのものを使用することができる。なお、上述した一実施形態においては、電子部品として半導体素子を用いたが、電子部品として、例えば、積層セラミックコンデンサ、スパッタ等の真空プロセスによって作製された薄膜コンデンサ、薄膜抵抗又はインピーダンス、並びにこれらを組み合わせて作製された高周波フィルター又はバラン等の機能素子、ＭＥＭＳ等を用いることができる。
【００３１】
上述したように、本発明の一実施形態に係る配線基板によれば、ビア導体７を配線基板の一主面から突出させて形成する。そして、突出したビア導体７上に半田３を介して半導体素子４をフリップチップ実装したことから、配線基板２と半導体素子４との間の距離を大きくすることができる。その結果、外部からの熱に起因して配線基板と半導体素子との接続箇所に応力が加わったとしても、配線基板の上面から突出したビア導体７が大きく撓むことで、その応力を緩和し、半導体素子と配線基板との接着性を良好に維持することができる。
【００３２】
次に、上述した実装構造体１の製造方法について、図３から図９を用いて説明する。
【００３３】
まず、図３（Ａ）に示すように、上面に金属層８ｘを有する導電板１０を準備する。なお、金属層８ｘは、導電板１０から剥離しやすい銅箔等からなる。また、導電板１２は、例えばステンレス等の鉄系合金、インコネル等のニッケル系合金、あるいはコバルト合金から成り、フィルム層６ｂを貼り合わせることが可能な大きさに形成されている。導電板１２の表面は、平坦に形成されており、鏡面加工されていることが望ましい。また、導電板１２上にクロム等により硬質メッキを施してもよい。
【００３４】
そして、図３（Ｂ）に示すように、導電板１０上に接着層６ａを介してフィルム層６ｂを積層する。接着層６ａとしてはポリイミド樹脂を用い、フィルム層６ｂとしてはポリパラフェニレンベンズビスオキサゾール樹脂を用いる。
【００３５】
そして、図３（Ｃ）に示すように、例えばＹＡＧレーザー装置又はＣＯ２レーザー装置を用いて、フィルム層６ｂ及び接着層６ａに向けてレーザー光を照射し、フィルム層６ｂから接着層６ａまでを貫通する貫通孔Ｐｘを形成する。貫通孔Ｐｘは、フィルム層６ｂに対して垂直方向からレーザー光が照射されることによって、金属層８ｘの一部が露出して形成される。なお、貫通孔Ｐｘは、上部よりも下部が幅狭に形成される。
【００３６】
次に、貫通孔Ｐｘ内に、例えば過マンガン酸、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム等の水溶液、或いは加熱水溶液を流入する。そして、図４（Ａ）に示すように、フィルム層６ｂよりも接着層６ａの内壁面に位置する接着層６ａを構成する樹脂を大きくエッチングして、貫通孔Ｐを形成する。接着層６ａは、フィルム層６ｂよりも、樹脂の耐アルカリ性が低いためエッチングされやすい。過マンガン酸と水酸化ナトリウムの混合水溶液を６０℃〜７０℃に加熱して用いると、接着層６ａのエッチング性が高く作業効率が良い。貫通孔Ｐｘ内に、水溶液を流入する方法としては、薬品槽内に基板を浸漬し、そして基板を揺動する。また、貫通孔Ｐｘに対して、水溶液をスプレーするなどの方法で貫通孔Ｐｘ内に強制的に水溶液を流入させても良い。
【００３７】
そして、図４（Ｂ）に示すように、電気メッキ法を用いて、貫通孔Ｐにビア導体７を形成する。具体的には、貫通孔Ｐを形成した基板を電気メッキ液内に設け、導電板１０に電気を流すことによって、貫通孔Ｐの底部に露出する金属層８ｘからメッキを析出させる。そして、メッキが、導電板１０側から成長して、メッキによって貫通孔Ｐを埋める。さらに、フィルム層６ｂ上にまで、メッキを成長させてメッキ層５ｘを形成する。
【００３８】
また、電気メッキ法にて形成したビア導体７は、無電界めっきで形成するビア導体に比べて、ビア導体を構成する分子の密度が大きく、外部からの熱に起因してクラックが発生しにくい。また、電気メッキ法によれば、ビア導体７の一部を構成するめっきが貫通孔Ｐの内壁面及び底面から成長するため、貫通孔Ｐにめっきの充填がし易い。
【００３９】
そして、図４（Ｃ）に示すように、従来周知のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて、メッキ層５ｘをパターニングして導電層５を形成する。
【００４０】
次に、図５（Ａ）に示すように、フィルム層６ｂ及びメッキ層５ｘ上に、接着層６ａを介してフィルム層６ｂを形成する。そして、図５（Ｂ）に示すように、例えばＹＡＧレーザー装置又はＣＯ２レーザー装置を用いて、フィルム層６ｂ及び接着層６ａに向けてレーザー光を照射し、フィルム層６ｂから接着層６ａまでを貫通する貫通孔Ｈを形成する。貫通孔Ｈは、フィルム層６ｂに対して垂直方向からレーザー光が照射されることによって、導電層５の一部が露出して形成される。なお、貫通孔Ｈは、上部よりも下部が幅狭に形成される。さらに、図５（Ｃ）に示すように、電気メッキ法を用いて、貫通孔Ｈに接続部材９を形成する。具体的には、貫通孔Ｈを形成した基板を電気メッキ液内に設け、導電板１０に電気を流すことによって、貫通孔Ｈの底部に露出する導電層５からメッキを析出させる。そして、メッキが、導電板１０側から成長して、メッキによって貫通孔Ｈを埋める。さらに、フィルム層６ｂ上にまで、メッキを形成する。そして、従来周知のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて、フィルム層６ｂ上に導電層５を形成する。
【００４１】
さらに、上述した方法を用いて、上述した絶縁層６及び導電層５の積層工程を繰り返すことで、図６（Ａ）に示すように、多層積層体を作製することができる。
【００４２】
次に、図６（Ｂ）に示すように、導電板１０を多層積層体から剥離する。具体的には、金属層８ｘから導電板１０を剥離する。導電板１０は、金属層８ｘに対して樹脂あるいは導電性粒子を混合した導電性の樹脂を介して、剥離可能に接着されているため、金属層８ｘから剥離することができる。なお、導電板１０と金属層８ｘとが一体に形成されており、接着層６ａ及びビア導体７から剥離しても良い。
【００４３】
そして、図７（Ａ）に示すように、金属層８ｘ上にレジストＲｘを塗布する。そして、図７（Ｂ）に示すように、従来周知のフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて、ビア導体７の直下に位置するレジストＲｘのみを残存させて、ビア導体７の直下にレジストＲを形成する。
【００４４】
次に、図８（Ａ）に示すように、レジストＲが形成されずに、露出した金属層８ｘを塩化第二鉄、塩化銅等の水溶液を主成分とするエッチング液を用いてエッチングし、接着層６ａを露出させるとともに、金属層８ｙを形成することができる。さらに、図８（Ｂ）に示すように、金属層８ｙ上に被着したレジストＲを水酸化ナトリウム水溶液等を用いて除去する。
【００４５】
そして、図９（Ａ）に示すように、露出した接着層６ａ、すなわちビア導体７が埋設された接着層６ａに対して、例えば過マンガン酸、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウム等の水溶液、或いは加熱水溶液中に浸漬する。接着層６ａは、フィルム層６ｂよりも、樹脂の耐アルカリ性が低いためエッチングにより除去される。過マンガン酸と水酸化ナトリウムの混合水溶液を６０℃〜７０℃に加熱して用いると、接着層６ａのエッチング性が高く作業効率が良い。また、接着層６ａの除去には、サンドブラスト等の物理的方法を用いても良い。ブラストのメディアは砂(サンド)の他、酸化アルミニウム又は炭化ケイ素などのセラミック、鉄又はステンレスなどの球状金属粒子、を用いても良い。メディアを吹き付ける媒体は空気の他、水を用いても良い。上述した水溶液で接着層６ａを化学的にエッチングするか、物理的に除去することができる。物理的な除去は、接着層６ａとレジストＲを同時に除去できるため、工程が簡略化される特長がある。その結果、ビア導体７の側面を被覆する接着層６ａの一部をエッチングすることができ、ビア導体７の側面の一部を露出させることができる。このようにして、ビア導体７の一部をフィルム層６ｂから突出させることができる。
【００４６】
このとき、金属層８ｙの一部も、接着層６ａがエッチングさせる際に、エッチングされる。そして、金属層８ｙの端部が大きくエッチングされて、導電部材８が形成される。その結果、ビア導体７の直下に導電部材８が形成される。そして、図９（Ｂ）に示すように、ビア導体７が上部に位置するように基板を上下反転させることで、配線基板２を作製することができる。このようにして、剛性の優れた基体としての機能を備えたコア基板を有さない、コアレス基板を作製することができる。
【００４７】
そして、配線基板２に対して半田３を介して半導体素子４をフリップチップ実装することによって、図１に示す実装構造体１を作製することができる。なお、半導体素子４は、導電板１０を貼り合わせていたビア導体７上に設けられる。
【００４８】
上述したように、本発明の一実施形態に係る配線基板の製造方法によれば、導電板１０を利用して電気メッキを行うことができるため、ビア導体７を短い時間で形成することができる。また、ビア導体が埋設された絶縁層の一部をエッチングすることによって、ビア導体７の一部を絶縁層から露出させることができる。その結果、ビア導体７の一部を配線基板の一主面から突出させて、配線基板と半導体素子との距離を大きくすることができる。
【００４９】
なお、本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良等が可能である。また、金属層の形成は、蒸着法を用いてもよい。かかる蒸着法を用いる場合、金属層の形成は、導電板に対してロールツウロールの連続真空蒸着装置を用いて行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施形態に係る配線基板を含む実装構造体の断面図である。
【図２】ビア導体の拡大断面図である。
【図３】図３（Ａ）、図３（Ｂ）、図３（Ｃ）は、本発明の実施形態に係る配線基板を含む実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図４】図４（Ａ）、図４（Ｂ）、図４（Ｃ）は、本発明の実施形態に係る配線基板を含む実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図５】図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）は、本発明の実施形態に係る配線基板を含む実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図６】図６（Ａ）、図６（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る配線基板を含む実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図７】図７（Ａ）、図７（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る配線基板を含む実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図８】図８（Ａ）、図８（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る配線基板を含む実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【図９】図９（Ａ）、図９（Ｂ）は、本発明の実施形態に係る配線基板を含む実装構造体の製造工程を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１    実装構造体
２    配線基板
３    半田
４    半導体素子
５    導電層
６    絶縁層
６ａ  接着層
６ｂ  フィルム層
７    ビア導体
８    導電部材
９    接続部材
１０    導電板
Ｐ    空隙
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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