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【手続補正書】
【提出日】平成16年8月31日(2004.8.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
焼成済みの積層体を以て構成されていて、
該積層体は、Ｂｉシード層と、
該Ｂｉシード層と接して設けられているＢｉ含有強誘電体層とを含むこと
を特徴とする強誘電体薄膜。
【請求項２】
請求項１に記載の強誘電体薄膜において、
前記積層体は、前記Ｂｉシード層を下地側にして、該下地上に設けられていること
を特徴とする強誘電体薄膜。
【請求項３】
請求項１に記載の強誘電体薄膜において、
前記積層体は、前記Ｂｉ含有強誘電体層を下地側にして、該下地上に設けられていること
を特徴とする強誘電体薄膜。
【請求項４】
請求項１に記載の強誘電体薄膜において、
前記Ｂｉシード層は、Ｂｉおよび酸化Ｂｉのうちの、少なくともいずれか一種を含む層であること
を特徴とする強誘電体薄膜。
【請求項５】
請求項１に記載の強誘電体薄膜において、
前記Ｂｉ含有強誘電体層を構成するＢｉ含有強誘電体が、下記の化学式
（Ｂｉ2 Ｏ2 ）2+（Ａm-1 Ｂm Ｏ3m+1）2-
ただし、ｍは１、２、３、４、および５から選ばれた１つの整数とし、
ＡはＢｉ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｎａ、Ｋおよび希土類からなる元素群より選ばれる元素とし、および、
ＢはＴｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅ、ＣｏおよびＣｒからなる元素群より選ばれる元素とする、
で表される物質とすること
を特徴とする強誘電体薄膜。
【請求項６】
請求項５に記載の強誘電体薄膜において、
前記Ｂｉ含有強誘電体が、ＳｒＢｉ2 Ｔａ2 Ｏ9 であること
を特徴とする強誘電体薄膜。
【請求項７】
請求項１に記載の強誘電体薄膜において、
前記Ｂｉ含有強誘電体層を構成するＢｉ含有強誘電体が、Ｓｒ1-x Ｂｉ2+y Ｔａ2 Ｏ9+α（０．７≦ｘ＜１、かつ０≦ｙ≦０．４とし、αは製造条件に依存する変数とする）という組成を有していること
を特徴とする強誘電体薄膜。
【請求項８】
強誘電体薄膜を製造するにあたり、
Ｂｉシード層と、該Ｂｉシード層と接するＢｉ含有強誘電体層とを含む予備積層体を形成する工程と、
前記予備積層体に対して焼成処理を行って、前記Ｂｉシード層およびＢｉ含有強誘電体層を結晶化することにより強誘電体薄膜に変える工程とを含んでいること
を特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の強誘電体薄膜の製造方法において、
前記焼成処理を、前記Ｂｉシード層の側から加熱して行うこと
を特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。
【請求項１０】
請求項８に記載の強誘電体薄膜の製造方法において、
前記Ｂｉシード層を、下地上にＢｉシード層用塗布液を塗布し、乾燥および第１仮焼成を行って、形成し、
前記Ｂｉ含有強誘電体層を、前記Ｂｉシード層上に粘度調整されたＢｉ含有金属アルコキシド溶液を塗布し、乾燥および第２仮焼成を行って、形成し、
前記焼成処理を、前記第１および第２仮焼成の温度よりも高い温度で行うこと
を特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。
【請求項１１】
請求項８に記載の強誘電体薄膜の製造方法において、
前記Ｂｉ含有強誘電体層を、粘度調整されたＢｉ含有金属アルコキシド溶液を下地上に塗布し、乾燥および第１仮焼成を行って、形成し、
前記Ｂｉシード層を、前記Ｂｉ含有強誘電体層上にＢｉシード層用塗布液を塗布し、乾燥および第２仮焼成を行って、形成する工程と、
前記焼成処理を、前記第１および第２仮焼成の温度よりも高い温度で行うこと
を特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載の強誘電体薄膜の製造方法において、
前記Ｂｉシード層用塗布液を、ビスマスアルコキシドまたはビスマスのカルボン酸塩を有機溶媒に溶解させて得られる溶液とすること
を特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
また、Ｂｉ含有強誘電体層を構成するＢｉ含有強誘電体は、下記に示す化学式、
（Ｂｉ2 Ｏ2 ）2+（Ａm-1 Ｂm Ｏ3m+1）2-
で表される物質とするのがよい。ただし、ｍは１、２、３、４、および５から選ばれた１つの整数とし、ＡはＢｉ、Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｎａ、Ｋおよび希土類からなる元素群より選ばれる元素とし、および、ＢはＴｉ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｍｏ、Ｆｅ、ＣｏおよびＣｒからなる元素群より選ばれる元素とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、好ましくは、Ｂｉ含有強誘電体層を、粘度調整されたＢｉ含有金属アルコキシド溶液を下地上に塗布し、乾燥および第１仮焼成を行って、形成し、Ｂｉシード層を、Ｂｉ含有強誘電体層上にＢｉシード層用塗布液を塗布し、乾燥および第２仮焼成を行って、形成する工程と、焼成処理を、第１および第２仮焼成の温度よりも高い温度で行うのがよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
次に、予備積層体１０ａに対して焼成処理を行って、Ｂｉシード層１１ａおよびＢｉ含有強誘電体層１３ａを結晶化することにより強誘電体薄膜１０に変える。このときの焼成温度は、上述した第１および第２仮焼成の温度よりも高い温度とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
ここでは、第２仮焼成が終了した後、同じ焼成処理装置を用いて、少なくとも下地２０および下地２０上の予備積層体１０ａに対して、８００℃の温度で６０分焼成処理を行う。なお、第２仮焼成が終了した後、６５０℃から毎分１０℃という速度で、装置内の温度が８００℃に達するまで昇温させてから、この焼成処理を行う。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
第１の実施の形態と同様にして、Ｓｉウェハ１５上にＳｉＯ2 膜１７を形成し、このＳｉＯ2 膜１７の上にＰｔ下部電極１９を形成する（図２（Ａ））。次に、Ｂｉおよび酸化Ｂｉのうちの一種または両方で構成されたＢｉシード層１１ａをＰｔ下部電極１９上に形成した後（図２（Ｂ））、Ｂｉシード層１１ａ上にＢｉ含有強誘電体層１３ａとしてのＳｒＢｉ2 Ｔａ2 Ｏ9 層を形成する（図２（Ｃ））。ＳｒＢｉ2 Ｔａ2 Ｏ9 層１３ａの組成は、実際にはＢｉが過剰に含有されており、その分Ｓｒの含有量は低減されていて、また、その他さまざまな製造条件に依存して、酸素の含有量も変化しているため、Ｓｒ1-x Ｂｉ2+y Ｔａ2 Ｏ9+αで表される。ただし、０．７≦ｘ＜１で、０≦ｙ≦０．４とする。また、αは−９よりも大きく１８よりは小さい範囲内で変動する値である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
次に、この強誘電体薄膜１０の上に、第１の実施の形態と同じようにしてＰｔ上部電極２１をスパッタリング法を用いて形成した後、下地２０、強誘電体薄膜１０および電極２１からなる構造体を酸素雰囲気中で焼成する（図４（Ｅ））。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月17日(2005.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】    トレンチゲート形パワーＭＯＳＦＥＴであって、
半導体材料と、
前記半導体材料の表面内に形成されるトレンチ内に配置されるゲートと、
第２の導電型の保護用拡散部とを有し、
前記トレンチは複数のＭＯＳＦＥＴセルを画定し、また前記各ＭＯＳＦＥＴは第１の導電型のソース領域と、前記ソース領域に隣接する前記第２の導電型のボディ領域とを有し、前記ソース領域と前記ボディ領域は前記トレンチの側面に当接し、
また前記保護用拡散部はダイオードを形成するように前記第１の導電型の領域に隣接し、前記ダイオードが前記各ＭＯＳＦＥＴセルのチャネル領域に並列に接続されることを特徴とするトレンチゲート形パワーＭＯＳＦＥＴ。
【請求項２】    前記トレンチがダイオードセルを画定し、前記保護用拡散部が前記ダイオードセル内に配置されることを特徴とする請求項１に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項３】    前記半導体材料が基板と、前記基板の表面上に形成されるエピタキシャル層とを有することを特徴とする請求項２に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項４】    前記トレンチの底部が前記エピタキシャル層内に配置され、前記基板と前記エピタキシャル層との境界面から分離されることを特徴とする請求項３に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項５】    前記保護用拡散部の底部が前記エピタキシャル層内に配置され、前記基板と前記エピタキシャル層との境界面から分離されることを特徴とする請求項４に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項６】    前記保護用拡散部が前記各ＭＯＳＦＥＴセルの前記ソース領域に短絡されることを特徴とする請求項５に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項７】    複数の前記ダイオードセルを有し、前記ダイオードセルが前記ゲートにより形成される格子内に規則的な間隔で配置されることを特徴とする請求項２に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項８】    １ダイオードセル当たり所定の数の前記ＭＯＳＦＥＴセルが存在することを特徴とする請求項７に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項９】    前記トレンチの底部が前記基板内に配置されることを特徴とする請求項３に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１０】  前記保護用拡散部の底部が前記基板と前記エピタキシャル層との境界面に配置されることを特徴とする請求項９に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１１】  前記エピタキシャル層内の前記第１の導電型の領域が、前記ボディ領域を、前記ＭＯＳＦＥＴセル内の前記基板から分離することを特徴とする請求項９に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１２】  前記トレンチが正方形セルの格子を形成することを特徴とする請求項２に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１３】  前記トレンチが縞状のセルの格子を形成することを特徴とする請求項２に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１４】  前記ゲートがゲート酸化物層により前記基板材料から分離され、また前記ダイオードが、前記酸化物層に損傷を与える電圧よりも低いブレークダウン電圧を有することを特徴とする請求項９に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１５】  前記エピタキシャル層内の前記第１の導電型の領域が、前記保護用拡散部を、前記ダイオードセルの前記基板から分離することを特徴とする請求項１１に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１６】  トレンチゲート形パワーＭＯＳＦＥＴであって、
基板と前記基板の表面上に形成されるエピタキシャル層とを有する半導体材料と、
トレンチ内に形成され、酸化物層により前記半導体材料から分離されるゲートとを有し、
前記トレンチはエピタキシャル層の表面内に形成され、かつ前記基板内に延在し、また前記トレンチは複数のＭＯＳＦＥＴセルを画定し、前記各ＭＯＳＦＥＴセルは第１の導電型のソース領域と前記ソース領域に隣接する第２の導電型のボディ領域とを有し、前記ソース領域及び前記ボディ領域は前記トレンチの側面に当接し、
また前記ボディ領域は前記第１の導電型のドレイン領域に隣接し、前記ボディ領域と前記ドレイン領域との間のＰＮ接合部がダイオードを形成し、また前記ダイオードが、前記酸化物層に損傷を与える電圧より低いブレークダウン電圧を有することを特徴とするトレンチゲート形パワーＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１７】  前記ボディ領域が、前記各ＭＯＳＦＥＴセルの前記ソース領域に短絡されることを特徴とする請求項１６に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１８】  前記トレンチが格子を有し、前記複数のＭＯＳＦＥＴセルのそれぞれがＭＯＳＦＥＴセルかダイオードセルの何れかを含み、前記複数のＭＯＳＦＥＴセルが少なくとも１つのＭＯＳＦＥＴセルと１つのダイオードセルを含み、
前記第２の導電型のボディ領域が、前記ソース領域に隣接しかつチャネル領域を含み、前記チャネル領域は、前記パワーＭＯＳＦＥＴがオン状態にあるとき前記ソース領域と前記ドレイン領域との間に電流を流す役目を果たし、
前記ダイオードセルのそれぞれは、前記第２導電型の前記保護用拡散部を含み、前記ダイオードセル１つに対して所定の数の前記ＭＯＳＦＥＴセルが存在し、
前記ダイオードセルは前記トレンチの側面に隣接するチャネル領域を含まず、前記格子において規則的な間隔で配置され、それによって前記トレンチの近傍における電界強度を規制し、ホットキャリアの形成を抑制することを特徴とする請求項１に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【請求項１９】  前記基板が、前記エピタキシャル層より高いドーピング濃度を有することを特徴とする請求項１６に記載のＭＯＳＦＥＴ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月15日(2005.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
次に、電池Ａ〜Ｙを各５セルずつ用意して、環境温度２０℃で、上限電圧を４．２Ｖに設定して、最大電流５６０ｍＡで２時間定電流・定電圧充電を行った。放電はこの充電状態の電池を放電電流８００ｍＡ、放電終止電位３．０Ｖの定電流放電を行った。そして、それぞれ１０サイクル目の放電容量を初期容量とし、そこで電池のレート試験を行い、２Ｃ放電維持率を算出した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
【表１】
1999195410.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
（表１）の結果から、電池Ａ〜Ｔは、電池Ｕと比べ充放電サイクル寿命が増大した。また、充放電サイクル寿命はセパレータおよび負極の表面粗度が大きくなるにつれて増大した。これは、正、負極間の間隙の部分に電解液を多く保持することができ、電解液と正、負極のガス発生もしくは皮膜形成等の不可逆反応による電解液の枯渇を抑えることができるためである。                      
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
【表２】
1999195410.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月12日(2004.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】充電装置及び電子機器


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッテリパックのバッテリセルを充電する充電回路と、
前記バッテリパックよりのバッテリセル電圧検出情報、充電電流積算量情報及び前記バッテリパックを使用する電子機器の消費電力情報が供給される演算手段と、
該演算手段の演算結果を表示する表示手段とを有し、
前記演算手段により前記バッテリセルの充電中の現在の充電容量を算出して前記表示手段に表示すると共に現在の充電容量で前記バッテリパックを使用する電子機器の使用可能時間を算出して前記表示手段に表示するようにしたことを特徴とする充電装置。
【請求項２】
請求項１記載の充電装置において、
前記演算手段に前記バッテリセルの温度情報を供給するようにしたことを特徴とする充電装置。
【請求項３】
請求項１記載の充電装置において、
前記表示手段の前記充電容量の表示を段階的に行うようにすると共にこの表示の最上階を点滅するようにしたことを特徴とする充電装置。
【請求項４】
電源としてバッテリパックが取り付け可能な電子機器であって、
バッテリパックのバッテリセルを充電する充電回路と、
前記バッテリパックよりのバッテリセル電圧検出情報、充電電流積算量情報及び該電子機器の消費電力情報が供給される演算手段と、
該演算手段の演算結果を表示する表示手段とを有し、
前記演算手段により前記バッテリセルの充電中の現在の充電容量を算出して前記表示手段に表示すると共に現在の充電容量で該電子機器の使用可能時間を算出して前記表示手段に表示するようにしたことを特徴とする電子機器。
【請求項５】
請求項４記載の電子機器において、
前記演算手段に前記バッテリセルの温度情報を供給するようにしたことを特徴とする電子機器。
【請求項６】
請求項４記載の電子機器において、
前記表示手段の前記充電容量の表示を段階的に行うようにすると共にこの表示の最上階を点滅するようにしたことを特徴とする電子機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、カメラ一体型ビデオテープレコーダ（以下ビデオカメラという）、携帯用電話機、パーソナルコンピュータ等の電子機器の電源として使用されるバッテリパックを充電するのに使用して好適な充電装置及びこの充電装置を組込んだ電子機器に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明充電装置及び電子機器の実施の形態の例につき説明しよう。図１例は本発明充電装置を電子機器としてのビデオカメラに組込んだ例を示す。図１において、１はビデオカメラに組込んだ充電装置を示す。このビデオカメラの構成は従来周知の構成とするのでその詳細説明は省略する。また、図１において、２は商用電源に接続し、ビデオカメラ及びこの充電装置１に電源を供給するＡＣアダプタである。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
本発明充電装置を組込んだ電子機器の実施の形態の例を示す構成図である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月6日(2005.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  テープガイドシステムにおいて、
ベースプレート（２）と、テープ状部材、特に信号を記録及び／又は再生するための磁気テープ、を案内するためのテープガイドエレメント（２０）とが設けられており、
テープガイドエレメントをベースプレート（２）上に配置するための別の手段と、特に繰出しリールから巻取りリールへ、及びその逆への前記テープ状部材の搬送中に該テープ状部材の案内に関して前記テープガイドエレメントを調節する手段とを備えており、
前記テープガイドエレメント（２０）を調節する手段が、ベースプレート（２）上に配置されたレバー状部材（２１）によって形成され、該レバー状部材上にテープガイドエレメント（２０）が、前記レバー状部材（２１）の作動によって同時に前記ベースプレート（２）に対して垂直方向の、テープガイドエレメント（２０）の調整運動を生ぜしめるように配置されている形式のものにおいて、
レバー状部材（２１）が、該レバー状部材（２１）と係合した二腕レバーとして構成された調節板金（２４）を介して作動させられ、前記二腕レバーが、レバー端部のうちの一方によってテープガイドエレメント（２０）の近くにおいてテープガイドエレメント（２０）を支持しておりかつ、調節ねじ（２５）を介してベースプレート（２）に結合されており、前記調節ねじが、調節のために作動されることができかつ、他方のレバー端部に作用するようになっており、ベースプレート（２）に設けられたエッジ（Ｙ）が二腕レバーのための旋回支点として作用していることを特徴とする、テープガイドシステム。
【請求項２】  調節板金（２４）として形成された二腕レバーの梃子腕長の比（Ａ）対（Ｂ）が、テープガイドエレメント（２０）の調節のための調節感度を決定する、請求項１記載のテープガイドシステム。
【請求項３】  テープガイドエレメント（２０）が、該テープガイドエレメントを支持してベースプレート（２）上に配置されたレバー状部材（２１）に調整可能に配置されている、請求項１又は２記載のテープガイドシステム。
【請求項４】  請求項１から３までのいずれか１項記載のテープガイドシステムを有する、テープ状記録担体を用いて信号を記録及び／又は再生するためのレコーダ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月11日(2005.5.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
適合するＢＧＡ端子ＩＣ或いはＬＧＡ端子ＩＣのパッドと略同等の大きさの平板状絶縁体部(11)と、この平板状絶縁体部上面に前記適合ＩＣの接続端子群(Ts,Ts, …) に位置を一致させてマトリクス状に配置・保持され、中央に微小凹部(12)を有した筒状導電体群(13,13, …) と、この筒状導電体群(13,13, …) に対応して前記平板状絶縁体部(11)の下面に配置され互いに絶縁されるとともに位置対応位置の各筒状導電体に個々に電気接続された下部導体群(15,15, …) とにより構成された接続平板部(10)と、前記接続平板部(10)の上面側に載置された適合ＩＣを下方に押圧する係止手段(40)と、前記接続平板部(10)の上面に位置して当接せしめた、前記適合するＩＣのパッドと略同等の大きさの可撓性を有した薄平板状絶縁体(17)に前記適合ＩＣの接続端子群(Ts,Ts, …) と一致する位置に配置・保持された中央に微小貫通孔(18c)が形成された弾性を有する環状導電体群(18,18, …) で構成された接続シート(20)とからなることを特徴とするＩＣ用接続部品(30)。
【請求項２】
前記環状導電体群(18,18, …) に上面側に突出し適合ＩＣの下面側端子部に当接する突出部(18d) を設けたことを特徴とする請求項１に記載のＩＣ用接続部品(30A) 。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月27日(2004.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理装置であって、
第１の基板を支持する基板支持台と、
前記基板支持台により支持された第１の基板に第２の基板を対向させた状態で、前記第１の基板の方向に向かって前記第２の基板に加圧する加圧手段と、
を備え、
前記基板支持台はシリコンウェハを加工してなることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記基板支持台は、支持すべき基板を吸着するための吸着部を有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記吸着部は、基板を真空吸着するための封止部と、該封止部により囲まれた空間の気体を排出するための吸引孔とを含むことを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
基板の吸着時に前記封止部のみが該基板に接触することを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記基板支持台は、基板の吸着時に該基板が撓むことを防止するための撓み防止部を更に有することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記吸着部は、支持すべき基板の周辺部付近を吸着可能な位置に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記基板支持台には、支持すべき基板を当該基板支持台上で昇降するためのロードピンを通すピン孔が本体を貫通するようにして設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記加圧手段は、第２の基板の略中央部に加圧することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記基板支持台により支持された第１の基板に第２の基板を対向させて支持した後に該第２の基板の支持を解除する基板操作手段を更に備え、前記加圧手段は、前記基板操作手段による第２の基板の支持の解除に合せて該第２の基板に加圧することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記基板支持台は、第１の基板を略水平に支持し、前記基板操作手段は、第２の基板を前記第１の基板の上方に略水平に支持した後に前記第２の基板の支持を解除することを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の基板処理装置を用いて基板を処理することを特徴とする基板処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月12日(2005.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】照明光学装置、露光装置及び半導体デバイスを製造する方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、該光源からの光束を被照射物体へ導く導光系とを有する照明光学装置において、
前記光源と前記導光系との間の光路中に、前記光源からの光束の光量を制御する光量制御手段を配置し、
前記光量制御手段は、入射する光束の光量を減光する光量減光部材を有し、該減光部材は、該減光部材の入射側面が光軸に対して所定の傾斜角を持って傾けて配置されたことを特徴とする照明光学装置。
【請求項２】
前記導光系は、前記光源からの光束を受けて、複数の２次光源を形成するオプティカルインテグレータと、該オプティカルインテグレータからの光束を集光して、前記被照射物体を照明するコンデンサー光学系とを備えたことを特徴とする請求項１に記載の照明光学装置。
【請求項３】
前記導光系は、前記光量制御手段と前記オプティカルインテグレータとの間の光路中に配置され、且つ前記光源からの光束を整形する整形光学系を有することを特徴とする請求項２に記載の照明光学装置。
【請求項４】
前記減光部材の傾斜角は、５°〜１５°の範囲であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の照明光学装置。
【請求項５】
前記光量制御手段は、光束の光路に沿って複数配置された光量減光部材を有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の照明光学装置。
【請求項６】
光源と、該光源からの光束を被照射物体へ導く導光系とを有する照明光学装置において、
前記光源と前記導光系との間の光路中に、前記光源からの光束の光量を制御する光量制御手段を配置し、
前記光量制御手段は、入射する光束の光量を制御する光量制御部材を有し、前記光量制御部材は、光軸に対して所定の傾斜角を持って傾けて配置されたことを特徴とする照明光学装置。
【請求項７】
前記光量制御手段は、光束の光路に沿って複数の前記光量制御部材を有することを特徴とする請求項６に記載の照明光学装置。
【請求項８】
前記光量制御部材の傾斜角は、５°〜１５°の範囲であることを特徴とする請求項６または請求項７に記載の照明光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の照明光学装置を備え、前記被検物体としてのマスクのパターンを感光性基板に露光することを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の照明光学装置を用いて、半導体デバイスを製造する方法において、前記照明光学装置によって被検物体としてのマスクを照明する照明工程と、前記マスクのパターンを感光性基板に露光する露光工程とを含むことを特徴とする半導体デバイスを製造する方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスを製造するための露光装置の照明光学系に適した照明光学装置、露光装置及び半導体デバイスを製造する方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために本発明は、光源と、光源からの光束を被照射物体へ導く導光系とを有する照明光学装置において、光源と導光系との間の光路中に、光源からの光束の光量を制御する光量制御手段を配置し、光量制御手段は、入射する光束の光量を減光する光量減光部材等を有し、その減光部材は、減光部材の入射側面が光軸に対して所定の傾斜角を持って傾けて配置たことを特徴とする照明光学装置である。また、本発明は、その照明光学装置を備え、被検物体としてのマスクのパターンを感光性基板に露光することを特徴とする露光装置である。本発明はまた、上記の照明光学装置を用いて、半導体デバイスを製造する方法において、照明光学装置によって被検物体としてのマスクを照明する照明工程と、マスクのパターンを感光性基板に露光する露光工程とを含むことを特徴とする半導体デバイスを製造する方法である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月24日(2004.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に脆弱な層を有する板状の試料を該脆弱な層で分離する分離装置であって、
試料に向けて流体を噴射する噴射部と、
試料を両側から挟むようにして保持する対向する一対の保持部と、
を備え、前記一対の保持部は、前記噴射部から噴射され試料内部に注入された流体の圧力により該試料の中央部付近が膨張し得るように該試料を保持することを特徴とする分離装置。
【請求項２】
内部に脆弱な層を有する板状の試料を該脆弱な層で分離する分離装置であって、
試料に向けて流体を噴射する噴射部と、
試料を両側から挟むようにして保持する対向する一対の保持部と、
を備え、前記一対の保持部は、前記噴射部から噴射され試料内部に注入された流体の圧力により該試料が波打つことが可能なように該試料を保持することを特徴とする分離装置。
【請求項３】
試料の面と直交する方向に設けられた軸を中心にして前記保持部を回転させる回転機構を更に備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の分離装置。
【請求項４】
前記一対の保持部の間隔を調整する調整機構を更に備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の分離装置。
【請求項５】
前記調整機構は、流体により試料を分離する際に、試料を押圧するように前記一対の保持部の間隔を調整することを特徴とする請求項４に記載の分離装置。
【請求項６】
前記調整機構は、流体により試料を分離する際に、前記一対の保持部の間隔を略一定に維持することを特徴とする請求項４に記載の分離装置。
【請求項７】
前記一対の保持部は、試料を真空吸着する吸着機構を有することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の分離装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の分離装置を使用して脆弱な層を有する試料を分離することを特徴とする分離方法。
【請求項９】
前記噴射部から噴射させる流体として水を使用することを特徴とする請求項８に記載の分離方法。
【請求項１０】
一方の面に多孔質層及び非多孔質層を順に形成した第１の基板の前記非多孔質層側を第２の基板に貼り合わせてなる基板を前記多孔質層で分離する分離方法であって、その分離に際して、請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の分離装置を使用することを特徴とする分離方法。
【請求項１１】
一方の面に多孔質層及び非多孔質層を順に形成した第１の基板の前記非多孔質層側を第２の基板に貼り合せる工程と、貼り合わせた基板を前記多孔質層で分離する分離工程とを含む基板の製造方法であって、
前記分離工程において、請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の分離装置を使用することを特徴とする基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月28日(2005.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質の半導体よりなり、厚さ方向において不純物濃度に変化を有する多孔質層を備えたことを特徴とする半導体基板。
【請求項２】
前記多孔質層は、不純物濃度が異なる２以上の層を有することを特徴とする請求項１記載の半導体基板。
【請求項３】
前記多孔質層は支持基板の一面側に形成されると共に、不純物濃度が低く多孔率が高い高多孔質層と、不純物濃度が高く多孔率が低い低多孔質層とを有しており、高多孔質層は低多孔質層の少なくとも一部よりも支持基板寄りに位置することを特徴とする請求項２記載の半導体基板。
【請求項４】
更に、前記多孔質層の一面側に半導体薄膜を備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体基板。
【請求項５】
多孔質の半導体により構成され厚さ方向において不純物濃度に変化を有する多孔質層を介して支持基板の一面側に形成されると共に、この支持基板とは前記多孔質層において分離されてなることを特徴とする薄膜半導体部材。
【請求項６】
支持基板の一面側に、半導体よりなり厚さ方向において不純物濃度に変化を有する不純物濃度変化層を形成する不純物濃度変化層形成工程と、
支持基板に形成した不純物濃度変化層を陽極化成により多孔質化し、厚さ方向において多孔率に変化を有する多孔質層を形成する多孔質層形成工程と
を含むことを特徴とする半導体基板の製造方法。
【請求項７】
前記不純物濃度変化層形成工程では、不純物濃度が異なる２以上の層を有する不純物濃度変化層を形成すると共に、前記多孔質層形成工程では、多孔率が異なる２以上の層を有する多孔質層を形成することを特徴とする請求項６記載の半導体基板の製造方法。
【請求項８】
前記不純物濃度変化層形成工程では、支持基板の一面側に不純物濃度が異なる２以上の層を順次成長させることを特徴とする請求項７記載の半導体基板の製造方法。
【請求項９】
前記不純物濃度変化層形成工程では、低濃度の不純物を含む半導体よりなる低濃度層と、この低濃度層の支持基板と反対側に高濃度の不純物を含む半導体よりなる高濃度層とを形成することを特徴とする請求項６記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１０】
更に、多孔質層の支持基板と反対側に半導体薄膜を形成する半導体薄膜形成工程を含むことを特徴とする請求項６記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１１】
更に、多孔質層を加熱し再結晶化させる加熱工程を含むことを特徴とする請求項６記載の半導体基板の製造方法。
【請求項１２】
支持基板の一面側に、半導体よりなり厚さ方向において不純物濃度に変化を有する不純物濃度変化層を形成する不純物濃度変化層形成工程と、
支持基板に形成した不純物濃度変化層を陽極化成により多孔質化し、厚さ方向において多孔率に変化を有する多孔質層を形成する多孔質層形成工程と
多孔質層の支持基板と反対側に半導体薄膜を形成する半導体薄膜形成工程と、
半導体薄膜を多孔質層において支持基板から分離する分離工程と
を含むことを特徴とする薄膜半導体部材の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月24日(2004.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体を分離する分離装置であって、
流体の噴射部を有し該噴射部から分離対象の物体に向けて束状の流体を噴射することにより該物体を分離する噴射手段と、
前記噴射部から流体を噴射させる条件を物体の分離処理の進行に応じて変化させる制御手段と、
を備えることを特徴とする分離装置。
【請求項２】
分離対象の物体を保持する保持部を更に備えることを特徴とする請求項１に記載の分離装置。
【請求項３】
分離対象の物体は板状であり、前記保持部は、該板状の物体に対して面方向に流体が挟入されるようにして該板状の物体を保持することを特徴とする請求項２に記載の分離装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記噴射部から噴射される流体の圧力を物体の分離処理の進行に応じて変化させることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の分離装置。
【請求項５】
前記制御手段は、分離対象の物体の分離面における周辺部付近を分離する際に、流体の圧力が高めになるように前記噴射手段を制御することを特徴とする請求項４に記載の分離装置。
【請求項６】
前記制御手段は、分離対象の物体の分離面における中心部付近を分離する際に、流体の圧力が高めになるように前記噴射手段を制御することを特徴とする請求項４に記載の分離装置。
【請求項７】
前記制御手段は、分離対象の物体の分離面における周辺部付近及び中心部付近を分離する際には流体の圧力が高めになるように前記噴射手段を制御し、該周辺部付近及び中心部付近の中間部付近を分離する際には流体の圧力が低めになるように前記噴射手段を制御することを特徴とする請求項４に記載の分離装置。
【請求項８】
前記制御手段は、前記噴射部と分離対象の物体との相対的な位置関係に応じて、前記噴射部から流体を噴射させる条件を変化させることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の分離装置
【請求項９】
前記制御手段は、前記噴射部から流体を噴射させる条件を時間の関数として変化させることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の分離装置。
【請求項１０】
前記噴射部を走査する走査手段を更に備えることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の分離装置。
【請求項１１】
分離対象の物体の分離面に垂直な軸を中心として該物体を回転させる回転手段を更に備えることを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の分離装置。
【請求項１２】
分離対象の物体は、分離用の層として内部に脆弱な層を有することを特徴とする請求項１乃至請求項１１のいずれか１項に記載の分離装置。
【請求項１３】
噴射部から分離対象の物体に向けて束状の流体を噴射することにより該物体を分離する分離方法であって、
前記噴射部から流体を噴射させる条件を物体の分離処理の進行に応じて変化させる制御工程を含むことを特徴とする分離方法。
【請求項１４】
半導体基体の製造方法であって、
一方の面に多孔質層及び非多孔質層を順に形成した第１の基体を作成する工程と、
前記第１の基体と第２の基体とを前記非多孔質層を内側にして貼り合せて貼り合せ基体を作成する工程と、
束状の流体を前記貼り合せ基体の前記多孔質層付近に向けて噴射しながら前記貼り合せ基体を２枚の基体に分離する分離工程と、
を含み、前記分離工程において、流体を噴射させる条件を当該分離工程の進行に応じて変化させることを特徴とする半導体基体の製造方法。
【請求項１５】
半導体基体の製造方法であって、
単結晶半導体よりなる基体の表面から所定の深さにイオンを注入して微小気泡層を形成した第１の基体を作成する工程と、
前記第１の基体の表面側に第２の基体を貼り合せて貼り合せ基体を作成する工程と、
束状の流体を前記貼り合せ基体の前記微小気泡層付近に向けて噴射しながら前記貼り合せ基体を２枚の基体に分離する分離工程と、
を含み、前記分離工程において、流体を噴射させる条件を当該分離工程の進行に応じて変化させることを特徴とする半導体基体の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月24日(2004.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理装置であって、
第１の基板を支持する支持手段と、
前記支持手段により支持された第１の基板に第２の基板を対向させた状態で、前記第１の基板の方向に向かって前記第２の基板に加圧する加圧手段と、
を備え、前記支持手段は、前記第１の基板の片側全面のうち周辺部付近と接触して前記第１の基板を支持する支持部材を有することを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記支持手段は、前記支持部材に第１の基板を吸着させるための吸着手段を有することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記吸着手段は、前記支持部材の表面に環状の溝を有し、該溝内の空間を減圧することにより前記支持部材に第１の基板を吸着させることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記支持部材の形状は環状であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記支持部材は、第１の基板の片側全面のうち最外周部を支持することを請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記加圧手段は、第２の基板の略中央部に加圧することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記支持手段は、前記支持部材の内側に、第１の基板の撓みを防止するための撓み防止部材を有することを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記撓み防止部材は、第１の基板の略中央部を支持することにより、該第１の基板の撓みを防止することを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記支持部材が第１の基板と接する部分と、前記撓み防止部材が該第１の基板と接する部分とは、略同一平面内であることを特徴とする請求項７又は請求項８に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記支持手段により支持された第１の基板に第２の基板を対向させて支持した後に該第２の基板の支持を解除する基板操作手段を更に備え、前記加圧手段は、前記基板操作手段による第２の基板の支持の解除に合せて該第２の基板に加圧することを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記支持手段は、第１の基板を略水平に支持し、前記基板操作手段は、第２の基板を前記第１の基板の上方に略水平に支持した後に前記第２の基板の支持を解除することを特徴とする請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
２枚の基板を重ね合わせて密着させる基板処理方法であって、
第１の基板の片側全面のうち周辺部付近と接触する支持部材により前記第１の基板を支持し、第２の基板を前記第１の基板に対向させた状態で、前記第１の基板の方向に向かって前記第２の基板に加圧することにより、前記第１及び第２の基板を密着させることを特徴とする基板処理方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月27日(2004.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部に脆弱な層を有する板状の試料を該脆弱な層で分離する分離装置であって、
試料に向けて流体を噴射する噴射部と、
試料を両側から挟むようにして保持する一対の保持部と、
を備え、前記一対の保持部は、前記噴射部から噴射され試料内部に注入された流体の圧力により該試料が２枚に分かれるようにして反ることを許容する一方で、その反り量を制限することを特徴とする分離装置。
【請求項２】
前記一対の保持部の少なくとも一方は、滑らかな凸状の支持面を有し、該支持面により試料を保持することを特徴とする請求項１に記載の分離装置。
【請求項３】
前記一対の保持部の少なくとも一方は、試料と接触し得る部分が弾性体で構成されていることを特徴とする請求項１に記載の分離装置。
【請求項４】
前記一対の保持部の少なくとも一方は、弾性体からなる環状の支持部を有することを特徴とする請求項１に記載の分離装置。
【請求項５】
前記一対の保持部の少なくとも一方は、その本体に弾性体を介して連結された支持部を有することを特徴とする請求項１に記載の分離装置。
【請求項６】
試料の面と直交する方向に設けられた軸を中心にして前記保持部を回転させる回転機構を更に備えることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の分離装置。
【請求項７】
前記一対の保持部の間隔を調整する調整機構を更に備えることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の分離装置。
【請求項８】
前記調整機構は、流体により試料を分離する際に、試料を押圧するように前記一対の保持部の間隔を調整することを特徴とする請求項７に記載の分離装置。
【請求項９】
前記調整機構は、流体により試料を分離する際に、前記一対の保持部の間隔を略一定に維持することを特徴とする請求項７に記載の分離装置。
【請求項１０】
前記一対の保持部は、試料を真空吸着する吸着機構を有することを特徴とする請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の分離装置。
【請求項１１】
一方の面に多孔質層及び非多孔質層を順に形成した第１の基板の前記非多孔質層側を第２の基板に貼り合わせてなる基板を前記多孔質層で分離する分離方法であって、その分離に際して、請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の分離装置を使用することを特徴とする分離方法。
【請求項１２】
一方の面に多孔質層及び非多孔質層を順に形成した第１の基板の前記非多孔質層側を第２の基板に貼り合せる工程と、貼り合わせた基板を前記多孔質層で分離する分離工程とを含む基板の製造方法であって、
前記分離工程において、請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の分離装置を使用することを特徴とする基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月7日(2005.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  画像をコンボリューションを行うときに、鮮明化された画像を生成する要素を有する第１コンボリューション・カーネルを生成すること、
該第１コンボリューション・カーネルの第１カーネル要素の間の内挿を含む、第２カーネル要素を有する第２コンボリューション・カーネルを生成すること、
該第２コンボリューション・カーネルによって、該画像をコンボルボする
ことを特徴とする画像を再サンプリングして鮮明化する方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月1日(2004.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スキャナを用いて画像の複数の描画を生成する方法であって、
前記スキャナを用いて前記画像の１つの走査を実施するステップと、
前記１つの走査の間に、前記スキャナが前記画像の１つの走査から得られた前記画像の２以上の描画を同時に生成するステップであって、前記２以上の描画は、少なくとも１つの高解像度で低ビット深さのグレースケール画像、および少なくとも１つの低解像度で高ビット深さのグレースケール画像である、前記生成するステップと、
を含む上記方法。
【請求項２】
スキャナを用いて画像の複数の描画を生成する方法であって、
前記スキャナを用いて前記画像の１つの走査を実施するステップと、
前記１つの走査の間に、前記スキャナが前記画像の２つ以上の描画を同時に生成するステップと、
を含み、前記描画は、少なくとも１つのグレースケール画像と少なくとも１つのカラー画像を含む、前記方法。
【請求項３】
スキャナを用いて画像の複数の描画を生成する方法であって、
前記スキャナを用いて前記画像の１つの走査を実施するステップと、
前記１つの走査の間に、前記スキャナが同時に前記画像の２以上の描画を生成するステップと、
前記スキャナが前記画像の１つの走査から得られた前記画像の２以上の描画のインターリーブされた信号を、さらなる処理のためのホストコンピュータに送るステップと、
を含む前記方法。
【請求項４】
画像の複数の描画を生成する方法であって、
スキャナを用いて前記画像の１つの走査を実施するステップと、
前記１つの走査の間に、前記スキャナが同時に前記１つの走査画像の２以上の描画を表現する２以上のデータ信号を生成するステップと、
前記１つの走査画像の２以上の描画を表現する前記２以上のデータ信号を、前記スキャナが１つのインターリーブされたデータストリームへとインターリーブするステップと、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月3日(2004.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】反射式交通信号灯
【特許請求の範囲】
【請求項１】背面に反射鏡（３）を設け、該反射鏡に対向して青・赤・黄と３色の電球（１）を設けることを特徴とした反射式交通信号灯。
【請求項２】信号灯Ａ内に位置する色電球（１）の後方にソケット（２）付きの反射鏡（５）を支柱（７）により支持させ、該支柱（７）に導線を挿通し、ソケット（２）に色電球（１）を装着してなることを特徴とした請求項１に記載の反射式交通信号灯。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は交通信号機における入射光に対して誤認識を防止すること、また前面に付着する雪の除去を行うための安全を目的とした反射式の交通信号灯に関する。
【０００２】
【従来の技術】
赤、青、黄色と色分けされている交通信号機は早朝や夕方などで太陽を背に受けて運転走行しているとき信号灯が反射して点灯している光色の識別が困難で非常に危険である。また雪国では信号灯前面に雪が付着して見にくくなることがしばしばであった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
発明者はこのような場合に点灯されている信号灯の色別を判断するため、先に特願平６―３０１２８６号他を開発した。しかし、これらは装置的に複雑で実用性に欠ける欠点があった。
【０００４】
これは信号灯の前面に赤、青、黄色のレンズを設けて点灯して色分けをする信号灯自体の構成に問題があり、入射する太陽光によって、赤、青、黄色のレンズの色別が困難となり、どの色が点灯（作動）しているか判別できなくなるためと考えられる。さらには冬の積雪期信号灯には雪が付着して信号が判断しにくくなって安全性が欠けるという危険が生
じる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
発明者はこれらを解決するため研究を続けた結果本発明に到達したものであって、信号灯の色別をレンズによることなく電球そのものを色電球にし背面に反射鏡を設け、この反射鏡に色電球を対向して設けるもので、これによって通常時は反射鏡からの反射光によって赤、青、黄色の識別ができ、また太陽光を受けた場合には二つの信号灯の反射鏡は白光
で光るが、点灯されている反射鏡には色電球の光が映り、識別が容易となって安全な運転ができる。また信号灯の光が反射され、この反射熱で信号灯前方レンズに付着した雪を溶かすことができる。
【０００６】
【発明の実施の形態】
添付図面により本発明の実施の形態を説明すると、図１は交通信号灯の主要部を表わす正面図であり、図２は反射式の信号灯の断面図を示す。
【０００７】
【実施例】
図において（１）は色電球であって当然のことながら赤、青、黄色に着色されたガラス電球であり、（２）は電球の口金を示している。また（３）は背面に設けた反射鏡を示している。
【０００８】
本発明の特徴は図示されているように背面の反射鏡（３）に対して色電球（１）が向けられていて色電球（１）から発せられる色光が反射鏡（３）によって反射光となって外方から判別される。さらには積雪期には信号灯前面に付着する雪を反射熱によって除去することができる。
【０００９】
この信号灯の構成にあっては図２を参照して信号灯Ａ内に位置する色電球（１）の後方に電球装着用のソケット（２）付きの反射鏡（５）を支柱（７）によって支持させて設け、この支柱（７）に通電用の導線（図示していない）を挿通して色電球（１）を装着するものである。また（４）は庇カバーを示すもので上方からの太陽光や積雪を避けるものである。
【００１０】
本発明において図示していないが、交通信号機として交差点等に設置する場合には実用性を具備させるため支柱や操作ボックス等を設けるものである。なお図中の符号（６）は前方レンズである。
【００１１】
【発明の効果】
本発明の交通信号灯は上述のように信号灯の色別をレンズによることなく、色電球を使用し反射鏡による発光とすることにより、入射光に対して他の反射鏡との判別が容易となり、点灯されている色別ができ、さらにはこの反射光が熱となって前面に付着する雪を溶かすことができるため交差点での安全が確認できるという作用効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】赤、青、黄色の交通信号灯の正面図
【図２】反射式交通信号灯の断面図
【符号の説明】
１  色電球
２  ソケット
３  反射鏡
４  カバー
５  反射鏡
６  レンズ板
７  支柱