(57)【要約】【課題】  構成及び製造工程をより簡単にした発光素子アレイ及びこれを備えた画像表示装置を提供する。【解決手段】  本発明に係る発光素子アレイ１は、基板３と、基板３上に形成され、行列状に配置された複数の発光素子５と、行方向Ｈに並ぶ発光素子５間を接続する複数の第一電極配線Ｘ１，Ｘ２と、第一電極配線Ｘ１，Ｘ２から分岐して列方向Ｖに引き出された電極リード配線Ｚ１，Ｚ２と、を備え、複数の第一電極配線Ｘ１，Ｘ２の少なくとも１つは、複数の部分Ｘ１ａ，Ｘ１ｂに分割されており、該分割部分Ｘ１ａ，Ｘ１ｂ間の領域を経由して、他の第一電極配線Ｘ２から分岐した前記電極リード配線Ｚ２が引き出されていることを特徴とする。【選択図】  図１
2010034380.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成され、行列状に配置された複数の発光素子と、
行方向に並ぶ前記発光素子間を接続する複数の第一電極配線と、
前記第一電極配線から分岐して列方向に引き出された電極リード配線と、
を備え、
前記複数の第一電極配線の少なくとも１つは、複数の部分に分割されており、
該分割部分間の領域を経由して、他の前記第一電極配線から分岐した前記電極リード配線が引き出されていることを特徴とする、発光素子アレイ。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に形成され、ｍ行ｎ列（ｍ≧２，ｎ≧４）のマトリクス状に配置された複数の発光素子と、
前記ｍ行ｎ列の行方向に沿って延び、各行における前記発光素子間を接続する第一電極配線と、
前記ｍ行ｎ列の列方向に沿って前記第一電極配線から引き出された電極リード配線と、
を備え、
第１行目〜第（ｍ−１）行目の各行における前記発光素子間を接続する前記各第一電極配線は、少なくとも２つの部分に分割され、
第ａ行目（２≦ａ≦ｍ）となる各行の前記発光素子間を接続する前記第一電極配線から引き出された前記各電極リード配線は、第１行目〜第（ａ−１）行目の各行における前記発光素子間を接続する前記各第一電極配線における分割された前記部分間の領域を経由して引き出されていることを特徴とする、発光素子アレイ。
【請求項３】
基板と、
前記基板上に形成され、ｍ行ｎ列（ｍ≧４，ｎ≧４）のマトリクス状に配置された複数の発光素子と、
前記ｍ行ｎ列の行方向に沿って延び、各行における前記発光素子間を接続する第一電極配線と、
前記ｍ行ｎ列の列方向に沿って前記第一電極配線から引き出された電極リード配線と、
前記ｍ行ｎ列の列方向に沿って延び、各列における前記発光素子間を接続する第二電極配線と、
を備え、
第１行目〜第（ｐ−１）行目（２≦ｐ≦（ｍ−２））の各行における前記発光素子間を接続する前記各第一電極配線は、少なくとも２つの部分に分割され、
第ｐ行目（２≦ａ≦ｍ）となる各行の前記発光素子間を接続する前記第一電極配線から引き出された前記各電極リード配線は、第１行目〜第（ｐ−１）行目の各行における前記発光素子間を接続する前記各第一電極配線における分割された前記部分間の領域を経由して引き出されており、
第（ｐ＋２）行目〜第ｍ行目の各行における前記発光素子間を接続する前記各第一電極配線は、少なくとも２つの部分に分割され、
第ｑ行目（（ｐ＋１）≦ｑ≦（ｍ−１））となる各行の前記発光素子間を接続する前記第一電極配線から引き出された前記各電極リード配線は、第（ｐ＋２）行目〜第ｍ行目の各行における前記発光素子間を接続する前記各第一電極配線における分割された前記部分間の領域を経由して引き出されていることを特徴とする、発光素子アレイ。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の発光素子アレイを備えたことを特徴とする、画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子アレイ及びこれを備えた画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数の半導体発光素子をマトリクス状に配置した発光素子アレイが種々提案されている。例えば、特許文献１に記載された発光素子アレイは、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置された複数の半導体発光素子を備えており、各行における半導体発光素子が行方向に延びる第一電極配線によって接続され、各列における半導体発光素子が列方向に延びる第二電極配線によって接続されている。そして、行方向に延びる各第一電極配線は、各第一電極配線から列方向に延びる電極リード配線によって外部の駆動回路と接続され、列方向に延びる第二電極配線は、直接的に外部の駆動回路と接続されている。特許文献１の発光素子アレイでは、以上の構成によって、複数の第一電極配線のうちの一つと、複数の第二電極配線のうちの一つとに選択的に電流を流して、マトリクス状に配置された各発光素子を独立して駆動させている。
【特許文献１】特開２０００−１２９７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１の発光素子アレイでは、第一電極配線が行方向に延び、電極リード配線が列方向に延びているため、ある一つの第一電極配線から延びる電極リード配線が、他の第一電極配線と交差する。そのため、電極リード配線と第１配線との絶縁性を確保するために、これらの間に絶縁膜を介在させる必要がある。よって、発光素子アレイの構成が複雑になるとともに、製造工程が煩雑になるという問題があった。
【０００４】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、構成及び製造工程をより簡単にした発光素子アレイ及びこれを備えた画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る発光素子アレイは、基板と、前記基板上に形成され、行列状に配置された複数の発光素子と、行方向に並ぶ前記発光素子間を接続する複数の第一電極配線と、前記第一電極配線から分岐して列方向に引き出された電極リード配線と、を備えている。そして、前記複数の第一電極配線の少なくとも１つは、複数の部分に分割されており、該分割部分間の領域を経由して、他の前記第一電極配線から分岐した前記電極リード配線が引き出されている。
【０００６】
また、本発明に係る他の発光素子アレイは、基板と、前記基板上に形成され、ｍ行ｎ列（ｍ≧２，ｎ≧４）のマトリクス状に配置された複数の発光素子と、前記ｍ行ｎ列の行方向に沿って延び、各行における前記発光素子間を接続する第一電極配線と、前記ｍ行ｎ列の列方向に沿って前記第一電極配線から引き出された電極リード配線と、を備えている。そして、この発光素子アレイにおいては、第１行目〜第（ｍ−１）行目の各行における前記発光素子間を接続する前記各第一電極配線が、少なくとも２つの部分に分割されている。また、第ａ行目（２≦ａ≦ｍ）となる各行の前記発光素子間を接続する前記第一電極配線から引き出された前記各電極リード配線は、第１行目〜第（ａ−１）行目の各行における前記発光素子間を接続する前記各第一電極配線における分割された前記部分間の領域を経由して引き出されている。
【０００７】
また、本発明に係る他の発光素子アレイは、基板と、前記基板上に形成され、ｍ行ｎ列（ｍ≧４，ｎ≧４）のマトリクス状に配置された複数の発光素子と、前記ｍ行ｎ列の行方向に沿って延び、各行における前記発光素子間を接続する第一電極配線と、前記ｍ行ｎ列の列方向に沿って前記第一電極配線から引き出された電極リード配線と、を備えている。そして、この発光素子アレイにおいて、第１行目〜第（ｐ−１）行目（２≦ｐ≦（ｍ−２））の各行における前記発光素子間を接続する前記各第一電極配線は、少なくとも２つの部分に分割されている。第ｐ行目（２≦ａ≦ｍ）となる各行の前記発光素子間を接続する前記第一電極配線から引き出された前記各電極リード配線は、第１行目〜第（ｐ−１）行目の各行における前記発光素子間を接続する前記各第一電極配線における分割された前記部分の間に配置されている。また、第（ｐ＋２）行目〜第ｍ行目の各行における前記発光素子間を接続する前記各第一電極配線は、少なくとも２つの部分に分割されている。第ｑ行目（（ｐ＋１）≦ｑ≦（ｍ−１））となる各行の前記発光素子間を接続する前記第一電極配線から引き出された前記各電極リード配線は、第（ｐ＋２）行目〜第ｍ行目の各行における前記発光素子間を接続する前記各第一電極配線における分割された前記部分間の領域を経由して引き出されている。
【０００８】
また、本発明に係る画像形成装置は、上記のいずれかの発光素子アレイを備えている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、構成及び製造工程をより簡単にした発光素子アレイ及びこれを備えた画像表示装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明に係る発光素子アレイの一実施形態について、図面を参照しつつ説明する。図１は、本実施形態に係る半導体発光素子アレイの平面図である。図２は、図１の半導体発光素子アレイのII−II線断面図である。図３は、図１の半導体発光素子アレイのIII−III線断面図である。
【００１１】
図１に示すように、本実施形態に係る半導体発光素子アレイ１は、基板３と、基板３上に形成された複数の発光素子５と、複数の発光素子５を電気的に接続する第一電極配線Ｘ（Ｘ１，Ｘ２）及び第二電極配線Ｙと、第一電極配線Ｘから延びる電極リード配線Ｚ（Ｚ１，Ｚ２）とを備えている。
【００１２】
基板３は、例えば、２０００〜６０００Ω・ｃｍの電気抵抗率を有する高抵抗性のものであり、シリコン（Ｓｉ）、ガリウム砒素（ＧａＡｓ）、ガリウム燐（ＧａＰ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）等の単結晶で形成されている。
【００１３】
図１に示すように、複数の発光素子５は、基板３上に２行４列のマトリクス状に配置されている。各発光素子５は、図２に示すように、基板３上に形成されたｎ型半導体層１３と、このｎ型半導体層１３上に形成されたｐ型半導体層１５とを有している。そして、これらの層１３，１５によって半導体のｐｎ接合が形成されており、このｐｎ接合に後述するように電流を供給し、電子と正孔とを再結合させることによって、各発光素子５が発光するようになっている。
【００１４】
ｎ型半導体層１３は、例えば、ｎ型不純物としてＳ、Ｓｉ、Ｓｅ、ＳｎやＣ等の原子をドープしたＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ等の単結晶で形成し、その層厚を１μｍ〜４μｍにする。ｎ型不純物の濃度は、例えば、１×１０１６〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｃにする。
【００１５】
ｐ型半導体層１５は、例えば、ｐ型不純物としてＺｎ、Ｍｇ、Ｃ等の原子をドープしたＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＮ等の単結晶で形成し、その層厚を１μｍ〜４μｍにする。ｎ型不純物の濃度は、例えば、１×１０１６〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｃにする。
【００１６】
図２に示すように、ｐ型半導体層１５及びｎ型半導体層１３の上面及び側面、並びに基板３の上面には、これらの面を被覆する第一絶縁膜１７が設けられている。この第一絶縁膜１７は、例えば、ＳｉＮｘ、ＳｉＯ２等の無機絶縁膜や、ポリイミド等の有機絶縁膜等を用い、その厚さが０．１〜５μｍで形成されている。また、第一絶縁膜１７には、後述する第一電極配線Ｘを配置するための第一電極配線用孔１９及び第二電極配線Ｙを配置するための第二電極配線用第一孔２１が形成されている。
【００１７】
図１及び図２に示すように、第一電極配線Ｘは、発光素子５が配置された２行４列の行方向（図１の矢印Ｈの方向。以下、単に、行方向という）に互いに並行して延びるように第一絶縁膜１７上に形成されている。なお、図１では、説明の便宜上、第一絶縁膜１７の図示を省略している。また、第一電極配線Ｘは、第一絶縁膜１７の第一電極配線用孔１９を介して各発光素子５におけるｎ型半導体層１３の上面に接続されており、各行に配置された発光素子５間を接続している。
【００１８】
より詳細には、第１行目の発光素子５間を接続する第一電極配線Ｘ（以下、第１行目の第一電極配線Ｘ１という）は、２つの部分Ｘ１ａ，Ｘ１ｂに分割されており、この各部分Ｘ１ａ，Ｘ１ｂによって、第１行１列目の発光素子５と第１行２列目の発光素子５とを接続するとともに、第１行３列目の発光素子５と第１行４列目の発光素子５とを接続している。そして、第２行目の発光素子５間を接続する第一電極配線Ｘ（以下、第２行目の第一電極配線Ｘ２という）は、第２行目における全ての発光素子５を接続している。
【００１９】
また、第一電極配線Ｘは、例えば、ＡｕＳｂ合金、ＡｕＧｅ合金、Ｎｉ系合金等を用いて、その厚さが０．５〜５μｍで形成されている。
【００２０】
電極リード配線Ｚは、第一電極配線Ｘと同じく第一絶縁膜１７上に形成され、図１に示すように、発光素子５が配置された２行４列の列方向（図１の矢印Ｖの方向。以下、単に、列方向という）に各第一電極配線Ｘから分岐して引き出されている。より詳細には、第１行目の第一電極配線Ｘ１の分割された部分Ｘ１ａ，Ｘ１ｂのそれぞれから延びる電極リード配線Ｚ（以下、第１行目の電極リード配線Ｚ１という）は、第１行目の第一電極配線Ｘ１によって接続された隣接する二つの発光素子５の間の領域を経由して引き出されている。また、第２行目の第一電極配線Ｘから延びる電極リード配線Ｚ（以下、第２行目の電極リード配線Ｚ２という）は、第１行目の第一電極配線Ｘ１の分割された部分Ｘ１ａ，Ｘ１ｂの間の領域を経由して引き出されている。
【００２１】
図２及び図３に示すように、第一絶縁膜１７上には、第二絶縁膜２３が形成されており、第一電極配線Ｘを被覆するようになっている。この第二絶縁膜２３は、例えば、第一絶縁膜１７と同様の上記組成及び厚さで形成されている。また、図２に示すように、この第二絶縁膜２３には、後述する第二電極配線Ｙを配置するための第二電極配線用第二孔２５が形成されている。
【００２２】
図１及び図２に示すように、第二電極配線Ｙは、発光素子５が配置された２行４列の列方向に互いに並行して延びるように第二絶縁膜２３上に形成されている。なお、図１では、説明の便宜上、第一絶縁膜１７及び第二絶縁膜２３の図示を省略している。また、図２に示すように、第二電極配線Ｙは、第一絶縁膜１７の第二電極配線用第一孔２１及び第二絶縁膜２３の第二電極配線用第二孔２５を介して、各発光素子５におけるｐ型半導体層１５の上面に接続されており、図１に示すように、各列に配置された発光素子５間を接続している。また、第二電極配線Ｙは、例えば、第一電極配線Ｘと同様の上記組成及び厚さで形成されている。
【００２３】
図２に示すように、第二絶縁膜２３上には、第三絶縁膜２７が形成されており、第二電極配線Ｙを被覆するようになっている。この第三絶縁膜２７は、例えば、第一絶縁膜１７と同様の上記組成及び厚さで形成されている。
【００２４】
次いで、以上のように構成された半導体発光素子アレイ１の製造方法について、図４〜図６を参照しつつ説明する。
【００２５】
まず、基板３を準備し、図４（ａ）に示すように、この基板３上にＭＯＣＶＤ法等を用いてｎ型半導体層１３及びｐ型半導体層１５を順次形成する。
【００２６】
次に、図４（ｂ）に示すように、ｐ型半導体層１５上にレジストＲ１を塗布し、フォトリソグラフィー法により所望のパターンを露光、現像した後、ウェットエッチング法によりｐ型半導体層１５及びｎ型半導体層１３の一部をエッチングして、基板３を露出させる。その後、レジストＲ１を剥離する。
【００２７】
次に、図４（ｃ）に示すように、ｐ型半導体層１５上にレジストＲ２を塗布し、フォトリソグラフィー法により所望のパターンを露光、現像した後、ウェットエッチング法によりｐ型半導体層１５の一部をエッチングして、ｎ型半導体層１３を露出させる。その後、レジストＲ２を剥離する。
【００２８】
次に、図４（ｄ）に示すように、ｎ型半導体層１３及びｐ型半導体層１５が形成された基板３の全面に、図５（ｅ）に示すように、スパッタリング法等により第一絶縁膜１７を形成する。
【００２９】
続いて、第一絶縁膜１７上にレジストＲ３を塗布し、フォトリソグラフィー法により所望のパターンを露光、現像した後、ウェットエッチング法により第一絶縁膜１７をエッチングして、第一電極配線用孔１９及び第二電極配線用第一孔２１を形成する。その後、レジストＲ３を剥離する。
【００３０】
次に、図５（ｆ）に示すように、第一絶縁膜１７上にレジストＲ４を塗布し、フォトリソグラフィー法により所望のパターンを露光、現像した後、スパッタリング法等により第一電極配線７を形成するための合金層７’を形成する。続いて、図５（ｇ）に示すように、レジストＲ４を剥離して、第一電極配線７を形成する。
【００３１】
次に、図５（ｈ）に示すように、スパッタリング法等により第一絶縁膜１７上に第二絶縁膜２３を形成した後、レジストＲ５を塗布し、フォトリソグラフィー法により所望のパターンを露光、現像する。続いて、ウェットエッチング法により第二絶縁膜２３をエッチングし、第二電極配線用第二孔２５を形成するとともに、第二電極配線用第一孔２１を露出させる。その後、レジストＲ５を剥離する。
【００３２】
次に、図６（ｉ）に示すように、第二絶縁膜２３上にレジストＲ６を塗布し、フォトリソグラフィー法により所望のパターンを露光、現像した後、スパッタリング法等により第二電極配線９を形成するための合金層９’を形成する。続いて、図６（ｊ）に示すように、レジストＲ６を剥離して、第二電極配線９を形成する。
【００３３】
最後に、図６（ｋ）に示すように、スパッタリング法等により第二絶縁膜２３上に第三絶縁膜２７を形成し、第二電極配線９を被覆する。
【００３４】
以上のようにして、本実施形態に係る半導体発光素子アレイ１が製造される。
【００３５】
次に、本実施形態に係る半導体発光素子アレイ１の使用方法について説明する。ここでは、半導体発光素子アレイ１を画像表示装置に用いる場合を例に挙げて説明する。
【００３６】
この場合、半導体発光素子アレイ１は、電極リード配線Ｚ及び各第二電極配線Ｙをそれぞれ図示しない駆動回路に接続して使用される。そして、電極リード配線Ｚのうちの一つと、第二電極配線Ｙのうちの一つとに選択的に順方向電圧を印加することで、選択された電極リード配線Ｚに連続する第一電極配線Ｘ及び選択された第二電極配線Ｙの双方に接続された一つの発光素子５を発光させることができる。
【００３７】
半導体発光素子アレイ１は、このようにしてマトリクス状に配置された発光素子５を選択的に発光させることができる。また、所望の複数の発光素子５を同時に発光させたい場合は、発光させる各発光素子５に接続された第一電極配線Ｘに連続する電極リード配線Ｚと、発光させる発光素子５に接続された第二電極配線Ｙとに順方向電圧を印加する。こうすることで、半導体発光素子５を用いて所望の画像を表示させることができる。
【００３８】
以上のように、本実施形態に係る半導体発光素子アレイ１によれば、図１及び図３に示すように、第一絶縁膜１７上において、第２行目の電極リード配線Ｚ２が第１行目の第一電極配線Ｘ１の分割された部分Ｘ１ａ，Ｘ１ｂの間の領域を経由して引き出されている。そのため、第１行目の第一電極配線Ｘ１と第２行目の電極リード配線Ｚ２とが交差しないので、半導体発光素子アレイ１の構成及び製造工程をより簡単にすることができる。つまり、第一電極配線Ｘと電極リード配線Ｚとが交差する場合は、両配線Ｘ，Ｚの間に従来例のように絶縁膜等の絶縁手段を設ける必要がある。これに対し、半導体発光素子アレイ１では、両配線Ｘ，Ｚが交差しないので、このような両配線Ｘ，Ｚ間の絶縁手段を設ける必要がない。したがって、構成を簡単にすることができるとともに、製造工程をより簡単にすることができる。
【００３９】
また、半導体発光素子アレイ１によれば、第一電極配線Ｘから延びる電極リード配線Ｚ及び第二電極配線Ｙの双方が、２行４列に配置された発光素子５の列方向に延びている。したがって、複数の発光素子５が形成された領域の行方向の外側には、これらの配線９，１１を引き出すためのスペースが不要となる。よって、半導体発光素子アレイ１を行方向に複数並べて配置した場合には、省スペース化を図ることができる。
【００４０】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。例えば、上記実施形態では、複数の発光素子を２行４列のマトリクス状に配置した半導体発光素子アレイについて説明したが、本発明の構成は、ｍ行ｎ列（ｍ≧２，ｎ≧４）に配置された複数の発光素子を備えた半導体発光素子アレイに適用することができる。その一例として、図７に示すように、複数の発光素子５を３行８列のマトリクス状に配置した半導体発光素子アレイ１０について以下に説明する。なお、図７では、図１の実施形態と同一又は同種の構成要素に同一の符合を付し、詳細な説明を省略する。
【００４１】
図７に示す半導体発光素子アレイ１０では、第１行目の第一電極配線Ｘ１が４つの部分Ｘ１ａ，Ｘ１ｂ，Ｘ１ｃ，Ｘ１ｄに分割されており、各部分Ｘ１ａ，Ｘ１ｂ，Ｘ１ｃ，Ｘ１ｄによって、隣接する２つの発光素子５が接続されている。第２行目の第一電極配線Ｘ２は、２つの部分Ｘ２ａ，Ｘ２ｂに分割されており、各部分Ｘ２ａ，Ｘ２ｂによって、隣接する４つの発光素子５が接続されている。第３行目の発光素子５間を接続する第一電極配線Ｘ（以下、第３行目の第一電極配線Ｘ３という）は、第３行目における全ての発光素子５を接続している。
【００４２】
そして、図７に示すように、第２行目の第一電極配線Ｘ２ａ，Ｘ２ｂから延びる電極リード配線Ｚ２ａ，Ｚ２ｂは、第１行目の第一電極配線Ｘ１の左側二つの分割された部分Ｘ１ａ，Ｘ１bの間と、右側二つの分割された部分Ｘ１ｃ，Ｘ１ｄの間に配置されている。したがって、第２行目の第一電極配線Ｘ２ａ，Ｘ２ｂから延びる電極リード配線Ｚ２ａ，Ｚ２ｂが、第１行目の第一電極配線Ｘ１と交差しないようになっている。
【００４３】
また、第３行目の第一電極配線Ｘ３から延びる電極リード配線Ｚ３は、第１行目の第一電極配線Ｘ１の中央付近二つの分割された部分Ｘ１ｂ，Ｘ１ｃの間に配置されるとともに、第２行目の第一電極配線Ｘ２の分割された二つの部分Ｘ２ａ，Ｘ２ｂの間に配置されている。したがって、第３行目の第一電極配線Ｘ３から延びる電極リード配線Ｚ３が、第１行目並びに第２行目の第一電極配線Ｘ１，Ｘ２と交差しないようになっている。
【００４４】
よって、図７に示す半導体発光素子アレイ１０によっても、図１に示す半導体発光素子アレイ１と同様に、その構成及び製造工程をより簡単にすることができる。
【００４５】
また、以上のことから明らかなように、本発明の構成は、上記実施例に限らず、ｍ行ｎ列（ｍ≧２，ｎ≧４）に配置された複数の発光素子を備えた半導体発光素子アレイに適用することができ、同様の効果を得ることができる。なお、上記実施例では、第一電極配線Ｘの分割された部分が左右対称に配置されるようになっているが、これに限定されるものではない。例えば、２行５列のマトリクス状に発光素子が配置された半導体発光素子アレイにおいて、第１行目の第一電極配線を二つに分割して、分割された二つの部分によって、第１行１〜２列目の発光素子と、第一行３〜５列目の発光素子とをそれぞれ接続するように、左右非対称の構成にしてもよい。
【００４６】
また、上記実施形態では、例えば、図１に示すように、電極リード配線Ｚ及び第二電極配線Ｙを、複数の発光素子５が形成された領域の列方向の一方の外側（図１では、上側）に引き出しているが、これに限定されるものではない。例えば、図８に示すように、電極リード配線Ｚ及び第二電極配線Ｙを、複数の発光素子５が形成された領域の列方向の両側に引き出すように構成してもよい。なお、図８に示す半導体発光素子アレイ１００の構成を以下に説明するが、図１の実施形態と同一又は同種の構成要素に同一の符合を付し、詳細な説明を省略する。
【００４７】
図８に示す半導体発光素子アレイ１００は、複数の発光素子５を４行４列のマトリクス状に配置している。そして、第１行目並びに第２行目の第一電極配線Ｘ１，Ｘ２の構成については、図１に示す半導体発光素子アレイ１と同じであるが、第３行目並びに第４行目の第一電極配線Ｘ３，Ｘ４の配置が、第１行目並びに第２行目の第一電極配線Ｘ１，Ｘ２の配置と実質的に上下対称となっている。つまり、第４行目の第一電極配線Ｘ４が２つの部分Ｘ４ａ，Ｘ４ｂに分割されており、この各部分Ｘ４ａ，Ｘ４ｂによって、隣接する二つの発光素子５が接続されている。第３行目の第一電極配線Ｘ３は、第３行目における全ての発光素子５を接続している。そして、第３行目の第一電極配線Ｘ３から延びる電極リード配線Ｚ３が、第４行目の第一電極配線Ｘ４の分割された部分Ｘ４ａ，Ｘ４ｂの間に配置されている。
【００４８】
以上のように構成された図８に示す半導体発光素子アレイ１００によっても、図１に示す半導体発光素子アレイ１と同様の作用効果を奏し、その構成及び製造工程をより簡単にすることができる。
【００４９】
また、図８に示すように、電極リード配線Ｚ及び第二電極配線Ｙを、複数の発光素子５が形成された領域の列方向の両側に引き出すように構成することで、列方向の片側に引き出す場合に比べ、基板３上に配置する発光素子５の行数を効率良く増やしていくことができる。また、配置する発光素子５の行数を増やしても、第二電極配線Ｙの本数は変わらないため、構成が複雑になることがない。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体発光素子アレイの平面図である。
【図２】図１の半導体発光素子アレイのII−II線断面図である。
【図３】図１の半導体発光素子アレイのIII−III線断面図である。
【図４】図１の半導体発光素子アレイの製造方法を説明するための図である。
【図５】図１の半導体発光素子アレイの製造方法を説明するための図である。
【図６】図１の半導体発光素子アレイの製造方法を説明するための図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る半導体発光素子アレイの平面図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係る半導体発光素子アレイの平面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  半導体発光素子アレイ
３  基板
５  発光素子
Ｘ（Ｘ１，Ｘ２，Ｘ３，Ｘ４）  第一電極配線
Ｘ１ａ，Ｘ１ｂ，Ｘ１ｃ，Ｘ１ｄ，Ｘ２ａ，Ｘ２ｂ  第一電極配線の分割された部分
Ｙ  第二電極配線
Ｚ（Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３，Ｚ４）  電極リード配線
Ｈ  行方向
Ｖ  列方向
【図１】
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【図２】
2010034380.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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