【手続補正書】
【提出日】平成16年8月30日(2004.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子の素子電極上にバンプを形成する工程と、
樹脂シートと上記半導体素子を位置合わせする工程と、
上記樹脂シートと上記半導体素子を熱プレスして上記樹脂シートを溶融して上記半導体素子の上記バンプの端面以外の部分を覆う樹脂部を形成する工程と、
熱プレス後の上記樹脂部をカットする工程とを備えることを特徴とする半導体素子パッケージ製造方法。
【請求項２】
半導体ウェーハをダイシングして得られた個片の半導体素子の素子電極上にバンプを形成する工程と、
樹脂シート上に一個若しくは複数個の上記個片半導体素子を位置合わせする工程と、
上記樹脂シートと上記個片半導体素子を熱プレスして上記樹脂シートを溶融して上記個片半導体素子の上記バンプの端面以外の部分を覆う樹脂部を形成する工程と、
熱プレス後の上記樹脂部をカットする工程とを備えることを特徴とする半導体素子パッケージ製造方法。
【請求項３】
半導体ウェーハの半導体素子電極上にバンプを形成する工程と、
上記バンプが形成された上記半導体ウェーハをダイシングし、個片の半導体素子に分割する工程と、
樹脂シート上に一個若しくは複数個の上記個片半導体素子を位置合わせする工程と、
上記樹脂シートと上記個片半導体素子を熱プレスして上記樹脂シートを溶融して上記個片半導体素子の上記バンプの端面以外の部分を覆う樹脂部を形成する工程と、
熱プレス後の上記樹脂部をカットする工程とを備えることを特徴とする半導体素子パッケージ製造方法。
【請求項４】
半導体ウェーハの半導体素子電極上にバンプを形成する工程と、
上記半導体ウェーハに樹脂シートを位置合わせする工程と、
上記半導体ウェーハと上記樹脂シートを熱プレスして上記樹脂シートを溶融して上記半導体ウェーハの上記バンプの端面以外の部分を覆う樹脂部を形成する工程と、
熱プレスされた上記半導体ウェーハ及び上記樹脂部をダイシングする工程とを備えることを特徴とする半導体素子パッケージ製造方法。
【請求項５】
請求項１又は請求項２又は請求項３に記載の半導体素子パッケージ製造方法により製造された半導体素子パッケージのバンプの露出した端面側の樹脂部に導電性ペーストを用いて回路パターンを形成する工程と、
上記回路パターンの所定位置に金属粒子を配置し、上記導電性ペーストを硬化する工程と、
導電性ペースト硬化後の上記半導体素子パッケージを樹脂シート上に位置合わせし、熱プレスして上記樹脂シートを溶融して上記半導体素子パッケージの上記金属粒子の端面以外の部分を覆う樹脂部を形成する工程と、
熱プレス後の上記樹脂部をカットする工程とを備えることを特徴とする半導体素子パッケージ製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体素子パッケージ製造方法により製造された半導体素子パッケージの電極面側に導電性ペーストを用いて回路パターンを形成する工程と、
上記回路パターンの所定位置に金属粒子を配置し、上記導電性ペーストを硬化する工程と、
導電性ペースト硬化後の上記半導体素子パッケージを樹脂シート上に位置合わせし、熱プレスして上記樹脂シートを溶融して上記半導体素子パッケージの上記金属粒子の端面以外の部分を覆う樹脂部を形成する工程と、
熱プレス後の上記樹脂部をカットする工程とを所定回数行い、パッケージを多層化することを特徴とする半導体素子パッケージ製造方法。
【請求項７】
請求項４に記載の半導体素子パッケージ製造方法において、熱プレスされた上記半導体ウェーハ及び上記樹脂部をダイシングする前の上記半導体ウェーハの電極面側に導電性ペーストを用いて回路パターンを形成する工程と、
上記回路パターンの所定位置に金属粒子を配置し、上記導電性ペーストを硬化する工程と、
導電性ペースト硬化後の上記半導体ウェーハを樹脂シートに位置合わせし、熱プレスして上記樹脂シートを溶融して上記半導体ウェーハの上記金属粒子の端面以外の部分を覆う樹脂部を形成する工程と、
上記金属粒子を有しかつ熱プレスされた上記半導体ウェーハをダイシングする工程とを備える半導体素子パッケージ製造方法。
【請求項８】
請求項４に記載の半導体素子パッケージ製造方法において、熱プレスされた上記半導体ウェーハ及び上記樹脂部をダイシングする前の上記半導体ウェーハの電極面側に導電性ペーストを用いて回路パターンを形成する工程と、
上記回路パターンの所定位置に金属粒子を配置し、上記導電性ペーストを硬化する工程と、
導電性ペースト硬化後の上記半導体ウェーハを樹脂シートに位置合わせし、熱プレスして上記樹脂シートを溶融して上記半導体ウェーハの上記金属粒子の端面以外の部分を覆う樹脂部を形成する工程とを所定回数繰り返して多層化した後、上記金属粒子を有しかつ熱プレスされた上記半導体ウェーハをダイシングする工程を備える半導体素子パッケージ製造方法。
【請求項９】
第１樹脂シート上に導電性ペーストを用いて回路パターンを形成する工程と、
上記第１樹脂シートの上記回路パターンの所定位置に請求項１から請求項８のいずれかに記載の上記半導体素子パッケージ製造方法により製造された半導体素子パッケージ及び電子部品を搭載する工程と、
上記半導体素子パッケージ及び上記電子部品が搭載された上記第１樹脂シートに第２樹脂シートを位置合わせし、熱プレスして上記第２樹脂シートを溶融して上記半導体パッケージ及び上記電子部品を覆う樹脂部を形成する工程とを備えることを特徴とする電子部品モジュール製造方法。
【請求項１０】
ＩＣチップと外部と送受信を行う為のアンテナコイルとを有する非接触ＩＣカードであって、
樹脂基材に導電性ペーストにて、上記ＩＣチップのＩＣ電極部と電気的に接続可能な回路パターン、若しくは、上記アンテナコイルを構成するコイルパターンを含む上記ＩＣ電極部と電気的に接続する回路パターンを形成する工程と、
上記ＩＣチップを有しかつ請求項１から請求項８のいずれかに記載の上記半導体素子パッケージ製造方法により製造された半導体素子パッケージの上記ＩＣチップの上記ＩＣ電極部が上記回路パターンと接続するように、上記回路パターンの上に上記半導体素子パッケージを配置する工程と、
上記導電性ペーストを硬化させる工程と、
上記導電性ペースト硬化後の上記樹脂基材の上記半導体素子パッケージ搭載面側に樹脂シートを位置合わせし、熱プレスして上記樹脂シートを溶融して上記半導体素子パッケージを覆う樹脂部を形成する工程と、
熱プレス後の上記樹脂部をカットし、カード化する工程とを備えることを特徴とする非接触ＩＣカードの製造方法。
【請求項１１】
請求項１から請求項８のいずれかに記載の半導体素子パッケージ製造方法により製造される半導体素子パッケージ。
【請求項１２】
半導体素子のバンプに接触して上記半導体素子と電気的に接続され導電性ペーストにて形成される回路パターンを基材のパターン形成面上に形成して当該回路パターンへの上記半導体素子の実装を行なう半導体素子実装済部品の製造方法において、
上記基材に上記半導体素子を挿入するとともに、上記パターン形成面に上記半導体素子の上記バンプを露出させた状態で近接させ、
上記パターン形成面に露出した上記バンプに対して、上記回路パターンと上記バンプとの接触面積を増加させる接触面積増加部を形成することを備える半導体素子実装済部品の製造方法。
【請求項１３】
上記接触面積増加時に、上記バンプ又は上記バンプ近傍の上記パターン形成面に接触して増加部形成部材により上記接触面積増加部を形成し、
上記増加部形成部材を上記バンプ又は上記バンプ近傍の上記パターン形成面に押圧する請求項１２記載の半導体素子実装済部品の製造方法。
【請求項１４】
上記増加部形成部材は円筒形状であるとき、上記増加部形成部材で押圧する押圧動作にて上記バンプを成形して上記バンプに上記接触面積増加部としての突部を形成する、請求項１３記載の半導体素子実装済部品の製造方法。
【請求項１５】
上記増加部形成部材が先端に凹凸部を有するとき、上記増加部形成部材で押圧する押圧動作にて上記バンプを成形して上記バンプに上記接触面積増加部としての凹凸部を形成する、請求項１３記載の半導体素子実装済部品の製造方法。
【請求項１６】
上記増加部形成部材が円筒形状であるとき、上記増加部形成部材で押圧する押圧動作にて上記バンプ近傍の上記パターン形成面を押圧して上記バンプ近傍に接触面積増加用溝を形成して上記バンプを上記基材から露出させる、請求項１３記載の半導体素子実装済部品の製造方法。
【請求項１７】
請求項１２から１６のいずれか１つに記載の半導体素子実装済部品の製造方法により製造された半導体素子実装済部品を封止する半導体素子実装済完成品の製造方法。
【請求項１８】
請求項１２から１６のいずれか１つに記載の半導体素子実装済部品の製造方法にて製造された半導体素子実装済部品を備える半導体素子実装済完成品。
【請求項１９】
請求項１７に記載の半導体素子実装済完成品の製造方法にて製造される半導体素子実装済完成品。
【請求項２０】
上記半導体素子実装済完成品は非接触ＩＣカードである、請求項１８又は１９記載の半導体素子実装済完成品。