【手続補正書】
【提出日】平成16年11月25日(2004.11.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ランド・グリッド・アレイ（ＯＬＧＡ）・パッケージであって、
一対の導電性層であり、その各々がそれ自体を貫通している複数の脱ガス・アパーチャーを有し、当該一対の導電性層の内の一方の層における前記アパーチャーが第１方向及び第２方向の双方で他方の層における前記アパーチャーとオフセットされていることから成る一対の導電性装置と、
前記導電性層対の間に配置された非導電性層と、
前記導電性層対の間における少なくとも２つの金属トレースであり、それら金属トレースが略同一のインピーダンスを有することから成る少なくとも２つの金属トレースと、
を備えるＯＬＧＡパッケージ。
【請求項２】
前記第２方向が前記第１方向と実質的に直交している、請求項１に記載のＯＬＧＡパッケージ。
【請求項３】
前記第１方向が経路指定方向である、請求項１に記載のＯＬＧＡパッケージ。
【請求項４】
前記第２方向がファン-アウト方向である、請求項１に記載のＯＬＧＡパッケージ。
【請求項５】
前記一方の層における前記アパーチャーが前記他方の層における前記アパーチャーと前記第１方向で互い違いとなっている、請求項１に記載のＯＬＧＡパッケージ。
【請求項６】
前記一方の層における前記アパーチャーが前記他方の層における前記アパーチャーと前記第２方向で互い違いとなっている、請求項１に記載のＯＬＧＡパッケージ。
【請求項７】
前記導電性層対の上に重ね合わされた少なくとも別の１つずつの非導電性層及び導電性層と、該少なくとも１つの別の導電性層と前記導電性層対との間における少なくとも１つの別の金属トレース群とを更に備える、請求項１に記載のＯＬＧＡパッケージ。
【請求項８】
基板であって、
実質的に相互に積み重ねられた第１層及び第２層であり、当該第１層及び第２層がそれらの間に挟まれた第３層を有すると共にそれぞれにおいて複数のアパーチャーを有し、当該第１層における前記アパーチャーの位置が、前記第１方向で、前記第２層における前記アパーチャーの位置と互い違いとなっており、前記第１層における前記アパーチャーの位置が、前記第１方向と実質的に直交する前記第２位置で、前記第２層における前記アパーチャーの位置と互い違いとなっていることから成る第１層及び第２層と、
前記第１層及び前記第２層の間における少なくとも２つの金属トレースであり、全般的に前記第１方向に走っていることから成る少なくとも２つの金属トレースと、
を備える基板。
【請求項９】
前記トレースが前記第１方向に対する第１角度でファン-アウトしている、請求項８に記載の基板。
【請求項１０】
前記第１角度が約±４５°である、請求項９に記載の基板。
【請求項１１】
前記アパーチャーが脱ガス穴である、請求項８に記載の基板。
【請求項１２】
前記第１層及び前記第２層における前記アパーチャーが格子形式に配列されている、請求項８に記載の基板。
【請求項１３】
経路指定方向における隣接アパーチャー間の間隔が、実質的に直交する前記第２方向における隣接アパーチャー間の間隔の２倍である、請求項８に記載の基板。
【請求項１４】
前記第１層におけるアパーチャー間の間隔が前記第１方向において１０００ミクロンであり、前記第１層におけるアパーチャー間の間隔が前記第２方向で５００ミクロンである、請求項８に記載の基板。
【請求項１５】
前記第２層におけるアパーチャー間の間隔が前記第１方向において１０００ミクロンである、請求項８に記載の基板。
【請求項１６】
前記第２層におけるアパーチャー間の間隔が前記第２方向において５００ミクロンである、請求項８に記載の基板。
【請求項１７】
前記第１方向で前記第１層及び前記第２層におけるアパーチャー間の間隔が５００ミクロンである、請求項８に記載の基板。
【請求項１８】
前記第２方向で前記第１層及び前記第２層におけるアパーチャー間の間隔が２５０ミクロンである、請求項８に記載の基板。
【請求項１９】
間に第３層を挟んでいる、少なくとも２つの重ね合わされた層である頂部層及び底部層であり、当該頂部層及び底部層がそれら各々において複数の脱ガス穴を含む脱ガス穴形態を含むことから成る頂部層及び底部層を有する有機基板において、前記脱ガス穴が、前記頂部層及び前記底部層の間で互い違いとなっている脱ガス穴を有する格子を形成しており、それらの穴がピッチ間隔で前記頂部層及び前記底部層の間で交互に配置されており、それらの穴が第１の経路指定方向と該第１方向に実質的に直交するする第２方向とで交互配置されていることから成る有機基板。
【請求項２０】
集積回路パッケージであって、
シリコン・ダイと、
前記シリコン・ダイに搭載された有機ランド・グリッド・アレイ（ＯＬＧＡ）であり、該ＯＬＧＡが、
頂部層及び底部層であり、これら層の各々がそれ自体において複数のアパーチャーを有し、前記頂部層及び前記底部層の前記アパーチャーが第１方向において互い違いとなり、且つ、該第１方向に実質的に直交する第２方向において互い違いとなっていることから成る頂部層及び底部層と、
前記第１層及び前記第２層の間における一対の金属トレースであり、全般的に前記第１方向に走っていることから成る一対の金属トレースと、
を含むＯＬＧＡと、
を備える集積回路パッケージ。
【請求項２１】
前記トレースが前記第１方向に対する第１角度でファンアウトしている、請求項２０に記載の集積回路パッケージ。
【請求項２２】
前記第１角度が約±４５°である、請求項２１に記載の集積回路パッケージ。
【請求項２３】
前記アパーチャーが脱ガス穴である、請求項２０に記載の集積回路パッケージ。
【請求項２４】
前記第１層及び前記第２層における前記アパーチャーが格子形式で配列されている、請求項２０に記載の集積回路パッケージ。
【請求項２５】
前記経路指定方向における隣接アパーチャー間の間隔が、前記第２の実質的に直交する方向における隣接アパーチャー間の間隔の２倍である、請求項２０に記載の集積回路パッケージ。
【請求項２６】
前記第１層におけるアパーチャー間の間隔が前記第１方向において１０００ミクロンであり、前記第２層におけるアパーチャー間の間隔が前記第１方向において１０００ミクロンである、請求項２０に記載の集積回路パッケージ。
【請求項２７】
前記第１層におけるアパーチャー間の間隔が前記第２方向において５００ミクロンであり、前記第２層におけるアパーチャー間の間隔が前記第２方向において５００ミクロンである、請求項２０に記載の集積回路パッケージ。
【請求項２８】
前記第１方向で前記第１層及び前記第２層におけるアパーチャー間の間隔が５００ミクロンである、請求項２０に記載の集積回路パッケージ。
【請求項２９】
前記第２方向で前記第１層及び前記第２層におけるアパーチャー間の間隔が２５０ミクロンである、請求項２０に記載の集積回路パッケージ。
【請求項３０】
回路アセンブリであって、
マイクロプロセッサと、
基板であり、
実質的に相互に積み重ねられた第１層及び第２層であり、当該第１層及び第２層がそれらの間に挟まれた第３層を有すると共にそれぞれにおいて複数のアパーチャーを有し、当該第１層及び第２層における前記アパーチャーの位置が、前記第１方向で互い違いとなり、且つ、前記第１方向と実質的に直交する前記第２位置で互い違いとなっていることから成る第１層及び第２層と、
前記第１層及び前記第２層の間における一対の金属トレースであり、全般的に前記第１方向に走っていることから成る一対の金属トレースと、
を含む基板と、
前記基板が取り付け可能な複数の取り付け領域を上部に有するマザーボードと、
を備える回路アセンブリ。