【手続補正書】
【提出日】令和3年11月9日(2021.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理システムであって、
チャンバ壁を有する処理チャンバと、
処理中に基板を保持するために前記処理チャンバ内に配置されているペデスタルと、
前記処理チャンバ内でプラズマを分配するために前記処理チャンバ内に配置されているシャワーヘッドと、
前記チャンバ壁の状態を検出するよう構成されている検出器システムと、
を備え、
前記検出器システムは、
第１表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ）ファイバであって、前記処理チャンバの外に配置されている第１端および第２端と、前記処理チャンバの中に配置されている前記第１ＳＰＲファイバの内側部分と、を有する、第１ＳＰＲファイバと、
前記第１ＳＰＲファイバの前記第１端へ第１入力光として光を供給する光源と、
前記第１ＳＰＲファイバの前記第１端へ供給される光の量を制御し、第１出力光として前記第１ＳＰＲファイバの前記第２端で光を受信するよう構成されているコントローラであって、前記第１入力光および前記第１出力光を解析して、前記チャンバ壁の前記状態を決定するコントローラと、
を備える、基板処理システム。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理システムであって、前記処理チャンバは、さらに、第１フィードスルーを備え、前記第１ＳＰＲファイバの前記第１および第２端は、前記第１フィードスルーを通して延伸する、基板処理システム。
【請求項３】
請求項２に記載の基板処理システムであって、前記処理チャンバは、さらに、第２フィードスルーを備え、前記第１ＳＰＲファイバの前記第１端は、前記第１フィードスルーを通して延伸し、前記第１ＳＰＲファイバの前記第２端は、前記第２フィードスルーを通して延伸する、基板処理システム。
【請求項４】
請求項３に記載の基板処理システムであって、前記第１および第２フィードスルーは、前記処理チャンバの片側で互いに近接している、基板処理システム。
【請求項５】
請求項３に記載の基板処理システムであって、前記第１および第２フィードスルーは、前記処理チャンバの反対側にある、基板処理システム。
【請求項６】
請求項１に記載の基板処理システムであって、前記第１ＳＰＲファイバは、第１被覆に取り囲まれている第１中央光ファイバを備え、前記第１被覆は、前記処理チャンバ内にあるように配置されている第１開口部を有し、前記第１ＳＰＲファイバは、前記第１開口部内に、さらに、
前記第１中央光ファイバの上に配置されている第１金属膜と、
前記第１金属膜の上に配置されているプラズマ耐性材料の第１層と、
を備える、基板処理システム。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理システムであって、前記プラズマ耐性材料は、ジルコニウムおよびイットリウムの窒化物および酸化物からなる群より選択された材料を含む、基板処理システム。
【請求項８】
請求項６に記載の基板処理システムであって、前記第１被覆は、前記処理チャンバ内に配置されている第２開口部を有し、前記第１ＳＰＲファイバは、前記第２開口部内に、さらに、
前記第１中央光ファイバの上に配置されている第２金属膜と、
前記第２金属膜の上に配置されているプラズマ耐性材料の第２層と、
を備える、基板処理システム。
【請求項９】
請求項３に記載の基板処理システムであって、前記処理チャンバは、さらに、第３および第４フィードスルーを備え、前記検出器システムは、さらに、前記第１ＳＰＲファイバとは前記処理チャンバの反対側に第２ＳＰＲファイバを備え、前記第２ＳＰＲファイバは、前記処理チャンバの外に配置されている第１端および第２端と、前記処理チャンバの中に配置されている前記第２ＳＰＲファイバの内側部分と、を有し、
前記光源は、前記第２ＳＰＲファイバの前記第１端へ第２入力光として光を供給し、
前記コントローラは、前記第２ＳＰＲファイバの前記第１端へ供給される光の量を制御し、第２出力光として前記第２ＳＰＲファイバの前記第２端で光を受信するよう構成され、前記第２入力光および前記第２出力光を解析して、前記チャンバ壁の前記状態を決定する、基板処理システム。
【請求項１０】
請求項９に記載の基板処理システムであって、前記第２ＳＰＲファイバは、第２被覆に取り囲まれている第２中央光ファイバを備え、前記第２被覆は、前記処理チャンバ内にあるように配置されている第３開口部を有し、前記第２ＳＰＲファイバは、前記第３開口部内に、さらに、
前記第２中央光ファイバの上に配置されている第３金属膜と、
前記第３金属膜の上に配置されているプラズマ耐性材料の第３層と、
を備える、基板処理システム。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板処理システムであって、前記第２被覆は、前記処理チャンバ内に配置されている第４開口部を有し、前記第２ＳＰＲファイバは、前記第４開口部内に、さらに、
前記第２中央光ファイバの上に配置されている第４金属膜と、
前記第４金属膜の上に配置されているプラズマ耐性材料の第４層と、
を備える、基板処理システム。
【請求項１２】
請求項３に記載の基板処理システムであって、前記検出器システムは、さらに、
第１端および第２端を有し、前記処理チャンバの外に配置されている基準表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ）ファイバを備え、
前記光源は、前記基準ＳＰＲファイバの前記第１端へ基準入力光として光を供給し、
前記コントローラは、前記基準ＳＰＲファイバの前記第１端へ供給される光の量を制御し、基準出力光として前記基準ＳＰＲファイバの前記第２端で光を受信するよう構成され、前記基準出力光を前記第１出力光と比較して、前記チャンバ壁の前記状態を確認するためのベースラインを決定する、基板処理システム。
【請求項１３】
請求項１２に記載の基板処理システムであって、前記コントローラは、前記処理チャンバ壁が洗浄された後であって前記基板処理システムの次の利用前に、前記基準出力光を前記第１出力光と比較する、基板処理システム。
【請求項１４】
チャンバ壁および少なくとも１つのフィードスルーを有する処理チャンバと、処理中に基板を保持するために前記処理チャンバ内に配置されているペデスタルと、前記処理チャンバ内でプラズマを分配するために前記処理チャンバ内に配置されているシャワーヘッドと、を備える基板処理システムにおいて、
前記チャンバ壁の状態を検出するよう構成されている検出器システムであって、
第１表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ）ファイバであって、前記処理チャンバの外に配置されている第１端および第２端と、前記処理チャンバの中に配置されている前記第１ＳＰＲファイバの内側部分と、を有する、第１ＳＰＲファイバと、
前記第１ＳＰＲファイバの前記第１端へ第１入力光として光を供給する光源と、
前記第１ＳＰＲファイバの前記第１端へ供給される光の量を制御し、第１出力光として前記第１ＳＰＲファイバの前記第２端で光を受信するよう構成されているコントローラであって、前記第１入力光および前記第１出力光を解析して、前記チャンバ壁の前記状態を決定するコントローラと、
を備える、検出器システム。
【請求項１５】
請求項１４に記載の検出器システムであって、前記第１ＳＰＲファイバは、第１被覆に取り囲まれている第１中央光ファイバを備え、前記第１被覆は、前記処理チャンバ内にあるように配置されている第１開口部を有し、前記第１ＳＰＲファイバは、前記第１開口部内に、さらに、
前記第１中央光ファイバの上に配置されている第１金属膜と、
前記第１金属膜の上に配置されているプラズマ耐性材料の第１層と、
を備える、検出器システム。
【請求項１６】
請求項１５に記載の検出器システムであって、前記第１被覆は、前記処理チャンバ内に配置されている第２開口部を有し、前記第１ＳＰＲファイバは、前記第２開口部内に、さらに、
前記第１中央光ファイバの上に配置されている第２金属膜と、
前記第２金属膜の上に配置されているプラズマ耐性材料の第２層と、
を備える、検出器システム。
【請求項１７】
請求項１４に記載の検出器システムであって、さらに、前記第１ＳＰＲファイバとは前記処理チャンバの反対側に第２ＳＰＲファイバを備え、前記第２ＳＰＲファイバは、前記処理チャンバの外に配置されている第１端および第２端と、前記処理チャンバの中に配置されている前記第２ＳＰＲファイバの内側部分と、を有し、
前記光源は、前記第２ＳＰＲファイバの前記第１端へ第２入力光として光を供給し、
前記コントローラは、前記第２ＳＰＲファイバの前記第１端へ供給される光の量を制御し、第２出力光として前記第２ＳＰＲファイバの前記第２端で光を受信するよう構成され、前記第２入力光および前記第２出力光を解析して、前記チャンバ壁の前記状態を決定する、検出器システム。
【請求項１８】
請求項１７に記載の検出器システムであって、前記第２ＳＰＲファイバは、第２被覆に取り囲まれている第２中央光ファイバを備え、前記第２被覆は、前記処理チャンバ内にあるように配置されている第３開口部を有し、前記第２ＳＰＲファイバは、前記第３開口部内に、さらに、
前記第２中央光ファイバの上に配置されている第３金属膜と、
前記第３金属膜の上に配置されているプラズマ耐性材料の第３層と、
を備える、検出器システム。
【請求項１９】
請求項１８に記載の検出器システムであって、前記第２被覆は、前記処理チャンバ内に配置されている第４開口部を有し、前記第２ＳＰＲファイバは、前記第４開口部内に、さらに、
前記第２中央光ファイバの上に配置されている第４金属膜と、
前記第４金属膜の上に配置されているプラズマ耐性材料の第４層と、
を備える、検出器システム。
【請求項２０】
請求項１４に記載の検出器システムであって、さらに、
第１端および第２端を有し、前記処理チャンバの外に配置されている基準表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ）ファイバを備え、
前記光源は、前記基準ＳＰＲファイバの前記第１端へ基準入力光として光を供給し、
前記コントローラは、前記基準ＳＰＲファイバの前記第１端へ供給される光の量を制御し、基準出力光として前記基準ＳＰＲファイバの前記第２端で光を受信するよう構成され、前記基準出力光を前記第１出力光と比較して、前記チャンバ壁の前記状態を確認するためのベースラインを決定する、検出器システム。
【請求項２１】
請求項２０に記載の検出器システムであって、前記コントローラは、前記処理チャンバ壁が洗浄された後であって、前記基板処理システムの次の利用前に、前記基準出力光を前記第１出力光と比較する、検出器システム。
【請求項２２】
基板処理システム内の処理チャンバのチャンバ壁の状態を決定するための方法であって、
前記処理チャンバ内で第１表面プラズモン波および第１エバネセント波を生成し、
前記第１表面プラズモン波および前記第１エバネセント波を定期的に測定して、第１測定データを取得し、
前記第１測定データに応じて、前記チャンバ壁の状態を決定すること、
を備える、方法。
【請求項２３】
請求項２２に記載の方法であって、さらに、
前記チャンバ壁のベースライン状態に関するベースラインデータを取得し、
前記チャンバ壁の前記状態を決定するために、前記ベースラインデータを前記第１測定データと比較すること、
を備える、方法。
【請求項２４】
請求項２２に記載の方法であって、さらに、
前記処理チャンバ内で第２表面プラズモン波および第２エバネセント波を生成し、
前記第２表面プラズモン波および前記第２エバネセント波を定期的に測定して、第２測定データを取得し、
前記第２測定データに応じて、前記チャンバ壁の状態を決定すること、
を備える、方法。
【請求項２５】
請求項２４に記載の方法であって、さらに、
前記チャンバ壁のベースライン状態に関するベースラインデータを取得し、
前記チャンバ壁の前記状態を決定するために、前記ベースラインデータを前記第１および第２測定データと比較すること、
を備える、方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
上述のように、ツールによって実行される１または複数の処理工程に応じて、コントローラは、他のツール回路またはモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近くのツール、工場の至る所に配置されるツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、もしくは、半導体製造工場内のツール位置および／またはロードポートに向かってまたはそこからウエハのコンテナを運ぶ材料輸送に用いられるツール、の内の１または複数と通信してもよい。
［適用例１］基板処理システムであって、
チャンバ壁を有する処理チャンバと、
処理中に基板を保持するために前記処理チャンバ内に配置されているペデスタルと、
前記処理チャンバ内でプラズマを分配するために前記処理チャンバ内に配置されているシャワーヘッドと、
前記チャンバ壁の状態を検出するよう構成されている検出器システムと、
を備え、
前記検出器システムは、
第１表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ）ファイバであって、前記処理チャンバの外に配置されている第１端および第２端と、前記処理チャンバの中に配置されている前記第１ＳＰＲファイバの内側部分と、を有する、第１ＳＰＲファイバと、
前記第１ＳＰＲファイバの前記第１端へ第１入力光として光を供給する光源と、
前記第１ＳＰＲファイバの前記第１端へ供給される光の量を制御し、第１出力光として前記第１ＳＰＲファイバの前記第２端で光を受信するよう構成されているコントローラであって、前記第１入力光および前記第１出力光を解析して、前記チャンバ壁の前記状態を決定するコントローラと、
を備える、基板処理システム。
［適用例２］適用例１に記載の基板処理システムであって、前記処理チャンバは、さらに、第１フィードスルーを備え、前記第１ＳＰＲファイバの前記第１および第２端は、前記第１フィードスルーを通して延伸する、基板処理システム。
［適用例３］適用例２に記載の基板処理システムであって、前記処理チャンバは、さらに、第２フィードスルーを備え、前記第１ＳＰＲファイバの前記第１端は、前記第１フィードスルーを通して延伸し、前記第１ＳＰＲファイバの前記第２端は、前記第２フィードスルーを通して延伸する、基板処理システム。
［適用例４］適用例３に記載の基板処理システムであって、前記第１および第２フィードスルーは、前記処理チャンバの片側で互いに近接している、基板処理システム。
［適用例５］適用例３に記載の基板処理システムであって、前記第１および第２フィードスルーは、前記処理チャンバの反対側にある、基板処理システム。
［適用例６］適用例１に記載の基板処理システムであって、前記第１ＳＰＲファイバは、第１被覆に取り囲まれている第１中央光ファイバを備え、前記第１被覆は、前記処理チャンバ内にあるように配置されている第１開口部を有し、前記第１ＳＰＲファイバは、前記第１開口部内に、さらに、
前記第１中央光ファイバの上に配置されている第１金属膜と、
前記第１金属膜の上に配置されているプラズマ耐性材料の第１層と、
を備える、基板処理システム。
［適用例７］適用例６に記載の基板処理システムであって、前記プラズマ耐性材料は、ジルコニウムおよびイットリウムの窒化物および酸化物からなる群より選択された材料を含む、基板処理システム。
［適用例８］適用例６に記載の基板処理システムであって、前記第１被覆は、前記処理チャンバ内に配置されている第２開口部を有し、前記第１ＳＰＲファイバは、前記第２開口部内に、さらに、
前記第１中央光ファイバの上に配置されている第２金属膜と、
前記第２金属膜の上に配置されているプラズマ耐性材料の第２層と、
を備える、基板処理システム。
［適用例９］適用例３に記載の基板処理システムであって、前記処理チャンバは、さらに、第３および第４フィードスルーを備え、前記検出器システムは、さらに、前記第１ＳＰＲファイバとは前記処理チャンバの反対側に第２ＳＰＲファイバを備え、前記第２ＳＰＲファイバは、前記処理チャンバの外に配置されている第１端および第２端と、前記処理チャンバの中に配置されている前記第２ＳＰＲファイバの内側部分と、を有し、
前記光源は、前記第２ＳＰＲファイバの前記第１端へ第２入力光として光を供給し、
前記コントローラは、前記第２ＳＰＲファイバの前記第１端へ供給される光の量を制御し、第２出力光として前記第２ＳＰＲファイバの前記第２端で光を受信するよう構成され、前記第２入力光および前記第２出力光を解析して、前記チャンバ壁の前記状態を決定する、基板処理システム。
［適用例１０］適用例９に記載の基板処理システムであって、前記第２ＳＰＲファイバは、第２被覆に取り囲まれている第２中央光ファイバを備え、前記第２被覆は、前記処理チャンバ内にあるように配置されている第３開口部を有し、前記第２ＳＰＲファイバは、前記第３開口部内に、さらに、
前記第２中央光ファイバの上に配置されている第３金属膜と、
前記第３金属膜の上に配置されているプラズマ耐性材料の第３層と、
を備える、基板処理システム。
［適用例１１］適用例１０に記載の基板処理システムであって、前記第２被覆は、前記処理チャンバ内に配置されている第４開口部を有し、前記第２ＳＰＲファイバは、前記第４開口部内に、さらに、
前記第２中央光ファイバの上に配置されている第４金属膜と、
前記第４金属膜の上に配置されているプラズマ耐性材料の第４層と、
を備える、基板処理システム。
［適用例１２］適用例３に記載の基板処理システムであって、前記検出器システムは、さらに、
第１端および第２端を有し、前記処理チャンバの外に配置されている基準表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ）ファイバを備え、
前記光源は、前記基準ＳＰＲファイバの前記第１端へ基準入力光として光を供給し、
前記コントローラは、前記基準ＳＰＲファイバの前記第１端へ供給される光の量を制御し、基準出力光として前記基準ＳＰＲファイバの前記第２端で光を受信するよう構成され、前記基準出力光を前記第１出力光と比較して、前記チャンバ壁の前記状態を確認するためのベースラインを決定する、基板処理システム。
［適用例１３］適用例１２に記載の基板処理システムであって、前記コントローラは、前記処理チャンバ壁が洗浄された後であって前記基板処理システムの次の利用前に、前記基準出力光を前記第１出力光と比較する、基板処理システム。
［適用例１４］  チャンバ壁および少なくとも１つのフィードスルーを有する処理チャンバと、処理中に基板を保持するために前記処理チャンバ内に配置されているペデスタルと、前記処理チャンバ内でプラズマを分配するために前記処理チャンバ内に配置されているシャワーヘッドと、を備える基板処理システムにおいて、
前記チャンバ壁の状態を検出するよう構成されている検出器システムであって、
第１表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ）ファイバであって、前記処理チャンバの外に配置されている第１端および第２端と、前記処理チャンバの中に配置されている前記第１ＳＰＲファイバの内側部分と、を有する、第１ＳＰＲファイバと、
前記第１ＳＰＲファイバの前記第１端へ第１入力光として光を供給する光源と、
前記第１ＳＰＲファイバの前記第１端へ供給される光の量を制御し、第１出力光として前記第１ＳＰＲファイバの前記第２端で光を受信するよう構成されているコントローラであって、前記第１入力光および前記第１出力光を解析して、前記チャンバ壁の前記状態を決定するコントローラと、
を備える、検出器システム。
［適用例１５］適用例１に記載の検出器システムであって、前記第１ＳＰＲファイバは、第１被覆に取り囲まれている第１中央光ファイバを備え、前記第１被覆は、前記処理チャンバ内にあるように配置されている第１開口部を有し、前記第１ＳＰＲファイバは、前記第１開口部内に、さらに、
前記第１中央光ファイバの上に配置されている第１金属膜と、
前記第１金属膜の上に配置されているプラズマ耐性材料の第１層と、
を備える、検出器システム。
［適用例１６］適用例１５に記載の検出器システムであって、前記第１被覆は、前記処理チャンバ内に配置されている第２開口部を有し、前記第１ＳＰＲファイバは、前記第２開口部内に、さらに、
前記第１中央光ファイバの上に配置されている第２金属膜と、
前記第２金属膜の上に配置されているプラズマ耐性材料の第２層と、
を備える、検出器システム。
［適用例１７］適用例１４に記載の検出器システムであって、さらに、前記第１ＳＰＲファイバとは前記処理チャンバの反対側に第２ＳＰＲファイバを備え、前記第２ＳＰＲファイバは、前記処理チャンバの外に配置されている第１端および第２端と、前記処理チャンバの中に配置されている前記第２ＳＰＲファイバの内側部分と、を有し、
前記光源は、前記第２ＳＰＲファイバの前記第１端へ第２入力光として光を供給し、
前記コントローラは、前記第２ＳＰＲファイバの前記第１端へ供給される光の量を制御し、第２出力光として前記第２ＳＰＲファイバの前記第２端で光を受信するよう構成され、前記第２入力光および前記第２出力光を解析して、前記チャンバ壁の前記状態を決定する、検出器システム。
［適用例１８］適用例１７に記載の検出器システムであって、前記第２ＳＰＲファイバは、第２被覆に取り囲まれている第２中央光ファイバを備え、前記第２被覆は、前記処理チャンバ内にあるように配置されている第３開口部を有し、前記第２ＳＰＲファイバは、前記第３開口部内に、さらに、
前記第２中央光ファイバの上に配置されている第３金属膜と、
前記第３金属膜の上に配置されているプラズマ耐性材料の第３層と、
を備える、検出器システム。
［適用例１９］適用例１８に記載の検出器システムであって、前記第２被覆は、前記処理チャンバ内に配置されている第４開口部を有し、前記第２ＳＰＲファイバは、前記第４開口部内に、さらに、
前記第２中央光ファイバの上に配置されている第４金属膜と、
前記第４金属膜の上に配置されているプラズマ耐性材料の第４層と、
を備える、検出器システム。
［適用例２０］適用例１４に記載の検出器システムであって、さらに、
第１端および第２端を有し、前記処理チャンバの外に配置されている基準表面プラズモン共鳴（ＳＰＲ）ファイバを備え、
前記光源は、前記基準ＳＰＲファイバの前記第１端へ基準入力光として光を供給し、
前記コントローラは、前記基準ＳＰＲファイバの前記第１端へ供給される光の量を制御し、基準出力光として前記基準ＳＰＲファイバの前記第２端で光を受信するよう構成され、前記基準出力光を前記第１出力光と比較して、前記チャンバ壁の前記状態を確認するためのベースラインを決定する、検出器システム。
［適用例２１］適用例２０に記載の検出器システムであって、前記コントローラは、前記処理チャンバ壁が洗浄された後であって、前記基板処理システムの次の利用前に、前記基準出力光を前記第１出力光と比較する、検出器システム。
［適用例２２］基板処理システム内の処理チャンバのチャンバ壁の状態を決定するための方法であって、
前記処理チャンバ内で第１表面プラズモン波および第１エバネセント波を生成し、
前記第１表面プラズモン波および前記第１エバネセント波を定期的に測定して、第１測定データを取得し、
前記第１測定データに応じて、前記チャンバ壁の状態を決定すること、
を備える、方法。
［適用例２３］適用例２２に記載の方法であって、さらに、
前記チャンバ壁のベースライン状態に関するベースラインデータを取得し、
前記チャンバ壁の前記状態を決定するために、前記ベースラインデータを前記第１測定データと比較すること、
を備える、方法。
［適用例２４］適用例２２に記載の方法であって、さらに、
前記処理チャンバ内で第２表面プラズモン波および第２エバネセント波を生成し、
前記第２表面プラズモン波および前記第２エバネセント波を定期的に測定して、第２測定データを取得し、
前記第２測定データに応じて、前記チャンバ壁の状態を決定すること、
を備える、方法。
［適用例２５］適用例２４に記載の方法であって、さらに、
前記チャンバ壁のベースライン状態に関するベースラインデータを取得し、
前記チャンバ壁の前記状態を決定するために、前記ベースラインデータを前記第１および第２測定データと比較すること、
を備える、方法。