【手続補正書】
【提出日】平成17年7月6日(2005.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気光学装置およびプロジェクター
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素と、複数の走査線と、複数の信号線とを有する画素部を有し、
前記画素は、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された保持容量と、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極とを有し、
前記薄膜トランジスタは、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域が形成された半導体膜と、前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とを有し、
前記ソース領域または前記ドレイン領域のいずれか一方に、前記信号線のいずれか１つが電気的に接続され、他方に前記画素電極が電気的に接続され、
前記薄膜トランジスタの半導体膜の下方には、絶縁膜を介して、前記走査線のいずれか１つが設けられ、
前記ゲート電極は、画素ごとに分割して設けられ、前記走査線のいずれか１つと電気的に接続され、
前記保持容量は、下部電極、上部電極、ならびに前記上部電極と前記下部電極に挟まれた誘電体を有し、
前記下部電極は、前記絶縁膜上の半導体膜であって、前記薄膜トランジスタの半導体膜と一体であり、
前記誘電体は、前記下部電極となる半導体膜上の絶縁膜であり、
前記上部電極は、前記誘電体となる絶縁膜上のパターニングされた導電膜でなり、
前記下部電極および前記上部電極は、それぞれ、前記走査線のいずれか１つ、および前記信号線のいずれか１つと重なることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
複数の画素と、複数の走査線と、複数の信号線とを有する画素部を有し、
前記画素は、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された保持容量と、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極とを有し、
前記薄膜トランジスタは、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域が形成された半導体膜と、前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とを有し、
前記ソース領域または前記ドレイン領域のいずれか一方に、前記信号線のいずれか１つが電気的に接続され、他方に前記画素電極が電気的に接続され、
前記薄膜トランジスタの半導体膜の下方には、絶縁膜を介して、前記走査線のいずれか１つが設けられ、
前記ゲート電極は、画素ごとに分割して設けられ、前記走査線のいずれか１つと電気的に接続され、
前記保持容量は、下部電極、上部電極、ならびに前記上部電極と前記下部電極に挟まれた誘電体を有し、
前記下部電極は、前記絶縁膜上の半導体膜であって、前記薄膜トランジスタの半導体膜と一体であり、
前記誘電体は、前記下部電極となる半導体膜上の絶縁膜であり、
前記上部電極は、前記誘電体となる絶縁膜上のパターニングされた導電膜でなり、
前記誘電体となる絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜よりも薄いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
複数の画素と、複数の走査線と、複数の信号線とを有する画素部を有し、
前記画素は、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された保持容量と、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極とを有し、
前記薄膜トランジスタは、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域が形成された半導体膜と、前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とを有し、
前記ソース領域または前記ドレイン領域のいずれか一方に、前記信号線のいずれか１つが電気的に接続され、他方に前記画素電極が電気的に接続され、
前記薄膜トランジスタの半導体膜の下方には、絶縁膜を介して、前記走査線のいずれか１つが設けられ、
前記ゲート電極は、画素ごとに分割して設けられ、前記走査線のいずれか１つと電気的に接続され、
前記保持容量は、下部電極、上部電極、ならびに前記上部電極と前記下部電極に挟まれた誘電体を有し、
前記下部電極は、前記絶縁膜上の半導体膜であって、前記薄膜トランジスタの半導体膜と一体であり、
前記誘電体は、前記下部電極となる半導体膜上の絶縁膜であり、
前記上部電極は、前記誘電体となる絶縁膜上のパターニングされた導電膜でなり、
前記誘電体となる絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜よりも薄く、
前記下部電極および前記上部電極は、それぞれ、前記走査線の１つおよび前記信号線１つと重なるように配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
複数の画素と、複数の走査線と、複数の信号線とを有する画素部を有し、
前記画素は、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された保持容量と、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、遮光膜とを有し、
前記薄膜トランジスタは、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域が形成された半導体膜と、前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とを有し、
前記ソース領域または前記ドレイン領域のいずれか一方に、前記信号線のいずれか１つが電気的に接続され、他方に前記画素電極が電気的に接続され、
前記薄膜トランジスタの半導体膜の下方には、絶縁膜を介して、前記走査線のいずれか１つが設けられ、
前記ゲート電極は、画素ごとに分割して設けられ、前記走査線のいずれか１つと電気的に接続され、
前記遮光膜は、前記ゲート電極及び前記信号線よりも上方に、前記画素電極よりも下方に設けられ、前記半導体膜と重なっており、
前記保持容量は、下部電極、上部電極、ならびに前記上部電極と前記下部電極に挟まれた誘電体を有し、
前記下部電極は、前記絶縁膜上の半導体膜であって、前記薄膜トランジスタの半導体膜と一体であり、
前記誘電体は、前記下部電極となる半導体膜上の絶縁膜であり、
前記上部電極は、前記誘電体となる絶縁膜上のパターニングされた導電膜でなり、
前記下部電極および前記上部電極は、それぞれ、前記走査線の１つおよび前記信号線１つと重なるように配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
複数の画素と、複数の走査線と、複数の信号線とを有する画素部を有し、
前記画素は、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された保持容量と、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、遮光膜とを有し、
前記薄膜トランジスタは、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域が形成された半導体膜と、前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とを有し、
前記ソース領域または前記ドレイン領域のいずれか一方に、前記信号線のいずれか１つが電気的に接続され、他方に前記画素電極が電気的に接続され、
前記薄膜トランジスタの半導体膜の下方には、絶縁膜を介して、前記走査線のいずれか１つが設けられ、
前記ゲート電極は、画素ごとに分割して設けられ、前記走査線のいずれか１つと電気的に接続され、
前記遮光膜は、前記ゲート電極及び前記信号線よりも上方に、前記画素電極よりも下方に設けられ、前記半導体膜と重なっており、
前記保持容量は、下部電極、上部電極、ならびに前記上部電極と前記下部電極に挟まれた誘電体を有し、
前記下部電極は、前記絶縁膜上の半導体膜であって、前記薄膜トランジスタの半導体膜と一体であり、
前記誘電体は、前記下部電極となる半導体膜上の絶縁膜であり、
前記上部電極は、前記誘電体となる絶縁膜上のパターニングされた導電膜でなり、
前記誘電体となる絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜よりも薄いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
複数の画素と、複数の走査線と、複数の信号線とを有する画素部を有し、
前記画素は、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された保持容量と、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、遮光膜とを有し、
前記薄膜トランジスタは、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域が形成された半導体膜と、前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とを有し、
前記ソース領域または前記ドレイン領域のいずれか一方に、前記信号線のいずれか１つが電気的に接続され、他方に前記画素電極が電気的に接続され、
前記薄膜トランジスタの半導体膜の下方には、絶縁膜を介して、前記走査線のいずれか１つが設けられ、
前記ゲート電極は、画素ごとに分割して設けられ、前記走査線のいずれか１つと電気的に接続され、
前記遮光膜は、前記ゲート電極及び前記信号線よりも上方に、前記画素電極よりも下方に設けられ、前記半導体膜と重なっており、
前記保持容量は、下部電極、上部電極、ならびに前記上部電極と前記下部電極に挟まれた誘電体を有し、
前記下部電極は、前記絶縁膜上の半導体膜であって、前記薄膜トランジスタの半導体膜と一体であり、
前記誘電体は、前記下部電極となる半導体膜上の絶縁膜であり、
前記上部電極は、前記誘電体となる絶縁膜上のパターニングされた導電膜でなり、
前記誘電体となる絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜よりも薄く、
前記下部電極および前記上部電極は、それぞれ、前記走査線の１つおよび前記信号線１つと重なるように配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項において、
前記ゲート電極は、導電型を付与する不純物がドープされたｐｏｌｙ−Ｓｉ、ＷＳｉX（Ｘ＝２．０〜２．８）、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、ＣｒもしくはＭｏからなる導電膜、または、これらの導電膜から選ばれた膜を積層した膜であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項において、
前記走査線は、導電型を付与する不純物元素がドープされたｐｏｌｙ−Ｓｉ、ＷＳｉX（Ｘ＝２．０〜２．８）、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、ＣｒもしくはＭｏでなる導電膜、または、これらの導電膜から選ばれた膜を積層した膜であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項において、
前記信号線は、Ａｌ、Ｗ、ＴｉもしくはＴｉＮを主成分とする膜、または、これらの導電膜から選ばれた膜を積層した膜であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項において、
前記画素電極は、有機樹脂膜上に形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか１項において、
前記ゲート絶縁膜と、前記保持容量の誘電体となる絶縁膜は一体であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項において、
前記保持容量の上部電極は、導電型を付与する不純物元素がドープされたｐｏｌｙ−Ｓｉ、ＷＳｉX（Ｘ＝２．０〜２．８）、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、ＣｒもしくはＭｏでなる導電膜、または、これらの導電膜から選ばれた膜を積層した膜であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか１項において、
前記保持容量の上部電極は、前記ゲート電極と同じ材料の導電膜からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の電気光学装置は、液晶表示装置であることを特徴とする。
【請求項１５】
一対の基板と、前記一対の基板の間の液晶層、画素部、走査線駆動回路、および信号線駆動回路を有する液晶表示装置を含み、
前記画素部は、複数の画素と、前記走査線駆動回路に電気的に接続された複数の走査線と、前記信号線駆動回路に電気的に接続された複数の信号線とを有し、
前記画素は、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された保持容量と、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極とを有し、
前記薄膜トランジスタは、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域が形成された半導体膜と、前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とを有し、
前記ソース領域または前記ドレイン領域のいずれか一方に、前記信号線のいずれか１つが電気的に接続され、他方に前記画素電極が電気的に接続され、
前記薄膜トランジスタの半導体膜の下方には、絶縁膜を介して、前記走査線のいずれか１つが設けられ、
前記ゲート電極は、画素ごとに分割して設けられ、前記走査線のいずれか１つと電気的に接続され、
前記保持容量は、下部電極、上部電極、ならびに前記上部電極と前記下部電極に挟まれた誘電体を有し、
前記下部電極は、前記絶縁膜上の半導体膜であって、前記薄膜トランジスタの半導体膜と一体であり、
前記誘電体は、前記下部電極となる半導体膜上の絶縁膜であり、
前記上部電極は、前記誘電体となる絶縁膜上のパターニングされた導電膜でなり、
前記下部電極および前記上部電極は、それぞれ、前記走査線のいずれか１つ、および前記信号線のいずれか１つと重なることを特徴とするプロジェクター。
【請求項１６】
一対の基板と、前記一対の基板の間の液晶層、画素部、走査線駆動回路、および信号線駆動回路を有する液晶表示装置を含み、
前記画素部は、複数の画素と、前記走査線駆動回路に電気的に接続された複数の走査線と、前記信号線駆動回路に電気的に接続された複数の信号線とを有し、
前記画素は、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された保持容量と、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極とを有し、
前記薄膜トランジスタは、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域が形成された半導体膜と、前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とを有し、
前記ソース領域または前記ドレイン領域のいずれか一方に、前記信号線のいずれか１つが電気的に接続され、他方に前記画素電極が電気的に接続され、
前記薄膜トランジスタの半導体膜の下方には、絶縁膜を介して、前記走査線のいずれか１つが設けられ、
前記ゲート電極は、画素ごとに分割して設けられ、前記走査線のいずれか１つと電気的に接続され、
前記保持容量は、下部電極、上部電極、ならびに前記上部電極と前記下部電極に挟まれた誘電体を有し、
前記下部電極は、前記絶縁膜上の半導体膜であって、前記薄膜トランジスタの半導体膜と一体であり、
前記誘電体は、前記下部電極となる半導体膜上の絶縁膜であり、
前記上部電極は、前記誘電体となる絶縁膜上のパターニングされた導電膜でなり、
前記誘電体となる絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜よりも薄いことを特徴とするプロジェクター。
【請求項１７】
一対の基板と、前記一対の基板の間の液晶層、画素部、走査線駆動回路、および信号線駆動回路を有する液晶表示装置を含み、
前記画素部は、複数の画素と、前記走査線駆動回路に電気的に接続された複数の走査線と、前記信号線駆動回路に電気的に接続された複数の信号線とを有し、
前記画素は、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された保持容量と、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極とを有し、
前記薄膜トランジスタは、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域が形成された半導体膜と、前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とを有し、
前記ソース領域または前記ドレイン領域のいずれか一方に、前記信号線のいずれか１つが電気的に接続され、他方に前記画素電極が電気的に接続され、
前記薄膜トランジスタの半導体膜の下方には、絶縁膜を介して、前記走査線のいずれか１つが設けられ、
前記ゲート電極は、画素ごとに分割して設けられ、前記走査線のいずれか１つと電気的に接続され、
前記保持容量は、下部電極、上部電極、ならびに前記上部電極と前記下部電極に挟まれた誘電体を有し、
前記下部電極は、前記絶縁膜上の半導体膜であって、前記薄膜トランジスタの半導体膜と一体であり、
前記誘電体は、前記下部電極となる半導体膜上の絶縁膜であり、
前記上部電極は、前記誘電体となる絶縁膜上のパターニングされた導電膜でなり、
前記誘電体となる絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜よりも薄く、
前記下部電極および前記上部電極は、それぞれ、前記走査線の１つおよび前記信号線１つと重なるように配置されていることを特徴とするプロジェクター。
【請求項１８】
一対の基板と、前記一対の基板の間の液晶層、画素部、走査線駆動回路、および信号線駆動回路を有する液晶表示装置を含み、
前記画素部は、複数の画素と、前記走査線駆動回路に電気的に接続された複数の走査線と、前記信号線駆動回路に電気的に接続された複数の信号線とを有し、
前記画素は、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された保持容量と、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、遮光膜とを有し、
前記薄膜トランジスタは、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域が形成された半導体膜と、前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とを有し、
前記ソース領域または前記ドレイン領域のいずれか一方に、前記信号線のいずれか１つが電気的に接続され、他方に前記画素電極が電気的に接続され、
前記薄膜トランジスタの半導体膜の下方には、絶縁膜を介して、前記走査線のいずれか１つが設けられ、
前記ゲート電極は、画素ごとに分割して設けられ、前記走査線のいずれか１つと電気的に接続され、
前記遮光膜は、前記ゲート電極及び前記信号線よりも上方に、前記画素電極よりも下方に設けられ、前記半導体膜と重なっており、
前記保持容量は、下部電極、上部電極、ならびに前記上部電極と前記下部電極に挟まれた誘電体を有し、
前記下部電極は、前記絶縁膜上の半導体膜であって、前記薄膜トランジスタの半導体膜と一体であり、
前記誘電体は、前記下部電極となる半導体膜上の絶縁膜であり、
前記上部電極は、前記誘電体となる絶縁膜上のパターニングされた導電膜でなり、
前記下部電極および前記上部電極は、それぞれ、前記走査線の１つおよび前記信号線１つと重なるように配置されていることを特徴とするプロジェクター。
【請求項１９】
一対の基板と、前記一対の基板の間の液晶層、画素部、走査線駆動回路、および信号線駆動回路を有する液晶表示装置を含み、
前記画素部は、複数の画素と、前記走査線駆動回路に電気的に接続された複数の走査線と、前記信号線駆動回路に電気的に接続された複数の信号線とを有し、
前記画素は、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された保持容量と、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、遮光膜とを有し、
前記薄膜トランジスタは、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域が形成された半導体膜と、前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とを有し、
前記ソース領域または前記ドレイン領域のいずれか一方に、前記信号線のいずれか１つが電気的に接続され、他方に前記画素電極が電気的に接続され、
前記薄膜トランジスタの半導体膜の下方には、絶縁膜を介して、前記走査線のいずれか１つが設けられ、
前記ゲート電極は、画素ごとに分割して設けられ、前記走査線のいずれか１つと電気的に接続され、
前記遮光膜は、前記ゲート電極及び前記信号線よりも上方に、前記画素電極よりも下方に設けられ、前記半導体膜と重なっており、
前記保持容量は、下部電極、上部電極、ならびに前記上部電極と前記下部電極に挟まれた誘電体を有し、
前記下部電極は、前記絶縁膜上の半導体膜であって、前記薄膜トランジスタの半導体膜と一体であり、
前記誘電体は、前記下部電極となる半導体膜上の絶縁膜であり、
前記上部電極は、前記誘電体となる絶縁膜上のパターニングされた導電膜でなり、
前記誘電体となる絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜よりも薄いことを特徴とするプロジェクター。
【請求項２０】
一対の基板と、前記一対の基板の間の液晶層、画素部、走査線駆動回路、および信号線駆動回路を有する液晶表示装置を含み、
前記画素部は、複数の画素と、前記走査線駆動回路に電気的に接続された複数の走査線と、前記信号線駆動回路に電気的に接続された複数の信号線とを有し、
前記画素は、薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された保持容量と、前記薄膜トランジスタに電気的に接続された画素電極と、遮光膜とを有し、
前記薄膜トランジスタは、チャネル形成領域、ソース領域およびドレイン領域が形成された半導体膜と、前記半導体膜上のゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上のゲート電極とを有し、
前記ソース領域または前記ドレイン領域のいずれか一方に、前記信号線のいずれか１つが電気的に接続され、他方に前記画素電極が電気的に接続され、
前記薄膜トランジスタの半導体膜の下方には、絶縁膜を介して、前記走査線のいずれか１つが設けられ、
前記ゲート電極は、画素ごとに分割して設けられ、前記走査線のいずれか１つと電気的に接続され、
前記遮光膜は、前記ゲート電極及び前記信号線よりも上方に、前記画素電極よりも下方に設けられ、前記半導体膜と重なっており、
前記保持容量は、下部電極、上部電極、ならびに前記上部電極と前記下部電極に挟まれた誘電体を有し、
前記下部電極は、前記絶縁膜上の半導体膜であって、前記薄膜トランジスタの半導体膜と一体であり、
前記誘電体は、前記下部電極となる半導体膜上の絶縁膜であり、
前記上部電極は、前記誘電体となる絶縁膜上のパターニングされた導電膜でなり、
前記誘電体となる絶縁膜は、前記ゲート絶縁膜よりも薄く、
前記下部電極および前記上部電極は、それぞれ、前記走査線の１つおよび前記信号線１つと重なるように配置されていることを特徴とするプロジェクター。
【請求項２１】
請求項１５乃至２０のいずれか１項において、
前記ゲート電極は、導電型を付与する不純物がドープされたｐｏｌｙ−Ｓｉ、ＷＳｉX（Ｘ＝２．０〜２．８）、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、ＣｒもしくはＭｏからなる導電膜、または、これらの導電膜から選ばれた膜を積層した膜であることを特徴とするプロジェクター。
【請求項２２】
請求項１５乃至２１のいずれか１項において、
前記走査線は、導電型を付与する不純物元素がドープされたｐｏｌｙ−Ｓｉ、ＷＳｉX（Ｘ＝２．０〜２．８）、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、ＣｒもしくはＭｏでなる導電膜、または、これらの導電膜から選ばれた膜を積層した膜であることを特徴とするプロジェクター。
【請求項２３】
請求項１５乃至２２のいずれか１項において、
前記信号線は、Ａｌ、Ｗ、ＴｉもしくはＴｉＮを主成分とする膜、または、これらの導電膜から選ばれた膜を積層した膜であることを特徴とするプロジェクター。
【請求項２４】
請求項１５乃至２３のいずれか１項において、
前記画素電極は、有機樹脂膜上に形成されていることを特徴とするプロジェクター。
【請求項２５】
請求項１５乃至２４のいずれか１項において、
前記ゲート絶縁膜と、前記保持容量の誘電体となる絶縁膜は一体であることを特徴とするプロジェクター。
【請求項２６】
請求項１５乃至２５のいずれか１項において、
前記保持容量の上部電極は、導電型を付与する不純物元素がドープされたｐｏｌｙ−Ｓｉ、ＷＳｉX（Ｘ＝２．０〜２．８）、Ａｌ、Ｔａ、Ｗ、ＣｒもしくはＭｏでなる導電膜、または、これらの導電膜から選ばれた膜を積層した膜であることを特徴とするプロジェクター。
【請求項２７】
請求項１５乃至２６のいずれか１項において、
前記保持容量の上部電極は、前記ゲート電極と同じ材料の導電膜からなることを特徴とするプロジェクター。
【請求項２８】
請求項１５乃至２４のいずれか１項に記載のプロジェクターは、フロントプロジェクターであることを特徴とする。
【請求項２９】
請求項１３乃至２７のいずれか１項に記載のプロジェクターは、リア型プロジェクターであることを特徴とする。