(57)【要約】【課題】  隣接する発熱部の熱干渉を低減することで、インクの吐出安定性を向上させる。【解決手段】  本発明の記録基板は、基板１と、基板の上に設けられた絶縁層５と、絶縁層５の上に配されており、液体を吐出するために利用される熱エネルギーを発生する複数の発熱部１２と、複数の発熱部が配列された方向に関して隣接する発熱部１２の間に設けられており、絶縁層５の、基板１の側の主面と発熱部１２の側の主面との間に配されており、絶縁層より熱伝導率が高い部材１１と、を有し、部材１１は、絶縁層５より熱伝導率が高い他の部材４と接していることを特徴としている。【選択図】  図３
2010221660.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板の上に設けられた絶縁層と、
該絶縁層の上に配されており、液体を吐出するために利用される熱エネルギーを発生する複数の発熱部と、
前記複数の発熱部の配列方向に関して、隣接する前記発熱部の間に位置し、前記絶縁層の、前記基板の側の主面と前記発熱部の側の主面との間に配されており、前記絶縁層より熱伝導率が高い部材と、
を有し、
前記部材は、前記絶縁層より熱伝導率が高い他の部材と接していることを特徴とする記録基板。
【請求項２】
前記部材は、前記複数の発熱部が配列された方向に関して隣接する前記発熱部との間に前記絶縁層を介在して配されていることを特徴とする請求項１に記載の記録基板。
【請求項３】
前記部材は、前記発熱部と電気的に接続する配線と同一成分の材料で設けられていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の記録基板。
【請求項４】
前記配線は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、及びＡｕのいずれか１つまたは複数を含有することを特徴とする請求項３に記載の記録基板。
【請求項５】
前記部材は、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、及びＡｕのいずれか１つまたは複数を含有することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の記録基板。
【請求項６】
前記部材の前記配列方向に直行する方向の幅は、前記配列の方向に直行する方向の前記発熱部の幅より、広いことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の記録基板。
【請求項７】
前記部材は、前記発熱部の配列の端部に設けられた前記部材の体積より、前記発熱部の配列の中央部に設けられた前記部材の体積が大きいことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の記録基板。
【請求項８】
前記部材と前記発熱部の最短の距離は、１μｍ〜５μｍであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の記録基板。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか１項に記載の記録基板と、前記発熱部に対応して設けられた、液体を吐出するための吐出口と、
を有することを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項１０】
基板と、該基板の上に設けられた絶縁層と、該絶縁層の上に配されており、液体を吐出するために利用される熱エネルギーを発生する複数の発熱部と、
を有する記録基板の製造方法において、
一方の面側に絶縁層と、該絶縁層と前記基板との間に設けられた前記絶縁層より熱伝導率が高い材料からなる材料層と、を有する基板を提供する工程と、
前記絶縁層に開口を設け、該開口から前記材料層を露出させる工程と、
前記絶縁層より熱伝導率が高い材料からなる部材を、前記開口から露出した前記材料層に接触するように設ける工程と、
前記絶縁層の上に前記部材を挟むように対向し、かつ前記部材と接しないように前記発熱部を設ける工程と、
を有することを特徴とする記録基板の製造方法。
【請求項１１】
前記記録基板の製造方法は、前記発熱部に電気的に接続する他の配線を設ける工程を有することを特徴とする請求項１０に記載の記録基板の製造方法。
【請求項１２】
前記他の配線は、前記部材と同時に設けることを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の記録基板の製造方法。
【請求項１３】
前記部材は、ダマシン法で形成されたことを特徴とする請求項１０乃至請求項１２のいずれか１項に記載の記録基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は熱エネルギーを用いて記録動作を行う記録基板、該記録基板の製造方法及び液体吐出ヘッドに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
複数設けられた発熱部を発熱させ記録動作を行うサーマル式の記録装置には、昇華型やインクジェット型が知られている。昇華型の記録装置は、インクリボン上のインクを熱でとかして記録媒体に転写することで記録動作を行い、インクジェット型の記録装置は、インク等の液体を膜沸騰させることで、インクを吐出させて記録動作を行う。これらの記録装置は、発熱部で発生する余剰の熱を拡散させるため、記録基板（以下、ヘッド基板とも称する）に熱伝導度の高い基板を用いている。ここで連続の記録動作を効率よく行うためには、発熱部と基板の間に一定の熱を蓄熱する蓄熱層が必要であり、配線の絶縁膜として用いられる絶縁層が蓄熱層としての機能も果たしている。
【０００３】
しかしながらヘッド基板の小型化のために多層配線基板を形成されているような場合においては、配線の絶縁性を確保するために層間絶縁層を厚く形成する必要がある。インクジェット型の記録装置において、このように層間絶縁層を厚く形成すると、必要以上の熱が絶縁層に保持され、熱の影響によりインクの吐出量が変化し、画質の低下等を招く可能性がある。また発熱部の上部には、水分などから発熱部を保護する保護膜が設けられているが、発熱部の表面温度が必要以上に高くなるとの熱ストレスにより保護膜の劣化が進むことが知られている。このような発熱部の熱を放熱するために、伝熱層を有する構成が（特許文献１）に開示されている。
【０００４】
（特許文献１）に開示されるインクジェットヘッド用基板を図９に示す。図９のヘッド基板は、発熱部として用いられている発熱領域２７ａの下に、ＳｉＯ２膜からなる第二の層間絶縁層２６を有しており、その内部に熱を放熱するための伝熱層３５が設けられている。この伝熱層３５は第二の層間絶縁層膜２６より熱伝導率が大きい材料で構成されており、発熱部とほぼ並行に対向し、発熱部の全周にわたって所定の距離ａだけ大きく形成されている。このように構成し発熱部の熱を平面方向に拡散させるることで、保護膜表面の劣化を抑えることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２８０１７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら近年、記録装置のさらなる高速化・高画質化・高耐久化が望まれており、それを実現するために、より高密度に記録素子を配列させたヘッド基板が必要とされている。記録素子は、発熱部と吐出口から構成されており、高密度な記録素子を設けるためには高密度に配列された発熱部が必要となる。このようなヘッド基板を用いて高速の記録動作を行うと、（特許文献１）に開示されているように第二の絶縁層膜中に伝熱層３５を構成しても、発熱部で発生する熱は伝熱層３５のある下方向に選択的に伝わるわけではなく、効率的に放熱できない可能性がある。効率的に放熱が行われないと、高密度に配された隣接する発熱部の間の熱干渉により基板全体が温度上昇し、インクが吐出されるタイミングがずれる等で記録画質の低下を招くことになる。
【０００７】
上記課題を鑑み、本発明は高密度に配列された発熱部で高速の記録動作を行っても、隣接して設けられている発熱部の熱干渉を低減し、安定した記録動作を行うことができる信頼性の高い記録基板を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の記録基板は、基板と、該基板の上に設けられた絶縁層と、該絶縁層の上に配されており、液体を吐出するために利用される熱エネルギーを発生する複数の発熱部と、前記複数の発熱部の配列方向に関して、隣接する前記発熱部の間に位置し、前記絶縁層の、前記基板の側の主面と前記発熱部の側の主面との間に配されており、前記絶縁層より熱伝導率が高い部材と、を有し、前記部材は、前記絶縁層より熱伝導率が高い他の部材と接していることを特徴としていることを特徴としている。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、隣接する発熱部の間に絶縁層より熱伝導率の大きい部材を配することにより、発熱部で発生した熱を効率的に放熱することができる。これにより高密度に配列された発熱部を有する記録基板を用いて高速の記録動作を行っても、隣接する発熱部が熱干渉を起こすことはなく、安定した記録動作を行うことのできる信頼性の高い記録基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明が用いられる液体吐出ヘッドの平面模式図である。
【図２】図１に示す液体吐出ヘッドのＡ−Ｂ方向の断面模式図である。
【図３】図１に示す液体吐出ヘッドのＸ−Ｙ方向の断面模式図である。
【図４】本発明を用いた記録基板の製造工程を説明する断面模式図である。
【図５】本発明を用いた記録基板の製造工程を説明する断面模式図である。
【図６】本発明を用いる液体吐出ヘッドの概略斜視図である。
【図７】実施例２に係る記録基板の平面模式図である。
【図８】実施例３に係る記録基板の平面模式図である。
【図９】従来のインクジェットヘッド用基板である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明における最良の形態を、図面を用いて説明する。
【００１２】
本発明が用いられる記録基板は、例えば図６に示す液体吐出ヘッドに用いることができる。図６に示す液体吐出ヘッド１０００は、吐出口１０１０と流路を形成するオリフィスプレート１４と、発熱部１２と供給口１０４０を有する記録基板１０５０で構成されている。
【００１３】
インク等の液体は、供給口１０４０から供給され、オリフィスプレート１４で構成された流路を通り、吐出口１０１０に各々設けられた発熱部１２の上に送られる。発熱部１２が、７００〜８００度程度まで発熱すると、発熱部１２上のインクは膜沸騰する。この膜沸騰によって発生した気泡が、インクを吐出口１０１０から吐出することで記録動作が行われる。
【００１４】
吐出口１０１０は、図６に示すように所定のピッチで配列されており、其々に対応して配列された発熱部１２が設けられている。本図においては吐出口１０１０の列が２列の場合を図示しているが、記録基板によってはこのような吐出口１０１０と発熱部１２からなる記録素子の列が複数本配列されている。
【００１５】
図１は、液体吐出ヘッドの一部を示す平面模式図である。記録基板は、配線１０と、他の配線４と、部材１１と、発熱部１２から構成されている。配線１０は、発熱部１２と電気的に接続しており、電流を流すことで発熱部１２を７００〜８００度程度まで発熱する。この熱エネルギーを利用して、発熱部１２上のインクを膜沸騰させ、吐出口からインク等の液体を吐出する。部材１１は、隣接する発熱部１２の間に設けられている。
【００１６】
図２は、液体吐出ヘッドを他の配線４に沿ってＡ−Ｂに沿った断面模式図である。図２に示すように、シリコンの基板１の上にＳｉＯ２にボロンとリンを添加した層間膜２が５００ｎｍ〜１０００ｎｍの厚さで配されている。この層間膜２の上に、配線層として他の配線４が配されている。他の配線４に用いられる材料としては、例えばＡｌ，Ｃｕ，Ｗ，及びＡｕのいずれか１つまたは複数を含有している材料を用いることができ、Ａｌ−Ｓｉの合金が好ましく、膜厚は２００ｎｍ〜５００ｎｍであることが好ましい。他の配線４上には、ＳｉＯ２からなる絶縁層５が膜厚約１ｕｍ程度形成されている。絶縁層５は、熱伝導率が低いため、連続して記録動作を行う際に発熱部１２の熱を保持することができる蓄熱層としても機能している。絶縁層５上には、ＴａＳｉＮまたはＷＳｉＮ等からなる発熱部１２が、膜厚１０ｎｍ〜５０ｎｍの膜厚で形成されており、この発熱部１２の両端に、他の配線４と接続する配線１０が形成されている。配線１０は、絶縁層５との密着や拡散バリア膜として機能するＴａ／ＴａＮ積層膜等からなる膜８と、例えばＡｌ，Ｃｕ，及びＡｕのいずれか１つまたは複数を含有している材料からなる層９で構成されている。
【００１７】
発熱部１２と配線１０の上部には、にＳｉＮやＳｉＣ等からなる保護膜１３が、１００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚で形成されされている。この保護膜１３は、インク等の液体による腐食から発熱部１２及び配線１０を保護するとともに、配線１０に用いられる金属の拡散バリア膜としての機能を有している。この保護膜１３の上には、液体を吐出する吐出口を形成するオリフィスプレート１４が配されている。
【００１８】
図３は、図１に示すＸ−Ｙに沿った、液体吐出ヘッドを記録素子の配列方向の断面模式図である。配列した隣接する発熱部１２の間には部材１１が設けられており、部材１１と発熱部１２の間には、必ず絶縁層５が介在するように配置されている。
【００１９】
部材１１は、配線１０と同様に膜８と層９で構成とすることができ、部材１１と配線１０を一括に形成が可能である。このように一括で形成することで製造にかかる時間を短縮することができる。また、図２及び図３に示すように部材１１及び配線１０は、絶縁層５の、基板１の側の主面と発熱部１２の側の主面との間に、絶縁層５の表面から嵌入されるように設けられ、表面が平滑になっていることが好ましい。これにより部材１１及び配線１０を形成した後にオリフィスプレート１４で吐出口１０１０をフォトリソグラフィ手法で形成しても、吐出口１０１０の形状が変形することを防止することができる。
【００２０】
部材１１及び配線１０を絶縁層５の、基板１の側の主面と発熱部１２の側の主面との間に配する手法としては、ダマシン法等を採用することができる。ダマシン法とは、絶縁層に配線形状の溝を形成し、配線に用いる金属を埋め込み、その後に溝以外の余分な金属を除去して配線を形成する手法をいう。
【００２１】
部材１１を構成する層９の材料は、絶縁層５に用いる材料より１０倍以上の熱伝導率を有する材料で形成されることが好ましい。部材１１は、絶縁層５より熱伝導率の高い材料からなる他の配線４や基板１などに接続して設けられている。
【００２２】
このように配列された方向に関して隣接する発熱部１２の間に、絶縁層より熱伝導率の大きい部材１１を配置することにより、発熱部１２で発生した熱は絶縁層５から部材１１に伝わり、さらに他の配線４や基板１に伝えることができる。これにより発熱部１２で発生した熱は、効率的に放熱することができ、発熱部１２周囲の絶縁層５の温度上昇を防ぐことができる。
【００２３】
従って高密度に配列された発熱部１２を有する記録基板１０５０を用いて高速の記録動作を行っても、隣接する発熱部１２の熱が絶縁層５を伝わって熱干渉を起こすことはなく、安定した記録動作を行える信頼性の高い記録基板を提供することができる。
【００２４】
また、配列方向に直行する方向の発熱部１２の幅より、部材１１の幅を広くすることがこのましい。部材１１の配列方向に直行する方向の幅を広くすることにより、放射状に広がる発熱部１２の熱をより効率的に吸熱することができ、隣接する発熱部１２の熱干渉を防止することができる。
【００２５】
本発明のような記録基板は、記録素子の配列密度が６００ｄｐｉ以上になるような場合において、隣接する発熱部１２の距離が近くなるため大きな効果を発揮することができる。また、この部材１１と発熱部１２の距離が近すぎると、絶縁層５が蓄熱層としての効果を発揮できず、インクが膜沸騰する前に発熱部１２の熱が部材１１へ逃げてしまう。従って部材１１は、発熱部１２から１μｍ以上離した位置に配置されることが好ましい。逆に、部材１１と発熱部１２の距離を遠くする発熱部１２のピッチが広くなり、記録基板が大きくなってしまい、記録装置のさらなる高速化・高画質化・高耐久化に堪えられるような記録素子を設けることができなくなってしまう。従って部材１１と発熱部１２の距離は、１μｍ〜５μｍ離して配置されることが好ましい。
【００２６】
（実施例１）
次に、本発明を用いた実施例を、図２〜図３を用いて示す。図２に示すように、トランジスタ等の駆動素子（不図示）が設けられたＳｉの基板１上に、ＳｉＯ２にボロンとリンを添加した層間膜２が厚さ５００ｎｍで形成されている。層間膜２の上には、他の配線４としてＡｌ−Ｓｉの合金を厚さ４００ｎｍ形成されている。他の配線４の上には、ＳｉＯ２からなる絶縁層５が厚さ１μｍ形成されている。絶縁層５は、発熱部１２の熱を蓄熱する蓄熱層としての機能も有している。さらに絶縁層５の上には、ＴａＳｉＮからなる発熱部１２が厚さ５０ｎｍで形成されている。発熱部１２の両端は、配線１０と接している。配線１０は、絶縁層５に設けられたコンタクトホールを介して、他の配線４と接している。
【００２７】
配線１０は、メッキ法により形成されるＣｕの層９と、拡散バリア層として機能するＴａ／ＴａＮの膜８で構成されている。発熱部１２及び配線１０の上には、インク等の液体による腐食を防ぐために、全体を被覆するようにＳｉ３Ｎ４の保護膜１３が厚さ３００ｎｍ形成されている。さらに、この基板上にオリフィスプレート１４がフォトリソグラフィ手法を用いて形成される。
【００２８】
図３に示すように、隣接する発熱部１２の間には部材１１が、図２の配線１０と同様にＣｕの層９と、この拡散バリア層として機能するＴａ／ＴａＮの膜８で形成されている。部材１１と発熱部１２の間には、必ず絶縁層５が介在するように配置されている。ここで配線１０と部材１１を同一成分の材料で同時に形成することで、製造時に工程を増やすことなく、部材１１を形成することができる。また、図２及び図３に示すように部材１１及び配線１０は、絶縁層５の、基板１の側の主面と発熱部１２の側の主面との間に、絶縁層５の表面から嵌入されるように設けられ、表層を平滑にすることが好ましい。これにより部材１１及び配線１０を形成した後にオリフィスプレート１４で吐出口１０１０をフォトリソグラフィ手法で形成しても、吐出口１０１０の形状が変形することを防止することができる。
【００２９】
絶縁層５に用いられるＳｉＯ２の熱伝導率は、数Ｗ／ｍＫ、保護膜１３に用いられるＳｉ３Ｎ４は７０Ｗ／ｍＫであるのに対し、層９に用いられるＣｕの熱伝導率は、約４００Ｗ／ｍＫである。さらに他の配線４は約２３０Ｗ／ｍＫとなっている。
【００３０】
このように配列された方向に関して隣接する発熱部１２の間に、絶縁層より熱伝導率の大きい部材１１を配置することにより、発熱部１２で発生した熱は絶縁層５から部材１１に伝わり、さらに他の配線４や基板１に伝えることができる。これにより発熱部１２で発生した熱は、効率的に放熱することができ、発熱部１２周囲の絶縁層５の温度上昇を防ぐことができる。
【００３１】
従って高密度に配列された発熱部１２を有する記録基板１０５０を用いて高速の記録動作を行っても、隣接する発熱部１２の熱が絶縁層５を伝わって熱干渉を起こすことはなく、安定した記録動作を行える信頼性の高い記録基板を提供することができる。
【００３２】
さらに本実施例において、発熱部１２は配列方向の幅及び配列方向に直行する方向の幅は１０μｍで形成されており、隣接する発熱部１２と３０μｍのピッチで配列されている。部材１１の配列方向の幅は１０μｍ、配列方向に直行する方向の幅は３０μｍで設けられている。このように発熱部１２の配列方向に直行する方向の幅より、部材１１の配列方向に直行する方向の幅を広くすることにより、放射状に広がる発熱部１２の熱を効率的に吸熱することができ、隣接する発熱部１２の熱干渉を効率的に防止することができる。
【００３３】
また、発熱部１２と部材１１の最短の距離は５μｍになるように配置されている。部材１１と発熱部１２の距離が近すぎると、絶縁層５が蓄熱層としての効果を発揮できず、インクが膜沸騰する前に発熱部１２の熱が部材１１へ逃げてしまうためである。
【００３４】
次に、本実施例における記録基板の製造方法を図４及び図５を用いて示す。図４及び図５は断面模式図の記録基板の製造工程を示している。本実施例においては、部材１１はダマシン法を用いて形成している。
【００３５】
トランジスタ等の駆動素子を備えたＳｉの基板１の一方の面側に、ＳｉＯ２にボロンとリンを添加されたＢＰＳＧからなる層間膜２を形成する。この層間膜２にパターニングを行いし、エッチングによりコンタクト開口部３を形成する（図４−１（ａ）、図４−１（ｂ））。
【００３６】
次に、Ａｌ−Ｓｉを用いて絶縁層５より熱伝導率が高い材料層を形成し、コンタクト開口部３に導通する他の配線４の形状にパターニングする。このとき、発熱部１２の下層にも他の配線４を形成しておくことで、より効率的に発熱部１２の熱を放熱することができる（図４−２（ａ）、図４−２（ｂ））。
【００３７】
次に、他の配線４の上部に絶縁層５をＣＶＤ法によりＳｉＯ２を厚さ約１．５μｍ形成する。ＣＶＤ法による成膜は、下地の形状に左右されるため必要な膜厚より厚く形成し、ＣＭＰ法で研磨することにより平滑化を行い厚さ１μｍの絶縁層５を形成する（図４−３（ａ）、図４−３（ｂ））。
【００３８】
次に、絶縁層５の一部を他の配線４が露出する深さまでエッチングして開口させ、開口６及び配線溝７を形成する（図４−４（ａ）、図４−４（ｂ））。この開口６と配線溝７を含む基板表面の全面に、接触するように配線１０に用いられるＣｕのバリア層として機能する膜８であるＴａ／ＴａＮをスパッタ法で厚さ５０ｎｍ形成する。この膜８は、後の工程でかかる熱によりＣｕが絶縁層５に拡散することを防止するとともに、配線１０と絶縁層５の密着層としての機能も果たしている。膜８を形成した後に、電気めっき法のシード層（不図示）となるＣｕを基板全面にスパッタ法により厚さ５０ｎｍ形成する。このシード層を電極として用い、メッキ法により基板全面にＣｕの層９を形成する（図５−１（ａ）、図５−１（ｂ））。Ｃｕの層９が形成された基板は、ＣＭＰ法により絶縁層５の表面が露出するまで、平滑化処理を行い、配線１０及び部材１１を形成する（図５−２（ａ）、図５−２（ｂ））。
【００３９】
次に、基板全面に発熱部１２に用いられるＴａＳｉＮをスパッタ法で厚さ５０ｎｍ形成し、パターニングを行い不要なＴａＳｉＮをエッチングにより除去する。この時、発熱部１２は、絶縁層５の上に部材１１を挟むように対向し、かつ部材１１と接しないように設ける。さらに、発熱部１２を含む基板全面にＣＶＤ法によりＳｉ３Ｎ４の保護膜１３を厚さ３００ｎｍ形成する（図５−３（ａ）、図５−３（ｂ））。
【００４０】
このようにダマシン法を用いることにより、配線１０及び部材１１を一括で設けることができ、製造にかかる時間を短縮することができる。また、配線１０と部材１１は絶縁層５の面と平滑になるように平滑化処理されることにより、オリフィスプレート１４で吐出口１０１０をフォトリソグラフィ手法で形成しても、吐出口１０１０の形状が変形することを防止することができる。
【００４１】
（実施例２）
本発明を用いた実施例２を、図７に示す。部材１１の形状以外の構成及び製造方法については実施例１と同じであるため、省略する。実施例１で示したように、図１のように部材１１を設けることで熱干渉を防止できるが、更に高速化するような場合には、発熱部１２の体積を大きくすることで調整することが出来る。しかしながら、部材１１と発熱部１２の距離は、近すぎると絶縁層５が蓄熱層としての効果を発揮できず、インクが膜沸騰する前に発熱部１２の熱が部材１１へ逃げてしまうため最低でも１ｕｍ離した位置に配置する必要がある。このような場合、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、発熱部１２の中央を結んだ直線上の部材１１の幅よりも、発熱部１２の中央を結んだ直線上から離れた部材１１の幅を広くし、部材１１の体積を多くすることが好ましい。このように部材１１を設けることで蓄熱に必要な距離を確保しつつ、より効率的に発熱部１２で発生する余剰の熱を放熱することができる。
【００４２】
従って、高密度に配列された発熱部１２を有する記録基板１０５０を用いて高速の記録動作を行っても、このように部材１１の体積を大きくすることで、吸熱できる熱量を増やすことで、隣接する発熱部１２の熱を効率的に放熱させることができる。これにより隣接する発熱部１２の熱が絶縁層５を伝わって熱干渉を起こすことはなく、安定した記録動作を行える信頼性の高い記録基板を提供することができる。
【００４３】
（実施例３）
本発明を用いた実施例３を、図８に示す。部材１１の形状以外の構成及び製造方法については実施例１と同じであるため、省略する。
【００４４】
図８は、図６に示すように発熱部１２を所定のピッチで配列された、液体吐出ヘッドの、発熱部１２の配列端部の平面模式図である。記録基板１０５０は、中央部に発熱部１２が密に存在しているため、中央部は端部より蓄熱されやすい。記録基板１０５０の中央部と端部で温度むらがあると、中央部の発熱部１２のインクが端部の発熱部１２のインクより早く熱せられることになり、吐出のばらつきが生じることになる。このような現象は発熱部１２の列が複数設けられているような記録基板で特に顕著な温度差となる。この温度差を緩和するために、図８（ａ）及び図（ｂ）に示すように配列の中央部に設けられる部材１１の体積を、配列の端部に設けられる部材１１の体積より大きく設けることができる。部材１１の其々の体積は、発熱部１２の配列の密度及び連続記録動作時の記録基板１０５０の温度によって適宜定めることが好ましい。
【００４５】
本実施例のように、配列の中央部に設けられる部材１１の体積を大きくすることで、配列の端部よりも効率的に放熱を行うことができ、記録基板１０５０の温度むらを低減させることができる。従って、このような記録基板１０５０を用いて高速の記録動作を行うことで、隣接する発熱部１２が熱干渉を低減させることができる。さらに、記録基板１０５０の面内の温度むらを低減することで、吐出ばらつきのない安定した記録動作を行うことのできる信頼性の高い記録基板を提供することができる。
【符号の説明】
【００４６】
１  基板
４  他の配線
５  絶縁層
１０  配線
１１  部材
１２  発熱部
１０００  液体吐出ヘッド
１０５０  記録基板
【図１】
2010221660.tif 000003
【図２】
2010221660.tif 000004
【図３】
2010221660.tif 000005
【図４】
2010221660.tif 000006
【図５】
2010221660.tif 000007
【図６】
2010221660.tif 000008
【図７】
2010221660.tif 000009
【図８】
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【図９】
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