(57)【要約】【課題】多数の素子が密に配置されたウエハを対象として、同時に複数の素子の周波数調整を精度よく行うことが可能な周波数調整装置を提供する。【解決手段】複数の素子が密に配置されたウエハ１０を、搬送手段により一方向に搬送しながら、ウエハに対してイオンビームを照射し、ねらいのエリアのイオンビーム照射時間をシャッタで調整することにより、ねらいのエリアの周波数を調整する。シャッタ１４ａ，１４ｂとウエハ１０との間に配置したパターンマスク１５のマスク穴１５ａ，１５ｂをエリア毎に独立に設けると共に、マスク穴をウエハ搬送方向と直交する方向に多列にかつウエハ搬送方向に交互にずらして設ける。マスク穴を個別に開閉できるようにシャッタ１４ａ，１４ｂを各マスク穴に対応して設け、ウエハ搬送方向に直交する方向の１列のエリア１０ａの周波数調整を複数段階で行う。【選択図】    図２
2010034719.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の素子が密に配置されたウエハを搬送手段により一方向に搬送しながら、前記ウエハに対してエッチング用イオンガンによってイオンビームを照射し、前記ウエハのねらいのエリアだけを露出させるマスク穴を有するパターンマスクを前記ウエハの前に配置し、ねらいのエリアのイオンビーム照射時間をシャッタで調整することにより、ねらいのエリアの周波数を調整する装置において、
前記パターンマスクのマスク穴をエリア毎に独立に設けると共に、
前記マスク穴を前記ウエハ搬送方向と直交する方向に多列にかつウエハ搬送方向に交互にずらして設け、
前記マスク穴を個別に開閉できるように前記シャッタを各マスク穴に対応して設け、
前記ウエハ搬送方向に直交する方向の１列のエリアの周波数調整を複数段階で行うことを特徴とする周波数調整装置。
【請求項２】
複数の素子が密に配置されたウエハを搬送手段により一方向に搬送しながら、前記ウエハに対して周波数調整物質付与手段によって周波数調整物質を付与し、前記ウエハのねらいのエリアだけを露出させるマスク穴を有するパターンマスクを前記ウエハの前に配置し、ねらいのエリアの周波数調整物質付与時間をシャッタで調整することにより、ねらいのエリアの周波数を調整する装置において、
前記パターンマスクのマスク穴をエリア毎に独立に設けると共に、
前記マスク穴を前記ウエハ搬送方向と直交する方向に多列にかつウエハ搬送方向に交互にずらして設け、
前記マスク穴を個別に開閉できるように前記シャッタを各マスク穴に対応して設け、
前記ウエハ搬送方向に直交する方向の１列のエリアの周波数調整を複数段階で行うことを特徴とする周波数調整装置。
【請求項３】
前記エリアには複数の素子が含まれることを特徴とする請求項１又は２に記載の周波数調整装置。
【請求項４】
前記搬送手段は、前記ウエハの１エリア分を１ピッチとして間欠搬送するものであり、
前記パターンマスクのマスク穴は、前記ウエハ搬送方向と直交する方向に２列にかつウエハ搬送方向に交互に１素子又は複数素子分開けて設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の周波数調整装置。
【請求項５】
前記搬送手段は、前記ウエハの１エリア分を１ピッチとして間欠搬送するものであり、
前記パターンマスクのマスク穴は、前記ウエハ搬送方向と直交する方向に２列にかつウエハ搬送方向に交互に１ピッチ又は複数ピッチ分開けて設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の周波数調整装置。
【請求項６】
前記シャッタは、前記ウエハ搬送方向と直交する第１列目のマスク穴を閉じる第１シャッタ群と、前記ウエハ搬送方向と直交する第２列目のマスク穴を閉じる第２シャッタ群とを備え、第１シャッタ群を駆動するアクチュエータと第２シャッタ群を駆動するアクチュエータとは、前記パターンマスクのウエハ搬送方向の両側に対向して配置されていることを特徴とする請求項４又は５に記載の周波数調整装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はウエハ上に形成された素子をイオンビームでエッチングして周波数を調整する装置、又は周波数調整物質を付与して周波数を調整する装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、圧電素子をイオンビームでエッチングすることにより、圧電素子の周波数を調整する方法が知られている。その際、生産性を向上させるために、ウエハ上に複数の素子を形成又は配置し、同時に複数の素子の周波数調整を行う方法がとられている。このような周波数調整方法において、所望の素子以外にイオンビームが照射されないようにパターンマスクでマスキング（遮蔽）する必要がある。しかし、素子が小さい場合、所望の素子のみに選択的にイオンビームを照射することは困難であるため、複数の素子を１つの照射エリアとして照射することがある。さらに、小さな素子がウエハ上に密に配置されている場合、ウエハ全面を隙間なくビーム照射する必要がある。しかし、パターンマスクの穴形状やサイズによっては、隣接エリアにイオンビームが照射されてしまったり、逆に照射対象のエリアの外周部にイオンビームが十分照射されないという問題が発生する。
【０００３】
特許文献１では、圧電素子において、圧電基板の表面に形成された複数の電極に対しイオンビームを照射し、電極をエッチングすることで各素子の周波数を調整する周波数調整方法が開示されている。まず、イオンビームの照射時間と周波数変化量との相関関係を求め、圧電基板内の各素子の周波数を測定し、測定した周波数と目標値との差から各素子についての周波数調整量を求め、周波数調整量から前記相関関係を用いて各素子のイオンビームの照射時間を求め、求めた照射時間だけ各素子にイオンビームを照射するものである。
【０００４】
特許文献２には、真空槽内でイオンビームエッチングによって圧電素子の周波数調整を行う装置であって、表面に複数の電極が形成された圧電基板と、前記圧電基板上の複数の電極を選択的に露出させる為の開口を有するベース板と、前記ベース板の開口から露出する複数の電極に対して同時にイオンビームを照射するイオン源と、前記イオンビームが照射される前記ベース板の開口部周辺をエッチングから保護する保護板と、同じく前記ベース板の開口より露出する電極の数に対応して同数設けられ、各々独立して駆動可能なシャッタ機構と、前記シャッタをかい潜って漏洩するイオンビームを遮蔽するための遮蔽板とを有する圧電素子の周波数調整装置が開示されている。
【０００５】
さらに、図８，図９に示すような、ウエハ搬送方向に対して直交方向に並ぶ複数の素子を同時に周波数調整する装置もある。この装置では、ウエハ５０に複数の素子５１がマトリックス状に配置され、図示しない搬送手段により矢印方向に搬送される。ウエハ５０はパターンマスク５２の下を通過するように構成され、パターンマスク５２のマスク穴５３はウエハ５０の搬送方向と直交方向に並ぶ一列の素子を露出させるスリット状（長孔状）の穴である。パターンマスク５２の上に複数（ここでは６個）のシャッタ５４が配置され、各シャッタ５４はマスク穴５３に対してウエハ搬送方向に独立して作動する。スリット状のマスク穴５３を複数のシャッタ５４で選択的に遮蔽することにより、各素子５１へのイオンビームの照射時間を調整できる。
【０００６】
特許文献１の場合、圧電基板の上に各電極位置に対応したマスク穴を持つパターンマスクが配置されている。これらマスク穴が離れて形成されており、穴のない部分にビーム照射することができないため、小さな素子が圧電基板上に密に配置されたものには対応できない。また、２層に重ねられた円盤回転型のシャッタ構造を持つため、シャッタ位置の切り換えに時間がかかるとともに、回転時に開口部を通過することがあり、周波数調整精度が悪化する可能性がある。
【０００７】
特許文献２に示される装置の場合、ウエハ直上でビームの遮蔽を行っているのは遮蔽板であるが、この遮蔽板の穴形状では、特許文献１と同様に、小さな素子がウエハ上に密に配置されたものには対応できない。
【０００８】
図８に示す例の場合、マスク穴５３がスリット状になっており、マスク穴５３を遮蔽するシャッタ５４は、図９（ａ）のように隣接するシャッタと隙間を空けて設置するか、図９（ｂ）のように上下方向に重ねて設置するかの何れかになる。（ａ）の場合、隣接シャッタ５４との隙間からイオンビームが進入するため、ウエハ５０上に素子５１が密に配置されている場合、調整誤差を招くという問題がある。また、（ｂ）の場合には、イオンビームの遮蔽形状を決めるのはパターンマスク５２だけではなく隣接するシャッタ５４にもよるため、イオンビーム遮蔽位置（ウエハからの距離）が一定でない。イオンビームは拡がる特性があるため、イオンビーム遮蔽位置が異なると、ビームの拡がり量が変わるため、隣接エリアのエッチングや対象エリア外周部のエッチング量が低下するといった問題が発生する。
【特許文献１】特開２００２−２６６７３号公報
【特許文献２】特開２００４−５６４５５公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、多数の素子が密に配置されたウエハを対象として、イオンビーム遮蔽位置（ウエハからの距離）を一定に保ちつつ、同時に複数の素子の周波数調整を精度よく行うことが可能な周波数調整装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記目的を達成するため、本発明の第１実施形態は、複数の素子が密に配置されたウエハを搬送手段により一方向に搬送しながら、前記ウエハに対してエッチング用イオンガンによってイオンビームを照射し、前記ウエハのねらいのエリアだけを露出させるマスク穴を有するパターンマスクを前記ウエハの前に配置し、ねらいのエリアのイオンビーム照射時間をシャッタで調整することにより、ねらいのエリアの周波数を調整する装置において、前記パターンマスクのマスク穴をエリア毎に独立に設けると共に、前記マスク穴を前記ウエハ搬送方向と直交する方向に多列にかつウエハ搬送方向に交互にずらして設け、前記マスク穴を個別に開閉できるように前記シャッタを各マスク穴に対応して設け、前記ウエハ搬送方向に直交する方向の１列のエリアの周波数調整を複数段階で行うことを特徴とする周波数調整装置を提供する。
【００１１】
本発明の第２実施形態は、複数の素子が密に配置されたウエハを搬送手段により一方向に搬送しながら、前記ウエハに対して周波数調整物質付与手段によって周波数調整物質を付与し、前記ウエハのねらいのエリアだけを露出させるマスク穴を有するパターンマスクを前記ウエハの前に配置し、ねらいのエリアの周波数調整物質付与時間をシャッタで調整することにより、ねらいのエリアの周波数を調整する装置において、前記パターンマスクのマスク穴をエリア毎に独立に設けると共に、前記マスク穴を前記ウエハ搬送方向と直交する方向に多列にかつウエハ搬送方向に交互にずらして設け、前記マスク穴を個別に開閉できるように前記シャッタを各マスク穴に対応して設け、前記ウエハ搬送方向に直交する方向の１列のエリアの周波数調整を複数段階で行うことを特徴とする周波数調整装置を提供する。
【００１２】
ここで、イオンビームを用いた周波数調整について説明する。パターンマスクの穴をエリア毎に独立にし、ウエハ搬送方向に直交する１列の処理を複数段階で行うようマスク穴を配置することで、Ｘ・Ｙ方向ともにウエハから同じ距離でイオンビームを遮蔽することができるため、イオンビームの拡散による影響がＸ・Ｙ方向とも同等になる。これによって隣接エリアのエッチングや対象エリアの外周部のエッチング量の低下を最小限に抑えることができる。また、ウエハ全面のエッチングを隙間なく行うことが可能となり、ウエハ上に密に配置された小さな素子／エリアの周波数調整が可能になる。
【００１３】
１エリア（１つのマスク穴）が１個の素子に対応してもよいが、１エリアが複数の素子の集合体よりなる場合、処理能力が向上する。必要な周波数調整精度と処理能力との兼ね合いで最適なエリアサイズを決定できる。１枚のウエハに多数の素子を形成した場合、近隣の複数の素子同士は、周波数のばらつきがほぼ等しいため、同じ量のイオンビームを照射して周波数調整できるからである。
【００１４】
搬送手段は、ウエハの１エリア分を１ピッチとして間欠搬送するものであり、パターンマスクのマスク穴は、ウエハ搬送方向と直交する方向に２列にかつウエハ搬送方向に交互に１素子又は複数素子分あけて設けるのが望ましい。この場合は、パターンマスクに対してウエハを通過させることにより、全ての素子又はエリアを隙間なく調整できる。また、各シャッタをウエハ搬送方向と直交する方向に間隔をあけて配置できるので、各シャッタの大きさを１つのマスク穴を完全に閉じる大きさに設定でき、イオンビームの漏れによる問題を解消できる。また、パターンマスクのマスク穴は、ウエハ搬送方向と直交する方向に２列にかつウエハ搬送方向に交互に１ピッチ又は複数ピッチ分開けて設けるのがさらに望ましい。この場合は、エリアの割り付けが容易でありデータ処理が簡単である。
【００１５】
シャッタは、ウエハ搬送方向と直交する第１列目のマスク穴を閉じる第１シャッタ群と、ウエハ搬送方向と直交する第２列目のマスク穴を閉じる第２シャッタ群とを備え、第１シャッタ群を駆動するアクチュエータと第２シャッタ群を駆動するアクチュエータとを、パターンマスクのウエハ搬送方向の両側に対向して配置するのがよい。第１列目のマスク穴を閉じる第１シャッタ群と第２列目のマスク穴を閉じる第２シャッタ群とをパターンマスクの同一側に配置してもよいが、隣接するシャッタ又はアクチュエータ同士が干渉する可能性がある。これに対し、アクチュエータをパターンマスクの両側に配置することにより、シャッタ及びアクチュエータ同士の干渉を防止しながら適正にマスク穴を開閉できる。
【００１６】
前記説明では、予め各素子の周波数が目標値よりも低めとなるように形成しておき、各素子の周波数測定結果に応じてイオンビーム照射によりねらいのエリアをエッチングして周波数調整を行ったが、これとは逆に、予め各素子の周波数が目標値よりも高めとなるように形成しておき、各素子の周波数測定結果に応じてねらいのエリアに周波数調整物質を付加するようにしてもよい。さらには、各素子の周波数を測定し、周波数が目標値よりも低い素子についてはイオンビームにより一部をエッチングし、周波数が目標値よりも高い素子については周波数調整物質を付加するようにしてもよい。なお、エッチングまたは周波数調整物質の付加による周波数調整の高低は素子の構造によるものであり、予めずらした値を目標値に近づけるような周波数調整ができればよい。
【発明の効果】
【００１７】
以上のように、本発明の第１実施形態によれば、隣接エリアとの隙間や重なりを最小限に抑えてウエハ全面にイオンビーム照射できるため、小さな素子が密に配置されたウエハでもエリアの中央部と外周部の差なく周波数調整が可能となる。また、ウエハの搬送方向と直交する方向に並んだエリアの１列分の処理を複数段階に分けて行うために、一方向のウエハ移動で効率よくウエハ全面の周波数調整をすることができる。
【００１８】
本発明の第２実施形態によれば、隣接エリアとの隙間や重なりを最小限に抑えてウエハ全面に周波数調整物質を付与できるため、小さな素子が密に配置されたウエハでもエリアの中央部と外周部の差なく周波数調整が可能となる。また、ウエハの搬送方向と直交する方向に並んだエリアの１列分の処理を複数段階に分けて行うために、一方向のウエハ移動で効率よくウエハ全面の周波数調整をすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下に、本発明の好ましい実施の形態を、実施例に基づいて説明する。
【実施例１】
【００２０】
図１〜図４は本発明にかかる周波数調整装置の一例を示す。本周波数調整装置１は密閉構造の処理室２を備え、処理室２の側部には開閉扉３を介して真空ポンプ４が連設されている。真空ポンプ４を駆動することにより、処理室２の内部は所定の真空度に保たれている。
【００２１】
処理室２の天井部にはエッチング用イオンガン５が設置されている。このイオンガン５は図１に示すように、所定範囲内において単位面積当たりほぼ一定強度のイオンビームＩＢを下方に向かって照射することができる。
【００２２】
処理室２の底部には可動ステージ（搬送手段）６が設けられ、その上にウエハ１０が位置決め保持されている。ウエハ１０は、例えば圧電基板よりなり、その上には図２，図３に示すように、複数の素子を１単位とするエリア１０ａが一定ピッチＰでマトリックス状に密に配置されている。可動ステージ６はウエハ１０をエリア１０ａのピッチＰ間隔で矢印方向に間欠的に搬送することができる。本周波数調整装置に送られる前段階のウエハ１０の各エリア１０ａの周波数は、イオンビームの照射による周波数の変化方向と逆方向に予めずらした状態に設定されており、イオンビームの照射によって目標値へ近づく方向へ調整される。イオンビームの照射によってエッチングされるのは、ウエハ１０上に形成された電極や保護膜など、周波数を調整できる物質であれば何でもよい。ウエハ１０の各エリア１０ａの周波数は事前に測定され、目標値に対する周波数ずれ量が個別に求められている。
【００２３】
可動ステージ６の上方には、シャッタベース１１が一定位置にかつ水平に設置されている。シャッタベース１１の中央部には、イオンガン５によるイオンビームの照射範囲とほぼ対応する大きさの開口部１１ａが形成されている。シャッタベース１１の開口部１１ａには、ねらいのエリア以外のイオンビームを遮蔽するパターンマスク１５が位置決め固定されている。パターンマスク１５はできるだけウエハ１０と近接する距離に支持するのがよい。パターンマスク１５には、図３の（ａ）に示すように、複数のマスク穴１５ａ，１５ｂがウエハ１０のエリア１０ａ毎に独立に形成されている。各マスク穴１５ａ，１５ｂの大きさは、パターンマスク１５とウエハ１０との距離及びイオンビームの拡散角度に応じて決定されるが、各エリア１０ａの大きさにほぼ等しく設定される。この例のマスク穴１５ａ，１５ｂは、ウエハ１０の一列分の処理を２段階に分けて行うよう、ウエハ搬送方向と直交する方向（Ｙ方向）に２列にかつウエハ搬送方向（Ｘ方向）に交互にずらして設けられている。つまり、奇数行と偶数行のマスク穴をＸ方向（搬送方向）にずらして設けてある。例えば図３の（ｂ）に示すように、ウエハ１０に（イ）〜（リ）の９行のエリア１０ａが設けられている場合、搬送方向下流側（左側）のマスク穴１５ａが奇数行（イ，ハ，ホ，ト，リ）のエリア１０ａと対応し、搬送方向上流側（右側）のマスク穴１５ｂが偶数行（ロ，ニ，ヘ，チ）のエリア１０ａと対応する。そして、左側のマスク穴１５ａと右側のマスク穴１５ｂとの間には、エリア１０ａの１列分と同一の間隔ｄが設けられている。なお、前後のマスク穴１５ａ，１５ｂのＸ方向の間隔ｄは、１列（１ピッチ）分（＝Ｐｘ,Ｐｙ）に限らず複数列分としてもよく、エリアピッチ等に応じて任意に選定できる。
【００２４】
シャッタベース１１上には、開口部１１ａを間にしてその両側に複数のアクチュエータ１２（１２ａ，１２ｂ）が固定されている。図４に示すように、各アクチュエータ１２ａ，１２ｂにはロッド１３を介してシャッタ１４ａ，１４ｂが連結され、各シャッタ１４ａ，１４ｂはそれぞれのアクチュエータ１２によって水平方向に個別に作動される。アクチュエータ１２としては、ソレノイドやボイスコイルモータのように２位置に高速で移動できるリニアアクチュエータが望ましい。各シャッタ１４ａ，１４ｂは、各マスク穴１５ａ，１５ｂを個別に開閉できるように各マスク穴に対応して設けられている。つまり、図４の左側のシャッタ１４ａは左側のマスク穴１５ａを、右側のシャッタ１４ｂは右側のマスク穴１５ｂを開閉するよう対向方向に作動される。シャッタ１４ａ，１４ｂはパターンマスク１５の上面にできるだけ近接して移動するのがよい。シャッタ１４ａ，１４ｂの幅Ｗ及び長さＬは、マスク穴１５ａ，１５ｂを  完全に覆うことができるよう、マスク穴の縦横の寸法Ｐｘ,Ｐｙより大きい。図４では、左上のアクチュエータ１２ａのみが作動され、左上のシャッタ１４ａが左上のマスク穴１５ａを閉じた状態を示してある。可動ステージ６及び各アクチュエータ１２の動きは、ウエハ搬送方向と直交する方向の１列のエリアの周波数調整を複数段階で行うように、制御装置１６によって制御される。制御装置１６には、ウエハ１０の各エリアの目標周波数に対する周波数ずれ量がイオンビームの照射時間と関連して記憶されている。
【００２５】
パターンマスク１５の下方へウエハ１０が搬送された後、全てのシャッタが開き、マスク穴１５ａ，１５ｂを介して全てのエリアにイオンビームが照射される。そして、所望の照射時間（周波数ずれ量に対応した照射時間）が経過したエリアに対応したシャッタから順次に閉じられ、全てのシャッタが閉じられた後、ウエハ１０は１ピッチだけ搬送方向に搬送される。
【００２６】
次に、図３を参照しながら、各エリアのマスク穴からの露出順序、つまりイオンビームの照射順序を説明する。図３において、エリアの中に付した丸付き数字（１〜７）は露出順序を表す。
まずウエハ１０の先端部（左端部）がパターンマスク１５の下方へ導入された時、最初（１番目）に右側のマスク穴１５ｂから露出するのは、Ａ−ロ、Ａ−ニ、Ａ−ヘ、Ａ−チの４個のエリアである。したがって、これら４個のマスク穴１５ｂから露出したエリアに対してイオンビームが照射され、その照射時間がシャッタ１４ｂによって調整される。
全てのシャッタ１４ｂが閉じられた後、ウエハ１０を１ピッチだけ搬送方向に移動させると、次に（２番目）に右側のマスク穴１５ｂから露出するのは、Ｂ−ロ、Ｂ−ニ、Ｂ−ヘ、Ｂ−チの４個のエリアである。なお、この時点ではウエハ１０が左側のマスク穴１５ａに到達していないため、左側のマスク穴１５ａからは未だエリアが露出しない。右側のマスク穴１５ｂから露出した４個のエリアに対してイオンビームが照射され、その照射時間がシャッタ１４ｂによって調整される。
全てのシャッタ１４ｂが閉じられた後、ウエハ１０を１ピッチだけ搬送方向に移動させると、次に（３番目）に左側のマスク穴１５ａからＡ−イ、Ａ−ハ、Ａ−ホ，Ａ−ト，Ａ−リの５個のエリアが露出し、右側のマスク穴１５ｂからＣ−ロ、Ｃ−ニ、Ｃ−ヘ、Ｃ−チの４個のエリアが露出する。これらマスク穴から露出したエリアに対してイオンビームが照射され、その照射時間がシャッタ１４ａ，１４ｂによって調整される。
その後は３番目と同じ動作を繰り返すため、重複説明を省略する。
【００２７】
前述のように、パターンマスク１５にエリア毎に独立してマスク穴１５ａ，１５ｂを設け、ウエハ搬送方向と直交する方向の１列のエリアの周波数調整を複数段階で行うため、各エリアが密に配置されていても、ウエハ全面に隙間なくイオンビームを照射できる。また、各マスク穴をシャッタが個別に開閉でき、かつ遮蔽高さ（ウエハからの距離）が常に一定であるから、隣接エリアにイオンビームが照射される恐れが少なく、逆に照射対象のエリアの外周部にイオンビームが十分照射されないという問題も解消できる。
【実施例２】
【００２８】
図５は、本発明にかかる周波数調整装置の第２実施例を示す。この実施例では、ウエハ１０の１つのエリア１０ａが４×４個の素子で構成されており、エリア１０ａは１行毎に搬送方向に１／２ピッチ分（素子２個分）だけずらして配置されている。つまり、奇数行のエリアに対して偶数行のエリアは１／２ピッチ分だけ搬送方向にずれている。なお、ずれ量ｄ1は１／２ピッチ分（素子２個分）に限らない。また、パターンマスク１５のマスク穴１５ａ，１５ｂをウエハ１０の搬送方向に１ピッチＰより小さい間隔ｄ2だけ開けて形成してある。この実施例では、間隔ｄ2はずれ量ｄ1と等しいが、ｄ2＝ｎ×Ｐ＋ｄ1（ｎ＝１，２，．．．）でもよい。
【００２９】
パターンマスク１５に対して、ウエハ１０が矢印方向に１エリアを１ピッチとして間欠搬送される。エリアの中に付した丸付き数字（１〜３）は露出順序を表す。まず番号１のエリア（二素子分だけ）が上流側のマスク穴１５ｂに対応し、周波数調整される。次に、番号２のエリアがマスク穴１５ｂに対応し、周波数調整され、次に番号３のエリアがマスク穴１５ａ，１５ｂに対応し、周波数調整される。以下同様にして、パターンマスク１０のマスク穴１５ａ、１５ｂと対応するエリアが順次周波数調整される。このように、エリア１０ａの割り付け次第で、マスク穴１５ａ，１５ｂの間隔ｄ2は１素子でも３素子でも素子単位で間隔をあけることが可能である。
【実施例３】
【００３０】
図６は、本発明にかかる周波数調整装置の第３実施例を示す。この実施例では、複数枚のパターンマスク２０，２１を用い、各パターンマスクが特定の行のエリアだけを処理し、搬送方向と直交方向の１列のエリアを多段階に別けて周波数調整できるようにしたものである。２枚のパターンマスク２０，２１がウエハ搬送方向に所定距離Ｄだけ離れた位置に配置されている。この距離Ｄは、エリアピッチＰの整数倍とするのがよい。一方のパターンマスク２０には、奇数行（１，３，５，７，９）のエリアに対応したマスク穴２０ａ1，２０ａ3，２０ａ5，２０ａ7，２０ａ9が千鳥状に形成されている。１行目、５行目、９行目のマスク穴２０ａ1，２０ａ5，２０ａ9は同一列上に形成され、３行目、７行目のマスク穴２０ａ3，２０ａ7は１行目，５行目，９行目のマスク穴に対して搬送方向（Ｘ方向）に１列分又は数列分の間隔ｄをあけて形成されている。１行目、５行目、９行目のマスク穴２０ａ1，２０ａ5，２０ａ9はパターンマスク２０の左側に配置されたシャッタ２２ａによって個別に開閉され、３行目、７行目のマスク穴２０ａ3，２０ａ7はパターンマスク２０の右側に配置されたシャッタ２２ｂによって個別に開閉される。
【００３１】
他方のパターンマスク２１には、偶数行（２，４，６，８）のエリアに対応したマスク穴２１ａ2，２１ａ4，２１ａ6，２１ａ8が千鳥状に形成されている。具体的には、２行目、６行目のマスク穴２１ａ2、２１ａ6は同一列上に形成され、４行目、８行目のマスク穴２１ａ4、２１ａ8は２行目と６行目のマスク穴に対して搬送方向（Ｘ方向）に１列分又は数列分の間隔ｄをあけて設けられている。２行目と６行目のマスク穴２１ａ2，２１ａ6はパターンマスク２１の左側に配置されたシャッタ２３ａによって開閉され、４行目と８行目のマスク穴２１ａ4、２１ａ8はパターンマスク２１の右側に配置されたシャッタ２３ｂによって開閉される。
【００３２】
本実施例の場合、パターンマスク２１を通過したウエハ１０は、図７の（ａ）に示すように、偶数行のエリア１０ｂのみが先に周波数調整され、その後、パターンマスク２０を通過することによって奇数行のエリア１０ｃが周波数調整される。そのため、２枚のパターンマスク２０，２１を通過したウエハ１０では、図７の（ｂ）に示すように、全ての行の周波数調整が完了する。図７に斜線で示す領域が周波数調整が完了した領域である。なお、図７では、パターンマスク２１の方が搬送方向上流側に配置されているため、偶数行が先に処理されたが、パターンマスク２０，２１を前後逆に配置した場合には、当然ながら奇数行が先に周波数調整される。
【００３３】
本実施例では、搬送方向と直交方向の１列のエリアを４段階に別けて周波数調整できるため、各エリアが非常に小さくかつ多数のエリアが密に配置されたウエハの場合でも、隣接するシャッタ及びアクチュエータを干渉せずに配置することができる。また、パターンマスク２０，２１を搬送方向に距離Ｄだけ離して配置できるので、アクチュエータの軸長がエリアサイズに比べてかなり長くても、使用可能である。なお、２枚のパターンマスクを搬送方向に並べて配置した例に限らず、３枚以上のパターンマスクを搬送方向に並べて配置してもよいことは勿論である。
【００３４】
本発明は前記実施例に限定されるものではなく、種々変更が可能である。前記実施例では、ウエハの各エリアを正方形とし、マスク穴も正方形の例を示したが、長方形であっても同様に適用できる。また、前記実施例では、１つのエリアに複数の素子が含まれる場合を示したが、１つのエリアが１つの素子に対応していても構わない。さらに、前記実施例では、ウエハ上に複数の素子が密に形成された場合を示したが、トレイ上に複数の素子を密に配置しても構わない。そして、前記実施例では、イオンビームを上から下に向けて垂直方向に照射した場合を示したが、下から上、あるいは水平方向に照射するようにしても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明に係る周波数調整装置の一例の概略図である。
【図２】図１に示す周波数調整装置の主要部を図１のイオンガン側から見た分解斜視図である。
【図３】パターンマスクとウエハとの関係を示す平面図である。
【図４】パターンマスクとシャッタとの関係を示す平面図である。
【図５】本発明の第２実施例におけるパターンマスクとウエハとの関係を示す平面図である。
【図６】本発明の第３実施例におけるパターンマスクとシャッタとの関係を示す平面図である。
【図７】図６に示す実施例の周波数調整の様子を示すウエハ図である。
【図８】先行例の周波数調整装置の概略を示す平面図である。
【図９】図８のIX−IX線断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１        周波数調整装置
２        処理室
５        エッチング用イオンガン５
６        可動ステージ（搬送手段）
１０      ウエハ
１０ａ    エリア
１１      シャッタベース
１２（１２ａ，１２ｂ）  アクチュエータ
１４ａ，１４ｂ        シャッタ
１５      パターンマスク
１５ａ，１５ｂ    マスク穴
１６      制御装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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