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【手続補正書】
【提出日】平成17年6月15日(2005.6.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
またインゴット２５は、種結晶２４に連続して引上げられるトップ側インゴット２５ａと、このトップ側インゴットに連続して引上げられるボトム側インゴット２５ｂとを有する。トップ側インゴット２５ａ及びボトム側インゴット２５ｂの範囲は、固化率により決定される。具体的には、図３に示すように、トップ側インゴット２５ａは固化率が０．１５〜０．３０である部分をいい、ボトム側インゴット２５ｂは固化率が０．５０〜０．６５である部分をいう。なお、固化率とは、最初に石英るつぼ１３に貯留されたシリコン融液１２の初期チャージ重量に対するインゴット２５の引上げ重量の割合をいう。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
平均回転速度ＣＲTAVを５〜１０ｒｐｍの範囲にしたのは、５ｒｐｍ未満では、ピュアマージン（Ｖ2−Ｖ1）（図９）が小さく、１０ｒｐｍを越えるとシリコン融液に含まれる酸素がインゴット２５の横断面内で均一に分布しなくなるからである。ここで、ピュアマージンとは、図９に示すように、インゴットの横断面全体にわたってＯＩＳＦリングの存在しないパーフェクト領域となる臨界引上げ速度Ｖ2又はＶ2’と格子間シリコン型点欠陥の凝集体の発生しない引上げ速度の下限Ｖ1又はＶ1’との差（Ｖ2−Ｖ1）又は（Ｖ2’−Ｖ1’）をいう。以下、本明細書では、ピュアマージンという場合、（Ｖ2−Ｖ1）を代表して記載し、（Ｖ2’−Ｖ1’）の記載を省略する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
また平均回転速度ＣＲBAVを３〜８ｒｐｍの範囲にしたのは、３ｒｐｍ未満ではシリコン融液１２に磁場を印加しない場合にインゴット２５の単結晶化率が低下するおそれがあり、８ｒｐｍを越えると固液界面の下向きに凸となる度合いが大きくなり固液界面近傍での鉛直方向の温度勾配が径方向に不均一になってピュアマージン（Ｖ2−Ｖ1）（図９）が小さくなるからである。更に平均回転速度ＣＲTAVと平均回転速度ＣＲBAVとの差を０．１〜７ｒｐｍの範囲にしたのは、０．１ｒｐｍ未満では平均回転速度ＣＲTAVと平均回転速度ＣＲBAVとがほぼ同じになってしまい、７ｒｐｍを越えるとシリコン融液に含まれる酸素がインゴット２５の横断面内で均一に分布しなくなるとともにシリコン融液１２に磁場を印加しない場合にインゴット２５の単結晶化率が低下するおそれがあるからである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
具体的には、比ＳＲTAV／ＣＲTAVを２．０〜３．６、好ましくは２．３〜３．０の範囲内に設定し、比ＳＲBAV／ＣＲBAVを２．０〜１８、好ましくは２．３〜５．０の範囲内に設定し、かつ（比ＳＲTAV／ＣＲTAV−比ＳＲBAV／ＣＲBAV）を−１６〜０、好ましくは−１．５〜０の範囲に設定する。ここで、比ＳＲTAV／ＣＲTAVを２．０〜３．６の範囲にしたのは、２．０未満ではシリコン融液に含まれる酸素がインゴット２５の横断面内で均一に分布しなくなり、３．６を越えるとピュアマージン（Ｖ2−Ｖ1）（図９）が小さくなるからである。また比ＳＲBAV／ＣＲBAVを２．０〜１８の範囲内にしたのは、２．０未満ではピュアマージン（Ｖ2−Ｖ1）（図９）が小さくなり、１８を越えるとシリコン融液１２に磁場を印加しない場合にインゴット２５の単結晶化率が低下するおそれがあるからである。更に（比ＳＲTAV／ＣＲTAV−比ＳＲBAV／ＣＲBAV）を−１６〜０の範囲にしたのは、−１６未満ではインゴット２５の引上げ中の変化が大きすぎてインゴット２５の単結晶化が困難になるおそれがあり、０を越えるとトップ側インゴット２５ａとボトム側インゴット２５ｂでピュアマージン（Ｖ2−Ｖ1）（図９）が十分に得られなくなるからである。なお、平均回転速度ＳＲTAVを１８〜２０ｒｐｍの範囲内に設定し、平均回転速度ＣＲTAVを６〜８ｒｐｍの範囲内に設定し、平均回転速度ＳＲBAVを１８〜２０ｒｐｍの範囲内に設定し、更に平均回転速度ＣＲBAVを５〜７ｒｐｍの範囲内に設定することが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】
本発明の方法に使用する引上げ装置の断面構成図。
【図２】
その装置の熱遮蔽部材を示す図１のＡ部拡大断面図。
【図３】
その装置により引上げられるインゴットを示す図。
【図４】
固化率の変化に対する石英るつぼの回転速度の変化を示す図。
【図５】
実施例１の固化率の変化に対する石英るつぼの回転速度の変化を示す図。
【図６】
実施例２の固化率の変化に対するインゴットの回転速度の変化を示す図。
【図７】
比較例１の固化率の変化に対する石英るつぼの回転速度の変化を示す図。
【図８】
比較例１の固化率の変化に対するインゴットの回転速度の変化を示す図。
【図９】
そのインゴットを所定の変量引上げ速度で引上げたときのインゴット内の格子間シリコン及び空孔の分布領域を示す説明図。
【符号の説明】
１３  石英るつぼ
１２  シリコン融液
２５  シリコン単結晶のインゴット
２５ａ  トップ側インゴット
２５ｂ  ボトム側インゴット
３６  熱遮蔽部材
３７  筒部
４１  膨出部
４７  蓄熱部材
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2004231474.tif 000001
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2004231474.tif 000002
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2004231474.tif 000003
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2004231474.tif 000004
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2004231474.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月5日(2004.5.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
本発明は、垂直に配備された耐火物製の伝熱管１２２に充填された石灰石を移動させながら、燃焼炉２０から導かれた１２００℃〜１５００℃の高温ガスにより間接的に石灰石（ＣａＣＯ３）を生石灰（ＣａＯ）と炭酸ガス（ＣＯ２）に焼成分解する焼成帯１２０と、生成した炭酸ガスを循環使用して高温生石灰を冷却する冷却帯１３０と、生石灰の冷却により高温となった循環炭酸ガスと焼成帯で生成した高温炭酸ガスにより石灰石を予熱する予熱帯１１０を備えていることを特徴とする間接加熱式石灰石焼成炉。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】
前記焼成帯１２０で生成した炭酸ガスと冷却帯１３０より導入された炭酸ガスを予熱帯１１０上部より吸引し、炭酸ガス冷却器１５１により常温近くまで冷却して、生石灰を冷却するに十分な量を冷却帯１３０へ供給する炭酸ガス循環ファン１５２を具備した請求項１記載の間接加熱式石灰石焼成炉。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】図２は、間接加熱式石灰炉１００の詳細図である。間接加熱式石灰炉１００は予熱帯１１０と焼成帯１２０と冷却帯１３０と、焼成帯バイパスダクト１４０と、炉内で発生した炭酸ガスを循環するための炭酸ガス循環装置１５０で構成され、焼成帯１２０には内張り煉瓦１６０が施工されている。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月24日(2005.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記のアクリル系ゴムまたは上記の共役ジエン系重合体を製造するための、主としてアクリル酸エステルおよび／または共役ジエン系化合物からなる単量体系の重合においては、必要に応じて、これらの主成分に加えて、他の単官能性の重合性単量体を共重合させることができる。共重合させうる他の単量体としては、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸アミル、メタクリル酸ヘキシル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸オクチル、メタクリル酸デシル、メタクリル酸ドデシル、メタクリル酸オクタデシル、メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸ナフチル、メタクリル酸イソボルニル等のメタクリル酸エステル；スチレン、α−メチルスチレン等の芳香族ビニル化合物；アクリロニトリル等が挙げられる。本発明の多層構造重合体粒子のゴム層における他の単官能性の重合性単量体の割合は、前記の損失正接（ｔａｎδ）の主分散のピーク温度を満たす限り、特に制限はないが、、例えば共重合させる他の単量体がメタクリル酸メチルや芳香族ビニル化合物などのようにガラス転移温度の高い単独重合体を与えるような単量体である場合、ゴム層の全単量体に対し３０質量％以下の割合で使用することが好ましい。そのような単量体の割合が３０質量％より大きいと、前記の損失正接（ｔａｎδ）の主分散のピーク温度が高くなり、超音波融着性の向上効果が低くなることがあり好ましくない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
多層構造重合体粒子における硬質樹脂層を形成させるために使用できる重合性単量体としては、例えば、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、メタクリル酸プロピル、メタクリル酸ブチル、メタクリル酸アミル、メタクリル酸ヘキシル、メタクリル酸２−エチルヘキシル、メタクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸オクチル、メタクリル酸デシル、メタクリル酸ドデシル、メタクリル酸オクタデシル、メタクリル酸フェニル、メタクリル酸ベンジル、メタクリル酸ナフチル、メタクリル酸イソボルニル等のメタクリル酸エステル；スチレン、α−メチルスチレン等の芳香族ビニル化合物；アクリロニトリル等が挙げられる。これらの重合性単量体の中でも、メタクリル酸メチルもしくはスチレンを単独で、またはその一方を６０質量％以上含有する２種以上のラジカル重合性単量体の組み合わせで使用するのが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月14日(2005.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
肌改善のための美容方法であって、皮膚にアニオン性高分子塩を含有する皮膚バリアー機能回復促進組成物を適用して皮膚バリアー機能を回復促進させることを特徴とする、美容方法。
【請求項２】
前記アニオン性高分子塩がカルボキシメチルセルロース、ヘパリン、コンドロイチン硫酸、ヒアルロン酸、アルギン酸及びポリアクリル酸から成る群から選ばれる１又は複数種のアニオン性高分子の塩から成る、請求項１記載の美容方法。
【請求項３】
カチオン性高分子塩が更に配合された、請求項１又は２記載の美容方法。
【請求項４】
前記カチオン性高分子塩がキトサン又はポリ（Ｎ，Ｎ−ジメチルＮ，Ｎ−ジアリルアンモニウムクロリド）である、請求項３記載の美容方法。
【請求項５】
皮膚に前記皮膚バリアー機能回復促進組成物を含有する包帯を覆うことで皮膚バリアー機能を回復促進させることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか１項記載の美容方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月30日(2004.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
芳香族ポリイソシアネート、有機金属触媒、ポリオールおよび発泡剤からなる反応混合物の触媒反応によって生成される軟質、半硬質または硬質ポリウレタンフォームであって、この有機金属触媒が３４％より少ない遊離酸を有するビスマスカルボキシレートまたはビスマススルホネートであることを特徴とする、上記ポリウレタンフォーム。
【請求項２】
有機金属触媒がビスマスカルボキシレートである、請求項１に記載の軟質、半硬質または硬質ポリウレタンフォーム。
【請求項３】
芳香族ポリイソシアネートがジフェニルメタンジイソシアネートおよびトルエンジイソシアネートからなる群から選択される、請求項２に記載の軟質、半硬質または硬質ポリウレタンフォーム。
【請求項４】
反応混合物中で使用されるビスマスカルボキシレートがポリオール１００重量部あたり０.０５〜５重量部の量である、請求項１に記載の軟質、半硬質または硬質ポリウレタン
フォーム。
【請求項５】
カルボキシレートがＣ5〜Ｃ15の脂肪族カルボン酸から誘導される、請求項１に記載の
軟質、半硬質または硬質ポリウレタンフォーム。
【請求項６】
カルボン酸が２−エチルヘキサン酸およびネオデカン酸からなる群から選択される、請求項５に記載の軟質、半硬質または硬質ポリウレタンフォーム。
【請求項７】
第３級アミン触媒が反応混合物中に含められている、請求項６に記載の軟質、半硬質または硬質ポリウレタンフォーム。
【請求項８】
第３級アミン触媒に対するビスマスカルボキシレートの比が重量基準で１：１０〜１０：１である、請求項７に記載の軟質、半硬質または硬質ポリウレタンフォーム。
【請求項９】
第３級アミンがトリエチレンジアミン、ペンタメチルジプロピレントリアミン、ビス（
ジメチルアミノエチル）エーテル、２−ジメチルアミノエチル尿素；Ｎ,Ｎ′−ビス（２−ジメチルアミノエチル）尿素；Ｎ,Ｎ−ビス（２−ジメチルアミノエチル）尿素；３−ジメチル−アミノプロピル尿素；Ｎ,Ｎ′−ビス（３−ジメチルアミノプロピル）尿素；１−（Ｎ−メチル−３−ピロリジノ）メチル尿素；１,３−ビス（Ｎ−メチル−３−ピロリジノ）−メチル尿素；３−ピペリジノプロピル尿素；Ｎ,Ｎ′−ビス（３−ピペリジノプロピル）尿素；３−モルホリノ−プロピル尿素；Ｎ,Ｎ′−ビス（３−モルホリノプロピル）尿素；２−ピペリジノエチル尿素；Ｎ,Ｎ′−ビス（２−ピペリジノエチル）尿素；２−モルホリノエチル尿素；およびＮ,Ｎ′−ビス（２−モルホリノエチル）尿素からなる群から選択される、請求項８に記載の軟質、半硬質または硬質ポリウレタンフォーム。
【請求項１０】
芳香族ポリイソシアネート、有機金属触媒、ポリオールおよび発泡剤からなる反応混合物の触媒反応によって、軟質、半硬質または硬質ポリウレタンフォームを製造する方法において、３４％より少ない遊離酸を有するビスマスカルボキシレートまたはビスマススルホネートを有機金属触媒として使用することを特徴とする上記の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月6日(2005.6.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
イオンおよびオゾンを発生させるイオン・オゾン発生部と、このイオン・オゾン発生部へ電力を供給する電源部とからなるイオン・オゾン発生装置において、
前記イオン・オゾン発生部へ流入する空気を前記電源部へ流入させないようにした、
ことを特徴とするイオン・オゾン発生装置。
【請求項２】
針状電極、および、この針状電極と対向する対向電極を備え、イオンおよびオゾンを発生させるイオン・オゾン発生部と、このイオン・オゾン発生部へ電力を供給する電源部とからなるイオン・オゾン発生装置において、
前記イオン・オゾン発生部へ流入する空気を前記電源部へ流入させないようにし、
少なくとも前記対向電極を着脱可能にした、
ことを特徴とするイオン・オゾン発生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明は、イオンおよびオゾンを発生させるイオン・オゾン発生部と、このイオン・オゾン発生部へ電力を供給する電源部とからなるイオン・オゾン発生装置において、イオン・オゾン発生部へ流入する空気を電源部へ流入させないようにしたものである。
そして、イオン・オゾン発生部のイオンおよびオゾンを発生させる、針状電極と、この針状電極と対向する対向電極とのうち、少なくとも対向電極を着脱可能にするのが望ましい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、イオン・オゾン発生部へ流入する空気を、電源部へ流入させないようにしたので、電源部に塵埃が入らなくなり、トラッキングによる不測な事態が発生するのを防止することができる。
そして、イオン・オゾン発生部のイオンおよびオゾンを発生させる、針状電極と、この針状電極と対向する対向電極とのうち、少なくとも対向電極を着脱可能にしたので、対向電極の清掃が容易に、かつ、確実にできる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月23日(2005.5.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】保持ルツボ及び単結晶引き上げ装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単結晶引き上げ装置の半導体原料(6) を収容する原料充填用ルツボ(2) を保持する保持ルツボ(9) において、
原料充填用ルツボ(2) の外壁に密着して原料充填用ルツボ(2) を保持する黒鉛ルツボ(3) と、
前記黒鉛ルツボ(3) よりも熱伝導率が小さい材料からなり、少なくとも前記原料充填用ルツボ(2) の外壁のうち側面と底面の間にあるコーナー部(2B) をカバーするように前記原料充填用ルツボ(2) の外壁と前記黒鉛ルツボ(3) の内壁の間に設けられる断熱材(1) とを備えたことを特徴とする保持ルツボ(9) 。
【請求項２】
請求項１記載の保持ルツボ(9) において、前記断熱材(1) が原料充填用ルツボ(2) のコーナー部(2B) のみをカバーすることを特徴とする保持ルツボ(9) 。
【請求項３】
請求項１又は２記載の保持ルツボ(9) において、前記断熱材(1) が一体に成型され、かつその円周方向の引っ張り強度が、黒鉛ルツボ(3) よりも強いことを特徴とする保持ルツボ(9) 。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の保持ルツボ(9) において、前記黒鉛ルツボ(3) の内壁面に環状の溝(3D)を刻設し、この溝(3D)に、前記断熱材(1) を、その表面が黒鉛ルツボ(3) の内壁面と凹凸がないように嵌合させたことを特徴とする保持ルツボ(9) 。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の保持ルツボ(9) において、前記断熱材(1) がカーボン−カーボンファイバコンポジット材であることを特徴とする保持ルツボ(9) 。
【請求項６】
請求項５に記載の保持ルツボ(9) において、前記カーボン−カーボンファイバコンポジット材のカーボンファイバの繊維が、原料充填用ルツボ(2) の壁と略平行になるように、断熱材(1) を配置したことを特徴とする保持ルツボ(9) 。
【請求項７】
半導体原料(6) を収容する原料充填用ルツボ(2) と、原料充填用ルツボ(2) を保持する保持ルツボ(9) とを備えた単結晶引き上げ装置において、前記保持ルツボ(9) が、請求項１〜６のいずれかに記載の保持ルツボ(9) であることを特徴とする単結晶引き上げ装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する分野】
本発明は、ＣＺ法などにより単結晶を引き上げる単結晶引き上げ装置において、半導体原料を収容した原料充填用ルツボを外側より支えて保持するための保持ルツボに関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段、作用及び効果】
上記の目的を達成するために、第１構成の発明は、単結晶引き上げ装置の半導体原料を収容する原料充填用ルツボを保持する保持ルツボにおいて、原料充填用ルツボの外壁に密着して原料充填用ルツボを保持する黒鉛ルツボと、前記黒鉛ルツボ(3) よりも熱伝導率が小さい材料からなり、少なくとも前記原料充填用ルツボ(2) の外壁のうち側面と底面の間にあるコーナー部(2B) をカバーするように前記原料充填用ルツボ(2) の外壁と前記黒鉛ルツボ(3) の内壁の間に設けられる断熱材(1) とを備えている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、第７構成の発明は、半導体原料を収容する原料充填用ルツボと、原料充填用ルツボを保持する保持ルツボとを備えた単結晶引き上げ装置において、前記保持ルツボが、第１〜第６構成のいずれかに記載の保持ルツボである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月9日(2004.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（２）
【化１】
2000001452.tif 000001
（式中、Ｒ１は、置換基を有していてもよい炭素数４以上の２価の炭化水素基を表す）
で示されるジアルデヒド類と、式（３）
【化２】
2000001452.tif 000002
（式中、Ｒ２は置換基を有していてもよい炭素数１〜６の低級アルキル基を表し、Ｒ３は置換基を有していてもよい炭素数１〜６の低級アルキル基または水素原子を表す）
で示されるケトン類と、水素とを、塩基性物質および水素添加触媒の存在下で反応させることからなる式（１）
【化３】
2000001452.tif 000003
（式中、Ｒ２およびＲ３は前記定義と同じであり、Ｒ４はＲ１と同一の基であるか、またはＲ１が炭素−炭素不飽和結合を有する場合、該不飽和結合の少なくとも一部が水素添加されたものに相当する基であってもよい）
で示されるジケトン類の製造方法。
【請求項２】
塩基性物質が、アルカリ金属水酸化物およびアルカリ土類金属水酸化物からなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物である請求項１記載のジケトン類の製造方法。
【請求項３】
式（３）のケトン類がアセトン（Ｒ２がメチル基であり、Ｒ３が水素原子である）である請求項１または２に記載のジケトン類の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば上記の課題は、式（２）
【化４】
ＯＨＣ−Ｒ１−ＣＨＯ        （２）
（式中、Ｒ１は、置換基を有していてもよい炭素数４以上の２価の炭化水素基を表す）
で示されるジアルデヒド類と、式（３）
【化５】
Ｒ２ＣＯＣＨ２Ｒ３        （３）
（式中、Ｒ２は置換基を有していてもよい炭素数１〜６の低級アルキル基を表し、Ｒ３は置換基を有していてもよい炭素数１〜６の低級アルキル基または水素原子を表す）
で示されるケトン類と、水素とを、塩基性物質および水素添加触媒の存在下で反応させることからなる式（１）
【化６】
Ｒ２ＣＯＣＨ（Ｒ３）ＣＨ２−Ｒ４−ＣＨ２ＣＨ（Ｒ３）ＣＯＲ２  （１）
（式中、Ｒ２およびＲ３は前記定義と同じであり、Ｒ４はＲ１と同一の基であるか、またはＲ１が炭素−炭素不飽和結合を有する場合、該不飽和結合の少なくとも一部が水素添加されたものに相当する基であってもよい）
で示されるジケトン類の製造方法を提供することによって解決される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
式（２）のジアルデヒド類に縮合させるケトン類としては、式（３）
【化８】
Ｒ２ＣＯＣＨ２Ｒ３        （３）
（式中、Ｒ２は置換基を有していてもよい炭素数１〜６の低級アルキル基を表し、Ｒ３は置換基を有していてもよい炭素数１〜６の低級アルキル基または水素原子を表す）
で示されるケトン類を使用する。ここで、Ｒ２またはＲ３の置換基を有していてもよい炭素数１〜６の低級アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基などを挙げることができる。Ｒ２および／またはＲ３は反応に悪影響を及ぼさないものである限り置換基を有していてもよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明において使用される塩基性物質としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属の水酸化物；水酸化バリウム、水酸化カルシウム等のアルカリ土類金属の水酸化物；炭酸カリウム等のアルカリ金属の炭酸塩；１，５−ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン−５（ＤＢＵ）、ピペリジン等のアミン類等を挙げることができる。これらは、一種類のものを使用してもよいし、二種以上を混合して使用してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明に用いる水素添加触媒としては、一般に、接触水素添加反応に用いられる触媒、中でも、α，β−不飽和カルボニル化合物の炭素−炭素二重結合を選択的に水素添加する際に用いられる触媒を使用することができ、例えば、パラジウム、ロジウム、ニッケル、白金等を活性成分とする触媒を挙げることができる。
これらの水素添加触媒の形態としては、金属単体；金属酸化物あるいは他の金属との合金；活性炭、アルミナ、シリカゲル、ケイソウ土などの担体に担持させたもののいずれであってもよい。これらの中でも、パラジウムカーボン、パラジウムアルミナ、ラネーニッケル、白金カーボン等が好ましく、パラジウムカーボン、パラジウムアルミナ等がより好ましい。
水素添加触媒の使用量は、式（２）のジアルデヒド類１重量部に対して通常０．０００５〜０．１重量部であり、反応速度および目的とするジケトン類の製造コストの観点から、式（２）のジアルデヒド類１重量部に対して０．００１〜０．０３重量部であることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
本発明において溶媒の使用は必ずしも必要ではないが、反応に悪影響を及ぼさない限り溶媒を使用しても差し支えない。使用可能な溶媒としては、例えば、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジブチルエーテル等のエーテル系溶媒；ヘキサン、ヘプタン、オクタン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の炭化水素系溶媒等が挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月8日(2005.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒノキチオール、メントール、カシュウおよびカシュウの抽出物よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の成分を含有するアンドロゲン受容体結合阻害剤。
【請求項２】
ヒノキチオール、メントール、カシュウおよびカシュウの抽出物よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の成分とチクセツニンジンまたはチクセツニンジンの抽出物を含有するアンドロゲン受容体結合阻害剤。
【請求項３】
ヒノキチオールを０．００１〜５重量％含有する請求項１または２記載の阻害剤。
【請求項４】
メントールを０．００１〜５重量％含有する請求項１〜３のいずれか１項記載の阻害剤。
【請求項５】
カシュウまたはカシュウ抽出物を原生薬換算で０．００１〜３０重量％含有する請求項１〜４のいずれか１項記載の阻害剤。
【請求項６】
チクセツニンジンまたはチクセツニンジン抽出物を原生薬換算で０．００１〜３０重量％含有する請求項２〜５のいずれか１項記載の阻害剤。
【請求項７】
ヒノキチオール、メントール、カシュウおよびカシュウの抽出物よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の成分を含有するアンドロゲン依存性疾患の予防および／または治療剤。
【請求項８】
ヒノキチオール、メントール、カシュウおよびカシュウの抽出物よりなる群から選ばれる１種又は２種以上の成分とチクセツニンジンまたはチクセツニンジンの抽出物を含有するアンドロゲン依存性疾患の予防および／または治療剤。
【請求項９】
ヒノキチオールを０．００１〜５重量％含有する請求項７または８記載の予防および／または治療剤。
【請求項１０】
メントールを０．００１〜５重量％含有する請求項７〜９のいずれか１項記載の予防および／または治療剤。
【請求項１１】
カシュウまたはカシュウ抽出物を原生薬換算で０．００１〜３０重量％含有する請求項７〜１０のいずれか１項記載の予防および／または治療剤。
【請求項１２】
チクセツニンジンまたはチクセツニンジン抽出物を原生薬換算で０．００１〜３０重量％含有する請求項８〜１１のいずれか１項記載の予防および／または治療剤。
【請求項１３】
請求項１または２に記載のアンドロゲン受容体結合阻害剤を含有する化粧料組成物または医薬組成物。
【請求項１４】
請求項１または２に記載のアンドロゲン受容体阻害剤を含有する外用剤。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月27日(2004.2.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エーテル系溶媒中またはエーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合溶媒中で、クロロペンタフルオロベンゼンと下式１で表される有機金属化合物とを反応させて下式２で表されるペンタフルオロフェニル金属とし、つぎにエーテル系溶媒中またはエーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合溶媒中で、該式２で表されるペンタフルオロフェニル金属と下式３で表されるホウ素化合物とを反応させることを特徴とするトリス（ペンタフルオロフェニル）ボランの製造方法。
ＲＭ      ・・・式１
Ｃ6 Ｆ5 Ｍ・・・式２
ＢＸ3     ・・・式３
ただし式中の記号は、以下の意味を示す。
Ｒ：炭素数１〜１０の炭化水素基。
Ｍ：アルカリ金属原子。
Ｘ：式中のＸは同一であっても異なっていてもよく、それぞれハロゲン原子またはアルコキシ基。
【請求項２】
エーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合溶媒中で、クロロペンタフルオロベンゼンと式１で表される有機金属化合物とを反応させて式２で表されるペンタフルオロフェニル金属とし、つぎにエーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合溶媒中で、該式２で表されるペンタフルオロフェニル金属と式３で表されるホウ素化合物とを反応させる請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
トリス（ペンタフルオロフェニル）ボランが、エーテル系溶媒が配位したトリス（ペンタフルオロフェニル）ボランである請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
式３で表されるホウ素化合物を式２で表されるペンタフルオロフェニル金属に対して２．１〜２．９倍モル用いる請求項１、２、または３に記載の製造方法。
【請求項５】
エーテル系溶媒中またはエーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合溶媒中で、クロロペンタフルオロベンゼンと下式１で表される有機金属化合物とを反応させることを特徴とする下式２で表されるペンタフルオロフェニル金属の製造方法。
ＲＭ      ・・・式１
Ｃ6 Ｆ5 Ｍ・・・式２
ただし式中の記号は、以下の意味を示す。
Ｒ：炭素数１〜１０の炭化水素基。
Ｍ：アルカリ金属原子。
【請求項６】
クロロペンタフルオロベンゼンと式１で表される有機金属化合物とを−１２０℃〜＋８０℃で反応させる請求項１、２、３、４、または５に記載の製造方法。
【請求項７】
エーテル系溶媒と炭化水素系溶媒との混合溶媒が、炭化水素系溶媒量に対してエーテル系溶媒量が０．０１〜１体積％である混合溶媒である請求項１、２、３、４、５、または６に記載の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明の製造方法においては、第一工程の反応として、エーテル系溶媒またはエーテル系溶媒と炭化水素系溶媒の混合溶媒（以下、まとめて反応溶媒と記す。）中で、クロロペンタフルオロベンゼン（Ｃ6 Ｆ5 Ｃｌ）と有機金属化合物（式１）とを反応させる。クロロペンタフルオロベンゼンは安価な化合物であり、また引火点を持たない化合物であることから、取り扱いが容易であり実用性に優れた化合物である。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
クロロペンタフルオロベンゼンと有機金属化合物（式１）との反応は−１２０℃〜＋８０℃で実施するのが好ましい。さらに反応速度を調節するためには、反応温度は−８０℃またはそれより高温であるのが好ましく、副反応を抑制するためには反応温度を０℃またはそれより低温とするのが好ましく、反応温度は特に−８０℃〜０℃が好ましく、とりわけ−４０℃〜−２０℃が収率の点から好ましい。また、反応時間は５〜１２０分が好ましい。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
後処理で用いる炭化水素系溶媒量は、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボランの理論収量の１０〜３００倍重量とするのが好ましく、溶解性を考慮して特に２０〜１００倍重量とするのが好ましい。また、（ペンタフルオロフェニル）ボランの炭化水素溶液中に不溶解物が存在する場合には、ろ過により取り除くのが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月24日(2005.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記防水ボードの第１合成樹脂層の上面に、合成樹脂フィルムをラミネートしたスパンボンド不織布を貼着したことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の防水ボードを用いた防水構造。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
具体的には、前記防水ボード２は、厚さ３．０ｍｍ〜９．０ｍｍ、寸法０．９１ｍ×１．８２ｍ〜１．２２ｍ×２．４３ｍのプライウッドパネルの一面に厚さ０．３ｍｍ〜０．５ｍｍ（単位面積当り０．３ｋｇ／ｍ２〜０．６ｋｇ／ｍ２）でエポキシ系のパネコート（ＰＭ−５（新東洋合成株式会社：商品名））をコーティングして第１合成樹脂層４を設け、他面に厚さ０．３ｍｍ〜０．８ｍｍ（単位面積当り０．３ｋｇ／ｍ２〜１．０ｋｇ／ｍ２）でキシレンホルムアルデヒド樹脂系ウレタンのパネコート（ＨＦ−７００（新東洋合成株式会社：商品名））をコーティングして第２合成樹脂層５を設けたものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月14日(2005.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
下記（ア），（イ），（ウ）を含み、且つ実質量の塩素化溶剤を含まな
い組成物からなる外壁等の塗膜並びにプラスティックタイル用剥離剤。
（ア）９５〜１０ｗ％の下式Ｉのエチレン、プロピレン、ブチレングリコールエーテルエ
ステル
2000001637.tif 000001
（上式中、Ｒ1は独立にＣ1〜Ｃ4アルキル基でＲ2は独立に水素、メチル、エチルであり、
Ｒ3は独立にＣ1〜Ｃ4アルキル基であり、ｎは１〜４である）
（イ）０〜３０ｗ％の有機プロトン性溶媒
（ウ）５〜８０ｗ％の水
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】    【従来の技術】  従来建造物等外壁の再塗装の為に旧塗膜を剥離する場合や、建造物床材等に用いるプラスティックタイルの敷き直しをする場合、剥離時間の短縮並びに作業の省力化を目的として剥離剤が用いられてきた。この剥離剤は塩化メチレンを主成分とした塗料剥離剤や強アルカリ水溶性の塗料剥離剤が主である。しかし昨今、環境意識の高まり等から、塩化メチレンを主剤とした塗料剥離剤やアルカリ水溶性塗料剥離剤を使用せず、物理的に剥離する手法が試みられるようになった。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】  塩化メチレンを主剤とする剥離剤は環境影響や作業安全性、毒性の懸念があり、又、他の塩素系有機溶剤も環境問題を引き起こす可能性がある。強アルカリ水溶性剥離剤は、水酸化アルカリ金属による樹脂の酸化劣化をベースとする。上記同様に添加される促進剤の安定性、作業の安全性及び廃棄物処理が問題となっている。またかかる問題を解決するため、非塩素系溶剤型剥離剤が多数開発されているが、引火性の問題があったり、引火点を消したり水溶性化合物を添加するために有機溶剤が本来持つ剥離除去性能を犠牲にして水等を添加しいるものが殆どで、多くの非塩素系有機溶剤型剥離剤が含むＮ−メチル−２−ピロリドンは、不快なアミン臭を持ち、塩基性化合物の存在下では安定でない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】  また、これらの非塩素系溶剤型剥離剤を外壁塗膜等に用いた場合、塗膜表面を急激に溶解する為、剥離剤が滑り落ちてしまう。また、溶解した塗膜は乾燥前の塗料と同一の状態となり、剥離剤の塗布効率及び作業場所への再付着、塗料の廃棄物処理等、全体的な作業効率が著しく低下する。この為、一般的には工場内作業等にて剥離剤に浸漬するような用途に使用されているのみである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】    【課題を解決するための手段】  上記問題点を解決するための本発明の剥離剤は、第１に下記（ア），（イ），（ウ）を含み、且つ実質量の塩素化溶剤を含まない組成物からなることを特徴としている。（ア）９５〜１０ｗ％の下式Ｉのエチレン、プロピレン、ブチレングリコールエーテルエステル                                      Ｏ                                      ‖      Ｒ1Ｏ−（ＣＨ2−ＣＨＲ2Ｏ）ｎ−Ｃ−Ｒ3      （Ｉ）（上式中、Ｒ1は独立にＣ1〜Ｃ4アルキル基でＲ2は独立に水素、メチル、エチルであり、Ｒ3は独立にＣ1〜Ｃ4アルキル基であり、ｎは１〜４である）（イ）０〜３０ｗ％の有機プロトン性溶媒（ウ）５〜８０ｗ％の水  第２に有機プロトン性溶媒が３〜１８個の炭素原子を有するアルコールであることを特徴としている。  第３に塩基性もしくは酸性化合物を含むことを特徴としている。  第４に上記記載の組成物を増粘し、塗布性及び作業性を改善したことを特徴としている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】    【発明の実施の形態】  以下本発明の実施形態につき詳述すると、本発明においては外壁等の塗膜並びにプラスティックタイルの剥離除去に有効な組成物で下記（ア），（イ），（ウ）を含み、且つ実質量の塩素化溶剤を含まない組成物で、その剥離除去効率が良く、あらゆる面で安全性の高い剥離剤及び剥離方法が提供される。（ア）９５〜１０ｗ％の下式Ｉのエチレン、プロピレン、ブチレングリコールエーテルエステル                                      Ｏ                                      ‖      Ｒ1Ｏ−（ＣＨ2−ＣＨＲ2Ｏ）ｎ−Ｃ−Ｒ3      （Ｉ）（上式中、Ｒ1は独立にＣ1〜Ｃ4アルキル基でＲ2は独立に水素、メチル、エチルであり、Ｒ3は独立にＣ1〜Ｃ4アルキル基であり、ｎは１〜４である）（イ）０〜３０ｗ％の有機プロトン性溶媒（ウ）５〜８０ｗ％の水  そして好ましくは、エチレン、プロピレン並びにブチレングリコールエーテルエステルを有効量含有し、不燃化及び適量の溶剤を容易に塗布する為に水を１０％以上添加し、水溶性増粘剤を例えば、天然ポリマー誘導体やポリアクリレートのアルカリ金属塩やアンモニウム塩を用い適当に増粘された剥離剤とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】  式Ｉにおいて、Ｒ1は独立にＣ1〜Ｃ4アルキル基でＲ2は独立に水素、メチルもしくはエチルであり、Ｒ3は独立にＣ1〜Ｃ4アルキル基であり、ｎは１〜４個である。Ｒ1並びにＲ3アルキル基は分枝鎖又は非分枝鎖であってよい。このアルキル基の例は、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソブロピル、ｎ−ブチルもしくはイソブチルである。プロピル及びブチル基のうち、ｎ−プロピル及びｎ−ブチルが浸透と溶解のバランス上好ましい。式Ｉの最も好ましいエチレン、プロピレン並びにブチレングリコールエーテルエステルは、Ｒ1、Ｒ2並びにＲ3がメチルであるものである。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】  備考１）表中の略号は下記の意味を示す。（[表２]においても同じ）          ＭＤＰＧＡＣ…ジプロピレングリコールモノメチルエーテル                        アセテート          ＤＥＧ      …ジエチレングリコール          ＭＤＰＧ    …ジプロピレングリコールモノメチルエーテル          ＮＭＰ      …Ｎ−メチル−２−ピロリドン          ＧＢ        …γ−ブチロラクトン      ２）試験片の塗料がスクレバーにより剥離除去するに十分な軟らかさになった場合        をすべて「○」で表す。「×」は塗布された本発明の組成物又は塗布された比較        溶剤が十分な効果がないことを意味し、「△」はさらに放置すれば除去可能とな        ることを意味する。又、除去可能なものの除去容易性を５段表示し、５を最良と        する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月21日(2005.2.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
地中に埋設される支持棒の先端側に間欠的に螺旋状掘削刃を有する地中アンカにおいて、
前記螺旋状掘削刃の地中に進入する側は、尖鋭に形成されていることを特徴とする地中アンカ。
【請求項２】
地中に埋設される支持棒の先端側に間欠的に螺旋状掘削刃を有する地中アンカにおいて、
前記螺旋状掘削刃の外周は、尖鋭に形成されていることを特徴とする地中アンカ。
【請求項３】
地中に埋設される支持棒の先端側に間欠的に螺旋状掘削刃を有する地中アンカにおいて、
前記螺旋状掘削刃の地中に進入する側及びその螺旋状掘削刃の外周は、尖鋭に形成されていることを特徴とする地中アンカ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１に記載の地中アンカにおいて、前記螺旋状掘削刃の地中に進入する側と反対側は、その螺旋状のピッチよりも大きなピッチとなるように跳ね上がって形成されていることを特徴とする地中アンカ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１に記載の地中アンカにおいて、螺旋状掘削刃の螺旋状のピッチは、前記支持棒の先端側へ向かって漸次小さくなるように形成されていることを特徴とする地中アンカ。
【請求項６】
地中に埋設される支持棒の先端側に螺旋状掘削刃を有する地中アンカにおいて、
前記支持棒の先端には、切込刃を有するドリル部を設けたことを特徴とする地中アンカ。
【請求項７】
請求項６に記載の地中アンカにおいて、ドリル部の上部の前記支持棒には、その支持棒の直径よりも小さくなるくびれ部を設けたことを特徴とする地中アンカ。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１に記載の地中アンカにおいて、支持棒及び螺旋状掘削刃は、鋳造により一体構造であることを特徴とする地中アンカ。
【請求項９】
請求項８に記載の地中アンカにおいて、地中アンカは、球状黒鉛鋳鉄で鋳造され、焼入れ後、上部ベイナイト処理をされたものであることを特徴とする地中アンカ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る地中アンカは、上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、地中に埋設される支持棒の先端側に間欠的に螺旋状掘削刃を有する地中アンカにおいて、前記螺旋状掘削刃の地中に進入する側は、尖鋭に形成されていることを特徴としている。
本発明の請求項２に記載の地中アンカは、地中に埋設される支持棒の先端側に間欠的に螺旋状掘削刃を有する地中アンカにおいて、前記螺旋状掘削刃の外周は、尖鋭に形成されていることを特徴としている。
本発明の請求項３に記載の地中アンカは、地中に埋設される支持棒の先端側に間欠的に螺旋状掘削刃を有する地中アンカにおいて、前記螺旋状掘削刃の地中に進入する側及びその螺旋状掘削刃の外周は、尖鋭に形成されていることを特徴としている。
本発明の請求項４に記載の地中アンカは、螺旋状掘削刃の地中に進入する側と反対側は、その螺旋状のピッチよりも大きなピッチとなるように跳ね上がって形成されていることを特徴としている。
本発明の請求項５に記載の地中アンカは、螺旋状掘削刃の螺旋状のピッチは、前記支持棒の先端側へ向かって漸次小さくなるように形成されていることを特徴としている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る地中アンカは、上記目的を達成するために、請求項６に記載の発明は、地中に埋設される支持棒の先端側に螺旋状掘削刃を有する地中アンカにおいて、前記支持棒の先端には、切込刃を有するドリル部を設けたことを特徴としている。
本発明の請求項７に記載の地中アンカは、ドリル部の上部の前記支持棒には、その支持棒の直径よりも小さくなるくびれ部を設けたことを特徴としている。
本発明の請求項８に記載の地中アンカは、支持棒及び螺旋状掘削刃は、鋳造により一体構造であることを特徴としている。
本発明の請求項９に記載の地中アンカは、地中アンカは、球状黒鉛鋳鉄で鋳造され、焼入れ後、上部ベイナイト処理をされたものであることを特徴としている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
この地中アンカａは、球状黒鉛鋳鉄で鋳造され、恒温で９００〜９３０℃×１．０〜１．５Ｈｒの焼入れをした後、恒温で３７０〜３８０℃×１．０〜１．５Ｈｒの塩浴（熱浴）による上部ベイナイト処理（上部ベイナイト組織を得るための焼戻し処理）が施されている。したがって、この地中アンカａは、硬度が高く、地盤Ｇが堅くとも優れた掘削機能を有することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
頭部２のねじ穴３及び貫通孔５は、鋳造後、機械加工により作られる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
【発明の効果】
本発明の請求項１に係る地中アンカは、掘削刃の地中に進入する側が尖鋭に形成されているので、小さな回転力で地中に進入することができ、比較的小型の回転機械を用いて効率よく埋設することができる。
本発明の請求項２に係る地中アンカは、掘削刃の外周が尖鋭に形成されているので、小さな回転力で地中に進入することができ、比較的小型の回転機械を用いて効率よく埋設することができる。
本発明の請求項３に係る地中アンカは、掘削刃の地中に進入する側及びその掘削刃の外周が尖鋭に形成されているので、より小さな回転力で地中に進入することができ、比較的小型の回転機械を用いて効率よく埋設することができる。
本発明の請求項４に係る地中アンカは、掘削刃の地中に進入する側と反対側をその螺旋状のピッチよりも大きなピッチとなるように跳ね上がって形成したので、掘削刃の回転抵抗を小さくすることができる。
本発明の請求項５に係る地中アンカは、掘削刃の螺旋状のピッチを先端側に向かって漸次小さくなるように形成したので、小さな回転力で埋設することができ、しかも、無排土工法を効果的に実現することができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
本発明の請求項６に係る地中アンカは、支持棒の先端に切込刃を有するドリル部を設けたので、地盤が堅くとも容易に掘削して埋設することができる。
本発明の請求項７に係る地中アンカは、ドリル部の上部の支持棒に、その支持棒の直径よりも小さくなるくびれ部を設けているので、ドリル部の排土を受入れて、地中アンカの進入を容易にすることができる。
本発明の請求項８に係る地中アンカは、支持棒及び掘削刃が鋳造により一体構造を有するので、安価に製造することができる。
本発明の請求項９に係る地中アンカは、球状黒鉛鋳鉄で鋳造され、焼入れ後、上部ベイナイト処理をされたものであるので、硬度を高いから、地盤が堅くとも対処することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月11日(2005.4.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
杭を地盤に圧入するに際し、ケーシング付きアースオーガで杭を圧入する部分や圧入部近傍を掘削して杭を圧入する杭圧入装置であって、
上記杭を掴むチャックと、該チャックを昇降させることにより杭の圧入を可能とする杭昇降手段とを備え、かつ、上記チャックに、上記アースオーガのケーシングを掴むケーシングチャックが備えられ、さらに、上記チャックとは別の位置に、上記ケーシングチャックに掴まれるケーシングを掴んで支持するケーシング支持部が設けられていることを特徴とする杭圧入装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明の請求項１記載の杭圧入装置は、杭を地盤に圧入するに際し、ケーシング付きアースオーガで杭を圧入する部分を掘削して杭を圧入するものであり、上記杭を掴むチャックと、該チャックを昇降させることにより杭の圧入を可能とする杭昇降手段とを備え、かつ、上記チャックに、上記アースオーガのケーシングを掴むケーシングチャックが備えられ、さらに、上記チャックとは別の位置に、上記ケーシングチャックに掴まれるケーシングを掴んで支持するケーシング支持部が設けられていることを特徴とする。
上記構成によれば、アースオーガのケーシングを掴んだケーシングチャックを備えるチャックの杭昇降手段による上昇と、ケーシングチャックからケーシングを放し、かつ、ケーシング支持手段でケーシングを掴んで支持した状態での杭昇降手段の下降による元の位置への復帰とを繰り返すことで、クレーンを使わずにアースオーガを引き抜くことができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の請求項２記載の杭圧入装置は、上記ケーシング支持部が、上記ケーシングを掴む支持チャックと、該支持チャックを昇降する支持チャック昇降手段とを備えていることを特徴とする。
上記構成によれば、杭昇降手段を復帰させる際に、ケーシング支持部の支持チャックでケーシングを掴んでアースオーガを支持するとともに、支持チャックを支持チャック昇降手段で上昇させることにより、杭昇降手段の復帰中もアースオーガを引き上げることができるので、ほぼ連続してアースオーガを引き上げることができ、ケーシングの引抜時間をさらに短縮することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月9日(2005.8.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１２】
多孔質粒子が水酸基価３００ＫＯＨｍｇ／ｇ以下の濃度で水酸基を有する請求項４記載の金属板貼合せ成形加工用ポリエステルフィルム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月7日(2005.1.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
一端が車体に回動可能に取り付けられている荷台と、
車体に回動可能に取り付けられている荷台ダンプ用シリンダと、
前記シリンダの先端と荷台との間に回動可能に連結されているリンクを備え、
前記荷台は、水平位置から傾斜ダンプ位置を経て起立ダンプ位置までの間を回動するように設けられ、
前記シリンダは、リンクを介して荷台を水平位置と傾斜ダンプ位置との間で回動させ、その最伸長状態で荷台を傾斜ダンプ位置に保持するように設けられ、
前記リンクは、荷台が水平位置から傾斜ダンプ位置に回動する間は荷台に固定され、傾斜ダンプ位置から起立ダンプ位置に回動する時にシリンダ及び荷台との連結角度を開く方向に回動するように設けられていることを特徴とした動力運搬車の荷台ダンプ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
請求項１記載の動力運搬車の荷台ダンプ装置において、前記車体が該車体の一部を占めて固定された固定荷台を有しており、前記荷台ダンプ用シリンダで回動する荷台は前記固定荷台の車体に対する空き部分の少くとも一部に配置されていることを特徴とする動力運搬車の荷台ダンプ装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
請求項２記載の動力運搬車の荷台ダンプ装置では、請求項１記載の動力運搬車の荷台ダンプ装置において、前記車体が該車体の一部を占めて固定された固定荷台を有しており、前記荷台ダンプ用シリンダで回動する荷台は前記固定荷台の車体に対する空き部分の少くとも一部に配置されている構成とした。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
この実施の形態では、シリンダ５で回動する荷台３の前後に固定荷台３ａ，３ｂを配置しており、長尺な木材を積み降しする場合、支持柱４４を外して荷台３を上に回動させるだけで一気に荷降しすることができる。この場合、荷台３は木材の略重心位置を持上げることになるから、木材の前後のバランスをくずすことなく、安全に荷降しすることができる。
クローラ装置の主要部分のみを空けるようにしているから、荷台全体を可動部とするより部材も軽量なものが使用できて経済的であり、また人手による回動も手軽く行うことができる利点がある。