Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月23日(2004.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式、ＬｉＮｉxＣｏyＭzＯ2（但し、Ｍは、Ａｌ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｍｇ及びＣｒから選ばれる少なくとも１種の元素、０．９５≦ｘ+ｙ+ｚ≦１．０５、０．５≦ｘ≦０．９、０．０５≦ｙ≦０．３、０≦ｚ≦０．２）で表され、且つ、ＣｕＫα線を使用した粉末Ｘ線回折の、２θ＝６５±１°における（１１０）面に基づく回折ピークの半値幅が、０．１３〜０．２０°であるリチウム含有複合酸化物からなるリチウム二次電池用正極活物質の製造方法であって、ニッケルとコバルトを含む塩若しくは共沈物、又はニッケルとコバルトと元素Ｍを含む塩若しくは共沈物と、リチウム化合物との混合物、又はリチウム化合物と元素Ｍを含む化合物との混合物を、４３０〜５３０℃で前段焼成し、次いで、７００〜８５０℃で後段焼成することを特徴とするリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項２】
前段焼成の降温速度が２００〜６００℃／時である請求項１記載のリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項３】
後段焼成の降温速度が１００〜５００℃／時である請求項１又は２記載のリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項４】
少なくとも後段焼成が、ローラーハースキルンにて行われる請求項１、２又は３記載のリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
かくして、本発明は、一般式、ＬｉＮｉxＣｏyＭzＯ2（但し、Ｍは、Ａｌ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｍｇ及びＣｒから選ばれる少なくとも１種の元素、０．９５≦ｘ+ｙ+ｚ≦１．０５、０．５≦ｘ≦０．９、０．０５≦ｙ≦０．３、０≦ｚ≦０．２）で表され、且つ、ＣｕＫα線を使用した粉末Ｘ線回折の、２θ＝６５±１°における（１１０）面に基づく回折ピークの半値幅が、０．１３〜０．２０°であるリチウム含有複合酸化物からなるリチウム二次電池用正極活物質の製造方法であって、ニッケルとコバルトを含む塩若しくは共沈物、又はニッケルとコバルトと元素Ｍを含む塩若しくは共沈物と、リチウム化合物との混合物、又はリチウム化合物と元素Ｍを含む化合物との混合物を、４３０〜５３０℃で前段焼成し、次いで、７００〜８５０℃で後段焼成することを特徴とするリチウム二次電池用正極活物質の製造方法にある。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
本発明では、上記特定の一般式及び特定のＸ線回折ピークの半値幅を有するリチウム含有複合酸化物は、以下のようにして製造する。即ち、ニッケルとコバルトを含む塩若しくは共沈物、又はニッケルとコバルトと元素Ｍを含む塩若しくは共沈物と、リチウム化合物との混合物、又はリチウム化合物と元素Ｍを含む化合物との混合物を、４３０〜５３０℃で前段焼成し、次いで、７００〜８５０℃で後段焼成する。上記において、リチウム複合酸化物に元素Ｍが含まれない場合（ｚ＝０のとき）には、ニッケルとコバルトを含む塩若しくは共沈物とリチウム化合物との混合物が焼成される。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
また、本発明で、前段焼成は、上記焼成温度における保持時間が、０．３〜３時間であるのが好ましく、特には０．５〜２時間が適切である。また、前段焼成における降温速度(焼成温度から２００℃まで炉の温度が降下する速度)は、２００〜６００℃／時が好ましく、特には、３００〜５００℃／時が適切である。前段焼成時間が０．３時間未満であるとニッケル、コバルトを主体とする粉末とリチウム化合物との反応が不十分であり、得られたリチウム含有複合酸化物を正極活物質として用いたリチウム二次電池の初期容量が低下するので好ましくない。一方、焼成時間が３時間を超えると、電池の生産性が低下するので好ましくない。前段焼成では、その昇温速度がほとんど影響を及ぼさないのに対して、この降温速度が２００℃／時未満であるとリチウム含有複合酸化物の結晶径が大きくなり好ましくない。一方、降温速度が６００℃／時を超えると、大規模生産においては急速冷却設備を必要とするので設備費、ランニングコストが高くなるので好ましくない。更に、本発明で、後段焼成は、上記焼成温度での保持時間が１〜４時間であるのが好ましく、特には、１〜２．５時間が適切である。また、後段焼成における降温速度（焼成温度から２００℃まで炉の温度が降下する速度）は、１００〜５００℃／時が好ましく、特には、２００〜４００℃／時が適切である。上記焼成時間が１時間未満であるとニッケル、コバルトを主体とする粉末とリチウム化合物とのリチウムを含む層状構造への転化反応が不十分であるので好ましくない。一方、上記焼成時間が４時間を超えた場合、結晶が成長する結果、得られたリチウム含有複合酸化物の正極活物質としての性能が低下し、またリチウム含有複合酸化物の生産性が低下するので好ましくない。後段焼成でも、その昇温速度がほとんど影響を及ぼさないのに対して、この降温速度が１００℃／時未満であるとリチウム含有複合酸化物の結晶径が大きくなる。一方、降温速度が３００℃／時以上を超えると、大規模生産においては急速冷却設備を必要とするので設備費、ランニングコストが高くなるので好ましくない。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５６】
【発明の効果】
本発明によれば、高い初期電池容量、高い放電平均電圧、優れた充放電サイクル耐久性および高い安全性をいずれも満足するリチウム二次電池の正極活物質として使用されるリチウム含有複合酸化物が、低コストで、効率的な製造方法にて提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月19日(2004.5.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
背板とこの背板に直交するように固着されたベースとからなる基台と、この基台に固着された１本以上の板状の接点ばね片とからなる検出スイッチにおいて、
上記接点ばね片は、
上記基台の上記背板と固着された取付板部と、
この取付板部の一端に延設された撓みばね部と、
この撓みばね部の一端に延設されるとともに、上記背板の前面に突出するように形成されたＵ形のＵ形ばね部と、
このＵ形ばね部に一端が延設されるとともに、ＤＶＣその他のカセット類、ＦＤその他のディスク類等の対象体との接点が頂点となるように、かつ上記背板の前面に突出するように山形に形成され、更に、他端が上記ベースのスリットに挿入されるように形成された接点部と
からなることを特徴とする検出スイッチ。
【請求項２】
上記Ｕ形ばね部、接点部の板幅若しくは太さを上記取付板部より小に形成したこと
を特徴とする請求項１記載の検出スイッチ。
【請求項３】
上記接点部の板幅若しくは太さをＵ形ばね部と同じに若しくはＵ形ばね部よりも小に形成したこと
を特徴とする請求項１又は２記載の検出スイッチ。
【請求項４】
上記撓みばね部は、
上記Ｕ形ばね部と同じ板幅若しくは太さに形成されるとともに、上記取付板部との長さ比を略２：１に形成されること
を特徴とする請求項１乃至３いずれか１項に記載の検出スイッチ。
【請求項５】
上記基台の上記背板上端には係止凹部が設けられるとともに、この係止凹部に上記Ｕ形ばね部の上端が係合されたこと
を特徴とする請求項１乃至４いずれか１項に記載の検出スイッチ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
即ち、本発明は、背板とこの背板に直交するように固着されたベースとからなる基台と、この基台に固着された１本以上の板状の接点ばね片とからなる検出スイッチにおいて、上記接点ばね片は、上記基台の上記背板と固着された取付板部と、この取付板部の一端に延設された撓みばね部と、この撓みばね部の一端に延設されるとともに、上記背板の前面に突出するように形成されたＵ形のＵ形ばね部と、このＵ形ばね部に一端が延設されるとともに、ＤＶＣその他のカセット類、ＦＤその他のディスク類等の対象体との接点が頂点となるように、かつ上記背板の前面に突出するように山形に形成され、更に、他端が上記ベースのスリットに挿入されるように形成された接点部とからなることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明において、上記Ｕ形ばね部、接点部の板幅若しくは太さを上記取付板部より小に形成したことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、請求項３の発明は、請求項１又は２記載の発明において、上記接点部の板幅若しくは太さをＵ形ばね部と同じに若しくはＵ形ばね部よりも小に形成したことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、請求項４の発明は、請求項１乃至３いずれか１項に記載の発明において、上記撓みばね部は、上記Ｕ形ばね部と同じ板幅若しくは太さに形成されるとともに、上記取付板部との長さ比を略２：１に形成されることを特徴とする。
また、請求項５の発明は、請求項１乃至４いずれか１項に記載の発明において、上記基台の上記背板上端には係止凹部が設けられるとともに、この係止凹部に上記Ｕ形ばね部の上端が係合されたことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月19日(2005.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】板状の基体と、
前記基体表面に互いに絶縁した状態で配置され、第１の電圧が印加される第１の電極と、前記第１の電圧とは異なる第２の電圧が印加される第２の電極とを有することを特徴とする吸着装置。
【請求項２】前記吸着装置の前記第１、第２の電極が配置された表面に基板を配置すると、前記基板は前記第１、第２の電極と接触するように構成されたことを特徴とする請求項１記載の吸着装置。
【請求項３】前記第１、第２の電極間には、絶縁性の突部が配置されたことを特徴とする請求項１記載の吸着装置。
【請求項４】前記基体の表面と前記第１、第２の電極の表面とは同一平面に構成されたことを特徴とする請求項１記載の吸着装置。
【請求項５】前記第１、第２の電極表面には保護膜が形成されたことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の吸着装置。
【請求項６】前記第１、第２の電極間の間隔は２ｍｍ以下にされたことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の吸着装置。
【請求項７】前記第１、第２の電極の幅は４ｍｍ以下にされたことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の吸着装置。
【請求項８】前記第１の電極と前記第２の電極とが複数本配置された吸着装置であって、前記第１の電極と前記第２の電極とが交互に配置された領域を有していることを特徴とする請求項１乃至請求項７のいずれか１項記載の吸着装置。
【請求項９】前記第１、第２の電圧とは異なる第３の電圧が印加される第３の電極を有することを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の吸着装置。
【請求項１０】真空槽を有し、該真空槽内に請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載の吸着装置が配置された真空処理装置。
【請求項１１】電源を有し、該電源により、少なくとも前記第１、第２の電極間に１．０×１０6Ｖ／ｍ以上の電界を形成できるように構成されたことを特徴とする請求項１０記載の真空処理装置。
【請求項１２】前記吸着装置周囲に保護板が配置され、前記吸着装置上に基板を配置すると、前記基板は前記保護板内に収容されるように構成されたことを特徴とする請求項１０又は請求項１１のいずれか１項記載の真空処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
この請求項１記載の吸着装置の場合には、請求項２に記載したように、前記吸着装置の前記第１、第２の電極が配置された表面に基板を配置すると、前記基板は前記第１、第２の電極と接触するように構成することができる。
また、請求項１記載の吸着装置の場合には、請求項３に記載したように、前記第１、第２の電極間に、絶縁性の突部を配置することができる。
更にまた、請求項１記載の吸着装置の場合には、請求項４に記載したように、前記基体の表面と前記第１、第２の電極の表面とを同一平面に構成することもできる。
他方、請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載の吸着装置については、請求項５に記載したように、前記第１、第２の電極表面に保護膜を形成しておくこともできる。
この保護膜が導電性を有している場合には、導電性保護膜が電極の上のみを覆うか、又は両電極が短絡しないように保護膜を付けると、第１、第２の電極は露出しているのと同じ状態であり、保護膜が絶縁性の場合は第１、第２の電極表面は露出しなくなる。この場合、保護膜はＰＶＤ、ＣＶＤ、イオン注入などによって形成でき、その厚さは吸着力を低下させないために５００μｍ以下が望ましい。
請求項１乃至請求項５のいずれか１項記載の吸着装置の場合には、請求項６に記載したように、前記第１、第２の電極間の間隔は２ｍｍ以下にしておくとよい。
また、請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の吸着装置については、請求項７に記載したように、前記第１、第２の電極の幅を４ｍｍ以下にしておくことができる。
また、請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載された吸着装置が、前記第１の電極と前記第２の電極とが複数本配置されている場合には、請求項８に記載したように、前記第１の電極と前記第２の電極とを交互に配置する領域を設けることができる。
更に、請求項１乃至請求項８のいずれか１項記載の吸着装置については、請求項９に記載したように、前記第１、第２の電圧とは異なる第３の電圧が印加される第３の電極を設けることができる。
他方、真空槽を有する真空処理装置の場合、該真空槽内に請求項１乃至請求項９のいずれか１項記載の吸着装置を配置し、請求項１０に記載した真空処理装置を構成することができる。
この場合、請求項１１に記載したように、電源を設け、該電源により、少なくとも前記第１、第２の電極間に１．０×１０6Ｖ／ｍ以上の電界を形成できるように構成することができる。
また、請求項１０又は請求項１１のいずれか１項記載の真空処理装置については、請求項１２に記載したように、前記吸着装置周囲に保護板を配置し、前記吸着装置上に基板を配置すると、前記基板は前記保護板内に収容されるように構成することができる。
この真空処理装置では、基板裏面と吸着装置の間に形成される隙間内にプラズマが侵入しないので、電極間が短絡するおそれはない。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月30日(2004.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板の表層部に選択的に島状に複数形成された前記第１導電型とは逆導電型である第２導電型の第１のウエル領域、前記第１のウエル領域中に選択的に島状に形成された第１導電型の第２のウエル領域および少なくとも前記第２のウエル領域に形成された機能回路を含む２個のチップと、
前記２個のチップのそれぞれの裏面同士を接着した導電性接着剤
とを具備することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
チップ間分離領域を介して隣接する複数のチップ領域を単位とする２個のチップと、
前記２個のチップのそれぞれの裏面同士を接着した導電性接着剤
とを具備し、前記各チップ領域は、第１導電型の半導体基板の表層部に前記第１導電型とは逆導電型である第２導電型の第１のウエル領域が選択的に島状に複数形成され、前記第１のウエル領域中に第１導電型の第２のウエル領域が選択的に島状に形成され、少なくとも前記第２のウエル領域に機能回路が形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
前記接着により積層されたチップがアセンブリされる印刷配線部材をさらに有ることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体集積回路装置。
【請求項４】
前記接着により積層されたチップは、その片面側の接続端子は前記印刷配線部材上にフリップチップ方式により接続固定されており、その他面側の接続端子はボンディングワイヤーにより前記印刷配線部材上の接続端子に接続されており、
前記印刷配線部材は、前記チップがアセンブリされた面とは反対面側に外部端子が設けられており、
前記接着により積層されたチップ、印刷配線部材およびボンディングワイヤーは絶縁樹脂により封止されていることを特徴とする請求項３記載の半導体集積回路装置。
【請求項５】
前記印刷配線部材は前記接着により積層されたチップを１個搭載し、前記印刷配線部材のサイズは前記チップのサイズより若干大きめであり、チップサイズパッケージを有することを特徴とする請求項３又は４記載の半導体集積回路装置。
【請求項６】
前記印刷配線部材は、前記接着により積層されたチップを複数個搭載したことを特徴とする請求項３又は４記載の半導体集積回路装置。
【請求項７】
第１導電型の半導体基板の表層部に選択的に島状に複数形成された前記第１導電型とは逆導電型である第２導電型の第１のウエル領域、前記第１のウエル領域中に選択的に島状に形成された第１導電型の第２のウエル領域および少なくとも前記第２のウエル領域に形成された機能回路を含むチップ領域を少なくとも１個有する第１、第２および第３のチップと、
前記第１および第２のチップのそれぞれの裏面同士を接着した導電性接着剤と、
前記接着により積層された第１のチップの片面側と前記第３のチップの片面側とをフリップチップ方式により接続固定したフリップチップ接続部と、
前記第３のチップの他面側がアセンブリされた印刷配線部材と、
前記印刷配線部材およびその上にアセンブリされた三層積層構造のチップを収容し、前記第２のチップの他面側および前記印刷配線部材上の接続端子に選択的かつ電気的に接続される複数の外部端子を有するパッケージ
とを具備することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項８】
第１導電型の半導体基板の表層部に選択的に島状に複数形成された前記第１導電型とは逆導電型である第２導電型の第１のウエル領域、前記第１のウエル領域中に選択的に島状に形成された第１導電型の第２のウエル領域および少なくとも前記第２のウエル領域に形成された機能回路を含むチップ領域を少なくとも１個有する第１および第２のチップと、
前記第１および第２のチップのそれぞれの裏面同士を接着する導電性接着剤と、
前記第１のチップの他面側と印刷配線部材とをフリップチップ方式により接続するフリップチップ接続部と、
前記第２のチップの他面側に搭載された少なくとも１つの電子部品と、
前記印刷配線部材およびその上にアセンブリされた前記第１、第２のチップおよび前記少なくとも１つの電子部品を収容し、複数の外部端子を有するパッケージ
とを具備することを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項９】
前記少なくとも１つの電子部品は、コンデンサ、インダクタンス、抵抗、発振回路、デコーダ回路のいずれかであることを特徴とする請求項８記載の半導体集積回路装置。
【請求項１０】
前記複数の第１のウエル領域中にそれぞれ形成された機能回路は、不揮発性メモリ回路、アナログ回路、デジタル回路、デジタル／アナログ変換回路、スタティック型メモリ回路、ダイナミック型メモリ回路のうち、少なくとも２つを含むことを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１１】
前記複数の第１のウエル領域中にそれぞれ形成された機能回路は、全体としてメモリ回路を構成していることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の半導体集積回路装置。
【請求項１２】
それぞれ請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の複数個の半導体集積回路装置と、
前記複数個の半導体集積回路装置を片面側に実装した印刷配線基板
とを具備することを特徴とするシステム基板。
【請求項１３】
それぞれ請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の複数個の半導体集積回路装置と、
前記複数個の半導体集積回路装置を両面に実装した印刷配線基板
とを具備することを特徴とするシステム基板。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月30日(2005.8.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
これらの共重合体中には、さらにカルボキシル基、水酸基、塩素基、エポキシ基、ジエン基、イソシアネート基、アミン基、アミド基、オキサゾリン基等を有する架橋性基含有(メタ)アクリレートを共重合させることが好ましい。架橋性基含有(メタ)アクリレートをさらに共重合させたα-オレフィン-アルキル(メタ)アクリレート共重合体の場合には、α-オレフィンを約10〜69.9モル％、アルキル(メタ)アクリレートを約10〜69.5モル％、架橋性基含有(メタ)アクリレートを約0.5〜10モル％共重合させた組成を有するものが用いられ、かかる共重合体は本質的に非結晶性で、ガラス転移温度Tgが室温以下である。また、このようなアクリルゴム共重合体の例は、下記非特許文献1にも記載されている。
【非特許文献１】Rubber World Blue Book 第393〜4頁(1987)
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
また、このような架橋性基を有する(メタ)アクリレート共重合体を用いることもでき、(メタ)アクリレートとしては、一般的にアルキル(メタ)アクリレートまたはそれとアルコキシアルキル(メタ)アクリレートを主成分とするアクリルゴムに用いられているものがそのまま用いられる。アルコキシアルキル(メタ)アクリレート共重合体に関しては、架橋性基含有(メタ)アクリレートが約0.5〜10モル％で、残りがアルキル(メタ)アクリレートとアルコキシアルキル(メタ)アクリレートの任意の共重合組成を有するものが用いられる。さらに、エチレン-マレイン酸モノアルキルエステル等を用いることもできる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月23日(2005.8.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上述のいわゆる燃焼室片勾配が引き起こすエンジン部品内の反りを少なくするために、多気筒エンジンのための多層式シリンダヘッドガスケットについては、既に、上記ガスケットプレートの長手側端部領域に支持デバイスが設けられている。このような支持デバイスがあるために、ガスケット要素の材料の厚さ（ガスケットプレート面と直交する方向に測定した厚さ）を合計したものは、所定の箇所、即ち支持デバイスの場所で大きくなる。２つのシートメタル外層（カバー層）を備えた３層式金属製シリンダヘッドガスケットには、シール対象である上記孔を包囲するシーリングビード、及び前記カバー層の間に配された担持シートメタル層が設けられる。このような３層式金属製シリンダヘッドガスケットについては、担持シートメタル層の打ち抜きに際し、前記担持シートメタル層と接続されたシートメタル舌が打ち抜かれ、そのまま担持シートメタル層上に折り返される。このため、シートメタル舌の場所では、シートメタルの厚さが結果として倍になる。この３層式シリンダヘッドガスケットの一実施例では、結果的に作られる上記支持デバイスは、上記ガスケットプレートの長手側端部の近傍に配置される。上記タイプのシートメタル舌は、シートメタル層の周りに置かれるか、その上に折り返される。しかし、このようなシートメタル舌は、製造工程上の問題と完全に無縁ではない。即ち、シートメタル舌が折り返す前にシートメタル層の周囲から実際にはみ出ていると、多くの材料が必要になるだけでなく、このようなシートメタル舌をいわゆるフォローオン工具で折り返す処理が必ずしも確実には行われない。
【特許文献１】米国特許第5,199,723号
【特許文献２】米国特許第5,427,389号
【特許文献３】米国特許第5,478,092号
【特許文献４】米国特許第6,036,195号
【特許文献５】米国特許第6,769,696号
【特許文献６】米国特許第6,814,357号
【特許文献７】ドイツ特許第100 60 872-A1号
【特許文献８】ドイツ特許第196 41 491-A1号
【特許文献９】欧州特許第0 780 604-A1号
【非特許文献１】New MLS Technology, MTZ 10/2001
【非特許文献２】Enhanced Functionality for Cylinder Head Gaskets, MTZ 10/2003
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月26日(2004.2.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】端面研磨装置及び端面研磨方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
棒状部材の端面を研磨シートに押付けて研磨する端面研磨装置において、
前記研磨シートを保持する研磨盤と、
前記棒状部材を複数本を一方向に所定間隔で保持して前記研磨シートに付勢する保持手段と、
前記研磨盤に回転自在に連結された円盤の中心から所定距離だけ偏心した位置に固着された偏心軸が、旋回用モータと前記研磨盤に接続するプーリーと、
前記プーリーに接続する前記旋回用モータに接続され、前記研磨盤と前記保持手段とを前記研磨シートの向きを一定に保持したまま所定の半径で相対的に旋回させる旋回手段と、
研磨盤が載置された旋回部と別に基板に固定されたラックが、研磨盤をスライドさせるモータの回転軸先端方向に到着されたピニオンに接続され、前記研磨盤と前記保持手段とを相対的に直線移動させる移動手段とを有することを特徴とする端面研磨装置。
【請求項２】
前記旋回手段が旋回方向を反転する反転手段を有することを特徴とする請求項1に記載の端面研磨装置。
【請求項３】
当該複数の棒状部材の間隔を、前記研磨盤の旋回半径に対して所定の関係になるように設定し、前記棒状部材のそれぞれの研磨軌跡を互いに重ねることにより前記研磨シートを平均的に使用するようにしたことを特徴とする請求項1または２に記載の端面研磨装置。
【請求項４】
前記研磨シートと前記研磨盤との間に、弾性材シートを有する請求項1〜３のいずれか1項に記載の端面研磨装置。
【請求項５】
棒状部材の端面を研磨シートに押付けて研磨する端面研磨装置において、
前記研磨シートを保持する研磨盤と、
前記棒状部材を複数本を一方向に所定間隔で保持して前記研磨シートに付勢する保持手段と、
前記研磨盤と前記保持手段とを前記研磨シートの向きを一定に保持したまま所定の半径で相対的に旋回させる旋回手段と、
前記研磨盤と前記保持手段とを相対的に直線移動させる移動手段とを有し、
前記複数の棒状部材の間隔を、前記研磨盤の旋回半径の２倍以下の距離に設定することを特徴とする端面研磨装置。
【請求項６】
棒状部材の端面を研磨シートに押付けて研磨する端面研磨方法において、
前記研磨シートが固定された研磨盤と前記棒状部材とを当該研磨盤の向きを変えないで所定の旋回半径で相対的に旋回させながら、当該研磨盤と前記棒状部材とを一方向に相対的に直線移動させて、前記棒状部材の端面研磨を行う端面研磨方法であって、
複数の前記棒状部材を所定方向に所定間隔で複数個配列し、前記相対的な直線移動の方向が前記所定方向に対して直交する方向であり、前記複数の棒状部材の間隔を、前記研磨盤の旋回半径の２倍以下の距離に設定することを特徴とする端面研磨方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月11日(2004.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子ネットワークにおいて自動的に分割およびセグメントへのポートの配分を行なう装置であって、
複数の前記ポートを含む装置と、
前記複数のポートを分割し、任意のポートを、任意のセグメントに割り当て、セグメント間でポートを移動することができる機構と、
電力立ち上げ手順の間、前記装置上の複数のポートを、所定のポート割り当て手順に従って、異なるセグメントに分割する機構であって、セグメントそれぞれは、前記装置によって取り扱われる分離した衝突ドメインである機構
とを有する装置。
【請求項２】
前記所定のポート割り当て手順は、前記複数のポートそれぞれを、異なるセグメントに、連続した順番に割り当てる
請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記所定のポート割り当て手順は、利用可能なセグメントを前記ポート上にネットワークトラフィックが現われる順序で巡回することにより、前記複数のポートそれぞれを、前記異なるセグメントに割り当てる
請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記所定のポート割り当て手順は、利用可能なセグメントに、前記ポートをランダムに割り当てる
請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記所定のポート割り当て手順は、交渉機構を用いて、前記ポートの前記セグメントへの割り当てを決定する
請求項１に記載の装置。
【請求項６】
電子ネットワークにおいて、自動的に分割およびセグメントへのポートの配分を行なう方法であって、
複数の前記ポートを含む装置を設けるステップと、
前記複数のポートを分割し、任意のポートを、任意のセグメントに割り当て、セグメント間でポートを移動することができる機構を設けるステップと、
電力立ち上げ手順の間、前記装置上の複数のポートを、所定のポート割り当て手順に従って、異なるセグメントに分割するステップであって、セグメントそれぞれは、前記装置によって取り扱われる分離した衝突ドメインであるステップと
を有する方法。
【請求項７】
前記所定のポート割り当て手順は、前記複数のポートそれぞれを、異なるセグメントに、連続した順番に割り当てる
請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記所定のポート割り当て手順は、利用可能なセグメントを前記ポート上にネットワークトラフィックが現われる順序で巡回することにより、前記複数のポートそれぞれを、前記異なるセグメントに割り当てる
請求項６に記載の方法。
【請求項９】
前記所定のポート割り当て手順は、利用可能なセグメントに、前記ポートをランダムに割り当てる
請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記所定のポート割り当て手順は、交渉機構を用いて、前記ポートの前記セグメントへの割り当てを決定する
請求項６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月21日(2004.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の側にランド・グリッド・アレイを備え第１の側とは反対の側に対応する信号ビア・パッドのパターンを備えたプリント回路基板に、集積回路を取り付けるのための機構であって、
絶縁材料の背板と、
前記集積回路に対して背板を位置合わせし、かつプリント回路基板の第１の側に向かって第１の方向に前記集積回路を前記プリント回路基板に対して押しつけるとともに、背板を前記プリント回路基板の反対の側に対して第１の方向とは逆方向に押しつける圧縮力を生じる複数の締め付け具と、
前記絶縁材料の背板に開設され、各穴が個々の前記信号ビア・パッドと整列している複数の穴と、を備え、
前記背板が複数の締め付け具により位置決めされることを特徴とする機構。
【請求項２】
絶縁材料がポリアミドであることを特徴とする請求項１に記載の機構。
【請求項３】
前記背板の表面のうちの取り付けられた時に見える側に前記ランド・グリッド・アレイにおける信号ピンの位置を識別する標識が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の機構。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月22日(2004.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層プリント回路基板における電源面と接地面によって形成される放射状伝送線路に伝搬する過渡電磁エネルギの量を低減させる方法であって、
プリント回路基板の周辺に間隔をあけて複数の分離したＡＣ結合抵抗終端（１１、１２、１３、１４）を配置するステップを含み、
ＡＣ結合終端の抵抗成分（１１、１３）が放射状伝送線路の特性インピーダンスに近似されていることを特徴とする方法。
【請求項２】
複数のエッジを備えた多層プリント回路基板における電源面と接地面によって形成される放射状伝送線路に伝搬する過渡電磁エネルギの量を低減させる方法であって、
プリント回路基板の各エッジに沿って分布したＡＣ結合抵抗終端を配置するステップを含み、
各分布したＡＣ結合終端が、少なくとも放射状伝送線路の特性インピーダンスと略整合することを特徴とする方法。
【請求項３】
多層プリント回路基板アセンブリにおいて、
電源面と、電源面に隣接した接地面とを有する多層プリント回路基板と、
プリント回路基板の周辺に沿って間隔をあけて配置されている、一方の端部が電源面に結合されもう一方の端部が接地面に結合された複数の直列抵抗・コンデンサ回路と、を備え、
前記回路の抵抗成分が、電源面と接地面によって形成される放射状伝送線路の特性インピーダンスに近似していることを特徴とする、多層プリント回路基板アセンブリ。
【請求項４】
多層プリント回路基板アセンブリにおいて、
電源面と、電源面に隣接した接地面とを有する多層プリント回路基板と、
プリント回路基板のエッジに沿って分布して配置されているＡＣ結合終端と、
電源面と接地面によって形成される放射状伝送線路の特性インピーダンスに略整合する、分布した前記ＡＣ結合終端の抵抗と、を備えることを特徴とする、多層プリント回路基板アセンブリ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月17日(2004.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
また、紡糸速度は2500m/分以上とし、紡糸過程である程度複合糸の配向結晶化を進めておくと、延伸により捲縮を付与しやすく好ましい。また、延伸温度は85℃以上とすることで、分子鎖のモビリティーを充分大きくすることが可能であり、糸斑の小さな潜在捲縮発現性ポリエステル繊維を得ることができ好ましい。延伸温度はより好ましくは90℃以上である。また、延伸倍率は高いほど捲縮特性が向上するが、NDR×1.2以上とすると、充分な捲縮特性を得ることができ好ましい。延伸倍率はより好ましくはNDR×1.3以上である。ここで、NDRとはいわゆる自然延伸倍率のことを意味し、図４にように｛１＋（定応力伸長領域長（％）／１００（％）｝として定義されるものである。また、延伸は２段以上の多段延伸を採用すると、捲縮特性が向上し、好ましい。また、延伸糸の結晶化が抑制されているとポリエステルと改質ポリエステルの収縮差が大きくなり、捲縮特性が向上する。このため、延伸後の熱セット温度は90℃以下とすることも可能である。


【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
本発明の潜在捲縮発現性ポリエステル繊維は、織物や編物中で大きなストレッチ性とかさ高性を得るために、長繊維であることが好ましい。
本発明は、シャツ、ブラウス、パンツ、スーツ、ブルゾン等に好適に用いることができる。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
捲縮伸長率（%）＝［（Ｌ1  −Ｌ2  ）／Ｌ1  ］×100%
Ｌ1  ：繊維かせに180×10-3cN/dtex荷重を吊した時のかせ長
Ｌ2  ：繊維かせに0.9×10-3cN/dtex荷重を吊した時のかせ長
Ｂ．収縮応力
カネボウエンジニアリング社製熱応力測定器で、昇温速度150℃/分で測定した。サンプルは10cm×2のループとし、初期張力は繊度（デシテックス）×0.9×(1/30)gfとした。
Ｃ．極限粘度（［η］）
オルソクロロフェノール中、25℃で測定した。
Ｄ．直線収縮率
直線収縮率(%)＝［（Ｌ0  −Ｌ1  ’）／Ｌ0  ）］×100%
Ｌ0  ：繊維かせを初荷重0.18cN/dtex下で測定したかせの原長
Ｌ1’：Ｌ０を測定したかせを実質的に荷重フリーの状態で沸騰水処理を15          分間施し、さらに160℃乾熱処理を15分間施す。その後初荷重0.18cN/          dtex下でのかせ長
すなわち、比較的重い荷重により捲縮を完全に引き伸ばした時の繊          維の乾熱収縮率である。
Ｅ．ウースター斑（U%）
Zellweger社製  USTER  TESTER  １  ModelCを使用し、25m/分の速度で糸を給糸しながらノーマルモードで測定を行った。
Ｆ．強度および伸度
初期試料長＝50mm、引っ張り速度＝50mm/分とし、JIS   L1013にしたがい荷重−伸長曲線を求めた。次に、荷重−伸長曲線において最高到達荷重を初期繊度で割り強度（cN/dtex）とし、最高到達荷重での伸びを初期試料長で割り伸度（％）とした。
Ｇ．自然延伸倍率（NDR）
初期試料長＝50mm、引っ張り速度＝50mm/分とし、JIS   L1013にしたがい荷重−伸長曲線を求めた。次に、荷重−伸長曲線において、降伏点以後の一定荷重値を示す領域を定応力伸長領域とし、その一定荷重値を初期の繊度で割り定応力伸長領域応力、定応力伸長領域の終了点の伸度を100%で割り、定応力伸長領域長とした。そしてNDR＝1＋定応力伸長領域長とした（図４）。
Ｈ．布帛評価
得られた潜在捲縮発現性ポリエステル繊維に撚り係数15000の強撚を施し、Ｓ／Ｚ交互配置としたものを経糸および緯糸に用いて平織りを作製した。それに90℃温水中ででリラックス精練により収縮を施した後180℃で中間セットを行った。そして、常法にしたがい10重量%のアルカリ減量を施した後、やはり常法にしたがいカチオン染料を用い青色に染色、洗浄を施した。そして、得られた布帛のストレッチ性、発色性、染め斑、布帛表面の審美性について官能評価を１〜５級で行い、３級以上を合格とした。
実施例１
［η］＝0.63の酸化チタンを含まないホモPETと［η］＝0.65の5-ナトリウムスルホイソフタル酸を2mol%、PEGを1重量%共重合し酸化チタンを0.03wt%含む改質PETをそれぞれ290℃、300℃で別々に溶融し、絶対濾過径15μｍのステンレス製不織布フィルターを用い別々に濾過を行った後、孔数12の平行合流タイプ複合紡糸口金（図２ａ）から複合比50重量%／50重量%のサイドバイサイド複合糸（図３（ｂ））として紡糸温度300℃で吐出した。紡糸−延伸後56dtexとなるよう吐出量を調整し、紡糸速度3000m/分で12フィラメントの未延伸糸を巻き取った（図５）。その後ホットーローラーを有する延伸機を用い、第１ホットーローラー（1HR）の温度90℃、熱板（HPL）温度を150℃（Ｌ＝15cm）、延伸倍率を1.73倍（NDR×1.33）として延伸を行った（図６）。紡糸、延伸とも製糸性は良好であり糸切れは無かった。得られた繊維の物性値を表１に示すが、優れた捲縮発現能力を示し、糸斑も優れていた。この潜在捲縮発現性ポリエステル繊維を用い、布帛評価を行ったところ、ストレッチ性、発色性が優れており、染め斑、布帛表面荒れ等も発生しなかった。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月6日(2004.12.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【発明の実施の形態】
本発明の有害微生物撲滅剤においては、（Ａ）成分として、前記一般式（Ｉ）で表わされるハロゲノイソチアゾロン誘導体を用いることが必要である。
この一般式（Ｉ）において、Ｒ1及びＲ2のうちのハロゲン原子としては、塩素原子及び臭素原子が好ましい。また、Ｒ3で示される炭素数１〜８のアルキル基は、直鎖状、枝分れ状、環状のいずれであってもよく、例えば、メチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、シクロペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、２−エチルヘキシル基などがある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の有害微生物撲滅剤においては、（Ｂ）成分として、前記一般式（ＩＩ）で表わされる５−ハロゲノ−２，４，６−トリフルオロイソフタロニトリルを用いることが必要である。この一般式（ＩＩ）において、Ｘで示されるハロゲン原子としては、塩素原子及び臭素原子が好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月17日(2004.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
本発明において「甘蔗汁」という語は、甘蔗（さとうきび）を圧搾して得られる圧搾汁または、甘蔗を浸出して得られる浸出汁、または原糖製造工場の工程における石灰処理した清浄汁、濃縮汁、精製糖製造工場の工程における樹脂塔再生液、あるいは、植物由来の成分抽出法において汎用の溶媒で抽出された抽出液を濃縮、乾固後、水に再溶解した抽出液を意味する。そのような抽出溶媒としては、例えばメタノール、エタノール等のアルコール類；アセトン等のケトン類；酢酸メチル、酢酸エチル等の酢酸エステル類が挙げられ、これらを単独でも組合せて使用してもよい。さらに、アルコール類、ケトン類の場合には、水との組合せで使用してもよい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月22日(2004.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の課題は、穀類の排出とともに容積量が減じられる際に生ずる穀類容器のたるみを自動連続的に吸収消去させ、収容穀類を完全に流動排出することができる穀類搬送用容器を提供することにある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
【発明の効果】  上述のように本発明の構成によれば、次のような効果が得られる。
（ａ）スパイラル発条の作用により、穀類容器内に収容される穀類の重量で穀類容器が順次下降変位して容積量を増し、穀類の排出により順次容積量が減少され、穀類容器の底部の上昇によりに収容された穀類が他の動力を用いることなく自動的に排出回収し得ることは勿論のこと、
（ｂ）請求項１として、（ａ）項の効果に加え、穀類容器の底部昇降手段の後部に突き上げ手段を設けたことにより、穀類容器の底部上昇により生ずる少なくとも穀類容器の後壁のたるみを吸収消去することができる。
（ｃ）請求項２として、上記効果に加え、空袋時における穀類容器の後壁の変形形崩れ及び穀類投入時における底壁のズレ落ちを防止し、穀類回収効率の向上が図れる。
（ｄ）請求項３として、上記効果に加え、穀類の収納時及び搬送時に、折りたたまれた排出部材の姿勢を起立姿勢のガイド板によって維持するとともに、穀類の排出回収時に排出部材の下向き排出姿勢を維持し、搬送及び排出回収効率の向上を図ることができる。
（ｅ）請求項４として、上記効果に加え、収納時における穀類の集積状態が外部から視認でき、コンバインなどの移動調整により均等な穀類投入がなしうるなど作業の合理化が図れる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】  穀類の排出状態を示す実施の形態（１）の斜視図である。
【図２】  穀類の満タン状態における縦断側面図である。
【図３】  図２の縦断正面図である。
【図４】  図１の穀類が入っていない状態の縦断側面図である。
【図５】  実施の形態（２）における穀類の排出状態を示す本発明の斜視図である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月17日(2005.10.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  （ａ）チタン系化合物又はジルコニウム系化合物と（ｂ）ランタニド系列化合物又はハフニウム系化合物との組合せを含んでなる、ポリエステル又はコポリエステル製造用の触媒組成物。
【請求項２】  前記チタン系化合物がチタン酸テトラエチル、チタン酸テトラ−ｎ−プロピル、チタン酸テトライソプロピル、チタン酸テトラ−ｎ−ブチル、チタン酸テトラ（２−エチルヘキシル）、チタンジイソプロポキシドビス（アセチルアセトネート）、チタンオキシドアセチルアセトネート及び水溶性チタン化合物からなる群から選択される、請求項１記載の触媒組成物。
【請求項３】  前記ランタニド系列化合物がランタン、サマリウム、ユウロピウム、エルビウム、テルビウム及びセリウムからなる群から選択される元素に基くものである、請求項１記載の触媒組成物。
【請求項４】  前記ハフニウム系化合物がハフニウムテトラキス（アセチルアセトネート）及びハフニウムアルコキシドからなる群から選択される、請求項１記載の触媒組成物。
【請求項５】  ホスフェート生成化合物をさらに含む、請求項１記載の触媒組成物。
【請求項６】  前記ホスフェート生成化合物が、リン酸二水素ナトリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸水素二ナトリウム、亜リン酸水素二ナトリウム及び亜リン酸二水素ナトリウムからなる群から選択される、請求項５記載の触媒組成物。
【請求項７】  前記ポリエステル又はコポリエステルが、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートの共重合体及びポリエチレンテレフタレートの共重合体からなる群から選択される、請求項１記載の触媒組成物。
【請求項８】  １種類以上のジヒドロキシ化合物と１種類以上のジカルボン酸又は対応エステル又はエステル形成型誘導体との反応により熱可塑性ポリエステルを製造する方法であって、当該方法が（ａ）チタン系化合物又はジルコニウム系化合物と（ｂ）ランタニド系列化合物又はハフニウム系化合物との組合せを含んでなる触媒組成物の存在下で実施される、方法。
【請求項９】  １種類以上のジヒドロキシ化合物と１種類以上のジカルボン酸又は対応エステル又はエステル形成型誘導体とのエステル交換反応により前駆体オリゴマーを形成し、次いで前駆体オリゴマーを重縮合に付してポリエステルを形成することを含んでなる熱可塑性ポリエステルの製造方法であって、当該方法が、（ａ）チタン系化合物又はジルコニウム系化合物と（ｂ）ランタニド系列化合物又はハフニウム系化合物との組合せを含んでなる触媒組成物の存在下で実施される、方法。
【請求項１０】  前記触媒組成物がホスフェート生成化合物をさらに含む、請求項８又は請求項９記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月20日(2004.7.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、実施例をもって本発明を更に詳細に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
なお、実施例中の主な測定値は以下の方法で測定した。
（１）極限粘度［η］
極限粘度［η］は次の定義式に基づいて求められる値である。
【式１】
［η］＝ｌｉｍ（ηｒ−１）／Ｃ
Ｃ→０
定義式のηｒは、純度９８％以上のｏ−クロロフェノールで溶解したポリトリメチレンテレフタレートの希釈溶液の３５℃での粘度を、同一温度で測定した上記溶剤自体の粘度で割った値であり、相対粘度と定義されているものである。また、Ｃは上記溶液１００ｍｌ中のグラム単位による溶質重量値である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月12日(2005.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも水性液媒体と着色顔料とを含有する水性顔料インキ組成物において、該着色顔料が、有彩色を示す有機顔料を次亜ハロゲン酸及び／またはその塩を用いて湿式酸化したものである水性顔料インキ組成物。
【請求項２】
前記着色顔料が、有彩色を示す有機顔料の重量を基準にして１００％換算で５〜３００重量％の次亜ハロゲン酸塩を用いて湿式酸化したものである、請求項１記載の水性顔料インキ組成物。
【請求項３】
前記着色顔料の表面部に形成された（又は付与された）酸性基の少なくとも一部がアンモニウム塩、アミン塩、またはアルカリ金属塩となっている請求項１記載の水性顔料インキ組成物。
【請求項４】
前記着色顔料の平均粒径が３００ｎｍ以下である請求項１記載の水性顔料インキ組成物。
【請求項５】
前記有彩色を示す有機顔料が、アゾ系有機顔料、ペリレン系有機顔料、キナクリドン系有機顔料、フタロシアニン系有機顔料、及びジケトピロロピロール系顔料からなる群から選択されるものである請求項１記載の水性顔料インキ組成物。
【請求項６】
前記着色顔料の含有量が水性顔料インキ組成物全量に対して、０.１〜５０重量％である請求項１記載の水性顔料インキ組成物。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか記載の水性顔料インキ組成物を含むインクジェット記録用水性顔料インキ。
【請求項８】
請求項１〜６のいずれか記載の水性顔料インキ組成物を含む筆記具用水性顔料インキ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月13日(2004.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】  上記の課題を解決するため、本発明者等が鋭意研究を行なった結果、ノルマルパラフィン、イソパラフィンから選ばれる１種以上の溶剤に、リモネン、β−フェニルエチルアルコール（β−Ｐｈｅｎｙｌｅｔｈｙｌ  ａｌｃｏｈｏｌ）、２，６−ジメチル−２−オクタノール（２，６−Ｄｉｍｅｔｈｙｌ−２−Ｏｃｔａｎｏｌ）、シクロペンタデカノン、酢酸エチル、エチル−２−メチル−１，３−ジオキソラン−２−アセテート（Ｅｔｈｙｌ  ２−ｍｅｔｈｙｌ−１，３−ｄｉｏｘｏｌａｎｅ−２−ａｃｅｔａｔｅ）、γ−ウンデカラクトン（γ−Ｕｎｄｅｃａｌａｃｔｏｎｅ）、オイルオレンジペラ（Ｏｉｌ  Ｏｒａｎｇｅ  Ｐｅｒａ；天然香料）、α−ピネン、オイルローズマリーチェニジ（Ｏｉｌ  Ｒｏｓｅｍａｒｙ  Ｔｕｎｉｓｉｅ；天然香料）から選ばれる１種以上を添加すると、良好な匂いを付与できることが分かった。これらの中でも、シクロペンタデカノン、酢酸エチル、オイルローズマリーチェニジ、リモネン、β−フェニルエチルアルコール、γ−ウンデカラクトンから選ばれる１種以上がより効果的である。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月20日(2005.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）フェノール系酸化防止剤、有機ホスフィットまたはホスホナイト、ホスホネート、立体障害性アミンまたはＵＶ吸収剤の個々あるいはこれら化合物の混合物、およびｂ）室温で固体であるエポキシ化合物の少なくとも１種を含む微粉末の少ないプラスチック添加剤の粒子。
【請求項２】
ヒドロタルサイト、金属オキシド、金属カーボネート、金属ソープ、帯電防止剤、粘着防止剤、難燃剤、チオエステル、内部および外部潤滑剤、加工助剤ならびに顔料の群からのさらなるプラスチック添加剤を含む請求項１に記載の粒子。
【請求項３】
ａ）フェノール系酸化防止剤、有機ホスフィットまたはホスホナイト、ホスホネート、立体障害性アミンまたはＵＶ吸収剤の個々あるいはこれら化合物の混合物、およびｂ）室温で固体である多官能価エポキシ化合物の少なくとも１種をエポキシ化合物の少なくとも８０重量％が溶融するまで加熱すること、直径が１および１０ｍｍの間であるダイまたは穿孔を備えるプレートで溶融物をプレスすること、および粒子を形成させるためにプラスチック状態で得られたストランドを切断することからなるプラスチック添加剤の粒子を製造する方法。