(57)【要約】【課題】液晶装置等の電気光学装置において、画像表示領域における開口率を十分に確保しつつ、ドメイン領域の発生を効果的に抑制する。【解決手段】電気光学装置は、一対の基板（１０、２０）と、該一対の基板間に挟持された電気光学物質（５０）と、一方の基板上に画素毎に配置され、基板面内における第１の方向に沿って形成された第１縁部、並びに基板面内において第２の方向に沿って形成され、第１縁部の両端に対応して配置された第２縁部及び第３縁部を有する画素電極（９）とを備える。第１の方向及び第２の方向は、第１縁部が第２縁部及び第３縁部に比べて基板に沿った横電界によりドメイン領域が発生し易い方向であるように規定されている。第２縁部及び第３縁部のうち少なくとも一方は、画素電極のうち第１縁部に近い一の領域（１）における第２縁部及び第３縁部間の距離（ａ１）が、一の領域を除く他の領域（２）におけるの（ａ２）に比べて小さくなるように形成された切欠部（３）を有する。【選択図】図５
2010191037.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、
該一対の基板間に挟持された電気光学物質と、
前記一対の基板の一方の基板上において画素毎に配置されており、前記一方の基板上で平面的に見て、前記一方の基板面内における第１の方向に沿って形成された第１縁部、並びに前記一方の基板面内において前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って形成され、第１縁部の両端に対応するように配置された第２縁部及び第３縁部を有する画素電極と
を備え、
前記第１の方向及び前記第２の方向は、前記第１縁部が前記第２縁部及び第３縁部に比べて前記一方の基板に沿った横電界によりドメイン領域が発生し易い方向であるように規定されており、
前記第２縁部及び第３縁部のうち少なくとも一方は、前記画素電極のうち前記第１縁部に近い一の領域における前記第２縁部及び第３縁部間の距離が、前記画素電極のうち前記一の領域を除く他の領域におけるのに比べて小さくなるように形成された切欠部を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記切欠部は、前記第２の方向に沿った長さが前記第１の方向に沿った長さより大きいことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記切欠部は、前記一の領域において、前記第１及び第２の方向に交差する第３の方向に沿って延びる第４縁部を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置及び該電気光学装置を備えた、例えば携帯電話等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、例えば液晶を保持する一対の基板の夫々に設けられた画素電極及び対向電極間に、表示画像に対応した駆動電圧を印加することによって、これら電極間に挟持された液晶分子の配向状態を制御し、画像表示を行う。画素電極は画素毎に島状に形成されており、画素電極の各々には、相異なる駆動電圧が印加されている。そのため、相隣り合う画素電極間には、電位差に応じて横電界（即ち、基板面に平行な電界或いは基板面に平行な成分を含む斜めの電界）が生じ、液晶分子に配向不良を引き起こす原因となる。このように、配向不良が生じる領域（即ち、ドメイン領域）が存在すると、表示画像のコントラストの低下など種々の問題を引き起こす要因となる。
【０００３】
これに対し、特許文献１では、画素電極の角部を斜めに切り取ることにより、横電界の発生を抑制し、液晶分子の配向状態を軽減する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−１９９４５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述の背景技術によれば、液晶分子の配向不良を少なからず軽減できる可能性はあるものの、依然として横電界は残存してしまう。そのため、ドメイン領域が少なく、より高品位な画像表示を可能にすべく、更なる横電界の発生を抑制するための工夫が求められている。また、画素電極の角部を切り取ると、画素電極の面積が大きく減少してしまう。画素のうち表示光が透過する開口領域の面積は、画素電極の面積に応じて増減するため、画素電極の面積が小さくなると、開口領域の面積も小さくなってしまう。つまり、画素電極の角部を切り取ると、画像表示領域における開口率が低下してしまい、表示画像の画質が低下してしまうという問題点がある。
【０００６】
本発明は、例えば上記問題点に鑑みてなされたものであり、画像表示領域における開口率を十分に確保しつつ、ドメイン領域の発生を効果的に抑制可能な電気光学装置及びその製造方法、並びにそのような電気光学装置を備える電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、一対の基板と、該一対の基板間に挟持された電気光学物質と、前記一対の基板の一方の基板上において画素毎に配置されており、前記一方の基板上で平面的に見て、前記一方の基板面内における第１の方向に沿って形成された第１縁部、並びに前記一方の基板面内において前記第１の方向に交差する第２の方向に沿って形成され、第１縁部の両端に対応するように配置された第２縁部及び第３縁部を有する画素電極とを備え、前記第１の方向及び前記第２の方向は、前記第１縁部が前記第２縁部及び第３縁部に比べて前記一方の基板に沿った横電界によりドメイン領域が発生し易い方向であるように規定されており、前記第２縁部及び第３縁部のうち少なくとも一方は、前記画素電極のうち前記第１縁部に近い一の領域における前記第２縁部及び第３縁部間の距離が、前記画素電極のうち前記一の領域を除く他の領域におけるのに比べて小さくなるように形成された切欠部を有する。
【０００８】
本発明の電気光学装置では、一対の基板間（典型的には、素子基板と対向基板）に電気光学物質が挟持された構造を有している。例えば、素子基板上には、走査線、データ線等の配線や画素スイッチング用のトランジスタ等の電子素子が、絶縁膜を介して相互に絶縁されつつ必要に応じて積層されることで画素電極を駆動するための回路が構成され、その上層側に画像電極が配置され、対向基板上には素子基板上に形成された画素電極に対向するように対向電極が設けられる。そして、表示画像に対応する駆動電圧を画素電極及び対向電極間に印加することによって、基板間に挟持された液晶等の電気光学物質の配向状態を制御する。即ち、縦電界により配向状態を制御する。このようにして、複数の画素電極が配列された画素領域或いは画素アレイ領域（又は「画像表示領域」とも呼ぶ）における画像表示が可能となる。
【０００９】
電気光学物質は、例えば、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ：ツイステッドネマティック）液晶分子を含んでなる液晶層である。
【００１０】
本発明における画素電極は、第１縁部、第２縁部及び第３縁部を有する。第１縁部は、第２縁部及び第３縁部を含む画素電極の縁部のうち、一方の基板上で平面的に見て、ドメイン領域が、典型的には相隣接する画素電極間で発生する、横電界により相対的に発生し易い縁部である。この種の電気光学装置では、電気光学物質の種類や駆動電圧非印加時における配向状態等によって、画素電極の縁部の特定の部分にドメイン領域が形成し易い。本発明では、このドメイン領域が相対的に発生し易い縁部が第１縁部とされており、該第１縁部が延在している方向が第１の方向とされている。
【００１１】
尚、横電界によって第２縁部及び第３縁部にも、ドメイン領域が大なり小なり発生する場合も有り得るが、本発明では、相対的に強く発生するドメイン領域を低減することを目的としている。即ち、第２縁部及び第３縁部にも、横電界によってドメイン領域が多少発生する場合であっても、或いは殆ど又は全く発生しない場合であっても、本発明の以下に詳述する特別顕著なる作用効果は奏されるものであり、本発明は、いずれの場合にも相応に有効である。
【００１２】
第２縁部及び第３縁部は共に、第１の方向に交差する第２の方向に沿って形成され、第１縁部の両端に対応するように配置されている。つまり、画素電極は一方の基板上で見て、第１縁部、第２縁部及び第３縁部を含む限りにおいて自由な形状を取ることが可能であり、例えば四角形状や五角形状等を含む多角形状をしている。具体的な例としては、第１の方向及び第２の方向に延在するデータ線及び走査線によって区分けされた画素毎に正方形又は長方形に形成されていてもよい。
【００１３】
本発明では特に、画素電極は、第２縁部及び第３縁部のうち少なくとも一方は、画素電極のうち第１縁部に近い一の領域における第２縁部及び第３縁部間の距離が、画素電極のうち一の領域を除く他の領域におけるのに比べて小さくなるように形成された切欠部を有する。本願発明者の研究によると、このように切欠部を形成することにより、相隣り合う画素電極間に発生する横電界を効果的に抑制することができることが判明している。その理由は、必ずしも完全に解明されているとは言えないが、横電界の大きさは、電位の異なる隣り合う画素電極同士の距離に依存するため、ドメイン領域が形成されやすい第１縁部に近い一の領域において、切欠部を設けることによって隣り合う画素電極との間の距離を広く確保することで、ドメイン領域を形成する要因となる横電界を抑制することができるためと考えられる。
【００１４】
また、このような切欠部は、第２縁部及び第３縁部のうち少なくとも一方に設ければよい。よりドメイン領域の形成を効果的に抑制するという観点からは、切欠部は、第２縁部及び第３縁部の双方に形成されていることが好ましいが、第２縁部及び第３縁部のうち一方にのみ形成されていても、ドメイン領域の形成を抑制するとよい本発明のメリットを少なからず享受することができる。
【００１５】
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置によれば、画素電極に切欠部を形成することによって、ドメイン領域の形成を効果的に抑制することができ、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。
【００１６】
本発明の電気光学装置の一の態様では、前記切欠部は、前記第２の方向に沿った長さが前記第１の方向に沿った長さより大きい。
【００１７】
本願発明者によれば、切欠部第２の方向に沿った長さが第１の方向に沿った長さより小さい場合に比べて、第２の方向に沿った長さが第１の方向に沿った長さより大きく形成すると、格段に効果的に電気光学物質におけるドメインの発生を抑えられることが判明している。
【００１８】
また、切欠部の形状をこのように形成することで、画像表示領域における開口領域を広く確保することができる。その結果、画像表示領域において光抜けが発生することを防止したり、明るく鮮明な高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。
【００１９】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記切欠部は、前記一の領域において、前記第１及び第２の方向に交差する第３の方向に沿って延びる第４縁部を含む。
【００２０】
この態様によれば、切欠部は、ドメイン領域が形成される第１縁部の両端における画素電極の角を取るように、斜めに切り欠く部分を含んでいる。上述の態様のように、切欠部を画素電極のうち第１縁部に近い一の領域における第２縁部及び第３縁部間の距離が、画素電極のうち一の領域を除く他の領域におけるのに比べて小さくなるように形成するだけでは、ドメイン領域の形成を十分に抑制できない場合には、本態様のように斜めに切り欠く部分を含めることで、より効果的にドメイン領域の形成を抑制することができる。
【００２１】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様を含む）を備える。
【００２２】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を備えてなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置、電子放出装置（Field Emission Display及びConduction Electron-Emitter Display）、これら電気泳動装置、電子放出装置を用いた表示装置を実現することも可能である。
【００２３】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す回路図である。
【図４】本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域における配線等の位置関係を透過的に示す模式図である。
【図５】図４から画素電極を抽出し、その詳細な形状を模式的に示す平面図である。
【図６】ドメイン領域に対する、画素電極の平面形状の影響を検証するのに用い他画素電極の平面形状を示す模式図である。
【図７】図６に示した画素電極の平面形状を採用した液晶装置のＶ１マージンを測定した結果を示す表である。
【図８】本実施形態の電気光学装置を適用した電子機器の例である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００２６】
＜液晶装置＞
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。
【００２７】
図１は、ＴＦＴアレイ基板１０を、その上に形成された各構成要素と共に、対向基板２０の側から見た液晶装置の構成を示す概略的な平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【００２８】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とを備えている。ＴＦＴアレイ基板１０は例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板又はシリコン基板である。対向基板２０も例えばＴＦＴアレイ基板１０と同様の材料からなる基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、電気光学動作の行われる画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００２９】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、例えばシール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材５６が散布されている。
【００３０】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００３１】
ＴＦＴアレイ基板１０上における、画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域１０ｂには、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路７、走査線駆動回路１０４及び外部回路接続端子１０２が夫々形成されている。
【００３２】
ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域１０ｂにおいて、シール領域より外周側に、データ線駆動回路１０１及び複数の外部回路接続端子１０２が、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に夫々沿って設けられている。
【００３３】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域１０ｂのうちシール領域より内側に位置する領域には、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿う画像表示領域１０ａの一辺に沿って且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにしてサンプリング回路７が配置されている。
【００３４】
また、走査線駆動回路１０４は、ＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間を電気的に接続するため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。
【００３５】
また、ＴＦＴアレイ基板１０上の周辺領域１０ｂにおいて、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、上下導通端子１０６が配置されると共に、このＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０間には上下導通材が上下導通端子１０６に対応して該端子１０６に電気的に接続されて設けられている。
【００３６】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用ＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に画素電極９がマトリクス状に設けられている。画素電極９は、ＩＴＯ膜からなる透明電極として形成されている。画素電極９上には、配向膜１６が形成されている。
【００３７】
他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上（図２中遮光膜２３より下側）に、ＩＴＯ膜からなる対向電極２１が複数の画素電極９と対向して例えばベタ状に形成され、更に対向電極２１上（図２中対向電極２１より下側）には配向膜２２が形成されている。
【００３８】
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。そして、液晶装置の駆動時、夫々に電圧が印加されることで、画素電極９と対向電極２１との間には液晶保持容量が形成される。
【００３９】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等が形成されていてもよい。
【００４０】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００４１】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の
各々には、画素電極９及び画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９に電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置の動作時に画素電極９をスイッチング制御する。画像信号が供給されるデータ線６は、ＴＦＴ３０のソース領域に電気的に接続されている。データ線６に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００４２】
ＴＦＴ３０のゲートには走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０（図２参照）に形成された対向電極２１（図２参照）との間で一定期間保持される。
【００４３】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００４４】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９と対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量に対して電気的に並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０の一方の電極は、所定電位となるように、電位固定の電位線３００に接続されている。
【００４５】
次に、本実施形態に係る液晶装置において、図４を参照して画像表示領域１０ａにおける、電気光学動作を行うために配置された電極及び配線等の位置関係を説明する。図４は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域１０ａにおける、電気光学動作を行うために配置された電極及び配線等の位置関係を透過的に示した模式図である。尚、図４では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００４６】
ＴＦＴアレイ基板１０の画像表示領域１０ａ上には、走査線１１及びデータ線６が、夫々Ｘ方向及びＹ方向に沿って配置されており、データ線６と走査線１１の交差付近にＴＦＴ３０（即ち、半導体層３０ａ及びゲート電極３０ｂ）が形成されている。
【００４７】
走査線１１は、遮光性の導電材料、例えば、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、ＴｉＮ（窒化チタン）等から形成されており、ＴＦＴ３０の半導体層３０aを含むように半導体層ａより幅広に形成されている。走査線１１は半導体層３０ａより下層側に配置されているので、このように走査線１１をＴＦＴ３０の半導体層３０ａよりも幅広に形成することによって、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などの、戻り光に対してＴＦＴ３０のチャネル領域３０ｂを殆ど或いは完全に遮光できる。その結果、液晶装置の動作時に、ＴＦＴ３０における光リーク電流は低減され、コントラスト比を向上させることができ、高品位の画像表示が可能となる。
【００４８】
ＴＦＴ３０は、半導体層３０ａと、ゲート電極３０ｂとを有して構成されている。半導体層３０ａは、ソース領域３０ａ１、チャネル領域３０ａ２、ドレイン領域３０ａ３含んで形成されている。ここで、 チャネル領域３０ａ２とソース領域３０ａ１、又は、チャネル領域３０ａ２とドレイン領域３０ａ３との界面にはＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域が形成されていてもよい。
【００４９】
ゲート電極３０ｂは、例えば導電性ポリシリコンから形成されており、ゲート絶縁膜に開口されたコンタクトホール３４を介して、走査線１１に電気的に接続されている。これにより、ゲート電極３０ｂに走査信号が印加されることによって、ＴＦＴ３０がオン／オフ制御されるように構成されている。
【００５０】
データ線６には画像信号が供給され、コンタクトホール３１を介してソース領域３０ａ１に電気的に接続されている。一方、ドレイン領域３０ａ３は、コンタクトホール３２を介して中継層７に電気的に接続されている。更に、中継層７はコンタクトホール３３を介して画素電極９に接続されている。即ち、中継層７は、ドレイン領域３０ａ３及び画素電極９間を中継接続することにより、ＴＦＴ３０のドレイン領域３０ａ３から出力された画像信号に対応する駆動電圧を画素電極に印加する。
【００５１】
ここで、図５を参照して、画素電極９の平面構造について説明する。図５は、図４から画素電極９を抽出し、その詳細な形状を模式的に示す平面図である。尚、図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。
【００５２】
画素電極９は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、本発明における「第１の方向」に対応するＸ方向に沿って延在する第１縁部９ａ、本発明における「第２の方向」に対応するＹ方向に沿って延在する第２縁部９ｂ及び第３縁部９ｃを有する。
【００５３】
画素電極９の縁部のうち第１縁部９ａは、他の縁部に比べてドメイン領域が発生し易い或いは形成されやすい部分である。本実施形態に係る液晶装置は、１Ｈ反転駆動（即ち、一走査線上に配列された画素電極に同一の極性を有する駆動電圧を印加し、且つ、走査線毎に極性を反転する駆動）を採用しているため、Ｙ方向に沿って隣り合う画素電極９間に横電界が発生しやすい。本実施形態では、以下に説明するように画素電極９の形状を工夫することによって、第１縁部９ａにおけるドメイン領域の発生を抑制することができる。
【００５４】
尚、本実施形態に係る反転駆動方式としては、１Ｈ反転駆動に限らず、１Ｓ反転駆動（即ち、一データ線上に配列された画素電極に同一の極性を有する駆動電圧を印加し、且つ、データ線毎に極性を反転する駆動）を採用してもよいし、その他にも、ドット反転駆動、フィールド反転駆動、倍速反転駆動、領域走査反転駆動など、各種方式を採用してもよい。横電界によって相対的にドメイン領域が発生し易い縁部が存在している限りにおいて、本実施形態は、その縁部を第１縁部として扱うことで大なり小なり有効に機能する。
【００５５】
本実施形態における画素電極９は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、略正方形状に形成されている。そして、Ｙ方向に沿って形成された縁部である第２縁部９ｂ及び第３縁部９ｃは、第１縁部９ａに近い一の領域１における第２縁部９ｂ及び第３縁部９ｃ間の距離ａ１が、画素電極９のうち一の領域１を除く他の領域２における距離ａ２に比べて、小さくなるように形成された第１切欠部３を有するように形成されている。第１切欠部３は、本発明における「切欠部」の一例である。後に詳述するように、本願発明者の研究によると、このような第１切欠部３を形成することにより、相隣り合う画素電極９間に発生する横電界を効果的に抑制することができることが、シミュレーション又は理論計算若しくは理論実験による評価結果や、実物を用いての実験等による評価結果により、判明している。
【００５６】
この第１切欠部３による横電界の抑制のメカニズムは、必ずしも完全に解明されているとは言えないものの、横電界の大きさは、電位の異なる隣り合う画素電極９同士の距離に依存するため、ドメイン領域が形成されやすい第１縁部９ａ１に近い一の領域１において、隣り合う画素電極９との距離ｂを大きく確保することで、ドメイン領域の発生の要因となる横電界を弱めることができるためと考えられる。
【００５７】
後述する具体例における評価結果に示すように、第１切欠部３のＹ方向に沿った長さｃが、第３縁部９ａ３の長さｃの約１／２になるように形成すると、最も効果的にドメイン領域の発生を抑制することができる。尚、Ｙ方向に沿った長さｃが、第３縁部９ａ３の長さｃの約１／２でない場合であっても、第１切欠部３を形成することによって少なからず横電界を抑制するという効果を享受することができる。
【００５８】
また、本実施形態では第１切欠部３を第２縁部９ｂ及び第３縁部９ｃの双方に設けているが、第２縁部９ｂ及び第３縁部９ｃのうち少なくとも一方に設けてもよい。ドメイン領域の形成をより効果的に抑制するという観点からは、第１切欠部３を第２縁部９ｂ及び第３縁部９ｃの双方に形成することが好ましいが、第２縁部９ｂ及び第３縁部９ｃのうち一方にのみ形成されていても、ドメイン領域の形成を抑制するとよい本発明のメリットを少なからず享受することができる。
【００５９】
更に本実施形態では、より効果的にドメイン領域の形成を抑制するために、第１縁部９ａの両端（即ち、図５において画素電極９の左下側及び右下側）に第２切欠部４が設けられている。第２切欠部４は、全体として略正方形状に形成された画素電極９のうち第１縁部９ａの両端に位置する角を面とるように斜めに形成されている。このように第２切欠部４を形成することで、上述のように、第１切欠部３を画素電極９のうち第１縁部９ａに近い一の領域１における第２縁部９ｂ及び第３縁部９ｃ間の距離ａ１が、他の領域２における距離ａ２に比べて小さくなるように形成するだけでは、ドメイン領域の形成を十分に抑制できない場合には、第２切欠部４を形成することで、より効果的にドメイン領域の形成を抑制することができる。
【００６０】
ここで、図６及び図７を参照して、様々な形状を有する画素電極９を液晶装置に対して、ドメイン領域の形成の度合いを検証した、各種具体例における評価結果を示す。図６は、検証に用いた画素電極９の形状を模式的に示す平面図である。図７は、図６に示した形状を画素電極９に採用した液晶装置について、画素に印加する実行電圧を大きくした場合においてドメイン領域が消失する電圧実効値（以下、適宜Ｖ１マージンという）を測定した結果を示す表である。Ｖ１マージンはその値が大きいほど、ドメイン領域の形成が抑制されていることを示し、逆にその値が小さいほどドメイン領域が形成され易いことを示す。即ち、Ｖ１マージンの値が大きいほどドメイン領域の形成が効果的に抑制されていることを示す。尚、図７における判定では、Ｖ１マージンが５．０Ｖ未満の場合を「不可」、Ｖ１マージンが５．０Ｖ以上５．２Ｖ未満の場合を「可」、Ｖ１マージンが５．２Ｖ以上５．５Ｖ未満の場合を「良」、Ｖ１マージンが５．５Ｖ以上の場合を「優」として、判定を行っている。
【００６１】
まず、図６（ａ）に示す画素電極９の形状は、第１縁部９ａに近い一の領域１における第２縁部９ｂ及び第３縁部９ｃ間の距離ａ１が、画素電極９のうち一の領域１を除く他の領域２における距離ａ２に比べて小さくなるように形成された第１切欠部３を有しており、且つ、第１切欠部３のＹ方向の長さｃが、第２縁部９ｂ全体の長さｄの約１／２の長さ（即ち、ｄ／２）になるように形成されている。その結果、図７に示すように、Ｖ１マージンが５．５Ｖ以上の結果を得ることができ、ドメイン領域の形成を非常に効果的に抑制することが具体的に示されている（即ち、判定が「優」である）。
【００６２】
図６（ｂ）に示す画素電極９の形状は、第１縁部９ａに近い一の領域１における第２縁部９ｂ及び第３縁部９ｃ間の距離ａ１が、画素電極９のうち一の領域１を除く他の領域２における距離ａ２に比べて小さくなるように形成された第１切欠部３を有しており、且つ、第１切欠部３のＹ方向の長さｃが、第２縁部９ｂ全体の長さｄの１／２の長さ（即ち、ｄ／２）より大きくなるように形成されている。その結果、図７に示すように、５．３Ｖから５．５Ｖの結果を得ることができ、ドメイン領域の形成を効果的に抑制することが具体的に示されている（即ち、判定が「良」である）。この場合、図６（ａ）に示した画素電極９の形状の場合に比べて、Ｖ１マージンの大きさが減少しているものの、ある程度効果的にドメイン領域の形成を抑制することができる。
【００６３】
図６（ｃ）に示す画素電極９の形状は、第１縁部９ａに近い一の領域１における第２縁部９ｂ及び第３縁部９ｃ間の距離ａ１が、画素電極９のうち一の領域１を除く他の領域２における距離ａ２に比べて小さくなるように形成された第１切欠部３を有しており、且つ、第１切欠部３のＹ方向の長さｃが、第２縁部９ｂ全体の長さｄの１／２の長さ（即ち、ｄ／２）より小さくなるように形成されている。その結果、図７に示すように、Ｖ１マージンが５．０Ｖの結果を得ることができ、ドメイン領域の形成を少なからず抑制することが具体的に示されている（即ち、判定が「可」である）。この場合も図６（ｂ）に示した場合と同様に、図６（ａ）に示した画素電極９の形状の場合に比べて、Ｖ１マージンの大きさが減少しているものの、ある程度効果的にドメイン領域の形成を抑制することができる。
【００６４】
以上説明した結果から、ドメイン領域の形成を効果的に抑制するためには、第１切欠部３のＹ方向の長さｃをｄ／２程度になるように画素電極９を形成することが好ましいことがわかる。逆に言えば、第１切欠部３のＹ方向の長さｃをｄ／２より大きく形成したり、小さく形成した場合であっても、少なからずドメイン領域の形成を効果的に抑制することができることがわかる。
【００６５】
次に、図６（ｄ）に示した画素電極９の形状は、第１縁部９ａに近い一の領域１における第２縁部９ｂ及び第３縁部９ｃ間の距離ａ１が、画素電極９のうち一の領域１を除く他の領域２における距離ａ２に比べて、上述の形状とは逆に、小さくなるように形成された第１切欠部３を有するように形成されている。その結果、図７に示すように、Ｖ１マージンの大きさは５．０Ｖ未満であり、ドメイン領域の形成を抑制することが困難であることが具体的に示されている（即ち、判定が「不可」である）。
【００６６】
図６（ｅ）に示した画素電極９の形状は、第１切欠部３及び第２切欠部４を設けることなく、典型的な正方形状に形成されている。その結果、図７に示すように、Ｖマージンの大きさは５．０Ｖ未満であり、ドメイン領域の形成を抑制することが困難であることが具体的に示されている（即ち、判定が「不可」である）。
【００６７】
このように図６及び図７に示した検証結果から、効果的にドメイン領域の形成を抑制するためには、第１切欠部３を第１縁部９ａに近い一の領域１における第２縁部９ｂ及び第３縁部９ｃ間の距離ａ１が、画素電極９のうち一の領域１を除く他の領域２における距離ａ２に比べて小さくなるように形成することが好ましいことがわかっている。特に、第１切欠部３のＹ方向の長さｃを、第２縁部９ｂ全体の長さの半分程度（即ち、ｄ／２）にすると、ドメイン領域の形成を極めて良好に抑制することができることが判明している。
【００６８】
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置によれば、画素電極に切欠部を形成することによって、ドメイン領域の形成を効果的に抑制することができ、高品位な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。
【００６９】
図８は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。
【００７０】
図８に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【００７１】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００７２】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００７３】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００７４】
尚、図８を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００７５】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【００７６】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００７７】
１  一の領域、  ２  他の領域、  ３  第１切欠部、  ４  第２切欠部、  ６  データ線、  ７  中継層、  ９  画素電極、  ９ａ１  第１縁部、  ９ａ２  第２縁部、  ９ａ３  第３縁部、  １０  ＴＦＴアレイ基板、  １０ａ  画像表示領域、  １１  走査線、  ３０  ＴＦＴ、  ５０  液晶
【図１】
2010191037.tif 000003
【図２】
2010191037.tif 000004
【図３】
2010191037.tif 000005
【図４】
2010191037.tif 000006
【図５】
2010191037.tif 000007
【図６】
2010191037.tif 000008
【図７】
2010191037.tif 000009
【図８】
2010191037.tif 000010