【手続補正書】
【提出日】令和3年10月7日(2021.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電陰極であって、
ワイドバンドギャップ半導体材料から製作された本体であって、第１の表面と、前記第１の表面の反対の第２の表面とを有し、１００ｎｍ未満の前記第１の表面と前記第２の表面との間の厚さを有する本体と、
前記第１の表面上に配設された金属層であり、前記金属層は、ルテニウムとイリジウムの１つ以上を含む、金属層と、
前記第２の表面上に配設されたアルカリハライド光電陰極放出器であって、前記アルカリハライド光電陰極が１０ｎｍ未満の厚さを有するアルカリハライド光電陰極放出器と
を備えることを特徴とする光電陰極。
【請求項２】
請求項１に記載の光電陰極であって、
前記金属層が、ルテニウムと白金の合金の中のルテニウムを含むことを特徴とする光電陰極。
【請求項３】
請求項１に記載の光電陰極であって、
前記ワイドバンドギャップ半導体材料が、ＩｎＧａＮの合金を含むことを特徴とする光電陰極。
【請求項４】
請求項３に記載の光電陰極であって、
ＩｎＧａＮの前記合金が、ＩｎＧａＮおよびＧａＮの合金であることを特徴とする光電陰極。
【請求項５】
請求項１に記載の光電陰極であって、
前記ワイドバンドギャップ半導体材料が、ＡｌＧａＮの合金を含むことを特徴とする光電陰極。
【請求項６】
請求項５に記載の光電陰極であって、
ＡｌＧａＮの前記合金が、ＡｌＧａＮおよびＧａＮの合金であることを特徴とする光電陰極。
【請求項７】
請求項１に記載の光電陰極であって、
前記ワイドバンドギャップ半導体材料が、ＩｎＧａＰの合金を含むことを特徴とする光電陰極。
【請求項８】
請求項７に記載の光電陰極であって、
ＩｎＧａＰの前記合金が、ＩｎＧａＰおよびＧａＰの合金であることを特徴とする光電陰極。
【請求項９】
請求項１に記載の光電陰極であって、
前記ワイドバンドギャップ半導体材料が、ＧａＮおよびＧａＰのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする光電陰極。
【請求項１０】
請求項１に記載の光電陰極であって、
前記アルカリハライド光電陰極が、ＣｓＩ、ＣｓＢｒ、またはＣｓＴｅのうちの１つ以上を含むことを特徴とする光電陰極。
【請求項１１】
請求項１に記載の光電陰極であって、
前記本体の反対の前記アルカリハライド光電陰極上に配設されたキャップ層をさらに備えることを特徴とする光電陰極。
【請求項１２】
請求項１１に記載の光電陰極であって、
前記キャップ層が、ルテニウム、ホウ素、または白金のうちの１つ以上を含むことを特徴とする光電陰極。
【請求項１３】
請求項１２に記載の光電陰極であって、
前記キャップ層が、ルテニウムおよび白金の合金を含むことを特徴とする光電陰極。
【請求項１４】
請求項１に記載の光電陰極を含む電子ビームツールであって、前記電子放出器によって生成され、ウェーハの表面から反射させられる電子を受け取る検出器を含むことを特徴とする電子ビームツール。
【請求項１５】
方法であって、
光電陰極を、２波長スキームを有する光子ビームによって照射するステップであって、前記光電陰極が、本体上に配設されたアルカリハライド光電陰極を含み、前記本体が、ワイドバンドギャップ半導体材料から製作され、前記本体が、第１の表面と、前記第１の表面の反対の第２の表面とを有し、前記アルカリハライド光電陰極が前記第２の表面上に配設され、前記光電陰極がさらに前記第１の表面上に配設された金属層を含み、前記金属層はルテニウムとイリジウムの１つ以上を含み、前記光電陰極が前記光子ビームによって照射される際に電子ビームを生成する、ステップ 
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１６】
請求項１５に記載の方法であって、
前記本体が、１００ｎｍ未満の前記第１の表面と前記第２の表面との間の厚さを有し、前記アルカリハライド光電陰極が、１０ｎｍ未満の厚さを有することを特徴とする方法。
【請求項１７】
請求項１５に記載の方法であって、
前記２波長スキームにおける両方の波長が、ポンピングするように構成されることを特徴とする方法。
【請求項１８】
請求項１５に記載の方法であって、
前記２波長スキームが、伝送および反射を有する同時モードを含むことを特徴とする方法。
【請求項１９】
請求項１５に記載の方法であって、前記２波長スキームが、伝送モードまたは反射モードを含むことを特徴とする方法。
【請求項２０】
光電陰極であって、
ワイドバンドギャップ半導体材料から製作された本体であって、第１の表面と、前記第１の表面の反対の第２の表面とを有し、１００ｎｍ未満の前記第１の表面と前記第２の表面との間の厚さを有する本体と、
前記第１の表面上に配設された金属層であり、その中で電界を印加して電子を前記光電陰極の表面に向けて導く電気接点として構成される、金属層と、
前記第２の表面上に配設されたアルカリハライド光電陰極放出器であって、前記アルカリハライド光電陰極が１０ｎｍ未満の厚さを有するアルカリハライド光電陰極放出器と
を備えることを特徴とする光電陰極。
【請求項２１】
請求項２０に記載の光電陰極であって、
前記金属層が、白金と金の１つ以上を含むことを特徴とする光電陰極。
【請求項２２】
請求項２０に記載の光電陰極であって、
前記ワイドバンドギャップ半導体材料が、ＩｎＧａＮの合金を含むことを特徴とする光電陰極。
【請求項２３】
請求項２２に記載の光電陰極であって、
ＩｎＧａＮの前記合金が、ＩｎＧａＮおよびＧａＮの合金であることを特徴とする光電陰極。
【請求項２４】
請求項２０に記載の光電陰極であって、
前記ワイドバンドギャップ半導体材料が、ＡｌＧａＮの合金を含むことを特徴とする光電陰極。
【請求項２５】
請求項２４に記載の光電陰極であって、
ＡｌＧａＮの前記合金が、ＡｌＧａＮおよびＧａＮの合金であることを特徴とする光電陰極。
【請求項２６】
請求項２０に記載の光電陰極であって、
前記ワイドバンドギャップ半導体材料が、ＩｎＧａＰの合金を含むことを特徴とする光電陰極。
【請求項２７】
請求項２６に記載の光電陰極であって、
ＩｎＧａＰの前記合金が、ＩｎＧａＰおよびＧａＰの合金であることを特徴とする光電陰極。
【請求項２８】
請求項２０に記載の光電陰極であって、
前記ワイドバンドギャップ半導体材料が、ＧａＮおよびＧａＰのうちの少なくとも１つを含むことを特徴とする光電陰極。
【請求項２９】
請求項２０に記載の光電陰極であって、
前記アルカリハライド光電陰極が、ＣｓＩ、ＣｓＢｒ、またはＣｓＴｅのうちの１つ以上を含むことを特徴とする光電陰極。
【請求項３０】
請求項２０に記載の光電陰極であって、
前記本体の反対の前記アルカリハライド光電陰極上に配設されたキャップ層をさらに備えることを特徴とする光電陰極。
【請求項３１】
請求項３０に記載の光電陰極であって、
前記キャップ層が、ルテニウム、ホウ素、または白金のうちの１つ以上を含むことを特徴とする光電陰極。
【請求項３２】
請求項３１に記載の光電陰極であって、
前記キャップ層が、ルテニウムおよび白金の合金を含むことを特徴とする光電陰極。
【請求項３３】
請求項２０に記載の光電陰極であって、
前記本体は、ドーピングレベルが１０１８から１０２０ｃｍ−３のｐ型ドープあるいはｎ型ドープであることを特徴とする光電陰極。
【請求項３４】
請求項２０に記載の光電陰極を含む電子ビームツールであって、前記電子放出器によって生成され、ウェーハの表面から反射させられる電子を受け取る検出器を含むことを特徴とする電子ビームツール。
【請求項３５】
方法であって、
光電陰極を、２波長スキームを有する光子ビームによって照射するステップであって、前記光電陰極が、本体の第１の表面上に配設された金属層と、前記本体の第２の表面上に配設されたアルカリハライド光電陰極エミッタを含み、前記第１の表面は前記第２の表面の反対側である、照射するステップと、
電界を前記金属層に印加し、これにより電子を前記光電陰極の表面に向けて導くステップと、
前記光電陰極が前記光子ビームによって照射される際に電子ビームを生成するステップと
を含むことを特徴とする方法。
【請求項３６】
請求項３５に記載の方法であって、
前記本体が、ワイドバンドギャップ半導体材料から製作され、前記本体が、１００ｎｍ未満の前記第１の表面と前記第２の表面との間の厚さを有し、前記アルカリハライド光電陰極が、１０ｎｍ未満の厚さを有することを特徴とする方法。
【請求項３７】
請求項３５に記載の方法であって、
前記２波長スキームにおける両方の波長が、ポンピングするように構成されることを特徴とする方法。
【請求項３８】
請求項３５に記載の方法であって、
前記２波長スキームが、伝送および反射を有する同時モードを含むことを特徴とする方法。
【請求項３９】
請求項３５に記載の方法であって、前記２波長スキームが、伝送モードまたは反射モードを含むことを特徴とする方法。