【手続補正書】
【提出日】令和2年12月1日(2020.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つの固体物（１）から少なくとも１つの固体層（４）を分離する方法であって、
レーザビームを用いて複数の改質（９）を固体物（１）の内部に形成して、剥離領域（８）を形成するステップと、
最初は露出している前記固体物（１）の表面（５）に、または前記表面（５）の上方に、少なくとも１つの金属層および／または電気的な構成部材（１５０）を配置または形成することによって、複合構造物を形成するステップであって、露出している前記表面（５）は、分離すべき前記固体層（４）の構成部分であるステップと、
前記固体物（１）に外部からの力を及ぼして、前記固体物（１）に応力を生成する、または前記固体物（１）に内部の力を生成するステップであって、前記外部からの力または前記内部の力は、前記力の結果として、前記剥離領域（８）に沿って亀裂伝播が生じるような強さであるステップと、
を少なくとも含む方法において、
前記剥離領域（８）を形成するための前記改質を、前記複合構造物の前に形成することを特徴とする、
方法。
【請求項２】
前記外部からの力を及ぼすために、前記複合構造物または分離すべき前記固体層（４）の露出した表面（５）に受容層（１４０）を配置し、
前記受容層（１４０）は、ポリマー材料を有し、特に機械的に、前記固体物（１）に応力を生成するために、前記受容層（１４０）に熱的衝撃を印加し、
ここで前記熱的衝撃印加とは、前記受容層（１４０）を周囲温度よりも低い温度まで冷却することであり、前記冷却を、前記受容層（１４０）のポリマー材料がガラス転移を引き起こすようにして行い、
前記応力によって、前記剥離領域（８）に沿って前記固体物（２）内に亀裂が伝播し、前記亀裂によって、第１の前記固体層（４）を前記固体物（２）から分離する、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
レーザ放射の経路において、ドナー基板（１）にレーザ放射を導入する前に回折光学素子（ＤＯＥ）が配置されており、複数の焦点を生成するために前記レーザ放射を前記回折光学素子によって複数の光路に分割し、
前記回折光学素子は、好ましくは、２００μｍの長さにわたり像面湾曲を引き起こし、前記像面湾曲は、５０μｍ以下であり、特に３０μｍ以下であり、または１０μｍ以下であり、または５μｍ以下であり、または３μｍ以下であり、
前記ドナー基板の材料特性を変化させるために前記回折光学素子によって、少なくとも２つの焦点を同時に生成し、好ましくは少なくともまたは厳密に３つの、あるいは少なくともまたは厳密に４つの、あるいは少なくともまたは厳密に５つまたは５つまでの、あるいは少なくともまたは厳密に１０個または１０個までの、あるいは少なくともまたは厳密に２０個または２０個までの、あるいは少なくともまたは厳密に５０個または５０個までの、あるいは１００個までの焦点を同時に生成する、
請求項１または２記載の方法。
【請求項４】
前記固体物をレーザ印加装置に対し相対的に移動させるステップであって、そのつど少なくとも１つの改質を生成するために、前記レーザ印加装置を用いて複数のレーザビームを相前後して生成するステップを含み、前記ステップにおいて、前記レーザビームを規定どおりに集束するために、かつ／またはレーザエネルギーを整合させるために、特に連続的に、少なくとも１つのパラメータ、特に複数のパラメータに依存して、前記レーザ印加装置を調整する、
請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記レーザビームは、ドナー基板の平坦な表面を介して前記ドナー基板（２）中に侵入し、前記レーザビームは前記ドナー基板の平坦な表面に対し、前記レーザビームが前記ドナー基板の長手軸線に対し０°または１８０°とは異なる角度で前記ドナー基板に侵入するように傾斜しており、前記レーザビームを、前記改質を前記ドナー基板に生成するために集束させるステップ、または
前記ドナー基板の材料を、前記ドナー基板の周方向で延在する表面から出発して、前記ドナー基板の中心に向かう方向で切除するステップであって、前記材料を好ましくは研磨工具またはアブレーションレーザビームによって切除するステップ、
を含む、
請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
【請求項６】
前記固体物は、平坦な主表面に対し傾斜した結晶格子面を有し、前記固体物の前記主表面は、前記固体物の長手方向において一方の側で境界を成し、結晶格子面法線は、主表面法線に対し第１の方向で傾斜し、前記改質は、ドナー基板の材料特性の変化であり、
前記材料特性の変化は、前記固体物における前記レーザ放射の侵入個所の変化により、少なくとも部分的に線状造形物を形成し、
前記材料特性の変化を、生成面上に、特に少なくとも１つの生成面上に、または厳密に１つの生成面上に、または前記剥離領域内に、生成し、
前記固体物の前記結晶格子面は、前記生成面または前記剥離領域に対し、傾斜して配向されており、
前記線状造形物は、前記生成面または前記剥離領域と前記結晶格子面との間の界面に生じる分割線に対し傾斜しており、
変化させられた材料特性によって、前記固体物（１）に臨界未満の亀裂の形態で亀裂が入り、
前記ドナー基板に外部からの力を及ぼして、前記臨界未満の亀裂を結合させることにより、前記固体層を分離させ、または前記臨界未満の亀裂を結合させながら前記固体層が前記ドナー基板から剥離する程度に、前記生成面上または前記剥離領域内の材料をレーザ放射により変化させる、
請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記レーザ放射を、５ｎｓ未満の、または２ｎｓ未満の、または１ｎｓ未満の、特に７００ｐｓ未満の、または５００ｐｓ未満の、または４００ｐｓ未満の、または３００ｐｓ未満の、または２００ｐｓ未満の、または１５０ｐｓ未満の、または１００ｐｓ未満の、または５０ｐｓ未満の、または１０ｐｓ未満のパルス長で生成し、かつ
前記レーザ放射を、１００ｎＪ〜１ｍＪ、または５００ｎＪ〜１００μＪ、または１μＪ〜５０μＪ、または０．１μＪ〜５０μＪにあるパルスエネルギーで生成する、
請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記改質は、少なくとも１つの剥離領域を予め定め、ここで前記剥離領域は、少なくとも１つの３次元輪郭を表し、または
前記固体物の内部に、非平坦な、特に湾曲した、剥離領域を形成するために、複数の改質を生成する、
請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
【請求項９】
第１のパラメータは、前記固体物（１）の材料の平均屈折率であり、または規定された改質（２）を生成するためにレーザビーム（１０）を横断させるべき前記固体物（１）の領域内の前記固体物（１）の材料の屈折率であり、
第２のパラメータは、規定された改質（２）を生成するためにレーザビーム（１０）を横断させるべき前記固体物（１）の領域内の加工処理深さであり、
前記第１のパラメータを、屈折率特定手段を用いて、特に分光反射を用いて、特定し、かつ／または
前記第２のパラメータを、トポグラフィ特定手段を用いて、特にクロマティック共焦点距離センサを用いて、特定し、
前記パラメータのためのデータを、特に前記第１のパラメータおよび前記第２のパラメータのためのデータを、データ記憶装置（１２）において準備し、少なくとも前記改質（２）の生成前に制御装置（１４）に供給し、前記制御装置（１４）は、生成すべき前記改質（２）の個々の個所に応じて、レーザ印加装置（８）を調整し、
前記制御装置（１４）は、前記レーザ印加装置（８）を調整するために、距離パラメータに関する距離データも処理し、前記距離パラメータは、個々の前記改質（２）を前記固体物（１）中に生成するために改質生成時点にレーザビーム（１０）が導入される個々の個所から前記レーザ印加装置（８）までの間隔を表し、前記距離データを、センサ装置（１６）を用いて捕捉し、
前記レーザ印加装置（８）の調整を、それぞれ１つのセンサ手段を用いて、特に屈折率特定手段とトポグラフィ特定手段とを用いて、改質生成中に行われる前記第１のパラメータおよび前記第２のパラメータの特定に応じて行う、
請求項８記載の方法。
【請求項１０】
少なくとも１つの、特に複数の第２の剥離面を予め定めるために、レーザビームを用いて第２のグループの改質を生成し、第１の剥離面と第２の剥離面とは互いに直交して配向されており、
前記固体物から分離された前記固体層を、前記第２の剥離面に沿って分割して固体素子を個別化する、
請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】
前記表面に応力生成層を押圧するために、圧力印加装置の少なくとも１つの圧力印加部材を、前記応力生成層の少なくとも１つの予め定められた部分に押圧するステップを含み、
前記圧力印加部材を、少なくとも、前記応力生成層への熱的衝撃印加中および／または亀裂伝播中、前記応力生成層に押圧する、
請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１２】
前記固体物へ導入する前に前記レーザビームのビーム特性を変化させるステップを含み、前記ビーム特性は、焦点における強度分布であり、前記ビーム特性の変化または整合を、少なくともまたは厳密に１つの空間光変調器によって、かつ／または少なくともまたは厳密に１つの回折光学素子によってもたらし、前記空間光変調器および／または前記回折光学素子は、前記レーザ放射のビーム路において前記固体物と放射源との間に配置されている、
請求項１から１１までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１３】
前記固体物中の改質を、金属コンタクト層を生成または配置する前に生成する、
請求項１から１２までのいずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
請求項１から１３までのいずれか１項記載の方法に従い製造された固体物（１）であって、
前記固体物（１）は、少なくとも、
レーザ放射により生成された改質（９）から成る、前記固体物（１）内部の剥離領域（８）と、
高温処理法により結果として生じた領域（１４５）と、
を有し、
前記領域（１４５）に、前記少なくとも１つの金属層および／または前記電気的な構成部材（１５０）が配置または形成されている、
固体物。
【請求項１５】
マルチコンポーネント集成体であって、
前記マルチコンポーネント集成体は、少なくとも、固体層と、前記固体層の第１の表面に形成された金属層および／または前記固体層の第１の表面に形成された電気的な構成部材（１５０）と、を有し、
前記固体層は、（質量の点で）５０％よりも多くが、特に（質量の点で）７５％よりも多くが、または（質量の点で）９０％よりも多くが、または（質量の点で）９５％よりも多くが、または（質量の点で）９８％よりも多くが、または（質量の点で）９９％よりも多くが、ＳｉＣから成り、
前記固体層は第１の表面の領域において、圧縮応力を生成する改質または改質構成部分を有し、
前記改質は、前記固体層の非晶化された構成部分であり、
前記改質は、第２の表面よりも前記第１の表面の近くに離間されており、または前記第１の表面をいっしょに形成し、前記第２の表面は、前記第１の表面に対し平行にまたは実質的に平行に形成されており、
前記第１の表面は平坦または実質的に平坦である、
マルチコンポーネント集成体。