【手続補正書】
【提出日】平成17年9月20日(2005.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体ウェハの製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  （ａ）第１および第２の半導体ウェハを準備する工程と、
（ｂ）前記第２の半導体ウェハの主表面を前記第１の半導体ウェハの主表面に貼り合わせる工程と、
（ｃ）前記第１および第２の半導体ウェハの貼り合わせ箇所の近傍に前記第１の半導体ウェハ側から酸素イオンを注入する工程と、
（ｄ）熱処理により酸素イオン注入箇所を酸化膜層に形成する工程と
を備える半導体ウェハの製造方法。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】  請求項１に記載の半導体ウェハの製造方法であって、
前記第１および第２の半導体ウェハの結晶方位は、互いに４５°または１３５°ずれている
半導体ウェハの製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項３】  （ａ）結晶方位の方向の端部に複数の切り欠きがそれぞれ形成された第１の半導体ウェハを準備する工程と、
（ｂ）前記第１の半導体ウェハの前記複数の切り欠きの一つの結晶方位の方向とは異なる結晶方位の方向の端部に切り欠きが形成された第２の半導体ウェハを準備する工程と、
（ｃ）前記第１の半導体ウェハの前記複数の切り欠きの前記一つと前記第２の半導体ウェハの前記切り欠きとを前記第１および第２の半導体ウェハの位置合わせに用いつつ、前記第１の半導体ウェハの前記複数の切り欠きのうち他の切り欠きを半導体ウェハ製造装置のガイド部分に係合させて前記第１および第２の半導体ウェハを貼り合わせる工程と、
（ｄ）前記第１および第２の半導体ウェハの貼り合わせ箇所の近傍に前記第１の半導体ウェハ側から酸素イオンを注入する工程と、
（ｅ）熱処理により酸素イオン注入箇所を酸化膜層に形成する工程と
を備える半導体ウェハの製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項４】  請求項３に記載の半導体ウェハの製造方法であって、
前記第１の半導体ウェハの前記結晶方位表示部の前記一つと前記第２の半導体ウェハの前記結晶方位表示部とは、互いに４５°または１３５°ずれている
半導体ウェハの製造方法。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、（ａ）第１および第２の半導体ウェハを準備する工程と、（ｂ）前記第２の半導体ウェハの主表面を前記第１の半導体ウェハの主表面に貼り合わせる工程と、（ｃ）前記第１および第２の半導体ウェハの貼り合わせ箇所の近傍に前記第１の半導体ウェハ側から酸素イオンを注入する工程と、（ｄ）熱処理により酸素イオン注入箇所を酸化膜層に形成する工程とを備える半導体ウェハの製造方法である。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項３に記載の発明は、（ａ）結晶方位の方向の端部に複数の切り欠きがそれぞれ形成された第１の半導体ウェハを準備する工程と、（ｂ）前記第１の半導体ウェハの前記複数の切り欠きの一つの結晶方位の方向とは異なる結晶方位の方向の端部に切り欠きが形成された第２の半導体ウェハを準備する工程と、（ｃ）前記第１の半導体ウェハの前記複数の切り欠きの前記一つと前記第２の半導体ウェハの前記切り欠きとを前記第１および第２の半導体ウェハの位置合わせに用いつつ、前記第１の半導体ウェハの前記複数の切り欠きのうち他の切り欠きを半導体ウェハ製造装置のガイド部分に係合させて前記第１および第２の半導体ウェハを貼り合わせる工程と、（ｄ）前記第１および第２の半導体ウェハの貼り合わせ箇所の近傍に前記第１の半導体ウェハ側から酸素イオンを注入する工程と、（ｅ）熱処理により酸素イオン注入箇所を酸化膜層に形成する工程とを備える半導体ウェハの製造方法である。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
そして、ＳＯＩ層３２の表面には、ＭＯＳトランジスタ等のデバイス、およびそれらデバイス間を接続する配線などを含む半導体装置が形成される。図１中のＭＯＳトランジスタＴＲ１がその一例である。なお、ＭＯＳトランジスタＴＲ１中に示された記号Ｓはソースを、記号Ｄはドレインを、記号Ｇはゲートを、それぞれ示す。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
なお、凹部ＨＬの深さＤＰ２を支持基板側ウェハ１の厚さよりも小さくしておけば、支持基板側ウェハ１を凹部ＨＬ内に載置したときに、支持基板側ウェハ１は支持台ＨＤの表面よりも若干突出する。この場合には、凸部ＧＤ１がウェハガイドＧＤ２から突出したときに、凸部ＧＤ１の底面と支持基板側ウェハ１の表面とが離れ過ぎないようにすることができ、ノッチ３２ｂへの凸部ＧＤ１の係合を確実に保ちつつＳＯＩ層用ウェハ３２０を降下させることができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
ＳＯＩ層用ウェハ３２０にノッチ３２ａ，３２ｂを形成するので、支持基板側ウェハ１のノッチ１ａとＳＯＩ層用ウェハ３２０のノッチ３２ａとを位置合わせに用いつつ両ウェハ１，３２０の貼り合わせを行う際に、ＳＯＩ層用ウェハ３２０のノッチ３２ｂを半導体ウェハ製造装置のガイド部分に係合して、ウェハ間での回動による位置ずれの防止を図ることが可能である。これにより、両ウェハ１，３２０の位置合わせを高精度に行うことが可能となる。その結果、劈開時にＭＯＳトランジスタのチャネル方向に沿った断面を容易に露出させることが可能で、かつ、電流駆動力を充分に向上させたＭＯＳトランジスタを半導体ウェハ上に形成することができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５５】
【発明の効果】
請求項１に記載の発明によれば、第１および第２の半導体ウェハを貼り合わせた後、酸素イオンを注入し、熱処理により酸素イオン注入箇所を酸化膜層に形成する。よって、貼り合わせ時に第１および第２の半導体ウェハの間で結晶方位をずらせておけば、ＳＯＩ層と支持基板側との間で互いの結晶方位がずれたＳＯＩウェハが形成できる。また、酸化膜層を酸素イオン注入と熱処理とにより形成するので、ＳＯＩ層膜厚のばらつきの少ないＳＯＩウェハを製造することができる。ＳＯＩ層膜厚のばらつきの少なさは、電流駆動力の向上に資するので、その結果、劈開時にＭＯＳトランジスタのチャネル方向に沿った断面を容易に露出させることが可能で、かつ、電流駆動力を充分に向上させたＭＯＳトランジスタを半導体ウェハ上に形成することができる。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
請求項３に記載の発明によれば、第１および第２の半導体ウェハを貼り合わせた後、酸素イオンを注入し、熱処理により酸素イオン注入箇所を酸化膜層に形成する。よって、貼り合わせ時に第１および第２の半導体ウェハの間で結晶方位をずらせておけば、ＳＯＩ層と支持基板側との間で互いの結晶方位がずれたＳＯＩウェハが形成できる。また、酸化膜層を酸素イオン注入と熱処理とにより形成するので、ＳＯＩ層膜厚のばらつきの少ないＳＯＩウェハを製造することができる。ＳＯＩ層膜厚のばらつきの少なさは、電流駆動力の向上に資するので、その結果、劈開時にＭＯＳトランジスタのチャネル方向に沿った断面を容易に露出させることが可能で、かつ、電流駆動力を充分に向上させたＭＯＳトランジスタを半導体ウェハ上に形成することができる。また、工程（ｃ）において、第１の半導体ウェハの複数の切り欠きのうち他の切り欠きを半導体ウェハ製造装置のガイド部分に係合させて第１および第２の半導体ウェハを貼り合わせる。よって、ウェハ間での回動による位置ずれの防止を図ることが可能である。これにより、両ウェハの位置合わせを高精度に行うことが可能となり、両ウェハで結晶方位を異ならしめて電流駆動力を充分に向上させたＭＯＳトランジスタを半導体ウェハ上に形成することができる。また、形成されたＭＯＳトランジスタの電気特性に、半導体ウェハごとのばらつきが生じにくい。