【手続補正書】
【提出日】令和3年11月4日(2021.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エンティティからガスを排気及び除害するモジュール式真空ポンプ及び除害システムであって、
複数の機能モジュールと、
複数のガス接続ラインであって、該ガス接続ラインの各々がガスの流れを搬送するためのものである、複数のガス接続ラインと、
を備え、
前記複数の機能モジュールは、
前記エンティティから前記ガスをポンプ送給する真空ポンプ装置を含む第１のモジュールと、
前記エンティティからポンプ送給された前記ガスを除害する除害装置を含む第２のモジュールと、
を含み、
前記第１のモジュールは、第１のシステムディメンションで前記第２のモジュールに隣接して配置され、
前記第１及び第２のモジュールは各々、共通固定システム値のそれぞれの整数倍である最大サイズを前記第１のシステムディメンションで有し、
前記第１のモジュールは、前記複数のガス接続ラインのうちの少なくとも１つによって前記第２のモジュールに流体接続されて、前記除害装置が前記真空ポンプ装置によって前記エンティティからポンプ送給された前記ガスを受け取ることができるようになり、
前記ガス接続ラインの各々は、１又は２以上のセクションを含み、前記各セクションは、前記共通固定システム値のそれぞれの整数倍であるサイズを有し、
前記共通固定システム値は、１０ｍｍ〜５ｃｍの範囲の値である、
ことを特徴とする、システム。
【請求項２】
前記システム内の前記ガスの温度を管理するように構成された熱管理システムを更に備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記熱管理システムは、前記システム内の前記ガスの温度を予め定義された閾値温度を上回って維持するように構成される、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記熱管理システムは、温度センサ、圧力センサ、加熱器及び冷却器からなる装置のグループから選択された１又は２以上の装置を含み、
前記各装置は、前記機能モジュールのうちの１つ又は前記ガス接続ラインのうちの１つに動作可能に結合される、請求項２又は３に記載のシステム。
【請求項５】
前記熱管理システムは、前記複数の機能モジュールの第３のモジュール内にあり、
前記第３のモジュールは、前記第１のシステムディメンションで前記第１のモジュール及び／又は前記第２のモジュールに隣接して配置され、
前記第３のモジュールは、前記共通固定システム値のそれぞれの整数倍である最大サイズを前記第１のシステムディメンションで有する、請求項２から４の何れかに記載のシステム。
【請求項６】
前記第１のモジュールは、共通固定システム値の第１の整数倍である最大サイズを前記第１のシステムディメンションで有し、
前記第２のモジュールは、前記共通固定システム値のそれぞれの第２の整数倍である最大サイズを前記第１のシステムディメンションで有し、前記第２の整数は前記第１の整数と異なる、請求項１から５の何れかに記載のシステム。
【請求項７】
前記第１の整数及び前記第２の整数は、２〜２０の範囲の整数である、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記ガス接続ラインの各々の長さは、前記共通固定システム値のそれぞれの整数倍である、請求項１から７の何れかに記載のシステム。
【請求項９】
前記第１及び第２のモジュールの各々は、
前記モジュール内に前記ガスを受け取るガス接続ライン入力部と、
前記モジュールから前記ガスを排気するガス接続ライン出力部と、
設備供給源から搬送された設備を受け取る設備接続ライン入力部と、
前記モジュールの前記真空ポンプ装置又は前記除害装置及び前記モジュールの前記接続ライン入力部及び出力部を前記モジュール内で所定位置に位置決めするフレームと、
含む、請求項１から８の何れかに記載のシステム。
【請求項１０】
前記複数の機能モジュールは、少なくとも１つの更なるモジュールを更に含み、
前記少なくとも１つの更なるモジュールの各々は、前記第１のシステムディメンションで前記第１のモジュール及び／又は前記第２のモジュールに隣接して配置され、
前記少なくとも１つの更なるモジュールの各々は、前記共通固定システム値のそれぞれの整数倍である最大サイズを前記第１のシステムディメンションで有し、
前記少なくとも１つの更なるモジュールの各々は、前記第１のモジュール及び／又は前記第２のモジュールに動作可能に結合され、
前記少なくとも１つの更なるモジュールの各々は、前記エンティティから前記ガスをポンプ送給する真空ポンプ装置と、前記エンティティからポンプ送給された前記ガスを除害する除害装置と、第２の流体及び／又は電力を設備供給部から受け取って、受け取られた前記第２の流体及び／又は電力を別のモジュールに供給する設備装置と、前記別のモジュールの動作を制御する制御装置と、からなる装置のグループから選択された装置を含む、請求項１から９の何れかに記載のシステム。        
【請求項１１】
前記複数の機能モジュールを共に接続するように構成された１又は２以上の接続ラインを更に備え、前記接続ラインの各々の長さは、前記共通固定システム値のそれぞれの整数倍であり、前記１又は２以上の接続ラインは、流体の流れを通して搬送するパイプ、導電体又は光ファイバ用のハウジング、電力又は電気信号用の導電体、及び光ファイバからなる接続ラインのグループから選択された接続ラインである、請求項１から１０の何れかに記載のシステム。
【請求項１２】
第２のシステムディメンションでの前記機能モジュールの各々のサイズは、互いに実質的に等しく、前記第２のシステムディメンションが、前記第１のシステムディメンションに垂直である、請求項１から１１の何れかに記載のシステム。
【請求項１３】
前記機能モジュールの各々は、前記共通固定システム値のそれぞれの整数倍である最大サイズを前記第２のシステムディメンションで有し、前記第２のシステムディメンションが、前記第１のシステムディメンションに垂直である、請求項１から１２の何れかに記載のシステム。
【請求項１４】
第３のシステムディメンションでの前記機能モジュールの各々のサイズは、互いに実質的に等しく、前記第３のシステムディメンションが、前記第１及び第２のシステムディメンションに垂直である、請求項１２又は１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記機能モジュールの各々は、前記共通固定システム値のそれぞれの整数倍である最大サイズを前記第３のシステムディメンションで有し、前記第３のシステムディメンションが、前記第１及び第２のシステムディメンションに垂直である、請求項１２から１４の何れかに記載のシステム。
【請求項１６】
エンティティからガスを排気及び除害する方法であって、
真空ポンプ装置を含む第１のモジュールを設けるステップと、
除害装置を含む第２のモジュールを設けるステップと、
前記第１のモジュールを第１のシステムディメンションで前記第２のモジュールに隣接して配置するステップであって、前記第１及び第２のモジュールが各々、共通固定システム値のそれぞれの整数倍である最大サイズを前記第１のシステムディメンションで有し、前記共通固定システム値は、１０ｍｍ〜５ｃｍの範囲の値である、ステップと、
前記第１のモジュールを少なくとも１つのガス接続ラインによって前記第２のモジュールに流体接続するステップであって、前記ガス接続ラインの各々は、１又は２以上のセクションを備え、前記セクションの各々は、前記共通固定システム値のそれぞれの整数倍であるサイズを有する、ステップと、
前記真空ポンプ装置によって、前記エンティティから前記除害装置にガスをポンプ送給するステップと、
前記除害装置によって、前記真空ポンプ装置から受け取られたガスを除害するステップと、
を含む、方法。
【請求項１７】
熱管理システムによって、前記第１のモジュール、前記第２のモジュール及び前記少なくとも１つのガス接続ラインのうちの１又は２以上内の前記ガスの温度を制御するステップを更に含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ガスは、１又は２以上の凝縮性物質を含み、
前記制御するステップは、前記ガスの温度を前記１又は２以上の凝縮性物質が凝縮する閾値温度を上回って維持するように実施される、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
熱管理システムによって、前記第１のモジュール、前記第２のモジュール及び前記少なくとも１つのガス接続ラインのうちの１又は２以上内の前記ガスの温度プロファイルを判定又は推定するステップを更に含む、請求項１６から１８の何れかに記載の方法。
【請求項２０】
前記ガスは、半導体製造設備からのプロセスガスである、請求項１６から１９の何れかに記載の方法。