Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月21日(2004.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体集積回路内で信号伝達可能なパスを選択するための検索条件を指定する検索条件指定部と、
前記半導体集積回路の回路情報に基づいて前記半導体集積回路のタイミング解析を実行し、前記検索条件を満足する前記パスを検索し、検索された前記パスを構成するセルを前記タイミング解析が実行された順番に並べたパスリストを作成するパスリスト生成部と、
前記パスリストに基づいて、前記半導体集積回路のパス遅延故障を試験するためのテストベクタを生成するテストベクタ生成部と、
前記テストベクタの前記パスリストの前記パスが前記半導体集積回路の全面に分布する場合に前記テストベクタの生成を終了させる終了条件を指定する終了条件指定部と、
前記終了条件を満足する場合に、前記パスリストの作成を停止する終了条件判定部を有することを特徴とするテストベクタ生成装置。.
【請求項２】
前記終了条件指定部は、
前記半導体集積回路を複数の領域に分割し、生成された前記テストベクタと前記パスリストの基となる前記パスが前記領域を被覆していると判定するための条件を指定する被覆判定条件指定部と、
被覆されていると判定された前記領域の数の前記領域の総数に対する比率を指定する被覆率定義部を有することを特徴とする請求項１に記載のテストベクタ生成装置。
【請求項３】
半導体集積回路内のパスで遅延故障が発生しているか否かのテスト結果に基づいて、前記遅延故障が発生している前記パスを構成するセルのリストを生成するフェイルパスのセルリスト生成部と、
前記遅延故障が発生している前記パスの一部を有する故障セル探索用パスを検索するための検索条件を指定する検索条件指定部と、
前記検索条件に基づいて前記故障セル探索用パスを検索し、検索された前記故障セル探索用パスを構成するセルを信号伝達可能な順番に並べた故障セル探索用パスリストを生成する故障セル探索用パスリスト生成部と、
前記故障セル探索用パスリストに基づいて、前記故障セル探索用パスリストのテストベクタを生成する故障セル探索用テストベクタ生成部と、
前記テストベクタの生成を終了させる終了条件を指定する終了条件指定部と、
前記終了条件を満足する場合に、前記パスリストの作成を停止する終了条件判定部を有することを特徴とする半導体集積回路の故障解析装置。
【請求項４】
半導体集積回路内で信号伝達可能なパスを選択するための検索条件を指定することと、
前記半導体集積回路の回路情報に基づいて前記半導体集積回路のタイミング解析を実行し、前記検索条件を満足する前記パスを検索し、検索された前記パスを構成するセルを前記タイミング解析が実行された順番に並べたパスリストを作成することと、
前記パスリストに基づいて、前記半導体集積回路のパス遅延故障を試験するためのテストベクタを生成することと、
前記テストベクタの前記パスリストの前記パスが前記半導体集積回路の全面に分布する場合に前記テストベクタの生成を終了させる終了条件を指定することと、
前記終了条件を満足する場合に、前記パスリストの作成を停止することを有することを特徴とするテストベクタの生成方法。
【請求項５】
半導体集積回路内で信号伝達可能なパスを選択するための検索条件を指定する手順と、
前記半導体集積回路の回路情報に基づいて前記半導体集積回路のタイミング解析を実行し、前記検索条件を満足する前記パスを検索し、検索された前記パスを構成するセルを前記タイミング解析が実行された順番に並べたパスリストを作成する手順と、
前記パスリストに基づいて、前記半導体集積回路のパス遅延故障を試験するためのテストベクタを生成する手順と、
前記テストベクタの前記パスリストの前記パスが前記半導体集積回路の全面に分布する場合に前記テストベクタの生成を終了させる終了条件を指定する手順と、
前記終了条件を満足する場合に、前記パスリストの作成を停止する手順をコンピュータに実行させることを特徴とするテストベクタを生成するためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月28日(2005.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
穀粒の外観的な特性と物理的な特性とを相互に関連付けて計測する穀粒の特性計測方法であって、
穀粒を一粒ずつ番号付けされた所定の位置に分離して配列する第１のステップと、
この番号付けされた穀粒を撮像して画像解析し、穀粒の外観的な特性を計測する第２のステップと、
前記番号付けされた穀粒を一粒ずつ、番号付けされた状態で搬送する第３のステップと、
前記一粒ずつ搬送された穀粒を最終的には破砕して、穀粒の物理的な特性を計測する第４のステップと、
前記第２のステップで計測した外観的な特性と前記第４のステップで計測した物理的な特性とを前記番号付けされた穀粒の番号ごとに整理して記憶する第５のステップと
を有することを特徴とする穀粒の特性計測方法。
【請求項２】
前記外観的な特性が、少なくとも穀粒の形状，大きさおよび色合いを含むものであり、前記物理的な特性が、少なくとも穀粒の硬度，重量および含水率を含むものであることを特徴とする請求項１に記載の穀粒の特性計測方法。
【請求項３】
前記各ステップに加えて、
前記外観的な特性および前記物理的な特性を統計的に処理して、前記穀粒の集合体としての品質特性を算出するステップを有することを特徴とする請求項１または２に記載の穀粒の特性計測方法。
【請求項４】
前記穀粒の集合体としての品質特性が、前記外観的な特性あるいは前記物理的な特性をパラメータとして算出されることを特徴とする請求項３に記載の穀粒の特性計測方法。
【請求項５】
穀粒を一粒ずつ分離して収納する多数の孔を有する穀粒収納プレートと、
この穀粒収納プレートによって所定の位置に配置され、その位置によって番号付けされた穀粒を撮像して画像解析し、穀粒の外観的な特性を計測する外観特性計測装置と、
前記所定の位置に配置された穀粒を、所定の順番で一粒ずつ順次搬送する穀粒搬送装置と、
この穀粒搬送装置で搬送された穀粒を受け取り、その物理的な特性を計測する物理特性計測装置と、
前記外観特性計測装置および物理特性計測装置で計測した穀粒ごとの計測値を記憶するデータ記憶装置と
を有することを特徴とする穀粒の特性計測装置。
【請求項６】
前記構成要素に加えて、
前記外観特性計測装置および前記物理特性計測装置で計測した穀粒ごとの計測値を統計的に処理して、穀粒の集合体としての品質特性を演算する演算装置と、
前記データ記憶装置に記憶されている穀粒ごとの計測値および前記演算装置で演算した穀粒の集合体としての特性を表示する表示装置と
を有することを特徴とする請求項５に記載の穀粒の特性計測装置。
【請求項７】
前記外観特性計測装置が、前記所定の位置に配置された穀粒の群を光学的にスキャンニングして撮像する撮像装置と、この撮像装置で撮像された画像を解析してそれぞれの穀粒の外観的な特性を個別に計測する画像解析装置とを有することを特徴とする請求項５または６に記載の穀粒の特性計測装置。
【請求項８】
前記物理特性計測装置が、前記穀粒の一粒ごとの重量を測定する重量計と、前記穀粒を一粒ごとに破砕する破砕装置とを有し、この破砕装置で穀粒を破砕する際の破砕荷重と破砕された穀粒の電気伝導率から穀粒の硬度と含水率を演算により求めることを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の穀粒の特性計測装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
また、スキャナ１４上の穀粒収納プレート１２が載置される位置によっては、小麦の一部が穀粒収納プレート１２の穀粒収納孔１２ａの壁面の陰になる場合がある。このため、本実施形態では穀粒収納プレート１２を透明なプラスチックで形成している。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月6日(2005.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項７】  請求項２〜６のいずれか１項に係る製造方法を用いて作製されたＳＰＭ用カンチレバーにおいて、前記探針部は大略板状であり、該探針部の尖鋭化された先端部は板厚以上の長さを有し先端部先端に向けて厚さが薄くなり、且つ該先端が板状探針部基部の表裏両面の延長面より内側に位置するように構成されていることを特徴とするＳＰＭ用カンチレバー。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
次に、探針部形成用マスク13を形成したシリコン表面を、ＫＯＨ（水酸化カリウム），ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）などのアルカリ水溶液で異方性ウエットエッチングを行い、図３の（Ｂ）に示すような探針部形成用段差15をシリコン基板11の一面に形成する。次に、探針部形成用マスク13及び裏面窒化シリコン膜14を、熱リン酸等で除去する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６１】
最後に、図７の（Ｋ）に示すように、シリコンウエーハ表面側全面に形成されているカンチレバーの保護膜としてＣＶＤ法による酸化シリコン膜53，酸化シリコン膜からなる保護膜51及び低温熱酸化処理による酸化膜52，支持部形成用マスク42を、フッ酸によりエッチング除去することにより、三角錐形状の探針部49を有するカンチレバー55が完成する。ここで、探針部49と同様な形状の突起部49′が、探針部以外にも形成されることになるが、レバー部50以外の測定上問題にならない位置（例えば支持部54上など）に形成するように、最初のマスクパターンを形成しておけば問題はない。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月4日(2005.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  携帯可能な長手棒状に形成された装置本体と、
前記装置本体の一方の端部に所定の第１の方向に向って設けられ、画像の撮影と三次元距離計測とを行う受光素子と、
前記装置本体の他方の端部に前記第１の方向に向って設けられ、三次元距離計測用の光を出射する投光系と、
を有することを特徴とする三次元画像計測装置。
【請求項２】  前記三次元距離計測用の光は、レーザ光またはＬＥＤ光を走査または点滅させた光であることを特徴とする請求項１記載の三次元画像計測装置。
【請求項３】  前記投光系から出射されて被測距部材に反射してきた光を前記受光素子によって受光することにより、光切断法による距離計測を行うことを特徴とする請求項１記載の三次元画像計測装置。
【請求項４】  前記装置本体内に外部通信機器と通信を行う通信手段を有することを特徴とする請求項１記載の三次元画像計測装置。
【請求項５】  前記装置本体内にバッテリを配置したことを特徴とする請求項１記載の三次元画像計測装置。
【請求項６】  前記バッテリは、前記装置本体の受光素子と投光系との間に配置されていることを特徴とする請求項５記載の三次元画像計測装置。
【請求項７】  前記バッテリは、前記装置本体の長手方向に沿って配置される円筒型の蓄電池であることを特徴とする請求項６記載の三次元画像計測装置。
【請求項８】  クレイドルを経由して、外部通信機器と通信を行うとともに、充電を行う接続手段を有することを特徴とする請求項１記載の三次元画像計測装置。
【請求項９】  前記受光素子によって受光した光の点滅パターンを検知し、前記点滅パターンから特定の情報を解読する読み取り手段を有することを特徴とする請求項１記載の三次元画像計測装置。
【請求項１０】  前記受光素子によって撮影する被写体をモニタするモニタ手段を有することを特徴とする請求項１記載の三次元画像計測装置。
【請求項１１】  前記モニタ手段は、前記受光素子を通さずに被写体を観測する光学ビューファインダであることを特徴とする請求項１０記載の三次元画像計測装置。
【請求項１２】  前記モニタ手段は、前記受光素子による撮影画像を出力する画像出力回路と、前記画像出力回路からの画像を表示する画像表示型ビューファインダであることを特徴とする請求項１０記載の三次元画像計測装置。
【請求項１３】  前記三次元距離計測用の光を走査するためのスキャナミラーを有することを特徴とする請求項１記載の三次元画像計測装置。
【請求項１４】  前記三次元距離計測用の光をスリット状の光に変換して出射するスリット光生成手段を有することを特徴とする請求項１記載の三次元画像計測装置。
【請求項１５】  前記スリット光生成手段は、シリンドリカルレンズであることを特徴とする請求項１４記載の三次元画像計測装置。
【請求項１６】  前記スリット光生成手段は、ホログラム素子であることを特徴とする請求項１４記載の三次元画像計測装置。
【請求項１７】  前記装置本体の外側部に、前記装置本体をシート状の物体に係止するためのクリップ部を有することを特徴とする請求項１記載の三次元画像計測装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月14日(2005.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、分析用具および分析装置を用いて、試料液を分析するための技術に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
各第１気体排出口６２は、流路５１内の気体を排出するためのものであり、貫通孔として形成されている。各第１気体排出口６２は、図５（ｂ）によく表れているように、基板５の分岐流路５３の直上に位置するように形成されている。その結果、複数の第１気体排出口６２は、図４および図７に示したように同一円周上に位置するように設けられている。図５（ｂ）によく表れているように、各第１気体排出口６２は、シール部６２ａにより上部開口が塞がれている。シール部６２ａは、アルミニウムなどの金属により、あるいは樹脂により形成することができる。シール部６２ａは、たとえば接着剤を用いて、あるいは融着により基板５に固定されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
第２気体排出口６５は、図５（ａ）および図７に示したように共通流路６４に連通する貫通孔として形成されている。第２気体排出口６５の上部開口は、シール部６５ａによって塞がれている。シール部６５ａとしては、第１気体排出口６２を塞ぐためのシール部６２ａと同様なものを使用することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
第２開孔形成要素４２は、図１および図９に示したように針状部４２ａを有している。針状部４２ａの径は、カバー６における第２気体排出口６５の径よりも小さくされている。このため、第２開孔形成要素４２の針状部４２ａと、カバー６の第２気体排出口６５とが位置合わせされた状態で第２開孔形成要素４２を下動させれば、シール部６５ａに対して開孔を形成することができる。これにより、第２気体排出口６５が開放し、各流路５１の内部が共通流路６４および第２気体排出口６５を介して、外部と連通した状態とされる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
もちろん、各第１および第２気体排出口６２，６５を開放させる方法は、上述した例には限定されない。たとえば、シール部６２ａ，６５ａにエネルギを付与してシール部６２ａ，６５ａを溶融または変形させて第１および第２気体排出口６２，６５を開放してもよい。エネルギの付与は、レーザなどの光源、超音波発信器あるいは発熱体などを用いることもできる。もちろん、シール部６２ａ，６５ａを引き剥がすことにより、気体排出口６２，６５を開放するようにしてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
反応部５１Ｂでは、試料液により試薬部５４が溶解させられて液相反応系が構築される。これにより、試料液Ｓと試薬が反応し、たとえば液相反応系が試料液中の被検知成分の量に相関した呈色を示し、あるいは被検知成分の量に応じた反応物が生成する。その結果、反応部５１Ｂの液相反応系は、被検知成分の量に応じた透光性（光吸収性）を示すこととなる。反応部５１Ｂへの試料供給から一定時間経過した場合には、図１および図２に示した光源部２により反応部５１Ｂに光を照射し、そのときの透過光量が受光部３において測定される。光源部２による光照射および受光部３での透過光の受光は、装着部１を一定角度ずつ回転させつつ、各流路５１に設定された全ての反応部５１Ｂに対して行われる。分析装置Ｘでは、受光部３での受光量に基づいて、試料の分析、たとえば被検知成分の濃度演算が行われる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2004150804.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成16年5月27日(2004.5.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１５】
請求項１４記載のエアフォイルにおいて、前記不連続強化アルミニウムが補強材として少なくとも１５容量パーセントでかつ２０容量パーセント以下の炭化ケイ素を含有してなるエアフォイル。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
請求項２１記載のファン出口ガイドベーンアセンブリにおいて、前記不連続強化アルミニウムが補強材として少なくとも１５容量パーセントでかつ２０容量パーセント以下の炭化ケイ素を含有してなるファン出口ガイドベーンアセンブリ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２６】
請求項２５記載のエアフォイルの製造方法において、前記不連続強化アルミニウムが補強材として少なくとも１５容量パーセントでかつ２０容量パーセント以下の炭化ケイ素を含有してなるエアフォイルの製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
次に図２〜図４を参照するに、エアフォイル３０は第１の端４０から第２の端４２にまで延びる単一ピースの横断面幾何学的形状体を包含する（図２）。この横断面幾何学的形状体は、第１の壁４４と、第２の壁４６と、前縁４８と、後縁５０と、単一又は複数の空洞５２、５４、５８とを包含する。第２の壁４６は第１の壁４４に対向して設けられ、また後縁５０は前縁４８に対向して設けられている。空洞５２、５４、５８は、第１の壁４４、第２の壁４６、前縁４８及び後縁５０の間に設けられている。図２は、単一の空洞５２を示す。図３は第１の空洞５２と第２の空洞５４とを示し、これらの空洞は第１の壁４４と第２の壁４６との間に延びる単一のリブ５６により分離されている。図４は第１の空洞５２と、第２の空洞５４と、第３の空洞５８とを示し、これらの空洞は第１の壁４４と第２の壁４６との間に延びる２つのリブ５６により分離され、空洞５２、５８の各々は１つのリブ５６により空洞５４から分離されていると共に、空洞５４は２つのリブ５６により２つの空洞５２、５８から分離されている。すべての空洞５２、５４、５８は、内部丸み部６０を包含している。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月12日(2004.10.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スクロール圧縮機と、複数の列数をもつ放熱器と、絞り装置と、蒸発器とを備え、前記放熱器を対向流熱交換となし、前記圧縮機から流入する冷媒の出口パス数を入口パス数より少なくなるように冷媒側の流路を構成したことを特徴とする冷凍サイクル装置。
【請求項２】
スクロール圧縮機と、四方弁と、複数の列数をもつ室外熱交換器と、絞り装置と、室内熱交換器とを備え、前記室外熱交換器または／および室内熱交換器を放熱器として動作させる場合に対向流熱交換となし、前記圧縮機から流入する冷媒の出口パス数を入口パス数より少なくなるように冷媒側の流路を構成したことを特徴とする冷凍サイクル装置。
【請求項３】
スクロール圧縮機と、四方弁と、複数の列数と列毎に独立したフィンをもつ室外熱交換器と、絞り装置と、室内熱交換器とを備え、前記室外熱交換器を放熱器として動作させる場合に対向流熱交換となし、前記圧縮機から流入する冷媒の出口パス数を入口パス数より少なくなるように冷媒側の流路を構成したことを特徴とする冷凍サイクル装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を実現するためになされたものであり、スクロール圧縮機と、複数の列数をもつ放熱器と、絞り装置と、蒸発器とを備える冷凍サイクル装置において、放熱器を対向流熱交換となし、圧縮機から流入する冷媒の出口パス数を入口パス数より少なくなるように冷媒側の流路を構成したことを特徴とするものである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また本発明は、スクロール圧縮機と、四方弁と、室外熱交換器と、絞り装置と、室内熱交換器とを備える冷凍サイクル装置において、複数の列数をもつ室外熱交換器または／および室内熱交換器を放熱器として動作させる場合に対向流熱交換となし、圧縮機から流入する冷媒の出口パス数を入口パス数より少なくなるように冷媒側の流路を構成したことを特徴とするものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
さらに本発明は、スクロール圧縮機と、四方弁と、室外熱交換器と、絞り装置と、室内熱交換器とを備える冷凍サイクル装置において、特に複数の列数と列毎に独立したフィンをもつ室外熱交換器を放熱器として動作させる場合に対向流熱交換となし、圧縮機から流入する冷媒の出口パス数を入口パス数より少なくなるように冷媒側の流路を構成したことを特徴とするものである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
【発明の効果】
以上のように、本発明による冷凍サイクル装置では、放熱器を対向流熱交換となし、圧縮機から流入する冷媒の出口パス数を入口パス数より少なくなるように冷媒側の流路を構成したから、入口側での圧力損失が小さくなり、凝縮器の入口側での温度低下が抑えられ、凝縮器の入口から出口までの温度勾配は上に凸の形となり、対向流熱交換される凝縮器では、冷媒の出口側で空気と冷媒の温度差を最も小さくできて、凝縮圧力を大きく低下でき、運転効率の向上を実現することが可能となるものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
また本発明による冷凍サイクル装置では、複数の列数をもつ室外熱交換器または／および室内熱交換器を放熱器として動作させる場合に対向流熱交換となし、圧縮機から流入する冷媒の出口パス数を入口パス数より少なくなるように冷媒側の流路を構成したから、冷房運転時には凝縮器となる室外熱交換器、暖房運転時には凝縮器となる室内熱交換器で、対向流熱交換によって凝縮圧力を大きく低下でき、冷暖房運転の運転効率の向上を実現することが可能となるものである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
さらに本発明による冷凍サイクル装置では、複数の列数と列毎に独立したフィンをもつ室外熱交換器を放熱器として動作させる場合に対向流熱交換となし、圧縮機から流入する冷媒の出口パス数を入口パス数より少なくなるように冷媒側の流路を構成したから、冷房運転時には対向流熱交換の効果を高め、凝縮圧力を大きく低下させることが可能となり、冷房運転時の運転効率の向上を実現し、暖房運転時に蒸発器となる室外熱交換器においては、暖房運転時には絞り装置から流入する冷媒の入口パス数は少なく、圧力損失の傾向からできるだけ均一の蒸発温度を形成することが可能となり、暖房運転時の均一な着霜を実現するという副次的な効果ももつものである。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月1日(2004.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
前端部が基材中に受孔を形成するための穿孔端部（4, 24）として、また、後端部が装着端部（5, 25）としてそれぞれ形成され、手持ち式装置における回転駆動部および軸線方向の衝撃力を生じさせるための衝撃機構に対して前記装着端部（5, 25）において結合可能とされたドリル工具（3, 23）と、軸線方向の貫通孔が設けられ、かつ前記受孔内に係止可能とされた管状の固定素子(2, 12, 22) とを具える固定装置（1, 10, 20）において、固定素子（2, 12, 22）の外径を穿孔端部（4, 24）の直径よりも大径とし、ドリル工具（3, 23）は固定素子（2, 12, 22）における貫通孔を軸線方向に貫通可能とし、その際に穿孔端部（4,24） を固定素子（2, 12, 22）における打込み方向（Ｓ）側の前端部から突出させると共に装着端部（5, 25）を固定素子（2, 12, 22）の後端部から突出させ、さらに、ドリル工具（3, 23）および固定素子（2, 12, 22）は固定作業の間に回転結合を解除した状態で固定素子（2, 12, 22）の後端部を衝撃機構により発生された軸線方向の衝撃力が固定素子（2, 12, 22）に伝達されるよう手持ち式装置と協働させることにより、受孔の形成と同時に固定素子（2, 12, 22）を受孔内に打込んで係止可能としたことを特徴とする、固定素子の固定装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月24日(2005.1.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＲＬＬ符号化規則を用い、記録膜に、第１の状態と、前記第１の状態とは異なる第２の状態を形成し、前記第１の状態と前記第２の状態との境界に情報を持たせるように記録する情報記録方法であって、
前記第１の状態を記録するときのＲＬＬ符号の平均ラン長が、第２の状態を記録するときのそれよりも短いようにして、情報を記録することを特徴とする情報記録方法。
【請求項２】
前記第１の状態は結晶であり、前記第２の状態はアモルファスであることを特徴とする請求項１記載の情報記録方法。
【請求項３】
前記情報を記録するためのデータは、スクランブルされていることを特徴とする請求項１記載の情報記録方法。
【請求項４】
情報記録媒体に，ＮＲＺ表現で、データ”１”に対応する状態と”０”に対応する状態を異なる物理状態として記録する情報記録方法であって，
前記”１”に対応する状態と前記”０”に対応する状態のノイズレベルが異なっており，
前記”１”に対応する状態と前記”０”に対応する状態の内，ノイズレベルの小さい状態を，より多く前記情報記録媒体に記録する変調符号を用いて、情報を記録することを特徴とする情報記録方法。
【請求項５】
前記変調符号としてラン長制限符号であり，
ユーザデータビット列を変調データビット列に変換する場合に，
前記変調データビット列に含まれる”１”の数をＮ１，”０”の数をＮ０とし，
前記情報記録媒体の”１”に対応する状態のノイズレベルＤＮ１と”０”に対応する状態のノイズレベルＤＮ０として
ＤＮ１＜ＤＮ０の場合はＮ１＞Ｎ０，
ＤＮ１＞ＤＮ０の場合はＮ１＜Ｎ０，
かつ，
比率Ｒ＝Ｎ１／Ｎ０を略一定にするような変調符号を用いることを特徴とする請求項４記載の情報記録方法。
【請求項６】
記録膜に第１の状態を記録するときのＲＬＬ符号の平均ラン長が、第２の状態を記録するときのそれよりも短いようにして、前記第１の状態と前記第２の状態との境界に情報を持たせるように記録された情報記録媒体に、光を照射して再生信号を得，
前記再生信号を復号して，ディジタル情報を得、前記情報を再生することを特徴とする情報再生方法。
【請求項７】
前記情報を再生する工程は、
前記再生信号を，周波数特性補正を行う波形等化を行う工程と，
前記再生信号の振幅を所定の値にするゲイン制御を行う工程と，
前記再生信号を所定の判別レベルにより，”１”，”０”を判別して，変調データビット列を得る工程と，
前記変調データビット列をラン長制限符号規則により復号して，ディジタル情報を得る工程を有し，
前記変調データビット列に含まれる”１”の数をＮ１，”０”の数をＮ０としたとき，比率Ｒ＝Ｎ１／Ｎ０が予め定めた値になるように，前記，判別レベルの値を制御することを特徴とする請求項６記載の情報再生方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月5日(2005.4.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】冷却モジュールおよび電子機器冷却装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発熱体である電子部品を冷却液により冷却する電子機器冷却装置において、
冷却液の吸入口と冷却液の吐出口と前記吸入口から冷却液を吸入し前記吐出口に冷却液を吐出する遠心ポンプと前記遠心ポンプを駆動する回転駆動部とを有してケーシングに一体形成された冷却モジュールと、
前記冷却モジュールの吐出口と吸入口との間に接続され、冷却液の吸熱を気中に放熱して冷却液を冷却する熱交換器と、
前記冷却モジュールと前記熱交換器との間を冷却液が循環するように接続する冷却液循環流路とを備え、
前記冷却モジュールの遠心ポンプが前記電子部品の上部に対向して設けられて、前記電子部品の発生熱を熱接続された受熱面から前記遠心ポンプの内部を流動する冷却液に吸熱して前記電子部品を冷却することを特徴とする電子機器冷却装置。
【請求項２】
冷却液により発熱体である電子部品を冷却する冷却モジュールと、
吸熱した前記発熱体の熱を前記冷却液から気中に放熱する熱交換器と、
前記冷却液モジュールと前記熱交換器とを冷却液が循環するように接続する冷却液循環流路とを含む電子機器冷却装置の冷却モジュールであって、
該冷却モジュールは、発熱体である電子部品の上部に熱的に接触する熱伝導部と、高熱伝導性を有して複数の流路をもち、前記熱伝導部に近接して設けられる羽根車と、前記羽根車の回転軸の軸心方向を前記熱伝導部の垂直方向にして前記羽根車を回転させて冷却液を旋回運動させる回転駆動部を有して、前記熱伝導部と前記羽根車と前記回転駆動部がケーシングに一体に形成され、
前記冷却液が、前記羽根車の央部から周部に向かって吐出されるとともに、前記熱伝導部から前記発熱体の発生熱を吸熱することを特徴とする冷却モジュール。
【請求項３】
請求項２記載の冷却モジュールにおいて、
前記羽根車は近接して設けられる前記熱伝導部側を開放面とし、羽根車の複数の流路は前記熱伝導部との間に形成されて、
前記冷却液が、前記熱伝導部から直接前記発熱体の発生熱を吸熱することを特徴とする冷却モジュール。
【請求項４】
発熱体である電子部品に熱的に接触する熱伝導部と、冷却液を循環する液駆動部と、冷却液を循環して熱を放熱する放熱部とを有する電子機器冷却装置において、
前記液駆動部は、前記熱伝導部を有する接触熱交換型のポンプであり、
熱伝導性が高い材料で構成するポンプのケーシングと、該ケーシングに接続された吸液側の流路および吐液側の流路と、該ポンプのケーシング内に内蔵された複数の流路を有する羽根車と、該羽根車を回転駆動する回転駆動源を有し、該回転駆動源によって前記複数の流路を有する羽根車を回転させて前記冷却液を前記吸液側の流路から前記吐液側の流路へと循環させる構成となし、
前記熱伝導部と前記液駆動部は積層されて前記ケーシングにより一体的に構成され、
前記液駆動部の前記羽根車は、前記熱伝導部の被冷却面に近接して配置され、
前記吸液側の流路は前記熱伝導部と前記回転駆動源との間に設置され、
前記羽根車の回転による冷却液の循環により前記熱伝導部の前記被冷却面を冷却することを特徴とする電子機器冷却装置。
【請求項５】
発熱体である電子部品に熱的に接触する熱伝導部と、冷却液を循環する液駆動部と、冷却液を循環して熱を放熱する放熱部とを有する電子機器冷却装置において、
前記液駆動部は、前記熱伝導部を有する接触熱交換型のポンプであり、
熱伝導性が高い材料で構成するポンプのケーシングと、該ケーシングに接続された吸液側の流路および吐液側の流路と、該ポンプのケーシング内に内蔵された複数の流路を有する羽根車と、該羽根車を回転駆動する回転駆動源を有し、該回転駆動源によって前記複数の流路を有する羽根車を回転させて前記冷却液を前記吸液側の流路から前記吐液側の流路へと循環させる構成となし、
前記熱伝導部と前記液駆動部は積層されて前記ケーシングにより一体的に構成され、
前記液駆動部の前記羽根車は、前記熱伝導部の被冷却面に近接して配置され、
前記吸液側の流路を前記ケーシングの羽根車の央部に接続し、
該羽根車の回転による羽根車の央部から周部に向かっての冷却液の吐出により前記熱伝導部の前記被冷却面を冷却することを特徴とする電子機器冷却装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月4日(2005.7.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
（実施例２）
本実施例では、主面の面方位が（１００）の単結晶シリコン基板（長さ１０ｍｍ、幅２ｍｍ、厚み０．１ｍｍの短冊状）を用意した。次に、この単結晶シリコン基板上にアルミニウム酸化物層を高周波スパッタリング法により堆積させ、その後、基板を４００℃に加熱・保持し、アルミニウム酸化物層の上にＣｕを添加したＳｍ−Ｃｏ合金層（希土類合金磁性層）を厚さ４００ｎｍに堆積させた。こうして作製した各試料の積層構造および熱処理条件を下記の表２に示す。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月22日(2005.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を装填する反応管内にプラズマ発生源を設け、該プラズマ発生源にて発生させたプラズマによって導入ガスを励起して電気的に中性の活性種を生成し、被処理基板を処理する基板処理装置であって、
前記プラズマ発生源として、２つの電極を誘電体管の中に配置し、該電極間に高周波電力を印加して、電極に挟まれた空間にプラズマを生成する構造とし、かつ前記電極を入れた誘電体管の内部を不活性ガスにて充填する構造とした電極管ユニットを設けたことを特徴とする基板処理装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月9日(2005.6.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する空間を形成する反応室と、
前記反応室に接続され、前記基板の処理用ガスを供給するガス供給配管及び、前記反応室内を排気するガス排気配管とを有した基板処理装置であって、
前記ガス供給配管の途中に、前記反応室に供給するガスを溜めるガス溜め部と、そのガス溜め部をバイパスするバイパスラインとを並設し、
前記基板を処理するとき、前記ガス溜め部か前記バイパスラインのどちらか一方を使用して前記処理用ガスを前記反応室に供給させる制御部を設けたこと特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記基板処理装置は、少なくとも第１のガスと第２のガスを交互に前記反応室内に供給し、前記基板上に所望の膜を生成する装置であり、前記第１のガスを供給する場合は、前記ガス溜め部と前記バイパスラインの何れかを選択して供給し、前記第２のガスは別に設けた供給配管から供給することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１のガスはプラズマにより励起しない状態で前記反応室に供給され、前記第２のガスはプラズマ励起された状態で前記反応室に供給されることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記第１のガスを前記ガス溜め部を使用して供給する場合、前記第２のガスを前記反応室に供給している間に、前記第１のガスを前記ガス溜め部に溜めるように前記第１のガスを供給する供給配管及び前記第２ガスを供給する供給配管に設けた各バルブを制御することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記第１のガスを前記反応室に供給している時の反応室内圧力は、前記第２のガスを前記反応室内に供給している時の反応室内圧力よりも高く設定することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第１のガスを前記反応室内に供給開始した時点から次の前記第１のガスを供給開始した時点までの間を１サイクルとし、６０サイクル以上の時は前記ガス溜め部を使用し、６０サイクル未満の時は前記バイパスラインを使用して、前記第１のガスを供給することを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第１のガスを前記反応室内に供給開始した時点から次の前記第１のガスを供給開始した時点までの間を１サイクルとし、該サイクルを複数回繰り返し、更に前記基板を回転させながら前記基板に膜を生成する装置であって、該１サイクルの時間と、前記基板が一周する時間とを異ならせることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項８】
厚膜を生膜する場合は前記ガス溜め部を使用し、薄膜を生膜する場合は前記バイパスラインを使用して、ガスを供給することを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記厚膜は１０００Å以上で、前記薄膜は１００Å以下の膜厚であることを特徴とする請求項８記載の基板処理装置。
【請求項１０】
水平方向で多段に積載される複数の基板を収容する反応室と、
前記基板を回転させる回転機構と、
少なくとも第１と第２の処理用ガスを前記基板の周縁部から前記基板へ供給し、前記処理用ガスを交互に複数回繰り返して供給するガス供給部材であって、前記基板の積載方向に延在するガスノズルを含む前記ガス供給部材と、
前記反応室内を排気するガス排気部材とを有し、
前記第１の処理用ガスが前記基板に対し、先に供給される時の前記基板の周縁箇所と、その次に前記第１の処理用ガスが供給される時の前記基板の周縁箇所とが、異なる箇所になるように、処理用ガスの供給タイミング又は前記回転機構の回転速度を制御することを特徴とする基板処理装置。
【請求項１１】
前記第１の処理用ガスが、先に供給開始される時点から、その次に供給開始されるまでの間を１サイクルとし、
前記１サイクルの時間と前記基板が一周する時間とが異なるよう制御することを特徴とする請求項１０記載の基板処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、基板を処理する空間を形成する反応室と、前記反応室に接続され、前記基板の処理用ガスを供給するガス供給配管及び、前記反応室内を排気するガス排気配管とを有した基板処理装置であって、前記ガス供給配管の途中に、前記反応室に供給するガスを溜めるガス溜め部と、そのガス溜め部をバイパスするバイパスラインとを並設し、前記基板を処理するとき、前記ガス溜め部か前記バイパスラインのどちらか一方を使用して前記処理用ガスを前記反応室に供給させる制御部を設けたことを特徴とする基板処理装置が提供される。
このように構成することにより、ガス溜め部を使用せずに、バイパスラインを
使用して処理用ガスを反応室に供給することで、処理用ガスは反応室に急速には
供給されず、十分に拡散されるので、膜厚の均一性が良好になる。よって、薄膜
を成膜するとき、バイパスラインを使用することにより、薄い膜でも膜厚の均一
な膜を成膜することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明によれば、
水平方向で多段に積載される複数の基板を収容する反応室と、
前記基板を回転させる回転機構と、
少なくとも第１と第２の処理用ガスを前記基板の周縁部から前記基板へ供給し、前記処理用ガスを交互に複数回繰り返して供給するガス供給部材であって、前記基板の積載方向に延在するガスノズルを含む前記ガス供給部材と、
前記反応室内を排気するガス排気部材とを有し、
前記第１の処理用ガスが前記基板に対し、先に供給される時の前記基板の周縁箇所と、その次に前記第１の処理用ガスが供給される時の前記基板の周縁箇所とが、異なる箇所になるように、処理用ガスの供給タイミング又は前記回転機構の回転速度を制御することを特徴とする基板処理装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月7日(2005.10.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】  半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたトランジスタ領域と、前記トランジスタ領域を覆うように形成された絶縁膜と、前記トランジスタ領域から前記絶縁膜を貫通し、前記絶縁膜上まで引き出された引出配線と、前記引出配線に接続するボンディングパッドとを備えたバイポーラトランジスタであって、
前記トランジスタ領域は、並列接続可能な複数個のトランジスタ領域を備え、
前記複数個のトランジスタ領域を構成するエミッタ本数は、それぞれ異なり、２n（ｎは正の整数）であることを特徴とするバイポーラトランジスタ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明のバイポーラトランジスタは、半導体基板と、前記半導体基板上に形成されたトランジスタ領域と、前記トランジスタ領域を覆うように形成された絶縁膜と、前記トランジスタ領域から前記絶縁膜を貫通し、前記絶縁膜上まで引き出された引出配線と、前記引出配線に接続するボンディングパッドとを備えたバイポーラトランジスタであって、前記トランジスタ領域は、並列接続可能な複数個のトランジスタ領域を備え、前記複数個のトランジスタ領域を構成するエミッタ本数は、それぞれ異なり、２n（ｎは正の整数）であることを特徴とする。また、前記トランジスタ領域を前記引出配線によって選択接続することで、トランジスタサイズの異なる複数個のバイポーラトランジスタを実現できることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
かかる構成によれば、エミッタ本数がそれぞれ２進法（２、４、８、１６、・・２n（ｎは正の整数））で定義されており、複数個のトランジスタ領域を引出配線で選択接続することによって、実現可能な偶数本数全てを網羅するトランジスタサイズのバイポーラトランジスタを実現できる。トランジスタ領域数をｎとすると、エミッタ本数が最小２本、最大２n（ｎは正の整数）本までの偶数本数全てを網羅することができる。これにより、フレキシブルなトランジスタサイズ対応と、短期間での製品開発とを両立することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
本発明の実施の形態の構成によれば、エミッタ本数が２進法で定義される真性トランジスタ領域数をｎとすると、トランジスタ領域の接続を変えることにより、エミッタ本数が最小２本、最大２n（ｎは正の整数）本までの偶数本数全てのバイポーラトランジスタを実現できる。図１は真性トランジスタ領域数ｎ＝４の場合を図示したものである。４つのトランジスタ領域のエミッタ本数はそれぞれ２、４、８、１６本である。この４つのトランジスタ領域を引出配線で選択接続することによって、２〜３０本までの偶数本数全てのバイポーラトランジスタを実現できる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
【発明の効果】
以上のように、本発明によるバイポーラトランジスタは、半導体基板上に複数個のトランジスタ領域を設け、複数個のトランジスタ領域を構成するエミッタ本数はそれぞれ異なり、２n（ｎは正の整数）で定義し、さらに任意のトランジスタ領域を引出配線で選択接続することで、高周波特性を劣化させず、さらに半導体基板を大きくすることなく、連続したエミッタ本数を持つフレキシブルなトランジスタサイズのバイポーラトランジスタを実現できる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月2日(2004.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板およびこれに実装した半導体装置をケースに収納後、ケース内部をゲル状樹脂で充填してなる電力用半導体装置において、
ケースに貫通するようにして設けられた電極のケース内側に位置する内部リードを固定用ベッドで埋め込み固定する際、前記内部リードにおけるワイヤボンディング面が露出するようにし、そして、前記内部リードの端面(２ｅ)を、固定用ベッドの端面(７ｅ)から退避させ、かつ、前記端面(２ｅ)の一部が露出するように、固定用ベッドに切り欠きが形成されており、この切り欠きは、ケース成型時に、金型の一部が入り込んだものによるものであることを特徴とする電力用半導体装置。
【請求項２】
前記ワイヤボンディング面と前記固定用ベッドの上面とを同一面として、前記内部リードにおける前記ワイヤボンディング面が露出するようにした請求項１記載の電力用半導体装置。
【請求項３】
上記電極をプレス加工したときに生じる電極の上縁のダレの個所が、固定用ベッドの樹脂で覆われることにより、電極の固定強度を高めた請求項２記載の電力用半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
基板およびこれに実装した半導体装置をケースに収納後、ケース内部をゲル状樹脂で充填してなる電力用半導体装置において、上記課題を解決すべく、本発明は、ケースに貫通するようにして設けられた電極のケース内側に位置する内部リードを固定用ベッドで埋め込み固定する際、前記内部リードにおけるワイヤボンディング面が露出するようにし、そして、前記内部リードの端面(２ｅ)を、固定用ベッドの端面(７ｅ)から退避させ、かつ、前記端面(２ｅ)の一部が露出するように、固定用ベッドに切り欠きが形成されており、この切り欠きは、ケース成型時に、金型の一部が入り込んだものによるものであることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月11日(2005.7.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
矩形状のセラミック基板と、前記セラミック基板の底面に形成された端子電極を有し、前記底面に形成された端子電極の少なくとも一部が前記セラミック基板に埋設され、セラミック基板の底面から突出する前記端子電極の厚みが１５μｍ以上５０μｍ以下であることを特徴とするセラミック基板。
【請求項２】
セラミック基板に埋設される端子電極の、前記セラミック基板表面からの深さが５μｍ以上３０μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のセラミック基板。
【請求項３】
前記セラミック基板の底面側の隅部に切欠きを設けたことを特徴とする請求項１に記載のセラミック基板。
【請求項４】
セラミック基板の底面に形成された端子電極と連続し、前記セラミック基板の側面に形成された帯状の端子電極を有し、前記帯状の端子電極の幅をセラミック基板の稜部における底面に形成された端子電極の幅よりも０．１ｍｍ以上広いことを特徴とする請求項１に記載のセラミック基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明は、矩形状のセラミック基板と、前記セラミック基板の底面に形成された端子電極を有し、前記底面に形成された端子電極の少なくとも一部が前記セラミック基板に埋設され、セラミック基板の底面から突出する前記端子電極の厚みが１５μｍ以上５０μｍ以下のセラミック基板である。
本発明においては、底面に形成された端子電極の少なくとも一部をセラミック基板に埋設することで、端子強度の密着強度を向上させている。端子電極が埋設されるセラミック基板表面からの深さ（厚み）は、５μｍ〜３０μｍとするのが好ましい。前記深さが５μｍ未満であると密着強度の向上の効果が少ない。また深さ３０μｍを超えて埋設することは可能であるが、前記範囲内での果に対して密着強度の向上の効果がわずかであるとともに、その形成方法も複雑化するので好ましくない。
また、本発明は、前記セラミック基板の底面側の隅部に切欠きを設けたセラミック基板である。
端子電極はＡｇやＣｕなどの導体ペーストを焼結した下地層と、前記下地層の表面に電界めっき又は無電界めっきで形成される導体層からなるが、端子電極のセラミック基板に埋設される部分は下地層で構成される。
セラミック基板に構成される回路パターンとの接続のために形成されるビアホールをセラミック基板の裏面に延出させ、これを覆う様に前記下地層と形成すれば密着強度が更に向上するので好ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月6日(2005.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  チップソータを用いてウエハリング上に配置されたウエハからチップをソートする工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記チップソータは、その機構部に、異なるサイズのウエハに適用されるウエハリングセット部を共通のＸＹテーブルに設けた共用機構部を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】  ２軸テーブル部と、ウエハカセットリフタ部と、ウエハエキストラクタ部と、ウエハリング修正部とを有するチップソータを用いてチップソートを行う工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記２軸テーブル部、前記ウエハカセットリフタ部、前記ウエハエキストラクタ部、前記ウエハリング修正部のいずれかの機構部を、異なる口径のウエハ用の共用機構としたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】  チップソータを用いてφ３００ｍｍウエハからのチップソート工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記チップソータは、φ２００ｍｍ用とφ３００ｍｍ用のウエハリングセット部を共通のＸＹテーブルに設けた共用機構部を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】  チップソート工程を有する半導体装置の製造方法であって、
前記チップソート工程では、φ３００ｍｍウエハに作り込まれた良品チップを、ＸＹテーブル部と、ウエハカセットリフタ部のいずれかをφ３００ｍｍおよびφ２００ｍｍ用の共用機構部としたチップソータによりチップソートする工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】  ２軸テーブル部と、ウエハカセットリフタ部と、ウエハエキストラクタ部と、ウエハリング修正部とを機構部として有するチップソータ機能を有する半導体製造装置であって、
前記２軸テーブル部、前記ウエハカセットリフタ部、前記ウエハエキストラクタ部、前記ウエハリング修正部のいずれかの機構部を、異なるウエハサイズに適用する共用機構部としたことを特徴とする半導体製造装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
上下動のピッチは、φ２００ｍｍ用、φ３００ｍｍ用の双方に対応できるように、ピッチデータは任意に設定できるようになっている。オペレータ側からの設定により、φ２００ｍｍでは例えば５．５ｍｍピッチに、φ３００ｍｍでは例えば１０ｍｍピッチで上下動できるようになっている。図３に示す場合には、ウエハリングカセット３１０にウエハリング３３０を出し入れする様子を示している。
【手続補正書】
【提出日】平成16年3月26日(2004.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板に形成されたソース／ドレイン領域と、
前記半導体基板の前記ソース／ドレイン領域間のチャネル領域上に形成されたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上もしくは前記ゲート電極及びソース／ドレイン領域上に形成された金属珪化物の導電層と、
少なくとも前記導電層に接するように前記半導体基板上に形成された炭素を含む絶縁膜と、
前記炭素を含む絶縁膜を被覆するように前記半導体基板上に形成された層間絶縁膜とを具備したことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記炭素を含む絶縁膜は、シリコン窒化膜を主成分とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記炭素の含有量は１ｅ２０ｃｍ-3以上であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
シリコン半導体基板にソース／ドレイン領域を形成する工程と、
前記半導体基板の前記ソース／ドレイン領域間のチャネル領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にポリシリコンからなるゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極及びソース／ドレイン領域を被覆するように前記半導体基板上に金属からなる導電層を形成する工程と、
前記導電層を熱処理して前記ソース／ドレイン領域上及び前記ゲート電極上に前記シリコン及び前記ポリシリコンと前記金属とが反応してなる金属珪化物の導電層を形成する工程と、
前記シリコン及びポリシリコンと未反応の前記金属を除去する工程と、
前記金属珪化物の導電層を被覆するように前記半導体基板上に炭素を含む絶縁膜を形成する工程と、
前記炭素を含む絶縁膜を被覆するように前記半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程とを具備したことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記炭素を含む絶縁膜は、シリコン窒化膜を主成分とすることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。