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【手続補正書】
【提出日】平成17年5月12日(2005.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メサ部を有する化合物半導体基板と、前記メサ部の上側の面に形成された電界効果トランジスタを有し、
前記電界効果トランジスタのソース、ドレイン電極となるオーミック電極とゲート電極とが、
両端が前記オーミック電極となるように交互に配列されており、前記ゲート電極は３本以上有り、
前記端から数えて１本の前記オーミック電極と１本の前記ゲート電極を１組としたとき、前記両端とも少なくとも１組以上を除いて、他の前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ゲート電極同士は接続されて一つの電極として働くことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
シリコン基板と、該シリコン基板上に形成された素子部および該素子部より上方に突き出た素子分離領域と、前記素子部に形成された電界効果トランジスタを有し、
前記電界効果トランジスタのソース、ドレイン電極となるオーミック電極とゲート電極とが、
両端が前記オーミック電極となるように交互に配列されており、前記ゲート電極は３本以上有り、
前記端から数えて１本の前記オーミック電極と１本の前記ゲート電極を１組としたとき、前記両端とも少なくとも１組以上を除いて、他の前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ゲート電極同士は接続されて一つの電極として働くことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記ゲート電極は５本以上有り、
上記両端とも少なくとも２組以上を除いて、他の前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ゲート電極同士は接続されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
半絶縁性半導体基板上にバッファ層、電界効果トランジスタの第１のキャリア供給層、チャネル形成層、第２のキャリア供給層、およびオーミック層をそれぞれ順に形成する工程と、
少なくとも上記バッファ層に達するメサ状の溝を形成する工程と、
ソース、ドレイン電極となる４本以上のオーミック電極を前記オーミック層上に形成する工程と、
前記オーミック層および前記オーミック電極上にフォトレジストを塗布後、該フォトレジストの前記オーミック電極間部分に開口を形成する工程と、
該フォトレジストをマスクとして前記開口部に対向する前記オーミック電極間の前記オーミック層を除去しリセスを形成する工程と、
該リセスの第２のキャリア供給層上に両端の少なくとも１本以上を除いて、他を接続するように３本以上のゲート電極を形成する工程と、
前記接続されないゲート電極より外側にある前記ソース電極および前記ドレイン電極を除いて、他の前記ソース電極および前記ドレイン電極同士を接続するソース配線およびドレイン配線を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記半絶縁性基板上にバッファ層、第１のキャリア供給層、チャネル形成層、第２のキャリア供給層、およびオーミック層をそれぞれ順に形成する工程は、有機金属気相成長法を用いる工程である請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半絶縁性基板はＧａＡｓ基板、バッファ層はノンドープＧａＡｓ層、第１のキャリア供給層はｎ型ＡｌＧａＡｓ層、チャネル形成層はノンドープＩｎＧａＡｓ層、第２のキャリア供給層はｎ型ＡｌＧａＡｓ層およびオーミック層はｎ型ＧａＡｓ層である請求項４又は請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記ゲート電極は、前記半絶縁性基板側から順に形成されたＰｔ／Ｔｉ／Ｍｏ／Ｐｔ／Ａｕの積層膜からなるメタル層である請求項４〜６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
アンテナと、
送受信スイッチの役割を果たすアンテナ共用器と、
該アンテナ共用器を介して送られた前記アンテナで受信した高周波信号を増幅する高周波増幅器、この増幅した高周波信号を中間周波数帯に周波数変換する受信ミキサ、該受信ミキサの出力信号を増幅する中間周波増幅器、および中間周波増幅器の出力信号を復調する復調器からなる受信部と、
送信部に入力された音声信号を変調し中間周波数信号を出力する変調器、変調された中間周波数信号を高周波信号に変換する送信ミキサ、および該送信ミキサで高周波化された信号を増幅する電力増幅器からなり、アンテナ共用器を介して前記アンテナに電力増幅器の出力信号を出力する送信部と、
前記受信ミキサおよび送信ミキサで使用する中間周波数信号を発生する周波数シンセサイザと、
前記受信部から送られた復調信号を音声信号にして受話器に送り、送話器からの音声信号を送信部に送る制御部とから構成される通信機において、
前記受信部を構成する高周波増幅器と前記送信部を構成する電力増幅器に請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置を用いたことを特徴とする通信機。
【請求項９】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置と、他の素子とを電気的に接続して増副作用を示す回路を構成したことを特徴とする半導体回路。
【請求項１０】
電界効果トランジスタのソース、ドレイン電極となるオーミック電極とゲート電極とが、
両端が前記オーミック電極となるように交互に配列されており、前記ゲート電極は３本以上有り、
少なくとも一組の前記ソース電極、前記ドレイン電極および前記ゲート電極同士は接続されて一つの電極として働くことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月26日(2005.4.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、これらのブロードサイドアレーまたはエンドファイヤーアレーにおいて、位相差給電を行って、指向性を変化させる場合、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、位相差給電を行わない場合の指向性の方向（最大利得方向）に対して約±２０度乃至３０度の範囲でしか、テレビジョン放送信号を良好に受信できる利得が得られなかった。たとえ±４５度の範囲で、テレビジョン放送信号を良好に受信できたとしても、±９０度の方向（ブロードサイドアレーの場合、複数のアンテナの配列方向、エンドファイヤーアレーの場合、複数のアンテナの配列方向に直角な方向）から到来するテレビジョン放送信号を良好に受信することはできない。そこで、どのような方向から電波が到来しても良好に受信するためには、位相差給電を行わない場合の指向性の方向が９０度の角度をなすように配置したブローサイドアレーとエンドファイヤーアレーのような２組のアンテナを、棟内に配置しなければならなかった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
第１の状態から、長辺６ａに平行な軸の回りに１８０度だけ回転させ、短辺６ｃに平行な軸の回りに１８０度だけ回転させた第４の状態では、位相差給電を行っていないと、指向性は、同図（ｅ）に示すように、基板６の平面上においてｄ１方向から時計方向または反時計方向に１８０度だけ回転したｄ４方向となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
1999330840.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月6日(2005.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子線を放射する電子線発生手段と、
前記電子線を走査する電子線走査手段と、
前記電子線を収束する電子線収束手段と、
前記電子線をウエハに照射して発生する二次電子を検出する検出手段とを少なくとも有する検査部と、
該検出手段で得られた二次電子信号を基に前記ウエハの欠陥を検出し、該欠陥の位置情報を求める手段と、
前記ウエハを載置するステージと、
該ステージを移動させるステージ移動手段とを備え、
前記欠陥位置情報を基に、前記ウエハに加工を行う加工部とを備えることを特徴とするウエハ検査装置。
【請求項２】
電子線を放射する電子発生装置と、
前記電子線を走査する電子走査装置と、
前記電子線を収束する電子収束装置と、
前記電子線をウエハに照射して発生する二次電子を検出する検出装置とを少なくとも有する検査部と、
前記検査部より得られた二次電子信号から二次電子像を生成する画像生成装置と、
前記生成した二次電子像から前記ウエハ上に存在する欠陥を検出し、該欠陥の位置情報を含む欠陥マップを生成する画像解析装置と、
前記ウエハを載置するステージと、
該ステージを移動させるステージ移動手段と、
前記ウエハに加工を施す加工部とを備え、
前記欠陥マップの欠陥位置情報を基に前記ウエハに加工を行うことを特徴とするウエハ検査装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のウエハ検査装置において、
前記加工部はイオンビーム発生装置，イオンビーム走査装置，イオンビーム収束装置を備え、
前記欠陥位置情報に基づいて前記ステージを移動させ、前記ウエハを該ステージ上に載置した状態でイオンビームを照射することを特徴とするウエハ検査装置。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載のウエハ検査装置において、
前記欠陥位置情報に基づいて前記イオンビームをウエハに照射することにより作製された試料を摘出し、移動させるマニュピレータと、
該マニュピレータにより移動した試料を保持する試料ホルダとを備えることを特徴とするウエハ検査装置。
【請求項５】
請求項４に記載のウエハ検査装置において、
前記マニピュレータに前記試料を固定し、
該マニピュレータにより移動した前記試料を前記試料ホルダに固定する接着用ガスを供給するガス供給装置を備えることを特徴とするウエハ検査装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載のウエハ検査装置において、
前記試料ホルダに固定された前記試料を成形加工するためのイオンビーム発生装置、イオンビーム走査装置，イオンビーム収束装置を含む第二加工部を備えることを特徴とするウエハ検査装置。
【請求項７】
請求項１から３のいずれかに記載のウエハ検査装置において、
前記加工部はガス供給装置を備え、
前記欠陥位置情報に基づき決定した前記ウエハの特定部位の形状を所望の形状に変更する手段を有することを特徴とするウエハ検査装置。
【請求項８】
請求項１または２に記載のウエハ検査装置において、
前記検査部を複数備えることを特徴とするウエハ検査装置。
【請求項９】
請求項２または８に記載のウエハ検査装置において、
前記画像生成装置は前記検査部からの二次電子信号を用いて前記複数の検査部のそれぞれに対応する複数の二次電子像を生成する手段を備え、
前記画像解析装置は前記複数の二次電子像のそれぞれから前記ウエハ上に存在する欠陥を検出し、該検出結果から前記座標データを含んだ前記欠陥マップを生成することを特徴とするウエハ検査装置。
【請求項１０】
請求項１または２に記載のウエハ検査装置において、
前記加工部はエネルギービーム発生装置，エネルギービーム走査装置、エネルギービーム収束装置を備え、
前記欠陥位置情報に基づいて前記ステージを移動させ、前記ウエハを該ステージ上に載置した状態でエネルギービームを照射することを特徴とするウエハ検査装置。
【請求項１１】
請求項１または２に記載のウエハ検査装置において、
前記ステージは前記検査部に対して相対的に二次元方向に移動することを特徴とするウエハ検査装置。
【請求項１２】
電子線を放射する電子発生手段と、
前記電子線を走査する電子走査手段と、
前記電子線を収束する電子収束手段と、
前記電子線をウエハに照射して発生する二次電子を検出する検出手段とを少なくとも有する検査部と、
該検出手段で得られた二次電子信号を基に前記ウエハの欠陥を検出し、該欠陥箇所の位置情報を求める手段と、
前記ウエハを載置するステージと、
該ステージを移動させるステージ移動手段と、
前記ウエハに加工を施す加工部とを備え、
前記検査部と加工部は並んで配置され、
前記位置情報を基に前記欠陥箇所の分析または観察のための加工を行うことを特徴とするウエハ検査装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載のウエハ検査装置において、
前記加工部は
イオンビームを発生するイオンビーム発生手段と、
前記イオンビームを走査するイオンビーム走査手段と、
前記イオンビームを収束させる収束手段とを少なくとも備え、
前記検査部で得られた前記位置情報に基づいて前記ステージを移動させ、前記ウエハを該ステージに載置した状態で前記イオンビームを照射することを特徴とするウエハ検査装置。
【請求項１４】
請求項１２に記載のウエハ検査装置において、
前記分析または観察のための加工は断面加工を含むことを特徴とするウエハ検査装置。
【請求項１５】
請求項１２に記載のウエハ検査装置において、
前記検査部で得られた位置情報を基にステージを移動させ前記欠陥箇所の分析または観察のための加工を行うことを特徴とするウエハ検査装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月17日(2005.6.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の実装ヘッドの下端にそれぞれ配置されかつ電子部品を一括して押圧可能なツールと、
上記電子部品が実装されるべき対象物を載置する透明なステージと、
上記ステージの上記対象物の載置面に対して光を照射する照明装置と、
上記ツールを上記ステージの上記対象物載置面に接触させた状態で、上記照明装置から照明された光により生じたニュートン干渉縞を検出する撮像装置とを備えたことを特徴とする電子部品実装装置。
【請求項２】
上記実装ヘッドの下端の上記ツールよりも上方に位置し、かつ、上記ツールを前後左右に傾動調整可能な傾動調整機構を備え、
上記ニュートン干渉縞を上記ツールの中心に対して前後左右に均等に位置させるように上記傾動調整機構により上記ステージに対する上記ツールの平行度を調整したのち、上記ツールにより上記電子部品を上記ステージ上の上記対象物に押圧して実装するようにしたことを特徴とする請求項１に記載の電子部品実装装置。
【請求項３】
上記傾動調整機構は、前後調整用ねじ軸と、該前後調整用ねじ軸の先端に連結された楔とを備えて、上記前後調整用ねじ軸を正逆方向に回転させて上記楔を上記ツールを支持する支持ブロックに対して出し入れして上記ツールを前後方向に傾動調整するとともに、左右調整用ねじ軸と、該左右調整用ねじ軸の先端に連結された楔とを備えて、上記左右調整用ねじ軸を正逆方向に回転させて上記楔を上記ツールを支持する支持ブロックに対して出し入れして上記ツールを左右方向に傾動調整する請求項２に記載の電子部品実装装置。
【請求項４】
上記傾動調整機構は、前後調整用マイクロメータと、該マイクロメータの先端に連結された楔とを備えて、上記前後調整用マイクロメータを正逆方向に回転させて上記楔を上記ツールを支持する支持ブロックに対して出し入れして上記ツールを前後方向に傾動調整するとともに、左右調整用マイクロメータと、該マイクロメータの先端に連結された楔とを備えて、上記左右調整用マイクロメータを正逆方向に回転させて上記楔を上記ツールを支持する支持ブロックに対して出し入れして上記ツールを左右方向に傾動調整する請求項２に記載の電子部品実装装置。
【請求項５】
上記ツールを上下動させる駆動装置と、
上記前後調整用マイクロメータを正逆方向に回転させる前後調整用駆動装置と、
上記左右調整用マイクロメータを正逆方向に回転させる左右調整用駆動装置と、
上記ツールを上記ステージの上記対象物載置面に接触させた状態で、上記照明装置から照明された光により生じたニュートン干渉縞を上記撮像装置で検出したのち、該撮像装置からの上記ニュートン干渉縞の画像を取り込んだのち、上記干渉縞の本数及び中心位置を求める画像処理部と、
上記求められた上記干渉縞の本数及び中心位置が所定の本数及び位置に一致するか否か判断する判断部と、
上記判断部での判断結果に基づき、上記前後調整用駆動装置と上記左右調整用駆動装置のいずれか一方又は両方を駆動して、上記ツールを前後及び左右又は前後左右方向に傾動調整して、平行度調整を行う請求項４に記載の電子部品実装装置。
【請求項６】
複数の実装ヘッドの下端にそれぞれ配置されかつ電子部品を一括して押圧可能なツールを、上記電子部品が実装されるべき対象物を載置する透明なステージの対象物の載置面に接触させ、
上記ツールを上記ステージの上記対象物載置面に接触させた状態で、照明装置から光を照明して生じたニュートン干渉縞を検出し、
上記ニュートン干渉縞に基づいて、上記ステージに対する上記ツールの平行度を調整し、
その後、上記ツールにより上記電子部品を上記ステージ上の上記対象物に押圧して実装するようにしたことを特徴とする電子部品実装方法。
【請求項７】
上記ニュートン干渉縞に基づいて、上記ステージに対する上記ツールの平行度を調整するとき、上記ニュートン干渉縞を上記ツールの中心に対して前後左右に均等に位置させるように、前後左右に傾動調整可能な傾動調整機構により上記ステージに対する上記ツールの平行度を調整することを特徴とする請求項６に載の電子部品実装方法。
【請求項８】
上記ニュートン干渉縞に基づいて、上記ステージに対する上記ツールの平行度を調整するとき、上記ツールを上記ステージの上記対象物載置面に接触させた状態で、上記照明装置から照明された光により生じたニュートン干渉縞の画像を取り込んだのち、上記干渉縞の本数及び中心位置を求め、上記求められた上記干渉縞の本数及び中心位置が所定の本数及び位置に一致するか否か判断し、上記判断結果に基づき、上記ツールを前後及び左右又は前後左右方向に傾動調整して、平行度調整を行う請求項６に記載の電子部品実装方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月25日(2005.4.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成された第１の下層配線と、
前記下層配線を覆う第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層に設けられた接続孔と、
前記第２の絶縁層上に形成され、前記接続孔を介して、前記下層配線に電気的に接続された上層配線と、
前記上層配線を覆う第３の絶縁層とを備えた電子装置であって、
前記上層配線の一部は、前記第２の絶縁層の前記接続孔を埋め込み、前記下層配線の表面に接触しており、
前記上層配線は、前記第２の絶縁層上に形成された第１の導電性材料層と、前記第１の導電性材料層上に形成された第２の導電性材料層と、前記第２の導電性材料層上に形成された第３の導電性材料層とを含み、
前記第２の導電性材料層は、前記第１の導電性材料層と前記第３の導電性材料層とが反応することを抑制するバリア層として機能するが、前記上層配線の前記一部が前記下層配線に接触する領域においては、前記上層配線を構成する原子および前記下層配線を構成する原子の移動に対してバリア層として実質的に機能しない厚さを有している、電子装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
【課題を解決するための手段】
本発明の電子装置は、第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層上に形成された第１の下層配線と、前記下層配線を覆う第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層に設けられた接続孔と、前記第２の絶縁層上に形成され、前記接続孔を介して、前記下層配線に電気的に接続された上層配線と、前記上層配線を覆う第３の絶縁層とを備えた電子装置であって、前記上層配線の一部は、前記第２の絶縁層の前記接続孔を埋め込み、前記下層配線の表面に接触しており、前記上層配線は、前記第２の絶縁層上に形成された第１の導電性材料層と、前記第１の導電性材料層上に形成された第２の導電性材料層と、前記第２の導電性材料層上に形成された第３の導電性材料層とを含み、前記第２の導電性材料層は、前記第１の導電性材料層と前記第３の導電性材料層とが反応することを抑制するバリア層として機能するが、前記上層配線の前記一部が前記下層配線に接触する領域においては、前記上層配線を構成する原子および前記下層配線を構成する原子の移動に対してバリア層として実質的に機能しない厚さを有している。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月2日(2004.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電圧レベルの入力信号を第２の電圧レベルの出力信号に変換する電圧レベル変換器であって、
該入力信号を受ける入力と、
該出力信号を出力する出力と、
回路ノードと、
該回路ノードを第１の電圧供給源に接続することによって第１の期間中に該回路ノードを第３の電圧レベルに対してチャージまたは放電するプレチャージ手段と、
第２の期間中に該第１の電圧供給源から該回路ノードを分離する分離手段と、
第３の期間中に該入力の電圧に依存して該回路ノードで電圧をチャージする入力手段と、
該出力の電圧が該回路ノードの電圧に依存するように構成された出力手段と、
を含む、電圧レベル変換器。
【請求項２】
前記第３の電圧レベルが、前記第２の電圧レベルと実質的に等しい、請求項１に記載の電圧レベル変換器。
【請求項３】
前記第３の期間が、前記第２の期間と一致、または該第２の期間の範囲内である、請求項１に記載の電圧レベル変換器。
【請求項４】
入力ノードを更に含み、該入力ノードを第２の電力供給源に接続することによって、該入力ノードは前記第１の期間中に第４の電圧レベルに対してチャージまたは放電される、請求項１に記載の電圧レベル変換器。
【請求項５】
前記分離手段が、前記第２の期間中に前記第２の電圧供給源から前記入力ノードを分離する、請求項４に記載の電圧レベル変換器。
【請求項６】
前記第２の電圧供給源が、前記入力信号に関して負にバイアスされる、請求項４に記載の電圧レベル変換器。
【請求項７】
前記分離手段が、第１の分離電界効果トランジスタを含み、該第１の分離電界効果トランジスタのソースおよびドレインが前記第２の電圧供給源と前記入力ノードとの間に接続される、請求項４に記載の電圧レベル変換器。
【請求項８】
前記分離手段が、第２の分離電界効果トランジスタを含み、該第２の分離電界効果トランジスタのソースおよびドレインが前記第１の電圧供給源と前記回路ノードとの間に接続される、請求項１に記載の電圧レベル変換器。
【請求項９】
前記入力手段が、前記第３の期間中に前記入力信号をサンプリングするサンプラーを含む、請求項１に記載の電圧レベル変換器。
【請求項１０】
前記サンプラーが、サンプリング電界効果トランジスタを含み、該サンプリング電界効果トランジスタのゲートがサンプリング信号と接続される、請求項９に記載の電圧レベル変換器。
【請求項１１】
前記入力手段が、前記第３の期間中に前記入力信号をサンプリングするサンプラーを含み、該サンプラーが、サンプリング電界効果トランジスタを含み、該サンプリング電界効果トランジスタのゲートがサンプリング信号と接続され、該サンプリング電界効果トランジスタのソースおよびドレインが前記入力および前記入力ノードとの間に接続される、請求項４に記載の電圧レベル変換器。
【請求項１２】
前記入力手段によって決定される電圧で前記出力信号をラッチするラッチを更に含む、請求項１に記載の電圧レベル変換器。
【請求項１３】
フィードバック電界効果トランジスタを更に含み、該フィードバック電界効果トランジスタのソースおよびドレインが前記第１の電圧供給源と前記入力ノードとの間に接続され、該フィードバック電界効果トランジスタのゲートが前記回路ノードに接続される、請求項４に記載の電圧レベル変換器。
【請求項１４】
前記出力手段が、ＣＭＯＳインバータを含み、該ＣＭＯＳインバータの入力が前記回路ノードに接続される、請求項１に記載の電圧レベル変換器。
【請求項１５】
前記入力手段が、前記入力信号が前記第３の期間中に論理ハイレベルである場合に前記回路ノードを放電するように構成された入力電界効果トランジスタを含む、請求項１に記載の電圧レベル変換器。
【請求項１６】
前記入力手段が、前記入力信号が前記第３の期間中に論理ハイレベルである場合に前記回路ノードを放電するように構成された入力電界効果トランジスタを含み、該入力電界効果トランジスタのソースおよびドレインが該回路ノードと前記第２の電圧供給源との間に接続され、該入力電界効果トランジスタのゲートが前記入力ノードと接続される、請求項４に記載の電圧レベル変換器。
【請求項１７】
前記入力電界効果トランジスタの前記ソースが、前記第２の電圧供給源に接続される、請求項１６に記載の電圧レベル変換器。
【請求項１８】
前記入力電界効果トランジスタの前記ゲートが、前記第１の期間中に前記負の電圧供給源に接続され、前記第２の期間中に該負の供給源から分離される、請求項１７に記載の電圧レベル変換器。
【請求項１９】
前記入力信号および前記出力信号がデジタル信号である、請求項１に記載の電圧レベル変換器。
【請求項２０】
アクティブマトリクスディスプレイと、
走査ラインドライバと、
第１の電圧レベルの入力信号を第２の電圧レベルの出力信号に変換する電圧レベル変換器を含むデータラインドライバとを有し、
該電圧レベル変換器は、
該入力信号を受ける入力と、
該出力信号を出力する出力と、
回路ノードと、
該回路ノードを第１の電圧供給源に接続することによって第１の期間中に該回路ノードを第３の電圧レベルに対してチャージまたは放電するプレチャージ手段と、
第２の期間中に該第１の電圧供給源から該回路ノードを分離する分離手段と、
第３の期間中に該入力の電圧に依存して該回路ノードで電圧をチャージする入力手段と、
該出力の電圧が該回路ノードの電圧に依存するように構成された出力手段とを含む、アクティブマトリクス液晶ディスプレイ。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月10日(2005.5.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を熱酸化して熱酸化膜を形成する工程を有し、
前記非晶質半導体膜には結晶化を抑制する不純物が添加されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を結晶化し結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を熱酸化して熱酸化膜を形成する工程を有し、
前記非晶質半導体膜には結晶化を抑制する不純物が添加されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
基板上に半導体膜を形成し、
前記半導体膜を結晶化し結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に結晶化を抑制する不純物を添加した後、前記非晶質半導体膜を熱酸化して熱酸化膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
基板上に結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を酸化性雰囲気で ８００〜１１００℃の温度で加熱処理する工程を有し、
前記非晶質半導体膜には結晶化を抑制する不純物が添加されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
基板上に結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜を酸化性雰囲気で ８００〜１１００℃の温度で加熱処理した後、前記非晶質半導体膜を除去し、
前記結晶性半導体膜上にゲート絶縁膜を形成する工程を有し、
前記非晶質半導体膜には結晶化を抑制する不純物が添加されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
基板上に結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に結晶化を抑制する不純物を添加し、
前記非晶質半導体膜を酸化性雰囲気で ８００〜１１００℃の温度で加熱処理する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
基板上に結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に結晶化を抑制する不純物を添加し、
前記非晶質半導体膜を酸化性雰囲気で ８００〜１１００℃の温度で加熱処理した後、前記非晶質半導体膜を除去し、
前記結晶性半導体膜上にゲート絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、前記不純物は窒素、酸素または炭素から選ばれた不純物であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
基板上に結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜を熱酸化して熱酸化膜を形成する工程を有し、
前記非晶質珪素膜には、窒素、酸素または炭素から選ばれた不純物が添加されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
基板上に結晶性珪素膜を形成し、
前記結晶性珪素膜上に非晶質珪素膜を形成し、
前記非晶質珪素膜を熱酸化してゲート絶縁膜を形成する工程を有し、
前記非晶質珪素膜には、窒素、酸素または炭素から選ばれた不純物が添加されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
基板上に結晶性半導体膜を形成し、
前記結晶性半導体膜上に非晶質半導体膜を形成し、
前記非晶質半導体膜に結晶化を抑制する不純物を添加した後、前記非晶質半導体膜を熱酸化して熱酸化膜を形成する工程を有し、
前記不純物は窒素、酸素または炭素から選ばれた不純物であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、前記不純物は１０19ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 以上の濃度であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項１乃至１２のいずれか一において、前記非晶質珪素膜はＣＶＤ法により形成されることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月26日(2005.9.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  同軸ケーブルの先端に装着されると共に、全体にわたり貫通孔が形成されている同軸接栓であって、
円筒状に形成されており、内周面にネジ部が形成されている本体部と、
該本体部の先端に回転可能に固着されており、同軸コネクタに装着可能な回転部とを備え、
前記本体部における前記ネジ部を、同軸ケーブルにねじ込んでいくことにより、該同軸ケーブルが前記貫通孔内に侵入して前記同軸ケーブルの編組線が前記本体部に電気的に接触すると共に、前記同軸ケーブルの先端から露出している芯線が前記回転部の中心軸にほぼ沿って配置されるようにしたことを特徴とする同軸接栓。
【請求項２】  前記本体部の外周面に滑り止め手段が設けられていることを特徴とする請求項１記載の同軸接栓。
【請求項３】  前記ネジ部が非対称ネジ部とされて、外方へ向かう傾斜が前記回転部へ向かう傾斜より緩く形成されていることを特徴とする請求項１記載の同軸接栓。
【請求項４】  前記非対称ネジ部の頂部が丸みを帯びた滑らかな形状とされていることを特徴とする請求項３記載の同軸接栓。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の同軸接栓は、同軸ケーブルの先端に装着されると共に、全体にわたり貫通孔が形成されている同軸接栓であって、円筒状に形成されており、内周面にネジ部が形成されている本体部と、該本体部の先端に回転可能に固着されており、同軸コネクタに装着可能な回転部とを備え、前記本体部における前記ネジ部を、同軸ケーブルにねじ込んでいくことにより、該同軸ケーブルが前記貫通孔内に侵入して前記同軸ケーブルの編組線が前記本体部に電気的に接触すると共に、前記同軸ケーブルの先端から露出している芯線が前記回転部の中心軸にほぼ沿って配置されるようにしている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、上記本発明の同軸接栓において、前記本体部の外周面に滑り止め手段を設けるようにしてもよいものである。
さらに、上記本発明の同軸接栓において、前記ネジ部が非対称ネジ部とされて、外方へ向かう傾斜が前記回転部へ向かう傾斜より緩く形成されていてもよいものである。
さらにまた、上記本発明の同軸接栓において、前記非対称ネジ部の頂部が滑らかな形状とされていてもよいものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月28日(2005.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
試験３：
水素ガス用加湿器の温度を７０℃，酸素ガス用加湿器の温度を８０℃に設定し、水素極１２側，酸化極１３側共に加湿ガスを送り込んだ。本試験条件下ではセル電圧０.６Ｖが３００時間にわたり維持された。放電終了後にセパレータ１４を観察したところ腐食が検出されず、接触抵抗も極僅かの増加に留まっていた。高分子イオン交換膜１１にもＦｅが検出されなかった。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
【発明の効果】
以上に説明したように、水素燃料及び酸素又は空気を水素極側，酸化極側それぞれに送り込みながら固体高分子型燃料電池を運転する際、高分子イオン交換膜を所定の湿潤状態に維持しながらも、加湿ガス／乾燥ガスの切替え又は加湿温度の制御によりセパレータ表面に結露水が生じないセル内雰囲気に調整できる。そのため、結露水に起因する腐食が抑制され、普通鋼や炭素鋼製のセパレータであっても初期の低接触抵抗が長期にわたって維持され、高発電効率で燃料電池を運転することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月22日(2005.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数チャンネルのオーディオ信号を再生し、再生した複数チャンネルのオーディオ信号をそれぞれ各チャンネル毎に配置したスピーカに供給して再生するマルチチャンネル再生装置において、
各チャンネル毎のオーディオ信号に所定の遅延時間を付与して各スピーカを駆動するスピーカ駆動部と、
スピーカ間の距離を測定するためのテストトーンを発生し、発生したテストトーンを一のスピーカに供給するテストトーン発生部と、
前記一のスピーカによるテストトーン発生時から他のスピーカによる前記テストトーン受信時までに要する時間をスピーカ間の伝達時間として計測する伝達時間計測部と、
計測した各スピーカ間毎の伝達時間をもとに各スピーカの座標位置を演算するスピーカ位置演算部とを備えたことを特徴とするマルチチャンネル再生装置。
【請求項２】
複数チャンネルのオーディオ信号を再生し、再生した複数チャンネルのオーディオ信号をそれぞれ各チャンネル毎に配置したスピーカに供給して再生するマルチチャンネル再生装置において、
各チャンネル毎のオーディオ信号に所定の遅延時間を付与して各スピーカを駆動するスピーカ駆動部と、
スピーカ間の距離を測定するためのテストトーンを発生し、発生したテストトーンを一のスピーカに供給するテストトーン発生部と、
前記一のスピーカによるテストトーン発生時から他のスピーカによる前記テストトーン受信時までに要する時間をスピーカ間の伝達時間として計測する伝達時間計測部と、
計測した各スピーカ間毎の伝達時間をもとに各スピーカの座標位置を演算するスピーカ位置演算部と、
前記スピーカ位置演算部が演算した座標位置に関連して聴取位置を入力する聴取位置入力部とを備えたことを特徴とするマルチチャンネル再生装置。
【請求項３】
複数チャンネルのオーディオ信号を再生し、再生した複数チャンネルのオーディオ信号をそれぞれ各チャンネル毎に配置したスピーカに供給して再生するマルチチャンネル再生装置において、
各チャンネル毎のオーディオ信号に所定の遅延時間を付与して各スピーカを駆動するスピーカ駆動部と、
スピーカ間の距離を測定するためのテストトーンを発生し、発生したテストトーンを一のスピーカに供給するテストトーン発生部と、
前記一のスピーカによるテストトーン発生時から他のスピーカによる前記テストトーン受信時までに要する時間をスピーカ間の伝達時間として計測する伝達時間計測部と、
計測した各スピーカ間毎の伝達時間をもとに各スピーカの座標位置を演算するスピーカ位置演算部と、
前記スピーカ位置演算部が演算した座標位置に関連して聴取位置を入力する聴取位置入力部とを備え、
前記スピーカ位置演算部は、前記聴取位置をもとに前記各スピーカと聴取位置間の距離または伝達時間を演算することを特徴とするマルチチャンネル再生装置。
【請求項４】
請求項３に記載のマルチチャンネル再生装置において、
前記スピーカ位置演算部が演算した各スピーカと聴取位置間の距離または伝達時間をもとに前記スピーカ駆動部に付与する遅延時間を演算すること特徴とするマルチチャンネル再生装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
しかし、この再生装置においては、利用者は、各スピーカ間の距離等を測定して各スピーカの位置情報を取得し、取得した各スピーカの位置情報を予め再生装置に入力しておくことが必要である。このため装置の使い勝手が悪化する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
複数チャンネルのオーディオ信号を再生し、再生した複数チャンネルのオーディオ信号をそれぞれ各チャンネル毎に配置したスピーカに供給して再生するマルチチャンネル再生装置において、各チャンネル毎のオーディオ信号に所定の遅延時間を付与して各スピーカを駆動するスピーカ駆動部と、スピーカ間の距離を測定するためのテストトーンを発生し、発生したテストトーンを一のスピーカに供給するテストトーン発生部と、前記一のスピーカによるテストトーン発生時から他のスピーカによる前記テストトーン受信時までに要する時間をスピーカ間の伝達時間として計測する伝達時間計測部と、計測した各スピーカ間毎の伝達時間をもとに各スピーカの座標位置を演算するスピーカ位置演算部とを備えた。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
９はテストトーン信号（例えば、パルス信号）を発生するテストトーン発生部、Ｓ１１，Ｓ１２・・・Ｓ１ｎは各スピーカ駆動部の入力側に配置した切換スイッチであり、テストトーン発生部９が発生したテストトーンあるいは遅延時間制御部１５が発生したマルチチャンネル再生信号内の該当チャンネル信号の何れかを選択してスピーカ駆動回路７に供給する。Ｓ２１，Ｓ２２・・・Ｓ２ｎは各スピーカ駆動部出力側に配置した切換スイッチであり、スピーカ駆動回路７の出力を該当するスピーカに出力する回路、あるいは該当するスピーカが受信したテストトーン信号の受信出力を信号増幅回路８に供給する回路の何れかを選択的に形成する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
例えば、前記距離（／ｃ，／ｆｌ，／ｆｒ，／ｓｌ，／ｓｒ，／ｓｗ）のうち、聴取位置（ｉｉｉ）と前方右用（ＦＲｃｈ）スピーカ３との距離／ｆｒが最長である場合、各スピーカに供給するオーディオ信号に対して付与する遅延時間はそれぞれ以下の通りである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2004241820.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月12日(2005.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワークを介して接続される外部機器に、画像処理装置の使用に係る管理リストを添付したメールを送信する画像処理装置であって、
管理リストに含まれるデータの条件及び当該条件に応じた表示態様情報を記憶するテーブルと、
前記テーブルに基づいて、管理リストに含まれるデータの条件に対応する表示態様情報を取得して、表示態様情報を含む管理リストを作成し、当該管理リストを添付したメールを作成する制御部と、
前記表示態様情報を含む管理リストを添付したメールを外部機器に送信する通信部と、
を備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記表示態様情報を含む管理リストを添付したメールをｈｔｍｌ形式にて作成することを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記表示態様情報を含む管理リストの画像ファイルを作成し、当該画像ファイルを添付したメールを作成することを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記表示態様情報は、フォントサイズ、フォントカラー、フォントタイプに関する情報のうち少なくとも１以上を含むことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、請求項１記載の発明は、
ネットワークを介して接続される外部機器に、画像処理装置の使用に係る管理リストを添付したメールを送信する画像処理装置であって、
管理リストに含まれるデータの条件及び当該条件に応じた表示態様情報を記憶するテーブルと、
前記テーブルに基づいて、管理リストに含まれるデータの条件に対応する表示態様情報を取得して、表示態様情報を含む管理リストを作成し、当該管理リストを添付したメールを作成する制御部と、
前記表示態様情報を含む管理リストを添付したメールを外部機器に送信する通信部と、
を備えることを特徴とする。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の画像処理装置において、
前記制御部は、前記表示態様情報を含む管理リストを添付したメールをｈｔｍｌ形式にて作成することを特徴とする。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
請求項３記載の発明は、請求項１記載の画像処理装置において、
前記制御部は、前記表示態様情報を含む管理リストの画像ファイルを作成し、当該画像ファイルを添付したメールを作成することを特徴とする。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
請求項４記載の発明は、請求項１から３のいずれか一項に記載の画像処理装置において、
前記表示態様情報は、フォントサイズ、フォントカラー、フォントタイプに関する情報のうち少なくとも１以上を含むことを特徴とする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８３】
【発明の効果】
請求項１記載の発明によれば、画像処理装置の使用に係る管理リストに含まれるデータの表示態様を条件に応じて変化させることができるため、ユーザは、一見して管理リストに含まれるデータが所定の条件を満たしていることを把握することができる。例えば、管理リストに含まれるエラーデータを他のデータと異なるフォントカラーで表示させることにより、エラーデータを速やかに認識して、適切な対応を図ることができる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
請求項２記載の発明によれば、請求項１記載の発明の効果に加えて、例えば、外部機器の表示性能や、表示ソフト等に依存せずに、ｈｔｍｌ形式により作成された管理リストのデータを条件に応じた表示態様により表示させることができる。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
請求項３記載の発明によれば、請求項１記載の発明の効果に加えて、例えば、自由度の高い表示態様にて管理リストを作成することができ、より見易く効果的なアピールすることができる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
請求項４記載の発明によれば、請求項１から３のいずれか一項に記載の発明の効果に加えて、種々の表示態様により、イベントの重要度や管理リストに含まれるデータの重要性を明確に区別して表示させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月20日(2005.10.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明のＸ線撮像素子は、シンチレータがＢｉ4Ｇｅ3Ｏ12を含むことを特徴としてもよい。Ｂｉ4Ｇｅ3Ｏ12は柱状結晶を成すため、Ｂｉ4Ｇｅ3Ｏ12を含むシンチレータを用いることとすればＸ線入射位置の決定精度を向上することができる。また、Ｂｉ4Ｇｅ3Ｏ12を含むシンチレータは高い発光光量が得られるため、Ｘ線撮像素子として高いエネルギー分解能を得ることができる。Ｂｉ4Ｇｅ3Ｏ12は−１００℃程度の冷却時にも高い発光光量を示すので、上記Ｘ線撮像素子は冷却して用いる場合であっても高いシンチレータの発光光量が得られ、高いエネルギー分解能を得ることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
また、本発明のＸ線撮像素子は、シンチレータがＣｓＩを含むことを特徴としてもよい。ＣｓＩは柱状結晶を成すため、ＣｓＩを含むシンチレータを用いることとすればＸ線入射位置の決定精度を向上することができる。また、ＣｓＩを含むシンチレータは高い発光光量が得られるため、上記Ｘ線撮像素子は高いエネルギー分解能を得ることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、本発明のＸ線撮像素子は、シンチレータがＧｄ2Ｏ2Ｓ（ガドリニウムオキシサルファイド）を含むことを特徴としてもよい。Ｇｄ2Ｏ2Ｓは柱状結晶を成すため、Ｇｄ2Ｏ2Ｓを含むシンチレータを用いることとすればＸ線入射位置の決定精度を向上することができる。また、Ｇｄ2Ｏ2Ｓを含むシンチレータは高い発光光量が得られるため、上記Ｘ線撮像素子は高いエネルギー分解能を得ることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
垂直シフトレジスタ部分３、水平シフトレジスタ部分５、入力部１３、及び出力部１５は、図示していないチップ上の配線によってＸ線撮像素子１の端部に配置された電極パッド１７のうち対応する電極パッド１７と電気的に接続されている。電極パッド１７は、ＣＣＤに直流電圧やクロックを供給したり撮像部２の信号出力を取り出すためのもので、ボンディングワイヤ（図示せず）が取り付けられることによって外部と電気的に接続される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年7月27日(2004.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
強誘電体キャパシタを含むメモリセルアレイと、前記メモリセルアレイの上方に形成された薄膜トランジスタを含む回路部と、を有するシート状デバイスを含む、強誘電体メモリ。
【請求項２】
請求項１において、
前記シート状デバイスが、複数層積層されている、強誘電体メモリ。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記薄膜トランジスタの半導体層は、ポリシリコン層である、強誘電体メモリ。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかにおいて、
前記メモリセルアレイは、ライン状に形成された複数の第１電極と、該第１電極と交差する複数の第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との少なくとも交差領域に強誘電体層が配置されて構成されている、強誘電体メモリ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかにおいて、
さらに、前記シート状デバイスの周辺に、周辺回路部が設けられている、強誘電体メモリ。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかにおいて、
前記周辺回路部は、薄膜トランジスタを含んで構成される、強誘電体メモリ。
【請求項７】
請求項４〜６のいずれかにおいて、
前記強誘電体層は、構成元素中にシリコン及びゲルマニウムを同時に含み、その割合が０≦（ゲルマニウム／シリコン）≦１０である、強誘電体メモリ。
【請求項８】
（ａ）強誘電体キャパシタを含むメモリセルアレイを形成し、
（ｂ）前記メモリセルアレイの上方に、薄膜トランジスタからなる回路部を形成することによりシート状デバイスを形成すること、を含む、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項９】
（ａ）光を透過可能な第１の基体の上に該光を吸収して変性する分離層を形成し、
（ｂ）前記分離層の上に、強誘電体キャパシタを含むメモリセルアレイと、該メモリセルアレイの上方に配置される、薄膜トランジスタからなる回路部とを形成することによりシート状デバイスを形成し、
（ｃ）前記シート状デバイスが形成された第１の基体と、第２の基体とを少なくとも接着層を介して接合し、
（ｄ）前記第１の基体の一方の面から前記分離層に光を照射することにより前記シート状デバイスを前記第１の基体から剥離することを含む、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第１の基体から剥離された前記シート状デバイスと、第３の基体の上に分離層を介して形成されたシート状デバイスとを接着層を介して接合し、
前記第３の基体の一方の面から光を照射することにより該第３の基体を剥離すること、を含み、
これらの工程を１回若しくは２回以上繰返し行うことにより、前記第２の基体上に前記シート状デバイスを複数積層することを含む、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項１１】
請求項８〜１０のいずれかにおいて、
前記シート状デバイスの形成では、
前記メモリセルアレイの上方に絶縁層を形成し、該絶縁層の所定の領域に、アモルファスシリコン層を形成し、該アモルファスシリコン層をレーザー結晶化することにより前記薄膜トランジスタのためのポリシリコン層を形成すること、を含む、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項１２】
請求項８〜１１のいずれかにおいて、
前記メモリセルアレイの形成では、
ライン状の第１電極と、該第１電極の上に配置される強誘電体層と、前記強誘電体層の上に前記第１電極と交差して配置されるライン状の第２電極と、を形成すること、を含む、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項１３】
請求項８〜１２のいずれかにおいて、
前記シート状デバイスの周辺に、薄膜トランジスタを含む周辺回路部を形成すること、を含む、強誘電体メモリの製造方法。
【請求項１４】
請求項１２または１３において、
前記強誘電体層は、構成元素中にシリコン及びゲルマニウムを同時に含み、その割合が０≦（ゲルマニウム／シリコン）≦１０である、強誘電体メモリの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月14日(2005.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にクリームはんだを供給するクリームはんだ印刷装置と、クリームはんだを供給された基板を搬入し真空雰囲気中で前記クリームはんだを過熱再溶融させてはんだバンプを形成するための真空炉とから構成され、前記真空炉において、基板搬入直後から真空炉を真空状態にする間に基板を予熱し、所定の真空状態になってから溶融加熱する構成としたことを特徴とするはんだバンプ形成装置。
【請求項２】
前記真空炉は炉本体と、炉内に設けられた加熱板と、加熱板と基板を接触・離間するための複数の突き上げピンと、前記突き上げピン上下させる駆動機構と、炉内に基板を搬入・搬出するために開閉するゲートバルブと、炉内を真空にするための真空ポンプと、炉内と真空ポンプまたは炉内と大気とを連通するための真空バルブから構成し、前記予熱時は前記突き上げピンにより加熱湯晩と基板を離間した状態としたことを特徴とする請求項１記載のはんだバンプ形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2004241516.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2004241516.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月3日(2004.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品が搭載されて回路が構成されたセラミック基板と、
外部の機器と電気的に接続するためのコネクタ端子と、
前記コネクタ端子がはんだで電気的に接続された導電体とを有し、
前記セラミック基板と前記導電体とはボンディングワイヤで電気的に接続されていることを特徴とする電子制御装置。
【請求項２】
請求項１記載の電子制御装置において、
前記導電体はプリント基板であることを特徴とする電子制御装置。
【請求項３】
外部の機器に接続するためのコネクタ部を有するケースと、
前記ケースの中に収容され、電子部品が搭載されて回路が構成されたセラミック基板と、
外部の機器と電気的に接続するための複数のコネクタ端子と、
前記複数のコネクタ端子をはんだで電気的に接続するためのコネクタ端子接続穴を有するプリント基板とを有し、
前記プリント基板の上にはコンデンサが設けられており、
前記セラミック基板と前記プリント基板とは複数のボンディングワイヤで電気的に接続されていることを特徴とする電子制御装置。
【請求項４】
請求項３記載の電子制御装置において、
前記ケースには、前記ボンディングワイヤで結線するときのプリント基板の剛性を補強するための補強座が設けられていることを特徴とする電子制御装置。