【手続補正書】
【提出日】平成16年12月9日(2004.12.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と同じ材料からなり、かつ前記ゲート電極と同じ層に形成されたソース配線を有する第１のｎチャネル型薄膜トランジスタを有する画素部と、
第２のｎチャネル型薄膜トランジスタと第３のｎチャネル型薄膜トランジスタを有する駆動回路とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
ゲート電極と同じ材料からなり、かつ前記ゲート電極と同じ層に形成されたソース配線を有する第１のｎチャネル型薄膜トランジスタを有する画素部と、
第２のｎチャネル型薄膜トランジスタと第３のｎチャネル型薄膜トランジスタを有する駆動回路と、
前記第１のｎチャネル型薄膜トランジスタの前記ゲート電極と同じ材料からなり、かつ前記第１のｎチャネル型薄膜トランジスタの前記ゲート電極と同じ層に形成された端子部の電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記第２のｎチャネル型薄膜トランジスタ及び前記第３のｎチャネル型薄膜トランジスタでＥＥＭＯＳ回路またはＥＤＭＯＳ回路が形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３において、
前記第１のｎチャネル型薄膜トランジスタの前記ゲート電極は、タングステンを主成分とする膜と、アルミニウムを主成分とする膜と、窒化チタンを主成分とする膜との積層構造を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３において、
前記第１のｎチャネル型薄膜トランジスタの前記ゲート電極は、タングステンを主成分とする膜と、アルミニウムを主成分とする膜と、チタンを主成分とする膜との積層構造を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３において、
前記第１のｎチャネル型薄膜トランジスタの前記ゲート電極は、タングステン膜と、アルミニウムとチタンの合金膜と、窒化チタン膜と、チタン膜との積層構造を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１のｎチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極は、テーパー部を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
ゲート電極と同じ材料からなり、かつ前記ゲート電極と同じ層に形成されたソース配線を有する第１のｐチャネル型薄膜トランジスタを有する画素部と、
第２のｐチャネル型薄膜トランジスタと第３のｐチャネル型薄膜トランジスタを有する駆動回路とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
ゲート電極と同じ材料からなり、かつ前記ゲート電極と同じ層に形成されたソース配線を有する第１のｐチャネル型薄膜トランジスタを有する画素部と、
第２のｐチャネル型薄膜トランジスタと第３のｐチャネル型薄膜トランジスタを有する駆動回路と、
前記第１のｐチャネル型薄膜トランジスタの前記ゲート電極と同じ材料からなり、かつ第１のｐチャネル型薄膜トランジスタの前記ゲート電極と同じ層に形成された端子部の電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９において、
前記第１のｐチャネル型薄膜トランジスタの前記ゲート電極は、タングステンを主成分とする膜と、アルミニウムを主成分とする膜と、窒化チタンを主成分とする膜との積層構造を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項８又は請求項９において、
前記第１のｐチャネル型薄膜トランジスタの前記ゲート電極は、タングステンを主成分とする膜と、アルミニウムを主成分とする膜と、チタンを主成分とする膜との積層構造を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項８又は請求項９において、
前記第１のｐチャネル型薄膜トランジスタの前記ゲート電極は、タングステン膜と、アルミニウムとチタンの合金膜と、窒化チタン膜と、チタン膜との積層構造を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第１のｐチャネル型薄膜トランジスタのゲート電極は、テーパー部を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
下地絶縁膜と、
前記下地絶縁膜上に形成され、少なくとも第１の不純物領域と第２の不純物領域を有する島状の半導体層と、
前記下地絶縁膜及び前記半導体層上を覆う第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、同一材料からなるゲート電極及びソース配線と、
前記第１の絶縁膜、前記ゲート電極、及び前記ソース配線上に形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成され、前記ソース配線と前記第１の不純物領域を接続する配線と、
前記第２の絶縁膜上に形成され、前記第２の不純物領域に接続する画素電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１５】
下地絶縁膜と、
前記下地絶縁膜上に形成され、少なくとも第１の不純物領域と第２の不純物領域を有する島状の半導体層と、
前記下地絶縁膜及び前記半導体層上を覆う第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成され、同一材料からなるゲート電極、ソース配線、及び端子部の電極と、
前記第１の絶縁膜、前記ゲート電極、及び前記ソース配線、及び端子部の電極上に形成された第２の絶縁膜と、
前記第２の絶縁膜上に形成され、ソース配線と前記第１の不純物領域を接続する配線と、
前記第２の絶縁膜上に形成され、前記第２の不純物領域に接続する画素電極とを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１６】
請求項１４又は請求項１５において、
前記ゲート電極は、タングステンを主成分とする膜と、アルミニウムを主成分とする膜と、窒化チタンを主成分とする膜との積層構造を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
請求項１４又は請求項１５において、
前記ゲート電極は、タングステンを主成分とする膜と、アルミニウムを主成分とする膜と、チタンを主成分とする膜との積層構造を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
請求項１４または請求項１５において、
前記ゲート電極は、タングステン膜と、アルミニウムとチタンの合金膜と、窒化チタン膜と、チタン膜の積層構造を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１９】
請求項１４乃至請求項１８のいずれか一項において、
前記ゲート電極はテーパー部を有していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２０】
請求項１乃至請求項１９のいずれか一項に記載された半導体装置とは、
透過型または反射型の液晶モジュールであることを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】
請求項１乃至請求項１９のいずれか一項に記載された半導体装置とは、
ＯＬＥＤを有する発光装置であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】
請求項２０において、
前記液晶モジュールは、ビデオカメラ、デジタルカメラ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯型情報端末、または電子遊技機器に組み込まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２３】
請求項２１において、
前記発光装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、携帯型情報端末、または電子遊技機器に組み込まれていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２４】
下地絶縁膜上に島状の半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１の絶縁膜を形成し、
前記第１の絶縁膜上に、同一材料からなるゲート電極とソース配線とを形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物元素を添加して少なくとも第１の不純物領域と第２の不純物領域を形成し、
前記ゲート電極と前記ソース配線を覆う第２の絶縁膜を形成し、
前記第２の絶縁膜上に、前記ソース配線と前記第１の不純物領域を接続する配線、及び前記第２の不純物領域に接続する画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２５】
請求項２４において、
前記ゲート電極及び前記ソース配線は、
タングステンを主成分とする膜と、アルミニウムを主成分とする膜と、窒化チタンを主成分とする膜を積層し、選択的にエッチングして形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２６】
請求項２４において、
前記ゲート電極及び前記ソース配線は、
タングステンを主成分とする膜と、アルミニウムを主成分とする膜と、チタンを主成分とする膜を積層し、選択的にエッチングして形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２７】
請求項２４において、
前記ゲート電極及び前記ソース配線は、
タングステン膜と、アルミニウムとチタンの合金膜と、窒化チタン膜と、チタン膜を積層し、選択的にエッチングして形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２８】
下地絶縁膜上に島状の半導体層を形成し、
前記半導体層上に第１絶縁膜を形成し、
前記第１絶縁膜上に、同一材料からなるゲート電極と、ソース配線と、端子部の電極を形成し、
前記ゲート電極をマスクとして前記半導体層に不純物元素を添加して少なくとも第１の不純物領域と第２の不純物領域を形成し、
前記ゲート電極、前記ソース配線及び前記端子部を覆う第２絶縁膜を形成し、
前記第２絶縁膜上に、前記ソース配線と前記第１の不純物領域を接続する配線、及び前記第２の不純物領域に接続する画素電極を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２９】
請求項２８において、前記ゲート電極、前記ソース配線、及び前記端子部の電極は、
タングステンを主成分とする膜と、アルミニウムを主成分とする膜と、窒化チタンを主成分とする膜を積層し、選択的にエッチングして形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３０】
請求項２８において、
前記ゲート電極、前記ソース配線、及び前記端子部の電極は、
タングステンを主成分とする膜と、アルミニウムを主成分とする膜と、チタンを主成分とする膜を積層し、選択的にエッチングして形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３１】
請求項２８において、
前記ゲート電極、前記ソース配線、及び前記端子部の電極は、
タングステン膜と、アルミニウムとチタンの合金膜と、窒化チタン膜と、チタン膜を積層し、選択的にエッチングして形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。