Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月10日(2020.12.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
標的体積（Ｖ）の標的線量範囲を維持又は改善しながら不要線量を最小にするべくアクティブイオンビーム治療の治療計画を決定するシステム（１００）であって、
データプロセッサ（１１０）と、および
前記データプロセッサ（１１０）により実行可能な命令を格納するメモリ（１４０）と、
を備え、前記データプロセッサ（１１０）が、少なくとも１つの送達方向のそれぞれに関して、
ビーム（Ｂ、Ｃ、Ｄ）を定義し、
前記ビームを少なくとも２つのサブビームへ分割して前記少なくとも２つのサブビームを含むサブビームの組（Ｂ１〜Ｂｉ、Ｃ１〜Ｃｉ、Ｄ１〜Ｄｉ）を定義し、前記サブビームのそれぞれは、前記ビーム（Ｂ、Ｃ、Ｄ）からの少なくとも以下のビーム特性：アイソセンタ、ガントリ角、及びカウチ角を継承し、
前記少なくとも２つのサブビームの組からの第１のサブビーム（Ｂ１、Ｃ１、Ｄ１）を第１のレンジシフタ設定（ＲＳ１）と関連付け、
前記少なくとも２つのサブビームの組からの第２のサブビーム（Ｂ２、Ｃ２、Ｄ２）を前記第１のレンジシフタ設定（ＲＳ１）とは異なる第２のレンジシフタ設定（ＲＳ２）と関連付ける、
ように構成され、前記データプロセッサ（１１０）がさらに、治療計画を決定するべく前記サブビームの少なくとも１つの組を最適化するように構成される、システム。
【請求項２】
前記第２のレンジシフタ設定（ＲＳ２）が、レンジシフタ無しに対応する、請求項１に記載のシステム（１００）。
【請求項３】
前記少なくとも１つの送達方向のそれぞれに関して、前記第１のレンジシフタ設定（ＲＳ１）が、特定の密度を有する第１の材料のレンジシフタの第１の厚さ（Ｔ１）を示し、前記第２のレンジシフタ設定（ＲＳ２）が、前記第１の又は別の材料のレンジシフタの第２の厚さ（Ｔ２）を示し、前記厚さが送達方向に定義され、前記レンジシフタが標的体積（Ｖ）の上流に配置されることを意図される、請求項１又は請求項２に記載のシステム（１００）。
【請求項４】
前記データプロセッサ（１１０）が、治療計画を決定するべくサブビームの少なくとも１つの組を最適化することの一部として、前記サブビームの少なくとも１つの組に固有の最適化目標に基づいて前記サブビームの少なくとも１つの組を最適化するように構成される、請求項１〜請求項３のいずれかに記載のシステム（１００）。
【請求項５】
前記データプロセッサ（１１０）が、治療計画を決定するべくサブビームの少なくとも１つの組を最適化することの一部として、前記サブビームの組内の少なくとも１つのサブビームに固有の最適化目標に基づいて前記サブビームの組における少なくとも１つのサブビームを最適化するように構成される、請求項１〜請求項４のいずれかに記載のシステム（１００）。
【請求項６】
グラフィカルディスプレイ上のグラフィカルユーザインターフェース（ＧＵＩ）に対応するグラフィカルデータを出力するように構成された、第１のインターフェース（１２０）と、
前記ＧＵＩを介して入力された少なくとも１つの入力ユーザコマンドに応答して入力パラメータを前記データプロセッサ（１１０）に転送するように構成された、少なくとも１つの第２のインターフェース（１３０）と、
をさらに備え、前記データプロセッサ（１１０）がさらに、前記入力パラメータを受信し、前記受信した入力パラメータに応答して前記ビームを少なくとも２つのサブビームの組へ分割するステップを行うように構成される、請求項１〜請求項５のいずれかに記載のシステム（１００）。
【請求項７】
標的体積の標的線量範囲を維持又は改善しながら不要線量を最小にするべくアクティブイオンビーム治療における治療計画を決定するためのコンピュータ実装方法であって、
少なくとも１つの送達方向のそれぞれに関して、
ビームを定義するステップと、
前記ビームを少なくとも２つのサブビームへ分割し、かつ前記少なくとも２つのサブビームを含むサブビームの組を定義するステップであって、前記サブビームのそれぞれは、前記ビーム（Ｂ、Ｃ、Ｄ）からの少なくとも以下のビーム特性：アイソセンタ、ガントリ角、及びカウチ角を継承する、ステップと、
前記少なくとも２つのサブビームの組からの第１のサブビームを第１のレンジシフタ設定と関連付けるステップと、および
前記少なくとも２つのサブビームの組からの第２のサブビームを前記第１のレンジシフタ設定とは異なる第２のレンジシフタ設定と関連付けるステップと、
を含み、前記方法が、治療計画を決定するべくサブビームの少なくとも１つの組を最適化するステップ
をさらに含む、コンピュータ実装方法。
【請求項８】
前記第２のレンジシフタ設定が、レンジシフタ無しに対応する、請求項７に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つの送達方向のそれぞれに関して、前記第１のレンジシフタ設定が、特定の密度を有する第１の材料のレンジシフタの第１の厚さを示し、前記第２のレンジシフタ設定が、前記第１の又は別の材料のレンジシフタの第２の厚さを示し、前記厚さが送達方向に定義され、前記レンジシフタが標的体積の上流に配置されることを意図される、請求項７又は請求項８に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１０】
前記治療計画を決定するべくサブビームの少なくとも１つの組を最適化するステップが、前記サブビームの少なくとも１つの組に固有の最適化目標に基づいて前記サブビームの少なくとも１つの組を最適化することを含む、請求項７〜請求項９のいずれかに記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１１】
前記治療計画を決定するべくサブビームの少なくとも１つの組を最適化するステップが、前記サブビームの組内の少なくとも１つのサブビームに固有の最適化目標に基づいて前記サブビームの組における少なくとも１つのサブビームを最適化することを含む、請求項７〜請求項１０のいずれかに記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１２】
入力パラメータを受信することをさらに含み、前記ビームをサブビームの組へ分割するステップが、前記受信した入力パラメータに応答して行われる、請求項７〜請求項１１のいずれかに記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１３】
前記アクティブイオンビーム治療がアクティブスキャニング技術である、請求項７〜請求項１２のいずれかに記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１４】
前記アクティブスキャニング技術が、ステップアンドシュートスキャニング、ラインスキャニング、又はラスタスキャニングのうちの１つである、請求項１３に記載のコンピュータ実装方法。
【請求項１５】
前記少なくとも１つのプロセッサ（１１０）上で実行されるときに請求項１〜請求項６のいずれかに記載の処理を実行するためのソフトウェアを備える、少なくとも１つのプロセッサ（１１０）のメモリ（１４０）にロード可能なコンピュータプログラム。
【請求項１６】
前記少なくとも１つのプロセッサ（１１０）にロードされるときに前記少なくとも１つのプロセッサ（１１０）に請求項１〜請求項６のいずれかに記載の処理を実行させるプログラムが記録されたプロセッサ可読媒体（１４０）。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月22日(2020.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのレーザ・ビームを発するように構成された少なくとも１つのＱスイッチ式レーザを備えるレーザ・システムと、
組織の表面からの選択した距離で合焦領域に前記少なくとも１つのレーザ・ビームを合焦するように構成された少なくとも１つのレンズを備える光学系であって、前記合焦領域は、前記組織の有色素領域および前記組織の色素を有さない領域を含む前記組織の少なくとも一部を照明するように構成されている前記光学系と、
前記組織の有色素領域によって選択的に吸収される波長の前記少なくとも１つのレーザ・ビームの前記合焦領域へ送られた照射エネルギーを生じさせ、（ｉ）前記合焦領域が前記有色素領域に重なるとき、前記組織の有色素領域に局所的に熱電子プラズマを発生させ、前記熱電子プラズマが、前記合焦領域内の前記組織の有色素領域に損傷を引き起こすとともに、（ｉｉ）前記合焦領域が前記有色素領域に重ならず前記色素を有さない領域に重なるとき、前記組織の前記色素を有さない領域に前記熱電子プラズマを発生させず、かつ、前記色素を有さない領域を損傷させないように、前記レーザ・システムおよび前記光学系を制御するように構成された制御配置構成と
を備えた治療システムであって、
前記光学系は、約０．５から約０．９の範囲内にある開口数を有する、前記治療システム。
【請求項２】
前記少なくとも１つのレーザ・ビームは、空気中で測定されるとき、約６００ｎｍから約１１００ｎｍの範囲内の波長を有する、請求項１に記載の治療システム。
【請求項３】
前記少なくとも１つのレーザ・ビームのピーク強度は、前記合焦領域内で少なくとも約１０＾８Ｗ／ｃｍ２である、請求項１に記載の治療システム。
【請求項４】
前記少なくとも１つのレーザ・ビームは、（ｉ）電子の熱電子放出を発生させるように構成される第１のレーザ・パルスと、（ｉｉ）前記熱電子プラズマを発生させるように構成される第２のレーザ・パルスとを備える、請求項１に記載の治療システム。
【請求項５】
前記合焦領域のスポット・サイズは、空気中で測定されるとき、約５μｍから約１００μｍの範囲内である、請求項１に記載の治療システム。
【請求項６】
前記光学系の前記少なくとも１つのレンズは、前記組織の前記表面に対して前記合焦領域の前記選択した距離を変更するように構成される、請求項１に記載の治療システム。
【請求項７】
前記組織の前記表面からの前記合焦領域の前記選択した距離は、約５μｍから約１０００μｍの範囲内である、請求項６に記載の治療システム。
【請求項８】
前記光学系は、第１の方向および第２の方向に沿って延びるマイクロレンズのアレイを備え、前記マイクロレンズのアレイは、前記少なくとも１つのレーザ・ビームを前記合焦領域に合焦するように構成される、請求項１に記載の治療システム。
【請求項９】
前記少なくとも１つのレーザ・ビームは、合焦領域のアレイを形成する前記マイクロレンズのアレイに同時に当たる、請求項８に記載の治療システム。
【請求項１０】
前記光学系は、前記マイクロレンズのアレイの第１のレンズから前記マイクロレンズのアレイの第２のレンズへ前記少なくとも１つのレーザ・ビームを横断させるように構成されている、請求項８に記載の治療システム。
【請求項１１】
前記レーザ・システムは、複数のレーザ・ビームを発するように構成され、前記複数のレーザ・ビームの１つ以上のビームは、前記マイクロレンズのアレイの１つ以上のマイクロレンズに当たる、請求項８に記載の治療システム。
【請求項１２】
前記組織の前記有色素領域は、発色団を含む、請求項１に記載の治療システム。
【請求項１３】
前記発色団は、メラニン、タトゥー・インク、ヘモグロビン、皮脂腺、皮下脂肪、毛球、細胞膜内の脂質、臓器を囲む脂肪、血管、または薬物成分の少なくとも１つを含む、請求項１２に記載の治療システム。
【請求項１４】
前記組織表面に対しての前記治療システムの速さおよび位置の１つ以上を検出するように構成された１つ以上のセンサをさらに備える、請求項１に記載の治療システム。
【請求項１５】
前記１つ以上のセンサによって検出された速さおよび位置のデータの前記１つ以上を特徴付けるデータを受信し、
前記少なくとも１つのレーザ・ビームのパルス幅、パルス周波数、またはパルス・エネルギーの少なくとも１つを変更する
ように構成されたフィードバック制御構成をさらに備える、請求項１４に記載の治療システム。
【請求項１６】
前記レーザ・システムは、前記少なくとも１つのレーザ・ビームの時間的に隣接したレーザ・パルス間の時間間隔を、前記組織内の第１の位置から前記組織内の第２の位置へ前記合焦領域の移動のための移動時間が前記時間間隔未満であるように制御するように構成されている、請求項１に記載の治療システム。
【請求項１７】
時間的に隣接したレーザ・パルス間の前記時間間隔が５０ミリ秒未満である、請求項１６に記載の治療システム。
【請求項１８】
ナノ秒のパルス幅を有する少なくとも１つのレーザ・ビームを発するように構成された少なくとも１つのレーザを備えるレーザ・システムと、
組織の表面からの選択した距離で合焦領域に前記少なくとも１つのレーザ・ビームを合焦するように構成された少なくとも１つのレンズを備える光学系であって、前記合焦領域は、前記組織の有色素領域および前記組織の色素を有さない領域を含む前記組織の少なくとも１つの部分を照明するように構成されている前記光学系と、
前記組織の有色素領域によって選択的に吸収される波長の前記少なくとも１つのレーザ・ビームの前記合焦領域へ送られた照射エネルギーを生じさせ、（ｉ）前記合焦領域が前記有色素領域に重なるとき、前記組織の有色素領域に局所的にプラズマを発生させ、前記プラズマが、前記合焦領域内の前記組織の有色素領域に損傷を引き起こすとともに、（ｉｉ）前記合焦領域が前記有色素領域に重ならず前記色素を有さない領域に重なるとき、前記組織の前記色素を有さない領域を損傷させないように、前記レーザ・システムおよび前記光学系を制御するように構成された制御配置構成と
を備えた治療システムであって、
前記光学系は、約０．５から約０．９の範囲内にある開口数を有する、前記治療システム。
【請求項１９】
前記プラズマは熱電子プラズマであり、前記熱電子プラズマの発生は、（ｉ）前記合焦領域が前記有色素領域に重なるとき、前記合焦領域内の前記組織の有色素領域に損傷を引き起こすとともに、（ｉｉ）前記合焦領域が前記有色素領域に重ならず前記色素を有さない領域に重なるとき、前記組織の前記色素を有さない領域に前記熱電子プラズマを発生させず、かつ、前記色素を有さない領域を損傷させない、請求項１８に記載の治療システム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月12日(2021.8.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１主面及び第２主面を有し、入射放射線を電荷に変換する直接変換材料と、
前記直接変換材料の第１主面に接続された少なくとも１つの第１電極、及び、前記直接変換材料の第２主面に接続された複数の第２電極であって、前記少なくとも１つの第１電極及び前記複数の第２電極の各々が前記第１及び第２電極の間に印加される電界内で発生される電荷を収集する、前記第１電極及び前記第２電極と、
少なくとも１つの電流測定装置と、
各々が前記入射放射線に関してエネルギ値を弁別するための読出ユニットを有する、複数の信号処理チェーンと、
を有する、漏れ電流を検出する放射線検出器において、各々の前記信号処理チェーンが、前記エネルギ値を弁別するための前記読出ユニットに前記複数の第２電極の１つを電気的に接続する第１信号路上で、又は前記複数の第２電極の前記１つを前記少なくとも１つの電流測定装置の１つに対する入力端に電気的に接続する第２信号路上で、信号を伝送するための切換要素を更に有し、複数の前記切換要素が、入射放射線がない場合に当該放射線検出器の対応する複数の第２電極において受入される漏れ電流を測定するために前記信号を前記第２信号路上で伝送することを特徴とする、
放射線検出器。
【請求項２】
前記直接変換材料がＣＺＴ結晶である、請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項３】
前記複数の第２電極が前記第２主面上に電極のアレイとして配置される、請求項１又は請求項２に記載の放射線検出器。
【請求項４】
測定された漏れ電流を記憶するための記憶装置を更に有する、請求項１から３の何れか一項に記載の放射線検出器。
【請求項５】
前記少なくとも１つの電流測定装置がアナログ／デジタル変換器を有する、請求項１から４の何れか一項に記載の放射線検出器。
【請求項６】
前記信号処理チェーンの少なくとも１つは前記第１及び第２信号路上で伝送される前記信号に対する漏れ電流検出ユニット及び漏れ電流補償ユニットを更に有し、前記漏れ電流検出ユニットの出力端は前記漏れ電流補償ユニットの入力端に接続され、前記漏れ電流補償ユニットの出力端が前記切換要素に接続される、請求項１から５の何れか一項に記載の放射線検出器。
【請求項７】
請求項１から６の何れか一項に記載の放射線検出器を複数有する、検出器システム。
【請求項８】
放射線源と物体の画像を再構成するための画像再構成ユニットとを更に有し、前記画像再構成ユニットにおいて、前記物体が前記放射線源と複数の前記放射線検出器との間に配置された場合に該物体を横切る放射線に関する投影データが得られる、請求項７に記載の検出器システム。
【請求項９】
前記画像再構成ユニットが、スペクトルエネルギシフトを補正するために、測定された漏れ電流を使用する検出器モデルを有する、請求項８に記載の検出器システム。
【請求項１０】
複数の前記放射線検出器の漏れ電流分布を表示するための表示ユニットを更に有する、請求項７から９の何れか一項に記載の検出器システム。
【請求項１１】
直接変換放射線検出器における漏れ電流を検出する方法であって、前記直接変換放射線検出器は直接変換材料の第１主面に接続された少なくとも１つの第１電極、及び、前記直接変換材料の第２主面に接続された複数の第２電極を有すると共に少なくとも１つの電流測定装置を有し、前記少なくとも１つの第１電極及び前記複数の第２電極の各々は前記第１及び第２電極の間に印加される電界内で発生される電荷を収集するように配置され、当該方法が、
収集された電荷を検出信号に変換するステップと、
前記検出信号を、各々が入射放射線に関してエネルギ値を弁別するための読出ユニットを有する複数の信号処理チェーンにより前記入射放射線に関してエネルギ値を弁別することにより処理するステップと、
エネルギ値を弁別するために前記複数の第２電極の１つを前記読出ユニットに電気的に接続する第１信号路に、又は前記複数の第２電極の１つを前記少なくとも１つの電流測定装置の１つに対する入力端に電気的に接続する第２信号路に、信号を伝送するステップと、
を有し、複数の切換要素が、入射放射線がない場合に前記直接変換放射線検出器の対応する前記複数の第２電極において受入される漏れ電流を測定するために、前記信号を前記第２信号路に伝送する、
方法。
【請求項１２】
測定された前記漏れ電流を記憶するステップを更に有する、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
物体の画像を再構成するステップを有し、これにより前記物体を横切る放射線に関する投影データを得る、請求項１１又は請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記画像を再構成するステップが、スペクトルエネルギシフトを補正するために、測定された漏れ電流を用いる検出器モデルを使用するステップを有する、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
漏れ電流分布を表示するステップを更に有する、請求項１１から１４の何れか一項に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月15日(2021.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機セラミック被覆層と基材酸化物被覆層とからなる二層構造被覆層であって、
前記二層構造中において、無機セラミック被覆層が外層であり、基材酸化物被覆層が内層であり、前記無機セラミック被覆層の成分は、珪酸化合物５０〜６０質量％、熱膨張係数調整剤２０〜３５質量％、バインダー３〜７質量％、接着力調整剤５〜１０質量％、及び触媒１〜４質量％を含み、
前記接着力調整剤は、オルトケイ酸テトラメチル（ＴＭＯＳ）、オルトケイ酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）、ケイ酸ナトリウムから選ばれるいずれか１種又は複数種であり、
前記基材酸化物被覆層は、焼結過程で基材金属の表面に生成したものであり、前記基材酸化物被覆層の成分は、基材金属と酸素とからなる基材金属酸化物１００質量％であり、
前記内層は基材金属と接し、無機セラミック被覆層と基材酸化物被覆層との厚さの比は（４〜６）：１であることを特徴とする低温焼結による二層緻密金属防食被覆層。
【請求項２】
前記珪酸化合物は、珪砂、珪藻土、石英、トリジマイト、及びクリストバライトから選ばれるいずれか１種又は複数種であることを特徴とする請求項１に記載の金属防食被覆層。
【請求項３】
前記熱膨張係数調整剤は、四ホウ酸カリウム、四ホウ酸ナトリウム、四ホウ酸リチウム、四ホウ酸ルビジウム、酸化亜鉛、酸化カドミウム、及び酸化銅から選ばれるいずれか１種又は複数種であることを特徴とする請求項１に記載の金属防食被覆層。
【請求項４】
前記バインダーが、一酸化マンガン、二酸化マンガン、一酸化ニッケル、三酸化二ニッケル、一酸化コバルト、及び三酸化二コバルトから選ばれるいずれか１種又は複数種であることを特徴とする請求項１に記載の金属防食被覆層。
【請求項５】
前記触媒は、酸性触媒、塩基性触媒から選ばれるいずれか１種又は２種であることを特徴とする請求項１に記載の金属防食被覆層。
【請求項６】
前記酸性触媒は、塩酸、酢酸、及びシュウ酸から選ばれるいずれか１種又は複数種であることを特徴とする請求項５に記載の金属防食被覆層。
【請求項７】
前記塩基性触媒は、アンモニア水、水酸化ナトリウム、及び水酸化カリウムから選ばれるいずれか１種又は複数種であることを特徴とする請求項５に記載の金属防食被覆層。
【請求項８】
焼結温度は５００〜５４０℃であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の金属防食被覆層。
【請求項９】
低温焼結による二層緻密金属防食被覆層の製造方法であって、
１）原料の珪酸化合物５０〜６０質量％、熱膨張係数調整剤２０〜３５質量％、及びバインダー３〜７質量％を粉砕して粉末にする1回目の粉砕工程と、
２）前記原料に接着力調整剤５〜１０質量％、触媒１〜４質量％及び水を添加して混合撹拌して混合物を得る混合物の調製工程と、
３）前記２）で得られた混合物を乾燥させる乾燥工程と、
４）前記３）で得られた混合物を再度粉砕して粉末にする2回目の粉砕工程と、
５）前記４）で得られた粉末を基材金属に被覆する被覆工程と、
６）前記５）で得られた粉末を被覆した基材金属を焼結して、無機セラミック被覆層と基材酸化物被覆層とからなる低温焼結による二層緻密金属防食被覆層を得るとともに、無機セラミック被覆層と基材酸化物被覆層とからなる低温焼結による二層緻密金属防食被覆層を有する金属製品を得る焼結工程と、を含むことを特徴とする製造方法。
【請求項１０】
前記５）の被覆方法は、静電塗装方法であり、静電電圧は３０〜４０キロボルト、電流は２０〜２５マイクロアンペア、吐出量は５〜８リットル／分、塗装距離は２０〜５０センチメートルであることを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記６）の焼結時の温度は５００〜５４０℃、焼結時間は１０〜２０分、昇温速度は５〜１０℃／分であることを特徴とする請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記珪酸化合物は、珪砂、珪藻土、石英、トリジマイト、クリストバライト、及び粉末石英から選ばれるいずれか１種又は複数種であることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記熱膨張係数調整剤は、四ホウ酸カリウム、四ホウ酸ナトリウム、四ホウ酸リチウム、四ホウ酸ルビジウム、酸化亜鉛、酸化カドミウム、及び酸化銅から選ばれるいずれか１種又は複数種であることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記バインダーは、一酸化マンガン、二酸化マンガン、一酸化ニッケル、三酸化二ニッケル、一酸化コバルト、及び三酸化二コバルトから選ばれるいずれか１種又は複数種であることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記触媒は、酸性触媒、及び塩基性触媒から選ばれるいずれか１種又は２種であることを特徴とする請求項９〜１１のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記酸性触媒は、塩酸、酢酸、及びシュウ酸から選ばれるいずれか１種又は複数種であることを特徴とする請求項１５に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記塩基性触媒は、アンモニア水、水酸化ナトリウム、及び水酸化カリウムから選ばれるいずれか１種又は複数種であることを特徴とする請求項１５に記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月7日(2021.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
風力タービンブレードの成形型から真空バッグを取り外す方法であって、
成形型内で風力タービンブレードのコンポーネントを形成する工程と、
風力タービンブレードコンポーネントの外周の少なくとも一部分の周りに配置される少なくとも１つの脱着可能なストリップを提供する工程と、
前記少なくとも１つの脱着可能なストリップの上に少なくとも１つの消耗品の層を配置する工程と、
前記少なくとも１つの脱着可能なストリップの上に真空バッグの一部分を配置する工程と、
前記少なくとも１つの脱着可能なストリップを引っ張り、前記引っ張り力によって前記少なくとも１つの消耗品の層および前記真空バッグを破断する工程と、
を備える方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの脱着可能なストリップは、所定の経路で前記少なくとも１つの消耗品の層を破断する、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つの脱着可能なストリップは、約０．０２８インチの厚さと、約０．５インチの幅と、約８２０ポンドの破断強度と、華氏約４９０度の融点とを有している、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記少なくとも１つの脱着可能なストリップは、ガラスの上に直接的に配置されている、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
全ての前記少なくとも１つの脱着可能なストリップが一旦取り外されると、前記少なくとも１つの消耗品の層および前記真空バッグは、前記少なくとも１つの脱着可能なストリップにより縛られる、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つの脱着可能なストリップは、取り外し後、前記風力タービンブレードコンポーネントに窪みを与える、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記窪みに粘着テープを貼付する工程をさらに備える、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記少なくとも１つの脱着可能なストリップが、前記成形型の周囲であって、上部クランプ端部と底部クランプ端部との間のクランプ端部上に配置される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つの脱着可能なストリップが、前記風力タービンブレードコンポーネントの根元末端から１．５ｍの位置に配置され、前記成形型の前縁側および後縁側の両方の先端に伸長する第１の末端を有する、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの脱着可能なストリップが、前記少なくとも１つの脱着可能なストリップの端部にハンドルを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの脱着可能なストリップが根元末端から約１５００ｍｍ、１２，０００ｍｍ、２７，５００ｍｍの位置に配置される、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの脱着可能なストリップが根元末端から先端まで供給される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも１つの脱着可能なストリップを横方向から前記成形型の中に供給する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの脱着可能なストリップが下向きに前記成形型の中に供給される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記桁キャップおよび前記成形型の分割線には、少なくとも１つの脱着可能なストリップがないままである、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記少なくとも１つの脱着可能なストリップの一部分が前記成形型の根元に近接して配置され、前記成形型の前記先端まで伸長している、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
前記少なくとも１つの脱着可能なストリップが、前記成形型のフランジ上に設置され、前記成形型の根元から１．５ｍマークにおいて切断される、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
前記少なくとも１つの脱着可能なストリップの端部にアクセスするために前記真空バッグに開口部が形成されている、請求項１に記載の方法。
【請求項１９】
樹脂分散用の予め定められた流路を形成するためのガイドをさらに備える、請求項１に記載の方法。
【請求項２０】
前記少なくとも１つの脱着可能なストリップは、取り外し時、前記ガイドを破断しない、請求項１９に記載の方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年9月9日(2021.9.9)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リーンバーンエンジンからの排ガスを処理するためのＮＯｘ吸収体触媒であって、
貴金属と貴金属を含有する小細孔モレキュラーシーブとを含むモレキュラーシーブ触媒であって、貴金属がパラジウムを含む、モレキュラーシーブ触媒；
モレキュラーシーブ触媒を保護するための酸素吸蔵材料；及び
入口端と出口端とを有する基材
を含み、
第１の層と第２の層とを含み、第１の層が酸素吸蔵材料を含み、第２の層がモレキュラーシーブ触媒を含み、かつ、第１の層が第２の層の上に配置されている、
ＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項２】
小細孔モレキュラーシーブが、ＡＣＯ、ＡＥＩ、ＡＥＮ、ＡＦＮ、ＡＦＴ、ＡＦＸ、ＡＮＡ、ＡＰＣ、ＡＰＤ、ＡＴＴ、ＣＤＯ、ＣＨＡ、ＤＤＲ、ＤＦＴ、ＥＡＢ、ＥＤＩ、ＥＰＩ、ＥＲＩ、ＧＩＳ、ＧＯＯ、ＩＨＷ、ＩＴＥ、ＩＴＷ、ＬＥＶ、ＫＦＩ、ＭＥＲ、ＭＯＮ、ＮＳＩ、ＯＷＥ、ＰＡＵ、ＰＨＩ、ＲＨＯ、ＲＴＨ、ＳＡＴ、ＳＡＶ、ＳＩＶ、ＴＨＯ、ＴＳＣ、ＵＥＩ、ＵＦＩ、ＶＮＩ、ＹＵＧ、ＺＯＮ、及びこれらのいずれか２つ以上の混合物又は連晶からなる群より選択される骨格型を有する、請求項１に記載のＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項３】
小細孔モレキュラーシーブがＡＥＩ又はＣＨＡである骨格型を有する、請求項２に記載のＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項４】
小細孔モレキュラーシーブが、アルミノシリケート骨格を有し、１０から２００のシリカのアルミナに対するモル比を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載のＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項５】
モレキュラーシーブ触媒を保護するための酸素吸蔵材料が、セリウム及び／又はマンガン化合物の酸化物を含み、マンガン化合物がマンガン又はマンガンアルミネートの酸化物を含む、請求項１から４のいずれか一項に記載のＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項６】
酸素吸蔵材料がセリウムの酸化物を含む、請求項５に記載のＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項７】
酸素吸蔵材料が、セリウムの酸化物に担持されたパラジウム及び任意選択的に白金を含む、請求項６に記載のＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項８】
リーンＮＯｘトラップ（ＬＮＴ）領域をさらに含む、請求項１から７のいずれか一項に記載のＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項９】
基材がフロースルーモノリス又はフィルターモノリスである、請求項１から８のいずれか一項に記載のＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか一項に記載のＮＯｘ吸収体触媒とエミッションコントロールデバイスとを備える排気システム。
【請求項１１】
エミッションコントロールデバイスが、ディーゼル微粒子フィルター（ＤＰＦ）、リーンＮＯｘトラップ（ＬＮＴ）、リーンＮＯｘ触媒（ＬＮＣ）、選択的触媒還元（ＳＣＲ）触媒、ディーゼル酸化触媒（ＤＯＣ）、触媒化スートフィルター（ＣＳＦ）、選択的触媒還元フィルター（ＳＣＲＦＴＭ）触媒、アンモニアスリップ触媒（ＡＳＣ）及びこれらの２種以上の組み合わせからなる群より選択されるエミッションコントロールデバイスからなる群より選択される、請求項１０に記載の排気システム。
【請求項１２】
リーンバーンエンジンと、請求項１から９のいずれか一項に記載のＮＯｘ吸収体触媒又は請求項１０又は請求項１１に記載の排気システムとを備える車両。
【請求項１３】
リーンバーンエンジンが、≦５０ｐｐｍの硫黄を含むディーゼル燃料で作動するように構成されている、請求項１２に記載の車両。
【請求項１４】
リーンバーンエンジンからの排気ガスを処理する方法であって、排気ガスを請求項１から９のいずれか一項に記載のＮＯｘ吸収体触媒と接触させること、又は排気ガスを請求項１０又は請求項１１に記載の排気システムに通過させることを含む、方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年3月5日(2021.3.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
超音波ビームの空間的にインターリーブされたパターンで、血管音響共振器を含む関心領域に超音波照射する超音波システムであって、
前記関心領域内へと、超音波治療ビームを送信する超音波アレイと、
前記超音波アレイに結合され、複数のインターリーブされたパターンにおける前記超音波治療ビームのステアリングを制御し、前記複数のインターリーブされたパターンを順次的に送信する送信コントローラと、
を含み、
時間的に後続する各インターリーブされたパターンは、前記関心領域の均一且つ十分な照射を提供するように、前のパターンのビーム領域間に空間的にインターリーブされるビーム領域を含み、前記インターリーブされたパターンは、隣接ビームによるビーム焦点領域外の前記血管音響共振器の破壊を制限するのに十分に広い所定の間隔を有する、超音波システム。
【請求項２】
前記複数のインターリーブされたパターンは、
所定の間隔に従って、互いから空間によって離されている超音波治療ビームの第１のビームパターンと、
前記第１のビームパターンの前記超音波治療ビームを互いから離す前記空間へとステアリングされる超音波治療ビームの第２のビームパターンと、
を含む、請求項１に記載の超音波システム。
【請求項３】
前記複数のインターリーブされたパターンは更に、前記第１のビームパターン及び前記第２のビームパターンの前記超音波治療ビーム間に空間的にインターリーブされる超音波治療ビームの第３のビームパターンを含む、請求項２に記載の超音波システム。
【請求項４】
前記複数のインターリーブされたパターンは更に、前記第１のビームパターン、前記第２のビームパターン及び前記第３のビームパターンの前記超音波治療ビーム間に空間的にインターリーブされる超音波治療ビームの第４のビームパターンを含む、請求項３に記載の超音波システム。
【請求項５】
前記送信コントローラは更に、前記超音波システムに、２つの後続パターンの送信間の時間間隔における送信をやめさせる、請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の超音波システム。
【請求項６】
前記時間間隔は、少なくとも０．１秒である、請求項５に記載の超音波システム。
【請求項７】
前記時間間隔は、約１秒から２秒の範囲である、請求項６に記載の超音波システム。
【請求項８】
前記複数のインターリーブされたパターンは更に、前記第１のビームパターン及び前記第２のビームパターンと同じビームパターンを有し且つ前記超音波治療ビーム間のビーム間間隔だけオフセットされている超音波治療ビームの第３のビームパターン及び第４のビームパターンを含む、請求項２に記載の超音波システム。
【請求項９】
前記複数のインターリーブされたパターンは更に、前記第２のビームパターンと同じパターンの第３のビームパターンと、前記第１のビームパターンと同じパターンの第４のビームパターンと、を含み、前記超音波治療ビームは、前記ビーム間間隔だけオフセットされている、請求項８に記載の超音波システム。
【請求項１０】
超音波治療ビームの任意のパターンにおけるビーム領域の中心は、電力半値ビーム幅と少なくとも同じである間隔だけ互いから離されている、請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の超音波システム。
【請求項１１】
前記ビーム領域の中心は、圧力半値ビーム幅と少なくとも同じである間隔だけ互いから離されている、請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の超音波システム。
【請求項１２】
超音波治療ビームの任意のパターンにおけるビーム領域の中心は、１８．７５％の圧力ビーム幅未満の間隔だけ互いから離されている、請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の超音波システム。
【請求項１３】
前記ビーム領域の中心は、２５％の圧力ビーム幅未満の間隔だけ互いから離されている、請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の超音波システム。
【請求項１４】
超音波治療ビームの任意のパターンにおけるビーム領域の中心は、２．６から５．２ｍｍの範囲の間隔だけ互いから離されている、請求項１から請求項９までのいずれか一項に記載の超音波システム。
【請求項１５】
前記複数のインターリーブされたパターンは、
超音波治療ビームが互いから水平方向及び垂直方向に離されている前記超音波治療ビームの第１のパターンと、
超音波治療ビームが、前記第１のパターンの前記超音波治療ビーム間で水平方向及び垂直方向に空間的にインターリーブされている前記超音波治療ビームの第２のパターンと、
超音波治療ビームが、前記第１のパターン及び前記第２のパターンの前記超音波治療ビーム間で水平方向及び垂直方向に空間的にインターリーブされている前記超音波治療ビームの第３のパターンと、
を含む、請求項１に記載の超音波システム。
【請求項１６】
前記複数のインターリーブされたパターンは更に、
超音波治療ビームが、前記第１のパターン、前記第２のパターン及び前記第３のパターンの前記超音波治療ビーム間で水平方向及び垂直方向に空間的にインターリーブされている前記超音波治療ビームの第４のパターンを含む、請求項１５に記載の超音波システム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２６】
本開示に従った使用に適したビーム走査パターンは、血栓ボリューム全体及び周囲組織に亘って順次的に送信される個々の集束ビームの集まりから構成され、これにより、適切な処理マージンが確保される。典型的な脳血栓は、閉塞血管の内径に相当する直径（中大脳動脈の場合２〜５ｍｍ）と最大で数センチの長さを有する円筒形である。血栓とその周囲組織との徹底的な超音波照射を達成するために、各走査パターンは、好適には１〜５ｃｍ２の典型的な断面積に及ぶ。これは、各走査パターンが、所望のビーム間隔及び標的領域カバレッジを所与として、多くのビームからなることを意味する。ビームの重なりと、隣接ビームにより結果として生じるＶＡＲ破壊とを更に最小限に抑えるために、各連続走査パターンのビームは、先行パターンのビーム間に、インターリーブされて配置される。２ビームシーケンス、３ビームシーケンス、４ビームシーケンス又は５ビームシーケンスといった様々なビームパターンシーケンスが使用されてよい。シーケンスにおけるすべてのビームパターンが異なっても、ビームパターンのうちの幾つかが同じであってもよい。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年3月29日(2021.3.29)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
文献ＦＲ２９４１３６４は、光学トラッカを患者に取り付けた装置を記載している。装置は、複数の貫通ボアを含む実質的に平坦な放射線透過性の本体を含む。ピンをボアに通して、本体を患者の骨に経皮的に固定する。この装置は、本体と一体的に、光学トラッカを受けることを意図する突出部材を更に含む。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明は、医療画像に対してツールをナビゲートする蛍光ナビゲーションシステムであって、
−  患者の関心の領域の複数の画像を取得するように構成される電動Ｘ線撮像システムと、
−  位置特定システムと、
−  複数の放射線不透過性基準を含む位置合わせファントムと、−  位置合わせファントムによってトラッキング（追跡）されるように構成されるトラッカと、−  電動Ｘ線撮像システムによって取得される複数の画像を受信するように構成され、複数の画像中で見える放射線不透過性基準を用いて画像から３Ｄ医療画像を再構築するように構成される、プロセッサと、
−  実質的に放射線透過性の材料で作られるベースとを含み、各画像の位置は、電動Ｘ線撮像システムを参照して知られており、
ベースは、患者の骨に剛的に固定されるように構成され、位置合わせファントム及び／又はトラッカを取り付ける再現可能な固定システムを含む、
蛍光ナビゲーションシステム提供する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
器具１は、放射線透過性材料、例えば、プラスチックで作られたベース１０（基部）を含む。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４４】
器具１は、ベース１０に剛的に取り付けられるように意図された位置合わせファントム３０(registration  phantom)を更に含む。位置合わせファントム３０は、放射線透過性材料で作られ、既知の位置に配置される既知の形状及びサイズを有する複数の放射線不透過性基準３１(radiopaque  fiducials)（例えば、ボール又はピン）を含む。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年12月14日(2020.12.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１４】
ベースポリマーは、ポリ（ハライド化ビニル）、ポリアクリル、ポリカーボネート、ポリオレフィン、及びポリスチレンからなる群から選択される。代表的なポリ（ハライド化ビニル）は、ポリ（塩化ビニル）及びポリ（塩化ビニリデン）を含む。代表的なポリアクリルは、メチルメタクリレート、エチルメタクリレート、ブチルメタクリレート、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ブチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレートおよび任意選択的な架橋モノマーのホモポリマー及びコポリマーを含む。代表的なポリカーボネートは、芳香族ポリカーボネート、ポリカーボネートのコポリマー（例えば、ポリカーボネート−ポリシロキサンブロックコポリマーなどのポリカーボネート−ポリシロキサン）、線状ポリカーボネート、分岐状ポリカーボネート、及び末端保護ポリカーボネート、（例えば、ニトリルで末端保護されたポリカーボネート）を含む。代表的なポリカーボネート材料は、ＳＡＢＩＣ  Ｉｎｎｏｖａｔｉｖｅ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ  ＩＰ社より市販のＬＥＸＡＮ  Ｒｅｓｉｎｓを含む。代表的なポリオレフィンは、エチレン系ポリマー及びプロピレン系ポリマーを含む。代表的なポリスチレンは、アニオン性の重合可能なポリスチレン、シンジオタクチックポリスチレン、不飽和及び飽和ポリスチレン（例えば、ポリ（Ｃｘ−メチルスチレン））を含む。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年2月24日(2021.2.24)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１】
精錬時の不可避的溶融不純物に起因する不可避的不純物及び鉄のほかに、重量パーセントで下記の成分：
Ｃ    ０．０５〜０．６％
Ｃｒ＋２×Ｔｉ＋３×（Ｍｏ＋Ｖ＋Ｎｂ）＋４×Ｗの合計＝２〜７％、
を含む、高エネルギー吸収能力及び良好な成形性を備えた合金鋼であって、
前記合金鋼の構造が、マルテンサイトのほかに、１０〜４０体積％の残留オーステナイトの部分を含み、引張強度（Ｒｍ）と均一伸び（Ａｇ）との積で表される前記エネルギー吸収能力が、１２，０００ＭＰａ％より高く、最小引張強度が１，０００ＭＰａである、合金鋼。
[訂正の理由等]
（訂正の理由）
２０１８年６月１２日付提出の国際出願翻訳文提出書における特許請求の範囲中の記載に誤訳がありましたので、今回訂正を行うものであります。訂正の内容は以下のとおりです。
（誤訳訂正１の訂正の理由）
特許請求の範囲の請求項１において、「均一ひずみ」と翻訳した箇所について、原文の当該翻訳箇所の表記は、「Ｇleichmaβdehnung」（国際公開公報のAbstractでは「uniform elongation」と表記）であることから、「均一伸び」に訂正する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項１０】
引張強度Ｒｍと均一伸びＡｇとの積で表される前記エネルギー吸収能力が、１４，０００ＭＰａ％より高いことを特徴とする、請求項１〜９のいずれか１項に記載の合金鋼。
[訂正の理由等]
（訂正の理由）
２０１８年６月１２日付提出の国際出願翻訳文提出書における特許請求の範囲中の記載に誤訳がありましたので、今回訂正を行うものであります。訂正の内容は以下のとおりです。
（誤訳訂正２の訂正の理由）
特許請求の範囲の請求項１０において、「均一ひずみ」と翻訳した箇所について、原文の当該翻訳箇所の表記は、「Ｇleichmaβdehnung」（国際公開公報のAbstractでは「uniform elongation」と表記）であることから、「均一伸び」に訂正する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
本発明によれば、前記目的は、高エネルギー吸収能力及び良好な成形性を備えた合金鋼によって達成することができ、該合金鋼は、精錬時の不可避的溶融不純物に起因する不可避的不純物及び鉄のほかに、重量パーセントで下記の成分：
Ｃ    ０．０５〜０．６％
Ｃｒ＋２×Ｔｉ＋３×（Ｍｏ＋Ｖ＋Ｎｂ）＋４×Ｗの合計＝２〜７％、
を含み、前記合金鋼の構造が、マルテンサイトのほかに、１０〜４０体積％の残留オーステナイトの部分を含み、引張強度Ｒｍと均一伸びＡｇとの積で表される前記エネルギー吸収能力が、１４，０００ＭＰａ％より高く、最小引張強度が１，０００ＭＰａである、合金鋼である。
[訂正の理由等]
（訂正の理由）
２０１８年６月１２日付提出の国際出願翻訳文提出書における明細書中の記載に誤訳がありましたので、今回訂正を行うものであります。訂正の内容は以下のとおりです。
（誤訳訂正３の訂正の理由）
明細書の段落[０００８]において、「均一ひずみ」と翻訳した箇所について、原文の当該翻訳箇所の表記は、「Ｇleichmaβdehnung」（国際公開公報のAbstractでは「uniform elongation」と表記）であることから、「均一伸び」に訂正する。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
本発明によれば、引張強度（Ｒｍ）と均一伸び（Ａｇ）との積で表される前記合金鋼のエネルギー吸収能力は、１２，０００ＭＰａ％より高く、また、１４，０００ＭＰａ％より高くすることができる。
[訂正の理由等]
（訂正の理由）
２０１８年６月１２日付提出の国際出願翻訳文提出書における明細書中の記載に誤訳がありましたので、今回訂正を行うものであります。訂正の内容は以下のとおりです。
（誤訳訂正４の訂正の理由）
明細書の段落[００２４]において、「均一ひずみ」と翻訳した箇所について、原文の当該翻訳箇所の表記は、「Ｇleichmaβdehnung」（国際公開公報のAbstractでは「uniform elongation」と表記）であることから、「均一伸び」に訂正する。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
本発明の合金鋼の均一伸び（Ａｇ）は５％以上とすることができる。従来の熱処理済み鋼では、特に１，０００ＭＰａを超える鋼では、均一伸びはより小さく、特に５％未満である。
[訂正の理由等]
（訂正の理由）
２０１８年６月１２日付提出の国際出願翻訳文提出書における明細書中の記載に誤訳がありましたので、今回訂正を行うものであります。訂正の内容は以下のとおりです。
（誤訳訂正５の訂正の理由）
明細書の段落[００３２]において、「均一ひずみ」と翻訳した箇所について、原文の当該翻訳箇所の表記は、「Ｇleichmaβdehnung」（国際公開公報のAbstractでは「uniform elongation」と表記）であることから、「均一伸び」に訂正する。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３２】
本発明の合金鋼の均一伸び（Ａｇ）は５％以上とすることができる。従来の熱処理済み鋼では、特に１，０００ＭＰａを超える鋼では、均一伸びはより小さく、特に５％未満である。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年7月30日(2021.7.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基底と、
前記基底の一側に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに対して前記基底の一側からより離れた位置に形成された有機発光層と、
前記有機発光層の中に形成された、パターン化されたタッチコントロール電極層と、
前記タッチコントロール電極層と、前記タッチコントロール電極層に隣接する層構成との間に形成された絶縁層と、
を含むことを特徴とする表示基板。
【請求項２】
前記有機発光層は、
前記薄膜トランジスタに対して前記基底の一側からより離れた位置に形成された陽極層と、
前記陽極層に対して前記薄膜トランジスタの一側からより離れた位置に形成された正孔注入層と、
前記正孔注入層に対して前記陽極層の一側からより離れた位置に形成された正孔伝送層と、
前記正孔伝送層に対して前記正孔注入層の一側からより離れた位置に形成された有機材料層と、
前記有機材料層に対して前記正孔伝送層の一側からより離れた位置に形成された電子伝送層と、
前記電子伝送層に対して前記有機材料層の一側からより離れた位置に形成された電子注入層と、
前記電子注入層に対して前記電子伝送層の一側からより離れた位置に形成された陰極層と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項３】
前記タッチコントロール電極層は、前記陽極層と前記正孔注入層との間に形成され、又は前記正孔注入層と前記正孔伝送層との間に形成され、又は前記正孔伝送層と前記有機材料層との間に形成され、又は前記有機材料層と前記電子伝送層との間に形成され、又は前記電子伝送層と前記電子注入層との間に形成され、又は前記電子注入層と前記陰極層との間に形成された
ことを特徴とする請求項２に記載の表示基板。
【請求項４】
前記タッチコントロール電極層が自己容量であることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか１項に記載の表示基板。
【請求項５】
基底に薄膜トランジスタを形成するステップと、
前記薄膜トランジスタに対して前記基底の一側からより離れた位置に有機発光層を形成するステップと、
この前記有機発光層を形成するステップにおいて、前記有機発光層の中にパターン化されたタッチコントロール電極層を形成するステップと、を含み、
前記タッチコントロール電極層と、前記タッチコントロール電極層に隣接する層構成との間に絶縁層を形成するステップをさらに含むことを特徴とする表示基板の製造方法。
【請求項６】
前記薄膜トランジスタに対して前記基底の一側からより離れた位置に前記有機発光層を形成するステップは、
前記薄膜トランジスタに対して前記基底の一側からより離れた位置に陽極層を形成するステップと、
前記陽極層に対して前記薄膜トランジスタの一側からより離れた位置に正孔注入層を形成するステップと、
前記正孔注入層に対して前記陽極層の一側からより離れた位置に正孔伝送層を形成するステップと、
前記正孔伝送層に対して前記正孔注入層の一側からより離れた位置に有機材料層を形成するステップと、
前記有機材料層に対して前記正孔伝送層の一側からより離れた位置に電子伝送層を形成するステップと、
前記電子伝送層に対して前記有機材料層の一側からより離れた位置に電子注入層を形成するステップと、
前記電子注入層に対して前記電子伝送層の一側からより離れた位置に陰極層を形成するステップと、
を含むことを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記有機発光層の中にタッチコントロール電極層を形成するステップは、
前記陽極層と前記正孔注入層との間に前記タッチコントロール電極層を形成するステップ、
前記正孔注入層と前記正孔伝送層との間に前記タッチコントロール電極層を形成するステップ、
前記正孔伝送層と前記有機材料層との間に前記タッチコントロール電極層を形成するステップ、
前記有機材料層と前記電子伝送層との間に前記タッチコントロール電極層を形成するステップ、
前記電子伝送層と前記電子注入層との間に前記タッチコントロール電極層を形成するステップ、又は
前記電子注入層と前記陰極層との間に前記タッチコントロール電極層を形成するステップ
を含むことを特徴とする請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記タッチコントロール電極層が自己容量であることを特徴とする請求項５から請求項７のうちいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
プロセッサと、
前記プロセッサが実行可能な命令を記憶するためのメモリと、を含む電子デバイスであって、
表示基板をさらに含み、前記表示基板は、
基底と、
前記基底の一側に形成された薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに対して前記基底の一側からより離れた位置に形成された有機発光層と、
前記有機発光層の中に形成された、パターン化されたタッチコントロール電極層と、
前記タッチコントロール電極層と、前記タッチコントロール電極層に隣接する層構成との間に形成された絶縁層と、を含む
ことを特徴とする電子デバイス。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和2年12月18日(2020.12.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
また、上記ステータの内部部分のオーバーモールド成形体の厚さは、上記ステータの外部部分のオーバーモールド成形体の厚さよりも大きいことが好ましい。