(57)【要約】【課題】ウェハベベル部に残置している不要物を均一にエッチング除去する。【解決手段】ウェハベベル処理部２には、スプレーヘッド部１１、バルブ１３、バルブ１５、バルブ１７、バルブ１９、バルブ２５乃至２８、薬液回収部２０、薬液供給ポンプ２１、薬液供給ポンプ２２、及び薬液タンク２３が設けられる。スプレーヘッド部１１には、不活性ガス吐出ノズル１２、不活性ガス吐出ノズル１６、薬液・リンス液吐出ノズル１４、薬液・リンス液吐出ノズル１８、及び排出口２９が設けられる。薬液・リンス液吐出ノズル１４は、ウェハ中央側からウェハ端部方向に、ウェハ端部の表面側に薬液或いはリンス液を吐出する。薬液・リンス液吐出ノズル１８は、ウェハ中央側からウェハ端部方向に、ウェハ端部の裏面側に薬液或いはリンス液を吐出する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハを所定位置に載置し、固定するウェハ支持台と、
前記ウェハ支持台に固定された前記ウェハを回転する回転部と、
前記ウェハの表面の端部側に、薬液又はリンス液を吐出する第１の薬液・リンス液吐出ノズルと、前記ウェハの裏面の端部側に、前記薬液又は前記リンス液を吐出する第２の薬液・リンス液吐出ノズルとを有し、所定の隙間を設けながら前記ウェハの端部を覆い、排出口からエッチング反応物を排出するウェハベベル処理部と、
前記ウェハの支持及び回転を制御し、前記ウェハベベル処理部の移動を制御し、前記ウェハのベベル部の不要物をエッチング除去する処理作業を制御する制御部と、
を具備することを特徴とするウェハベベル処理装置。
【請求項２】
前記第１の薬液・リンス液吐出ノズルから前記薬液又は前記リンス液が吐出される場所よりも中心部側である前記ウェハの表面の端部側に、不活性ガスを吐出する第１の不活性ガス吐出ノズルと、
前記第２の薬液・リンス液吐出ノズルから前記薬液又は前記リンス液が吐出される場所よりも中心部側である前記ウェハの裏面の端部側に、前記不活性ガスを吐出する第２の不活性ガス吐出ノズルと、
を具備することを特徴とする請求項１に記載のウェハベベル処理装置。
【請求項３】
ウェハを所定位置に載置し、固定するウェハ支持台と、
前記ウェハ支持台に固定された前記ウェハを回転する回転部と、
前記ウェハの表面の端部側に、薬液、リンス液、或いは不活性ガスを吐出する第１の薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズルと、前記ウェハの裏面の端部側に、前記薬液、前記リンス液、或いは前記不活性ガスを吐出する第２の薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズルとを有し、所定の隙間を設けながら前記ウェハの端部を覆い、排出口からエッチング反応物を排出するウェハベベル処理部と、
前記ウェハの支持及び回転を制御し、前記ウェハベベル処理部の移動を制御し、前記ウェハのベベル部の不要物をエッチング除去する処理作業を制御する制御部と、
を具備することを特徴とするウェハベベル処理装置。
【請求項４】
前記吐出ノズルの吐出物は、前記ウェハの中央部側から端部方向に吐出されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のウェハベベル処理装置。
【請求項５】
ウェハの表面の端部側に、薬液又はリンス液を吐出する第１の薬液・リンス液吐出ノズルと、前記ウェハの裏面の端部側に、前記薬液又は前記リンス液を吐出する第２の薬液・リンス液吐出ノズルと、前記ウェハの表面の端部側に、不活性ガスを吐出する第１の不活性ガス吐出ノズルと、前記ウェハの裏面の端部側に、前記不活性ガスを吐出する第２の不活性ガス吐出ノズルとを有するウェハベベル処理装置を用いたウェハ処理方法であって、
ウェハ支持部に固定され、回転している前記ウェハの端部に前記第１及び第２の不活性ガス吐出ノズルから前記不活性ガスを吐出する工程と、
前記不活性ガスを吐出させながら、前記不活性ガスが吐出されている場所よりも端部側に、前記第１及び第２の薬液・リンス液吐出ノズルの両方或いはいずれか一方から前記薬液を吐出して前記ウェハのベベル部の不要物をエッチング除去する工程と、
を具備することを特徴とするウェハベベル処理装置を用いたウェハ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハベベル処理装置及びそれを用いたウェハ処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の微細化、高集積度化、多機能化の進展に伴い、半導体集積回路（ＬＳＩ）の製造工程数、絶縁膜の種類、配線層の種類などが増大している。これにより、製造工程中でのウェハのベベル部分に絶縁膜や金属膜などからなるダストやエッチング残渣などの不要物がより残置しやすくなる。この不要物は、ホトリソグラフィー工程でのフォーカスマージンの低下要因となり、半導体集積回路（ＬＳＩ）の歩留低下や信頼性低下の要因となる。このため、ウェハベベル部の不要物をエッチング除去するウェハベベル処理装置が開発されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１などに記載されるウェハベベル処理装置では、ウェハ回転により周囲に飛び散った薬液が跳ね返り、ウェハ外周部の表面のエッチング精度にムラが発生したり、ウェハ裏面へも薬液が回りこんだりする。この結果、ウェハベベル部に残置している不要物を均一にエッチング除去することができないという問題点がある。また、ウェハ端部の表面側と裏面側に残置している不要物の組成や構造が異なる場合には、不要物を均一にエッチング除去することが更に困難となるという問題点がある。
【特許文献１】特開２０００−２３５９４８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、ウェハベベル部に残置している不要物を均一にエッチング除去することができるウェハベベル処理装置及びそれを用いたウェハ処理方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様のウェハベベル処理装置は、ウェハを所定位置に載置し、固定するウェハ支持台と、前記ウェハ支持台に固定された前記ウェハを回転する回転部と、前記ウェハの表面の端部側に、薬液又はリンス液を吐出する第１の薬液・リンス液吐出ノズルと、前記ウェハの裏面の端部側に、前記薬液又は前記リンス液を吐出する第２の薬液・リンス液吐出ノズルとを有し、所定の隙間を設けながら前記ウェハの端部を覆い、排出口からエッチング反応物を排出するウェハベベル処理部と、前記ウェハの支持及び回転を制御し、前記ウェハベベル処理部の移動を制御し、前記ウェハのベベル部の不要物をエッチング除去する処理作業を制御する制御部とを具備することを特徴とする。
【０００６】
更に、本発明の一態様のウェハベベル処理装置を用いたウェハ処理方法は、ウェハの表面の端部側に、薬液又はリンス液を吐出する第１の薬液・リンス液吐出ノズルと、前記ウェハの裏面の端部側に、前記薬液又は前記リンス液を吐出する第２の薬液・リンス液吐出ノズルと、前記ウェハの表面の端部側に、不活性ガスを吐出する第１の不活性ガス吐出ノズルと、前記ウェハの裏面の端部側に、前記不活性ガスを吐出する第２の不活性ガス吐出ノズルとを有するウェハベベル処理装置を用いたウェハ処理方法であって、ウェハ支持部に固定され、回転している前記ウェハの端部に前記第１及び第２の不活性ガス吐出ノズルから前記不活性ガスを吐出する工程と、前記不活性ガスを吐出させながら、前記不活性ガスが吐出されている場所よりも端部側に、前記第１及び第２の薬液・リンス液吐出ノズルの両方或いはいずれか一方から前記薬液を吐出して前記ウェハのベベル部の不要物をエッチング除去する工程とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、ウェハベベル部に残置している不要物を均一にエッチング除去することができるウェハベベル処理装置及びそれを用いたウェハ処理方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
【実施例１】
【０００９】
まず、本発明の実施例１に係るウェハベベル処理装置及びそれを用いたウェハ処理方法について、図面を参照して説明する。図１はウェハベベル処理装置を示す模式図、図２はウェハベベル処理部を示す断面図である。本実施例では、ウェハの周辺部の表面側と裏面側に薬液及びリンス液をそれぞれ吐出するノズルを設け、ウェハベベル部の不要物を均一にエッチング除去している。
【００１０】
図１に示すように、ウェハベベル処理装置５０には、制御部１、ウェハベベル処理部２、ウェハ３、ウェハ支持台４、及び回転部５が設けられる。ウェハベベル処理装置５０は、例えば半導体集積回路（ＬＳＩ）が形成されるウェハの製造工程途中において、ウェハベベル部分に残置される絶縁膜や金属膜、或いは絶縁膜や金属膜からなるダストやエッチング残渣などの不要物を均一にエッチング除去する。
【００１１】
ウェハ支持台４は、例えば製造工程途中のウェハ３を所定位置に載置し、吸着固定する。ここでは、ウェハ３の裏面側をウェハ支持台４に吸着固定しているが、ウェハ３の表面側をウェハ支持台４に吸着固定してもよい。回転部５は、ウェハベベル処理工程中に、ウェハ３を固定したウェハ支持台４を所定の回転数で回転する。
【００１２】
ウェハベベル処理部２は、ウェハベベル処理中、ウェハ３から所定の間隔を隔てて離間配置され、ウェハ３の周辺部を覆う。ウェハベベル処理部２では、ウェハベベル部の不要物が均一にエッチング除去される。
【００１３】
制御部１は、ウェハベベル処理装置５０全体の制御を行う。具体的には、ウェハ３の支持及び回転の制御を行い、ウェハベベル処理部２の可動制御を行い（ウェハ３のセット及び離脱時には、ウェハベベル処理部２をウェハ３の周辺部から離間配置し、ウェハベベル処理中はウェハベベル処理部２でウェハ３の周辺部を覆う）、ウェハベベル処理作業の制御を行う。
【００１４】
図２に示すように、ウェハベベル処理部２には、スプレーヘッド部１１、バルブ１３、バルブ１５、バルブ１７、バルブ１９、バルブ２５乃至２８、薬液回収部２０、薬液供給ポンプ２１、薬液供給ポンプ２２、及び薬液タンク２３が設けられる。ここでは、薬液タンクを１つ設けているが、ウェハベベル処理に応じて適宜異なる薬液を内蔵した薬液タンクを複数設けてもよい。
【００１５】
薬液タンク２３の内部には、ウェハベベル部の不要物をエッチングするときに使用される薬液２４が設けられる。ここでは、薬液２４に、例えばフッ酸を用いている。
【００１６】
スプレーヘッド部１１は、ウェハベベル処理作業時に、ウェハ３から所定の間隔を隔てて離間配置され、ウェハ３の周辺部を覆う。スプレーヘッド部１１には、不活性ガス吐出ノズル１２、不活性ガス吐出ノズル１６、薬液・リンス液吐出ノズル１４、薬液・リンス液吐出ノズル１８、及び排出口２９が設けられる。
【００１７】
薬液・リンス液吐出ノズル１４は、ウェハ中央側からウェハ端部方向に、ウェハ端部の表面側に薬液或いはリンス液を吐出する。不活性ガス吐出ノズル１２は、ウェハ中央側からウェハ端部方向に、薬液・リンス液吐出ノズル１４の吐出物が到達する場所よりもウェハ中央側のウェハ端部の表面側に不活性ガスを吐出する。
【００１８】
ここで、ウェハ中央側のウェハ端部の表面側に不活性ガス吐出ノズル１２を設けている理由は、半導体集積回路（ＬＳＩ）が形成されるウェハ領域に薬液やエッチング反応物などを飛散させないようにするためである。ここでは、不活性ガスに窒素ガス（Ｎ２ガス）を用い、リンス液に純水を用いている。
【００１９】
バルブ１３は、図示しない不活性ガス供給源から供給される不活性ガスを不活性ガス吐出ノズル１２に供給或いは停止の働きをする。バルブ１５は、薬液供給ポンプ２１により供給される薬液２４を薬液・リンス液吐出ノズル１４に供給或いは停止の働きをする。バルブ２５は、図示しないリンス液供給源から供給されるリンス液を薬液・リンス液吐出ノズル１４に供給或いは停止の働きをする。
【００２０】
薬液・リンス液吐出ノズル１８は、ウェハ中央側からウェハ端部方向に、ウェハ端部の裏面側に薬液或いはリンス液を吐出する。不活性ガス吐出ノズル１６は、ウェハ中央側からウェハ端部方向に、薬液・リンス液吐出ノズル１８の吐出物が到達する場所よりもウェハ中央側のウェハ端部の裏面側に不活性ガスを吐出する。
【００２１】
ここで、ウェハ中央側のウェハ端部の裏面側に不活性ガス吐出ノズル１６を設けている理由は、ウェハ中央領域に薬液やエッチング反応物などを飛散させないようにするためである。
【００２２】
バルブ１７は、図示しない不活性ガス供給源から供給される不活性ガスを不活性ガス吐出ノズル１６に供給或いは停止の働きをする。バルブ１９は、薬液供給ポンプ２２により供給される薬液２４を薬液・リンス液吐出ノズル１８に供給或いは停止の働きをする。バルブ２６は、図示しないリンス液供給源から供給されるリンス液を薬液・リンス液吐出ノズル１８に供給或いは停止の働きをする。
【００２３】
排出口２９は、ウェハベベル処理作業時に排出される薬液２４、リンス液、エッチング反応液などを排出する。ウェハベベル処理で未使用の薬液２４は、バルブ２７、薬液回収部２０を介して薬液タンク２３に回収される。回収される薬液２４は、薬液回収部２０で薬液濃度（フッ酸濃度）の調整や不純物除去などが行われ、調合時の薬液２４と同じ状態にされる。ウェハベベル処理でのエッチング反応液は、バルブ２８を介して廃液として排出される。
【００２４】
なお、地球環境保全の観点などから、ウェハベベル処理５０から排出される廃液は回収されて、再度薬液として再利用される。ここでは、晶析法や吸着材を用いた吸着法により、廃液中のフッ素を回収している。回収したフッ素から薬液としてのフッ酸が生成される。
【００２５】
次に、ウェハベベル処理について図３乃至７を参照して説明する。図３はウェハベベル処理を示すフローチャート、図４はウェハベベル部の表面側及び裏面側に不要物である被エッチング材が残置している場合のベベルエッチングを示す図、図４（ａ）は断面図、図４（ｂ）はフローチャート、図５はウェハベベル部の表面側及び裏面側に不要物である絶縁膜が残置し、更にメタル残渣が残置している場合のベベルエッチングを示す図、図５（ａ）は断面図、図５（ｂ）はフローチャート、図６はウェハベベル部の表面側に不要物である被エッチング材が残置している場合のベベルエッチングを示す図、図６（ａ）は断面図、図６（ｂ）はフローチャート、図７はウェハベベル部の裏面側に不要物である被エッチング材が残置している場合のベベルエッチングを示す図、図７（ａ）は断面図、図７（ｂ）はフローチャートである。ここで、ウェハベベル処理が行われるウェハは、半導体集積回路（ＬＳＩ）が形成される製造工程途中のものである。
【００２６】
図３に示すように、ウェハベベル処理では、まず、ウェハ３がウェハベベル処理装置５０に搬入され、ウェハ支持台に載置（例えば、ウェハ３の表面を上側にして載置）され、吸引固定される。このとき、ウェハベベル処理部２はウェハ３の端部を覆わず左右に配置される（ステップＳ１）。次に、回転部５を所定の速度で回転させてウェハ３を回転させる（ステップＳ２）。
【００２７】
続いて、ウェハ３を回転させながら、ウェハベベル処理部２をウェハベベル処理が可能な所定の位置まで移動させ、ウェハ３の端部を覆う（ステップＳ３）。
【００２８】
そして、ウェハ３を回転させながら、ウェハベベル部の不要物をエッチング除去する。ここでは、ウェハベベル部の膜構造や膜質に応じてエッチングレシピを変更している。
【００２９】
具体的には、図４（ａ）に示すようにウェハベベル部の表面及び裏面に不要物である被エッチング材が残置している場合（例えば、絶縁膜３１及び３２が残置）、図４（ｂ）に示すように、まず、不活性ガス吐出ノズル１２及び１６から不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）をウェハベベル部の表面側及び裏面側に吐出する（ステップＳ４１）。
【００３０】
ここでは、絶縁膜３１及び３２はシリコン酸化膜であるが、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）やＬｏｗ−ｋ絶縁膜などの場合もある。
【００３１】
次に、薬液・リンス液吐出ノズル１４及び１８から薬液であるフッ酸（フッ化水素酸とも呼称される）をウェハベベル部の表面側及び裏面側に吐出し、不要物である絶縁膜３１及び３２をエッチング除去する。この場合、表面側よりも裏面側の絶縁膜３１及び３２が少ないので、裏面側の絶縁膜３１及び３２のエッチング除去が終了した時点で薬液・リンス液吐出ノズル１８からの薬液であるフッ酸の供給を先に停止するのが好ましい。表面側及びウェハベベル端の絶縁膜３１及び３２のエッチング除去が終了した時点で薬液・リンス液吐出ノズル１４からの薬液であるフッ酸の供給を停止する（ステップＳ４２）。
【００３２】
図５（ａ）に示すようにウェハベベル部の表面側及び裏面側に不要物である絶縁膜が残置し、更にメタル残渣が残置している場合（例えば、絶縁膜３１及び３２が残置、メタル残渣４１がウェハベベル部の表面側に残置）、図５（ｂ）に示すように、まず、不活性ガス吐出ノズル１２及び１６から不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）をウェハベベル部の表面側及び裏面側に吐出する（ステップＳ４１）。
【００３３】
次に、薬液・リンス液吐出ノズル１４から第１の薬液である、例えば塩酸（ＨＣＬ）をウェハベベル部の表面側に吐出し、不要物である例えば銅（Ｃｕ）からなるメタル残渣４１をエッチング除去する。ここでは、塩酸（ＨＣＬ）を用いているが、塩酸（ＨＣＬ）と同様に金属をエッチングし、絶縁膜をほとんどエッチングしない硫酸（Ｈ２ＳＯ４）やキレート液などを用いてもよい（ステップＳ４３）。
【００３４】
続いて、メタル残渣４１を選択的にエッチング除去後、薬液・リンス液吐出ノズル１４及び１８から第２の薬液であるフッ酸をウェハベベル部の表面側及び裏面側に吐出し、不要物である絶縁膜３１及び３２をエッチング除去する（ステップＳ４４）。ここで、第１及び第２の薬液は異なる薬液タンクからそれぞれ供給され、薬液の切り替えはバルブを用いて行われる。
【００３５】
図６（ａ）に示すようにウェハベベル部の表面側に不要物である被エッチング材が残置している場合（例えば、絶縁膜３３が残置）、図６（ｂ）に示すように、まず、不活性ガス吐出ノズル１２及び１６から不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）をウェハベベル部の表面側及び裏面側に吐出する（ステップＳ４１）。
【００３６】
次に、薬液・リンス液吐出ノズル１４から薬液であるフッ酸をウェハベベル部の表面側に吐出し、不要物である絶縁膜３３をエッチング除去する（ステップＳ４２１）。
【００３７】
図７（ａ）に示すようにウェハベベル部の裏面側に不要物である被エッチング材が残置している場合（例えば、絶縁膜３４が残置）、図７（ｂ）に示すように、まず、不活性ガス吐出ノズル１２及び１６から不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）をウェハベベル部の表面側及び裏面側に吐出する（ステップＳ４１）。
【００３８】
次に、薬液・リンス液吐出ノズル１８から薬液であるフッ酸をウェハベベル部の裏面側に吐出し、不要物である絶縁膜３４をエッチング除去する（ステップＳ４２２）。
【００３９】
そして、ウェハベベル部の不要物をエッチング除去後、ウェハ３を回転させ、不活性ガスを吐出させながら、薬液・リンス液吐出ノズル１４及び１８から薬液の代わりにリンス液である純水をウェハベベル部の表面側及び裏面側に吐出してリンス処理を行う（ステップＳ５）。
【００４０】
次に、リンス処理後（リンス液の供給を停止）、回転部５の回転数を高めてウェハ３を高速回転させ、ウェハ３に残置する液体成分を振り飛ばしてスピン乾燥を行う（ステップＳ６）。
【００４１】
続いて、回転部５の回転を停止し、ウェハ３の端部を覆わない場所までウェハベベル処理部２を移動させ、ウェハ支持台４からウェハ３を離脱させる（ステップＳ７）。
【００４２】
上述したように、本実施例のウェハベベル処理装置及びそれを用いたウェハ処理方法では、制御部１、ウェハベベル処理部２、ウェハ３、ウェハ支持台４、及び回転部５が設けられる。ウェハベベル処理部２は、ウェハベベル処理中、ウェハ３から所定の間隔を隔てて離間配置され、ウェハ３の周辺部を覆い、スプレーヘッド部１１、バルブ１３、バルブ１５、バルブ１７、バルブ１９、バルブ２５乃至２８、薬液回収部２０、薬液供給ポンプ２１、薬液供給ポンプ２２、及び薬液タンク２３が設けられる。スプレーヘッド部１１には、不活性ガス吐出ノズル１２、不活性ガス吐出ノズル１６、薬液・リンス液吐出ノズル１４、薬液・リンス液吐出ノズル１８、及び排出口２９が設けられる。薬液・リンス液吐出ノズル１４は、ウェハ中央側からウェハ端部方向に、ウェハ端部の表面側に薬液或いはリンス液を吐出する。不活性ガス吐出ノズル１２は、ウェハ中央側からウェハ端部方向に、薬液・リンス液吐出ノズル１４の吐出物が到達する場所よりもウェハ中央側のウェハ端部の表面側に不活性ガスを吐出する。薬液・リンス液吐出ノズル１８は、ウェハ中央側からウェハ端部方向に、ウェハ端部の裏面側に薬液或いはリンス液を吐出する。不活性ガス吐出ノズル１６は、ウェハ中央側からウェハ端部方向に、薬液・リンス液吐出ノズル１８の吐出物が到達する場所よりもウェハ中央側のウェハ端部の裏面側に不活性ガスを吐出する。
【００４３】
このため、ウェハベベル処理中にウェハ回転により周囲に飛び散った薬液が跳ね返り、ウェハ外周部の表面のエッチング精度にムラが発生したり、ウェハ裏面へも薬液が回りこんだりすることがなく、ウェハベベル部に残置している不要物を均一にエッチング除去することができる。また、ウェハ端部の表面側と裏面側に残置している不要物の組成や構造が異なる場合には、Ｓｔｅｐ  ｂｙ  Ｓｔｅｐで不要物である絶縁膜や金属膜などを順次エッチング除去することができ、従来よりも不要物を均一にエッチング除去することできる。
【００４４】
なお、本実施例では、薬液を使用したウェハベベル処理機能だけをウェハベベル処理装置５０に搭載しているが、ウェハベベル部に残置したレジスト膜や有機層間絶縁膜などをエッチング処理する大気圧プラズマを噴出するノズルを別個に設けてもよい。
【実施例２】
【００４５】
次に、本発明の実施例２に係るウェハベベル処理装置及びそれを用いたウェハ処理方法について図面を参照して説明する。図８はウェハベベル処理部を示す断面図である。本実施例では、吐出ノズルの数を削減している。
【００４６】
以下、実施例１と同一構成部分には、同一符号を付してその部分の説明を省略し、異なる部分のみ説明する。
【００４７】
図８に示すように、ウェハベベル処理部２ａには、スプレーヘッド部１１ａ、バルブ１３、バルブ１５、バルブ１７、バルブ１９、バルブ２５乃至２８、薬液回収部２０、薬液供給ポンプ２１、薬液供給ポンプ２２、及び薬液タンク２３が設けられる。
【００４８】
ウェハベベル処理部２ａを備えるウェハベベル処理装置は、実施例１と同様に、例えば半導体集積回路（ＬＳＩ）が形成されるウェハの製造工程途中において、ウェハベベル部分に残置される絶縁膜や金属膜などからなるダストやエッチング残渣などの不要物を均一にエッチング除去する。
【００４９】
スプレーヘッド部１１ａは、ウェハベベル処理作業時に、所定の間隔ウェハ３から離間配置され、ウェハ３の周辺部を覆う。スプレーヘッド部１１ａには、薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズル４２、薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズル４３、及び排出口２９が設けられる。
【００５０】
薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズル４２は、ウェハ中央側からウェハ端部方向に、ウェハ端部の表面側に薬液、リンス液、或いは不活性ガスを吐出する。ここでは、不活性ガスに窒素ガス（Ｎ２ガス）を用い、リンス液に純水を用いている。
【００５１】
バルブ１３は、図示しない不活性ガス供給源から供給される不活性ガスを薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズル４２に供給或いは停止の働きをする。バルブ１５は、薬液供給ポンプ２１により供給される薬液２４を薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズル４２に供給或いは停止の働きをする。バルブ２５は、図示しないリンス液供給源から供給されるリンス液を薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズル４２に供給或いは停止の働きをする。
【００５２】
薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズル４３は、ウェハ中央側からウェハ端部方向に、ウェハ端部の裏面側に薬液、リンス液、或いは不活性ガスを吐出する。
【００５３】
バルブ１７は、図示しない不活性ガス供給源から供給される不活性ガスを薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズル４３に供給或いは停止の働きをする。バルブ１９は、薬液供給ポンプ２２により供給される薬液２４を薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズル４３に供給或いは停止の働きをする。バルブ２６は、図示しないリンス液供給源から供給されるリンス液を薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズル４３に供給或いは停止の働きをする。
【００５４】
次に、ウェハベベル処理について図９を参照して説明する。図９はウェハベベル部の表面側に不要物である被エッチング材が残置している場合のベベルエッチングを示す図、図９（ａ）は断面図、図９（ｂ）はフローチャートである。ここで、ウェハベベル部の不要物のエッチング除去では、ウェハ３を回転させながら、ウェハベベル部の膜構造や膜質に応じてエッチングレシピを変更している。なお、ウェハセットまでの工程とリンス処理工程以降については実施例２と同様なので説明を省略する。
【００５５】
具体的には、図９（ａ）に示すようにウェハベベル部の表面側に不要物である被エッチング材が残置している場合（例えば、絶縁膜３３が残置）、図９（ｂ）に示すように、まず、薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズル４３から不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）をウェハベベル部の裏面側に吐出する（ステップＳ４１１）。
【００５６】
次に、薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズル４２から薬液であるフッ酸をウェハベベル部の表面側に吐出し、不要物である絶縁膜３３をエッチング除去する。
【００５７】
図示していないが、ウェハベベル部の裏面側に不要物である被エッチング材（例えば絶縁膜）が残置している場合、まず、薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズル４２から不活性ガスである窒素ガス（Ｎ２）をウェハベベル部の表面側に吐出する。
【００５８】
次に、薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズル４３から薬液であるフッ酸をウェハベベル部の裏面側に吐出し、不要物である絶縁膜をエッチング除去する。
【００５９】
また、ウェハベベル部の表面側及び裏面側に不要物である被エッチング材（例えば絶縁膜）が残置している場合、薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズル４２及び４３から薬液であるフッ酸をウェハベベル部の表面側及び裏面側に吐出し、不要物である絶縁膜をエッチング除去する。
【００６０】
上述したように、本実施例のウェハベベル処理装置及びそれを用いたウェハ処理方法では、ウェハベベル処理部２ａは、ウェハベベル処理中、ウェハ３から所定の間隔を隔てて離間配置され、ウェハ３の周辺部を覆い、スプレーヘッド部１１ａ、バルブ１３、バルブ１５、バルブ１７、バルブ１９、バルブ２５乃至２８、薬液回収部２０、薬液供給ポンプ２１、薬液供給ポンプ２２、及び薬液タンク２３が設けられる。スプレーヘッド部１１ａには、薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズル４２、薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズル４３、及び排出口２９が設けられる。薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズル４２は、ウェハ中央側からウェハ端部方向に、ウェハ端部の表面側に薬液、リンス液、或いは不活性ガスを吐出する。薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズル４３は、ウェハ中央側からウェハ端部方向に、ウェハ端部の裏面側に薬液、リンス液、或いは不活性ガスを吐出する。
【００６１】
このため、ウェハベベル処理中にウェハ回転により周囲に飛び散った薬液が跳ね返り、ウェハ外周部の表面のエッチング精度にムラが発生したり、ウェハ裏面へも薬液が回りこんだりすることがなく、ウェハベベル部に残置している不要物を均一にエッチング除去することができる。また、ウェハ端部の表面側と裏面側に残置している不要物の組成や構造が異なる場合には、Ｓｔｅｐ  ｂｙ  Ｓｔｅｐで不要物である絶縁膜や金属膜などを順次エッチング除去することができ、従来よりも不要物を均一にエッチング除去することできる。更に、吐出ノズルを削減しているので、ウェハベベル処理部２ａの構成や制御系統を簡素化でき実施例１よりもウェハベベル装置のコストを低減化することができる。
【００６２】
本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、種々、変更してもよい。例えば、実施例では、薬液を使用したウェハベベル処理機能だけをウェハベベル処理装置に搭載しているが、ウェハエッジを研磨するエッジ研磨機能を追加搭載してもよい。また、ウェハの製造工程途中にウェハベベル処理を行っているが、それ以外の工程、例えばウェハの製造工程が終了した後、モジュール用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板などに適用することができる。
【００６３】
本発明は、以下の付記に記載されているような構成が考えられる。  
（付記１）  ウェハの表面の端部側に、薬液、リンス液、或いは不活性ガスを吐出する第１の薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズルと、前記ウェハの裏面の端部側に、前記薬液、前記リンス液、或いは前記不活性ガスを吐出する第２の薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズルとを有するウェハベベル処理装置を用いたウェハ処理方法であって、前記ウェハの表面側のベベル部の不要物をエッチング除去する場合、ウェハ支持部に固定され、回転している前記ウェハの端部に前記第２の薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズルから前記不活性ガスを吐出する工程と、前記不活性ガスを吐出させながら、前記不活性ガスが吐出されている場所よりも端部側に、前記第１の薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズルから前記薬液を吐出して前記ウェハのベベル部の不要物をエッチング除去する工程とを具備し、前記ウェハの裏面側のベベル部の不要物をエッチング除去する場合、ウェハ支持部に固定され、回転している前記ウェハの端部に前記第１の薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズルから前記不活性ガスを吐出する工程と、前記不活性ガスを吐出させながら、前記不活性ガスが吐出されている場所よりも端部側に、前記第２の薬液・リンス液・不活性ガス吐出ノズルから前記薬液を吐出して前記ウェハのベベル部の不要物をエッチング除去する工程とを具備するウェハベベル処理装置を用いたウェハ処理方法。
【００６４】
（付記２）  ウェハの表面の端部側に、第１の薬液、第２の薬液、或いはリンス液を吐出する第１の薬液・リンス液吐出ノズルと、前記ウェハの裏面の端部側に、前記第１の薬液、前記第２の薬液、或いは前記リンス液を吐出する第２の薬液・リンス液吐出ノズルと、前記ウェハの表面の端部側に、不活性ガスを吐出する第１の不活性ガス吐出ノズルと、前記ウェハの裏面の端部側に、前記不活性ガスを吐出する第２の不活性ガス吐出ノズルとを有するウェハベベル処理装置を用いたウェハ処理方法であって、ウェハ支持部に固定され、回転している前記ウェハの端部に前記第１及び第２の不活性ガス吐出ノズルから前記不活性ガスを吐出する工程と、前記不活性ガスを吐出させながら、前記不活性ガスが吐出されている場所よりも端部側に、前記第１及び第２の薬液・リンス液吐出ノズルの少なくともいずれか一方から前記第１の薬液を吐出して前記ウェハのベベル部のメタル残渣をエッチング除去する工程と、前記不活性ガスを吐出させながら、前記不活性ガスが吐出されている場所よりも端部側に、前記第１及び第２の薬液・リンス液吐出ノズルの少なくともいずれか一方から前記第２の薬液を吐出して前記ウェハのベベル部の絶縁膜残渣をエッチング除去する工程とを具備するウェハベベル処理装置を用いたウェハ処理方法。
【００６５】
（付記３）  ウェハを所定位置に載置し、固定するウェハ支持台と、前記ウェハ支持台に固定された前記ウェハを回転する回転部と、前記ウェハの表面の端部側に、フッ酸又は純水を吐出する第１の薬液・リンス液吐出ノズルと、前記ウェハの裏面の端部側に、フッ酸又は純水を吐出する第２の薬液・リンス液吐出ノズルと、前記第１の薬液・リンス液吐出ノズルからフッ酸又は純水が吐出される場所よりも中心部側である前記ウェハの表面の端部側に、窒素ガスを吐出する第１の不活性ガス吐出ノズルと、前記第２の薬液・リンス液吐出ノズルからフッ酸又は純水が吐出される場所よりも中心部側である前記ウェハの裏面の端部側に、窒素ガスを吐出する第２の不活性ガス吐出ノズルとを有し、所定の隙間を設けながら前記ウェハの端部を覆い、排出口からエッチング反応物を排出するウェハベベル処理部と、前記ウェハの支持及び回転を制御し、前記ウェハベベル処理部の移動を制御し、前記ウェハのベベル部の不要物をエッチング除去する処理作業を制御する制御部とを具備するウェハベベル処理装置。
【００６６】
（付記４）  前記排出口から排出されるフッ酸及びフッ化物からなる廃液からフッ素を回収し、回収したフッ素からフッ酸を生成して前記第１及び第２の薬液・リンス液吐出ノズルへ供給する付記３に記載のウェハベベル処理装置。
【図面の簡単な説明】
【００６７】
【図１】本発明の実施例１に係るウェハベベル処理装置を示す模式図。
【図２】本発明の実施例１に係るウェハベベル処理部を示す断面図。
【図３】本発明の実施例１に係るウェハベベル処理を示すフローチャート。
【図４】本発明の実施例１に係るウェハベベル部の表面側及び裏面側に不要物である被エッチング材が残置している場合のベベルエッチングを示す図、図４（ａ）は断面図、図４（ｂ）はフローチャート。
【図５】本発明の実施例１に係るウェハベベル部の表面側及び裏面側に不要物である絶縁膜が残置し、更にメタル残渣が残置している場合のベベルエッチングを示す図、図５（ａ）は断面図、図５（ｂ）はフローチャート。
【図６】本発明の実施例１に係るウェハベベル部の表面側に不要物である被エッチング材が残置している場合のベベルエッチングを示す図、図６（ａ）は断面図、図６（ｂ）はフローチャート。
【図７】本発明の実施例１に係るウェハベベル部の裏面側に不要物である被エッチング材が残置している場合のベベルエッチングを示す図、図７（ａ）は断面図、図７（ｂ）はフローチャート。
【図８】本発明の実施例２に係るウェハベベル処理部を示す断面図。
【図９】本発明の実施例２に係るウェハベベル部の表面側に不要物である被エッチング材が残置している場合のベベルエッチングを示す図、図９（ａ）は断面図、図９（ｂ）はフローチャート。
【符号の説明】
【００６８】
１  制御部
２、２ａ  ウェハベベル処理部
３  ウェハ
４  ウェハ支持台
５  回転部
１１、１１ａ  スプレーヘッド部
１２、１６  不活性ガス吐出ノズル
１３、１５、１７、１９、２５〜２８  バルブ
１４、１８  薬液・リンス液吐出ノズル
２０  薬液回収部
２１、２２  薬液供給ポンプ
２３  薬液タンク
２４  薬液
２９  排出口
３１〜３４  絶縁膜
４１  メタル残渣
４２、４３  薬液・リンス液・Ｎ２ガス吐出ノズル
５０  ウェハベベル処理装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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