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【手続補正書】
【提出日】平成16年4月8日(2004.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）２〜３０重量％のイソシアヌレート基含量（Ｃ3 Ｎ3 Ｏ3 、分子量＝１２６として計算）をもち、分子量１４０〜３５０の１種以上のジイソシアネートから製造したポリイソシアネート４０〜８０重量％と、
ｂ）イソシアネート付加反応の目的のために単官能性である１種以上の可逆性イソシアネート基ブロッキング剤５〜３０重量％、
ｃ）イソシアネート付加反応の目的のために単官能性又は２官能性であり、１〜２個のヒドラジド基と７０〜３００の分子量をもつ１種以上の安定化成分０．５〜１５重量％、
ｄ）イソシアネート付加反応の目的のために単官能性又は２官能性であり、少なくとも１個の側鎖又は末端親水性ポリエーテル鎖を含む少なくとも１種の化合物を含む非イオン／親水性構造成分５〜３０重量％、
ｅ）少なくとも１個のイソシアネート反応性基と少なくとも１個の塩形成可能基をもつ１種以上の化合物を含み、場合により少なくとも部分中和形態で存在し得るアニオン又は潜在アニオン構造成分０〜１５重量％、
ｆ）２〜３個のアミノ基と６０〜３００の分子量をもつ１種以上の（シクロ）脂肪族ポリアミン０〜１５重量％、及び
ｇ）２〜４個のヒドロキシル基と６２〜２５０の分子量をもつ１種以上の多価アルコール０〜１５重量％
との反応生成物をベースとする水性又は水希釈性ブロックトポリイソシアネートであって、ａ）〜ｇ）の百分率の合計が成分ａ〜ｇ）の重量を基にして１００であり、これらの成分の量が、
ｉ）イソシアヌレート基の含量（Ｃ3 Ｎ3 Ｏ3 、分子量＝１２６として計算）が少なくとも２重量％となり、
ｉｉ）ブロックトイソシアネート基の含量（ＮＣＯ、分子量＝４２として計算）が５〜１１重量％となり、
ｉｉｉ）化学結合ヒドラジド基の含量（ＮＨ−ＮＨ、分子量＝３０として計算）が０．１〜３．０重量％となるように選択される水性又は水希釈性ブロックトポリイソシアネート。
【請求項２】
請求項１に記載の水性又は水希釈性ブロックトポリイソシアネートと、水溶性又は水分散性ポリヒドロキシル化合物を含む水性焼付組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
【従来の技術】
ポリウレタンをベースとする光沢のある透明トップコートを含む多層塗膜はその優れた性質により、特に自動車ラッカー塗膜で益々重要になっている。
構造の最上層の役割を果たす透明ラッカーは非常に厳しい要件を満たさなければならない。硬度、耐引掻性並びに溶剤及び薬剤耐性等の性質に加え、低い焼付温度と十分な耐過焼付性も必要である。
しかし、ブロックトポリイソシアネート（ＢＮＣＯ）架橋剤をベースとする架橋成分を含む１成分ポリウレタン焼付ラッカーは、焼付温度が高いときや、焼付作業時間が長い場合に顕著な黄変傾向がある。これは溶液型塗料系と水性塗料系のどちらにも言えることであり、この水性塗料系は、ラッカー塗布中の溶剤の放出に関する放出指針が益々厳しくなっているため、一層重要になっている。
ＤＥ−Ａ ２，４５６，４６９、ＥＰ−Ａ １２，３４８及びＤＥ−Ａ ３，２３４，５９０はビウレット化１，６−ジイソシアナトヘキサンをベースとする水性ＢＮＣＯ架橋剤について記載している。これらの架橋剤から製造した塗料の熱黄変安定性については記載されていない。しかし、試験の結果、このようなＢＮＣＯ架橋剤は比較例６）で立証するように相手先商標製品製造業者（ＯＥＭ）用透明塗料の熱黄変に関して非常に不十分な性能しか得られないことが判明した。また、ε−カプロラクタムをブロッキング剤として使用する場合には、１６０℃を越える非常に高い焼付温度が必要である。
ＥＰ−Ａ ５７６，９５２及びＥＰ−Ａ ５６６，９５３は４，４’−ジイソシアナトジシクロヘキシルメタン（ＨＭＤＩ）（Ｄｅｓｍｏｄｕｒ Ｗ，Ｂａｙｅｒ ＡＧ）をベースとする水性ブタノンオキシムブロックトポリイソシアネート及び該ブロックトポリイソシアネートと三量化１，６−ジイソシアナトヘキサンの混合物を記載しており、比較的低い架橋温度を利用できるが、この場合も熱黄変が許容できないほど高い１成分透明塗料をもたらす（比較例４及び５参照）。
溶液型系で黄変を阻止する安定化手段も知られている。ＥＰ−Ａ ５８１，０４０及びＥＰ−Ａ ６１５，９９１は所定のヒドラジド化合物の添加及び配合を提案している。しかし、これらのヒドラジド化合物が水相にも有効であるか否かについては述べられていない。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明は、
ａ）２〜３０重量％のイソシアヌレート基含量（Ｃ3 Ｎ3 Ｏ3 、分子量＝１２６として計算）をもち、分子量１４０〜３５０の１種以上のジイソシアネートから製造したポリイソシアネート４０〜８０重量％と、
ｂ）イソシアネート付加反応の目的のために単官能性である１種以上の可逆性イソシアネート基ブロッキング剤５〜３０重量％、
ｃ）イソシアネート付加反応の目的のために単官能性又は２官能性であり、１〜２個のヒドラジド基と７０〜３００の分子量をもつ１種以上の安定化成分０．５〜１５重量％、
ｄ）イソシアネート付加反応の目的のために単官能性又は２官能性であり、少なくとも１個の側鎖又は末端親水性ポリエーテル鎖を含む少なくとも１種の化合物を含む非イオン／親水性構造成分５〜３０重量％、
ｅ）少なくとも１個のイソシアネート反応性基と少なくとも１個の塩形成可能基をもつ１種以上の化合物を含み、場合により少なくとも部分中和形態で存在し得るアニオン又は潜在アニオン構造成分０〜１５重量％、
ｆ）２〜３個のアミノ基と６０〜３００の分子量をもつ１種以上の（シクロ）脂肪族ポリアミン０〜１５重量％、及び
ｇ）２〜４個のヒドロキシル基と６２〜２５０の分子量をもつ１種以上の多価アルコール０〜１５重量％
との反応生成物をベースとする水性又は水希釈性ブロックトポリイソシアネートに関し、ａ）〜ｇ）の百分率の合計は成分ａ〜ｇ）の重量を基にして１００であり、これらの成分の量は、
ｉ）イソシアヌレート基の含量（Ｃ3 Ｎ3 Ｏ3 、分子量＝１２６として計算）が少なくとも２重量％となり、
ｉｉ）ブロックトイソシアネート基の含量（ＮＣＯ、分子量＝４２として計算）が５〜１１重量％となり、
ｉｉｉ）化学結合ヒドラジド基の含量（ＮＨ−ＮＨ、分子量＝３０として計算）が０．１〜３．０重量％となるように選択される。
【手続補正書】
【提出日】平成16年4月8日(2004.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒドロキシ官能性ポリウレタンカーボネートの製造方法であって、ａ）数平均分子量が５００〜１００，０００であり、脂肪族カーボネート基および必要に応じてエステル基を含有するジヒドロキシ−または高級ヒドロキシ官能性重合体と、ｂ）少なくとも１個の第一または第二アミノ基、および少なくとも１個のヒドロキシ基を含有する化合物とを、成分ａ）のカーボネートおよびエステル基と成分ｂ）の第一または第二アミノ基とのモル比が１：１〜２０：１になる量で存在させて反応させることにより、ウレタン基を形成する工程を含む該製造方法。
【請求項２】
ａ）数平均分子量が５００〜１００，０００であり、脂肪族カーボネート基および必要に応じてエステル基を含有するジヒドロキシ−または高級ヒドロキシ官能性重合体と、ｂ）少なくとも１個の第一または第二アミノ基、および少なくとも１個のヒドロキシ基を含有する化合物とを、成分ａ）のカーボネートおよびエステル基と成分ｂ）の第一または第二アミノ基とのモル比が１：１〜２０：１になる量存在させて反応させることにより、ウレタン基を形成する工程を含む方法により製造されるヒドロキシ官能性ポリウレタンカーボネート。
【請求項３】
請求項２のヒドロキシ官能性ポリウレタンカーボネートを結合剤成分として含有する組成物。
【請求項４】
請求項２のヒドロキシ官能性ポリウレタンカーボネートを結合剤成分として含有する塗料組成物。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
この発明は、ヒドロキシ官能性ポリウレタンカーボネートの製造方法であって、ａ）数平均分子量が５００〜１００，０００であり、脂肪族カーボネート基および必要に応じてエステル基を含有するジヒドロキシ−または高級ヒドロキシ官能性重合体と、ｂ）少なくとも１個の第一または第二アミノ基、および少なくとも１個のヒドロキシ基を含有する化合物とを、成分ａ）のカーボネートおよびエステル基と成分ｂ）の第一または第二アミノ基とのモル比が１：１〜２０：１となる量で存在させて反応させることにより、ウレタン基を形成する工程を含む該製造方法に関する。この発明は、該製造方法で得られるヒドロキシ官能性ポリウレタンカーボネート、およびポリウレタン組成物（特に塗料組成物）の結合剤成分としての使用に関する。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月16日(2005.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  正極集電体表面に耐食性導電材層を形成した正極板において、
前記耐食性導電材がＴａ２Ｏ５−ＴｉＯ２複合酸化物もしくはＴｉ４Ｏ７であることを特徴とする鉛蓄電池用正極板。
【請求項２】  請求項１記載の正極板を備えた鉛蓄電池であって、前記正極板に４０〜２００ｋＰａの圧迫力を加えたことを特徴とする鉛蓄電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
【課題を解決するための手段】
課題を解決するための手段として、請求項１によれば、正極集電体表面に耐食性導電材層を形成した正極板において、前記耐食性導電材がＴａ２Ｏ５−ＴｉＯ２複合酸化物もしくはＴｉ４Ｏ７であることを特徴とし、請求項２によれば、前記正極板を備えた鉛蓄電池において、前記正極板に４０〜２００ｋＰａの圧迫力を加えたことを特徴とするものである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年5月18日(2005.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
鎖状の金属粉末、またはこの金属粉末を形成する個々の金属粒を、強磁性を有する金属単体、強磁性を有する２種以上の金属の合金、強磁性を有する金属と他の金属との合金、もしくは強磁性を有する金属を含む複合体にて形成したことを特徴とする請求項１記載の異方導電膜。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
請求項４の構成によれば、熱接着時に接着層を硬化させることによって、ＦＰＣと半導体パッケージの間やＦＰＣと配線板との間などを、機械的により一層、強固に固定するとともに、これらの部材の電極領域をさらに良好に封止することができる。
請求項５記載の発明は、鎖状の金属粉末、またはこの金属粉末を形成する個々の金属粒を、強磁性を有する金属単体、強磁性を有する２種以上の金属の合金、強磁性を有する金属と他の金属との合金、もしくは強磁性を有する金属を含む複合体にて形成したことを特徴とする請求項１記載の異方導電膜である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
また鎖状の金属粉末としては、当該金属粉末、またはこの金属粉末を形成する個々の金属粒を、強磁性を有する金属単体、強磁性を有する２種以上の金属の合金、強磁性を有する金属と他の金属との合金、もしくは強磁性を有する金属を含む複合体にて形成したものを用いるのが好ましい。この理由も先に述べたとおりである。
かかる鎖状の金属粉末としては、下記(a)〜(f)のいずれか１種、もしくは２種以上の混合物などを挙げることができる。
(a)  図２(a)に一部を拡大して示すように、強磁性を有する金属単体、強磁性を有する２種以上の金属の合金、または強磁性を有する金属と他の金属との合金から形成したサブミクロンオーダーの金属粒ｍ１を、自身の磁性によって多数個、鎖状に繋がらせた金属粉末Ｍ１。
(b)  図２(b)に一部を拡大して示すように、上記(a)の金属粉末Ｍ１の表面にさらに、強磁性を有する金属単体、強磁性を有する２種以上の金属の合金、または強磁性を有する金属と他の金属との合金からなる金属層ｍ２を析出させて、金属粒間を強固に結合した金属粉末Ｍ２。
(c)  図２(c)に一部を拡大して示すように、上記(a)の金属粉末Ｍ１の表面にさらに、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｒｈなどの他の金属や合金からなる金属層ｍ３を析出させて、金属粒間を強固に結合した金属粉末Ｍ３。
(d)  図２(d)に一部を拡大して示すように、上記(b)の金属粉末Ｍ２の表面にさらに、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｒｈなどの他の金属や合金からなる金属層ｍ４を析出させて、金属粒間を強固に結合した金属粉末Ｍ４。
(e)  図２(e)に一部を拡大して示すように、強磁性を有する金属単体、強磁性を有する２種以上の金属の合金、または強磁性を有する金属と他の金属との合金から形成した粒状の芯材ｍ５ａの表面を、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｒｈなどの他の金属や合金からなる被覆層ｍ５ｂで被覆して複合体ｍ５を得、この複合体ｍ５を金属粒として、芯材ｍ５ａの磁性によって多数個、鎖状に繋がらせた金属粉末Ｍ５。
(f)  図２(f)に一部を拡大して示すように、上記(e)の金属粉末Ｍ５の表面にさらに、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｒｈなどの他の金属や合金からなる金属層ｍ６を析出させて、金属粒間を強固に結合した金属粉末Ｍ６。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
なおこれらの図では、金属層ｍ２、ｍ３、ｍ４およびｍ６や、被覆層ｍ５を単層として記載しているが、各層はいずれも、同一または異なる金属材料からなる２層以上の積層構造を有していてもよい。
また、上記のうち強磁性を有する金属単体、強磁性を有する２種以上の金属の合金、または強磁性を有する金属と他の金属との合金によって形成される金属粉末または金属粒の全体、もしくは
強磁性を有する金属を含む複合体によって形成される金属粉末または金属粒のうち、強磁性を有する金属を含む部分は、
前述したように、その形成材料である１種または２種以上の金属のイオンを含む水溶液中で、当該イオンを還元剤によって金属に還元することで液中に析出させる、いわゆる還元析出法によって形成するのが好ましい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
金属粒や芯材等を形成する、強磁性を有する金属または合金としては、例えばＮｉ、Ｆｅ、Ｃｏおよびこれらのうち２種以上の合金等を挙げることができ、特にＮｉ単体やＮｉ−Ｆｅ合金（パーマロイ）等が好ましい。かかる金属や合金にて形成した、特に金属粒は、鎖状に繋がる際の磁気的な相互作用が強いため、金属粒間の接触抵抗を低減する効果に優れている。
また上記の、強磁性を有する金属や合金とともに、前記(c)(d)(e)(f)の複合体を形成する他の金属としてはＡｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｒｈなどを挙げることができ、特に導電率が高いことからＡｇが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
また異方導電層は、金属粉末の鎖を、層の厚み方向に配向させた状態で固定しているのが好ましい。かかる異方導電層は、
(A)  先に説明した、少なくともその一部が強磁性を有する金属によって形成された鎖状の金属粉末と、結着剤とを含む、流動性を有する複合材料を、下地面と交差する方向に磁場を印加した下地上に塗布することで、金属粉末の鎖を、上記磁場の方向に沿う膜の厚み方向に配向させた状態で複合材料を固化させることによって、金属粉末の鎖の配向を固定するか、もしくは
(B)  上記鎖状の金属粉末を、下地面と交差する方向に磁場を印加した下地上に散布して、金属粉末の鎖を、上記磁場の方向に配向させた状態で、結着剤を含む、流動性を有する塗剤を塗布して固化させることによって、金属粉末の鎖の配向を固定する、
ことによって形成できる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
これらの方法を実施する際に印加する磁場の強さは、金属粉末中に含まれる、強磁性を有する金属の種類や割合等によって異なるものの、異方導電層中の金属粉末を、当該層の厚み方向に十分に配向させることを考慮すると、磁束密度で表して１０００μＴ以上、中でも１００００μＴ以上、とくに４００００μＴ程度であるのが好ましい。
磁場を印加する方法としては、下地の上下に磁石を配置する方法や、あるいは下地として磁石の表面を利用する方法などをあげることができる。後者の方法は、磁石の表面から出る磁力線が、当該表面から、異方導電膜の厚み程度までの領域では、磁石の表面に対してほぼ垂直であることを利用したもので、異方導電膜の製造装置を簡略化できるという利点がある。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月8日(2005.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極、前記第１の電極上に形成された電界発光膜、及び前記電界発光膜上に形成された第２の電極からなる発光素子を有する発光装置であって、
前記第２の電極上に接して形成された無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜上に接して形成されたフッ素系樹脂を含む膜とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
第１の電極、前記第１の電極上に形成された電界発光膜、及び前記電界発光膜上に形成された第２の電極からなる発光素子を有する発光装置であって、
前記第２の電極上に接して形成された無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜上に接して形成された有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜上に接して形成されたフッ素系樹脂を含む膜とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
第１の電極、前記第１の電極上に形成された電界発光膜、及び前記電界発光膜上に形成された第２の電極からなる発光素子を有する発光装置であって、
前記第２の電極上に接して形成された第１の無機絶縁膜と、
前記第１の無機絶縁膜上に接して形成された有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜上に接して形成された第２の無機絶縁膜と、
前記第２の無機絶縁膜上に接して形成されたフッ素系樹脂を含む膜とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
基板上に形成されたＴＦＴと絶縁膜を介して電気的に接続された第１の電極、前記第１の電極上に形成された電界発光膜、および前記電界発光膜上に形成された第２の電極からなる発光素子を有する発光装置であって、
前記第２の電極上に接して形成された無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜上に接して形成されたフッ素系樹脂を含む膜とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項５】
基板上に形成されたＴＦＴと絶縁膜を介して電気的に接続された第１の電極、前記第１の電極上に形成された電界発光膜、および前記電界発光膜上に形成された第２の電極からなる発光素子を有する発光装置であって、
前記第２の電極上に接して形成された無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜上に接して形成された有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜上に接して形成されたフッ素系樹脂を含む膜とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項６】
基板上に形成されたＴＦＴと絶縁膜を介して電気的に接続された第１の電極、前記第１の電極上に形成された電界発光膜、および前記電界発光膜上に形成された第２の電極からなる発光素子を有する発光装置であって、
前記第２の電極上に接して形成された第１の無機絶縁膜と、
前記第１の無機絶縁膜上に接して形成された有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜上に接して形成された第２の無機絶縁膜と、
前記第２の無機絶縁膜上に接して形成されたフッ素系樹脂を含む膜とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記フッ素系樹脂を含む膜はスパッタリング法により成膜されることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項２、３、５または６のいずれか一において、
前記有機絶縁膜は、アクリル、ポリアミド、ポリイミドのいずれか一で形成されることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記フッ素系樹脂を含む膜は、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、ポリビニルフルオライド、ポリビニリデンフルオライドから選ばれた一種であることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１、２、４、または５のいずれか一において、
前記無機絶縁膜は、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムから選ばれた一種であることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項３、または６において、
前記第１の無機絶縁膜、および前記第２の無機絶縁膜は、それぞれ、窒化珪素、酸化窒化珪素、窒化アルミニウム、窒化酸化アルミニウムから選ばれた一種であることを特徴とする発光装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年8月8日(2005.8.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極、前記第１の電極上に形成された電界発光膜、及び前記電界発光膜上に形成された第２の電極からなる発光素子を有する発光装置であって、
前記第２の電極上にフッ素系樹脂を含む膜と、
前記フッ素系樹脂を含む膜上に接して形成された無機絶縁膜とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
基板上に形成されたＴＦＴと絶縁膜を介して電気的に接続された第１の電極、前記第１の電極上に形成された電界発光膜、および前記電界発光膜上に形成された第２の電極からなる発光素子を有する発光装置であって、
前記第２の電極上にフッ素系樹脂を含む膜と、
前記フッ素系樹脂を含む膜上に接して形成された無機絶縁膜とを有することを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記絶縁膜は、第１の絶縁膜と前記第１の絶縁膜上に形成された第２の絶縁膜を有し、
前記第１の絶縁膜は、アクリル、ポリアミド、ポリイミドのいずれか一で形成され、
前記第２の絶縁膜は、フッ素系樹脂を含む膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記絶縁膜は、フッ素系樹脂を含む膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記フッ素系樹脂を含む膜は、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、ポリビニルフルオライド、ポリビニリデンフルオライドから選ばれた一種であることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項３または請求項４において、
前記フッ素系樹脂を含む膜は、フッ素系樹脂と金属酸化物とを含む混合膜であり、
前記混合膜の膜中において前記金属酸化物の占める比率は、前記第１の電極との界面に近づくにつれて高くなることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
第１の電極と第２の電極との間に電界発光膜を有する発光装置の作製方法であって、
前記第２の電極上にスパッタリング法によりフッ素系樹脂を含む膜を形成し、
前記フッ素系樹脂を含む膜の膜表面をプラズマ処理し、
前記フッ素系樹脂を含む膜上に接して無機絶縁膜を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項８】
基板上に形成されたＴＦＴと絶縁膜を介して電気的に接続された第１の電極、および第２の電極との間に電界発光膜を有する発光装置の作製方法であって、
前記第２の電極上にスパッタリング法によりフッ素系樹脂を含む膜を形成し、
前記フッ素系樹脂を含む膜の膜表面をプラズマ処理し、
前記フッ素系樹脂を含む膜上に接して無機絶縁膜を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記絶縁膜は、第１の絶縁膜と、第２の絶縁膜とからなり、
アクリル、ポリアミド、ポリイミドのいずれか一からなる第１の絶縁膜上に、フッ素系樹脂を含む膜からなる第２の絶縁膜をスパッタリング法で形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第２の絶縁膜表面にＡｒを材料ガスに用いたプラズマ処理することを特徴とする発光装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０において、
金属酸化物、フッ素樹脂、または金属酸化物とフッ素樹脂の混合物からなる複数のターゲットを順次組み合わせて用い、
前記各ターゲット１ｃｍ2当たり０．１５〜６．２Ｗの高周波電力を与えて、高周波スパッタリング法により前記第２の絶縁膜を形成する発光装置の作製方法であって、
前記第２の絶縁膜の膜中に含まれる金属酸化物の比率が、成膜時間に伴い大きくなることを特徴とする発光装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月12日(2005.9.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
実施の形態３.
図３はこの発明の実施の形態３による半導体装置のモールド樹脂の上半分を破断して示す平面図である。図１と同一または相当の部分には同一符号を付してその説明を省略する。実施の形態３の半導体装置１は、半導体素子２ａの対向する二辺にパッド４ａをそれぞれ２列配列したものである。本構造にすることによりウエハテストにおけるプロービングの容易性をそこなうことなく、より多くのパッド４ａを半導体素子２ａ上に設けることができる。なお、各辺にパッド４ａを３列以上配置しても構わず、これにより配置可能なパッド数をより増加させることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月7日(2004.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
主面に複数のリセス部を有する基板と、
前記複数のリセス部のそれぞれにその一部分が嵌め込まれた複数の半導体素子とを備え、
前記各リセス部の深さ寸法は、各リセス部に嵌め込まれた前記半導体素子の高さよりも小さいことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
図１（ａ）〜図１（ｃ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置であって、（ａ）は平面構成を示し、（ｂ）は正面構成を示し、（ｃ）は左側面構成を示している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８７】
その上、図３（ｂ）に示すように、第１のリセス部１０ａの幅寸法ｘ1 と第２のリセス部１０ｂの幅寸法ｙ1 とを異なる値としているため、たとえＦＳＡ法を用いたとしても、第１の半導体レーザ素子１１Ａと第２の半導体レーザ素子１２Ａとが互いに入れ替わってリセス部１０ａ、１０ｂに嵌め込まれることがない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３７】
その後、複数の半導体レーザ素子１１Ｅが分散してスラリ化した液を、ウエハ保持具５１の上面に斜めの状態で保持されたウエハ１０Ａの主面に、ウエハ保持具５１を保持面内で回転させながら注ぐ。これにより、ウエハ１０Ａに設けた複数の第１のリセス部１０ａに第１の半導体レーザ素子１１Ｅがそれぞれ嵌め込まれる。このスラリ状の液はポンプ６０で循環されるため、第１のリセス部１０ａに嵌まらなかった半導体レーザ素子１１Ｅは回収され、何度も利用することができる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１４０】
しかしながら、本発明は、図１１（ｂ）に示すように、ウエハ１０Ａに設けるリセス部１０ａに、例えば第１の半導体レーザ素子１１Ｅの一部分のみを嵌め込む構成であるため、リセス部１０ａに嵌まった半導体レーザ素子１１Ｅにおけるウエハ１０Ａの表面からの飛び出し部分が、ウエハ１０Ａの表面を流れる他の半導体レーザ素子１１Ｅの障害となって、実装のスループット（効率）が低下する。そこで、第３の実施形態においては、図１０に示すように、ウエハ１０Ａを液中で回転させている。これにより、既にリセス部１０ａに嵌まった半導体レーザ素子１１Ｅの液の流れる方向に対する位置が変わるため、ウエハ１０Ａの表面を流れる他の半導体レーザ素子１１Ｅの障害とならなくなる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2004119620.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月13日(2005.1.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
実施の形態４．
図２２は、図１６に対応させて、本発明の実施の形態４に係る電力用半導体装置の構造を示す断面図である。バスバー１０Ｐと制御回路基板１３との間に、金属製のシールド板１６が配設されている。シールド板１６は、平面視上、ケースの全面に渡って配設されている。また、シールド板１６は、ケースの一部である蓋１５に接続されており、これにより、シールド板１６の電位はグランドレベルに保たれている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
このように本実施の形態９に係る電力用半導体装置によれば、金属膜４２を形成することによって、個別半導体装置１の放熱性が向上するとともに、冷媒に対する防水性を高めることができる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月3日(2005.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に下地絶縁膜を形成し、当該下地絶縁膜の表面側に薄膜半導体素子を形成する薄膜半導体装置の製造方法において、
前記下地絶縁膜を平坦化膜として形成した後、当該下地絶縁膜の表面側に前記薄膜半導体素子を形成することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、前記平坦化膜を形成した後、さらに当該平坦化膜の表面に無機絶縁膜を形成し、当該無機絶縁膜の表面側に前記薄膜半導体素子を形成することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２において、前記基板の表面をプラズマ処理した後に、前記下地絶縁膜を平坦化膜として形成することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記基板の表面に有機絶縁膜を塗布した後、当該有機絶縁膜を硬化させて前記下地絶縁膜を形成することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記基板の表面に無機材料の前駆体を塗布した後、当該前駆体を焼成して前記下地絶縁膜を形成することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、前記基板の表面に無機絶縁膜を形成した後、該無機絶縁膜の表面に塗膜を形成し、しかる後に、前記塗膜および前記無機絶縁膜を等しい速度でエッチング可能な条件で、前記塗膜および前記無機絶縁膜の表面をエッチングすることにより前記下地絶縁膜を形成することを特徴とする薄膜半導体装置の製造方法。
【請求項７】
基板の表面に下地絶縁膜を形成し、当該下地絶縁膜の表面側に薄膜半導体素子が形成された薄膜半導体装置において、
前記下地絶縁膜は、平坦化膜として形成されていることを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項８】
請求項７において、前記平坦化膜の表面に無機絶縁膜が形成され、当該無機絶縁膜の表面側に前記薄膜半導体素子が形成されていることを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項９】
請求項７または８において、前記下地絶縁膜は有機絶縁膜からなることを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項１０】
請求項７または８において、前記下地絶縁膜は無機材料の前駆体を焼成した絶縁膜からなることを特徴とする薄膜半導体装置。
【請求項１１】
請求項７ないし１０のいずれか一項に規定する薄膜半導体装置を有し、少なくとも電気光学物質を制御するために前記薄膜半導体素子が用いられたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１１において、前記電気光学物質は、液晶であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
請求項１１において、前記電気光学物質は、エレクトロルミネッセンス材料であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
請求項１１ないし１３のいずれか一項に規定する電気光学装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために、本発明では、基板の表面に下地絶縁膜を形成し、当該下地絶縁膜の表面側に薄膜半導体素子を形成する薄膜半導体装置の製造方法において、前記下地絶縁膜を前記基板の表面に存在する凹凸を平坦化する平坦化膜として形成した後、当該下地絶縁膜の表面側に前記薄膜半導体素子を形成することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月22日(2005.3.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された共振器を含み、該共振器の上面に設けられた出射面から該基板と垂直方向にレーザ光を出射できる面発光型半導体レーザであって、
前記共振器は、前記基板の上方に設けられた第１ミラーと、活性層と、該活性層を挟んで該第１ミラーに対向するように設けられた第２ミラーとを含み、
前記出射面の上に反射率調整層が形成され、
前記レーザ光の波長をλとしたとき、
前記第２ミラーは、光学的膜厚がｍ１λ／２（ｍ１は自然数）である層を含み、
前記反射率調整層の光学的膜厚が（２ｍ２−１）λ／４（ｍ２は自然数）である、面発光型半導体レーザ。
【請求項２】
請求項１において、
前記反射率調整層と、前記第２ミラーにおいて該反射率調整層の下方領域とからなる領域を第１領域とし、前記第２ミラーにおいて前記第１領域以外の領域を第２領域としたとき、
前記第１領域における前記レーザ光の反射率は、前記第２領域における前記レーザ光の反射率よりも大きい、面発光型半導体レーザ。
【請求項３】
基板上に形成された共振器を含み、該共振器の上面に設けられた出射面から該基板と垂直方向にレーザ光を出射できる面発光型半導体レーザであって、
前記共振器に電流を注入するための第１電極および第２電極を含み、
前記第１電極は、少なくとも一部が前記共振器の上面に形成され、かつ、該共振器の上面に開口部を有し、
前記開口部内に前記出射面が設けられ、
前記出射面の上に反射率調整層が形成されている、面発光型半導体レーザ。
【請求項４】
請求項３において、
前記共振器は、前記基板の上方に設けられた第１ミラーと、活性層と、該活性層を挟んで該第１ミラーに対向するように設けられた第２ミラーとを含み、
前記反射率調整層と、前記第２ミラーにおいて該反射率調整層の下方領域とからなる領域を第１領域とし、前記第２ミラーにおいて前記第１領域以外の領域を第２領域としたとき、
前記第１領域における前記レーザ光の反射率は、前記第２領域における前記レーザ光の反射率よりも大きい、面発光型半導体レーザ。
【請求項５】
請求項４において、
前記レーザ光の波長をλとしたとき、
前記第２ミラーは、光学的膜厚がｍ１λ／２（ｍ１は自然数）である層を含み、
前記反射率調整層の光学的膜厚が（２ｍ２−１）λ／４（ｍ２は自然数）である、面発光型半導体レーザ。
【請求項６】
請求項１または５において、
前記光学的膜厚がｍ１λ／２である層が、前記第２ミラーの最上層を構成する、面発光型半導体レーザ。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかにおいて、
前記反射率調整層は、前記レーザ光に対して光学的に透明である、面発光型半導体レーザ。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれかにおいて、
前記反射率調整層の平面形状が円形である、面発光型半導体レーザ。
【請求項９】
請求項８において、
前記反射率調整層の直径が６μｍ以下である、面発光型半導体レーザ。
【請求項１０】
請求項８または９において、
前記出射面は円形であり、
前記反射率調整層は、前記出射面の中心軸と同軸上に設けられている、面発光型半導体レーザ。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかにおいて、
前記反射率調整層は、熱硬化型樹脂または紫外線硬化型樹脂からなる、面発光型半導体レーザ。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかにおいて、
前記反射率調整層の膜厚が一定でない、面発光型半導体レーザ。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記反射率調整層の膜厚は、前記第１電極との接触面近傍で大きくなっている、面発光型半導体レーザ。
【請求項１４】
請求項１、または４ないし１３のいずれかにおいて、
前記第２ミラーには、さらに、同心円状の平面形状を有する電流狭窄層が形成され、
前記電流狭窄層の内径円の面積は、前記反射率調整層の断面積より大きい、面発光型半導体レーザ。
【請求項１５】
請求項１ないし１４のいずれかにおいて、
前記共振器は、少なくとも一部に柱状部を含む、面発光型半導体レーザ。
【請求項１６】
請求項１ないし１５のいずれかに記載の面発光型半導体レーザと、
光導波路とを含む、光モジュール。
【請求項１７】
請求項１６に記載の光モジュールを含む、光伝達装置。
【請求項１８】
基板上に形成された共振器を含み、該共振器の上面に設けられた出射面から該基板と垂直方向にレーザ光を出射できる面発光型半導体レーザの製造方法であって、
（ａ）前記基板上に、上面に出射面を有する共振器を形成し、
前記共振器には、前記基板の上方に設けられた第１ミラーと、活性層と、該活性層を挟んで該第１ミラーに対向するように設けられた第２ミラーと、を形成し、
前記第２ミラーには、かつ光学的膜厚がｍ１λ／２（ｍ１は自然数）である層を形成し、
（ｂ）前記出射面に対して液滴をインクジェット法にて吐出して前記反射率調整層の前駆体を形成した後、該前駆体を硬化させることにより、前記出射面の上に、光学的膜厚が（２ｍ２−１）λ／４（ｍ２は自然数）である反射率調整層を形成すること、を含む、面発光型半導体レーザの製造方法。
【請求項１９】
基板上に形成された共振器を含み、該共振器の上面に設けられた出射面から該基板と垂直方向にレーザ光を出射できる面発光型半導体レーザの製造方法であって、
（ａ）前記基板上に共振器を形成し、
（ｂ）前記共振器に電流を注入するための第１電極および第２電極を形成し、その際、前記第１電極は、少なくとも一部が前記共振器の上面に形成され、かつ、該共振器の上面に、前記出射面を底面に有する開口部を設けるように形成され、
（ｃ）前記出射面に対して液滴をインクジェット法にて吐出して前記反射率調整層の前駆体を形成した後、該前駆体を硬化させることにより、前記出射面の上に前記反射率調整層を形成すること、を含む、面発光型半導体レーザの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本願において、「光学的膜厚」とは、層の実際の膜厚に屈折率を乗じて得られる値をいう。例えば、レーザ光の波長がλであって、光学的膜厚がλ／２、屈折率ｎが１．４である層の場合、この層の実際の膜厚は、光学的膜厚／屈折率ｎと等しいことから、λ／２／１．４＝０．３５７λである。なお、本願において、単に「膜厚」というときは、層の実際の膜厚をいうものとする。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月5日(2005.9.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
すなわち本発明は、高分子電解質膜を100℃以上の温度下でアニールすることを特徴とする実用的に優れた改質された高分子電解質膜の製造法(但し、加圧下で流体と接触させる場合を除く)を提供するものである。
さらに本発明は、上記の方法によって得られた改質された高分子電解質膜および該膜を用いてなる燃料電池を提供するものである。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の原料となる高分子電解質膜としては、通常、高分子電解質を成膜することにより製造されたものが使用される。
ここで、高分子電解質としては、イオン交換基、例えば、−SO3H、−COOH、−PO(OH)2、−POH(OH)、−SO2NHSO2−、−Ph(OH)（Phはフェニル基を表す）等の陽イオン交換基、−NH2、−NHR、−NRR'、−NRR'R''+、−NH3+等（R：アルキル基、シクロアルキル基、アリール基等を表す）等の陰イオン交換基を有し、溶媒に可溶な高分子が通常使用される。これらの基は、その一部または全部が対イオンとの塩を形成していても良い。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
比較例２
参考例２で得られた高分子電解質複合膜そのものを評価した結果を表１に示した。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月20日(2005.9.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  壁面に固定される器具本体と、この器具本体に冷陰極管ホルダーによって取り付けられた冷陰極放電管と、前記器具本体に着脱自在に取り付けられて前記冷陰極放電管を覆う第一の透光カバーと、を備えた照明器具において、前記第一の透光カバーと前記冷陰極放電管との間には、前記第一の透光カバーとは独立して前記器具本体へ着脱自在に取り付けらた第二の透光カバーを設けたことを特徴とする照明器具。
【請求項２】  前記第二の透光カバーを透明としたことを特徴とする請求項１に記載の照明器具。
【請求項３】  壁面に固定される器具本体と、この器具本体に取り付けられた冷陰極放電管と、前記器具本体に着脱自在に取り付けられて前記冷陰極放電管を覆う第一の透光カバーと、を備えた照明器具において、前記冷陰極放電管の前面を露出させるとともに、この露出した冷陰極放電管に触ってもたわまないように背面側を略包囲し、且つ該冷陰極放電管を該器具本体の所定の位置に保持可能な冷陰極放電管支持部材を設けたことを特徴とする照明器具。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する為に請求項１は、壁面に固定される器具本体と、この器具本体に冷陰極管ホルダーによって取り付けられた冷陰極放電管と、前記器具本体に着脱自在に取り付けられて前記冷陰極放電管を覆う第一の透光カバーと、を備えた照明器具において、前記第一の透光カバーと前記冷陰極放電管との間には、前記第一の透光カバーとは独立して前記器具本体へ着脱自在に取り付けらた第二の透光カバーを設けたことを特徴とする照明器具としたことである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
これにより、照明器具を取付ける際は、第一の透光カバーを外して取付けを行っても、冷陰極放電管の前面に第二の透光カバーが取付いているので、冷陰極放電管を直接触らずに施工でき、冷陰極放電管への過度な外力が加わることがなく、冷陰極放電管の破損を防止することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
請求項３では、壁面に固定される器具本体と、この器具本体に取り付けられた冷陰極放電管と、前記器具本体に着脱自在に取り付けられて前記冷陰極放電管を覆う第一の透光カバーと、を備えた照明器具において、前記冷陰極放電管の前面を露出させるとともに、この露出した冷陰極放電管に触ってもたわまないように背面側を略包囲し、且つ該冷陰極放電管を該器具本体の所定の位置に保持可能な冷陰極放電管支持部材を設けたことを特徴とする照明器具としたことである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
これにより、照明器具を取付ける際は、冷陰極放電管の背面に冷陰極放電管支持部材がすでに取付いているので、施工時に誤って冷陰極放電管に触っても冷陰極放電管がたわむことがない。したがって、冷陰極放電管のたわみによる破損を防止することができる。また、別途冷陰極放電管を器具本体の所定の位置に保持する部材が不要であり、経済的である。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月15日(2005.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光装置及び電子機器
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】  複数の第１電極と、
該複数の第１電極に共通に設けられた第２電極と、
前記複数の第１電極の各々と前記第２電極の間に設けられた発光層と、
前記複数の第１電極を区画するとともに、前記第１電極の各々の外縁を被覆し前記複数の第１電極と前記第２電極とを絶縁する絶縁膜と、
電源供給線と、
前記複数の第１電極の各々に電気的に接続され、前記電源供給線から前記第１電極に駆動電流を供給するトランジスタと、
前記トランジスタのゲート電極に接続され、制御電圧を保持する容量素子と、
前記第１電極と前記トランジスタとを電気的に接続するための接続配線と、
前記第１電極と前記接続配線とを接続するコンタクト部と、
を有し、
前記コンタクト部は、前記容量素子の上方に設けられており、前記絶縁膜により覆われていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】  前記第１電極の下地層として、平坦化処理された平坦化膜を含むことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】  前記容量素子は、前記絶縁膜とは異なる第１絶縁層を介して平坦に成膜された２層のメタル層から構成され、
前記平坦化膜は前記容量素子の上層に成膜されており、
前記平坦化膜に開口されたコンタクトホールを通じて前記接続配線と前記第１電極とが前記コンタクト部において導通されていることを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】  前記第１電極は反射性電極であり、前記第２電極は光透過性電極であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のうち何れか１項に記載の記載の発光装置。
【請求項５】  前記トランジスタは、前記複数の第１電極の各々の下方に設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のうち何れか１項に記載の発光装置。
【請求項６】  前記保持容量に制御電圧を蓄積するためのアナログ電流信号を伝達するデータ線を含み、
該データ線は、前記複数の第１電極と重ならないように配置されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のうち何れか１項に記載の発光装置。
【請求項７】  前記電源供給線の一部は、前記複数の第１電極の各々の下方に設けられていることを特徴とする請求項１乃至６のうち何れか１項に記載の発光装置。
【請求項８】  前記トランジスタと前記第１電極との間に設けられた第１スイッチング素子と、
前記第１スイッチング素子の制御端子を制御する第１制御線と
をさらに含み、
前記第１スイッチング素子、及び前記第１制御線の一部は、前記複数の第１電極の各々の下方に設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項７のうち何れか１項に記載の発光装置。
【請求項９】  前記データ線から前記容量素子へアナログ電流信号を伝達する経路に設けられた第２スイッチング素子と、
前記第２スイッチング素子の制御端子を制御する第２制御線と
をさらに含み、
前記第１スイッチング素子、及び前記第２制御線の一部は、前記複数の第１電極の各々の下方に設けられていることを特徴とする請求項１乃至請求項８のうち何れか１項に記載の発光装置。
【請求項１０】  請求項１乃至請求項９のうち何れか１項に記載の発光装置を備える電子機器。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するため、本発明の発光装置は、複数の第１電極と、該複数の第１電極に共通に設けられた第２電極と、前記複数の第１電極の各々と前記第２電極の間に設けられた発光層と、前記複数の第１電極を区画するとともに、前記第１電極の各々の外縁を被覆し前記複数の第１電極と前記第２電極とを絶縁する絶縁膜と、電源供給線と、前記複数の第１電極の各々に電気的に接続され、前記電源供給線から前記第１電極に駆動電流を供給するトランジスタと、前記第１電極と前記トランジスタとを電気的に接続するための接続配線と、前記第１電極と前記接続配線とを接続するコンタクト部と、前記トランジスタのゲート電極に接続され、制御電圧を保持する容量素子と、を有し、前記コンタクト部は、前記容量素子の上方に設けられており、前記絶縁膜により覆われていることを特徴とする。
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置であって、前記第１電極の下地層として、平坦化処理された平坦化膜を含むことを特徴とする。
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置であって、前記容量素子は、前記絶縁膜とは異なる第１絶縁層を介して平坦に成膜された２層のメタル層から構成され、前記平坦化膜は前記容量素子の上層に成膜されており、前記平坦化膜に開口されたコンタクトホールを通じて前記接続配線と前記第１電極とが前記コンタクト部において導通されていることを特徴とする。
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置であって、前記第１電極は反射性電極であり、前記第２電極は光透過性電極であることを特徴とする。
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置であって、前記トランジスタは、前記複数の第１電極の各々の下方に設けられていることを特徴とする。
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置であって、前記保持容量に制御電圧を蓄積するためのアナログ電流信号を伝達するデータ線を含み、該データ線は、前記絶縁膜により前記第２電極とは絶縁されており、前記複数の第１電極と重ならないように配置されていることを特徴とする。
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置であって、前記電源供給線の一部は、前記複数の第１電極の各々の下方に設けられていることを特徴とする。
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置であって、前記トランジスタと前記第１電極との間に設けられた第１スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子の制御端子を制御する第１制御線とをさらに含み、前記第１スイッチング素子、及び前記第１制御線の一部は、前記複数の第１電極の各々の下方に設けられていることを特徴とする。
また、本発明の発光装置は、上記の発光装置であって、前記データ線から前記容量素子へアナログ電流信号を伝達する経路に設けられた第２スイッチング素子と、前記第２スイッチング素子の制御端子を制御する第２制御線とをさらに含み、前記第１スイッチング素子、及び前記第２制御線の一部は、前記複数の第１電極の各々の下方に設けられていることを特徴とする。
本発明の電子機器は、本発明の発光装置を備える。
上記の課題を解決するため、本発明の電気光学装置は、画素電極と、共通電極と、前記画素電極と前記共通電極とを介して供給される電力により駆動される電気光学素子とを備え、前記画素電極には、前記画素電極と電源電位とを電気的に接続するための接続配線が接続された接続領域が設けられるとともに、前記接続領域以外の領域のうち少なくとも一部の領域に電気光学素子を構成する機能層が配置される配置領域が設けられている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月1日(2004.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力を発生する燃料電池に供給される水素燃料と、前記燃料電池から排出される水素燃料との流量の差から算出した燃料電池への入力エネルギーと、前記燃料電池から供給される電力を測定して算出した前記燃料電池の出力エネルギーとに基づき前記燃料電池の効率を測定することを特徴とする電力測定装置。
【請求項２】
予め設置された第１及び第２の流量計からの出力信号に基づき前記燃料電池に供給される水素燃料の流量と、前記燃料電池から排出される水素燃料の流量とを検出するセンサ出力検出部と、
このセンサ出力検出部の流量検出結果の差から前記燃料電池で消費された水素燃料の入力エネルギーを算出する入力エネルギー換算部と、
前記燃料電池から出力された電力を測定する電力測定部と、
この測定電力から出力エネルギーを算出する出力エネルギー換算部と、
前記入力エネルギーと前記出力エネルギーの比から効率を演算する効率演算部と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の電力測定装置。
【請求項３】
前記入力エネルギー換算部は、
前記流量計の出力信号から水素量に換算する水素量換算部と、
換算した水素量に相当するエネルギーを演算する反応エネルギー演算部と、
を有することを特徴とする請求項２に記載の電力測定装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（１）水素燃料と酸素を反応させて電力を発生する燃料電池に供給される前記水素燃料と、前記燃料電池から排出される前記水素燃料との流量の差から算出した燃料電池への入力エネルギーと、前記燃料電池から供給される電力を測定して算出した前記燃料電池の出力エネルギーとに基づき前記燃料電池の効率を測定することを特徴とする電力測定装置。