【手続補正書】
【提出日】平成16年4月8日(2004.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力光が出射される前端面を有する半導体レーザと、
前記出力光が入射する端部を有する光ファイバと、
前記半導体レーザから前記光ファイバを通過して延びる前記出力光の光路に配置され、所定の反射中心波長を有し、前記出力光の一部を前記半導体レーザに向かって帰還させる第１の光帰還部と、
前記光路に前記第１の光帰還部から離間して配置され、前記第１の光帰還部の反射中心波長において反射率を有し、前記出力光の一部を前記半導体レーザに向かって帰還させる少なくとも１つの第２の光帰還部と
を備えることを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項２】
前記第２の光帰還部が、所定の反射中心波長を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項３】
前記第１及び第２の光帰還部は、前記光ファイバに設けられていることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項４】
前記第２の光帰還部は、前記第１の光帰還部の反射特性における半値全幅の波長範囲内では前記第１の光帰還部の最大反射率以下となる反射率を有することを特徴とする請求項３に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項５】
前記第１の光帰還部は、前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングであることを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項６】
前記第２の光帰還部は、前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングであることを特徴とする請求項５に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項７】
２つ以上の前記第２の光帰還部を備え、
前記第２の光帰還部のそれぞれは、前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングであることを特徴とする請求項５に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項８】
前記第１の光帰還部と前記第２の光帰還部のうち隣接する光帰還部間の中心位置の間隔が５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項３乃至７に記載の何れかの半導体レーザモジュール。
【請求項９】
更に、前記半導体レーザを収容するパッケージを備え、
前記第１及び第２の光帰還部は前記パッケージの外部に配置されていることを特徴とする請求項３乃至８に記載の何れかの半導体レーザモジュール。
【請求項１０】
前記半導体レーザの後端面から、前記第１及び第２の光帰還部のうちいずれかの中心位置までの前記出力光の光路に沿ってみた距離が１０ｃｍ以上であることを特徴とする請求項９に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項１１】
前記第２の光帰還部は、前記半導体レーザから前記第１の光帰還部よりも離れて配置されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項１２】
前記第２の光帰還部の反射特性における半値全幅は、前記第１の光帰還置の反射特性における半値全幅以上であることを特徴とする請求項１１に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項１３】
２つ以上の前記第２の光帰還部を備え、
前記第２の光帰還部は、前記半導体レーザからみて前記第１の光帰還部よりも離れた前記光路の領域に互いに離れて配列され、
前記第２の光帰還部の配列では、前記第１の光帰還部からみて相対的に遠くに位置する第２の光帰還部の最大反射率は、近くに位置する第２の光帰還部の最大反射率以下であることを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項１４】
２つ以上の前記第２の光帰還部を備え、
前記第２の光帰還部における反射特性の半値全幅は、前記第１の光帰還部における反射特性の半値全幅以上であり、
前記第２の光帰還部は、前記半導体レーザからみて前記第１の光帰還部よりも離れた前記光路の領域に互いに離れて配列され、
前記第２の光帰還部の配列では、前記第１の光帰還部からみて相対的に遠くに位置する第２の光帰還部における反射特性の半値全幅は、近くに位置する第２の光帰還部における反射特性の半値全幅以上であることを特徴とする請求項４に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項１５】
前記第１の光帰還部の反射中心波長と前記第２の光帰還部の反射中心波長との差が２ｎｍ以内であることを特徴とする請求項２乃至１４に記載の何れかの半導体レーザモジュール。
【請求項１６】
前記第１の光帰還部の反射中心波長と前記第２の光帰還部の反射中心波長との差が０．５ｎｍ以内であることを特徴とする請求項１５に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項１７】
前記光ファイバには、前記半導体レーザと前記第１の光帰還部又は前記第２の光帰還部との間に前記出力光の偏波変動を防止する偏波変動防止手段が設けられていることを特徴とする請求項１乃至１６に記載の何れかの半導体レーザモジュール。
【請求項１８】
前記偏波変動防止手段は複屈折ファイバであることを特徴とする請求項１７に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項１９】
前記半導体レーザの発振波長は９８０ｎｍ帯であることを特徴とする請求項１乃至１８に記載の何れかの半導体レーザモジュール。
【請求項２０】
前記半導体レーザの発振波長は、前記第１の光帰還部の反射中心波長で決まることを特徴とする請求項１乃至１９に記載の何れかの半導体レーザモジュール。
【請求項２１】
前記第１及び第２の光帰還部は、前記光ファイバに設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項２２】
前記第２の光帰還部は、前記第１の光帰還部の反射特性における半値全幅の波長範囲内では前記第１の光帰還部の最大反射率以下となる反射率を有することを特徴とする請求項１又は２１に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項２３】
前記第１の光帰還部は、前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングであることを特徴とする請求項２１又は２２に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項２４】
前記第２の光帰還部は、誘電体多層膜及び前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングのうちいずれか一方からなることを特徴とする請求項２１乃至２３に記載の何れかの半導体レーザモジュール。
【請求項２５】
前記第１の光帰還部と前記第２の光帰還部のうち隣接する光帰還部間の中心位置の間隔が５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項２１乃至２４に記載の何れかの半導体レーザモジュール。
【請求項２６】
更に、前記半導体レーザを収容するパッケージを備え、
前記第１及び第２の光帰還部は前記パッケージの外部に配置されていることを特徴とする請求項２１乃至２５に記載の何れかの半導体レーザモジュール。
【請求項２７】
前記半導体レーザの後端面から、前記第１及び第２の光帰還部のうちいずれかの中心位置までの前記出力光の光路に沿ってみた距離が１０ｃｍ以上であることを特徴とする請求項２６に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項２８】
前記第２の光帰還部は、前記出力光が出射する前記光ファイバの他端部の端面であることを特徴とする請求項２１乃至２３に記載の何れかの半導体レーザモジュール。
【請求項２９】
前記光ファイバの他端部の前記端面は、球面状に研磨された端面及び前記光ファイバの軸線方向に対して垂直に切断された端面のうちいずれか一方であることを特徴とする請求項２８に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項３０】
前記第２の光帰還部は、前記半導体レーザから前記第１の光帰還部よりも離れて配置されていることを特徴とする請求項２２に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項３１】
前記光ファイバには、前記半導体レーザと前記第１の光帰還部又は前記第２の光帰還部との間に前記出力光の偏波変動を防止する偏波変動防止手段が設けられていることを特徴とする請求項２１乃至３０に記載の何れかの半導体レーザモジュール。
【請求項３２】
前記偏波変動防止手段は複屈折ファイバであることを特徴とする請求項３１に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項３３】
前記半導体レーザの発振波長は９８０ｎｍ帯であることを特徴とする請求項２１乃至３２に記載の何れかの半導体レーザモジュール。
【請求項３４】
パッケージ内に収容され、出力光が出射される前端面を有する半導体レーザと、
前記パッケージの一側壁に取り付けられ、前記出力光が入射する一端部を有し、前記出力光を前記パッケージの外部に導出する光ファイバと、
前記パッケージの外部にて前記半導体レーザから前記光ファイバを通過して延びる前記出力光の光路に配置され、所定の反射中心波長を有し、前記出力光の一部を前記半導体レーザに向かって帰還させる第１の光帰還部と、
前記パッケージの外部にて前記光路に前記第１の光帰還部から離間して配置され、前記半導体レーザの出力光が安定化されるように前記半導体レーザに前記出力光の一部を帰還させる少なくとも１つの第２の光帰還部とを備え、
前記半導体レーザの後端面から、前記第１及び第２の光帰還部のうちいずれかの中心位置までの前記出力光の光路に沿ってみた距離が１０ｃｍ以上であることを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項３５】
前記第２の光帰還部は、前記半導体レーザの出力光のコヒーレンシーを低下させるように前記半導体レーザに出力光を帰還させることを特徴とする請求項３４に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項３６】
前記第２の光帰還部は、前記第１の光帰還部の反射中心波長において、前記第１の光帰還部の最大反射率以下の反射率を有することを特徴とする請求項３４又は３５に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項３７】
前記第１の光帰還部は、前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングであることを特徴とする請求項３４乃至３６に記載の何れかの半導体レーザモジュール。
【請求項３８】
前記第２の光帰還部は、前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングであることを特徴とする請求項３７に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項３９】
２つ以上の前記第２の光帰還部を備え、
前記第２の光帰還部のそれぞれは、前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングであることを特徴とする請求項３７に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項４０】
前記第１の光帰還部と前記第２の光帰還部のうち隣接する光帰還部間の中心位置の間隔が５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項３４乃至３９に記載の何れかの半導体レーザモジュール。
【請求項４１】
前記第２の光帰還部は、前記半導体レーザから前記第１の光帰還部よりも離れて配置されていることを特徴とする請求項３６に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項４２】
前記第２の光帰還部は所定の反射中心波長を有し、
前記第２の光帰還部の反射特性における半値全幅は、前記第１の光帰還部の反射特性における半値全幅以上であることを特徴とする請求項４１に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項４３】
２つ以上の前記第２の光帰還部を備え、
前記第２の光帰還部は、前記半導体レーザからみて前記第１の光帰還部よりも離れた前記光路の領域に互いに離れて配列され、
前記第２の光帰還部の配列では、前記第１の光帰還部からみて相対的に遠くに位置する第２の光帰還部の最大反射率は、近くに位置する第２の光帰還部の最大反射率以下であることを特徴とする請求項３６に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項４４】
２つ以上の前記第２の光帰還部を備え、
前記第２の光帰還部は所定の反射中心波長を有し、
前記第２の光帰還部における反射特性の半値全幅は、前記第１の光帰還部における反射特性の半値全幅以上であり、
前記第２の光帰還部は、前記半導体レーザからみて前記第１の光帰還部よりも離れた前記光路の領域に互いに離れて配列され、
前記第２の光帰還部の配列では、前記第１の光帰還部からみて相対的に遠くに位置する第２の光帰還部における反射特性の半値全幅は、近くに位置する第２の光帰還部における反射特性の半値全幅以上であることを特徴とする請求項３６に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項４５】
前記光ファイバには、前記半導体レーザと前記第１の光帰還部又は前記第２の光帰還部との間に前記出力光の偏波変動を防止する偏波変動防止手段が設けられていることを特徴とする請求項３４乃至４４に記載の何れかの半導体レーザモジュール。
【請求項４６】
前記偏波変動防止手段は複屈折ファイバであることを特徴とする請求項４５に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項４７】
前記半導体レーザの発振波長は９８０ｎｍ帯であることを特徴とする請求項３４乃至４６に記載の何れかの半導体レーザモジュール。
【請求項４８】
前記半導体レーザの発振波長は、前記第１の光帰還部の反射中心波長で決まることを特徴とする請求項３４乃至４７に記載の何れかの半導体レーザモジュール。
【請求項４９】
出力光が出射される前端面を有する半導体レーザと、
前記出力光が入射する端部を有する光ファイバと、
前記半導体レーザから前記光ファイバを通過して延びる前記出力光の光路に配置され、所定の反射中心波長を有し、前記出力光の一部を前記半導体レーザに向かって帰還させる第１の光帰還部と、
前記光路に前記第１の光帰還部から離間して配置され、前記第１の光帰還部の反射中心波長と同一の反射中心波長を有し、前記出力光の一部を前記半導体レーザに向かって帰還させる少なくとも１つの第２の光帰還部と
を備えることを特徴とする半導体レーザモジュール。
【請求項５０】
前記第１及び第２の光帰還部は、前記光ファイバに設けられていることを特徴とする請求項４９に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項５１】
前記第２の光帰還部は、前記第１の光帰還部の反射特性における半値全幅の波長範囲内では前記第１の光帰還部の最大反射率以下となる反射率を有することを特徴とする請求項５０に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項５２】
前記第１の光帰還部は、前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングであることを特徴とする請求項５０又は５１に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項５３】
前記第２の光帰還部は、前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングであることを特徴とする請求項５２に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項５４】
２つ以上の前記第２の光帰還部を備え、
前記第２の光帰還部のそれぞれは、前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングであることを特徴とする請求項５２に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項５５】
前記第１の光帰還部と前記第２の光帰還部のうち隣接する光帰還部間の中心位置の間隔が５ｍｍ以上であることを特徴とする請求項５０乃至５４に記載の何れかの半導体レーザモジュール。
【請求項５６】
更に、前記半導体レーザを収容するパッケージを備え、
前記第１及び第２の光帰還部は前記パッケージの外部に配置されていることを特徴とする請求項５０乃至５５に記載の何れかの半導体レーザモジュール。
【請求項５７】
前記半導体レーザの後端面から、前記第１及び第２の光帰還部のうちいずれかのの中心位置までの前記出力光の光路に沿ってみた距離が１０ｃｍ以上であることを特徴とする請求項５６に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項５８】
前記第２の光帰還部は、前記半導体レーザから前記第１の光帰還部よりも離れて配置されていることを特徴とする請求項５１に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項５９】
前記第２の光帰還部の反射特性における半値全幅は、前記第１の光帰還置の反射特性における半値全幅以上であることを特徴とする請求項５８に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項６０】
２つ以上の前記第２の光帰還部を備え、
前記第２の光帰還部は、前記半導体レーザからみて前記第１の光帰還部よりも離れた前記光路の領域に互いに離れて配列され、
前記第２の光帰還部の配列では、前記第１の光帰還部からみて相対的に遠くに位置する第２の光帰還部の最大反射率は、近くに位置する第２の光帰還部の最大反射率以下であることを特徴とする請求項５１に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項６１】
２つ以上の前記第２の光帰還部を備え、
前記第２の光帰還部における反射特性の半値全幅は、前記第１の光帰還部における反射特性の半値全幅以上であり、
前記第２の光帰還部は、前記半導体レーザからみて前記第１の光帰還部よりも離れた前記光路の領域に互いに離れて配列され、
前記第２の光帰還部の配列では、前記第１の光帰還部からみて相対的に遠くに位置する第２の光帰還部における反射特性の半値全幅は、近くに位置する第２の光帰還部における反射特性の半値全幅以上であることを特徴とする請求項５１に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項６２】
前記光ファイバには、前記半導体レーザと前記第１の光帰還部又は前記第２の光帰還部との間に前記出力光の偏波変動を防止する偏波変動防止手段が設けられていることを特徴とする請求項４９乃至６１に記載の何れかの半導体レーザモジュール。
【請求項６３】
前記偏波変動防止手段は複屈折ファイバであることを特徴とする請求項６２に記載の半導体レーザモジュール。
【請求項６４】
前記半導体レーザの発振波長は９８０ｎｍ帯であることを特徴とする請求項４９乃至６３に記載の何れかの半導体レーザモジュール。
【請求項６５】
前記半導体レーザの発振波長は、前記第１の光帰還部の反射中心波長で決まることを特徴とする請求項４９乃至６４に記載の何れかの半導体レーザモジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため本発明においては、出力光が出射される前端面を有する半導体レーザと、前記出力光が入射する端部を有する光ファイバと、前記半導体レーザから前記光ファイバを通過して延びる前記出力光の光路に配置され、所定の反射中心波長を有し、前記出力光の一部を前記半導体レーザに向かって帰還させる第１の光帰還部と、前記光路に前記第１の光帰還部から離間して配置され、前記第１の光帰還部の反射中心波長において反射率を有し、前記出力光の一部を前記半導体レーザに向かって帰還させる少なくとも１つの第２の光帰還部とを備える構成としたのである（請求項１）。
請求項２の本発明は、前記第２の光帰還部が、所定の反射中心波長を有することを特徴としている。
請求項３の本発明は、前記第１及び第２の光帰還部は、前記光ファイバに設けられていることを特徴としている。
請求項４の本発明は、前記第２の光帰還部が、前記第１の光帰還部の反射特性における半値全幅の波長範囲内では前記第１の光帰還部の最大反射率以下となる反射率を有することを特徴としている。
請求項５の本発明は、前記第１の光帰還部が、前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングであることを特徴としている。
請求項６の本発明は、前記第２の光帰還部が、前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングであることを特徴としている。
請求項７の本発明は、２つ以上の前記第２の光帰還部を備え、前記第２の光帰還部のそれぞれは、前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングであることを特徴としている。
請求項８の本発明は、前記第１の光帰還部と前記第２の光帰還部のうち隣接する光帰還部間の中心位置の間隔が５ｍｍ以上であることを特徴としている。
請求項９の本発明は、更に、前記半導体レーザを収容するパッケージを備え、前記第１及び第２の光帰還部は前記パッケージの外部に配置されていることを特徴としている。
請求項１０  前記半導体レーザの後端面から、前記第１及び第２の光帰還部のうちいずれかの中心位置までの前記出力光の光路に沿ってみた距離が１０ｃｍ以上であることを特徴としている。
請求項１１の本発明は、前記第２の光帰還部は、前記半導体レーザから前記第１の光帰還部よりも離れて配置されていることを特徴としている。
請求項１２の本発明は、前記第２の光帰還部の反射特性における半値全幅は、前記第１の光帰還置の反射特性における半値全幅以上であることを特徴としている。
請求項１３の本発明は、２つ以上の前記第２の光帰還部を備え、前記第２の光帰還部は、前記半導体レーザからみて前記第１の光帰還部よりも離れた前記光路の領域に互いに離れて配列され、前記第２の光帰還部の配列では、前記第１の光帰還部からみて相対的に遠くに位置する第２の光帰還部の最大反射率は、近くに位置する第２の光帰還部の最大反射率以下であることを特徴としている。
請求項１４の本発明は、２つ以上の前記第２の光帰還部を備え、前記第２の光帰還部における反射特性の半値全幅は、前記第１の光帰還部における反射特性の半値全幅以上であり、前記第２の光帰還部は、前記半導体レーザからみて前記第１の光帰還部よりも離れた前記光路の領域に互いに離れて配列され、前記第２の光帰還部の配列では、前記第１の光帰還部からみて相対的に遠くに位置する第２の光帰還部における反射特性の半値全幅は、近くに位置する第２の光帰還部における反射特性の半値全幅以上であることを特徴としている。
請求項１５の本発明は、前記第１の光帰還部の反射中心波長と前記第２の光帰還部の反射中心波長との差が２ｎｍ以内であることを特徴としている。
請求項１６の本発明は、前記第１の光帰還部の反射中心波長と前記第２の光帰還部の反射中心波長との差が０．５ｎｍ以内であることを特徴としている。
請求項１７の本発明は、前記光ファイバには、前記半導体レーザと前記第１の光帰還部又は前記第２の光帰還部との間に前記出力光の偏波変動を防止する偏波変動防止手段が設けられていることを特徴としている。
請求項１８の本発明は、前記偏波変動防止手段は複屈折ファイバであることを特徴としている。
請求項１９の本発明は、前記半導体レーザの発振波長は９８０ｎｍ帯であることを特徴としている。
請求項２０の本発明は、前記半導体レーザの発振波長は、前記第１の光帰還部の反射中心波長で決まることを特徴としている。
請求項２１の本発明は、前記第１及び第２の光帰還部は、前記光ファイバに設けられていることを特徴としている。
請求項２２の本発明は、前記第２の光帰還部は、前記第１の光帰還部の反射特性における半値全幅の波長範囲内では前記第１の光帰還部の最大反射率以下となる反射率を有することを特徴としている。
請求項２３の本発明は、前記第１の光帰還部は、前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングであることを特徴としている。
請求項２４の本発明は、前記第２の光帰還部は、誘電体多層膜及び前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングのうちいずれか一方からなることを特徴としている。
請求項２５の本発明は、前記第１の光帰還部と前記第２の光帰還部のうち隣接する光帰還部間の中心位置の間隔が５ｍｍ以上であることを特徴としている。
請求項２６の本発明は、更に、前記半導体レーザを収容するパッケージを備え、前記第１及び第２の光帰還部は前記パッケージの外部に配置されていることを特徴としている。
請求項２７の本発明は、前記半導体レーザの後端面から、前記第１及び第２の光帰還部のうちいずれかの中心位置までの前記出力光の光路に沿ってみた距離が１０ｃｍ以上であることを特徴としている。
請求項２８の本発明は、前記第２の光帰還部は、前記出力光が出射する前記光ファイバの他端部の端面であることを特徴としている。
請求項２９の本発明は、前記光ファイバの他端部の前記端面は、球面状に研磨された端面及び前記光ファイバの軸線方向に対して垂直に切断された端面のうちいずれか一方であることを特徴としている。
請求項３０の本発明は、前記第２の光帰還部は、前記半導体レーザから前記第１の光帰還部よりも離れて配置されていることを特徴としている。
請求項３１の本発明は、前記光ファイバには、前記半導体レーザと前記第１の光帰還部又は前記第２の光帰還部との間に前記出力光の偏波変動を防止する偏波変動防止手段が設けられていることを特徴としている。
請求項３２の本発明は、前記偏波変動防止手段は複屈折ファイバであることを特徴としている。
請求項３３の本発明は、前記半導体レーザの発振波長は９８０ｎｍ帯であることを特徴としている。
また、上記目的を達成するため本発明においては、パッケージ内に収容され、出力光が出射される前端面を有する半導体レーザと、前記パッケージの一側壁に取り付けられ、前記出力光が入射する一端部を有し、前記出力光を前記パッケージの外部に導出する光ファイバと、前記パッケージの外部にて前記半導体レーザから前記光ファイバを通過して延びる前記出力光の光路に配置され、所定の反射中心波長を有し、前記出力光の一部を前記半導体レーザに向かって帰還させる第１の光帰還部と、前記パッケージの外部にて前記光路に前記第１の光帰還部から離間して配置され、前記半導体レーザの出力光が安定化されるように前記半導体レーザに前記出力光の一部を帰還させる少なくとも１つの第２の光帰還部とを備え、前記半導体レーザの後端面から、前記第１及び第２の光帰還部のうちいずれかの中心位置までの前記出力光の光路に沿ってみた距離が１０ｃｍ以上である構成としたのである（請求項３４）。
請求項３５の本発明は、前記第２の光帰還部は、前記半導体レーザの出力光のコヒーレンシーを低下させるように前記半導体レーザに出力光を帰還させることを特徴としている。
請求項３６の本発明は、前記第２の光帰還部は、前記第１の光帰還部の反射中心波長において、前記第１の光帰還部の最大反射率以下の反射率を有することを特徴としている。
請求項３７の本発明は、前記第１の光帰還部は、前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングであることを特徴としている。
請求項３８の本発明は、前記第２の光帰還部は、前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングであることを特徴としている。
請求項３９の本発明は、２つ以上の前記第２の光帰還部を備え、前記第２の光帰還部のそれぞれは、前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングであることを特徴としている。
請求項４０の本発明は、前記第１の光帰還部と前記第２の光帰還部のうち隣接する光帰還部間の中心位置の間隔が５ｍｍ以上であることを特徴としている。
請求項４１の本発明は、前記第２の光帰還部は、前記半導体レーザから前記第１の光帰還部よりも離れて配置されていることを特徴としている。
請求項４２の本発明は、前記第２の光帰還部は所定の反射中心波長を有し、前記第２の光帰還部の反射特性における半値全幅は、前記第１の光帰還部の反射特性における半値全幅以上であることを特徴としている。
請求項４３の本発明は、２つ以上の前記第２の光帰還部を備え、前記第２の光帰還部は、前記半導体レーザからみて前記第１の光帰還部よりも離れた前記光路の領域に互いに離れて配列され、前記第２の光帰還部の配列では、前記第１の光帰還部からみて相対的に遠くに位置する第２の光帰還部の最大反射率は、近くに位置する第２の光帰還部の最大反射率以下であることを特徴としている。
請求項４４の本発明は、２つ以上の前記第２の光帰還部を備え、前記第２の光帰還部は所定の反射中心波長を有し、前記第２の光帰還部における反射特性の半値全幅は、前記第１の光帰還部における反射特性の半値全幅以上であり、前記第２の光帰還部は、前記半導体レーザからみて前記第１の光帰還部よりも離れた前記光路の領域に互いに離れて配列され、前記第２の光帰還部の配列では、前記第１の光帰還部からみて相対的に遠くに位置する第２の光帰還部における反射特性の半値全幅は、近くに位置する第２の光帰還部における反射特性の半値全幅以上であることを特徴としている。
請求項４５の本発明は、前記光ファイバには、前記半導体レーザと前記第１の光帰還部又は前記第２の光帰還部との間に前記出力光の偏波変動を防止する偏波変動防止手段が設けられていることを特徴としている。
請求項４６の本発明は、前記偏波変動防止手段は複屈折ファイバであることを特徴としている。
請求項４７の本発明は、前記半導体レーザの発振波長は９８０ｎｍ帯であることを特徴としている。
請求項４８の本発明は、前記半導体レーザの発振波長は、前記第１の光帰還部の反射中心波長で決まることを特徴としている。
また、上記目的を達成するため本発明においては、出力光が出射される前端面を有する半導体レーザと、前記出力光が入射する端部を有する光ファイバと、前記半導体レーザから前記光ファイバを通過して延びる前記出力光の光路に配置され、所定の反射中心波長を有し、前記出力光の一部を前記半導体レーザに向かって帰還させる第１の光帰還部と、前記光路に前記第１の光帰還部から離間して配置され、前記第１の光帰還部の反射中心波長と同一の反射中心波長を有し、前記出力光の一部を前記半導体レーザに向かって帰還させる少なくとも１つの第２の光帰還部とを備える構成としたのである（請求項４９）。
請求項５０の本発明は、前記第１及び第２の光帰還部は、前記光ファイバに設けられていることを特徴としている。
請求項５１の本発明は、前記第２の光帰還部は、前記第１の光帰還部の反射特性における半値全幅の波長範囲内では前記第１の光帰還部の最大反射率以下となる反射率を有することを特徴としている。
請求項５２の本発明は、前記第１の光帰還部は、前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングであることを特徴としている。
請求項５３の本発明は、前記第２の光帰還部は、前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングであることを特徴としている。
請求項５４の本発明は、２つ以上の前記第２の光帰還部を備え、前記第２の光帰還部のそれぞれは、前記光ファイバに形成されたファイバブラッググレーティングであることを特徴としている。
請求項５５の本発明は、前記第１の光帰還部と前記第２の光帰還部のうち隣接する光帰還部間の中心位置の間隔が５ｍｍ以上であることを特徴としている。
請求項５６の本発明は、更に、前記半導体レーザを収容するパッケージを備え、前記第１及び第２の光帰還部は前記パッケージの外部に配置されていることを特徴としている。
請求項５７の本発明は、前記半導体レーザの後端面から、前記第１及び第２の光帰還部のうちいずれかのの中心位置までの前記出力光の光路に沿ってみた距離が１０ｃｍ以上であることを特徴としている。
請求項５８の本発明は、前記第２の光帰還部は、前記半導体レーザから前記第１の光帰還部よりも離れて配置されていることを特徴としている。
請求項５９の本発明は、前記第２の光帰還部の反射特性における半値全幅は、前記第１の光帰還置の反射特性における半値全幅以上であることを特徴としている。
請求項６０の本発明は、２つ以上の前記第２の光帰還部を備え、前記第２の光帰還部は、前記半導体レーザからみて前記第１の光帰還部よりも離れた前記光路の領域に互いに離れて配列され、前記第２の光帰還部の配列では、前記第１の光帰還部からみて相対的に遠くに位置する第２の光帰還部の最大反射率は、近くに位置する第２の光帰還部の最大反射率以下であることを特徴としている。
請求項６１の本発明は、２つ以上の前記第２の光帰還部を備え、前記第２の光帰還部における反射特性の半値全幅は、前記第１の光帰還部における反射特性の半値全幅以上であり、前記第２の光帰還部は、前記半導体レーザからみて前記第１の光帰還部よりも離れた前記光路の領域に互いに離れて配列され、前記第２の光帰還部の配列では、前記第１の光帰還部からみて相対的に遠くに位置する第２の光帰還部における反射特性の半値全幅は、近くに位置する第２の光帰還部における反射特性の半値全幅以上であることを特徴としている。
請求項６２の本発明は、前記光ファイバには、前記半導体レーザと前記第１の光帰還部又は前記第２の光帰還部との間に前記出力光の偏波変動を防止する偏波変動防止手段が設けられていることを特徴としている。
請求項６３の本発明は、前記偏波変動防止手段は複屈折ファイバであることを特徴としている。
請求項６４の本発明は、前記半導体レーザの発振波長は９８０ｎｍ帯であることを特徴としている。
請求項６５の本発明は、前記半導体レーザの発振波長は、前記第１の光帰還部の反射中心波長で決まることを特徴としている。


【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
好ましくは、前記第２の光帰還部は、少なくとも第１の光帰還部における半値全幅の波長範囲内では第１の光帰還部の最大反射率以下となる反射率を有するものを用いる。
また好ましくは、前記第１の光帰還部と前記第２の光帰還部との反射中心波長を略同一とする。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
更に、光ファイバ５は、図１（ｂ）に示すように、第１あるいは第２の光帰還部となるＦＢＧ1，ＦＢＧ2，………ＦＢＧi，………，ＦＢＧnが形成されている。ＦＢＧ1〜ＦＢＧnは、どのような並び順で配置しても構わないし、半値全幅の大きさの大小関係も問わない。
ここで、ＦＢＧ1は本発明の第１の光帰還部として機能し、それ以外のＦＢＧ2〜ＦＢＧnは、それぞれ第２の光帰還部として機能する。第１の光帰還部（ＦＢＧ1）は、半導体レーザ６の発振波長を決める所定の反射中心波長に設定されている。一方、第２の光帰還部（ＦＢＧ2〜ＦＢＧn）は、レーザ出力を安定化させるための構成部分であり、１つだけでもよいし複数あってもよい。