【手続補正書】
【提出日】平成17年7月29日(2005.7.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
変調された高周波信号を増幅する電力増幅回路と、
前記電力増幅回路の入力信号を受ける第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタに流れる第１の電流に比例した第２の電流を流すカレントミラー回路と、
前記第２の電流に応じて前記電力増幅回路にバイアスを与えるバイアス生成回路とを含む高周波電力増幅用電子部品であって、
前記電力増幅回路の出力端子と、前記カレントミラー回路を構成し前記第１の電流を受ける第２のトランジスタの制御端子との間に第１の容量素子が接続されていることを特徴とする高周波電力増幅用電子部品。
【請求項２】
請求項１において、
前記電力増幅回路の前記出力端子と外部出力端子との間にインピーダンス整合回路と直流遮断用容量素子とが接続され、
前記第１の容量素子の一方の端子は前記電力増幅回路の前記出力端子と前記直流遮断用容量素子との間のいずれかのノードに接続されていることを特徴とする高周波電力増幅用電子部品。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１のトランジスタと前記カレントミラー回路とは同一の半導体チップ上に形成され、
前記半導体チップと前記電力増幅回路とが絶縁基板に実装され、
前記第１の容量素子は、前記絶縁基板に形成された誘電体層と前記誘電体層を挟むように形成された一対の導体層とを含んで構成されていることを特徴とする高周波電力増幅用電子部品。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記第１の容量素子は１ｐＦ以上の容量値を有することを特徴とする高周波電力増幅用電子部品。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記カレントミラー回路からの前記第２の電流を電圧に変換する第１の抵抗素子を備え、
前記第１の抵抗素子はディスクリート部品として前記絶縁基板上に実装されていることを特徴とする高周波電力増幅用電子部品。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１の抵抗素子により変換された電圧と出力レベル指示信号とを比較してその差に応じた信号を出力する比較回路を備え、
前記バイアス生成回路は、前記比較回路の出力に基づいて前記電力増幅回路にバイアスを与えることを特徴とする高周波電力増幅用電子部品。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかにおいて、
前記電力増幅回路は電界効果トランジスタを含んでなり、
前記バイアス生成回路で生成されたバイアスが前記電界効果トランジスタのゲート端子に印加されていることを特徴とする高周波電力増幅用電子部品。
【請求項８】
請求項１において、
前記電力増幅回路は、複数のトランジスタが縦続接続されてなり、
前記複数のトランジスタの最終段トランジスタは第１の半導体チップ上に形成され、
前記最終段トランジスタを除く前記複数のトランジスタは第２の半導体チップ上に形成され、
前記第１のトランジスタと前記カレントミラー回路とは第３の半導体チップ上に形成されていることを特徴とする高周波電力増幅用電子部品。
【請求項９】
請求項１において、
前記電力増幅回路は、複数のトランジスタが縦続接続されてなり、
前記複数のトランジスタの最終段トランジスタと前記第１のトランジスタと前記カレントミラー回路とは第１の半導体チップ上に形成され、
前記最終段トランジスタを除く前記複数のトランジスタは第２の半導体チップ上に形成されていることを特徴とする高周波電力増幅用電子部品。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかにおいて、
前記電力増幅回路の入力端子と前記第１のトランジスタの制御端子との間に第２の抵抗素子が接続されていることを特徴とする高周波電力増幅用電子部品。
【請求項１１】
請求項１ないし１０のいずれかにおいて、
前記第１のトランジスタと前記第２のトランジスタとの間に第３の抵抗素子が接続されていることを特徴とする高周波電力増幅用電子部品。
【請求項１２】
送信信号を変調する第１電子部品と、
前記第１電子部品に接続され、変調された前記送信信号の電力を増幅する第２電子部品と、
前記第２電子部品に接続され、増幅された前記送信信号とアンテナからの受信信号との切替えを行なう送受信切替え回路を備えた第３電子部品と、
前記第２電子部品に対して出力レベル指示信号を付与する半導体集積回路とを具備して成り、
前記第２電子部品は、
前記送信信号がその入力端子に入力される前記電力増幅回路と、
前記電力増幅回路の入力端子にその制御端子が接続された第１のトランジスタと、
前記第１のトランジスタの出力端子に接続され、前記第１のトランジスタに流れる第１の電流に比例した第２の電流を出力するカレントミラー回路と、
前記カレントミラー回路に接続され、前記第２の電流に応じて前記電力増幅回路にバイアスを与えるバイアス生成回路とを含んで成り、
前記電力増幅回路の出力端子と、前記カレントミラー回路を構成し前記第１の電流を受ける第２のトランジスタの制御端子との間に第１の容量素子が接続されてなることを特徴とする無線通信システム。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記電力増幅回路は、第１周波数帯の信号を増幅する第１電力増幅回路と第２周波数帯の信号を増幅する第２電力増幅回路を含んで成り、
前記第３電子部品は、前記第１周波数帯の信号と前記第２周波数帯の信号との切替えを行なう信号切替え手段を備え、
前記第１電子部品は、前記第１周波数帯の信号を変調する回路と前記第２周波数帯の信号を変調する回路とを備えていることを特徴とする無線通信システム。
【請求項１４】
高周波信号を入力信号として受け、前記入力信号に従った信号を出力する出力端子を有する電力増幅回路と、
前記入力信号を受ける出力検出用トランジスタを有し、前記入力信号に従った出力信号を形成する検出回路と、
前記検出回路の出力信号に応じたバイアスを前記電力増幅回路に与えるバイアス生成回路とを有して成り、
前記電力増幅回路の前記出力端子と前記検出回路との間に、前記出力端子における出力電力の変動を前記検出回路へ伝達する容量素子が接続されてなることを特徴とする高周波電力増幅用電子部品。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記電力増幅回路の前記出力端子とアンテナが接続される端子との間にインピーダンス整合回路と直流遮断用容量素子とが接続され、
前記容量素子の一方の端子は前記電力増幅回路の前記出力端子と前記直流遮断用容量素子との間に接続されていることを特徴とする高周波電力増幅用電子部品。
【請求項１６】
送信信号を変調する第１電子部品と、
前記第１電子部品に接続され、変調された前記送信信号の電力を増幅する第２電子部品と、
前記第２電子部品に接続され、増幅された前記送信信号とアンテナからの受信信号との切替えを行なう送受信切替え回路を備えた第３電子部品と、
前記第２電子部品に対して出力レベル指示信号を付与する半導体集積回路とを具備して成り、
前記第２電子部品は、
前記送信信号を入力信号として入力端子に受け、前記入力信号に従った信号を出力端子より出力する電力増幅回路と、
前記入力信号を受ける出力検出用トランジスタを有し、前記入力信号に従った出力信号を形成する検出回路と、
前記検出回路の出力に応じたバイアスを前記電力増幅回路に与えるバイアス生成回路と、
前記電力増幅回路と前記出力端子との間に接続され、前記出力端子における出力電力の変動を前記検出回路へ伝達する容量素子とを具備して成ることを特徴とする無線通信システム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
なお、図３の実施例においては、３段目の増幅用トランジスタＴＲ３のゲート端子と出力レベル検出回路ＯＤＴを構成する出力検出用トランジスタＴＲ４のゲート端子との間に抵抗Ｒ２が接続されているが、この抵抗Ｒ２は省略することが可能である。同様に、図２の実施例においては、出力レベル検出回路を構成する出力検出用トランジスタＴＲ４のドレイン端子とカレントミラー用ＭＯＳＦＥＴ  ＴＲ５のドレイン端子との間に抵抗Ｒ３が接続されているが、この抵抗Ｒ３も省略することが可能である。