(57)【要約】【課題】  記録時の突き出し量を精度良く求めることを課題とする。【解決手段】  ヘッドを回転する媒体上に浮上させ、ヒータを所定の電力で通電し、ヒータへの通電を停止し第１のセクタにデータを記録し所定セクタ離れた第２のセクタにデータを記録し、第１のセクタおよび第２のセクタに記録されたデータを再生し、再生特性とを求め、ヒータの通電の電力を変化させて繰り返し、第１のセクタの再生特性と第２のセクタの再生特性とが等しくなる場合のヒータの通電の電力の値を求める。【選択図】  図５
2010135013.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
読出素子と、記録素子と、前記記録素子による記録時に記録電流を通電する記録コイルと、通電加熱に伴う熱膨張により前記読出素子および記録素子の媒体に対する突き出し量を変化させるヒータとを備えたヘッドの評価方法であって、
前記ヘッドを回転する前記媒体上に浮上させる浮上工程と、
前記ヒータを所定の電力で通電し前記読出素子および記録素子を前記媒体に対し突き出させる突き出し工程と、
前記ヒータへの通電を停止し、前記媒体上の当該通電停止後最初のセクタである第１のセクタにデータを記録する第１の記録工程と、
前記媒体上の前記第１のセクタから所定セクタ離れた第２のセクタにデータを記録する第２の記録工程と、
前記第１のセクタおよび第２のセクタに記録されたデータを再生し、前記第１のセクタに記録されたデータの再生特性と、前記第２のセクタに記録されたデータの再生特性とを求める再生工程と、
前記突き出し工程における前記所定の電力を変化させて前記突き出し工程、第１の記録工程、第２の記録工程および再生工程を繰り返し行い、前記第１のセクタの再生特性と第２のセクタの再生特性とが等しくなる場合の前記ヒータの前記所定の電力の値を求め、当該電力の値から、記録時に前記記録コイルに通電する記録電流による前記読出素子および記録素子の前記媒体に対する突き出し量を算出する記録時突き出し量取得工程とを有するヘッドの評価方法。
【請求項２】
前記記録時突き出し量取得工程では、前記第１のセクタの再生特性が、前記第２のセクタの再生特性よりも良い場合には、前記突き出し工程における前記所定の電力を減少させて前記突き出し工程、第１の記録工程、第２の記録工程および再生工程を繰り返し行うことにより、前記第１のセクタの再生特性と第２のセクタの再生特性とが等しくなる場合の前記ヒータの前記所定の電力の値を求め、
前記第１のセクタの再生特性が、前記第２のセクタの再生特性よりも悪い場合には、前記突き出し工程における前記所定の電力を増加させて前記突き出し工程、第１の記録工程、第２の記録工程および再生工程を繰り返し行うことにより、前記第１のセクタの再生特性と第２のセクタの再生特性とが等しくなる場合の前記ヒータの前記所定の電力の値を求めることを特徴とする請求項１に記載のヘッドの評価方法。
【請求項３】
前記再生特性が、再生出力およびエラー特性のうちのいずれかであることを特徴とする請求項１または２に記載のヘッドの評価方法。
【請求項４】
読出素子と、記録素子と、前記記録素子による記録を行う際に記録電流を通電する記録コイルと、通電加熱に伴う熱膨張により該読出素子および記録素子の媒体に対する突き出し量を変化させるヒータとを備えたヘッドの評価装置であって、
前記ヒータを通電するためのヒータ電力制御部と、
前記ヘッドを用いて前記媒体上のデータを再生または前記媒体上にデータを記録する再生記録制御部と、
記録時に前記記録コイルに通電する記録電流による前記読出素子及び記録素子の前記媒体に対する突き出し量を求めるための記録時突き出し量取得部とを有し、
前記記録時突き出し量取得部は、前記ヒータ電力制御部により、前記ヒータを所定の電力で通電して前記読出素子および記録素子を前記媒体に対し突き出させた後に、前記ヒータへの通電を停止し、前記再生記録制御部により、前記媒体上の前記通電停止後最初のセクタである第１のセクタと、前記第１のセクタから所定セクタ離れた第２のセクタとにデータを記録し、前記第１のセクタに記録されたデータおよび第２のセクタに記録されたデータを再生して前記第１のセクタの再生特性及び前記第２のセクタの再生特性を求めた場合に、前記第１のセクタの再生特性と第２のセクタの再生特性とが等しくなる場合の前記ヒータの前記所定の電力の値を求め、当該電力の値から、記録時に前記記録コイルに通電する記録電流による前記読出素子及び記録素子の前記媒体に対する突き出し量を算出することを特徴とするヘッドの評価装置。
【請求項５】
前記再生特性が、再生出力またはエラー特性のいずれかであることを特徴とする請求項４に記載のヘッドの評価装置。
【請求項６】
読出素子と、記録素子と、前記記録素子による記録の際に記録電流を通電する記録コイルと、通電加熱に伴う熱膨張により該読出素子および記録素子の突き出し量を変化させるヒータを備えたヘッドを有する情報記憶装置であって、
前記ヒータを通電するためのヒータ電力制御部と、
前記ヘッドを用いて媒体上のデータを再生または媒体上にデータを記録する再生記録制御部と、
記録時に前記記録コイルに通電する記録電流による前記読出素子及び記録素子の前記媒体に対する突き出し量を求めるための記録時突き出し量取得部とを有し、
前記記録時突き出し量取得部は、前記ヒータ電力制御部により、前記ヒータに所定の電力を通電して前記読出素子および記録素子を前記媒体に対し突きｈ出させた後に、前記ヒータへの通電を停止し、前記再生記録制御部により、前記媒体上の最初のセクタである第１のセクタにデータを記録し、前記第１のセクタから所定セクタ離れた第２のセクタにデータを記録し、前記第１のセクタに記録されたデータおよび前記第２のセクタに記録されたデータを再生して前記第１のセクタの再生特性および前記第２のセクタの再生特性を求めた場合に、前記第１のセクタの再生特性と第２のセクタの再生特性とが等しくなる場合の前記ヒータの前記所定の電力の値を求め、当該電力の値を用いて、前記記録時に前記記録コイルに通電する記録電流による前記読出素子及び記録素子の前記媒体に対する突き出し量を計算することを特徴とする情報記憶装置。
【請求項７】
前記再生特性が、再生出力またはエラー特性のいずれかであることを特徴とする請求項６に記載の情報記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はヘッドの評価方法、ヘッドの評価装置および情報記憶装置に係り、特に、読出素子と、記録素子と、記録コイルと、ヒータとを備えたヘッドの評価方法、同ヘッドの評価装置および前記ヘッドの評価方法を実施する情報記憶装置に関する。なお前記記録コイルには記録時に記録電流が通電される。また前記ヒータは、通電加熱に伴う熱膨張により前記読出素子および記録素子の媒体に対する突き出し量を変化させる。
【背景技術】
【０００２】
読出素子と、記録素子と、記録時に記録電流を通電する記録コイルと、通電加熱に伴う熱膨張により前記読出素子および記録素子の媒体に対する突き出し量を変化させるヒータとを備えたヘッドが知られている。
【０００３】
また前記ヘッドの、記録開始直後の記録電流による熱膨張に起因した特性劣化を改善した最適なヒータ制御値を校正処理により設定する技術が知られている。
【特許文献１】特開２００８−１１２５１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
読出素子と、記録素子と、記録時に記録電流を通電する記録コイルと、通電加熱に伴う熱膨張により前記読出素子および記録素子の媒体に対する突き出し量を変化させるヒータとを備えたヘッドの記録時の突き出し量を精度良く求めることを課題とする。ここで前記記録時の突き出し量とは、記録コイルに通電する記録電流による読出素子および記録素子の媒体に対する突き出し量を意味する（以下同様）。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
ヘッドを回転する媒体上に浮上させ、ヒータを所定の電力で通電して前記読出素子および記録素子を前記媒体に対し突き出させる。その後前記ヒータへの通電を停止し、前記媒体上の当該通電停止後最初のセクタである第１のセクタにデータを記録する（第１の記録工程）。更に、前記媒体上の前記第１のセクタから所定セクタ離れた第２のセクタにデータを記録する（第２の記録工程）。そして前記第１のセクタおよび第２のセクタに記録されたデータを再生し、前記第１のセクタに記録されたデータの再生特性と、前記第２のセクタに記録されたデータの再生特性とを求める（再生工程）。前記所定の電力を変化させて前記突き出し工程、第１の記録工程、第２の記録工程および再生工程を繰り返し行い、前記第１のセクタの再生特性と第２のセクタの再生特性とが等しくなる場合の前記ヒータの前記所定の電力の値を求める。そして当該電力の値から、記録時の突き出し量を算出する。
【発明の効果】
【０００６】
上記の如く、第１のセクタの再生特性と第２のセクタの再生特性とが等しくなる場合のヒータの所定の電力の値を求め、当該電力の値から記録時の突き出し量を得る。したがって記録時の突き出し量を精度良く得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
図１はヘッドの評価装置の実施例の評価対象としての磁気ヘッドを含む磁気ディスク装置の斜視図である。図２Aは図１の磁気ディスク装置に含まれるヘッドジンバルアッセンブリを拡大して示す斜視図である。図２Ｂは図２Ａのヘッドジンバルアッセンブリに含まれるスライダの側断面を示す図である。図２Ｃは図２Ｂのスライダに含まれるヘッドを拡大して示す斜視図である。なお図２Cでは、ヘッドの構造を理解しやすくする目的で、手前の部分を切り欠いて示している。また図２A、２B、２Cにおいて、符号Dはディスク２０の回転方向を示す。
【０００８】
ヘッドの評価装置の実施例の評価対象としての磁気ヘッドを含む磁気ディスク装置１０は図１に示される如く、情報記録媒体（単に「媒体」と称する場合もある）としての磁気ディスク（単に「ディスク」と称する）２０を有する。当該磁気ディスク装置１０は更に、ディスク２０に対し情報を記録し、あるいはディスク２０から情報を読み出す磁気ヘッド（単に「ヘッド」と称する）２２を有する。ヘッド２２はヘッドジンバルアッセンブリ２２Ａの先端に設けられており、ヘッドジンバルアッセンブリ２２Ａはボイスコイルモータ１８により回動される。前記ヘッドジンバルアッセンブリ２２Ａの回動により、ヘッド２２はディスク２０上、任意の半径位置に位置決めされる。又ディスク２０はスピンドルモータ１６により高速に回転され、当該高速なディスク２０の回転により、ディスク２０上に気流が生じる。当該気流によりヘッドジンバルアッセンブリ２２Ａの先端に設けられたヘッド２２はディスク２０上を浮上する。ヘッド２２はディスク２０上を浮上した状態でディスク２０に対し情報を記録し、あるいはディスク２０から情報を読み出す。
【０００９】
図２Aに示される如く、ヘッドジンバルアッセンブリ２２Ａは弾性体のサスペンション２２Tと、サスペンション２２Ｔの先端に取り付けられたスライダ２２Sとを有する。当該スライダ２２Sによりヘッド２２が形成されている。
【００１０】
図２Bに示される如く、スライダ２２Sはアルチック部２２S1とアルミナ部２２S2とを有する。アルミナ部２２S2は、磁極６０と、磁極６０に巻回された記録コイル５８と、磁極６０の先端に設けられた記録ギャップ６３Ａとを含む。スライダ２２Sは更に、シールド６６と、シールド６６の先端に取り付けられた読出素子６２を含む。更にスライダ２２Sはヒータ６５を含む。なお前記磁極６０と記録コイル５８との組み合わせが記録素子６３を形成する。また読出素子６２は例えば周知のＧＭＲ素子、ＴＭＲ素子等とすることができる。
【００１１】
当該構造のスライダ２２Sの構造を有するヘッド２２中、記録素子６３および読出素子６２が設けられたABS（すなわちエア・ベアリング・サーフェス）面（「ヘッド面」と称する）６４が、媒体たるディスク２０に対向する。当該対向状態で記録コイル５８に記録電流が通電されると、磁極６０の先端に設けられた記録ギャップ６３Ａから当該記録電流に応じた磁界が生じ、当該磁界がディスク２０が有する記録層（図示を省略）に作用する。その結果上記磁界が記録層を磁化し、もってヘッド２０はディスク２０に磁気的に情報を記録する。情報が記録されたディスク２０は当該記録内容に応じた磁界を生じ、読出素子６２が当該磁界を検出することにより、ヘッド２２はディスク２０から磁気的に情報を読み出す。
【００１２】
上記の如くヘッド２２がディスク２０に情報を記録する際、記録コイル５８に記録電流が通電されることにより、記録コイルはジュール熱により発熱する。当該発熱による加熱によりヘッド２２のアルミナ部２２S2が熱膨張し、前記ヘッド面６４はディスク２０側、すなわち図２B中、下方向に突き出る。図２B中、符号６４−１はヘッド面６４が突き出た状態を示す。当該ヘッド面６４の突き出しの結果、当該ヘッド面６４に設けられている記録素子６３および読出素子６２はディスク２０に近づく。図２B中、読出素子（突き出し後）６２および記録素子（突き出し後）６３は、それぞれ前記ヘッド面６４の突き出しの結果ディスク２０に近づいた状態の読出素子６２および記録素子６３の位置を示す。読出素子６２および記録素子６３がディスク２０に近づくことにより、ディスク２０とヘッド２２のヘッド面６４との間の離隔距離（「浮上量」と称する）が減少する。
【００１３】
ヘッド２２がディスク２０から情報を読み出す際には記録コイル５８に記録電流は通電されず、代わりにヒータ６５が通電される。ヒータ６５が通電されることにより、ヒータがジュール熱により発熱する。当該発熱による加熱により、上記記録コイル５８に対する通電時と同様にヘッド２２のアルミナ部２２S2が熱膨張し、前記ヘッド面６４はディスク２０側、すなわち図２B中、下方向に突き出る。当該ヘッド面６４の突き出しの結果、当該ヘッド面６４に設けられている記録素子６３および読出素子６２はディスク２０に近づく。当該読出素子６２および記録素子６３がディスク２０に近づくことにより、ヘッド２２の浮上量が減少する。また読出素子６２は端子６２Ａにより外部回路と電気的に接続され、読出信号が引き出される。
【００１４】
図２Cに示す如く、アルミナ部２２S2に含まれている磁極６０は、X方向から順に、上部磁極６０−１および下部磁極６０−２を有する。またシールド６６は、X方向から順に、上部シールド６６−１、中間シールド（図２Cでは図示を省略）および下部シールド６６−２を有する。読出素子６２は上部シールド６６−１と中間シールドとの間に挿入されて取り付けられている。
【００１５】
図３はヘッドの評価装置の実施例であるヘッド評価装置を説明するためのブロック図である。
【００１６】
同ヘッド評価装置１００は、図１に示されるディスク２０を支持し、図１のスピンドルモータ１６同様にディスク２０を高速回転させるスピンドルモータ１１０を有する。ヘッド評価装置１００は更に、図２Ｂに示されるヘッド２２を上記ヘッドジンバルアッセンブリ２２Ａと同様のヘッドジンバルアッセンブリ１３０Aにより支持するヘッド取り付け台１３０を有する。
【００１７】
ヘッド評価装置１００は更に、ディスク２０へ記録すべき情報を有する信号を増幅し、あるいはディスク２０から読み出した情報を有する信号を増幅するプリアンプ１４０を有する。ヘッド評価装置１００は更に、プリアンプ１４０に接続され、ディスク２０へ記録すべき情報を有する信号を生成し、あるいはディスク２０から読み出した情報を有する信号から前記情報を再生する記録／再生回路１５０を有する。
【００１８】
ヘッド評価装置１００は更に、ディスク２０からヘッド２２を介して得られる位置情報を使用してディスク２０上のヘッド２２の位置を検出する位置検出部１７０と、ヘッド２２が有するヒータ６５を通電する電力を制御するヒータ電力制御部１８０とを有する。更にヘッド評価装置１００はスピンドルモータ１１０の回転数を制御するためのタイミング信号を生成するタイミング生成部１２０を有する。上記記録／再生回路１５０，位置検出部１７０，ヒータ電力制御部１８０、タイミング生成部１２０は夫々PC/IF（すなわちインタフェース）ボード１６０を介してパーソナルコンピュータ２００に接続されている。上記記録／再生回路１５０，位置検出部１７０，ヒータ電力制御部１８０、タイミング生成部１２０のそれぞれの構成は、例えば周知のハードディスク装置における、それぞれ対応する機能部分と同様の構成とすることができる。
【００１９】
図４、５とともに、上記ヘッド評価装置１００が実行するヘッド評価方法の概略を説明する。図4中、横軸は時間（ｔ）の経過を示し、縦軸はヘッド面６４の、ディスク２０の記録面からの浮上量（FH）を示す。
【００２０】
図４中、ステップS1にてヘッド２２内のヒータ６５を通電する。次にステップS2にて、上記ヒータ６５の通電を停止し、その状態で、ディスク２０の記録トラック中、先頭の第１セクタに対し、ヘッド２２にてデータの記録を行う。次にステップS3にて、上記記録トラック中、第６乃至１５セクタに対しヘッド２２にてデータの記録を行う。次にステップS4にて、上記ステップS2,S3にてディスク２０の記録トラックに書き込まれたデータをヘッド２２にて読み出す。また上記ステップS１乃至S４の動作を、ステップS1にて行うヒータ６５の通電の電力を異ならせた状態で複数回繰り返す。
【００２１】
図4中、K1は上記ステップS1におけるヒータ６５の通電の電力が０ｍＷの場合を示す。この場合、ステップS1ではヒータ６５の通電も記録コイル５８の通電もなされていない。その結果ヘッド面６４の突き出しはない。したがってステップS1において上記浮上量（FH）は図4に示される如く大きい。次のステップS2ではデータの記録がなされるため、記録コイル５８の通電がなされる。その結果記録コイル５８の通電によりヘッド２２のアルミナ部２２S2が加熱されて熱膨張し、ヘッド面６４の突き出しが徐々に生ずる。その結果図4に示される如く浮上量（FH）が徐々に減少する。浮上量が減少するとヘッド面６４とディスク２０の記録面との間の離隔距離が小さくなり、記録素子６３がディスク２０に及ぼす磁気的作用が増加する。その結果前記浮上量の減少にしたがって、ヘッド２２の記録素子６３によりディスク２０に記録されるデータの再生特性は徐々に向上する。次のステップS3にて更にデータの記録が行われる際には、ヘッド面６４の突き出しは既に上記減少した状態でほぼ安定しており、図4に示される如くステップS3の間、浮上量（FH）として略一定の値が維持されている。このようにK1の場合、ステップS２における浮上量に対し、ステップS3における浮上量が小さい。その結果、ステップS2において記録されたデータの再生特性に比し、ステップS3において記録されたデータの再生特性の方が高いものとなる。
【００２２】
図4中、K３は上記ステップS1におけるヒータ６５の通電の電力がRHm（ｍW）の場合を示す。この場合、ステップS1では上記ヒータ６５の通電によりヘッド２２のアルミナ部２２S2が加熱されて熱膨張し、ヘッド面６４の突き出し生じている。その結果ステップS1において上記浮上量（FH）は図4に示される如く小さい。次のステップS2では上記ヒータ６５の通電が停止されるが、データの記録がなされるため記録コイル５８の通電が開始される。その結果記録コイル５８の通電によりヘッド２２のアルミナ部２２S2が加熱されて熱膨張し、ヘッド面６４の突き出しが生ずる。ここでK3の場合、ステップS1におけるヒータ６５の通電による加熱の方が、ステップS２に記録コイル５８の通電による加熱に比して大きい。その結果ステップS１におけるヘッド面６４の突き出し量の方が、ステップS2におけるヘッド面６４の突き出し量に比して小さくなる。したがってK3の場合、ステップS2では、浮上量（FH）が徐々に増加する。浮上量が増加すると記録素子６３とディスク２０の記録面との間の離隔距離が大きくなり、記録素子６３がディスク２０に及ぼす磁気的作用が減少する。その結果前記浮上量の増加にしたがってヘッド２２の記録素子６３によりディスク２０に記録されるデータの再生特性は徐々に悪化する。次のステップS3にて更にデータの記録が行われる際には、ヘッド面６４の突き出しは上記増加した状態でほぼ安定しており、図4に示される如くステップS3の間、浮上量（FH）としては略一定の値が維持されている。このようにK３の場合、ステップS２における浮上量に対し、ステップS3における浮上量が大きい。その結果、ステップS2において記録されたデータの再生特性に比し、ステップS3において記録されたデータの再生特性の方が悪いものとなる。
【００２３】
図4中、K２は上記ステップS1におけるヒータ６５の通電の電力がRHｘ（ｍW）の場合を示す。この場合、ステップS1では上記ヒータ６５の通電によりヘッド２２のアルミナ部２２S2が加熱されて熱膨張し、ヘッド面６４の突き出し生じている。その結果ステップS1において上記浮上量（FH）は図4に示される如くK1の場合とK3の場合の間に位置する量である。次のステップS2では上記ヒータ６５の通電が停止されるが、データの記録がなされるため記録コイル５８の通電が開始される。記録コイル５８の通電によりヘッド２２のアルミナ部２２S2が加熱されて熱膨張し、ヘッド面６４の突き出しが生ずる。ここでK２の場合、ステップS1におけるヒータ６５の通電による加熱の影響と、ステップS２に記録コイル５８の通電による加熱の影響とが略等しい。その結果ステップS１におけるヘッド面６４の突き出し量と、ステップS2におけるヘッド面６４の突き出し量とが等しくなる。したがってK２の場合、ステップS2では、図示の如く、浮上量（FH）としては略一定の値が維持されている。浮上量が略一定の場合ヘッド面６４とディスク２０の記録面との間の離隔距離が略一定であり、記録素子６３がディスク２０に及ぼす磁気的作用が略一定となる。その結果ヘッド２２の記録素子６３によりディスク２０に記録されるデータの再生特性は略一定となる。次のステップS3にて更にデータの記録が行われる際には、上記記録素子６３および読出素子６２の突き出しは既に略安定しており、したがって図4に示される如くステップS3の間も、浮上量（FH）としては略一定の値が維持されている。このようにK２の場合、ステップS２における浮上量と、ステップS3における浮上量とが略等しい。その結果、ステップS2において記録されたデータの再生特性と、ステップS3において記録されたデータの再生特性とが略等しい。
【００２４】
実施例では上記K2の状態を求める。上記の如くK2の状態ではステップS２における浮上量と、ステップS3における浮上量とが略等しい。またステップS2において記録されたデータの再生特性と、ステップS3において記録されたデータの再生特性とが略等しい。そこでステップS2において記録されたデータの再生特性とステップS3において記録されたデータの再生特性とが略等しくなる場合、すなわち上記K2の場合の、ステップS１におけるヒータ６５の通電の電力を求める。上記の如くK2の場合は、ステップS3における記録コイル５８の通電による突き出しの場合の浮上量とステップS２におけるヒータ６５の通電による突き出しの場合の浮上量とが略等しい。したがってこの場合、すなわちK2の場合の浮上量が得られれば、当該得られた浮上量を、記録コイル５８の通電による浮上量と略等しいものとして得ることができる。そのため、図７とともに後述するタッチダウンプロファイルから予めヒータ６５の通電の電力の単位変動量に対するヘッド面６４の移動量を予め求めておく。そして当該ヒータ６５の通電の電力の単位変動量に対するヘッド面６４の移動量から、上記ステップS2において記録されたデータの再生特性とステップS3において記録されたデータの再生特性とが略等しくなる場合における突き出し量が求まる。すなわち上記K2の場合のステップS１におけるヒータ６５の通電の場合の突き出し量が得られる。そして上記の如く、当該得られた突き出し量を、記録コイル５８の通電による突き出し量、すなわち記録時の突き出し量と略等しいものとして得るのである。
【００２５】
なお上記図4の説明において、K１，K３，K2の3つの場合、すなわち３回についてのみ説明したが、実際にはステップS1におけるヒータ６５の通電の電力を異ならせた種々の場合につき、３回を超える多数回、ステップS1乃至S4を繰り返す。その結果、精度良く、上記ステップS2において記録されたデータの再生特性とステップS3において記録されたデータの再生特性とが略等しくなる場合、すなわちK2の場合を求めることができる。その結果、より高精度にステップS3における記録コイル５８の通電による突き出しの場合の浮上量とステップS２におけるヒータ６５の通電による突き出しの場合の浮上量とが略等しい場合のステップＳ１のヒータの通電の電力を求めることができる。その結果、より高精度に記録時の突き出し量を得ることができる。
【００２６】
図５は上記図4とともに説明した如く、ステップS1におけるヒータ６５の通電の電力を異ならせた種々の場合につき、多数回ステップS1乃至S4を繰り返した結果得られた、ヒータ65の通電の電力と、記録されたデータの再生特性との関係を示す。図５において横軸はステップS１におけるヒータ６５の通電の電力（ｍW）を示し、縦軸はステップS2あるいはステップS3の場合に記録されたデータの再生特性を示す。ここで当該再生特性として、周知のVMM（Viterbi Metric Margin）を使用する。すなわちVMMを使用し、ディスクの一の記録トラック中、先頭のセクタ（上記例の場合、第１セクタ）と、その後所定セクタ離れたセクタ（上記例の場合、第６乃至１５セクタ）のそれぞれにデータを記録してそれぞれのVMM、すなわちＶＭＭ１，ＶＭＭ２を得る。当該方法は「先頭、一周VMM法」と称される。当該「先頭、一周VMM法」を使用することにより、当該方法により得られる記録時の突き出し量の値の信頼性を高めることが可能となる。
【００２７】
先頭、一周VMM法では、図４とともに上記した如く、ステップS1におけるヒータ６５の通電の電力を0［mW］（すなわちK1の場合）からある値（すなわちK3の場合）まで段階的に変化させる。そしてヒータ６５の通電の電力が各値の場合につき、ステップS1乃至S4を実行する。そして各場合につき、ステップS2で記録されたデータのVMMであるVMM1と、ステップS３で記録されたデータのVMMであるVMM2とを、ステップS4にて再生することで測定する。ここでVMM1は上記の如く第１セクタの値であり、VMM2は媒体の面内バラツキの影響を出来るだけ受けないよう第1セクタの近傍のセクタ、上記例の場合第6乃至15セクタの値とすることができる。なおディスク２０の記録トラックの一周分は計256セクタを有する。図5中、突き出し量が略等しくなる上記K2の場合は、VMM1とVMM2との交点(すなわちRHx［mW］)の場合である。したがって前記交点におけるヒータ６５の通電の電力の値を突き出し量［nm］に換算することで、記録時の突き出し量を求めることができる。
【００２８】
記録時の突き出し量を測定する目的を以下に説明する。すなわち、１）ヘッドの改良のためのデータとして使用するために記録時の突き出し量を求める。また２）磁気ディスク装置の出荷時等において、当該磁気ディスク装置に搭載されるヘッドの特性を評価するために記録時の突き出し量を求める。
【００２９】
なお前記再生特性は上記ＶＭＭに限定される必要はない。他に上記再生特性の例としてエラーレートを使用することも可能である。また再生出力自体を再生特性として使用することもできる。
【００３０】
ここで上記第１セクタの再生特性と第６乃至１５セクタの再生特性とが等しくなる場合のヒータ６５の通電の電力を求める方法につき説明する。実際には上記第１セクタの再生特性と第６乃至１５セクタの再生特性との差が所定値以下の場合に、上記第１セクタの再生特性と第６乃至１５セクタの再生特性とが互いに等しいと判断することが可能である。あるいは以下の方法も可能である。すなわち図５に示す如く上記第１セクタの再生特性および第６乃至１５セクタの再生特性を夫々直線で近似する。ここで得られた両直線の交点のヒータ６５の通電の電力を求め、当該電力を上記第１セクタの再生特性と第６乃至１５セクタの再生特性とが等しくなる場合のヒータ６５の通電の電力として得ることが可能である。
【００３１】
また以下に述べる方法が可能である。すなわち、図４のＫ２の場合を求めるために、以下の手順を行う方法が可能である。ステップＳ１においてヒータ６５を通電する電力を種々に異ならせてステップＳ１乃至Ｓ４を行う場合に、ステップＳ１においてヒータ６５を通電する電力として、最初にある値を設定してステップＳ１乃至Ｓ４を実行する。その際ステップＳ４で得られた再生特性として第１セクタの再生特性が第６〜１５セクタの再生特性よりも良い場合には、次の回では、ステップＳ１においてヒータ６５の通電の電力を減少させてステップＳ１〜Ｓ４を行う。あるいはステップＳ４で得られた再生特性として第１セクタの再生特性が第６〜１５セクタの再生特性よりも悪い場合には、次の回では、ステップＳ１においてヒータ６５の通電の電力を増加させてステップＳ１〜Ｓ４を行う。その後も各回において、その際ステップＳ４で得られた再生特性として第１セクタの再生特性が第６〜１５セクタの再生特性よりも良い場合には、次の回では、ステップＳ１においてヒータ６５の通電の電力を減少させてステップＳ１〜Ｓ４を行う。またステップＳ４で得られた再生特性として第１セクタの再生特性が第６〜１５セクタの再生特性よりも悪い場合には、次の回では、ステップＳ１においてヒータ６５の通電の電力を増加させてステップＳ１〜Ｓ４を行う。このようにして効率的に、ステップＳ４で得られた再生特性がとしての第１セクタの再生特性と第６〜１５セクタの再生特性とが略等しくなる場合に到達するようにするのである。
【００３２】
次に図６とともに、上記ヘッド評価方法の動作の流れを更に詳細に説明する。なお以下に説明するヘッド評価方法のステップＳ１３，Ｓ１４，Ｓ１５，Ｓ１６，Ｓ１７，Ｓ１８の動作はパーソナルコンピュータ２００がヘッド評価プログラムを実行することにより自動的に実行されるようにすることが可能である。
【００３３】
まずステップＳ１１にて、図３に示される如く、操作者がヘッド２２およびディスク２０を、ヘッド評価装置１００のスピンドルモータ１１０およびヘッド取り付け台１３０に、それぞれ取り付ける。次にステップＳ１２にて、操作者は、パーソナルコンピュータ２００に対し、ヘッド２２の記録コイル５８に対する最適電流値を設定する。一例として最適電流値は３０ｍＡ〜４０ｍＡの範囲とされる。ステップＳ１３にてヘッド２２のタッチダウンプロファイルを測定する。タッチダウンプロファイルの測定については図７とともに後述する。
【００３４】
次にステップＳ１４にて、ヘッド２２の記録コイル５８に流す記録電流として、上記最適電流値の下限である３０ｍＡより１０ｍＡ小さい２０ｍＡを設定する。次にステップＳ１５にて、上記ステップＳ１におけるヒータ６５の通電の電力として、０〜４０ｍＷの電力を、４ｍＷステップで段階的に増加する。そして各電力の値ごとにステップＳ１〜Ｓ４を実行し、その都度、ステップＳ４で上記ＶＭＭ１，ＶＭＭ２を測定する。なおステップＳ２，Ｓ３における記録電流は上記の如く２０ｍＡである。又記録するデータは２００ＭＨｚの矩形波であり、記録電流が２０ｍＡの場合、当該矩形波の振幅は２０ｍＡとなる。
【００３５】
次にステップＳ１６にて、上記記録電流を１０ｍＡ増加する。次にステップＳ１７にて上記記録電流の値が６０ｍＡに達したか判定する。６０ｍＡに達していればステップＳ１８に移行する。６０ｍＡに達していなければ、ステップＳ１５に戻る。すなわち、上記最適電流値の範囲３０〜４０ｍＡに対し、上下１０ｍＡずつ広げ、記録電流２０，３０，４０，５０ｍＡの各々につき、測定を行う。ステップＳ１５では上記の如く、ステップＳ１のヒータ６５の通電の電力として、０〜４０ｍＷの電力を４ｍＷステップで段階的に増加し、各電力ごとに、上記記録電流にてステップＳ１〜Ｓ４を実行する。なおステップＳ２，Ｓ３における記録電流はステップＳ１６にて増加後の値である。又記録するデータは上記同様２００ＭＨｚの矩形波であり、当該矩形波の振幅は上記増加後の記録電流の値となる。
【００３６】
ステップＳ１８では、ステップＳ１５で測定された、０〜４０ｍＡで変化されたステップＳ１のヒータの通電の電力ごとのＶＭＭ１，ＶＭＭ２のそれぞれの測定値が直線に近似され、得られた直線同士の交点を求める。そして当該求められた交点のヒータ６５の通電の電力値を得る。次に、ステップＳ１３で測定されたタッチダウンプロファイルに基づき、ヒータ６５の通電の単位電力変動に対するヘッド面６４の移動量（ｎｍ／ｍＷ）を求める。具体的な求め方については図７とともに後述する。上記求められた交点のヒータ６５の通電の電力（ｍＷ）を上記ヒータ６５の通電の単位電力変動に対するヘッド面６４の移動量(ｎｍ／ｍＷ)に乗ずることで、記録時の突き出し量（ｎｍ）を得る。
【００３７】
次に図７とともにタッチダウンプロファイルの測定および当該測定結果に基づく上記ヒータ６５の通電の単位電力変動に対するヘッド面６４の移動量（ｎｍ／ｍＷ）の求め方を説明する。
【００３８】
図７はヒータ６５の通電の電力の増加による突き出し量の増加に伴う読出出力の増加の様子を示すグラフである。上記図６のステップＳ１３では、図３に示すヘッド評価装置１００にヘッド２２とディスク２０とを取り付けた状態で、ヒータ電力制御部１８０によりヒータ６５の通電の電力（ｍＷ）を徐々に増加させながら、読出素子６２でディスク２０から読み出されるデータの振幅（μＶｐｐ）（「読出出力」と称する）を測定する。その結果図７に示される如くのグラフを得る。
【００３９】
ここで上記の如くにディスク２０から読み出す対象たる、予めディスク２０に記録されていたデータの記録周波数をＶ２Ｆとする。当該Ｖ２Ｆ，当該データを読み出すディスク２０上の記録トラックの周速、ヒータ６５の通電の電力が０ｍＷの状態の読出出力Ｖ０、並びにタッチダウンポイントにおける読出出力Ｖｔおよびヒータ６５の通電の電力ＨＰが以下の値であったとする。
【００４０】
V2F周波数=200［MHz］
周速=30［m/sec］
Vt=5600［μVpp］
V0=3500［μVpp］
HP=100［mW］
周知の「ワラス（Ｗａｌｌａｃｅ）式」の算出方法によれば、ヘッド面６４とディスク２０の記録面との間の離隔距離ΔＳＰ（すなわちスペーシング量）は以下の式で得られる。
【００４１】
ΔSP (nm) = V/(2πf)ln(Vt/V0)
ここでＶは上記周速、ｆは上記Ｖ２Ｆ周波数を示す。上式に上記各値を代入すると、以下の通り、ΔＳＰとして略１１．２［ｎｍ］が得られる。
【００４２】
ΔSP (nm) = 30×109/(2π200×106)・ln(5600/3500) ≒ 11.2
ここで得られたΔＳＰ（ｎｍ）を上記ＨＰ（ｍＷ）の値で割って得られる値が、上記ヒータ６５の通電の単位電力変動に対するヘッド面６４の移動量(ｎｍ／ｍＷ)である。上記例の場合、ヒータ６５の通電の単位電力変動に対するヘッド面６４の移動量(ｎｍ／ｍＷ)は以下の通り求まる。
【００４３】
ΔSP/HP＝11.2/100=0.112 (nm/mW)
すなわちヒータ６５の通電の単位電力変動に対するヘッド面６４の移動量(ｎｍ／ｍＷ)として０．１１２（ｎｍ／ｍＷ）が得られる。当該ヒータ６５の通電の単位電力変動に対するヘッド面６４の移動量(ｎｍ／ｍＷ)に対し、図６のステップＳ１８で得られるＶＭＭ１，ＶＭＭ２のそれぞれが直線近似された直線同士の交点のヒータ６５の通電の電力（ｍＷ）を乗ずる。その結果記録時の突き出し量を得ることができる。
【００４４】
尚上記タッチダウンポイントとは、ヒータ６５の通電の電力の増加により突き出し量が増加した結果、最終的にヘッド２２のヘッド面６４がディスク２０の記録面に接触するに至った状態を意味する。ここで図７に示される如くのグラフからタッチダウンポイントを得る方法は以下の通りである。図７において、ヒータ６５の通電の電力、すなわちＨｅａｔｅｒ  Ｐｏｗｅｒ（ｍＷ）の増加に伴って読出出力、すなわちＶ２Ｆ  ＬＥＶＥＬ（μVpp）が増加する。そして最終的に読出出力が飽和し、それ以上ヒータの通電の電力を増加しても読出出力が増加しなくなる点がタッチダウンポイントである。尚、実際には必ずしも上記最終的に読出出力が飽和しそれ以上ヒータの通電の電力を増加しても読出出力が増加しなくなる点を明確に判定できないような場合が生じ得る。そのような場合以下の方法が可能である。すなわち、ヒータの通電の電力を０（ｍＷ）から徐々に増加させてゆく過程で読出出力が直線的に増加する間の右肩上がりの直線と、その後読出出力が飽和して一定となった状態の水平な直線との交点をタッチダウンポイントとして得ることができる。
【００４５】
図８は情報記憶装置の実施例としての磁気ディスク装置のブロック図である。当該磁気ディスク装置１０は例えば図１とともに上述した如くの構造を有する。図８において、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）として知られた磁気ディスク装置１０は、ディスクエンクロージャ１４と制御ボード１２とを有する。ディスクエンクロージャ１４にはスピンドルモータ（ＳＰＭ）１６が設けられ、スピンドルモータ１６の回転軸にディスク（媒体）２０−１，２０−２が装着され、一定時間例えば４２００ｒｐｍで回転される。
【００４６】
またディスクエンクロージャ１４にはボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１８が設けられ、ボイスコイルモータ１８はヘッドアクチュエータのアーム先端にヘッド２２−１〜２２−４を搭載している。ボイスコイルモータ１８はディスク２０−１，２０−２の記録面に対するヘッドの位置決めを行う。なお、ヘッド２２−１〜２２−４には記録素子と読出素子とが一体化されて搭載されている。
【００４７】
ヘッド２２−１〜２２−４はヘッドＩＣ２４に対し信号線で接続されており、ヘッドＩＣ２４は上位装置となるホストからのライトコマンドまたはリードコマンドに基づくヘッドセレクト信号で１つのヘッドが選択され記録または読み出しが行われる。またヘッドＩＣ２４には、ライト系についてはライトアンプが設けられ、リード系についてはプリアンプが設けられている。
【００４８】
制御ボード１２にはＭＰＵ２６が設けられ、ＭＰＵ２６のバス２８に対し、ＲＡＭを用いた制御プログラム及び制御データを格納するメモリ３０、ＦＲＯＭ等を用いた制御プログラムを格納する不揮発メモリ３２が設けられている。
【００４９】
またＭＰＵ２６のバス２８には、ホストインタフェース制御部３４、バッファメモリ制御部３６、ハードディスクコントローラ４０、リードチャネル４２および駆動部４４が設けられている。バッファメモリ制御部３６はバッファメモリ３８を制御する。リードチャネル４２はライト変調部およびリード復調部として機能する。駆動部４４はボイスコイルモータ１８及びスピンドルモータ１６を制御する。
【００５０】
ここで制御ボード１２におけるＭＰＵ２６、メモリ３０、ホストインタフェース制御部３４、バッファメモリ制御部３６、ハードディスクコントローラ４０及びリードチャネル４２は、１つの制御装置１５として形成することが可能である。具体的には制御装置１５は１つのＬＳＩ装置として形成され得る。
【００５１】
磁気ディスク装置１０は、ホストからのコマンドに基づき書込処理及び読出処理を行う。ここで、磁気ディスク装置１０における通常の動作を説明すると次のようになる。
【００５２】
ホストからのライトコマンドとライトデータとはホストインタフェース制御部３４で受けられ、ライトコマンドがＭＰＵ２６で解読され、受信されたライトデータが必要に応じてバッファメモリ３８に格納される。その後ライトデータはハードディスクコントローラ４０で所定のデータ形式に変換されると共にＥＣＣ処理によりＥＣＣ符号が付加される。更にライトデータはリードチャネル４２におけるライト変調系でスクランブル、ＲＬＬ符号変換、更に書込補償が行われる。その後、ライトデータはライトアンプからヘッドＩＣ２４を介して選択された例えばヘッド２２−１の記録素子から磁気ディスク２０に記録される。
【００５３】
このときＭＰＵ２６からＶＣＭモータドライバなどを備える駆動部４４にヘッド位置決め信号が与えられており、ボイスコイルモータ１８によりヘッドがコマンドで指示された目標トラックにシークされた後にオントラックされトラック追従制御が行われている。
【００５４】
一方、ホストからのリードコマンドがホストインタフェース制御部３４で受けられると、リードコマンドはＭＰＵ２６で解読される。そしてヘッドＩＣ２４のヘッドセレクトで選択されたヘッド２２−１の読出素子により読み出された読出信号がプリアンプで増幅される。その後読出信号はリードチャネル４２のリード復調系に入力され、パーシャルレスポンス最尤検出（ＰＲＭＬ）などによりリードデータが復調され、ハードディスクコントローラ４０でＥＣＣ処理がなされてエラーが検出され訂正される。その後リードデータはバッフメモリ３８にバッファリングされ、ホストインタフェース制御部３４からホストに転送される。
【００５５】
ＭＰＵ２６にはプログラムの実行により実現されるヒータ電力制御部４６と記録時突き出し量取得部４８とが設けられる。ヘッド２２−１〜２２−４は図２Ｂとともに上記したヘッド２２同様、読出素子６２と記録素子６３とを備える。また図２Ｂとともに上記したヘッド２２同様、ヘッド２２−１〜２２−４には、通電加熱に伴う熱膨張により突き出し量を変化させるヒータ６５が設けられている。
【００５６】
ヒータ電力制御部４６は図３とともに上述したヘッド評価装置１００に含まれるヒータ電力制御部１８０と同様の機能を有する。また記録時突き出し小取得部４８は、上記ヘッド評価装置１００を制御するパーソナルコンピュータ２００が実行する、図６のフローチャート中、ステップＳ１２〜Ｓ１８の動作を自動的に実行する機能を有する。図８の磁気ディスク装置１０では、上記ステップＳ１２〜Ｓ１８の動作の実行時、上記ヘッドＩＣ２４，制御装置１５、不揮発メモリ３２，駆動部４４，ＳＰＭ１６等の機能が適宜利用される。その結果、図８に示される磁気ディスク装置１０において、図３乃至図７とともに上述したヘッド評価方法が自動的に実行され、ヘッド２２−１〜２２−４の記録時の突き出し量が求められる。
【００５７】
次に図９、図１０とともに、図３とともに上述したヘッド評価装置１００を使用し、図６とともに上述したヘッド評価方法を実行した場合に得られた実験結果について説明する。
【００５８】
図９（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、それぞれ記録電流が２０ｍＡ，３０ｍＡ，４０ｍＡ，５０ｍＡの場合について、図６のステップ１５を実行した結果得られたデータをそれぞれ示す。図９の各グラフ中、横軸は上記ステップＳ１におけるヒータ６５の通電の電力（ｍＷ）示し、縦軸は上記ＶＭＭ１あるいはＶＭＭ２の値を示す。また図９中、「ＶＭＭ１」、「ＶＭＭ２（６−１５）」は、それぞれ上記ＶＭＭ１，ＶＭＭ２の測定結果を示す。また図９の各グラフ中、互いに交わる２本の直線は、上記ＶＭＭ１，ＶＭＭ２の測定値を直線近似したものを示す。
【００５９】
図１０（ａ）は上記図９のグラフの基となる測定値を示す。Ｉｗは記録電流を示し、Ｒ−Ｈ．Ｐ．は上記ステップＳ１におけるヒータ６５の通電の電力（ｍＷ）を示し、「ＶＭＭ１」、「ＶＭＭ２（６−１５）」は、それぞれ上記ＶＭＭ１，ＶＭＭ２の測定結果を示す。
【００６０】
図１０（ｂ）は記録電流が２０〜５０ｍＡのそれぞれの場合における、上記交点のヒータ６５の通電の電力（ｍｗ）値を示す。
【００６１】
図１０（ｃ）中、ＴＤＰは、上記タッチダウンポイントのヒータ６５の通電の電力値（ｍＷ）を示し、ΔＳＰは上記ΔＳＰ（ｎｍ）を示し、ΔＳＰ／ＴＤＰは上記ヒータ６５の通電の単位電力変動に対するヘッド面６４の移動量(ｎｍ／ｍＷ)を示す。
【００６２】
図１０（ｄ）は記録電流が２０〜５０ｍＡのそれぞれの場合における記録時の突き出し量（ｎｍ）を示す。当該突き出し量は、図１０（ｂ）に示される上記交点のヒータ６５の通電の電力（ｍｗ）値に対し、図１０（ｃ）のΔＳＰ／ＴＤＰの値を乗じて求めた値である。
【００６３】
図１０（ｅ）は記録電流が２０〜５０ｍＡのそれぞれの場合における、図９に示す上記ＶＭＭ１，ＶＭＭ２の測定値を直線近似した直線の傾きおよび縦軸切片の値を示す。
【００６４】
以上の実施例を含む実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
読出素子と、記録素子と、前記記録素子による記録時に記録電流を通電する記録コイルと、通電加熱に伴う熱膨張により前記読出素子および記録素子の媒体に対する突き出し量を変化させるヒータとを備えたヘッドの評価方法であって、
前記ヘッドを回転する前記媒体上に浮上させる浮上工程と、
前記ヒータを所定の電力で通電し前記読出素子および記録素子を前記媒体に対し突き出させる突き出し工程と、
前記ヒータへの通電を停止し、前記媒体上の当該通電停止後最初のセクタである第１のセクタにデータを記録する第１の記録工程と、
前記媒体上の前記第１のセクタから所定セクタ離れた第２のセクタにデータを記録する第２の記録工程と、
前記第１のセクタおよび第２のセクタに記録されたデータを再生し、前記第１のセクタに記録されたデータの再生特性と、前記第２のセクタに記録されたデータの再生特性とを求める再生工程と、
前記突き出し工程における前記所定の電力を変化させて前記突き出し工程、第１の記録工程、第２の記録工程および再生工程を繰り返し行い、前記第１のセクタの再生特性と第２のセクタの再生特性とが等しくなる場合の前記ヒータの前記所定の電力の値を求め、当該電力の値から、記録時に前記記録コイルに通電する記録電流による前記読出素子および記録素子の前記媒体に対する突き出し量を算出する記録時突き出し量取得工程とを有するヘッドの評価方法。
（付記２）
前記記録時突き出し量取得工程では、前記第１のセクタの再生特性が、前記第２のセクタの再生特性よりも良い場合には、前記突き出し工程における前記所定の電力を減少させて前記突き出し工程、第１の記録工程、第２の記録工程および再生工程を繰り返し行うことにより、前記第１のセクタの再生特性と第２のセクタの再生特性とが等しくなる場合の前記ヒータの前記所定の電力の値を求め、
前記第１のセクタの再生特性が、前記第２のセクタの再生特性よりも悪い場合には、前記突き出し工程における前記所定の電力を増加させて前記突き出し工程、第１の記録工程、第２の記録工程および再生工程を繰り返し行うことにより、前記第１のセクタの再生特性と第２のセクタの再生特性とが等しくなる場合の前記ヒータの前記所定の電力の値を求めることを特徴とする付記１に記載のヘッドの評価方法。
（付記３）
更に、前記ヒータを通電した際の前記読出素子及び記録素子の前記媒体に対する突き出し量を測定することにより、前記ヒータに通電する電力の電力値と前記読出素子及び記録素子の前記媒体に対する相対位置との関係であるタッチダウンプロファイルを予め求めるタッチダウンプロファイル取得工程を有し、
前記記録時突き出し量取得工程では、前記タッチダウンプロファイルに基づき、前記第１のセクタの再生特性と第２のセクタの再生特性とが等しくなる場合の前記ヒータの前記所定の電力の値と等しい値の記録電流を前記記録コイルに通電した際の前記読出素子及び記録素子の前記媒体に対する突き出し量を換算により求めることを特徴とする付記１または２に記載のヘッドの評価方法。
（付記４）
前記再生特性が、再生出力およびエラー特性のうちのいずれかであることを特徴とする付記１乃至３のうちの何れか一項に記載のヘッドの評価方法。
（付記５）
読出素子と、記録素子と、前記記録素子による記録を行う際に記録電流を通電する記録コイルと、通電加熱に伴う熱膨張により該読出素子および記録素子の媒体に対する突き出し量を変化させるヒータとを備えたヘッドの評価装置であって、
前記ヒータを通電するためのヒータ電力制御部と、
前記ヘッドを用いて前記媒体上のデータを再生または前記媒体上にデータを記録する再生記録制御部と、
記録時に前記記録コイルに通電する記録電流による前記読出素子及び記録素子の前記媒体に対する突き出し量を求めるための記録時突き出し量取得部とを有し、
前記記録時突き出し量取得部は、前記ヒータ電力制御部により、前記ヒータを所定の電力で通電して前記読出素子および記録素子を前記媒体に対し突き出させた後に、前記ヒータへの通電を停止し、前記再生記録制御部により、前記媒体上の前記通電停止後最初のセクタである第１のセクタと、前記第１のセクタから所定セクタ離れた第２のセクタとにデータを記録し、前記第１のセクタに記録されたデータおよび第２のセクタに記録されたデータを再生して前記第１のセクタの再生特性及び前記第２のセクタの再生特性を求めた場合に、前記第１のセクタの再生特性と第２のセクタの再生特性とが等しくなる場合の前記ヒータの前記所定の電力の値を求め、当該電力の値から、記録時に前記記録コイルに通電する記録電流による前記読出素子及び記録素子の前記媒体に対する突き出し量を算出することを特徴とするヘッドの評価装置。
（付記６）
前記記録時突き出し量取得部は、前記第１のセクタの再生特性が、前記第２のセクタの再生特性よりも良い場合には、前記ヒータの前記所定の電力を減少させて前記ヒータに前記所定の電力を通電して前記読出素子および記録素子を前記媒体に対し突き出させ、前記ヒータへの通電を停止し前記媒体上の前記通電停止後最初のセクタである第１のセクタと前記第１のセクタから所定セクタ離れた第２のセクタとにデータを記録し前記第１のセクタの再生特性及び前記第２のセクタの再生特性を求めることを繰り返すことにより、前記第１のセクタの再生特性と第２のセクタの再生特性とが等しくなる場合の前記ヒータの前記所定の電力の値を求め、
前記第１のセクタの再生特性が、前記第２のセクタの再生特性よりも悪い場合には、前記ヒータの前記所定の電力を増加させて前記ヒータに前記所定の電力を通電して前記読出素子および記録素子を前記媒体に対し突き出させ、前記ヒータへの通電を停止し前記媒体上の前記通電停止後最初のセクタである第１のセクタと前記第１のセクタから所定セクタ離れた第２のセクタとにデータを記録し前記第１のセクタの再生特性および前記第２のセクタの再生特性を求めることを繰り返すことにより、前記第１のセクタの再生特性と第２のセクタの再生特性とが等しくなる場合の前記ヒータの前記所定の電力の値を求めることを特徴とする付記５に記載のヘッドの評価装置。
（付記７）
前記記録時突き出し量取得部は、前記ヒータを通電した際の前記読出素子及び記録素子の前記媒体に対する突き出し量を測定することにより、前記ヒータに通電する電力の電力値と前記読出素子及び記録素子の前記媒体に対する相対位置との関係であるタッチダウンプロファイルを予め求め、
前記タッチダウンプロファイルに基づき、前記第１のセクタの再生特性と第２のセクタの再生特性とが等しくなる場合の前記ヒータの前記所定の電力の値と等しい値の記録電流を前記記録コイルに通電した際の前記読出素子及び記録素子の前記媒体に対する突き出し量を換算により求めることを特徴とする付記５または６に記載のヘッドの評価装置。
（付記８）
前記再生特性が、再生出力またはエラー特性のいずれかであることを特徴とする付記５乃至７のうちの何れかに記載のヘッドの評価装置。
（付記９）
読出素子と、記録素子と、前記記録素子による記録の際に記録電流を通電する記録コイルと、通電加熱に伴う熱膨張により該読出素子および記録素子の突き出し量を変化させるヒータを備えたヘッドを有する情報記憶装置であって、
前記ヒータを通電するためのヒータ電力制御部と、
前記ヘッドを用いて媒体上のデータを再生または媒体上にデータを記録する再生記録制御部と、
記録時に前記記録コイルに通電する記録電流による前記読出素子及び記録素子の前記媒体に対する突き出し量を求めるための記録時突き出し量取得部とを有し、
前記記録時突き出し量取得部は、前記ヒータ電力制御部により、前記ヒータに所定の電力を通電して前記読出素子および記録素子を前記媒体に対し突き出させた後に、前記ヒータへの通電を停止し、前記再生記録制御部により、前記媒体上の最初のセクタである第１のセクタにデータを記録し、前記第１のセクタから所定セクタ離れた第２のセクタにデータを記録し、前記第１のセクタに記録されたデータおよび前記第２のセクタに記録されたデータを再生して前記第１のセクタの再生特性および前記第２のセクタの再生特性を求めた場合に、前記第１のセクタの再生特性と第２のセクタの再生特性とが等しくなる場合の前記ヒータの前記所定の電力の値を求め、当該電力の値を用いて、前記記録時に前記記録コイルに通電する記録電流による前記読出素子及び記録素子の前記媒体に対する突き出し量を計算することを特徴とする情報記憶装置。
（付記１０）
前記記録時突き出し量取得部は、前記第１のセクタの再生特性が、前記第２のセクタの再生特性よりも良い場合には、前記ヒータの前記所定の電力を減少させて前記ヒータに前記所定の電力を通電して前記読出素子および記録素子を前記媒体に対し突き出させ、前記ヒータへの通電を停止し前記媒体上の前記通電停止後最初のセクタである第１のセクタと前記第１のセクタから所定セクタ離れた第２のセクタとにデータを記録し前記第１のセクタの再生特性及び前記第２のセクタの再生特性を求めることを繰り返すことにより、前記第１のセクタの再生特性と第２のセクタの再生特性とが等しくなる場合の前記ヒータの前記所定の電力の値を求め、
前記第１のセクタの再生特性が、前記第２のセクタの再生特性よりも悪い場合には、前記ヒータの前記所定の電力を増加させて前記ヒータに前記所定の電力を通電して前記読出素子および記録素子を前記媒体に対し突き出させ、前記ヒータへの通電を停止し前記媒体上の前記通電停止後最初のセクタである第１のセクタと前記第１のセクタから所定セクタ離れた第２のセクタとにデータを記録し前記第１のセクタの再生特性および前記第２のセクタの再生特性を求めることを繰り返すことにより、前記第１のセクタの再生特性と第２のセクタの再生特性とが等しくなる場合の前記ヒータの前記所定の電力の値を求めることを特徴とする付記９に記載の情報記憶装置。
（付記１１）
前記記録時突き出し量取得部は、前記ヒータを通電した際の前記読出素子及び記録素子の前記媒体に対する突き出し量を測定することにより、前記ヒータに通電する電力の電力値と前記読出素子及び記録素子の前記媒体に対する相対位置との関係であるタッチダウンプロファイルを予め求め、
前記タッチダウンプロファイルに基づき、前記第１のセクタの再生特性と第２のセクタの再生特性とが等しくなる場合の前記ヒータの前記所定の電力の値と等しい値の記録電流を前記記録コイルに通電した際の前記読出素子及び記録素子の前記媒体に対する突き出し量を換算により求めることを特徴とする付記９または１０に記載の情報記憶装置。
（付記１２）
前記再生特性が、再生出力またはエラー特性のいずれかであることを特徴とする付記９乃至１１のうちの何れかに記載の情報記憶装置。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】ヘッド評価装置の評価対象としての磁気ヘッドを含む磁気ディスク装置の斜視図である。
【図２Ａ】図１の磁気ディスク装置に含まれるヘッドジンバルアッセンブリを拡大して示す斜視図である。
【図２Ｂ】図２Ａのヘッドジンバルアッセンブリに含まれるスライダの側断面を示す図である。
【図２Ｃ】図２Ｂのスライダの一部分を拡大して示す斜視図である。
【図３】ヘッドの評価装置の実施例であるヘッド評価装置の構成の概略を説明するためのブロック図である。
【図４】ヘッドの評価装置の実施例であるヘッド評価装置が実施するヘッド評価方法の概略を説明するための図（その１）である。
【図５】ヘッドの評価装置の実施例であるヘッド評価装置が実施するヘッド評価方法の概略を説明するための図（その２）である。
【図６】ヘッドの評価装置の実施例であるヘッド評価装置が実施するヘッド評価方法の動作の流れを説明するための動作フローチャートである。
【図７】タッチダウンプロファイルついて説明するための図である。
【図８】情報記憶装置の実施例である磁気ディスク装置のブロック図である。
【図９】ヘッドの評価装置の実施例であるヘッド評価装置の実験データについて説明するための図（その１）である。
【図１０】ヘッドの評価装置の実施例であるヘッド評価装置の実験データについて説明するための図（その２）である。
【符号の説明】
【００６６】
１６  スピンドルモータ
１８  ボイスコイルモータ
２０  ディスク
２２  ヘッド
２２A  ヘッドジンバルアッセンブリ
２２S  スライダ
２２T  サスペンション
５８  記録コイル
６０  磁極
６２  読出素子
６３  記録素子
６３Ａ  記録ギャップ
６４  ヘッド面
６４−１  ヘッド面（突き出し状態）
６５  ヒータ
１００  ヘッド評価装置
１１０  スピンドルモータ
１２０  タイミング生成部
１３０  ヘッド取り付け台
１４０  プリアンプ
１５０  記録／再生回路
１７０  位置検出部
１８０  ヒータ電力制御部
２００  PC(パーソナルコンピュータ)
【図１】
2010135013.tif 000003
【図２Ａ】
2010135013.tif 000004
【図２Ｂ】
2010135013.tif 000005
【図２Ｃ】
2010135013.tif 000006
【図３】
2010135013.tif 000007
【図４】
2010135013.tif 000008
【図５】
2010135013.tif 000009
【図６】
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【図７】
2010135013.tif 000011
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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