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【手続補正書】
【提出日】令和3年3月11日(2021.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サンプル中の少なくとも１つのアナライトの存在又は濃度の決定方法であって、
少なくとも１つのタイプのアナライト分子と共にインキュベートされた少なくとも１つのタイプの光学レポーター分子により発せられる複数のシグナルの画像中で、
各タイプの光学レポーター分子に対して、結合及び非結合光学レポーター分子を個別に解像することにより前記画像中でアナライト分子に結合された離散光学レポーター分子（「結合光学レポーター分子」）の数とアナライトに結合されていない離散光学レポーター分子（「非結合光学レポーター分子」）の数とを決定することと、
光学レポーター分子の全数に対する分率として又はその分率に比例するものとして結合光学レポーター分子の数からアナライトの存在又は濃度を決定することと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つのアナライトの濃度が決定される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記アナライトが、
・ヌクレオチド配列、及び
・抗原
から選択される、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記光学レポーター分子が、
・前記アナライトに結合する１つ以上のヌクレオチド配列、及び
・前記アナライトに結合する抗体又はそのフラグメント
から選択されるキャプチャーエレメントを含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
各光学レポーター分子がプラズモンナノ粒子を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記光学レポーター分子が、１つ以上のプラズモンナノ粒子上に機能化された１つ以上のヌクレオチド配列を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記光学レポーター分子が、１つ以上のプラズモンナノ粒子上に機能化された１つ以上の抗体を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記光学レポーター分子からの前記シグナルが、
・光の波長、
・シグナルの強度、
・明るさ、
・シグナル又はスペクトルの形状、及び
・スペクトルバンドの存在又は不在
から選択される、請求項１から７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記結合及び非結合光学レポーター分子が、
・特定波長超又は未満のスペクトル中心のシフト、
・シグナルのサイズ又は強度の変化、
・明るさの増加又は減少、
・シグナル形状の変化、
・スペクトルバンドの存在又は不在、及び
・スペクトル形状の変化
により個別に解像される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記光学レポーター分子により発せられる前記シグナルが光の波長であり、前記結合及び非結合光学レポーター分子が、特定波長超又は未満のスペクトル中心のシフトにより個別に解像される、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記方法が、前記画像中でアナライト分子に結合された離散活性光学レポーター分子（「結合活性光学レポーター分子」）の数とアナライトに結合されていない離散光学レポーター分子（「非結合活性光学レポーター分子」）の数とを決定する、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記方法がサンドイッチ型アッセイを利用する、請求項１から１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
各固着光学レポーター分子が空間分解可能なように、第１のタイプの光学レポーター分子が表面（レポーター表面）に固着され、前記第１のタイプの光学レポーター分子が、プラズモンナノ粒子上に機能化されたアナライトキャプチャーエレメントを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
第２のタイプの光学レポーター分子が前記サンプルと共に又はその後に添加され、前記第２のタイプの光学レポーター分子が、プラズモンナノ粒子上に機能化された前記アナライトキャプチャーエレメントを含む、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記アナライトが抗原であり、各光学レポーター分子が前記キャプチャーエレメントとして抗体又はそのフラグメントを含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記アナライトがヌクレオチド配列であり、各光学レポーター分子が、前記キャプチャーエレメントとして前記アナライトヌクレオチド配列に相補的な１つ以上のヌクレオチド配列を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記方法が、モバイルデバイスを含むディジタル分子アッセイシステムで実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
サンプル中のアナライトの濃度を決定するためのディジタルアッセイシステムであって、
・イメージセンサー、
・画像を表示可能なスクリーン、
・マイクロプロセッサー、
・メモリー、
・イメージセンサーによりキャプチャーされたデータの解析及びデータのディジタル分類が可能である、メモリーに記憶されてプロセッサーにより実行可能な画像解析ソフトウェア、及び
・任意に通信インターフェース
を含み、
・キャプチャーエレメントを用いて機能化されたプラズモンナノ粒子を含む光学レポーター分子が片側に固着されてガラス又はポリマーで作製されたレポーター表面、及び
・レポーター表面の反対側に接触する暗視野顕微鏡法に好適な導波路
を追加的に含み、
各固着光学レポーター分子が空間分解可能である、ディジタルアッセイシステム。
【請求項１９】
前記アナライトが抗原であり、各光学レポーター分子が、前記キャプチャーエレメントとして抗体又はそのフラグメントを含む、請求項１８に記載のディジタルアッセイシステム。
【請求項２０】
前記アナライトがヌクレオチド配列であり、各光学レポーター分子が、前記キャプチャーエレメントとして前記アナライトヌクレオチド配列に相補的な１つ以上のヌクレオチド配列を含む、請求項１８に記載のディジタルアッセイシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月18日(2021.1.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
約３００ｎｍ〜約２０００ｎｍの波長で動作するよう構成され、更に伝送端部、別の端部、ファイバ外径、及びファイバ長によって画定された、光ファイバを備える、ファイバセンサであって、
前記ファイバは：
シングルモードコア部分及びマルチモードコア部分を備える、ハイブリッドコア；並びに
前記ハイブリッドコアを取り囲む、クラッド
を備える、ファイバセンサ。
【請求項２】
前記シングルモードコア部分はＧｅＯ２を含み、
前記シングルモードコア部分中のＧｅＯ２の最大量は、６重量％〜５０重量％である、請求項１に記載のファイバセンサ。
【請求項３】
前記マルチモードコア部分は、０〜４５重量％のＧｅＯ２を含む、請求項１又は２に記載のファイバセンサ。
【請求項４】
（ｉ）前記ファイバ長は約１０ｍ〜１００ｋｍであり；並びに／又は
（ｉｉ）前記ファイバの前記伝送端部の前記コアは、前記ファイバ内に、約１マイクロメートル〜約１００マイクロメートルのスポットサイズを有する単一の光源からの入射光を受信するよう配設及び構成される、請求項１〜３のいずれか１項に記載のファイバセンサ。
【請求項５】
前記シングルモードコア部分は、最大相対屈折率Δ３１を有し、
前記マルチモード差分コア部分は、最大相対屈折率Δ３２を有し、
０．２％≦Δ３１−Δ３２≦１％である、請求項１〜４のいずれか１項に記載のファイバセンサ。
【請求項６】
前記ファイバの前記伝送端部は、光源からの光が前記ファイバの前記伝送端部において前記コアに入射した後に、前記シングルモードコア部分及び前記マルチモードコア部分の両方から放出される、全後方散乱信号を発する、請求項１〜５のいずれか１項に記載のファイバセンサ。
【請求項７】
前記全後方散乱信号は、基準シングルモードコア光ファイバからの後方散乱信号からのＳＮ比より大きなＳＮ比を有する、請求項６に記載のセンサ。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載のファイバセンサシステムであって、
前記光ファイバは、約３００ｎｍ〜約２０００ｎｍの波長でのシングルモード動作又はいくつかのモードでの動作のために構成され、
前記ファイバセンサシステムは更に：
入射光のスポットを、前記ファイバの前記伝送端部において、前記コアの少なくとも一部分へと配向するよう構成された、光源；
前記入射光のスポットが、前記ファイバの前記伝送端部において、前記ハイブリッドコアに入射した後に、前記ハイブリッドコアから放出される全後方散乱信号を受信するよう構成された、レシーバ；並びに
前記後方散乱信号を処理して、前記ファイバに近接した又は接触した特徴部分に対応するセンサ測定値を得るよう構成された、信号問い合わせ要素
を備える、請求項１〜７のいずれか１項に記載のファイバセンサシステム。
【請求項９】
（ｉ）シングルモードコア部分及びマルチモードコア部分を備える、ハイブリッドコア；並びに
（ｉｉ）前記ハイブリッドコアを取り囲む、クラッド、
を備える、光ファイバであって、
前記マルチモードコア部分中のＧｅＯ２の最大量は、５．５重量％〜３５重量％である、光ファイバ。
【請求項１０】
前記シングルモードコア部分中のＧｅＯ２の最大量は、６重量％〜５０重量％であり、
前記シングルモードコア部分は最大相対屈折率Δ３１を有し、
前記マルチモード差分コア部分は最大相対屈折率Δ３２を有し、
０．２％≦Δ３１−Δ３２≦１％である、請求項９に記載の光ファイバ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月15日(2020.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
各光ケーブルが少なくとも１つの光導波路のアレイと、前記光導波路のアレイに取り付けられた少なくとも１つの光フェルールとを備える、１つ以上の光ケーブルと、
ハウジングであって、
第１のハウジング部分と、
前記第１のハウジング部分と係合された第２のハウジング部分であって、前記第２のハウジング部分は、少なくとも１つのキャリア及びフレームを備え、前記第２のハウジング部分の前記キャリア及びフレームは、前記１つ以上の光ケーブルを支持するように構成され、前記第１のハウジング部分及び前記第２のハウジング部分は、前記第１のハウジング部分と前記第２のハウジング部分との機械的係合が前記フレームに対して前記キャリアを移動させるように構成され、前記フレームに対する前記キャリアの移動は、各光導波路の屈曲及び各フェルールの回転を生じさせ、前記屈曲は、前記フェルールの所定角度で前記光導波路の所定のばね力を提供する、前記第２のハウジング部分と、
を含む、前記ハウジングと、
を備える、光コネクタ。
【請求項２】
前記第２のハウジング部分は、少なくとも第１の挿入軸に沿った前記キャリア及び前記フレームへの前記光ケーブルの挿入を可能にするように構成され、
前記第１のハウジング部分及び前記第２のハウジング部分は、前記第１のハウジング部分と前記第２のハウジング部分との機械的係合により、構成軸に沿って前記フレームに対して前記キャリアを移動させるように構成され、前記第１の挿入軸は、前記光コネクタの嵌合軸に実質的に直交する横軸であり、前記構成軸は、前記光コネクタの嵌合軸に実質的に垂直の垂直軸であり、前記第２のハウジング部分は、前記第１の挿入軸に沿った、かつ前記第１の挿入軸に実質的に直交する第２の挿入軸に沿った前記キャリア及び前記フレームへの前記光ケーブルの挿入を可能にするように構成されている、請求項１に記載の光コネクタ。
【請求項３】
各光ケーブルが少なくとも１つの光導波路のアレイと、前記光導波路のアレイに取り付けられた少なくとも１つの光フェルールとを備える、１つ以上の光ケーブルと、
少なくとも１つのキャリア及びフレームを備えるハウジングであって、前記キャリア及び前記フレームは、前記１つ以上の光ケーブルを支持するように構成されている、前記ハウジングと、
アクチュエータであって、前記アクチュエータの動作が前記キャリアと前記フレームとの間の相対的な動きを生じさせるように構成され、前記キャリアと前記フレームとの間の前記相対的な動きにより、前記光導波路の屈曲及び前記フェルールの回転を生じさせ、前記屈曲は、前記光コネクタの嵌合軸に対して前記フェルールの所定角度で前記導波路の所定のばね力を提供する、前記アクチュエータと、
を備える、光コネクタ。
【請求項４】
各光ケーブルが少なくとも１つの光導波路のアレイと、前記光導波路に取り付けられた少なくとも１つの光フェルールとを備える、１つ以上の光ケーブルと、
１つ以上の導波路支持壁を含むハウジングであって、各導波路支持壁は、前記光ケーブルの導波路が実質的に直線状の構成であるときに、前記ハウジングへの前記光ケーブルの挿入を可能にするように構成され、各導波路支持壁は、前記導波路が前記ハウジング内で屈曲した後に、前記光コネクタの嵌合軸に対して所定角度で前記導波路を支持する傾斜面を有し、前記ハウジングは、
第１のハウジング部分と、
前記第１のハウジング部分と係合された第２のハウジング部分であって、前記第２のハウジング部分は、互いに対して移動するように構成されたキャリア及びフレームを備え、前記第１のハウジング部分と前記第２のハウジング部分との係合により、前記キャリア及び前記フレームの前記相対的な移動を生じさせ、前記キャリア及び前記フレームの前記相対的な移動は、前記ハウジング内での前記導波路の屈曲を生じさせる、前記第２のハウジング部分と、を含む、前記ハウジングと、
を備える、光コネクタ。
【請求項５】
各光ケーブルが少なくとも１つの光導波路のアレイと、前記光導波路アレイに取り付けられた少なくとも１つの光フェルールとを備える、１つ以上の光ケーブルと、
前記光ケーブルを支持するように構成された１つ以上の導波路支持壁を備えるハウジングであって、前記１つ以上の導波路支持壁は、前記光コネクタの嵌合軸に実質的に直交する方向に沿った前記ハウジングへの前記光ケーブルの挿入を可能にするように構成されている、前記ハウジングと、
を備える、光コネクタ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月11日(2020.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＵＶ放射光を提供する光源と、導波路要素とを備える生物防汚システムであって、前記導波路要素が、前記ＵＶ放射光に対して透過性である放射光透過性材料を含み、前記放射光透過性材料が、前記放射光透過性材料とは別の組成のフェーズのための母材材料であり、前記フェーズが、３５０〜１２００ｎｍの範囲から選択された平均粒子半径（ｒ１）をもち、及び、０．０１〜０．２ｖｏｌ％の範囲から選択された領域の体積分率をもつ領域として、前記母材材料内において利用可能であり、前記導波路要素は板様形状であり、前記光源は前記導波路要素に少なくとも部分的に埋設されており、前記光源及び前記導波路要素が、前記放射光透過性材料を通した前記ＵＶ放射光の少なくとも一部の伝搬と、その後の第１の面と第２の面とのうちの少なくとも１つからの出光とのために適応される、生物防汚システム。
【請求項２】
前記放射光透過性材料が、シリコーンとフッ素重合体とのうちの１つ又は複数を備える、請求項１に記載の生物防汚システム。
【請求項３】
１つ又は複数の前記領域が、少なくとも８０ｖｏｌ％のガスからなる、請求項１又は２に記載の生物防汚システム。
【請求項４】
１つ又は複数の前記領域が、少なくとも８０ｖｏｌ％の水からなる、請求項１から３のいずれか一項に記載の生物防汚システム。
【請求項５】
１つ又は複数の前記領域が、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、二酸化チタン、窒化ホウ素、酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸カルシウム、二酸化ジルコニウム、及び酸化亜鉛からなる群から選択された固体粒子からなる、請求項１から４のいずれか一項に記載の生物防汚システム。
【請求項６】
前記放射光透過性材料と前記フェーズとが、０．０４〜０．８の範囲から選択された屈折率の絶対差をもち、前記導波路要素が、０．５〜２００ｍｍの範囲から選択された、第１の面と第２の面との間の距離により規定された厚さ（ｈ１）をもち、前記放射光透過性材料が、前記第１の面と前記第２の面との間にあり、前記放射光透過性材料が、シリコーンを含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の生物防汚システム。
【請求項７】
前記領域が、ｎｍの単位の平均粒子半径（ｒ１）と、ｃ１＝ａ×（１０ｂ）×（ｘｄ）の範囲により規定された、／ｍｍ３の単位の平均領域濃度（ｃ１）とをもち、ここで、０．５≦ａ≦４、７≦ｂ≦１５、−３．０≦ｄ≦−１．０、ｘ＝ｒ１、及び、１００ｎｍ≦ｒ１≦１０００ｎｍである、請求項１から６のいずれか一項に記載の生物防汚システム。
【請求項８】
前記光源が、前記第１の面と前記第２の面とのうちの１つ以上に直交した光軸をもつ、請求項１から７のいずれか一項に記載の生物防汚システム。
【請求項９】
前記光源が、前記第１の面と前記第２の面とのうちの１つ以上に平行な光軸をもつ、請求項１から７のいずれか一項に記載の生物防汚システム。
【請求項１０】
前記光源が、ＵＶＣ放射光を提供する、請求項１から９のいずれか一項に記載の生物防汚システム。
【請求項１１】
複数の光源を備え、各光源が光出射表面を含み、これら光源が、隣接した前記光出射表面間の１〜５０ｍｍの範囲から選択された最短距離（ｄ１）をもつ、請求項１から１０のいずれか一項に記載の生物防汚システム。
【請求項１２】
前記導波路要素における前記ＵＶ放射光が、２〜１０ｍｍの範囲から選択された平均自由行程をもつ、請求項１から１１のいずれか一項に記載の生物防汚システム。
【請求項１３】
物体表面と、請求項１から１２のいずれか一項に記載の生物防汚システムとを備え、前記生物防汚システムの前記第１の面と前記第２の面とのうちの少なくとも１つが、前記物体表面の少なくとも一部であり、第１の状態において、前記生物防汚システムが、前記第１の面と前記第２の面とのうちの前記少なくとも１つから出光するＵＶ放射光を提供する、物体。
【請求項１４】
前記物体が、不動の海洋の物体、動く海洋の物体、インフラストラクチャー要素、及び風車からなる群から選択される、請求項１３に記載の物体。
【請求項１５】
使用中に少なくとも一時的に水にさらされる物体に請求項１から１２のいずれか一項に記載の生物防汚システムを提供する方法であって、前記方法が、前記物体に前記生物防汚システムを提供するステップを有し、前記生物防汚システムが、前記物体の物体表面の部分と前記部分に隣接した水とのうちの１つ又は両方にＵＶ放射光を提供する、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月2日(2021.3.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
ハウジング内のデバイス１０の正しい位置合わせを補助するため、ハウジングの対応する突起と係合する鍵穴２４が設けられている。また、デバイス１０のハウジングへの挿入を補助するため、デバイス１０の遠位端２５は、くさび形状を有する。センサ要素１９、セラミックセンサ２１、およびカバー２３は、エポキシ樹脂固定具２６によりデバイス本体に対して適所に保持されるが、機械的手段を含む他の固定手段も利用可能である。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月12日(2021.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
この方法は、汚染されたウィンドウを有さない散乱測定値の最長の連続的な時間に対応する、散乱測定値の最適な時間を特定することを含んでもよい。
この方法は、最適な時間から粒子特性を決定することを含んでもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
図１７は、散乱測定値の数が増加するにつれて、解析結果がどのように収束し得るかを説明するグラフ５５０である。一連の散乱測定が実施され、蓄積され維持されるデータから取得され（５散乱測定毎に更新）報告されたＺ平均が、一次ｙ軸上で（ｘ軸上の散乱測定の数に対して）図１７においてプロット５３２されている。散乱測定の総数に対する拒絶／分離された散乱測定の率として定義されるデータ維持率は、第１の２次ｙ軸に対してプロット５３１される（これも５散乱測定毎に決定される）。各データ点におけるＺ平均の変化は、第２の２次ｙ軸に対してプロット５３３される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
図２７から図２９を参照して、可変減衰器１０５、焦点レンズ１０７、試料セル１０４、検出器１１４、相関器１１７、及び制御電子機器１２７を含む、粒子特性評価装置が図示される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３０】
図２７から図２９のそれぞれにおいて、希釈流体中で浮遊する粒子を含む試料１０６は、試料セル１０４の中にある。光源（図示なし）からの照射光線１０３が試料１０６を照射し、散乱光１１１が生成される。光線１０３は、焦点レンズ１０７（セル内の検出領域を変えるために移動可能であってもよい）によって試料セル１０４の中で焦点が合わせられる。散乱光１１１は、焦点レンズ１０７を通る検出光路を介して検出器１１４によって受け取られる。検出器１１４は、アバランシェフォトダイオード又は類似した物など、光子計数検出器であってもよい。検出器１１４からの出力は、例えば、ＤＬＳ解析や同様の解析を行うために、相関器に提供される。照射光線と散乱光の両方が同じ焦点レンズを通過することは必須ではない。つまり、検出光路が光線と重なるように導くために、いかなる適切な光学配置を用いてもよい。例えば、幾つかの状況において、光線及び／又は検出器光路は、コリメートされてもよいし、又は、分岐してもよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３１】
図２７の例において、検出器１１４からの出力は、制御電子機器１２７に提供される。制御電子機器１２７は、散乱光の中の不純物の散乱寄与を検出器で検出するように構成される。制御電子機器は、不純物からの散乱寄与を検出するために本明細書で記載される方法のいずれをも具体化し得る。１つの例として、制御電子機器は、ローパスフィルタを含んでもよい。制御電子機器は、不純物からの散乱寄与に比例する制御信号を、照射ビームを減衰することで不純物からの散乱を補償する可変減衰器に提供してもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３２】
図２８は、ビームスプリッタ１２８と更なる検出器１２９とを更に含む、代替の粒子特性評価装置を示す。
この装置では、ビームスプリッタは、散乱光１１１の一部を更なる検出器１２９に提供するように配置される。制御電子機器１２７は、散乱光の中の不純物からの散乱寄与を更なる検出器１２９で検出するように構成される。ここでもまた、制御電子機器は、不純物からの散乱寄与を検出するために本明細書に記載される方法を具体化し得る。１つの例として、制御電子機器は、ローパスフィルタを含んでもよい。制御電子機器は、不純物からの散乱寄与に比例する制御信号を、検出器１１４によって受け取られる散乱光を減衰する可変減衰器に提供して、不純物からの散乱を補償してもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３３】
図２９は、図２８の装置（更なる検出器１２９が制御電子機器に信号を提供するために用いられる）と同様の、更に代替の装置を示すが、ビームスプリッタが省略されている。この実施形態において、更なる検出器１２９によって検出された散乱光１１１は、検出器１１４で最終的に受け取られる散乱光とは異なる方向に散乱する。検出器１１４と更なる検出器１２９の散乱角度は、好ましくは実質的に同じであるとよいが、これは必須ではない。更なる検出器１２９は、異なる散乱角度であってもよい（例えば、前方散乱を検出し、後方散乱検出器１１４を備える）。
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２７】
2020514762.tif 000001
【手続補正９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２８】
2020514762.tif 000002
【手続補正１０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２９】
2020514762.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月25日(2020.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気、酸素、窒素、又はそれらの混合物から選択されるキャリアガスと、
前記キャリアガス内に浮遊している固体燃料粒子と、からなる可搬性可燃性気体浮遊物であって、
前記固体燃料粒子は、４０μｍ未満の粒子サイズを有する石炭由来の固体炭素質物質の粒子からなる、可搬性可燃性気体浮遊物。
【請求項２】
前記石炭由来の固体炭素質物質に結合する分散剤をさらに含む、請求項１に記載の可搬性可燃性気体浮遊物。
【請求項３】
前記分散剤は有機酸からなる、請求項２に記載の可搬性可燃性気体浮遊物。
【請求項４】
前記分散剤はクエン酸である、請求項３に記載の可搬性可燃性気体浮遊物。
【請求項５】
前記分散剤は、直鎖状、環状、飽和型、または不飽和型のカルボン酸およびポリカルボン酸から選択される、請求項３に記載の可搬性可燃性気体浮遊物。
【請求項６】
前記固体燃料粒子は、３０μｍ未満の平均粒子サイズを有する、請求項１に記載の可搬性可燃性気体浮遊物。
【請求項７】
前記固体燃料粒子は、２０μｍ未満の粒子サイズを有する、請求項１に記載の可搬性可燃性気体浮遊物。
【請求項８】
前記固体燃料粒子は、１０μｍ未満の粒子サイズを有する、請求項１に記載の可搬性可燃性気体浮遊物。
【請求項９】
前記固体燃料粒子は、５μｍ未満の粒子サイズを有する、請求項１に記載の可搬性可燃性気体浮遊物。
【請求項１０】
前記可燃性気体浮遊物は、２０３〜１０１３２ｋＰａ（２〜１００ａｔｍ）の範囲の圧力を有する、請求項１に記載の可搬性可燃性気体浮遊物。
【請求項１１】
可燃性気体浮遊物を形成するために、空気、酸素、窒素、又はそれらの混合物から選択されるキャリアガスに固体燃料粒子を浮遊させる工程であって、前記固体燃料粒子は、４０μｍ未満の粒子サイズを有する石炭由来の固体炭素質物質の粒子からなる、前記キャリアガスに固体燃料粒子を浮遊させる工程と、
前記可燃性気体浮遊物を２０３〜１０１３２ｋＰａ（２〜１００ａｔｍ）の輸送に適した圧力に加圧する工程とからなり、
前記固体燃料粒子は、輸送中にキャリアガス中に浮遊しているまま維持することができるために十分に小さなサイズを有する、可燃性気体浮遊物を輸送する方法。
【請求項１２】
前記固体燃料粒子は、２０μｍ未満の粒子サイズを有する石炭由来の固体炭素質物質の粒子からなる、請求項１１に記載の可燃性気体浮遊物を輸送する方法。
【請求項１３】
可燃性気体浮遊物を形成するために、空気、酸素、窒素、又はそれらの混合物から選択されるキャリアガスに固体燃料粒子を浮遊させる工程であって、前記固体燃料粒子は、４０μｍ未満の粒子サイズを有する石炭由来の固体炭素質物質の粒子からなる、前記キャリアガスに固体燃料粒子を浮遊させる工程と、
前記固体燃料粒子の沈降速度を上回る速度で気体燃料分配パイプラインの中を通って前記可燃性気体浮遊物を流す工程と、
からなる可燃性気体浮遊物を輸送する方法。
【請求項１４】
前記固体燃料粒子は、３０μｍ未満の平均粒子サイズを有し、前記速度は、３．２５×１０−２ｍ／ｓを上回る、請求項１３に記載の可燃性気体浮遊物を輸送する方法。
【請求項１５】
前記固体燃料粒子は、１０μｍ未満の粒子サイズを有し、前記固体燃料粒子の量は、６３０４〜３０２６０Ｋｃａｌ／ｍ３（２５，０００〜１２０，０００Ｂｔｕ／ｍ３）の範囲の体積エネルギー密度を有する可搬性可燃性気体浮遊物を形成するように選択される、請求項１に記載の可搬性可燃性気体浮遊物。
【請求項１６】
前記固体燃料粒子は、加圧された天然ガス分配パイプラインを用いて輸送される間、前記キャリアガスに浮遊した状態で維持される、請求項１３に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の目的は、従来の気体状炭化水素燃料に匹敵する体積エネルギー密度を有する固体燃料粒子の可燃性気体浮遊物を提供することである。
非限定的な一実施形態では、固形燃料粒子は、３０μｍ未満のサイズと２７８０ｋｃａｌ／ｋｇ（５０００Ｂｔｕ／ｌｂ）を超えるエネルギー密度を有する。別の非限定的な実施形態では、固形燃料粒子は、３０μｍ未満のサイズと５００ｋｇ／ｍ３を超える密度とを有する。さらに別の非限定的な実施形態では、固形燃料粒子は、２７８０ｋｃａｌ／ｋｇ（５０００Ｂｔｕ／ｌｂ）を超えるエネルギー密度と５００ｋｇ／ｍ３を超える密度を有する。当然のことながら、固形燃料粒子のサイズ、エネルギー密度、および密度の値は、様々であり得る。例えば、瀝青炭は、ドライベースで、６９５０〜８３３９ｋｃａｌ／ｋｇ（１２，５００〜１５，０００Ｂｔｕ／ｌｂ）のエネルギー密度を有するが、低いランクの石炭やバイオソリッドは、ドライベースで、５５５９〜７２２７ｋｃａｌ／ｋｇ（１０，０００〜１３，０００Ｂｔｕ／ｌｂ）のエネルギー密度を有する。固形燃料に結合した水は、エネルギー密度を低下させる。部分的に酸化された固形燃料粒子は、酸化されていない燃料粒子に比べて低い燃料密度を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
微細な石炭粒子などの微細固形燃料粒子は、空気中に浮遊させた状態で輸送することができる。空気中の微細固形燃料粒子の混合物は、パイプラインで輸送されて熱を生成して仕事をする為に使用する側で燃焼される時に、可燃性気体のようにふるまう。輸送に使用されるそのような混合物は、物質の新しい組成物である。以下に示す表２は、標準状態の空気中に浮遊している微細固形燃料粒子の混合物の例の重量パーセント、体積パーセント、および体積エネルギー密度の概要である。粉炭を以下の表にある微細固形燃料粒子として使用した。石炭微粒子は、１２００ｋｇ／ｍ３の密度と、８０６１Ｋｃａｌ／ｋｇ（１４，５００Ｂｔｕ／ｌｂ）の熱量とを有する。天然ガスは、最も一般に使用される可燃性気体である。上記５０重量％の微細固形燃料粒子の混合物は、９８６０Ｋｃａｌ／ｍ３（３９，１２０Ｂｔｕ／ｍ３）の体積エネルギー密度を有し、これは、天然ガスに類似する。５０重量％の固形燃料粒子の体積パーセントは、０．１％である。重量と体積の割合が増えるにしたがって、空気中に微細固形燃料粒子を浮遊させることによって形成される可燃性気体の体積エネルギー量は、増大し続ける。９５重量％の固形燃料粒子の混合物の体積パーセントは、わずか１．９％で、体積エネルギー密度は、１８４０４９Ｋｃａｌ／ｍ３（７２９，８７７Ｂｔｕ／ｍ３）であり、これは、標準状態における天然ガスの体積エネルギー量よりも約２０倍大きい。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年2月25日(2021.2.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）少なくとも１種の効果顔料と、    
（ｂ）少なくとも１種のポリマーと、を含む水性効果顔料ペーストであって、
前記（ｂ）少なくとも１種のポリマーは平均粒径が１００〜５００ｎｍの範囲であり、水中のオレフィン性不飽和モノマーの３種のモノマー混合物（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）の逐次ラジカル乳化重合によって製造可能であり、
混合物（Ａ）が、２５℃での水中の溶解度が０．５ｇ／ｌ未満の少なくとも５０質量％のモノマーを含み、前記混合物（Ａ）から製造されたポリマーのガラス転移温度が１０〜６５℃であり、
混合物（Ｂ）が、少なくとも１種のポリ不飽和モノマーを含み、前記混合物（Ｂ）から製造されたポリマーのガラス転移温度が−３５〜１５℃であり、
混合物（Ｃ）から製造されたポリマーのガラス転移温度が−５０〜１５℃であり、
ｉ．  まず、前記混合物（Ａ）が重合され、
ｉｉ．  次いで、ｉ．で製造されたポリマーの存在下で前記混合物（Ｂ）が重合され、
ｉｉｉ．  その後、ｉｉ．で製造されたポリマーの存在下で前記混合物（Ｃ）が重合されることを特徴とする水性効果顔料ペースト。
【請求項２】
前記効果顔料（ａ）を、前記効果顔料ペーストの総質量に対して少なくとも１０質量％の量で含む、請求項１に記載の効果顔料ペースト。
【請求項３】
少なくとも１種の効果顔料（ａ）として、金属効果顔料および／またはマイカ顔料担持金属酸化物を含む、請求項１または２に記載の効果顔料ペースト。
【請求項４】
少なくとも１種の効果顔料（ａ）として、アルミニウム顔料を含む、請求項１から３のいずれか一項に記載の効果顔料ペースト。
【請求項５】
前記効果顔料ペースト中の前記少なくとも１種の効果顔料（ａ）と前記ポリマー（ｂ）との相対質量比が、１０：１から１：１の範囲である、請求項１から４のいずれか一項に記載の効果顔料ペースト。
【請求項６】
前記ポリマー（ｂ）を、前記効果顔料ペーストの総質量に対して１．５〜２０質量％の範囲の量で含む、請求項１から５のいずれか一項に記載の効果顔料ペースト。
【請求項７】
それぞれの場合において、前記混合物（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）の個々の量の合計に対して、前記ポリマー（ｂ）を製造するために使用した前記混合物（Ａ）の分率が０．１〜１０質量％であり、前記ポリマー（ｂ）を製造するために使用した前記混合物（Ｂ）の分率が６０〜８０質量％であり、前記ポリマー（ｂ）を製造するために使用した前記混合物（Ｃ）の分率が１０〜３０質量％である、請求項１から６のいずれか一項に記載の効果顔料ペースト。
【請求項８】
前記混合物（Ａ）が、アルキル基を有する、少なくとも１種の（メタ）アクリル酸の単不飽和エステルと、ビニル基を含み、前記ビニル基上に配置された、芳香族であるか、または混合された飽和脂肪族−芳香族である基を有し、後者の場合に、前記基の脂肪族部分がアルキル基である、少なくとも１種のモノオレフィン性不飽和モノマーと、を含む、請求項１から７のいずれか一項に記載の効果顔料ペースト。
【請求項９】
前記混合物（Ｂ）が、少なくとも１種のポリオレフィン性不飽和モノマーの他に、アルキル基を有する、少なくとも１種の（メタ）アクリル酸の単不飽和エステルと、ビニル基を含み、前記ビニル基上に配置された、芳香族であるか、または混合された飽和脂肪族−芳香族である基を有し、後者の場合に、前記基の脂肪族部分がアルキル基である、少なくとも１種のモノオレフィン性不飽和モノマーと、をさらに含む、請求項１から８のいずれか一項に記載の効果顔料ペースト。
【請求項１０】
前記混合物（Ａ）および（Ｂ）が、ヒドロキシ官能性モノマーおよび酸官能性モノマーのいずれも含有しない、請求項１から９のいずれか一項に記載の効果顔料ペースト。
【請求項１１】
前記混合物（Ｃ）が、少なくとも１種のα−β不飽和カルボン酸と、ヒドロキシル基によって置換されたアルキル基を有する、少なくとも１種のメタ（アクリル）酸の単不飽和エステルと、アルキル基を有する、少なくとも１種の（メタ）アクリル酸の単不飽和エステルと、を含む、請求項１から１０のいずれか一項に記載の効果顔料ペースト。
【請求項１２】
前記ポリマー（ｂ）を製造するための段階ｉからｉｉｉにおける、オレフィン性不飽和モノマーの計量添加が、反応液中の遊離モノマーの分率が、全反応時間にわたって、各重合段階において使用したモノマーの総量に対して６．０質量％以下になるような方法で行われる、請求項１から１１のいずれか一項に記載の効果顔料ペースト。
【請求項１３】
水性ベースコート材料であって、請求項１から１２のいずれか一項に記載の少なくとも１種の効果顔料ペーストを成分（１）として、ベースコート材料の製造に好適であり、結合剤として使用できる少なくとも１種のポリマーを含む、少なくとも１種の水性成分（２）と混合することによって製造可能であり、結合剤として使用できるこのポリマーが、同様に前記効果顔料ペースト中に存在するポリマー（ｂ）を含み、かつ／またはそれとは異なる少なくとも１種のポリマーを含む、水性ベースコート材料。
【請求項１４】
（１ａ）水性ベースコート材料を基材に施与し、
（２ａ）段階（１ａ）で施与した塗料からポリマー膜を形成し、
（１ｂ）任意に、さらなる水性ベースコート材料を、前記形成されたポリマー膜に施与し、
（２ｂ）任意に、段階（１ｂ）で施与した塗料からポリマー膜を形成し、
（３）これにより得られた1以上のベースコート膜に、クリアコート材料を施与し、続いて、
（４）（１以上の）ベースコート膜を、クリアコート膜とともに一緒に硬化させることによって、
マルチコート塗装系を製造する方法であって、
請求項１３に記載のベースコート材料が、段階（１ａ）で使用されるか、または、前記方法が、段階（１ｂ）および（２ｂ）をさらに含む場合、段階（１ａ）および／もしくは（１ｂ）で使用される、方法。
【請求項１５】
水中のオレフィン性不飽和モノマーの３種のモノマー混合物（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）の逐次ラジカル乳化重合によって製造可能な、粒径１００〜５００ｎｍのポリマーを、水性効果顔料ペースト中に効果顔料を分散させるために使用する使用方法であり、
前記混合物（Ａ）が、２５℃での水中の溶解度が０．５ｇ／ｌ未満の少なくとも５０質量％のモノマーを含み、前記混合物（Ａ）から製造されたポリマーのガラス転移温度が１０〜６５℃であり、
混合物（Ｂ）が、少なくとも１種のポリ不飽和モノマーを含み、前記混合物（Ｂ）から製造されたポリマーのガラス転移温度が−３５〜１５℃であり、
混合物（Ｃ）から製造されたポリマーのガラス転移温度が−５０〜１５℃であり、
ｉ．  まず、前記混合物（Ａ）が重合され、
ｉｉ．  次いで、ｉ．で製造されたポリマーの存在下で前記混合物（Ｂ）が重合され、
ｉｉｉ．  その後、ｉｉ．で製造されたポリマーの存在下で前記混合物（Ｃ）が重合される、
使用方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月17日(2021.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
単一のフタロニトリル官能基を含む少なくとも１種の希釈剤と、少なくとも１種のジフタロニトリル樹脂と、を含む樹脂ブレンドであって、前記少なくとも１種の希釈剤が、式Ｉの化合物：
【化１】
2020514513.tif 000001
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、及びＲ５の１つ以上がアリル基であり、Ａは酸素又は硫黄である］を含む、樹脂ブレンド。
【請求項２】
前記少なくとも１種の希釈剤が、式ＩＩの化合物：
【化２】
2020514513.tif 000002
［式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、及びＡは各々、式Ｉに関して定義したとおりである］を含む、請求項１に記載の樹脂ブレンド。
【請求項３】
前記少なくとも１種の希釈剤が、４−（２−メトキシ−４−アリルフェノキシ）フタロニトリル、又は４−（２−アリルフェノキシ）フタロニトリルのうちの少なくとも１つを含む、請求項１又は２に記載の樹脂ブレンド。
【請求項４】
少なくとも１種のジフタロニトリル樹脂の前記少なくとも１種の希釈剤に対するモル比が、０．９５〜５０（両端の値を含む）の範囲である、請求項１〜３のいずれか一項に記
載の樹脂ブレンド。
【請求項５】
前記少なくとも１種のジフタロニトリル樹脂が、ビスフェノールＭジフタロニトリルエーテル樹脂、ビスフェノールＰジフタロニトリルエーテル樹脂、ビスフェノールＴジフタロニトリルエーテル樹脂、又はこれらの組み合わせを含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の樹脂ブレンド。
【請求項６】
レゾルシノールジフタロニトリルエーテル樹脂を更に含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の樹脂ブレンド。
【請求項７】
強化連続繊維又は強化不連続繊維のうちの少なくとも１つを含むフィラーを更に含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の樹脂ブレンド。
【請求項８】
前記樹脂ブレンドの総重量に基づいて、１重量％〜４０重量％（両端の値を含む）の量のナノフィラーを更に含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の樹脂ブレンド。
【請求項９】
前記樹脂ブレンドの総重量に基づいて、１重量％〜９０重量％（両端の値を含む）の量のマイクロフィラーを更に含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載の樹脂ブレンド。
【請求項１０】
連続強化繊維と、前記連続強化繊維に含浸されている請求項１〜９のいずれか一項に記載の樹脂ブレンドと、を含む、プリプレグ。
【請求項１１】
布と、前記布に含浸されている請求項１〜９のいずれか一項に記載の樹脂ブレンドと、を含む、プリプレグ。
【請求項１２】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の樹脂ブレンド中に分布している細断強化繊維を含む、成形調合物。
【請求項１３】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の樹脂ブレンドの重合生成物を含む物品。
【請求項１４】
基材と、前記基材上に配置されている請求項１〜９のいずれか一項に記載の樹脂ブレンドの層と、を備える、物品。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月21日(2020.12.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
膜層を形成する方法であって、
基板処理チャンバの内部で基板を基板温度まで加熱することと、
ケイ素前駆体ガスを前記基板処理チャンバの中に流すことと、
アモルファスシリコンの層を前記基板上に堆積することと、
窒素前駆体ガスを前記基板処理チャンバの中に流すことと、
前記窒素前駆体ガスを用いて、前記基板処理チャンバの内部でプラズマを形成することと、
堆積された前記アモルファスシリコン層を前記プラズマに曝露して、堆積された前記アモルファスシリコン層の少なくとも一部を窒化ケイ素層に変換することと
を含む方法。
【請求項２】
前記ケイ素前駆体ガスが、ジシラン、トリシラン、テトラシラン、又はこれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記窒素前駆体ガスが、Ｎ２、ＮＨ３、Ｈ２Ｎ２、又はこれらの組み合わせを含み、前記窒化ケイ素層が、密封化学量論的窒化膜を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記窒化ケイ素層の厚さが、約５Åと約３０Åとの間である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記基板温度が、約３００℃と７００℃との間である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記基板を加熱することが、前記基板の第１の部分を第１の温度まで加熱し、前記基板の第２の部分を第２の温度まで加熱することを含み、前記第１の温度と前記第２の温度との間のオフセットが、約＋／−１０℃と約＋／−５０℃との間である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記基板に面するプレートを約１００℃と約３００℃との間の温度まで加熱することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記ケイ素前駆体ガスが、前記プレートを通して流れる、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記チャンバの側壁に連結された電極をバイアスさせることをさらに含み、前記電極が、共振同調回路に連結され、前記電極を通る電流の流れが、望ましくは、約１ａｍｐと３０ａｍｐとの間に維持される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
基板支持体に連結された第１の電極をバイアスさせることをさらに含み、前記電極が、共振同調回路に連結され、前記電極を通る電流の流れが、望ましくは、約１ａｍｐと３０ａｍｐとの間に維持される、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
前記共振同調回路のインピーダンスを動的に調節し、前記電流の流れを制御することをさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記共振同調回路のインピーダンスを動的に調節し、前記電流の流れを制御することをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記基板支持体に連結された第２の電極をバイアスさせることをさらに含み、前記第２の電極が、インピーダンス整合回路に連結されている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
膜層を形成する方法であって、
基板処理チャンバの内部で、基板支持体上に配置された基板を約５００℃未満の温度まで加熱することと、
ケイ素前駆体ガスを前記基板処理チャンバの中に流すことと、
アモルファスシリコンの層を前記基板上に堆積することと、
Ｎ２、ＮＨ３、Ｈ２Ｎ２、又はこれらの組み合わせを含む窒素前駆体ガスを前記基板処理チャンバの中に流すことと、
前記基板処理チャンバの内部で前記窒素前駆体ガスのプラズマを形成することと、
前記基板支持体に連結された第１の電極をバイアスさせることであって、前記第１の電極が、第１の共振同調回路に連結されている、第１の電極をバイアスさせることと、
前記第１の共振同調回路のインピーダンスを動的に調節し、前記第１の電極を通る電流の流れを制御することであって、前記電流の流れが、望ましくは、約１ａｍｐと３０ａｍｐとの間の設定点に維持される、前記第１の電極を通る前記電流の流れを制御することと、
堆積された前記アモルファスシリコン層を窒化して、堆積された前記アモルファスシリコン層を窒化ケイ素層に変換することと、
を含む方法。
【請求項１５】
前記基板処理チャンバの側壁に連結された第２の電極をバイアスさせることであって、前記第２の電極が、第２の共振同調回路に連結されている、第２の電極をバイアスさせることと、
前記第２の共振同調回路のインピーダンスを動的に調節し、前記第２の電極を通る前記電流の流れを制御することであって、前記電流の流れが、望ましくは、約１ａｍｐと３０ａｍｐとの間の設定点に維持される、前記第２の電極を通る前記電流の流れを制御することと
を含む、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記基板支持体に連結された第３の電極をバイアスさせることをさらに含み、前記第３の電極はインピーダンス整合回路に連結され、前記第３の電極はＤＣ電力、パルスＤＣ電力、ＲＦ電力、パルスＲＦ電力、又はこれらの組み合わせである電力源に連結される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記基板を加熱することが、前記基板の第１の部分を第１の温度まで加熱し、前記基板の第２の部分を第２の温度まで加熱することを含み、前記第１の温度と前記第２の温度との間のオフセットが、約＋／−１０℃と約＋／−５０℃との間である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記窒化ケイ素層が密封化学量論的窒化ケイ素膜である、請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記窒化ケイ素層の厚さが、約５Åと約３０Åとの間である、請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
膜層を形成する方法であって、
基板の第１の部分を第１の温度まで加熱し、前記基板の第２の部分を第２の温度まで加熱することを含む、前記基板を約５００℃未満の温度まで加熱することであって、前記第１の温度と前記第２の温度との間のオフセットが、約＋／−１０℃と約＋／−５０℃との間である、前記基板を約５００℃未満の温度まで加熱すること、
ケイ素前駆体ガスを基板処理チャンバの中に流すことと、
約５Åと約３０Åとの間のアモルファスシリコンの膜を前記基板上に堆積することと、
Ｎ２、ＮＨ３、Ｈ２Ｎ２、又はこれらの組み合わせを含む窒素前駆体ガスを前記基板処理チャンバの中に流すことと、
前記窒素前駆体ガスを用いてプラズマを形成することであって、前記プラズマが、前記処理チャンバの内部で形成される、プラズマを形成することと、
前記基板支持体に連結された第１の電極をバイアスさせることであって、前記第１の電極が、第１の共振同調回路に連結されている、第１の電極をバイアスさせることと、
前記第１の共振同調回路のインピーダンスを動的に調節し、前記第１の電極を通る電流の流れを制御することであって、前記電流の流れが、望ましくは、約１ａｍｐと３０ａｍｐとの間の設定点に維持される、前記第１の電極を通る前記電流の流れを制御することと、
前記チャンバの側壁に連結された第２の電極をバイアスさせることであって、前記第２の電極が、第２の共振同調回路に連結されている、第２の電極をバイアスさせることと、
前記第２の共振同調回路のインピーダンスを動的に調節し、前記第２の電極を通る前記電流の流れを制御することであって、前記電流の流れが、望ましくは、約１ａｍｐと３０ａｍｐとの間の設定点に維持される、前記第２の電極を通る前記電流の流れを制御することと、
堆積された前記アモルファスシリコン膜を密封化学量論的窒化ケイ素膜に変換することと
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月12日(2021.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サワーガス井における腐食及び表面スケール形成を減らす方法であって：
サワーガス井の産出物ストリームからコンデンセートを分離するステップと；
表面上に硫化鉄を含む炭素鋼管を備える前記サワーガス井へ前記コンデンセートを供給するステップと；
前記炭素鋼管を前記コンデンセートと接触させるステップと；
前記コンデンセートの第１の部分を前記硫化鉄に吸着させることにより前記炭素鋼管上に疎水性のコーティングを生成するステップと；を備える、
方法。
【請求項２】
前記硫化鉄は、前記炭素鋼管の前記表面に直接接触している、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記サワーガス井からガスを産出して産出物ストリームを生成するステップをさらに備える、
請求項１又は請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記サワーガス井へ、前記コンデンセートに加えて腐食防止剤を連続的に注入するステップを備えない、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記コンデンセートを前記サワーガス井へ提供するステップは、前記サワーガス井のケーシングと前記炭素鋼管との間に前記コンデンセートを注入するステップを備える、
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記コンデンセートの第２の部分を前記サワーガス井から取り除くステップをさらに備える、
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記コンデンセートの前記第２の部分を前記サワーガス井へ再導入するステップをさらに備える、
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記サワーガス井からガスを産出して、水を含む産出物ストリームを生成するステップをさらに備え、前記炭素鋼管上の前記疎水性コーティングが前記水と前記炭素鋼管との直接接触を防止する、
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記疎水性コーティングが、前記炭素鋼管上での硫化水素の形成を阻止又は防止する、
請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記疎水性コーティングが、前記炭素鋼管の腐食を阻止又は防止する、
請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
サワーガス井における表面スケール形成及び腐食を減らす方法であって：
表面上に硫化鉄を含む炭素鋼管を備える前記サワーガス井からガスを産出して産出物ストリームを生成するステップと；
前記産出物ストリームからコンデンセートを分離するステップと；
前記コンデンセートを前記サワーガス井へ供給するステップと；
前記コンデンセートの第１の部分で前記炭素鋼管をコーティングするステップと；を備え、
前記炭素鋼管をコーティングするステップは、前記コンデンセートの第１の部分を前記硫化鉄に吸着させるステップを備える、
方法。
【請求項１２】
前記コンデンセートを前記サワーガス井へ供給するステップは、前記サワーガス井のケーシングと前記炭素鋼管との間に前記コンデンセートを注入するステップを備える、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記炭素鋼管をコーティングするステップは、前記炭素鋼管を、前記コンデンセートに加えて化学物質でコーティングするステップを備えない、
請求項１１又は請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記炭素鋼管を前記コンデンセートの前記第１の部分でコーティングするステップは、前記炭素鋼管上に疎水性コーティングを生成する、
請求項１１乃至請求項１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
前記疎水性コーティングが、前記炭素鋼管上での硫化水素の形成を防止又は阻止する、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記疎水性コーティングが、前記炭素鋼管の腐食を防止又は阻止する、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記疎水性コーティングが、前記水と前記炭素鋼管との直接接触を防止又は阻止する、
請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記コンデンセートの第２の部分を前記サワーガス井から取り除くステップをさらに備える、
請求項１１乃至請求項１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１９】
前記コンデンセートの前記第２の部分を前記サワーガス井へ再導入するステップをさらに備える、
請求項１８に記載の方法。