【手続補正書】
【提出日】平成17年2月15日(2005.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体封止方法および封止された半導体を有する基板
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に実装された半導体を封止材で覆ったのちに、その封止材を加熱することで上記半導体を封止する半導体封止方法であって、
上記封止材は、薄板状シートと、接着材の層とを有し、その接着材の層が上記半導体を覆う状態となるように上記封止材を上記半導体に被せたのちに加熱して、上記接着材を介して上記薄板状シートを上記半導体と上記基板に接着させることを特徴とする半導体封止方法。
【請求項２】
互いに離間して実装された複数の前記半導体をまとめて覆うようにして前記封止材を被せたことを特徴とする請求項１記載の半導体封止方法。
【請求項３】
半導体が実装された基板と、この基板上および上記半導体上に設けられた薄板状シートと、上記基板と上記薄板状シートの間を埋めると共に上記半導体の上記基板上に露出している面を包み込む接着材と、を有することを特徴とする封止された半導体を有する基板。
【請求項４】
前記薄板状シートは、ポリイミド樹脂であることを特徴とする請求項３記載の封止された半導体を有する基板。
【請求項５】
前記接着材は、エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項３または４記載の封止された半導体を有する基板。
【請求項６】
前記半導体は、その厚みが５μｍ以上で５０μｍ以下であって、前記薄板状シートは、その厚みが上記半導体の厚みの０．５倍以上で２倍以下であることを特徴とする請求項３、４または５記載の封止された半導体を有する基板。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板面上に実装された半導体チップなどの半導体を封止する半導体封止方法および封止された半導体を有する基板に関する。


【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そこで本発明は、特に、厚みのきわめて薄い半導体を封止するに最適な半導体封止方法を提供することを目的とし、封止の厚みを薄くするだけでなく、耐水性、耐熱性、電気的絶縁性に優れ、さらには、耐化学性や物理的強度においても優れた半導体封止方法および封止された半導体を有する基板を提供することを目的としている。


【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
かかる目的を達成するため、本発明の半導体封止方法は、基板に実装された半導体を封止材で覆ったのちに、その封止材を加熱することで半導体を封止する半導体封止方法であって、封止材は、薄板状シートと、接着材の層とを有し、その接着材の層が半導体を覆う状態となるように封止材を半導体に被せたのちに加熱して、接着材を介して薄板状シートを半導体と基板に接着させている。


【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
これによって、半導体は封止材により基板面上に密封状態で封止させることができる。この方法は、厚みの薄い半導体を封止するには最適となる。また、接着材は加熱されることで適度な粘性と粘着性を有した状態となるので、それによって、基板面上に露出する半導体全面を隙間なく包み込む状態とすることができ、耐水性、耐熱性に優れ、さらには、物理的強度においても優れた封止状態を得ることができる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
また、互いに離間して実装された複数の半導体をまとめて覆うようにして封止材を被せるのが好ましい。この方法を採用すると、一度に多数の半導体を薄板状シートで覆うことが可能になる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
また、本発明の封止された半導体を有する基板は、半導体が実装された基板と、この基板上および半導体上に設けられた薄板状シートと、基板と薄板状シートの間を埋めると共に半導体の基板上に露出している面を包み込む接着材と、を有するものとしている。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
この封止された半導体を有する基板は、半導体の基板面に露出する部分が隙間なく樹脂材で包み込まれ、さらにその上を薄板状シートで覆われるので、耐水性、耐熱性に優れ、さらには、物理的強度においても、優れた封止状態を得ることができる。また、シートの活用で薄型化も可能となる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、薄板状シートは、ポリイミド樹脂とするのが好ましい。これにより、耐水性、耐熱性、電気的絶縁性に優れ、さらには、耐化学性や物理的強度においても優れたものとなる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
また、接着材は、エポキシ樹脂とするのが好ましい。このエポキシ樹脂は、適温で加熱することにより適度な粘性と粘着性が得られる。ここでの適度な粘性というのは、流動性があまり高くない適度な軟化状態ということであり、それによって、樹脂材が封止すべき範囲外にはみ出るといった不具合を防止できるとともに、加熱処理を終了した後、短時間（数秒程度）で硬化させることができ、生産性を向上させることができる。また、適度な粘着性が得られることにより、接着性に優れたものとなり、それによって確実な封止状態を長期間保持することができる。また、エポキシ樹脂は、ナトリウムを通しにくい性質があるので、塩分を嫌う半導体の封止に適したものとなる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、封止対象となる半導体は、その厚みが５μｍ以上で５０μｍ以下であって、薄板状シートは、その厚みが当該半導体の厚みの０．５倍以上で２倍以下とするのが好ましい。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
このように、厚みが５μｍ以上で５０μｍ以下の半導体を主な封止封象とすると、シート状の封止材を使用することで、簡単かつ確実に封止でき、シート状の封止材の使用が好適なものとなる。しかも薄板状シートの厚みも半導体の厚みの０．５倍以上で２倍以下としているので、封止処理後における基板面上から薄板状シート表面までの厚みは、接着剤を含めても、極めて薄く抑えることができ、全体として極めて厚みの少ない封止であると共に強度的にも十分な封止を行うことができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る半導体封止方法および封止された半導体を有する基板についての実施の形態の例を図面を参照しながら説明する。


【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体封止方法は、特に厚みのきわめて薄い半導体を封止するに最適なものとなり、封止の厚みを薄くするだけでなく、耐水性、耐熱性、さらには物理的強度においても優れた半導体封止方法を提供することができる。


【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
また、他の発明の半導体封止方法によれば、１枚の基板上において、多数の半導体が広い実装領域で実装されているような場合であっても、その実装領域内のすべての半導体群をひとまとめとして封止することもでき、しかも、その封止後の厚みを極めて薄くすることができる。また、このように、基板上に多数の半導体を実装する場合、その封止処理後に、基板を所定部分ごとに切り放して用いることもあるが、このような場合、その切り放したあとの切断面は、硬化した接着材と薄板状シートとで封止された状態となるので、個々の半導体が露出することはなく、それぞれの半導体の封止状態を適切に保持することができる。


【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
また、本発明の封止された半導体を有する基板は、基板を含む全体の薄型化が可能になると共に、耐水性、耐熱性、さらには物理的強度においても優れたものとなる。