【手続補正書】
【提出日】令和3年4月23日(2021.4.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄い流体試料層をアッセイするためのデバイスであって、
第１のプレートと、第２のプレートと、スペーサと、加熱層と、クランプとを備え、
ｉ．前記第１のプレートおよび前記第２のプレートが、開放構成および閉鎖構成を含む異なる構成になるように互いに対して移動可能であり、
ｉｉ．前記プレートの各々が、そのそれぞれの表面上に、流体試料と接触するための試料接触領域を備え、
ｉｉｉ．前記プレートのうちの一方または両方が、それぞれのプレートに固定された前記スペーサを備え、
ｉｖ．前記スペーサが、２００ミクロン以下である所定の実質的に均一な高さを有し、前記スペーサのうちの少なくとも１つが、前記試料接触領域内にあり、
ｖ．前記加熱層が、前記流体試料を加熱するように構成されており、
ｖｉ．前記クランプが、加熱中に前記プレートを前記閉鎖構成において固定するために、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートの外側で締め付け、
前記加熱層が、（ａ）前記プレートのうちの一方の、内表面もしくは外表面の上もしくは近くのいずれか、または前記プレートのうちの一方の内側にあり、かつ（ｂ）加熱源によって加熱することが可能であり、前記加熱源が、光学的に、電気的に、無線周波数（ＲＦ）放射によって、またはそれらの組み合わせによって、前記加熱層に熱エネルギーを送達し、
開放構成では、前記２つのプレートが部分的または完全に分離されており、前記プレート間の間隔は前記スペーサによって調整されず、前記プレートのうちの一方または両方の上に前記試料を付着させ、
前記開放構成で前記試料を付着させた後に構成される閉鎖構成では、前記試料の少なくとも一部が、前記２つのプレートによって圧縮されて実質的に均一な厚さの層になり、かつ前記プレートに対して実質的に停滞し、前記層の前記均一な厚さが、前記２つのプレートの前記試料接触領域によって制限され、かつ前記プレートおよび前記スペーサによって調整され、
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートが、前記試料の少なくとも一部を、０．１〜２００μｍの非常に均一な厚さでありかつ前記プレートに対して実質的に停滞した層になるよう制限するように構成されており、
前記第１のプレートが２００μｍ以下の厚さを有し、前記第２のプレートが２ｍｍ以下の厚さを有する、デバイス。
【請求項２】
前記プレートおよび前記試料厚さが、前記試料の温度を１０℃／秒以上の速度で変化させることを可能にするように構成されている、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記クランプが、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを圧縮して、前記２つのプレートを前記閉鎖構成で一緒に固定し、前記クランプが、前記２つのプレートを前記閉鎖構成で密封するように構成されており、前記プレート上に挿入された前記クランプの圧力が０．０１ｋｇ／ｃｍ＾２以上である、請求項１または２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記加熱層が、前記プレートのうちの一方の上または近くにあり、６０％以上の吸収係数を有し、かつ２ｍｍ未満の厚さを有する、請求項１〜３のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項５】
均一な厚さの前記試料の前記少なくとも一部の近くに放射線吸収層をさらに備え、前記試料の前記少なくとも一部および前記放射線吸収層の領域が、前記均一な厚さよりも実質的に大きい、請求項１〜４のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項６】
前記試料の前記少なくとも一部および前記放射線吸収層の前記領域が、前記試料の前記均一な厚さよりも実質的に大きい、請求項５に記載のデバイス。
【請求項７】
前記デバイスの前記プレートのうちの一方の厚さが１００μｍ以下である、請求項１
〜６のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項８】
均一な厚さの前記試料の前記少なくとも一部の近くに放射線吸収層をさらに備え、前記デバイスの前記プレートのうちの一方の厚さが１００μｍ以下である、請求項１、２、および４のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項９】
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを前記閉鎖構成において一緒に圧縮するクランプをさらに備え、前記プレート上に挿入された前記クランプの前記圧力が０．０１ｋｇ／ｃｍ＾２以上である、請求項３に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを前記閉鎖構成において一緒に圧縮するクランプをさらに備え、かつ均一な厚さの前記試料の前記少なくとも一部の近くに放射線吸収層をさらに備え、前記プレート上に挿入された前記クランプの前記圧力が０．０１ｋｇ／ｃｍ＾２以上である、請求項３に記載のデバイス。
【請求項１１】
薄い流体試料層の温度を急速に変化させるためのシステムであって、
ｉ．請求項５、６、８、および１０のいずれか一項に記載のデバイスと、
ｉｉ．前記放射線吸収層が顕著に吸収する電磁波を放射するように構成された、放射線源と
を備え、
ｉｉｉ．コントローラが、前記放射線源を制御し、前記試料の前記温度を変化させるように構成されている、システム。
【請求項１２】
薄い流体試料層の温度を急速に変化させるための方法であって、
ｉ．請求項１１に記載のシステムを提供するステップと、
ｉｉ．前記デバイスの前記プレートのうちの一方または両方の上に流体試料を付着させるステップと、
ｉｉｉ．ｉｉの後、前記プレートを閉鎖構成になるように押圧するステップであって、前記プレートが前記試料の少なくとも一部を圧縮して２００μｍ未満の厚さの薄層にする、ステップと、
ｉｖ．前記放射線源からの前記電磁波の存在、強度、波長、周波数、および／または角度を変化させることによって、前記試料層の前記温度を変化させ維持するステップと
を含む、方法。
【請求項１３】
前記クランプが、前記クランプと前記プレートとの間の熱伝導を低減するための断熱層を備えるように構成されており、前記断熱層が、２Ｗ／ｍ−Ｋの熱伝導率の材料を含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１４】
前記クランプが、前記試料を加熱または冷却する必要がある熱質量を低減するための断熱層を備えるように構成されており、前記断熱層が、２Ｗ／ｍ−Ｋの熱伝導率の材料を含む、請求項１〜１０のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１５】
閉鎖構成において、前記クランプが、ＱＭＡＸカード全体を密封するように構成されている、請求項１〜１０、１３、および１４のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１６】
閉鎖構成において、前記クランプが、前記プレートの表面の一部と熱伝導接触するように構成されている、請求項１〜１０、および１３〜１５のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１７】
閉鎖構成において、前記クランプが、前記プレートの周辺表面領域のみと熱伝導接触する、請求項１〜１０、および１３〜１５のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１８】
閉鎖構成において、前記クランプが、前記プレートの表面領域のみと熱伝導接触し、前記表面領域が、核酸が増幅される前記試料の一部分の外側にある、請求項１〜１０、および１３〜１５のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項１９】
前記クランプが、外側の光が前記プレートに入ることまたはプレートの内側の光が外に出ることを可能にする透明な窓を備える、請求項１〜１０、および１３〜１８のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記クランプが、外側の光が前記プレートに入ることまたはプレートの内側の光が外に出ることを可能にする透明な窓を備え、透明度が、３０％超、４０％、５０％、６０％、７０％、８０％、９０％、１００％であるか、またはそれらの値のうちのいずれか２つの間の範囲である、請求項１〜１０、および１３〜１８のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記クランプが、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを圧縮するための圧力を挿入し、前記圧力が、０．０１ｋｇ／ｃｍ＾２、０．１ｋｇ／ｃｍ＾２、０．５ｋｇ／ｃｍ＾２、１ｋｇ／ｃｍ＾２、２ｋｇ／ｃｍ＾２、ｋｇ／ｃｍ＾２、５ｋｇ／ｃｍ＾２、１０ｋｇ／ｃｍ＾２、２０ｋｇ／ｃｍ＾２、３０ｋｇ／ｃｍ＾２、４０ｋｇ／ｃｍ＾２、５０ｋｇ／ｃｍ＾２、６０ｋｇ／ｃｍ＾２、１００ｋｇ／ｃｍ＾２、１５０ｋｇ／ｃｍ＾２、２００ｋｇ／ｃｍ＾２、４００ｋｇ／ｃｍ＾２であるか、またはそれらの値のうちのいずれか２つの間の範囲である、請求項１〜１０、および１３〜２０のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項２２】
前記クランプが、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを圧縮するための圧力を挿入し、前記圧力が０．１ｋｇ／ｃｍ＾２〜２０ｋｇ／ｃｍ＾２である、請求項１〜１０、および１３〜２１のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記クランプが、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを圧縮するための圧力を挿入し、前記圧力が０．１ｋｇ／ｃｍ＾２〜２０ｋｇ／ｃｍ＾２である、請求項１〜１０、および１３〜２１のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項２４】
前記クランプが、前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを圧縮するための圧力を挿入し、前記圧力が０．５ｋｇ／ｃｍ＾２〜４０ｋｇ／ｃｍ＾２である、請求項１〜１０、および１３〜２１のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項２５】
前記第１のプレートおよび前記第２のプレートを前記閉鎖構成において一緒に圧縮するクランプをさらに備え、かつ前記第１のプレートの少なくとも一部と前記第２のプレートとの間に密封材料をさらに備え、前記プレート上に挿入された前記クランプの圧力が０．０１ｋｇ／ｃｍ＾２以上である、請求項１〜１０、および１３〜２４のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項２６】
前記試料の温度を変化させることが、前記温度を周期的に上下に変化させる熱サイクリングである、請求項１２に記載の方法。
【請求項２７】
前記試料の温度を変化させることが熱サイクリングであり、前記熱サイクリングが、ポリメラーゼ連鎖作用（ＰＣＲ）を使用した核酸の増幅のためである、請求項１２に記載の方法。
【請求項２８】
前記試料の前記温度の前記変化が、核酸の等温増幅のためである、請求項１２に記載の方法。
【請求項２９】
前記試料の前記少なくとも一部および前記放射線吸収層の領域が、前記均一な厚さよりも実質的に大きい、請求項５、６、８、および１０のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項３０】
前記放射線吸収層が、ディスク結合ドットオンピラーアンテナ（ｄｉｓｋ−ｃｏｕｐｌｅｄ  ｄｏｔｓ−ｏｎ−ｐｉｌｌａｒ  ａｎｔｅｎｎａ）（Ｄ２ＰＡ）アレイ、シリコンサンドイッチ、グラフェン、超格子、または他のプラズモン材料、その他それらの組み合わせを含む、請求項５、６、８、１０、および２９のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項３１】
前記放射線吸収層が、カーボンもしくはブラックナノ構造またはそれらの組み合わせを含む、請求項５、６、８、１０、２９、および３０のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項３２】
前記放射線吸収層が、放射線エネルギーを吸収するように構成されている、請求項５、６、８、１０、および２９〜３１のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項３３】
前記放射線吸収層が、放射線エネルギーを吸収した後、熱の形態でエネルギーを放射するように構成されている、請求項５、６、８、１０、および２９〜３２のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項３４】
前記放射線吸収層が、前記試料層の下に、かつ前記試料層と直接接触して位置付けられている、請求項５、６、８、１０、および２９〜３３のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項３５】
前記放射線吸収層が、電波、マイクロ波、赤外波、可視光、紫外波、Ｘ線、ガンマ線、および熱放射からなる群から選択される電磁波を吸収するように構成されている、請求項５、６、８、１０、および２９〜３４のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項３６】
前記プレートのうちの少なくとも１つが、前記放射線吸収層が吸収する放射線を遮断しない、請求項５、６、８、１０、および２９〜３５のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項３７】
前記プレートのうちの一方または両方が、低い熱伝導率を有する、請求項１〜１０、１３〜２５、および２９〜３６のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項３８】
前記試料層の前記均一な厚さが、前記プレートのうちの一方または両方に固定された１つ以上のスペーサによって調整される、請求項１〜１０、１３〜２５、および２９〜３７のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項３９】
前記試料が、予混合されたポリメラーゼ連鎖反応（ＰＣＲ）媒体である、請求項１〜１０、１３〜２５、および２９〜３８のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項４０】
前記デバイスが、所定のプログラムに従って前記試料の温度を変化させるためのＰＣＲアッセイを容易にするように構成されている、請求項１１に記載のシステム。
【請求項４１】
前記デバイスが、診断試験、健康管理、環境試験、および／または法医学的試験を実行するように構成されている、請求項１１に記載のシステム。
【請求項４２】
前記デバイスが、ＤＮＡ増幅、ＤＮＡ定量化、選択的ＤＮＡ単離、遺伝分析、組織適合検査、癌遺伝子同定、感染症試験、遺伝子指紋法、および／または父子鑑定を実行するように構成されている、請求項１１に記載のシステム。
【請求項４３】
前記試料層が、試料蒸発を低減するために横方向に密封されている、請求項１〜１０、１３〜２５、および２９〜３９のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項４４】
前記電磁波の存在、強度、波長、周波数、および／または角度を制御するように構成されたコントローラをさらに備える、請求項１１に記載のシステム。
【請求項４５】
前記試料接触領域またはその近傍の温度を測定し、前記測定された温度に基づいて前記コントローラに信号を送信するように構成された温度計をさらに備える、請求項１１に記載のシステム。
【請求項４６】
前記温度計が、光ファイバ温度計、赤外線温度計、液晶温度計、高温計、水晶温度計、シリコンバンドギャップ温度センサ、温度ストリップ、サーミスタ、および熱電対からなる群から選択される、請求項４５に記載のシステム。
【請求項４７】
前記コントローラが、前記放射線源からの前記電磁波の存在、強度、波長、周波数、および／または角度を制御するように構成されている、請求項１１に記載のシステム。
【請求項４８】
前記放射線源および前記放射線吸収層は、前記電磁波が少なくとも１０℃／秒の平均昇温速度傾斜を生じさせ、前記電磁波の除去が少なくとも５℃／秒の平均降温速度傾斜をもたらすように構成されている、請求項１１に記載のシステム。
【請求項４９】
前記放射線源および前記放射線吸収層が、少なくとも１０℃／秒の平均昇温速度傾斜および少なくとも５℃／秒の平均降温速度傾斜を生み出すように構成されている、請求項１１に記載のシステム。
【請求項５０】
前記放射線源および前記放射線吸収層が、ＰＣＲ中に初期化ステップ、変性ステップ、および／または延伸／伸長ステップに到達するために少なくとも１０℃／秒の平均昇温速度傾斜を生み出し、ならびにＰＣＲ中にアニーリングステップおよび／または最終冷却ステップに到達するために少なくとも５℃／秒の平均降温速度傾斜を生み出すように構成されている、請求項１１に記載のシステム。
【請求項５１】
前記ＰＣＲ試料が、鋳型ＤＮＡ、プライマーＤＮＡ、カチオン、ポリメラーゼ、および緩衝剤を含む、請求項３９に記載のデバイス。
【請求項５２】
前記プレートを閉鎖形態になるように押圧するステップが、前記プレートを厳密でない押圧力で押圧することを含む、請求項１２、および２６〜２８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５３】
前記プレートを閉鎖形態になるように押圧するステップが、前記プレートを人間の手で直接押圧することを含む、請求項１２、２６〜２８、および５２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５４】
非常に均一な厚さの前記層が、１０％未満の厚さの変動を有する、請求項１２、２６〜２８、５２、および５３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５５】
前記試料の温度を変化させることが熱サイクリングであり、前記熱サイクリングが、ホットスタートＰＣＲ、ネステッドＰＣＲ、タッチダウンＰＣＲ、逆転写ＰＣＲ、ＲＡＣＥ  ＰＣＲ、およびデジタルＰＣＲの群から選択されるポリメラーゼ連鎖作用（ＰＣＲ）を使用した核酸の増幅のためである、請求項１２、および５２〜５４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５６】
前記試料の前記温度の前記変化が、ループ介在等温増幅、鎖置換増幅、ヘリカーゼ依存性増幅、ニッキング酵素増幅、ローリングサークル増幅、およびリコンビナーゼポリメラーゼ増幅の群から選択される核酸の等温増幅のためである、請求項１２、および５２〜５４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５７】
ＤＮＡ鋳型、プライマー、ＤＮＡポリメラーゼ、デオキシヌクレオシド三リン酸（ｄＮＴＰ）、二価カチオン（例えば、Ｍｇ２＋）、一価カチオン（例えば、Ｋ＋）、および緩衝液から選択される試薬をさらに含む、請求項３９に記載のデバイス。
【請求項５８】
前記スペーサが、実質的に平坦な頂部を有する、請求項１〜１０、１３〜２５、２９〜３９、４３、５１、および５７のいずれか一項に記載のデバイス。
【請求項５９】
前記プレートのうちの一方が５０μｍ以下である、請求項１〜１０、１３〜２５、２９〜３９、４３、５１、５７、および５８のいずれか一項に記載のデバイス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
本発明は、急速な熱サイクル変化のためのデバイスおよび方法を提供し、本明細書に開示されるデバイスおよび方法は、限定はされないがＰＣＲなどの反応の促進に適している。
[本発明1001]
薄い流体試料層をアッセイするためのデバイスであって、
第1のプレートと、第2のプレートと、スペーサと、クランプとを備え、
ｉ．前記第1のプレートおよび前記第2のプレートが、開放構成および閉鎖構成を含む異なる構成になるように互いに対して移動可能であり、
ｉｉ．前記プレートの各々が、そのそれぞれの表面上に、流体試料と接触するための試料接触領域を備え、
ｉｉｉ．前記プレートのうちの一方または両方が、それぞれのプレートに固定された前記スペーサを備え、
ｉｖ．前記スペーサが、200ミクロン以下である所定の実質的に均一な高さを有し、前記スペーサのうちの少なくとも1つが、前記試料接触領域内にあり、
ｖ．加熱層が、前記流体試料を加熱するように構成されており、
前記加熱層が、（ａ）前記プレートのうちの一方の上（内表面もしくは外表面の上もしくは近くのいずれか）または前記プレートのうちの一方の内側にあり、かつ（ｂ）加熱源によって加熱することが可能であり、前記加熱源が、光学的に、電気的に、無線周波数（ＲＦ）放射によって、またはそれらの組み合わせによって、前記加熱層に熱エネルギーを送達し、
開放構成では、前記2つのプレートが部分的または完全に分離されており、前記プレート間の間隔は前記スペーサによって調整されず、前記プレートのうちの一方または両方の上に前記試料を付着させ、
前記開放構成で前記試料を付着させた後に構成される閉鎖構成では、前記試料の少なくとも一部が、前記2つのプレートによって圧縮されて実質的に均一な厚さの層になり、かつ前記プレートに対して実質的に停滞し、前記層の前記均一な厚さが、前記2つのプレートの前記試料接触領域によって制限され、かつ前記プレートおよび前記スペーサによって調整され、
前記第1のプレートおよび前記第2のプレートが、前記試料の少なくとも一部を、0．1〜200μｍの非常に均一な厚さでありかつ前記プレートに対して実質的に停滞した層になるよう制限するように構成されており、
前記第1のプレートが500μｍ以下の厚さを有し、前記第2のプレートが5ｍｍ以下の厚さを有する、デバイス。
[本発明1002]
前記プレートおよび前記試料厚さが、前記試料の温度を10℃／秒以上の速度で変化させることを可能にするように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス。
[本発明1003]
前記第1のプレートおよび前記第2のプレートを圧縮して、前記2つのプレートを前記閉鎖構成で一緒に固定するクランプをさらに備え、前記プレート上に挿入された前記クランプの圧力が0．01ｋｇ／ｃｍ＾2以上である、前記本発明のいずれかのデバイス。
[本発明1004]
前記加熱層が、前記プレートのうちの一方の上または近くにあり、60％以上の吸収係数を有し、かつ2ｍｍ未満の厚さを有する、前記本発明のいずれかのデバイス。
[本発明1005]
均一な厚さの前記試料の前記少なくとも一部の近くに放射線吸収層をさらに備え、前記試料の前記少なくとも一部および前記放射線吸収層の領域が、前記均一な厚さよりも実質的に大きい、前記本発明のいずれかのデバイス。
[本発明1006]
前記試料の前記少なくとも一部および前記放射線吸収層の前記領域が、前記試料の前記均一な厚さよりも実質的に大きい、前記本発明のいずれかのデバイス。
[本発明1007]
前記デバイスの前記プレートのうちの一方の厚さが100μｍ以下である、前記本発明のいずれかのデバイス。
[本発明1008]
均一な厚さの前記試料の前記少なくとも一部の近くに放射線吸収層をさらに備え、前記デバイスの前記プレートのうちの一方の厚さが100μｍ以下である、本発明1001、1002、および1004のいずれかのデバイス。
[本発明1009]
前記第1のプレートおよび前記第2のプレートを前記閉鎖構成において一緒に圧縮するクランプをさらに備え、前記プレート上に挿入された前記クランプの前記圧力が0．01ｋｇ／ｃｍ＾2以上である、本発明1003のデバイス。
[本発明1010]
前記第1のプレートおよび前記第2のプレートを前記閉鎖構成において一緒に圧縮するクランプをさらに備え、かつ均一な厚さの前記試料の前記少なくとも一部の近くに放射線吸収層をさらに備え、前記プレート上に挿入された前記クランプの前記圧力が0．01ｋｇ／ｃｍ＾2以上である、本発明1003のデバイス。
[本発明1011]
薄い流体試料層の温度を急速に変化させるためのシステムであって、
ｉ．前記本発明のいずれかのデバイスと、
ｉｉ．前記放射線吸収層が顕著に吸収する電磁波を放射するように構成された、放射線源と
を備え、
ｉｉｉ．コントローラが、前記放射線源を制御し、前記試料の前記温度を変化させるように構成されている、システム。
[本発明1012]
薄い流体試料層の温度を急速に変化させるための方法であって、
ｉ．前記本発明のいずれかのデバイスまたはシステムを提供するステップと、
ｉｉ．前記デバイスの前記プレートのうちの一方または両方の上に流体試料を付着させるステップと、
ｉｉｉ．ｉｉの後、前記プレートを閉鎖構成になるように押圧するステップであって、前記プレートが前記試料の少なくとも一部を圧縮して200μｍ未満の厚さの薄層にする、ステップと、
ｉｖ．前記放射線源からの前記電磁波の存在、強度、波長、周波数、および／または角度を変化させることによって、前記試料層の前記温度を変化させ維持するステップと
を含む、方法。
[本発明1013]
前記クランプが、前記クランプと前記プレートとの間の熱伝導を低減するための断熱層を備えるように構成されており、前記断熱層が、2Ｗ／ｍ−Ｋの熱伝導率の材料を含む、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1014]
前記クランプが、前記試料を加熱または冷却する必要がある熱質量を低減するための断熱層を備えるように構成されており、前記断熱層が、2Ｗ／ｍ−Ｋの熱伝導率の材料を含む、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1015]
閉鎖構成において、前記クランプが、ＱＭＡＸカード全体を密封するように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1016]
閉鎖構成において、前記クランプが、前記プレートの表面の一部と熱伝導接触するように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1017]
閉鎖構成において、前記クランプが、前記プレートの周辺表面領域のみと熱伝導接触する、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1018]
閉鎖構成において、前記クランプが、前記プレートの表面領域のみと熱伝導接触し、前記表面領域が、核酸が増幅される前記試料の一部分の外側にある、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1019]
前記クランプが、外側の光が前記プレートに入ることまたはプレートの内側の光が外に出ることを可能にする透明な窓を備える、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1020]
前記クランプが、外側の光が前記プレートに入ることまたはプレートの内側の光が外に出ることを可能にする透明な窓を備え、透明度が、30％超、40％、50％、60％、70％、80％、90％、100％であるか、またはそれらの値のうちのいずれか2つの間の範囲である、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1021]
前記クランプが、前記第1のプレートおよび前記第2のプレートを圧縮するための圧力を挿入し、前記圧力が、0．01ｋｇ／ｃｍ2、0．1ｋｇ／ｃｍ2、0．5ｋｇ／ｃｍ2、1ｋｇ／ｃｍ2、2ｋｇ／ｃｍ2、ｋｇ／ｃｍ2、5ｋｇ／ｃｍ2、10ｋｇ／ｃｍ2、20ｋｇ／ｃｍ2、30ｋｇ／ｃｍ2、40ｋｇ／ｃｍ2、50ｋｇ／ｃｍ2、60ｋｇ／ｃｍ2、100ｋｇ／ｃｍ2、150ｋｇ／ｃｍ2、200ｋｇ／ｃｍ2、400ｋｇ／ｃｍ2であるか、またはそれらの値のうちのいずれか2つの間の範囲である、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1022]
前記クランプが、前記第1のプレートおよび前記第2のプレートを圧縮するための圧力を挿入し、前記圧力が0．1ｋｇ／ｃｍ2〜20ｋｇ／ｃｍ2である、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1023]
前記クランプが、前記第1のプレートおよび前記第2のプレートを圧縮するための圧力を挿入し、前記圧力が0．1ｋｇ／ｃｍ2〜20ｋｇ／ｃｍ2である、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1024]
前記クランプが、前記第1のプレートおよび前記第2のプレートを圧縮するための圧力を挿入し、前記圧力が0．5ｋｇ／ｃｍ2〜40ｋｇ／ｃｍ2である、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1025]
前記第1のプレートおよび前記第2のプレートを前記閉鎖構成において一緒に圧縮するクランプをさらに備え、かつ前記第1のプレートの少なくとも一部と前記第2のプレートとの間に密封材料をさらに備え、前記プレート上に挿入された前記クランプの圧力が0．01ｋｇ／ｃｍ＾2以上である、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1026]
前記試料の温度を変化させることが、前記温度を周期的に上下に変化させる熱サイクリングである、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1027]
前記試料の温度を変化させることが熱サイクリングであり、前記熱サイクリングが、ポリメラーゼ連鎖作用（ＰＣＲ）を使用した核酸の増幅のためである、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1028]
前記試料の前記温度の前記変化が、核酸の等温増幅のためである、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1029]
前記試料の前記少なくとも一部および前記放射線吸収層の領域が、前記均一な厚さよりも実質的に大きい、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1030]
前記放射線吸収層が、ディスク結合ドットオンピラーアンテナ（ｄｉｓｋ−ｃｏｕｐｌｅｄ  ｄｏｔｓ−ｏｎ−ｐｉｌｌａｒ  ａｎｔｅｎｎａ）（Ｄ2ＰＡ）アレイ、シリコンサンドイッチ、グラフェン、超格子、または他のプラズモン材料、その他それらの組み合わせを含む、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1031]
前記放射線吸収層が、カーボンもしくはブラックナノ構造またはそれらの組み合わせを含む、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1032]
前記放射線吸収層が、放射線エネルギーを吸収するように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1033]
前記放射線吸収層が、放射線エネルギーを吸収した後、熱の形態でエネルギーを放射するように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1034]
前記放射線吸収層が、前記試料層の下に、かつ前記試料層と直接接触して位置付けられている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1035]
前記放射線吸収層が、電波、マイクロ波、赤外波、可視光、紫外波、Ｘ線、ガンマ線、および熱放射からなる群から選択される電磁波を吸収するように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1036]
前記プレートのうちの少なくとも1つが、前記放射線吸収層が吸収する放射線を遮断しない、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1037]
前記プレートのうちの一方または両方が、低い熱伝導率を有する、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1038]
前記試料層の前記均一な厚さが、前記プレートのうちの一方または両方に固定された1つ以上のスペーサによって調整される、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1039]
前記試料が、予混合されたポリメラーゼ連鎖反応（ＰＣＲ）媒体である、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1040]
前記デバイスが、所定のプログラムに従って前記試料の温度を変化させるためのＰＣＲアッセイを容易にするように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1041]
前記デバイスが、診断試験、健康管理、環境試験、および／または法医学的試験を実行するように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1042]
前記デバイスが、ＤＮＡ増幅、ＤＮＡ定量化、選択的ＤＮＡ単離、遺伝分析、組織適合検査、癌遺伝子同定、感染症試験、遺伝子指紋法、および／または父子鑑定を実行するように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1043]
前記試料層が、試料蒸発を低減するために横方向に密封されている、前記本発明のいずれかのデバイス。
[本発明1044]
前記電磁波の存在、強度、波長、周波数、および／または角度を制御するように構成されたコントローラをさらに備える、前記本発明のいずれかのシステム。
[本発明1045]
前記試料接触領域またはその近傍の温度を測定し、前記測定された温度に基づいて前記コントローラに信号を送信するように構成された温度計をさらに備える、前記本発明のいずれかのシステム。
[本発明1046]
前記温度計が、光ファイバ温度計、赤外線温度計、液晶温度計、高温計、水晶温度計、シリコンバンドギャップ温度センサ、温度ストリップ、サーミスタ、および熱電対からなる群から選択される、前記本発明のいずれかのシステムまたは方法。
[本発明1047]
前記コントローラが、前記放射線源からの前記電磁波の存在、強度、波長、周波数、および／または角度を制御するように構成されている、前記本発明のいずれかのシステムまたは方法。
[本発明1048]
前記放射線源および前記放射線吸収層は、前記電磁波が少なくとも10℃／秒の平均昇温速度傾斜を生じさせ、前記電磁波の除去が少なくとも5℃／秒の平均降温速度傾斜をもたらすように構成されている、前記本発明のいずれかのシステムまたは方法。
[本発明1049]
前記放射線源および前記放射線吸収層が、少なくとも10℃／秒の平均昇温速度傾斜および少なくとも5℃／秒の平均降温速度傾斜を生み出すように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1050]
前記放射線源および前記放射線吸収層が、ＰＣＲ中に初期化ステップ、変性ステップ、および／または延伸／伸長ステップに到達するために少なくとも10℃／秒の平均昇温速度傾斜を生み出し、ならびにＰＣＲ中にアニーリングステップおよび／または最終冷却ステップに到達するために少なくとも5℃／秒の平均降温速度傾斜を生み出すように構成されている、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1051]
前記ＰＣＲ試料が、鋳型ＤＮＡ、プライマーＤＮＡ、カチオン、ポリメラーゼ、および緩衝剤を含む、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1052]
前記プレートを閉鎖形態になるように押圧するステップが、前記プレートを厳密でない押圧力で押圧することを含む、前記本発明のいずれかの方法。
[本発明1053]
前記プレートを閉鎖形態になるように押圧するステップが、前記プレートを人間の手で直接押圧することを含む、前記本発明のいずれかの方法。
[本発明1054]
非常に均一な厚さの前記層が、10％未満の厚さの変動を有する、前記本発明のいずれかの方法。
[本発明1055]
前記試料の温度を変化させることが熱サイクリングであり、前記熱サイクリングが、ホットスタートＰＣＲ、ネステッドＰＣＲ、タッチダウンＰＣＲ、逆転写ＰＣＲ、ＲＡＣＥ  ＰＣＲ、およびデジタルＰＣＲの群から選択されるポリメラーゼ連鎖作用（ＰＣＲ）を使用した核酸の増幅のためである、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1056]
前記試料の前記温度の前記変化が、ループ介在等温増幅、鎖置換増幅、ヘリカーゼ依存性増幅、ニッキング酵素増幅、ローリングサークル増幅、およびリコンビナーゼポリメラーゼ増幅の群から選択される核酸の等温増幅のためである、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1057]
ＤＮＡ鋳型、プライマー、ＤＮＡポリメラーゼ、デオキシヌクレオシド三リン酸（ｄＮＴＰ）、二価カチオン（例えば、Ｍｇ2＋）、一価カチオン（例えば、Ｋ＋）、および緩衝液から選択される試薬をさらに含む、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1058]
前記スペーサが、実質的に平坦な頂部を有する、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。
[本発明1059]
前記プレートのうちの一方が50μｍ以下である、前記本発明のいずれかのデバイス、システム、または方法。