【手続補正書】
【提出日】令和3年6月1日(2021.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
患者の身体内腔内に配置されるように構成され、近位部分及び遠位部分を有する可撓性細長部材と、
前記可撓性細長部材の前記遠位部分に配置され、前記身体内腔の撮像データを取得するように構成される超音波撮像アセンブリであって、前記超音波撮像アセンブリが、
マイクロマシン超音波トランスデューサ素子に対する領域を含む複数の離間されたセグメントに分離された基板であって、前記領域が、前記セグメント上に配置され、前記セグメントが、各々、複数の側壁を持ち、分離領域により囲まれる、当該基板、
前記基板の上に配置されたハードマスク層、及び
前記領域において前記ハードマスク層の上に配置された複数の行のトランスデューサ素子、
を有し、
前記ハードマスク層が、前記マイクロマシン超音波トランスデューサ素子に対する前記領域の周りで前記分離領域上にスクリーンを形成するようにパターニングされ、前記分離領域上の前記スクリーンが、前記ハードマスク層を通して形成された孔のアレイを含み、
前記基板の前記複数の離間されたセグメントの各々の少なくとも１つの側壁が、互いに垂直な２つの方向に沿って伝搬するスカラップエッチングフィーチャを有する、当該超音波撮像アセンブリと、
を有する腔内超音波撮像装置。
【請求項２】
前記基板が、シリコンを有し、
前記ハードマスク層が、酸化ケイ素を有する、
請求項１に記載の腔内超音波撮像装置。
【請求項３】
前記複数の行のトランスデューサ素子の各々が、容量性マイクロマシン超音波トランスデューサ（ＣＭＵＴ）素子又は圧電マイクロマシン超音波トランスデューサ（ＰＭＵＴ）素子を有する、請求項１に記載の腔内超音波撮像装置。
【請求項４】
前記超音波撮像アセンブリが、可撓性相互接続を更に有し、
前記複数の行のトランスデューサ素子の２つが、溝により互いから離間され、
前記可撓性相互接続が、前記溝の上に広がり、
前記可撓性相互接続が、凹部のアレイを含む表面を有する、
請求項１に記載の腔内超音波撮像装置。
【請求項５】
腔内超音波撮像装置を製造する方法において、
第１の側においてハードマスクを有する基板を提供するステップであって、前記基板が、マイクロマシン超音波トランスデューサ素子に対する領域を含み、前記領域が、セグメント内に配置され、前記セグメントは、分離フィーチャが形成されるべき分離領域により囲まれる、ステップと、
第１の領域において前記ハードマスクを通して第１の複数の孔を形成するステップであって、前記第１の領域は、前記マイクロマシン超音波トランスデューサ素子が製造されるべき領域の周りの前記分離領域上にある、ステップと、
前記第１の複数の孔を通して前記基板をエッチングするステップであって、これにより前記分離フィーチャを提供するように前記基板における前記セグメント間に溝を形成するステップと、
前記第１の複数の孔の上に材料層を堆積するステップと、
前記マイクロマシン超音波トランスデューサ素子に対する前記領域において前記第１の領域に隣接して複数の超音波トランスデューサ素子を形成するステップと、
前記第１の領域及び前記マイクロマシン超音波トランスデューサ素子に対する前記領域において前記基板の上に可撓性層を形成するステップと、
を有する方法。
【請求項６】
前記基板が、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）基板である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記基板を提供するステップが、前記基板の前記第１の側において前記ハードマスクを形成することを有する、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の領域において前記ハードマスクを通して前記第１の複数の孔を提供するステップが、エッチングマスクとして金属層を使用して前記ハードマスクをエッチングすることを有する、請求項５に記載の方法。
【請求項９】
前記第１の複数の孔を通して前記基板をエッチングするステップが、ディープリアクティブイオンエッチング（ＤＲＩＥ）を使用して前記第１の複数の孔を通して前記基板をエッチングすることを有する、請求項５に記載の方法。
【請求項１０】
前記第１の複数の孔の上に前記材料層を堆積するステップが、プラズマ化学気相堆積法（ＰＥＣＶＤ）を使用して前記材料層を堆積することを有する、請求項５に記載の方法。
【請求項１１】
前記マイクロマシン超音波トランスデューサ素子に対する前記領域において前記複数の超音波トランスデューサ素子を形成するステップが、容量性マイクロマシン超音波トランスデューサ（ＣＭＵＴ）素子又は圧電マイクロマシン超音波トランスデューサ（ＰＭＵＴ）素子を形成することを有する、請求項５に記載の方法。
【請求項１２】
前記溝を露出するように前記基板の第２の側において開口を形成するステップ、
を更に有する、請求項５に記載の方法。
【請求項１３】
前記開口を通して前記第２の側から、前記溝において露出された前記材料層及び前記ハードマスクを取り除くステップ、
を更に有する、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１の複数の孔の上に配置された前記材料層を平坦化するステップを更に有する、請求項５に記載の方法。
【請求項１５】
患者の身体内腔内に配置されるように構成され、近位部分及び遠位部分を有する可撓性細長部材と、
前記可撓性細長部材の前記遠位部分に配置され、前記身体内腔の撮像データを取得するように構成される超音波撮像アセンブリであって、前記超音波撮像アセンブリが、
基板、
前記基板の上に配置された酸化ケイ素層、及び
前記酸化ケイ素層の上に配置された複数の行のマイクロマシン超音波トランスデューサ素子、
を有し、前記複数の行のマイクロマシン超音波トランスデューサ素子の２つが、前記酸化ケイ素層に形成されたスクリーンを通してエッチングすることにより形成された溝により離間される、当該超音波撮像アセンブリと、
を有し、
前記腔内超音波撮像装置が、請求項６に記載の方法によって形成される、
腔内超音波撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
ここに記載されるようなスクリーンが、エッチングマスクとして使用される場合、前記溝の側壁におけるパターンは、変化する。ここで図７Ａを参照すると、ここに示されるのは、ハードマスク層７０６に形成されたスクリーン７０８を使用して半導体基板７０２に形成された埋められた溝７０４のＳＥＭ画像である。図４Ａ乃至４Ｇ又は図５Ａ乃至５Ｉに示される実施例と同様に、半導体基板７０２は、シリコン基板であることができ、ハードマスク層７０６は、酸化ケイ素層であることができる。図７Ｂは、方向７１２から見た埋められた溝７０４の側壁７１０のＳＥＭ画像を示す。図７Ｂに示されるように、側壁７１０は、二方向波状表面７１４を含むことができる。二方向波状表面７１４は、Ｘ方向及びＸ方向に垂直なＹ方向に沿って伝搬する波状構造を含む。一部の例において、一方向波状表面６０６は、シングルスカラップと称されることができ、二方向波状表面７１４は、ダブルスカラップと称されることができる。側壁７１０における二方向波状表面７１４は、製造プロセスの最後に存在する。表面７１４は、製造が完了した後に、前記溝が、前記ハードマスク層を通して完全にエッチングすることなしに、ここに記載されるように、前記ハードマスク層におけるスクリーンを通してエッチングすることにより形成されたことの標示を提供する。