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【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
本発明の一実施形態
図１は、あるビット数の仮想アドレスによってアドレス指定することができる、異なる仮想領域を図示するブロック・ダイアグラムである。図１は、０から６３までの番号が付けられた、６４個のビットを有する仮想アドレス１００を示す図である。本発明の一実施形態では、仮想アドレス１００の上側ビットＮ個を使用して、２N個の異なる仮想領域１０５を識別する。したがって、図１に図示する例に示すように、異なる個々の仮想領域は、２(64-N)バイトのアドレス指定可能な空間を有する。この実施形態は６４ビット・コンピュータ・システムに関連して記述しているが、本発明は６４ビット・コンピュータ・システムに限定されるものではない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
代替の実施形態
本発明を、幾つかの実施形態に関して説明したが、本発明が、記述した実施形態に限定されるものではないことを当業者なら理解するであろう。本発明の方法および装置は、修正および変更を加えて実行することができる。したがって、以上の記述は、本発明の制限ではなく例示であるとみなされたい。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月20日(2004.12.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高速ページ・モード・メモリ・デバイスの動作に従って動作し行およぴ洌アドレスを与えそして列アドレス・ストローブ信号を含むストローブ信号に対応させることによりデータを記憶そして検索するメモリ・コントローラと、
前記列アドレス・ストローブ信号を受信する出力動作可能入力を有する拡張データ出力メモリ・デバイスと、
を含むコンピュータ用メモリ・システム。
【請求項２】
前記拡張データ出力メモリ・デバイスは複数の拡張データ出力メモリを含み、各前記拡張データ出力メモリ・デバイスは前記列アドレス・ストローブ信号を受信する出力動作可能入力を有する複数の拡張データ出力メモリと、
を含む、請求項１に記載のメモリ・システム。
【請求項３】
前記メモリ・コントローラに結合されそして前記列アドレス・ストローブ信号を受信するメモリボード・コネクタと、
前記メモリボード・コネクタに結合されそして前記列アドレス・ストローブ信号を受信し、前記列アドレス・ストローブ信号を前記拡張データ出力メモリ・デバイスの前記出力動作可能入力へ与える、メモリボードと、
をさらに含む、請求項1に記載のメモリ・システム。
【請求項４】
複数のメモリ・モジュール・コネクタを含むメモリボードと、各複数のメモリ・モジュール・コネクタは前記メモリ・コントローラに結合されそして前記列アドレス・ストローブ信号を受信し、それぞれが前記複数のメモリボード・コネクタの対応するひとつにインターフェースされた複数のメモリ・モジュールと、をさらに含み、
前記拡張データ出力メモリ・デバイスは前記複数のメモリ・モジュール上に分配された複数の拡張デバイス出力メモリ・チップを含み、各複数の拡張デバイス出力メモリ・チップは前記列アドレス・ストローブ信号を受信する出力動作可能入力を有する、
請求項1に記載のメモリ・システム。
【請求項５】
拡張データ出力メモリと共に動作する高速ページ・モード・メモリ用に設計されたメモリ・システムを動作する方法であって、
高速ページ・モード・メモリ・デバイスを拡張データ出力メモリ・デバイスと置換する段階と、
列及び行アドレス信号を表明しそして高速ページ・モード動作に従って列アドレス・ストローブ信号を含むストローブ信号を拡張データ出力メモリ・デバイスと対応する段階と、
各拡張データ出力メモリ・デバイスの出力動作可能入力に列アドレス・ストローブ信号を与える段階と、
を含む方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月21日(2004.10.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】固体ポリマー燃料電池
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｐｔ−Ｍ合金とＹを含む触媒を含むアノードを含んで成る固体ポリマー燃料電池であって、Ｍが遷移金属元素から又は周期律表（Handbook of Chemistry and Physics、第64版、CRC Press）の第IIIA族もしくは第IVA族から選択された１種以上の金属であり、Ｙが青銅を生成する元素又はその酸化物であり、かつ、該Ｐｔ−Ｍ合金がＹと近接しているが、但しＹがＷＯ３である場合にはＭはＲｕでない、ことを特徴とする固体ポリマー燃料電池。
【請求項２】
ＭがＲｕ、Ｒｈ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｈｆ及びＳｎからなる群から選ばれた１種以上の金属である、請求項１に記載の燃料電池。
【請求項３】
ＭがＲｕ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ及びＲｈからなる群から選ばれた１種以上の金属である、請求項２に記載の燃料電池。
【請求項４】
ＹがＴｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｅ及びこれらの酸化物からなる群から選ばれた、請求項１〜３のいずれか１項に記載の燃料電池。
【請求項５】
ＹがＴｉ、Ｖ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｗ及びこれらの酸化物からなる群から選ばれた、請求項４に記載の燃料電池。
【請求項６】
ＹがＭｏ、Ｗ及びこれらの酸化物からなる群から選ばれた、請求項５に記載の燃料電池。
【請求項７】
ＭがＲｕでない、請求項１〜６のいずれか１項に記載の燃料電池。
【手続補正書】
【提出日】平成17年7月22日(2005.7.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に一つの記録マークを形成する際に、先頭パルスと、上記先頭パルスに引き続く中間パルス列と、上記中間パルス列に引き続く最終パルスと、最終パルスに引き続く負パルスとからなるエネルギービームのパルス列を照射する情報の記録方法であって、
前記記録媒体のコントロールデータゾーンには、上記先頭パルスのパワーレベル、上記中間パルス列の上側パワーレベルと下側パワーレベル、上記最終パルスのパワーレベル、上記負パルスのパワーレベルのそれぞれの指示値が予め記録されており、
上記先頭パルスの平均パワーを上記コントロールデータゾーンの先頭パルスのパワーレベル指示値に調整し、上記中間パルス列の平均パワーを上記コントロールデータゾーンの上側パワーレベル指示値と下側パワーレベル指示値の算術平均値に調整し、上記最終パルスの平均パワーを上記コントロールデータゾーンの最終パルスのパワーレベル指示値に調整し、上記負パルスの平均パワーを上記コントロールデータゾーンの負パルスのパワーレベル指示値に調整し、
前記先頭パルスの前エッジは、現在記録しようとしている当該マークの長さをＭ（ｎ）とし、当該マークに先行するスペースの長さをＳ（ｎ−１）とした場合、Ｍ（ｎ）とＳ（ｎ−１）の組み合わせで決まる値を並べたルックアップテーブルに基づいて決定され、或いは／及び
前記最終パルスの後ろエッジは、現在記録しようとしている当該マーク長さをＭ（ｎ）とし、当該マークに続くスペース長さをＳ（ｎ＋１）とした場合、Ｍ（ｎ）とＳ（ｎ＋１）の組み合わせで決まる値を並べたルックアップテーブルに基づいて決定されることを特徴とする情報の記録方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月19日(2004.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性基板上に、少なくとも、軟磁性下地層と直上の膜の配向性を制御する配向制御層とを含む下地層と、その下地層の上に磁化容易軸が基板に対し垂直に配向した垂直磁性層と、保護層とが設けられた磁気記録媒体において、垂直磁性層が基板側から一層目磁性層、二層目磁性層、三層目磁性層である３層の積層構造を含んでおり、各磁性層をそれぞれ該下地層の上に直接単層で２０ｎｍの厚さに成膜した時の各層の活性化磁気モーメントの大きさが二層目磁性層＞三層目磁性層＞一層目磁性層であり、かつ各磁性層をそれぞれ該下地層の上に直接単層で２０ｎｍの厚さに成膜した時の逆磁区核形成磁界の大きさが二層目磁性層＞一層目磁性層＞三層目磁性層の関係であり、各磁性層の特性が、それぞれを該下地層の上に直接単層で２０ｎｍの単層で成膜した際の磁気特性が、一層目磁性層の活性化磁気モーメントが０．４×１０-15〜０．６×１０-15ｅｍｕ、逆磁区核形成磁界が−２００〜＋１００Ｏｅ（−１６ｋＡ／ｍ〜＋７．９ｋＡ／ｍ）、二層目磁性層の活性化磁気モーメントが０．７×１０-15〜０．９×１０-15ｅｍｕ、逆磁区核形成磁界が＋２００Ｏｅ（＋１６ｋＡ／ｍ）以上、三層目磁性層の活性化磁気モーメントが０．６×１０-15〜０．８×１０-15ｅｍｕ、逆磁区核形成磁界が−２００Ｏｅ（−１６ｋＡ／ｍ）以下であることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２】
各磁性層の有する活性化磁気モーメントの大きさが、一層目：二層目：三層目＝１：１．８〜２．２：１．３〜１．７の比であることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
垂直磁性層の活性化磁気モーメントが０．４×１０-15ｅｍｕ〜０．８×１０-15ｅｍｕであり、逆磁区核形成磁界が０Ｏｅ（０Ａ／ｍ）以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体。
【請求項４】
各磁性層はＣｏを主成分とし少なくともＣｒ、Ｐｔを含んだ材料からなり、一層目磁性層がＣｒ含有量が１９〜２４ａｔ％、Ｐｔ含有量が１４〜1８ａｔ％、二層目磁性層がＣｒ含有量が１６〜２０ａｔ％、Ｐｔ含有量が１６〜２２ａｔ％、三層目磁性層がＣｒ含有量が１６〜２４ａｔ％、Ｐｔ含有量が８〜１４ａｔ％である材料からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
各磁性層のうち、少なくとも１層がＢ、Ｔａ、Ｃｕから選ばれる１種類以上を含み、それら元素の合計含有量が０．５〜８ａｔ％である材料からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
各磁性層のうち、少なくとも１層がＮｄ、Ｗ、Ｍｏ、Ｒｕから選ばれるいずれか１種類以上を含み、それら元素の合計含有量が０．５〜１５ａｔ％である材料からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
各磁性層の膜厚が１〜５５ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項８】
垂直磁性層を構成する磁性層うち少なくとも一層がさらに２層以上の異なる磁性材料から構成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項９】
下地層が、配向制御層の上に、ＣｏＣｒ合金、ＣｏＣｒＸ１合金、ＣｏＸ１合金（Ｘ１：Ｐｔ、Ｔａ、Ｚｒ、Ｒｕ，Ｎｂ、Ｃｕ、Ｒｅ、Ｎｉ、Ｍｎ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｏ、ＮおよびＢのうち１種または２種以上。）から選ばれるいずれかからなる中間層を有していることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１０】
配向制御層がＮｉを３３〜８０ａｔ％含む、ＮｉＴａ合金、ＮｉＮｂ合金、ＮｉＴｉ合金、ＮｉＺｒ合金から選ばれた少なくとも１種からなることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１１】
配向制御層がＮｉを３３〜８０ａｔ％含み、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃのうち１種または２種以上を含む非磁性材料からなることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。
【請求項１２】
非磁性基板上に、少なくとも、軟磁性下地層と直上の膜の配向性を制御する配向調整層とを含む下地層と、その下地層の上に磁化容易軸が基板に対し垂直に配向した垂直磁性層と、保護層とが設けられた磁気記録媒体の製造方法において、垂直磁性層として少なくとも基板側から一層目磁性層、二層目磁性層、三層目磁性層である３層を積層する工程を含み、該工程において各層を形成する磁性材料として各磁性層をそれぞれ該下地層の上に単層で２０ｎｍの厚さで成膜した際の活性化磁気モーメントの大きさが二層目磁性層＞三層目磁性層＞一層目磁性層となり、さらに逆磁区核形成磁界の大きさが二層目磁性層＞一層目磁性層＞三層目磁性層となる材料が用いられることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
垂直磁性層を成膜する工程において、少なくとも１層の成膜工程が、スパッタガスにＡｒガスを用いその圧力を３〜２０Ｐａとすることを特徴とする請求項１２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
磁気記録媒体と、該磁気記録媒体に情報を記録再生する磁気ヘッドとを備えた磁気記録再生装置であって、磁気記録媒体が請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の磁気記録媒体であることを特徴とする磁気記録再生装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月4日(2004.8.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパイラル状あるいは同心円状の溝部又は溝間部の少なくとも一を情報記録トラックとする光情報記録媒体であって、該溝部又は溝間部に、変調されたウォブル情報を有し、このウォブル情報は複数種類の異なる変調・符号化法を重畳してあるいは相補的に用いて形成されていることを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項２】
上記のウォブル情報は、独立に記録検出できる２種類の変調・符号化法を重畳して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項３】
上記のウォブル情報はトラック方向に分割された複数の領域に複数種類の異なる変調・符号化法のうち少なくとも1種類ずつを適用して形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項４】
上記ウォブル情報は隣接するトラック同士で異なる変調・符号化方式が適用されていることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項５】
複数の記録層を有し、記録層間で、上記ウォブル情報には互いに異なる変調・符号化方式が適用されていることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項６】
上記ウォブル情報のうち、少なくとも一つの変調・符号化方式が適用されたものが、アドレス情報を保持していることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項７】
上記ウォブル情報のうち、少なくとも一つの変調・符号化方式が適用されたものが、同期情報を保持していることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項８】
上記ウォブル情報のうち、少なくとも一つの変調・符号化方式が適用されたものが、付加データを保持していることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項９】
上記ウォブル情報は隣接するトラック同士で互いに90度異なる位相になるような搬送波信号にしたがって変調されて配置されていることを特徴とする請求項１に記載の光情報記録媒体。
【請求項１０】
上記付加データとして，記録時または再生時のデータの保護またはアクセス制限の為の管理情報あるいは暗号鍵情報が記憶されていることを特徴とする請求項８に記載の光ディスク。
【請求項１１】
上記付加データとして，ディスクの種別や特徴を示す制御情報が記憶されていることを特徴とする請求項１０に記載の光ディスク。
【請求項１２】
スパイラル状あるいは同心円状の溝部又は溝間部の少なくとも一を情報記録トラックとする光情報記録媒体を再生する装置であって、該溝部又は溝間部に、複数種類の異なる変調・符号化法を重畳してあるいは相補的に用いて形成されたウォブル情報を、再生する再生手段を備えていることを特徴とする光情報記録媒体の再生装置。
【請求項１３】
スパイラル状あるいは同心円状の溝部又は溝間部の少なくとも一を情報記録トラックとし、前記溝部又は溝間部に、変調されたウォブル情報を有し、前記ウォブル情報は複数種類の異なる変調・符号化法を重畳してあるいは相補的に用いて形成された、光情報記録媒体に対し、情報を記録することを特徴とする情報記録方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月13日(2004.12.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】    【発明の属する技術分野】  本発明は、光記録媒体、光記録媒体用基板、光記録媒体記録方法、光記録媒体再生方法および光記録媒体製造方法に関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】    【発明が解決しようとする課題】  大容量のデータを記録するためには、光源に短波長を用いて面記録密度を向上させるのが一般的な手法である。  ところが有機色素系の追記型光記録媒体は、例えば波長４００ｎｍ程度の短波長光において充分なＳＮＲを与える材料開発が課題となっており、またその構造上ランドグルーブ記録は困難である。  無機化合物系の追記型光記録媒体は、生産性や製造コストが有機色素系と比較して劣り、記録時の高転送レート化のために媒体構造を制御しなくてはならない。  したがって、光源の短波長化やランドグルーブ記録などの各種記録フォーマットに対応でき、かつ、製造コストを抑制することができる追記型光記録媒体に対する要求が高まっている。  本発明は、このような実状に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、各種記録フォーマットに対応でき、かつ、製造コストを抑制することができる光記録媒体、光記録媒体用基板、光記録媒体の記録再生方法および光記録媒体製造方法を提供することにある。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】    【発明の効果】  以上説明したように本発明の光記録媒体、光記録媒体用基板、光記録媒体の記録方法、光記録媒体の再生方法および光記録媒体製造方法によれば、各種記録フォーマットに対応でき、かつ、製造コストを抑制することができる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年6月11日(2004.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一様な磁気環境を有する磁気メモリであって、
磁化容易軸を有し、アレイを画定するために複数の行および列に配列される複数の磁気メモリセルであって、前記磁気メモリセルが前記アレイ内の内側位置または周辺位置の選択された一方に配置され、前記内側位置を有する前記磁気メモリセルが、隣接する前記磁気メモリセルによって生成される第１の一様な磁気環境に晒される、複数の磁気メモリセルと、
行方向および列方向においてそれぞれ前記磁気メモリセルを横切る行導体および列導体と、及び
磁化容易軸を有し、前記周辺位置を有する前記磁気メモリセルのうちの選択された１つまたは複数の磁気メモリセルに隣接して配置される複数のダミー磁気セルとを含み、
前記周辺位置を有する磁気メモリセルが、隣接する前記磁気メモリセルと隣接する前記ダミー磁気セルとによって生成される第２の一様な磁気環境に晒され、前記第２の一様な磁気環境が前記第１の磁気環境に概ね等しい、磁気メモリ。
【請求項２】
前記第１の一様な磁気環境が、前記内側位置を有する磁気メモリセルと前記隣接する磁気メモリセルとによって生成される切替え磁界の大きさに影響を及ぼし、前記第２の一様な磁気環境が、前記第１の磁気環境と概ね同じように、前記周辺位置を有する磁気メモリセルと、前記ダミー磁気セルと、前記隣接する磁気メモリセルとによって生成される切替え磁界の大きさに影響を及ぼす、請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項３】
前記磁気メモリセルの磁化容易軸と、前記ダミー磁気セルの磁化容易軸とが、互いに概ね同一直線をなす、請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項４】
前記磁気メモリセルの磁化容易軸と、前記ダミー磁気セルの磁化容易軸とが、前記行方向と概ね同一直線をなす、請求項３に記載の磁気メモリ。
【請求項５】
前記行上に配置され、前記周辺位置を有する前記磁気メモリセルに隣接して、前記ダミー磁気セルが配置される、請求項４に記載の磁気メモリ。
【請求項６】
前記ダミー磁気セルが、少なくとも１つの行バンクに配列され、前記行バンク内のダミー磁気セルが、前記周辺位置を有する磁気メモリセルとペアにされる、請求項５に記載の磁気メモリ。
【請求項７】
前記磁気メモリセルの磁化容易軸と、前記ダミー磁気セルの磁化容易軸とが、前記列方向と概ね同一直線をなす、請求項３に記載の磁気メモリ。
【請求項８】
前記列上に配置され、前記周辺位置を有する磁気メモリセルに隣接して、前記ダミー磁気セルが配置される、請求項７に記載の磁気メモリ。
【請求項９】
前記ダミー磁気セルが、少なくとも１つの列バンクに配列され、前記列バンク内のダミー磁気セルが、前記周辺位置を有する磁気メモリセルとペアにされる、請求項８に記載の磁気メモリ。
【請求項１０】
前記磁気メモリセルの前記磁化容易軸と、前記ダミー磁気セルの前記磁化容易軸とが、１つのベクトルと概ね同一直線をなす、請求項３に記載の磁気メモリ。
【請求項１１】
前記ダミー磁気セルが、前記行導体および前記列導体のうちの選択された一方によって横切られる、請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項１２】
前記ダミー磁気セルが、前記行導体および前記列導体のうちの選択された一方によって横切られ、前記ダミー磁気セルが、前記行導体および前記列導体のうちの前記選択された一方から誘電体材料によって電気的に絶縁される、請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項１３】
前記ダミー磁気セルが前記行導体および前記列導体によって横切られない、請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項１４】
前記ダミー磁気セルは、前記周辺位置を有する磁気メモリセルが前記ダミー磁気セル、および隣接する磁気メモリセルによって対称的に包囲されるように配置される、請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項１５】
前記ダミー磁気セルが前記行導体および前記列導体によって交差されない、請求項１４に記載の磁気メモリ。
【請求項１６】
前記ダミー磁気セルが、前記行導体および前記列導体のうちの選択された一方によって横切られ、前記ダミー磁気セルが、前記行導体および前記列導体のうちの前記選択された一方から誘電体材料によって電気的に絶縁される、請求項１４に記載の磁気メモリ。
【請求項１７】
前記周辺位置を有するメモリセルのうちの選択された１つまたは複数のメモリセルが、前記ダミー磁気セルのうちの少なくとも２つとペアにされる、請求項１に記載の磁気メモリ。
【請求項１８】
前記周辺位置を有する磁気メモリセルが、行方向のペアリング、列方向のペアリングおよび対角線方向のペアリングのうちの選択された１つまたは複数のペアリングを有する、請求項１７に記載の磁気メモリ。
【請求項１９】
前記ペアリングの結果として、前記周辺位置を有するメモリセルの対称的な包囲のうちの選択された１つまたは複数と、前記周辺位置を有するメモリセルに隣接して配置される行バンクと、前記周辺位置を有するメモリセルに隣接して配置される列バンクとが形成される、請求項１８に記載の磁気メモリ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
１つの有名なタイプのＭＲＡＭセルはスピントンネルデバイスである。スピントンネル効果の物理的現象は、ＭＲＡＭの技術分野において良く理解されている。図１ａでは、従来のスピントンネルメモリセル１０１が、変更可能な磁化の向き１０３として１ビットのデータを格納するデータ層１０２と、磁化の向きが固定された方向１０８にピン止めされる（pinned）基準層１０４と、データ層１０２と基準層１０４との間に配置される薄い層１０６とを含む。層１０６は、トンネル磁気抵抗メモリセル（ＴＭＲ）内の誘電体層（トンネル障壁層とも呼ばれる）である。層１０６は同様に、巨大磁気抵抗メモリセル（ＧＭＲ）では導電層とすることができる。トンネル障壁層１０６の厚みは通常、２．０ｎｍ未満である。形状異方性のため、従来のメモリセル１０１の幅Ｗおよび高さＨは結果的に、１．０より大きな縦横比（Ｗ／Ｈ）を有し、変更可能な磁化の向き１０３がメモリセル１０１の磁化容易軸ｅに揃えられるようにすることが望ましい。
【手続補正書】
【提出日】平成17年10月14日(2005.10.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に第１の層と、その第１の層と第３の層との間に第２の層とを含むデータ記憶媒体と、
前記データ記憶媒体に近接して配置されるエネルギー源と、及び
前記第２の層の一部を通って延在するナノメートルスケールのデータビットとを含む、データ記憶デバイス。
【請求項２】
前記第１の層が導電性材料からなる、請求項１に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項３】
前記第２の層が、電気的抵抗性の材料からなる、請求項２に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項４】
前記第２の層が、第１の状態と第２の状態とを有する材料からなる、請求項２に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項５】
前記第２の層が２ｎｍ〜１００ｎｍの厚みからなる、請求項１に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項６】
前記第２の層が、相変化材料を含む第１の領域と、前記相変化材料の第１の相の抵抗率値と前記相変化材料の第２の相の抵抗率値との間の中間の抵抗率値を有する抵抗性材料を含む第２の領域とからなる、請求項１に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項７】
前記第２の層が断熱性材料からなる、請求項１に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項８】
前記データビットが、前記第２の層の状態とは異なる状態の材料を含む、請求項１に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項９】
前記データビットが、前記第２の層を貫通する孔を含む前記第２の層の部分を含む、請求項１に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項１０】
前記第２の層に隣接した第３の層、及び前記第３の層に隣接した第４の層をさらに含む、請求項１に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項１１】
前記データビットが、前記第４の層の一部を通って延在する、請求項１０に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項１２】
前記第２の層が、光導電性材料および陰極導電性材料のうちの少なくとも１つからなる、請求項１に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項１３】
前記第２の層が、フォトルミネセンス材料および陰極ルミネセンス材料のうちの少なくとも１つからなる、請求項１に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項１４】
前記エネルギー源が、電界放出器、スピント放出器、及びショットキー放出器のうちの少なくとも１つからなる、請求項１に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項１５】
前記記憶媒体に近接して配置された、二次エネルギー放出器および加熱素子のうちの少なくとも１つをさらに含む、請求項１に記載のデータ記憶デバイス。
【請求項１６】
表面に第１の層と、その第１の層と第３の層との間に第２の層とを含むデータ記憶媒体を準備するステップと、
前記記憶媒体を高電力密度ビームでボンバードすることにより、前記第２の層にナノメートルスケールのデータビットを書き込むステップと、及び
前記データ記憶媒体を低電力密度ビームでボンバードすることにより、前記データビットを読み出すステップとを含む、データを格納する方法。
【請求項１７】
前記書き込むステップが、前記第１の層と前記第２の層を貫通する孔を形成することをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記書き込むステップが、前記第２の層の一部を第１の状態から第２の状態に変更することをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記読み出すステップが、前記第３の層にどれだけの電流が流れるかをモニタすることをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項２０】
前記読み出すステップが、前記第３の層と比べて前記第１の層にどれだけの電流が流れるかを比較することをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電源電圧のレベルに従って、所定の回路を初期化する第１の回路と、
活性化又は非活性化によって、前記第１の回路の出力を制御するための第２の回路と、
前記第２の回路の活性化又は非活性化を、外部からの入力に従って行う活性化制御回路と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
メモリセルアレイにおける第１の領域を第２の領域に置き換えるための置換データを含むヒューズデータを格納するヒューズデータ格納部と、
前記ヒューズデータ格納部から前記ヒューズデータを読み出すヒューズデータ読み出し部と、
活性化されると、前記ヒューズデータ読み出し部に前記ヒューズデータを読み出させるための制御信号を出力する読み出し制御回路と、
前記読み出し制御回路の活性化又は非活性化を、外部からの入力に従って行う活性化制御回路と、
を備えることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項３】
前記活性化制御回路は、この活性化制御回路に接続されたパッドをさらに有し、
前記外部からの入力は、前記パッドへの電圧の印加により行われることを特徴とする請求項２記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項４】
前記活性化制御回路は、
電源が投入されて電圧が所定レベルに到達するとパワーオンリセット信号を出力するパワーオンリセット回路と、
前記パッドに入力された電圧が第１のレベルにある場合、前記パワーオンリセット信号が出力されると前記読み出し制御回路を活性化して前記制御信号を出力させ、前記パッドに入力された電圧が第２のレベルにある場合、前記パワーオンリセット信号が出力されても前記読み出し制御回路を非活性化して前記制御信号を出力させない活性化決定回路と、
をさらに備えることを特徴とする請求項３記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
前記活性化制御回路は、
この活性化制御回路に接続されたパッドと、
電源が投入されて電圧が所定レベルに到達するとパワーオンリセット信号を出力するパワーオンリセット回路と、
前記パッドに入力された電圧が第１のレベルにある場合、前記パワーオンリセット信号が出力されると第１の活性化信号を出力し、前記パッドに入力された電圧が第２のレベルにある場合、前記パワーオンリセット信号が出力されても前記第１の活性化信号を出力しない第１の活性化回路と、
所定のコマンドが入力されると第２の活性化信号を出力し、前記所定のコマンドが入力されない間は前記パワーオンリセット信号の出力にかかわらず前記第２の活性化信号を出力しない第２の活性化回路と、
前記第１の活性化信号又は前記第２の活性化信号の少なくともいずれか一方が出力されると、前記読み出し制御回路を活性化して前記制御信号を出力させる活性化決定回路と、
を備えることを特徴とする請求項２記載の不揮発性半導体記憶装置。
【請求項６】
所定の回路を初期化するための初期化信号を出力する初期化制御回路と、
電源電圧が第１のレベルを超えると第１のパワーオンリセット信号を出力する第１のパワーオンリセット回路と、
前記電源電圧が前記第１のレベルより高い第２のレベルを超えると第２のパワーオンリセット信号を出力する第２のパワーオンリセット回路と、
を備え、
前記初期化制御回路は、電源投入後、前記第２のパワーオンリセット信号が出力されると前記初期化信号を出力し、これ以降は、前記第２のパワーオンリセット信号が再度出力されても、前記第１のパワーオンリセット信号が再び出力されない限りは前記初期化信号を出力しないことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
メモリセルアレイにおける第１の領域を第２の領域に置き換えるための置換データを含むヒューズデータを格納するヒューズデータ格納部と、
前記ヒューズデータ格納部から前記ヒューズデータを読み出すヒューズデータ読み出し部と、
活性化されると、前記ヒューズデータ読み出し部に前記ヒューズデータを読み出させるための制御信号を出力する読み出し制御回路と、
前記読み出し制御回路の活性化又は非活性化を制御する活性化制御回路と、
を備え、
前記活性化制御回路は、
電源投入後、所定のコマンドが１回目に入力されたときは、このコマンドを前記ヒューズデータを読み出すコマンドであると解釈して前記読み出し制御回路を活性化し、前記所定のコマンドが２回目以降に入力されたときは、このコマンドを前記ヒューズデータを読み出すコマンドではないと解釈し、前記読み出し制御回路を非活性化することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月7日(2004.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ複数のメモリセルを配列して構成される複数のブロックと、
前記各ブロック毎に設けられてブロック内の不良セルアレイを救済するための第１の冗長セルアレイと、
前記複数のブロックに対して少なくとも一つ設けられた不良ブロックを救済するための冗長ブロックと、
前記冗長ブロックに設けられて冗長ブロック内の不良セルアレイを救済するための第２の冗長セルアレイと、
前記ブロック内の不良セルアレイのアドレスを記憶する第１のアドレス記憶回路及びその記憶されたアドレス信号と外部からのアドレス信号を比較して不良セルアレイを前記第１の冗長セルアレイで置き換える置換信号を出力する第１のアドレス検知回路を有する第１の不良救済回路と、
前記複数のブロックの不良ブロックアドレスを記憶する第２のアドレス記憶回路及びその記憶されたアドレス信号と外部からのアドレス信号を比較して不良ブロックを前記冗長ブロックで置き換える置換信号を出力する第２のアドレス検知回路を有する第２の不良救済回路とを備え、
前記第１の不良救済回路は、前記第２の不良救済回路が実行されないアドレスでは、前記第１のアドレス検知回路による置換信号の出力を有効とし、前記第２の不良救済回路が実行されるアドレスでは、前記冗長ブロック内の不良セルアレイの前記第２の冗長セルアレイによる置換信号の出力を有効とするゲート回路を有する
ことを特徴とする半導体記憶装置。
【請求項２】
前記第１の不良救済回路は、前記第２の不良救済回路の出力により、前記第１のアドレス検知回路による置換信号の出力を無効とすべく前記ゲート回路の制御を行う
ことを特徴とする請求項１記載の半導体記憶装置。
【請求項３】
前記第１の不良救済回路は、前記第２の不良救済回路の出力に基づいて不良ブロックを検出して、その検出結果により前記冗長ブロック内の不良セルアレイの前記第２の冗長セルアレイによる置換信号の出力を有効とすべく前記ゲート回路を制御する不良ブロック検出回路を有する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体記憶装置。
【請求項４】
前記複数のブロックは、複数のバンクにグループ分けされており、あるバンクでデータの消去又は書き込み実行中に他のバンクでデータ読み出しを可能とした
ことを特徴とする請求項１記載の半導体記憶装置。
【請求項５】
テスト信号を入力することにより、前記第２の不良救済回路から強制的にブロック置換信号を出力させて前記冗長ブロック内のテストを行うテストモードを有する
ことを特徴とする請求項１記載の半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年9月17日(2004.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置において、
電源電圧のレベルに従って、所定の回路を初期化する初期化回路と、
前記初期化回路が初期化を行っている期間中、前記半導体装置のステータスをビジー状態に設定するステータス設定部と、
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記初期化回路は、
電源投入後、電源電圧が上昇して所定レベルに到達したことを検知してパワーオンリセット信号を出力するパワーオンリセット回路を有し、
前記ステータス設定部は、前記パワーオンリセット信号が出力されるまでは、前記半導体装置のステータスをビジー状態に設定する設定部と、
ステータス読み出し信号を与えられると、前記設定部に設定されているステータスを出力するステータス読み出し部とを有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記初期化回路は、
電源投入後、電源電圧が所定レベルに到達しない間、第１のレベルのパワーオンリセット信号を出力し、前記電源電圧が前記所定レベルに到達すると第２のレベルの前記パワーオンリセット信号を出力するパワーオンリセット回路を有し、
前記ステータス設定部は、
外部から入力されたコマンドを保持して出力する、少なくとも一つのコマンドバッファと、
前記コマンドバッファのうち、少なくともいずれか一つから出力された前記コマンドと、前記第１のレベルの前記パワーオンリセット信号の少なくともいずれか一つが与えられると、前記半導体装置のステータスをビジー状態に設定する設定部とを有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
不揮発性半導体記憶装置において、
メモリセルアレイにおける第１の領域を第２の領域に置き換えるための置換データを含むヒューズデータを格納するヒューズデータ格納部と、
前記ヒューズデータ格納部から前記ヒューズデータを読み出すヒューズデータ読み出し部と、
前記不揮発性半導体記憶装置のステータスを設定するステータス設定部と、
を備え、
前記ステータス設定部は、
前記ヒューズデータ読み出し部が前記ヒューズデータの読み出しを終了するまでの間、前記不揮発性半導体記憶装置のステータスをビジー状態に設定することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【請求項５】
不揮発性半導体記憶装置において、
メモリセルアレイにおける第１の領域を第２の領域に置き換えるための置換データを含むヒューズデータを格納するヒューズデータ格納部と、
前記ヒューズデータ格納部から前記ヒューズデータを読み出すヒューズデータ読み出し部と、
外部から入力されたコマンドを所定の回路が実行するタイミングを制御する制御回路と、
を備え、
前記制御回路は、前記ヒューズデータ読み出し部が前記ヒューズデータの読み出しを終了する前の段階で前記コマンドが入力されると、このコマンドを保持しておき、前記ヒューズデータの読み出しが終了した後、このコマンドを前記所定の回路に実行させることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年1月6日(2005.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｌ個のメモリライン及びｎ個のアドレスラインを含むアドレス構成のシーケンスを使用する方法であって、
Ｌ個のブロックを形成することを含み、該ブロックのそれぞれの最上位列が同一のシフトされていない前記シーケンスを含むように、前記シーケンスで充填されており、
前記ブロックのそれぞれの最下位列のエントリが循環的にシフトされるように、前記各ブロックの最下位列が前記シーケンスで充填されており、
それにより、前記Ｌ個のブロックが、Ｌ２個のメモリラインと２ｎ個のアドレスラインのためのアドレス構成を含む、方法。
【請求項２】
前記ブロックのそれぞれに対する前記循環的シフトが固有である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ブロックのそれぞれの前記最上位列のｉ番目のエントリが、前記シーケンスのｉ番目のエントリと等しい、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
ｋ番目のブロックの前記最下位列のｉ番目のエントリが、前記シーケンスの（ｉ＋ｓ（ｋ））番目のエントリと等しい（但しｓ（ｋ）はシフト量）、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
Ｌが奇数の場合、ｓ（ｋ）＝ｓ（ｋ−２）−２である、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記Ｌ個のブロックが第１のテーブルを有し、Ｌが偶数である場合、該第１のテーブルからツインテーブルを形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のテーブルが前記ツインテーブルの最後に追加される、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ツインテーブルが前記第１のテーブルの最後に追加される、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
Ｌ個のメモリラインを含む前記シーケンスが隣接排反であり、さらに以下の６つの条件、すなわち、ｃ０およびｃ１が異なるパリティを（整数として）有し、ｃ２およびｃ３が異なるパリティを（整数として）有し、Ｔ（ｃ１＋１）∧Ｔ（ｃ２）＝０であり、Ｔ（ｃ０＋１）∧Ｔ（ｃ１）＝０であり、Ｔ（ｃ２＋１）∧Ｔ（ｃ３）＝０であり、Ｔ（ｃ３＋１）∧Ｔ（ｃ０）＝０である（但しＴ（ｊ）はｊ番目のメモリラインのアドレス構成）、という前記条件が満足されるように、１とＬとの間にインデックスｃ０、ｃ１、ｃ２およびｃ３が存在する、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記シーケンスがルックアップテーブルから獲得される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記シーケンスもまた、請求項１記載の方法を使用して生成された、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
メモリデバイスのアドレス構成を生成する方法であって、
Ｌ個のメモリライン及びｎ個のアドレスラインのためのアドレス構成のシーケンスにアクセスするステップと、
Ｌ個のブロックを形成するステップと、を含み、該ブロックのそれぞれの最上位列のｉ番目のエントリが前記シーケンスのｉ番目のエントリと等しく、ｋ番目のブロックの最下位列のｉ番目のエントリが前記シーケンスの（ｉ＋ｓ（ｋ））番目のエントリと等しい（但しｓ（ｋ）はシフト量）、方法。
【請求項１３】
前記ブロックのそれぞれに対する前記シフト量が固有である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
Ｌが奇数の場合、ｓ（ｋ）＝ｓ（ｋ−２）−２である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記Ｌ個のブロックが第１のテーブルを有し、Ｌが偶数である場合に該第１のテーブルからツインテーブルを形成するステップをさらに含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記シーケンスがルックアップテーブルから獲得される、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
前記シーケンスもまた、請求項１２記載の方法を使用して生成された、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
Ｌ個のメモリライン及びｎ個のアドレスライン用のアドレス構成を含むルックアップテーブルを使用して、メモリデバイスのアドレス構成を生成する方法であって、
Ｌ個のブロックを形成することを含み、該ブロックのそれぞれの最上位列のｉ番目のエントリが前記シーケンスのｉ番目のエントリと等しく、ｋ番目のブロックの最下位列のｉ番目のエントリが前記シーケンスの（ｉ＋ｓ（ｋ））番目のエントリと等しい（但しｓ（ｋ）はシフト量）、方法。
【請求項１９】
前記ブロックのそれぞれに対する前記シフト量が固有である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
Ｌが奇数の場合、ｓ（ｋ）＝ｓ（ｋ−２）−２である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記Ｌ個のブロックが第１のテーブルを有し、Ｌが偶数である場合に該第１のテーブルからツインテーブルを形成することをさらに含む、請求項１８に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月2日(2004.12.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】記録方法、再生方法、記録装置、再生装置、および記憶媒体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スクランブルに用いるシードデータを選択するシード選択ステップと、
前記シードデータおよび記録すべきデータ列を連接したデータ列と所定ビット数単位で中間累算データとのビット同士の排他的論理和をとった結果を新たな中間累算データとするスクランブルを行うスクランブルステップと、
前記連接したデータ列の前記所定ビット数毎に前記スクランブルによって得られる各中間累算データを記憶媒体へ記録する記録ステップを有することを特徴とする記録方法。
【請求項２】
前記シードデータは、記録しようとしている前記記憶媒体の記憶箇所への過去の記録において用いたシードデータと異なるように選択することを特徴とする請求項１記載の記録方法。
【請求項３】
記憶媒体に記録されたデータ列を再生する再生ステップと、
前記再生されたデータ列と所定ビット数単位で隣接する所定ビット数単位のデータとのビット同士の排他的論理和をとるデスクランブルステップと、
前記排他的論理和をとられた結果のデータ列に対して、記録の際に付加したシードデータ部分を分離し、再生すべきデータ列を復元するシード分離ステップを有することを特徴とする再生方法。
【請求項４】
前記分離されたシードデータを、再生した前記記憶媒体の再生箇所への未来の記録において参照可能なように、保持しておくことを特徴とする請求項３記載の再生方法。
【請求項５】
スクランブルに用いるシードデータを選択するシード選択手段と、
前記シードデータおよび記録すべきデータ列を連接したデータ列と所定ビット数単位で中間累算データとのビット同士の排他的論理和をとった結果を新たな中間累算データとするスクランブルを行うスクランブル手段と、
前記連接したデータ列の前記所定ビット数毎に前記スクランブルによって得られる各中間累算データを記憶媒体へ記録する記録手段を有することを特徴とする記録装置。
【請求項６】
前記シードデータは、記録しようとしている前記記憶媒体の記憶箇所への過去の記録において用いたシードデータと異なるように選択することを特徴とする請求項５記載の記録装置。
【請求項７】
記憶媒体に記録されたデータ列を再生する再生手段と、
前記再生されたデータ列と所定ビット数単位で隣接する所定ビット数単位のデータとのビット同士の排他的論理和をとるデスクランブル手段と、
前記排他的論理和をとられた結果のデータ列に対して、記録の際に付加したシードデータ部分を分離し、再生すべきデータ列を復元するシード分離手段を有することを特徴とする再生装置。
【請求項８】
前記分離されたシードデータを、再生した前記記憶媒体の再生箇所への未来の記録において参照可能なように、保持しておくことを特徴とする請求項７記載の再生装置。
【請求項９】
記録すべきデータ列が所定ビット数単位で中間累算値データとのビット同士の排他的論理和をとった結果を新たな中間累算データとしたときの各中間累算データが記録されることを特徴とする記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成17年9月29日(2005.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メモリカードコントローラであって、
該メモリカードコントローラにより制御されるメモリカードのファイルアロケーションテーブル及びファイルシステム構造を格納するメモリと、
該メモリに通信可能な状態で接続され、前記メモリカードから読み出すべき情報又は前記メモリカードに格納すべき情報に関してホストデバイスにより生成された要求に基づいて前記ファイルアロケーションテーブル及びファイルシステム構造を管理する、プロセッサとを含み、
該プロセッサが、前記ホストデバイスにより生成された書込要求に基づいて前記メモリカード内の利用可能なセクタを判定するよう構成され、
該プロセッサが、前記利用可能なセクタに対応する情報を、ファイルアロケーションテーブルの一部として前記ホストデバイスに提供して、該ホストデバイスが、メモリカード内のどのセクタにデータが書き込まれるべきかを識別するデータ及びセクタ情報を出力できるようにする、
メモリカードコントローラ。
【請求項２】
前記メモリが、ランダムアクセスメモリ又は前記メモリカードの記憶装置である、請求項１に記載のメモリカードコントローラ。
【請求項３】
ファイルをメモリカードに書き込むためにホストデバイスから出力されたファイル書込要求に対処することができるか否かを判定する方法であって、
前記メモリカードに格納されるファイルアロケーションテーブル(FAT)及びファイルシステム構造を、前記メモリカードと前記ホストデバイスとの間の通信インタフェイスを提供するメモリカードコントローラにより取得し、
前記FAT及びファイルシステム構造を前記メモリカードコントローラに格納し、
前記メモリカードが前記ホストデバイスにより生成されたファイル書込要求を遂行するのに十分な利用可能な記憶空間を有するか否かを、前記FATから得られる情報に基づいて前記メモリカードコントローラにより判定し、
前記ファイル書込要求を遂行することができるか否かについて前記ホストデバイスに通知し、
前記ファイル書込要求を遂行することができると判定された際に、前記ファイル書込要求のデータを格納するために利用することができる前記メモリカード内のセクタに対応するFATの一部を前記ホストデバイスに提供する、
という各ステップを含む方法。
【請求項４】
前記格納ステップが、前記FAT及びファイルシステム構造を前記メモリカードコントローラのランダムアクセスメモリに格納することにより行われる、請求項３に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月14日(2004.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
商品の販売を促進するために販売店で実施するキャンペーンの実施計画を立案するキャンペーン実施計画立案装置であって、
少なくとも販売店の販売実績を販売店情報の一つとして記憶する販売店情報記憶手段と、
前記キャンペーンの実施に必要な費用を入力する費用入力手段と、
前記販売実績から前記キャンペーンの実施に対して見込まれる前記商品の販売による利益が前記費用入力手段により入力された費用に見合う販売店を前記キャンペーンを実施する販売店として計画立案する実施計画立案手段と、
を備えるキャンペーン実施計画立案装置。
【請求項２】
前記実施計画立案手段は、前記販売実績が所定の実績以上の販売店を前記キャンペーンを実施する販売店として計画する手段である請求項１記載のキャンペーン実施計画立案装置。
【請求項３】
請求項１または２記載のキャンペーン実施計画立案装置であって、
前記販売店情報記憶手段は、販売店の地域を前記販売店情報の一つとして記憶する手段であり、
前記実施計画立案手段は、前記入力された費用と販売実績とに拘わらず、地域毎に少なくとも一つの販売店により前記キャンペーンが実施されるよう計画する手段である
キャンペーン実施計画立案装置。
【請求項４】
請求項１ないし３いずれか記載のキャンペーン実施計画立案装置であって、
前記キャンペーンを実施する回数を入力する回数入力手段を備え、
前記実施計画立案手段は、前記回数入力手段により入力された回数分前記キャンペーンを実施する販売店を計画する手段である
キャンペーン実施計画立案装置。
【請求項５】
請求項１ないし４いずれか記載のキャンペーン実施計画立案装置であって、
少なくとも二つの販売店を関連付ける販売店関連付け手段を備え、
前記実施計画立案手段は、前記販売店関連付け手段により関連付けられた販売店のうち少なくとも一つが前記キャンペーンを実施する販売店として計画されるとき、該関連付けられた販売店のすべてを該キャンペーンを実施する販売店として計画する手段である
キャンペーン実施計画立案装置。
【請求項６】
請求項１ないし５いずれか記載のキャンペーン実施計画立案装置であって、
少なくとも二つの販売店を関連付ける販売店関連付け手段を備え、
前記実施計画立案手段は、前記販売店関連付け手段により関連付けられた販売店のうち少なくとも一つが前記キャンペーンを実施しない販売店として計画されるとき、該関連付けられた販売店のすべてを該キャンペーンを実施しない販売店として計画する手段である
キャンペーン実施計画立案装置。
【請求項７】
請求項１ないし６いずれか記載のキャンペーン実施計画立案装置であって、
前記キャンペーンを実施する販売店を入力する実施販売店入力手段と、
前記キャンペーンを実施しない販売店を入力する不実施販売店入力手段と、
を備え、
前記実施計画立案手段は、前記実施販売店入力手段により入力された販売店を優先して前記キャンペーンを実施する販売店として計画すると共に前記不実施販売店入力手段により入力された販売店で前記キャンペーンが実施されないよう計画する手段である
キャンペーン実施計画立案装置。
【請求項８】
コンピュータを、請求項１ないし７いずれか記載のキャンペーン実施計画立案装置として機能させるプログラム。
【請求項９】
商品の販売を促進するために販売店で実施するキャンペーンの実施計画を立案するキャンペーン実施計画立案方法であって、
（ａ）前記キャンペーンの実施に必要な費用を入力し、
（ｂ）販売実績から前記キャンペーンの実施に対して見込まれる前記商品の販売による利益が前記入力された費用に見合う販売店を前記キャンペーンを実施する販売店として計画立案する
キャンペーン実施計画立案方法。
【請求項１０】
前記ステップ（ｂ）は、前記販売実績が所定の実績以上の販売店を前記キャンペーンを実施する販売店として計画するステップである請求項９記載のキャンペーン実施計画立案方法。
【請求項１１】
前記ステップ（ｂ）は、前記入力された費用と販売実績とに拘わらず、予め設定された地域毎に少なくとも一つの販売店で前記キャンペーンが実施されるよう計画するステップである請求項９または１０記載のキャンペーン実施計画立案方法。
【請求項１２】
請求項９ないし１１いずれか記載のキャンペーン実施計画立案方法であって、
前記ステップ（ｂ）の前に、前記キャンペーンを実施する回数を入力するステップを備え、
前記ステップ（ｂ）は、前記入力された回数分前記キャンペーンを実施する販売店を計画するステップである
キャンペーン実施計画立案方法。
【請求項１３】
請求項９ないし１２いずれか記載のキャンペーン実施計画立案方法であって、
前記ステップ（ｂ）の前に、少なくとも二つの販売店を関連付けるステップを備え、
前記ステップ（ｂ）は、前記関連付けられた販売店のうち少なくとも一つが前記キャンペーンを実施する販売店として計画されるとき、該関連付けられた販売店のすべてを該キャンペーンを実施する販売店として計画するステップである
キャンペーン実施計画立案方法。
【請求項１４】
請求項９ないし１２いずれか記載のキャンペーン実施計画立案方法であって、
前記ステップ（ｂ）の前に、少なくとも二つの販売店を関連付けるステップを備え、
前記ステップ（ｂ）は、前記関連付けられた販売店のうち少なくとも一つが前記キャンペーンを実施しない販売店として計画されるとき、該関連付けられた販売店のすべてを該キャンペーンを実施しない販売店として計画するステップである
キャンペーン実施計画立案方法。
【請求項１５】
請求項９ないし１４いずれか記載のキャンペーン実施計画立案方法であって、
前記ステップ（ｂ）の前に、前記キャンペーンを実施する販売店を入力するステップと、前記キャンペーンを実施しない販売店を入力するステップとを備え、
前記ステップ（ｂ）は、前記入力された販売店を優先して前記キャンペーンを実施する販売店として計画すると共に前記キャンペーンを実施しない販売店として入力された販売店で前記キャンペーンが実施されないよう計画するステップである
キャンペーン実施計画立案方法。