Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月17日(2021.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
結論として、ビデオ画像の一部分に対してフレームレートアップコンバージョンを実行する改善された方法および装置は、前述の実施形態によって示される。少なくとも１つの実施形態では、エンコーダは、ビデオ画像の一部分のみまたは符号化単位のサブパートのみに対してフレームレートアップコンバージョンを使用するか否かをデコーダに信号で伝えることができる。また、エンコーダまたはデコーダにおいてフレームレートアップコンバージョンプロセスのサブプロセスを使用するためのフラグが提供される。
なお、上述の実施形態の一部又は全部は、以下の付記のように記載され得るが、以下には限定されない。
（付記１）
方法であって、
ビデオ画像の一部分に対してフレームレートアップコンバージョンを実行することと、
ビデオビットストリームに第１のフラグを含めることであって、前記第１のフラグは、前記フレームレートアップコンバージョンを示す、含めることと、
前記ビデオビットストリームに第２のフラグを含めることであって、前記第２のフラグは、前記フレームレートアップコンバージョンをさらに示す、含めることと、
を含む、方法。
（付記２）
方法であって、
ビデオビットストリームを解析して、第１のフラグを特定することと、
ビデオビットストリームを解析して、第２のフラグを特定することと、
前記第１のフラグおよび前記第２のフラグに基づいて、ビデオ画像の一部分に対してフレームレートアップコンバージョンを実行することと、
を含む、方法。
（付記３）
装置であって、
メモリと、
プロセッサであって、
ビデオ画像の一部分に対してフレームレートアップコンバージョンを実行することと、
ビデオビットストリームに第１のフラグを含めることであって、前記第１のフラグは、前記フレームレートアップコンバージョンを示す、含めることと、
前記ビデオビットストリームに第２のフラグを含めることであって、前記第２のフラグは、前記フレームレートアップコンバージョンをさらに示す、含めることと、
を実行するように構成されている、プロセッサと、
を含む、装置。
（付記４）
装置であって、
メモリと、
プロセッサであって、
ビデオビットストリームを解析して、第１のフラグを特定することと、
ビデオビットストリームを解析して、第２のフラグを特定することと、
前記第１のフラグおよび前記第２のフラグに基づいて、ビデオ画像の一部分に対してフレームレートアップコンバージョンを実行することと、を行うように構成されている、プロセッサと、
を含む、装置。
（付記５）
前記第２のフラグは、マージモードを使用してサブブロックにおけるフレームレートアップコンバージョンを可能にする、付記１もしくは２に記載の方法、または付記３もしくは４に記載の装置。
（付記６）
前記第２のフラグは、マージモードにおいてバイラテラルマッチングを使用してサブブロックにおけるフレームレートアップコンバージョンを可能にする、付記１もしくは２に記載の方法、または付記３もしくは４に記載の装置。
（付記７）
第３のフラグは、前記ビデオ画像のサブブロック上で実行されるバイラテラルマッチングまたはテンプレートマッチングを可能にする、付記５に記載の方法または装置。
（付記８）
前記第２のフラグは、ビデオ画像の一部分における適応動きベクトル予測を可能にし、
第３のフラグおよび第４のフラグと一致するビデオ画像の一部分に対してマージモードを実行することと、
第３のフラグおよび第５のフラグと一致する前記ビデオ画像の一部分について、バイラテラルテンプレートマッチングを実行することと、をさらに含む、付記１もしくは２に記載の方法、または付記３もしくは４に記載の装置。
（付記９）
絞り込み検索パターン、絞り込みループ数、テンプレートマッチングサイズ、動きベクトルコストの重み、評価される候補の最大数、およびテンプレートマッチングコストの最大値を含む、フレームレートアップコンバージョンを実行するための、前記ビットストリーム内の構文要素を使用することをさらに含む、付記１もしくは２に記載の方法、または付記３もしくは４に記載の装置。
（付記１０）
前記フラグのうちのいずれかは、ビデオパラメータセット内に位置する、付記１もしくは２に記載の方法、または付記３もしくは４に記載の装置。
（付記１１）
前記フラグのうちのいずれかは、シーケンスパラメータセット内に位置する、付記１もしくは２に記載の方法、または付記３もしくは４に記載の装置。
（付記１２）
前記フラグのうちのいずれかは、ピクチャパラメータセット内に位置する、付記１もしくは２に記載の方法、または付記３もしくは４に記載の装置。
（付記１３）
プロセッサを使用した再生のための、付記１および５〜１２のいずれか一項に記載の方法に従って、または付記３および５〜１２のいずれか一項に記載の装置によって生成されたデータ内容を含む、非一時的コンピュータ可読媒体。
（付記１４）
プロセッサを使用した再生のための、付記１および５〜１２のいずれか一項の方法に従って、または付記３および５〜１２のいずれか一項の装置によって生成されたビデオデータを含む、信号。
（付記１５）
命令を含む、コンピュータプログラム製品であって、前記命令は、前記プログラムがコンピュータによって実行されると、前記コンピュータに、付記２および５〜１２のいずれか一項に記載の方法を実行させる、コンピュータプログラム製品。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年4月5日(2021.4.5)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素含有電極及び少なくとも１種のイオン液体を含むスーパーキャパシタでのガス放出を低減する方法であって、
（ａ）前記炭素含有電極を、アルキル又は置換アルキルピリジニウム、ピリダジニウム、ピリミジニウム、ピラジニウム、イミダゾリウム、ピペリジニウム、ピロリジニウム、ピラゾリウム、チアゾリウム、オキサゾリウム、トリアゾリウム又はアゼパニウムカチオンの四級塩であるテトラフルオロホウ酸塩に、０〜１００℃の温度で接触させるステップ、
（ｂ）電荷が前記電極に蓄積され、放電されるサイクルで前記塩の存在下で、最大１００℃までの温度で、前記炭素含有電極間に変化する電位差を印加するステップであり、前記サイクルの充電と放電の部分は、異なる温度で実施されるステップ、及び
（ｃ）前記システムからのさらなるガス放出が実質的に起こらなくなるような時までステップ（ｂ）のサイクルを１０〜６０回継続するステップであり、各サイクル時に印加される最大電圧は電解質の電気化学窓の上限を超えないステップを特徴とする、方法。
【請求項２】
前記炭素含有電極が、グラフェン、カーボンナノチューブ又はその混合物を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記イオン液体が、テトラフルオロホウ酸塩でもあることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記イオン液体が、少なくとも１種のＣ１〜Ｃ４アルキル置換イミダゾリウム、ピペリジニウム又はピロリジニウム塩であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項５】
前記テトラフルオロホウ酸塩が、ＥＭＩＭテトラフルオロホウ酸塩であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
スーパーキャパシタが、前記炭素含有電極及び前記イオン液体（複数可）を含むプラスチックパウチを含むことを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１９】
一実施形態のステップ（ｂ）は、以下に記載する種類の密封パウチ内で、又は電極と塩を含む前処理セル内で、室温又は室温に近い温度で電極間に変化する電圧を印加することにより、適切に実施される。別の場合では、最大１００℃のより高い温度が使用されている。この方法により、ステップ（ｃ）でサイクルが繰り返される前に、電極は最初に充電され、次いで放電される。このサイクルの充電と放電の部分は、必要に応じて異なる温度で実施することができる。ステップ（ｃ）では、通常、サイクルは少なくとも３〜５回、例えば１０〜６０回繰り返される。一実施形態では、各サイクル時に印加される最大電圧は３〜７Ｖの範囲である。この最大電圧は、電解質の電気化学窓の上限を超えないことが好ましい。別の実施形態では、前処理セルそれ自体が、各サイクルで生じるガス放出の程度を測定することができるデバイス（例えばマノメータ）に接続されていて、ガス放出が停止又は許容される上限未満に減少したことが観察されれば、ステップ（ｃ）を終了することができる。サイクルに加え、２分間〜１２時間の範囲で指定された期間、選択した電圧（例えば、１．５Ｖ、２．０Ｖ、２．５Ｖ、３．０Ｖ又は３．５Ｖ）で、システムを浮揚させることができる。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年3月25日(2021.3.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２２】
他の実施例では、一つ又は複数の第２領域の冷却は、熱伝導により、例えば、鋼部材よりも温度がはるかに低い一つ又は複数のプレス金型と接触させることにより行われる。このために、プレス金型は、熱伝導性を有する材料からの製造、及び／又は、直接的又は間接的な冷却が可能である。冷却方式を組み合わせることも考えられる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
鋼部材（２００）の個々の領域を対象とした熱処理方法であって、オーステナイト組織を前記鋼部材（２００）の一つ又は複数の第１領域（２１０）に形成し、ベイナイト組織を一つ又は複数の第２領域（２２０）に形成する、鋼部材の熱処理方法であって、
前記鋼部材（２００）は、まず、第１炉（１１０）において、Ａｃ３温度より高い温度まで加熱され、その後、該鋼部材（２００）は処理ステーション（１５０）への移送中に冷却されながら移送され、前記処理ステーション（１５０）では、前記鋼部材（２００）の一つ又は複数の前記第２領域（２２０）が処理時間ｔB中に冷却停止温度θ2まで冷却された後、第２炉へと移送され、一つ又は複数の前記第２領域（２２０）の温度が前記Ａｃ３温度より低い温度まで再び上昇し、それに続く硬化処理において、前記鋼部材（２００）の前記一つ又は複数の第１領域（２１０）にマルテンサイト組織を形成するために急速焼き入れが行われる、ことを特徴とする方法。
【請求項２】
前記冷却停止温度θ2は、マルテンサイト開始温度Ｍｓより高い温度となるよう選択される、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記冷却停止温度θ2は、マルテンサイト開始温度Ｍｓより低い温度となるよう選択される、
ことを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
一つ又は複数の前記第１領域（２１０）は、前記第２炉において、組織変態が開始可能となる組織変態開始温度θ1より高い温度まで冷却される、
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
一つ又は複数の前記第２領域（２２０）は、熱供給により、前記第２炉において再加熱が行われる、
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記第２炉の内部温度θ4は、前記冷却停止温度θ2よりも高い、
ことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
鋼部材（２００）をＡｃ３温度より高い温度まで加熱する第１炉（１１０）を備えた熱処理装置（１００）であって、
前記熱処理装置（１００）は、前記鋼部材（２００）の一つ又は複数の第２領域（２２０）を急速冷却する装置を備える処理ステーション（１５０）と第２炉と、プレス硬化金型（１６０）とをさらに備え、
前記第２炉は、前記鋼部材（２００）の個々の領域に対してそれぞれ異なる処理を行うための特別な装置を備えていない、
ことを特徴とする熱処理装置（１００）。
【請求項８】
前記鋼部材（２００）の一つ又は複数の前記第２領域（２２０）を急速冷却する装置は、前記鋼部材（２００）の一つ又は複数の前記第２領域（２２０）に対してガス状流体の吹き込みを行うノズルを備えている、
ことを特徴とする請求項７に記載の熱処理装置（１００）。
【請求項９】
前記鋼部材（２００）の一つ又は複数の前記第２領域（２２０）を急速冷却する装置は、前記鋼部材（２００）の一つ又は複数の前記第２領域（２２０）に対して、水を混合したガス状流体の吹き込みを行うノズルを備えている、
ことを特徴とする請求項７又は８に記載の熱処理装置（１００）。
【請求項１０】
前記鋼部材（２００）の一つ又は複数の前記第２領域（２２０）を急速冷却する装置は、前記鋼部材（２００）の一つ又は複数の前記第２領域（２２０）と接触するプレス金型を備える、
ことを特徴とする請求項７乃至請求項９のいずれか一項に記載の熱処理装置（１００）。
【請求項１１】
前記鋼部材（２００）の一つ又は複数の前記第２領域（２２０）と接触する前記プレス金型は冷却可能である、
ことを特徴とする請求項１０に記載の熱処理装置（１００）。
【請求項１２】
前記処理ステーション（１５０）は位置決め装置を備える、
ことを特徴とする請求項７乃至請求項１１のいずれか一項に記載の熱処理装置（１００）。
【請求項１３】
前記第２炉（１３０）は、均一な温度θ4に加熱される、
ことを特徴とする請求項７乃至請求項１２のいずれか一項に記載の熱処理装置（１００）。
【請求項１４】
前記処理ステーション（１５０）は、熱反射器を備える、
ことを特徴とする請求項７乃至請求項１３のいずれか一項に記載の熱処理装置（１００）。
【請求項１５】
前記処理ステーション（１５０）は、断熱壁を備える、
ことを特徴とする請求項７乃至請求項１４のいずれか一項に記載の熱処理装置（１００）。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年6月30日(2021.6.30)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００７７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００７７】
図２２を参照すると、安全モード２２は、例えば、アクティブなドライブトレーンの速度を制限するためにプロセッサ３６によって利用され得るモータ変調工程２６など、１つ又は２つ以上の工程を含み得る。例えば、発射ドライブトレーン１６が、発射シーケンスの間にモータ１６６によってアクティブに駆動されている場合、重大なドライブトレーンの故障がモジュール４０によって検出されることは、プロセッサ３６に、モータ１６６の機械的出力を低減させるための指示をモータ駆動回路１８’に通知させることになり得る。モータ１６６の機械的出力の低減は、アクティブなドライブトレーン１６の速度を低減させ、それにより、発射シーケンスの安全な完了が保証され、及び／又は、元の若しくは開始位置へのアクティブなドライブトレーン１６のリセットが安全に完了されることが保証される。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年2月8日(2021.2.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００５】
本開示の１つの態様では、処理デバイスは、あるデバイスのディスプレイインターフェースにおいてユーザー通信エージェントを提示する。ユーザー通信エージェントが、上記デバイスのディスプレイインターフェースにおいて、およびあるデバイス上で実行されるユーザー通信エージェントとは別個にそのデバイス上で実行されるユーザー入力インターフェース内で提示されている間に、処理デバイスはトランザクション開始制御の選択を受信する。トランザクション実行制御の選択に応じて、処理デバイスは識別子選択制御を介して１つ以上の識別子を提示する。処理デバイスは、識別子選択制御を介して提示される１つ以上の識別子の少なくとも１つの選択を受信する。１つ以上の識別子の少なくとも１つの選択に応じて、処理デバイスは、ユーザー入力インターフェースを数値入力インターフェースへと切り替える。処理デバイスは、数値入力インターフェースを介して数値入力を受信する。数値入力の受信に応じて、処理デバイスは、ユーザー入力インターフェース内のトランザクション確認制御をアクティブ化する。トランザクション確認制御の選択に応じて、処理デバイスは、選択された少なくとも１つの１つ以上の識別子および数値入力に対して、安全なトランザクションを実行する。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１３】
例えば、本明細書に記載されるように、特定の実施例では、ＵＣＡ（例えばメッセージング／チャットアプリケーション）およびユーザー入力インターフェース（例えばキーボード／ＶＫ）が実行され、例えば単一のユーザーインターフェース（例えばＵＣＡとキーボードの両方を同時に表示することができるモバイルデバイスのタッチスクリーン）内で同時に表示されることもある一方、特定の実施例では、ＵＣＡとユーザー入力インターフェースは互いと別個に実行されうる。そうすることで、例えば、ユーザー入力インターフェース内で受信された入力等は、ＵＣＡ等によって、アクセス可能ではない、知覚可能ではない、受信されないこと（、および／またはユーザーによる認可のないＵＣＡによってアクセス可能ではないこと等）もある。ユーザー入力インターフェースの独立した実行の観点から、本明細書において記載される様々な安全なトランザクションの操作および機能は、安全なトランザクション機能を持たないこともあるＵＣＡ内でさえ、それに対してさえ、および／またはそうでなければ、それと合わせてさえ使用可能になりうることが理解されうる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デバイスのディスプレイインターフェース内でユーザー通信エージェントを提示する工程と；
前記デバイス上で実行されるユーザー通信エージェントとは別個に前記デバイス上で実行するユーザー入力インターフェースを、ディスプレイインターフェース内のユーザー通信エージェントの提示と同時に提示する工程であって、ここで、ユーザー入力インターフェースは、ユーザー通信エージェントに認知可能な１以上の入力を受信するように構成される、工程と；
ユーザー通信エージェントがディスプレイインターフェースにおいて提示されている間に、ユーザー通信エージェントに認知可能ではない１以上の入力を受信するようにユーザー入力インターフェースを構成する、トランザクション開始制御の選択を、ユーザー入力インターフェース内で受信する工程と；
ユーザー通信エージェントがディスプレイインターフェース内で提示されている間に、ディスプレイインターフェース内で提示される識別子の選択を受信する工程と；
識別子の選択に応じて、ディスプレイインターフェース内で数値入力インターフェースを提示する工程と；
数値入力インターフェースを介して数値入力を受信する工程と；
ユーザー入力インターフェース内でトランザクション確認制御を提示する工程と；
トランザクション確認制御の選択に応じて、選択された識別子および数値入力に対して、処理デバイスによって安全なトランザクションを実行する工程と；
を含むことを特徴とする、方法。
【請求項２】
トランザクション確認記録を生成する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
識別子要求制御の選択を受信する工程をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
識別子作成要求を生成する工程と；
１人以上のユーザーに識別子作成要求を送信する工程と；
をさらに含む、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
識別子の選択を受信する工程がさらに、安全なトランザクションアカウントに、選択された識別子をマッピングする工程を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
安全なトランザクションアカウントに対する選択された識別子のマッピングの失敗に応じて、登録招待を生成する工程と；
選択された識別子に登録招待を送信する工程と；
をさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
トランザクション確認制御を提示する工程はさらに：
数値入力インターフェースを介して受信された数値入力を認証する工程と；
数値入力の認証に応じて、ユーザー入力インターフェース内でトランザクション確認制御を提示する工程と；
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
安全なトランザクションを実行する工程はさらに：
安全なトランザクション開始者の身元を認証する工程と；
開始者の身元の認証に応じて安全なトランザクションを実行する工程と；
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
安全なトランザクションを実行する工程は：
外部マシンに、選択された識別子および数値入力を送信する工程と；
安全なトランザクションに対応する外部マシンから、トランザクション確認コンテンツを受信する工程と；
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
選択された識別子に関係するユーザーにトランザクション確認コンテンツを送信する工程をさらに含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
安全なトランザクションを実行する工程は：
選択された識別子および数値入力に基づいたトランザクション要求コンテンツを生成する工程と；
選択された識別子に関係するユーザーにトランザクション要求コンテンツを送信する工程と；
トランザクション要求コンテンツに関してトランザクション確認を受信する工程と；
受信されたトランザクション確認に応じて安全なトランザクションを実行する工程と；
を含む請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１−１１のいずれか１つに記載の方法を実施するように構成される１つ以上のプロセッサーを含むことを特徴とする、システム。
【請求項１３】
コンピューティングシステムによって実行されたとき、請求項１−１１のいずれか１つに記載の方法を、前記コンピューティングシステムに実施させる命令を含むことを特徴とする、少なくとも１つの非一時的なコンピュータ可読記憶媒体。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年3月15日(2021.3.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）（メタ）アクリルポリマー（Ｐ１）、
ｂ）コアシェル粒子の形態の多段ポリマー、及び
ｃ）（メタ）アクリルモノマー（Ｍ１）
を含む液体組成物であって、液体組成物中のモノマーに対する多段ポリマーの重量比が１／９９から２５／７５の間であり、
（メタ）アクリルポリマー（Ｐ１）が、１重量％から３０重量％の間の、式（１）又は（２）を有する機能性モノマーを含み、
2019506487.tif 000001
式（１）と（２）の両方において、Ｒ１はＨ又はＣＨ３から選択され；式（１）において、Ｙは、Ｏであり、Ｒ５は、Ｈであるか又は少なくとも１つの、Ｃ若しくはＨではない原子を有する脂肪族若しくは芳香族基であり；式（２）において、Ｙは、Ｎであり、Ｒ４及び／又はＲ３は、Ｈ又は脂肪族若しくは芳香族基である、液体組成物。
【請求項２】
（メタ）アクリルポリマー（Ｐ１）が、１０００００ｇ／ｍｏｌ未満の質量平均分子量Ｍｗを有することを特徴とする、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
（メタ）アクリルポリマー（Ｐ１）が、（メタ）アクリルモノマー（Ｍ１）に溶解性であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の組成物。
【請求項４】
モノマー（Ｍ１）が、アクリル酸、メタアクリル酸、アルキルアクリルモノマー、アルキルメタクリルモノマー、及びこれらの混合物から選択されることを特徴とし、アルキル基は１〜２２の炭素を有し、直鎖、分岐又は環状のいずれかである、請求項１から３のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項５】
多段ポリマーが、
ａ）０℃未満のガラス転移温度を有するポリマー（Ａ１）を含む段（Ａ）、
ｂ）少なくとも３０℃のガラス転移温度を有するポリマー（Ｂ１）を含む段（Ｂ）
を含むことを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の組成物。
【請求項６】
段（Ａ）が最初の段であること、及びポリマー（Ｂ１）を含む段（Ｂ）がポリマー（Ａ１）を含む段（Ａ）にグラフトされていることを特徴とする、請求項５に記載の組成物。
【請求項７】
ポリマー（Ａ１）及び（Ｂ１）が、アクリル又はメタクリルポリマーであることを特徴とする、請求項５又は６に記載の組成物。
【請求項８】
ポリマー（Ａ１）が、少なくとも５０重量％の、イソプレン又はブタジエンに由来するポリマー単位を含むことを特徴とする、請求項５又は６に記載の組成物。
【請求項９】
ａ）（メタ）アクリルポリマー（Ｐ１）及びコアシェル粒子の形態の多段ポリマーを含む組成物を調製する工程、
ｂ）前工程の組成物を（メタ）アクリルモノマー（Ｍ１）と混合する工程
を含む請求項１から８のいずれか一項に記載の液体組成物を製造するための方法であって、液体組成物中のモノマーに対する多段ポリマーの比が１／９９から２５／７５の間であり、
（メタ）アクリルポリマー（Ｐ１）が、１重量％から３０重量％の間の、式（１）又は（２）を有する機能性モノマーを含み、
2019506487.tif 000002
式（１）と（２）の両方において、Ｒ１はＨ又はＣＨ３から選択され；式（１）において、Ｙは、Ｏであり、Ｒ５は、Ｈであるか又は少なくとも１つの、Ｃ若しくはＨではない原子を有する脂肪族若しくは芳香族基であり；式（２）において、Ｙは、Ｎであり、Ｒ４及び／又はＲ３は、Ｈ又は脂肪族若しくは芳香族基である、方法。
【請求項１０】
（メタ）アクリルポリマー（Ｐ１）が、１０００００ｇ／ｍｏｌ未満の質量平均分子量Ｍｗを有することを特徴とする、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
繊維基材を含浸するための含浸方法であって、前記繊維基材は少なくとも１０００のアスペクト比を有する長繊維を含み、前記方法は、
ａ）（メタ）アクリルポリマー（Ｐ１）、
ｂ）コアシェル粒子の形態の多段ポリマー、及び
ｃ）（メタ）アクリルモノマー（Ｍ１）
を含む液体組成物であって、液体組成物中のモノマーに対する多段ポリマーの重量比が１／９９から２５／７５の間である液体組成物を前記繊維基材に含浸させる工程を含む、含侵方法。
【請求項１２】
（メタ）アクリルポリマー（Ｐ１）が、１０００００ｇ／ｍｏｌ未満の質量平均分子量Ｍｗを有することを特徴とする、請求項１１に記載の含侵方法。
【請求項１３】
（メタ）アクリルポリマー（Ｐ１）が、５０００ｇ／ｍｏｌから７００００ｇ／ｍｏｌの間の質量平均分子量Ｍｗを有することを特徴とする、請求項１１に記載の含侵方法。
【請求項１４】
（メタ）アクリルポリマー（Ｐ１）が、６０００ｇ／ｍｏｌから５００００ｇ／ｍｏｌの間の質量平均分子量Ｍｗを有することを特徴とする、請求項１１に記載の含侵方法。
【請求項１５】
耐衝撃性改良ポリマーの調製のための、請求項１から８のいずれか一項に記載の液体組成物の、又は請求項９から１４のいずれか一項に記載の方法によって得られる液体組成物の、使用。
【請求項１６】
含浸液（メタ）アクリルシロップとしての、請求項１から８のいずれか一項に記載の液体組成物の、又は請求項９から１４のいずれか一項に記載の方法によって得られる液体組成物の、使用。
【請求項１７】
繊維基材を含浸するための含浸方法における、請求項１から８のいずれか一項に記載の液体組成物の、又は請求項９から１４のいずれか一項に記載の方法によって得られる液体組成物の、使用。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年6月7日(2021.6.7)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２４】
粒子療法は、例えば癌などの疾患の治療のための強力な粒子ビームを使用する放射線療法の一形態である。粒子ビームは、患者内の標的を標的とすることができ、標的細胞のＤＮＡ及び他の重要な細胞成分を損傷させる可能性があり、最終的には細胞の死を引き起こす。癌性細胞は、非癌性細胞よりも放射線損傷を修復する能力が低いため、特に粒子療法の影響を受けやすい。状況に応じて、「粒子療法」は、例えば陽子、中性子、反陽子、中間子などの、ハドロンでの治療を指すために使用されることがある。また、それはまた、例えば、リチウムイオン、ヘリウムイオン、炭素イオンなどの、イオン又は核を利用する療法を指してもよい。しばしば、例えば炭素イオンなどのイオンによる治療は「重イオン療法」と言われているが、「軽イオン」と「重イオン」との間の線は正確に定義されていない。本明細書で使用される用語「粒子療法」、「粒子放射線療法」、「粒子線」などは、ハドロン及び核（又はイオン）を利用する療法を指す。この用語は、具体的には、光子療法又は電子線治療などの治療を除外している。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年9月16日(2021.9.16)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディーゼルエンジンからの排気ガスを処理するためのＮＯｘ吸収体触媒であって、
モレキュラーシーブ触媒を含む第１のＮＯｘ吸収体材料であって、モレキュラーシーブ触媒が貴金属と小細孔モレキュラーシーブとを含み、小細孔モレキュラーシーブが貴金属を含有する、ＮＯｘ吸収体材料；
セリウムの酸化物に担持されたパラジウム（Ｐｄ）を含む第２のＮＯｘ吸収体材料；及び
入口端と出口端とを有する基材
を含むＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項２】
貴金属がパラジウムを含む、請求項１に記載のＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項３】
小細孔モレキュラーシーブがアルミノシリケート骨格、アルミノホスフェート骨格又はシリコ−アルミノホスフェート骨格を有する、請求項１又は請求項２に記載のＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項４】
小細孔モレキュラーシーブが、ＡＣＯ、ＡＥＩ、ＡＥＮ、ＡＦＮ、ＡＦＴ、ＡＦＸ、ＡＮＡ、ＡＰＣ、ＡＰＤ、ＡＴＴ、ＣＤＯ、ＣＨＡ、ＤＤＲ、ＤＦＴ、ＥＡＢ、ＥＤＩ、ＥＰＩ、ＥＲＩ、ＧＩＳ、ＧＯＯ、ＩＨＷ、ＩＴＥ、ＩＴＷ、ＬＥＶ、ＫＦＩ、ＭＥＲ、ＭＯＮ、ＮＳＩ、ＯＷＥ、ＰＡＵ、ＰＨＩ、ＲＨＯ、ＲＴＨ、ＳＡＴ、ＳＡＶ、ＳＩＶ、ＴＨＯ、ＴＳＣ、ＵＥＩ、ＵＦＩ、ＶＮＩ、ＹＵＧ、ＺＯＮ、及びこれらのいずれか２つ以上の混合物又は連晶からなる群より選択される骨格型を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載のＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項５】
小細孔モレキュラーシーブがＡＥＩ又はＣＨＡである骨格型を有する、請求項４に記載のＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項６】
小細孔モレキュラーシーブが、アルミノシリケート骨格を有し、１０から２００のシリカのアルミナに対するモル比を有する、請求項１から５のいずれか一項に記載のＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項７】
セリウムの酸化物がセリア（ＣｅＯ２）であるか、又はセリアと、アルミニウム及びジルコニアから選択される第２の酸化物との混合若しくは複合酸化物である、請求項１から６のいずれか一項に記載のＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項８】
セリウムの酸化物にドーパントがドープされ、ドーパントが、タングステン（Ｗ）、ケイ素（Ｓｉ）、チタン（Ｔｉ）、ランタン（Ｌａ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、イットリウム（Ｙ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、サマリウム（Ｓｍ）、ネオジム（Ｎｄ）、及びこれらの２種以上の組み合わせからなる群より選択される元素又はその酸化物である、請求項１から７のいずれか一項に記載のＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項９】
パラジウム（Ｐｄ）の濃度が、セリウムの酸化物の濃度の２重量％以下である、請求項１から８のいずれか一項に記載のＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項１０】
第１のＮＯｘ吸収体材料と第２のＮＯｘ吸収体材料との混合物を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載のＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項１１】
ＮＯｘ吸収体触媒が第１のゾーンと第２のゾーンとを含み、第１のゾーンが第１のＮＯｘ吸収体材料を含み、第２のゾーンが第２のＮＯｘ吸収体材料を含む、請求項１から９のいずれか一項に記載のＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項１２】
第１のゾーンが第２のゾーンの上流に配置されるか、又は第１のゾーンが第２のゾーンの下流に配置される請求項１１に記載のＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項１３】
第１の領域と第２の領域とを含み、第１の領域が第１のＮＯｘ吸収体材料を含み、第２の領域が第２のＮＯｘ吸収体材料を含み、かつ、第１の領域が第２の領域と重なるか又は第２の領域が第１の領域と重なる、請求項１から９のいずれか一項に記載のＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項１４】
第１の層と第２の層とを含み、第１の層が第１のＮＯｘ吸収体材料を含み、第２の層が第２のＮＯｘ吸収体材料を含み、かつ、第１の層が第２の層の上に配置されるか又は第２の層が第１の層の上に配置される、請求項１から９のいずれか一項に記載のＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項１５】
ディーゼル酸化触媒（ＤＯＣ）領域をさらに含む、請求項１から１４のいずれか一項に記載のＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項１６】
基材がフロースルーモノリス又はフィルターモノリスである、請求項１から１５のいずれか一項に記載のＮＯｘ吸収体触媒。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか一項に記載のＮＯｘ吸収体触媒とエミッションコントロールデバイスとを備える排気システム。
【請求項１８】
エミッションコントロールデバイスが、ディーゼル微粒子フィルター（ＤＰＦ）、リーンＮＯｘトラップ（ＬＮＴ）、リーンＮＯｘ触媒（ＬＮＣ）、選択的触媒還元（ＳＣＲ）触媒、ディーゼル酸化触媒（ＤＯＣ）、触媒化スートフィルター（ＣＳＦ）、選択的触媒還元フィルター（ＳＣＲＦＴＭ）触媒、アンモニアスリップ触媒（ＡＳＣ）及びこれらの２種以上の組み合わせからなる群より選択されるエミッションコントロールデバイスからなる群より選択される、請求項１７に記載の排気システム。
【請求項１９】
リーンバーンエンジンと、請求項１から１６のいずれか一項に記載のＮＯｘ吸収体触媒又は請求項１７又は１８に記載の排気システムとを備える車両。
【請求項２０】
リーンバーンエンジンが、≦５０ｐｐｍの硫黄を含むディーゼル燃料で作動するように構成されている、請求項１９に記載の車両。
【請求項２１】
リーンバーンエンジンからの排気ガスを処理する方法であって、排気ガスを請求項１から１６のいずれか一項に記載のＮＯｘ吸収体触媒と接触させること、又は排気ガスを請求項１７又は請求項１８に記載の排気システムに通過させることを含む、方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年4月2日(2021.4.2)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３４】
したがって、間隙の位置およびサイズにより、薬剤の適用および投与が支持され許容される用量および用量範囲が規定される。少なくとも１つの間隙の接線方向すなわち周方向サイズが、少なくとも１つの阻止要素の接線方向サイズ以上であるため、阻止要素は、用量部材が支持され許容される用量サイズに対応する螺旋位置にある場合にのみ、それぞれの間隙を通過することができる。そのような構成において、少なくとも１つの阻止要素は少なくとも１つの間隙と軸方向に位置合わせされるまたは重なるが、前記間隙に接線方向に隣接して位置する阻止セグメントから近位に位置する。少なくとも１つの阻止要素の接線方向サイズまたは伸長が少なくとも１つの間隙の接線方向すなわち周方向サイズ以下であることにより、内側本体に対する用量部材の軸方向および遠位方向への平滑な変位が支持され可能にされる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薬剤の用量を設定および投薬するための注射デバイス（１）用の駆動機構であって：
注射デバイス（１）のハウジング（１０）内に固定可能な内側本体（２０）であって、軸方向（ｚ）に延びる細長い軸（２０ａ）を含み、該細長い軸（２０ａ）は外周に外ねじ山（２１）および阻止構造（４０）を含む内側本体と、
該内側本体（２０）の外ねじ山（２１）に係合する内ねじ山（１６３）を有する管状の表示部材（１６０）と、
内側本体（２０）および表示部材（１６０）のうちの少なくとも一方に対して、用量設定位置（Ｓ）と用量投薬位置（Ｄ）との間で軸方向に変位可能な用量部材（７０；２７０）と、
該用量部材（７０；２７０）に軸方向に係合可能であり、表示部材（１６０）に回転不能に固定された阻止リング（１８０；２８０；３８０）であって、阻止構造（４０）に軸方向に係合して、用量部材（７０）の用量設定位置（Ｓ）から用量投薬位置（Ｄ）への軸方向変位を阻止するための少なくとも１つの阻止要素（１８２；２８２；３８２）を含む
阻止リングと
を含む前記駆動機構。
【請求項２】
阻止構造（４０）は、内側本体（２０）の細長い軸（２０ａ）上で軸方向に延びる阻止ねじ山（４７）を含み、該阻止ねじ山（４７）および外ねじ山（２１）は同じピッチを有する、請求項１に記載の駆動機構。
【請求項３】
阻止構造（４０）は、阻止要素（１８２；２８２；３８２）の周方向サイズ以上の周方向サイズを有する少なくとも１つの間隙（４６）により細長い軸（２０ａ）の外周に沿って分離された、少なくとも２つの螺旋状の阻止セグメント（４１、４２、４３、４４、４５）を含む、請求項１または２に記載の駆動機構。
【請求項４】
阻止リング（１８０；２８０；３８０）は、表示部材（１６０）の少なくとも一部分を囲み、少なくとも１つの阻止要素（１８２；２８２；３８２）は、阻止リング（１８０；２８０；３８０）の側壁（１８１；２８１；３８１）から半径方向内方に突出する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の駆動機構。
【請求項５】
少なくとも１つの阻止要素（１８２；２８２；３８２）は、表示部材（１６０）の側壁（１９１、１９２）のアパーチャ（１８１）を通って半径方向内方に延びる、請求項４に記載の駆動機構。
【請求項６】
用量部材（７０；２７０）は、用量ボタン（７１；２７１）と細長い管状の用量スリーブ（１７２；２７２）とを含み、用量ボタン（７１；２７１）は、用量スリーブ（１７２；２７２）の近位端（１７３；２７３）に軸方向に固定される、請求項１〜５のいずれか１項に記載の駆動機構。
【請求項７】
用量スリーブ（１７２；２７２）は、阻止リング（１８０；２８０；３８０）の近位面（１８８；２８８；３８８）に軸方向に当接する遠位面（１７６；２７６）を含む、請求項６に記載の駆動機構。
【請求項８】
用量スリーブ（１７２）は阻止リング（１８０；３８０）に軸方向に固定される、請求項６または７に記載の駆動機構。
【請求項９】
阻止リング（１８０；２８０；３８０）は、ばね要素（２９０）の作用に抵抗して、表示部材（１６０）に対して遠位方向（４）に変位可能である、請求項６または７に記載の駆動機構。
【請求項１０】
阻止リング（１８０；２８０；３８０）と用量スリーブ（１７２；２７２）とは回転可能にデカップリングされる、請求項６〜９のいずれか１項に記載の駆動機構。
【請求項１１】
阻止リング（３８０）は、環状のリング部分（３８３）と、該リング部分（３８３）に対して軸方向にずれて位置する少なくとも１つの湾曲片持ち部分（３８４）とを含み、少なくとも１つの阻止要素（３８２）は、湾曲片持ち部分（３８４）の自由端に位置し、湾曲片持ち部分は、その阻止要素（３８２）が阻止構造（４０）に軸方向に係合すると、半径方向外方に偏向するように構成される、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の駆動機構。
【請求項１２】
湾曲片持ち部分（３８４）は可撓性であり、軸方向よりも半径方向に高い可撓性を示す、請求項１１に記載の駆動機構。
【請求項１３】
軸方向（ｚ）に延びるピストンロッド（３０）と管状の駆動部（１４０）とをさらに含み、ここで、ピストンロッド（３０）は、内側本体（２０）の内ねじ山（２３）に係合する第１の外ねじ山（３１）を含み、かつ駆動部（１４０）の内ねじ山（１４２ａ）に係合した反対側の第２の外ねじ山（３２）を含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の駆動機構。
【請求項１４】
駆動部（１４０）は用量部材（７０；２７０）に回転不能にロックされ、用量部材（７０；２７０）は、クラッチ（Ｃ）により表示部材（１６０）に回転可能に係合可能であり、クラッチは：
用量部材（７０；２７０）が用量設定位置（Ｓ）にあるときに用量部材（７０；２７０）および表示部材（１６０）に回転可能に係合し、さらに、
用量部材（７０；２７０）が用量投薬位置（Ｄ）にあるときに用量部材（７０；２７０）を表示部材（１６０）から回転可能に解放するように動作可能である、請求項１３に記載の駆動機構。
【請求項１５】
薬剤の用量を設定および投薬するための注射デバイスであって：
ハウジング（１０）と、
該ハウジング（１０）内に配置された、請求項１〜１４のいずれか１項に記載の駆動機構（２）と、
ハウジング（１０）内に配置され、液体薬剤が充填されたカートリッジ（８０）とを含む前記注射デバイス。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年1月18日(2021.1.18)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｖ）：
【化１】
2018537546.tif 000001
［式中、
Ｑは、構造−ＣＲ１１Ｒ１２−ＣＲ１３Ｒ１４−又は−ＣＲ１１＝ＣＲ１３−（式中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、独立して、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロ原子含有ヒドロカルビル、置換ヘテロ原子含有ヒドロカルビル又は官能基である）を有する２原子結合であり、
Ｒ３及びＲ４は、無置換フェニルであるか、Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、置換Ｃ１〜Ｃ２０アルキル、Ｃ１〜Ｃ２０ヘテロアルキル、置換Ｃ１〜Ｃ２０ヘテロアルキル、Ｃ５〜Ｃ２４アリール、置換Ｃ５〜Ｃ２４アリール、Ｃ５〜Ｃ２４ヘテロアリール、Ｃ６〜Ｃ２４アラルキル、Ｃ６〜Ｃ２４アルカリル若しくはハライドなどの１つ以上の置換基で置換されているフェニルであってよく、
Ｘ１及びＸ２は、独立して、ハロゲンであり、トランス配置でＲｕに結合しており、
Ｌ２は、ホスフィナイト配位子又はホスホナイト配位子であり、
ｍは、０、１又は２であり、
Ｒ１及びＲ２は、独立して、水素、ヒドロカルビル、置換ヒドロカルビル、ヘテロ原子含有ヒドロカルビル、置換ヘテロ原子含有ヒドロカルビルであるか、Ｒ１及びＲ２は、一緒に結合して、置換又は無置換であってよい環を形成してもよく、ただし、式（Ｖ）の触媒は、以下の構造：
【化２】
2018537546.tif 000002
でないことを条件とする］の構造によって表される、金属カルベンオレフィンメタセシス触媒。
【請求項２】
ｍが、０であり、
Ｑが、構造−ＣＲ１１Ｒ１２−ＣＲ１３Ｒ１４−（式中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、独立して、水素である）を有する２原子結合であり、
Ｒ３及びＲ４が、それぞれ、メチル又はイソプロピルから選択される３つまでの置換基で置換されているフェニルであり、
Ｘ１及びＸ２が、Ｃｌであり、
Ｌ２が、ホスフィナイト配位子であり、
Ｒ１が、水素であり、Ｒ２が、Ｃ１〜Ｃ６アルキル又はＣ１〜Ｃ６アルコキシから選択される１つ以上の部分で任意選択により置換されているフェニル、ビニルであるか、Ｒ１及びＲ２が、一緒に結合してフェニルインデニリデンを形成してもよい、請求項１に記載の金属カルベンオレフィンメタセシス触媒。
【請求項３】
Ｌ２が、式（１）：
【化３】
2018537546.tif 000003
（式中、Ｒ１ｐ、Ｒ２ｐ、Ｒ３ｐは、それぞれ独立して、置換若しくは無置換のＣ６〜Ｃ１０アリール、又は置換若しくは無置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル、又は置換若しくは無置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキルである）で表される、請求項２に記載の金属カルベンオレフィンメタセシス触媒。
【請求項４】
Ｒ１ｐが、メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、４−メトキシフェニル、ベンジル及びフェニルから選択され、Ｒ２ｐ及びＲ３ｐが、それぞれ、フェニルである、請求項３に記載の金属カルベンオレフィンメタセシス触媒。
【請求項５】
以下：
【化４】
2018537546.tif 000004
から選択される、請求項４に記載の金属カルベンオレフィンメタセシス触媒。
【請求項６】
ｍが、０であり、
Ｑが、構造−ＣＲ１１Ｒ１２−ＣＲ１３Ｒ１４−（式中、Ｒ１１、Ｒ１２、Ｒ１３及びＲ１４は、独立して、水素である）を有する２原子結合であり、
Ｒ３及びＲ４が、それぞれ、メチル又はイソプロピルから選択される３つまでの置換基で置換されているフェニルであり、
Ｘ１及びＸ２が、Ｃｌであり、
Ｌ２が、ホスホナイト配位子であり、
Ｒ１が、水素であり、Ｒ２が、Ｃ１〜Ｃ６アルキル又はＣ１〜Ｃ６アルコキシから選択される１つ以上の部分で任意選択により置換されているフェニル、ビニルであるか、Ｒ１及びＲ２が、一緒に結合してフェニルインデニリデンを形成してもよい、請求項１に記載の金属カルベンオレフィンメタセシス触媒。
【請求項７】
Ｌ２が、式（２）：
【化５】
2018537546.tif 000005
［式中、Ｒ８ｐ、Ｒ９ｐ、Ｒ１０ｐは、それぞれ独立して、置換若しくは無置換のＣ６〜Ｃ１０アリール、又は置換若しくは無置換のＣ１〜Ｃ１０アルキル、又は置換若しくは無置換のＣ３〜Ｃ８シクロアルキルである］で表される、請求項６に記載の金属カルベンオレフィンメタセシス触媒。
【請求項８】
Ｒ８ｐ及びＲ９ｐが、メチル、エチル、イソプロピル、ｎ−ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、４−メトキシフェニル、ベンジル又はフェニルからそれぞれ独立して選択され、Ｒ１０ｐは、フェニルである、請求項７に記載の金属カルベンオレフィンメタセシス触媒。
【請求項９】
以下：
【化６】
2018537546.tif 000006
から選択される、請求項８に記載の金属カルベンオレフィンメタセシス触媒。
【請求項１０】
少なくとも１つの樹脂組成物と、少なくとも１つの請求項１から９のいずれか一項に記載の金属カルベンオレフィンメタセシス触媒とを含むＲＯＭＰ組成物であって、前記樹脂組成物は、少なくとも１つの環状オレフィンを含む、ＲＯＭＰ組成物。
【請求項１１】
前記少なくとも１つの金属カルベンオレフィンメタセシス触媒が、以下：
【化７】
2018537546.tif 000007
から選択される、請求項１０に記載のＲＯＭＰ組成物。
【請求項１２】
前記少なくとも１つの環状オレフィンが、ノルボルネン誘導体である、請求項１１に記載のＲＯＭＰ組成物。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年2月25日(2021.2.25)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プローブエンクロージャ内に配置される超音波トランスデューサ、
リニアレギュレータと、高電圧供給源に結合される入力部と、前記超音波トランスデューサに結合される出力部とを有する能動的供給源、及び
前記超音波トランスデューサと前記能動的供給源との間に結合される電圧フィードバックラインを含む、超音波撮像システムであって、
前記リニアレギュレータは、前記電圧フィードバックラインからのフィードバック電圧に基づいて、前記超音波トランスデューサに供給される出力電圧を撮像に許容可能な範囲で維持する、超音波撮像システム。
【請求項２】
前記能動的供給源の前記入力部に結合されるコンデンサを含む、請求項１に記載の超音波撮像システム。
【請求項３】
前記能動的供給源に結合される基準電圧源を含む、請求項２に記載の超音波撮像システム。
【請求項４】
前記プローブエンクロージャに結合されるプローブケーブルの端部に結合されるプローブコネクタを含み、
前記能動的供給源は、前記プローブコネクタ内に配置される、請求項２に記載の超音波撮像システム。
【請求項５】
前記コンデンサは、前記プローブコネクタ内に配置される、請求項４に記載の超音波撮像システム。
【請求項６】
前記プローブケーブルは、前記能動的供給源と前記超音波トランスデューサとの間に結合される高電圧供給導電体を含み、前記電圧フィードバックラインは、前記プローブケーブル内に配置され、前記高電圧供給源は、超音波システムメインフレーム内に配置される、請求項５に記載の超音波撮像システム。
【請求項７】
前記能動的供給源は、前記電圧フィードバックラインからの前記フィードバック電圧に基づいて、前記超音波トランスデューサに供給される出力電圧を調整するオペレーショナル・トランスコンダクタンス・アンプを含む、請求項１に記載の超音波撮像システム。
【請求項８】
前記コンデンサと前記能動的供給源の出力部との間の伝導を制御するパストランジスタを含む、請求項２に記載の超音波撮像システム。
【請求項９】
前記超音波トランスデューサに結合される送信器を含み、
前記能動的供給源は、前記送信器に高電圧を供給するために結合される、請求項１に記載の超音波撮像システム。
【請求項１０】
前記能動的供給源は、前記プローブエンクロージャ内に配置される、請求項２に記載の超音波撮像システム。
【請求項１１】
前記能動的供給源は、超音波システムメインフレーム内に配置される、請求項２に記載の超音波撮像システム。
【請求項１２】
前記能動的供給源は、プローブが超音波システムメインフレームから切断されたときに前記コンデンサを放電するために当該コンデンサに結合される放電回路をさらに含む、請求項１１に記載の超音波撮像システム。
【請求項１３】
前記能動的供給源は、前記超音波トランスデューサに第１の高電圧を出力し、前記超音波撮像システムは、
第２の能動的供給源が前記超音波トランスデューサに第２の高電圧を供給するように、前記高電圧供給源に結合される入力部と前記超音波トランスデューサに結合される出力部とを有する当該第２の能動的供給源をさらに含む、請求項１に記載の超音波撮像システム。
【請求項１４】
前記高電圧供給源と前記能動的供給源の各々の入力部との間に結合されるスイッチをさらに含む、請求項１３に記載の超音波撮像システム。
【請求項１５】
前記能動的供給源の各々の出力部と前記超音波トランスデューサとの間に配置されるスイッチ、及び前記能動的供給源の各々のフィードバック入力部と前記超音波トランスデューサとの間に配置されるスイッチをさらに含む、請求項１３に記載の超音波撮像システム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００２】
３Ｄ撮像に使用されるような超音波トランスデューサプローブは、プローブ内に配置され、トランスデューサアレイ（センサ）に結合される送信回路を有することができ、当該送信回路は、超音波システムに配置される電源からのエネルギーでトランスデューサ素子を励起する。剪断波エラストグラフィ又はＰＷドプラのようないくつかの撮像モダリティ、及び、治療用途に使用されるプローブのために、フロントエンド回路は、システム電源が供給できるよりも高い電流を必要とする可能性がある。プローブによるこれらの高電流を引き出すための試みは、フロントエンド及びトランスデューサに駆動電圧を供給する高電圧供給の電圧レベルの低下を招き得、その結果今度は、送信される超音波の音圧が落ち、これは、撮像及び治療の効果を低下させる。この問題を補う１つの手法は、高電圧供給ラインに大きなキャパシタンスを結合するという受動的な手法である。国際特許公開第 ２０１３／１７９１７９号には、プローブの高電圧供給ラインに結合され、超音波システムメインフレーム、トランスデューサのシステムコネクタ、及び／又はプローブケース内に配置される大型のコンデンサバンク（１００μＦから１０００μＦ）の使用が記載されている。送信フェーズ中にプローブが過度の電流を引き出し始めたときには、コンデンサバンクに蓄えられた電荷が電源からの電荷を補い、所望の電圧レベルを維持する。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１５】
レギュレータは、ＮＭＯＳパストランジスタＭ１のドレインからソースへの抵抗を変化させることにより負荷内の変化及びその入力電圧の変動を補償する。抵抗器Ｒ１及び抵抗器Ｒ２からなるフィードバックネットワークは、出力端子ＯＵＴにおいて供給導電体のために生成される電圧を、超音波システムによって供給され、−１倍される基準電圧Ｒｅｆにほぼ等しくなるように設定する。トランジスタＱ１及びＱ２は、オペレーショナル・トランスコンダクタンス・アンプを形成する。Ｑ１の電流出力は、パストランジスタＭ１のゲートを抵抗器Ｒ４によって設定される電圧に駆動し、これによりレギュレータへの入力電圧と供給導電体との間の抵抗を制御する。負荷が供給源内にシンクする電流量が増加すると、レギュレータ出力の電圧が上昇し、これは、トランジスタＱ２のベース―エミッタ間の電圧を低下させる。これにより、トランジスタＱ２のコレクタ―エミッタ間の電流が減少し、トランジスタＱ１のコレクタ―エミッタ間の電流が増加し、これは、パストランジスタＭ１のゲート―ソース間の電圧を上昇させる。上昇したゲート―ソース間の電圧は、レギュレータへの入力供給源とその出力と直列であるパストランジスタＭ１のドレイン―ソース間の抵抗を減少させ、結果として出力電圧が低下する。