Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】平成16年2月16日(2004.2.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの基板処理装置を制御するコントローラを有する基板処理システムにおいて、
ある処理履歴データが書きこまれるデータファイルと、
前記処理履歴データのバックアップ条件を表示して前記処理履歴データのバックアップ条件を設定するためのバックアップ条件設定手段と、
前記バックアップ条件設定手段によって設定された前記バックアップ条件が成立すると、前記データファイルを自動的にバックアップするコントローラとを備えたことを特徴とする基板処理システム。
【請求項２】
前記バックアップ条件設定手段は、前記バックアップ条件として、前記データファイルを所定の時間間隔で自動的にバックアップするための第１のバックアップ条件と、
前記データファイルに前記処理履歴データが所定量書きこまれたときにこのデータファイルを自動的にバックアップするための第２のバックアップ条件と
を選択的に設定可能なように構成されていることを特徴とする請求項１記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記バックアップ条件設定手段は、バックアップの終了した前記データファイルを処理する方法として、
これを自動的に削除する第１の処理方法と、削除しない第２の方法と、
を選択的に設定可能なように構成されていることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記処理履歴データとは、障害が発生したことを示すアラームデータ又は処理時間内の一定間隔で収集された温度やガス流量を示すトレースデータであることを特徴とする請求項１記載の基板処理システム。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月4日(2004.10.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
オブジェクト空間内の所与の視点、視線での視界画像を合成してスクリーン上に表示する３次元ゲーム装置であって、
前記スクリーン上に配置される複数の長方形ポリゴンの各頂点のテクスチャ座標を求めるテクスチャ座標演算手段と、
前記テクスチャ座標により指定されるテクスチャを前記長方形ポリゴンにマッピングするマッピング手段と、
テクスチャがマッピングされた前記長方形ポリゴンを並べた画像を含む視界画像を合成する画像合成手段とを含み、
前記テクスチャ座標演算手段が、
前記視点の位置情報及び前記視線の方向情報によりテクスチャ平面との位置関係が特定される仮想視点及び仮想スクリーンを設定し、前記仮想スクリーン上に配置される仮想長方形ポリゴンの各頂点を、前記仮想視点を投影中心として前記テクスチャ平面に投影し、投影点のテクスチャ座標を前記長方形ポリゴンの各頂点のテクスチャ座標とすることを特徴とする３次元ゲーム装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記長方形ポリゴンが、前記スクリーンの水平走査方向に長辺が設定され１水平走査線分の高さを持つポリゴンであることを特徴とする３次元ゲーム装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記テクスチャ座標演算手段が、
オブジェクト空間内での前記視点の位置情報に基づいて、前記仮想視点と前記テクスチャ平面との距離と、前記仮想視点からの垂線が前記テクスチャ平面と交わる点の位置を設定し、
前記オブジェクト空間内での前記視線の方向情報に基づいて、前記仮想視点から前記仮想スクリーンの中心に向かう仮想視線の方向を設定することを特徴とする３次元ゲーム装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかにおいて、
前記テクスチャ座標演算手段が、
１の長方形ポリゴンの頂点のテクスチャ座標を求める際の前記仮想視点と前記仮想スクリーンの間の距離と、他の長方形ポリゴンの頂点のテクスチャ座標を求める際の前記仮想視点と前記仮想スクリーンの間の距離とを異ならせることを特徴とする３次元ゲーム装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記テクスチャ座標演算手段が、
１のフレームでテクスチャ座標を求める際の前記仮想視点と前記仮想スクリーンの間の距離と、他のフレームでテクスチャ座標を求める際の前記仮想視点と前記仮想スクリーンの間の距離とを異ならせることを特徴とする３次元ゲーム装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記画像合成手段が、
垂直走査方向に並べられた前記複数の長方形ポリゴンを用いて、オブジェクト空間内の視点から無限遠の位置にある境界線をその一部として含む背景画像を合成することを特徴とする３次元ゲーム装置。
【請求項７】
オブジェクト空間内の所与の視点、視線での視界画像を合成しスクリーン上に表示するためのコンピュータ読み取り可能な情報記憶媒体であって、
前記スクリーン上に配置される複数の長方形ポリゴンの各頂点のテクスチャ座標を求めるテクスチャ座標演算手段と、
前記テクスチャ座標により指定されるテクスチャを前記長方形ポリゴンにマッピングするマッピング手段と、
テクスチャがマッピングされた前記長方形ポリゴンを並べた画像を含む視界画像を合成する画像合成手段として、
コンピュータを機能させるプログラムを記憶し、
前記テクスチャ座標演算手段が、
前記視点の位置情報及び前記視線の方向情報によりテクスチャ平面との位置関係が特定される仮想視点及び仮想スクリーンを設定し、前記仮想スクリーン上に配置される仮想長方形ポリゴンの各頂点を、前記仮想視点を投影中心として前記テクスチャ平面に投影し、投影点のテクスチャ座標を前記長方形ポリゴンの各頂点のテクスチャ座標とすることを特徴とする情報記憶媒体。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月18日(2004.11.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
光コード（７）の走査リーダ（１）であって、この光コード（７）を、前記走査リーダ（１）方向に相対移動する物品（２）の前壁上に配置し、この光コード（７）は前記線壁（５）上の任意の位置を有し、前記走査リーダ（１）は、前記前壁（５）に対して予め固定された傾斜角（φ）の平面上に存在する少なくとも一つの光ビームを形成することができるとともに前記物品（２）の前方移動方向に沿って予め固定された距離範囲内で前記光コード（７）を読み出すことができるようにした発生手段（１０，１３）を具える走査リーダにおいて、前記発生手段（１０，１３）は、前記前壁（５）に対して予め固定された第１及び第２傾斜角（α，β）の面に存在する少なくとも第１及び第２光ビーム（８α，８β）を形成し、前記物品の移動に関連して、前記第１光ビーム（８α）は、少なくとも一つの第１走査線（８１）によって前記前壁の第１領域を探索するとともに、前記第２光ビーム（８β）は、少なくとも一つの第２走査線（８２）によって前記前壁の第２領域を探索して、前記第１光ビーム（８α）が、前記物品（２）の前記前方移動方向に沿って予め固定された第１距離範囲内で前記光コード（７）を読み出すことができるようにするとともに、前記第２光ビーム（８β）が、前記物品（２）の前記前方移動方向に沿って予め固定された第２距離範囲内で前記光コード（７）を読み出すことができるようにし、前記第１及び第２光ビーム（８α，８β）が前記光コードを読み出すことができる全距離範囲が、一つの光ビームのみによって到達するとこができる有効な距離範囲よりも大きくしたことを特徴とする走査リーダ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２１】
前記多角形回転子（１３）は、前記前記多角形回転子（１３）の回転軸（１４）に対して予め固定された第１傾斜角δ1 を有する予め固定された第１の数のミラー（１３１）と、前記前記多角形回転子（１３）の回転軸（１４）に対して予め固定された第２傾斜角δ2 を有する予め固定された第２の数のミラー（１３２）とを具え、前記予め固定された第１の数のミラー（１３１）は前記第１光ビーム（８α）を形成し、前記予め固定された第２の数のミラー（１３２）は前記第２光ビーム（８β）を形成するようにしたことを特徴とする請求項１又は２０記載の走査リーダ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２２】
前記多角形回転子は、前記前記多角形回転子の回転軸に対して予め固定された第１傾斜角を有する予め固定された第１の数のミラーと、前記前記多角形回転子の回転軸に対して予め固定された第２傾斜角を有する予め固定された第２の数のミラーと、前記前記多角形回転子の回転軸に対して予め固定された第３傾斜角を有する予め固定された第３の数のミラーとを具え、前記予め固定された第１の数のミラーは前記第１光ビームを形成し、前記予め固定された第２の数のミラーは前記第２光ビームを形成し、前記予め固定された第３の数のミラーは前記第３光ビームを形成するようにしたことを特徴とする請求項８又は２０記載の走査リーダ。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２３】
前記多角形回転子は、前記前記多角形回転子の回転軸に対して予め固定された第１傾斜角を有する予め固定された第１の数のミラーと、前記前記多角形回転子の回転軸に対して予め固定された第２傾斜角を有する予め固定された第２の数のミラーと、前記前記多角形回転子の回転軸に対して予め固定された第３傾斜角を有する予め固定された第３の数のミラーと、前記前記多角形回転子の回転軸に対して予め固定された第４傾斜角を有する予め固定された第４の数のミラーとを具え、前記予め固定された第１の数のミラーは前記第１光ビームを形成し、前記予め固定された第２の数のミラーは前記第２光ビームを形成し、前記予め固定された第３の数のミラーは前記第３光ビームを形成し、前記予め固定された第４の数のミラーは前記第４光ビームを形成するようにしたことを特徴とする請求項９又は２０記載の走査リーダ。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１の目的は、光コードの走査リーダであって、この光コードを、前記走査リーダ方向に相対移動する物品の前壁上に配置し、この光コードは前記線壁上の任意の位置を有し、前記走査リーダは、前記前壁に対して予め固定された傾斜角の平面上に存在する少なくとも一つの光ビームを形成することができるとともに前記物品の前方移動方向に沿って予め固定された距離範囲内で前記光コードを読み出すことができるようにした発生手段を具える走査リーダにおいて、前記発生手段は、前記前壁に対して予め固定された第１及び第２傾斜角の面に存在する少なくとも第１及び第２光ビームを形成し、前記物品の移動に関連して、前記第１光ビームは、少なくとも一つの第１走査線によって前記前壁の第１領域を探索するとともに、前記第２光ビームは、少なくとも一つの第２走査線によって前記前壁の第２領域を探索して、前記第１光ビームが、前記物品の前記前方移動方向に沿って予め固定された第１距離範囲内で前記光コードを読み出すことができるようにするとともに、前記第２光ビームが、前記物品の前記前方移動方向に沿って予め固定された第２距離範囲内で前記光コードを読み出すことができるようにし、前記第１及び第２光ビームが前記光コードを読み出すことができる全距離範囲が、一つの光ビームのみによって到達するとこができる有効な距離範囲よりも大きくしたことを特徴とする走査リーダを提供することである。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月3日(2005.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面上に酸化シリコン膜を有する第１単結晶シリコン基板に対して主表面側から水素を添加し、水素添加層を形成し、
前記第１単結晶シリコン基板と支持体となる第２基板とを前記酸化シリコン膜を介して貼り合わせ、
第１熱処理により前記第１単結晶シリコン基板を分断し、
前記分断する工程によって前記第２基板の上に残存した単結晶シリコン薄膜に対して第２熱処理を行い、
前記単結晶シリコン薄膜の主表面を平坦化し、
前記単結晶シリコン薄膜をパターニングして島状シリコン層を形成し、
前記島状シリコン層に対して熱酸化処理を行う工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項２】
主表面上に酸化シリコン膜を有する第１単結晶シリコン基板に対して主表面側から水素を添加し、水素添加層を形成し、
前記第１単結晶シリコン基板と支持体となる第２基板とを前記酸化シリコン膜を介して貼り合わせ、
第１熱処理により前記第１単結晶シリコン基板を分断し、
前記分断する工程によって前記第２基板の上に残存した単結晶シリコン薄膜の主表面を平坦化し、
前記単結晶シリコン薄膜をパターニングして島状シリコン層を形成し、
前記島状シリコン層に対して熱酸化処理を行う工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項３】
第１単結晶シリコン基板を陽極酸化することにより多孔質シリコン層を形成し、
前記多孔質シリコン層上に単結晶シリコン薄膜をエピタキシャル成長させ、
前記単結晶シリコン薄膜上に酸化シリコン膜を形成し、
前記第１単結晶シリコン基板と支持体となる第２基板とを前記酸化シリコン膜を介して貼り合わせ、
前記第１単結晶シリコン基板及び前記第２基板に対して第１熱処理を行い、
前記第１単結晶シリコン基板を前記多孔質シリコン層が露呈するまで研磨し、
前記多孔質シリコン層を除去し、前記単結晶シリコン薄膜を露呈させ、
前記単結晶シリコン薄膜をパターニングして島状シリコン層を形成し、
前記島状シリコン層に対して熱酸化処理を行う工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項４】
第１単結晶シリコン基板を陽極酸化することにより多孔質シリコン層を形成し、
前記多孔質シリコン層上に単結晶シリコン薄膜をエピタキシャル成長させ、
前記単結晶シリコン薄膜上に酸化シリコン膜を形成し、
前記第１単結晶シリコン基板と支持体となる第２基板とを前記酸化シリコン膜を介して貼り合わせ、
前記第１単結晶シリコン基板を前記多孔質シリコン層が露呈するまで研磨し、
前記多孔質シリコン層を除去し、前記単結晶シリコン薄膜を露呈させ、
前記単結晶シリコン薄膜をパターニングして島状シリコン層を形成し、
前記島状シリコン層に対して熱酸化処理を行う工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一において、前記熱酸化処理は１０５０〜１１５０℃の温度で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、前記熱酸化処理はハロゲン元素を含む酸化性雰囲気中で行われることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項７】
請求項６において、前記ハロゲン元素を含む酸化性雰囲気として、酸素と塩化水素の混合ガスまたは酸素と三フッ化窒素の混合ガスを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一において、
さらに、前記島状シリコン層上にゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、
前記島状シリコン層にｎ型またはｐ型を付与する不純物を添加し、ソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一に記載の方法により作製された半導体装置を用いた、Ｄ／Ａコンバータ、γ補正回路または信号分割回路。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一に記載の方法により作製された半導体装置を用いた、液晶表示装置、エレクトロルミネッセンス表示装置またはエレクトロクロミックス表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至８のいずれか一に記載の方法により作製された半導体装置を用いた、マイクロプロセッサ。
【請求項１２】
請求項１乃至８のいずれか一に記載の方法により作製された半導体装置を用いた、自動車または電車の制御用コンピュータ。
【請求項１３】
請求項１乃至８のいずれか一に記載の方法により作製された半導体装置を用いた、ビデオカメラ、スチルカメラ、プロジェクター、プロジェクションＴＶ、ヘッドマウントディスプレイ、カーナビゲーションシステム、パーソナルコンピュータ、モバイルコンピュータまたは携帯電話。
【手続補正書】
【提出日】平成17年3月11日(2005.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
この構成による固体撮像装置においては、通常、第１および第２の転送電極１１および１２は、それぞれ第１および第２の多結晶シリコン半導体層を、それぞれ例えばパターンエッチングすることによって形成される。そして、第１および第２の転送電極１１および１２は、全垂直シフトレジスタ部３に関して、対応する位置の電極同士が、垂直方向に隣り合うセンサー部１間において相互に水平方向に延在して形成した第１および第２の連結部２１および２２によって連結される。これら第１および第２の連結部２１および２２は、これらによって連結すべき各第１および第２の転送電極１１および１２と一体に、すなわち各第１および第２の多結晶半導体層によって形成される。これら連結部２１および２２は、図７に、図６のＡ−Ａ線の概略断面図を示すように、垂直方向に隣り合うセンサー部１間において、第１の半導体層によって第１の転送電極１１と同時にこれと一体に形成した第１の連結部２１が配置され、これの上に絶縁層２３を介して、第２の半導体層によって第２の転送電極１２と同時にこれと一体に形成した第２の連結部２２が積層されるように形成される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2000012825.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2000012825.tif 000002
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2000012825.tif 000003
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月23日(2005.6.23)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板を吸着保持して回動又は揺動する基板保持手段と、
前記基板保持手段に複数設けられ前記ガラス基板を吸着する吸着手段と、
前記各吸着手段に圧力センサを介して真空チューブにより連通される真空発生源と、
前記基板保持手段の一連の動作を制御し、前記圧力センサにより圧力異常が検出されたときに前記基板保持手段を前記ガラス基板が落下しない角度に姿勢を制御する制御部とを備えたことを特徴とする基板保持装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記圧力センサにより圧力異常が検出されたときに前記基板保持手段を水平になる角度に姿勢を制御することを特徴とする請求項１記載の基板保持装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記圧力センサにより圧力異常が検出されたときに前記基板保持手段をガラス基板が落下しない搬送速度に減速させることを特徴とする請求項１記載の基板保持装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記各吸着手段ごとに対応して設けられた各圧力センサからの検出信号に基づいて異常吸着手段を特定することを特徴とする請求項１記載の基板保持装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記吸着手段を数個を一組とした各組に対応させて設けられた各圧力センサからの検出信号に基づいて異常吸着手段を特定することを特徴とする請求項１記載の基板保持装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記圧力センサの検出信号に基づいて前記吸着手段の圧力を下げる方向に吸引圧力を制御することを特徴とする請求項１記載の基板保持装置。
【請求項７】
前記各吸着手段は、それぞれに前記圧力センサと電磁弁を有し、前記制御部は、前記各圧力センサの検出信号に基づいてリークの発生している前記吸着手段に対応する前記電磁弁を閉じるように制御することを特徴とする請求項１記載の基板保持装置。
【請求項８】
前記基板保持手段は、前記ガラス基板を目視観察するための照明装置を備えた検査位置に配置され、この照明装置下において前記ガラス基板を吸着保持した状態で水平から１８０°の角度範囲で回転するロボットアームからなることを特徴とする請求項１記載の基板保持装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、本願発明の基板保持装置は、
ガラス基板を吸着保持して回動又は揺動する基板保持手段と、前記基板保持手段に複数設けられ前記ガラス基板を吸着する吸着手段と、前記各吸着手段に圧力センサを介して真空チューブにより連通される真空発生源と、前記基板保持手段の一連の動作を制御し、前記圧力センサにより圧力異常が検出されたときに前記基板保持手段を前記ガラス基板が落下しない角度に姿勢を制御する制御部とにより構成している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明によれば、吸着手段にリークが発生して場合も、基板保持手段をガラス基板が落下しない角度に姿勢制御することで、基板保持手段からガラス基板が落下するのを防止できる。また、吸着手段にリークが発生して場合も、基板保持手段を搬送速度に減速させることで、基板保持手段からガラス基板が落下するのを防止できる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明によれば、リークが発生した吸着手段を簡単に特定することができる。また、リークが発生した吸着手段の吸着力を速やかに回復させ、ガラス基板の落下の可能性を回避できる。さらに、リークの発生している吸着手段に対応する電磁弁を閉じるように制御することで、リークの発生していない他の吸着手段での圧力上昇を防止できる。
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月10日(2005.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に一方向に延びるように複数形成され、冗長回路を制御するため光照射によって切断されるヒューズ層と、
前記第１絶縁層の上に、前記ヒューズ層の少なくとも一方の側において前記ヒューズ層に沿うように設けられる疑似ヒューズ層と、
前記ヒューズ層および前記疑似ヒューズ層を覆うように形成される第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の上に形成され、前記ヒューズ層に対向する領域に開口部を有する保護膜と、を備え、
前記ヒューズ層の間隔は４μｍ未満、または、４．５μｍ〜５．５μｍである、半導体装置。
【請求項２】
前記疑似ヒューズ層の前記ヒューズ層に対向する面の反対側の面には、疑似ヒューズ層の上方から下方に向かうにしたがって徐々に前記ヒューズ層から遠ざかるテーパが設けられている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ヒューズ層は表面側に相対的に沸点が高い材料からなる層を有する、少なくとも２層からなる積層構造を有し、
前記疑似ヒューズ層も前記ヒューズ層と同じ積層構造を有する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ヒューズ層および前記疑似ヒューズ層は、それぞれ窒化物層、金属層および窒化物層の３層構造からなり、前記窒化物層は前記金属層よりも沸点が高い材料である、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記疑似ヒューズ層の幅は、前記ヒューズ層と同じまたはそれ以下である、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記保護膜に設けられる前記開口部の前記ヒューズ層の側部に対向する側壁部は、前記ヒューズ層の前記疑似ヒューズ層に対向する面と前記疑似ヒューズ層の前記ヒューズ層に対向する面との間に位置するように設けられる、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体基板と、
前記半導体基板上の第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上であって、第１方向に延び、第１方向に直行する第２方向に所定間隔で配置された複数本のヒューズ層と、
前記第１絶縁層上であって、第１方向に延び、前記複数本のヒューズ層からなるヒューズ層群の外側に配置された擬似ヒューズ層と、
前記ヒューズ層および前記擬似ヒューズ層を覆うように形成された第２絶縁層と、
前記第２絶縁層上に形成され、前記ヒューズ層群に対向する開口部を有する第３絶縁層とを有し、
前記ヒューズ層群内の複数のヒューズ層は、互いに隣接しており、前記擬似ヒューズ層は、第２方向において前記ヒューズ層群に隣接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
前記ヒューズ層は、レーザ光照射によって切断されることを特徴とする、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記ヒューズ層および前記擬似ヒューズ層は、金属膜と、前記金属膜上の窒化膜の積層構造からなることを特徴とする、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
半導体基板と、
前記半導体基板上の第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上であって、第１方向に延び、第１方向と直行する第２方向に所定間隔で配置され、冗長回路を制御する機能を有する複数本のヒューズ層と、
前記第１絶縁層上であって、第１方向に延び、前記複数本のヒューズ層からなるヒューズ層群の外側に配置され、冗長回路を制御する機能を有さない擬似ヒューズ層とを有し、
前記第２方向断面における前記ヒューズ層および前記擬似ヒューズ層の側壁は、前記ヒューズ層および前記擬似ヒューズ層の幅が上方から下方に向かうにしたがって広がるテーパを有し、前記擬似ヒューズ層のテーパは、前記ヒューズ層のテーパよりも大であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
前記ヒューズ層は、レーザ光照射によって切断されることを特徴とする、請求項１０記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記ヒューズ層および前記擬似ヒューズ層は、金属膜と、前記金属膜上の窒化膜の積層構造からなることを特徴とする、請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
半導体基板と、
前記半導体基板上の第１絶縁層と、
前記第１絶縁層上であって、第１方向に延び、第１方向と直行する第２方向に所定間隔で配置され、冗長回路を制御する機能を有する複数本のヒューズ層と、
前記第１絶縁層上であって、第１方向に延び、前記複数本のヒューズ層からなるヒューズ層群の外側に配置され、冗長回路を制御する機能を有さない擬似ヒューズ層とを有し、
前記第２方向断面における前記ヒューズ層の断面形状は左右対称であり、前記第２方向断面における前記擬似ヒューズ層の断面形状は左右非対称であることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
前記ヒューズ層は、レーザ光照射によって切断されることを特徴とする、請求項１３記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記ヒューズ層および前記擬似ヒューズ層は、金属膜と、前記金属膜上の窒化膜の積層構造からなることを特徴とする、請求項１４に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月18日(2005.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
このとき、テスト信号Ｔ0 を“Ｌ”にすれば、図１に示すリングオッシレータからなるモニターＴＥＧを全て発振停止状態にすることができる。なお、前記テスト信号Ｔ1 〜Ｔ5 の入力についても、それぞれイネーブルゲートを付加した半導体装置の外部端子を用いることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2000012639.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】平成17年6月21日(2005.6.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３７】
以上説明したこの実施の形態の半導体装置の構造を要約すると次のとおりである。
すなわち、この半導体装置では、シリコンなどの半導体基板１の表面にＮ＋拡散層（不純物領域）８を有する複数のＰウェル（活性領域）２と、これら複数のＰウェル２を電気的に分離する分離領域としての分離窒化膜１５が形成されている。そして、この分離領域は、少なくともその上層部分が層間絶縁膜（シリコン酸化膜）に比べエッチング選択比が低い材料、あるいは言い換えれば層間絶縁膜に対しエッチングレートが所定割合より小さい材料で形成され、Ｎ＋拡散層８の端面に接するように形成され、かつ好ましくはＮ＋拡散層８の深さより深く形成されている。この材料として好適なものとしては、シリコン窒化膜が用いられる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
実施の形態１０．
図１０は、この発明の実施の形態１０による半導体装置の構造を示す断面図で
ある。
図１０において、４はシリコン酸化膜による分離酸化膜、２５はウェーハの上の
全面に、具体的には、高融点シリサイド層９の上に形成された窒化膜（シリコン
窒化膜）である。その他の部分は、実施の形態１と同様であるから、説明を省略
する。
実施の形態８では、エッチングストッパー膜としてウェーハ全面にポリシリコ
ン層２２と酸化膜２３をデポし使用したが、本実施の形態では、窒化膜２５を使
用している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
さらに、このような構造にすることにより、実施の形態８のようなポリシリコ
ン層２２と酸化膜２３との二重構造にするよりも、さらにアルミ電極１４と半導
体基板１との間の容量低減をはかることができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
実施の形態１０では金属シリサイド９上に窒化膜２５をデポし、エッチングストッパー膜として使用しているが、本実施の形態では図１２に示すように金属シリサイド９と窒化膜２５の間に薄い酸化膜２６を挟んである。
また、この酸化膜２６は、好ましくは、低温デポジションで形成されたものが好適であり、さらに望ましくはＮＳＧ膜が好適である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
Ａはコンタクト底部における分離領域（分離酸化膜）４が露出する面積、Ｂはコンタクト底部における金属シリサイド層９が露出する面積を示す。
この実施の形態では、図１６に示すように、符号８ａの領域を分離酸化膜４の一部とし、コンタクトホール１１内の３方向が分離酸化膜４の領域となるようにし、面積Ａを大きくとることができるようにし、図１５で示したＡとＢとＤの関係により削れ深さＤを小さくしている。
【手続補正書】
【提出日】平成16年8月20日(2004.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ＬＥＤアレイおよびこれを用いた電子写真プリンタ
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の上に設けた積層半導体層をパターニングすることにより、互いに分離された発光部を前記基板上に略一列に凸設したＬＥＤアレイにおいて、
前記積層半導体層をパターニングすることにより前記基板上に発光部列に沿って形成され、発光部との間に設けられた幅の狭い分離溝により発光部と分離された電極台座部と、
前記分離溝を埋め込む絶縁性の平坦化層と、
平坦化層により埋め込まれた前記分離溝の上を経由し、発光部の上面から電極台座部に至るように形成された電極と
を備えた
ことを特徴とするＬＥＤアレイ。
【請求項２】
前記電極台座部は、発光部列の間に櫛状に突出して発光部の三方を囲むように形成され、発光部との間にコの字状に設けられた幅の狭い分離溝により発光部と分離されたものである
ことを特徴とする請求項１記載のＬＥＤアレイ。
【請求項３】
前記平坦化層は、流動体のソースを塗布し、硬化させることにより形成されたものである
ことを特徴とする請求項１または２に記載のＬＥＤアレイ。
【請求項４】
発光部と電極台座部の間の分離溝の幅が、５［μｍ］以下である
ことを特徴とする請求項１または２に記載のＬＥＤアレイ。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載のＬＥＤアレイを光源として用いたことを特徴とする電子写真プリンタ。
【手続補正書】
【提出日】平成16年11月29日(2004.11.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電気化学素子の製造方法と製造装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
帯状の集電体の少なくとも片面に、前記帯状の長手方向の一辺に沿った帯状部を残して電極層が形成された帯状の第１の集電体を卷回する工程と；
前記第１の集電体を卷回する際に、帯状の集電体の少なくとも片面に、前記帯状の長手方向の一辺に沿った帯状部を残して電極層が形成された帯状の第２の集電体を、前記第１の集電体に重ねて、卷回する工程と；
前記第１と第２の集電体を電気的に分離するセパレータを、前記第１と第２の集電体に重ねて、卷回する工程と；
前記第１と第２の集電体の前記残された帯状部を、それぞれ、複数のリード部を所定の間隔で残して切断する工程とを備える；
円筒型電気化学素子の製造方法。
【請求項２】
前記所定の間隔は、前記第１と第２の集電体のそれぞれにおいて、卷回後にそれぞれの複数のリード部の集合体が所定の巻き位相内に納まるように定められ、かつ前記第１と第２の複数のリード部の集合体は、互いに重ならないようにそれぞれ前記切断をする位置が定められる、請求項１に記載の円筒型電気化学素子の製造方法。
【請求項３】
前記所定の間隔は、前記集電体と電極層とを含んで構成された電極体の卷回された卷回素子の径を検出し、演算して定められる、請求項１または請求項２に記載の円筒型電気化学素子の製造方法。
【請求項４】
帯状の電極体を繰り出す電極体繰出部と；
前記電極体を電気的に分離する帯状のセパレータを繰り出すセパレータ繰出部と；
前記繰り出された電極体と前記繰り出されたセパレータとを重ねて卷回する卷回素子回転部と；
前記電極体繰出部と前記卷回素子回転部との間に配列され、前記電極体にリード部を切断形成するリード形成部とを備える；
円筒型電気化学素子製造装置。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電気化学素子の製造方法と製造装置に関し、特に円筒型の電気化学素子の製造方法と製造装置に関するものである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
そこで本発明は、単位体積あたりの容量が大きい円筒型の電気二重層キャパシタ等の電気化学素子を生産効率良く製造する方法とそのような製造装置を提供することを目的とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
【課題を解決するための手段】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
上記目的を達成するために、請求項１に係る発明による円筒型電気化学素子１１の製造方法は、帯状の集電体３１ａの少なくとも片面に該帯状の長手方向の一辺に沿った帯状部Ｗ２を残して電極層３１ｂが形成された帯状の第１の集電体３１ａを卷回する工程と；第１の集電体３１ａを卷回する際に、帯状の集電体３２ａの少なくとも片面に該帯状の長手方向の一辺に沿った帯状部Ｗ２を残して電極層３２ｂが形成された帯状の第２の集電体３２ａを、前記第１の集電体３１ａに重ねて、卷回する工程と；第１と第２の集電体３１ａ、３２ａを電気的に分離するセパレータ３３、３４を、前記第１と第２の集電体に重ねて、卷回する工程と；第１と第２の集電体３１ａ、３２ａの前記残された帯状部を、それぞれ、複数のリード部３１ｃ、３２ｃを所定の間隔Ｌ１で残して切断する工程とを備える。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
さらに、請求項２に記載のように、請求項１に記載の円筒型電気化学素子の製造方法では、所定の間隔Ｌ１は、第１と第２の集電体３１、３２のそれぞれにおいて、卷回後にそれぞれの複数のリード部３１ｃ、３２ｃの集合体３５、３６が所定の巻き位相内に納まるように定められ、かつ第１と第２の複数のリード部の集合体３５、３６は、互いに重ならないように前記切断をする位置が定められる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
また、請求項３に記載のように、請求項１または請求項２に記載の円筒型電気化学素子の製造方法においては、所定の間隔Ｌ１は、集電体３１ａ、３２ａと電極層３１ｂ、３２ｂとを含んで構成された電極体３１、３２の卷回された卷回素子１１の径を検出し、演算して定められるようにしてもよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
上記目的を達成するために、請求項４に係る発明による円筒型電気化学素子製造装置２０は、帯状の電極体３１（３２）を繰り出す電極体繰出部１２ａ（１３ａ）と；電極体３１（３２）を電気的に分離する帯状のセパレータ３３（３４）を繰り出すセパレータ繰出部１４ａ（１５ａ）と；繰り出された電極体３１（３２）と繰り出されたセパレータ３３（３４）を重ねて卷回する卷回素子回転部１１ａと；電極体繰出部１２ａ（１３ａ）と卷回素子回転部１１ａとの間に配列され、電極体３１（３２）にリード部３１ｃ（３２ｃ）を切断形成するリード形成部２１（２２）とを備える。
【手続補正書】
【提出日】平成17年2月24日(2005.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ここで、例えば携帯用電話装置は、図９に示すように構成されている。
即ち、図９において、携帯用電話装置１は、本体２と電池パック３とから構成されている。
上記本体２は、ダイヤルボタン２ａ，アンテナ２ｂ，表示部２ｃを備えていると共に、内部に図示しない回路基板及び回路素子が収容されている。
上記電池パック３は、図１０に示すように、本体２の背面下部に対して一体的に着脱可能に取り付けられるように構成されていると共に、内部に図示しない電池セル，回路基板及び回路素子が収容されている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
図１は、本発明を適用した電子機器の一例としての携帯用電話装置の一実施形態の構成を示している。
図１において、携帯用電話装置１０は、本体１１と電池パック２０とから構成されている。
上記本体１１は、ダイヤルボタン１２，アンテナ１３，表示部１４と、底面に露出した接続端子１１ｃと、を備えていると共に、後述するように内部に回路基板及び回路素子が収容されている。
上記電池パック２０は、本体１１の背面下部に設けられた凹陥部１１ａに対して一体的に着脱可能に取り付けられるように構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
図２は、上記本体１１を裏側から見た図を示しており、電池パック２０は図１と同じ面すなわち、本体１１の凹陥部１１ａに対向する面を上にして示されている。
上記本体１１と電池パック２０との接続は、本体１１に設けられた上記凹陥部１１ａの表面に露出するように設けられた一組の接続端子部１１ｂと、電池パック２０の上記凹陥部１１ａの表面に対向する表面に設けられた接続部２１とが、電池パック２０が本体１１の凹陥部１１ａ内に装着されたとき、互いに接触して、電気的に接続されるようになっている。
また、電池パック２０の裏面には図３に示すように、後述する充電装置の充電端子と接続するための充電用の端子２８，２８が設けられている。  
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
ここで、上記本体１１の接続端子部１１ｂ，１１ｂと電池パック２０の接続部２１とは、互いに複数組（図示の場合、２組）設けられており、一組が電池パック２０から本体１１に給電を行い、他の一組が電池パック２０と本体１１とをアース接続する。
図３では、電池パック２０は図１及び図２と反対の面（裏面）を上にして示されている。電池パック２０の充電は、図３に示すように、その裏面に露出した接続部２８から直接電池パック２０に対して行われるようになっている。または、電池パック２０の充電は、本体１１の底面のコネクタ１１ｃから上記接続端子部１１ｂを介して、電池パック２０の表面に露出した接続部２１及び２８に充電電圧を印加することにより行われるようになっている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
ここで、電池パック２０は、例えば図４に示すように構成される。
図４において、電池パック２０は、表面側が開放したケース２０ａの内部に電池セル２３及び回路基板２４が収容されている。回路基板２４には、電池セル２３に対して充電を行うための充電制御回路２５と、上記接続部２１及び２８そして充電状態表示部２２を構成する二色発光ダイオード（ＬＥＤ）２６が実装されている。
上記二色ＬＥＤ２６は、例えば充電中は、充電制御回路２５により赤色発光し、また充電終了により、充電制御回路２５により緑色発光するようになっている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
さらに、電池パック２０のケース２０ａを閉じるカバー２０ｂは、上記接続部２１に対応する位置に端子孔２０ｃを備えていると共に、上記二色ＬＥＤ２６に対応する位置には、レンズ孔２０ｄを備えている。そして、組立状態にて、上記端子孔２０ｃには、接続部２１が嵌入すると共に、このレンズ孔２０ｄには、例えばモールド形成等によるレンズ２７が嵌め込まれている。
また、充電制御回路２５は，図５に示すように、上述の各構成と接続されている。
これにより、電池パック２０は、後述するように本体１１に装着された状態でも、あるいは電池パック２０単体でも充電できるようになっている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2000012101.tif 000001
【手続補正８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2000012101.tif 000002
【手続補正書】
【提出日】平成17年4月14日(2005.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱温度を検出するための温度検出手段として、導電性材料により製作されたシースと、該シースの内部にシースと電気的に非接触な状態で挿入された熱電対と、前記シースと前記熱電対の間隙に充填された絶縁物と、前記シースの端部開口を封止する絶縁材料製の封口材とを備え、前記熱電対の端末が前記封口材を貫通して前記シースの外部に引き出されたシース熱電対を有する加熱装置において、前記シース熱電対が、前記シースの端部開口に絶縁体からなる筒状の碍子を嵌合し、該碍子の開口に前記封口材を装填し、前記絶縁物の端面が前記シースの内面と前記絶縁物の接触部よりも外側に位置するように構成されていることを特徴とする加熱装置。
【請求項２】
前記シースの外部へ引き出された前記熱電対の端末がシールド導体で包囲されていることを特徴とする請求項１記載の加熱装置。
【請求項３】
前記熱電対の端末に補償導線を接続し、該補償導線が前記封口材を貫通し、前記シースの外部に引き出されていることを特徴とする請求項１または２記載の加熱装置。
【請求項４】
加熱手段として、導電性材料により製作されたシースと、該シースの内部にシースと電気的に非接触な状態で挿入された導体製の発熱体と、前記シースと前記発熱体の間隙に充填された絶縁物と、前記シースの端部開口を封止する絶縁材料製の封口材とを備え、前記発熱体の端子が前記封口材を貫通して前記シースの外部に引き出されたシースヒータを有する加熱装置において、前記シースヒータが、前記シースの端部開口に絶縁体からなる筒状の碍子を嵌合し、該碍子の開口に前記封口材を充填し、前記絶縁物の端面が前記シースの内面と前記絶縁物の接触部よりも外側に位置するように構成されていることを特徴とする加熱装置。
【手続補正書】
【提出日】平成16年12月17日(2004.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また図１８，１９に示されるようにＵ字状をなすフィン部材６を挿入する溝部８を断面視において底面部分の長さｂに対して開口部分の長さａが狭められた（短い）アリ形状とし、上記同様フィン部材６のカシメ外れ防止がより効率的に行われる構造としてもよい。ちなみに図２０に示すようにコルゲートフィンタイプのヒートシンク（コルゲートヒートシンク１６）のコルゲートフィン１７にスリット１８を形成せしめることもでき、これによって従来のコルゲートヒートシンクに比較して放熱効果を向上させることも可能である。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月15日(2004.10.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
【発明を解決するための手段】
本発明は、２５℃で５ＧＰａ以上の曲げ弾性率を有する補強樹脂を、ＢＧＡパッケージのハンダボール搭載面の外周に形成したＢＧＡパッケージに関する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
このような樹脂として、硬化物が２５℃で約１２ＧＰａの曲げ弾性率を持つハイソール社ＣＢ０１１−１Ｒが挙げられる。
【手続補正書】
【提出日】平成16年10月5日(2004.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上述の様に構成する車輪用転がり軸受ユニットを車両に組み付ける際には、取付部２により外輪１を懸架装置に支持固定し、フランジ７により、駆動輪をハブ４に支持固定する。又、エンジンによりトランスミッションを介して回転駆動される、上記駆動軸２１の先端部を、前記等速ジョイント９を構成する内輪２２の内径側にスプライン係合させる。自動車の走行時には、この内輪２２の回転を、複数の玉２３を介して上記ハブ４に伝達し、上記駆動輪を回転駆動する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
尚、上記シールリップ３５が摺接するスリンガ３４の温度上昇を抑える為には、このスリンガ３４と上記ハブ４ａとの間の何れかの部分に、断熱層を介在させれば良い。例えばこの断熱層を、上記スリンガ３４の内周面に形成したり、上記ハブ４ａの中間部外周面及び上記止め輪１６ａの外側面に形成する事もできる。更には、熱の伝達方向に関して直列に存在する複数個所に断熱層を介在させる事もできる。その他の構成及び作用は、前述の図１〜２に示した第１例の場合と同様であるから、同等部分には同一符号を付して、重複する説明を省略する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】符号の説明
【補正方法】変更
【補正の内容】
【符号の説明】
１  外輪
２  取付部
３、３ａ、３ｂ  外輪軌道
４、４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ  ハブ
５  第一の内輪
６  第二の内輪（内輪）
７  フランジ
８  スタッド
９  等速ジョイント
１０  ハウジング部
１１  第一の内輪軌道
１２  第二の内輪軌道
１３  転動体
１４、１４ａ  シールリング
１５  係止凹溝
１６、１６ａ  止め輪
１７  段部
１８、１８ａ、１８ｂ  ブーツ
１９  抑えバンド
２０  係合溝
２１  駆動軸
２２  内輪
２３  玉
２４  頭部
２５  肉盗み部
２６  止め輪素子
２７  抑え部
２８  小径円筒部
２９  円輪部
３０  大径円筒部
３１  金属板
３２  断熱層
３３  環状空間
３４  スリンガ
３５、３５ａ  シールリップ
３６  トーンホイール
３７  透孔
３８、３８ａ、３８ｂ  センサ
３９  エンコーダ
４０  支持環
４１  エンコーダ本体
４２  円筒部
４３  円輪部
４４、４４ａ  塞ぎ板
４５  隔壁
４６  間座
４７  内径側円筒部
４８  外径側円筒部
４９  連結部
５０  取付孔
５１  ねじ
５２  Ｏリング
５３  ハーネス
５４、５４ａ  抑え環
５５  抑え部
５６  第二の塞ぎ板
５７  鍔部
５８  抑え環
５９  円筒部
６０  円輪部
６１  ねじ孔
６２  芯金
６３  シールリップ
６４  スリンガ
６５ａ、６５ｂ  保持器