(57)【要約】【課題】描画データもしくは検査データに定義されたパターンレイアウトを短時間で表示することが可能なレイアウト表示装置およびレイアウト表示方法を提供する。【解決手段】指定領域のセルを検索する（Ｓ１２）。セルのＸ方向及びＹ方向のサイズが閾値１以下である場合、セル内の図形データの読み込みを行わず、セルに対応するピクセルを塗りつぶす（Ｓ１５）。セルのＸ方向及びＹ方向のサイズが閾値１よりも大きくかつ閾値３以下である場合、セルのデータ量を取得し（Ｓ１６）、セル領域に対応するピクセルマップの１ピクセル当たりの平均図形数を算出する（Ｓ１７）。平均図形数が閾値２以上である場合、セルに対応するピクセルを塗りつぶす（Ｓ１５）。平均図形数が閾値２よりも小さい場合、セル内にある図形データを全て読み込み（Ｓ１９）、図形に対応するピクセルを塗りつぶす（Ｓ２０）。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスク作製時の設計データから生成され階層構造を有する描画データもしくは検査データに定義された要素のレイアウトをピクセルマップ上に表示するレイアウト表示方法において、
第１階層で指定された領域内に定義された第２階層の要素を検索するステップと、
検索された第２階層の要素のＸ方向及びＹ方向の長さが第１基準値よりも大きい場合、前記第２階層の要素内に定義された第３階層の要素を読み込み、読み込まれた第３階層の要素に対応するピクセルを算出し、算出されたピクセルを表示処理するステップと、
検索された第２階層の要素のＸ方向及びＹ方向の長さが第１基準値以下である場合、前記第２階層の要素に対応するピクセルを表示処理するステップとを含むことを特徴とするレイアウト表示方法。
【請求項２】
検索された第２階層の要素内に定義された第３階層の１ピクセル当たりの平均要素数を算出するステップと、
算出された平均要素数が第２基準値以上である場合、前記第２階層の要素に対応するピクセルを表示処理するステップとを更に含むことを特徴とする請求項１記載のレイアウト表示方法。
【請求項３】
前記第２階層の要素のＸ方向及びＹ方向の長さが前記第１基準値よりも大きく第３基準値以下であり、かつ、前記平均要素数が前記第２基準値以上である場合、前記第２階層の要素に対応するピクセルを表示処理することを特徴とする請求項２記載のレイアウト表示方法。
【請求項４】
マスク作製時の設計データから生成され階層構造を有する描画データもしくは検査データに定義された要素のレイアウトをピクセルマップ上に表示するレイアウト表示装置において、
第１階層で指定された領域内に定義された第２階層の要素を検索する検索手段と、
前記検索手段により検索された第２階層の要素のＸ方向及びＹ方向の長さが第１基準値以下であるか否かを判別する判別手段と、
前記判別手段により前記第２階層の要素のＸ方向及びＹ方向の長さが第１基準値以下であると判別された場合に、前記第２階層の要素に対応するピクセルを表示処理する第１表示処理手段と、
前記判別手段により前記第２階層の要素のＸ方向及びＹ方向の長さが第１基準値よりも大きいと判別された場合に、前記第２階層の要素内に定義された第３階層の要素を読み込む読込手段と、
前記読込手段により読み込まれた第３階層の要素に対応するピクセルを算出し、算出したピクセルを表示処理する第２表示処理手段とを備えたことを特徴とするレイアウト表示装置。
【請求項５】
前記第３階層の１ピクセル当たりの平均要素数を算出する平均要素数算出手段を更に備え、
前記判別手段により前記第２階層の要素のＸ方向及びＹ方向の長さが前記第１基準値よりも大きく第３基準値以下であると判別され、かつ、前記平均要素数算出手段により算出された平均要素数が第２基準値以上である場合、前記第１表示処理手段により前記第２階層の要素に対応するピクセルを表示処理することを特徴とする請求項４記載のレイアウト表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レイアウト表示装置及びレイアウト表示方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの高集積化に伴い、半導体デバイスの回路パターンが微細化されている。半導体デバイスに微細な回路パターンを形成するためには、高精度の原画パターン（即ち、レチクル或いはマスク）が必要となる。高精度の原画パターンを製造するために、優れた解像性を有する電子ビーム描画装置を用いることが知られている。
【０００３】
この種の電子ビーム描画装置は、外部の描画データ生成装置から入力された描画データを装置内部フォーマットに変換してショットデータを生成し、ショットデータから偏向データを生成し、偏向データに基づき偏向された電子ビームを用いて試料にパターンを描画する（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
パターンの描画精度を向上させるために、電子ビーム描画装置に入力される描画データを検証する必要がある。そこで、描画前及び／又は描画後に、レイアウトビューワを用いて描画データの表示が行われている。
【０００５】
ここで、描画データは、パターンの形状及び位置が定義されたデジタルデータであり、一般に階層構造を有している。図７に示す例では、描画データは、最上位階層であるマスクの階層と、そのマスクを構成するチップの階層と、チップを構成するセルの階層と、セルを構成する図形の階層（最下位階層）とからなる階層構造を有している。
【０００６】
図８を参照して、従来のレイアウトビューワを用いた描画データの表示方法を説明する。具体的には、従来のレイアウトビューワによるレイアウト表示方法を、図７に示すセル階層及び図形階層に定義されたレイアウトを表示する場合を例に説明する。
【０００７】
先ず、図８に示すルーチンが起動されると、ユーザに領域を指定させる（ステップＳ３１）。このステップＳ３１では、図９に示すビューワ画面１において、図形を拡大表示させる矩形領域をユーザに指定させる。図９に示す例では、マスク階層において、チップ枠よりも小さな領域が指定されている。
【０００８】
次に、上記ステップＳ３１で指定された領域に定義されたセルを入力描画データから検索する（ステップＳ３２）。このステップＳ３２では、例えば、図１０に示すように、指定領域内のセルＡ、セルＢを含む複数のセルが検索される。
【０００９】
そして、上記ステップＳ３２で検索されたセル内に定義された下位の図形のデータを全て読み込む（ステップＳ３３）。このステップＳ３３では、例えば、図１０に示すセルＡに含まれる３つの図形Ａ、Ｂ、Ｃのデータが全て読み込まれる。
【００１０】
続いて、上記ステップＳ３３で読み込まれた図形データに記述された図形形状、図形サイズ及び図形配置座標から、ピクセルマップ上での各図形に対応するピクセルを算出し、そのピクセルを塗りつぶす（ステップＳ３４）。このステップＳ３４では、図１１に示すビューワ画面２のように、上記図形Ａ、Ｂ、Ｃに対応するピクセルが塗りつぶされる。
【００１１】
その後、上記ステップＳ３２で検索された全てのセルの処理が終了したか否かを判別する（ステップＳ３５）。このステップＳ３５で全てのセルの処理が終了していないと判別された場合、例えば、図１０に示すセルＢの処理が終了していない場合、上記ステップＳ３３の処理に戻る。
【００１２】
一方、上記ステップＳ３５で全てのセルの処理が終了したと判別された場合、本ルーチンを終了する。全てのセルの処理が終了すると、図１２に示すビューワ画面３のように、指定領域のパターンレイアウトが表示される。
【００１３】
上記従来のレイアウト方法では、ユーザにより指定された矩形領域の大きさに関わらず、その指定領域に定義されている階層データ（マスク、チップ、セル、図形）を全て読み込み、最終的なレイアウト表示画面に表示していた。
【００１４】
ここで、ユーザにより指定された領域のレイアウト表示時間は、指定領域内に定義されている図形数（図形データ量）に比例する。従って、図１３（Ａ）に示すように、指定領域が狭い場合、読み込む図形データ量が少ないため、レイアウト表示時間が短い。これに対して、図１３（Ｂ）に示すように、指定領域が広い場合、読み込む図形データ量が多いため、レイアウト表示時間が長い。
【００１５】
図１４に示すように、ビューワ画面１で指定される領域が広い場合（例えば、指定領域がチップ枠よりも広い場合）、指定領域内の領域Ａに着目すると、描画データ上の定義では同一のピクセルに多数のセル及び図形が収まる頻度が高い。この場合、下位の図形データを全て読み込み、各図形に対応するピクセルを計算し、そのピクセルを塗りつぶす一連の処理を長時間かけて行ったとしても、最終的なレイアウト表示画面であるビューワ画面３では数ピクセルのみが塗りつぶされる結果となる。このようなレイアウト表示結果は、処理に要した時間に比べ、得られる効果は少なく、効率的な方法とは言い難い。
【００１６】
上述した半導体デバイスの回路パターンの微細化に伴い、パターンビューワにより表示すべき図形数（図形データ量）は年々増大している。このため、パターンビューワによるレイアウト表示時間が増大し、パターン形状、配置の確認に要する時間が増え、マスク生産性が低下する問題が生じる。
【特許文献１】特開２００７−３２４２２９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
本発明の課題は、上記課題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の課題は、描画データもしくは検査データに定義されているパターンレイアウトを画質の劣化を抑制しつつ、短時間で表示することが可能なレイアウト表示装置およびレイアウト表示方法を提供することにある。
【００１８】
本発明の他の課題および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記課題を解決するため、本発明の第１の態様は、マスク作製時の設計データから生成され階層構造を有する描画データもしくは検査データに定義された要素のレイアウトをピクセルマップ上に表示するレイアウト表示方法において、第１階層で指定された領域内に定義された第２階層の要素を検索するステップと、検索された第２階層の要素のＸ方向及びＹ方向の長さが第１基準値よりも大きい場合、前記第２階層の要素内に定義された第３階層の要素を読み込み、読み込まれた第３階層の要素に対応するピクセルを算出し、算出されたピクセルを表示処理するステップと、検索された第２階層の要素のＸ方向及びＹ方向の長さが第１基準値以下である場合、前記第２階層の要素に対応するピクセルを表示処理するステップとを含むことを特徴とするものである。
【００２０】
尚、本発明において、ピクセルの表示処理とは、ピクセルマップのピクセルを塗りつぶし等により表示させる処理をいう。
【００２１】
また、上記第１階層、第２階層及び第３階層を、任意の階層数を有する描画データもしくは検査データの任意の階層に置き換えて、本発明を再帰的に適用可能である。
【００２２】
本発明の第１の態様において、検索された第２階層の要素内に定義された第３階層の１ピクセル当たりの平均要素数を算出するステップと、算出された平均要素数が第２基準値以上である場合、前記第２階層の要素に対応するピクセルを表示処理するステップとを更に含むように構成してもよい。
【００２３】
本発明の第１の態様において、前記第２階層の要素のＸ方向及びＹ方向の長さが前記第１基準値よりも大きく第３基準値以下であり、かつ、前記平均要素数が前記第２基準値以上である場合、前記第２階層の要素に対応するピクセルを表示処理するように構成してもよい。
【００２４】
また、上記課題を解決するため、本発明の第２の態様は、マスク作製時の設計データから生成され階層構造を有する描画データもしくは検査データに定義された要素のレイアウトをピクセルマップ上に表示するレイアウト表示装置において、第１階層で指定された領域内に定義された第２階層の要素を検索する検索手段と、前記検索手段により検索された第２階層の要素のＸ方向及びＹ方向の長さが第１基準値以下であるか否かを判別する判別手段と、前記判別手段により前記第２階層の要素のＸ方向及びＹ方向の長さが第１基準値以下であると判別された場合に、前記第２階層の要素に対応するピクセルを表示処理する第１表示処理手段と、前記判別手段により前記第２階層の要素のＸ方向及びＹ方向の長さが第１基準値よりも大きいと判別された場合に、前記第２階層の要素内に定義された第３階層の要素を読み込む読込手段と、前記読込手段により読み込まれた第３階層の要素に対応するピクセルを算出し、算出したピクセルを表示処理する第２表示処理手段とを備えたことを特徴とするものである。
【００２５】
本発明の第２の態様において、前記第３階層の１ピクセル当たりの平均要素数を算出する平均要素数算出手段を更に備え、前記判別手段により前記第２階層の要素のＸ方向及びＹ方向の長さが前記第１基準値よりも大きく第３基準値以下であると判別され、かつ、前記平均要素数算出手段により算出された平均要素数が第２基準値以上である場合、前記第１表示処理手段により前記第２階層の要素に対応するピクセルを表示処理するように構成してもよい。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の第１の態様では、指定範囲内で検索された第２階層の要素のＸ方向及びＹ方向の長さが第１基準値以下である場合、第２階層の要素内に定義された下位の第３階層の要素を読み込むことなく、第２階層の要素に対応するピクセルを表示処理する。これにより、冗長な第３階層の要素の読み込みと対応ピクセルの算出に要する時間が削減されるため、描画データもしくは検査データに定義された要素のレイアウトを、画質の劣化を抑えつつ、かつ、短時間で表示することができる。
【００２７】
本発明の第２の態様では、判別手段により第２階層の要素のＸ方向及びＹ方向の長さが第１基準値以下であると判別された場合に、第２階層の要素内に定義された下位の第３階層の要素を読込手段により読み込むことなく、第２階層の要素に対応するピクセルを第１処理手段により表示処理する。これにより、冗長な第３階層の要素の読み込みと対応ピクセルの算出に要する時間が削減されるため、描画データもしくは検査データに定義された要素のレイアウトを、画質の劣化を抑えつつ、かつ、短時間で表示することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図１は、本発明の実施の形態による電子ビーム描画装置の構成を示す概念図である。図１に示す電子ビーム描画装置は、描画処理を行う描画部１００を備えており、この描画部１００は電子鏡筒１０２を備えている。この電子鏡筒１０２内には、電子銃１１０から発せられた電子ビーム（例えば、５０ｋＶで加速された電子ビーム）１１２を第１成形アパーチャ１２０に照射するための照明レンズ１１４が配置されている。
【００２９】
照明レンズ１１４と第１成形アパーチャ１２０との間には、ＢＬＫ偏向器１１６とＢＬＫアパーチャ１１８とが配置されている。ブランキングＯＮ時（非描画期間）には、ＢＬＫ偏向器１１６により偏向された電子ビーム１１２が、ＢＬＫアパーチャ１１８でカットされる。
【００３０】
電子ビーム１１２は、矩形の開口を有する第１成形アパーチャ１２０を透過することで、その断面形状が矩形に成形される。成形された電子ビーム１１２は、投影レンズ１２２により第２成形アパーチャ１２６上に投影される。この第２成形アパーチャ１２６と第１成形アパーチャ１２０との間には、電子鏡筒１０２と同心で成形偏向器１２４が配置されている。成形偏向器１２４の制御によって第１成形アパーチャ像と第２成形アパーチャ１２６の開口との重なり具合が変化するため、電子ビーム１１２の形状と寸法を制御することができる。
【００３１】
第２成形アパーチャ１２６を透過した電子ビーム１１２の焦点は、対物レンズ１２８によって描画室１０４内の試料１４２表面に合わせられる。試料１４２は、描画室１０４内でＸ方向（図中左右方向）及びＹ方向（図中奥行き方向）に連続移動するＸＹステージ１４０上に載置される。ＸＹステージ１４０は駆動部２２２により駆動され、その位置がレーザ測長計２２０により測定される。
【００３２】
試料１４２は、例えば、ガラス基板上にクロム膜等の遮光膜とレジスト膜とが積層されたレチクル或いはマスクである。
【００３３】
試料１４２と第２成形アパーチャ１２６との間には、電子鏡筒１０２と同心で対物偏向器である主偏向器１３０及び副偏向器１３２が配置されている。主偏向器１３０及び副偏向器１３２により試料１４２上の電子ビーム１１２の照射位置が決定される。
【００３４】
上記電子ビーム描画装置において描画処理を実行する際には、図２に示すように、試料１４２上に描画されるべきパターンが短冊状のフレーム領域に分割され、ＸＹステージ１４０をＸ方向に連続移動させながら各フレーム領域を描画する。フレーム領域は更にサブフィールド領域に分割され、サブフィールド領域内の必要な部分のみ、上記第１及び第２成形アパーチャ１２０、１２６により成形された電子ビーム１１２を偏向させて図形を描画する。
【００３５】
電子ビーム１１２の偏向には、主偏向器１３０と副偏向器１３２とで構成される２段の対物偏向器が用いられる。サブフィールド領域の位置決めは主偏向器１３０により行われ、サブフィールド領域内のパターン描画位置の位置決めは副偏向器１３２により行われる。
【００３６】
図１に示す電子ビーム描画装置は、制御部２００を備えている。制御部２００は、電子ビーム描画装置の各種制御を行う制御計算機２０２を備えている。
【００３７】
制御計算機２０２には記憶装置２０４が接続されており、記憶装置２０４には描画データが記憶されている。ここで、描画データとは、設計データ（ＣＡＤデータ）を外部装置（描画データ生成装置）により描画装置に入力可能なフォーマットに変換することで得られたデータであり、パターン形状やパターン位置等が定義されたデジタルデータである。この描画データは、図７に示すような階層構造を有している。
【００３８】
制御計算機２０２には、ショットデータ生成部２０６が接続されている。制御計算機２０２からショットデータ生成部２０６にショットデータ生成指示が入力されると、ショットデータ生成部２０６は、所定の領域（例えば、フレーム領域）を描画するために必要な描画データを記憶装置２０４から読み出し、装置内部のフォーマットに変換し、ショットデータを生成するものである。
【００３９】
ショットデータ生成部２０６により生成されたショットデータは、偏向制御部２０８に送信される。偏向制御部２０８は、ショットデータ生成部２０６から受信したショットデータから、主偏向器１３０制御用の主偏向データ、副偏向器１３２制御用の副偏向データおよびＢＬＫ偏向器１１６制御用のＢＬＫデータを生成し、送信するものである。
【００４０】
前述した通り、パターンの描画精度を向上させるために、描画データが正確である必要がある。このため、描画前及び／又は描画後に、描画データを確認する必要がある。
【００４１】
描画データを確認するため、図１に示す電子ビーム描画装置は、レイアウト表示装置３００としてのレイアウトビューワを備えている。レイアウトビューワ３００は、階層構造を有する描画データに定義されたパターンのレイアウトを表示するものである。
【００４２】
レイアウトビューワ３００は、レイアウト表示に関する各種処理を行う処理部３０２と、検証する描画データ及びユーザにより指定された領域を入力する入力部３０４と、領域の指定を行う画面（ビューワ画面１）や最終のレイアウト画面（ビューワ画面３）等を表示する表示部３０６とを備えている。
【００４３】
図３を参照して、上記レイアウトビューワ３００による描画データのレイアウト表示方法について、図７に示すセル階層及び図形階層に定義されたパターンのレイアウトを表示する場合を例に説明する。
【００４４】
先ず、レイアウトビューワ３００の処理部３０２により図３に示すルーチンが起動されると、ユーザに表示領域を指定させる（ステップＳ１１）。このステップＳ１１では、例えば、図９に示すビューワ画面１において、図形を表示させる矩形領域をユーザに指定させる。この指定領域は、入力部３０４に入力される。
【００４５】
次に、指定領域に含まれるセルを検索する（ステップＳ１２）。このステップＳ１２の処理までは、図８に示す従来のルーチンと同じである。
【００４６】
次に、上記ステップＳ１２で検索されたセルのＸ方向とＹ方向のサイズが共に閾値３（第３基準値）以下であるか否かを判別する（ステップＳ１３）。このステップＳ１３でセルサイズが閾値３（第３基準値）よりも大きいと判別された場合、後述するステップＳ１９に移行する。
【００４７】
一方、上記ステップＳ１３でセルサイズが閾値３（第３基準値）以下であると判別された場合、上記ステップＳ１２で探索されたセルのＸ方向とＹ方向のサイズが共に閾値１（第１基準値）以下であるか否かを続いて判別する（ステップＳ１４）。
【００４８】
ここで、上記ステップＳ１４の閾値１（第１基準値）は、レイアウト表示画質とレイアウト表示速度とを考慮して設定することができる。図４に示すように、閾値１を１ピクセルに設定した場合、従来のレイアウト表示方法（図８）に比べて画質の劣化がないが、閾値１を２ピクセル以上に設定すると画質の劣化が生じる可能性がある。つまり、閾値１が大きくなるほど、画質の劣化が大きくなるが、その一方で処理速度は速くなる。
【００４９】
例えば、描画データもしくは検査データ（後述）上で１５００μｍ×１５００μｍの領域を１０２４ピクセル×１０２４ピクセルのピクセルマップに表示させる場合、１ピクセルのＸ方向及びＹ方向のサイズは、１５００μｍ／１０２４ピクセル＝１．４６μｍとなる。上記閾値１（第１基準値）を例えば３ピクセルに設定すると、１．４６×３＝４．３８μｍのサイズを基準として判断することとなる。
【００５０】
尚、最終のレイアウト表示でセル枠も表示する場合、セル枠を表示しない場合の閾値に１ピクセルを加算した数値を上記ステップＳ１４の閾値１として設定すればよい。
【００５１】
上記ステップＳ１４でセルのＸ方向及びＹ方向のサイズが共に閾値１以下であると判別された場合には、セルサイズ及び配置座標から当該セルに対応するピクセルを塗りつぶす（ステップＳ１５）。
【００５２】
このステップＳ１５では、当該セルに含まれる下位の図形データの読み込み処理と、その図形データに記述されたサイズ及び配置座標から対応するピクセルの算出処理とを行わないため、これらの処理に要する時間を短縮することができる。ステップＳ１５の処理が終了した後、後述するステップＳ２１に移行する。
【００５３】
尚、複数のセルがセルアレイを構成しており、セルのアレイサイズが定義されている場合には、上記ステップＳ１４でセルアレイのＸ方向及びＹ方向のサイズが共に閾値１以下であるか否かを判別し、閾値１以下であると判別されれば当該セルアレイ内のセルの読み込み処理を行わずに、上記ステップＳ１５で当該セルアレイ全体を１つのセルとみなし、対応するピクセルを塗りつぶせばよい。
【００５４】
一方、上記ステップＳ１４でセルのＸ方向及びＹ方向のサイズが共に閾値１（第１基準値）よりも大きいと判別された場合、ステップＳ１６の処理に移行する。
【００５５】
上記ステップＳ１６では、当該セルのデータ量を取得する。具体的には、セルデータのヘッダ情報に記述されたデータ量が読み込まれる。このデータ量は、セルに含まれる図形数に概ね比例するが、データ量だけからは正確な図形数は算出できない場合が多い。
【００５６】
次いで、上記ステップＳ１６で取得されたセルデータ量と、一図形を表現する図形データ量（以下「一図形データ量」という）とから、セル領域に対応するピクセルマップの１ピクセル当たりの平均図形数を算出する（ステップＳ１７）。
【００５７】
このステップＳ１７では、セルデータ量をセル領域に対応するピクセル数で除することで１ピクセル当たりの平均データ量を求め、この平均データ量を一図形データ量で除することで１ピクセル当たりの平均図形数が求められる。ここで、一図形データ量は、例えば、１４バイトである。
【００５８】
尚、セルデータのヘッダ情報に図形数が記述されている場合、この図形数を取得し、この図形数を上記セル領域に対応するピクセル数で除することにより、１ピクセル当たりの平均図形数を算出してもよい。
【００５９】
その後、上記ステップＳ１７で算出された平均図形数が閾値２（第２基準値）以上であるか否かを判別する（ステップＳ１８）。このステップＳ１８で平均図形数が閾値２以上であると判別された場合、上記ステップＳ１５に移行し、セルに対応するピクセルを塗りつぶす。この場合、当該セルに含まれる下位の図形データの読み込み処理と、このデータに記述されたサイズ及び配置座標からの対応ピクセルの算出処理とを行わないため、これらの処理に要する時間を短縮することができる。
【００６０】
一方、上記ステップＳ１８で平均図形数が閾値２（第２基準値）よりも小さいと判別された場合、ステップＳ１９に移行する。
【００６１】
ステップＳ１９では、セル内にある下位の図形データが全て読み込まれる。その後、上記ステップＳ１９で読み込まれた図形データに記述された図形サイズ及び配置座標から、図形に対応するピクセルを塗りつぶす（ステップＳ２０）。その後、ステップＳ２１に移行する。
【００６２】
ステップＳ２１では、上記ステップＳ１２で検索された全てのセルの処理が終了したか否かが判別される。このステップＳ２１で全てのセルの処理が終了したと判別された場合、本ルーチンを終了する。
【００６３】
一方、上記ステップＳ２１で全てのセルの処理が終了していないと判別された場合、上記ステップＳ１３に戻る。
【００６４】
以上述べたように、本実施の形態では、指定領域内の検索されたセルのＸ方向及びＹ方向のサイズが閾値１以下である場合、セル内の下位の図形データを読み込むのではなく、セルに対応するピクセルを塗りつぶす。これにより、画質の劣化を抑えつつ、レイアウト表示時間を短縮することができる。
【００６５】
例えば、描画データ（レイアウトデータともいう）のデータ量が数１０ギガバイトである場合、閾値１を５ピクセルに設定すると、図５に示すように、従来に比べて、レイアウト表示時間を大幅に短縮することができる。また、画質の劣化は許容できるものである。
【００６６】
尚、図５の横軸は、指定領域のレイアウトを表示するために行うズームアップ回数である。１回のズームアップにより１．１７倍で拡大される。
【００６７】
また、本実施の形態では、セルのＸ方向及びＹ方向のサイズが閾値１よりも大きく、かつ、閾値３以下の場合で、さらに１ピクセル当たりの平均図形数が閾値２以上であるときに、図形データの読み込みを行わずに、セルに対応するピクセルが塗りつぶされる。このように平均図形数を考慮することで、画質の劣化を抑制しつつ、レイアウト表示時間を短縮することができる。
【００６８】
ここで、セルサイズが非常に大きい場合には、セル内で図形が偏る可能性が高くなることから、データ量から求める平均図形数の見積もり精度が低下する。その結果、平均図形数と実際の図形数分布との間に差が生じ、画質の劣化が生じる。そこで、例えば、閾値１を５ピクセルに閾値３を１０ピクセルに設定し、セルのＸ方向及びＹ方向のサイズが５ピクセルよりも大きく１０ピクセル以下である場合に上記ステップＳ１７で平均図形数を算出するようにしてもよい。
【００６９】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。例えば、上記実施の形態では電子ビームを用いた装置に本発明を適用した例を説明したが、本発明はこれに限られるものではなく、イオンビームなどの他の荷電粒子ビームを用いた装置にも本発明を適用可能である。
【００７０】
また、上記実施の形態では、レイアウトビューワ３００が電子ビーム描画装置の内部に設けられているが、電子ビーム描画装置の外部に単独で設けてもよい。
【００７１】
また、上記実施の形態では、電子ビーム描画装置に入力される描画データに定義されたレイアウトを表示する場合について説明したが、この描画データを装置内部フォーマットに変換したデータに定義されたレイアウトを表示する場合に本発明を適用することができる。この場合、ショットデータ生成部２０６により変換されたデータをレイアウトビューワ３００の入力部３０４に入力すればよい。
【００７２】
また、マスク検査装置においてＤｉｅ−ｔｏ−Ｄａｔａｂａｓｅ検査を行う際にＣＡＤデータから生成される参照データとしての検査データに定義されたレイアウトを表示する場合に、本発明を適用することができる。この場合、検査データのレイアウト表示を、画質の劣化を抑えつつ、短時間で行うことができる。
【００７３】
また、上記実施の形態では、図７に示す階層構造の描画データのレイアウトを表示する場合について説明したが、階層構造はこれに限られず、任意の階層数を持つデータなら何であっても良く、本発明は任意の階層を基準に再帰的に適用可能である。
【００７４】
例えば、図６に示すチップ、フレーム、ブロック、セル、図形の階層からなる描画データや、図２に示すレチクル、フレーム、サブフィールド、図形の階層からなる描画データのレイアウト表示に対して、本発明を適用することができる。
【００７５】
図６に示す階層構造を有する描画データのレイアウトを表示する場合、先ず、図３におけるセルをフレームに、図形をブロックにそれぞれ置き換えて図３に示すフローチャートを実行する。次に、図３におけるセルをブロックに、図形をセルに置き換えて図３に示すフローチャートを実行する。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本発明の実施の形態による電子ビーム描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】製品レチクル１４２の描画処理を説明するための図である。
【図３】レイアウトビューワ３００による描画データのレイアウト表示方法を示すフローチャートである。
【図４】閾値１（第１基準値）と、レイアウト表示の画質及び処理速度との関係を説明するための図である。
【図５】レイアウト表示時間の短縮効果を示す図である。
【図６】描画データの階層構造の例を示す図である。
【図７】描画データの階層構造の例を示す図である。
【図８】従来のレイアウト表示方法を示すフローチャートである。
【図９】ユーザによる表示領域の指定が行われるビューワ画面１を示す図である。
【図１０】指定領域内で検索されたセルＡと、セルＡに含まれる図形Ａ乃至Ｃを示す図である。
【図１１】図形Ａ乃至Ｃに対応するピクセルが塗りつぶされたビューワ画面２を示す図である。
【図１２】指定領域のパターンレイアウトが表示されたビューワ画面３を示す図である。
【図１３】（Ａ）は指定領域が狭い場合の図形データ量を、（Ｂ）は指定領域が広い場合の図形データ量を示す概念図である。
【図１４】指定領域がチップ枠よりも広い場合のレイアウト表示結果を示す図である。
【符号の説明】
【００７７】
３００  レイアウトビューワ
３０２  処理部
３０４  入力部
３０６  表示部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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