Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月19日(2021.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
−ユーザを支持するように構成されたデッキであって、支持面を有し、前記支持面が、
前側部分と、
後側部分と、
前記前側部分を前記後側部分と接続するように構成された首部分と、
を有する、デッキと、
−前記後側部分に連結された後側筐体部分と、
−前記後側部分によって支持された後輪組立体であって、すくなくとも１つの後輪を有する、後輪組立体と、
−前記前側部分に接続され、表面上を転動するように構成された少なくとも１つの前輪であって、第１軸回りに旋回しかつ第２軸回りに回転するように構成された、前輪と、
−補助輪組立体であって、
補助輪マウントと、
補助輪であって、前記後輪組立体の後方に延在する補助輪と、
を有する、補助輪組立体と、
を備えることを特徴とする動力式ボード型ビークル。
【請求項２】
前記補助輪が、前記後輪組立体から間隔をあけており、
前記補助輪が、前記デッキの側部に隣接して位置付けられており、
前記補助輪が、前記補助輪マウントから前記デッキの前記支持面の後端部を越えて後方に延在していることを特徴とする請求項１に記載の動力式ボード型ビークル。
【請求項３】
前記補助輪が、回転軸を有し、
前記回転軸が、前記補助輪マウントの前側部分の後方に位置付けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の動力式ボード型ビークル。
【請求項４】
前記補助輪組立体が、少なくとも２つの補助輪を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の動力式ボード型ビークル。
【請求項５】
前記補助輪が、前記デッキが中立位置にあるときに、前記表面と接触せず、
前記デッキが、当該デッキが前記表面とほぼ平行に位置付けられているときに、前記中立位置にあることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の動力式ボード型ビークル。
【請求項６】
前記補助輪が、前記後輪の直径よりも小さい直径を有することを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の動力式ボード型ビークル。
【請求項７】
前記前輪が、中立位置において、前記後輪とほぼ位置合わせされていることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の動力式ボード型ビークル。
【請求項８】
前記デッキが、前記首部分回りに曲がるように構成されていることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の動力式ボード型ビークル。
【請求項９】
前記後輪組立体に動力供給するように構成されたモータをさらに備えることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の動力式ボード型ビークル。
【請求項１０】
前記後輪組立体が、前記モータから当該後輪組立体の前記後輪へ動力を伝達するように構成された後側駆動組立体を有することを特徴とする請求項９に記載の動力式ボード型ビークル。
【請求項１１】
動力供給される前記後輪を制御する無線式または有線式の遠隔制御機器をさらに備えることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の動力式ボード型ビークル。
【請求項１２】
前記前輪が、当該前輪が中立位置にあるときに、所定角度で後方に延在することを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の動力式ボード型ビークル。
【請求項１３】
前記支持面の前記後側部分が、後端部を有し、
前記補助輪が、前記支持面における前記後側部分の前記後端部の後方に延在していることを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載の動力式ボード型ビークル。
【請求項１４】
前記補助輪が、回転軸を有し、
前記補助輪マウントが、前記補助輪の前記回転軸を横切る軸回りに回転することを防止することを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載の動力式ボード型ビークル。
【請求項１５】
第２補助輪マウントをさらに備え、
前記補助輪マウントが、前記後側部分の両側面に隣接して前記後側筐体部分に取り付けられていることを特徴とする請求項１から１４のいずれか１項に記載の動力式ボード型ビークル。
【請求項１６】
前記補助輪マウントが、前記後側部分の両最側面に隣接して前記後側筐体部分に取り付けられていることを特徴とする請求項１５に記載の動力式ボード型ビークル。
【請求項１７】
動力式ボード型ビークルであって、
−ユーザを支持するように構成され、支持面を有し、前記支持面が、
前側部分と、
後側部分と、
前記前側部分を前記後側部分と接続するように構成され、当該動力式ボード型ビークルの長手方向軸に沿って捩じるように構成された首部分と、
を有する、デッキと、
−後輪、後側駆動組立体及び前記後輪の後方にある補助輪を備える後輪組立体と、
を備えることを特徴とする動力式ボード型ビークル。
【請求項１８】
前記後側部分に連結された後側筐体部分をさらに備え、
前記後側筐体部分が、前記後輪組立体を支持するように構成されていることを特徴とする請求項１７に記載の動力式ボード型ビークル。
【請求項１９】
前記後側筐体部分が、スロットを有し、
前記後輪組立体が前記スロットを通過し、前記後側筐体部分によって支持されていることを特徴とする請求項１８に記載の動力式ボード型ビークル。
【請求項２０】
前記後輪組立体が、前記後輪を支持するように構成された後輪マウントをさらに備えることを特徴とする請求項１９に記載の動力式ボード型ビークル。
【請求項２１】
前記後輪マウントが、第１側部及び第２側部を有することを特徴とする請求項２０に記載の動力式ボード型ビークル。
【請求項２２】
前記後輪マウントの前記第１側部が、Ｕ字状であることを特徴とする請求項２１に記載の動力式ボード型ビークル。
【請求項２３】
前記後輪マウントの前記第１側部が、
前記デッキに対して下方に延在する第１部分と、
前記第１部分から水平に延在する第２部分と、
前記第２部分によって前記第１部分から間隔をあけ、前記第２部分に対して上方に延在する第３部分と、
を有することを特徴とする請求項２１に記載の動力式ボード型ビークル。
【請求項２４】
前記第２側部が、前記第１側部に取り外し可能に連結されており、それにより、前記第２側部が、前記第１側部から離間するように前記スロット内で平行移動可能であり、前記後輪を取り外すことを可能とすることを特徴とする請求項２１に記載の動力式ボード型ビークル。
【請求項２５】
前記支持面の前記後側部分が、最後方部分を有し、
前記補助輪が、前記支持面における前記後側部分の前記最後方部分の後方に突出していることを特徴とする請求項１７に記載の動力式ボード型ビークル。
【請求項２６】
前記支持面の前記後側部分に付けられた後側筐体部分をさらに備え、
前記後輪組立体が、少なくとも２つの補助輪マウントをさらに備えることを特徴とする請求項１７に記載の動力式ボード型ビークル。
【請求項２７】
少なくとも２つの前記補助輪マウントが、前記後側部分の両側面に隣接して前記後側筐体部分に取り付けられていることを特徴とする請求項２６に記載の動力式ボード型ビークル。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月20日(2021.4.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（Ｉ）の化合物であって、
Ａ１−Ｘ１−Ｘ２−Ａ２  （Ｉ）
式中、
Ａ１は有機基であるか；またはＡ１は親水性基もしくは水素原子であり；
Ａ２はＭＲＩ造影剤部分であり；
Ｘ１は疎水性基であり；
Ｘ２は直接結合、有機基、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）２−、−Ｓ−Ｓ−、−Ｎ＝、＝Ｎ−、−Ｎ（Ｈ）−、−Ｎ＝Ｎ−Ｎ（Ｈ）−、−Ｎ（Ｈ）−Ｎ＝Ｎ−、−Ｎ（ＯＨ）−、または−Ｎ（＝Ｏ）−である、前記化合物。
【請求項２】
Ａ１が、カルボン酸基、カルボン酸アニオン、またはカルボン酸エステルである、請求項１に記載の化合物。
【請求項３】
前記ＭＲＩ造影剤部分が、１６００Ｄａ以下、１５００Ｄａ以下、または１４００Ｄａ以下、または１３００Ｄａ以下、または１２００Ｄａ以下、または１１００Ｄａ以下、または１０００Ｄａ以下の分子量を有する、請求項１に記載の化合物。
【請求項４】
前記ＭＲＩ造影剤部分が有機金属部分、ガドテル酸部分、ガドペンテト酸、またはこれらのいずれかの薬剤的に許容される塩である、請求項１に記載の化合物。
【請求項５】
前記ＭＲＩ造影剤部分が式：
【化１】
2020517584.tif 000001
の部分である、請求項１に記載の化合物。
【請求項６】
Ｘ１が置換されていてもよいＣ１２〜２２ヒドロカルビレン、Ｃ１２〜２２アルキレン基、−（ＣＨ２）１２−、−（ＣＨ２）１４−、−（ＣＨ２）１６−、−（ＣＨ２）１８−、−（ＣＨ２）２０−、または−（ＣＨ２）２２−、−（ＣＨ２）１６−、−Ｃ（＝Ｏ）−からなる群から選択される、請求項１に記載の化合物。
【請求項７】
式：
【化２】
2020517584.tif 000002
の化合物またはその薬剤的に許容される塩である、請求項１に記載の化合物。
【請求項８】
請求項１に記載の化合物；および
タンパク質であって、ヒト血清アルブミンであるか、または配列がヒト血清アルブミンの配列と５０％以上同一であるタンパク質である、前記タンパク質、
を含んでなる診断用組成物。
【請求項９】
前記タンパク質がヒト血清アルブミンである、請求項８に記載の診断用組成物。
【請求項１０】
水を含む担体をさらに含んでなり、前記化合物および前記タンパク質が前記担体によって溶媒和されている、請求項８に記載の診断用組成物。
【請求項１１】
前記化合物および前記タンパク質が、１０２Ｍ−１以上、または１０３Ｍ−１以上、または１０４Ｍ−１以上、または１０５Ｍ−１以上の結合定数（Ｋｂ）で互いに非共有結合している、請求項８に記載の診断用組成物。
【請求項１２】
請求項８に記載の診断用組成物であって、前記組成物中９０重量％以上、または９５％重量％以上、または９７重量％以上、または９９％重量％以上の前記化合物が１０２Ｍ−１以上、または１０３Ｍ−１以上、または１０４Ｍ−１以上、または１０５Ｍ−１以上の結合定数（Ｋｂ）でタンパク質に結合している、前記診断用組成物。
【請求項１３】
前記組成物中９０重量％以上、または９５重量％以上、または９７重量％以上、または９９重量％以上のタンパク質結合粒子が、５ｎｍ以下または４ｎｍ以下の動的光散乱で測定した半径を有する、請求項１２に記載の診断用組成物。
【請求項１４】
前記診断用組成物が、哺乳動物への非経口投与または静脈内投与に適している、請求項８に記載の診断用組成物。
【請求項１５】
式（Ｉ）の化合物であって、
Ａ１−Ｘ１−Ｘ２−Ａ２  （Ｉ）
式中、
Ａ１は有機基であるか；またはＡ１は親水性基もしくは水素原子であり；
Ａ２はＭＲＩ造影剤部分であり；
Ｘ１は疎水性基であり；
Ｘ２は直接結合、有機基、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）２−、−Ｓ−Ｓ−、−Ｎ＝、＝Ｎ−、−Ｎ（Ｈ）−、−Ｎ＝Ｎ−Ｎ（Ｈ）−、−Ｎ（Ｈ）−Ｎ＝Ｎ−、−Ｎ（ＯＨ）−、または−Ｎ（＝Ｏ）−であり、ＭＲＩ造影剤部分およびタンパク質結合部分を含んでなる化合物と；
タンパク質であって、ヒト血清アルブミンであるか、または配列がヒト血清アルブミンの配列と５０％以上同一であるタンパク質である、前記タンパク質と；
水を含んでなる担体と；
を含んでなる診断用組成物であって、
前記化合物および前記タンパク質が、１０２Ｍ−１以上、または１０３Ｍ−１以上、または１０４Ｍ−１以上、または１０５Ｍ−１以上の結合定数（Ｋｂ）で互いに非共有結合しており、
前記化合物および前記タンパク質が前記担体によって溶媒和されている、前記診断用組成物。
【請求項１６】
前記タンパク質がヒト血清アルブミンである、請求項１５に記載の診断用組成物。
【請求項１７】
請求項１５に記載の診断用組成物であって、前記組成物中９０重量％以上、または９５％重量％以上、または９７重量％以上、または９９％重量％以上の前記化合物が１０２Ｍ−１以上、または１０３Ｍ−１以上、または１０４Ｍ−１以上、または１０５Ｍ−１以上の結合定数（Ｋｂ）でタンパク質に結合している、前記診断用組成物。
【請求項１８】
前記組成物中９０重量％以上、または９５重量％以上、または９７重量％以上、または９９重量％以上のタンパク質結合粒子が、５ｎｍ以下または４ｎｍ以下の動的光散乱で測定した半径を有する、請求項１７に記載の診断用組成物。
【請求項１９】
前記医薬組成物が、哺乳動物への非経口投与または静脈内投与に適している、請求項１５に記載の診断用組成物。
【請求項２０】
式（Ｉ）の化合物であって、
Ａ１−Ｘ１−Ｘ２−Ａ２  （Ｉ）
式中、
Ａ１は有機基であるか；またはＡ１は親水性基もしくは水素原子であり；
Ａ２はＭＲＩ造影剤部分であり；
Ｘ１は疎水性基であり；
Ｘ２は直接結合、有機基、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）２−、−Ｓ−Ｓ−、−Ｎ＝、＝Ｎ−、−Ｎ（Ｈ）−、−Ｎ＝Ｎ−Ｎ（Ｈ）−、−Ｎ（Ｈ）−Ｎ＝Ｎ−、−Ｎ（ＯＨ）−、または−Ｎ（＝Ｏ）−である化合物を対象に投与することと；
癌性腫瘍の細胞外液中の、前記対象の１以上の組織の細胞外液中の、前記対象の脈管系中の、または前記対象の肝臓組織の細胞外液中の、前記化合物またはその代謝産物の存在または濃度を検出することと、
を含んでなる、癌診断法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月2日(2021.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
免疫系の望ましくない活性化に起因する免疫疾患の予防および／または治療に使用するための医薬組成物であって、
ベータ鎖を欠くＣ４ＢＰアイソフォームであって、前記アイソフォームを形成するアルファ鎖の少なくとも１つがＣＣＰドメインの少なくとも１つを欠く欠失変異体である場合、ＣＣＰ６ドメインが前記アルファ鎖において保存されているＣ４ＢＰアイソフォームを含んでなり、
前記Ｃ４ＢＰアイソフォームが複数投与を含んでなる投与計画において皮下投与され、かつ、前記Ｃ４ＢＰアイソフォームが週１回以下で投与される、前記医薬組成物。
【請求項２】
各投与の用量が０．２４ｍｇ／ｍ２から９．９９ｍｇ／ｍ２の範囲にある、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
免疫系の望ましくない活性化に起因する免疫疾患の予防および／または治療に使用するための医薬組成物であって、
ベータ鎖を欠くＣ４ＢＰアイソフォームであって、前記アイソフォームを形成するアルファ鎖の少なくとも１つがＣＣＰドメインの少なくとも１つを欠く欠失変異体である場合、ＣＣＰ６ドメインが前記アルファ鎖において保存されているＣ４ＢＰアイソフォームを含んでなり、
前記Ｃ４ＢＰアイソフォームが０．２４ｍｇ／ｍ２から９．９９ｍｇ／ｍ２の用量で皮下投与される、前記医薬組成物。
【請求項４】
前記Ｃ４ＢＰアイソフォームが２週間に１回投与される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記Ｃ４ＢＰアイソフォームが週に１回投与される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項６】
後の投与から７日未満の間隔でＣ４ＢＰアイソフォームが皮下投与される先の工程をさらに含んでなる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項７】
免疫疾患が、全身性エリテマトーデス、ループス腎炎および関節リウマチからなる群から選択される自己免疫疾患である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項８】
自己免疫疾患が関節リウマチである、請求項７に記載の医薬組成物。
【請求項９】
ベータ鎖を欠くＣ４ＢＰアイソフォームが、α７β０、α６β０およびそれらの組み合わせからなる群から選択される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
欠失変異体が、Ｃ４ＢＰアルファ鎖のＣＣＰ１、ＣＣＰ２、ＣＣＰ３およびＣＣＰ４のドメインを欠く、請求項１〜８のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
Ｃ４ＢＰアルファ鎖のＣＣＰ８ドメイン中の各Ｌｙｓ残基が、Ｐｒｏ、Ａｓｐ、Ｇｌｕ、Ｈｉｓ、Ｉｌｅ、Ａｌａ、Ｓｅｒ、Ｔｈｒ、Ｖａｌ、ＧｌｎおよびＡｓｎからなる群から選択される残基により置換されている、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
用量が４ｍｇ／ｍ２から６ｍｇ／ｍ２の範囲にある、請求項２〜１１のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
Ｃ４ＢＰアイソフォームが、免疫系の望ましくない活性化に起因する免疫疾患の治療に有用な１以上の治療剤と組み合わせて投与されるものであり、前記治療剤がシクロスポリンＡ、タクロリムス、メトトレキサート、チオプリン、抗ＴＮＦ剤、インフリキシマブ、アダリムマブ、セルトリズマブ、ゴリムマブ、エタネルセプト、リツキシマブ、エプラツズマブ、ベリムマブ、ラパマイシン、抗インターフェロン抗体、トシリズマブ、ラキニモド、タバルマブ、オファツムマブ、イキセキズマブ、ブロダルマブ、ブリアキヌマブ、サリルマブ、リロナセプト、アニフロルマブ、シクロホスファミド、ミコフェノール酸モフェチル、アザチオプリン、アンチカルシニューリン、プレドニゾロン、メチルプレドニゾロン、ビタミンＤ、血管作動性腸ペプチド、ヒドロキシクロロキン、クロロキン、オクレリズマブ、アタシセプト、アバタセプト、アレムツズマブ、シルクマブ、エクリズマブおよびＴ細胞ワクチンからなる群から選択されるものである、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
免疫系の望ましくない活性化に起因する免疫疾患の予防および／または治療に使用するための医薬組成物であって、ａ）０．４５ｍｇから１８．９０ｍｇのベータ鎖を欠くＣ４ＢＰアイソフォームであって、前記アイソフォームを形成するアルファ鎖の少なくとも１つがＣＣＰドメインの少なくとも１つを欠く欠失変異体である場合、ＣＣＰ６ドメインが前記アルファ鎖において保存されているＣ４ＢＰアイソフォームと、ｂ）皮下投与に適した薬学上許容される賦形剤とを含んでなり、皮下投与される、医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月21日(2021.4.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
自転車用のステムであって、
本体であって、前記本体に少なくとも1つの第1の開口部および第2の開口部を有する本体と、
前記本体の内部に配置される電気デバイスと、
少なくとも1つの前記第1の開口部を介して電気的接続を可能にし、前記電気デバイスへの電力供給を可能にする第1の接続手段と
を含み、
前記第2の開口部は、前記本体内への前記電気デバイスの挿入および前記本体からの除去を可能にし、
前記ステムは、前記第2の開口部を密閉閉鎖するためのクロージャ部材をさらに含み、前記クロージャ部材は、ハンドルバーの外面に当接して適合するように構成されている凹面部分を含み、
前記ハンドルバーが前記第2の開口部を覆って前記ステムに取り付く、
自転車用のステム。
【請求項２】
前記第1の接続手段は、前記電気デバイスに電気的に接続されている第1の電気コネクタ要素を含み、前記第1の電気コネクタ要素は少なくとも1つの前記第1の開口部に配置されており、前記第1の電気コネクタ要素は、前記ステムの外部にある第1のコネクタへの接続のために構成されている、請求項1に記載のステム。
【請求項３】
前記第1のコネクタは、前記電気デバイスへの電力供給のために外部電源に接続されるか、または前記電気デバイスから外部デバイスへの電力供給のために前記外部デバイスに接続される、請求項2に記載のステム。
【請求項４】
前記第1の接続手段は、前記電気デバイスに電気的に接続される第2の電気コネクタ要素をさらに含み、前記第2の電気コネクタ要素も少なくとも1つの前記第1の開口部に配置され、前記第2の電気コネクタ要素は、同様に前記ステムの外部にある、前記第1のコネクタと異なるタイプの第2のコネクタへの接続のために構成されている、請求項2または3に記載のステム。
【請求項５】
前記第2のコネクタは、前記電気デバイスへの電力供給のために外部電源に接続されるか、または前記電気デバイスから外部デバイスへの電力供給のために前記外部デバイスに接続される、請求項4に記載のステム。
【請求項６】
少なくとも1つの前記第1の開口部は2つの第1の開口部を含み、第1のコネクタ要素が2つの前記第1の開口部のうちの1つの中に配置され、第2のコネクタ要素が2つの前記第1の開口部のうちの第2の開口部の中に配置される、請求項4または5に記載のステム。
【請求項７】
前記本体は:
自転車フォークに取付け可能な第1の部分と、
ハンドルバーに取付け可能な第2の部分と、
前記第1の部分と前記第2の部分との間に延在している中空の第3の部分であり、前記電気デバイスは前記第3の部分の内部に配置される、中空の第3の部分と
を含む、請求項1から6のいずれか一項に記載のステム。
【請求項８】
前記第2の開口部は第2の部分に配置されており、第3の部分への穴部をもたらす、請求項6または7に記載のステム。
【請求項９】
第3の部分の最上部領域にある第3の開口部をさらに含み、
自転車の乗り手にデータの可視指示を与えるために、前記第3の開口部内にまたは前記第3の開口部を覆って取り付けられている表示手段をさらに含み、前記表示手段は前記電気デバイスに連結されており、前記電気デバイスは前記表示手段での表示のために前記データを前記表示手段へ供給するように構成されており、カバーはシースルーであり、前記乗り手が前記表示手段を見ることを可能にする、請求項6または8に記載のステム。
【請求項１０】
前記電気デバイスはハウジングを含み、前記第1の接続手段は前記ハウジングに取り付けられており、前記第1の接続手段が前記少なくとも1つの第1の開口部と一致するように、前記電気デバイスが前記本体内に配置されると前記ハウジングが自動で位置を定めるように、前記ハウジングおよび前記本体の内面がそれぞれ成形されている、請求項1から9のいずれか一項に記載のステム。
【請求項１１】
その外側部上に太陽電池をさらに含み、前記太陽電池は、前記電気デバイスの充電のために、前記第1の接続手段を介して前記電気デバイスに電気的に接続されている、請求項1から10のいずれか一項に記載のステム。
【請求項１２】
前記電気デバイスは電子ギアチェンジシステムの一部を含み、
前記電子ギアチェンジシステムの前記一部は電力貯蔵手段を含む、請求項1から11のいずれか一項に記載のステム。
【請求項１３】
自転車のステム内にデバイスを配置する方法であって、
前記ステムの本体にある第2の開口部を介して前記デバイスを挿入し、前記第2の開口部を介して挿入された接続手段を、前記本体にある少なくとも1つの第1の開口部に配置するステップと、
前記第2の開口部を密閉閉鎖するクロージャ部材を配置するステップであって、前記クロージャ部材は、ハンドルバーの外面に当接して適合するように構成されている凹面部を含む、ステップと、
ハンドルバーを前記ステムに取り付けるステップであり、前記取り付けられたハンドルバーは前記第2の開口部を覆う、取り付けるステップと、
を含み、
前記接続手段は、前記デバイスへの電力供給のために、少なくとも1つの前記第1の開口部を介した電気的接続を可能にする、
方法。
【請求項１４】
前記接続手段は第1のコネクタ要素と第2のコネクタ要素とを含み、各々は、充電のために、外部デバイスのコネクタおよび/または外部電力供給部のコネクタに接続可能であり、前記第1のコネクタ要素は前記第2のコネクタ要素と異なるタイプであり、配置する前記ステップは、前記第1のコネクタ要素および前記第2のコネクタ要素が第3の部分にある第1の穴部および第2の穴部内へ下向きに延在するように、前記デバイスを配置するステップを含む、請求項13に記載の方法。
【請求項１５】
前記接続手段を配置する前記ステップは、前記第1のコネクタ要素および前記第2のコネクタ要素を前記少なくとも1つの第1の開口部に配置するステップを含む、請求項14に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月15日(2021.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ｉ）約１５ｍ２／ｇ（平方メートル／グラム）から約３００ｍ２／ｇの表面積と、（ｉｉ）純度が約０.０５％未満の灰、又は、約５ｐｐｍ未満の３２５メッシュグリット、又は、これらの組み合わせと、
を有する炭素粒子。
【請求項２】
カーボンブラック粒子を含む、請求項１に記載の炭素粒子。
【請求項３】
前記炭素粒子は、約３.０ｎｍよりも大きいＬｃ、又は、約０.３５ｎｍよりも小さいｄ００２、又は、約０.３％よりも少ない硫黄、又は、これらの任意の組み合わせを有する、請求項１に記載の炭素粒子。
【請求項４】
前記炭素粒子は、約３.０ｎｍよりも大きいＬｃ、又は、約０.３５ｎｍよりも小さいｄ００２、又は、約１０ｐｐｍよりも少ない硫黄、又は、これらの任意の組み合わせを有する、請求項３に記載の炭素粒子。
【請求項５】
前記炭素粒子のトートが約９９％以上である、請求項１に記載の炭素粒子。
【請求項６】
約０.０３％以下の灰を含む、請求項１に記載の炭素粒子。
【請求項７】
約０.０１％以下の灰を含む、請求項６に記載の炭素粒子。
【請求項８】
約１ｐｐｍ以下の３２５メッシュグリットを含む、請求項１に記載の炭素粒子。
【請求項９】
約０.４％以下の酸素を含む、請求項１に記載の炭素粒子。
【請求項１０】
約９９％以上の炭素を含む、請求項１に記載の炭素粒子。
【請求項１１】
約０.４％未満の水素を含む、請求項１に記載の炭素粒子。
【請求項１２】
前記炭素粒子が、前記炭素粒子の表面積１平方メートル当たり約０.５ｍｌ（ミリリットル）未満の水を含む相対湿度８０％の空気から水を吸着する親和性を有する、請求項１に記載の炭素粒子。
【請求項１３】
約０〜約８ｍＪ／ｍ２の水拡散圧力（ＷＳＰ）を有する、請求項１に記載の炭素粒子。
【請求項１４】
前記ＷＳＰが約５ｍＪ／ｍ２未満である、請求項１３に記載の炭素粒子。
【請求項１５】
約０.５μｍｏｌ／ｍ２以下の総表面酸基含有量を有する、請求項１に記載の炭素粒子。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月21日(2021.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
マイクロエレクトロニクスパッケージを作製するためにダイをキャリアに接着することと、
レジスト層を成形品として前記ダイ及び前記キャリアに塗布することであって、前記レジスト層は平坦な上面を有する、塗布することと、
前記レジスト層内の前記レジスト層の前記平坦な上面から前記ダイの導電性領域及び前記キャリアの導電性領域にビアを形成するためにフォトリソグラフィを用いて前記レジスト層の一部を現像することであって、前記レジスト層の現像されない部分は前記ダイ及び前記キャリアに永久に残る、現像することと、
前記レジスト層を通り、前記ダイの前記導電性領域、前記レジスト層の前記平坦な上面、及び前記キャリアの前記導電性領域に同時に導電性経路を提供するために前記ビア内の金属の薄いライニングを共形に蒸着することであって、それにより単一のフォトリソグラフィパス内の前記レジスト層内にコンタクトビア及び垂直パッケージオンパッケージ（ＰＯＰ）ビアを形成する、共形に蒸着することと、
前記金属の前記薄いライニングをパターン化された金属層又は再配線層（ＲＤＬ）に変えるために前記レジスト層の前記平坦な上面の前記金属の前記薄いライニングをエッチングすることと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記レジスト層が、光画像形成可能なレジストを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ビアのうちの少なくとも１つを形成するために前記レジスト層内に１つ以上の孔を穿設又は形成することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ビア内の前記金属の前記薄いライニングを蒸着することは、前記金属で前記ビアをライニングすることと、前記ビア内の残りの空間を誘電材料又は非導電性充填材料で充填することと、を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記導電性経路に結合された前記パターン化された金属層又は前記再配線層を形成すること、を更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ダイが、前記キャリア上で上向きに接着される、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記キャリアが、アルミニウムの層又は支持材料の層と、前記アルミニウム又は前記支持材料に剥離可能に取り付けられた銅層と、を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記コンタクトビア及び前記垂直ＰＯＰビアの正確で実質的に完全なレジストレーションを提供するために一つのリソグラフィパス内の前記レジスト層に前記コンタクトビア及び垂直パッケージオンパッケージ（ＰＯＰ）ビアを同時に形成することと、
正確なレジストレーションを用いて導電性コンタクトビア及び導電性垂直ＰＯＰビアを作製するために、単一の工程で同時に、かつ共形に前記コンタクトビア及び前記垂直ＰＯＰビア内の前記金属の前記薄いライニングをめっき及び蒸着することと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月26日(2021.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＰＴＣ効果を有し、少なくとも２つの混ざらないポリマ（ＨＤＰＥ、ＰＯＭ）を含むマトリクスと、前記マトリクスに少なくとも１つの導電性フィラ（ＣＢ）を有する、共連続高分子複合材であって、
前記混ざらないポリマの少なくとも１つは、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）であり、
前記混ざらないポリマの少なくとも別の１つは、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）である、複合材。
【請求項２】
前記高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）及び前記ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）は、相対重量割合が４５重量％から５５重量％であり、
ここで、１００重量％は、前記高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）と前記ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）の合計重量割合である、請求項１に記載の複合材。
【請求項３】
前記導電性フィラ（ＣＢ）は、１０重量％から４５重量％、好ましくは１６重量％から３０重量％の重量割合で、前記高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）に閉じ込められる、またはほとんど閉じ込められ、
ここで、１００重量％は、前記高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）と前記導電性フィラ（ＣＢ）の合計重量割合である、請求項１または請求項２に記載の複合材。
【請求項４】
前記導電性フィラ（ＣＢ）は、炭素のフィラであり、特にカーボンブラック、グラフェン、カーボンナノチューブ、及びそれらの混合物からの少なくとも１つを含む、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の複合材。
【請求項５】
さらに熱伝導性フィラ（ＴＦ）、好ましくは、２５℃で２００Ｗ／（ｍ・Ｋ）より高い熱伝導率を有する材料を含む、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の複合材。
【請求項６】
前記熱伝導性フィラ（ＴＦ）は、特に５重量％から７０重量％、好ましくは１５重量％から３０重量％の重量割合で、前記ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）で閉じ込められる、またはほとんど閉じ込められ、
ここで、１００重量％は、前記ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）と前記熱伝導性フィラ（ＴＦ）の合計重量割合である、請求項５に記載の複合材。
【請求項７】
前記熱伝導性フィラ（ＴＦ）は、窒化ホウ素、タルク、窒化アルミニウム、酸化アルミニウム、及びそれらの混合物からの少なくとも１つを含む、請求項５または６に記載の複合材。
【請求項８】
前記高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）は、高濃度の導電性フィラ（ＣＢ１）を有する第１の区分（ＭＢ１）と導電性フィラ（ＣＢ２）を含まないまたは低濃度の導電性フィラ（ＣＢ２）を有する第２の区分（ＭＢ２）を備え、
第１の区分（ＭＢ１）は、第２の区分（ＭＢ２）と混合され及び／または第２の区分（ＭＢ２）内に少なくとも部分的に閉じ込められる、請求項１乃至７のいずれか１項に記載の複合材。
【請求項９】
ＰＴＣ効果を有し、少なくとも２つの混ざらないポリマ（ＨＤＰＥ、ＰＯＭ）を含むマトリクスと、前記マトリクスに導電性フィラ（ＣＢ）を有する、共連続高分子複合材であって、
前記導電性フィラ（ＣＢ）は、前記混ざらないポリマの一方、特に、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）に閉じ込められる、またはほとんど閉じ込められ、
熱伝導性フィラ（ＴＦ）は、前記混ざらないポリマの他方、特に、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）に閉じ込められる、またはほとんど閉じ込められる、複合材。
【請求項１０】
ＰＴＣ効果を有し、少なくとも２つの混ざらないポリマ（ＨＤＰＥ、ＰＯＭ）と少なくとも１つの導電性フィラ（ＣＢ）を含む混合物を形成するステップを備える、共連続高分子複合材を得る方法であって、
前記混ざらないポリマの少なくとも１つは、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）であり、
前記混ざらないポリマの少なくとももう１つは、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）であり、
前記高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）と前記ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）は、好ましくは、相対重量割合が４５重量％から５５重量％のであり、
ここで１００重量％は、前記高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）と前記ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）の重量割合の合計である、方法。
【請求項１１】
前記導電性フィラ（ＣＢ）は、前もって前記高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）に加えられ、
前記導電性フィラを含む前記高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）は、続けて、特に押し出し成形によって、前記ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）に混合される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記導電性フィラ（ＣＢ）を加えた前記高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）の第１のマスタバッチを提供するステップと、
導電及び／または核生成促進フィラを加えられる可能性がある、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）の第２のマスタバッチを提供するステップと、
特に押し出し成形によって、前記第１及び第２のマスタバッチを混合するステップと、
同時にまたは続けて結果の混合物を前記ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）と混合するステップとを備える、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１のマスタバッチの前記導電性フィラ（ＣＢ）は、重量割合で、１０重量％から４５重量％、好ましくは、１６重量％から３０重量％であり、ここで１００重量％は、前記第１のマスタバッチの前記高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）と対応する前記導電性フィラ（ＣＢ）の重量割合の合計であり、
前記第２のマスタバッチの前記導電性及び／または核生成促進フィラは、重量割合で０重量％から２０重量％であり、ここで１００重量％は、前記第２のマスタバッチの前記高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）及び対応するフィラの重量割合の合計である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）の混合の前に、熱伝導性フィラ（ＴＦ）を前記ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）に加えるステップを備える、請求項１０乃至１３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
第１の電極（１４）と、第２の電極（１５）と、２つの電極（１４、１５）の間で少なくとも一部が設置されるＰＴＣ効果（１６）を有する材料と、を含む少なくとも１つの加熱要素（１３ａ）を備える電気加熱装置（１３）であって、
前記ＰＴＣ効果（１６）を有する材料は、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の共連続高分子複合材である、電気加熱装置。
【請求項１６】
少なくとも１つの電極（１３、１４）及びＰＴＣ効果（１６）を有する共連続高分子複合材を備える電気加熱装置（１３）であって、
前記少なくとも１つの電極（１３、１４）は、前記共連続高分子複合材のマトリクスの複数の異なる材料と接触し、
前記複数の異なる材料は、
−高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）及びポリオキシメチレン（ＰＯＭ）と、
−導電性粒子（ＣＢ）で満たされた高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）及びポリオキシメチレン（ＰＯＭ）と、
−導電性粒子（ＣＢ）で満たされた高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）及び熱伝導性粒子（ＴＦ）で満たされたポリオキシメチレン（ＰＯＭ）と、
−導電性粒子（ＣＢ）の第１の割合で満たされた第１の高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）、導電性粒子（ＣＢ）で満たされない、または第２の割合で満たされた第２の高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）及び熱伝導性粒子（ＴＦ）で満たされない、または満たされたポリオキシメチレン（ＰＯＭ）と、からの少なくとも１つを備える、電気加熱装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月31日(2021.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アドレス可能な照明ネットワークのＤＡＬＩ規格のデータバスを介してデータを送信するためのシステムであって、当該システムは、送信装置及び受信装置を含み、
前記送信装置は、
データバス上の低速データ伝送に使用される最低検出閾値レベル未満への前記データバス上の伝送電圧レベルのクランプをトリガするために高速データ伝送の要求を通知するための通知ユニットと、
低速伝送プロトコルに基づいて、前記最低検出閾値レベル以上の電圧レベルで前記データバスを介してデータを伝送するための低速伝送ユニットと、
前記最低検出閾値レベル未満である、前記データバス上の低下した電圧レベルの検出に応答して、高速伝送プロトコルに基づいて、前記データバスを介して高速データ伝送を開始するための高速伝送ユニットと
を含み、
前記受信装置は、
前記データバス上の検出された高速伝送の要求に応答して、モード制御信号をアクティブにするためのモードセレクタと、
低速通信用の従来のＤＡＬＩレシーバが、前記データバス上のデータを検出することができないように、前記モード制御信号のアクティベーションに応答して、前記データバス上の低速データ伝送に使用される前記最低検出閾値レベル未満のレベルに前記データバス上の伝送電圧をクランプするためのバスクランプ回路と、
前記高速伝送プロトコルに基づいて、前記最低検出閾値レベル未満の電圧レベルで前記データバスを介して伝送される高速データを受信するための低閾値レシーバと
を含む、システム。
【請求項２】
アドレス可能な照明ネットワークのＤＡＬＩ規格のデータバスを介してデータを送信するための送信装置であって、
低速通信用の従来のＤＡＬＩレシーバが、データバス上のデータを検出することができないように、クランプユニットを有する前記データバス上のさらなるデバイスによる前記データバス上の低速データ伝送に使用される最低検出閾値レベル未満への前記データバス上の伝送電圧レベルのクランプをトリガするために高速データ伝送の要求を通知するための通知ユニットと、
低速伝送プロトコルに基づいて、前記最低検出閾値レベル以上の電圧レベルで前記データバスを介してデータを伝送するための低速伝送ユニットと、
前記最低検出閾値レベル未満である、前記データバス上の低下した電圧レベルの検出に応答して、高速伝送プロトコルに基づいて、前記データバスを介して高速データ伝送を開始するための高速伝送ユニットと
を含む、送信装置。 
【請求項３】
当該送信装置は、前記データバスに接続されるバスドライバへ、前記低速伝送ユニットにより生成される低速伝送データ又は前記高速伝送ユニットにより生成される高速伝送データを選択的に供するためのマルチプレクサを含む、請求項２に記載の送信装置。
【請求項４】
前記通知ユニットは、前記データバスを介したポーリング又はイベントベースのシグナリングにより前記データバスのマスタデバイスに通知するよう構成される、請求項２又は３に記載の送信装置。
【請求項５】
アドレス可能な照明ネットワークのＤＡＬＩ規格のデータバスを介してデータを送信又は受信するためのスレーブデバイスであって、請求項２に記載の送信装置を含む、スレーブデバイス。
【請求項６】
アドレス可能な照明ネットワークのＤＡＬＩ規格のデータバスを介してデータを受信するための受信装置であって、
データバス上の検出された高速伝送の要求に応答して、モード制御信号をアクティブにするためのモードセレクタと、
低速通信用の従来のＤＡＬＩレシーバが、前記データバス上のデータを検出することができないように、前記モード制御信号のアクティベーションに応答して、前記データバス上の低速データ伝送に使用される最低検出閾値レベル未満のレベルに前記データバス上の伝送電圧をクランプするためのバスクランプ回路と、
高速伝送プロトコルに基づいて、前記最低検出閾値レベル未満の電圧レベルで前記データバスを介して伝送される高速データを受信するための低閾値レシーバと
を含む、受信装置。
【請求項７】
当該受信装置は、低速伝送プロトコルに基づいて、前記最低検出閾値レベル以上の電圧レベルで前記データバスを介して伝送される低速データを受信するための高閾値レシーバを含む、請求項６に記載の受信装置。
【請求項８】
前記バスクランプ回路は、前記データバス上の伝送電圧の電圧スイングを制限するよう構成される電圧制限要素と、前記電圧制限要素をアクティブにする及び前記モード制御信号により制御されるスイッチング要素とを含む、請求項６に記載の受信装置。
【請求項９】
当該受信装置は、前記データバス上のアイドル状態に許容される所定の最大時間に前記バスクランプ回路のクランプを制限するよう構成される、請求項６に記載の受信装置。
【請求項１０】
アドレス可能な照明ネットワークのＤＡＬＩ規格のデータバスに接続するためのマスタデバイスであって、請求項２に記載の送信装置及び／又は請求項６に記載の受信装置を含む、マスタデバイス。
【請求項１１】
当該マスタデバイスは、前記データバスを介して、接続されたマスタ又はスレーブデバイスに電力を供給するための電力供給ユニットを含む、請求項１０に記載のマスタデバイス。
【請求項１２】
ＤＡＬＩ規格のデータバスを介してアドレス可能な照明ネットワークに接続可能な照明器具デバイスであって、請求項３に記載のスレーブデバイス又は請求項１０に記載のマスタデバイスを含む、照明器具デバイス。
【請求項１３】
アドレス可能な照明ネットワークのＤＡＬＩ規格のデータバスを介してデータを送信する方法であって、
低速通信用の従来のＤＡＬＩレシーバが、データバス上のデータを検出することができないように、前記データバス上の低速データ伝送に使用される最低検出閾値レベル未満への前記データバス上の伝送電圧レベルのクランプをトリガするために高速データ伝送の必要性について前記データバスのマスタデバイスに通知するステップと、
前記最低検出閾値レベル未満である、前記データバス上の低下した電圧レベルの検出に応答して、高速伝送プロトコルに基づいて、前記データバスを介して高速データ伝送を開始するステップと
を含む、方法。
【請求項１４】
アドレス可能な照明ネットワークのＤＡＬＩ規格のデータバスからデータを受信する方法であって、
データバス上の検出された高速伝送の要求に応答して、モード制御信号をアクティブにするステップと、
低速通信用の従来のＤＡＬＩレシーバが、前記データバス上のデータを検出することができないように、前記モード制御信号のアクティベーションに応答して、前記データバス上の低速伝送プロトコルに基づく低速データ伝送に使用される最低検出閾値レベル未満のレベルに前記データバス上の伝送電圧をクランプするステップと、
高速伝送プロトコルに基づいて、前記最低検出閾値レベル未満の電圧レベルで前記データバスを介して伝送される高速データを受信するステップと
を含む、方法。
【請求項１５】
コンピュータデバイス上で実行された場合に請求項１３又は１４に記載のステップをもたらすためのコード手段を含む、コンピュータプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月9日(2021.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極；
第２の電極；
前記第１の電極と前記第２の電極との間に少なくとも部分的に配置された活性層であって、前記活性層は光活性材料を含む、活性層；
前記第１の電極と前記第２の電極との間に少なくとも部分的に配置された界面層；
前記第１又は第２の電極のうちの１つと封止材層との間に少なくとも部分的に接触して配置された非化学量論的酸化物層；
を含む光起電力デバイス。
【請求項２】
前記非化学量論的酸化物層が、ＳｉＯ、ＣｒＯ２、ＭｎＯ、ＶＯ、ＦｅＯ、ＣｅＯ、ＬａＯ、ＨｆＯ、ＺｒＯ、ＴｉＯ、ＡｌＯ、ＧｅＯ、又はその組み合わせからなる群からそれぞれ選択される１つ以上の化合物を含む、請求項１に記載の光起電力デバイス。
【請求項３】
前記非化学量論的酸化物層は、式ＭｘＯｙを有する化合物を含み、ここで、Ｍは１つ以上の金属を含み、ｘは１から１０までの実数を表し、且つ、ｙは１から１０までの実数を表す、請求項１に記載の光起電力デバイス。
【請求項４】
前記非化学量論的酸化物層が、式ＭｗＭ’ｘＭ“ｙＯｚを有する化合物を含み、ここで、Ｍ、Ｍ’及びＭ”がそれぞれ金属を含む、請求項１に記載の光起電力デバイス。
【請求項５】
前記封止材層が、エポキシ、シリコーン、ポリプロピレン、ポリブチレン、ポリイソブチレン、ポリカーボネート、ＰＭＭＡ、ＥＶＡ、ガラス、又はそれらの組み合わせからなる群からそれぞれ選択される１つ以上の化合物を含む、請求項１に記載の光起電力デバイス。
【請求項６】
前記非化学量論的酸化物層がＳｉＯを含む、請求項１に記載の光起電力デバイス。
【請求項７】
前記光活性材料がペロブスカイト材料を含む、請求項１に記載の光起電力デバイス。
【請求項８】
前記１つ以上の界面層が、Ａｌ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｓｎ  Ｚｎ、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される１つ以上の金属の酸化物、硫化物、又は窒化物を含む、請求項１に記載の光起電力デバイス。
【請求項９】
前記非化学量論的酸化物層は、１ナノメートル以上且つ５０ナノメートル以下の厚さを有する、請求項１に記載の光起電力デバイス。
【請求項１０】
前記封止材層は、１０ミクロン以上且つ１０ミリメートル以下の厚さを有する、請求項１に記載の光起電力デバイス。
【請求項１１】
前記非化学量論的酸化物層は、Ｆｅ３Ｏ４、ＣｕＦｅＯ２、Ｍｎ３Ｏ４からなる群から選択される１つ以上の化合物を含む、請求項１に記載の光起電力デバイス。
【請求項１２】
前記非化学量論的酸化物層がＳｉＯを含み、且つ前記封止材層がＰＭＭＡを含む、請求項１に記載の光起電力デバイス。
【請求項１３】
前記非化学量論的酸化物層はＳｉＯを含み、前記封止材層はＰＭＭＡを含み、且つ前記第１及び第２の電極層はＩＴＯを含む、請求項１に記載の光起電力デバイス。
【請求項１４】
第１の電極；
第２の電極；
前記第１の電極と前記第２の電極との間に少なくとも部分的に配置された活性層；
前記第１又は第２の電極のうちの一方と少なくとも部分的に接触して配置された非化学量論的酸化物層；
を含むデバイス。
【請求項１５】
前記非化学量論的酸化物層が、ＳｉＯ、ＣｒＯ２、ＭｎＯ、ＶＯ、ＦｅＯ、ＣｅＯ、ＬａＯ、ＨｆＯ、ＺｒＯ、ＴｉＯ、ＡｌＯ、ＧｅＯ、又はその組み合わせからなる群からそれぞれ選択される１つ以上の化合物を含む、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１６】
前記非化学量論的酸化物層は、式ＭｘＯｙを有する化合物を含み、ここで、Ｍは１つ以上の金属を含み、ｘは１から１０までの実数を表し、且つ、ｙは１から１０までの実数を表す、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１７】
前記非化学量論的酸化物層が、式ＭｗＭ’ｘＭ“ｙＯｚを有する化合物を含み、ここで、Ｍ、Ｍ’及びＭ”がそれぞれ金属を含む、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項１８】
前記非化学量論的酸化物層と接触して配置された封止材層をさらに含む請求項１４に記載のデバイスであって、前記封止材層が、エポキシ、シリコーン、ポリプロピレン、ポリブチレン、ポリイソブチレン、ポリカーボネート、ＰＭＭＡ、ＥＶＡ、ガラス、又はそれらの組み合わせからなる群からそれぞれ選択される１つ以上の化合物を含む、デバイス。
【請求項１９】
前記非化学量論的酸化物層がＳｉＯを含む、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項２０】
前記活性層は、１つ以上のトランジスタを含む、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項２１】
前記１つ以上の界面層が、Ａｌ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｚｎ、及びそれらの組み合わせからなる群から選択される１つ以上の金属の酸化物、硫化物、又は窒化物を含む、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項２２】
前記非化学量論的酸化物層は、１ナノメートル以上且つ５０ナノメートル以下の厚さを有する、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項２３】
前記封止材層は、１０ミクロン以上且つ１０ミリメートル以下の厚さを有する、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２４】
前記非化学量論的酸化物層は、Ｆｅ３Ｏ４、ＣｕＦｅＯ２、及びＭｎ３Ｏ４からなる群から選択される１つ以上の化合物を含む、請求項１４に記載のデバイス。
【請求項２５】
前記非化学量論的酸化物層がＳｉＯを含み、且つ前記封止材層がＰＭＭＡを含む、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２６】
前記非化学量論的酸化物層はＳｉＯを含み、前記封止材層はＰＭＭＡを含み、且つ前記第１及び第２の電極層はＩＴＯを含む、請求項１８に記載のデバイス。
【請求項２７】
第１の電極；
第２の電極；
前記第１の電極と前記第２の電極との間に少なくとも部分的に配置された活性層であって、前記活性層は光活性材料を含む、活性層；
前記第１の電極と前記第２の電極との間に少なくとも部分的に配置された界面層；
前記第１の電極と第１の封止材層との間に少なくとも部分的に接触して配置された第１の非化学量論的酸化物層；
前記第２の電極と第２の封止材層との間に少なくとも部分的に接触して配置された第２の非化学量論的酸化物層；
を含む光起電力デバイス。
【請求項２８】
前記第１及び第２の非化学量論的酸化物層が、ＳｉＯ、ＣｒＯ２、ＭｎＯ、ＶＯ、ＦｅＯ、ＣｅＯ、ＬａＯ、ＨｆＯ、ＺｒＯ、ＴｉＯ、ＡｌＯ、ＧｅＯ、又はその組み合わせからなる群からそれぞれ選択される１つ以上の化合物を含む、請求項２７に記載のデバイス。
【請求項２９】
前記第１及び第２の非化学量論的酸化物層は、式ＭｘＯｙを有する化合物を含み、ここで、Ｍは１つ以上の金属を含み、ｘは１から１０までの実数を表し、且つ、ｙは１から１０までの実数を表す、請求項２７に記載のデバイス。
【請求項３０】
前記第１及び第２の非化学量論的酸化物層がＳｉＯを含む、請求項２７に記載のデバイス。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月9日(2021.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光子を吸収し、吸収された前記光子から光キャリアを生成するように構成されているフォトダイオード（２４８０）と、
第１のＭＯＳＦＥＴトランジスタ（２４１２）であって、
前記フォトダイオードの第１の端子に結合され、前記フォトダイオードによって生成された前記光キャリアの一部を収集するように構成されている第１のチャネル端子と、
第２のチャネル端子と、
第１の制御電圧源（２４０５）に結合されているゲート端子とを備える、第１のＭＯＳＦＥＴトランジスタと、
第１の読み出し電圧を出力するように構成されている第１の読み出し回路（２４１０）であって、
前記フォトダイオードによって生成される前記光キャリアを積分するように構成されている第１のキャパシタ（２４２２）と、
前記第１のキャパシタを第１の電圧まで充電するように構成されている第１のリセットＭＯＳＦＥＴトランジスタ（２４２０）とを備える、第１の読み出し回路と、
第２の読み出し電圧を出力するように構成されている第２の読み出し回路（２４３０）であって、
前記フォトダイオードによって生成される前記光キャリアを積分するように構成されている第２のキャパシタ（２４４２）と、
前記第２のキャパシタを第２の電圧まで充電するように構成されている第２のリセットＭＯＳＦＥＴトランジスタ（２４４０）とを備える、第２の読み出し回路と、
前記フォトダイオードによって生成された前記光キャリアをステアリングして前記第１の読み出し回路および前記第２の読み出し回路の一方または両方に導くように構成されている電流ステアリング回路（２４５０）であって、
第２の制御電圧源（２４５６）に結合されている第２のゲート端子、前記第２のチャネル端子に結合されている第３のチャネル端子、および前記第１の読み出し回路に結合されている第４のチャネル端子を備える第１の電流ステアリングＭＯＳＦＥＴトランジスタ（２４５２）と、
第３の制御電圧源（２４５８）に結合されている第３のゲート端子、前記第２のチャネル端子に結合されている第５のチャネル端子、および前記第２の読み出し回路に結合されている第６のチャネル端子を備える第２の電流ステアリングＭＯＳＦＥＴトランジスタ（２４５４）と、を備える電流ステアリング回路と、を備える回路（２４００）であって、
該回路の動作時に、前記第１の制御電圧源が、前記第１の電圧と前記フォトダイオードの第１の端子の第３の電圧との間の第１の電圧差を生じさせ、前記第２の電圧と前記フォトダイオードの第１の端子の前記第３の電圧との間の第２の電圧差を生じさせるように構成されている第１の制御電圧（２４０４）を発生させる、回路。
【請求項２】
第１の半導体層（１１７０）と第２の半導体層（１１７２）とをさらに備え、
前記フォトダイオードが前記第１の半導体層によって支持され、
前記第１のＭＯＳＦＥＴトランジスタ、前記第１の読み出し回路、前記第２の読み出し回路、および前記電流ステアリング回路が前記第２の半導体層によって支持されている、請求項１に記載の回路。
【請求項３】
第１の半導体層（１１７０）と第２の半導体層（１１７２）とをさらに備え、
前記フォトダイオードおよび前記第１のＭＯＳＦＥＴトランジスタが前記第１の半導体層によって支持され、
前記第１の読み出し回路、前記第２の読み出し回路、および前記電流ステアリング回路が前記第２の半導体層によって支持されている、請求項１に記載の回路。
【請求項４】
第１の半導体層（１１７０）と第２の半導体層（１１７２）とをさらに備え、
前記フォトダイオード、前記第１のＭＯＳＦＥＴトランジスタ、および前記電流ステアリング回路が前記第１の半導体層によって支持され、
前記第１の読み出し回路および前記第２の読み出し回路が前記第２の半導体層によって支持されている、請求項１に記載の回路。
【請求項５】
前記回路の動作時に、前記第１の制御電圧が、閾値下領域または飽和領域内で前記第１のＭＯＳＦＥＴトランジスタを動作させるように構成されている、請求項１に記載の回路。
【請求項６】
前記回路の動作時に、前記第１の制御電圧源が、前記第１のキャパシタによって積分される第１の暗電流と、前記第２のキャパシタによって積分される第２の暗電流とを、前記第１のＭＯＳＦＥＴトランジスタを有しない相当する回路と比較して減少させる、請求項１に記載の回路。
【請求項７】
前記第１の電圧差が前記第１の電圧の１０％以上であり、
前記第２の電圧差が前記第２の電圧の１０％以上である、請求項１に記載の回路。
【請求項８】
前記フォトダイオードが、ゲルマニウムを含む光吸収領域をさらに備える、請求項１に記載の回路。
【請求項９】
前記フォトダイオードが陥凹部（１８０４）を備え、前記光吸収領域の少なくとも一部が前記陥凹部内に埋め込まれている、請求項８に記載の回路。
【請求項１０】
前記回路の動作時に、前記第２の制御電圧源および前記第３の制御電圧源が、第１の期間に前記光キャリアをステアリングして前記第１の読み出し回路に導き、第２の期間に前記光キャリアをステアリングして前記第２の読み出し回路に導くことによって前記回路を飛行時間型イメージングモードで動作させるように制御される、請求項１に記載の回路。
【請求項１１】
前記回路の動作時に、前記第２の制御電圧源および前記第３の制御電圧源が、前記光キャリアをステアリングして前記第１の読み出し回路および前記第２の読み出し回路に同期方式で導くことによって前記回路を強度イメージングモードで動作させるように制御される、請求項１に記載の回路。
【請求項１２】
前記回路の動作時に、前記第２の制御電圧源および前記第３の制御電圧源が、前記光キャリアをステアリングして前記第１の読み出し回路および前記第２の読み出し回路のうちの一方に強度イメージングモードで動作している間に導くことによって前記回路を前記強度イメージングモードで動作させるように制御される、請求項１に記載の回路。