【手続補正書】
【提出日】平成16年10月6日(2004.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
次の式Ｉを有する求電子フッ素化剤：
【化１】
2002234877.tif 000001
ここで、
３つのＡ部分は独立してＣＲであり、各Ｒは独立して、水素、ハロゲン、ヒドロキシル、アミノ、シアノ、ペルフルオロチオ、ヒドロキシスルホニル、ハロスルホニル、または、任意に置換されたアルキル、アリール、アリールオキシ、アルコキシ、ヒドロカルビルオキシ、ヒドロカルビルオキシカルボニル、ヒドロカルビルオキシスルホニル、およびヒドロカルビルチオ基からなる群から選ばれる炭素含有置換基であり、そして少くとも１つのＲは水素でもハロゲンでもなく；
２つのＡ部分は独立してＺであり、各Ｚは独立して窒素もしくは４級窒素原子であり；そして
Ｙ-はフッ素による化学的攻撃に不活性である対イオンもしくは対イオン群であり、
またはそれらのオリゴマーもしくはポリマーであり、そこではトリアジニウム繰返し部分は炭素含有Ｒ置換基に対応する二価の基で連結されている。
【請求項２】
次の式ＩＡの１，２，４−トリアジニウム化合物である請求項１記載の化合物：
【化２】
2002234877.tif 000002
ここで、
Ｒ1，Ｒ2およびＲ3は、独立して、水素、ハロゲン、ヒドロキシル、アミノ、シアノ、ペルフルオロチオ、ヒドロキシスルホニル、ハロスルホニル、または、任意に置換されたアルキル、アリール、アリールオキシ、アルコキシ、ヒドロカルビルオキシ、ヒドロカルビルオキシカルボニル、ヒドロカルビルオキシスルホニル、およびヒドロカルビルチオ基からなる群から選ばれる炭素含有置換基であり、そしてＲ1，Ｒ2およびＲ3の少くとも１つは水素でもハロゲンでなく、；
Ｚ1およびＺ2は独立して窒素もしくは４級窒素原子であり；そして
Ｙ-はフッ素による化学的攻撃に不活性である対イオンもしくは対イオン群であり、
またはそれらのオリゴマーもしくはポリマーであり、そこではトリアジニウム繰返し部分は上に定義された炭素含有Ｒ置換基に対応する二価の基で連結されている。
【請求項３】
次の式ＩＢの１，３，５−トリアジニウム化合物である請求項１記載の化合物：
【化３】
2002234877.tif 000003
ここで、
Ｒ1，Ｒ2およびＲ3は独立して、水素、ハロゲン、ヒドロキシル、アミノ、シアノ、ペルフルオロチオ、ヒドロキシスルホニル、ハロスルホニル、または、任意に置換されたアルキル、アリール、アリールオキシ、アルコキシ、ヒドロカルビルオキシ、ヒドロカルビルオキシカルボニル、ヒドロカルビルオキシスルホニル、およびヒドロカルビルチオ基からなる群から選ばれる炭素含有置換基であり、Ｒ1，Ｒ2およびＲ3の少くとも１つは水素でもハロゲンでなく、；
Ｚ1およびＺ2は独立して窒素もしくは４級窒素原子であり；そして
Ｙ-はフッ素による化学的攻撃に不活性である対イオンもしくは対イオン群であり、
またはそれらのオリゴマーもしくはポリマーであり、そこではトリアジニウム繰返し部分は上に定義された炭素含有Ｒ置換基に対応する二価の基で連結されている。
【請求項４】
少くとも１つのＲ、すなわちＲ1，Ｒ2およびＲ3の少くとも１つがアルキル、アリール、アルコキシ、ヒドロカルビルオキシ、ヒドロハロカルビル、ヒドロハロカルビルオキシ、ペルハロカルビル、およびペルハロカルビルオキシからなる群から選ばれる請求項１〜３のいずれかに記載の化合物。
【請求項５】
少くとも１つのＲ、すなわちＲ1，Ｒ2およびＲ3の少くとも１つが、任意に１つ以上のハロゲン原子で置換されうる、Ｃ1-12アルキル、Ｃ1-12アルコキシ、およびＣ6-12アリール基からなる群から選ばれる請求項４記載の化合物。
【請求項６】
Ｒ置換基、すなわちＲ1，Ｒ2およびＲ3がＣ1-8アルキル、Ｃ1-8アルコキシ、Ｃ1-8ペルフルオロアルキルおよびＣ1-8ペルフルオロアルコキシからなる群から選ばれる請求項５記載の化合物。
【請求項７】
Ｒ置換基、すなわちＲ1，Ｒ2およびＲ3がトリフルオロメチル、ペンタフルオロエチル、ペルフルオロオクチル、メチル、エチル、メトキシおよびエトキシ基からなる群から選ばれる請求項６記載の化合物。
【請求項８】
少くとも１つのＲ、すなわちＲ1，Ｒ2および／またはＲ3がＨ（ＣＦ2ＣＦ2）pＣＨ2Ｏ基（ｐは少くとも２）からなる群から選ばれる請求項６記載の化合物。
【請求項９】
Ｒ置換基、すなわちＲ1，Ｒ2およびＲ3が同一である請求項１〜８のいずれかに記載の化合物。
【請求項１０】
各Ｒ、すなわちＲ1，Ｒ2およびＲ3のそれぞれがメチル、メトキシ、トリフルオロメチルおよびトリフルオロメトキシ基からなる群から選ばれる請求項９記載の化合物。
【請求項１１】
各Ｚ、すなわちＺ1およびＺ2が独立して窒素もしくはフッ素化した４級窒素原子である請求項１〜１０のいずれかに記載の化合物。
【請求項１２】
両方のＺ、すなわちＺ1およびＺ2の両方が窒素である請求項１１記載の化合物。
【請求項１３】
次の式ＩＩの１，３，５−トリアジニウム化合物である請求項１２記載の化合物。
【化４】
2002234877.tif 000004
ここで、Ｒ1，Ｒ2，Ｒ3およびＹ-は請求項３で規定されたとおりであり、
またはそれらのオリゴマーもしくはポリマーであり、そこではトリアジニウム繰返し部分は上に定義された炭素含有Ｒ1，Ｒ2，またはＲ3置換基に対応する二価の基で連結されている。
【請求項１４】
Ｙ-が、フッ化物、フルオロ硫酸塩、アルカンスルホン酸塩、アルキル硫酸塩、ペルフルオロアルカンスルホン酸塩、アレーンスルホン酸塩、アルカンカルボン酸塩、ペルフルオロアルカンカルボン酸塩、テトラフルオロホウ酸塩、テトラフェニルホウ酸塩、ヘキサフルオロリン酸塩、ヘキサフルオロアンチモン酸塩、ヘキサフルオロヒ酸塩、塩素酸塩、硫酸塩（＝２Ｙ-）、硫酸水素塩およびＦ（ＨＦ）x-（ｘは少くとも１）からなる群から選ばれる請求項１〜１３のいずれかに記載の化合物。
【請求項１５】
Ｙ-がフッ化物、テトラフルオロホウ酸塩、トリフレート、トシレート、ヘキサフルオロヒ酸塩およびヘキサフルオロリン酸塩からなる群から選ばれる請求項１４記載の化合物。
【請求項１６】
Ｙ-がトリフレートである請求項１５記載の化合物。
【請求項１７】
次の式ＩＩの１，３，５−トリアジニウム化合物：
【化５】
2002234877.tif 000005
ここで、
Ｒ1，Ｒ2およびＲ3は独立して、任意に１つ以上のハロゲン原子で置換されうる、Ｃ1-12アルキル、Ｃ1-12アルコキシ、アルケニルおよびＣ6-12アリール基からなる群から選ばれ、そして
Ｙ-はフッ化物、フルオロ硫酸塩、アルカンスルホン酸塩、アルキル硫酸塩、ペルフルオロアルカンスルホン酸塩、アレーンスルホン酸塩、アルカンカルボン酸塩、ペルフルオロアルカンカルボン酸塩、テトラフルオロホウ酸塩、テトラフェニルホウ酸塩、ヘキサフルオロリン酸塩、ヘキサフルオロアンチモン酸塩、ヘキサフルオロヒ酸塩、塩素酸塩、硫酸塩（＝２Ｙ-）、硫酸水素塩およびＦ（ＨＦ）x-（ｘは少くとも１）からなる群から選ばれ、
またはそれらのオリゴマーもしくはポリマーであり、そこではトリアジニウム繰返し部分は上に定義された炭素含有Ｒ1，Ｒ2，またはＲ3置換基に対応する二価の基で連結されている。
【請求項１８】
Ｒ置換基が同一であり、メチル、メトキシ、トリフルオロメチルおよびトリフルオロメトキシ基からなる群から選ばれ、Ｙ-がフッ化物、テトラフルオロホウ酸塩、トリフレート、トシレート、ヘキサフルオロヒ酸塩およびヘキサフルオロリン酸塩からなる群から選ばれる請求項１記載の化合物。
【請求項１９】
トリアジン化合物を、トリアジン化合物の少くとも１つの窒素原子をフッ素化するためにニトロメタンを含む不活性溶媒中で酸性条件下でフッ素源と接触させる工程を含む請求項１に記載の式Ｉの化合物の製造方法。
【請求項２０】
基質を、その基質をフッ素化するために請求項１に規定された式Ｉの化合物と接触させる工程を含むフッ素化した基質の製造方法。
【請求項２１】
ステロイドもしくはステロイド誘導体を請求項１に規定された式Ｉの化合物と接触させるフッ素化したステロイドもしくはフッ素化したステロイド誘導体の製造方法。
【請求項２２】
フッ素化がニトロメタンを含有する溶媒中で行われる請求項２０記載の方法。
【請求項２３】
フッ素化がニトロメタンを含有する溶媒中で行われる請求項２１記載の方法。