(57)【要約】      （修正有）【課題】バスバーの取り付け工程に要する時間を短縮化しつつ、半田付け性を向上させる。【解決手段】半導体装置であるインバータ装置１において、電子回路基板１４にＵ相端子２０Ｕを接合するためのバスバー２０ｂｕの接合構造は、バスバー２０ｂｕに電子回路基板１４から離間して略平行に配置される対向部３１を設け、電子回路基板１４に貫通孔からなる開口部３６を対向部３１と重なるように形成した。リフロー炉内で下側から供給される熱風の一部が開口部３６を通して対向部３１に吹き付けられ、バスバー２０ｂｕを温める。この熱が半田３４の溶融を促進させてバスバー２０ｂｕと電子回路基板１４とを接合させる。【選択図】図３
2010034205.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性のバスバーを有する端子と、前記端子を通して電力の供給や信号の入出力が行われる半導体素子とを備え、半田を用いて前記バスバーを電子回路基板に接合させた半導体装置において、
前記バスバーの一部を前記電子回路基板に対向して配置させ、前記電子回路基板に貫通孔からなる開口部を前記バスバーの前記電子回路基板に対向配置された部分と少なくとも一部が重なるように設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記端子は前記バスバーの一部を前記電子回路基板に対向配置させるように支持する絶縁性の支持部を有し、前記開口部は前記支持部が前記電子回路基板上に載置される位置から前記半田が配置される位置に至るまでの間に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前前記開口部の開口幅は、前記バスバーの対向配置された部分の幅以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記バスバーの前記電子回路基板に対向配置された部分に、前記バスバーが接合される前記電子回路基板の基板面と交差する方向に前記バスバーを貫通する開口部、又は前記バスバーの断面積を減少させる切り欠きを設けたことを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
導電性のバスバーを有する端子と、前記端子を通して電力の供給や信号の入出力が行われる半導体素子とを備え、半田を用いて前記バスバーを電子回路基板に接合させた半導体装置において、
前記端子は前記バスバーの一部を前記電子回路基板に対向配置させるように支持する絶縁性の支持部を有し、前記バスバーの前記電子回路基板に対向配置された部分に、前記バスバーが接合される前記電子回路基板の基板面と交差する方向に前記バスバーを貫通する開口部、又は前記バスバーの断面積を減少させる切り欠きを設けたことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記バスバーは、前記電子回路基板に対向配置された部分として、前記電子回路基板から離間して配置される対向部を有し、前記対向部から前記電子回路基板に半田付けされる接合部に至るまでの間に前記電子回路基板に対して傾斜する傾斜部を設けたことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子とバスバーとが実装された半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
モータの制御に用いるインバータ装置では、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタなどの半導体素子を電子回路基板に実装し、金属板等からなるバスバーを用いて半導体素子に外部電源から給電したり、信号の入出力を行ったりしていた。
ここで、半導体素子とバスバーの接続構造の従来例としては、例えば、特許文献１に開示されているように、導電性を有するベースプレートを用いる構造が知られている。ベースプレートには、半導体素子が実装された電子回路基板が搭載されると共に、バスバーが半田で固定される。半導体素子のリードには金属線の一端が接合され、金属線の他端はベースプレートに接続される。ベースプレートはバスバーに半田付けされているので、ベースプレート及び金属線を介して半導体素子とバスバーとが電気的に接続される。バスバーの固定位置には、ベースプレートに切込部を設けることで肉薄部が形成されており、バスバーを抵抗加熱したり、コテで加熱したりする際の熱マスを減少させることで半田を溶融させ易くしていた。なお、切込部は、バスバーの接合時に発生する熱がベースプレート全体に伝わることを抑制する役割も担っていた。
【特許文献１】特開２００２−２８０４８９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、従来のように抵抗加熱やコテによる加熱で端子を半田付けしようとすると、端子数が多いときに作業時間を短縮することができず、生産性が悪かった。さらに、コテ等を当てる部分をバスバーに設ける必要があるので、バスバーの形状が大きくなって、半導体装置を小型化することができなかった。これに対して、リフローによる半田付けを行おうとすると、バスバーやベースプレートの熱マスが大きいことから半田付け性が悪かった。
この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、バスバーの取り付け工程に要する時間を短縮化しつつ、半田付け性を向上させることを主な目的とする。
ことを主な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記の課題を解決する本発明の請求項１に係る発明は、導電性のバスバーを有する端子と、前記端子を通して電力の供給や信号の入出力が行われる半導体素子とを備え、半田を用いて前記バスバーを前記電子回路基板に接合させた半導体装置において、前記バスバーの一部を前記電子回路基板に対向して配置させ、前記電子回路基板に貫通孔からなる開口部を前記バスバーの前記電子回路基板に対向配置された部分と少なくとも一部が重なるように設けたことを特徴とする半導体装置とした。
【０００５】
請求項２に係る発明は、請求項１に記載の半導体装置において、前記端子は前記バスバーの一部を前記電子回路基板に対向配置させるように支持する絶縁性の支持部を有し、前記開口部は前記支持部が前記電子回路基板上に載置される位置から前記半田が配置される位置に至るまでの間に設けられていることを特徴とする。
【０００６】
請求項３に係る発明は、請求項１又は請求項２に記載の半導体装置において、前前記開口部の開口幅は、前記バスバーの対向配置された部分の幅以下であることを特徴とする。
【０００７】
請求項４に係る発明は、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記バスバーの前記電子回路基板に対向配置された部分に、前記バスバーが接合される前記電子回路基板の基板面と交差する方向に前記バスバーを貫通する開口部、又は前記バスバーの断面積を減少させる切り欠きを設けたことを特徴とする。
【０００８】
請求項５に係る発明は、導電性のバスバーを有する端子と、前記端子を通して電力の供給や信号の入出力が行われる半導体素子とを備え、半田を用いて前記バスバーを前記電子回路基板に接合させた半導体装置において、前記端子は前記バスバーの一部を前記電子回路基板に対向配置させるように支持する絶縁性の支持部を有し、前記バスバーの前記電子回路基板に対向配置された部分に、前記バスバーが接合される前記電子回路基板の基板面と交差する方向に前記バスバーを貫通する開口部、又は前記バスバーの断面積を減少させる切り欠きを設けたことを特徴とする。
【０００９】
請求項６に係る発明は、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体装置において、前記バスバーは、前記電子回路基板に対向配置された部分として、前記電子回路基板から離間して配置される対向部を有し、前記対向部から前記電子回路基板に半田付けされる接合部に至るまでの間に前記電子回路基板に対して傾斜する傾斜部を設けたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の請求項１に係る発明によれば、バスバーを電子回路基板にリフロー接合するときに、開口部を通って電子回路基板を通過した熱風がバスバーに吹き付けられてバスバーを温める。これによって、半田の溶融が促進されて半田付け性が向上する。
請求項２又は請求項３に係る発明によれば、電子回路基板を通過した熱風でバスバーを効率良く温めることができる。
請求項４又は請求項５に係る発明によれば、開口部又は切り欠きによってバスバーの熱マスが減少させられるので、温度を上昇させ易くなる。また、開口部又は切り欠きを通過した熱風で電子回路基板が温められる。これらのことから、半田の溶融が促進されて半田付け性が向上する。
請求項６に係る発明によれば、傾斜部を設けることによってバスバーが熱風に曝され易くなる。バスバーが効率良く温められて半田付け性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。
図１及び図２に本実施の形態に係る半導体装置の一例としてインバータ装置の構成を示す。インバータ装置１は、樹脂製のケース１０上に制御基板１２が固定され、ケース１０内に本実施の形態が特徴とするバスバーの接合構造を有する電子回路基板１４が収容されている。なお、ケース１０は、図示を省略するが、ボルト等の締結部材で、金属製等の放熱部材に固定される。
電子回路基板１４は、図示を省略するが、ケース１０の内側に配置される面に金等の導電性材料からなる回路パターンが形成されており、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタである半導体素子１６が実装されている。半導体素子１６は、図示は省略するが、電子回路基板上に形成された導電性のパッドに半田により接着されている。なお、半導体素子１６は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタに限定されない。
【００１２】
また、電子回路基板１４上には、半導体素子１６に加えて、入力端子１８、出力端子２０及び中継端子２２が実装されている。具体的には、入力端子１８は、半導体素子１６の動作を安定化する平滑コンデンサを介して直流の入力電源に接続されるＰ端子及びＮ端子の２端子を有し、出力端子２０は、半導体素子１６から出力されて車両用モータや電動コンプレッサ等の負荷に印加される３相交流用のＵ相端子２０Ｕ、Ｖ相端子２０Ｖ及びＷ相端子２０Ｗの３端子を有する。また、中継端子２２は、半導体素子１６の動作を制御するために制御基板１２側に設けられたコントローラに接続される複数本のピンを有する。このような入力端子１８、出力端子２０及び中継端子２２は、いずれも図示は省略するが、導電性のパッドに対して接続面を位置整合された状態で、半田により半田接合部を形成されながら各々接着される。なお、説明の便宜上、平滑コンデンサ、入力電源、車両用モータや電動コンプレッサ等の負荷及びコントローラは、図示を省略している。
【００１３】
さらに、入力端子１８は、絶縁性を有する樹脂部１８ｍ（支持部）からＰ端子のバスバー１８ｂｐ及びＮ端子のバスバー１８ｂｎをインサート成形によって突設させた構造を有する。また、出力端子２０のＵ相端子２０Ｕは、樹脂部２０ｍｕ（支持部）からバスバー２０ｂｕが突設され、Ｖ相端子２０Ｖは、樹脂部２０ｍｖ（支持部）からバスバー２０ｂｖが突設され、Ｗ相端子２０Ｗは、樹脂部２０ｍｗ（支持部）からバスバー２０ｂｗが突設された構造を各々有する。また、中継端子２２においては、樹脂部２２ｍ（支持部）から複数本の接続ピン２２ｂが突設された構造を有する。
【００１４】
つまり、かかる構成においては、入力端子１８の樹脂部１８ｍ、Ｕ相端子２０Ｕの樹脂部２０ｍｕ、Ｖ相端子２０の樹脂部２０ｍｖ、Ｗ相端子２０Ｗの樹脂部２０ｍｗ及び中継端子２２の樹脂部２２ｍは、電子回路基板１４上で互いが分割されており、入力端子１８、出力端子２０のＵ相端子２０Ｕ、Ｖ相端子２０Ｖ及びＷ相端子２０Ｗ、並びに中継端子２２は、電子回路基板１４上で互いに空間的に独立した分割モジュールをなしている。
【００１５】
ここで、この実施の形態に係るバスバーと電子回路基板との接合構造について出力端子２０のＵ相端子２０Ｕを例にして図３及び図４を参照して説明する。
Ｕ相端子２０Ｕのバスバー２０ｂｕは、樹脂部２０ｍｕに支持されており、樹脂部２０ｍｕから電子回路基板１４外に延出される一方の端部は、図示を省略する外部機器などに接続される。樹脂部２０ｍｕから電子回路基板１４の上方に延びる部分は、電子回路基板１４から離間し、かつ電子回路基板１４の基板面１４に略平行して延びる対向部３１になっている。さらに、屈曲部３２によって電子回路基板１４に向かって略垂直に折り曲げられた後、電子回路基板１４に略平行な接続部３３が形成されている。接続部３３は、半田３４によって電子回路基板１４上の導電性のパッド３５に接合されている。
【００１６】
電子回路基板１４は、パッド３５と樹脂部２０ｍｕの載置位置との間であって、バスバー２０ｂｕの対向部３１の直下に相当する位置に貫通孔からなる開口部３６が形成されている。開口部３６は、パッド３５の近傍、即ち半田３４による接合位置に対応し、より具体的には基板面１４Ａに直交する方向からみた平面視でバスバー２０ｂｕの対向部３１の真下に設けられている。開口部３６の開口径（開口幅）は対向部３１の長さ方向に直交する幅方向の長さ以下になっている。
【００１７】
なお、開口部３６は、平面視で対向部３１と少なくとも一部が重なる位置及び大きさに形成されていれば良く、対向部３１の真下からずらした位置や、対向部３１の幅より大きい開口径であっても良い。このような開口部３６は半田３４の近傍にあるので、バスバー２０ｂｕの接触部３３の半田付けを電子回路基板１４の裏面側から確認するときに使用することもできる。また、図示及び説明を省略するが他の端子２０Ｖ，２０Ｗについても同様のバスバーの接続構造を有する。さらに、他の端子１８、２２も同様のバスバーの接続構造を設けても良い。
【００１８】
次に、Ｕ相端子２０Ｕの実装方法について図５及び図６を主に参照して説明する。
Ｕ相端子２０Ｕを電子回路基板１４に実装する際には、予め公知の印刷技術を用いてペースト状の半田３４を電子回路基板１４のパッド３５上に印刷しておく。その後、図示を省略する吸着パッドを備えるマウンタで樹脂部２０ｍｕを吸着保持し、Ｕ相端子２０Ｕを電子回路基板１４上の予め定められた位置に載置させる。他の必要な部品も同様にして所定位置に載置させたら電子回路基板１４をリフロー炉に搬入して半田付けを行う。
【００１９】
図５に概略構成を示すように、リフロー炉４１は、電子回路基板１４を搬送するコンベア４２を有し、コンベア４２の搬送方向に複数の加熱ヒータ４３がコンベア４２を上下に挟むように配置されている。各加熱ヒータ４３には送風ファン４４が取り付けられており、加熱ヒータ４３で暖められた空気を電子回路基板１４に向かって送風するようになっている。リフロー炉４１は、搬送方向の上流側が予備加熱ゾーンＨＺ１になっており、これに次いで本加熱ゾーンＨＺ２が形成されている。さらに搬送方向の下流には、加熱ヒータ４３を設けずに冷却ゾーンＣＺ１を形成している。図６に示すように、予備加熱ゾーンＨＺ１では、炉内温度が第１の温度Ｔ１付近に保持される。予備加熱によって電子回路基板１４及び入力端子１８などの素子やその他の部品が温められ、半田３４で接合し易くなる。さらに、本加熱ゾーンＨＺ２では、第１の温度Ｔ１より高温の第２の温度Ｔ２まで昇温させられ、このときに半田３４が溶融して入力素子１８のバスバー２０ｂｕの接続部３３と電子回路基板１４のパッド３５とが接合され、接合部が形成される。
【００２０】
ここで、下側の加熱ヒータ４３から電子回路基板１４に吹き付けられる熱風は、電子回路基板１４の下面の略全面に上向きに吹き付けられ、電子回路基板１４全体を温めると共に、図３に矢印で示すようにその一部が開口部３６を通過する。開口部３６を通して電子回路基板１４を通過した熱風は、開口部３６に対向配置されている対向部３１に吹き付けられ、対向部３１を中心にしてバスバー２０ｂｕを温める。即ち、開口部３６が無い場合には下側からの熱風が直接に吹き付けられ難いバスバー２０ｂｕの対向部３１に開口部３６を通して直接に熱風が吹き付けられる。しかも、開口部３６の径が対向部３１の幅以下なので、開口部３６を通った熱風の殆どが対向部３１に吹き付けられて、対向部３１が効率良く加熱される。
【００２１】
この結果、バスバー２０ｂｕが上側からの熱風と、開口部３６を通過した下側からの熱風の両方に温められて温度が速やかに上昇する。しかも、この位置は半田３４に接触する接続部３３の近傍であるので、半田３４の温度を効率良く上昇させることができる。そして、本加熱ゾーンＨＺ１で熱風の温度が上昇すると、これに伴って対向部３１の温度も速やかに上昇する。対向部３１に一体に設けられている接続部３３の温度も上昇し、この熱が電子回路基板１４のパッド３５との間に配置されたペースト状の半田３４に伝達され、半田３４の溶解を促進させる。この後、電子回路基板１４が冷却ゾーンＣＺ１に移動すると、溶融状態の半田３４が固まってバスバー２０ｂｕの接続部３３とパッド３５とが接合される。
【００２２】
次に、以上の構成において、インバータ装置１の動作について詳細に説明する。
具体的には、図示を省略する入力電源から平滑コンデンサを介して、入力端子１８におけるＰ端子のバスバー１８ｂｐ及びＮ端子のバスバー１８ｂｎに直流電流が供給される一方で、コントローラからの制御信号が接続ピン２２ｂを介して中継端子２２に入力されると、半導体素子１６は、コントローラの制御の下でスイッチング動作をしながら、出力端子２０におけるＵ相端子２０Ｕのバスバー２０ｂｕ、Ｖ相端子２０Ｖのバスバー２０ｂｖ及びＷ相端子２０Ｗのバスバー２０ｂｗから、対応してＵ相、Ｖ相及びＷ相の３相交流を出力し、負荷を駆動させる。
【００２３】
以上、説明したように本実施の形態に係るバスバーの接合構造によれば、電子回路基板１４側に設けた開口部３６を通してバスバー２０ｂｕの対向部３１が温められるので、バスバー２０ｂｕからの熱伝達によって半田３４の溶解が促進されるようになり、半田付け性が向上する。これによって、製造時のタクトタイムを減少できると共に、半田付けの不良を防止できる。また、このようなバスバーの接合構造を採用することで、信頼性の高く安価なインバータ装置１を実現できる。
【００２４】
ここで、この実施の形態の変形例について図７から図１３を参照して説明する。
図７に示すバスバーの接合構造は、バスバー２０ｂｕの対向部３１に開口部５１を有することを特徴とする。開口部５１は、バスバー２０ｂｕを接合する半田３４が設けられた位置から樹脂部２０ｍｕに至るまでの間に設けられ、半田３４による接合部に対応し、その近傍に設けられている。開口部５１は基板面１４Ａに交差する方向、より好ましくは基板面１４Ａに略直交する方向に対向部３１を貫通する。開口部５１の形状は、対向部３１の長さ方向に延びる長円形であるが、真円やその他の形状でも良い。
【００２５】
このようなバスバー２０ｂｕを含む入力端子１８の接合時には、上側からの熱風でバスバー２０ｂｕが温められる。このとき、対向部３１に開口部５１を有することで熱風が通り易いと共に、バスバー２０ｂｕの熱マスが減少することから、バスバー２０ｂｕが所定温度まで速やかに温められる。さらに、上側からの熱風の一部が開口部５１を通過して電子回路基板１４に直接に吹き付けられる。開口部５１が無い場合には熱風が直接に吹き付けられ難い部分が熱風によって直接に温められ、しかもその位置が半田３４の近傍であることから、半田３４が確実に溶融させられる。その結果、バスバー２０ｂｕが電子回路基板１４に接合される。
【００２６】
図８及び図９に示すバスバーの接合構造は、バスバー２０ｂｕの対向部３１と接続部３３の間に傾斜部６１を有することを特徴とする。傾斜部６１は、対向部３１に一体に連なり、そこから基板面１４Ａに対して斜めに、かつ直線的に下って接続部３３に連なっている。
このようなバスバー２０ｂｕを含む入力端子１８の接合時には、上側からの熱風がバスバー２０ｂｕを温める。バスバー２０ｂｕは傾斜部６１を有することで平面視の投影面積が大きくなっているので、熱風が当たり易く所定温度まで速やかに温められる。傾斜部６１は、半田３４の配置に対応し、半田３４の近傍に設けられているので、傾斜部６１から伝達された熱で半田３４が速やかに温められる。この結果、半田３４が確実に溶融してバスバー２０ｂｕが電子回路基板１４に接合される。
なお、傾斜部６１は、平面視におけるバスバー２０ｂｕの投影面積を増大させるものであれば良く、直線形状に限定されずに曲面形状や、階段形状等であっても良い。
【００２７】
図１０に示すバスバーの接合構造は、電子回路基板１４に開口部３６を有し、バスバー２０ｂｕの対向部３１と接続部３３の間に傾斜部６１を有することを特徴とする。
バスバー２０ｂｕは、接合時に上側からの熱風で温められ、特に傾斜部６１の存在によって半田３４に近い領域が所定温度まで速やかに昇温させられる。さらに、対向部３１は、開口部３６を通過した下側からの熱風によっても温められる。この結果、半田３４が確実に溶融してバスバー２０ｂｕが電子回路基板１４に接合される。
【００２８】
図１１に示すバスバーの接合構造は、バスバー２０ｂｕの対向部３１に開口部５１を形成すると共に、傾斜部６１を有することを特徴とする。
バスバー２０ｂｕは、接合時に上側からの熱風で温められる。開口部５１によって熱マスを減少させられており、さらに傾斜部６１が形成されていることから半田３４に近い領域が所定温度まで速やかに昇温させられる。さらに、開口部５１を通って上側からの熱風の一部が、半田３４の近傍の電子回路基板１４に直接に吹き付けられる。この結果、半田３４が確実に溶融してバスバー２０ｂｕが電子回路基板１４に接合される。
【００２９】
図１２に示すバスバーの接合構造は、バスバー２０ｂｕに開口部５１を設け、電子回路基板１４に開口部３６を設けたことを特徴とする。バスバー２０ｂｕ側の開口部５１は対向部３１に形成されており、電子回路基板１４の基板面１４Ａに交差する方向にバスバー２０ｂｕを貫通している。平面視での開口部５１の形状は、対向部３１の長さ方向に延びる長円形を有し、その一部のみが電子回路基板１４側の開口部３６に重なっている。つまり、上方からは電子回路基板１４の一部が開口部５１を通して露出し、下方からは対向部３１の一部が開口部３６を通して露出している。
【００３０】
接合時にバスバー２０ｂｕは、上側からの熱風によって略全体が温められると共に、電子回路基板１４側の開口部３６を通過した下側からの熱風によって対向部３１が温められる。その一方、電子回路基板１４は、上下からの熱風によって略全体が温められ、特に対向部３１と重なる部分が開口部５１を通過した上側からの熱風によって温められる。この結果、半田３４が確実に溶融してバスバー２０ｂｕが電子回路基板１４に接合される。
なお、バスバー２０ｂｕ側の開口部５１を平面視で真円にし、電子回路基板１４側の開口部３６を開口部５１に一部が重なる長穴にしても良い。また、２つの開口部３６，５１の両方を長穴又は真円にしても良い。一部を重ねる代わりに、全く重ならない位置に形成しても良い。
さらに、図１２に示すバスバーの接合構造において、バスバー２０ｂｕに傾斜部６１を設けても良い。
【００３１】
図１３に示すバスバーの接合構造は、対向部３１に切り欠き７１を有することを特徴とする。切り欠き７１は、半田３４の配置に対応して半田３４の近傍に形成されて、対向部３１の長さ方向に交差する側部のそれぞれに１つずつ円弧状に形成されている。このような一対の切り欠き７１によって基板面１４Ａに平行な方向のバスバー２０ｂｕの断面積が減少させられている。
【００３２】
バスバー２０ｂｕは、接合時に上側からの熱風で温められる。バスバー２０ｂｕが切り欠き７１を有することで熱風が通り易いと共に、バスバー２０ｂｕの熱マスが減少することから、バスバー２０ｂｕが所定温度まで速やかに温められる。さらに、上側からの熱風の一部が切り欠き７１を通過して電子回路基板１４に直接に吹き付けられる。切り欠き７１が無い場合には熱風が直接には吹き付けられ難い部分が熱風によって直接に温められ、しかもこの部分が半田３４の近傍であるため、半田３４が所定温度まで速やかに温められる。この結果、半田３４が確実に溶融してバスバー２０ｂｕが電子回路基板１４に接合される。
【００３３】
なお、図１１において開口部５１の代わりに切り欠き７１を設けても良い。これによって、切り欠き７１と傾斜部６１を有するバスバーの接合構造が得られる。図１２においてバスバー２０ｂｕに開口部５１の代わりに切り欠き７１を設けても良い。バスバー２０ｂｕは、開口部５１や切り欠き７１を設けた場合でも電力の供給や信号の入出力を行うのに十分な断面積を有するものとする。
電子回路基板１４の開口部３６の径は、対向部３１の幅より大きくても良い。
また、本発明の半導体装置は、半導体素子１６とバスバー（例えば、バスバー２０ｂｕ）を電子回路基板１４に実装した構成を有していれば良く、インバータ装置１に限定されない。
さらに、本発明は前記の実施の形態に限定されずに発明の要旨を逸脱しない範囲で広く応用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の実施形態における分割モジュール端子を有するインバータ装置の斜視図である。
【図２】本実施形態におけるインバータ装置の分解斜視面図である。
【図３】バスバーの接合構造を示す側面図である。
【図４】バスバーの接合構造を示す斜視図である。
【図５】バスバーの接合に使用されるリフロー炉を模式的に示す図である。
【図６】半田付け工程における温度上昇カーブの一例を示す図である。
【図７】バスバーの接合構造の変形例を示し、バスバー側に開口部を設けた構成を示す斜視図である。
【図８】バスバーの接合構造の変形例を示し、バスバーに傾斜部を設けた構成を示す斜視図である。
【図９】図８のバスバーの接合構造を説明するための側面図である。
【図１０】バスバーの接合構造の変形例を示し、バスバーに傾斜部を設け、電子回路基板に開口部を設けた構成を示す斜視図である。
【図１１】バスバーの接合構造の変形例を示し、バスバーに開口部と傾斜部を設けた構成を示す斜視図である。
【図１２】バスバーの接合構造の変形例を示し、バスバーと電子回路基板の両方に開口部を設けた構成を示す斜視図である。
【図１３】バスバーの接合構造の変形例を示し、バスバーに切り欠きを設けた構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００３５】
１      インバータ装置（半導体装置）
１４      電子回路基板
２０Ｕ      Ｕ相端子
２０ｂｕ      バスバー
２０ｍｕ      樹脂部
３１      対向部
３３      接続部
３４      半田
３６，５１      開口部
６１      傾斜部
７１      切り欠き
【図１】
2010034205.tif 000003
【図２】
2010034205.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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