(57)【要約】      （修正有）【課題】非破壊検査方法、システムおよびコンピュータプログラム製品を提供する。【解決手段】磁化可能な層によって囲まれた磁化可能な導電性物体１を非破壊検査する方法に関し、磁化可能な層５の外側に印加される一次磁界Ｔの磁界強度を急激に変化させるステップを含む。さらに、一次磁界の変化された磁界強度によって生じた渦電流によって発生された消滅する二次磁界Ｒを受信するステップを含む。その上、磁化可能な導電性物体の特性を導出するために、受信された二次磁界の一時的な磁界強度を分析するステップを含む。さらに、一次磁界の磁界強度が急激に変化するときに、磁化可能な層の外側に瞬間的な三次磁界を印加するステップであって、一次磁界および三次磁界の方向がそれぞれ互いに反対側にあるステップを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁化可能な層によって機械的に保護された磁化可能な導電性物体を非破壊検査する方法であって、
−前記磁化可能な層の外側に印加される一次磁界の磁界強度を急激に変化させ、これによって、前記物体に渦電流を発生させるステップと、
−前記一次磁界の前記変化された磁界強度によって生じる渦電流によって発生された消滅する二次磁界を受信するステップと、
−前記磁化可能な導電性物体の特性を導出するために、前記受信された二次磁界の一時的な磁界強度を分析するステップと、
を含む方法であって、
前記方法が、さらに、
−前記一次磁界の前記磁界強度が急激に変化するときに、前記磁化可能な層の外側に瞬間的な三次磁界を印加するステップであって、前記一次磁界および三次磁界の方向がそれぞれ互いに反対側にあるステップを含む方法。
【請求項２】
前記瞬間的な三次磁界の期間が、磁化可能な導電性物体の特性に関連する一時的な磁界強度の挙動に対応する瞬間よりも短い請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記三次磁界が、前記磁化可能な層における一時的な緩和プロセスを実質的に相殺する程度に十分に強い請求項１および／または２に記載の方法。
【請求項４】
前記三次磁界が、前記磁化可能な導電性物体における一時的な渦電流との実質的な相互作用を回避する程度に十分に弱い請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記一次磁界の強度を急激に変化させる前記ステップが、前記一次磁界を遮断するステップを含む請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
磁化可能な層によって機械的に保護された磁化可能な導電性物体を非破壊検査するためのシステムであって、
−前記磁化可能な層の外側に印加される一次磁界を発生させ、これによって、前記物体に渦電流を発生させるための磁界源ユニットと、
−渦電流によって発生された消滅する二次磁界を受信するための磁界受信機と、
−プロセッサであって、
−前記一次磁界の前記磁界強度を急激に変化させるための前記磁界源ユニットに第１の信号を送信するように、
−前記一次磁界の前記変化された磁界強度によって生じる渦電流によって発生された前記受信された消滅する二次磁界を表す第２の信号を前記磁界受信機から入力するように、
−前記磁化可能な導電性物体の特性を導出するために、前記受信された二次磁界の一時的な磁界強度を分析するように配置されたプロセッサと、
を備えるシステムであって、
前記プロセッサが、さらに、
−前記一次磁界の前記磁界強度が急激に変化するときに、前記磁化可能な層の外側に瞬間的な三次磁界を印加するための前記磁界源ユニットに第３の信号を送信するように配置され、前記一次磁界および三次磁界の方向がそれぞれ互いに反対側にあるシステム。
【請求項７】
前記磁界源ユニットが、前記一次磁界および前記三次磁界の両方を送信するための単一の送信素子を備える請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記磁界源ユニットが、前記一次磁界および前記三次磁界をそれぞれ送信するための２つの別々の送信素子を備える請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
磁化可能な層によって機械的に保護された磁化可能な導電性物体を非破壊検査するためのコンピュータプログラム製品であって、
前記コンピュータプログラム製品は、
プロセッサが、
−前記磁化可能な層の外側に印加される一次磁界の磁界強度を急激に変化させるための第１の信号を供給するステップと、
−前記一次磁界の前記変化された磁界強度によって生じる渦電流によって発生された受信された消滅する二次磁界を表す第２の信号を入力するステップと、
−前記磁化可能な導電性物体の特性を導出するために、前記受信された二次磁界の一時的な磁界強度を分析するステップと、
を実行するための命令を有し、
前記コンピュータプログラム製品は、さらに、
プロセッサが、
−前記一次磁界の前記磁界強度が急激に変化するときに、前記磁化可能な層の外側に瞬間的な三次磁界を印加するための第３の信号を供給するステップであって、前記一次磁界および三次磁界の方向がそれぞれ互いに反対側にあるステップを実行するための命令を有するコンピュータプログラム製品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁化可能な層によって機械的に保護された磁化可能な導電性物体を非破壊検査する方法であって、磁化可能な層の外側に印加される一次磁界の磁界強度を急激に変化させるステップと、一次磁界の変化された磁界強度によって生じた渦電流によって発生された消滅する二次磁界を受信するステップと、磁化可能な物体の特性を導出するために、受信された二次磁界の一時的な磁界強度を分析するステップとを含む方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば侵食または亀裂について、パイプラインまたは金属板等の磁化可能な導電性物体を非破壊検査するために、磁界が広く使用される。さらに、急激に遮断され、これによって、物体に渦電流を発生させる一次磁界によって、磁化可能な物体が検査される。次に、渦電流は、局所的な壁厚等の検査された物体の特性を求めるために測定し得る二次磁界を発生させる。
【０００３】
しかし、磁化可能な物体が、同様に磁化可能である層によって機械的に保護される場合、二次磁界から物体の特性を検索することが困難になるが、その理由は、保護層における渦電流または他の瞬間的な磁気の影響により、二次磁界に干渉する追加の磁界が生じるからである。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、磁化可能な層によって機械的に保護される磁化可能な導電性物体の検査時に、改善された検査結果を得ることが可能である上位概念による方法を提供することである。さらに、本発明による方法は、一次磁界の磁界強度が急激に変化するときに、磁化可能な層の外側に瞬間的な三次磁界を印加するステップであって、一次磁界および三次磁界の方向がそれぞれ互いに反対側にあるステップも含む。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、部分的に、磁化可能な層の渦電流が、物体の渦電流によって発生される二次磁界に重畳するだけでなく、物体自体の渦電流の挙動にも干渉する磁界を発生させるという洞察に基づいている。物体の渦電流との干渉は、二次磁界を不明確にし、適用性を低下させる。より重要なことに、保護層の緩和メカニズムが二次磁界に干渉し、このようにして、物体の特性の情報を含むノイジー信号が供給される。
【０００６】
一次磁界が急激に変化するときに、反対方向の三次磁界を印加することによって、磁化可能な層の渦電流の影響が劇的に低減する。さらなる緩和が防止され、測定すべき物体のおよび二次磁界の渦電流の影響が低減されるように、磁化可能な層の磁気領域が再整列されて相殺される。したがって、本発明による方法により、磁化可能な層で保護される磁化可能な導電性物体の非破壊検査が可能になり、この場合、磁化可能な層の影響が実質的に排除される。
【０００７】
本発明による好ましい実施形態では、瞬間的な三次磁界の期間は、磁化可能な物体の特性に関連する一時的な磁界強度の挙動に対応する瞬間よりも短い。結果として、物体に三次磁界を実質的に干渉させることなく、物体の特性を測定することができる。
【０００８】
有利には、三次磁界は、磁化可能な層の緩和プロセスを実質的に相殺する程度に十分に強く、その結果、二次磁界を発生させる渦電流の影響が最小になる。もちろん、三次磁界が物体の渦電流と相互作用しない機会を向上させつつ、例えば、磁化可能な層の緩和プロセスの影響を低減するために、三次磁界をより小さく選択することが可能である。
【０００９】
さらに、三次磁界は、磁化可能な導電性物体の一時的な渦電流との実質的な相互作用を回避する程度に十分に弱く選択することが可能であり、このようにして、二次磁界との望ましくない相互作用が緩和される。磁化可能な層の外側に印加される一次磁界は、例えば、急激に遮断されるパルスである安定した磁界の形態、またはあるパルス（発生および遮断される磁界）の形態であり得る。
【００１０】
さらに、本発明はシステムに関する。
【００１１】
その上、本発明はコンピュータプログラム製品に関する。コンピュータプログラム製品は、ＣＤまたはＤＶＤ等のデータキャリアに記憶されたコンピュータ実行可能な命令のセットを有し得る。プログラム可能なコンピュータが上記方法を実行することを可能にするコンピュータ実行可能な命令のセットは、例えばインターネットを介して遠隔サーバからダウンロードするために利用可能であり得る。
【００１２】
本発明による他の有利な実施形態は以下の特許請求の範囲に記載されている。
【００１３】
ここで、添付図を参照して、実施例のみで本発明の実施形態について説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明によるシステムの概略図である。
【図２】受信された二次磁界の第１のグラフである。
【図３】送信された磁界のグラフである。
【図４】受信された二次磁界の第２のグラフである。
【図５】受信された二次磁界の第３のグラフである。
【図６】受信された二次磁界の第４のグラフである。
【図７】本発明による方法の一実施形態のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図は、本発明による好ましい実施形態の単なる概略図である。図において、同じ参照番号は同様のまたは対応する部分を指す。
【００１６】
図１は、本発明によるシステム１０の図を示している。システム１０は、磁界受信機１１と、磁界源ユニット１２と、データライン１３ａ、１３ｂを介して受信機１１および源１２にそれぞれ接続されるプロセッサ１４とを備える。図１は、さらに、検査すべき磁化可能な導電性物体１の断面図を示している。物体１は、チャンネル３を囲む管２を含む。物体１が、そこから離間した磁化可能な円筒状の包囲層５によって機械的に保護またはカバーされ、このようにして、保護層５と管２の外面との間の中間空間４が画定される。管２には、管の厚さを効果的に局所的に薄くする侵食領域６が設けられる。
【００１７】
本発明によるシステム１の作動中、プロセッサ１４は、一次磁界の磁界強度を急激に変化させるための磁界源ユニット１２に、第１の信号を送信する。磁界源ユニット１２は、磁化可能な層５の外側に印加するための一次磁界Ｔを発生させるために配置される。一次磁界を印加することによって、磁化可能な導電性物体１および磁化可能な層５の磁化が得られる。前記第１の信号を受信すると、磁界源ユニット１２が一次磁界Ｔの磁界強度を急激に変化させ、これによって、磁化可能な導電性物体１に渦電流が発生する。渦電流は、磁界受信機１１によって受信される消滅する二次磁界Ｒを発生させる。磁化可能な層の外側に印加される一次磁界は、例えば、急激に遮断される安定した磁界の形態、またはあるパルス（発生され、その直後に（例えば１秒後に）遮断される磁界）の形態であり得る。ここで、磁界受信機１１は、受信された消滅する二次磁界Ｒを表す第２の信号を発生させる。第２の信号は、受信された二次磁界Ｒの一時的な磁界強度を分析するためのプロセッサ１４に入力され、その結果、磁化可能な導電性物体１の特性を導出することができる。
【００１８】
例えば、磁界強度曲線で１つ以上の曲がりを決定することによって、および／または磁界強度曲線を、対応するモデルに適合させることによって、前記一時的な磁界強度からの物体の特性の導出を種々の方法で行うことができる。
【００１９】
実際の実施形態では、定常状態に達するまで、一次磁界が発生される。次に、一次磁界が遮断され、これによって、一次磁界が急激に変化し、層５および物体１に渦電流Ｉ１；Ｉ２が発生する。あるいは、一次磁界の急激な変化を行うために、一次磁界が急激に発生される。
【００２０】
磁化可能な層は導電性である必要がないことに留意されたい。層が導電性でない場合でも、本発明による方法を用いることができる。本発明の一態様によれば、渦電流は、層の厚さが薄いため、より厚い磁化可能な導電性物体の測定時に、大きな影響を受けないので、渦電流は抑制されない。さらに、本発明の一態様によれば、磁化可能な保護層で生じる緩和メカニズムの影響が低減または抑制される。
【００２１】
図示した実施形態の磁界源ユニット１２が、一次磁界、および以下に説明する三次磁界の両方への送信を行うための単一の送信素子を備えることにさらに留意されたい。単一の送信素子は例えばコイルとして実現される。電流がコイルに流れるときに、磁界が発生される。実際には、急激に変化する一次磁界、およびその反対方向の三次磁界を発生させるように、単一の送信素子が制御される。さらにその代わりに、磁界源ユニット１２は２つの別々の送信素子を含んでもよく、この場合、第１の送信素子は一次磁界を送信し、一方、第２の送信素子は三次磁界を送信する。
【００２２】
さらに、磁界受信機１１をコイルとして実現し得る。もちろん、二次磁界は、他のもので、例えばホールセンサまたはＧＭＲセンサとして具体化することもできる。
【００２３】
検査中に物体１を磁化するために、磁界源ユニット１２が作動されるとき、亜鉛メッキ板として選択的に具体化された磁化可能な層５も磁化される。磁化可能な層５の磁気領域は、できるだけ早く印加磁界に整列しようとする。検査測定を開始するために、一次磁界が遮断され、この後に、検査される物体１の渦電流の減衰が受信機１１によって測定される。同時に、磁化可能な層５の磁気領域は、その強制整列から解放され、局所的に選択されたエネルギー状態に従って再整列し始める。再整列には、ある程度時間がかかり、結果として、最後の残留磁気状態に達するまで、領域の再整列によって磁界が変化することになる。上記物理現象は磁気領域の緩和として知られている。磁界が変化し、その結果、磁化可能な層によって相互作用信号ＩＡが発生される。
【００２４】
図２は、二重対数グラフにおける時間ｔ［ｓ］の関数としてプロットされた受信された二次磁界Ｉの第１のグラフを示している。物体１は、亜鉛メッキ板５によって保護された管２である。第１の曲線２０は、管が一定の公称厚さを有する通常の状態を示しており、一方、第２の曲線２１は、管の厚さが約５０％薄くなる状態を示している。図示した曲線では、壁厚の低減をなお見ることができるが、壁厚に対応する瞬間の正規の明確な曲がりは、亜鉛メッキ板によって発生される中間信号ＩＡによって不明確になる。比較的高い瞬間における曲線のテールの分析が困難になる。もちろん、曲線はｔγ１（ここでγ１＝−１．５）に従って減衰し、緩和信号はｔγ２（ここでγ２＝−１）に従って減衰するので、より厚い材料では、壁厚による曲線の曲がりを見ることができなくなる。
【００２５】
典型的に、緩和メカニズムは、強制的ではない緩和であり、すなわち、強制外力は存在せず、緩和を強制する局所的なエネルギーの獲得または損失のみが存在する。このことは、亜鉛メッキ板の緩和信号を低減する可能性を開く。領域が外力によって再整列することを強制されるときに、再配向による信号を低減することができる。このことを実現するために、送信機コイル１２によって電流を遮断した直後、コイルによって電流を送る必要があったときに、電圧が反対極性で印加される。これにより、板５の内部に第３の対抗磁界を発生させることが可能になる。第３の磁界がかなり大きくなったときに、再び、領域は再整列することを強制される。好ましくは、パルスは、領域のほぼ半分を再整列する必要があるエネルギーと同程度のエネルギーを含むように選択される。領域は、異なる大きさであり、再整列を行うには、僅かに異なる力またはエネルギーを必要とするので、領域のほぼ半分を再整列することができる。次に、反対側の整列部を有する領域が、再整列された領域の反対側で緩和するときに、受信機システムによってほとんど認識されない別の緩和プロセスに進む。結果として、磁界の正味の和は信号に対して極めて小さな影響しか与えず、理想的な場合、保護層の磁界は正味の影響をもたらさない。
【００２６】
さらに、本発明の一態様によれば、プロセッサ１４は、一次磁界の磁界強度が急激に変化するときに、磁化可能な層５の外側に瞬間的な三次磁界を印加するための第３の信号を供給し、この場合、一次磁界および三次磁界の方向はそれぞれ互いに反対方向である。瞬間的な三次磁界を実際に発生させるために、前記第３の信号が磁界源ユニット１２に送信される。
【００２７】
図３は、時間ｔの関数としての送信された磁界Ｍのグラフを示している。検査測定を開始するために、一次磁界３０が瞬間ｔ０に遮断される。一次磁界３０は、有限の低下期間Δｔを有する。図３は、さらに、一次磁界の方向に対して反対方向を向いた三次磁界３１を示している。一例として、一次磁界３０が正の符号を有する場合、三次磁界３１は負の符号を有し、三次磁界３１が正の符号を有する場合、一次磁界３０は負の符号を有する。三次磁界は反転信号とも呼ばれる。さらに、図３は、物体１の渦電流によって発生される消滅する二次磁界３２を示している。これに関連して、図が、特定の磁気分極を表すスカラ磁界成分を示していることに留意されたい。さらに、二次磁界曲線が、一次磁界スケールおよび三次磁界スケールとは異なるスケールでプロットされることに留意されたい。
【００２８】
瞬間的な三次磁界の期間は、磁化可能な導電性物体の特性に関連する一時的な磁界強度の挙動に対応する瞬間よりも短い。より具体的には、磁化可能な物体１のテール情報を検索することができる二次磁界のテールが開始する前に、瞬間的な三次磁界が消散する。
【００２９】
さらに、三次磁界は、磁化可能な層５で、一時的な緩和効果を実質的に相殺する程度に十分に強い。その上、三次磁界は、磁化可能な導電性物体１で、一時的な渦電流との実質的な相互作用を回避する程度に十分に弱い。
【００３０】
瞬間的な三次磁界がパルス形成され得る。反転パルスは送信機コイルの電圧励起であり得るので、コイルを通る電流の増加と板の磁界とが送信機コイルの自己誘導に依存する。このことは、反転パルスの期間を変化させることによる印加磁界の制御を可能にする。もちろん、反転パルスが二次磁界と同じ長さで印加される場合、完全な信号は反転されており、反転パルスは、改善された測定効果を有しない。したがって、反転パルスは、領域の少なくとも一部を再整列する程度に十分に長くなければならず、そして二次磁界を大きく変化させない程度に十分に短くなければならない。
【００３１】
図４は、二重対数グラフにおける時間ｔ［ｓ］の関数としてプロットされた受信された二次磁界Ｉの第２のグラフを示している。さらに、グラフは、管が一定の公称厚さを有する通常の状態を表す第１の曲線４０を示しており、一方、第２の曲線４１は、管の厚さが約５０％薄くなる状態を示している。この場合、瞬間的な三次磁界を印加する間に、曲線４０、４１が得られた。特に、以前に測定された例の１．３８ｍｓの反転パルスの影響が示されている。亜鉛メッキ板のテールはほぼ完全に補償される。物体の壁厚による曲がりは、はっきりと見ることができ、アルミニウム板の下方の挙動と同様である。
【００３２】
図５および図６は、二重対数グラフにおける時間ｔ［ｓ］の関数としてプロットされた受信された二次磁界Ｉの第３および第４のグラフをそれぞれ示している。この場合、物体はプレートである。図５には、プレートが１２ｍｍの壁厚を有する二次磁界における反転パルスの影響が示されている。リフトオフ、すなわち、物体１と層５との間の７５ｍｍの距離が適用される。第１の曲線４２は、印加された反転パルスなしの状態を示しており、一方、第２の曲線４３は、反転パルスが本発明の一態様に従って印加される状態を示している。図示したように、反転パルスを印加すると、測定された二次磁界の振幅が約５５％に低減される。亜鉛メッキ板によるテールは少なくとも２０倍低減される。６ｍｍの壁厚の測定で同様の状態が生じる。図６は、二次磁界の振幅が約５０％に低減される同様の曲線４４、４５を示している。亜鉛メッキ板によるテールは少なくとも６０倍低減される。
【００３３】
適切な時間長の反転電圧パルスによって、亜鉛メッキ板の領域の緩和から生じる信号の長時間のテールを補償することができる。反転パルスはこのテールの振幅を２０〜６０倍低減し得る。さらに、パルスは物体の信号をほぼ２倍低減し得る。その上、反転パルスは、それが印加されない状態において、プローブの誘導信号、すなわち、プローブに近接する層５の物体１なしの信号を、その値と比較してほぼ２倍低減する。本発明による方法により、磁化可能な層で保護される磁化可能な導電性物体の非破壊検査が可能になり、この場合、磁化可能な層の影響が実質的に排除される。
【００３４】
図７は、本発明による方法の実施形態のフローチャートを示している。本方法は、磁化可能な層によって機械的に保護された磁化可能な導電性物体を非破壊検査するために用いられる。本方法は、磁化可能な層の外側に印加される一次磁界の磁界強度を急激に変化させるステップ（１００）と、一次磁界の磁界強度が急激に変化するときに、磁化可能な層の外側に瞬間的な三次磁界を印加するステップ（１１０）であって、一次磁界および三次磁界の方向がそれぞれ互いに反対側にあるステップと、一次磁界の変化された磁界強度によって生じる渦電流によって発生された消滅する二次磁界を受信するステップ（１２０）と、磁化可能な物体の特性を導出するために、受信された二次磁界の一時的な磁界強度を分析するステップ（１３０）とを含む。
【００３５】
ＦＰＧＡおよび／またはＡＳＩＣ構成要素等の専用のハードウェア構造を使用して、磁化可能な層により機械的に保護された磁化可能な物体を非破壊検査する方法を実行することができる。さもなければ、コンピュータシステムのプロセッサが、本発明による方法の上記ステップを実行するための命令を有するコンピュータプログラム製品を使用して、本方法を少なくとも部分的に実行することもできる。原則として、単一のプロセッサで全ての処理ステップを実行することができる。さらに、別々のプロセッサにおいて、少なくとも１つのステップ、例えば、消滅する二次磁界を受信するステップ、および／または一時的な磁界強度を分析するステップを実行することができることに留意されたい。
【００３６】
本発明は、本明細書に記載した実施形態に限定されない。多くの変形例が可能であることが理解されるであろう。
【００３７】
本発明によるシステムおよび方法は、磁化可能な層によって囲まれた管部に適用することができるだけでなく、平面板によって保護されるプレート等の、磁化可能な層によって機械的に保護される他の磁化可能な導電性物体に適用することもできる。これに関連して、物体が、原則として、プレート、シリンダまたは球殻等の任意の形状を有し得ることに留意されたい。さらに、磁化可能な保護層の形状は様々であり得る。例えば、層は湾曲するかまたはほぼ平面であってもよい。
【００３８】
このような他の変形例は、当業者に明らかであり、以下の特許請求の範囲に記載したような本発明の範囲内にあると考えられる。
【符号の説明】
【００３９】
１  磁化可能な導電性物体
２  管
３  チャンネル
４  中間空間
５  磁化可能な円筒状の包囲層
５  保護層
５  亜鉛メッキ板
６  侵食領域
１０  システム
１１  磁界受信機
１２  磁界源ユニット
１２  送信機コイル
１３ａ  データライン
１３ｂ  データライン
１４  プロセッサ
２０  第１の曲線
２１  第２の曲線
３０  一次磁界
３１  三次磁界
３２  消滅する二次磁界
４０  第１の曲線
４１  第２の曲線
４２  第１の曲線
４３  第２の曲線
４４  同様の曲線
４５  同様の曲線
１００  一次磁界の磁界強度を急激に変化させるステップ
１１０  磁化可能な層の外側に瞬間的な三次磁界を印加するステップ
１２０  消滅する二次磁界を受信するステップ
１３０  受信された二次磁界の一時的な磁界強度を分析するステップ
Ｉ  受信された二次磁界
Ｉ１  渦電流
Ｉ２  渦電流
ＩＡ  相互作用信号
ＩＡ  中間信号
Ｍ  磁界
Ｒ  消滅する二次磁界
ｔ  時間
ｔ０  瞬間
Ｔ  一次磁界
Δｔ  有限の低下期間
【図１】
2010271323.tif 000003
【図２】
2010271323.tif 000004
【図３】
2010271323.tif 000005
【図４】
2010271323.tif 000006
【図５】
2010271323.tif 000007
【図６】
2010271323.tif 000008
【図７】
2010271323.tif 000009
【外国語明細書】
2010271323.tif 000010
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2010271323.tif 000012
2010271323.tif 000013
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