(57)【要約】【課題】モールド成形品の品質を向上する。【解決手段】まず、基板１上に、Ｘ方向に延在し、溝部６を有する成形体２ａを形成する。次いで、基板１上に、溝部６を塞ぎながらＹ方向に延在する成形体２ｂを形成する。その後、成形体２ａの形成温度および成形体２ｂの形成温度より高い温度で、成形体２ａの樹脂および成形体２ｂの樹脂を熱硬化する。次いで、成形体２ａと共に基板１をＸ方向で切断し、また、成形体２ｂと共に基板１をＹ方向で切断して、スティフナ７を有するモールド成形品１０を形成する。【選択図】図４
2010125783.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とするモールド成形方法：
（ａ）基板上に、第１方向に延在し、前記第１方向と交差する第２方向に流路を有し、第１樹脂からなる第１成形体を形成する工程；
（ｂ）前記基板上に、前記流路を塞ぎながら前記第２方向に延在し、第２樹脂からなる第２成形体を形成する工程。
【請求項２】
以下の工程を更に含むことを特徴とする請求項１記載のモールド成形方法：
（ｃ）前記（ａ）工程および前記（ｂ）工程の後、前記（ａ）工程中の前記第１樹脂の温度および前記（ｂ）工程中の前記第２樹脂の温度より高い温度で、前記第１成形体の前記第１樹脂および前記第２成形体の前記第２樹脂を熱硬化する工程。
【請求項３】
以下の工程を更に含むことを特徴とする請求項２記載のモールド成形方法：
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第１成形体と共に前記基板を前記第１方向に切断し、また、前記第２成形体と共に前記基板を前記第２方向に切断することによって、個片化された前記基板上に前記第１成形体および前記第２成形体からなるスティフナを形成する工程。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のモールド成形方法において、
前記基板は矩形状であり、
前記第１方向は前記基板の短手方向であり、
前記第２方向は前記基板の長手方向であることを特徴とするモールド成形方法。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のモールド成形方法において、
前記基板は矩形状であり、
前記（ａ）工程では、前記基板の両端上に、前記第２方向に延在する一対の第３成形体を前記第１成形体と同時に形成し、
前記（ｂ）工程では、前記一対の第３成形体の間に前記第２成形体を形成することを特徴とするモールド成形方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のモールド成形方法において、
前記流路は前記基板面に対して傾斜した面を有することを特徴とするモールド成形方法。
【請求項７】
以下の工程を含むことを特徴とするモールド成形品の製造方法：
（ａ）基板上に、第１方向に延在し、前記第１方向と交差する第２方向に流路を有し、第１樹脂からなる第１成形体を形成する工程；
（ｂ）前記基板上に、前記流路を塞ぎながら前記第２方向に延在し、第２樹脂からなる第２成形体を形成する工程；
（ｃ）前記（ａ）工程および前記（ｂ）工程の後、前記（ａ）工程中の前記第１樹脂の温度および前記（ｂ）工程中の前記第２樹脂の温度より高い温度で、前記第１成形体の前記第１樹脂および前記第２成形体の前記第２樹脂を熱硬化する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第１成形体と共に前記基板を前記第１方向に切断し、また、前記第２成形体と共に前記基板を前記第２方向に切断する工程。
【請求項８】
基板と、
前記基板上に形成され、第１方向に延在し、前記第１方向と交差する第２方向に溝部を有する第１成形体と、
前記基板上に形成され、前記溝部を塞ぐと共に、前記第２方向に延在する第２成形体と、
を有し、
前記第１成形体と前記第２成形体を含んでなる複数のスティフナが格子状に形成されていることを特徴とするスティフナ付き基板。
【請求項９】
基板と、
前記基板の第１縁部上に形成され、第１方向に延在し、前記第１方向と交差する第２方向の両端に第１段部を有する第１成形体と、
前記基板の前記第１縁部とは異なる第２縁部上に形成され、前記第２方向に延在し、前記第１方向の両端で前記第１成形体の前記第１段部を覆うように噛み合わされる第２段部を有する第２成形体と、
を有し、
前記第１成形体と前記第２成形体が組み合わされて構成されたスティフナを備えていることを特徴とするスティフナ付き基板。
【請求項１０】
第１方向に延在し、前記第１方向と交差する第２方向に流路を有し、第１樹脂からなる第１成形体が形成された基板上に、前記流路を塞ぎながら前記第２方向に延在し、第２樹脂からなる第２成形体を形成するモールド金型であって、
前記第１成形体および前記第２成形体に囲まれる前記基板上の領域をクランプ面とすることを特徴とするモールド金型。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、モールド成形技術およびモールド成形品の製造技術に関し、特に、モールド成形技術により形成されたスティフナに適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、配線が形成された基板と、その基板上にフリップチップ接合された半導体チップ（以下、単にチップという）と、チップを囲み、基板上に設けられたスティフナと、チップおよびスティフナ上に設けられた放熱板とを含む構造の半導体装置が知られている。このスティフナは、基板の強度を保持し、またチップに放熱板の荷重がかからないようにするために設けられている。
【０００３】
特開２００５−２７７０７９号公報（特許文献１）には、スティフナを接着剤により取り付ける技術が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２７７０７９号公報（段落［００３３］、図２）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者はモールド成形技術によって基板上に形成したスティフナを有するモールド成形品に関する検討を行っている。その一例を、図面を参照して説明する。図９は本発明者が検討した製造工程中におけるモールド成形品を模式的に示す平面図であり、樹脂モールド装置（トランスファモールド装置ともいう）を用いて、基板１０１ａ、１０１ｂをモールド金型でクランプして樹脂モールドによって形成された成形体１０２が示されている。また、図１０は図９で示した製造工程後のスティフナ１０７を有するモールド成形品１１０を模式的に示す斜視図である。なお、図９ではワークとして短冊状の基板１０１ａと、正方形状の基板１０１ｂとを併せて示しているが、いずれか一方の場合で成形体１０２を形成しても良い。
【０００６】
図９に示すように、プランジャ１０３によって押し出された樹脂が、ランナ１０４を流れ、ゲート（キャビティへの入り口）を通過してモールド金型のキャビティに注入されて、成形体１０２を形成する。成形体１０２は、基板１０１ａ、１０１ｂ上にチップを搭載する領域（チップ搭載領域１０５）を囲むように、平面口の字状に形成される。
【０００７】
続いて、チップ搭載領域１０５の縁に沿って（図９ではダイシングラインＬで示す）、成形体１０２と共に基板１０１ａ、１０１ｂを切断（ダイシング）して個片化することによって、図１０に示すような枡形のモールド成形品１１０を形成することができる。すなわち、１個の口の字状の成形体１０２に対して、１個のモールド成形品１１０を形成することができる。また、切断された成形体１０２によってスティフナ１０７を形成することができる。なお、モールド成形品１１０は、短冊状の基板１０１ａから４個取り出すことができ、正方形状の基板１０１ｂから１個取り出すことができる。
【０００８】
その後、チップ搭載領域１０５にチップが搭載されて、基板１０１ａ、１０１ｂ上にフリップチップ接合する。基板１０１ａ、１０１ｂには配線が形成されているので、搭載されたチップとは電気的に接続される。さらに、接着剤を用いてチップおよびスティフナ１０７上に放熱板を設けるなどによって、半導体装置が形成される。
【０００９】
このような４個取りができる短冊状の基板１０１ａ、１個取りができる正方形状の基板１０１ｂを用いた場合では、生産性が低い。このため、より大型の基板を用いて、モールド成形品１１０を取得することが考えられる。
【００１０】
本発明者が検討した他の一例を、図面を参照して説明する。図１１は本発明者が検討した製造工程中におけるモールド成形品を模式的に示す平面図であり、樹脂モールド装置を用いて、基板１０１ｃをモールド金型でクランプして、モールド金型のキャビティに樹脂（ハッチングで示す）が流れる様子が示されている。なお、図１１では基板１０１ａ、１０１ｂより大型の基板として、矩形状の基板１０１ｃを示しており、基板１０１ｃからは１５個取り出すことができる。
【００１１】
その後、キャビティを樹脂１０８で充填して一括で格子状の成形体を形成し、その成形体と共に基板１０１ｃを切断して個片化することによって、図１０と同様の枡形のモールド成形品１１０を形成することができる。すなわち、樹脂１０８からなる格子状の成形体から、１５個のモールド成形品１１０を形成することができる。
【００１２】
しかしながら、図１１に示すように、チップ搭載領域１０５の縁部である中空部（モールド金型のキャビティ）を格子状に配列しようとした場合、トランスファ成形で複数のゲートから注入された樹脂の流頭が格子状の中空部で合流して接触することによるウェルドの発生や、残留エア（ボイド）の発生の原因となる。また、残留エアが脱気成形などでは回避できない場合もある。このため、モールド成形品、さらには半導体装置の品質を低下させてしまう。一方、前述した１個の口の字状の成形体１０２に対して、１個のモールド成形品１１０を形成する方法では、モールド成形品およびこれを用いた半導体装置の品質を維持することができるが、生産性を低下させてしまう。
【００１３】
本発明の目的は、モールド成形品の品質を向上することのできる技術を提供することにある。また、本発明の他の目的は、モールド成形品の生産性を向上することのできる技術を提供することにある。
【００１４】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１６】
本発明におけるモールド成形方法は、（ａ）基板上に、第１方向に延在し、前記第１方向と交差する第２方向に流路を有し、第１樹脂からなる第１成形体を形成する工程、（ｂ）前記基板上に、前記流路を塞ぎながら前記第２方向に延在し、第２樹脂からなる第２成形体を形成する工程、を含むものである。
【００１７】
また、本発明におけるモールド成形品の製造方法は、（ａ）基板上に、第１方向に延在し、前記第１方向と交差する第２方向に流路を有し、第１樹脂からなる第１成形体を形成する工程、（ｂ）前記基板上に、前記流路を塞ぎながら前記第２方向に延在し、第２樹脂からなる第２成形体を形成する工程、（ｃ）前記（ａ）工程および前記（ｂ）工程の後、前記（ａ）工程中の前記第１樹脂の温度および前記（ｂ）工程中の前記第２樹脂の温度より高い温度で、前記第１成形体の前記第１樹脂および前記第２成形体の前記第２樹脂を熱硬化する工程、（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第１成形体と共に前記基板を前記第１方向に切断し、また、前記第２成形体と共に前記基板を前記第２方向に切断する工程、を含むものである。
【００１８】
また、本発明におけるスティフナ付き基板は、基板と、前記基板上に形成され、第１方向に延在し、前記第１方向と交差する第２方向に溝部を有する第１成形体と、前記基板上に形成され、前記溝部を塞ぐと共に、前記第２方向に延在する第２成形体と、を有し、前記第１成形体と前記第２成形体を含んでなる複数のスティフナが格子状に形成されているものである。
【００１９】
また、本発明におけるスティフナ付き基板は、基板と、前記基板の第１縁部上に形成され、第１方向に延在し、前記第１方向と交差する第２方向の両端に第１段部を有する第１成形体と、前記基板の前記第１縁部とは異なる第２縁部上に形成され、前記第２方向に延在し、前記第１方向の両端で前記第１成形体の前記第１段部を覆うように噛み合わされる第２段部を有する第２成形体と、を有し、前記第１成形体と前記第２成形体が組み合わされて構成されたスティフナを備えているものである。
【００２０】
また、本発明によるモールド金型は、第１方向に延在し、前記第１方向と交差する第２方向に流路を有し、第１樹脂からなる第１成形体が形成された基板上に、前記流路を塞ぎながら前記第２方向に延在し、第２樹脂からなる第２成形体を形成するモールド金型であって、前記第１成形体および前記第２成形体に囲まれる前記基板上の領域をクランプ面とするものである。
【発明の効果】
【００２１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００２２】
本発明によれば、モールド成形品の品質を向上することができる。また、モールド成形品の生産性を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。
【００２４】
（実施の形態１）
本実施の形態におけるモールド成形品の製造方法について図１〜図４を参照して説明する。図１〜図３は本実施の形態の製造工程中におけるモールド成形品を模式的に示す図であり、それぞれ（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線の断面図を示している。また、図４は製造工程後のスティフナ７を有するモールド成形品（スティフナ付き基板）１０を模式的に示す斜視図である。なお、図１（ｂ）にはプランジャ３ａの側面を破線で示している。
【００２５】
本実施の形態におけるモールド成形品１０の製造工程では、まず、樹脂モールド装置に上型の第１モールド金型２０および下型のモールド金型４０を配置した後、図１に示すように、第１モールド金型２０のキャビティに樹脂（第１樹脂）を充填することによって、例えば平面視矩形状のインタポーザ基板（以下、単に「基板」という）１上に、Ｘ方向（第１方向）に延在し、Ｘ方向と直交（交差）するＹ方向（第２方向）に溝部（流路）６を有する成形体（第１成形体）２ａを形成する。
【００２６】
具体的には、まず、樹脂モールド装置を用い、第１モールド金型２０およびモールド金型４０を後述するような所定温度まで昇温し、図外のポットに樹脂を供給すると共に下型に基板１を供給してクランプする。この場合、モールド金型４０には基板１の短辺側に複数個（本例では２個）のポットが配設されている。一方、第１モールド金型２０のパーティング面にはポットと対面する位置に形成された各カルから一対のランナ４ａがキャビティに向けて延在するように設けられている。また、第１モールド金型２０には、キャビティを構成するキャビティ凹部として、Ｘ軸方向において基板１と同程度の長さの凹部が構成されると共に、この凹部を所定間隔で区切るように凹部の底面から突起する断面視矩形状の突起部２０ａが形成されている。
【００２７】
続いて、クランプ後に図外のトランスファ機構を動作させることで、ポットからプランジャ３ａによって押し出された樹脂が、ランナ４ａを流れ、ゲートを通過して第１モールド金型２０と基板１との間に形成されるキャビティに注入され、そのキャビティ内を基板１の長手方向と平行な１つの方向に流される。この第１モールド金型２０のキャビティに樹脂が充填されることによって、成形体２ａがＹ方向に所定の間隔で複数列（本例では４列）配列される。この成形体２ａはモールド成形品１０のスティフナ７の一部を構成するものである。これにより、図４に示すようなスティフナ付き基板におけるスティフナ７のうち約半分（５０〜６０％）の部分が形成されることとなる。また、各成形体２ａには、第１モールド金型２０の複数の突起部２０ａによって複数の溝部６が形成される。なお、その後、成形体２ａと、ランナ４ａとは切り離される。
【００２８】
この成形体２ａを形成する工程で用いられる樹脂は例えば熱硬化性のエポキシ樹脂が用いられる。また、成形体２ａの形成工程中の樹脂の温度はエポキシ樹脂が完全に硬化する温度（１７０〜１８０℃程度）より低い温度（１４０〜１５０℃程度）となるように、樹脂モールド装置の温度設定が行われる。これにより、成形体２ａの樹脂の硬化反応が未完了であるものの、ハンドリングは可能な程度まで硬化が進行した状態で本工程を終了する。
【００２９】
続いて、上述のモールド金型とは異なる構成の上型の第２モールド金型３０および下型のモールド金型５０を配置した樹脂モールド装置（図２参照）において、図２に示すように、第２モールド金型３０のキャビティに樹脂（第２樹脂）を充填することによって、基板１上に、溝部６を塞ぎながらＹ方向に延在する成形体（第２成形体）２ｂを形成する。
【００３０】
具体的には、まず、第２モールド金型３０およびモールド金型５０を所定温度まで昇温し、ポットに樹脂を供給すると共に成形体２ａが形成された基板１を下型に供給してクランプする。この場合、モールド金型５０には基板１の短辺と直交する長辺側に複数個（本例では３個）のポットが配設されている。一方、第２モールド金型３０のパーティング面にはポットと対面する位置に形成された各カルから一対のランナ４ａがキャビティに向けて延在するように設けられている。また、第２モールド金型３０には、キャビティ凹部として、Ｘ軸方向およびＹ軸方向においそれぞれ基板１と同程度の長さの凹部が構成されることで全体として格子状の凹部が構成されている。
【００３１】
続いて、クランプ後にポットからプランジャ３ｂによって押し出された樹脂が、ランナ４ｂを流れ、ゲートを通過して第２モールド金型３０と成形体２ａと基板１との間に形成されるキャビティに注入され、そのキャビティ内を基板１の長手方向と直交する短手方向と平行な１つの方向に流される。このとき、成形体２ａの溝部６は第２モールド金型３０および基板１と共に流路を構成する。この成形体２ｂはモールド成形品１０のスティフナ７の一部を構成するものである。
【００３２】
第２モールド金型３０は、成形体２ａおよび成形体２ｂに囲まれる基板１上の領域（チップ搭載領域５となる）を基板１のクランプ面としている。また、第２モールド金型３０においてＸ軸方向に延在する凹部の底面が成形体２ａをクランプするクランプ面として機能する。このモールド金型３０を用いて、Ｘ方向に延在し、Ｙ方向に溝部（流路）６を有する成形体２ａが形成された基板１上に、溝部６を塞ぎながらＹ方向に延在する成形体２ｂを形成する。これにより、成形体２ｂの成形を行いながら成形体２ａの矯正と共に硬化反応を進めることができるため、後段の工程の時間を短縮（省略）でき、反りの少ないスティフナ付き基板を効率的に製造することができる。
【００３３】
また、第２モールド金型３０を用いる工程では、チップ搭載領域５（チップ実装面）への樹脂フラッシュ（樹脂漏れ）を防止するため、封止領域を囲う部分であるチップ搭載領域５において、他の部分よりも強く基板１をクランプする。例えば、チップ搭載領域５においてクランプ面側の第２モールド金型３０の部分を、パーティング面において基板１をクランプする他の部分よりも突出しておけばチップ搭載領域５のクランプ力を強くすることができる。また、基板１上の成形体２ａ間においてチップ搭載領域５用の矩形領域内において、外側領域（矩形枠状領域）を内側領域よりも強くクランプするようにしてもチップ搭載領域５への樹脂漏れ防止には有効である。なお、第２モールド金型３０を用いる工程では、第１モールド金型２０よりも第２モールド金型３０より基板１を強くクランプしても良い。
【００３４】
この第２モールド金型３０のキャビティに樹脂が充填されることによって、溝部６を塞ぐように成形体２ｂがＸ方向に所定の間隔で複数列（本例では６列）配列される。このため、Ｘ方向に延在する成形体２ａとＹ方向に延在する成形体２ｂとは溝部６で交差し、この成形体２ａと成形体２ｂとで格子状の成形体２を形成することとなる。この成形体２ｂは成形体２ａと同様にスティフナ７の一部を構成するものである。これにより、先の工程において形成された成形体２ａと合わせると、図４に示すようなスティフナ付き基板におけるスティフナ７の全ての部位（１００％）が樹脂モールドされたこととなる。なお、その後、成形体２ｂと、ランナ４ｂとは切り離される。
【００３５】
このように、本実施の形態では、成形体２ａ、２ｂの形成時には樹脂はそれぞれのキャビティ内を一方向に流れるだけで樹脂が合流するようなことがないため、残留エアなどを発生させずに樹脂モールドが可能である。
【００３６】
この成形体２ｂを形成する工程で用いられる樹脂は、成形体２ａと同様に、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂が用いられる。また、工程中の樹脂の温度はエポキシ樹脂が完全に硬化する温度（例えば１７０℃程度）より低い温度（例えば１４０℃程度）となるように、樹脂モールド装置の温度設定が行われる。
【００３７】
続いて、成形体２ａ、２ｂのアフターキュア（硬化工程）を行う。具体的には、成形体２ａの形成工程中の樹脂の温度（例えば１４０℃程度）および成形体２ｂの形成工程中の樹脂の温度（例えば１４０℃程度）より高く、樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）よりも高い温度（例えば１７０℃程度）の雰囲気中でクランプし、成形体２ａの樹脂および成形体２ｂの樹脂の硬化反応を進めて完全に熱硬化する。本実施の形態では、成形体２ａおよび成形体２ｂの形成温度を、完全に熱硬化する温度より低い同一温度で保つようにしているので、連続して成形体２ａおよび成形体２ｂを形成することができる。なお、この熱硬化は例えば樹脂モールド装置で行っても良く、また基板１を移動してキュア炉を用いて行うこともできる。
【００３８】
例えば、１４０℃程度で成形体２ａを形成し、１７０℃程度で完全に熱硬化させた後、１４０℃で成形体２ｂを形成し、１７０℃で完全に熱硬化させる場合では、温度の上昇および降下により安定した温度に設定するのに時間が掛かってしまう。しかしながら、本実施の形態では、樹脂が完全に硬化する温度より低い温度（例えば１４０℃程度）で設定したまま、成形体２ａおよび成形体２ｂを連続して形成し、その後、成形体２ａおよび成形体２ｂの樹脂を完全に熱硬化しているので、製造時間を短縮することができる。
【００３９】
図３に示すように、基板１上に成形体２ａおよび成形体２ｂは溝部６で交差するように配置されて成形体２として格子状に形成される。すなわち、この成形体２は基板１上にチップを搭載する領域（チップ搭載領域５）を囲む口の字状の額縁（後のスティフナ７）として形成される。この場合、成形体２ａおよび成形体２ｂは、その上面は例えば基板１に実装されるチップとほぼ同じ高さになるように形成されるため、放熱板を取り付け可能な形状となる。
【００４０】
本実施の形態では、額縁となる成形体２を形成する際、樹脂の流れが一方向となるようにして充填性を向上している。すなわち、まず、１次成形工程でＸ方向（一方向）に樹脂を流して、そのＸ方向に延在する成形体２ａを形成する。次いで、２次成形工程でＹ方向（一方向）に樹脂を流して、そのＹ方向に延在する成形体２ｂを形成する。このため、図１１を参照して説明した一括で格子状の成形体を形成した場合のように、その成形体の中空部（モールド金型のキャビティ）で残留エアを発生させずにスティフナを形成することができる。これにより格子状の成形体２が形成されるようなモールド成形品であってもその品質を向上し、歩留まりを向上することができる。
【００４１】
続いて、図３に示すように、成形体２ａと共に基板１を、溝部６を通るＸ方向に切断し、また、成形体２ｂと共に基板１を、溝部６を通るＹ方向に切断する。具体的には、チップ搭載領域５の縁に沿い各成形体２ａ、２ｂを幅方向に２分割するようなライン（図中ではダイシングラインＬで示す）で、格子状の成形体２と共に基板１を切断して個片化（ダイシング）することによって、図４に示すような枡形のモールド成形品１０を形成する。また、個片化された基板１上に、成形体２ａおよび成形体２ｂ（すなわち成形体２）からなるスティフナ７を形成する。
【００４２】
これにより、スティフナ７を有するモールド成形品１０（スティフナ付き基板）を１５個形成することができる。このモールド成形品１０は、複数個取りができる大きさの基板１から切断されてなり、また、残留エアを含まないように形成された格子状の成形体２からなるスティフナ７を有するので、高い品質を維持したままで、生産性が向上されたものである。
【００４３】
図４では、ダイシング後のモールド成形品１０であるスティフナ付き基板は、基板１と、基板１の縁部上に形成され、Ｘ方向に延在し、Ｙ方向の両端に溝部６が分割されて形成された第１段部７ａを有する成形体２ａと、基板１の成形体２ａが形成された縁部とは異なる縁部上に形成され、Ｙ方向に延在し、Ｘ方向の両端で成形体２ａの第１段部を覆うように噛み合わされる第２段部７ｂを有する成形体２ｂとが二組組み合わされて構成されたスティフナを備えている。このため、ダイシング前のスティフナ付き基板は、図３に示すように、Ｙ方向において等間隔に並ぶように基板１上に形成され、Ｘ方向に延在し、Ｙ方向において一直線上に並ぶ位置に形成された溝部６を成形体２ｂの形成数だけ有する成形体２ａと、基板１上において溝部６で成形体２ａを覆うように形成され、Ｙ方向において一直線上に並べられた複数の溝部６を塞ぐように噛み合わされると共に、Ｙ方向に延在する成形体２ｂと、を含んでなる複数のスティフナ７が格子状に形成されているものであるといえる。
【００４４】
その後、図４で示したモールド成形品１０のチップ搭載領域５にチップを搭載し、基板１上にフリップチップ接合する。基板１には配線が形成されているので、搭載されたチップとは電気的に接続される。次いで、例えばポッティングにより基板１とチップ面との間を樹脂封止（アンダーフィル）する。さらに、接着剤を用いてチップおよびスティフナ７上に放熱板を設けるなどによって、半導体装置を形成する。本実施の形態では、硬化した樹脂からなる成形体２によってスティフナ７を形成しているので、例えば前記特許文献１の技術のような接着剤により取り付けられたスティフナに対して、基板１の強度をより保持することができ、また、安定して放熱板を支持することができるのでチップに放熱板の荷重がかかるのをより低減することができる。なお、本実施の形態によれば、例えば金属製のスティフナを貼り付ける方法と比較して、生産性の高く材料コストの安いトランスファモールドによってスティフナを形成しているため、スティフナ付きの基板を安価に製造することができる。
【００４５】
本実施の形態では、図１および図２に示したように、１次成形としてＸ方向に延在する成形体２ａをＹ方向に所定の間隔で形成した後、２次成形としてＹ方向に延在する成形体２ｂをＸ方向に所定の間隔で形成して、格子状の成形体２（後のスティフナ７）を形成した場合について説明した。このＸ方向およびＹ方向は、それぞれ矩形状の基板１の長手方向および短手方向である。
【００４６】
しかしながら、より大きな矩形状の基板（大型基板）を用いた場合、本実施の形態のように１次成形で長手方向に延在する成形体２ａを形成し、２次成形で短手方向に延在する成形体２ｂを形成すると、大型基板では反りが発生してしまう場合もある。そこで、矩形状の基板１においては、１次成形で短手方向に延在する成形体２ｂを形成し、２次成形で長手方向に延在する成形体２ａを形成し、格子状の成形体２（後のスティフナ７）を形成することが、基板の反りの低減に有効である。
【００４７】
また、本実施の形態では、基板１を個片化した後、チップ搭載領域５にチップが搭載されて、基板１上にフリップチップ接合する場合について説明したが、個片化する前に基板１上にチップを搭載しても良い。チップ搭載後にはアンダーフィルによって基板１とチップ面との樹脂封止を行うが、このアンダーフィルの工程は個片化する前に行う方が量産するような場合には生産性がよく、好ましい。例えば、アンダーフィル工程ではチップが搭載された基板を傾けてポッティング装置にセットし、その基板とチップとの間に樹脂をポッティングによって流し込む。このため個片化前の基板であれば一度のセット操作で複数箇所のアンダーフィル工程を行うことができるので、個片化した基板をその都度傾けて個別に行う場合に対して、生産性を向上することができる。
【００４８】
（実施の形態２）
前記実施の形態１では、溝部（流路）６の底面は基板１の面に対して平行するように形成した場合について説明したが、本実施の形態では、溝部６の底面の形状を異ならせた場合について説明する。なお、前記実施の形態１と重複する説明は省略する場合がある。
【００４９】
図５は本実施の形態の製造工程中におけるモールド成形品の要部を模式的に示す斜視図であり、溝部６（流路）を有する成形体１２ａが示されている。また、図６は製造工程後のスティフナ７を有するモールド成形品１０を模式的に示す斜視図である。なお、図６では溝部６の底面が傾斜している様子を示すために、基板１と平行する面を波線で示している。
【００５０】
本実施の形態においては、溝部６の成形面の形状が異なる第１モールド金型を用いる点を除いて、スティフナ付き基板の製造工程は実施の形態１と同様である。この場合、前記実施の形態１で例えば図３を参照して説明したように、Ｘ方向に延在する成形体２ａとＹ方向に延在する成形体２ｂとは成形体２ａの溝部６で交差し、格子状の成形体２が形成され、その溝部６を通って成形体２は基板１と共に切断されて個片化（ダイシング）される。このため、溝部６において成形体２ａと成形体２ｂとの接続が強固であることが良いと考えられる。
【００５１】
そこで、本実施の形態では、溝部６の底面は基板１の面に対して傾斜した面を複数有している。具体的には、溝部６の底面は傾斜面６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄの４面からなっている。このため、成形体１２ａと成形体１２ｂとが接する面を広くすることができるので、接続を強固とすることができる。また、例えば成形体１２ｂが基板１の縁部から脱落させられるようなときに成形体１２ｂにかかる力を、成形体１２ａおよび成形体１２ｂの接続面に対してせん断するような方向に作用させるように各面の傾きを設計することにより、接続をより強固とすることができる。さらに、例えば底面を梨地状とすることによって、成形体１２ａと成形体１２ｂとが接する面を広くすることもできる。したがって、モールド成形品およびこれを用いた半導体装置の品質を向上することができる。なお、溝部６の底面の傾斜は任意であり、例えば、溝部６を側面から見た場合、山型でも良く、谷型でも良い。
【００５２】
（実施の形態３）
前記実施の形態１では、１次成形でＸ方向のみに延在する成形体２ａを形成し、その後、２次成形でＹ方向に延在する成形体２ｂを形成する場合について説明したが、本実施の形態では、１次成形においてＸ方向の他にＹ方向に延在する成形体２ｃも形成する場合について説明する。なお、前記実施の形態１と重複する説明は省略する場合がある。
【００５３】
図７および図８は本実施の形態の製造工程中におけるモールド成形品を模式的に示す図であり、それぞれの（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線の断面図を示している。なお、図７（ｂ）にはプランジャ３ａの側面を破線で示している。
【００５４】
まず、図７に示すように、上型の第１モールド金型２１および下型のモールド金型４０のキャビティにポット側から樹脂を順次充填することによって、基板１上に、Ｘ方向に延在し、Ｘ方向と交差するＹ方向に溝部（流路）６を有する成形体２ａを形成すると共に、基板１（成形体２ａ）の両端（短手）上に、Ｙ方向に延在する一対の成形体（第３成形体）２ｃを形成する。これにより、例えば基板１がその外形寸法に対して薄く扱い難いようなものであっても、その縁側ではＸ方向に延在する成形体２ａおよびＹ方向に延在する成形体２ｃが配置されるため、その後の製造工程における基板１の平坦性を確保することができると共にハンドリングし易くすることができる。なお、各成形体２ａには、第１モールド金型２１の複数の突起部２１ａによって複数の溝部６が形成されている。
【００５５】
続いて、図８に示すように、上型の第１モールド金型２１とは異なる上型の第２モールド金型３１のキャビティに樹脂を充填することによって、基板１上に、溝部６を塞ぎながらＹ方向に延在する成形体２ｂを一対の成形体２ｃの間に形成する。すなわち、基板１の縁側では基板１の縁側ではＸ方向に延在する成形体２ａおよびＹ方向に延在する成形体２ｃが配置されるため、基板１の平坦性を確保したまま、成形体２ｂを形成することができる。基板１の反りを防止することによって、モールド成形品１０の製造歩留まりを向上することができる。
【００５６】
その後、前記実施の形態１と同様に、成形体２を完全に熱硬化させて、成形体２ａと共に基板１を、溝部６を通るＸ方向に切断し、また、成形体２ｂと共に基板１を、溝部６を通るＹ方向に切断する（図８中ではダイシングラインＬで示す）。このようにして、成形体２（成形体２ａおよび成形体２ｃ）からなるスティフナ７を有する枡形のモールド成形品１０を形成することができる（図４参照）。
【００５７】
なお、本実施の形態では、Ｘ方向に延在する成形体２ａとＹ方向に延在する成形体２ｃとを形成するにあたりポット側に設けられた成形体２ｃのキャビティに一旦溜まった樹脂が成形体２ａのキャビティに注入され、成形体２ａのキャビティを通過した樹脂が最後にポットとは反対側に設けられた成形体２ｃのキャビティで合流するため、成形体２ｃのキャビティ内で残留エアが発生することが考えられる。しかしながら、成形体２ｃは基板１のハンドリングや平坦性確保のために一時的に設けられ最終的な成形品として残らない部分であり、基板１の縁側では、切断により成形体２ｃとその下の基板１は除去される。すなわち、基板１の両端上で形成された一対の成形体２ｃの間の、成形体２ａおよび成形体２ｂでスティフナ７を構成するため、成形体２ｃで残留エアが発生した場合であっても、これによるモールド成形品１０の品質を低下させることはない。
【００５８】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、成形体２ａの樹脂の硬化反応が未完了の状態で成形体２ａの形成工程を終了する例について説明したが本発明はこれに限定されず、各樹脂モールド工程において成形体の樹脂の硬化反応を完了させてもよい。
【００５９】
例えば、前記実施の形態では、モールド成形技術を用いて格子状の成形体からスティフナに適用した場合について説明したが、スティフナに限るものではない。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明は、モールド成形品の製造業に幅広く利用されるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の一実施の形態の製造工程中におけるモールド成形品を模式的に示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線の断面図を示している。
【図２】図１に続く製造工程中におけるモールド成形品を模式的に示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線の断面図を示している。
【図３】図２に続く製造工程中におけるモールド成形品を模式的に示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線の断面図を示している。
【図４】図３に続く製造工程後のスティフナを有するモールド成形品を模式的に示す斜視図である。
【図５】本発明の他の実施の形態の製造工程中におけるモールド成形品の要部を模式的に示す斜視図である。
【図６】図５に続く製造工程後のスティフナを有するモールド成形品を模式的に示す斜視図である。
【図７】本発明の他の実施の形態の製造工程中におけるモールド成形品を模式的に示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線の断面図を示している。
【図８】図７に続く製造工程中におけるモールド成形品を模式的に示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線の断面図を示している。
【図９】本発明者が検討した製造工程中におけるモールド成形品を模式的に示す平面図である。
【図１０】図９で示した製造工程後のスティフナを有するモールド成形品を模式的に示す斜視図である。
【図１１】本発明者が検討した製造工程中におけるモールド成形品を模式的に示す平面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１  インタポーザ基板（基板）
２  成形体
２ａ  成形体（第１成形体）
２ｂ  成形体（第２成形体）
２ｃ  成形体（第３成形体）
３ａ、３ｂ  プランジャ
４ａ、４ｂ  ランナ
５  チップ搭載領域
６  溝部（流路）
６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄ  傾斜面
７  スティフナ
７ａ  第１段部
７ｂ  第２段部
１０  モールド成形品
１２ａ  成形体（第１成形体）
１２ｂ  成形体（第２成形体）
２０  第１モールド金型
２０ａ  突起部
２１  第１モールド金型
２１ａ  突起部
３０、３１  第２モールド金型
４０、５０  モールド金型
１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ  基板
１０２  成形体
１０３  プランジャ
１０４  ランナ
１０５  チップ搭載領域
１０７  スティフナ
１０８  樹脂
１１０  モールド成形品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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