(57)【要約】【課題】ハードディスクの高密度磁気記録媒体等に適用される磁気記録膜、特に垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜の形成に好適な、漏れ磁束密度の高い磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットとその製造方法を提供する。【解決手段】Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末及び非磁性酸化物粉末からなる予備混合粉末に、Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末及びＰｔ粉末を更に添加して混合・粉砕したＣｏＣｒＰｔ−非磁性酸化物混合粉末を加圧焼結することによって得られた、ＣｏＣｒＰｔ−非磁性酸化物スパッタリングターゲットであって、その組織中には、１２〜２５面積％のＰｔリッチ領域が分散形成されている。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
非磁性酸化物、ＣｒおよびＰｔを含有し、残部はＣｏおよび不可避不純物からなるＣｏＣｒＰｔ−非磁性酸化物スパッタリングターゲットであって、
該スパッタリングターゲットには、平均組成よりＰｔ含有量が３〜１５原子％高いＰｔリッチ領域が、その組織中に１２〜２５面積％分散形成されていることを特徴とする磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項２】
前記非磁性酸化物相は、酸化珪素、酸化チタン、酸化タンタル、酸化コバルトおよび酸化クロムの内の一種または二種以上からなることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット。
【請求項３】
Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末および非磁性酸化物粉末を混合・粉砕して予備混合粉末を作製し、該予備混合粉末に、Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末およびＰｔ粉末を更に添加して混合・粉砕することにより、ＣｏＣｒＰｔ−非磁性酸化物混合粉末を作製し、得られた混合粉末を加圧焼結することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ハードディスクの高密度磁気記録媒体等に適用される磁気記録膜、特に高密度の垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜の形成に好適な、磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク装置は一般にコンピューターやデジタル家電等の外部記録装置として用いられているが、高画質ビデオ映像の記録など大量のデータを扱うニーズの拡大に伴い、記録密度の一層の向上が求められている。この要求に応えるため、高密度の情報を記録できる磁気記録媒体として、垂直磁気記録方式を採用した垂直磁気記録媒体が知られている。
【０００３】
垂直磁気記録媒体は、一般に、基板、基板上に設けられた軟磁性層および軟磁性層上に設けられた記録膜（垂直磁化膜）とを備え、そして、このような垂直磁気記録媒体に情報を記録する記録ヘッドは、記録を直接行うメインポールと、磁力線ループの回収となるリターンポールとを備え、メインポールの面積は狭く、リターンポールの面積は広く形成されている。
情報の記録に当たって、記録ヘッドに電流を流すとメインポールから出た磁力線は垂直磁気記録媒体の記録膜を突き抜け、記録膜の下に設けられた軟磁性層に入り、軟磁性層の中を通過した後にまたリターンポールへと戻る。つまり磁力線は記録膜を２回突き抜けることになる。
そして、メインポールの面積は狭く、リターンポールの面積は広く形成されているので、メインポールから出た磁力線は単位面積あたりのパワー（磁束密度）が高く、記録膜の磁化反転を起こせるが、リターンポールへ戻る磁力線はパワーが低く、リターンポールでは記録が起こらない。
【０００４】
基板としては、例えば、厚さ０．２〜２．５ｍｍ程度のガラス基板などが挙げられる。
軟磁性層としては、例えば、厚さ３０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度のＦｅ系、Ｃｏ系軟磁性体などが挙げられる。
軟磁性層の厚さが３０ｎｍ未満では、記録ヘッド−記録膜−軟磁性層間に好適な磁気回路を形成することが困難になる場合があり、１０００ｎｍを超えると表面粗さが増加する場合がある。また、１０００ｎｍを超えるとスパッタリング成膜が困難となる場合がある。
Ｆｅ系、Ｃｏ系軟磁性体としては、例えば、ＦｅＴａＣ系合金、ＦｅＴａＮ系合金、ＦｅＮｉ系合金、ＦｅＣｏＢ系合金、ＦｅＣｏ系合金等のＦｅ系軟磁性材料、ＣｏＴａＺｒ系合金、ＣｏＮｂＺｒ系合金等のＣｏ系軟磁性材料、或いはＦｅＣｏ系合金軟磁性材料等を用いることができる。
記録膜としては、例えば、特許文献１に示されるように、高い熱安定性と良好な記録特性を示すことから、ＣｏＣｒＰｔ−非磁性酸化物膜が好適に利用され、その厚さとしては、例えば、５〜３０ｎｍである。
【０００５】
軟磁性層や記録膜は、例えば、特許文献２に示されるようなマグネトロンスパッタにより形成することができる。
マグネトロンスパッタ装置では、基板とターゲットを対向させ、ターゲットの裏に磁石を配置し、この状態で電圧をかけることによりスパッタを実施し成膜するが、この際、ターゲットから漏れ出る磁界により、電子は磁力線にそって、螺旋状に運動し、プラズマが電子の周りに発生する。これにより、集中的にスパッタすることができる。
【０００６】
特許文献３、４に示されるように、垂直磁気記録媒体における記録膜の形成に際しても、ＣｏＣｒＰｔ−非磁性酸化物スパッタリングターゲット（以下、ＣＣＰターゲットと略記する。）を用いたマグネトロンスパッタが用いられており、ＣＣＰターゲットとしては、例えば、非磁性酸化物：１〜１５重量％、Ｃｒ：５〜１５重量％、Ｐｔ：１０〜５０重量％を含有し、残部：Ｃｏ及び不可避不純物からなる成分組成を有するターゲットが挙げられ、そして、スパッタ時の異常放電などによるパーティクル発生防止の観点から、ＣＣＰターゲットとしては組織の細かいものが好ましいとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−２６８９７２号公報
【特許文献２】特開平５−２５６２７号公報
【特許文献３】特開２００７−２９１５１２号公報
【特許文献４】特開２００８−１６３４３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、組織の細かいＣＣＰターゲットは比透磁率が大きいために、ＣＣＰターゲットをマグネトロンスパッタ装置に設置した場合、ＣＣＰターゲット上に漏れ出る磁束（以下、漏れ磁束と略記する。）が小さくなる。
そして、漏れ磁束が小さくなると、その部分だけにプラズマが集中し、プラズマ直上で積層される膜厚が厚くなり、基板上での膜厚分布が不均一になる。特に、ＣＣＰターゲットを厚くしたような場合には、プラズマが発生せず、スパッタ自体が不可能になることもある。
このため、マグネトロンスパッタを用いた垂直磁気記録媒体の記録膜の形成においては、厚さの薄いＣＣＰターゲットを用いる必要があり、頻繁なターゲットの交換が必要となって、記録膜の形成を効率的に行うことができないという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、上述のような問題を解決すべく鋭意検討した結果、所定の製造方法によってＣＣＰターゲットを製造すると、ターゲットの組織中にＰｔの偏在したＰｔリッチ領域が形成され、その結果、ＣＣＰターゲット全体としての比透磁率は小さくなり、このようなＣＣＰターゲットを用いてスパッタリングを行った場合には、スパッタ時の漏れ磁束を大きくすることができるため効率的なスパッタを行い得ることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１０】
従来のＣＣＰターゲットの製造方法は、例えば、特許文献３，４などに記載されているように、原料となる金属粉を混合した後、混合粉をボールミルで粉砕し、これをホットプレスまたは熱間静水圧プレス等の加圧焼結を行うことによって製造していた。
このような製造方法によって製造したＣＣＰターゲットは、図１に模式図を示すように、Ｃｏ，Ｃｒ，Ｐｔが均一に存在する母相中に、非磁性酸化物が分散した組織を有しており、そして、このような組織の従来ＣＣＰターゲットは大きな比透磁率を示し、漏れ磁束（密度）の値は比較的小さなものであった。
【００１１】
そこで、本発明者等は、ＣＣＰターゲットの製造にあたり、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末及び非磁性酸化物粉末を混合・粉砕して予備混合粉末を作成した後、Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末及びＰｔ粉末を更に添加して混合・粉砕した混合粉末を加圧焼結することにより、例えば、非磁性酸化物：２〜１５原子％、Ｃｒ：１０〜２５原子％、Ｐｔ：５〜３０原子％、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる平均成分組成を有するスパッタリングターゲットを製造したところ、得られたＣＣＰターゲットには、図２に模式図を示すように、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔの合金からなるほぼ均一成分組成の母相中に、非磁性酸化物の分散相が形成すると同時に、１２〜２５面積％のＰｔリッチ領域（平均組成よりＰｔ含有量が高い領域）が分散した組織が形成され、そして、このような組織を有するＣＣＰターゲットは、局所的なＰｔリッチ領域の形成によって、Ｐｔリッチ領域以外の母相のその他の領域の合金相におけるＰｔ濃度が低下することになり、その結果、ＣＣＰターゲット全体としての比透磁率が低い値に抑えられ、スパッタ時の漏れ磁束を大きくすることが可能となることを見出したのである。
【００１２】
本発明は、上記知見に基づいてなされたものであって、
「（１）  非磁性酸化物、ＣｒおよびＰｔを含有し、残部はＣｏおよび不可避不純物からなるＣｏＣｒＰｔ−非磁性酸化物スパッタリングターゲットであって、
該スパッタリングターゲットには、平均組成よりＰｔ含有量が３〜１５原子％高いＰｔリッチ領域が、その組織中に１２〜２５面積％分散形成されていることを特徴とする磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット。
（２）  前記非磁性酸化物相は、酸化珪素、酸化チタン、酸化タンタル、酸化コバルトおよび酸化クロムの内の一種または二種以上からなることを特徴とする前記（１）に記載の磁気記録膜形成用スパッタリングターゲット。
（３）  Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末および非磁性酸化物粉末を混合・粉砕して予備混合粉末を作製し、該予備混合粉末に、Ｃｏ−Ｃｒ合金粉末およびＰｔ粉末を更に添加して混合・粉砕することにより、ＣｏＣｒＰｔ−非磁性酸化物混合粉末を作製し、得られた混合粉末を加圧焼結することを特徴とする前記（１）または（２）に記載の磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法。」
を特徴とするものである。
【００１３】
本発明のＣＣＰスパッタリングターゲット及びその製造方法について、以下に詳細に説明する。
【００１４】
本発明のＣＣＰターゲットの成分、平均組成：
本発明のＣＣＰターゲットは、その成分として、非磁性酸化物、ＣｒおよびＰｔを含有し、残部はＣｏおよび不可避不純物からなり、好ましくは、非磁性酸化物：２〜１５原子％、Ｃｒ：１０〜２５原子％、Ｐｔ：５〜３０原子％、残部：Ｃｏおよび不可避不純物からなる成分および平均組成範囲を有する。
ここで、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃｏの各成分が、上記好ましい平均組成範囲を外れるような場合には、スパッタリングによって形成した記録膜の磁気特性（例えば、保磁力、ＳＮＲ）が実用上不適になるおそれがある。
すなわち、保磁力は磁化反転の目安となり、小さすぎると記録情報を維持することが困難となり、大きすぎると情報の書き換えが困難となることから、４ｋＯｅ〜６ｋＯｅであることが好ましいとされているが、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃｏの各成分の平均組成が上記好ましい組成範囲を外れた場合には、保持力が４ｋＯｅ未満あるいは６ｋＯｅを超えることになる。
また、ＳＮＲ（Ｓｉｇｎａｌ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ）は、信号とノイズの比であり大きいほうが好ましく、１０ｄB〜３０ｄBが一般的であるが、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｃｏの各成分の組成が上記好ましい平均組成範囲を外れた場合には、ＳＮＲが１０ｄB未満になる。
また、本発明のＣＣＰターゲットでは、非磁性酸化物としては、例えば、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＣｏＯおよびＴａ２Ｏ５などを用いることができるが、これらの含有量が２〜１５原子％を外れるような場合には、成膜後の磁気的分離性能を確保することができない、あるいは、磁性層中のＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔの含有量が相対的に小さくなるため、結果的に保磁力やＳＮ比の低下を招くことにあなる。
なお、本発明でいう平均組成とは、後述するＰｔリッチ領域を含め、ＣＣＰターゲット全体にわたって求めた各成分の組成の平均値をいう。例えば、平均Ｐｔ組成とは、ＣＣＰターゲット全体にわたって求めたＰｔ成分の組成の平均値をいう。
【００１５】
Ｐｔリッチ領域：
通常、磁性材料中に非磁性材料を含有させた場合には、磁性が弱くなり比透磁率も小さくなると考えられるが、Ｃｏ（磁性材料）及びＰｔ（非磁性材料）の場合には、第３図の模式図に示されるように、ＣｏとＰｔが合金化し、合金相のＰｔ濃度あるいはＣｏ濃度が高くなるほど指数乗的に比透磁率が大きくなるため、比透磁率の低下を図るためには、できるだけ合金化による比透磁率の増大を防がなければならない。（なお、図３の模式図では、Ｃｏ，Ｐｔそれぞれ単体の比透磁率は、Ｃｏ：２５０，Ｐｔ：１として図示している。）
そこで、本発明のＣＣＰターゲットでは、ＣＣＰターゲット全体における平均Ｐｔ組成より高いＰｔ濃度を有するＰｔリッチ領域を、その組織中に所定面積割合で形成することによって、ＣＣＰターゲットの比透磁率の低下を図った。
具体的には、ＣＣＰターゲット全体における平均Ｐｔ組成より３〜１５原子％高いＰｔ濃度のＰｔリッチ領域を、その組織中に１２〜２５面積％の面積率で存在することにより比透磁率を低下させることが可能となった。
【００１６】
Ｐｔリッチ領域のＰｔ濃度：
まず、Ｐｔリッチ領域のＰｔ濃度（以下、Ｐｔリッチ領域組成という）が、｛平均Ｐｔ組成＋３原子％｝未満であると、Ｐｔリッチ領域以外のその他の領域におけるＰｔ濃度を十分に低下させることができず、Ｃｏと合金化するＰｔ濃度が高いため、図３からも明らかなように比透磁率が大きくなり、その結果、漏れ磁束が小さくなって好ましくない。
一方、Ｐｔリッチ領域組成が、｛平均Ｐｔ組成＋１５原子％｝を超えるようなＣＣＰターゲットを製造するには、焼結温度、圧力を低下させる必要があるが、低焼結温度、低圧力でＣＣＰターゲットを製造すると、ＣＣＰターゲットの密度が小さくなり、スパッタリングによる成膜時にパーティクルが発生する可能性が大きくなって好ましくない。
したがって、Ｐｔリッチ領域におけるＰｔリッチ領域組成は、
｛平均Ｐｔ組成＋３原子％｝≦Ｐｔリッチ領域組成≦｛平均Ｐｔ組成＋１５原子％｝
と定めた。
なお、Ｐｔリッチ領域組成は、平均Ｐｔ組成より５〜１５原子％高いことが好ましく、平均Ｐｔ組成より７〜１３原子％高いことがさらに好ましい。
【００１７】
Ｐｔリッチ領域の面積率：
次に、Ｐｔリッチ領域の面積率が１２％未満であると、Ｐｔリッチ領域以外のその他の領域におけるＰｔ濃度を十分に低下させることができず、ＣｏとＰｔが反応する頻度が多くなり、比透磁率が大きくなる結果、漏れ磁束が小さくなって好ましくない。
一方、Ｐｔリッチ領域の面積率が２５％を超えると、密度低下や非磁性酸化物の凝集部分の増加が発生する。その結果、スパッタリングによる成膜時にパーティクルが発生する可能性が大きくなって好ましくない。
したがって、ターゲット全体に占めるＰｔリッチ領域の面積率は、１２〜２５面積％、好ましくは、１５〜２２面積％、と定めた。
【００１８】
Ｐｔリッチ領域のＰｔリッチ領域組成および面積率の測定：
本発明のＣＣＰターゲットにおけるＰｔリッチ領域組成は、例えば、ターゲット断面を電子線マイクロプローブナライザ（ＥＰＭＡ）において、白色部分の定量分析を行うことで測定することができる。
また、本発明のＣＣＰターゲットにおけるＰｔリッチ領域の面積率は、例えば、以下（イ）〜（ニ）の手順により測定することができる。
（イ）フィールドエミッションＥＰＭＡにより１０００倍のＣＯＭＰＯ像（６０μｍ×８０μｍ）を撮影する。
（ロ）市販の画像解析ソフトにより、撮影した画像をモノクロ画像に変換するとともに、単一しきい値を使用して二値化する。
これにより、Ｐｔ含有量が多い領域ほど、白く表示されることとなる。
なお、画像解析ソフトとしては、例えば、ＷｉｎＲｏｏｆ  Ｖｅｒ５．６．２（三谷商事社製）などが利用できる。また、二値化とは、画像の各画素の輝度（明るさ）に対してある“しきい値”を設け、しきい値以下ならば“０”、しきい値より大きければ“１”として、領域を区別化することである。
（ハ）この画像すべてを選択しない最大のしきい値を１００％とすると、７８％のしきい値を使用し白色側の領域を選択する。
そして、この選択した領域を４回収縮し、３回膨張させたときの領域をＰｔリッチ領域とし、この領域の面積率を算出させる。
収縮および膨張の倍率としては、例えば、２．３％である。
（ニ）上記（イ）〜（ハ）の操作を、ターゲット上の異なる箇所に対し３回繰り返し、３回の面積率の平均をＰｔリッチ領域の面積率とする。
【００１９】
本発明のＣＣＰターゲットの製造方法：
上述のような特定のＰｔリッチ領域組成および特定のＰｔリッチ領域面積率からなるＰｔリッチ領域を備えた本発明のＣＣＰターゲットの製造方法について説明する。
【００２０】
本発明のＣＣＰターゲットは、第一粉砕工程、第二粉砕工程および成形焼結工程を経て製造される。
《（第一粉砕工程および第二粉砕工程）》
第一粉砕工程において、Ｃｏ粉末、第一のＰｔ粉末および非磁性酸化物粉を混合し、粉砕し、予備混合粉末を作製する。
第二粉砕工程において、第一粉砕工程で得られた予備混合粉末に、ＣｏＣｒの二元系合金粉末および第二のＰｔ粉末を混合し、粉砕し、混合粉末を作製する。
具体的な粉砕の方法としては、例えば、Ａｒガス雰囲気中において、ジルコニアボールを用いたボールミルなどが挙げられる。
また、ボールミルを用いた場合、第二粉砕工程の粉砕時間は、第一粉砕工程の粉砕時間よりも短いことが好ましく、例えば、第一粉砕工程を１６時間、第二粉砕工程を１時間とするとよい。
このように粉砕時間を設定した場合、粉砕時間が短く、粒径の大きいＰｔ粉末が原料中に存在することにより、ＣＣＰターゲット中にＰｔリッチ領域を発生させることができる。
また、第一のＰｔ粉末の量は、第一および第二のＰｔ粉末の合計量の３０〜７０％であることが好ましい。
ここで、第一のＰｔ粉末の量が合計量の３０％未満であると、粉砕時間の短い第二粉砕工程におけるＰｔ粉末の使用量が多くなって、Ｐｔリッチ領域の面積率が２５％を超え、スパッタリング成膜時にパーティクルが発生する可能性が大きくなるため好ましくない。
加えて、Ｃｏ粉末および非磁性酸化物の粉末は、非常に細かくあるいは軽いため、これらだけでは均一に混合あるいは粉砕することができない。このため、比重の大きいＰｔ粉末を、第一粉砕工程において添加する必要がある。
一方、第一のＰｔ粉末の量が合計量の７０％より大きくなると、Ｐｔリッチ領域の形成に寄与する第二のＰｔ粉末の量が少なくなり、その結果、形成されるＰｔリッチ領域の面積率が１２％未満となってしまい、漏れ磁束が小さくなって好ましくない。
【００２１】
《成形焼結工程》
第二粉砕工程で得られた混合粉末を成形焼結することにより、本発明のＣＣＰターゲットを製造する。
成形焼結工程で用いられる方法としては、例えば、真空ホットプレスなどが挙げられる。
ここで、真空ホットプレスの温度が７５０℃以下であると、ＣＣＰターゲットの密度が小さくなり、スパッタリングによる成膜時にパーティクルが発生する可能性が大きくなり、一方、真空ホットプレスの温度が１２００℃以上であると、Ｐｔリッチ領域の面積率が低下し、比透磁率が大きくなる結果、漏れ磁束が小さくなるので、真空ホットプレスの温度条件としては、７５０℃を超え１２００℃未満であることが好ましい。
また、真空ホットプレスの他の条件としては、圧力が１０〜２００ＭＰａ、保持時間が１〜２０時間であることが好ましく、圧力が３０〜１５０ＭＰａ、保持時間が、３〜１０時間であることがより好ましい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係るＣＣＰターゲットは、比透磁率が小さいためスパッタ時の漏れ磁束が大きく、ターゲットを厚く形成した場合でもスパッタが可能であり、また、ターゲットの相対密度も高いため、スパッタに際しパーティクルの発生を抑制することができ、ハードディスクの高密度磁気記録媒体等に適用される磁気記録膜、特に高密度の垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜の形成を効率的に実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】従来の製造方法により得たＣＣＰターゲットの組織を示す模式図であり、母相中に、非磁性酸化物の分散相が形成されている。
【図２】本発明により得たＣＣＰターゲットの組織を示す模式図であり、母相中に、非磁性酸化物の分散相とＰｔリッチ領域が分散した組織が形成されている。
【図３】ＣｏＰｔの二元合金における組成による比透磁率の変化の様子を示す模式図である。
【図４】ターゲットの漏れ磁束密度を測定するための装置概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
本発明を、実施例により以下に詳細に説明する。
【実施例１】
【００２５】
まず、本発明のＣＣＰターゲット（実施例１ａ〜１ｃ）を、下記の手順に従って作製した。
（１）第一粉砕工程
Ｃｏ粉末、第一のＰｔ粉末および非磁性酸化物としてＳｉＯ２粉を使用し、粉砕媒体となるジルコニアボールと共に１０リットルの容器に投入し、この容器内の雰囲気をＡｒガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉した。この容器をボールミルで１６時間回転させ、予備混合粉末を得た。
（２）第二粉砕工程
予備混合粉末を含む容器内に、予め１６時間ボールミルで粉砕したＣｏＣｒの二元系合金粉末および第二のＰｔ粉末を、表１の実施例１に示す配合割合の混合粉末となるように添加し、1時間回転させることによって混合粉末を作製した。
ここで、ＣｏＣｒ二元系合金粉末は、特開２００７−２９１５１２号公報（特許文献３）に記載の方法により作成したものである。
さらに、第一のＰｔ粉末と第二のＰｔ粉末の添加に際して、第一粉砕工程で第一のＰｔ粉末として添加するＰｔ量（Ｐｔ第一投入量という）と、第二粉砕工程で第二のＰｔ粉末として添加するＰｔ量（Ｐｔ第二投入量という）との割合を、
Ｐｔ初期投入比（％）
＝[Ｐｔ第一投入量／（Ｐｔ第一投入量＋Ｐｔ第二投入量）]×１００
で表した場合、
Ｐｔ初期投入比（％）が、それぞれ、７０％（実施例１ａ）、５０％（実施例１ｂ〜１ｄ）、３０％（実施例１ｅ）、となるように、第一粉砕工程と第二粉砕工程におけるＰｔ量の添加を調整した。
（３）成形焼結工程
混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：９００℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより、板状ホットプレス体を作製した。
続いて、板状ホットプレス体を切削することにより、いずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：７ｍｍの寸法を有する本発明の実施例１ａ〜１ｅのＣＣＰターゲットを作製した。
【００２６】
上記で得られた本発明の実施例１ａ〜１ｅのＣＣＰターゲットについて、Ｐｔリッチ領域の面積率（面積％）、Ｐｔリッチ領域組成（原子％）、漏れ磁束密度（％）および相対密度（％）を求めた。
それぞれの測定方法は、以下のとおりである。
【００２７】
Ｐｔリッチ領域の面積率（面積％）：
（イ）フィールドエミッションＥＰＭＡにより１０００倍のＣＯＭＰＯ像（６０μｍ×８０μｍ）を撮影する。
（ロ）画像解析ソフト（ＷｉｎＲｏｏｆ  Ｖｅｒ５．６．２（三谷商事社製））により、撮影した画像をモノクロ画像に変換する。
（ハ）この画像すべてを選択しない最大のしきい値を１００％とすると、７８％のしきい値を使用し白色側の領域を選択する。
そして、この選択した領域を４回収縮し、３回膨張させ（収縮および膨張の倍率は２．３％とした）たときの領域をＰｔリッチ領域とし、この領域の面積率を算出する。
（ニ）上記（イ）〜（ハ）の操作を、ターゲット上の異なる箇所に対し３回繰り返し、３回の面積率の平均をＰｔリッチ領域の面積率として求めた。
【００２８】
Ｐｔリッチ領域組成（原子％）：
ターゲット断面を電子線マイクロプローブナライザ（ＥＰＭＡ）により面分析を行い、Ｐｔリッチ領域についてのＰｔの濃度を測定し、この測定を、ターゲット上の異なる箇所に対し３回繰り返し行い、３回測定したＰｔの濃度の平均値をＰｔリッチ領域組成（Ｐｔリッチ領域のＰｔ濃度）として求めた。
【００２９】
漏れ磁束密度（％）：
漏れ磁束密度の測定は、ＡＳＴＭ  Ｆ２０８６−０１に基づき実施した。
測定治具は、非磁性体の材質（例えば、アルミニウム）からなり、図４に示されるようにターゲットを載せるテーブルと、その下に配置する磁石を固定するための固定治具、ホールプローブをターゲット上空に保持しかつ上下方向あるいは支柱を中心とした円弧方向に移動させることのできる支柱から構成されている。
磁束を発生させるための磁石には馬蹄形磁石（Ｄｅｘｔｅｒ社製アルニコ磁石５Ｋ２１５）を用いた。
測定手順としては、まず測定治具に磁石とホールプローブを取り付けて固定し、ホールプローブにガウスメーターを接続した。
ターゲットを載せずにテーブルにホールプローブを若干円弧方向に左右に振りながらターゲットに水平な磁束密度を測定し、磁束密度が最大となるところでホールプローブを固定した。
この位置で測定されたテーブル面に水平な方向の磁束密度をＡＳＴＭで定義されているＳｏｕｒｃｅ Ｆｉｅｌｄとし、これが９０±５ｍＴの範囲にあることを確認した。
つぎに、ホールプローブの先端を測定するターゲットの厚み＋０．５ｍｍの高さまで上昇させ、ホールプローブを若干円弧方向に左右に振りながらテーブル面に水平な方向の磁束密度を測定し、磁束密度が最大となるところでホールプローブを固定した。
この位置で測定された磁場をＡＳＴＭで定義されるＲｅｆｅｒｅｎｎｃｅ ｆｉｅｌｄとして記録した。
一方、十分に脱磁された（ターゲット表面にてターゲットに垂直な方向の残留磁束密度が０．３ｍＴ以下になるように脱磁された）ターゲットをテーブルの上に載せた。
この際ホールプロ−ブの位置は上記のまま固定し、ターゲットをその下から滑り込ませた。
ターゲット表面の中心と、ターゲット表面のホールプローブ直下の点の間の距離は４３．７±２ｍｍになるようにターゲットを配置した。
次に均一に磁化されるようにターゲットを反時計回りに５回転させた。
回転後に測定されるテーブル面に水平な方向の磁束密度を記録し、これを０度の位置での磁束密度とした。
さらにターゲットを中心位置に移動せずに反時計回りに３０度、６０度、９０度、１２０度回転した位置での磁束密度を記録した。
これらの値をＲｅｆｅｒｅｎｎｃｅ ｆｉｅｌｄの値で割って１００を掛けた値について５点の平均をとり、その５点平均値をそのターゲットの漏れ磁束密度（％）とした。
【００３０】
相対密度（％）：
焼結体の相対密度は、焼結体の嵩密度を理論密度で割って１００を掛けた値であり、焼結体の理論密度は、各元素、分子が均一に混合し、反応、拡散などが起こらないものと仮定して以下のようにして計算した値である。
すなわち、非磁性酸化物が、例えば、Ｔａ２Ｏ５であるとした場合、焼結体の組成を、ＣｏａＣｒｂＰｔｃ（Ｔａ２Ｏ５）ｄ（ａ，ｂ，ｃ，ｄは重量％）と表したとき、焼結体の理論密度ρｔは、
ρｔ＝１００／（ａ／ρＣｏ＋ｂ／ρＣｒ＋ｃ／ρＰｔ＋ｄ／ρＴａ２Ｏ５）（ここでρＣｏ＝８．９２、ρＣｒ＝７．１９、ρＰｔ＝２１．４５、ρＴａ２Ｏ５＝４．２５でこれらは各元素、酸化物の理論密度である）で求められる。
したがって、焼結体の相対密度Ｒは、焼結体の嵩密度ρと理論密度ρｔから、
Ｒ＝ρ／ρｔ×１００により求められる。
【００３１】
表２には、上記の測定方法で求めた本発明の実施例１ａ〜１ｅのＣＣＰターゲットについての、Ｐｔリッチ領域の面積率（面積％）、Ｐｔリッチ領域組成（原子％）、ターゲットの平均Ｐｔ組成とＰｔリッチ領域組成との差の値（原子％）、漏れ磁束密度（％）および相対密度（％）を、それぞれ示す。
【００３２】
比較例１として、本発明の実施例１と同様な作製工程において、表２に示すように、第二粉砕工程におけるＰｔ初期投入比（％）を、９０％、７５％、２５％、１０％にそれぞれ変更した比較例１ａ〜比較例１ｄを作製し、また、ホットプレス温度を、１２００℃、７５０℃にそれぞれ変更した比較例１ｅ、比較例１ｆを作製した。
上記比較例１ａ〜１ｆのＣＣＰターゲットのＰｔリッチ領域の面積率（面積％）、Ｐｔリッチ領域組成（原子％）、ターゲットの平均Ｐｔ組成とＰｔリッチ領域組成との差の値（原子％）、漏れ磁束密度（％）および相対密度（％）を、実施例１の場合と同様にして求めた。
それらの値を、表２に示す。
【００３３】
さらに参考のために、従来のＣＣＰターゲット（従来例１）を作製した。
実施例１および比較例１では、粉末の混合・粉砕を二つの粉砕工程で分けて行ったが、従来例１では、単一の粉砕工程で混合・粉砕し、混合粉末を得た。
即ち、表１に示す配合割合の混合粉末となるように、Ｃｏ粉末、Ｐｔ粉末、非磁性酸化物粉末およびＣｏＣｒの二元系合金粉末を、粉砕媒体となるジルコニアボールと共に１０リットルの容器に同時に投入し、この容器内の雰囲気をＡｒガス雰囲気中で置換し、その後、容器を密閉し、この容器をボールミルで１７時間回転させて粉砕し、混合粉末を作製した。
ついで、上記混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：９００℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより、板状ホットプレス体を作製した。
続いて、板状ホットプレス体を切削することにより、いずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：７ｍｍの寸法を有する従来例１のＣＣＰターゲットを作製した。
上記従来例１のＣＣＰターゲットのＰｔリッチ領域の面積率（面積％）、Ｐｔリッチ領域組成（原子％）、ターゲットの平均Ｐｔ組成とＰｔリッチ領域組成との差の値（原子％）、漏れ磁束密度（％）および相対密度（％）を、実施例１の場合と同様にして求めた。
それらの値を、表２に示す。
【００３４】
【表１】
2010272177.tif 000003
【００３５】
【表２】
2010272177.tif 000004
【００３６】
表１，２から明らかなように、本発明の所定の方法で作製した実施例１ａ〜１ｅのＣＣＰターゲットは、１２〜２５％の範囲内の面積率のＰｔリッチ領域を有し、かつ、平均Ｐｔ組成より３〜１５原子％高い範囲内のＰｔ濃度のＰｔリッチ領域組成を有し、さらに、漏れ磁束（密度）、相対密度が大きいことがわかる。
これに対し、Ｐｔ初期投入比が大であるため１２％未満のＰｔリッチ領域しか形成されていない比較例１ａ、比較例１ｂ、ホットプレス温度が高すぎるためＰｔリッチ領域組成が平均Ｐｔ組成より３原子％以上高くなっていない比較例１ｅ、さらに、Ｐｔリッチ領域が形成されない従来例１のＣＣＰターゲットは、実施例１と同様の原料配合であるにも関わらず、漏れ磁束（密度）が小さい。
また、Ｐｔ初期投入比が小であるため２５％を超えるＰｔリッチ領域が形成されている比較例１ｃ、比較例１ｄ、ホットプレス温度が低すぎるためＰｔリッチ領域組成が平均Ｐｔ組成より１５原子％を超えて高くなっている比較例１ｆのＣＣＰターゲットは、相対密度が小さいためパーティクルが発生しやすいことがわかる。
【実施例２】
【００３７】
表１の実施例２に示される配合組成となるように混合粉末を作製し（非磁性酸化物としてＴｉＯ２粉を使用）、実施例１と同様な方法で、本発明のＣＣＰターゲット（実施例２ａ〜２ｃ）を作製した。
得られた本発明のＣＣＰターゲット（実施例２ａ〜２ｃ）のＣｏ初期投入比（％）、Ｐｔ初期投入比（％）、Ｐｔリッチ領域の面積率（面積％）、Ｐｔリッチ領域組成（原子％）、ターゲットの平均Ｐｔ組成とＰｔリッチ領域組成との差の値（原子％）、漏れ磁束密度（％）および相対密度（％）を、それぞれ表３に示す。
【００３８】
比較例２として、表１の比較例２に示される配合組成となるように混合粉末を作製し、比較例１と同様な方法で、比較例のＣＣＰターゲット（比較例２ａ〜２ｄ）を作製した。
得られた比較例のＣＣＰターゲット（比較例２ａ〜２ｄ）のＣｏ初期投入比、Ｐｔ初期投入比、Ｐｔリッチ領域の面積率、Ｐｔリッチ領域組成、ターゲットの平均Ｐｔ組成とＰｔリッチ領域組成との差の値、漏れ磁束密度および相対密度を、それぞれ表３に示す。
【００３９】
さらに参考のために、従来のＣＣＰターゲット（従来例２）を作製した。
表１の従来例２に示される配合割合の混合粉末となるように、従来例１と同様な方法で混合粉末を作製し、ついで、上記混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：９００℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより、板状ホットプレス体を作製し、続いて、板状ホットプレス体を切削することにより、いずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：７ｍｍの寸法を有する従来例２のＣＣＰターゲットを作製した。
得られた従来例２のＣＣＰターゲットのＰｔリッチ領域の面積率、Ｐｔリッチ領域組成、ターゲットの平均Ｐｔ組成とＰｔリッチ領域組成との差の値、漏れ磁束密度および相対密度を、それぞれ表３に示す。
【００４０】
【表３】
2010272177.tif 000005
【００４１】
表１、３から明らかなように、非磁性酸化物粉としてＴｉＯ２を使用し、本発明所定の方法で作製した実施例２ａ〜２ｃのＣＣＰターゲットは、１２〜２５％の範囲内の面積率のＰｔリッチ領域を有し、かつ、平均Ｐｔ組成より３〜１５原子％高い範囲内のＰｔ濃度のＰｔリッチ領域組成を有し、さらに、漏れ磁束（密度）、相対密度が大きいことがわかる。
これに対し、Ｐｔ初期投入比が大であるため１２％未満のＰｔリッチ領域しか形成されていない比較例２ａ、ホットプレス温度が高すぎるためＰｔリッチ領域組成が平均Ｐｔ組成より３原子％以上高くなっていない比較例２ｃ、さらに、Ｐｔリッチ領域が形成されない従来例２のＣＣＰターゲットは、実施例２と同様の原料配合であるにも関わらず、漏れ磁束（密度）が小さい。
また、Ｐｔ初期投入比が小であるため２５％を超えるＰｔリッチ領域が形成されている比較例２ｂ、ホットプレス温度が低すぎるためＰｔリッチ領域組成が平均Ｐｔ組成より１５原子％を超えて高くなっている比較例２ｄのＣＣＰターゲットは、相対密度が小さいためパーティクルが発生しやすいことがわかる。
【実施例３】
【００４２】
表１の実施例３に示される配合組成となるように混合粉末を作製し（非磁性酸化物としてＴａ２Ｏ５粉を使用）、実施例１と同様な方法で、本発明のＣＣＰターゲット（実施例３ａ〜３ｃ）を作製した。
得られた本発明のＣＣＰターゲット（実施例３ａ〜３ｃ）のＣｏ初期投入比（％）、Ｐｔ初期投入比（％）、Ｐｔリッチ領域の面積率（面積％）、Ｐｔリッチ領域組成（原子％）、ターゲットの平均Ｐｔ組成とＰｔリッチ領域組成との差の値（原子％）、漏れ磁束密度（％）および相対密度（％）を、それぞれ表４に示す。
【００４３】
比較例３として、表１の比較例３に示される配合組成となるように混合粉末を作製し、比較例１と同様な方法で、比較例のＣＣＰターゲット（比較例３ａ〜３ｄ）を作製した。
得られた比較例のＣＣＰターゲット（比較例３ａ〜３ｄ）のＣｏ初期投入比、Ｐｔ初期投入比、Ｐｔリッチ領域の面積率、Ｐｔリッチ領域組成、ターゲットの平均Ｐｔ組成とＰｔリッチ領域組成との差の値、漏れ磁束密度および相対密度を、それぞれ表４に示す。
【００４４】
さらに参考のために、従来のＣＣＰターゲット（従来例３）を作製した。
表１の従来例３に示される配合割合の混合粉末となるように、従来例１と同様な方法で混合粉末を作製し、ついで、上記混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：９００℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより、板状ホットプレス体を作製し、続いて、板状ホットプレス体を切削することにより、いずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：７ｍｍの寸法を有する従来例３のＣＣＰターゲットを作製した。
得られた従来例３のＣＣＰターゲットのＰｔリッチ領域の面積率、Ｐｔリッチ領域組成、ターゲットの平均Ｐｔ組成とＰｔリッチ領域組成との差の値、漏れ磁束密度および相対密度を、それぞれ表４に示す。
【００４５】
【表４】
2010272177.tif 000006
【００４６】
表１、４から明らかなように、非磁性酸化物粉としてＴａ２Ｏ５粉を使用し、本発明所定の方法で作製した実施例３ａ〜３ｃのＣＣＰターゲットは、１２〜２５％の範囲内の面積率のＰｔリッチ領域を有し、かつ、平均Ｐｔ組成より３〜１５原子％高い範囲内のＰｔ濃度のＰｔリッチ領域組成を有し、さらに、漏れ磁束（密度）、相対密度が大きいことがわかる。
これに対し、Ｐｔ初期投入比が大であるため１２％未満のＰｔリッチ領域しか形成されていない比較例３ａ、ホットプレス温度が高すぎるためＰｔリッチ領域組成が平均Ｐｔ組成より３原子％以上高くなっていない比較例３ｃ、さらに、Ｐｔリッチ領域が形成されない従来例３のＣＣＰターゲットは、実施例３と同様の原料配合であるにも関わらず、漏れ磁束（密度）が小さい。
また、Ｐｔ初期投入比が小であるため２５％を超えるＰｔリッチ領域が形成されている比較例３ｂ、ホットプレス温度が低すぎるためＰｔリッチ領域組成が平均Ｐｔ組成より１５原子％を超えて高くなっている比較例３ｄのＣＣＰターゲットは、相対密度が小さいためパーティクルが発生しやすいことがわかる。
【実施例４】
【００４７】
表１の実施例４に示される配合組成となるように混合粉末を作製し（非磁性酸化物としてＣｒ２Ｏ３粉を使用）、実施例１と同様な方法で、本発明のＣＣＰターゲット（実施例４ａ〜４ｃ）を作製した。
得られた本発明のＣＣＰターゲット（実施例４ａ〜４ｃ）のＣｏ初期投入比（％）、Ｐｔ初期投入比（％）、Ｐｔリッチ領域の面積率（面積％）、Ｐｔリッチ領域組成（原子％）、ターゲットの平均Ｐｔ組成とＰｔリッチ領域組成との差の値（原子％）、漏れ磁束密度（％）および相対密度（％）を、それぞれ表５に示す。
【００４８】
比較例４として、表１の比較例４に示される配合組成となるように混合粉末を作製し、比較例１と同様な方法で、比較例のＣＣＰターゲット（比較例４ａ〜４ｄ）を作製した。
得られた比較例のＣＣＰターゲット（比較例４ａ〜４ｄ）のＣｏ初期投入比、Ｐｔ初期投入比、Ｐｔリッチ領域の面積率、Ｐｔリッチ領域組成、ターゲットの平均Ｐｔ組成とＰｔリッチ領域組成との差の値、漏れ磁束密度および相対密度を、それぞれ表５に示す。
【００４９】
さらに参考のために、従来のＣＣＰターゲット（従来例４）を作製した。
表１の従来例４に示される配合割合の混合粉末となるように、従来例１と同様な方法で混合粉末を作製し、ついで、上記混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：９００℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより、板状ホットプレス体を作製し、続いて、板状ホットプレス体を切削することにより、いずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：７ｍｍの寸法を有する従来例４のＣＣＰターゲットを作製した。
得られた従来例４のＣＣＰターゲットのＰｔリッチ領域の面積率、Ｐｔリッチ領域組成、ターゲットの平均Ｐｔ組成とＰｔリッチ領域組成との差の値、漏れ磁束密度および相対密度を、それぞれ表５に示す。
【００５０】
【表５】
2010272177.tif 000007
【００５１】
表１、５から明らかなように、非磁性酸化物粉としてＣｒ２Ｏ３粉を使用し、本発明所定の方法で作製した実施例４ａ〜４ｃのＣＣＰターゲットは、１２〜２５％の範囲内の面積率のＰｔリッチ領域を有し、かつ、平均Ｐｔ組成より３〜１５原子％高い範囲内のＰｔ濃度のＰｔリッチ領域組成を有し、さらに、漏れ磁束（密度）、相対密度が大きいことがわかる。
これに対し、Ｐｔ初期投入比が大であるため１２％未満のＰｔリッチ領域しか形成されていない比較例４ａ、ホットプレス温度が高すぎるためＰｔリッチ領域組成が平均Ｐｔ組成より３原子％以上高くなっていない比較例４ｃ、さらに、Ｐｔリッチ領域が形成されない従来例４のＣＣＰターゲットは、実施例４と同様の原料配合であるにも関わらず、漏れ磁束（密度）が小さい。
また、Ｐｔ初期投入比が小であるため２５％を超えるＰｔリッチ領域が形成されている比較例４ｂ、ホットプレス温度が低すぎるためＰｔリッチ領域組成が平均Ｐｔ組成より１５原子％を超えて高くなっている比較例４ｄのＣＣＰターゲットは、相対密度が小さいためパーティクルが発生しやすいことがわかる。
【実施例５】
【００５２】
表１の実施例５に示される配合組成となるように混合粉末を作製し（非磁性酸化物としてＣｒ２Ｏ３およびＴｉＯ２粉を使用）、実施例１と同様な方法で、本発明のＣＣＰターゲット（実施例５ａ〜５ｃ）を作製した。
得られた本発明のＣＣＰターゲット（実施例５ａ〜５ｃ）のＣｏ初期投入比（％）、Ｐｔ初期投入比（％）、Ｐｔリッチ領域の面積率（面積％）、Ｐｔリッチ領域組成（原子％）、ターゲットの平均Ｐｔ組成とＰｔリッチ領域組成との差の値（原子％）、漏れ磁束密度（％）および相対密度（％）を、それぞれ表６に示す。
【００５３】
比較例５として、表１の比較例５に示される配合組成となるように混合粉末を作製し、比較例１と同様な方法で、比較例のＣＣＰターゲット（比較例５ａ〜５ｄ）を作製した。
得られた比較例のＣＣＰターゲット（比較例５ａ〜５ｄ）のＣｏ初期投入比、Ｐｔ初期投入比、Ｐｔリッチ領域の面積率、Ｐｔリッチ領域組成、ターゲットの平均Ｐｔ組成とＰｔリッチ領域組成との差の値、漏れ磁束密度および相対密度を、それぞれ表６に示す。
【００５４】
さらに参考のために、従来のＣＣＰターゲット（従来例５）を作製した。
表１の従来例５に示される配合割合の混合粉末となるように、従来例１と同様な方法で混合粉末を作製し、ついで、上記混合粉末を真空ホットプレス装置に充填し、真空雰囲気中、温度：９００℃、圧力：３５ＭＰａ、３時間保持の条件で真空ホットプレスすることにより、板状ホットプレス体を作製し、続いて、板状ホットプレス体を切削することにより、いずれも直径：１５２．４ｍｍ、厚さ：７ｍｍの寸法を有する従来例５のＣＣＰターゲットを作製した。
得られた従来例５のＣＣＰターゲットのＰｔリッチ領域の面積率、Ｐｔリッチ領域組成、ターゲットの平均Ｐｔ組成とＰｔリッチ領域組成との差の値、漏れ磁束密度および相対密度を、それぞれ表６に示す。
【００５５】
【表６】
2010272177.tif 000008
【００５６】
表１、６から明らかなように、非磁性酸化物粉としてＣｒ２Ｏ３およびＴｉＯ２粉を使用し、本発明所定の方法で作製した実施例５ａ〜５ｃのＣＣＰターゲットは、１２〜２５％の範囲内の面積率のＰｔリッチ領域を有し、かつ、平均Ｐｔ組成より３〜１５原子％高い範囲内のＰｔ濃度のＰｔリッチ領域組成を有し、さらに、漏れ磁束（密度）、相対密度が大きいことがわかる。
これに対し、Ｐｔ初期投入比が大であるため１２％未満のＰｔリッチ領域しか形成されていない比較例５ａ、ホットプレス温度が高すぎるためＰｔリッチ領域組成が平均Ｐｔ組成より３原子％以上高くなっていない比較例５ｃ、さらに、Ｐｔリッチ領域が形成されない従来例５のＣＣＰターゲットは、実施例５と同様の原料配合であるにも関わらず、漏れ磁束（密度）が小さい。
また、Ｐｔ初期投入比が小であるため２５％を超えるＰｔリッチ領域が形成されている比較例５ｂ、ホットプレス温度が低すぎるためＰｔリッチ領域組成が平均Ｐｔ組成より１５原子％を超えて高くなっている比較例５ｄのＣＣＰターゲットは、相対密度が小さいためパーティクルが発生しやすいことがわかる。
【００５７】
以上のとおり、本発明に係るＣＣＰターゲットおよびその製造方法によれば、比透磁率が小さいためスパッタ時の漏れ磁束が大きくなることから、ターゲットを厚く形成した場合でもスパッタが可能であり、また、ターゲットの相対密度も高いため、スパッタに際しパーティクルの発生を抑制することができ、ハードディスクの高密度磁気記録媒体等に適用される磁気記録膜、特に高密度の垂直磁気記録媒体に適用される磁気記録膜の形成を効率的に実施することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明に係る磁気記録膜形成用スパッタリングターゲットは、垂直磁気記録媒体の記録膜をマグネトロンスパッタによって形成するためのＣＣＰターゲットとして、好適に利用することができる。
【図１】
2010272177.tif 000009
【図２】
2010272177.tif 000010
【図３】
2010272177.tif 000011
【図４】
2010272177.tif 000012