(57)【要約】【課題】低いコンタクト抵抗および高い耐食性を両立したＡｌ合金膜を有する表示装置を提供する。【解決手段】酸化物導電膜とＡｌ合金膜とが直接接触しており、前記Ａｌ合金膜の接触表面に合金成分が析出して存在する表示装置であって、前記Ａｌ合金膜が、Ｎｉ、Ａｇ、Ｚｎ及びＣｏよりなる群から選ばれる元素（以下Ｘ１と称することがある）の少なくとも１種以上、且つ前記元素Ｘ１と金属間化合物を形成することのできる元素（以下Ｘ２と称することがある）の少なくとも１種以上を含み、最大径１５０ｎｍ以下のＸ１−Ｘ２又はＡｌ−Ｘ１−Ｘ２で示される金属間化合物が形成されており、前記Ａｌ合金膜の接触表面の算術平均粗さＲａが２．２ｎｍ以上２０ｎｍ以下ある。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸化物導電膜とＡｌ合金膜とが直接接触しており、前記Ａｌ合金膜の接触表面に合金成分が析出して存在する表示装置であって、
前記Ａｌ合金膜が、Ｎｉ、Ａｇ、Ｚｎ及びＣｏよりなる群から選ばれる元素（以下Ｘ１と称することがある）の少なくとも１種以上、且つ前記元素Ｘ１と金属間化合物を形成することのできる元素（以下Ｘ２と称することがある）の少なくとも１種以上を含み、最大径１５０ｎｍ以下のＸ１−Ｘ２又はＡｌ−Ｘ１−Ｘ２で示される金属間化合物が形成されており、
前記Ａｌ合金膜の接触表面の算術平均粗さＲａが２．２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記Ａｌ合金膜が、前記元素Ｘ１を合計で０．１〜２原子％含有する請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記元素Ｘ２がＣｕ及び／又はＧｅであり、前記Ａｌ合金膜がこれらを合計で０．１〜２原子％含有する請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記Ａｌ合金膜が、更に希土類元素の少なくとも１種を合計で０．１〜０．５原子％含有する請求項１〜３のいずれかに記載の表示装置。
【請求項５】
前記希土類元素が、Ｌａ、Ｎｄ及びＧｄよりなる群から選ばれる元素の少なくとも１種である請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれかに記載の表示装置の製造方法において、
前記Ａｌ合金膜を、前記酸化物導電膜と直接接触させる前に、アルカリ溶液と接触させることによって、その表面の算術平均粗さＲａを２．２ｎｍ以上２０ｎｍ以下に調整することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記アルカリ溶液が、アンモニアまたはアルカノールアミン類を含む水溶液である請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記算術平均粗さＲａの調整が、レジスト膜の剥離工程で行われる請求項６または７に記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶ディスプレイ、半導体装置、光学部品などに使用される表示装置（特に配線材料としてＡｌ合金薄膜を含む表示装置）に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
小型の携帯電話から３０インチを超す大型のテレビに至るまで、様々な分野で用いられる液晶表示装置は、画素の駆動方法によって、単純マトリクス型液晶表示装置とアクティブマトリクス型液晶表示装置とに分けられる。このうちスイッチング素子として薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ：以下「ＴＦＴ」と呼ぶことがある。）を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置は、高精度の画質を実現できることから、汎用されている。
【０００３】
図１は、アクティブマトリクス型の液晶表示装置に適用される代表的な液晶パネルの構造を示す概略断面拡大説明図である。図１に示した液晶パネルは、ＴＦＴアレイ基板１と、該ＴＦＴ基板に対向して配置された対向基板２、およびこれらＴＦＴ基板１と対向基板２との間に配置され、光変調層として機能する液晶層３を備えている。ＴＦＴアレイ基板１は、絶縁性のガラス基板１ａ上に配置された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）４や配線部６に対向する位置に配置された遮光膜９からなる。
【０００４】
また、ＴＦＴ基板１および対向基板２を構成する絶縁性基板の外面側には、偏光板１０が配置されると共に、対向基板２には、液晶層３に含まれる液晶分子を所定の向きに配向させるための配向膜１１が設けられている。
【０００５】
このような構造の液晶パネルでは、対向基板２と酸化物導電膜５（透明導電膜または透明画素電極）との間に形成される電界によって、液晶層３における液晶分子の配向方向が制御され、ＴＦＴアレイ基板１と対向基板２との間の液晶層３を通過する光が変調され、これによって、対向基板２を透過する光の透過が制御されて画像が表示される。
【０００６】
またＴＦＴアレイは、ＴＦＴアレイ外部に引き出されたＴＡＢテープ１２により、ドライバ回路１３および制御回路１４によって駆動される。なお図１中、１５はスペーサー、１６はシール材、１７は保護膜、１８は拡散膜、１９はプリズムシート、２０は導光板、２１は反射板、２２はバックライト、２３は保持フレーム、２４はプリント基板を夫々示している。
【０００７】
図２は、上記のような表示装置用アレイ基板に適用される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の構成を例示する概略断面説明図である。図２に示すように、ガラス基板１ａ上には、Ａｌ合金薄膜によって走査線２５が形成され、該走査線２５の一部は、薄膜トランジスタのオン・オフを制御するゲート電極２６として機能する。またゲート絶縁膜２７を介して走査線２５と交差するように、アルミニウム薄膜によって信号線が形成され、該信号線の一部は、ＴＦＴのソース電極２８として機能する。なおこのタイプは一般にボトムゲート型と呼ばれる。
【０００８】
ゲート絶縁膜２７上の画素領域には、例えばＩｎ2Ｏ3にＳｎＯを含有させたＩＴＯ膜によって形成された酸化物導電膜５が配置されている。Ａｌ合金膜で形成された薄膜トランジスタのドレイン電極２９は、酸化物導電膜５に直接接触して電気的に接続される。
【０００９】
上記のような構成のＴＦＴ基板１ａに走査線２５を介してゲート電極２６にゲート電圧を供給すると、薄膜トランジスタがオン状態となり、予め信号線に供給された駆動電圧がソース電極２８からドレイン電極２９を介して酸化物導電膜５へ供給されることになる。そして、酸化物導電膜５に所定レベルの駆動電圧が供給されると、対向する共通電極との間で液晶素子に駆動電圧が加わって液晶が動作する。なお図１に示した構成では、ソース−ドレイン電極と酸化物導電膜５とが直接接触している状態を示したが、ゲート電極においても、端子部で酸化物導電膜５と接触して電気的に接続される構成を採用することがある。
【００１０】
また、この酸化物導電膜５に電気的に接続される配線部の信号線としては、純ＡｌもしくはＡｌ−ＮｄのようなＡｌ合金が使用されるが、これらと酸化物導電膜５が直接接触しないように、その間にＭｏ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ等の高融点金属からなる積層膜（「バリアメタル層」と呼ばれることがある）を介在させることも行われていた。しかしながら最近では、図２に示すように、これらのバリアメタル層を省略し、信号線に酸化物導電膜５を直接接触させる技術（以下「ダイレクトコンタクト技術」と呼ぶ場合がある）が提案されている。
【００１１】
例えば本願の出願人は特許文献１において、純粋なＡｌではなく、Ａｌ−Ｎｉ系合金に代表されるような多元系Ａｌ合金膜を配線に使用することで、バリアメタル層を省略して、前記Ａｌ合金膜と酸化物導電膜（透明画素電極）とを直接接触させる技術を開示している。特許文献１の技術では、Ａｌ合金膜にＮｉ等を含有させることによって、Ａｌ合金膜と酸化物導電膜との間のコンタクト抵抗を低減させることができる。
【００１２】
また本願の出願人は、前記特許文献１で開示した技術をさらに改良したＡｌ合金膜の技術を特許文献２で開示している。詳しくは特許文献２では、Ａｌ合金膜に、Ｎｉ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｃｕ、およびＧｅよりなる群（グループα）から選択される少なくとも一種の元素に加えて、Ｍｇ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、およびＤｙよりなる群（グループＸ）から選択される少なくとも一種の元素（即ち耐熱性向上元素）を含有させることによって、このＡｌ合金膜を低いプロセス温度で処理しても、低い電気抵抗率と優れた耐熱性とを両立する技術を開示している。また特許文献２では、Ｍｇ等を添加することによって、Ａｌ合金膜の耐食性（アルカリ現像液に対する耐性）を改善できることも開示している。
【特許文献１】特開２００４−２１４６０６号公報
【特許文献２】特開２００６−２６１６３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上述のようにダイレクトコンタクト技術では、Ａｌ合金膜と酸化物導電膜との間のコンタクト抵抗を低減させることが求められ、そのような技術を本願の出願人は特許文献１で既に開示している。また表示装置の配線は、主にフォトレジスト法でパターニングされるため、その配線（Ａｌ合金膜）には、レジスト膜のアルカリ現像液またはアルカリ剥離液に曝されても、ピット状の孔食（以下「クレータ腐食」または「黒点」と呼ぶ場合がある）等の欠陥を形成しないことが求められる。このようにＡｌ合金膜の耐食性を改善させる技術を、本願の出願人は特許文献２で既に開示している。
【００１４】
上記のように低いコンタクト抵抗および高い耐食性を達成する技術は、本願の出願人などによる文献で開示されているが、表示装置の分野では、さらなる改良が絶えず求められている。そこで本発明の目的は、低いコンタクト抵抗および高い耐食性を両立したＡｌ合金膜を有する表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成し得た本発明の表示装置とは、酸化物導電膜とＡｌ合金膜とが直接接触しており、前記Ａｌ合金膜の接触表面に合金成分が析出して存在する表示装置であって、
前記Ａｌ合金膜が、Ｎｉ、Ａｇ、Ｚｎ及びＣｏよりなる群から選ばれる元素（以下Ｘ１と称することがある）の少なくとも１種以上、且つ前記元素Ｘ１と金属間化合物を形成することのできる元素（以下Ｘ２と称することがある）の少なくとも１種以上を含み、最大径１５０ｎｍ以下のＸ１−Ｘ２又はＡｌ−Ｘ１−Ｘ２で示される金属間化合物が形成されており、前記Ａｌ合金膜の接触表面の算術平均粗さＲａが２．２ｎｍ以上２０ｎｍ以下であることを特徴とする。なお本発明における算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１（２００１改正のＪＩＳ規格）に基づくものである。
【００１６】
前記Ａｌ合金膜が、前記元素Ｘ１を合計で０．１〜２原子％含有することが好ましい。また前記元素Ｘ２がＣｕ及び／又はＧｅであり、前記Ａｌ合金膜がこれらを合計で０．１〜２原子％含有することも好ましい。
【００１７】
前記Ａｌ合金膜が、更に希土類元素の少なくとも１種を合計で０．１〜０．５原子％含有していても良い。前記希土類元素が、Ｌａ、Ｎｄ及びＧｄよりなる群から選ばれる元素の少なくとも１種であることが好ましい。
【００１８】
本発明は上記表示装置の製造方法も提供する。本発明の製造方法は、前記Ａｌ合金膜を、前記酸化物導電膜と直接接触させる前に、アルカリ溶液と接触させることによって、その表面の算術平均粗さＲａを２．２ｎｍ以上２０ｎｍ以下に調整することを特徴とする。前記アルカリ溶液は、アンモニアまたはアルカノールアミン類を含む水溶液であることが好ましい。また前記算術平均粗さＲａの調整が、レジスト膜の剥離工程で行われても良い。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、Ａｌ合金膜に元素Ｘ２を含有させることによって、金属間化合物（析出物）が微細化され、耐食性が向上し、クレータ腐食を防止できる。またＡｌ合金膜表面の算術平均粗さＲａを適正範囲に制御することによって、コンタクト抵抗を低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
ダイレクトコンタクト技術に関して本発明者らが続けてきた検討によれば、Ａｌ合金膜に元素Ｘ１（Ｎｉ、Ａｇ、Ｚｎ及びＣｏ）を含有させることによって、この元素Ｘ１を含む析出物を、Ａｌ合金膜と酸化物導電膜との界面（即ちＡｌ合金膜の接触表面）に析出させることによって、コンタクト抵抗を低減することができる。
【００２１】
さらに本発明者らが検討を重ねた結果、元素Ｘ１よりも低温で析出し、且つ元素Ｘ１と金属間化合物を形成することのできる元素Ｘ２をＡｌ合金膜に含有させることによって、析出物（元素Ｘ１とＸ２とを含む金属間化合物）を微細化することができ、クレータ腐食を効果的に防止できることを見出した。
【００２２】
析出物（金属間化合物）が微細化するメカニズムとして、まず元素Ｘ２が低温で微細な核として析出し、その周りに元素Ｘ１が析出して、微細な金属間化合物（Ｘ１−Ｘ２又はＡｌ−Ｘ１−Ｘ２）が形成されると推定される。そして腐食の起点となる析出物が微細化され、小さく分散されることによって、耐食性が向上すると推定される。なお本発明はこれらの推定メカニズムに限定されない。
【００２３】
元素Ｘ１は、Ｎｉ、Ａｇ、Ｚｎ及びＣｏよりなる群から選ばれる少なくとも１種であり、好ましくはＮｉである。コンタクト抵抗の低減効果を充分に発揮させるために、元素Ｘ１の合計量は、好ましくは０．１原子％以上、より好ましくは０．２原子％以上、さらに好ましくは０．５原子％以上である。しかし元素Ｘ１の合計量が過剰になると、析出物（金属間化合物）が粗大化する（後記する実施例を参照）。そこで元素Ｘ１の合計量は、好ましくは２原子％以下、より好ましくは１．５原子％以下である。
【００２４】
元素Ｘ２は、好ましくはＣｕ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｉｎ、Ｓｎ及びＢよりなる群から選ばれる少なくとも１種であり、より好ましくはＣｕ及び／又はＧｅである。析出物（金属間化合物）の微細化効果を充分に発揮させるために、元素Ｘ２の合計量は、好ましくは０．１原子％以上、より好ましくは０．２原子％以上、さらに好ましくは０．５原子％以上である。しかし元素Ｘ２の合計量が過剰になると、上記の析出物が粗大化する。そこで元素Ｘ１の合計量は、好ましくは２原子％以下、より好ましくは１．５原子％以下である。
【００２５】
析出物（Ｘ１−Ｘ２又はＡｌ−Ｘ１−Ｘ２で示される金属間化合物）の最大径は、Ａｌ合金膜の耐食性を向上させるために、１５０ｎｍ以下、好ましくは１４０ｎｍ以下、より好ましくは１３０ｎｍ以下である。このような析出物は、適正量の元素Ｘ１およびＸ２を含有するＡｌ合金膜をスパッタリング等で成膜した後、３００℃程度の温度で３０分程度熱処理することによって形成できる。上記析出物の最大径は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ、倍率１５万倍）を用いて測定する。後記する実施例では、１２００μｍ×１６００μｍの測定視野を合計３箇所測定し、各測定視野における析出物最大径の最大値が１５０ｎｍ以下を満足するものを「合格」とした。
【００２６】
耐熱性を向上させて、熱処理等でのヒロック形成を防止するために、Ａｌ合金膜は、希土類元素（好ましくはＬａ、Ｎｄ及びＧｄよりなる群から選ばれる少なくとも１種）を含有していても良い。耐熱性向上効果を充分に発揮させるために、希土類元素の合計量は、０．１原子％以上、より好ましくは０．２原子％以上である。しかし希土類元素の合計量が過剰になると、Ａｌ合金膜自体の抵抗が増大する。そこで希土類元素の合計量は、好ましくは０．５原子％以下、より好ましくは０．４原子％以下である。
【００２７】
また本発明者らの検討の結果、Ａｌ合金膜を、酸化物導電膜と直接接触させる前に、アルカリ溶液と接触させて、その表面の算術平均粗さＲａを２．２ｎｍ以上（好ましくは３ｎｍ以上、より好ましくは５ｎｍ以上）、２０ｎｍ以下（好ましくは１８ｎｍ以下、より好ましくは１５ｎｍ以下）に調整することによって、コンタクト抵抗を低減できることを見出した。本発明における算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１：２００１（２００１改正のＪＩＳ規格）に基づくものであり、Ｒａ評価のための基準長さは０．０８ｍｍであり、評価長さは０．４ｍｍである。
【００２８】
Ａｌ合金膜を予めアルカリ溶液で処理すると、（１）表面に存在する酸化物が除去されること、及び（２）Ａｌ合金成分の少なくとも一部が表面に露出して、酸化物導電膜との接触面積が増大するため、コンタクト抵抗が低減できると考えられる。
【００２９】
下記実施例１に示すように、Ａｌ合金膜表面のＲａが小さすぎても、大きすぎても、コンタクト抵抗が充分に低減されない。まずＲａが小さすぎるとコンタクト抵抗が高くなるのは、Ａｌ合金膜表面に存在する析出物表面の酸化皮膜の溶解が不充分であるためと考えられる。一方、Ｒａが大きすぎても、Ａｌ合金膜自体が腐食され過ぎて、Ａｌ合金膜と酸化物導電膜との接触が正常範囲から逸脱するため、コンタクト抵抗が増大すると考えられる。
【００３０】
好ましくは表示装置のゲート電極、ソース電極およびドレイン電極のいずれか、より好ましくはこれら電極の全てが、上述のＡｌ合金膜で形成されていることが本発明の好ましい実施態様である。
【００３１】
上述したように本発明の表示装置は、Ｒａが適正範囲に調整されていることを特徴の一つとし、本発明の表示装置の製造方法は、Ａｌ合金膜をアルカリ溶液と接触させてＲａを適正範囲に調整することを特徴とする。Ｒａを適正範囲に制御するためには、例えば以下に説明するように、アルカリ水溶液に、数十秒〜数分程度Ａｌ合金膜を浸漬すればよい。
【００３２】
具体的には、使用するＡｌ合金膜の組成やアルカリ水溶液のｐＨなどに応じて浸漬時間を適宜適切に調整すれば良い。使用するＡｌ合金膜の組成によって析出物サイズや密度が異なるためである。例えば、元素Ｘ１（代表的にはＮｉなど）の含有量がおおむね、１原子％付近を境にしてアルカリ溶液のｐＨを変えることが好ましく、Ｘ１＜約１原子％の場合には、ｐＨ９．５以上のアルカリ溶液と接触させ、Ｘ１≧約１原子％の場合には、ｐＨ８．０以上のアルカリ溶液と接触させることが好ましい。また、後記する実施例で示したように、４０秒程度の浸漬時間で所定のＲａに制御することもできる。本発明の製造方法では、アルカリ溶液は、アンモニアまたはアルカノールアミン類（特にエタノールアミン類）を含む水溶液であることが好ましい。
【００３３】
本発明の製造方法では、配線パターニングの際のレジスト膜の剥離工程で、Ｒａを適正範囲に調整しても良い。即ち表示装置のパターニングの際には、レジスト膜の剥離工程（剥離液によるレジスト膜の除去およびその後の水洗工程）で、Ａｌ合金膜はアルカリ溶液と接触するので、この工程で、レジスト剥離と共にＲａの調整を行ってもよい。
【実施例】
【００３４】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明は以下の実施例によって制限を受けるものではなく、上記・下記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
【００３５】
実施例１
本実施例では、Ａｌ合金膜の接触表面の算術平均粗さＲａがコンタクト抵抗に及ぼす影響を調べるため、アルカリ溶液の浸漬条件を種々変化させてＲａを制御する実験を行なった。
【００３６】
具体的には、まず、無アルカリガラス板（板厚：０．７ｍｍ）を基板とし、その表面にＮｉ量の異なる２種類のＡｌ合金膜を、室温でのＤＣマグネトロンスパッタリングによって成膜した（膜厚３００ｎｍ）。具体的には、第１のＡｌ合金膜として、Ａｌ−０．６原子％Ｎｉ−０．５原子％Ｃｕ−０．３原子％Ｌａ合金膜を、第２のＡｌ合金膜として、Ａｌ−１．０原子％Ｎｉ−０．５原子％Ｃｕ−０．３原子％Ｌａ合金膜を用いた。
【００３７】
これらのＡｌ合金膜を３２０℃で３０分熱処理して、析出物（金属間化合物）を形成した。前述した方法に基づき、析出物サイズの最大径を測定したところ、いずれも５０〜１３０ｎｍであった。
【００３８】
熱処理後の各Ａｌ合金膜について、下記表１および表２に示すｐＨ及び浸漬時間で、純水（ｐＨ７．０）またはアルカリ水溶液に浸漬し、その表面をウェットエッチングした。なお、ｐＨ９．５以上のアルカリ水溶液を調整するに当たっては、モノエタノールアミン６０体積％及びジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）４０体積％のアルカリ溶液を用い、下記表１に示すｐＨとなるまで水で希釈した。一方、ｐＨ９．０以下のアルカリ水溶液（ｐＨ８．０および９．０）には、アンモニア水溶液を用い、水で希釈してｐＨを調整した。
【００３９】
各Ａｌ合金膜を所定時間浸漬した後、水洗・乾燥し、その表面の算術平均粗さＲａを原子間力顕微鏡（ＡＦＭ、測定エリア：５×５ｍｍ）で測定した（基準長さ：０．０８ｍｍ、評価長さ：０．０１ｍｍ）。これらの結果を下記表１および表２に示す。
【００４０】
Ｒａを測定した各Ａｌ合金膜の表面に、酸化物導電膜としてＩＴＯ膜（膜厚：２００ｎｍ）をＤＣマグネトロンスパッタリングで成膜した。次いでフォトリソグラフィおよびエッチングによるパターニングによって、コンタクト抵抗測定パターン（接触エリア１０μｍ×１０μｍ）を形成し、Ａｌ合金膜／ＩＴＯ膜のコンタクト抵抗をコンタクトチェーンを用いて評価した。具体的には、コンタクトホールが５０個連続して形成されたコンタクト抵抗測定パターンを形成し、コンタクトホール１個あたりに換算したコンタクト抵抗を算出した。表１、表２、および後記する表３では、コンタクト抵抗の相対評価欄を設け、下記基準で評価した。本実施例および後記する実施例では、いずれも、コンタクト抵抗が１．０×１０3Ω以下のもの（相対評価で○）を合格とした。
○：１．０×１０3Ω以下
△：１．０×１０3Ω超１×１０4Ω以下
×：１×１０4Ω超
【００４１】
これらの結果を下記表１および表２に示す。表１には第１のＡｌ合金膜の結果を、表２には第２のＡｌ合金膜の結果を、それぞれ示している。
【００４２】
【表１】
2010123754.tif 000002
【００４３】
【表２】
2010123754.tif 000003
【００４４】
表１および２に示す結果から明らかなように、アルカリ水溶液のｐＨ及び浸漬時間を調整して、Ａｌ合金膜の表面の算術平均粗さＲａを２．２〜２０ｎｍに調整することによって、Ａｌ合金膜とＩＴＯ膜との間のコンタクト抵抗を低減できる。
【００４５】
実施例２
本実施例では、Ｒａの制御に用いるアルカリ溶液がコンタクト抵抗に及ぼす影響を検討した。
【００４６】
まず、実施例１と同じのＤＣマグネトロンスパッタリング及び熱処理で、Ａｌ−０．６原子％Ｎｉ−０．５原子％Ｃｕ−０．３原子％Ｌａ合金膜を成膜し、析出物を形成した。このＡｌ合金膜を、下記表３に示すアミン類のアルカリ水溶液に６０秒間浸漬し、水洗・乾燥し、実施例１と同様にして算術平均粗さＲａを測定した。なおアルカリ水溶液中のアミン類の濃度は５．５×１０-4体積％である。
【００４７】
実施例１と同様にして、Ｒａを測定したＡｌ合金膜の表面にＩＴＯ膜を成膜し、そのコンタクト抵抗を測定した。結果を下記表３に示す。
【００４８】
【表３】
2010123754.tif 000004
【００４９】
表３に示す結果から、Ｘ１元素の添加量が低い（１％未満）場合にはアルカリ水溶液に用いるアミン類としては、アルカノールアミン類（特にエタノールアミン類）が好ましいことが分かる。
【００５０】
実施例３
本実施例では、Ａｌ合金膜の組成がコンタクト抵抗などに及ぼす影響を検討した。
【００５１】
まず、無アルカリガラス板（板厚：０．７ｍｍ）を基板とし、その表面に下記表４に示す組成のＡｌ合金膜を、室温でのＤＣマグネトロンスパッタリングによって成膜した（膜厚３００ｎｍ）。
【００５２】
実施例１と同様にして、Ａｌ合金膜の析出物を形成し、そのサイズ（最大径）を測定した。結果を下記表４に示す。
【００５３】
次に、熱処理後のＡｌ合金膜を、モノエタノールアミン６０体積％及びＤＭＳＯ：４０体積％のアルカリ溶液を水で希釈してｐＨを９．５に調整したアルカリ水溶液にアルカリ水溶液に３００秒間浸漬した後、純粋で１分間水洗・窒素ブローによる乾燥を行なった。このＡｌ合金膜表面の算術平均粗さＲａを、実施例１と同様にして測定した。結果を下記表４に示す。
【００５４】
実施例１と同様にして、Ｒａを測定したＡｌ合金膜の表面にＩＴＯ膜を成膜し、そのコンタクト抵抗を測定した。結果を下記表４に示す。
【００５５】
析出物サイズ、Ｒａ及びコンタクト抵抗を測定したＡｌ合金膜とは別に、同組成のＡｌ合金膜を作製した。このＡｌ合金膜を、モノエタノールアミン６０体積％及びＤＭＳＯ：４０体積％のアルカリ溶液を水で希釈してｐＨを１０に調整したアルカリ水溶液に３００秒間浸漬した後、水洗・乾燥した。このＡｌ合金膜のクレータ腐食（黒点）を、光学顕微鏡（観察倍率１０００倍、観察面積：１０μｍ×１０μｍ）で測定し、その密度を測定した。観察した際に、明確にコントラストが生じて黒点として認識されるときは、これを欠陥と判断する。本実施例では、クレータ腐食密度がおおむね、５個／１００μｍ2以下を、合格（耐食性に優れる）と評価した。結果を下記表４に示す。
【００５６】
【表４】
2010123754.tif 000005
【００５７】
まず、Ｎｏ．１〜５、８、および９は、Ａｌ合金膜の組成がいずれも本発明の好ましい要件を満足する例であり、Ｒａおよび析出物サイズも適切に制御されているため、コンタクト抵抗の低減と耐食性の両方に優れている。
【００５８】
これに対し、Ｎｏ．６および７は、Ｎｉ量が本発明の好ましい範囲を超える例であり、コンタクト抵抗は良好であるが、析出物が粗大化して耐食性が劣化した。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】アクティブマトリクス型の液晶表示装置に適用される代表的な液晶パネルの構造を示す概略断面拡大説明図である。
【図２】表示装置用アレイ基板に適用される薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の構成を例示する概略断面説明図である。
【符号の説明】
【００６０】
１  ＴＦＴアレイ基板
２  対向基板
３  液晶層
４  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
５  酸化物導電膜
６  配線部
７  共通電極
８  カラーフィルタ
９  遮光膜
１０  偏光板
１１  配向膜
１２  ＴＡＢテープ
１３  ドライバ回路
１４  制御回路
１５  スペーサー
１６  シ−ル材
１７  保護膜
１８  拡散膜
１９  プリズムシート
２０  導光板
２１  反射板
２２  バックライト
２３  保持フレーム
２４  プリント基板
２５  走査線
２６  ゲート電極
２７  ゲート絶縁膜
２８  ソース電極
２９  ドレイン電極
【図１】
2010123754.tif 000006
【図２】
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