(57)【要約】【課題】真空スパッタ装置を使用せずに透明な帯電防止膜を形成することで、静電気に対する画像の乱れが無い高品質の画像を表示することが可能であり、しかも、製造時の安定性が高くかつ製造コストが安い液晶パネルとその製造方法及び液晶パネルの帯電防止膜形成用塗料並びに画像表示装置を提供する。【解決手段】本発明の液晶パネルは、横電界方式の液晶パネルであり、ＴＦＴ側のガラス基板１に対して平行に配置されたカラーフィルタ側のガラス基板２の表面に、ＡＴＯ及びＩＴＯのいずれか一方または双方を含む導電性微粒子と、バインダーとを含有し、導電性微粒子（Ｐ）とバインダー（Ｂ）との合計量（Ｐ＋Ｂ）に対する導電性微粒子（Ｐ）の含有率が５質量％以上かつ９５質量％以下であり、膜厚が０．０１μｍ以上かつ１μｍ以下である帯電防止膜１１を設けた。【選択図】図１
2010102020.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示装置に用いられる横電界方式の液晶パネルであって、
前記液晶パネルのカラーフィルタ側の基板の表面に、
アンチモン添加酸化スズ（ＡＴＯ）及びスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）のいずれか一方または双方を含む導電性微粒子と、バインダーとを含有し、
前記導電性微粒子（Ｐ）と前記バインダー（Ｂ）との合計量（Ｐ＋Ｂ）に対する前記導電性微粒子（Ｐ）の含有率が５質量％以上かつ９５質量％以下であり、
膜厚が０．０１μｍ以上かつ１μｍ以下である帯電防止膜を設けてなることを特徴とする液晶パネル。
【請求項２】
前記基板は、厚みが０．３ｍｍ以下のガラス基板であることを特徴とする請求項１記載の液晶パネル。
【請求項３】
前記帯電防止膜の全光線透過率が９５％以上、ヘイズ値が１．０％以下、表面抵抗率が１×１０１０Ω／□以下、鉛筆硬度が４Ｈ以上であることを特徴とする請求項１または２記載の液晶パネル。
【請求項４】
液晶表示装置に用いられる横電界方式の液晶パネルの製造方法であって、
予め組み立てられた液晶パネルのカラーフィルタ側の基板の表面に、アンチモン添加酸化スズ（ＡＴＯ）及びスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）のいずれか一方または双方を含む導電性微粒子と、バインダーとを含有する塗布膜を形成し、この塗布膜を硬化させることにより、前記表面に帯電防止膜を形成することを特徴とする液晶パネルの製造方法。
【請求項５】
前記塗布膜の平均膜厚は０．０１μｍ以上かつ１μｍ以下であり、
前記塗布膜を、５０℃以上かつ２００℃以下にて加熱処理することにより硬化させることを特徴とする請求項４記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項６】
液晶表示装置に用いられる横電界方式の液晶パネルのカラーフィルタ側の基板の表面に帯電防止膜を形成するための塗料であって、
アンチモン添加酸化スズ（ＡＴＯ）及びスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）のいずれか一方または双方を含む導電性微粒子と、バインダーと、分散媒とを含有し、
前記導電性微粒子（Ｐ）と前記バインダーを帯電防止膜形成後のバインダーに換算したときの換算量（Ｂ）との合計量（Ｐ＋Ｂ）に対する前記導電性微粒子（Ｐ）の含有率が５質量％以上かつ９５質量％以下であることを特徴とする液晶パネルの帯電防止膜形成用塗料。
【請求項７】
請求項１、２または３記載の液晶パネルを備えてなることを特徴とする画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶パネルとその製造方法及び液晶パネルの帯電防止膜形成用塗料並びに画像表示装置に関し、更に詳しくは、静電気に対する画像の乱れが無い高品質の画像が可能であり、しかも製造時の安定性が高く、製造コストも低い横電界方式の液晶パネルとその製造方法及び液晶パネルの帯電防止膜形成用塗料並びに画像表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示装置の市場への普及が拡大するに伴い、液晶表示装置の視認性向上への要求が高まっており、特に、どの角度からも映像を鮮明に見ることができる広視野角化への要求が高まっている。
そこで、広視野角を確保するために、横電界方式の液晶表示素子を用いたＩＰＳ（In-Plane Switching）方式の液晶パネルを用いた液晶表示装置が提案されている。
図２は、従来のＩＰＳ方式の液晶パネルを示す断面図であり、図において、１は液晶制御用電極及びＴＦＴ（Thin-Film Transistor）等を備えたＴＦＴ側のガラス基板、２はガラス基板１に平行に配置されたカラーフィルタ側のガラス基板、３はガラス基板２の内側の面に設けられたカラーフィルタ、４はガラス基板１、２間に封入された横電界方式の液晶、５はガラス基板１の内側の面に互いに間隔をおいて配列された画素電極、６はガラス基板１の内側の面かつ各画素電極５の近傍に配列された共通電極である。カラーフィルタ３は、単位画素を構成する各画素電極５に対向する位置に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各フィルタが配列されている。
【０００３】
この液晶パネルでは、単位画素を構成する画素電極５と共通電極６との間に電位差を与えることにより、ガラス基板１の面方向の電界、すなわち横電界７を生じさせ、この横電界７により液晶４を制御する構成である。
この横電界７により配向された液晶４の分子は、液晶パネル面の視野方向のどの方向から見ても配向状態が変わらないので、視点方向による差異が少なく、広視野角を得るには有効な表示装置である。
この液晶パネルでは、光源は、ＴＦＴ側のガラス基板１の裏面側、すなわち図２の下方側にあり（図示略）、この光源から出射された光８は、図２中矢印方向に透過する。したがって、カラーフィルタ側のガラス基板２が、液晶表示装置の外側に位置することとなる。
【０００４】
ところで、従来のＴＮ方式やＶＡ方式の液晶表示装置は、液晶を制御するための電界がガラス基板の表面に垂直な方向、すなわち縦電界であることから、画素電極はＴＦＴ側のガラス基板に、共通電極はカラーフィルタ側のガラス基板全体に渡って、それぞれ設けられていたので、液晶パネルが外部からの摩擦等によりカラーフィルタ側のガラス基板が静電気を帯びた場合であっても、共通電極を接地させておくことにより、静電気による画像の乱れを防止することができる（例えば、特許文献１等参照）。
一方、横電界方式であるＩＰＳ方式の液晶パネルは、カラーフィルタ側のガラス基板２には電極がない構造であるから、外部からの摩擦等によりカラーフィルタ側のガラス基板２が静電気を帯びた場合、静電気による電界が液晶４に作用することになり、画像の乱れが発生する。
【０００５】
そこで、この静電気等による画像の乱れ等を防ぐために、図３に示すように、カラーフィルタ側のガラス基板２の表面に静電気を除去するための透明な帯電防止膜９を設け、この帯電防止膜９を接地１０することにより静電気等による影響を除去している。
この帯電防止膜８は、スズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）のターゲットを真空中にてスパッタし、ガラス基板２上に成膜することにより得られる。このＩＴＯスパッタ膜は、平均膜厚が５０ｎｍ程度の薄膜であっても、表面抵抗率が１０００Ω／□程度と非常に低く、導電性が高い。また、薄膜なので、透過率も非常に高く、曇り度（ヘーズ値）も低い。したがって、液晶パネル用の透明帯電防止膜として十分な光学特性を有している。
このＩＴＯスパッタ膜以外の帯電防止膜としては、粘着材中にカーボン、金属、ＩＴＯ等の導電性粒子を散在させた透光性の導電層が提案されている（特許文献２）。
【０００６】
ところで、近年の液晶テレビジョンにおいては、表示サイズの拡大要求が高まるに伴い、液晶パネルの大型化が進んでいる。そのため、カラーフィルタ側のガラス基板も液晶パネルに合わせて大型化しており、この大型基板にＩＴＯスパッタ膜を成膜する場合、真空スパッタ装置を大型化することにより対応している。
【０００７】
また、近年の携帯電話や音楽等を受信する情報端末等の軽量化に伴い、液晶パネルの薄型化が進んでいる。この液晶パネルの薄型化には、液晶パネルのＴＦＴ側のガラス基板およびカラーフィルタ側のガラス基板を薄くすることで対応している。例えば、ガラス基板の厚みを０．７ｍｍから０．３ｍｍに薄くする等である。
しかしながら、ガラス基板を予め薄板化した場合には、ガラス基板の強度が不足し、ガラス基板上に電極やカラーフィルタ等を設けることが難しくなる。そこで、従来と同程度の厚みのガラス基板に電極やカラーフィルタを設け、これらのガラス基板を用いて液晶パネルを組み立てた後、これらのガラス基板それぞれの外側の面を化学研磨、物理研磨等の手法により研磨して薄型化している。
【０００８】
このように、液晶パネルを組み立てた後に、これらのガラス基板それぞれの外側の面を研磨する場合、ガラス基板の表面にＩＴＯスパッタによる帯電防止膜が設けられていると、この帯電防止膜が研磨時に除去されてしまうために、研磨されたガラス基板の表面に、再度、帯電防止膜を成膜する必要がある。
そこで、現在では、従来と同程度の厚みのガラス基板を用いて液晶パネルを組み立てた後、これらのガラス基板それぞれの外側の面を研磨して薄型化し、この薄型化した液晶パネルに対してＩＴＯをスパッタにより成膜することにより、帯電防止膜を形成している。
【０００９】
また、従来のＩＰＳ方式の液晶パネルでは、この液晶パネルの表面に取り付ける防眩フィルムを導電性を付与した防眩・帯電防止フィルムとし、この防眩・帯電防止フィルムを液晶パネルの表面に貼り付け、透明な帯電防止膜としたものも提案されている（特許文献３）。
【特許文献１】特開平４−５１２２０号公報
【特許文献２】特開平９−１０５９１８号公報
【特許文献３】特開２００２−２５４５７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、大型化したガラス基板に対応して真空スパッタ装置を大型化した場合、装置の大型化に伴う高価格化のために、設備投資に多額の費用が必要となり、したがって製造コストが上昇するという問題点があった。
また、得られたスパッタ膜の状態がターゲットの形状や印加電界の状態により変化するために、ガラス基板全体に均一な膜を成膜することが難しくなるという問題点もあった。
【００１１】
また、研磨後の液晶パネルにＩＴＯスパッタ膜を成膜する場合、この液晶パネルを真空スパッタ装置内に配置してスパッタを行うために、このスパッタの際には、液晶パネルの内部は常圧であるのに対し、外部は真空状態となる。スパッタを行っている間、この圧力差をガラス基板で維持する必要があるが、ガラス基板が研磨されて薄くなっているために強度が弱く、スパッタの間にガラス基板が破損する虞があるという問題点があった。
今後、より軽量化を図るためにガラス基板の厚みを０．２ｍｍ、あるいは０．１ｍｍまで薄くする必要が生じた場合、ガラス基板の破損は液晶パネルの致命的な問題点となる可能性がある。
【００１２】
さらに、防眩・帯電防止フィルムを透明な帯電防止膜とした場合では、フィルムの防眩性を維持しつつ表面抵抗率を１０１０Ω／□以下とするために、導電性粒子の粒子径や導電性粒子とマトリックス樹脂との屈折率差を厳密に制御する必要があり、光学特性と帯電防止機能を両立させたフィルムを得ることが難しい。
【００１３】
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものであって、ＩＰＳ方式等の横電界方式の液晶パネルにおいて、真空スパッタ装置を使用せずに透明な帯電防止膜を形成することで、静電気に対する画像の乱れが無い高品質の画像を表示することが可能であり、しかも、製造時の安定性が高くかつ製造コストが安い液晶パネルとその製造方法及び液晶パネルの帯電防止膜形成用塗料並びに画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者等は、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、ＩＰＳ方式等の横電界方式の液晶パネルのカラーフィルタ側の基板の表面に、アンチモン添加酸化スズ（ＡＴＯ）やスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）の導電性酸化物微粒子とバインダーとを含む塗布膜を用いて帯電防止膜を形成することにより、高導電性かつ高光透過性の帯電防止膜を得ることができ、よって真空スパッタ装置を使用せずに、大気圧下にてＩＰＳ方式等の横電界方式の液晶パネルに帯電防止膜を形成することが可能であり、しかも、低コストで安定性が高く、静電気に対する画像の乱れの無い高品質の横電界方式の液晶パネルが得られることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１５】
すなわち、本発明の液晶パネルは、液晶表示装置に用いられる横電界方式の液晶パネルであって、前記液晶パネルのカラーフィルタ側の基板の表面に、アンチモン添加酸化スズ（ＡＴＯ）及びスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）のいずれか一方または双方を含む導電性微粒子と、バインダーとを含有し、前記導電性微粒子（Ｐ）と前記バインダー（Ｂ）との合計量（Ｐ＋Ｂ）に対する前記導電性微粒子（Ｐ）の含有率が５質量％以上かつ９５質量％以下であり、膜厚が０．０１μｍ以上かつ１μｍ以下である帯電防止膜を設けてなることを特徴とする。
【００１６】
前記基板は、厚みが０．３ｍｍ以下のガラス基板であることが好ましい。
前記帯電防止膜の全光線透過率は９５％以上、ヘイズ値は１．０％以下、表面抵抗率は１×１０１０Ω／□以下、鉛筆硬度は４Ｈ以上であることが好ましい。
【００１７】
本発明の液晶パネルの製造方法は、液晶表示装置に用いられる横電界方式の液晶パネルの製造方法であって、予め組み立てられた液晶パネルのカラーフィルタ側の基板の表面に、アンチモン添加酸化スズ（ＡＴＯ）及びスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）のいずれか一方または双方を含む導電性微粒子と、バインダーとを含有する塗布膜を形成し、この塗布膜を硬化させることにより、前記表面に帯電防止膜を形成することを特徴とする。
【００１８】
前記塗布膜の平均膜厚は０．０１μｍ以上かつ１μｍ以下であり、前記塗布膜を、５０℃以上かつ２００℃以下にて加熱処理することにより硬化させることが好ましい。
【００１９】
本発明の液晶パネルの帯電防止膜形成用塗料は、液晶表示装置に用いられる横電界方式の液晶パネルのカラーフィルタ側の基板の表面に帯電防止膜を形成するための塗料であって、アンチモン添加酸化スズ（ＡＴＯ）及びスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）のいずれか一方または双方を含む導電性微粒子と、バインダーと、分散媒とを含有し、前記導電性微粒子（Ｐ）と前記バインダーを帯電防止膜形成後のバインダーに換算したときの換算量（Ｂ）との合計量（Ｐ＋Ｂ）に対する前記導電性微粒子（Ｐ）の含有率が５質量％以上かつ９５質量％以下であることを特徴とする。
【００２０】
本発明の画像表示装置は、本発明の液晶パネルを備えてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の液晶パネルによれば、液晶パネルのカラーフィルタ側の基板の表面に、アンチモン添加酸化スズ（ＡＴＯ）及びスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）のいずれか一方または双方を含む導電性微粒子と、バインダーとを含有し、前記導電性微粒子（Ｐ）と前記バインダー（Ｂ）との合計量（Ｐ＋Ｂ）に対する前記導電性微粒子（Ｐ）の含有率が５質量％以上かつ９５質量％以下であり、膜厚が０．０１μｍ以上かつ１μｍ以下である帯電防止膜を設けたので、ＩＰＳ方式等の横電界方式の液晶パネルを組み立てた後に、この液晶パネルのカラーフィルタ側の基板の表面に、大気圧下にて帯電防止膜を高い安定性にて形成することができることにより、静電気に対する画像の乱れが無い高品質の横電界方式の液晶パネルを、低価格にて提供することができる。
【００２２】
本発明の液晶パネルの製造方法によれば、予め組み立てられた液晶パネルのカラーフィルタ側の基板の表面に、アンチモン添加酸化スズ（ＡＴＯ）及びスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）のいずれか一方または双方を含む導電性微粒子と、バインダーとを含有する塗布膜を形成し、この塗布膜を硬化させることにより、前記表面に帯電防止膜を形成するので、大気圧下にて帯電防止膜を形成することができる。したがって、静電気に対する画像の乱れが無い高品質の横電界方式の液晶パネルを、低コストかつ高い安定性にて製造することができる。
また、真空スパッタ装置等の高額な製造設備を使用することなく、安価な製造設備にて製造することができる。したがって、製造工程の短縮、製造コストの削減を図ることができる。
【００２３】
本発明の液晶パネルの帯電防止膜形成用塗料によれば、アンチモン添加酸化スズ（ＡＴＯ）及びスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）のいずれか一方または双方を含む導電性微粒子と、バインダーと、分散媒とを含有し、前記導電性微粒子（Ｐ）と前記バインダーを帯電防止膜形成後のバインダーに換算したときの換算量（Ｂ）との合計量（Ｐ＋Ｂ）に対する前記導電性微粒子（Ｐ）の含有率を５質量％以上かつ９５質量％以下としたので、ＩＰＳ方式等の横電界方式の液晶パネルのカラーフィルタ側の基板の表面に、大気圧下にて、帯電防止膜を高い安定性にて容易に形成することができる。
【００２４】
本発明の画像表示装置によれば、本発明の液晶パネルを備えたので、静電気に対する画像の乱れが無い高品質の画像表示装置を、低価格にて提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の液晶パネルとその製造方法及び液晶パネルの帯電防止膜形成用塗料並びに画像表示装置を実施するための最良の形態について説明する。
なお、この形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
【００２６】
［液晶パネル］
図１は、本発明の一実施形態の液晶パネルを示す断面図であり、液晶表示装置に用いられる横電界方式の液晶パネルである。この図１では、図２及び図３と同一の構成要素には同一の符号を付してある。
図において、符号１１は、液晶パネルのカラーフィルタ側のガラス基板２の表面に設けられた、アンチモン添加酸化スズ（ＡＴＯ）及びスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）のいずれか一方または双方を含む導電性微粒子とバインダーとを含有してなる帯電防止膜であり、この帯電防止膜１１は接地１０されている。
【００２７】
ここで、帯電防止膜１１が接地１０されていることが好ましい理由は、この帯電防止膜１１が、液晶パネルの外部からの摩擦等によりカラーフィルタ側のガラス基板２に生じた静電気を逃がし、この静電気による電界が液晶４に作用して画像が乱れることを防止することができるからである。
【００２８】
横電界方式の液晶４としては、ＩＰＳ方式の液晶に限定されるものではなく、カラーフィルタ側のガラス基板２に電極を有さないタイプの液晶、あるいは電極を有していてもその電極が接地できないタイプの液晶であってもよい。このように、様々なタイプの液晶を用いた液晶パネル全般に対して適用可能である。
【００２９】
ガラス基板２の厚みは、０．３ｍｍ以下であることが好ましい。
上記の帯電防止膜１１は、予め組み立てられた液晶パネルのガラス基板２の表面に大気圧下にて形成することができるので、特に、ガラス基板の強度が低く、組み立て後の液晶パネルの状態では真空状態下での成膜に適さない厚み０．３ｍｍ以下のガラス基板を用いた液晶パネルにおいても、支障無く形成することができる。
もちろん、この帯電防止膜１１は、通常の厚みのガラス基板を用いた液晶パネルにおいても、何等支障無く形成することができる。
【００３０】
帯電防止膜１１は、膜に導電性を付与するためのＡＴＯ及びＩＴＯのいずれか一方または双方を含む透明な導電性微粒子と、バインダーとを含有している。
この透明な導電性微粒子に必要とされる条件は、導電性を有するとともに、長期的に安定で、液晶表示装置の輝度を保つために可視光線領域に吸収端のない材料ということである。これらの特徴を有する材料としては、酸化チタン系、酸化亜鉛系、酸化スズ系、酸化インジウム系の材料、または、これらの材料にドーパントを含有させた材料が選択可能であるが、本実施形態では、導電性に優れていることから、ＡＴＯ及びＩＴＯのいずれか一方または双方を用いている。
【００３１】
この導電性微粒子の平均一次粒子径としては、１ｎｍ以上かつ１００ｎｍ以下が好ましい。
その理由は、平均一次粒子径を１ｎｍ以上かつ１００ｎｍ以下とすることで、所望の特性を有する帯電防止膜を形成することができるからである。
ここで、平均一次粒子径が１ｎｍ未満であると、共存するバインダーにより粒子全面が被覆されてしまい、隣接する導電性微粒子との電子移動に必要とされるに十分な接触面積を取ることができず、導電性が低下してしまうので好ましくない。さらに、平均一次粒子径が１ｎｍ未満の微粒子を作製することは、一般的に困難である。一方、平均一次粒子径が１００ｎｍを超えると、粒子に起因する散乱により帯電防止膜のヘイズ値が高くなり、光透過率が低下してしまうこととなり、その結果、液晶パネルの輝度が低下してしまうので好ましくない。
【００３２】
バインダーは、導電性微粒子相互および導電性微粒子とガラス基板２とを接合させるために用いられるもので、バインダーの成分としては、アクリル系、スチレン系等の溶剤型の樹脂、ポリエステルやポリウレタン等の重合硬化性樹脂、アクリル系、ウレタン系等の光硬化性樹脂、フェノール樹脂、ポリシロキサン樹脂等の熱硬化性樹脂等の樹脂系バインダー、あるいは、シリカ、イットリア、ジルコニア、チタニア等の無機酸化物や金属酸化物からなる無機系バインダー等が用いられる。
【００３３】
これらのバインダーの中でも樹脂系バインダーは、導電性微粒子やガラス基板とのなじみが悪い場合がある。この場合、導電性微粒子やガラス基板に対して表面処理を施すことにより、樹脂系バインダーとのなじみを改善することが行われることが多いが、表面処理剤は導電性微粒子相互間の導電性を悪化させ、膜の表面抵抗率を上昇させる虞があるので、表面処理の際には注意する必要がある。
一方、無機系バインダーは、導電性微粒子やガラス基板の成分と同じ無機酸化物や金属酸化物であるから、導電性微粒子やガラス基板との接合性がよく好適である。しかも、樹脂系バインダーの場合のように表面処理剤を用いる必要も無い。
特に、導電性微粒子とガラス基板との間の密着性を確保するには、シリカを主成分とする無機系バインダーが好適である。
【００３４】
この帯電防止膜１１における導電性微粒子の、この導電性微粒子（Ｐ）とバインダー（Ｂ）との合計量（Ｐ＋Ｂ）に対する含有率は、５質量％以上かつ９５質量％以下が好ましく、より好ましくは３０質量％以上かつ９５質量％以下である。
ここで、導電性微粒子の含有率を上記の範囲に限定した理由は、含有率が５質量％未満であると、バインダー量が過剰となり、導電性微粒子同士が直接接触することが阻害され、微粒子間の電子移動に必要とされるに十分な接触面積を得ることができなくなり、帯電防止膜１１自体の導電性が低下してしまうからであり、一方、含有率が９５質量％を越えると、バインダー量が不足するために帯電防止膜１１の強度不足や膜剥がれ等の不具合が生じるからである。
【００３５】
この帯電防止膜１１の膜厚は、０．０１μｍ以上かつ１μｍ以下が好ましく、より好ましくは０．０５μｍ以上かつ０．７μｍ以下である。
その理由は、膜厚が０．０１μｍ未満では、膜中の導電性微粒子の個数が不足するために膜の表面抵抗率が高くなり、帯電防止膜として有効に機能しなくなるからであり、一方、１μｍを越えると、導電性微粒子の個数が過剰になるために、この導電性微粒子による可視光の吸収や散乱が増加し、帯電防止膜の光透過率が低下するからである。
【００３６】
以上により、帯電防止膜１１に要求される特性としては、全光線透過率が９５％以上、ヘイズが１．０％以下、表面抵抗率が１×１０１０Ω／□以下、膜の硬度が鉛筆硬度４Ｈ以上であることが好ましい。
なお、鉛筆硬度４Ｈとは、液晶パネルに帯電防止膜を形成した後、この液晶パネルを搬送する際や次工程にて各種処理を施す際に傷が発生しないための強度の最小値である。なお、鉛筆硬度が４Ｈ未満であると、帯電防止膜１１に傷が発生し、液晶パネルの視認性を低下させる虞がある。
【００３７】
このような特性を有する帯電防止膜１１を、横電界方式の液晶パネルのカラーフィルタ側のガラス基板２の表面に設け、この帯電防止膜１１を接地１０させることにより、低コストで安定性が高く、静電気に対する画像の乱れの無い高品質な横電界方式の液晶パネルを提供することができる。
【００３８】
［液晶パネルの製造方法］
本実施形態の液晶パネルの製造方法は、液晶表示装置に用いられる横電界方式の液晶パネルの製造方法であり、予め組み立てられた液晶パネルのカラーフィルタ側のガラス基板２の表面に、アンチモン添加酸化スズ（ＡＴＯ）及びスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）のいずれか一方または双方を含む導電性微粒子と、バインダーとを含有する塗布膜を形成し、この塗布膜を硬化させることにより、表面に帯電防止膜１１を形成する方法である。
【００３９】
この液晶パネルの製造方法は、塗布膜の形成及び硬化を大気圧下で行うことができることにより、帯電防止膜を大気圧下で形成することができ、従来のスパッタ成膜等と比べて、製造工程の短縮、製造コストの削減を図ることができるという特徴を有する。
さらに、従来のスパッタ成膜等のように真空下での成膜を行う必要が無いことから、特に、ガラス基板の強度が低く、組み立て後の液晶パネルの状態では真空下での成膜に適さない、厚み０．３ｍｍ以下のガラス基板を用いた液晶パネルを製造する際に好適である。
もちろん、通常の厚みのガラス基板を用いた液晶パネルを製造する際においても、帯電防止膜を大気圧下で形成することができることから、真空下での成膜が不要となるので好適である。
【００４０】
この塗布膜は、ＡＴＯ及びＩＴＯのいずれか一方または双方を含む導電性微粒子と、バインダーと、分散媒とを含有する塗料を塗布することで形成することができる。この塗料としては、後述する本実施形態の帯電防止膜形成用塗料が好適である。
塗布膜の形成、すなわち帯電防止膜形成用塗料の塗布方法は、塗布膜の平坦性が確保できる方法であれば特に限定されるものではなく、フローコート法、スピンコート法、スプレーコート法、ディップコート法、スリットコート法等を用いることができる。
【００４１】
本実施形態における液晶パネルは、携帯電話や携帯情報端末等の小型の電子機器からハイビジョンＴＶ等の大型の電子機器まで含まれるので、液晶パネルのサイズに適した塗布方法を選択すればよい。
この塗布膜は、硬化後の膜厚が０．０１μｍ以上かつ１μｍ以下になるように、その厚みを設定することが好ましい。
【００４２】
次いで、この塗布膜を硬化させると共に、カラーフィルタ側のガラス基板２の表面に接着させることで、ガラス基板２の表面に帯電防止膜１１を形成する。
硬化方法は、用いるバインダーに合わせて選択すればよく、例えば、溶剤型樹脂であれば常温または加熱下にて溶剤を揮発させれば良いし、重合硬化性樹脂であれば重合剤や重合開始剤の添加、光硬化性樹脂であれば硬化波長帯域の光の照射、熱硬化性樹脂であれば硬化温度以上での加熱、を行えばよい。
なお、塗布膜が分散媒を含んでいる場合、塗布膜を硬化させる前に分散媒を除去しておくことが好ましい。
【００４３】
ここで、バインダーとしてシリカ系バインダーを用いた場合の塗布膜の硬化方法について説明する。ここでは、シリカ系バインダーとして、後述するシラン化合物を酸の存在下にて加水分解重合を開始させてオリゴマー化させたものを使用した場合を例に挙げて説明する。
【００４４】
まず、塗布膜を加熱処理し、この塗布膜中に残留している分散媒を除去するとともに、この塗布膜中のバインダーを熱分解させてシリカとし、このシリカにより導電性微粒子同士を相互に接合一体化するとともに、導電性微粒子とガラス基板とを接合一体化する。
この塗布膜の加熱処理温度としては、５０℃以上かつ２００℃以下が好ましく、より好ましくは７０℃以上かつ１８０℃以下である。例えば、塗布膜の平均膜厚が０．０１μｍ以上かつ１μｍ以下の場合には、５０℃以上の温度にて熱処理を行えば、鉛筆硬度４Ｈ以上の帯電防止膜１１を得ることができる。
【００４５】
このシリカ系バインダーは、高温になるほど熱分解が進行する性質があり、また、導電性微粒子がＡＴＯやＩＴＯの金属酸化物微粒子であるから、塗布膜自体については加熱処理温度をかなり高温に設定しても問題は無い。
一方、本実施形態の液晶パネルの製造方法では、予め組み立てられた液晶パネルに対して塗布膜の形成及び加熱処理を行うので、液晶パネル自体の耐熱性により加熱処理温度の上限が決まってくる。ここで、加熱処理温度の上限を２００℃に設定したのは、ＩＰＳ方式等の横電界方式の液晶パネルに塗布を行うことを想定した耐熱基準があり、２００℃以下での実施が求められているからである。また、本発明の目的である、製造コストが低く、製造時の安定性が高く、静電気に対する画像の乱れの無い高品質な横電界方式の液晶パネルを得るための条件でもある。
以上により、横電界方式の液晶パネルのカラーフィルタ側のガラス基板２の表面に帯電防止膜１１を形成することができる。
【００４６】
［帯電防止膜形成用塗料］
本実施形態の帯電防止膜形成用塗料は、ＩＰＳ方式等の横電界方式の液晶パネルのカラーフィルタ側のガラス基板２の表面に帯電防止膜１１を容易に形成することができる塗料であり、アンチモン添加酸化スズ（ＡＴＯ）及びスズ添加酸化インジウム（ＩＴＯ）のいずれか一方または双方を含む導電性微粒子と、バインダーと、分散媒とを含有した塗料である。
【００４７】
ＡＴＯ及びＩＴＯ微粒子は、既に述べたように、本塗料を用いて形成した帯電防止膜１１に導電性を付与するために用いられるもので、ＡＴＯ及びＩＴＯ微粒子の平均一次粒子径は、１ｎｍ以上かつ１００ｎｍ以下が好ましい。
ＡＴＯ及びＩＴＯ微粒子の平均一次粒子径が１ｎｍ未満であると、本塗料を用いて帯電防止膜を形成した際に共存するシリカにより粒子全面が被覆されてしまい、隣接するＡＴＯ及びＩＴＯ微粒子との接触面積、すなわち電子移動に必要とされるに十分な接触面積を取ることができず、導電性が低下してしまうので、好ましくない。さらに、平均一次粒子径が１ｎｍ未満の微粒子を作製することは、一般に困難である。一方、平均一次粒子径が１００ｎｍを超えると、粒子に起因する散乱が生じることとなり、本塗料を用いて作製した帯電防止膜のヘイズ値が高くなり、光透過率が低下してしまうので好ましくない。
【００４８】
バインダーとしては、アクリル系、スチレン系等の溶剤溶解型の樹脂、ポリエステルやポリウレタン等の重合硬化性樹脂、アクリル系、ウレタン系等の光硬化性樹脂、フェノール樹脂、ポリシロキサン樹脂等の熱硬化性樹脂等の樹脂系バインダー、あるいは、シリカ、イットリア、ジルコニア、チタニア等の無機酸化物や金属酸化物からなる無機系バインダー等が用いられるが、これらの内でも、無機系バインダーであるシリカ系バインダーが好ましい。
【００４９】
ここで、シリカ系バインダーが好ましい理由は、本塗料を塗布してなる塗布膜を加熱処理した際に生成するシリカが、導電性微粒子相互および導電性微粒子とガラス基板２とを接合させるバインダーとして好適であり、特に、導電性微粒子のガラス基板への密着性を確保するためのバインダーとして好適だからである。また、バインダーと導電性微粒子との接合性およびバインダーとガラス基板との接合性がよいので、導電性微粒子相互間の導電性を悪化させ、膜の表面抵抗率を上昇させる可能性がある表面処理剤を使用する必要がないことも理由である。
【００５０】
シリカ系バインダーは、シラン化合物を酸の存在下にて加水分解重合を開始させてオリゴマー化させたものであり、このシラン化合物としては、Ｓｉ中心が１〜４個のアルカノール基に一部または全部が置換されたものを含んでいる。
このシラン化合物の例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、あるいはこれらの置換体が挙げられる。
上記の酸としては、一般的な揮発性の酸を用いることができ、例えば、無機酸である塩酸、硝酸の他、酢酸等の有機酸も使用できる。ただし、不揮発性の酸、例えば硫酸等は、帯電防止膜中に残留して帯電防止膜自体の劣化を招くほか、場合によっては液晶パネルにも影響を及ぼす可能性があるので、好ましくない。
【００５１】
分散媒としては、水、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系溶媒、エステル系溶媒の中から選ばれる１以上の成分を選択することができる。
アルコール系溶媒としては、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ブタノール、オクタノール等；エーテル系溶媒としては、ジエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル（メチルセロソルブ）、エチレングリコールモノエチルエーテル（エチルセロソルブ）、エチレングリコールモノブチルエーテル（ブチルセロソルブ）、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等；ケトン系溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、アセチルアセトン、シクロヘキサノン等；エステル系溶媒としては、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、γ−ブチロラクトン等を挙げることができる。
また、アミド類であるジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等を用いても良い。
【００５２】
これらの分散媒は、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、有機系の分散媒はその種類によって粘度や揮発性が異なるから、塗料の粘度や揮発性を各種塗布法に合わせて調整するために、複数の有機系分散媒を組み合わせても良い。
【００５３】
この帯電防止膜形成用塗料においては、塗料中のＡＴＯとＩＴＯの合計量（Ｐ）と塗料中のバインダーを帯電防止膜形成後のバインダーに換算したときの換算量（Ｂ）との合計量（Ｐ＋Ｂ）に対するＡＴＯとＩＴＯの合計量（Ｐ）の割合（含有率）が５質量％以上かつ９５質量％以下であることが好ましい。
その理由は、ＡＴＯとＩＴＯの合計量（Ｐ）の割合が５質量％未満の場合には、塗料中のバインダーから生成した帯電防止膜中のバインダー成分が過剰となり、導電性粒子相互が直接接触することを阻害し、粒子間の接触面積、すなわち電子移動に必要とされるに十分な接触面積を取ることができなくなり、導電性が低下してしまうからであり、一方、ＡＴＯとＩＴＯの合計量（Ｐ）の割合が９５質量％を超えると、本塗料を用いて帯電防止膜を形成した際に、塗料中のバインダーから生成した帯電防止膜中のバインダー成分の量が不足し、帯電防止膜の強度不足や膜剥がれを生じる虞があるからである。
【００５４】
この帯電防止膜形成用塗料は、ＡＴＯおよびＩＴＯの水分散液と、シリカ系バインダーを含む有機溶媒とを混合・分散して得ることができる。
ＡＴＯおよびＩＴＯの金属酸化物微粒子が水に対して容易に分散可能である点、取り扱いが容易である点を併せると、これらの金属酸化物微粒子は水を分散媒とすることが好ましい。
一方、シリカ系バインダーの原料となるシラン化合物は水に溶解しないものが多いので、シリカ系バインダーは、有機溶媒を分散媒とすることが好ましい。
【００５５】
したがって、本塗料を製造する際には、予めＡＴＯおよびＩＴＯ微粒子を水中に分散させた水分散液と、シリカ系バインダーを含む有機溶媒とを混合し、ＡＴＯおよびＩＴＯ微粒子とシリカ系バインダーとを再分散させて混合することが好ましい。
なお、シリカ系バインダーは，シラン化合物を酸の存在下にて加水分解重合を開始させてオリゴマー化させたものであるから、予め有機溶媒に溶解させたシラン化合物に揮発性の酸を添加・混合することにより得ることができる。
【００５６】
このようにして得られた塗料は、塗料中のＡＴＯおよびＩＴＯ微粒子ならびにシリカ系バインダーが凝集することなく均一に分散しているので、塗料として安定なだけではなく、本塗料を用いて作製した帯電防止膜も良好な特性を得ることができる。
【００５７】
［画像表示装置］
本実施形態の画像表示装置は、本実施形態の液晶パネルを備えたことが特徴である。
上記の通り、本実施形態の液晶パネルは、カラーフィルタ側のガラス基板の表面に、ＡＴＯ及びＩＴＯのいずれか一方または双方を含む導電性微粒子とバインダーとを含有してなる帯電防止膜を設けたものであり、液晶表示装置に用いられるＩＰＳ方式等の横電界方式の液晶パネルに適用することにより、低コストで安定性が高く、静電気に対する画像の乱れの無い高品質な横電界方式の液晶パネルを提供することができるものであるから、この液晶パネルを画像表示装置に適用することにより、低コストで安定性が高く、静電気に対する画像の乱れの無い高品質な画像表示装置を提供することができる。
【００５８】
本実施形態の液晶パネルは、サイズに依存するものではないので、本実施形態の液晶パネルを適用した本実施形態の画像表示装置も、携帯電話や携帯情報端末等の小型の電子機器から大型液晶テレビのような数十インチ以上の電子機器まで適用可能である。
【００５９】
［実験例］
以下、実験例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実験例によって限定されるものではない。
【００６０】
ここでは、実験例にて用いられるＡＴＯ水分散スラリーＡ、ＡＴＯ水分散スラリーＢ、ＩＴＯ水分散スラリーＣ及びシリカバインダー液を次のようにして調整した。
「ＡＴＯ水分散スラリーＡの調整」
純水に平均一次粒子径８ｎｍのＡＴＯ微粒子（住友大阪セメント製）を撹拌しながら加え、ＡＴＯ微粒子を２５質量％含むＡＴＯ水分散スラリーＡを調整した。
「ＡＴＯ水分散スラリーＢの調整」
純水に平均一次粒子径１００ｎｍのＡＴＯ微粒子（住友大阪セメント製）を撹拌しながら加え、ＡＴＯ微粒子を２５質量％含むＡＴＯ水分散スラリーＢを調整した。
【００６１】
「ＩＴＯ水分散スラリーＣの調整」
純水に平均一次粒子径３０ｎｍのＩＴＯ微粒子（住友大阪セメント製）を撹拌しながら加え、ＩＴＯ微粒子を２５質量％含むＩＴＯ水分散スラリーＣを調整した。
「シリカバインダー液の調整」
テトラメトキシシラン（tetramethoxysilane:ＴＭＳ）２５．４ｇ、０．１Ｎ硝酸３０ｇ、メタノール４４．６ｇを混合し、シリカバインダー液を調整した。
【００６２】
「実験例１」
ＡＴＯ水分散スラリーＡ                  ８ｇ
シリカバインダー液                    ２０ｇ
エチレングリコールモノエチルエーテル  ３０ｇ
２−プロパノール                      ４２ｇ
を混合した後、超音波照射により分散させ、実験例１の帯電防止膜形成用塗料Ａを得た。
【００６３】
次いで、この帯電防止膜形成用塗料Ａを用いて、ガラス基板上にスピンコート法により５００回転、３０秒間の条件にて塗布膜を形成し、この塗布膜付きガラス基板に、電気炉を用いて１５０℃にて３０分間、熱処理を施して塗布膜を硬化させ、帯電防止膜を得た。
【００６４】
「実験例２」
ＩＴＯ水分散スラリーＣ                ２０ｇ
シリカバインダー液                    ２０ｇ
エチレングリコールモノエチルエーテル  ３０ｇ
２−プロパノール                      ３０ｇ
を混合した後、超音波照射により分散させ、実験例２の帯電防止膜形成用塗料Ｂを得た。
【００６５】
次いで、この帯電防止膜形成用塗料Ｂを用いて、ガラス基板上にスピンコート法により５００回転、３０秒間の条件にて塗布膜を形成し、この塗布膜付きガラス基板に、電気炉を用いて１５０℃にて３０分間、熱処理を施して塗布膜を硬化させ、帯電防止膜を得た。
【００６６】
「実験例３」
ＡＴＯ水分散スラリーＡ                １０ｇ
ＩＴＯ水分散スラリーＣ                １０ｇ
シリカバインダー液                    ２０ｇ
エチレングリコールモノエチルエーテル  ３０ｇ
２−プロパノール                      ３０ｇ
を混合した後、超音波照射により分散させ、実験例３の帯電防止膜形成用塗料Ｃを得た。
【００６７】
次いで、この帯電防止膜形成用塗料Ｃを用いて、ガラス基板上にスピンコート法により５００回転、３０秒間の条件にて塗布膜を形成し、この塗布膜付きガラス基板に、電気炉を用いて１５０℃にて３０分間、熱処理を施して塗布膜を硬化させ、帯電防止膜を得た。
【００６８】
「実験例４」
ＡＴＯ水分散スラリーＡ                  ８ｇ
シリカバインダー液                      １．５ｇ
エチレングリコールモノエチルエーテル  ３０ｇ
２−プロパノール                      ６０．５ｇ
を混合した後、超音波照射により分散させ、実験例４の帯電防止膜形成用塗料Ｄを得た。
【００６９】
次いで、この帯電防止膜形成用塗料Ｄを用いて、ガラス基板上にスピンコート法により５００回転、３０秒間の条件にて塗布膜を形成し、この塗布膜付きガラス基板に、電気炉を用いて１５０℃にて３０分間、熱処理を施して塗布膜を硬化させ、帯電防止膜を得た。
【００７０】
「実験例５」
ＡＴＯ水分散スラリーＡ                  ０．６ｇ
シリカバインダー液                    ２０ｇ
エチレングリコールモノエチルエーテル  ３０ｇ
２−プロパノール                      ４９．４ｇ
を混合した後、超音波照射により分散させ、実験例５の帯電防止膜形成用塗料Ｅを得た。
【００７１】
次いで、この帯電防止膜形成用塗料Ｅを用いて、ガラス基板上にスピンコート法により５００回転、３０秒間の条件にて塗布膜を形成し、この塗布膜付きガラス基板に、電気炉を用いて１５０℃にて３０分間、熱処理を施して塗布膜を硬化させ、帯電防止膜を得た。
【００７２】
「実験例６」
実験例１の帯電防止膜形成用塗料Ａを用いて、ガラス基板上にスピンコート法により５００回転、３０秒間の条件にて塗布膜を形成し、この塗布膜付きガラス基板に、電気炉を用いて５０℃にて３０分間、熱処理を施して塗布膜を硬化させ、帯電防止膜を得た。
【００７３】
「実験例７」
ＡＴＯ水分散スラリーＡ                  ３．６ｇ
シリカバインダー液                    ２０ｇ
エチレングリコールモノエチルエーテル  ３０ｇ
２−プロパノール                      ４６．４ｇ
を混合した後、超音波照射により分散させ、実験例７の帯電防止膜形成用塗料Ｆを得た。
【００７４】
次いで、この帯電防止膜形成用塗料Ｆを用いて、ガラス基板上にスピンコート法により５００回転、３０秒間の条件にて塗布膜を形成し、この塗布膜付きガラス基板に、電気炉を用いて１５０℃にて３０分間、熱処理を施して塗布膜を硬化させ、帯電防止膜を得た。
【００７５】
「実験例８」
ＡＴＯ水分散スラリーＢ                  ８ｇ
シリカバインダー液                    ２０ｇ
エチレングリコールモノエチルエーテル  ３０ｇ
２−プロパノール                      ４２ｇ
を混合した後、超音波照射により分散させ、実験例８の帯電防止膜形成用塗料Ｇを得た。
【００７６】
次いで、この帯電防止膜形成用塗料Ｇを用いて、ガラス基板上にスピンコート法により５００回転、３０秒間の条件にて塗布膜を形成し、この塗布膜付きガラス基板に、電気炉を用いて１５０℃にて３０分間、熱処理を施して塗布膜を硬化させ、帯電防止膜を得た。
【００７７】
「実験例９」
実験例１の帯電防止膜形成用塗料Ａを用いて、ガラス基板上にスピンコート法により３０００回転、３０秒間の条件にて塗布膜を形成し、この塗布膜付きガラス基板に、電気炉を用いて１５０℃にて３０分間、熱処理を施して塗布膜を硬化させた。
【００７８】
「実験例１０」
ＡＴＯ水分散スラリーＡ                ２８ｇ
シリカバインダー液                    ４０ｇ
エチレングリコールモノエチルエーテル  ２０ｇ
２−プロパノール                      １２ｇ
を混合した後、超音波照射により分散させ、実験例１０の帯電防止膜形成用塗料Ｈを得た。
【００７９】
次いで、この帯電防止膜形成用塗料Ｈを用いて、ガラス基板上にスピンコート法により１５０回転、３０秒間の条件にて塗布膜を形成し、この塗布膜付きガラス基板に、電気炉を用いて１５０℃にて３０分間、熱処理を施して塗布膜を硬化させ、帯電防止膜を得た。
【００８０】
「実験例１１」
ＡＴＯ水分散スラリーＡ                  ０．３ｇ
シリカバインダー液                    ２０ｇ
エチレングリコールモノエチルエーテル  ３０ｇ
２−プロパノール                      ４９．７ｇ
を混合した後、超音波照射により分散させ、実験例１１の帯電防止膜形成用塗料Ｉを得た。
【００８１】
次いで、この帯電防止膜形成用塗料Ｉを用いて、ガラス基板上にスピンコート法により５００回転、３０秒間の条件にて塗布膜を形成し、この塗布膜付きガラス基板に、電気炉を用いて１５０℃にて３０分間、熱処理を施して塗布膜を硬化させた。
【００８２】
「実験例１２」
ＡＴＯ水分散スラリーＡ                １０ｇ
シリカバインダー液                      １ｇ
エチレングリコールモノエチルエーテル  ３０ｇ
２−プロパノール                      ５９ｇ
を混合した後、超音波照射により分散させ、実験例１２の帯電防止膜形成用塗料Ｊを得た。
【００８３】
次いで、この帯電防止膜形成用塗料Ｊを用いて、ガラス基板上にスピンコート法により５００回転、３０秒間の条件にて塗布膜を形成し、この塗布膜付きガラス基板に、電気炉を用いて１５０℃にて３０分間、熱処理を施して塗布膜を硬化させ、帯電防止膜を得た。
【００８４】
「実験例１３」
実験例１の帯電防止膜形成用塗料Ａを用いて、ガラス基板上にスピンコート法により５００回転、３０秒間の条件にて塗布膜を形成し、この塗布膜付きガラス基板に、電気炉を用いて２５０℃にて３０分間、熱処理を施して塗布膜を硬化させ、帯電防止膜を得た。
【００８５】
「実験例１４」
実験例１の帯電防止膜形成用塗料Ａを用いて、ガラス基板上にスピンコート法により５００回転、３０秒間の条件にて塗布膜を形成し、この塗布膜付きガラス基板に、電気炉を用いて４０℃にて３０分間、熱処理を施して塗布膜を硬化させた。
【００８６】
「実験例１５」
携帯電話機用のＩＰＳ方式の液晶パネルに用いられる２．２インチの大きさ、厚み０．３ｍｍのガラス基板上に、ＩＴＯターゲットを用いたスパッタ成膜法により、ＩＴＯ帯電防止膜を成膜した。
【００８７】
「評価」
実験例１〜１５それぞれの帯電防止膜の評価を行った。
評価項目は、膜厚、表面抵抗率、全光線透過率、ヘイズ値、膜強度、帯電防止性の６項目とした。
ここでは、膜厚、表面抵抗率、全光線透過率、ヘイズ値、膜強度を評価する場合には、ガラス基板として、１０ｃｍ×１０ｃｍ×２ｍｍのサイズの青板ガラスを用いた。
また、帯電防止性を評価する場合には、ガラス基板として、携帯電話用の２．２インチのＩＰＳ液晶パネル（ガラス基板の厚み：０．３ｍｍ）を用いた。
これらの評価結果を表１に示す。なお、評価方法は下記のとおりである。
【００８８】
（１）膜厚
ＴＥＮＣＯＲ Ｐ−１０（ケーエルエー・テンコール（株）社製）を用い、マスキングの塗布膜の膜厚段差を測定した。
（２）表面抵抗率
表面抵抗率が１×１０１６Ω／□以上の場合にはハイレスタ ＭＣＰ−ＨＴ２５０（三菱化学（株）社製）を、表面抵抗率が１×１０６Ω／□以下の場合にはロレスタ ＭＣＰ−Ｔ３５０（三菱化学（株）社製）を、それぞれ用いて測定した。
（３）全光線透過率
ヘイズメーター ＴＣ−Ｈ３ＤＰ（東京電飾（株）社製）を用いて測定した。
【００８９】
（４）ヘイズ値
ヘイズメーター ＴＣ−Ｈ３ＤＰ（東京電飾（株）社製）を用いて測定した。
（５）膜強度
日本工業規格ＪＩＳ Ｋ ５４００  ８・４・２に準拠して、膜の鉛筆硬度を測定した。
（６）帯電防止性
ＩＰＳ液晶パネルの表示面に静電気による画像の乱れが発生するか否かを、目視にて確認した。ここでは、画像の乱れが生じなかったものを帯電防止性が良好「○」と判定し、画像の乱れが生じたものを帯電防止性が不良「×」と判定した。
以上の実験例１〜１５各々の塗料の特性および成膜条件を表１に、得られた膜の特性およびＩＰＳ液晶パネルの帯電防止性を表２に、それぞれ示す。
【００９０】
【表１】
2010102020.tif 000003
【００９１】
【表２】
2010102020.tif 000004
【００９２】
表１によれば、実験例１〜８各々の帯電防止膜は、ＡＴＯ及びＩＴＯのいずれか一方または双方を含む透明な導電性微粒子と、バインダーとを含有し、この導電性微粒子（Ｐ）とバインダー（Ｂ）との合計量（Ｐ＋Ｂ）に対する導電性微粒子（Ｐ）の含有率を５質量％以上かつ９５質量％以下とし、膜厚を０．０１μｍ以上かつ１μｍ以下の範囲内となるように製膜することにより、表面抵抗率、全光線透過率、ヘイズ値、膜強度については良好な結果が得られた。
また、これらの帯電防止膜をＩＰＳ液晶パネル上に作製した場合においては、静電気による画像の乱れが発生せず、良好な帯電防止機能を有していることが分かった。
【００９３】
一方、実験例９では、塗布膜の膜厚が薄いために、表面抵抗率が高く、帯電防止機能を十分に発揮していなかった。
実験例１０では、塗布膜の膜厚が厚すぎるために膜割れが生じており、表面抵抗率を測定することができず、膜強度も低下していた。また、ヘイズ値が高いために、液晶パネルに求められる光透過率を達成することができなかった。
実験例１１では、導電性微粒子の割合が低いために、表面抵抗率が高く、帯電防止機能を発現させるのには不十分なものであった。
実験例１２では、導電性微粒子の割合が高いために、十分な膜強度を得ることができなかった。
【００９４】
実験例１３では、青板ガラス上に形成した帯電防止膜自体の評価には何等問題がなかったが、塗布膜の熱処理温度が高すぎてＩＰＳ液晶パネルの耐熱温度を超えてしまったために、このＩＰＳ液晶パネル自体が過熱により劣化しており、帯電防止性の評価を行うことができなかった。
実験例１４では、塗布膜の熱処理温度が低すぎたために、バインダーの熱分解が不十分なものとなってしまい、十分な膜強度を得ることができなかった。
実験例１５では、ガラス基板の厚みが０．３ｍｍと薄いために、帯電防止膜をスパッタするためにＩＰＳ液晶パネルを真空チャンバ内にて真空引きすると、このＩＰＳ液晶パネル内部の膨張をガラス基板が支えきれず、ガラス基板の破損が発生した。
【００９５】
なお、本実施形態では、横電界方式の液晶パネルについて説明してきたが、本実施形態の帯電防止膜は、大気圧下にて基材となるガラス基板上へ製膜することで帯電防止機能を付与することが可能となるので、横電界方式の液晶パネルはもちろんのこと、液晶パネル以外のプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）あるいは縦電界方式の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）向けの帯電防止膜としても利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】本発明の一実施形態の横電界方式の液晶パネルを示す断面図である。
【図２】従来の横電界方式の液晶パネルの一例を示す断面図である。
【図３】従来の横電界方式の液晶パネルの他の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【００９７】
１  ＴＦＴ側のガラス基板
２  カラーフィルタ側のガラス基板
３  カラーフィルタ
４  横電界方式の液晶
５  画素電極
６  共通電極
７  横電界
８  光
９、１１  帯電防止膜
１０  接地
【図１】
2010102020.tif 000005
【図２】
2010102020.tif 000006
【図３】
2010102020.tif 000007