(57)【要約】【課題】薄膜磁気抵抗効果膜等の薄膜について、その膜面に垂直方向の抵抗を高精度に計測することを可能にする薄膜の抵抗測定方法及びこれを用いた磁気抵抗効果膜の製造方法を提供する。【解決手段】基板１１上にアモルファス層２５と、第１の導体層１３と、抵抗を測定する対象である薄膜３２と、第２の導体層２０とをこの順に積層して形成した抵抗測定用のサンプルを形成する工程と、前記サンプルの、前記基板１１上の最上層２１の表面に、抵抗測定用のプローブ１０ａ〜１０ｄを接触させ、前記薄膜の膜面に垂直方向の抵抗を測定する工程とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にアモルファス層と、第１の導体層と、抵抗を測定する対象である薄膜と、第２の導体層とをこの順に積層して形成した抵抗測定用のサンプルを形成する工程と、
前記サンプルの、前記基板上の最上層の表面に、抵抗測定用のプローブを接触させ、前記薄膜の膜面に垂直方向の抵抗を測定する工程とを備えることを特徴とする薄膜の抵抗測定方法。
【請求項２】
前記抵抗測定用のサンプルを形成する工程において、アモルファス層と第１の導体層とを交互に積層したサンプルを形成することを特徴とする請求項１記載の薄膜の抵抗測定方法。
【請求項３】
前記抵抗測定用のサンプルを形成する工程において、前記薄膜としてバリア層を含む磁気抵抗効果膜を形成することを特徴とする請求項１または２記載の薄膜の抵抗測定方法。
【請求項４】
前記抵抗測定用のサンプルを形成する工程において、前記第１の導体層として、Cu層を形成することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の薄膜の抵抗測定方法。
【請求項５】
前記抵抗測定用のサンプルを形成する工程において、前記アモルファス層として、ホウ素Ｂを含む磁性層を形成することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の薄膜の抵抗測定方法。
【請求項６】
バリア層を備える磁気抵抗効果膜の製造方法において、磁気抵抗効果膜の抵抗を測定するモニター用のサンプルを形成する工程と、前記モニター用のサンプルを用いて前記磁気抵抗効果膜の抵抗を測定する工程とを備え、
前記モニター用のサンプルを形成する工程においては、基板上にアモルファス層と、第１の導体層と、抵抗を測定する対象である薄膜と、第２の導体層とをこの順に積層して形成し、
前記磁気抵抗効果膜の抵抗を測定する工程においては、前記基板上の最上層の表面に、抵抗測定用のプローブを接触させ、前記薄膜の膜面に垂直方向の抵抗を測定することを特徴とする磁気抵抗効果膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気再生ヘッドに用いられる磁気抵抗効果膜等の薄膜の膜面に垂直方向の抵抗を測定する方法、及びこれを用いた磁気抵抗効果膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置に搭載される磁気再生ヘッドには、TMR(Tunnel Magneto Resistance）膜等の磁気抵抗効果膜が用いられている。このTMR膜を備えた磁気再生ヘッドの製造工程においては、磁気抵抗効果膜の膜面に垂直方向の抵抗が所定の抵抗値になるように製造条件を制御している。TMR素子は膜面に垂直方向にセンス電流を流して外部磁場に対する抵抗値の変化を検知するから、磁気抵抗効果膜の膜面に垂直方向の抵抗値が磁気再生ヘッドの特性に大きく影響するからである。
【０００３】
TMR膜の膜面に垂直方向の抵抗を測定する方法として、図６に示すような、磁気抵抗効果膜の表面に４本のプローブ１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄを接触させて抵抗値を測定する方法（CIPT法：current-in-plane-tunneling）が知られている。
図６は、基板１１上に、Ta層１２、Cu層１３、シード層１４、反強磁性層１５、ピン層１６、バリア層１７、フリー層１８、キャップ層１９、Cu層２０及び表面保護層２１をこの順に積層した状態を示す。これらの各層のうち、シード層１４からキャップ層１９までがTMR膜３２に相当する。
Cu層１２からピン層１６までの各層と、フリー層１８から表面保護層２１までの各層は導電層であり、バリア層１７が抵抗層（絶縁層）である。したがって、CIPT法により磁気抵抗効果膜の抵抗を計測することは、実質的にTMR膜３２のバリア層１７の抵抗を測定することになる。
【０００４】
CIPT法によって測定される磁気抵抗効果膜の抵抗は、バリア層１７の上部の水平方向の抵抗（Rt)及びバリア層１７の下部の水平方向の抵抗（Rb)と、バリア層１７に垂直方向の抵抗（RA)の合成抵抗となる。磁気抵抗効果膜の下部と上部に、それぞれCu層１３、Cu層２０を設けているのは、電気抵抗の小さなCu層１３，２０を設けることによって、バリア層１７の上部と下部における水平方向の抵抗を低減させ、合成抵抗のうちの垂直方向の抵抗（RA）が大きく表れるようにするためである。
【０００５】
図６に示す膜構造は、実素子の磁気抵抗効果膜の抵抗値をモニターするための膜構造である。Cu層１３、２０及び表面保護層は、CIPT法によって磁気抵抗効果膜（TMR膜）の膜面に垂直方向の抵抗値を測定しやすくするために設けた層であり、実素子においてはこれらの層は設けられない。また、基板１１も、Si基板あるいは熱酸化Si基板等のモニター用の基板が用いられる。
【非特許文献１】Applied Physics Letters  vol.83、No.1、84、(2003)
【特許文献１】特開２００８−１７７３９７号公報
【特許文献２】特開２００７−１９３８９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図６に示すように、磁気抵抗効果膜は、基板１１上にスパッタリング法によって各層を順次、成膜しながら積層して形成する。このため、上層の成膜層は、その下層の結晶構造や表面状態を反映したものとなる。図６においては、下層のCu層１３の表面を波形に表している。これは、Ta層１２上にCu層１３を成膜すると、銅結晶が大きく成長してCu層１３の表面が凹凸状になることを示す。とくに、TMR膜を形成する工程においては、アニール処理を行うから、アニール処理によって銅結晶がさらに大きく成長し、Cu層１３の表面における凹凸（表面粗さ）がさらに大きくなる。
なお、基板１１上のTa層１２は、基板１１の結晶配向が、上層の成膜層の結晶配向に影響しないようにするために設けている。Cu層１３を平坦状に形成するため、CMP（Chemical Mechanical Polishing)加工によりTa層１２の表面を平坦化してCu層１３を成膜することも行われる。
【０００７】
上述したように、Cu層１３の表面が凹凸面になると、Cu層１３に積層される層が湾曲し、バリア層１７も湾曲形状に成膜される。この結果、CIPT法によって磁気抵抗効果膜の抵抗を測定すると、磁気抵抗効果膜の抵抗値が実素子の磁気抵抗効果膜の抵抗値を正しく反映しないという問題が生じる。磁気抵抗効果膜の抵抗値は、１Ωμｍ2程度の小さな値であり、バリア層１７が湾曲するといったわずかな変形であっても、磁気抵抗効果膜の抵抗値に影響を与えるものと考えられる。
【０００８】
本発明は、薄膜磁気抵抗効果膜等の薄膜について、その膜面に垂直方向の抵抗を高精度に計測することを可能にする薄膜の抵抗測定方法及びこれを用いた磁気抵抗効果膜の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
薄膜の抵抗測定方法についての実施形態の一観点によれば、基板上にアモルファス層と、第１の導体層と、抵抗を測定する対象である薄膜と、第２の導体層とをこの順に積層して形成した抵抗測定用のサンプルを形成する工程と、前記サンプルの、前記基板上の最上層の表面に、抵抗測定用のプローブを接触させ、前記薄膜の膜面に垂直方向の抵抗を測定する工程とを備える薄膜の抵抗測定方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る薄膜の抵抗測定方法によれば、アモルファス層を下地層として第１の導体層を形成したサンプルを形成することにより、このサンプルの基板上の最上層の表面に抵抗測定用のプローブを接触する方法によって薄膜の膜面に垂直方向の抵抗を正確に測定することができる。この薄膜の抵抗測定方法を磁気抵抗効果膜の製造に適用することによって、高精度に磁気抵抗効果膜を製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
（薄膜の抵抗測定方法）
図１は、本発明に係る薄膜の抵抗測定方法を、磁気再生ヘッドのTMR膜の抵抗測定に適用する例を示す。
抵抗測定対象であるTMR膜３２は、シード層１４、反強磁性層１５、ピン層１６、バリア層１７、フリー層１８及びキャップ層１９からなる。
本実施形態においては、TMR膜３２の抵抗測定用のサンプルとして、基板１１上に、アモルファス層２５を形成し、このアモルファス層２５に積層して第１の導体層であるCu層１３を形成し、このCu層１３の上にTMR膜３２を形成する。また、TMR膜３２に積層して第２の導体層であるCu層２０を形成し、Cu層２０に積層して導体材からなる表面保護層２１を形成する。
【００１２】
第１の導電層３０は、Cu層１３、シード層１４、反強磁性層１５及びピン層１６からなり、第２の導電層３１は、フリー層１８、キャップ層１０、Cu層２０、表面保護層２１からなる。バリア層１７は第１の導電層３０と第２の導電層３１によって厚さ方向に挟まれた配置となる。
第１の導体層であるCu層１３と第２の導体層であるCu層２０は、バリア層１７の下層と上層に電気抵抗の小さなCu層を設けることによって、バリア層１７の下層と上層における水平方向の抵抗を小さくし、TMR膜３２の膜面に垂直方向の抵抗（RA)を的確に測定できるようにしている。
【００１３】
本実施形態において、基板１１上に成膜する膜構造が、図６に示した膜構造と異なる点は、下層のCu層１３の下地層としてアモルファス層２５を設けた点である。すなわち、本実施形態においては、基板１１上にアモルファス層２５を形成し、このアモルファス層２５の上に第１の導体層としてCu層１３を成膜し、さらにその上層にピン層１６、バリア層１７等の所要層を形成している。
【００１４】
本実施形態において、Cu層１３の下地層にアモルファス層２５を設けた理由は、アモルファス層２５に積層してCu層１３を形成することによって、Cu層１３における銅の結晶化を抑制し、Cu層における銅の結晶化を抑え、Cu層１３の表面の凹凸を抑えるようにするためである。
図１においては、Cu層１３の表面の凹凸が従来よりも抑制されることから、図６にくらべてCu層１３の表面の凹凸の高さを低く描いている。
このようにCu層１３の表面の凹凸を低く抑えることにより、TMR膜３２のバリア層１７が湾曲することを抑え、TMR膜３２の抵抗値を実素子の抵抗値に近い値として得ることができる。
【００１５】
アモルファス層２５は、導体材であっても絶縁材であってもよい。導体材としては、たとえばアモルファスとして成膜されるCoFeB、NiFeBなどの磁性材が使用でき、絶縁材としては、SiO2、Al2O3等の酸化物、FeSi、SiCTi、CuTaB、CoB、FeBといったホウ素，リン，ケイ素，炭素，ゲルマニウムを含む化合物が使用できる。
【００１６】
アモルファス層２５をCoFeBあるいはNiFeBによって形成する場合は、CoFeBあるはNiFeBをターゲットとするスパッタリング法によって形成することができる。アモルファス層２５をAl2O3によって形成する場合も、Al2O3をターゲットとするスパッタリング法によって形成することができる。SiO2をアモルファス層２５とする場合は、スパッタリング法によって形成する他に、基板１１としてSi基板を使用する場合には、Si基板を熱酸化し、Si基板の表面にSiO2膜を形成し、このSiO2膜をアモルファス層２５として使用することもできる。
【００１７】
なお、第１の導体層としてのCu層１３は単層に形成する場合に限られるものではない。Cu層１３を形成する際に、その膜厚を厚くすると、Cu層１３における銅の結晶化を助長することになるから、Cu層１３の膜厚を薄くし、アモルファス層２５を層間に介在させてCu層１３を多層に積層する構造とすることも可能である。
Cu層１３を多層に積層することにより、個々のCu層１３の厚さが薄くても、第１の導体層の電気抵抗を小さくすることができ、バリア層１７の下層における水平方向の抵抗（Rb)を小さくすることができる。アモルファス層２５を層間に介在させてCu層１３を多層に積層する方法は、アモルファス層２５にCoFeBのような導体材を使用する場合に有効である。
【００１８】
TMR膜３２の抵抗値を測定する場合は、基板１１上に積層して形成した最上層の表面保護層２１の表面に４本のプローブ１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄを接触させ、CIPT法を利用して抵抗測定を行う。この抵抗測定により、TMR膜３２の膜面に垂直方向の抵抗値、実質的にはバリア層１７の膜面に垂直方向の抵抗値が測定される。
【００１９】
TMR膜３２の抵抗測定結果は、実素子の製造工程においてTMR膜を形成する際の製造条件にフィードバックすることができる。TMR膜のバリア層にはMgO膜が一般に用いられている。TMR膜の膜面方向の抵抗はバリア層の抵抗を反映するものとなるから、TMR膜の抵抗測定結果に基づいてMgO膜の成膜条件（たとえば成膜時間）を制御することによってTMR膜の抵抗値のばらつきを抑えることができる。
また、抵抗測定用のサンプルとして、MgO膜の成膜条件（たとえば成膜時間）を変えたサンプルを作製し、これらのサンプルの抵抗測定結果をもとに、TMR膜を形成する際の条件設定を行うことも可能である。
【００２０】
なお、図１に示したTMR膜３２は、TMR膜の典型的な構成例として示したものであり、実素子に用いられるTMR膜には種々の膜構造がある。本発明は、TMR膜の具体的な膜構成にはなんら限定されるものではなく、任意の膜構成のTMR膜の抵抗測定に適用することができる。
また、上記例は磁気抵抗効果膜としてのTMR膜の抵抗測定に本発明方法を適用する例である。本発明に係る薄膜の抵抗測定方法は、TMR膜の抵抗測定のみに適用されるものではなく、一般的な薄膜の抵抗測定に利用することができる。一般的な薄膜について垂直抵抗を測定する場合も、薄膜の下層と上層にそれぞれ第１の導体層と第２の導体層を設け、第１の導体層についてはアモルファス層を下地層として形成することにより、CIPT法によって正確に薄膜の抵抗を測定することができる。
【００２１】
（実施例１）
図２は、本発明に係る薄膜の抵抗測定方法を利用する第１の実施例を示す。
本実施例において使用した抵抗測定用のサンプルは、基板上にTa層を成膜し、Ta層の上に第１の導体層としてのCu層とCoFeB層の積層膜３４を成膜し、積層膜３４にTMR膜３２を積層し、さらに第２の導体層としてのCu層と表面保護層を形成したものである。
基板には熱酸化Si基板を使用したが、最下層にTa層を成膜する場合は基板がSi基板に限定されるものではない。Ta層によって基板の結晶配向が遮断され、基板による成膜層への影響が排除されるからである。基板に熱酸化Si基板を使用する場合は、Ta層を形成せずに、基板上にCoFeB層を成膜してもよい。
第１の導電層３０はTa層からピン層までの各層、第２の導電層３１はフリー層から表面保護層までの各層からなる。
【００２２】
積層膜３４は、CoFeB層を下地層とし、Cu層とCoFeB層を交互に複数層に積層して形成した。本実施例におけるTa層と積層膜３４の膜厚は、Ta 3nm/CoFeB 3nm/Cu 30nm/CoFeB 3nm/Cu 30nm/CoFeB 3nmである。CoFeB層はスパッタリングによって成膜することによりアモルファス層となる。積層膜３４の最上層はCoFeB層である。
TMR膜３２のバリア層はMgOをスパッタリングして形成した。MgOの膜厚は１nmである。第２の導電層３１のCu層の膜厚は10nmである。表面保護層にはRuを10nmの厚さに形成した。
【００２３】
表１は、従来方法と本実施例の方法によって作成した抵抗測定用のサンプルについて、CIPT法によりTMR膜の抵抗（RA)を測定した結果を示す。
【００２４】
【表１】
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【００２５】
表１において、従来方法とあるのは、Si基板上にTa 3nm/Cu 30nm/Ta 3nm/Cu 30nmを成膜し、さらにTMR膜３２と、第２の導体層としてのCu層10nm、表面保護層としてRuを10nmの厚さに形成したサンプルについての測定結果である。従来方法におけるTMR膜の膜構成及び膜厚は上記実施形態におけるTMR膜と同一である。
【００２６】
表１に示す測定結果は、従来方法の場合はTMR膜の抵抗値が0.84Ωμｍ2であるのに対して、本実施例の場合は、抵抗値が1.25Ωμｍ2となり、従来方法にくらべて50％程度、抵抗値が大きくなっている。
従来方法と本実施形態の方法において相違する点は、TMR膜の下層に形成した第１の導体層としてのCu層を含む積層膜３４の構成である。本実施例においては、アモルファス層であるCoFeB層を下地層としてCu層を成膜したことにより、Cu層における銅の結晶化を抑制してCu層の表面粗さを抑えることができ、TMR膜のバリア層をより平坦状に形成できたことによって、従来方法よりも抵抗値が大きく表れたものと考えられる。
【００２７】
（実施例２）
図３は、本発明に係る薄膜の抵抗測定方法を利用する第２の実施例を示す。
本実施例においては、抵抗測定用のサンプルとして、基板上にTa層（3nm)を成膜し、Ta層の上に第１の導体層としてのCu層と、CoFeB層からなる積層膜３５を形成し、積層膜３５の上に、TMR膜３２及び第２の導体層としてのCu層、表面保護層を形成したサンプルを使用した。積層膜３５は、CoFeB層とCu層を交互に積層したものであり、実際には、CoFeB層 (2nm)とCu層(6nm)を交互に１１層ずつ積層し、最上層をCoFeB層とした。基板には熱酸化Si基板を使用した。TMR膜の膜構成は実施例１と同一である。
第１の導電層３０はTa層からピン層までの各層、第２の導電層３１はフリー層から表面保護層までの各層からなる。第２の導体層であるCu層の膜厚は10nm、表面保護層には、厚さ10nmのRu層を形成した。
【００２８】
表２に、実施例２のサンプルについてCIPT法によりTMR膜３２の抵抗値（RA)を測定した結果を示す。従来方法の測定値は表１と同一である。
【００２９】
【表２】
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【００３０】
表２に示すように、本実施例の場合も、従来方法の場合にくらべてTMR膜の抵抗値が大きくあらわれている。また、実施例１の抵抗値と本実施例の抵抗値を比較すると、本実施例の方が抵抗値が大きく表れている。これは、積層膜３５のCu層の膜厚を薄くし、CoFeB層とCu層をさらに多層に積層したことによって、TMR膜の平坦性がさらに向上した結果によるものと考えられる。
【００３１】
（実施例３）
図４は、本発明に係る薄膜の抵抗測定方法を利用する第３の実施例を示す。
本実施例においては、基板に熱酸化Si基板を使用し、熱酸化Si基板上に、じかに第１の導体層としてCu層１３を成膜し、さらにTMR膜３２と第２の導体層としてCu層（（10nm)、表面保護層(Ru層：10nm)を形成した抵抗測定用のサンプルを使用した。第１の導電層３０はCu層１３からピン層までの各層、第２の導電層３１はフリー層から表面保護層までの各層からなる。
本実施例は、第１の導体層である下層のCu層の下地層が熱酸化Si基板の表面のSiO2層となっている。熱酸化Si基板の表面のSiO2層は、およそ厚さ200nmのアモルファス層に形成され、Cu層１３はアモルファス層を下地層として形成されている。
【００３２】
表３に、実施例３のサンプルについて、CIPT法によりTMR膜３２の抵抗値（RA)を測定した結果を示す。従来方法の測定値は表１と同一である。表３に示すように、本実施例の場合も、従来方法にくらべて抵抗値が大きくあらわれている。
【００３３】
【表３】
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【００３４】
図５は、実施例３において、熱酸化Si基板上に形成するCu層１３の膜厚を変えたサンプルについて抵抗測定した結果を示す。図５の測定結果は、Cu層１３の膜厚を厚くすることにより、わずかに抵抗値（RA)が低下する傾向を示す。この測定結果は、Cu層１３の膜厚を厚くすることによってCu層１３の表面粗さが大きくなり、TMR膜の抵抗値を下げるように作用することを示唆するものと考えられる。
【００３５】
なお、TMR膜の膜厚方向の抵抗値を知るために、実験的にTMR膜を平面形状が長方形となるように成膜し（膜構成は上述した実施例と同一）、TMR膜の上面と下面に端子を形成し、TMR膜の膜面に垂直に電流を印加して抵抗値を測定したところ、抵抗値は1.42Ωμm2となった。
上述した実施例１〜３において、CIPT法によって得られたTMR膜の抵抗値は、上記抵抗値の90％程度以上の値となっており、従来方法の抵抗値が上記抵抗値の60％程度の抵抗値であることと比較して、TMR膜についてより真値に近い抵抗値として得られるということができる。
【００３６】
CIPT法を利用してTMR膜等の薄膜の抵抗を測定する場合は、薄膜の上層と下層に、Cu層のような電気抵抗の小さな導体層を設け、薄膜の上部と下部における水平方向の抵抗を小さくするのがよい。第１、第２の導体層としては、Cu層のかわりにAu層、Ag層、Pt層等が使用できる。図２、図３に示すように、Cu層を複数層に積層する場合も、Cu層にかえてAu層等の他の導体層を使用することができる。Cu層以外の他の導体層を使用する場合も、導体層の下地層をアモルファス層とすることによって、当該導体層において金属粒が結晶化することを抑制することができ、薄膜の抵抗を高精度に測定することができる。
【００３７】
TMR膜等の磁気抵抗効果膜を備える磁気再生ヘッドを製造する工程においては、特性のばらつきを抑えるために、TMR膜の膜厚方向の抵抗値が所定範囲内にあるように制御される。このため、製造工程においては、随時、TMR膜の抵抗を測定するモニター用のサンプルを製作し、TMR膜の抵抗値を測定しながら製造している。本発明に係る薄膜の抵抗測定方法は、このTMR膜を備える磁気再生ヘッドの製造工程において、モニター用サンプルを製作する工程に好適に利用することができる。
【００３８】
モニター用のサンプルは、アモルファス層を下地層としてCu層等の第１の導体層を形成する工程、第１の導体層に積層してTMR膜を形成する工程、TMR膜に積層して第２の導体層を形成する工程によって形成することができる。前述したように、これらの工程によって形成したモニター用サンプルを使用することにより、CIPT法を利用してTMR膜の膜面に垂直方向の抵抗値を精度よく測定することが可能となり、TMR膜の特性のばらつきを抑え、製品の歩留まりを向上させることができる。
この磁気抵抗効果膜を備えるモニター用のサンプルを形成して磁気抵抗効果膜の抵抗を測定する方法は、実素子における磁気抵抗効果膜の特性をモニターする他に、磁気再生ヘッドの膜構成を設計する段階において、磁気抵抗効果膜の抵抗値データを把握する場合等においてももちろん利用することができる。
【００３９】
（付記１）  基板上にアモルファス層と、第１の導体層と、抵抗を測定する対象である薄膜と、第２の導体層とをこの順に積層して形成した抵抗測定用のサンプルを形成する工程と、前記サンプルの、前記基板上の最上層の表面に、抵抗測定用のプローブを接触させ、前記薄膜の膜面に垂直方向の抵抗を測定する工程とを備えることを特徴とする薄膜の抵抗測定方法。
（付記２）  前記抵抗測定用のサンプルを形成する工程において、アモルファス層と第１の導体層とを交互に積層したサンプルを形成することを特徴とする付記１記載の薄膜の抵抗測定方法。
（付記３）  前記抵抗測定用のサンプルを形成する工程において、前記薄膜としてバリア層を含む磁気抵抗効果膜を形成することを特徴とする付記１または２記載の薄膜の抵抗測定方法。
（付記４）  前記抵抗測定用のサンプルを形成する工程において、前記第１の導体層として、Cu層を形成することを特徴とする付記１〜３のいずれか一項記載の薄膜の抵抗測定方法。
（付記５）  前記抵抗測定用のサンプルを形成する工程において、前記アモルファス層として、ホウ素（Ｂ）を含む磁性層を形成することを特徴とする付記１〜４のいずれか一項記載の薄膜の抵抗測定方法。
（付記６）  前記抵抗測定用のサンプルを形成する工程において、前記アモルファス層として、酸化物層あるいは窒化物層を形成することを特徴とする付記１〜４のいずれか一項記載の薄膜の抵抗測定方法。
（付記７）  前記基板としてSi基板を使用し、前記アモルファス層を形成する工程として、前記Si基板を熱酸化することにより、基板上にアモルファス層としてSiO2膜を形成することを特徴とする付記１〜６のいずれか一項記載の薄膜の抵抗測定方法。
（付記８）  前記第２の導体層に積層して、表面保護層を形成する工程を備えることを特徴とする付記１〜７のいずれか一項記載の薄膜の抵抗測定方法。
（付記９）  バリア層を備える磁気抵抗効果膜の製造方法において、磁気抵抗効果膜の抵抗を測定するモニター用のサンプルを形成する工程と、前記モニター用のサンプルを用いて磁気抵抗効果膜の抵抗を測定する工程とを備え、前記モニター用のサンプルを形成する工程においては、基板上にアモルファス層と、第１の導体層と、抵抗を測定する対象である薄膜と、第２の導体層とをこの順に積層して形成し、前記磁気抵抗効果膜の抵抗を測定する工程においては、前記基板上の最上層の表面に、抵抗測定用のプローブを接触させ、前記薄膜の膜面に垂直方向の抵抗を測定することを特徴とする薄膜の抵抗測定方法。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】TMR膜の膜面に垂直方向の抵抗を測定する方法を示す説明図である。
【図２】実施例１におけるTMR膜の抵抗測定のための膜構成を示す説明図である。
【図３】実施例２におけるTMR膜の抵抗測定のための膜構成を示す説明図である。
【図４】実施例３におけるTMR膜の抵抗測定のための膜構成を示す説明図である。
【図５】Cu層の膜厚を変えて抵抗値を測定した結果を示すグラフである。
【図６】TMR膜の膜面に垂直方向の抵抗を測定する従来方法を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４１】
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ  プローブ
１１  基板
１２  Ta層
１３  Cu層
１６  ピン層
１７  バリア層
１８  フリー層
１９  キャップ層
２０  Cu層
２１  表面保護層
２５  アモルファス層
３０  第１の導電層
３１  第２の導電層
３２  TMR膜
３４、３５  積層膜
【図１】
2010123670.tif 000006
【図２】
2010123670.tif 000007
【図３】
2010123670.tif 000008
【図４】
2010123670.tif 000009
【図５】
2010123670.tif 000010
【図６】
2010123670.tif 000011