(57)【要約】 【課題】露光不良の発生を抑制できる基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理方法は、感光膜を含む基板の表面をプロセスガスより生成されたプラズマと接触させて、基板の表面の液体に対する撥液性を高めることと、プラズマと接触した基板の表面の少なくとも一部に液体を介して露光光を照射して、基板を露光することと、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
感光膜を含む基板の表面をプロセスガスより生成されたプラズマと接触させて、前記基板の表面の液体に対する撥液性を高めることと、
前記プラズマと接触した前記基板の表面の少なくとも一部に前記液体を介して露光光を照射して、前記基板を露光することと、を含む基板処理方法。
【請求項２】
前記プロセスガスは、フッ素化合物を含む請求項１記載の基板処理方法。
【請求項３】
前記基板の表面の少なくとも一部は、前記感光膜の表面を含む請求項１又は２記載の基板処理方法。
【請求項４】
前記感光膜を形成した後、前記感光膜を保護する保護膜を形成することを含み、
前記基板の表面の少なくとも一部は、前記保護膜の表面を含む請求項１又は２記載の基板処理方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項記載の基板処理方法を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含む基板処理方法。
【請求項６】
感光膜を含む基板を形成する成膜装置と、
プロセスガスより生成されたプラズマを、前記感光膜を含む基板の表面と接触させて、前記基板の表面の液体に対する撥液性を高めるプラズマ処理装置と、
前記プラズマと接触した前記基板の表面の少なくとも一部に前記液体を介して露光光を照射して、前記基板を露光する液浸露光装置と、を備えたデバイス製造システム。
【請求項７】
前記プロセスガスは、フッ素化合物を含む請求項６記載のデバイス製造システム。
【請求項８】
前記露光された基板を現像する現像装置を備える請求項６又は７記載のデバイス製造システム。
【請求項９】
液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記基板を保持して前記露光光が照射可能な位置に対して移動可能な基板保持部材と、
前記基板が前記露光光で露光される前に、プロセスガスより生成されたプラズマを、前記基板の表面と接触させて、前記基板の表面の液体に対する撥液性を高めるプラズマ処理装置と、を備え、
前記プラズマと接触した前記基板の表面の少なくとも一部に液体を介して露光光が照射される露光装置。
【請求項１０】
前記プラズマ処理装置は、前記基板が前記基板保持部材に保持される前又は後に、前記基板の表面が前記プラズマと接触するように、前記プラズマを供給する請求項９記載の露光装置。
【請求項１１】
前記プロセスガスは、フッ素化合物を含む請求項９又は１０記載の露光装置。
【請求項１２】
所定空間と、
前記所定空間に第１ガスを供給することによって、前記所定空間の環境を調整する調整装置と、をさらに備え、
前記プラズマ処理装置は、前記プラズマを供給する第１供給口と、前記プラズマが供給された空間の周囲に第２ガスを供給する第２供給口と、前記第１供給口からプラズマが供給された空間のガスの少なくとも一部を排出する排気口とを有し、
前記第２ガスは、前記第１ガスとほぼ同じ温度である請求項９〜１１のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１３】
前記第２ガスは、前記第１ガスとほぼ同じ種類である請求項１２記載の露光装置。
【請求項１４】
前記プラズマ処理装置は、対向する電極間の放電空間に前記プロセスガスを導入し、前記放電空間に導入された前記プロセスガスの少なくとも一部より生成されたプラズマを供給する請求項９〜１３のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項１５】
前記放電空間はほぼ常圧である請求項１４記載の露光装置。
【請求項１６】
請求項９〜１５のいずれか一項記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理方法、デバイス製造システム、露光装置、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、例えば特許文献１，２に開示されているような、液体を介して露光光で基板を露光する液浸露光装置が知られている。
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／０１３９６１４号明細書
【特許文献２】米国特許第７１９９８５８号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
液浸露光装置においては、露光される基板の表面と液体とが接触する。その基板の表面状態が悪化すると、露光不良が発生する可能性がある。例えば、その基板の表面の液体に対する撥液性が低下していると、液体が漏出したり、その基板上に液体（例えば液体の膜、滴等）が残留したりする可能性がある。漏出した液体、あるいは残留した液体の気化に起因して、露光装置が置かれている環境（温度、湿度、クリーン度等）が変化したり、基板、あるいは周辺の部材が熱変形したりする可能性がある。そのような不具合が生じると、露光装置の性能が低下し、基板上に形成されるパターンに欠陥が生じる等、露光不良が発生する可能性がある。その結果、不良デバイスが発生する可能性がある。
【０００４】
本発明は、露光不良の発生を抑制できる基板処理方法、及び露光装置を提供することを目的とする。また本発明は、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造システム、及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の態様に従えば、感光膜を含む基板の表面をプロセスガスより生成されたプラズマと接触させて、基板の表面の液体に対する撥液性を高めることと、プラズマと接触した基板の表面の少なくとも一部に液体を介して露光光を照射して、基板を露光することと、を含む基板処理方法が提供される。
【０００６】
本発明の第２の態様に従えば、感光膜を含む基板を形成する成膜装置と、プロセスガスより生成されたプラズマを、感光膜を含む基板の表面と接触させて、基板の表面の液体に対する撥液性を高めるプラズマ処理装置と、プラズマと接触した基板の表面の少なくとも一部に液体を介して露光光を照射して、基板を露光する液浸露光装置と、を備えたデバイス製造システムが提供される。
【０００７】
本発明の第３の態様に従えば、液体を介して露光光で基板を露光する露光装置であって、基板を保持して露光光が照射可能な位置に対して移動可能な基板保持部材と、基板が露光光で露光される前に、プロセスガスより生成されたプラズマを、基板の表面と接触させて、基板の表面の液体に対する撥液性を高めるプラズマ処理装置と、を備え、プラズマと接触した基板の表面の少なくとも一部に液体を介して露光光が照射される露光装置が提供される。
【０００８】
本発明の第４の態様に従えば、第３の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、露光不良の発生を抑制できる。また本発明によれば、不良デバイスの発生を抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１１】
図１は、本実施形態に係るデバイス製造システムＳＹＳの一例を示す概略構成図である。図１において、デバイス製造システムＳＹＳは、露光光ＥＬで基板Ｐを露光する露光装置ＥＸと、インターフェースＩＦを介して露光装置ＥＸと接続された処理装置ＣＤとを備えている。
【００１２】
本実施形態の露光装置ＥＸは、液体ＬＱを介して露光光ＥＬで基板Ｐを露光する液浸露光装置である。本実施形態においては、液体ＬＱとして、水（純水）を用いる。
【００１３】
本実施形態において、処理装置ＣＤは、感光膜Ｒｇを含む基板Ｐを形成する成膜装置Ｃと、露光された基板Ｐを現像する現像装置Ｄとを有する。感光膜は、感光材（フォトレジスト）の膜である。基板Ｐは、露光装置ＥＸと処理装置ＣＤとの間で、インターフェースＩＦを介して搬送される。
【００１４】
露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、マスクステージ１を移動する駆動システム４と、基板ステージ２を移動する駆動システム５と、マスクステージ１及び基板ステージ２の位置を計測する干渉計システム７と、基板Ｐを搬送可能な搬送装置９と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明系ＩＬと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影光学系ＰＬと、露光光ＥＬの光路の少なくとも一部が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能な液浸部材１０と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置１１とを備えている。
【００１５】
また、露光装置ＥＸは、プロセスガスＰＧより生成されたプラズマを、基板Ｐの表面と接触させて、基板Ｐの表面の液体ＬＱに対する撥液性を高めるプラズマ処理装置１０１を備えている。プラズマ処理装置１０１は、基板Ｐが露光光ＥＬで露光される前に、基板Ｐの表面の液体ＬＱに対する撥液性を高める。
【００１６】
また、露光装置ＥＸは、内部空間１２を形成するチャンバ装置１３と、内部空間１２に配置されたボディ１４とを備えている。ボディ１４は、第１コラム１５と、第１コラム１５上に設けられた第２コラム１６とを含む。本実施形態において、チャンバ装置１３によって形成される内部空間１２には、マスクステージ１、基板ステージ２、照明系ＩＬ、投影光学系ＰＬ、搬送装置９、及びボディ１４等が配置される。露光光ＥＬは、内部空間１２の少なくとも一部を進行する。
【００１７】
第１コラム１５は、第１支持部材１８と、第１支持部材１８に防振装置１９を介して支持された第１定盤２０とを備えている。第２コラム１６は、第１定盤２０上に配置された第２支持部材２１と、第２支持部材２１に防振装置２２を介して支持された第２定盤２３とを備えている。
【００１８】
本実施形態において、内部空間１２は、実質的に閉ざされた第１，第２、第３、第４空間１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄを含む。本実施形態において、第１空間１２Ａは、第１コラム１５と例えばクリーンルーム内に配置された支持面ＦＬとの間の空間の少なくとも一部を含む。本実施形態において、第２空間１２Ｂは、第２コラム１６と第１定盤２０との間の空間の少なくとも一部を含む。本実施形態において、第３空間１２Ｃは、チャンバ装置１３と第２定盤２３との間の空間の少なくとも一部を含む。本実施形態において、第４空間１２Ｄは、第１コラム１５（第１支持部材１８）とチャンバ装置１３との間の空間の少なくとも一部を含む。
【００１９】
また、本実施形態において、露光装置ＥＸは、第１，第２，第３，第４空間１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄの環境（温度、湿度、圧力、及びクリーン度の少なくとも１つ）を調整する環境調整装置２４Ａ，２４Ｂ，２４Ｃ，２４Ｄを備えている。本実施形態において、環境調整装置２４Ａ〜２４Ｄのそれぞれは、ガスの温度を調整可能な温度調整装置、及びガス中の異物を除去可能なフィルタユニット等を有する。環境調整装置２４Ａ〜２４Ｄは、第１〜第４空間１２Ａ〜１２Ｄのそれぞれにクリーンで温度調整されたガスを供給することによって、第１〜第４空間１２Ａ〜１２Ｄの環境を調整する。本実施形態において、環境調整装置２４Ａ〜２４Ｄが供給するガスの温度は、例えば２３℃である。なお、第１空間１２Ａ〜第４空間１２Ｄのそれぞれに１つの環境調整装置を備える必要はなく、複数の空間の環境を１つの環境調整装置で制御してもよい。
【００２０】
照明系ＩＬは、所定の照明領域ＩＲに露光光ＥＬを照射する。照明領域ＩＲは、照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。照明系ＩＬは、照明領域ＩＲに配置されたマスクＭの少なくとも一部を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。照明系ＩＬから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等が用いられる。本実施形態においては、露光光ＥＬとして、紫外光（真空紫外光）であるＡｒＦエキシマレーザ光を用いる。
【００２１】
マスクステージ１は、第３空間１２Ｃ内において、第２定盤２３のガイド面２３Ｇ上を移動可能である。マスクステージ１は、マスクＭを保持して照明領域ＩＲに対して移動可能である。マスクステージ１は、マスクＭをリリース可能に保持するマスク保持部２５を有する。本実施形態において、マスク保持部２５は、マスクＭの表面（パターン形成面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。
【００２２】
マスクステージ１は、駆動システム４の作動により、移動可能である。本実施形態において、駆動システム４は、ガイド面２３Ｇ上でマスクステージ１を移動するための平面モータを含む。マスクステージ１を移動するための平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、マスクステージ１に配置された可動子１Ｍと、第２定盤２３に配置された固定子２３Ｃとを有する。本実施形態においては、マスクステージ１は、平面モータを含む駆動システム４の作動により、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００２３】
投影光学系ＰＬは、所定の投影領域ＰＲに露光光ＥＬを照射する。投影光学系ＰＬは、投影領域ＰＲに配置された基板Ｐの少なくとも一部に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。投影光学系ＰＬの複数の光学素子は、鏡筒２６に保持されている。鏡筒２６は、フランジ２６Ｆを有する。投影光学系ＰＬは、フランジ２６Ｆを介して、第１定盤２０に支持される。なお、第１定盤２０と鏡筒２６との間に防振装置を設けることができる。
【００２４】
本実施形態の投影光学系ＰＬは、その投影倍率が例えば１／４、１／５、又は１／８等の縮小系である。なお、投影光学系ＰＬは等倍系及び拡大系のいずれでもよい。本実施形態においては、投影光学系ＰＬの光軸はＺ軸と平行である。また、投影光学系ＰＬは、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、投影光学系ＰＬは、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。
【００２５】
投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、投影光学系ＰＬの像面に最も近い終端光学素子２７は、投影光学系ＰＬの像面に向けて露光光ＥＬを射出する射出面２８を有する。投影領域ＰＲは、投影光学系ＰＬ（終端光学素子２７）の射出面２８から射出される露光光ＥＬが照射可能な位置を含む。
【００２６】
本実施形態において、投影光学系ＰＬの複数の光学素子のうち、少なくとも終端光学素子２７は、第１空間１２Ａに配置されている。終端光学素子２７の射出面２８から射出される露光光ＥＬの光路は、第１空間１２Ａに配置される。すなわち、本実施形態において、第１空間１２Ａは、投影光学系ＰＬの像面側の光路を含み、基板Ｐに入射する露光光ＥＬの光路の少なくとも一部を含む。
【００２７】
基板ステージ２は、第１空間１２Ａ内において、第３定盤３０のガイド面３０Ｇ上を移動可能である。ガイド面３０Ｇは、ＸＹ平面とほぼ平行である。第３定盤３０は、防振装置３１を介して、支持面ＦＬに支持されている。基板ステージ２は、基板Ｐを保持して投影領域ＰＲに対して移動可能である。基板ステージ２は、基板Ｐをリリース可能に保持する基板保持部２９を有する。本実施形態において、基板保持部２９は、基板Ｐの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。
【００２８】
基板ステージ２は、駆動システム５の作動により移動可能である。本実施形態において、駆動システム５は、ガイド面３０Ｇ上で基板ステージ２を移動するための平面モータを含む。基板ステージ２を移動するための平面モータは、例えば米国特許第６４５２２９２号明細書に開示されているような、基板ステージ２に配置された可動子２Ｍと、第３定盤３０に配置された固定子３０Ｃとを有する。本実施形態においては、基板ステージ２は、平面モータを含む駆動システム５の作動により、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００２９】
液浸部材１０は、例えば米国特許出願公開第２００７／０１３２９７６号明細書、欧州特許出願公開第１７６８１７０号明細書に開示されているような液浸部材（ノズル部材）であって、液体ＬＱを供給する供給口と、液体ＬＱを回収する回収口とを有する。
【００３０】
液浸部材１０は、終端光学素子２７の近傍に配置されている。液浸部材１０は、投影領域ＰＲに配置される物体と対向可能な下面３２を有する。液浸部材１０は、投影領域ＰＲに配置された物体との間で液体ＬＱを保持して、終端光学素子２７から射出される露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成可能である。液浸空間ＬＳは、液体ＬＱで満たされた部分（空間、領域）である。本実施形態において、投影領域ＰＲに配置可能な物体は、基板ステージ２、及び基板ステージ２に保持された基板Ｐの少なくとも一方を含む。一方側の射出面２８及び下面３２と、他方側の物体の表面（上面）との間に液体ＬＱが保持されることによって、終端光学素子２７と物体との間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳが形成される。
【００３１】
本実施形態においては、基板Ｐの露光中において、投影領域ＰＲを含む基板Ｐの表面の一部の領域が液体ＬＱで覆われるように液浸空間ＬＳが形成される。基板Ｐの露光中において、液体ＬＱの界面（メニスカス、エッジ）ＬＧの少なくとも一部は、液浸部材１０の下面３２と基板Ｐの表面との間に形成される。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、局所液浸方式を採用する。制御装置１１は、供給口からの液体ＬＱの供給動作と並行して、回収口からの液体ＬＱの回収動作を実行することによって、終端光学素子２７と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように液浸空間ＬＳを形成する。
【００３２】
本実施形態において、プラズマ処理装置１０１は、第１空間１２Ａに配置されている。本実施形態において、プラズマ処理装置１０１は、支持機構３６を介して、第１コラム１５（第１定盤２０）に支持されている。本実施形態において、基板ステージ２は、プラズマ処理装置１０１と対向する位置、すなわちプラズマ処理装置１０１の下方に移動可能である。
【００３３】
搬送装置９は、基板Ｐを搬送可能である。搬送装置９は、基板Ｐを基板ステージ２に搬入(ロード）する動作、及び基板ステージ２から基板Ｐを搬出（アンロード）する動作の少なくとも一方を実行可能である。
【００３４】
本実施形態において、搬送装置９の少なくとも一部は、第４空間１２Ｄに配置される。基板ステージ２に露光前の基板Ｐをロードする動作、及び露光後の基板Ｐを基板ステージ２からアンロードする動作の少なくとも一方を実行するとき、搬送装置９の少なくとも一部は、開口３３を介して、第１空間１２Ａに移動可能である。
【００３５】
第１空間１２Ａには、基板交換位置ＣＰが設けられている。基板交換位置ＣＰは、基板ステージ２に基板Ｐをロードする動作、及び基板ステージ２から基板Ｐをアンロードする動作の少なくとも一方を実行可能な位置である。基板交換位置ＣＰは、投影光学系ＰＬから射出される露光光ＥＬが照射可能な位置と異なる位置である。基板ステージ２は、基板交換位置ＣＰに移動可能である。
【００３６】
本実施形態において、プラズマ処理装置１０１は、基板交換位置ＣＰの近傍に配置されている。
【００３７】
干渉計システム７は、ＸＹ平面内におけるマスクステージ１（マスクＭ）の位置情報を光学的に計測可能な第１干渉計ユニット７Ａと、ＸＹ平面内における基板ステージ２（基板Ｐ）の位置情報を光学的に計測可能な第２干渉計ユニット７Ｂとを有する。第１，第２干渉計ユニット７Ａ，７Ｂのそれぞれは、レーザ干渉計を複数有する。第１干渉計ユニット７Ａは、マスクステージ１に設けられた計測ミラーに計測光を照射して、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関するマスクステージ１（マスクＭ）の位置情報を計測する。第２干渉計ユニット７Ｂは、基板ステージ２に設けられた計測ミラーに計測光を照射して、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する基板ステージ２（基板Ｐ）の位置情報を計測する。
【００３８】
基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置１１は、干渉計システム７の計測結果に基づいて、駆動システム４、５を作動し、マスクステージ１（マスクＭ）及び基板ステージ２（基板Ｐ）の位置制御を実行する。
【００３９】
図２は、本実施形態に係る基板Ｐの一例を示す側断面図である。基板Ｐは、デバイス（デバイスパターン）を形成するために所定の処理が実行される基板である。基板Ｐは、シリコンウエハのような半導体ウエハ等の円形の基材Ｗと、その基材Ｗ上に形成される感光膜Ｒｇを含む所定の材料膜とを有する。以下の説明において、基材Ｗの表面（上面、側面、下面）に形成された材料膜のうち、最も表層の材料膜の表面（露出面）を適宜、基板Ｐの表面（上面、側面、下面）、と称する。
【００４０】
また、以下では、説明を簡単にするために、基材Ｗがシリコンウエハであり、そのシリコンウエハ上に材料膜を形成する場合を例にして説明するが、基材Ｗの表面（下地）がＳｉＯ２等の酸化膜の場合もある。また、基材Ｗの表面（下地）が、前のプロセスまでに形成されたＳｉＯ２等の酸化膜、ＳｉＯ２及びＳｉＮｘ等の絶縁膜、Ｃｕ及びＡｌ−Ｓｉ等の金属・導体膜、アモルファスＳｉ等の半導体膜の少なくとも１つの表面である場合もある。
【００４１】
本実施形態において、基板Ｐは、基材Ｗ上に形成されたＨＭＤＳ膜Ｍｈと、そのＨＭＤＳ膜Ｍｈ上に形成された感光膜Ｒｇとを有する。ＨＭＤＳ膜Ｍｈは、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の膜である。
【００４２】
感光膜Ｒｇを含む基板Ｐは、成膜装置Ｃを有する処理装置ＣＤによって形成される。成膜装置Ｃは、基材Ｗ上にＨＭＤＳ膜Ｍｈを形成可能な第１成膜装置Ｃ１と、ＨＭＤＳ膜Ｍｈが形成された基板上に感光膜Ｒｇを形成可能な第２成膜装置Ｃ２とを含む。
【００４３】
第１成膜装置Ｃ１は、基材Ｗを収容可能な密閉室と、ガス状のＨＭＤＳを密閉室の内部に供給するガス供給装置とを備える。第１成膜装置Ｃ１は、密閉室に収容された基材Ｗを加熱した状態で、ガス供給装置よりガス状のＨＭＤＳを密閉室の内部に供給する。これにより、基材Ｗの表面とガス状のＨＭＤＳとが接触し、基材Ｗの表面にＨＭＤＳ膜Ｍｈが形成される。
【００４４】
第２成膜装置Ｃ２は、ＨＭＤＳ膜Ｍｈが形成された基板上に感光膜Ｒｇを形成する。感光膜Ｒｇを形成する処理は、ＨＭＤＳ膜Ｍｈを形成する処理が終了した後に実行される。第２処理装置Ｃ２は、例えば米国特許出願公開第２００６／００６８１１０号明細書等に開示されているようなスピンコーティング装置を含み、スピンコーティング法を用いて、基板（ＨＭＤＳ膜Ｍｈ）上に感光膜Ｒｇを形成する。
【００４５】
本実施形態において、感光膜Ｒｇは、液体ＬＱ（水）に対して撥液性（撥水性）である。例えば、感光膜Ｒｇと液体ＬＱとの接触角は７０°以上、好ましくは９０°以上である。本実施形態においては、感光膜Ｒｇとして、液体ＬＱ（水）に対して撥液性（撥水性）の化学増幅型レジストを用いる。また、本実施形態の感光膜Ｒｇは、露光光ＥＬが照射された部分が現像処理によって除去されるポジ型レジストで形成される。また、感光膜Ｒｇが形成された後、エッジリンス処理が実行される。エッジリンス処理は、基板の周縁領域に形成された感光膜Ｒｇの少なくとも一部を除去する処理である。
【００４６】
エッジリンス処理が終了した後、処理装置ＣＤは、基板上に形成された感光膜Ｒｇを加熱する処理（ベーク処理）を実行する。加熱する処理によって、例えば感光膜Ｒｇ中の溶剤が蒸発し、感光膜Ｒｇが固化され、感光膜ＲｇとＨＭＤＳ膜Ｍｈとの密着性を更に高めることができる。これにより、基材Ｗ、ＨＭＤＳ膜Ｍｈ、及び感光膜Ｒｇを含む、本実施形態に係る基板Ｐが形成される。
【００４７】
図２に示すように、本実施形態においては、基板Ｐの表面（露出面）の少なくとも一部は、感光膜Ｒｇの表面である。
【００４８】
図３は、本実施形態に係るプラズマ処理装置１０１の一例を示す図である。プラズマ処理装置１０１は、プロセスガスＰＧより生成されたプラズマを、感光膜Ｒｇを含む基板Ｐの表面と接触させて、基板Ｐの表面の液体ＬＱに対する撥液性を高める処理を実行可能である。以下の説明において、基板Ｐの表面の液体ＬＱに対する撥液性を高める処理（表面処理）を適宜、撥液化処理、と称する。
【００４９】
図３において、プラズマ処理装置１０１は、プロセスガスＰＧより生成されたプラズマを供給可能な第１供給口８１を有する第１部材８０を備えている。第１供給口８１は、基板Ｐの表面と対向可能な第１部材８０の下面８２に配置されている。制御装置１１は、搬送装置９で基板Ｐを支持して、その搬送装置９を移動することによって、プラズマ処理装置１０１の第１供給口８１と対向する位置に基板Ｐの表面を移動可能である。本実施形態において、プラズマ処理装置１０１は、第１供給口８１から供給されたプラズマと、基板Ｐの表面とを接触させて、基板Ｐの表面の撥液性を高める。
【００５０】
本実施形態において、プラズマ処理装置１０１は、第１部材８０に形成された放電空間８３と、放電空間８３にプロセスガスを供給するガス供給装置８４とを備えている。放電空間８３の一端（下端）は、第１供給口８１に接続されている。ガス供給装置８４は、放電空間８３の他端（上端）より、放電空間８３にプロセスガスＰＧを導入する。
【００５１】
放電空間８３は、対向する電極８５，８５間に配置されている。電極８５の表面は、誘電体８６で覆われている。誘電体８６は、例えばポリテトラフルオロエチレン及びポリエチレンテレフタラート等のプラスチック、ガラス、二酸化珪素、酸化アルミニウム、二酸化ジルコニウム及び二酸化チタン等の金属酸化物、チタン酸バリウム等の複酸化物で形成される。
【００５２】
ガス供給装置８４より放電空間８３にプロセスガスＰＧを導入し、電極８５，８５間に高周波、パルス波、及びマイクロ波等の電界を与えることにより、放電空間８３にプラズマが生成される。プラズマ処理装置１０１は、放電空間８３に導入されたプロセスガスＰＧの少なくとも一部より生成されたプラズマを、第１供給口８１より供給する。第１供給口８１は、下面８２と基板Ｐの表面との間の空間８７にプラズマ（プラズマを含むガス）を供給する。空間８７に供給されたプラズマは、基板Ｐの表面と接触する。これにより、基板Ｐは、プラズマにより撥液化処理される。
【００５３】
このように、本実施形態のプラズマ処理装置１０１は、対向する電極８５，８５間における放電により生成されたプラズマを基板Ｐに供給して、その基板Ｐの表面処理（撥液化処理）を実行する、所謂、間接方式のプラズマ処理装置である。
【００５４】
また、本実施形態において、放電空間８３は、ほぼ常圧（大気圧）である。すなわち、本実施形態のプラズマ処理装置１０１は、ほぼ常圧における放電によりプラズマを生成する、所謂、常圧プラズマ処理装置である。
【００５５】
本実施形態において、プロセスガスＰＧは、四フッ化炭素（ＣＦ４)等のフッ素化合物を含む。なお、例えば常圧で放電を容易に開始させ且つ安定に維持するために、プロセスガスＰＧが、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）等の希ガス、窒素（Ｎ２）等の不活性ガスを含んでもよい。
【００５６】
本実施形態において、ガス供給装置８４は、プロセスガスＰＧを送出可能なプロセスガス供給源８８と、プロセスガス供給源８８からのプロセスガスＰＧを放電空間８３に供給するための供給路９１を有する供給管９３とを備える。プロセスガス供給源８８から送出されたプロセスガスＰＧは、放電空間８３に導入される。その放電空間８３において、プロセスガスよりプラズマが生成される。生成されたプラズマは、第１供給口８１から基板Ｐの表面に供給され、その基板Ｐの表面と接触する。
【００５７】
また、本実施形態においては、プラズマ処理装置１０１は、第１供給口８１からプラズマが供給された空間８７の周囲に第２ガスＧ２を供給する第２供給口９６と、第１供給口８１からプラズマが供給された空間８７のガスの少なくとも一部を排出する排気口９７とを有する。本実施形態において、第２供給口９６及び排気口９７は、第２部材９８に配置されている。第２部材９８は、第１部材８０の周囲の少なくとも一部に配置される。第２供給口９６は、第２ガス供給源１０３と流路１０４を介して接続されている。流路１０４は、第２部材９８の内部流路、及びその内部流路と第２ガス供給源１０３とを接続する供給管によって形成される流路を含む。排気口９７は、真空システムを含む吸引装置１０５と流路１０６を介して接続されている。流路１０６は、第２部材９８の内部流路、及びその内部流路と吸引装置１０５とを接続する排気管によって形成される流路を含む。
【００５８】
第２供給口９６及び排気口９７は、基板Ｐの表面と対向可能な第２部材９８の下面９９に配置されている。排気口９７は、第１供給口８１の周囲の少なくとも一部に配置されている。第２供給口９６は、排気口９７の周囲の少なくとも一部に配置されている。
【００５９】
制御装置１１は、第２供給口９６を用いるガス供給動作と並行して、排気口９７を用いるガス排出動作を実行することによって、第１供給口８１からプラズマが供給される第１部材８０の下面８２と基板Ｐの表面との間の空間８７の周囲に、ガスシール１０７を形成する。これにより、第１供給口８１から供給されたプラズマなどが、空間８７の外部に放出されることが抑制される。
【００６０】
本実施形態において、第２供給口９６から供給される第２ガスＧ２は、環境制御装置２４Ａから第１空間１２Ａに供給されるガスとほぼ同じ温度（例えば２３℃）である。第２供給口９６から供給される第２ガスＧ２の温度と、環境制御装置２４Ａから第１空間１２Ａに供給されるガスの温度とがほぼ同じなので、環境制御装置２４Ａによって環境（温度）が調整されている第１空間１２Ａに、第２供給口９６から第２ガスＧ２が供給されても、その第１空間１２Ａの環境（例えば温度、屈折率）の変化を抑制できる。
【００６１】
また、本実施形態において、第２供給口９６から供給される第２ガスＧ２は、環境制御装置２４Ａから第１空間１２Ａに供給されるガスとほぼ同じ種類である。本実施形態においては、環境制御装置２４Ａから第１空間１２Ａに供給されるガスは、空気である。本実施形態において、第２供給口９６は、空気を供給する。第２供給口９６から供給される第２ガスＧ２の種類と、環境制御装置２４Ａから第１空間１２Ａに供給されるガスの種類とがほぼ同じなので、環境制御装置２４Ａによって環境が調整されている第１空間１２Ａに、第２供給口９６から第２ガスＧ２が流出しても、その第１空間１２Ａの環境（例えば屈折率）の変化を抑制できる。
【００６２】
なお、第２供給口９６から供給される第２ガスＧ２の温度が、第２空間１２Ｂ、第３空間１２Ｃ、及び第４空間１２Ｄの温度とほぼ一致するように、第２ガスＧ２の温度が調整されてもよい。
【００６３】
また、第２ガスＧ２は、環境制御装置２４Ａから第１空間１２Ａに供給されるガスと同じ温度でなくてもよいし、種類が異なっていてもよい。
【００６４】
次に、上述のデバイス製造システムＳＹＳの動作の一例について、図４のフローチャート、及び図５，図６の模式図を参照して説明する。
【００６５】
感光膜Ｒｇを含む基板Ｐが処理装置ＣＤによって形成される。処理装置ＣＤは、ＨＭＤＳ膜Ｍｈ、及び感光膜Ｒｇを含む材料膜を基材Ｗ上に形成する（ステップＳ１）。処理装置ＣＤは、第１成膜装置Ｃ１で基材Ｗ上にＨＭＤＳ膜Ｍｈを形成した後、第２成膜装置Ｃ２で感光膜Ｒｇを形成する。材料膜が形成される前の基材Ｗは、少なくとも１回のリソグラフィ工程（露光工程）を経ていてもよいし、経ていなくてもよい。
【００６６】
処理装置ＣＤで形成された基板Ｐは、インターフェースＩＦを介して、露光装置ＥＸに供給される（ステップＳ２）。処理装置ＣＤからの基板Ｐは、第４空間１２Ｄに供給される。制御装置１１は、処理装置ＣＤから供給された露光前の基板Ｐを、第４空間１２Ｄに配置されている搬送装置９で支持する（ステップＳ３）。
【００６７】
制御装置１１は、基板Ｐを支持した搬送装置９を、開口３３を介して、第１空間１２Ａに移動する。制御装置１１は、搬送装置９の位置を調整して、プラズマ処理装置１０１の第１供給口８１と、搬送装置９に支持されている基板Ｐの表面とを対向させる（ステップＳ４）。
【００６８】
制御装置１１は、プラズマ処理装置１０１を作動して、プロセスガスＰＧより生成されたプラズマを第１供給口８１より供給する。これにより、図５に示すように、第１供給口８１から供給された基板Ｐの表面とプラズマとが接触し、基板Ｐの表面の液体ＬＱに対する撥液性が高くなる（ステップＳ５）。
【００６９】
本実施形態において、プラズマ処理装置１０１は、基板交換位置ＣＰの近傍に配置されている。プラズマ処理装置１０１は、基板交換処位置ＣＰの近傍において、基板Ｐが基板ステージ２に保持される前に、搬送装置９で支持された基板Ｐの表面がプラズマと接触するように、第１供給口８１よりプラズマを供給する。
【００７０】
本実施形態において、制御装置１１は、搬送装置９を制御して、第１供給口８１に対して基板Ｐの表面をＸＹ方向（基板Ｐの表面と平行な方向）に移動しながら、第１供給口８１よりプラズマを供給する。これにより、制御装置１１は、第１供給口８１から供給されたプラズマを、基板Ｐの表面（上面）の大部分の領域と接触させることができる。すなわち、制御装置１１は、プラズマ処理装置１０１を用いて、第１供給口８１と対向可能な基板Ｐの表面（上面）の大部分の領域の液体ＬＱに対する撥液性を高めることができる。制御装置１１は、少なくとも露光光ＥＬが照射される感光膜Ｒｇの表面の液体ＬＱに対する撥液性が高まるように、プラズマ処理装置１０１を用いて基板Ｐの表面処理を実行する。
【００７１】
また、本実施形態においては、プラズマ処理装置１０１は、露光光ＥＬが照射される感光膜Ｒｇの表面のみならず、エッジリンス処理された基板Ｐの上面の周縁領域、及び基板Ｐの側面がプラズマと接触するようにプラズマを供給することができる。本実施形態において、エッジリンス処理された基板Ｐの上面の周縁領域、及び基板Ｐの側面は、ＨＭＤＳ膜Ｍｈの表面で形成されている。なお、エッジリンス処理された基板Ｐの上面の周縁領域、及び基板Ｐの側面の少なくとも一方が、基材Ｗの表面でもよい。第１供給口８１から供給されたプラズマと、基板Ｐの上面及び側面とが接触することによって、それら基板Ｐの上面及び側面の液体ＬＱに対する撥液性を高めることができる。
【００７２】
プラズマ処理装置１０１を用いる表面処理が終了した後、制御装置１１は、第１供給口８１からのプラズマの供給を停止するとともに、搬送装置９を制御して、基板交換位置ＣＰに配置されている基板ステージ２に基板Ｐをロードする（ステップＳ６）。
【００７３】
基板Ｐが基板ステージ２にロードされた後、制御装置１１は、その基板Ｐを保持した基板ステージ２を、射出面２７及び下面３２と対向する位置に移動する。制御装置１１は、終端光学素子２７と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路が液体ＬＱで満たされるように、射出面２７及び下面３２と基板Ｐの表面との間に液体ＬＱで液浸空間ＬＳを形成する。制御装置１１は、プラズマと接触した基板Ｐの表面（感光膜Ｒｇの表面）に液体ＬＱを介して露光光ＥＬを照射して、その基板Ｐを露光する（ステップＳ７）。
【００７４】
本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しつつ、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する走査型露光装置（所謂スキャニングステッパ）である。基板Ｐ上には、露光対象領域である複数のショット領域が設定される。基板Ｐのショット領域の露光時において、マスクＭ及び基板Ｐは、ＸＹ平面内の所定の走査方向に移動される。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。制御装置１１は、基板Ｐのショット領域を投影領域ＰＲに対してＹ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＹ軸方向への移動と同期して、照明領域ＩＲに対してマスクＭのパターン形成領域をＹ軸方向に移動しつつ、投影光学系ＰＬと液浸空間ＬＳの液体ＬＱとを介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する。これにより、基板Ｐのショット領域は、投影光学系ＰＬ（終端光学素子２７）からの露光光ＥＬで液体ＬＱを介して露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐのショット領域に投影される。
【００７５】
基板Ｐの露光を開始する前に、基板Ｐの表面の液体ＬＱに対する撥液性がプラズマ処理装置１０１によって高められている。したがって、基板Ｐの表面と液体ＬＱとを接触させた状態で、基板Ｐを移動しながら露光した場合でも、液体ＬＱは射出面２７及び下面３２と基板Ｐの表面との間に良好に保持される。したがって、射出面２７及び下面３２と基板Ｐの表面との間の空間から液体ＬＱが漏出したり、基板Ｐ上に液体ＬＱ（液体ＬＱの膜、滴等）が残留したりすることが抑制される。
【００７６】
また、基板Ｐの露光時において、例えば図６に示すように、液浸空間ＬＳの液体ＬＱが、基板保持部２９に保持された基板Ｐの側面と、その基板Ｐの周囲に配置されている基板ステージ２との間に形成されるギャップＧ上に配置される可能性がある。本実施形態においては、プラズマ処理装置１０１によって、基板Ｐの上面の周縁領域及び側面の液体ＬＱに対する撥液性が高められているので、ギャップＧに液体ＬＱが浸入することが抑制される。
【００７７】
基板Ｐの露光が終了した後、制御装置１１は、露光後の基板Ｐを保持した基板ステージ２を基板交換位置ＣＰに移動する。制御装置１１は、搬送装置９を用いて、基板ステージ２から露光後の基板Ｐをアンロードする（ステップＳ８）。
【００７８】
基板ステージ２からアンロードされた露光後の基板Ｐは、インターフェースＩＦを介して、処理装置ＣＤに搬送される。処理装置ＣＤは、ポストベーク処理、及び現像装置Ｄを用いる基板Ｐの現像処理を含む所定のプロセス処理を実行する（ステップＳ９）。
【００７９】
以上説明したように、本実施形態によれば、プラズマ処理装置１０１を用いて、基板Ｐの表面の液体ＬＱに対する撥液性を高めることができる。そのため、基板Ｐ上に形成された液浸空間ＬＳの液体ＬＱが漏出したり、基板Ｐ上に液体ＬＱ（例えば液体ＬＱの膜、滴等）が残留したりすることを抑制できる。したがって、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生を抑制できる。
【００８０】
なお、上述の実施形態において、プラズマ処理装置１０１は、基板Ｐが基板ステージ２に保持された後に、基板Ｐの表面がプラズマと接触するようにプラズマを供給することができる。例えば、図７に示すように、制御装置１１は、基板交換位置ＣＰに配置されている基板ステージ２に、処理装置ＣＤから供給された露光前の基板Ｐを搬送装置９を用いてロードした後、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面がプラズマ処理装置１０１の第１供給口８１と対向するように、基板ステージ２の位置を制御する。制御装置１１は、第１供給口８１と、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面とを対向させた状態で、第１供給口８１よりプラズマを供給する。これにより、プラズマ処理装置１０１は、基板Ｐが基板ステージ２に保持された後に、その基板Ｐの表面とプラズマとを接触させることができる。また、制御装置１１は、基板ステージ２を制御して、第１供給口８１に対して基板Ｐの表面をＸＹ方向（基板Ｐの表面と平行な方向）に移動しながら、第１供給口８１よりプラズマを供給することにより、第１供給口８１から供給されたプラズマを、基板Ｐの上面の大部分の領域と接触させることができる。
【００８１】
なお、上述の実施形態においては、基板Ｐの表面（露出面）の少なくとも一部が感光膜Ｒｇの表面である場合を例にして説明したが、図８に示すように、感光膜Ｒｇを保護する保護膜Ｔｃの表面であってもよい。図８に示す基板Ｐｂは、基材Ｗと、その基材Ｗ上に形成されたＨＭＤＳ膜Ｍｈと、そのＭＨＤＳ膜Ｍｈ上に形成された感光膜Ｒｇと、その感光膜Ｒｇを覆うように形成された保護膜Ｔｃとを有する。保護膜Ｔｃは、処理装置ＣＤの成膜装置Ｃによって形成可能である。保護膜Ｔｃは、基板上に感光膜Ｒｇを形成した後、その感光膜Ｒｇを含む基板上に形成される。
【００８２】
制御装置１１は、基板Ｐｂを露光する前に、プラズマ処理装置１０１の第１供給口８１よりプラズマを供給して、保護膜Ｔｃの表面を含む基板Ｐｂの表面とプラズマとを接触させることによって、その基板Ｐｂの表面の液体ＬＱに対する撥液性を高めることができる。
【００８３】
なお、上述の実施形態においては、基板交換位置ＣＰの近傍において、プラズマ処理装置１０１を用いる処理が実行される場合を例にして説明したが、基板Ｐの撥液化処理を実行可能であれば、任意の場所にプラズマ処理装置１０１を配置することができる。例えば、プラズマ処理装置１０１を液浸部材１０の近傍に配置することもできる。
【００８４】
また、液浸部材として、例えば米国特許第６９５２２５３号明細書に開示されているような、液浸空間ＬＳの周囲にガスシールが形成する液浸部材を用いる場合、そのガスシールを形成するためのガス供給口からプラズマを供給してもよい。また、ガスシールを形成するためのガス回収口からプラズマを含むガス、プラズマ処理によって発生したガスを排気することもできる。
【００８５】
なお、上述の実施形態においては、露光装置ＥＸがプラズマ処理装置１０１を備えている場合を例にして説明したが、プラズマ処理装置が露光装置ＥＸの外部に配置されてもよい。感光膜Ｒｇが形成された基板Ｐの撥液化処理を、露光装置ＥＸの外部に配置されたプラズマ処理装置を用いて実行し、その撥液化処理された後の基板Ｐを露光装置ＥＸに供給して、その基板Ｐの露光を実行してもよい。また、プラズマ処理装置が、処理装置ＣＤに配置されてもよい。
【００８６】
なお、上述の実施形態においては、プラズマ処理装置１０１が、所謂、間接方式である場合を例にして説明したが、例えば米国特許出願公開第２００８／０１１５８９２号明細書、米国特許出願公開第２００８／０１９３３４２号明細書等に開示されているような、電極と基板Ｐ（Ｐｂ）とを対向させ、電極と基板Ｐ（Ｐｂ）との間における放電により生成されたプラズマで、その基板Ｐ（Ｐｂ）の表面処理を実行する、所謂、直接方式のプラズマ処理装置でもよい。直接方式のプラズマ処理装置を用いた場合でも、プロセスガスとして、プロセスガスＰＧを用いることにより、基板Ｐ（Ｐｂ）の液体ＬＱに対する撥液性を高めることができる。
【００８７】
なお、上述の実施形態においては、投影光学系ＰＬの終端光学素子２７の射出側（像面側）の光路が液体ＬＱで満たされているが、例えば国際公開第２００４／０１９１２８号パンフレットに開示されているように、終端光学素子２７の入射側（物体面側）の光路も液体ＬＱで満たされる投影光学系ＰＬを採用することができる。
【００８８】
なお、上述の各実施形態においては、液体ＬＱとして水を用いているが、水以外の液体ＬＱであってもよい。液体ＬＱとしては、露光光ＥＬに対して透過性であり、露光光ＥＬに対して高い屈折率を有し、投影光学系ＰＬあるいは基板Ｐの表面を形成する感光材（フォトレジスト）などの膜に対して安定なものが好ましい。例えば、液体ＬＱとして、ハイドロフロロエーテル（ＨＦＥ）、過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）、フォンブリンオイル等を用いることも可能である。また、液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
【００８９】
なお、上述の各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板Ｐ、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置ＥＸで用いられるマスクＭまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００９０】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置ＥＸ（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【００９１】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系ＰＬを用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系ＰＬを用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００９２】
また、例えば米国特許第６６１１３１６号明細書に開示されているように、２つのマスクＭのパターンを、投影光学系ＰＬを介して基板Ｐ上で合成し、１回の走査露光によって基板Ｐ上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。また、プロキシミティ方式の露光装置、ミラープロジェクション・アライナーなどにも本発明を適用することができる。
【００９３】
また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【００９４】
また、本発明は、例えば米国特許第６８９７９６３号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１２７００６号明細書等に開示されているような、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージと、基板Ｐを保持せずに、露光光ＥＬを計測する計測部材（計測器）を搭載して移動可能な計測ステージとを備えた露光装置にも適用できる。
【００９５】
また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。
【００９６】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクＭなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００９７】
なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば米国特許出願公開第２００８／００８８８４３号明細書に開示されているような、各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。
【００９８】
なお、上述の実施形態において、マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。マスクＭとしては、例えばガラス板等の透明板と、その透明板上に形成された所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）とを有する透過型マスクを用いることができる。また、マスクＭとして、反射型マスクを用いることもできる。また、このマスクＭに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。
【００９９】
上述の各実施形態においては、投影光学系ＰＬを備えた露光装置ＥＸを例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光ＥＬはレンズ等の光学部材を介して基板Ｐに照射され、そのような光学部材と基板Ｐとの間の所定空間に液浸空間ＬＳが形成される。
【０１００】
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。
【０１０１】
上述の実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了した後、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１０２】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図９に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスクＭ（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板Ｐを製造（形成）するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクＭのパターンからの露光光ＥＬで基板Ｐを露光すること、及び露光された基板Ｐを現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。
【０１０３】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】本実施形態に係る基板の一例を模式的に示す断面図である。
【図３】本実施形態に係るプラズマ処理装置の一例を示す図である。
【図４】本実施形態に係るデバイス製造システムの動作の一例を示すフローチャートである。
【図５】本実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図６】本実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図７】本実施形態に係る露光装置の動作の一例を説明するための図である。
【図８】本実施形態に係る基板の一例を模式的に示す断面図である。
【図９】マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。
【符号の説明】
【０１０５】
２…基板ステージ、９…搬送装置、１０…液浸部材、１１…制御装置、１２Ａ…第１空間、１２Ｂ…第２空間、１２Ｃ…第３空間、１２Ｄ…第４空間、２４Ａ〜２４Ｄ…環境調整装置、８１…第１供給口、８３…放電空間、８７…空間、９６…第２供給口、９７…排気口、１０１…プラズマ処理装置、Ｃ…成膜装置、Ｃ１…第１成膜装置、Ｃ２…第２成膜装置、ＣＤ…処理装置、Ｄ…現像装置、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＬＱ…液体、ＬＳ…液浸空間、Ｐ…基板、Ｒｇ…感光膜、ＳＹＳ…デバイス製造システム、Ｔｃ…保護膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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