(57)【要約】【課題】無機配向膜の吸湿に起因する不具合の発生を防止することができるとともに、無機配向膜の形状効果を損なうことのない液晶装置の製造方法、液晶装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置およびその製造工程では、無機配向膜形成工程において、第１基板１０および第２基板２０に対して無機配向膜１６、２６を形成した後、蒸着重合工程において無機配向膜１６、２６の表面に、表面保護膜としてのポリイミド膜１８、２８を蒸着重合により形成する。このため、無機配向膜１６、２６での水分の吸着を防止できる。また、ポリイミド膜１８、２８は、膜厚が１００ｎｍ以下であるため、無機配向膜１６、２６の形状効果が損なわれることがない。【選択図】図４
2010102222.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、
前記第１基板において前記第２基板と対向する面に設けられた画素電極と、
前記第１基板において前記第２基板と対向する面、または前記第２基板において前記第１基板と対向する面に設けられた共通電極と、
を有する液晶装置の製造方法であって、
前記第１基板において前記第２基板と対向する面、および前記第２基板において前記第１基板と対向する面のうちの一方の面に無機配向膜を形成する無機配向膜形成工程と、
前記無機配向膜の表面に高分子ポリマーからなる表面保護膜を蒸着重合により形成する蒸着重合工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１基板において前記第２基板と対向する面、および前記第２基板において前記第１基板と対向する面のうちの他方の面に無機配向膜を形成する無機配向膜形成工程と、
当該無機配向膜の表面に高分子ポリマーからなる表面保護膜を蒸着重合により形成する蒸着重合工程と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記表面保護膜はポリイミドであることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記表面保護膜の膜厚が１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項５】
第１基板と、
前記第１基板に対向する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、
前記第１基板において前記第２基板と対向する面に設けられた画素電極と、
前記第１基板において前記第２基板と対向する面、または前記第２基板において前記第１基板と対向する面に設けられた共通電極と、
前記第１基板において前記第２基板と対向する面、および前記第２基板において前記第１基板と対向する面のうちの少なくとも一方の面に設けられた無機配向膜と、
該無機配向膜の表面を被覆し、当該無機配向膜の凹凸が表面に反映された高分子ポリマーからなる表面保護膜と、
を有することを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
前記無機配向膜および前記表面保護膜は、前記第１基板において前記第２基板と対向する面、および前記第２基板において前記第１基板と対向する面の双方に設けられていることを特徴とする請求項５に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記表面保護膜はポリイミドであることを特徴とする請求項５または６に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記表面保護膜の膜厚が１００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項５乃至７の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項９】
請求項５乃至８の何れか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【請求項１０】
前記液晶装置に光を供給するための光源部と、前記液晶装置によって光変調された光を投射する投射光学系と、を備えていることを特徴とする請求項９に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法、当該製造方法により製造された液晶装置、および当該液晶装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、投射型表示装置のライトバルブや携帯電話等の表示装置として広く採用されている。液晶装置は、互いに対向する第１基板と第２基板との間に液晶を保持しており、かかる第１基板および第２基板において互いに対向する面には液晶分子の配列を制御する配向膜が形成されている。かかる配向膜として、ポリイミドなどの有機膜をラビング処理した有機配向膜が多く採用されているが、この有機配向膜は配向力に優れる反面、熱や光に弱く、長期間の使用によって、その配向力が次第に低下してしまうという問題がある。
【０００３】
そこで、配向膜として、ＳｉＯx（酸化シリコン）等の無機材料からなる無機配向膜を用い、かかる無機配向膜の形状効果によって液晶を配向させる技術が提案されている。かかる無機配向膜は、ポリイミド膜からなる有機配向膜に比較して耐熱性や耐光性に優れている。但し、無機配向膜は、水を吸着しやすい。このため、液晶装置を構成した際、無機配向膜に吸着された水分によって液晶が劣化するという問題点がある。
【０００４】
そこで、無機配向膜の表面をシランカップリング剤により被覆することが提案されている（特許文献１参照）。また、シランカップリング剤を主成分とする疎水性処理剤によって、無機配向膜の表面に疎水性を付与する技術が提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００７−２８６４６８号公報
【特許文献２】特開２００８−８３３２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、無機配向膜の表面に生成されたポーラスな孔をシランカップリング剤により埋め込んでしまうため、無機配向膜の形状効果を利用できないという問題点がある。また、特許文献１に記載の技術では、スピンコート方式、ディプコート方式、印刷方式、あるいは吹き付け方式により、シランカップリング剤を無機配向膜の表面に接触させて無機配向膜の表面に疎水性を付与するため、無機配向膜の表面に生成されたポーラスな孔が無疎水性処理剤により埋められて、無機配向膜の形状効果が損なわれるという問題点がある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、無機配向膜の吸湿に起因する不具合の発生を防止することができるとともに、無機配向膜の形状効果を損なうことのない液晶装置の製造方法、当該製造方法により製造された液晶装置、および当該液晶装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明では、第１基板と、前記第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、前記第１基板において前記第２基板と対向する面に設けられた画素電極と、前記第１基板において前記第２基板と対向する面、または前記第２基板において前記第１基板と対向する面に設けられた共通電極と、を有する液晶装置の製造方法であって、前記第１基板において前記第２基板と対向する面、および前記第２基板において前記第１基板と対向する面のうちの一方の面に無機配向膜を形成する無機配向膜形成工程と、前記無機配向膜の表面に高分子ポリマーからなる表面保護膜を蒸着重合により形成する蒸着重合工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明では、無機配向膜形成工程において無機配向膜を形成した後、蒸着重合工程において無機配向膜の表面に表面保護膜を蒸着重合により形成する。このため、無機配向膜は、蒸着重合膜（高分子ポリマー）からなる表面保護膜によって覆われ、かかる表面保護膜は水分を吸着しにくい。従って、液晶装置を構成した際、無機配向膜に吸着された水分によって液晶が劣化するという問題を回避することができる。また、蒸着重合では、モノマーの蒸着速度や蒸着時間などといった蒸着条件を制御すれば、表面保護膜の膜厚を確実に制御することができる。従って、膜厚の薄い表面保護膜を形成することができるので、無機配向膜の形状効果が損なわれることがない。
【０００９】
かかる方法により製造された液晶装置は、第１基板と、該第１基板に対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、前記第１基板において前記第２基板と対向する面に設けられた画素電極と、前記第１基板において前記第２基板と対向する面、または前記第２基板において前記第１基板と対向する面に設けられた共通電極と、前記第１基板において前記第２基板と対向する面、および前記第２基板において前記第１基板と対向する面のうちの少なくとも一方の面に設けられた無機配向膜と、該無機配向膜の表面を被覆し、当該無機配向膜の凹凸が表面に反映された高分子ポリマーからなる表面保護膜と、を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る液晶装置において、前記無機配向膜および前記表面保護膜は、前記第１基板において前記第２基板と対向する面、および前記第２基板において前記第１基板と対向する面の双方に設けられていることが好ましい。かかる液晶装置では、前記第１基板において前記第２基板と対向する面、および前記第２基板において前記第１基板と対向する面の他方の面に無機配向膜を形成する無機配向膜形成工程と、当該無機配向膜の表面に高分子ポリマーからなる表面保護膜を蒸着重合により形成する蒸着重合工程と、を行なうことにより製造することができる。
【００１１】
本発明において、前記表面保護膜はポリイミドであることが好ましい。表面保護膜がポリイミド膜であれば、無機配向膜の形状に沿った配向能力を発揮するので、配向規制力を向上することができ、液晶を好適に配向することができる。
【００１２】
本発明において、前記表面保護膜の膜厚が１００ｎｍ以下であることが好ましい。このように構成すると、無機配向膜の表面に形成された凹凸形状が表面保護膜によって損なわれることを確実に防止することができる。従って、表面保護膜の形成によって、無機配向膜の形状効果が損なわれることを確実に防止することができる。ここで、表面保護膜の膜厚は、薄くても無機配向膜が吸湿することを防止できるので、下限についての制約はない。但し、蒸着重合により無機配向膜の全面あるいは略全面を覆うという観点からすれば、表面保護膜の膜厚の下限は１０ｎｍ程度である。
【００１３】
本発明を適用した液晶装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータ等の電子機器として用いることができる。また、本発明を適用した液晶装置は、電子機器としての投射型表示装置にも用いることができ、かかる投射型表示装置は、液晶装置に光を供給するための光源部と、前記液晶装置によって光変調された光を投射する投射光学系とを備えている。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、本発明は、反射型の液晶装置および透過型の液晶装置のいずれにも適用することができるが、以下の説明では、反射型の液晶装置に本発明を適用した例を説明する。また、本発明は、ＴＮ（Twisted Nematic）方式、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式、ＩＰＳ(In Plane Switching)方式、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）方式、あるいはＶＡＮ（Vertical Aligned Nematic）方式など、いずれの方式を採用した液晶装置にも適用できるが、以下の説明では、ＴＮ方式の液晶装置に本発明を適用した例を説明する。また、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。特に、無機配向膜や、無機配向膜の表面を被覆するポリミド膜の厚さや形状については模式的に示してある。さらに、電界効果型トランジスタでは、流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。
【００１５】
（全体構成）
図１は、本発明を適用した液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。図１に示すように、液晶装置１００は、液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素領域１０ｂを備えている。かかる液晶パネル１００ｐにおいて、後述する第１基板１０には、画素領域１０ｂの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、画素スイッチング素子としての電界効果型トランジスタ３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。電界効果型トランジスタ３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスタ３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、電界効果型トランジスタ３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００１６】
第１基板１０（素子基板）において、画素領域１０ｂの外側領域には走査線駆動回路１０４およびデータ線駆動回路１０１が構成されている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａの一端に電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００１７】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する第２基板（対向基板）に形成された共通電極と液晶を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量６０が付加されている。本形態では、保持容量６０を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線３ｂが形成されている。
【００１８】
（液晶パネルおよび素子基板の構成）
図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した液晶装置１００の液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図２（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶装置１００の液晶パネル１００ｐでは、所定の隙間を介して第１基板１０（素子基板）と第２基板２０（対向基板）とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は第２基板２０の縁に沿うように配置されている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。本形態において、第１基板１０の基体は透光性基板１０ｄであり、第２基板２０の基体も、同様な透光性基板２０ｄである。
【００１９】
第１基板１０において、シール材１０７の外側領域では、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。また、第２基板２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、第１基板１０と第２基板２０との間で電気的導通をとるための上下導通材１０９が形成されている。
【００２０】
詳しくは後述するが、第１基板１０には、アルミニウムやアルミニウム合金などといったアルミニウム系材料や、銀や銀合金などといった銀系材料からなる反射性の画素電極９ａ（反射性電極）がマトリクス状に形成されている。本形態では、画素電極９ａには、上記の金属材料のうち、アルミニウムやアルミニウム合金などといったアルミニウム系材料が用いられている。
【００２１】
これに対して、第２基板２０には、シール材１０７の内側領域に遮光性材料からなる額縁１０８が形成され、その内側が画像表示領域１０ａとされている。第２基板２０には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる共通電極２１（透光性電極）が形成されている。なお、第２基板２０には画素電極９ａ間と対向する位置にブラックマトリクスあるいはブラックストライプと称せられる遮光膜（図示せず）が形成されることがある。
【００２２】
なお、画素領域１０ｂには、額縁１０８と重なる領域にダミーの画素が構成される場合があり、この場合、画素領域１０ｂのうち、ダミー画素を除いた領域が画像表示領域１０ａとして利用されることになる。
【００２３】
かかる反射型の液晶装置１００においては、第２基板２０の側から入射した光が画素電極９ａで反射して再び、第２基板２０の側から出射される間に液晶層５０によって画素毎に光変調される結果、画像が表示される。ここで、液晶装置１００は、モバイルコンピュータ、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、第２基板２０には、カラーフィルタ（図示せず）や保護膜が形成される。また、第２基板２０の光入射側の面には、使用する液晶層５０の種類、すなわち、ＴＮ（ツイステッドネマティック）モード、ＳＴＮ（スーパーＴＮ）モード等々の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクタ）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルタは形成されない。
【００２４】
（各画素の構成）
図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した反射型の液晶装置１００に用いた第１基板１０において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ−Ａ′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図である。なお、図３（ａ）において、データ線６ａは一点鎖線で示し、走査線３ａおよび容量線３ｂは実線で示し、半導体層１ａは細い点線で示し、画素電極９ａについては二点鎖線で示してある。
【００２５】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、第１基板１０には、石英基板やガラス基板等からなる透光性基板１０ｄの第１面１０ｘおよび第２面１０ｙのうち、第２基板２０側に位置する第１面１０ｘにシリコン酸化膜等からなる透光性の下地絶縁層１５が形成されているとともに、その上層側において、画素電極９ａと重なる位置にＮチャネル型の電界効果型トランジスタ３０が形成されている。電界効果型トランジスタ３０は、島状のポリシリコン膜、あるいは島状の単結晶半導体層からなる半導体層１ａに対して、チャネル領域１ｇ、低濃度ソース領域１ｂ、高濃度ソース領域１ｄ、低濃度ドレイン領域１ｃ、および高濃度ドレイン領域１ｅが形成されたＬＤＤ構造を備えている。半導体層１ａの表面側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる透光性のゲート絶縁層２が形成されており、ゲート絶縁層２の表面には、金属膜やドープトシリコン膜からなるゲート電極（走査線３ａ）が形成されている。また、半導体層１ａにおける高濃度ドレイン領域１ｅからの延設部分には、ゲート絶縁層２を介して容量線３ｂが対向し、保持容量６０が形成されている。
【００２６】
本形態において、電界効果型トランジスタ３０はＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を備えているが、高濃度ソース領域および高濃度ドレイン領域が走査線３ａに自己整合的に形成されている構造を採用してもよい。また、本形態では、ゲート絶縁層２は、熱酸化により形成されたシリコン酸化膜からなるが、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜を用いることもできる。さらに、ゲート絶縁層２には、熱酸化により形成されたシリコン酸化膜と、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜との多層膜を用いることもできる。さらに、第１基板１０では、基体として、単結晶シリコン基板を用いることができる。
【００２７】
電界効果型トランジスタ３０の上層側には、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の透光性絶縁膜からなる層間絶縁膜７１、７２が形成されている。層間絶縁膜７１の表面には金属膜やドープトシリコン膜からなるデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成され、データ線６ａは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ａを介して高濃度ソース領域１ｄに電気的に接続し、ドレイン電極６ｂは、層間絶縁膜７１に形成されたコンタクトホール７１ｂを介して高濃度ドレイン領域１ｅに電気的に接続している。層間絶縁膜７２の表面には画素電極９ａが島状に形成されており、画素電極９ａは、層間絶縁膜７２に形成されたコンタクトホール７２ｂを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。かかる電気的な接続を行なうにあたって、本形態では、コンタクトホール７２ｂの内部は、プラグ８ａと称せられる導電膜によって埋められ、画素電極９ａは、プラグ８ａを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。ここで、層間絶縁膜７２の表面とプラグ８ａの表面は、連続した平坦面を形成しており、かかる平坦面上に画素電極９ａが形成されている。また、隣接する画素電極９ａの間は表面絶縁膜７３で埋められており、画素電極９ａと表面絶縁膜７３とは連続した平坦面を形成している。
【００２８】
また、第１基板１０において、第２基板２０と対向する第１面１０ｘでは、画素電極９ａの表面に無機配向膜１６が形成されている。また、無機配向膜１６の表面は、表面保護膜（高分子ポリマー／蒸着重合膜）としての薄いポリイミド膜１８によって被覆されている。かかるポリイミド膜１８および無機配向膜１６の構成については、図４を参照して後述する。
【００２９】
第２基板２０では、透光性基板２０ｄにおいて第１基板１０と対向する面全体にＩＴＯ膜からなる共通電極２１がベタ状に形成され、共通電極２１の表面には無機配向膜２６が形成されている。また、無機配向膜２６の表面は、表面保護膜（高分子ポリマー／蒸着重合膜）としての薄いポリイミド膜２８によって被覆されている。かかるポリイミド膜２８および無機配向膜２６の構成については、図４を参照して後述する。
【００３０】
このように構成した第１基板１０と第２基板２０は、画素電極９ａと共通電極２１とが対面するように対向配置され、かつ、これらの基板間には、シール材１０７により囲まれた空間内に電気光学物質としての液晶層５０が封入されている。液晶層５０は、画素電極９ａからの電界が印加されていない状態で、第１基板１０および第２基板２０に形成された無機配向膜１６、２６により所定の配向状態をとる。液晶層５０は、一種または数種のネマティック液晶を混合したもの等からなる。
【００３１】
（無機配向膜１６、２６および表面保護膜の構成）
図４（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用した液晶装置１００に用いた無機配向膜１６、２６の構造を模式的に示す説明図、および無機配向膜１６、２６の表面に薄いポリイミド膜１８、２８（表面保護膜、高分子ポリマー、蒸着重合膜）を形成した様子を模式的に示す説明図である。
【００３２】
本形態の液晶装置１００において、図３（ｂ）では、無機配向膜１６、２６については、表面が平坦な膜として表してある。但し、無機配向膜１６、２６は、一酸化珪素（ＳｉＯ）、二酸化シリコン（ＳｉＯ2）等の酸化シリコン（ＳｉＯx：ｘ＝１から２程度）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）、酸化チタン（ＴｉＯ2）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ2）、酸化コバルト（Ｃｏ3Ｏ4）、酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3、Ｆｅ3Ｏ4）等を斜方蒸着してなる。
【００３３】
従って、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、無機配向膜１６、２６は、表面で開口する多数の孔を備えており、かかる孔により形成された凹凸の形状効果によって液晶分子を配向する能力を備えている。本形態では、一酸化珪素や二酸化シリコン等の酸化シリコンが用いられている。
【００３４】
但し、無機配向膜１６、２６は水分を吸着しやすいという欠点があり、液晶装置１００を構成した際、無機配向膜１６、２６に吸着された水分によって液晶が劣化するという問題点がある。そこで、本形態では、図３（ｂ）および図４（ｂ）に示すように、無機配向膜１６、２６の表面は、薄いポリイミド膜１８、２８で被覆されている。ここで、図３（ｂ）では、ポリイミド膜１８、２８については、表面が平坦な膜として表してあるが、ポリイミド膜１８、２８は、膜厚が１００ｎｍ以下の薄い膜である。このため、ポリイミド膜１８、２８は無機配向膜１６、２６表面の凹凸形状に沿うように形成され、ポリイミド膜１８、２８の表面には、無機配向膜１６、２６表面の凹凸形状が反映されている。このような薄いポリイミド膜１８、２８は、後述する蒸着重合により形成することができる。
【００３５】
（液晶装置１００の第１基板１０の製造方法）
以下、図５を参照して、本発明を適用した液晶装置１００の製造方法を説明しながら、液晶装置１００の構成を詳述する。図５は、本発明を適用した液晶装置１００の製造方法において、要部となる工程の工程断面図であり、画素電極９ａの表面を覆うよう表面絶縁膜７３を形成した後の工程を示してある。
【００３６】
本形態の液晶装置１０を製造するには、図５（ａ）に示すように、透光性基板１０ｄの第１面１０ｘに、電界効果型トランジスタ３０、データ線６ａ、ドレイン電極６ｂ、層間絶縁膜７２、プラグ８ａ、画素電極９ａなどを形成した後、画素電極９ａの表面、および隣接する画素電極９ａの間で露出している層間絶縁膜７２の表面を覆うように表面絶縁膜７３を形成する。
【００３７】
次に、図５（ｂ）に示す研磨工程において、画素電極９ａの表面が露出するまで表面絶縁膜７３を研磨する。その結果、画素電極９ａの表面が露出するとともに、隣接する画素電極９ａの隙間９ｓは、表面絶縁膜７３によって埋められた状態となる。かかる研磨には化学機械研磨を利用できる。
【００３８】
次に、図５（ｃ）に示す無機配向膜形成工程では、画素電極９ａの形成領域を含む第１基板１０の全面あるいは略全面に酸化シリコンなどの斜方蒸着を行い、無機配向膜１６を形成する。その結果、図４（ａ）に示す無機配向膜１６を形成することができる。
【００３９】
次に、第１基板１０に対して、２００〜２５０℃の温度で加熱処理を行い、無機配向膜１６が吸着している水分を除去する脱水工程を行なう。かかる脱水工程では、×１０-2Ｐａ以下の雰囲気中での真空ベークを行ってもよい。いずれの方法でも、脱水工程は３０分程度行なう。
【００４０】
次に、図５（ｄ）に示す重合蒸着工程を行なうために、第１基板１０を水分と接触させることなく蒸着室に搬入し、蒸着室において蒸着重合を行なうことにより、図４（ｂ）に示すポリイミド膜１８を形成する。かかる蒸着重合工程では、真空中で２種類のモノマー（ジカルボン酸無水物およびジアミン）を同時並行的に第１基板１０に蒸着し、第１基板１０上で重合させる。例えば、無水ピロメリト酸（ＰＭＤＡ）とオキシジアニリン（ＯＤＡ）を同時に第１基板１０に向けて蒸着してポリアミド酸（ＰＡＡ）とした後、ポリアミド酸の脱水反応によりポリイミド膜１８が形成される。このような蒸着重合では、モノマーの蒸着速度や蒸着時間などといった蒸着条件を制御すれば、ポリイミド膜２８の膜厚を確実に制御することができる。
【００４１】
（第２基板２０および液晶装置１００の製造方法）
図３（ｂ）に示す第２基板２０に対して無機配向膜２６およびポリイミド膜２８を形成する際も、図５（ｃ）、（ｄ）を参照して説明した工程と同様な工程を行なう。従って、第２基板２０の製造工程については説明を省略するが、第１基板１０および第２基板２０を製造した後は、周知の製造方法と同様、シール材１０７による第１基板１０と第２基板２０との貼り合せ工程、液晶層５０の充填工程、および封止工程を行なう。
【００４２】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の液晶装置１００およびその製造方法では、無機配向膜形成工程において、第１基板１０および第２基板２０に対して無機配向膜１６、２６を形成した後、蒸着重合工程において無機配向膜１６、２６の表面にポリイミド膜１８、２８を蒸着重合により形成する。このため、無機配向膜１６、２６はポリイミド膜１８、２８によって覆われ、かかるポリイミド膜１８、２８は水分を吸着しにくい。従って、液晶装置１００を構成した際、無機配向膜１６、２６あるいはポリイミド膜１８、２８に吸着された水分によって液晶層５０が劣化するという問題を回避することができる。
【００４３】
また、蒸着重合では、モノマーの蒸着速度や蒸着時間などといった蒸着条件を制御すれば、ポリイミド膜１８、２８の膜厚を確実に制御することができる。従って、膜厚が１００ｎｍ以下の薄いポリイミド膜１８、２８を形成することができるので、無機配向膜１６、２６の形状効果が損なわれることがない。しかも、ポリイミド膜１８、２８は、無機配向膜の形状に沿った配向能力を発揮する。従って、ポリイミド膜１８、２８を形成すると、無機配向膜１６、２６単独の場合に比して、配向規制力が向上する。それ故、液晶分子に好適なプレチルル角をもって液晶分子を配向させることができるので、リバースチルトドメインに代表される画質の劣化が発生しない。
【００４４】
特に本形態では、第１基板１０および第２基板２０の双方に対して無機配向膜１６、２６を用いたので、液晶装置１００の耐熱性や耐光性を向上することができる。それ故、投射型表示装置のライトバルブのように高強度の光が入射する条件で使用しても信頼性が高い。
【００４５】
また、本形態では、第１基板１０および第２基板２０の双方に対して無機配向膜１６、２６の表面をポリイミド膜１８、２８で被覆したので、水分に起因する液晶の劣化を確実に防止することができる。
【００４６】
さらに、無機配向膜１６、２６およびポリイミド膜１８、２８をシール材１０７（図２参照）と重なる領域まで形成すれば、無機配向膜１６、２６およびポリイミド膜１８、２８の表面に形成された凹凸によるアンカー効果により、シール材１０７との接着強度が向上する。しかも、無機配向膜１６、２６およびポリイミド膜１８、２８の表面が凹凸になっている分、水分の侵入経路が長いので、液晶装置１００を製造した後のシール材１０７の内側への水分の侵入を防止できるという効果もある。
【００４７】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、第１基板１０および第２基板２０の双方に対して無機配向膜１６、２６、およびポリイミド膜１８、２８（表面保護膜）を形成したが、第１基板１０および第２基板２０の一方のみに無機配向膜およびポリイミド膜（表面保護膜）を形成してもよい。
【００４８】
上記実施の形態では、表面保護膜としてポリイミドを用いたが、蒸着重合が可能な高分子ポリマーであって、無機配向膜１６、２６より吸湿性が低い高分子ポリマーであれば、ビニル系の高分子ポリマーやフッ素系の高分子ポリマーなど、他の高分子ポリマーを用いてもよい。
【００４９】
上記実施の形態では、２種類のモノマーを同時蒸着し、基板表面で逐次重合によって表面保護膜（高分子ポリマー／蒸着重合膜）を得る方法を採用したが、重合性官能基を持つモノマーを蒸着する際、電子線や紫外線などを照射してラジカルを形成して蒸着する連鎖重合を利用して表面保護膜（高分子ポリマー／蒸着重合膜）を得る方法を採用してもよい。
【００５０】
上記実施の形態では、画素電極９ａが反射性電極であり、共通電極２１が透光性電極である構成であったが、画素電極９ａが透光性電極であり、共通電極２１が反射性電極である液晶装置に本発明を適用してもよい。
【００５１】
上記実施の形態では、反射型の液晶装置１００に本発明を適用したが、透過型の液晶装置１００に本発明を適用してもよい。
【００５２】
［電子機器への搭載例］
本発明に係る反射型の液晶装置１００は、図６（ａ）に示す投射型表示装置（液晶プロジェクタ／電子機器）や、図６（ｂ）、（ｃ）に示す携帯用電子機器に用いることができる。
【００５３】
図６（ａ）に示す投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って光源部８１０、インテグレータレンズ８２０および偏光変換素子８３０が配置された偏光照明装置８００を有している。また、投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って、偏光照明装置８００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面８４１により反射させる偏光ビームスプリッタ８４０と、偏光ビームスプリッタ８４０のＳ偏光光束反射面８４１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー８４２と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー８４３とを有している。また、投射型表示装置１０００は、各色光が入射する３枚の液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ（液晶装置１００）を備えている。かかる投射型表示装置１０００は、３つの液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにて変調された光をダイクロイックミラー８４２、８４３、および偏光ビームスプリッタ８４０にて合成した後、この合成光を投射光学系８５０によってスクリーン８６０に投射する。
【００５４】
次に、図６（ｂ）に示す携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１、スクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての液晶装置１００〈直視型表示装置〉を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、液晶装置１００に表示される画面がスクロールされる。図６（ｃ）に示す情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）は、複数の操作ボタン４００１、電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての液晶装置１００を備えており、電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が液晶装置１００に表示される。
【００５５】
また、本発明を適用した液晶装置１００が搭載される電子機器としては、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すものの他、ヘッドマウンティトディスプレイ、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、銀行端末などの電子機器などが挙げられる。
【００５６】
さらに、液晶装置１００を透過型に構成した場合も、透過型の投射型表示装置のライトバルブや、直視型の表示装置に本発明を適用した液晶装置１００を用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明を適用した反射型液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した反射型液晶装置の液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した反射型の液晶装置に用いた素子基板において相隣接する画素の平面図、およびそのＡ−Ａ′線に相当する位置で液晶装置を切断したときの断面図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は、本発明を適用した液晶装置に用いた無機配向膜の構造を模式的に示す説明図、および無機配向膜の表面に薄いポリイミド膜を形成した様子を模式的に示す説明図である。
【図５】本発明を適用した液晶装置の製造方法において、要部となる工程の工程断面図である。
【図６】本発明を適用した反射型の液晶装置を用いた電子機器の説明図である。
【符号の説明】
【００５８】
９ａ・・画素電極、１０・・第１基板、１６、２６・・無機配向膜、１８、２８・・ポリイミド膜（表面保護膜、高分子ポリマー、蒸着重合膜）、２０・・第２基板、２１・・共通電極、３０・・電界効果型トランジスタ、５０・・液晶層、１００・・液晶装置、１００ａ・・画素
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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