(57)【要約】【課題】  ショット内のパターンの線幅均一性を改善し得る露光装置を提供する。【解決手段】  本発明は、原版上および基板上でスリット形状の光に対して前記原版および前記基板を走査し、前記原版を介して前記基板上の各ショット領域を露光する露光装置であって、前記基板上の位置と目標露光量との関係を示す情報を取得する取得部と、前記走査の方向における前記光の幅の、前記走査の方向と直交する方向における分布を調整する調整部と、前記取得部により取得された情報に基づいて、前記直交する方向における前記目標露光量の分布を前記各ショット領域について求め、求められた前記目標露光量の分布が前記各ショット領域上で得られるように前記調整部を制御する制御部と、を有する。【選択図】図１
2010123755.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版上および基板上でスリット形状の光に対して前記原版および前記基板を走査し、前記原版を介して前記基板上の各ショット領域を露光する露光装置であって、
前記基板上の位置と目標露光量との関係を示す情報を取得する取得部と、
前記走査の方向における前記光の幅の、前記走査の方向と直交する方向における分布を調整する調整部と、
前記取得部により取得された情報に基づいて、前記直交する方向における前記目標露光量の分布を前記各ショット領域について求め、求められた前記目標露光量の分布が前記各ショット領域上で得られるように前記調整部を制御する制御部と、
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記情報は、前記基板の中心を原点とする座標と目標露光量との関係を示す式の情報を含むことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記基板を保持して移動する基板ステージと、
前記基板ステージ上に配置されて光量を検出する検出器とをさらに有し、
前記制御部は、前記検出器を用いて計測された前記直交する方向における露光量の分布と前記幅の分布との関係を示す情報と、前記求められた前記目標露光量の分布とに基づいて、前記調整部を制御することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記調整部は、一対の遮光部材と、前記遮光部材の少なくとも一方の開口端の少なくとも一部を前記走査の方向に変位させるアクチュエータとを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記アクチュエータは、前記開口端の少なくとも一部を曲線形状とするように前記開口端の少なくとも一部を変位させることを特徴とする請求項４に記載の露光装置。
【請求項６】
前記調整部は、一対の遮光部材と、前記遮光部材の少なくとも一方の開口端の少なくとも一部を前記直交する方向に対して傾けるアクチュエータとを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を有することを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は露光装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、極微細パターンから形成される半導体素子の製造工程において、レチクル（マスク）に描かれた回路パターンをフォトレジストが塗布されたウエハ等の基板上に縮小投影して基板を露光する縮小投影露光装置が使用されている。半導体素子の実装密度の向上に伴い、回路パターンのより一層の微細化が要求されるとともに、パターンの仕上り寸法（パターン線幅）を均一化し得る露光装置が求められている。
【０００３】
従来の露光装置は、基板上に塗布されたフォトレジストに応じた露光量でフォトレジストを露光する。ステップ・アンド・リピート方式の露光装置は、基板面のショット領域を移動しながら一定の露光量で露光を繰り返すものである。しかし、基板面内で各ショットにおいて一定の露光量でフォトレジストを繰り返し露光した場合でも、得られたパタ−ンの線幅と設計パターンの線幅との間に差異（パターンの線幅誤差）が生じる。パターンの線幅の均一性を保つため、ショットに応じて露光量を補正する様々な露光方法が開示されている。例えば、基板面の所定の位置（原点）から各ショットまでの距離（位置）のｎ次多項式関数として露光量を制御する方法が開示されている。
【０００４】
また、特許文献１には、ステップ・アンド・スキャン方式の露光装置において、スリット内の非走査方向における照度差に起因する露光斑を低減するように、スリット幅を調整することが提案されている。
【特許文献１】特開昭６２−１９３２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来技術では、露光量の調整が行われていても、ショット領域内の線幅分布を均一にするための露光量調整は行われていない。各ショット領域内で露光量を一定にして露光を繰り返す従来の露光装置では、ショット領域内のパターンの線幅誤差を精密には調整できない。
【０００６】
本発明は、ショット内のパターンの線幅均一性を改善し得る露光装置を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、原版上および基板上でスリット形状の光に対して前記原版および前記基板を走査し、前記原版を介して前記基板上の各ショット領域を露光する露光装置であって、前記基板上の位置と目標露光量との関係を示す情報を取得する取得部と、前記走査の方向における前記光の幅の、前記走査の方向と直交する方向における分布を調整する調整部と、前記取得部により取得された情報に基づいて、前記直交する方向における前記目標露光量の分布を前記各ショット領域について求め、求められた前記目標露光量の分布が前記各ショット領域上で得られるように前記調整部を制御する制御部と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、例えば、ショット内のパターンの線幅均一性を改善することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、図面を用いて本発明に係る走査露光装置を説明する。
【００１０】
［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係るステップ・アンド・スキャン型の走査露光装置の概略構成を示す。走査露光装置は、原版上および基板上でスリット形状の光に対して原版および基板を走査し、原版を介して基板上の各ショット領域を露光する。例えば、AｒＦ等のガスが封入され、レーザ光を発光させるレーザ光源１は、遠紫外領域の波長１９３ｎｍの光を発光する。レーザ光源１には、共振器を構成するフロントミラー、狭帯化モジュール、モニタモジュール、及び、シャッター等が設けられている。狭帯化モジュールは、回折格子やプリズム等からなり、露光波長を狭帯化する。モニタモジュールは、分光器やディテクタ等からなり、スペクトル幅をモニタする。
【００１１】
レーザ光源１のガス交換動作、あるいは波長安定化、放電印加電圧等は、レーザ制御装置２により制御される。この実施形態では、レーザ制御装置２のみによる単独制御は行わず、インタフェースケーブルで接続した露光装置全体の主制御装置３からの命令で制御できるようにしてある。
【００１２】
レーザ光源１より射出されたレーザ光は、照明光学系４の整形光学系（不図示）を介して所定の形状に整形された後、インテグレータレンズ５に入射され２次光源を形成する。７は原版（レチクル）１３の照度分布を変える機能を備えたコンデンサーレンズである。コンデンサーレンズ７は、開口幅を変え得る可変スリット１０に２次光源からの光束を指向させ、可変スリット１０をケーラー照明する。可変スリット１０は、後述するように、その開口幅を変え得る。
【００１３】
照明光学系４の開口絞り６の開口部はほぼ円形であり、照明系制御装置８によってその開口部の直径、ひいては照明光学系の開口数（NA）を所望の値に設定できるようになっている。この場合、後述する投影光学系１４の開口数に対する照明光学系４の開口数の比の値がコヒーレンスファクタ（σ値）であるため、照明系制御装置８は照明光学系４の開口絞り６を制御することで、σ値を設定できることになる。
【００１４】
照明光学系４の光路上にはハーフミラー１１が配置され、レチクル１３を照明する露光光の一部がこのハーフミラー１１により反射され取り出される。ハーフミラー１１の反射光の光路上にはフォトセンサ９が配置され、露光光の強度（露光エネルギー）に対応した出力を発生する。フォトセンサ９の出力は、積分回路（不図示）によって１パルスあたりの露光エネルギーに変換され、照明系制御装置８を介して露光装置本体を制御する主制御装置３に入力される。
【００１５】
投影光学系１４の瞳面（レチクル１３に対するフーリエ変換面）上には、開口部がほぼ円形である開口絞り（不図示）が配置され、開口部の直径をモータ等の駆動手段によって制御することで所望の値に設定できる。
【００１６】
レチクル１３には半導体素子の回路パターンに対応したパターン３２が形成されており、照明光学系４より照明される。２次元方向の可変ブレード１２は、光軸に直交する面内に可動の遮光部材を配置し、レチクル１３のパターン面の照射領域を任意に設定可能にしている。図２にレチクル１３を照明している状態を示す。可変ブレード１２によって遮光されたスリット形状の光３３が、斜線で示すレチクルのパターン３２の一部を照明する。図１の投影光学系１４によって、フォトレジストが塗布された基板１５上にパターン３２の一部を縮小倍率β（βは例えば１／４）で縮小投影する。この時、レチクル１３及び基板１５をスリット形状の光３３に対し、投影光学系１４の縮小比率βと同じ速度比率で互いに逆方向にスキャン（走査）させる。そして、レーザ光源１からのパルス発光による多パルス露光を繰り返す。その結果、レチクル１３全面のパターン３２が基板１５上のショット領域（単にショットともいい、１チップ領域または複数チップ領域に対応）に転写される。なお、図２において、投影光学系１４の光軸に平行な軸をＺ軸としたとき、それに直交し且つ互いに直交する２軸のうち、基板または後述の基板ステージ１６の走査方向に平行な軸をＹ軸、残りの軸をＸ軸としている。
【００１７】
基板ステージ１６は、基板１５を保持して３次元方向に移動可能であり、投影光学系１４の光軸方向（Ｚ方向）及び、この方向に直交する面内（Ｘ−Ｙ面）を移動できる。基板ステージ１６に固定された移動鏡１７との間の距離をレーザ干渉計１８で計測することで基板ステージ１６のＸ−Ｙ面位置が検出される。主制御装置３の制御下にある基板ステージ制御装置２０は、レーザ干渉計１８により基板ステージ１６の位置を検出し、モータ等の駆動機構１９を制御することで、基板ステージ１６を所定のＸ−Ｙ面位置へ移動させる。また、フォーカス検出器の投光光学系２１は、基板上のフォトレジストを感光させない非露光光から成る複数個の光束を投光し、それぞれは、基板１５上に集光されて反射される。基板１５で反射された光束は、フォーカス検出器の検出光学系２２に入射される。検出光学系２２は、各反射光束に対応させて複数個の位置検出用の受光素子を有し、各位置検出用の受光素子の受光面と基板上での各光束の反射点とが結像光学系によりほぼ共役となるように構成されている。投影光学系１４の光軸方向における基板面上の各検出箇所（反射点の箇所）の位置ずれは、検出光学系２２内の位置検出用の受光素子上における入射光束の位置ずれとして計測される。
【００１８】
本実施形態では、まず、レチクル１３と基板１５とを所定の関係となるように位置決めする。そして、主制御装置３からの同期信号に基づいて、レーザ制御装置２、基板ステージ制御装置２０及びレチクルステージ制御装置２６は、レチクル全面のパターン３２を基板１５上のショット領域へ転写する走査露光を行う。その後、基板ステージ１６により基板１５を所定量Ｘ−Ｙ平面内で駆動させ、基板１５上の他のショット領域を同じように走査露光する。このような動作を繰り返し、所謂ステップ・アンド・スキャン方式で順次ショット領域を露光する。図３の（ａ）は、基板１５内の各ショット領域を、破線の矢印で示す順番でステップ・アンド・スキャンを繰り返しながら走査露光してゆく様子を示している。３４は一つのショット領域（１回のスキャンによりレチクル１３のパターン３２を露光する範囲）、３３はスリット形状の光であり、走査の方向をＹ、走査の方向と直交する方向を非走査方向Ｘで示している。図３の（ｂ）に一つのショット領域３４を拡大したものを示す。スリット形状の光３３は、投影光学系１４を通過して結像する露光光である。本実施形態では、スリット形状の光３３のＹ方向における幅のＸ方向（非走査方向）における分布をショット領域３４それぞれについて制御することによって、ショット領域３４内のＸ方向（非走査方向）の露光量の分布を調整する。
【００１９】
次に、図１の走査露光装置のショット領域上のそれぞれにおける露光量の調整方法について説明する。レチクル１３に形成されたパターン３２を介して基板１５のショット領域３４を走査露光する際、ショット領域に転写されるパターンの仕上り寸法を決める重要な条件の１つが露光量である。ここでの露光量の調整は、ショット内の非走査方向における露光量の分布に関する調整である。スリット形状の光３３の非走査方向の光強度分布（走査方向における幅）を制御することにより、ショット領域３４上のそれぞれにおいて、照射（投影）される積算エネルギー量つまり露光量の非走査方向の分布を調整する。最初に非走査方向（Ｘ軸方向）の露光量の分布を調整する手段である可変スリット（可変スリット機構または調整部ともいう）１０について説明する。
【００２０】
図４は、第１の実施形態における可変スリット１０の模式図である。可変スリット１０によって露光量を調整する原理は、特許文献１に開示されているように、可変スリット１０の開口幅を部分的に変化させて各部分の露光量を調整するものである。図４の可変スリット１０にケーラー照明された照明光は、そのスリット開口部４１を通過し、スリット形状の光３３を基板上に形成する。スリット形状の光３３は、走査により積分されて、スリット開口幅に応じた光強度分布を基板上にもたらす。可変スリット１０は、例えば、光軸に垂直な面に対し傾斜した板バネとしての曲線型可動部４３と固定部４２とを含んで構成されている。曲線型可動部４３は複数のプッシュロッド４４に連結されており、その連結部がＹ方向（走査方向）に選択的に移動できる機構をもっている。
【００２１】
板バネ状の曲線型可動部４３と固定部４２とは、一対の遮光部材を構成する。複数のプッシュロッド４４は、遮光部材（板バネ）の開口端の連結部を変位させるアクチュエータであり、曲線型可動部４３の開口端の少なくとも一部を曲線形状とするように開口端を変形させる。
【００２２】
図４は、曲線型可動部４３のエッジ形状を２次曲線状に位置決めした例であり、中心位置４６はショット領域３４の非走査方向の中心に位置合せされている。図４の破線４６および４５におけるスリット形状の光３３が基板上のショット領域３４に投影された時の光強度プロファイルを模式的に示したのが図５の（ａ）および（ｂ）である。図５において横軸が走査方向Ｙ、縦軸が光強度を示しており、ショット領域３４の露光量は光強度プロファイルの面積５１ａ，５１ｂで決まる。図５（ａ）の可変スリットの可動部４３ａを基準にすると、（ｂ）の可変スリットの可動部４３ｂは開口幅が大きくなるように位置決めされている。そのため、光強度プロファイル面積は５１ａ＜５１ｂの関係となり、非走査方向（Ｘ軸方向）の中心に対して周辺近傍の方が相対的に高い露光量となる露光量分布が得られる。
【００２３】
図６は、図４に示す可変スリットの曲線型可動部４３のエッジ形状を２次曲線状に位置決めした場合の非走査（Ｘ軸）方向における露光量の分布を示した模式図である。プッシュロッド４４で位置決めされた２次曲線状の可動部４３と固定部４２とにより決まる開口幅に応じ、２次曲線状の露光量の分布が形成される。非走査（Ｘ軸）方向の中心６３の露光量６１を１００とするとき、中心からある距離だけＸ軸方向に離れた位置での露光量６２を１０５とするように相対的に調整することが可能である。可変スリットの曲線型可動部４３の位置（複数のプッシュロッドの位置）と露光量分布との関係を予め計測して記憶しておけば、非走査（Ｘ軸）方向の露光量の分布を精密に調整することができる。
【００２４】
基板上のスリット形状の光３３による露光量を検出する検出器として、図１に示す基板ステージ１６上に配置された露光量検出器２７を用いる。露光量検出器２７は、基板ステージ１６を移動させることにより、スリット形状の光３３による露光量分布を計測することができる。図４に示した可変スリット位置での基板面上のスリット形状の光３３を露光量検出器２７で測定する流れを図７の模式図で示す。本実施形態の露光量検出器２７は、フォトセンサセルを走査（Ｙ軸）方向に均等配置したライン型センサである。所定エネルギーの所定数のパルス光により基板上に形成されるスリット形状の光３３を露光量検出器２７により検出して走査（Ｙ軸）方向に光強度分布を積算（積分）することにより露光量を計測する。非走査（Ｘ軸）方向（２７ａ→２７ｃの方向）に微小ステップ移動しながら繰り返し露光量を計測することで、可動部４３の所定のプッシュロッド位置に対するＸ軸方向の露光量分布を計測することができる。露光処理に先立ち、予め可変スリット位置（形状）と露光量分布との関係を複数通り計測して主制御装置３の記憶部（不図示）に記憶しておけば、露光処理毎に露光量分布の計測を繰り返す必要が無い。ここで、可変スリット位置と露光量分布との関係は、例えば、検出器を用いて計測された非走査方向における露光量の分布と、可変スリットの走査方向における幅の非走査方向における分布との関係を意味する。
【００２５】
次に、ショット領域内の露光量分布を調整してショット領域内の線幅均一性を改善する手順を具体的に説明する。図８の（ａ）は、先に述べたステップ・アンド・スキャン方式で基板１５を露光する際のショット配列１〜４６を模式的に示した図である。図中のＹ軸方向はスリット形状の光３３に対し基板１５を走査する走査方向であり、Ｘ軸方向はＹ軸方向と直交する非走査方向である。Ｘ軸とＹ軸との交点が基板１５の中心を示している。本実施形態では、基板１５上の位置と目標露光量との関係は、下記の式１で表される２次多項式関数で示される。式１は、基板の中心からの距離に応じて目標露光量を定めている。
【００２６】
Dose（X, Y）[J/m2]＝a・X2 ＋b・Y2＋c・X・Y＋d・X＋e・Y＋f・・・（式１）
ここで、Xは基板の中心を原点とした非走査方向の座標、Yは基板の中心を原点とした走査方向の座標であり、Dose（X, Y）は（X, Y）座標での露光量[J/m2]である。
なお、走査露光により基板上に転写されるパターンの線幅と基板上のレジストの膜厚とは相関がある。また、基板上のレジストの膜厚分布は、（式１）で良く近似できる。このことからも類推できるように、基板上で線幅均一性を改善するための目標露光量を表すのに（式１）は有用である。しかしながら、基板１５上の位置と目標露光量との間の有利な関係式は、（式１）に限定されるものではなく、実際のリソグラフィー・プロセスの状況に応じて設定され得るものである。
【００２７】
図８の（ａ）のショット配列の場合、ショット領域の中心位置の座標（X, Y）を各々代入すると、各ショット領域における中心位置での目標露光量が与えられる。なお、式１の係数ａ〜ｆは、線幅が均一となるように予め求めた基板１５上の最適露光量の分布に応じて、ここでは２次曲面で近似して、求めることができる。本実施形態の走査露光装置には、走査露光を開始するに先立ち、図８の（ａ）の各ショット領域位置・ショット領域画角（サイズ）の情報と、式１の露光量分布の情報とが取得部２８に入力として与えられるものとする。
【００２８】
図８の（ｂ）は、基板１５上のＸ軸方向の目標露光量分布を示しており、横軸はＸ座標、縦軸は目標露光量である。曲線８２はショット４〜ショット１の行、曲線８３はショット５〜ショット１０の行、曲線８５はショット１８〜ショット１１の行、曲線８４はショット１９〜ショット２８の行にそれぞれ対応して、非走査（Ｘ軸）方向の目標露光量分布を示している。図８の（ｃ）は、更にショット４〜１の行について、各ショット領域の目標露光量分布を示している。走査露光装置の主制御装置３は、各ショット領域（1〜46）の位置およびサイズの情報と、式１で与えられる２次曲面状の目標露光量分布の情報とから、ショット領域毎に異なる目標露光量分布E［ショット1］〜E［ショット46］を各々算出する。次に、主制御装置３は、ショット領域毎の目標露光量分布E[ショット1]〜E[ショット46]に応じて、例えば、予め計測し記憶してある可変スリットの可動部である複数のプッシュロッドの位置とそれに対応した露光量分布との情報を呼び出す。主制御装置３は、例えば、当該情報から、ショット領域毎に可変スリット可動部位置Pi[ショット1]〜Pi[ショット46]を計算により求める。ここで、iは、各プッシュロッドに対応したサフィックスである。勿論、先に図７で説明した露光量検出器２７による計測を介して、可変スリット可動部位置Piをショット領域毎に設定してもよい。
【００２９】
主制御装置３は、非走査方向における目標露光量分布を各ショット領域について求め、当該目標露光量の分布に応じて可変スリット機構（調整部）を制御する制御部して機能する。主制御装置３は、目標露光量の分布に応じて、可変スリットの走査方向の幅の非走査方向における分布をショット領域毎に調整部が調整するように調整部を制御する。その結果、走査露光を通してショット領域内に転写されるパターンの線幅均一性が改善する。制御部は、各ショット領域における非走査方向の目標露光量分布を基板上の位置と目標露光量との関係を示す情報に基づいて求める。
【００３０】
ステップ・アンド・スキャン方式でN番目のショット領域を走査露光する際、先に計算して求めた可変スリット可動部のプッシュロッド位置Pi[ショットN]にプッシュロッド（i）を位置決めする。その後、走査露光を行うことで、所望の露光量分布E[ショットN]を得ることができる。図８の（ｄ）は、ショット４の露光量分布E[ショット4]を得るための可変スリットの可動部のプッシュロッド位置Pi[ショット4]を示す模式図である。ショット４は、基板中心からマイナスＸ方向に離れるにしたがって増加する目標露光量分布を有する。可変スリットは、位置８７から位置８８へ向かって、目標露光量が増加するため、スリット開口幅が増加するように複数のプッシュロッド４４が位置決めされる。
【００３１】
複数のプッシュロッド４４は、走査（Ｙ軸）方向の可変スリットの幅の非走査（Ｘ軸）方向における分布を調整する調整部として機能する。
【００３２】
［第２の実施形態］
第１の実施形態では、可変スリット１０は、板バネとしての可動部４３と固定部４２とを含んで構成されていた。そして、可動部４３に連結されたプッシュロッド４４の位置を制御することにより、非走査（Ｘ軸）方向の露光量分布を調整した。第１の実施形態の手法では、多数のプッシュロッド４４を各々独立に駆動して位置調整することによりスリット開口のＹ軸方向の幅のＸ軸方向の分布を調整している。この複雑な機構は、調整に時間を要し、高価でもある。第２の実施形態においては、構造が単純な可変スリット機構を用いて露光量分布を短時間に調整する。
【００３３】
図９の（ａ）は第２の実施形態における可変スリット（可変スリット機構）１０の模式図である。可変スリットの可動部９２の遮光部材は、１つのプッシュロッド９１に連結されており、ショット領域の非走査（Ｘ軸）方向の中心位置に位置合せしてある支点９４を中心に回転する回転型可動部である。プッシュロッド９１は、可変スリットの可動部９２の開口端の少なくとも一部をＸ軸方向に対して傾けるアクチュエータである。
【００３４】
図９の（ｂ）は、中心（支点９４）に関して可動部９２が反時計方向にθ１（＋θ１）回転した例である。この回転角度に応じてＸ軸方向の右端の開口幅９５は減少し、反対にＸ軸方向の左端開口幅９６は増加する。図９の（ｃ）は、可動部９２が時計方向にθ１（−θ１）回転した例である。図９の（ｂ）とは反対に、Ｘ軸方向の右端の開口幅９５は増加し、Ｘ軸方向の左端の開口幅９６は減少する。可変スリットの回転型可動部９２のエッジ全体が傾くことで、スリット開口幅はＸ軸方向の位置の変化に比例して変化する。第１の実施形態で説明したように、基板のショット領域ににおけるＸ軸方向の露光量分布も開口幅に応じたものとなる。図１０は、可動スリット９２が図９の（ｃ）の状態にある場合におけるショット領域のＸ軸方向の露光量分布を示している。ショット領域のＸ軸方向の中心１０１は可動スリットの支点９４と一致しており、傾きαを有する露光量分布を実現することができる。可変スリットの回転型可動部９２の位置（回転角度）とショット内におけるＸ軸方向の露光量分布との関係は、第１の実施形態の図７と同様の手法で予め計測して記憶すればよい。基板ステージ上の露光量検出器２７を非走査（Ｘ軸）方向にステップ移動させつつ、スリット形状の光３３が照射される露光量検出器２７の出力を走査（Ｙ軸）方に積算することにより、可変スリットによるＸ軸方向の露光量分布を計測する。これにより、可変スリットの回転型可動部９２の回転角θとＸ軸方向の露光量分布（傾きα）との関係を求めることができる。
【００３５】
基板面内の各ショット領域における露光量分布を調整する手順も、第１の実施形態の図８で説明した手順と同様である。図８の（ａ）のショット配列（１〜４６）の情報と２次元多項式関数モデル（式１）とから各ショット領域内の目標露光量分布が与えられる。走査露光装置の主制御装置３は、例えば、ショット（ショット1〜ショット46）の位置および画角（サイズ）の情報から、各ショット領域の中心を通るＸ軸方向の目標露光量分布の傾きα[ショット1]〜α[ショット46]を算出する。次に、予め計測して記憶してある可変スリットの回転型可動部の回転角と露光量分布（α）との関係の情報から、各ショット領域に対する可変スリットの回転型可動部の回転角θ[ショット1]〜θ[ショット46]を計算で求める。勿論、先に説明した露光量検出器２７を使ってショット毎に計測して回転角θを決めてもよい。
【００３６】
ステップ・アンド・スキャン方式でN番目のショット領域を走査露光する際、先に求めた可変スリットの回転型可動部９２を回転角θ[ショットN]に位置決めする。その後、走査露光を行うことにより、ショット領域毎に非走査（Ｘ軸）方向における目標露光量分布（傾きα[ショットN]）を得ることができる。
【００３７】
第1および第２の実施形態における可変スリットの可動部を組合せた構成を図１１の（ａ）に示す。可動部１０２は、第1の実施形態で説明した板バネ状遮光部材としての可動部で、複数のプッシュロッドでエッジ形状を変形されて開口幅を制御する。一方、可動部１０３は、第２の実施形態で説明した、非走査（Ｘ軸）方向の中心１１を支点として回転されて開口幅分布を制御する回転型可動部である。曲線型可動部１０２と回転型可動部１０３とを組合せることで、図１１の（ｂ）に示すような露光量分布を得ることができる。露光量分布１０４の曲線形状は、可動部１０２で制御し得る露光量分布であり、回転型可動部１０３の回転角θ＝０のとき、第１の実施形態で述べた手法によって得られる露光量分布の曲線形状である。更に、第２の実施形態で説明した手法によって、回転型可動部１０３を回転角θ１だけ回転すると、曲線形状の露光量分布を傾きαだけ傾かせることができる。
【００３８】
図８の（ａ）のショット配列（１〜４６）をステップ・アンド・スキャン方式で露光するとする。この場合、例えば、レチクルの描画誤差に起因するパターン線幅誤差は、ショット（１〜４６）に共通の成分として、曲線型可動部１０２を用いた曲線状の露光量分布により補正することができる。そして、例えば、基板上の２次曲面状のレジスト表面形状（レジスト膜厚分布）に起因するパターン線幅誤差は、回転型スリット１０３を用いた直線状の傾いた露光量分布によりショット領域毎に補正することができる。
以上の実施形態では、線幅均一性を改善するための目標露光量分布にしたがって、走査方向に直交する方向（Ｘ軸方向）における露光量分布を調整する構成を説明した。なお、走査方向（Ｙ軸方向）における露光量分布を調整する必要がある場合には、線幅均一性を改善するための目標露光量分布にしたがって、基板に到達するパルス光の強度を走査方向における基板ステージの位置またはそれに対応する時刻に応じて制御すればよい。この制御は、例えば、上述した主制御装置３およびレーザ制御装置２により実現できる。
【００３９】
［デバイス製造の実施形態］
つぎに、本発明の一実施形態のデバイス（半導体デバイス、液晶表示デバイス等）の製造方法について例示する。
【００４０】
半導体デバイスは、ウエハ（半導体基板）に集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程とを経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程とを含みうる。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）と、パッケージング工程（封入）とを含みうる。また、液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して、感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程とを含みうる。
【００４１】
本実施形態のデバイス製造方法は、デバイスの生産性および品質の少なくとも一方において従来よりも有利である。
【００４２】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明に係る走査露光装置の概略構成を示す図
【図２】図１の部分説明図
【図３】基板を走査露光する様子を示す図
【図４】第１の実施形態に係る可変スリットの構成を示す図
【図５】第１の実施形態に係る可変スリットによる露光プロファイルの変化を示す図
【図６】第１の実施形態に係るショット領域の非走査方向の露光量分布を示す図
【図７】第１の実施形態に係る露光量分布を計測する様子を示す図
【図８】第１の実施形態に係る露光量の調整手順を説明する図
【図９】第２の実施形態例に係る可変スリットの構成を示す図
【図１０】第２の実施形態に係る露光量分布を示す図
【図１１】他の実施形態に係る可変スリットの構成及び露光量分布を示す図
【符号の説明】
【００４４】
１：レーザ光源
２：レーザ制御装置
３：露光装置の主制御装置
４：照明光学系
５：インテグレータレンズ
６：照明光学系の開口絞り
７：コンデンサーレンズ
８：照明系制御装置
９：フォトセンサ
１０：可変スリット
１１：ハーフミラー
１２：可変ブレード
１３：レチクル
１４：投影光学系
１５：基板
１６：基板ステージ
１７，２４：移動鏡
１８，２５：レーザ干渉計
１９：基板ステージの駆動機構
２０：基板ステージ制御装置
２１：投光光学系（フォーカス面検出器）
２２：検出光学系（フォーカス面検出器）
２３：レチクルステージ
２６：レチクルステージ制御装置
２７，２７ａ〜ｃ：露光量検出器
２８：露光量分布情報
３２：回路パターン
３３：スリット形状の光
３４：ショット領域
４１：スリット開口部
４２，４２，９３：固定部
４３，４３ａ，４３ｂ，１０２：曲線型可動部（可動部）
４４：プッシュロッド
５１ａ，５１ｂ：露光プロファイル
９２，１０３：回転型可動部（可動部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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