(57)【要約】【課題】投影光学系の最終面と基板との間隙の液体の温度変化を抑制する液浸露光装置を提供する。【解決手段】  本発明は、原版からの光を基板に投影する投影光学系と、前記基板を保持して移動する基板ステージと、前記投影光学系と前記基板との間隙に液体を供給する供給手段と、前記間隙から液体を回収する回収手段とを有し、前記間隙に満たされた液体を介して前記基板を露光する露光装置であって、前記間隙に満たされた液体を出入りする熱量の情報又は当該熱量を推定するための情報を記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された情報に基づいて前記供給手段により供給される液体の温度を制御する制御手段と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原版からの光を基板に投影する投影光学系と、前記基板を保持して移動する基板ステージと、前記投影光学系と前記基板との間隙に液体を供給する供給手段と、前記間隙から液体を回収する回収手段とを有し、前記間隙に満たされた液体を介して前記基板を露光する露光装置であって、
前記間隙に満たされた液体を出入りする熱量の情報又は当該熱量を推定するための情報を記憶する記憶手段と、
前記記憶手段に記憶された情報に基づいて前記供給手段により供給される液体の温度を制御する制御手段と、
を有することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記記憶手段は、露光条件ごとに前記情報を記憶する、ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記記憶手段に記憶された情報に基づいて前記熱量を推定する、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記制御手段は、１又は複数の基板の露光の履歴に応じて前記熱量を推定する、ことを特徴とする請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記記憶手段は、露光開始から露光終了に至る一連の露光シーケンスにおける前記間隙の液体の温度変化を示す情報を記憶し、
前記制御手段は、前記記憶手段に記憶された前記温度変化を示す情報に基づいて、前記供給手段により供給される液体の温度をフィードフォワード制御する、
ことを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記温度変化を示す情報は、予め計測されたテスト用基板の温度変化を示す情報であることを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記記憶手段は、露光条件が互いに異なる複数の露光シーケンスに対応して複数の前記温度変化を示す情報を記憶し、
前記制御手段は、前記記憶手段に記憶された情報の中から露光条件に応じて選択された温度変化を示す情報に基づいて、前記供給手段により供給される液体の温度をフィードフォワード制御する、
ことを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の露光装置。
【請求項８】
前記回収手段中の液体の流路に配置され、前記流路を流れる液体の温度を検出するセンサをさらに備え、
前記制御手段は、前記センサの出力に基づいて、前記供給手段により供給される液体の温度をフィードバック制御する、
ことを特徴とする請求項５乃至請求項７のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
前記工程で露光された基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とするデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ又は超ＬＳＩなどの極微細パターンで構成される半導体デバイスの製造工程において、マスクに形成されたパターンを感光剤が塗布された基板上に縮小投影して転写する縮小型投影露光装置が使用されている。半導体デバイスにおける集積密度の向上に伴いパターンの更なる微細化が要求され、レジストプロセスの発展と同時に露光装置の微細化への対応がなされてきた。
【０００３】
露光装置の解像力を向上させる手段としては、露光波長を短くする方法と、投影光学系の開口数（ＮＡ）を大きくする方法とが一般的である。
【０００４】
露光波長については、３６５ｎｍのｉ線から２４８ｎｍ付近の発振波長を有するＫｒＦエキシマレーザ光に移行し、さらに１９３ｎｍ付近の発振波長を有するＡｒＦエキシマレーザに移行した。また、１５７ｎｍ付近の発振波長を有するフッ素（Ｆ２）エキシマレーザの開発も行なわれた。
【０００５】
一方、これらとは全く別な解像力向上技術として液浸法を用いた投影露光方法が注目されつつある。従来は、投影光学系の最終面と露光対象の基板（例えばウエハ）面との間の空間は気体で満たされていたが、液浸法では、この空間を液体で満たして投影露光を実施する。例えば、投影光学系とウエハとの間の空間に提供される液体を純水（屈折率1.33）とし、ウエハに結像する光線の最大入射角が液浸法と従来法で等しいと仮定する。そうすると、液浸法の場合、同一波長の光源を用いても、液浸法の解像力が従来法の1.33倍に向上することになる。これは従来法の投影光学系のＮＡを1.33倍にすることと等価であり、液浸法によれば、従来法では不可能なＮＡ＝１以上の解像力を得ることが可能である。
【０００６】
液浸露光装置では、ワーキングディスタンスに介在させた液体の温度分布によって、屈折率に分布が生じるおそれがある。そこで液体の温度変化に起因する結像性能の劣化への対策として、次のような技術が提案されている。すなわち、特許文献１には、液体の温度安定機構によって温度の安定化を図る技術が提案されている。特許文献２には、加振撹拌機構によって温度の均一化を図る技術、及び、液体の温度をフィードバック制御するにあたり、温度又は屈折率を計測することが提案されている。
【特許文献１】米国特許４，３４６，１６４号明細書
【特許文献２】特開平６−１２４８７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、これらの従来技術は、ウエハ表面全体を浸す量の液の温度を制御するものである。
【０００８】
これに対し、ウエハと投影光学系との間隙に液体を満たし且つウエハ表面の部分的な領域のみを液浸する場合には、この間隙の液体の体積が小さいため、露光中の露光エネルギーや、液体に接する部材からの熱伝達により、液体の温度が上昇しうる。その結果、露光中に液体の屈折率が変化し、解像性能が低下しうる。
【０００９】
本発明は、例えば、投影光学系と基板との間隙の液体の温度変化を低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、原版からの光を基板に投影する投影光学系と、前記基板を保持して移動する基板ステージと、前記投影光学系と前記基板との間隙に液体を供給する供給手段と、前記間隙から液体を回収する回収手段とを有し、前記間隙に満たされた液体を介して前記基板を露光する露光装置であって、前記間隙に満たされた液体を出入りする熱量の情報又は当該熱量を推定するための情報を記憶する記憶手段と、前記記憶手段に記憶された情報に基づいて前記供給手段により供給される液体の温度を制御する制御手段と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、例えば、投影光学系と基板との間隙の液体の温度変化を低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明に係る露光装置（液浸露光装置）は、レチクル（原版）からの光を基板に投影する投影光学系を有し、投影光学系の最終面と基板との間隙に満たされた液体を介して基板を露光する。露光光として、例えば、エキシマレーザ光等の紫外光を用いる。
【００１３】
本発明が適用可能な液浸露光装置には、基板を静止させた状態で基板を露光する液浸露光装置や、基板と原版とを同期走査しながら基板を走査露光する液浸露光装置が含まれうる。
【００１４】
以下、本発明の好適な実施形態を例示的に説明する。図１は、液浸露光装置の構成を概略的に示す図である。図１において、ArFエキシマレーザやF2レーザなどの露光光源（不図示）から射出された光が照明光学系２に提供される。照明光学系２は、露光光源から提供された光を用いて、レチクル（原版）１の一部をスリット光（スリットを通過したような断面形状を有する光）により照明する。スリット光がレチクル１を照明している間、レチクル１を保持しているレチクルステージ（原版ステージ）３とウエハ（基板）９を保持しているウエハステージ（基板ステージ）１０は、一方が他方に同期しながら走査移動する。このような同期走査を通して、結果としてレチクル１上のパターン全体が投影光学系４を介してウエハ９上に連続的に結像し、ウエハ９表面に塗布されたレジストを感光させる。
【００１５】
レチクルステージ３やウエハステージ１０の二次元的な位置は、参照ミラー１１とレーザ干渉計１２によってリアルタイムに計測される。この計測値に基づいて、ステージ制御部１３は、レチクル１（レチクルステージ３）やウエハ９（ウエハステージ１０）の位置決めや同期制御を行う。ウエハステージ１０は、ウエハ９の位置や姿勢を決めるため、駆動部により移動される。露光時には、この駆動部により、投影光学系４の焦点面にウエハ９上の露光領域が常に高精度に合致するようにウエハステージ１０が制御される。ここで、ウエハ９のショット内の計測箇所の位置（投影光学系の光軸方向における位置）は、不図示の光フォーカスセンサによって計測され、ステージ制御部１３に提供される。走査露光制御部２２は、ステージ制御部１３と前記不図示の露光光源との同調制御を行う。
【００１６】
露光装置本体は、不図示の環境チャンバの中に設置されており、露光装置本体を取り巻く環境が所定の温度に保たれる。レチクルステージ３、ウエハステージ１０、レーザ干渉計１２を取り巻く空間や、投影光学系４を取り巻く空間には、更に個別に温度制御された気体が吹き込まれて、環境温度が更に高精度に維持される。
【００１７】
液体供給ノズル５は、例えば、露光中にウエハ９を走査する方向の上流側でウエハ９の上方かつ投影光学系４の近傍に配置されている。ここで、走査方向の上流側とは、走査方向を矢印で示した場合に、矢印の始点側である。
【００１８】
液体回収ノズル６は、例えば、投影光学系４を挟んで液体供給ノズル５の反対側（すなわち、走査方向の下流側）に配置されている。
【００１９】
液体供給ノズル５は供給管１６を介して液体供給部７と接続されており、同様に、液体回収ノズル６は回収管１７を介して液体回収部８と接続されている。液体供給部７は、例えば、液体を貯めるタンク、液体を送り出す圧送装置、液体の供給流量の制御を行う流量制御部を含みうる。液体供給ノズル５と液体回収ノズル６とによって、投影光学系４の最終面とウエハ９との間隙に液体ｆが満たされる。液体回収部８は、例えば、回収した液体を一時的に貯めるタンク、液体を吸い取る吸引装置、液体の回収流量を制御するための流量制御部を含みうる。
【００２０】
液体供給部７、供給管１６、液体供給ノズル５は、投影光学系４の最終面とウエハ９との間の間隙に液体ｆを供給する供給手段を構成する。また、液体回収ノズル６、回収管１７、液体回収部８は、投影光学系４の最終面とウエハ９との間の間隙から液体ｆを回収する回収手段を構成する。さらに、供給管１６、液体供給ノズル５、間隙、液体回収ノズル６、回収管１７は、供給手段と回収手段との間の流路を構成する。
【００２１】
回収手段中（回収管１７）には、流路を流れる液体の温度を検出する２３が備えられている。
【００２２】
液体供給部７には、ニクロム線などの発熱体により供給する液体の温度を制御するための温度制御部１９が配置されている。
【００２３】
液浸露光装置は、さらに、液浸制御部１８、ステージ制御部１３、走査露光制御部（主制御装置）２２、記憶装置（記憶手段）２０を備えている。
【００２４】
記憶装置２０は、露光開始から露光終了に至る一連の露光シーケンスにおける間隙の液体の温度変化を示す情報(モデル)を記憶している。当該モデルは、露光条件が互いに異なる複数の露光シーケンスに対応して複数記憶されている。
【００２５】
液浸制御部１８は、ウエハステージ１０の現在位置、速度、加速度、目標位置、移動方向といった情報をステージ制御部１３から受け、走査露光制御部（主制御装置）２２から露光条件の情報を受ける。液浸制御部１８は、これらの情報、記憶装置２０に記憶されたモデルに基づいて、液浸の開始や中止、液体の流量、供給する液体の温度に関する制御指令を液体供給部７や液体回収部８に与える。
【００２６】
図３は、液体の温度を制御しない場合の、露光シーケンスにおける各部の温度変化を概念的に示す図である。図３Ａ〜図３Ｄは、１枚当たりＮショットの露光を行うウエハをＭ枚露光処理するときの、ウエハの温度変化、レンズの温度変化、ウエハチャックの温度変化、液体の温度変化をそれぞれ示す。図３Ｂにおけるレンズは、液体に接する投影光学系４の最終レンズを指している。
【００２７】
露光シーケンスは、まずウエハがウエハチャック上に搬入され、それからアライメントやキャリブレーションなどのオーバーヘッドがある。その後、第１ショットから第Ｎショットまで順次走査露光を行い、露光が完了したウエハを搬出し、次に露光するウエハを搬入して、走査露光を繰り返す。これを繰り返しＭ枚のウエハを露光する。
【００２８】
続いて、各部の温度変化について説明する。図３Ａのウエハのチャートに示すように、１枚目のウエハは第１ショットの露光までの、搬入及びオーバーヘッドでは温度が上昇しない。露光が開始されると、露光によるエネルギーでウエハの温度は少しずつ上昇する。第Ｎショットの露光が完了すると、露光エネルギーによる入熱がなくなるのでウエハの搬出時には温度がわずかに下がる。次のウエハは１枚目のウエハが搬入された時とほぼ同じ温度で搬入される。しかし１枚目と異なりオーバーヘッドの時間で、後述するウエハチャックの温度上昇により、温度が少し上昇する。露光が開始されると、露光エネルギーにより、ウエハの温度は少しずつ上昇する。このような温度上昇がＮ枚のウエハが搬出されるまで繰り返される。
【００２９】
次に図３Ｂのレンズの温度変化について説明する。レンズはウエハの搬入時及びオーバーヘッド時には、入熱がないのでその間の温度上昇はない。露光が開始されると、露光エネルギーによって少しずつ温度が上昇する。第Ｎショットの露光が完了すると入熱がなくなるので、ウエハ搬出時に温度が下降し、さらに、次のウエハの搬入時にはオーバーヘッド処理でも温度は下降する。しかし、レンズはウエハの搬出、ウエハの搬入、オーバーヘッドの時間で、初期と同じ温度まで下降することはできず、露光により温度が上昇した状態から、次のウエハの露光が開始されることになる。
【００３０】
次に図３Ｃのウエハチャックの温度変化について説明する。ウエハチャックは、ウエハやレンズと異なり、直接露光エネルギーを受けることはない。しかしウエハは非常に薄く熱伝導率がよいので、ウエハからウエハチャックに熱が伝わり、ウエハチャックも露光を重ねるにしたがい、少しずつ温度上昇する。同様に第Ｎショットの露光が完了すると、いったん冷えるがレンズと同様に初期の温度まで下降しない。次のウエハが搬入されると、オーバーヘッド処理の間に、ウエハに熱を伝えることになる。
【００３１】
つづいて図３Ｄの液体の温度変化について説明する。液体はノズルからレンズとウエハとの間に供給されるので、供給されるとすぐにレンズからの入熱、ウエハからの入熱があり、温度の変化がはじまる。オーバーヘッド時間もこの温度上昇はつづく。露光が始まると更に露光エネルギーによってレンズ、ウエハと同様に液体の温度も上昇する。ショット毎に液体は回収され、次のショットでは新たに液体が供給されるが、液体は供給されると同時にウエハ、レンズの熱によって温度上昇をはじめる。このような熱の授受を繰り返して液体の温度は変化する。
【００３２】
このような温度変化の要因を考慮して、本発明の実施形態に係る露光装置は、投影光学系４の最終レンズとウエハ９等との間隙に満たされた液体の温度を安定化する。そのため、１又は複数の基板を露光する動作の履歴に応じて液体を出入りする熱量の情報、又は当該熱量を推定（算出）するための情報を記憶装置２０に予め記憶しておく。
【００３３】
記憶しておく情報は、実測又は所定のモデルを用いた算出により得られた、１枚又は複数枚のウエハの露光開始から露光終了に至る一連の露光シーケンスにおける間隙の液体の温度変化を示す情報であってもよい。例えば、テスト用基板を用いて予め計測された、図３Ｄに示されるような、液体の温度変化を示す情報を使用することもできる。液浸制御部１８は、例えば、記憶装置２０に記憶された熱量の情報、又は記憶装置２０に記憶された情報から推定された熱量の情報にしたがったフィードフォワード制御を行えばよい。
【００３４】
記憶しておく情報は、例えば、露光条件ごとに記憶してもよい。この場合、液浸制御部１８は、走査露光制御部（主制御装置）２２から送られた露光条件に基づき記憶装置２０に記憶された情報を選択し、選択された情報に基づき温度制御部１９を制御する。
【００３５】
液浸制御部１８は、ウエハ９を露光するときに液体供給部７から供給される液体の温度を制御して間隙での液体の温度を安定化させるべく、記憶装置２０に記憶された情報に基づいて、温度制御部１９をフィードフォワード制御する。露光条件に応じて複数の情報が準備される場合、液浸制御部１８は、走査露光制御部（主制御装置）２２から送られた露光条件に応じて記憶装置２０から情報を選択し、選択された情報に基づき温度制御部１９をフィードフォワード制御する。液浸制御部１８及び温度制御部１９は、液体の温度を制御する制御手段を構成している。
【００３６】
露光条件は、例えば、露光量を含みうる。さらに、レチクル１の透過率など液体に与えられるエネルギーと相関のある他の条件を含みうる。
【００３７】
このような構成により、間隙に満たされた液体の温度の目標温度からのずれを低減させることができる。これに伴い、上記間隙の周囲にある最終レンズや、ウエハ９、ウエハチャックを含むウエハステージ１０の温度も安定させることができる。
【００３８】
液浸用の液体は、露光光の吸収が少ないものから選ばれ、更に石英や蛍石などの屈折系光学素子とほぼ同程度の屈折率を有することが望まれる。具体的には、液浸用の液体としては、純水、機能水、フッ化液（例えば、フルオロカーボン）などが候補として掲げられる。液浸用の液体は、予め脱気装置を用いて溶存ガスが十分に取り除かれたものが好ましい。これは、気泡の発生を抑制し、また、気泡が発生しても即座に液体中に吸収できるからである。例えば、環境気体中に多く含まれる窒素、酸素を対象とし、液体に溶存可能なガス量の８０％以上を除去すれば、十分に気泡の発生を抑制することができる。もちろん、不図示の脱気装置を露光装置に備えて、常に液体中の溶存ガスを取り除きながら液体供給部７に液体を供給してもよい。脱気装置としては、例えば、ガス透過性の膜を隔てて一方に液体を流し、もう一方を真空にして、液体中の溶存ガスをその膜を介して真空中に追い出す、真空脱気装置が好適である。
【００３９】
次に、図２を参照しながら、投影光学系４とウエハ９との間に液体を満たす工程を説明する。
【００４０】
まず、ウエハ９が静止した状態又は移動している状態で、液体供給ノズル５よりウエハ９上に、例えばほぼ一定流量で液体ｆを供給する。液体供給ノズル５の下面とウエハ９の上面とに液体ｆを密着させることで、十分な液膜を形成する（ａ）。
【００４１】
次に、液体供給ノズル５より液体ｆを供給し続けたまま、ウエハ９の移動を開始し又は更に移動させる。そして、図２（ａ）で形成した液膜を途切れさせることなく、ウエハ９の移動を利用して投影光学系４の下面まで液膜を導く（ｂ、ｃ）。
【００４２】
ウエハ９が更に移動して露光開始位置に至るとスリット光による走査露光が開始される（ｄ）。走査露光中においても、（ｃ）と同様に、液体供給ノズル５より液体ｆを供給し続ける。同時に、投影光学系４に対して走査方向Ｓの下流側（図２では、左側）より流出する液体ｆを液体回収ノズル６で回収することにより、ウエハ９と投影光学系４との間隙が安定して液体ｆで満たされる。
【００４３】
ウエハ９が更に移動して露光終了位置に至るとスリット光による露光が終了する（ｅ）。スリット光による露光が終了すると、液体供給ノズル５からの液体の供給を停止し（ｅ）、ウエハ９を走査方向Ｓに移動させながら、ウエハ９上に残った液体を液体回収ノズル６によって回収する（ｆ、ｇ）。
【００４４】
以上のように、ウエハ９の移動に伴って液膜が広がるように、ウエハ９を移動させながらウエハ９の表面上に連続的に液体ｆを供給する。そうすると、投影光学系４の最終面とウエハ９との間隙を連続的な液膜（途切れない液膜）で満たすことができる。そして、このような方法によれば、投影光学系４とウエハ９との間隙が小さい場合においてもその間隙に確実に液膜を形成することができ、しかも、その液膜中に存在しうる気泡を低減することができる。また、このような方法によれば、液膜のウエハ９に対する相対速度が遅いので、液体ｆは液体回収ノズル６を通して確実に回収されうる。したがって、外部への液体ｆの飛散が効果的に防止されうる。
【００４５】
上記のような液体の供給から回収までのシーケンスは、ショット領域（レチクルパターンの１回の転写）毎に実施されてもよいし、ウエハ上の全部又は複数のショット領域を１つの単位として実施されてもよい。後者の場合、ショット領域間でのウエハのステップ移動時においても液体の供給及び回収を実施してもよいし、ステップ移動時においては液体の供給及び回収を停止してもよい。
【００４６】
上記のような液浸露光手法は、ウエハを静止させた状態で露光を実施する液浸露光装置（いわゆるステッパー等）にも適用することができる。この場合は、例えば、ショット領域間でウエハをステップ移動させる際に、次に露光すべきショット領域と投影光学系４の最終面との間隙に液膜を広げるように液体の供給及び回収を制御すればよい。
【００４７】
液体供給ノズル５や液体回収ノズル６の口（供給口、回収口）は、単なる開口として構成してもよい。しかし、液の供給量や回収量の場所ムラを少なくし、更に液ダレしにくくするという点では、微少な穴を複数有する多孔板や多孔質体を口に設けることが望ましい。
【００４８】
このような実施形態によれば、液浸法を適用した投影露光装置において、液滴を周囲に飛散させることなく、投影光学系の最終面と基板との間隙に短時間で、リアルタイムに温度制御された液膜を形成することが可能である。したがって、露光装置の生産性を損なうことなく、高精度かつ安定した投影露光が可能になり、微細なパターンを安定してかつ良好に基板に転写することができる。
【００４９】
上記実施形態での記憶装置２０の替わりに、液体を出入りする熱量を露光条件に応じて推定する推定装置を構成してもよいし、当該熱量の記憶及び当該熱量の推定の機能を併せ持つ装置を構成してもよい。例えば、レチクルの透過率が２０％のプロセスと８０％のプロセスとについて当該熱量に関する情報を予め記憶しておけば、レチクル透過率が異なる他のプロセスでの当該熱量は上記二つの記憶情報から補間して推定されうる。
【００５０】
上記実施形態では、記憶装置２０が記憶する情報は、液浸制御部１８により利用されるが、液浸制御部１８を介さず直接に温度制御部１９により利用されるよう構成してもよい。
【００５１】
また、供給する液体の温度制御は、上述したフィードフォワード制御と、流路を流れる液体ｆの温度を検出するセンサ２３の出力に基づくフィードバック制御とを併用してもよい。
【００５２】
［デバイス製造方法の実施形態］
つぎに、本発明の一実施形態のデバイス（半導体デバイス、液晶表示デバイス等）の製造方法について説明する。
【００５３】
半導体デバイスは、ウエハ（半導体基板）に集積回路を作る前工程と、前工程で作られたウエハ上の集積回路チップを製品として完成させる後工程とを経ることにより製造される。前工程は、前述の露光装置を使用して感光剤が塗布されたウエハを露光する工程と、ウエハを現像する工程とを含みうる。後工程は、アッセンブリ工程（ダイシング、ボンディング）と、パッケージング工程（封入）とを含みうる。また、液晶表示デバイスは、透明電極を形成する工程を経ることにより製造される。透明電極を形成する工程は、透明導電膜が蒸着されたガラス基板に感光剤を塗布する工程と、前述の露光装置を使用して、感光剤が塗布されたガラス基板を露光する工程と、ガラス基板を現像する工程とを含みうる。
【００５４】
本実施形態のデバイス製造方法は、デバイスの生産性及び品質の少なくとも一方において従来よりも有利である。
【００５５】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形及び変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明に係る液浸露光装置の構成を概略的に示す図
【図２】投影光学系とウエハとの間隙を液体で満たす工程を模式的に示す図
【図３Ａ】ウエハの温度変化を示すチャート
【図３Ｂ】レンズの温度変化を示すチャート
【図３Ｃ】ウエハチャックの温度変化を示すチャート
【図３Ｄ】従来の技術での液体の温度変化を示すチャート
【符号の説明】
【００５７】
１：原版（レチクル）
２：照明光学系
３：レチクルステージ
４：投影光学系
５：液体供給ノズル
６：液体回収ノズル
７：液体供給部
８：液体回収部
９：ウエハ(基板)
１０：ウエハステージ（基板ステージ）
１１：参照ミラー
１２：測距用レーザ干渉計
１３：ステージ制御部
１４,１５：定盤
１６：供給管
１７：回収管
１８：液浸制御部
１９：温度制御部
２０：記憶装置
２２：走査露光制御部
２３：センサ
ｆ：液体
【図１】
2010123639.tif 000003
【図２】
2010123639.tif 000004
【図３Ａ】
2010123639.tif 000005
【図３Ｂ】
2010123639.tif 000006
【図３Ｃ】
2010123639.tif 000007
【図３Ｄ】
2010123639.tif 000008