(57)【要約】【課題】半導体装置は、熱膨張係数の違いにより応力又は反りが発生する恐れがある。このような応力や反りが発生すると、マザーボード等への半導体装置の実装時に外部電極が部分的に接続されない等、接続不良を生じるという問題がある。【解決手段】開口部１４を有する絶縁基材１２と、前記開口部１４に設けられた半導体チップ３０と、前記絶縁基材１２の一方の面１２ａに、前記開口部１４を覆うように積層された絶縁層１６と、前記絶縁基材１２の他方の面１２ｂに、前記開口部１４及び前記半導体チップ３０を埋めるように積層された封止樹脂層４０と、前記絶縁基材１２の一面に配置され、前記絶縁層１６から露出するように設けられた外部電極と、前記外部電極と前記半導体チップ３０とを電気的に接続する導通体２０とを設ける。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有する絶縁基材と、
前記開口部に設けられた半導体チップと、
前記絶縁基材の一方の面に、前記開口部を覆うように積層された絶縁層と、
前記絶縁基材の他方の面に、前記開口部及び前記半導体チップを埋めるように積層された封止樹脂層と、
前記絶縁基材の一面に配置され、前記絶縁層から露出するように設けられた外部電極と、
前記外部電極と前記半導体チップとを電気的に接続する導通体とを有する、半導体装置。
【請求項２】
開口部を有する絶縁基材と、前記絶縁基材の一方の面に設けられた第一の配線層と、前記絶縁基材の他方の面に設けられた第二の配線層と、前記第一の配線層と前記第二の配線層とを電気的に接続する貫通配線と、前記開口部を覆うように前記絶縁基材の一方の面に積層された絶縁層とからなる配線基板と、
前記開口部内に設けられ、前記第二の配線層と電気的に接続された半導体チップと、
前記配線基板の他方の面に、前記開口部及び前記半導体チップを埋めるように積層された封止樹脂層と、
前記絶縁基材の一面に配置され、前記絶縁層から露出するように設けられた外部電極とを有する、半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁層の厚さが、前記封止樹脂層の前記他方の面上の厚さと略同一である、請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記絶縁層の熱膨張係数が、前記封止樹脂層の熱膨張係数と略同一である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁層の厚さが前記封止樹脂層の前記他方の面上の厚さより薄く、かつ、前記絶縁層の熱膨張係数が前記封止樹脂層の熱膨張係数より大きい、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記絶縁層の厚さが前記封止樹脂層の前記他方の面上の厚さより厚く、かつ、前記絶縁層の熱膨張係数が前記封止樹脂層の熱膨張係数より小さい、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記導通体は、前記絶縁基材の一方の面に設けられ前記外部電極と接続される第一の配線層、前記絶縁基材の他方の面に設けられた第二の配線層及び前記絶縁基材を貫通し前記第一の配線層と前記第二の配線層とを接続する貫通配線からなる、請求項１、３〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記絶縁層が、前記絶縁基材の一方の面の全面に積層されている、請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記封止樹脂層が、前記絶縁基材の他方の面の全面に積層されている、請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体チップが前記絶縁層上に搭載されている、請求項１〜９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第二の配線層と前記半導体チップとをボンディングワイヤで連結する、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記ボンディングワイヤが、前記封止樹脂層で埋められている、請求項１１に記載の半導体装置。
【請求項１３】
絶縁基材に開口部が形成され、前記開口部に設けられる半導体チップと外部電極とを電気的に接続する導通体が設けられ、前記配線基板の一方の面に前記開口部を覆うように積層された絶縁層を有する配線基板を準備する準備工程と、
前記開口部に半導体チップを設ける工程と、
前記半導体チップと前記導通体とを電気的に接続する工程と、
前記絶縁基材の他方の面に、前記開口部及び前記半導体チップを埋める封止樹脂層を積層する工程と、
前記絶縁基材の一面に配置され、前記絶縁層から露出するように、前記導通体と接続される外部電極を設ける工程とを有する、半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記準備工程は、絶縁基材に開口部を形成する操作と、前記絶縁基材に導通体を設ける操作と、前記絶縁基材の一方の面に前記開口部を覆う絶縁層を積層する操作とを有する、請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）構造の半導体装置としては、例えば、半導体チップが、一方の面に配線パターンが設けられた半導体基板（配線基板）上に搭載されたものが挙げられる（例えば、特許文献１）。このＢＧＡ構造の半導体装置は、配線基板の一面側に所定の回路が形成され、複数の電極パッドが形成された半導体チップが搭載されている。また、前記配線基板の他面側には、前記半導体チップ上の電極パッドに対応した外部電極となる半田ボールが格子状に配置されている。そして、前記半導体チップ上の電極パッドと、それに対応する外部電極とは、前記配線基板の配線等を介して電気的に接続されている。前記配線基板の一面上には、封止部が設けられ、少なくとも半導体チップ及び配線基板との接続部を覆うように形成されている。
このような従来のＢＧＡ構造の半導体装置は、例えば、複数の製品を同時に製造するＭＡＰ（Ｍｏｌｄ  Ａｒｒａｙ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）方式で製造される。
【０００３】
また、半導体装置の薄型化を図るため、開口部を有する配線基板を用いたＢＧＡ構造の半導体装置が提案されている（例えば、特許文献２）。特許文献２の半導体装置は、配線基板の開口部内に、サポートテープにより半導体チップを配置するように構成されている。かかる構成により、半導体装置間にクリアランスを形成し、ＢＧＡ構造の半導体装置を積層した積層構造体において、半導体装置間の接続部分へのストレス軽減を図っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−０４４２２９号公報
【特許文献２】特開２００３−１３３５２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の半導体装置は、半導体チップを配線基板にＤＡＦ（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈ  ｆｉｌｍ）や接着剤等で接着固定するように構成されている。このため、熱膨張係数の異なる材料が配線基板に接着固定されることとなり、製造段階で半導体装置に応力が発生し、外部電極等に応力が加わる。この応力により、外部電極に破断が生じる恐れがあった。特許文献２の半導体装置は、配線基板の一方の面に設けられたサポートテープと他方の面に設けられた封止樹脂との熱膨張のバランスが悪く、半導体装置に応力又は反りが発生する恐れがある。このような応力や反りが発生すると、マザーボード等への半導体装置の実装時に、外部電極が部分的に接続されない等、接続不良を生じるという問題があった。特に、複数の半導体装置を積層した半導体装置においては、個々の半導体装置の反りや応力の影響が大きい。
このように、従来の技術では、応力又は反りの発生により、二次実装の信頼性が低下するという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体装置は、開口部を有する絶縁基材と、前記開口部に設けられた半導体チップと、前記絶縁基材の一方の面に、前記開口部を覆うように積層された絶縁層と、前記絶縁基材の他方の面に、前記開口部及び前記半導体チップを埋めるように積層された封止樹脂層と、前記絶縁基材の一面に配置され、前記絶縁層から露出するように設けられた外部電極と、前記外部電極と前記半導体チップとを電気的に接続する導通体とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の半導体装置は、絶縁基材に開口部を形成し、該開口部に半導体チップを設けることで、絶縁基材上に半導体チップを搭載した半導体装置に比べ薄型化が図れる。加えて、絶縁基材の一方の面に絶縁層を積層し、他方の面に封止樹脂層を積層することで、絶縁層が膨張又は収縮する際には、封止樹脂層も膨張又は収縮することとなる。即ち、絶縁基材を絶縁層と封止樹脂層とで挟み込む構成とすることで、例えば、絶縁層が膨張した場合には封止樹脂層も膨張するため、半導体装置の熱膨張のバランスを向上し、半導体装置の応力及び反りの発生を低減できる。これにより、外部電極の接続不良を防止し、半導体装置の二次実装の信頼性の向上が図れる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の半導体装置の一実施形態を示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ’断面図である。
【図３】（ａ）本発明の半導体装置の製造に用いる配線母基板を示す平面図である。（ｂ）図３（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。
【図４】本発明の半導体装置の製造に用いる配線母基板の製造工程を示す断面図である。
【図５】本発明の半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（半導体装置）
本発明の半導体装置の一実施形態について、図１、２を用いて説明する。図１は、本発明の半導体装置１の平面図である、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ’断面図である。
図１、２に示すように、半導体装置１は、ＢＧＡ型の半導体装置であり、略矩形の配線基板１０と、配線基板１０の略矩形の開口部１４に設けられた半導体チップ３０とを有する。
【００１０】
配線基板１０は、開口部１４を有する略矩形の絶縁基材１２と、開口部１４の周縁を囲うように設けられた複数の導通体２０と、絶縁基材１２の一方の面１２ａに開口部１４を覆うように積層された絶縁層１６とで構成されている。導通体２０は、絶縁基材１２の面１２ａに設けられた第一の配線層２２と、絶縁基材１２の面１２ｂに設けられた第二の配線層２６と、絶縁基材１２を貫通し第一の配線層２２と第二の配線層２６とを電気的に接続する貫通配線２４とで構成されている。絶縁膜１６は、第一の配線層２２の少なくとも一部が露出したランド部６２が形成されるように積層されている。ランド部６２上には、半田等からなる金属ボール（外部電極）６０が設けられている。前記ランド部６２は、例えば、グリッドアレイ（格子）状に配置される。
【００１１】
開口部１４には、半導体チップ３０が、接着層３４を介して絶縁層１６に固定されている。半導体チップ３０は、その各辺が開口部１４の内壁と１０μｍ程度、離間するように配置されている。
半導体チップ３０の面３０ａには、所定の回路（不図示）が設けられている。半導体チップ３０の面３０ａの周縁近傍には、複数の電極パッド３２が設けられている。電極パッド３２は、Ａｕ等の導電性材料からなるボンディングワイヤ（以下、単にワイヤという）５０により、対応する第二の配線層２６と接続されている。こうして、半導体チップ３０は、導通体２０及びワイヤ５０を介して、その対応する金属ボール６０と電気的に接続されている。電極パッド３２を除き、半導体チップ３０の面３０ａには、図示されない絶縁性の保護膜が設けられ、面３０ａに設けられた回路が保護されている。
【００１２】
絶縁基材１２の他方の面１２ｂには、開口部１４、半導体チップ３０及びワイヤ５０を埋めるように、封止樹脂層４０が積層されている。
【００１３】
絶縁基材１２は、例えばガラスエポキシ基材が挙げられる。絶縁基材１２の厚さは、例えば、５０〜２００μｍが好ましく、搭載する半導体チップ３０の厚さと略同じ厚さに構成するのがより好ましい。上記範囲内であれば、半導体装置１の薄型化が図れると共に、適度な強度が維持できるためである。絶縁基材１２のＣＴＥ（Ｃｏｎｆｆｉｃｉｅｎｔ  ｏｆ  ｔｈｅｒｍａｌ  ｅｘｐａｎｓｉｏｎ：熱膨張係数）は、半導体チップ３０のＣＴＥを考慮して決定することができ、例えば、ＣＴＥを５〜１５×１０−６／℃とすることが好ましい。また、例えば、半導体チップ３０の基材となるＳｉのＣＴＥと同等に、ＣＴＥを５×１０−６／℃とすることが好ましい。
なお、ＣＴＥは線膨張率であり、温度上昇に対応して長さが変化する割合の値である（以降において同じ）。
【００１４】
絶縁層１６は、例えば、ソルダーレジストが挙げられる。絶縁層１６の厚さｔ１（図２参照）は、封止樹脂層４０の厚さ等を考慮して決定することができ、例えば、２０〜３００μｍの範囲で決定でき、２０〜４０μｍとすることが好ましい。
絶縁層１６のＣＴＥは、絶縁層１６の厚さｔ１等を考慮して決定することができ、例えば、絶縁層１６の厚さｔ１が２０〜４０μｍであれば、ＣＴＥを２０〜３０×１０−６／℃とすることが好ましい。また、例えば、厚さｔ１が４０μｍであれば、ＣＴＥを３０×１０−６／℃とすることが好ましい。上記のような厚さ及びＣＴＥとすることで、絶縁層１６と封止樹脂層４０の熱膨張をバランスさせ、熱膨張に起因する半導体装置１への応力や反りの発生を低減できる。
【００１５】
封止樹脂層４０は、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなる封止部である。封止樹脂層４０の厚さｔ２（図２参照）は、封止樹脂層４０からワイヤ５０が露出しないことを考慮して決定することができ、例えば、１００〜３００μｍとすることが好ましい。なお、封止樹脂層４０の厚さｔ２は、絶縁基材１２の面１２ｂ上の厚さであり、開口部１４と半導体チップ３０との隙間に充填され形成された部分を含まない厚さである。
封止樹脂層４０のＣＴＥは、封止樹脂層４０の厚さｔ２等を考慮して決定することができ、例えば、封止樹脂層４０の厚さｔ２が１００〜３００μｍであれば、ＣＴＥを５〜２０×１０−６／℃とすることが好ましい。また、例えば、厚さｔ２が２００μｍであれば、ＣＴＥを６×１０−６／℃とすることが好ましい。上記のような厚さ及びＣＴＥとすることで、絶縁層１６と封止樹脂層４０の熱膨張をバランスさせ、熱膨張に起因する半導体装置１への応力や反りの発生を低減できる。
【００１６】
絶縁層１６及び封止樹脂層４０の厚さとＣＴＥを調整することで、さらに半導体装置１の反りを低減することができる。
例えば、絶縁層１６の厚さｔ１と、封止樹脂層４０の厚さｔ２とを略同一とすることが好ましく、同一であることがより好ましい。ｔ１とｔ２とを略同一とすることで、半導体装置１の反り防止効果を向上できる。ここで、略同一とは、ｔ１／ｔ２で表される厚さ比が、０．９５〜１．０５であることをいう。
【００１７】
また、例えば、絶縁層１６のＣＴＥ（以下、ＣＴＥ１）と、封止樹脂層４０のＣＴＥ（以下、ＣＴＥ２）とが略同一であることが好ましく、同一であることがより好ましい。ＣＴＥ１とＣＴＥ２とを略同一とすることで、半導体装置１の反り防止効果を向上できる。ここで、略同一とは、ＣＴＥ１／ＣＴＥ２で表される比が、０．９５〜１．０５であることをいう。
【００１８】
ｔ１＜ｔ２である場合には、ＣＴＥ１＞ＣＴＥ２となるように絶縁層１６及び封止樹脂層４０の材料を選択することが好ましい。このようなＣＴＥとすることで、半導体装置１の反り防止効果を向上できる。なお、ＣＴＥ２に対するＣＴＥ１の大きさの程度は、ｔ１／ｔ２で表される厚さ比の程度を勘案して決定することができる。
【００１９】
ｔ１＞ｔ２である場合には、ＣＴＥ１＜ＣＴＥ２となるように絶縁層１６及び封止樹脂層４０の材料を選択することが好ましい。このようなＣＴＥとすることで、半導体装置１の反り防止効果を向上できる。なお、ＣＴＥ１に対するＣＴＥ２の大きさの程度は、ｔ１／ｔ２で表される厚さ比の程度を勘案して決定することができる。
【００２０】
半導体チップ３０は、例えば、Ｓｉ基板上にＭＯＳトランジスタ等の半導体素子が形成されているものが挙げられる。半導体チップ３０の厚さは、例えば、５０〜２００μｍが好ましい。半導体チップ３０のＣＴＥは、例えば、５×１０−６／℃とすることが好ましい。
【００２１】
接着層３４としては、例えば、ＤＡＦや絶縁性の接着剤が挙げられる。
【００２２】
第一の配線層２２は、例えば、Ｃｕ等の導電性材料でパターニングされたものが挙げられる。第二の配線層２６は、第一の配線層２２と同様である。
貫通配線２４は、絶縁基材１２に形成された貫通孔に、Ｃｕ等の導電性材料を充填することで設けることができる。
【００２３】
（半導体装置の製造方法）
本発明の半導体装置の製造方法は、配線基板を準備する工程（準備工程）と、配線基板の開口部に半導体チップを設ける工程（ダイボンディング工程）と、半導体チップと配線基板の導通体とを電気的に接続する工程（ワイヤボンディング工程）と、絶縁基材の他方の面に開口部及び半導体チップを埋める封止樹脂層を積層する工程（樹脂封止工程）と、前記導通体と接続される外部電極を設ける工程（ボールマウント工程）とを有する。
【００２４】
本発明の半導体装置の製造方法の一例について、図３〜５を用いて説明する。図３（ａ）は、本発明の半導体装置１の製造に用いる配線母基板１００を示す平面図である。図３（ｂ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ’断面図である。図４は、本発明の半導体装置１の製造に用いる配線母基板１００の製造工程を示す断面図である。図５は、本発明の半導体装置１の製造工程を示す断面図である。
【００２５】
準備工程は、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、それぞれの製品形成部１１０に開口部１４を有する配線母基板１００を準備する工程である。配線母基板１００は、購入により準備してもよいし、後述する製造方法により製造してもよい。
【００２６】
半導体装置１の製造に用いる配線母基板について説明する。図３（ａ）、（ｂ）に示すように、配線母基板１００は、ＭＡＰ方式で処理されるものである。配線母基板１００は、絶縁基材１２の原体である絶縁母基材１０１に、複数の製品形成部１１０がマトリクス状に配置された構成となっている。製品形成部１１０間は、製品形成部１１０を個別分離して配線基板１０とするダイシングライン１０６とされている。製品形成部１１０は、ダイシングライン１０６で切断分離した後に、配線基板１０となる部位で、配線基板１０と同様の構成である。
前記マトリックス状に配置された複数の製品形成部１１０の周囲には、枠部１０２が設けられている。枠部１０２には所定の間隔で位置決め孔１０４が設けられ、搬送や位置決めが可能に構成されている。
図３（ｂ）に示すように、絶縁層１６には孔が設けられ、第一の配線層２２の一部が露出したランド部６２が形成されている。
【００２７】
配線母基板１００の製造方法の一例について、図４を用いて説明する。配線母基板１００の製造は、絶縁基材に開口部を形成する操作（開口操作）と、絶縁基材に導通体を設ける操作（導通体形成操作）と、絶縁基材の一方の面に絶縁層を積層する操作（絶縁層積層操作）とを有する。
【００２８】
図４（ａ）に示すように、切断パンチによる打ち抜きやエッチング等により、絶縁母基材１０１の製品形成部１１０に該当する位置に、複数の開口部１４を設ける（開口操作）。絶縁母基材１０１は、例えば、略矩形板状のガラスエポキシ基材である。
【００２９】
切断パンチによる打ち抜きやエッチング等により、絶縁母基材１０１の貫通配線２４を設ける位置に、複数のビア用孔１２０を形成する（図４（ａ））。図４（ｂ）に示すように、ビア用孔１２０内に導電性材料、例えばＣｕを充填し貫通配線２４を設ける。
次いで、絶縁母基材１０１の面１０１ｂに全面に渡って、導体層、例えばＣｕフィルムを配置し、導体層を任意のパターンにエッチングすることで、図４（ｃ）に示すように、第二の配線層２６を設ける。
絶縁母基材１０１の面１０１ａに、面１０１ｂ側と同様にして、図４（ｄ）に示すような任意のパターンの第一の配線層２２を設ける。こうして、第一の配線層２２と貫通配線２４と第二の配線層２６からなる導通体２０を設ける（以上、導通体形成工程）。
【００３０】
図４（ｅ）に示すように、面１０１ａの全面に渡って、例えば４０μｍ以上の厚さのソルダーレジストフィルムを配設し、開口部１４及び第一の配線層２２を覆う絶縁層１６を設ける。
次いで、図４（ｆ）に示すように、第一の配線層２２における外部電極の搭載位置であるランド部に対応する絶縁層１６をエッチングして孔を形成し、第一の配線層２２が部分的に露出したランド部６２を形成する（以上、絶縁層積層操作）。こうして、配線母基板１００を製造することができる。
【００３１】
配線母基板１００を用いた、半導体装置１の組立方法の一例について、図５を用いて説明する。半導体装置１の組立方法は、ダイボンディング工程と、ワイヤボンディング工程と、樹脂封止工程と、ボールマウント工程とを有する。
【００３２】
図５（ａ）に示すように、配線母基板１００に形成された開口部１４のそれぞれに、半導体チップ３０を配置する。半導体チップ３０は、電極パッド３２が形成されている面の反対側の面を接着層（不図示）、例えばＤＡＦ又は絶縁性の接着剤等を介して、開口部１４内の絶縁層１６に接着固定する。この際、半導体チップ３０の各辺が開口部１４の内壁と１０μｍ程度、離間するように配置する（ダイボンディング工程）。
【００３３】
図５（ｂ）に示すように、開口部１４内に配置された半導体チップ３０の電極パッド３２と、第二の配線層２６とを導電性材料、例えばＡｕ等からなるワイヤ５０で連結する（ワイヤボンディング工程）。これにより半導体チップ３０の電極パッド３２と、それに対応する第一の配線層２２とが、ワイヤ５０、第二の配線層２６及び貫通配線２４を介して電気的に接続される。
ワイヤボンディング工程は、例えば、ワイヤボンディング装置により、溶融され先端にボールが形成されたワイヤ５０を電極パッド３２に超音波熱圧着することで接続した後、任意のループ形状を描き、ワイヤ５０の後端を対応する第二の配線層２６に超音波熱圧着する。半導体チップ３０を開口部１４内に配置したことで、ワイヤ５０の長さを短くすることができ、ワイヤ断線やワイヤ流れ等を低減できる。
【００３４】
図５（ｃ）に示すように、マトリクス状に配置された複数の製品形成部１１０をエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂（封止樹脂）により一括的に封止する。こうして、配線母基板１０１の面１０１ｂ上に、少なくとも開口部１４、半導体チップ３０及びワイヤ５０を埋めるように封止樹脂層４０が積層される（樹脂封止工程）。この際、開口部１４と半導体チップ３０との隙間には、封止樹脂が充填される。
樹脂封止工程は、例えば、トランスファモールド装置の上型と下型からなる成形金型で、配線母基板１００を型締めし、上型と下型によって形成されたキャビティ内にゲートからエポキシ樹脂を圧入した後、封止樹脂を熱硬化することで封止樹脂層４０を設けることができる。
【００３５】
図５（ｄ）に示すように、配線母基板１０１の面１０１ａ側に格子状に配置された複数のランド部６２上に、導電性の金属ボール（外部端子）６０を搭載する。ボールマウント工程では、ランド部６２の配置に合わせ複数の吸着孔が形成された吸着機構を用いて、例えば半田等からなる金属ボール６０を吸着孔に保持し、保持された金属ボール６０にフラックスを転写形成し、ランド部６２に一括搭載する。金属ボール６０搭載後、リフローすることで、外部端子である金属ボール６０を絶縁層１６から露出させ固定できる。こうして、端子付母基板２００が得られる。なお、図５（ｄ）及び（ｅ）は、図５（ａ）〜（ｃ）に対し、絶縁母基材１０１の面１０１ａと面１０１ｂとが反転した形態で示されている。
【００３６】
図５（ｅ）に示すように、ダイシングライン１０６に沿って、端子付母基板２００を切断し、個々の半導体装置１とする（基板ダイシング工程）。基板ダイシング工程では、端子付母基板２００の封止樹脂層４０側面をダイシングテープ１３０に接着し、ダイシングテープ１３０によって端子付母基板２００を支持する。端子付母基板２００をダイシングブレードにより、ダイシングライン１０６に沿って縦横に切断し、個片化する。図５（ｅ）では、フルカットダイシングによって切断されているが、個片化された半導体装置１はダイシングテープ１３０に支持されている。ダイシング工程終了後、ダイシングテープ１３０から半導体装置１をピックアップすることで、図１、２に示すような半導体装置１が得られる。
【００３７】
上述のように、本発明の半導体装置１は、絶縁基材１２に開口部１４を形成し、該開口部１４に半導体チップ３０を設けることで、絶縁基材１２上に半導体チップ３０を搭載した半導体装置に比べ薄型化が図れる。加えて、絶縁基材１２の一方の面に絶縁層１６を積層し、他方の面に封止樹脂層４０を積層することで、絶縁層１６が膨張又は収縮する際には、封止樹脂層４０も膨張又は収縮することとなる。即ち、絶縁基材１２を絶縁層１６と封止樹脂層４０とで挟み込む構成とすることで、半導体装置１を構成する各部材の熱膨張のバランスが向上し、半導体装置１の応力及び反りの発生を低減できる。これにより、外部電極６０の接続不良を防止し、半導体装置１の二次実装の信頼性の向上が図れる。
【００３８】
加えて、絶縁層１６及び封止樹脂層４０の厚さとＣＴＥを調整することで、半導体装置１の反り発生をさらに低減できる。
【００３９】
上述したようなＭＡＰ方式で製造された半導体装置１は、一括封止された配線母基板１００をダイシングにより切断・分離しているため、配線基板１０と封止樹脂層４０との側面は同一平面で形成され、良好な六面体の構造が得られる。
【００４０】
本発明の半導体装置の製造方法は、絶縁基材１２の一方の面に開口部１４及び半導体チップ３０を埋めるように封止樹脂層４０を積層する。このため、従来のようにサポートテープ等の半導体チップの搭載部材を用いることなく、開口部１４に半導体チップ３０を設け、かつ、絶縁基材１２を絶縁層１６及び封止樹脂層４０とで挟み込む構成の半導体装置１を容易に製造できる。
【００４１】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではない。
上述の実施形態の半導体チップ３０には、その周縁近傍に複数の電極パッド３２が設けられているが、例えば、センターパッド等、異なる電極パッド配置の半導体チップを用いてもよい。
【００４２】
上述の実施形態では、ＢＧＡ方式の半導体装置に適用した場合について説明したが、ＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）等、他の方式の半導体装置に適用してもよい。
【００４３】
上述の実施形態では、ＭＡＰ方式による半導体装置の製造方法について説明したが、本発明の半導体装置の製造方法はこれに限定されない。例えば、絶縁母基材に換えて、予め個片化した絶縁基材を用い、個々に半導体装置を製造してもよい。
【符号の説明】
【００４４】
１      半導体装置
１０    配線基板
１２    絶縁基材
１４    開口部
１６    絶縁層
２０    導通体
２２    第一の配線層
２４    貫通配線
２６    第二の配線層
３０    半導体チップ
４０    封止樹脂層
６０    金属ボール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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