(57)【要約】【課題】  蛍光体ペーストを焼成する工程において、蛍光体の輝度が劣化するのを抑制する。【解決手段】  硫化物蛍光体とバインダー樹脂とを含む蛍光体ペーストを基板に付与する工程と、前記蛍光体ペーストをＴＤＰ−ＭＳ法で測定した場合に水の発生量が最大となる温度以下の第一の温度で一定時間焼成する第一焼成工程と、前記第一焼成工程の後に、前記蛍光体ペーストをＴＤＰ−ＭＳ法で測定した場合に二酸化炭素の発生量が極小となる温度以上の第二の温度で一定時間焼成する第二焼成工程と、を有することを特徴とする。【選択図】  図４
2010123499.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
硫化物蛍光体とバインダー樹脂とを含む蛍光体ペーストを基板に付与する工程と、
前記蛍光体ペーストをＴＤＰ−ＭＳ法で測定した場合に水の発生量が最大となる温度以下の第一の温度で一定時間焼成する第一焼成工程と、
前記第一焼成工程の後に、前記蛍光体ペーストをＴＤＰ−ＭＳ法で測定した場合に二酸化炭素の発生量が極小となる温度以上の第二の温度で一定時間焼成する第二焼成工程と、
を有することを特徴とする蛍光体基板の製造方法。
【請求項２】
前記バインダー樹脂は、アクリル樹脂であることを特徴とする請求項１記載の蛍光体基板の製造方法。
【請求項３】
前記バインダー樹脂は、エチルセルロースであることを特徴とする請求項１記載の蛍光体基板の製造方法。
【請求項４】
前記第二の温度は、前記蛍光体ペーストをＴＤＰ−ＭＳ法で測定した場合に二酸化炭素の発生量が極大となる温度のうち高温側の温度以上の温度であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の蛍光体基板の製造方法。
【請求項５】
蛍光体基板を有する画像表示装置の製造方法であって、
前記蛍光体基板は、請求項１乃至４のいずれかに記載の蛍光体基板の製造方法によって製造されることを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記画像表示装置は、電子放出素子を備える電子源基板を有する画像表示装置であることを特徴とする請求項５に記載の画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は蛍光体基板の製造方法に関する。また、蛍光体基板を有する画像表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）やＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）などのように、蛍光体の発光により画像を表示する画像表示装置が知られている。これらの画像表示装置の蛍光体基板を製造する工程においては、蛍光体粒子をバインダー樹脂と溶媒とで分散した蛍光体ペーストが用いられている。この蛍光体ペーストを用いてスクリーン印刷を行い、その後、蛍光体ペーストを焼成することにより、バインダー樹脂の有機成分を分解し、蛍光体基板が形成されている。
【０００３】
ここで、蛍光体ペーストの焼成が不十分であると、蛍光体基板に有機物の分解残渣が残り、発光輝度が低下する。そのため、焼成工程においては、バインダー樹脂の有機成分を完全に分解することが望まれている。
【０００４】
熱分解性に優れた蛍光体ペーストとして、より低温でバインダー樹脂を熱分解できる蛍光体ペーストが提案されている（特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００６−２８３３４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、蛍光体ペーストを焼成する工程において、蛍光体の輝度が劣化するのを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の蛍光体基板の製造方法は、硫化物蛍光体とバインダー樹脂とを含む蛍光体ペーストを基板に付与する工程と、前記蛍光体ペーストをＴＤＰ−ＭＳ法で測定した場合に水の発生量が最大となる温度以下の第一の温度で一定時間焼成する第一焼成工程と、前記第一焼成工程の後に、前記蛍光体ペーストをＴＤＰ−ＭＳ法で測定した場合に二酸化炭素の発生量が極小となる温度以上の第二の温度で一定時間焼成する第二焼成工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、蛍光体ペーストを焼成する工程において、蛍光体の輝度が劣化するのを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
（実施例１）
（画像表示装置の構成）
まず、画像表示装置の構成について、図１を用いて説明する。本実施形態では、画像表示装置として電子放出素子を有する画像表示装置を例として、以下に説明する。
【０００９】
図１は、電子放出素子を有する画像表示装置の構造の一例を示す斜視図であり、その内部構造を示すために一部を切り欠いて示している。図中、１は基板、３２は走査配線、３３は変調配線、３４は電子放出素子である。電子放出素子３４としては、表面伝導型電子放出素子、スピント型、ＭＩＭ型、カーボンナノチューブ型などの電子放出素子を用いることができる。４１は基板１を固定した電子源基板、４６はガラス基板４３の内面に蛍光体４４とアノード電極としてのメタルバック４５等が形成された蛍光体基板である。４２は支持枠であり、この支持枠４２に電子源基板４１、蛍光体基板４６がフリットガラス等を介して取り付けられ、外囲器４７を構成している。ここで、電子源基板４１は主に基板１の強度を補強する目的で設けられるため、基板１自体で十分な強度を持つ場合には、別体の電子源基板４１は不要である。また、蛍光体基板４６と電子源基板４１との間に、スペーサーとよばれる不図示の支持体を設置することにより、大気圧に対して十分な強度を持たせた構成とすることもできる。
【００１０】
ｍ本の走査配線３２は、端子Ｄｘ１，Ｄｘ２，…Ｄｘｍと接続されている。ｎ本の変調配線３３は、端子Ｄｙ１，Ｄｙ２，…Ｄｙｎと接続されている（ｍ，ｎは、共に正の整数）。これらｍ本の走査配線３２とｎ本の変調配線３３との間には、不図示の層間絶縁層が設けられており、両者を電気的に分離している。
【００１１】
高圧端子はメタルバック４５に接続され、例えば１０［ｋＶ］の直流電圧が供給される。これは電子放出素子から放出される電子に蛍光体を励起するのに十分なエネルギーを付与する為の加速電圧である。
【００１２】
（蛍光体基板の製造方法）
本発明の蛍光体基板の製造方法を説明するのに先立って、まず、焼成工程において蛍光体の表面に変質層が形成されるメカニズムについて説明する。
【００１３】
蛍光体として硫化物蛍光体を用いた場合、蛍光体ペーストを焼成する工程において、バインダー樹脂を熱分解して放出される水と硫化物蛍光体とが反応する。本発明者は、この反応により、硫化物蛍光体の表面に硫酸塩を含む変質層が形成され、かかる変質層により蛍光体の発光輝度が低下することを見出した。
【００１４】
硫化物蛍光体としてＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、バインダー樹脂としてアクリル樹脂を用いた場合を例に挙げて、より詳しく説明する。蛍光体ペーストを４５０℃から５００℃で焼成すると、バインダー樹脂が分解されてＨ２ＯやＣＯ２が発生する。このＨ２ＯがＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕと反応すると、ＳｒｘＧａｙ（ＳＯ４）ｚのような硫酸塩が形成される。
【００１５】
実際に蛍光体表面に数十ｎｍオーダーの変質層が形成されることが断面ＴＥＭで確認された。また、焼成前後の蛍光体をＸ線光電子分光で測定すると、焼成後の蛍光体には硫酸塩の存在を示すスペクトルが確認された。この変質層は蛍光体の発光に寄与するものではなく、電子のエネルギーを阻害するものであるため、蛍光体の発光輝度を低下させる原因になると考えられる。
【００１６】
このような変質層が形成される反応は、熱エネルギーによって促進されるものと考えられる。従って、熱エネルギーが小さい状況で焼成を行うことにより、蛍光体の発光輝度の低下を抑制することができると考えられる。
【００１７】
以下、本発明の蛍光体基板の製造方法について、具体的な実施例により説明する。
【００１８】
（蛍光体ペースト）
本実施例で用いた蛍光体ペーストは、硫化物蛍光体としてＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、および図２に示すバインダー樹脂等を有するものである。硫化物蛍光体、反応性樹脂、現像樹脂（酸価１００）、光重合開始剤、および溶剤（酢酸ジエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル、以後ＢＣＡと表記）を、表１に示す割合で撹拌混合し、蛍光体ペーストを作製した。
【００１９】
【表１】
2010123499.tif 000003
【００２０】
（塗布、露光、現像）
この蛍光体ペーストをガラス基板上にスクリーン印刷により全面塗布した。そして、１７０℃の乾燥炉に７分間基板を投入し、溶剤分を乾燥させた。これにより、基板上に樹脂を含む蛍光体層を形成した。乾燥後の膜厚は１２μｍ程度であった。この基板を、高圧水銀ランプで露光した後、０．５％Ｎａ２ＣＯ３水溶液を用いて３５秒間現像した。最後に純水リンスを３０秒間行い、基板上に樹脂が架橋した蛍光体層を形成した。
【００２１】
（ＴＤＰ−ＭＳ測定）
その後、蛍光体層の一部を削り取った粉体をＴＤＰ−ＭＳ（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍｅｄ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）測定用サンプルとした。
【００２２】
このＴＤＰ−ＭＳ測定用サンプルを坩堝に入れ、Ｈｅ／Ｏ２＝８０／２０の擬似大気雰囲気（流量５０ｍｌ／分）中に３０分以上静置した後、加熱を行い発生ガス分析を行った。加熱は室温から５００℃まで４℃／分のレートで昇温させる条件で行った。
【００２３】
本実施例のＴＤＰ−ＭＳ測定結果を図３に示す。縦軸はガスの発生量、横軸はガスの発生温度である。アクリル樹脂の燃焼および分解は２５０℃から５００℃の範囲で起こり、主に発生するガスは樹脂の分解物、ＣＯ２、Ｈ２Ｏである。また、Ｈ２Ｏの発生と同期してＳＯ２も発生していることが確認された。このＳＯ２は、Ｈ２ＯがＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕと反応して、ＳｒｘＧａｙ（ＳＯ４）ｚのような硫酸塩を形成する際に発生するものと考えられる。すなわち、ＳＯ２の発生量が多いことはＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ表面により多くの変質層が形成されることを意味する。
【００２４】
以上より、焼成工程における輝度の劣化を抑制するためには、Ｈ２Ｏをより低温で発生させ、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ表面とＨ２Ｏとの反応を抑制することが好ましい。このような観点に基づく本実施例の詳細な焼成方法については後述する。
【００２５】
ここで、ＣＯ２の発生について、２つのピークが存在することが確認された。一般に樹脂の燃焼では、酸素供給量と燃焼速度がつり合わず、主に二つの燃焼過程により樹脂が焼失していく。一つ目は、燃焼速度に酸素供給が追いつかず、最初の燃焼過程ではより酸素と反応しやすいＣＨ結合の断裂に酸素がより消費される過程である。この際、ＣＯ２と共にＨ２Ｏが発生する。この過程で反応し切れなかった炭素分は、有機残渣として残る。二つ目は、その後に燃焼が進み、十分な酸素が供給されて残渣の燃焼が進んでいく過程である。この際もＣＯ２のピークとなる。有機残渣はアモルファスカーボン等の炭素リッチな残渣であり、電子線の進入阻害や蛍光体からの発光の再吸収などを引き起こし蛍光体の輝度低下の要因となり得る。そのため、輝度低下を抑制するためには、最終的には有機残渣を完全に分解する必要がある。
【００２６】
（焼成）
本実施例の焼成工程における温度プロファイルを図４に示す。横軸は時間、縦軸は焼成温度を示す。本実施例では焼成温度Ｔ１（「第一の温度」に相当）で時間ｔ１だけ焼成を行う第一焼成工程と、焼成温度Ｔ２（「第二の温度」に相当）で時間ｔ２だけ焼成を行う第二焼成工程とを有している。
【００２７】
ここで、Ｔ１としては、蛍光体ペーストをＴＤＰ−ＭＳ法で測定した場合に水の発生量が最大となる温度以下の温度とした。これは、Ｔ１を水の発生量が最大となる温度よりも高い温度とすると、Ｈ２ＯとＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕとの反応が促進されるためである。また、Ｔ２としては、
蛍光体ペーストをＴＤＰ−ＭＳ法で測定した場合に二酸化炭素の発生量が極小となる温度以上の温度とした。これは、Ｔ２を二酸化炭素の発生量が極小となる温度未満の温度とすると、第一焼成工程で残った有機残渣を十分に分解することが出来ないためである。なお、Ｔ２としては、蛍光体ペーストをＴＤＰ−ＭＳ法で測定した場合に二酸化炭素の発生量が極大となる温度のうち高温側の温度以上の温度、すなわち、二酸化炭素の二つ目のピーク温度以上の温度とすることがより好ましい。Ｔ２をより高温にすることにより、有機残渣をより完全に分解することが出来るためである。
【００２８】
図３からも明らかなように、本実施例では、３６０℃付近にＨ２ＯとＣＯ２のピークが存在する。また、３９０℃付近にＣＯ２の極小が存在する。更に、４２０℃付近にＣＯ２の２つ目のピークが存在する。
【００２９】
そこで、本実施例では、Ｔ１を３５０℃、ｔ１を１５時間として第一焼成工程を行い、その後、Ｔ２を５００℃、ｔ２を９０分として第二焼成工程を行った。
【００３０】
（輝度測定）
焼成した蛍光体基板から蛍光体を削り取り、カソードルミネッセンス輝度測定を行った。輝度測定結果を表２に示した。
【００３１】
【表２】
2010123499.tif 000004
【００３２】
焼成なし（ペースト化する前の初期粉体）の輝度を１００％とすると、本実施例の輝度は８６％であった。
【００３３】
（実施例２）
本実施例は、焼成工程における温度プロファイルが実施例１と異なり、それ以外については実施例１と同様である。
【００３４】
本実施例では、Ｔ１を３３０℃、ｔ１を１５時間として第一焼成工程を行い、その後、Ｔ２を５００℃、ｔ２を９０分として第二焼成工程を行った。
【００３５】
焼成なし（ペースト化する前の初期粉体）の輝度を１００％とすると、本実施例の輝度は８８％であった。
【００３６】
（実施例３）
本実施例は、焼成工程における温度プロファイルが実施例１と異なり、それ以外については実施例１と同様である。
【００３７】
本実施例では、Ｔ１を３５０℃、ｔ１を１０時間として第一焼成工程を行い、その後、Ｔ２を５００℃、ｔ２を９０分として第二焼成工程を行った。
【００３８】
焼成なし（ペースト化する前の初期粉体）の輝度を１００％とすると、本実施例の輝度は８９％であった。
【００３９】
（実施例４）
本実施例は、焼成工程における温度プロファイルが実施例１と異なり、それ以外については実施例１と同様である。
【００４０】
本実施例では、Ｔ１を３５０℃、ｔ１を９０分として第一焼成工程を行い、その後、Ｔ２を５００℃、ｔ２を９０分として第二焼成工程を行った。
【００４１】
焼成なし（ペースト化する前の初期粉体）の輝度を１００％とすると、本実施例の輝度は７９％であった。
【００４２】
（比較例１）
本比較例は、焼成工程における温度プロファイルが実施例１と異なり、それ以外については実施例１と同様である。
【００４３】
本比較例の焼成工程における温度プロファイルを図５に示す。
【００４４】
本比較例は公知の焼成工程のように焼成温度Ｔ０まで昇温し、温度Ｔ０において時間ｔ０だけ焼成を行うものである。本比較例では、Ｔ０を５００℃、ｔ０を９０分とした。
【００４５】
焼成なし（ペースト化する前の初期粉体）の輝度を１００％とすると、本比較例の輝度は７７％であった。
【００４６】
実施例１から実施例４、比較例１の測定結果より、実施例のような二段階の焼成工程をおこなうことにより、蛍光体ペーストを焼成する工程において、蛍光体の輝度が劣化するのを抑制することができることが分かる。
【００４７】
また、実施例２のように第一の温度Ｔ１を実施例１よりも低い温度である３３０℃とすることにより、蛍光体の輝度の劣化を更に抑制することができることが分かる。これは、蛍光体表面における水の反応を抑制できた結果であると考えられる。
【００４８】
また、実施例３のようにｔ１を実施例１よりも短い時間である１０時間とすることにより、蛍光体の輝度の劣化を更に抑制することができることが分かる。
【００４９】
また、実施例４のようにｔ１を実施例３よりも更に短い時間である９０分とすると、比較例１に比べれば輝度の劣化を抑制することができるものの、実施例１から実施例３に比べると輝度が劣化することが分かる。これは、実施例４では第一焼成工程の時間ｔ１が短すぎるため、第一焼成工程において樹脂を十分に分解できなかったためと考えられる。本発明は実施例４を除外するものではないが、より低温で短時間により多くのＨ２Ｏを発生させることが好ましい。
【００５０】
（実施例５）
本実施例は、実施例１から実施例４、比較例１とは異なる蛍光体ペーストを用いた。
【００５１】
（蛍光体ペースト）
本実施例で用いた蛍光体ペーストは、硫化物蛍光体としてＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ（以下、本実施例においてＺｎＳと表記する）、バインダー樹脂としてエチルセルロースを用いた。硫化物蛍光体、エチルセルロース、溶剤を、表３に示す割合で撹拌混合し、蛍光体ペーストを作製した。
【００５２】
エチルセルロースはその物性により様々な種類が市販されており、一般的に粘度や溶解性を調整するため複数のエチルセルロースを混合して用いる。本実施例では重合度およびエチル化度の違うＮ−２００およびＳＴＤ−１００（冨士色素社製）を用いた。
【００５３】
【表３】
2010123499.tif 000005
【００５４】
（塗布）
この蛍光体ペーストをガラス基板上にスクリーン印刷により塗布した。なお、エチルセルロースは感光性を持たないため、露光、現像は行わない。そして、１３０℃の乾燥炉に７分間基板を投入し、溶剤分を乾燥させた。これにより、基板上にエチルセルロースを含む蛍光体層を形成した。乾燥後の膜厚は１２μｍ程度であった。
【００５５】
（ＴＤＰ−ＭＳ測定）
その後、蛍光体層の一部を削り取った粉体をＴＤＰ−ＭＳ測定用サンプルとした。
【００５６】
このＴＤＰ−ＭＳ測定用サンプルを坩堝に入れ、Ｈｅ／Ｏ２＝８０／２０の擬似大気雰囲気（流量５０ｍｌ／分）中に３０分以上静置した後、加熱を行い発生ガス分析を行った。加熱は室温から５００℃まで４℃／分のレートで昇温させる条件で行った。
【００５７】
本実施例のＴＤＰ−ＭＳ測定結果を図６に示す。グラフは、ＣＯ２、Ｈ２Ｏ、ＳＯ２のみを抽出したものである。エチルセルロースの燃焼および分解は２００℃から５００℃の範囲で起こり、主に発生するガスは樹脂の分解物、ＣＯ２、Ｈ２Ｏである。また、Ｈ２Ｏの発生と同期してＳＯ２も発生していることが確認された。このＳＯ２は、Ｈ２ＯがＺｎＳと反応する際に発生するものと考えられる。すなわち、ＳＯ２の発生量が多いことはＺｎＳ表面により多くの変質層が形成されることを意味する。
【００５８】
以上より、焼成工程における輝度の劣化を抑制するためには、上述した実施例と同様、Ｈ２Ｏをより低温で発生させ、ＺｎＳ表面とＨ２Ｏとの反応を抑制することが好ましい。
【００５９】
ここで、ＣＯ２の発生について、本実施例では複数のピークが確認された。最も低温側にある１つ目のピークは２２０℃付近に存在する。このピークはＨ２Ｏが最大となるピークと同期していることから、燃焼速度に酸素供給が追いつかず、最初の燃焼過程ではより酸素と反応しやすいＣＨ結合の断裂に酸素がより消費される過程によるものである。この過程で反応し切れなかった炭素分は、有機残渣として残る。更に２８０℃付近にＣＯ２の２つ目のピークが、３２０℃付近にＣＯ２の３つ目のピークが存在する。これらのピークは、１つ目のピークの後に燃焼が進み、十分な酸素が供給されて残渣の燃焼が進んでいく過程によるものである。有機残渣はアモルファスカーボン等の炭素リッチな残渣であり、電子線の進入阻害や蛍光体からの発光の再吸収などを引き起こし蛍光体の輝度低下の要因となり得る。そのため、輝度低下を抑制するためには、最終的には有機残渣を完全に分解する必要がある。
【００６０】
（焼成）
本実施例の焼成工程における温度プロファイルは、実施例１から実施例４と同様、図４に示すものである。
【００６１】
ここで、Ｔ１としては、蛍光体ペーストをＴＤＰ−ＭＳ法で測定した場合に水の発生量が最大となる温度以下の温度とした。これは、Ｔ１を水の発生量が最大となる温度よりも高い温度とすると、Ｈ２ＯとＺｎＳとの反応が促進されるためである。また、Ｔ２としては、
蛍光体ペーストをＴＤＰ−ＭＳ法で測定した場合に二酸化炭素の発生量が極小となる温度以上の温度とした。これは、Ｔ２を二酸化炭素の発生量が極小となる温度未満の温度とすると、第一焼成工程で残った有機残渣を十分に分解することが出来ないためである。
【００６２】
なお、Ｔ２としては、蛍光体ペーストをＴＤＰ−ＭＳ法で測定した場合に二酸化炭素の発生量が極大となる温度のうち高温側の温度以上の温度、すなわち、二酸化炭素の二つ目のピーク温度以上の温度とすることがより好ましい。Ｔ２をより高温にすることにより、有機残渣をより完全に分解することが出来るためである。ここで、本実施例のようにＣＯ２のピークが３つ以上存在する場合、二酸化炭素の発生量が極大となる温度のうち高温側の温度以上の温度とは、２つ目のピークの温度以上の温度を意味する。
【００６３】
上述したように、本実施例では、２２０℃付近にＨ２ＯとＣＯ２のピークが存在する。また、２４０℃付近にＣＯ２の極小が存在する。更に、２８０℃付近にＣＯ２の２つ目のピークが、３２０℃付近にＣＯ２の３つ目のピークが存在する。
【００６４】
そこで、本実施例では、Ｔ１を２１０℃、ｔ１を１５時間として第一焼成工程を行い、その後、Ｔ２を５００℃、ｔ２を９０分として第二焼成工程を行った。
【００６５】
（輝度測定）
焼成した蛍光体基板から蛍光体を削り取り、カソードルミネッセンス輝度測定を行った。輝度測定結果を表４に示した。
【００６６】
【表４】
2010123499.tif 000006
【００６７】
焼成なし（ペースト化する前の初期粉体）の輝度を１００％とすると、本実施例の輝度は９３％であった。
【００６８】
（比較例２）
本比較例は、焼成工程における温度プロファイルが実施例５と異なり、それ以外については実施例５と同様である。
【００６９】
本比較例の焼成工程における温度プロファイルを図５に示す。
【００７０】
本比較例は公知の焼成工程のように焼成温度Ｔ０まで昇温し、温度Ｔ０において時間ｔ０だけ焼成を行うものである。本比較例では、Ｔ０を５００℃、ｔ０を９０分とした。
【００７１】
焼成なし（ペースト化する前の初期粉体）の輝度を１００％とすると、本比較例の輝度は８７％であった。
【００７２】
実施例５、比較例１の測定結果より、本実施例のような二段階の焼成工程をおこなうことにより、蛍光体ペーストを焼成する工程において、蛍光体の輝度が劣化するのを抑制することができることが分かる。
【００７３】
（他の実施例）
（硫化物蛍光体）
上述した実施例においては、硫化物蛍光体としてＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ、ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌを用いた場合を例としたが、本発明はかかる硫化物蛍光体に限定されるものではない。例えば、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｃｅ３＋、ＣａＧａ２Ｓ４：Ｃｅ３＋、ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ、
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｕ、ＳｒＧａ２Ｓ４：Ｅｕ２＋、ＺｎＳ：Ａｕ，Ｃｕ，Ａｌ、
ＣａＳ：Ｅｕ３＋などの硫化物蛍光体を本発明に適用することも可能である。
【００７４】
（蛍光体ペースト）
上述した実施例においては、蛍光体ペーストとして表１や表３に示す組成のものとしたが、本発明はかかる蛍光体ペーストに限定されるものではない。すなわち、蛍光体基板に求められる発光特性に応じて、蛍光体ペーストの組成は適宜変更し得るものであり、どのような蛍光体ペーストであっても本発明を適用することが可能である。
【００７５】
（焼成）
上述した実施例においては、図４に示すような二段階での焼成を行ったが、本発明は三段階以上の焼成を除外するものではない。すなわち、少なくとも、蛍光体ペーストをＴＤＰ−ＭＳ法で測定した場合に水の発生量が最大となる温度以下の第一の温度で一定時間焼成する第一焼成工程と、第一焼成工程の後に、蛍光体ペーストをＴＤＰ−ＭＳ法で測定した場合に二酸化炭素の発生量が極小となる温度以上の第二の温度で一定時間焼成する第二焼成工程を有するものであれば、第一焼成工程と第二焼成工程との間に第一の温度、第二の温度とは異なる温度で焼成する工程が存在してもよい。また、第二焼成工程の後に、第二の温度とは異なる温度で焼成する工程が存在してもよい。
【００７６】
（画像表示装置）
上述した実施例においては、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）の蛍光体基板を例としたが、本発明はかかる構成に限定されるものではない。例えば、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）の蛍光体基板に対しても本発明を適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】画像表示装置の構造の一例を示す斜視図である。
【図２】バインダー樹脂の構造を示す図である。
【図３】ＴＤＰ−ＭＳ測定結果を示す図である。
【図４】実施例の焼成工程における温度プロファイルを示す図である。
【図５】比較例の焼成工程における温度プロファイルを示す図である。
【図６】ＴＤＰ−ＭＳ測定結果を示す図である。
【符号の説明】
【００７８】
３４  電子放出素子
４１  電子源基板
４４  蛍光体
４６  蛍光体基板
【図１】
2010123499.tif 000007
【図２】
2010123499.tif 000008
【図３】
2010123499.tif 000009
【図４】
2010123499.tif 000010
【図５】
2010123499.tif 000011
【図６】
2010123499.tif 000012