(57)【要約】【課題】パネルの画面の表示品位を保つ。【解決手段】電流に応じて発光する発光素子と、映像信号をサンプリングするサンプリング用トランジスタと、発光素子に電流を供給する駆動用トランジスタと、所定の電位を保持する保持容量とを備える画素が行列状に配置されて、有機ＥＬパネルが構成されている。有機ＥＬパネルにおいては、同一行に存在する画素に対して電源の信号を伝搬する電源線が各行毎に配置されており、電源線を複数本集合させたユニット毎に、同一ユニットに属する複数本の電源線の電位が一斉に切り替えられる。ユニットに属する前記電源線の本数であるユニットライン数が、列方向における外周部から中心部から外周部に向けて少なくなるように、即ち、Ｎａ > Ｎｂ > Ｎｃ > Ｎｄの関係を満たすように構成される。本発明は、例えば、パネル、表示装置、電子機器などに適用できる。【選択図】図１６
2010237359.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流に応じて発光する発光素子と、映像信号をサンプリングするサンプリング用トランジスタと、前記発光素子に前記電流を供給する駆動用トランジスタと、所定の電位を保持する保持容量とを備える画素が行列状に配置されており、
同一行に存在する前記画素に対して電源の信号を伝搬する電源線が各行毎に配置されており、
前記電源線を複数本集合させたユニット毎に、同一ユニットに属する複数本の前記電源線の電位を一斉に切換える電源線電位制御手段を備え、
ユニットに属する前記電源線の本数であるユニットライン数が、少なくとも、列方向における中心部と外周部とで異なっている
パネル。
【請求項２】
前記中心部のユニットライン数は、前記外周部のユニットライン数よりも少ない
請求項１に記載のパネル。
【請求項３】
電流に応じて発光する発光素子と、映像信号をサンプリングするサンプリング用トランジスタと、前記発光素子に前記電流を供給する駆動用トランジスタと、所定の電位を保持する保持容量とを備える画素が行列状に配置されており、
同一行に存在する前記画素に対して電源の信号を伝搬する電源線が各行毎に配置されており、
前記電源線を複数本集合させたユニットのうち、少なくとも、列方向における中心部と外周部のユニットにおいて、前記電源線の本数であるユニットライン数が異なっている構成を有しているパネルが、
前記ユニット毎に、同一ユニットに属する複数本の前記電源線の電位を一斉に切換える
ステップを含むパネルの制御方法。
【請求項４】
映像信号に応じた階調で各画素を発光させて画像を表示するパネルを備え、
前記パネルは、
電流に応じて発光する発光素子と、前記映像信号をサンプリングするサンプリング用トランジスタと、前記発光素子に前記電流を供給する駆動用トランジスタと、所定の電位を保持する保持容量とを有する画素が行列状に配置されており、
同一行に存在する前記画素に対して電源の信号を伝搬する電源線が各行毎に配置されており、
前記電源線を複数本集合させたユニット毎に、同一ユニットに属する複数本の前記電源線の電位を一斉に切換える電源線電位制御手段を備え、
ユニットに属する前記電源線の本数であるユニットライン数が、少なくとも、列方向における中心部と外周部とで異なっている
表示装置。
【請求項５】
映像信号に応じた階調で各画素を発光させて画像を表示するパネルを有する表示部を備え、
前記パネルは、
電流に応じて発光する発光素子と、前記映像信号をサンプリングするサンプリング用トランジスタと、前記発光素子に前記電流を供給する駆動用トランジスタと、所定の電位を保持する保持容量とを有する画素が行列状に配置されており、
同一行に存在する前記画素に対して電源の信号を伝搬する電源線が各行毎に配置されており、
前記電源線を複数本集合させたユニット毎に、同一ユニットに属する複数本の前記電源線の電位を一斉に切換える電源線電位制御手段を備え、
ユニットに属する前記電源線の本数であるユニットライン数が、少なくとも、列方向における中心部と外周部とで異なっている
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パネル及びその制御方法、表示装置、並びに電子機器に関し、特に、例えば、パネルの画面の表示品位を保つことができるようになったパネル及びその制御方法、表示装置、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子として有機ＥＬ(Electro Luminescent)素子を用いた平面自発光型のパネル（以下、有機ＥＬパネルと称する）の開発が近年盛んになっている（例えば、特許文献１乃至５参照）。有機ＥＬ素子は、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用した発光素子である。有機ＥＬ素子は、印加電圧が１０Ｖ以下で駆動するため低消費電力という特徴を有している。また有機ＥＬ素子は、自ら光を発する自発光素子であるため、照明部材を必要とせず軽量化及び薄型化が容易にできるという特徴を有している。さらに有機ＥＬ素子は、その応答速度が数μｓ程度と非常に高速であるので、動画表示時の残像が発生しないという特徴を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２５５８５６号公報
【特許文献２】特開２００３−２７１０９５号公報
【特許文献３】特開２００４−１３３２４０号公報
【特許文献４】特開２００４−０２９７９１号公報
【特許文献５】特開２００４−０９３６８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の有機ＥＬパネルでは、その画面内での発光輝度が不均一となることがあり、その結果として、画面の表示品位を損なうことがあった。
【０００５】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、パネルの画面の表示品位を保つことができるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の側面のパネルは、電流に応じて発光する発光素子と、映像信号をサンプリングするサンプリング用トランジスタと、前記発光素子に前記電流を供給する駆動用トランジスタと、所定の電位を保持する保持容量とを備える画素が行列状に配置されており、同一行に存在する前記画素に対して電源の信号を伝搬する電源線が各行毎に配置されており、前記電源線を複数本集合させたユニット毎に、同一ユニットに属する複数本の前記電源線の電位を一斉に切換える電源線電位制御手段を備え、ユニットに属する前記電源線の本数であるユニットライン数が、少なくとも、列方向における中心部と外周部とで異なっている。
【０００７】
前記中心部のユニットライン数は、前記外周部のユニットライン数よりも少ない。
【０００８】
本発明の一側面のパネルの制御方法、表示装置、および電子機器は、上述した本発明の一側面のパネルの制御方法である。本発明の一側面の表示装置および電子機器は、上述した本発明の一側面のパネルを含む表示装置および電子機器である。
【０００９】
本発明の一側面においては、電流に応じて発光する発光素子と、映像信号をサンプリングするサンプリング用トランジスタと、前記発光素子に前記電流を供給する駆動用トランジスタと、所定の電位を保持する保持容量とを備える画素が行列状に配置されており、同一行に存在する前記画素に対して電源の信号を伝搬する電源線が各行毎に配置されており、前記電源線を複数本集合させたユニットのうち、少なくとも、列方向における中心部と外周部のユニットにおいて、前記電源線の本数であるユニットライン数が異なっている構成を有しているパネルによって、前記ユニット毎に、同一ユニットに属する複数本の前記電源線の電位が一斉に切換えられる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、パネルの画面の表示品位を保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】基本駆動手法が適用される有機ＥＬパネルの構成例を示すブロック図である。
【図２】図１のゲートドライバの構成例を示す図である。
【図３】本発明が適用される有機ＥＬパネルの構成例を示す図である。
【図４】図３の画素の詳細な構成例を示す図である。
【図５】図３の画素の動作例を説明するタイミングチャートである。
【図６】図３の画素の動作例を説明するための図である。
【図７】図３の画素の動作例を説明するための図である。
【図８】図３の画素の動作例を説明するための図である。
【図９】図３の画素の動作例を説明するための図である。
【図１０】図３の画素の動作例を説明するための図である。
【図１１】図３の画素の動作例を説明するための図である。
【図１２】図３の画素の動作例を説明するタイミングチャートである。
【図１３】図３の画素の動作例を説明するための図である。
【図１４】図３の有機ＥＬパネルの画面の表示例を示す図である。
【図１５】図３の有機ＥＬパネルのカソード配線の配置例を示している。
【図１６】ユニットライン数可変手法が適用された場合の図３の有機ＥＬパネルのユニット分割の一例を示している。
【図１７】ユニットライン数可変手法が適用された場合の図３の有機ＥＬパネルのユニット分割の一例であって、図１６とは異なる例を示している。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、図面を参照して、本発明を適用したパネルの実施形態について説明する。
【００１３】
＜基本駆動手法が適用される有機ＥＬパネルの構成例＞
【００１４】
まず、本発明の理解を容易にし、且つ、背景を明らかにするため、基本となる駆動手法（以下、基本駆動手法と称する）が適用される有機ＥＬパネルについて、図１を参照して説明する。
【００１５】
図１は、基本駆動手法が適用された有機ＥＬパネルの構成例を示すブロック図である。
【００１６】
図１の例の有機ＥＬパネル１１は、アクティブマトリクス型の有機ＥＬパネルである。この有機ＥＬパネル１１には、画素部２１が設けられている。画素部２１には、Ｎ×Ｍ個の画素３１−（１, １）乃至３１−（Ｎ, Ｍ）が行列状に配置されている。なお、Ｎ，Ｍは、相互に独立した１以上の整数値である。有機ＥＬパネル１１にはまた、画素部２１を駆動する駆動部として、データドライバ４１およびゲートドライバ４２が設けられている。データドライバ４１およびゲートドライバ４２は、例えば、ドライバＩＣ(Integrated Circuit)で構成される。この例では、ゲートドライバ４２は、画素部２１の外部の片側に配置されている。ただし、ゲートドライバ４２の配置は特に限定されず、例えば、画素部２１の外部の両側に配置されてもよい。
【００１７】
図２は、基本駆動手法が適用された有機ＥＬパネル１１のゲートドライバ４２の構成例を示す図である。
【００１８】
ゲートドライバ４２には、ＤＳドライバ５１−１乃至５１−ＮおよびＷＳドライバ５２−１乃至５２−Ｎが設けられている。なお、図２に示されるＱやＫの符号は、図３に対応させるための符号であるため、図３の説明の際に併せて説明する。
【００１９】
また、有機ＥＬパネル１１は、Ｎ本の走査線WSL−１乃至WSL−Ｎ、Ｎ本の電源線DSL−１乃至DSL−Ｎ、およびＭ本の映像信号線DTL−１乃至DTL−Ｍも有している。
【００２０】
なお、走査線WSL−１乃至WSL−Ｎ、映像信号線DTL−１乃至DTL−Ｍ、電源線DSL−１乃至DSL−Ｎのそれぞれを特に区別する必要がない場合、以下、単に、走査線WSL、映像信号線DTL、電源線DSLのそれぞれと称する。また、以下、画素３１−（１, １）乃至３１−（Ｎ, Ｍ）、ＤＳドライバ５１−１乃至５１−Ｎ、ＷＳドライバ５２−１乃至５２−Ｎのそれぞれを特に区別する必要がない場合、単に、画素３１、ＤＳドライバ５１、ＷＳドライバ５２のそれぞれと称する。
【００２１】
図１に示されるように、１行目の画素３１−（１，１）乃至３１−（１，Ｍ）は、走査線WSL−１でＷＳドライバ５２−１と、電源線DSL−１でＤＳドライバ５１−１と、それぞれ接続されている。Ｎ行目の画素３１−（Ｎ，１）乃至３１−（Ｎ，Ｍ）は、走査線WSL−ＮでＷＳドライバ５２−Ｎと、電源線DSL−ＮでＤＳドライバ５１−Ｎと、それぞれ接続されている。他の行の画素３１についても同様な接続がなされている。
【００２２】
また、１列目の画素３１−（１，１）乃至３１−（Ｎ，１）は、映像信号線DTL−１でデータドライバ４１と接続されている。２列目の画素３１−（１，２）乃至３１−（Ｎ，２）は、映像信号線DTL−２でデータドライバ４１と接続されている。Ｍ列目の画素３１−（１，Ｍ）乃至３１−（Ｎ，Ｍ）は、映像信号線DTL−Ｍでデータドライバ４１と接続されている。他の列の画素３１についても同様な接続がなされている。
【００２３】
ゲートドライバ４２は、ＷＳドライバ５２−１乃至５２−Ｎを順次駆動することで、走査線WSL−１乃至WSL−Ｎの電位を水平期間（以下、１Ｈと称する）で順次切換えて画素３１を行単位で線順次走査する。ゲートドライバ４２はまた、ＤＳドライバ５１−１乃至５１−Ｎを駆動することで、この線順次走査に合わせて電源線DSL−１乃至DSL−Ｎの電位を高電位または低電位に切換える。データドライバ４１は、線順次走査に合わせて各１Ｈ内で、映像信号線DTL−１乃至DTL−Ｍの電位を、映像信号の信号電圧Vsigと基準電圧Vofsとに切換える。
【００２４】
＜本発明が適用される有機ＥＬパネルの構成例＞
【００２５】
このような基本駆動手法に対して、ユニットスキャン駆動手法が本発明に適用されている。ユニットスキャン駆動手法とは、複数の電源線DSLのＤＳドライバを共通化した駆動手法をいう。
【００２６】
ユニットスキャン駆動手法では、共通化されたＤＳドライバに接続された全ての画素の集合、または共通化されたＤＳドライバに接続された全ての電源線DSLの集合が、ユニットと称されている。ユニットスキャン駆動手法を採用することにより、ＤＳドライバ数を抑制することが可能となる。例えば、有機ＥＬパネルの画面の垂直方向（Ｖ方向）の画素数が５４０である場合、基本駆動手法では、ＤＳドライバは５４０個必要である。これに対して、ユニットスキャン駆動手法では、例えば、３０本の電源線DSLの集合を１ユニットとする場合、基本駆動手法の１／３０の１８（＝５４０／３０）個のＤＳドライバを設ければよい。このように、ユニットスキャン駆動手法では、ＤＳドライバ数を抑制できるので、大幅なコストダウンが可能となる。
【００２７】
図３は、本発明が適用された有機ＥＬパネル、即ち、ユニットスキャン駆動手法が適用された有機ＥＬパネルの構成例を示すブロック図である。
【００２８】
図３の例の有機ＥＬパネル６１は、アクティブマトリクス型の有機ＥＬパネルである。この有機ＥＬパネル６１には、図１の例と同様の画素部２１が設けられている。
【００２９】
有機ＥＬパネル６１にはまた、画素部２１を駆動する駆動部として、図１の例と同様の構成のデータドライバ４１と、図１のゲートドライバ４２とは異なる構成のゲートドライバ７１が設けられている。即ち、図３の例の有機ＥＬパネル６１は、図１の例の有機ＥＬパネル１１の構成に対して、図２の例の構成のゲートドライバ４２の代わりに、図３の構成のゲートドライバ７１を採用した構成を有している。ゲートドライバ７１は、例えば、ドライバＩＣで構成される。この例では、ゲートドライバ７１は、画素部２１の外部の片側に配置されている。ただし、ゲートドライバ７１の配置は特に限定されず、例えば、画素部２１の外部の両側に配置されてもよい。
【００３０】
ゲートドライバ７１には、Ｋ＋１個のＤＳドライバ８１−１乃至８１−（Ｋ＋１）、およびＷＳドライバ８２−１乃至８２−Ｎが設けられている。Ｋは、Ｋ＋１＝Ｎ／Ｑを満たす整数値である。Ｑは、１ユニットに属する電源線DSLの本数を示す値であって、２以上の値を示している。即ち、ＤＳドライバ８１−１乃至８１−（Ｋ＋１）のそれぞれは、Ｑ本の電源線DSLによって共有化されたＤＳドライバである。換言すると、ＤＳドライバ８１−１乃至８１−（Ｋ＋１）のそれぞれは、第１乃至第Ｋ＋１ユニットのそれぞれに対して設けられたＤＳドライバである。即ち、第Ｒユニットでは（Ｒは１乃至Ｋ＋１のうちの何れかの整数値）、１つのＤＳドライバ８１−ＲがＱ本の電源線DSL−ＲＱ＋１乃至DSL−（Ｒ＋１）Ｑによって共有化されている。なお、以下、ユニットを特に考慮する必要がない場合、ＤＳドライバ８１−Ｒを、ＤＳドライバ８１と単に称する。
【００３１】
なお、ＷＳドライバ８２−１乃至８２−Ｎの接続形態自体は、図２のＷＳドライバ５２−１乃至５２−Ｎの接続形態と同様である。よって、その説明については省略する。
【００３２】
次に、有機ＥＬパネル６１を構成する各画素３１の詳細例について説明していく。
【００３３】
＜画素３１の詳細な構成例＞
【００３４】
図４は、画素３１の詳細な構成例を示す図である。
【００３５】
なお、図４において、図３における対応する部分には同じ符号が付してあり、その説明を、以下、適宜省略する。
【００３６】
図４には、図３の有機ＥＬパネル６１に含まれるＮ×Ｍ個の画素３１のうちの１つが拡大されて描画されている。
【００３７】
画素３１は、サンプリング用トランジスタ９１、駆動用トランジスタ９２、保持容量９３、有機ＥＬ素子である発光素子９４、および補助容量９５を含むように構成されている。図４の例では、サンプリング用トランジスタ９１と駆動用トランジスタ９２とはそれぞれ、Ｎチャネル型トランジスタから構成される。サンプリング用トランジスタ９１のゲートは走査線WSLに接続されている。サンプリング用トランジスタ９１のドレインは、映像信号線DTLに接続されている。サンプリング用トランジスタ９１のソースは、駆動用トランジスタ９２のゲートＧに接続されている。
【００３８】
図４の例では、画素３１は、サンプリング用トランジスタ９１および駆動用トランジスタ９２の２個のトランジスタから構成される。かかる構成の画素回路は、２Ｔｒ（トランジスタ）画素回路と称される。なお、画素３１は、２Ｔｒ画素回路に限定されるわけではない点に留意すべきである。
【００３９】
駆動用トランジスタ９２のドレインは、電源線DSLに接続されている。駆動用トランジスタ９２のソースＳは、発光素子９４のアノードに接続されている。保持容量９３は、駆動用トランジスタ９２のゲートＧとソースＳの間に接続されている。この保持容量９３の容量値を、以下、Ｃｓと記述する。発光素子９４のカソードは、配線９６に接続されている。従って、発光素子９４のカソードの電位の値は、配線９６の電位Vcathとなる。
【００４０】
補助容量９５は、発光素子９４のアノード（駆動用トランジスタ９２のソースＳ）と配線９６の間に接続されている。補助容量９５の容量値を、以下、Csubと記述する。
【００４１】
発光素子９４は、電流発光素子であるため、その電流値を制御することで、発光輝度の階調を可変させることができる。図４の例の画素３１では、駆動用トランジスタ９２のゲートＧの電位（以下、ゲート電位と称する）を変化させることで、発光素子９４の電流値が制御され、その結果、発光輝度の階調が可変する。
【００４２】
駆動用トランジスタ９２は、飽和領域で動作するように設計されている。即ち、駆動用トランジスタ９２のドレインは電源線DSLに接続されており、この電源線DSLの電位を高電位にすることで、駆動用トランジスタ９２は飽和領域で動作する。なお、飽和領域とは、Vgs−Vth＜Vdsが満たされる領域をいう。Vgsは、駆動用トランジスタ９２のドレインとソースＳの間の電圧（以下、ドレインソース間電圧と称する）を示す。Vthは、駆動用トランジスタ９２の閾値電圧を示す。Vgsは、駆動用トランジスタ９２のゲートＧとソースＳの間の電圧（以下、ゲートソース間電圧と称する）を示す。飽和領域で動作中の駆動用トランジスタ９２は、ドレインとソースＳの間に一定の電流を流す定電流源として機能する。なお、この駆動用トランジスタ９２のドレインとソースＳの間に流れる電流を、以下、ドレインソース間電流と称し、その電流値をIdsと記述する。このドレインソース間電流Idsは、次式（１）で示すことができる。
【００４３】
【数１】
2010237359.tif 000003
・・・（１）
【００４４】
式（１）において、μは移動度を、Ｗはゲート幅を、Ｌはゲート長を、Coxは単位面積あたりのゲート酸化膜容量を、それぞれ示している。
【００４５】
サンプリング用トランジスタ９１は、走査線WSLを介してＷＳドライバ８２から供給される制御信号の電位に応じてオン（導通）する。サンプリング用トランジスタ９１がオンされると、保持容量９３は、映像信号線DTLを介してデータドライバ４１から供給される映像信号の信号電位Vsigを保持する。駆動用トランジスタ９２は、高電位となっている電源線DSLから電流の供給を受け、保持容量９３に保持された信号電位Vsigに応じたドレインソース間電流を発光素子９４に流す。この発光素子９４に流されるドレインソース間電流を、以下、駆動電流とも適宜称する。発光素子９４に一定以上の駆動電流が流れることにより、発光素子９４（画素３１）が発光する。
【００４６】
また、画素３１は、閾値補正機能を有している。この閾値補正機能とは、駆動用トランジスタ９２の閾値電圧Vthに相当する電圧を保持容量９３に保持させる機能である。この閾値補正機能により、駆動用トランジスタ９２の閾値電圧Vthのばらつきの影響をキャンセルすることができる。この駆動用トランジスタ９２の閾値電圧Vthのばらつきは、画素３１毎の発光輝度のばらつきの原因の一つとなっている。従って、閾値補正機能により、画素３１毎の発光輝度のばらつきをある程度抑えることが可能となる。
【００４７】
画素３１は、上述した閾値補正機能に加え、さらに移動度補正機能も有している。移動度補正機能とは、信号電位Vsigを保持容量９３に保持させる際に、信号電位Vsigに対して、駆動用トランジスタ９２の移動度μについての補正を加える機能である。
【００４８】
画素３１は、さらにブートストラップ機能も有している。ブートストラップ機能とは、駆動用トランジスタ９２のソースＳの電位の変動にゲートＧの電位を連動させる機能である。換言すると、ブートストラップ機能は、駆動用トランジスタ９２のゲートソース間電圧を一定に維持させる機能である。
【００４９】
次に、ユニットスキャン駆動手法のうちの基本的な手法（以下、基本ユニットスキャン駆動手法と称する）について、図５乃至図１７を参照して説明する。
【００５０】
＜基本ユニットスキャン駆動手法で駆動されている画素３１の動作例＞
【００５１】
図５は、基本ユニットスキャン駆動手法で駆動されている画素３１の動作例について説明するタイミングチャートである。なお、この例では、後述する第１ユニットの１行目の画素３１の動作例が示されている。
【００５２】
図６乃至図１１は、それぞれ、後述する発光期間Ｔ1、消光期間Ｔ2、閾値補正準備期間Ｔ3、閾値補正待ち期間Ｔ4、閾値補正期間Ｔ5、および書き込み＋移動度補正期間Ｔ11における駆動用トランジスタ９２の各端子の電位の一例を示す図である。
【００５３】
図５には、図中横方向の時間軸に対する、電源線DSLの電位ＤＳ、映像信号線の電位、走査線WSLの電位ＷＳ、駆動用トランジスタ９２のゲート電位Ｖｇ、および駆動用トランジスタ９２のソース電位Ｖｓの変化の一例が示されている。
【００５４】
図５の時刻ｔ1までの期間は、発光素子９４が発光される発光期間Ｔ1である。発光期間Ｔ1では、図６に示されるように、電源線電位ＤＳは、例えばVcc（＝２０Ｖ）とされている。発光期間Ｔ1における定常発光時のソース電位Ｖｓは、８Ｖとなっている。なお、以下、かかるソース電位Ｖｓを、ＥＬ駆動電圧Ｖｓと適宜称する。また、ゲート電位Ｖｇは、１８Ｖとなっている。
【００５５】
時刻ｔ1からｔ3までの期間は、発光素子９４が消光される消光期間Ｔ2である。時刻ｔ1は、映像信号線電位が信号電位Vsigから消去電位Versに切換えられた後のタイミングを示す時刻である。時刻ｔ1において、ＷＳドライバ８２は、走査線電位ＷＳを低電位から高電位に切換え、サンプリング用トランジスタ９１をオンさせる。これにより、ゲート電位Ｖｇが消去電位Versに低下する。この際、保持容量９３を介したカップリングにより、ソース電位Ｖｓも低下する。これにより、駆動用トランジスタ９２がカットオフされ、発光素子９４の発光が停止する。即ち、発光素子９４が消光する。
【００５６】
時刻ｔ2は、映像信号線電位が基準電位Vofsに切換えられる前のタイミングを示す時刻である。時刻ｔ2において、ＷＳドライバ８２は、走査線電位ＷＳを低電位に切換え、サンプリング用トランジスタ９１をオフさせる。これにより、駆動用トランジスタ９２のゲートＧの状態がフローティング状態となる。時刻ｔ2からｔ3までの期間において、図７に示されるように、ソース電位Ｖｓは、Vthel＋Vcath（この例では４Ｖ）まで低下する。Vthelは、発光素子９４のＥＬ閾値電圧を示す。また、この期間において、ゲート電位Ｖｇも低下する。
【００５７】
時刻ｔ3から時刻ｔ4までの期間は、閾値補正の準備が行われる閾値補正準備期間Ｔ3である。閾値補正を行うためには、駆動用トランジスタ９２のゲートソース間電圧Vgsを閾値電圧Vth以上にする必要がある。従って、閾値補正準備期間Ｔ3では、駆動用トランジスタ９２のゲートソース間電圧Vgsが閾値電圧Vth以上となるように閾値補正の準備が行われる。時刻ｔ3において、図８に示されるように、ＤＳドライバ８１は、電源線電位ＤＳを低電位Vss（＝−１５Ｖ）に切換える。これにより、ソース電位Ｖｓおよびゲート電位Ｖｇが低下する。駆動用トランジスタ９２のドレインがソースとして機能し、駆動用トランジスタ９２のソースＳがドレインとして機能するようになる。この結果、駆動用トランジスタ９２のソースＳからドレインに電流Ｉが流れ、駆動用トランジスタ９２のドレイン（ソースとして機能中）とゲートＧとの間の電圧がVth（＝４Ｖ）となるように閾値補正（以下、逆閾値補正と称する）が行われる。これにより、ゲート電位Ｖｇは低下する。低下後のゲート電位Ｖｇは、Vss＋Vthとなる。例えば、低電位Vssを−１５Ｖとし、閾値電圧Vthを４Ｖとすると、低下後のゲート電位Ｖｇは、−１１Ｖ（＝−１５Ｖ＋４Ｖ）となる。ソース電位Ｖｓも低下する。低下後のソース電位Ｖｓは、−１０Ｖとなる。
【００５８】
時刻ｔ4から時刻ｔ5までの期間は、閾値補正までの待ち時間としての閾値補正待ち期間Ｔ4ある。時刻ｔ4において、ＤＳドライバ８１は、電源線電位ＤＳを高電位Vccに切換える。これにより、図９に示されるように、ゲート電位Ｖｇが−１１Ｖから−１０Ｖに上昇する。ソース電位Ｖｓは−１０Ｖでほぼ変化しない。従って、ゲートソース間電圧Vgsは、１Ｖからほぼ０Ｖに変化する。時刻ｔ4から時刻ｔ5までの期間では、Vgs＜Vth（＝4V）が満たされているため、閾値補正は開始されない。
【００５９】
時刻ｔ5から時刻ｔ6までの期間は、閾値補正が行われる閾値補正期間Ｔ5ある。時刻ｔ5は、映像信号線電位が基準電位Vofsに切換えられた後のタイミングを示す時刻である。時刻ｔ5において、ＷＳドライバ８２は、走査線電位ＷＳを高電位に切換え、サンプリング用トランジスタ９１をオンさせる。これにより、図１０に示されるように、駆動用トランジスタ９２のゲート電位Ｖｇが−１０Ｖから基準電位Vofs（＝１Ｖ）になる。このゲート電位Ｖｇの変動に伴う保持容量９３を介したカップリングにより、ソース電位Ｖｓは１．５Ｖ程度上昇し、−１０Ｖから−８．５Ｖになる。この結果、ゲートソース間電圧Vgsは、９．５Ｖ（＝１−（−８．５））となり、Vgs＞Vth（＝4V）が満たされる。これにより、閾値補正が開始される。閾値補正が開始されると、駆動用トランジスタ９２のドレインからソースＳに電流が流れ、ソース電位Ｖｓが上昇する。この間、ゲート電位Ｖｇは一定である。これにより、ゲートソース間電圧Vgsが低下し、保持容量９３への閾値電圧Vthの書き込みが行われる。
【００６０】
この例では、閾値補正は、１フレームが表示される１フレーム期間（以下、１Ｆと称する）内で３回行われている。ただし、１Ｆ内における閾値補正回数は、３回に限定されるわけではない。即ち、１Ｆ内における閾値補正回数は、１回，２回，４回以上などでもよい。なお、時刻ｔ5から時刻ｔ6までの期間における閾値補正を、以下、１回目の閾値補正と称する。
【００６１】
時刻ｔ6から時刻ｔ7までの期間は、閾値補正が休止される閾値補正休止期間Ｔ6である。時刻ｔ6は、映像信号線電位が基準電位Vofsから信号電位Vsigに切換えられる前のタイミングを示す時刻である。時刻ｔ6において、ＷＳドライバ８２は、走査線電位ＷＳを低電位に切換え、サンプリング用トランジスタ９１をオフさせる。これにより、駆動用トランジスタ９２のゲートＧの状態はフローティング状態となる。この例では、１回目の閾値補正が不十分となっている。即ち、時刻ｔ6の時点で、Vgs＞Vthとなっている。この場合、時刻ｔ6から時刻ｔ7までの期間において、ドレインからソースＳに電流が流れ、ゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓが上昇する。この期間において、ゲートソース間電圧Vgsは保持される。
【００６２】
時刻ｔ7から時刻ｔ8までの期間は、閾値補正が行われる閾値補正期間Ｔ7である。この閾値補正を、以下、２回目の閾値補正と称する。時刻ｔ7は、映像信号線電位が基準電位Vofsに切換えられた後のタイミングを示す時刻である。時刻ｔ7において、ＷＳドライバ８２は、走査線電位ＷＳを高電位に切換え、サンプリング用トランジスタ９１をオンさせる。これにより、駆動用トランジスタ９２のゲート電位Ｖｇが基準電位Vofsとなる。また、駆動用トランジスタ９２のドレインからソースＳに電流が流れ、ソース電位Ｖｓが上昇する。これにより、ゲートソース間電圧Vgsが低下し、保持容量９３への書き込みが行われる。
【００６３】
時刻ｔ8から時刻ｔ9までの期間は、閾値補正が休止される閾値補正休止期間Ｔ8である。時刻ｔ8は、映像信号線電位が信号電位Vsigに切換えられる前のタイミングである。この時刻ｔ8において、ＷＳドライバ５２は、走査線電位ＷＳを低電位に切換え、サンプリング用トランジスタ９１をオフさせる。これにより、駆動用トランジスタ９２のゲートＧの状態はフローティング状態となる。この例では、２回目の閾値補正が不十分となっている。即ち、時刻ｔ8の時点で、Vgs＞Vthとなっている。この場合、時刻ｔ8から時刻ｔ9までの期間において、ドレインからソースＳに電流が流れ、ゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓが上昇する。この期間において、ゲートソース間電圧Vgsは保持される。
【００６４】
なお、時刻ｔ5から時刻ｔ7までの期間および時刻ｔ7から時刻ｔ9までの期間が、水平期間（１Ｈ）に相当する。
【００６５】
時刻ｔ9から時刻ｔ10までの期間は、閾値補正が行われる閾値補正期間Ｔ9である。この閾値補正を、以下、３回目の閾値補正と称する。時刻ｔ9は、映像信号線電位が基準電位Vofsに切換えられた後のタイミングを示す時刻である。時刻ｔ9において、ＷＳドライバ８２は、走査線電位ＷＳを高電位に切換え、サンプリング用トランジスタ９１をオンさせる。これにより、駆動用トランジスタ９２のゲート電位Ｖｇが基準電位Vofsとなる。また、駆動用トランジスタ９２のドレインからソースＳに電流が流れ、ソース電位Ｖｓが上昇する。これにより、ゲートソース間電圧Vgsが低下し、保持容量９３への書き込みが行われる。この書き込みは、駆動用トランジスタ９２がカットオフするまで、即ち、Vgs＝Vthが満たされるまで行われる。図５の例では、時刻ｔ9から時刻ｔ10の間でVgs＝Vthが満たされている。
【００６６】
時刻ｔ10から時刻ｔ11までの期間は、映像信号の書き込みと移動度補正についての準備が行われる書き込み＋移動度補正準備期間Ｔ10である。時刻ｔ10は、映像信号線電位が信号電位Vsigに切換えられる前のタイミングを示す時刻である。時刻ｔ10において、ＷＳドライバ８２は、走査線電位ＷＳを低電位に切換え、サンプリング用トランジスタ９１をオフさせる。これにより、駆動用トランジスタ９２のゲートの状態はフローティング状態となる。また、時刻ｔ10から時刻ｔ11までの期間において、データドライバ４１は、映像信号線電位を信号電位Vsigに切換える。
【００６７】
時刻ｔ11から時刻ｔ12までの期間は、映像信号の書き込みと移動度補正が行われる書き込み＋移動度補正期間Ｔ11である。時刻ｔ11において、ＷＳドライバ８２は、走査線電位ＷＳを高電位に切換え、サンプリング用トランジスタ９１をオンさせる。これにより、図１１に示されるように、駆動用トランジスタ９２のゲート電位Ｖｇが、基準電位Vofs（＝１Ｖ）から信号電位Vsigまで上昇する。この結果、信号電位Vsigが閾値電圧Vthに足し込まれる形で保持容量９３に書き込まれると共に、移動度補正用の電圧ΔVμが差し引かれる形で保持容量９３に書き込まれる。即ち、保持容量９３には、Vsig＋Vth−ΔVμが書き込まれることになる。駆動用トランジスタ９２のソース電位Ｖｓは、−3V＋ΔVμまで上昇する。
【００６８】
時刻ｔ12以降は、発光素子９４が発光される発光期間Ｔ12である。時刻ｔ12は、映像信号線電位が消光電位Versに切換えられる前のタイミングを示す時刻である。時刻ｔ12において、ＷＳドライバ８２は、走査線電位ＷＳを低電位に切換え、サンプリング用トランジスタ９１をオフさせる。これにより、駆動用トランジスタ９２のゲートＧの状態はフローティング状態になる。すると、ブートストラップ動作が行われ、保持容量９３に書き込まれた電圧（Vsig＋Vth−ΔVμ）が維持されたまま、駆動用トランジスタ９２のゲート電位Ｖｇ及びソース電位Ｖｓが上昇する。
【００６９】
発光期間Ｔ12における画素３１の動作はより詳細には次のようになる。即ち、駆動用トランジスタ９２は、保持容量９３に書き込まれた電圧（Vsig＋Vth−ΔVμ）に応じた一定の駆動電流Ids’を発光素子９４に供給する。発光素子９４のアノードの電位（以下、アノード電位と称する）の値Velは、発光素子９４に駆動電流Ids’が流れる電圧Ｖｘまで上昇し、発光素子９４の状態は発光状態に移行する。
【００７０】
なお、上述したように、ユニットスキャン駆動手法では、複数の電源線DSLのＤＳドライバ８１を１つで共通化しているため、電源線電位ＤＳを用いて、発光と消光についての制御（以下、デューティ（Duty）制御と称する）を行うことができない。このため、ユニットスキャン駆動手法では、走査線電位ＷＳを用いて、デューティ制御を行っている。
【００７１】
＜基本ユニットスキャン駆動手法における各行の画素３１の動作例＞
【００７２】
以上、基本ユニットスキャン駆動手法における、１つの画素３１についての動作例について説明した。
【００７３】
次に、基本ユニットスキャン駆動手法における、各行の画素３１の動作例の関係について説明する。
【００７４】
図１２は、基本ユニットスキャン駆動手法における各行の画素３１の動作例の関係を説明するタイミングチャートである。
【００７５】
図１２には、第１ユニットと第２ユニットについての電源線電位ＤＳおよび各行の走査線電位ＷＳの変化が示されている。
【００７６】
なお、第Ｒユニットの電源線DSLに共通の電位ＤＳを、以下、電源線電位ＤＳ（Ｒ）と称する。また、図３の例の有機ＥＬパネル６１の上からＰ本目（Ｐは１乃至Ｎのうちの何れかの整数値）の走査線WSL−Ｐについての電位ＷＳを、以下、走査線電位ＷＳ（Ｐ）と称する。
【００７７】
図１２の例では、時刻ｔ31乃至時刻ｔ41の期間が、閾値補正準備期間T31とされている。このため、時刻ｔ31において、第１ユニットのＤＳドライバ８１−１は、電源線電位ＤＳ（１）を高電位Vccから低電位Vssに切換える。時刻ｔ41において、第1ユニットのＤＳドライバ８１−１は、電源線電位ＤＳ（１）を高電位Vccに切換える。
【００７８】
また、図１２の例では、時刻ｔ32乃至時刻ｔ42の期間が、閾値補正準備期間T32とされている。このため、時刻ｔ32において、第２ユニットのＤＳドライバ８１−２は、電源線電位ＤＳ（２）を高電位Vccから低電位Vssに切換える。時刻ｔ42において、第２ユニットのＤＳドライバ８１−２は、電源線電位ＤＳ（２）を高電位Vccに切換える。
【００７９】
図１２に示されるように、第１ユニットにおいて、１行目の電源線DSL-1乃至Q行目の電源線DSL-Qに対しては、１つのＤＳドライバ８１−１により、共通の電源線電位ＤＳ（１）が与えられる。このため、１行目乃至Q行目における閾値補正準備期間T31は共通の期間になる。
【００８０】
一方、１行目の走査線WSL−１乃至Q行目の走査線WSL―Qのそれぞれに対しては、ＷＳドライバ８２−１乃至８２−Ｑのそれぞれにより、走査線電位WS（１）乃至WS(Q)が別々に与えられる。即ち、ゲートドライバ７１は、ＷＳドライバ８２−１乃至８２−Ｑを順次駆動することで、１行目の走査線電位WS（１）乃至Ｑ行目の走査線電位WS（Ｑ）を水平期間（１Ｈ）で順次切換えて画素３１を行単位で線順次走査する。
【００８１】
このため、第１ユニットにおいて、１乃至Q行の各消光期間T21乃至T2Qは、１行目から下位の行になるに従って、１Ｈ分ずつ短くなっている。なお、このことは、第２乃至第Ｋ＋１ユニットについても同様である。また、この例では、第１ユニットのQ行目における消光の開始から１Ｈ後に第２ユニットの１行目（全体のQ+1行目）における消光が開始されている。
【００８２】
また、第１ユニットにおいて、１乃至Q行の閾値補正待ち期間T41乃至T4Qは、１行目から下位の行になるに従って、１Ｈ分ずつ長くなっている。なお、このことは、第２乃至第Ｋ＋１ユニットについても同様である。また、この例では、第１ユニットのQ行目における閾値補正の開始から１Ｈ後に第２ユニットの１行目（全体のQ+1行目）における閾値補正が開始されている。
【００８３】
なお、図１２において、「閾値補正」と記述されている期間は、各行についての、図５でいう閾値補正期間T5，T7，またはT9を示している。「書き込み」と記述されている期間は、各行についての、図５でいう書き込み＋移動度補正期間T11を示している。
【００８４】
このように駆動される基本ユニットスキャン駆動手法が適用された有機ＥＬパネル６１では、「カソード揺れスジ」が視認されることがあり、表示品位を損なう場合があった。このため、本発明人は、「カソード揺れスジ」を抑制して、表示品位を保つことができる手法を発明した。そこで、以下、「カソード揺れスジ」について説明した後、かかる手法について説明する。
【００８５】
＜「カソード揺れスジ」の説明＞
【００８６】
上述したように、基本ユニットスキャン駆動手法では、ユニットを構成する複数本の電源線DSLの電位ＤＳが同一タイミングでまとめて、高電位Vccと低電位Vssのうち一方から他方に切換えられる。このため、例えば、高電位Vccから低電位Vssに切り替わるとき、即ち、電源線電位ＤＳの立ち下り時に、共通化した１ユニット分のＤＳカップリングにより、電源線電位ＤＳの電位の揺れが、発光素子９４のカソードに入る。このことで、カソード電位Vcathの揺れが発生する。ＤＳカップリングとは、電源線DSLと発光素子９４のカソードと間に生じる寄生容量によるカップリングをいう。
【００８７】
図１３は、電源線電位ＤＳの立ち下り時におけるカソード電位Vcathの揺れを示すタイミングチャートである。
【００８８】
図１３のＡのタイミングチャートは、16.67msの周期で電源線電位ＤＳを高電位Vccから低電位Vssに繰り返し切換えた場合のタイミングチャートを示している。図１３のＢは、図１３のＡのタイミングチャートのうち、２回目の切換えのタイミング付近の期間１０１、即ち、電源線電位ＤＳの立ち下り付近の期間１０１の拡大図である。
【００８９】
なお、図１３の16.67msの周期とは、１フレーム期間（１Ｆ）に相当する期間を意味している。
【００９０】
図１３のＢに示されるように、電源線電位ＤＳの立ち下り時の揺れは、ＤＳカップリングにより、カソード電位Vcathの揺れとなって現れている。
【００９１】
このようなカソード電位Vcathの揺れが発生している間に閾値補正や移動度補正が行われた場合、換言すると、図５でいう閾値補正期間T5乃至書き込み＋移動度補正期間T11の間にカソード電位Vcathの揺れが発生した場合、ゲートソース間電圧Vgsが変化して、閾値補正や移動度補正が正常に行われないこともある。その結果として、画素３１の発光輝度が変化してしまうことから、発光状態の有機ＥＬパネル６１の画面の水平方向には、ユニット毎に帯状のスジが視認され、表示品位を損なってしまうのである。
【００９２】
このように、ユニット毎の帯状のスジは、カソード電位Vcathの揺れに起因して発生する。そこで、本明細書では、かかる帯状のスジを、「カソード揺れスジ」と称しているのである。
【００９３】
図１４は、「カソード揺れスジ」が生じている有機ＥＬパネル６１の画面の表示例を示す図である。ただし、図１４の例では、ユニットごとに共通する電源線DSLの本数は同一本数とされている。
【００９４】
図１４の画面における濃淡は、発光輝度の階調を示している。即ち、図１４の画面においては、薄くなる（白に近づく）ほど発光輝度が高くなっており、逆に濃くなる（黒に近づく）ほど発光輝度が低くなっている。なお、図１４の画面において、点線は、ユニットの区切りを示している。即ち、２つの点線間の部分が、１ユニットを示している。
【００９５】
図１４の画面の各ユニットのそれぞれの水平方向に表示されている暗い帯状のスジが、「カソード揺れスジ」の一例である。
【００９６】
図１４に示されるように、ユニット毎の「カソード揺れスジ」は、画面中央のユニットにおいて一番濃く視認され（輝度が一番暗くなり）、垂直上方向または下方向に向かうにつれ、徐々に薄くなるように視認される（輝度が明るくなっていく）。このことを、図１５を参照して、説明する。
【００９７】
図１５は、発光素子９４のカソード配線の配置例を示している。
【００９８】
図１５のＡには、有機ＥＬパネル６１全体のカソード配置例が示されている。図１５のＢには、有機ＥＬパネル６１のうち１つの画素３１分のカソード配置例が示されている。
【００９９】
図１５において、白い長方形部分は、発光素子９４の発光領域を示している。カソード配線１１１は、この発光領域の周囲に格子状に配置されている。カソード配線１１１の抵抗値は、配線抵抗１１２があるため、有機ＥＬパネル６１の外周部で一番低く、中心部にいくほど大きくなっていく。具体的な抵抗値の違いは、パネルサイズ、カソード配線シート抵抗、配線幅、長さ等の各種要因によって異なるが、例えば中心部の抵抗値は外周部のカソード電位（０Ω）に比べて、数Ω乃至数十Ωとなる。
【０１００】
このため、有機ＥＬパネル６１の外周部は、電源線電位ＤＳの立ち下り時におけるカソード電位Vcathの揺れに強い領域であり、たとえ揺れたとしても速い時定数で本来のカソード電位Vcathに収束する領域になる。これに対して、有機ＥＬパネル６１の中心部に向かうにつれ、カソード電位Vcathの揺れに対して弱くなり、揺れの振幅が大きくなっていき、また、本来のカソード電位Vcathに収束する時定数も遅くなっていく。
【０１０１】
このことが、ユニット毎の「カソード揺れスジ」の濃淡の差異が現れる現象、即ち、有機ＥＬパネル６１の中央部の「カソード揺れスジ」が濃く、外周部に向かうほど薄くなっていくという現象が生じる原因である。なお、以下、かかる現象を、「カソード揺れスジ濃淡差異現象」と称する。
【０１０２】
＜ユニットライン数可変手法の説明＞
【０１０３】
そこで、本発明人は、「カソード揺れスジ濃淡差異現象」の発生を抑えるべく、即ち、中央部の濃い「カソード揺れスジ」を抑制して、表示品位を保つべく、次のような手法を発明した。即ち、ユニットごとに共通する電源線DSLの本数（以下、ユニットライン数と称する）を可変する、という手法を本発明人は発明した。以下、かかる手法を、ユニットライン数可変手法と称する。
【０１０４】
ユニットライン数可変手法を適用した場合における各ユニットのユニットライン数自体は、特に限定されない。ただし、カソード揺れスジ濃淡差異現象」の発生を抑えるという観点、即ち、中央部の濃い「カソード揺れスジ」を抑制して、表示品位を保つという観点から、次のようにユニットライン数を決定すると好適である。
【０１０５】
即ち、上述の如く、有機ＥＬパネル６１の外周部に近いほど、カソード電位Vcathの揺れに対して強く、ＤＳカップリングの影響を受けにくい。よって、有機ＥＬパネル６１の外周部に近づくほど、ユニットライン数を多くしていくと好適である。
【０１０６】
換言すると、有機ＥＬパネル６１の中心部に近いほど、カソード電位Vcathの揺れに対して弱く、ＤＳカップリングの影響を受け易い。よって、有機ＥＬパネル６１の中心部に近づくほど、ユニットライン数を少なくしていくと好適である。
【０１０７】
以上まとめると、ユニットライン数可変手法を適用して、有機ＥＬパネル６１の中心部のユニットライン数を少なくし、外周部のユニットライン数を多くすることで、カソード揺れスジ濃淡差異現象」の発生を抑えることができる。即ち、中央部の濃い「カソード揺れスジ」を抑制し、表示品位を保つことができるようになる。
【０１０８】
具体的には例えば、ユニットライン数は、図１６や図１７に示されるように決定することができる。
【０１０９】
図１６は、ユニットライン数可変手法が適用された場合の有機ＥＬパネル６１のユニット分割の一例を示している。
【０１１０】
図１６の画面において、点線は、ユニットの区切りを示している。即ち、２つの点線間の部分が、１ユニットを示している。また、図１６において、Ｎａ乃至Ｎｄは、ユニットライン数を示している。
【０１１１】
図１６の例では、Ｎａ > Ｎｂ > Ｎｃ > Ｎｄの関係を満たしている。即ち、図１６の例では、有機ＥＬパネル６１の中心部から外周部に向かう程、ユニットライン数は多くなっている。
【０１１２】
図１７は、ユニットライン数可変手法が適用された場合の有機ＥＬパネル６１のユニット分割の一例であって、図１６の例とは異なる例を示している。
【０１１３】
図１７の画面において、点線は、ユニットの区切りを示している。即ち、２つの点線間の部分が、１ユニットを示している。また、図１７において、Ｎ１，Ｎ２は、ユニットライン数を示している。
【０１１４】
図１７の例では、Ｎ１ > Ｎ２の関係を満たしている。即ち、図１７の例では、有機ＥＬパネル６１は、垂直方向に、中心部を含む第１領域と、外周部を含む第２領域とに区分されている。そして、第１領域に属する各ユニットのユニットライン数は何れもＮαとなっている。一方、第２領域に属する各ユニットのユニットライン数は何れもＮβとなっている。
【０１１５】
なお、図示はしないが、有機ＥＬパネル６１を、垂直方向にさらに多くの領域に区分することも当然可能である。即ち、中心部を含む第１領域、第１領域の上方または下方に存在する第２領域、第２領域の上方または下方に存在する第３領域・・・第(k-1)領域の上方または下方に存在する第ｋ領域（ｋは、2以上の整数値）といったように、有機ＥＬパネル６１を垂直方向に区分することもできる。この場合、Ｎ１ > Ｎ２ > ・・・Ｎk-1 > Ｎkの関係が満たすユニットライン数を定義し、第i領域（iは１乃至ｋの整数値）に属する各ユニットのユニットライン数を何れもＮiとするように、有機ＥＬパネル６１を構成させることもできる。
【０１１６】
このようなユニットライン数可変手を適用することで、カソード揺れスジ濃淡差異現象」の発生を抑えることができる。即ち、中央部の濃い「カソード揺れスジ」を抑制し、表示品位を保つことができる。
【０１１７】
＜本発明が適用される電子機器＞
【０１１８】
ところで、以上説明した有機ＥＬパネル６１は、パネルモジュールとも称される。このパネルモジュールに、さらに、電源回路、画像ＬＳＩ(Large Scale Integration)などが付加されて、表示装置が構成される。
【０１１９】
有機ＥＬパネルを用いた表示装置は、様々な電子機器のディスプレイに適用することが可能である。電子機器としては、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話、テレビジョン受像機などが存在する。即ち、これらの電子機器に入力された、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器のディスプレイに本発明を適用することが可能である。以下この様な表示装置が適用された電子機器の例を示す。
【０１２０】
例えば、本発明は、電子機器の一例であるテレビジョン受像機に適用できる。このテレビジョン受像機は、フロントパネル、フィルターガラス等から構成される映像表示画面を含み、本発明の表示装置をその映像表示画面に用いることにより作製される。
【０１２１】
例えば、本発明は、電子機器の一例であるデジタルスチルカメラに適用できる。このデジタルカメラは、撮像レンズ、表示部、コントロールスイッチ、メニュースイッチ、シャッター等を含み、本発明の表示装置をその表示部に用いることにより作製される。
【０１２２】
例えば、本発明は、電子機器の一例であるノート型パーソナルコンピュータに適用できる。このノート型パーソナルコンピュータにおいて、その本体には文字等を入力するとき操作されるキーボードを含み、その本体カバーには画像を表示する表示部を含む。このノート型パーソナルコンピュータは、本発明の表示装置をその表示部に用いることにより作製される。
【０１２３】
例えば、本発明は、電子機器の一例である携帯端末装置に適用できる。この携帯端末装置は、上部筺体と下部筺体とを有している。この携帯端末装置の状態としては、それらの２つの筺体が開いた状態と、閉じた状態とが存在する。この携帯端末装置は、上述した上側筐体と下側筐体との他、連結部（ここではヒンジ部）、ディスプレイ、サブディスプレイ、ピクチャーライト、カメラ等を含み、本発明の表示装置をそのディスプレイやサブディスプレイに用いることにより作製される。
【０１２４】
例えば、本発明は、電子機器の一例であるデジタルビデオカメラに適用可能である。デジタルビデオカメラは、本体部、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ、撮影時のスタート／ストップスイッチ、モニター等を含み、本発明の表示装置をそのモニターに用いることにより作製される。
【０１２５】
なお、本発明の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【０１２６】
２１  画素部，  ３１  画素，  ４１  データドライバ，  ６１  有機ＥＬパネル，  ７１  ゲートドライバ，  ８１  ＤＳドライバ，  ８２  ＷＳドライバ，  ９１  サンプリング用トランジスタ，  ９２  駆動用トランジスタ，  ９３  保持容量，  ９４  発光素子，  ９５  補助容量，  ９６  配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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