(57)【要約】      （修正有）【課題】レーザー光線を照射することにより変質層を形成してダイシングするものであって、一方の方向のストリートに沿ってレーザー光線を照射した後にウエハが膨張しても、正確なダイシングを可能とするレーザー加工方法を提供する。【解決手段】第１の方向のストリートと第２の方向のストリートのいずれか一方の方向のストリートに沿ってレーザー光線を照射し、ウエーハの内部に一方の方向のストリートに沿って変質層を形成する第１の変質層形成工程と、第１の変質層形成工程が実施されたウエーハにおける一方の方向のストリートと直交する方向の伸び量Ｄ１を撮像手段７によって計測する伸び量計測工程と、この計測結果に基づいてウエーハの伸び量を補正して他方の方向のストリートに沿ってレーザー光線を照射し変質層を形成する第２の変質層形成工程とを行う。【選択図】図１１
2010123797.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハ基板の表面に第１の方向に形成された複数のストリートと、該第１の方向と直交する第２の方向に形成された複数のストリートと備え、該第１の方向のストリートと該第２の方向のストリートの少なくとも一方が非連続に形成されているウエーハに、該第１の方向のストリートと該第２の方向のストリートのX,Y座標値の制御マップに基づいて第１の方向のストリートと第２の方向のストリートに沿ってレーザー光線を照射し、ウエーハの内部に第１の方向のストリートと第２の方向のストリートに沿って変質層を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの内部に集光点を合わせて該第１の方向のストリートと該第２の方向のストリートのいずれか一方の方向のストリートに沿って照射し、ウエーハの内部に該一方の方向のストリートに沿って変質層を形成する第１の変質層形成工程と、
該第１の変質層形成工程が実施されたウエーハにおける該一方の方向のストリートと直交する方向の伸び量を計測する伸び量計測工程と、
該第１の変質層形成工程が実施されたウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの内部に集光点を合わせて他方の方向のストリートに沿って照射し、ウエーハの内部に該他方の方向のストリートに沿って変質層を形成する第２の変質層形成工程と、を含み、
該第２の変質層形成工程は、該他方の方向のストリートのX,Y座標値に該伸び量計測工程において計測したウエーハの伸び量を補正して実施する、
ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法。
【請求項２】
該第１の変質層形成工程は、該一方の方向のストリートにおける一方の最外側のストリートから順次中心に向けてウエーハの一方の半分領域に形成された複数の一方の方向のストリートに沿って実施する第１の工程と、該一方の方向のストリートにおける他方の最外側のストリートから順次中心に向けてウエーハの他方の半分領域に形成された複数の一方方向のストリートに沿って実施する第２の工程とを含み、
該第２の変質層形成工程は、該他方の方向のストリートにおける一方の最外側のストリートから順次中心に向けてウエーハの他方の半分領域に形成された複数の他方の方向のストリートに沿って実施する第１の工程と、該他方の方向のストリートにおける他方の最外側のストリートから順次中心に向けてウエーハの他方の半分領域に形成された複数の他方の方向のストリートに沿って実施する第２の工程とを含む、請求項１記載のウエーハのレーザー加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チャックテーブルに保持されたウエーハの表面に形成されたストリートに沿ってレーザー光線を照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成するウエーハのレーザー加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等の回路を形成する。そして、半導体ウエーハをストリートに沿って切断することにより回路が形成された領域を分割して個々の半導体チップを製造している。また、サファイヤ基板の表面に窒化ガリウム系化合物半導体等が積層された光デバイスウエーハもストリートに沿って切断することにより個々の発光ダイオード、レーザーダイオード等の光デバイスに分割され、電気機器に広く利用されている。
【０００３】
近年、半導体ウエーハ等の板状の被加工物を分割する方法として、その被加工物に対して透過性を有するパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法も試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、被加工物の一方の面側から内部に集光点を合わせて被加工物に対して透過性を有する波長（例えば１０６４ｎｍ）のパルスレーザー光線を照射し、被加工物の内部に分割予定ラインに沿って変質層を連続的に形成し、この変質層が形成されることによって強度が低下したストリートに沿って外力を加えることにより、被加工物を分割するものである。（例えば、特許文献１参照。）
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【０００４】
一方、ウエーハの表面に出来るだけ多くのデバイスを形成するために、一方の方向に互いに平行に形成された複数の第１のストリートはそれぞれ連続して設けられ、この第１のストリートと直交する方向に形成された複数の第２のストリートが非連続に設けられた半導体ウエーハが実用化されている。
また、大小のデバイスが混在して形成されたマルチプロジェクトウエーハは、非連続のストリートによって区画されている。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
而して、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの内部に集光点を合わせてストリートに沿って照射し、ウエーハの内部にストリートに沿って変質層を形成すると、ウエーハはレーザー光線が照射されたストリートと直交する方向に僅かに膨張する。この結果、レーザー光線の集光点とストリートとの位置関係が累積的にズレていくため、複数の第１のストリートと複数の第２のストリートを設定した制御マップに基づいてレーザー光線を照射すると、適正な照射位置からズレた位置にレーザー光線が照射される。
【０００６】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術的課題は、ウエーハ基板の表面に形成された複数の第１の方向のストリートと、第１の方向と直交する複数の第２の方向のストリートと備え、第１の方向のストリートと第２の方向のストリートの少なくとも一方が非連続に形成されているウエーハであっても、第１の方向のストリートと第２の方向のストリートを設定した制御マップに従ってレーザー光線を照射することにより、レーザー光線を適正位置に照射することができるウエーハのレーザー加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ウエーハ基板の表面に第１の方向に形成された複数のストリートと、該第１の方向と直交する第２の方向に形成された複数のストリートと備え、該第１の方向のストリートと該第２の方向のストリートの少なくとも一方が非連続に形成されているウエーハに、該第１の方向のストリートと該第２の方向のストリートのX,Y座標値の制御マップに基づいて第１の方向のストリートと第２の方向のストリートに沿ってレーザー光線を照射し、ウエーハの内部に第１の方向のストリートと第２の方向のストリートに沿って変質層を形成するウエーハのレーザー加工方法であって、
ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの内部に集光点を合わせて該第１の方向のストリートと該第２の方向のストリートのいずれか一方の方向のストリートに沿って照射し、ウエーハの内部に該一方の方向のストリートに沿って変質層を形成する第１の変質層形成工程と、
該第１の変質層形成工程が実施されたウエーハにおける該一方の方向のストリートと直交する方向の伸び量を計測する伸び量計測工程と、
該第１の変質層形成工程が実施されたウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの内部に集光点を合わせて他方の方向のストリートに沿って照射し、ウエーハの内部に該他方の方向のストリートに沿って変質層を形成する第２の変質層形成工程と、を含み、
該第２の変質層形成工程は、該他方の方向のストリートのX,Y座標値に該伸び量計測工程において計測したウエーハの伸び量を補正して実施する、
ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法が提供される。
【０００８】
上記第１の変質層形成工程は、一方の方向のストリートにおける一方の最外側のストリートから順次中心に向けてウエーハの一方の半分領域に形成された複数の一方の方向のストリートに沿って実施する第１の工程と、一方の方向のストリートにおける他方の最外側のストリートから順次中心に向けてウエーハの他方の半分領域に形成された複数の一方の方向のストリートに沿って実施する第２の工程とを含み、
上記第２の変質層形成工程は、他方の方向のストリートにおける一方の最外側のストリートから順次中心に向けてウエーハの他方の半分領域に形成された複数の他方の方向のストリートに沿って実施する第１の工程と、他方の方向のストリートにおける他方の最外側のストリートから順次中心に向けてウエーハの他方の半分領域に形成された複数の他方の方向のストリートに沿って実施する第２の工程とを含む。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によるウエーハのレーザー加工方法は、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの内部に集光点を合わせて第１の方向のストリートと第２の方向のストリートのいずれか一方の方向のストリートに沿って照射し、ウエーハの内部に該一方の方向のストリートに沿って変質層を形成する第１の変質層形成工程と、第１の変質層形成工程が実施されたウエーハにおける一方の方向のストリートと直交する方向の伸び量を計測する伸び量計測工程と、第１の変質層形成工程が実施されたウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの内部に集光点を合わせて他方の方向のストリートに沿って照射し、ウエーハの内部に他方の方向のストリートに沿って変質層を形成する第２の変質層形成工程とを含み、第２の変質層形成工程は他方の方向のストリートのX,Y座標値に伸び量計測工程において計測したウエーハの伸び量を補正して実施するので、第１の変質層形成工程が実施され伸びた半導体ウエーハに対しても第１の方向のストリートと第２の方向のストリートを設定した制御マップに従ってレーザー光線を照射することにより、レーザー光線を適正位置に照射することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明によるウエーハのレーザー加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して、更に詳細に説明する。
【００１１】
図１には、本発明によるウエーハのレーザー加工方法を実施するためのレーザー加工装置の斜視図が示されている。図１に示すレーザー加工装置１は、静止基台２と、該静止基台２に矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動可能に配設され被加工物を保持するチャックテーブル機構３と、静止基台２に上記矢印Ｘで示す方向と直角な矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット支持機構４と、該レーザー光線ユニット支持機構４に矢印Ｚで示す方向（Z軸方向）に移動可能に配設されたレーザー光線照射ユニット５とを具備している。
【００１２】
上記チャックテーブル機構３は、静止基台２上に矢印Ｘで示す加工送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール３１、３１と、該案内レール３１、３１上に矢印Ｘで示す加工送り方向に移動可能に配設された第一の滑動ブロック３２と、該第１の滑動ブロック３２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動可能に配設された第２の滑動ブロック３３と、該第２の滑動ブロック３３上に円筒部材３４によって支持されたカバーテーブル３５と、被加工物保持手段としてのチャックテーブル３６を具備している。このチャックテーブル３６は多孔性材料から形成された吸着チャック３６１を具備しており、吸着チャック３６１上に被加工物である例えば円盤状の半導体ウエーハを図示しない吸引手段によって保持するようになっている。このように構成されたチャックテーブル３６は、円筒部材３４内に配設された図示しないパルスモータによって回転せしめられる。なお、チャックテーブル３６には、後述する環状のフレームを固定するためのクランプ３６２が配設されている。
【００１３】
上記第１の滑動ブロック３２は、その下面に上記一対の案内レール３１、３１と嵌合する一対の被案内溝３２１、３２１が設けられているとともに、その上面に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に沿って平行に形成された一対の案内レール３２２、３２２が設けられている。このように構成された第１の滑動ブロック３２は、被案内溝３２１、３２１が一対の案内レール３１、３１に嵌合することにより、一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第１の滑動ブロック３２を一対の案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向（X軸方向）に移動させるための加工送り手段３７を具備している。加工送り手段３７は、上記一対の案内レール３１と３１の間に平行に配設された雄ネジロッド３７１と、該雄ネジロッド３７１を回転駆動するためのパルスモータ３７２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３７１は、その一端が上記静止基台２に固定された軸受ブロック３７３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３７２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３７１は、第１の滑動ブロック３２の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３７２によって雄ネジロッド３７１を正転および逆転駆動することにより、第一の滑動ブロック３２は案内レール３１、３１に沿って矢印Ｘで示す加工送り方向に移動せしめられる。
【００１４】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記チャックテーブル３６の加工送り量を検出するための加工送り量検出手段３７４を備えている。加工送り量検出手段３７４は、案内レール３１に沿って配設されたリニアスケール３７４aと、第１の滑動ブロック３２に配設され第１の滑動ブロック３２とともにリニアスケール３７４aに沿って移動する読み取りヘッド３７４bとからなっている。この送り量検出手段３７４の読み取りヘッド３７４bは、図示の実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り量を検出する。なお、上記加工送り手段３７の駆動源としてパルスモータ３７２を用いた場合には、パルスモータ３７２に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り量を検出することもできる。また、上記加工送り手段３７の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の加工送り量を検出することもできる。
【００１５】
上記第２の滑動ブロック３３は、その下面に上記第１の滑動ブロック３２の上面に設けられた一対の案内レール３２２、３２２と嵌合する一対の被案内溝３３１、３３１が設けられており、この被案内溝３３１、３３１を一対の案内レール３２２、３２２に嵌合することにより、矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動可能に構成される。図示の実施形態におけるチャックテーブル機構３は、第２の滑動ブロック３３を第１の滑動ブロック３２に設けられた一対の案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向（Y軸方向）に移動させるための第１の割り出し送り手段３８を具備している。第１の割り出し送り手段３８は、上記一対の案内レール３２２と３２２の間に平行に配設された雄ネジロッド３８１と、該雄ネジロッド３８１を回転駆動するためのパルスモータ３８２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド３８１は、その一端が上記第１の滑動ブロック３２の上面に固定された軸受ブロック３８３に回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ３８２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド３８１は、第２の滑動ブロック３３の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された貫通雌ネジ穴に螺合されている。従って、パルスモータ３８２によって雄ネジロッド３８１を正転および逆転駆動することにより、第２の滑動ブロック３３は案内レール３２２、３２２に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
【００１６】
図示の実施形態におけるレーザー加工装置は、上記第２の滑動ブロック３３の割り出し加工送り量を検出するための割り出し送り量検出手段３８４を備えている。割り出し送り量検出手段３８４は、案内レール３２２に沿って配設されたリニアスケール３８４aと、第２の滑動ブロック３３に配設され第２の滑動ブロック３３とともにリニアスケール３８４aに沿って移動する読み取りヘッド３８４bとからなっている。この送り量検出手段３８４の読み取りヘッド３８４bは、図示に実施形態においては1μm毎に１パルスのパルス信号を後述する制御手段に送る。そして後述する制御手段は、入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の割り出し送り量を検出する。なお、上記第１の割り出し送り手段３８の駆動源としてパルスモータ３８２を用いた場合には、パルスモータ３８２に駆動信号を出力する後述する制御手段の駆動パルスをカウントすることにより、チャックテーブル３６の割り出し送り量を検出することもできる。また、上記第１の割り出し送り手段３８の駆動源としてサーボモータを用いた場合には、サーボモータの回転数を検出するロータリーエンコーダが出力するパルス信号を後述する制御手段に送り、制御手段が入力したパルス信号をカウントすることにより、チャックテーブル３６の割り出し送り量を検出することもできる。
【００１７】
上記レーザー光線照射ユニット支持機構４は、静止基台２上に矢印Ｙで示す割り出し送り方向に沿って平行に配設された一対の案内レール４１、４１と、該案内レール４１、４１上に矢印Ｙで示す方向に移動可能に配設された可動支持基台４２を具備している。この可動支持基台４２は、案内レール４１、４１上に移動可能に配設された移動支持部４２１と、該移動支持部４２１に取り付けられた装着部４２２とからなっている。装着部４２２は、一側面に矢印Ｚで示す方向に延びる一対の案内レール４２３、４２３が平行に設けられている。図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット支持機構４は、可動支持基台４２を一対の案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動させるための第２の割り出し送り手段４３を具備している。第２の割り出し送り手段４３は、上記一対の案内レール４１、４１の間に平行に配設された雄ネジロッド４３１と、該雄ネジロッド４３１を回転駆動するためのパルスモータ４３２等の駆動源を含んでいる。雄ネジロッド４３１は、その一端が上記静止基台２に固定された図示しない軸受ブロックに回転自在に支持されており、その他端が上記パルスモータ４３２の出力軸に伝動連結されている。なお、雄ネジロッド４３１は、可動支持基台４２を構成する移動支持部４２１の中央部下面に突出して設けられた図示しない雌ネジブロックに形成された雌ネジ穴に螺合されている。このため、パルスモータ４３２によって雄ネジロッド４３１を正転および逆転駆動することにより、可動支持基台４２は案内レール４１、４１に沿って矢印Ｙで示す割り出し送り方向に移動せしめられる。
【００１８】
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１と、該ユニットホルダ５１に取り付けられたレーザー光線照射手段５２を具備している。ユニットホルダ５１は、上記装着部４２２に設けられた一対の案内レール４２３、４２３に摺動可能に嵌合する一対の被案内溝５１１、５１１が設けられており、この被案内溝５１１、５１１を上記案内レール４２３、４２３に嵌合することにより、矢印Ｚで示す方向に移動可能に支持される。
【００１９】
図示の実施形態におけるレーザー光線照射ユニット５は、ユニットホルダ５１を一対の案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向（Z軸方向）に移動させるための移動手段５３を具備している。移動手段５３は、一対の案内レール４２３、４２３の間に配設された雄ネジロッド（図示せず）と、該雄ネジロッドを回転駆動するためのパルスモータ５３２等の駆動源を含んでおり、パルスモータ５３２によって図示しない雄ネジロッドを正転および逆転駆動することにより、ユニットホルダ５１およびレーザビーム照射手段５２を案内レール４２３、４２３に沿って矢印Ｚで示す方向（Z軸方向）に移動せしめる。なお、図示の実施形態においてはパルスモータ５３２を正転駆動することによりレーザー光線照射手段５２を上方に移動し、パルスモータ５３２を逆転駆動することによりレーザー光線照射手段５２を下方に移動するようになっている。
【００２０】
上記レーザー光線照射手段５２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング５２１と、図２に示すようにケーシング５２１内に配設されたパルスレーザー光線発振手段６１と、パルスレーザー光線発振手段６１が発振したパルスレーザー光線を集光して上記チャックテーブル３６に保持された被加工物に照射する集光器６２と、パルスレーザー光線発振手段６１と集光器６２との間に配設されパルスレーザー光線発振手段６１が発振したパルスレーザー光線を集光器６２とレーザー光線吸収手段６３に選択的に偏向する音響光学偏向手段６４を具備している。
【００２１】
上記パルスレーザー光線発振手段６１は、ＹＡＧレーザー発振器或いはＹＶＯ４レーザー発振器からなるパルスレーザー光線発振器６１１と、これに付設された繰り返し周波数設定手段６１２とから構成されている。パルスレーザー光線発振器６１１は、繰り返し周波数設定手段６１２によって設定された所定周波数のパルスレーザー光線(LB)を発振する。繰り返し周波数設定手段６１２は、パルスレーザー光線発振器６１１が発振するパルスレーザー光線の繰り返し周波数を設定する。
【００２２】
上記音響光学偏向手段６４は、レーザー光線発振手段６１が発振したレーザー光線(LB)の光軸を集光器６２とレーザー光線吸収手段６３に選択的に偏向する音響光学素子６４１と、該音響光学素子６４１に印加するRF（radio  frequency）を生成するRF発振器６４２と、該RF発振器６４２によって生成されたRFのパワーを増幅して音響光学素子６４１に印加するRFアンプ６４３と、RF発振器６４２によって生成されるRFの周波数を調整する偏向角度調整手段６４４と、RF発振器６４２によって生成されるRFの振幅を調整する出力調整手段６４５を具備している。上記音響光学素子６４１は、印加されるRFの周波数に対応してレーザー光線の光軸を偏向する角度を調整することができるとともに、印加されるRFの振幅に対応してレーザー光線の出力を調整することができる。なお、上記偏向角度調整手段６４４および出力調整手段６４５は、後述する制御手段によって制御される。
【００２３】
上記集光器６２はケーシング５２１の先端に装着されており、上記音響光学偏向手段６４によって偏向されたパルスレーザー光線を下方に向けて方向変換する方向変換ミラー６２１と、該方向変換ミラー６２１によって方向変換されたレーザー光線を集光する集光レンズ６２２を具備している。
【００２４】
図示の実施形態におけるパルスレーザー照射手段５２は以上のように構成されており、以下その作用について図２を参照して説明する。
音響光学偏向手段６４の偏向角度調整手段６４４に後述する制御手段から光軸偏向信号が印加されない場合には、パルスレーザー光線発振手段６１から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において実線で示すように集光器６２に導かれる。一方、偏向角度調整手段６４４に後述する制御手段から例えば５Vの電圧が印加され、音響光学素子６４１に５Vに対応する周波数のRFが印加された場合には、パルスレーザー光線発振手段６１から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において破線で示すようにレーザー光線吸収手段６３に導かれる。
【００２５】
図１に戻って説明を続けると、上記レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５２１の先端部には、レーザー光線照射手段５２によってレーザー加工すべき加工領域を検出する撮像手段７が配設されている。この撮像手段７は、可視光線によって撮像する通常の撮像素子（ＣＣＤ）の外に、被加工物に赤外線を照射する赤外線照明手段と、該赤外線照明手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、該光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成されており、撮像した画像信号を制御手段８に送る。
【００２６】
制御手段８はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）８１と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）８２と、後述する被加工物の設計値のデータや演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３と、カウンター８４と、入力インターフェース８５および出力インターフェース８６とを備えている。制御手段８の入力インターフェース８５には、上記加工送り量検出手段３７４、割り出し送り量検出手段３８４および撮像手段７等からの検出信号が入力される。そして、制御手段８の出力インターフェース８６からは、上記パルスモータ３７２、パルスモータ３８２、パルスモータ４３２、パルスモータ５３２、レーザー光線照射手段５２および表示手段８０等に制御信号を出力する。なお、上記ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３は、後述する検出値のデータや加工条件のデータを記憶する記憶領域を備えている。
【００２７】
次に、上述したレーザー加工装置１によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハについて、図３を参照して説明する。図３に示す半導体ウエーハ１０は、例えば直径（D）が２００mmで厚さが１００μｍのシリコンウエーハからなっており、ウエーハ基板１００の表面１００ａには第１の方向に複数のストリート１０１が平行に連続して形成されているとともに、該第１の方向のストリート１０１と直交する第２の方向に複数のストリート１０２が平行に非連続に形成されている。このように、第１の方向の複数のストリート１０１と第２の方向の複数のストリート１０２によって区画された複数の領域にそれぞれＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１０３が形成されている。
【００２８】
図３に示す半導体ウエーハ１０のウエーハ基板１００の表面１００ａに形成された第１の方向のストリート１０１と第２の方向のストリート１０２の設計値であるX,Y座標値が、上記制御手段８のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に格納される。なお、図示の実施形態においては、図４の(a)および(b)に示すように半導体ウエーハ１０のウエーハ基板１００の裏面１００bからみた第１の方向のストリート１０１と第２の方向のストリート１０２のX,Y座標値が制御手段８のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に格納される。なお、図４の(a)に示す制御マップは半導体ウエーハ１０のウエーハ基板１００に形成された第２の方向のストリート１０２がX座標と平行に位置付けられた状態を示しており、図４の(b)に示す制御マップは半導体ウエーハ１０のウエーハ基板１００に形成された第１の方向のストリート１０１がX座標と平行に位置付けられた状態を示している。
【００２９】
次に、上述した半導体ウエーハ１０のウエーハ基板１００の表面１００ａに形成された第１の方向のストリート１０１と第２の方向のストリート１０２に沿ってレーザー光線を照射し、半導体ウエーハ１０の内部に第１の方向のストリート１０１および第２の方向のストリート１０２に沿って変質層を形成するレーザー加工方法について説明する。
先ず、上述した半導体ウエーハ１０は、図５に示すように環状のフレームFに装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープTに表面１００ａ側を貼着する。従って、半導体ウエーハ１０は、裏面１００bが上側となる。
【００３０】
図５に示すように、環状のフレームFに保護テープTを介して支持された半導体ウエーハ１０は、図１に示すレーザー加工装置のチャックテーブル３６上に保護テープT側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより半導体ウエーハ１０は、保護テープTを介してチャックテーブル３６上に吸引保持される。また、環状のフレームFは、クランプ３６２によって固定される。そして、チャックテーブル３６を９０度回動する。この結果、チャックテーブル３６上に吸引保持された半導体ウエーハ１０は、図４の (b)に示す座標値に位置付けられたことになる。
【００３１】
上述したウエーハ位置付け工程を実施したならば、半導体ウエーハ１０を吸引保持したチャックテーブル３６は、加工送り手段３７によって撮像手段７の直下に位置付けられる。チャックテーブル３６が撮像手段７の直下に位置付けられると、撮像手段７および制御手段８によって半導体ウエーハ１０のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段７および制御手段８は、半導体ウエーハ１０の第１の方向に形成されているストリート１０１と、該第１の方向のストリート１０１に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器６２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメント工程を遂行する。このとき、半導体ウエーハ１０の第１の方向のストリート１０１および第２の方向のストリート１０２が形成されている表面１００ａは下側に位置しているが、撮像手段７が上述したように赤外線照明手段と赤外線を捕らえる光学系および赤外線に対応した電気信号を出力する撮像素子（赤外線ＣＣＤ）等で構成された撮像手段を備えているので、裏面１００ｂから透かして第１の方向のストリート１０１および第２の方向のストリート１０２を撮像することができる。
【００３２】
上述したようにアライメント工程を実施したならば、半導体ウエーハ１０に対して透過性を有する波長のレーザー光線を半導体ウエーハ１０の内部に集光点を合わせて第１の方向のストリート１０１に沿って照射し、半導体ウエーハ１０の内部に第１のストリート１０１に沿って変質層を形成する第１の変質層形成工程を実施する。
【００３３】
即ち、図６に示すように半導体ウエーハ１０の割り出し送り方向Yにおける一方(図６において上方)の最外側の第１の方向のストリート１０１を集光器６２の直下に位置付け、該第１の方向のストリート１０１の一端を（図６において左端）をレーザー光線照射手段５２の集光器６２の直下に位置付ける。次に、制御手段８はレーザー光線照射手段５２の偏向角度調整手段６４４への電圧の印加を停止するように制御し、図７の（ａ）に示すようにレーザー光線照射手段５２の集光器６２からウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつ、加工送り手段３７を作動してチャックテーブル３６を矢印X1で示す加工送り方向に所定の送り速度で移動する。この結果、パルスレーザー光線発振手段６１から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において実線で示すように集光器６２に導かれ、チャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０に照射される。また、パルスレーザー光線の集光点Pを半導体ウエーハ１０の内部に合わせる。そして、図７の（b）に示すように第１の方向のストリート１０１の他端が集光器６２の直下に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、図７の（b）および(c)に示すように半導体ウエーハ１０の内部には連続した第１の方向のストリート１０２に沿って変質層１１０が形成される。
【００３４】
なお、上記第１の変質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源                    ：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ4レーザー
波長                    ：１０６４ｎｍのパルスレーザー
集光スポット径          ：φ１μｍ
集光点のピークパワー密度：３．２×１０１０Ｗ／cm2
繰り返し周波数          ：１００ｋＨｚ
加工送り速度            ：１００ｍｍ／秒
【００３５】
上述したように連続した第１の方向のストリート１０１に沿って第１の変質層形成工程を実施したならば、第１の割り出し送り手段３８を作動してチャックテーブル３６を制御手段８のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に格納されている図４の (b)に示す制御マップに従って第１の方向のストリート１０１の間隔分だけ割り出し送り方向（図６に示す実施形態においては上方に）に移動し、チャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０における上記第１の変質層形成工程が実施された第１の方向のストリート１０１に隣接する第１の方向のストリート１０１を図６において２点差線で示す集光器６２の直下に位置付ける割り出し送り工程を実施する。そして、上述した第１の変質層形成工程と割り出し送り工程とを順次実施することにより、図８に示すように半導体ウエーハ１０の内部には一方の半分領域に形成された連続した複数の第１の方向のストリート１０１に沿って変質層１１０が形成される（第１の工程）。
【００３６】
上述した第１の変質層形成工程の第１の工程を実施することにより、図８に示すように半導体ウエーハ１０は変質層１１０が形成された第１の方向のストリート１０１と直交する方向（矢印Y方向）に僅かに膨張する。この結果、保護テープWに貼着されている半導体ウエーハ１０は矢印Y方向に変位するが、面積が相対的に小さい側に変位するので、第１の変質層形成工程の第１の工程においては面積が最も大きい中央領域の第１の方向のストリート１０１に沿った第１の変質層形成工程が最後になるため、レーザー光線の集光点と第１の方向のストリート１０１との位置関係が累積的にズレることはない。従って、制御手段８のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に格納されている図４の (b)に示す制御マップに基づいて上記第２の変質層形成工程の第１の工程を実施することにより、第１の変質層形成工程の第１の工程の途中でレーザー光線の照射によるウエーハの膨張に起因して発生する変位の補正をする必要がないので、生産性を向上することができる。
【００３７】
上述した第１の変質層形成工程を実施したならば、図９に示すように半導体ウエーハ１０の割り出し送り方向Yにおける他方(図９において下方)の最外側の第１の方向のストリート１０１を集光器６２の直下に位置付け、該第１の方向のストリート１０１の一端を（図９において左端）をレーザー光線照射手段５２の集光器６２の直下に位置付ける。そして、上述した第１の変質層形成工程と割り出し送り工程とを順次実施することにより、図１０に示すように半導体ウエーハ１０の内部には他方の半分領域に形成された連続した複数の第１の方向のストリート１０１に沿って変質層１１０が形成される（第２の工程）。
【００３８】
この第１の変質層形成工程の第２の工程においても、図１０に示すように半導体ウエーハ１０は変質層１１０が形成された第１の方向のストリート１０１と直交する方向（矢印Y方向）に僅かに膨張するが、面積が最も大きい中央領域の第１の方向のストリート１０１に沿った第１の変質層形成工程が最後になるため、レーザー光線の集光点と第１の方向のストリート１０１との位置関係が累積的にズレることはない。従って、制御手段８のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に格納されている図４の (b)に示す制御マップに基づいて上記第１の変質層形成工程の第２の工程を実施することにより、第１の変質層形成工程の第２の工程の途中でレーザー光線の照射によるウエーハの膨張に起因して発生する変位の補正をする必要がないので、生産性を向上することができる。
【００３９】
上述した第１の変質層形成工程の第１の工程および第２の工程を実施することにより、図１０に示すように半導体ウエーハ１０は変質層１１０が形成された第１の方向のストリート１０１と直交する方向（矢印Y方向）に僅かに膨張する。この半導体ウエーハ１０の膨張に対応するために、半導体ウエーハ１０における変質層１１０が形成された第１の方向のストリート１０１と直交する方向の伸び量を計測する伸び量計測工程を実施する。
【００４０】
伸び量計測工程は、上述した第１の変質層形成工程が終了した状態からチャックテーブル３６を９０度回動しチャックテーブル３６に保持されている半導体ウエーハ１０を９０度回動せしめて、図１１に示すように変質層１１０が形成された第１の方向のストリート１０１と直交する第２の方向に形成された第２の方向のストリート１０２を加工送り方向Xと平行になるように位置付けるウエーハ位置付け工程を実施する。この結果、半導体ウエーハ１０は、図４の(a)に示す座標値に位置付けられたことになる。そして、チャックテーブル３６を移動して半導体ウエーハ１０における第２の方向のストリート１０２が形成された第２の方向の直径部の一方（図１１において左方）の周縁を撮像手段７の直下に位置付ける。このときのチャックテーブル３６の位置を制御手段８は加工送り量検出手段３７４から入力し、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に一時格納する。次に、チャックテーブル３６を移動して半導体ウエーハ１０における第２の方向のストリート１０２が形成された第２の方向の直径部の他方（図１１において右方）の周縁を撮像手段７の直下に位置付ける。このときのチャックテーブル３６の位置を制御手段８は加工送り量検出手段３７４から入力し、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に一時格納する。そして、制御手段８は上記半導体ウエーハ１０の両周縁間の間隔をもって上述した第１の変質層形成工程を実施することによって延びた半導体ウエーハ１０の長さ(D1)であると判定し、この長さ(D1)をランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に一時格納する。次に、制御手段８は延びた半導体ウエーハ１０の長さ(D1)と半導体ウエーハ１０の設計値である直径（D）に基づいて延び率(D1／D)をもって補正値(S)とし(S＝D1／D)、この補正値(S)をランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に格納する。延び率
【００４１】
上述した伸び量計測工程を実施したならば、半導体ウエーハ１０に対して透過性を有する波長のレーザー光線をウエーハの内部に集光点を合わせて第２のストリート１０２に沿って照射し、半導体ウエーハ１０の内部に第２の方向のストリート１０２に沿って非連続の変質層を形成する第２の変質層形成工程を実施する。
【００４２】
第２の変質層形成工程を実施するには、図１２に示すように半導体ウエーハ１０の割り出し送り方向Yにおける一方(図１２において上方)の最外側の第２の方向のストリート１０２を集光器６２の直下に位置付け、該第２の方向のストリート１０２の一端を（図１２において左端）をレーザー光線照射手段５２の集光器６２の直下に位置付ける。次に、制御手段８はレーザー光線照射手段５２の偏向角度調整手段６４４への電圧の印加を停止するように制御し、図１３の（ａ）に示すようにレーザー光線照射手段５２の集光器６２からウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を照射しつつ、加工送り手段３７を作動してチャックテーブル３６を矢印X1で示す加工送り方向に所定の送り速度で移動する。そして、制御手段８はランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に格納された図４の(a)に示す制御マップの第１の方向のストリート１０１の座標値に上記補正値(S)を乗算した位置（伸びた半導体ウエーハ１０の第１の方向のストリート１０１との交点に相当する）が集光器６２の直下に達したら、制御手段８はレーザー光線照射手段５２の偏向角度調整手段６４４に５Vの電圧を印加するように制御し、音響光学素子６４１に５Vに対応する周波数のRFを印加する。この結果、パルスレーザー光線発振手段６１から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において破線で示すようにレーザー光線吸収手段６３に導かれ、チャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０には照射されない。そして、次の第１の方向のストリート１０１の上記制御マップ上の座標値に上記補正値(S)を乗算した位置（伸びた半導体ウエーハ１０の第１の方向のストリート１０１との交点に相当する）が集光器６２の直下に達したら、制御手段８はレーザー光線照射手段５２の偏向角度調整手段６４４への電圧の印加を停止するように制御する。この結果、パルスレーザー光線発振手段６１から発振されたパルスレーザー光線は、その光軸が図２において実線で示すように集光器６２に導かれ、チャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０に照射される。このように非連続の第２の方向のストリート１０２に沿ってパルスレーザー光線を照射する（第２の変質層形成工程）。なお、この第２の変質層形成工程においては、パルスレーザー光線の集光点Pを半導体ウエーハ１０の内部に合わせる。そして、図１３の（b）に示すように第２の方向のストリート１０２の他端が集光器６２の直下に達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル３６の移動を停止する。この結果、図１３の（b）および(c)に示すように半導体ウエーハ１０の内部には非連続の第２の方向のストリート１０２に沿って変質層１２０が形成される。このように第２の変質層形成工程を実施することにより、上記第１の変質層形成工程が実施され伸びた半導体ウエーハ１０に、第２の方向のストリート１０２に沿って第１の方向のストリート１０１間に正確に変質層１２０を形成することができる。なお、第２の変質層形成工程の加工条件は、上記第１の変質層形成工程の加工条件と同一でよい。
【００４３】
上述したように非連続の第２の方向のストリート１０２に沿って第２の変質層形成工程を実施したならば、第１の割り出し送り手段３８を作動してチャックテーブル３６を制御手段８のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に格納されている図４の(a)に示す制御マップに従って第２の方向のストリート１０２の間隔分だけ割り出し送り方向（図１２に示す実施形態においては上方に）に移動し、チャックテーブル３６に保持された半導体ウエーハ１０における上記第２の変質層形成工程が実施された第２の方向のストリート１０２に隣接する第２のストリート１０２を図１２において２点差線で示す集光器６２の直下に位置付ける割り出し送り工程を実施する。この割り出し送り工程における割り出し送り量は、上記第１の変質層形成工程を実施することにより半導体ウエーハ１０が第１の方向のストリート１０１と直交する方向に僅かに膨張するが、第２の方向のストリート１０２と直交する方向には膨張しないため制御マップにおける第２の方向のストリート１０２の間隔分でよい。そして、上述した第２の変質層形成工程と割り出し送り工程とを順次実施することにより、図１４に示すように半導体ウエーハ１０の内部には一方の半分領域に形成された非連続の複数の第２の方向のストリート１０２に沿って変質層１２０が形成される（第１の工程）。
【００４４】
上述した第２の変質層形成工程の第１の工程を実施することにより、図１４に示すように半導体ウエーハ１０は変質層１２０が形成された第２の方向のストリート１０２と直交する方向（矢印Y方向）に僅かに膨張する。この結果、保護テープWに貼着されている半導体ウエーハ１０は矢印Y方向に変位するが、面積が相対的に小さい側に変位するので、第２の変質層形成工程の第１の工程においては面積が最も大きい中央領域の第２の方向のストリート１０２に沿った第２の変質層形成工程が最後になるため、レーザー光線の集光点と第２の方向のストリート１０２との位置関係が累積的にズレることはない。従って、制御手段８のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に格納されている図４の(a)に示す制御マップに基づいて上記第２の変質層形成工程の第１の工程を実施することにより、第２の変質層形成工程の第１の工程の途中でレーザー光線の照射によるウエーハの膨張に起因して発生する変位の補正をする必要がないので、生産性を向上することができる。
【００４５】
上述した第２の変質層形成工程の第１の工程を実施したならば、図１５に示すように半導体ウエーハ１０の割り出し送り方向Yにおける他方(図１５において下方)の最外側の第２の方向のストリート１０２を集光器６２の直下に位置付け、該第２の方向のストリート１０２の一端を（図１５において左端）をレーザー光線照射手段５２の集光器６２の直下に位置付ける。そして、上述した第２の変質層形成工程と割り出し送り工程とを順次実施することにより、図１６に示すように半導体ウエーハ１０の内部には他方の半分領域に形成された非連続の複数の第２の方向のストリート１０２に沿って変質層１２０が形成される（第２の工程）。
【００４６】
この第２の変質層形成工程の第２の工程においても、図１６に示すように半導体ウエーハ１０は変質層１２０が形成された第２の方向のストリート１０２と直交する方向（矢印Y方向）に僅かに膨張するが、面積が最も大きい中央領域の第２の方向のストリート１０２に沿った第２の変質層形成工程が最後になるため、レーザー光線の集光点と第２の方向のストリート１０２との位置関係が累積的にズレることはない。従って、制御手段８のランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）８３に格納されている図４の(a)に示す制御マップに基づいて上記第２の変質層形成工程の第２の工程を実施することにより、第２の変質層形成工程の第２の工程の途中でレーザー光線の照射によるウエーハの膨張に起因して発生する変位の補正をする必要がないので、生産性を向上することができる。
【００４７】
以上のようにして、連続した第１の方向のストリート１０１に沿って連続した変質層１１０が形成されるとともに、非連続の第２の方向のストリート１０２に沿って非連続の変質層１２０が形成された半導体ウエーハ１０は、次工程である分割工程に送られる。この分割工程においては、連続した変質層１１０が形成された第１の方向のストリート１０１および非連続の変質層１２０が形成された第２の方向のストリート１０２に沿って外力を付与することにより、半導体ウエーハ１０を第１の方向のストリート１０１および第２の方向ストリート１０２に沿って破断し、個々のデバイスに分割する。
【００４８】
以上、本発明によるウエーハのレーザー加工方法を図３に示すようにウエーハ基板１００の表面１００ａに第１の方向に複数の第１の方向のストリート１０１が平行に連続して形成されているとともに、第１の方向のストリート１０１と直交する第２の方向に複数の第２の方向のストリート１０２が平行に非連続に形成されている半導体ウエーハ１０に実施した例を示したが、本発明によるウエーハのレーザー加工方法は第１の方向のストリートと第２の方向のストリートの両方に非連続のストリートが形成されている半導体ウエーハ１０に実施することができる。
【００４９】
即ち、図１７に示す半導体ウエーハ１０は、ウエーハ基板１００の表面１００ａに第１の方向に連続した第１のストリート１０１aと非連続の第２のストリート１０１bが形成されているとともに、第１の方向と直交する第２の方向に非連続の第１のストリート１０２aと第２のストリート１０２bが形成されている。
また、図１８に示す半導体ウエーハ１０は、ウエーハ基板１００の表面１００ａに一方の方向に非連続の第１のストリート１０１a、第２のストリート１０１b、第３のストリート１０１cが形成されているとともに、一方の方向と直交する第２の方向に連続の第１のストリート１０２aと非連続の第２のストリート１０２bが形成されている。
【００５０】
上記図１７および図１８に示す半導体ウエーハ１０の内部に第１の方向のストリートと第２の方向のストリートに沿って変質層を形成するには、第１の方向に形成されたストリートと第２の方向に形成されたストリートのいずれか一方の方向のストリートに対して上記第１の変質層形成工程を実施し、第１の変質層形成工程が実施された半導体ウエーハ１０における一方の方向のストリートと直交する方向の伸び量を計測する上記伸び量計測工程を実施した後、他方の方向のストリートに対して上記第２の変質層形成工程を実施する。そして、第２の変質層形成工程を実施する際には、他方の方向のストリートのX,Y座標値に伸び量計測工程において計測したウエーハの伸び量を補正して実施することにより、レーザー光線を適正位置に照射することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本発明によるウエーハのレーザー加工方法を実施するためのレーザー加工装置の斜視図。
【図２】図１に示すレーザー加工装置に装備されるレーザー光線照射手段の構成を簡略に示すブロック図。
【図３】本発明によるウエーハのレーザー加工方法によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハを示す斜視図。
【図４】図３に示す導体ウエーハに形成された第１のストリートと第２のストリートのX,Y座標を示す制御マップ。
【図５】図３に示す半導体ウエーハの表面を環状のフレームに装着された保護テープに貼着した状態を示す斜視図。
【図６】本発明によるウエーハのレーザー加工方法の第１変質層形成工程の第１の加工工程においてウエーハの割り出し送り方向における一方の最外側のストリートを集光器の直下に位置付けた状態を示す説明図。
【図７】本発明によるウエーハのレーザー加工方法の第１変質層形成工程の第１の加工工程の説明図。
【図８】本発明によるウエーハのレーザー加工方法の第１変質層形成工程の第１の加工工程が実施され内部に第２のストリートに沿って変質層が形成された半導体ウエーハの平面図。
【図９】本発明によるウエーハのレーザー加工方法の第１変質層形成工程の第１の加工工程においてウエーハの割り出し送り方向における他方の最外側のストリートを集光器の直下に位置付けた状態を示す説明図。
【図１０】半導体ウエーハに形成された第２のストリートに沿って本発明によるウエーハのレーザー加工方法の第１変質層形成工程の第１の加工工程および第２の工程が実施され内部に第２のストリートに沿って変質層が形成された半導体ウエーハの平面図。
【図１１】本発明によるウエーハのレーザー加工方法における伸び量計測工程の説明図。
【図１２】本発明によるウエーハのレーザー加工方法の第２変質層形成工程の第１の加工工程においてウエーハの割り出し送り方向における一方の最外側のストリートを集光器の直下に位置付けた状態を示す説明図。
【図１３】本発明によるウエーハのレーザー加工方法の第２変質層形成工程の第１の加工工程の説明図。
【図１４】本発明によるウエーハのレーザー加工方法の第２変質層形成工程の第１の加工工程が実施され内部に第１のストリートに沿って変質層が形成された半導体ウエーハの平面図。
【図１５】本発明によるウエーハのレーザー加工方法の第２変質層形成工程の第２の加工工程においてウエーハの割り出し送り方向における他方の最外側のストリートを集光器の直下に位置付けた状態を示す説明図。
【図１６】半導体ウエーハに形成された第１のストリートおよび第２のストリートに沿って本発明によるウエーハのレーザー加工方法の第１変質層形成工程および第２の変質層形成工程が実施され内部に第１のストリートおよび第２のストリートに沿って変質層が形成された半導体ウエーハの平面図。
【図１７】本発明によるウエーハのレーザー加工方法によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの他の例を示す平面図。
【図１８】本発明によるウエーハのレーザー加工方法によって加工されるウエーハとしての半導体ウエーハの更に他の例を示す平面図。
【符号の説明】
【００５２】
１：レーザー加工装置
２：静止基台
３：チャックテーブル機構
３６：チャックテーブル
３７：加工送り手段
３８：第１の割り出し送り手段
４：レーザー光線照射ユニット支持機構
４３：第２の割り出し送り手段
５：レーザー光線照射ユニット
５２：レーザー光線照射手段
６１：パルスレーザー光線発振手段
６２：集光器
６３：レーザー光線吸収手段
６４：音響光学偏向手段
７：撮像手段
８：制御手段
１０：半導体ウエーハ
１１：第１のストリート
１２：第２のストリート
１３：デバイス
W：環状のフレーム
Ｔ：保護テープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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