(57)【要約】【課題】  電子部品の電極表面に対し、電源を用いず、かつ触媒処理も行わずＣｕめっき皮膜を形成する場合においても、成膜速度の高いＣｕめっきを可能とする電子部品の製造方法を提供する。【解決手段】  少なくとも表面がＣｕの析出電位に対し電気化学的に卑な浸漬電位を有する金属からなる導電性媒体を、Ｃｕめっき浴中で前記被めっき物と混合し、前記被めっき物における電極上にＣｕめっき皮膜を形成する工程を含む電子部品の製造方法において、前記Ｃｕめっき浴が、硫酸銅、硝酸銅、塩化銅から選ばれる少なくとも一種、ならびに、リンゴ酸、乳酸、マロン酸、グルタミン酸から選ばれる少なくとも一種、を含む。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも表面がＣｕの析出電位に対し電気化学的に卑な浸漬電位を有する金属からなる導電性媒体を、Ｃｕめっき浴中で前記被めっき物と混合し、前記被めっき物における電極上にＣｕめっき皮膜を形成する工程を含む電子部品の製造方法において、
前記Ｃｕめっき浴が、硫酸銅、硝酸銅、塩化銅から選ばれる少なくとも一種、ならびに、リンゴ酸、乳酸、マロン酸、グルタミン酸から選ばれる少なくとも一種、を含むことを特徴とする、電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記Ｃｕめっき浴が、硫酸、硫酸カリウム、硫酸アンモニウム、硫酸アルミニウム、カリウムミョウバン、アミド硫酸、スルファミン酸塩およびスルホン酸塩から選ばれる少なくとも一種を含む、請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記Ｃｕめっき浴が、硝酸または硝酸カリウムを含む、請求項１または２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記Ｃｕの析出電位に対し電気化学的に卑な浸漬電位を有する金属が、Ａｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｇａ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｐｂおよびそれらの合金から選ばれる少なくとも一種からなる、請求項１〜３に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品の製造方法、及び電子部品に関し、特に、積層コンデンサやノイズフィルタ等のチップ型電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック素体の表面に電極が形成された電子部品では、従来より、電極の耐熱性やはんだ濡れ性を向上させるためにＣｕめっき、Ｎｉめっき、Ｓｎめっき等を施し、電極表面にめっき皮膜を形成することが行われている。
【０００３】
このＣｕめっき、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきは、一般的には、電源を用いた電解めっき、詳しくは、めっき浴に満たされた容器中において導電性メディアと共に攪拌しながら通電を行う電解バレルめっきにより行われる。
【０００４】
この電解バレルめっきには、大きな電源が必要であるという問題がある。また、容器中における電流密度ばらつきにより、電子部品に析出するめっき膜厚にもばらつきが生じるという問題がある。無電解めっきを用いれば前述の問題を解消できるが、還元剤の還元作用を活性化させるための触媒処理を被めっき部分のみに行う必要があり、この工程が煩雑であるという問題がある。
【０００５】
そこで、特許文献１には、特に触媒処理を行わなくても、チップ型電子部品の電極上に対し、電源を用いずめっきする方法が開示されている。すなわち、めっき析出金属の析出電位に対し電気化学的に卑な浸漬電位を有する導電性媒体を、めっき浴中で前記被めっき物と混合し、前記電極上に前記めっき皮膜を形成することを特徴とする方法である。  
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１８３８４４号公報
【発明の概要】
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載の電子部品の製造方法においては、Ｃｕめっきの成膜速度がまだまだ低く、実用上は不具合があった。
【０００９】
そこで、本発明の目的は、Ｃｕの析出電位に対し電気化学的に卑な浸漬電位を有する導電性媒体をめっき浴中で前記被めっき物と混合し、電極上にＣｕめっき皮膜を形成することを特徴とする電子部品の製造方法において、Ｃｕめっきの成膜速度を高めるための手段、特にＣｕめっき浴を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
すなわち本発明は、少なくとも表面がＣｕの析出電位に対し電気化学的に卑な浸漬電位を有する金属からなる導電性媒体を、Ｃｕめっき浴中で前記被めっき物と混合し、前記被めっき物における電極上にＣｕめっき皮膜を形成する工程を含む電子部品の製造方法において、前記Ｃｕめっき浴が、硫酸銅、硝酸銅、塩化銅から選ばれる少なくとも一種、ならびに、リンゴ酸、乳酸、マロン酸、グルタミン酸から選ばれる少なくとも一種、を含むことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明は、前記Ｃｕめっき浴が、硫酸、硫酸カリウム、硫酸アンモニウム、硫酸アルミニウム、カリウムミョウバン、アミド硫酸、スルファミン酸塩およびスルホン酸塩から選ばれる少なくとも一種を含むことが好ましい。
【００１２】
さらに、本発明は、前記Ｃｕめっき浴が、硝酸または硝酸カリウムを含むことも好ましい。
【００１３】
また、本発明は、前記Ｃｕの析出電位に対し電気化学的に卑な浸漬電位を有する金属が、Ａｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｇａ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｐｂおよびそれらの合金から選ばれる少なくとも一種からなることも好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、Ｃｕめっき浴における錯化剤がリンゴ酸、乳酸、マロン酸、グルタミン酸から選ばれる少なくとも一種であるため、導電性媒体の溶解により生じた電子をＣｕ錯体が受け取る際、電気二重層でＣｕイオンが効果的に乖離されるため、Ｃｕの析出速度が大きい。したがって、電子部品へのＣｕめっき皮膜形成を、迅速かつ確実に行うことができる。
【００１５】
また、本発明によれば、Ｃｕめっき浴が硫酸、硫酸カリウム、硫酸アンモニウム、硫酸アルミニウム、カリウムミョウバン、アミド硫酸、スルファミン酸塩およびスルホン酸塩から選ばれる少なくとも一種を含むとき、Ｃｕめっき皮膜形成の速度がさらに向上する。
【００１６】
さらに、本発明によれば、Ｃｕめっき浴が硝酸または硝酸カリウムを含むとき、イオン化した電気化学的に卑な浸漬電位を有する金属の再析出が効果的に防がれる。よって、形成されたＣｕめっき皮膜の純度を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】Ｃｕめっき析出速度の、錯化剤の種類による変化をみたグラフである。
【図２】Ｃｕめっき析出速度の、硫酸添加の有無による変化をみたグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明における電子部品は、電子部品の素体に対し、導体からなる電極が形成されているものである。電子部品の素体は、例えばＢａＴｉＯ３等のセラミック等があげられ、特にＮｉ等の内部電極を有する積層体などが挙げられる。素体に形成されている電極は、特に限られるものではないが、たとえば、ＡｇやＣｕ等の金属粉末、有機ビヒクル、ガラスフリットを含む導電性ペーストが塗布され、焼き付けられた外部電極などが挙げられる。他にも、スパッタや蒸着による金属膜などが挙げられる。
【００１９】
導電性媒体は、その少なくとも表面が、Ｃｕの析出電位に対し電気化学的に卑な浸漬電位を有する金属である。たとえば、Ａｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｍｎ、Ｖ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｇａ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｃｏ、Ｍｏ、Ｐｂおよびそれらの合金等が挙げられる。導電性媒体のサイズは特に限定されないが、０．１〜１ｍｍ径のものが好んで用いられる。
【００２０】
Ｃｕめっき浴は、Ｃｕ源として硫酸銅、硝酸銅、塩化銅から選ばれる少なくとも一種を含む。また、Ｃｕめっき浴は他の金属との合金浴でも構わない。
【００２１】
Ｃｕめっき浴は、さらに、錯化剤として、リンゴ酸、乳酸、マロン酸、グルタミン酸から選ばれる少なくとも一種を含む。これらの組み合わせにより、Ｃｕの成膜が促進される。
【００２２】
また、Ｃｕめっき浴は、導電剤、ｐＨ調整剤、膜質を改善するための界面活性剤、窒素系化合物、硫黄系化合物を含んでもよい。特に、硫酸、硫酸カリウム、硫酸アンモニウム、硫酸アルミニウム、カリウムミョウバン、アミド硫酸、スルファミン酸塩およびスルホン酸塩は導電剤の役割をなし、成膜速度を向上させる。
【００２３】
また、Ｃｕめっき浴は、硝酸または硝酸カリウムを含んでもよい。硝酸イオンを供給するものであれば、本発明の目的を損なわない限り他の硝酸塩でも構わない。
【００２４】
本発明のめっき工程においては、Ｃｕめっき浴で満たされたバレル等の容器中において、導電性媒体と被めっき物とが攪拌され、互いに接触することにより、Ｃｕめっき皮膜が電極上に形成されていく。導電性媒体の表面にあるＣｕの析出電位に対し電気化学的に卑な浸漬電位を有する金属は、Ｃｕめっき浴中にてイオン化し、電子を出す。この導電性媒体が被めっき物表面の電極に接触した際、前記電子が電極上に供給され、その電子をめっき浴中のＣｕ錯体が受け取り、Ｃｕ金属として電極上に析出する。このとき、Ｃｕ錯体の錯化剤がリンゴ酸、乳酸、マロン酸、グルタミン酸から選ばれる少なくとも一種であると、Ｃｕの析出が効果的に促進される。
【００２５】
また、導電性媒体と被めっき物とを攪拌する方法としては、水平回転バレル、揺動バレル、傾斜バレル等を用いたり、また、容器を振動させる方法などがある。
【００２６】
なお、本発明におけるめっき工程は、電源を使用しないため無電解めっきに分類されるが、これは還元剤をも用いないため、被めっき物に対するＰｄ付与などの触媒処理工程は不要となる。
【実施例】
【００２７】
次に、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。
【００２８】
[実験例１] 縦２．０ｍｍ、横１．６ｍｍ、厚さ１．０ｍｍのセラミック素体の両端部にＮｉ電極を形成した被めっき物を２５００個作製した。次いで、この被めっき物を５００個ずつの５つに分割し、下記のめっき組成を有する５種類のめっき浴（第１〜５のめっき浴）を満たした内容積が５００ｃｍ３のバレル容器に上記被めっき物を浸漬すると共に、平均径１ｍｍφのＺｎ片を４００個投入して、めっき浴を５０℃に保ったうえで３０分間撹拌し、Ｎｉ電極の表面にＣｕめっき皮膜が形成されるようにめっきを施した。第１〜第５のめっき浴は、錯化剤の種類を変化させたものである。
【００２９】
＜第１のめっき浴組成＞
硫酸銅５水和物  ：  ０．２０mol/L
乳酸          ：  １．００mol／Ｌ  
ｐＨ          ：  ４．０  
＜第２のめっき浴組成＞          
硫酸銅５水和物  ：  ０．２０mol／Ｌ
リンゴ酸      ：  １．００mol／Ｌ  
ｐＨ          ：  ５．０  
＜第３のめっき浴組成＞
硫酸銅５水和物  ：  ０．２０mol／Ｌ
マロン酸      ：  １．００mol／Ｌ  
ｐＨ          ：  ６．０  
＜第４のめっき浴組成＞
硫酸銅５水和物  ：  ０．２０mol／Ｌ
グルタミン酸  ：  １．００mol／Ｌ  
ｐＨ          ：  ５．８  
＜第５のめっき浴組成＞
硫酸銅５水和物  ：  ０．１０mol／Ｌ
ピロリン酸カリウム ：  ０．５０mol／Ｌ  
ｐＨ          ：  ８．７  
第１〜第５のめっき浴における、めっき時間とＣｕ析出量の関係、すなわちめっき析出速度の結果を図１に示す。
【００３０】
第５のめっき浴を用いた場合は、すぐにめっき析出反応が止まってしまったものの、本発明の第１〜第４のめっき浴を用いた場合は、時間経過とともに順調にめっき析出が進んだ。
【００３１】
[実験例２]   実験例１における第２のめっき浴に対し、硫酸を０．３０ｍｏｌ／Ｌ添加した第６のめっき浴を用意した。
【００３２】
次に、実験例１と同じ被めっき物を５００個用意し、これを第６のめっき浴を用いて、実験例１と同じ条件にて、Ｎｉ電極の表面にＣｕめっき皮膜が形成されるようにめっきを施した。
【００３３】
第６のめっき浴における、めっき時間とＣｕ析出量の関係、すなわちめっき析出速度の結果を第２のめっき浴の結果と比較したものを図２に示す。
【００３４】
図２の結果より、硫酸を添加することにより、Ｃｕの析出速度がさらに向上することがわかった。
【産業上の利用可能性】
【００３５】
本発明の電子部品の製造方法は、電極表面にＣｕめっきを施す電子部品、例えば、積層セラミックコンデンサ、回路基板、チップインダクタ、等に有効である。
【図１】
2010196134.tif 000002
【図２】
2010196134.tif 000003