(57)【要約】【課題】インダクタやバランの特性およびキャパシタのサイズの変更をしなくとも、キャパシタの容量を大きくできるようにすること。【解決手段】ＷＬＣＳＰ技術により形成された樹脂多層デバイスであって、基板１０、第１樹脂層２２、第１導電パターン群１３０、第２樹脂層２４と、第２導電パターン群１５０、第３樹脂層２６を備え、キャパシタ１２０は、第１導電パターン群１３０の下部電極１３２と、第２導電パターン群１５０の上部電極１５２とを有し、インダクタは、第２導電パターン群１５０のコイルパターン１５１と、第１導電パターン群１３０の導電パターンであってコイルパターン１５１の内周端に接続されるアンダーパスパターン１３１とを有し、下部電極１３２と上部電極１５２の距離がコイルパターン１５１とアンダーパスパターン１３１の距離よりも狭くなるように、下部電極１３２を設けた。【選択図】図１
2010268304.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャパシタと、インダクタまたは／およびバランからなる積層回路とを有する樹脂多層デバイスであって、
基板と、前記基板上に形成された第１樹脂層と、前記第１樹脂層上に設けられた第１導電パターン群と、前記第１樹脂層上および前記第１導電パターン群上に形成された第２樹脂層と、前記第２樹脂層上に設けられた第２導電パターン群と、前記第２樹脂層上および前記第２導電パターン群上に形成された第３樹脂層とを備え、
前記キャパシタは、前記第１導電パターン群の下部電極と、前記第２導電パターン群の上部電極とを有し、
前記積層回路は、前記第１導電パターン群の下部回路パターンと、前記第２導電パターン群の上部回路パターンとを有し、
前記下部電極の上面と前記上部電極の下面との距離が、前記下部回路パターンの上面と前記上部回路パターンの下面との距離よりも狭くなるように、前記下部電極を設けたことを特徴とする樹脂多層デバイス。
【請求項２】
前記第２樹脂層は、前記第１樹脂層および前記第３樹脂層よりも比誘電率が高いことを特徴とする請求項１に記載の樹脂多層デバイス。
【請求項３】
前記下部電極は、前記下部回路パターンよりも厚いことを特徴とする請求項１または２に記載の樹脂多層デバイス。
【請求項４】
前記下部電極は、前記第１樹脂層上に形成された樹脂コア上に設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の樹脂多層デバイス。
【請求項５】
請求項１に記載の樹脂多層デバイスの製造方法であって、
前記基板となるウェハ上に、流体樹脂をコートして硬化させ、前記第１樹脂層を形成する工程と、
前記第１樹脂層上に、前記下部電極の上面位置が前記下部回路パターンの上面位置よりも高くなるように、前記第１導電パターン群を設ける工程と、
この上に、流体樹脂をコートして硬化させ、前記第２樹脂層を形成する工程と、
前記第２樹脂層上に、前記上部電極および前記上部回路パターンを含む前記第２導電パターン群を設ける工程と、
この上に、流体樹脂をコートして硬化させ、前記第３樹脂層を形成する工程と、
を含むことを特徴とする樹脂多層デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無線通信機器等の高周波回路に用いられる、キャパシタとインダクタまたは／およびバランとを有する樹脂多層デバイスに関し、特に、積層型のキャパシタとインダクタまたは／およびバランとを有する樹脂多層デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
高周波回路では、キャパシタとインダクタからなる共振器やフィルタが使用される。このような共振器やフィルタには、積層型のキャパシタとインダクタとによるものがある。積層型共振器や積層型フィルタには、キャパシタの上部電極およびインダクタのコイルパターンと、キャパシタの下部電極および上記コイルパターンの内周端に接続するパスパターンとを、絶縁層を介して積層配置した構成のものがある（例えば特許文献１）。
【０００３】
また、高周波回路では、バランが使用される。このようなバランには、積層型のバランがある。積層型バランは、不平衡信号伝送路と、２つの平衡信号伝送路とを、絶縁層を介して積層配置した構成のものがある（例えば特許文献２）。
【０００４】
さらに、このようなバランにおいては、伝送路の実効長を短くするために、平衡信号伝送路端および不平衡信号伝送路端に、キャパシタを接続した構成としたものがある（例えば特許文献３）。不平衡信号伝送路の伝送路長は信号波長の１／２以下、平衡信号伝送路の伝送路長は信号波長の１／４以下であるが、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの周波数の信号では、伝送路長が長くなり過ぎるためである。
【０００５】
一方、近年、ＷＬＣＳＰという技術が提案されている（例えば特許文献４参照）。ＷＬＣＳＰは、ウェハ上に、樹脂層形成プロセスと厚膜銅パターン群等の導電パターン群形成プロセスによってインダクタなどの樹脂多層デバイスを作り込み、そのあとダイシングにより個片化する技術である。つまり、ウェハのまま、パッケージングまでする製法である。なお、ＷＬＣＳＰ技術によって製造されたパッケージを、ウェハレベルパッケージ（ＷＬＰ：Wafer Level Package）とする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１０−０６５４７６号公報
【特許文献２】特開２００２−０５０９１０号公報
【特許文献３】特開２００５−２４４８４８号公報
【特許文献４】特開２００７−２８１２３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
インダクタは、コイルパターンとアンダーパスパターンの距離が設計仕様の値を満たすことが必要とされる。両パターンの間隔が狭くなると、パターン間の寄生容量が増える、コイルパターンとアンダーパスパターンとのインターフェアランスによってアンダーパスパターンに流れる電流の分布が乱れる、等の理由により、インダクタのＱ値が低下するためである。
【０００８】
このため、積層型ＬＰＦ等のキャパシタとインダクタとを有する積層型デバイスでは、コイルパターンとアンダーパスパターンの間隔を狭くすることができず、両パターンの設計距離に準拠して、これらのパターン間の絶縁層の厚さが設定される。
【０００９】
また、バランは、不平衡信号出入力側のインピーダンス、および平衡信号入出力側のインピーダンスが設計仕様のインピーダンス値を満たすことが必要とされる。これらのインピーダンス仕様を満たすためのパラメータは、伝送路の幅、伝送路の厚さ、伝送路間の絶縁層の厚さ（伝送路間の距離）および誘電率、下側伝送路の下層の絶縁層の厚さおよび誘電率、ならびに上側伝送路の上層の絶縁層の厚さおよび誘電率である。
【００１０】
バランにおいて、伝送路の通過損失を減らすためには、伝送路の断面積を大きくする必要がある。しかし、上記の設計インピーダンス値の伝送路とする必要があるため、伝送路の断面積を大きくするには、平衡信号伝送路と不平衡信号伝送路とを離さなければならない。つまり、平衡信号伝送路と不平衡信号伝送路の間の絶縁層を厚くして伝送路間の間隔を大きくとって、インピーダンスを整合させる必要がある。
【００１１】
従って、キャパシタとインダクタを有する積層型デバイスでは、キャパシタの上部電極と下部電極との距離は、インダクタの上記設計距離と同じになる。また、キャパシタとバランを有する積層型デバイスでは、キャパシタの上部電極と下部電極との距離は、バランの設計インピーダンスに準拠した上記距離と同じになる。
【００１２】
このように、キャパシタとインダクタまたは／およびバランとを有する積層型デバイスでは、キャパシタの電極間距離は、インダクタまたはバランの設計値に準拠させる必要があるため、キャパシタの容量を大きくすること、あるいはキャパシタの容量値を調整することが困難であるという課題があった。また、容量の大きなキャパシタを作るには、キャパシタの電極サイズを大きくしなければならず、キャパシタの占有面積が大きくなる、および自己共振周波数が低下するという課題があった。
【００１３】
例えば、第１樹脂層上の第１導電パターン群と第２樹脂層上の第２導電パターン群によってインダクタを構成し、第３樹脂層上の第３導電パターン群と第４樹脂層上の第４導電パターン群とによってキャパシタを構成し、第３樹脂層の厚さを薄くすることにより、大容量のキャパシタを得ることが考えられる。しかしながら、このようなインダクタとキャパシタとを別レイヤに配置する構成では、樹脂層および導電パターン層がそれぞれ２層ずつ増加することになり、デバイスの構成および製造手順が複雑になる。
【００１４】
本発明は、このような従来の課題を解決するためになされたものであり、キャパシタと、インダクタまたは／およびバランからなる積層回路とを有する樹脂多層デバイスにおいて、積層回路の特性およびキャパシタのサイズの変更をしなくとも、キャパシタの容量を大きくできるようにすることを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の樹脂多層デバイスは、キャパシタと、インダクタまたは／およびバランからなる積層回路とを有する樹脂多層デバイスであって、基板と、前記基板上に形成された第１樹脂層と、前記第１樹脂層上に設けられた第１導電パターン群と、前記第１樹脂層上および前記第１導電パターン群上に形成された第２樹脂層と、前記第２樹脂層上に設けられた第２導電パターン群と、前記第２樹脂層上および前記第２導電パターン群上に形成された第３樹脂層とを備え、前記キャパシタは、前記第１導電パターン群の下部電極と、前記第２導電パターン群の上部電極とを有し、前記積層回路は、前記第１導電パターン群の下部回路パターンと、前記第２導電パターン群の上部回路パターンとを有し、前記下部電極の上面と前記上部電極の下面との距離が、前記下部回路パターンの上面と前記上部回路パターンの下面との距離よりも狭くなるように、前記下部電極を設けたことを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、キャパシタの下部電極の上面と上部電極の下面の距離が、積層回路の下部回路パターンの上面と上部回路パターンの下面の距離よりも狭くなるように、キャパシタの下部電極を設けたことにより、積層回路の特性およびキャパシタのサイズの変更をしなくとも、キャパシタの容量を大きくすることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係る樹脂多層デバイスの一例（実施の形態１）を示す斜視図。
【図２】図１に示す樹脂多層デバイスの断面図。
【図３】図１に示す樹脂多層デバイスの模式回路図。
【図４】図１に示す樹脂多層デバイスの製造手順を示す断面図。
【図５】本発明に係る樹脂多層デバイスの他の一例（実施の形態２）を示す斜視図。
【図６】図５に示す樹脂多層デバイスの模式回路図。
【図７】本発明に係る樹脂多層デバイスの他の一例（実施の形態３）を示す断面図。
【図８】本発明に係る樹脂多層デバイスの他の一例（実施の形態４）を示す断面図。
【図９】本発明に係る樹脂多層デバイスの他の一例（実施の形態５）を示す断面図。
【図１０】本発明に係る樹脂多層デバイスの他の一例（実施の形態６）を示す断面図。
【図１１】本発明に係る樹脂多層デバイスの他の一例（実施の形態７）を示す断面図。
【図１２】本発明に係る樹脂多層デバイスの他の一例（実施の形態８）におけるキャパシタの構成例を示す部分断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を、図面を参照して詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。なお、以下の説明に用いる図面は模式的なものであって、実際の大きさとは異なる場合がある。
【００１９】
＜実施の形態１＞
図１は本発明の実施の形態１の樹脂多層デバイスの構成例を説明する斜視図である。また、図２は図１の樹脂多層デバイス１００の断面図である。また、図３は図１の樹脂多層デバイス１００の模式回路図である。
【００２０】
この実施の形態１の樹脂多層デバイス１００は、基板１０と、第１樹脂層２２と、第１導電パターン群１３０と、第２樹脂層２４と、第２導電パターン群１５０と、第３樹脂層２６と、２つの信号端子部４０（第１信号端子部）および４５（第２信号端子部）とを備えて構成されたＷＬＰである。そして、この樹脂多層デバイス１００には、平面スパイラル型のインダクタ１１０と、積層型のキャパシタ１２０とを直列に接続したＬＣ共振器が作り込まれている。
【００２１】
［基板１０］
基板１０は、例えば、シリコン基板、ＧａＡｓ等の半導体基板、あるいはガラス基板、セラミック等の絶縁性基板である。
【００２２】
［多層樹脂体２０］
第１樹脂層２２と、第２樹脂層２４と、第３樹脂層２６とは、多層樹脂体２０を構成している。第１樹脂層２２は、酸化膜等の保護膜１０ａを有する基板１０上に形成されている。第２樹脂層２４は、インダクタ１１０のアンダーパスパターン１３１およびキャパシタ１２０の下部電極１３２を含む第１導電パターン群１３０が設けられた第１樹脂層２２上に形成されている。第３樹脂層２６は、インダクタ１１０のコイルパターン１５１、キャパシタ１２０の上部電極１５２、および信号端子部４０，４５の信号電極パッド５１，５２を含む第２導電パターン群１５０が設けられた第２樹脂層２４上に形成されている。
【００２３】
これらの第１樹脂層２２、第２樹脂層２４、第３樹脂層２６としては、例えば、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の感光性樹脂を用いる。そして、これらの第１樹脂層２２、第２樹脂層２４、および第３樹脂層２６は、同じ材料を用いて同じ手法で形成する等により、同じ比誘電率を有する。
【００２４】
［インダクタ１１０、キャパシタ１２０］
インダクタ１１０の一端は第１信号端子部４０に接続され、他端はキャパシタ１２０の一端に接続されている。キャパシタ１２０の他端は第２信号端子部４５に接続されている。このように、インダクタ１１０とキャパシタ１２０とは直列共振回路を構成している。
【００２５】
インダクタ１１０は、第２導電パターン群１５０の導電パターンである平面スパイラル型のコイルパターン１５１と、第１導電パターン１３０の導電パターンであるアンダーパスパターン１３１とを有する。コイルパターン１５１の内周端は、アンダーパスパターン１３１および第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、第２導電パターン群１５０の導電パターンである第１信号端子部４０の信号電極パッド５１に接続されている。
【００２６】
キャパシタ１２０は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３２と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５２とを有する。下部電極１３２は、第１導電パターン群１３０の配線パターンおよび第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、第２導電パターン群１５０のコイルパターン１５１の外周端に接続されている。また、上部電極１５２は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、第２導電パターン群１５０の導電パターンである第２信号端子部４５の信号電極パッド５２に接続されている。このキャパシタ１２０は、下部電極１３２と上部電極１５２の間の第２樹脂層２４を絶縁層（誘電体層）としたＭＩＭキャパシタである。
【００２７】
キャパシタ１２０の下部電極１３２の厚さ寸法は、インダクタ１１０のアンダーパスパターン１３１その他の第１導電パターン群１３０の導電パターンの厚さ寸法よりも厚くなっている。従って、下部電極１３２の上面１３２ａの位置は、第１導電パターン群１３０の他の導電パターンの上面１３１ａの位置よりも高くなっている。つまり、下部電極１３２と上部電極１５２の間隔は、アンダーパスパターン１３１その他の第１導電パターン群１３０の導電パターンとコイルパターン１５１その他の第２導電パターン群１５０の導電パターンとの間隔よりも狭くなっている。
【００２８】
このように、キャパシタ１２０の下部電極１３２を第１導電パターン群１３０の他の導電パターンよりも厚くして、下部電極１３２と上部電極１５２の距離を、第１導電パターン群１３０の他の導電パターンと第２導電パターン群１５０の他の導電パターンの距離よりも狭くすることにより、インダクタ１１０を設計変更することなく、キャパシタ１２０の電極サイズを大きくすることもなく、キャパシタ１２０の容量を大きくすることができる。
【００２９】
［第１信号端子部４０、第２信号端子部４５］
第１信号端子部４０は、第３樹脂層２６の開口部２６ａ内に、第２導電パターン群１５０の信号電極パッド５１を設けたものである。信号電極パッド５１は、第２導電パターン群１５０の配線パターンおよび第１導電パターン群１３０の配線パターンを介して、インダクタ１１０のアンダーパスパターン１３１に接続されている。また、第２信号端子部４５は、第３樹脂層２６の開口部２６ｂ内に、第２導電パターン群１５０の信号電極パッド５２を設けたものである。信号電極パッド５２は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して、キャパシタ１２０の上部電極１５２に接続されている。
【００３０】
［製造手順］
図４は樹脂多層デバイス１００の製造手順を以下に説明する断面図である。以下の説明において、樹脂多層デバイス１００は、ＷＬＰであるから、ウェハ上に樹脂層形成プロセスと銅パターン群等の導電パターン群形成プロセスによってＬＣ共振器を作り込み、そのあとダイシングして個片化するＷＬＣＳＰ技術によって製造される。
【００３１】
まず、図４（ａ）のように、保護膜１０ａが設けられたウェハである基板１０上に第１樹脂層２２を形成する。第１樹脂層２２としては、感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によって基板１０上にコーティングし、ベークすることにより感光性樹脂層を形成する。
【００３２】
次に、図４（ｂ）のように、第１樹脂層２２上に、インダクタ１１０のアンダーパスパターン１３１、キャパシタ１２０の下部電極１３２を含む第１導電パターン群１３０を設ける。
【００３３】
第１導電パターン群１３０としては、銅めっきを用いる。第１樹脂層２２上にシード層を形成した後、レジストを形成しパターニングした後銅めっきを施し、アンダーパスパターン１３１、下部電極１３２の下層部１３２α、等を含む第１導電パターン群１３０を形成する。このとき、下部電極１３２の下層部１３２αと、アンダーパスパターン１３１その他の第１導電パターン群１３０の導電パターンの厚さは同じである。
【００３４】
さらに、この上に、選択厚膜銅めっきのためのシード層を形成し、このシード層上に下部電極１３２の下層部１３２αのみを露出させるレジストパターンを形成し、下部電極１３２の下層部１３２α上に、選択的に銅めっきを成長させ、下部電極１３２の上層部１３２βを形成する。そして、レジストパターンおよびシード層を除去する。これにより、下部電極１３２の厚さは、アンダーパスパターン１３１その他の第１導電パターン群１３０の導電パターンよりも厚くなる。
【００３５】
次に、図４（ｃ）のように、アンダーパスパターン１３１および厚膜銅めっきによる下部電極１３２を含む第１導電パターン群１３０を設けた第１樹脂層２２上に、第２樹脂層２４を形成し、この第２樹脂層２４に、上記第１導電パターン群１３０の導電パターンを第２導電パターン群１５０の導電パターンにコンタクトさせるための開口部２４ａ，２４ｂ，２４ｃを設ける。第２樹脂層２４としては、第１樹脂層２２と同じ比誘電率の感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によって、第１導電パターン群１３０を設けた第１樹脂層２２上にコーティングし、感光性樹脂層を形成する。そして、この感光性樹脂層にフォトリソグラフィー法によって開口部２４ａ，２４ｂ，２４ｃを設ける。
【００３６】
次に、図４（ｄ）のように、第２樹脂層２４上に、インダクタ１１０のコイルパターン１５１、キャパシタ１２０の上部電極１５２、信号電極パッド５１，５２等を含む第２導電パターン群１５０を設ける。
【００３７】
信号電極パッド５１は、インダクタ１１０のアンダーパスパターン１３１を第１信号端子部４０に導くための電極パッドである。信号電極パッド５２は、キャパシタ１２０の上部電極１５２を第２信号端子部４５に導くための電極パッドである。
【００３８】
第２導電パターン群１５０としては、第１導電パターン群１３０と同じ銅めっきを用いる。第２樹脂層２４上にシード層を形成した後、レジストを形成しパターニングした後銅めっきを施し、コイルパターン１５１、上部電極１５２、信号電極パッド５１，５２を含む第２導電パターン群１５０を形成する。
【００３９】
次に、第２導電パターン群１５０を設けた第２樹脂層２４上に、封止樹脂層となる第３樹脂層２６を形成し、この第３樹脂層２６に、信号電極パッド５１，５２をそれぞれ露出させる開口部２６ａ，２６ｂを設ける。第３樹脂層２６としては、第１樹脂層２２および第２樹脂層２４と同じ比誘電率の感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によって、第２導電パターン群１５０を設けた第２樹脂層２４上にコーティングし、感光性樹脂層を形成する。そして、この感光性樹脂層にフォトリソグラフィー法によって開口部２６ａ，２６ｂを形成する。
【００４０】
以上の手順を完了したあと、ウェハである基板１０をダイシングして、ＷＬＰの樹脂多層デバイス１００を得る。
【００４１】
以上のように、実施の形態１によれば、キャパシタ１２０の下部電極１３２と上部電極１５２の距離が、インダクタ１１０のコイルパターン１５１とアンダーパスパターン１３１の距離よりも狭くなるように、キャパシタ１２０の下部電極１３２を厚くしたことにより、インダクタ１１０の特性およびキャパシタ１２０の電極サイズの変更をしなくとも、キャパシタ１２０の容量を大きくすることができる。なお本実施例の形態１の樹脂多層デバイスにおいて、第1樹脂層は感光性の絶縁樹脂を用いたが、必ずしも感光性である必要はない。
【００４２】
＜実施の形態２＞
図５は本発明の実施の形態２の樹脂多層デバイスの構成例を説明する斜視図である。なお、図５において、図１と同様のものには同じ符号を付してある。また、図６は図５の樹脂多層デバイス２００の模式回路図である。ただし、図６では、バラン２１０を判り易く説明するために、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１平衡信号伝送路３０と、内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２平衡信号伝送路３５と、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１不平衡信号伝送路部５０ｃおよび内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２不平衡信号伝送路部５０ｄを含んで構成された不平衡信号伝送路５０とを、それぞれストレート型の伝送路に展開して描いてある。
【００４３】
この実施の形態２の樹脂多層デバイス２００は、基板１０と、第１樹脂層２２と、第１導電パターン群１３０と、第２樹脂層２４と、第２導電パターン群１５０と、第３樹脂層２６と、２つの平衡信号端子部６０（第１平衡信号端子部）および６５（第２平衡信号端子部）と、２つの接地端子部１５５（第１接地端子部）および１５６（第２接地端子部）と、不平衡信号端子部９０とを備えて構成されたＷＬＰである。そして、この樹脂多層デバイス２００には、積層型のバラン２１０と、積層型のキャパシタ２４０，２４５とが作り込まれている。
【００４４】
第２樹脂層２４は、第１平衡信号伝送路３０、および第２平衡信号伝送路３５、およびキャパシタ２４０，２４５の下部電極１３７，１３８を含む第１導電パターン群１３０が設けられた第１樹脂層２２上に形成されている。
【００４５】
第３樹脂層２６は、不平衡信号伝送路５０、キャパシタ２４０，２４５の上部電極１５７，１５８、および端子部６０，６５，９０の電極パッド５３，５４，５７を含む第２導電パターン群１５０が設けられた第２樹脂層２４上に形成されている。
【００４６】
［バラン２１０］
バラン２１０は、第１樹脂層２２と、２本の平衡信号伝送路３０（第１平衡信号伝送路）および３５（第２平衡信号伝送路）と、第２樹脂層２４と、１本の不平衡信号伝送路５０と、第３樹脂層２６とによって構成されている。また、バラン２１０は、内周に第１スペースＥ１を有するように平面スパイラル型に配置された第１バラン部２１０ａと、内周に第２スペースＥ２を有するように平面スパイラル型に配置された第２バラン部２１０ｂとを備えて構成されている。第１バラン部２１０ａは、内周に第１スペースＥ１を有する平面スパイラル型の第１平衡信号伝送路３０と、これに対向する第１不平衡信号伝送路部５０ｃとを有する。第２バラン部２１０ｂは、内周に第２スペースＥ２を有する平面スパイラル型の第２平衡信号伝送路３５と、これに対向する第２不平衡信号伝送路部５０ｄとを有する。
【００４７】
第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５は、第１導電パターン群１３０の導電パターンとして、電気的に互いに独立して第１樹脂層２２上に形成された２本の伝送路である。不平衡信号伝送路５０は、第２導電パターン群１５０の導電パターンとして、第２樹脂層２４上に形成されている。この不平衡信号伝送路５０は、その下面が第１平衡信号伝送路３０の上面に対向するように設けられた第１不平衡信号伝送路部５０ｃと、その下面が第２平衡信号伝送路３５の上面に対向するように設けられた第２不平衡信号伝送路部５０ｄとの外周端同士を一体に接続した１本の伝送路である。
【００４８】
第１平衡信号伝送路３０の外周端（一端）３０ａおよび第２平衡信号伝送路３５の外周端（一端）３５ａは、それぞれ平衡信号（差動信号）が入出力される信号端である。第１平衡信号伝送路３０の信号端３０ａに配された電極パッド１３３は、貫通電極２２０を介して第１平衡信号端子部６０に連なる電極パッド１５３と接続されており、第２平衡信号伝送路３５の信号端３５ａに配された電極パッド１３４は、貫通電極２２５を介して第２平衡信号端子部６５に連なる電極パッド１５４と接続されている。
また、第１平衡信号伝送路３０の内周端（他端）３０ｂおよび第２平衡信号伝送路３５の内周端（他端）３５ｂは、それぞれ接地端とされている。第１平衡信号伝送路３０の接地端３０ｂに配された電極パッド１３５は、貫通電極２３０を介してキャパシタ２４０の上部電極１５７に連なる第１接地端子部１５５と接続されており、第２平衡信号伝送路３５の接地端３５ｂに配された電極パッド１３６は、貫通電極２３５を介してキャパシタ２４５の上部電極１５８に連なる第２接地端子部１５６と接続されている。
【００４９】
不平衡信号伝送路５０の一端（第１不平衡信号伝送部５０ｃの内周端）５０ａは不平衡信号が出入力される信号端になっており、不平衡信号端子部９０に接続されるとともに、キャパシタ２４０を介して第１接地端子部１５５に接続されている。また、不平衡信号伝送路５０の他端（第２不平衡信号伝送部５０ｄの内周端）５０ｂは開放端とされており、キャパシタ２４５を介して第２接地端子部１５６に接続されている。
【００５０】
第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５は、第１導電パターン群１３０の導電パターンとして、同じ金属材料によって同時に形成され、例えば銅めっき等のめっき金属からなる。また、第１平衡信号伝送路３０と第２平衡信号伝送路３５の伝送路長は、同じ長さとなるように形成されることが望ましい。また、第１平衡信号伝送路３０と第２平衡信号伝送路３５とは、同じ幅および同じ厚さとなるように形成されることが望ましい。
【００５１】
不平衡信号伝送路５０は、第２導電パターン群１５０の導電パターンとして、例えば銅めっき等のめっき金属からなる。この不平衡信号伝送路５０は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と同じ形成手法によって同じ金属材料で形成されていることが望ましい。不平衡信号伝送路５０の伝送路長は、第１平衡信号伝送路３０と第２平衡信号伝送路３５の伝送路長の合計以上の長さとなるように形成されている。また、不平衡信号伝送路５０は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と同じ幅および同じ厚さとなるように形成されていることが望ましい。
【００５２】
バラン２１０は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と不平衡信号伝送路５０とを、第２樹脂層２４を介して近接配置することにより、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と不平衡信号伝送路５０との間に電磁結合を生じる回路である。
【００５３】
このバラン２１０において、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａに平衡信号を入力すると、これらの平衡信号は不平衡信号に変換され、不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａから不平衡信号が出力される。また、これとは逆に、不平衡信号を不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａに入力すると、この不平衡信号は平衡信号に変換され、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の信号端３０ａ，３５ａから平衡信号が出力される。
【００５４】
さらに、バラン２１０は、インピーダンスを変換するトランスとしての機能も兼ね備えている。インピーダンス変換については、不平衡信号側のインピーダンスＺＤ１および平衡信号側のインピーダンスＺＤ２がそれぞれ設計仕様のインピーダンス値であることが要求される。例えば、不平衡信号側のインピーダンスＺＤ１＝５０Ω、平衡信号側のインピーダンスＺＤ１＋ＺＤ２＝１００Ω、１５０Ω、または２００Ωである。
【００５５】
バランでは、伝送する信号（変換する信号）の波長をλとすると、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５の伝送路長はλ／４以下、不平衡信号伝送路５０の伝送路長はλ／２以下とされる。
【００５６】
［キャパシタ２４０，２４５］
キャパシタ２４０は、第１バラン部２１０ａの第１スペースＥ１内に配置されており、キャパシタ２４５は、第２バラン部２１０ｂの第２スペースＥ２内に配置されている。
【００５７】
キャパシタ２４０は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３７と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５７とを有する。下部電極１３７は、第１導電パターン群１３０の配線パターンおよび第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して不平衡信号伝送路５０の信号端５０ａ（不平衡信号端子部９０の不平衡信号電極パッド５７）に接続されており、上部電極１５７は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して第１接地端子部１５５の接地電極パッド１３５に接続されている。
【００５８】
キャパシタ２４５は、第１導電パターン群１３０の導電パターンである下部電極１３８と、第２導電パターン群１５０の導電パターンである上部電極１５８とを有する。下部電極１３８は、第１導電パターン群１３０の配線パターンおよび第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して不平衡信号伝送路５０の開放端５０ｂに接続されており、上部電極１５８は、第２導電パターン群１５０の配線パターンを介して第２接地端子部１５６の接地電極パッド１３６に接続されている。
【００５９】
これらのキャパシタ２４０，２４５の下部電極１３７，１３８の厚さ寸法は、第１平衡信号伝送路３０，第２平衡信号伝送路３５その他の第１導電パターン群１３０の導電パターンの厚さ寸法よりも厚くなっている。従って、下部電極１３７，１３８の上面位置は、第１導電パターン群１３０の他の導電パターンの上面位置よりも高くなっている。
【００６０】
つまり、キャパシタ２４０の下部電極１３７と上部電極１５７の間隔、およびキャパシタ２４５の下部電極１３８と上部電極１５８の間隔は、第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５その他の第１導電パターン群１３０の導電パターンと、不平衡信号伝送路５０その他の第２導電パターン群１５０の導電パターンとの間隔よりも狭くなっている。
【００６１】
このように、キャパシタ２４０，２４５の下部電極１３７，１３８を第１導電パターン群１３０の他の導電パターンよりも厚くして、これらのキャパシタの下部電極と上部電極の距離を、第１導電パターン群１３０の他の導電パターンと第２導電パターン群１５０の他の導電パターンの距離よりも狭くすることにより、バラン２１０を設計変更することなく、キャパシタ
２４０，２４５の電極サイズを大きくすることもなく、キャパシタ２４０，２４５の容量を大きくすることができる。これによって、バランの伝送路の実効長を短くすることができる。
【００６２】
［平衡信号端子部６０，６５、接地端子部１５５，１５６、不平衡信号端子部９０］
第１接地端子部１５５および不平衡信号端子部９０は、第１バラン部２１０ａの第１スペースＥ１内に配置されており、第２接地端子部１５６は、第２バラン部２１０ｂの第２スペースＥ２内に配置されている。なお、第１平衡信号端子部６０および第２平衡信号端子部６５は、バラン２１０の外側に配置されている。
【００６３】
第１平衡信号端子部６０は、第３樹脂層２６の開口部２６ｃ内に、第２導電パターン群１５０の平衡信号電極パッド５３を設けたものである。また、第２平衡信号端子部６５は、第３樹脂層２６の開口部２６ｄ内に、第２導電パターン群１５０の平衡信号電極パッド５４を設けたものである。そして、不平衡信号端子部９０は、第３樹脂層２６の開口部２６ｇ内に、第２導電パターン群１５０の不平衡信号電極パッド５７を設けたものである。
【００６４】
［樹脂多層デバイス２００の製造手順］
実施の形態２に係る樹脂多層デバイス２００の製造手順を以下に説明する。以下の説明において、樹脂多層デバイス２００は、ＷＬＰであるから、ウェハ上に樹脂層形成プロセスと厚膜銅パターン群等の導電パターン群形成プロセスによってバラン２１０およびキャパシタ２４０，２４５を作り込み、そのあとにチップにダイシングするＷＬＣＳＰ技術によって製造される。
【００６５】
まず、保護膜１０ａ（図４参照）が設けられたウェハである基板１０上に第１樹脂層２２を形成する。第１樹脂層２２としては、感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によって基板１０上にコーティングし、ベークすることにより感光性樹脂層を形成する。
【００６６】
次に、第１樹脂層２２上に、第１平衡信号伝送路３０、第２平衡信号伝送路３５、キャパシタ２４０，２４５の下部電極１３７，１３８、等を含む第１導電パターン群１３０を設ける。
【００６７】
第１導電パターン群１３０としては、銅めっきを用いる。第１樹脂層２２上にシード層を形成した後、レジストを形成しパターニングした後銅めっきを施し、第１平衡信号伝送路３０、第２平衡信号伝送路３５、下部電極１３７，１３８それぞれの下層部を含む第１導電パターン群１３０を形成する。このとき、上記下部電極の下層部と、第１平衡信号伝送路３０、第２平衡信号伝送路３５その他の第１導電パターン群１３０の導電パターンの厚さは同じである。
【００６８】
さらに、この上に、厚膜銅めっきのためのシード層を形成し、このシード層上に下部電極１３７，１３８それぞれの下層部のみを露出させるレジストパターンを形成し、これらの下層部上に、選択的に銅めっきを成長させ、下部電極１３７，１３８それぞれの下層部上に上層部を形成する。そして、レジストパターンおよびシード層を除去する。これにより、下部電極１３７，１３８の厚さは、第１平衡信号伝送路３０、第２平衡信号伝送路３５その他の第１導電パターン群１３０の導電パターンよりも厚くなる。
【００６９】
次に、第１平衡信号伝送路３０、第２平衡信号伝送路３５、および厚膜銅めっきによる下部電極１３７，１３８を含む第１導電パターン群１３０を設けた第１樹脂層２２上に、第２樹脂層２４を形成し、この第２樹脂層２４に、上記第１導電パターン群１３０の導電パターンを第２導電パターン群１５０の導電パターンにコンタクトさせるための開口部を設ける。第２樹脂層２４としては、第１樹脂層２２と同じ比誘電率の感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によって、第１導電パターン群１３０を設けた第１樹脂層２２上にコーティングし、感光性樹脂層を形成する。そして、この感光性樹脂層にフォトリソグラフィー法によって開口部を設ける。
【００７０】
次に、第２樹脂層２４上に、不平衡信号伝送路５０、キャパシタ２４０，２４５の上部電極１５７，１５８、端子部６０，６５，９０の電極パッド５３，５４,５７、等を含む第２導電パターン群１５０を設ける。
【００７１】
第２導電パターン群１５０としては、第１導電パターン群１３０と同じ銅めっきを用いる。第２樹脂層２４上にシード層を形成した後、レジストを形成しパターニングした後銅めっきを施し、不平衡信号伝送路５０、上部電極１５７，１５８、電極パッド５３，５４,５７，１５３，１５４、接地端子部１５５，１５６を含む第２導電パターン群１５０を形成する。
【００７２】
次に、第２導電パターン群１５０を設けた第２樹脂層２４上に、封止樹脂層となる第３樹脂層２６を形成し、この第３樹脂層２６に、電極パッド５３，５４,５７をそれぞれ露出させる開口部２６ｃ，２６ｄ，２６ｇを設ける。第３樹脂層２６としては、第１樹脂層２２および第２樹脂層２４と同じ比誘電率の感光性の絶縁樹脂を用いる。この感光性樹脂の流体樹脂材料をスピンコート法によって、第２導電パターン群１５０を設けた第２樹脂層２４上にコーティングし、感光性樹脂層を形成する。そして、この感光性樹脂層にフォトリソグラフィー法によって開口部２６ｃ，２６ｄ，２６ｇを形成する。
【００７３】
以上の手順を完了したあと、ウェハである基板１０をダイシングして、ＷＬＰの樹脂多層デバイス２００を得る。
【００７４】
以上のように、実施の形態２によれば、キャパシタ２４０，２４５の下部電極１３７，１３８と上部電極１５７，１５８それぞれの距離が、バラン２１０の第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５と不平衡信号伝送路５０の距離よりも狭くなるように、キャパシタ２４０，２４５の下部電極１３７，１３８を厚くしたことにより、バラン２１０の特性およびキャパシタ２４０，２４５のサイズの変更をしなくとも、キャパシタ２４０，２４５の容量を大きくすることができる。
【００７５】
なお、上記実施の形態１の樹脂多層デバイス１００に、さらに実施の形態２のバラン２１０を設けた構成とすることも可能である。あるいは、上記実施の形態１の樹脂多層デバイス１００に、さらに実施の形態２のバラン２１０およびキャパシタ２４０，２４５を設けた構成とすることも可能である。なお本実施例の形態２の樹脂多層デバイスにおいて、第1樹脂層は感光性の絶縁樹脂を用いたが、必ずしも感光性である必要はない。
【００７６】
＜実施の形態３＞
図７は本発明の実施の形態３の樹脂多層デバイスの構成例を説明する断面図である。なお、図７において、図１，図２と同様のものには、同じ符号を付してある。この実施の形態３の樹脂多層デバイス３００は、基板１０と、第１樹脂層２２と、第１導電パターン群１３０と、第２樹脂層３２４と、第２導電パターン群１５０と、第３樹脂層２６と、２つの信号端子部４０（第１信号端子部）および４５（第２信号端子部）とを備えて構成されたＷＬＰである。
【００７７】
つまり、図７の実施の形態３の樹脂多層デバイス３００は、上記実施の形態１の樹脂多層デバイス１００（図２参照）において、第２樹脂層２４を、第２樹脂層３２４としたものである。第２樹脂層３２４は、実施の形態１の第２樹脂層２４よりも比誘電率が高い樹脂であって、例えば感光性の樹脂である。従って、樹脂多層デバイス３００では、第２樹脂層３２４の比誘電率は、第１樹脂層２２および第３樹脂層２６よりも高い。
【００７８】
以上のように、実施の形態３によれば、第１樹脂層２２および第３樹脂層２６よりも比誘電率の高い第２樹脂層３２４を設けたことにより、キャパシタ１２０のさらなる高容量化が可能になる。
【００７９】
なお、実施の形態３の高誘電率の第２樹脂層３２４を、上記実施の形態２の樹脂多層デバイス２００に適用することも可能である。つまり、上記実施の形態２の樹脂多層デバイス２００において、第２樹脂層２４を実施の形態３の比誘電率の高い第２樹脂層３２４とすることも可能である。
【００８０】
＜実施の形態４＞
図８は本発明の実施の形態４の樹脂多層デバイスの構成例を説明する断面図である。なお、図８において、図１，図２と同様のものには、同じ符号を付してある。この実施の形態４の樹脂多層デバイス４００は、基板１０と、第１樹脂層２２と、第１導電パターン群１３０と、第２樹脂層２４と、第２導電パターン群１５０と、第３樹脂層２６と、はんだバンプ４４０を有する第１信号端子部４０およびはんだバンプ４４５を有する第２信号端子部４５とを備えて構成されたＷＬＰである。
【００８１】
つまり、図８の実施の形態４の樹脂多層デバイス４００は、上記実施の形態１の樹脂多層デバイス１００（図２参照）において、信号端子部４０，４５の電極パッド５１，５２上に、それぞれはんだバンプ４４０，４４５を設けたものである。これらのはんだバンプ４４０，４４５は、この樹脂多層デバイス４００を実装基板にフリップチップ実装するためのものである。
【００８２】
以上のように、実施の形態４によれば、信号端子部４０，４５にそれぞれはんだバンプ４４０，４４５を設けたことにより、樹脂多層デバイス４００を実装基板にフリップチップ実装することが可能となる。
【００８３】
なお、実施の形態４の端子部にはんだバンプを設けた構成を、上記実施の形態２の樹脂多層デバイス２００に適用することも可能である。つまり、上記実施の形態２の樹脂多層デバイス２００において、端子部６０，６５，９０の電極パッド５３，５４，５７上に、それぞれはんだバンプを設けた構成とすることも可能である。
【００８４】
＜実施の形態５＞
図９は本発明の実施の形態５の樹脂多層デバイスの構成例を説明する断面図である。なお、図９において、図１，図２，図７，図８と同様のものには、同じ符号を付してある。この実施の形態５の樹脂多層デバイス５００は、基板１０と、第１樹脂層２２と、第１導電パターン群１３０と、第２樹脂層３２４と、第２導電パターン群１５０と、第３樹脂層２６と、はんだバンプ４４０を有する第１信号端子部４０およびはんだバンプ４４５を有する第２信号端子部４５とを備えて構成されたＷＬＰである。
【００８５】
つまり、図９の実施の形態５の樹脂多層デバイス５００は、上記実施の形態１の樹脂多層デバイス１００（図２参照）において、第２樹脂層２４を、上記実施の形態３のように比誘電率の高い第２樹脂層３２４とするとともに、信号端子部４０，４５の電極パッド５１，５２上に、上記実施の形態４のようにはんだバンプ４４０，４４５を設けたものである。
【００８６】
以上のように、実施の形態５によれば、第１樹脂層２２および第３樹脂層２６よりも比誘電率の高い第２樹脂層３２４を設けるとともに、信号端子部４０，４５にそれぞれはんだバンプ４４０，４４５を設けたことにより、キャパシタ１２０のさらなる高容量化が可能になるとともに、樹脂多層デバイス５００を実装基板にフリップチップ実装することが可能となる。
【００８７】
なお、実施の形態５に係る第２樹脂層３２４およびはんだバンプ４４０，４４５を設けた構成を、上記実施の形態２の樹脂多層デバイスに適用することも可能である。
【００８８】
＜実施の形態６＞
図１０は本発明の実施の形態６の樹脂多層デバイスの構成例を説明する断面図である。なお、図１０において、図１，図２と同様のものには、同じ符号を付してある。この実施の形態６の樹脂多層デバイス６００は、基板１０と、第１樹脂層２２と、第１導電パターン群１３０と、第２樹脂層２４と、第２導電パターン群１５０と、第３樹脂層２６と、酸化防止層６４０を有する第１信号端子部４０および酸化防止層６４５を有する第２信号端子部４５とを備えて構成されたＷＬＰである。
【００８９】
つまり、図１０に示す実施の形態６の樹脂多層デバイス６００は、上記実施の形態１の樹脂多層デバイス１００（図２参照）において、信号端子部４０，４５の電極パッド５１，５２上に、それぞれ酸化防止層６４０，６４５を設けたものである。これらの酸化防止層６４０，６４５は、例えば第３樹脂層２６の開口部内の電極パッド５１，５２に、無電解めっき法によるニッケル（Ｎｉ）からなるめっきの後に金（Ａｕ）からなるめっき等の表面処理を施したものである。これらの酸化防止層６４０，６４５は、この樹脂多層デバイス６００をプリント基板等にワイヤボンド実装するためのものである。
【００９０】
以上のように、実施の形態６によれば、信号端子部４０，４５の電極パッド５１，５２上にそれぞれ酸化防止層６４０，６４５を設けたことにより、樹脂多層デバイス６００をプリント基板にワイヤボンド実装するときに、電極パッド５１，５２とボンディングワイヤを確実にオーミックコンタクトさせることができるので、ワイヤボンド実装の信頼性を高めることができる。
【００９１】
なお、実施の形態６の端子部の電極パッド上に酸化防止層を設けた構成を、上記実施の形態２の樹脂多層デバイス２００に適用することも可能である。つまり、上記実施の形態２の樹脂多層デバイス２００において、端子部６０，６５，９０の電極パッド５３，５４，５７上に、それぞれ酸化防止層による表面処理を施した構成とすることも可能である。
【００９２】
＜実施の形態７＞
図１１は本発明の実施の形態７の樹脂多層デバイスの構成例を説明する断面図である。なお、図１１において、図１，図２，図７，図１０と同様のものには、同じ符号を付してある。この実施の形態７の樹脂多層デバイス７００は、基板１０と、第１樹脂層２２と、第１導電パターン群１３０と、第２樹脂層３２４と、第２導電パターン群１５０と、第３樹脂層２６と、酸化防止層６４０を有する第１信号端子部４０および酸化防止層６４５を有する第２信号端子部４５とを備えて構成されたＷＬＰである。
【００９３】
つまり、図１１の実施の形態７の樹脂多層デバイス７００は、上記実施の形態１の樹脂多層デバイス１００（図２参照）において、第２樹脂層２４を、上記実施の形態３のように比誘電率の高い第２樹脂層３２４とするとともに、信号端子部４０，４５の電極パッド５１，５２上に、上記実施の形態６のように酸化防止層６４０，６４５を設けたものである。
【００９４】
以上のように、実施の形態７によれば、第１樹脂層２２および第３樹脂層２６よりも比誘電率の高い比誘電率の第２樹脂層３２４を設けるとともに、信号端子部４０，４５の電極パッド５１，５２上にそれぞれ酸化防止層６４０，６４５を設けたことにより、キャパシタ１２０のさらなる高容量化が可能になるとともに、樹脂多層デバイス７００をプリント基板にワイヤボンド実装するときに、電極パッド５１，５２とボンディングワイヤを確実にオーミックコンタクトさせることができるので、ワイヤボンド実装の信頼性を高めることができる。
【００９５】
なお、実施の形態７の第２樹脂層３２４を設けた構成および端子部の電極パッド上に酸化防止層による表面処理を施した構成を、上記実施の形態２の樹脂多層デバイスに適用することも可能である。
【００９６】
＜実施の形態８＞
図１２は本発明の実施の形態８の樹脂多層デバイスにおけるキャパシタの構成例を説明する部分断面図である。なお、図１２において、図１，図２，図５，図７〜図１１と同様のものには同じ符号を付してある。
【００９７】
この実施の形態８の樹脂多層デバイスは、上記実施の形態１〜７のいずれかの樹脂多層デバイスにおいて、キャパシタ１２０，２４０，２４５の構成を、図１２のキャパシタ８２０の構成としたものである。なお、図１２において、キャパシタ８２０の上部電極８５１は、上記実施の形態１〜７のキャパシタ１２０，２４０，２４５の上部電極１５２,１５７，１５８のいずれかであり、第２樹脂層８２４は、上記実施の形態１〜７の第２樹脂層２４または３２４である。
【００９８】
この実施の形態８のキャパシタ８２０は、第１導電パターン群１３０の下部電極８３１と、第２導電パターン群１５０の上部電極８５１とを有する。このキャパシタ８２０は、樹脂コアポスト形成法によって第１樹脂層２２上に樹脂コア８２２を形成し、この樹脂コア８２２上に下部電極８３１を設けたものである。従って、下部電極８３１の上面位置が、第１導電パターン群１３０の他の導電パターンの上面位置よりも高くなるので、下部電極８３１と上部電極８５１の間隔を狭くすることができる。
【００９９】
なお、樹脂コア８２２は、例えば第１樹脂層２２と同じ感光性の樹脂によって形成されたものである。また、下部電極８３１は、第１導電パターン群１３０の他の導電パターンと同じ厚さであり、上記実施の形態１〜７のように選択めっき法により他の導電パターンよりも厚くする必要がない。
【０１００】
このキャパシタ８２０の製造手順を以下に説明する。まず、第１樹脂層２２上に、さらに樹脂層を形成し、これをパターニングして、下部電極８３１を設ける位置に、第１樹脂層２２上面から凸設した樹脂コア８２２を形成する。そして、この樹脂コア８２２を設けた第１樹脂層２２上に銅めっきを施し、下部電極８３１を含む第１導電パターン群１３０を設ける。これにより、下部電極８３１は、樹脂コア８２２上にポスト電極として設けられる。さらに、この上に第２樹脂層８２４を形成し、この第２樹脂層８２４上に銅めっきを施し、上部電極８５１を含む第２導電パターン群１５０を設ける。そして、この上に、第３樹脂層２６を形成する。
【０１０１】
以上のように、実施の形態８によれば、樹脂コアポスト形成法によるポスト電極として下部電極８３１を設けることにより、下部電極８３１の厚さを第１導電パターン群１３０の他の導電パターンより厚くせずとも、キャパシタ８２０の下部電極８３１と上部電極８５１の距離を狭くできるので、キャパシタ８２０の電極サイズを大きくせずに、容量を大きくすることができる。
【符号の説明】
【０１０２】
１０  基板、２０  多層樹脂体、２２  第１樹脂層、２４  第２樹脂層、２４ａ，２４ｂ，２４ｃ  開口部、２６  第３樹脂層、２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｇ  開口部、３０  第１平衡信号伝送路、３０ａ  信号端、３０ｂ  接地端、３５  第２平衡信号伝送路、３５ａ  信号端、３５ｂ  接地端、４０  第１信号端子部、４５  第２信号端子部、５０  不平衡信号伝送路、５０ａ  信号端、５０ｂ  開放端、５０ｃ  第１不平衡信号伝送路部、５０ｄ  第２不平衡信号伝送路部、５１，５２  信号電極パッド、５３，５４  平衡信号電極パッド、５７  不平衡信号電極パッド、６０  第１平衡信号端子部、６５  第２平衡信号端子部、１５５  第１接地端子部、１５６  第２接地端子部、９０  不平衡信号端子部、１００  樹脂多層デバイス、１１０  インダクタ、１２０  キャパシタ、１３０  第１導電パターン群、１３１  アンダーパスパターン、１３１ａ  上面、１３２  下部電極、１３２ａ  下部電極の上面、１３２α  下部電極の下層部、１３２β  下部電極の上層部、１３３,１３４  電極パッド、１３７，１３８  下部電極、１３５、１３６  接地電極パッド、１５０  第２導電パターン群、１５１  コイルパターン、１５２,１５７，１５８  上部電極、１５３，１５４  電極パッド、２００  樹脂多層デバイス、２１０  バラン、２１０ａ  第１バラン部、２１０ｂ  第２バラン部、２４０，２４５  キャパシタ、３００  樹脂多層デバイス、３２４  第２樹脂層、４００  樹脂多層デバイス、４４０，４４５  はんだバンプ、  ５００  樹脂多層デバイス、６００  樹脂多層デバイス、６４０，６４５  酸化防止層、  ７００  樹脂多層デバイス、８２０  キャパシタ、８２２  樹脂コア、８２４  第２樹脂層、８３１  下部電極、８５１  上部電極。
【図１】
2010268304.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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