(57)【要約】【課題】ハンドリング性及び機械的強度に優れた金属基板を有する酸化物超電導線材を提供する。【解決手段】走行する無配向で非磁性のＮｉ基合金からなるテープ状の金属基板Ｔは、超音波洗浄槽２３ａ及びスクラブ洗浄ローラ２３ｂを備えた洗浄装置２３及びテクスチャリング処理装置２４を通過することにより金属基板Ｔの表面にテクスチャリング処理が施され、基板の表面に微細条痕が形成される。テキスチャリング処理層の表面上に１層又は２層以上の中開層及びＲｅＢａｘＣｕ３Ｏｙ超電導体がＭＯＤ法により形成される。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配向性を有するテープ状の金属基板上に１層又は２層以上の中間層を介して酸化物超電導層を形成した酸化物超電導線材において、前記テープ状の金属基板は、その中間層側の表面に施されたテキスチャリング処理により配向性を有することを特徴とするテープ状酸化物超電導線材。
【請求項２】
テープ状の金属基板上に１層又は２層以上の中間層を介して酸化物超電導層を形成した酸化物超電導線材において、前記テープ状の金属基板は、その中間層側の表面にテキスチャリング処理が施され、この処理層の表面に前記中間層及び前記酸化物超電導層が順次設けられていることを特徴とするテープ状酸化物超電導線材。
【請求項３】
テープ状の金属基板は、無配向で非磁性のテープ状の金属基板からなることを特徴とする請求項１又は２記載のテープ状酸化物超電導線材。
【請求項４】
テープ状の金属基板は、Ｎｉ又はＮｉ基合金からなることを特徴とする請求項３記載のテープ状酸化物超電導線材。
【請求項５】
テキスチャリング処理は、テキスチャリング加工によるテープ状の金属基板の表面の微細条痕がテープ状の金属基板の軸方向に平行な周期構造を有するように施されていることを特徴とする請求項１乃至４いずれか１項記載のテープ状酸化物超電導線材。
【請求項６】
酸化物超電導層は、ＲｅＢａｘＣｕ３Ｏｙ（Ｒｅは、Ｙ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｎｄ又はＬａから選択された少なくとも１種以上の元素を示し、ｘ≦２及びｙ＝６．２〜７である。以下同じ。）超電導体からなることを特徴とする請求項１乃至５いずれか１項記載のテープ状酸化物超電導線材。
【請求項７】
中間層は、ＣｅＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＹＳＺ、Ｇｄ２Ｏ３又はＲＥＺｒ２Ｏ７（ＲＥ＝Ｃｅ、Ｇｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ及びＹから選択された１種又は２種以上の元素を示す。以下同じ。）酸化物からなることを特徴とする請求項１乃至６いずれか１項記載のテープ状酸化物超電導線材。
【請求項８】
テープ状の金属基板上に中開層を介して酸化物超電導層を形成した酸化物超電導線材の製造方法であって、無配向で非磁性のテープ状の金属基板を連続走行させる工程と、走行する前記テープ状の金属基板を洗浄する工程と、洗浄後の前記テープ状の金属基板の一側表面にテクスチャリング処理を施す工程及びテクスチャリング処理後の前記テープ状の金属基板を洗浄する工程を順次施した後、前記テクスチャリング処理が施された前記テープ状の金属基板の一側表面上に１層又は２層以上の中開層を成膜し、次いで前記中間層上に酸化物超電導層を形成することを特徴とするテープ状酸化物超電導線材の製造方法。
【請求項９】
テキスチャリング処理は、テキスチャリング加工によるテープ状の金属基板の表面の微細条痕がテープ状の金属基板の軸方向に平行な周期構造を有するように施されることを特徴とする請求項８記載のテープ状酸化物超電導線材の製造方法。
【請求項１０】
テクスチャリング処理は、連続走行するテープ状の金属基板に対して相対的速度差を有するテキスチャリング・テープをテキスチャリング・スラリーを介在せしめて接触走行させることにより施されることを特徴とする請求項８又は９記載のテープ状酸化物超電導線材の製造方法。
【請求項１１】
洗浄工程は、超音波洗浄及びスクラブ洗浄により施されることを特徴とする請求項８記載のテープ状酸化物超電導線材の製造方法。
【請求項１２】
酸化物超電導層は、ＭＯＤ法により前記中間層上に形成されることを特徴とする請求項８乃至１１いずれか１項記載のテープ状酸化物超電導線材の製造方法。
【請求項１３】
テープ状の金属基板上に中開層を介して酸化物超電導層を形成した酸化物超電導線材の製造方法であって、無配向で非磁性のＮｉ又はＮｉ基合金からなるテープ状の金属基板を連続走行させる工程と、走行する前記テープ状の金属基板を洗浄する工程と、洗浄後の前記テープ状の金属基板の一側表面にテクスチャリング処理を施す工程及びテクスチャリング処理後の前記テープ状の金属基板を洗浄する工程を順次連続して施した後、前記テクスチャリング処理が施された前記テープ状の金属基板の一側表面上に１層又は２層以上のＣｅＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＹＳＺ、Ｇｄ２Ｏ３又はＲＥＺｒ２Ｏ７酸化物からなる中開層を成膜し、次いで前記中間層上にＲｅＢａｘＣｕ３Ｏｙ超電導体からなる酸化物超電導層をＭＯＤ法により形成することを特徴とするテープ状酸化物超電導線材の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、送電ケーブルや変圧器、モーター、電力貯蔵システムのような超電導応用機器に適した酸化物超電導線材及びその製造方法に係り、特にＭＯＤ法に好適する酸化物超電導線材及びその製造方法の改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
酸化物超電導体は、従来のＮｂ３Ｓｎ系等の合金系超電導体と比較して臨界温度（Ｔｃ）が高く、液体窒素温度で運用できる利点を有し、なかでもＲｅＢａ２Ｃｕ３Ｏy（Ｒｅは、Ｙ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｎｄ又はＬａから選択された少なくとも１種以上の元素を示す。以下ＲｅＢＣＯと称する。）超電導体は、高磁場領域における通電電流の低下が小さく、即ち、液体窒素温度における磁場特性が、Ｂｉ系超電導体に比べて優れているため、実用的な高い臨界電流密度（Ｊｃ）を維持することが可能であり、この高温領域での優れた特性に加えて、貴金属である銀を使用しない製法が可能であること及び冷媒に液体窒素を使用できることから冷却効率が著しく向上するため、経済的にも極めて有利であることが知られている。
【０００３】
ＲｅＢＣＯ超電導線材は、一般に金属基板上に２軸配向した酸化物層を少なくとも１層又は複数層形成し、その上に酸化物超電導層を、更に超電導層の表面保護と電気的接触の向上及び過通電時の保護回路としての役割を担う安定化層を積層した構造を有する。この場合、ＲｅＢＣＯ超電導線材の臨界電流特性は超電導層の面内配向性に依存し、下地となる中間層及び配向金属基板の面内配向性と表面平滑性の影響を大きく受けることが知られている。
【０００４】
即ち、ＲｅＢＣＯ超電導体の結晶系は斜方晶であり、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸の３辺の長さが異なり、単位胞の三辺間の角度もそれぞれ微妙に異なるために双晶を形成し易く、僅かな方位のずれが双晶粒界を発生させ通電特性を低下させるため、良好な通電特性を得るためには、２軸配向性、即ち、結晶内のＣｕＯ面を揃えるだけでなく、面内の結晶方位をも揃えることが要求されることからＢｉ系酸化物超電導体と比較してその線材化に困難が伴う。
【０００５】
一般的にＲｅＢＣＯ超電導体（特にＹＢＣＯ超電導体）の線材の製造方法は、ＩＢＡＤ（Ion Beam Assisted Deposotion）法やＩＳＤ（Inclined substrate deposition）法などのレーザアブレーション法を基本としたものに加え、真空蒸着法や化学蒸着法（ＣＶＤ）などを含めた気相法というカテゴリとその対極にある非真空プロセスとして、有機金属塩塗布熱分解法（（Metal Organic Deposition Processes：ＭＯＤ法）に代表される液相法、即ち、液体を基材表面に塗布して焼結することによって結晶化した薄膜を形成する方法の２つに分類することができる。
【０００６】
これらのプロセスにおいては、上述のように、高いＪｃ値を達成するために、多結晶のテープ状金属基板の表面に高い２軸配向性を有する超電導層を形成することが要求される。ＲｅＢＣＯ超電導体の結晶の面内配向性を高め、かつ面内の方位を揃えながら線材化する製法は、薄膜の製法と規を同一にしている。即ち、テープ状金属基板の上に超電導体に類似した配向性を有する中間層を形成し、この中間層の結晶格子をテンプレートとして機能させることによって、ＲｅＢＣＯ超電導層の結晶の面内配向度と方位を向上させるものである。
【０００７】
アシストイオンビームによって面内配向性を制御できるＩＢＡＤ法を除き、他のプロセスでは、テープ状金属基板の上に面内配向度と方位を向上させた中間層を形成するためには、テープ状金属基板の少なくとも中間層側の表面が配向していることが必要であり、この理由から種々の２軸配向金属基板が知られている。
【０００８】
例えば、ＲＡＢｉＴＳ（Rolling-Assisted Biaxially Textured-Substrates／商標）に代表される2軸寵向した集合組織を持つ金属基板を使用して、中間層のテンプレートとして機能させることが多用されている。
【０００９】
一方、機械的強度に優れ、かつ配向性に優れた複合基板として、無配向で非磁性の第１の金属層と、第１の金属層に貼り合わされ、かつ少なくとも表層が配向した集合組織を有する第２の金属層とを備え、第１の金属層は第２の金属層より高い強度を有し、良好な配向性を維持したまま高い強度を有する膜形成用配向基板が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【００１０】
また、無配向で非磁性の金属で形成されたコア材となる金属基板と、この金属基板の両面にそれぞれ表面活性化接合後の熱処理あるいは熱間圧延加工を施すことにより形成された第１の接合層、第２の接合層を介して配置された第１の金属層及び第２の金属層とからなり、前記第１の金属層又は第２の金属層の少なくとも一方の表面は２軸配向した立方体集合組織を有するとともに、前記金属基板に前記第１の金属層及び第２の金属層の機械的強度よりも大きい機械的強度を有する材料を用いたものが知られている（例えば、特許文献２参照。）。
【００１１】
一方、配向金属基板の表面平滑性の問題に対しては、冷間加工後のＮｉ合金に配向化熱処理を施して２軸配向させたテープに、機械的に表面研磨を施す方法や、さらに電解研磨を施した表面平滑性に優れたテープ状基板の表面に中間層を介して酸化物超電導層を形成した希土類系テープ状酸化物超電導体が知られている（例えば、特許文献３参照。）。
【００１２】
【特許文献１】特開２００６−１２７８４７号
【特許文献２】特開２００８−２１０６００号
【特許文献３】特開２００７−１１５５６１号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
上記のＲＡＢｉＴＳによる２軸配向集合組織を有する金属基板は、面心立方、体心立方あるいは稠密６方晶の金属に強圧延加工と焼鈍を施すことにより形成するものであるが、結晶の配向性は機械的な歪や熱的な歪に対して影響を受け易く、容易に配向性を失う傾向がある。
【００１４】
このＲＡＢｉＴＳによる２軸配向集合組織を有する金属基板には、集合組織を形成し易く、かつ格子整合性に優れたＮｉあるいは添加元素を微量に含むＮｉ基合金が用いられているが、これらの基板は集合組織形成のために強圧延加工される結果、厚さが薄く、さらに添加元素量が少ないため、高温での配向化熱処理を施すと機械的強度が数十〜１５０ＭＰａ程度にまで低下し、その後の成膜時のハンドリングに影響を及ぼすだけでなく、線材の使用時の電磁力に耐えないなどの問題があった。
【００１５】
また、上記の膜形成用配向基板においては、第１の金属層と第２の金属層とは圧延などの方法により互いに貼り合わされた構成を有しているため、その後の成膜時のハンドリングにおいて接合強度が十分でないという問題があった。
【００１６】
さらに、上記の金属基板の両面に表面活性化接合後の熱処理により第１の金属層及び第２の金属層を接合した複合基板においては機械的強度に優れるものの、表面活性化接合が事前に表面を電解研磨処理した高い表面平滑度を有する材料を高真空雰囲気下でアルゴンイオンビーム等を照射して、金属基板を圧接して接着するため、その製造方法が複雑となるという問題がある。
【００１７】
一方、配向金属基板の表面平滑性を得るために、２軸配向させたテープに機械的に表面研磨を施すと、基板表面の温度が上昇し配向性が失われ易く、また、電解研磨により金属基板の表面平滑性を向上させる方法においては、製法の複雑さや廃液処理等の問題を生ずる。
【００１８】
本発明は、上記の問題を解決するためになされたもので、配向性及び表面平滑性に優れた金属基板上に中間層を介して超電導層を成膜した酸化物超電導線材及びその製造方法を提供することをその目的としている。
【００１９】
また、本発明の他の目的は、成膜時のハンドリング性及び機械的強度に優れるとともに、その製造方法が容易な金属基板を有し、かつ超電導特性にも優れた酸化物超電導線材及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
以上の問題を解決するために、本発明のテープ状酸化物超電導線材は、配向性を有するテープ状の金属基板上に１層又は２層以上の中間層を介して酸化物超電導層を形成した酸化物超電導線材において、テープ状の金属基板は、その中間層側の表面に施されたテキスチャリング処理により配向性を有するようにしたものである。
【００２１】
即ち、本発明の目的は、テープ状の金属基板上に１層又は２層以上の中間層を介して酸化物超電導層を形成した酸化物超電導線材において、テープ状の金属基板は、その中間層側の表面にテキスチャリング処理が施され、この処理層の表面に中間層及び酸化物超電導層が順次設けることによって達成される。
【００２２】
上記のテープ状の金属基板は、無配向で非磁性のテープ状の金属基板からなることが好ましく、特に、Ｎｉ又はＮｉ基合金を用いることが好ましい。
【００２３】
以上の本発明によるテープ状酸化物超電導線材は、テープ状の金属基板上に中開層を介して酸化物超電導層を形成した酸化物超電導線材の製造方法であって、無配向で非磁性のテープ状の金属基板を連続走行させる工程と、走行するテープ状の金属基板を洗浄する工程と、洗浄後のテープ状の金属基板の一側表面にテクスチャリング処理を施す工程及びテクスチャリング処理後のテープ状の金属基板を洗浄する工程を順次施した後、テクスチャリング処理が施されたテープ状の金属基板の一側表面上に１層又は２層以上の中開層を成膜し、次いでこの中間層上に酸化物超電導層を形成することによって容易に得ることができる。
【００２４】
また、上記のテープ状酸化物超電導線材の製造方法は、テープ状の金属基板上に中開層を介して酸化物超電導層を形成した酸化物超電導線材の製造方法であって、無配向で非磁性のＮｉ又はＮｉ基合金からなるテープ状の金属基板を連続走行させる工程と、走行するテープ状の金属基板を洗浄する工程と、洗浄後のテープ状の金属基板の一側表面にテクスチャリング処理を施す工程及びテクスチャリング処理後のテープ状の金属基板を洗浄する工程を順次連続して施した後、テクスチャリング処理が施されたテープ状の金属基板の一側表面上に１層又は２層以上のＣｅＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＹＳＺ、Ｇｄ２Ｏ３又はＲＥＺｒ２Ｏ７（ＲＥ＝Ｃｅ、Ｇｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ及びＹから選択された１種又は２種以上の元素を示す。以下同じ。）酸化物からなる中開層を成膜し、次いで中間層上にＲｅＢａｘＣｕ３Ｏｙ（Ｒｅは、Ｙ、Ｙｂ、Ｔｍ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｄｙ、Ｇｄ、Ｅｕ、Ｓｍ、Ｎｄ又はＬａから選択された少なくとも１種以上の元素を示し、ｘ≦２及びｙ＝６．２〜７である。以下同じ。）超電導体からなる酸化物超電導層をＭＯＤ法により形成することによって最も好適に得ることができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、テープ状の金属基板の表面にテキスチャリング処理を施すことにより、金属基板の表面層の結晶粒を基板の面内方向へ配向させることが可能になり、この金属基板の配向性に従って金属基板上の中間層及び酸化物超電導層も配向するため、超電導特性を向上させることができる。
【００２６】
また、本発明においては、テープ状の金属基板の配向性はテキスチャリング処理を施すことにより金属基板の表面層のみで得られるため、金属基板の配向性を得るための強圧延加工や焼鈍等を施す必要がなく、金属基板の表面層以外の大部分は無配向のままに留まり、十分な機械的強度の厚さを有する金属基板を採用することができるため、金属基板の強度を得るために複合基板構造とする必要がない上、成膜時のハンドリングや線材の使用時の電磁力に影響を及ぼすことがない。
【００２７】
さらに表面の平滑性を得るための機械的な表面研磨や電解研磨が必要ないため、基板表面の温度上昇による配向性の消失や複雑な処理を必要としせず、コスト面で有利である上、中間層の薄膜化が可能である利点を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
図１は、本発明によるテープ状酸化物超電導線材の軸方向に垂直な断面を示したもので、テープ状酸化物超電導線材１０は、テープ状の金属基板１１上に２層以上の中間層１２を介して酸化物超電導層１３及び安定化層１４を順次形成した構造を有する。
【００２９】
テープ状の金属基板１１は、無配向で非磁性のＮｉ又はＮｉ基合金、例えば、Ｎｉ−Ｗ合金の表面にテキスチャリング処理が施されたもので、Ｎｉ−Ｗ合金層１１ａとテキスチャリング処理層１１ｂとからなる。テープ状の金属基板１１にテキスチャリング処理を施すことにより、テープ状の金属基板の表面層の結晶粒を基板の面内方向へ配向させることが可能になる。
【００３０】
上記のテキスチャリング処理は、テキスチャリング加工によるテープ状の金属基板の表面の微細条痕がテープ状の金属基板の軸方向に平行な周期構造を有するように施されている。この微細条痕は、テープ状の金属基板の軸方向に必ずしも完全に平行である必要はなく、テキスチャリング処理を施すことにより、テープ状の金属基板の表面層の結晶粒を基板の面内方向へ配向させることが可能であればよい。例えば、微細条痕がテープ状の金属基板の軸方向に一定の角度をもって、あるいはテープ状の金属基板の軸方向に並行な微細条痕と軸方向に一定の角度を有する微細条痕との組み合わせによりテキスチャリング処理を施すようにすることもできる。
【００３１】
中間層１２は、ＣｅＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＹＳＺ、Ｇｄ２Ｏ３又はＲＥＺｒ２Ｏ７酸化物からなることが好ましく、１層又は２層以上に形成することができる。例えば、テキスチャリング処理層１１ｂの上の第１中間層１２ａをＣｅＺｒ２Ｏ７層又はＧｄＺｒ２Ｏ７層により形成し、この第１中間層の上にＣｅＯ２層からなる第２中間層１２ｂを形成することができる。第１中間層１２ａ及び第２中間層１２ｂは、テキスチャリング処理層１１ｂの結晶の配向性を引き継いで酸化物超電導層１３を配向させる。
【００３２】
上記の中間層１２は、ＭＯＤ法、パルスレーザー蒸着法、スパッタ法またはＣＶＤ法のいずれの方法によっても成膜することができる。
【００３３】
中間層１２の上に酸化物超電導層１３が成膜されるが、この酸化物超電導層は、ＲｅＢａｘＣｕ３Ｏｙ超電導体、例えば、ＹＢａ１．５Ｃｕ３Ｏｙからなることが好ましい。
【００３４】
酸化物超電導層１３は、ＭＯＤ法、パルスレーザ蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法のいずれの成膜プロセスをも用いることができる。
【００３５】
ＭＯＤ法により、例えば、ＹＢａｘＣｕ３Ｏｙ超電導膜を成膜する場合の原料は、Ｙ、Ｂａ、Ｃｕを所定のモル比で含む有機酸塩または有機金属化合物が用いられる。このＭＯＤ原料としては、例えば、各元素のオクチル酸塩、ナフテン酸塩、ネオデカン酸塩、三弗化酢酸塩などが上げられるが、１種類あるいは２種類以上の有機溶媒に均一に溶解し、基板上に塗布できるものであればよい。
【００３６】
尚、酸化物超電導層１３の上には、銀等からなる金属性の安定化層１４が積層される。
【００３７】
以下、本発明の実施例について説明する。
【実施例】
【００３８】
図２は、本発明のテープ状酸化物超電導線材の製造方法に用いられる配向性基板の製造装置２０の概略を示したもので、配向性基板の製造装置２０は、テープ状金属基板の送出し装置２１と巻取り装置２２とを備え、この送出し装置２１と巻取り装置２２との間に洗浄装置２３、テクスチャリング処理装置２４及び洗浄装置２５が主として配置された構成を有している。
【００３９】
以上の配向性基板の製造装置２０において、リール上に巻回された無配向で非磁性のＮｉ又はＮｉ基合金からなるテープ状の金属基板Ｔは、送出し装置２１から引き出され、巻取り装置２２に巻き取られることにより、送出し装置２１と巻取り装置２２間を連続的に走行する。
【００４０】
走行するテープ状の金属基板Ｔは、超音波洗浄槽２３ａ及びスクラブ洗浄ローラ２３ｂを備えた洗浄装置２３を通過することにより、テープ状の金属基板Ｔの表面が清浄化され、次いで、テクスチャリング処理装置２４を通過することによりテープ状の金属基板Ｔの表面にテクスチャリング処理が施される。
【００４１】
このテクスチャリング処理装置２４は、送出しリール２４ａ、巻取りリール２４ｂ、加圧装置２４ｃ及びスラリー滴下装置２４ｄを備えており、テキスチャリング・テープＰは、加圧装置２４ｃを介して送出しリール２４ａと巻取りリール２４ｂ間を走行し、スラリー滴下装置２４ｄによって走行するテープ状の金属基板Ｔの表面にテキスチャリング・スラリーが滴下されながら加圧装置２４ｃで走行するテープ状の金属基板Ｔと加圧接触する。テキスチャリング・テープＰは走行するテープ状の金属基板Ｔと逆方向に走行せしめられるが、これに限られず、テキスチャリング・テープＰとテープ状の金属基板Ｔとが相対的速度差をもって加圧接触すればよく、また、テープ状の金属基板Ｔのテープ面内で走行方向と一定の角度の往復運動を加圧装置２４ｃに付加することもでき、これにより多様な微細条痕をテープ状の金属基板の表面に形成することができる。この微細条痕の形態は、テープ状の金属基板の表面層の結晶粒の面内配向性に基づいて経験的に決定することができる。
【００４２】
テキスチャリング・テープＰとテープ状の金属基板Ｔとの相対的速度差は、上記のように経験的に定められるが、この相対的速度差が大き過ぎるかあるいは小さ過ぎるとテープ状の金属基板の表面層の結晶粒を基板の面内方向へ均一に配向させることが困難となる。
【００４３】
また、テクスチャリング処理後のテープ状の金属基板Ｔ表面の平均表面粗さを、Ｒａを０．１ｎｍ以上、１０ｎｍ以下とすることが好ましい。平均表面粗さＲａが０．１ｎｍ未満であると、テープ状の金属基板Ｔ表面の配向性が不十分となり、Ｒａが１０ｎｍを超えると、テープ状の金属基板Ｔ表面上に形成される中間層の平滑性が失われ中間層の膜厚を薄くすることが困難となる。
【００４４】
上記のテキスチャリング・テープは、圧力加工方式の研磨工具として知られており、テクスチャリングテープとしてポリエステル系の極細繊維織布を用いることができ、一方、テキスチャリング・スラリー、即ち研磨液としては水性ダイヤモンドスラリーが、また、研磨液に使用する砥粒は、コロイダルシリカ砥粒、アルミナ砥粒またはダイヤモンド砥粒などがあり、平均粒径０．０３〜０．５μｍの砥粒が用いられる。
【００４５】
テクスチャリング処理が施されたテープ状の金属基板Ｔは、洗浄装置２５を通過することにより、テープ状の金属基板表面のテキスチャリング・スラリー等のスクラブ（粒子状のパウダー物質）が洗浄される。洗浄装置２５は、超音波洗浄槽２５ａ及びスクラブ洗浄ローラ２５ｂにより構成される。尚、上記の洗浄装置２３、２５に代えてブラシスクラブ洗浄機等の他の洗浄装置を用いることも当然に可能である。
【００４６】
テクスチャリング処理が施されたテープ状の金属基板は、巻取り装置２２のリールに巻き取られ、別工程で上述のように、テキスチャリング処理層の表面上に１層又は２層以上のＣｅＯ２、Ｙ２Ｏ３、ＹＳＺ、Ｇｄ２Ｏ３又はＲＥＺｒ２Ｏ７酸化物からなる中開層が成膜され、次いで中間層上にＲｅＢａｘＣｕ３Ｏｙ超電導体からなる酸化物超電導層がＭＯＤ法により形成される。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明によるテープ状酸化物超電導線材は、送電ケーブルや電力貯蔵システムのような電力機器及びモーターなどの動力機器への使用に適した酸化物超電導体への利用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明によるテープ状酸化物超電導線材の軸方向に垂直な断面図である。
【図２】本発明のテープ状酸化物超電導線材の製造方法に用いられる配向性基板の製造装置の概略である。
【符号の説明】
【００４９】
１０  テープ状酸化物超電導線材
１１  テープ状の金属基板
１１ａ  Ｎｉ−Ｗ合金層
１１ｂ  テキスチャリング処理層
１２  中間層
１２ａ  第１中間層
１２ｂ  第２中間層
１３  酸化物超電導層１３
１４  安定化層
２０  配向性基板の製造装置
２１  送出し装置
２２  巻取り装置
２３、２５  洗浄装置
２３ａ、２５ａ  超音波洗浄槽
２３ｂ、２５ｂ  スクラブ洗浄ローラ
２４  テクスチャリング処理装置
２４ｃ  加圧装置
２４ｄ  スラリー滴下装置
Ｔ  テープ状の金属基板
Ｐ  テキスチャリング・テープ
【図１】
2010123448.tif 000003
【図２】
2010123448.tif 000004