(57)【要約】【課題】半導体発光素子を励起光源に用いながらも、ホワイトバランスが安定でかつ演色性の良好な白色光を生成することのできる発光装置を提供すること。【解決手段】発光装置は、赤色蛍光体がＭｎ付活フルオロ錯体塩系蛍光体であり、青色蛍光体がＥｕ付活アルミン酸塩系蛍光体であり、緑色蛍光体がＥｕおよびＭｎ付活アルミン酸塩系蛍光体であり、青色蛍光体および緑色蛍光体を励起するための、赤色蛍光体を実質的に励起しない光を放出する半導体発光素子を備え、半導体発光素子が放出する光で励起されて青色蛍光体が放出する青色光の一部により赤色蛍光体が励起される。【選択図】  図５
2010157608.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
赤色蛍光体から生じる赤色光と、青色蛍光体から生じる青色光と、緑色蛍光体から生じる緑色光と、を同時に放射する発光装置であって、
前記赤色蛍光体がＭｎ付活フルオロ錯体塩系蛍光体であり、
前記青色蛍光体がＥｕ付活アルミン酸塩系蛍光体であり、
前記緑色蛍光体がＥｕおよびＭｎ付活アルミン酸塩系蛍光体であり、
前記青色蛍光体および前記緑色蛍光体を励起するための、前記赤色蛍光体を実質的に励起しない光を放出する半導体発光素子を備え、
前記半導体発光素子が放出する光で励起されて前記青色蛍光体が放出する青色光の一部により前記赤色蛍光体が励起されるように構成した、
ことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
赤色蛍光体から生じる赤色光と、青色蛍光体から生じる青色光と、緑色蛍光体から生じる緑色光と、黄色蛍光体から生じる黄色光と、を同時に放射する発光装置であって、
前記赤色蛍光体がＭｎ付活フルオロ錯体塩系蛍光体であり、
前記青色蛍光体がＥｕ付活アルミン酸塩系蛍光体であり、
前記緑色蛍光体がＥｕおよびＭｎ付活アルミン酸塩系蛍光体であり、
前記黄色蛍光体がＣｅ付活ＹＡＧ系蛍光体であり、
前記青色蛍光体および緑色蛍光体を励起するための、前記赤色蛍光体および黄色蛍光体を実質的に励起しない光を放出する半導体発光素子を備え、
前記半導体発光素子が放出する光で励起されて前記青色蛍光体が放出する青色光の一部により前記赤色蛍光体および黄色蛍光体が励起されるように構成した、
ことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項３】
前記赤色蛍光体がＭ2ＳｉＦ6：Ｍｎ（ここで、ＭはＮａおよびＫからなる群から選ばれる一種以上を含有する）である、請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記青色蛍光体がＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕであり、前記緑色蛍光体がＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ，Ｍｎである、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記半導体発光素子の発光波長が３８０ｎｍ〜４００ｎｍである、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項６】
前記半導体発光素子がＡｌおよびＩｎを含む多重量子井戸構造の発光層を備えたＧａＮ系発光素子である、請求項５に記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤなどの半導体発光素子と波長変換手段である蛍光体とを組み合わせた発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤと蛍光体とを組み合わせて白色光を発生させる白色発光装置が固体照明用光源として注目を集めている。ＬＥＤは供給する電流値の変化や周囲温度の変動によってその発光波長が変化するために、このような白色発光装置においてはホワイトバランスを安定化させることがひとつの課題となっている（特許文献１）。
【特許文献１】特開２０００−３１５３１号公報
【特許文献２】米国特許第３５７６７５６号公報
【特許文献３】米国特許公開第２００６／０１６９９９８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
特許文献１にはホワイトバランスを安定化させた白色発光装置として、紫外線発光素子を用いて青色蛍光体を励起し、その青色蛍光体が放出する青色光の一部で黄色蛍光体を励起し、共に蛍光体由来の青色光および黄色光の混合により白色光を生成させる発光装置が開示されている。黄色蛍光体として用いられているのは（Ｙ1-aＧｄa）3（Ａｌ1-bＧａb）5Ｏ12：Ｃｅで表されるＣｅ付活ＹＡＧ（ＹＡＧはイットリウム・アルミニウム・ガーネットの略）である。しかしながら、この白色発光装置が放射する白色光は成分光として青色光と黄色光しか含まないために演色性に劣るという問題点がある。
【０００４】
したがって、半導体発光素子を励起光源に用いながらも、ホワイトバランスが安定でかつ演色性の良好な白色光を生成することのできる発光装置が求められている。かかる発光装置が実現されれば、照明用光源やカラー液晶表示装置のバックライト用光源として好ましく使用できることはいうまでもない。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明が提供する半導体発光装置は、赤色蛍光体としてＭ2ＸＦ6：Ｍｎ（ここで、ＭはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，ＣｓおよびＮＨ4からなる群から選ばれる一種以上を含有し、ＸはＧｅ、Ｓｉ，Ｓｎ，ＴｉおよびＺｒからなる群より選ばれる１種以上を含有する）で表されるＭｎ付活フルオロ錯体塩系蛍光体を用いることをひとつの特徴としている。なお、以下ではこの蛍光体を「ＭＸＦ」と略称する場合がある。
【０００６】
ＭＸＦは特許文献２、特許文献３などに開示されている公知の赤色蛍光体である。特許文献２のＦｉｇ．１にはＭＸＦの典型的な励起スペクトルとしてＫ2ＴｉＦ6：Ｍｎの励起スペクトルが示されているが、その励起スペクトルが示す通り、ＭＸＦは青色波長域（４３０ｎｍ〜４８０ｎｍ）の光によって強く励起される一方、波長４００ｎｍ付近（３８０ｎｍ〜４２０ｎｍ）の光によっては実質的に励起されないという性質を有している。
【０００７】
従って、発光波長４００ｎｍ付近の半導体発光素子を用いて青色蛍光体を励起し、その青色蛍光体が放出する光の一部を用いてＭＸＦを励起させるようにすれば、青色光と赤色光とのバランスが安定した発光装置が得られる。しかし、青色光と赤色光のみでは高演色照明やカラー液晶ディスプレイに用い得る良質な白色光を生成させることはできない。そのような白色光を生成させるには、この発光装置に更に緑色光源として緑色蛍光体を追加する必要がある。ＭＸＦは緑色光によっても実質的に励起されないので、緑色蛍光体を追加しても青色光と赤色光とのバランスには影響がないという利点がある。ただし、半導体発光素子の発光波長が変化したときには緑色蛍光体から生じる緑色光の強度も青色光および赤色光と同じように変化するようにしないと、ホワイトバランスの安定化が達成できない。
【０００８】
そこで、本発明では、波長４００ｎｍ付近における青色蛍光体と緑色蛍光体の励起特性が揃うように、青色および緑色の蛍光体として母体の基本構造が同一であるものを選択する。すなわち、青色蛍光体として（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕで表されるＥｕ付活アルミン酸塩系蛍光体を用い、緑色蛍光体として（Ｂａ，Ｓｒ）ＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ，Ｍｎで表されるＥｕおよびＭｎ付活アルミン酸塩系蛍光体を用いる。好ましくは、青色蛍光体にＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕを用い、緑色蛍光体にＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ，Ｍｎを用いる。このようにすれば、半導体発光素子の発光波長が変化しても、青色蛍光体から生じる青色光の強度と緑色蛍光体から生じる緑色光の強度とが同じように変化するので、青色光と緑色光とのバランスは変わらない。そして、前述の通り、赤色蛍光体としてＭＸＦを用いることにより、赤色光と青色光との間のバランスも安定しているので、得られる発光装置においては、成分光である赤色光と青色光と緑色光との間のバランスが安定した、演色性にもホワイトバランスの安定性にも優れた良質な白色光の生成が可能となる。なお、ＭＸＦの発光スペクトルが赤色領域に有するピークは半値幅が極めて小さいので、この三原色光を同時に放射する発光装置は色再現範囲の広いことが要求されるカラー液晶表示装置のバックライト用途に特に適している。
【０００９】
また、本発明では、上記のように選択する赤色蛍光体、青色蛍光体および緑色蛍光体に加えて、更にＣｅ付活ＹＡＧを組み合わせて発光装置を構成してもよい。Ｃｅ付活ＹＡＧは青色光により励起される一方、波長４００ｎｍ付近の光によっても、また、緑色光によっても、実質的に励起されない。よって、半導体発光素子の発光波長が変化しても、Ｃｅ付活ＹＡＧから生じる黄色光の強度は青色蛍光体から生じる青色光の強度と同じように変化するので、青色光と黄色光とのバランスは変わらない。よって、得られる発光装置においては、赤色光、青色光、緑色光および黄色光の間のバランスが安定した、演色性にもホワイトバランスの安定性にも優れた白色光が生成可能となる。このような４つの成分光からなる白色光を生成し得る発光装置は演色性が重視される照明用途に特に適している。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の半導体発光装置は、半導体発光素子を励起光源に用いながらも、演色性にもホワイトバランスの安定性にも優れた良質な白色光を生成させることができるので、照明用光源やカラー液晶表示装置のバックライト用光源として好ましく使用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
前述の通り、本発明は赤色蛍光体としてＭ2ＸＦ6：Ｍｎ（ここで、ＭはＬｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒｂ，ＣｓおよびＮＨ4からなる群から選ばれる一種以上を含有し、ＸはＧｅ、Ｓｉ，Ｓｎ，ＴｉおよびＺｒからなる群より選ばれる１種以上を含有する）で表されるＭｎ付活フルオロ錯体塩系蛍光体を用いることをひとつの特徴としている。
Ｍｎ付活フルオロ錯体塩系蛍光体の中でも好ましいのは、上記化学式においてＭがＫ（カリウム）またはＮａ（ナトリウム）から選ばれる１種以上であり、ＸがＳｉ（ケイ素）であるものである。その中でもより好ましいのは、Ｍ全量に占めるＫの比率が９０モル％以上、特に９７モル％以上、更には９９モル％以上のものである。
付活元素はＭｎ（マンガン）が１００％であることが望ましいが、限定されるものではなく、付活元素の全量に対し１０モル％未満の範囲でＴｉ、Ｚｒ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｉｎ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｍｇなどを含んでいてもよい。
ＸがＳｉの場合、ＳｉとＭｎとの合計におけるＭｎの割合は、０．５モル％〜１０モル％の範囲内であることが望ましい。
【００１２】
ＭＸＦの製造方法については特許文献２または特許文献３を参照すればよいが、ここでは一例としてＫ2ＳｉＦ6：Ｍｎの合成例を説明する。
工程１
ＫＦ粉体またはＫＨＦ2粉体をフッ化水素酸（４７．３重量％）に溶解させてから、ＫＭｎＯ4粉体をこの溶液に溶解させる。溶液を攪拌しながら過酸化水素水を滴下していくと、ＫＭｎＯ4とＨ2Ｏ2とのモル比が１．５になった時に黄色い沈澱物が得られる。その沈澱物をアセトンで洗浄した後１３０℃で１時間乾燥させることによりＫ2ＭｎＦ6が得られる。
工程２
蛍光体の各原料の仕込み組成がＫ2Ｓｉ0.9Ｍｎ0.1Ｆ6となるように、Ｋ2ＳｉＦ6（１．７７８３ｇ）とＫ2ＭｎＦ6（０．２２１７ｇ）を大気圧下、室温の下で、フッ化水素酸（４７．３重量％）７０ｍｌに添加して溶解させる。各原料化合物が完全に溶解した後、溶液を攪拌しながらアセトン７０ｍｌを２４０ｍｌ／ｈｒの速度で添加して蛍光体を析出させる。析出物をエタノールで洗浄し、１３０℃で１時間乾燥させることにより１．７ｇの蛍光体Ｋ2ＳｉＦ6：Ｍｎが得られる。
得られる蛍光体におけるＳｉとＭｎのモル比は、ＥＤＸ（エネルギー分散Ｘ線分析）法による組成分析から知ることができる。このモル比は仕込み組成を変更することにより調整することができる。
【００１３】
上記工程１および工程２を実際に行うことにより得たＫ2ＳｉＦ6：Ｍｎの励起スペクトルおよび発光スペクトルを図１に示す。励起スペクトルは波長３５０ｎｍ付近と波長４５０ｎｍ〜４６０ｎｍの範囲にそれぞれピークを有しており、青色光により効率よく励起可能であること、また、波長４００ｎｍ付近では励起効率が低いことが分かる。また、発光スペクトルは波長６３０ｎｍに半値幅６ｎｍの鋭いピークを有している。
【００１４】
青色蛍光体として用いるＥｕ付活アルミン酸塩系蛍光体、緑色蛍光体として用いるＥｕおよびＭｎ付活アルミン酸塩系蛍光体、および、黄色蛍光体として用いるＣｅ付活ＹＡＧは、それぞれ公知の物質であり、その製造方法等については従来技術を適宜参照することができる。
本発明における好ましい青色蛍光体であるＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕの励起スペクトルおよび発光スペクトルを図２に示す。また、本発明における好ましい緑色蛍光体であるＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ，Ｍｎの励起スペクトルおよび発光スペクトルを図３に示す。
【００１５】
本発明の半導体発光装置において、青色蛍光体および緑色蛍光体の励起に用いる半導体発光素子にはＧａＮ系発光素子を好適に用いることができる。ＧａＮ系発光素子とは、ＰＮ接合構造、ＭＩＳ構造などの発光素子構造を一般式ＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮで表されるＧａＮ系半導体で形成したＬＥＤやＬＤ（レーザダイオード）である。現在では、ダブルヘテロＰＮ接合型の素子構造を採用するとともに、発光層を井戸層および障壁層からなる多重量子井戸構造とした高輝度のＧａＮ系発光素子が市販されている。このようなＧａＮ系発光素子の発光波長は井戸層を形成するＧａＮ系半導体の組成により制御することができる。青色蛍光体に用いるＥｕ付活アルミン酸塩系蛍光体と緑色蛍光体に用いるＥｕおよびＭｎ付活アルミン酸塩系蛍光体の励起特性を考慮すると、ＧａＮ系半導体発光素子の主発光波長は好ましくは４１０ｎｍ以下、より好ましくは４００ｎｍ以下である。
【００１６】
Ｉｎを含むＧａＮ系半導体で井戸層を形成したＧａＮ系発光素子は、当該層の内部でＩｎ濃度が自発的に不均一化し、Ｉｎ濃度が局所的に高くなった領域において発光再結合が促進されるために、発光層中に貫通転位と呼ばれる結晶欠陥が高密度に存在するにもかかわらず、極めて高い発光効率を示す。しかし、ＩｎxＧａyＮ（ｘ＋ｙ＝１）からなる井戸層を用いて３８０ｎｍ〜４００ｎｍという短波長光を発生させようとすると、井戸層のＩｎ組成ｘを低く抑えなくてはならず、そのためにＩｎ濃度の不均一化による上記の効果が小さくなり、特に、温度上昇に伴う素子の発光効率の低下が顕著となってくる。
この問題を改善するためには、ＡｌおよびＩｎを含む多重量子井戸構造の発光層を採用することが望ましい。Ａｌの添加はＧａＮ系半導体のバンドギャップを大きくする働きがあるので、例えば、井戸層をＡｌおよびＩｎを含むＩｎＧａＡｌＮで形成すると、Ｉｎ含有量を低く抑えることなく、発光波長を短くすることができる。あるいは、井戸層はＩｎＧａＮで形成する一方、障壁層にＡｌを添加すると、井戸層と障壁層とのバンドギャップ差が大きくなるためにキャリアが井戸層に留まる時間が長くなり、井戸層における発光再結合が促進される。
【００１７】
本発明の半導体発光装置は、既に説明した通り、半導体発光素子が放出する光により青色および緑色の蛍光体が励起され、このうち青色蛍光体が放出する光の一部により赤色蛍光体（黄色蛍光体を用いる場合は赤色蛍光体および黄色蛍光体）が励起され、各蛍光体から生じる光が同時に当該発光装置から外部に放射されるように構成される。本発明の半導体発光装置は、蛍光体の具体的な固定化方法であるとか、半導体発光素子と蛍光体との具体的な結合方法や結合構造などにより限定されるものではない。本発明の半導体発光装置を作るにあたり必要となる、蛍光体の固定化方法や、半導体発光素子と蛍光体との結合方法や結合構造などについては、公知技術を適宜参照すればよい
【００１８】
一実施形態において、本発明の半導体発光装置は、パッケージ、リードフレーム、ユニット基板等に固定された１つ以上の半導体発光素子と、これを埋め込んだ透光性の被覆部材を含む。この被覆部材は単層構造であってもよいし多層構造を有していてもよい。この被覆部材のベース材料に限定はなく、樹脂であってもよいしガラスであってもよい。被覆部材が多層構造である場合には、層毎にベース材料が異なっていてもよい。樹脂材料としては、エポキシ樹脂などと比べて短波長光により劣化し難いシリコーン樹脂が好ましい。この被覆部材中には増量や屈折率調整の目的で、シリカ微粒子、ジルコニア微粒子、チタニア微粒子のような無色透明の金属酸化物微粒子を分散することができる。この被覆部材の成形方法に限定はなく、例えば、モールドやポッティングなどであってもよい。被覆部材が多層構造である場合には、層毎に異なる方法で成形してもよい。
蛍光体は上記被覆部材のいずれかの層内に固定化することができる。全部の蛍光体を混合してひとつの層内に固定化することもできるし、あるいは、赤色蛍光体を分散した赤色蛍光体層、青色蛍光体を分散した青色蛍光体層、緑色蛍光体を分散した緑色蛍光体層、黄色蛍光体を分散した黄色蛍光体層をそれぞれ設けることもできる。
蛍光体を透明な樹脂やガラス中に分散固定化した板状ないし膜状の蛍光部材を別途形成し、これを上記被覆部材の外部に設置することもできる。蛍光体の一部を上記被覆部材の内部に固定化し、他の一部を外部の蛍光部材中に固定化することもできる。上記被覆部材の外部に蛍光部材を設置した場合に、被覆部材と蛍光部材との間に形成される空間の全部または一部を透明材料（樹脂、ガラス、高分子液体など）で充たすことができる。
【００１９】
本発明の半導体発光装置は、また、パッケージ、リードフレーム、ユニット基板等に固定された１つ以上の半導体発光素子と、半導体発光素子の固定部位から離れた位置に固定化された蛍光体と、半導体発光素子が放出する光をこの蛍光体に導くための導光板あるいは導波路（例えば、光ファイバ）と、を含むものであってもよい。
【００２０】
図４に本発明の一実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図を示す。この図に示す発光装置１００は、ＳＭＤ（表面実装）型ＬＥＤであり、パッケージ１０に設けられたキャビティ（カップ状部分）の底面上にＧａＮ系発光素子２０が接着剤（図示せず）を用いて固定されている。
パッケージ１０は、セラミック（アルミナ、ＡｌＮなど）、白色樹脂などで形成されたパッケージ基板１１と、二つのパッケージ電極１２と、リフレクタ１３とから構成されている。この図ではパッケージ基板１１とリフレクタ１３とを別個の部材のように示しているが、これらは一体的に形成されていてもよい。
パッケージ基板１１上に固定されたＧａＮ系発光素子２０は４００ｎｍ付近に主発光波長を有するものである。このＧａＮ系発光素子は、サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮなどからなる素子基板２１と、その上に形成された、ダブルヘテロＰＮ接合型のＬＥＤ構造を備えたＧａＮ系半導体膜２２とを有しており、そのＧａＮ系半導体膜２２上に、正負の電極が形成されている。正電極は、透明導電性酸化物（ＴＣＯ：Transparent Conductive Oxide）からなる透明電極２３ａと、その一部上に形成された金属製のボンディングパッド２３ｂとから構成されている。負電極も、ＴＣＯからなる透明電極２４ａと、その一部上に形成された金属製のボンディングパッド２４ｂとから構成されている。素子基板２１の下面には金属製の反射膜２５が形成されている。
ＧａＮ系発光素子２０の正電極および負電極のそれぞれは、ＡｕまたはＣｕからなるボンディングワイヤ３０により、２つのパッケージ電極１２のそれぞれに接続されている。
ＧａＮ系発光素子２０は透光性の被覆部材４０により埋め込まれている。被覆部材４０は内層部４１と外層部４２とを有しており、２本のボンディングワイヤ３０は内層部４１に埋め込まれている。
蛍光体（図示せず）は被覆部材４０中に固定化されており、とりわけ、赤色蛍光体は内層部４１に固定化されており、青色蛍光体および緑色蛍光体は外層部４２に固定化されている。黄色蛍光体を用いる場合には外層部４２に固定化することが望ましい。
【００２１】
発光装置１００において、ＧａＮ系発光素子２０から放出される波長４００ｎｍ付近の光は、被覆部材４０の内層部４１に固定化された赤色蛍光体によっては実質的に吸収されることなく外層部４２に達し、そこで青色蛍光体および緑色蛍光体を励起させる。青色蛍光体から生じる青色光は方向性を有さないので、その一部は内層部４１側に向かって進み、赤色蛍光体を励起させることになる。赤色蛍光体から生じる赤色光は直接、あるいはパッケージ基板１１、パッケージ電極１２、リフレクタ１３またはボンディングワイヤ３０の表面で反射されて、外層部４２側に向かって進み、これを透過して発光装置１００の外部に放射される。
【００２２】
発光装置１００において、被覆部材４０の内層部４１に赤色蛍光体を、外層部４２に青色蛍光体を固定化しているのは、ボンディングワイヤ３０の近傍では青色光を発生させないで、赤色光を発生させるようにするためである。その理由は、ボンディングワイヤ３０の材料であるＡｕまたはＣｕは青色光を強く吸収するのに対し、赤色光に対しては強い吸収を示さないからである。外層部４２に固定化した青色蛍光体から生じる青色光のうち、内層部４１に入射するのはその一部であり、更に内層部４１に入射すると青色光は赤色蛍光体によって赤色光に変換されるので、青色光がボンディングワイヤ３０に吸収されることによる損失が減少することになる。なお、このような損失低減効果の発生に必要な条件は、赤色蛍光体が青色蛍光体により励起され得ることである（蛍光体の種類にはよらない）。このことは、本技術分野における当業者であれば理解されよう。
【００２３】
発光装置１００において、被覆部材４０の内層部４１に赤色蛍光体を固定化するにあたっては、内層部４１の全体にわたって赤色蛍光体を分散させてもよいし、あるいは、内層部４１の中でも外層部４２に隣接する部分に、赤色蛍光体を分散させた領域を層状に形成してもよい。また、被覆部材４０の外層部４２には青色蛍光体と緑色蛍光体を混合した状態で分散させてもよいし、あるいは、青色蛍光体を分散させた層状領域と緑色蛍光体を分散させた層状領域とをそれぞれ外層部４２内に設けてもよい。
【実施例】
【００２４】
ドミナント発光波長３９０ｎｍ〜４００ｎｍで発光する近紫外ＬＥＤとして、Ｃｒｅｅ社製の２９０μｍ角チップＣ３９５ＭＢ２９０を用い、それをシリコーン樹脂ベースの透明ダイボンドペーストで、３５２８ＳＭＤ型ＰＰＡ樹脂パッケージの凹部の底の端子に接着した。その後に、１５０℃で２時間加熱し、透明ダイボンドペーストを硬化させた後、近紫外ＬＥＤとパッケージの電極とを直径２５μｍの金線を用いてワイヤーボンディングした。
【００２５】
一方、発光ピーク波長４５５ｍｍ、発光ピーク半値幅５１ｎｍのＢａ0.7Ｅｕ0.3ＭｇＡｌ10Ｏ17 （青色蛍光体）０．１３５ｇと、発光ピーク波長５１７ｎｍ、発光ピーク半値幅が２７ｎｍのＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ，Ｍｎ（緑色蛍光体）０．０９６ｇと、Ｋ2ＳｉＦ6：Ｍｎ（赤色蛍光体）０．３３１ｇと、東レ・ダウコーニング社製シリコーン樹脂（ＪＣＲ６１０１ｕｐ）１．０８３ｇとを秤量し、シンキー社製攪拌脱泡装置ＡＲ−１００にて混合し、蛍光体含有組成物を得た。
【００２６】
次に、ディスペンサーを用いて上記のように得られた蛍光体含有組成物４μｌを、前記近紫外ＬＥＤを設置したＳＭＤ型樹脂パッケージの凹部に注液した。この後、７０℃で１時間、次いで１５０℃で５時間加熱して蛍光体含有組成物を硬化させ、半導体発光装置を得た。
【００２７】
上記作製した半導体発光装置の近紫外ＬＥＤに２０ｍＡの電流を供給して発光させた。その発光のＣＩＥ色度座標値を測定したところ、ｘ／ｙ＝０．２７７／０．３１５であった。得られた発光スペクトルを図５に示す。近紫外ＬＥＤからの光出力に対する、半導体発光装置からの白色の光束は２２７ルーメン／Ｗだった。
【００２８】
上記作製した半導体発光装置を液晶バックライト用のカラーフィルターと組み合わせて得たカラー画像表示装置について色度（ｘ、ｙ、Ｙ）、色再現性（ＮＴＳＣ比）、および色調（色温度）を算出したところ、それぞれ、（０．３１１，０．３４７，２７．９％）、１１０％および６４９３Ｋであった。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】Ｋ2ＳｉＦ6：Ｍｎの励起スペクトルおよび発光スペクトルを示す図である。
【図２】ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕの励起スペクトルおよび発光スペクトルを示す図である。
【図３】ＢａＭｇＡｌ10Ｏ17：Ｅｕ，Ｍｎの励起スペクトルおよび発光スペクトルを示す図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る半導体発光装置の模式断面図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る半導体発光装置の発光スペクトルを示すチャートである。
【符号の説明】
【００３０】
１００  半導体発光装置
１０  パッケージ
２０  ＧａＮ系発光素子
３０  ボンディングワイヤ
４０  被覆部材
４１  内層部
４２  外層部
【図１】
2010157608.tif 000003
【図２】
2010157608.tif 000004
【図３】
2010157608.tif 000005
【図４】
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【図５】
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