(57)【要約】【課題】  フィルム状にしたときの埋込性及び硬化後の接着力に優れるとともに、短時間でのハンダ接合においても十分なフラックス活性を発揮し得る接着剤組成物を提供すること。【解決手段】  上記課題を解決する接着剤組成物は、（Ａ）重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分と、（Ｂ）エポキシ樹脂と、（Ｃ）フェノール系エポキシ樹脂硬化剤と、（Ｄ）１分子内にフェノール性水酸基を１つ有するメチロール化合物と、（Ｅ）硬化促進剤とを含む。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分と、
（Ｂ）エポキシ樹脂と、
（Ｃ）フェノール系エポキシ樹脂硬化剤と、
（Ｄ）１分子内にフェノール性水酸基を１つ有するメチロール化合物と、
（Ｅ）硬化促進剤と、
を含む、接着剤組成物。
【請求項２】
前記メチロール化合物が、下記一般式（１）で示されるメチロール化合物である、請求項１に記載の接着剤組成物。
【化１】
2010265359.tif 000009
［式（１）中、Ｘは、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、炭素数が２以上でありメチレン基を有する場合、メチレン基の少なくとも一つが−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−で置換されていてもよく、炭素数が３以上でありメチン基（−ＣＨ＜）を有する場合、メチン基の少なくとも一つが窒素原子で置換されていてもよい。］
【請求項３】
前記（Ａ）成分１００質量部に対して前記（Ｂ）成分を５〜５００質量部含み、
前記（Ｂ）成分のエポキシ基に対する前記（Ｃ）成分のフェノール性水酸基の当量比が０．５〜１．５であり、
前記（Ｃ）成分及び前記（Ｄ）成分の水酸基の合計に対する前記（Ｄ）成分の水酸基の割合が２５％以上であり、
前記（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して前記（Ｅ）成分を０．１〜２０質量部含む、請求項１又は２に記載の接着剤組成物。
【請求項４】
前記（Ａ）成分が、グリシジル基を有する反復単位を０．５〜６質量％含有するグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
【請求項５】
（Ｆ）放射線重合性化合物及び（Ｇ）光開始剤を更に含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
【請求項６】
相対向しハンダ接合される回路電極を有する回路部材間に介在させ、前記回路部材同士を接着するために用いられる、請求項１〜５のいずれか一項に記載の接着剤組成物。
【請求項７】
支持基材と、該支持基材上に設けられ、請求項１〜５のいずれか一項に記載の接着剤組成物からなる接着剤層と、を備える、回路部材接続用接着剤シート。
【請求項８】
相対向しハンダ接合される回路電極を有する回路部材間に介在させ、前記回路部材同士を接着するために用いられる、請求項７に記載の回路部材接続用接着剤シート。
【請求項９】
主面の一方に複数の回路電極を有する半導体ウエハを準備し、該半導体ウエハの前記回路電極が設けられている側に、請求項１〜５のいずれか一項に記載の接着剤組成物からなる接着剤層を設ける工程と、
前記半導体ウエハの前記回路電極が設けられている側とは反対側を研削して前記半導体ウエハを薄化する工程と、
前記薄化した半導体ウエハ及び前記接着剤層をダイシングしてフィルム状接着剤付半導体素子に個片化する工程と、
前記フィルム状接着剤付半導体素子の前記回路電極を半導体素子搭載用支持部材の回路電極にハンダ接合する工程と、
を備える、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接着剤組成物、それを用いた回路部材接続用接着剤シート及び半導体装置の製造方法に関し、より詳細には、フェイスダウンボンディング方式で半導体素子を回路基板にハンダ接合して半導体装置を製造する方法に用いられる接着剤組成物、及びそれを用いた回路部材接続用接着剤シートに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップの実装技術として、半導体チップの電極部分にハンダバンプを形成し、ハンダ接合により直接回路基板に半導体チップを接続するフェイスダウンボンディング方式が知られている。この方式は、小型、薄型のパッケージングに有利とされている。また、半導体チップの実装においては、半導体チップと回路基板の熱膨張係数差に由来する熱ストレスを緩和する目的で、通常、回路基板と半導体チップとの間が液状接着剤やフィルム状接着剤で充填される。
【０００３】
液状接着剤を用いる場合、回路基板に液状接着剤を先に塗布して半導体チップを搭載した後、ハンダ接合を行う方法と、半導体チップを回路基板にハンダ接合した後、回路基板と半導体チップとの間から液状接着剤を充填する方法がある。しかし、いずれの方法においても、液状接着剤は、ディスペンサーによる精密な塗布量コントロールが困難であり、塗布量が多すぎると、ボンディング時に滲み出した樹脂がチップの側面を這い上がりボンディングツールを汚染する要因となるため、ツールの洗浄が必要となり、量産時の工程が煩雑化する。特に、近年の薄化したチップにおいては液状接着剤による汚染が発生しやすい。
【０００４】
フィルム状接着剤を用いる場合、上記の汚染は発生しにくい。さらに近年では、作業性及び高密度化実装の観点から、フィルム状接着剤付チップを用いる方法が注目されている。例えば、下記特許文献１には、半導体ウエハの突出電極面に、液状エポキシ樹脂と官能基を有する固形樹脂と熱活性型マイクロカプセル型硬化剤を必須成分としたフィルム状接着剤層を形成する工程、フィルム状接着剤層が設けられたウエハを接着剤層と共に切断しチップ化する工程、得られたチップの突出電極を、接着剤層を介して配線基板上の相対する回路と位置合わせして載置する工程、チップと配線基板とを加熱加圧することにより突出電極を相対する回路と接触させた後に接着剤を実質的に硬化させることを含む回路の接続方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第２８３３１１１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１の方法は、上記の加熱加圧によってハンダ接合と接着剤の硬化とが同時に行われるため、位置ずれしにくいという利点を有している。しかしながら、短時間の加熱でハンダ接合を行う場合、従来の接着剤では、ハンダ表面の酸化膜を除去するためのフラックス活性が得られず、ハンダの濡れが不十分となる場合があった。なお、回路部材の接続に用いられるフィルム状接着剤には、接続信頼性を確保する点から、圧着時にボイドが発生しにくい埋込性を有していることや硬化後の接着力が高いことなどが必要とされている。そのため、フラックス活性の付与によってこれらの特性が損なわれることは望ましくない。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、フィルム状にしたときの埋込性及び硬化後の接着力に優れるとともに、短時間でのハンダ接合においても十分なフラックス活性を発揮し得る接着剤組成物、それを用いた回路部材接続用接着剤シート、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決する本発明の接着剤組成物は、（Ａ）重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分と、（Ｂ）エポキシ樹脂と、（Ｃ）フェノール系エポキシ樹脂硬化剤と、（Ｄ）１分子内にフェノール性水酸基を１つ有するメチロール化合物と、（Ｅ）硬化促進剤とを含むことを特徴とする。
【０００９】
本発明の接着剤組成物によれば、上記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｅ）成分と、上記特定の構造を有するメチロール化合物とが配合されることにより、埋込性及び硬化後の接着力に優れるとともに、短時間でのハンダ接合においても十分なフラックス活性を発揮し得るフィルム状接着剤を形成することができる。本発明者らは、このような効果が得られる理由を、フラックス活性を有する上記（Ｄ）成分が、フィルムを形成するときの熱でも高分子量化しにくいため、フィルム形成後もフラックス活性が十分維持され、且つ、高温圧着時には（Ｄ）成分がエポキシ樹脂及びフェノール系エポキシ樹脂硬化剤と反応することにより、フィルムの系内に取り込まれるため、上記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）及び（Ｅ）成分の組み合わせで得られる良好な埋込性及び接着性を低下させないことによるものと考えている。
【００１０】
本発明の接着剤組成物において上記メチロール化合物が、下記一般式（１）で示されるメチロール化合物であることが好ましい。
【化１】
2010265359.tif 000002
［式（１）中、Ｘは、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、炭素数が２以上でありメチレン基を有する場合、メチレン基の少なくとも一つが−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−で置換されていてもよく、炭素数が３以上でありメチン基（−ＣＨ＜）を有する場合、メチン基の少なくとも一つが窒素原子で置換されていてもよい。］
【００１１】
また、本発明の接着剤組成物は、（Ａ）成分１００質量部に対して（Ｂ）成分を５〜５００質量部含み、（Ｂ）成分のエポキシ基に対する（Ｃ）成分のフェノール性水酸基の当量比が０．５〜１．５であり、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の水酸基の合計に対する（Ｄ）成分の水酸基の割合が２５％以上であり、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して（Ｅ）成分を０．１〜２０質量部含むものであることが好ましい。
【００１２】
また、上記（Ａ）成分が、グリシジル基を有する反復単位を０．５〜６質量％含有するグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体であることが好ましい。
【００１３】
本発明の接着剤組成物は、（Ｆ）放射線重合性化合物及び（Ｇ）光開始剤を更に含むことが好ましい。
【００１４】
本発明の接着剤組成物は、相対向しハンダ接合される回路電極を有する回路部材間に介在させ、回路部材同士を接着するために用いることができる。この場合、回路部材同士を熱圧着することにより、ボイド発生を抑制しつつ十分な接着力で接着することができ、且つ、回路電極同士を良好にハンダ接合できる。これにより、接続信頼性に優れた接続体を得ることができる。
【００１５】
本発明の回路部材接続用接着剤シートは、支持基材と、該支持基材上に設けられ、上記本発明の接着剤組成物からなる接着剤層とを備えることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の回路部材接続用接着剤シートは、相対向しハンダ接合される回路電極を有する回路部材間に介在させ、回路部材同士を接着するために用いることができる。この場合、回路部材同士を熱圧着することにより、ボイド発生を抑制しつつ十分な接着力で接着することができ、且つ、回路電極同士を良好にハンダ接合できる。これにより、接続信頼性に優れた接続体を得ることができる。
【００１７】
本発明はまた、主面の一方に複数の回路電極を有する半導体ウエハを準備し、該半導体ウエハの回路電極が設けられている側に、本発明の接着剤組成物からなる接着剤層を設ける工程と、半導体ウエハの回路電極が設けられている側とは反対側を研削して半導体ウエハを薄化する工程と、薄化した半導体ウエハ及び接着剤層をダイシングしてフィルム状接着剤付半導体素子に個片化する工程と、フィルム状接着剤付半導体素子の回路電極を半導体素子搭載用支持部材の回路電極にハンダ接合する工程とを備える半導体装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、フィルム状にしたときの埋込性及び硬化後の接着力に優れるとともに、短時間でのハンダ接合においても十分なフラックス活性を発揮し得る接着剤組成物を提供することができる。また、本発明の回路部材接続用接着剤シートによれば、圧着時にハンダ表面の酸化膜を除去することができ短時間でのハンダ接合を可能とし、圧着時のボイド発生が少なく、硬化後の接着力も高いため、耐リフロークラック性や接続信頼性に優れた回路部材接続体を得ることができる。また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、接続信頼性に優れた半導体装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係る回路部材接続用接着剤シートの好適な一実施形態を示す模式断面図である。
【図２】本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。
【図３】本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。
【図４】本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。
【図５】本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。
【図６】本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。
【図７】本発明に係る半導体装置の製造方法の他の実施形態を説明するための模式断面図である。
【図８】本発明に係る半導体装置の製造方法の他の実施形態を説明するための模式断面図である。
【図９】本発明に係る半導体装置の製造方法の他の実施形態を説明するための模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図１は、本発明に係る回路部材接続用接着剤シートの好適な一実施形態を示す模式断面図である。図１に示す回路部材接続用接着剤シート１０は、支持基材３と、該支持基材３上に設けられ、本発明の接着剤組成物からなる接着剤層２と、接着剤層２を被覆する保護フィルム１とを備えている。
【００２１】
まず、接着剤層２を構成する本発明の接着剤組成物について説明する。
【００２２】
本発明の接着剤組成物は、（Ａ）重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分と、（Ｂ）エポキシ樹脂と、（Ｃ）フェノール系エポキシ樹脂硬化剤と、（Ｄ）１分子内にフェノール性水酸基を１つ有するメチロール化合物と、（Ｅ）硬化促進剤とを含む。
【００２３】
（Ａ）重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分としては、接着性向上の点で、グリシジル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、カルボキシル基、水酸基、エピスルフィド基などの官能基を有するものが好ましい。このような高分子量成分としては、例えば、（メタ）アクリルエステル共重合体、アクリルゴムなどが挙げられる。特に、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレート及びアクリロニトリルなどとの共重合体や、エチルアクリレート及びアクリロニトリルなどとの共重合体などからなるゴムである。共重合体モノマーとしては、例えば、ブチルアクリレート、エチルアクリレートアクリル酸メチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、アクリロニトリル等を挙げることができる。
【００２４】
また、（Ａ）成分としては、架橋性の点で、グリシジル基を有する高分子量成分が好ましい。具体的には、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを含む原料モノマーを重合させて得られる重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体を挙げることができる。なお、本明細書において、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体とは、グリシジル基含有アクリル共重合体とグリシジル基含有メタクリル共重合体の両方を示す語句である。
【００２５】
重量平均分子量が１０万以上であるグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体は、上記共重合モノマーと、グリシジルアクリレートやグリシジルメタクリレートなどとから適宜モノマーを選択して製造したものを用いることができる。また、市販品（例えば、ナガセケムテックス（株）製「ＨＴＲ−８６０Ｐ−３」等）を用いることもできる。
【００２６】
（Ａ）重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分は、官能基の含有量を適宜変更することにより架橋密度を調整することができる。高分子量成分が複数のモノマーの共重合体である場合は、原料として使用する官能基含有モノマーが、共重合体の０．５〜６．０質量％程度含まれることが好ましい。
【００２７】
グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体の場合、グリシジルアクリレートやグリシジルメタクリレート等のグリシジル基を有する反復単位を好ましくは０．５〜６．０質量％、より好ましくは０．５〜５．０質量％、さらにより好ましくは０．８〜５．０質量％含有するグリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体が用いられる。グリシジル基を有する反復単位の量が上記範囲にあると、グリシジル基の緩やかな架橋が起こるため、接着力を確保しつつゲル化を防止することが容易となる。また、（Ｂ）エポキシ樹脂と非相溶になるため、応力緩和性に優れるようになる。
【００２８】
また、上記グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体には、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレート等以外に他の官能基が組み込まれていてもよい。その場合の混合比率は、グリシジル基含有（メタ）アクリル共重合体のガラス転移温度を考慮して決定することが好ましい。具体的には、かかる重合体のガラス転移温度が−１０℃以上となるように混合比率を設定することが好ましい。重合体のガラス転移温度が−１０℃以上であると、Ｂステージ状態での接着剤層のタック性が適当であり、取り扱い性に問題を生じないため好ましい。
【００２９】
（Ａ）成分として、上記グリシジル基含有モノマーを重合させて得られるグリシジル基含有アクリル共重合体を使用する場合、その重合方法としては特に制限はなく、例えば、パール重合、溶液重合などの方法を使用することができる。
【００３０】
本発明において、（Ａ）成分の重量平均分子量は１０万以上であるが、３０万〜３００万であることが好ましく、４０万〜２５０万がより好ましく、５０万〜２００万であることが特に好ましい。重量平均分子量がこの範囲にあると、シート状又はフィルム状とした接着剤層の強度、可とう性及びタック性を良好にバランスさせることが容易となるとともに接着剤層のフロー性が良好となるため、配線の回路充填性（埋込性）を十分確保できる。なお、本明細書において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィーで測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を示す。
【００３１】
また、（Ａ）成分は、耐リフロー性の点で、（Ｂ）エポキシ樹脂と非相溶であることが好ましい。ただし、相溶性については（Ａ）成分の特性のみでは決定されないので、（Ａ）成分及び（Ｂ）成分の両者が相溶しない組み合わせを選択する。
【００３２】
（Ｂ）エポキシ樹脂としては、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂ハンドブック（新保正樹編、日刊工業新聞社）等に記載されるエポキシ樹脂を広く使用することができる。具体的には、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシなどの二官能エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂、トリスフェノールメタン型エポキシ樹脂などを使用することができる。また、多官能エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂又は脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。
【００３３】
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン（株）製エピコート８０７，８１５，８２５，８２７，８２８，８３４，１００１，１００４，１００７，１００９、ダウケミカル社製ＤＥＲ−３３０，３０１，３６１、東都化成（株）製ＹＤ８１２５，ＹＤＦ８１７０等が挙げられる。フェノールノボラック型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン（株）製エピコート１５２，１５４、日本化薬（株）製ＥＰＰＮ−２０１、ダウケミカル社製ＤＥＮ−４３８等が、また、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂としては、日本化薬（株）製ＥＯＣＮ−１０２Ｓ，１０３Ｓ，１０４Ｓ，１０１２，１０２５，１０２７、東都化成（株）製ＹＤＣＮ７０１，７０２，７０３，７０４等が挙げられる。多官能エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン（株）製Ｅ１０３２−Ｈ６０、チバスペシャリティーケミカルズ社製アラルダイト０１６３、ナガセ化成（株）製デナコールＥＸ−６１１，６１４，６１４Ｂ，６２２，５１２，５２１，４２１，４１１，３２１等が挙げられる。アミン型エポキシ樹脂としては、ジャパンエポキシレジン（株）製エピコート６０４、東都化成（株）製ＹＨ−４３４、三菱ガス化学（株）製ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ，ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ、住友化学（株）製ＥＬＭ−１２０等が挙げられる。複素環含有エポキシ樹脂としては、チバスペシャリティーケミカルズ社製アラルダイトＰＴ８１０等の、ＵＣＣ社製ＥＲＬ４２３４，４２９９，４２２１，４２０６等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００３４】
本発明においては、高接着力を付与する観点から、多官能エポキシ樹脂を用いることが好ましい。
【００３５】
本発明に係る接着剤組成物における（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して５〜５００質量部であることが好ましく、１０〜４００質量部とすることが好ましく、４０〜３００質量部とすることがより好ましい。（Ｂ）成分の含有量が上記の範囲にあると、フィルム状に形成した接着剤層の弾性率及び成型時のフロー性抑制が十分確保でき、高温での取り扱い性を良好にできる。
【００３６】
（Ｃ）フェノール系エポキシ樹脂硬化剤は、エポキシ樹脂と組み合わせることによって、高温高圧下において耐衝撃性が優れ、厳しい熱吸湿下においても充分な接着物性を保持することを可能とする。
【００３７】
（Ｃ）成分としては、例えば、フェノールノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂又はクレゾールノボラック樹脂などのフェノール樹脂等が挙げられる。より具体的には、例えば、大日本インキ化学工業（株）製、商品名：フェノライトＬＦ4871、フェノライトＬＦ２８２２、フェノライトＴＤ−２０９０、フェノライトＴＤ−２１４９、フェノライトＶＨ−４１５０、フェノライトＶＨ４１７０、新日本石油（株）製、商品名：ＤＰＰ−Ｍ等が挙げられ、これらは単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００３８】
本発明に係る接着剤組成物における（Ｃ）成分の含有量は、吸湿時の耐電食性を付与する観点から、（Ｂ）成分のエポキシ基に対する（Ｃ）成分のフェノール性水酸基の当量比が０．５〜１．５となることが好ましく、０．８〜１．２となることがより好ましい。かかる当量比で（Ｃ）成分を含有させることにより、エポキシ樹脂の硬化（橋かけ）を十分なレベルまで進行させることができ、硬化物のガラス転移温度を十分高めることがより確実にできる。これにより、硬化した接着剤層の耐湿性及び高温での接続信頼性を十分確保でき、その結果、吸湿時の耐電食性がより確実に向上する。
【００３９】
（Ｄ）１分子内にフェノール水酸基を１つ有するメチロール化合物としては、以下のフラックス活性試験においてハンダボールをほぼ１個に凝集させることができるものが好ましい。試験は、銅板状に３ｍｍφのハンダボールを１０個置き、そこにメチロール化合物を約２００ｍｇ載せ、２６０℃に温めたホットプレート上で加熱し、３０秒経過後のハンダボールの状態を観察する。
【００４０】
また、（Ｄ）成分は、フィルム形成時には反応が抑制され活性が維持し、高温圧着時には活性を示した後に反応して系内に取り込まれるという設計の観点から、フェノール性水酸基の両隣にメチロール基が存在するメチロール化合物であることが好ましい。
【００４１】
更に、（Ｄ）成分は、下記一般式（１）で示されるメチロール化合物が好ましい。
【化２】
2010265359.tif 000003
式（１）中、Ｘは、炭素数１〜１０のアルキル基を示し、炭素数が２以上でありメチレン基を有する場合、メチレン基の少なくとも一つが−Ｏ−、−ＮＨ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＯＣＯ−又は−ＣＯＯ−で置換されていてもよく、炭素数が３以上でありメチン基（−ＣＨ＜）を有する場合、メチン基の少なくとも一つが窒素原子で置換されていてもよい。
【００４２】
また、フラックス活性や塗工溶媒への溶解性の観点から、上記一般式（１）におけるＸが、炭素数１〜１０の直鎖状若しくは分岐状のアルキル基であるメチロール化合物を用いることが好ましい。更に、塗工溶媒への溶解性の観点から、Ｘがメチル基などであるメチロール化合物を用いることが好ましい。具体的には、本州化学（株）製、商品名：ＤＭＬ−ＰＯＰ、ＤＭＬ−ＰＣ等が挙げられる。
【００４３】
本発明に係る接着剤組成物において、良好なフラックス活性を得る観点から、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の水酸基の合計に対する（Ｄ）成分の水酸基の割合が１５％以上であることが好ましく、２５％以上であることがより好ましい。また、接着力とフラックス活性とを高水準で両立する観点から、上記（Ｄ）成分の水酸基の割合が２０〜８０％であることがより好ましく、２５〜７５％であることが最も好ましい。
【００４４】
（Ｅ）硬化促進剤としては、例えば、イミダゾール類、ジシアンジアミド誘導体、ジカルボン酸ジヒドラジド、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、２−エチル−４−メチルイミダゾールテトラフェニルボレート、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７−テトラフェニルボレート等が挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００４５】
本発明に係る接着剤組成物における（Ｅ）成分の含有量は、硬化性と保存安定性とを両立する観点から、（Ｂ）成分、（Ｃ）成分及び（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して、０．１〜２０質量部が好ましく、０．１〜５質量部が好ましく、０．２〜３重量部がより好ましい。
【００４６】
本発明に係る接着剤組成物には、上記（Ａ）〜（Ｅ）成分以外に、光硬化により流動性や粘着性を制御する目的で、（Ｆ）放射線重合性化合物及び（Ｇ）光開始剤を含有させることができる。これら成分による上記作用によって、可とう性や耐リフロークラック性をより向上させることができる。
【００４７】
（Ｆ）放射線重合性化合物としては、放射線の照射により架橋し得る化合物が挙げられる。具体的には、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、イソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチルアクリレート、２．２−ビス〔４−（メタクリロキシ・ジエトキシ）フェニル〕プロパンアクリレートなどのアクリレートが挙げられる。これらの化合物は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。また、新中村化学社製：Ａ−ＤＰＨ、日立化成工業社製：ＦＡ−５１２ＡＳ、ＦＡ−５１３ＡＳ等の市販品を用いることができる。
【００４８】
（Ｇ）光開始剤としては、例えば、１−ヒドロキシ-シクロヘキシルフェニルケトン、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイドなどが挙げられる。また、チバスペシャリティーケミカルズ社製Ｉｒｇ−１８４、Ｉｒｇ−８１９等の市販品を用いることができる。
【００４９】
本発明に係る接着剤組成物における（Ｆ）成分の配合量は、（Ａ）成分１００質量部に対して１０〜２００質量部が好ましい。係る配合量が１０質量部以上であると、紫外線などの放射線照射による放射線重合性化合物の重合反応を十分に進めることができ、高温圧着時の流動性を抑制することができる。一方、配合量が２００質量部を超えると、架橋が起こりすぎ、圧着に必要な流動性が得られにくくなるので好ましくない。上記配合量は、１５〜１５０質量部がより好ましく、２０〜１００質量部が特に好ましい。
【００５０】
本発明に係る接着剤組成物における（Ｇ）成分の配合量は、（Ａ）成分１００質量部に対して０．１〜３０質量部であることが好ましい。係る配合量が０．１質量部より小さいと、未反応の（Ｆ）成分が残存しやすくなる。この場合、高温圧着時にボイドが多くなり、埋込性に悪影響を与える傾向にある。一方、上記配合量が３０質量部を超えると、重合反応によって分子量を十分に増加させることが困難となり、低分子量成分が多く存在する傾向にある。この場合、低分子量成分が熱時の流動性に影響を及ぼす可能性がある。上記配合量は、０．５〜２０質量部がより好ましく、１〜１０質量部が特に好ましい。
【００５１】
本発明に係る接着剤組成物には、可とう性や耐リフロークラック性を向上させる目的で、（Ｈ）エポキシ樹脂と相溶性があり上記（Ａ）成分以外の高分子量樹脂を配合することができる。このような（Ｈ）成分としては、（Ａ）成分と非相溶になるものが信頼性向上の観点で好ましく、例えば、フェノキシ樹脂、高分子量エポキシ樹脂、超高分子量エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００５２】
互いに相溶する（Ａ）成分と（Ｂ）エポキシ樹脂とを用いる場合、上記の（Ｈ）成分を配合して（Ｂ）エポキシ樹脂を（Ｈ）成分とより相溶させることにより、結果的に（Ｂ）エポキシ樹脂と（Ａ）成分とを非相溶にすることが可能となる場合がある。このような作用によって、可とう性や耐リフロークラック性をより向上させることができる。
【００５３】
（Ｈ）成分の配合量は、接着剤層のＴｇを確保する観点から、（Ｂ）エポキシ樹脂及び（Ｃ）フェノール系エポキシ樹脂硬化剤の合計１００質量部に対して４０質量部以下とすることが好ましい。
【００５４】
本発明に係る接着剤組成物には、形成される接着剤層の取扱い性向上、熱伝導性向上、溶融粘度の調整及びチキソトロピック性付与などを目的として、無機フィラーを添加することができる。無機フィラーとしては、特に制限はなく、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が挙げられる。これらのフィラーは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。また、フィラーの形状は特に制限されない。
【００５５】
上記のフィラーの中でも、熱伝導性向上のためには、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等が好ましい。また、溶融粘度の調整やチキソトロピック性の付与の目的には、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、結晶性シリカ、非晶性シリカなどが好ましい。また、フィルムの熱時流動性向上のためには、ナノフィラーを用いることがより好ましい。
【００５６】
無機フィラーの配合量は、接着剤組成物全量１００質量部に対して１〜１００質量部が好ましい。係る配合量が１質量部未満であると、添加効果が十分に得られない傾向があり、１００質量部を超えると、接着剤層の貯蔵弾性率の上昇、接着性の低下、ボイド残存による電気特性の低下等の問題が発生しやすくなる傾向がある。
【００５７】
また、本発明に係る接着剤組成物には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することができる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられる。
【００５８】
上記シラン系カップリング剤としては、例えば、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシランなどが挙げられる。これらは、単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。また、日本ユニカー社製Ａ−１８９、Ａ−１１６０などの市販品を用いることもできる。
【００５９】
上記カップリング剤の配合量は、添加効果や耐熱性及びコストの面から、（Ａ）成分１００質量部に対して０．０１〜１０質量部とするのが好ましい。
【００６０】
さらに、本発明に係る接着剤組成物には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を向上させる目的で、イオン捕捉剤を更に添加することができる。このようなイオン捕捉剤としては、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。
【００６１】
上記イオン捕捉剤の配合量は、添加効果や耐熱性及びコスト等の点から、（Ａ）成分１００質量部に対して０．１〜１０質量部とするのが好ましい。
【００６２】
接着剤層２は、上述した本発明に係る接着剤組成物を溶剤に溶解若しくは分散してワニスとし、このワニスを支持基材３上に塗布し、加熱により溶剤を除去することによって形成することができる。或いは、上記ワニスを保護フィルム１上に塗布し、加熱により溶剤を除去することによって形成することができる。
【００６３】
用いる溶剤は、特に限定されないが、接着剤層形成時の揮発性などを沸点から考慮して決めることが好ましい。具体的には、例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶媒は接着剤層形成時に接着剤層の硬化が進みにくい点で好ましい。また、塗工性を向上させるなどの目的では、例えば、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノンなどの比較例高沸点の溶媒を使用することが好ましい。これらの溶媒は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００６４】
支持基材３としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリエチレンテレフタレートなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。市販のものとして、例えば、帝人デュポンフィルム社製の「Ａ−３１」等のポリエチレンテレフタレートフィルム等が挙げられる。また、支持基材３は、上記の材料から選ばれる２種以上が混合されたもの、又は、上記のフィルムが複層化されたものでもよい。
【００６５】
支持基材３の厚みは、特に制限はないが、５〜２５０μｍが好ましい。厚みが５μｍより薄いと、半導体ウエハの研削（バックグラインド）時に支持基材が切れる可能性があり、２５０μｍより厚いと経済的でなくなるため好ましくない。
【００６６】
支持基材３は、光透過性が高いことが好ましく、具体的には、５００〜８００ｎｍの波長域における最小光透過率が１０％以上であることが好ましい。
【００６７】
上記ワニスを支持基材上に塗布する方法としては、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等、一般に周知の方法が挙げられる。
【００６８】
接着剤層２の厚みは、特に制限はないが、３〜２００μｍが好ましい。厚みが３μｍより小さいと、応力緩和効果が乏しくなる傾向があり、２００μｍより厚いと経済的でなくなる上に、半導体装置の小型化の要求に応えることが困難となる。
【００６９】
保護フィルム３としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等の耐熱性及び耐溶剤性を有する重合体フィルムを用いることができる。市販のものとして、例えば、帝人社製の「Ａ−３１」等のポリエチレンテレフタレートフィルム等が挙げられる。保護フィルムは、厚みが１０〜１００μｍであることが好ましく、３０〜７５μｍであることがより好ましく、３５〜５０μｍであることが特に好ましい。この厚みが１０μｍ未満では塗工の際、保護フィルムが破れる傾向があり、１００μｍを超えると廉価性に劣る傾向がある。
【００７０】
上述した回路部材接続用接着剤シート１０は、相対向しハンダ接合される回路電極を有する回路部材と半導体素子との間又は半導体素子同士の間に介在させ、回路部材と半導体素子又は半導体素子同士を接着するために用いることができる。この場合、回路部材と半導体素子又は半導体素子同士を熱圧着することにより、ボイド発生を抑制しつつ十分な接着力で接着することができ、且つ、回路電極同士を良好にハンダ接合できる。これにより、接続信頼性に優れた接続体を得ることができる。
【００７１】
次に、回路部材接続用接着剤シート１０を用いて半導体装置を製造する方法について説明する。
【００７２】
図２〜図６は、本発明に係る半導体装置の製造方法の好適な一実施形態を説明するための模式断面図である。本実施形態の半導体装置の製造方法は、
（ａ）主面の一方に複数の回路電極を有する半導体ウエハを準備し、該半導体ウエハの回路電極が設けられている側に、本発明の接着剤組成物からなる接着剤層を設ける工程と、
（ｂ）半導体ウエハの回路電極が設けられている側とは反対側を研削して半導体ウエハを薄化する工程と、
（ｃ）接着剤層に放射線を照射する工程と、
（ｄ）薄化した半導体ウエハ及び放射線を照射した接着剤層をダイシングしてフィルム状接着剤付半導体素子に個片化する工程と、
（ｅ）フィルム状接着剤付半導体素子の回路電極を半導体素子搭載用支持部材の回路電極にハンダ接合する工程と、
を備える。
【００７３】
本実施形態における（ａ）工程では、上述の接着剤シート１０の接着剤層２を半導体ウエハの回路電極が設けられている側に貼付けることにより、接着剤層が設けられる。また、本実施形態における（ｅ）工程では、加熱によりハンダ接合が行われるとともに、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との間に介在するフィルム状接着剤の硬化も行われる。以下、図面を参照しながら、各工程について説明する。
【００７４】
（ａ）工程
先ず、接着剤シート１０を所定の装置に配置し、保護フィルム１を剥がす。続いて、主面の一方に複数の回路電極２０を有する半導体ウエハＡを準備し、半導体ウエハＡの回路電極が設けられている側に接着剤層２を貼付け、支持基材３／接着剤層２／半導体ウエハＡが積層された積層体を得る（図２を参照）。回路電極２０には、ハンダ接合用のハンダバンプが設けられている。なお、回路電極２０にハンダバンプを設けず、半導体素子搭載用支持部材の回路電極にハンダバンプを設けることもできる。
【００７５】
（ｂ）工程
次に、図３（ａ）に示されるように、半導体ウエハＡの回路電極２０が設けられている側とは反対側をグラインダー４によって研削し、半導体ウエハを薄化する。半導体ウエハの厚みは、例えば、１０μｍ〜３００μｍとすることができる。半導体装置の小型化、薄型化の観点から、半導体ウエハの厚みを２０μｍ〜１００μｍとすることが好ましい。
【００７６】
（ｃ）工程
接着剤層２が上述した（Ｆ）成分及び（Ｇ）成分を含む場合、この（ｃ）工程を実施することが好ましい。図３（ｂ）に示されるように、接着剤層２に支持基材３側から放射線を照射することにより接着剤層２を硬化させ、接着剤層２と支持基材３との間の接着力を低下させることができる。ここで、使用される放射線としては、例えば、紫外線、電子線、赤外線等が挙げられる。本実施形態においては、波長３００〜８００ｎｍの放射線を用いることが好ましく、その照射条件としては、照度：１５〜１００ｍＷ／ｃｍ２で、上記アクリルモノマーなどの（Ｆ）成分が重合する程度の照射量で照射することが好ましい。
【００７７】
（ｄ）工程
次に、図４（ａ）に示されるように、積層体の半導体Ａにダイシングテープ５を貼付け、これを所定の装置に配置して支持基材１を剥がす。このとき、接着剤層２が上述した（Ｆ）成分及び（Ｇ）成分を含み、上記（ｃ）工程が行われていることにより、支持基材１を容易に剥がすことができる。支持基材１の剥離後、図４（ｂ）に示されるように、半導体ウエハＡ及び接着剤層２をダイシングソウ６によりダイシングする。こうして、半導体ウエハＡは複数の半導体素子Ａ’に分割され、接着剤層２は複数のフィルム状接着剤２０ａに分割される。
【００７８】
次に、ダイシングテープ５をエキスパンド（拡張）することにより、上記ダイシングにより得られた各半導体素子Ａ’を互いに離間させつつ、ダイシングテープ５側からニードルで突き上げられた半導体素子Ａ’及びフィルム状接着剤２０ａからなるフィルム状接着剤付半導体素子１２を吸引コレット７で吸引してピックアップする。
【００７９】
（ｅ）工程
次に、図６に示されるように、フィルム状接着剤２ａが付着した半導体素子Ａ’の回路電極２０と、半導体素子搭載用支持部材８の回路電極２２とを位置合わせし、フィルム状接着剤付半導体素子１２と半導体素子搭載用支持部材８とを熱圧着する。この熱圧着により、回路電極２０と回路電極２２とがハンダ接合により電気的且つ機械的に接続されるとともに、半導体素子Ａ’と半導体素子搭載用支持部材８との間にフィルム状接着剤２ａの硬化物が形成される。
【００８０】
熱圧着時の温度は、ハンダ接合の観点から、２００℃以上であることが好ましく、２２０℃〜２６０℃であることがより好ましい。熱圧着時間は、１〜２０秒とすることができる。熱圧着の圧力は、０．１〜５ＭＰａとすることができる。
【００８１】
以上の工程を経て、半導体装置３０が得られる。本発明に係る接着剤組成物からなるフィルム状接着剤は、埋込性及び硬化後の接着力に優れるとともに、短時間でのハンダ接合においても十分なフラックス活性を発揮し得る。そのため、半導体装置３０は、ボイドの発生が十分抑制され、回路電極同士が良好にハンダ接合され、半導体素子Ａ’と半導体素子搭載用支持部材とが十分な接着力で接着された、耐リフロークラック性や接続信頼性に優れたものになり得る。
【００８２】
また、図７〜図９は、本発明に係る半導体装置の製造方法の他の実施形態を説明するための模式断面図である。本実施形態の半導体装置の製造方法は、
（ｆ）半導体搭載用支持部材の回路電極が設けられている面上に、回路電極を被覆する本発明の接着剤組成物からなるフィルム状接着剤を設ける工程と、
（ｇ）回路電極が設けられている半導体素子を準備し、この半導体素子の回路電極を半導体素子搭載用支持部材の回路電極にハンダ接合する工程と、
を備える。
【００８３】
本実施形態における（ｆ）工程では、本発明の回路部材接続用接着剤シートを裁断したものを半導体搭載用支持部材の回路電極が設けられている面上に圧着することによりフィルム状接着剤が設けられる。また、本実施形態における（ｇ）工程では、加熱によりハンダ接合が行われるとともに、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との間に介在するフィルム状接着剤の硬化も行われる。以下、図面を参照しながら、各工程について説明する。
【００８４】
（ｆ）工程
図７（ａ）及び（ｂ）に示されるように、回路部材接続用接着剤シート１０を準備し、裁断刃２４などを用いて所定の大きさに裁断する。こうして、接着剤層２が分割されてなるフィルム状接着剤２ｂと支持基材３が分割されてなる分割支持基材３ｂとの積層体を得る。保護フィルム１は、裁断前後のいずれの時期に剥がしてもよいが、裁断後に剥がすことが好ましい。
【００８５】
次に、図８に示されるように、上記の積層体のフィルム状接着剤２ｂを、半導体搭載用支持部材８の回路電極２２が設けられている面上に、回路電極２２を被覆するように圧着する。圧着後、フィルム状接着剤２ｂから分割支持基材３ｂを剥がす。圧着条件は、例えば温度２５〜１００℃で圧着するなど、フィルムのタック力に応じて適宜設定することができる。
【００８６】
（ｇ）工程
次に、図９に示されるように、回路電極２０が設けられた半導体素子Ａ’’の回路電極２０と、半導体素子搭載用支持部材８の回路電極２２とを位置合わせし、フィルム状接着剤２ｂを介して半導体素子Ａ’’と半導体素子搭載用支持部材８とを熱圧着する。この熱圧着により、回路電極２０と回路電極２２とがハンダ接合により電気的且つ機械的に接続されるとともに、半導体素子Ａ’’と半導体素子搭載用支持部材８との間にフィルム状接着剤２ｂの硬化物が形成される。回路電極２０には、ハンダ接合用のハンダバンプが設けられている。なお、回路電極２０にハンダバンプを設けず、半導体素子搭載用支持部材８の回路電極２２にハンダバンプを設けることもできる。
【００８７】
熱圧着の条件は、上記（ｅ）工程と同様にすることができる。
【００８８】
以上の工程を経て、半導体装置４０が得られる。本実施形態の半導体装置の製造方法によっても、本発明の回路部材接続用接着剤シートを用いることにより、ボイドの発生が十分抑制され、回路電極同士が良好にハンダ接合され、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とが十分な接着力で接着された、接続信頼性に優れた半導体装置を得ることができる。
【実施例】
【００８９】
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明する。但し、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００９０】
（実施例１）
まず、シクロヘキサノンに、「ＨＴＲ−８６０Ｐ−３」（ナガセケムテックス（株）製商品名、グリシジル基含有アクリルゴム、重量平均分子量８０万、Ｔｇ：−７℃）１００質量部、「Ｅ１０３２−Ｈ６０」（ジャパンエポキシレジン（株）製商品名、高純度特殊多官能エポキシ樹脂）８０質量部、「ＤＰＰ−Ｍ」（新日本石油化学（株）製商品名、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、ＯＨ当量：１６９ｇ／ｅｑ）６０質量部、「ＤＭＬ−ＰＯＰ」（本州化学（株）製商品名、下記式（Ａ）で示される分子内にフェノール水酸基を１つ含有するメチロール化合物、軟化点７０℃、ＯＨ当量：８９ｇ／ｅｑ）１０質量部、「ＦＡ−５１３ＡＳ」（日立化成工業（株）製商品名、アクリルモノマー）３０質量部、硬化促進剤として「２ＰＺ−ＣＮ」（四国化成（株）製商品名、イミダゾール化合物）１．５質量部、及び、光開始剤として「Ｉｒｇ−１８４」（チバスペシャリティーケミカルズ（株）製商品名）１．５質量部を加えて攪拌混合し、さらに真空脱気することにより、接着剤ワニスを得た。
【００９１】
【化３】
2010265359.tif 000004
【００９２】
次に、上記で得られた接着剤ワニスを、表面離型処理ポリエチレンテレフタレート（帝人デュポンフィルム社製、テイジンテトロンフィルム：Ａ−３１、厚さ５０μｍ）上に乾燥後の厚みが３０μｍ塗布し、１００℃で３０分間加熱乾燥した。こうして支持基材上に接着剤層が形成された回路部材接続用接着剤シートを得た。
【００９３】
（実施例２）
接着剤ワニスの調製における「Ｅ１０３２−Ｈ６０」、「ＤＰＰ−Ｍ」及び「ＤＭＬ−ＰＯＰ」の配合量をそれぞれ８５質量部、４２質量部及び２２質量部に変更した以外は実施例１と同様にして、回路部材接続用接着剤シートを得た。
【００９４】
（実施例３）
接着剤ワニスの調製における「Ｅ１０３２−Ｈ６０」、「ＤＰＰ−Ｍ」及び「ＤＭＬ−ＰＯＰ」の配合量をそれぞれ９０質量部、２３質量部及び３５質量部に変更した以外は実施例１と同様にして、回路部材接続用接着剤シートを得た。
【００９５】
（実施例４）
「ＦＡ−５１３ＡＳ」及び「「Ｉｒｇ−１８４」を配合しなかった以外は実施例１と同様にして、回路部材接続用接着剤シートを得た。
【００９６】
（実施例５）
接着剤ワニスの調製における「Ｅ１０３２−Ｈ６０」及び「ＤＰＰ−Ｍ」の配合量をそれぞれ７５質量部及び７５質量部に変更し、「ＤＭＬ−ＰＯＰ」に代えて「ＤＭＬ−ＰＣ」（本州化学（株）製商品名、下記式（Ｂ）で示される分子内にフェノール水酸基を１つ含有するメチロール化合物、軟化点１３０℃、ＯＨ当量：５６ｇ／ｅｑ）を１０質量部配合した以外は実施例１と同様にして、回路部材接続用接着剤シートを得た。
【００９７】
【化４】
2010265359.tif 000005
【００９８】
（比較例１）
接着剤ワニスの調製における「Ｅ１０３２−Ｈ６０」及び「ＤＭＬ−ＰＯＰ」の配合量をそれぞれ１００質量部及び５０質量部に変更し、「ＤＰＰ−Ｍ」を配合しなかった以外は実施例１と同様にして、回路部材接続用接着剤シートを得た。
【００９９】
（比較例２）
「ＤＭＬ−ＰＯＰ」に代えて「ＴＭＯＭ−ＢＰ」（本州化学（株）製商品名、下記式（Ｃ）で示されるビフェニル型メチロール化合物、軟化点１００℃、ＯＨ当量１８１ｇ／ｅｑ）を３０質量部配合した以外は実施例１と同様にして、回路部材接続用接着剤シートを得た。
【０１００】
【化５】
2010265359.tif 000006
【０１０１】
（比較例３）
「ＤＭＬ−ＰＯＰ」に代えて「ＴＭＯＭ−ＢＰＡ」（本州化学（株）製商品名、下記式（Ｄ）で示されるＢＰＡ型メチロール化合物、軟化点６５℃、ＯＨ当量：５８ｇ／ｅｑ（）を１０質量部配合し、「ＦＡ−５１３ＡＳ」に代えて「ＦＡ−５１２ＡＳ」（日立化成工業（株）製商品名、アクリルモノマー）を３０質量部配合した以外は実施例１と同様にして、回路部材接続用接着剤シートを得た。
【０１０２】
【化６】
2010265359.tif 000007
【０１０３】
（比較例４）
「ＤＭＬ−ＰＯＰ」を配合せず、「ＦＡ−５１３ＡＳ」に代えて「Ａ−ＤＰＨ」（新中村化学工業（株）製商品名、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート）を３０質量部配合した以外は実施例１と同様にして、回路部材接続用接着剤シートを得た。
【０１０４】
［回路部材接続用接着剤シートの評価］
上記で得られた回路部材接続用接着剤シートについて、下記の試験手順にしたがって、埋め込み性、フラックス活性及び接着力を評価した。なお、フラックス活性については、配合したメチロール化合物のフラックス活性を評価した。結果を表１に示す。メチロール化合物を含まない比較例４は、フラックス活性を「×」とした。
【０１０５】
＜埋込性＞
金ワイヤーバンプ（レベリング済み、バンプ高さ３０μｍ、１８４バンプ）付きチップ（１０ｍｍ角、厚み２８０μｍ）を、バンプ面を上に向けて仮圧着装置のステージ上に置いた。次に、回路部材接続用接着剤シートを支持基材ごと１１ｍｍ角に切断し、これを接着層側がバンプ面に向くようにしてチップに被せ、さらに、シリコーン製熱伝導性カバーフィルムを載せて、８０℃、１ＭＰａで加熱、加圧を行った。
【０１０６】
加熱加圧後、接着剤層から支持基材を剥がし、接着剤層に対して紫外線を用いて照度１５ｍＷ／ｃｍ２で５００ｍＪの露光を行い、接着剤付きチップを得た。次に、得られた接着剤付きチップを、Ｎｉ／ＡｕめっきＣｕ回路プリント基板と位置合わせをし、次いで、２５０℃、５ＭＰａ、１０秒の加熱、加圧を行った。こうして得られた半導体装置について、ボイド状況を超音波顕微鏡で視察し、下記の基準に基づいて埋込性を評価した。
○：ボイドがほとんどなく、ボイドが埋込面積の１０％未満である。
×：ボイドが多く存在し、ボイドが埋込面積の１０％以上である。
【０１０７】
＜フラックス活性試験＞
銅板状に３ｍｍφのハンダボールを１０個置き、そこにメチロール化合物を約２００ｍｇ載せ、２６０℃に温めたホットプレート上で加熱した。３０秒経過後のハンダボールの状態を観察し、下記基準によりフラックス活性を評価した。
○：ハンダボールがほぼ１個に凝集している。
△：ハンダボールが数個に凝集している。
×：ハンダボールがまったく凝集しておらず試験後も１０個が存在している。
【０１０８】
＜接着力＞
まず、回路部材接続用接着剤シートに、紫外線を用いて照度１５ｍＷ／ｃｍ２で５００ｍＪの露光を行った。次に、露光後のシートを６．５ｍｍ×６．５ｍｍに裁断した。得られたフィルム状の接着剤を、６．５ｍｍ×６．５ｍｍにダイシングした２８０μｍ厚のチップのＳｉＯ２膜が存在する表面上に、２５〜８０℃の条件でラミネートすることにより、回路部材接続用接着剤付半導体チップを得た。
【０１０９】
上記で得られた接着剤付半導体チップを、有機基板（ＰＳＲ−４０００、ＳＲ−ＡＵＳ３０８（外側）、０．２ｍｍ厚）上に、２５０℃、０．５ＭＰａ、１０秒の条件でダイボンディングし、更に１７５℃、２時間の加熱により後硬化した。こうして評価用サンプルを得た。
【０１１０】
得られた評価用サンプルを２６５℃の熱板上で３０秒保持した後、チップと有機基板との剪断接着強度を測定し、下記の基準に基づいて接着力を評価した。
○：剪断接着強度が１ＭＰａ以上である。
×：剪断接着強度が１ＭＰａ未満である。
【０１１１】
【表１】
2010265359.tif 000008
【符号の説明】
【０１１２】
１…保護フィルム、２…接着剤層、３…支持基材、４…グラインダー、５…ダイシングテープ、６…ダイシングソウ、７…吸引コレット、８…半導体素子搭載用支持部材、１０…回路部材接続用接着剤シート、１２…フィルム状接着剤付半導体素子、２０，２２…回路電極、３０，４０…半導体装置、Ａ…半導体ウエハ、Ｂ…放射線。
【図１】
2010265359.tif 000010
【図２】
2010265359.tif 000011
【図３】
2010265359.tif 000012
【図４】
2010265359.tif 000013
【図５】
2010265359.tif 000014
【図６】
2010265359.tif 000015
【図７】
2010265359.tif 000016
【図８】
2010265359.tif 000017
【図９】
2010265359.tif 000018