(57)【要約】【課題】表示品質を向上させることができる成膜用マスク、電気光学装置の製造方法、有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。【解決手段】複数のサブ画素と平面的に重なる第１領域の全体が開口する第１開口孔７２ａが設けられた第１マスク７２と、第１マスク７２に積層され、第１領域において部分的な領域である第２領域が開口する第２開口孔７３ａが設けられた第２マスク７３と、を有する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の素子領域と平面的に重なる第１領域の全体が開口する第１開口孔が設けられた第１マスクと、
前記第１マスクに積層され、前記第１領域において部分的な領域である第２領域が開口する第２開口孔が設けられた第２マスクと、
を有することを特徴とする成膜用マスク。
【請求項２】
請求項１に記載の成膜用マスクであって、
前記第１マスクは、被成膜基板に対して対向するように配置されることを特徴とする成膜用マスク。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の成膜用マスクであって、
前記第１開口孔は、パネルの表示領域に相当する領域毎に開口することを特徴とする成膜用マスク。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の成膜用マスクであって、
前記第２開口孔は、素子領域に相当する領域毎に開口することを特徴とする成膜用マスク。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の成膜用マスクであって、
前記第１マスクと前記第２マスクとは、分離可能に積層されていることを特徴とする成膜用マスク。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の成膜用マスクであって、
前記１マスクの厚みは、前記第２マスクの厚みより薄いことを特徴とする成膜用マスク。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の成膜用マスクであって、
前記第１マスク及び前記第２マスクの材料は、少なくとも前記第２マスクの材料がメタルマスクであることを特徴とする成膜用マスク。
【請求項８】
被成膜基板上の膜形成領域に機能層を有する電気光学装置の製造方法であって、
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の成膜用マスクを用い、前記膜形成領域に対して前記第１マスク側が対向するように前記被成膜基板と前記成膜用マスクとを相対的に配置して前記機能層を選択的に形成する機能層形成工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
被成膜基板上の膜形成領域に有機発光層を含む機能層を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の成膜用マスクを用い、前記膜形成領域に対して前記第１マスク側が対向するように前記被成膜基板と前記成膜用マスクとを相対的に配置して前記機能層を選択的に形成する機能層形成工程を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被成膜基板上に薄膜を選択的に形成する際に用いる成膜用マスク、電気光学装置の製造方法、有機ＥＬ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記成膜用マスクとしては、例えば、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置を製造する際に用いられる蒸着マスクが挙げられる。電気光学装置の一つである有機ＥＬ装置は、陽極と陰極との間に発光層などの有機膜が挟持された構成になっている。
【０００３】
発光層の製造方法は、蒸着マスクを用いて選択的にＲＧＢ各色の発光層を被成膜基板上に成膜する。しかし、蒸着マスクを用いる際、蒸着マスクと被成膜基板とが接触すると、被成膜基板上に予め成膜した有機膜（発光層）にダメージ（例えば、蒸着マスクに有機膜が付着してめくれ上がったり剥がれたりする）を与えるおそれがある。
【０００４】
そこで、特許文献１〜特許文献３に記載のように、被成膜基板上の非発光領域に突起（バンク、支持層など）などを設け、蒸着マスクと突起とを接触させ、蒸着マスクが有機膜に直接触れないようにしてダメージを回避する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１００５７７号公報
【特許文献２】特開２００２−２０８４８４号公報
【特許文献３】特開２００３−２５７６３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、発光領域から突起上に亘って有機膜が蒸着された場合など、蒸着マスクと被成膜基板との相対的な位置精度（アライメント）に起因して、有機膜と蒸着マスクとが接触する。これにより、蒸着マスクを被成膜基板から離す際に、やはり有機膜にダメージを与えてしまうおそれがある。有機膜がめくれ上がったり剥がれたりした部分は、例えば、発光機能が失われた暗点となったり、その上層に封止膜を形成してもその部分の段差によってクラックが発生して本来の封止性能が低下するという課題がある。また、剥がれた有機膜が正常な発光領域に転写されると、その部分もまた暗点となるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る成膜用マスクは、複数の素子領域と平面的に重なる第１領域の全体が開口する第１開口孔が設けられた第１マスクと、前記第１マスクに積層され、前記第１領域において部分的な領域である第２領域が開口する第２開口孔が設けられた第２マスクと、を有することを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、第２マスクの第２開口孔と、例えば、被成膜基板との間に第１マスクの厚み分の隙間を設けることが可能となる。よって、例えば、被成膜基板に予め形成されている膜と第２マスクとが接触することを防ぎながら、第２領域に膜を成膜させていくことができる。これにより、膜にダメージが加わることを抑えることが可能となり、その結果、表示品質を向上させることができる成膜用マスクを提供することができる。
【００１０】
また、成膜用マスクが第１マスク及び第２マスクの２枚で構成されているので、どちらかが損傷した場合、片側だけを交換することで対応することができる。更に、開口孔の形状が異なる第１開口孔と第２開口孔とが重なっていても、それぞれのマスクを別々に洗浄することなどが可能となり、メンテナンスを行いやすい。
【００１１】
［適用例２］上記適用例に係る成膜用マスクにおいて、前記第１マスクは、被成膜基板に対して対向するように配置される。
【００１２】
この構成によれば、第１マスク側が被成膜基板に対して対向するように配置されるので、第１マスクを挟んで、第２マスクと被成膜基板とが配置されることとなり、第２マスクと被成膜基板との間に、第１マスクの厚み分の隙間を設けることが可能となる。よって、例えば、第２マスクと被成膜基板に予め形成されている膜とが接触することを防ぎながら、膜を成膜させていくことができる。これにより、膜にダメージが加わることを抑えることが可能となり、その結果、表示品質を向上させることができる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例に係る成膜用マスクにおいて、前記第１開口孔は、パネルの表示領域に相当する領域毎に開口することが好ましい。
【００１４】
この構成によれば、パネルの表示領域毎に第１開口孔が設けられているので、複数のパネルの表示領域全体を繋げて開口させることと比較して、第１マスクの強度を保つことが可能となる。よって、第１マスクを挟んで被成膜基板と第２マスクとを密着させたとしても、成膜用マスクの全体に亘って、第１マスクの厚み分の隙間を確保することができる。その結果、被成膜基板上の表示領域に形成された有機膜と成膜用マスクとが接触することを防ぐことができる。
【００１５】
［適用例４］上記適用例に係る成膜用マスクにおいて、前記第２開口孔は、素子領域に相当する領域毎に開口することが好ましい。
【００１６】
この構成によれば、素子領域毎に開口しているので、素子領域（例えば、サブ画素）に対応する領域毎に成膜させることができる。
【００１７】
［適用例５］上記適用例に係る成膜用マスクにおいて、前記第１マスクと前記第２マスクとは、分離可能に積層されていることが好ましい。
【００１８】
この構成によれば、第１マスクと第２マスクとが分離可能となっているので、どちらかが損傷した場合、片側だけを交換することで対応することができる。更に、２枚のマスクで構成されているので、それぞれ別々に洗浄することが可能となり、メンテナンスを行いやすい。
【００１９】
［適用例６］上記適用例に係る成膜用マスクにおいて、前記１マスクの厚みは、前記第２マスクの厚みより薄いことが好ましい。
【００２０】
この構成によれば、第１マスクの厚みが第２マスクの厚みより薄いので、成膜用マスクを介して成膜した際、成膜させたパターンがぼけることを抑えることができる。また、第１マスクを極力薄くして（例えば、被成膜基板に予め成膜されている膜に接触しない程度に）強度が弱くなる部分を、厚みが厚い第２マスクで補うことができる。
【００２１】
［適用例７］上記適用例に係る成膜用マスクにおいて、前記第１マスク及び前記第２マスクの材料は、少なくとも前記第２マスクの材料がメタルマスクであることが好ましい。
【００２２】
この構成によれば、少なくとも第２マスクがメタルマスクであれば、例えば、磁力を用いて第２マスクを吸引し被成膜基板及び成膜用マスクを固定することができる。よって、第１マスクとして用いる材料を自由に選択することができる。また、第１マスクは、第２マスクと比較して、開口孔などの加工精度を高くする必要がないので、材料にこだわらず安くつくることができる。加えて、安く作れるので、使い捨てのような使い方もできる。
【００２３】
［適用例８］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、被成膜基板上の膜形成領域に機能層を有する電気光学装置の製造方法であって、上記に記載の成膜用マスクを用い、前記膜形成領域に対して前記第１マスク側が対向するように前記被成膜基板と前記成膜用マスクとを相対的に配置して前記機能層を選択的に形成する機能層形成工程を有することを特徴とする。
【００２４】
この方法によれば、第１マスク側が被成膜基板と対向するように配置されるので、第１マスクを挟んで、第２マスクと被成膜基板とが配置されることとなり、第２マスクと被成膜基板との間に、第１マスクの厚み分の隙間を設けることが可能となる。よって、例えば、第２マスクと被成膜基板に予め形成されている機能層とが接触することを防ぎながら、新たな機能層を成膜させていくことができる。これにより、機能層にダメージが加わることを抑えることが可能となり、その結果、電気光学装置の表示品質を向上させることができる。
【００２５】
［適用例９］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、被成膜基板上の膜形成領域に有機発光層を含む機能層を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、上記に記載の成膜用マスクを用い、前記膜形成領域に対して前記第１マスク側が対向するように前記被成膜基板と前記成膜用マスクとを相対的に配置して前記機能層を選択的に形成する機能層形成工程を有することを特徴とする。
【００２６】
この方法によれば、第１マスク側が被成膜基板と対向するように配置されるので、第１マスクを挟んで、第２マスクと被成膜基板とが配置されることとなり、第２マスクと被成膜基板との間に、第１マスクの厚み分の隙間を設けることが可能となる。よって、例えば、第２マスクと被成膜基板に予め形成されている機能層とが接触することを防ぎながら、新たな機能層（有機発光層）を成膜させていくことができる。これにより、機能層にダメージが加わることを抑えることが可能となり、その結果、有機ＥＬ装置の表示品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。
【図３】有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図。
【図４】成膜用マスクの構造を示す模式平面図。
【図５】図４に示す成膜用マスクのＡ−Ａ'線に沿う模式断面図。
【図６】（ａ）は成膜用マスクを構成する第１マスクの構造を示す模式平面図であり、（ｂ）は成膜用マスクを構成する第２マスクの構造を示す模式平面図。
【図７】（ａ）は図６（ａ）に示す第１マスクのＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図であり、（ｂ）は、図６（ｂ）に示す第２マスクのＣ−Ｃ'線に沿う模式断面図。
【図８】成膜用マスクを用いた蒸着方法を工程順に示す模式断面図。
【図９】成膜用マスクを用いた蒸着方法を工程順に示す模式断面図。
【図１０】成膜用マスクを用いた蒸着方法を工程順に示す模式断面図。
【図１１】成膜用マスクを用いた蒸着方法を工程順に示す模式断面図。
【図１２】成膜用マスクを用いた蒸着方法を工程順に示す模式断面図。
【図１３】成膜用マスクを用いた蒸着方法を工程順に示す模式断面図。
【図１４】成膜用マスクの変形例の構成を示す模式平面図。
【図１５】図１４に示す成膜用マスクのＤ−Ｄ'線に沿う模式断面図。
【図１６】成膜用マスクの変形例の構造を示す模式平面図。
【図１７】成膜用マスクの変形例の構造を示す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
＜有機ＥＬ装置の構成＞
図１は、成膜用マスクを用いて形成される膜を含む有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機ＥＬ装置の電気的な構成を、図１を参照しながら説明する。
【００２９】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、信号線１３に並行に延びる複数の電源線１４とが、それぞれ格子状に配線されている。そして、走査線１２と信号線１３とにより区画された領域が画素領域として構成されている。信号線１３は、信号線駆動回路１５に接続されている。また、走査線１２は、走査線駆動回路１６に接続されている。
【００３０】
各画素領域には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）２１と、このスイッチング用ＴＦＴ２１を介して信号線１３から供給される画素信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ２３（以下、「ＴＦＴ素子２３」と称する。）とが設けられている。更に、各画素領域には、ＴＦＴ素子２３を介して電源線１４に電気的に接続したときに、電源線１４から駆動電流が流れ込む陽極２４と、陰極２５と、この陽極２４と陰極２５との間に挟持された機能層２６とが設けられている。
【００３１】
有機ＥＬ装置１１は、陽極２４と陰極２５と機能層２６とにより構成される発光素子２７を複数備えている。また、有機ＥＬ装置１１は、複数の発光素子２７で構成される表示領域を備えている。
【００３２】
この構成によれば、走査線１２が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ２１がオン状態になると、そのときの信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、ＴＦＴ素子２３のオン・オフ状態が決まる。そして、ＴＦＴ素子２３のチャネルを介して、電源線１４から陽極２４に電流が流れ、更に、機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。機能層２６は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００３３】
図２は、有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図２を参照しながら説明する。
【００３４】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１１（パネル）は、ガラス等からなる基板としての素子基板３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。
【００３５】
実表示領域３２ａ内には、光が射出される素子領域としてのサブ画素３４（発光領域）がマトリックス状に配列されている。この、サブ画素３４の各々は、スイッチング用ＴＦＴ２１及びＴＦＴ素子２３（図１参照）の動作に伴って、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）各色を発光する構成となっている。
【００３６】
ダミー領域３２ｂには、主として各サブ画素３４を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域３２ａの図中左辺及び右辺に沿うように走査線駆動回路１６が配置されており、実表示領域３２ａの図中上辺に沿うように検査回路３５が配置されている。
【００３７】
素子基板３１の下辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。
【００３８】
図３は、有機ＥＬ装置の構造を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の構造を、図３を参照しながら説明する。なお、構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。また、本実施形態の有機ＥＬ装置１１は、ボトムエミッション構造として説明するが、トップエミッション構造にも適用可能である。
【００３９】
図３に示すように、有機ＥＬ装置１１は、発光領域４１において発光が行われるものであり、素子基板３１と、素子基板３１上に形成された回路素子層４２と、回路素子層４２上に形成された発光素子層４３と、発光素子層４３上に形成された陰極２５とを有する。素子基板３１としては、透光性を有する材料であり、例えば、ガラス基板、石英、プラスチック等が挙げられる。図３に示す有機ＥＬ装置１１は、例えば、発光層４４から発した光が素子基板３１側に射出されるボトムエミッション方式である。
【００４０】
回路素子層４２は、素子基板３１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる下地保護膜５１が形成され、下地保護膜５１上にＴＦＴ素子２３が形成されている。詳しくは、下地保護膜５１上に、ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜５２が形成されている。半導体膜５２には、ソース領域５３及びドレイン領域５４が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域５５となっている。
【００４１】
更に、回路素子層４２には、下地保護膜５１及び半導体膜５２を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜５６が形成されている。ゲート絶縁膜５６上には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などからなるゲート電極５７が形成されている。ゲート絶縁膜５６及びゲート電極５７上には、透明な第１層間絶縁膜５８及び第２層間絶縁膜５９が形成されている。第１層間絶縁膜５８及び第２層間絶縁膜５９は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、チタン酸化膜（ＴｉＯ2）などから構成されている。ゲート電極５７は、半導体膜５２のチャネル領域５５に対応する位置に設けられている。
【００４２】
半導体膜５２のソース領域５３は、ゲート絶縁膜５６及び第１層間絶縁膜５８を貫通して設けられたコンタクトホール６１を介して、第１層間絶縁膜５８上に形成された信号線１３と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域５４は、ゲート絶縁膜５６、第１層間絶縁膜５８、第２層間絶縁膜５９を貫通して設けられたコンタクトホール６２を介して、第２層間絶縁膜５９上に形成された画素電極６３と電気的に接続されている（図では、ゲート絶縁膜５６の貫通の図示を省略）。
【００４３】
画素電極６３は、発光領域４１（画素）ごとに形成されている。また、画素電極６３は、透明のＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなり、例えば、平面視で略矩形の形状となっている。なお、回路素子層４２には、図示しない保持容量及びスイッチング用のトランジスターが形成されている。このようにして、回路素子層４２には、各画素電極６３に接続された駆動用のトランジスターが形成されている。
【００４４】
上記した画素電極６３を含む発光素子層４３は、マトリックス状に配置された発光素子２７を具備して素子基板３１上に形成されている。詳述すると、発光素子層４３は、画素電極６３上に形成された機能層２６と、機能層２６間を絶縁する絶縁膜６４とを主体として構成されている。機能層２６上及び絶縁膜６４上には、陰極２５が配置されている。画素電極６３と、機能層２６と、陰極２５とによって発光素子２７が構成されている。
【００４５】
機能層２６は、例えば、正孔注入輸送層６５と、発光層４４（有機発光層）と、電子注入輸送層（図示せず）とが順に積層されている。正孔注入輸送層６５は、正孔注入層と正孔輸送層とが積層されて構成されており、例えば、素子基板３１上の全体に亘って形成されている。電子注入輸送層は、電子輸送層と電子注入層とが積層されて構成されている。
【００４６】
発光層４４は、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質（有機物）の層である。画素電極６３と陰極２５との間に電圧を印加することによって、発光層４４には、正孔注入輸送層６５から正孔が、また、陰極２５から電子が注入される。発光層４４において、正孔と電子とが結合したときに光を発する。なお、発光層４４は、後述する成膜用マスクを用いて選択的に成膜される。
【００４７】
陰極２５は、発光層４４及び絶縁膜６４を覆うように形成されている。言い換えれば、陰極２５は、発光層４４を挟んで画素電極６３の反対側に形成されている。陰極２５は、例えば、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）の積層体である。陰極２５の膜厚は、例えば５０〜２００ｎｍである。
【００４８】
陰極２５の上には、水分や酸素の侵入を防ぐための、樹脂などからなる封止層６６が積層されている。封止層６６は、例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂等からなる。なお、発光素子層４３と陰極２５とによって発光素子２７が構成される。以下、発光層４４などを選択的に成膜するために用いる成膜用マスクについて説明する。
【００４９】
図４は、成膜用マスクの構造を示す模式平面図である。図５は、図４に示す成膜用マスクのＡ−Ａ'線に沿う模式断面図である。図６（ａ）は、成膜用マスクを構成する第１マスクの構造を示す模式平面図である。図６（ｂ）は、成膜用マスクを構成する第２マスクの構造を示す模式平面図である。図７（ａ）は、図６（ａ）に示す第１マスクのＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図である。図７（ｂ）は、図６（ｂ）に示す第２マスクのＣ−Ｃ'線に沿う模式断面図である。以下、成膜用マスクの構造を、図４〜図７を参照しながら説明する。
【００５０】
なお、上記した有機ＥＬ装置１１において、素子基板３１から正孔注入輸送層６５までを被成膜基板１１ａと称して説明する。そして、被成膜基板１１ａ上に各色（赤色、緑色、青色）の発光層４４を選択的に蒸着する成膜用マスク７１について説明する。
【００５１】
成膜用マスク７１は、被成膜基板１１ａに薄膜（発光層４４）をパターニング（蒸着）する際、蒸着物源と被成膜基板１１ａとの間に配置される。成膜用マスク７１は、図４及び図５に示すように、第１マスク７２と第２マスク７３とによって構成されており、それぞれが分離可能に貼り合わされている（積層されている）。成膜用マスク７１の平面的な大きさは、例えば、６００ｍｍ×７２０ｍｍである。
【００５２】
成膜用マスク７１は、平面的に略有機ＥＬ装置１１（パネル）の大きさに相当する複数の第１開口孔７２ａと、有機ＥＬ装置１１を構成するサブ画素３４（図２参照）の大きさに相当する複数の第２開口孔７３ａとが平面的に重なって配置されている。第１開口孔７２ａ及び第２開口孔７３ａは、蒸着の際、蒸着物源から出射された蒸着物質が通り抜ける貫通孔である。
【００５３】
第１開口孔７２ａ及び第２開口孔７３ａを通り抜けた蒸着物質は被成膜基板１１ａに到達する。したがって、第２開口孔７３ａの開口領域は、被成膜基板１１ａにパターニングする薄膜の形状と略同一形状となっている。なお、第２開口孔７３ａから被成膜基板１１ａまで第１マスク７２の厚み分の隙間がある。よって、蒸着物質の回り込みなどが考えられることから、第２マスク７３の第２開口孔７３ａの大きさは、正規の大きさより小さめに設定しておくことが望ましい。
【００５４】
第１開口孔７２ａは、第１マスク７２に形成されている。第２開口孔７３ａは、第２マスク７３に形成されている。第１マスク７２と第２マスク７３とを貼り合わせると、上記したように、１つの第１開口孔７２ａの中に１つのパネルのサブ画素３４に相当する複数の第２開口孔７３ａが収まるように配置される。
【００５５】
第１マスク７２の厚みは、例えば、１０μｍ〜３０μｍである。第２マスク７３の厚みは、例えば、３０μｍ〜５０μｍである。第１マスク７２及び第２マスク７３の材料としては、メタルマスクであり、例えば、Ｆｅ−３６ｗｔ％Ｎｉの材料構成であるインバーなどが挙げられる。
【００５６】
また、図５に示すように、成膜用マスク７１は、第１開口孔７２ａが設けられている第１マスク７２側が、被成膜基板１１ａと接する。具体的には、有機ＥＬ装置１１の品質に直接影響を与えない、被成膜基板１１ａにおけるパネルの周囲と第１マスク７２とが接触する。つまり、サブ画素３４を成膜させるための第２マスク７３は、第１マスク７２を介すことによって被成膜基板１１ａと接しない。
【００５７】
図５に示すように、第２マスク７３と被成膜基板１１ａとの隙間Ｓは、第１マスク７２の厚み分である、１０μｍ〜３０μｍである。この値が大きくなると、蒸着させたパターンがぼけてしまう。よって、第１マスク７２の厚みを、成膜されている有機膜に接触することなく、かつ、第１マスク７２の強度も考慮しながら、可能な限り薄くすることが望ましい。
【００５８】
第１マスク７２がスペーサーの役割を果たすことによって、第２開口孔７３ａの周縁部と被成膜基板１１ａとが接触することを防ぐことができる。よって、先に被成膜基板１１ａに形成されている正孔注入輸送層６５などの有機膜と成膜用マスク７１とが接触することを防ぐことができ、その結果、被成膜基板１１ａ上の有機膜と成膜用マスク７１との接触による有機膜が剥がされることを抑えることができる。
【００５９】
また、図６（ａ）に示すように、第１マスク７２には、例えば、パネルの表示領域３２の大きさ（第１領域）に相当する第１開口孔７２ａが１２個形成されている。つまり、１枚の成膜用マスク７１によって、１２個の有機ＥＬ装置１１を構成する複数の薄膜（発光層４４）を蒸着させることが可能となっている。
【００６０】
なお、成膜用マスク７１（第１マスク７２）に設けられた第１開口孔７２ａの個数は、１２個である構成に限定されず、任意とすることができる。また、形状も任意とすることができる。
【００６１】
また、図６（ｂ）に示すように、第２マスク７３には、表示領域３２を構成するサブ画素３４の大きさ（第２領域）に相当する第２開口孔７３ａが設けられている。第２マスク７３は、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）のサブ画素３４を１色ずつ成膜させるように、第２開口孔７３ａが一定の間隔をおいて配置されている。また、第２開口孔７３ａの集合群は、第１開口孔７２ａの開口位置に平面的に重なるように、１２箇所に形成されている。
【００６２】
以上のような成膜用マスク７１を用いて被成膜基板１１ａに成膜する場合、図５に示すように、被成膜基板１１ａと第１マスク７２とが対向するように互いを保持する（対向配置）。このようにすることで、第２マスク７３と被成膜基板１１ａとが接触しないようにすることが可能となる。つまり、第１マスク７２の第１開口孔７２ａを介して発光層４４（サブ画素３４）を蒸着するので、先に形成されている有機膜（例えば、正孔注入輸送層６５）と成膜用マスク７１との接触を防ぐことができる。よって、例えば、成膜用マスク７１との接触に起因する有機膜が剥がれることを抑えることが可能となり、その結果、表示品質に悪影響を及ぼすことを抑えることができる。
【００６３】
なお、第１マスク７２の厚みを変えることによって第２開口孔７３ａと被成膜基板１１ａとの隙間Ｓを調整することができる。言い換えれば、成膜パターンの状態を確認しながら隙間Ｓを調整し、最適な成膜パターンに形成することが可能となる。
【００６４】
また、成膜用マスク７１が第１マスク７２及び第２マスク７３の２枚で構成されているので、どちらかが損傷した場合、片側だけを交換することで対応することができる。更に、開口孔の形状が異なる第１開口孔７２ａと第２開口孔７３ａとが重なっているので、メンテナンスの面で洗浄しにくい等の課題も考えられる。しかしながら、２枚のマスクで構成されているので、それぞれ別々に洗浄することが可能となり、メンテナンスを行いやすいという効果が得られる。
【００６５】
図８〜図１３は、有機ＥＬ装置の製造方法の一部分である、成膜用マスクを用いた蒸着方法を工程順に示す模式断面図である。以下、成膜用マスクを用いた蒸着方法を、図８〜図１３を参照しながら説明する。
【００６６】
まず、図８に示す工程では、素子基板３１上に正孔注入輸送層６５までを形成する。具体的には、素子基板３１上にＴＦＴ素子２３を有する回路素子層４２を形成する。次に、回路素子層４２上に画素電極６３（図３参照）及び正孔注入輸送層６５を、真空蒸着法を用いて形成する。上記したように、ここまでの状態を被成膜基板１１ａと称して以下を説明する。
【００６７】
図９に示す工程では、被成膜基板１１ａ上（正孔注入輸送層６５側）に成膜用マスク７１を固定する。具体的には、被成膜基板１１ａを成膜用マスク７１とマグネット７５で挟持する。より具体的には、マグネット７５の磁力を利用してメタルマスクからなる成膜用マスク７１を吸引することにより、被成膜基板１１ａに成膜用マスク７１を密着固定することができる。
【００６８】
図１０に示す工程（機能層形成工程）では、成膜用マスク７１を用いて、被成膜基板１１ａ上（正孔注入輸送層６５上）の膜形成領域に発光層４４を形成する。まず最初に、赤色の発光層４４Ｒをパターニングする。具体的には、被成膜基板１１ａと蒸着物源７６Ｒとの間に成膜用マスク７１が配置される形態となる。そして、蒸着物源７６Ｒから出射された赤色の蒸着物質７７Ｒが、成膜用マスク７１の第２開口孔７３ａ及び第１開口孔７２ａ（図５参照）を通り抜けて、被成膜基板１１ａに蒸着する。
【００６９】
なお、上記したように、発光層４４（赤色の発光層４４Ｒ）を被成膜基板１１ａに蒸着させる際、有機膜（正孔注入輸送層６５）と成膜用マスク７１とが接触しない。よって、有機膜に成膜用マスク７１が接触することに起因する、有機膜をめくり上げたり剥がれたりする不具合を防ぐことができる。
【００７０】
図１１に示す工程（機能層形成工程）では、成膜用マスク７１を用いて、被成膜基板１１ａ上（正孔注入輸送層６５上）に緑色の発光層４４Ｇをパターニングする。まず、成膜用マスク７１をサブ画素３４の分だけ移動する（図１１における右側に移動する）。その後、蒸着物源７６Ｇから出射された緑色の蒸着物質７７Ｇが、成膜用マスク７１の第２開口孔７３ａ及び第１開口孔７２ａを通り抜けて、被成膜基板１１ａに蒸着する。
【００７１】
図１２に示す工程（機能層形成工程）では、成膜用マスク７１を用いて、被成膜基板１１ａ上（正孔注入輸送層６５上）に青色の発光層４４Ｂをパターニングする。まず、成膜用マスク７１をサブ画素３４の分だけ移動する（図１２における右側に移動する）。その後、蒸着物源７６Ｂから出射された緑色の蒸着物質７７Ｂが、成膜用マスク７１の第２開口孔７３ａ及び第１開口孔７２ａを通り抜けて、被成膜基板１１ａに蒸着する。
【００７２】
以上により、被成膜基板１１ａ上に発光層４４（４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ）が形成される。その際、被成膜基板１１ａ上に第１マスク７２を介して第２マスク７３が配置されているので、発光層４４をパターニングすべく第２開口孔７３ａ周辺と被成膜基板１１ａとが接触することを防ぐことが可能となる。言い換えれば、被成膜基板１１ａ上に成膜用マスク７１を配置したり移動したりする際、成膜用マスク７１と予め形成されている有機膜（正孔注入輸送層６５、発光層４４など）とが接触することを防ぐことが可能となる。その結果、有機膜にめくり上げたり剥がれたりするなどのダメージを与えることを防ぐことができる。
【００７３】
図１３に示す工程では、有機ＥＬ装置１１を完成させる。具体的には、各発光層４４間（４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ間）に絶縁膜６４を形成し、発光層４４及び絶縁膜６４上に陰極２５を形成する。その後、陰極２５上に封止層６６等を形成して、有機ＥＬ装置１１が完成する。なお、上記した実施形態では、成膜用マスクを蒸着させるために用いてきたが、成膜用マスクを用いる製造方法であればこれに限定されない。
【００７４】
以上詳述したように、本実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００７５】
（１）本実施形態によれば、第１マスク７２を挟んで第２マスク７３と被成膜基板１１ａとが配置されているので、サブ画素３４を成膜させるための第２開口孔７３ａと被成膜基板１１ａとの間に第１マスク７２の厚み分の隙間を設けることが可能となる。よって、例えば、被成膜基板１１ａに予め形成されている有機膜（正孔注入輸送層や発光層４４など）と第２マスク７３とが接触することを防ぎながら、発光層４４（４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ）を蒸着させていくことができる。これにより、有機膜にダメージが加わることを抑えることが可能となり、その結果、暗点になるなどの不具合が抑えられ、表示品質を向上させることができる。加えて、成膜用マスク７１と有機膜とが接触して有機膜が変形することによる、封止性能が低下することを抑えることができる。
【００７６】
（２）本実施形態によれば、従来のように、成膜用マスク７１と接触させるための突起（バンク）を設ける必要がないので、バンクを設けた有機ＥＬ装置にもバンクを設けない有機ＥＬ装置にも、上記成膜用マスク７１を適用することができる。また、バンクを設けるために、新たな製造工程を追加するような工数がかかることを抑えることができる。
【００７７】
（３）本実施形態によれば、成膜用マスク７１が第１マスク７２及び第２マスク７３の２枚で構成されているので、どちらかが損傷した場合、片側だけを交換することで対応することができる。更に、開口孔の形状が異なる第１開口孔７２ａと第２開口孔７３ａとが重なっているので、メンテナンスの面で洗浄しにくい等の課題も考えられる。しかしながら、２枚のマスクで構成されているので、それぞれ別々に洗浄することが可能となり、メンテナンスを行いやすいという効果が得られる。
【００７８】
（４）本実施形態によれば、成膜用マスク７１が第１マスク７２及び第２マスク７３の２枚で構成されているので、被成膜基板１１ａと第２マスク７３とによって挟まれている第１マスク７２の材料を、第２マスク７３と異ならせることが可能となる。言い換えれば、マグネット７５によってメタルマスクで構成されている第２マスク７３を吸引するので、第１マスク７２の材料を、例えば、樹脂材料で構成することもできる。よって、用いる材料を自由に選択することができる。また、第１マスクの第１開口孔７２ａの精度は第２マスクの第２開口孔７３ａと比較して高くする必要がないので、例えば、金型で抜くなどの方法を用いて形成することが可能となる。よって、かかるコストを抑えることができる。加えて、第１マスク７２を使い捨てのような使い方で用いることもできる。
【００７９】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００８０】
（変形例１）
上記したように、１つの有機ＥＬ装置１１（パネル）に対応させて第１マスク７２の第１開口孔７２ａを開口させていることに限定されず、例えば、図１４及び図１５に示すように、隣り合う有機ＥＬ装置１１の領域まで繋げて開口させるようにしてもよい。図１４は、成膜用マスクの変形例の構成を示す模式平面図である。図１５は、図１４に示す成膜用マスクのＤ−Ｄ'線に沿う模式断面図である。図１４及び図１５に示す成膜用マスク８１は、第１マスク８２と第２マスク７３とによって構成されている。第１マスク８２は、例えば、３つの有機ＥＬ装置１１の領域を繋げて第１開口孔８２ａ（第１領域）を形成している。これによれば、隣り合う有機ＥＬ装置１１の領域まで開口孔を繋げて形成するので、第１マスク８２に形成する開口孔の数を少なくすることが可能となる。よって、メンテナンス性を向上させることができたり、第１マスク８２を形成するのにかかる工数を抑えることができる。なお、第１開口孔８２ａの領域は、上記の領域に限定されない。
【００８１】
（変形例２）
上記したように、有機ＥＬ装置１１（パネル）毎に第１マスク７２の第１開口孔７２ａを開口させていることに限定されず、例えば、図１６に示す成膜用マスク９１のように、複数の有機ＥＬ装置１１の領域に跨って、同じ色の発光領域４１を繋げて開口させるようにしてもよい。言い換えれば、第１マスク９２には、縦長に細く延びるスリット状の第１開口孔９２ａが形成されている。また、図示しないが、サブ画素３４の領域を横長に延ばしたスリット状の開口孔を形成するようにしてもよい。これらによれば、上記した効果と同様に、第１マスク９２がスペーサーの役割をするので、予め形成されている有機膜などにダメージを加えることを防ぐことができる。
【００８２】
（変形例３）
上記したように、第２マスク７３の第２開口孔７３ａの断面形状は、被成膜基板１１ａの蒸着面に対して垂直形状であることに代えて、例えば、図１７に示す第２マスク９５のように、蒸着面に対してテーパー状の第２開口孔９５ａとなるように形成してもよい。
【００８３】
（変形例４）
上記したように、成膜用マスク７１を用いて蒸着させる対象の膜を発光層４４としていることに限定されず、その他の膜を選択的に蒸着させるようにしてもよい。
【００８４】
（変形例５）
上記したように、同一の成膜用マスク７１をサブ画素３４分ずらしながら赤色、緑色、青色の発光層４４（４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ）を形成していたことに代えて、各色の発光層４４を蒸着させる専用の成膜用マスクをそれぞれ用意して、各色の発光層４４（４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ）を形成するようにしてもよい。
【００８５】
（変形例６）
上記したように、素子基板３１から正孔注入輸送層６５までを被成膜基板１１ａとして説明していることに限定されず、素子基板３１から成膜用マスク７１を用いて膜を形成する前までの層を被成膜基板１１ａとするようにしてもよい。
【００８６】
（変形例７）
上記したように、成膜用マスク７１を有機ＥＬ装置１１の製造に適用することに限定されず、例えば、液晶装置、プラズマディスプレイなどの製造に適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【００８７】
１１…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、１１ａ…被成膜基板、１２…走査線、１３…信号線、１４…電源線、１５…信号線駆動回路、１６…走査線駆動回路、２１…スイッチング用ＴＦＴ、２２…保持容量、２３…ＴＦＴ素子、２４…陽極、２５…陰極、２６…機能層、２７…発光素子、３１…素子基板、３２…表示領域、３２ａ…実表示領域、３２ｂ…ダミー領域、３３…非表示領域、３４…素子領域としてのサブ画素、３５…検査回路、３６…フレキシブル基板、３７…駆動用ＩＣ、４１…発光領域、４２…回路素子層、４３…発光素子層、４４，４４Ｒ，４４Ｇ，４４Ｂ…発光層、５１…下地保護膜、５２…半導体膜、５３…ソース領域、５４…ドレイン領域、５５…チャネル領域、５６…ゲート絶縁膜、５７…ゲート電極、５８…第１層間絶縁膜、５９…第２層間絶縁膜、６１，６２…コンタクトホール、６３…画素電極、６４…絶縁膜、６５…正孔注入輸送層、６６…封止層、７１，８１…成膜用マスク、７２，８２，９２…第１マスク、７２ａ，８２ａ，９２ａ…第１開口孔、７３，９５…第２マスク、７３ａ，９５ａ…第２開口孔、７５…マグネット、７６Ｒ，７６Ｇ，７６Ｂ…蒸着物源、７７Ｒ，７７Ｇ，７７Ｂ…蒸着物質。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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