(57)【要約】【課題】本発明は、静電気放電からの影響を減らすことを目的としている。【解決手段】表示領域１２と、表示領域１２を囲む周辺領域１４と、を含み、表示領域１２に複数の画素電極１６及び複数の画素電極１６に対応した複数の薄膜トランジスタ１８が形成され、周辺領域１４に複数の薄膜トランジスタ１８を駆動するための駆動回路２０が形成され、薄膜トランジスタ１８及び駆動回路２０を覆う無機材料膜２４が形成された基板１０を用意する。複数の画素電極１６のそれぞれの少なくとも一部を囲むバンク２６を有機材料で形成する。バンク２６に囲まれた複数の領域内であって複数の画素電極１６の上方にそれぞれ発光層３０を形成する。複数の画素電極１６の上方であって発光層３０の上方に対向電極３２を形成する。バンク２６を形成する工程で、有機材料で、駆動回路２０を覆う保護層２８を、バンク２６と同時に形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域と、前記表示領域を囲む周辺領域と、を含み、前記表示領域に複数の画素電極及び前記複数の画素電極に対応した複数の薄膜トランジスタが形成され、前記周辺領域に前記複数の薄膜トランジスタを駆動するための駆動回路が形成され、前記薄膜トランジスタ及び前記駆動回路を覆う無機材料膜が形成された基板を用意する工程と、
前記複数の画素電極のそれぞれの少なくとも一部を囲むバンクを有機材料で形成する工程と、
前記バンクに囲まれた複数の領域内であって前記複数の画素電極の上方にそれぞれ発光層を形成する工程と、
前記複数の画素電極の上方であって前記発光層の上方に対向電極を形成する工程と、
を含み、
前記バンクを形成する工程で、前記有機材料で、前記駆動回路を覆う保護層を、前記バンクと同時に形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記保護層を、前記基板の周縁の端面を覆うように形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記基板は、光透過性を有し、
前記複数の画素電極を光透過性材料で形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記表示領域を封止する封止部材を取り付ける工程をさらに含み、
前記封止部材を、前記周辺領域上であって前記保護層上に取り付けることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から３のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記表示領域を封止する封止部材を取り付ける工程をさらに含み、
前記バンクを形成する工程で、前記保護層を、前記基板の端部を避けて形成し、
前記封止部材を、前記周辺領域上であって前記基板の前記端部に、前記保護層を避けて取り付けることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項６】
表示領域と、前記表示領域を囲む周辺領域と、を含む基板と、
前記基板の前記表示領域に形成された、複数の画素電極及び前記複数の画素電極に対応した複数の薄膜トランジスタと、
前記基板の前記周辺領域に形成された、前記複数の薄膜トランジスタを駆動するための駆動回路と、
前記薄膜トランジスタ及び前記駆動回路を覆う無機材料膜と、
複数の画素電極のそれぞれの少なくとも一部を囲む、有機材料からなるバンクと、
前記バンクに囲まれた複数の領域内であって前記複数の画素電極の上方にそれぞれ形成された発光層と、
前記複数の画素電極の上方であって前記発光層の上方に形成された対向電極と、
前記駆動回路を覆うように前記無機材料膜上に形成された、前記有機材料からなる保護層と、
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
請求項６に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記保護層は、前記基板の周縁の端面を覆うように形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項８】
請求項６又は７に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記基板は、光透過性を有し、
前記複数の画素電極は光透過性材料で形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項９】
請求項６から８のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記表示領域を封止する封止部材をさらに有し、
前記封止部材は、前記周辺領域上であって前記保護層上に取り付けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項１０】
請求項６から８のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記表示領域を封止する封止部材をさらに有し、
前記保護層は、前記基板の端部を避けて形成され、
前記封止部材は、前記周辺領域上であって前記基板の前記端部に、前記保護層を避けて取り付けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス表示装置（以下、「有機ＥＬ表示装置」という。）の製造プロセスでは、基板に有機材料を塗布してこれを硬化するなど種々の工程を繰り返して行うため、基板を何度もハンドリングする必要があり、基板がステージを離れるときに静電気放電が生じる。基板には、スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）や駆動回路が形成されており、これらの静電気放電からの影響を減らすことが課題となっていた。
【０００３】
特許文献１には、基板のパネル領域の外側に静電破壊誘発部を形成することで、パネル領域の内側の表示画素及び駆動回路に静電破壊が及ぶことを抑止することが開示されている。しかし、静電破壊誘導部を形成する追加の工程が必要であるだけでなく、これを形成する領域を確保しなければならないので装置が大型化するという問題がある。
【特許文献１】特開２００７−１６３８１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、静電気放電からの影響を減らすことを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
（１）本発明に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、表示領域と、前記表示領域を囲む周辺領域と、を含み、前記表示領域に複数の画素電極及び前記複数の画素電極に対応した複数の薄膜トランジスタが形成され、前記周辺領域に前記複数の薄膜トランジスタを駆動するための駆動回路が形成され、前記薄膜トランジスタ及び前記駆動回路を覆う無機材料膜が形成された基板を用意する工程と、前記複数の画素電極のそれぞれの少なくとも一部を囲むバンクを有機材料で形成する工程と、前記バンクに囲まれた複数の領域内であって前記複数の画素電極の上方にそれぞれ発光層を形成する工程と、前記複数の画素電極の上方であって前記発光層の上方に対向電極を形成する工程と、を含み、前記バンクを形成する工程で、前記有機材料で、前記駆動回路を覆う保護層を、前記バンクと同時に形成することを特徴とする。本発明によれば、駆動回路が有機材料からなる保護層で覆われるので静電気放電からの影響を減らすことができる。しかも、保護層の形成はバンクの形成と同時に行うので、工程を増やすことなくその形成が可能である。
【０００６】
（２）（１）に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記保護層を、前記基板の周縁の端面を覆うように形成することを特徴としてもよい。
【０００７】
（３）（１）又は（２）に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記基板は、光透過性を有し、前記複数の画素電極を光透過性材料で形成することを特徴としてもよい。
【０００８】
（４）（１）から（３）のいずれか１項に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記表示領域を封止する封止部材を取り付ける工程をさらに含み、前記封止部材を、前記周辺領域上であって前記保護層上に取り付けることを特徴としてもよい。
【０００９】
（５）（１）から（３）のいずれか１項に記載された有機ＥＬ表示装置の製造方法において、前記表示領域を封止する封止部材を取り付ける工程をさらに含み、前記バンクを形成する工程で、前記保護層を、前記基板の端部を避けて形成し、前記封止部材を、前記周辺領域上であって前記基板の前記端部に、前記保護層を避けて取り付けることを特徴としてもよい。
【００１０】
（６）本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、表示領域と、前記表示領域を囲む周辺領域と、を含む基板と、前記基板の前記表示領域に形成された、複数の画素電極及び前記複数の画素電極に対応した複数の薄膜トランジスタと、前記基板の前記周辺領域に形成された、前記複数の薄膜トランジスタを駆動するための駆動回路と、前記薄膜トランジスタ及び前記駆動回路を覆う無機材料膜と、複数の画素電極のそれぞれの少なくとも一部を囲む、有機材料からなるバンクと、前記バンクに囲まれた複数の領域内であって前記複数の画素電極の上方にそれぞれ形成された発光層と、前記複数の画素電極の上方であって前記発光層の上方に形成された対向電極と、前記駆動回路を覆うように前記無機材料膜上に形成された、前記有機材料からなる保護層と、を有することを特徴とする。本発明によれば、駆動回路が有機材料からなる保護層で覆われるので静電気放電からの影響を減らすことができる。
【００１１】
（７）（６）に記載された有機ＥＬ表示装置において、前記保護層は、前記基板の周縁の端面を覆うように形成されていることを特徴としてもよい。
【００１２】
（８）（６）又は（７）に記載された有機ＥＬ表示装置において、前記基板は、光透過性を有し、前記複数の画素電極は光透過性材料で形成されていることを特徴としてもよい。
【００１３】
（９）（６）から（８）のいずれか１項に記載された有機ＥＬ表示装置において、前記表示領域を封止する封止部材をさらに有し、前記封止部材は、前記周辺領域上であって前記保護層上に取り付けられていることを特徴としてもよい。
【００１４】
（１０）（６）から（８）のいずれか１項に記載された有機ＥＬ表示装置において、前記表示領域を封止する封止部材をさらに有し、前記保護層は、前記基板の端部を避けて形成され、前記封止部材は、前記周辺領域上であって前記基板の前記端部に、前記保護層を避けて取り付けられていることを特徴としてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１６】
図１〜図５は、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図である。なお、図２は、図１に示す基板等のII-II線断面図である。
【００１７】
図１に示すように、基板１０を用意する。基板１０（例えばガラス基板）は、光透過性を有する。基板１０は、表示領域１２と、表示領域１２を囲む周辺領域１４と、を含む。
【００１８】
表示領域１２には、複数の画素電極１６と、複数の画素電極１６に対応した複数の薄膜トランジスタ１８が形成されている。薄膜トランジスタ１８は画素電極１６のスイッチである。複数の画素電極１６は、光透過性材料（例えばＩＴＯ；Indium Tin Oxide）で形成する。周辺領域１４には、複数の薄膜トランジスタ１８を駆動するための駆動回路２０が形成されている。なお、周辺領域１４には、薄膜トランジスタ１８、画素電極１６及び駆動回路２０に電気的に接続された配線２２が形成されている。
【００１９】
基板１０には、薄膜トランジスタ１８及び駆動回路２０を覆う無機材料膜２４が形成されている。無機材料膜２４は電気的絶縁膜である。例えば、絶縁破壊電圧が１０００Ｖ／μｍのＳｉ３Ｎ４膜を０．５μｍの膜厚で形成することで、５００Ｖの電圧に耐えられるように、無機材料膜２４を形成する。
【００２０】
図３に示すように、複数の画素電極１６のそれぞれの少なくとも一部を囲む（開口又は露出させる）バンク２６を有機材料（例えば樹脂）で形成する。バンク２６を形成する工程で、有機材料によって、駆動回路２０を覆う保護層２８を、バンク２６と同時に形成する。バンク２６及び保護層２８も電気的絶縁膜である。例えば、絶縁破壊電圧が３００Ｖ／μｍのアクリル樹脂層を２μｍ以上の膜厚で形成することで、６００Ｖ以上の電圧に耐えられるように、保護層２８を形成することができる。
【００２１】
本実施の形態によれば、駆動回路２０が、無機材料膜２４に加えて有機材料からなる保護層２８にも覆われるので、静電気放電からの影響を減らすことができる。上述した例では、無機材料膜２４及び保護層２８によって、１１００Ｖ以上の電圧に耐えることができる。しかも、保護層２８の形成はバンク２６の形成と同時に行うので、工程を増やすことなくその形成が可能である。
【００２２】
なお、保護層２８は、基板１０の周縁の端面を覆うように形成する。こうすることで、基板１０の内部を通る電界からも駆動回路２０を保護することができる。
【００２３】
図４に示すように、バンク２６に囲まれた複数の領域内であって複数の画素電極１６の上方にそれぞれ発光層３０を形成する。画素電極１６が陽極であれば、発光層３０の形成前に正孔輸送層を形成してもよいし、正孔輸送層の形成前にさらに正孔注入層を形成してもよい。
【００２４】
また、複数の画素電極１６の上方であって発光層３０の上方に対向電極３２を形成する。対向電極３２が陰極であれば、対向電極３２の形成前に電子輸送層を形成してもよいし、電子輸送層の形成後にさらに電子注入層を形成してから対向電極３２を形成してもよい。発光層３０、正孔輸送層、正孔注入層、電子輸送層又は電子注入層の形成にはインクジェット法を適用してもよい。
【００２５】
図５に示すように、表示領域１２を封止する封止部材３４を取り付ける。封止部材３４は、周辺領域１４上であって保護層２８上に取り付ける。例えば、シール剤３６をディスペンサーなどで塗布し、ガラス基板に凹部を形成して構成される封止部材３４を貼り付ける。封止部材３４の封止空間側の面には乾燥剤３８が取り付けられている。
【００２６】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法は、上記内容に加え、公知の有機ＥＬ表示装置の製造方法の内容を含む。
【００２７】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置は、基板１０を有する。基板１０は、光透過性を有する。基板１０は、表示領域１２と、表示領域１２を囲む周辺領域１４と、を含む。基板１０の表示領域１２に、複数の画素電極１６及び複数の画素電極１６に対応した複数の薄膜トランジスタ１８が形成されている。複数の画素電極１６は光透過性材料で形成されている。つまり、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置は、ボトムエミッション型である。基板１０の周辺領域１４には、複数の薄膜トランジスタ１８を駆動するための駆動回路２０が形成されている。
【００２８】
基板１０には、薄膜トランジスタ１８及び駆動回路２０を覆う無機材料膜２４が形成されている。基板１０には、複数の画素電極１６のそれぞれの少なくとも一部を囲むバンク２６が形成されている。バンク２６は、有機材料からなる。バンク２６に囲まれた複数の領域内であって複数の画素電極１６の上方にそれぞれ発光層３０が形成されている。複数の画素電極１６の上方であって発光層３０の上方に対向電極３２が形成されている。駆動回路２０を覆うように保護層２８が形成されている。保護層２８は、無機材料膜２４上に形成されている。保護層２８は有機材料からなる。保護層２８は、基板１０の周縁の端面を覆うように形成されている。有機ＥＬ表示装置は、表示領域１２を封止する封止部材３４を有する。封止部材３４は、周辺領域１４上であって保護層２８上に取り付けられている。
【００２９】
本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置は、上記製造方法から自明な構成をさらに含む。本実施の形態によれば、駆動回路２０が有機材料からなる保護層２８で覆われるので静電気放電からの影響を減らすことができる。
【００３０】
（変形例）
図６は、本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例及びその製造方法を説明する図である。
【００３１】
有機ＥＬ表示装置は、表示領域１１２を封止する封止部材１３４を有する。保護層１２８は、基板１１０の端部を避けて形成されている。封止部材１３４は、周辺領域１１４上であって基板１１０の端部に、保護層１２８を避けて取り付けられている。この変形例は、特に、大型製品に適用することができる。
【００３２】
有機ＥＬ表示装置の製造方法では、バンク１２６を形成する工程で、保護層１２８を、基板１１０の端部を避けて形成する。そして、封止部材１３４を、周辺領域１１４上であって基板１１０の端部に、保護層１２８を避けて取り付ける。封止部材１３４を基板１１０に取り付けることで、保護層１２８に取り付けるよりも高い接着力を保持することができる。その他の詳細は、上述した実施の形態で説明した内容が該当する。
【００３３】
本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施の形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図である。
【図２】図１に示す基板等のII-II線断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法を説明する図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の変形例及びその製造方法を説明する図である。
【符号の説明】
【００３５】
１０  基板、１２  表示領域、１４  周辺領域、１６  画素電極、１８  薄膜トランジスタ、２０  駆動回路、２２  配線、２４  無機材料膜、２６  バンク、２８  保護層、３０  発光層、３２  対向電極、３４  封止部材、３６  シール剤、３８  乾燥剤、１１０  基板、１１２  表示領域、１１４  周辺領域、１２６  バンク、１２８  保護層、１３４  封止部材。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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