(57)【要約】【課題】基板上の垂直磁気記録媒体が開示される。【解決手段】垂直磁気記録媒体が、記録層を有する。記録層が、第一粒状記録層及び第二粒状記録層を含む。第一粒状記録層と第二粒状記録層との間に交換層を含んでよい。付加的に、又は代替的に、第一粒状記録層と第二粒状記録層の飽和磁化比が、１より大きくてよく、及び／又は、第二粒状記録層の磁気異方性と比較して、第一粒状記録層が、相対的に高い磁気異方性を有してよい。その形成方法も開示される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の垂直磁気記録媒体であって、
前記垂直磁気記録媒体が、記録層を含み、
前記記録層が、第一粒状記録層及び第二粒状記録層を含み、
前記第一粒状記録層と前記第二粒状記録層の飽和磁化比が、１より大きいことを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項２】
基板上の垂直磁気記録媒体であって、
前記垂直磁気記録媒体が、記録層を含み、
前記記録層が、第一粒状記録層及び第二粒状記録層を含み、
前記第二粒状記録層の磁気異方性と比較して、前記第一粒状記録層が、相対的に高い磁気異方性を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体。
【請求項３】
前記第一粒状記録層と前記第二粒状記録層の飽和磁化比が、１より大きいことを特徴とする請求項２に記載の基板上の垂直磁気記録媒体。
【請求項４】
前記第二粒状記録層の磁気異方性と比較して、前記第一粒状記録層が、相対的に高い磁気異方性を有することを特徴とする請求項１に記載の基板上の垂直磁気記録媒体。
【請求項５】
前記第一粒状記録層と前記第二粒状記録層との間に交換層をさらに含むことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の基板上の垂直磁気記録媒体。
【請求項６】
前記交換層が、ＣｏＣｒを含み、Ｃｒ容量が、２０から６０ａｔ％の範囲であることを特徴とする請求項５に記載の基板上の垂直磁気記録媒体。
【請求項７】
前記交換層が、ＴｉＯ２，Ｃｒ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＺｒＯ２，Ｂ２Ｏ３，Ｎｂ２Ｏ５，ＭｇＯ，Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，ＨｆＯ２，Ｙ２Ｏ２，Ｖ２Ｏ５及びＷＯ３により構成された群から選択された少なくとも１つの添加物をさらに含み、前記少なくとも１つの添加物が、０から２０ａｔ％の範囲であることを特徴とする請求項６に記載の基板上の垂直磁気記録媒体。
【請求項８】
前記交換層が、０から１０Ａの範囲の厚さを有することを特徴とする請求項５から７のいずれか一項に記載の基板上の垂直磁気記録媒体。
【請求項９】
前記基板上の軟性下地層、及び該軟性下地層上の絶縁層をさらに備え、前記記録層が、前記絶縁層上にあることを特徴とする請求項１から８のいずれか一項に記載の基板上の垂直磁気記録媒体。
【請求項１０】
前記第二粒状記録層上の上部記録層をさらに備えることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の垂直磁気記録媒体。
【請求項１１】
基板上に垂直磁気記録媒体を形成する方法であって、
前記方法が、第一粒状記録層を形成する段階、前記第一粒状記録層上に交換層を形成する段階、及び前記交換層上に第二粒状記録層を形成する段階を含み、
前記第一粒状記録層と前記第二粒状記録層の飽和磁化比が、１よりも大きいことを特徴とする垂直磁気記録媒体を形成する方法。
【請求項１２】
基板上に垂直磁気記録媒体を形成する方法であって、
前記方法が、第一粒状記録層を形成する段階、前記第一粒状記録層上に交換層を形成する段階、及び前記交換層上に第二粒状記録層を形成する段階を含み、
前記第二粒状記録層の磁気異方性と比較して、前記第一粒状記録層が、相対的に高い磁気異方性を有することを特徴とする垂直磁気記録媒体を形成する方法。
【請求項１３】
前記第一粒状記録層が形成される前に、軟性下地層が前記基板上に形成され、絶縁層が前記軟性下地層上に形成され、前記第一粒状記録層が、前記絶縁層上に形成されることを特徴とする請求項１１又は１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記軟性下地層を形成する段階が、前記基板上に第一軟性下地層の形成する段階、前記第一軟性下地層上にルテニウム層を形成する段階、及び前記ルテニウムの層上に第二軟性下地層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記絶縁層を形成する段階が、前記第二軟性下地層上に方位制御層を形成する段階、及び前記方位制御層上に中間層を形成する段階を含むことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記第二粒状記録層上に上部記録層を形成する段階、前記上部記録層上に保護層を形成する段階、及び前記保護層上に潤滑層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１１から１５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項１７】
前記第一粒状記録層、前記交換層及び前記第二粒状記録層が、ＤＣマグネトロンスパッタリングによって形成されることを特徴とする請求項１１から１６のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、垂直磁気記録媒体に係り、限定するものではないが、特に、改善した熱減衰及び記録性能を提供する交換層を有する垂直磁気記録媒体に関する。本発明は、例えば、粒状（ｇｒａｎｕｌａｒ）垂直―型磁気記録層を利用するハードディスクのような、超高表面積記録密度媒体に対する高い特有の実用性を有する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録媒体が、様々な用途において、特に、コンピューター産業において、広く使用されていることが知られている。磁気ディスクドライブの容量を増加させるために、記録密度、即ち、磁気媒体のビット密度を更に改善する取り組みが行われてきた。磁気記録媒体を得るために、ビットが、垂直磁気記録媒体の平面に垂直であり、垂直磁気異方性を有する方向における磁場によって形成される。
【０００３】
高い信号対ノイズ比（ＳＮＲ）を有する垂直記録媒体を製造するために、小さなグレイン、均一な分布のグレインサイズ、及びグレイン間の均一な交換結合を備えた記録媒体を有することが重要である。グレイン間の交換結合の程度が小さくなることで、磁性グレインの良好なスイッチングを生じ、クロストラック相関長と媒体ノイズが減少する。しかしながら、磁性粒子（ｐａｒｔｉｃｌｅ）又は磁性グレイン間の極めて小さな（ほぼゼロの）交換結合により、極めて低いスクエアネス−シェアドＭ−Ｈヒステリシスループ（ｓｑｕａｒｅｎｅｓｓ−ｓｈｅａｒｅｄ  Ｍ−Ｈ  ｈｙｓｔｅｒｅｓｉｓ  ｌｏｏｐ）、広いスイッチング磁場分布、自己―減磁及び熱減衰に対する抵抗の減少、並びに低い核生成磁場を生じる。非−均一交換結合により、独立して動く他の磁性粒子又はグレインを生じ、クラスターにおいて、グレインサイズの広い分布及び異方性磁界を生じる。このグレイン間の非−均一な交換結合（Ｈｎ分布）が、温度の増加とともに深刻となる。これが、高温における熱減衰を増加させる。
【０００４】
動作温度の変化を伴う駆動における垂直記録媒体の性能を維持するために、グレイン間における均一な交換相互作用を有し及びＨｎの減衰の少ない（ｄＨｎ／ｄＴ）垂直記録媒体が、必要とされる。
【０００５】
グレイン間の交換結合が、グレイン境界での非−磁性材料の形成によって制御される。グレイン境界において非−磁性材料が、クロム、ホウ素、ジルコニウム、タングステン、チタン、タンタル、及びルテニウム（それぞれ、Ｃｒ、Ｂ、Ｚｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ及びＲｕ）の添加物を含む酸化物、コバルト（Ｃｏ）、白金（Ｐｔ）のスパッタ堆積の間に形成される。しかしながら、Ｃｏグレインの内部の非−磁気位相の形成により、Ｃｏ原子の濃度が、磁性グレインの中央部とグレイン境界の間で変化する。従って、グレイン間の交換結合が、例えば、スパッタターゲットにおける、Ｃｒ，Ｂ若しくはＺｒ、又はそれらの１つ以上の酸化物の容量のようなプロセスパラメータによって通常制御される。グレイン間の交換結合を制御する他の方法は、酸素（Ｏ２）を含むスパッタガス内におけるターゲットの反応性スパッタによるものである。
【０００６】
しかしながら、このプロセスが、グレイン間の交換結合を極めて感応性なものにする。結果として、グレイン間において均一かつ十分な交換結合を維持することは極めて困難である。温度増加に伴い、これが、グレイン間において、増大された、非−均一な交換を生じう/る。この結果、温度に伴うＨｎ減衰（ｄＨｎ／ｄＴ）が増加する。これが、垂直記録媒体の熱減衰を増加させる。
【０００７】
温度増加に伴うＨｃ（ｄＨｃ／ｄＴ）及びＨｎ（ｄＨｎ／ｄＴ）の減衰が十分に低く、この結果、垂直記録媒体の熱減衰が低い記録層を備えた垂直記録媒体を有することは有利である。これは、高い信号対ノイズ比を有するとさらに有利である。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
例示的な態様によると、基板上の垂直磁気記録媒体が提供される。この垂直磁気記録媒体が、記録層を有する。この記録層が、第一粒状記録層及び第二粒状記録層を含む。第一粒状記録層と第二粒状記録層の飽和磁化比が、１よりも大きい。
【０００９】
他の例示的な態様によると、基板上の垂直磁気記録媒体が提供される。この垂直磁気記録媒体が、記録層を有する。この記録層が、第一粒状記録層及び第二粒状記録層を含む。第二粒状記録層の磁気異方性と比較して、第一粒状記録層が、相対的に高い磁気異方性を有する。
【００１０】
第二の態様において、第一粒状記録層と第二粒状記録層の飽和磁化比が、１よりも大きくてよい。第一の態様において、第二粒状記録層の磁気異方性と比較して、第一粒状記録層が、相対的に高い磁気異方性を有してよい。
【００１１】
両方の態様において、記録層が、第一粒状記録層と第二粒状記録層との間に、交換層をさらに有してよい。この交換層が、ＣｏＣｒを含んでよい。Ｃｒ容量が、２０から６０ａｔ％の範囲でよい。交換層が、ＴｉＯ２，Ｃｒ２Ｏ３，ＳｉＯ２，ＺｒＯ２，Ｂ２Ｏ３，Ｎｂ２Ｏ５，ＭｇＯ，Ａｌ２Ｏ３，Ｔａ２Ｏ５，ＨｆＯ２，Ｙ２Ｏ２，Ｖ２Ｏ５及びＷＯ３から構成された群から選択された少なくとも１つの添加物をさらに含んでよい。この少なくとも１つの添加物が、０から２０ａｔ％の範囲でよい。交換層が、０から１０Ａの範囲の厚さを有してよい。基板上の垂直磁気記録媒体が、基板上に軟性下地層、該軟性下地層上の絶縁層、をさらに備え、記録層が、この絶縁層上にあり、第二粒状記録層上の上部記録層をさらに備えてよい。
【００１２】
最後の例示的な態様によると、基板上に垂直磁気記録媒体を形成する方法を提供し、この方法が、第一粒状記録層を形成する段階、第一粒状記録層上に交換層を形成する段階、交換層上に第二粒状記録層を形成する段階を含む。第一粒状記録層と第二粒状記録層の飽和磁化比が、１よりも大きくてよく、及び／又は第二粒状記録層の磁気異方性と比較して、第一粒状記録層が、相対的に高い磁気異方性を有してよい。
【００１３】
第一粒状記録層が形成される前に、軟性下地層が基板上に形成されてよい。絶縁層が、軟性下地層上に形成されてもよい。第一粒状記録層が、絶縁層上に形成されてよい。軟性下地層を形成する段階が、基板上に第一軟性下地層の形成する段階、第一軟性下地層上にルテニウムの層を形成する段階、及びルテニウムの層上に第二軟性下地層を形成する段階を含んでよい。絶縁層を形成する段階が、第二軟性下地層上に方位制御層を形成する段階、及び方位制御層上に中間層を形成する段階を含んでよい。この方法が、第二粒状記録層上に上部記録層を形成する段階、上部記録層上に保護層を形成する段階、及び保護層上に潤滑層を形成する段階をさらに含んでよい。第一粒状記録層、交換層及び第二粒状記録層が、ＤＣマグネトロンスパッタリングによって形成されてよい。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】読み書きヘッド及び垂直記録媒体を備えた垂直磁気記録システムの例示的な実施形態の略図（正確な縮尺ではない）である。
【図２】図１の例示的な垂直記録の構造の概略図（正確な縮尺ではない）である。
【図３】図２の例示的な垂直記録媒体のｄＨｎ／ｄＴ，ｄＨｃ／ｄＴ及び信号対ノイズ比（ＳＮＲ）の変化を説明するグラフである。
【図４】例示的な製造方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明が完全に理解され、実用的に具体化するために、非制限的な例として例示目的のみの実施形態が記載され、この記載は、添付の説明図を参照する。
【００１６】
この例示的な実施形態は、磁気記録システムへの応用のための垂直磁気記録媒体を対象とする。
【００１７】
図１に示されるように、例示的な垂直記録システムが、磁気記録ヘッド１及び垂直記録媒体２を有する。磁気記録ヘッド１が、シールド４及び５が側面に位置する磁気抵抗センサー３から構成された磁気記録リーダーを有する。また、磁気記録ヘッド１が、ライトポール（ｗｒｉｔｅ  ｐｏｌｅ）６及びリターンポール（ｒｅｔｕｒｎ  ｐｏｌｅ）５を有する。書き込み操作の間、ライトフラックス（ｗｒｉｔｅ  ｆｌｕｘ）が、ライトポール６から、経路７を通って移動し、リターンポール５に戻る。垂直記録媒体２が、基板８、軟磁性下地層（ＳＵＬ）９、絶縁層１０、及び交換層１２を含む記録層１１を含む。
【００１８】
図１の垂直記録媒体の構造の例示的な概略図（正確な縮尺ではない）が、図２に示される。垂直記録媒体２が、基板８を有する。基板８上に、第一軟性下地層１３及び第二軟性下地層１４を有し、第一及び第二軟性下地層１３，１４の間のルテニウム（Ｒｕ）層１５を備えた軟性下地層９が堆積される。
【００１９】
基板８が、
（ｉ）例えば、アルミニウム又はアルミニウム合金のような金属材料、又は
（ｉｉ）例えば、ガラス、ケイ素又は炭化ケイ素のような非−金属材料
から形成されてよい。
【００２０】
基板８の平均表面粗度が、好ましくは、０．３ｎｍ以下であり、及びさらに好ましくは、０．２ｎｍ以上である。さらに、微小うねり（ｍｉｃｒｏｗａｖｉｎｅｓｓ）が、好ましくは、０．３ｎｍ以下であり、及びさらに好ましくは、０．２５ｎｍ以下である。
【００２１】
第一及び第二軟性下地層１３，１４の材料が、ＣｏとＦｅの合金であってよく、Ｃｏ：Ｆｅが、６０：４０から７０：３０の比［Ｃｏ及びＦｅ容量］であり、Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｓｉ，Ｂ，Ｃ，Ａｌ及びＣから構成された群から選択された一つ以上の添加物を含む。添加物が、好ましくは、３から１０ａｔ％の範囲にある。軟性下地層１３，１４が、無定形結晶構造を有することが好ましい。無定形結晶構造を有することの利点は、これが、基板８の表面上に格子が均一に安定化することを助け、これにより、垂直媒体構造内のグレインをよく均一化することである。さらに、無定形軟性下地層１３，１４が、方位制御層１７の結晶方位を乱さない。
【００２２】
軟性下地層９の飽和保磁力が、好ましくは、５Ｏｅから１０Ｏｅの範囲にある。軟性下地層９の飽和磁化が、０．６Ｔから１．５Ｔの範囲にあることが好ましい。軟性下地層９の各層が、スパッタリングプロセスによって形成されてよく、形成時に、磁場が、半径方向に加えられることが好ましい。
【００２３】
第一及び第二軟性下地層１３，１４の間のＲｕ膜１５が、第一及び第二下地層１３，１４の間の反強磁性結合を提供する。これが、読み書きプロセスの間に生成されるＤＣノイズを抑えるために役立つ。軟性下地層９が、垂直記録媒体内での、ＷＡＴＥＲ（Ｗｉｄｅ  Ａｒｅａ  Ｔｒａｃｋ  Ｅｒａｓｅｒ）及びＡＴＩ（Ａｄｊａｃｅｎｔ  Ｔｒａｃｋ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）効果を最小化するために役立ちうる。軟性下地層９が、垂直記録媒体の結晶方位を制御するために役立つ。
【００２４】
絶縁層１０が、第二軟性下地層１４上に形成された方位制御層１７、及び方位制御層１７上に形成された中間層１８を含む。
【００２５】
方位制御層１７が、好ましくは、Ｎｉ合金，Ｐｔ，Ｔａ，又はＰｄ合金から構成される。方位制御層１７の厚さが、１ｎｍ以上であり、さらに好ましくは、１５ｎｍ以下であることが好ましい。薄い方位制御層１７は、記録層１１内のグレインの改善された結晶成長及び方位を提供することが出来ないものでありうる。厚い方位制御層１７は、ヘッドと軟性下地層の間隔を増加させ、これによって、再生信号の解読及び書込み性を減少させうる。
【００２６】
記録層１１が、中間層１８上に形成される。記録層１１が、第一粒状記録層２０及び第二粒状記録層２１を含み、第一及び第二粒状記録層２０、２１の間に交換層１２を含む。上部記録層２３、保護層２４及び潤滑層２５が、第二粒状記録層２１上に続いて形成される。
【００２７】
絶縁層１０の厚さが、好ましくは、１０ｎｍ以上であり、さらに好ましくは、３０ｎｍ以下である。中間層１８が、好ましくはＲｕ又はＲｕ合金により構成される。記録層のグレインサイズを減少させるために、中間層１８に対して、他の合金が使用されてもよい。中間層１８が、記録層１１のグレインの方位を制御するために役立つ。また、これが、記録層１１内のグレインの改善された分離を提供しうる。
【００２８】
記録層１１が、中間層１８上に形成される。記録層１１が、第一粒状記録層２０及び第二粒状記録層２１を含み、第一及び第二粒状記録層２０、２１の間に交換層１２を含む。上部記録層２３、保護層２４及び潤滑層２５が、第二粒状記録層２１上に続いて形成される。
【００２９】
記録層１１が、第一及び第二粒状記録層２０、２１によって形成され、第一及び第二粒状記録層２０、２１の間に交換層１２を含む。第一粒状記録層２０の磁気異方性が、第二粒状記録層２１のそれよりも高くてよい。
【００３０】
第二粒状記録層２１の材料と比較して、第一粒状記録層２０が、相対的に高い磁気異方性材料から構成されてよい。さらに、第一（Ｍ１）と第二（Ｍ２）粒状記録層２０、２１の飽和磁化比（Ｍ１／Ｍ２）が、好ましくは、１よりも大きい（Ｍ１／Ｍ２＞１）。交換層１２が、Ｃｒ容量が好ましくは２０から５０ａｔ％の範囲であるＣｏＣｒ、並びに、０から２０ａｔ％の範囲のＴｉＯ２，Ｃｒ２Ｏ３，ＳｉＯ２及びＷＯ３の１つ以上の添加物を含んでよい。交換層１２が、０から６Ａの範囲の厚さを有してよい。
【００３１】
記録層１１が、第二粒状記録層２１上に形成された上部記録層２３を有してもよい。記録層１１の厚さが、好ましくは１０から２０ｎｍの間である。これは、特に、信号出力、ＳＮＲ及びオーバーライト特性を維持するためである。
【００３２】
上部記録層２３が、粒状記録層、交換遮断層（ｅｘｃｈａｎｇｅ  ｂｒｅａｋ  ｌａｙｅｒ）、及び連続層の１つ以上から構成されてよい。好ましくは、上部記録層２３が、Ｃｏ，Ｐｔ及び酸化物から構成され、容易軸（ｅａｓｙ  ａｘｉｓ）の方位が、膜法線（ｆｉｌｍ  ｎｏｒｍａｌ）に垂直である。ＳＮＲをさらに改善するために、これが、好ましくは、Ｃｒ、Ｂ、Ｚｒ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ及びＲｕの１つ以上から構成された添加物を有する。
【００３３】
保護層２４が、Ｃ，Ｒｕ又はＳｉＯ２を含有する材料を含んでよい。その第一の機能は、記録媒体表面の損傷を防ぐこと、及び垂直記録媒体の腐食を防ぐことである。保護層２４の厚さが、好ましくは、１ｎｍ以上であり、さらに好ましくは、５ｎｍ以下である。
【００３４】
潤滑層２５が、ペルフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、及びフッ素化カルボン酸の１つ以上で構成されてよい。
【００３５】
保護層２４を除く上記の垂直記録媒体の全ての層が、ＤＣマグネトロンスパッタリングによって形成されてよい。保護層２４が、化学蒸着によって形成されてよい。真空チャンバが、１０−５以下の真空レベルまで真空化される。
【００３６】
実施例として、異なる組成を有し、並びに（ａ）交換層を備え（ＥＬを備え）、及び（ｂ）交換層を備えない（ＥＬを備えない）第一及び第二粒状記録層２０、２１が、形成された。第二層２１の磁気異方性が、下表面（交換層１２上）からその上表面まで変化した。
【００３７】
２５℃から１７０℃の範囲の異なる温度でのヒステリシスループが記録された。異なる温度でのヒステリシスループを記録することによって、Ｈｃ及びＨｎの熱減衰を予測することが出来た。記録性能が、リード／ライトアナライザ及びスピンスタンドの使用により決定された。書込みのための単一の磁極及び再生セクションにおいてＴＭＲ素子を使用する磁気ヘッドが、記録特性の評価のために使用された。１２５０ｋｆｃｉの記録密度が使用された。Ｈｃ，Ｈｎの熱減衰（ｄＨｃ／ｄＴ，ｄＨｎ／ｄＴ）及び信号対ノイズ比（ＳＮＲ）が、表１にリスト化される。
【００３８】
【表１】
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【００３９】
図３が、交換層１２を備えた信号対ノイズ比（ＳＮＲ）及びＨｃ，Ｈｎの熱減衰（ｄＨｃ／ｄＴ，ｄＨｎ／ｄＴ）の典型的な変化を示す。交換層１２により、温度に伴うＨｃ及びＨｎの減衰速度（ｄＨｃ／ｄＴ，ｄＨｎ／ｄＴ）を改善し、信号対ノイズ比を改善する。交換層１２が、第一及び第二粒状記録層２０、２１における粒間交換を制御するために役立つ。また、これが、高温におけるＨｎの減衰（ｄＨｎ／ｄＴ）を弱めるために役立つ。
【００４０】
さらに、第二粒状記録層２１とともに交換層１２が、書込みプロセス間において、高い磁気異方性の第一粒状記録層２０にスイッチするために役立つ。これが、良好なＲＯＷ及びスイッチング磁場分布を生じ、これによって、高い信号対ノイズ比を生じる。
【００４１】
図４を参照すると、このプロセスが、第一に、基板８上に第一軟性下地層１３を形成し（４０１）、次に、第一軟性下地層１３上にルテニウム層１５を形成し（４０２）、続いて、ルテニウム層１５上に第二軟性下地層１４を形成する（４０３）。次に、方位制御層１７が、第二軟性下地層１４上に形成され（４０４）、中間層１８が、方位制御層１７上に形成される（４０５）。第一粒状記録層２０が、中間層１８上に形成され（４０６）、次に、交換層が、第一粒状記録層２０上に形成される（４０７）。第二粒状記録層２１が、交換層１２上に形成され（４０８）、上部記録層２３が、第二粒状記録層２１上に形成される（４０９）。上部記録層２３上における保護層２４の形成が続き（４１０）、潤滑層２５を形成し（４１１）、垂直磁気記録媒体の形成が完了する。
【００４２】
（ｉ）第一及び第二粒状記録層２０、２１の磁気異方性
（ｉｉ）飽和磁化比（Ｍ１／Ｍ２＞１）、及び
（ｉｉｉ）交換層
の最適化によって、垂直記録媒体が、改善した熱減衰（ｄＨｃ／ｄＴ，ｄＨｎ／ｄＴ）、及び高い信号対ノイズ比を有しうる。
【００４３】
上記において、例示的な実施形態が記載されたが、設計、構造及び／又は操作の詳細な多くの変更が、本発明から逸脱することなく実施されうることを当業者は理解するだろう。
【符号の説明】
【００４４】
１  磁気記録ヘッド
２  垂直記録媒体
３  磁気抵抗センサー
４  シールド
５  リターンポール
６  ライトポール
７  経路
８  基板
９  軟磁性下地層
１０  絶縁層
１１  記録層
１２  交換層
１３  第一軟性下地層
１４  第二軟性下地層
１５  ルテニウム層
１７  方位制御層
１８  中間層
２０  第一粒状記録層
２１  第二粒状記録層
２３  上部記録層
２４  保護層
２５  潤滑層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【外国語明細書】
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