(57)【要約】【課題】高圧電源や複雑な電極製造工程を用いずに、劣化した異極像結晶を簡単に分極反転させることができる方法を提供する。【解決手段】少なくとも一部領域の分極特性が劣化した異極像結晶体と、分極の向きが予め同一方向に揃っている劣化のない異極像結晶体とを、それぞれ１つ以上準備するステップＳ００と、劣化した異極像結晶体と劣化のない異極像結晶体を、劣化した異極像結晶体と劣化のない異極像結晶体が互いに対をなし、対をなす異極像結晶体の電気面同士が互いに向き合うように、かつ、劣化のない異極像結晶体の温度昇降によって当該異極像結晶体から生じる電界の到達範囲内に、劣化した異極像結晶体が位置するように、配置するステップＳ０１と、劣化のない異極像結晶体の温度昇降を行い、これによって劣化のない異極像結晶体から電界を生じさせ、この電界を用いて劣化した異極像結晶体を分極反転させるステップＳ０２とを備える。【選択図】図１
2010244798.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一部領域の分極特性が劣化した異極像結晶体の分極の向きを、外部電界を用いて分極反転させることによって、全領域にわたって同一方向に揃えるための方法であって、
（ａ）前記劣化した異極像結晶体を少なくとも１つ、分極の向きが予め同一方向に揃っている劣化のない異極像結晶体を少なくとも１つ、準備するステップと、
（ｂ）前記劣化した異極像結晶体と前記劣化のない異極像結晶体を、
前記劣化した異極像結晶体と前記劣化のない異極像結晶体が互いに対をなすとともに、前記対をなす異極像結晶体の電気面同士が互いに向き合うように、
かつ、
前記劣化のない異極像結晶体の温度昇降によって当該異極像結晶体から生じる電界の到達範囲内に、前記劣化した異極像結晶体が位置するように、配置するステップと、
（ｃ）前記劣化のない異極像結晶体の温度昇降を行い、これによって前記劣化のない異極像結晶体から電界を生じさせ、この電界を用いて前記劣化した異極像結晶体を分極反転させるステップと、を備えることを特徴とする方法。
【請求項２】
前記ステップ（ａ）において、前記劣化した異極像結晶体と前記劣化のない異極像結晶体を１対準備し、
前記ステップ（ｂ）において、前記１対の劣化した異極像結晶体と劣化のない異極像結晶を、正負の異なる電気面同士を対向させて配置し、
前記ステップ（ｃ）において、前記劣化のない異極像結晶体の温度上昇を行い、これによって前記劣化のない異極像結晶体から生じる電界を用いて前記劣化した異極像結晶体を分極反転させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ステップ（ａ）において、前記劣化した異極像結晶体と前記劣化のない異極像結晶体を１対準備し、
前記ステップ（ｂ）において、前記１対の劣化した異極像結晶体と劣化のない異極像結晶を、正の電気面同士あるいは負の電気面同士を対向させて配置し、
前記ステップ（ｃ）において、前記劣化のない異極像結晶体の温度降下を行い、これによって前記劣化のない異極像結晶体から生じる電界を用いて前記劣化した異極像結晶体を分極反転させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ステップ（ａ）において、前記劣化した異極像結晶体を１つ、前記劣化のない異極像結晶体を２つ準備し、
前記ステップ（ｂ）において、前記１つの劣化した異極像結晶体の両電気面側にそれぞれ、前記２つの劣化のない異極像結晶体の電気面を、当該両電気面のそれぞれと正負が異なる電気面同士を対向させて配置し、
前記ステップ（ｃ）において、前記２つの劣化のない異極像結晶体の温度上昇を行い、これによって前記２つの劣化のない異極像結晶体から生じる電界を用いて前記１つの劣化した異極像結晶体を分極反転させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ステップ（ａ）において、前記劣化した異極像結晶体を１つ、前記劣化のない異極像結晶体を２つ準備し、
前記ステップ（ｂ）において、前記１つの劣化した異極像結晶体の両電気面側にそれぞれ、前記２つの劣化のない異極像結晶体の電気面を、当該両電気面のそれぞれと正負が同じ電気面同士を対向させて配置し、
前記ステップ（ｃ）において、前記２つの劣化のない異極像結晶体の温度降下を行い、これによって前記２つの劣化のない異極像結晶体から生じる電界を用いて前記１つの劣化した異極像結晶体を分極反転させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記ステップ（ａ）において、前記劣化した異極像結晶体を２つ、前記劣化のない異極像結晶体を１つ準備し、
前記ステップ（ｂ）において、前記１つの劣化のない異極像結晶体の両電気面側にそれぞれ、前記２つの劣化した異極像結晶体の電気面を、当該両電気面のそれぞれと正負が異なる電気面同士を対向させて配置し、
前記ステップ（ｃ）において、前記１つの劣化のない異極像結晶体の温度上昇を行い、これによって前記１つの劣化のない異極像結晶体から生じる電界を用いて前記２つの劣化した異極像結晶体を同時に分極反転させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記ステップ（ａ）において、前記劣化した異極像結晶体を２つ、前記劣化のない異極像結晶体を１つ準備し、
前記ステップ（ｂ）において、前記１つの劣化のない異極像結晶体の両電気面側にそれぞれ、前記２つの劣化した異極像結晶体の電気面を、当該両電気面のそれぞれと正負が同じ電気面同士を対向させて配置し、
前記ステップ（ｃ）において、前記１つの劣化のない異極像結晶体の温度降下を行い、これによって前記１つの劣化のない異極像結晶体から生じる電界を用いて前記２つの劣化した異極像結晶体を同時に分極反転させることを特徴とする請求項１に記載の方法。
【請求項８】
少なくとも一部領域の分極特性が劣化した異極像結晶体の分極の向きを、外部電界を用いて分極反転させることによって、全領域にわたって同一方向に揃えるための方法であって、
（ａ）前記劣化した異極像結晶体を少なくとも１つ、分極の向きが予め同一方向に揃っていて当該分極方向に貫通孔を備えた劣化のない異極像結晶体を少なくとも１つ、準備するステップと、
（ｂ）前記劣化した異極像結晶体と前記劣化のない異極像結晶体を、
前記劣化した異極像結晶体の一部分あるいは全部分が前記貫通孔内に挿入されるように、
かつ、
前記劣化のない異極像結晶体の温度昇降によって当該異極像結晶体から生じる電界の到達範囲内に、前記劣化した異極像結晶体が位置するように、配置するステップと、
（ｃ）前記劣化のない異極像結晶体の温度昇降を行い、これによって前記劣化のない異極像結晶体から電界を生じさせ、この電界を用いて前記劣化した異極像結晶体を分極反転させるステップと、を備えることを特徴とする方法。
【請求項９】
前記ステップ（ｂ）において、前記劣化のない異極像結晶体から生じる電界の、前記劣化した異極像結晶体の分極方向成分の強さが、当該劣化した異極像結晶体の抗電界の強さを上回る範囲内において、前記劣化した異極像結晶体を配置することを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の方法。
【請求項１０】
低圧雰囲気圧中において、前記ステップ（ｂ）および（ｃ）を順次実行することを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異極像結晶の分極反転方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えばＸ線発生装置等に用いられる、一方向に分極の向きを揃えたＬｉＮｂＯ３（ニオブ酸リチウム）やＬｉＴａＯ３（タンタル酸リチウム）等の異極像結晶が注目されている（例えば、特許文献１参照）。異極像結晶は、焦電結晶とも呼ばれ、加熱および冷却を繰り返してその温度を昇降させると、結晶内部の自発分極が増減し、結晶表面の吸着電荷がその変化に追従できなくなって、電気的な中和が破られることにより、電界が形成されるという特性を有している。
【０００３】
図１６は、この異極像結晶の温度変化に伴う電界発生のメカニズムを示す概念図である。異極像結晶６は、常温の平衡状態では、両表面（−ｚ面および＋ｚ面）において分極電荷と雰囲気中の吸着電荷（吸着正電荷７および吸着負電荷８）が電気的に釣り合った状態となっている。この異極像結晶６の温度を上昇させると、図１６（Ａ）に示すように、異極像結晶体の自発分極が減少するが、−ｚ面および＋ｚ面にそれぞれ吸着している吸着正電荷７および吸着負電荷８の数はこの自発分極の変化に時間的に遅れて減少するため、実質的に、−ｚ面は正に帯電し、＋ｚ面は負に帯電する。その結果、この異極像結晶体６の−ｚ面から＋ｚ面に電気力線が向かうように、電界が発生する。また、この異極像結晶６の温度を降下させると、図１６（Ｂ）に示すように、異極像結晶体６の自発分極が増加するが、−ｚ面および＋ｚ面にそれぞれ吸着している吸着正電荷７および吸着負電荷８の数はこの自発分極の変化に時間的に遅れて増加するため、実質的に、−ｚ面は負に帯電し、＋ｚ面は正に帯電する。その結果、この異極像結晶体６の＋ｚ面から−ｚ面に電気力線が向かうように、電界が発生する。
【０００４】
このような温度変化が繰り返されると、分極電荷による自己電界のために異極像結晶内で一部領域の自発分極の向きが逆転する。これによって、異極像結晶の分極量が小さくなり、当該結晶が形成する電界が小さくなる現象が生じる（以下、分極特性の劣化という）。
【０００５】
この分極特性の劣化を回復するためには、分極の向きが逆転した部分の分極の向きを再び反転させて一方向に揃える必要があり、代表的な分極反転方法として、電界印加法が知られている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００６】
しかし、この電界印加法によれば、室温におけるＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３等の単結晶の分極反転に必要な電界（以下、抗電界または反転電界という）が約２２ｋＶ／ｍｍと格段に高いために、高圧電源が必要になる。また、この電界印加法によれば、電極材料の蒸着工程や、フォトリソグラフィーによる電極作製工程が必要になる上、電界印加時に沿面放電や電歪効果などにより異極像結晶が割れ易くなるという問題が生じる。さらに、結晶の厚みが増加した場合には、それに比例した高電界を印加する必要があり、劣化した異極像結晶の分極反転を行うことは困難となっていた。
【０００７】
この問題を解決すべく、異極像結晶の温度をキュリー温度以上に昇温して、低電界を印加する方法も考えられるが、例えばＬｉＮｂＯ３のキュリー温度は約１４１３Ｋと高いため、その方法では、高温での処理が必要となり、多大なコストがかかるので非現実的である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００５−１７４５５６
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】「分極反転デバイスの基礎と応用」、オプトロニクス社  編、平成１７年６月８日第１版第１刷発行、Ｐ．９１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の課題は、高圧電源や複雑な電極製造工程を用いずに、劣化した異極像結晶を簡単に分極反転させることができる方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため、第１発明は、少なくとも一部領域の分極特性が劣化した異極像結晶体の分極の向きを、外部電界を用いて分極反転させることによって、全領域にわたって同一方向に揃えるための方法であって、（ａ）前記劣化した異極像結晶体を少なくとも１つ、分極の向きが予め同一方向に揃っている劣化のない異極像結晶体を少なくとも１つ、準備するステップと、（ｂ）前記劣化した異極像結晶体と前記劣化のない異極像結晶体を、前記劣化した異極像結晶体と前記劣化のない異極像結晶体が互いに対をなすとともに、前記対をなす異極像結晶体の電気面同士が互いに向き合うように、かつ、前記劣化のない異極像結晶体の温度昇降によって当該異極像結晶体から生じる電界の到達範囲内に、前記劣化した異極像結晶体が位置するように、配置するステップと、（ｃ）前記劣化のない異極像結晶体の温度昇降を行い、これによって前記劣化のない異極像結晶体から電界を生じさせ、この電界を用いて前記劣化した異極像結晶体を分極反転させるステップと、を備えることを特徴とする方法を構成したものである。
【００１２】
第１発明の好ましい実施例によれば、前記ステップ（ａ）において、前記劣化した異極像結晶体と前記劣化のない異極像結晶体を１対準備し、前記ステップ（ｂ）において、前記１対の劣化した異極像結晶体と劣化のない異極像結晶を、正負の異なる電気面同士を対向させて配置し、前記ステップ（ｃ）において、前記劣化のない異極像結晶体の温度上昇を行い、これによって前記劣化のない異極像結晶体から生じる電界を用いて前記劣化した異極像結晶体を分極反転させる。
【００１３】
また、第１発明の別の好ましい実施例によれば、前記ステップ（ａ）において、前記劣化した異極像結晶体と前記劣化のない異極像結晶体を１対準備し、前記ステップ（ｂ）において、前記１対の劣化した異極像結晶体と劣化のない異極像結晶を、正の電気面同士あるいは負の電気面同士を対向させて配置し、前記ステップ（ｃ）において、前記劣化のない異極像結晶体の温度降下を行い、これによって前記劣化のない異極像結晶体から生じる電界を用いて前記劣化した異極像結晶体を分極反転させる。
【００１４】
さらに、第１発明の別の好ましい実施例によれば、前記ステップ（ａ）において、前記劣化した異極像結晶体を１つ、前記劣化のない異極像結晶体を２つ準備し、前記ステップ（ｂ）において、前記１つの劣化した異極像結晶体の両電気面側にそれぞれ、前記２つの劣化のない異極像結晶体の電気面を、当該両電気面のそれぞれと正負が異なる電気面同士を対向させて配置し、前記ステップ（ｃ）において、前記２つの劣化のない異極像結晶体の温度上昇を行い、これによって前記２つの劣化のない異極像結晶体から生じる電界を用いて前記１つの劣化した異極像結晶体を分極反転させる。
【００１５】
さらに、第１発明の別の好ましい実施例によれば、前記ステップ（ａ）において、前記劣化した異極像結晶体を１つ、前記劣化のない異極像結晶体を２つ準備し、前記ステップ（ｂ）において、前記１つの劣化した異極像結晶体の両電気面側にそれぞれ、前記２つの劣化のない異極像結晶体の電気面を、当該両電気面のそれぞれと正負が同じ電気面同士を対向させて配置し、前記ステップ（ｃ）において、前記２つの劣化のない異極像結晶体の温度降下を行い、これによって前記２つの劣化のない異極像結晶体から生じる電界を用いて前記１つの劣化した異極像結晶体を分極反転させる。
【００１６】
さらに、第１発明の別の好ましい実施例によれば、前記ステップ（ａ）において、前記劣化した異極像結晶体を２つ、前記劣化のない異極像結晶体を１つ準備し、前記ステップ（ｂ）において、前記１つの劣化のない異極像結晶体の両電気面側にそれぞれ、前記２つの劣化した異極像結晶体の電気面を、当該両電気面のそれぞれと正負が異なる電気面同士を対向させて配置し、前記ステップ（ｃ）において、前記１つの劣化のない異極像結晶体の温度上昇を行い、これによって前記１つの劣化のない異極像結晶体から生じる電界を用いて前記２つの劣化した異極像結晶体を同時に分極反転させる。
【００１７】
さらに、第１発明の別の好ましい実施例によれば、前記ステップ（ａ）において、前記劣化した異極像結晶体を２つ、前記劣化のない異極像結晶体を１つ準備し、前記ステップ（ｂ）において、前記１つの劣化のない異極像結晶体の両電気面側にそれぞれ、前記２つの劣化した異極像結晶体の電気面を、当該両電気面のそれぞれと正負が同じ電気面同士を対向させて配置し、前記ステップ（ｃ）において、前記１つの劣化のない異極像結晶体の温度降下を行い、これによって前記１つの劣化のない異極像結晶体から生じる電界を用いて前記２つの劣化した異極像結晶体を同時に分極反転させる。
【００１８】
上記課題を解決するため、また、第２発明は、少なくとも一部領域の分極特性が劣化した異極像結晶体の分極の向きを、外部電界を用いて分極反転させることによって、全領域にわたって同一方向に揃えるための方法であって、（ａ）前記劣化した異極像結晶体を少なくとも１つ、分極の向きが予め同一方向に揃っていて当該分極方向に貫通孔を備えた劣化のない異極像結晶体を少なくとも１つ、準備するステップと、（ｂ）前記劣化した異極像結晶体と前記劣化のない異極像結晶体を、前記劣化した異極像結晶体の一部分あるいは全部分が前記貫通孔内に挿入されるように、かつ、前記劣化のない異極像結晶体の温度昇降によって当該異極像結晶体から生じる電界の到達範囲内に、前記劣化した異極像結晶体が位置するように、配置するステップと、（ｃ）前記劣化のない異極像結晶体の温度昇降を行い、これによって前記劣化のない異極像結晶体から電界を生じさせ、この電界を用いて前記劣化した異極像結晶体を分極反転させるステップと、を備えることを特徴とする方法を構成したものである。
【００１９】
第１発明および第２発明の好ましい実施例によれば、前記ステップ（ｂ）において、前記劣化のない異極像結晶体から生じる電界の、前記劣化した異極像結晶体の分極方向成分の強さが、当該劣化した異極像結晶体の抗電界の強さを上回る範囲内において、前記劣化した異極像結晶体を配置する。また、低圧雰囲気圧中において、前記ステップ（ｂ）および（ｃ）を順次実行することが好ましい。より具体的には、この低圧雰囲気圧として１３００Ｐａ〜１０−５Ｐａの範囲内で、前記ステップ（ｂ）および（ｃ）を順次実行することが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
第１発明によれば、対をなす劣化した異極像結晶体と劣化のない異極像結晶体の電気面同士を互いに向き合わせた状態で、劣化のない異極像結晶体の温度昇降によって当該異極像結晶体から生じた電界を用いて、劣化した異極像結晶体を分極反転させるようにした。したがって、劣化のない異極像結晶体の温度昇降によって、劣化のない異極像結晶体から生じる電界の、劣化した異極像結晶体の分極方向成分の強さが、当該劣化した結晶の抗電界の強さを上回る電界を生じさせるだけで、高圧電源や複雑な電極製造工程を用いずに、劣化した異極像結晶体を容易に分極反転させることができる。
第２発明によれば、劣化した異極像結晶体を劣化のない異極像結晶体の分極方向に沿って設けた貫通孔内に挿入した状態で、劣化のない異極像結晶体の温度昇降によって当該異極像結晶体から生じる電界を用いて、劣化した異極像結晶体を分極反転させるようにした。この場合、劣化のない異極像結晶体の貫通孔内において、当該異極像結晶体から生じる電界は、貫通孔の軸方向と完全に同一方向に、均一かつ密に分布する。したがって、この電界を用いることにより、劣化した異極像結晶を全領域にわたって効率よく分極反転できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の異極像結晶体の分極反転方法のフロー図である。
【図２】（Ａ）は本発明の実施例１による異極像結晶体の分極反転方法のフロー図であり、（Ｂ）はこの方法を用いた異極像結晶体の分極反転のメカニズムの説明図である。
【図３】（Ａ）は本発明の実施例２による異極像結晶体の分極反転方法のフロー図であり、（Ｂ）はこの方法を用いた異極像結晶体の分極反転のメカニズムの説明図である。
【図４】（Ａ）は本発明の実施例３による異極像結晶体の分極反転方法のフロー図であり、（Ｂ）はこの方法を用いた異極像結晶体の分極反転のメカニズムの説明図である。
【図５】（Ａ）は本発明の実施例４による異極像結晶体の分極反転方法のフロー図であり、（Ｂ）はこの方法を用いた異極像結晶体の分極反転のメカニズムの説明図である。
【図６】（Ａ）は本発明の実施例５による異極像結晶体の分極反転方法のフロー図であり、（Ｂ）はこの方法を用いた異極像結晶体の分極反転のメカニズムの説明図である。
【図７】（Ａ）は本発明の実施例６による異極像結晶体の分極反転方法のフロー図であり、（Ｂ）はこの方法を用いた異極像結晶体の分極反転のメカニズムの説明図である。
【図８】（Ａ）は本発明の実施例７による異極像結晶体の分極反転方法のフロー図であり、（Ｂ）はこの方法を用いた異極像結晶体の分極反転のメカニズムの説明図である。
【図９】ｘｙｚ座標におかれた劣化のない異極像結晶体２が形成する電界の分布の説明図である。
【図１０】（ａ）は、異極像結晶体が置かれた座標系を示す図であり、（ｂ）は、劣化のないＬｉＴａＯ３が結晶外部に形成する電界ベクトル図である。
【図１１】（ａ）は、劣化のないＬｉＴａＯ３が結晶外部に形成する電界のｚ成分Ｅｚの厚み特性を示すグラフであり、（ｂ）は、劣化したＬｉＮｂＯ３が結晶外部に形成する電界のｚ成分Ｅｚの厚み特性を示すグラフである。
【図１２】（ａ）は、劣化のないＬｉＴａＯ３が結晶外部に形成する電界のｚ成分Ｅｚのｘ軸方向の距離特性を示すグラフであり、（ｂ）は、劣化したＬｉＮｂＯ３が結晶外部に形成する電界のｚ成分Ｅｚのｘ軸方向の距離特性を示すグラフである。
【図１３】（ａ）は、１対の劣化したＬｉＮｂＯ３と劣化のないＬｉＴａＯ３の配置関係を示す側面図であり、（ｂ）は、（ａ）の上面図である。
【図１４】（ａ）は、熱処理前の劣化したＬｉＮｂＯ３の＋ｚ面から検出された分極反転前のＸ線積分強度の時間特性、（ｂ）は、熱処理後のＬｉＮｂＯ３の＋ｚ面から検出された分極反転前のＸ線積分強度の時間特性を示すグラフである。
【図１５】（ａ）は、熱処理前の劣化したＬｉＮｂＯ３の−ｚ面から検出された分極反転前のＸ線積分強度の時間特性、（ｂ）は、熱処理後のＬｉＮｂＯ３の−ｚ面から検出された分極反転前のＸ線積分強度の時間特性を示すグラフである。
【図１６】異極像結晶の温度変化に伴う電界発生のメカニズムを示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の異極像結晶の分極反転方法の好ましい実施例について、図面を参照しながら説明する。
【００２３】
図１は、本発明の異極像結晶体の分極反転方法のフロー図である。
図１に示すように、本発明によれば、まず、劣化した異極像結晶体を少なくとも１つ、分極の向きが予め同一方向に揃っている劣化のない異極像結晶体を少なくとも１つ、準備する（ステップＳ００）。
劣化した異極像結晶体および劣化のない異極像結晶体としては、例えば、ＬｉＮｂＯ３やＬｉＴａＯ３等の公知の異極像結晶体が全て使用可能である。また、互いに異種の異極像結晶体が使用されてもよいし、同種の異極像結晶体が使用されてもよい。
【００２４】
次に、劣化した異極像結晶体と劣化のない異極像結晶体を、劣化した異極像結晶体と劣化のない異極像結晶体が互いに対をなすとともに、対をなす異極像結晶体の電気面同士が互いに向き合うように、かつ、劣化のない異極像結晶体の温度昇降によって当該異極像結晶体から生じる電界の到達範囲内に、劣化した異極像結晶体が位置するように、配置する（ステップＳ０１）。
ここで、この電界の到達範囲とは、劣化のない異極像結晶体から生じる電界の、劣化した異極像結晶体の分極方向成分の強さが、当該劣化した異極像結晶体の抗電界の強さを上回る状態にある範囲を意味する。
【００２５】
最後に、劣化のない異極像結晶体の温度昇降を行う（ステップＳ０２）。
これによって劣化のない異極像結晶体から電界を生じさせ、この電界を用いて劣化した異極像結晶体を分極反転させることができる。
【００２６】
以下、本発明の好ましいいくつかの実施例について説明する。
【００２７】
（実施例１）
図２の（Ａ）は本発明の実施例１による異極像結晶体の分極反転方法のフロー図であり、（Ｂ）はこの方法を用いた異極像結晶体の分極反転のメカニズムの説明図である。
【００２８】
図２（Ａ）に示すように、本発明の実施例１によれば、まず、劣化した異極像結晶体と劣化のない異極像結晶体を１対準備する（ステップＳ１０）。
【００２９】
次に、１対の劣化した異極像結晶体と劣化のない異極像結晶とを、正負の異なる電気面同士を対向させて、劣化のない異極像結晶体の温度上昇を行うことにより当該異極像結晶体から生じる電界の到達範囲内に、劣化した異極像結晶体を配置する（ステップＳ１１）。
この場合、劣化した異極像結晶体１および劣化のない異極像結晶体２は、図２（Ｂ）に示すように、（１）劣化した異極像結晶体１の＋ｚ面と劣化のない異極像結晶体２の−ｚ面とが対向するように、互いに配置されるか、あるいは（２）劣化した異極像結晶体１の−ｚ面と劣化のない異極像結晶体２の＋ｚ面とが対向するように、互いに配置される。
最後に、劣化のない異極像結晶体の温度上昇を行う（ステップＳ１２）。
【００３０】
以下、図２（Ｂ）を参照して、劣化した異極像結晶体１の分極反転が生じるメカニズムについて、簡単に説明する。
図２（Ｂ）の（１）に示される配置パターンにおいては、劣化のない異極像結晶体２の温度上昇により、実質的に、当該異極像結晶体２の−ｚ面が正に帯電し、＋ｚ面が負に帯電するので、−ｚ面から＋ｚ面に電気力線が向かうように、電界が発生する。したがって、劣化のない異極像結晶体２が形成する外部電界強度をＥＴ、劣化した異極像結晶体１の内部電界強度をＥＮ（ただし、ＥＴ＞ＥＮ）とすると、劣化のない異極像結晶体２の温度上昇時においては、劣化した異極像結晶体１の分極Ｐの方向と逆方向にＥＴ−ＥＮの電界が印加されるため、劣化した異極像結晶体１の分極反転が生じる。
図２（Ｂ）の（２）に示される配置パターンにおいても、上記と同様の理由により、劣化した異極像結晶体１の分極反転が生じる。
したがって、劣化のない異極像結晶体２の温度上昇を行うことにより、この異極像結晶体２から電界を生じさせ、この電界を用いて劣化した異極像結晶体１を分極反転させることができる。
【００３１】
（実施例２）
図３の（Ａ）は本発明の実施例２による異極像結晶体の分極反転方法のフロー図であり、（Ｂ）はこの方法を用いた異極像結晶体の分極反転のメカニズムの説明図である。
実施例２は、劣化した異極像結晶体と劣化のない異極像結晶体とを正負の同じ電気面同士を対向させて配置する点、および劣化のない異極像結晶体の温度降下を行う点で、実施例１と異なる。よって、図３（Ｂ）を参照して、劣化した異極像結晶体１の分極反転が生じるメカニズムについてのみ、簡単に説明する。
【００３２】
図３（Ｂ）の（１）に示される配置パターンにおいては、劣化のない異極像結晶体２の温度降下により、実質的に、当該異極像結晶体２の−ｚ面が負に帯電し、＋ｚ面が正に帯電するので、＋ｚ面から−ｚ面に電気力線が向かうように、電界が発生する。したがって、劣化のない異極像結晶体２が形成する外部電界強度をＥＴ、劣化した異極像結晶体１の内部電界強度をＥＮとすると、劣化のない異極像結晶体２の温度降下時においては、劣化した異極像結晶体１の分極Ｐの方向と逆方向にＥＴ＋ＥＮの電界が印加されるため、劣化した異極像結晶体１の分極反転が生じる。図３（Ｂ）の（２）に示される配置パターンにおいても、上記と同様の理由により、劣化した異極像結晶体１の分極反転が生じる。
したがって、劣化のない異極像結晶体２の温度降下を行うことにより、この異極像結晶体２から電界を生じさせ、この電界を用いて劣化した異極像結晶体１を分極反転させることができる。
【００３３】
（実施例３）
図４の（Ａ）は本発明の実施例３による異極像結晶体の分極反転方法のフロー図であり、（Ｂ）はこの方法を用いた異極像結晶体の分極反転のメカニズムの説明図である。
実施例３は、１つの劣化した異極像結晶体を、２つの劣化のない異極像結晶体間に配置して、全体として３段構造とした点で、実施例１と異なる。よって、図４（Ｂ）を参照して、劣化した異極像結晶体の分極反転が生じるメカニズムについてのみ、簡単に説明する。
【００３４】
図４（Ｂ）の（１）に示される配置パターンにおいては、劣化のない異極像結晶体２ａ、２ｂの温度上昇により、実質的に、それぞれ当該異極像結晶体２ａ、２ｂの−ｚ面が正に帯電し、＋ｚ面が負に帯電するので、−ｚ面から＋ｚ面に電気力線が向かうように、電界が発生する。したがって、劣化のない異極像結晶体２ａ、２ｂが形成する外部電界強度をそれぞれＥＴａ、ＥＴｂ、劣化した異極像結晶体１の内部電界強度をＥＮ（ただし、ＥＴａ＋ＥＴｂ＞ＥＮ）とすると、劣化のない異極像結晶体２ａ、２ｂの温度上昇時においては、劣化した異極像結晶体１の分極Ｐの方向と逆方向にＥＴａ＋ＥＴｂ−ＥＮの電界が印加されるため、劣化した異極像結晶体１の分極反転が生じる。図４（Ｂ）の（２）に示される配置パターンにおいても、上記と同様の理由により、劣化した異極像結晶の分極反転が生じる。
したがって、劣化のない異極像結晶体２ａ、２ｂの温度上昇を行うことにより、この異極像結晶体２ａ、２ｂからともに電界を生じさせ、これらの電界を用いて劣化した異極像結晶体１を分極反転させることができる。
【００３５】
（実施例４）
図５の（Ａ）は本発明の実施例４による異極像結晶体の分極反転方法のフロー図であり、（Ｂ）はこの方法を用いた異極像結晶体の分極反転のメカニズムの説明図である。
実施例４は、１つの劣化した異極像結晶体と２つの劣化のない異極像結晶体とを正負の同じ電気面同士を対向させて配置する点、および劣化のない異極像結晶体の温度降下を行う点で、実施例３と異なる。よって、図５（Ｂ）を参照して、劣化した異極像結晶体１の分極反転が生じるメカニズムについてのみ、簡単に説明する。
【００３６】
図５（Ｂ）の（１）に示される配置パターンにおいては、劣化のない異極像結晶体２ａ、２ｂの温度降下により、実質的に、それぞれ当該異極像結晶体２ａ、２ｂの−ｚ面が負に帯電し、＋ｚ面が正に帯電するので、＋ｚ面から−ｚ面に電気力線が向かうように、電界が発生する。したがって、劣化のない異極像結晶体２ａ、２ｂが形成する外部電界強度をそれぞれＥＴａ、ＥＴｂ、劣化した異極像結晶体１の内部電界強度をＥＮとすると、劣化のない異極像結晶体２ａ、２ｂの温度降下時においては、劣化した異極像結晶体１の分極Ｐの方向と逆方向にＥＴａ＋ＥＴｂ＋ＥＮの電界が印加されるため、劣化した異極像結晶体１の分極反転が生じる。図５（Ｂ）の（２）に示される配置パターンにおいても、上記と同様の理由により、劣化した異極像結晶の分極反転が生じる。
したがって、劣化のない異極像結晶体２ａ、２ｂの温度降下を行うことにより、この異極像結晶体２ａ、２ｂからともに電界を生じさせ、これらの電界を用いて劣化した異極像結晶体を分極反転させることができる。
【００３７】
（実施例５）
図６の（Ａ）は本発明の実施例５による異極像結晶体の分極反転方法のフロー図であり、（Ｂ）はこの方法を用いた異極像結晶体の分極反転のメカニズムの説明図である。
実施例５は、１つの劣化のない異極像結晶体を、２つの劣化した異極像結晶体間に配置して、全体として３段構造とした点で、実施例１と異なる。
この実施例５に係る方法によれば、劣化のない異極像結晶体２の温度上昇を行うことにより、この異極像結晶体２から電界を生じさせ、この電界を用いて２つの劣化した異極像結晶体１、１’を同時に効率よく分極反転させることができる（ただし、ＥＴ＞ＥＮ、ＥＴ’＞ＥＮ’とする）。
【００３８】
（実施例６）
図７の（Ａ）は本発明の実施例６による異極像結晶体の分極反転方法のフロー図であり、（Ｂ）はこの方法を用いた異極像結晶体の分極反転のメカニズムの説明図である。
実施例６は、１つの劣化のない異極像結晶体と２つの劣化した異極像結晶体とを正負の同じ電気面同士を対向させて配置する点、および劣化のない異極像結晶体の温度降下を行う点で、実施例５と異なる。
この実施例６に係る方法によれば、劣化のない異極像結晶体２の温度降下を行うことにより、この異極像結晶体２から電界を生じさせ、この電界を用いて２つの劣化した異極像結晶体１、１’を同時に効率よく分極反転させることができる。
【００３９】
（実施例７）
図８の（Ａ）は本発明の実施例７による異極像結晶体の分極反転方法のフロー図であり、（Ｂ）はこの方法を用いた異極像結晶体の分極反転のメカニズムの説明図である。
【００４０】
図８（Ａ）に示すように、本発明の実施例７によれば、まず、劣化した異極像結晶体を少なくとも１つ、分極の向きが予め同一方向に揃っていて当該分極方向に貫通孔を備えた劣化のない異極像結晶体を少なくとも１つ、準備する（ステップＳ７０）。
この場合、劣化のない異極像結晶体の貫通孔の軸方向に垂直な断面は、円形状であることが好ましいが、これに限定されるものではなく、任意の形状であってもよい。
【００４１】
次に、劣化した異極像結晶体と劣化のない異極像結晶体を、劣化した異極像結晶体の一部分あるいは全部分が貫通孔内に挿入されるように、かつ、劣化のない異極像結晶体の温度昇降によって当該異極像結晶体から生じる電界の到達範囲内に、劣化した異極像結晶体が位置するように、配置する（ステップＳ７１）。
【００４２】
最後に、劣化のない異極像結晶体の温度上昇を行う（ステップＳ７２）。
【００４３】
実施例１に係る方法では、劣化のない異極像結晶体の電気面の中心部付近と端部付近において、劣化のない異極像結晶体から生じた電界の、劣化した異極像結晶体の分極方向成分の強さが同一ではなく、向きも異なる。しかしながら、実施例２に係る方法では、劣化のない異極像結晶の分極方向に沿って設けた貫通孔内に、劣化した異極像結晶を挿入した状態が構成されるので、当該貫通孔内で、劣化のない異極像結晶体から生じた電界の、劣化した異極像結晶体の分極方向成分の強さが同一で、かつ向きも同一となり、劣化した異極像結晶を全領域にわたって効率よく分極反転できるという利点がある。
【００４４】
以下、図８（Ｂ）を参照して、劣化した異極像結晶体１の分極反転が生じるメカニズムについて、簡単に説明する。
図８（Ｂ）の（１）に示される配置パターンにおいては、劣化のない異極像結晶体２の温度上昇により、当該異極像結晶体２の貫通孔５内において、実質的に、当該異極像結晶体２の−ｚ面が正に帯電し、＋ｚ面が負に帯電するので、−ｚ面から＋ｚ面に電気力線が向かうように、電界が発生する。したがって、劣化のない異極像結晶体２が形成する外部電界強度をＥＴ、劣化した異極像結晶体１の内部電界強度をＥＮ（ただし、ＥＴ＞ＥＮ）とすると、劣化のない異極像結晶体２の温度上昇時においては、劣化した異極像結晶体１の分極Ｐの方向と逆方向にＥＴ−ＥＮの電界が印加されるため、劣化した異極像結晶体１の分極反転が生じる。
また、図８（Ｂ）の（２）に示される配置パターンにおいては、劣化のない異極像結晶体２の温度降下により、当該異極像結晶体２の貫通孔５内において、実質的に、当該異極像結晶体２の−ｚ面が負に帯電し、＋ｚ面が正に帯電するので、＋ｚ面から−ｚ面に電気力線が向かうように、電界が発生する。したがって、劣化のない異極像結晶体２が形成する外部電界強度をＥＴ、劣化した異極像結晶体１の内部電界強度をＥＮとすると、劣化のない異極像結晶体２の温度降下時においては、劣化した異極像結晶体１の分極Ｐの方向と逆方向にＥＴ＋ＥＮの電界が印加されるため、劣化した異極像結晶体１の分極反転が生じる。
したがって、劣化のない異極像結晶体２の温度昇降を行うことにより、この異極像結晶体２から電界を生じさせ、この電界を用いて劣化した異極像結晶体１を分極反転させることができる。
【００４５】
以下に、例えば図９（Ａ）に示すような、ｘｙｚ座標におかれた、ＬｉＴａＯ３からなる中空円筒形状の、劣化のない異極像結晶体２が形成する電界の分布について、簡単に説明する。
図９（Ｂ）および（Ｃ）は、それぞれ、雰囲気中の荷電粒子の吸着が生じない場合（吸着電荷を考慮しない場合）の、劣化のないＬｉＴａＯ３（貫通孔の直径ｒ＝５ｍｍ、結晶体２の直径ｓ＝１０ｍｍ、厚さｄ＝５ｍｍ）が、温度約３０３Ｋにおいて形成するｚ方向電界成分Ｅｚのｚ軸特性およびｘ軸特性を示したグラフである。
図９（Ｂ）および（Ｃ）から判るように、劣化のない異極像結晶体２の貫通孔５内（例えば、ｘ＝−２．５ｍｍ〜２．５ｍｍ、ｙ＝０ｍｍ、ｚ＝０ｍｍの領域を参照）において、当該異極像結晶体が形成するｚ方向電界成分Ｅｚが、絶対値に換算して約１７×１０３ｋＶ／ｍｍと非常に大きく、ほぼ均一に分布している。吸着電荷が無い場合、すなわち、完全な真空状態の場合においては、劣化のないＬｉＴａＯ３が形成するｚ方向電界成分Ｅｚが、劣化した異極像結晶体の抗電界の約２２ｋＶ／ｍｍをはるかに上回り、これによって劣化した異極像結晶を分極反転させることができる。
【００４６】
（実験例）
次に、本発明の実施例１による方法によって、劣化のない異極像結晶体を用いて、劣化した異極像結晶体を実際に分極反転させ、所定の効果が得られるかを調べた。
【００４７】
まず、ともに直方体形状を有する、劣化した異極像結晶体ＬｉＮｂＯ３と劣化のない異極像結晶体ＬｉＴａＯ３を１対準備する。劣化したＬｉＮｂＯ３として、サイズが縦×横×厚さ＝１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．５ｍｍ、焦電係数が１４．９ｎＣ／ｃｍ２／Ｋの単結晶を用いる。また、劣化のないＬｉＴａＯ３として、サイズが縦×横×厚さ＝１０ｍｍ×１０ｍｍ×５ｍｍ、焦電係数が７．６ｎＣ／ｃｍ２／Ｋの単結晶を用いる。
【００４８】
ところで、キュリー温度以下の異極像結晶体は電気双極子の集合体であるため、図１０（ａ）に示すようなｘｙｚ座標系中に置かれた縦ａ、横ｂ、厚さｄの直方体形状の、ｚ軸方向に自発分極が一様な、劣化のない異極像結晶体が結晶外部に形成する電界は、これらの電気双極子が形成する電界を計算することにより、公知の計算式によって求められる。
図１０（ｂ）に、上面が−ｚ面である上記劣化のないＬｉＴａＯ３を昇温させたときに、当該ＬｉＴａＯ３が形成するｘｚ平面における電界ベクトル図を示す。図１０（ｂ）より判るように、劣化のないＬｉＴａＯ３が外部に形成する電界は、結晶の電気面の中心部付近において、電界の大きさが最も強く、かつ電界の向きが均一に分布している。このため、劣化のないＬｉＴａＯ３の電気面の中心付近に、分極反転対象の劣化したＬｉＮｂＯ３の電気面を重ねておくことで、当該劣化したＬｉＮｂＯ３において、強い電界が印加されて分極反転が生じやすくなる。
【００４９】
また、図１１（ａ）および（ｂ）に、それぞれ、雰囲気中の荷電粒子の吸着が生じない場合（吸着電荷を考慮しない場合）の、上記劣化のないＬｉＴａＯ３および劣化したＬｉＮｂＯ３が単位温度あたりに結晶の中心ｚ軸上において形成する電界のｚ成分Ｅｚの厚み特性を示す。なお、これら異極像結晶体の上部電気面をｚ＝０のｘｙ平面上に設定した。上記劣化したＬｉＮｂＯ３の反転電界は常温において約２２ｋＶ／ｍｍのため、厚み０．５ｍｍの劣化したＬｉＮｂＯ３の反転電界は約１１ｋＶとなる。ここで、図１１（ａ）より、厚み５ｍｍの劣化のないＬｉＴａＯ３が結晶電気面に形成する電界強度の温度勾配は約５．８ｋＶ／ｍｍ／Ｋである。一方、図１１（ｂ）より、厚み０．５ｍｍの劣化したＬｉＮｂＯ３が結晶電気面に形成する電界強度の温度勾配は約０．４ｋＶ／ｍｍ／Ｋである。したがって、形成する電界強度の差は単位温度変化で約５．５ｋＶ／ｍｍとなり、これらの結晶の温度を２Ｋ変化させることで、劣化したＬｉＮｂＯ３の分極反転が可能と考えられる。ただし、実際には、雰囲気中の荷電粒子の吸着が生じるため、これらの結晶の温度を２Ｋ以上変化させる必要がある。
さらに、図１２（ａ）および（ｂ）に、それぞれ、雰囲気中の荷電粒子の吸着が生じない場合（吸着電荷を考慮しない場合）の、上記劣化のないＬｉＴａＯ３および劣化したＬｉＮｂＯ３が単位温度あたりに結晶のｚ軸方向において形成する電界強度のｚ成分Ｅｚのｘ軸方向の距離特性を示す。なお、これら異極像結晶体の上部電気面をｚ＝０のｘｙ平面上に設定し、結晶の電気面の中心をｘ＝０、結晶端部をｘ＝５とした。ここで、図１２（ａ）より、厚み５ｍｍの劣化のないＬｉＴａＯ３が結晶端部に形成する電界強度の温度勾配は約２．３ｋＶ／ｍｍ／Ｋである。一方、図１２（ｂ）より、厚み０．５ｍｍの劣化したＬｉＮｂＯ３が結晶端部に形成する電界強度の温度勾配は約０．１ｋＶ／ｍｍ／Ｋである。したがって、形成する電界強度の差は単位温度変化で約２．２ｋＶ／ｍｍとなり、これらの結晶の温度を５Ｋ変化させることで、劣化したＬｉＮｂＯ３の結晶端部においても分極反転が可能と考えられる。ただし、実際には、雰囲気中の荷電粒子の吸着が生じるため、これらの結晶の温度を５Ｋ以上変化させる必要がある。
【００５０】
次に、図１３に示すように、１対の劣化したＬｉＮｂＯ３と劣化のないＬｉＴａＯ３とを、正負の異なる電気面同士を対向させて配置する。
【００５１】
最後に、電気炉内で圧力を約１０−３Ｐａとして、劣化のないＬｉＴａＯ３を３００Ｋ／ｈの昇温速度で５７３Ｋまで昇温し、３０分間５７３Ｋを維持し、圧力約１０−３Ｐａを保持したまま、約３時間かけて室温まで自然冷却を行う。
【００５２】
（実験結果）
上記劣化したＬｉＮｂＯ３の分極反転評価には、当該異極像結晶体を温度変化させることで発生するＸ線を用いた。Ｘ線の発生条件として、Ｃｕ薄膜ターゲット（厚さ１０μｍ）の面、Ｃｕの試料台の面、および異極像結晶体の電気面が互いに平行になるように設置し、異極像結晶体とターゲット間の距離を１６ｍｍとし、雰囲気として空気を用い、圧力を約４．５Ｐａ一定として、異極像結晶体の温度を、室温から約３５３Ｋまで時間に比例して昇温した後、約２７３Ｋまで降温し、再び室温に戻す過程を１周期（１０００ｓｅｃ）として変化させた。
図１４（ａ）は、熱処理前の劣化したＬｉＮｂＯ３の＋ｚ面から検出された分極反転前のＸ線積分強度の時間特性、（ｂ）は、熱処理後のＬｉＮｂＯ３の＋ｚ面から検出された分極反転前のＸ線積分強度の時間特性を示すグラフである。また、図１５（ａ）は、熱処理前の劣化したＬｉＮｂＯ３の−ｚ面から検出された分極反転前のＸ線積分強度の時間特性、（ｂ）は、熱処理後のＬｉＮｂＯ３の−ｚ面から検出された分極反転前のＸ線積分強度の時間特性を示すグラフである。
図１４より判るように、熱処理を施すことで、Ｘ線がより多く発生する期間が昇温時から降温時となっている。この結果は、劣化したＬｉＮｂＯ３の＋ｚ面の帯電符号の逆転を示している。また、図１５より判るように、熱処理を施すことで、Ｘ線がより多く発生する期間が昇温時よりも降温時のほうが小さくなっている。この結果は、劣化したＬｉＮｂＯ３の−ｚ面の帯電符号の逆転を示している。
したがって、上記熱処理を行ったＬｉＮｂＯ３に分極反転が生じたことを確認できた。
【００５３】
以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明の構成はこれらの実施形態に限定されるものではない。
例えば、上記実験例において、約１０−３Ｐａの低圧下で熱処理を行ったが、これより低い圧力下で熱処理を行えば、劣化したＬｉＮｂＯ３の分極反転の効果はさらに顕著になる。これは、一般的に圧力が高い状態では、熱処理時において、劣化のない異極像結晶体の自発分極に追従する吸着電荷の数が多いため、自発分極と吸着電荷とがすぐに中和し、劣化のない異極像結晶体から生じる電界は弱くなるが、圧力が低い状態では、熱処理時において、劣化のない異極像結晶体の自発分極に追従する吸着電荷の数が少なくなるため、自発分極と吸着電荷の中和が起こりにくくなり、劣化のない異極像結晶体から生じる電界は強くなるということに起因する。しかしながら、圧力が高い状態でも、約１３００Ｐａの圧力下の熱処理であれば、自発分極と吸着電荷の中和が起こりにくく、劣化した異極像結晶体の分極反転を起こすことが可能となる。
また、上記実験例において、３００Ｋ／ｈの昇温速度で熱処理を行ったが、これより速い温度変化で熱処理を行えば、劣化したＬｉＮｂＯ３の分極反転の効果はさらに顕著になる。これは、一般的に温度変化が遅い状態では、熱処理時において、吸着電荷が劣化のない異極像結晶体の自発分極に追従しやすくなり、自発分極と吸着電荷とがすぐに中和し、劣化のない異極像結晶体から生じる電界は弱くなるが、温度変化が速い状態では、熱処理時において、吸着電荷が劣化のない異極像結晶体の自発分極に追従できなくなるため、自発分極と吸着電荷の中和が起こりにくくなり、劣化のない異極像結晶体から生じる電界は強くなるということに起因する。しかしながら、温度変化が遅い状態でも、約６０Ｋ／ｈの温度変化の熱処理であれば、自発分極と吸着電荷の中和が起こりにくく、劣化した異極像結晶体の分極反転を起こすことが可能となる。
また、上記実施例において、熱処理を行うために、電気炉を用いたが、これに限定されるものではなく、例えば、ペルチェ素子やヒータなどの様々な温度昇降手段を用いることができる。
また、上記実験例において、直方体形状の劣化のない異極像結晶体（縦ａ＝１０ｍｍ、横ｂ＝１０ｍｍ、厚さｄ＝５ｍｍ）を使用したが、これに限定されるものではなく、様々な形状およびサイズの異極像結晶体を使用することができる。
さらに、本実施例７において、中空円筒形状の劣化のない異極像結晶体（貫通孔の直径ｒ＝５ｍｍ、結晶体の直径ｓ＝１０ｍｍ、厚さｄ＝５ｍｍ）を使用したが、これに限定されるものではなく、様々な形状およびサイズの異極像結晶体を使用することができる。
すなわち、本願発明では、劣化のない異極像結晶体の温度昇降によって、劣化のない異極像結晶体から生じる電界の、劣化した異極像結晶体の分極方向成分の強さが、当該劣化した結晶の抗電界の強さを上回る電界を生じさせるような構成であれば、熱処理時における圧力および温度変化の範囲、ならびに、異極像結晶のサイズ、形状、配置および個数等は、何ら限定されない。
【符号の説明】
【００５４】
１  劣化した異極像結晶体
１’  劣化した異極像結晶体
２  劣化のない異極像結晶体
２ａ、２ｂ  劣化のない異極像結晶体
３  吸着正電荷
３ａ、３ｂ  吸着正電荷
４  吸着負電荷
４ａ、４ｂ  吸着負電荷
５  貫通孔
６  異極像結晶体
７  吸着正電荷
８  吸着負電荷
ＥＮ  劣化した異極像結晶体１の内部電界
ＥＮ’  劣化した異極像結晶体１’の内部電界
ＥＴ  劣化のない異極像結晶体２の外部電界
ＥＴ’  劣化のない異極像結晶体２の外部電界
ＥＴａ  劣化のない異極像結晶体２ａの外部電界
ＥＴｂ  劣化のない異極像結晶体２ｂの外部電界
Ｐ  劣化した異極像結晶体１の分極
Ｐ’  劣化した異極像結晶体１の分極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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