(57)【要約】【課題】パターン形成能、ドライエッチング耐性及びウェットプロセス耐性と、無機基板等の無機層への接着性とを兼ね備えたインプリントリソグラフィによるパターン形成用光硬化性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】１分子中に水酸基を１個のみ有しカルボキシル基を有さない光重合性化合物（ａ1）及び１分子中にカルボキシル基を１個のみ有し水酸基を有さない光重合性化合物（ａ2）から選択された１種以上からなる光重合性化合物（Ａ）と、水酸基及びカルボキシル基のいずれも有さない光重合性化合物（Ｂ）と、光重合開始剤（Ｃ）とを含有し、光硬化性成分の水酸基及びカルボキシル基の総量が、該光硬化性成分の総量１グラムあたり８×１０−５〜１×１０−３ｍｏｌであるパターン形成用光硬化性組成物とする。【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機層と凹凸のパターンが形成されたモールドとで光硬化性組成物からなる被転写材層を挟み込んで前記モールドの凹凸パターンに前記光硬化性組成物を充填した後、前記被転写材層を露光して光硬化層とし、該光硬化層から前記モールドを離型するパターン形成に用いる光硬化性組成物であって、
前記光硬化性組成物が、１分子中に水酸基を１個のみ有しカルボキシル基を有さない光重合性化合物（ａ1）及び１分子中にカルボキシル基を１個のみ有し水酸基を有さない光重合性化合物（ａ2）から選択された１種以上からなる光重合性化合物（Ａ）と、水酸基及びカルボキシル基のいずれも有さない光重合性化合物（Ｂ）と、光重合開始剤（Ｃ）とを含有し、光硬化性成分の水酸基及びカルボキシル基の総量が、該光硬化性成分の総量１グラムあたり８×１０−５〜１×１０−３ｍｏｌであることを特徴とするパターン形成用光硬化性組成物。
【請求項２】
前記光重合性化合物（Ａ）は、１分子中に光重合性基を２個以上有するものであることを特徴とする請求項１に記載のパターン形成用光硬化性組成物。
【請求項３】
前記光重合性化合物（Ａ）が下記式（１）で表されるものであることを特徴とする請求項２に記載のパターン形成用光硬化性組成物。
【化１】
2010157613.tif 000007
（Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ｘは、直鎖もしくは分岐の炭素数１〜１０のアルキレン基、又は、−（ＯＲ３）ｍ−で表され直鎖もしくは分岐の炭素数２〜５のオキシアルキレン基から選択される少なくとも１種の連鎖であり、ｍは０〜６である。Ｙは、直鎖もしくは分岐の炭素数１〜１０のアルキレン基、又は、−（Ｒ４Ｏ）ｎ−で表され直鎖もしくは分岐の炭素数２〜５のオキシアルキレン基から選択される少なくとも１種の連鎖であり、ｎは０〜６である。ここで、−（ＯＲ３）ｍ−及び−（Ｒ４Ｏ）ｎ−は、それぞれ単一のオキシアルキレン基の連鎖でも２種以上のオキシアルキレン基の連鎖でもよく、また、その連鎖形式もブロックでもランダムでもよい。）
【請求項４】
前記光硬化性組成物を露光して得られる光硬化層の２３℃における吸水率が５質量％以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のパターン形成用光硬化性組成物。
【請求項５】
無機層と、凹凸のパターンが形成されたモールドとで請求項１〜４のいずれかに記載のパターン形成用光硬化性組成物からなる被転写材層を挟み込んで前記モールドの凹凸パターンに前記パターン形成用光硬化性組成物を充填する充填工程と、前記被転写材層を露光して光硬化層とする光硬化工程と、該光硬化層から前記モールドを離型する離型工程とを有することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項６】
前記離型工程後に前記モールドの凹凸パターンが転写された前記光硬化層の凹部の残膜を除去して該凹部に前記無機層の表面を露出させる残膜除去工程と、該残膜除去工程後に前記光硬化層を湿式処理液に浸漬する浸漬工程とを有することを特徴とする請求項５に記載のパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は無機基板等の無機層上にインプリントリソグラフィによりパターンを形成する際に使用するパターン形成用光硬化性組成物及びそれを用いたパターン形成方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の高密度化、高速化に伴い集積回路のパターン線幅が縮小されているため、微細なパターンを製造できる技術が求められている。微細なパターンの形成方法として、ナノインプリントリソグラフィが注目されている。ナノインプリントリソグラフィとは、微細な凹凸パターンを有するモールドを基板上等に設けられた被転写材に押し付けることによって被転写材をモールドの凹凸パターンに充填した後、モールドを被転写材から離型することにより、基板上等に設けられた被転写材にパターンを形成するものである（特許文献１等参照）。そして、この被転写材に転写したパターンをマスクとして、基板等をドライエッチングやウェットエッチングしたり、また、基板等及びパターンをメッキ処理することができる。そして、このようなナノインプリントリソグラフィにおいて用いる被転写材として種々の組成物が開発されてきており、例えば、被転写材に転写したパターンをマスクとして基板等をドライエッチングする方法において被転写材として用いる光硬化性組成物として、（メタ）アクリレート、反応性希釈剤、光重合開始剤及びフッ素系界面活性剤から構成される光硬化性組成物が開示されている（特許文献２等参照）。しかしながら、このような光硬化性組成物は、無機基板等の無機層への接着性が低く、当該組成物を硬化させた後の離型工程中に硬化物が該無機層から剥離してしまう等の問題がある。
【特許文献１】米国特許第６３３４９６０号明細書
【特許文献２】特開２００７−８４６２５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ここで、無機基板等の無機層への接着性を向上させることを目的として、水酸基等の極性官能基やラクトン構造（‐Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−）を有する化合物を組成物中に導入することが考えられる。
【０００４】
しかしながら、極性官能基やラクトン構造を有する化合物を導入することにより、光硬化性組成物のパターン形成能、ドライエッチング耐性及びメッキ液耐性等のウェットプロセス耐性が低下するという問題が生じる。なお、このような問題は、ナノインプリントリソグラフィに限定されず、ナノインプリントリソグラフィよりもパターンサイズの大きい場合においても存在する。
【０００５】
本発明は、このような事情に鑑み、パターン形成能、ドライエッチング耐性及びウェットプロセス耐性と、無機基板等の無機層への接着性とを兼ね備えたインプリントリソグラフィによるパターン形成用光硬化性組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者等は、上記課題を解決するために種々検討した結果、１分子中に水酸基を１個のみ有しカルボキシル基を有さない光重合性化合物（ａ1）及び１分子中にカルボキシル基を１個のみ有し水酸基を有さない光重合性化合物（ａ2）から選択された１種以上からなる光重合性化合物（Ａ）と、水酸基及びカルボキシル基のいずれも有さない光重合性化合物（Ｂ）と、光重合開始剤（Ｃ）とを含有し、光硬化性成分の水酸基及びカルボキシル基の総量が、該光硬化性成分の総量１グラムあたり８×１０−５〜１×１０−３ｍｏｌであるという構成の光硬化性組成物によれば、上記課題を解決することができることを見出し、本発明に到達した。
【０００７】
かかる本発明の第１の態様は、無機層と凹凸のパターンが形成されたモールドとで光硬化性組成物からなる被転写材層を挟み込んで前記モールドの凹凸パターンに前記光硬化性組成物を充填した後、前記被転写材層を露光して光硬化層とし、該光硬化層から前記モールドを離型するパターン形成に用いる光硬化性組成物であって、前記光硬化性組成物が、１分子中に水酸基を１個のみ有しカルボキシル基を有さない光重合性化合物（ａ1）及び１分子中にカルボキシル基を１個のみ有し水酸基を有さない光重合性化合物（ａ2）から選択された１種以上からなる光重合性化合物（Ａ）と、水酸基及びカルボキシル基のいずれも有さない光重合性化合物（Ｂ）と、光重合開始剤（Ｃ）とを含有し、光硬化性成分の水酸基及びカルボキシル基の総量が、該光硬化性成分の総量１グラムあたり８×１０−５〜１×１０−３ｍｏｌであることを特徴とするパターン形成用光硬化性組成物にある。
【０００８】
本発明の第２の態様は、前記光重合性化合物（Ａ）は、１分子中に光重合性基を２個以上有するものであることを特徴とする第１の態様に記載のパターン形成用光硬化性組成物にある。
【０００９】
本発明の第３の態様は、前記光重合性化合物（Ａ）が下記式（１）で表されるものであることを特徴とする第２の態様に記載のパターン形成用光硬化性組成物にある。
【００１０】
【化１】
2010157613.tif 000002
（Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子又はメチル基を表す。Ｘは、直鎖もしくは分岐の炭素数１〜１０のアルキレン基、又は、−（ＯＲ３）ｍ−で表され直鎖もしくは分岐の炭素数２〜５のオキシアルキレン基から選択される少なくとも１種の連鎖であり、ｍは０〜６である。Ｙは、直鎖もしくは分岐の炭素数１〜１０のアルキレン基、又は、−（Ｒ４Ｏ）ｎ−で表され直鎖もしくは分岐の炭素数２〜５のオキシアルキレン基から選択される少なくとも１種の連鎖であり、ｎは０〜６である。ここで、−（ＯＲ３）ｍ−及び−（Ｒ４Ｏ）ｎ−は、それぞれ単一のオキシアルキレン基の連鎖でも２種以上のオキシアルキレン基の連鎖でもよく、また、その連鎖形式もブロックでもランダムでもよい。）
【００１１】
本発明の第４の態様は、前記光硬化性組成物を露光して得られる光硬化層の２３℃における吸水率が５質量％以下であることを特徴とする第１〜３のいずれかの態様に記載のパターン形成用光硬化性組成物にある。
【００１２】
本発明の第５の態様は、無機層と、凹凸のパターンが形成されたモールドとで第１〜４のいずれかの態様に記載のパターン形成用光硬化性組成物からなる被転写材層を挟み込んで前記モールドの凹凸パターンに前記パターン形成用光硬化性組成物を充填する充填工程と、前記被転写材層を露光して光硬化層とする光硬化工程と、該光硬化層から前記モールドを離型する離型工程とを有することを特徴とするパターン形成方法にある。
【００１３】
本発明の第６の態様は、前記離型工程後に前記モールドの凹凸パターンが転写された前記光硬化層の凹部の残膜を除去して該凹部に前記無機層の表面を露出させる残膜除去工程と、該残膜除去工程後に前記光硬化層を湿式処理液に浸漬する浸漬工程とを有することを特徴とする第５の態様に記載のパターン形成方法にある。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、１分子中に水酸基を１個のみ有しカルボキシル基を有さない光重合性化合物（ａ1）及び１分子中にカルボキシル基を１個のみ有し水酸基を有さない光重合性化合物（ａ2）から選択された１種以上からなる光重合性化合物（Ａ）と、水酸基及びカルボキシル基のいずれも有さない光重合性化合物（Ｂ）と、光重合開始剤（Ｃ）とを含有し、光硬化性成分の水酸基及びカルボキシル基の総量が、該光硬化性成分の総量１グラムあたり８×１０−５〜１×１０−３ｍｏｌであるという構成にすることにより、パターン形成能、ドライエッチング耐性及びウェットプロセス耐性と、無機基板等の無機層への接着性とを兼ね備えたインプリントリソグラフィによるパターン形成用光硬化性組成物を提供することができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明をさらに詳細に説明する。
本発明のパターン形成用光硬化性組成物は、無機層上にパターンを形成するインプリントリソグラフィ、すなわち、無機層と凹凸のパターンが形成されたモールドとで光硬化性組成物からなる被転写材層を挟み込んでモールドの凹凸パターンに光硬化性組成物を充填した後、被転写材層を露光して光硬化層とし、該光硬化層からモールドを離型するパターン形成に用いられるものであり、１分子中に水酸基を１個のみ有しカルボキシル基を有さない光重合性化合物（ａ1）及び１分子中にカルボキシル基を１個のみ有し水酸基を有さない光重合性化合物（ａ2）から選択された１種以上からなる光重合性化合物（Ａ）と、水酸基及びカルボキシル基のいずれも有さない光重合性化合物（Ｂ）と、光重合開始剤（Ｃ）とを含有し、光硬化性成分の水酸基及びカルボキシル基の総量が、該光硬化性成分の総量１グラムあたり８×１０−５〜１×１０−３ｍｏｌである。
【００１６】
光重合性化合物とは、光重合性基、換言すればラジカル重合性基又はカチオン重合性基を有する化合物をいう。ラジカル重合性基の例としては、アクリロイル基、メタアクリロイル基、ビニル基、アリル基及びスチリル基等が挙げられる。カチオン重合性基の例としては、エポキシ基、ビニルエーテル基、オキセタニル基等が挙げられる。光重合性基を有する化合物は単独で又は２種以上を組み合わせて含有されていてもよい。このような光重合性化合物は後述する光重合開始剤（Ｃ）によって光重合することにより光硬化層となる。
【００１７】
そして、本発明のパターン形成用光硬化性組成物が含有する光重合性化合物（Ａ）は、１分子中に水酸基を１個のみ有しカルボキシル基を有さない光重合性化合物（ａ1）及び１分子中にカルボキシル基を１個のみ有し水酸基を有さない光重合性化合物（ａ2）から選択された１種以上である。光重合性化合物（ａ1）と光重合性化合物（ａ2）とは、単独で又は２種類以上を組み合わせて含有されていてもよい。また、光重合性化合物（Ａ）は、パターン形成能の観点から、２５℃における粘度が２００ｍＰａ・ｓ以下のものであることが好ましく、さらに好ましくは１００ｍＰａ・ｓ以下のものである。
【００１８】
なお、本発明のパターン形成用組成物には、１分子中に水酸基を２個以上有しカルボキシル基を有さない光重合性化合物、１分子中にカルボキシル基を２個以上有し水酸基を有さない光重合性化合物、及び１分子中に水酸基及びカルボキシル基の両者を有する光重合性化合物から選択された１種以上の光重合性化合物（Ｔ）が、実質的に含有されていないことが極めて好ましく、光重合性化合物（Ｔ）が含有されていたとしても本発明のパターン形成用光硬化性組成物による効果に悪影響を与えない程度に少量である。具体的には、光重合性化合物（Ｔ）の含有量は、光重合性化合物（Ｔ）が有する水酸基及びカルボキシル基の総量が光硬化性成分の総量１グラムあたり５×１０−４ｍｏｌを超えない範囲であって、かつ光重合性化合物（Ａ）が有する水酸基やカルボキシル基の総量を超えない範囲であることが好ましい。光重合性化合物（Ａ）と光重合性化合物（Ｔ）の配合割合は、Ａｘ：Ｔｙ＝１００：０〜５０：５０（モル比）（Ａｘ；光重合性化合物（Ａ）に含まれる水酸基及びカルボキシル基のモル量、Ｔｙ；光重合性化合物（Ｔ）に含まれる水酸基及びカルボキシル基のモル量）を満足するような割合であることが好ましい。
【００１９】
１分子中に光重合性基を１個のみ有する光重合性化合物（Ａ）としては、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、シクロヘキサンジメタノールモノ（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート類、アルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート類、ポリアルキレングリコールモノ（メタ）アクリレート類、（メタ）アクリル酸、２−（メタ）アクリロイロキシアルキルコハク酸類、２−（メタ）アクリロイロキシアルキルヘキサヒドロフタル酸類、２−（メタ）アクリロイロキシアルキルフタレート類、ヒドロキシスチレン等が挙げられる。また、１分子中に光重合性基を２個以上有する光重合性化合物（Ａ）としては、上記式（１）で表される化合物、すなわちグリセリンジ（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−アクリロイルキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールグリシジルエーテルの（メタ）アクリル酸付加物、ポリプロピレングリコールグリシジルエーテルの（メタ）アクリル酸付加物、ポリテトラエチレングリコールグリシジルエーテルの（メタ）アクリル酸付加物、ポリエチレングリコール−ポリプロピレングリコールグリシジルエーテルの（メタ）アクリル酸付加物や、ジメタクリロイロキシエチルアシッドホスフェート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、アルキルオキシレン変性ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート等が挙げられる。なお、上記式（１）で表される化合物は、Ｘが直鎖もしくは分岐の炭素数１〜９のアルキレン基、又は、−（ＯＲ３）ｍ−で表され直鎖もしくは分岐の炭素数２〜４のオキシアルキレン基から選択される少なくとも１種の連鎖であり、Ｙが直鎖もしくは分岐の炭素数１〜９のアルキレン基、又は、−（Ｒ４Ｏ）ｎ−で表され直鎖もしくは分岐の炭素数２〜４のオキシアルキレン基から選択される少なくとも１種の連鎖であって、かつｍ＋ｎが０〜６であることが好ましい。分子の大きさが大きくなることによる粘度上昇等の問題が確実に生じないためである。
【００２０】
ここで、光重合性化合物（Ａ）は、１分子中に光重合性基を２個以上有する光重合性化合物であることが好ましい。１分子中に光重合性基を２個以上有すると、光重合性化合物（Ａ）は架橋剤として働くので、光硬化性が良好になるためである。その中でも、光重合性化合物（Ａ）として上記式（１）で表される化合物が含有されていると、低粘度であり、光硬化性及び無機基板等の無機層への接着性が特に良好なパターン形成用光硬化性組成物となる。
【００２１】
また、本発明のパターン形成用光硬化性組成物に含有されている光重合性化合物（Ｂ）は、水酸基及びカルボキシル基のいずれも有さない光重合性化合物である。光重合性化合物（Ｂ）は、単独で又は２種類以上を組み合わせて含有されていてもよい。この光重合性化合物（Ｂ）は、水酸基及びカルボキシル基のいずれでもない極性基（例えばアミノ基）やラクトン構造、アミド構造、酸素原子、窒素原子を含まないことが好ましい。さらに、光重合性化合物（Ｂ）は、芳香環や、脂環式骨格を有しているものが好ましい。芳香環や脂環式骨格を有することにより、パターン形成用光硬化性組成物を光硬化させて得られる硬化物のドライエッチング耐性やウェットプロセス耐性、機械的強度等が向上するからである。
【００２２】
光重合開始剤（Ｃ）とは、光の照射により、上記光重合性化合物（Ａ）及び光重合性化合物（Ｂ）の重合を開始させることができるラジカル、カチオン等の活性種を発生する化合物をいう。光重合開始剤は、ラジカル重合開始剤とカチオン重合開始剤とに分類できる。ラジカル重合開始剤の例としては、ベンゾフェノン、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシアルキルフェノン類、α−アミノアルキルフェノン類、アシルフォスフィンオキサイド類、チタノセン類及びオキシムエステル類、トリハロメチルトリアジン類、その他トリハロメチル基を有する化合物等が挙げられる。カチオン重合開始剤の例としては、芳香族スルホニウム塩及び芳香族ヨードニウム塩等が挙げられる。重合開始剤は単独で又は２種以上を組み合わせて含有されていてもよく、また、ラジカル重合開始剤とカチオン重合開始剤とが併用されていてもよい。さらに、光重合開始剤と共に増感剤を用いてもよい。
【００２３】
また、本発明のパターン形成用光硬化性組成物は、その効果に悪影響を及ぼさない範囲で非光硬化性オリゴマーや非光硬化性ポリマー、密着性付与剤（例えば、シランカップリング剤等）、有機溶剤、レベリング剤、可塑剤、充填剤、消泡剤、難燃剤、安定剤、酸化防止剤、香料、熱架橋剤、及び重合禁止剤等の添加物が含有されていてもよい。なお、これらは、単独で又は２種類以上を組み合わせて含有されていてもよい。
【００２４】
そして、本発明のパターン形成用光硬化性組成物は、該パターン形成用光硬化性組成物に含有される光硬化性成分が有する水酸基やカルボキシル基の総量が、光硬化性成分の総量１グラムあたり８×１０−５〜１×１０−３ｍｏｌである。このように、光重合性化合物（Ａ）と光重合性化合物（Ｂ）と光重合開始剤（Ｃ）とを含有し、光硬化性成分の水酸基及びカルボキシル基の総量を、光硬化性成分の総量１グラムあたり８×１０−５〜１×１０−３ｍｏｌとすることにより、無機基板等の無機表面を有する基板（無機層）への接着性が良好になる。なお、光硬化性成分とは、露光により反応して硬化する成分をいい、光重合性化合物（Ａ）、光重合性化合物（Ｂ）及び光重合開始剤（Ｃ）、その他光重合性化合物（Ｔ）が該当し、光硬化しない有機溶剤等は該当しない。
【００２５】
そして、このように特定の構成成分を含有し、水酸基及びカルボキシル基の含有量が特定の範囲である本発明のパターン形成用光硬化性組成物の粘度は低く転写性やスループット特性が良好である。本発明のパターン形成用光硬化性組成物の粘度は、好ましくは２５℃で３０ｍＰａ・ｓ以下、さらに好ましくは２５ｍＰａ・ｓ以下である。この粘度範囲においてはモールドへの充填速度や、転写性等が良好でパターン形成能に特に優れる。粘度の測定方法としては、例えば、ＴＯＫＩＭＥＣ社製のＢ型粘度計を用いて測定する方法が挙げられる。
【００２６】
さらに、本発明のパターン形成用光硬化性組成物はドライエッチング耐性が良好であり、通常、大西パラメーターＮｔｏｔａｌ／（Ｎｃ−Ｎｏ）（Ｎｔｏｔａｌ；光硬化性組成物中の総原子数、Ｎｃ；光硬化性組成物中の炭素原子数、Ｎｏ；光硬化性組成物中の酸素原子数）の値が４．０未満である。また、該パターン形成用光硬化性組成物はウェットプロセス耐性が良好、すなわちウェットエッチング液や湿式メッキ処理等の湿式処理液に対する耐性が良好であり、パターン剥がれ、変形等を生じ難い。該パターン形成用光硬化性組成物を露光して得られる光硬化層の２３℃における吸水率は、通常５質量％以下である。なお、吸水率は、パターン形成用光硬化性組成物を５Ｊ／ｃｍ２の光で露光し、厚さ０．７〜１．０ｍｍの光硬化物片とした質量Ｗ１と、この光硬化物片を２３℃で２週間純水に浸漬させた後の質量Ｗ２から下記式により求められる値である。
吸水率（質量％）＝［（Ｗ２−Ｗ１）／Ｗ１］×１００
【００２７】
なお、本発明のパターン形成用光硬化性組成物は、含有される光硬化性成分が有する水酸基やカルボキシル基の総量が、光硬化性成分の総量１グラムあたり８×１０−５〜１×１０−３ｍｏｌであればよいが、水酸基及びカルボキシル基の総量が１×１０−４〜５×１０−４ｍｏｌの範囲では、無機層への接着性が良好で、かつドライエッチング耐性やウェットエッチング耐性が特に良好であるため好ましい。
【００２８】
また、本発明のパターン形成用光硬化性組成物は、含有される水酸基及びカルボキシル基の総量がより多い方が接着性の点では好ましいが、水酸基やカルボキシル基の総量が光硬化性成分の総量１グラムあたり５×１０−４より多く１×１０−３ｍｏｌ以下である場合には、光硬化性の点から、光重合性化合物（Ａ）として１分子中に光重合性基を２個以上有するものを用いることが望ましい。その際、光重合性化合物（Ａ）が１分子中に光重合性基を２個以上有するもののみであると、硬化性が特に優れたものになるため好ましい。また、１分子中に光重合性基を２個以上有するものと１分子中に光重合性基を１個のみ有するものとの混合物とした場合であっても、該１分子中に光重合性基を１個のみ有するもの由来の水酸基やカルボキシル基の総量が光硬化性成分の総量１グラムあたり５×１０−４ｍｏｌ以下となるようにすれば、硬化性が特に優れたものとなる。
【００２９】
各成分の配合割合は、光硬化性成分が有する水酸基やカルボキシル基の総量が、光硬化性成分の総量１グラムあたり８×１０−５〜１×１０−３ｍｏｌとなる範囲であれば特に限定されないが、溶剤以外の成分の総量に対して、光重合性化合物（Ａ）が１〜３５質量％、光重合性化合物（Ｂ）が５０〜９９質量％、光重合開始剤（Ｃ）が０．１〜２０質量％であることが好ましい。光重合性化合物（Ａ）が１質量％未満であると無機層への接着性が不足し、３５質量％を超えるとドライエッチング耐性及びウェットプロセス耐性が低下する傾向がある。また、光重合性化合物（Ｂ）が５０質量％未満であるとドライエッチング耐性及びウェットプロセス耐性が不足し、９９質量％を超えると無機層への接着性が不足する傾向がある。また、光重合開始剤（Ｃ）が０．１質量％未満であると光硬化性が不足し、２０質量％を超えると成膜性が低下する傾向がある。また、このような配合の組成物を、例えば溶剤の割合が１０〜９９質量％程度となるように溶剤で希釈したパターン形成用光硬化性組成物としてもよい。なお、溶剤とは、通常の光インプリントリソグラフィ用の光硬化性組成物を希釈する場合に用いられる有機溶剤等であり、実質的に光硬化層に残存しない成分である。
【００３０】
本発明のパターン形成方法は、無機層と凹凸のパターンが形成されたモールドとで、上記本発明のパターン形成用光硬化性組成物からなる被転写材層を挟み込んでモールドの凹凸パターンにパターン形成用光硬化性組成物を充填する充填工程と、被転写材層を露光して光硬化層とする光硬化工程と、該光硬化層からモールドを離型する離型工程とを有する。
【００３１】
具体的には、まず、図１（ａ）に示すように、少なくとも一方が透明な無機層１及び凹凸のパターンが形成されたモールド３を用意し、本発明のパターン形成用光硬化性組成物からなる被転写材層２を無機層１上に形成すると共に、図１（ｂ）に示すように無機層１とモールド３とで被転写材層２を挟み込んでモールド３の凹凸パターンにパターン形成用光硬化性組成物を充填する（充填工程）。なお、図１では無機層１上に被転写材層２を形成したものを記載したが、被転写材層２はモールド３上に設けてもよく、また、無機層１とモールド３との両方に設けてもよい。
【００３２】
モールド３は、表面に所望の凹凸のパターンが形成されていればよい。モールド３の材質の例としては、石英ガラス、合成樹脂等の透明なものの他、シリコン、シリコンカーバイド、酸化シリコン、ニッケル等の金属や金属酸化物等の光を透過しないものも挙げられる。モールド３の外観は、通常の光インプリントリソグラフィにおいて用いられているモールド３の外観と同様のものでよく、例えば外観が直方体状又はロール状でよい。
【００３３】
また、モールド３表面に形成されている凹凸のパターンは、通常の光インプリントリソグラフィにおいて用いられているモールド３の表面に形成されている凹凸のパターンと同様のものであってよいが、それに限定されるものでない。例えば、モールドの材料の表面に窪みを形成することにより凹部を形成したモールド３としてもよく、この場合、相対的に表面側に突出した部分が凸部となる。また、モールド３の材料の表面に突起を設けることにより凸部を形成したモールド３としてもよく、この場合、相対的に内側に窪んだ部分が凹部となる。さらに、原盤の材料の表面に窪みまたは突起を設けることにより形成した凹凸パターンを有する原盤を用い、この原盤を鋳型として形成したモールド３としてもよい。凹凸のパターンの各凹部の断面の形状は、正方形、長方形、半月形、またはそれら形状に類似した形状等でもよく、各凹部は、例えば、深さが１ｎｍ〜１００μｍ程度、開口部の幅が１ｎｍ〜１００μｍ程度のものでよい。そして、凹凸のパターンにおける凹部の中心と隣の凹部の中心との最小間隔、または、凸部の中心と隣の凸部の中心との最小間隔が２μｍ以下、さらには１μｍ以下や、アスペクト比が１．０以上の微細な凹凸パターンを有するモールド３を用いるいわゆるナノインプリントリソグラフィでは、後段の離型工程で無機層１から被転写材層２が剥離しやすいが、本発明のパターン形成方法によれば、無機層１との接着性に優れた光硬化層となる上記パターン形成用光硬化性組成物を用いているので上記のような微細な凹凸のパターンを有するモールド３を用いた場合であっても、無機層１からの被転写材層２の剥離を抑制できる。ここで、本明細書において、アスペクト比とは、凹凸のパターンにおいて凹部又は凸部の直径もしくは最小の１辺の長さをｘ、凹部の深さ又は凸部の高さをｙとしたときのｙ／ｘを表す。また、凹部の中心と隣の凹部の中心との最小間隔は、図１（ａ）のモールド３では、Ｐで示されている。なお、図１（ａ）に示すモールド３の凹凸のパターンにおいては、凹部の中心と隣の凹部の中心との間隔がいずれの凹部についても等しい、言い換えれば凹部が等間隔で設けられ、また、凸部についても同様に等間隔で設けられており、凹部の中心と隣の凹部の中心との間隔がいずれの凹部についても等しい。
【００３４】
また、モールド３は、離型性を良好にするために、モールド３の表面に、離型処理が施されていてもよい。離型処理は気相法や液相法等により、パーフルオロ系又は炭化水素系の高分子化合物、アルコキシシラン化合物又はトリクロロシラン化合物、ダイヤモンドライクカーボン等に例示される公知の離型処理剤を用いて行うことができる。
【００３５】
無機層１とは、少なくとも被転写材層２が設けられる側の表面が無機材質で構成されている層をいい、無機材質の基板や、蒸着法、スパッタ法等により表面に金属薄膜を形成する等、表面に無機材質の層を形成した基板等が挙げられる。該無機材質としては、ガラス、石英、シリコン、金属、金属酸化物、金属窒化物等が挙げられる。ここで、本発明においては上記パターン形成用光硬化性組成物を用いているので、無機層１と被転写材層２との接着性は良好であるが、接着性をさらに良好にするためや被転写材層２の塗布状態改良等のために、無機層１の表面は、前処理が施されていてもよい。前処理の具体例としては、湿式の表面洗浄やプラズマ、オゾン洗浄等による表面改質、シランカップリング剤のような接着性向上剤による処理等が挙げられる。
【００３６】
無機層１又はモールド３に被転写材層２を形成する方法は特に限定されず、例えば、必要に応じ溶剤等で希釈した被転写材（パターン形成用光硬化性組成物）の塗布や滴下、具体的には、スピンコート、ロールコート、ディップコート、グラビアコート、ダイコート、カーテンコート、インクジェット塗布及びディスペンサー塗布等が挙げられる。
【００３７】
被転写材層２の厚さは、モールド３に形成された凹凸のパターンの凹部に充填される光硬化性組成物の量、例えば凹凸のパターンの凹部の深さ等を考慮して設定すればよい。また、モールド３や無機層１の全面を覆うように被転写材層２を設けてもよく、一部のみを覆うように設けてもよい。
【００３８】
このように、無機層１又はモールド３に光硬化性組成物からなる被転写材層２を形成した後、無機層１とモールド３とを対向させて、図１（ｂ）に示すように、被転写材層２とモールド３の凹凸のパターンが形成された面を接触させて、モールド３の凹凸パターンに被転写材を充填する。被転写材層２とモールド３とを共に水平に保って被転写材層２とモールド３とを接触させることが好ましいが、得られるパターンに支障が生じなければ、水平に保つことに限定する必要はない。また、接触させる際に、必要に応じて、０．０１〜１０ＭＰａ程度の力をかけてもよい。なお、従来の光インプリントリソグラフィにおける装置を用いることができる。
【００３９】
次いで、被転写材層２とモールド３とを接触させてモールド３の凹凸パターンを被転写材に充填した状態で被転写材層２を露光し、硬化させて光硬化層とする（光硬化工程）。
【００４０】
露光に用いる光源は、光硬化性組成物が硬化する波長の光を照射できるものであればよい。光源の例としては、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、カーボンアーク、水銀キセノンランプ、ＸｅＣｌ、ＫｒＦやＡｒＦ等のエキシマーレーザ、紫外あるいは可視光レーザー、及び紫外あるいは可視光ＬＥＤ等が挙げられる。光の照射量は、被転写材層２を硬化させることができる量であればよい。本発明を工業的に実施する際には、通常、１０Ｊ／ｃｍ２以下の範囲内で照射量を選定するとよい。なお、無機層１及びモールド３のうち、照射する光に対して実質的に透明である部材の側から被転写材層２に光を照射する。
【００４１】
次いで、図１（ｃ）に示すように、被転写材層２からモールド３を離型することにより、モールド３の凹凸パターンが被転写材層２に転写されたものを無機層１上に形成することができる（離型工程）。本発明のパターン形成方法によれば、無機層１との接着性が良好な光硬化性組成物を用いているため、離型工程で被転写材層２が無機層１から剥がれることが皆無かそれに極めて近い。なお、離型する際には、無機層とモールドとを共に水平に保って離型することが好ましいが、水平に保つことに限定する必要はない。
【００４２】
離型工程の後、図１（ｄ）に示すように、この被転写材層２をマスクとして無機層１をエッチングしてもよい。エッチング方法に特に限定は無く通常の方法で行えばよい。例えば無機層１がシリコンや化合物半導体である場合には、ドライエッチングであればＳＦ６，Ｃ３Ｆ８，ＣＦ４，Ｃ２Ｈ６，Ｃｌ２等のハロゲン系ガス等でエッチングすればよく、また、ウェットエッチングであれば、被転写材層２が設けられた無機層１をアルカリ性のウェットエッチング液等に浸漬等すればよい。被転写材層２がドライエッチングガスやウェットエッチング液に耐性がなく変形してしまうと所望のパターンを有する無機層１を得ることはできないが、本発明のパターン形成方法によれば、ドライエッチング耐性及びウェットプロセス耐性に優れた光硬化性組成物を用いているため、該光硬化性組成物の光硬化物をマスクとして、基板等の無機層１を良好にエッチングすることができる。エッチング後は、必要に応じて、図１（ｅ）に示すように、アッシング等で被転写材層２を除去すればよい。
【００４３】
また、離型工程の後に、図１（ｆ）に示すように、無機層１や被転写材層２をメッキ処理してメッキ層４を設けることもできる。メッキ処理に特に限定は無く通常の方法で行えばよく、例えば、湿式メッキ処理であれば電解メッキや無電解メッキ、また、乾式メッキ処理であれば、蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等によりＡｌ，Ｔｉ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｕ等の金属薄膜を被転写材層２上に設けるようにすればよい。特に湿式メッキ処理の場合、被転写材層２が湿式メッキ処理に耐性がなく変形してしまうと所望のメッキ処理ができないが、本発明のパターン形成方法においては、ウェットプロセス耐性に優れた光硬化性組成物を用いているため、良好にメッキ処理をすることができる。メッキ処理後は、必要に応じて、図１（ｇ）に示すようにメッキ層４を被転写材層２から離型すればよい。なお、エッチング後にメッキ処理をしてもよい。
【００４４】
ここで、上記離型工程（図２（ａ））の後、図２（ｂ）に示すように、モールド３の凹凸パターンが転写された被転写材層（光硬化層）２の凹部の残膜を除去して該凹部に無機層１の表面を露出させるようにしてもよい（残膜除去工程）。インプリント法では、被転写材層２の凹部に残膜が生じやすいが、被転写材層（光硬化層）２の凹部の残膜を除去することにより、より精密なエッチングが可能となり、また、無機層１上に直接メッキ層４を設けることができるという効果を奏する。残膜除去工程を行う場合、残膜の厚さ（図２（ａ）中ａと表記）は被転写材層２の凸部の高さ（図１（ａ）中ｂと表記）よりも薄い必要がある。凹部の残膜を除去する方法としては、酸素プラズマエッチング等が挙げられる。なお、上記エッチング処理が、残膜除去工程を兼ねていてもよい。残膜除去工程後は、上記ウェットエッチング液や湿式メッキ処理等の湿式処理液に浸漬する浸漬工程や、ドライエッチングや乾式メッキ処理を行ってもよい。例えば、残膜除去工程（図２（ｂ））の後、図２（ｃ）に示すように、凹部の残膜が除去された被転写材層２をマスクとして無機層１をエッチングし、その後、必要に応じて、図２（ｄ）に示すように、アッシング等で被転写材層２を除去する。また、残膜除去工程（図２（ｂ））の後、図２（ｅ）に示すように、無機層１や被転写材層２をメッキ処理してメッキ層４を設けた後、必要に応じて図２（ｆ）に示すようにメッキ層４を被転写材層２から分離してもよい。また、残膜除去工程（図２（ｂ））の後、図２（ｇ）に示すように無機層１上にメッキ処理によりメッキ層４を設け、必要に応じて図２（ｈ）に示すようにアッシング等で被転写材層２を除去して無機層１とメッキ層４との複合体としてもよい。さらに、残膜除去工程（図２（ｂ））の後、図２（ｉ）に示すように、無機層１や被転写材層２上に薄膜のメッキ層４を設けた後、被転写材層２及び該被転写材層２上のメッキ層４を、酸性又はアルカリ性の水溶液系のレジスト剥離液や、有機溶剤系のレジスト剥離液等でリフトオフして除去し、無機層１とメッキ層４との複合体としてもよい（図２（ｈ））。
【実施例】
【００４５】
以下、実施例を示して本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００４６】
（実施例１）
（光硬化性組成物の調製）
光重合性化合物（Ａ）としてグリセリンジメタクリレートを２質量部、光重合性化合物（Ｂ）としてフェノキシエチルアクリレートを７０質量部、ノニルフェノール−テトラエチレンオキシド付加物のモノアクリル酸エステルを１３質量部およびトリメチロールプロパントリアクリレートを１５質量部、光重合開始剤（Ｃ）としてベンジルジメチルケタール２質量部を秤量し、それらを混合して均一になるまで室温で攪拌して光硬化性組成物を調製した。この光硬化性組成物の水酸基の総量は、光硬化性成分１グラムあたり８．６×１０−５モルであり、光硬化性組成物の２５℃における粘度は１９ｍＰａ・ｓであった。なお、この光硬化性組成物はカルボキシル基を含有しない。光硬化性組成物の粘度はＴＯＫＩＭＥＣ製のＢＬ型粘度計で２５℃における値を測定した。結果を表１に示す。
【００４７】
（モールドの離型処理）
高さ約１８０ｎｍ、幅１００〜５００ｎｍのラインパターンを有する１インチ角の石英モールドを純水で洗浄後、ＵＶオゾンクリーナーで３０分間処理した。これを１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルトリメトキシシランの１質量％フルオロエーテル（Ｃ４Ｆ９ＯＣＨ３）溶液に浸漬し、引き上げた後、室温、常圧で一昼夜放置し乾燥させた。これをハイドロフルオロエーテルに浸漬して余分な１Ｈ，１Ｈ，２Ｈ，２Ｈ−パーフルオロデシルトリメトキシシランを除き、表面に離型処理を施した石英モールドを得た。
【００４８】
（基板（無機層）への接着性の評価）
調製した光硬化性組成物を、表面に銅／クロム合金をスパッタしたシリコンウェハ上に滴下して被転写材層を設け、銅／クロム合金をスパッタしたシリコンウェハと、高さ約１８０ｎｍ、幅１００〜５００ｎｍのラインパターンを有する１インチ角の離型処理済石英モールドとで光硬化性組成物からなる被転写材層を挟み込み、露光して光硬化層とした。露光量は１０００ｍＪ／ｃｍ２であった。このモールドを離型し、光硬化層が基板側とモールド側のいずれに接着するかを目視で確認した。同様の評価を５回行い、◎：５回とも基板側に樹脂接着、×：１回でもモールド側に樹脂接着、として評価した。結果を表１に示す。表１に示すように、接着性は良好であった。
【００４９】
（硬化性の評価）
石英モールドと同様の方法で離型処理を施した２枚のガラス板で光硬化性組成物からなる被転写材層を挟み込み、１０００ｍＪ／ｃｍ２のＵＶ光で露光した。２枚のガラス板を剥離し、得られた光硬化物の鉛筆硬度をＪＩＳ  Ｋ５６００に準拠した方法で測定し、◎：Ｂ以上、○：２Ｂ〜３Ｂ、×：４Ｂ以下、として評価した。結果を表１に示す。
【００５０】
（光硬化物の吸水率測定）
石英モールドと同様の方法で離型処理を施した２枚のガラス板で光硬化性組成物からなる被転写材層を挟み込み、スペーサーを用いて厚さ０．７〜１．０ｍｍに規定した状態で５Ｊ／ｃｍ２のＵＶ光で露光した。２枚のガラス板を剥離して得られた光硬化物片を室温で１時間減圧乾燥し、質量Ｗ１を測定した。この光硬化物片を２３℃で２週間純水に浸漬させた後取り出して表面の水滴を除去した。この質量Ｗ２を測定し、浸漬前後の質量変化から吸水率を求めた。計算式は以下のとおりである。結果を表１に示す。
吸水率（質量％）＝［（Ｗ２−Ｗ１）／Ｗ１］×１００
【００５１】
（パターン形成能、ドライエッチング、ウェットプロセス耐性の評価）
光硬化性組成物をアセトン等の溶剤で希釈し、シリコンウェハ上に膜厚約２００ｎｍになるようにスピンコートした後、６０℃×１分の加熱乾燥により溶剤を除去し、光硬化性組成物からなる被転写材層を形成した。これに高さ約１８０ｎｍ、幅１００〜５００ｎｍのラインパターンを有する１インチ角の離型処理済石英モールドを接触させ、光硬化性組成物からなる被転写材層を挟み込んでモールドの凹凸パターン内に光硬化性組成物を充填した。約１ＭＰａの圧力をかけながら１Ｊ／ｃｍ２露光した後、モールドを離型してモールド形状が転写された光硬化層を得た。この時の残膜厚は約４０ｎｍであった。
【００５２】
次に酸素を主体とするガスによりブレークスルーエッチングを行い、光硬化層の凹部の残膜を除去して該凹部に銅／クロム合金表面を露出させた。残膜除去はＳＡＭＣＯ製ドライエッチング装置ＲＩＥ１０１ＩＰＨを用い、下記条件で凹部の残膜が消失するまでドライエッチングを行った。残膜除去後、基板上に残存したパターンに線幅の減少や表面荒れが見られるか否かを走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、◎：良好、○：やや表面荒れあり、×：表面荒れ、線幅減少あり、としてドライエッチング耐性を評価した。結果を表１に示す。表１に示すようにドライエッチング耐性は良好であった。
＜エッチング条件＞
酸素ガス流量・・・・５ｍＬ／ｍｉｎ
アルゴンガス流量・・０．５ｍＬ／ｍｉｎ
チャンバー圧力・・・１Ｐａ
バイアス電力・・・・５０Ｗ
【００５３】
次に、残膜除去後の基板を２５℃の電解めっき液に一昼夜浸漬し、銅／クロム合金表面が露出した部分に電解めっきを行った（浸漬工程）。この浸漬工程において、パターンの剥がれや変形の有無を観察し、◎：良好、○：やや膨潤あり、×：膨潤、パターン剥がれあり、としてウェットプロセス耐性を評価した。結果を表１に示す。ウェットプロセス耐性は良好であった。
【００５４】
（実施例２）
表１の実施例２に記載した光硬化性組成物を用いたこと以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。評価結果はいずれも良好であった。
【００５５】
（実施例３）
表１の実施例３に記載した光硬化性組成物を用いたこと以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。評価結果はいずれも良好であった。
【００５６】
（実施例４）
表１の実施例４に記載した光硬化性組成物を用いたこと以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。評価結果はいずれも良好であった。なお、ドライエッチング後に若干の表面荒れが観察されたが、実用上問題ないレベルであった。
【００５７】
（実施例５）
光重合性化合物（Ａ）として、１分子中に水酸基を１個のみ有し、かつ光重合性基を１分子中に２個有するジメタクリロイロキシエチルアシッドホスフェートを用い、表１の実施例５に記載した光硬化性組成物を用いたこと以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。評価結果はいずれも良好であった。
【００５８】
（実施例６）
光重合性化合物（Ａ）として、１分子中に水酸基を１個のみ有し、かつ光重合性基を１個有する２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレートを用い、表１の実施例６に記載した光硬化性組成物を用いたこと以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。評価結果はいずれも良好であった。
【００５９】
（実施例７）
光重合性化合物（Ａ）として、１分子中に水酸基を１個のみ有し、かつ光重合性基を１個有する２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレートを用い、表１の実施例７に記載した光硬化性組成物を用いたこと以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。評価結果はいずれも良好であった。なお、実施例３と異なり、１分子中に光重合性基を２個以上有する光重合性化合物（Ａ）を含有していないので、硬化性が若干低下した。
【００６０】
（実施例８）
光重合性化合物（Ａ）として、１分子中に水酸基を１個のみ有し、かつ１分子中に光重合性基を１個有する２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピルアクリレートを用い、表１の実施例８に記載した光硬化性組成物を用いたこと以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。評価結果はいずれも良好であった。なお、実施例３と異なり、１分子中に光重合性基を２個以上有する光重合性化合物（Ａ）を含有していないので、硬化性が若干低下した。またウェットプロセスにおいて若干のパターンの膨潤が見られたが、剥がれはなくウェットプロセス耐性に問題はなかった。
【００６１】
（実施例９）
光重合性化合物（Ａ）として、１分子中にカルボキシル基を１個のみ有し、かつ１分子中に光重合性基を１個有する２−アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸を用い、表１の実施例９に記載した光硬化性組成物を用いたこと以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。評価結果はいずれも良好であった。
【００６２】
（実施例１０）
光重合性化合物（Ａ）として、１分子中にカルボキシル基を１個のみ有し、かつ１分子中に光重合性基を１個有する２−アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸を用い、表１の実施例１０に記載した光硬化性組成物を用いたこと以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。評価結果はいずれも良好であった。
【００６３】
（実施例１１）
光重合性化合物（Ａ）として、１分子中に水酸基を１個のみ有し、かつ１分子中に光重合性基を２個有するグリセリンジメタクリレートと、１分子中にカルボキシル基を１個のみ有し、かつ１分子中に光重合性基を１個有する２−アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタル酸とを用い、表１の実施例１１に記載した光硬化性組成物を用いたこと以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。評価結果はいずれも良好であった。
【００６４】
（実施例１２）
光重合性化合物（Ａ）として、下記式（ｉ）で表される化合物を用い、表１の実施例１２に記載した光硬化性組成物を用いたこと以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。評価結果はいずれも良好であった。
【００６５】
【化２】
2010157613.tif 000003
【００６６】
（比較例１）
表２の比較例１に記載した光硬化性組成物を用いたこと以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表２に示す。光重合性化合物（Ａ）を含有していないため無機層への接着性が低く、接着性評価においてモールド側への樹脂付着が発生した。
【００６７】
（比較例２）
表２の比較例２に記載した光硬化性組成物を用いたこと以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表２に示す。光重合性化合物（Ａ）の代わりに１分子中に水酸基を２個有する光重合性化合物（商品名：エポキシエステル７０ＰＡ、共栄社化学（株）製）を含有しているため無機層への接着性は良好であったが、光硬化性組成物１グラムあたりの水酸基のモル量が同じ実施例４の場合と比較すると粘度が１０ｍＰａ・ｓ以上高くなり、パターン形成能が悪かった。また光硬化物の吸水率が５質量％を超え、ドライエッチング耐性、ウェットプロセス耐性ともに悪かった。
【００６８】
（比較例３）
表２の比較例３に記載した光硬化性組成物を用いたこと以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表２に示す。光硬化性組成物１グラムあたりの水酸基のモル量が１×１０−３ｍｏｌを超えたため光硬化物の吸水率が５質量％を超え、ドライエッチング耐性、ウェットプロセス耐性ともに悪かった。
【００６９】
（比較例４）
表２の比較例４に記載した光硬化性組成物を用いたこと以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表２に示す。光硬化性組成物１グラムあたりのカルボキシル基のモル量が１×１０−３ｍｏｌを超えたため光硬化物の吸水率が５質量％を超え、ドライエッチング耐性、ウェットプロセス耐性ともに悪かった。また硬化性が若干低下した。
【００７０】
（比較例５）
下記式（ii）で表される化合物を用い、表２の比較例５に記載した光硬化性組成物を用いたこと以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表２に示す。極性官能基を有する式（ii）で表される化合物を含有しているが、光重合性化合物（Ａ）を含有しないため無機層への接着性が不十分であり、硬化性も低下した。また光硬化物の吸水率が５質量％を超え、ウェットプロセス耐性が低下した。
【００７１】
【化３】
2010157613.tif 000004
【００７２】
【表１】
2010157613.tif 000005
【００７３】
【表２】
2010157613.tif 000006
【図面の簡単な説明】
【００７４】
【図１】本発明のパターン形成方法の概略を示す図である。
【図２】本発明のパターン形成方法の概略を示す図である。
【符号の説明】
【００７５】
１  無機層
２  被転写材層
３  モールド
４  メッキ層
【図１】
2010157613.tif 000008
【図２】
2010157613.tif 000009