(57)【要約】【課題】ジャンクションアップ組立を行う半導体レーザ装置において、高速応答性に優れた半導体レーザ装置を実現できるようにする。【解決手段】半導体レーザ装置は、基板１０１上に順次形成され、ｎ型クラッド層１０３、活性層１０５及び上部にリッジ部１０８ａを有するｐ型クラッド層１０８を含む半導体積層体１０５と、該半導体積層体の上に形成され、リッジ部の上面を露出する開口部を有する電流ブロック層１１０と、リッジ部の上面に形成されたオーミック電極と、半導体積層体の上に、オーミック電極と電気的に接続されるように形成されたｐ側電極１１１と、該ｐ側電極の上におけるリッジ部の一側方の領域に形成されたパッド電極とを有している。ｐ側電極は、パッド電極とオーミック電極とを少なくとも２つの電流経路で接続している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に順次形成され、第１導電型の第１クラッド層、活性層及び上部にリッジ部を有する第２導電型の第２クラッド層を含む半導体積層体と、
前記半導体積層体の上に形成され、前記リッジ部の上面を露出する開口部を有する電流ブロック層と、
前記リッジ部の上面に形成されたオーミック電極と、
前記半導体積層体の上に、前記オーミック電極と電気的に接続されるように形成された配線と、
前記配線の上における前記リッジ部の一側方の領域に形成されたパッド電極とを備え、
前記配線は、前記パッド電極と前記オーミック電極とを少なくとも２つの電流経路で接続していることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記配線は、前記リッジ部を含む前記半導体積層体を覆う金属膜であり、
前記金属膜は、前記パッド電極と前記オーミック電極との間を電気的に遮断する少なくとも１つの開口部を有していることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記開口部は前記リッジ部に沿って形成され、
前記開口部の前記リッジ部に沿った長さは、前記金属膜の前記リッジ部に沿った長さの４分の１以上であることを特徴とする請求項２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記リッジ部は、前記半導体積層体に互いに並行に形成された２つの溝部に挟まれてなり、
前記配線における前記パッド電極の形成領域と前記リッジ部の上面とは、前記基板の上面からの高さが同一であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記基板は窒化ガリウムからなり、前記第１クラッド層及び第２クラッド層は窒化アルミニウムガリウムからなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記半導体積層体は、前記リッジ部と交差する方向に劈開されて、互いに対向する２つの端面を有し、
前記配線は、前記２つの端面の近傍に配置されて、前記オーミック電極と前記パッド電極とを電気的に接続し、
前記パッド電極は、前記２つの端面のうちのレーザ光を出射する前端面から前記リッジ部の中央部までの間の領域に形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置に関し、特に高周波信号を重畳させた電流により高速応答させる半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ装置は、様々な分野で幅広く使用されている。例えば、レコーダ用、ＰＣ（Personal Computer）用、車載用及び通信用等の多岐にわたっている。特に、窒化ガリウム系半導体（ＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ、但し、０≦ｘ、ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）を用いた半導体レーザ装置は、波長が４０５ｎｍ帯の青色レーザ光を得られるため、Ｂｌｕ−Ｒａｙ（登録商標）用光ピックアップ光源に使用されている。このような分野で使用される半導体レーザ装置は、高倍速記録を実現するための高速な記録信号を忠実に再現する必要があるため、高速で動作する半導体レーザ装置が必要とされている。
【０００３】
高速で動作する半導体レーザ装置は、青色レーザ装置だけではなく、特に通信用のレーザ装置で必要とされており、例えば特許文献１に示されるような、寄生容量を低減したレーザ装置が知られている。
【０００４】
図１０に特許文献１に記載された従来の半導体レーザ装置の一例を示す。図１０に示すように、従来の半導体レーザ装置は、ｎ型ＩｎＰ基板２０１の上に、ｎ型ＩｎＰ層２０２、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層２０３及びｎ型ＩｎＰ層２０４が順次形成され、埋め込みメサ溝２０５が形成されている。さらに、ｐ型ＩｎＰ層２０６、ｉ型ＩｎＰ層２０７及びｎ型ＩｎＰ層２０８が順次形成され、ｐ型ＩｎＰ２０９層及びｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層２１０が順次形成されている。
【０００５】
埋め込みメサ溝２０５の外側には、ｐｎｐｎ接合を分離するメサ溝２１１が形成され、その上にはＳｉＯ２膜２１２が形成されている。ＳｉＯ２膜２１２におけるメサ部（リッジ部）の上側部分にはコンタクト用の開口部が設けられており、該開口部を埋めるようにオーミック金属層２１３が形成されている。
【０００６】
ここでは、金属電極２１４が、オーミック金属層２１３との間のメサ溝２１１を架橋することにより、金属電極２１４とオーミック金属層２１３との間に空気の層が形成されるため、金属電極２１４の寄生容量が低減して、高速応答が可能な半導体レーザ装置を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平３−２０６６７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、前記従来の半導体レーザ装置は、高速な信号を含む電流で駆動した場合、例えば周波数が４００ＭＨｚの高周波信号を重畳する場合に、以下に述べるような問題が生じる。
【０００９】
すなわち、半導体レーザ装置を高周波成分を含む電流によって駆動した場合、供給された電流は、半導体レーザ装置の電極を通ってリッジストライプ部に達し、その下側の活性層に電流が供給されてレーザ光を得る。
【００１０】
ここで、電極に電流を供給するワイヤと、リッジストライプ部の位置関係について説明する。
【００１１】
一般に、半導体レーザ装置は、レーザ共振器が延びる方向に長い、平面長方形状を有している。また、半導体レーザ装置に電流を供給するための組立手法として、半導体レーザ装置のアノード電極（ｐ側電極）に１本のワイヤを接続し、カソード電極（ｎ側電極）を放熱部品に接続する、いわゆるジャンクションアップ組立法と、アノード電極（ｐ側電極）を放熱部品と接続し、カソード電極（ｎ側電極）に１本のワイヤを接続する、いわゆるジャンクションダウン組立法とがある。前者は主に通信用レーザ装置、光ディスク分野における再生用レーザ装置及び記録／再生用青色レーザ装置で採用されており、後者は、光ディスク分野における記録用２波長半導体レーザ装置で採用されている。
【００１２】
ジャンクションアップ組立法又はジャンクションダウン組立法のいずれにおいても、半導体レーザ装置には、ワイヤは１本しか接続されない。
【００１３】
例えばジャンクションアップ組立を行った場合、半導体レーザ装置のアノード電極に接続されたワイヤから供給された電流は、ワイヤボンディングされた位置（パッド電極）から共振器の長手方向に伸びるリッジストライプ部とを結ぶ最短の経路を流れやすい。ここで、ワイヤに高周波成分を含む電流が供給された場合は、パッド電極からリッジストライプ部までの電流経路が異なることにより、位相が異なった電流がリッジストライプ部に供給されることとなる。位相が異なる電流が供給されると、リッジストライプ部の下側の活性層において、利得分布が均一とならず、また、屈折率の変化をも引き起こすため、活性層の内部で生成されるレーザ光の光強度が異なるので、過渡的な光応答に乱れが生じてしまう。
【００１４】
以上のことを考慮したうえで、従来例について考察する。
【００１５】
図１０に示した従来例に係る半導体レーザ装置においては、ボンディングパッドは共振器の長手方向に対して一の端面側に形成されており、金属電極は一の端面から他の端面に向かってリッジストライプ部の上に形成されている。このような形状では、ボンディングパッドに近い一の端面と、ボンディングパッドから遠い他の端面とでは、高周波を含む電流を印加すると電流密度が大きく異なる。このように、供給電流密度に疎密の分布が生じると、レーザ装置内の活性層における利得分布も異なることになる。図１０に示した半導体レーザ装置においては、ボンディングパッドに近い一の端面の光の利得が最大で、ボンディングパッドから遠い他の端面部分では光の利得が最小になっている。このような利得分布を有すると、ボンディングパッドに近い一の端面部分で発生したレーザ光の強度と、ボンディングパッドから遠い他の端面部分で発生したレーザ光の強度とが異なってしまう。その結果、それぞれの端面付近で発生したレーザ光は互いに干渉し合うため、時間的な遅延等の過渡的な応答特性に乱れが発生してしまう。
【００１６】
この現象は、特に光ディスク装置の記録信号に対して影響が大きくなる。光ディスク装置において、光ディスクに情報を記録する際には、記録信号には様々な幅を持つ矩形信号が含まれている。この矩形信号を含む電流によりレーザ装置を駆動した場合に、レーザ装置の停止状態から動作状態へと装置の状態が大きく変化したとき、レーザ光が所定の光出力に達する間にキャリアと光子との相互作用の過程を経て、緩和振動を伴うオーバシュートが発生する。さらに、先に述べた高周波信号に対するレーザ装置内の電流分布の不均一性によって、その挙動はより複雑化してしまい、応答波形に乱れが生じてしまう。
【００１７】
また、逆に、ある所定の光出力状態から停止状態へと、装置の状態が大きく変化した場合は、アンダシュートが発生し、オーバシュートと同様に、高周波信号による応答波形に乱れが生じる。この現象は、特に青色レーザ装置に顕著に現れる。オーバシュート及びアンダシュートは、注入電流の強度分布によりレーザ装置内でより大きくなって、光ディスクの記録品質を劣化させる原因となる。このため、オーバシュート及びアンダシュートの発生を防止するため、フィルタ回路等の電気的な回路に工夫が施されている（スナバ回路という）。しかしながら、スナバ回路はレーザ装置と駆動回路との間に配置されるため、レーザ装置と駆動回路との間の伝送路の形状及び配置状態の影響を受けやすく、設計が困難となっている。
【００１８】
本発明は、前記従来の問題を解決し、高速応答性に優れた半導体レーザ装置を実現できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
前記の目的を達成するため、本発明は、半導体レーザ装置を、パッド電極からリッジストライプ部上の電極に至る電流経路を少なくとも２つに分ける構成とする。
【００２０】
具体的に、本発明に係る半導体レーザ装置は、基板上に順次形成され、第１導電型の第１クラッド層、活性層及び上部にリッジ部を有する第２導電型の第２クラッド層を含む半導体積層体と、半導体積層体の上に形成され、リッジ部の上面を露出する開口部を有する電流ブロック層と、リッジ部の上面に形成されたオーミック電極と、半導体積層体の上に、オーミック電極と電気的に接続されるように形成された配線と、配線の上におけるリッジ部の一側方の領域に形成されたパッド電極とを備え、配線は、パッド電極とオーミック電極とを少なくとも２つの電流経路で接続していることを特徴とする。
【００２１】
本発明の半導体レーザ装置によると、外部からパッド電極を介して供給される高周波成分を含む信号電流は、少なくとも２つの電流経路を持つ配線を経由してリッジ部に注入される。これにより、供給された信号電流はより均一化された状態でリッジ部に注入されるようになる。このため、活性層において利得分布の不均一が緩和されて、該活性層で生じるレーザ光の強度が安定する。さらに、リッジ部に供給される電流が均一化されることにより、半導体積層体の内部における屈折率の変化を抑制することが可能となるため、光分布が安定する。その結果、リッジ部を導波する光と干渉することにより生じる光応答波形の乱れを防止することができる。
【００２２】
本発明の半導体レーザ装置において、配線はリッジ部を含む半導体積層体を覆う金属膜であり、金属膜はパッド電極とオーミック電極との間を電気的に遮断する少なくとも１つの開口部を有していてもよい。
【００２３】
このようにすると、少なくとも２つの電流経路を有する配線を容易に形成することができる。
【００２４】
この場合に、開口部はリッジ部に沿って形成され、開口部のリッジ部に沿った長さは、金属膜のリッジ部に沿った長さの４分の１以上であってよい。
【００２５】
本発明の半導体レーザ装置において、リッジ部は、半導体積層体に互いに並行に形成された２つの溝部に挟まれてなり、配線におけるパッド電極の形成領域とリッジ部の上面とは、基板の上面からの高さが同一であってよい。
【００２６】
このようにすると、リッジ部に印加される配線による応力を抑制できるため、信頼性が高く、且つ応答波形の品質が高い半導体レーザ装置を得ることができる。
【００２７】
本発明の半導体レーザ装置において、基板には窒化ガリウムを用いることができ、第１クラッド層及び第２クラッド層は窒化アルミニウムガリウムを用いることができる。
【００２８】
窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）と窒化ガリウム（ＧａＮ）との格子定数の差は大きく、活性層及びリッジ部等の半導体積層体の内部に掛かる応力も大きい。従って、本発明は、格子定数の差が大きい半導体材料を用いる半導体レーザ装置に有効である。
【００２９】
本発明の半導体レーザ装置において、半導体積層体は、リッジ部と交差する方向に劈開されて互いに対向する２つの端面を有し、配線は２つの端面の近傍に配置されてオーミック電極とパッド電極とを電気的に接続し、パッド電極は２つの端面のうちのレーザ光を出射する前端面からリッジ部の中央部までの間の領域に形成されていてもよい。
【００３０】
このようにすると、リッジ部の前端面付近に電流を多く供給する必要がある場合においても、パッド電極から離れたリッジ部に対して均一な電流を供給することが可能となる。このため、活性層において利得分布の不均一が緩和されて、該活性層に生じるレーザ光の強度を安定化することができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明に係る半導体レーザ装置によると、リッジ部に供給される高周波成分を含む電流が均一化されて、該リッジ部に生じる歪みが低減されるため、光応答波形の乱れが少ない、高速応答性に優れた半導体レーザ装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。
【図２】（ａ）は図１のIIａ−IIａ線における断面図である。（ｂ）は図１のIIｂ−IIｂ線における断面図である。
【図３】（ａ）は本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置であって、電極開口部の長さがｐ側電極の長さの約１／４の場合の電流強度を示すグラフである。（ｂ）は比較例であって、ｐ側電極に電極開口部を設けない場合の電流強度を示すグラフである。
【図４】本発明の第１の実施形態の一変形例に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。
【図５】（ａ）は図４のＶａ−Ｖａ線における断面図である。（ｂ）は図４のＶｂ−Ｖｂ線における断面図である。
【図６】（ａ）は本発明の第１の実施形態の一変形例に係る半導体レーザ装置であって、電極開口部の長さがｐ側電極の長さの約１／２の場合の電流強度を示すグラフである。（ｂ）はレーザ光の電流強度の電極開口部長さ依存性を示すグラフである。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装置を示す平面図である。
【図８】（ａ）は図７のVIIIａ−VIIIａ線における断面図である。（ｂ）は図７のVIIIｂ−VIIIｂ線における断面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装置であって、ワイヤの形成位置を前端面から約Ｌ／４とした場合の電流強度を示すグラフである。
【図１０】従来の半導体レーザ装置を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について図１を参照しながら説明する。
【００３４】
図１、図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、第１の実施形態に係る半導体レーザ装置は、ｎ型不純物、例えばシリコン（Ｓｉ）がドーピングされた厚さが約１００μｍのｎ型ＧａＮからなる基板１０１の主面上に順次形成された、ｎ型バッファ層１０２、ｎ型クラッド層１０３、ｎ型光ガイド層１０４、活性層１０５、ｐ型中間層１０６、ｐ型キャップ層１０７、ｐ型クラッド層１０８及びｐ型コンタクト層１０９を含む半導体積層体１５０を有している。
【００３５】
ｐ型クラッド層１０８の上部には、それぞれｐ型コンタクト層１０９を貫通し、且つ互いに間隔をおいて並行に延びる２本の溝部に挟まれるように、幅が約１．５μｍのリッジ部１０８ａが形成されている。
【００３６】
半導体積層体１５０の上にはリッジ部１０８ａの上面を露出する開口部を有する電流ブロック層１１０が形成されている。ここで、電流ブロック層１１０は、例えば厚さが約３００ｎｍの酸化シリコン（ＳｉＯ２）により構成されている。電流ブロック層１１０の上には、該電流ブロック層１１０の開口部から露出するｐ型コンタクト層１０９と接するように、ｐ側電極１１１が形成されている。
【００３７】
ｎ型バッファ層１０２は、例えば膜厚が約２．０μｍのＧａＮからなり、ｎ型クラッド層１０３は、例えば膜厚が約２．５μｍのＡｌＧａＮからなり、ｎ型光ガイド層１０４は、例えば膜厚が約２００ｎｍのＧａＮからなる。活性層１０５は、例えばウェル層１０５ｗ１、１０５ｗ３及び１０５ｗ５とバリア層１０５ｂ２及び１０５ｂ４とからなる多重量子井戸構造を有しており、各ウェル層１０５ｗ１等は、膜厚が約５ｎｍのＩｎＧａＮからなり、各バリア層１０５ｂ２等は、膜厚が約１０ｎｍのＩｎＧａＮからなる。ｐ型中間層１０６は、例えば膜厚が約１００ｎｍのＩｎＧａＮからなり、ｐ型キャップ層１０７及びｐ型クラッド層１０８は、それぞれ例えば膜厚が約１０ｎｍ及び約５００ｎｍのＡｌＧａＮからなる。ここで、ｐ型キャップ層１０７は、活性層１０５に電子を効率良く閉じ込める機能を果たす。ｐ型コンタクト層１０９は、例えば膜厚が約５０ｎｍのＧａＮからなる。
【００３８】
なお、半導体積層体１５０を構成する各III族窒化物半導体層は、半導体レーザ装置としての機能を果たすように構成されていればよく、上記の構成に限られない。このような半導体積層体１５０は、チップの長さ（共振器長）Ｌが約８００μｍで、チップの幅が約２５０μｍとなるように形成されている。
【００３９】
第１の実施形態においては、ｐ型クラッド層１０８及びｐ型コンタクト層１０９におけるリッジ部１０８ａの両側方部分を削除せずに残存させている。このｐ型クラッド層１０８及びｐ型コンタクト層１０９におけるリッジ部１０８ａの両側方部分は、チップ状のレーザ装置をステム等に実装する際の衝撃緩和層として働く。これにより、実装によるレーザチップへのダメージが緩和されて、長期間にわたる高い信頼性を実現できる。
【００４０】
電流ブロック層１１０の上には、リッジ部１０８ａの上でｐ型コンタクト１０９と電気的に接続され、パラジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）及び金（Ａｕ）が順次積層されたｐ側電極１１１が形成されている。ｐ側電極１１１の上におけるリッジ部の一側方の領域には、該リッジ部１０８ａに電流を供給するためのＡｕ等からなるワイヤ１１４が接続されている。
【００４１】
ここで、ｐ側電極１１１は、電流ブロック層１１０の上面を覆うことにより、リッジ部１０８ａ上のｐ型コンタクト層１０９とオーミック接続されるオーミック電極と、リッジ部１０８ａの一方の側方でワイヤ１１４のボンディング領域となるパッド電極と、オーミック電極とパッド電極とを電気的に接続する金属配線として機能する。なお、オーミック電極とパッド電極と金属配線は異なる金属でもよく、オーミック電極は、すくなくともリッジ部１０８ａの上面又は該上面を含むリッジ部１０８ａの近傍に形成されていればよい。また、電極パッド部分は、リッジ部１０８ａの一側方で、少なくともワイヤ１１４をボンディングする領域に形成されていればよい。
【００４２】
第１の実施形態においては、図１に示すように、ワイヤ１１４の接続部を共振器の中央部付近に設けている。
【００４３】
さらに、ｐ側電極１１１には、ワイヤ１１４とリッジ部１０８ａとの間の領域には、ワイヤ径よりも長く、ｐ側電極１１１におけるリッジ部１０８ａに平行な方向の長さをＬ１とした場合に、その長さが約Ｌ１／４であり、電流ブロック層１１０を露出する電極開口部１１１ａが形成されている。該電極開口部１１１ａは、リッジ部１０８ａ上のオーミック電極とワイヤ１１４との間を流れる電流の最短経路を遮断して、ワイヤ１１４から供給される高周波成分を含む信号電流がリッジ部１０８ａに不均一に供給されることを防ぐ役割を果たす。このように、ｐ側電極１１１に電極開口部１１１ａを設けることにより、リッジ部１０８ａには均一な電流を供給することが可能となるため、不均一な電流による屈折率変化及び利得の変動を抑制できるので、光応答波形が安定する。その結果、過渡的な光波形の乱れを抑制することが可能となる。
【００４４】
基板１０１のｎ型バッファ層１０２と反対側の面（裏面）には、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）及び金（Ａｕ）が順次積層されたｎ側電極１１５が形成されている。
【００４５】
第１の実施形態に係る半導体レーザ装置のリッジ部１０８ａにおける電流強度を図３（ａ）に示す。また、比較例として、ｐ側電極１１１に電極開口部１１１ａを設けない構成の半導体レーザ装置の電流強度を図３（ｂ）に示す。ここで、グラフの横軸の共振器位置は、共振器の互いに対向する２つの端面のうちの後端面１５２から、レーザ光の出射端面である前端面１５１までの距離をいう。図３（ａ）に示すように、リッジ部１０８ａにおける電流強度は、電極開口部１１１ａを設けた場合は、図３（ｂ）に示す電極開口部１１１ａを設けない場合と比べて、電流強度の差が小さくなっていることが分かる。これは、電極開口部１１１ａを設けたことにより、ワイヤ１１４とリッジ部１０８ａとの最短の電流経路が遮断されて、供給された電流が電極開口部１１１ａを迂回するためである。
【００４６】
（第１の実施形態の一変形例）
以下、本発明の第１の実施形態の一変形例について図４、図５（ａ）及び図５（ｂ）を参照しながら説明する。図４及び図５において、図１及び図２と同一の構成部材には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
【００４７】
図４に示すように、本変形例に係る半導体レーザ装置は、ｐ側電極１１１に設ける電極開口部１１１ａの長さがｐ側電極の長さＬ１の約２分の１、すなわち約Ｌ１／２であることを特徴としている。
【００４８】
本変形例に係る半導体レーザ装置のリッジ部１０８ａにおける電流強度を図６（ａ）に示す。図６（ａ）に示すように、リッジ部１０８ａにおける電流強度は、電極開口部１１１ａの開口長が第１の実施形態と比べて長いことから、図３（ａ）に示す第１の実施形態と比べて、電流強度の差がより一層小さくなっていることが分かる。
【００４９】
本変形例においては、電極開口部１１１ａの長さを、ｐ側電極１１１の長さＬ１の２分の１程度の長さとして形成したが、図６（ｂ）に示すように、電極開口部１１１ａの長さをより大きくすることによって、さらに電流強度の差は小さくなり、より良好な光応答波形を得ることが可能となる。
【００５０】
しかしながら、電極開口部１１１ａの長さを長くし過ぎると、ワイヤ１１４から供給された電流が、共振器の両端面の近傍に集中してしまうため、共振器の両端部付近において電流の集中による発熱が生じる。この共振器の両端面付近の局所的な発熱により、活性層１０５に掛かる応力が増大して屈折率に変化が生じ、レーザ光の拡がり角の乱れを引き起こす。また、発熱により発振波長の長波長化が引き起こされるため、端面付近での光の吸収が大きくなる。その結果、さらなる発熱及び光の吸収を引き起こし、最終的には端面破壊に陥ってしまう。このため、電極開口部１１１ａの長さの設定には注意を要する。
【００５１】
また、電極開口部１１１ａとワイヤ１１４及びリッジ部１０８ａとの各距離については、電極開口部１１１ａをリッジ部１０８ａに接近して形成すると、ｐ側電極１１１に電極開口部１１１ａを設けることによる応力がリッジ部１０８ａに加わるため、応力による屈折率変化が生じ、レーザ光の拡がり角に乱れが生じてしまう。このため、図４及び図５（ｂ）に示すように、電極開口部１１１ａはリッジ部１０８ａから遠ざけて形成することが望ましい。
【００５２】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態について図７、図８（ａ）及び図８（ｂ）を参照しながら説明する。図７及び図８において、図１及び図２と同一の構成部材には同一の符号を附すことにより説明を省略する。
【００５３】
図７に示すように、本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装置は、高温高出力時における最大光出力を得るために、共振器の前端面１５１における光の反射率Ｒｆと後端面１５２における光の反射率Ｒｒとが、Ｒｆ＜Ｒｒという関係を持つことを特徴としている。
【００５４】
このような構成を採ることにより、共振器の前端面１５１では反射率が低いために、より多くの光がレーザ装置から放出される。このため、共振器内に戻る光量が少なくなるので、光の増幅ができなくなる。従って、前端面１５１の付近にはより多くの電流供給を行って、供給された電流を光に変換させる必要がある。
【００５５】
そこで、第２の実施形態においては、電極開口部１１１ａの両端部を前端面１５１及び後端面１５２の近傍にまで延ばすと共に、ワイヤ１１４を端面反射率が低い前端面１５１側、具体的には、前端面１５１から共振器長Ｌの約４分の１（約Ｌ／４）の位置に接続する。これにより、図９に示すように、より多くの電流を必要とする前端面１５１側のリッジ部１０８ａにより多くの電流を供給し、リッジ部１０８ａの他の領域には、ほぼ一定の強度を持つ電流を供給することが可能となる。その結果、高温高出力動作時においても、良好な光応答波形を得られる半導体レーザ装置を実現することができる。
【００５６】
なお、第２の実施形態においては、ワイヤ１１４の接続位置を、前端面１５１からＬ／４の位置としたが、反射率Ｒｆ及びＲｒの関係から、ワイヤ１１４の接続位置と電極開口部１１１ａの設定位置との関係は、電極開口部１１１ａの長さがワイヤ１１４の径よりも大きく、且つワイヤ１１４とリッジ部１０８ａとの間に設けられていれば、この限りではない。
【００５７】
また、本発明は、窒化ガリウム系半導体レーザ装置に限られず、ｐ側電極１１１にワイヤ１１４を接続する、ジャンクションアップ組立を行うすべての半導体レーザ装置に対して適用可能である。
【００５８】
また、各実施形態においては、ｐ側電極１１１に２箇所の電流経路を設けたが、３箇所以上でもよい。すなわち、例えばｐ側電極１１１における、ワイヤ１１４とリッジ部１０８ａとの間に２つ以上の電極開口部１１１ａを設け、リッジ部１０８ａに注入される電流分布を制御できればよい。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明に係る半導体レーザ装置は、高温高出力時においても、高品質な高速光応答を実現でき、特に高周波信号を重畳させた電流により高速応答させる半導体レーザ装置等に有用である。
【符号の説明】
【００６０】
１０１    基板
１０２    ｎ型バッファ層
１０３    ｎ型クラッド層
１０４    ｎ型光ガイド層
１０５    活性層
１０６    ｐ型中間層
１０７    ｐ型キャップ層
１０８    ｐ型クラッド層
１０８ａ  リッジ部
１０９    ｐ型コンタクト層
１１０    電流ブロック層
１１１    ｐ側電極
１１１ａ  電極開口部
１１４    ワイヤ
１１５    ｎ側電極
１５０    半導体積層体
１５１    前端面
１５２    後端面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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