(57)【要約】【課題】高い記録密度を保持しつつ、隣接トラックに対するイレーズを抑制することを課題とする。【解決手段】磁気記録再生装置が備える磁気記録媒体は、ガラス基板などの所定の基板上の、情報を記録する記録層において、硬磁性体層の上に当該硬磁性体層よりも幅の狭い軟磁性体層を有する二層構造のビットパターンドメディアであり、当該軟磁性体層が、スキュー角がついた場合のヘッドのリーディングエッジのはみ出しから遠ざかる方向にずれて配置される。【選択図】        図５
2010102756.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ヘッドと磁気記録媒体とを備える磁気記録再生装置であって、
前記磁気記録媒体の記録層は、半径方向のビットの長さであるビット幅を有する硬磁性体層と、前記硬磁性体層の上層に、前記ビット幅よりも狭い幅で、前記磁気ヘッドのスキュー角がついた場合の前記磁気ヘッドのリーディングエッジのはみ出しから遠ざかる方向にずれて配置される軟磁性体層を有することを特徴とする磁気記録再生装置。
【請求項２】
前記磁気記録媒体の半径方向において、当該磁気記録媒体を所定範囲ごとに区切り、
前記軟磁性体層は、前記ビット幅から前記軟磁性体層の幅を減算した値の半分が、前記所定範囲での前記スキュー角の最大値における前記リーディングエッジの最大はみ出し幅よりも大きい場合に、前記ビットの端から前記軟磁性体層の端を前記リーディングエッジから遠ざかる方向に、前記リーディングエッジの最大はみ出し幅だけずれて配置されることを特徴とする請求項１に記載の磁気記録再生装置。
【請求項３】
前記軟磁性体層の幅は、全ての前記所定範囲において同一となるものであって、全ての前記所定範囲における前記リーディングエッジの最大はみ出し幅を前記ビット幅から減算した値となることを特徴とする請求項２に記載の磁気記録再生装置。
【請求項４】
磁気ヘッドと磁気記録媒体とを備える磁気記録再生装置の製造方法であって、
前記磁気記録媒体の記録層において、半径方向のビットの長さであるビット幅を有する硬磁性体層と、前記硬磁性体層の上層に、前記ビット幅よりも狭い幅で、前記磁気ヘッドのスキュー角がついた場合の前記磁気ヘッドのリーディングエッジのはみ出しから遠ざかる方向にずれて軟磁性体層を配置させる工程を含んだことを特徴とする磁気記録再生装置製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録再生装置および磁気記録再生装置製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録媒体の大容量化が急速に進んでおり、磁気記録媒体の記録密度を飛躍的に高める技術としては、ビットパターンドメディアが知られている。ところが、大容量化が進められている一方で、高記録密度のビットパターンドメディアでは、必然的にトラックピッチが狭くなることから、ライト処理が行われる場合に、隣接トラックに対するイレーズが生じやすくなる。
【０００３】
高記録密度を有する磁気記録媒体としては、図９に示すように、基板上の記録層に硬磁性体層と軟磁性体層とを二層構造に形成する技術がある。また、最近では、隣接トラックに対するイレーズを解消するために、磁性ドットをスキュー角に応じてダウントラック方向にずらして配置する技術がある。なお、図９は、従来技術に係る二層構造のビットの断面を示す図である。
【０００４】
【特許文献１】特開平８−７７５４４号公報
【特許文献２】特開２００８−１６０７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述した従来技術では、記録密度が低くなる、若しくは、隣接トラックに対するイレーズが生じてしまうという課題がある。
【０００６】
具体的には、上述した二層構造に形成する技術では、特に、スキュー角がつく場合に、ライトヘッドの主磁極のリーディングエッジが所定のトラックからはみ出して隣接トラックをイレーズしてしまう。また、磁性ドットをスキュー角に応じてダウントラック方向にずらして配置する技術では、ドット自体をずらしているため記録密度が低くなる。
【０００７】
そこで、本発明は、上述した従来技術の課題を解決するためになされたものであり、高い記録密度を保持しつつ、隣接トラックに対するイレーズを抑制することが可能である磁気記録再生装置および磁気記録再生装置製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、本願の開示する磁気記録再生装置は、磁気ヘッドと磁気記録媒体とを備える磁気記録再生装置であって、前記磁気記録媒体の記録層は、半径方向のビットの長さであるビット幅を有する硬磁性体層と、前記硬磁性体層の上層に、前記ビット幅よりも狭い幅で、前記磁気ヘッドのスキュー角がついた場合の前記磁気ヘッドのリーディングエッジのはみ出しから遠ざかる方向にずれて配置される軟磁性体層を有することを要件とする。
【発明の効果】
【０００９】
本願の開示する磁気記録再生装置によれば、高い記録密度を保持しつつ、隣接トラックに対するイレーズを抑制することが可能であるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下に添付図面を参照して、本発明に係る磁気記録再生装置および磁気記録再生装置製造方法の実施例を説明する。
【実施例】
【００１１】
［磁気記録媒体の構造］
最初に、本実施例に係る磁気記録媒体の構造を説明する。
【００１２】
本願の開示する磁気記録媒体は、例えば、情報を記録する記録層であるビット（磁性粒子）が規則的に配置されている垂直磁気記録媒体（ビットパターンドメディア）である。一般的に、ビットパターンドメディアは、ビットの円周方向の長さよりも半径方向の長さの方が長くなるように形成されることが多い。また、ビットは、ガラス基板などの所定の基板上に配置されており、裏打層、中間層および記録層を有する。
【００１３】
上述したような構造において、磁気記録再生装置は、磁気ヘッドと磁気記録媒体とを備える磁気記録再生装置であって、磁気記録媒体の記録層は、半径方向のビットの長さであるビット幅を有する硬磁性体層と、硬磁性体層の上層に、ビット幅よりも狭い幅で、磁気ヘッドのスキュー角がついた場合の前記磁気ヘッドのリーディングエッジのはみ出しから遠ざかる方向にずれて配置される軟磁性体層を有する。
【００１４】
具体的に説明すると、磁気記録再生装置が備える磁気記録媒体は、基板上の、情報を記録する記録層において、磁極が消えたり反転したりすることの少ない磁性体である硬磁性体層の上に、磁極が消えたり反転したりすることの多い磁性体である軟磁性体層を有する二層構造である。
【００１５】
そして、硬磁性体層は、磁気記録媒体の半径方向のビットの長さであるビット幅「Ｂｗ」を有する。また、軟磁性体層は、硬磁性体層のビット幅よりも狭い幅であるソフト層幅「Ｓｗ」を有する。軟磁性体層が硬磁性体層よりも狭い幅（Ｂｗ＞Ｓｗ）である理由は、ライトヘッドのクロストラック方向への漏れ磁界の影響による隣接トラックのイレーズを抑制するためである。
【００１６】
さらに、硬磁性体層よりも幅の狭い軟磁性体層は、円状である磁気記録媒体上をヘッドが動く際に発生する傾斜であるスキュー角がついた場合の、当該ヘッドのリーディングエッジのはみ出しから遠ざかる方向にずれて配置される。軟磁性体層をずらして配置する理由は、上記の漏れ磁界の影響による隣接トラックのイレーズをさらに抑制するためである。
【００１７】
つまり、磁気記録再生装置が備える磁気記録媒体は、基板上の記録層において、硬磁性体層の上に当該硬磁性体層よりも幅の狭い軟磁性体層が配置され、当該軟磁性体層をスキュー角がついた場合のヘッドのリーディングエッジのはみ出しから遠ざかる方向にずれて配置されたビットパターンドメディアであるので、高い記録密度を保持しつつ、隣接トラックに対するイレーズを抑制することが可能である。
【００１８】
［軟磁性体層が配置される位置］
次に、図１および図２−１〜図２−３を用いて、軟磁性体層が配置される位置について説明する。図１は、本実施例に係る磁気記録媒体を区切るゾーンの例を示す図である。また、図２−１は、ゾーン１におけるビットの例を示す図であり、図２−２は、ゾーン１５におけるビットの例を示す図であり、図２−３は、ゾーン２５におけるビットの例を示す図である。
【００１９】
具体的には、磁気記録媒体の半径方向において、当該磁気記録媒体を所定範囲ごとに区切り、軟磁性体層は、ビット幅から軟磁性体層の幅を減算した値の半分が、所定範囲でのスキュー角の最大値におけるリーディングエッジの最大はみ出し幅よりも大きい場合に、ビットの端から軟磁性体層の端をリーディングエッジから遠ざかる方向に、リーディングエッジの最大はみ出し幅だけずれて配置される。
【００２０】
例えば、図１に示すように、２．５ｉｎの磁気記録媒体の半径方向において、当該磁気記録媒体をゾーン１「半径ｒ＝２９〜３０ｍｍ［ミリメートル］」、ゾーン１５「半径ｒ＝２０〜２１ｍｍ」およびゾーン２５「半径ｒ＝１４〜１５ｍｍ」に区切る。なお、本実施例では、１ｍｍの範囲においてゾーンを区切る場合を説明するが、当該範囲は１ｍｍに限られるものではない。また、区切られるゾーンの数は、磁気記録媒体の大きさ（半径の長さ）によっても変動する。
【００２１】
ここで、ゾーン１、ゾーン１５およびゾーン２５に分けて軟磁性体層が配置される位置を説明する。
【００２２】
（ゾーン１の軟磁性体層）
図２−１に示すように、ゾーン１におけるビットには、半径方向のビット幅「Ｂｗ」と円周方向のビット長「ＢＬ」とを有する硬磁性体層の上に、半径方向のソフト層幅「Ｓｗ」を有する軟磁性体層が積層されている。
【００２３】
そして、ゾーン１における軟磁性体層は、ビット幅「Ｂｗ」から、ソフト層幅「Ｓｗ」を減算した値の半分「（Ｂｗ−Ｓｗ）÷２」が、ゾーン１でのスキュー角「θｓｋｅｗ１」の最大値「θｓｍ１」におけるリーディングエッジの最大はみ出し幅「ｄ＝ＰＬｓｉｎ（θｓｍ１−θｔ１）÷ｃｏｓθｔ１」（ＰＬ：主磁極高さ、θｔ：主磁極テーパー角）よりも大きい場合「（Ｂｗ−Ｓｗ）÷２＞ｄ」に、ビットの端から軟磁性体層の端をリーディングエッジから遠ざかる方向に、リーディングエッジの最大はみ出し幅「ｄ」だけずれて配置される（図３参照）。
【００２４】
また、トレーリングエッジとビットとは、当該ビットに対する磁場がより均一になるようにするため、図３に示すように、平行になるように形成されることが好ましい。なお、図３は、ゾーン１におけるビットとライトヘッド位置を示す図である。
【００２５】
要するに、ゾーン１における軟磁性体層は、漏れ磁界の影響が小さくなるように、磁気記録媒体の内側方向にずれて配置される。
【００２６】
（ゾーン１５の軟磁性体層）
図２−２に示すように、ゾーン１５におけるビットには、半径方向のビット幅「Ｂｗ」と円周方向のビット長「ＢＬ」とを有する硬磁性体層の上に、半径方向のソフト層幅「Ｓｗ」を有する軟磁性体層が積層されている。
【００２７】
そして、ゾーン１５における軟磁性体層は、ビット幅「Ｂｗ」から、ソフト層幅「Ｓｗ」を減算した値の半分「（Ｂｗ−Ｓｗ）÷２」が、ゾーン１５でのスキュー角「θｓｋｅｗ１５」の最大値「θｓｍ１５」におけるリーディングエッジの最大はみ出し幅「ｄ＝ＰＬｓｉｎ（θｓｍ１５−θｔ１５）÷ｃｏｓθｔ１５」よりも大きい場合「（Ｂｗ−Ｓｗ）÷２＞ｄ」に、ビットの端から軟磁性体層の端をリーディングエッジから遠ざかる方向に、リーディングエッジの最大はみ出し幅「ｄ」だけずれて配置される。
【００２８】
また、トレーリングエッジとビットとは、ゾーン１と同様に、当該ビットに対する磁場がより均一になるようにするため、平行になるように形成されることが好ましい。
【００２９】
要するに、ゾーン１５における軟磁性体層は、漏れ磁界の影響が小さくなるように、ビットの中央付近に配置される。
【００３０】
（ゾーン２５の軟磁性体層）
図２−３に示すように、ゾーン２５におけるビットには、半径方向のビット幅「Ｂｗ」と円周方向のビット長「ＢＬ」とを有する硬磁性体層の上に、半径方向のソフト層幅「Ｓｗ」を有する軟磁性体層が積層されている。
【００３１】
そして、ゾーン２５における軟磁性体層は、ビット幅「Ｂｗ」から、ソフト層幅「Ｓｗ」を減算した値の半分「（Ｂｗ−Ｓｗ）÷２」が、ゾーン２５でのスキュー角「θｓｋｅｗ２５」の最大値「θｓｍ２５」におけるリーディングエッジの最大はみ出し幅「ｄ＝ＰＬｓｉｎ（θｓｍ２５−θｔ２５）÷ｃｏｓθｔ２５」よりも大きい場合「（Ｂｗ−Ｓｗ）÷２＞ｄ」に、ビットの端から軟磁性体層の端をリーディングエッジから遠ざかる方向に、リーディングエッジの最大はみ出し幅「ｄ」だけずれて配置される。
【００３２】
また、トレーリングエッジとビットとは、ゾーン１およびゾーン１５と同様に、当該ビットに対する磁場がより均一になるようにするため、平行になるように形成されることが好ましい。
【００３３】
要するに、ゾーン２５における軟磁性体層は、漏れ磁界の影響が小さくなるように、磁気記録媒体の外側方向にずれて配置される。
【００３４】
また、軟磁性体層の幅は、全ての所定範囲において同一となるものであって、全ての所定範囲におけるリーディングエッジの最大はみ出し幅をビット幅から減算した値となる。
【００３５】
例えば、ソフト層幅「Ｓｗ」は、全てのゾーンにおいて同一となり、ビット幅「Ｂｗ」から、全てのゾーンにおけるリーディングエッジの最大はみ出し幅「ｄｍ」を減算した値「Ｂｗ−ｄｍ」となる。軟磁性体層の幅は、データの読み書きの能力が軟磁性体層の幅（大きさ）に左右されるので、全てのビットの軟磁性体層の幅を統一させる。
【００３６】
［ビットとライトヘッドとの位置関係］
次に、図４および図５を用いて、ビットとライトヘッドとの位置関係を説明する。以下では、本実施例に係る軟磁性体層をずらす配置による効果を明確にするために、硬磁性体層と軟磁性体層との二層構造において、軟磁性体層をずらさない場合と軟磁性体層をずらす場合との二つのパターンを説明する。なお、図４は、軟磁性体層をずらすことなく配置する場合のビットとライトヘッドとの位置関係を示す図であり、図５は、軟磁性体層をずらして配置する場合のビットとライトヘッドとの位置関係を示す図である。
【００３７】
（軟磁性体層をずらさない場合）
例えば、図４に示すように、軟磁性体層がビットの中央付近に配置される（ずらさない）場合には、特にゾーン１とゾーン２５とにおいて、ライトヘッド主磁極のリーディングエッジのはみ出しによる漏れ磁界の影響が発生し得る。
【００３８】
要するに、軟磁性体層をずらすことなく配置する場合には、同じ幅（長さ）を有する硬磁性体層と軟磁性体層とを二層構造にする従来技術と比較して、リーディングエッジのはみ出しによる漏れ磁界の影響を抑制することができるが、ゾーンによっては漏れ磁界の影響が発生することもある。言い換えると、軟磁性体層をずらすことなく配置する場合には、磁気記録媒体の内側（例えば、ゾーン２５）および外側（例えば、ゾーン１）、つまり、ビットとヘッドとでスキュー角がつくゾーンで漏れ磁界の影響が発生する。
【００３９】
（軟磁性体層をずらす場合）
例えば、図５に示すように、軟磁性体層をずらして配置される場合には、特にゾーン１とゾーン２５とにおいて、ライトヘッドの主磁極のリーディングエッジのはみ出しによる漏れ磁界の影響をより抑制できる。
【００４０】
要するに、軟磁性体層をずらして配置する場合には、硬磁性体層よりも幅の狭い軟磁性体層を当該硬磁性体層の中央付近に配置する技術と比較して、リーディングエッジのはみ出しによる漏れ磁界の影響をより抑制することができる。言い換えると、軟磁性体層をずらして配置する場合には、磁気記録媒体の内側（例えば、ゾーン２５）および外側（ゾーン１）、つまり、ビットとヘッドとでスキュー角がつくゾーンで漏れ磁界の影響をより抑制できる。
【００４１】
［磁気記録再生装置製造方法］
次に、図６−１〜図６−１０を用いて、磁気記録再生装置の製造方法を説明する。具体的には、磁気記録再生装置製造方法は、磁気ヘッドと磁気記録媒体とを備える磁気記録再生装置の製造方法であって、磁気記録媒体の記録層において、半径方向のビットの長さであるビット幅を有する硬磁性体層と、硬磁性体層の上層に、ビット幅よりも狭い幅で、磁気ヘッドのスキュー角がついた場合の磁気ヘッドのリーディングエッジのはみ出しから遠ざかる方向にずれて軟磁性体層を配置させる工程を含む。
【００４２】
例えば、基板上に、スパッタリング法によって軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ：Soft  Under  Layer）を５０ｎｍ［ナノメートル］成膜し、当該ＳＵＬの上に非磁性中間層を５ｎｍおよび硬磁性体層ＣｏＣｒＰｔ合金１０ｎｍを成膜する。なお、硬磁性体層は、単層若しくは多層構造であっても良い。
【００４３】
そして、光硬化樹脂を塗布したモールドを押し付けて（図６−１参照）、ＵＶ照射する（図６−２参照）。続いて、モールドを剥離してパターンを転写する（図６−３参照）。その後、残膜をＲＩＥ（Reactive  Ion  Etching）によって取り除き（図６−４参照）、ドライエッチングによって硬磁性体層にビットパターンを形成する（図６−５参照）。
【００４４】
図６−１は、モールドを押し付ける処理を示す図である。また、図６−２は、ＵＶ照射する処理を示す図である。また、図６−３は、パターンを転写する処理を示す図である。また、図６−４は、残膜をＲＩＥによって取り除く処理を示す図である。また、図６−５は、硬磁性体層にビットパターンを形成する処理を示す図である。
【００４５】
また、形成されるビットは、例えば、ビット幅を４４ｎｍおよびビット長を２０ｎｍとし、硬磁性体層は、クロストラック方向のビットピッチを６４ｎｍ、ダウントラック方向のビットピッチを４０ｎｍとする。
【００４６】
そして、５ｎｍのＮｉＦｅを軟磁性体層の膜としてスパッタリング法によって成膜し（図６−６参照）、光硬化樹脂を塗布した後にモールド２を押し付けて（図６−７参照）、ＵＶ照射する（図６−８参照）。続いて、モールドを剥離してパターンを転写し、残膜をＲＩＥによって取り除く（図６−９参照）。その後、ドライエッチングによって軟磁性体層にパターンを形成する（図６−１０参照）。なお、形成される軟磁性のパターンは、ビットの一部分に乗った状態となる。
【００４７】
図６−６は、軟磁性体層の膜をスパッタリング法によって成膜する処理を示す図である。また、図６−７は、モールド２を押し付ける処理を示す図である。また、図６−８は、ＵＶ照射する処理を示す図である。また、図６−９は、残膜をＲＩＥによって取り除く処理を示す図である。また、図６−１０は、軟磁性体層にビットパターンを形成する処理を示す図である。
【００４８】
また、軟磁性体層のダウントラック方向の長さは、例えば、ビット長と同一の２０ｎｍとし、クロストラック方向の長さは、ビット幅よりも狭い３０ｎｍとする。そして、硬磁性体層と軟磁性体層とが形成されたビットは、記録ビットの隙間を非磁性材料で埋めて表面を平滑化する処理などがなされ、カーボン保護膜層３ｎｍをＣＶＤ（Chemical  Vapor  Deposition）法で成膜されて潤滑剤が塗布される。
【００４９】
ここで、図７−１〜図７−５を用いて、本実施例に係る軟磁性体層をずらして配置される磁気記録再生装置が備える磁気記録媒体の製造方法を詳細に説明する。
【００５０】
例えば、図７−１は、図６−７に示したモールド２を押し付ける処理前であり、軟磁性体層が成膜された状態である。そして、図７−２に示すように、光硬化樹脂を塗布する。続いて、図７−３に示すように、モールド２を押し付けてＵＶ照射する。その後、図７−４に示すように、モールド２を剥離してパターンを転写し、残膜をＲＩＥによって取り除く。そして、図７−５に示すように、ドライエッチングによって軟磁性体層にパターンを形成する。
【００５１】
図７−１は、モールド２を押し付ける処理の前の状態を示す図である。また、図７−２は、光硬化樹脂を塗布する処理の詳細を示す図である。また、図７−３は、モールド２を押し付けてＵＶ照射する処理の詳細を示す図である。また、図７−４は、モールド２を剥離して残膜をＲＩＥによって取り除く処理の詳細を示す図である。また、図７−５は、軟磁性体層にビットパターンを形成する処理の詳細を示す図である。
【００５２】
上記のように、本実施例に係る磁気記録再生装置の製造方法では、スキュー角がついた場合のヘッドのリーディングエッジのはみ出しから遠ざかる方向に、各ゾーンのリーディングエッジの最大はみ出し幅だけ軟磁性体層がずらして配置されるようなモールドを押し付ける。
【００５３】
［磁気記録再生装置］
次に、図８を用いて、本実施例に係る磁気記録再生装置の構成を説明する。図８は、磁気記録再生装置の構成例を示す図である。
【００５４】
具体的には、磁気記録再生装置は、磁気ヘッドと磁気記録媒体とを備える磁気記録再生装置であって、磁気記録媒体の記録層は、半径方向のビットの長さであるビット幅を有する硬磁性体層と、硬磁性体層の上層に、ビット幅よりも狭い幅で、磁気ヘッドのスキュー角がついた場合の磁気ヘッドのリーディングエッジのはみ出しから遠ざかる方向にずれて配置される軟磁性体層を有する。
【００５５】
例えば、図８に示すように、磁気記録再生装置１における磁気記録媒体１０は、各種情報を高密度に記録する垂直磁気記録媒体であり、スピンドルモータ１１により回転駆動される。
【００５６】
そして、磁気記録媒体１０の読み書きは、ヘッド支持機構であるアーム１２の一方の先端に設けられたヘッド１３によって行われる。ヘッド１３は、磁気記録媒体１０の回転により生じる揚力によって、当該磁気記録媒体１０の表面からわずかに浮いた状態を維持して読み書きを実行する。
【００５７】
また、アーム１２のもう一方の端に設けられたヘッド駆動機構であるボイスコイルモータ１４の駆動により、アーム１２が軸１５を中心とする円弧上を回動し、ヘッド１３が磁気記録媒体１０のトラック横断方向にシーク移動し、読み書きする対象のトラックを変更する。
【００５８】
［本実施例による効果］
上述したように、磁気記録再生装置１が備える磁気記録媒体１０は、基板上の記録層において、硬磁性体層の上に当該硬磁性体層よりも幅の狭い軟磁性体層が積層された二層構造を有するビットパターンドメディアであり、当該軟磁性体層が、スキュー角がついた場合のヘッドのリーディングエッジのはみ出しから遠ざかる方向にずれて配置されるので、スキュー角がついた場合でも、高い記録密度を保持しつつ、隣接トラックに対するイレーズを抑制することが可能である。
【００５９】
例えば、磁気記録再生装置１が備える磁気記録媒体１０は、基板上の、情報を記録する記録層において、磁極が消えたり反転したりすることの少ない磁性体である硬磁性体層の上に、磁極が消えたり反転したりすることの多い磁性体である軟磁性体層を有する二層構造である。そして、硬磁性体層は、磁気記録媒体１０の半径方向のビットの長さであるビット幅「Ｂｗ」を有する。また、軟磁性体層は、硬磁性体層のビット幅「Ｂｗ」よりも狭い幅であるソフト層幅「Ｓｗ」を有する。さらに、硬磁性体層よりも幅の狭い軟磁性体層は、円状である磁気記録媒体１０上をヘッドが動く際に発生する傾斜であるスキュー角がついた場合の、当該ヘッドのリーディングエッジのはみ出しから遠ざかる方向にずれて配置される。この結果、磁気記録再生装置１は、スキュー角がついた場合でも、高い記録密度を保持しつつ、隣接トラックに対するイレーズを抑制することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本実施例に係る磁気記録媒体を区切るゾーンの例を示す図である。
【図２−１】ゾーン１におけるビットの例を示す図である。
【図２−２】ゾーン１５におけるビットの例を示す図である。
【図２−３】ゾーン２５におけるビットの例を示す図である。
【図３】ゾーン１におけるビットとライトヘッド位置を示す図である。
【図４】軟磁性体層をずらすことなく配置する場合のビットとライトヘッドとの位置関係を示す図である。
【図５】軟磁性体層をずらして配置する場合のビットとライトヘッドとの位置関係を示す図である。
【図６−１】モールドを押し付ける処理を示す図である。
【図６−２】ＵＶ照射する処理を示す図である。
【図６−３】パターンを転写する処理を示す図である。
【図６−４】残膜をＲＩＥによって取り除く処理を示す図である。
【図６−５】硬磁性体層にビットパターンを形成する処理を示す図である。
【図６−６】軟磁性体層の膜をスパッタリング法によって成膜する処理を示す図である。
【図６−７】モールド２を押し付ける処理を示す図である。
【図６−８】ＵＶ照射する処理を示す図である。
【図６−９】残膜をＲＩＥによって取り除く処理を示す図である。
【図６−１０】軟磁性体層にビットパターンを形成する処理を示す図である。
【図７−１】モールド２を押し付ける処理の前のビットの状態を示す図である。
【図７−２】光硬化樹脂を塗布する処理の詳細を示す図である。
【図７−３】モールド２を押し付けてＵＶ照射する処理の詳細を示す図である。
【図７−４】モールド２を剥離して残膜をＲＩＥによって取り除く処理の詳細を示す図である。
【図７−５】軟磁性体層にビットパターンを形成する処理の詳細を示す図である。
【図８】磁気記録再生装置の構成例を示す図である。
【図９】従来技術に係る二層構造のビットの断面を示す図である。
【符号の説明】
【００６１】
１  磁気記録再生装置
１０  磁気記録媒体
１１  スピンドルモータ
１２  アーム
１３  ヘッド
１４  ボイスコイルモータ
１５  軸
【図１】
2010102756.tif 000003
【図２−１】
2010102756.tif 000004
【図２−２】
2010102756.tif 000005
【図２−３】
2010102756.tif 000006
【図３】
2010102756.tif 000007
【図４】
2010102756.tif 000008
【図５】
2010102756.tif 000009
【図６−１】
2010102756.tif 000010
【図６−２】
2010102756.tif 000011
【図６−３】
2010102756.tif 000012
【図６−４】
2010102756.tif 000013
【図６−５】
2010102756.tif 000014
【図６−６】
2010102756.tif 000015
【図６−７】
2010102756.tif 000016
【図６−８】
2010102756.tif 000017
【図６−９】
2010102756.tif 000018
【図６−１０】
2010102756.tif 000019
【図７−１】
2010102756.tif 000020
【図７−２】
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【図７−３】
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【図７−４】
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【図７−５】
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【図８】
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【図９】
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