(57)【要約】【課題】電気光学装置において、液晶素子をより適切に駆動することを可能とする。【解決手段】電気光学装置１は、１フィールドを構成する複数のサブフィールドｓｆ１〜ｓｆ８の夫々において、選択トランジスタ１１６をオン状態とする走査信号を複数の走査線１１２に順次供給して、走査線１１２ごとに画素１１０を選択する走査線駆動回路１３０と、走査線駆動回路１３０によって選択された画素１１０の画素電極１１８に表示すべき画像に応じた信号電位を複数のデータ線１１４を介して書き込み、信号電位の書き込みにおいて、対向電極１１９の電位を基準とした信号電位の極性を書込極性としたとき、フィールド中に書込極性を複数回反転し、且つ、あるフィールドを構成する複数のサブフィールドの各々の書込極性が、次のフィールドを構成する複数のサブフィールドの各々の書込極性と反転するように信号電位を書き込むデータ線駆動回路１４０を備える。【選択図】図１
2010271611.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応して夫々設けられた複数の画素を備え、前記複数の画素の夫々は、画素電極、対向電極、前記画素電極と前記対向電極との間に挟持された電気光学物質からなる電気光学素子、並びに、前記画素電極と前記データ線との間に設けられ前記走査線を介して供給される走査信号によってオン状態及びオフ状態のうちいずれか一方の状態となるように制御されるスイッチング素子を夫々有する電気光学装置の駆動方法であって、
１画面を表示するのに要する期間をフィールド期間とし、前記フィールド期間を複数のサブフィールド期間で構成したとき、前記複数のサブフィールド期間の夫々において、前記スイッチング素子をオン状態とする走査信号を前記複数の走査線に順次供給して、前記走査線ごとに前記画素を選択すると共に、選択された画素の前記画素電極に表示すべき画像に応じた信号電位を書き込み、
前記信号電位の書き込みにおいて、前記対向電極の電位又は当該対向電極の電位から所定電位だけずれた電位を基準とした前記信号電位の極性を書込極性としたとき、前記フィールド期間中に前記書込極性を複数回反転し、且つ、あるフィールド期間を構成する複数のサブフィールド期間の各々の書込極性が、次のフィールド期間を構成する複数のサブフィールド期間の各々の書込極性と反転するように前記信号電位を書き込む、
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項２】
Ｘを２以上の自然数、Ｙを偶数としたとき、前記フィールド期間は、Ｘ・Ｙ個のサブフィールド期間から構成され、前記フィールド期間中にＸ個のサブフィールド期間ごとに前記書込極性の反転をＹ回行うように前記信号電位を書き込むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動方法。
【請求項３】
前記フィールド期間は、偶数個のサブフィールド期間から構成され、前記サブフィールド期間ごとに前記書込極性の反転を行うように前記信号電位を書き込むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動方法。
【請求項４】
Ｘを２以上の自然数、Ｙを奇数としたとき、前記フィールド期間は、Ｘ・Ｙ＋２個のサブフィールド期間から構成され、前記フィールド期間中の最初のサブフィールド期間と最後のサブフィールド期間との前記書込極性を一致させ、最初の次から最後の直前までのＸ・Ｙ個のサブフィールド期間において、Ｘ個のサブールド期間ごとに前記書込極性の反転をＹ回行うように前記信号電位を書き込むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の駆動方法。
【請求項５】
複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応して夫々設けられた複数の画素を備え、前記複数の画素の夫々は、画素電極、対向電極、前記画素電極と前記対向電極との間に挟持された電気光学物質からなる電気光学素子、並びに、前記画素電極と前記データ線との間に設けられ前記走査線を介して供給される走査信号によってオン状態及びオフ状態のうちいずれか一方の状態となるように制御されるスイッチング素子を夫々有する電気光学装置であって、
１画面を表示するのに要する期間をフィールド期間とし、前記フィールド期間を複数のサブフィールド期間で構成したとき、前記複数のサブフィールド期間の夫々において、前記スイッチング素子をオン状態とする走査信号を前記複数の走査線に順次供給して、前記走査線ごとに前記画素を選択する走査線駆動手段と、
前記走査線駆動手段によって選択された画素の前記画素電極に表示すべき画像に応じた信号電位を前記複数のデータ線を介して書き込み、前記信号電位の書き込みにおいて、前記対向電極の電位又は当該対向電極の電位から所定電位だけずれた電位を基準とした前記信号電位の極性を書込極性としたとき、前記フィールド期間中に前記書込極性を複数回反転し、且つ、あるフィールド期間を構成する複数のサブフィールド期間の各々の書込極性が、次のフィールド期間を構成する複数のサブフィールド期間の各々の書込極性と反転するように前記信号電位を書き込むデータ線駆動手段と、
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
Ｘを２以上の自然数、Ｙを偶数としたとき、前記フィールド期間は、Ｘ・Ｙ個のサブフィールド期間から構成され、
前記データ線駆動手段は、前記フィールド期間中にＸ個のサブールド期間ごとに前記書込極性の反転をＹ回行うように前記信号電位を書き込む、
ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記フィールド期間は、偶数個のサブフィールド期間から構成され、
前記データ線駆動手段は、前記サブフィールド期間ごとに前記書込極性の反転を行うように前記信号電位を書き込む、
ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項８】
Ｘを２以上の自然数、Ｙを奇数としたとき、前記フィールド期間は、Ｘ・Ｙ＋２個のサブフィールド期間から構成され、
前記データ線駆動手段は、前記フィールド期間中の最初のサブフィールド期間と最後のサブフィールド期間との前記書込極性を一致させ、最初の次から最後の直前までのＸ・Ｙ個のサブフィールド期間において、Ｘ個のサブールド期間ごとに前記書込極性の反転をＹ回行うように前記信号電位を書き込む、
ことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項５乃至８のうちいずれか１項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶など電気光学物質を用いた電気光学装置の駆動方法、電気光学装置、並びに、電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気エネルギーによって光学特性が変化する電気光学物質として、液晶が知られている。液晶は印加電圧に応じて透過率が変化する。この透過率の変化は、液晶分子の配向状態が印加電圧に応じて変化することによって得られる。また、液晶には、直流電圧を長時間印加すると、配向状態が元に戻りにくくなる性質がある。このため、液晶を表示装置に適用した液晶表示装置では、電気光学素子たる液晶素子に印加する電圧の極性を反転する交流駆動が採用される。
【０００３】
一般的に、この種の液晶表示装置は、複数の走査線と、複数のデータ線と、走査線とデータ線の交差に対応して設けられた複数の画素を備え、これらの複数の画素は、画素電極、対向電極、及びこれら画素電極と対向電極との間に挟持された液晶からなる液晶素子を有する。また、この液晶素子への印加電圧を反転する手法として、対向電極の電位（以下、対向電極電位と称する）を固定し、データ線を介して供給するデータ電位の極性を、対向電極電位を中心して反転させるものが知られている。
【０００４】
特に、特許文献１等では、この種の液晶表示装置において階調表示を行う場合に、電圧変調方式に代わるものとして、１フィールドを複数のサブフィールドに分割するとともに、各サブフィールドにおいて画素（液晶素子）にオンまたはオフ電圧を印加して、１フィールドにおいて画素にオン電圧（またはオフ電圧）が印加される時間の割合を変化させることによって階調表示を行う技術、所謂、デジタル時分割駆動によって階調表示を行う技術が開示されている。
【０００５】
更に、特許文献２等では、この種のサブフィールドを用いた液晶表示装置において、サブフィールドの期間に重み付けを行いつつ階調表示を行う技術が開示されている。この技術によれば、液晶の過渡応答特性を積極的に利用することで、より少ないサブフィールドの数でより多くの階調レベルが表現可能となることが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１１４６６１号公報
【特許文献２】特開２００８−２０７０６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述した特許文献１及び２等では、液晶素子への印加電圧を、１フィールド期間内でサブフィールドの期間を単位として、複数回、反転する際に直流成分が発生してしまい表示画面が焼き付いてしまう可能性があるという技術的な問題点が生じる。
【０００８】
本発明は、例えば上述した従来の問題点に鑑みなされたものであり、液晶素子をより適切に駆動することが可能な電気光学装置の駆動方法、電気光学装置、並びに、電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置の駆動方法は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応して夫々設けられた複数の画素を備え、前記複数の画素の夫々は、画素電極、対向電極、前記画素電極と前記対向電極との間に挟持された電気光学物質からなる電気光学素子、並びに、前記画素電極と前記データ線との間に設けられ前記走査線を介して供給される走査信号によってオン状態及びオフ状態のうちいずれか一方の状態となるように制御されるスイッチング素子を夫々有する電気光学装置の駆動方法であって、１画面を表示するのに要する期間をフィールド期間とし、前記フィールド期間を複数のサブフィールド期間で構成したとき、前記複数のサブフィールド期間の夫々において、前記スイッチング素子をオン状態とする走査信号を前記複数の走査線に順次供給して、前記走査線ごとに前記画素を選択すると共に、選択された画素の前記画素電極に表示すべき画像に応じた信号電位を書き込み、前記信号電位の書き込みにおいて、前記対向電極の電位又は当該対向電極の電位から所定電位だけずれた電位を基準とした前記信号電位の極性を書込極性としたとき、前記フィールド期間中に前記書込極性を複数回反転し、且つ、あるフィールド期間を構成する複数のサブフィールド期間の各々の書込極性が、次のフィールド期間を構成する複数のサブフィールド期間の各々の書込極性と反転するように前記信号電位を書き込む  ことを特徴とする。
【００１０】
サブフィールド駆動では、表示階調に応じて１フィールドを構成する複数のサブフィールドの各々においてオン・オフが指定される。このため、フィールド内で電気光学素子に印加する信号電位の極性を単に反転しただけでは、正極性の電圧印加時間と負極性の電圧印加時間とを一致させることはできない。これに対して、本発明は、あるフィールド期間を構成する複数のサブフィールド期間の各々の書込極性が、次のフィールド期間を構成する複数のサブフィールド期間の各々の書込極性と反転するように信号電位を書き込むので、電気光学素子に印加される電圧からいずれか一方の極性に起因した直流成分を殆ど又は完全に除くことができる。以上の結果、本発明によれば、直流成分に起因して、電気光学素子が劣化することを殆ど又は完全に無くすことが可能である。くわえて、１フィード内で書込極性を複数回反転するので、フリッカを抑圧すこともできる。なお、電気光学素子は、例えば、液晶素子が該当する。
また、所定電位は、スイッチング素子を構成するトランジスタのゲート・ドレイン電極間の寄生容量に起因して、オンからオフに状態変化するときにドレインの電位が低下する、というプッシュダウンを補うように設定することが好ましい。したがって、信号電位の振幅中心は対向電極の電位と一致してもよいが、ずれてもよい。
【００１１】
より具体的な駆動方法としては、Ｘを２以上の自然数、Ｙを偶数としたとき、前記フィールド期間は、Ｘ・Ｙ個のサブフィールド期間から構成され、前記フィールド期間中にＸ個のサブフィールド期間ごとに前記書込極性の反転をＹ回行うように前記信号電位を書き込むことが好ましい（例えば、第１実施形態に対応）。
この場合、１フィールド期間でＹ回、即ち、偶数回の極性反転があるので、あるフィールド期間を構成する複数のサブフィールド期間の各々の書込極性が、次のフィールド期間を構成する複数のサブフィールド期間の各々の書込極性と反転することになる。ここで、
Ｘ個のサブフィールド期間をグループとすると、書込極性の反転は、グループ単位で実行される。ここで、フリッカを抑圧する観点から、各グループの長さは等しいことが好ましい。
【００１２】
また、他の具体的な駆動方法としては、前記フィールド期間は、偶数個のサブフィールド期間から構成され、前記サブフィールド期間ごとに前記書込極性の反転を行うように前記信号電位を書き込むことが好ましい。この場合には、直流成分が電気光学素子に印加されるのを防止すると共に、サブフィールド単位で極性反転を実行するので、フリッカを大幅に低減することができる。
【００１３】
また、他の具体的な駆動方法としては、Ｘを２以上の自然数、Ｙを奇数としたとき、前記フィールド期間は、Ｘ・Ｙ＋２個のサブフィールド期間から構成され、前記フィールド期間中の最初のサブフィールド期間と最後のサブフィールド期間との前記書込極性を一致させ、最初の次から最後の直前までのＸ・Ｙ個のサブフィールド期間において、Ｘ個のサブールド期間ごとに前記書込極性の反転をＹ回行うように前記信号電位を書き込むことを特徴とする。この場合には、フィールド期間を跨って同じ極性が連続することを完全に無くすことができるので、２つの連続するフィールド期間において極性反転の回数をより多くさせ、画面上でフリッカが発生するのをより効果的に減少することが可能である。
【００１４】
また、上述した電気光学装置の駆動方法は、そのような駆動方法を採用する電気光学装置、あるいは電子機器の発明として捉えることができ、以下の如くである。
本発明に係る電気光学装置は、複数の走査線と、複数のデータ線と、前記走査線と前記データ線との交差に対応して夫々設けられた複数の画素を備え、前記複数の画素の夫々は、画素電極、対向電極、前記画素電極と前記対向電極との間に挟持された電気光学物質からなる電気光学素子、並びに、前記画素電極と前記データ線との間に設けられ前記走査線を介して供給される走査信号によってオン状態及びオフ状態のうちいずれか一方の状態となるように制御されるスイッチング素子を夫々有するものであって、１画面を表示するのに要する期間をフィールド期間とし、前記フィールド期間を複数のサブフィールド期間で構成したとき、前記複数のサブフィールド期間の夫々において、前記スイッチング素子をオン状態とする走査信号を前記複数の走査線に順次供給して、前記走査線ごとに前記画素を選択する走査線駆動手段と、前記走査線駆動手段によって選択された画素の前記画素電極に表示すべき画像に応じた信号電位を前記複数のデータ線を介して書き込み、前記信号電位の書き込みにおいて、前記対向電極の電位又は当該対向電極の電位から所定電位だけずれた電位を基準とした前記信号電位の極性を書込極性としたとき、前記フィールド期間中に前記書込極性を複数回反転し、且つ、あるフィールド期間を構成する複数のサブフィールド期間の各々の書込極性が、次のフィールド期間を構成する複数のサブフィールド期間の各々の書込極性と反転するように前記信号電位を書き込むデータ線駆動手段と、を備える。
【００１５】
そのような電気光学装置の具体的な態様として、Ｘを２以上の自然数、Ｙを偶数としたとき、前記フィールド期間は、Ｘ・Ｙ個のサブフィールド期間から構成され、前記データ線駆動手段は、前記フィールド期間中にＸ個のサブールド期間ごとに前記書込極性の反転をＹ回行うように前記信号電位を書き込むことが好ましい。
また、前記フィールド期間は、偶数個のサブフィールド期間から構成され、前記データ線駆動手段は、前記サブフィールド期間ごとに前記書込極性の反転を行うように前記信号電位を書き込むものであってもよい。
さらに、Ｘを２以上の自然数、Ｙを奇数としたとき、前記フィールド期間は、Ｘ・Ｙ＋２個のサブフィールド期間から構成され、前記データ線駆動手段は、前記フィールド期間中の最初のサブフィールド期間と最後のサブフィールド期間との前記書込極性を一致させ、最初の次から最後の直前までのＸ・Ｙ個のサブフィールド期間において、Ｘ個のサブールド期間ごとに前記書込極性の反転をＹ回行うように前記信号電位を書き込むようにしてもよい。
【００１６】
くわえて、本発明に係る電子機器は、上述した電気光学装置を備えることを特徴とする。そのような電子機器としては、ディスプレイ、コンピュータ、携帯電話、携帯情報端末などが該当する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１実施形態に係る電気光学装置１の全体構成を示すブロック図である。
【図２】第１実施形態に係る画素１１０の詳細な構成を示す図であり、ｉ行およびこれに隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列およびこれに隣接する（ｊ＋１）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成を示した模式図である。
【図３】第１実施形態に係る電気光学装置におけるサブフィールドの構成を示す模式図である。
【図４】第１実施形態に係る電気光学装置における各サブフィールドのオンオフ変換を示す表である。
【図５】第１実施形態に係る電気光学装置による階調特性を示すグラフである。
【図６】第１実施形態に係るｉ行ｊ列の液晶素子１２０における画素電極１１８の電圧Ｐ（ｉ，ｊ）の変化を示した模式図である。
【図７】第１実施形態に係るサブフィールドにおける極性と、１行目から２１６０行目までの走査線の選択の進行とを示した模式図である。
【図８】第１の比較例に係るｉ行ｊ列の液晶素子１２０における画素電極１１８の電圧Ｐ（ｉ，ｊ）の変化を示した模式図である。
【図９】第１の比較例に係るサブフィールドにおける極性と、１行目から２１６０行目までの走査線の選択の進行とを示した模式図である。
【図１０】本実施形態における焼き付きの度合いと、第１の比較例における焼き付きの度合いとを、階調レベルを単位として示した表である。
【図１１】第２実施形態に係るｉ行ｊ列の液晶素子１２０における画素電極１１８の電圧Ｐ（ｉ，ｊ）の変化を示した模式図である。
【図１２】第２実施形態に係るサブフィールドにおける極性と、１行目から２１６０行目までの走査線の選択の進行とを示した模式図である。
【図１３】第２の比較例に係るｉ行ｊ列の液晶素子１２０における画素電極１１８の電圧Ｐ（ｉ，ｊ）の変化を示した模式図である。
【図１４】第２の比較例に係るサブフィールドにおける極性と、１行目から２１６０行目までの走査線の選択の進行とを示した模式図である。
【図１５】第３実施形態に係るｉ行ｊ列の液晶素子１２０における画素電極１１８の電圧Ｐ（ｉ，ｊ）の変化を示した模式図である。
【図１６】第３実施形態に係るサブフィールドにおける極性と、１行目から２１６０行目までの走査線の選択の進行とを示した模式図である。
【図１７】本実施形態に係る電気光学装置を適用した電子機器の一例たるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図１８】本実施形態に係る電気光学装置を適用した電子機器の一例たる携帯電話の構成を示す斜視図である。
【図１９】本実施形態に係る電気光学装置を適用した電子機器の一例たる携帯情報端末の構成を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明を実施するための最良の形態について説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る電気光学装置１の全体構成を示すブロック図である。
この図１に示されるように、電気光学装置１は、制御回路１０、メモリ２０、変換テーブル３０、表示領域１００、走査線駆動回路１３０およびデータ線駆動回路１４０に大別される。このうち、制御回路１０は、後述するように各部を制御するものである。
【００１９】
表示領域１００には、画素がマトリクス状に配列している。詳細には、表示領域１００には、２１６０行の走査線（書込走査線）１１２が図において水平のＸ方向に延在し、３８４０列のデータ線１１４が走査線１１２と電気的な絶縁を保ちつつ、図において垂直のＹ方向に延在している。そして、これらの走査線１１２とデータ線１１４との交差に対応するように画素１１０がそれぞれ設けられている。したがって、本実施形態において、画素１１０は、縦２１６０行×横３８４０列のマトリクス状に配列することになるが、本発明をこの配列に限定する趣旨ではない。
【００２０】
メモリ２０は、縦２１６０行×横３８４０列で配列する画素に対応した記憶領域を有し、各記憶領域は、それぞれに対応する画素１１０の表示データＤaを記憶する。表示データＤaは、画素１１０の明るさ（階調レベル）を指定するものであり、本実施形態では、「０」から「１５」まで、「１」毎の刻みの１６段階で指定する。ここで、階調レベル「０」が最低階調の黒色を指定し、階調レベルが上がるにつれて徐々に明るさが増し、階調レベル「１５」が最高階調の白色を指定するものとする。
なお、この表示データＤaは、図示しない上位装置から供給されて、制御回路１０により画素に対応する記憶領域に記憶される一方で、表示領域１００で走査される画素に対応したものがメモリ２０から読み出される構成となっている。
【００２１】
変換テーブル３０は、メモリ２０から読み出された表示データＤaを、当該表示データＤaで指定される階調レベル、および、サブフィールドにしたがって、画素１１０（液晶素子）にオンまたはオフ電圧のどちらを印加するのかを示すデータＤbに変換するものである。なお、この変換内容については後述する。
【００２２】
＜画素の構成＞
説明の便宜上、画素１１０の構成について図２を参照して説明する。図２は、第１実施形態に係る画素１１０の詳細な構成を示す図であり、ｉ行およびこれに隣接する（ｉ＋１）行と、ｊ列およびこれに隣接する（ｊ＋１）列との交差に対応する２×２の計４画素分の構成を示した模式図である。ここで、ｉ、（ｉ＋１）とは、画素１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、本実施形態では、１以上２１６０以下の整数であり、ｊ、（ｊ＋１）とは、画素１１０が配列する列を一般的に示す場合の記号であって、１以上３８４０以下の整数である。
【００２３】
図２に示されるように、各画素１１０は、ｎチャネル型のトランジスタ（ＭＯＳ型ＦＥＴ）１１６と液晶素子１２０とを含む。
ここで、各画素１１０については互いに同一構成なので、ｉ行ｊ列に位置するものに代表して説明すると、当該ｉ行ｊ列の画素１１０におけるトランジスタのゲート電極はｉ行目の走査線１１２に接続される一方、そのソース電極はｊ列目のデータ線１１４に接続され、そのドレイン電極は液晶素子１２０の一端たる画素電極１１８に接続されている。また、液晶素子１２０の他端は、対向電極１０８である。この対向電極１０８は、全ての画素１１０にわたって共通であって、本実施形態では電圧ＬＣcomに保たれている。
【００２４】
表示領域１００は、走査線１１２や、データ線１１４、トランジスタ１１６、画素電極１１８などが形成された素子基板と、対向電極１０８が形成された対向基板とが一定の間隙を保って、電極形成面が互いに対向するように貼り合わせられるとともに、この間隙に液晶１０５が封止された構成となっている（図示省略）。このため、本実施形態において液晶素子１２０は、画素電極１１８と対向電極１０８とが液晶１０５を挟持した構成となる。
なお、本実施形態では、素子基板に半導体基板を用い、対向基板にガラス等の透明基板を用いて、液晶素子１２０を反射型としたＬＣＯＳ（Liquid Crystal on Silicon）型である。このため、素子基板には、走査線駆動回路１３０、データ線駆動回路１４０のほかに、制御回路１０や、メモリ２０、変換テーブル３０をすべて形成した構成としても良い。
【００２５】
この構成において、走査線１１２に選択電圧（走査信号）を印加して、トランジスタ１１６（スイッチング素子）をオン（導通）させるとともに、画素電極１１８に、データ線１１４およびオン状態のトランジスタ１１６を介して、データ信号を供給すると、選択電圧を印加した走査線１１２とデータ信号を供給したデータ線１１４との交差に対応する液晶素子１２０には、当該データ信号の電圧と対向電極１０８に印加された電圧ＬＣcomとの差電圧が書き込まれる。なお、走査線１１２が非選択電圧になると、トランジスタ１１６がオフ（非導通）状態となるが、液晶素子１２０では、トランジスタ１１６が導通状態となったときに書き込まれた電圧が、その容量性により保持される。
【００２６】
本実施形態において、液晶素子１２０はノーマリーブラックモードに設定されている。このため、液晶素子１２０の反射率（透過型とした場合には透過率）は、画素電極１１８および対向電極１０８とによる差電圧の実効値が小さくなるにつれて暗くなり、電圧無印加状態においてほぼ黒色となる。ただし、本実施形態において、画素電極１１８には、上記差電圧を飽和電圧以上とさせるオン電圧、または、しきい値電圧以下のオフ電圧のいずれか一方の電圧のみが印加される。
【００２７】
ノーマリーブラックモードにおいて、最も暗い状態の反射率を相対反射率０％とし、最も明るい状態の反射率を相対反射率１００％としたとき、液晶素子１２０に印加される電圧のうち、相対反射率が１０％となる電圧を光学的しきい値電圧といい、相対反射率が９０％となる電圧を光学的飽和電圧という。電圧変調方式（アナログ駆動）において、液晶素子１２０を中間調（灰色）とさせる場合には、液晶１０５に光学的飽和電圧以下の電圧が印加されるように設計される。このため、液晶１０５の反射率は、液晶１０５の印加電圧にほぼ比例した値となる。
【００２８】
これに対して、本実施形態では、液晶素子１２０に印加する電圧としては、オン電圧とオフ電圧との２つのみを用いて階調表示が行われる。詳細には、本実施形態における階調表示は、１フィールドを複数のサブフィールドに分割するとともに、液晶素子１２０にオンまたはオフ電圧を印加する期間を、サブフィールドを単位として配分することによって実行される。
【００２９】
本実施形態において、オン電圧として用いる電圧は、飽和電圧の１〜１．５倍程度の電圧が用いられる。これは液晶の応答特性における立ち上がりが液晶素子に印加される電圧レベルとほぼ比例関係にあるから、液晶の応答特性を改善するために好ましいからである。
また、オフ電圧として用いる電圧は、液晶素子１２０の光学的しきい値電圧以下の電圧が用いられる。
【００３０】
なお、液晶素子の実際の反射率は、液晶の応答ゆえにオン電圧が印加される期間の積分値におおよそ比例するが、説明を簡略化するために、オン電圧が印加される期間に比例するものとして説明する場合がある。
【００３１】
＜サブフィールド構成＞
そこでまず、本実施形態におけるサブフィールドの構成について、図３を参照して説明する。ここで、図３は、第１実施形態に係る電気光学装置におけるサブフィールドの構成を示す模式図である。
この図３において、１フィールドとは、１枚分の画像を形成するのに要する期間をいい、ノンインターレース方式におけるフレームと同義であって、１６．７ミリ秒（６０Ｈｚの１周波数分）で一定である。
【００３２】
この図３に示されるように、本実施形態において１フィールドの期間は、４つのグループに等分割され、さらに各グループは、２つのサブフィールドに分割されている。このため、１フィールドは、計８つのサブフィールドに分割されるが、便宜的に、各サブフィールドについて、１フィールドの最初から順番にｓｆ１、ｓｆ２、ｓｆ３、…、ｓｆ８と呼ぶことにする。
ここで、後述するクロック信号Ｃlyの１周期を１Ｈと表記すると、１グループの期間長は２１６０Ｈであり、このため、１フィールドの期間長は、８６４０（＝２１６０×４）Ｈとなる。
【００３３】
また、奇数サブフィールドｓｆ１、ｓｆ３、ｓｆ５、ｓｆ７の期間長は、それぞれ７２０Ｈに設定され、偶数サブフィールドｓｆ２、ｓｆ４、ｓｆ６、ｓｆ８の期間長は、それぞれ１４４０Ｈに設定されている。したがって、奇数サブフィールドｓｆ１、ｓｆ３、ｓｆ５、ｓｆ７の期間長の比率を「１」とした場合、偶数サブフィールドｓｆ２、ｓｆ４、ｓｆ６、ｓｆ８の期間長の比率は「２」となり、１フィールドの期間長の比率は「１２」となる。
なお、フィールドは、時間的にみれば連続するので、あるフィールドのサブフィールドｓｆ８は、次フィールドのサブフィールドｓｆ１に隣接することになる。
【００３４】
＜変換テーブルの変換内容＞
次に、図４を参照して、階調表示を実際に行うための変換テーブル３０の変換内容について説明する。変換テーブル３０は表示すべき階調レベルとＳＦコードとを対応付けて記憶している。ＳＦコードは、サブフィールドｓｆ１〜ｓｆ８毎に、液晶素子１２０にオン電圧またはオフ電圧のいずれかを指定する。これにより、メモリ２０から読み出された表示データＤaを、サブフィールドｓｆ１〜ｓｆ８毎に、液晶素子１２０にオンまたはオフ電圧のいずれかを指定するデータＤbに変換される。
この図において「１」が液晶素子１２０にオン電圧を、「０」が液晶素子１２０のオフ電圧を、それぞれ印加することを指定する。例えば、階調レベルが「５」である場合、液晶素子１２０に対して、サブフィールドｓｆ２、ｓｆ５、ｓｆ７でオン電圧を印加し、他のサブフィールドではオフ電圧を印加することが指定される。本実施形態では、液晶の応答特性を考慮して階調レベルとＳＦコードとの対応付けを定めている。
【００３５】
なお、人間の視覚特性は、対数的または指数的な性質を持つことが一般に知られている。このため、階調レベルが直線的に変化していても、人間の目にはそれが直線的に変化している、とは感じられないことがある。また、液晶素子や有機ＥＬ素子（Electronic Luminescence）などの表示素子では、電圧等がリニアに変化しても、表示素子の実際の明るさの変化は曲線的となる。
【００３６】
こうした事情から、表示装置においては、画素の階調を指定する階調レベルに対して、表示素子の明るさを、人間の視覚特性を考慮して曲線的な特性（γ特性）に変換することが一般的に行われる。このようなγ特性にしたがって階調を表現させると、人間の目で見て階調変化が直線的に現れるのである。ここで、γ特性におけるγ係数は、表示素子に液晶素子を用いる場合には「２．２」が理想的とされている。本実施形態では、上述した変換テーブル３０に従って表示データＤａをデータＤｂに変換すると、図５に示す階調レベルと明るさが得られるように変換特性が設定されている。
【００３７】
＜走査線駆動回路＞
次に、走査線駆動回路１３０は、サブフィールドｓｆ１〜ｓｆ８の夫々において、順次排他的に有効となる走査信号Ｇ１、Ｇ２、…Ｇ２１６０を生成する。これによって、走査線を１、２、３、４、…、２１５９、２１６０行目という順番で選択が行われる。走査信号Ｇ１、Ｇ２、…Ｇ２１６０が順次有効になると、１、２、３、４、…、２１５９、２１６０行目の画素１１０においてトランジスタ１１６がオン状態となる。このように行単位で複数の画素１１０が選択され、データ線１１４を介してデータ信号（信号電位）が画素電極１１８に書き込まれる。なお、各行の画素においてサブフィールドに相当する期間は、走査線が選択されてオンまたはオフ電圧が書き込まれた後、再び走査線が選択されるまでの期間である。
【００３８】
＜データ線駆動回路＞
続いて図６に加えて、上述した図１を適宜参照して、本実施形態に係るデータ線駆動回路１４０について説明する。ここに、図６は、第１実施形態に係るｉ行ｊ列の液晶素子１２０における画素電極１１８の電圧Ｐ（ｉ，ｊ）の変化を示した模式図である。尚、図６において、階調レベルとして階調レベル「９」が指定されている。
【００３９】
データ線駆動回路１４０は、変換テーブル３０により変換されたデータＤbを、制御回路１０で指定された極性の電圧に変換して、当該データＤbに対応する列のデータ線１１４にデータ信号として供給するものである。詳細には、データ線駆動回路１４０は、変換テーブル３０により変換されたデータＤbが液晶素子１２０に対してオン電圧の印加を示す「１」である場合であって、制御回路１０により正極性書込が指定されていれば電圧Ｖw(+)に、負極性書込が指定されていれば電圧Ｖw(-)に、それぞれ変換する一方、液晶素子１２０に対してオフ電圧の印加を示す「０」である場合であって、正極性書込が指定されていれば電圧Ｖb(+)に、負極性書込が指定されていれば電圧Ｖb(-)に、それぞれ変換する。
なお、１、２、３、…、３８４０列目のデータ線１１４に供給されるデータ信号を、データ信号ｄ１、ｄ２、ｄ３、…、ｄ３８４０と表記し、列を特定しないでｊ列目のデータ信号をｄｊと表記する。
【００４０】
電圧Ｖw(+)およびＶw(-)は、液晶素子１２０にオン電圧を印加するための電圧であり、図６に示されるように、電圧Ｖcを基準して対称の位置関係にある。上述したように、本実施形態では、対向電極１０８には電圧ＬＣcomが印加されているので、電圧Ｖw(+)が画素電極１１８に印加されると、液晶素子１２０には当該電圧Ｖw(+)と電圧ＬＣcomとの差電圧が、電圧Ｖw(-)が画素電極１１８に印加されると、液晶素子１２０には当該電圧Ｖw(-)と電圧ＬＣcomとの差電圧が、それぞれオン電圧として印加される。
なお、このオン電圧としては、上述したように飽和電圧の１〜１．５倍程度の電圧が用いられるが、画素電極１１８に電圧Ｖw(+)、Ｖw(-)が印加された場合に、液晶素子１２０の反射率が飽和して白色となるまでの飽和応答時間は、最も短いサブフィールドｓｆ１の期間長よりも長くてもよい。換言すれば、サブフィールドｓｆ１の期間長は、液晶素子１２０の飽和応答時間よりも短くしてもよい。
【００４１】
一方、電圧Ｖb(+)およびＶb(-)は、液晶素子１２０にオフ電圧を印加するための電圧であり、図６に示されるように、電圧Ｖcを基準して対称の位置関係にある。この電圧Ｖb(+)が画素電極１１８に印加されると、液晶素子１２０には当該電圧Ｖb(+)と電圧ＬＣcomとの差電圧が、電圧Ｖb(-)が画素電極１１８に印加されると、液晶素子１２０には当該電圧Ｖb(-)と電圧ＬＣcomとの差電圧が、それぞれオフ電圧として印加される。
【００４２】
ここで、液晶素子１２０に直流成分が印加されると、液晶１０５が劣化するので、画素電極１１８には基準電圧Ｖcに対して高位側および低位側の電圧が交互に印加される（交流駆動）。この交流駆動において、画素電極１１８に印加する電圧、すなわち、データ信号の電圧を、基準電圧Ｖcに対して高位側とするか、低位側とするかが書込極性であって、高位側とする場合を正極性とし、低位側とする場合を負極性としている。尚、本実施形態に係る正極性書込及び負極性書込のうちいずれか一方からいずれか他方へと切り替える極性の反転制御については後述される。
【００４３】
したがって、電圧Ｖw(+)、Ｖb(+)が正極性電圧であり、電圧Ｖw(-)、Ｖb(-)が負極性電圧である。なお、本実施形態において書込極性については、電圧Ｖcを基準とするが、電圧については、特に説明のない限り、論理レベルのＬレベルに相当する接地電位Ｇn dを電圧ゼロの基準としている。
【００４４】
ところで、対向電極１０８への印加電圧ＬＣcomは、基準電圧Ｖcよりも若干低位側に設定される。これは、ｎチャネル型のトランジスタ１１６では、ゲート・ドレイン電極間の寄生容量に起因して、オンからオフに状態変化するときにドレイン（画素電極１１８）の電位が低下する、というプッシュダウン（フィールドスルー、突き抜けとも呼ばれる）が発生するためである。仮に電圧ＬＣcomを基準電圧Ｖcと一致させた場合、負極性書込による液晶素子１２０の電圧実効値は、プッシュダウンのために、正極性書込による電圧実効値よりも若干大きくなってしまう（トランジスタ１１６がｎチャネルの場合）。このため、プッシュダウンの影響が相殺されるような適正値に、電圧ＬＣcomを基準電圧Ｖcよりも低位側にオフセットして設定される。ただし、プッシュダウンの影響が無視できるならば、電圧ＬＣcomと基準電圧Ｖcとは一致するように設定される。
【００４５】
＜極性の反転制御＞
次に、図７乃至図１０に加えて上述した図６を適宜参照して、本実施形態に係る正極性書込及び負極性書込のうちいずれか一方からいずれか他方へと切り替える極性の反転制御について説明する。ここに、図７は、第１実施形態に係るサブフィールドにおける信号電位の極性と、１行目から２１６０行目までの走査線の選択の進行とを示した模式図である。尚、上述したように、図６及び図７において、階調レベルとして階調レベル「９」が指定されている。また、図７中において「＋」は正極性書込を意味し、「−」は負極性書込を意味する。図８は、第１の比較例に係るｉ行ｊ列の液晶素子１２０における画素電極１１８の電圧Ｐ（ｉ，ｊ）の変化を示した模式図である。図９は、第１の比較例に係るサブフィールドにおける極性と、１行目から２１６０行目までの走査線の選択の進行とを示した模式図である。尚、図８及び図９においても、階調レベルとして階調レベル「９」が指定されている。図１０は、本実施形態における焼き付きの度合いと、第１の比較例における焼き付きの度合いとを、階調レベルを単位として示した表である。
【００４６】
上述したように、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、正極性書込が指定されていれば、走査信号ＧｉがＨレベルとなったときに、液晶素子にオン電圧を印加させる電圧Ｖw(+)、または、オフ電圧を印加させる電圧Ｖb(+)のいずれかとなり、サブフィールドの各期間にわたって保持される。また、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、負極性書込が指定されていれば、走査信号ＧｉがＨレベルとなったときに、オン電圧を印加させる電圧Ｖw(-)、または、オフ電圧を印加させる電圧Ｖb(-)のいずれかとなり、サブフィールドの各期間にわたって保持される。
【００４７】
図６に示すように階調レベル「９」が指定された場合、サブフィールドｓｆ２〜ｓｆ４、ｓｆ７においてオン電圧が、他のサブフィードｓｆ１、ｓｆ５、ｓｆ６、ｓｆ８においてオフ電圧が、それぞれ印加される。
また、図７に示すように奇数フィールドでは、サブフィールドｓｆ１及びｓｆ２が正極性書込、サブフィールドｓｆ３及びｓｆ４が負極性書込、サブフィールドｓｆ５及びｓｆ６が正極性書込、並びにサブフィールドｓｆ７及びｓｆ８が負極性書込となる。一方、偶数フィールドでは、サブフィールドｓｆ１及びｓｆ２が負極性書込、サブフィールドｓｆ３及びｓｆ４が正極性書込、サブフィールドｓｆ５及びｓｆ６が負極性書込、並びにサブフィールドｓｆ７及びｓｆ８が正極性書込となる。
【００４８】
したがって、すべてのフィールドで極性反転を複数回（この例では、４回）実行し、さらに、あるフィールドである奇数フィールドを構成する複数のサブフィールド（ｓｆ１〜ｓｆ８）の各々の書込極性が、次のフィールドである偶数フィールドを構成する複数のサブフィールド（ｓｆ１〜ｓｆ８）各々の書込極性と反転するようにデータ信号（信号電位）を画素１１０に書き込んでいる。すなわち、偶数フィールドのサブフィールドｓｆ１の書込極性と奇数フィールドのサブフィールドｓｆ１の書込極性とが反転し、偶数フィールドのサブフィールドｓｆ２の書込極性と奇数フィールドのサブフィールドｓｆ２の書込極性とが反転し、偶数フィールドのサブフィールドｓｆ３の書込極性と奇数フィールドのサブフィールドｓｆ３の書込極性とが反転し、偶数フィールドのサブフィールドｓｆ４の書込極性と奇数フィールドのサブフィールドｓｆ４の書込極性とが反転し、偶数フィールドのサブフィールドｓｆ５の書込極性と奇数フィールドのサブフィールドｓｆ５の書込極性とが反転し、偶数フィールドのサブフィールドｓｆ６の書込極性と奇数フィールドのサブフィールドｓｆ６の書込極性とが反転し、偶数フィールドのサブフィールドｓｆ７の書込極性と奇数フィールドのサブフィールドｓｆ７の書込極性とが反転し、偶数フィールドのサブフィールドｓｆ８の書込極性と奇数フィールドのサブフィールドｓｆ８の書込極性とが反転する。
【００４９】
これにより、図６に示されるように、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、奇数フィールドにおいて、オン電圧が印加されており且つ正極性書込が指定されるサブフィールドｓｆ２に相当する期間にわたって電圧Ｖw(+)となる。他方、偶数フィールドにおけるサブフィールドｓｆ２は、オン電圧が印加されており且つ負極性書込が指定されるので、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、このサブフィールドｓｆ２に相当する期間にわたって電圧Ｖw(-)となる。
【００５０】
また、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、奇数フィールドにおいて、オン電圧が印加されており且つ負極性書込が指定されるサブフィールドｓｆ３、ｓｆ４、ｓｆ７に相当する期間にわたって電圧Ｖw(-)となる。他方、偶数フィールドにおけるサブフィールドｓｆ３、ｓｆ４、ｓｆ７は、正極性書込が指定されており且つオン電圧が印加されるので、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、このサブフィールドｓｆ３、ｓｆ４、ｓｆ７に相当する期間にわたって電圧Ｖw(+)となる。これにより、連続する２つのフィールド、言い換えると、奇数フィールドと偶数フィールドにおいて、オン電圧が正極性で印加される正極性の電圧印加時間と、オン電圧が負極性で印加される負極性の電圧印加時間とが等しくなり、液晶素子１２０に印加される電圧からオン電圧に起因した直流成分を殆ど又は完全に除くことができる。
【００５１】
また、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、奇数フィールドにおいて、オフ電圧が印加されており且つ正極性書込が指定されるサブフィールドｓｆ１、ｓｆ５、ｓｆ６に相当する期間にわたって電圧Ｖb(+)となる。他方、偶数フィールドにおけるサブフィールドｓｆ１、ｓｆ５、ｓｆ６は、オフ電圧が印加されており且つ負極性書込が指定されるので、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、このサブフィールドｓｆ１、ｓｆ５、ｓｆ６に相当する期間にわたって電圧Ｖb(-)となる。
【００５２】
また、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、奇数フィールドにおいて、オフ電圧が印加されており且つ負極性書込が指定されるサブフィールドｓｆ８に相当する期間にわたって電圧Ｖb(-)となる。他方、偶数フィールドにおけるサブフィールドｓｆ８は、正極性書込が指定されており且つオフ電圧が印加されるので、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、このサブフィールドｓｆ８に相当する期間にわたって電圧Ｖb(+)となる。これにより、連続する２つのフィールド、言い換えると、奇数フィールドと偶数フィールドにおいて、オフ電圧が正極性で印加される正極性の電圧印加時間と、オフ電圧が負極性で印加される負極性の電圧印加時間とを等しくなり、液晶素子１２０に印加される電圧からオフ電圧に起因した直流成分を殆ど又は完全に除くことができる。
【００５３】
以上より、サブフィールドを用いて階調表示を行う際の階調レベルにおいて、液晶素子１２０に印加される電圧から直流成分を殆ど又は完全に除くことができる。加えて、本実施形態では、各フィールドにおいて書込極性を複数回反転させるので、フリッカを抑圧して、ちらつきを大幅に低減させることができる。
【００５４】
仮に、第１の比較例に係る図８及び図９に示されるように、例えば、フィールド単位で極性反転を行う場合、サブフィールドを用いて階調表示を行う際の階調レベルによっては、オン電圧が同じ極性で印加される電圧印加時間が長くなってしまい、液晶素子１２０に直流成分が印加され、画面の焼き付きが発生してしまうという技術的な問題点が生じる。
具体的には、階調レベルとして階調レベル「９」が指定されている場合を想定し、上述した本実施形態と第１の比較例とを比較する。この場合、図８及び図９に示されるように、第１の比較例では、連続する２つのフィールド、言い換えると、奇数フィールドと偶数フィールドにおいて、負極性のオン電圧が、奇数フィールドのサブフィールドｓｆ３、ｓｆ４、ｓｆ７と、偶数フィールドのサブフィールドｓｆ３、ｓｆ４、ｓｆ７とに印加される。このため、第１の比較例では、連続する２つのフィールドにおいて、負極性のオン電圧が印加される電圧印加時間は、サブフィールド８単位分に相当する。なお、この単位は、例えばサブフィールドｓｆ１の電圧印加時間等、短い方のサブフィールドの電圧印加時間を１単位とする。加えて、比較例では、連続する２つのフィールドにおいて、正極性のオン電圧が、奇数フィールドのサブフィールドｓｆ２と、偶数フィールドのサブフィールドｓｆ２とに印加される。このため、比較例では、連続する２つのフィールドにおいて、正極性のオン電圧が印加される電圧印加時間は、サブフィールド２単位分に相当する。このため、比較例では、差引き、負極性のオン電圧が印加されるサブフィールド６単位分（「６＝８−２」単位分）に相当する直流成分が発生してしまうという技術的な問題点が生じる。
【００５５】
これに対して、本実施形態によれば、図６及び図７に示されるように、連続する２つのフィールドにおいて、負極性のオン電圧が、奇数フィールドのサブフィールドｓｆ３、ｓｆ４、ｓｆ７と、偶数フィールドのサブフィールドｓｆ２とに印加される。これにより、本実施形態によれば、連続する２つのフィールドにおいて、負極性のオン電圧が印加される電圧印加時間は、サブフィールド６単位分に相当する。
【００５６】
加えて、本実施形態では、連続する２つのフィールドにおいて、正極性のオン電圧が、奇数フィールドのサブフィールドｓｆ２と、偶数フィールドのサブフィールドｓｆ３、ｓｆ４、ｓｆ７とに印加される。これにより、本実施形態では、連続する２つのフィールドにおいて、正極性のオン電圧が印加される電圧印加時間は、サブフィールド６単位分に相当する。これにより、本実施形態では、連続する２つのフィールドにおいて、オン電圧が正極性で印加される正極性の電圧印加時間と、オン電圧が負極性で印加される負極性の電圧印加時間とを等しくさせ、正極性の電圧印加時間と負極性の電圧印加時間とを差引きゼロとすることが可能である。この結果、液晶素子１２０に印加される電圧からオン電圧に起因した直流成分を殆ど又は完全に除くことができる。
概ね同様にして、全ての階調レベルについて、本実施形態と第１の比較例とを比較した場合、図１０に示されるように、比較例では、階調レベル「１」乃至「６」、「８」、「９」、「１１」乃至「１４」、即ち、全ての階調レベル１６階調のうち１２階調において、直流成分に起因して画面の焼き付きが発生してしまう。詳細には、第１の比較例では、１つのフィールドにおいて、オン電圧が正極性で印加される正極性の電圧印加時間（図１０中の「＋」のオン期間を参照）と、オン電圧が負極性で印加される負極性の電圧印加時間（図１０中の「−」のオン期間を参照）とが等しくない階調レベル「１」乃至「６」、「８」、「９」、「１１」乃至「１４」において、「ＮＧ（No Good）」となり、直流成分に起因して画面の焼き付きが発生してしまう。
【００５７】
これに対して、本実施形態では、全ての階調レベルにおいて、連続する２つのフィールドにおいて、オン電圧が正極性で印加される正極性の電圧印加時間と、オン電圧が負極性で印加される負極性の電圧印加時間とを等しくさせ、直流成分に起因して、液晶１０５が劣化することを殆ど又は完全に無くすことが可能である。
このように第１実施形態では、１フィールドを８個のサブフィールドで構成し、２サブフィールドごとに書込極性の反転を１フィールド中に４回行った。このように、１フィールド中に偶数回の反転を行うことにより、あるフィールド次のフィールドで、同じサブフィールドでは極性反転が行われることになり、液晶１０５に印加する電圧に直流成分を無くすことができる。したがって、Ｘを２以上の自然数、Ｙを偶数としたとき、１フィールドを、Ｘ・Ｙ個のサブフィールドで構成し、１フィールド中にＸ個のサブフィールドごとに書込極性の反転をＹ回行うように、データ信号の電位を画素に書き込むものであってよい。この場合は、１フィールドがＹ個のグループに分割され、各グループにはＸ個のサブフィールドが属する。そして、グループの切り替わりで極性反転を実行する。１フィールド内でＹ回の極性反転を行うので、フリッカを抑圧することが可能となる。なお、各グループの長さは等しいことが好ましい。
【００５８】
＜第２実施形態＞
第２実施形態に係る電気光学装置は、正極性書込及び負極性書込の反転制御を除いて、第１実施形態の電気光学装置と同様に構成されている。
図１１乃至図１４を参照して、第２実施形態に係る正極性書込及び負極性書込のうちいずれか一方からいずれか他方へと切り替える極性の反転制御について説明する。ここに、図１０は、第２実施形態に係るｉ行ｊ列の液晶素子１２０における画素電極１１８の電圧Ｐ（ｉ，ｊ）の変化を示した模式図である。図１２は、第２実施形態に係るサブフィールドにおける極性と、１行目から２１６０行目までの走査線の選択の進行とを示した模式図である。尚、図１１及び図１２において、階調レベルとして階調レベル「９」が指定されている。また、図１２中において「＋」は正極性書込を意味し、「−」は負極性書込を意味する。図１３は、第２の比較例に係るｉ行ｊ列の液晶素子１２０における画素電極１１８の電圧Ｐ（ｉ，ｊ）の変化を示した模式図である。図１４は、第２の比較例に係るサブフィールドにおける極性と、１行目から２１６０行目までの走査線の選択の進行とを示した模式図である。
【００５９】
第２実施形態では、１つのサブフィールドを単位として極性反転を行う。言い換えると、１フィールドの期間内に、８回、極性反転を行う。加えて、奇数フィールドのサブフィールドｓｆ１〜ｓｆ８の極性と、この奇数フィールドに続く偶数フィールドのサブフィールドｓｆ１〜ｓｆ８の極性とを異ならせる。典型的には、図１２に示されるように、奇数フィールドのサブフィールドｓｆ１、ｓｆ３、ｓｆ５、ｓｆ７において正極性書込を行う場合、偶数フィールドのサブフィールドｓｆ１、ｓｆ３、ｓｆ５、ｓｆ７において負極性書込を行う。加えて、奇数フィールドのサブフィールドｓｆ２、ｓｆ４、ｓｆ６、ｓｆ８において負極性書込を行う場合、偶数フィールドのサブフィールドｓｆ２、ｓｆ４、ｓｆ６、ｓｆ８において正極性書込を行う。
【００６０】
これにより、図１１に示されるように、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、奇数フィールドにおいて、オン電圧が印加されており且つ正極性書込が指定されるサブフィールドｓｆ３、ｓｆ７に相当する期間にわたって電圧Ｖw(+)となる。他方、偶数フィールドにおけるサブフィールドｓｆ３、ｓｆ７は、オン電圧が印加されており且つ負極性書込が指定されるので、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、このサブフィールドｓｆ３、ｓｆ７に相当する期間にわたって電圧Ｖw(-)となる。
【００６１】
また、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、奇数フィールドにおいて、オン電圧が印加されており且つ負極性書込が指定されるサブフィールドｓｆ２、ｓｆ４に相当する期間にわたって電圧Ｖw(-)となる。他方、偶数フィールドにおけるサブフィールドｓｆ２、ｓｆ４は、正極性書込が指定されており且つオン電圧が印加されるので、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、このサブフィールドｓｆ２、ｓｆ４に相当する期間にわたって電圧Ｖw(+)となる。これにより、連続する２つのフィールド、言い換えると、奇数フィールドと偶数フィールドにおいて、オン電圧が正極性で印加される正極性の電圧印加時間と、オン電圧が負極性で印加される負極性の電圧印加時間とを等しくさせることが可能であり、液晶素子１２０に印加される電圧からオン電圧に起因した直流成分を殆ど又は完全に除くことができる。特に第２実施形態では、フィールド内において極性を反転させる回数が、第１実施形態と比較して多いため画面上でフリッカが発生するのを効果的に減少することが可能である。尚、第２実施形態に係る、オフ電圧が正極性で印加される正極性の電圧印加時間と、オフ電圧が負極性で印加される負極性の電圧印加時間とについても、オン電圧の場合と概ね同様に動作して、液晶素子１２０に印加される電圧からオフ電圧に起因した直流成分を殆ど又は完全に除くことができる。
【００６２】
仮に、第２の比較例に係る図１３及び図１４に示されるように、例えば奇数フィールドや偶数フィールド等のフィールドを単位として極性反転を行う場合、サブフィールドを単位とする場合よりも、長くなってしまい、画面上でフリッカが発生してしまう可能性があるという技術的な問題点が生じる。
【００６３】
これに対して、第２実施形態によれば、１フィールドの期間内に、８回、極性反転を行う。加えて、奇数フィールドのサブフィールドｓｆ１〜ｓｆ８の極性と、この奇数フィールドに続く偶数フィールドのサブフィールドの極性とを異ならせる。以上の結果、第２実施形態によれば、直流成分に起因して、液晶１０５が劣化することを殆ど又は完全に無くすことが可能であると共に、画面上でフリッカが発生するのを効果的に減少することが可能である。
但し、サブフィールド単位で極性反転を実行し、あるフィールドと次のフィールドの各サブフィールドで極性が反転するためには、１つのサブフィールドで偶数回、極性反転を実行する必要がある。よって、１フィールドが偶数個のサブフィールドで構成されることが好ましい。
【００６４】
＜第３実施形態＞
第２実施形態に係る電気光学装置は、正極性書込及び負極性書込の反転制御を除いて、第１実施形態の電気光学装置と同様に構成されている。
次に、図１５及び図１６を参照して、第３実施形態に係る正極性書込及び負極性書込のうちいずれか一方からいずれか他方へと切り替える極性の反転制御について説明する。ここに、図１５は、第３実施形態に係るｉ行ｊ列の液晶素子１２０における画素電極１１８の電圧Ｐ（ｉ，ｊ）の変化を示した模式図である。図１６は、第３実施形態に係るサブフィールドにおける極性と、１行目から２１６０行目までの走査線の選択の進行とを示した模式図である。尚、図１５及び図１６において、階調レベルとして階調レベル「９」が指定されている。また、図１６中において「＋」は正極性書込を意味し、「−」は負極性書込を意味する。
【００６５】
第３実施形態では、１つのフィールド内の時間軸上、先頭に位置するサブフィールドｓｆ１の極性と、１つのフィールド内の末尾に位置するサブフィールドｓｆ８の極性とを同じにする。加えて、１つのフィールド内の先頭及び末尾のサブフィールドを除く、残りのサブフィールドにおいて、２つのサブフィールドを単位として極性反転を行う。加えて、奇数フィールドのサブフィールドｓｆ１〜ｓｆ８の極性と、この奇数フィールドに続く偶数フィールドのサブフィールドの極性とを異ならせる。典型的には、図２０に示されるように、奇数フィールドの先頭のサブフィールドｓｆ１及び末尾のサブフィールドｓｆ８に加えて、サブフィールドｓｆ４、ｓｆ５において正極性書込を行う場合、偶数フィールドのサブフィールドｓｆ１、ｓｆ８、ｓｆ４、ｓｆ５において負極性書込を行う。加えて、奇数フィールドのサブフィールドｓｆ２、ｓｆ３、ｓｆ６、ｓｆ７において負極性書込を行う場合、偶数フィールドのサブフィールドｓｆ２、ｓｆ３、ｓｆ６、ｓｆ７において正極性書込を行う。
【００６６】
これにより、図１５に示されるように、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、奇数フィールドにおいて、オン電圧が印加されており且つ正極性書込が指定されるサブフィールドｓｆ４に相当する期間にわたって電圧Ｖw(+)となる。他方、偶数フィールドにおけるサブフィールドｓｆ３、ｓｆ７は、オン電圧が印加されており且つ負極性書込が指定されるので、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、このサブフィールドｓｆ４に相当する期間にわたって電圧Ｖw(-)となる。
【００６７】
また、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、奇数フィールドにおいて、オン電圧が印加されており且つ負極性書込が指定されるサブフィールドｓｆ２、ｓｆ３、ｓｆ７に相当する期間にわたって電圧Ｖw(-)となる。他方、偶数フィールドにおけるサブフィールドｓｆ２、ｓｆ３、ｓｆ７は、正極性書込が指定されており且つオン電圧が印加されるので、電圧Ｐ（ｉ，ｊ）は、このサブフィールドｓｆ２、ｓｆ３、ｓｆ７に相当する期間にわたって電圧Ｖw(+)となる。これにより、連続する２つのフィールド、言い換えると、奇数フィールドと偶数フィールドにおいて、オン電圧が正極性で印加される正極性の電圧印加時間と、オン電圧が負極性で印加される負極性の電圧印加時間とを等しくさせることが可能であり、液晶素子１２０に印加される電圧からオン電圧に起因した直流成分を殆ど又は完全に除くことができる。特に、第３実施形態では、１つのフィールド内の先頭に位置するサブフィールドｓｆ１の極性と、１つのフィールド内の末尾に位置するサブフィールドｓｆ８の極性とを同じにすると共に、奇数フィールドのサブフィールドｓｆ１〜ｓｆ８の極性と、この奇数フィールドに続く偶数フィールドのサブフィールドの極性とを異ならせるので、２つの連続するフィールドを跨る際には、極性の反転が必ず実施される。これにより、フィールドの切り替えときに同一の極性で電圧が掛かり続ける状態を適切に回避することができ、液晶成分の経時劣化を効果的に抑制することができる。
【００６８】
加えて、第３実施形態によれば、２つのサブフィールドを単位として極性反転を行う際に、フィールドを跨って同じ極性が連続することを完全に無くすことができるので、２つの連続するフィールドにおいて極性反転の回数をより多くさせ、画面上でフリッカが発生するのをより効果的に減少することが可能である。尚、第３実施形態に係る、オフ電圧が正極性で印加される正極性の電圧印加時間と、オフ電圧が負極性で印加される負極性の電圧印加時間とについても、オン電圧の場合と概ね同様に動作して、液晶素子１２０に印加される電圧からオフ電圧に起因した直流成分を殆ど又は完全に除くことができる。
以上の結果、第３実施形態によれば、直流成分に起因して、液晶が経時劣化することを効果的に抑制することが可能であると共に、画面上でフリッカが発生するのをより効果的に減少することが可能である。
第３実施形態では、最初のサブフィールドｓｆ１と最後のサブフィールドｓｆ８との書込極性を一致させ、最初の次のサブフィールドｓｆ２から最後の直前までのサブフィールドｓｆ７を構成する６個（Ｘ・Ｙ個）のサブフィールドにおいて、２個（Ｘ個）のサブールドごとに書込極性の反転を３回（Ｙ回）行うようにデータ信号を画素に書き込んだ。この場合、最初と最後を除いたＸ・Ｙ個のサブフィールド（この例では、ｓｆ２〜ｓｆ７）をＹ個のグループに分割し、グループ単位で極性反転を実行し、１グループをＸ個のサブフィールドで構成してもよい。そのような場合であっても、直流成分に起因して、液晶が経時劣化することを効果的に抑制することが可能であると共に、画面上でフリッカが発生するのをより効果的に減少することが可能である。
【００６９】
＜電子機器＞
次に、上述した実施形態および変形例に係る電気光学装置１を適用した電子機器について説明する。図１７に、電気光学装置１を適用したモバイル型のパーソナルコンピュータの構成を示す。パーソナルコンピュータ２０００は、表示ユニットとしての電気光学装置１と本体部２０１０を備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１及びキーボード２００２が設けられている。
【００７０】
図１８に、電気光学装置１を適用した携帯電話機の構成を示す。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１及びスクロールボタン３００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１を備える。スクロールボタン３００２を操作することによって、電気光学装置１に表示される画面がスクロールされる。
【００７１】
図１９に、電気光学装置１を適用した情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の構成を示す。情報携帯端末４０００は、複数の操作ボタン４００１及び電源スイッチ４００２、並びに表示ユニットとしての電気光学装置１を備える。電源スイッチ４００２を操作すると、住所録やスケジュール帳といった各種の情報が電気光学装置１に表示される。
【００７２】
なお、電気光学装置１が適用される電子機器としては、図１７〜図１９に示すものの他、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、前述した電気光学装置１が適用可能である。
【００７３】
尚、上述した第１乃至第３実施形態では、各サブフィールドの期間の長さを異ならせ、サブフィールドに重み付けを行った液晶表示装置について説明したが、本発明は、各サブフィールドの期間の長さを同一にした液晶表示装置に適用可能である。また、上述した第１乃至第３実施形態では、１つのフィールドにサブフィールドを８個、有する液晶表示装置について説明したが、本発明は、１つのフィールドにサブフィールドをＮ個（但し、Ｎは２以上の整数）、有する液晶表示装置に適用可能である。
【００７４】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置の駆動方法、電気光学装置、並びに、電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明は電気光学装置の駆動方法、電気光学装置、並びに、電子機器に利用可能である。
【符号の説明】
【００７６】
１…電気光学装置、１０…制御回路、２０…メモリ、３０…変換テーブル、１００…表示パネル、１０５…液晶、１０８…対向電極、１１０…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…トランジスタ、１１８…画素電極、１２０…液晶容量、１３０…走査線駆動回路、１４０…データ線駆動回路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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