(57)【要約】【課題】発光ダイオードのチップレベルパッケージ構造を提供する。【解決手段】本発明の発光ダイオードのチップレベルパッケージ構造は、第一平面及び第二平面を有する永久基板と、該永久基板の該第一平面に位置する第一電極と、該永久基板の該第一平面において該第一電極以外の領域に位置する接着層と、該接着層に位置し、少なくとも、第一型半導体層と第二型半導体層とを含むパターン化半導体構造と、該パターン化半導体構造に位置し、且つ、該第一型半導体層及び該第二型半導体層とそれぞれ電気的に接続される第三電極及び第四電極と、該パターン化半導体構造の側壁に位置し、且つ、該第三電極及び該第四電極を該第一電極と電気的に接続させるための電気接続構造と、該パターン化半導体構造の側壁と該電気接続構造との間に位置し、該パターン化半導体構造を該電気接続構造と絶縁させるための絶縁層と、を含む。【選択図】図１Ｌ
2010157679.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオード素子であって、
第一平面及び第二平面を有する永久基板と、
前記永久基板の前記第一平面に位置する第一電極と、
前記永久基板の前記第一平面において前記第一電極以外の領域に位置する接着層と、
前記接着層に位置し、少なくとも、第一型半導体層と第二型半導体層とを含むパターン化半導体構造と、
前記パターン化半導体構造に位置し、且つ、前記第一型半導体層及び前記第二型半導体層とそれぞれ電気的に接続される第三電極及び第四電極と、
前記パターン化半導体構造の側壁に位置し、且つ、前記第三電極及び前記第四電極を前記第一電極と電気的に接続させるための電気接続構造と、
前記パターン化半導体構造の側壁と前記電気接続構造との間に位置し、前記パターン化半導体構造を前記電気接続構造と絶縁させるための絶縁層と、
を含む、発光ダイオード素子。
【請求項２】
前記接着層と前記パターン化半導体構造との間に位置する成長基板をさらに含む、
請求項１に記載の発光ダイオード素子。
【請求項３】
前記成長基板は、研磨により薄くされ、又は、除去されることが可能である、
請求項２に記載の発光ダイオード素子。
【請求項４】
前記永久基板は、熱伝導用貫通穴をさらに有する、
請求項１に記載の発光ダイオード素子。
【請求項５】
前記永久基板には受動素子が埋め込まれることが可能であり、且つ、前記受動素子と前記パターン化半導体構造との間は直列方式又は並列方式で電気的に接続されることが可能である、
請求項１に記載の発光ダイオード素子。
【請求項６】
前記永久基板の材料は、セラミック材料、ガラス、複合材料又は高分子材料である、
請求項１に記載の発光ダイオード素子。
【請求項７】
前記成長基板と前記接着層との間に位置する反射層をさらに含む、
請求項２に記載の発光ダイオード素子。
【請求項８】
前記パターン化半導体構造は、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ａｓ、Ｐ及びＮからなるグループより選択される一つ以上の物質を含む、
請求項１に記載の発光ダイオード素子。
【請求項９】
前記パターン化半導体構造上に位置する光出しマイクロ構造をさらに含む、
請求項１に記載の発光ダイオード素子。
【請求項１０】
前記光出しマイクロ構造の形状は、柱状、フレネルレンズ状又は鋸歯状である、
請求項９に記載の発光ダイオード素子。
【請求項１１】
前記パターン化半導体構造上に位置するフォトニック結晶構造をさらに含む、
請求項１に記載の発光ダイオード素子。
【請求項１２】
前記絶縁層は、窒化シリコン又は酸化シリコンである、
請求項１に記載の発光ダイオード素子。
【請求項１３】
前記永久基板の前記第二平面に位置する第二電極をさらに含む、
請求項１に記載の発光ダイオード素子。
【請求項１４】
前記永久基板は、導電物質が充填される複数の貫通穴を有し、前記第一電極と前記第二電極との間は、当該複数の貫通穴により導通される、
請求項１３に記載の発光ダイオード素子。
【請求項１５】
交流電気により操作される光電素子であって、
回路板と、
前記回路板に位置する複数の発光ダイオード素子と、
を含み、
前記発光ダイオード素子は、請求項１に記載の発光ダイオードである、光電素子。
【請求項１６】
前記複数の発光ダイオード素子の間は、直列方式で電気的に接続される、
請求項１５に記載の光電素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）素子に関し、特に、発光ダイオードのチップレベルパッケージ（Ｃｈｉｐ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオードのパッケージ技術が益々重要になっている。従来の発光ダイオードは、他の素子と組み合わせて発光装置を形成する必要がある。図１１は、従来の発光装置の構造を示す図である。図１１に示すように、発光装置６００は、少なくとも一つの回路を有するサブマウント６４と、サブマウント６４に位置する少なくとも一つのはんだ６２と、サブマウント６４に位置し、少なくとも一つの基板５８を有する発光ダイオードチップ４００と、基板５８に位置する半導体エピタキシャルスタック層５４と、半導体エピタキシャルスタック層５４に位置する電極５６と、電気接続構造６６と、を含む。はんだ６２により、発光ダイオードチップ４００をサブマウントに接着固定させ、また、発光ダイオードチップ４００の基板５８とサブマウント６４上の回路との電気的な接続を形成させる。さらに、電気接続構造６６により、発光ダイオードチップ４００の電極５６とサブマウント６４上の回路との電気的な接続を形成させる。ここで、サブマウント６４は、リードフレーム又は大きいサイズのマウント基板であっても良く、これにより、発光装置６００の回路のレイアウトをしやすくなり、また、放熱効果を向上することもできる。しかし、ウェハーレベルパッケージ（Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）技術やチップレベルパッケージ技術、ひいては、三次元パッケージ技術が、射出成型などによりプラスチック製カップ状のパッケージを形成する技術に取って代わっている。なお、コスト削減、軽量化、小型化という角度から言えば、チップレベルパッケージは、実行可能な技術である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、チップレベルパッケージ技術により、発光ダイオード素子のパッケージのサイズを縮小しパッケージのプロセスを簡素化すると共に、発光ダイオード素子の光出し効率を向上することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一実施例によれば、内部に受動素子が埋め込まれる永久基板が提供される。ここで、受動素子は、直列又は並列に半導体エピタキシャル層構造と電気的に接続される。
【０００５】
本発明の一実施例によれば、絶縁材料と高熱伝導率材料との複合による永久基板が提供される。ここで、絶縁材料は、セラミック材料、ガラス又は高分子材料であっても良く、高熱伝導率材料は、銀、銅、石墨、炭化ケイ素又は金であっても良い。また、高熱伝導率材料領域には、放熱効率を向上するための複数の熱伝導用貫通穴がある。
【０００６】
本発明の一実施例によれば、半導体エピタキシャル層構造上に位置する光出しマイクロ構造が提供される。ここで、光出しマクロ構造の形状は、柱状、フレネル（Ｆｒｅｓｎｅｌ）レンズ状又は鋸歯状であり、その目的は、光出し効率を向上することにある。
【０００７】
本発明の一実施例によれば、インプリント技術により形成されるフォトニック結晶（Ｐｈｏｔｏｎｉｃ  Ｃｒｙｓｔａｌ）構造が提供される。ここで、フォトニック結晶構造を設置する目的は、発光ダイオードからの光が任意の方向に射出することを防止し、光が上へ射出する機会を大幅に増加することにより、発光ダイオードの発散角度を小さくし発光効率を高くすることにある。
【０００８】
本発明の一実施例によれば、交流電気により操作される光電素子が提供される。ここで、光電素子は、直列に電気的に接続される複数の発光ダイオード素子からなる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、チップレベルのパッケージ技術により、発光ダイオード素子のパッケージのサイズを縮小しパッケージのプロセスを簡素化すると共に、発光ダイオード素子の光出し効率を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１Ａ】本発明の第一実施例による発光ダイオード素子１００の製作プロセスを示す図である。
【図１Ｂ】本発明の第一実施例による発光ダイオード素子１００の製作プロセスを示す図である。
【図１Ｃ】本発明の第一実施例による発光ダイオード素子１００の製作プロセスを示す図である。
【図１Ｄ】本発明の第一実施例による発光ダイオード素子１００の製作プロセスを示す図である。
【図１Ｅ】本発明の第一実施例による発光ダイオード素子１００の製作プロセスを示す図である。
【図１Ｆ】本発明の第一実施例による発光ダイオード素子１００の製作プロセスを示す図である。
【図１Ｇ】本発明の第一実施例による発光ダイオード素子１００の製作プロセスを示す図である。
【図１Ｈ】本発明の第一実施例による発光ダイオード素子１００の製作プロセスを示す図である。
【図１Ｉ】本発明の第一実施例による発光ダイオード素子１００の製作プロセスを示す図である。
【図１Ｊ】本発明の第一実施例による発光ダイオード素子１００の製作プロセスを示す図である。
【図１Ｋ】本発明の第一実施例による発光ダイオード素子１００の製作プロセスを示す図である。
【図１Ｌ】本発明の第一実施例による発光ダイオード素子１００の製作プロセスを示す図である。
【図２】本発明の第一実施例による発光ダイオード素子１００の他の構造を示す図である。
【図３】本発明の第一実施例による発光ダイオード素子１００の他の構造を示す図である。
【図４】本発明の第一実施例による発光ダイオード素子１００の他の構造を示す図である。
【図５Ａ】本発明の第二実施例による発光ダイオード素子２００の製作プロセスを示す図である。
【図５Ｂ】本発明の第二実施例による発光ダイオード素子２００の製作プロセスを示す図である。
【図５Ｃ】本発明の第二実施例による発光ダイオード素子２００の製作プロセスを示す図である。
【図５Ｄ】本発明の第二実施例による発光ダイオード素子２００の製作プロセスを示す図である。
【図５Ｅ】本発明の第二実施例による発光ダイオード素子２００の製作プロセスを示す図である。
【図５Ｆ】本発明の第二実施例による発光ダイオード素子２００の製作プロセスを示す図である。
【図５Ｇ】本発明の第二実施例による発光ダイオード素子２００の製作プロセスを示す図である。
【図５Ｈ】本発明の第二実施例による発光ダイオード素子２００の製作プロセスを示す図である。
【図６】本発明の第二実施例による発光ダイオード素子２００の他の構造を示す図である。
【図７】本発明の第二実施例による発光ダイオード素子２００の他の構造を示す図である。
【図８Ａ】本発明の第三実施例による発光ダイオード素子３００の製作プロセスを示す図である。
【図８Ｂ】本発明の第三実施例による発光ダイオード素子３００の製作プロセスを示す図である。
【図８Ｃ】本発明の第三実施例による発光ダイオード素子３００の製作プロセスを示す図である。
【図８Ｄ】本発明の第三実施例による発光ダイオード素子３００の製作プロセスを示す図である。
【図８Ｅ】本発明の第三実施例による発光ダイオード素子３００の製作プロセスを示す図である。
【図８Ｆ】本発明の第三実施例による発光ダイオード素子３００の製作プロセスを示す図である。
【図８Ｇ】本発明の第三実施例による発光ダイオード素子３００の製作プロセスを示す図である。
【図９】本発明の第三実施例による発光ダイオード素子３００の他の構造を示す図である。
【図１０】本発明の第三実施例による発光ダイオード素子３００の他の構造を示す図である。
【図１１】従来の発光装置の構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
次に、添付した図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態を詳細に説明する。
【００１２】
図１Ａ〜図１Ｉを参照しながら本発明の第一実施例による発光ダイオード素子１００の製作プロセスを説明する。まず、図１Ａを参照する。図１Ａに示すように、第一平面１０１ａ及び第二平面１０１ｂを含む成長基板１０１が提供される。成長基板１０１の材料は、アルミナ（ｓａｐｐｈｉｒｅ：サファイア）である。また、成長基板１０１の第一平面１０１ａには、エピタキシャル構造１１６が形成される。エピタキシャル構造１１６は、エピタキシャルプロセスにより形成され、例えば、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、液相成長法（ＬＰＥ）又は分子線エピタキシー（ＭＢＥ）などのエピタキシャルプロセスにより形成される。このエピタキシャル構造１１６は、少なくとも、第一電気特性の半導体層１１０と、活性層１１２と、第二電気特性の半導体層１１４とを含み、ここで、第一電気特性の半導体層１１０は、例えば、ｎ型の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ層であり、活性層１１２は、例えば、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮにより形成された多重量子井戸構造であり、第二電気特性の半導体層１１４は、例えば、ｐ型の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＮ層である。また、本実施例の活性層１１２は、例えば、同質構造、単異質構造、双異質構造又は多重量子井戸構造によりスタックされて形成されても良い。図１Ｂを参照する。図１Ｂに示すように、成長基板１０１上のエピタキシャル構造１１６をエッチングすることにより、パターン化半導体構造１１８を形成する。図１Ｃを参照する。図１Ｃに示すように、第一電気特性の半導体層１１０と第二電気特性の半導体層１１４にそれぞれ第三電極１２０ａと第四電極１２０ｂを形成する。図１Ｄを参照する。図１Ｄに示すように、一時基板１０２を提供し、そして、接続層１２２によりパターン化半導体構造１１８と該一時基板１０２とを接続させる。図１Ｅを参照する。図１Ｅに示すように、研磨又はエッチングの方法で、成長基板１０１の少なく一部を除去することにより、成長基板の厚みを約１０μｍにさせる。図１Ｆを参照する。図１Ｆに示すように、成長基板１０１の第二平面１０１ｂに反射層１２４と金属接着層１２６を順に形成する。そして、図１Ｇに示すように、金属接着層１２６、反射層１２４及び成長基板１０１などを切断する。それから、図１Ｈに示すように、パターン化の半導体構造１１８、成長基板１０１及び反射層１２４の側壁に絶縁層１２７を形成する。また、絶縁層１２７は、例えば、窒化シリコン又は酸化シリコンであっても良く、パターン化半導体構造１１８は、Ｇａ、Ａｌ、Ｉｎ、Ａｓ、Ｐ及びＮからなるグループより選択される一つ以上の物質を含んでも良い。
【００１３】
図１Ｉを参照する。図１Ｉに示すように、第一平面１０３ａと第二平面１０３ｂを含む永久基板１０３を提供する。永久基板１０３の材料は、セラミック材料、ガラス、複合材料又は高分子材料であっても良い。永久基板１０３には、永久基板１０３全体を貫通する複数の貫通穴を形成し、そして、当該複数の貫通穴には、導電物質１３０が充填される。また、永久基板１０３の第一平面１０３ａと第二平面１０３ｂにそれぞれ第一電極１３２ａと第二電極１３２ｂを形成する。図１Ｊに示すように、金属接着層１２６により、図１Ｈに示す構造と図１Ｉに示す永久基板とを接着させ、そして、一時基板１０２と接続層１２２を除去する。それから、図１Ｋに示すように、電気メッキ又はコーティングに関連する製作プロセスにより電気接続構造１３４を形成し、また、この電気接続構造１３４により発光ダイオードの第三電極１０２ａ及び第四電極１０２ｂと、永久基板１０３の第一電極１３２ａとを接続させる。次に、切断することにより図１Ｌに示すような構造の発光ダイオード素子１００を形成する。よって、発光ダイオード素子１００は、永久基板１０３の第二電極１３２ｂにより発光装置の回路板と電気的に接続されるので、サブマウントと接続することにより放熱効果を達成する必要がなくなる。
【００１４】
図２を参照する。図２に示すように、発光ダイオード素子１００の永久基板は、絶縁材料と高熱伝導率材料の複合により形成されても良い。ここで、絶縁材料は、セラミック材料、ガラス又は高分子材料であっても良く、高熱伝導率材料は、銀、銅、石墨、炭化ケイ素又は金であっても良い。また、高熱伝導率材料領域には、放熱の効果を達成するための複数の熱伝導用貫通穴１４０が形成される。
【００１５】
図３を参照する。図３に示すように、発光ダイオード素子１００の第一電気特性の半導体層１１０の表面の、電極が覆われない領域、及び、第二電気特性の半導体層１１４の表面の、電極が覆われない領域に、それぞれ、光出しマイクロ構造１３６を形成する。光出しマイクロ構造１３６の形状は、柱状、フレネルレンズ状又は鋸歯状であっても良く、この光出しマイクロ構造を設置する目的は、光出し効率を向上することにある。
【００１６】
図４を参照する。図４に示すように、発光ダイオード素子１００の第一電気特性の半導体層１１０の表面の、電極が覆われない領域、及び、第二電気特性の半導体層１１４の表面の、電極が覆われない領域に、それぞれ、フォトニック結晶構造１３７を形成しても良い。このフォトニック結晶構造１３７は、発光ダイオードからの光が任意の方向に射出することを防止し、光が上へ射出する機会を大幅に増加することにより、発光ダイオードの発散角度を小さくし発光効率を高くすることができる。
【００１７】
本発明の第二実施例による発光ダイオード素子２００の製作プロセスは、その前半が第一実施例の図１Ａ〜図１Ｄに示したステップと同じである。図５Ａを参照する。図５Ａに示すように、化学的な選択性エッチング又は研磨により、成長基板１０１を除去する。図５Ｂを参照する。図５Ｂに示すように、第一電気特性の半導体層１１０の下方に絶縁反射層１２４と金属接着層１２６を順に形成する。それから、図５Ｃに示すように、金属接着層１２６と絶縁反射層１２４を切断し、そして、図５Ｄに示すように、パターン化半導体構造１１８及び絶縁反射層１２４の側壁に絶縁層１２７を形成する。絶縁層１２７は、例えば、窒化シリコン又は酸化シリコンであっても良い。
【００１８】
図５Ｅを参照する。図５Ｅに示すように、第一平面１０３ａと第二平面１０３ｂを含む永久基板１０３を提供する。永久基板１０３の材料は、セラミック材料、ガラス、複合材料又は高分子材料であっても良い。永久基板１０３には、永久基板１０３全体を貫通する複数の貫通穴を形成し、そして、この複数の貫通穴には、導電物質１３０が充填される。また、永久基板１０３の第一平面１０３ａと第二平面１０３ｂにそれぞれ第一電極１３２ａと第二電極１３２ｂを形成する。図５Ｆに示すように、金属接着層１２６により、図５Ｄの構造と図５Ｅの永久基板とを接着させ、一時基板１０２及び接続層１２２を除去する。それから、図５Ｇに示すように、電気メッキ又はコーティングに関連する製作プロセスにより電気接続構造１３４を形成し、また、この電気接続構造１３４により発光ダイオードの第三電極１０２ａ及び第四電極１０２ｂと、永久基板１０３の第一電極１３２ａとを接続させる。最後に、切断することにより図５Ｈに示すような構造の発光ダイオード素子２００を形成する。よって、発光ダイオード素子２００は、永久基板１０３の第二電極１３２ｂにより発光装置の回路板と電気的に接続するので、サブマウントと接続することにより放熱効果を達成する必要がなくなる。
【００１９】
図６を参照する。図６に示すように、発光ダイオード素子２００の第一電気特性の半導体層１１０の表面の、電極が覆われない領域、及び、第二電気特性の半導体層１１４の表面の、電極が覆われない領域に、それぞれ、光出しマイクロ構造１３６を形成する。光出しマイクロ構造１３６の形状は、柱状、フレネルレンズ状又は鋸歯状であっても良く、この光出しマイクロ構造を設置する目的は、光出し効率を向上することにある。
【００２０】
図７を参照する。図７に示すように、発光ダイオード素子２００の第一電気特性の半導体層１１０の表面の、電極が覆われない領域、及び、第二電気特性の半導体層１１４の表面の、電極が覆われない領域に、それぞれ、フォトニック結晶構造１３７を形成しても良い。このフォトニック結晶構造１３７は、発光ダイオードからの光が任意の方向に射出することを防止し、光が上へ射出する機会を大幅に増加することにより、発光ダイオードの発散角度を小さくし発光効率を高くすることができる。
【００２１】
図８Ａ〜図８Ｇを参照しながら本発明の第三実施例による発光ダイオード素子３００の製作プロセスを説明する。まず、図８Ａを参照する。図８Ａに示すように、第一平面１０１ａ及び第二平面１０１ｂを含む成長基板１０１が提供される。成長基板１０１の材料は、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）である。また、成長基板１０１の第一平面１０１ａには、エピタキシャル構造１１６が形成される。エピタキシャル構造１１６は、エピタキシャルプロセスにより形成され、例えば、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）、液相成長法（ＬＰＥ）又は分子線エピタキシー（ＭＢＥ）などのエピタキシャルプロセスにより形成される。このエピタキシャル構造１１６は、少なくとも、第一電気特性の半導体層１１０と、活性層１１２と、第二電気特性の半導体層１１４とを含み、ここで、第一電気特性の半導体層１１０は、例えば、ｎ型の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ層であり、活性層１１２は、例えば、（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰにより形成された多重量子井戸構造であり、第二電気特性の半導体層１１４は、例えば、ｐ型の（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ｙＩｎ１−ｙＰ層である。また、本実施例の活性層１１２は、例えば、同質構造、単異質構造、双異質構造又は多重量子井戸構造によりスタックされて形成されても良い。次に、エピタキシャル構造１１６上に透明接着層１３８を形成する。
【００２２】
図８Ｂを参照する。図８Ｂに示すように、第一平面１０３ａと第二平面１０３ｂを含む永久基板１０３を提供する。永久基板１０３の材料は、セラミック材料、ガラス、複合材料又は高分子材料であっても良い。永久基板１０３には、永久基板１０３全体を貫通する複数の貫通穴を形成し、当該複数の貫通穴には、導電物質１３０が充填される。また、永久基板１０３の第一平面１０３ａと第二平面１０３ｂにそれぞれ第一電極１３２ａと第二電極１３２ｂを形成する。次に、永久基板１０３の第一平面１０３の、第一電極１３２ａ以外の領域に、透明接着層１３８を形成する。図８Ｃに示すように、この透明接着層１３８により、図８Ａの構造と図８Ｂの永久基板１０３とを接着させる。図８Ｄを参照する。図８Ｄに示すように、化学的な選択性エッチング又は研磨により成長基板１１０を除去し、エピタキシャル構造１１６及び透明接着層１３８をエッチングすることにより、パターン化半導体構造１１８を形成する。図８Ｅを参照する。図８Ｅに示すように、第一電気特性の半導体構造１１０及び第二電気特性の半導体構造１１４にそれぞれ第三電極１２ａと第四電極１２０ｂを形成する。そして、パターン化半導体構造１１８の側壁に絶縁層１２７を形成する。それから、図８Ｆに示すように、電気メッキ又はコーティングに関連する製作プロセスにより電気接続構造１３４を形成し、また、この電気接続構造１３４により発光ダイオードの第三電極１０２ａ及び第四電極１０２ｂと、永久基板１０３の第一電極１３２ａとを接続させる。最後に、切断することにより図８Ｇに示すような構造の発光ダイオード素子３００を形成する。よって、発光ダイオード素子３００は、永久基板１０３の第二電極１３２ｂにより発光装置の回路板と電気的に接続するので、サブマウントと接続することにより放熱効果を達成する必要がなくなる。
【００２３】
図９を参照する。図９に示すように、発光ダイオード素子３００の第一電気特性の半導体層１１０の表面の、電極が覆われない領域、及び、第二電気特性の半導体層１１４の表面の、電極が覆われない領域に、それぞれ、光出しマイクロ構造１３６を形成する。光出しマイクロ構造１３６の形状は、柱状、フレネルレンズ状又は鋸歯状であっても良く、この光出しマイクロ構造を設置する目的は、光出し効率を向上することにある。
【００２４】
図１０を参照する。図１０に示すように、発光ダイオード素子３００の第一電気特性の半導体層１１０の表面の、電極が覆われない領域、及び、第二電気特性の半導体層１１４の表面の、電極が覆われない領域に、それぞれ、フォトニック結晶構造１３７を形成しても良い。このフォトニック結晶構造１３７は、発光ダイオードからの光が任意の方向に射出することを防止し、光が上へ射出する機会を大幅に増加することにより、発光ダイオードの発散角度を小さくし発光効率を高くすることができる。
【００２５】
また、チップ製作プロセスにおいて、複数の電極を直列に接続することにより、交流電気による操作を実現しても良い。さらに、空間を節約するために、永久基板の内部には、抵抗又はコンデンサーなどの受動素子が埋め込まれても良い。
【００２６】
以上、本発明の好ましい実施形態を説明したが、本発明はこの実施形態に限定されず、本発明の趣旨を離脱しない限り、本発明に対するあらゆる変更は本発明の範囲に属する。
【符号の説明】
【００２７】
１００、２００、３００  発光ダイオード素子
１０１  成長基板
１０１ａ  成長基板の第一平面
１０１ｂ  成長基板の第二平面
１０２  一時基板
１０３  永久基板
１１０  第一電気特性の半導体層
１１２  活性層
１１４  第二電気特性の半導体層
１１６  エピタキシャル構造
１１８  パターン化半導体構造
１２０ａ  第三電極
１２０ｂ  第四電極
１２２  接続層
１２４  反射層
１２６  金属接着層
１２７  絶縁層
１３０  導電物質
１３２ａ  第一電極
１３２ｂ  第二電極
１３４  電気接続構造
１３６  光出しマイクロ構造
１３７  フォトニック結晶構造
１３８  透明接着層
１４０  熱伝導用貫通穴
５４  半導体エピタキシャルスタック層
５６  電極
５８  基板
６２  はんだ
６４  サブマウント
６６  電気接続構造
４００  発光ダイオードチップ
６００  発光装置
【図１Ａ】
2010157679.tif 000003
【図１Ｂ】
2010157679.tif 000004
【図１Ｃ】
2010157679.tif 000005
【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図１Ｇ】
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【図１Ｈ】
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【図１Ｉ】
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【図１Ｊ】
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【図１Ｋ】
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【図１Ｌ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図５Ｄ】
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【図５Ｅ】
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【図５Ｆ】
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【図５Ｇ】
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【図５Ｈ】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図８Ｆ】
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【図８Ｇ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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