(57)【要約】【課題】水平転送方向に隣接する２画素で垂直ＣＣＤを共有するＣＣＤ撮像素子で、画素間混色をなくすことを可能にする。【解決手段】垂直ＣＣＤ２１と、前記垂直ＣＣＤ２１を介して水平転送方向に隣接する２画素１２（１２Ａ、１２Ｂ）と、前記２画素１２（１２Ａ、１２Ｂ）と、前記２画素１２（１２Ａ、１２Ｂ）に水平転送方向に隣接する画素１２との間に形成された画素間分離用の第１チャネルストップ部１４と、前記２画素１２（１２Ａ、１２Ｂ）と前記垂直ＣＣＤ２１との間の垂直転送方向と平行な方向に形成された読み出しゲート部１５と第２チャネルストップ部１６とを有し、前記２画素１２（１２Ａ、１２Ｂ）で前記垂直ＣＣＤ２１を共有していて、前記第１チャネルストップ部１５上に形成される絶縁膜１７は前記垂直ＣＣＤ２１のゲート絶縁膜２３よりも厚く形成されている。【選択図】図１
2010123707.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
垂直転送方向および水平転送方向に配列された複数の画素と、
前記複数の画素のうち水平転送方向に隣接する２画素間に配設された垂直ＣＣＤと、
前記水平転送方向に隣接する２画素と、前記水平転送方向に隣接する２画素に水平転送方向に隣接する画素との間に形成された画素間分離用の第１チャネルストップ部と、
前記画素と前記垂直ＣＣＤとの間の垂直転送方向と平行な方向に形成された読み出しゲート部と第２チャネルストップ部とを有し、
前記水平転送方向に隣接する２画素で前記垂直ＣＣＤを共有していて、
前記第１チャネルストップ部上に前記垂直ＣＣＤのゲート絶縁膜よりも厚い絶縁膜が形成されている
固体撮像装置。
【請求項２】
前記垂直転送方向の前記読み出しゲート部は前記垂直転送方向の前記第２チャネルストップ部よりも長く形成されていて、
前記垂直ＣＣＤの転送電極が前記読み出しゲート部上に前記読み出しゲート絶縁膜を介して張り出して形成され、該転送電極が前記読み出し電極を兼ねている
請求項１記載の固体撮像装置。
【請求項３】
垂直転送方向および水平転送方向に配列された複数の画素と、
前記複数の画素のうち水平転送方向に隣接する２画素間に配設された垂直ＣＣＤと、
前記水平転送方向に隣接する２画素と、前記水平転送方向に隣接する２画素に水平転送方向に隣接する画素との間に形成された画素間分離用の第１チャネルストップ部と、
前記画素と前記垂直ＣＣＤとの間の垂直転送方向と平行な方向に形成された読み出しゲート部と第２チャネルストップ部とを有し、
前記水平転送方向に隣接する２画素で前記垂直ＣＣＤを共有していて、
前記垂直ＣＣＤの転送電極は１画素あたり３電極構造の転送電極であり、
前記垂直転送方向の前記読み出しゲート部上に読み出しゲート絶縁膜を介して前記３電極構造の転送電極の一つの一部が形成されている
固体撮像装置。
【請求項４】
前記垂直転送方向の前記読み出しゲート部は前記垂直転送方向の前記第２チャネルストップ部よりも長く形成されていて、
前記垂直ＣＣＤの転送電極が前記読み出しゲート部上に前記読み出しゲート絶縁膜を介して張り出して形成され、該転送電極が前記読み出し電極を兼ねている
請求項３記載の固体撮像装置。
【請求項５】
垂直転送方向および水平転送方向に配列された複数の画素と、
前記複数の画素のうち水平転送方向に隣接する２画素間に配設された垂直ＣＣＤと、
前記水平転送方向に隣接する２画素と、前記水平転送方向に隣接する２画素に水平転送方向に隣接する画素との間に形成された画素間分離用の第１チャネルストップ部と、
前記画素と前記垂直ＣＣＤとの間の垂直転送方向と平行な方向に形成された読み出しゲート部と第２チャネルストップ部とを有し、
前記水平転送方向に隣接する２画素で前記垂直ＣＣＤを共有していて、
前記読み出しゲート部上に読み出しゲート絶縁膜を介して前記垂直ＣＣＤの転送電極とは独立して読み出し電極が形成されている
固体撮像装置。
【請求項６】
前記読み出し電極は前記垂直ＣＣＤの転送電極側方に形成されている
請求項５記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記転送電極は、前記垂直ＣＣＤの側方に形成されている前記第２チャネルストップ部上方を覆って形成され、
前記読み出し電極は、前記垂直ＣＣＤの転送電極上に絶縁膜を介して形成され、さらに前記読み出しゲート部上に前記ゲート絶縁膜を介して延長形成されている
請求項５記載の固体撮像装置。
【請求項８】
垂直転送方向および水平転送方向に配列された複数の画素と、
前記複数の画素のうち水平転送方向に隣接する２画素間に配設された垂直ＣＣＤと、
前記２画素と、前記２画素に水平転送方向に隣接する画素との間に形成された画素間分離用の第１チャネルストップ部を有し、
水平転送方向に配設された前記２画素で前記垂直ＣＣＤを共有し、
垂直転送方向の前記画素間に配設されていて、前記各画素に形成された読み出し電極に接続する読み出し配線を有し、
前記読み出し配線は垂直転送方向の画素間に配設された第１読み出し配線と第２読み出し配線の２本の配線からなり、
前記第１読み出し配線と前記第２読み出し配線との間の水平転送方向に配列された各画素に形成された読み出し電極に対して、前記第１読み出し配線と前記第２読み出し配線とが交互に接続されていて、
前記第１読み出し配線の読み出しと前記第２読み出し配線の読み出しを交互に行うことで、全画素を２回に分けて読み出す
固体撮像装置の読み出し方法。
【請求項９】
前記第１読み出し配線と前記第２読み出し配線とは水平転送方向の１画素ごとに交互に接続されている
請求項８記載の固体撮像装置の読み出し方法。
【請求項１０】
前記第１読み出し配線と前記第２読み出し配線とは水平転送方向の２画素ごとに交互に接続されている
請求項８記載の固体撮像装置の読み出し方法。
【請求項１１】
垂直転送方向および水平転送方向に配列された複数の画素と、
前記複数の画素のうち水平転送方向に隣接する２画素間に配設された垂直ＣＣＤと、
前記２画素と、前記２画素に水平転送方向に隣接する画素との間に形成された画素間分離用の第１チャネルストップ部を有し、
水平転送方向に配設された前記２画素で前記垂直ＣＣＤを共有し、
垂直転送方向の画素間に１本ずつ交互に第１読み出し配線と第２読み出し配線とが配設され、
前記第１読み出し配線は、前記第１読み出し配線を垂直転送方向に挟む画素に形成された読み出し電極に交互に接続され、
前記第２読み出し配線は、前記第２読み出し配線を垂直転送方向に挟む画素で前記第１読み出し配線が接続されていない画素に形成された読み出し電極に接続されていて、
前記第１読み出し配線の読み出しと前記第２読み出し配線の読み出しを交互に行うことで、全画素を２回に分けて読み出す
固体撮像装置の読み出し方法。
【請求項１２】
前記第１読み出し配線と前記第２読み出し配線とは水平転送方向の１画素ごとに交互に接続されている
請求項１１記載の固体撮像装置の読み出し方法。
【請求項１３】
前記第１読み出し配線と前記第２読み出し配線とは水平転送方向の２画素ごとに交互に接続されている
請求項１１記載の固体撮像装置の読み出し方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置およびその読み出し方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
水平転送方向に隣接する２画素で垂直ＣＣＤを共有することでセンサ開口率を大きくする技術が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
しかし特許文献１で提案されている構造では、水平転送方向に読み出し電極が共通であると共に、垂直転送方向の画素間に読み出し電圧が加わる構造なので、画素間混色が問題であった。
【特許文献１】特開２００１−６０６８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
解決しようとする問題点は、水平転送方向に読み出し電極が共通であると共に、垂直転送方向の画素間に読み出し電圧が加わる構造なので、画素間混色が生じる点である。
【０００４】
本発明は、水平転送方向に隣接する２画素で垂直ＣＣＤを共有するＣＣＤ撮像素子で、画素間混色をなくすことを可能にする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の固体撮像装置（第１固体撮像装置）は、垂直転送方向および水平転送方向に配列された複数の画素と、前記複数の画素のうち水平転送方向に隣接する２画素間に配設された垂直ＣＣＤと、前記水平転送方向に隣接する２画素と、前記水平転送方向に隣接する２画素に水平転送方向に隣接する画素との間に形成された画素間分離用の第１チャネルストップ部と、前記画素と前記垂直ＣＣＤとの間の垂直転送方向と平行な方向に形成された読み出しゲート部と第２チャネルストップ部とを有し、前記水平転送方向に隣接する２画素で前記垂直ＣＣＤを共有していて、前記第１チャネルストップ部上に前記垂直ＣＣＤのゲート絶縁膜よりも厚い絶縁膜が形成されている。
【０００６】
本発明の固体撮像装置（第１固体撮像装置）では、第１チャネルストップ部上に形成される絶縁膜は前記垂直ＣＣＤのゲート絶縁膜よりも厚く形成されていることから、垂直転送方向の画素間に読み出し電圧が印加されても画素間部のポテンシャルが空乏化しない。
【０００７】
本発明の固体撮像装置（第２固体撮像装置）は、垂直転送方向および水平転送方向に配列された複数の画素と、前記複数の画素のうち水平転送方向に隣接する２画素間に配設された垂直ＣＣＤと、前記水平転送方向に隣接する２画素と、前記水平転送方向に隣接する２画素に水平転送方向に隣接する画素との間に形成された画素間分離用の第１チャネルストップ部と、前記画素と前記垂直ＣＣＤとの間の垂直転送方向と平行な方向に形成された読み出しゲート部と第２チャネルストップ部とを有し、前記水平転送方向に隣接する２画素で前記垂直ＣＣＤを共有していて、前記垂直ＣＣＤの転送電極は１画素あたり３電極構造の転送電極であり、前記垂直転送方向の前記読み出しゲート部上に読み出しゲート絶縁膜を介して前記３電極構造の転送電極の一つの一部が形成されている。
【０００８】
本発明の固体撮像装置（第２固体撮像装置）では、垂直ＣＣＤの転送電極が１画素あたり３電極構造の転送電極であることにより、垂直転送方向の画素間には読出し電圧が印加されない。
【０００９】
本発明の固体撮像装置（第３固体撮像装置）は、垂直転送方向および水平転送方向に配列された複数の画素と、前記複数の画素のうち水平転送方向に隣接する２画素間に配設された垂直ＣＣＤと、前記２画素に水平転送方向に隣接する画素との間に形成された画素間分離用の第１チャネルストップ部と、前記画素と前記垂直ＣＣＤとの間の垂直転送方向と平行な方向に形成された読み出しゲート部と第２チャネルストップ部とを有し、前記水平転送方向に隣接する２画素で前記垂直ＣＣＤを共有していて、前記読み出しゲート部上に読み出しゲート絶縁膜を介して前記垂直ＣＣＤの転送電極とは独立して読み出し電極が形成されている。
【００１０】
本発明の固体撮像装置（第３固体撮像装置）では、読み出しゲート部上に読み出しゲート絶縁膜を介して垂直ＣＣＤの転送電極とは独立して読み出し電極が形成されていることにより、垂直転送方向の画素間には読出し電圧が印加されない。
【００１１】
本発明の固体撮像装置の読み出し方法（第１読み出し方法）は、垂直転送方向および水平転送方向に配列された複数の画素と、前記複数の画素のうち水平転送方向に隣接する２画素間に配設された垂直ＣＣＤと、前記２画素と、前記２画素に水平転送方向に隣接する画素との間に形成された画素間分離用の第１チャネルストップ部を有し、水平転送方向に配設された前記２画素で前記垂直ＣＣＤを共有し、垂直転送方向の前記画素間に配設されていて、前記各画素に形成された読み出し電極に接続する読み出し配線を有し、前記読み出し配線は垂直転送方向の画素間に配設された第１読み出し配線と第２読み出し配線の２本の配線からなり、前記第１読み出し配線と前記第２読み出し配線との間の水平転送方向に配列された各画素に形成された読み出し電極に対して、前記第１読み出し配線と前記第２読み出し配線とが交互に接続されていて、前記第１読み出し配線の読み出しと前記第２読み出し配線の読み出しを交互に行うことで、全画素を２回に分けて読み出す。
【００１２】
本発明の固体撮像装置の読み出し方法（第１読み出し方法）では、第１読み出し配線と第２読み出し配線との間の水平転送方向に配列された画素の読み出し電極に対して、第１読み出し配線と第２読み出し配線とが交互に接続されていることから、全画素の読み出し電極が第１の読み出し配線と第２読み出し配線とに接続されている。
【００１３】
本発明の固体撮像装置の読み出し方法（第２読み出し方法）は、垂直転送方向および水平転送方向に配列された複数の画素と、前記複数の画素のうち水平転送方向に隣接する２画素間に配設された垂直ＣＣＤと、前記２画素と、前記２画素に水平転送方向に隣接する画素との間に形成された画素間分離用の第１チャネルストップ部を有し、水平転送方向に配設された前記２画素で前記垂直ＣＣＤを共有し、垂直転送方向の画素間に１本ずつ交互に第１読み出し配線と第２読み出し配線とが配設され、前記第１読み出し配線は、前記第１読み出し配線を垂直転送方向に挟む画素に形成された読み出し電極に交互に接続され、前記第２読み出し配線は、前記第２読み出し配線を垂直転送方向に挟む画素で前記第１読み出し配線が接続されていない画素に形成された読み出し電極に接続されていて、前記第１読み出し配線の読み出しと前記第２読み出し配線の読み出しを交互に行うことで、全画素を２回に分けて読み出す。
【００１４】
本発明の固体撮像装置の読み出し方法（第２読み出し方法）では、第１読み出し配線は、第１読み出し配線を垂直転送方向に挟む画素の読み出し電極に交互に接続され、第２読み出し配線は、第２読み出し配線を垂直転送方向に挟む画素で第１読み出し配線が接続されていない画素の読み出し電極に接続されていることから、全画素の読み出し電極が第１の読み出し配線と第２読み出し配線とに接続されている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の固体撮像装置（第１固体撮像装置）は、垂直転送方向の画素間に読み出し電圧が印加されても画素間部のポテンシャルが空乏化しないため、画素間混色が起こるのを抑制できるという利点がある。かつ水平転送方向に隣接する２画素でこの２画素間の垂直ＣＣＤを共有しているので、その分センサ開口率を大きくすることができ、画素サイズの微細化にも拘わらず感度や飽和信号電子数を向上させることができるという利点がある。
【００１６】
本発明の固体撮像装置（第２固体撮像装置）は、垂直転送方向の画素間には読出し電圧が印加されないため、画素間混色が起こるのを抑制できるという利点がある。かつ水平転送方向に隣接する２画素でこの２画素間の垂直ＣＣＤを共有しているので、その分センサ開口率を大きくすることができ、画素サイズの微細化にも拘わらず感度や飽和信号電子数を向上させることができるという利点がある。
【００１７】
本発明の固体撮像装置（第３固体撮像装置）は、垂直転送方向の画素間には読出し電圧が印加されないため、画素間混色が起こるのを抑制できるという利点がある。かつ水平転送方向に隣接する２画素でこの２画素間の垂直ＣＣＤを共有しているので、その分センサ開口率を大きくすることができ、画素サイズの微細化にも拘わらず感度や飽和信号電子数を向上させることができるという利点がある。
【００１８】
本発明の固体撮像装置の読み出し方法（第１読み出し方法）は、全画素の読み出し電極が第１の読み出し配線と第２読み出し配線とに接続されていているので、第１読み出し配線の読み出しと記第２読み出し配線の読み出しを交互に行うことができる。よって、垂直転送方向の画素間には読出し電圧が印加されないため、画素間混色が起こるのを抑制できる。また、全画素を２回に分けて読み出すことが可能になるという利点がある。
【００１９】
本発明の固体撮像装置の読み出し方法（第２読み出し方法）は、全画素の読み出し電極が第１の読み出し配線と第２読み出し配線とに接続されていているので、第１読み出し配線の読み出しと記第２読み出し配線の読み出しを交互に行うことができる。よって、垂直転送方向の画素間には読出し電圧が印加されないため、画素間混色が起こるのを抑制できる。また、全画素を２回に分けて読み出すことが可能になるという利点がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、発明を実施するための最良の形態（以下、実施の形態とする）について説明する。
１．第１の実施の形態（固体撮像装置の構成の第１例）。
２．第１の実施の形態（固体撮像装置の構成の第２例）。
３．第１の実施の形態（固体撮像装置の構成の第３例）。
４．第１の実施の形態（固体撮像装置の構成の第４例）。
５．第２の実施の形態（固体撮像装置の構成の第５例）。
６．第２の実施の形態（固体撮像装置の構成の第６例）。
７．第２の実施の形態（固体撮像装置の構成の第７例）。
８．第２の実施の形態（固体撮像装置の構成の第８例）。
９．第３の実施の形態（固体撮像装置の構成の第９例）。
１０．第３の実施の形態（固体撮像装置の構成の第１０例）。
１１．第３の実施の形態（固体撮像装置の構成の第１１例）。
１２．第３の実施の形態（固体撮像装置の構成の第１２例）。
１３．第３の実施の形態（固体撮像装置の構成の第１３例）。
１４．第３の実施の形態（固体撮像装置の構成の第１４例）。
１５．第４の実施の形態（固体撮像装置の読み出し方法の第１例）。
１６．第４の実施の形態（固体撮像装置の読み出し方法の第２例）。
１７．第４の実施の形態（固体撮像装置の読み出し方法の第３例）。
１８．第４の実施の形態（固体撮像装置の読み出し方法の第４例）。
１９．第４の実施の形態（固体撮像装置の読み出し方法の第５例）。
２０．第４の実施の形態（固体撮像装置の読み出し方法の第６例）。
２１．第５の実施の形態（固体撮像装置の読み出し方法の第７例）。
２２．第５の実施の形態（固体撮像装置の読み出し方法の第８例）。
２３．第５の実施の形態（固体撮像装置の読み出し方法の第９例）。
２４．第５の実施の形態（固体撮像装置の読み出し方法の第１０例）。
２５．第５の実施の形態（固体撮像装置の読み出し方法の第１１例）。
２６．第５の実施の形態（固体撮像装置の読み出し方法の第１２例）。
２７．第１〜第５の実施の形態の適用例（撮像装置に適用した一例）。
【００２１】
＜１．第１の実施の形態＞
［固体撮像装置の構成の第１例］
【００２２】
本発明の第１の実施の形態（固体撮像装置の構成の第１例）を、図１（１）の平面レイアウト図、図１（２）のＡ−Ａ’線断面図および図１（３）のＢ−Ｂ’線断面図によって説明する。
【００２３】
図１に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、垂直ＣＣＤ２１が形成されている。この垂直ＣＣＤ２１は、半導体基板に形成されたＮ型領域からなる電荷転送部２２と、その上面にゲート絶縁膜２３を介して形成されていて、垂直転送方向に配列された複数の転送電極２４とからなる。この転送電極２４は、例えば、第１転送電極２４Ａと第２転送電極２４Ｂとで形成されている。水平転送方向の各第１転送電極２４Ａは、水平転送方向の画素間上で接続されている。水平転送方向の各第２転送電極２４Ｂは、絶縁膜２６を介して配線２５Ｂによって水平転送方向の画素間上で接続されている。
【００２４】
上記垂直ＣＣＤ２１を共有して水平転送方向に隣接する２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が配設されている。すなわち、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が上記垂直ＣＣＤ２１を共有している。各画素１２には入射光を光電変換して信号電荷を得るフォトセンサ１３が形成されている。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素に水平転送方向に隣接する画素１２との間に画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【００２５】
上記垂直ＣＣＤ２１の両側の上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）間には、垂直転送方向と平行な方向に形成された読み出しゲート部１５と第２チャネルストップ部１６とが形成されている。
上記第１チャネルストップ部１６上には、上記垂直ＣＣＤ２１のゲート絶縁膜２３よりも厚い絶縁膜１７が形成されている。
そして、上記垂直ＣＣＤ２１の転送電極２４が上記読み出しゲート部１５の読み出し電極を兼ねている。
また、上記第１転送電極２４Ａに形成される読み出し電極は、水平転送方向に１画素ごとに形成されている。また上記第２転送電極２４Ｂに形成される読み出し電極は、水平転送方向に、第１転送電極２４Ａに形成される読み出し電極が形成されていない画素に形成されている。すなわち、第２転送電極２４Ｂに形成される読み出し電極も、水平転送方向に１画素ごとに形成されている。
上記のように固体撮像装置１（１Ａ）が形成されている。
【００２６】
上記固体撮像装置１Ａでは、第１チャネルストップ部１４上に形成される絶縁膜１７は上記垂直ＣＣＤ２１のゲート絶縁膜２３よりも厚く形成されていることから、垂直転送方向の画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ａ）間もしくは画素１２（１２Ｂ）、１２（１２Ｂ）間に読み出し電圧が印加されても画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ａ）間もしくは画素１２（１２Ｂ）、１２（１２Ｂ）間部のポテンシャルが空乏化しない。このため、画素間混色が起こるのを抑制できるという利点がある。かつ水平転送方向に隣接する２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で、この２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で垂直ＣＣＤ２１を共有しているので、垂直ＣＣＤ２１を共有した分だけ、センサ開口率を大きくすることができ、画素サイズの微細化にも拘わらず感度や飽和信号電子数を向上させることができるという利点がある。
【００２７】
＜２．第１の実施の形態＞
［固体撮像装置の構成の第２例］
【００２８】
本発明の第１の実施の形態（固体撮像装置の構成の第１例）を、図２（１）の平面レイアウト図、図２（２）のＡ−Ａ’線断面図および図２（３）のＢ−Ｂ’線断面図によって説明する。
【００２９】
図２に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、垂直ＣＣＤ２１が形成されている。この垂直ＣＣＤ２１は、半導体基板に形成されたＮ型領域からなる電荷転送部２２と、その上面にゲート絶縁膜２３を介して形成されていて、垂直転送方向に配列された複数の転送電極２４とからなる。この転送電極２４は、例えば、第１転送電極２４Ａと第２転送電極２４Ｂとで形成されている。水平転送方向の各第１転送電極２４Ａは、水平転送方向の画素間上で接続されている。水平転送方向の各第２転送電極２４Ｂは、絶縁膜２６を介して配線２５Ｂによって水平転送方向の画素間上で接続されている。
【００３０】
上記垂直ＣＣＤ２１を共有して水平転送方向に隣接する２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が配設されている。すなわち、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が上記垂直ＣＣＤ２１を共有している。各画素１２には入射光を光電変換して信号電荷を得るフォトセンサ１３が形成されている。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素に水平転送方向に隣接する画素１２との間に画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【００３１】
上記垂直ＣＣＤ２１の両側の上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）間には、垂直転送方向と平行な方向に形成された読み出しゲート部１５と第２チャネルストップ部１６とが形成されている。
上記第１チャネルストップ部１６上には、上記垂直ＣＣＤ２１のゲート絶縁膜２３よりも厚い絶縁膜１７が形成されている。
そして、上記垂直ＣＣＤ２１の転送電極２４が上記読み出しゲート部１５の読み出し電極を兼ねている。
また、上記第１転送電極２４Ａに形成される読み出し電極は、水平転送方向に２画素ごとに形成されている。また上記第２転送電極２４Ｂに形成される読み出し電極は、水平転送方向に、第１転送電極２４Ａに形成される読み出し電極が形成されていない画素に形成されている。すなわち、第２転送電極２４Ｂに形成される読み出し電極も、水平転送方向に２画素ごとに形成されている。
上記のように固体撮像装置１（１Ｂ）が形成されている。
【００３２】
上記固体撮像装置１Ｂでは、第１チャネルストップ部１４上に形成される絶縁膜１７は上記垂直ＣＣＤ２１のゲート絶縁膜２３よりも厚く形成されていることから、垂直転送方向の画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ａ）間もしくは画素１２（１２Ｂ）、１２（１２Ｂ）間に読み出し電圧が印加されても画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ａ）間もしくは画素１２（１２Ｂ）、１２（１２Ｂ）間部のポテンシャルが空乏化しない。このため、画素間混色が起こるのを抑制できるという利点がある。かつ水平転送方向に隣接する２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で、この２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で垂直ＣＣＤ２１を共有しているので、垂直ＣＣＤ２１を共有した分だけ、センサ開口率を大きくすることができ、画素サイズの微細化にも拘わらず感度や飽和信号電子数を向上させることができるという利点がある。
【００３３】
＜３．第１の実施の形態＞
［固体撮像装置の構成の第３例］
【００３４】
次に、本発明の第１の実施の形態（固体撮像装置の構成の第３例）を、図３（１）の平面レイアウト図、図３（２）のＡ−Ａ’線断面図および図３（３）のＢ−Ｂ’線断面図によって説明する。
【００３５】
図３に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、垂直ＣＣＤ２１が形成されている。この垂直ＣＣＤ２１は、半導体基板に形成されたＮ型領域からなる電荷転送部２２と、その上面にゲート絶縁膜２３を介して形成されていて、垂直転送方向に配列された複数の転送電極２４とからなる。この転送電極２４は、例えば、第１転送電極２４Ａと第２転送電極２４Ｂとで形成されている。水平転送方向の各第１転送電極２４Ａは、水平転送方向の画素間上で接続されている。水平転送方向の各第２転送電極２４Ｂは、絶縁膜２６を介して配線２５Ｂによって水平転送方向の画素間上で接続されている。
【００３６】
上記垂直ＣＣＤ２１を共有して水平転送方向に隣接する２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が配設されている。すなわち、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が上記垂直ＣＣＤ２１を共有している。各画素１２には入射光を光電変換して信号電荷を得るフォトセンサ１３が形成されている。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素に水平転送方向に隣接する画素１２との間に画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【００３７】
上記垂直ＣＣＤ２１の両側の上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）間には、垂直転送方向と平行な方向に形成された読み出しゲート部１５と第２チャネルストップ部１６とが形成されている。
上記第１チャネルストップ部１６上には、上記垂直ＣＣＤ２１のゲート絶縁膜２３よりも厚い絶縁膜１７が形成されている。
また、垂直転送方向の上記読み出しゲート部１５は上記垂直転送方向の上記第２チャネルストップ部１６よりも長く形成されている。
そして、上記垂直ＣＣＤ２１の転送電極２４が上記読み出しゲート部１５の読み出し電極を兼ねている。
また、上記第１転送電極２４Ａに形成される読み出し電極は、水平転送方向に１画素ごとに形成されている。また上記第２転送電極２４Ｂに形成される読み出し電極は、水平転送方向に、第１転送電極２４Ａに形成される読み出し電極が形成されていない画素に形成されている。すなわち、第２転送電極２４Ｂに形成される読み出し電極も、水平転送方向に１画素ごとに形成されている。
上記のように固体撮像装置１（１Ｃ）が形成されている。
上記のように固体撮像装置１Ｃが形成されている。
【００３８】
上記固体撮像装置３では、第１チャネルストップ部１４上に形成される絶縁膜１７は上記垂直ＣＣＤ２１のゲート絶縁膜２３よりも厚く形成されていることから、垂直転送方向の画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ａ）間もしくは画素１２（１２Ｂ）、１２（１２Ｂ）間に読み出し電圧が印加されても画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ａ）間もしくは画素１２（１２Ｂ）、１２（１２Ｂ）間部のポテンシャルが空乏化しない。このため、画素間混色が起こるのを抑制できるという利点がある。かつ水平転送方向に隣接する２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で、この２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で垂直ＣＣＤ２１を共有しているので、垂直ＣＣＤ２１を共有した分だけ、センサ開口率を大きくすることができ、画素サイズの微細化にも拘わらず感度や飽和信号電子数を向上させることができるという利点がある。
【００３９】
また、同一垂直転送方向の上記読み出しゲート部１５は上記第２チャネルストップ部１６よりも長く形成されている。これによって、読出しを行わない第２チャネルストップ部１６側の例えば画素１２Ａのフォトセンサからの逆読み出しが防止されるために、画素１２Ｂのフォトセンサ１３から読出しが円滑に行えるようになる。
したがって、転送電極２４（第２転送電極２４Ｂ）を共有する読み出しゲート部１５側の電極長は、読出しを行わない転送電極２４（第２転送電極２４Ｂ）を共有する第２チャネルストップ部１６側の電極長よりも長くなるように、例えば第１転送電極２４Ａと第２転送電極２４Ｂとの対向する面は、平面レイアウト上、斜めにカットした形状としてある。
【００４０】
＜４．第１の実施の形態＞
［固体撮像装置の構成の第４例］
【００４１】
次に、本発明の第１の実施の形態（固体撮像装置の構成の第４例）を、図４（１）の平面レイアウト図、図４（２）のＡ−Ａ’線断面図および図４（３）のＢ−Ｂ’線断面図によって説明する。
【００４２】
図４に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、垂直ＣＣＤ２１が形成されている。この垂直ＣＣＤ２１は、半導体基板に形成されたＮ型領域からなる電荷転送部２２と、その上面にゲート絶縁膜２３を介して形成されていて、垂直転送方向に配列された複数の転送電極２４とからなる。この転送電極２４は、例えば、第１転送電極２４Ａと第２転送電極２４Ｂとで形成されている。水平転送方向の各第１転送電極２４Ａは、水平転送方向の画素間上で接続されている。水平転送方向の各第２転送電極２４Ｂは、絶縁膜２６を介して配線２５Ｂによって水平転送方向の画素間上で接続されている。
【００４３】
上記垂直ＣＣＤ２１を共有して水平転送方向に隣接する２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が配設されている。すなわち、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が上記垂直ＣＣＤ２１を共有している。各画素１２には入射光を光電変換して信号電荷を得るフォトセンサ１３が形成されている。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素に水平転送方向に隣接する画素１２との間に画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【００４４】
上記垂直ＣＣＤ２１の両側の上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）間には、垂直転送方向と平行な方向に形成された読み出しゲート部１５と第２チャネルストップ部１６とが形成されている。
上記第１チャネルストップ部１６上には、上記垂直ＣＣＤ２１のゲート絶縁膜２３よりも厚い絶縁膜１７が形成されている。
また、垂直転送方向の上記読み出しゲート部１５は上記垂直転送方向の上記第２チャネルストップ部１６よりも長く形成されている。
そして、上記垂直ＣＣＤ２１の転送電極２４が上記読み出しゲート部１５の読み出し電極を兼ねている。
また、上記第１転送電極２４Ａに形成される読み出し電極は、水平転送方向に２画素ごとに形成されている。また上記第２転送電極２４Ｂに形成される読み出し電極は、水平転送方向に、第１転送電極２４Ａに形成される読み出し電極が形成されていない画素に形成されている。すなわち、第２転送電極２４Ｂに形成される読み出し電極も、水平転送方向に２画素ごとに形成されている。
上記のように固体撮像装置１（１Ｄ）が形成されている。
【００４５】
上記固体撮像装置１Ｄでは、第１チャネルストップ部１４上に形成される絶縁膜１７は上記垂直ＣＣＤ２１のゲート絶縁膜２３よりも厚く形成されていることから、垂直転送方向の画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ａ）間もしくは画素１２（１２Ｂ）、１２（１２Ｂ）間に読み出し電圧が印加されても画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ａ）間もしくは画素１２（１２Ｂ）、１２（１２Ｂ）間部のポテンシャルが空乏化しない。このため、画素間混色が起こるのを抑制できるという利点がある。かつ水平転送方向に隣接する２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で、この２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で垂直ＣＣＤ２１を共有しているので、垂直ＣＣＤ２１を共有した分だけ、センサ開口率を大きくすることができ、画素サイズの微細化にも拘わらず感度や飽和信号電子数を向上させることができるという利点がある。
【００４６】
また、同一垂直転送方向の上記読み出しゲート部１５は上記第２チャネルストップ部１６よりも長く形成されている。これによって、読出しを行わない第２チャネルストップ部１６側の例えば画素１２Ａのフォトセンサからの逆読み出しが防止されるために、画素１２Ｂのフォトセンサ１３から読出しが円滑に行えるようになる。
したがって、転送電極２４（第２転送電極２４Ｂ）を共有する読み出しゲート部１５側の電極長は、読出しを行わない転送電極２４（第２転送電極２４Ｂ）を共有する第２チャネルストップ部１６側の電極長よりも長くなるように、例えば第１転送電極２４Ａと第２転送電極２４Ｂとの対向する面は、平面レイアウト上、斜めにカットした形状としてある。
【００４７】
＜５．第２の実施の形態＞
［固体撮像装置の構成の第３例］
【００４８】
次に、本発明の第２の実施の形態（固体撮像装置の構成の第５例）を、図５（１）の平面レイアウト図、図５（２）のＡ−Ａ’線断面図および図５（３）のＢ−Ｂ’線断面図によって説明する。
【００４９】
図５に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、垂直ＣＣＤ２１が形成されている。この垂直ＣＣＤ２１は、半導体基板に形成されたＮ型領域からなる電荷転送部２２と、その上面にゲート絶縁膜２３を介して形成されていて、垂直転送方向に配列された複数の転送電極２４とからなる。この転送電極２４は、１画素あたり３電極構造の転送電極であり、
例えば、第１転送電極２４Ａと第２転送電極２４Ｂと第３転送電極２４Ｃとで形成されている。水平転送方向の各第１転送電極２４Ａは水平転送方向の画素間上で接続されている。水平転送方向の各第２転送電極２４Ｂは、絶縁膜２６を介して配線２５Ｂによって水平転送方向の画素間上で接続されている。水平転送方向の各第３転送電極２４Ｃは、絶縁膜２６を介して配線２５Ｃによって水平転送方向の画素間上で接続されている。
【００５０】
上記垂直ＣＣＤ２１を共有して水平転送方向に隣接する２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が配設されている。すなわち、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が上記垂直ＣＣＤ２１を共有している。各画素１２には入射光を光電変換して信号電荷を得るフォトセンサ１３が形成されている。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素に水平転送方向に隣接する画素１２との間に画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【００５１】
上記垂直ＣＣＤ２１の両側の上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）間には、垂直転送方向と平行な方向に形成された読み出しゲート部１５と第２チャネルストップ部１６とが形成されている。
そして、上記読み出しゲート部１５上に読み出しゲート絶縁膜（図示せず）を介して上記３電極構造の転送電極の一つ、例えば第３転送電極２４Ｃの一部が張り出して形成されている。すなわち、上記第３転送電極２４Ｃが上記読み出しゲート部１５の読み出し電極を兼ねている。また、水平転送方向に隣接する画素には、例えば第２転送電極２４Ｂの一部が張り出して形成されている。すなわち、上記第２転送電極２４Ｂが上記読み出しゲート部１５の読み出し電極を兼ねている。
また、例えば上記第３転送電極２４Ｃに形成される読み出し電極は、水平転送方向に１画素ごとに形成されている。また上記第２転送電極２４Ｂに形成される読み出し電極は、水平転送方向に、第１転送電極２４Ａに形成される読み出し電極が形成されていない画素に形成されている。すなわち、第２転送電極２４Ｂに形成される読み出し電極も、水平転送方向に１画素ごとに形成されている。
上記のように固体撮像装置２（２Ａ）が形成されている。
【００５２】
上記固体撮像装置２Ａでは、垂直ＣＣＤ２１の転送電極２４が１画素あたり３電極構造の転送電極であることにより、垂直転送方向の画素間（例えば画素１２Ａ、１２Ａ間もしくは画素１２Ｂ、１２Ｂ間）には読出し電圧が印加されない。このため、画素間混色が起こるのを抑制できるという利点がある。このため、画素間混色が起こるのを抑制できるという利点がある。
また、水平転送方向に隣接する２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で、この２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で垂直ＣＣＤ２１を共有しているので、垂直ＣＣＤ２１を共有した分だけ、センサ開口率を大きくすることができ、画素サイズの微細化にも拘わらず感度や飽和信号電子数を向上させることができるという利点がある。
【００５３】
＜６．第２の実施の形態＞
［固体撮像装置の構成の第６例］
【００５４】
次に、本発明の第２の実施の形態（固体撮像装置の構成の第５例）を、図６（１）の平面レイアウト図、図６（２）のＡ−Ａ’線断面図および図６（３）のＢ−Ｂ’線断面図によって説明する。
【００５５】
図６に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、垂直ＣＣＤ２１が形成されている。この垂直ＣＣＤ２１は、半導体基板に形成されたＮ型領域からなる電荷転送部２２と、その上面にゲート絶縁膜２３を介して形成されていて、垂直転送方向に配列された複数の転送電極２４とからなる。この転送電極２４は、１画素あたり３電極構造の転送電極であり、
例えば、第１転送電極２４Ａと第２転送電極２４Ｂと第３転送電極２４Ｃとで形成されている。水平転送方向の各第１転送電極２４Ａは水平転送方向の画素間上で接続されている。水平転送方向の各第２転送電極２４Ｂは、絶縁膜２６を介して配線２５Ｂによって水平転送方向の画素間上で接続されている。水平転送方向の各第３転送電極２４Ｃは、絶縁膜２６を介して配線２５Ｃによって水平転送方向の画素間上で接続されている。
【００５６】
上記垂直ＣＣＤ２１を共有して水平転送方向に隣接する２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が配設されている。すなわち、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が上記垂直ＣＣＤ２１を共有している。各画素１２には入射光を光電変換して信号電荷を得るフォトセンサ１３が形成されている。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素に水平転送方向に隣接する画素１２との間に画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【００５７】
上記垂直ＣＣＤ２１の両側の上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）間には、垂直転送方向と平行な方向に形成された読み出しゲート部１５と第２チャネルストップ部１６とが形成されている。
そして、上記読み出しゲート部１５上に読み出しゲート絶縁膜（図示せず）を介して上記３電極構造の転送電極の一つ、例えば第３転送電極２４Ｃの一部が張り出して形成されている。すなわち、上記第３転送電極２４Ｃが上記読み出しゲート部１５の読み出し電極を兼ねている。また、水平転送方向に隣接する画素には、例えば第２転送電極２４Ｂの一部が張り出して形成されている。すなわち、上記第２転送電極２４Ｂが上記読み出しゲート部１５の読み出し電極を兼ねている。
また、例えば上記第３転送電極２４Ｃに形成される読み出し電極は、水平転送方向に２画素ごとに形成されている。また上記第２転送電極２４Ｂに形成される読み出し電極は、水平転送方向に、第１転送電極２４Ａに形成される読み出し電極が形成されていない画素に形成されている。すなわち、第２転送電極２４Ｂに形成される読み出し電極も、水平転送方向に２画素ごとに形成されている。
上記のように固体撮像装置２（２Ｂ）が形成されている。
【００５８】
上記固体撮像装置２Ｂでは、垂直ＣＣＤ２１の転送電極２４が１画素あたり３電極構造の転送電極であることにより、垂直転送方向の画素間（例えば画素１２Ａ、１２Ａ間もしくは画素１２Ｂ、１２Ｂ間）には読出し電圧が印加されない。このため、画素間混色が起こるのを抑制できるという利点がある。このため、画素間混色が起こるのを抑制できるという利点がある。
また、水平転送方向に隣接する２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で、この２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で垂直ＣＣＤ２１を共有しているので、垂直ＣＣＤ２１を共有した分だけ、センサ開口率を大きくすることができ、画素サイズの微細化にも拘わらず感度や飽和信号電子数を向上させることができるという利点がある。
【００５９】
＜７．第２の実施の形態＞
［固体撮像装置の構成の第７例］
【００６０】
次に、本発明の第２の実施の形態（固体撮像装置の構成の第７例）を、図７（１）の平面レイアウト図、図７（２）のＡ−Ａ’線断面図および図７（３）のＢ−Ｂ’線断面図によって説明する。
【００６１】
図７に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、垂直ＣＣＤ２１が形成されている。この垂直ＣＣＤ２１は、半導体基板に形成されたＮ型領域からなる電荷転送部２２と、その上面にゲート絶縁膜２３を介して形成されていて、垂直転送方向に配列された複数の転送電極２４とからなる。この転送電極２４は、１画素あたり３電極構造の転送電極であり、
例えば、第１転送電極２４Ａと第２転送電極２４Ｂと第３転送電極２４Ｃとで形成されている。水平転送方向の各第１転送電極２４Ａは水平転送方向の画素間上で接続されている。水平転送方向の各第２転送電極２４Ｂは、絶縁膜２６を介して配線２５Ｂによって水平転送方向の画素間上で接続されている。水平転送方向の各第３転送電極２４Ｃは、絶縁膜２６を介して配線２５Ｃによって水平転送方向の画素間上で接続されている。
【００６２】
上記垂直ＣＣＤ２１を共有して水平転送方向に隣接する２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が配設されている。すなわち、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が上記垂直ＣＣＤ２１を共有している。各画素１２には入射光を光電変換して信号電荷を得るフォトセンサ１３が形成されている。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素に水平転送方向に隣接する画素１２との間に画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【００６３】
上記垂直ＣＣＤ２１の両側の上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）間には、垂直転送方向と平行な方向に形成された読み出しゲート部１５と第２チャネルストップ部１６とが形成されている。
【００６４】
そして、上記読み出しゲート部１５上に読み出しゲート絶縁膜（図示せず）を介して上記３電極構造の転送電極の一つ、例えば第３転送電極２４Ｃの一部が張り出して形成されている。すなわち、上記第３転送電極２４Ｃが上記読み出しゲート部１５の読み出し電極を兼ねている。また、水平転送方向に隣接する画素には、例えば第２転送電極２４Ｂの一部が張り出して形成されている。すなわち、上記第２転送電極２４Ｂが上記読み出しゲート部１５の読み出し電極を兼ねている。
そして、垂直転送方向の上記読み出しゲート部１５は上記垂直転送方向の上記第２チャネルストップ部１６よりも長く形成されている。
また、例えば上記第３転送電極２４Ｃに形成される読み出し電極は、水平転送方向に１画素ごとに形成されている。また上記第２転送電極２４Ｂに形成される読み出し電極は、水平転送方向に、第１転送電極２４Ａに形成される読み出し電極が形成されていない画素に形成されている。すなわち、第２転送電極２４Ｂに形成される読み出し電極も、水平転送方向に１画素ごとに形成されている。
上記のように固体撮像装置２（２Ｃ）が形成されている。
【００６５】
上記固体撮像装置２Ｃでは、垂直ＣＣＤ２１の転送電極２４が１画素あたり３電極構造の転送電極であることにより、垂直転送方向の画素間（例えば画素１２Ａ、１２Ａ間もしくは画素１２Ｂ、１２Ｂ間）には読出し電圧が印加されない。このため、画素間混色が起こるのを抑制できるという利点がある。
また、水平転送方向に隣接する２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で、この２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で垂直ＣＣＤ２１を共有しているので、垂直ＣＣＤ２１を共有した分だけ、センサ開口率を大きくすることができ、画素サイズの微細化にも拘わらず感度や飽和信号電子数を向上させることができるという利点がある。
【００６６】
また、同一垂直転送方向の上記読み出しゲート部１５は上記第２チャネルストップ部１６よりも長く形成されている。これによって、読出しを行わない第２チャネルストップ部１６側の例えば画素１２Ａのフォトセンサからの逆読み出しが防止されるために、画素１２Ｂのフォトセンサ１３から読出しが円滑に行えるようになる。
したがって、転送電極２４（第３転送電極２４Ｃ）と共有される読み出しゲート部１５側の電極長は、読出しを行わない転送電極２４（第３転送電極２４Ｃ）を共有する第２チャネルストップ部１６側の電極長よりも長くなるように、例えば第２転送電極２４Ｂと第３転送電極２４Ｃとの対向する面は、平面レイアウト上、斜めにカットした形状としてある。
【００６７】
＜８．第２の実施の形態＞
［固体撮像装置の構成の第８例］
【００６８】
次に、本発明の第２の実施の形態（固体撮像装置の構成の第８例）を、図８（１）の平面レイアウト図、図８（２）のＡ−Ａ’線断面図および図８（３）のＢ−Ｂ’線断面図によって説明する。
【００６９】
図８に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、垂直ＣＣＤ２１が形成されている。この垂直ＣＣＤ２１は、半導体基板に形成されたＮ型領域からなる電荷転送部２２と、その上面にゲート絶縁膜２３を介して形成されていて、垂直転送方向に配列された複数の転送電極２４とからなる。この転送電極２４は、１画素あたり３電極構造の転送電極であり、
例えば、第１転送電極２４Ａと第２転送電極２４Ｂと第３転送電極２４Ｃとで形成されている。水平転送方向の各第１転送電極２４Ａは水平転送方向の画素間上で接続されている。水平転送方向の各第２転送電極２４Ｂは、絶縁膜２６を介して配線２５Ｂによって水平転送方向の画素間上で接続されている。水平転送方向の各第３転送電極２４Ｃは、絶縁膜２６を介して配線２５Ｃによって水平転送方向の画素間上で接続されている。
【００７０】
上記垂直ＣＣＤ２１を共有して水平転送方向に隣接する２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が配設されている。すなわち、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が上記垂直ＣＣＤ２１を共有している。各画素１２には入射光を光電変換して信号電荷を得るフォトセンサ１３が形成されている。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素に水平転送方向に隣接する画素１２との間に画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【００７１】
上記垂直ＣＣＤ２１の両側の上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）間には、垂直転送方向と平行な方向に形成された読み出しゲート部１５と第２チャネルストップ部１６とが形成されている。
【００７２】
そして、上記読み出しゲート部１５上に読み出しゲート絶縁膜（図示せず）を介して上記３電極構造の転送電極の一つ、例えば第３転送電極２４Ｃの一部が張り出して形成されている。すなわち、上記第３転送電極２４Ｃが上記読み出しゲート部１５の読み出し電極を兼ねている。また、水平転送方向に隣接する画素には、例えば第２転送電極２４Ｂの一部が張り出して形成されている。すなわち、上記第２転送電極２４Ｂが上記読み出しゲート部１５の読み出し電極を兼ねている。
そして、垂直転送方向の上記読み出しゲート部１５は上記垂直転送方向の上記第２チャネルストップ部１６よりも長く形成されている。
また、例えば上記第３転送電極２４Ｃに形成される読み出し電極は、水平転送方向に２画素ごとに形成されている。また上記第２転送電極２４Ｂに形成される読み出し電極は、水平転送方向に、第１転送電極２４Ａに形成される読み出し電極が形成されていない画素に形成されている。すなわち、第２転送電極２４Ｂに形成される読み出し電極も、水平転送方向に２画素ごとに形成されている。
上記のように固体撮像装置２（２Ｄ）が形成されている。
【００７３】
上記固体撮像装置２Ｄでは、垂直ＣＣＤ２１の転送電極２４が１画素あたり３電極構造の転送電極であることにより、垂直転送方向の画素間（例えば画素１２Ａ、１２Ａ間もしくは画素１２Ｂ、１２Ｂ間）には読出し電圧が印加されない。このため、画素間混色が起こるのを抑制できるという利点がある。
また、水平転送方向に隣接する２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で、この２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で垂直ＣＣＤ２１を共有しているので、垂直ＣＣＤ２１を共有した分だけ、センサ開口率を大きくすることができ、画素サイズの微細化にも拘わらず感度や飽和信号電子数を向上させることができるという利点がある。
【００７４】
また、同一垂直転送方向の上記読み出しゲート部１５は上記第２チャネルストップ部１６よりも長く形成されている。これによって、読出しを行わない第２チャネルストップ部１６側の例えば画素１２Ａのフォトセンサからの逆読み出しが防止されるために、画素１２Ｂのフォトセンサ１３から読出しが円滑に行えるようになる。
したがって、転送電極２４（第３転送電極２４Ｃ）と共有される読み出しゲート部１５側の電極長は、読出しを行わない転送電極２４（第３転送電極２４Ｃ）を共有する第２チャネルストップ部１６側の電極長よりも長くなるように、例えば第２転送電極２４Ｂと第３転送電極２４Ｃとの対向する面は、平面レイアウト上、斜めにカットした形状としてある。
【００７５】
＜９．第３の実施の形態＞
［固体撮像装置の構成の第９例］
【００７６】
本発明の第３の実施の形態（固体撮像装置の構成の第９例）を、図９（１）の平面レイアウト図、図９（２）のＡ−Ａ’線断面図および図９（３）のＢ−Ｂ’線断面図によって説明する。
【００７７】
図９に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、垂直ＣＣＤ２１が形成されている。この垂直ＣＣＤ２１は、半導体基板に形成されたＮ型領域からなる電荷転送部２２と、その上面にゲート絶縁膜２３を介して形成されていて、垂直転送方向に配列された複数の転送電極２４とからなる。水平転送方向の各転送電極２４は、水平転送方向の画素間上で接続されている。
【００７８】
上記垂直ＣＣＤ２１を共有して水平転送方向に隣接する２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が配設されている。すなわち、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が上記垂直ＣＣＤ２１を共有している。各画素１２には入射光を光電変換して信号電荷を得るフォトセンサ１３が形成されている。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素に水平転送方向に隣接する画素１２との間に画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【００７９】
上記垂直ＣＣＤ２１の両側の上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）間には、垂直転送方向と平行な方向に読み出しゲート部１５が形成されている。
そして、上記垂直ＣＣＤ２１の転送電極２４とは独立に、上記読み出しゲート部１５上に読み出しゲート絶縁膜（図示せず）を介して読み出し電極１９が形成されている。この読み出し電極１９は一部が転送電極２４上に絶縁膜２６を介して形成されている。
上記読み出し電極１９は、第１読み出し電極１９Ａと第２読み出し電極１９Ｂからなる。すなわち、水平転送方向に配列されている各画素１２に対して、共有する垂直ＣＣＤ２１の一方側に上記第１読み出し電極１９Ａが配設され、共有する垂直ＣＣＤ２１の他方側に上記第１読み出し電極１９Ａが配設されている。また、上記各第１読み出し電極１９Ａは垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間に配設された第１読み出し配線３１Ａに接続されている。上記各第２読み出し電極１９Ｂは垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間に配設された第２読み出し配線３１Ｂに接続されている。そして、第１読み出し配線３１Ａと第２読み出し配線３１Ｂの２本の配線は、垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間に配設されている。
【００８０】
すなわち、読み出し配線１９は垂直転送方向の画素１２ａ、１２ｂ間に配設された第１読み出し配線３１Ａと第２読み出し配線３１Ｂの２本の配線からなる。
上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとの間の水平転送方向に配列された画素１２の読み出し電極１９に対して、上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとが１画素ごとに交互に接続されている。そして、上記第１読み出し配線３１Ａの読み出しと上記第２読み出し配線３１Ｂの読み出しを交互に行うことで、全画素を２回に分けて読み出す。
上記のように固体撮像装置３（３Ａ）が形成されている。
【００８１】
上記固体撮像装置３Ａでは、読み出しゲート部１５上に読み出しゲート絶縁膜（図示せず）を介して垂直ＣＣＤ２１の転送電極２４とは独立して読み出し電極１９が形成されていることにより、垂直転送方向の画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ａ）間もしくは画素１２（１２Ｂ）、１２（１２Ｂ）間に読み出し電圧が印加されても画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ａ）間もしくは画素１２（１２Ｂ）、１２（１２Ｂ）間部のポテンシャルが空乏化しない。このため、画素間混色が起こるのを抑制できるという利点がある。かつ水平転送方向に隣接する２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で、この２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で垂直ＣＣＤ２１を共有しているので、垂直ＣＣＤ２１を共有した分だけ、センサ開口率を大きくすることができ、画素サイズの微細化にも拘わらず感度や飽和信号電子数を向上させることができるという利点がある。
【００８２】
＜１０．第３の実施の形態＞
［固体撮像装置の構成の第１０例］
【００８３】
本発明の第３の実施の形態（固体撮像装置の構成の第１０例）を、図１０（１）の平面レイアウト図、図１０（２）のＡ−Ａ’線断面図および図１０（３）のＢ−Ｂ’線断面図によって説明する。
【００８４】
図１０に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、垂直ＣＣＤ２１が形成されている。この垂直ＣＣＤ２１は、半導体基板に形成されたＮ型領域からなる電荷転送部２２と、その上面にゲート絶縁膜２３を介して形成されていて、垂直転送方向に配列された複数の転送電極２４とからなる。水平転送方向の各転送電極２４は、水平転送方向の画素間上で接続されている。
【００８５】
上記垂直ＣＣＤ２１を共有して水平転送方向に隣接する２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が配設されている。すなわち、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が上記垂直ＣＣＤ２１を共有している。各画素１２には入射光を光電変換して信号電荷を得るフォトセンサ１３が形成されている。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素に水平転送方向に隣接する画素１２との間に画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【００８６】
上記垂直ＣＣＤ２１の両側の上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）間には、垂直転送方向と平行な方向に読み出しゲート部１５が形成されている。
そして、上記垂直ＣＣＤ２１の転送電極２４とは独立に、上記読み出しゲート部１５上に読み出しゲート絶縁膜（図示せず）を介して読み出し電極１９が形成されている。この読み出し電極１９は一部が転送電極２４上に絶縁膜２６を介して形成されている。
上記読み出し電極１９は、第１読み出し電極１９Ａと第２読み出し電極１９Ｂからなる。すなわち、水平転送方向に配列されている各画素１２に対して、共有する垂直ＣＣＤ２１の一方側に上記第１読み出し電極１９Ａが配設され、共有する垂直ＣＣＤ２１の他方側に上記第１読み出し電極１９Ａが配設されている。また、上記各第１読み出し電極１９Ａは垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間に配設された第１読み出し配線３１Ａに接続されている。上記各第２読み出し電極１９Ｂは垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間に配設された第２読み出し配線３１Ｂに接続されている。そして、第１読み出し配線３１Ａと第２読み出し配線３１Ｂの２本の配線は、垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間に配設されている。
【００８７】
上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとの間の水平転送方向に配列された画素１２の読み出し電極１９に対して、上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとが２画素ごとに交互に接続されている。そして、上記第１読み出し配線３１Ａの読み出しと上記第２読み出し配線３１Ｂの読み出しを交互に行うことで、全画素を２回に分けて読み出す。
上記のように固体撮像装置３（３Ｂ）が形成されている。
【００８８】
上記固体撮像装置３Ｂでは、読み出しゲート部１５上に読み出しゲート絶縁膜（図示せず）を介して垂直ＣＣＤ２１の転送電極２４とは独立して読み出し電極１９が形成されていることにより、垂直転送方向の画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ａ）間もしくは画素１２（１２Ｂ）、１２（１２Ｂ）間に読み出し電圧が印加されても画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ａ）間もしくは画素１２（１２Ｂ）、１２（１２Ｂ）間部のポテンシャルが空乏化しない。このため、画素間混色が起こるのを抑制できるという利点がある。かつ水平転送方向に隣接する２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で、この２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で垂直ＣＣＤ２１を共有しているので、垂直ＣＣＤ２１を共有した分だけ、センサ開口率を大きくすることができ、画素サイズの微細化にも拘わらず感度や飽和信号電子数を向上させることができるという利点がある。
【００８９】
＜１１．第３の実施の形態＞
［固体撮像装置の構成の第１１例］
【００９０】
本発明の第３の実施の形態（固体撮像装置の構成の第１１例）を、図１１（１）の平面レイアウト図、図１１（２）のＡ−Ａ’線断面図および図１１（３）のＢ−Ｂ’線断面図によって説明する。
【００９１】
図１１に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、垂直ＣＣＤ２１が形成されている。この垂直ＣＣＤ２１は、半導体基板に形成されたＮ型領域からなる電荷転送部２２と、その上面にゲート絶縁膜２３を介して形成されていて、垂直転送方向に配列された複数の転送電極２４とからなる。この転送電極２４は、例えば、第１転送電極２４Ａと第２転送電極２４Ｂとで形成されている。水平転送方向の各第１転送電極２４Ａは、水平転送方向の画素間上で接続されている。水平転送方向の各第２転送電極２４Ｂは、配線２５Ｂによって水平転送方向の画素間上で接続されている。
【００９２】
上記垂直ＣＣＤ２１を共有して水平転送方向に隣接する２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が配設されている。すなわち、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が上記垂直ＣＣＤ２１を共有している。各画素１２には入射光を光電変換して信号電荷を得るフォトセンサ１３が形成されている。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素に水平転送方向に隣接する画素１２との間に画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【００９３】
上記垂直ＣＣＤ２１の両側の上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）間には、垂直転送方向と平行な方向に読み出しゲート部１５が形成されている。
そして、上記垂直ＣＣＤ２１の転送電極２４とは独立に、上記読み出しゲート部１５上に読み出しゲート絶縁膜（図示せず）を介して読み出し電極１９が形成されている。この読み出し電極１９は一部が転送電極２４上に絶縁膜２６を介して形成されている。
上記読み出し電極１９は、第１読み出し電極１９Ａと第２読み出し電極１９Ｂからなる。すなわち、水平転送方向に配列されている各画素１２に対して、共有する垂直ＣＣＤ２１の第１転送電極２４Ａの一方側（例えば画素１２Ａ側）に上記第１読み出し電極１９Ａが配設されている。また共有する垂直ＣＣＤ２１の第２転送電極２４Ｂの他方側（例えば画素１２Ｂ側）に上記第２読み出し電極１９Ｂが配設されている。さらに、上記各第１読み出し電極１９Ａは垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間に配設された第１読み出し配線３１Ａに接続されている。上記各第２読み出し電極１９Ｂは垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間に配設された第２読み出し配線３１Ｂに接続されている。そして、第１読み出し配線３１Ａと第２読み出し配線３１Ｂの２本の配線は、垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間に配設されている。
【００９４】
上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとの間の水平転送方向に配列された画素１２の読み出し電極１９に対して、上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとが１画素ごとに交互に接続されている。そして、上記第１読み出し配線３１Ａの読み出しと上記第２読み出し配線３１Ｂの読み出しを交互に行うことで、全画素を２回に分けて読み出す。
上記のように固体撮像装置３（３Ｃ）が形成されている。
【００９５】
上記固体撮像装置３（３Ｃ）では、読み出しゲート部１５上に読み出しゲート絶縁膜（図示せず）を介して垂直ＣＣＤ２１の転送電極２４とは独立して読み出し電極１９が形成されていることにより、垂直転送方向の画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ａ）間もしくは画素１２（１２Ｂ）、１２（１２Ｂ）間に読み出し電圧が印加されても画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ａ）間もしくは画素１２（１２Ｂ）、１２（１２Ｂ）間部のポテンシャルが空乏化しない。このため、画素間混色が起こるのを抑制できるという利点がある。かつ水平転送方向に隣接する２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で、この２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で垂直ＣＣＤ２１を共有しているので、垂直ＣＣＤ２１を共有した分だけ、センサ開口率を大きくすることができ、画素サイズの微細化にも拘わらず感度や飽和信号電子数を向上させることができるという利点がある。
【００９６】
＜１２．第３の実施の形態＞
［固体撮像装置の構成の第１２例］
【００９７】
本発明の第３の実施の形態（固体撮像装置の構成の第１２例）を、図１２（１）の平面レイアウト図、図１２（２）のＡ−Ａ’線断面図および図１２（３）のＢ−Ｂ’線断面図によって説明する。
【００９８】
図１２に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、垂直ＣＣＤ２１が形成されている。この垂直ＣＣＤ２１は、半導体基板に形成されたＮ型領域からなる電荷転送部２２と、その上面にゲート絶縁膜２３を介して形成されていて、垂直転送方向に配列された複数の転送電極２４とからなる。この転送電極２４は、例えば、第１転送電極２４Ａと第２転送電極２４Ｂとで形成されている。水平転送方向の各第１転送電極２４Ａは、水平転送方向の画素間上で接続されている。水平転送方向の各第２転送電極２４Ｂは、配線２５Ｂによって水平転送方向の画素間上で接続されている。
【００９９】
上記垂直ＣＣＤ２１を共有して水平転送方向に隣接する２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が配設されている。すなわち、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が上記垂直ＣＣＤ２１を共有している。各画素１２には入射光を光電変換して信号電荷を得るフォトセンサ１３が形成されている。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素に水平転送方向に隣接する画素１２との間に画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【０１００】
上記垂直ＣＣＤ２１の両側の上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）間には、垂直転送方向と平行な方向に読み出しゲート部１５が形成されている。
そして、上記垂直ＣＣＤ２１の転送電極２４とは独立に、上記読み出しゲート部１５上に読み出しゲート絶縁膜（図示せず）を介して読み出し電極１９が形成されている。この読み出し電極１９は一部が転送電極２４上に絶縁膜２６を介して形成されている。
上記読み出し電極１９は、第１読み出し電極１９Ａと第２読み出し電極１９Ｂからなる。すなわち、水平転送方向に配列されている各画素１２に対して、共有する垂直ＣＣＤ２１の第１転送電極２４Ａの一方側（例えば画素１２Ａ側）に上記第１読み出し電極１９Ａが配設されている。また共有する垂直ＣＣＤ２１の第２転送電極２４Ｂの他方側（例えば画素１２Ｂ側）に上記第２読み出し電極１９Ｂが配設されている。さらに、上記各第１読み出し電極１９Ａは垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間に配設された第１読み出し配線３１Ａに接続されている。上記各第２読み出し電極１９Ｂは垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間に配設された第２読み出し配線３１Ｂに接続されている。そして、第１読み出し配線３１Ａと第２読み出し配線３１Ｂの２本の配線は、垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間に配設されている。
【０１０１】
上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとの間の水平転送方向に配列された画素１２の読み出し電極１９に対して、上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとが２画素ごとに交互に接続されている。そして、上記第１読み出し配線３１Ａの読み出しと上記第２読み出し配線３１Ｂの読み出しを交互に行うことで、全画素を２回に分けて読み出す。
上記のように固体撮像装置３（３Ａ）が形成されている。
【０１０２】
上記固体撮像装置３Ｄでは、読み出しゲート部１５上に読み出しゲート絶縁膜（図示せず）を介して垂直ＣＣＤ２１の転送電極２４とは独立して読み出し電極１９が形成されていることにより、垂直転送方向の画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ａ）間もしくは画素１２（１２Ｂ）、１２（１２Ｂ）間に読み出し電圧が印加されても画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ａ）間もしくは画素１２（１２Ｂ）、１２（１２Ｂ）間部のポテンシャルが空乏化しない。このため、画素間混色が起こるのを抑制できるという利点がある。かつ水平転送方向に隣接する２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で、この２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で垂直ＣＣＤ２１を共有しているので、垂直ＣＣＤ２１を共有した分だけ、センサ開口率を大きくすることができ、画素サイズの微細化にも拘わらず感度や飽和信号電子数を向上させることができるという利点がある。
【０１０３】
＜１３．第３の実施の形態＞
［固体撮像装置の構成の第１３例］
【０１０４】
本発明の第３の実施の形態（固体撮像装置の構成の第１３例）を、図１３（１）の平面レイアウト図、図１３（２）のＡ−Ａ’線断面図および図１３（３）のＢ−Ｂ’線断面図によって説明する。
【０１０５】
図１３に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、垂直ＣＣＤ２１が形成されている。この垂直ＣＣＤ２１は、半導体基板に形成されたＮ型領域からなる電荷転送部２２と、その上面にゲート絶縁膜２３を介して形成されていて、垂直転送方向に配列された複数の転送電極２４とからなる。この転送電極２４は、例えば、第１転送電極２４Ａと第２転送電極２４Ｂとで形成されている。水平転送方向の各第１転送電極２４Ａは、水平転送方向の画素間上で接続されている。水平転送方向の各第２転送電極２４Ｂは、配線２５Ｂによって水平転送方向の画素間上で接続されている。
【０１０６】
上記垂直ＣＣＤ２１を共有して水平転送方向に隣接する２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が配設されている。すなわち、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が上記垂直ＣＣＤ２１を共有している。各画素１２には入射光を光電変換して信号電荷を得るフォトセンサ１３が形成されている。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素に水平転送方向に隣接する画素１２との間に画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【０１０７】
上記垂直ＣＣＤ２１の両側の上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）間には、垂直転送方向と平行な方向に読み出しゲート部１５が形成されている。
そして、上記垂直ＣＣＤ２１の転送電極２４とは独立に、上記読み出しゲート部１５上に読み出しゲート絶縁膜（図示せず）を介して読み出し電極１９が形成されている。この読み出し電極１９は一部が転送電極２４上に絶縁膜２６を介して形成されている。
上記読み出し電極１９は、第１読み出し電極１９Ａと第２読み出し電極１９Ｂからなる。すなわち、上記第１読み出し電極１９Ａは、水平転送方向に配列されている各画素１２に対して、共有する垂直ＣＣＤ２１の第１転送電極２４Ａの一方側（例えば画素１２Ａ側）上に絶縁膜２６を介して形成されている。さらに、上記読み出しゲート部１５上に読み出しゲート絶縁膜（図示せず）を介して延長形成されている。
また、上記第２読み出し電極１９Ｂは、水平転送方向に配列されている各画素１２に対して、共有する垂直ＣＣＤ２１の第２転送電極２４Ｂの他方側（例えば画素１２Ｂ側）の上記読み出しゲート部１５上に上記ゲート絶縁膜２３を介して延長形成されている。
また、垂直転送方向の上記画素１２ａ、１２ｂ間には読み出し配線３０が配設されている。上記読み出し配線３１Ａには、垂直転送方向の一方側に上記第１読み出し電極１９Ａが接続され、垂直転送方向の他方側に上記第２読み出し電極１９Ｂが接続されている。すなわち、上記第１読み出し電極１９Ａと上記第２読み出し電極１９Ｂが上記読み出し配線３０を挟んで対向する状態に形成されている。
そして、水平転送方向に配列された画素１２を挟んで、一方の側の上記読み出し配線３０（３０Ａ）は、１画素ごとに上記第１読み出し電極１９Ａを接続している。また、他方の側の上記読み出し配線３０（３０Ｂ）は、１画素ごとに上記第２読み出し電極１９Ｂを接続している。
そして、上記読み出し配線３０（３０Ａ）の読み出しと上記読み出し配線３０（３０Ｂ）の読み出しを交互に行うことで、全画素を２回に分けて読み出す。
上記のように固体撮像装置３（３Ｅ）が形成されている。
【０１０８】
上記固体撮像装置３Ｅでは、読み出しゲート部１５上に読み出しゲート絶縁膜（図示せず）を介して垂直ＣＣＤ２１の転送電極２４とは独立して読み出し電極１９が形成されていることにより、垂直転送方向の画素１２（１２ａ）、１２（１２ｂ）間に読み出し電圧が印加されても画素１２（１２ａ）、１２（１２ｂ）間部のポテンシャルが空乏化しない。このため、画素間混色が起こるのを抑制できるという利点がある。かつ水平転送方向に隣接する２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で、この２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で垂直ＣＣＤ２１を共有しているので、垂直ＣＣＤ２１を共有した分だけ、センサ開口率を大きくすることができ、画素サイズの微細化にも拘わらず感度や飽和信号電子数を向上させることができるという利点がある。
【０１０９】
＜１４．第３の実施の形態＞
［固体撮像装置の構成の第１４例］
【０１１０】
本発明の第３の実施の形態（固体撮像装置の構成の第９例）を、図１４（１）の平面レイアウト図、図１４（２）のＡ−Ａ’線断面図および図１０（３）のＢ−Ｂ’線断面図によって説明する。
【０１１１】
図１４に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、垂直ＣＣＤ２１が形成されている。この垂直ＣＣＤ２１は、半導体基板に形成されたＮ型領域からなる電荷転送部２２と、その上面にゲート絶縁膜２３を介して形成されていて、垂直転送方向に配列された複数の転送電極２４とからなる。この転送電極２４は、例えば、第１転送電極２４Ａと第２転送電極２４Ｂとで形成されている。水平転送方向の各第１転送電極２４Ａは、水平転送方向の画素間上で接続されている。水平転送方向の各第２転送電極２４Ｂは、配線２５Ｂによって水平転送方向の画素間上で接続されている。
【０１１２】
上記垂直ＣＣＤ２１を共有して水平転送方向に隣接する２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が配設されている。すなわち、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）が上記垂直ＣＣＤ２１を共有している。各画素１２には入射光を光電変換して信号電荷を得るフォトセンサ１３が形成されている。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素に水平転送方向に隣接する画素１２との間に画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【０１１３】
上記垂直ＣＣＤ２１の両側の上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）間には、垂直転送方向と平行な方向に読み出しゲート部１５が形成されている。
そして、上記垂直ＣＣＤ２１の転送電極２４とは独立に、上記読み出しゲート部１５上に読み出しゲート絶縁膜（図示せず）を介して読み出し電極１９が形成されている。この読み出し電極１９は一部が転送電極２４上に絶縁膜２６を介して形成されている。
上記読み出し電極１９は、第１読み出し電極１９Ａと第２読み出し電極１９Ｂからなる。すなわち、上記第１読み出し電極１９Ａは、水平転送方向に配列されている各画素１２に対して、共有する垂直ＣＣＤ２１の第１転送電極２４Ａの一方側（例えば画素１２Ａ側）上に絶縁膜２６を介して形成されている。さらに、上記読み出しゲート部１５上に読み出しゲート絶縁膜（図示せず）を介して延長形成されている。
また、上記第２読み出し電極１９Ｂは、水平転送方向に配列されている各画素１２に対して、共有する垂直ＣＣＤ２１の第２転送電極２４Ｂの他方側（例えば画素１２Ｂ側）の上記読み出しゲート部１５上に上記読み出しゲート絶縁膜（図示せず）を介して延長形成されている。
また、垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間には読み出し配線３０が配設されている。上記読み出し配線３１Ａには、垂直転送方向の一方側に上記第１読み出し電極１９Ａが接続され、垂直転送方向の他方側に上記第２読み出し電極１９Ｂが接続されている。すなわち、上記第１読み出し電極１９Ａと上記第２読み出し電極１９Ｂが上記読み出し配線３０を挟んで対向する状態に形成されている。
そして、水平転送方向に配列された画素１２を挟んで、一方の側の上記読み出し配線３０（３０Ａ）は、２画素ごとに上記第１読み出し電極１９Ａを接続している。また、他方の側の上記読み出し配線３０（３０Ｂ）は、２画素ごとに上記第２読み出し電極１９Ｂを接続している。
そして、上記読み出し配線３０（３０Ａ）の読み出しと上記読み出し配線３０（３０Ｂ）の読み出しを交互に行うことで、全画素を２回に分けて読み出す。
上記のように固体撮像装置３（３Ｆ）が形成されている。
【０１１４】
上記固体撮像装置３Ｆでは、読み出しゲート部１５上に読み出しゲート絶縁膜（図示せず）を介して垂直ＣＣＤ２１の転送電極２４とは独立して読み出し電極１９が形成されていることにより、垂直転送方向の画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ａ）間もしくは画素１２（１２Ｂ）、１２（１２Ｂ）間に読み出し電圧が印加されても画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ａ）間もしくは画素１２（１２Ｂ）、１２（１２Ｂ）間部のポテンシャルが空乏化しない。このため、画素間混色が起こるのを抑制できるという利点がある。かつ水平転送方向に隣接する２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で、この２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）で垂直ＣＣＤ２１を共有しているので、垂直ＣＣＤ２１を共有した分だけ、センサ開口率を大きくすることができ、画素サイズの微細化にも拘わらず感度や飽和信号電子数を向上させることができるという利点がある。
【０１１５】
＜１５．第４の実施の形態＞
［固体撮像装置の読み出し方法の第１例］
【０１１６】
本発明の第４の実施の形態（固体撮像装置の読み出し方法の第１例）を、図１５の平面レイアウト図によって説明する。なお、図中の矢印はフォトセンサ１３から垂直ＣＣＤへの信号電荷の「読み出し」を表す。
【０１１７】
図１５に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、上記複数の画素１２のうち水平転送方向に隣接する２画素１２（１２Ａ、１２Ｂ）間に垂直ＣＣＤ２１が形成されている。
すなわち、水平転送方向に隣接している上記２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）は、上記垂直ＣＣＤ２１を共有する。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に水平転送方向に隣接する画素１２（１２Ｃ）との間に形成された画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【０１１８】
垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間には、上記各画素１２のフォトセンサ１３に形成された読み出し電極（図示せず）に接続される読み出し配線３１が配設されている。
上記読み出し配線３１は垂直転送方向の画素間に配設された第１読み出し配線３１Ａと第２読み出し配線３１Ｂの２本の配線からなる。
上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとの間の水平転送方向に配列された各画素１２に形成された読み出し電極（図示せず）に対して、上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとが交互に接続されている。
本例では、上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとは水平転送方向の１画素ごとに交互に接続されている。
【０１１９】
上記構成の固体撮像装置は、前記図１、図３、図５、図７、図９もしくは図１１を参照して説明した固体撮像装置を用いることができる。
【０１２０】
上記構成の固体撮像装置は、上記第１読み出し配線３１Ａの読み出しと上記第２読み出し配線３１Ｂの読み出しを交互に行うことで、全画素を２回に分けて読み出すことができる。
【０１２１】
本例では、第１読み出し配線３１Ａの読み出しは１系統であり、第２読み出し配線３１Ｂの読み出しは１系統となっている。
【０１２２】
＜１６．第４の実施の形態＞
［固体撮像装置の読み出し方法の第２例］
【０１２３】
次に、本発明の第４の実施の形態（固体撮像装置の読み出し方法の第２例）を、図１６の平面レイアウト図によって説明する。なお、図中の矢印はフォトセンサ１３から垂直ＣＣＤへの信号電荷の「読み出し」を表す。
【０１２４】
図１６に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、上記複数の画素１２のうち水平転送方向に隣接する２画素１２（１２Ａ、１２Ｂ）間に垂直ＣＣＤ２１が形成されている。
すなわち、水平転送方向に隣接している上記２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）は、上記垂直ＣＣＤ２１を共有する。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に水平転送方向に隣接する画素１２（１２Ｃ）との間に形成された画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【０１２５】
垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間には、上記各画素１２のフォトセンサ１３に形成された読み出し電極（図示せず）に接続される読み出し配線３１が配設されている。
上記読み出し配線３１は垂直転送方向の画素間に配設された第１読み出し配線３１Ａと第２読み出し配線３１Ｂの２本の配線からなる。
上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとの間の水平転送方向に配列された各画素１２に形成された読み出し電極（図示せず）に対して、上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとが交互に接続されている。
本例では、上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとは水平転送方向の１画素ごとに交互に接続されている。
【０１２６】
そして、第１読み出し配線３１Ａは、垂直転送方向に１本ごとに第１読み出し系統３２Ａに接続され、残りの第１読み出し配線３１Ａは、垂直転送方向に１本ごとに第２読み出し系統３２Ｂに接続されている。すなわち、垂直転送方向に複数本が配設されている上記第１読み出し配線３１Ａは、交互に第１読み出し系統３２Ａと第２読み出し系統３２Ｂに接続されている。
また、第２読み出し配線３１Ｂは、垂直転送方向に１本ごとに第１読み出し系統３３Ａに接続され、残りの第２読み出し配線３１Ｂは、垂直転送方向に１本ごとに第２読み出し系統３３Ｂに接続されている。すなわち、垂直転送方向に複数本が配設されている上記第２読み出し配線３１Ｂは、交互に第１読み出し系統３３Ａと第２読み出し系統３３Ｂに接続されている。
【０１２７】
上記配線構成の固体撮像装置では、第１読み出し系統３２Ａ、第２読み出し系統３３Ａ、第１読み出し系統３２Ｂ、第２読み出し系統３３Ｂを順次駆動させることで、４相駆動（４フィールド読み出し）となる。
【０１２８】
上記構成の固体撮像装置は、前記図１、図３、図５、図７、図９もしくは図１１を参照して説明した固体撮像装置を用いることができる。
【０１２９】
そして、上記第１読み出し配線３１Ａの読み出しと上記第２読み出し配線３１Ｂの読み出しを交互に行うことで、全画素を２回に分けて読み出すことができる。
【０１３０】
＜１７．第４の実施の形態＞
［固体撮像装置の読み出し方法の第３例］
【０１３１】
本発明の第４の実施の形態（固体撮像装置の読み出し方法の第３例）を、図１７の平面レイアウト図によって説明する。なお、図中の矢印はフォトセンサ１３から垂直ＣＣＤへの信号電荷の「読み出し」を表す。
【０１３２】
図１７に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、上記複数の画素１２のうち水平転送方向に隣接する２画素１２（１２Ａ、１２Ｂ）間に垂直ＣＣＤ２１が形成されている。
すなわち、水平転送方向に隣接している上記２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）は、上記垂直ＣＣＤ２１を共有する。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に水平転送方向に隣接する画素１２（１２Ｃ）との間に形成された画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【０１３３】
垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間には、上記各画素１２のフォトセンサ１３に形成された読み出し電極（図示せず）に接続される読み出し配線３１が配設されている。
上記読み出し配線３１は垂直転送方向の画素間に配設された第１読み出し配線３１Ａと第２読み出し配線３１Ｂの２本の配線からなる。
上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとの間の水平転送方向に配列された各画素１２に形成された読み出し電極（図示せず）に対して、上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとが交互に接続されている。
本例では、上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとは水平転送方向の１画素ごとに交互に接続されている。
【０１３４】
そして、第１読み出し配線３１Ａは、垂直転送方向に配設されている順に、第１読み出し系統３２Ａ、第１読み出し系統３２Ｂ、第１読み出し系統３２Ｃの順に接続され、その接続が繰り返されている。
また、第２読み出し配線３１Ｂは、垂直転送方向に配設されている順に、第２読み出し系統３３Ａ、第２読み出し系統３３Ｂ、第２読み出し系統３３Ｃの順に接続され、その接続が繰り返されている。
【０１３５】
上記配線構成の固体撮像装置では、第１読み出し系統３２Ａ、第２読み出し系統３３Ａ、第１読み出し系統３２Ｂ、第２読み出し系統３３Ｂ、第１読み出し系統３２Ｃ、第２読み出し系統３３Ｃを順次駆動させることで、６相駆動（６フィールド読み出し）となる。
【０１３６】
上記構成の固体撮像装置は、前記図１、図３、図５、図７、図９もしくは図１１を参照して説明した固体撮像装置を用いることができる。
【０１３７】
そして、上記第１読み出し配線３１Ａの読み出しと上記第２読み出し配線３１Ｂの読み出しを交互に行うことで、全画素を２回に分けて読み出すことができる。
【０１３８】
＜１８．第４の実施の形態＞
［固体撮像装置の読み出し方法の第４例］
【０１３９】
本発明の第４の実施の形態（固体撮像装置の読み出し方法の第４例）を、図１８の平面レイアウト図によって説明する。なお、図中の矢印はフォトセンサ１３から垂直ＣＣＤへの信号電荷の「読み出し」を表す。
【０１４０】
図１８に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、上記複数の画素１２のうち水平転送方向に隣接する２画素１２（１２Ａ、１２Ｂ）間に垂直ＣＣＤ２１が形成されている。
すなわち、水平転送方向に隣接している上記２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）は、上記垂直ＣＣＤ２１を共有する。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に水平転送方向に隣接する画素１２（１２Ｃ）との間に形成された画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【０１４１】
垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間には、上記各画素１２のフォトセンサ１３に形成された読み出し電極（図示せず）に接続される読み出し配線３１が配設されている。
上記読み出し配線３１は垂直転送方向の画素間に配設された第１読み出し配線３１Ａと第２読み出し配線３１Ｂの２本の配線からなる。
上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとの間の水平転送方向に配列された各画素１２に形成された読み出し電極（図示せず）に対して、上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとが交互に接続されている。
本例では、上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとは水平転送方向の２画素ごとに交互に接続されている。
【０１４２】
上記構成の固体撮像装置は、前記図２、図４、図６、図８、図１０もしくは図１２を参照して説明した固体撮像装置を用いることができる。
【０１４３】
上記構成の固体撮像装置は、上記第１読み出し配線３１Ａの読み出しと上記第２読み出し配線３１Ｂの読み出しを交互に行うことで、全画素を２回に分けて読み出すことができる。
【０１４４】
本例では、第１読み出し配線３１Ａの読み出しは１系統であり、第２読み出し配線３１Ｂの読み出しは１系統となっている。
【０１４５】
＜１９．第４の実施の形態＞
［固体撮像装置の読み出し方法の第５例］
【０１４６】
次に、本発明の第５の実施の形態（固体撮像装置の読み出し方法の第５例）を、図１９の平面レイアウト図によって説明する。なお、図中の矢印はフォトセンサ１３から垂直ＣＣＤへの信号電荷の「読み出し」を表す。
【０１４７】
図１９に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、上記複数の画素１２のうち水平転送方向に隣接する２画素１２（１２Ａ、１２Ｂ）間に垂直ＣＣＤ２１が形成されている。
すなわち、水平転送方向に隣接している上記２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）は、上記垂直ＣＣＤ２１を共有する。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に水平転送方向に隣接する画素１２（１２Ｃ）との間に形成された画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【０１４８】
垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間には、上記各画素１２のフォトセンサ１３に形成された読み出し電極（図示せず）に接続される読み出し配線３１が配設されている。
上記読み出し配線３１は垂直転送方向の画素間に配設された第１読み出し配線３１Ａと第２読み出し配線３１Ｂの２本の配線からなる。
上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとの間の水平転送方向に配列された各画素１２に形成された読み出し電極（図示せず）に対して、上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとが交互に接続されている。
本例では、上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとは水平転送方向の２画素ごとに交互に接続されている。
【０１４９】
そして、第１読み出し配線３１Ａは、垂直転送方向に１本ごとに第１読み出し系統３２Ａに接続され、残りの第１読み出し配線３１Ａは、垂直転送方向に１本ごとに第２読み出し系統３２Ｂに接続されている。すなわち、垂直転送方向に複数本が配設されている上記第１読み出し配線３１Ａは、交互に第１読み出し系統３２Ａと第２読み出し系統３２Ｂに接続されている。
また、第２読み出し配線３１Ｂは、垂直転送方向に１本ごとに第１読み出し系統３３Ａに接続され、残りの第２読み出し配線３１Ｂは、垂直転送方向に１本ごとに第２読み出し系統３３Ｂに接続されている。すなわち、垂直転送方向に複数本が配設されている上記第２読み出し配線３１Ｂは、交互に第１読み出し系統３３Ａと第２読み出し系統３３Ｂに接続されている。
【０１５０】
上記配線構成の固体撮像装置では、第１読み出し系統３２Ａ、第２読み出し系統３３Ａ、第１読み出し系統３２Ｂ、第２読み出し系統３３Ｂを順次駆動させることで、４相駆動（４フィールド読み出し）となる。
【０１５１】
上記構成の固体撮像装置は、前記図２、図４、図６、図８、図１０もしくは図１２を参照して説明した固体撮像装置を用いることができる。
【０１５２】
そして、上記第１読み出し配線３１Ａの読み出しと上記第２読み出し配線３１Ｂの読み出しを交互に行うことで、全画素を２回に分けて読み出すことができる。
【０１５３】
＜２０．第４の実施の形態＞
［固体撮像装置の読み出し方法の第６例］
【０１５４】
本発明の第４の実施の形態（固体撮像装置の読み出し方法の第６例）を、図２０の平面レイアウト図によって説明する。なお、図中の矢印はフォトセンサ１３から垂直ＣＣＤへの信号電荷の「読み出し」を表す。
【０１５５】
図２０に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、上記複数の画素１２のうち水平転送方向に隣接する２画素１２（１２Ａ、１２Ｂ）間に垂直ＣＣＤ２１が形成されている。
すなわち、水平転送方向に隣接している上記２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）は、上記垂直ＣＣＤ２１を共有する。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に水平転送方向に隣接する画素１２（１２Ｃ）との間に形成された画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【０１５６】
垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間には、上記各画素１２のフォトセンサ１３に形成された読み出し電極（図示せず）に接続される読み出し配線３１が配設されている。
上記読み出し配線３１は垂直転送方向の画素間に配設された第１読み出し配線３１Ａと第２読み出し配線３１Ｂの２本の配線からなる。
上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとの間の水平転送方向に配列された各画素１２に形成された読み出し電極（図示せず）に対して、上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとが交互に接続されている。
本例では、上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとは水平転送方向の２画素ごとに交互に接続されている。
【０１５７】
そして、第１読み出し配線３１Ａは、垂直転送方向に配設されている順に、第１読み出し系統３２Ａ、第１読み出し系統３２Ｂ、第１読み出し系統３２Ｃの順に接続され、その接続が繰り返されている。
また、第２読み出し配線３１Ｂは、垂直転送方向に配設されている順に、第２読み出し系統３３Ａ、第２読み出し系統３３Ｂ、第２読み出し系統３３Ｃの順に接続され、その接続が繰り返されている。
【０１５８】
上記配線構成の固体撮像装置では、第１読み出し系統３２Ａ、第２読み出し系統３３Ａ、第１読み出し系統３２Ｂ、第２読み出し系統３３Ｂ、第１読み出し系統３２Ｃ、第２読み出し系統３３Ｃを順次駆動させることで、６相駆動（６フィールド読み出し）となる。
【０１５９】
上記構成の固体撮像装置は、前記図２、図４、図６、図８、図１０もしくは図１２を参照して説明した固体撮像装置を用いることができる。
【０１６０】
そして、上記第１読み出し配線３１Ａの読み出しと上記第２読み出し配線３１Ｂの読み出しを交互に行うことで、全画素を２回に分けて読み出すことができる。
【０１６１】
＜２１．第５の実施の形態＞
［固体撮像装置の読み出し方法の第７例］
【０１６２】
本発明の第５の実施の形態（固体撮像装置の読み出し方法の第７例）を、図２１の平面レイアウト図によって説明する。なお、図中の矢印はフォトセンサ１３から垂直ＣＣＤへの信号電荷の「読み出し」を表す。
【０１６３】
図２１に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、上記複数の画素１２のうち水平転送方向に隣接する２画素１２（１２Ａ、１２Ｂ）間に垂直ＣＣＤ２１が形成されている。
すなわち、水平転送方向に隣接している上記２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）は、上記垂直ＣＣＤ２１を共有する。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に水平転送方向に隣接する画素１２（１２Ｃ）との間に形成された画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【０１６４】
垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間には、上記各画素１２のフォトセンサ１３に形成された読み出し電極（図示せず）に接続される読み出し配線３１が配設されている。
上記読み出し配線３１は垂直転送方向の画素間に１本ずつ交互に配設された第１読み出し配線３１Ａと第２読み出し配線３１Ｂとからなる。
上記第１読み出し配線３１Ａは、上記第１読み出し配線３１Ａを垂直転送方向に挟む画素１２（１２ａ、１２ｂ）に形成された読み出し電極（図示せず）に交互に接続されている。
上記第２読み出し配線３１Ｂは、上記第２読み出し配線３１Ｂを垂直転送方向に挟む画素１２（１２ａ、１２ｂ）で上記第１読み出し配線３１Ａが接続されていない画素に形成された読み出し電極（図示せず）に接続されている。
本例では、上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとは水平転送方向の１画素ごとに交互に接続されている。
【０１６５】
上記構成の固体撮像装置は、前記図１３を参照して説明した固体撮像装置を用いることができる。
【０１６６】
上記構成の固体撮像装置は、上記第１読み出し配線３１Ａの読み出しと上記第２読み出し配線３１Ｂの読み出しを交互に行うことで、全画素を２回に分けて読み出すことができる。
【０１６７】
本例では、第１読み出し配線３１Ａの読み出しは１系統であり、第２読み出し配線３１Ｂの読み出しは１系統となっている。
【０１６８】
＜２２．第５の実施の形態＞
［固体撮像装置の読み出し方法の第８例］
【０１６９】
本発明の第５の実施の形態（固体撮像装置の読み出し方法の第８例）を、図２２の平面レイアウト図によって説明する。なお、図中の矢印はフォトセンサ１３から垂直ＣＣＤへの信号電荷の「読み出し」を表す。
【０１７０】
図２２に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、上記複数の画素１２のうち水平転送方向に隣接する２画素１２（１２Ａ、１２Ｂ）間に垂直ＣＣＤ２１が形成されている。
すなわち、水平転送方向に隣接している上記２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）は、上記垂直ＣＣＤ２１を共有する。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に水平転送方向に隣接する画素１２（１２Ｃ）との間に形成された画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【０１７１】
垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間には、上記各画素１２のフォトセンサ１３に形成された読み出し電極（図示せず）に接続される読み出し配線３１が配設されている。
上記読み出し配線３１は垂直転送方向の画素間に１本ずつ交互に配設された第１読み出し配線３１Ａと第２読み出し配線３１Ｂとからなる。
上記第１読み出し配線３１Ａは、上記第１読み出し配線３１Ａを垂直転送方向に挟む画素１２（１２ａ、１２ｂ）に形成された読み出し電極（図示せず）に交互に接続されている。
上記第２読み出し配線３１Ｂは、上記第２読み出し配線３１Ｂを垂直転送方向に挟む画素１２（１２ａ、１２ｂ）で上記第１読み出し配線３１Ａが接続されていない画素に形成された読み出し電極（図示せず）に接続されている。
本例では、上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとは水平転送方向の１画素ごとに交互に接続されている。
【０１７２】
そして、垂直転送方向に複数本が配設されている第１読み出し配線３１Ａは、垂直転送方向に１本ごとに第１読み出し系統３２Ａに接続され、残りの第１読み出し配線３１Ａは、垂直転送方向に１本ごとに第２読み出し系統３２Ｂに接続されている。すなわち、垂直転送方向に複数本が配設されている上記第１読み出し配線３１Ａは、交互に第１読み出し系統３２Ａと第２読み出し系統３２Ｂに接続されている。
また、第２読み出し配線３１Ｂは、垂直転送方向に１本ごとに第１読み出し系統３３Ａに接続され、残りの第２読み出し配線３１Ｂは、垂直転送方向に１本ごとに第２読み出し系統３３Ｂに接続されている。すなわち、垂直転送方向に複数本が配設されている上記第２読み出し配線３１Ｂは、交互に第１読み出し系統３３Ａと第２読み出し系統３３Ｂに接続されている。
【０１７３】
上記配線構成の固体撮像装置では、第１読み出し系統３２Ａ、第２読み出し系統３３Ａ、第１読み出し系統３２Ｂ、第２読み出し系統３３Ｂを順次駆動させることで、４相駆動（４フィールド読み出し）となる。
【０１７４】
上記構成の固体撮像装置は、前記図１３を参照して説明した固体撮像装置を用いることができる。
【０１７５】
上記構成の固体撮像装置は、上記第１読み出し配線３１Ａの読み出しと上記第２読み出し配線３１Ｂの読み出しを交互に行うことで、全画素を２回に分けて読み出すことができる。
【０１７６】
＜２３．第５の実施の形態＞
［固体撮像装置の読み出し方法の第９例］
【０１７７】
本発明の第５の実施の形態（固体撮像装置の読み出し方法の第９例）を、図２３の平面レイアウト図によって説明する。なお、図中の矢印はフォトセンサ１３から垂直ＣＣＤへの信号電荷の「読み出し」を表す。
【０１７８】
図２３に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、上記複数の画素１２のうち水平転送方向に隣接する２画素１２（１２Ａ、１２Ｂ）間に垂直ＣＣＤ２１が形成されている。
すなわち、水平転送方向に隣接している上記２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）は、上記垂直ＣＣＤ２１を共有する。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に水平転送方向に隣接する画素１２（１２Ｃ）との間に形成された画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【０１７９】
垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間には、上記各画素１２のフォトセンサ１３に形成された読み出し電極（図示せず）に接続される読み出し配線３１が配設されている。
上記読み出し配線３１は垂直転送方向の画素間に１本ずつ交互に配設された第１読み出し配線３１Ａと第２読み出し配線３１Ｂとからなる。
上記第１読み出し配線３１Ａは、上記第１読み出し配線３１Ａを垂直転送方向に挟む画素１２（１２Ａ、１２Ａ）に形成された読み出し電極（図示せず）に交互に接続されている。
上記第２読み出し配線３１Ｂは、上記第２読み出し配線３１Ｂを垂直転送方向に挟む画素１２（１２Ｂ、１２Ｂ）で上記第１読み出し配線３１Ａが接続されていない画素に形成された読み出し電極（図示せず）に接続されている。
本例では、上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとは水平転送方向の１画素ごとに交互に接続されている。
【０１８０】
そして、第１読み出し配線３１Ａは、垂直転送方向に配設されている順に、第１読み出し系統３２Ａ、第１読み出し系統３２Ｂ、第１読み出し系統３２Ｃの順に接続され、その接続が繰り返されている。
また、第２読み出し配線３１Ｂは、垂直転送方向に配設されている順に、第２読み出し系統３３Ａ、第２読み出し系統３３Ｂ、第２読み出し系統３３Ｃの順に接続され、その接続が繰り返されている。
【０１８１】
上記配線構成の固体撮像装置では、第１読み出し系統３２Ａ、第２読み出し系統３３Ａ、第１読み出し系統３２Ｂ、第２読み出し系統３３Ｂ、第１読み出し系統３２Ｃ、第２読み出し系統３３Ｃを順次駆動させることで、６相駆動（６フィールド読み出し）となる。
【０１８２】
上記構成の固体撮像装置は、前記図１３を参照して説明した固体撮像装置を用いることができる。
【０１８３】
上記構成の固体撮像装置は、上記第１読み出し配線３１Ａの読み出しと上記第２読み出し配線３１Ｂの読み出しを交互に行うことで、全画素を２回に分けて読み出すことができる。
【０１８４】
＜２４．第５の実施の形態＞
［固体撮像装置の読み出し方法の第１０例］
【０１８５】
本発明の第５の実施の形態（固体撮像装置の読み出し方法の第１０例）を、図２４の平面レイアウト図によって説明する。なお、図中の矢印はフォトセンサ１３から垂直ＣＣＤへの信号電荷の「読み出し」を表す。
【０１８６】
図２４に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、上記複数の画素１２のうち水平転送方向に隣接する２画素１２（１２Ａ、１２Ｂ）間に垂直ＣＣＤ２１が形成されている。
すなわち、水平転送方向に隣接している上記２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）は、上記垂直ＣＣＤ２１を共有する。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に水平転送方向に隣接する画素１２（１２Ｃ）との間に形成された画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【０１８７】
垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間には、上記各画素１２のフォトセンサ１３に形成された読み出し電極（図示せず）に接続される読み出し配線３１が配設されている。
上記読み出し配線３１は垂直転送方向の画素間に１本ずつ交互に配設された第１読み出し配線３１Ａと第２読み出し配線３１Ｂとからなる。
上記第１読み出し配線３１Ａは、上記第１読み出し配線３１Ａを垂直転送方向に挟む画素１２（１２Ａ、１２Ａ）に形成された読み出し電極（図示せず）に交互に接続されている。
上記第２読み出し配線３１Ｂは、上記第２読み出し配線３１Ｂを垂直転送方向に挟む画素１２（１２Ｂ、１２Ｂ）で上記第１読み出し配線３１Ａが接続されていない画素に形成された読み出し電極（図示せず）に接続されている。
本例では、上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとは水平転送方向の２画素ごとに交互に接続されている。
【０１８８】
上記構成の固体撮像装置は、前記図１４を参照して説明した固体撮像装置を用いることができる。
【０１８９】
上記構成の固体撮像装置は、上記第１読み出し配線３１Ａの読み出しと上記第２読み出し配線３１Ｂの読み出しを交互に行うことで、全画素を２回に分けて読み出すことができる。
【０１９０】
本例では、第１読み出し配線３１Ａの読み出しは１系統であり、第２読み出し配線３１Ｂの読み出しは１系統となっている。
【０１９１】
＜２５．第５の実施の形態＞
［固体撮像装置の読み出し方法の第１１例］
【０１９２】
本発明の第５の実施の形態（固体撮像装置の読み出し方法の第１１例）を、図２５の平面レイアウト図によって説明する。なお、図中の矢印はフォトセンサ１３から垂直ＣＣＤへの信号電荷の「読み出し」を表す。
【０１９３】
図２５に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、上記複数の画素１２のうち水平転送方向に隣接する２画素１２（１２Ａ、１２Ｂ）間に垂直ＣＣＤ２１が形成されている。
すなわち、水平転送方向に隣接している上記２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）は、上記垂直ＣＣＤ２１を共有する。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に水平転送方向に隣接する画素１２（１２Ｃ）との間に形成された画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【０１９４】
垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間には、上記各画素１２のフォトセンサ１３に形成された読み出し電極（図示せず）に接続される読み出し配線３１が配設されている。
上記読み出し配線３１は垂直転送方向の画素間に１本ずつ交互に配設された第１読み出し配線３１Ａと第２読み出し配線３１Ｂとからなる。
上記第１読み出し配線３１Ａは、上記第１読み出し配線３１Ａを垂直転送方向に挟む画素１２（１２Ａ、１２Ａ）に形成された読み出し電極（図示せず）に交互に接続されている。
上記第２読み出し配線３１Ｂは、上記第２読み出し配線３１Ｂを垂直転送方向に挟む画素１２（１２Ｂ、１２Ｂ）で上記第１読み出し配線３１Ａが接続されていない画素に形成された読み出し電極（図示せず）に接続されている。
本例では、上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとは水平転送方向の２画素ごとに交互に接続されている。
【０１９５】
そして、垂直転送方向に複数本が配設されている第１読み出し配線３１Ａは、垂直転送方向に１本ごとに第１読み出し系統３２Ａに接続され、残りの第１読み出し配線３１Ａは、垂直転送方向に１本ごとに第２読み出し系統３２Ｂに接続されている。すなわち、垂直転送方向に複数本が配設されている上記第１読み出し配線３１Ａは、交互に第１読み出し系統３２Ａと第２読み出し系統３２Ｂに接続されている。
また、第２読み出し配線３１Ｂは、垂直転送方向に１本ごとに第１読み出し系統３３Ａに接続され、残りの第２読み出し配線３１Ｂは、垂直転送方向に１本ごとに第２読み出し系統３３Ｂに接続されている。すなわち、垂直転送方向に複数本が配設されている上記第２読み出し配線３１Ｂは、交互に第１読み出し系統３３Ａと第２読み出し系統３３Ｂに接続されている。
【０１９６】
上記配線構成の固体撮像装置では、第１読み出し系統３２Ａ、第２読み出し系統３３Ａ、第１読み出し系統３２Ｂ、第２読み出し系統３３Ｂを順次駆動させることで、４相駆動（４フィールド読み出し）となる。
【０１９７】
上記構成の固体撮像装置は、前記図１４を参照して説明した固体撮像装置を用いることができる。
【０１９８】
上記構成の固体撮像装置は、上記第１読み出し配線３１Ａの読み出しと上記第２読み出し配線３１Ｂの読み出しを交互に行うことで、全画素を２回に分けて読み出すことができる。
【０１９９】
＜２６．第５の実施の形態＞
［固体撮像装置の読み出し方法の第１２例］
【０２００】
本発明の第５の実施の形態（固体撮像装置の読み出し方法の第１２例）を、図２６の平面レイアウト図によって説明する。なお、図中の矢印はフォトセンサ１３から垂直ＣＣＤへの信号電荷の「読み出し」を表す。
【０２０１】
図２６に示すように、半導体基板１１に、垂直転送方向および水平転送方向に複数の画素１２が配列されている。また半導体基板１１には、上記複数の画素１２のうち水平転送方向に隣接する２画素１２（１２Ａ、１２Ｂ）間に垂直ＣＣＤ２１が形成されている。
すなわち、水平転送方向に隣接している上記２画素、例えば画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）は、上記垂直ＣＣＤ２１を共有する。
また、上記２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）と、この２画素１２（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に水平転送方向に隣接する画素１２（１２Ｃ）との間に形成された画素間分離用の第１チャネルストップ部１４が形成されている。
したがって、この第１チャネルストップ部１４は、上記２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）とこの２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）に隣接する別の２画素（１２Ａ）、１２（１２Ｂ）との間に配設されている。
【０２０２】
垂直転送方向に隣接する画素１２Ａの画素行間およびこの画素１２Ａの画素行と同一水平転送方向に配列されている画素１２Ｂの画素行間には、上記各画素１２のフォトセンサ１３に形成された読み出し電極（図示せず）に接続される読み出し配線３１が配設されている。
上記読み出し配線３１は垂直転送方向の画素間に１本ずつ交互に配設された第１読み出し配線３１Ａと第２読み出し配線３１Ｂとからなる。
上記第１読み出し配線３１Ａは、上記第１読み出し配線３１Ａを垂直転送方向に挟む画素１２（１２Ａ、１２Ａ）に形成された読み出し電極（図示せず）に交互に接続されている。
上記第２読み出し配線３１Ｂは、上記第２読み出し配線３１Ｂを垂直転送方向に挟む画素１２（１２Ｂ、１２Ｂ）で上記第１読み出し配線３１Ａが接続されていない画素に形成された読み出し電極（図示せず）に接続されている。
本例では、上記第１読み出し配線３１Ａと上記第２読み出し配線３１Ｂとは水平転送方向の２画素ごとに交互に接続されている。
【０２０３】
そして、第１読み出し配線３１Ａは、垂直転送方向に配設されている順に、第１読み出し系統３２Ａ、第１読み出し系統３２Ｂ、第１読み出し系統３２Ｃの順に接続され、その接続が繰り返されている。
また、第２読み出し配線３１Ｂは、垂直転送方向に配設されている順に、第２読み出し系統３３Ａ、第２読み出し系統３３Ｂ、第２読み出し系統３３Ｃの順に接続され、その接続が繰り返されている。
上記配線構成の固体撮像装置では、第１読み出し系統３２Ａ、第２読み出し系統３３Ａ、第１読み出し系統３２Ｂ、第２読み出し系統３３Ｂ、第１読み出し系統３２Ｃ、第２読み出し系統３３Ｃを順次駆動させることで、６相駆動（６フィールド読み出し）となる。
【０２０４】
上記構成の固体撮像装置は、前記図１４を参照して説明した固体撮像装置を用いることができる。
【０２０５】
上記構成の固体撮像装置は、上記第１読み出し配線３１Ａの読み出しと上記第２読み出し配線３１Ｂの読み出しを交互に行うことで、全画素を２回に分けて読み出すことができる。
【０２０６】
上記各固体撮像装置の読み出し方法では、全画素１２の読み出し電極が第１の読み出し配線３１Ａと第２読み出し配線３１Ｂとに接続されていているので、第１読み出し配線３１Ａの読み出しと第２読み出し配線３１Ｂの読み出しを交互に行うことができる。よって、垂直転送方向の画素１２間には読出し電圧が印加されないため、画素間混色が起こるのを抑制できる。また、全画素１２を２回に分けて読み出すことが可能になるという利点がある。
【０２０７】
また、読み出し電極の系列を２画素おきに２画素とすることで、水平１／２間引きにも対応できる。
【０２０８】
次に、上記固体撮像装置１〜３の適用例の一例を、図２７のブロック図によって説明する。この撮像装置には、例えば、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、携帯電話のカメラ等がある。
【０２０９】
図２７に示すように、撮像装置２００は、撮像部２０１に固体撮像装置（図示せず）を備えている。この撮像部２０１の集光側には像を結像させる結像光学部２０２が備えられ、また、撮像部２０１には、それを駆動する駆動回路、固体撮像装置で光電変換された信号を画像に処理する信号処理回路等を有する信号処理部２０３が接続されている。また上記信号処理部によって処理された画像信号は画像記憶部（図示せず）によって記憶させることができる。このような撮像装置２００において、上記固体撮像装置には、前記第１の実施の形態で説明した固体撮像装置１〜３を用いることができる。
【０２１０】
上記撮像装置２００では、本願発明の固体撮像装置１〜３を用いることから、画素間混色が起こるのを抑制できる固体撮像装置を用いているので、高品位な映像を記録できるという利点があるという利点がある。
【０２１１】
なお、上記撮像装置２００は、上記構成に限定されることはなく、固体撮像装置を用いる撮像装置であれば如何なる構成のものにも適用することができる。
【０２１２】
上記固体撮像装置１〜３はワンチップとして形成された形態であってもよいし、撮像部と、信号処理部または光学系とがまとめてパッケージングされた撮像機能を有するモジュール状の形態であってもよい。
また、本発明は、固体撮像装置のみではなく、撮像装置にも適用可能である。この場合、撮像装置として、高画質化の効果が得られる。ここで、撮像装置は、例えば、カメラや撮像機能を有する携帯機器のことを示す。また「撮像」は、通常のカメラ撮影時における像の撮りこみだけではなく、広義の意味として、指紋検出なども含むものである。
【図面の簡単な説明】
【０２１３】
【図１】本発明の固体撮像装置の構成の第１例を示した図面であり、（１）は平面レイアウト図、（２）はＡ−Ａ’線断面図、（３）はＢ−Ｂ’線断面図である。
【図２】本発明の固体撮像装置の構成の第２例を示した図面であり、（１）は平面レイアウト図、（２）はＡ−Ａ’線断面図、（３）はＢ−Ｂ’線断面図である。
【図３】本発明の固体撮像装置の構成の第３例を示した図面であり、（１）は平面レイアウト図、（２）はＡ−Ａ’線断面図、（３）はＢ−Ｂ’線断面図である。
【図４】本発明の固体撮像装置の構成の第４例を示した図面であり、（１）は平面レイアウト図、（２）はＡ−Ａ’線断面図、（３）はＢ−Ｂ’線断面図である。
【図５】本発明の固体撮像装置の構成の第５例を示した図面であり、（１）は平面レイアウト図、（２）はＡ−Ａ’線断面図、（３）はＢ−Ｂ’線断面図である。
【図６】本発明の固体撮像装置の構成の第６例を示した図面であり、（１）は平面レイアウト図、（２）はＡ−Ａ’線断面図、（３）はＢ−Ｂ’線断面図である。
【図７】本発明の固体撮像装置の構成の第７例を示した図面であり、（１）は平面レイアウト図、（２）はＡ−Ａ’線断面図、（３）はＢ−Ｂ’線断面図である。
【図８】本発明の固体撮像装置の構成の第８例を示した図面であり、（１）は平面レイアウト図、（２）はＡ−Ａ’線断面図、（３）はＢ−Ｂ’線断面図である。
【図９】本発明の固体撮像装置の構成の第９例を示した図面であり、（１）は平面レイアウト図、（２）はＡ−Ａ’線断面図、（３）はＢ−Ｂ’線断面図である。
【図１０】本発明の固体撮像装置の構成の第１０例を示した図面であり、（１）は平面レイアウト図、（２）はＡ−Ａ’線断面図、（３）はＢ−Ｂ’線断面図である。
【図１１】本発明の固体撮像装置の構成の第１１例を示した図面であり、（１）は平面レイアウト図、（２）はＡ−Ａ’線断面図、（３）はＢ−Ｂ’線断面図である。
【図１２】本発明の固体撮像装置の構成の第１２例を示した図面であり、（１）は平面レイアウト図、（２）はＡ−Ａ’線断面図、（３）はＢ−Ｂ’線断面図である。
【図１３】本発明の固体撮像装置の構成の第１３例を示した図面であり、（１）は平面レイアウト図、（２）はＡ−Ａ’線断面図、（３）はＢ−Ｂ’線断面図である。
【図１４】本発明の固体撮像装置の構成の第１４例を示した図面であり、（１）は平面レイアウト図、（２）はＡ−Ａ’線断面図、（３）はＢ−Ｂ’線断面図である。
【図１５】本発明の固体撮像装置の読み出し方法の第１例を示した平面レイアウト図である。
【図１６】本発明の固体撮像装置の読み出し方法の第２例を示した平面レイアウト図である。
【図１７】本発明の固体撮像装置の読み出し方法の第３例を示した平面レイアウト図である。
【図１８】本発明の固体撮像装置の読み出し方法の第４例を示した平面レイアウト図である。
【図１９】本発明の固体撮像装置の読み出し方法の第５例を示した平面レイアウト図である。
【図２０】本発明の固体撮像装置の読み出し方法の第６例を示した平面レイアウト図である。
【図２１】本発明の固体撮像装置の読み出し方法の第７例を示した平面レイアウト図である。
【図２２】本発明の固体撮像装置の読み出し方法の第８例を示した平面レイアウト図である。
【図２３】本発明の固体撮像装置の読み出し方法の第９例を示した平面レイアウト図である。
【図２４】本発明の固体撮像装置の読み出し方法の第１０例を示した平面レイアウト図である。
【図２５】本発明の固体撮像装置の読み出し方法の第１１例を示した平面レイアウト図である。
【図２６】本発明の固体撮像装置の読み出し方法の第１２例を示した平面レイアウト図である。
【図２７】固体撮像装置を適用した一撮像装置例を示したブロック図である。
【符号の説明】
【０２１４】
１，２，３…固体撮像装置、１２…画素、１４…第１チャネルストップ部、１５…読み出しゲート部、１６…第２チャネルストップ部、１７…絶縁膜、２１…垂直ＣＣＤ、２３…ゲート絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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