(57)【要約】【課題】低周波近傍電磁界の接近により生じる近接スイッチの誤動作を抑制する。【解決手段】高周波発振回路２１１は、高周波発振回路２２１と酷似した帯域の高周波信号を発振し、コイルＬ１は、低周波近傍電磁界の接近を電圧の誘起により検出し、コイルＬ１とコンデンサＣ１とからなるLC共振回路２０１は、遊技球検出部２のコイルＬ２とコンデンサＣ２とからなる共振回路２０２の共振周波数と、酷似した周波数となるように共振周波数が設定され、シールド部材２１が、コイルＬ１の一部を開口し、感度調整抵抗Ｒ１により、高周波発振回路２１１のコンダクタンスを、LC共振回路２０１より大きくして、低周波近傍電磁界照射なしの場合、高周波発振回路２１１の発振を停止させ、照射ありの場合、発振させ、弁別回路２１２は、高周波発振回路２１１の発振を検出する。本発明は、遊技機に適用することができる。【選択図】図４
2010268418.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パチンコ遊技機に搭載され、第１の高周波発振回路を備えた、遊技球を検出する近接スイッチと併用される低周波近傍電磁界検出センサであって、
前記第１の高周波発振回路と酷似した帯域の高周波信号を発振する第２の高周波発振回路と、
低周波近傍電磁界の到来を電圧の誘起により検出するコイルと、
前記コイルを含み、前記近接スイッチの共振周波数と、酷似した周波数となるように共振周波数が設定されたLC共振回路と、
前記コイル面の一部を包囲し、かつ、前記一部と異なる他の一部を開口したシールド部材と、
前記第２の高周波発振回路の発振状態を設定する発振停止手段と、
前記第２の高周波発振回路の発振を検出する発振検出手段と
を含み、
前記発振停止手段は、
前記低周波近傍電磁界が照射されていない場合、前記第２の高周波発振回路の発振を停止し、
前記低周波近傍電磁界が照射されている場合、前記第２の高周波発振回路を発振させる
低周波近傍電磁界検出センサ。
【請求項２】
前記シールド部材の開口方向により、前記低周波近傍電磁界検出センサの検出指向性を設定すると共に、開口部の大きさによって、前記低周波近傍電磁界検出センサの検出領域を設定することにより、前記低周波近傍電磁界検出センサの検出領域は、前記遊技球を検出する近接スイッチの、前記低周波近傍電磁界による誤動作が生じる領域を包含する
請求項１に記載の低周波近傍電磁界検出センサ。
【請求項３】
前記LC共振回路は、
前記遊技球を検出する近接スイッチが有する、LC 共振回路のコイルの誘導成分よりも大きなコイル、および、前記遊技球を検出する近接スイッチが有するコンデンサよりも容量成分の小さなコンデンサを含むと共に、
前記LC共振回路のコイルおよびコンデンサによる共振周波数は、前記遊技球を検出する近接スイッチが有するLC共振回路のコイルおよびコンデンサによる共振周波数と酷似するよう設定されている
請求項１または２に記載の低周波近傍電磁界検出センサ。
【請求項４】
前記発振停止手段は、
前記第２の高周波発振回路を発振停止とさせるように負性コンダクタンスを設定するものであり、
感度調整抵抗器の定数設定により負性コンダクタンスを設定する
請求項１乃至３のいずれかに記載の低周波近傍電磁界検出センサ。
【請求項５】
前記発振停止手段は、
前記コイルの検出領域に、金属塊を固定設置することにより、前記高周波発振回路を発振停止とさせるように負性コンダクタンスを設定するものである
請求項１乃至３のいずれかに記載の低周波近傍電磁界検出センサ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の低周波近傍電磁界検出センサと、前記遊技球を検出する近接スイッチとを含む遊技機。
【請求項７】
低周波近傍電磁界検出センサが近傍電磁波の到来を検知した際、その出力信号に基づいて、検出判定結果を遊技機内部、もしくは遊技機外部に報知する報知手段をさらに含む
請求項６に記載の遊技機。
【請求項８】
前記低周波近傍電磁界検出センサが、前記遊技機の盤面に配置された、金属部材、もしくは金属メッキが施された構造物近傍に配置される
請求項６または７に記載の遊技機。
【請求項９】
前記遊技球を検出する近接スイッチは、遊技球の通過検知を行なう第１の貫通口を含み、
前記近傍電磁界検出センサは、前記第１の貫通口と略同形状の第２の貫通口を含み、
前記第１の貫通口、および前記第２の貫通口は、それぞれの中心線が同軸上に配置される
請求項６乃至８のいずれかに記載の遊技機。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、低周波近傍電磁界検出センサ、および遊技機に関し、特に、遊技機に設けられた遊技球の通過を検出する近接スイッチに誤動作を生じさせる低周波近傍電磁界を、近接スイッチが誤動作する前のタイミングで検出できるようにした低周波近傍電磁界検出センサ、および遊技機に関する。
【背景技術】
【０００２】
パチンコ遊技機では、遊技球を検出する遊技球検出スイッチが複数搭載されており、遊技球が主要な入賞口、およびゲートを通過した場合、検出信号を制御回路に出力する。
【０００３】
この遊技球検出スイッチにおける主流は、直流２線式の近接スイッチである。直流２線式の近接スイッチは、２線式の開放、または閉塞動作の形態で動作することにより、有接点スイッチと同じイメージで使用することができ、さらに、金属球を非接触で検出するため、耐久性に優れるといった優位性が評価されていることから、他原理を用いた遊技球検出スイッチより多用されている。
【０００４】
しかしながら、近接スイッチは、電子回路により構成されていることから、この電子回路であるという構成により生じる弱点を突く不正行為が発覚したことが過去にはあった。 例えば、遊技者が不正目的で、トランシーバや携帯電話をパチンコ遊技機に故意に接近させることにより、電波をパチンコ遊技機に対して照射し、遊技球検出スイッチが、電波により機能障害に陥り、賞球のカウントが不正に操作されてしまうことがあった。
【０００５】
そこで、前述の機能障害発生以前に電波を検出する技術として、電波センサをパチンコ遊技機毎に設置し、プリント基板のパターンにてアンテナを形成し、フェライトコアで磁束集中を図ることで、所望感度を確保することにより、遊技盤面に向けて照射された不正電波を検出するが、携帯電話の発信電波などでは検出動作を停止させるべく、LC直列共振回路にて不感帯域を設定する技術が開示されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−２２２９５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、最近の研究により、パチンコ遊技機の金属部分に重畳している、比較的低周波の交流ノイズにより、遊技球検出スイッチが、機能障害を起こす事象が認識されている。この交流ノイズは、遊技球検出スイッチに設けられたLC共振回路の共振周波数近傍の帯域で顕著となり、自然発生したノイズ帯域のマッチングの問題となる。一般的にLC共振回路の共振周波数は、500khz乃至1.2Mhzに設定されるが、この共振周波数の帯域は、電波帯域より低い低周波近傍電磁界領域の帯域に属する。実際、上述した従来の電波センサの検出帯域は、50Mhz乃至2Ghzであり、帯域不一致による検出もれが生じる恐れがあった。
【０００８】
また、遊技球検出スイッチの低周波近傍電磁界の反応領域と、従来の電波センサの検出領域が必ずしも一致せず、監視漏れが発生する恐れがあった。より詳細には、遊技球検出スイッチの貫通コイルが有する指向性に起因するものであり、貫通口鉛直方向に高感度であっても、側面方向は不感領域になる場合があった。従って、遊技球検出方向では感度不足となる一方で、検出不要な方向から発生した、携帯電話など、悪意のない電磁波を検知するなどして、トラブルが発生してしまう恐れがあった。
【０００９】
本発明はこのような状況に鑑みてなされたものであり、パチンコ遊技機内部に発生する低周波近傍電磁界によって、遊技球検出スイッチに機能障害が生じる前のタイミングで、低周波近傍電磁界を検出できるようにすることにより、低周波近傍電磁界を適切に監視できるようにし、遊技球検出スイッチの機能障害を抑制できるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一側面の低周波近傍電磁界検出センサは、パチンコ遊技機に搭載され、第１の高周波発振回路を備えた、遊技球を検出する近接スイッチと併用される低周波近傍電磁界検出センサであって、前記第１の高周波発振回路と酷似した帯域の高周波信号を発振する第２の高周波発振回路と、低周波近傍電磁界の到来を電圧の誘起により検出するコイルと、前記コイルを含み、前記近接スイッチの共振周波数と、酷似した周波数となるように共振周波数が設定されたLC共振回路と、前記コイル面の一部を包囲し、かつ、前記一部と異なる他の一部を開口したシールド部材と、前記第２の高周波発振回路の発振状態を設定する発振停止手段と、前記第２の高周波発振回路の発振を検出する発振検出手段とを含み、前記発振停止手段は、前記低周波近傍電磁界が照射されていない場合、前記第２の高周波発振回路の発振を停止し、前記低周波近傍電磁界が照射されている場合、前記第２の高周波発振回路を発振させる。
【００１１】
前記シールド部材の開口方向により、前記低周波近傍電磁界検出センサの検出指向性を設定すると共に、開口部の大きさによって、前記低周波近傍電磁界検出センサの検出領域を設定することにより、前記低周波近傍電磁界検出センサの検出領域は、前記遊技球を検出する近接スイッチの、前記低周波近傍電磁界による誤動作が生じる領域を包含するようにさせることができる。
【００１２】
前記LC共振回路には、前記遊技球を検出する近接スイッチが有する、LC 共振回路のコイルの誘導成分よりも大きなコイル、および、前記遊技球を検出する近接スイッチが有するコンデンサよりも容量成分の小さなコンデンサを含ませるようにすると共に、前記LC共振回路のコイルおよびコンデンサによる共振周波数は、前記遊技球を検出する近接スイッチが有するLC共振回路のコイルおよびコンデンサによる共振周波数と酷似するよう設定されるようにすることができる。
【００１３】
前記発振停止手段には、前記第２の高周波発振回路を発振停止とさせるように負性コンダクタンスを設定させるようにすることができ、感度調整抵抗器の定数設定により負性コンダクタンスを設定させるようにすることができる。
【００１４】
前記発振停止手段には、前記コイルの検出領域に、金属塊を固定設置することにより、前記高周波発振回路を発振停止とさせるように負性コンダクタンスを設定させるようにすることができる。
【００１５】
本発明の遊技機は、請求項１乃至５のいずれかに記載の低周波近傍電磁界検出センサと、前記遊技球を検出する近接スイッチとを含ませるようにすることができる。
【００１６】
低周波近傍電磁界検出センサが近傍電磁波の到来を検知した際、その出力信号に基づいて、検出判定結果を遊技機内部、もしくは遊技機外部に報知する報知手段をさらに含ませるようにすることができる。
【００１７】
前記低周波近傍電磁界検出センサは、前記遊技機の盤面に配置された、金属部材、もしくは金属メッキが施された構造物近傍に配置されるようにすることができる。
【００１８】
前記遊技球を検出する近接スイッチには、遊技球の通過検知を行なう第１の貫通口を含ませるようにすることができ、前記近傍電磁界検出センサには、前記第１の貫通口と略同形状の第２の貫通口を含ませるようにすることができ、前記第１の貫通口、および前記第２の貫通口は、それぞれの中心線が同軸上に配置されるようにすることができる。
【００１９】
本発明の一側面の低周波近傍電磁界検出センサとは、例えば、異常検出部であり、パチンコ遊技機に搭載される近接スイッチとは、例えば、遊技球検出部の近接スイッチであり、第１の高周波発振回路とは、例えば、遊技球検出部の高周波発振回路であり、前記第１の高周波発振回路と酷似した帯域の高周波信号を発振する第２の高周波発振回路とは、例えば、異常検出部の高周波発振回路であり、低周波近傍電磁界の到来を電圧の誘起により検出するコイルとは、異常検出部のコイルであり、前記コイルを含み、前記近接スイッチの共振周波数と、酷似した周波数となるように共振周波数が設定されたLC共振回路とは、異常検出部のコイルとコンデンサとからなるLC共振回路であり、前記コイル面の一部を包囲し、かつ、前記一部と異なる他の一部を開口したシールド部材とは、例えば、異常検出部のシールド部材であり、前記第２の高周波発振回路の発振状態を設定する発振停止手段とは、例えば、異常検出部の高周波発振回路のコンダクタンスを調整する調整抵抗であり、前記第２の高周波発振回路の発振を検出する発振検出手段とは、例えば、弁別回路であり、前記発振停止手段である調整抵抗により、前記低周波近傍電磁界が照射されていない場合、前記第２の高周波発振回路の発振を停止し、前記低周波近傍電磁界が照射されている場合、前記第２の高周波発振回路を発振させる。
【００２０】
このような構成により、近接スイッチに低周波近傍電磁界が到来する際、シールド部材の構成により、近接スイッチが低周波近傍電磁界により影響を受ける範囲を包含するように低周波近傍電磁界検出領域を設定することが可能となり、さらに、発振停止手段である調整抵抗の抵抗値を設定することにより、低周波近傍電磁界が照射されていない場合、異常検出部における高周波発振回路の発振を停止し、低周波近傍電磁界が照射されている場合、異常検出部における高周波発振回路を発振させるようにすることにより、高周波発振回路の発振を検出することで、近接スイッチに低周波近傍電磁界による誤動作が生じる前のタイミングにおいて、近接スイッチに低周波近傍電磁界が影響していることを検出することが可能となる。
【００２１】
結果として、低周波近傍磁界の影響により、遊技球検出スイッチである近接スイッチが誤動作する前のタイミングにおいて、低周波近傍電磁界の到来を検出した段階で、近接スイッチにおける低周波近傍電磁界の到来により生じる誤動作を抑制することが可能となり、遊技機に対する不正を抑制することが可能となる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、近接スイッチに到来する低周波近傍電磁界を適切に監視することが可能になると共に、低周波近傍電磁界の接近により生じる近接スイッチの誤動作を抑制することが可能となり、遊技機に対する不正を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明を適用した低周波近傍電磁界センサからなる異常検出部を備えたパチンコ遊技機の構成例を説明する図である。
【図２】図１の異常検出部の構成例を説明する図である。
【図３】図１の遊技球検出部および異常検出部の構成例を説明する側面断面図である。
【図４】遊技球検出部および異常検出部の構成例を説明するブロック図である。
【図５】遊技球検出部および異常検出部に対して低周波近傍電磁界により影響を受ける範囲を説明する図である。
【図６】異常検出処理を説明するフローチャートである。
【図７】異常検出部のその他の構成例を説明する図である。
【図８】異常検出部のその他の構成例を説明する図である。
【図９】遊技球検出部および異常検出部を一体の構成とした遊技球検出スイッチの構成例を示す図である。
【図１０】図９のコイルスプールの構成例を示す図である。
【図１１】図９の遊技球検出部および異常検出部のコンダクタンスの設定例を示す図である。
【図１２】図９の遊技球検出スイッチの動作を説明する図である。
【図１３】図９の遊技球検出スイッチの動作を説明する図である。
【図１４】遊技球検出部および異常検出部を一体の構成とした遊技球検出スイッチのその他の構成例を示す図である。
【図１５】図１４の遊技球検出スイッチの動作を説明する図である。
【図１６】図９のコイルスプールのその他の構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下に本発明の実施の形態を説明するが、本発明の構成要件と、発明の詳細な説明に記載の実施の形態との対応関係を例示すると、次のようになる。この記載は、本発明をサポートする実施の形態が、発明の詳細な説明に記載されていることを確認するためのものである。従って、発明の詳細な説明中には記載されているが、本発明の構成要件に対応する実施の形態として、ここには記載されていない実施の形態があったとしても、そのことは、その実施の形態が、その構成要件に対応するものではないことを意味するものではない。逆に、実施の形態が構成要件に対応するものとしてここに記載されていたとしても、そのことは、その実施の形態が、その構成要件以外の構成要件には対応しないものであることを意味するものでもない。
【００２５】
すなわち、本発明の一側面の低周波近傍電磁界検出センサ（例えば、図４の異常検出部２）は、パチンコ遊技機に搭載され、第１の高周波発振回路（例えば、図４の高周波発振回路２２１）を備えた、遊技球を検出する近接スイッチ（例えば、図４の遊技球検出部２）と併用される低周波近傍電磁界検出センサであって、前記第１の高周波発振回路と酷似した帯域の高周波信号を発振する第２の高周波発振回路（例えば、図４の高周波発振回路２１１）と、低周波近傍電磁界の到来を電圧の誘起により検出するコイル（例えば、図４のコイルＬ１）と、前記コイルを含み、前記近接スイッチの共振周波数と、酷似した周波数となるように共振周波数が設定されたLC共振回路（例えば、図４のLC共振回路２０１）と、前記コイル面の一部を包囲し、かつ、前記一部と異なる他の一部を開口したシールド部材（例えば、図４のシールド部材２１）と、前記第２の高周波発振回路の発振状態を設定する発振停止手段（例えば、図４の感度調整抵抗Ｒ１）と、前記第２の高周波発振回路の発振を検出する発振検出手段（例えば、図４の弁別回路２１２）とを含み、前記発振停止手段は、前記低周波近傍電磁界が照射されていない場合、前記第２の高周波発振回路の発振を停止し、前記低周波近傍電磁界が照射されている場合、前記第２の高周波発振回路を発振させる。
【００２６】
前記LC共振回路には、前記遊技球を検出する近接スイッチが有する、LC 共振回路のコイル（例えば、図４のコイルＬ２）の誘導成分よりも大きなコイル（例えば、図４のコイルＬ１）、および、前記遊技球を検出する近接スイッチが有するコンデンサ（例えば、図４のコンデンサＣ２）よりも容量成分の小さなコンデンサ（例えば、図４のコンデンサＣ１）を含ませるようにすると共に、前記LC共振回路のコイルおよびコンデンサによる共振周波数は、前記遊技球を検出する近接スイッチが有するLC共振回路のコイルおよびコンデンサによる共振周波数と酷似するよう設定されるようにすることができる。
【００２７】
前記発振停止手段（例えば、図４の感度調整抵抗Ｒ１）には、前記第２の高周波発振回路を発振停止とさせるように負性コンダクタンスを設定させるようにすることができ、感度調整抵抗器の定数設定により負性コンダクタンスを設定させるようにすることができる。
【００２８】
前記発振停止手段には、前記コイルの検出領域に、金属塊（例えば、図７の金属塊５０１）を固定設置することにより、前記高周波発振回路を発振停止とさせるように負性コンダクタンスを設定させるようにすることができる。
【００２９】
以下、発明を実施するための最良の形態（以下、実施の形態とする）について説明する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（遊技球検出部および異常検出部の貫通口を同軸に配置する例）
２．第２の実施の形態（遊技球検出部および異常検出部を別途配置する例）
３．第３の実施の形態（遊技球検出部および異常検出部を一体構造とした遊技球検出スイッチの例）
４．第４の実施の形態（ダイオードによるコイルの相互干渉対策の例）
５．第５の実施の形態（シールド部材によるコイルの相互干渉対策の例）
【００３０】
＜１．第１の実施の形態＞
［本発明を適用した低周波近傍電磁界センサからなる異常検出部を備えたパチンコ遊技機の一実施の形態の構成例］
図１は、本発明を適用した低周波近傍電磁界センサからなる異常検出部を備えたパチンコ遊技機における遊技球の通過を検出する部位の構成例を示している。すなわち、図１の遊技球３は、例えば、いわゆるチューリップと称されているチャッカなどに投入されたり、払い出されるなど、計数が必要とされる。
【００３１】
遊技球検出部２は、遊技球３と略同径の貫通口２ａが設けられている。また、異常検出部１は、遊技球検出部２の貫通口２ａと同軸上に、略同径の貫通口１ａが設けられている。
【００３２】
図中の最上部の遊技球３が、遊技球検出部２の貫通口２ａを通過すると、遊技球検出部２は、遊技球３の通過を検出し、対応する信号を出力する。また、遊技球３は、遊技球検出部２の貫通口２ａを通過すると、異常検出部１の貫通口１ａを通過する。異常検出部１は、貫通口１ａを設けているが、遊技球３を通過させるのみであり、遊技球３の通過は検出しない。異常検出部１は、低周波近傍電磁界の到来を検出し、これを検出すると、対応する信号を出力する。
【００３３】
［遊技球検出部および異常検出部の構成例］
次に、図２，図３を参照して、異常検出部１の貫通口１ａの周辺の構成例について説明する。
【００３４】
図２で示されるように、貫通口１ａは、具体的には、円筒状のコイルスプール１１により構成されている。図２，図３で示されるように、コイルスプール１１は、外側側面の外周方向に溝が設けられており、その溝に沿って銅線が複数回環状に巻き付けられることにより、コイルＬ１が埋め込まれた構造となっている。シールド部材２１は、異常検出部１の本体底部に設けられ、環状であって、かつ、上方に、略コイルスプールと同幅の環状の溝が設けられた構造とされており、この溝にコイルスプール１１を嵌め込むことにより、コイルＬ１を包囲し、電磁界を遮蔽する。より詳細には、シールド部材２１の溝は、コイルスプール１１の円筒状底部と略同径、かつ、同形であり、コイルスプール１１の円筒状底部が、シールド部材２１の溝に嵌まり込む構造となっている。
【００３５】
また、図２には図示されていないが、遊技球検出部２の貫通口２ａの周辺の構造についても、基本的には、貫通口１ａの周辺の構造と同様に構成されている。すなわち、貫通口２ａの周辺の構成は、コイルスプール１１、シールド部材２１、およびコイルＬ１に代えて、コイルスプール１１１、シールド部材１２１、およびコイルＬ２が設けられている。ただし、シールド部材１２１は、シールド部材２１に比べて、円筒状外側側面の高さが高く、コイルＬ２を外周側から略上部まで囲い込む構成となっており、コイルＬ２のコイル巻き線の軸方向に対して開口部が小さくなるように構成されている。換言すれば、シールド部材２１は、シールド部材１２１よりも高さ方向に対して低い位置までしか設けられておらず、コイルＬ１の外周側の露出部分が広く、開口部が大きくなるように構成されている。また、コイルＬ１は、コイルＬ２に対して、巻き線の巻き数が多い構造とされている。
【００３６】
図３で示されるように、異常検出部１のコイルスプール１１の図中右方向には、基板３１上に信号処理部３２が設けられている。また、同様に、遊技球検出部２のコイルスプール１１１の図中右方向には、基板１３１上に、信号処理部１３２が設けられている。信号処理部３２は、コイルＬ１により誘起される電圧に基づいて、低周波近傍電磁界の到来を検出し、検出結果に対応する信号を制御部３０１（図４）に供給する。信号処理部１３２は、コイルＬ２により誘起される電圧に基づいて、遊技球の通過を検出し、検出結果に対応する信号を制御部３０１（図４）に供給する。
【００３７】
［異常検出部および遊技球検出部により実現される機能構成例］
次に、図４を参照して、異常検出部１および遊技球検出部２により実現される機能について説明する。
【００３８】
異常検出部１は、アンテナとして機能するコイルＬ１、および信号処理部３２より構成されている。信号処理部３２は、コンデンサＣ１、高周波発振回路２１１、弁別回路２１２、および出力回路２１３より構成されており、コイルＬ１の信号に基づいて、低周波近傍電磁界を検出し、検出結果を制御部３０１に供給する。より詳細には、コンデンサＣ１は、その両端がコイルＬ１と並列接続され、さらに、上位電圧となる端部は、高周波発振回路２１１に接続され、下位電圧となる端部は接地されている。また、高周波発振回路２１１は、電源より電力供給を受けると共に接地されており、さらに、感度調整抵抗Ｒ１を介して接地されており、発振出力を弁別回路２１２に出力する。弁別回路２１２は、電源より電力供給を受けると共に接地されており、高周波発振回路２１１より供給される発振出力と所定の閾値とを比較し、比較結果を出力回路２１３に供給する。出力回路２１３は、電源より電力供給を受けると共に接地されており、弁別回路２１２の比較結果に基づいて、低周波近傍電磁界を検出し、検出結果を信号Ｖ１として制御部３０１に出力する。
【００３９】
尚、高周波発振回路２１１は、通常状態において発振停止状態に設定されており、低周波近傍電磁界にコイルＬ１が晒されたときにのみ発振状態に移行するように設定されている。より詳細には、LC共振回路２０１のコンダクタンスｇＬ１と、高周波発振回路２１１のコンダクタンスｇｉ１とは、ナイキストの発振条件に基づいて、以下の式（１）の場合、高周波発振回路２１１は発振停止状態となり、式（２）の場合、高周波発振回路２１１は常時発振状態となる。
【００４０】
ｇＬ１＞ｇｉ１
・・・（１）
【００４１】
ｇＬ１＜ｇｉ１
・・・（２）
【００４２】
そこで、感度調整抵抗Ｒ１の抵抗値の調整により、高周波発振回路２１１のコンダクタンスｇｉ１が、LC共振回路２０１のコンダクタンスｇＬ１よりも小さくなるように、すなわち、感度調整抵抗Ｒ１を大きめに設定し、高周波発振回路２１１のコンダクタンスｇｉ１を小さめに設定する。この結果、上述した式（１）の関係が維持できるように構成されるので、低周波近傍電磁界にコイルＬ１が晒されていない状態においては、高周波発振回路２１１が発振停止状態となる。このとき、高周波発振回路２１１は発振動作を行っていないため、弁別回路２１２には、閾値よりも小さな値が供給されることになるので、弁別回路２１２は、発振動作がなされていないことを示す信号を出力回路２１３に供給する。結果として、出力回路２１３は、低周波近傍電磁界に晒されていないことを示す信号を制御部３０１に出力する。
【００４３】
一方、コイルＬ１は、低周波近傍電磁界に晒されることにより、正弦波電圧を誘起する。このとき、LC共振回路２０１の共振点近傍においては、コンダクタンスｇＬ１が下降し、上述した式（１）の状態から式（２）の状態に移行するので、高周波発振回路２１１は、定常発振を開始し、発振出力を弁別回路２１２に出力する。このとき、弁別回路２１２には、閾値よりも大きな値が供給されることになるので、弁別回路２１２は、発振動作がなされていることを示す信号を出力回路２１３に供給する。結果として、出力回路２１３は、低周波近傍電磁界に晒されていることを示す信号を制御部３０１に出力する。
【００４４】
また、遊技球検出部２は、異常検出部１と略同様に構成されており、コイルＬ２、および信号処理部１３２より構成されている。信号処理部１３２は、コンデンサＣ２、高周波発振回路２２１、弁別回路２２２、および出力回路２２３より構成されており、コイルＬ２の信号に基づいて、遊技球３の通過を検出し、検出結果を制御部３０１に供給する。より詳細には、コンデンサＣ２は、その両端がコイルＬ２と並列接続され、さらに、上位電圧となる端部は、高周波発振回路２２１に接続され、下位電圧となる端部は接地されている。また、高周波発振回路２２１は、電源より電力供給を受けると共に接地されており、さらに、感度調整抵抗Ｒ２を介して接地されており、発振出力を弁別回路２２２に出力する。弁別回路２２２は、電源より電力供給を受けると共に接地されており、高周波発振回路２２１より供給される発振出力と所定の閾値とを比較し、比較結果を出力回路２２３に供給する。出力回路２２３は、電源より電力供給を受けると共に接地されており、弁別回路２２２の比較結果に基づいて、遊技球３の通過を検出し、検出結果を信号Ｖ２として制御部３０１に出力する。
【００４５】
尚、高周波発振回路２２１は、遊技球３が通過状態において発振停止状態に設定されており、遊技球３が通過していないときにのみ発振状態に移行するように設定されている。より詳細には、LC共振回路２０２のコンダクタンスｇＬ２と、高周波発振回路２２１のコンダクタンスｇｉ２とは、ナイキストの発振条件に基づいて、以下の式（３）の場合、高周波発振回路２２１は発振停止状態となり、式（４）の場合、高周波発振回路２２１は常時発振状態となる。
【００４６】
ｇＬ２＞ｇｉ２
・・・（３）
【００４７】
ｇＬ２＜ｇｉ２
・・・（４）
【００４８】
そこで、感度調整抵抗Ｒ２の抵抗値の調整により、高周波発振回路２２１のコンダクタンスｇｉ２が、LC共振回路２０２のコンダクタンスｇＬ２よりも小さくなるように、すなわち、感度調整抵抗Ｒ２を小さめに設定し、高周波発振回路２２１のコンダクタンスｇｉ２を大きめに設定する。この結果、上述した式（４）の関係が維持できるように構成されるので、遊技球３が通過していない状態においては、高周波発振回路２２１が常時発振状態となる。このとき、高周波発振回路２２１は発振動作を行っているので、弁別回路２２２には、閾値よりも大きな値が供給されることになり、弁別回路２２２は、発振動作がなされていることを示す信号を出力回路２２３に供給する。結果として、出力回路２２３は、遊技球３が通過していないことを示す信号を制御部３０１に出力する。
【００４９】
一方、コイルＬ２は、遊技球３が通過されることにより、コンダクタンスｇＬ２が上昇し、上述した式（４）の状態から式（３）の状態に移行するので、高周波発振回路２２１は、発振を停止し、発振出力を弁別回路２２２に出力する。このとき、弁別回路２１２には、閾値よりも小さな値が供給されることになるので、弁別回路２２２は、発振動作がなされていないことを示す信号を出力回路２１３に供給する。結果として、出力回路２１３は、遊技球３が通過していないことを示す信号を制御部３０１に出力する。
【００５０】
また、コイルＬ１の巻き数は、コイルＬ２の巻き数よりも多い巻き数となっているが、LC共振回路２０１，２０２の共振周波数を統一するため、コンデンサＣ２の静電容量は、コンデンサＣ１よりも小さく設定されており、以下の式（５）の関係を満たす関係となっている。
【００５１】
Ｌ１×Ｃ１＝Ｌ２×Ｃ２
・・・（５）
【００５２】
ここで、Ｌ１，Ｌ２は、それぞれコイルＬ１，Ｌ２のインダクタンスであり、Ｃ１，Ｃ２は、コンデンサＣ１，Ｃ２のそれぞれの静電容量である。結果として、LC共振回路２０１，２０２の共振周波数が相互に酷似した値に設定されるため、遊技球検出部２に影響する誘導電磁波と同帯域の誘導電磁波に対して確実に異常を検出できる他、本来、遊技球検出部２に影響しない電波については、確実に非検出とすることができるため、他の要因による異常状態を誤検出し難い構成とすることができる。
【００５３】
さらに、シールド部材２１，１２１は、図３，図４で示されるように、シールド部材２１によりコイルＬ１を遮蔽している領域よりも、シールド部材１２１によりコイルＬ２を遮蔽している領域の方が広く設定されている。また、シールド部材２１，１２１により遮蔽されていない領域は、貫通口１ａ，２ａが同軸に設けられている点からも、その指向性が共通となるように設定されている。尚、図４において、点線の矢印は、外界の電磁界の到来方向を示している。
【００５４】
このような構成により、コイルＬ１の方が、コイルＬ２よりも巻き数が多く、かつ、コイルＬ１のシールド部材２１による開口部の方が、コイルＬ２のシールド部材１２１による開口部よりも広く設定されているため、図５で示されるように、異常検出部１により低周波近傍電磁界を検出可能な範囲Ｚ２−１，Ｚ２−２は、遊技球検出部２の低周波近傍電磁界により影響を受ける範囲Ｚ１−１，Ｚ１−２を、完全に包含するように、構成することができ、異常検出部１の感度を遊技球検出部２よりも高めることが可能となる。
【００５５】
尚、図５は、異常検出部１および遊技球検出部２を上下に配置し、それを側面方向から見たときの、異常検出部１により低周波近傍電磁界を検出可能な、一点鎖線で示された範囲Ｚ２−１，Ｚ２−２、および遊技球検出部２が低周波近傍電磁界により影響を受ける、点線で示された範囲Ｚ１−１，Ｚ１−２を示す図である。ここで、図５において、図中上方の範囲Ｚ１−１，Ｚ２−１がいずれも、範囲Ｚ１−２，Ｚ２−２よりも大きな範囲となっているのは、シールド部材２１，１２１がいずれも上方に対して開口部が広く設定されているためである。また、異常検出部１により低周波近傍電磁界を検出可能な範囲Ｚ２−１，Ｚ２−２と、遊技球検出部２が低周波近傍電磁界により影響を受ける範囲Ｚ１−１，Ｚ１−２とが、略相似形に構成され、さらに、同軸に構成されているのは、シールド部材２１，１２１の開口部の指向性が統一されており、その開口部の大きさのみが異なるからである。
【００５６】
結果として、異常検出部１は、遊技球検出部２が低周波近傍電磁界による影響を受ける前のタイミングで、低周波近傍電磁界を検出することが可能となるので、遊技球検出部２による誤動作が生じる前のタイミングで、低周波近傍電磁界による影響を考慮した対応を取ることが可能となり、低周波近傍電磁界を用いた不正行為を未然に抑制することが可能となる。
【００５７】
［異常検出処理］
次に、図６のフローチャートを参照して、異常検出処理について説明する。
【００５８】
ステップＳ１において、弁別回路２１２は、高周波発振回路２１１の発振出力の振幅が所定値よりも大きいか否かを判定する。すなわち、低周波近傍電磁界がコイルＬ１に影響していない場合、正弦波電圧を誘起しないため、LC共振回路２０１による共振作用が生じず、高周波発振回路２１１が発振出力をしない。このため、高周波発振回路２１１の発振出力の振幅が所定値よりも大きくならないので、ステップＳ１の処理が繰り返される。このとき、弁別回路２１２は、出力回路２１３に、例えば、接地電位のＬｏｗ信号を出力している状態となる。結果として、この間、出力回路２１３は、制御部３０１に対して低周波近傍電磁界を検出していないことを示す信号Ｖ１として、例えば、接地電位と同値のＬｏｗ信号を出力する。
【００５９】
一方、ステップＳ１において、低周波近傍電磁界がコイルＬ１に影響している場合、正弦波電圧を誘起することになるため、LC共振回路２０１による共振作用が生じるため、高周波発振回路２１１が発振出力を開始する。このため、高周波発振回路２１１の発振出力の振幅が所定値よりも大きくなるので、処理は、ステップＳ２に進む。
【００６０】
ステップＳ２において、弁別回路２１２は、所定値よりも高い振幅を検出し、異常状態である、低周波近傍電磁界が検出されていることを示す信号Ｖ１として、例えば、電源電圧と同値のＨｉ信号を出力回路２１３に供給する。
【００６１】
ステップＳ３において、出力回路２１３は、制御部３０１に対して異常状態である低周波近傍電磁界を検出している状態であることを示す信号として、例えば、電源電位のＨｉ信号を出力する。
【００６２】
ステップＳ１１において、制御部３０１は、異常検出部１より異常が検出されていることを示す信号Ｖ１が供給されてきているか否かを判定し、異常を示す信号が供給されてくるまで、その処理を繰り返す。
【００６３】
そして、ステップＳ１１において、例えば、ステップＳ３の処理により、異常状態である、低周波近傍電磁界が検出されていることを示す信号Ｖ１が供給されてきた場合、ステップＳ１２において、制御部３０１は、遊技球検出部２より供給されてくる信号Ｖ２を、全て無効な信号に固定する。すなわち、低周波近傍電磁界が検出されている状態における遊技球検出部２における動作は、例えば、悪意を持った第三者により低周波近傍電磁界が発生されている異常動作であるものとみなし、その間に遊技球検出部２より出力されてくる信号Ｖ２を無効な信号であるものとして扱う。または、制御部３０１は、遊技球検出部２より出力されてくる信号Ｖ２に対応付けて、それらが低周波近傍電磁界が検出された条件下で供給されてきた信号であることを識別できるように記録し、後に、異常状態における遊技球検出結果であることを確認できる情報を記録する。
【００６４】
ステップＳ１３において、制御部３０１は、図４における発報部３０１ａを制御して、LCD（Liquid Crystal Display）などからなる表示機能や、スピーカなどの音声出力機能などを備えた発報出力部３０２より、画像、または音声により遊技機内部、または、遊技機外部に対して、低周波近傍電磁界が検出されていることを示す情報を提示する。
【００６５】
以上の処理により、遊技球検出部２に対して影響する可能性の高い低周波近傍電磁界を、遊技球検出部２に対して影響する前のタイミングにおいて検出することが可能となる。また、低周波近傍電磁界が検出されると、低周波近傍電磁界による異常が発生したことが報知されると共に、低周波近傍電磁界による影響を受けている、または、今後影響を受ける可能性の高い遊技球検出部２の遊技球の検出結果に対して、信頼度が低い検出結果であることを記録させたり、または、検出結果を無視するといった対策をとることが可能となり、低周波近傍電磁界を用いた不正行為を抑制することが可能となる。
【００６６】
＜２．第２の実施の形態＞
［遊技球検出部および異常検出部を別途配置する構成例］
以上においては、遊技球検出部２の貫通口２ａと同様に、異常検出部１においても貫通口１ａを設けて、遊技球３を通過させる構成例について説明してきたが、例えば、図７で示されるように、異常検出部１の貫通口１ａに対して、貫通口１ａと略同径の金属塊５０１を挿入し、LC共振回路２０１のコンダクタンスｇＬ１を強制的に大きくし、ナイキストの発振条件における上述した式（１）を満たすことにより、低周波近傍電磁界に晒されていない条件において、高周波発振回路２１１を発振停止状態に設定するようにしてもよい。
【００６７】
このようにする場合、異常検出部１には、貫通口１ａがなくなるので、遊技球３を通過させることができない構成となる。そこで、このような場合、例えば、図８で示されるように、遊技球検出部２の真横であって、異常を検出可能な範囲が、遊技球検出部２の低周波近傍電磁界による影響を受ける範囲を包含することができる位置、または、略包含することができる位置に、異常検出部１を配置するようにしてもよい。
【００６８】
また、遊技機盤面上には、金属製の遊技球の発射レール、フレームグランド、または、装飾用の金属メッキが施された成形品などが存在するため、低周波近傍電磁界が照射されると、照射ポイントにおいて渦電流が発生し、２次電磁波が発生する。そこで、これらの２次電磁波が検出できるように異常検出部１を配置するようにすることで、検出範囲をさらに拡大させることが可能となり、より確実に低周波近傍電磁界を検出することが可能となるので、不正行為を抑制することが可能となる。
【００６９】
＜３．第３の実施の形態＞
［遊技球検出部および異常検出部を一体構造にする構成例］
以上においては、異常検出部１および遊技球検出部２をそれぞれ別体として構成し、それらを組み合わせて利用する例について説明してきたが、それらを一体とした構造とし、コイルスプールを共用にするようにしてもよい。
【００７０】
図９は、異常検出部１および遊技球検出部２を一体構造とした遊技球検出スイッチの構成例を示している。尚、図９の遊技球検出スイッチ４０１において、図４における異常検出部１、および遊技球検出部２と同一の機能を備えた構成については、同一の符号を付しており、その説明は適宜省略するものとする。すなわち、図９の遊技球検出スイッチ４０１において、図４の異常検出部１、および遊技球検出部２と異なる点は、共振回路２０１，２０２に代えて、共振回路４１１，４１２が設けられており、シールド部材２１，１２１が取り除かれている点である。尚、環境変化対策など、シールド部材が必要となることもあるが、本構成例でのシールド部材の装着例については、図１６を参照して後述する。
【００７１】
共振回路４１１，４１２は、それぞれコイルＬ１１およびコンデンサＣ１１、並びに、コイルＬ１２，およびコンデンサＣ１２より構成されている。また、図１０で示されるように、コイルＬ１１，Ｌ１２は、いずれも共用のコイルスプール４２１に巻き付けられている。コイルスプール４２１は、図１における貫通口１ａ，２ａと略同径の貫通口４２１ａを備えており、遊技球３を通過させる。
【００７２】
コイルＬ１１，Ｌ１２およびコンデンサＣ１１，Ｃ１２の構造および機能については、コイルＬ１，Ｌ２およびコンデンサＣ１，Ｃ２と同一であるが、インダクタンスおよび静電容量、並びに、対応する発振回路２１１，２２１のそれぞれの感度調整抵抗Ｒ１，Ｒ２の設定方法が異なる。
【００７３】
すなわち、共振回路４１１，４１２のコンダクタンスｇＬ１，ｇＬ２と、遊技球３と貫通口４２１ａの貫通面の距離ｄとの関係は、いずれも図１１の曲線ｇＬで示される関係となる。
【００７４】
図１１で示されるように、共振回路４１１，４１２のコンダクタンスｇＬ１，ｇＬ２は、距離ｄが小さく、貫通口４２１ａに接近するに従って大きくなり、距離ｄが大きく、離れるに従って小さくなる。そこで、異常検出部１においては、感度調整抵抗Ｒ１の抵抗値を大きめに設定し、発振回路２１１のコンダクタンスｇｉ１を小さくして、遊技球３と貫通面との距離に関わらず、式（１）が維持され、発振回路２１１が、発振停止状態にされるように設定する。
【００７５】
一方、遊技球検出部２においては、感度調整抵抗Ｒ２の抵抗値を小さめに設定し、遊技球と貫通面との距離が所定値ｄ１となるとき、式（３）と式（４）とが切り替わって、発振回路２２１が、発振停止状態と常時発振状態とが切り替わるように設定する。
【００７６】
この結果、例えば、低周波近傍電磁界に晒されていない場合、遊技球検出部２の共振回路４１１の入力電圧Ｖｘは、遊技球３の貫通口４２１ａの通過の有無により、図１２の最上段で示されるように変化する。すなわち、遊技球３が通過しない時刻ｔ０乃至ｔ１，ｔ２乃至ｔ３、およびｔ４以降においては、上述した式（４）の状態が維持されて常時発振状態となる。このため、弁別回路２２２における弁別電圧を、入力電圧Ｖｘの波高値と０Ｖ電圧の中間電位である電圧Ｖ１２に設定すれば、弁別電圧より低くなるとき（図１２においては電圧Ｖ１２が負側に設定されている）、弁別回路２２２は、対応するＨｉの弁別結果を出力する。これに応じて、出力回路２２３は、信号Ｖ２を遊技球３が通過していないことを示すＨｉの信号として出力する。
【００７７】
逆に、遊技球３が通過する時刻ｔ１乃至ｔ２，ｔ３乃至ｔ４においては、上述した式（３）の状態が維持されて発振停止状態となる。このため、図１２の上から２段目で示されるように、弁別電位である電圧Ｖ１２より低くならないため、弁別回路２２２は、対応するＬｏｗの弁別結果を出力する。これに応じて、出力回路２２３は、信号Ｖ２を遊技球３が通過していることを示すＬｏｗの信号として出力する。
【００７８】
このとき、異常検出部１においては、コイルＬ１２が、コイルＬ１１の誘起電圧に起因する微弱な相互干渉波を発振するため、図１２の３段目で示されるように、発振回路２１１の入力電圧Ｖｙが、入力電圧Ｖｘに略同期して、高周波信号を発生する。しかしながら、この波高値は、小さいので、この波高値よりも絶対値において大きな電圧Ｖ１１を弁別回路２１２の弁別閾値として設定することにより、弁別回路２１２は、いずれにおいても低周波近傍電磁界の発生がないことを示すＬｏｗの信号を出力する。これに応じて、図１２の４段目で示されるように、いずれのタイミングにおいても、出力回路２１３は、信号Ｖ１を低周波近傍電磁界の発生がないことを示すＬｏｗの信号として出力する。
【００７９】
一方、低周波近傍電磁界が発生した場合、遊技球検出部２の発振回路２２１の入力電圧Ｖｘは、図１３の最上段で示されるような波形となる。すなわち、時刻ｔ０乃至ｔ１３におけるように、低周波近傍電磁界が発生していないときには、図１２における波形と同様に振舞う。しかしながら、時刻ｔ１３以降で示されるように、低周波近傍電磁界が発生すると、入力電圧Ｖｘは、低周波近傍電磁界の共振に伴い遊技球３が通過していない時刻ｔ１３乃至ｔ１４、および時刻ｔ１５乃至ｔ１６において発振回路２２１の電源電圧にまで波高値が上昇する。このとき、遊技球３が通過するときの電圧Ｖｘの振る舞いは、若干振幅低下は見られるものの、ある程度の波高を維持する。結果として、低周波近傍電磁界が発生した時刻ｔ１３以降においては、遊技球３の通過の有無に関わらず、弁別閾値である電圧Ｖ１２よりも低い信号が出力される状態となるため、出力回路２２３は、遊技球３が通過していないことを示すＨｉの信号を信号Ｖ２として出力する。
【００８０】
このとき、異常検出部１においては、低周波近傍電磁界が発生するまでの時刻ｔ１３までのタイミングでは、発振回路２１１の入力電圧Ｖｙは、図１３の３段目で示されるように、図１２における場合と同様に振る舞う。しかしながら、低周波近傍電磁界が発生する時刻ｔ１３以降においては、低周波近傍電磁界に起因する共振に伴って波高値が発振回路２１１の電源電圧にまで上昇しその状態が維持され続ける。このため、弁別閾値である電圧Ｖ１１よりも低い信号が出力される状態となるため、図１３の４段目で示されるように、時刻ｔ１３以降において、出力回路２１３は、信号Ｖ１を低周波近傍電磁界の発生があることを示すＨｉの信号を出力する。
【００８１】
この結果、制御部３０１は、信号Ｖ１に基づいて、低周波近傍電磁界の発生を認識することができる。すなわち、図１３の２段目における時刻ｔ１４乃至ｔ１５で示されるように、遊技球３の通過があっても、時刻ｔ１３乃至ｔ１４、およびｔ１５以降で示されるように遊技球３の通過がなくても、信号Ｖ２がＨｉとなっており、いずれにおいても遊技球３の通過がないものとして誤動作が生じることとなる（図中の誤動作領域参照）。しかしながら、制御部３０１は、信号Ｖ１がＨｉであることにより低周波近傍電磁界の発生を検出するため、誤検出を防止することが可能となる。すなわち、信号Ｖ１がＨｉであり、低周波近傍電磁界の発生が検出された場合、信号Ｖ２については、遊技球３の通過の有無に関わらず無効とすることで、遊技球３の通過の誤検出を防止することができる。
【００８２】
尚、図１２，図１３（以降の図１５を含む）においては、最上段が、発振回路２２１の入力電圧Ｖｘの波形を示しており、２段目が出力回路２２３の出力信号である信号Ｖ２の波形を示している。また、図１２，図１３においては、３段目が、発振回路２１１の入力電圧Ｖｙの波形を示しており、最下段である４段目が出力回路２１３の出力信号である信号Ｖ１の波形を示している。さらに、最上段および３段目の波形における縦縞状に描かれている範囲については、横軸の時間方向に対して十分に高周波の波形となることを示しており、縦縞状の波形については、その外形が発振波高の包絡線となるように表示されている。
【００８３】
＜４．第４の実施の形態＞
［遊技球検出部および異常検出部を一体構造にする場合にダイオードを付加する構成例］
以上においては、遊技球検出部および異常検出部を一体構造にする場合について説明してきたが、この場合、コイルＬ１１，Ｌ１２が共用のコイルスプール４２１に設けられることにより、相互干渉による影響が発生する。すなわち、図１２，図１３の３段目で示される遊技球３の通過がないタイミングにおける、異常検出部１の発振回路２１１の入力電圧Ｖｙの波形は、コイルＬ１２の誘起電圧に起因して発生するコイルＬ１１の干渉波である。このため、弁別閾値電圧である電圧Ｖ１１を下回る波高値が干渉により発生すると、異常検出部１は、誤動作する恐れがある。
【００８４】
そこで、異常検出部１における発振回路２１１の入力電圧Ｖｙの基準電圧をダイオードにより異常検出部１による弁別回路２１２の弁別閾値である電圧Ｖ１１より上位電位となるようにシフトさせることで干渉波の影響を防止するようにしてもよい。
【００８５】
図１４は、異常検出部１の発振回路２１１の前段にダイオードＤ１を設けるようにして、干渉波の影響を防止するようにした遊技球検出スイッチ４０１の構成例を示している。図１４の遊技球検出スイッチ４０１においては、図９の遊技球検出スイッチ４０１と同一の機能を備えた構成については、同一の符号を付しており、その説明は適宜省略するものとする。すなわち、図１４の遊技球検出スイッチ４０１において、図９の遊技球検出スイッチ４０１と異なる点は、発振回路２１１の前段にダイオードＤ１を設けた点である。
【００８６】
ダイオードＤ１のカソードは、コイルＬ１１の一方の端部、およびコンデンサＣ１１の一方の端部に接続されており、アノードは、入力電圧Ｖｙとして発振回路２１１に接続されている。
【００８７】
このような構成により、例えば、図１５の３段目で示されるように、異常検出部１の発振回路２１１の入力電圧Ｖｙは、ダイオードＤ１の順方向電位Ｖｄ分だけ弁別回路２１２の弁別閾値である電圧Ｖ１１より離れるようにシフトされる。これにより、時刻ｔ０乃至ｔ３１、およびｔ３２乃至ｔ３３で示されるように、低周波近傍電磁界に晒されること無く、遊技球３の通過がない場合に、コイルＬ１１，Ｌ１２の相互干渉波の波高値が電圧Ｖ１１を下回り難い構成とすることができる。
【００８８】
結果として、異常検出部１が相互干渉波による誤動作を防止することが可能となる。尚、図１５において、最上段、２段目、および４段目の波形は、図１３における場合と同一の波形となる。また、ダイオードの構成は図１４で示されるように１段のみならず、多段の構成とすることにより、さらに弁別閾値から上位電位となるようにシフトさせることで、さらに相互干渉の影響を低減できるようにしても良い。
【００８９】
＜５．第５の実施の形態＞
［遊技球検出部および異常検出部を一体構造にする場合にシールド部材を付加する構成例］
以上においては、ダイオードにより相互干渉波による影響を低減させる例について説明してきたが、コイルＬ１１，Ｌ１２間の相互干渉波そのものを低減させるようにして、相互干渉波による誤動作を防止させるようにしてもよい。
【００９０】
図１６は、遊技球検出部２のコイルＬ１２をシールド部材で囲み込むようにしたコイルスプールの構成例を示している。
【００９１】
すなわち、コイルスプール４２１に代えて、コイルスプール４５３を設け、コイルＬ１１，Ｌ１２を共用化した上で、シールド部材４５１により上からコイルＬ１２の部位が隠れるように囲い込む。さらに、コイルスプール４５３のコイルＬ１１，Ｌ１２の間に溝４５３ａを設け、双方のコイルの間にシールド部材４５２を嵌め込んで、コイルＬ１２をシールド部材４５１，４５２により囲い込み、干渉波が漏れ難い構成とする。
【００９２】
このような構成により、コイルＬ１２により生じる誘起電圧によるコイルＬ１１への相互干渉の影響を低減することが可能となり、コイルＬ１１，Ｌ１２の相互干渉による誤動作を防止させるようにすることができる。
【００９３】
尚、図１６の上部は、コイルスプール４５３付近の側面断面図であり、下部は、コイルスプール４５３付近の分解斜視図である。
【００９４】
以上の如く、本発明によれば、パチンコ遊技機内部に発生する低周波近傍電磁界によって、遊技球検出スイッチに機能障害が生じる前のタイミングで、低周波近傍電磁界を検出することができるので、低周波近傍電磁界の適切な監視を可能にすると共に、遊技球検出スイッチの機能障害を適切に抑制することが可能となる。
【００９５】
尚、本明細書において、フローチャートを構成する各ステップの処理は、記載された順序に沿って時系列的に行われる処理は、もちろん、必ずしも時系列的に処理されなくとも、並列的あるいは個別に実行される処理を含むものである。
【符号の説明】
【００９６】
１  異常検出部
２  遊技球検出部
３  遊技球
１１  コイルスプール
２１  シールド部材
３１  基板
３２  信号処理部
１１１  コイルスプール
１２１  シールド部材
１３１  基板
１３２  信号処理部
２０１，２０２  共振回路
２１１  高周波発振回路
２１２  弁別回路
２１３  出力回路
２２１  高周波発振回路
２２２  弁別回路
２２３  出力回路
３０１  制御部
Ｌ１，Ｌ２  コイル
Ｃ１，Ｃ２  コンデンサ
Ｒ１，Ｒ２  感度調整抵抗
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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