(57)【要約】【課題】クロス容量が小さく、リークの発生が少ないアレイ基板を有する表示品位が高い表示装置を提供すること。【解決手段】基板と、該基板上にマトリクス状に設けられた複数の走査線及び複数の信号線（１，２）と、前記複数の走査線及び前記複数の信号線（１，２）が交差して区画される複数の画素領域の各々に設けられた複数のスイッチング素子と、前記複数の走査線及び前記複数の信号線並びに前記複数のスイッチング素子の上に設けられている非導電性膜（１２）と、前記複数のスイッチング素子の各々により駆動される複数の表示素子と、前記複数の画素領域外に設けられた予備配線（５，６，７）と、を備え、前記非導電性膜（１２）は、前記複数の画素領域外（１３）において厚さＤ１の厚膜領域と、厚さＤ２の薄膜領域と、を有することを特徴とする。但し、Ｄ１＞Ｄ２である。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上にマトリクス状に設けられた複数の走査線及び複数の信号線と、前記複数の走査線及び前記複数の信号線が交差して区画される複数の画素領域の各々に設けられた複数のスイッチング素子と、前記複数の走査線及び前記複数の信号線並びに前記複数のスイッチング素子の上に設けられている非導電性膜と、前記複数のスイッチング素子の各々により駆動される複数の表示素子と、前記複数の画素領域外に設けられた予備配線と、を備え、
前記非導電性膜は、前記複数の画素領域外において厚さＤ１の厚膜領域と、厚さＤ２の薄膜領域と、を有することを特徴とする表示装置。
但し、Ｄ１＞Ｄ２である。
【請求項２】
前記予備配線は、前記厚膜領域に長く延伸されてなり、さらに当該厚膜領域上に配置されてなる予備配線が前記薄膜領域に分岐延伸されてなることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記予備配線は、前記複数の走査線あるいは前記複数の信号線に対して一方向に分岐延伸されてなることを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記予備配線は複数本からなり、
複数の予備配線のうち、互いに隣接する予備配線は、一方の予備配線における分岐延伸された部位が他方の予備配線に対向する場合、当該他方の予備配線は切り欠きを有することを特徴とする請求項２または３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記予備配線の分岐延伸された部位が半田ごてまたはスポット赤色レーザの加熱により前記走査線または前記信号線に接続されることにより、接続不良を修正することを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記予備配線の分岐延伸された部位に熱を加えることにより、前記薄膜領域に形成されたテーパを利用して、当該テーパ下部の走査線または信号線に当該予備配線が接続されてなることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
前記予備配線の分岐延伸された部位に熱を加えることにより、当該部位の下部の前記非導電性膜の薄膜領域を溶かし、さらに当該薄膜領域の下部の信号線または走査線に当該予備配線が接続されてなることを特徴とする請求項２乃至５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記表示素子は、液晶または有機エレクトロルミネッセンスであることを特徴とする請求項２乃至７のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項９】
請求項１至８のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テレビジョン、パソコン、携帯端末等のディスプレイに用いられる、液晶、及び有機エレクトロルミネッセンス、並びにその他の表示装置に関するものである。
また本発明は、断線を修正可能な表示品位が高い表示装置に応用可能な修正方法、並びに表示装置の製造方法である。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄型のテレビジョン（以下、ＴＶと称する。）、パソコン、携帯端末等のディスプレイ等に用いられる表示装置の需要が高まってきている。このディスプレイの中でも、従来のブラウン管型のＴＶよりも平面状の画面を有するフラットディスプレイ（フラットパネルディスプレイ）と称されるものが注目され開発検討されている。フラットディスプレイとしては様々な種類のものが開発されていているが、特に近年、ＰＤＰ（plasma display panel）表示装置、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬと称する。）表示装置等が市場において主流となっていて、盛んに研究開発が行われている。また、上記列挙したものに限らず、その他の方式による表示装置も盛んに研究開発が行われている。
【０００３】
以上のように種々の表示装置（表示方法）があるが、これらの表示装置において画素単位を駆動させるのに、駆動素子として背面板（アレイ基板）を用いることが通例である。特に、背面板にはＴＦＴ（薄膜トランジスタ；thin film transistor）を用いる場合が多く、その製法としては、フォトリソグラフィー方式を用いることが多い。
【０００４】
フォトリソグラフィー方式としては、例えば以下の手法が挙げられる。
先ず、走査線（ゲートラインと称することもある。）に使用する導電性膜を蒸着等で形成し、その後にポジレジストを塗布、走査線として残す箇所以外をステッパー露光方式やプロキシミティ露光方式、密着露光方式等の各種露光方式にて露光する。尚、露光の際にはフォトマスクをレジストと密着させることによる歩留まり低下が懸念されるので、ステッパー露光方式を用いることが多いが、特に最近では各種方式が出ているので大型化に対応して、ステッパー露光の原理でスキャン露光という方式も採用されているがこれに限られるものではない。
さらにその後、現像液を支持基板に供給し、露光されている部分のポジレジストのみを取り除く。しかる後にウェットエッチングやドライエッチング等を用いてポジレジストが無い部分の走査線材料を取り除き、さらに各種剥離液を用いて残留しているポジレジストやその他の異物等を取り除く事により走査線が形成される。
そして走査線形成の後に、ＣＶＤ（chemical vapour deposition）装置と、走査線と同様な塗布、露光、現像、エッチング、剥離というプロセスを用いて走査線絶縁膜・アモルファス等のＳｉ膜・窒化Ｓｉ系の膜を成膜する。その後、信号線（ソースラインと称することもある。）を蒸着し、走査線と同様な塗布、露光、現像、エッチング、剥離というプロセスを用いて信号線を形成する。また、信号線と同時にデータ線（ドレインと称することもある。）を形成することが通例である。
尚、上述したのは駆動素子（スイッチング素子）の半導体層としてシリコン膜を用いる無機系薄膜トランジスタの場合である。一方、シリコン膜に代え有機半導体膜を半導体層に用いる有機薄膜系トランジスタ（以下、有機トランジスタとも称する。）の場合はＣＶＤ等でアモルファスシリコン等は形成しない。この場合、ＣＶＤ等により成膜するのは走査線絶縁膜のみにして、走査線上の信号線・ドレイン間の上に有機半導体膜材料を印刷やフォトリソグラフィー等で形成する場合もある。
【０００５】
その後、駆動素子（スイッチング素子）が表示素子を駆動するための画素電極と、画素電極をドレイン電極と接続するドレイン配線とを形成する。液晶表示素子を用いる場合、画素電極とドレイン配線とを同時に形成することもある。一般に、トランジスタのソース電極とドレイン電極には高導電性の同一の材料が用いられる。また、画素電極には、光透過性が求められるため、透明電極材料が用いられる。ここで、透明電極材料は高導電性を有していないため、トランジスタを含むドレイン電極には、画素電極に用いられる透明電極材料とは別の材料が用いられる。液晶に限らず、反射型の表示装置であれば、信号線、ドレイン電極及び画素電極に高導電性の同一の材料を用いることができるため、画素電極もドレイン電極や信号線と同時に形成する場合もある。しかしながら、透過型の表示装置においては、近年高開口率化が必要とされているため、画素電極として、ドレイン電極と異なる透明電極材料を用いることが多い。従って、ドレイン電極と画素電極との間に透過性の高い非導電膜（絶縁膜）を形成し、非導電膜（絶縁膜）に、画素電極とドレイン電極とを接続するドレイン配線が形成される穴（開口部）が形成されるアレイ基板の構造及び製造方法が用いられている。液晶表示素子のみならず、有機ＥＬ表示素子等においても、背面板であるアレイ基板の製造工程においては、ほぼ同様の製造方法が実施されている。更に、ポリシリコンがスイッチング素子（トランジスタ）の半導体層に適用されている場合もある。
【０００６】
上記のような多層プロセスを実施する中、大面積化や高密度化が市場から要求され、配線同士の、断線、リークによる不良が歩留まり低下の一つであることから、これをそのまま不良基板にせずに、断線不良、リーク不良の修正を行う手法が各種提案されている。
例えば、特許文献１に開示されているように、断線不良が発生している箇所にレーザ光を照射し、断線不良箇所を溶融接続する技術がある。現在、このレーザＣＶＤ法が設備的にかなり高額ということもあり、液を吐出等（例えばマイクロディスペンサー等により配線描画、又はインクジェット等により描画）することによる描画等による手法で配線を形成する等も報告されている。
しかしながら、これらの技術だけでは、配線修復ができない、或いは後で断線が発覚する等が有り、完全ではない。
【０００７】
それに対して、アクティブエリア内での修正で不充分な部分に関して、アクティブエリア外での配線引き回し（予備配線という）により入力側からの信号を入力するという手法が、特許文献２において提案されている。
【０００８】
この特許文献２に記載の技術について図１および図２を用いてさらに詳細に説明する。
アクティブマトリクスエリア３内にあるスイッチング素子（図にはＴＦＴを例としているがそれに類する方法）を各種方法（例えばフォトリソグラフィー、インクジェット、印刷等）を用いて積層する事により形成していて、電極として今回はゲート２、ソース１の配線がアクティブマトリクスエリア３並びに入力及び非入力側に延長されている。
アクティブマトリクスエリア３内に、断線不良が発生した４ａや４ｂに対して図１及び図２で示す形状を持つことで修正ができる構造を事前に形成する、つまり（予備）配線５及び（予備）配線６をアクティブマトリクス３内にある、配線２と同時形成しておき、（予備）配線７をアクティブマトリクス３内にある、配線１と同時に形成しておく。尚、その際に配線５と配線７が接続できるようにポイント９では、図２の絶縁膜１１が無い形状として形成される。また同様に配線６と配線７が接続できるようにポイント８でも、図２の絶縁膜１１が無い形状として形成される。
そして不良が発生した箇所４ａや４ｂの場所にて、電極を支持基板の表側若しくは裏側から、レーザを当てて溶融させることにより、電気的接続を行なう、例えば４ａ箇所であれば５ａｘ及び６ａｘ箇所にレーザ溶融を行なう。４ｂ箇所の修正であれば、５ｂｙ及び６ｂｙ箇所にレーザ溶融を行なう事により、１ｘや１ｙの入力側からの信号を非入力側に回り込ませることで断線不良を修正することを目的とされている。
【０００９】
しかしながら、特許文献２に記載される方法では、事前に予備配線を信号線又は走査線と交差するように配線しておき、予備配線と信号線又は走査線と交差する交差部分（クロス部分）を溶融接続し、断線箇所が発生した場合の修正に用いているが、この交差部分（クロス部分）であって修正に用いられていない部分が、リークを発生させる、交差容量（クロス容量）を増大させるという問題があった。特に、表示装置が高精細化されることに伴って、断線箇所及びリーク箇所が増大し、予備配線を設ける本数も増大する。その結果、クロス容量が更に増大するという問題があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、クロス容量が小さく、リークの発生が少ないアレイ基板を有する表示品位が高い表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために本発明に係る表示装置は、具体的には下記（１）〜（９）に記載の技術的特徴を有する。
（１）：基板と、該基板上にマトリクス状に設けられた複数の走査線及び複数の信号線と、前記複数の走査線及び前記複数の信号線が交差して区画される複数の画素領域の各々に設けられた複数のスイッチング素子と、前記複数の走査線及び前記複数の信号線並びに前記複数のスイッチング素子の上に設けられている非導電性膜と、前記複数のスイッチング素子の各々により駆動される複数の表示素子と、前記複数の画素領域外に設けられた予備配線と、を備え、前記非導電性膜は、前記複数の画素領域外において厚さＤ１の厚膜領域と、厚さＤ２の薄膜領域と、を有することを特徴とする表示装置である。但し、Ｄ１＞Ｄ２である。
【００１２】
（２）：前記予備配線は、前記厚膜領域に長く延伸されてなり、さらに当該厚膜領域上に配置されてなる予備配線が前記薄膜領域に分岐延伸されてなることを特徴とする上記（１）に記載の表示装置である。
【００１３】
（３）：前記予備配線は、前記複数の走査線あるいは前記複数の信号線に対して一方向に分岐延伸されてなることを特徴とする上記（２）に記載の表示装置である。
【００１４】
（４）：前記予備配線は複数本からなり、複数の予備配線のうち、互いに隣接する予備配線は、一方の予備配線における分岐延伸された部位が他方の予備配線に対向する場合、当該他方の予備配線は切り欠きを有することを特徴とする上記（２）または（３）に記載の表示装置である。
【００１５】
（５）：前記予備配線の分岐延伸された部位が半田ごてまたはスポット赤色レーザの加熱により前記走査線または前記信号線に接続されることにより、接続不良を修正することを特徴とする上記（２）乃至（４）のいずれか１項に記載の表示装置である。
【００１６】
（６）：前記予備配線の分岐延伸された部位に熱を加えることにより、前記薄膜領域に形成されたテーパを利用して、当該テーパ下部の走査線または信号線に当該予備配線が接続されてなることを特徴とする上記（２）乃至（５）のいずれか１項に記載の表示装置である。
【００１７】
（７）：前記予備配線の分岐延伸された部位に熱を加えることにより、当該部位の下部の前記非導電性膜の薄膜領域を溶かし、さらに当該薄膜領域の下部の信号線または走査線に当該予備配線が接続されてなることを特徴とする上記（２）乃至（５）のいずれか１項に記載の表示装置である。
【００１８】
（８）：前記表示素子は、液晶または有機エレクトロルミネッセンスであることを特徴とする上記（２）乃至（７）のいずれか１項に記載の表示装置である。
【００１９】
（９）：上記（１）乃至（８）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、クロス容量が小さく、リークの発生が少ないアレイ基板を有し、表示品位が高い表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】従来の表示装置の構成を示す概略図である。
【図２】図１に示す従来の表示装置の修正方法を説明するための説明図である。
【図３】本発明に係る表示装置の第１の実施の形態における構成を示す概略図である。
【図４】図３に示す第１の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正前の構成を示す概略図である。
【図５】図３に示す第１の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正後の構成を示す概略図である。
【図６】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正前の構成を示す概略図である。
【図７】本発明に係る表示装置の第２の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正後の構成を示す概略図である。
【図８】本発明に係る表示装置の第３の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正前の構成を示す概略図である。
【図９】本発明に係る表示装置の第３の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正後の構成を示す概略図である。
【図１０】本発明に係る表示装置の第４の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正前の構成を示す概略図である。
【図１１】本発明に係る表示装置の第４の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正後の構成を示す概略図である。
【図１２】本発明に係る表示装置の第５の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正前の構成を示す概略図である。
【図１３】本発明に係る表示装置の第５の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正後の構成を示す概略図である。
【図１４】本発明に係る表示装置の第６の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正前の構成を示す概略図である。
【図１５】本発明に係る表示装置の第６の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正後の構成を示す概略図である。
【図１６】本発明に係る表示装置の第７の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正前の構成を示す概略図である。
【図１７】本発明に係る表示装置の第７の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正後の構成を示す概略図である。
【図１８】本発明に係る表示装置の第８の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正前の構成を示す概略図である。
【図１９】本発明に係る表示装置の第８の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正後の構成を示す概略図である。
【図２０】本発明に係る表示装置の第９の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正前の構成を示す概略図である。
【図２１】本発明に係る表示装置の第９の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正後の構成を示す概略図である。
【図２２】本発明に係る表示装置の第１０の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正前の構成を示す概略図である。
【図２３】本発明に係る表示装置の第１０の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正後の構成を示す概略図である。
【図２４】本発明に係る表示装置のその他の実施の形態１における表示装置の修正方法を説明するための修正前の構成を示す概略図である。
【図２５】本発明に係る表示装置のその他の実施の形態１における表示装置の修正方法を説明するための修正後の構成を示す概略図である。
【図２６】本発明に係る表示装置のその他の実施の形態２における表示装置の修正方法を説明するための修正前の構成を示す概略図である。
【図２７】本発明に係る表示装置のその他の実施の形態２における表示装置の修正方法を説明するための修正後の構成を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
本発明に係る表示装置は、基板と、該基板上にマトリクス状に設けられた複数の走査線及び複数の信号線（１，２）と、前記複数の走査線及び前記複数の信号線（１，２）が交差して区画される複数の画素領域の各々に設けられた複数のスイッチング素子と、前記複数の走査線及び前記複数の信号線並びに前記複数のスイッチング素子の上に設けられている非導電性膜（１２）と、前記複数のスイッチング素子の各々により駆動される複数の表示素子と、前記複数の画素領域外に設けられた予備配線（５，６，７）と、を備え、前記非導電性膜（１２）は、前記複数の画素領域外（１３）において厚さＤ１の厚膜領域と、厚さＤ２の薄膜領域と、を有することを特徴とする。但し、Ｄ１＞Ｄ２である。
【００２３】
以下に、本発明に係る表示装置の一実施の形態における構成について図面を参照して説明する。
尚、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な実施の形態であるから技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は以下の説明において本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。
【００２４】
（第１の実施の形態）
図３は、本発明に係る表示装置の第１の実施の形態における構成を示す概略図である。
また図４は、図３に示す第１の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正前の構成を示す概略図である。
さらに図５は、図３に示す第１の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正後の構成を示す概略図である。
ここで、図４及び図５において示される断面１は、平面における２１ａ−２１ｂ断面であり、断面２は平面における２１ｃ−２１ｄ断面である。（また、これ以降に示す図において同様である。）
【００２５】
アクティブマトリクスエリア３内に、断線不良が発生した４ａや４ｂに対して図３及び図４で示す形状を持つ事で修正ができる構造を事前に形成する。つまり配線（予備配線）５及び配線（予備配線）６はアクティブマトリクス３内にある、配線２とは同時には形成しない。また配線（予備配線）７に関してはアクティブマトリクス３内にある、配線１と同時に形成しておいても良いが、その場合絶縁膜（予備配線）１２はポイント８及びポイント９では無い状態である（予備配線同士が導通された状態である）。またこれに対して、配線７が配線１と同時形成しない場合、配線５と同時形成するのが好ましい。その場合にはポイント８及びポイント９での絶縁膜１２の有無は特に規定されるものではない。
【００２６】
次に、事前に配線された形状に対して配線（予備配線）５及び絶縁膜（非導電性膜）１２のあり方を下記に示す。
支持基板（基板）上に絶縁膜１１（無くても可）があり、その上層に配線（信号線または走査線）１，２がパターンニングされており、その上層を覆うように絶縁膜（非導電性膜）１２がパターンニングされる。アクティブマトリクスエリア３の外側に配線（予備配線）５が上記絶縁膜１２上にパターニングされるが、配線１上に配線１と同じ方向に距離Ｔ及び角度Ｒをもって分岐延伸されるパターンを持っており、その上層に保護膜等が設置されていても良い。絶縁膜１２は分岐延伸されている部分以外の箇所は厚みＤ１（厚膜領域）、分岐延伸されている先端を厚みＤ２（薄膜領域）であることを特徴とする。尚、配線１上において分岐延伸されている部分同士は、図示のとおり、互いに反対方向に向いて形成されてなる。
また、配線１，２で区画された複数の画素領域には、それぞれ複数のスイッチング素子が設けられていて、さらに該スイッチング素子により駆動される不図示の表示素子が設けられている。
その際Ｔ＞２μｍ、１０°＜Ｒ＜１７０°、Ｄ１＞１μｍ、Ｄ１−Ｄ２＞０．５μｍ、Ｄ２＞０であることを特徴とする。ここで、Ｒとは、予備配線５又は予備配線６から、配線１方向にそれぞれ延長される配線と予備配線５又は予備配線６とがおりなす角度である。
また、予備配線６、予備配線７も、予備配線５と同様に作成されてなる。
【００２７】
図４における修正すべき配線１ｘ或いは１ｙにおいて、５ａｘ及び５ａｙ又は６ａｘ及び６ｂｙのポイントにおいて、絶縁膜１２の膜厚が元々下がっているポイント（薄膜領域）にスポット熱溶融（微細半田ごてや赤色レーザ等にて予備配線５と絶縁膜１２を溶融）することにより、予備配線５を配線１と接続することで、配線１の断線を周辺パターンを経由して、断線ポイントを除き電気信号を非入力側からも入力できるようにするものである。
【００２８】
（第２の実施の形態）
図６は、第２の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正前の構成を示す概略図である。
また図７は、第２の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正後の構成を示す概略図である。
第２の実施の形態は、配線１上において分岐延伸されてなる部分同士は、図示のとおり、互いに同一方向に向いて形成されてなる点において第１の実施の形態と相違していて、これ以外の点においては第１の実施の形態と同一である。
また、第２の実施の形態における修正方法は、第１の実施の形態と同一である。
【００２９】
（第３の実施の形態）
図８は、第３の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正前の構成を示す概略図である。
また図９は、第３の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正後の構成を示す概略図である。
第３の実施の形態は、配線１上において分岐延伸されてなる部分に隣接する予備配線５は、同一方向に向いて形成されてなることによるリークの発生を懸念し、略四角形状に切り欠きが設けている点において第２の実施の形態と相違していて、これ以外の点においては第２の実施の形態と同一である。
また、第３の実施の形態における修正方法は、第２の実施の形態と同一である。
【００３０】
（第４の実施の形態）
図１０は、第４の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正前の構成を示す概略図である。
また図１１は、第４の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正後の構成を示す概略図である。
第４の実施の形態は、略円形状に切り欠きが設けている点において第３の実施の形態と相違していて、これ以外の点においては第３の実施の形態と同一である。
また、第４の実施の形態における修正方法は、第３の実施の形態と同一である。
【００３１】
（第５の実施の形態）
図１２は、第５の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正前の構成を示す概略図である。
また図１３は、第５の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正後の構成を示す概略図である。
第５の実施の形態は、略三角形状に切り欠きが設けている点において第３の実施の形態と相違していて、これ以外の点においては第３の実施の形態と同一である。
また、第５の実施の形態における修正方法は、第３の実施の形態と同一である。
【００３２】
（第６の実施の形態）
図１４は、第６の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正前の構成を示す概略図である。
また図１５は、第６の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正後の構成を示す概略図である。
第６の実施の形態は、第１の実施の形態における配線（予備配線）５の配設位置とは異なり、配線１上ではない箇所に、配線１と同じ方向に距離Ｔ及び角度Ｒをもって分岐延伸される点において第１の実施の形態と相違していて、これ以外の点においては第１の実施の形態と同一である。
【００３３】
また、第６の実施の形態における修正方法は、第１の実施の形態と同一である。より詳しくは、図１５における修正すべき配線１ｘ或いは１ｙにおいて、５ａｘ及び５ａｙ又は６ａｘ及び６ｂｙのポイントにおいて、絶縁膜１２の膜厚が元々下がっているポイント（薄膜領域）にスポット熱溶融（微細半田ごてや赤色レーザ等にて予備配線５と絶縁膜１２を溶融）することにより、予備配線５を配線１と接続することで、配線１の断線を周辺パターンを経由して、断線ポイントを除き電気信号を非入力側からも入力できるようにするものである。この熱溶融の際、テーパ状に形成された非導電性膜１２の凹みに溶融した予備配線の成分が流入することで、予備配線５と配線１とが接続される。
【００３４】
（第７の実施の形態）
図１６は、第７の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正前の構成を示す概略図である。
また図１７は、第７の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正後の構成を示す概略図である。
第７の実施の形態は、配線１上において分岐延伸されてなる部分同士は、図示のとおり、互いに同一方向に向いて形成されてなる点において第６の実施の形態と相違していて、これ以外の点においては第６の実施の形態と同一である。
また、第７の実施の形態における修正方法は、第６の実施の形態と同一である。
【００３５】
（第８の実施の形態）
図１８は、第８の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正前の構成を示す概略図である。
また図１９は、第８の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正後の構成を示す概略図である。
第８の実施の形態は、配線１上において分岐延伸されてなる部分に隣接する予備配線５は、同一方向に向いて形成されてなることによるリークの発生を懸念し、略四角形状に切り欠きが設けている点において第７の実施の形態と相違していて、これ以外の点においては第７の実施の形態と同一である。
また、第８の実施の形態における修正方法は、第７の実施の形態と同一である。
【００３６】
（第９の実施の形態）
図２０は、第９の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正前の構成を示す概略図である。
また図２１は、第９の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正後の構成を示す概略図である。
第９の実施の形態は、略円形状に切り欠きが設けている点において第８の実施の形態と相違していて、これ以外の点においては第８の実施の形態と同一である。
また、第９の実施の形態における修正方法は、第８の実施の形態と同一である。
【００３７】
（第１０の実施の形態）
図２２は、第１０の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正前の構成を示す概略図である。
また図２３は、第１０の実施の形態における表示装置の修正方法を説明するための修正後の構成を示す概略図である。
第１０の実施の形態は、略三角形状に切り欠きが設けている点において第８の実施の形態と相違していて、これ以外の点においては第８の実施の形態と同一である。
また、第１０の実施の形態における修正方法は、第８の実施の形態と同一である。
【００３８】
尚、以上説明した図８〜図１３、図１８〜図２３における、予備配線５の切り欠きに関しては、上述の形状に留まらず、六角形や八角形・・・等の形状でも良いし、また、それらと略円を含めて合体した形状でも良いし、またそれらの形状のトリミングしたものでも良い。
【００３９】
また、以上説明した図４〜図２３における、配線５から分岐延伸される部分の形状に関しては、略線だけでなく、略円でも良い。また、略線と略円を組み合わせたものでも良い。また略線と略線を組み合わせたものでも良い。また略円と略円を組み合わせたものでも良い。それらは更に角度が途中から変わっても良い。
【００４０】
（その他の実施の形態１）
例えば図１４の配線５の分岐延伸部を途中で曲げたものを図２４に記載する。しかしながら、これは一例であり、前述の通り各種組み合わせてよい。
さらに、図２４に代表される配線を修正する場合を図２５に示す。
【００４１】
（その他の実施の形態２）
また特に、図１４〜図２３において、断面２で示される絶縁膜１２が全て薄くなっていなくても良い、例えば図１４の絶縁膜１２を変更したものを図２６に記載する。この場合、Ｄ１＝Ｄ２あるいはＤ１＜Ｄ２となっていても良い。但し、局部的にはＤ１＞Ｄ２となる。
さらに、図２６に代表される配線を修正する場合を図２７に示す。
【００４２】
またさらに、上記第１乃至１０の実施の形態と、その他の実施の形態１，２が混在した構成例であっても良い。
【００４３】
尚、赤色レーザや半田コテ等による電極の熱による溶融に関しては、形状を保持するような例えばＩＴＯ等の無機材料だと、熱ダレ等は発生しない。同様にＣＶＤ等で形成するような絶縁膜に関しても、熱ダレは発生しづらい。今回記載した熱ダレがおこる材料として、有機材料の電極や有機材料の絶縁膜にて形成されるものに限定される。
【００４４】
例えば、予備配線５の場合、銀ペースト、金ペースト、銅ペースト、ナノ銀等、ナノ金、ナノ銅等が考えられる。
【００４５】
例えば、絶縁膜１２の場合、樹脂成分を含んだ材料が好ましい。例えばアクリル系やポリイミド系やエポキシ系等、その他樹脂が考えられる。但し上述の予備配線５と一緒に熱崩れする材料でなければ、電極１とは繋がらない。
【００４６】
また、今回、予備配線５が最上層となる構成であるが、中間層に設けられていても良く、最下層に設けられていても良い。
【００４７】
本発明を利用可能な分野として、先述している通り、液晶表示装置（例えば携帯端末やＴＶやＰＣに用いるモニタ等）や、有機ＥＬ（例えば携帯端末やＴＶやＰＣに用いるモニタ等）や、ＰＤＰ（ＴＶやＰＣに用いるモニタ等）や、昨今各社研究が盛んな有機半導体（有機半導体を用いた携帯端末や大型化した場合のＴＶやＰＣ等）や、電子ペーパー等も挙げられ、各種表示装置（表示媒体）に適用可能と考える。
【符号の説明】
【００４８】
１、１ｘ、１ｙ  信号線
２  走査線
３  表示領域（アクティブマトリクス領域）
４ａ、４ｂ  断線箇所
５ａｘ、５ｂｙ、６ａｘ、６ｂｙ  修正箇所
５，６，７  予備配線
１２  非導電性膜
１３  アクティブマトリクス領域外
【先行技術文献】
【特許文献】
【００４９】
【特許文献１】特開２００４−１９８７１８号公報
【特許文献２】特開平０５−１２７１９１号公報
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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