(57)【要約】【課題】光取出し効率が高く、かつ、画像のにじみが少ない有機電界発光表示装置の提供。【解決手段】面内に、一対の電極層と、該電極層間に配され、発光層を含む有機化合物層と、該発光層から発光される光を透過する光透過層と、前記光の光路を制御する光制御層と、を有し、赤副画素、緑副画素、及び青副画素の少なくともいずれかの副画素を含む画素として構成される有機電界発光表示部を複数備え、光取出し面側と反対側の前記電極層が前記光の反射を担っている有機電界発光装置において、前記副画素のうち、隣接する同色の副画素間の最短距離を２Ｒとし、前記有機化合物層と、前記光取出し面側の前記電極層と、前記光制御層との合計の厚みをｔとしたとき、次式、９≦２Ｒ／ｔ、の関係を満たす有機電界発光表示装置である。【選択図】図１
2010272515.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
面内に、一対の電極層と、該電極層間に配され、発光層を含む有機化合物層と、該発光層から発光される光を透過する光透過層と、前記光の光路を制御する光制御層と、を有し、赤副画素、緑副画素、及び青副画素の少なくともいずれかの副画素を含む画素として構成される有機電界発光表示部を複数備え、光取出し面側と反対側の前記電極層が前記光の反射を担っている有機電界発光装置において、
前記副画素のうち、隣接する同色の副画素間の最短距離を２Ｒとし、前記有機化合物層と、前記光取出し面側の前記電極層と、前記光制御層との合計の厚みをｔとしたとき、次式、９≦２Ｒ／ｔ、の関係を満たすことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項２】
面内に、一対の電極層と、該電極層間に配され、発光層を含む有機化合物層と、該発光層から発光される光を透過する光透過層と、前記光の光路を制御する光制御層と、前記光を反射する反射層と、を有し、赤副画素、緑副画素、及び青副画素の少なくともいずれかの副画素を含む画素として構成される有機電界発光表示部を複数備え、光取出し面側と反対側の電極層が前記光の透過を担っており、前記反射層が、前記光取出し面側と反対側の電極層における、前記光取出し面側とは反対側に形成されている有機電界発光素子において、
前記副画素のうち、隣接する同色の副画素間の最短距離を２Ｒとし、前記有機化合物層と、前記光取出し面側の前記電極層と、該光取出し面側と反対側の前記電極層と、前記光制御層との合計の厚みをｔとしたとき、次式、９≦２Ｒ／ｔ、の関係を満たすことを特徴とする有機電界発光表示装置。
【請求項３】
光透過層の発光層から発光される可視波長領域における光に対する屈折率が、１．０〜１．５である請求項１から２のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項４】
光制御層が、微粒子含有層を有する請求項１から３のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項５】
微粒子含有層が、少なくとも微粒子とマトリクス剤とを含み、該マトリクス剤の発光層から発光される可視波長領域における光に対する屈折率Ｎが、１．５＜Ｎ、である請求項４に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項６】
屈折率Ｎが、１．６５＜Ｎ、である請求項５に記載の有機電界発光表示装置。
【請求項７】
光制御層が、凹凸層を含む請求項１から６のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項８】
光透過層と、光制御層と、発光層とが、光取出し面側からこの順で配され、かつ、前記光透過層と前記光制御層とが隣接する請求項１から７のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項９】
光透過層と、光制御層と、発光層とが、光取出し面側からこの順で配され、かつ、前記光透過層と前記光制御層とが一層隔てて配される請求項１から７のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１０】
光透過層と、発光層と、光制御層とが、光取出し面側からこの順で配される請求項１から７のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
【請求項１１】
光透過層が、少なくとも、フッ化物系材料、アルコキシシラン、エアロゲル、及び空気の少なくともいずれかを含む請求項１から１０のいずれかに記載の有機電界発光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光取出し効率が高く、かつ、画像のにじみが少ない有機電界発光表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置（有機電界発光表示装置）は自発光型の表示装置であり、ディスプレイや照明の用途に用いられる。有機電界発光ディスプレイは、従来のＣＲＴやＬＣＤと比較して視認性が高い、視野角依存性がないといった表示性能の利点を有する。また、ディスプレイを軽量化、薄層化できるといった利点もある。また、有機電界発光照明は軽量化、薄層化といった利点に加え、フレキシブルな基板を用いることで、これまで実現できなかった形状の照明を実現できる可能性を持っている。
【０００３】
このように有機電界発光表示装置は、優れた特徴を有するが、一般に、発光層を含め表示装置を構成する各層の屈折率は空気より高い。例えば、有機電界発光表示装置では、発光層など有機薄膜層の屈折率は１．６〜２．１である。このため、発光した光は界面で全反射しやすく、その光取出し効率は２０％に満たず、大部分の光を損失している。
例えば、従来、一般的に知られる有機電界発光表示装置における有機電界発光表示部は、基板上に、一対の電極層の間に配される有機化合物層を備えて構成されている。該有機化合物層は、発光層を含み、有機電界発光表示装置は、該発光層から発光される光を光の取出し面側から出射させている。この場合、光の取出し面や電極層と有機化合物層との界面において、臨界角以上の光である全反射成分を取出すことができないため、光の取出し効率が低いという問題がある。
【０００４】
こうしたことから、光の取出し効率を向上させるため、前記発光層から発光される光の光路を制御し、前記発光層から発光される光を光の取出し面側から出射させる光制御層を、光路上に配する有機電界発光表示装置が提案されている。
しかしながら、この場合、光の取出し効率が向上するものの、前記発光層内、前記光制御層内及び前記基板内に存在する導波成分により、発光される光が所望の出射方向よりも放射状に広がる方向に導波され、隣接する発光表示部（画素）から出射される光との間で、画像にじみによるクロストーク（相互干渉）が生じるという問題があった。
【０００５】
そこで、画像にじみを抑えるため、光路上に光透過層を配した有機電界発光表示装置も提案されている。この光透過層は、屈折率が低い材料から形成され、前記発光層から発光される光を所望の方向に導き、導かれた光の光路上に存在する導波成分による光の広がりを抑えることができる。
例えば、第１の電極と、第２の電極と、前記第１の電極と前記第２の電極間に配置された発光層とを有し、前記発光層からの発光の一部を放射光として取出す発光素子において、前記放射光を取出す方向に順に前記第１の電極、前記射放射光を取出す光取出し層、前記発光層、及び前記光取出し層の平均屈折率より低い屈折率である低屈折率層が配置された発光素子を備えた有機電界発光表示装置が提案されている（特許文献１参照）。
また、第１電極、第２電極、及び前記第１電極と前記第２電極との間に介在され、少なくとも発光層を含む発光部からなる画素層と、前記画素層から精製された光が取出される方向に位置する透明部材と、を含む有機電界発光素子において、前記画素層と前記透明部材との間に回折格子を備え、前記回折格子と前記透明部材との間には、前記透明部材をなす物質の屈折率より低い屈折率を有する物質からなる低屈折率層を備える有機発光素子を備えた有機電界発光表示装置が提案されている（特許文献２参照）。
しかしながら、これらの有機電界発光表示装置は、発光層及び光取出し層内部で導波した光が外部に出射されるため、光の広がりを抑えることができず、依然として、画像にじみによるクロストーク（相互干渉）が生じるという問題がある。
したがって、光取出し効率の向上と、画像にじみの抑制とを両立させた有機電界発光表示装置としては、満足できるものが存在しないというのが現状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２５１４８８号公報
【特許文献２】特開２００６−１０８０９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、光取出し効率が高く、かつ、画像のにじみが少ない有機電界発光表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するために、本発明者らは、鋭意検討を行い、以下のような知見を得た。
本発明者らは、高い光取出し効率を維持しながら、画像にじみを解消する方策として、隣接する画素間の距離と、有機電界発光表示部を構成する層の厚みとの関係に着目し、これらの関係を一定の条件に規制することにより、前記課題を解決することができることを知見した。
即ち、図８に示すように、隣接する画素間の距離２Ｒと、層の厚みｔとの比、２Ｒ／ｔは、指数対数的に画像にじみを減少する方向で推移し、一定の条件に規定した場合に、画像にじみをほぼゼロに抑えることができることを知見した。
【０００９】
本発明は、本発明者らの前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては以下の通りである。即ち、
＜１＞  面内に、一対の電極層と、該電極層間に配され、発光層を含む有機化合物層と、該発光層から発光される光を透過する光透過層と、前記光の光路を制御する光制御層と、を有し、赤副画素、緑副画素、及び青副画素の少なくともいずれかの副画素を含む画素として構成される有機電界発光表示部を複数備え、光取出し面側と反対側の前記電極が前記光の反射を担っている有機電界発光装置において、
前記副画素のうち、隣接する同色の副画素間の最短距離を２Ｒとし、前記有機化合物層と、前記光取出し面側の前記電極層と、前記光制御層との合計の厚みをｔとしたとき、次式、９≦２Ｒ／ｔ、の関係を満たすことを特徴とする有機電界発光表示装置である。
＜２＞  面内に、一対の電極層と、該電極層間に配され、発光層を含む有機化合物層と、該発光層から発光される光を透過する光透過層と、前記光の光路を制御する光制御層と、前記光を反射する反射層と、を有し、赤副画素、緑副画素、及び青副画素の少なくともいずれかの副画素を含む画素として構成される有機電界発光表示部を複数備え、光取出し面側と反対側の電極層が前記光の透過を担っており、前記反射層が、前記光取出し面側と反対側の電極層における、前記光取出し面側とは反対側に形成されている有機電界発光素子において、
前記副画素のうち、隣接する同色の副画素間の最短距離を２Ｒとし、前記有機化合物層と、前記光取出し面側の前記電極層と、該光取出し面側と反対側の前記電極層と、前記光制御層との合計の厚みをｔとしたとき、次式、９≦２Ｒ／ｔ、の関係を満たすことを特徴とする有機電界発光表示装置である。
＜３＞  光透過層の発光層から発光される可視波長領域における光に対する屈折率が、１．０〜１．５である前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の有機電界発光表示装置である。
＜４＞  光制御層が、微粒子含有層を有する前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の有機電界発光表示装置である。
＜５＞  微粒子含有層が、少なくとも微粒子とマトリクス剤とを含み、該マトリクス剤の発光層から発光される可視波長領域における光に対する屈折率Ｎが、１．５＜Ｎ、である前記＜４＞に記載の有機電界発光表示装置である。
＜６＞  屈折率Ｎが、１．６５＜Ｎ、である前記＜５＞に記載の有機電界発光表示装置である。
＜７＞  光制御層が、凹凸層を含む前記＜１＞から＜６＞のいずれかに記載の有機電界発光表示装置である。
＜８＞  光透過層と、光制御層と、発光層とが、光取出し面側からこの順で配され、かつ、前記光透過層と前記光制御層とが隣接する前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の有機電界発光表示装置である。
＜９＞  光透過層と、光制御層と、発光層とが、光取出し面側からこの順で配され、かつ、前記光透過層と前記光制御層とが一層隔てて配される前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の有機電界発光表示装置である。
＜１０＞  光透過層と、発光層と、光制御層とが、光取出し面側からこの順で配される前記＜１＞から＜７＞のいずれかに記載の有機電界発光表示装置である。
＜１１＞  光透過層が、少なくとも、フッ化物系材料、アルコキシシラン、エアロゲル、及び空気の少なくともいずれかを含む前記＜１＞から＜１０＞のいずれかに記載の有機電界発光表示装置である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によると、従来における問題を解決することができ、本発明は、光取出し効率が高く、かつ、画像のにじみが少ない有機電界発光表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の一の実施形態に係る有機電界発光表示装置１００の層構成を示す部分断面図である。
【図２】図２は、本発明の他の実施形態に係る有機電界発光表示装置２００の層構成を示す部分断面図である。
【図３】図３は、本発明の他の実施形態に係る有機電界発光表示装置３００の層構成を示す部分断面図である。
【図４】図４は、本発明の他の実施形態に係る有機電界発光表示装置４００の層構成を示す部分断面図である。
【図５】図５は、本発明の他の実施形態に係る有機電界発光表示装置５００の層構成を示す部分断面図である。
【図６】図６は、本発明の有機電界発光表示装置を平面からみたときの模式図である。
【図７】図７は、実施例及び比較例における有機電界発光表示装置の画像にじみを測定する方法を模式的に示した図である。
【図８】図８は、画像にじみと、隣接する画素間の距離２Ｒと、有機電界発光表示部を構成する層の厚みｔとの比、２Ｒ／ｔとの関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（有機電界発光表示装置）
本発明の有機電界発光表示装置は、面内に、有機電界発光表示部を複数備えてなる。
【００１３】
＜有機電界発光表示部＞
前記有機電界発光表示部は、第一に、一対の電極層と、有機化合物層と、光透過層と、光制御層と、を有し、赤副画素、緑副画素、及び青副画素の少なくともいずれかの副画素を含む画素として構成され、更に、必要に応じて、その他の層を有してなる。このとき、前記一対の電極層のうち、光取出し面側と反対側の電極層は、反射を担っている。ここで、「反射を担う」とは、光を反射することで、繰り返し光を利用する機能を有することをいい、前記光取出し面側と反対側の電極層の、前記光取出し面側とは反対側（前記光取出し面側と反対側の電極層の背部側）に、後述する有機化合物層の発光層から発光された光の光路を担う層が存在しないことを意味する。
また、前記有機電界発光表示部は、第二に、一対の電極層と、有機化合物層と、光透過層と、光制御層と、反射層と、を有し、赤副画素、緑副画素、及び青副画素の少なくともいずれかの副画素を含む画素として構成され、更に、必要に応じて、その他の層を有してなる。このとき、前記一対の電極層のうち、光取出し面側と反対側の電極層は、透過を担っており、前記反射層が前記光取出し面側と反対側の電極層における、前記光取出し面側とは反対側に形成されている。ここで、「一対の電極層における光取出し面側と反対側の電極層が透過を担う」とは、後述する有機化合物層の発光層から発光された発光層から発光される光を透過することをいい、前記光取出し面側と反対側の電極層の、前記光取出し面側とは反対側（前記光取出し面側と反対側の電極層の背部側）に、前記発光層から発光された光の光路を担う層が存在することを意味する。
【００１４】
−一対の電極層−
前記一対の電極層は、陽極と陰極とで構成され、前記有機化合物層に対して、正負の電圧を印加して、前記有機化合物層に含まれる発光層を発光させる層として構成される。
また、前記有機電界発光表示装置は、少なくとも光取出し面側に配される電極層が透明電極層として構成され、前記光取出し面側と反対側の電極層は、透明電極層であってもよく、透明電極層でなくてもよい。前記光取出し面側に配される透明電極層は、前記陽極及び陰極のいずれでもよい。
ここで、「光取出し面側の透明電極層」とは、前記光取出し側の電極層に対し、少なくとも前記発光層とは反対側の領域に、前記発光層から発光した光の光路が存在することを意味し、半透明電極（半透過電極）もその範囲に含まれる。前記半透過電極としては、極薄で形成したＡｇ膜などが好適に用いられる。
【００１５】
前記透明電極層における光の屈折率としては、特に制限はないが、１．５以上が好ましく、１．８以上がより好ましい。
一般的な有機電界発光素子の発光層が有する屈折率である屈折率１．８以上であると、発光層内部の高角度の導波光が電極まで取出すことができるが、一般的な有機電界発光素子の発光層が有する屈折率である屈折率１．８に満たないと、発光層内部の光の高角度成分が発光層と電極層との間で全反射するため、外部に取出すことができない成分が存在することがある。
なお、本明細書において、光の屈折率は、後述する発光層から発光される光の可視波長領域の光に対する光の屈折率を示す。可視波長領域とは、３８０ｎｍから８００ｎｍである。
【００１６】
前記透明電極層の厚みとしては、適用する電極に応じて、適宜選択することができ、後述する陽極、陰極の各厚みが好ましい。
【００１７】
−−陽極−−
前記陽極は、通常、前記有機化合物層に正孔を供給する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光装置の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。前記陽極は、通常、透明陽極として設けられる。
【００１８】
前記陽極の材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、導電性化合物、又はこれらの混合物が好適に挙げられる。陽極材料の具体例としては、アンチモンやフッ素等をドープした酸化錫（ＡＴＯ、ＦＴＯ）、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム（ＩＺＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、更にこれらの金属と導電性金属酸化物との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質、ポリアニリン、ポリチオフェン、ポリピロール等の有機導電性材料、及びこれらとＩＴＯとの積層物などが挙げられる。これらの中でも好ましいのは、導電性金属酸化物であり、特に、生産性、高導電性、透明性などの点からはＩＴＯが好ましい。
【００１９】
前記陽極は、例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、陽極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って、前記基板上に形成することができる。例えば、陽極の材料として、ＩＴＯを選択する場合には、陽極の形成は、直流又は高周波スパッタ法、真空蒸着法、イオンプレーティング法などに従って行うことができる。
【００２０】
前記陽極は、前記支持基板上に形成されるのが好ましい。この場合、前記陽極は、前記支持基板における一方の表面の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
【００２１】
なお、前記陽極を形成する際のパターニングとしては、フォトリソグラフィー等による化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザー等による物理的エッチングによって行ってもよく、また、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタなどをして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【００２２】
前記陽極の厚みとしては、陽極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常、１０ｎｍ〜５０μｍ程度であり、５０ｎｍ〜２０μｍが好ましい。
【００２３】
前記陽極の抵抗値としては、１０３Ω／□以下が好ましく、１０２Ω／□以下がより好ましい。陽極が透明である場合は、無色透明であっても、有色透明であってもよい。透明陽極側から発光を取出すためには、その透過率としては、６０％以上が好ましく、７０％以上がより好ましい。
【００２４】
なお、前記透明陽極については、沢田豊監修「透明導電膜の新展開」シーエムシー刊（１９９９）に詳述があり、ここに記載される事項を本発明に適用することができる。耐熱性の低いプラスティック基材を用いる場合は、ＩＴＯ又はＩＺＯを使用し、１５０℃以下の低温で成膜した透明陽極が好ましい。
【００２５】
−−陰極−−
前記陰極は、通常、有機化合物層に電子を注入する電極としての機能を有していればよく、その形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、発光装置の用途、目的に応じて、公知の電極材料の中から適宜選択することができる。
【００２６】
前記陰極を構成する材料としては、例えば、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物などが挙げられる。具体例としてはアルカリ金属（例えば、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ等）、アルカリ土類金属（たとえばＭｇ、Ｃａ等）、金、銀、鉛、アルミニウム、ナトリウム−カリウム合金、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金、インジウム、及びイッテルビウム等の希土類金属などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいが、安定性と電子注入性とを両立させる観点からは、２種以上を好適に併用することができる。
【００２７】
これらの中でも、前記陰極を構成する材料としては、電子注入性の点で、アルカリ金属やアルカリ土類金属が好ましく、保存安定性に優れる点で、アルミニウムを主体とする材料が好ましい。
前記アルミニウムを主体とする材料とは、アルミニウム単独、アルミニウムと０．０１質量％〜１０質量％のアルカリ金属又はアルカリ土類金属との合金若しくはこれらの混合物（例えば、リチウム−アルミニウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金など）をいう。
【００２８】
なお、前記陰極の材料については、特開平２−１５５９５号公報、特開平５−１２１１７２号公報に詳述されており、これらの公報に記載の材料は、本発明においても適用することができる。
【００２９】
前記陰極の形成方法については、特に制限はなく、公知の方法に従って行うことができる。例えば、印刷方式、コーティング方式等の湿式方式、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理的方式、ＣＶＤ、プラズマＣＶＤ法等の化学的方式などの中から、前記した陰極を構成する材料との適性を考慮して適宜選択した方法に従って形成することができる。例えば、陰極の材料として、金属等を選択する場合には、その１種又は２種以上を同時又は順次にスパッタ法等に従って行うことができる。
【００３０】
前記陰極を形成するに際してのパターニングは、フォトリソグラフィー等による化学的エッチングによって行ってもよいし、レーザー等による物理的エッチングによって行ってもよく、マスクを重ねて真空蒸着やスパッタなどをして行ってもよいし、リフトオフ法や印刷法によって行ってもよい。
【００３１】
前記陰極形成位置は、前記有機化合物層上が好ましい。この場合、陰極は、有機化合物層上の全部に形成されていてもよく、その一部に形成されていてもよい。
また、前記陰極と前記有機化合物層との間に、アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物、酸化物等による誘電体層を０．１ｎｍ〜５ｎｍの厚みで挿入してもよい。この誘電体層は、一種の電子注入層と見ることもできる。誘電体層は、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などにより形成することができる。
【００３２】
前記陰極の厚みは、陰極を構成する材料により適宜選択することができ、一概に規定することはできないが、通常１０ｎｍ〜５μｍ程度であり、５０ｎｍ〜１μｍが好ましい。
また、前記陰極は、透明であってもよいし、不透明であってもよい。なお、透明な陰極は、陰極の材料を１ｎｍ〜１０ｎｍの厚さに薄く成膜し、更にＩＴＯやＩＺＯ等の透明な導電性材料を積層することにより形成することができる。
【００３３】
−有機化合物層−
前記有機化合物層は、前記一対の電極層間に配され、少なくとも発光層を含む層として構成される。更に、必要に応じて、前記発光層以外の層として、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の各層を含むこととして構成される。
【００３４】
前記有機化合物層を構成する各層の形成方法としては、特に制限はなく、蒸着法やスパッタ法等の乾式製膜法、湿式塗布方式、転写法、印刷法、インクジェット方式等が挙げられる。
【００３５】
また、前記有機化合物層の厚みとしては、特に制限はないが、例えば、２ｎｍ〜５００ｎｍが好ましく、光取出し効率向上の観点から２ｎｍ〜３００ｎｍがより好ましい。
【００３６】
前記発光層、正孔輸送層、電子輸送層、電荷ブロック層、正孔注入層、電子注入層等の具体的な内容、及び、これらにより構成される前記有機電界発光表示装置の駆動方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、特開２００９−０１６１８４号公報、特開２００９−０１６５７９号公報、特開２００９−０３１７５０号公報等に記載の内容を適用することができる。
【００３７】
−−画素−−
前記の通り、前記有機電界発光表示部は、赤副画素、緑副画素、及び青副画素の少なくともいずれかの副画素を含む画素として構成される。
このような画素の構成としては、例えば「月刊ディスプレイ」、２０００年９月号、３３ページ〜３７ページに記載されているように、前記有機化合物層における発光層を、赤、緑、青に対応する光をそれぞれ発光する発光層とした副画素を形成し、これらの赤副画素、緑副画素、及び青副画素の少なくともいずれかの副画素を配する３色発光法など、公知の構成を適用することができる。
【００３８】
−光透過層−
前記光透過層は、前記発光層から発光される光を透過する層としてなり、低屈折材料で構成される。
即ち、前記光透過層の光の屈折率としては、例えば、１．０〜１．５が好ましく、１．０〜１．４がより好ましく、１．０〜１．１が特に好ましい。
前記屈折率が、１．５を超えると、基板ガラスより屈折率が大きくなり、ガラス内の導波成分を低減できず、にじみの発生につながることがある。
【００３９】
また、前記光透過層の厚みとしては、特に制限はないが、例えば、５０ｎｍ以上が好ましく、１００ｎｍ以上がより好ましく、２００ｎｍ以上が特に好ましい。
５０ｎｍに満たない非常に薄い膜の場合、エバネッセント光の染み出しが強くなり全反射角度成分も基板側へ導波してしまうことがある。
【００４０】
このような光透過層としては、特に制限はないが、例えば、フッ化物系材料、アルコキシシラン、エアロゲル、空気、などから構成される層であることが好ましい。
前記光透過層の形成方法としては、構成材料に応じて、適宜選択することができ、例えば、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法、スピンコート法等の蒸着法など、が挙げられる。
前記フッ化物系材料としては、特に制限はないが、低屈折率層を得られる観点から、フッ化マグネシウム、フッ化ソーダ、フッ化カルシウム、フッ化ランタン、フッ化リチウムなどが好ましい。
また、前記エアロゲルとしては、特に制限はないが、低屈折率層を得られる観点から、シリカエアロゲル、などが好ましい。
【００４１】
−光制御層−
前記光制御層は、前記発光層から発光される光の光路を制御する層として構成され、光の方向を変化させる機能を有する。
本明細書において、光制御層は、散乱層、回折格子層、凹凸層、マイクロレンズ層、ホログラムの少なくともいずれかを含む層とする。
【００４２】
前記光制御層の光の屈折率としては、特に制限はないが、例えば、１．５以上が好ましく、１．６以上がより好ましく、発光層の屈折率に近づける観点で１．８以上が特に好ましい。
【００４３】
また、前記光制御層の厚みとしては、特に制限はないが、例えば、１００μｍ以下が好ましく、１０μｍ以下がより好ましく、１μｍ以下が特に好ましい。
画素間間隔次第ではあるが、光制御層の厚みが厚いほどにじみが生じやすくなる。
【００４４】
前記光制御層としては、前記光の光路を制御するものであれば、特に制限はないが、例えば、散乱層、前記散乱層と光導波路形成層との積層体、前記散乱層と封止層との積層体などが挙げられる。
【００４５】
前記散乱層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、微粒子含有層、多孔質層、プリズム層、粗面化された表面を有する材料層などが挙げられる。
【００４６】
前記光導波路形成層は、発光層の屈折率と屈折率を近づけることにより、発光層内部の全反射成分を減らし、発光層内部の高角度の光成分を光制御層まで導く機能を有し、更に光導波路形成層の上部に有機電界発光層を製膜する構成においては、光制御層上部の凹凸を低減・平坦化させることで、有機電界発光装置の電極同士のショートを低減し装置性能を良化させる機能を有する、光導波路形成樹脂から形成される。
前記光導波路形成層の厚みとしては、特に制限はないが、１００μｍ以下が好ましく、１０μｍ以下がより好ましい。
前記光導波路形成層の光の屈折率としては、特に制限はないが、１．５以上が好ましく、１．８以上がより好ましい。
前記光導波路形成樹脂としては、特に制限はないがハロゲン系樹脂、カルコゲン系樹脂、構造内に芳香環を含有する樹脂、あるいは内部に１０ｎｍ以下の無機微粒子を含有させた樹脂が好ましい。
【００４７】
前記封止層は、水蒸気や酸素など有機電界発光装置の劣化原因となるガスの進入を防ぐ機能を有する。
前記封止層の厚みとしては、特に制限はないが、１００ｎｍ以上〜１０μｍが好ましく、封止性能の観点から３００ｎｍ〜１０μｍがより好ましい。
前記封止層の光の屈折率としては、特に制限はないが、１．５以上が好ましく、１．７以上がより好ましい。
前記封止層の構成材料としては、ＳｉＯＮ、ＳｉＮｘ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、などが好ましい。
前記封止層の形成方法としては、特に制限はなく、公知のＣＶＤ法などにより形成することができる。
【００４８】
−−微粒子含有層−−
前記微粒子含有層は、少なくとも、マトリクス剤と、微粒子とを含有する層として構成されることが好ましい。また、前記微粒子としては、第１の微粒子と、第２の微粒子とで構成されてもよい。
前記微粒子含有層の光の屈折率としては、特に制限はないが、１．５以上が好ましく、１．６５以上がより好ましい。
前記微粒子含有層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５μｍ未満であることが好ましい。
前記微粒子含有層の厚みが５μｍ以上であると、画素に区切った発光の際、光利用効率の低下や画像のにじみが問題になることがある。
【００４９】
−−−マトリクス剤−−−
前記マトリクス剤は、有機樹脂材料を母材とするものであり、前記有機樹脂材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、イミド系樹脂、アクリル系樹脂、エーテル系樹脂、シラン系樹脂などが挙げられる。
前記マトリクス剤の光の屈折率Ｎとしては、特に制限はないが、１．５＜Ｎが好ましく、１．６５＜Ｎがより好ましい。
【００５０】
−−−第１の微粒子−−−
前記第１の微粒子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、酸化亜鉛（屈折率：１．９〜２．０）、アルミナ（屈折率：約１．７）、酸化チタン（ＴｉＯ２）（屈折率：約２．６）、ジルコニア（ＺｒＯ２）（屈折率：約２．３）などの無機微粒子、メラミン（屈折率：約１．６）、ベンゾグアナミン（屈折率：約１．６５）などの有機微粒子が挙げられる。これらの中でも、屈折率が大きく少量でも効果が期待できる点で、酸化亜鉛、酸化チタン（ＴｉＯ２）、ジルコニア（ＺｒＯ２）が好ましい。
【００５１】
前記第１の微粒子の質量平均粒径としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５０ｎｍ未満が好ましい。前記第１の微粒子の質量平均粒径が５０ｎｍ以上であると、前記第１の微粒子が添加された前記有機樹脂材料の屈折率ｎ１を、前記有機電界発光表示装置における前記発光層の屈折率ｎ２に十分近づけることができないことがある。なお、前記第１の微粒子の質量平均粒径は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）での観察により測定され、計算される。
【００５２】
前記第１の微粒子は、微粒子含有層中に一次粒子として分散（単分散）していることが好ましい。前記第１の微粒子が微粒子含有層に一次粒子として分散することにより、光の取出し効率を更に向上させることができる。
また、第１の微粒子を微粒子含有層中に一次粒子として分散させる方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、粒子含有溶液への超音波照射、シランカップリング剤等の有機物による微粒子の表面処理、後述する微粒子分散剤の添加、分散剤と粒子を混合させた後の物理的粉砕などが挙げられる。
また、第１の微粒子が一次粒子として分散しているか否かは、粒度分布計により測定した粒度分布に基づいて確認することができる。測定された粒度分布のピークが１つであることは一次粒子分散を示し、測定された粒度分布のピークが２つ以上あることは二次粒子分散を示す。
【００５３】
−−−第２の微粒子−−−
前記第２の微粒子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、酸化亜鉛（屈折率：１．９〜２．０）、アルミナ（屈折率：約１．７）、酸化チタン（ＴｉＯ２）（屈折率：約２．６）、ジルコニア（ＺｒＯ２）（屈折率：約２．３）等の無機微粒子、メラミン（屈折率：約１．６）、ベンゾグアナミン（屈折率：約１．６５）等の有機微粒子が挙げられる。これらの中でも、屈折率が大きい点で、酸化亜鉛（屈折率：１．９〜２．０）、酸化チタン（ＴｉＯ２）（屈折率：約２．６）、ジルコニア（ＺｒＯ２）（屈折率：約２．３）が好ましい。
【００５４】
前記第２の微粒子の質量平均粒径としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、５０ｎｍ以上５μｍ以下が好ましい。前記第２の微粒子の質量平均粒径が５０ｎｍ未満であると、微粒子含有層に光散乱効果を十分に付与できないことがあり、５μｍを超えると、表面の平坦性の悪化又は膜厚化により、画素に区切った発光の際、光利用効率の低下や画像のにじみが問題になることがある。なお、前記第２の微粒子の質量平均粒径は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）での観察により測定される。
【００５５】
前記第２の微粒子は、微粒子含有層中に一次粒子として分散（単分散）していることが好ましい。前記第２の微粒子が微粒子含有層に一次粒子として分散することにより、光の取出し効率を更に向上させることができる。
また、第２の微粒子を微粒子含有層中に一次粒子として分散させる方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、粒子含有溶液への超音波照射、シランカップリング剤等の有機物による微粒子の表面処理、後述する微粒子分散剤の添加、分散剤と粒子を混合させた後の物理的粉砕、などが挙げられる。また、第２の微粒子が一次粒子として分散しているか否かは、粒度分布計により測定した粒度分布に基づいて確認することができる。測定された粒度分布のピークが１つであることは一次粒子分散を示し、測定された粒度分布のピークが２つ以上あることは二次粒子分散を示す。
【００５６】
前記微粒子含有層の具体的な形成方法としては、一例として、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）と、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（ＤＰＨＡ)とを質量比、１７：３（ＰＧＭＥＡ：ＤＰＨＡ）で混合したＤＰＨＡ溶液（マトリクス剤溶液）に酸化チタンなどの微粒子を添加し、これをスピンコート法により塗設する方法が挙げられる。
【００５７】
−−凹凸層−−
前記凹凸層としては、凹凸構造を含む層であれば、特に制限はないが、平坦化膜により凹凸構造が平坦化されるように構成される層が好ましい。
前記凹凸層を含む光制御層とするにより、光を散乱あるいは回折させることで、光の方向を変化させ、従来取出されなかった光を外部に取出すことができる。
前記凹凸層の厚みとしては、特に制限はなく、１００ｎｍ〜１０μｍが好ましく、３００ｎｍ〜１０μｍがより好ましい。
【００５８】
前記凹凸構造における凸部の構造としては、特に制限はなく、円柱状、方形状、球状などとすることができる。
また前記凹凸構造としては、非周期的に形成されていてもよいが、周期的に形成されていることが好ましい。
前記凹凸構造の周期（ピッチ間隔）としては、特に制限はないが、４００ｎｍ〜５μｍが好ましい。
前記凹凸構造の凹部における深さとしては、特に制限はなく、１００ｎｍ〜５μｍが好ましく、３００ｎｍ〜５μｍがより好ましい。
前記凹部における深さが、１００ｎｍに満たないと、所望の回折能を得ることが難しくなることがある。
【００５９】
前記凹凸構造の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、公知のリソグラフィー法、エッチング法、インプリント法により形成することができる。
【００６０】
前記平坦化膜の材料としては、特に制限はないが、高屈折材料が好ましい。
前記高屈折材料としては、特に制限はないが、ＳｉＯＮ、ＳｉＮｘ、ＺｒＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＳ、あるいはハロゲン系樹脂、カルコゲン系樹脂、構造内に芳香環を含有する樹脂、あるいは内部に１０ｎｍ以下の無機微粒子を含有させた樹脂などが好ましい。
前記高屈折材料の光の屈折率としては、特に制限はないが、１．５以上が好ましく、１．６５以上がより好ましい。
【００６１】
−−マイクロレンズ層−−
前記マイクロレンズ層は、定着剤上にマイクロレンズを複数配した層として構成される。
前記マイクロレンズ層を含む光制御層とすると、レンズ形状により光の方向を変化させることができる。
前記マイクロレンズの形状としては、球状、楕円状、台形状など特に制限はなく、配列としては正方格子あるいはハニカム形状などが好ましい。
前記マイクロレンズの厚み（レンズ高さ）としては、特に制限はないが、１μｍ〜５００μｍが好ましく、５μｍ〜５００μｍがより好ましい。
前記定着剤としては、マイクロレンズを定着できるものであれば、特に制限はなく、例えば、イマージョンオイルなどが挙げられる。
【００６２】
前記マイクロレンズ層の厚みとしては、特に制限はないが、１μｍ〜５００μｍが好ましく、５μｍ〜５００μｍがより好ましい。
【００６３】
−反射層−
前記反射層は、光を反射することで、繰り返し光を利用する機能を有する層である。また、前記反射層は、電極を兼ねることもある。
前記一対の電極層において、前記光取出し面側の電極層、及び前記光取出し面側と反対側の電極層が共に透明電極層である場合、前記反射層は、前記光取出し面側と反対側の電極層における、前記光取出し面側とは反対側に形成される。なお前記透明電極層には半透明電極層を含む。
前記反射層の構成材料としては、特に制限はなく、Ａｇ、Ａｌ、などが挙げられる。
【００６４】
−その他の層−
前記その他の層としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、基板、バッファー層などが挙げられる。
【００６５】
−−基板−−
前記基板としては、前記基板としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、有機化合物層から発せられる光を散乱又は減衰させない基板であることが好ましい。その具体例としては、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）、ガラス等の無機材料、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の有機材料、などが挙げられる。
例えば、基板としてガラスを用いる場合、その材質については、ガラスからの溶出イオンを少なくするため、無アルカリガラスを用いることが好ましい。また、ソーダライムガラスを用いる場合には、シリカなどのバリアコートを施したものを使用することが好ましい。有機材料の場合には、耐熱性、寸法安定性、耐溶剤性、電気絶縁性、加工性に優れていることが好ましい。
【００６６】
前記基板の形状、構造、大きさ、などについては、特に制限はなく、発光装置の用途、目的、などに応じて適宜選択することができる。一般的には、基板の形状としては、板状であることが好ましい。基板の構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、また、単一部材で形成されていてもよいし、２以上の部材で形成されていてもよい。
【００６７】
前記基板は、無色透明であっても、有色透明であってもよいが、有機発光層から発せられる光を散乱又は減衰などさせることがない点で、無色透明であることが好ましい。
【００６８】
前記基板には、その表面又は裏面に透湿防止層（ガスバリア層）を設けることができる。
前記透湿防止層（ガスバリア層）の材料としては、窒化珪素、酸化珪素等の無機物が好適に用いられる。透湿防止層（ガスバリア層）は、例えば、高周波スパッタリング法などにより形成することができる。
熱可塑性基板を用いる場合には、更に必要に応じて、ハードコート層、アンダーコート層などを設けてもよい。
【００６９】
−−バッファー層−−
前記バッファー層は、バッファー層の下地層と光制御層との密着を改良したり、光透過層への光制御層構成材料の進入を防ぐ機能を有する層であり、例えば、前記光透過層と、前記光制御層との間に配されることが好ましい。
前記バッファー層の構成材料としては、特に制限はなく、ＳｉＯＮ、ＳｉＮｘ、などが挙げられる。
前記バッファー層の厚みとしては、１０ｎｍ以上が好ましく、５０ｎｍ以上がより好ましい。
【００７０】
＜有機電界発光表示部の配置＞
上述の通り、前記有機電界発光表示部は、赤副画素、緑副画素、及び青副画素の少なくともいずれかの副画素を含む画素として構成され、本発明の前記有機電界発光表示装置は、前記有機電界発光表示部を面内に、複数備えてなる。
前記有機電界発光表示装置は、前記副画素のうち、隣接する同色の副画素間の最短距離を２Ｒとし、前記有機化合物層と、前記透明電極層と、前記光制御層との合計の厚みをｔとしたとき、次式、９≦２Ｒ／ｔの関係を満たすように構成される。
前記２Ｒ／ｔが、９以上であると、画像にじみを低減させることができる（図８参照）。
また、前記２Ｒ／ｔが９未満であると、画像のにじみが問題となる。
更に、前記２Ｒ／ｔとしては、１５以上が好ましく、４０以上がより好ましい。
該好ましい数値範囲においては、極めて優れて、画像にじみを低減させることができる。即ち、合計の厚みをｔとする、前記有機化合物層、前記透明電極層、及び前記光制御層は、これらの層のうち、いずれかの層において、画素（副画素）間でとぎれることなく、一層の共通化された層として構成される層である。本発明によると、各画素間で共通化される前記層において、光の導波することに基づく画像にじみを低減することができる。
【００７１】
前記２Ｒ（副画素のうち、隣接する同色の副画素間の最短距離）について、図を用いて説明する。
図６は、本発明の有機電界発光表示装置を平面からみた模式図である。該有機電界発光表示装置は、面内に画素５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄを備えている。
画素５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄは、それぞれ、赤（５１Ｒ）、緑（５１Ｇ）、青（５１Ｂ）の副画素を有している。
このとき、画素５０ａにおける副画素５１Ｒを基準とすると、画素５０ｂにおける副画素５１Ｒの方が、前記画素５０ｃにおける副画素５１Ｒ、及び、画素５０ｄにおける副画素５１Ｒよりも、画素５０ａにおける副画素５１Ｒとの間で、同色の副画素間での最短距離を構成するため、画素５０ａにおける副画素５１Ｒと画素５０ｂにおける副画素５１Ｒとの距離を前記２Ｒとする。
【００７２】
前記２Ｒの距離は、顕微鏡などによる観察により測定することができる。
また、前記ｔの厚みは、ＳＥＭなどの断面観察により測定することができる。
【００７３】
なお、画像のにじみ（図８参照）は、有機電界発光表示部を点灯させた状態で、顕微鏡の下に置き、その発光画像をＣＣＤで取り込み、該発光画像は、Ｘライン上の輝度量を数ライン取り込み、平均化のデータ処理を行い、グラフ化することで測定することができる（図７参照）。
【００７４】
以下では、本発明の有機電界発光表示装置の実施形態について、図を用いて説明するが、本発明の思想は、これらの実施形態に限られるものではない。
【００７５】
＜＜第１の実施形態＞＞
図１は、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置１００の層構成を示す部分断面図である。
該図１に示す通り、有機電界発光表示装置１００は、光取出し面側から、透明基板１と、光透過層２と、散乱層３（光制御層）と、透明電極層４と、発光層５と、反射電極層６とがこの順で配されている。
このような層構成からなる有機電界発光表示装置１００においては、発光層で発光した光が、散乱層３（光制御層）と、透明電極層４と、発光層５内で繰り返し利用され散乱層により、外部に取出されるため、光取出し効率を向上させることができる。
【００７６】
＜＜第２の実施形態＞＞
図２は、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置２００の層構成を示す部分断面図である。
該図２に示す通り、有機電界発光表示装置２００は、光取出し面側から、透明基板１と、光透過層２と、バッファー層７と、散乱層３（光制御層）と、透明電極層４と、発光層５と、反射電極層６とがこの順で配されている。
このような層構成からなる有機電界発光表示装置２００においては、発光層で発光した光が、バッファー層７と、散乱層３（光制御層）と、透明電極層４と、発光層５で繰り返し利用され散乱層３（光制御層）により、外部に取出されるため、光取出し効率を向上させることができる。
【００７７】
＜＜第３の実施形態＞＞
図３は、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置３００の層構成を示す部分断面図である。
該図３に示す通り、有機電界発光表示装置３００は、光取出し面側から、透明基板１と、光透過層２と、透明電極層４と、発光層５と、透明電極層４と、散乱層３（光制御層）と、反射層８とがこの順で配されている。
このような層構成からなる有機電界発光表示装置３００においては、発光層５で発光した光が、透明電極層４と、発光層５と、透明電極層４と、散乱層３（光制御層）と、で繰り返し利用され、散乱層３（光制御層）により、外部に取出されるため、光取出し効率を向上させることができる。
【００７８】
＜＜第４の実施形態＞＞
図４は、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置４００の層構成を示す部分断面図である。
該図４に示す通り、有機電界発光表示装置４００は、光取出し面側から、光透過層２と、透明電極層４と、発光層５と、透明電極層４と、散乱層３（光制御層）と、反射層８と、基板９とがこの順で配されている。
このような層構成からなる有機電界発光表示装置４００においては、発光層５で発光した光が、透明電極層４と、散乱層３（光制御層）と、発光層５で繰り返し利用され、散乱層３（光制御層）により、外部に取出されるため、光取出し効率を向上させることができる。
【００７９】
＜＜第５の実施形態＞＞
図５は、本発明の実施形態に係る有機電界発光表示装置５００の層構成を示す部分断面図である。
該図５に示す通り、有機電界発光表示装置５００は、光取出し面側から、光透過層２と、散乱層３（光制御層）と、封止層１０（光制御層）と、透明電極層４と、発光層５と、反射電極層６と、基板９とがこの順で配されている。
このような層構成からなる有機電界発光表示装置５００においては、発光層５で発光した光が、散乱層３（光制御層）と、封止層１０（光制御層）と、透明電極層４と、発光層５で繰り返し利用され散乱層３（光制御層）により、外部に取出されるため、光取出し効率を向上させることができる。
【実施例】
【００８０】
以下に本発明の実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００８１】
（実施例１）
−分散液１の調製−
プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ：和光製）と、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（ＤＰＨＡ：ｎ＝１．５４、日本化薬製)とを質量比、１７：３（ＰＧＭＥＡ：ＤＰＨＡ）で混合したＤＰＨＡ溶液を調製した。
該ＤＰＨＡ溶液１質量部に対し、質量平均一次粒子径３００ｎｍの酸化チタン(ｎ＝２．６：石原産業製)を０．０５質量部、分散剤ｓｏｌｓｐｅｒｓｅ３６０００：を０．００５質量部加えた後、超音波分散で分散液１を調製した。
【００８２】
−有機電界発光表示装置の製造−
ガラス基板上に、フッ化マグネシウムを蒸着で製膜（ｎ＝１．３７、光透過層）し、このフッ化マグネシウム膜の上から、分散液１をスピンコートにより塗布した後、２００℃で乾燥を行い散乱層（光制御層）を形成した。乾燥後の散乱層の厚みは、０．８μｍであった。
前記散乱層上に、ＩＴＯ膜からなる透明電極層（光取出し面側の電極層）０．２５μｍと、有機化合物層０．３５μｍと、反射電極層とをこの順で真空製膜し、有機電界発光表示部を作製した。前記散乱層（光制御層）と、前記有機化合物層と、前記ＩＴＯ層との合計の厚みは、１．４μｍであった。
ガラス基板上に、前記有機電界発光表示部と同様の有機電界発光表示部を、画素間距離が１００μｍとなるように作製し、実施例１における有機電界発光表示装置を製造した。
なお、前記画素間距離（１００μｍ）は、隣接する同色の副画素間の最短距離に該当し、以下の実施例、比較例においても同様とした。
また、実施例１における有機電界発光表示部の層構成は、光取出し面側から、基板／光透過層／光制御層／透明電極層／有機化合物層／反射電極層からなる層構成１とした（図１参照）。
【００８３】
（実施例２）
−分散液２の調製−
分散液１の調製において、酸化チタンの添加量を０．０５質量部から０．０１７質量部に変えたこと、分散剤ｓｏｌｓｐｅｒｓｅ３６０００の添加量を０．００５質量部から０．００１７質量部に変えたこと以外は、分散液１の調製と同様にして、分散液２を調製した。
【００８４】
−有機電界発光表示装置の製造−
実施例１において、分散液１に代えて分散液２を用いて散乱層（光制御層）を形成したこと、乾燥後の厚みが０．８μｍに変えて２．４μｍとなるように散乱層を形成したこと、結果、該散乱層（光制御層）と、有機化合物層と、ＩＴＯ層との合計の厚みを１．４μｍに変えて３．０μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例２における有機電界発光表示装置を製造した。
【００８５】
（実施例３）
−分散液３の調製−
分散液１の調製において、酸化チタンの添加量を０．０５質量部から０．００４質量部に変えたこと、分散剤ｓｏｌｓｐｅｒｓｅ３６０００の添加量を０．００５質量部から０．０００４質量部に変えたこと以外は、分散液１の調製と同様にして、分散液３を調製した。
【００８６】
−有機電界発光表示装置の製造−
実施例１において、分散液１に代えて分散液３を用いて散乱層（光制御層）を形成したこと、乾燥後の厚みが０．８μｍに変えて９．４μｍとなるように散乱層を形成したこと、この結果、該散乱層（光制御層）と、有機化合物層と、ＩＴＯ層との合計の厚みを１．４μｍに変えて１０．０μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例３における有機電界発光表示装置を製造した。
【００８７】
（実施例４）
−分散液４の調製−
分散液１の調製において、酸化チタンの添加量を０．０５質量部から０．１質量部に変えたこと、分散剤ｓｏｌｓｐｅｒｓｅ３６０００の添加量を０．００５質量部から０．０１質量部に変えたこと以外は、分散液１の調製と同様にして、分散液４を調製した。
【００８８】
−有機電界発光表示装置−
実施例１において、厚みは変えず、分散液１に代えて分散液４を用いて散乱層（光制御層）を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例４における有機電界発光表示装置を製造した。
【００８９】
（実施例５）
−分散液５の調製−
分散液１の調製において、酸化チタンの添加量を０．０５質量部から０．０１質量部に変えたこと、分散剤ｓｏｌｓｐｅｒｓｅ３６０００の添加量を０．０５質量部から０．００１質量部に変えたこと以外は、分散液１の調製と同様にして、分散液５を調製した。
【００９０】
−有機電界発光表示装置−
実施例１において、厚みは変えず、分散液１に代えて分散液５を用いて散乱層（光制御層）を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例５における有機電界発光表示装置を製造した。
【００９１】
（実施例６）
−分散液６の調製−
実施例１において、ＤＰＨＡ溶液に代えて、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ：和光製）とポリペンタブロモベンジルメタクリレートとグリシルメタクリレートの共重合体（ｎ＝１．７１：シグマ−アルドリッチ社製）とを質量比、１７：３の比で混合した共重合体溶液を用いたこと以外は、分散液１と同様にして、分散液６を調製した。
【００９２】
−有機電界発光表示装置−
実施例１において、厚みは変えず、分散液１に代えて分散液６を用いて散乱層（光制御層）を形成したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例６における有機電界発光表示装置を製造した。
【００９３】
（実施例７）
実施例１において、ガラス基板上に、フッ化マグネシウムを蒸着で製膜（ｎ＝１．３７、光透過層）することに代えて、同じ厚みのシリカエアロゲル膜（ｎ＝１．０５、光透過層）を製膜したこと、光透過層上に分散液１をスピンコートにより塗布した後、２００℃で乾燥を行い散乱層（光制御層）を形成することに代えて、光透過層上にＳｉＯ２を真空製膜した後に、散乱層（光制御層）をスピンコートにより同じ厚みで形成したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例７における有機電界発光表示装置を製造した。
なお、実施例７における有機電界発光表示部の層構成は、光取出し面側から、基板／光透過層／光制御層（バッファー層）／透明電極層／有機化合物層／反射電極層からなる層構成２とした。
また、前記シリカエアロゲル膜（ｎ＝１．０５、光透過層）の製膜は、以下のように行った。即ち、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）とエタノールとを混合させたテトラメトキシシラン溶液をガラス基板上にスピンコートした。続いて、該基板をアンモニア水蒸気で満たされた容器内に室温保持することでゲル化反応を促進させ、ウエットゲルを形成した。
ゲル化処理後の前記基板をエタノール中に浸漬させてウエットゲル内を全てエタノールで置換した。このエタノールに浸漬させた状態の薄膜を、超臨界乾燥した。
乾燥後に得られた膜に対してヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）蒸気による処理を施し、シリカエアロゲル膜（ｎ＝１．０５）を製膜した。
【００９４】
（実施例８）
実施例１において、ガラス基板上にフッ化マグネシウムを製膜（ｎ＝１．３７、光透過層）することに代えて、ガラス基板上にＡｇ反射層を真空製膜したこと、散乱層上に、ＩＴＯ膜からなる透明電極層と、有機化合物層と、反射電極層とをこの順で真空製膜することに代えて、散乱層上に、ＩＴＯ膜からなる透明電極層０．１５μｍと、有機化合物層０．３μｍと、ＩＺＯ膜からなる透明電極層（光取出し面側の電極層）０．１５μｍとをこの順で真空製膜し、更に、フッ素系樹脂であるＣＹＴＯＰ（ＣＴＸ−８０７−ＡＰ）、旭硝子製）をスピンコートで製膜（ｎ＝１．３４、光透過層）後、１００℃で１時間加熱硬化させて有機電界発光表示部を作製したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例８における有機電界発光表示装置を製造した。なお、前記散乱層と、前記ＩＴＯ膜からなる透明電極層と、前記有機化合物層と、前記ＩＺＯ膜からなる透明電極層との合計の厚みは、１．４μｍであった。
なお、実施例８における有機電界発光表示部の層構成は、光取出し面側から、光透過層／透明電極層／有機化合物層／透明電極層／光制御層／反射層／基板からなる層構成３とした（図４参照）。
【００９５】
（実施例９）
実施例８において、散乱層の厚みを０．８μｍから０．６μｍに変えたこと、該散乱層上に、ＩＴＯ膜からなる透明電極層と、有機化合物層と、ＩＺＯ膜からなる透明電極層（光取出し面側の電極層）とをこの順で真空製膜することに代えて、ＩＴＯ膜からなる透明電極層０．３８μｍと、有機化合物層０．４μｍと、Ａｇ半透過電極層（光取出し面側の電極層）０．０２μｍとをこの順で真空製膜したこと以外は、実施例８と同様にして、実施例９における有機電界発光表示装置を製造した。前記散乱層と、前記半透過電極層（Ａｇ層）と、前記有機化合物層と、前記ＩＴＯ膜からなる透明電極層の合計の厚みは、１．４μｍとした。
なお、実施例９における有機電界発光表示部の層構成は、光取出し面側から、光透過層／半透過電極層／有機化合物層／透明電極層／光制御層／反射層／基板からなる層構成４とした。
【００９６】
（実施例１０）
ガラス基板上にフッ化マグネシウムを蒸着で製膜（ｎ＝１．３７、光透過層）後、分散液１をスピンコートにより製膜し２００℃で乾燥を行い乾燥膜厚として０．６μｍの散乱層（光制御層）を得た。該散乱層上に、光導波路形成樹脂（ｎ＝１．７  ＮＴＴ−ＡＴ製、光制御層）をスピンコートで製膜した（厚み４μｍ）。
次いで、別のガラス基板上に、反射電極層と、有機化合物層０．３８μｍと、Ａｇ膜からなる半透過電極層（光取出し面側の電極層）０．０２μｍとをこの順で真空製膜した後、該ガラス基板の透明電極層と、他のガラス基板に形成された光導波路形成樹脂層とが当接する状態で各ガラス基板を貼り合わせ、ＵＶ硬化を行い、有機電界発光表示部を作製した。前記光制御層（散乱層及び光導波路形成樹脂層）と、前記有機化合物層と、前記透明電極層との厚みの合計は、５μｍであった。
前記有機電界発光表示部と同様の有機電界発光表示部を、画素間距離が１００μｍとなるように作製し、実施例１０における有機電界発光表示装置を製造した。
なお、実施例１０における有機電界発光表示部の層構成は、光取出し面側から、基板／／光透過層／光制御層（散乱層及び光導波路形成樹脂層）／透明電極層／有機化合物層／反射電極層／基板からなる層構成５とした。
【００９７】
（比較例１）
実施例１において、分散液１をスピンコートすることに代えて、ＤＰＨＡ溶液をスピンコートし、光制御層を形成しないこと以外は、実施例１と同様にして、比較例１における有機電界発光表示装置を製造した。
【００９８】
（比較例２）
−分散液７の調製−
分散液１の調製において、酸化チタンの添加量を０．０５質量部から０．００３質量部に変えたこと、分散剤（ｓｏｌｓｐｅｒｓｅ３６０００）の添加量を０．００５質量部から０．０００３質量部に変えたこと以外は、分散液１の調製と同様にして、分散液７を調製した。
【００９９】
−有機電界発光表示装置の製造−
実施例１において、分散液１に代えて分散液７を用いて散乱層を形成したこと、乾燥後の厚みが０．８μｍに変えて１４．４μｍとなるように散乱層を形成したこと、結果、該散乱層と、有機化合物層と、ＩＴＯ層との合計の厚みを１．４μｍに変えて１５．０μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例２における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１００】
（比較例３）
−分散液８の調製−
分散液１の調製において、酸化チタンの添加量を０．０５質量部から０．００１質量部に変えたこと、分散剤（ｓｏｌｓｐｅｒｓｅ３６０００）の添加量を０．００５質量部から０．０００１質量部に変えたこと以外は、分散液１の調製と同様にして、分散液８を調製した。
【０１０１】
−有機電界発光表示装置の製造−
実施例１において、分散液１に代えて分散液８を用いて散乱層（光制御層）を形成したこと、乾燥後の厚みが０．８μｍに変えて２９．４μｍとなるように散乱層を形成したこと、結果、該散乱層（光制御層）と、有機化合物層と、ＩＴＯ電極層との合計の厚みを１．４μｍに変えて３０．０μｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして、比較例３における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１０２】
（比較例４）
実施例６において、分散液６をスピンコートすることに代えて、共重合体溶液をスピンコートし、光制御層を形成しないこと以外は、実施例６と同様にして、比較例４における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１０３】
（比較例５）
実施例６において、乾燥後の厚みが０．８μｍに変えて１９．４μｍとなるように散乱層（光制御層）を形成したこと、結果、該散乱層（光制御層）と、有機化合物層と、ＩＴＯ電極層との合計の厚みを１．４μｍに変えて２０μｍとしたこと以外は、実施例６と同様にして、比較例５における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１０４】
（比較例６）
実施例８において、分散液１をスピンコートすることに代えてＤＰＨＡ溶液をスピンコートし、光制御層を形成しないこと以外は、実施例８と同様にして、比較例６における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１０５】
（比較例７）
実施例８において、乾燥後の厚みが０．８μｍに変えて１９．４μｍとなるように散乱層（光制御層）を形成したこと、結果、該散乱層（光制御層）と、有機化合物層と、ＩＴＯ電極層との合計の厚みを１．４μｍに変えて２０μｍとしたこと以外は、実施例８と同様にして、比較例７における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１０６】
（比較例８）
実施例９において、分散液１をスピンコートすることに代えて、ＤＰＨＡ溶液をスピンコートし、光制御層を形成しないこと以外は、実施例９と同様にして、比較例８における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１０７】
（比較例９）
実施例９において、乾燥後の厚みが０．６μｍに変えて１９．２μｍとなるように散乱層（光制御層）を形成したこと、結果、該散乱層（光制御層）と、Ａｇ半透過電極層と、有機化合物層との合計の厚みを１．４μｍに変えて２０μｍとしたこと以外は、実施例９と同様にして、比較例９における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１０８】
（比較例１０）
実施例１０において、分散液１をスピンコートすることに代えて、ＤＰＨＡ溶液をスピンコートし、光制御層を形成しないこと以外は、実施例１０と同様にして、比較例１０の有機電界発光表示装置を製造した。
【０１０９】
（比較例１１）
実施例１０において、光導波路形成樹脂の厚みを４μｍから１６μｍに変えたこと、光制御層（散乱層及び光導波路形成樹脂層）と、有機化合物層と、透明電極層との合計の厚みを５μｍから１７μｍとしたこと以外は、実施例１０と同様にして、比較例１１における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１１０】
（実施例１１）
実施例１において、光制御層として、散乱層に代えて、凹凸構造を有する凹凸層を製膜したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例１１における有機電界発光表示装置を製造した。
前記凹凸層の製膜は、以下のように行った。即ち、光透過層上に、ＳｉＯ２薄膜をＣＶＤで１μｍ堆積させた。該ＳｉＯ２薄膜に対して、リソグラフィー及び塩素系ガスによるドライエッチングを行い、Ｃｒ金属パターンを形成した。このＣｒ金属パターンに対して、フッ素系ガスによるドライエッチングを行い、周期１．８μｍ、外形（直径）１．４μｍ、高さ１．２μｍの円柱状からなる凸部を複数形成し、凹凸構造を得た。なお、Ｃｒ金属を除去した状態のＳｉＯ２薄膜の屈折率は、１．５であった。前記凹凸構造に対して、該凹凸構造の凹部を埋めるように、高屈折材料としてのＳｉＯＮ層（屈折率１．７〜１．９）をＣＶＤで２μｍ製膜し、平坦化を行い、前記凹凸層を形成した（厚み２μｍ）。
前記凹凸層上に、ＩＴＯ膜からなる透明電極層（光取出し面側の電極）と、有機化合物層と、反射電極層とをこの順で真空製膜し、有機電界発光表示部を作製したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例１１における有機電界発光表示装置を製造した。前記光制御層（凹凸層）と、有機化合物層と、透明電極層との合計の厚みは、２．６μｍであった。
【０１１１】
（実施例１２）
実施例１１において、ＳｉＯ２とＳｉＯＮ層とで構成される凹凸層の厚みを２μｍから３．６μｍに変えたこと、光制御層と、有機化合物層と、透明電極層との厚みの合計を、２．６μｍから４．２μｍに変えたこと以外は、実施例１１と同様にして、実施例１２における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１１２】
（実施例１３）
実施例１１において凹凸層の厚みを２μｍから１０．５μｍに変えたこと、光制御層と、有機化合物層と、透明電極層との厚みの合計を、２．６μｍから１１．１μｍに変えたこと以外は、実施例１１と同様にして、実施例１３における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１１３】
（実施例１４）
実施例７において、光制御層として、散乱層に代えて、実施例１１に記載の凹凸構造を有する凹凸層を製膜したこと、光制御層と、有機化合物層と、透明電極層との合計の厚みを１．４μｍから２．６μｍに変えたこと以外は、実施例７と同様にして、実施例１４における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１１４】
（実施例１５）
実施例８において、光制御層として、散乱層に代えて、実施例１１に記載の凹凸構造を有する凹凸層を製膜したこと、光制御層と、有機化合物層と、透明電極層との合計の厚みを１．４μｍから２．６μｍに変えたこと以外は、実施例８と同様にして、実施例１５における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１１５】
（実施例１６）
実施例９において、光制御層として、散乱層に代えて、実施例１１に記載の凹凸構造を有する凹凸層を製膜したこと以外は、実施例９と同様にして、実施例１６における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１１６】
（実施例１７）
ガラス基板上にフッ化マグネシウムを蒸着で製膜（ｎ＝１．３７、光透過層）後、該光透過層上に、実施例１１に記載の凹凸構造を有する凹凸層を製膜した。該凹凸層上に、光導波路形成樹脂（ｎ＝１．７  ＮＴＴ−ＡＴ製、光制御層）をスピンコートで該凹凸構造の凹部を埋めるように製膜し、前記凹凸層を形成した（厚み２μｍ）。
次いで、別のガラス基板上に、反射電極層と、有機化合物層と、Ａｇ膜からなる透明電極層（光取出し面側の電極層）とをこの順で真空製膜した後、該ガラス基板の透明電極層と、他のガラス基板に形成された光導波路形成樹脂層とが当接する状態で各ガラス基板を貼り合わせ、ＵＶ硬化を行い、実施例１７における有機電界発光表示装置を作製した。前記光制御層（凹凸層及び光導波路形成樹脂層）と、前記有機化合物層と、前記透明電極層との厚みの合計は、２．６μｍであった。
なお、実施例１７における有機電界発光表示部の層構成は、光取出し面側から、基板／光透過層／光制御層（凹凸層及び光導波路形成樹脂層）／透明電極層／有機化合物層／反射電極層／基板からなる層構成５とした。
【０１１７】
（比較例１２）
実施例１１において、光制御層を形成しないこと以外は、実施例１１と同様にして、比較例１２の有機電界発光表示装置を製造した。
【０１１８】
（比較例１３）
実施例１１において、凹凸層の厚みを２μｍから１６．１μｍに変えたこと、光制御層と、有機化合物層と、透明電極層との厚みの合計を２．６μｍから１６．７μｍに変えたこと以外は実施例１１と同様にして、比較例１３における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１１９】
（比較例１４）
実施例１１において、凹凸層の厚みを２μｍから３２．７μｍに変えたこと、光制御層と、有機化合物層と、透明電極層との厚みの合計を２．６μｍから３３．３μｍに変えたこと以外は実施例１１と同様にして、比較例１４における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１２０】
（比較例１５）
実施例１５において、光制御層を形成しないこと以外は、実施例１５と同様にして、比較例１５における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１２１】
（比較例１６）
実施例１５において、凹凸層の厚みを２μｍから１９．４μｍに変えたこと、光制御層と、有機化合物層と、透明電極層との厚みの合計を２．６μｍから２０．０μｍに変えたこと以外は実施例１５と同様にして、比較例１６における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１２２】
（比較例１７）
実施例１６において、光制御層を形成しないこと以外は、実施例１６と同様にして、比較例１７における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１２３】
（比較例１８）
実施例１６において、凹凸層の厚みを２μｍから１９．４μｍに変えたこと、光制御層と、有機化合物層と、透明電極層との厚みの合計を２．６μｍから２０．０μｍに変えたこと以外は実施例１６と同様にして比較例１８における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１２４】
（比較例１９）
実施例１７において、光制御層を形成しないこと以外は、実施例１７と同様にして、比較例１９における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１２５】
（比較例２０）
実施例１７において、凹凸層の厚みを２μｍから１６．１μｍに変えたこと、光制御層と、有機化合物層と、透明電極層との厚みの合計を２．６μｍから１６．７μｍに変えたこと以外は、実施例１７と同様にして、比較例２０における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１２６】
（実施例１８）
ガラス基板上に、Ａｌ反射電極層と、有機化合物層と、ＩＴＯ膜からなる透明電極層（光取出し面側の電極層）とをこの順で真空製膜した後、封止層として機能する光制御層としてＳｉＯＮ層をＣＶＤ法により１μｍ製膜した（ｎ＝１．７）。その上に分散液１をスピンコート法により塗布し、１００℃で３０分乾燥させ０．８μｍの散乱層（光制御層）を形成した。この光制御層上に、光透過層として空気層を介してガラス封止を行ない有機電界発光表示部を作製した。有機化合物層と、透明電極層と、光制御層（封止層及び散乱層）との合計の厚みは、２．４μｍであった。
ガラス基板上に、前記有機電界発光表示部と同様の有機電界発光表示部を、画素間距離が１００μｍとなるように作製し、実施例１８における有機電界発光表示装置を製造した。
なお、実施例１８における有機電界発光表示部の層構成は、光取出し面側から、透明基板／光透過層／光制御層（封止層及び散乱層）／透明電極層／有機化合物層／反射電極層／基板からなる層構成６とした（図５参照）。
【０１２７】
（実施例１９）
実施例１８において、封止層として機能する光制御層として、厚みは変えず、ＳｉＯＮ層に代えてＳｉＮｘ層をＣＶＤ法により製膜した（ｎ＝２．０）こと以外は、実施例１８と同様にして、実施例１９の有機電界発光表示装置を製造した。
【０１２８】
（実施例２０）
光取出し面側の電極層として、ＩＴＯ膜からなる透明電極層に代えて、Ａｇ膜からなる半透過電極層を同じ厚みで真空製膜したこと以外は、実施例１８と同様にして、実施例２０の有機電界発光表示装置を製造した。
【０１２９】
（実施例２１）
実施例１８において、分散液１からなる散乱層に代えて、ＳｉＯＮ層（封止層）上に、イマージョンオイル（ＴＹＰＥ  Ｂ、カーギル社製）膜１０μｍと、裏面を研磨したマイクロレンズ（製品コード１１−１２５４−１００−０００、ＳＵＳＳ  Ｍｉｃｒｏ  ｏｐｔｉｃｓ社製）１００μｍとからなる散乱層を配したこと、結果、有機化合物層と、透明電極層と、光制御層（封止層及び散乱層）との合計の厚みを１００μｍに変えて１１０μｍとしたこと画素間距離を１００μｍから１，０００μｍに変えたこと以外は、実施例１８と同様にして、実施例２１における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１３０】
（実施例２２）
実施例１９において、分散液１からなる散乱層に代えて、ＳｉＮｘ層（封止層）上に、イマージョンオイル（ＴＹＰＥ  Ｂ、カーギル社製）膜１０μｍと、裏面を研磨したマイクロレンズ（製品コード１１−１２５４−１００−０００、ＳＵＳＳ  Ｍｉｃｒｏ  ｏｐｔｉｃｓ社製）１００μｍとからなる散乱層を配したこと、結果、有機化合物層と、透明電極層と、光制御層（封止層及び散乱層）との合計の厚みを１００μｍに変えて１１０μｍとしたこと、画素間距離を１００μｍから１，０００μｍに変えたこと以外は、実施例１９と同様にして、実施例２２における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１３１】
(比較例２１)
実施例１８において、分散液１をスピンコートする代わりに、ＤＰＨＡ溶液をスピンコートして製膜し、光制御層を形成しなかったこと以外は、実施例１８と同様にして、比較例２１の有機電界発光表示装置を製造した。
【０１３２】
(比較例２２)
実施例１８において、分散液１に代えて分散液８を用いて散乱層を形成したこと、乾燥後の厚みが０．８μｍに変えて２９．４μｍとなるように散乱層を形成したこと、結果、有機化合物層と、透明電極層と、光制御層（封止層及び散乱層）との合計の厚みを、２．４μｍから３０．０μｍに変えたこと以外は、実施例１８と同様にして、比較例２２の有機電界発光表示装置を製造した。
【０１３３】
(比較例２３)
実施例１９において、分散液１をスピンコートする代わりに、ＤＰＨＡ溶液をスピンコートして製膜し、光制御層を形成しなかったこと以外は、実施例１９と同様にして、比較例２３における有機電界発光表示装置を形成した。
【０１３４】
(比較例２４)
実施例１９において、分散液１に代えて分散液８を用いて散乱層を形成したこと、乾燥後の厚みが０．８μｍに変えて２９．４μｍとなるように散乱層を形成したこと、結果、有機化合物層と、透明電極層と、光制御層（封止層及び散乱層）との合計の厚みを、２．４μｍから３０．０μｍに変えたこと以外は、実施例１９と同様にして、比較例２４の有機電界発光表示装置を製造した。
【０１３５】
(比較例２５)
実施例２０において、分散液１をスピンコートする代わりに、ＤＰＨＡ溶液をスピンコートして製膜し、光制御層を形成しなかったこと以外は、実施例２０と同様にして、比較例２５における有機電界発光表示装置を形成した。
【０１３６】
(比較例２６)
実施例２０において、分散液１に代えて分散液８を用いて散乱層を形成したこと、乾燥後の厚みが０．８μｍに変えて２９．４μｍとなるように散乱層を形成したこと、結果、有機化合物層と、半透過電極層と、光制御層（封止層及び散乱層）との合計の厚みを、２．４μｍから３０．０μｍに変えたこと以外は、実施例２０と同様にして、比較例２６の有機電界発光表示装置を製造した。
【０１３７】
(比較例２７)
実施例２１において、マイクロレンズに代えて、同じ厚みの石英ガラスを用い、散乱層を形成しなかったこと以外は、実施例２１と同様にして、比較例２７における有機電界発光表示装置を形成した。
【０１３８】
（比較例２８）
実施例２１において、マイクロレンズの厚みを１００μｍから５００μｍに変えたこと、結果、有機化合物層と、透明電極層と、光制御層との合計の厚みを１１０μｍから５１０μｍに変えたこと以外は、実施例２１と同様にして、比較例２８における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１３９】
（比較例２９）
実施例２２において、マイクロレンズに代えて、同じ厚みの石英ガラスを用い、散乱層を形成しなかったこと以外は、実施例２２と同様にして比較例２９の有機電界発光表示装置を製造した。
（比較例３０）
実施例２２において、マイクロレンズの厚みを１００μｍから５００μｍに変えたこと、結果、有機化合物層と、透明電極層と、光制御層との合計の厚みを１１０μｍから５１０μｍに変えたこと以外は、実施例２２と同様にして、比較例３０における有機電界発光表示装置を製造した。
【０１４０】
（評価方法）
−画像にじみ−
実施例１〜２２及び比較例１〜３０の有機電界発光表示装置において、有機電界発光表示部を点灯させた状態で、顕微鏡の下に置き、その発光画像をＣＣＤで取り込んだ（図７参照）。
該発光画像は、Ｘライン上の輝度量を数ライン取り込み、平均化のデータ処理を行い、グラフ化した（図７参照）。
該グラフから、ギャップが２ＲでＲ離れた位置でピークの値と、有機電界発光表示部でのピークの値との比較を行い（差分（％））、下記の基準に基づき、Ａ〜Ｅの評価を行い、Ａ〜Ｃを合格とした。結果を下記表１〜３に示す。
画像にじみ判定の基準：
Ａ：  ０％≦Ａ＜１％
Ｂ：  １％≦Ｂ＜５％
Ｃ：  ５％≦Ｃ＜１０％
Ｄ：１０％≦Ｄ＜２０％
Ｅ：２０％≦Ｅ
【０１４１】
−光取出し効率−
光取出し効率は、積分球を用いて、該積分球の外部に出射された光の全光量を測定し、この光量を用いて、光取出し効率の評価を行った。結果を下記表１〜３に示す。
【０１４２】
【表１】
2010272515.tif 000003
【０１４３】
【表２】
2010272515.tif 000004
【０１４４】
【表３】
2010272515.tif 000005
【産業上の利用可能性】
【０１４５】
本発明の有機電界発光表示装置は、光取出し効率が高く、かつ、画像のにじみが少ないので、種々のデバイスにおける表示装置として好適に用いられる。
【符号の説明】
【０１４６】
１        透明基板
２        光透過層
３        散乱層（光制御層）
４        透明電極層（半透過電極層）
５        発光層
６        反射電極層
７        バッファー層
８        反射層
９        基板
１０        封止層
５０ａ、５０ｂ、５０ｃ、５０ｄ        画素
５１Ｒ、５１Ｇ、５１Ｂ        副画素
１００，２００，３００，４００，５００        有機電界発光表示装置
【図１】
2010272515.tif 000006
【図２】
2010272515.tif 000007
【図３】
2010272515.tif 000008
【図４】
2010272515.tif 000009
【図５】
2010272515.tif 000010
【図６】
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【図７】
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【図８】
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