(57)【要約】【課題】接合部材の形成領域の下方に配された配線を介して平坦化層やバンクへ及ぶ熱の伝播を低減し、かつ額縁幅が狭い有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】基板１０と、基板１０上に設けられる発光部１１と、発光部１１を封止する封止部材（封止基板１２）と、発光部１１の外周に設けられ、フリットガラスからなる、基板１０と封止部材１２とを接合するための接合部材１３と、から構成され、基板１０に含まれる配線１４のうち少なくとも１ラインにスリット１６が設けられ、スリット１６が設けられる領域が、接合部材１３が設けられる領域１３ａと、基板１０に含まれる平坦化層１０４又はバンクが設けられる領域との間にあることを特徴とする、有機ＥＬ表示装置１。【選択図】図１
2010244866.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、該基材上に設けられるＴＦＴ回路と、該基材上に設けられ該ＴＦＴ回路と外部ドライバとを接続する配線と、該ＴＦＴ回路及び該配線の一部を被覆する平坦化層と、を有する基板と、
該基板上に設けられ、下部電極、有機ＥＬ層及び上部電極がこの順に積層してなる有機ＥＬ素子が複数含まれる発光部と、
該下部電極の端部を被覆するバンクと、
該発光部を封止する封止部材と、
該発光部の外周に設けられ、フリットガラスからなる、該基板と該封止部材とを接合するための接合部材と、から構成され、
該平坦化層又は該バンクが樹脂材料からなり、
該配線のうち少なくとも１ラインにスリットが設けられ、
該スリットが設けられる領域が、該接合部材が設けられる領域と、該平坦化層又は該バンクが設けられる領域との間にあることを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記スリットの長さが、前記接合部材が設けられる領域と前記平坦化層又は前記バンクが設けられる領域との間隔よりも長いことを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記配線が、前記有機ＥＬ素子を駆動するための走査／情報信号配線又は電源供給配線であることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイとして、自発光型デバイスである有機ＥＬ素子が注目されている。有機ＥＬ素子は、自発光型のデバイスであることからバックライトを必要としない。また有機ＥＬ素子は、薄型化が可能であり、かつ視認性や色再現範囲も広いことから、製品化に向けて複数の企業が研究開発を進めている。現在、有機ＥＬ素子は、車載用コンポや携帯電話等のディスプレイの表示素子として既に実用化がなされている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、対向する陽極と陰極からなる一対の電極間に、発光層を含む有機ＥＬ層が設けられている電子素子である。また有機ＥＬ素子は、発光層の光を外部に取り出せるようにするために、光取り出し側の電極としてＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明電極が使用される。そして外部駆動回路により陽極と陰極との間に電圧を印加することにより有機ＥＬ素子は発光する。
【０００４】
ところで有機ＥＬ素子は、基板（例えば、ガラスやフィルム）上に設けられる素子であるが、一般に大気中に含まれる水分に極めて弱いことが知られている。例えば、有機ＥＬ素子に水分が浸入すると、有機ＥＬ素子が設けられている基板上には非発光領域（ダークスポット）が発生したり、非発光状態にまでは至らないものの発光特性が変化したりすることにより、発光輝度が低下するといった寿命の課題が生じている。
【０００５】
このため、通常、その外表面には、封止層等の封止部材が設けられている。ここで、大気中の水分が有機ＥＬ素子中に浸入して発生することによって起こる寿命低下という課題を解決するために、特許文献１等の幾つかの提案がなされている。これらの提案の中に、特許文献１にて提案されているフリットガラスが最近注目を集めている。
【０００６】
図３は、封止部材としてフリットガラスを使用した従来の有機ＥＬ表示装置を示す断面模式図である。
【０００７】
図３の有機ＥＬ表示装置１０００は、基板１０１０上に有機ＥＬ素子１０２０が複数設けられている。即ち、基材１０１１、ＴＦＴ回路１０１２、絶縁層１０１３、及び平坦化層１０１４が順次積層されている基板１０１０上に、下部電極１０２１、有機ＥＬ層１０２２及び上部電極１０２３が順次積層されている有機ＥＬ素子１０２０が複数設けられている。尚、複数の有機ＥＬ素子１０２０は、それぞれバンク１０１５によって区画されており、有機ＥＬ表示装置１０００の外縁部にまで設けられる上部電極１０２３には、アノードレイヤに形成された電源パッドと接続するためのコンタクト部１０１６が設けられている。
【０００８】
図３の有機ＥＬ表示装置１０００内には、窒素ガス等の不活性ガスが充填されている。また図３の有機ＥＬ表示装置１０００は、凹状に掘り込みのなされた封止基板１０３０、及び基板１０１０と封止基板１０３０とを接合する接合部材１０３１によって封止されている。
【０００９】
ここで接合部材１０３１は、フリットガラスを局所加熱し、溶着することにより形成される部材であり、当該フリットガラスはレーザー光の照射により局所加熱される。
【００１０】
ところでレーザー光を照射してフリットガラスを局所加熱する際には、フリットガラスの下方にある有機ＥＬ素子を駆動するための配線と、配線以外の部材との間で、レーザー照射による最適溶着条件（レーザーパワー密度）が異なるという現象が生じる。つまり、フリットガラスの下方に設けられる部材によって、レーザー照射によるフリットガラスの実質的な到達温度がそれぞれ異なる状態になる。
【００１１】
この現象は、レーザー照射条件として、例えば、レーザースポット径、スキャン速度、照射パワーを一定に保ち、かつ、フリットガラスの形成状態が均一である場合にも生じ得る。
【００１２】
上記のように、レーザー照射による最適溶着条件が異なる現象が起こる主な要因としては２つある。１つ目は、配線上に配されるフリットガラスを対象としたレーザー照射密度の局所的な上昇が考えられる。これは、レーザー光の全てがフリットガラスに吸収されないときに、フリットガラスの下方に設けられるＡｌ等で形成された配線により反射されることにより発生する。２つ目は、フリットガラスの下方に設けられる金属配線と、配線以外の部材とにおいて熱拡散速度が異なることが考えられる。
【００１３】
そこで、例えば、特許文献２に示されている、配線形成領域と非配線形成領域とでレーザー照射条件を調整することで、フリットガラスの加熱温度を一定に保つ方法が提案されている。
【００１４】
一方で、例えば、特許文献３に示されている、レーザー照射条件は変調させずに、レーザー照射時にフリットガラスが到達する温度を一定に保つ方法も提案されている。特許文献３にて示される方法は、具体的には、有機ＥＬ表示装置を上面から見たときに、接合部材の形成領域に交差するように配された配線の内、フリットと重畳している領域の一部に開口を設ける方法である。開口を設けることにより、フリットの下方に配されている配線と、その他の部材との熱拡散速度等の条件差を小さくすることが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】米国特許６９９８７７６号明細書
【特許文献２】米国特許７３７１１４３号明細書
【特許文献３】特開２００７−２００８３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
図４は、従来の有機ＥＬ表示装置の具体例を示す模式図であり、（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の平面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）の丸囲み部分の部分拡大図である。
【００１７】
図４の有機ＥＬ表示装置２０００は、基板２０１０上に設けられ複数の有機ＥＬ素子からなる発光部２０２０が、封止基板２０３０及び接合部材２０３１によって封止されている。また、基板２０１０上には、外部ドライバ２０４０と発光部２０２０とを接続するための配線２０１１（電源供給配線２０１１ａ、走査／情報信号配線２０１１ｂ）が設けられている。
【００１８】
図４の有機ＥＬ表示装置２０００において、レーザー照射によって接合部材２０４０を形成する際には、図４（ｂ）に示される接合部材の形成領域２０３２にレーザー光を照射することにより行う。
【００１９】
ここでレーザー照射を行う際に、レーザー光の大半は接合部材の構成材料であるフリットガラスに吸収される。その結果、当該フリットガラスが選択的に加熱されると共に、熱の一部が物質間の熱伝導によりガラス基板まで伝わる。
【００２０】
ここで、例えば、レーザースポット径を１．０ｍｍ、レーザースキャン速度を１０ｍｍ／ｓと設定した場合、レーザー照射による加熱時間は０．１秒とごく短い時間である。しかし、ごく短い時間であってもレーザー照射するときに加熱されたフリットガラスから、基板へ向かって熱が伝導する。
【００２１】
このとき、フリットガラスの下方に設けられる金属材料からなる配線２０１１を介して熱が伝播することにより、結果として、接合部材２０３１よりも発光部２０２０側に配される平坦化層又はバンクが伝播する熱によるダメージを受けてしまう。特に、平坦化層又はバンクの外縁部２０１２は、その熱によるダメージが大きい。
【００２２】
このように平坦化層や素子分離膜が受け得る熱ダメージを避ける方法としては、接合部材の構成材料（フリットガラス）の溶着温度を下げたり、平坦化層やバンクの耐熱温度を上げたりする方法が考えられる。しかしその他の部材の特性を変えずに、無機材料の融点を下げたりや有機材料の融点を上げたりするのは困難である。
【００２３】
そこで、接合部材２０３１と発光部２０２０との間隔を広くして、平坦化層又は素子分離膜の外縁部２０１２を接合部材の形成領域２０３２から離す方法が考えられる。しかしこの方法であればレーザー照射時に発生し得る熱によるダメージが及びにくくなる反面、ディスプレイの額縁幅が拡大してしまうことになる。
【００２４】
本発明は上記問題を解消すべくなされたものであり、その目的は、接合部材の形成領域の下方に配された配線を介して平坦化層やバンクへ及ぶ熱の伝播を低減し、かつ額縁幅が狭い有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、基材と、該基材上に設けられるＴＦＴ回路と、該基材上に設けられ該ＴＦＴ回路と外部ドライバとを接続する配線と、該ＴＦＴ回路及び該配線の一部を被覆する平坦化層と、を有する基板と、
該基板上に設けられ、下部電極、有機ＥＬ層及び上部電極がこの順に積層してなる有機ＥＬ素子が複数含まれる発光部と、
該下部電極の端部を被覆するバンクと、
該発光部を封止する封止部材と、
該発光部の外周に設けられ、フリットガラスからなる、該基板と該封止部材とを接合するための接合部材と、から構成され、
該平坦化層又は該素子分離膜が樹脂材料からなり、
該配線のうち少なくとも１ラインにスリットが設けられ、
該スリットが設けられる領域が、該接合部材が設けられる領域と、該バンクが設けられる領域との間にあることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、接合部材の形成領域の下方に配された配線を介して平坦化層やバンクへ及ぶ熱の伝播を低減し、かつ額縁幅が狭い有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置における第一の実施形態を示す模式図であり、（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の平面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）の丸囲み部分の部分拡大図であり、（ｃ）は、（ｂ）のＡＡ’間における断面模式図であり、（ｄ）は、（ｂ）のＢＢ’間における断面模式図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ表示装置における第二の実施形態を示す平面模式図である。
【図３】封止部材としてフリットガラスを使用した従来の有機ＥＬ表示装置を示す断面模式図である。
【図４】従来の有機ＥＬ表示装置の具体例を示す模式図であり、（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の平面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）の丸囲み部分の部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、基板と、基板上に設けられる発光部と、バンクと、封止部材と、接合部剤と、を構成部材として有するものである。
【００２９】
ここで基板は、基材と、該基材上に設けられるＴＦＴ回路と、該基材上に設けられ該ＴＦＴ回路と外部ドライバとを接続する配線と、該ＴＦＴ回路及び該配線の一部を被覆する平坦化層と、を有する部材である。発光部は、下部電極、有機ＥＬ層及び上部電極がこの順に積層してなる有機ＥＬ素子が複数含まれる部材である。
【００３０】
バンクは、下部電極の端部を被覆する部材である。
【００３１】
封止部材は、発光部を封止する部材である。
【００３２】
接合部材は、基板と封止部材とを接合するために発光部の外周に設けられ、フリットガラスからなる部材である。
【００３３】
尚、上記の部材のうち、平坦化層又はバンクは、樹脂材料からなる部材である。
【００３４】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態について詳細に説明する。
【実施例１】
【００３５】
図１は、本発明の有機ＥＬ表示装置における第一の実施形態を示す模式図であり、（ａ）は、有機ＥＬ表示装置の平面模式図であり、（ｂ）は、（ａ）の丸囲み部分の部分拡大図である。また、図１（ｃ）は、図１（ｂ）のＡＡ’間における断面模式図であり、図１（ｄ）は、図１（ｂ）のＢＢ’間における断面模式図である。
【００３６】
図１の有機ＥＬ表示装置１は、基板１０上に、複数の有機ＥＬ素子からなる発光部１１が設けられている。発光部１１を構成する有機ＥＬ素子は、それぞれ基板１０内に内蔵されているＴＦＴ回路（不図示）により、その駆動を制御されている。また発光部１１は、基板１０と対向するように設けられる封止基板１２と、基板１０と封止基板１２とを接合する接合部材１３によって封止されている。
【００３７】
一方、上述したＴＦＴ回路は、配線１４により外部ドライバ１５と接続されている。ＴＦＴ回路と外部ドライバ１５とを接続する配線には、例えば、有機ＥＬ素子に備える電極に電源を供給する電源供給配線１４ａと、有機ＥＬ素子を駆動・制御するのに必要な信号を発光部１１へ送信する走査／情報信号配線１４ｂがある。
【００３８】
電源供給配線１４ａは、図１（ｃ）及び（ｄ）に示されるように、基板１０の構成部材である基材１０１上に設けられる。また、電源供給配線１４ａは、走査／情報信号配線１４ｂ等の他の配線と電気的に接触しないように、第一絶縁層１０２で被覆されている。
【００３９】
対して、走査／情報信号配線１４ｂは、第一絶縁層１０２上に設けられている。また、走査／情報信号配線１４ｂは、他の配線と電気的に接触しないように、第二絶縁層１０３で被覆されている。
【００４０】
他方、上述したＴＦＴ回路は、走査電極層（ゲート層）、半導体層及び信号配線層（ソース層）を含む電子回路である。具体的には、基材１０１上に、走査電極層（ゲート層）、第一絶縁層１０２、半導体層、第二絶縁層１０３、信号配線層（ソース層）の順に積層して配置されている。
【００４１】
本実施の形態においては、走査電極層形成時に、図１（ｂ）、（ｃ）及び（ｄ）に示される様に、引き出し配線領域において走査／情報信号配線１４ｂや電源供給配線１４ａが形成されているが、本発明は、これに限定されるものではない。具体的には、各配線をそれぞれ形成する際には、信号配線層上にて形成されていてもよく、所望の電気的接続がなされるようコンタクトホールを介して接続がなされていればよい。
【００４２】
第二絶縁層１０３上には、平坦化層１０４が設けられている。平坦化層１０４は、ＴＦＴ回路を基材１０１上に形成したときに生じた凹凸を平坦化するために設けられる層である。
【００４３】
平坦化層１０４は、図１（ｂ）に示されるように、その外端（平坦化層形成領域端）１０４ａが封止部材の形成領域１３ａよりも内側（発光部１１側、図１（ｂ）の太矢印で示した側）に設けられるように形成されている。平坦化層１０４の構成材料として、好ましくは、樹脂材料である。樹脂材料として、アクリル材料、ポリイミド等の有機系高分子材料が挙げられる。
【００４４】
ところで、本発明においては、電源供給配線１４ａ、走査／情報信号配線１４ｂ等の配線１４のうち少なくとも１ラインに部分的に凹み（スリット１６）が設けられている。そして、このスリット１６が設けられる領域は、接合部材が設けられる領域１３ａと、平坦化層１０４が設けられる領域との間にある。またこのスリット１６には、図１（ｃ）に示されるように、配線（電源供給配線１４ａ）に相当する薄膜層が設けられていない。
【００４５】
このように、少なくとも１ラインにスリット１６を設けることにより、接合部材１３を形成する際に発生する熱の一部を、このスリット１６から逃がすことができる。このため、配線１４を介して伝播し得る熱による平坦化層１０４へのダメージを低減することができる。
【００４６】
平坦化層１０４上には、発光部１１の構成部材である下部電極が設けられる。下部電極を設ける際には、下部電極とＴＦＴ回路とを電気接続することができるように、平坦化層や第二絶縁膜の所望の場所に、コンタクトホールを設ける。
【００４７】
また平坦化層１０４上には、下部電極の端部を被覆するバンクも設けられる。このとき、バンクの外端部が、平坦化層形成領域端よりも外側（接合部材１３側）にある場合は、上記スリット１６は、バンクの外端部と接合部材が設けられる領域１３ａとの間に設けられる。こうすることにより、平坦化層１０４の場合と同様に、配線１４を介して伝播し得る熱によるバンクへのダメージを低減することができる。
【００４８】
本発明において、スリット１６の長さは、好ましくは、接合部材の形成領域１３ａと平坦化層又はバンクが設けられる領域との間隔よりも長い。具体的には、スリット１６の長さを、図１（ｂ）に示される接合部材の形成領域１３ａと、平坦化層形成領域端１０４ａとの間隔よりも長くする。こうすることにより、接合部材１３の形成位置が、所望の位置よりも多少ずれたとしてもスリット１６特有の作用を発揮させることができる。
【００４９】
ただし、スリット１６の長さが長すぎる場合、例えば、スリット１６の長さが、通常の作業工程で想定し得る接合部材の配置位置の位置ずれ分を大きく超えた場合は、電源供給配線１４ａの抵抗が上昇し、駆動電圧が高くなる原因となる。このため、スリット１６の長さは適宜調整する必要がある。
【００５０】
ここで配線１４にスリット１６を設ける方法として、フォトリソによるパターン形成や、印刷プロセスによるパターン形成等、半導体を含むディスプレイデバイスの製造工程で一般的に用いられるいずれかのプロセスが採用される。
【００５１】
次に、発光部１１及び接合部材１３について、特に、具体的な形成方法を中心に説明する。
【００５２】
（前処理）
まず、発光部１１を構成する有機ＥＬ層を形成する前に、バンクまで形成されている基板１０を、ＵＶ／オゾン洗浄をしたのち、１×１０-2Ｐａ、５０℃の条件下で、７時間真空ベークを行う。
【００５３】
次に、基板１０を、有機ＥＬ層を形成するための蒸着装置へ移した後、装置内を真空排気し、前処理室に設けたリング状電極に５０ＷのＲＦ電力を投入し酸素プラズマ洗浄処理を行う。この処理を行う際の具体的な酸素圧力及び処理時間は、それぞれ０．６Ｐａ、４０秒である。
【００５４】
（正孔輸送層の形成）
次に、前処理した基板を、前処理室から成膜室へ搬送し、成膜室の真空度を１×１０-4Ｐａになるまで室内の排気を行った後、正孔輸送性を有するαＮＰＤを抵抗加熱蒸着法により成膜する。具体的には、成膜速度を０．２ｎｍ／ｓｅｃとし、膜厚を３５ｎｍとして正孔輸送層を形成する。尚、正孔輸送層は、すべての画素にそれぞれ蒸着されるよう、格子状のメタルマスクを用いて蒸着・形成する。
【００５５】
（発光層の形成）
次に、正孔輸送層の上に発光層を形成する。具体的には、抵抗加熱蒸着法により、正孔輸送層上に、アルキレート錯体（Ａｌｑ3）を成膜する。より具体的には、膜厚を１５ｎｍとし、成膜室の真空度及び成膜速度を正孔輸送層形成時と同じ条件で形成する。尚、発光層を、例えば、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）というように塗り分ける必要がない場合、発光層は、正孔輸送層と同様に全ての画素に蒸着すべく格子状のメタルマスクを用いて蒸着する。一方、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）というように発光層を塗り分ける際には、各色の配列パターンに対応したメタルマスクを用いてそれぞれの発光層を形成すればよい。
【００５６】
（電子注入層の形成）
次に、発光層上に電子注入層を形成する。具体的には、抵抗加熱共蒸着法により、発光層上に、Ａｌｑ3と炭酸セシウム（Ｃｓ2ＣＯ3）とを、膜厚比にして９：１の割合で混合され、かつ、蒸着速度が０．３ｎｍ／ｓｅｃになるように、夫々の蒸着速度を調整しながら共蒸着する。電子注入層の膜厚は、例えば、３５ｎｍとする。尚、電子注入層を形成する際には、発光部１１の周辺部に配される平坦化層１０４及びバンクのすべてを覆うようにメタルマスクの開口を設ける。本実施例では、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層とからなる層が有機ＥＬ層である。
【００５７】
（上部電極（陰極）の形成）
次に、上部電極形成用のスパッタ室に基板を搬送し、電子注入層の上にＩＴＯを成膜し上部電極を形成する。このとき上部電極の膜厚を、具体的には、１３０ｎｍになるようにする。また上部電極を形成する際は、マスクを使用したＤＣマグネトロンスパッタリング法により行う。
【００５８】
また上部電極を形成する際には、室温で行い、成膜圧力を１．０Ｐａとし、使用するＡｒ、Ｈ2０及びＯ2ガスの流量を、それぞれ５００ｓｃｃｍ、１．５ｓｃｃｍ、５．０ｓｃｃｍとし、ターゲットに印加する投入パワーを５００Ｗとする。この条件で上部電極を形成すると、具体的には、４５０ｎｍにおける透過率が８５％、比抵抗値が８×１０-4Ω・ｃｍである上部電極が形成される。尚、本実施例においては、上部電極は陰極として機能する。
【００５９】
（封止基板の作製）
封止基板１２を洗浄−乾燥処理した後、封止基板１２の周辺領域にフリットガラスを含むペーストを、ディスペンス法にて塗布する。具体的には、ニードル径を０．８４ｍｍとし、封止基板とニードルとの間の距離（Ｗ／Ｄ）を０．１０ｍｍとし、塗布スピードを１５ｍｍ／ｓとし、塗布圧力を０．２ＭＰａとして、上記ペーストを塗布する。
【００６０】
次に、脱バインダ処理を行った後、仮焼成を実施する。仮焼成を実施する際は、加熱器具としてプログラムオーブン使用し、２５０℃で３０分間加熱して脱バインダ処理を行った後、４５０℃で３０分間加熱して仮焼成する。
【００６１】
（封止工程）
次に、以下に述べる封止工程を行うことにより、空気中の水分や酸素が発光部１１に進入しなくなる。本工程を行う際には、まず封止基板１３と、発光部１１が設けられている基板１０を、それぞれグローブボックス内に搬送する。このグローブボックス中にて封止基板１３と基板１０とを対向させ、基板１０と封止基板１３上に設けられているフリットペーストとを所望に位置で接触させる。この後、基板１０と封止基板１３とを押圧した状態で当該フリットペーストに対してレーザー照射を行う。ここでレーザーを照射する際の照射条件である、波長、出力及び走査速度はそれぞれ、１０６４ｎｍ、１５Ｗ、５ｍｍ／ｓとする。尚、本工程は、グローブボックス内の水分濃度を１０ｐｐｍ以下に制御して行う。
【００６２】
以上の工程を経ることにより、基板１０上に搭載され、有機ＥＬ素子を有する発光部１１を封止するための部材である接合部材１４が形成され、本発明の有機ＥＬ表示装置が完成する。
【００６３】
（装置の評価方法）
本実施例で作製した有機ＥＬ表示装置において、電源配線近傍に配された平坦化層１０４の剥離状態や形状変化を金属顕微鏡による外観検査により確認した。このとき、接合部材の形成領域から平坦化層形成領域端間の距離を５μｍ、５０μｍ、１００μｍ、１５０μｍ、３００μｍ、６００μｍに設定した。
【００６４】
その結果、すべての表示装置において配線上に配された平坦化層について剥離や形状変化は確認できなかった。
【００６５】
一方、スリットを電源配線に設けたことによる配線抵抗の上昇もほとんど見られず、スリットレスパネルと同様の電流を流すために必要な電源電圧の上昇分は、ディスプレイの駆動電圧（５．０Ｖ〜７．５Ｖ）に対して２０ｍＶ以下であった。これにより、電源供給配線の全配線抵抗の内、スリット形成により抵抗が上昇する領域がごくわずかであることが示されている。
【００６６】
［比較例１］
図４に示される従来の有機ＥＬ表示装置を製造した。即ち、実施例１において、スリット１５の形成を省いた以外は、実施例１と同じ方法により、有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００６７】
得られた有機ＥＬ表示装置について、実施例１と同様に評価した。
【００６８】
その結果、フリットガラス形成領域から平坦化層形成領域端間距離を３００μｍ以上（３００μｍ、６００μｍ）としたときに、電源配線上に配された平坦化の一部が剥離したためにその剥離箇所において干渉色の発生が見られた。また、結合部材の形成領域から平坦化層形成領域端間距離を３００μｍとした場合には、平坦化樹脂端部に着色が見られた。
【実施例２】
【００６９】
尚、スリット１５特有の作用を発揮させることができるのであれば、スリット１５の長さを、接合部材が設けられる領域１３ａと平坦化層又はバンクが設けられる領域との間隔よりも多少短くてもよい。
【００７０】
図２は、本発明の有機ＥＬ表示装置における第二の実施形態を示す平面模式図である。図２に示されるように、本発明においては、スリット１５の長さを、接合部材が設けられる領域１３ａと１０４ａとの間隔よりも多少短くてもよい。スリット１５を設けない場合と比較すると、スリット特有の作用である熱伝導抑制効果があることは容易に想像できる。
【符号の説明】
【００７１】
１  有機ＥＬ表示装置
１０  基板
１０１  基材
１０２  第一絶縁層
１０３  第二絶縁層
１０４  平坦化層
１１  発光部
１２  封止基板
１３  接合部材
１４  配線
１５  外部ドライバ
１６  スリット
【図１】
2010244866.tif 000003
【図２】
2010244866.tif 000004
【図３】
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【図４】
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