(57)【要約】【課題】複板処理を採用した場合にも高品位にマーキングを施すことができる液晶パネルの製造方法を提供する。【解決手段】本発明に基づく液晶パネルの製造方法は、ガラス基板１１の表面１１ａ上に下部層５１としての金属膜および上部層としての各種の保護膜５２〜５６を有する積層体からなるマーキング領域を含むマーキングパッド５０を設ける工程と、マーキングパッド５０のマーキング領域の主表面と距離をもって対向するようにガラス基板１１にガラス基板２１を貼り合わせる工程と、ガラス基板１１の裏面１１ｂ側からガラス基板１１を介してマーキングパッド５０のマーキング領域にレーザ光１００を照射することにより、マーキングパッド５０のマーキング領域に貫通孔５８を設けてマーキングを行なう工程とを備える。【選択図】図７
2010262020.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶表示部になる部分および液晶表示部にならない周辺部分を含む第１液晶パネル用ガラス基板を準備する工程と、
前記第１液晶パネル用ガラス基板の前記周辺部分の表面上に金属膜および当該金属膜を覆う保護膜を有する積層体からなるマーキング領域を含むマーキングパッドを設ける工程と、
前記マーキングパッドのマーキング領域の主表面と距離をもって対向するように前記第１液晶パネル用ガラス基板に当該第１液晶パネル用ガラス基板と対と成る第２液晶パネル用ガラス基板を貼り合わせる工程と、
前記第１液晶パネル用ガラス基板の前記周辺部分の裏面側から前記第１液晶パネル用ガラス基板を介して前記マーキングパッドのマーキング領域にレーザ光を照射することにより、前記マーキングパッドのマーキング領域に前記積層体を貫通する貫通孔を設けてマーキングを行なう工程とを備えた、液晶パネルの製造方法。
【請求項２】
前記マーキングパッドを設ける工程における前記金属膜を形成する工程において、前記第１液晶パネル用ガラス基板の前記液晶表示部になる部分にＴＦＴのゲート電極になる金属膜を同時に形成する、請求項１に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項３】
前記マーキングパッドを設ける工程における前記保護膜を形成する工程は、前記マーキングパッドのマーキング領域になる金属膜を覆うように保護絶縁膜になる絶縁膜を形成する工程を含み、
前記保護絶縁膜を形成する工程において、前記第１液晶パネル用ガラス基板の前記液晶表示部になる部分にＴＦＴのゲート絶縁膜になる絶縁膜を同時に形成する、請求項１または２に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項４】
前記マーキングパッドを設ける工程における前記保護膜を形成する工程は、前記マーキングパッドのマーキング領域になる金属膜を覆うように保護ＩＴＯ膜になるＩＴＯ膜を形成する工程を含み、
前記保護ＩＴＯ膜を形成する工程において、前記第１液晶パネル用ガラス基板の前記液晶表示部になる部分に画素電極になるＩＴＯ膜を同時に形成する、請求項１または２に記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項５】
前記マーキングパッドを設ける工程における前記金属膜を形成する工程は、複数の異なる材質の膜を順次積層形成する工程を含む、請求項１から４のいずれかに記載の液晶パネルの製造方法。
【請求項６】
前記マーキングパッドのマーキング領域になる金属膜の表面を陽極酸化処理する工程をさらに備えた、請求項１から５のいずれかに記載の液晶パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶パネル用ガラス基板に設けられたマーキングパッドに各種情報をレーザマーキングによってマーキングする工程を含む液晶パネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶パネルは、表示装置としての液晶テレビジョンやパーソナルコンピュータのディスプレイ等に好適に用いられ、近年においてはその普及に目覚しいものがある。液晶パネルには、生産時における管理上の必要性や出荷後のメンテナンス上の必要性から、シリアル情報や用途情報等の各種情報がマーキングされている。通常、このマーキングには、レーザマーキングが好適に利用され、その生産過程において液晶パネルの構成部品である液晶パネル用ガラス基板にレーザ光を照射することで上述した各種情報がマーキングされる。
【０００３】
レーザマーキングを利用して液晶パネル用ガラス基板に各種情報をマーキングする方法としては、たとえばガラス基板の表面に成膜されたＩＴＯ（Indium Thin Oxide）膜にレーザ光を照射してマーキングする方法（特開平６−５１３２８号公報（特許文献１）参照）や、ガラス基板の表面に成膜された配向膜にレーザ光を照射してマーキングする方法（特開平１０−２７８４２２号公報（特許文献２）参照）、ガラス基板の表面に成膜された金属膜にレーザ光を照射してマーキングする方法等が知られている。
【０００４】
このうち、ガラス基板の表面に成膜された金属膜にレーザ光を照射してマーキングする方法においては、具体的には、ガラス基板の液晶表示部にならない周辺部分に金属膜が成膜されることでマーキングパッドが設けられ、このマーキングパッドにレーザ光が照射されてマーキングパッドに貫通孔が形成されることでガラス基板にマーキングが施される。なお、このようにしてマーキングされる各種情報は、当該情報をデータマトリクス化した２次元データコードとしてガラス基板にマーキングされ、反射型または透過型のいずれかのカメラを用いてその情報の読み出しが行なわれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−５１３２８号公報
【特許文献２】特開平１０−２７８４２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
液晶パネル用ガラス基板に成膜された金属膜にレーザ光を照射してマーキングする場合のプロセスフローとしては、以下の２種類が想定される。第１のプロセスフローは、単板処理と呼ばれるものであり、マーキングが施されるガラス基板であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）基板とカラーフィルタが貼り付けられたＣＦ（Color Filter）基板とが貼り合わされるに先立ち、ＴＦＴ基板に設けられたマーキングパッドに直接レーザ光を照射することで各種情報をマーキングし、その後にＴＦＴ基板とＣＦ基板とが張り合わされるプロセスフローである。第２のプロセスフローは、複板処理と呼ばれるものであり、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とが張り合わされた後に、ＴＦＴ基板に設けられたマーキングパッドにＣＦ基板を介してレーザ光が照射されることで各種情報をマーキングするプロセスフローである。
【０００７】
上述した単板処理を採用した場合には、マーキングパッドに直接レーザ光が照射されることになるため、形成されるマーキングの品位（すなわち貫通孔の形状や大きさ、貫通孔周縁の黒ずみ具合等）を透過型または反射型のカメラを用いた読み出しに適したものとすることができる。
【０００８】
しかしながら、その反面、単板処理においては、ＴＦＴ基板とＣＦ基板の貼り合わせ前にレーザマーキング処理が必要になるため、ＴＦＴ基板の生産に要するタクトが長くなり、単位時間当たりのＴＦＴ基板の生産枚数と単位時間当たりのＣＦ基板の生産枚数とに大きなアンバランスが生じてしまう。これを改善するためには、単位時間当たりのＴＦＴ基板の生産数を増加させるために新たに生産設備を追加するか、あるいはＣＦ基板の生産速度を意図的に遅延させてＴＦＴ基板の生産速度に合わせる必要があり、生産コストの増大や非効率的な生産調整が必要になる問題が生じる。
【０００９】
一方、上述した複板処理を採用した場合には、ＴＦＴ基板に設けられたマーキングパッドにＣＦ基板を介してレーザ光が照射されることになるため、形成されるマーキングの品位が上述した単板処理よりも劣り、透過型または反射型のカメラを用いた読み取りの際に読み取りエラーが生じてしまうおそれがある。
【００１０】
しかしながら、複板処理を採用した場合には、ＴＦＴ基板とＣＦ基板の貼り合わせ後にレーザマーキング処理が行なわれることになるため、上述した如くのＴＦＴ基板とＣＦ基板の生産枚数のアンバランスが生じ難く、効率的な液晶パネルの製造が可能になる効果が得られる。
【００１１】
したがって、上述した複板処理を採用しつつ、形成されるマーキングの品位を向上させることができれば、液晶パネルの効率的な生産と低コスト化とが同時に実現できることになる。
【００１２】
そこで、本発明は、いわゆる複板処理を採用した場合にも高品位にマーキングを施すことができる液晶パネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に基づく液晶パネルの製造方法は、以下の工程（Ａ）ないし（Ｄ）を備えている。
（Ａ）液晶表示部になる部分および液晶表示部にならない周辺部分を含む第１液晶パネル用ガラス基板を準備する工程。
（Ｂ）上記第１液晶パネル用ガラス基板の上記周辺部分の表面上に金属膜および当該金属膜を覆う保護膜を有する積層体からなるマーキング領域を含むマーキングパッドを設ける工程。
（Ｃ）上記マーキングパッドのマーキング領域の主表面と距離をもって対向するように上記第１液晶パネル用ガラス基板に当該第１液晶パネル用ガラス基板と対と成る第２液晶パネル用ガラス基板を貼り合わせる工程。
（Ｄ）上記第１液晶パネル用ガラス基板の上記周辺部分の裏面側から上記第１液晶パネル用ガラス基板を介して上記マーキングパッドのマーキング領域にレーザ光を照射することにより、上記マーキングパッドのマーキング領域に上記積層体を貫通する貫通孔を設けてマーキングを行なう工程。
【００１４】
上記本発明に基づく液晶パネルの製造方法にあっては、上述したマーキングパッドを設ける工程（Ｂ）における金属膜を形成する工程において、上記第１液晶パネル用ガラス基板の上記液晶表示部になる部分にＴＦＴのゲート電極になる金属膜を同時に形成することが好ましい。
【００１５】
上記本発明に基づく液晶パネルの製造方法にあっては、上述したマーキングパッドを設ける工程（Ｂ）における保護膜を形成する工程が、上記マーキングパッドのマーキング領域になる金属膜を覆うように保護絶縁膜になる絶縁膜を形成する工程を含んでいてもよく、その場合には、上記保護絶縁膜を形成する工程において、上記第１液晶パネル用ガラス基板の上記液晶表示部になる部分にＴＦＴのゲート絶縁膜になる絶縁膜を同時に形成することが好ましい。
【００１６】
上記本発明に基づく液晶パネルの製造方法にあっては、上述したマーキングパッドを設ける工程（Ｂ）における保護膜を形成する工程が、上記マーキングパッドのマーキング領域になる金属膜を覆うように保護ＩＴＯ膜になるＩＴＯ膜を形成する工程を含んでいてもよく、その場合には、上記保護ＩＴＯ膜を形成する工程において、上記第１液晶パネル用ガラス基板の上記液晶表示部になる部分に画素電極になるＩＴＯ膜を同時に形成することが好ましい。
【００１７】
上記本発明に基づく液晶パネルの製造方法にあっては、上述したマーキングパッドを設ける工程（Ｂ）における金属膜を形成する工程が、複数の異なる材質の膜を順次積層形成する工程を含んでいてもよい。
【００１８】
上記本発明に基づく液晶パネルの製造方法は、さらに以下の工程（Ｅ）を備えていてもよい。
（Ｅ）上記マーキングパッドのマーキング領域になる金属膜の表面を陽極酸化処理する工程。
【発明の効果】
【００１９】
本発明により、いわゆる複板処理を採用した場合にも高品位にマーキングできる液晶パネルの製造方法とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施の形態における液晶パネルの模式平面図である。
【図２】図１に示す情報記録部の模式拡大図である。
【図３】本発明の一実施の形態における液晶パネルの模式断面図である。
【図４】本発明の一実施の形態における液晶パネルの製造方法を説明するためのフロー図である。
【図５】本発明の一実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。
【図６】本発明の一実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。
【図７】本発明の一実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。
【図８】（Ａ）は、本発明を適用して複板処理でレーザマーキング処理が行なわれたマーキングパッドの一例を示す拡大写真であり、（Ｂ）は、本発明を適用せずに複板処理でレーザマーキング処理が行なわれたマーキングパッドの一例を示す拡大写真である。
【図９】第１変形例に係るマーキングパッドの模式断面図である。
【図１０】第２変形例に係るマーキングパッドの模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の一実施の形態について、図を参照して詳細に説明する。なお、以下においては、同一の部分について図中同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
【００２２】
図１は、本発明の一実施の形態における液晶パネルの模式平面図であり、図２は、図１に示す液晶パネルの情報記録部の模式拡大図である。また、図３は、図１に示す液晶パネルの模式断面図である。まず、これら図１ないし図３を参照して、本実施の形態における液晶パネルおよび液晶パネル用ガラス基板の構造について説明する。
【００２３】
図１および図３に示すように、本実施の形態における液晶パネル１は、ＴＦＴ基板１０と、ＣＦ基板２０と、シール部材３０と、液晶３２とを主として備えている。本実施の形態における液晶パネル１は、マトリクス状に配置された複数の表示画素を当該表示画素に設けられたＴＦＴによって個別に制御する、いわゆるアクティブマトリクス型の液晶パネルである。
【００２４】
ＴＦＴ基板１０は、アクティブマトリクス基板とも呼ばれ、基材としてのガラス基板１１と、その表面１１ａ上に形成された複数のＴＦＴ４０と、ＴＦＴ４０に電気的に接続された複数の画素電極４６とを主として有している。ＴＦＴ基板１０は、画像を表示するための液晶表示部になる部分Ａと、当該液晶表示部にならない周辺部分Ｂとを含んでおり、上述した複数のＴＦＴ４０および画素電極４６は、このうちの液晶表示部になる部分Ａにマトリクス状に配置されている。なお、このＴＦＴ基板１０（場合よっては、ＴＦＴ基板１０の基材としてのガラス基板１１）が、第１液晶パネル用ガラス基板に相当する。
【００２５】
ＣＦ基板２０は、対向基板とも呼ばれ、基材としてのガラス基板２１と、その主表面上に貼り付けられたカラーフィルタ（不図示）と、当該カラーフィルタ上に形成された対向電極（不図示）とを主として有している。ＣＦ基板２０は、液晶表示部になる部分のみを有している。カラーフィルタは、ガラス基板２１の液晶表示部になる部分に貼り付けられており、上述した複数の対向電極は、当該カラーフィルタの主表面上にマトリクス状に配置されている。なお、このＣＦ基板２０（場合よっては、ＣＦ基板２０の基材としてのガラス基板２１）が、第２液晶パネル用ガラス基板に相当する。
【００２６】
ＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０とは、シール部材３０によって所定の距離（たとえば５μｍ程度）をもって対向するように貼り合わされている。シール部材３０は、液晶表示部を囲うように設けられており、このシール部材３０によって囲まれた空間でかつＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０とによって挟まれた空間に液晶３２が封入されている。液晶３２は、印加電圧に応じて光の透過率が変化する性質を有するものであり、上述したＴＦＴ基板１０に設けられた画素電極４６と、上述したＣＦ基板に設けられた対向電極との間に位置している。なお、ＴＦＴ基板１０およびＣＦ基板２０の液晶３２に面する部分には、図示しない配向膜が設けられている。
【００２７】
ＴＦＴ基板１０の液晶表示部にならない周辺部分Ｂの所定位置には、各種情報が記録された情報記録部２が設けられている。図２に示すように、情報記録部２は、各種情報が２次元データコード化されて記録されたマーキングパッド５０と、各種情報が文字データとして記録された文字データ部６０とを含んでいる。このうち、各種情報が２次元データコード化されて記録されたマーキングパッド５０は、後述するレーザマーキング処理を施すことによってマーキングパッド５０に貫通孔５８が設けられることで情報が記録されたものである。
【００２８】
図３に示すように、ＴＦＴ基板１０の液晶表示部になる部分Ａにおいては、ガラス基板１１の表面１１ａ上にＴＦＴ４０が設けられている。ＴＦＴ４０は、ゲート配線に電気的に接続されたゲート電極４１と、ゲート電極４１を覆うように形成されたゲート絶縁膜４２と、ゲート絶縁膜４２を介してゲート電極４１の上方に形成された第１半導体層４３と、第１半導体層４３上の所定位置に形成された第２半導体層４４と、第２半導体層４４上に形成されたソース電極４５ａおよびドレイン電極４５ｂとを有している。
【００２９】
ゲート電極４１は、たとえばアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）等の単層の金属膜にて構成されている。また、ゲート絶縁膜４２は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等の単層または複層の絶縁膜にて構成されている。
【００３０】
第１半導体層４３は、たとえばアモルファスシリコン等の真性半導体膜にて構成されている。また、第２半導体層４４は、たとえばｎ+型のアモルファスシリコン等の不純物添加半導体膜にて構成されている。なお、第２半導体層４４は、第１半導体層４３−ソース電極４５ａ間および第１半導体層４３−ドレイン電極４５ｂ間のコンタクト層として機能するものである。
【００３１】
ソース電極４５ａおよびドレイン電極４５ｂは、たとえばアルミニウム、銅、タンタル、チタン等の単層または複層の金属膜にて構成されている。また、画素電極４６は、たとえばＩＴＯ膜（すなわち、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）および酸化スズ（ＳｎＯ2）の混合膜）にて構成されている。
【００３２】
一方、ＴＦＴ基板１０の液晶表示部にならない周辺部分Ｂにおいては、ガラス基板１１の表面１１ａ上にマーキング領域Ｃを含むマーキングパッド５０が設けられている。マーキングパッド５０のマーキング領域Ｃは、金属膜からなる下部層５１と、保護絶縁膜５２、保護第１半導体層５３、保護第２半導体層５４、保護金属膜５５および保護ＩＴＯ膜５６からなる保護膜としての上部層とを有している。下部層５１の主表面は、保護絶縁膜５２によって覆われており、保護絶縁膜５２の主表面は、保護第１半導体層５３によって覆われている。保護第１半導体層５３の主表面は、保護第２半導体層５４によって覆われており、保護第２半導体層５４の主表面は、保護金属膜５５によって覆われている。そして、保護金属膜５５の主表面は、保護ＩＴＯ膜５６によって覆われている。
【００３３】
下部層５１としての金属膜は、たとえばアルミニウム、銅、タンタル、チタン等の単層の金属膜にて構成されている。下部層５１としての金属膜は、その主表面（すなわち保護絶縁膜５２と接触する面）が陽極酸化処理されていてもよい。なお、マーキングパッド５０の下部層５１は、上述したＴＦＴ４０のゲート電極４１と同時に形成されたものであることが好ましく、その場合には、ＴＦＴ４０のゲート電極４１を構成する金属膜と、マーキングパッド５０の下部層５１を構成する金属膜とが、同じ材質で同じ膜厚に形成されることになる。
【００３４】
保護絶縁膜５２としての絶縁膜は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）等の単層または複層の絶縁膜にて構成されている。なお、マーキングパッド５０の保護絶縁膜５２は、上述したＴＦＴ４０のゲート絶縁膜４２と同時に形成されたものであることが好ましく、その場合には、ＴＦＴ４０のゲート絶縁膜４２を構成する絶縁膜と、マーキングパッド５０の保護絶縁膜５２を構成する絶縁膜とが、同じ材質で同じ膜厚に形成されることになる。
【００３５】
保護第１半導体層５３としての半導体層は、たとえばアモルファスシリコン等の真性半導体膜にて構成されている。また、保護第２半導体層５４としての半導体層は、たとえばｎ+型のアモルファスシリコン等の不純物添加半導体膜にて構成されている。なお、マーキングパッド５０の保護第１半導体層５３および保護第２半導体層５４は、それぞれ上述したＴＦＴ４０の第１半導体層４３および第２半導体層４４と同時に形成されたものであることが好ましく、その場合には、ＴＦＴ４０の第１半導体層４３および第２半導体層４４を構成する半導体層の各々と、マーキングパッド５０の保護第１半導体層５３および保護第２半導体層５４を構成する半導体層の各々とが、同じ材質で同じ膜厚に形成されることになる。
【００３６】
保護金属膜５５としての金属膜は、たとえばアルミニウム、銅、タンタル、チタン等の単層の金属膜にて構成されている。なお、マーキングパッド５０の保護金属膜５５は、上述したＴＦＴ４０のソース電極４５ａおよびドレイン電極４５ｂと同時に形成されたものであることが好ましく、その場合には、ＴＦＴのソース電極４５ａおよびドレイン電極４５ｂを構成する金属膜と、マーキングパッド５０の保護金属膜５５を構成する金属膜とが、同じ材質で同じ膜厚に形成されることになる。
【００３７】
マーキングパッド５０の保護ＩＴＯ膜５６は、上述したＴＦＴ４０に接続される画素電極４６と同時に形成されたものであることが好ましく、その場合には、画素電極４６を構成するＩＴＯ膜と、マーキングパッド５０の保護ＩＴＯ膜５６を構成するＩＴＯ膜とが、同じ材質で同じ膜厚に形成されることになる。
【００３８】
ここで、マーキングパッド５０のマーキング領域Ｃには、下部層５１および上部層（保護絶縁膜５２、保護第１半導体層５３、保護第２半導体層５４、保護金属膜５５および保護ＩＴＯ膜５６）からなる積層体を貫通する貫通孔５８が複数設けられている。この貫通孔５８は、シリアル情報や用途情報等の各種情報を２次元データコード化したものであり、透過型または反射型のカメラを用いて当該情報の読み出しが行なわれる。
【００３９】
具体的には、透過型のカメラを用いる場合には、マーキングパッド５０のマーキング領域Ｃに設けられた貫通孔５８を介してＴＦＴ基板１０を透過する光を検出することにより、各種情報の読み出しが行なわれる。一方、反射型のカメラを用いる場合には、マーキングパッド５０のマーキング領域Ｃに設けられた貫通孔５８およびその周辺にできる黒ずみをコントラストの差を利用して周囲の下地と区別して検出することにより、各種情報の読み出しが行なわれる。
【００４０】
図４は、本実施の形態における液晶パネルの製造方法を説明するためのフロー図であり、図５ないし図７は、本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネルを製造した場合の生産過程における模式断面図である。次に、これら図４ないし図７を参照して、本実施の形態における液晶パネルの製造方法について説明する。
【００４１】
図４に示すように、本実施の形態における液晶パネルの製造方法にあっては、まず、ＴＦＴ基板１０の製作（ステップＳ１０１）と、ＴＦＴ基板１０と対と成るＣＦ基板２０の製作（ステップＳ１０２）とを同時並行的に行なう。ＣＦ基板２０の製作にあたっては、ガラス基板２１を準備し、これにカラーフィルムを貼り付けるとともに対向電極を形成し、さらに配向膜の成膜を行なうことでＣＦ基板２０が製作される。ＴＦＴ基板１０の製作にあたっては、具体的に以下の処理を行なう。なお、以下に示すＴＦＴ基板１０の製作手法は、ＴＦＴ４０および画素電極４６とマーキングパッド５０とを同時に共通の工程を最大限利用して形成する場合を示すものである。
【００４２】
まず、図５（Ａ）に示すように、液晶表示部になる部分Ａおよび液晶表示部にならない周辺部分Ｂを含むガラス基板１１を準備し、これに金属膜を成膜してパターニングすることにより、液晶表示部になる部分ＡにおいてＴＦＴ４０のゲート電極４１を形成し、周辺部分Ｂにおいてマーキングパッド５０の下部層５１を形成する。より詳細には、たとえばスパッタリング法を用いてアルミニウム膜をガラス基板１１の表面１１ａ上に成膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングしてゲート電極４１と下部層５１とを形成する。なお、フォトリソグラフィ法におけるエッチング処理としては、たとえばＢＣｌ3＋Ｃｌ2、ＣＦ4（＋Ｏ2）等を用いたドライエッチングが利用可能である。ここで、成膜されたアルミニウム膜の主面には、必要に応じて陽極酸化処理が施されてもよい。
【００４３】
次に、図５（Ｂ）に示すように、ガラス基板１１の表面１１ａ上に絶縁膜を成膜してパターニングすることにより、液晶表示部になる部分ＡにおいてＴＦＴ４０のゲート絶縁膜４２を形成し、周辺部分Ｂにおいてマーキングパッド５０の保護絶縁膜５２を形成する。より詳細には、たとえばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて窒化シリコン膜をガラス基板１１の表面１１ａ上に成膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングしてゲート絶縁膜４２および保護絶縁膜５２を形成する。
【００４４】
次に、図５（Ｂ）に示すように、ガラス基板１１の表面１１ａ上にアモルファスシリコン層を形成してパターニングすること等により、液晶表示部になる部分Ａにおいて第１半導体層４３および第２半導体層４４を形成し、周辺部分Ｂにおいて保護第１半導体層５３および保護第２半導体層５４を形成する。ここで、第２半導体層４４と保護第２半導体層５４は、第１半導体層４３の主表面の全面と保護第１半導体層５３の主表面の全面をそれぞれ覆う形状のものであり、アモルファスシリコン層の上層部に適宜イオン注入法を利用してイオン注入を行なうことで形成されたものである。なお、パターニング時のエッチング処理としては、たとえばＣＦ4＋Ｏ2、ＣＣｌ4＋Ｏ2、ＳＦ6等を用いたドライエッチングが利用可能である。
【００４５】
次に、図５（Ｂ）に示すように、ガラス基板１１の表面１１ａ上に金属膜を成膜してパターニングすることにより、液晶表示部になる部分ＡにおいてＴＦＴ４０のソース電極４５ａおよびドレイン電極４５ｂを形成し、周辺部分Ｂにおいて保護金属膜５５を形成する。より詳細には、たとえばスパッタリング法を用いてアルミニウム膜をガラス基板１１の表面１１ａ上に成膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングしてソース電極４５ａ、ドレイン電極４５ｂおよび保護金属膜５５を形成する。なお、フォトリソグラフィ法におけるエッチング処理としては、たとえばＢＣｌ3＋Ｃｌ2、ＣＦ4（＋Ｏ2）等を用いたドライエッチングが利用可能である。
【００４６】
次に、図５（Ｂ）に示すように、ソース電極４５ａおよびドレイン電極４５ｂをマスクとして、第２半導体層４４をエッチングしてパターニングすることにより、第１半導体層４３にチャネル部を形成する。なお、パターニング時のエッチング処理としては、たとえばＣＦ4＋Ｏ2、ＣＣｌ4＋Ｏ2、ＳＦ6等を用いたドライエッチングが利用可能である。
【００４７】
次に、図６（Ａ）に示すように、ガラス基板１１の表面１１ａ上にＩＴＯ膜を成膜してパターニングすることにより、液晶表示部になる部分ＡにおいてＴＦＴ４０に電気的に接続する画素電極４６を形成し、周辺部分Ｂにおいて保護ＩＴＯ膜５６を形成する。より詳細には、たとえばスパッタリング法を用いてＩＴＯ膜をガラス基板１１上に成膜し、これをフォトリソグラフィ法を用いてパターニングして画素電極４６と保護ＩＴＯ膜５６とを形成する。なお、フォトリソグラフィ法におけるエッチング処理としては、たとえばＨＣｌ＋ＨＮＯ3等を用いたウェットエッチングが利用可能である。
【００４８】
その後、ガラス基板１１の液晶表示部になる部分Ａの表面１１ａ上に配向膜を形成する。以上により、ＴＦＴ基板１０の製作が完了する。
【００４９】
つづいて、図４に示すように、ステップＳ１０１において製作したＴＦＴ基板１０とステップＳ１０２において製作したＣＦ基板２０との貼り合わせを行なう（ステップＳ１０３）。具体的には、図６（Ｂ）に示すように、ＴＦＴ基板１０の液晶表示部になる部分Ａを取り囲むようにシール部材３０を配置し、このシール部材３０に接触するようにＣＦ基板２０を位置決めしてＴＦＴ基板１０に対向配置させ、シール部材３０を硬化させることでＴＦＴ基板１０とＣＦ基板２０との貼り合わせを行なう。ここで、使用するシール部材３０としては、熱硬化型のシール材や光硬化型のシール材またはそれらの組み合わせ等が利用可能である。
【００５０】
本実施の形態における液晶パネルの製造方法においては、ＴＦＴ基板１０の基材であるガラス基板１１およびＣＦ基板２０の基材であるガラス基板２１をいずれもマザーガラス基板にて製作している。したがって、ＴＦＴ基板１０にＣＦ基板２０を貼り合わせた後においては、ＴＦＴ基板１０の液晶表示部にならない周辺部分Ｂに対向してＣＦ基板２０の液晶表示部にならない部分が位置することになる。すなわち、ＣＦ基板２０が、ＴＦＴ基板１０の液晶表示部にならない周辺部分Ｂに形成されたマーキングパッド５０のマーキング領域Ｃの主表面と距離をもって対向するように配置されている。
【００５１】
つづいて、図４に示すように、レーザ光を照射することでレーザマーキング処理を行なう（ステップＳ１０４）。具体的には、図７に示すように、マーキングパッド５０のマーキング領域ＣにＴＦＴ基板１０の裏面１１ｂ側から当該ＴＦＴ基板１０を介してレーザ光１００を照射する。照射するレーザ光１００としては、たとえば一般的なＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）レーザ光やネオジム添加ＹＡＧレーザ光であるＹＶＯ4レーザの基本波（波長１０６４ｎｍ）等が好適に利用される。これにより、レーザ光１００が照射された部分のマーキングパッド５０のマーキング領域Ｃを構成する積層体が局所加熱されて昇華し、下部層５１および上部層（保護絶縁膜５２、保護第１半導体層５３、保護第２半導体層５４、保護金属膜５５および保護ＩＴＯ膜５６）からなる積層体を貫通する貫通孔５８が形成される。
【００５２】
その後、図４に示すように、液晶３２を封入する工程等の各種工程を行なう（ステップＳ１０５）。つづいて、ＴＦＴ基板１０およびＣＦ基板２０を図７中に示す分断線Ｅ１に沿って分断する（ステップＳ１０６）とともに、ＣＦ基板２０を図７中に示す分断線Ｅ２に沿って分断して不要部分を除去する（ステップＳ１０７）。以上により、図１および図３に示した如くの液晶パネル１の製造が完了する。
【００５３】
以上において説明した本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネル１を製造することにより、ＴＦＴ基板１０に設けられたマーキングパッド５０を覆うようにＣＦ基板２０を貼り付けた後にレーザマーキング処理を行なういわゆる複板処理を採用した場合にも、高品位にマーキングを施すことができるようになる。ここで、高品位とは、反射型または透過型のカメラを用いて情報の読み出しを行なう場合に適した品位であることを意味し、具体的には、レーザ光１００の照射によって形成される貫通孔５８の形状や大きさ、貫通孔５８周縁の黒ずみ具合等が検出に適したものになることを意味する。すなわち、形成されるマーキングが低品位である場合には、反射型または透過型のカメラを用いて情報の読み出しを行なった場合に２次元データコードの読み出しエラーが生じて本来の情報とは異なる情報が読み出されてしまう不具合が生ずるが、形成されるマーキングが本実施の形態の如く高品位である場合には、読み出しエラーが生じずに正しく情報が読み出されることになる。
【００５４】
したがって、本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネル１を製造することにより、上述した如くの複板処理が可能になるため、複板処理を採用することで得られる液晶パネルの効率的な生産および低コスト化という２つの効果が得られることになる。
【００５５】
加えて、本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従って液晶パネル１を製造することにより、高品位のマーキングを実現しつつ複板処理を採用することが可能になるため、レーザマーキング処理時に液晶３２が封入されることとなる空間が既にシール部材３０によって周辺部分Ｂを含む外部から隔離された状態にあることになり、レーザマーキング処理に伴って昇華するマーキングパッド５０のマーキング領域Ｃを構成する各種の膜が異物となって当該空間に侵入することが防止でき、歩留まりを向上させることもできる。
【００５６】
なお、本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従うことで高品位のマーキングが行なえるメカニズムは定かではないが、その一つの理由としては以下の点が考えられる。すなわち、複板処理を行なうこととした場合には、ＴＦＴ基板とＣＦ基板とが５μｍ程度の微小なギャップで近接配置された状態にあるため、マーキングパッドの周辺が略密閉空間となってマーキングパッドを構成する膜が昇華し難い状況になるとともに、レーザ光を照射することによって生じた熱が当該空間にこもって貫通孔の周辺の変色が誘発され、これにより高品位のマーキングを行なうことが困難になっているものと考えられる。しかしながら、本実施の形態における液晶パネルの製造方法に従ってレーザマーキング処理を行なうことにより、レーザ光が保護膜としてのマーキングパッドの上部層側からではなく金属膜であるマーキングパッドの下部層側から入射することになるため、マーキングパッドの近傍部分に加えられることとなる熱的影響が最適化されてマーキングパッドを構成する各種の膜の昇華が促進されるとともに、略密閉空間に熱がこもることも抑制され、その結果、高品位のマーキングが実現されるものと考えられる。
【００５７】
図８（Ａ）は、本発明を適用して複板処理でレーザマーキング処理が行なわれたマーキングパッドの一例を示す拡大写真であり、図８（Ｂ）は、本発明を適用せずに複板処理でレーザマーキング処理が行なわれたマーキングパッドの一例を示す拡大写真である。これら拡大写真を参照して、複板処理を採用した場合にも、本発明を適用することで貫通孔の大きさおよび形状、貫通孔周辺の黒ずみ具合等のマーキング品位が高品位に保たれるのに対し、本発明を適用しなかった場合には、マーキング品位が低品位になってしまうことが理解される。
【００５８】
図９および図１０は、第１および第２変形例に係るマーキングパッドの模式断面図である。これら第１および第２変形例に係るマーキングパッド５０Ａ，５０Ｂは、いずれも上述した本実施の形態のマーキングパッド５０のマーキング領域Ｃの下部層５１を構成する金属膜を積層膜にて構成した場合を示すものである。
【００５９】
図９に示すように、第１変形例においては、マーキングパッド５０Ａのマーキング領域Ｃの下部層５１が、たとえば第１金属膜５１ａと、当該第１金属膜５１ａの主表面を覆うように形成された第２金属膜５１ｂとの２層積層膜で構成されている。当該第１金属膜５１ａおよび第２金属膜５１ｂは、マーキングパッド５０Ａの下部層５１を形成する際に、スパッタリング法等を用いて順次異なる材質の金属膜を成膜することで形成される。なお、この場合には、第２金属膜５１ｂの主表面が陽極酸化処理されていてもよい。
【００６０】
第１金属膜５１ａとしては、たとえばタンタル膜が好適に利用され、第２金属膜５１ｂとしては、たとえばアルミニウム膜または銅膜が好適に利用される。なお、この場合にも、２層積層膜からなるマーキングパッド５０Ａのマーキング領域Ｃの下部層５１は、上述したＴＦＴ４０のゲート電極４１と同時に形成されたものであり、ＴＦＴ４０のゲート電極４１を構成する金属膜も、上述した構成の如くの２層積層膜として形成されることになる。
【００６１】
図１０に示すように、第２変形例においては、マーキングパッド５０Ｂのマーキング領域Ｃの下部層５１が、たとえば第１金属膜５１ａと、当該第１金属膜５１ａの主表面を覆うように形成された第２金属膜５１ｂと、当該第２金属膜５１ｂの主表面を覆うように形成された第３金属膜５１ｃとの３層積層膜で構成されている。当該第１金属膜５１ａ、第２金属膜５１ｂおよび第３金属膜５１ｃは、マーキングパッド５０Ｂの下部層５１を形成する際に、スパッタリング法等を用いて順次異なる材質の金属膜を成膜することで形成される。なお、この場合には、第３金属膜５１ｃの主表面が陽極酸化処理されていてもよい。
【００６２】
第１金属膜５１ａとしては、たとえばタンタル膜が好適に利用され、第２金属膜５１ｂとしては、たとえばアルミニウム膜または銅膜が好適に利用され、第３金属膜５１ｃとしては、たとえばタンタル膜が好適に利用される。なお、この場合にも、３層積層膜からなるマーキングパッド５０Ｂのマーキング領域Ｃの下部層５１は、上述したＴＦＴ４０のゲート電極４１と同時に形成されたものであり、ＴＦＴ４０のゲート電極４１を構成する金属膜も、上述した構成の如くの３層積層膜として形成されることになる。
【００６３】
以上において説明した第１および第２変形例とした場合にも、上述の本実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００６４】
なお、以上において説明した本実施の形態およびその変形例においては、マーキングパッドのマーキング領域の下部層を構成する金属膜上に絶縁膜、半導体層、金属膜およびＩＴＯ膜の積層膜からなる上部層が設けられてなる場合を例示して説明を行なったが、マーキングパッドのマーキング領域の上部層の構成としては、絶縁膜、半導体層、金属膜およびＩＴＯ膜のうちのいずれかのみからなる単層膜であってもよいし、これらから選択される複数の膜からなる２層または３層の積層膜であってもよい。いずれにしても、マーキングパッドのマーキング領域の下部層が何らかの保護膜で覆われていればよく、上部層を構成する膜の構成は限定されるものではない。
【００６５】
このように、今回開示した上記実施の形態およびその変形例はすべての点で例示であって、制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって画定され、また特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【符号の説明】
【００６６】
１  液晶パネル、２  情報記録部、１０  ＴＦＴ基板、１１  ガラス基板、１１ａ  表面、１１ｂ  裏面、２０  ＣＦ基板、２１  ガラス基板、３０  シール部材、３２  液晶、４０  ＴＦＴ、４１  ゲート電極、４２  ゲート絶縁膜、４３  第１半導体層、４４  第２半導体層、４５ａ  ソース電極、４５ｂ  ドレイン電極、４６  画素電極、５０，５０Ａ，５０Ｂ  マーキングパッド、５１  下部層、５１ａ  第１金属膜、５１ｂ  第２金属膜、５１ｃ  第３金属膜、５２  保護絶縁膜、５３  保護第１半導体層、５４  保護第２半導体層、５５  保護金属膜、５６  保護ＩＴＯ膜、５８  貫通孔、６０  文字データ部、１００  レーザ光、Ａ  液晶表示部になる部分、Ｂ  周辺部分、Ｃ  マーキング領域、Ｅ１，Ｅ２  分断線。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図９】
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【図１０】
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【図８】
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