(57)【要約】【課題】電界効果型トランジスタの構成部材に物理的あるいは熱的なストレスを加えることなく、電界効果型トランジスタの特性を改善する。【解決手段】第二の基材２１の表面をラビング処理した後、ラビング処理が施された面の上に有機半導体層１４を形成する。次に、ゲート電極１２およびゲート絶縁膜１３が積層形成された第１の基材１１のゲート絶縁膜１３が形成された側の面と、第二の基材２１の有機半導体層１４が形成された側の面とを対向させ、第二の基材２１を第一の基材１１の上面に当接させて有機半導体層１４を第二の基材２１から第１の基材１１側へ転写する。【選択図】図４Ｅ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一の基材上に、少なくともゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、有機物からなる半導体層およびゲート絶縁膜が形成されてなる電界効果型トランジスタの製造方法であって、
少なくとも前記半導体層が第二の基材上から第一の基材上へ転写されることにより形成され、かつ該第二の基材の表面に対して、前記半導体層を形成する前にラビング処理が施されていることを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項２】
前記半導体層が第二の基材上でパターニングされていることを特徴とする請求項１に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項３】
前記第二の基材として、表面に凸版によるパターンが形成されているものを使用することを特徴とする請求項２に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項４】
第二の基材が弾性体により構成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項５】
前記弾性体がシリコーン樹脂を含むことを特徴とする請求項４に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項６】
前記シリコーン樹脂がポリジメチルシロキサンであることを特徴とする請求項５に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記半導体層が、高分子半導体により形成されたものであることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の電界効果型トランジスタの製造方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか１項に記載の製造方法により作製される、電界効果型トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体を用いた電界効果型トランジスタの製造方法およびその方法によって製造される電界効果型トランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機半導体材料を利用した電界効果型トランジスタの研究開発が盛んに行われている。有機半導体材料は、従来半導体素子に用いられてきたシリコンに代表される無機材料と比較して、印刷法による室温での薄膜形成が容易であるという特徴があり、製造プロセスを簡便化・低温化できるという利点を有している。これらの特長により、電界効果型トランジスタは従来困難であったプラスチック基板上への半導体素子形成を容易にし、さらに大面積に低コストで製造可能なものとして期待されているが、一般的に有機半導体材料を利用した半導体素子は、有機半導体材料の低い移動度および動作の不安定性という大きな課題を有している。
【０００３】
上記のように、有機半導体材料を用いた電界効果型トランジスタにおいては半導体材料の低い移動度が大きな問題であり、移動度の向上を図る様々な試みが行われている。例えば特許文献１では、摩擦転写法により有機半導体を形成することで、半導体を配向させ移動度の向上を図っている。また、特許文献２においては半導体の下地をラビング処理することにより、同様に半導体を配向させ特性向上を図っている。
【０００４】
また、特許文献３では、有機半導体を用いた薄膜トランジスタにおいて、キャリアの移動度を改善するために、ソース電極もしくはドレイン電極と有機半導体層との界面に選択的に有機化合物層を設けることが提案されている。
【０００５】
しかしながら、従来の方法には、絶縁膜や半導体自身に物理的・熱的なストレスを加えることによって半導体素子が劣化するという問題や、複雑なプロセスを必要とするという問題があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、電界効果型トランジスタの構成部材に物理的あるいは熱的なストレスを加えることなく、電界効果型トランジスタの特性を改善することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために本発明は、第一の基材上に、少なくともゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、有機物からなる半導体層およびゲート絶縁膜が形成されてなる電界効果型トランジスタの製造方法であって、少なくとも前記半導体層が第二の基材上から第一の基材上へ転写されることにより形成され、かつ該第二の基材の表面に対して、前記半導体層を形成する前にラビング処理が施されていることを特徴とする電界効果型トランジスタの製造方法を提供する。
【０００８】
本発明の電界効果型トランジスタの製造方法において、前記半導体層は第二の基材上でパターニングされていてもよい。この場合、前記第二の基材として、表面に凸版によるパターンが形成されているものを使用することが好ましい。
【０００９】
また、本発明の電界効果型トランジスタの製造方法において、第二の基材は弾性体により構成されていてもよい。この場合、弾性体はシリコーン樹脂を含むことが好ましく、さらに、シリコーン樹脂はポリジメチルシロキサンであることがより好ましい。
【００１０】
また、本発明の電界効果型トランジスタの製造方法において、前記半導体層は、高分子半導体により形成されたものであってもよい。
【００１１】
本発明の電界効果型トランジスタは、上記いずれかに記載の電界効果型トランジスタの製造方法により作製される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、優れた電気的特性を有する電界効果型トランジスタを簡易な工程で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】電界効果型トランジスタの構成例を示す図面である。
【図２】電界効果型トランジスタの別の構成例を示す図面である。
【図３Ａ】有機半導体層の形成手順において第二の基材を準備する工程を説明する図面である。
【図３Ｂ】図３Ａに続く、ラビング処理の工程を説明する図面である。
【図３Ｃ】図３Ｂに続く工程で有機半導体層を形成した状態を説明する図面である。
【図３Ｄ】図３Ｃに続く、有機半導体層を転写する工程を説明する図面である。
【図３Ｅ】図３Ｄに続く、有機半導体層を転写した後の状態を説明する図面である。
【図４Ａ】有機半導体層の形成手順において第二の基材を準備する工程を説明する図面である。
【図４Ｂ】図４Ａに続く、ラビング処理の工程を説明する図面である。
【図４Ｃ】図４Ｂに続く工程で有機半導体層を形成した状態を説明する図面である。
【図４Ｄ】図４Ｃに続く工程で有機半導体層をパターニングした状態を説明する図面である。
【図４Ｅ】図４Ｄに続く、有機半導体層を転写する工程を説明する図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
次に、本発明の実施の形態について説明するが、本発明は以下に挙げる実施の形態に限定されるものではない。
【００１５】
［電界効果型トランジスタの構成例］
まず、本発明の適用対象となる電界効果型トランジスタについて説明する。一般的な電界効果型トランジスタは、例えば、ガラスやプラスチック等の支持体基板、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、ゲート絶縁膜および有機半導体層を含んで構成されている。このような構成の電界効果型トランジスタでは、ゲート電圧を変化させることで、ゲート絶縁層と有機半導体層の界面の電荷量を制御し、ドレイン電極とソース電極との間を流れるドレイン電流の大きさを変化させ、スイッチングを行う。
【００１６】
電界効果型トランジスタの構成例を図１および図２に示した。電界効果型トランジスタとしては、一般的には図１に示したように、第一の基材１上にゲート電極２を形成し、ゲート電極２を覆う形でゲート絶縁膜３を形成し、さらにソース電極５およびドレイン電極６を形成した上に有機半導体層４を形成して電界効果型トランジスタとしたものを挙げることができる。この場合、ソース電極５およびドレイン電極６の間にチャネル領域７が形成される。
【００１７】
また、電界効果型トランジスタの別の構成例として、図２に示したように、第一の基材１１上にゲート電極１２を形成し、ゲート電極１２を覆う形でゲート絶縁膜１３を形成し、その上に有機半導体層１４を形成した後、さらにソース電極１５およびドレイン電極１６を形成して電界効果型トランジスタとしたものを挙げることができる。この場合、ソース電極１５およびドレイン電極１６の間にチャネル領域１７が形成される。
【００１８】
なお、電界効果型トランジスタの構成は、プロセスの適性等により最適な構造を選ぶことができ、図１および図２に示した構成に限るものではない。
【００１９】
第一の基材１，１１としては、電界効果型トランジスタを形成可能な支持体であれば良く、上記のようにガラスやポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルホン、ポリエステル等のプラスチック、シリコンウェハ、ステンレス等の金属類等用いることができる。これらの中でも、特にポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート等が、耐熱性や耐久性の面から好ましい。
【００２０】
ゲート電極２，１２、ソース電極５，１５、ドレイン電極６，１６の材料は、半導体素子の駆動に十分な電流を流すことができれば、同一な材料であってもそれぞれ別個の材料であってもよい。電極材料としては、具体的には、例えば白金、金、銀、ニッケル、クロム、銅、鉄、亜鉛、スズ、タンタル、アルミニウム、タングステン等の金属、ＡＴＯ（アンチモンドープ酸化スズ）、ＩＴＯ（スズドープ酸化インジウム）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）、ＦＴＯ（フッ素ドープ酸化スズ）等の酸化物、導電性ポリアニリン、導電性ポリピロール、導電性ポリチオフェン、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ［ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ(４−スチレン・スルフォン酸)］等の導電性高分子、カーボン等が挙げられる。これらの電極材料の中でも、白金、金、銀、銅、アルミニウム、インジウム、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ及びカーボンが好ましい。また、これらの材料を２種類以上併用することもできる。上記各電極の形成方法としては、蒸着法やスパッタ法等を用いることもできるが、プロセスの簡便性から上記電極材料の溶液あるいは分散液を用いた印刷法により形成することが好ましい。
【００２１】
ゲート絶縁膜３，１３の材料としては、絶縁性材料であれば有機、無機を問わず用いることができる。絶縁性材料としては、例えば、ポリクロロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリオキシメチレン、ポリビニルクロライド、ポリフッ化ビニリデン、シアノエチルプルラン、ポリメチルメタクリレート、ポリサルフォン、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエチレン、ポリエステル、ポリビニルフェノール、メラミン樹脂、ポリビニルフェノール等のフェノール樹脂、フッ素樹脂、ポリフェニレンスルフィド、ポリパラキシレン、ポリアクリロニトリルなどの有機材料、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、および窒素酸化シリコンなどの無機材料等を用いることが出来る。これらの絶縁性材料の中でも、ポリイミド、ポリビニルフェノール、フッ素樹脂等のポリマー材料が好ましく用いられる。これらの絶縁性材料は混合もしくは積層して用いても良い。ゲート絶縁膜３，１３は、上記の電極と同様に印刷法で形成することが、プロセスを簡便にするため好ましい。
【００２２】
有機半導体層４，１４を形成するための有機半導体材料としては、例えばペンタセン、アントラセン、テトラセン、ポルフィリン類あるいはそれらの誘導体のような低分子有機半導体、フタロシアニン類のような有機顔料、有機ケイ素化合物等、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、あるいはそれらの誘導体のような共役系高分子を用いることができる。これらの有機半導体材料の中でも、ラビングされた下地の影響を受けやすい共役系高分子を用いることが好ましい。特にアルキル鎖が導入された共役系高分子は、溶媒への溶解性が高く、かつ配向しやすくなるため、本発明の電界効果型トランジスタの製造方法に好適に使用可能である。そのような共役系高分子としては、例えばＰ３ＨＴ＜ポリ−３−ヘキシルチオフェン＞、ＰＱＴ−１２＜ポリ［５，５’−ビス（３−ドデシル−２−チエニル）−２，２’−ビチオフェン］＞、Ｆ８ＢＴ＜ポリ−（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）−３，６−ベンゾチアジアゾール）＞、Ｆ８Ｔ２＜ポリ（９、９’−ジオクチルーフルオレン−ｃｏ−ビチオフェン）＞等を挙げることができる。
【００２３】
［有機半導体層の形成］
次に、有機半導体層４，１４の形成方法について説明する。本発明の電界効果型トランジスタの製造方法では、有機半導体層４，１４の形成に際し、まず表面にラビング処理が施された第二の基材上に有機半導体層を形成し、次に有機半導体層を第二の基材上から第一の基材上に転写する。ここで、「ラビング処理」とは、ラビング布で第二の基材の表面を擦る処理のことである。ラビング処理に用いられるラビング布としては、天然繊維や半合成繊維、あるいは合成繊維からなる繊維素材等を用いることができ、さらに具体的にはナイロン、レーヨン、ポリアミド、ポリエステル、ポリメチルメタクリレ−ト、綿等が挙げられる。
【００２４】
有機半導体層４，１４を形成するために使用される第二の基材としては、弾性体が好ましい。弾性体であれば転写先である第一の基材１，１１への密着性が向上するため好ましく、弾性体の中でもシリコーン樹脂が柔軟性、耐久性等の面からより好ましく用いられる。また、シリコーン樹脂の中でも、ポリジメチルシロキサンが特に好ましく用いられる。第二の基材としてポリジメチルシロキサンを用いるとき、本発明の電界効果型トランジスタの製造方法は、有機半導体層４，１４の転写性に優れたものとなり、より安定に電界効果型トランジスタを提供することが可能となる。第二の基材の形態は、例えば平板状、ドラム状、シート状、ロール状、ベルト状等とすることができる。
【００２５】
第二の基材上への有機半導体層４，１４の形成方法は、特に限定されるものではないが、半導体溶液の塗布によるものが好ましい。ここでいう半導体溶液とは、有機半導体を溶媒中に溶解あるいは分散させた溶液のことであり、必要であれば液物性を調整するための添加剤等を加えてもよい。半導体溶液の塗布方法は、特に限定されるものではないが、例えばスリットコーター、スピンコーター、バーコーター、グラビアコーター等の各種コーター、グラビア印刷機やフレキソ印刷機等の汎用の印刷装置、ディスペンサ、インクジェット塗布装置、コーティングブレード、ドクターブレード、ディッピング装置などを使用して塗布することができる。
【００２６】
有機半導体層４，１４は、第二の基材の全面に形成した後、そのまま第１の基材１，１１上に転写しても半導体として機能するが、ソース電極５，１５およびドレイン電極６，１６間の必要な部分にのみ半導体パターンを形成することにより、半導体素子のオフ電流低減を図ることができる。この場合、第一の基材１，１１上に転写した後に、有機半導体層４，１４をパターニングしてもよいが、好ましくは、転写前に第二の基材上で有機半導体層４，１４を必要な形状にパターニングしておくことにより、前記電極間の半導体パターン形成を容易に行う事が可能となる。パターンの形成方法としては、例えば、ａ）インクジェット法等により第二の基材の任意の部分にのみ有機半導体層４，１４を形成する方法、ｂ）第二の基材の全面に有機半導体層４，１４を形成した後不必要な部分を除去する方法、あるいはｃ）光や熱あるいは化学修飾等により第二の基材表面にパターニングを行い、そのパターン上に有機半導体層４，１４を選択的に形成するという方法等を挙げることができるが、これらに限定されるものではない。また、上記ａ）〜ｃ）等の方法は組み合わせて適用できる。上記ｃ）のように、第二の基材表面に例えば凸版のパターンを形成する方法であれば、より簡便なプロセスで有機半導体層４，１４をパターニングすることが可能となるため有利である。
【００２７】
第二の基材から第一の基材へ有機半導体層４，１４を転写する場合には、第一の基材１と第二の基材２０との位置ずれの発生や転写不良の発生を防止する目的で、例えば転写圧力、転写時の温度等を適正に調節することが好ましい。
【００２８】
なお、有機半導体層４，１４を転写する相手方の第一の基材１，１１上には、電界効果型トランジスタを構成する他の部材例えばゲート電極２，１２、ゲート絶縁膜３，１３などが先に形成されていてもよい。従って、本発明において、「第一の基材」上へ転写することには、第一の基材上に上記電極層や絶縁膜が形成されている状態で転写を行うことを含む意味に解釈される。
【００２９】
次に、図３Ａ〜図３Ｅおよび図４Ａ〜図４Ｅを参照しながら、電界効果型トランジスタの製造における有機半導体層４，１４の形成手順についてさらに具体的に説明を行う。図３Ａ〜図３Ｅは、図１に示した構成の電界効果型トランジスタの有機半導体層４を形成する手順を示す工程図である。まず、図３Ａに示したように、第二の基材２０を準備する。この第二の基材２０は、表面に予めパターニングされた凸部２０ａを有している。凸部２０ａはチャネル領域７に対応する範囲よりも少し大きな形状でパターニングされている。
【００３０】
次に、図３Ｂに示したように、第二の基材２０の表面をラビング処理する。図３Ｂ中の矢印の方向がラビングの方向である。ラビング処理は、ラビングの方向が、有機半導体層４を転写する相手側の第一の基材１のソース電極５からドレイン電極６への電流の流れ方向に対して平行になるように行うことが好ましい。このようにラビング処理を行うことによって、第二の基材２０上に後から形成される有機半導体層４の配向方向を、ソース・ドレイン間の電流の流れ方向と一致させることが可能となり、キャリアの移動度を高め、電界効果型トランジスタの電気的特性を向上させることができる。次に、図３Ｃに示したように、第二の基材２０のラビング処理が施された領域の上に、例えばインクジェット法により有機半導体層４を形成する。
【００３１】
次に、図３Ｄに示したように、常法によってゲート電極２、ゲート絶縁膜３、ソース電極５およびドレイン電極６が積層形成された第１の基材１のソース電極５およびドレイン電極６が形成された側の面と、第二の基材２０の有機半導体層４が形成された側の面とが対向するように配置して位置合わせし、第二の基材２０を第一の基材１の上面に所定の圧力で当接させる。次に、図３Ｅに示したように、第二の基材２０を第一の基材１から離間させることによって、第二の基材２０の凸部２０ａ上に形成されていた有機半導体層４を第一の基材１側へ転写することができる。このとき、第二の基材２０の凸部２０ａ以外の部位に形成されていた有機半導体層４は、第一の基材１側へ転写されないため、結果的に第二の基材２０の凸部２０ａのパターンに対応したパターン形状を有する有機半導体層４が第一の基材１上に転写されることになる。また、第二の基材２０を第一の基材１に圧接する際、第二の基材２０には弾性変形が生じるため、第一の基材１のソース電極５とドレイン電極６との間の段差（凹部内）にも有機半導体層４が十分に埋め込まれる。以上のようにして、図１に例示した構成、すなわち、ソース電極５とドレイン電極６との間のチャネル領域７を覆うようにパターン形成された有機半導体層４を備えた電界効果型トランジスタを製造することができる。
【００３２】
図４Ａ〜図４Ｅは、図２に示した構成の電界効果型トランジスタの有機半導体層１４を形成する手順を示す工程図である。まず、図４Ａに示したように、第二の基材２１を準備する。この第二の基材２１は、平坦な表面を有している。
【００３３】
次に、図４Ｂに示したように、第二の基材２１の表面をラビング処理する。図４Ｂ中の矢印の方向がラビングの方向である。この場合も、ラビング処理は、ラビングの方向が、有機半導体層１４を転写する相手側の第一の基材１１のソース電極１５からドレイン電極１６への電流の流れ方向に対して平行になるように行うことが好ましい。これによって第二の基材２１上に後から形成される有機半導体層１４の配向方向を、ソース・ドレイン間の電流の流れ方向と一致させ、キャリアの移動度を高め、電界効果型トランジスタの電気的特性を向上させることができる。次に、図４Ｃに示したように、第二の基材２１のラビング処理が施された面の上に有機半導体層１４ａを形成した後、図４Ｄに示したように、公知のフォトリソグラフィー技術とエッチングによって有機半導体層１４ａをパターニングし、有機半導体層１４を形成する。なお、例えばインクジェット法により第二の基材２１上に直接所定のパターンで有機半導体層１４を形成することもできるし、あるいは、第二の基材２１の表面に凹凸パターンを形成しておき、凹部にのみ半導体溶液を塗布してパターニングしてもよい。
【００３４】
次に、図４Ｅに示したように、常法によってゲート電極１２およびゲート絶縁膜１３が積層形成された第１の基材１１のゲート絶縁膜１３が形成された側の面と、第二の基材２１の有機半導体層１４が形成された側の面とが対向するように配置して位置合わせし、第二の基材２１を第一の基材１１の上面に当接させて有機半導体層１４を第二の基材２１から第１の基材１１側へ転写する。有機半導体層１４を転写した後は、常法によりソース電極１５およびドレイン電極１６を形成することによって、図２に例示した電界効果型トランジスタを製造することができる。
【００３５】
［作用］
本発明の電界効果型トランジスタの製造方法により半導体特性に優れた電界効果型トランジスタが提供される理由は定かではないが、以下のように考えれば合理的な説明が可能である。すなわち、第二の基材２０，２１にラビング処理を施しておくことによって、第二の基材２０，２１上に形成された有機半導体層４，１４は、ラビング処理された下地（第二の基材２０，２１）の影響を受け、ラビング方向に配向性を持つようになると推測される。従って、第二の基材２０，２１に対するラビングの方向を、電界効果型トランジスタの電流の流れ方向と一致させておくことによって、有機半導体層４，１４の配向方向を電流の流れ方向と一致させることができる。その結果、電界効果型トランジスタにおいて、キャリアの移動度が改善され、電気的特性の向上が実現するものと考えられる。
【実施例】
【００３６】
以下、実施例および比較例を挙げて本発明についてより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例等に制約されるものではない。
【００３７】
（実施例）
１）有機半導体転写用基板の作成
直径４インチのガラス板上にシリコーンゴムを厚さ２ｍｍに形成し、硬化させた後、表面を、レーヨン布を巻き付けたガラス棒で擦り、転写用基板を作製した。
【００３８】
２）電界効果型トランジスタ評価用基板の作製
表面に熱酸化によりＳｉＯ２の絶縁膜が３００ｎｍ形成されたシリコン基板を用い、シリコンをゲート電極、熱酸化膜をゲート絶縁膜として、ゲート絶縁膜上に金を蒸着しソース／ドレイン電極とした。このときソース／ドレイン電極は、シャドウマスクを用いて厚さ１００ｎｍ、チャネル長：５０μｍ、チャネル幅５０００μｍとなるようにパターニングした。さらに、基板をヘキサメチレンジシラザンの蒸気に３分間曝露した後、１２０℃で５分間乾燥し、評価用基板とした。
【００３９】
３）電界効果型トランジスタの作製
上記１）で得られた転写用基板上に、Ｐ３ＨＴ（ポリ−３−ヘキシルチオフェン）のクロロホルム溶液（１ｗｔ％）を、スピンコート法を用いて塗布した後、上記２）で得られた評価用基板上に上記Ｐ３ＨＴ層を転写し、電界効果トランジスタを作製した。ここで、ソース電極からドレイン電極への電流が流れる方向と、Ｐ３ＨＴの配向方向（ラビング処理の方向）が平行となるように転写を行った。
【００４０】
（比較例）
有機半導体転写用基板を以下の通り作製した以外は、実施例１と同様にして電界効果トランジスタを作製した。
１）有機半導体転写用基板の作成
直径４インチのガラス板上にシリコーンゴムを厚さ２ｍｍに形成し、硬化させた転写用基板を作製した。
【００４１】
（トランジスタ特性の評価）
室温・窒素雰囲気下の条件でこれらトランジスタの特性を評価したところ、典型的なｐ型トランジスタの特性を示した。飽和領域において算出した電界効果移動度およびオンオフ比（ＶＧ＝−８０Ｖ／ＶＧ＝４０Ｖ；ＶＧはゲート電圧）は、実施例１の電界効果型トランジスタが移動度３．２×１０−３ｃｍ２／Ｖｓ、オンオフ比７．４×１０４、比較例１の電界効果型トランジスタが１．７×１０−３ｃｍ２／Ｖｓ、オンオフ比３．４×１０４となり、ラビング処理の効果が発現していることが確認された。
【００４２】
以上、本発明の実施の形態を述べたが、本発明は上記実施の形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。
【符号の説明】
【００４３】
１：第一の基材
２：ゲート電極
３：ゲート絶縁膜
４：有機半導体層
５：ソース電極
６：ドレイン電極
７：チャネル領域
１１：第一の基材
１２：ゲート電極
１３：ゲート絶縁膜
１４，１４ａ：有機半導体層
１５：ソース電極
１６：ドレイン電極
１７：チャネル領域
２０：第二の基材
２０ａ：凸部
２１：第二の基材
【先行技術文献】
【特許文献】
【００４４】
【特許文献１】特開２００４−３５６４２２号公報
【特許文献２】特開２００４−３１４５８号公報
【特許文献３】特開２００８−６６５１０号公報
【図１】
2010272671.tif 000003
【図２】
2010272671.tif 000004
【図３Ａ】
2010272671.tif 000005
【図３Ｂ】
2010272671.tif 000006
【図３Ｃ】
2010272671.tif 000007
【図３Ｄ】
2010272671.tif 000008
【図３Ｅ】
2010272671.tif 000009
【図４Ａ】
2010272671.tif 000010
【図４Ｂ】
2010272671.tif 000011
【図４Ｃ】
2010272671.tif 000012
【図４Ｄ】
2010272671.tif 000013
【図４Ｅ】
2010272671.tif 000014