(57)【要約】【課題】  配向膜等の削れを抑制することが可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供すること。さらに、製造工程が複雑化又は高コスト化することがない液晶表示装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】  ＴＦＴ基板ＳＵＢ１と、対向基板ＳＵＢ２と、該ＴＦＴ基板と該対向基板との間に液晶ＬＱが挟持された液晶表示装置において、該対向基板ＳＵＢ２には、複数のカラーフィルタ（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が配置されると共に、該複数のカラーフィルタを積層し、表面をオーバーコート層ＯＣで被覆したスペーサＳＰＣが形成され、該ＴＦＴ基板ＳＵＢ１には、該スペーサＳＰＣに対向して配置される台座ＰＤＳが形成され、該台座は、少なくともＴＦＴ基板上の薄膜トランジスタと同時に形成される半導体層Ｓ１と金属層Ｍ２とが積層されると共に、該半導体層で構成される台座部分の幅ＲＳ１を、該スペーサの幅とほぼ同じ大きさで形成することを特徴とする。【選択図】図８
2010237503.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＴＦＴ基板と、対向基板と、該ＴＦＴ基板と該対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置において、
該対向基板には、複数のカラーフィルタが配置されると共に、該複数のカラーフィルタを積層し、表面をオーバーコート層で被覆したスペーサが形成され、
該ＴＦＴ基板には、該スペーサに対向して配置される台座が形成され、
該台座は、少なくともＴＦＴ基板上の薄膜トランジスタと同時に形成される半導体層と金属層とが積層され、
該半導体層の幅は、前記スペーサの幅とほぼ同じ大きさであることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置において、該台座の該半導体層と該金属層の液晶側には、絶縁膜と配向膜が形成され、且つ該台座はゲート走査線上に形成され、該台座部分の該半導体層の幅は、ゲート走査線幅と同じ程度であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
ＴＦＴ基板と、対向基板と、該ＴＦＴ基板と該対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置において、
該対向基板には、複数のカラーフィルタが配置されると共に、該複数のカラーフィルタを積層し、表面をオーバーコート層で被覆したスペーサが形成され、
該ＴＦＴ基板には、該スペーサに対向して配置される台座が形成され、
該台座は、少なくともＴＦＴ基板上の薄膜トランジスタと同時に形成される半導体層と金属層とが積層され、
該半導体層と該金属層の側面は、連続的に均一になるように形成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の液晶表示装置において、該台座の該半導体層と該金属層の液晶側には、絶縁膜と配向膜が形成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
ＴＦＴ基板と、対向基板と、該ＴＦＴ基板と該対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であり、
該対向基板には、複数のカラーフィルタが配置されると共に、該複数のカラーフィルタを積層し、表面をオーバーコート層で被覆したスペーサが形成され、
該ＴＦＴ基板には、該スペーサに対向して配置される台座が形成され、
該台座は、少なくともＴＦＴ基板上の薄膜トランジスタと同時に形成される半導体層と金属層とが積層された液晶表示装置の製造方法において、
該台座を形成する際に、該金属層の表面に塗布されたレジストは、該金属層で構成される台座部分の大きさを決めるマスクパターンで露光され、
該レジストのパターンを用いて該金属層をドライ・エッチングでエッチングを行い、
その後該レジストのパターンを用いて該半導体層をドライ・エッチングでエッチングを行うことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置及びその製造方法において、支柱方式によってＴＦＴ基板と対向基板とを所定間隔に保持する液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置では画素電極や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が形成されたＴＦＴ基板とカラーフィルタ等が形成された対向基板との間に液晶を充填し、この液晶の分子を電界によって制御することによって画像を形成する。ＴＦＴ基板と対向基板の間の間隔は数ミクロンと非常に小さい。ＴＦＴ基板と対向基板の間の間隔を適切に設定することは、液晶による光の透過を制御するためには極めて重要である。
【０００３】
ＴＦＴ基板と対向基板の間隔を規定する例として、ビーズ等を分散する方法がある。しかし、ビーズを分散させると、画素電極が形成された領域にまで、ビーズが分散されることになり、この部分において光が散乱されてコントラストが低下するという問題があった。
【０００４】
一方、従来の液晶の充填方法は、ＴＦＴ基板と対向基板との間をシールし、シールの一部に開口を設け、そこから液晶を注入する方法、およびＴＦＴ基板上に液晶を必要量滴下し、その後対向基板をシールして液晶を封止する方法などが開発されている。何れの場合においても、ビーズを分散させる場合は、液晶を滴下する際に、ビーズが移動し、ビーズの多い場所と少ない場所が生ずる。また、ビーズはバックライトの光が透過する画素領域内にも分散され、開口率が低下し、開口率低下の原因となり得る。
【０００５】
以上のようなビーズを利用する例の他に、ＴＦＴ基板と対向基板との間隔を規定する方法として、対向基板上に有機膜による支柱（スペーサ）を形成する方法（支柱方式）がある。支柱は、一般的には、画素電極が存在していない部分すなわち、バックライトからの光が透過しない部分に設置する。したがって、支柱の存在によって、輝度（開口率）を低下させることはない。また、支柱は対向基板に固定されているために、液晶を滴下した場合も移動することは無い。したがって、支柱によって間隔を維持する方法は液晶を滴下する方式（液晶滴下封入方式）にも好適である。
【０００６】
この支柱は一般的には、対向基板のカラーフィルタ上に形成され、樹脂によって形成される。このような例として、特許文献１がある。
また、支柱を、カラーフィルタを積層することによって形成する場合もあり、このような例として、特許文献２がある。
【０００７】
また、ＴＦＴ基板側におけるカラーフィルタのスペーサが当接する部分には、該スペーサと協働しＴＦＴ基板と対向基板との間隔をより適正に維持するための台座が形成される場合がある。台座には、特許文献１に示すように、ゲート線上のスイッチング素子など、ゲート線やドレイン線上の突起部を利用する場合が多い。さらに、ＴＦＴ基板側の絶縁膜の表面には、液晶の配向を調整する配向膜が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平９−４９９１４号公報
【特許文献２】特開２００３−２３３０６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ＴＦＴ基板を形成する際に、製造工程を削減するため、薄膜トランジスタ上のソース・ドレイン（ＳＤ）を構成する金属膜と、アモルファス・シリコン（ａ−Ｓｉ）のような半導体膜を積層し、一度の露光プロセスで所望の形状に加工する、所謂、ＳＤ層とａ−Ｓｉ層の一括加工が行われている。図１〜３に、その加工のプロセスを示す。また、図１〜３で示す箇所は、図１１に示す画素平面図のＢ−Ｂ間の断面である。
【００１０】
ＳＤとａ−Ｓｉの一括加工法を説明すると、図１の（ａ）のように、ＴＦＴ基板となる基板ＳＵＢ１上に、ゲート走査線を構成する金属膜Ｍ１が形成される。図１（ａ）において、右側の金属膜Ｍ１が薄膜トランジスタＴＦＴが形成される領域、左側の金属膜Ｍ１が対向基板に形成されるスペーサに当接する台座が形成される領域である。
金属膜Ｍ１上には、ＳｉＮなどの材料を利用した絶縁膜ＩＬ１が設けられ、その上にａ−Ｓｉなどの半導体膜Ｓ１がＣＶＤ成膜法を利用して形成される。
【００１１】
更に、ａ−Ｓｉ膜Ｓ１の上には、金属膜Ｍ２が図１（ｂ）のように形成される。
【００１２】
ＳＤ層やａ−Ｓｉ層の各膜体を所定形状に加工するためには、フォトレジスト法が利用される。図１（ｂ）の金属膜Ｍ２上にレジスト膜を形成し、該レジスト膜に所定のマスクパターンを有するフォトマスクＰＭを利用して露光し、現像を行う。図１（ｃ）は、露光現像されたレジストパターンＲＰ１，ＲＰ２を示しており、例えば、マスクパターン部分ＭＰに対応するレジスト材が残り、マスクパターン部分ＭＰより光を透過するハーフ露光用パターン部分ＨＰに対しては、図１（ｃ）に示すように、マスクパターン部分ＭＰよりも薄いレジスト材が残る。
【００１３】
次に、ウェット・エッチングを行うと、図２（ｄ）に示すように、レジストパターンＲＰ１及びＲＰ２に対応して金属膜Ｍ２が残る。
【００１４】
さらに、図２（ｅ）に示すように、レジストパターンＰＲ１及びＰＲ２を利用して、半導体膜Ｓ１をドライ・エッチングする。
【００１５】
次に、レジストパターンをアッシング処理し、ハーフ露光用パターン部分ＨＰに対応するレジスト材を、図２（ｆ）に示すように除去する。そして、このレジストパターンを利用して、ウェット・エッチングを行うと、図２（ｇ）の右側に示すように、金属膜Ｍ２に、薄膜トランジスタＴＦＴのソース・ドレイン電極に対応する電極パターンが形成される。また、図２（ｇ）の左側には、金属膜Ｍ２の台座となる部分が形成される。
【００１６】
図３（ｈ）のように、レジストパターンを剥離した後、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の表面には、図３（ｉ）のように保護膜としての絶縁膜ＩＬ２が形成され、さらにその表面には、図３（ｊ）のように液晶の配向を調整する配向膜ＯＦが形成される。
【００１７】
ＴＦＴ基板には薄膜トランジスタのみでなく、前述の台座部分も同時に形成される。図３（ｊ）の枠Ａで示した台座（ＰＤＳ）部分は、図４に示すように、対向基板ＳＵＢ２のスペーサＳＰＣと当接するよう構成される。
【００１８】
図４に示すように、対向基板ＳＵＢ２に設けられるスペーサＳＰＣは、ブラックマトリクスＢＭと積層したカラーフィルタ（Ｒ：赤のフィルタ，Ｇ：緑のフィルタ，Ｂ：青のフィルタ）と、保護膜としてその表面を被覆するオーバーコート層ＯＣから構成される。また、オーバーコート層ＯＣ上には、配向膜も形成されるが、ここではその記載を省略する。
【００１９】
ＴＦＴ基板ＳＵＢ１上の台座ＰＤＳは、ゲート走査線ＧＬである金属膜Ｍ１上に、絶縁膜ＩＬ１、薄膜トランジスタを形成する際に使用されるアモルファス・シリコンなどの半導体層Ｓ１、さらに薄膜トランジスタのソース・ドレイン電極を構成する際に使用される金属膜Ｍ２などが順次積層され、これらの表面を絶縁膜ＩＬ２で被覆して構成される。また、絶縁膜ＩＬ２の表面には、液晶の配向を調整する配向膜ＯＦが形成されている。
【００２０】
上述したように、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の薄膜トランジスタＴＦＴを、ソース・ドレイン電極用の金属膜Ｍ２と半導体層Ｓ１とを一括加工するプロアセスでは、一つのレジストパターンで、金属膜Ｍ２と半導体層Ｓ１の異なるエッチングが行われる（図２（ｄ）〜（ｇ））。このため、金属層Ｍ２がレジストパターンＰＲ２よりも小さくなってしまう現象がおき、図４のＤ’部分に示すように、半導体層Ｓ１の周囲に、金属膜Ｍ２が、１μｍ〜２μｍ程度、ごく僅かではあるが、はみ出した形状（段差形状）で積層構造が形成される。
【００２１】
ＴＦＴ基板ＳＵＢ１と対向基板ＳＵＢ２が接合された状態では、スペーサＳＰＣに台座ＰＤＳの先端が突き刺さり、めり込んだ状態になる。特に、カラーフィルタを積層して構成したスペーサは、フィルタ自体が樹脂で構成されるため、弾性変形し易く、台座が突き刺さりやすい。具体的には、台座ＰＤＳの先端部ｓの分は、スペーサＳＰＣ内に埋まる。このため、台座ＰＤＳの段差部分が、スペーサＳＰＣの表面に当接することが多くなる。
【００２２】
したがって、液晶表示装置の輸送時や使用時などの振動で、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１と対向基板ＳＵＢ２とが擦れ、台座ＰＤＳとスペーサＳＰＣとの間で、オーバーコート層の削れＯＣ１や、台座の脇（段差部）の配向膜の削れＯＦ１が発生する。特に、台座ＰＤＳの半導体層Ｓ１と金属層Ｍ２の段差部分が、スペーサＳＰＣ側に擦れることにより発生する削れの影響が大きい。
このような削れたオーバーコート膜や配向膜は、液晶層ＬＣ内を浮遊し、表示領域に輝点を形成する原因となる。
【００２３】
本発明が解決しようとする課題は、上記のような問題を解決し、配向膜等の削れを抑制することが可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供することである。しかも、製造工程が複雑化又は高コスト化することがない液晶表示装置及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本発明は、上述した課題を解決するため、配向膜が絶縁膜に密着する面積を増加して、配向膜の剥離を抑制すると共に、対向基板側のスペーサとＴＦＴ基板側の台座の周囲部分（段差部等）が接触を避け、配向膜やオーバーコート膜の剥離を抑制することを特徴とする。具体的な手段は、次のとおりである。
【００２５】
（１）  ＴＦＴ基板と、対向基板と、該ＴＦＴ基板と該対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置において、該対向基板には、複数のカラーフィルタが配置されると共に、該複数のカラーフィルタを積層し、表面をオーバーコート層で被覆したスペーサが形成され、該ＴＦＴ基板には、該スペーサに対向して配置される台座が形成され、該台座は、少なくともＴＦＴ基板上の薄膜トランジスタと同時に形成される半導体層と金属層とが積層され、該半導体層の幅は、前記スペーサの幅とほぼ同じ大きさであることを特徴とする。
【００２６】
（２）  上記（１）に記載の液晶表示装置において、該台座の該半導体層と該金属層の液晶側には、絶縁膜と配向膜が形成され、且つ該台座はゲート走査線上に形成され、該台座部分の該半導体層の幅は、ゲート走査線幅と同じ程度であることを特徴とする。
【００２７】
（３）  ＴＦＴ基板と、対向基板と、該ＴＦＴ基板と該対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置において、該対向基板には、複数のカラーフィルタが配置されると共に、該複数のカラーフィルタを積層し、表面をオーバーコート層で被覆したスペーサが形成され、該ＴＦＴ基板には、該スペーサに対向して配置される台座が形成され、該台座は、少なくともＴＦＴ基板上の薄膜トランジスタと同時に形成される半導体層と金属層とが積層され、該半導体層と該金属層の側面は、連続的に均一になるように形成されることを特徴とする。
【００２８】
（４）  上記（３）に記載の液晶表示装置において、該台座の該半導体層と該金属層の液晶側には、絶縁膜と配向膜が形成されることを特徴とする液晶表示装置。
【００２９】
（５）  ＴＦＴ基板と、対向基板と、該ＴＦＴ基板と該対向基板との間に液晶が挟持された液晶表示装置であり、該対向基板には、複数のカラーフィルタが配置されると共に、該複数のカラーフィルタを積層し、表面をオーバーコート層で被覆したスペーサが形成され、該ＴＦＴ基板には、該スペーサに対向して配置される台座が形成され、該台座は、少なくともＴＦＴ基板上の薄膜トランジスタと同時に形成される半導体層と金属層とが積層された液晶表示装置の製造方法において、該台座を形成する際に、該金属層の表面に塗布されたレジストは、該金属層で構成される台座部分の大きさを決めるマスクパターンで露光され、該レジストのパターンを用いて該金属層をドライ・エッチングでエッチングを行い、その後該レジストのパターンを用いて該半導体層をドライ・エッチングでエッチングを行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００３０】
本発明は、上記（１）のように、半導体層で構成される台座部分の幅を、金属層で構成される台座部分の幅より、十分に大きく設定することにより、台座の半導体層において、対向基板側のスペーサと密着する面積が増加して、配向膜の剥離を抑制する。また、対向基板側のスペーサとＴＦＴ基板側の台座の段差部が接触するのを避けることも可能となり、配向膜やオーバーコート膜の剥離を抑制することができる。
【００３１】
上記（２）のように、台座はゲート線上に形成され、半導体で構成される台座部分の幅は、ゲート走査線幅と同じ程度であるため、対向基板側のスペーサと台座の半導体層が密着する面積を十分に確保すると共に、対向基板側のスペーサとＴＦＴ基板側の台座の周囲部分（段差部等）が接触するのを十分に避けることが可能となる。
【００３２】
上記（３）のように、半導体層で構成される台座部分の幅と、金属層で構成される台座部分の幅を、ほぼ同じに設定するため、台座の周囲部分には、半導体層と金属層との幅の違いによる段差部が形成されず、対向基板側のスペーサに台座の段差部が接触することが無い。
【００３３】
上記（４）のように、台座の側面を絶縁層が覆うため、より半導体層と金属層の段差が生じなくなる。
【００３４】
上記（５）のように、台座を形成する際に、半導体層と金属層に対して、同じレジストパターンを用い、且つどちらの層もドライ・エッチングを用いることで、該半導体層で構成される台座部分の幅を、該金属層で構成される台座部分の幅と、ほぼ同じに形成できるため、製造工程を複雑化せず、製造に係るコストの増加を抑制しながら、配向膜等の剥離を抑制可能な液晶表示装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】従来の液晶表示装置の製造方法を示す図（その１）である。
【図２】従来の液晶表示装置の製造方法を示す図（その２）である。
【図３】従来の液晶表示装置の製造方法を示す図（その３）である。
【図４】従来の液晶表示装置のスペーサ及び台座を示す断面図である。
【図５】本発明に係る液晶表示装置の全体を示す概略図である。
【図６】本発明に係る液晶表示装置に用いられる液晶表示パネルの全体を示す概略図である。
【図７】対向基板における画素及びスペーサの配置を示す図である。
【図８】本発明に係る液晶表示装置の第１の実施例を示す断面図である。
【図９】図８に示す台座を製造する際に利用されるハーフ露光用パターンを含むマスクパターンを示す図である。
【図１０】本発明に係る液晶表示装置の第２の実施例を示す断面図である。
【図１１】画素構造の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
本発明に係る液晶表示装置及びその製造方法について、詳細に説明する。
【００３７】
図５は、本発明が適用される液晶表示装置の概略構成図である。観察者側から、液晶表示パネルＰＡ、光学シートＯＳ、およびバックライトＢＬが順次配置されている。
【００３８】
液晶表示パネルＰＡは、一対の平行配置された、例えばガラスからなる基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２を有し、これら各基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の間に液晶が封入されている。
【００３９】
基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の液晶側の面には、マトリクス状に配置された画素（図１１参照）が形成され、これら画素ごとに液晶の光透過率を制御できるようになっている。
【００４０】
そして、これら各画素が形成された領域を画像表示領域ＡＲ（図中一点鎖線で囲まれた領域）とし、バックライトＢＬからの光を画像表示領域ＡＲの全域にわたって照射し、各画素を透過する光を通して観察者に映像を認識させるようになっている。
【００４１】
観察者側から見て後方に配置された基板ＳＵＢ１は、たとえばその図中左側辺および上側辺において基板ＳＵＢ２から露出された部分を有し、これらの部分において、複数のドライバ基板ＳＣＤｈ、ＳＣＤｖが接続されるようになっている。これらドライバ基板ＳＣＤｈ、ＳＣＤｖはいわゆるＴＡＢ（Tape Automated Bonding）と呼ばれるＴＣＰ（Tape Carrier Package）やＣＯＦ（Chip on Film）などによって形成され、配線が形成されたフレキシブル基板ＦＢの上面に半導体チップＣＨが搭載されて構成される。
【００４２】
これら各ドライバ基板ＳＣＤｈ、ＳＣＤｖは各画素を独立に駆動させる回路であり、たとえば図中ｙ方向に並設されるドライバ基板ＳＣＤｖは走査信号駆動回路であり、図中ｘ方向に並設されるドライバ基板ＳＣＤｈは映像信号駆動回路である。
【００４３】
映像信号駆動回路である複数のドライバ基板ＳＣＤｈには、基板ＳＵＢ１と接続された辺と対向する他の辺においてプリント基板ＰＣＢが接続され、プリント基板ＰＣＢを通して外部入力信号が入力される。
【００４４】
なお、走査信号駆動回路である複数のドライバ基板ＳＣＤｖは、その外部入力信号が基板ＳＵＢ１の表面に形成された配線（不図示）を通して入力されるため、プリント基板ＰＣＢに相当する基板は備えられていない。
【００４５】
このように構成された液晶表示パネルＰＡの背面には、たとえばプリズムシートおよび拡散板等の積層体からなる光学シート手段（光学部材）ＯＳを介してバックライトＢＬが配置されている。光学部材ＯＳはバックライトＢＬからの光を拡散、集光させたりして液晶表示パネルＰＡ側へ導くようになっている。
【００４６】
図５では、バックライトＢＬは、いわゆる直下型と称され、箱状の筐体（フレーム部材ＤＦＲ）内に、線状光源である複数の蛍光管ＦＬを並設させた構成となっている。これ以外に、発光ダイオードなどの点状光源を面状に配置するバックライトも採用可能である。
【００４７】
次に、図６を用いて、基板ＳＵＢ１に形成される電極及び配線について説明する。基板ＳＵＢ１は、基板ＳＵＢ２と比較して、その面積が大きく形成され、たとえば図中左側辺部および上側辺部において、前記基板ＳＵＢ２から露出された領域を有する。
【００４８】
基板ＳＵＢ１の左側辺部の領域には、複数のドライバ基板ＳＣＤｖ（走査信号駆動回路）が並設され、基板ＳＵＢ１の上側辺部の領域には、複数のドライバ基板ＳＣＤｈ（映像信号駆動回路）が並設されている。ドライバ基板ＳＣＤｖは走査信号駆動回路を構成し、ゲート走査線ＧＬに接続され、ドライバ基板ＳＣＤｈは映像信号駆動回路を構成し、ドレイン信号線ＤＬに接続されている。
【００４９】
基板ＳＵＢ１の液晶側の面であって液晶表示領域ＡＲ内には、図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート走査線ＧＬが、また、図ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成されている。
【００５０】
隣接する一対のゲート走査線ＧＬと隣接する一対のドレイン信号線ＤＬで囲まれる矩形状の領域は画素が形成される領域を構成し、これにより、各画素は液晶表示領域ＡＲ内においてマトリクス状に配置されるようになる。
【００５１】
前記各ゲート走査線ＧＬは、その左側端部がシール材ＳＥを越えて液晶表示領域ＡＲの外側にまで延在され、近接するドライバ基板ＳＣＤｖの出力端子に接続され、該ドライバ基板ＳＣＤｖによって走査信号（電圧）が供給されるようになっている。
【００５２】
前記各ドレイン信号線ＤＬは、その上側端部がシール材ＳＬを越えて液晶表示領域ＡＲの外側にまで延在され、近接するドライバ基板ＳＣＤｈの出力端子に接続され、該ドライバ基板ＳＣＤｈによって映像信号（電圧）が供給されるようになっている。
【００５３】
前記画素は、たとえば図中丸枠Ｐの拡大図である丸枠Ｐ'に示すように、ゲート走査線ＧＬからの走査信号(電圧)によってオンされる薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを介してドレイン信号線ＤＬからの映像信号（電圧）が供給される画素電極ＰＸと、一定の基準信号（電圧）が印加されて、前記画素電極ＰＸとの間の電位差によって電界を生じせしめる共通電極ＣＴが備えられている。より具体的な例は、図１１を参照されたい。
【００５４】
画素電極ＰＸと共通電極ＣＴはともに同じ基板ＳＵＢ１に形成されており、前記電界は基板ＳＵＢ１の表面と平行な電界成分を一部に含むもので、このような電界によって液晶の分子を挙動（駆動）させるものを横電界（In-Plane-Switching）方式と称されている。
【００５５】
なお、前記共通電極ＣＴはゲート走査線ＧＬと平行に配置される共通配線（コモン線）ＣＬを通して所定の電圧が印加されるようになっており、該コモン線ＣＬは前記シール材ＳＥを越えて延在され、基板ＳＵＢ１面に形成されたコモン電圧端子ＣＴＭに接続されている。
【００５６】
図７は、対向基板である基板ＳＵＢ２の表示領域における画素の配置を示す例である。図７において、横方向には、赤画素ＲＰ、青画素ＢＰ、緑画素ＧＰが一定ピッチＰｘで配置されている。なお赤画素ＲＰ、青画素ＢＰ、緑画素ＧＰ等は、正確には赤画素ＲＰ、青画素ＢＰ、緑画素ＧＰに対応するＢＭのホールであるが、複雑な呼称を避けるために、単に、赤画素ＲＰ、青画素ＢＰ、緑画素ＧＰと言う。縦方向には同じ色の画素が一定ピッチＰｙで配置されている。各画素の幅はＰｗで、各画素の縦径はＰｈである。横方向のピッチＰｘは、例えば１７０μｍ、縦方向のピッチＰｙは、例えば５１０μｍである。一方、画素の幅Ｐｗは１４３μｍ、画素の縦径Ｐｈは４１０μｍである。
【００５７】
スペーサＳＰＣは、図７に示すように、縦方向の画素間のブラックマトリクスＢＭ上に形成されるので、スペーサＳＰＣの形成のために利用できる領域は、縦方向は１００μｍである（Ｐｙ−Ｐｈの大きさ）。スペーサが横方向に利用できる幅は、ゲート走査線上の台座の形成領域次第である。
【００５８】
図７において、スペーサＳＰＣの平面は円形であるが、スペーサの面積を大きくしたい場合は、スペーサの平面形状を楕円形状あるいは、長方形状としても良い。図７においては、スペーサの平面形状のみ記載している。図７に示す矢印Ｂ−Ｂ’における断面図を図８又は図１０に示す。
【００５９】
本発明の液晶表示装置の第１の特徴は、図８に示すように、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１と、対向基板ＳＵＢ２と、該ＴＦＴ基板ＳＵＢ１と該対向基板ＳＵＢ２との間に液晶ＬＱが挟持された液晶表示装置において、該対向基板ＳＵＢ２には、複数のカラーフィルタ（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が配置されると共に、該複数のカラーフィルタを積層し、表面をオーバーコート層ＯＣで被覆したスペーサＳＰＣが形成され、該ＴＦＴ基板ＳＵＢ１には、該スペーサＳＰＣに対向して配置される台座ＰＤＳが形成され、該台座ＰＤＳは、少なくともＴＦＴ基板ＳＵＢ１上の薄膜トランジスタＴＦＴ形成時に同時に形成される半導体Ｓ１と金属膜Ｍ２とが積層されると共に、表面は絶縁膜ＩＬ２で被覆され、さらに、該絶縁膜ＩＬ２の表面に配向膜ＯＦを設け、該台座の脇に配置される該配向膜ＯＦの密着する面積を大きくするため、該半導体膜Ｓ１で構成される台座部分の幅ＲＳ１を、該金属膜Ｍ２で構成される台座部分の幅ＲＭ２より、十分に大きく設定することを特徴とする。
【００６０】
具体的には、金属膜Ｍ２の幅ＲＭ２は、図４のものと変わりは無いが、半導体層Ｓ１の幅ＲＳ１は、スペーサＳＰＣの幅（突起部を形成するカラーフィルタＢの幅）とほぼ同じくらいの大きさとする。
【００６１】
なお、図８において、ＢＭはブラックマトリクス、Ｍ１はゲート走査線ＧＬを構成する際に使用される金属膜、ＩＬ１はゲート走査線ＧＬ上に形成される絶縁膜などを意味し、上述した従来例図１乃至４に使用される符号と同様の意味を示している。また、図１０においても同様である。
【００６２】
本発明の液晶表示装置は、図８に示すように、台座ＰＤＳを構成する、半導体膜Ｓ１で構成される台座部分の幅ＲＭ１を、金属膜Ｍ２で構成される台座部分の幅ＲＭ２より、十分に大きく設定することにより、台座ＰＤＳの段差部分がスペーサＳＰＣの表面に接触して擦れる可能性を大幅に低減することで、配向膜ＯＦやオーバーコート膜ＯＣの剥離を抑制することができる。
【００６３】
図８に示すような台座ＰＤＳの製造方法としては、図１乃至３を用いて説明した液晶表示装置のＴＦＴ基板の製造方法を利用し、図１（ｃ）に示すフォトマスクＰＭの台座を形成するマスクパターンＭＰ（図中の左側のマスクパターンＭＰ）を、図９に示すようなパターンを用いることで形成できる。
【００６４】
図９は、金属膜Ｍ２に対応する箇所を通常の厚さのマスクパターンＭＰとし、半導体層Ｓ１に対応する部分を厚さの薄いハーフ露光用パターン部分ＨＰとする。この際、マスクパターンＭＰの幅は、エッチング時の金属膜の後退を考慮して、金属膜Ｍ２の幅ＲＭ２よりも少し大きくする。また、ハーフ露光用パターン部分ＨＰの幅ＲＳ１は、スペーサＳＰＣとして形成されるカラーフィルタＢの幅とほぼ同じ大きさで形成される。
【００６５】
図９のハーフ露光用パターンを用いることにより、図２（ｅ）の半導体Ｓ１のエッチングに際して、ハーフ露光用パターンの幅ＲＳ１で半導体膜Ｓ１を残すことができ、図２（ｇ）の金属膜Ｍ２のエッチングでは、図９のマスクパターンの幅ＲＭ２＋αで金属膜Ｍ２を残すようにエッチングされる。このため、台座を形成する際に、製造工程を複雑化せず、製造に係るコストの増加を抑制しながら、配向膜等の剥離を抑制可能な液晶表示装置を製造することができる。
【００６６】
台座ＰＤＳは、通常、ゲート走査線である金属膜Ｍ１上に形成されるため、ゲート走査線の幅方向（ドレイン信号線の延設方向）における、台座を構成する半導体膜Ｓ１の最大幅は、ゲート走査線の線幅まで可能である。よって、半導体膜Ｓ１で構成される台座部分の幅ＲＳ１を、ゲート走査線幅と同じ程度で形成すれば、配向膜が絶縁膜に密着する面積を十分に確保すると共に、対向基板側のスペーサとＴＦＴ基板側の台座の周囲部分（段差部等）が接触するのを更に避けることが可能となる。
【００６７】
次に、本発明の液晶表示装置の第２の特徴は、図１０に示すように、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１と、対向基板ＳＵＢ２と、該ＴＦＴ基板ＳＵＢ１と該対向基板ＳＵＢ２との間に液晶ＬＱが挟持された液晶表示装置において、該対向基板ＳＵＢ２には、複数のカラーフィルタ（Ｒ，Ｇ，Ｂ）が配置されると共に、該複数のカラーフィルタを積層し、表面をオーバーコート層ＯＣで被覆したスペーサＳＰＣが形成され、該ＴＦＴ基板には、該スペーサに対向して配置される台座ＰＤＳが形成され、該台座は、少なくともＴＦＴ基板ＳＵＢ１上の薄膜トランジスタと同時に形成される半導体膜Ｓ１と金属膜Ｍ２とが積層されると共に、表面は絶縁膜ＩＬ２で被覆され、さらに、該絶縁膜ＩＬ２の表面に配向膜ＯＦを設け、該半導体膜Ｓ１で構成される台座部分の幅Ｒ２を、該金属膜Ｍ２で構成される台座部分の幅Ｒ１と、ほぼ同じに設定することを特徴とする。
【００６８】
具体的には、半導体層Ｓ１と金属膜Ｍ２の側面を連続的に均一となるように形成し、図４のＤ’部分で示したような、段差部分を無くした形状とする。このため、台座ＰＤＳの段差部分が対向基板側のスペーサに接触することが無いため、配向膜ＯＦやオーバーコート層ＯＣの剥離が発生することを、効果的に抑制することが可能となる。
【００６９】
図１０に示すような台座ＰＤＳの製造方法としては、図１乃至３を用いて説明した液晶表示装置のＴＦＴ基板の製造方法を利用し、特に、図２（ｄ）及び図２（ｇ）の金属膜Ｍ２をエッチングする際に、従来のウェット・エッチングに代えて、ドライエッチングを利用する。これにより、金属膜Ｍ２の上部に配置されたレジストパターンに対して、金属膜Ｍ２のエッチングがレジストパターンの内側に入り込むまでエッチングが進むのを抑制できる。これにより、半導体膜Ｓ１で構成される台座部分の幅Ｒ２を、金属膜Ｍ２で構成される台座部分の幅Ｒ１と、ほぼ同じに大きさに設定することが可能である。
【００７０】
また、図２（ｇ）で金属膜Ｍ２を再度エッチングした場合でも、レジストパターンＲＰ２の内側に入り込むまで、金属膜Ｍ２のエッチングが進むことは無く、結果として、図１０に示すように、半導体膜Ｓ１で構成される台座部分の幅Ｒ２を、金属膜Ｍ２で構成される台座部分の幅Ｒ１と、ほぼ同じに大きさに設定することが可能となる。
【００７１】
また、この図１０の実施例の場合においても、半導体膜Ｓ１の幅Ｒ２は、ゲート走査線ＧＬの線幅の大きさまで広げる事が出来る。
尚、上記各実施例では、台座ＰＤＳの形状を円形として説明したが、ゲート走査線ＧＬ上に形成される大きさであれば、方形などの他の形状で形成しても良い。
【産業上の利用可能性】
【００７２】
以上のように、本発明によれば、配向膜等の削れを抑制することが可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供することが可能となる。しかも、製造工程が複雑化又は高コスト化することがない液晶表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【符号の説明】
【００７３】
ＡＲ  画像表示領域
Ｂ  カラーフィルタ（青色）
ＢＬ  バックライト
ＢＭ  ブラックマトリクス
ＢＰ  画素（青色）
ＣＬ  コモン線
ＣＴ  共通電極
ＣＴＭ  コモン電圧端子
ＤＦＲ  フレーム部材
ＤＬ  ドレイン信号線
ＤＴ  ドレイン電極
ＦＬ  蛍光管
Ｇ  カラーフィルタ（緑色）
ＧＬ  ゲート走査線
ＧＰ  画素（緑色）
ＨＰ  ハーフ露光用パターン
ＩＬ１  層間絶縁膜
ＩＬ２  絶縁膜（保護膜）
ＩＴＯ  透明電極
ＬＱ  液晶
ＭＰ  マスクパターン
Ｍ１  ゲート電極用金属膜
Ｍ２  ソース・ドレイン電極用金属膜
ＯＣ  オーバーコート層
ＯＦ  配向膜
ＯＳ  光学シート
ＰＡ  液晶表示パネル
ＰＤＳ  台座
ＰＭ  フォトマスク
ＰＸ  画素電極
Ｒ  カラーフィルタ（赤色）
ＲＰ  画素（赤色）
ＲＰ１，ＲＰ２  レジストパターン
ＳＥ  シール材
ＳＰＣ  スペーサ
ＳＵＢ１  ＴＦＴ基板
ＳＵＢ２  対向基板
Ｓ１  半導体膜
ＳＴ  ソース電極
ＴＦＴ  薄膜トランジスタ
ＴＨ  画素電極とソース電極を接続するスルーホール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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