(57)【要約】【課題】  表面に半田層が溶着された認識マークを画像認識装置で正確に認識して電子部品の電極と接続パッドとを半田を介して正常に接続することが可能な配線基板を提供すること。【解決手段】表面に半田層１０が溶着されており、交差部１１と該交差部１１から延びる複数の延在部１２とを有する認識マーク７を具備して成る配線基板において、延在部１２が交差部１１と同じ幅Ｗ１で交差部１１に接する交差接続部１２ａと、該交差接続部１２ａに隣接して位置し、交差部１２ａよりも広い幅Ｗ２の幅広部１２ｂとを有し、かつ交差部１１および交差接続部１２ａにおける半田層１０の最大厚みＴ１が幅広部１２ｂにおける半田層１０の最大厚みＴ２よりも薄い。【選択図】図２
2010157628.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に半田層が溶着されており、交差部と該交差部から延びる複数の延在部とを有する導体パターンから成る認識マークを具備して成る配線基板であって、前記延在部が前記交差部と同じ幅で前記交差部に接する交差接続部と、該交差接続部に隣接して位置し、前記交差部よりも広い幅の幅広部とを有し、かつ前記交差部および前記交差接続部における前記半田層の最大厚みが前記幅広部における前記半田層の最大厚みよりも薄いことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記幅広部の幅および長さが、それぞれ前記交差部の幅の１．５〜３倍であることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
交差部と該交差部から延びる複数の延在部とを有する導体パターンから成る認識マーク上に半田ペーストを供給するとともに、該半田ペースト中の半田を加熱溶融させることにより前記認識マークの表面に半田層を溶着させる半田溶着工程を含む配線基板の製造方法であって、前記延在部に、前記交差部と同じ幅で前記交差部に接する交差接続部と、該交差接続部に隣接して位置し、前記交差部よりも広い幅の幅広部とを形成しておき、前記半田溶着工程において、前記溶融させた半田の一部を該半田の表面張力により前記交差部および前記交差接続部上から前記幅広部上に移動させることにより、前記交差部および前記交差接続部における前記半田層の最大厚みを前記幅広部における前記半田層の最大厚みよりも薄くすることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記幅広部の幅および長さを、それぞれ前記交差部の幅の１．５〜３倍で形成することを特徴とする請求項３記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子等の電子部品を搭載するために用いられる配線基板は、例えばガラス−エポキシ板等から成る絶縁板やエポキシ樹脂等から成る絶縁層を複数層積層して成る絶縁基板の内部および表面に銅箔や銅めっき膜等の導体層から成る配線導体を設けて成る。
このような配線基板においては、絶縁基板の表面に設けた導体層の一部が半導体素子等の電子部品の電極が半田を介して接続される複数の接続パッドを形成しており、これらの接続パッドが形成された絶縁基板の表面には各接続パッドを露出させる開口部を有するソルダーレジスト層が被着形成されている。さらに、ソルダーレジスト層から露出した接続パッド上には半田が予め溶着されており、それにより接続パッドと電子部品の電極との半田を介した接続を容易なものとしている。
【０００３】
なお、このような配線基板において接続パッドに半田を溶着するには、銅箔や銅めっき膜等の導体層から成る接続パッドの露出表面に、半田ペーストをスクリーン印刷法により印刷した後、その半田ペーストを加熱溶融させて溶着する方法が採用されている。
【０００４】
そして、この配線基板は、電子部品の電極が接続される接続パッドに電子部品の電極を位置合わせした後、電子部品の電極と接続パッドとを半田を介して接合することにより電子部品が搭載された電子装置となる。
【０００５】
ところで、このような配線基板において、電子部品の電極を接続パッドに位置合わせするには、一般的には画像認識装置を備えた自動機が用いられており、絶縁基板の上面に電子部品を位置合わせするための基準となる電子部品位置決め用の認識マークを設けておくとともに、この認識マークを自動機の画像認識装置で認識し、その情報を基にして自動で位置合わせする方法が採用されている。なお、電子部品位置決め用の認識マークは、絶縁基板の表面に接続パッドと同じ導体層で形成されており、通常、その表面には接続パッドと同様の方法で半田層が溶着されている。認識マークの表面に半田を溶着させることにより認識マークの酸化や変色を防止することができる。
【特許文献１】特開平１０−２１５０６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、近年、環境への配慮から、電子部品の電極と配線基板の接続パッドとを接続する半田として鉛を含まない鉛フリー半田が使用されるようになってきている。このような鉛フリー半田は、従来使用されてきた鉛−錫半田よりも接続パッドや電子部品位置決め用の認識マークを形成する導体層に対する濡れ性に劣り、電子部品位置決め用の認識マーク上に濡れ広がりにくいため、認識マークの全面を被覆するためには、従来よりも多くの量を認識マーク上に溶着させる必要がある。
【０００７】
しかしながら、電子部品位置決め用の認識マーク上に多くの量の半田を溶着させた場合、溶融した半田の一部が表面張力により認識マークの中央部に集まって大きく凸状となり、それにより認識マークにおける光の反射が乱されてしまい、その結果、画像認識装置による認識マークの認識が困難となってしまうという問題を誘発した。なお、特許文献１に示されているように認識マークに半田を溶着させない場合もあるが、この場合、露出した認識マークが酸化や変色を起こしてしまいやすく、例えば長期間保管された配線基板では認識マークに酸化や変色が起こって認識マークの良好な認識が困難となる危険性が大きくなる。
【０００８】
本発明は、かかる従来の問題点に鑑み案出されたものであり、その目的は、認識マークを画像認識装置で正確に認識して電子部品の電極と接続パッドとを半田を介して正常に接続することが可能な配線基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の配線基板は、表面に半田層が溶着されており、交差部と該交差部から延びる複数の延在部とを有する導体パターンから成る認識マークを具備して成る配線基板であって、前記延在部が前記交差部と同じ幅で前記交差部に接する交差接続部と、該交差接続部に隣接して位置し、前記交差部よりも広い幅の幅広部とを有し、かつ前記交差部および前記交差接続部における前記半田層の最大厚みが前記幅広部における前記半田層の最大厚みよりも薄いことを特徴とするものである。
【００１０】
また本発明の配線基板の製造方法は、交差部と該交差部から延びる複数の延在部とを有する導体パターンから成る認識マーク上に半田ペーストを供給するとともに、該半田ペースト中の半田を加熱溶融させることにより前記認識マークの表面に半田層を溶着させる半田溶着工程を含む配線基板の製造方法であって、前記延在部に、前記交差部と同じ幅で前記交差部に接する交差接続部と、該交差接続部に隣接して位置し、前記交差部よりも広い幅の幅広部とを形成しておき、前記半田溶着工程において、前記溶融させた半田の一部を該半田の表面張力により前記交差部および前記交差接続部上から前記幅広部上に移動させることにより、前記交差部および前記交差接続部における前記半田層の最大厚みを前記幅広部における前記半田層の最大厚みよりも薄くすることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の配線基板によれば、認識マークの交差部から延びる複数の延在部が交差部と同じ幅で交差部に接する交差接続部と、交差接続部に隣接して位置し、交差部よりも広い幅の幅広部とを有し、かつ交差部および交差接続部における半田層の最大厚みが幅広部における半田層の最大厚みよりも薄いことから、交差部および交差接続部で半田層が大きく凸状となることはない。したがって、認識マークにおける交差部および交差接続部を画像認識装置で正確に認識することができ、それにより電子部品の電極と接続パッドとを半田を介して正常に接続することができる。
【００１２】
また、本発明の配線基板の製造法によれば、認識マークの交差部から延びる複数の延在部に、交差部と同じ幅で交差部に接する交差接続部と、交差接続部に隣接して位置し、交差部よりも広い幅の幅広部とを形成しておき、認識マーク上に半田ペーストを供給するとともに該半田ペースト中の半田を加熱溶融させることにより認識マークの表面に半田層を溶着させる際に、溶融した半田の一部を該半田の表面張力により交差部および交差接続部上から幅広部上に移動させることにより、交差部および交差接続部における半田層の最大厚みを幅広部における半田層の最大厚みよりも薄くすることから、交差部および交差接続部で半田層が大きく凸状となることはなく、したがって、認識マークにおける交差部および交差接続部を画像認識装置で正確に認識することができ、それにより電子部品の電極と接続パッドとを半田を介して正常に接続することが可能な配線基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
つぎに、本発明の配線基板を添付の図面に基づき詳細に説明する。図１は、本発明を半導体素子を搭載するための配線基板に適用した場合の実施形態の一例を示す断面図である。図１において１は絶縁基板、２は配線導体、２ａ、２ｂは接続パッド、６はソルダーレジスト層、７は電子部品位置決め用の認識マーク、８半田バンプ，９，１０は半田層であり、主としてこれらで電子部品としての半導体素子Ｓを搭載するための本発明の配線基板が構成される。
【００１４】
絶縁基板１は、例えばガラス繊維を縦横に織り込んだガラス織物にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させて成る板状のコア用の絶縁板１ａの上下面にエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成るビルドアップ用の絶縁層１ｂをそれぞれ複数層ずつ積層して成り、その上面から下面にかけて銅箔や銅めっき膜等の導体層から成る複数の配線導体２が形成されている。
【００１５】
絶縁基板１を構成するコア用の絶縁板１ａは、厚みが０．３〜１．５ｍｍ程度であり、その上面から下面にかけて直径が０．２〜１．０ｍｍ程度の複数のスルーホール３を有している。
そして、その上下面および各スルーホール３の内面には配線導体２の一部が被着されており、上下面の配線導体２がスルーホール３を介して電気的に接続されている。
【００１６】
このような絶縁板１ａは、ガラス織物に未硬化の熱硬化性樹脂を含浸させたシートを熱硬化させた後、これに上面から下面にかけてドリル加工を施すことにより製作される。なお、絶縁板１ａ上下面の配線導体２は、絶縁板１ａ用のシートの上下全面に厚みが５〜５０μｍ程度の銅箔を貼着しておくとともに、この銅箔をシートの硬化後にエッチング加工することにより所定のパターンに形成される。また、スルーホール３内面の配線導体２は、絶縁板１ａにスルーホール３を設けた後に、このスルーホール３内面に無電解めっき法および電解めっき法により厚みが５〜５０μｍ程度の銅めっき膜を析出させることにより形成される。
【００１７】
さらに、絶縁板１ａのスルーホール３の内部には、エポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂から成る孔埋め樹脂４が充填されている。孔埋め樹脂４は、スルーホール３を塞ぐことによりスルーホール３の直上および直下にビルドアップ用の絶縁層１ｂを形成可能とするためのものであり、未硬化のペースト状の熱硬化性樹脂をスルーホール３内にスクリーン印刷法により充填し、これを熱硬化させた後、その上下面を平坦に研磨することにより形成される。そして、この孔埋め樹脂４を含むコア用の絶縁板１ａの上下面にビルドアップ用の絶縁層１ｂが積層されている。
【００１８】
コア用の絶縁板１ａの上下面に積層されたビルドアップ用の絶縁層１ｂは、それぞれの厚みが２０〜５０μｍ程度であり、各層の上面から下面にかけて直径が３０〜１００μｍ程度の複数のビアホール５を有している。これらの絶縁層１ｂは、配線導体２を高密度に配線するための絶縁間隔を提供するためのものであり、各絶縁層１ｂにはその表面およびビアホール５内に配線導体２の一部が被着されている。そして、上層の配線導体２と下層の配線導体２とをビアホール５の内部を介して電気的に接続することにより高密度配線を立体的に形成可能としている。
【００１９】
このようなビルドアップ用の絶縁層１ｂは、厚みが２０〜５０μｍ程度の未硬化の熱硬化性樹脂フィルムをコア用の絶縁板１ａの上下面に貼着し、これを熱硬化させるとともにレーザ加工によりビアホール５を穿孔し、さらにその上に同様にして次のビルドアップ用の絶縁層１ｂを順次積み重ねることによって形成される。なお、各絶縁層１ｂ表面およびビアホール５内に被着された配線導体２は、各絶縁層１ｂを形成する毎に各絶縁層１ｂの表面およびビアホール５内に５〜５０μｍ程度の厚みの銅めっき膜を公知のセミアディティブ法やサブトラクティブ法等のパターン形成法により所定のパターンに被着させることによって形成される。
【００２０】
さらに、最表層の絶縁層１ｂ上にはソルダーレジスト層６が被着されている。ソルダーレジスト層６は、例えばアクリル変性エポキシ樹脂にシリカやタルク等の無機物粉末フィラーを３０〜７０質量％程度分散させた絶縁材料から成り、最表層の配線導体２同士の電気的絶縁信頼性を高めるとともに、後述する接続パッド２ａ、２ｂおよび認識マーク７の外形を画定する作用をなす。
【００２１】
このようなソルダーレジスト層６は、その厚みが１０〜５０μｍ程度であり、感光性を有するソルダーレジスト層６用の未硬化樹脂ペーストをロールコーター法やスクリーン印刷法を採用して最表層の絶縁層１ｂ上に塗布し、これを乾燥させた後、露光および現像処理を行なって接続パッド２ａ、２ｂおよび認識マーク７を露出させる開口部を形成した後、これを熱硬化させることによって形成される。あるいは、ソルダーレジスト層６用の未硬化の樹脂フィルムを最上層の絶縁層１ｂ上に貼着した後、これを熱硬化させ、しかる後、接続パッド２ａ、２ｂおよび認識マーク７に対応する位置にレーザ光を照射し、硬化した樹脂フィルムを部分的に除去することによって接続パッド２ａ、２ｂおよび認識マーク７を露出させる開口部を有するように形成される。
【００２２】
絶縁基板１の上面から下面にかけて形成された配線導体２は、半導体素子Ｓの各電極を外部電気回路基板に接続するための導電路として機能し、絶縁基板１の上面に露出している部位が半導体素子Ｓの各電極が半田バンプ８を介して接続される電子部品接続用の接続パッド２ａを、絶縁基体１の下面に露出した部位が外部電気回路基板に半田ボールＢを介して接続される外部接続用の接続パッド２ｂを形成している。
【００２３】
また、接続パッド２ａ，２ｂには、錫−銀合金や錫−銀−銅合金等の鉛フリー半田から成る半田バンプ８，半田層９がそれぞれ溶着されており、それにより接続パッド２ａ、２ｂの変色や酸化が防止されるとともに半導体素子Ｓの各電極と接続パッド２ａとの半田バンプ８を介した接合や接続パッド２ｂと外部電気回路基板との半田ボールＢを介した接合が容易なものとなっている。
【００２４】
このように、接続パッド２ａ、２ｂに半田バンプ８、半田層９を溶着させるには、接続パッド２ａ、２ｂの上に錫−銀合金や錫−銀−銅合金等の鉛フリー半田から成る半田粉末とフラックスとを含有する半田ペーストを従来周知のスクリーン印刷法を採用して印刷塗布し、それを２２０〜２６０℃の温度で加熱して半田を溶融させることにより溶着する方法が採用される。
【００２５】
さらに、本発明の配線基板においては、絶縁基板１の上面に、接続パッド２ａを構成する導体層と同じ導体層から成る電子部品位置決め用の認識マーク７が設けられている。この認識マーク７は、半導体素子Ｓを搭載する際に半導体素子Ｓの電極と接続パッド２ａとを位置合わせするための基準となるものであり、図２（ａ）に要部拡大平面図、および図２（ｂ）に図２（ａ）のＡ−Ａ切断線における要部拡大断面図で示すように、例えば上面視で概ね十字形をしており、その外周縁がソルダーレジスト層６により被覆されることによりその形状が画定されている。このような認識マーク７は、絶縁基板１の上面に接続パッド２ａを形成する際にそれと同様の方法、即ち、セミアディティブ法やサブトラクティブ法により接続パッド２ａと同時に形成される。
【００２６】
認識マーク７は、その中央部に例えば１辺の幅Ｗ１が５０〜２００μｍ程度の正方形の領域である交差部１１を有しているとともに、交差部１１から離れる方向に１００〜１０００μｍの長さで延びる複数の延在部１２を有しており、その表面には半田バンプ８と同一組成の半田層１０がソルダーレジスト層６よりも低い高さに溶着されている。そして、半田層１０が溶着された認識マーク７における交差部１１よびその周囲の延在部１２の一部を画像認識装置で認識することにより電子部品を搭載する際の基準となる位置が認識可能となっている。
【００２７】
なお、本発明においては、延在部１２は、交差部１１と同じ幅Ｗ１で交差部１１に接する長さＬ１が５０〜８００μｍの交差接続部１２ａと、この交差接続部１２ａに隣接して位置し、長さＬ２および幅Ｗ２がそれぞれ交差部１１の幅Ｗ１の１．５〜３倍である幅広部１２ｂとを有している。そして、このような構成を採ることにより、交差部１１および交差接続部１２ａにおける半田層１０の最大厚Ｔ１みが幅広部１２ｂにおける半田層１０の最大厚みＴ２よりも薄くなっている。
【００２８】
このように、本発明の配線基板おいては、延在部１２が交差部１１と同じ幅Ｗ１で交差部１１に接する交差接続部１２ａと、この交差接続部１２ａに隣接して位置し、交差部１１の幅Ｗ１よりも広い幅Ｗ２の幅広部１２ｂを有し、かつ交差部１１および交差接続部１２ａにおける半田層１０の最大厚みＴ１が幅広部１２ｂにおける半田層１０の最大厚みＴ２よりも薄いことから、交差部１１および交差接続部１２ａにおいて半田層１０が大きく凸状となることはない。したがって、認識マーク７における交差部１１および交差接続部１２ａを画像認識装置で正確に認識することができ、その情報を基に電子部品の電極と接続パッド２ａとを半田バンプ８を介して正常に接続することができる。
【００２９】
なお、認識マーク７の交差部１１および交差接続部１２ａにおける半田層１０の最大厚みＴ１が１μｍ未満であると、交差部１１および交差接続部１２ａの表面を半田層１０で良好に覆うことができずに、交差部１１や交差接続部１２ａに変色や酸化が発生してしまう危険性が高くなり、逆に交差部１１および交差接続部１２ａ上における半田層１０の最大厚みＴ１が２０μｍを超えると、交差部１１および交差接続部１２ａ上における半田層１０の表面が大きく凸状となり、交差部１１および交差接続部１２ａを画像認識装置により良好に認識することが困難となる傾向にある。したがって、認識マーク７の交差部１１および交差接続部１２ａにおける半田層１０の最大厚みＴ１は１〜２０μｍの範囲であることが好ましい。
【００３０】
また、幅広部１２ｂの幅Ｗ２および長さＬ２がそれぞれ交差部１１の幅Ｗ１の１．５倍未満であると、交差部１１および交差接続部１２ａにおける半田層１０の最大厚みＴ１を幅広部１２ｂにおける半田層１０の最大厚みＴ２よりも薄くすることが困難となるので、認識マーク７における交差部１１および交差接続部１２ａを画像認識装置で正確に認識することができなくなる危険性が大きくなり、逆に、幅広部１２ｂの幅Ｗ２および長さＬ２がそれぞれ交差部１１の幅Ｗ１の３倍を超えると、そのような幅Ｗ２および長さＬ２を有する幅広部１２ｂを設けるために認識マーク７が不要に大きくなってしまうとともに、認識マーク７の表面に溶着される半田層１０用の半田が無駄に消費されることとなる。したがって、幅広部１２ｂの幅Ｗ２および長さＬ２は、それぞれ交差部１１の幅Ｗ１の１．５〜３倍の範囲であることが好ましい。
【００３１】
さらに、交差部１１から幅広部１２ｂまでの距離、即ち交差接続部１２ａの長さＬ１が交差部１１の幅Ｗ１に対して０．５倍未満であると、交差部１１および交差接続部１２ａを画像認識装置で認識する際に、良好に認識するための領域が不足して認識が困難となる危険性が高くなり、逆に、交差部１１から幅広部１２ｂまでの距離Ｌ１が交差部１１の幅Ｗ１に対して５倍を超えると、そのような長さＬ１を有する交差接続部１２ａを設けるために認識マーク７が不要に大きくなってしまうとともに、認識マーク７の表面に溶着される半田層１０用の半田が無駄に消費されることとなる。したがって、交差部１１から幅広部１２ｂまでの距離Ｌ１は、交差部１１の幅Ｗ１に対して０．５〜５倍の範囲であることが好ましい。
【００３２】
次に、上述した実施形態例における認識マーク７の表面に本発明の製造方法により半田層１０を溶着させる一例について以下に説明する。先ず、図３（ａ），（ｂ）に示すように、絶縁基板１の上面に認識マーク７を形成する。認識マーク７は、上述したように、その外周部がソルダーレジスト層６で覆われることによりその形状が画定されており、一辺の幅Ｗ１が５０〜２００μｍ程度の正方形の領域である交差部１１を有しているとともに、交差部１１から離れる方向に１００〜１０００μｍの長さで延びる複数の延在部１２を有している。さらに延在部１２は、交差部１１と同じ幅Ｗ１で交差部１１に接する交差接続部１２ａと、この交差接続部１２ａに隣接して位置し、長さＬ２および幅Ｗ２が交差部１１の幅Ｗ１よりも１．５〜３倍広い幅広部１２ｂとを有している。
【００３３】
次に、図４（ａ），（ｂ）に示すように、認識マーク７の上に半田ペースト１０Ｐを印刷塗布する。半田ペースト１０Ｐは、粒径が０．１〜１０μｍ程度の半田粉末とフラックスとを含有している。なお、半田ペースト１０Ｐの印刷塗布には、認識マーク７の形状に対応した形状の開口を有するメタルマスクを用いてスクリーン印刷する方法が用いられる。
【００３４】
次に、半田ペースト１０Ｐ中の半田を加熱溶融させることにより、図５（ａ），（ｂ）に示すように、半田を認識マーク上に濡れ広がらせるとともに、溶融した半田の表面張力により交差部１１および交差接続部１２ａ上の半田の一部を幅広部１２ｂ上に移動させることにより、交差部１１および交差接続部１２ａにおける半田層１０の最大厚みＴ１を幅広部１２ｂにおける半田層１０の最大厚みＴ２よりも薄くする。
【００３５】
このとき、幅広部１２ｂの幅Ｗ２および長さＬ２がそれぞれ交差部１１の幅Ｗ１の１．５倍未満であると、溶融した半田の表面張力による作用が弱く、交差部１１および交差接続部１２ａにおける半田層１０の最大厚みＴ１を幅広部１２ｂにおける半田層１０の最大厚みＴ２よりも十分に薄くすることが困難となる傾向にあり、逆に、幅広部１２ｂの幅Ｗ２および長さＬ２がそれぞれ交差部１１の幅Ｗ１の３倍を超えると、そのような幅Ｗ２および長さＬ２を有する幅広部１２ｂを設けるために認識マーク７が不要に大きくなってしまうとともに、認識マーク７の表面に溶着される半田層１０用の半田が無駄に消費されることとなる。したがって、幅広部１２ｂの幅Ｗ２および長さＬ２は、それぞれ交差部１１の幅Ｗ１の１．５〜３倍の範囲であることが好ましい。
【００３６】
また、交差部１１から幅広部１２ｂまでの距離、即ち交差接続部１２ａの長さＬ１が交差部１１の幅Ｗ１に対して０．５倍未満であると、交差部１１および交差接続部１２ａを画像認識装置で認識する際に、良好に認識するための領域が不足して認識が困難となる危険性が高くなり、逆に、交差部１１から幅広部１２ｂまでの距離Ｌ１が交差部１１の幅Ｗ１に対して５倍を超えると、そのような長さＬ１を有する交差接続部１２ａを設けるために認識マーク７が不要に大きくなってしまうとともに、認識マーク７の表面に溶着される半田層１０用の半田が無駄に消費されることとなる。したがって、交差部１１から幅広部１２ｂまでの距離Ｌ１は、交差部１１の幅Ｗ１に対して０．５〜５倍の範囲であることが好ましい。
【００３７】
なお、認識マーク７の交差部１１および交差接続部１２ａにおける半田層１０の最大厚みＴ１が１μｍ未満であると、交差部１１および交差接続部１２ａの表面を半田層１０で良好に覆うことができずに、交差部１１や交差接続部１２ａに変色や酸化が発生してしまう危険性が高くなり、逆に交差部１１および交差接続部１２ａ上における半田層１０の最大厚みＴ１が２０μｍを超えると、交差部１１および交差接続部１２ａ上における半田層１０の表面が大きく凸状となり、交差部１１および交差接続部１２ａを画像認識装置により良好に認識することが困難となる傾向にある。したがって、認識マーク７の交差部１１および交差接続部１２ａにおける半田層１０の最大厚みＴ１は２〜２０μｍの範囲とすることが好ましい。交差部１１および交差接続部１２ａにおける半田層１０の厚みは、認識マーク７上に印刷塗布する半田ペースト１０Ｐの印刷量を調整することによりコントロール可能であり、半田ペースト１０Ｐの印刷量を多くすれば、厚くなる傾向にあり、逆に半田ペースト１０Ｐの印刷量を少なくすれば薄くなる傾向にある。
【００３８】
かくして、上述の配線基板の製造方法によれば、認識マーク７における交差部１１および交差接続部１２ａで半田層１０が大きく凸状となることはなく、したがって、認識マーク７における交差部１１および交差接続部１２ａを画像認識装置で正確に認識することができ、それにより電子部品の電極と接続パッド２ａとを半田バンプ８を介して正常に接続することが可能な配線基板を提供することができる。
【００３９】
なお、本発明は、上述の実施形態例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能であり、例えば上述の実施形態例においては、認識マーク７は上面視で概ね十字形をしていたが、図６（ａ），（ｂ）に示すように、上面視で概ねＬ字形であってもよく、図７（ａ），（ｂ）に示すように上面視で概ねＴ字形であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の配線基板における実施形態の一例を示す概略断面図である。
【図２】（ａ）は、図１に示す配線基板の要部拡大平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ切断線における要部拡大断面図である。
【図３】（ａ）は、図１に示す配線基板の製造方法を説明するための要部拡大平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ切断線における要部拡大断面図である。
【図４】（ａ）は、図１に示す配線基板の製造方法を説明するための要部拡大平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ切断線における要部拡大断面図である。
【図５】（ａ）は、図１に示す配線基板の製造方法を説明するための要部拡大平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ切断線における要部拡大断面図である。
【図６】（ａ）は、本発明の他の実施形態例を示す配線基板の要部拡大平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ切断線における要部拡大断面図である。
【図７】（ａ）は、本発明のさらに他の実施形態例を示す配線基板の要部拡大平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ切断線における要部拡大断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
７：認識マーク
１０：半田層
１０Ｐ：半田ペースト
１１：交差部
１２：延在部
１２ａ：交差接続部
１２ｂ：幅広部
Ｌ２：幅広部１２ｂの長さ
Ｔ１：交差部１１および交差接続部１２ａにおける半田層１０の最大厚み
Ｔ２：幅広部１２ｂにおける半田層１０の最大厚み
Ｗ１：交差部１１の幅
Ｗ２：幅広部１２ｂの幅
【図１】
2010157628.tif 000003
【図２】
2010157628.tif 000004
【図３】
2010157628.tif 000005
【図４】
2010157628.tif 000006
【図５】
2010157628.tif 000007
【図６】
2010157628.tif 000008
【図７】
2010157628.tif 000009