(57)【要約】【課題】  電気構造体内にトレンチを形成する方法を提供する。【解決手段】  トレンチを形成する方法は、半導体基板と、半導体基板の上に形成された埋込み酸化物（ＢＯＸ）層と、ＢＯＸ層の上にこれと接触した状態で形成されたシリコン・オン・インシュレータ層（ＳＯＩ）とを含む半導体構造体を準備することを含む。ＳＯＩ層は、電気デバイス間に形成された浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）構造体を含む。ＳＴＩ構造体及び電気デバイスの上に、第１のフォトレジスト層が形成される。第１のフォトレジスト層の部分、ＳＴＩ構造体の部分、及びＢＯＸ層の部分が除去され、トレンチが形成される。半導体基板の部分内に、イオン注入部が形成される。第１のフォトレジスト層の残りの部分が除去される。電気デバイスの上及びトレンチ内に、誘電体層が形成される。誘電体層の上に、第２のフォトレジスト層が形成される。第２のフォトレジスト層の部分が除去される。【選択図】      図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、前記半導体基板の表面の上にこれと接触した状態で形成された埋込み酸化物（ＢＯＸ）層と、前記ＢＯＸ層の表面の上にこれと接触した状態で形成されたシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）層とを含む半導体構造体を準備するステップであって、前記ＳＯＩ層は複数の活性電気デバイス間に形成された浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）構造体を含む、準備するステップと、
前記ＳＴＩ構造体の全表面の上及び前記複数の活性電気デバイスの上に第１のフォトレジスト層を形成するステップと、
前記複数の活性電気デバイスの各活性デバイス間に存在する前記第１のフォトレジスト層の部分を除去するステップと、
前記第１のフォトレジスト層の前記除去された部分の下方に存在する前記ＳＴＩ構造体の部分及び前記ＢＯＸ層の部分を除去し、前記ＳＴＩ構造体及び前記ＢＯＸ層を通ってトレンチを形成するステップであって、前記トレンチは前記半導体基板の前記表面の部分の上に形成され、前記半導体基板の前記表面の前記部分が前記トレンチ内に露出される、形成するステップと、
前記ＳＴＩ構造体の前記部分及び前記ＢＯＸ層の前記部分を除去した後、前記半導体基板の部分内にイオン注入部を形成するステップであって、前記半導体基板の前記部分は前記トレンチの各々の下方に存在する、形成するステップと、
前記イオン注入部を形成した後、前記第１のフォトレジスト層の全ての残りの部分を除去するステップと、
前記活性電気デバイスの上及び前記トレンチ内に誘電体層を形成するステップと、
前記誘電体層の上に第２のフォトレジスト層を形成するステップと、
前記活性電気デバイスの上に存在する前記第２のフォトレジスト層の第１の部分を除去し、前記第２のフォトレジスト層の第２の部分が前記トレンチ内の前記誘電体層の部分の上に残るようにするステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記活性電気デバイスの上に存在する前記誘電体層の第１の部分を除去するステップと、
前記第２のフォトレジスト層の前記第２の部分を除去するステップと、
前記誘電体層の第２の部分を除去し、前記誘電体層の平坦な上面を形成するステップと、
をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記誘電体層の前記第２の部分を除去するステップは、化学／機械研磨プロセスを用いるステップを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記活性電気デバイスの上に存在する前記誘電体層の部分の各々は、２５０ナノメートル（ｎｍ）から２０００ｎｍまでの範囲から選択される指定された厚さを含む、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
各々の前記トレンチは異なるサイズを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
各々の前記トレンチは異なる形状を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１のフォトレジスト層は第１の極性を含んだ第１のフォトレジスト材料を含み、前記第２のフォトレジスト層は第２の極性を含んだ第２のフォトレジスト材料を含み、前記第１の極性は、前記第２の極性とは反対の極性を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記第１のフォトレジスト層の前記部分を除去するステップは、第１のマスクの使用を含み、前記第２のフォトレジスト層の前記第１の部分を除去するステップは、前記第１のマスクとは反対のパターンを含んだ第２のマスクの使用を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記イオン注入部を形成するステップは、前記半導体基板の前記部分を、５０ｋｅＶから１．５ｍｅＶまでの範囲から選択されるエネルギー・レベルを含むイオン・ビームにさらすステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
各々の前記トレンチは、各々の前記トレンチの側壁間に異なるトレンチ幅を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記誘電体層は複数の誘電体層を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記誘電体層は、窒化シリコン、二酸化シリコン、窒化シリコンと二酸化シリコンの組み合わせ、ボロホスホシリケート・ガラス、ボロシリケート・ガラス、及びホスホシリケート・ガラスからなる群から選択される材料を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
第１の部分内に形成されたイオン注入部を含む半導体基板と、
前記半導体基板の第２の部分の上にこれと接触した状態で形成された埋込み酸化物（ＢＯＸ）構造体であって、前記ＢＯＸ構造体の各ＢＯＸ構造体は、前記半導体基板の前記第２の部分の関連した部分の上にこれと接触した状態で形成され、前記半導体基板の前記第１の部分は、前記半導体基板の前記第２の部分とは異なる、埋込み酸化物（ＢＯＸ）構造体と、
前記ＢＯＸ構造体の第１のグループのＢＯＸ構造体の上にこれと接触した状態で形成された複数の活性電気デバイス構造体であって、前記複数の活性電気デバイス構造体の各活性電気デバイス構造体は、活性電気デバイス及び浅いトレンチ分離構造体を含み、各々の前記活性電気デバイス構造体は、前記第１のグループのＢＯＸ構造体の関連したＢＯＸ構造体の上に形成され、トレンチが前記第１のグループのＢＯＸ構造体の隣接したＢＯＸ構造体間に形成され、前記トレンチの各トレンチは、前記イオン注入部の関連したイオン注入部の上に配置され、各々の前記トレンチは異なるサイズを含む、複数の活性電気デバイス構造体と、
前記活性電気デバイス構造体の上、前記ＢＯＸ構造体の上、及び前記トレンチ内に形成された誘電体層であって、前記誘電体の下面は、前記イオン注入部及び前記活性電気デバイス構造体と接触した状態にあり、前記誘電体層の上面は平坦な面を含み、前記誘電体層の前記上面はいずれの材料とも接触した状態にない、誘電体層と、
を備える構造体。
【請求項１４】
前記活性電気デバイス構造体の上に存在する前記誘電体層の部分の各々は、２５０ｎｍから２０００ｎｍまでの範囲から選択される指定された厚さを含む、請求項１３に記載の構造体。
【請求項１５】
各々の前記トレンチは、各々の前記トレンチの側壁間に異なるトレンチ幅を含む、請求項１３に記載の構造体。
【請求項１６】
各々の前記トレンチは、前記半導体基板の上面内に延びる、請求項１３に記載の構造体。
【請求項１７】
各々の前記トレンチは異なる形状を含む、請求項１３に記載の構造体。
【請求項１８】
前記誘電体層は複数の誘電体層を含む、請求項１３に記載の構造体。
【請求項１９】
前記誘電体層は、窒化シリコン、二酸化シリコン、窒化シリコンと二酸化シリコンの組み合わせ、ボロホスホシリケート・ガラス、ボロシリケート・ガラス、及びホスホシリケート・ガラスからなる群から選択される材料を含む、請求項１３に記載の構造体。
【請求項２０】
前記ＢＯＸ構造体の第２のグループのＢＯＸ構造体の上にこれと接触した状態で形成された複数の非活性電気デバイス構造体をさらに含み、前記複数の非活性電気デバイス構造体の各々の非活性電気デバイス構造体は、非活性電気デバイス及び浅いトレンチ分離構造体を含み、各々の前記非活性電気デバイス構造体は、前記第２のグループＢＯＸ構造体の関連したＢＯＸ構造体の上に形成され、付加的なトレンチが、前記第２のグループのＢＯＸ構造体の隣接したＢＯＸ構造体間に形成され、前記付加的なトレンチの各々の付加的なトレンチは、前記イオン注入部の関連したイオン注入部の上に配置され、各々の前記付加的なトレンチは異なるサイズを含む、請求項１３に記載の構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気構造体内にトレンチを形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上への構造体の形成には、一般的に、柔軟性が制限された複雑なプロセスが含まれる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従って、当技術分野においては、欠陥及び制限の少なくとも１つを克服する必要性が存在する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明は、
半導体基板と、半導体基板の表面の上にこれと接触した状態で形成された埋込み酸化物（ＢＯＸ）層と、ＢＯＸ層の表面の上にこれと接触した状態で形成されたシリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）層とを含む半導体構造体を準備することであって、ＳＯＩ層は複数の活性電気デバイス間に形成された浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）構造体を含む、準備することと、
ＳＴＩ構造体の全表面の上及び複数の活性電気デバイスの上に第１のフォトレジスト層を形成することと、
複数の活性電気デバイスの各活性デバイス間に存在する第１のフォトレジスト層の部分を除去することと、
第１のフォトレジスト層の除去された部分の下方に存在するＳＴＩ構造体の部分及びＢＯＸ層の部分を除去し、ＳＴＩ構造体及びＢＯＸ層を通ってトレンチを形成することであって、トレンチは半導体基板の表面の部分の上に形成され、半導体基板の表面の部分がトレンチ内に露出される、形成することと、
ＳＴＩ構造体の部分及びＢＯＸ層の部分を除去した後、半導体基板の部分内にイオン注入部を形成することであって、半導体基板の部分はトレンチの各々の下方に存在する、形成することと、
イオン注入部を形成した後、第１のフォトレジスト層の全ての残りの部分を除去することと、
活性電気デバイスの上及びトレンチ内に誘電体層を形成することと、
誘電体層の上に第２のフォトレジスト層を形成することと、
活性電気デバイスの上に存在する第２のフォトレジスト層の第１の部分を除去し、第２のフォトレジスト層の第２の部分がトレンチ内の誘電体層の部分の上に残るようにすることと、
を含む方法を提供する。
【０００５】
本発明は、
半導体基板の第１の部分内に形成されたイオン注入部を含む半導体構造体と、
半導体基板の第２の部分の上にこれと接触した状態で形成された埋込み酸化物（ＢＯＸ）構造体であって、ＢＯＸ構造体の各ＢＯＸ構造体は、半導体基板の第２の部分の関連した部分の上にこれと接触した状態で形成され、半導体基板の第１の部分は、半導体基板の第２の部分とは異なる、埋込み酸化物（ＢＯＸ）構造体と、
ＢＯＸ構造体の第１のグループのＢＯＸ構造体の上にこれと接触した状態で形成された複数の活性電気デバイス構造体であって、複数の活性電気デバイス構造体の各活性電気デバイス構造体は、活性電気デバイス及び浅いトレンチ分離構造体を含み、各々の活性電気デバイス構造体は、第１のグループのＢＯＸ構造体の関連したＢＯＸ構造体の上に形成され、トレンチが第１のグループのＢＯＸ構造体の隣接したＢＯＸ構造体間に形成され、トレンチの各トレンチは、イオン注入部の関連したイオン注入部の上に配置され、各々のトレンチは異なるサイズを含む、複数の活性電気デバイス構造体と、
活性電気デバイス構造体の上、ＢＯＸ構造体の上、及びトレンチ内に形成された誘電体層であって、誘電体の下面は、イオン注入部及び活性電気デバイス構造体と接触した状態にあり、誘電体層の上面は平坦な面を含み、誘電体層の上面はいずれの材料とも接触した状態にはない、誘電体層と、
を含む構造体を提供する。
【０００６】
本発明は、簡単な構造体、及び基板上に構造体を形成するための関連した方法を有利に提供する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の実施形態による、製造プロセスのために与えられた半導体構造体の断面図である。
【図２】本発明の実施形態による、浅いトレンチ分離構造体の部分及び埋込み酸化物層の部分が除去された後の、図１の半導体構造体の断面図を示す。
【図３】本発明の実施形態による、フォトレジスト層の全てが除去され、電気デバイスの上に誘電体コンタクト層が形成された後の、図２の半導体構造体の断面図を示す。
【図４】本発明の実施形態による、第２のフォトレジスト層が形成された後の、図３の半導体構造体の断面図を示す。
【図５】本発明の実施形態による、誘電体コンタクト層の部分が除去された後の、図４の半導体構造体の断面図を示す。
【図６】本発明の実施形態による、第２のフォトレジスト層が除去された後の、図５の半導体構造体の断面図を示す。
【図７】本発明の実施形態による、誘電体層の部分が除去された後の、図６の半導体構造体の断面図を示す。
【図８】本発明の実施形態による、図７の半導体構造体を形成するためのプロセスを説明する処理手順を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図１−図７は、本発明の実施形態による、半導体構造体２の製造プロセスにおける段階を示し説明している。図１−図７に示される電気構造体２は、断面図である。半導体構造体２は、とりわけ、半導体デバイス、半導体チップ等を含む、当業者には周知のいずれかの半導体構造体を含むことができる。図１−図７に関して説明される製造プロセスは、イオン注入部１８及び平坦な面２０ｅ（すなわち、図７を参照されたい）を含む半導体構造体の形成を含む。
【０００９】
図１は、本発明の実施形態による、製造プロセスのために準備された半導体構造体２を示す。半導体構造体２は、半導体構造体のほんの一部を含んでいることに留意されたい。半導体構造体２は、半導体基板１４（例えば、半導体ウェハ）を含み、埋込み酸化物（ＢＯＸ）層１２（すなわち、絶縁体）が半導体基板１４の上にこれと接触した状態で形成され、シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）層１１が、ＢＯＸ層１２の上にこれと接触した状態で形成されている。電気構造体２は、フォトレジスト層４をさらに含む。フォトレジスト層４の一部が除去され、フォトレジスト層４内に開口部６が形成される。フォトリソグラフィ・プロセスを用いて、フォトレジスト層４の除去された部分が、パターン形成され、除去される。フォトレジスト層４をパターン形成し、除去するために用いられるフォトリソグラフィ・プロセスは、パターン形成のために第１のマスクを使用することを含む。ＳＯＩ層１１は、電気デバイス８間に形成された浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）構造体１０（すなわち、絶縁体層）を含む。電気デバイス８は、活性（active）電気デバイス又は非活性（non-active）電気デバイスを含むことができる。活性電気デバイスは、とりわけ、トランジスタ、抵抗器、キャパシタ等を含む、いずれかのタイプの活性電気デバイスを含むことができる。非活性電気デバイスは、活性電気デバイス内に形成されなかったシリコン構造体を含む。電気デバイス８の上に、フォトレジスト層４（すなわち、フォトレジスト層の残りの部分）が形成される。ＳＴＩ構造体１０は、部分１０ａ、１０ｂ、及び１０ｃを含む。ＢＯＸ層は、部分１２ａ、１２ｂ、及び１２ｃを含む。
【００１０】
図２は、本発明の実施形態による、ＳＴＩ構造体１０の部分１０ｂ及びＢＯＸ層１２の部分１２ｂが除去された後の、図１の半導体構造体２を示す。除去された部分１０ｂ及び１２ｂは、半導体基板１４の上面１４ａの一部を露出させる開口部６ａ（例えば、トレンチ、ビア等）を形成する。電気構造体２は、開口部６ａに類似した複数の開口部を含み得ること、及び、各開口部は、異なるサイズ（例えば、幅、深さ、長さ等に関して異なるサイズ）及び／又は形状（例えば、正方形、円形等）を含み得ることが留意される。部分１０ｂ及び１２ｂは、とりわけ、パターンを形成するためにフォトレジスト・プロセスを用いて（すなわち、フォトレジスト層４を用いて）パターンを形成すること、及び標準的なフッ素含有ＲＩＥの化学的性質を用いた反応性イオン・エッチング・プロセスを用いることなどの、いずれかのプロセスを用いて除去することができる。次に、部分１０ｂ及び１２ｂを剥離により取り除き、開口部６ａを生成する。次に、半導体基板１４の上面１４ａの露出された部分内に、イオン注入部１８が形成される。イオン注入部は、半導体基板１４の上面１４ａの部分を、約５０キロ電子ボルト（ｋｅＶ）から約１．５百万電子ボルト（ｍｅＶ）までのエネルギー・レベルを有するイオン・ビーム１６にさらすことによって形成される。電気デバイス８の上のフォトレジスト層４は、イオン注入プロセスから電気デバイス８を保護又は遮蔽する。
【００１１】
図３は、本発明の実施形態による、フォトレジスト層４の全てが除去され、電気デバイス８の上及び開口部６ａ内に誘電体コンタクト層２０が形成された後の、図２の半導体構造体２を示す。フォトレジスト層４は、オゾン及び／又は湿式エッチング・プロセスを用いて除去することができる。図３に示される誘電体コンタクト層２０は、１つの誘電体層しか含んでいないが、誘電体コンタクト層２０は、複数の誘電体層を含むことができる。誘電体コンタクト層２０は、とりわけ、酸化物（例えば、二酸化シリコン、ドープされた二酸化シリコン、ドープされていない二酸化シリコン等）、窒化シリコン、ボロホスホシリケート・ガラス、ボロシリケート・ガラス、ホスホシリケート・ガラス、又はそれらの任意の組み合わせを含む、任意の誘電体絶縁材料を含むことができる。誘電体コンタクト層２０は、とりわけ、化学気相堆積プロセス、ＴＥＯＳ堆積プロセス、プラズマ堆積プロセス等を含む任意の技術を用いて、電気デバイス８の上及び開口部６ａ内に堆積させることができる。誘電体コンタクト層２０は、部分２０ａ〜２０ｅを含む。
【００１２】
図４は、本発明の実施形態による、第２のフォトレジスト層２２が形成された後の、図３の半導体構造体２を示す。フォトレジスト層２２の部分が除去され、誘電体層２０の露出された部分２０ａ及び２０ｂがもたらされる。フォトリソグラフィ・プロセスを用いて、フォトレジスト層２２の除去された部分が、パターン形成され、除去された。フォトレジスト層の部分２２ａ及び２２ｂ（図示せず）をパターン形成し、除去するために用いられるフォトリソグラフィ・プロセスは、パターン形成のために第２のマスクを使用することを含む。フォトレジスト層２２をパターン形成するために用いられる第２のマスクは、図１のフォトレジスト層４をパターン形成するために用いられる第１のマスクとは反対のパターンを含むことができる。代替的に、フォトレジスト層２２をパターン形成するために用いられる第２のマスクは、図１のフォトレジスト層４をパターン形成するために用いられる第１のマスクと同じパターンを含むことができるが、フォトレジスト層４の極性は、フォトレジスト層２２の極性とは反対の極性を含むことができる。
【００１３】
図５は、本発明の実施形態による、誘電体コンタクト層２０の部分２０ａ及び２０ｂが除去された後の、図４の半導体構造体２を示す。除去された部分２０ａ及び２０ｂにより、開口部２４ａ及び２４ｂが形成される。開口部２４ａ及び２４ｂは、電気デバイス８の上に位置する。部分２０ａ及び２０ｂが除去された後、誘電体コンタクト層２０のほんの一部が、依然として電気デバイス８の上にこれと接触した状態で残る。依然として電気デバイス８の上にこれと接触した状態で残っている誘電体コンタクト層２０のほんの一部は、約２５０ナノメートル（ｎｍ）から約２０００ナノメートルまでの範囲から選択される厚さＴ１を含むことができる。
【００１４】
図６は、本発明の実施形態による、フォトレジスト層２２が除去された後の、図５の半導体構造体２を示す。フォトレジスト層２２は、オゾン及び／又は湿式エッチング・プロセスを用いて除去することができる。誘電体層２０の上面２１の部分２１ａ、２１ｂ、及び２１ｃは、全て同一平面上にある。
【００１５】
図７は、本発明の実施形態による、誘電体層２０の部分２０ｃ及び２０ｄが除去された後の、図６の半導体構造体２を示す。部分２０ｃ及び２０ｄは、化学機械研磨プロセスを用いて除去することができる。誘電体層２０の部分２０ｃ及び２０ｄを除去することにより、誘電体層２０の平坦な上面２１がもたらされる。
【００１６】
図８は、本発明の実施形態による、図７の半導体構造体２を形成するためのプロセスを説明する処理手順を示す。ステップ８００において、半導体構造体が準備される。半導体構造体は、半導体基板（例えば、図１の半導体基板１４）と、半導体基板の上面の上にこれと接触した状態で形成されたＢＯＸ層（例えば、図１のＢＯＸ層１２）と、ＢＯＸ層の表面の上にこれと接触した状態で形成されたＳＯＩ層（例えば、図１のＳＯＩ層１１）とを含む。ＳＯＩ層は、複数の電気デバイス（例えば、図１の電気デバイス８）間に形成されたＳＴＩ構造体（例えば、図１のＳＴＩ構造体１０）を含む。ステップ８０２において、ＳＴＩ構造体の全表面の上及び複数の電気デバイスの上に、第１のフォトレジスト層（例えば、図１のフォトレジスト層４）が形成される。ステップ８０４において、複数の電気デバイスの各活性デバイス間に存在する第１のフォトレジスト層の第１の部分が除去される（例えば、同時に）。ステップ８０８において、第１のフォトレジスト層の除去された部分の下方に存在する、ＳＴＩ構造体の部分及びＢＯＸ層の部分が除去される。ＳＴＩ構造体及びＢＯＸ層の部分の除去された部分により、ＳＴＩ構造体及びＢＯＸ層を通って形成される開口部（例えば、トレンチ、図２の開口部６ａ等）が形成される。半導体基板の上面の部分の上に、開口部が形成される。開口部により、半導体基板の上面の部分が開口部内に露出されるようになる。ステップ８１０において（すなわち、ステップ８０８が実行された後）、半導体基板の露出された部分内に（すなわち、開口部の各々の下方に）、イオン注入部（例えば、図１のイオン注入部１８）が形成される。ステップ８１４において、第１のフォトレジスト層の全ての残りの部分が除去される（例えば、同時に）。ステップ８１８において、電気デバイスの上及び開口部内に、誘電体層（例えば、図３の誘電体層２０）が形成される。ステップ８２０において、誘電体層の上に、第２のフォトレジスト層（例えば、図４のフォトレジスト層２２）が形成される。ステップ８２４において、複数の電気デバイスの上に存在する第２のフォトレジスト層の第１の部分が除去される（例えば、同時に）。上述のステップ８２４により、第２のフォトレジスト層の第２の部分が、開口部内の誘電体層の部分の上に残る。ステップ８２８において、電気デバイスの上に存在する誘電体層の第１の部分が除去される（例えば、同時に）。ステップ８３２において、第２のフォトレジスト層の第２の部分が除去される（例えば、同時に）。ステップ８３４において、誘電体層の第２の部分が除去され（例えば、同時に）、誘電体層の平坦な上面（例えば、図７の上面２１）が形成される。
【００１７】
ここで本発明の実施形態が例証のために説明されたが、当業者には多くの修正及び変更が明らかになるであろう。従って、添付の特許請求の範囲は、全てのこうした修正及び変更を、本発明の真の精神及び範囲内に含まれるものとして包含することが意図されている。
【符号の説明】
【００１８】
２：半導体構造体（電気構造体）
４：フォトレジスト層
６、６ａ、２４ａ、２４ｂ：開口部
８：電気デバイス
１０：浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）構造体
１０ａ、１０ｂ、１０ｃ：浅いトレンチ分離（ＳＴＩ）構造体の部分
１１：シリコン・オン・インシュレータ（ＳＯＩ）層
１２：埋込み酸化物（ＢＯＸ）層
１２ａ、１２ｂ、１２ｃ：埋込み酸化物（ＢＯＸ）層の部分
１４：半導体基板
１４ａ：半導体基板の上面
１６：イオン・ビーム
１８：イオン注入部
２０：誘電体コンタクト層
２０ａ〜２０ｅ：誘電体コンタクト層の部分
２１：誘電体コンタクト層の上面
２２：第２のフォトレジスト層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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