(57)【要約】    【課題】  高い信頼性で実装することのできる半導体チップ及び該半導体チップの製造方法を提供する。    【解決手段】  半導体チップ３０と基板５０の熱膨張率は異なり、半導体チップ３０の動作時に発生する熱により、半導体チップ３０と基板５０との間に応力が発生するが、可撓性を有する第２絶縁層２３６及び弾性を有する銅めっきポスト２３９によって応力を吸収できるため、電気的接続部にクラックを発生させることがなくなり、半導体チップ３０と基板５０との間に高い接続信頼性を与える。【選択図】  図１
2010004078.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップの電極パッド側の表面に第１の絶縁層と第２の絶縁層とが形成され、
前記第１の絶縁層には、第１の非貫通孔が設けられ、該第１の非貫通孔には、前記電極パッドに接続されたビアが形成され、また、前記第１の絶縁層の表面には当該ビアに接続される導体回路が形成され、
前記第２の絶縁層には、前記導体回路へ至る第２の非貫通孔が設けられ、該第２の非貫通孔には、銅めっきが充填されていることを特徴とする半導体チップ。
【請求項２】
前記電極パッドは、ジンケート処理されたアルミニウム電極パッドであり、該電極パッドの上に銅めっきからなる前記ビアが、ニッケルと銅の複合めっき層を介して形成されていることを特徴とする請求項１記載の半導体チップ。
【請求項３】
以下の（１）〜（８）の工程を少なくとも含む銅めっきポストが形成されてなる半導体チップの製造方法、
（１）半導体チップのアルミニウム電極パッドの表面にジンケート処理を施した後、ニッケルと銅の複合めっき層を形成する工程、
（２）前記半導体チップの前記複合めっき層の表面に絶縁樹脂による第１の絶縁層を形成し、次いで前記複合めっき層に至る第１の非貫通孔を形成する工程、
（３）前記第１の非貫通孔に銅めっきでビアを形成すると共に、第１絶縁層の表面に当該ビアに接続された導体回路を形成する工程、
（４）前記半導体チップの無電解銅めっき層の表面に絶縁樹脂による第２絶縁層を形成し、次いで前記導体回路に至る第２の非貫通孔を形成する工程、
（５）前記半導体チップのアルミニウム電極パッド側の表面の全面に無電解銅めっき層を形成する工程、
（６）前記半導体チップの無電解銅めっき層の表面に絶縁樹脂によるめっきレジスト層を形成し、次いで前記第２の非貫通孔上の無電解銅めっき層に至る開口を形成する工程、
（７）電解めっきにより前記第２の非貫通孔内に銅を充填し、銅めっきポストを形成する工程、
（８）前記めっきレジスト層を除去し、次いでエッチング処理する工程。
【請求項４】
以下の（１）〜（８）の工程を少なくとも含む銅めっきポストが形成されてなる半導体チップの製造方法、
（１）前記半導体チップのアルミニウム電極パッドの表面に絶縁樹脂による第１の絶縁層を形成し、次いで前記アルミニウム電極パッドに至る第１の非貫通孔を形成する工程、
（２）半導体チップのアルミニウム電極パッドの表面にジンケート処理を施した後、ニッケルと銅の複合めっき層を形成する工程、
（３）前記第１の非貫通孔に銅めっきでビアを形成すると共に、第１絶縁層の表面に当該ビアに接続された導体回路を形成する工程、
（４）前記半導体チップの無電解銅めっき層の表面に絶縁樹脂による第２絶縁層を形成し、次いで前記導体回路に至る第２の非貫通孔を形成する工程、
（５）前記半導体チップのアルミニウム電極パッド側の表面の全面に無電解銅めっき層を形成する工程、
（６）前記半導体チップの無電解銅めっき層の表面に絶縁樹脂によるめっきレジスト層を形成し、次いで前記第２の非貫通孔上の無電解銅めっき層に至る開口を形成する工程、
（７）電解めっきにより前記第２の非貫通孔内に銅を充填し、銅めっきポストを形成する工程、
（８）前記めっきレジスト層を除去し、次いでエッチング処理する工程。
【請求項５】
前記ニッケルと銅の複合めっき層が、ニッケルが１〜６０重量％、残部が主として銅の複合めっきであり、厚さが０．０１〜５μｍであることを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体チップの製造方法。
【請求項６】
前記銅めっきポストは、高さが５〜２５０μｍで、直径が２０〜３００μｍであることを特徴とする請求項３〜５のいずれか１に記載の半導体チップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体チップ及びその製造方法に関し、特に接続信頼性の高い半導体チップ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図９に従来技術に係る半導体チップ３３０及びその実装形態を示す。半導体チップ３３０のアルミニウム電極パッド３３２には、ニッケルめっき層３３４及び金めっき層３３８を介して、バンプ３１０を形成するハンダ３４４が設けられている。ここで、半導体チップ３３０は、該バンプ３１０を介して、パッケージ３５０側の電極パッド３５２に電気的に接続されている。
【０００３】
ところで、半導体チップ３３０とパッケージ３５０とは、熱膨張率が異なるため、両者の間に発生する応力を緩和することが必要であり、上記図９に示した実装形態においては、半導体チップ３３０とパッケージ３５０との間にアンダーフィル３３６を配設し、両者を固着させることにより、電気的接続部に応力を集中させないようにすることで、電気的接続部に破断が発生しないように構成されている。
【０００４】
しかしながら、近年の半導体チップの高集積化に伴い、半導体チップのバンプが小型化され、上述した実装形態によっても、半導体チップ３３０とパッケージ３５０との間の応力により、小型化された電気的接続部が破断することがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−１７４０５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような問題点に対し、前記アルミニウム電極パッド３３２上に形成されたバリアメタル膜を介して柔軟性のある銅ポストを形成し、半導体チップ３３０とパッケージとの間に発生する応力を銅ポストにより吸収することが提案されているが、バリアメタル膜は、生産性に劣るばかりでなく、残留応力を有しており、アルミニウム電極パッド付近の半導体チップ機能に悪影響を及ぼすため、エリアパッド方式のアルミニウム電極パッドが形成された半導体チップに適用することが困難であった。
【０００７】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、高い信頼性で実装することのできる半導体チップ及び該半導体チップの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、請求項１の半導体チップは、半導体チップの電極パッド側の表面に第１の絶縁層と第２の絶縁層とが形成され、
前記第１の絶縁層には、第１の非貫通孔が設けられ、該第１の非貫通孔には、前記電極パッドに接続されたビアが形成され、また、前記第１の絶縁層の表面には当該ビアに接続される導体回路が形成され、
前記第２の絶縁層には、前記導体回路へ至る第２の非貫通孔が設けられ、該第２の非貫通孔には、銅めっきが充填されていることを技術的特徴とする。
【０００９】
請求項２の半導体チップは、請求項１において、前記電極パッドは、ジンケート処理されたアルミニウム電極パッドであり、該電極パッドの上に銅めっきからなる前記ビアが、ニッケルと銅の複合めっき層を介して形成されていることを技術的特徴とする。
【００１０】
請求項３は、下の（１）〜（８）の工程を少なくとも含む銅めっきポストが形成されてなる半導体チップの製造方法、
（１）半導体チップのアルミニウム電極パッドの表面にジンケート処理を施した後、ニッケルと銅の複合めっき層を形成する工程、
（２）前記半導体チップの前記複合めっき層の表面に絶縁樹脂による第１の絶縁層を形成し、次いで前記複合めっき層に至る第１の非貫通孔を形成する工程、
（３）前記第１の非貫通孔に銅めっきでビアを形成すると共に、第１絶縁層の表面に当該ビアに接続された導体回路を形成する工程、
（４）前記半導体チップの無電解銅めっき層の表面に絶縁樹脂による第２絶縁層を形成し、次いで前記導体回路に至る第２の非貫通孔を形成する工程、
（５）前記半導体チップのアルミニウム電極パッド側の表面の全面に無電解銅めっき層を形成する工程、
（６）前記半導体チップの無電解銅めっき層の表面に絶縁樹脂によるめっきレジスト層を形成し、次いで前記第２の非貫通孔上の無電解銅めっき層に至る開口を形成する工程、
（７）電解めっきにより前記第２の非貫通孔内に銅を充填し、銅めっきポストを形成する工程、
（８）前記めっきレジスト層を除去し、次いでエッチング処理する工程。
【００１１】
請求項４は、以下の（１）〜（８）の工程を少なくとも含む銅めっきポストが形成されてなる半導体チップの製造方法、
（１）前記半導体チップのアルミニウム電極パッドの表面に絶縁樹脂による第１の絶縁層を形成し、次いで前記アルミニウム電極パッドに至る第１の非貫通孔を形成する工程、
（２）半導体チップのアルミニウム電極パッドの表面にジンケート処理を施した後、ニッケルと銅の複合めっき層を形成する工程、
（３）前記第１の非貫通孔に銅めっきでビアを形成すると共に、第１絶縁層の表面に当該ビアに接続された導体回路を形成する工程、
（４）前記半導体チップの無電解銅めっき層の表面に絶縁樹脂による第２絶縁層を形成し、次いで前記導体回路に至る第２の非貫通孔を形成する工程、
（５）前記半導体チップのアルミニウム電極パッド側の表面の全面に無電解銅めっき層を形成する工程、
（６）前記半導体チップの無電解銅めっき層の表面に絶縁樹脂によるめっきレジスト層を形成し、次いで前記第２の非貫通孔上の無電解銅めっき層に至る開口を形成する工程、
（７）電解めっきにより前記第２の非貫通孔内に銅を充填し、銅めっきポストを形成する工程、
（８）前記めっきレジスト層を除去し、次いでエッチング処理する工程。
【００１２】
請求項５の半導体チップの製造方法は、請求項３又は４において、前記ニッケルと銅の複合めっき層が、ニッケルが１〜６０重量％、残部が主として銅の複合めっきであり、厚さが０．０１〜５μｍであることを技術的特徴とする。
【００１３】
請求項６の半導体チップの製造方法は、請求項３〜５において、前記銅めっきポストは、高さが５〜２５０μｍで、直径が２０〜３００μｍであることを技術的特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
請求項１の半導体チップでは、半導体チップの表面に第１の絶縁層が形成され、該第１の絶縁層の上に銅めっきポストが形成されている。柔軟性を有する該銅めっきポストが半導体チップと基板との熱膨張差により発生する応力を吸収するため、半導体チップを基板に強固に接続することができ、半導体チップの接続信頼性を高めることができる。
【００１５】
請求項２において、半導体チップのアルミニウム電極パッドの表面には、銅めっきを行うことは困難であるが、本発明では、アルミニウム電極パッドの表面にジンケート処理を行った後に、ニッケルと銅との複合めっき層を形成させるため、該複合めっき層の上に銅めっきでビアを形成することができる。
【００１６】
請求項３、４の半導体チップの製造方法では、半導体チップの表面に第１の絶縁層が形成され、該第１の絶縁層の上に銅めっきポストが形成されている。柔軟性を有する該銅めっきポストが半導体チップと基板との熱膨張差により発生する応力を吸収するため、半導体チップを基板に強固に接続することができ、半導体チップの接続信頼性を高めることができる。この銅めっきポストを第２の非貫通孔内に電解めっきにて銅を充填することにより形成するため、高さの高い銅めっきポストを廉価に構成することができる。また、電解めっきを用いるため、無電解めっきと比較して半導体チップを強アルカリ溶液に漬ける時間が短くなり、回路を破損する危険性が低下する。ここで、半導体チップのアルミニウム電極パッドの表面には、銅めっきを行うことは困難であるが、本発明では、アルミニウム電極パッドの表面にジンケート処理を行った後に、ニッケルと銅との複合めっき層を形成させるため、該複合めっき層の上に銅めっきでビアを形成することができる。
【００１７】
請求項５では、複合めっきが、ニッケルが１〜６０重量％、残部が主として銅の複合めっきであるため、アルミニウム電極パッドに複合めっき層を形成できるのに加えて、表面に銅めっきを容易に形成することができる。また、複合めっき層の厚さを０．０１μｍ以上にすることで、表面に銅めっきを形成することが可能になる。他方、５μｍ以下にすることで、短時間で析出することができる。
【００１８】
請求項６では、銅めっきポストは、高さが５μｍ以上で直径が２０〜３００μｍあるため、半導体チップと基板との熱膨張差により発生する応力を吸収することができる。また、銅めっきポストは、高さが２５０μｍ以下であるため、短時間で形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体チップの断面図である。
【図２】第１実施形態に係る半導体チップの製造工程図である。
【図３】第１実施形態に係る半導体チップの製造工程図である。
【図４】第１実施形態に係る半導体チップの製造工程図である。
【図５】第１実施形態に係る半導体チップの製造工程図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る半導体チップの断面図である。
【図７】第２実施形態に係る半導体チップの製造工程図である。
【図８】第２実施形態に係る半導体チップの製造工程図である。
【図９】従来技術に係る半導体チップの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態に係る半導体チップ及び半導体チップの製造方法について図を参照して説明する。
図１は本発明の第１実施形態に係る半導体チップを示している。
半導体チップ３０の下面には、パッシベーション膜３４の開口にジンケート処理されたアルミニウム電極パッド３２が形成されている。本実施形態では、パッシベーション膜３４の下面に第１絶縁層１３６が配設され、該第１絶縁層１３６には、該アルミニウム電極パッド３２に至るテーパ状に広がった非貫通孔１３６ａが形成されている。そして、該非貫通孔１３６ａの底部のアルミニウム電極パッド３２には、ニッケルめっき層３８，ニッケルと銅との複合めっき層４０を介在させて、銅めっきを充填してなるビア１４２が形成されている。
【００２１】
該第１絶縁層１３６の上には、銅めっきポスト２３９の形成された第２絶縁層２３６が形成されている。銅めっきポスト２３９には、半田等の低融点金属からなる突起状導体（バンプ）４４が配設されている。該半導体チップ３０は、突起状導体（バンプ）４４を介して基板５０側のパッド５２への接続されている。
【００２２】
ここで、第２絶縁層２３６の厚さ、及び、銅めっきポスト２３９の高さは５〜２５０μｍに形成されている。一方、銅めっきポスト２３９の直径は２０μｍ〜３００μｍに形成されている。ここで、半導体チップ３０と基板５０の熱膨張率は異なり、半導体チップ３０の動作時に発生する熱により、半導体チップ３０と基板５０との間に応力が発生するが、可撓性を有する第２絶縁層２３６及び弾性を有する銅めっきポスト２３９によって応力を吸収できるため、電気的接続部にクラックを発生させることがなくなり、半導体チップ３０と基板５０との間に高い接続信頼性を与えている。
【００２３】
なお、第２絶縁層２３６の厚さは５μｍ以上が良い。これは、５μｍ以下では、十分に応力を吸収することができないからである。他方、厚さは２５０μｍ以下であることが望ましい。これは、２５０μｍよりも厚いと、半導体チップ３０と基板５０との接続信頼性が低下するからである。
【００２４】
引き続き、図２〜図５を参照して本実施形態に係る半導体チップ３０の製造方法について説明する。
ここでは、図２の工程（Ａ）に示すパッシベーション膜３４の開口にアルミニウム電極パッド３２が形成された半導体チップ３０に対して、以下の工程で銅めっきポストおよびバンプを形成する。先ず、図２の工程（Ｂ）に示すように半導体チップ３０を常温で１０〜３０秒間、金属塩である酸化亜鉛と還元剤として水酸化ナトリウムを混合した液中に浸漬することで、アルミニウム電極パッド３２にジンケート処理を施す。これにより、ニッケルめっき層或いは複合めっき層の析出を容易ならしめる。
【００２５】
引き続き、図２の工程（Ｃ）に示すように、半導体チップ３０をニッケル無電解めっき液中に浸けて、アルミニウム電極パッド３２の表面にニッケルめっき層３８を析出させる。なお、このニッケルめっき層を形成する工程は省略しても後述する複合めっき層をアルミニウム電極パッド３２に直接形成することも可能である。
【００２６】
そして、図２の工程（Ｄ）に示すように、該半導体チップ３０を、ニッケル−銅の複合めっき液に浸漬し、ニッケルめっき層３８の上に０．０１〜５μｍのニッケル−銅の複合めっき層４０を形成する。この複合めっき層をニッケルが１〜６０重量％、残部を主として銅とすることで、アルミニウム電極パッドに複合めっき層を形成できるようにするのに加えて、表面に銅めっきを容易に形成できるようにする。また、複合めっき層の厚さを０．０１μｍ以上にすることで、表面に銅めっきを形成することが可能になる。他方、５μｍ以下にすることで、短時間で析出することができる。
【００２７】
次に、図３の工程（Ｅ）に示すように絶縁樹脂を塗布する。
この絶縁樹脂としては、本実施形態では、レーザー加工により非貫通孔を形成するため、熱硬化性のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂を用いる。化学的な処理により非貫通孔を形成する場合には、感光性のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂を使用することができる。次に、図３の工程（Ｆ）に示すように乾燥処理を行った後、レーザにより第１非貫通孔１３６ａを形成する。そしてさらに、加熱処理してアルミニウム電極パッド３２に至る非貫通孔１３６ａを有する第１絶縁層１３６を形成する。なお、上述した第１絶縁層層３６は、表層部が半導体チップ側に比較して軟質になるようにすることが好ましい。
【００２８】
次に、図３の工程（Ｇ）に示すように、第１非貫通孔１３６ａ内に銅めっきを充填してビア１４２を形成すると共に、第１絶縁層１３６上に導体回路１４３を形成する。これらは、無電解めっきにより形成する。
【００２９】
次に、図４の工程（Ｈ）に示すように熱硬化性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂を塗布してから、乾燥処理を行った後、図４の工程（Ｉ）に示すようにレーザにより導体回路１４３へ至る非貫通孔を穿設し、表面の粗化処理を行った後に、加熱することで第２の非貫通孔２３６ａを有する第２絶縁層２３６を形成する。
【００３０】
次に、図４の工程（Ｊ）に示すように、半導体チップ３０にパラジウム触媒（アトテック製）を付与した後、無電解めっき液に浸漬し、第２絶縁層２３６の表面に均一に無電解銅めっき膜２４３を形成する。その後、パラジウム触媒（アトテック製）を付与することにより、無電解めっき膜２４３にＰｂの触媒核を付与する。
【００３１】
図４の工程（Ｋ）に示すようにＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレイト）フィルム２４５αを無電解めっき膜２４３の上に貼り付ける。そして、レーザにより該ＰＥＴフィルム２４５αに第２の非貫通孔２３６ａを開放する開口を設け、図４の工程（Ｍ）に示すように開口２４５ａを備えるレジスト２４５を形成する。本実施形態では、ＰＥＴフィルムを用い、レーザで開口２４５ａを穿設するため、廉価にレジスト２４５を形成することができる。
【００３２】
半導体チップ３０を電解めっき液に浸漬し、無電解銅めっき膜２４３を介して電流を流すことで、図５の工程（Ｎ）に示すように第２非貫通孔２３６ａ内に銅を充填して銅めっきポスト２３９を形成する。この銅めっきポストを第２の非貫通孔２３６ａ内に電解めっきにて銅を充填して形成するため、高さの高い銅めっきポストを廉価に構成することができる。また、電解めっきを用いるため、無電解めっきと比較して半導体チップを強アルカリの無電解めっき液に漬ける時間が短くなり、半導体チップ上の回路を破損する危険性が低下する。
【００３３】
次に、図５の工程（Ｏ）に示すように、銅めっきポスト２３９の上に半田をめっきにより析出し、半田バンプ４４を形成する。本実施形態では、ＰＥＴフィルム（レジスト）２４５を用いるため、マスクが不要となり、半田バンプを廉価に形成することができる。ここでは、半田めっきを用いたが、この代わりに半田印刷を用いることもできる。なお、バンプの高さとしては、３〜６０μｍが望ましい。この理由は、３μｍ未満では、バンプの変形により、バンプの高さのばらつきを許容することができず、また、６０μｍを越えると、バンプが溶融した際に横方向に拡がってショートの原因となる。
【００３４】
最後に、図５工程（Ｐ）に示すようにレジスト２４５を除去した後、レジスト下の無電解銅めっき膜２４３をライトエッチングにより剥離することでバンプ形成を完了する。
【００３５】
半導体チップ３０のバンプ４４と基板５０のパッド５２が対応するように、半導体チップ３０を載置させて、リフローすることにより、図１に示すように半導体チップ３０を基板５０に取り付ける。
【００３６】
引き続き、本発明の第２実施形態に係る半導体チップ及び半導体チップの製造方法について図を参照して説明する。
図６は本発明の第２実施形態に係る半導体チップを示している。上述した第１実施形態では、リフローにより半田バンプ４４と基板５０のパッド５２とを接続した。これに対して、第２実施形態の半導体チップでは、半導体チップと基板５０との間に配設された接着剤２４８により接続を取る。
【００３７】
引き続き、図７、図８を参照して第２実施形態に係る半導体チップ３０の製造方法について説明する。
先ず、図７の工程（Ａ）に示す半導体チップに対して、図７の工程（Ｂ）に示すように絶縁樹脂を塗布する。この絶縁樹脂としては、感光性のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂を使用することができる。次に、図７の工程（Ｃ）に示すように乾燥処理を行った後、露光・現像を行い第１非貫通孔１３６ａを形成する。加熱処理してアルミニウム電極パッド３２に至る第１非貫通孔１３６ａを有する第１絶縁層１３６を形成する。
【００３８】
次に、図７の工程（Ｄ）に示すように、アルミニウム電極パッド３２の表面にニッケルめっき層或いはニッケルと銅との複合めっき層の析出を容易ならしめるジンケート処理を施す。このジンケート処理としては、例えば、半導体チップ３０を常温で１０〜３０秒間、金属塩である酸化亜鉛と還元剤としての水酸化ナトリウムの混合液中に浸漬することにより行うことができる。
【００３９】
引き続き、図８の工程（Ｅ）に示すように、半導体チップ３０をニッケル無電解めっき液中に浸けて、アルミニウム電極パッド３２の表面にニッケルめっき層３８を析出させる。なお、このニッケルめっき層を形成する工程は省略しても後述する複合めっき層をアルミニウム電極パッド３２に直接形成することも可能である。
【００４０】
そして、図８の工程（Ｆ）に示すように、該半導体チップ３０を、ニッケル−銅の複合めっき液に浸漬し、ニッケルめっき層３８の上に０．０１〜５μｍのニッケル−銅の複合めっき層４０を形成する。この複合めっき層をニッケルが１〜６０重量％、残部を主として銅とすることで、アルミニウム電極パッドに複合めっき層を形成できるようにするのに加えて、表面に銅めっきを容易に形成できるようにする。また、複合めっき層の厚さを０．０１μｍ以上にすることで、表面に銅めっきを形成することが可能になる。他方、５μｍ以下にすることで、短時間で析出することができる。
【００４１】
以下、図３〜図５を参照して上述した第１実施形態と同様に、ビア１４２及び導体回路１４３を形成し、該導体回路１４３上に第２絶縁層２３６の銅めっきポスト２３９を形成し、更に、銅めっきポスト２３９に半田バンプ４４を形成する。
【００４２】
最後に、工程（Ｇ）に示すように、該レジスト層３６のバンプ４４側の表面全面、または、基板５０側の表面全面に、樹脂を塗布して、乾燥し、未硬化樹脂からなる接着剤層２４８を形成する。
【００４３】
接着剤層４６は、有機系接着剤からなることが望ましく、有機系接着剤としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、熱硬化型ポリフェノレンエーテル（ＰＰＥ：  Polyphenylen ether）、エポキシ樹脂と熱可塑性樹脂との複合樹脂、エポキシ樹脂とシリコーン樹脂との複合樹脂、ＢＴレジンから選ばれる少なくとも１種の樹脂であることが望ましい。
【００４４】
有機系接着剤である未硬化樹脂の塗布方法は、カーテンコータ、スピンコータ、ロールコータ、スプレーコート、スクリーン印刷などを使用できる。また、接着剤層の形成は、接着剤シートをラミネートすることによってもできる。接着剤層の厚さは、５〜５０μm が望ましい。接着剤層は、取扱が容易になるため、予備硬化（プレキュア）しておくことが好ましい。
【００４５】
工程（Ｈ）に示すように、半導体チップ３０と基板５０とを、熱プレスを用いて加熱し加圧プレスすることにより、半導体チップ３０と基板５０とを接着する。ここでは、先ず、加圧されることで、該半導体チップ３０のバンプ４４が、該バンプ４４と基板５０のパッド５２との間に介在している未硬化の接着剤（絶縁性樹脂）を周囲に押し出し、該バンプ４４がパッド５２と当接し両者の接続を取る。更に、加圧と同時に加熱されることで、接着剤層４６が硬化し、半導体チップ３０と基板５０との間で強固な接着が行われる。なお、熱プレスとしては、真空熱プレスを用いることが好適である。これにより図６を参照して上述した半導体チップ３０の基板５０への取り付けが完成する。
【符号の説明】
【００４６】
３０  半導体チップ
３２  アルミニウム電極パッド
３４  パッシベーション膜
３８  ニッケルめっき層
４０  複合めっき層
４４  半田バンプ
５０  基板
５２  パッド
１３６  第１絶縁層
１３６ａ  第１非貫通孔
１４２  ビア
１４３  導体回路
２３６  第２絶縁層
２３６ａ  第２非貫通孔
２３９  銅めっきポスト
【図１】
2010004078.tif 000003
【図２】
2010004078.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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