(57)【要約】【課題】パネルの画面の表示品位を保つ。【解決手段】画素が行列状に配置されており、同一行に存在する画素に対して電源の信号を伝搬する電源線DSLと走査線の信号を伝搬する走査線WSLとがそれぞれ各行毎に配置されており、ＤＳドライバ８１−１乃至８１−（Ｋ＋１）は、電源線DSLを複数本集合させたユニット毎に、同一ユニットに属する複数本の電源線DSLの電位ＤＳを一斉に切換え、ＷＳドライバ８２−１乃至８２−Ｎは、各行毎に、走査線WSLの電位ＷＳを低電位から高電位に切換えることで、保持容量への映像信号の信号電位Vsigの書き込みを開始させ、走査線WSLの電位ＷＳを高電位から低電位に切換えることで、書き込みを終了させるとともに画素の発光を開始させる。本発明は、例えば、パネルに適用できる。【選択図】図３
2010237360.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電流に応じて発光する発光素子と、映像信号をサンプリングするサンプリング用トランジスタと、前記発光素子に前記電流を供給する駆動用トランジスタと、所定の電位を保持する保持容量とを備える画素が行列状に配置されており、
同一行に存在する前記画素に対して電源の信号を伝搬する電源線と走査線の信号を伝搬する走査線とがそれぞれ各行毎に配置されており、
前記電源線を複数本集合させたユニット毎に、同一ユニットに属する複数本の前記電源線の電位を一斉に切換える電源線電位制御手段と、
各行毎に、前記走査線の電位を低電位から高電位に切換えることで、前記保持容量への前記映像信号の信号電位の書き込みを開始させ、前記走査線の電位を高電位から低電位に切換えることで、前記書き込みを終了させるとともに前記画素の発光を開始させる走査線電位制御手段と
を備え、
前記電源線電位制御手段は、処理対象の前記ユニットにおける前記電源線電位の低電位から高電位への切換え動作を、処理対象の直前の前記ユニットにおける前記走査線電位制御手段による最終行についての前記書き込みの終了以後の第１タイミングに行う
パネル。
【請求項２】
前記電源線電位制御手段は、前記切換え動作を、前記第１タイミング以降であって、処理対象の前記ユニットの１行目の前記書き込みの開始前の１水平期間内の第２タイミングに行う
請求項１に記載のパネル。
【請求項３】
電流に応じて発光する発光素子と、映像信号をサンプリングするサンプリング用トランジスタと、前記発光素子に前記電流を供給する駆動用トランジスタと、所定の電位を保持する保持容量とを備える画素が行列状に配置されており、同一行に存在する前記画素に対して電源の信号を伝搬する電源線と走査線の信号を伝搬する走査線とがそれぞれ各行毎に配置されているパネルを制御する装置が実行するステップとして、
前記電源線を複数本集合させたユニット毎に、同一ユニットに属する複数本の前記電源線の電位を一斉に切換える電源線電位制御ステップと、
各行毎に、前記走査線の電位を低電位から高電位に切換えることで、前記保持容量への前記映像信号の信号電位の書き込みを開始させ、前記走査線の電位を高電位から低電位に切換えることで、前記書き込みを終了させるとともに前記画素の発光を開始させる走査線電位制御ステップと
を含み、
前記電源線電位制御ステップには、処理対象の前記ユニットにおける前記電源線電位の低電位から高電位への切換え動作を、処理対象の直前の前記ユニットにおける前記走査線電位制御手段による最終行についての前記書き込みの終了以後の第１タイミングに行うステップを含む
前記パネルの制御方法。
【請求項４】
映像信号に応じた階調で各画素を発光させて画像を表示するパネルを備え、
前記パネルは、
電流に応じて発光する発光素子と、前記映像信号をサンプリングするサンプリング用トランジスタと、前記発光素子に前記電流を供給する駆動用トランジスタと、所定の電位を保持する保持容量とを有する前記画素が行列状に配置されており、
同一行に存在する前記画素に対して電源の信号を伝搬する電源線と走査線の信号を伝搬する走査線とがそれぞれ各行毎に配置されており、
前記電源線を複数本集合させたユニット毎に、同一ユニットに属する複数本の前記電源線の電位を一斉に切換える電源線電位制御手段と、
各行毎に、前記走査線の電位を低電位から高電位に切換えることで、前記保持容量への前記映像信号の信号電位の書き込みを開始させ、前記走査線の電位を高電位から低電位に切換えることで、前記書き込みを終了させるとともに前記画素の発光を開始させる走査線電位制御手段と
を備え、
前記電源線電位制御手段は、処理対象の前記ユニットにおける前記電源線電位の低電位から高電位への切換え動作を、処理対象の直前の前記ユニットにおける前記走査線電位制御手段による最終行についての前記書き込みの終了以後の第１タイミングに行う
表示装置。
【請求項５】
映像信号に応じた階調で各画素を発光させて画像を表示するパネルを有する表示部を備え、
前記パネルは、
電流に応じて発光する発光素子と、前記映像信号をサンプリングするサンプリング用トランジスタと、前記発光素子に前記電流を供給する駆動用トランジスタと、所定の電位を保持する保持容量とを有する前記画素が行列状に配置されており、
同一行に存在する前記画素に対して電源の信号を伝搬する電源線と走査線の信号を伝搬する走査線とがそれぞれ各行毎に配置されており、
前記電源線を複数本集合させたユニット毎に、同一ユニットに属する複数本の前記電源線の電位を一斉に切換える電源線電位制御手段と、
各行毎に、前記走査線の電位を低電位から高電位に切換えることで、前記保持容量への前記映像信号の信号電位の書き込みを開始させ、前記走査線の電位を高電位から低電位に切換えることで、前記書き込みを終了させるとともに前記画素の発光を開始させる走査線電位制御手段と
を備え、
前記電源線電位制御手段は、処理対象の前記ユニットにおける前記電源線電位の低電位から高電位への切換え動作を、処理対象の直前の前記ユニットにおける前記走査線電位制御手段による最終行についての前記書き込みの終了以後の第１タイミングに行う
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パネル及びその制御方法、表示装置、並びに電子機器に関し、特に、例えば、パネルの画面の表示品位を保つことができるようになったパネル及びその制御方法、表示装置、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光素子として有機ＥＬ(Electro Luminescent)素子を用いた平面自発光型のパネル（以下、有機ＥＬパネルと称する）の開発が近年盛んになっている（例えば、特許文献１乃至５参照）。有機ＥＬ素子は、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を利用した発光素子である。有機ＥＬ素子は、印加電圧が１０Ｖ以下で駆動するため低消費電力という特徴を有している。また有機ＥＬ素子は、自ら光を発する自発光素子であるため、照明部材を必要とせず軽量化及び薄型化が容易にできるという特徴を有している。さらに有機ＥＬ素子は、その応答速度が数μｓ程度と非常に高速であるので、動画表示時の残像が発生しないという特徴を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−２５５８５６号公報
【特許文献２】特開２００３−２７１０９５号公報
【特許文献３】特開２００４−１３３２４０号公報
【特許文献４】特開２００４−０２９７９１号公報
【特許文献５】特開２００４−０９３６８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の有機ＥＬパネルでは、その画面内での発光輝度が不均一となることがあり、その結果として、画面の表示品位を損なうことがあった。
【０００５】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、パネルの画面の表示品位を保つことができるようにするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一側面のパネルは、電流に応じて発光する発光素子と、映像信号をサンプリングするサンプリング用トランジスタと、前記発光素子に前記電流を供給する駆動用トランジスタと、所定の電位を保持する保持容量とを備える画素が行列状に配置されており、同一行に存在する前記画素に対して電源の信号を伝搬する電源線と走査線の信号を伝搬する走査線とがそれぞれ各行毎に配置されており、前記電源線を複数本集合させたユニット毎に、同一ユニットに属する複数本の前記電源線の電位を一斉に切換える電源線電位制御手段と、各行毎に、前記走査線の電位を低電位から高電位に切換えることで、前記保持容量への前記映像信号の信号電位の書き込みを開始させ、前記走査線の電位を高電位から低電位に切換えることで、前記書き込みを終了させるとともに前記画素の発光を開始させる走査線電位制御手段とを備え、前記電源線電位制御手段は、処理対象の前記ユニットにおける前記電源線電位の低電位から高電位への切換え動作を、処理対象の直前の前記ユニットにおける前記走査線電位制御手段による最終行についての前記書き込みの終了以後の第１タイミングに行う。
【０００７】
前記電源線電位制御手段は、前記切換え動作を、前記第１タイミング以降であって、処理対象の前記ユニットの１行目の前記書き込みの開始前の１水平期間内の第２タイミングに行う。
【０００８】
本発明の一側面のパネルの制御方法は、上述した本発明の一側面のパネルの制御方法である。
【０００９】
本発明の一側面の表示装置は、映像信号に応じた階調で各画素を発光させて画像を表示するパネルを備え、前記パネルは、電流に応じて発光する発光素子と、前記映像信号をサンプリングするサンプリング用トランジスタと、前記発光素子に前記電流を供給する駆動用トランジスタと、所定の電位を保持する保持容量とを有する前記画素が行列状に配置されており、同一行に存在する前記画素に対して電源の信号を伝搬する電源線と走査線の信号を伝搬する走査線とがそれぞれ各行毎に配置されており、前記電源線を複数本集合させたユニット毎に、同一ユニットに属する複数本の前記電源線の電位を一斉に切換える電源線電位制御手段と、各行毎に、前記走査線の電位を低電位から高電位に切換えることで、前記保持容量への前記映像信号の信号電位の書き込みを開始させ、前記走査線の電位を高電位から低電位に切換えることで、前記書き込みを終了させるとともに前記画素の発光を開始させる走査線電位制御手段とを備え、前記電源線電位制御手段は、処理対象の前記ユニットにおける前記電源線電位の低電位から高電位への切換え動作を、処理対象の直前の前記ユニットにおける前記走査線電位制御手段による最終行についての前記書き込みの終了以後の第１タイミングに行う。
【００１０】
本発明の一側面の電子機器は、映像信号に応じた階調で各画素を発光させて画像を表示するパネルを有する表示部を備え、前記パネルは、電流に応じて発光する発光素子と、前記映像信号をサンプリングするサンプリング用トランジスタと、前記発光素子に前記電流を供給する駆動用トランジスタと、所定の電位を保持する保持容量とを有する前記画素が行列状に配置されており、同一行に存在する前記画素に対して電源の信号を伝搬する電源線と走査線の信号を伝搬する走査線とがそれぞれ各行毎に配置されており、前記電源線を複数本集合させたユニット毎に、同一ユニットに属する複数本の前記電源線の電位を一斉に切換える電源線電位制御手段と、各行毎に、前記走査線の電位を低電位から高電位に切換えることで、前記保持容量への前記映像信号の信号電位の書き込みを開始させ、前記走査線の電位を高電位から低電位に切換えることで、前記書き込みを終了させるとともに前記画素の発光を開始させる走査線電位制御手段とを備え、前記電源線電位制御手段は、処理対象の前記ユニットにおける前記電源線電位の低電位から高電位への切換え動作を、処理対象の直前の前記ユニットにおける前記走査線電位制御手段による最終行についての前記書き込みの終了以後の第１タイミングに行う。
【００１１】
本発明の一側面においては、電流に応じて発光する発光素子と、映像信号をサンプリングするサンプリング用トランジスタと、前記発光素子に前記電流を供給する駆動用トランジスタと、所定の電位を保持する保持容量とを備える画素が行列状に配置されており、同一行に存在する前記画素に対して電源の信号を伝搬する電源線と走査線の信号を伝搬する走査線とがそれぞれ各行毎に配置されており、前記電源線を複数本集合させたユニット毎に、同一ユニットに属する複数本の前記電源線の電位が一斉に切換えられ、各行毎に、前記走査線の電位を低電位から高電位に切換えることで、前記保持容量への前記映像信号の信号電位の書き込みが開始され、前記走査線の電位を高電位から低電位に切換えることで、前記書き込みが終了されるとともに前記画素の発光が開始される。前記電源線の電位の切換えにおいて、処理対象の前記ユニットにおける前記電源線電位の低電位から高電位への切換え動作が、処理対象の直前の前記ユニットにおける前記走査線電位制御手段による最終行についての前記書き込みの終了以後の第１タイミングに行われる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、パネルの画面の表示品位を保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】有機ＥＬパネルの構成例を示すブロック図である。
【図２】図１のゲートドライバの構成例を示す図である。
【図３】本発明が適用される有機ＥＬパネルの構成例を示す図である。
【図４】図３の画素の詳細な構成例を示す図である。
【図５】図３の画素の動作例を説明するタイミングチャートである。
【図６】図３の画素の動作例を説明するための図である。
【図７】図３の画素の動作例を説明するための図である。
【図８】図３の画素の動作例を説明するための図である。
【図９】図３の画素の動作例を説明するための図である。
【図１０】図３の画素の動作例を説明するための図である。
【図１１】図３の画素の動作例を説明するための図である。
【図１２】図３の画素の動作例を説明するタイミングチャートである。
【図１３】図３の画素の動作例を説明するための図である。
【図１４】図３の有機ＥＬパネルの画面の表示例を示す図である。
【図１５】図３の有機ＥＬパネルの画面の表示例を示す図である。
【図１６】図３の画素の動作例を説明するための図である。
【図１７】図３の画素の動作例を説明するための図である。
【図１８】図３の画素の動作例を説明するための図である。
【図１９】図３の有機ＥＬパネルの画面の表示例を示す図である。
【図２０】図３の有機ＥＬパネルの画面の表示例を示す図である。
【図２１】図３の画素の動作例を説明するタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、本発明を適用したパネルの実施形態について説明する。
【００１５】
＜基本駆動手法が適用される有機ＥＬパネルの構成例＞
【００１６】
まず、本発明の理解を容易にし、且つ、背景を明らかにするため、基本となる駆動手法（以下、基本駆動手法と称する）が適用される有機ＥＬパネルについて、図１を参照して説明する。
【００１７】
図１は、基本駆動手法が適用された有機ＥＬパネルの構成例を示すブロック図である。
【００１８】
図１の例の有機ＥＬパネル１１は、アクティブマトリクス型の有機ＥＬパネルである。この有機ＥＬパネル１１には、画素部２１が設けられている。画素部２１には、Ｎ×Ｍ個の画素３１−（１, １）乃至３１−（Ｎ, Ｍ）が行列状に配置されている。なお、Ｎ，Ｍは、相互に独立した１以上の整数値である。有機ＥＬパネル１１にはまた、画素部２１を駆動する駆動部として、データドライバ４１およびゲートドライバ４２が設けられている。データドライバ４１およびゲートドライバ４２は、例えば、ドライバＩＣ(Integrated Circuit)で構成される。この例では、ゲートドライバ４２は、画素部２１の外部の片側に配置されている。ただし、ゲートドライバ４２の配置は特に限定されず、例えば、画素部２１の外部の両側に配置されてもよい。
【００１９】
図２は、基本駆動手法が適用された有機ＥＬパネル１１のゲートドライバ４２の構成例を示す図である。
【００２０】
ゲートドライバ４２には、ＤＳドライバ５１−１乃至５１−ＮおよびＷＳドライバ５２−１乃至５２−Ｎが設けられている。なお、図２に示されるＱやＫの符号は、図３に対応させるための符号であるため、図３の説明の際に併せて説明する。
【００２１】
また、有機ＥＬパネル１１は、Ｎ本の走査線WSL−１乃至WSL−Ｎ、Ｎ本の電源線DSL−１乃至DSL−Ｎ、およびＭ本の映像信号線DTL−１乃至DTL−Ｍも有している。
【００２２】
なお、走査線WSL−１乃至WSL−Ｎ、映像信号線DTL−１乃至DTL−Ｍ、電源線DSL−１乃至DSL−Ｎのそれぞれを特に区別する必要がない場合、以下、単に、走査線WSL、映像信号線DTL、電源線DSLのそれぞれと称する。また、以下、画素３１−（１, １）乃至３１−（Ｎ, Ｍ）、ＤＳドライバ５１−１乃至５１−Ｎ、ＷＳドライバ５２−１乃至５２−Ｎのそれぞれを特に区別する必要がない場合、単に、画素３１、ＤＳドライバ５１、ＷＳドライバ５２のそれぞれと称する。
【００２３】
図１に示されるように、１行目の画素３１−（１，１）乃至３１−（１，Ｍ）は、走査線WSL−１でＷＳドライバ５２−１と、電源線DSL−１でＤＳドライバ５１−１と、それぞれ接続されている。Ｎ行目の画素３１−（Ｎ，１）乃至３１−（Ｎ，Ｍ）は、走査線WSL−ＮでＷＳドライバ５２−Ｎと、電源線DSL−ＮでＤＳドライバ５１−Ｎと、それぞれ接続されている。他の行の画素３１についても同様な接続がなされている。
【００２４】
また、１列目の画素３１−（１，１）乃至３１−（Ｎ，１）は、映像信号線DTL−１でデータドライバ４１と接続されている。２列目の画素３１−（１，２）乃至３１−（Ｎ，２）は、映像信号線DTL−２でデータドライバ４１と接続されている。Ｍ列目の画素３１−（１，Ｍ）乃至３１−（Ｎ，Ｍ）は、映像信号線DTL−Ｍでデータドライバ４１と接続されている。他の列の画素３１についても同様な接続がなされている。
【００２５】
ゲートドライバ４２は、ＷＳドライバ５２−１乃至５２−Ｎを順次駆動することで、走査線WSL−１乃至WSL−Ｎの電位を水平期間（以下、１Ｈと称する）で順次切換えて画素３１を行単位で線順次走査する。ゲートドライバ４２はまた、ＤＳドライバ５１−１乃至５１−Ｎを駆動することで、この線順次走査に合わせて電源線DSL−１乃至DSL−Ｎの電位を高電位または低電位に切換える。データドライバ４１は、線順次走査に合わせて各１Ｈ内で、映像信号線DTL−１乃至DTL−Ｍの電位を、映像信号の信号電圧Vsigと基準電圧Vofsとに切換える。
【００２６】
＜本発明が適用される有機ＥＬパネルの構成例＞
【００２７】
このような基本駆動手法に対して、ユニットスキャン駆動手法が本発明に適用されている。ユニットスキャン駆動手法とは、複数の電源線DSLのＤＳドライバを共通化した駆動手法をいう。
【００２８】
ユニットスキャン駆動手法では、共通化されたＤＳドライバに接続された全ての画素の集合、または共通化されたＤＳドライバに接続された全ての電源線DSLの集合が、ユニットと称されている。ユニットスキャン駆動手法を採用することにより、ＤＳドライバ数を抑制することが可能となる。例えば、有機ＥＬパネルの画面の垂直方向（Ｖ方向）の画素数が５４０である場合、基本駆動手法では、ＤＳドライバは５４０個必要である。これに対して、ユニットスキャン駆動手法では、例えば、３０本の電源線DSLの集合を１ユニットとする場合、基本駆動手法の１／３０の１８（＝５４０／３０）個のＤＳドライバを設ければよい。このように、ユニットスキャン駆動手法では、ＤＳドライバ数を抑制できるので、大幅なコストダウンが可能となる。
【００２９】
図３は、本発明が適用された有機ＥＬパネル、即ち、ユニットスキャン駆動手法が適用された有機ＥＬパネルの構成例を示すブロック図である。
【００３０】
図３の例の有機ＥＬパネル６１は、アクティブマトリクス型の有機ＥＬパネルである。この有機ＥＬパネル６１には、図１の例と同様の画素部２１が設けられている。
【００３１】
有機ＥＬパネル６１にはまた、画素部２１を駆動する駆動部として、図１の例と同様の構成のデータドライバ４１と、図１のゲートドライバ４２とは異なる構成のゲートドライバ７１が設けられている。即ち、図３の例の有機ＥＬパネル６１は、図１の例の有機ＥＬパネル１１の構成に対して、図２の例の構成のゲートドライバ４２の代わりに、図３の構成のゲートドライバ７１を採用した構成を有している。ゲートドライバ７１は、例えば、ドライバＩＣで構成される。この例では、ゲートドライバ７１は、画素部２１の外部の片側に配置されている。ただし、ゲートドライバ７１の配置は特に限定されず、例えば、画素部２１の外部の両側に配置されてもよい。
【００３２】
ゲートドライバ７１には、Ｋ＋１個のＤＳドライバ８１−１乃至８１−（Ｋ＋１）、およびＷＳドライバ８２−１乃至８２−Ｎが設けられている。Ｋは、Ｋ＋１＝Ｎ／Ｑを満たす整数値である。Ｑは、１ユニットに属する電源線DSLの本数を示す値であって、２以上の値を示している。即ち、ＤＳドライバ８１−１乃至８１−（Ｋ＋１）のそれぞれは、Ｑ本の電源線DSLによって共有化されたＤＳドライバである。換言すると、ＤＳドライバ８１−１乃至８１−（Ｋ＋１）のそれぞれは、第１乃至第Ｋ＋１ユニットのそれぞれに対して設けられたＤＳドライバである。即ち、第Ｒユニットでは（Ｒは１乃至Ｋ＋１のうちの何れかの整数値）、１つのＤＳドライバ８１−ＲがＱ本の電源線DSL−ＲＱ＋１乃至DSL−（Ｒ＋１）Ｑによって共有化されている。なお、以下、ユニットを特に考慮する必要がない場合、ＤＳドライバ８１−Ｒを、ＤＳドライバ８１と単に称する。
【００３３】
なお、ＷＳドライバ８２−１乃至８２−Ｎの接続形態自体は、図２のＷＳドライバ５２−１乃至５２−Ｎの接続形態と同様である。よって、その説明については省略する。
【００３４】
次に、有機ＥＬパネル６１を構成する各画素３１の詳細例について説明していく。
【００３５】
＜画素３１の詳細な構成例＞
【００３６】
図４は、画素３１の詳細な構成例を示す図である。
【００３７】
なお、図４において、図３における対応する部分には同じ符号が付してあり、その説明を、以下、適宜省略する。
【００３８】
図４には、図３の有機ＥＬパネル６１に含まれるＮ×Ｍ個の画素３１のうちの１つが拡大されて描画されている。
【００３９】
画素３１は、サンプリング用トランジスタ９１、駆動用トランジスタ９２、保持容量９３、有機ＥＬ素子である発光素子９４、および補助容量９５を含むように構成されている。図４の例では、サンプリング用トランジスタ９１と駆動用トランジスタ９２とはそれぞれ、Ｎチャネル型トランジスタから構成される。サンプリング用トランジスタ９１のゲートは走査線WSLに接続されている。サンプリング用トランジスタ９１のドレインは、映像信号線DTLに接続されている。サンプリング用トランジスタ９１のソースは、駆動用トランジスタ９２のゲートＧに接続されている。
【００４０】
図４の例では、画素３１は、サンプリング用トランジスタ９１および駆動用トランジスタ９２の２個のトランジスタから構成される。かかる構成の画素回路は、２Ｔｒ（トランジスタ）画素回路と称される。なお、画素３１は、２Ｔｒ画素回路に限定されるわけではない点に留意すべきである。
【００４１】
駆動用トランジスタ９２のドレインは、電源線DSLに接続されている。駆動用トランジスタ９２のソースＳは、発光素子９４のアノードに接続されている。保持容量９３は、駆動用トランジスタ９２のゲートＧとソースＳの間に接続されている。この保持容量９３の容量値を、以下、Ｃｓと記述する。発光素子９４のカソードは、配線９６に接続されている。従って、発光素子９４のカソードの電位の値は、配線９６の電位Vcathとなる。
【００４２】
補助容量９５は、発光素子９４のアノード（駆動用トランジスタ９２のソースＳ）と配線９６の間に接続されている。補助容量９５の容量値を、以下、Csubと記述する。
【００４３】
発光素子９４は、電流発光素子であるため、その電流値を制御することで、発光輝度の階調を可変させることができる。図４の例の画素３１では、駆動用トランジスタ９２のゲートＧの電位（以下、ゲート電位と称する）を変化させることで、発光素子９４の電流値が制御され、その結果、発光輝度の階調が可変する。
【００４４】
駆動用トランジスタ９２は、飽和領域で動作するように設計されている。即ち、駆動用トランジスタ９２のドレインは電源線DSLに接続されており、この電源線DSLの電位を高電位にすることで、駆動用トランジスタ９２は飽和領域で動作する。なお、飽和領域とは、Vgs−Vth＜Vdsが満たされる領域をいう。Vgsは、駆動用トランジスタ９２のドレインとソースＳの間の電圧（以下、ドレインソース間電圧と称する）を示す。Vthは、駆動用トランジスタ９２の閾値電圧を示す。Vgsは、駆動用トランジスタ９２のゲートＧとソースＳの間の電圧（以下、ゲートソース間電圧と称する）を示す。飽和領域で動作中の駆動用トランジスタ９２は、ドレインとソースＳの間に一定の電流を流す定電流源として機能する。なお、この駆動用トランジスタ９２のドレインとソースＳの間に流れる電流を、以下、ドレインソース間電流と称し、その電流値をIdsと記述する。このドレインソース間電流Idsは、次式（１）で示すことができる。
【００４５】
【数１】
2010237360.tif 000003
・・・（１）
【００４６】
式（１）において、μは移動度を、Ｗはゲート幅を、Ｌはゲート長を、Coxは単位面積あたりのゲート酸化膜容量を、それぞれ示している。
【００４７】
サンプリング用トランジスタ９１は、走査線WSLを介してＷＳドライバ８２から供給される制御信号の電位に応じてオン（導通）する。サンプリング用トランジスタ９１がオンされると、保持容量９３は、映像信号線DTLを介してデータドライバ４１から供給される映像信号の信号電位Vsigを保持する。駆動用トランジスタ９２は、高電位となっている電源線DSLから電流の供給を受け、保持容量９３に保持された信号電位Vsigに応じたドレインソース間電流を発光素子９４に流す。この発光素子９４に流されるドレインソース間電流を、以下、駆動電流とも適宜称する。発光素子９４に一定以上の駆動電流が流れることにより、発光素子９４（画素３１）が発光する。
【００４８】
また、画素３１は、閾値補正機能を有している。この閾値補正機能とは、駆動用トランジスタ９２の閾値電圧Vthに相当する電圧を保持容量９３に保持させる機能である。この閾値補正機能により、駆動用トランジスタ９２の閾値電圧Vthのばらつきの影響をキャンセルすることができる。この駆動用トランジスタ９２の閾値電圧Vthのばらつきは、画素３１毎の発光輝度のばらつきの原因の一つとなっている。従って、閾値補正機能により、画素３１毎の発光輝度のばらつきをある程度抑えることが可能となる。
【００４９】
画素３１は、上述した閾値補正機能に加え、さらに移動度補正機能も有している。移動度補正機能とは、信号電位Vsigを保持容量９３に保持させる際に、信号電位Vsigに対して、駆動用トランジスタ９２の移動度μについての補正を加える機能である。
【００５０】
画素３１は、さらにブートストラップ機能も有している。ブートストラップ機能とは、駆動用トランジスタ９２のソースＳの電位の変動にゲートＧの電位を連動させる機能である。換言すると、ブートストラップ機能は、駆動用トランジスタ９２のゲートソース間電圧を一定に維持させる機能である。
【００５１】
次に、ユニットスキャン駆動手法のうちの基本的な手法（以下、基本ユニットスキャン駆動手法と称する）について、図５乃至図１７を参照して説明する。
【００５２】
＜基本ユニットスキャン駆動手法で駆動されている画素３１の動作例＞
【００５３】
図５は、基本ユニットスキャン駆動手法で駆動されている画素３１の動作例について説明するタイミングチャートである。なお、この例では、後述する第１ユニットの１行目の画素３１の動作例が示されている。
【００５４】
図６乃至図１１は、それぞれ、後述する発光期間Ｔ1、消光期間Ｔ2、閾値補正準備期間Ｔ3、閾値補正待ち期間Ｔ4、閾値補正期間Ｔ5、および書き込み＋移動度補正期間Ｔ11における駆動用トランジスタ９２の各端子の電位の一例を示す図である。
【００５５】
図５には、図中横方向の時間軸に対する、電源線DSLの電位ＤＳ、映像信号線の電位、走査線WSLの電位ＷＳ、駆動用トランジスタ９２のゲート電位Ｖｇ、および駆動用トランジスタ９２のソース電位Ｖｓの変化の一例が示されている。
【００５６】
図５の時刻ｔ1までの期間は、発光素子９４が発光される発光期間Ｔ1である。発光期間Ｔ1では、図６に示されるように、電源線電位ＤＳは、例えばVcc（＝２０Ｖ）とされている。発光期間Ｔ1における定常発光時のソース電位Ｖｓは、８Ｖとなっている。なお、以下、かかるソース電位Ｖｓを、ＥＬ駆動電圧Ｖｓと適宜称する。また、ゲート電位Ｖｇは、１８Ｖとなっている。
【００５７】
時刻ｔ1からｔ3までの期間は、発光素子９４が消光される消光期間Ｔ2である。時刻ｔ1は、映像信号線電位が信号電位Vsigから消去電位Versに切換えられた後のタイミングを示す時刻である。時刻ｔ1において、ＷＳドライバ８２は、走査線電位ＷＳを低電位から高電位に切換え、サンプリング用トランジスタ９１をオンさせる。これにより、ゲート電位Ｖｇが消去電位Versに低下する。この際、保持容量９３を介したカップリングにより、ソース電位Ｖｓも低下する。これにより、駆動用トランジスタ９２がカットオフされ、発光素子９４の発光が停止する。即ち、発光素子９４が消光する。
【００５８】
時刻ｔ2は、映像信号線電位が基準電位Vofsに切換えられる前のタイミングを示す時刻である。時刻ｔ2において、ＷＳドライバ８２は、走査線電位ＷＳを低電位に切換え、サンプリング用トランジスタ９１をオフさせる。これにより、駆動用トランジスタ９２のゲートＧの状態がフローティング状態となる。時刻ｔ2からｔ3までの期間において、図７に示されるように、ソース電位Ｖｓは、Vthel＋Vcath（この例では４Ｖ）まで低下する。Vthelは、発光素子９４のＥＬ閾値電圧を示す。また、この期間において、ゲート電位Ｖｇも低下する。
【００５９】
時刻ｔ3から時刻ｔ4までの期間は、閾値補正の準備が行われる閾値補正準備期間Ｔ3である。閾値補正を行うためには、駆動用トランジスタ９２のゲートソース間電圧Vgsを閾値電圧Vth以上にする必要がある。従って、閾値補正準備期間Ｔ3では、駆動用トランジスタ９２のゲートソース間電圧Vgsが閾値電圧Vth以上となるように閾値補正の準備が行われる。時刻ｔ3において、図８に示されるように、ＤＳドライバ８１は、電源線電位ＤＳを低電位Vss（＝−１５Ｖ）に切換える。これにより、ソース電位Ｖｓおよびゲート電位Ｖｇが低下する。駆動用トランジスタ９２のドレインがソースとして機能し、駆動用トランジスタ９２のソースＳがドレインとして機能するようになる。この結果、駆動用トランジスタ９２のソースＳからドレインに電流Ｉが流れ、駆動用トランジスタ９２のドレイン（ソースとして機能中）とゲートＧとの間の電圧がVth（＝４Ｖ）となるように閾値補正（以下、逆閾値補正と称する）が行われる。これにより、ゲート電位Ｖｇは低下する。低下後のゲート電位Ｖｇは、Vss＋Vthとなる。例えば、低電位Vssを−１５Ｖとし、閾値電圧Vthを４Ｖとすると、低下後のゲート電位Ｖｇは、−１１Ｖ（＝−１５Ｖ＋４Ｖ）となる。ソース電位Ｖｓも低下する。低下後のソース電位Ｖｓは、−１０Ｖとなる。
【００６０】
時刻ｔ4から時刻ｔ5までの期間は、閾値補正までの待ち時間としての閾値補正待ち期間Ｔ4ある。時刻ｔ4において、ＤＳドライバ８１は、電源線電位ＤＳを高電位Vccに切換える。これにより、図９に示されるように、ゲート電位Ｖｇが−１１Ｖから−１０Ｖに上昇する。ソース電位Ｖｓは−１０Ｖでほぼ変化しない。従って、ゲートソース間電圧Vgsは、１Ｖからほぼ０Ｖに変化する。時刻ｔ4から時刻ｔ5までの期間では、Vgs＜Vth（＝4V）が満たされているため、閾値補正は開始されない。
【００６１】
時刻ｔ5から時刻ｔ6までの期間は、閾値補正が行われる閾値補正期間Ｔ5ある。時刻ｔ5は、映像信号線電位が基準電位Vofsに切換えられた後のタイミングを示す時刻である。時刻ｔ5において、ＷＳドライバ８２は、走査線電位ＷＳを高電位に切換え、サンプリング用トランジスタ９１をオンさせる。これにより、図１０に示されるように、駆動用トランジスタ９２のゲート電位Ｖｇが−１０Ｖから基準電位Vofs（＝１Ｖ）になる。このゲート電位Ｖｇの変動に伴う保持容量９３を介したカップリングにより、ソース電位Ｖｓは１．５Ｖ程度上昇し、−１０Ｖから−８．５Ｖになる。この結果、ゲートソース間電圧Vgsは、９．５Ｖ（＝１−（−８．５））となり、Vgs＞Vth（＝4V）が満たされる。これにより、閾値補正が開始される。閾値補正が開始されると、駆動用トランジスタ９２のドレインからソースＳに電流が流れ、ソース電位Ｖｓが上昇する。この間、ゲート電位Ｖｇは一定である。これにより、ゲートソース間電圧Vgsが低下し、保持容量９３への閾値電圧Vthの書き込みが行われる。
【００６２】
この例では、閾値補正は、１フレームが表示される１フレーム期間（以下、１Ｆと称する）内で３回行われている。ただし、１Ｆ内における閾値補正回数は、３回に限定されるわけではない。即ち、１Ｆ内における閾値補正回数は、１回，２回，４回以上などでもよい。なお、時刻ｔ5から時刻ｔ6までの期間における閾値補正を、以下、１回目の閾値補正と称する。
【００６３】
時刻ｔ6から時刻ｔ7までの期間は、閾値補正が休止される閾値補正休止期間Ｔ6である。時刻ｔ6は、映像信号線電位が基準電位Vofsから信号電位Vsigに切換えられる前のタイミングを示す時刻である。時刻ｔ6において、ＷＳドライバ８２は、走査線電位ＷＳを低電位に切換え、サンプリング用トランジスタ９１をオフさせる。これにより、駆動用トランジスタ９２のゲートＧの状態はフローティング状態となる。この例では、１回目の閾値補正が不十分となっている。即ち、時刻ｔ6の時点で、Vgs＞Vthとなっている。この場合、時刻ｔ6から時刻ｔ7までの期間において、ドレインからソースＳに電流が流れ、ゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓが上昇する。この期間において、ゲートソース間電圧Vgsは保持される。
【００６４】
時刻ｔ7から時刻ｔ8までの期間は、閾値補正が行われる閾値補正期間Ｔ7である。この閾値補正を、以下、２回目の閾値補正と称する。時刻ｔ7は、映像信号線電位が基準電位Vofsに切換えられた後のタイミングを示す時刻である。時刻ｔ7において、ＷＳドライバ８２は、走査線電位ＷＳを高電位に切換え、サンプリング用トランジスタ９１をオンさせる。これにより、駆動用トランジスタ９２のゲート電位Ｖｇが基準電位Vofsとなる。また、駆動用トランジスタ９２のドレインからソースＳに電流が流れ、ソース電位Ｖｓが上昇する。これにより、ゲートソース間電圧Vgsが低下し、保持容量９３への書き込みが行われる。
【００６５】
時刻ｔ8から時刻ｔ9までの期間は、閾値補正が休止される閾値補正休止期間Ｔ8である。時刻ｔ8は、映像信号線電位が信号電位Vsigに切換えられる前のタイミングである。この時刻ｔ8において、ＷＳドライバ５２は、走査線電位ＷＳを低電位に切換え、サンプリング用トランジスタ９１をオフさせる。これにより、駆動用トランジスタ９２のゲートＧの状態はフローティング状態となる。この例では、２回目の閾値補正が不十分となっている。即ち、時刻ｔ8の時点で、Vgs＞Vthとなっている。この場合、時刻ｔ8から時刻ｔ9までの期間において、ドレインからソースＳに電流が流れ、ゲート電位Ｖｇおよびソース電位Ｖｓが上昇する。この期間において、ゲートソース間電圧Vgsは保持される。
【００６６】
なお、時刻ｔ5から時刻ｔ7までの期間および時刻ｔ7から時刻ｔ9までの期間が、水平期間（１Ｈ）に相当する。
【００６７】
時刻ｔ9から時刻ｔ10までの期間は、閾値補正が行われる閾値補正期間Ｔ9である。この閾値補正を、以下、３回目の閾値補正と称する。時刻ｔ9は、映像信号線電位が基準電位Vofsに切換えられた後のタイミングを示す時刻である。時刻ｔ9において、ＷＳドライバ８２は、走査線電位ＷＳを高電位に切換え、サンプリング用トランジスタ９１をオンさせる。これにより、駆動用トランジスタ９２のゲート電位Ｖｇが基準電位Vofsとなる。また、駆動用トランジスタ９２のドレインからソースＳに電流が流れ、ソース電位Ｖｓが上昇する。これにより、ゲートソース間電圧Vgsが低下し、保持容量９３への書き込みが行われる。この書き込みは、駆動用トランジスタ９２がカットオフするまで、即ち、Vgs＝Vthが満たされるまで行われる。図５の例では、時刻ｔ9から時刻ｔ10の間でVgs＝Vthが満たされている。
【００６８】
時刻ｔ10から時刻ｔ11までの期間は、映像信号の書き込みと移動度補正についての準備が行われる書き込み＋移動度補正準備期間Ｔ10である。時刻ｔ10は、映像信号線電位が信号電位Vsigに切換えられる前のタイミングを示す時刻である。時刻ｔ10において、ＷＳドライバ８２は、走査線電位ＷＳを低電位に切換え、サンプリング用トランジスタ９１をオフさせる。これにより、駆動用トランジスタ９２のゲートの状態はフローティング状態となる。また、時刻ｔ10から時刻ｔ11までの期間において、データドライバ４１は、映像信号線電位を信号電位Vsigに切換える。
【００６９】
時刻ｔ11から時刻ｔ12までの期間は、映像信号の書き込みと移動度補正が行われる書き込み＋移動度補正期間Ｔ11である。時刻ｔ11において、ＷＳドライバ８２は、走査線電位ＷＳを高電位に切換え、サンプリング用トランジスタ９１をオンさせる。これにより、図１１に示されるように、駆動用トランジスタ９２のゲート電位Ｖｇが、基準電位Vofs（＝１Ｖ）から信号電位Vsigまで上昇する。この結果、信号電位Vsigが閾値電圧Vthに足し込まれる形で保持容量９３に書き込まれると共に、移動度補正用の電圧ΔVμが差し引かれる形で保持容量９３に書き込まれる。即ち、保持容量９３には、Vsig＋Vth−ΔVμが書き込まれることになる。駆動用トランジスタ９２のソース電位Ｖｓは、−3V＋ΔVμまで上昇する。
【００７０】
時刻ｔ12以降は、発光素子９４が発光される発光期間Ｔ12である。時刻ｔ12は、映像信号線電位が消光電位Versに切換えられる前のタイミングを示す時刻である。時刻ｔ12において、ＷＳドライバ８２は、走査線電位ＷＳを低電位に切換え、サンプリング用トランジスタ９１をオフさせる。これにより、駆動用トランジスタ９２のゲートＧの状態はフローティング状態になる。すると、ブートストラップ動作が行われ、保持容量９３に書き込まれた電圧（Vsig＋Vth−ΔVμ）が維持されたまま、駆動用トランジスタ９２のゲート電位Ｖｇ及びソース電位Ｖｓが上昇する。
【００７１】
発光期間Ｔ12における画素３１の動作はより詳細には次のようになる。即ち、駆動用トランジスタ９２は、保持容量９３に書き込まれた電圧（Vsig＋Vth−ΔVμ）に応じた一定の駆動電流Ids’を発光素子９４に供給する。発光素子９４のアノードの電位（以下、アノード電位と称する）の値Velは、発光素子９４に駆動電流Ids’が流れる電圧Ｖｘまで上昇し、発光素子９４の状態は発光状態に移行する。
【００７２】
なお、上述したように、ユニットスキャン駆動手法では、複数の電源線DSLのＤＳドライバ８１を１つで共通化しているため、電源線電位ＤＳを用いて、発光と消光についての制御（以下、デューティ（Duty）制御と称する）を行うことができない。このため、ユニットスキャン駆動手法では、走査線電位ＷＳを用いて、デューティ制御を行っている。
【００７３】
＜基本ユニットスキャン駆動手法における各行の画素３１の動作例＞
【００７４】
以上、基本ユニットスキャン駆動手法における、１つの画素３１についての動作例について説明した。
【００７５】
次に、基本ユニットスキャン駆動手法における、各行の画素３１の動作例の関係について説明する。
【００７６】
図１２は、基本ユニットスキャン駆動手法における各行の画素３１の動作例の関係を説明するタイミングチャートである。
【００７７】
図１２には、第１ユニットと第２ユニットについての電源線電位ＤＳおよび各行の走査線電位ＷＳの変化が示されている。
【００７８】
なお、第Ｒユニットの電源線DSLに共通の電位ＤＳを、以下、電源線電位ＤＳ（Ｒ）と称する。また、図３の例の有機ＥＬパネル６１の上からＰ本目（Ｐは１乃至Ｎのうちの何れかの整数値）の走査線WSL−Ｐについての電位ＷＳを、以下、走査線電位ＷＳ（Ｐ）と称する。
【００７９】
図１２の例では、時刻ｔ31乃至時刻ｔ41の期間が、閾値補正準備期間T31とされている。このため、時刻ｔ31において、第１ユニットのＤＳドライバ８１−１は、電源線電位ＤＳ（１）を高電位Vccから低電位Vssに切換える。時刻ｔ41において、第1ユニットのＤＳドライバ８１−１は、電源線電位ＤＳ（１）を高電位Vccに切換える。
【００８０】
また、図１２の例では、時刻ｔ32乃至時刻ｔ42の期間が、閾値補正準備期間T32とされている。このため、時刻ｔ32において、第２ユニットのＤＳドライバ８１−２は、電源線電位ＤＳ（２）を高電位Vccから低電位Vssに切換える。時刻ｔ42において、第２ユニットのＤＳドライバ８１−２は、電源線電位ＤＳ（２）を高電位Vccに切換える。
【００８１】
図１２に示されるように、第１ユニットにおいて、１行目の電源線DSL-1乃至Q行目の電源線DSL-Qに対しては、１つのＤＳドライバ８１−１により、共通の電源線電位ＤＳ（１）が与えられる。このため、１行目乃至Q行目における閾値補正準備期間T31は共通の期間になる。
【００８２】
一方、１行目の走査線WSL−１乃至Q行目の走査線WSL―Qのそれぞれに対しては、ＷＳドライバ８２−１乃至８２−Ｑのそれぞれにより、走査線電位WS（１）乃至WS(Q)が別々に与えられる。即ち、ゲートドライバ７１は、ＷＳドライバ８２−１乃至８２−Ｑを順次駆動することで、１行目の走査線電位WS（１）乃至Ｑ行目の走査線電位WS（Ｑ）を水平期間（１Ｈ）で順次切換えて画素３１を行単位で線順次走査する。
【００８３】
このため、第１ユニットにおいて、１乃至Q行の各消光期間T21乃至T2Qは、１行目から下位の行になるに従って、１Ｈ分ずつ短くなっている。なお、このことは、第２乃至第Ｋ＋１ユニットについても同様である。また、この例では、第１ユニットのQ行目における消光の開始から１Ｈ後に第２ユニットの１行目（全体のQ+1行目）における消光が開始されている。
【００８４】
また、第１ユニットにおいて、１乃至Q行の閾値補正待ち期間T41乃至T4Qは、１行目から下位の行になるに従って、１Ｈ分ずつ長くなっている。なお、このことは、第２乃至第Ｋ＋１ユニットについても同様である。また、この例では、第１ユニットのQ行目における閾値補正の開始から１Ｈ後に第２ユニットの１行目（全体のQ+1行目）における閾値補正が開始されている。
【００８５】
なお、図１２において、「閾値補正」と記述されている期間は、各行についての、図５でいう閾値補正期間T5，T7，またはT9を示している。「書き込み」と記述されている期間は、各行についての、図５でいう書き込み＋移動度補正期間T11を示している。
【００８６】
このように駆動される基本ユニットスキャン駆動手法が適用された有機ＥＬパネル６１では、「カソード揺れスジ」や「グラデーション」が視認されることがあり、表示品位を損なう場合があった。このため、本発明人は、「カソード揺れスジ」や「グラデーション」を抑制して、表示品位を保つことができる手法を発明した。そこで、以下、「カソード揺れスジ」や「グラデーション」について説明した後、かかる手法について説明する。
【００８７】
＜画面の表示品位を損なう要因のひとつである「カソード揺れスジ」の説明＞
【００８８】
はじめに、画面の表示品位を損なう要因のひとつである「カソード揺れスジ」について説明する。
【００８９】
上述したように、基本ユニットスキャン駆動手法では、ユニットを構成する複数本の電源線DSLの電位ＤＳが同一タイミングでまとめて、高電位Vccと低電位Vssのうち一方から他方に切換えられる。このため、例えば、低電位Vssから高電位Vccに切り替わるとき、即ち、電源線電位ＤＳの立ち上り時に、共通化した１ユニット分のＤＳカップリングにより、電源線電位ＤＳの電位の揺れが、発光素子９４のカソードに入る。このことで、カソード電位Vcathの揺れが発生する。ＤＳカップリングとは、駆動用トランジスタ９２のゲートＧと電源線DSLとの間の寄生容量、および、保持容量９３を介する電源線電位ＤＳのカップリングをいう。
【００９０】
図１３は、電源線電位ＤＳの立ち上がり時におけるカソード電位Vcathの揺れを示すタイミングチャートである。
【００９１】
図１３のＡのタイミングチャートは、16.67msの周期で電源線電位ＤＳを低電位Vssから高電位Vccに２回切換えた場合のタイミングチャートを示している。図１３のＢは、図１３のＡのタイミングチャートのうち、２回目の切換えのタイミング付近の期間１０１、即ち、電源線電位ＤＳの立ち上り付近の期間１０１の拡大図である。
【００９２】
なお、図１３の16.67msの周期とは、１フレーム期間（１Ｆ）に相当する期間を意味している。
【００９３】
図１３のＢに示されるように、電源線電位ＤＳの立ち上り時の揺れは、ＤＳカップリングにより、カソード電位Vcathの揺れとなって現れている。
【００９４】
このようなカソード電位Vcathの揺れが発生している間に閾値補正や移動度補正が行われた場合、換言すると、図５でいう閾値補正期間T5乃至書き込み＋移動度補正期間T11の間にカソード電位Vcathの揺れが発生した場合、ゲートソース間電圧Vgsが変化して、閾値補正や移動度補正が正常に行われないこともある。その結果として、画素３１の発光輝度が変化してしまうことから、発光状態の有機ＥＬパネル６１の画面の水平方向には、ユニット毎に帯状のスジが視認され、表示品位を損なってしまうのである。
【００９５】
このように、ユニット毎の帯状のスジは、カソード電位Vcathの揺れに起因して発生する。そこで、本明細書では、かかる帯状のスジを、「カソード揺れスジ」と称しているのである。
【００９６】
図１４は、「カソード揺れスジ」が生じている有機ＥＬパネル６１の画面の表示例を示す図である。
【００９７】
図１４の画面における濃淡は、発光輝度の階調を示している。即ち、図１４の画面においては、薄くなる（白に近づく）ほど発光輝度が高くなっており、逆に濃くなる（黒に近づく）ほど発光輝度が低くなっている。なお、図１４の画面において、点線は、ユニットの区切りを示している。即ち、２つの点線間の部分が、１ユニットを示している。
【００９８】
図１４の画面の各ユニットのそれぞれの水平方向に表示されている暗い帯状のスジが、「カソード揺れスジ」の一例である。
【００９９】
なお、ユニット毎の「カソード揺れスジ」は、画面中央のユニットにおいて一番濃く視認され（輝度が一番暗くなり）、垂直上方向または下方向に向かうにつれ、徐々に薄くなるように視認される（輝度が明るくなっていく）。
【０１００】
以上、画面の表示品位を損なう要因のひとつである「カソード揺れスジ」について説明した。
【０１０１】
＜画面の表示品位を損なう要因のひとつである「グラデーション」の説明＞
【０１０２】
次に、画面の表示品位を損なう要因の別のひとつである「グラデーション」について説明する。
【０１０３】
図１５は、「グラデーション」を説明するための図である。
【０１０４】
図１５のＡは、有機ＥＬパネル６１の画面の垂直方向の発光輝度を示している。図１５のＢは、「グラデーション」が生じている有機ＥＬパネル６１の画面の表示例を示す図である。
【０１０５】
なお、図１５において、点線は、ユニットの区切りを示している。即ち、２つの点線間の部分が、１ユニットを示している。
【０１０６】
図１５のＢの画面における濃淡は、発光輝度の階調を示している。即ち、図１５のＢの画面においては、薄くなる（白に近づく）ほど発光輝度が高くなっており、逆に濃くなる（黒に近づく）ほど発光輝度が低くなっている。
【０１０７】
図１５のＡに示されるように、画面の各ユニット内においては、垂直下方向にいくほど、直線的に発光輝度が低下している。これに対して、ユニット境界において、発光輝度が不連続に変化している。その結果、ユーザの目には、図１５のＢに示されるように、ユニットを単位として、垂直下方向にいくほど画面が徐々に暗くなっていく「グラデーション」が視認されるのである。
【０１０８】
基本ユニットスキャン駆動手法では、１ユニット内のＱ本の電源線DSLに対してＤＳドライバ８１が共通化されている。このため、図１２に示されるように、ユニット内の閾値補正準備期間T3は同一タイミングとなっている。即ち、ユニット内の各行の消光期間T2の終了タイミングと閾値補正待ち期間T4の開始タイミングが共通化されている。これにより、消光期間T2および閾値補正待ち期間T4のそれぞれの長さがユニット内の各行毎に異なっている。例えば、図１２の例の第１ユニットでは、１行目の消光期間T21乃至Q行目の消光期間T2Qは、その順番で１H分ずつ短くなっていく。また、１行目の閾値補正待ち期間T41乃至Q行目の閾値補正待ち期間T4Qは、その順番で１H分ずつ長くなっていく。このことが、「グラデーション」が生ずる原因となっている。
【０１０９】
図１６乃至図１８を参照して、「グラデーション」が生じる原因についてさらに説明する。
【０１１０】
「グラデーション」が生じる原因は、次の第１原因と第２原因に大別される。第１原因とは、ユニット内の各行の消光期間T2の長さが異なることである。第２原因とは、ユニット内の各行の閾値補正待ち期間T4の長さが異なることである。
【０１１１】
以下、第１原因に起因して生じる「グラデーション」を、「消光期間起因グラデーション」と称する。また、第２原因に起因して生じる「グラデーション」を、「閾値補正待ち期間起因グラデーション」と称する。
【０１１２】
まず、「消光期間起因グラデーション」について説明する。
【０１１３】
図１６は、図５のタイミングチャートのうち、消光期間Ｔ2の付近のタイミングチャートについての拡大図であって、駆動用トランジスタ９２のソース電位Ｖｓの理想的な変化を示す図である。
【０１１４】
ただし、図１６において、図５における電源線電位ＤＳのタイミングチャートは省略されている。
【０１１５】
図５を用いて説明したように、時刻ｔ1において、ＷＳドライバ８２は、走査線電位ＷＳを低電位から高電位に切換え、サンプリング用トランジスタ９１をオンさせる。その結果、図１６に示されるように、駆動用トランジスタ９２のゲート電位Ｖｇとソース電位Ｖｓは徐々に低下していく。最終的には、駆動用トランジスタ９２のソース電位Ｖｓは、消光に必要な電位Vthel+Vcathまで低下する。これにより、発光素子９４が消光する。
【０１１６】
ただし、図１６に示されるソース電位Ｖｓの変化は理想的な変化を示しており、実際のソース電位Ｖｓの変化は図１７に示されるようになる。
【０１１７】
図１７は、図５のタイミングチャートのうち、消光期間Ｔ2の付近の拡大図であって、駆動用トランジスタ９２のソース電位Ｖｓの実際の変化の一例を示す図である。
【０１１８】
駆動用トランジスタ９２のソースＳには発光素子９４の容量（以下、ＥＬ容量と称する）や補助容量９５が等価的に付加されている。従って、実際には、図１７に示されるように、ソース電位Ｖｓの電位が消光に必要な電位Vthel+Vcathに低下するまでの応答時間は、図１６の理想的な変化に比べて長くなる。従って、実際の消光期間T2においては、発光素子９４には微弱な電流が流れている。このため、１ユニットのうち、消光期間T2が長い１行目の発光素子９４の発光量が一番多くなり、消光期間がより短い下位の行になるにつれて発光素子９４の発光量は減少していくことになる。その結果、画面の各ユニット内では、垂直下方向にいくほど、発光輝度が低下していくことになり、「消光期間起因グラデーション」が発生するのである。
【０１１９】
以上、「消光期間起因グラデーション」について説明した。次に、「閾値補正待ち期間起因グラデーション」について説明する。
【０１２０】
図１８は、「閾値補正待ち期間起因グラデーション」について説明する図である。
【０１２１】
図１８のＡは、図１２のタイミングチャートのうち、第１ユニットのタイミングチャートのみを示している。図１８のＢは、閾値補正待ち期間T4に生じるリークについて説明するための図である。図１８のＢには、画素３１の構成例が示されている。図１８のＣは、「閾値補正待ち期間起因グラデーション」が生じている有機ＥＬパネル６１の画面の表示例を示す図である。
【０１２２】
図１８のＢに示されるように、閾値補正待ち期間T4では、駆動用トランジスタ９２のソースＳの電位Ｖｓが−１０Ｖと低くなっている。このため、駆動用トランジスタ９２のドレインからソースＳへの電流のリーク（以下、図１８のＢの記載にあわせて、TFT電流リークと称する）が起こる。これと共に、配線９６から、駆動用トランジスタ９２のソースＳへのリーク（以下、図１８のＢの記載にあわせて、ＥＬ電流リークと称する）が起こる。これらのTFT電流リークやＥＬ電流リークのリーク量が大きいほど、ソース電位Ｖｓが上昇するため、その結果として、ゲートソース間電圧Vgsが小さくなっていき、発光素子９４の発光輝度は低下していく。これらのTFT電流リークやＥＬ電流リークのリーク量は、閾値補正待ち期間T4が長くなるほど大きくなっていく。このため、１ユニットのうち、閾値補正待ち期間T4が短い１行目の発光素子９４のリーク量が一番少なくなり、閾値補正待ち期間T4がより長い下位の行になるにつれてリーク量は増加していくことになる。その結果、図１８のＣに示されるように、画面の各ユニット内では、垂直下方向にいくほど、発光輝度が低下していくことになり、「閾値補正待ち期間グラデーション」が発生するのである。
【０１２３】
なお、図１８のＣに示される「閾値補正待ち期間起因グラデーション」の方が、図１５のＢに示される「グラデーション」より薄くなっている理由は、図１８のＣには「消光期間起因グラデーション」が加わっていないからである。即ち、「閾値補正待ち期間起因グラデーション」と「消光期間起因グラデーション」とはいずれも、画面のユニット部分内で垂直下方向にいくほど暗くなっていくグラデーションである。従って、両者のグラデーションが強められた結果として、図１５のＢに示される濃い「グラデーション」が生じるのである。
【０１２４】
このように、基本ユニットスキャン駆動手法をそのまま適用した場合、「グラデーション」や「カソード揺れスジ」がユーザに視認されてしまうことになる。これにより、有機ＥＬパネル６１の視認性が低下し、その結果、表示品位を損なってしまうのである。
【０１２５】
＜カソード揺れ位置調整手法の説明＞
【０１２６】
そこで、本発明人は、表示品位を保つべく、図１９や図２０に示されるように、「グラデーション」の境界であるユニット境界と、ＤＳカップリングによる「カソード揺れスジ」の発生位置を揃える、という手法を発明した。なお、以下、かかる手法を、カソード揺れ位置調整手法と称する。カソード揺れ位置調整手法を適用することで、輝度差が軽減し、視認性が向上し、その結果、表示品位を保つことができるようになる。
【０１２７】
図１９と図２０は、カソード揺れ位置調整手法の概略を説明する図である。
【０１２８】
図１９のＡは、「カソード揺れスジ」と「グラデーション」のうち、「カソード揺れスジ」のみが発生している場合の有機ＥＬパネル６１の画面の垂直方向の発光輝度と、その画面の表示例を示す図である。
【０１２９】
図１９のＢは、「カソード揺れスジ」と「グラデーション」のうち、「グラデーション」のみが生じている場合の有機ＥＬパネル６１の画面の垂直方向の発光輝度と、その画面の表示例を示す図である。
【０１３０】
図１９のＢに示されるように、「グラデーション」の境界は、各ユニット間の境界と一致していることがわかる。「グラデーション」の境界位置は、その性質上移動できない。
【０１３１】
これに対して、「カソード揺れスジ」の発生要因は、上述の如く、電源線電位ＤＳの立ち上り時におけるカソード電位Vcathの揺れである。電源線電位ＤＳの立ち上りタイミングは、容易に調整可能である。
【０１３２】
そこで、カソード揺れ位置調整手法では、図１９のＡに示されるように、「カソード揺れスジ」の発生位置がユニット境界となるように、電源線電位ＤＳの立ち上りタイミングが調整されるのである。
【０１３３】
この場合、有機ＥＬパネル６１の実際の垂直方向の輝度は、図１９のＡの輝度と図１９のＢの輝度が足しあわされたものとなる。即ち、図１９のＣに示される輝度が、有機ＥＬパネル６１の実際の輝度になる。
【０１３４】
図１９のＣは、実際の有機ＥＬパネル６１の画面の垂直方向の発光輝度と、その画面の表示例を示す図である。
【０１３５】
図１９のＣと、図１９のＡやＢとを比較するに、図１９のＣの方が、輝度差が軽減し、画面に生じる「グラデーション」が薄くなることで視認性が向上し、その結果、表示品位を保つことができていることがわかる。このことは、図２０にも示されている。
【０１３６】
図２０は、１ユニット分の垂直方向の発光輝度の一例を示す図である。
【０１３７】
図２０において、「カソード揺れスジ」と「グラデーション」のうち、「カソード揺れスジ」のみが発生している場合の有機ＥＬパネル６１の画面の発光輝度が曲線１１１により示されている。また、「グラデーション」のみが発生している場合の有機ＥＬパネル６１の画面の発光輝度が曲線１１２により示されている。
【０１３８】
この場合、実際の有機ＥＬパネル６１の画面の発光輝度は、曲線１１１により示される輝度と、曲線１１２により示される輝度とを足し合わせた輝度となる。かかる輝度が曲線１１３により示されている。
【０１３９】
次に、カソード揺れ位置調整手法の具体的な実現手法について説明する。
【０１４０】
図２１は、カソード揺れ位置調整手法の具体的な実現手法を説明する図である。
【０１４１】
即ち、図２１には、カソード揺れ位置調整手法が適用された場合の、第ｙユニットについての電源線電位ＤＳ（ｙ）と、１,２行の走査線電位ＷＳ（（y-1）Q＋１), ＷＳ（（y-1）Q＋２)が示されている。ｙは、１からユニット総数までのうちの任意の整数値を示す。また、第（y-1）ユニットについての最終行の走査線電位ＷＳ（（y-1）Q)が示されている。
【０１４２】
図２１に示されるように、カソード揺れ位置調整手法では、第ｙユニットのＤＳドライバ８１−ｙは、電源線電位ＤＳ（y）の立ち上がりタイミングを、直前の第(y-1)ユニットの最終行の書き込み＋移動度補正期間Ｔ11の経過以後に調整する。図２１の例では、第ｙユニットの電源線電位ＤＳ（y）の立ち上がりタイミングを示す時刻t4yは、直前の第(y-1)ユニットの最終行の書き込み＋移動度補正期間Ｔ11の時刻t11y-1の後になっていることがわかる。なお、第(y-1)ユニットの最終行の書き込み＋移動度補正期間Ｔ11とは、図２１に示される第(y-1)ユニットの最終行の「書き込み」と記述されているパルスの区間をいう。
【０１４３】
換言すると、第ｙユニットのＤＳドライバ８１−ｙは、電源線電位ＤＳ（y）の立ち上がりタイミングを、第yユニットの1行目の書き込み＋移動度補正期間Ｔ11の開始前１Ｈ内に収めるように調整する。図２１の例では、第ｙユニットの電源線電位ＤＳ（y）の立ち上がりタイミングを示す時刻t4yは、第yユニットの１行目の書き込み＋移動度補正期間Ｔ11の時刻t11yより前の１H内の期間ＴＡに収まっていることがわかる。
【０１４４】
このようなカソード揺れ位置調整手法を適用することで、ユニットの１行目に、即ち、「グラデーション」のうち最も輝度の高い行に、「カソード揺れスジ」が発生することになる。即ち、「グラデーション」の明るい部分に、「カソード揺れスジ」の暗い部分が重ね合わせられ、その結果、暗い部分と明るい部分との相殺の効果により、輝度差が軽減し、画面の視認性が向上するのである。
【０１４５】
ところで、以上説明した有機ＥＬパネル６１は、パネルモジュールとも称される。このパネルモジュールに、さらに、電源回路、画像ＬＳＩ(Large Scale Integration)などが付加されて、表示装置が構成される。
【０１４６】
有機ＥＬパネルを用いた表示装置は、様々な電子機器のディスプレイに適用することが可能である。電子機器としては、例えば、デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話、テレビジョン受像機などが存在する。即ち、これらの電子機器に入力された、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を画像若しくは映像として表示するあらゆる分野の電子機器のディスプレイに本発明を適用することが可能である。以下この様な表示装置が適用された電子機器の例を示す。
【０１４７】
例えば、本発明は、電子機器の一例であるテレビジョン受像機に適用できる。このテレビジョン受像機は、フロントパネル、フィルターガラス等から構成される映像表示画面を含み、本発明の表示装置をその映像表示画面に用いることにより作製される。
【０１４８】
例えば、本発明は、電子機器の一例であるデジタルスチルカメラに適用できる。このデジタルカメラは、撮像レンズ、表示部、コントロールスイッチ、メニュースイッチ、シャッター等を含み、本発明の表示装置をその表示部に用いることにより作製される。
【０１４９】
例えば、本発明は、電子機器の一例であるノート型パーソナルコンピュータに適用できる。このノート型パーソナルコンピュータにおいて、その本体には文字等を入力するとき操作されるキーボードを含み、その本体カバーには画像を表示する表示部を含む。このノート型パーソナルコンピュータは、本発明の表示装置をその表示部に用いることにより作製される。
【０１５０】
例えば、本発明は、電子機器の一例である携帯端末装置に適用できる。この携帯端末装置は、上部筺体と下部筺体とを有している。この携帯端末装置の状態としては、それらの２つの筺体が開いた状態と、閉じた状態とが存在する。この携帯端末装置は、上述した上側筐体と下側筐体との他、連結部（ここではヒンジ部）、ディスプレイ、サブディスプレイ、ピクチャーライト、カメラ等を含み、本発明の表示装置をそのディスプレイやサブディスプレイに用いることにより作製される。
【０１５１】
例えば、本発明は、電子機器の一例であるデジタルビデオカメラに適用可能である。デジタルビデオカメラは、本体部、前方を向いた側面に被写体撮影用のレンズ、撮影時のスタート／ストップスイッチ、モニター等を含み、本発明の表示装置をそのモニターに用いることにより作製される。
【０１５２】
なお、本発明の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
【符号の説明】
【０１５３】
２１  画素部，  ３１  画素，  ４１  データドライバ，  ６１  有機ＥＬパネル，  ７１  ゲートドライバ，  ８１  ＤＳドライバ，  ８２  ＷＳドライバ，  ９１  サンプリング用トランジスタ，  ９２  駆動用トランジスタ，  ９３  保持容量，  ９４  発光素子，  ９５  補助容量，  ９６  配線
【図１】
2010237360.tif 000004
【図２】
2010237360.tif 000005
【図３】
2010237360.tif 000006
【図４】
2010237360.tif 000007
【図５】
2010237360.tif 000008
【図６】
2010237360.tif 000009
【図７】
2010237360.tif 000010
【図８】
2010237360.tif 000011
【図９】
2010237360.tif 000012
【図１０】
2010237360.tif 000013
【図１１】
2010237360.tif 000014
【図１２】
2010237360.tif 000015
【図１３】
2010237360.tif 000016
【図１４】
2010237360.tif 000017
【図１５】
2010237360.tif 000018
【図１６】
2010237360.tif 000019
【図１７】
2010237360.tif 000020
【図１８】
2010237360.tif 000021
【図１９】
2010237360.tif 000022
【図２０】
2010237360.tif 000023
【図２１】
2010237360.tif 000024