(57)【要約】【課題】一つの成膜装置で複数のウェハ上に成膜を行う際に、パーティクルの発生を抑制しつつウェハ毎に所望の膜厚の膜を成膜する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、第１のウェハ上および第２のウェハ上にシラン系ガスを含む第１のガスおよび第２のガスを供給した状態で、第２のプラズマ発生手段（ＲＦ）をオンとする工程と、この状態のまま、第１のプラズマ発生手段（ＲＦ）もオンとする工程と、第１のプラズマ発生手段および第２のプラズマ発生手段のオン状態を継続したままで、第１のガスの供給を停止する工程と、第１のガスの供給を停止した後に、第１のプラズマ発生手段および第２のプラズマ発生手段をオフとする工程とを含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
オン状態で第１のウェハ上および第２のウェハ上にそれぞれプラズマを発生させる第１のプラズマ発生手段および第２のプラズマ発生手段と、を有する成膜装置を用いて、
前記第１のウェハ上および前記第２のウェハ上にシラン系ガスを含む第１のガスおよび第２のガスを供給した状態で、前記第１のプラズマ発生手段および前記第２のプラズマ発生手段の一方をオンとして当該一方のプラズマ発生手段に対応するウェハ上での成膜を行う工程と、
前記第１のガスおよび前記第２のガスの供給、および前記一方のプラズマ発生手段のオン状態を継続したままで、前記第１のプラズマ発生手段および前記第２のプラズマ発生手段の他方をオンとして、前記第１のウェハ上および前記第２のウェハ上での成膜を行う工程と、
前記第１のプラズマ発生手段および前記第２のプラズマ発生手段のオン状態を継続したままで、前記第１のガスの供給を停止する工程と、
前記第１のガスの供給を停止した後に、前記第１のプラズマ発生手段および前記第２のプラズマ発生手段をオフとする工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１のウェハ上での成膜速度と前記第２のウェハ上での成膜速度との成膜速度差を取得する工程をさらに含み、
前記第１のプラズマ発生手段および前記第２のプラズマ発生手段の一方をオンとして当該一方のプラズマ発生手段に対応するウェハ上での成膜を行う工程において、当該一方のプラズマ発生手段は、前記成膜速度が遅い方のウェハ上にプラズマを発生させるプラズマ発生手段であって、
前記成膜速度差に応じて、前記第１のプラズマ発生手段および前記第２のプラズマ発生手段をオンとするタイミングを制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１のウェハ上および前記第２のウェハ上には、同じガスが同時に供給されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１から３いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２のガスは、Ｎ２Ｏ、Ｏ２、ＮＨ３、Ｎ２、またはこれらの混合ガスを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１から４いずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記成膜装置は、前記第１のウェハおよび前記第２のウェハをそれぞれ加熱する第１のヒータおよび第２のヒータをさらに含み、
前記第１のヒータおよび前記第２のヒータで前記第１のウェハおよび前記第２のウェハをそれぞれ加熱した状態で前記第１のウェハ上および前記第２のウェハ上での成膜を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
オン状態で第１のウェハ上および第２のウェハ上にそれぞれプラズマを発生させる第１のプラズマ発生手段および第２のプラズマ発生手段と、
前記第１のウェハ上および前記第２のウェハ上にシラン系ガスを含む第１のガスを供給する第１のガス供給部と、
前記第１のウェハ上および前記第２のウェハ上に第２のガスを供給する第２のガス供給部と、
前記第１のプラズマ発生手段および前記第２のプラズマ発生手段を制御して、
前記第１のウェハ上および前記第２のウェハ上に前記第１のガスおよび前記第２のガスを供給した状態で、前記第１のプラズマ発生手段および前記第２のプラズマ発生手段の一方をオンとして当該一方のプラズマ発生手段に対応するウェハ上での成膜を行う工程と、
前記第１のガスおよび前記第２のガスの供給、および前記一方のプラズマ発生手段のオン状態を継続したままで、前記第１のプラズマ発生手段および前記第２のプラズマ発生手段の他方をオンとして、前記第１のウェハ上および前記第２のウェハ上での成膜を行う工程と、
前記第１のプラズマ発生手段および前記第２のプラズマ発生手段のオン状態を継続したままで、前記第１のガスの供給を停止する工程と、
前記第１のガスの供給を停止した後に、前記第１のプラズマ発生手段および前記第２のプラズマ発生手段をオフとする工程と、
を実行する制御部と、
を含むことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体製造装置において、
前記第１のプラズマ発生手段および前記第２のプラズマ発生手段をそれぞれ収容する第１のチャンバおよび第２のチャンバと、
前記第１のガス供給部と前記第２のガス供給部とに接続され、前記第１のチャンバおよび前記第２のチャンバに分岐して接続するガス供給路と、
をさらに含み、
前記ガス供給路を介して、前記第１のチャンバおよび前記第２のチャンバに、同じガスが同時に供給される半導体製造装置。
【請求項８】
請求項６または７に記載の半導体製造装置において、
前記第１のウェハおよび前記第２のウェハをそれぞれ加熱する第１のヒータおよび第２のヒータをさらに含むことを特徴とする半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法および半導体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、プラズマ処理装置が記載されている。同文献に記載されたプラズマ処理装置の構成を図４に示す。このプラズマ処理装置は、一つのチャンバ１１に対し、複数台の試料台２ａ〜２ｄと、上部電極５のマイクロ波放射口８を通して被処理基板２８のそれぞれにマイクロ波を放出する複数の誘電体線路部材１ａ〜１ｄと、空間部のそれぞれにプロセスガスを供給するガス導入部９ａ〜９ｄと、一つの真空ポンプ７の前段に配設されガス圧を調節する圧力調整部６と、各試料台に高周波電力を印加する複数の高周波電源とを設け、各空間部のプロセスガス圧、マイクロ波放出強度および各試料台へ印加する高周波電力を独立して制御できるものである。
【０００３】
また、特許文献２には、プラズマ処理装置が記載されている。このプラズマ処理装置は、２つのチャンバを有し、各チャンバ内にそれぞれヒータが設けられている。
【０００４】
また、特許文献３には、目的の膜厚のｐ−ＳｉＮ膜を成膜した後、ＳｉＨ４の供給を停止し、ＲＦパワーを印加したまま数秒間成膜を継続する方法が記載されている。これにより、ＲＦパワーが印加時間内にＣＶＤ装置内の残留ＳｉＨ４が反応により消費されるので、ｐ−ＳｉＮ膜上にマイクロダスト（パーティクル）が発生しないとされている。
【０００５】
【特許文献１】特開平０８-２５５７８５号公報
【特許文献２】特開２００３-１００５９２号公報
【特許文献３】特開平０５-１２９２８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、本発明者は、特許文献１や特許文献２に記載されたように、複数のウェハへの成膜処理を行うプラズマ成膜装置において、たとえばヒータの温度等の装置特性によって、ウェハ毎に形成される膜の成膜速度にバラツキが生じるという問題があることを見出した。このような成膜速度のバラツキがあると、同じ条件で成膜した場合に、ウェハ毎に成膜される膜の膜厚が異なってしまう。ウェハ毎に形成される膜の膜厚が異なると、一部のウェハでは半導体装置が設計通りに製造されず、所望の特性を得ることができないという問題がある。そのため、各ウェハにおいて、それぞれ設計通りの所望の膜厚の成膜を行うことが望まれる。しかし、従来、複数のウェハへの成膜処理を行うプラズマ成膜装置において、ウェハ毎に所望の膜厚の成膜を行うための制御は検討されていなかった。また、特許文献３に記載されているように、プラズマ成膜装置においては、パーティクルが発生するという問題もある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明によれば、
オン状態で第１のウェハ上および第２のウェハ上にそれぞれプラズマを発生させる第１のプラズマ発生手段および第２のプラズマ発生手段と、を有する成膜装置を用いて、
前記第１のウェハ上および前記第２のウェハ上にシラン系ガスを含む第１のガスおよび第２のガスを供給した状態で、前記第１のプラズマ発生手段および前記第２のプラズマ発生手段の一方をオンとして当該一方のプラズマ発生手段に対応するウェハ上での成膜を行う工程と、
前記第１のガスおよび前記第２のガスの供給、および前記一方のプラズマ発生手段のオン状態を継続したままで、前記第１のプラズマ発生手段および前記第２のプラズマ発生手段の他方をオンとして、前記第１のウェハ上および前記第２のウェハ上での成膜を行う工程と、
前記第１のプラズマ発生手段および前記第２のプラズマ発生手段のオン状態を継続したままで、前記第１のガスの供給を停止する工程と、
前記第１のガスの供給を停止した後に、前記第１のプラズマ発生手段および前記第２のプラズマ発生手段をオフとする工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【０００８】
また、本発明によれば、
オン状態で第１のウェハ上および第２のウェハ上にそれぞれプラズマを発生させる第１のプラズマ発生手段および第２のプラズマ発生手段と、
前記第１のウェハ上および前記第２のウェハ上にシラン系ガスを含む第１のガスを供給する第１のガス供給部と、
前記第１のウェハ上および前記第２のウェハ上に第２のガスを供給する第２のガス供給部と、
前記第１のプラズマ発生手段および前記第２のプラズマ発生手段を制御して、
前記第１のウェハ上および前記第２のウェハ上に前記第１のガスおよび前記第２のガスを供給した状態で、前記第１のプラズマ発生手段および前記第２のプラズマ発生手段の一方をオンとして当該一方のプラズマ発生手段に対応するウェハ上での成膜を行う工程と、
前記第１のガスおよび前記第２のガスの供給、および前記一方のプラズマ発生手段のオン状態を継続したままで、前記第１のプラズマ発生手段および前記第２のプラズマ発生手段の他方をオンとして、前記第１のウェハ上および前記第２のウェハ上での成膜を行う工程と、
前記第１のプラズマ発生手段および前記第２のプラズマ発生手段のオン状態を継続したままで、前記第１のガスの供給を停止する工程と、
前記第１のガスの供給を停止した後に、前記第１のプラズマ発生手段および前記第２のプラズマ発生手段をオフとする工程と、
を実行する制御部と、
を含むことを特徴とする半導体製造装置が提供される。
【０００９】
このような構成により、パーティクルの発生を抑制しつつ、複数のウェハに対する成膜時間を異ならせることができる。これにより、ウェハ毎に、所望の膜厚の成膜を行うことができる。たとえば、複数のウェハに対する成膜時間を異ならせる方法としては、プラズマ発生の終了タイミングを制御するという方法も考えられる。しかし、一旦プラズマを発生させた後、シラン系ガスを含む第１のガスが残った状態でプラズマの発生を止めてしまうと、パーティクルの発生の問題が生じる。本発明の構成によれば、プラズマ発生の開始タイミングを制御することにより複数のウェハに対する成膜時間を異ならせている。そのため、成膜時間が短くていい方のウェハ上において、プラズマ発生前にシラン系ガスを含む第１のガスが導入されても、プラズマの影響を受けないので、パーティクルが発生することがない。そのため、たとえば、ヒータの温度等の装置特性によってウェハ毎に成膜速度にバラツキがあり、成膜される膜の膜厚にバラツキが生じるような場合、成膜速度が遅い方のウェハ上へのプラズマの発生を先に開始することができる。これにより、パーティクルの発生を抑制しつつ、ウェハ毎に所望の膜厚の膜を形成することができるので、膜厚のバラツキをなくすことができる。
【発明の効果】
【００１０】
一つの成膜装置で複数のウェハ上に成膜を行う際に、パーティクルの発生を抑制しつつウェハ毎に所望の膜厚の膜を成膜することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の実施の一形態を図面を参照して以下に説明する。
【００１２】
図１は、本実施の形態の半導体製造装置１００の構成を示す断面模式図である。半導体製造装置１００は、プラズマ成膜装置とすることができる。
半導体製造装置１００は、ガス供給路１１０、第１のガス供給部１２０、第２のガス供給部１２２、第１の流量コントロール部１３０、第２の流量コントロール部１３２、第１の高周波電源１４０、第２の高周波電源１４２、第１の放電電極１５０、第２の放電電極１５２、第１のヒータ１７０、第２のヒータ１７２、第１のチャンバ１８０、第２のチャンバ１８２、ガス排出路２２０、バルブ１９０、および排気部２００を備える。
【００１３】
半導体製造装置１００において、第１のガス供給部１２０は、シラン系ガスを含む第１のガスを供給する。第１の流量コントロール部１３０は、第１のガス供給部１２０から供給される第１のガスの流量を制御する。第２のガス供給部１２２は、第２のガスを供給する。第２のガスは、シラン系ガスを含まないものとすることができる。第２の流量コントロール部１３２は、第２のガス供給部１２２から供給される第２のガスの流量を制御する。
【００１４】
本実施の形態において、第１のチャンバ１８０および第２のチャンバ１８２は、互いに各チャンバで発生されたプラズマが他方に影響を与えない構成となっている。第１のガス供給部１２０および第２のガス供給部１２２からそれぞれ供給された第１のガスおよび第２のガスは、ガス供給路１１０内で混合される。ガス供給路１１０は、分岐した構成を有する。ガス供給路１１０を介して、第１のチャンバ１８０および第２のチャンバ１８２に同じガスが同時に供給される。
【００１５】
第１のヒータ１７０は、第１のチャンバ１８０内に設けられている。第２のヒータ１７２は、第２のチャンバ１８２内に設けられている。第１のヒータ１７０および第２のヒータ１７２は、それぞれウェハを載置する載置台としても機能する。ここで、第１のヒータ１７０上には第１のウェハ１６０が載置されている。また、第２のヒータ１７２上には第２のウェハ１６２が載置されている。
【００１６】
第１の高周波電源１４０に接続された第１の放電電極１５０（第１のプラズマ発生手段）は、第１のチャンバ１８０内にプラズマを発生させる。第２の高周波電源１４２に接続された第２の放電電極１５２（第２のプラズマ発生手段）は、第２のチャンバ１８２内にプラズマを発生させる。
【００１７】
第１のチャンバ１８０および第２のチャンバ１８２に供給されたガスは、ガス排出路２２０を介して排気部２００から排出される。排気部２００は、真空ポンプに接続された構成とすることができる。真空ポンプのオンオフ、およびバルブ１９０を制御することにより、第１のチャンバ１８０および第２のチャンバ１８２内の圧力を制御することができる。たとえば、真空ポンプをオンとした状態でバルブ１９０を開くことにより、第１のチャンバ１８０および第２のチャンバ１８２内の圧力を減圧状態することができる。
【００１８】
ところで、上述したように、複数のウェハ上に成膜を行うプラズマ成膜装置において、ヒータの温度等の装置特性によって、ウェハ毎に形成される膜の成膜速度にバラツキが生じるという問題がある。そのため、同じ条件で成膜を行った場合でも、ウェハ毎に成膜される膜の膜厚が異なってしまうことがある。本実施の形態においては、このような成膜速度の違いによる膜厚のバラツキを補正して、第１のウェハ１６０および第２のウェハ１６２上に同じ膜厚の膜を形成するために、プラズマ発生の開始時間を制御する。
【００１９】
本実施の形態において、第１のウェハ１６０上での成膜速度と第２のウェハ１６２上での成膜速度との成膜速度差を予め取得しておく。各ウェハ上での成膜速度は、チャンバ毎に、予めプラズマ発生時間（成膜時間）と膜厚との関係を測定することにより、プラズマ発生時間と膜厚と関係を示す関数として得ることができる。これにより、第１のチャンバ１８０内での成膜速度と、第２のチャンバ１８２内での成膜速度との成膜速度差を得ることができる。また、各ウェハ上での目的の膜厚に応じた必要な成膜時間を算出することもできる。
【００２０】
本実施の形態において、このようにして得られた成膜速度差をフィードバックして、成膜速度の遅い方のチャンバから順にプラズマの発生を開始する。このように、プラズマの発生時間を制御することで、各ウェハ上で所望の膜厚の成膜を行うことができ、成膜速度のバラツキによる影響をなくすことができる。
【００２１】
本実施の形態の半導体装置の製造方法は、以下の工程を含む。
オン状態で第１のウェハ上および第２のウェハ上にそれぞれプラズマを発生させる第１のプラズマ発生手段および第２のプラズマ発生手段と、を有する成膜装置を用いて、
第１のウェハ上および第２のウェハ上にシラン系ガスを含む第１のガスおよび第２のガスを供給した状態で、第１のプラズマ発生手段および第２のプラズマ発生手段の一方をオンとして当該一方のプラズマ発生手段に対応するウェハ上での成膜を行う工程と、
第１のガスおよび第２のガスの供給、および一方のプラズマ発生手段のオン状態を継続したままで、第１のプラズマ発生手段および第２のプラズマ発生手段の他方をオンとして、第１のウェハ上および第２のウェハ上での成膜を行う工程と、
第１のプラズマ発生手段および第２のプラズマ発生手段のオン状態を継続したままで、第１のガスの供給を停止する工程と、
第１のガスの供給を停止した後に、第１のプラズマ発生手段および第２のプラズマ発生手段をオフとする工程。
【００２２】
次に、図１に示した半導体製造装置１００で本実施の形態の半導体装置の製造方法を実施する場合について、図１および図２を用いて説明する。
【００２３】
ここで、たとえば、第２のチャンバ１８２内における第２のヒータ１７２上での成膜速度が、第１のチャンバ１８０内における第１のヒータ１７０上での成膜速度よりも遅いと仮定する。この場合、第１のチャンバ１８０および第２のチャンバ１８２において、目的の膜厚の成膜終了のタイミングをそろえるように、第２のチャンバ１８２において、プラズマ発生時間差分だけ先にプラズマの発生を開始する。
【００２４】
図２は、本実施の形態におけるプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法における成膜工程のタイミングチャートを示す。
図２において、各チャート線が下にあるときは、圧力＝０(オフ)、プラズマ（ＲＦ）＝０(オフ)、ガス流量＝０(オフ)を表し、各チャート線が上にあるときは、圧力、ＲＦ、ガスが所望の値であること(オン)を表している。また横軸は時系列で右に進むに従い、時間が経過することを表している。ここで、第１のヒータ１７０および第２のヒータ１７２は、以下の工程の全てにわたって、それぞれ第１のウェハ１６０および第２のウェハ１６２を加熱している。
【００２５】
まず、第１の流量コントロール部１３０および第２の流量コントロール部１３２を制御して、第１のガス供給部１２０および第２のガス供給部１２２からそれぞれ第１のガスおよび第２のガスを供給する。ここでは、酸化シリコン膜を成膜する例を説明する。この場合、第１のガスは、ＳｉＨ４ガスとすることができる。また、第２のガスは、Ｎ２Ｏガスとすることができる。このとき、第１のガスと第２のガスとは、ガス供給路１１０内で混合され、ガス供給路１１０を介して、第１のチャンバ１８０および第２のチャンバ１８２それぞれに同時に供給される。このとき、第１のチャンバ１８０および第２のチャンバ１８２のいずれにおいてもプラズマは発生していない状態である。
【００２６】
次いで、バルブ１９０を開いて、第１のチャンバ１８０および第２のチャンバ１８２内の圧力を減圧状態にする。第１のチャンバ１８０および第２のチャンバ１８２内のガス流量と圧力とが安定するまで、この状態を継続する(Ｓｔａｂｉｌｉｔｙ)。
【００２７】
ガス流量と圧力とが安定した後、第２の高周波電源１４２をオンとして、第２の放電電極１５２からプラズマを発生させ、第２のチャンバ１８２内にプラズマを発生させる（第１のＤｅｐｏ）。また、このとき、第１の高周波電源１４０はオフ状態、圧力は減圧状態、ガス供給は継続されている。これにより、第２のウェハ１６２上に酸化シリコン膜が成膜される。
【００２８】
つづいて、第２の高周波電源１４２のオン状態を継続したまま、第１の高周波電源１４０もオンとする。これにより、第１の放電電極１５０からもプラズマが発生され、第１のチャンバ１８０内にプラズマが発生される(第２のＤｅｐｏ)。また、このとき、圧力は減圧状態、ガス供給は継続されている。これにより、第２のウェハ１６２上における酸化シリコン膜の成膜が継続されるとともに、第１のウェハ１６０上においても酸化シリコン膜が成膜される。
【００２９】
第２の高周波電源１４２をオンとするタイミングと第１の高周波電源１４０をオンとするタイミングとの時間差（第１のＤｅｐｏの時間に対応）は、上述したように予め取得しておいた、第１のチャンバ１８０と第２のチャンバ１８２とでの成膜速度差に基づき決定することができる。
【００３０】
つづいて、第１の高周波電源１４０と第２の高周波電源１４２とのオン状態を継続させたまま、第１の流量コントロール部１３０を制御して、第１のガス供給部１２０からの第１のガスの供給を停止する。また、このとき、圧力は減圧状態である（Ｐｕｒｇｅ）。このとき、第１のチャンバ１８０および第２のチャンバ１８２において、プラズマは発生したままである。そのため、残存するシラン系ガスを含む第１のガスが、消費され、またはシラン系ガスを含まない第２のガスでパージされる。これにより、パーティクルの発生を防ぐことができる。
【００３１】
この後、真空ポンプをオフとして第１のチャンバ１８０および第２のチャンバ１８２を常圧に戻す。また、同時に、第１の高周波電源１４０および第２の高周波電源１４２もオフにする（Ｐｕｍｐ）。以上により、成膜処理が終了する。
【００３２】
次に、本実施の形態における半導体装置の製造方法の効果を説明する。
本実施の形態において、半導体製造装置１００で第１のウェハ１６０上および第２のウェハ１６２上に成膜を行う場合に、ガスの供給は同時にしつつも、第１のチャンバ１８０と第２のチャンバ１８２とでプラズマの発生開始タイミングを異ならせている。これにより、第１のウェハ１６０および第２のウェハ１６２に対する成膜時間を異ならせることができ、各チャンバにおける成膜速度のバラツキに関わらず、第１のウェハ１６０上および第２のウェハ１６２上にそれぞれ所望の膜厚の膜を成膜することができる。
【００３３】
ところで、複数のウェハに対する成膜時間を異ならせる方法としては、プラズマ発生の終了タイミングを制御するという方法も考えられる。しかし、一旦プラズマを発生した後、シラン系ガスを含む第１のガスが残った状態でプラズマの発生を止めてしまうと、パーティクルの発生の問題が生じる。
【００３４】
これに対して、本実施の形態の半導体装置の製造方法では、プラズマ発生の開始タイミングを制御することにより複数のウェハに対する成膜時間を異ならせている。そのため、成膜時間が短くていい、たとえば第１のチャンバ１８０において、プラズマ発生前にシラン系ガスを含む第１のガスが導入されても、プラズマの影響を受けないので、パーティクルが発生することがない。そのため、ヒータの温度等の装置特性によってウェハ毎に成膜速度にバラツキがあり、成膜される膜の膜厚にバラツキが生じるような場合、成膜速度が遅い方のウェハ上へのプラズマの発生を先に開始することができる。これにより、パーティクルの発生を抑制しつつ、ウェハ毎に所望の膜厚の膜を形成することができるので、膜厚のバラツキをなくすことができる。そのため、パーティクルの発生を抑制するとともに、膜厚のバラツキを補正することができる。
【００３５】
本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。
【００３６】
たとえば、半導体製造装置１００は、図２を参照して説明したタイミングチャートに示した制御を行う制御部を有する構成とすることができる。図３にこのような構成を示す。半導体製造装置１００の制御部２１０は、図２に示したタイミングチャートを記憶した記憶部（不図示）を有する。制御部２１０は、当該記憶部に記憶された設定に従い、第１の高周波電源１４０や第２の高周波電源１４２等のオンオフのタイミングを制御することができる。
【００３７】
また、以上の実施の形態においては、第１のウェハ１６０上および第２のウェハ１６２上に成膜する膜の膜厚が等しくなるように制御する例を示したが、以上の半導体装置の製造方法は、第１のウェハ１６０上と第２のウェハ１６２上とで異なる膜厚の膜を成膜する場合に適用することもできる。
【００３８】
また、本実施の形態の半導体装置の製造方法は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等の成膜や他のプラズマＣＶＤ法における成膜についても用いることができる。
【００３９】
第２のガスは、たとえば、Ｎ２Ｏ、Ｏ２等の酸化剤ガス、ＮＨ３、Ｎ２、またはこれらの混合ガスとすることができる。また、第２のガスは、上記のガスに加えてさらにＡｒ、Ｈｅ等の不活性ガスを含むこともできる。
【００４０】
また、以上の実施の形態においては、第１のウェハ１６０および第２のウェハ１６２が個別のチャンバ内に載置される例を示したが、たとえば仕切板等で仕切られ、第１の放電電極１５０および第２の放電電極１５２により発生されたプラズマが他方に影響を与えない構成となっていれば、第１のウェハ１６０および第２のウェハ１６２が同じチャンバ内に設けられていてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本実施の形態の半導体製造装置の構成の一例を示す断面模式図である。
【図２】本実施の形態におけるプラズマＣＶＤ法における成膜工程のタイミングチャートを示す。
【図３】本実施の形態の半導体製造装置の構成の他の例を示す断面模式図である。
【図４】従来の半導体製造装置の構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４２】
１００  半導体製造装置
１１０  ガス供給路
１２０  第１のガス供給部
１２２  第２のガス供給部
１３０  第１の流量コントロール部
１３２  第２の流量コントロール部
１４０  第１の高周波電源
１４２  第２の高周波電源
１５０  第１の放電電極
１５２  第２の放電電極
１６０  第１のウェハ
１６２  第２のウェハ
１７０  第１のヒータ
１７２  第２のヒータ
１８０  第１のチャンバ
１８２  第２のチャンバ
１９０  バルブ
２００  排気部
２１０  制御部
２２０  ガス排出路
【図１】
2010157575.tif 000003
【図２】
2010157575.tif 000004
【図３】
2010157575.tif 000005
【図４】
2010157575.tif 000006