(57)【要約】【課題】有機ＥＬパネルの平坦化膜等の有機樹脂の内部に含まれている水分が経時に伴って有機ＥＬ層や電極に漏出することによる有機ＥＬ発光特性の低下を抑制する。【解決手段】有機ＥＬパネル１０は、第１基板２０とそれに対向する第２基板３０とを備え、発光領域Ｐとその外側の非発光領域とを有する。第１基板２０は、第１基板本体２１と、その第２基板側の上の平坦化膜２３と、その上の少なくとも発光領域を含み且つ非発光領域の少なくとも一部を含まないように設けられた一の電極２４と、その上に少なくとも発光領域を含むように設けられた有機ＥＬ層２６と、その上に少なくとも発光領域を含み且つ非発光領域の少なくとも一部を含まないように設けられた他の電極２７と、を有する。第２基板３０は、第２基板本体３１と、その第１基板側に設けられ他の電極２７に電気的に接触した導電膜３２と、を有する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板とそれに対向するように設けられた第２基板とを備え、発光領域とその外側の非発光領域とを有する有機ＥＬパネルであって、
上記第１基板は、第１基板本体と、該第１基板本体の上記第２基板側の上に設けられた平坦化膜と、該平坦化膜上の少なくとも上記発光領域を含み且つ上記非発光領域の少なくとも一部を含まないように設けられた一の電極と、該一の電極上に少なくとも上記発光領域を含むように設けられた有機ＥＬ層と、該有機ＥＬ層上の少なくとも上記発光領域を含み且つ上記非発光領域の少なくとも一部を含まないように設けられた他の電極と、を有し、
上記第２基板は、第２基板本体と、該第２基板本体の上記第１基板側の上に設けられ上記第１基板の上記他の電極に電気的に接触した導電膜と、を有する有機ＥＬパネル。
【請求項２】
請求項１に記載された有機ＥＬパネルにおいて、
上記一の電極が設けられていない領域に対応して上記他の電極が設けられていない領域が形成されている有機ＥＬパネル。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された有機ＥＬパネルにおいて、
上記発光領域に上記他の電極が設けられていない領域を含んだ非発光領域を介して隣接した別の発光領域を有する有機ＥＬパネル。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載された有機ＥＬパネルにおいて、
上記第１基板は、上記非発光領域における上記一の電極上に設けられたエッジカバーをさらに有し、
上記他の電極は、上記エッジカバーの設けられた位置に対応して上記第２基板の上記導電膜に電気的に接触している有機ＥＬパネル。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載された有機ＥＬパネルにおいて、
上記第１基板は、上記一の電極が設けられていない領域において、少なくとも上記平坦化膜まで達する凹部が形成されている有機ＥＬパネル。
【請求項６】
請求項５に記載された有機ＥＬパネルにおいて、
上記凹部は、上記平坦化膜に貫通して形成されている有機ＥＬパネル。
【請求項７】
請求項５又は６に記載された有機ＥＬパネルにおいて、
上記平坦化膜の上記凹部による露出面が被覆膜で被覆されている有機ＥＬパネル。
【請求項８】
請求項７に記載された有機ＥＬパネルにおいて、
上記第１基板は、上記非発光領域における上記一の電極上に上記凹部を含むように設けられたエッジカバーをさらに有し、
上記被覆膜は、上記エッジカバーと同一材料で一体に形成されている有機ＥＬパネル。
【請求項９】
請求項１から８のいずれかに記載された有機ＥＬパネルにおいて、
上記第１基板は、上記他の電極が隆起部を有するように構成され、
上記他の電極は、上記隆起部で上記第２基板の上記導電膜に電気的に接触している有機ＥＬパネル。
【請求項１０】
請求項９に記載された有機ＥＬパネルにおいて、
上記隆起部は、１の連続した発光領域内に２以上設けられていることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項１１】
上記第２基板側から光を取り出すトップエミッション型である請求項１から１０のいずれかに記載された有機ＥＬパネル。
【請求項１２】
上記第１基板側から光を取り出すボトムエミッション型である請求項１から１０のいずれかに記載された有機ＥＬパネル。
【請求項１３】
請求項１から１２のいずれかに記載された有機ＥＬパネルにおいて、
上記平坦化膜がポリイミド系樹脂又はアクリル系樹脂で形成されていることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項１４】
請求項４又は８に記載された有機ＥＬパネルにおいて、
上記エッジカバーがポリイミド系樹脂又はアクリル系樹脂で形成されていることを特徴とする有機ＥＬパネル。
【請求項１５】
請求項５から８のいずれかに記載された有機ＥＬパネルの製造方法であって、
一の電極をマスクとして平坦化膜をドライエッチングすることにより凹部を形成する凹部形成工程を備えた有機ＥＬパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬパネル、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報処理機器の多様化に伴い、陰極線管（ＣＲＴ）よりも消費電力が少なく、薄型化が可能であるフラットパネルディスプレイに対する需要が高まってきている。低電圧駆動、全固体型、高速応答性、自発光性等の点で優れたフラットパネルディスプレイとしては、有機ＥＬパネルが挙げられる。有機ＥＬパネルは、例えばガラス基板上に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：以下「ＴＦＴ」という）が設けられ、その表面を平坦化し且つ絶縁するために平坦化膜が設けられ、さらにその上に、第１電極、有機ＥＬ層、及び第２電極が順に積層された構造を有する。
【０００３】
ところで、平坦化膜は、誘電率や膜厚、平坦化が容易であること、パターン形成や形成されたパターン端部のテーパ角の制御化しやすい点などを鑑みて、ノボラック系樹脂やアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂等の有機樹脂材料で構成されている。これらの有機樹脂材料は、無機化合物からなる材料に比べて、内部に水分を蓄積しやすい。そのため、有機樹脂材料で平坦化膜を構成した場合、平坦化膜から水分が漏出して電極や有機ＥＬ層に到達し、電極や有機ＥＬ層の周辺部が損傷を受けて、劣化した部分での輝度が低下する問題がある。
【０００４】
特許文献１には、表示領域内に設けられた平坦化膜分割部によって平坦化膜が画素毎に分割された構成の有機ＥＬパネルが開示されている。そして、この構成によれば、いずれかの画素において平坦化膜から水分が漏出しても、水分は他の画素の平坦化膜に移動することができないので、平坦化膜から漏出する水分が表示領域全体に拡散するのを防止できると記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１６４８１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の構成の有機ＥＬパネルによれば、平坦化膜分割部により平坦化膜の内部に含まれる水分が表示領域全体を移動することは防止可能であるものの、分割して形成された平坦化膜のそれぞれは表面が画素電極である無機膜で覆われているので、水分は平坦化膜の内部に含有されたままの状態である。そのため、有機ＥＬパネルを長期にわたって使用した場合には、平坦化膜から漏出する水分により画素電極が損傷を受けることに起因して有機ＥＬ特性が低下することが考えられる。
【０００７】
本発明の目的は、平坦化膜等の有機樹脂の内部に含まれている水分が経時に伴って漏出し、有機ＥＬ発光特性が低下することを抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の有機ＥＬパネルは、第１基板とそれに対向するように設けられた第２基板とを備え、発光領域とその外側の非発光領域とを有するものであって、
上記第１基板は、第１基板本体と、該第１基板本体の上記第２基板側の上に設けられた平坦化膜と、該平坦化膜上の少なくとも上記発光領域を含み且つ上記非発光領域の少なくとも一部を含まないように設けられた一の電極と、該一の電極上に少なくとも上記発光領域を含むように設けられた有機ＥＬ層と、該有機ＥＬ層上の少なくとも上記発光領域を含み且つ上記非発光領域の少なくとも一部を含まないように設けられた他の電極と、を有し、
上記第２基板は、第２基板本体と、該第２基板本体の上記第１基板側の上に設けられ上記第１基板の上記他の電極に電気的に接触した導電膜と、を有する。
【０００９】
そして、好ましくは、上記一の電極が設けられていない領域に対応して上記他の電極が設けられていない領域が形成されている。
【００１０】
上記の構成によれば、他の電極が設けられていない領域が平坦化膜等の有機樹脂の内部に含まれている水分を外部に放出させるための逃げ道を構成するので、有機樹脂に含まれている水分は電極や有機ＥＬ層に漏出することなく有機樹脂の内部から排出され、結果として、有機樹脂の内部から漏出した水分によって有機ＥＬ発光特性が低下するのを抑制することができる。
【００１１】
また、好ましくは、上記発光領域に上記他の電極が設けられていない領域を含んだ非発光領域を介して隣接した別の発光領域を有する。
【００１２】
上記の構成によれば、一の発光領域とそれに隣接する別の発光領域とを隔てる非発光領域が他の電極が設けられていない領域を含んでいるので、各発光領域毎に有機樹脂の内部に含まれている水分を排出することができる。
【００１３】
上記第１基板は、上記非発光領域における上記一の電極上に設けられたエッジカバーをさらに有し、
上記他の電極は、上記エッジカバーの設けられた位置に対応して上記第２基板の上記導電膜に電気的に接触していることが好ましい。
【００１４】
上記の構成によれば、一の電極の周縁部にエッジカバーが設けられることにより、エッジカバーの上層の他の電極の隆起部が封止基板の導電膜と確実に電気的に接触することができる。
【００１５】
上記第１基板は、上記一の電極が設けられていない領域において、少なくとも上記平坦化膜まで達する凹部が形成されていることが好ましい。
【００１６】
上記の構成によれば、上記一の電極が設けられていない領域において平坦化膜に凹部が形成されており、凹部の内部の壁面には平坦化膜が露出しているので、エッジカバーに含まれる水分も平坦化膜に含まれている水分も共に、凹部の露出部分（壁面）から外部に放出される。このとき、平坦化膜の内部に含まれている水分はエッジカバーの内部を経由することなく直接外部に放出されるので、平坦化膜の内部の水分を早期に排出することができる。
【００１７】
上記凹部は、上記平坦化膜に貫通して形成されていてもよい。
【００１８】
さらに、上記平坦化膜の上記凹部による露出面が被覆膜で被覆されていてもよい。
【００１９】
その場合、上記第１基板は、上記非発光領域における上記一の電極上に上記凹部を含むように設けられたエッジカバーをさらに有し、
上記被覆膜は、上記エッジカバーと同一材料で一体に形成されていることが好ましい。
【００２０】
上記第１基板は、上記他の電極が隆起部を有するように構成され、
上記他の電極は、上記隆起部で上記第２基板の上記導電膜に電気的に接触していることが好ましい。
【００２１】
上記の構成によれば、第１基板や第２基板に反り等がある場合でも、第１基板の他の電極と第２基板の導電膜とを確実に電気的に接触させることができる。
【００２２】
第１基板の他の電極が隆起部を有する場合、上記隆起部は、１の連続した発光領域内に２以上設けられていることが好ましい。
【００２３】
本発明の有機ＥＬパネルは、上記第２基板側から光を取り出すトップエミッション型であってもよい。
【００２４】
また、本発明の有機ＥＬパネルは、上記第１基板側から光を取り出すボトムエミッション型であってもよい。
【００２５】
本発明の有機ＥＬパネルは、上記平坦化膜がポリイミド系樹脂又はアクリル系樹脂で形成されていてもよい。
【００２６】
また、本発明の有機ＥＬパネルにエッジカバーが形成されている場合、上記エッジカバーがポリイミド系樹脂又はアクリル系樹脂で形成されていてもよい。
【００２７】
本発明の有機ＥＬパネルの製造方法は、一の電極をマスクとして平坦化膜をドライエッチングすることにより凹部を形成する凹部形成工程を備えている。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の有機ＥＬパネルは、第１基板が、第１基板本体と、該第１基板本体の上記第２基板側の上に設けられた平坦化膜と、該平坦化膜上の少なくとも上記発光領域を含み且つ上記非発光領域の少なくとも一部を含まないように設けられた一の電極と、該一の電極上に少なくとも上記発光領域を含むように設けられた有機ＥＬ層と、該有機ＥＬ層上の少なくとも上記発光領域を含み且つ上記非発光領域の少なくとも一部を含まないように設けられた他の電極と、を有し、第２基板が、第２基板本体と、該第２基板本体の上記第１基板側の上に設けられ上記第１基板の上記他の電極に電気的に接触した導電膜と、を有するので、他の電極が設けられていない領域が平坦化膜等の有機樹脂の内部に含まれている水分を外部に放出させるための逃げ道を構成する。そのため、有機樹脂に含まれている水分は電極や有機ＥＬ層に漏出することなく有機樹脂の内部から排出され、結果として、有機樹脂の内部から漏出した水分によって有機ＥＬ発光特性が低下するのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】実施形態１に係る有機ＥＬパネルの概略断面図である。
【図２】実施形態１に係る有機ＥＬパネルの平面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は実施形態１の有機ＥＬパネルの製造方法を示す説明図である。
【図５】実施形態２に係る有機ＥＬパネルの断面図である。
【図６】（ａ）〜（ｅ）は実施形態２の有機ＥＬパネルの製造方法を示す説明図である。
【図７】実施形態３に係る有機ＥＬパネルの断面図である。
【図８】実施形態４に係る有機ＥＬパネルの断面図である。
【図９】実施形態５に係る有機ＥＬパネルの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
本発明の有機ＥＬパネル１０の各実施形態について、以下、図面を用いて詳細に説明する。
【００３１】
《実施形態１》
＜有機ＥＬパネル＞
図１〜３は、実施形態１の有機ＥＬパネル１０を示す。この有機ＥＬパネル１０は、例えば、携帯情報機器のディスプレイやフルカラーハイビジョンテレビ等に用いられる。
【００３２】
有機ＥＬパネル１０は、ＴＦＴ基板２０（第１基板）と封止基板３０（第２基板）とが対向するように設けられた構成を有する。有機ＥＬパネル１０は、複数の画素がマトリクス状に構成されており、画素によって表示領域内に所定の画像表示を行う。なお、この有機ＥＬパネル１０がＲＧＢフルカラー表示を行う場合、複数の画素は、赤色補助画素、緑色補助画素、及び青色補助画素の３種類の補助画素で構成されている。有機ＥＬパネル１０は、例えば、縦４００〜５００ｍｍ、横３００〜４００ｍｍ、及び厚さ１〜３０ｍｍである。
【００３３】
ＴＦＴ基板２０は、ＴＦＴ基板本体２１上のＴＦＴ２２を覆うように平坦化膜２３が設けられ、平坦化膜２３上に第１電極２４（一の電極）、有機ＥＬ層２６、及び第２電極２７（他の電極）が順に積層された構成を有する。ＴＦＴ基板２０は、例えば、縦４００〜５００ｍｍ、横３００〜４００ｍｍ、及び厚さ０．３〜１．１ｍｍである。
【００３４】
封止基板３０は、封止基板本体３１上の発光領域Ｐに導電膜３２が設けられると共に、非発光領域に吸湿剤３３が貼付された構成を有する。封止基板３０は、例えば、縦４００〜５００ｍｍ、横３００〜４００ｍｍ、及び厚さ０．３〜１．１ｍｍである。
【００３５】
ＴＦＴ基板本体２１は、ガラス基板やプラスチック基板等の基板上に、例えば、水平方向に互いに平行に複数のゲート線が配設され、それらと垂直な方向に複数の信号線が配設されている。そして、ゲート線及び信号線の交差する位置にマトリクス型に画素が形成されており、各画素に接続するようにＴＦＴ２２が設けられている。ＴＦＴ基板本体２１は例えば厚さが０．７〜１．１ｍｍである。
【００３６】
ＴＦＴ２２は、各画素におけるスイッチング素子としての機能を有する。ＴＦＴ２２を構成する材料としては、例えば、非晶質シリコンや多結晶シリコン等の無機半導体材料等が挙げられる。
【００３７】
平坦化膜２３は、ＴＦＴ基板本体２１やその上に配設されたＴＦＴ２２、配線等を覆うようにＴＦＴ基板本体２１上に設けられている。平坦化膜２３を構成する材料としては、例えば、アクリル系樹脂やポリイミド系樹脂、ノボラック系樹脂等の感光性の有機樹脂材料が挙げられる。これらのうち、安価である点からアクリル系樹脂又はポリイミド系樹脂が好ましい。また、有機ＥＬパネル１０がボトムエミッション型の構造である場合にはＴＦＴ基板２０に光透過性が要求されるので、アクリル樹脂等の光透過性の材料で構成されていることが好ましい。平坦化膜２３には、各ＴＦＴ２２に対応するように、スルーホール２３ａが設けられており、これにより、ＴＦＴ基板本体２１表面からＴＦＴ２２まで導通可能となっている。平坦化膜２３は、例えば膜厚が０．５〜５μｍであることが好ましく、１〜３μｍであることがより好ましい。
【００３８】
第１電極２４は、平坦化膜２３を覆うように設けられており、平坦化膜２３に形成されたスルーホール２３ａを介してＴＦＴ２２に電気的に接続されている。第１電極２４は、有機ＥＬ層２６にホール（正孔）を注入する機能を有する。第１電極２４を構成する材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。なお、有機ＥＬパネル１０がトップエミッション型の構造を有する場合、第１電極２４は、反射率の大きい金属膜と透明電極膜の積層体、又は、仕事関数が大きい金属等の反射電極で構成されていることが好ましい。前者の場合、例えば、ＡｌやＡｇ等の金属膜とＩＴＯやＩＺＯ等の透明膜との積層体で第１電極２４を構成することができる。第１電極２４は、例えば厚さが５０〜５００ｎｍである。
【００３９】
第１電極２４の島状パターンの周縁部や第１電極２４が設けられていない領域を覆うように、エッジカバー２５が設けられている。エッジカバー２５は、第１電極２４と第２電極２７とが短絡してしまうのを防止する機能を有する。そのため、エッジカバー２５は、第１電極２４の周縁部を全て囲うように設けられていることが好ましい。エッジカバー２５が第１電極２４の周縁部を全て囲うように設けられている場合には、エッジカバー２５は、放出された水分が第２電極２７と導電膜３２との間に入り込むのを抑制する機能をさらに有する。
【００４０】
また、第１電極２４の周縁部にエッジカバー２５が設けられることにより、エッジカバー２５の上層に設けられた第２電極２７の隆起部が封止基板３０の導電膜３２と確実に電気的に接触することができる。なお、第１基板の周縁部の一部分にのみエッジカバー２５が形成されていてもよい。
【００４１】
エッジカバー２５を構成する材料としては、上記平坦化膜２３を構成する材料として挙げたのと同一の材料が使用される。
【００４２】
有機ＥＬ層２６は、第１電極２４を覆うように設けられている。有機ＥＬ層２６は、第１電極２４側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層が積層された構成を有する。なお、これらのうち少なくとも発光層を備えていればよく、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び電子注入層については、作製する有機ＥＬパネル１０に求められている特性に応じて適宜設けられていればよい。また、正孔注入層と正孔輸送層、及び電子輸送層と電子注入層は、それぞれ、一層に設けられていてもよい。
【００４３】
正孔注入層及び正孔輸送層は、それぞれ発光層への正孔注入効率及び正孔輸送効率を高める機能を有する。正孔注入層及び正孔輸送層の材料としては、例えば、トリフェニルアミン等やその誘導体等が挙げられる。正孔注入層及び正孔輸送層は、例えば、厚さがそれぞれ１０〜１００ｎｍである。
【００４４】
発光層は、第１電極２４側から注入されたホール（正孔）と第２電極２７側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する。発光層は、それぞれの発光色の発光材料が、各発光色の画素領域に対応するように島状のパターンに設けられている。発光層は、低分子蛍光色素、蛍光性の高分子、金属錯体等の発光効率が高い材料で形成されている。発光層の材料としては、例えば、アントラセンやナフタレン、これらの誘導体等が挙げられる。発光層は、例えば、厚さが１０〜１００ｎｍである。
【００４５】
電子輸送層及び電子注入層は、それぞれ、第２電極２７から発光層への電子輸送効率及び電子注入効率を高める機能を有する。電子輸送層及び電子注入層の材料としては、例えば、トリアゾールやオキサジアゾール等、これらの誘導体等が挙げられる。電子輸送層と電子注入層は、例えば、厚さがそれぞれ１０〜１００ｎｍである。
【００４６】
第２電極２７は、有機ＥＬ層２６を覆うと共に、第１電極２４の島状パターンに対応するように島状パターンに形成されている。より詳しくは、第２電極２７は、少なくとも発光領域Ｐを含む領域に設けられていると共に、第１電極２４が設けられていない領域と第２電極２７が設けられていない領域が一致するよう島状パターンに設けられている。第２電極２７の設けられていない領域が第１電極２４の設けられていない領域に対応するように設けられることにより、第２電極２７が設けられていない領域には第１電極２４の周縁部に形成されたエッジカバー２５が露出することになる。なお、有機ＥＬ層２６がパターン形成されていない場合には、第２電極２７が設けられていない領域からのエッジカバー２５露出部の表面が有機ＥＬ層２６で覆われていてもよい。
【００４７】
第２電極２７は有機ＥＬ層２６に電子を注入する機能を有する。第２電極２７を構成する材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）やマグネシウム（Ｍｇ）等が挙げられる。第２電極２７を構成する材料は、なお、有機ＥＬパネル１０がトップエミッション型の構造を有する場合、第２電極２７は、極薄金属膜等の光透過性を有する材料で構成されていることが好ましい。その場合、例えば、アルミニウム合金（Ａｌ：Ｍｇ等）等で第２電極２７を構成することができる。なお、第２電極２７のそれぞれは導電膜３２と電気的に接触しているので、第２電極２７自体を構成する材料の抵抗率が大きくても構わない。第２電極２７は、例えば厚さが５〜１００ｎｍである。
【００４８】
封止基板３０は、封止基板本体３１のＴＦＴ基板側表面に表示領域に対応するように導電膜３２が設けられた構成を有する。また、表示領域以外の領域には、吸湿剤３３が貼付されている。
【００４９】
封止基板本体３１は、例えば、ガラス基板やプラスチック基板で形成されている。封止基板本体３１は、例えば、厚さが０．３〜１．１ｍｍである。
【００５０】
導電膜３２は、島状パターンに設けられた第２電極２７のそれぞれに電気的に接触している。導電膜３２は、例えばＩＴＯやＩＺＯ等の光透過性の材料や、Ａｌ等の金属等で形成されている。導電膜３２は、例えば厚さが５０〜５００ｎｍである。導電膜３２は、エッジカバー２５上に形成された第２電極２７の隆起部が封止基板３０側に向かって隆起するよう設けられているので、ＴＦＴ基板２０や封止基板３０に反りがある場合でも導電膜３２と第２電極２７とを確実に電気的に接触させることができる。
【００５１】
吸湿剤３３は、平坦化膜２３やエッジカバー２５の有機樹脂から漏出して放出された水分を吸収する機能を有する。吸湿剤３３としては、例えばＣａＯ，ＢａＯ等の粉末や、これらの粉末を不織布に分散されたものが用いられ、使用形態に応じて適宜必要な大きさに形成される。なお、封止基板本体３１のＴＦＴ基板側表面への吸湿剤３３の貼付のために、例えば、ＴＦＴ基板側表面に凹部２８が設けられていてもよい。その場合、凹部２８の深さは、例えば０．２〜０．３ｍｍである。
【００５２】
ＴＦＴ基板２０と封止基板３０とは、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化エポキシ樹脂等の封止樹脂１１で貼り合わされている。そして、両基板で封止された中空部分には、乾燥アルゴン、乾燥窒素等の不活性ガスが充填されている。
【００５３】
ＴＦＴ基板２０や封止基板３０の外側表面にはそれぞれ偏光板が設けられていてもよい。
【００５４】
この有機ＥＬパネル１０では、配線からの信号入力によりＴＦＴ２２をオンさせると、第１電極２４から有機ＥＬ層２６へホールが注入されると共に、第２電極２７から有機ＥＬ層２６へ電子が注入される。そして、正孔と電子とが発光層内で再結合する。再結合により励起状態となった分子が基底状態に戻る際に放出する失活エネルギーが、発光として取り出される。各画素領域の発光輝度を制御することで、有機ＥＬパネル１０にて所定の画像を表示することができる。
【００５５】
なお、実施形態１では第１電極２４が陽極及び第２電極２７が陰極である構成としたが、第１電極が陰極及び第２電極が陽極であってもよく、その場合、第１電極から有機ＥＬ層に電子が注入されると共に、第２電極から有機ＥＬ層に正孔が注入される。
【００５６】
＜有機ＥＬパネルの製造方法＞
次に、図４を用いて、有機ＥＬパネル１０の製造方法を説明する。
【００５７】
（平坦化膜形成工程）
まず、図４（ａ）に示すように、公知の方法によりガラス基板上にＴＦＴ２２を作製し、さらに、フォトリソグラフィ技術を用いて平坦化膜２３を形成する。具体的には、例えば、表面を清浄化した基板上にスピンコート法を用いてアクリル樹脂を塗布し、さらに８０℃程度で約２０分間プリベークを行ってアクリル樹脂膜を形成する。このアクリル樹脂膜に、フォトマスクを用いて露光を行い、さらにフォトレジスト現像液として例えば水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）を使用して現像することにより、ＴＦＴ２２に導通するスルーホール２３ａを形成する。最後に２００℃程度で約２時間ポストベークを行って、平坦化膜２３とする。
【００５８】
（第１電極形成工程）
次に、図４（ｂ）に示すように、第１電極２４を形成する。例えばＩＴＯで第１電極２４を形成する場合、まず、スパッタ法を用いてＩＴＯ膜を成膜し、フォトリソグラフィ技術を用いて画素領域に対応するように第１電極２４を形成する。
【００５９】
（エッジカバー形成工程）
次に、図４（ｃ）に示すように、平坦化膜２３と同様にして、第１電極２４の周縁部を覆うようにパターン形成してエッジカバー２５を形成する。
【００６０】
（有機ＥＬ層・第２電極形成工程）
続いて、図４（ｄ）に示すように、有機ＥＬ層２６及び第２電極２７を形成する。
【００６１】
まず、抵抗加熱蒸着法やＥＢ蒸着法、インクジェット法等の公知の方法を用いて有機ＥＬ層２６をパターン形成する。例えば、蒸着マスクで非発光領域をマスクした状態で有機物を蒸着して有機ＥＬ層２６を形成する。
【００６２】
次に、スパッタ法等の公知の方法を用いて有機ＥＬ層２６上に第２電極２７をパターン形成する。このとき、蒸着マスクを用いたマスク蒸着によって第２電極２７を形成することが好ましい。フォトリソグラフィ技術を用いたパターン形成では、エッチングやレジスト剥離の際の薬液により有機ＥＬ層２６が損傷を受ける虞があるからである。
【００６３】
（封止基板準備工程）
ここで、封止基板３０のＴＦＴ基板側となる表面に、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタ法等を用いて導電膜３２を成膜する。導電膜３２は、封止基板３０表面の全面に形成してもよく、有機ＥＬパネル１０の表示領域となるエリアにパターン形成してもよい。
【００６４】
また、封止基板３０のＴＦＴ基板側表面に、表示領域以外の領域に吸湿剤３３を貼り付ける。
【００６５】
（封止工程）
最後に、ＴＦＴ基板２０と封止基板３０とを対向させて封止樹脂１１で貼り合わせる。
【００６６】
なお、ＴＦＴ基板２０と封止基板３０との貼り合わせは、湿度と酸素濃度を所定の値以下の条件で行うために、グローブボックスの中で行うことが好ましい。グローブボックス内は、例えば窒素やアルゴン等の不活性ガスで充填されており、水分濃度及び酸素濃度のそれぞれは、好ましくは１０ｐｐｍ以下に制御されており、より好ましくは１ｐｐｍ以下に制御されている。
【００６７】
以上の工程により、実施形態１に係る有機ＥＬパネル１０を製造することができる。
【００６８】
＜実施形態１の効果＞
実施形態１にかかる有機ＥＬパネル１０によれば、非発光領域において第２電極２７が設けられていない領域を有しているので、エッジカバー２５が第２電極２７に完全に覆われていない構成となっている。そのため、エッジカバー２５内に含まれている水分は第２電極２７が設けられていない領域においてエッジカバー２５が露出している部分から外部に放出され、封止基板３０のＴＦＴ基板側表面に設けられた吸湿剤３３に吸収される。また、エッジカバー２５の内部の水分が外部に放出されるのに伴って、平坦化膜２３の内部に含まれている水分もエッジカバー２５に移動して、エッジカバー２５の内部の水分と同様に外部に放出されて吸湿剤３３に吸収される。その結果として、平坦化膜２３やエッジカバー２５の内部に含まれる水分が漏出して有機ＥＬ層２６や電極に損傷を与えて有機ＥＬ発光特性が低下するのを抑制することができる。
【００６９】
《実施形態２》
＜有機ＥＬパネル＞
図５は、実施形態２の有機ＥＬパネル１０を示す。この有機ＥＬパネル１０は、第２電極２７が設けられていない領域において平坦化膜２３に凹部２８が形成されていることを除いて、実施形態１と同一の構成を有する。以下、有機ＥＬパネル１０の凹部２８の構成について説明する。
【００７０】
凹部２８は、第１電極２４が設けられていない領域に、ＴＦＴ基板２０表面からＴＦＴ基板本体２１側に凹むように設けられている。凹部２８の内部の壁面には平坦化膜２３が露出しており、この平坦化膜２３の露出部分から平坦化膜２３の内部に含まれている水分を凹部２８に放出することができる。凹部２８、すなわちＴＦＴ基板２０の外部に放出された水分は、封止基板３０に設けられた吸湿剤３３に吸収される。
【００７１】
＜有機ＥＬパネルの製造方法＞
次に、有機ＥＬパネル１０の製造方法を説明する。
【００７２】
（平坦化膜・第１電極形成工程）
まず、実施形態１と同様にしてＴＦＴ基板本体２１上に平坦化膜２３を成膜した（図６（ａ））後、第１電極２４を形成する（図６（ｂ））。
【００７３】
（凹部形成工程）
続いて、図６（ｃ）に示すように、第１電極２４をマスクとして平坦化膜２３をドライエッチングして凹部２８を形成する。エッチングガスとしてはＣＦ４とＯ２の混合ガスやＳＦ６とＯ２との混合ガス等を用いることができ、高周波電力密度は０．１〜１０Ｗ／ｃｍ２で設定する。エッチング時間は膜厚や条件により変動するが、例えば、５〜３０分である。これにより、平坦化膜２３に貫通する凹部２８を形成することができる。
【００７４】
（エッジカバー形成工程）
次に、図６（ｄ）に示すように、平坦化膜２３と同様にして、例えば感光性ポリイミド樹脂をパターン形成してエッジカバー２５を形成する。このとき、発光領域Ｐ及び平坦化膜２３に設けられた凹部２８にエッジカバー２５が形成されないようにその部分をマスクで被覆した状態でエッジカバー２５の形成を行う。
【００７５】
（有機ＥＬ層・第２電極形成工程）
続いて、実施形態１と同様にして有機ＥＬ層２６及び第２電極２７を作製する（図６（ｅ））。但し、第２電極２７の形成時にはマスク等を用いてパターン形成を行う必要はない。マスクで被覆する等によりパターン形成を行わず全面に第２電極２７を形成しても、平坦化膜２３に形成された凹部２８においては、第１電極２４の上層に第２電極２７が形成されることがなく、凹部２８の底に第２電極２７の材料からなる導電層が形成されることになる。凹部２８の底面に導電層が形成されても、平坦化膜２３が第１電極２４や第２電極２７に対して十分な厚みを有するので有機ＥＬパネル１０の発光特性には何等影響することはない。
【００７６】
（封止工程）
最後に、実施形態１と同様に、ＴＦＴ基板２０と封止基板３０とを対向させて封止樹脂で貼り合わせる。
【００７７】
以上の工程により、実施形態１に係る有機ＥＬパネル１０を製造することができる。
【００７８】
＜実施形態２の効果＞
実施形態２にかかる有機ＥＬパネル１０によれば、第２電極２７が設けられていない領域において平坦化膜２３に凹部２８が形成されており、凹部２８の内部の壁面には平坦化膜２３が露出しているので、エッジカバー２５に含まれる水分も平坦化膜２３に含まれている水分も共に、凹部２８の露出部分（壁面）から外部に放出され、封止基板３０のＴＦＴ基板側表面に設けられた吸湿剤３３に吸収される。そのため、平坦化膜２３やエッジカバー２５の内部に含まれる水分が漏出して有機ＥＬ層２６や電極に損傷を与えて有機ＥＬ発光特性が低下するのを抑制することができる。
【００７９】
また、以上の構成によれば、平坦化膜２３の内部に含まれている水分はエッジカバー２５の内部を経由することなく直接外部に放出されるので、平坦化膜２３の内部の水分を早期に排出することができる。
【００８０】
さらに、例えばエッジカバー２５がポリイミド樹脂で形成され且つ平坦化膜２３がエポキシ樹脂で形成されている場合のような、エッジカバー２５が平坦化膜２３よりも透湿性が低い場合でも、エッジカバー２５の透湿性によらず平坦化膜２３内部に含まれている水分を外部に放出することができる。
【００８１】
《実施形態３》
＜有機ＥＬパネル＞
図７は、実施形態３に係る有機ＥＬパネル１０を示す。この有機ＥＬパネル１０は、凹部２８が平坦化膜２３を貫通していないことを除いて、実施形態２と同一の構成を有する。
【００８２】
凹部２８は、実施形態２と同じく壁面（つまり、凹部２８の露出面）には平坦化膜２３が露出していると共に、凹部２８の底面も平坦化膜２３で構成されている。凹部２８の深さは、例えば、平坦化膜２３の膜厚の１／５〜４／５である。なお、凹部２８が形成される深さは任意に設定可能であるが、凹み深さが大きい方が平坦化膜２３の内部に含まれる水分を外部に放出しやすくなる。
【００８３】
＜有機ＥＬパネルの製造方法＞
上記構成の有機ＥＬパネル１０は、凹部形成工程において、平坦化膜２３を貫通しない程度にエッチングすることを除いて、実施形態２と同一の方法で製造することができる。
【００８４】
＜実施形態３の効果＞
実施形態３にかかる有機ＥＬパネル１０によれば、第２電極２７が設けられていない領域において平坦化膜２３に凹部２８が形成されており、凹部２８の内部の壁面には平坦化膜２３が露出しているので、エッジカバー２５に含まれる水分も平坦化膜２３に含まれている水分も共に、凹部２８の露出部分（壁面）から外部に放出され、封止基板３０のＴＦＴ基板側表面に設けられた吸湿剤３３に吸収される。そのため、平坦化膜２３やエッジカバー２５の内部に含まれる水分が漏出して有機ＥＬ層２６や電極に損傷を与えて有機ＥＬ発光特性が低下するのを抑制することができる。
【００８５】
また、以上の構成によれば、平坦化膜２３の内部に含まれている水分はエッジカバー２５の内部を経由することなく直接外部に放出されるので、平坦化膜２３の内部の水分を早期に排出することができる。
【００８６】
さらに、ＴＦＴ基板本体２１と平坦化膜２３との間には、金属配線が設けられていることがある。特に、ＴＦＴ基板側から発光を取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬパネル１０の場合、発光領域Ｐは光透過性又は光半透過性の材料で構成する必要があるので、光非透過性の金属配線は非発光領域に集中的に配されている。この場合、実施形態３の構成の有機ＥＬパネル１０によれば、凹部２８が平坦化膜２３を貫通しない深さに設けられているので、ＴＦＴ基板本体２１と平坦化膜２３との間に設けられた金属配線は平坦化膜２３に覆われたままの状態となり、凹部２８の表面に露出することがない。そのため、金属配線が、有機ＥＬパネル１０の製造工程で用いられるエッチング液や水分により腐食して損傷したりすることがない。
【００８７】
《実施形態４》
＜有機ＥＬパネル＞
図８は、実施形態４に係る有機ＥＬパネル１０を示す。この有機ＥＬパネル１０では、凹部２８の露出面が平坦化膜２３ではなくエッジカバー２５と同一の材料からなる被覆膜２５ａである点を除いて、実施形態２と同一の構成を有する。以下、凹部２８の露出面に設けられた被覆膜２５ａについてのみ説明する。
【００８８】
凹部２８の壁面に設けられた被覆膜２５ａは、エッジカバー２５と同一の材料で形成されている。被覆膜２５ａは、凹部２８の壁面の全面を覆うように設けられていてもよく、壁面の一部を覆うように設けられていてもよい。後者の場合には、凹部２８の露出面は被覆膜２５ａと平坦化膜２３とで構成されていることとなる。
【００８９】
＜有機ＥＬパネルの製造方法＞
上記の構成の有機ＥＬパネル１０は、エッジカバー形成工程において凹部２８にもエッジカバーの材料が付着するようにしてエッジカバー２５と同時に被覆膜２５ａを形成することを除いて実施形態２と同一の方法で製造することができる。
【００９０】
＜実施形態４の効果＞
実施形態４にかかる有機ＥＬパネル１０によれば、第２電極２７が設けられていない領域において平坦化膜２３に凹部２８が形成されており、凹部２８の内部の壁面には有機樹脂が露出しているので、エッジカバー２５に含まれる水分も平坦化膜２３に含まれている水分も共に、凹部２８の露出部分（壁面）から外部に放出され、封止基板３０のＴＦＴ基板側表面に設けられた吸湿剤３３に吸収される。そのため、平坦化膜２３やエッジカバー２５の内部に含まれる水分が漏出して有機ＥＬ層２６や電極に損傷を与えて有機ＥＬ発光特性が低下するのを抑制することができる。
【００９１】
なお、凹部２８表面に被覆膜２５ａが形成された構成は、エッジカバー形成工程において蒸着マスクを高精度に位置合わせしない場合や、蒸着マスク自体が開口部が高精度に設けられていない場合に得られることが多い。実施形態２や３の有機ＥＬパネル１０のようにエッジカバー２５が凹部２８には形成されないためには、蒸着マスクを高精度に位置合わせしたり、開口部が高精度に設けられた蒸着マスクを使用したりする必要があるが、それらよりも低コストで製造可能な実施形態４の構成によっても、平坦化膜２３等の内部に含まれている水分を外部に放出する効果を得ることができる。
【００９２】
《実施形態５》
＜有機ＥＬパネル＞
図９は、実施形態５に係る有機ＥＬパネル１０を示す。この有機ＥＬパネル１０は、エッジカバーが設けられる代わりに第１電極２４の表面に突起部２９が形成されていることを除いて、実施形態２と同一の構成を有する。以下、第１電極２４の表面に形成された突起部２９について説明する。
【００９３】
突起部２９は、第１電極２４と有機ＥＬ層２６との間に、１つの発光領域Ｐあたり１又は複数個設けられている。突起部２９は、例えば平坦化膜２３やエッジカバー２５と同様に、感光性のエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の有機樹脂材料で構成されている。突起部２９は、例えば径１〜１０μｍの円形底面を有し且つ厚さが１〜５μｍのかまぼこ状や半球状に形成されている。突起部２９が設けられた部分では、突起部２９の上層に有機ＥＬ層２６及び第２電極２７が積層されて形成され、これにより、第２電極２７が封止基板３０側に隆起した構造が形成される。この第２電極２７の隆起部２９ａは、封止基板本体３１のＴＦＴ基板側に設けられた導電膜３２と電気的に接触する部分を構成する。
【００９４】
突起部２９は、１つの発光領域Ｐあたり２つ以上設けられていることが好ましい。ＴＦＴ基板２０や封止基板３０に反りがある場合でも、突起部２９が２つ以上設けられていることにより第２電極２７上の隆起部２９ａが２つ以上構成されるので、第２電極２７と導電膜３２とがより確実に接触することができるからである。
【００９５】
＜有機ＥＬパネルの製造方法＞
実施形態５の有機ＥＬパネル１０の製造方法は、実施形態２の有機ＥＬパネル１０の製造方法におけるエッジカバー形成工程の代わりに突起部形成工程を行って第１電極２４表面に突起部２９を設けたものである。以下、突起部形成工程について説明する。
【００９６】
（突起部形成工程）
平坦化膜２３及び第１電極２４が設けられたＴＦＴ基板本体２１に、平坦化膜２３やエッジカバー２５と同一の方法を用いて突起部２９をパターン形成する。
【００９７】
突起部形成工程の後は、実施形態２と同一の工程を経ることにより有機ＥＬパネル１０を製造できる。
【００９８】
＜実施形態５の効果＞
実施形態５にかかる有機ＥＬパネル１０によれば、第２電極２７が設けられていない領域において平坦化膜２３に凹部２８が形成されており、凹部２８の内部の壁面には平坦化膜２３が露出しているので、平坦化膜２３に含まれている水分は凹部２８の露出部分（壁面）から外部に放出され、封止基板３０のＴＦＴ基板側表面に設けられた吸湿剤３３に吸収される。そのため、平坦化膜２３の内部に含まれる水分が漏出して有機ＥＬ層２６や電極に損傷を与えて有機ＥＬ発光特性が低下するのを抑制することができる。
【００９９】
また、実施形態５にかかる有機ＥＬパネル１０によれば、第２電極２７の隆起部２９ａが突起部２９により構成されているので、エッジカバー２５上に隆起部２９ａが構成されている場合と比較して、より一層確実に第２電極２７と導電膜３２とを電気的に接触させることが可能となる。エッジカバー２５は、高さにばらつきがあったり、先端の形状が崩れていたりすることがあり、その場合には第２電極２７の隆起部２９ａの高さも不揃いとなるが、第１電極２４上に設けられた突起部２９は高さが均一になるように形成しやすいため、隆起部２９ａも均一な高さになりやすいからである。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
本発明は、有機ＥＬパネル、及びその製造方法について有用である。
【符号の説明】
【０１０１】
Ｐ  発光領域
１０  有機ＥＬパネル
２０  ＴＦＴ基板（第１基板）
２３  平坦化膜
２４  第１電極（一の電極）
２５  エッジカバー
２５ａ  被覆膜
２６  第２電極（他の電極）
２８  凹部
２９ａ  隆起部
３０  封止基板（第２基板）
３２  導電膜
【図１】
2010244785.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010244785.tif 000009
【図８】
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【図９】
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