(57)【要約】【課題】開口率（透過率）の低下を抑制する。【解決手段】液晶装置（１００）は、第１基板（１０）と、第２基板（２０）と、サブ画素部（７１）に対応する第１電極（９ａ）と、隣接するｍ（但し、ｍは３以上の整数）個のサブ画素部を横断して延びる開口部（１１ｂ）を備える第２電極（１１）と、液晶層（５０）とを備え、開口部の長手方向は、第１の方向に対して所定の角度θをなし、第２の方向に沿って隣接する２つの開口部が、配置間隔Ｙを有するように形成され、隣接する２つの開口部の長手方向の端部が異なるサブ画素部の境界に位置するようにサブ画素部の配置間隔Ｘに相当する幅だけ第１の方向にずらして形成され、ｍ個のサブ画素部がＭ個の表示画素部を構成する場合、Ｍ×Ｘ×ｔａｎθ＝Ｙ／ｃｏｓθを満たす。【選択図】図５
2010102250.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向するように配置される第２基板と、
前記第１基板の前記第２基板側に形成され、複数のサブ画素部の夫々に対応する第１電極と、
前記第１基板の前記第２基板側に形成され、前記第１電極との間に絶縁層を挟持し且つ前記複数のサブ画素部のうち隣接するｍ（但し、ｍは３以上の整数）個の前記サブ画素部を横断して延びる複数の開口部を備える第２電極と、
前記第１基板の前記第２基板側に形成され、夫々が第１の方向に沿って延び且つ夫々に前記複数のサブ画素部を選択するための走査信号が供給される複数の走査線と、
前記第１基板の前記第２基板側に形成され、夫々が前記第１の方向に直交する第２の方向に沿って延び且つ夫々が前記第１電極に対してデータ信号を供給する複数のデータ線と、
前記第１基板及び前記第２基板との間に挟持されると共に、前記第１電極及び前記第２電極間に生ずる電界によって駆動される液晶分子を含む液晶層と
を備え、
前記複数の開口部の長手方向は、前記第１の方向に対して所定の角度θをなし、
前記複数の開口部の夫々は、(i)前記第２の方向に沿って隣接する２つの開口部が、配置間隔Ｙを有するように形成され、且つ(ii)前記隣接する２つの開口部の長手方向の端部が異なるサブ画素部の境界に位置するように、前記隣接する２つの開口部を前記第１の方向に沿って少なくとも前記複数のサブ画素部の配置間隔Ｘに相当する幅だけずらして形成され、
前記ｍ個のサブ画素部がＭ個の表示画素部を構成する場合、Ｍ×Ｘ×ｔａｎθ＝Ｙ／ｃｏｓθを満たすように前記複数の開口部が形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第１基板の前記第２基板側に形成される配向膜を更に備え、
前記第１の方向は、前記配向膜のラビング方向と同一であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
ｍは６であり、Ｍは２であることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
ｍは３であり、Ｍは１であることを特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記複数の開口部の夫々は、前記隣接する２つの開口部を前記第１の方向に沿って前記複数のサブ画素部の配置間隔ＸのＭ倍に相当する幅だけずらして形成されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
第１基板と、
前記第１基板に対向するように配置される第２基板と、
前記第１基板の前記第２基板側に形成され、複数のサブ画素部の夫々に対応する第１電極と、
前記第１基板の前記第２基板側に形成され、前記第１電極との間に絶縁層を挟持し且つ前記複数のサブ画素部のうち隣接するｍ（但し、ｍは３以上の整数）個の前記サブ画素部を横断して延びる複数の開口部を備える第２電極と、
前記第１基板の前記第２基板側に形成され、夫々が第１の方向に沿って延び且つ夫々に前記複数のサブ画素部を選択するための走査信号が供給される複数の走査線と、
前記第１基板の前記第２基板側に形成され、夫々が前記第１の方向に直交する第２の方向に沿って延び且つ夫々が前記第１電極に対してデータ信号を供給する複数のデータ線と、
前記第１基板及び前記第２基板との間に挟持されると共に、前記第１電極及び前記第２電極間に生ずる電界によって駆動される液晶分子を含む液晶層と
を備え、
前記複数の開口部の長手方向は、前記第２の方向に対して所定の角度θをなし、
前記複数の開口部の夫々は、(i)前記第１の方向に沿って隣接する２つの開口部が、配置間隔Ｙを有するように形成され、且つ(ii)前記隣接する２つの開口部の長手方向の端部が異なるサブ画素部の境界に位置するように、前記隣接する２つの開口部を前記第２の方向に沿って少なくとも前記複数のサブ画素部の配置間隔Ｘに相当する幅だけずらして形成され、
前記ｍ個のサブ画素部がＭ個の表示画素部を構成する場合、Ｍ×Ｘ×ｔａｎθ＝Ｙ／ｃｏｓθを満たすように前記複数の開口部が形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
前記隣接するｍ個の前記サブ画素部は、赤色を表示するサブ画素部、緑色を表示するサブ画素部、及び青色を表示するサブ画素部を含むことを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置及びこのような液晶装置を備える電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置として、一対の基板（例えば、ＴＦＴアレイ基板及び対向基板）間に液晶を挟持してなる液晶装置がある。液晶装置では、例えば一対の基板間において液晶分子を所定の配向状態としておき、例えば画像表示領域に形成された画素部毎に、液晶分子に所定の電圧を印加することにより、液晶分子の配向や秩序を変化させて、光を変調することにより階調表示を行う。液晶装置として、ＴＦＴアレイ基板側に画素電極及び共通電極の夫々を設け且つ液晶に印加する電界の方向を基板にほぼ平行な方向とする、ＩＰＳ（In Plane Switching）方式或いはＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式等の横電界駆動方式を採用した液晶装置が知られている。横電界駆動方式は、相対向する一対の基板の夫々に形成された画素電極及び共通電極間に介在する液晶に縦電界を印加する、ＴＮ（Twisted Nematic）駆動方式等の縦電界駆動方式に比べて視角特性に優れていることから注目されている。
【０００３】
このような横電界駆動方式を採用する液晶装置では、画素電極及び共通電極の少なくとも一方（具体的には、液晶に近い側の電極）は、略矩形の形状を有する開口部（スリット）を有していることが多い。例えば、１つの開口部が複数の画素部（或いは、複数のサブ画素部）を横断するように形成される電極を備える液晶装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。つまり、通常は１つの画素部（サブ画素部）内で完結する開口部を、複数の画素部（複数のサブ画素部）に跨って連結する液晶装置が提案されている。例えば、１つの開口部が３つのサブ画素部を横断するように形成される場合には、３つのサブ画素部のうちの中央のサブ画素部内に開口部の端部がなく且つ３つのサブ画素部のうちの両端のサブ画素部内に開口部の一方の端部のみが存在する。このため、個々のサブ画素部に着目すれば、ディスクリネーションの発生を抑制することができるため、液晶装置の透過率を向上させることができる。
【０００４】
一方で、３つのサブ画素部のうちの中央のサブ画素部の透過率が、３つのサブ画素部のうちの両端のサブ画素部の透過率と比較してより増加してしまったり、或いは開口部の端部が常に同一のドレイン線（データ線）上に位置してしまう（つまり、常に同一の画素部（サブ画素部）の境界に位置してしまう）がゆえに、ライン毎にドレイン容量が変わってしまったりするという技術的な問題点も新たに発生している。このような技術的な問題点は、表示品位の低下や焼きつきにつながってしまうため、好ましいとは言い難い。このため、開口部の端部が異なる画素部（サブ画素部）の境界に位置するように、開口部を画素単位（サブ画素単位）で水平方向にずらしながら垂直方向に順に配置する構成が同様に提案されている（特許文献１参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２５６９０５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
他方で、デュアルドメイン構造の液晶装置では、水平方向（例えば、配向膜のラビング方向）対して傾いた方向に向かって延在するように開口部を形成することが想定される。また、偏光サングラスでの使用環境を想定した液晶装置でも、水平方向に対して傾いた方向に向かって延在するように開口部を形成することが想定される。このような場合には、上述のように複数の画素部（サブ画素部）を横断するように開口部を形成しつつ、各画素部間（各サブ画素部間）で開口部を好適につなぐことは困難であるという技術的な問題点が生ずる。つまり、複数の画素部（サブ画素部）を横断する各開口部を各画素部間（各サブ画素部間）でランダムにつなごうとしても、画素ピッチ（サブ画素ピッチ）や、開口部の傾きや、開口部が横断する画素数（サブ画素数）等によっては好適につなぐことができないという技術的な問題点が生ずる。
【０００７】
本発明は、例えば上述した従来の問題点に鑑みなされたものであり、例えば複数の画素部を横断して延びると共に傾きを有する開口部が形成された電極を備える液晶装置及びこのような液晶装置を備える電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（液晶装置）
上記課題を解決するために、本発明の第１の液晶装置は、第１基板と、前記第１基板に対向するように配置される第２基板と、前記第１基板の前記第２基板側に形成され、複数のサブ画素部の夫々に対応する第１電極と、前記第１基板の前記第２基板側に形成され、前記第１電極との間に絶縁層を挟持し且つ前記複数のサブ画素部のうち隣接するｍ（但し、ｍは３以上の整数）個の前記サブ画素部を横断して延びる複数の開口部を備える第２電極と、前記第１基板の前記第２基板側に形成され、夫々が第１の方向に沿って延び且つ夫々に前記複数のサブ画素部を選択するための走査信号が供給される複数の走査線と、前記第１基板の前記第２基板側に形成され、夫々が前記第１の方向に直交する第２の方向に沿って延び且つ夫々が前記第１電極に対してデータ信号を供給する複数のデータ線と、前記第１基板及び前記第２基板との間に挟持されると共に、前記第１電極及び前記第２電極間に生ずる電界によって駆動される液晶分子を含む液晶層とを備え、前記複数の開口部の長手方向は、前記第１の方向に対して所定の角度θをなし、前記複数の開口部の夫々は、(i)前記第２の方向に沿って隣接する２つの開口部が、配置間隔Ｙを有するように形成され、且つ(ii)前記隣接する２つの開口部の長手方向の端部が異なるサブ画素部の境界に位置するように、前記隣接する２つの開口部を前記第１の方向に沿って少なくとも前記複数のサブ画素部の配置間隔Ｘに相当する幅だけずらして形成され、前記ｍ個のサブ画素部がＭ個の表示画素部を構成する場合、Ｍ×Ｘ×ｔａｎθ＝Ｙ／ｃｏｓθを満たすように前記複数の開口部が形成されている。
【０００９】
本発明の第１の液晶装置によれば、一対の基板（つまり、第１基板及び第２基板）間に挟持されている液晶分子の配向状態を、第１電極及び第２電極の夫々の電位差によって生ずる電界によって変化させることができる。これにより、液晶装置を、例えば透過型表示、反射型表示又は半透過反射型表示を行う、典型的には直視型の或いは投射型の各種表示装置等として利用することができる。尚、本発明においては、電界は、例えば横電界が一例としてあげられる。尚、「横電界」とは、第１基板又は第２基板の表面に沿った方向の電界（典型的には、第１基板又は第２基板の表面に対して平行な或いは概ね平行と同視し得る電界）を示す趣旨である。加えて、本発明では、第１電極と第２電極との間に絶縁層が積層されていることが好ましい。つまり、本発明では、第１電極と絶縁層と第２電極とが、第１基板又は第２基板の法線方向に沿って積層構造を形成するように第１基板上に形成されていることが好ましい。つまり、本発明に係る第１の液晶装置は、例えばＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式等の横電界駆動方式を採用していることが好ましい。
【００１０】
第１電極は、複数のサブ画素部の夫々に対応するように第１基板上に形成される。従って、第１電極は、第１基板上に複数形成されることが好ましい。複数のサブ画素部の一例としては、例えば、赤色（Ｒ）表示を行うためのサブ画素部や、緑色（Ｇ）表示を行うためのサブ画素部や、青色（Ｂ）表示を行うためのサブ画素部等があげられる。
【００１１】
第２電極は、水平方向（例えば、走査線が延びる方向）に沿って連続して隣接するｍ個のサブ画素部を横断するように延びる複数の開口部（例えば、細長い矩形状のスリット等）を備える。特に、複数の開口部は、第１の方向（具体的には、走査線が延びる方向であり、典型的には水平方向）に対して所定の角度θをなす方向に沿って延びている。言い換えれば、複数の開口部の夫々の長手方向が、第１の方向に対して所定の角度θをなす方向に沿うように延びている。つまり、本発明では、傾きを有した開口部（つまり、いわゆる斜めスリット）が形成されている。
【００１２】
複数の開口部は、更に、第２の方向（具体的には、データ線が延びる方向であり、典型的には垂直方向）に沿って隣接する２つの開口部が配置間隔Ｙを有するように形成されている。つまり、複数の開口部の夫々の配置間隔（つまり、スリットピッチ）がＹとなるように複数の開口部が形成されている。加えて、複数の開口部は、第２の方向に沿って隣接する２つの開口部の端部（特に、長手方向の端部）が異なるサブ画素部の境界に位置するように形成されている。このため、第２の方向に沿って隣接する２つの開口部は、第１の方向に沿って、少なくとも複数のサブ画素部の配置間隔Ｘ（より具体的には、第１の方向における配置間隔Ｘ）に相当する幅だけずらされている。このような関係が、隣接する２つの開口部の全てにおいて満たされている。
【００１３】
このような複数の開口部の一例として以下の構成があげられる。例えば、１行目の開口部に対して、配置間隔Ｙを有してその下側に位置する２行目の開口部は、水平方向に沿って、少なくともサブ画素部の配置間隔Ｘに相当する幅だけずらされている。また、２行目の開口部に対して、配置間隔Ｙを有してその下側に位置する３行目の開口部は、水平方向に沿って、少なくともサブ画素部の配置間隔Ｘに相当する幅だけずらされている。以下、４行目以降の開口部についても同様である。
【００１４】
本発明では特に、１つの開口部が横断するｍ個のサブ画素部によってＭ個の表示画素部を構成する（言い換えれば、１つの開口部が横断するｍ個のサブ画素部が、Ｍ個の表示画素部と同一の幅を有している）とすれば、Ｍ×Ｘ×ｔａｎθ＝Ｙ／ｃｏｓθを満たすように複数の開口部が形成されている。ここで、後に図面を用いて詳細に説明するが、上述の式の左辺（つまり、Ｍ×Ｘ×ｔａｎθ）は、第１の開口部の開始点と、第１の方向に沿って第１の開口部に隣接する第２の開口部の開始点との間の距離（特に、第２の方向に沿った距離）を示している。他方で、上述の式の右辺（つまり、Ｙ／ｃｏｓθ）は、第１の開口部の開始点と、第２の方向に沿って第１の開口部と同一の位置に位置する次の開口部（第３の開口部）の開始点との間の距離（特に、第２の方向に沿った距離）を示している。
【００１５】
従って、上述の式を満たすように複数の開口部が形成されていれば、ｍ個のサブ画素部を横断する複数の開口部を、第２電極全体に渡って好適に形成することができる。言い換えれば、ｍ個のサブ画素部を横断する複数の開口部を、第１の方向に沿ってサブ画素部の配置間隔Ｘに相当する幅ずつ順次ずらしながら第２の方向に沿って配置間隔Ｙを有するように形成しつつも、第２電極全体に渡って好適に形成することができる。特に、開口部が第１の方向に対して傾きを有している場合であっても、第２電極全体に渡って好適につながりを有している複数の開口部を好適に形成することができる。
【００１６】
また、Ｍ個の表示画素部の単位を１つのセルとみなして複数の開口部を形成すれば（つまり、セル単位で複数の開口部を形成すれば）、当該セルを上下左右方向に連結するだけで、第２電極全体に渡って、ｍ個のサブ画素部を横断する複数の開口部を好適に形成することができる。言い換えれば、上述の式を満たすようにセル単位で複数の開口部を形成すれば、当該セルの上側と当該セルの下側とが好適につながり且つ当該セルの左側と当該セルの右側とが好適につながるようにセルを形成することができるため、当該セルを上下左右方向に連結するだけで、第２電極全体に渡って、ｍ個のサブ画素部を横断する複数の開口部を好適に形成することができる。
【００１７】
本発明の第１の液晶装置の一の態様では、前記第１基板の前記第２基板側に形成される配向膜を更に備え、前記第１の方向は、前記配向膜のラビング方向と同一である。
【００１８】
この態様によれば、ラビング方向に対して所定の角度θをなす方向に沿って延びる複数の開口部（つまり、ラビング方向に対して傾きを有する複数の開口部）を好適に形成することができる。
【００１９】
本発明の第１の液晶装置の他の態様では、ｍは６であり、Ｍは２である。
【００２０】
この態様によれば、６個のサブ画素部から２個の表示画素部が構成される（つまり、１個の表示画素部は、３個のサブ画素部から構成される）液晶装置において、６個のサブ画素部を横断するように延びる複数の開口部を好適に形成することができる。言い換えれば、１つの開口部が６個のサブ画素部を横断する液晶装置において、上述した各種効果を好適に享受することができる。
【００２１】
本発明の第１の液晶装置の他の態様では、ｍは３であり、Ｍは１である。
【００２２】
この態様によれば、３個のサブ画素部から１個の表示画素部が構成される液晶装置において、３個のサブ画素部を横断するように延びる複数の開口部を好適に形成することができる。言い換えれば、１つの開口部が３個のサブ画素部を横断する液晶装置において、上述した各種効果を好適に享受することができる。
【００２３】
本発明の第１の液晶装置の他の態様では、前記複数の開口部の夫々は、前記隣接する２つの開口部を前記第１の方向に沿って前記複数のサブ画素部の配置間隔ＸのＭ倍に相当する幅だけずらして形成されている。
【００２４】
この態様によれば、後に図面を用いて詳細に説明するように、ｍ個のサブ画素部を横断する複数の開口部を、第１の方向に沿ってＭ×Ｘに相当する幅ずつ順次ずらしながら第２の方向に沿って配置間隔Ｙを有するように形成しつつも、第２電極全体に渡って好適に形成することができる。
【００２５】
上記課題を解決するために、本発明の第２の液晶装置は、第１基板と、前記第１基板に対向するように配置される第２基板と、前記第１基板の前記第２基板側に形成され、複数のサブ画素部の夫々に対応する第１電極と、前記第１基板の前記第２基板側に形成され、前記第１電極との間に絶縁層を挟持し且つ前記複数のサブ画素部のうち隣接するｍ（但し、ｍは３以上の整数）個の前記サブ画素部を横断して延びる複数の開口部を備える第２電極と、前記第１基板の前記第２基板側に形成され、夫々が第１の方向に沿って延び且つ夫々に前記複数のサブ画素部を選択するための走査信号が供給される複数の走査線と、前記第１基板の前記第２基板側に形成され、夫々が前記第１の方向に直交する第２の方向に沿って延び且つ夫々が前記第１電極に対してデータ信号を供給する複数のデータ線と、前記第１基板及び前記第２基板との間に挟持されると共に、前記第１電極及び前記第２電極間に生ずる電界によって駆動される液晶分子を含む液晶層とを備え、前記複数の開口部の長手方向は、前記第２の方向に対して所定の角度θをなし、前記複数の開口部の夫々は、(i)前記第１の方向に沿って隣接する２つの開口部が、配置間隔Ｙを有するように形成され、且つ(ii)前記隣接する２つの開口部の長手方向の端部が異なるサブ画素部の境界に位置するように、前記隣接する２つの開口部を前記第２の方向に沿って少なくとも前記複数のサブ画素部の配置間隔Ｘに相当する幅だけずらして形成され、前記ｍ個のサブ画素部がＭ個の表示画素部を構成する場合、Ｍ×Ｘ×ｔａｎθ＝Ｙ／ｃｏｓθを満たすように前記複数の開口部が形成されている。
【００２６】
本発明の第２の液晶装置によれば、上述した第１の液晶装置と概ね同一の構成を有している。第２の液晶装置では特に、第２電極は、第２の方向に沿って連続して隣接するｍ個のサブ画素部を横断するように延びる複数の開口部（例えば、細長い矩形状のスリット等）を備える。特に、複数の開口部は、第２の方向に対して所定の角度θをなす方向に沿って延びている。また、複数の開口部は、更に、第１の方向に沿って隣接する２つの開口部が配置間隔Ｙを有するように形成されている。加えて、複数の開口部は、第１の方向に沿って隣接する２つの開口部の端部が異なるサブ画素部の境界に位置するように形成されている。このため、第１の方向に沿って隣接する２つの開口部は、第２の方向に沿って、少なくとも複数のサブ画素部の配置間隔Ｘ（より具体的には、第２の方向における配置間隔Ｘ）に相当する幅だけずらされている。このような関係が、隣接する２つの開口部の全てにおいて満たされている。
【００２７】
また、第２の液晶装置においても１つの開口部が横断するｍ個のサブ画素部によってＭ個の表示画素部が構成されるとすれば、Ｍ×Ｘ×ｔａｎθ＝Ｙ／ｃｏｓθを満たすように複数の開口部が形成されている。従って、上述した第１の液晶装置が享受する効果と同様の効果を好適に享受することができる。
【００２８】
尚、上述した本発明の第１の液晶装置が取り得る各種態様に対応して、本発明の第２の液晶装置も各種態様を採用してもよい。
【００２９】
本発明の第１又は第２の液晶装置の他の態様では、前記隣接するｍ個の前記サブ画素部は、赤色を表示するサブ画素部、緑色を表示するサブ画素部、及び青色を表示するサブ画素部を含む。
【００３０】
この態様によれば、ＲＧＢ（赤色、緑色、青色）を用いてカラー表示を行う液晶装置において、上述した各種効果を好適に享受することができる。
【００３１】
（電子機器）
上記課題を解決するために、本発明の電子機器は、上述した本発明の第１又は第２の液晶装置（但し、その各種態様を含む）を備える。
【００３２】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の第１の又は第２の液晶装置（或いは、その各種態様）を備えているため、上述した液晶装置（或いは、その各種態様）が享受することができる効果と同様の効果を享受することができる。このため、上述した液晶装置（或いは、その各種態様）が享受することができる効果と同様の効果を享受することができる投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、携帯オーディオプレーヤ、ワードプロセッサ、デジタルカメラ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現することができる。
【００３３】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から更に明らかにされよう。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、本発明を実施するための最良の形態を、図面に基づいて説明する。
【００３５】
（１）液晶装置の基本構成
先ず、本実施形態に係る液晶装置の構成について、図１及び図２を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【００３６】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、本発明に係る「第１基板」の一例としてのＴＦＴアレイ基板１０と本発明における「第２基板」の一例としての対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置する枠状或いは額縁状のシール領域に設けられたシール材５２により互いに貼り合わされている。
【００３７】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２に囲まれた領域には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのスペーサが形成されている。スペーサは、ガラスビーズ等の又はその他の樹脂製材料を散布してもよいが、感光性樹脂材料を塗布、感光、現像するフォトスペーサを用いることにより容易に所定の位置に形成できる。また、シール材中５２中にもグラスファイバ若しくはガラスビーズ等の又はその他の樹脂製材料を含むスペーサが散布されている。
【００３８】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。但し、データ線駆動回路１０１は、シール領域よりも内側に、データ線駆動回路１０１が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられていてもよい。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域の内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。
【００３９】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、駆動素子である画素スイッチング用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）１１６や、走査線Ｇ（具体的には、Ｇ１からＧｎ（但し、ｎは１以上の整数））や、データ線ＤＬ（具体的には、ＤＬ１からＤＬｍ（但し、ｍは１以上の整数））等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている（図３参照）。具体的には、画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用のＴＦＴ１１６や、走査線Ｇや、データ線ＤＬ等の配線の上層に画素電極９ａ、絶縁層１２及び共通電極１１がこの順に形成されている。つまり、本実施形態に係る液晶装置１００は、画素電極９ａと共通電極１１との間に生ずる電界によって液晶層５０の配向状態を制御する横電界駆動方式（特に、ＦＦＳ方式）を採用している。
【００４０】
ここで、本発明の「第１電極」の一具体例を構成する画素電極９ａは、画像表示領域１０ａを構成するサブ画素部７１を形成するように平面視マトリクス状に設けられている。尚、図１において、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）及びＢ（青）に対応する各領域は１つのサブ画素部７１を示していると共に、ＲＧＢに対応する１行３列のサブ画素部７１は、１つの表示画素部７０を示している。また、共通電極１１は、後に詳述するように、長手方向に延張する矩形状のスリット１１ｂを有している（図４参照）。
【００４１】
共通電極１１上（言い換えれば、画素電極９ａ等の構成要素が形成されたＴＦＴアレイ基板１０上）には、配向膜８が積層されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上には、不図示のカラーフィルタ及びブラックマトリクスが形成されている。ブラックマトリクスは、例えばクロムや酸化クロム等の遮光性金属膜や各種樹脂製材料等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えばサブ画素部７１の境界を遮光するように格子状等にパターニングされている。
【００４２】
そして、ブラックマトリクス上に配向膜８が形成されている。このとき、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板２０の夫々に形成される配向膜８に対してラビング処理が施されている。このとき、配向膜８のラビング処理の方向は、後述する走査線Ｇに沿った方向（つまり、水平方向）であることが好ましい。
【００４３】
液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶分子５０ａを含んでおり、これら一対の配向膜８間で、所定の配向状態をとる。
【００４４】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４の他に、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００４５】
（２）液晶装置の詳細な構成
続いて、図３を参照して、本実施形態に係る液晶装置１００の要部の電気的な構成について説明する。ここに、図３は、本実施形態に係る液晶装置１００の要部の電気的な構成を概念的に示すブロック図である。
【００４６】
図３において、本実施形態に係る液晶装置１００は、そのＴＦＴアレイ基板１０上の画像表示領域１０ａの周辺に位置する周辺領域に、走査線駆動回路１０４及びデータ線駆動回路１０１や、不図示のドライバＩＣ回路等の駆動回路が形成されている。
【００４７】
走査線駆動回路１０４は、走査信号を、走査線Ｇ１からＧｎに順次供給する。例えば、ある走査線Ｇｊ（但し、ｊは、１≦ｊ≦ｎを満たす整数）にハイレベルの走査信号が供給されると、この走査線Ｇｊに接続されたＴＦＴ１１６が全てオン状態となり、この走査線Ｇｊに対応する表示画素部７０（或いは、サブ画素部７１）が全て選択される。
【００４８】
データ線駆動回路１０１は、画像信号を、データ線ＤＬ１からＤＬｍに順次供給し、オン状態のＴＦＴ１１６を介してこの画像信号に基づく書込電圧を画素電極９ａに書き込む。
【００４９】
本実施形態に係る液晶装置１００には、更に、そのＴＦＴアレイ基板１０の中央を占める画像表示領域１０ａに、マトリクス状に配列された複数の表示画素部７０（より具体的には、マトリクス状に配列された複数のサブ画素部７１）が設けられている。
【００５０】
夫々のサブ画素部７１は、液晶素子１１８と、画素電極９ａの長辺端に沿って延在するデータ線ＤＬと、画素電極９ａの短辺端に沿って延在する走査線Ｇと、データ線ＤＬ及び走査線Ｇの交点付近に形成される画素スイッチング用のＴＦＴ１１６と、蓄積容量１１９を備えている。
【００５１】
ＴＦＴ１１６は、ソース端子がデータ線ＤＬ１からＤＬｍのいずれかに電気的に接続され、ゲート端子が走査線Ｇ１からＧｎのいずれかに電気的に接続され、ドレイン端子が画素電極９ａに電気的に接続されている。画素スイッチング用のＴＦＴ１１６は、走査線駆動回路１０４から供給される走査信号によってオン状態及びオフ状態が切り換えられる。
【００５２】
液晶素子１１８は、画素電極９ａ、共通電極１１並びに画素電極９ａ及び共通電極１１間に位置する液晶分子５０ａから構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ１１６を介してデータ線ＤＬ１からＤＬｍのいずれかと電気的に接続されている。共通電極１１は、共通配線ＣＯＭと電気的に接続されている。尚、画素電極９ａ及び共通電極１１は、上述したように、いずれもＴＦＴアレイ基板１０上に設けられている。液晶装置１００の動作時には、データ線ＤＬ１からＤＬｍ及びＴＦＴ１１６を介して供給された画像信号の電位（書込電位）を有する画素電極９ａと、共通配線ＣＯＭを介して供給された共通電位を有する共通電極１１との間に電界が生じる。液晶は、当該電界に応じて駆動されることによって、即ち、当該電界に応じて分子集合の配向や秩序が変化することによって、光を変調し、階調表示を可能とする。
【００５３】
蓄積容量１１９は、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、液晶素子１１８と並列に付加されている。画素電極９ａと共通電極１１は絶縁膜を介して積層され、蓄積容量１１９を形成できるが、蓄積容量１１９を構成する一方の電極を画素電極９ａに電気的に接続し、他方の電極を共通電極１１に電気的に接続し形成してもよい。
【００５４】
本実施形態の液晶装置１００は、以下のように動作する。まず、走査線駆動回路１０４から走査線Ｇｊにハイレベルの走査信号を供給することで、走査線Ｇｊに接続された全てのＴＦＴ１１６をオン状態にして、走査線Ｇｊに係る全ての表示画素部７０を選択する。また、走査線Ｇｊに係る表示画素部７０の選択に同期して、データ線駆動回路１０１からデータ線ＤＬ１からＤＬｍに、画像信号が供給される。これにより、走査線駆動回路１０４で選択した全ての表示画素部７０に、データ線駆動回路１０１からデータ線ＤＬ１からＤＬｍ及びＴＦＴ１１６を介して画像信号が供給され、この画像信号に基づく書込電圧が画素電極９ａに書き込まれる。これにより、画素電極９ａと共通電極１１との間に電位差が生じて、駆動電圧が液晶に印加される。
【００５５】
（３）サブ画素部の詳細な構成
続いて、図４を参照して、サブ画素部のより詳細な構成について説明する。ここに、図４は、サブ画素部７１のより詳細な構成を概念的に示す平面図である。尚、図４では、図面の見易さを重視するために、サブ画素部７１のうち下層電極に相当する画素電極９ａに関連する構成と、サブ画素部７１のうち上層電極に相当する共通電極１１に関連する構成とを別々の図面を用いて説明する。
【００５６】
図４（ａ）は、サブ画素部７１のうち下層電極に相当する画素電極９ａに関連する構成を示している。図４（ａ）に示すように、画素電極９ａは、各サブ画素部７１に１つずつ設けられる。また、上述したように、画素電極９ａは、ＴＦＴ１１６を介してデータ線ＤＬ１からＤＬｍのいずれかと電気的に接続されている。
【００５７】
他方で、図４（ｂ）は、サブ画素部７１のうち上層電極に相当する共通電極１１に関連する構成を示している。図４（ｂ）に示すように、共通電極１１は、画像表示領域１０ａに全面にベタ状に形成される電極である。但し、図４（ｂ）では、共通電極１１の一部分（具体的には、図４（ａ）に示す画素電極９ａに対応する共通電極１１の一部分）を示している。
【００５８】
共通電極１１は、走査線Ｇが延びる方向（以降、適宜“水平方向”と称する）に沿って連続して隣接する３つのサブ画素部７１を横断するように延在するスリット１１ｂを複数備えている。このため、複数のスリット１１ｂの夫々は、水平方向に沿って連続して隣接する３つのサブ画素部７１のうちの両端の２つのサブ画素部７１内に端部１１ｃを有しており、水平方向に沿って連続して隣接する３つのサブ画素部７１のうちの中央のサブ画素部７１内に端部１１ｃを有していない。尚、共通電極１１は、画像表示領域１０ａに全面にベタ状に形成される例に限らず、または、水平方向に複数の帯状として形成してもよい。
【００５９】
本実施形態では特に、共通電極１１が備える複数のスリット１１ｂは、以下に示す条件を満たすように形成されている。以降、図５を参照して、複数のスリット１１ｂが形成される条件について説明する。ここに、図５は、複数のスリット１１ｂの構成をより詳細に示す平面図である。尚、図５では、図面の見易さを重視するために、図４（ｂ）に示す複数のスリット１１ｂの一部のみを選択的に示している。
【００６０】
まず、図５に示すように、複数のスリット１１ｂの夫々は、ラビング処理の方向（つまり、走査線Ｇに沿った方向であり、水平方向）に対して所定の角度θをなす方向に沿って延びるように形成されている。つまり、本実施形態では、いわゆる斜めスリットが複数のスリット１１ｂとして採用されている。尚、所定の角度θは任意の角度を有していてもよいが、０°より大きく且つ１５°以下であることが好ましい。
【００６１】
また、図５に示すように、複数のスリット１１ｂは、データ線ＤＬに沿った方向（以降、適宜“垂直方向”と称する）において隣接する２つのスリット１１ｂの配置間隔（つまり、スリットピッチ）が「Ｙ」となるように形成されている。ここで、複数のスリット１１ｂが斜めスリットであるため、垂直方向において隣接する２つのスリット１１ｂの配置間隔「Ｙ」は、隣接する２つのスリット１１ｂの垂直方向における距離ではなく、隣接する２つのスリット１１ｂに対して直交する方向における２つのスリット１１ｂの距離を示している。従って、隣接する２つのスリット１１ｂの垂直方向における距離は、Ｙ／ｃｏｓθとなる。
【００６２】
尚、スリットピッチ「Ｙ」は任意のサイズを有していてもよいが、スリット１１ｂが３つのサブ画素部７１を横断して形成される構成では、３μｍから１１μｍ（より好ましくは、６μｍから８μｍ）であることが好ましい。一例として、例えば、スリット１１ｂの幅が１μｍから５μｍであり、スリット１１ｂ間の電極幅が２μｍから６μｍである。
【００６３】
また、図５に示すように、複数のスリット１１ｂは、垂直方向において隣接する２つのスリット１１ｂが１つのサブ画素部７１の配置間隔「Ｘ」（つまり、画素ピッチ「Ｘ」）に相当する幅だけずれるように形成される。より具体的には、スリットピッチ「Ｙ」を有して隣接するスリット１１ｂ−１１１及びスリット１１ｂ−２１１は、スリット１１ｂ−２１１がスリット１１ｂ−１１１に対して画素ピッチ「Ｘ」に相当する幅だけ水平方向にずれるように形成される。同様に、スリットピッチ「Ｙ」を有して隣接するスリット１１ｂ−２１１及びスリット１１ｂ−３１１は、スリット１１ｂ−３１１がスリット１１ｂ−２１１に対して画素ピッチ「Ｘ」に相当する幅だけ水平方向にずれるように形成される。以降、全てのスリット１１ｂがこのように形成される。
【００６４】
加えて、本実施形態では特に、複数のスリット１１ｂの夫々は、「３×Ｘ×ｔａｎθ＝３×Ｙ／ｃｏｓθ」という式（つまり、「Ｘ×ｔａｎθ＝Ｙ／ｃｏｓθ」という式）を満たすように形成されている。ここで、上述の式のうちの左辺（つまり、３×Ｘ×ｔａｎθ）は、スリット１１ｂ−１１１の始端部（点Ｐ）と、スリット１１ｂ−１１１の終端部に続いて形成されるスリット１１ｂ−１１２の始端部（点Ｑ）との間の距離（より具体的には、垂直方向の距離）を示している。他方で、上述の式の右辺（つまり、３×Ｙ／ｃｏｓθ）は、スリット１１ｂ−１１１始端部（点Ｐ）と、スリット１１ｂ−１１１と同一垂直方向に位置する次のスリット１１ｂ−１２１の始端部（点Ｐ’）との間の距離（より具体的には、垂直方向の距離）を示している。この関係は、共通電極１１上に形成される全てのスリット１１ｂについても同様に満たされている。
【００６５】
この上述の式は、ある表示画素部７０−１中に存在する各スリット１１ｂと、表示画素部７０−１と水平方向において隣接する表示画素部７０−２中に存在する各スリット１１ｂとが、同一の位置関係を有するための条件式である。つまり、上述した式を満たせば、表示画素部７０−１中におけるスリット１１ｂ（例えば、スリット１１ｂ−１２１）の形成位置は、表示画素部７０−２中におけるスリット１１ｂ（例えば、スリット１１ｂ−１１２）の形成位置と同一になる。その他の全てのスリット１１ｂについても同様のことが言える。
【００６６】
このような式を満たすように複数のスリット１１ｂが形成されれば、複数のスリット１１ｂを、共通電極１１全体に渡って好適に形成することができる。言い換えれば、３つのサブ画素部７１を横断して形成される複数のスリット１１ｂを、スリットピッチ「Ｙ」を維持しながら画素ピッチ「Ｘ」に相当する幅ずつ水平方向に順次ずらして形成しつつも、共通電極１１全体に渡って好適に形成することができる。特に、複数のスリット１１ｂの夫々が水平方向に対して傾きを有している場合であっても、共通電極１１全体に渡って好適につながりを有している複数のスリット１１ｂを好適に形成することができる。
【００６７】
また、１つの表示画素部７０の単位を１つのセルとみなして複数のスリット１１ｂを形成すれば（つまり、セル単位で複数のスリット１１ｂを形成すれば）、当該セルを上下左右方向に連結するだけで、共通電極１１全体に渡って、３つのサブ画素部７１を横断する複数のスリット１１ｂを好適に形成することができる。言い換えれば、上述の式を満たすようにセル単位で複数のスリット１１ｂを形成すれば、当該セルの上側と当該セルの下側とが好適につながり且つ当該セルの左側と当該セルの右側とが好適につながるようにセルを形成することができる。このため、当該セルを上下左右方向に順に連結するだけで、共通電極１１全体に渡って、３つのサブ画素部７１を横断する複数のスリット１１ｂを好適に形成することができる。
【００６８】
尚、図４及び図５では、１つのスリット１１ｂが、水平方向に沿って連続して隣接する３つのサブ画素部７１を横断するように延在する例について説明している。しかしながら、１つのスリット１１ｂが、水平方向に沿って連続して隣接する３つ以上のサブ画素部７１を横断するように延在するように構成してもよい。以下、図６を参照しながら、１つのスリット１１ｂが、水平方向に沿って連続して隣接する６つのサブ画素部７１を横断するように延在する変形例（以降、適宜“第１変形例”と称する）について説明する。ここに、図６は、１つのスリット１１ｂが、水平方向に沿って連続して隣接する６つのサブ画素部７１を横断するように延在する第１変形例を示す平面図であって、特に、複数のスリット１１ｂの構成をより詳細に示す平面図である。
【００６９】
図６に示すように、第１変形例においても、図５に示す構成と同様に、複数のスリット１１ｂの夫々は、ラビング処理の方向に対して所定の角度θをなす方向に沿って延びるように形成されている。また、変形例においても、図５に示す構成と同様に、複数のスリット１１ｂは、スリットピッチが「Ｙ」となるように形成されている。
【００７０】
尚、スリットピッチ「Ｙ」は任意のサイズを有していてもよいが、スリット１１ｂが６つのサブ画素部７１を横断して形成される構成では、３μｍから１１μｍ（より好ましくは、６μｍから８μｍ）であることが好ましい。一例として、例えば、スリット１１ｂの幅が１．８μｍであり、スリット１１ｂ間の電極幅が３．９５μｍである。
【００７１】
また、図６に示すように、複数のスリット１１ｂは、垂直方向において隣接する２つのスリット１１ｂが画素ピッチ「Ｘ」の２倍に相当する幅（つまり、「２Ｘ」）だけずれるように形成される。より具体的には、スリットピッチ「Ｙ」を有して隣接するスリット１１ｂ−１１１及びスリット１１ｂ−２１１は、スリット１１ｂ−２１１がスリット１１ｂ−１１１に対して画素ピッチの２倍に相当する幅「２Ｘ」だけ水平方向にずれるように形成される。同様に、スリットピッチ「Ｙ」を有して隣接するスリット１１ｂ−２１１及びスリット１１ｂ−３１１は、スリット１１ｂ−３１１がスリット１１ｂ−２１１に対して画素ピッチの２倍に相当する幅「２Ｘ」だけ水平方向にずれるように形成される。以降、全てのスリット１１ｂがこのように形成される。
【００７２】
加えて、第１変形例では特に、複数のスリット１１ｂの夫々は、「６×Ｘ×ｔａｎθ＝３×Ｙ／ｃｏｓθ」という式（つまり、「２×Ｘ×ｔａｎθ＝Ｙ／ｃｏｓθ」という式）を満たすように形成されている。ここで、上述の式のうちの左辺（つまり、６×Ｘ×ｔａｎθ）は、スリット１１ｂ−１１１の始端部（点Ｐ）と、スリット１１ｂ−１１１の終端部に続いて形成されるスリット１１ｂ−１１２の始端部（点Ｑ）との間の距離（より具体的には、垂直方向の距離）を示している。他方で、上述の式の右辺（つまり、３×Ｙ／ｃｏｓθ）は、スリット１１ｂ−１１１始端部（点Ｐ）と、スリット１１ｂ−１１１と同一垂直方向に位置する次のスリット１１ｂ−１２１の始端部（点Ｐ’）との間の距離（より具体的には、垂直方向の距離）を示している。この関係は、共通電極１１上に形成される全てのスリット１１ｂについても同様に満たされている。
【００７３】
この上述の式は、隣接する２つの表示画素部７０−１及び７０−２中に存在する各スリット１１ｂと、２つの表示画素部７０−１及び７０−２と水平方向において隣接する２つの表示画素部７０−３及び７０−４中に存在する各スリット１１ｂとが、同一の位置関係を有するための条件式である。つまり、上述した式を満たせば、表示画素部７０−１及び７０−２中におけるスリット１１ｂ（例えば、スリット１１ｂ−１２１）の形成位置は、表示画素部７０−３及び７０−４中におけるスリット１１ｂ（例えば、スリット１１ｂ−１１２）の形成位置と同一になる。その他の全てのスリット１１ｂについても同様のことが言える。
【００７４】
このような第１変形例を考慮すれば、本実施形態に係る液晶装置１００では、複数のスリット１１ｂは、複数のスリット１１ｂの夫々がＭ（但し、Ｍは１以上の整数）個の表示画素部を構成する複数のサブ画素部７１を横断して延在している場合には、「Ｍ×Ｘ×ｔａｎθ＝Ｙ／ｃｏｓθ」を満たすように形成される。
【００７５】
このような式を満たすように複数のスリット１１ｂが形成されれば、複数のスリット１１ｂを、共通電極１１全体に渡って好適に形成することができる。言い換えれば、複数個のサブ画素部７１を横断して形成される複数のスリット１１ｂを、スリットピッチ「Ｙ」を維持しながら画素ピッチ「Ｘ」に相当する幅（或いは、画素ピッチ「Ｘ」のＭ倍に相当する幅）ずつ水平方向に順次ずらして形成しつつも、共通電極１１全体に渡って好適に形成することができる。特に、複数のスリット１１ｂの夫々が水平方向に対して傾きを有している場合であっても、共通電極１１全体に渡って好適につながりを有している複数のスリット１１ｂを好適に形成することができる。
【００７６】
また、Ｍ個の表示画素部７０の単位を１つのセルとみなして複数のスリット１１ｂを形成すれば（つまり、セル単位で複数のスリットを形成すれば）、当該セルを上下左右方向に連結するだけで、共通電極１１全体に渡って、複数個のサブ画素部７１（より具体的には、Ｍ個の表示画素部７０を構成する複数個のサブ画素部７１）を横断する複数のスリット１１ｂを好適に形成することができる。言い換えれば、上述の式を満たすようにセル単位で複数のスリット１１ｂを形成すれば、当該セルの上側と当該セルの下側とが好適につながり且つ当該セルの左側と当該セルの右側とが好適につながるようにセルを形成することができる。このため、当該セルを上下左右方向に連結するだけで、共通電極全体に渡って、複数個のサブ画素部７１を横断する複数のスリット１１ｂを好適に形成することができる。
【００７７】
尚、上述の式（更には、図５を用いて示した条件）を満たす限りは上述した効果を享受することができるということを考慮すれば、液晶装置１００の設計時ないしは製造時には、スリット角θやスリットピッチＹは、一義的な固定値を用いて設計するよりは、ある程度の幅を持たせて柔軟に設計することが好ましい。以下、図７から図９を参照して、解像度を考慮し、スリット角θやスリットピッチＹにある程度の幅を持たせた場合における上述の式の解について説明する。ここに、図７は、スリット角θやスリットピッチＹを固定値とした場合の上述の式の解を示すグラフであり、図８は、スリット角θにある程度の幅を持たせ且つスリットピッチＹを固定値とした場合の上述の式の解を示すグラフであり、図９は、スリット角θ及びスリットピッチＹにある程度の幅を持たせた場合の上述の式の解を示すグラフである。なお、解像度（ｐｐｉ）は、インチあたりの画素数であり、解像度をＰとすると、Ｐ＝１／（３×Ｘ）であり、３×Ｍ×Ｘ×ｔａｎθ＝（Ｍ／Ｐ）×ｔａｎθとできる。
【００７８】
図７は、スリット角θを７°に固定し且つスリットピッチＹを６μｍに固定した場合の、３×Ｙ／ｃｏｓθ及び３×Ｍ×Ｘ×ｔａｎθ（但し、Ｍ＝１、２）がとる値を示すグラフである。図７に示すように、スリット角θを７°に固定し且つスリットピッチＹを６μｍに固定した場合には、Ｍ＝１の場合に解（つまり、３×Ｙ／ｃｏｓθと３×Ｍ×Ｘ×ｔａｎθとの交点）が１つのみ存在し且つＭ＝２の場合に解が１つのみ存在することになる。従って、スリット角θを７°に固定し且つスリットピッチＹを６μｍに固定した場合には、特定の画素ピッチＸに応じた特定の解像度の場合にのみ、上述したスリット１１ｂを形成することができない。
【００７９】
図８は、スリット角θを５°から７°の間で変動させ且つスリットピッチＹを６μｍに固定した場合の、３×Ｙ／ｃｏｓθ及び３×Ｍ×Ｘ×ｔａｎθ（但し、Ｍ＝１、２）がとる値を示すグラフである。図８に示すように、３×Ｍ×Ｘ×ｔａｎθは、θの値に応じて適宜変動する。他方で、３×Ｙ／ｃｏｓθは、θの値によっても殆ど変動しない。このため、スリット角θを５°から７°の間で変動させ且つスリットピッチＹを６μｍに固定した場合には、Ｍ＝１の場合に複数の解が存在し且つＭ＝２の場合にも複数の解が存在することになる。従って、解像度が２５０ｐｐｉから３５０ｐｐｉとなる画素ピッチＸであれば、６つのサブ画素部７１を横断する複数のスリット１１ｂを形成することができるということがわかる。同様に、解像度が１２０ｐｐｉから１７０ｐｐｉとなる画素ピッチＸであれば、３つのサブ画素部７１を横断する複数のスリット１１ｂを形成することができるということがわかる。つまり、上述したスリット１１ｂを形成するための設計の幅が広がる（具体的には、ある程度の幅の解像度に対応する液晶装置１００を設計ないしは製造することができる）ことがわかる。
【００８０】
図９は、スリット角θを５°から７°の間で変動させ且つスリットピッチＹを６μｍから８μｍの間で変動させた場合の、３×Ｙ／ｃｏｓθ及び３×Ｍ×Ｘ×ｔａｎθ（但し、Ｍ＝１、２）がとる値を示すグラフである。図９に示すように、３×Ｍ×Ｘ×ｔａｎθは、θの値に応じて適宜変動する。また、３×Ｙ／ｃｏｓθは、Ｙの値に応じて適宜変動する。このため、スリット角θを５°から７°の間で変動させ且つスリットピッチＹを６μｍから８μｍの間で変動させた場合には、Ｍ＝１の場合に複数の解が存在し且つＭ＝２の場合にも複数の解が存在することになる。従って、通常用いられる全ての解像度の範囲で上述したスリット１１ｂを形成することができるということがわかる。つまり、上述したスリット１１ｂを形成するための設計の幅がより一層広がる（具体的には、概ね一般的な液晶装置１００を設計ないしは製造することができる）ことがわかる。
【００８１】
尚、上述の説明では、シングルドメインの液晶装置１００（つまり、スリット１１ｂの延在方向が一つの方向に限定される液晶装置１００）について説明している。しかしながら、デュアルドメインの液晶装置１００（つまり、スリット１１ｂの延在方向が複数の方向に区別される液晶装置１００）に上述した構成を適用してもよいことは言うまでもない。この場合には、例えば、サブ画素部７１の中央付近でスリット１１ｂの配置を反転させることで、上述した構成を好適に適用することができる。
【００８２】
また、上述の説明では、１つのスリット１１ｂが水平方向に沿って隣接する複数のサブ画素部７１を横断して形成される例について説明している。しかしながら、１つのスリット１１ｂが垂直方向に沿って隣接する複数のサブ画素部７１を横断して形成されるように構成してもよいことは言うまでもない。この構成について、第２変形例として、図１０及び図１１を参照して説明する。ここに、図１０は、第２変形例におけるサブ画素部７１のより詳細な構成を概念的に示す平面図であり、図１１は、第２変形例における複数のスリット１１ｂの構成をより詳細に示す平面図である。
【００８３】
図１０（ａ）に示すように、第２変形例におけるサブ画素部７１のうち下層電極に相当する画素電極９ａは、上述した画素電極９ａ（つまり、図４（ａ）に示す画素電極９ａ）と同様の構成を有している。
【００８４】
他方で、図１０（ｂ）に示すように、第２変形例におけるサブ画素部７１のうち上層電極に相当する共通電極１１は、画像表示領域１０ａに全面にベタ状に形成される電極であると共に、垂直方向に沿って連続して隣接する３つのサブ画素部７１を横断するように延在するスリット１１ｂを複数備えている。このため、複数のスリット１１ｂの夫々は、垂直方向に沿って連続して隣接する３つのサブ画素部７１のうちの両端の２つのサブ画素部７１内に端部１１ｃを有しており、垂直方向に沿って連続して隣接する３つのサブ画素部７１のうちの中央のサブ画素部７１内に端部１１ｃを有していない。
【００８５】
第２変形例においても、上述した実施形態と同様に、共通電極１１が備える複数のスリット１１ｂは、以下に示す条件を満たすように形成されている。具体的には、図１１に示すように、複数のスリット１１ｂの夫々は、垂直方向に対して所定の角度θをなす方向に沿って延びるように形成されている。また、図１１に示すように、複数のスリット１１ｂは、水平方向において隣接する２つのスリット１１ｂの配置間隔（つまり、スリットピッチ）が「Ｙ」となるように形成されている。また、図１１に示すように、複数のスリット１１ｂは、水平方向において隣接する２つのスリット１１ｂが１つのサブ画素部７１の配置間隔「Ｘ」（つまり、垂直方向の画素ピッチ「Ｘ」）に相当する幅だけ垂直方向にずれるように形成される。より具体的には、スリットピッチ「Ｙ」を有して隣接するスリット１１ｂ−１１１及びスリット１１ｂ−２１１は、スリット１１ｂ−２１１がスリット１１ｂ−１１１に対して画素ピッチ「Ｘ」に相当する幅だけ垂直方向にずれるように形成される。同様に、スリットピッチ「Ｙ」を有して隣接するスリット１１ｂ−２１１及びスリット１１ｂ−３１１は、スリット１１ｂ−３１１がスリット１１ｂ−２１１に対して画素ピッチ「Ｘ」に相当する幅だけ垂直方向にずれるように形成される。以降、全てのスリット１１ｂがこのように形成される。加えて、複数のスリット１１ｂの夫々は、「３×Ｘ×ｔａｎθ＝３×Ｙ／ｃｏｓθ」という式（つまり、「Ｘ×ｔａｎθ＝Ｙ／ｃｏｓθ」という式）を満たすように形成されている。
【００８６】
このため、第２変形例においても、上述した効果を好適に享受することができる。
【００８７】
（４）電子機器
続いて、図１２及び図１３を参照しながら、上述の液晶装置１００を具備してなる電子機器の例を説明する。
【００８８】
図１２は、上述した液晶装置１００が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。図１２において、コンピュータ１２００は、キーボード１２０２を備えた本体部１２０４と、上述した液晶装置１００を含んでなる液晶表示ユニット１２０６とから構成されている。液晶表示ユニット１２０６は、液晶装置１００の背面にバックライトを付加することにより構成されている。
【００８９】
次に、上述した液晶装置１００を携帯電話に適用した例について説明する。図１３は、電子機器の一例である携帯電話の斜視図である。図１３において、携帯電話１３００は、複数の操作ボタン１３０２とともに、反射型の表示形式を採用し、且つ上述した液晶装置１００と同様の構成を有する液晶装置１００５を備えている。
【００９０】
これらの電子機器においても、上述した液晶装置１００を含んでいるため、上述した各種効果を好適に享受することができる。
【００９１】
尚、図１２及び図１３を参照して説明した電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置や、液晶プロジェクタ等の投射型の表示装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００９２】
本発明は、上述した実施例に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう液晶装置及び電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００９３】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の要部の電気的な構成を概念的に示すブロック図である。
【図４】サブ画素部のより詳細な構成を概念的に示す平面図である。
【図５】複数のスリットの構成をより詳細に示す平面図である。
【図６】１つのスリットが、水平方向に沿って連続して隣接する６つのサブ画素部を横断するように延在する第１変形例を示す平面図であって、特に、複数のスリットの構成をより詳細に示す平面図である。
【図７】スリット角やスリットピッチを固定値とした場合の上述の式の解を示すグラフである
【図８】スリット角にある程度の幅を持たせ且つスリットピッチを固定値とした場合の上述の式の解を示すグラフである。
【図９】スリット角及びスリットピッチにある程度の幅を持たせた場合の上述の式の解を示すグラフである。
【図１０】第２変形例におけるサブ画素部のより詳細な構成を概念的に示す平面図である。
【図１１】第２変形例における複数のスリットの構成をより詳細に示す平面図である。
【図１２】液晶装置が適用されたモバイル型のパーソナルコンピュータの斜視図である。
【図１３】液晶装置が適用された携帯電話の斜視図である。
【符号の説明】
【００９４】
９ａ…画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１１…共通電極、１１ｂ…スリット、１２…絶縁膜、２０…対向基板、５０…液晶層、５０ａ…液晶分子、７０…表示画素部、７１…サブ画素部、１００…液晶装置、１１６…ＴＦＴ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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