(57)【要約】【課題】現像液から発生する気泡を簡易な構成により低減させ、レジストパターンの未解像欠陥を低減させる。【解決手段】本発明に係る現像装置は、露光済み基板上に現像液を吐出する吐出部と、前記基板と前記吐出部とを収容する現像室と、前記現像室内を加圧する加圧機と、を具備することにより、現像室内での現像液の発泡を抑制する。或いは、前記吐出部に現像液を供給する現像液タンクと、前記現像液タンク内を減圧する減圧機と、を具備することにより、現像液タンク内で現像液中の気体を強制的に除去することにより、現像室内での現像液の発泡を抑制する。【選択図】図１
2010123838.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光済み基板上に現像液を吐出する吐出部と、
前記基板と前記吐出部とを収容する現像室と、
前記現像室内を加圧する加圧機と、
を具備することを特徴とする現像装置。
【請求項２】
露光済み基板上に現像液を吐出する吐出部と、
前記吐出部に現像液を供給する現像液タンクと、
前記現像液タンク内を減圧する減圧機と、
を具備することを特徴とする現像装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記吐出部に現像液を供給する現像液タンクと、
前記現像液タンク内を減圧する減圧機と、
をさらに具備することを特徴とする現像装置。
【請求項４】
請求項２又は３において、
前記現像液タンク内に現像液を補充する補充弁と、
前記補充弁と前記減圧機とを制御する制御部と、
をさらに具備し、
前記制御部は、前記補充弁により現像液を補充させるごとに、前記減圧機により前記現像液タンク内を減圧させることを特徴とする現像装置。
【請求項５】
請求項２又は３において、
前記現像液タンク内に不活性ガスを導入するガス導入弁と、
前記ガス導入弁と前記減圧機とを制御する制御部と、
をさらに具備し、
前記制御部は、前記ガス導入弁により不活性ガスを導入させる前に、前記減圧機により前記現像液タンク内を減圧させることを特徴とする現像装置。
【請求項６】
露光済み基板と前記露光済み基板上に現像液を吐出する吐出部とを収容した現像室内を加圧する工程と、
前記現像室内で前記吐出部により前記基板上に現像液を吐出する工程と、
を具備することを特徴とする現像方法。
【請求項７】
現像液を収容した現像液タンク内を減圧する工程と、
前記現像液タンクから現像液を供給し露光済み基板上に吐出する工程と、
を具備することを特徴とする現像方法。
【請求項８】
基板上にフォトレジスト膜を塗布する工程と、
フォトレジスト膜を塗布した前記基板を露光させる工程と、
露光済みの前記基板と前記基板上に現像液を吐出する吐出部とを収容した現像室内を加圧する工程と、
前記現像室内で前記吐出部により前記基板上に現像液を吐出しレジストパターンを生成する工程と、
前記レジストパターンを用いて前記基板を加工する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
基板上にフォトレジスト膜を塗布する工程と、
フォトレジスト膜を塗布した前記基板を露光させる工程と、
現像液を収容した現像液タンク内を減圧する工程と、
前記現像液タンクから現像液を供給し露光済みの前記基板上に吐出しレジストパターンを生成する工程と、
前記レジストパターンを用いて前記基板を加工する工程と、
を具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、現像装置、現像方法及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程において、露光済み基板上に現像液を吐出してフォトレジストを現像することによりレジストパターンを形成することが行われている。現像液タンク内から現像室内の基板上への現像液の供給は、主に窒素加圧方法が採用されている。この窒素加圧方法は、現像液タンク内を窒素（Ｎ２）ガスで加圧することにより、現像液タンク内と現像室内の圧力差を利用して現像液を供給する方法であり、現像液の流量を安定化しやすいという利点を有している。
【０００３】
しかし、現像液タンク内はほぼ常に窒素で加圧されているため、現像液中に窒素その他の気体が溶けやすい状態にある。この現像液を現像液タンク内より圧力の低い現像室内に供給すると、溶けていた気体が発泡しやすい状態になる。現像液に溶けていた気体が基板上で発泡すると、気泡が現像液とレジストとの接触を妨げることにより、レジストパターンの未解像欠陥が生じるという問題がある。
【０００４】
下記の特許文献１には、現像液の供給前に現像液タンクから真空タンク中に真空吸引し、予め減圧過程を経験させることによって、液中のガス成分を気化させて除去することが記載されている。
【０００５】
【特許文献１】特開平１−２５７８００号公報（第１頁右下欄４〜１２行）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１に記載の技術では、現像液タンクとは別に現像液そのものを真空吸引する真空タンクが必要であり、大掛かりな装置構成となっていた。
【０００７】
本発明に係る幾つかの態様は、現像液から発生する気泡を簡易な構成により低減させ、レジストパターンの未解像欠陥を低減させる現像装置、現像方法及び半導体装置の製造方法に係るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）本発明の一態様に係る現像装置は、
露光済み基板上に現像液を吐出する吐出部と、
前記基板と前記吐出部とを収容する現像室と、
前記現像室内を加圧する加圧機と、
を具備することを特徴とする。
【０００９】
上記現像装置によれば、現像室内を加圧する加圧機を具備したので、現像室内での現像液の発泡を抑制しレジストパターンの未解像欠陥を低減させることができる。
【００１０】
（２）本発明の他の一態様に係る現像装置は、
露光済み基板上に現像液を吐出する吐出部と、
前記吐出部に現像液を供給する現像液タンクと、
前記現像液タンク内を減圧する減圧機と、
を具備することを特徴とする。
【００１１】
上記現像装置によれば、現像液タンク内を減圧する減圧機を具備したので、現像液タンク内で現像液中の気体を強制的に除去することにより、現像室内での現像液の発泡を抑制しレジストパターンの未解像欠陥を低減させることができる。
【００１２】
（３）また、上記（１）において、
前記吐出部に現像液を供給する現像液タンクと、
前記現像液タンク内を減圧する減圧機と、
をさらに具備することが望ましい。
【００１３】
上記現像装置によれば、現像室内を加圧する加圧機を具備し、且つ、現像液タンク内を減圧する減圧機を具備したので、現像室内での現像液の発泡をより効果的に抑制しレジストパターンの未解像欠陥を低減させることができる。
【００１４】
（４）また、上記現像装置において、
前記現像液タンク内に現像液を補充する補充弁と、
前記補充弁と前記減圧機とを制御する制御部と、
をさらに具備し、
前記制御部は、前記補充弁により現像液を補充させるごとに、前記減圧機により前記現像液タンク内を減圧させることが望ましい。
【００１５】
この構成によれば、現像液タンク内に現像液を補充するごとに現像液タンク内を減圧するので、減圧処理の済んでいない現像液が基板上に吐出されることを防止することができる。
【００１６】
（５）また、上記現像装置において、
前記現像液タンク内に不活性ガスを導入するガス導入弁と、
前記ガス導入弁と前記減圧機とを制御する制御部と、
をさらに具備し、
前記制御部は、前記ガス導入弁により不活性ガスを導入させる前に、前記減圧機により前記現像液タンク内を減圧させることが望ましい。
【００１７】
この構成によれば、現像液タンク内に不活性ガスを導入する前に現像液タンク内を減圧するので、減圧により現像液中の気体が除去されて再度現像液中にたくさんの気体が溶けてしまわないうちに、現像液を吐出部に供給することができる。
【００１８】
（６）本発明の一態様に係る現像方法は、
露光済み基板と前記露光済み基板上に現像液を吐出する吐出部とを収容した現像室内を加圧する工程と、
前記現像室内で前記吐出部により前記基板上に現像液を吐出する工程と、
を具備することを特徴とする。
【００１９】
上記現像方法によれば、現像室内を加圧する工程と現像室内で基板上に現像液を吐出する工程とを具備したので、現像室内での現像液の発泡を抑制しレジストパターンの未解像欠陥を低減させることができる。
【００２０】
（７）本発明の他の一態様に係る現像方法は、
現像液を収容した現像液タンク内を減圧する工程と、
前記現像液タンクから現像液を供給し露光済み基板上に吐出する工程と、
を具備することを特徴とする。
【００２１】
上記現像方法によれば、現像液タンク内を減圧する工程と前記現像液タンクから現像液を供給し基板上に吐出する工程とを具備したので、現像液タンク内で現像液中の気体を強制的に除去することにより、現像室内での現像液の発泡を抑制しレジストパターンの未解像欠陥を低減させることができる。
【００２２】
（８）本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、
基板上にフォトレジスト膜を塗布する工程と、
フォトレジスト膜を塗布した前記基板を露光させる工程と、
露光済みの前記基板と前記基板上に現像液を吐出する吐出部とを収容した現像室内を加圧する工程と、
前記現像室内で前記吐出部により前記基板上に現像液を吐出しレジストパターンを生成する工程と、
前記レジストパターンを用いて前記基板を加工する工程と、
を具備することを特徴とする
【００２３】
上記製造方法によれば、現像室内を加圧する工程と現像室内で基板上に現像液を吐出する工程とを具備したので、現像室内での現像液の発泡を抑制しレジストパターンの未解像欠陥を低減させ、高品質の半導体装置を製造することができる。
【００２４】
（９）本発明の他の一態様に係る半導体装置の製造方法は、
基板上にフォトレジスト膜を塗布する工程と、
フォトレジスト膜を塗布した前記基板を露光させる工程と、
現像液を収容した現像液タンク内を減圧する工程と、
前記現像液タンクから現像液を供給し露光済みの前記基板上に吐出しレジストパターンを生成する工程と、
前記レジストパターンを用いて前記基板を加工する工程と、
を具備することを特徴とする。
【００２５】
上記製造方法によれば、現像液タンク内を減圧する工程と前記現像液タンクから現像液を供給し基板上に吐出する工程とを具備したので、現像液タンク内で現像液中の気体を強制的に除去することにより、現像室内での現像液の発泡を抑制しレジストパターンの未解像欠陥を低減させ、高品質の半導体装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
＜１．第１の実施形態＞
以下、図を参照して本発明の第１の実施形態について説明する。
【００２７】
＜１−１．第１の実施形態の構成＞
図１は本発明の第１の実施形態による現像装置を説明するための模式図である。
本実施形態の現像装置は、現像室１０ａ内に、露光済み基板１１を保持するチャック１２と、基板１１上に現像液を吐出するノズル（吐出部）１３とを収容している。さらに現像室１０ａには、現像室１０ａ内を加圧する圧縮ポンプなどの加圧機１４と、加圧空気の脈動を低減するダンパ１５と、排出口１６ａと、排出口１６ａを開閉する電磁弁１６ｂと、現像室１０ａ内の圧力を検知する圧力センサ１７とが取り付けられている。
【００２８】
ダンパ１５は、加圧機１４から出た加圧空気の脈動を低減して、基板１１上に吐出された現像液の液面の揺れを防止するものである。但し、加圧機１４から出た加圧空気の脈動が十分小さいものであれば、ダンパ１５を設けず加圧機１４を現像室１０ａに直接接続してもよい。
【００２９】
現像室１０ａ内のノズル１３は、現像液タンク２０ａの排出口２１ａに接続されている。現像液タンク２０ａには、窒素ガス（不活性ガス）を導入する窒素ガス導入路２２ａ、現像液を補充する現像液補充路２３ａが設けられている。また、排出口２１ａ、窒素ガス導入路２２ａ、現像液補充路２３ａにはそれぞれを開閉する電磁弁２１ｂ、２２ｂ、２３ｂが設けられている。さらに、現像液タンク２０ａ内には、現像液の液面が所定の下限値に達したことを検知する液面センサ２４と、現像液の液面が所定の上限値に達したことを検知する液面センサ２５とが取り付けられている。
【００３０】
圧力センサ１７、液面センサ２４、２５、加圧機１４、電磁弁１６ｂ、２１ｂ、２２ｂ、２３ｂには、制御部２８が接続されている。制御部２８は、圧力センサ１７、液面センサ２４、２５の出力データを受け付け、加圧機１４、電磁弁１６ｂ、２１ｂ、２２ｂ、２３ｂの動作を制御する。
【００３１】
＜１−２．第１の実施形態の動作＞
図２は、第１の実施形態による現像方法の手順を示すフローチャートである。このフローチャートに示す処理は、制御部２８により実行される。
【００３２】
本実施形態の現像装置は、まず、チャック１２により露光済み基板１１を保持する。そして、電磁弁１６ｂを閉じ、加圧機１４を作動させて現像室１０ａ内を加圧する（Ｓ１１）。加圧時において導入する気体は、窒素ガスなどの不活性ガスでもよく、空気でもよい。不活性ガスを導入する場合には、現像室１０ａ内が不活性ガスに置換されてから電磁弁１６ｂを閉じることとしてもよい。現像室１０ａ内が所定の圧力まで加圧されたことを圧力センサ１７の出力により検知した場合（Ｓ１２）、現像液のノズル１３への供給を開始する。
【００３３】
現像液タンク２０ａ内の現像液をノズル１３へ供給するときは、電磁弁２３ｂを閉じた状態で、電磁弁（ガス導入弁）２２ｂを開いて現像液タンク２０ａ内に窒素ガスを導入する。この窒素ガス導入により、現像液タンク２０ａ内の圧力が上昇する。ここで電磁弁２１ｂを開くことにより、現像液タンク２０ａ内の現像液が排出口２１ａから押し出され、現像室１０ａ内のノズル１３から吐出される（Ｓ１３）。
【００３４】
尚、加圧機１４により加圧された現像室１０ａ内の圧力よりも窒素ガス導入により加圧された現像液タンク２０ａ内の圧力が高くなっている場合には、この圧力差のみを利用して現像液タンク２０ａ内から現像室１０ａ内へと現像液を供給することができる。現像液タンク２０ａ内の圧力が現像室１０ａ内に現像液を供給できるほど高くないときは、現像液タンク２０ａと現像室１０ａとの間の流路に現像液の圧送ポンプを設けてもよいし、現像液タンク２０ａを高所に設置してノズル１３との水頭圧差により現像液タンク２０ａ内の圧力不足を補ってもよい。
【００３５】
現像室１０ａ内のノズル１３から吐出された現像液は基板１１上に均等に塗布される。この現像液により露光済み基板が現像される。このとき現像室１０ａ内は上述のように所定の圧力まで加圧されているので、現像液中の気体の発泡が抑制され、高精度の現像が可能となる。
【００３６】
電磁弁２２ｂ、２１ｂを開いてから所定時間が経過したときは（Ｓ１４）、電磁弁２１ｂ及び電磁弁２２ｂを閉じることにより、ノズル１３からの現像液の吐出を止める。また、現像液の吐出終了後、チャック１２の回転運動等により現像液を基板１から取り除く。現像液を基板１から取り除いた後は現像室１０ａ内の加圧状態は不要となるので、電磁弁１６ｂを開く（Ｓ１５）。
【００３７】
現像液の供給により、現像液タンク２０ａ内の現像液の液面が所定の下限値に達したことを液面センサ２４の出力により検知した場合（Ｓ１６）、電磁弁２１ｂ及び電磁弁２２ｂを閉じた状態で電磁弁（補充弁）２３ｂを開く（Ｓ１７）。これにより現像液補充路２３ａから現像液タンク２０ａ内に現像液が補充される。その後、現像液タンク２０ａ内の現像液の液面が所定の上限値に達したことを液面センサ２５の出力により検知した場合（Ｓ１８）、電磁弁２３ｂを閉じて現像液の補充を止める（Ｓ１９）。
【００３８】
＜２．第２の実施形態＞
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
【００３９】
＜２−１．第２の実施形態の構成＞
図３は本発明の第２の実施形態による現像装置を説明するための模式図である。第１の実施形態と同一の構成には同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４０】
本実施形態の現像装置は、現像室１０ｂ内に、露光済み基板１１を保持するチャック１２、基板１１上に現像液を吐出するノズル（吐出部）１３を収容している。本実施形態の現像室１０ｂは、加圧機１４、ダンパ１５、電磁弁１６ｂ、圧力センサ１７が設けられていない点で第１の実施形態と異なる。排出口１６ａは常時開放されているので、現像室１０ｂ内は常時大気圧状態となっている。
【００４１】
現像室１０ｂ内のノズル１３は、現像液タンク２０ｂの排出口２１ａに接続されている。現像液タンク２０ｂには、窒素ガス（不活性ガス）を導入する窒素ガス導入路２２ａ、現像液を補充する現像液補充路２３ａが設けられている。また、排出口２１ａ、窒素ガス導入路２２ａ、現像液補充路２３ａにはそれぞれを開閉する電磁弁２１ｂ、２２ｂ、２３ｂが設けられている。さらに、現像液タンク２０ｂ内には、現像液の液面が所定の下限値に達したことを検知する液面センサ２４と、現像液の液面が所定の上限値に達したことを検知する液面センサ２５とが取り付けられている。本実施形態の現像液タンク２０ｂには、コンプレッサーなどの減圧機２６、現像液タンク２０ｂ内の圧力を検知する圧力センサ２７が設けられている点で第１の実施形態と異なる。
【００４２】
圧力センサ２７、液面センサ２４、２５、減圧機２６、電磁弁２１ｂ、２２ｂ、２３ｂには、制御部２８が接続されている。制御部２８は、圧力センサ２７、液面センサ２４、２５の出力データを受け付け、減圧機２６、電磁弁２１ｂ、２２ｂ、２３ｂの動作を制御する。
【００４３】
＜２−２．第２の実施形態の動作＞
図４は、第２の実施形態による現像方法の手順を示すフローチャートである。このフローチャートに示す処理は、制御部２８により実行される。
【００４４】
本実施形態の現像装置は、現像液の供給を開始する前に、まず、電磁弁２１ｂ、２２ｂ、２３ｂを閉じた状態で、減圧機２６を作動させて現像液タンク２０ｂ内の減圧処理を行う（Ｓ２１）。減圧は、圧力センサ２７の出力により所定の圧力まで低下したことを検知するまで実行する（Ｓ２２）。これにより現像液中の気体を除去することができる。現像液中の気体を除去した後、現像液のノズル１３への供給を開始する。
【００４５】
現像液タンク２０ｂ内の現像液をノズル１３へ供給するときは、チャック１２により露光済み基板１１を保持しておき、減圧機２６を停止させ、電磁弁２３ｂを閉じた状態で、電磁弁（ガス導入弁）２２ｂを開いて現像液タンク２０ｂ内に窒素ガスを導入する。この窒素ガス導入により、現像液タンク２０ｂ内の圧力が上昇する。ここで電磁弁２１ｂを開くことにより、現像液タンク２０ｂ内の現像液が排出口２１ａから押し出され、現像室１０ｂ内のノズル１３から吐出される（Ｓ２３）。このように窒素ガスを導入により現像液を供給するごとに、現像液タンク２０ｂ内に窒素ガスを導入する前に現像液タンク２０ｂ内を減圧するので、減圧により現像液中の気体が除去されて再度現像液中にたくさんの気体が溶けてしまわないうちに、現像液をノズル１３へ供給することができる。また、窒素ガスを導入する前に減圧機２６の作動を停止させるので、導入される窒素ガスがそのまま排気されてしまうようなことが防止される。
【００４６】
尚、現像室１０ｂ内の圧力（大気圧）よりも窒素ガス導入により加圧された現像液タンク２０ｂ内の圧力が高くなっている場合には、この圧力差のみを利用して現像液タンク２０ｂ内から現像室１０ｂ内へと現像液を供給することができる。現像液タンク２０ｂ内の圧力が現像室１０ｂ内に現像液を供給できるほど高くないときは、現像液タンク２０ｂと現像室１０ｂとの間の流路に現像液の圧送ポンプを設けてもよいし、現像液タンク２０ｂを高所に設置してノズル１３との水頭圧差により現像液タンク２０ｂ内の圧力不足を補ってもよい。
【００４７】
現像室１０ｂ内のノズル１３から吐出された現像液は基板１１上に均等に塗布される。この現像液により露光済み基板が現像される。現像液中の気体は上述のように予め強制的に除去されているので、現像室１０ｂ内のノズル１３から吐出した際の気体の発泡が抑制され、高精度の現像が可能となる。
【００４８】
電磁弁２２ｂ、２１ｂを開いてから所定時間が経過したときは（Ｓ２４）、電磁弁２１ｂ及び電磁弁２２ｂを閉じることにより、ノズル１３からの現像液の吐出を止める（Ｓ２５）。また、現像液の吐出終了後、チャック１２の回転運動等により現像液を基板１から取り除く。
【００４９】
現像液の供給により、現像液タンク２０ｂ内の現像液の液面が所定の下限値に達したことを液面センサ２４の出力により検知した場合（Ｓ２６）、電磁弁２１ｂ及び電磁弁２２ｂを閉じた状態で電磁弁（補充弁）２３ｂを開く（Ｓ２７）。これにより現像液補充路２３ａから現像液タンク２０ｂ内に現像液が補充される。その後、現像液タンク２０ｂ内の現像液の液面が所定の上限値に達したことを液面センサ２５の出力により検知した場合（Ｓ２８）、電磁弁２３ｂを閉じて現像液の補充を止める（Ｓ２９）。
【００５０】
このように現像液の補充をしたときにおいて、新たに補充した現像液は減圧処理を経ていない。従って、減圧処理の済んでいない現像液が基板上に吐出されることを防止するため、現像液を補充するごとに、補充後に減圧機２６を作動させて減圧処理を行う。減圧処理の動作は、上述の窒素ガス導入前の減圧処理と同様であり、圧力センサ２７の出力により所定の圧力まで低下したことを検知したら（Ｓ３０）。減圧機２６を作動を停止させる（Ｓ３１）。
【００５１】
窒素ガス導入前の減圧処理（Ｓ２１）と現像液を補充するごとの減圧処理（Ｓ２９）とは、その両方を行ってもよいし、いずれか一方のみを行ってもよい。
【００５２】
＜３．第３の実施形態＞
上述の第１の実施形態では現像室１０ａ内を加圧機１４により加圧した状態で現像液を基板１１上に吐出させることで現像液中の気体の発泡を抑制した。また上述の第２実施形態では予め現像液タンク２０ｂ内を減圧機２６により減圧して現像液中の気体を除去した後、現像液を基板１１上に吐出させた。第３の実施形態は、図示しないが上述の現像室１０ａと現像液タンク２０ｂを組み合わせたものである。
【００５３】
すなわち、予め現像液タンク２０ｂ内を減圧機２６により減圧して現像液中の気体を除去した後、現像室１０ａを加圧機１４により加圧した状態で現像液を基板１１上に吐出させることで現像液中の気体の発泡を抑制する。これにより、現像液の発泡をより効果的に抑制しレジストパターンの未解像欠陥を低減させることができる。
【００５４】
＜４．半導体装置の製造方法＞
次に、本発明の実施形態による半導体装置の製造方法について説明する。
図５（Ａ）〜（Ｆ）は、半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【００５５】
図５（Ａ）に示すように、まず例えばシリコン単結晶の基板１の表面を熱酸化させることによりゲート酸化膜２を形成し、このゲート酸化膜２上にＣＶＤ法によりポリシリコン膜３を形成する。
【００５６】
次に図５（Ｂ）に示すように、基板１上にスピンコート法等によりフォトレジスト膜４を形成する。次に図５（Ｃ）に示すように、この基板１に対し、所定パターンを有するレチクル（図示せず）を介して紫外線等の露光光を照射すると、露光した部分のフォトレジスト膜４が化学変化する。
【００５７】
次に図５（Ｄ）に示すように、露光済みの基板１に現像液を塗布すると、ポジ型のフォトレジスト膜４にあっては露光部分が除去され、ネガ型のフォトレジスト膜４にあっては未露光部分が除去されることで（ここでは例としてポジ型の場合を図示した）、レジストパターンが形成される。この現像工程は、上述の第１〜第３の実施形態のいずれかにより行うものとする。従って、現像液からの気泡の発生を抑制し、レジストパターンの未解像欠陥を低減させ、高品質の半導体装置を製造することができる。
【００５８】
次に、図５（Ｅ）に示すように、レジストパターンをマスクとしてドライエッチングによりポリシリコン膜３の加工を行うことにより、ゲート酸化膜２の上にゲート電極３ｇを形成する。その後、図５（Ｆ）に示すようにフォトレジスト膜３の全体を除去し、イオンドープによりソース領域５ｓ及びドレイン領域５ｄを形成する。さらに例えば、上記と同様のフォトリソグラフィによりソース電極（図示せず）、ドレイン電極（図示せず）を形成する。
【００５９】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】第１の実施形態による現像装置を説明するための模式図
【図２】第１の実施形態による現像方法の手順を示すフローチャート
【図３】第２の実施形態による現像装置を説明するための模式図
【図４】第２の実施形態による現像方法の手順を示すフローチャート
【図５】（Ａ）〜（Ｆ）は、半導体装置の製造方法を説明するための断面図
【符号の説明】
【００６１】
１０ａ、１０ｂ…現像室、１１…基板、１２…チャック、１３…ノズル（吐出部）、１４…加圧機、１５…ダンパ、１６ａ…排出口、１６ｂ…電磁弁、１７…圧力センサ、２０ａ、２０ｂ…現像液タンク、２１ａ…排出口、２１ｂ…電磁弁、２２ａ…窒素ガス導入路、２２ｂ…電磁弁（ガス導入弁）、２３ａ…現像液補充路、２３ｂ…電磁弁（補充弁）、２４、２５…液面センサ、２６…減圧機、２７…圧力センサ、２８…制御部、１…基板、２…ゲート酸化膜、３…ポリシリコン膜、３ｇ…ゲート電極、４…フォトレジスト膜、５ｄ…ドレイン領域、５ｓ…ソース領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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