(57)【要約】【課題】半導体発光素子の寿命を低いコストでかつ個々別々に知らせることが可能な発光装置を提供する。【解決手段】第１封止樹脂１５ａは、エポキシ樹脂であって、半導体発光素子１４の光もしくは熱を受けると、その色及び透明度が経時変化するものであり、光もしくは熱を受けた累積時間が半導体発光素子１４の寿命である一定時間未満のおよそ４万時間に達すると、第１封止樹脂１５ａが劣化して、その色が無色透明から茶褐色へと変化する。これにより、発光装置１１の光度が著しく低下したり、発光装置１１の発光色が著しく変化し、半導体発光素子１４の寿命が来たことを知らせることができる。【選択図】図１Ａ
2010123801.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体発光素子を備える発光装置において、
前記半導体発光素子の周辺部材に、半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて、色、透明度、もしくは接着力が経時変化する材質のものを適用したことを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記半導体発光素子の周辺部材と該周辺部材を除く他の周辺部材との間で、半導体発光素子の出射光もしくは熱による色、透明度、もしくは接着力の経時変化に差異を持たせたことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記半導体発光素子の周辺部材の色、透明度、もしくは接着力が経時変化する時間は、半導体発光素子の寿命よりも短いことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記半導体発光素子の周辺部材の色、透明度、もしくは接着力が経時変化する時間は、２万時間乃至１５万時間であることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
【請求項５】
前記半導体発光素子の周辺部材は、半導体発光素子の光軸上に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記半導体発光素子の周辺部材は、発光装置の外側から視認可能な箇所に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記半導体発光素子の周辺部材は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ノルボネン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、非晶質ナイロン樹脂、ポリアリレート、ポリカーボネート樹脂のうちの少なくとも一つからなることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項８】
前記半導体発光素子の周辺部材は、半導体発光素子の出射光による光触媒作用により色、透明度、もしくは接着力が経時変化することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項９】
前記半導体発光素子は、発光色が青色もしくは紫色のＬＥＤであることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記半導体発光素子の周辺部材は、半導体発光素子を封止する透光性封止樹脂であって、この透光性封止樹脂の少なくとも一部の色、透明度、もしくは接着力が半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて経時変化することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項１１】
前記透光性封止樹脂の少なくとも一部の接着力が経時変化により劣化して、透光性封止樹脂の少なくとも一部がその接着箇所から剥離落下することを特徴とする請求項１０に記載の発光装置。
【請求項１２】
前記透光性封止樹脂の少なくとも一部が前記半導体発光素子のワイヤーに係合していることを特徴とする請求項１１に記載の発光装置。
【請求項１３】
前記半導体発光素子の周辺部材は、半導体発光素子を覆う透光性カバーであって、この透光性カバーの少なくとも一部の色、透明度、もしくは接着力が半導体発光素子の出射光を受けて経時変化することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項１４】
透光性カバーの一部の接着力が経時変化により劣化して、この一部が透光性カバー内に剥離落下することを特徴とする請求項１３に記載の発光装置。
【請求項１５】
前記色もしくは透明度が変化する透光性カバーの一部は、半導体発光素子の光軸を囲むように配置されたことを特徴とする請求項１３に記載の発光装置。
【請求項１６】
前記色もしくは透明度が変化する透光性カバーの一部は、文字、記号、もしくは図形を表すことを特徴とする請求項１３に記載の発光装置。
【請求項１７】
半導体発光素子を覆う透光性カバーを備え、
前記半導体発光素子の周辺部材は、その接着力が経時変化により劣化して、透光性カバー内に剥離落下することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項１８】
前記半導体発光素子の周辺部材は、半導体発光素子を封止する透光性封止樹脂に混入された蛍光体であって、この蛍光体の少なくとも一部の蛍光色が半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて経時変化することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項１９】
半導体発光素子を覆う透光性カバーを備え、
前記半導体発光素子の周辺部材は、前記透光性カバーに混入された蛍光体であって、この蛍光体の少なくとも一部の蛍光色が半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて経時変化することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項２０】
前記半導体発光素子の周辺部材は、半導体発光素子もしくは該半導体発光素子を搭載した基板に塗布されるプライマーであって、このプライマーの色、透明度、もしくは接着力が半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて経時変化することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項２１】
前記プライマーが半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて経時変化すると、プライマーに接するＡｇを含む部材が変色することを特徴とする請求項２０に記載の発光装置。
【請求項２２】
前記半導体発光素子の周辺部材は、半導体発光素子を搭載した基板であって、この基板の少なくとも一部の色が半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて経時変化することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項２３】
前記半導体発光素子の周辺部材は、半導体発光素子の基板を支持するベースであって、このベースの少なくとも一部の色が半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて経時変化することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項２４】
前記半導体発光素子の周辺部材は、基板上に半導体発光素子をダイボンドするダイボンドペーストであって、このダイボンドペーストの接着力が半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて経時変化することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子を用いて、照明等を行う発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
照明器具や看板の光源として、従来から白熱電球、蛍光灯、高圧放電ランプなどが使用されている。このような従来の光源に代わる新しい光源として、ＬＥＤ等の半導体発光素子を用いた光源の開発が進められている。この半導体発光素子の光源は、上記従来の光源と比べて寿命が長いという優れた利点があり、次世代の照明光源としての期待は大きい。
【０００３】
ところで、上記従来の光源の場合は、その寿命を察知し易い。例えば、白熱電球の場合は、寿命が来ると、フィラメントが切れ発光しなくなる上に、電球を外して振ってみると切れたフィラメントがカラカラと音を立てるので、その寿命を明確に知ることができる。また、蛍光灯の場合は、水銀付着により電極付近の黒ずみが生じたり、チラツキや明るさの低下等が生じるので、その寿命が分かり易い。
【０００４】
その一方で、ＬＥＤ等の半導体発光素子は、白熱電球や蛍光灯と比較して格段に長寿命であっても、やがては寿命が来て交換が必要となるが、発光光量等の素子特性が徐々に劣化するため、白熱電球や蛍光灯と比べると、その寿命の察知が困難である。このため、半導体発光素子の寿命が来たもしくは来る直前にあることを知らせる工夫が必要となる。
【０００５】
また、ＬＥＤ等の半導体発光素子を照明光源として用いる場合は、複数の半導体発光素子を用いるが、各半導体発光素子の固体特性差等に起因するそれぞれの寿命差というものを考慮する必要がある。
【０００６】
次に、ＬＥＤ等の半導体発光素子を照明光源として用いた特許文献１及び２について説明する。
【０００７】
特許文献１の装置は、図１１に示すように構成されている。ここでは、商用電源からの交流電圧を降圧、整流、及び平滑等により所定レベルの直流の低電圧に変換して出力するＬＥＤ電源供給部（図示せず）、本体１１１、器具外郭１１２、ＬＥＤユニット１１３、及びレンズ体１１４等を備えている。ＬＥＤユニット１１３には複数の発光ダイオード（ＬＥＤ）が実装されている。レンズ体１１４には各ＬＥＤの前方に位置決めされるレンズ１１４ｄが配置されている。これらのＬＥＤユニット１１３及びレンズ体１１４は、本体１１１及び器具外郭１１２内部に着脱自在に収納され、ＬＥＤユニット１１３の交換が可能になっている。
【０００８】
しかしながら、特許文献１では、ＬＥＤユニットの寿命が来たことを知らせる方法が記載されておらず、ＬＥＤユニットの交換により照明装置の寿命を延ばすことができると記載されているのみである。また、ＬＥＤユニットには複数のＬＥＤが搭載されているにもかかわらず、個々のＬＥＤ間での寿命差というものが考慮されていない。
【０００９】
特許文献２の装置は、図１２に示すように構成されている。ここでは、照明器具１２１は、光源である複数のＬＥＤパッケージ１２２を備えている。照明器具１２１は、予め設定された照明器具１２１の寿命に到来すると、ＬＥＤパッケージ１２２の点灯、消灯を繰り返して、ＬＥＤパッケージ１２２の点灯状態を通常の点灯状態から変化させることにより、寿命であることを告知する。ＬＥＤパッケージ１２２の点灯状態の変化は、点灯装置１２１の使用者にとって容易に確実に認識できる。
【００１０】
詳しくは、駆動用電源（点灯装置）は、複数のＬＥＤパッケージ１２２を点灯させる点灯回路と、各ＬＥＤパッケージ１２２を個別に点灯制御可能な制御回路と、予め設定された駆動用電源の寿命を含む照明器具１の寿命と関連して変化する物理的変化を検知し、これを基に寿命の到来を判定する判定手段と、判定手段が寿命の到来であると判定したときに寿命であることを告知する告知手段とを含んでいる。
【００１１】
判定手段は、例えば、駆動用電源（点灯装置）内の電子部品の特性値（アルミ電解コンデンサの静電容量、ダイオードのリーク電流）や、各ＬＥＤパッケージ１２２の積算点灯時間などを検知し、これらの値が予め決めた値を超えると寿命の到来であると判定する。
【００１２】
告知手段は、判定手段が寿命の到来であると判定すると、各ＬＥＤパッケージ１２２の点灯、消灯を繰り返して、各ＬＥＤパッケージ１２２の点灯状態を通常の点灯状態から変化させることにより、照明器具１２１の寿命であることを使用者に告知する。
【特許文献１】特開２００２−３０４９０４
【特許文献２】特開２００６−２３６６３６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
特許文献２では、各ＬＥＤパッケージ１２２の積算点灯時間を検知していることから、各ＬＥＤパッケージ１２２の寿命を検知して告知していえる。しかしながら、制御手段、判定手段、告知手段を設ける必要があり、装置のコストが高くなる。
【００１４】
また、照明装置の寿命を前提とし、各ＬＥＤパッケージ１２２の積算点灯時間を検知しているものの、各ＬＥＤパッケージ１２２の光源の固体特性差等に起因する寿命差というものが考慮されていない。
【００１５】
そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、半導体発光素子の寿命を低いコストでかつ個々別々に知らせることが可能な発光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明は、半導体発光素子を備える発光装置において、前記半導体発光素子の周辺部材に、半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて、色、透明度、もしくは接着力が経時変化する材質のものを適用している。
【００１７】
また、前記半導体発光素子の周辺部材と該周辺部材を除く他の周辺部材との間で、半導体発光素子の出射光もしくは熱による色、透明度、もしくは接着力の経時変化に差異を持たせている。
【００１８】
更に、前記半導体発光素子の周辺部材の色、透明度、もしくは接着力が経時変化する時間は、半導体発光素子の寿命よりも短くされている。
【００１９】
また、前記半導体発光素子の周辺部材の色、透明度、もしくは接着力が経時変化する時間は、２万時間乃至１５万時間である。
【００２０】
更に、前記半導体発光素子の周辺部材は、半導体発光素子の光軸上に配置されている。
【００２１】
また、前記半導体発光素子の周辺部材は、発光装置の外側から視認可能な箇所に配置されている。
【００２２】
更に、前記半導体発光素子の周辺部材は、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ノルボネン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、非晶質ナイロン樹脂、ポリアリレート、ポリカーボネート樹脂のうちの少なくとも一つからなる。
【００２３】
また、前記半導体発光素子の周辺部材は、半導体発光素子の出射光による光触媒作用により色、透明度、もしくは接着力が経時変化する。
【００２４】
更に、前記半導体発光素子は、発光色が青色もしくは紫色のＬＥＤである。
【００２５】
また、前記半導体発光素子の周辺部材は、半導体発光素子を封止する透光性封止樹脂であって、この透光性封止樹脂の少なくとも一部の色、透明度、もしくは接着力が半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて経時変化する。
【００２６】
更に、前記透光性封止樹脂の少なくとも一部の接着力が経時変化により劣化して、透光性封止樹脂の少なくとも一部がその接着箇所から剥離落下する。
【００２７】
また、前記透光性封止樹脂の少なくとも一部が前記半導体発光素子のワイヤーに係合している。
【００２８】
更に、前記半導体発光素子の周辺部材は、半導体発光素子を覆う透光性カバーであって、この透光性カバーの少なくとも一部の色、透明度、もしくは接着力が半導体発光素子の出射光を受けて経時変化する。
【００２９】
また、透光性カバーの一部の接着力が経時変化により劣化して、この一部が透光性カバー内に剥離落下する。
【００３０】
更に、前記色もしくは透明度が変化する透光性カバーの一部は、半導体発光素子の光軸を囲むように配置されている。
【００３１】
また、前記色もしくは透明度が変化する透光性カバーの一部は、文字、記号、もしくは図形を表す。
【００３２】
更に、半導体発光素子を覆う透光性カバーを備え、前記半導体発光素子の周辺部材は、その接着力が経時変化により劣化して、透光性カバー内に剥離落下する。
【００３３】
また、前記半導体発光素子の周辺部材は、半導体発光素子を封止する透光性封止樹脂に混入された蛍光体であって、この蛍光体の少なくとも一部の蛍光色が半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて経時変化する。
【００３４】
更に、半導体発光素子を覆う透光性カバーを備え、前記半導体発光素子の周辺部材は、前記透光性カバーに混入された蛍光体であって、この蛍光体の少なくとも一部の蛍光色が半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて経時変化する。
【００３５】
また、前記半導体発光素子の周辺部材は、半導体発光素子もしくは該半導体発光素子を搭載した基板に塗布されるプライマーであって、このプライマーの色、透明度、もしくは接着力が半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて経時変化する。
【００３６】
更に、前記プライマーが半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて経時変化すると、プライマーに接するＡｇを含む部材が変色する。
【００３７】
また、前記半導体発光素子の周辺部材は、半導体発光素子を搭載した基板であって、この基板の少なくとも一部の色が半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて経時変化する。
【００３８】
更に、前記半導体発光素子の周辺部材は、半導体発光素子の基板を支持するベースであって、このベースの少なくとも一部の色が半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて経時変化する。
【００３９】
また、前記半導体発光素子の周辺部材は、基板上に半導体発光素子をダイボンドするダイボンドペーストであって、このダイボンドペーストの接着力が半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて経時変化する。
【００４０】
更に、前記半導体発光素子を基板上にダイボンドするダイボンドペーストの接着力が経時変化により劣化して、半導体発光素子がその接着箇所から剥離落下する。
【発明の効果】
【００４１】
本発明の発光装置では、半導体発光素子の周辺部材に、半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて、色、透明度、もしくは接着力が経時変化する材質のものを適用しているので、周辺部材の材質の選択により、その色、透明度、もしくは接着力が変化するまでに要する時間を適宜に設定すれば、半導体発光素子の寿命が来たとき又は寿命が来る直前に、周辺部材の色、透明度、もしくは接着力の変化に基づき半導体発光素子の交換時期を察知することができる。
【００４２】
また、周辺部材の材質の選択だけにより、半導体発光素子の寿命を知らせることができ、コストの増大を招かずに済む。更に、複数の半導体発光素子を用いる構成においては、半導体発光素子別に、周辺部材を色、透明度、もしくは接着力が経時変化する材質のものにすればよく、半導体発光素子の個体特性差による寿命差があっても、それぞれの半導体発光素子の寿命を別々に知らせることができる。
【００４３】
また、半導体発光素子の周辺部材と該周辺部材を除く他の周辺部材との間で、色、透明度、もしくは接着力の経時変化に差異を持たせているので、半導体発光素子の周辺部材の変化を他の周辺部材との比較により明確に認識することができる。
【００４４】
更に、半導体発光素子の周辺部材の色、透明度、もしくは接着力が経時変化する時間は、半導体発光素子の寿命よりも短いので、周辺部材の色、透明度、もしくは接着力の変化に基づき半導体発光素子の交換時期を確実に察知することができる。半導体発光素子の具体的な寿命を考慮すると、例えば周辺部材の色、透明度、もしくは接着力が経時変化する時間を２万時間乃至１５万時間に設定するのがよい。
【００４５】
また、半導体発光素子の周辺部材を半導体発光素子の光軸上に配置しているので、半導体発光素子の出射光を周辺部材に確実に照射して、周辺部材の経時変化をもたらすことができる。
【００４６】
更に、半導体発光素子の周辺部材を発光装置の外側から視認可能な箇所に配置しているので、周辺部材の色や透明度の変化を視認し易い。
【００４７】
例えば、半導体発光素子の周辺部材の材質として、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ノルボネン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、非晶質ナイロン樹脂、ポリアリレート、ポリカーボネート樹脂等を挙げることができる。
【００４８】
また、半導体発光素子の周辺部材の材質として、半導体発光素子の出射光による光触媒作用により色、透明度、もしくは接着力が経時変化するものと定義付けすることができる。
【００４９】
例えば、半導体発光素子としては、発光色が青色もしくは紫色のＬＥＤがある。
【００５０】
例えば、半導体発光素子の周辺部材は、半導体発光素子を封止する透光性封止樹脂であって、この透光性封止樹脂の少なくとも一部の色もしくは透明度が半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて経時変化する。この場合は、半導体発光素子の光が透光性封止樹脂を透過して出射されるので、透光性封止樹脂の色もしくは透明度の経時変化に伴い、透光性封止樹脂を透過して出射された光の色や明るさが変化する。このため、この光の色や明るさの変化に基づき半導体発光素子の寿命を察知することができる。
【００５１】
あるいは、透光性封止樹脂の少なくとも一部の接着力が半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて経時変化するようにしてもよい。そして、透光性封止樹脂少なくとも一部がその接着箇所から剥離落下するようにする。これにより、半導体発光素子の寿命を知らせることができる。
【００５２】
更に、透光性封止樹脂の少なくとも一部が半導体発光素子のワイヤーに係合しているので、透光性封止樹脂の少なくとも一部が剥離落下すると、半導体発光素子のワイヤーが切断される。これにより、半導体発光素子が発光しなくなり、半導体発光素子の寿命が知らされる。
【００５３】
また、半導体発光素子の周辺部材は、半導体発光素子を覆う透光性カバーであって、この透光性カバーの少なくとも一部の色もしくは透明度が半導体発光素子の出射光を受けて経時変化する。この場合は、半導体発光素子の光が透光性カバーを透過して出射されるので、透光性カバーの色もしくは透明度の経時変化に伴い、透光性カバーを透過して出射された光の色や明るさが変化する。このため、この光の色や明るさの変化に基づき半導体発光素子の寿命を察知することができる。
【００５４】
更に、透光性カバーの一部の接着力が経時変化により劣化して、この一部が透光性カバー内に剥離落下するので、この剥離落下したかけらによっても半導体発光素子の寿命を知らせることができる。
【００５５】
また、色もしくは透明度が変化する透光性カバーの一部が半導体発光素子の光軸を囲むように配置されているので、光軸方向では光の色や明るさが変化せず、周辺の光の色や明るさが変化する。
【００５６】
また、色もしくは透明度が変化する透光性カバーの一部が文字、記号、もしくは図形を表すので、寿命が来たことを知らせるメッセージ、寿命時間、会社名、製品名等を表示することができる。
【００５７】
また、半導体発光素子を覆う透光性カバーを備え、半導体発光素子の周辺部材は、その接着力が経時変化により劣化して、透光性カバー内に剥離落下する。透光性カバー内に剥離落下したかけらは、半導体発光素子の発光のときに影となって映って視認し易く、また発光装置を振ったときに透光性カバー内で衝突音を発するので、半導体発光素子の寿命が知らされる。
【００５８】
また、半導体発光素子の周辺部材は、半導体発光素子を封止する透光性封止樹脂又は半導体発光素子を覆う透光性カバーに混入された蛍光体であって、この蛍光体の少なくとも一部の蛍光色が半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて経時変化する。この場合は、蛍光体の蛍光色の変化に基づき半導体発光素子の寿命を察知することができる。
【００５９】
また、半導体発光素子の周辺部材は、半導体発光素子もしくは該半導体発光素子を搭載した基板に塗布されるプライマーであって、このプライマーの色、透明度、もしくは接着力が半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて経時変化する。この場合は、半導体発光素子の光がプライマーを透過して出射されるので、プライマーの色もしくは透明度の経時変化に伴い、プライマーを透過して出射された光の色や明るさが変化する。このため、この光の色や明るさの変化に基づき半導体発光素子の寿命を察知することができる。
【００６０】
また、プライマーが半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて経時変化すると、プライマーに接するＡｇを含む部材が変色するようにしてもよい。
【００６１】
また、半導体発光素子の周辺部材は、半導体発光素子を搭載した基板であって、この基板の少なくとも一部の色が半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて経時変化する。あるいは、半導体発光素子の周辺部材は、半導体発光素子の基板を支持するベースであって、このベースの少なくとも一部の色が半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて経時変化する。これによっても、半導体発光素子の寿命を知らせることができる。
【００６２】
また、半導体発光素子の周辺部材は、基板上に半導体発光素子をダイボンドするダイボンドペーストであって、このダイボンドペーストの接着力が半導体発光素子の出射光もしくは熱を受けて経時変化する。そして、ダイボンドペーストの接着力が経時変化により劣化して、半導体発光素子がその接着箇所から剥離落下する。この場合は、半導体発光素子のワイヤーが切断されて、半導体発光素子が発光しなくなり、半導体発光素子の寿命が知らされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００６３】
以下、本発明の実施形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
【００６４】
(第１実施形態)
図１Ａは、本発明の発光装置の第１実施形態を示す縦断面図である。図１Ａに示すように、第１実施形態の発光装置１１は、基板１２と、基板１２上に搭載された半導体発光素子１４と、基板１２上で半導体発光素子１４を封止する透光性封止樹脂１５と、基板１２を支持するベース１７と、ベース１７上方のスペースを覆う透光性カバー１８とを備えている。
【００６５】
基板１２として、可視光に対する光反射率が高いアルミナ基板を用いている。この基板１２のサイズは、例えば縦横が２．０ｍｍ×１．６ｍｍであり、厚みが０．３ｍｍである。
【００６６】
半導体発光素子１４は、基板１２上にダイボンドペーストを介してダイボンドされ、基板１２上に形成された配線パターン１２Ｐにワイヤーボンド１３を介して接続されている。この半導体発光素子１４は、例えば波長４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の青色波長領域に主発光ピークを有する青色のＬＥＤ（Light Emitting Diode）である。
【００６７】
透光性封止樹脂１５は、約０.７ｍｍの厚さであり、基板１２及び半導体発光素子１４を樹脂封止している。半導体発光素子１４の光は、透光性封止樹脂１５を通じて出射される。
【００６８】
この透光性封止樹脂１５は、半導体発光素子１４の光もしくは熱を受けても、色及び透明度が経時変化し難い第２封止樹脂１５ｂと、半導体発光素子１４の光もしくは熱を受けて、色及び透明度が経時変化する第１封止樹脂１５ａとを積層したものである。
【００６９】
ここでは、第２封止樹脂１５ｂとしてフェニル系シリコーン樹脂を用い、また第１封止樹脂１５ａとしてエポキシ樹脂を用いている。
【００７０】
第２封止樹脂１５ｂは、０．４ｍｍの厚さであり、その表面が基板１２の表面に平行でほぼ平坦となっており、この表面上に第１封止樹脂１５ａが積層されている。
【００７１】
第１封止樹脂１５ａは、０．３ｍｍの厚さであり、第２封止樹脂１５ｂとなるフェニル系シリコーン樹脂の形成硬化後に、第２封止樹脂１５ｂの表面上に第１封止樹脂１５ａとなるエポキシ樹脂が形成硬化されている。硬化前のフェニル系シリコーン樹脂をエポキシ雰囲気にさらすのは良くないので、シリコーン樹脂硬化後に、エポキシ樹脂を注入硬化している。第１封止樹脂１５ａの表面は、基板１２の表面に平行で、ほぼ平坦な表面となっている。
【００７２】
また、第２封止樹脂１５ｂは蛍光体１６を含む。蛍光体１６として、Ｅｕ：ＢＯＳＥまたはＲＯＳＥ(ユ−ロピウム付活ストロンチウムバリウムオルソシリケート、(Ｂａ・Ｓｒ)2ＳｉＯ4：Ｅｕ)のような発光効率が高い平均粒子径５μｍの黄色蛍光体を用いている。このような蛍光体１６は、半導体発光素子１４から出射される青色光を吸収して、波長５５０ｎｍ以上で６００ｎｍ以下の波長領域に発光ピークを有する黄色蛍光を放射する。発光装置１１からは、半導体発光素子１４の青色光と蛍光体１６の黄色光を合わせた白色光が放出される。
【００７３】
このように基板１２上に半導体発光素子１４を搭載し、透光性封止樹脂１５により基板１２及び半導体発光素子１４を樹脂封止したものをチップＬＥＤと称する。このチップＬＥＤをベース１７上に搭載し、透光性カバー１８を取り付ける。
【００７４】
ベース１７は、チップＬＥＤ実装部、放熱部、及び外部電気接点を有している。外部電気接点は、電球の口金形状となっており、金メッキされている。このベース１７の上端を透光性カバー１８下側の開口部に接続して、両者間を封止し、透光性カバー１８によりベース１７上方のスペースを覆っている。
【００７５】
透光性カバー１８は、アクリル樹脂である。あるいは、アクリル樹脂の代わりに、耐熱性の高いシリコーン樹脂を適用すれば、より好ましい。
【００７６】
このような発光装置１１のサイズは、高さ２５ｍｍ、直径１０ｍｍとなっている。
【００７７】
また、このような本実施形態では、半導体発光素子１４以外が周辺部材であり、そのうち、第１封止樹脂１５ａが経時変化する材質の周辺部材である。
【００７８】
次に、発光装置１１の製造過程を説明する。複数の半導体発光素子１４を大基板上にアレイ状に並べてダイボンドして搭載する。そして、エアディスペンス法によりフェニル系シリコーン樹脂（蛍光体１６を混練したもの）を注入し、金型で押付けての加熱プレスによりシリコーン樹脂を硬化させて、第２封止樹脂１５ｂを形成する。引き続いて、エアディスペンス法によりエポキシ樹脂を注入し、金型で押付けての加熱プレスによりエポキシ樹脂を硬化させて、第１封止樹脂１５ａを形成する。
【００７９】
この後、ダイシングにより大基板を、半導体発光素子１４をそれぞれ搭載した複数の基板１２に切り分ける。これにより、基板１２上に半導体発光素子１４を搭載し、透光性封止樹脂１５により基板１２及び半導体発光素子１４を樹脂封止したチップＬＥＤが形成される。
【００８０】
このチップＬＥＤをベース１７に搭載する。そして、複数の透光性カバー１８の成形空間が一列に形成された２分割の金型にアクリル樹脂をディスペンス法により順次注入し、チップＬＥＤをそれぞれ搭載した複数のベース１７を該各成形空間の開口部と同一ピッチで一列に並べて保持し、金型の各成形空間の開口部に対して、該各成形空間の開口部と同一ピッチで一列に並んだベース１７を所定位置まで埋め込んで、金型の各成形空間のアクリル樹脂の開口部に各ベース１７の上端を接続し、金型の各成形空間のアクリル樹脂が硬化した後、２分割の金型を分離して、金型の各成形空間からそれぞれの透光性カバー１８を取り出す。これらの透光性カバー１８の開口部にはそれぞれのベース１７の上端が接続された状態となっており、これらが複数の発光装置１１となって完成する。
【００８１】
このような発光装置１１においては、半導体発光素子１４の発光時間が一定時間を越えると、その光度の劣化が大きくなって、半導体発光素子１４の寿命が来たとみなすことができる。
【００８２】
第１封止樹脂１５ａは、先に述べたようにエポキシ樹脂であって、半導体発光素子１４の光もしくは熱を受けると、その色及び透明度が経時変化するものであり、光もしくは熱を受けた累積時間が半導体発光素子１４の寿命である一定時間未満のおよそ４万時間に達すると、第１封止樹脂１５ａが劣化して、その色が無色透明から茶褐色へと変化する。これにより、発光装置１１の光度が著しく低下したり、発光装置１１の発光色が著しく変化し、半導体発光素子１４の寿命が来たことを知らせることができる。
【００８３】
また、第１封止樹脂１５ａの材質の選択だけにより、半導体発光素子１４の寿命を知らせることができ、コストの増大を招かずに済む。更に、複数の発光装置１１を用いる場合は、半導体発光素子１４別に、第１封止樹脂１５ａを設けることになるので、それぞれの半導体発光素子１４の寿命を別々に知らせることができる。
【００８４】
尚、第１封止樹脂１５ａは、経時変化の劣化により色もしくは透明度が変化するだけではなく、第２封止樹脂１５ｂとの接着力を失い、剥離落下する材質のものであっても良い。この場合、変色した箇所が剥がれることで、発光装置１１の光度が急に回復、つまり明るくなる。また、変色した第１封止樹脂１５ａが透光性カバー１８内に落下するため、半導体発光素子１４の発光のときには第１封止樹脂１５ａが影となって透光性カバー１８に映って視認し易く、また発光装置１１を振ったときには透光性カバー１８内の第１封止樹脂１５ａが衝突音を発して、半導体発光素子１４の寿命が知らされる。ここでは、透光性カバー１８が中空であって、チップＬＥＤ周辺に空間があることから、第１封止樹脂１５ａの落下が認識され易い。また、発光装置１１の明るさの増減や第１封止樹脂１５ａの変色を判断し易くするために、透光性カバー１８として透明度が高い材質を用いることが好ましい。
【００８５】
また、第２封止樹脂１５ｂは基板１２とほぼ同じサイズの直方体となっているが、他の形状、例えば円柱状でも構わない。
【００８６】
更に、第２封止樹脂１５ａは蛍光体を含んでいないが、蛍光体を含んでも良い。また、第１封止樹脂１５ａは、第２封止樹脂１５ｂ上の任意の位置に形成可能であるが、半導体発光素子１４の真上、つまり半導体発光素子１４の光軸上にあることが望ましい。
【００８７】
また、１つの基板１２に１つの半導体発光素子１４を搭載しているが、複数の半導体発光素子１４を搭載しても良いし、あるいは１つのベース１７に複数のチップＬＥＤを搭載しても良い。
【００８８】
図１Ｂは、図１Ａの発光装置の変形例を示す縦断面図である。この変形例の発光装置１１ａは、図１Ａの透光性カバー１８の代わりに、カバー１８ａを設けたものであり、スポット型ＬＥＤライトの形状を有している。また、基板１２、半導体発光素子１４、透光性封止樹脂１５、ベース１７等の他の構成部材については、図１Ａの発光装置１１と同様であるが、それらのサイズ、形状、個数、材質、含有成分等を適宜に変更してもよい。
【００８９】
カバー１８ａは、逆円錐台状の側部１８ｃと、半導体発光素子１４の上方に配置された平板部１８ｂとを備えている。
【００９０】
逆円錐台状の側部１８ｃは、その上下に開口部を有しており、下側の開口部にベース１７の上端が接続され、上側の開口部に平板部１８ｂが嵌合されている。
【００９１】
この逆円錐台状の側部１８ｃは、不透明であり、その内壁に光を反射するメッキ層を有している。
【００９２】
平板部１８ｂは、透明板であり、半導体発光素子１４からの光が平板部１８ｂを介して外部へと出射される。
【００９３】
（第２実施形態）
図２は、本発明の発光装置の第２実施形態を示す縦断面図である。尚、図２において、図１Ａと同様の作用を果たす部位には同じ符号を付して、説明を簡略化する。
【００９４】
図２に示すように、第２実施形態の発光装置１１Ａは、基板１２と、基板１２上に搭載された複数の半導体発光素子１４と、基板１２上で各半導体発光素子１４を封止する透光性封止樹脂１５Ａと、基板１２を支持するベース１７Ａと、ベース１７Ａ上方のスペースを覆う透光性カバー１８とを備えている。
【００９５】
基板１２は、図１Ａのものと同様にアルミナ基板であるが、図１Ａのものよりも大きなサイズであって、縦横が３．０ｍｍ×２．０ｍｍであり、厚みが０．３ｍｍである。
【００９６】
透光性封止樹脂１５Ａは、約０.７ｍｍ厚さの単層構造のものであり、基板１２及び各半導体発光素子１４を樹脂封止している。半導体発光素子１４の光は、透光性封止樹脂１５Ａを通じて出射される。
【００９７】
この透光性封止樹脂１５Ａは、半導体発光素子１４の光もしくは熱を受けて、色、透明度、及び接着力が経時変化するポリカーボネート樹脂である。
【００９８】
また、封止樹脂部１５Ａの表面は基板１２の表面に平行でほぼ平坦にされている。更に、封止樹脂部１５Ａに蛍光体１６が混入されている。
【００９９】
このように基板１２上に各半導体発光素子１４を搭載し、透光性封止樹脂１５Ａにより基板１２及び各半導体発光素子１４を樹脂封止したものがチップＬＥＤである。
【０１００】
ベース１７Ａは、チップＬＥＤ実装部、放熱部、及び外部電気接点の他に、放熱フィン１７ａを有している。放熱フィン１７ａは、チップＬＥＤの半導体発光素子１４の発生した熱を熱伝導により受けて、この熱を放熱する。
【０１０１】
透光性カバー１８は、耐熱性の高いシリコーン樹脂製のものである。
【０１０２】
このような発光装置１１Ａの製造過程は、図１Ａの発光装置１１と同様であり、複数の半導体発光素子１４を大基板上にアレイ状に並べてダイボンドして搭載し、エアディスペンス法によりポリカーボネート樹脂を注入し、金型で押付けての加熱プレスによりポリカーボネート樹脂を硬化させて、封止樹脂１５Ａを形成し、ダイシングにより大基板を、各半導体発光素子１４をそれぞれ搭載した複数の基板１２に切り分けて、複数のチップＬＥＤを形成する。そして、チップＬＥＤをベース１７Ａに搭載し、金型による透光性カバー１８の成型と同時に該透光性カバー１８の開口部にベース１７Ａの上端を接続して、発光装置１１Ａを完成する。
【０１０３】
このような発光装置１１Ａにおいては、半導体発光素子１４の発光時間が一定時間を越えると、その光度の劣化が大きくなって、半導体発光素子１４の寿命が来たとみなすことができる。
【０１０４】
封止樹脂１５Ａは、先に述べたようにポリカーボネート樹脂であって、半導体発光素子１４の光もしくは熱を受けると、その色、透明度、及び接着力が経時変化するものであり、光もしくは熱を受けた累積時間が半導体発光素子１４の寿命である一定時間未満のおよそ５万時間に達すると、封止樹脂１５Ａが劣化して、その色が無色透明から黄褐色へと変化する。これにより、発光装置１１Ａの光度が著しく低下したり、発光装置１１Ａの発光色が著しく変化し、半導体発光素子１４の寿命が来たことを知らせることができる。
【０１０５】
また、光もしくは熱を受けた累積時間がおよそ５万時間に達すると、封止樹脂１５Ａの接着力が劣化するため、封止樹脂１５Ａが基板１２から剥離落下する。透光性カバー１８内壁と封止樹脂１５Ａ間には十分な空間が設けられて、封止樹脂１５Ａが確実に落下するようにされている。図２から明らかなように封止樹脂１５Ａは、半導体発光素子１４のワイヤーボンド１３を包含するように形成されているため、この封止樹脂１５Ａが剥離落下すると、ワイヤーボンド１３が切断されて、半導体発光素子１４が発光しなくなり、半導体発光素子１４の寿命がより確実に知らされる。
【０１０６】
更に、透光性カバー１８は、シリコーン樹脂からなり、封止樹脂１５Ａの劣化が酷くても、外部からチップＬＥＤを保護することができ、またレンズ効果で封止樹脂部１５Ａの変色を拡大して明瞭に見せる役目を果たす。
【０１０７】
また、封止樹脂１５Ａの材質の選択だけにより、半導体発光素子１４の寿命を知らせることができ、コストの増大を招かずに済む。更に、複数の発光装置１１Ａを用いる場合は、半導体発光素子１４別に、封止樹脂１５Ａを設けることになるので、それぞれの半導体発光素子１４の寿命を別々に知らせることができる。
【０１０８】
尚、透光性封止樹脂１５Ａは基板１２とほぼ同じサイズの直方体となっているが、他の形状、例えば円柱状でも構わない。
【０１０９】
また、透光性封止樹脂１５Ａは、半導体発光素子１４の真上、つまり半導体発光素子１４の光軸上にあることが望ましい。
【０１１０】
更に、１つのベース１７に複数のチップＬＥＤを搭載しても良い。
【０１１１】
（第３実施形態）
図３（ａ）及び（ｂ）は、本発明の発光装置の第３実施形態を示す平面図及び該平面図のＡ−Ａに沿って切断して示す縦断面図である。
【０１１２】
図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、第３実施形態の発光装置３１は、基板３２と、基板３２上に搭載された半導体発光素子３４と、基板３２上で半導体発光素子３４を封止する第２封止樹脂３５ｂと、基板３２を支持するベース３７とを備えている。
【０１１３】
基板３２は、アルミナ９５％のアルミナ基板である。そのサイズは、縦横が１８．０ｍｍ×１８．０ｍｍであり、厚みが１．５ｍｍ厚である。
【０１１４】
基板３２の両端には、該基板３２をベース３７に取付るためのネジ穴が形成されている。この基板３２上に平行に並んだ配線パターン３３が形成され、各配線パターン３３間に１０〜２０並列３直列の複数の半導体発光素子３４が搭載され、各半導体発光素子３４の端子が各配線パターン３３を通じて基板３２上のそれぞれのパッド部３２ａに接続されている。
【０１１５】
また、基板３２の一部及び半導体発光素子３４は、第２封止樹脂３５ｂにより樹脂封止され、第２封止樹脂３５ｂの一部の上に第１封止樹脂３５ａが積層形成されている。第１封止樹脂３５ａは、中央列の各半導体発光素子３４の範囲だけを覆っている。
【０１１６】
第１及び第２封止樹脂３５ａ、３５ｂのいずれも、その表面が基板３２の表面に平行でほぼ平坦となっている。
【０１１７】
また、第１及び第２封止樹脂３５ａ、３５ｂのいずれも、透光性を有する。第２封止樹脂３５ｂは、全ての半導体発光素子３４を覆うことから、全ての半導体発光素子３４の光が第２封止樹脂３５ｂを通じて出射される。また、第１封止樹脂３５ａは、中央列の各半導体発光素子３４だけを覆っていることから、この中央列の各半導体発光素子３４の光だけが第１封止樹脂３５ａを通じて出射される。
【０１１８】
第１封止樹脂３５ａは、厚さが約０.２ｍｍのアクリル樹脂製のものであって、各半導体発光素子３４の光もしくは熱を受けて、色及び透明度が経時変化する。また、第２封止樹脂３５ｂは、厚さが０．３ｍｍのジメチルシリコーン樹脂製のものであって、半導体発光素子１４の光もしくは熱を受けても、色及び透明度が経時変化し難い。
【０１１９】
また、第１及び第２封止樹脂３５ａ、３５ｂのいずれも、各半導体発光素子３４の光を吸収して、各半導体発光素子３４の光とは異なる波長を放射する蛍光体（図示せず）を含んでいる。
【０１２０】
ベース３７は、アルミニウム製のものであって、放熱性を高めるためにフィン３７ａを有する。
【０１２１】
このような発光装置３１は、照明器具（図示せず）の光源として用いられる。この発光装置３１を照明器具に搭載し、発光装置３１の基板３２上の各パッド３２ａを照明器具の電源ラインに半田付け接続し、電力を基板３２上の各パッド３２ａから各配線パターン３３を通じて各半導体発光素子３４に供給して、各半導体発光素子３４を発光させる。発光装置３１の各パッド３２ａと照明器具の電源ライン間の接続を接離可能なコネクタ等により行い、発光装置３１の交換を可能にしても構わない。
【０１２２】
このような発光装置３１においては、各半導体発光素子３４の発光時間が一定時間を越えると、その光度の劣化が大きくなって、半導体発光素子３４の寿命が来たとみなすことができる。
【０１２３】
第１封止樹脂３５ａは、先に述べたようにアクリル樹脂製のものであって、各半導体発光素子３４の光もしくは熱を受けて、色及び透明度が経時変化するものであり、光もしくは熱を受けた累積時間が各半導体発光素子３４の寿命である一定時間未満のおよそ３万時間に達すると、第１封止樹脂３５ａが劣化して、その色が無色透明から茶色へと変化する。これにより、発光装置３１の光度が低下したり、発光装置３１の発光色が変化し、各半導体発光素子３４の寿命が来たことを知らせることができる。
【０１２４】
また、第１封止樹脂３５ａの材質の選択だけにより、各半導体発光素子３４の寿命を知らせることができ、コストの増大を招かずに済む。
【０１２５】
図４は、図３（ａ）、（ｂ）の発光装置の変形例を示す斜視図である。尚、図３（ａ）、（ｂ）において、図４と同様の作用を果たす部位には同じ符号を付す。
【０１２６】
この変形例の発光装置３１Ａでは、矩形平板状のベース３７Ａ上に複数の基板３２を１列に並べて搭載し、各基板３２及び該各基板３２の半導体発光素子３４（図示せず）を半円柱状の第２封止樹脂３５Ｂにより封止し、第２封止樹脂３５Ｂの頂部に第１封止樹脂３５Ａを積層して、第１封止樹脂３５Ａを各基板３２の半導体発光素子３４上に配置したものである。
【０１２７】
ベース３７Ａの端面には一対の接続端子３８が突設されており、これらの接続端子３８がソケット（図示せず）に挿入接続されて、ソケット側の電力ラインから各接続端子３８を通じて各基板３２上の半導体発光素子３４へと電力が供給され、各半導体発光素子３４が発光する。
【０１２８】
このような発光装置３１Ａにおいては、各半導体発光素子３４の発光時間が一定時間を越えると、その光度の劣化が大きくなって、半導体発光素子３４の寿命が来たとみなすことができる。
【０１２９】
第１封止樹脂３５Ａは、アクリル樹脂製のものであって、各半導体発光素子３４の光もしくは熱を受けて、色及び透明度が経時変化するものであり、光もしくは熱を受けた累積時間が各半導体発光素子３４の寿命である一定時間未満のおよそ３万時間に達すると、第１封止樹脂３５Ａが劣化して、その色が無色透明から茶色へと変化する。これにより、発光装置３１Ａの光度が低下したり、発光装置３１Ａの発光色が変化し、各半導体発光素子３４の寿命が来たことを知らせることができる。しかも、第１封止樹脂３５Ａが各基板３２の半導体発光素子３４上に配置された細長い矩形状のものであるため、その色の変化が分り易く、電極付近の変色やチラツキが生じる蛍光灯と同様の感覚で、半導体発光素子３４の寿命を知ることができる。
【０１３０】
(第４実施形態)
図５Ａは、本発明の発光装置の第４実施形態を示す縦断面図である。図５Ａに示すように、第４実施形態の発光装置４１は、基板４２と、基板４２上に搭載された半導体発光素子４４と、基板４２上で半導体発光素子４４を封止する透光性封止樹脂４５と、基板４２を支持するベース４７と、ベース４７上方のスペースを覆う透光性カバー４８とを備えている。
【０１３１】
基板４２として、可視光に対する光反射率が高いアルミナ基板を用いている。この基板４２のサイズは、例えば縦横が２．６ｍｍ×１．６ｍｍであり、厚みが０．３５ｍｍである。
【０１３２】
半導体発光素子４４は、基板４２上にダイボンドペーストを介してダイボンドされ、基板４２上に形成された配線パターン４２Ｐにワイヤーボンド４３を介して接続されている。この半導体発光素子４４は、例えば波長４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の青色波長領域に主発光ピークを有する青色のＬＥＤ（Light Emitting Diode）である。
【０１３３】
透光性封止樹脂４５は、約０.３５ｍｍの厚さであって、その表面が基板４２の表面に平行でほぼ平坦となっており、基板４２及び半導体発光素子４４を樹脂封止している。半導体発光素子４４の光は、透光性封止樹脂４５を通じて出射される。
【０１３４】
この透光性封止樹脂４５は、半導体発光素子４４の光もしくは熱を受けても、色及び透明度が経時変化し難いシリコーン樹脂製のものである。
【０１３５】
また、透光性封止樹脂４５は蛍光体４６を含む。蛍光体４６として、発光効率の高い、一般式：ＥｕａＳｉｂＡｌｃＯｄＮｅで実質的に表されるβ型ＳＩＡＬＯＮである２価のユーロピウム付活酸窒化物蛍光体からなる緑色系発光蛍光体、及び（ＭＩ１−ｆＥｕｆ）ＭIIＳｉＮ３（ＭＩはＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａから選ばれる少なくとも１種の元素を示し、ＭIIはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、Ｇｄ及びＬｕとする）で実質的に表される２価のユーロピウム付活窒化物蛍光体からなる赤色系発光蛍光体を用いた。このような蛍光体４６は、半導体発光素子４４から出射される青色光を吸収して、波長が６００ｎｍ以上で７５０ｎｍ以下の波長領域に発光ピークを有する赤色蛍光及び波長が４９０ｎｍ以上で６００ｎｍ以下の波長領域に発光ピークを有する緑色蛍光を放射する。発光装置４１からは半導体発光素子４４の青色と蛍光体４６の赤色蛍光、緑色蛍光とを合わせた演色性の高い白色光が放出される。
【０１３６】
このように基板４２上に半導体発光素子４４を搭載し、透光性封止樹脂４５により基板４２及び半導体発光素子４４を樹脂封止したチップＬＥＤを形成する。このチップＬＥＤをベース４７上に搭載し、ベース４７に透光性カバー４８を取り付ける。
【０１３７】
ベース４７は、チップＬＥＤ実装部、放熱部、及び外部電気接点を有している。このベース４７の上端を透光性カバー４８下側の開口部に接続して、両者間を封止し、透光性カバー４８によりベース４７上方のスペースを覆っている。
【０１３８】
透光性カバー４８は、アクリル樹脂製のものである。あるいは、アクリル樹脂の代わりに、耐熱性の高いシリコーン樹脂を適用すれば、より好ましい。透光性カバー４８の外周面の一部には、透光性樹脂片４９が貼り付けられている。この透光性樹脂片４９は、半導体発光素子４４の光もしくは熱を受けて、色、透明度、及び接着力が経時変化するポリカーボネート樹脂であり、透光性カバー４８の形成硬化後に該透光性カバー４８の外周面に０．５ｍｍの厚さで形成硬化されたものである。従って、透光性樹脂片４９は、その内周面が透光性カバー４８の外周面と同一の曲面を形成し、透光性カバー４８と一体化されている。
【０１３９】
このような発光装置４１のサイズは、高さ２４ｍｍ、直径１８ｍｍとなっている。
【０１４０】
次に、発光装置４１の製造過程を説明する。複数の半導体発光素子４４を大基板上にアレイ状に並べてダイボンドして搭載する。そして、エアディスペンス法によりアクリル樹脂又はシリコーン樹脂（蛍光体４６を混練したもの）を注入し、金型で押付けての加熱プレスにより樹脂を硬化させて、透光性封止樹脂４５を形成する。
【０１４１】
この後、ダイシングにより大基板を、半導体発光素子４４をそれぞれ搭載した複数の基板４２に切り分ける。これにより、基板４２上に半導体発光素子４４を搭載し、透光性封止樹脂４５により基板４２及び半導体発光素子４４を樹脂封止したチップＬＥＤが形成される。
【０１４２】
このチップＬＥＤをベース４７に搭載する。そして、複数の透光性カバー４８の成形空間が一列に形成された２分割の金型にアクリル樹脂をディスペンス法により順次注入し、チップＬＥＤをそれぞれ搭載した複数のベース４７を該各成形空間の開口部と同一ピッチで一列に並べて保持し、金型の各成形空間の開口部に対して、該各成形空間の開口部と同一ピッチで一列に並んだベース４７を所定位置まで埋め込んで、金型の各成形空間のアクリル樹脂の開口部に各ベース４７の上端を接続し、金型の各成形空間のアクリル樹脂が硬化した後、２分割の金型を分離して、金型の各成形空間からそれぞれの透光性カバー４８を取り出す。これらの透光性カバー４８の開口部にはそれぞれのベース４７の上端が接続された状態となっており、これらの透光性カバー４８の外周面の一部にマスクにより透光性樹脂片４９が形成硬化されて、複数の発光装置４１が完成する。
【０１４３】
このような発光装置４１において、透光性カバー４８の透光性樹脂片４９は、先に述べたように半導体発光素子４４の光もしくは熱を受けると、その色、透明度、及び接着力が経時変化するポリカーボネート樹脂であり、光もしくは熱を受けた累積時間が半導体発光素子４４の寿命である一定時間未満のおよそ４万〜５万時間に達すると、透光性樹脂片４９が劣化して、その色が無色透明から茶褐色へと変化する。これにより、発光装置４１の光度が著しく低下したり、発光装置４１の発光色が著しく変化し、半導体発光素子４４の寿命が来たことを知らせることができる。
【０１４４】
また、透光性樹脂片４９が劣化して透光性カバー４８の表面から剥離落下したときには、発光装置４１の外観が著しく変化するので、半導体発光素子４４の寿命が来たことをより確実に知らせることができる。
【０１４５】
更に、透光性樹脂片４９の材質の選択だけにより、半導体発光素子４４の寿命を知らせることができ、コストの増大を招かずに済む。更に、複数の発光装置４１を用いる場合は、半導体発光素子４４別に、透光性樹脂片４９を設けることになるので、それぞれの半導体発光素子４４の寿命を別々に知らせることができる。
【０１４６】
尚、透光性樹脂片４９を透光性カバー４８の外周面に設ける代わりに、透光性カバー４８の内周面に設けてもよい。この場合、透光性樹脂片４９が透光性カバー４８の内周面から該透光性カバー４８の内側へと剥離落下するため、半導体発光素子４４の発光のときには透光性樹脂片４９が影となって透光性カバー４８に映って視認し易く、また発光装置４１を振ったときには透光性カバー４８内の透光性樹脂片４９が衝突音を発して、半導体発光素子４４の寿命が知らされる。
【０１４７】
また、透光性樹脂片４９は基板４２とほぼ同じサイズの直方体となっているが、他の形状、例えば円柱状でも構わない。
【０１４８】
更に、透光性樹脂片４９は、半導体発光素子４４の真上、つまり半導体発光素子４４の光軸上にあることが望ましいが、半導体発光素子４４からの受光量が著しく低下しない範囲であれば、光軸から外れた位置にあってもよい。
【０１４９】
また、１つの基板４２に１つの半導体発光素子４４を搭載しているが、複数の半導体発光素子４４を搭載しても良いし、あるいは１つのベース４７に複数のチップＬＥＤを搭載しても良い。
【０１５０】
図５Ｂは、図５Ａの発光装置の変形例を示す縦断面図である。この変形例の発光装置４１Ａは、基板４２と、基板４２上に搭載された複数の半導体発光素子４４と、基板４２上で各半導体発光素子４４を封止する透光性封止樹脂４５と、基板４２を支持するベース４７Ａと、ベース４７Ａ上方のスペースを覆う透光性カバー４８Ａとを備えている。
【０１５１】
基板４２は、図５Ａのものと同様にアルミナ基板であるが、図５Ａのものよりも大きなサイズであって、縦横が３．０ｍｍ×２．０ｍｍであり、厚みが０．３ｍｍである。
【０１５２】
半導体発光素子４４及び透光性封止樹脂４５は、図５Ａのものと全く同様である。透光性封止樹脂４５には、蛍光体４６が混入されている。
【０１５３】
ベース４７Ａは、チップＬＥＤ実装部、放熱部、及び外部電気接点の他に、放熱フィン４７ａを有している。放熱フィン４７ａは、半導体発光素子４４の発生した熱を熱伝導により受けて、この熱を放熱する。
【０１５４】
透光性カバー４８Ａは、アクリル樹脂製又はシリコーン樹脂製のものである。透光性カバー４８Ａの外周面の一部には、透光性樹脂片４９Ａが貼り付けられている。この透光性樹脂片４９Ａは、半導体発光素子４４の光もしくは熱を受けて、色、透明度、及び接着力が経時変化するポリカーボネート樹脂であり、透光性カバー４８Ａの形成硬化後に該透光性カバー４８Ａの外周面に０．５ｍｍの厚さで形成硬化されたものである。
【０１５５】
このような発光装置４１Ａにおいては、透光性樹脂片４９Ａが各半導体発光素子４４の真上になく、つまり各半導体発光素子４４の光軸上になく、透光性樹脂片４９Ａが各半導体発光素子４４の光軸から外れた位置にあり、各半導体発光素子４４からの受光量が若干低下する。この透光性樹脂片４９Ａの配置位置は、発光装置４１Ａを外側からみたときに透光性樹脂片４９Ａが視認し易くなるということを前提として設定されたものである。これにより、透光性樹脂片４９Ａの劣化に伴う発光装置４１Ａの光度低下や発光色の変化を見逃さずに済む。
【０１５６】
尚、透光性樹脂片４９Ａを透光性カバー４８Ａの外周面に設ける代わりに、透光性カバー４８Ａの内周面に設けて、透光性樹脂片４９Ａが透光性カバー４８Ａの内側へと剥離落下するようにしてもよい。
【０１５７】
（第５実施形態）
図６（ａ）、（ｂ）は、本発明の発光装置の第５実施形態を示す縦断面図及び斜視図である。尚、図６（ａ）、（ｂ）において、図５Ａと同様の作用を果たす部位には同じ符号を付す。
【０１５８】
図６（ａ）、（ｂ）に示すように、第６実施形態の発光装置４１ａは、ダウンライトとして用いられるものであり、円筒状のベース４７ａの内側に基板４２ａを固定し、基板４２ａ下面に３個の円錐台形状の反射部材１０１を配置し、これらの反射部材１０１の内側にそれぞれの半導体発光素子４４を搭載し、円筒状のベース４７ａの下側開口部を円板状の透光性カバー４８ａで塞いでいる。また、基板４２ａ上面に電源回路１０２を搭載し、円筒状のベース４７ａの上側開口部に放熱フィン１０３を設け、この放熱フィン１０３の上に端子部１０４を設け、この端子部１０４から電源コード１０５を引き出している。更に、円筒状のベース４７ａの下側外周に外装部材１０６を設けている。
【０１５９】
本実施形態の発光装置４１ａでは、３個の半導体発光素子４４別に、透光性カバー４８ａの下面に環状の透光性樹脂片４９ａを設けている。この発光装置４１ａを下方から見たときには、３個の半導体発光素子４４別に、環状の透光性樹脂片４９ａが半導体発光素子４４の光軸を囲むように配置されている。
【０１６０】
このような構成においては、半導体発光素子４４の光もしくは熱を受けて、透光性樹脂片４９ａが劣化し、その色が無色透明から茶褐色へと変化しても、発光装置４１ａ正面方向の光度が低下せず、周辺の光度が低下し、明るさの偏りが少なくなる。
【０１６１】
尚、環状の透光性樹脂片４９ａの代わりに、複数の透光性樹脂片を半導体発光素子４４の光軸を囲むように散在して設けてもよい。複数の透光性樹脂片４９ａを半導体発光素子４４を囲むように配置する場合は、各透光性樹脂片４９ａを文字化、記号化、もしくは図形化して、寿命が来たことを知らせるメッセージ、寿命時間、会社名、製品名等を表示してもよい。
【０１６２】
また、透光性カバー４８ａの下面に各半導体発光素子４４の全てを囲むような大きな環状の透光性樹脂片や複数の透光性樹脂片を設けてもよい。更に、透光性樹脂片を透光性カバー４８ａの上面に設けても構わない。
【０１６３】
（第６実施形態）
図７は、本発明の発光装置の第６実施形態を示す縦断面図である。図７に示すように、第６実施形態の発光装置５１は、基板５２と、基板５２上に搭載された半導体発光素子５４と、基板５２上で半導体発光素子５４を封止する透光性封止樹脂５５と、基板５２を支持するベース５７と、ベース５７上方のスペースを覆う透光性カバー５８とを備えている。
【０１６４】
基板５２として、可視光に対する光反射率が高いアルミナ基板を用いている。この基板５２のサイズは、例えば縦横が２．０ｍｍ×１．６ｍｍであり、厚みが０．３ｍｍである。
【０１６５】
半導体発光素子５４は、基板５２上にダイボンドペーストを介してダイボンドされ、基板５２上に形成された配線パターン５２Ｐにワイヤーボンド５３を介して接続されている。この半導体発光素子５４は、例えば波長２５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の紫外波長領域に主発光ピークを有するＬＥＤ（Light Emitting Diode）である。
【０１６６】
透光性封止樹脂５５は、約０.６ｍｍの厚さであり、基板５２及び半導体発光素子５４を樹脂封止している。半導体発光素子５４の光は、透光性封止樹脂５５を通じて出射される。
【０１６７】
この透光性封止樹脂５５は、半導体発光素子５４の紫外光を受けても、色、透明度、及び接着力が経時変化し難い付加硬化型シリコーンゴムである。透光性封止樹脂部５５の表面は、基板５２の表面に平行でほぼ平坦にされている。
【０１６８】
また、透光性封止樹脂５５は、第１蛍光体５６ａ及び第２蛍光体５６ｂを含有する。ここで、第１蛍光体５６ａは、ＢａＭｇＡｌ１０Ｏ１７:Ｅｕ２＋、平均粒子径６μｍの青色蛍光体であり、第２蛍光体５６ｂは、Ｅｕ：ＢＯＳＥ (ユ−ロピウム付活ストロンチウムバリウムオルソシリケート、(Ｂａ・Ｓｒ)2ＳｉＯ4：Ｅｕ)、平均粒子径８μｍの黄色蛍光体である。第１及び第２蛍光体５６ａ、５６ｂは、半導体発光素子５４から出射される紫外光を吸収して、波長４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長領域に発光ピークを有する青色光及び波長５５０ｎｍ以上で６００ｎｍ以下の波長領域に発光ピークを有する黄色光を放射し、発光装置５１からは、青色光及び黄色光を混合した白色光が放出される。
【０１６９】
第１蛍光体５６ａは、半導体発光素子５４の紫外光の受光時間がおよそ６万時間に到達すると劣化を生じ、その青色光の蛍光量が減る。また、第２蛍光体５６ｂは、６万時間程度の受光時間では劣化を生じ難く、その黄色光の蛍光量が減ることはない。
【０１７０】
このように基板５１上に半導体発光素子５４を搭載し、透光性封止樹脂５５により基板５２及び半導体発光素子５４を樹脂封止したチップＬＥＤを形成する。このチップＬＥＤをベース５７上に搭載し、ベース５７に透光性カバー５８を取り付ける。
【０１７１】
ベース５７は、チップＬＥＤ実装部、放熱部、及び外部電気接点を有している。このベース５７の上端を透光性カバー５８下側の開口部に接続して、両者間を封止し、透光性カバー５８によりベース５７上方のスペースを覆っている。
【０１７２】
このような発光装置５１の製造過程は、図１Ａの発光装置１１と同様であり、複数の半導体発光素子５４を大基板上にアレイ状に並べてダイボンドして搭載し、エアディスペンス法により付加硬化型シリコーンゴム（第１及び第２蛍光体５６ａ、５６ｂを混連したもの）を注入し、金型で押付けての加熱プレスによりシリコーンゴムを硬化させて、透光性封止樹脂５５を形成し、ダイシングにより大基板を、半導体発光素子５４をそれぞれ搭載した複数の基板５２に切り分けて、複数のチップＬＥＤを形成する。そして、チップＬＥＤをベース５７に搭載し、金型による透光性カバー５８の成型と同時に該透光性カバー５８の開口部にベース５７の上端を接続して、発光装置５１を完成する。
【０１７３】
このような発光装置５１においては、先に述べたように透光性封止樹脂５５に第１及び第２蛍光体５６ａ、５６ｂが混入されており、半導体発光素子５４の紫外光の受光時間が半導体発光素子５４の寿命である一定時間未満のおおよそ６万時間に到達すると、第１蛍光体５６ａの青色光の蛍光量が減少するが、第２蛍光体５６ｂの黄色光の蛍光量が減少することはない。このため、半導体発光素子５４の発光時間がおおよそ６万時間に到達すると、第２蛍光体５６ｂの黄色光の蛍光量が相対的に強まり、発光装置５１の照明光が黄色っぽい光に変化する。これにより、発光装置５１の寿命が来たことを知らせることが可能である。
【０１７４】
また、蛍光体の材質の選択だけにより、半導体発光素子５４の寿命を知らせることができ、コストの増大を招かずに済む。更に、複数の発光装置５１を用いる場合は、半導体発光素子５４別に、透光性封止樹脂５５を設けることになるので、それぞれの半導体発光素子５４の寿命を別々に知らせることができる。
【０１７５】
尚、発光装置５１の寿命を知らせるべく、所定時間使用すると蛍光波長が変わっていくような蛍光体を第１蛍光体５６ａとして選択しても良い。
【０１７６】
また、透光性封止樹脂５５は基板５２とほぼ同じサイズの直方体となっているが、他の形状、例えば円柱状でも構わない。
【０１７７】
更に、１つの基板５２に１つの半導体発光素子５４を搭載しているが、複数の半導体発光素子５４を搭載しても良いし、あるいは１つのベース５７に複数のチップＬＥＤを搭載しても良い。
【０１７８】
また、透光性封止樹脂５５の代わりに、透光性カバー５８に第１及び第２蛍光体５６ａ、５６ｂを混入してもよい。この場合は、透光性カバー５８で半導体発光素子５４の紫外光が可視光に変換される。そして、半導体発光素子５４の紫外光の受光時間がおおよそ６万時間に到達すると、透光性カバー５８に含まれる第１蛍光体５６ａの青色光の蛍光量が減少して、発光装置５１の照明光が黄色っぽい光に変化し、発光装置５１の寿命が来たことが知らされる。
【０１７９】
（第７実施形態）
図８は、本発明の発光装置の第７実施形態を示す縦断面図である。図８に示すように、第７実施形態の発光装置６１は、基板６２と、基板６２上に搭載された半導体発光素子６４と、基板６２及び半導体発光素子６４上に塗布されたプライマー６９と、プライマー６９上に積層された透光性封止樹脂６５と、基板６２を支持するベース６７と、ベース６７上方のスペースを覆う透光性カバー６８とを備えている。
【０１８０】
基板６２として、熱伝導性、反射率ともに優れたＬＴＣＣ基板（ガラス／Ａｇ／セラミック＆サーマルビア）を用いている。この基板６２のサイズは、例えば縦横が２．０ｍｍ×２．０ｍｍであり、厚みが０．４ｍｍである。
【０１８１】
半導体発光素子６４は、基板６２上にダイボンドペーストを介してダイボンドされ、基板６２上に形成された配線パターン６２Ｐにワイヤーボンド６３を介して接続されている。この半導体発光素子６４は、例えば波長４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の青色波長領域に主発光ピークを有する青色のＬＥＤである。
【０１８２】
プライマー６９は、エポキシ系樹脂であって、半導体発光素子６４を覆うようにディスペンス法により注入硬化され、厚さ０．１ｍｍの層となったものである。プライマー６９は、半導体発光素子６４の熱を受けて劣化し、この熱を受けた累積時間がおよそ５万時間に到達すると、プライマー６９が無色透明から褐色に変色する。
【０１８３】
透光性封止樹脂６５は、約０.５ｍｍの厚さであり、プライマー６９上に積層されている。この透光性封止樹脂６５は、有機変成シリコーンレジンからなり、その表面が基板６２の表面に平行でほぼ平坦にされている。
【０１８４】
また、透光性封止樹脂６５は、蛍光体６６を含有する。ここで、蛍光体６６は、（Ｙ １−ｘＳｍｘ）３（ＡｌｙＧａ １−ｙ）５Ｏ１２ ：Ｃｅ（ただし、０≦ｘ＜１、０≦ｙ≦１）いわゆるＹＡＧ黄色蛍光体である。その平均粒子径は、１０μｍであった。この黄色蛍光体は、半導体発光素子６４の青色光を吸収して、波長５５０ｎｍ以上で６００ｎｍ以下の波長領域に発光ピークを有する黄色光を放射し、発光装置６１からは、青色光及び黄色光を混合した白色光が放出される。
【０１８５】
このように基板６１上に半導体発光素子６４を搭載したチップＬＥＤをベース６７上に搭載し、ベース６７に透光性カバー６８を取り付ける。
【０１８６】
このベース６７の上端を透光性カバー６８下側の開口部に接続して、両者間を封止し、透光性カバー６８によりベース６７上方のスペースを覆っている。
【０１８７】
このような発光装置６１の製造過程は、図１Ａの発光装置１１と同様であり、複数の半導体発光素子６４を大基板上にアレイ状に並べてダイボンドして搭載し、エアディスペンス法によりプライマー６９を注入硬化後に、エアディスペンス法により有機変成シリコーンレジン（蛍光体６６を含有する）を注入し、有機変成シリコーンレジンを硬化させて、透光性封止樹脂６５を形成し、ダイシングにより大基板を、半導体発光素子６４をそれぞれ搭載した複数の基板６２に切り分けて、複数のチップＬＥＤを形成する。そして、チップＬＥＤをベース６７に搭載し、金型による透光性カバー６８の成型と同時に該透光性カバー６８の開口部にベース６７の上端を接続して、発光装置６１を完成する。
【０１８８】
このような発光装置６１においては、先に述べたようにプライマー６９は、半導体発光素子６４の熱を受けると、無色透明から褐色に変色するエポキシ系樹脂であり、熱を受けた累積時間が半導体発光素子６４の寿命である一定時間未満のおよそ５万時間に達すると、プライマー６９が無色透明から褐色に変色する。これにより、発光装置６１の光度が著しく低下したり、発光装置６１の発光色が著しく変化し、半導体発光素子６４の寿命が来たことを知らせることができる。
【０１８９】
また、プライマー６９の材質の選択だけにより、半導体発光素子６４の寿命を知らせることができ、コストの増大を招かずに済む。更に、複数の発光装置６１を用いる場合は、半導体発光素子６４別に、プライマー６９を設けることになるので、それぞれの半導体発光素子６４の寿命を別々に知らせることができる。
【０１９０】
更に、劣化によりプライマー６９が剥離して、透光性封止樹脂６５がプライマー６９と共に落下した場合は、透光性封止樹脂６５に包含されるワイヤーボンド６３が切断されて、半導体発光素子６４が発光しなくなるので、半導体発光素子６４の寿命がより確実に知らされる。
【０１９１】
また、プライマー６９は、半導体発光素子６４の発生熱により劣化するが、熱が高くなるほど劣化の進行程度が速くなる。そして、半導体発光素子６４の発生熱は、半導体発光素子６４に流れる電流が大きくなるほど高くなる。その一方で、半導体発光素子６４の寿命は、通電による素子内部の結晶欠陥の増加に左右されるといわれており、電流が大きくなるほど半導体発光素子６４の寿命が短くなる傾向にある。従って、半導体発光素子６４に密着するプライマー６９の劣化と半導体発光素子６４の寿命とは、相関があると考えられる。多くのチップＬＥＤを搭載した照明装置内で、各チップＬＥＤ間で電流量のバラツキ（寿命のバラツキ）があった場合でも、チップＬＥＤ毎に、電流量に応じてプライマー６９及び半導体発光素子６４が共に劣化するので、プライマー６９の劣化により半導体発光素子６４の寿命を知ることができる。すなわち、半導体発光素子６４の個体特性差による寿命差があっても、それぞれの半導体発光素子６４の寿命を別々に知らせることができる。
【０１９２】
また、１つの基板６２に１つの半導体発光素子６４を搭載しているが、複数の半導体発光素子６４を搭載しても良いし、あるいは１つのベース６７に複数のチップＬＥＤを搭載しても良い。
【０１９３】
更に、ベース６７と透光性カバー６８の接触部位に密着性向上のためのプライマーを塗布し、このプライマーの変色により半導体発光素子６４の寿命が来たことを知らせても良い。この場合、透光性カバー６８越しにプライマーの変色を容易に見ることができる。
【０１９４】
また、Ａｇ／アルミナというような構成の基板６１をプライマー６９で覆う構造としても良い。この場合、プライマー６９の劣化に伴ってＡｇが酸化し黒くなる。これにより寿命が来たことをさらに分かりやすく知ることができる。
【０１９５】
（第８実施形態）
図９は、本発明の発光装置の第８実施形態を示す縦断面図である。図９に示すように、第８実施形態の発光装置７１は、基板７２と、基板７２上に搭載された半導体発光素子７４と、基板７２上で半導体発光素子７４を封止する透光性封止樹脂７５と、基板７２を支持するベース７７と、ベース７７上方のスペースを覆う透光性カバー７８とを備えている。
【０１９６】
基板７２として、リードフレームが一体形成されたポリフタルアミド（ＰＰＡ）樹脂パッケージ基板を用いている。この基板７２は、その上面側に凹部を有しており、そのサイズは、縦横が３．２ｍｍ×２．８ｍｍであり、厚みが１．０ｍｍである。
【０１９７】
半導体発光素子７４は、基板７２上にダイボンドペーストを介してダイボンドされており、半導体発光素子７４がワイヤーボンド７３を介して配線パターン７２Ｐに接続され、この配線パターン７２Ｐが基板７２上に形成されたリードフレーム（図示せず）に接続されている。この半導体発光素子７４は、例えば波長４００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の青色波長領域に主発光ピークを有する青色の発光素子である。
【０１９８】
基板７２の材料であるポリフタルアミド（ＰＰＡ）樹脂は、半導体発光素子７４の光もしくは熱を受けて劣化し、この光もしくは熱を受けた累積時間がおよそ４万時間に到達すると、基板７２が無色透明から黄褐色に変色する。
【０１９９】
透光性封止樹脂７５は、ジメチルシリコーンを基板７２の凹部に注入硬化してなる約０.５ｍｍ厚さのものである。
【０２００】
この透光性封止樹脂７５は、蛍光体７６を含む。ここで、蛍光体７６は、一般式（Ｃ）：ＭＩＩＩｇＥｕｈＳｉｉＡｌｊＯｋＮｌで実質的に表されるα型ＳＩＡＬＯＮである２価のユーロピウム付活酸窒化物黄色系発光蛍光体である。この黄色蛍光体は、半導体発光素子７４から出射される青色光を吸収して、波長５５０ｎｍ以上で６００ｎｍ以下の波長領域に発光ピークを有する黄色光を放射し、発光装置７１からは、青色光及び黄色光を混合した白色光が放出される。
【０２０１】
このように基板７１上に半導体発光素子７４を搭載したチップＬＥＤをベース７７上に搭載し、ベース７７に透光性カバー７８を取り付けている。
【０２０２】
このような発光装置７１の製造過程は、図１Ａの発光装置１１と同様であり、複数の半導体発光素子７４を大基板上にアレイ状に並べてダイボンドして搭載し、エアディスペンス法によりジメチルシリコーン（蛍光体７６を混連したもの）を注入し硬化させて、透光性封止樹脂７５を形成し、ダイシングにより大基板を、半導体発光素子７４をそれぞれ搭載した複数の基板７２に切り分けて、複数のチップＬＥＤを形成する。そして、チップＬＥＤをベース７７に搭載し、金型による透光性カバー７８の成型と同時に該透光性カバー７８の開口部にベース７７の上端を接続して、発光装置７１を完成する。
【０２０３】
このような発光装置７１においては、先に述べたように基板７２は、半導体発光素子７４の光もしくは熱を受けると、無色透明から黄褐色に変色するポリフタルアミド（ＰＰＡ）樹脂製のものであり、光もしくは熱を受けた累積時間が半導体発光素子７４の寿命である一定時間未満のおよそ４万時間に到達すると、基板７２が無色透明から黄褐色に変色する。半導体発光素子７４が基板７２の凹部に搭載され、半導体発光素子７４の光の一部が基板７２の凹部側壁を透過することから、基板７２の変色により発光装置７１の光度が低下したり発光色が変化し、半導体発光素子７４の寿命が来たことを知らせることができる。
【０２０４】
また、基板７２の材質の選択だけにより、半導体発光素子７４の寿命を知らせることができ、コストの増大を招かずに済む。更に、複数の発光装置７１を用いる場合は、半導体発光素子７４別に、基板７２を設けることになるので、それぞれの半導体発光素子７４の寿命を別々に知らせることができる。
【０２０５】
また、基板７２であるポリフタルアミド（ＰＰＡ）樹脂は、図８のプライマー６９と同様に、半導体発光素子の発生熱により劣化するが、熱が高くなるほど劣化の進行程度が速くなる。一方、半導体発光素子７４の寿命は、電流が大きくなるほど短くなる。従って、半導体発光素子７４近傍の基板７２と半導体発光素子７４の寿命とは、相関がある。多くのチップＬＥＤを搭載した照明装置内で、各チップＬＥＤ間で電流量のバラツキ（寿命のバラツキ）があった場合でも、チップＬＥＤ毎に、電流量に応じて基板７２及び半導体発光素子７４が共に劣化するので、基板７２の劣化により半導体発光素子７４の寿命を知ることができる。すなわち、半導体発光素子７４の個体特性差による寿命差があっても、それぞれの半導体発光素子７４の寿命を別々に知らせることができる。
【０２０６】
また、基板７２と透光性封止樹脂７５間に、半導体発光素子７４の熱を受けて劣化するプライマーを塗布してもよい。このプライマーが劣化して基板７２から剥離したときには、透光性封止樹脂７５がプライマーと共に落下するので、透光性封止樹脂７５に包含されるワイヤーボンド７３が切断されて、半導体発光素子７４が発光しなくなり、半導体発光素子７４の寿命がより確実に知らされる。
【０２０７】
あるいは、透光性封止樹脂７５が影となって透光性カバー７８に映って視認し易く、また発光装置７１を振ったときには透光性カバー７８内の透光性封止樹脂７５が衝突音を発して、半導体発光素子７４の寿命が知らされる。
【０２０８】
また、透光性封止樹脂７５の一部が剥離するだけでも、発光装置７１の光度が著しく低下するので、半導体発光素子７４の寿命が来たことを知らせることができる。
【０２０９】
更に、ベース７７の少なくとも一部を基板７２と同一材質にして、このベース７７の少なくとも一部が半導体発光素子７４の熱を受けて変色するようにしてもよい。
【０２１０】
また、１つの基板７２に１つの半導体発光素子７４を搭載しているが、複数の半導体発光素子７４を搭載しても良いし、あるいは１つのベース７７に複数のチップＬＥＤを搭載しても良い。
【０２１１】
更に、紫外発光の半導体発光素子を用いる場合は、基板７１もしくはベース７７に酸化チタン等の光触媒を含有させてもよい。紫外線＋酸化チタンの光触媒作用により、基板７１もしくはベース７７の樹脂の分解、劣化が起こる。これにより寿命を知ることができる。
【０２１２】
（第９実施形態）
図１０は、本発明の発光装置の第９実施形態を示す縦断面図である。
【０２１３】
図１０に示すように、第９実施形態の発光装置８１は、基板８２と、基板８２上に搭載された半導体発光素子８４と、基板８２上で半導体発光素子８４を封止する透光性封止樹脂８５と、基板８２を支持するベース８７と、ベース８７上方のスペースを覆う透光性カバー８８とを備えている。
【０２１４】
半導体発光素子８４は、基板８２上にダイボンドペースト８９を介してダイボンドされ、基板８２上に形成された配線パターン８２Ｐにワイヤーボンド８３を介して接続されている。
【０２１５】
ダイボンドペースト８９は、ポリイミド樹脂製のものであって、半導体発光素子８４の光もしくは熱を受けて劣化し、この光もしくは熱を受けた累積時間がおよそ４万時間に到達すると、ダイボンドペースト８９が無色透明から茶褐色色に変色したり、基板８２から剥離する。
【０２１６】
透光性封止樹脂８５は、半導体発光素子８４の出射光を吸収して、蛍光放射する蛍光体８６を含む。
【０２１７】
このように基板８１上に半導体発光素子８４を搭載したチップＬＥＤをベース８７上に搭載し、ベース８７に透光性カバー８８を取り付けている。
【０２１８】
このような発光装置８１においては、ダイボンドペースト８９は、半導体発光素子８４の光もしくは熱を受けた時間が半導体発光素子８４の寿命である一定時間未満のおよそ４万時間に到達すると、無色透明から茶褐色に変色する。これにより、半導体発光素子８４の寿命が来たことを知らせることができる。
【０２１９】
また、ワイヤーボンド８３の材質の選択だけにより、半導体発光素子８４の寿命を知らせることができ、コストの増大を招かずに済む。更に、複数の発光装置８１を用いる場合は、半導体発光素子８４別に、基板８２を設けることになるので、それぞれの半導体発光素子８４の寿命を別々に知らせることができる。
【０２２０】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと解される。
【０２２１】
例えば、上記各実施形態の構成要素を適宜に組み合わせることが可能である。また、発光装置の製造方法において、一部の工程の材料を変えるか、もしくは工程を追加することのみで、半導体発光素子の寿命もしくは交換のタイミングを知らせることができる。すなわち、特別な回路や装置を必要とせずに、また照明装置等に複数個の半導体発光装置が使用されていても、個々の寿命を低コストで簡便に判定することができる。
【０２２２】
また、半導体発光素子の光もしくは熱を受けて、色、透明度、もしくは接着力が経時変化する材質としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、イミド樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ノルボネン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、非晶質ナイロン樹脂、ポリアリレート、ポリカーボネート樹脂等があるので、これらのいずれかもしくは幾つかの組合せを適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０２２３】
【図１Ａ】本発明の発光装置の第１実施形態を示す縦断面図である。
【図１Ｂ】図１Ａの発光装置の変形例を示す縦断面図である。
【図２】本発明の発光装置の第２実施形態を示す縦断面図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の発光装置の第３実施形態を示す平面図及び該平面図のＡ−Ａに沿って切断して示す縦断面図である。
【図４】図３（ａ）、（ｂ）の発光装置の変形例を示す斜視図である。
【図５Ａ】本発明の発光装置の第４実施形態を示す縦断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａの発光装置の変形例を示す縦断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、本発明の発光装置の第５実施形態を示す縦断面図及び斜視図である。
【図７】本発明の発光装置の第６実施形態を示す縦断面図である。
【図８】本発明の発光装置の第７実施形態を示す縦断面図である。
【図９】本発明の発光装置の第８実施形態を示す縦断面図である。
【図１０】本発明の発光装置の第９実施形態を示す縦断面図である。
【図１１】（ａ）及び（ｂ）は従来装置を斜め下方及び斜め上方から見て示す分解斜視図である。
【図１２】（ａ）及び（ｂ）は別の従来装置を示す平面図及び断面図である。
【符号の説明】
【０２２４】
１１、３１、４１、５１、６１、７１、８１  発光装置
１２、３２、４２、５２、６２、７２、８２  基板
１３、４３、５３、６３、７３、８３  ワイヤーボンド
１４、３４、４４、５４、６４、７４、８４  半導体発光装置
１５、４５、５５、６５、７５、８５  透光性封止樹脂
１７、３７、４７、５７、６７、７７、８７  ベース
１８、３８、４８、５８、６８、７８、８８  透光性カバー
１６、４６、６６、７６、８６  蛍光体
５６ａ  第１蛍光体
５６ｂ  第２蛍光体
１５ａ、３５ａ、３５Ａ  第１封止樹脂
１５ｂ、３５ｂ、３５Ｂ  第２封止樹脂
４９、４９Ａ  透光性樹脂片
６９  プライマー
８９  ダイボンドペースト
【図１Ａ】
2010123801.tif 000003
【図１Ｂ】
2010123801.tif 000004
【図２】
2010123801.tif 000005
【図３】
2010123801.tif 000006
【図４】
2010123801.tif 000007
【図５Ａ】
2010123801.tif 000008
【図５Ｂ】
2010123801.tif 000009
【図６】
2010123801.tif 000010
【図７】
2010123801.tif 000011
【図８】
2010123801.tif 000012
【図９】
2010123801.tif 000013
【図１０】
2010123801.tif 000014
【図１１】
2010123801.tif 000015
【図１２】
2010123801.tif 000016