(57)【要約】【課題】１ｓｔロットの製品ウエハにおける合わせずれ量が規格外となるのを抑制できる露光方法を提供する。【解決手段】本発明の一態様に係る露光方法は、新マスクを露光装置に設置し、前記新マスクの位置ずれ補正値を加えた露光条件を前記露光装置に設定する工程と、前記露光装置に新機種ウエハを投入し、前記露光条件によって前記新機種ウエハを露光する工程と、を具備し、前記新マスクの位置ずれ補正値は、前記新マスクを作製した後に、前記新マスクのパターンが設計値からずれている量を検査した結果に基づいて補正する値であることを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の被加工層を有する新機種ウエハを用意し、前記第１の被加工層上に第１のレジスト膜を形成する工程と、
第１の露光装置を用い、第１の被合わせパターンを新機種ウエハに形成するための露光を、前記第１のレジスト膜に行う工程と、
前記第１のレジスト膜を現像することにより、前記第１の被加工層上に第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして前記第１の被加工層を加工することにより、前記新機種ウエハに前記第１の被加工層からなる前記第１の被合わせパターンを形成する工程と、
前記第１の被合わせパターンの上又は上方に第２の被加工層を形成する工程と、
前記第２の被加工層上に第２のレジスト膜を形成する工程と、
新マスクが設置された第２の露光装置を用い、前記第１の被合わせパターンに対して合わせる第１の合わせパターンを前記新機種ウエハに形成するための露光を、既存機種ウエハの合わせずれ補正値、既存マスクの位置ずれ補正値及び新マスクの位置ずれ補正値を加えた露光条件によって前記第２のレジスト膜に行う工程と、
前記第２のレジスト膜を現像することにより、前記第２の被加工層上に第２のレジストパターンを形成する工程と、
を具備し、
前記既存機種ウエハの合わせずれ補正値は、
第３の被加工層を有する既存機種ウエハを用意し、前記第３の被加工層上に第３のレジスト膜を形成し、
前記第１の露光装置を用い、第２の被合わせパターンを前記既存機種ウエハに形成するための露光を、前記第３のレジスト膜に行い、
前記第３のレジスト膜を現像することにより、前記第３の被加工層上に第３のレジストパターンを形成し、
前記第３のレジストパターンをマスクとして前記第３の被加工層を加工することにより、前記新機種ウエハに前記第３の被加工層からなる前記第２の被合わせパターンを形成し、
前記第２の被合わせパターンの上又は上方に第４の被加工層を形成し、
前記第４の被加工層上に第４のレジスト膜を形成し、
既存マスクが設置された前記第２の露光装置を用い、前記第２の被合わせパターンに対して合わせる第２の合わせパターンを前記既存機種ウエハに形成するための露光を、前記第４のレジスト膜に行い、
前記第４のレジスト膜を現像することにより、前記第４の被加工層上に第４のレジストパターンを形成し、
前記第２の被合わせパターンと前記第４のレジストパターンの合わせ検査を行い、その検査結果から合わせずれ量を求め、その求められた実績値である合わせずれ量に基づいて補正する値であり、
前記第１の被加工層を加工する方法は前記第３の被加工層を加工する方法と同じであり、前記第１の被合わせパターンの材質は前記第２の被合わせパターンの材質と同じであり、
前記既存マスクの位置ずれ補正値は、前記既存マスクを作製した後に、前記既存マスクのパターンが設計値からずれている量を検査した結果に基づいて補正する値であり、
前記新マスクの位置ずれ補正値は、前記新マスクを作製した後に、前記新マスクのパターンが設計値からずれている量を検査した結果に基づいて補正する値であることを特徴とする露光方法。
【請求項２】
新マスクが設置された露光装置を用い、前記新マスクの位置ずれ補正値を加えた露光条件によって新機種ウエハを露光する工程を具備する露光方法であって、
前記新マスクの位置ずれ補正値は、前記新マスクを作製した後に、前記新マスクのパターンが設計値からずれている量を検査した結果に基づいて補正する値であることを特徴とする露光方法。
【請求項３】
第１の被加工層を有する新機種ウエハを用意し、前記第１の被加工層上に第１のレジスト膜を形成する工程と、
第１の露光装置を用い、第１の被合わせパターンを新機種ウエハに形成するための露光を、前記第１のレジスト膜に行う工程と、
前記第１のレジスト膜を現像することにより、前記第１の被加工層上に第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして前記第１の被加工層を加工することにより、前記新機種ウエハに前記第１の被加工層からなる前記第１の被合わせパターンを形成する工程と、
前記第１の被合わせパターンの上又は上方に第２の被加工層を形成する工程と、
前記第２の被加工層上に第２のレジスト膜を形成する工程と、
新マスクが設置された第２の露光装置を用い、前記第１の被合わせパターンに対して合わせる第１の合わせパターンを前記新機種ウエハに形成するための露光を、既存機種ウエハの合わせずれ補正値を加えた露光条件によって前記第２のレジスト膜に行う工程と、
前記第２のレジスト膜を現像することにより、前記第２の被加工層上に第２のレジストパターンを形成する工程と、
を具備し、
前記既存機種ウエハの合わせずれ補正値は、
第３の被加工層を有する既存機種ウエハを用意し、前記第３の被加工層上に第３のレジスト膜を形成し、
前記第１の露光装置を用い、第２の被合わせパターンを前記既存機種ウエハに形成するための露光を、前記第３のレジスト膜に行い、
前記第３のレジスト膜を現像することにより、前記第３の被加工層上に第３のレジストパターンを形成し、
前記第３のレジストパターンをマスクとして前記第３の被加工層を加工することにより、前記新機種ウエハに前記第３の被加工層からなる前記第２の被合わせパターンを形成し、
前記第２の被合わせパターンの上又は上方に第４の被加工層を形成し、
前記第４の被加工層上に第４のレジスト膜を形成し、
既存マスクが設置された前記第２の露光装置を用い、前記第２の被合わせパターンに対して合わせる第２の合わせパターンを前記既存機種ウエハに形成するための露光を、前記第４のレジスト膜に行い、
前記第４のレジスト膜を現像することにより、前記第４の被加工層上に第４のレジストパターンを形成し、
前記第２の被合わせパターンと前記第４のレジストパターンの合わせ検査を行い、その検査結果から合わせずれ量を求め、その求められた実績値である合わせずれ量に基づいて補正する値であり、
前記第１の被加工層を加工する方法は前記第３の被加工層を加工する方法と同じであり、前記第１の被合わせパターンの材質は前記第２の被合わせパターンの材質と同じであることを特徴とする露光方法。
【請求項４】
第１の被加工層を有する新機種ウエハを用意し、前記第１の被加工層上に第１のレジスト膜を形成する工程と、
第１の露光装置を用い、第１の被合わせパターンを新機種ウエハに形成するための露光を、前記第１のレジスト膜に行う工程と、
前記第１のレジスト膜を現像することにより、前記第１の被加工層上に第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして前記第１の被加工層を加工することにより、前記新機種ウエハに前記第１の被加工層からなる前記第１の被合わせパターンを形成する工程と、
前記第１の被合わせパターンの上又は上方に第２の被加工層を形成する工程と、
前記第２の被加工層上に第２のレジスト膜を形成する工程と、
新マスクが設置された第２の露光装置を用い、前記第１の被合わせパターンに対して合わせる第１の合わせパターンを前記新機種ウエハに形成するための露光を、既存機種ウエハの合わせずれ補正値及び前記新マスクの位置ずれ補正値を加えた露光条件によって前記第２のレジスト膜に行う工程と、
前記第２のレジスト膜を現像することにより、前記第２の被加工層上に第２のレジストパターンを形成する工程と、
を具備し、
前記既存機種ウエハの合わせずれ補正値は、
第３の被加工層を有する既存機種ウエハを用意し、前記第３の被加工層上に第３のレジスト膜を形成し、
前記第１の露光装置を用い、第２の被合わせパターンを前記既存機種ウエハに形成するための露光を、前記第３のレジスト膜に行い、
前記第３のレジスト膜を現像することにより、前記第３の被加工層上に第３のレジストパターンを形成し、
前記第３のレジストパターンをマスクとして前記第３の被加工層を加工することにより、前記新機種ウエハに前記第３の被加工層からなる前記第２の被合わせパターンを形成し、
前記第２の被合わせパターンの上又は上方に第４の被加工層を形成し、
前記第４の被加工層上に第４のレジスト膜を形成し、
既存マスクが設置された前記第２の露光装置を用い、前記第２の被合わせパターンに対して合わせる第２の合わせパターンを前記既存機種ウエハに形成するための露光を、前記第４のレジスト膜に行い、
前記第４のレジスト膜を現像することにより、前記第４の被加工層上に第４のレジストパターンを形成し、
前記第２の被合わせパターンと前記第４のレジストパターンの合わせ検査を行い、その検査結果から合わせずれ量を求め、その求められた実績値である合わせずれ量に基づいて補正する値であり、
前記第１の被加工層を加工する方法は前記第３の被加工層を加工する方法と同じであり、前記第１の被合わせパターンの材質は前記第２の被合わせパターンの材質と同じであり、
前記新マスクの位置ずれ補正値は、前記新マスクを作製した後に、前記新マスクのパターンが設計値からずれている量を検査した結果に基づいて補正する値であることを特徴とする露光方法。
【請求項５】
第１の被加工層を有する新機種ウエハを用意し、前記第１の被加工層上に第１のレジスト膜を形成する工程と、
第１の露光装置を用い、第１の被合わせパターンを新機種ウエハに形成するための露光を、前記第１のレジスト膜に行う工程と、
前記第１のレジスト膜を現像することにより、前記第１の被加工層上に第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして前記第１の被加工層を加工することにより、前記新機種ウエハに前記第１の被加工層からなる前記第１の被合わせパターンを形成する工程と、
前記第１の被合わせパターンの上又は上方に第２の被加工層を形成する工程と、
前記第２の被加工層上に第２のレジスト膜を形成する工程と、
新マスクが設置された第２の露光装置を用い、前記第１の被合わせパターンに対して合わせる第１の合わせパターンを前記新機種ウエハに形成するための露光を、既存機種ウエハの合わせずれ補正値及び既存マスクの位置ずれ補正値を加えた露光条件によって前記第２のレジスト膜に行う工程と、
前記第２のレジスト膜を現像することにより、前記第２の被加工層上に第２のレジストパターンを形成する工程と、
を具備し、
前記既存機種ウエハの合わせずれ補正値は、
第３の被加工層を有する既存機種ウエハを用意し、前記第３の被加工層上に第３のレジスト膜を形成し、
前記第１の露光装置を用い、第２の被合わせパターンを前記既存機種ウエハに形成するための露光を、前記第３のレジスト膜に行い、
前記第３のレジスト膜を現像することにより、前記第３の被加工層上に第３のレジストパターンを形成し、
前記第３のレジストパターンをマスクとして前記第３の被加工層を加工することにより、前記新機種ウエハに前記第３の被加工層からなる前記第２の被合わせパターンを形成し、
前記第２の被合わせパターンの上又は上方に第４の被加工層を形成し、
前記第４の被加工層上に第４のレジスト膜を形成し、
既存マスクが設置された前記第２の露光装置を用い、前記第２の被合わせパターンに対して合わせる第２の合わせパターンを前記既存機種ウエハに形成するための露光を、前記第４のレジスト膜に行い、
前記第４のレジスト膜を現像することにより、前記第４の被加工層上に第４のレジストパターンを形成し、
前記第２の被合わせパターンと前記第４のレジストパターンの合わせ検査を行い、その検査結果から合わせずれ量を求め、その求められた実績値である合わせずれ量に基づいて補正する値であり、
前記第１の被加工層を加工する方法は前記第３の被加工層を加工する方法と同じであり、前記第１の被合わせパターンの材質は前記第２の被合わせパターンの材質と同じであり、
前記既存マスクの位置ずれ補正値は、前記既存マスクを作製した後に、前記既存マスクのパターンが設計値からずれている量を検査した結果に基づいて補正する値であることを特徴とする露光方法。
【請求項６】
請求項１、３乃至５のいずれか一項において、
前記第１の被加工層を加工する方法及び前記第３の被加工層を加工する方法それぞれは、エッチング、イオン注入、熱酸化及び熱処理のいずれか一つの方法であり、
前記第１の被合わせパターンの材質及び前記第２の被合わせパターンの材質それぞれは、Ａｌ合金、ポリシリコン、シリコン酸化物、シリコン窒化物、Ｔｉ合金及び単結晶シリコンのいずれか一つの材質であることを特徴とする露光方法。
【請求項７】
第１の被加工層を有する新機種ウエハを用意し、前記第１の被加工層上に第１のレジスト膜を形成する工程と、
新マスクが設置された露光装置を用い、第１のパターンを前記新機種ウエハに形成するための露光を、前記新マスクの露光量補正値を加えた露光条件によって前記第１のレジスト膜に行う工程と、
前記第１のレジスト膜を現像することにより、前記第１の被加工層上に第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして前記第１の被加工層を加工することにより、前記新機種ウエハに前記第１の被加工層からなる前記第１のパターンを形成する工程と、
を具備し、
前記新マスクの露光量補正値は、新マスクパターン寸法値が既存マスクパターン寸法値からずれている寸法ずれ量に基づいて補正する値であり、
前記新マスクパターン寸法値は、前記新マスクを作製した後に、前記新マスクのパターン寸法が設計値からずれている量を検査した結果に基づく寸法値であり、
前記既存マスクパターン寸法値は、既存マスクを作製した後に、前記既存マスクのパターン寸法が設計値からずれている量を検査した結果に基づく寸法値であり、
前記既存マスクは、第２の被加工層を有する既存機種ウエハを用意し、前記第２の被加工層上に第２のレジスト膜を形成し、第２のパターンを前記既存機種ウエハに形成するための露光を、前記露光装置によって前記第２のレジスト膜に行った際に用いたマスクであり、
前記第１の被加工層を加工する方法は、前記第２のレジスト膜を現像した後の第２のレジストパターンによって前記第２の被加工層を加工する方法と同じであり、
前記第１のパターンの材質は、前記第２のパターンの材質と同じであることを特徴とする露光方法。
【請求項８】
請求項７において、前記新マスクの露光量補正値を加えた露光条件は、前記既存マスクによる実績露光量に前記新マスクの露光量補正値を加えた条件であり、
前記実績露光量は、前記第２のパターンを前記既存機種ウエハに形成するための露光を、前記露光装置によって前記第２のレジスト膜に行った際の露光量であることを特徴とする露光方法。
【請求項９】
請求項７又は８において、前記新マスクの露光量補正値を加えた露光条件は、前記新マスクの露光量補正値及び前記新マスクの位置ずれ補正値を加えた露光条件であり、
前記新マスクの位置ずれ補正値は、前記新マスクを作製した後に、前記新マスクのパターンが設計値からずれている量を検査した結果に基づいて補正する値であることを特徴とする露光方法。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか一項において、
前記第１の被加工層を加工する方法及び前記第２の被加工層を加工する方法それぞれは、エッチング、イオン注入、熱酸化及び熱処理のいずれか一つの方法であり、
前記第１のパターンの材質及び前記第２のパターンの材質それぞれは、Ａｌ合金、ポリシリコン、シリコン酸化物、シリコン窒化物、Ｔｉ合金及び単結晶シリコンのいずれか一つの材質であることを特徴とする露光方法。
【請求項１１】
第１の被加工層を有する新機種ウエハを用意し、前記第１の被加工層上に第１のレジスト膜を形成する工程と、
第１の露光装置を用い、第１の被合わせパターンを新機種ウエハに形成するための露光を、前記第１のレジスト膜に行う工程と、
前記第１のレジスト膜を現像することにより、前記第１の被加工層上に第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして前記第１の被加工層を加工することにより、前記新機種ウエハに前記第１の被加工層からなる前記第１の被合わせパターンを形成する工程と、
前記第１の被合わせパターンの上又は上方に第２の被加工層を形成する工程と、
前記第２の被加工層上に第２のレジスト膜を形成する工程と、
新マスクが設置された第２の露光装置を用い、前記第１の被合わせパターンに対して合わせる第１の合わせパターンを前記新機種ウエハに形成するための露光を、前記新マスクの露光量補正値、前記新マスクの位置ずれ補正値及び既存機種ウエハの合わせずれ補正値を加えた露光条件によって前記第２のレジスト膜に行う工程と、
前記第２のレジスト膜を現像することにより、前記第２の被加工層上に第２のレジストパターンを形成する工程と、
を具備し、
前記新マスクの露光量補正値は、新マスクパターン寸法値が既存マスクパターン寸法値からずれている寸法ずれ量に基づいて補正する値であり、
前記新マスクパターン寸法値は、前記新マスクを作製した後に、前記新マスクのパターン寸法が設計値からずれている量を検査した結果に基づく寸法値であり、
前記既存マスクパターン寸法値は、前記既存マスクを作製した後に、前記既存マスクのパターン寸法が設計値からずれている量を検査した結果に基づく寸法値であり、
前記新マスクの位置ずれ補正値は、前記新マスクを作製した後に、前記新マスクのパターンが設計値からずれている量を検査した結果に基づいて補正する値であり、
前記既存機種ウエハの合わせずれ補正値は、
第３の被加工層を有する既存機種ウエハを用意し、前記第３の被加工層上に第３のレジスト膜を形成し、
前記第１の露光装置を用い、第２の被合わせパターンを前記既存機種ウエハに形成するための露光を、前記第３のレジスト膜に行い、
前記第３のレジスト膜を現像することにより、前記第３の被加工層上に第３のレジストパターンを形成し、
前記第３のレジストパターンをマスクとして前記第３の被加工層を加工することにより、前記新機種ウエハに前記第３の被加工層からなる前記第２の被合わせパターンを形成し、
前記第２の被合わせパターンの上又は上方に第４の被加工層を形成し、
前記第４の被加工層上に第４のレジスト膜を形成し、
既存マスクが設置された前記第２の露光装置を用い、前記第２の被合わせパターンに対して合わせる第２の合わせパターンを前記既存機種ウエハに形成するための露光を、前記第４のレジスト膜に行い、
前記第４のレジスト膜を現像することにより、前記第４の被加工層上に第４のレジストパターンを形成し、
前記第２の被合わせパターンと前記第４のレジストパターンの合わせ検査を行い、その検査結果から合わせずれ量を求め、その求められた実績値である合わせずれ量に基づいて補正する値であり、
前記第１の被加工層を加工する方法は前記第３の被加工層を加工する方法と同じであり、前記第１の被合わせパターンの材質は前記第２の被合わせパターンの材質と同じであることを特徴とする露光方法。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の露光方法を用いて露光する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光方法及び半導体装置の製造方法等に関し、特に１ｓｔロットの製品ウエハにおける合わせずれ量が規格外となるのを抑制できる露光方法及び半導体装置の製造方法等に関する。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来の露光方法について説明する。
まず、新機種の製品ウエハに対応する新しいマスク（レチクル）をマスクメーカーが作製する。次に、マスクメーカーが作製した新しいマスク及び製品ウエハを露光装置に設置し、被合わせパターンに対する合わせ補正値を０（理想状態）とする。この製品ウエハは、被合わせパターン上に合わせパターンを形成するための層が設けられており、この層上にレジスト膜が形成されたものである。
【０００３】
次いで、上記の理想状態とした条件で、その新しいマスクによって１ｓｔロットの製品ウエハ上のレジスト膜を露光する（例えば特許文献１参照）。その後、そのレジスト膜を現像することにより、合わせパターンを形成するための層の上にレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとしてエッチングすることにより、製品ウエハの被合わせパターン上に合わせパターンが形成される。
【０００４】
次に、１ｓｔロットの製品ウエハにおいて合わせパターンが被合わせパターンと合っているか否かの合わせ検査を行い、その検査結果から１ｓｔロットの製品ウエハの合わせずれ量（合わせパターンの被合わせパターンに対する合わせずれ量）が得られる。その合わせずれ量の検査結果を元に合わせ補正値を導出する。
【０００５】
次いで、その合わせ補正値を露光装置に設定し、新しいマスクによって２ｎｄロットの製品ウエハを露光する。合わせ補正値を露光装置に設定することにより、合わせパターンの被合わせパターンに対する合わせが最適化され、２ｎｄロットの製品ウエハでは合わせずれを確実に規格内とすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１１４５２６公報（第１５〜第１６段落）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、上記従来の露光方法では、新しいマスクによって１ｓｔロットの製品ウエハを露光する際、どの程度の合わせずれが発生するかが分かっていないために、高い確率で合わせずれ量が規格外となってしまう。その結果、１ｓｔロットの製品ウエハでは、リワークを行う必要が発生することが多い。
【０００８】
本発明は上述したことを考慮してなされたものであり、本発明に係る態様は、１ｓｔロットの製品ウエハにおける合わせずれ量が規格外となるのを抑制できる露光方法及び半導体装置の製造方法等である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するため、本発明の一態様に係る露光方法は、第１の被加工層を有する新機種ウエハを用意し、前記第１の被加工層上に第１のレジスト膜を形成する工程と、
第１の露光装置を用い、第１の被合わせパターンを新機種ウエハに形成するための露光を、前記第１のレジスト膜に行う工程と、
前記第１のレジスト膜を現像することにより、前記第１の被加工層上に第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして前記第１の被加工層を加工することにより、前記新機種ウエハに前記第１の被加工層からなる前記第１の被合わせパターンを形成する工程と、
前記第１の被合わせパターンの上又は上方に第２の被加工層を形成する工程と、
前記第２の被加工層上に第２のレジスト膜を形成する工程と、
新マスクが設置された第２の露光装置を用い、前記第１の被合わせパターンに対して合わせる第１の合わせパターンを前記新機種ウエハに形成するための露光を、既存機種ウエハの合わせずれ補正値、既存マスクの位置ずれ補正値及び新マスクの位置ずれ補正値を加えた露光条件によって前記第２のレジスト膜に行う工程と、
前記第２のレジスト膜を現像することにより、前記第２の被加工層上に第２のレジストパターンを形成する工程と、
を具備し、
前記既存機種ウエハの合わせずれ補正値は、
第３の被加工層を有する既存機種ウエハを用意し、前記第３の被加工層上に第３のレジスト膜を形成し、
前記第１の露光装置を用い、第２の被合わせパターンを前記既存機種ウエハに形成するための露光を、前記第３のレジスト膜に行い、
前記第３のレジスト膜を現像することにより、前記第３の被加工層上に第３のレジストパターンを形成し、
前記第３のレジストパターンをマスクとして前記第３の被加工層を加工することにより、前記新機種ウエハに前記第３の被加工層からなる前記第２の被合わせパターンを形成し、
前記第２の被合わせパターンの上又は上方に第４の被加工層を形成し、
前記第４の被加工層上に第４のレジスト膜を形成し、
既存マスクが設置された前記第２の露光装置を用い、前記第２の被合わせパターンに対して合わせる第２の合わせパターンを前記既存機種ウエハに形成するための露光を、前記第４のレジスト膜に行い、
前記第４のレジスト膜を現像することにより、前記第４の被加工層上に第４のレジストパターンを形成し、
前記第２の被合わせパターンと前記第４のレジストパターンの合わせ検査を行い、その検査結果から合わせずれ量を求め、その求められた実績値である合わせずれ量に基づいて補正する値であり、
前記第１の被加工層を加工する方法は前記第３の被加工層を加工する方法と同じであり、前記第１の被合わせパターンの材質は前記第２の被合わせパターンの材質と同じであり、
前記既存マスクの位置ずれ補正値は、前記既存マスクを作製した後に、前記既存マスクのパターンが設計値からずれている量を検査した結果に基づいて補正する値であり、
前記新マスクの位置ずれ補正値は、前記新マスクを作製した後に、前記新マスクのパターンが設計値からずれている量を検査した結果に基づいて補正する値であることを特徴とする。
【００１０】
本発明の一態様に係る露光方法は、新マスクが設置された露光装置を用い、前記新マスクの位置ずれ補正値を加えた露光条件によって新機種ウエハを露光する工程を具備する露光方法であって、
前記新マスクの位置ずれ補正値は、前記新マスクを作製した後に、前記新マスクのパターンが設計値からずれている量を検査した結果に基づいて補正する値であることを特徴とする。
【００１１】
本発明の一態様に係る露光方法は、第１の被加工層を有する新機種ウエハを用意し、前記第１の被加工層上に第１のレジスト膜を形成する工程と、
第１の露光装置を用い、第１の被合わせパターンを新機種ウエハに形成するための露光を、前記第１のレジスト膜に行う工程と、
前記第１のレジスト膜を現像することにより、前記第１の被加工層上に第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして前記第１の被加工層を加工することにより、前記新機種ウエハに前記第１の被加工層からなる前記第１の被合わせパターンを形成する工程と、
前記第１の被合わせパターンの上又は上方に第２の被加工層を形成する工程と、
前記第２の被加工層上に第２のレジスト膜を形成する工程と、
新マスクが設置された第２の露光装置を用い、前記第１の被合わせパターンに対して合わせる第１の合わせパターンを前記新機種ウエハに形成するための露光を、既存機種ウエハの合わせずれ補正値を加えた露光条件によって前記第２のレジスト膜に行う工程と、
前記第２のレジスト膜を現像することにより、前記第２の被加工層上に第２のレジストパターンを形成する工程と、
を具備し、
前記既存機種ウエハの合わせずれ補正値は、
第３の被加工層を有する既存機種ウエハを用意し、前記第３の被加工層上に第３のレジスト膜を形成し、
前記第１の露光装置を用い、第２の被合わせパターンを前記既存機種ウエハに形成するための露光を、前記第３のレジスト膜に行い、
前記第３のレジスト膜を現像することにより、前記第３の被加工層上に第３のレジストパターンを形成し、
前記第３のレジストパターンをマスクとして前記第３の被加工層を加工することにより、前記新機種ウエハに前記第３の被加工層からなる前記第２の被合わせパターンを形成し、
前記第２の被合わせパターンの上又は上方に第４の被加工層を形成し、
前記第４の被加工層上に第４のレジスト膜を形成し、
既存マスクが設置された前記第２の露光装置を用い、前記第２の被合わせパターンに対して合わせる第２の合わせパターンを前記既存機種ウエハに形成するための露光を、前記第４のレジスト膜に行い、
前記第４のレジスト膜を現像することにより、前記第４の被加工層上に第４のレジストパターンを形成し、
前記第２の被合わせパターンと前記第４のレジストパターンの合わせ検査を行い、その検査結果から合わせずれ量を求め、その求められた実績値である合わせずれ量に基づいて補正する値であり、
前記第１の被加工層を加工する方法は前記第３の被加工層を加工する方法と同じであり、前記第１の被合わせパターンの材質は前記第２の被合わせパターンの材質と同じであることを特徴とする。
【００１２】
本発明の一態様に係る露光方法は、第１の被加工層を有する新機種ウエハを用意し、前記第１の被加工層上に第１のレジスト膜を形成する工程と、
第１の露光装置を用い、第１の被合わせパターンを新機種ウエハに形成するための露光を、前記第１のレジスト膜に行う工程と、
前記第１のレジスト膜を現像することにより、前記第１の被加工層上に第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして前記第１の被加工層を加工することにより、前記新機種ウエハに前記第１の被加工層からなる前記第１の被合わせパターンを形成する工程と、
前記第１の被合わせパターンの上又は上方に第２の被加工層を形成する工程と、
前記第２の被加工層上に第２のレジスト膜を形成する工程と、
新マスクが設置された第２の露光装置を用い、前記第１の被合わせパターンに対して合わせる第１の合わせパターンを前記新機種ウエハに形成するための露光を、既存機種ウエハの合わせずれ補正値及び前記新マスクの位置ずれ補正値を加えた露光条件によって前記第２のレジスト膜に行う工程と、
前記第２のレジスト膜を現像することにより、前記第２の被加工層上に第２のレジストパターンを形成する工程と、
を具備し、
前記既存機種ウエハの合わせずれ補正値は、
第３の被加工層を有する既存機種ウエハを用意し、前記第３の被加工層上に第３のレジスト膜を形成し、
前記第１の露光装置を用い、第２の被合わせパターンを前記既存機種ウエハに形成するための露光を、前記第３のレジスト膜に行い、
前記第３のレジスト膜を現像することにより、前記第３の被加工層上に第３のレジストパターンを形成し、
前記第３のレジストパターンをマスクとして前記第３の被加工層を加工することにより、前記新機種ウエハに前記第３の被加工層からなる前記第２の被合わせパターンを形成し、
前記第２の被合わせパターンの上又は上方に第４の被加工層を形成し、
前記第４の被加工層上に第４のレジスト膜を形成し、
既存マスクが設置された前記第２の露光装置を用い、前記第２の被合わせパターンに対して合わせる第２の合わせパターンを前記既存機種ウエハに形成するための露光を、前記第４のレジスト膜に行い、
前記第４のレジスト膜を現像することにより、前記第４の被加工層上に第４のレジストパターンを形成し、
前記第２の被合わせパターンと前記第４のレジストパターンの合わせ検査を行い、その検査結果から合わせずれ量を求め、その求められた実績値である合わせずれ量に基づいて補正する値であり、
前記第１の被加工層を加工する方法は前記第３の被加工層を加工する方法と同じであり、前記第１の被合わせパターンの材質は前記第２の被合わせパターンの材質と同じであり、
前記新マスクの位置ずれ補正値は、前記新マスクを作製した後に、前記新マスクのパターンが設計値からずれている量を検査した結果に基づいて補正する値であることを特徴とする。
【００１３】
本発明の一態様に係る露光方法は、第１の被加工層を有する新機種ウエハを用意し、前記第１の被加工層上に第１のレジスト膜を形成する工程と、
第１の露光装置を用い、第１の被合わせパターンを新機種ウエハに形成するための露光を、前記第１のレジスト膜に行う工程と、
前記第１のレジスト膜を現像することにより、前記第１の被加工層上に第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして前記第１の被加工層を加工することにより、前記新機種ウエハに前記第１の被加工層からなる前記第１の被合わせパターンを形成する工程と、
前記第１の被合わせパターンの上又は上方に第２の被加工層を形成する工程と、
前記第２の被加工層上に第２のレジスト膜を形成する工程と、
新マスクが設置された第２の露光装置を用い、前記第１の被合わせパターンに対して合わせる第１の合わせパターンを前記新機種ウエハに形成するための露光を、既存機種ウエハの合わせずれ補正値及び既存マスクの位置ずれ補正値を加えた露光条件によって前記第２のレジスト膜に行う工程と、
前記第２のレジスト膜を現像することにより、前記第２の被加工層上に第２のレジストパターンを形成する工程と、
を具備し、
前記既存機種ウエハの合わせずれ補正値は、
第３の被加工層を有する既存機種ウエハを用意し、前記第３の被加工層上に第３のレジスト膜を形成し、
前記第１の露光装置を用い、第２の被合わせパターンを前記既存機種ウエハに形成するための露光を、前記第３のレジスト膜に行い、
前記第３のレジスト膜を現像することにより、前記第３の被加工層上に第３のレジストパターンを形成し、
前記第３のレジストパターンをマスクとして前記第３の被加工層を加工することにより、前記新機種ウエハに前記第３の被加工層からなる前記第２の被合わせパターンを形成し、
前記第２の被合わせパターンの上又は上方に第４の被加工層を形成し、
前記第４の被加工層上に第４のレジスト膜を形成し、
既存マスクが設置された前記第２の露光装置を用い、前記第２の被合わせパターンに対して合わせる第２の合わせパターンを前記既存機種ウエハに形成するための露光を、前記第４のレジスト膜に行い、
前記第４のレジスト膜を現像することにより、前記第４の被加工層上に第４のレジストパターンを形成し、
前記第２の被合わせパターンと前記第４のレジストパターンの合わせ検査を行い、その検査結果から合わせずれ量を求め、その求められた実績値である合わせずれ量に基づいて補正する値であり、
前記第１の被加工層を加工する方法は前記第３の被加工層を加工する方法と同じであり、前記第１の被合わせパターンの材質は前記第２の被合わせパターンの材質と同じであり、
前記既存マスクの位置ずれ補正値は、前記既存マスクを作製した後に、前記既存マスクのパターンが設計値からずれている量を検査した結果に基づいて補正する値であることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の一態様に係る露光方法において、前記第１の被加工層を加工する方法及び前記第３の被加工層を加工する方法それぞれは、エッチング、イオン注入、熱酸化及び熱処理のいずれか一つの方法であり、
前記第１の被合わせパターンの材質及び前記第２の被合わせパターンの材質それぞれは、Ａｌ合金、ポリシリコン、シリコン酸化物、シリコン窒化物、Ｔｉ合金及び単結晶シリコンのいずれか一つの材質であることも可能である。
【００１５】
本発明の一態様に係る露光方法は、第１の被加工層を有する新機種ウエハを用意し、前記第１の被加工層上に第１のレジスト膜を形成する工程と、
新マスクが設置された露光装置を用い、第１のパターンを前記新機種ウエハに形成するための露光を、前記新マスクの露光量補正値を加えた露光条件によって前記第１のレジスト膜に行う工程と、
前記第１のレジスト膜を現像することにより、前記第１の被加工層上に第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして前記第１の被加工層を加工することにより、前記新機種ウエハに前記第１の被加工層からなる前記第１のパターンを形成する工程と、
を具備し、
前記新マスクの露光量補正値は、新マスクパターン寸法値が既存マスクパターン寸法値からずれている寸法ずれ量に基づいて補正する値であり、
前記新マスクパターン寸法値は、前記新マスクを作製した後に、前記新マスクのパターン寸法が設計値からずれている量を検査した結果に基づく寸法値であり、
前記既存マスクパターン寸法値は、既存マスクを作製した後に、前記既存マスクのパターン寸法が設計値からずれている量を検査した結果に基づく寸法値であり、
前記既存マスクは、第２の被加工層を有する既存機種ウエハを用意し、前記第２の被加工層上に第２のレジスト膜を形成し、第２のパターンを前記既存機種ウエハに形成するための露光を、前記露光装置によって前記第２のレジスト膜に行った際に用いたマスクであり、
前記第１の被加工層を加工する方法は、前記第２のレジスト膜を現像した後の第２のレジストパターンによって前記第２の被加工層を加工する方法と同じであり、
前記第１のパターンの材質は、前記第２のパターンの材質と同じであることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の一態様に係る露光方法において、前記新マスクの露光量補正値を加えた露光条件は、前記既存マスクによる実績露光量に前記新マスクの露光量補正値を加えた条件であり、
前記実績露光量は、前記第２のパターンを前記既存機種ウエハに形成するための露光を、前記露光装置によって前記第２のレジスト膜に行った際の露光量であることも可能である。
【００１７】
また、本発明の一態様に係る露光方法において、前記新マスクの露光量補正値を加えた露光条件は、前記新マスクの露光量補正値及び前記新マスクの位置ずれ補正値を加えた露光条件であり、
前記新マスクの位置ずれ補正値は、前記新マスクを作製した後に、前記新マスクのパターンが設計値からずれている量を検査した結果に基づいて補正する値であることも可能である。
また、本発明の一態様に係る露光方法において、前記第１の被加工層を加工する方法及び前記第２の被加工層を加工する方法それぞれは、エッチング、イオン注入、熱酸化及び熱処理のいずれか一つの方法であり、
前記第１のパターンの材質及び前記第２のパターンの材質それぞれは、Ａｌ合金、ポリシリコン、シリコン酸化物、シリコン窒化物、Ｔｉ合金及び単結晶シリコンのいずれか一つの材質であることも可能である。
【００１８】
本発明の一態様に係る露光方法は、第１の被加工層を有する新機種ウエハを用意し、前記第１の被加工層上に第１のレジスト膜を形成する工程と、
第１の露光装置を用い、第１の被合わせパターンを新機種ウエハに形成するための露光を、前記第１のレジスト膜に行う工程と、
前記第１のレジスト膜を現像することにより、前記第１の被加工層上に第１のレジストパターンを形成する工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクとして前記第１の被加工層を加工することにより、前記新機種ウエハに前記第１の被加工層からなる前記第１の被合わせパターンを形成する工程と、
前記第１の被合わせパターンの上又は上方に第２の被加工層を形成する工程と、
前記第２の被加工層上に第２のレジスト膜を形成する工程と、
新マスクが設置された第２の露光装置を用い、前記第１の被合わせパターンに対して合わせる第１の合わせパターンを前記新機種ウエハに形成するための露光を、前記新マスクの露光量補正値、前記新マスクの位置ずれ補正値及び既存機種ウエハの合わせずれ補正値を加えた露光条件によって前記第２のレジスト膜に行う工程と、
前記第２のレジスト膜を現像することにより、前記第２の被加工層上に第２のレジストパターンを形成する工程と、
を具備し、
前記新マスクの露光量補正値は、新マスクパターン寸法値が既存マスクパターン寸法値からずれている寸法ずれ量に基づいて補正する値であり、
前記新マスクパターン寸法値は、前記新マスクを作製した後に、前記新マスクのパターン寸法が設計値からずれている量を検査した結果に基づく寸法値であり、
前記既存マスクパターン寸法値は、前記既存マスクを作製した後に、前記既存マスクのパターン寸法が設計値からずれている量を検査した結果に基づく寸法値であり、
前記新マスクの位置ずれ補正値は、前記新マスクを作製した後に、前記新マスクのパターンが設計値からずれている量を検査した結果に基づいて補正する値であり、
前記既存機種ウエハの合わせずれ補正値は、
第３の被加工層を有する既存機種ウエハを用意し、前記第３の被加工層上に第３のレジスト膜を形成し、
前記第１の露光装置を用い、第２の被合わせパターンを前記既存機種ウエハに形成するための露光を、前記第３のレジスト膜に行い、
前記第３のレジスト膜を現像することにより、前記第３の被加工層上に第３のレジストパターンを形成し、
前記第３のレジストパターンをマスクとして前記第３の被加工層を加工することにより、前記新機種ウエハに前記第３の被加工層からなる前記第２の被合わせパターンを形成し、
前記第２の被合わせパターンの上又は上方に第４の被加工層を形成し、
前記第４の被加工層上に第４のレジスト膜を形成し、
既存マスクが設置された前記第２の露光装置を用い、前記第２の被合わせパターンに対して合わせる第２の合わせパターンを前記既存機種ウエハに形成するための露光を、前記第４のレジスト膜に行い、
前記第４のレジスト膜を現像することにより、前記第４の被加工層上に第４のレジストパターンを形成し、
前記第２の被合わせパターンと前記第４のレジストパターンの合わせ検査を行い、その検査結果から合わせずれ量を求め、その求められた実績値である合わせずれ量に基づいて補正する値であり、
前記第１の被加工層を加工する方法は前記第３の被加工層を加工する方法と同じであり、前記第１の被合わせパターンの材質は前記第２の被合わせパターンの材質と同じであることを特徴とする。
【００１９】
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、上述した露光方法を用いて露光する工程を有することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】（Ａ），（Ｂ）は表１に示す１ショット内の９ポイントに対応する座標及びずれ量を示す図、（Ｃ）は表１に示す９ポイントに対応する１ショット内の位置を示す図。
【図２】Ｓ.rot 位置ずれの回転方向を示す図。
【図３】（Ａ），（Ｂ）は１ショット内の９ポイントに対応する座標及びずれ量を示す図、（Ｃ）は９ポイントに対応する１ショット内の位置を示す図。
【図４】（Ｂ）は９ポイントにおけるパターン寸法が設計値からずれているずれ量であり、（Ａ）は１ショット内の測定ポイントを示す図、（Ｃ）は９ポイントにおけるパターン寸法が設計値からずれているずれ量。
【図５】レジストの種類によって露光量と寸法の関係が異なることを模式的に示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
（実施形態１）
まず、予め、既存機種ウエハの合わせずれ補正値を準備する。以下に既存機種ウエハの合わせずれ補正値について詳細に説明する。既存機種ウエハとは、すでに露光実績のある既存の機種の製品ウエハを意味する。
【００２２】
既存機種の被合わせパターン（第２の被合わせパターン）を形成するための第１の層を有する既存機種ウエハを用意し、この第１の層上に第１のレジスト膜を形成する。
【００２３】
次いで、第１の所定の露光条件を１号機の露光装置（第１の露光装置）に設定する。次いで、１号機の露光装置に既存機種ウエハを投入し、前記第１の所定の露光条件によって既存機種ウエハの第１のレジスト膜を露光する。次いで、この第１のレジスト膜を現像することにより、前記第１の層上に第１のレジストパターンが形成される。次いで、この第１のレジストパターンをマスクとして、前記第１の層を加工することにより既存機種ウエハには既存機種の被合わせパターンが形成される。次いで、第１のレジストパターンが除去される。なお、本明細書において、「加工」とは、エッチング、イオン注入、熱酸化及び熱処理などをいう。
【００２４】
次に、既存機種の被合わせパターンの上又は上方に、既存機種の合わせパターン（第２の合わせパターン）を形成するための第２の層を設け、この第２の層上に第２のレジスト膜を形成する。なお、前記既存機種の被合わせパターンと前記第２の層との間には複数の層が形成されても良いし、形成されなくても良い。
【００２５】
次いで、既存マスク（既存レチクル）を２号機の露光装置（第２の露光装置）に設置し、第２の所定の条件を２号機の露光装置に設定する。次いで、２号機の露光装置に既存機種ウエハを投入し、前記第２の所定の条件によって既存機種ウエハの第２のレジスト膜を露光する。次いで、この第２のレジスト膜を現像することにより、前記第２の層上に第２のレジストパターンが形成される。
【００２６】
次に、既存機種の被合わせパターンと前記第２のレジストパターンの合わせ検査を行い、その検査結果から合わせずれ量を求め、その求められた実績値である合わせずれ量に基づいて既存機種の合わせずれ補正値を導出する。つまり、既存機種の合わせずれ補正値は、前記合わせすれ量が発生しないように２号機の露光装置の露光条件に加える補正を行う値である。従って、既存機種の合わせずれ補正値を加えた露光条件を２号機の露光装置に設定すれば、既存機種ウエハに発生する合わせずれ量を０又は０に近い値に抑えることができる。
次いで、前記第２のレジストパターンをマスクとして、前記第２の層を加工することにより既存機種ウエハには既存機種の合わせパターンが形成される。次いで、第２のレジストパターンが除去される。既存機種の前記第２の層からなる合わせパターン及び前記第２のレジストパターンそれぞれは、既存機種の被合わせパターンに対して合わせる合わせパターンである。
【００２７】
既存機種ウエハの合わせずれ補正値の一例を下記に示す。
offset-Ｘ'    ０．１μｍ
offset-Ｙ'    ０．１μｍ
Ｗ-scal    ０ｐｐｍ
Ｗ-rot    ０μｒａｄ
Ｓ.scal'    ０．５ｐｐｍ
Ｓ.rot'    ０．５μｒａｄ
【００２８】
なお、露光時の１ショットのサイズは縦２０ｍｍ、横２０ｍｍの正方形であり、offset-Ｘ'は、ショット内のＸ方向の補正値であり、offset-Ｙ'は、ショット内のＹ方向の補正値であり、Ｗ-scalは、ウエハの倍率成分の補正値であり、Ｗ-rotは、ウエハの回転成分の補正値であり、Ｓ.scal'は、ショットの倍率成分の補正値であり、Ｓ.rot'は、ショットの回転成分の補正値である。
【００２９】
次に、新マスクの位置ずれ補正値を準備する。以下に新マスクの位置ずれ補正値について詳細に説明する。新マスク（新レチクル）とは、新機種の製品ウエハである新機種ウエハを露光するためのマスクを意味し、この新マスクは、マスクメーカーによって作製される。
【００３０】
マスクメーカーは、新マスクを作製した後に、この新マスクのパターンが設計値からずれている量を検査し、その検査結果である検査成績表を作成する。この検査成績表の一例を表１に示す。この検査成績表は、１ショット内の９ポイントにおけるパターンの位置ずれ量をＸ，Ｙ座標によって示したものであり、９ポイントに対応する座標は示されていない。
【００３１】
【表１】
2010272799.tif 000002
【００３２】
次に、表１に示す結果から新マスクの位置ずれ量を以下のように計算する。
offset-Ｘ（new）＝Ave（Ｘ１〜Ｘ９）／５＝０．０１［μｍ］
offset-Ｙ（new）＝Ave（Ｙ１〜Ｙ９）／５＝０．０１［μｍ］
なお、Ave（Ｘ１〜Ｘ９）は、表１に示すpoint１からpoint９のＸ座標の平均値であり、Ave（Ｙ１〜Ｙ９）は、表１に示すpoint１からpoint９のＹ座標の平均値である。
【００３３】
次に、上記の位置ずれ量から新マスクの位置ずれ補正値を下記のように計算する。
offset-Ｘ＝（offset-Ｘ'）−（offset-Ｘ（new））
＝０．１−０．０１＝０．０９［μｍ］
offset-Ｙ＝（offset-Ｙ'）−（offset-Ｙ（new））
＝０．１−０．０１＝０．０９［μｍ］
【００３４】
以上の説明により得られた既存機種ウエハの合わせずれ補正値及び新マスクの位置ずれ補正値を表２に示す。W-Scal-X, W-scal-Y, W-Ort, S-Asymmetric-X, S-Asymmetric-Yなど他の補正値に対しても同様に算出することができる。
【００３５】
【表２】
2010272799.tif 000003
【００３６】
次に、新マスクを用いて新機種ウエハを露光する方法について説明する。
新機種の被合わせパターン（第１の被合わせパターン）を形成するための第３の層が設けられ、この第３の層上に第３のレジスト膜が形成された新機種ウエハを用意する。
【００３７】
次いで、第３の所定の露光条件を１号機の露光装置（第１の露光装置）に設定する。次いで、１号機の露光装置に新機種ウエハを投入し、前記第３の所定の露光条件によって新機種ウエハの第３のレジスト膜を露光する。次いで、この第３のレジスト膜を現像することにより、前記第３の層上に第３のレジストパターンが形成される。次いで、この第３のレジストパターンをマスクとして、前記第３の層を加工することにより新機種ウエハには新機種の被合わせパターンが形成される。次いで、第３のレジストパターンが除去される。なお、前記第３の層を加工する方法は、前記第１の層を加工する方法と同じであることが条件となるが、詳細な加工条件は必ずしも同じである必要はない。例えば、前記第３の層を加工する方法がエッチングであれば前記第１の層を加工する方法もエッチングであることが条件となるが、詳細なエッチング条件は異なっていても良い。
【００３８】
次に、新機種の被合わせパターンの上又は上方に、新機種の合わせパターン（第１の合わせパターン）を形成するための第４の層を設け、この第４の層上に第４のレジスト膜を形成する。なお、前記新機種の被合わせパターンと前記第４の層との間には複数の層が形成されても良いし、形成されなくても良い。
【００３９】
次いで、新マスク（新レチクル）を２号機の露光装置（第２の露光装置）に設置し、表２に示す既存機種ウエハの合わせずれ補正値及び新マスクの位置ずれ補正値を加えた露光条件を２号機の露光装置に設定する。次いで、２号機の露光装置に新機種ウエハを投入し、前記露光条件によって新機種ウエハの第４のレジスト膜を露光する。次いで、この第４のレジスト膜を現像することにより、前記第４の層上に第４のレジストパターンが形成される。次いで、この第４のレジストパターンをマスクとして、前記第４の層を加工することにより新機種ウエハには新機種の合わせパターンが形成される。次いで、第４のレジストパターンが除去される。なお、新機種の前記第４の層からなる合わせパターン（第１の合わせパターン）及び前記第４のレジストパターンそれぞれは、新機種の被合わせパターン（第１の被合わせパターン）に対して合わせる合わせパターンである。
【００４０】
新機種の被合わせパターンの材質は、既存機種の被合わせパターンの材質と同じであることが条件となるが、新機種の前記第４の層からなる合わせパターンの材質は、既存機種の前記第２の層からなる合わせパターンの材質と同じであっても良いし、異なっていても良い。被合わせパターン及び合わせパターンそれぞれの材質は、Ａｌ合金、ポリシリコン、シリコン酸化物、シリコン窒化物、Ｔｉ合金及び単結晶シリコンなどが用いられる。
また、前記第４の層を加工する方法は、前記第２の層を加工する方法と同じであっても良いし、異なっていても良い。例えば、前記第４の層を加工する方法がエッチングの場合に前記第２の層を加工する方法が熱酸化であっても良い。
【００４１】
また、新機種ウエハのプロセスフローは既存機種ウエハのプロセスフローと同一であることが好ましいが、新機種ウエハのプロセスフローが既存機種ウエハのプロセスフローと類似するプロセスフローであっても良い。ここでいう類似するプロセスフローとは、工程の増減などの違いがあっても被合わせパターンと合わせパターンが本実施形態の条件に合うプロセスフローをいう。
【００４２】
上記実施形態１によれば、新しいマスクによって１ｓｔロットの製品ウエハを露光する際、新マスクの検査成績表を用いて得られる新マスクの位置ずれ補正値及び既にある露光実績から得られる既存機種ウエハの合わせずれ補正値を加えた露光条件により露光する。これにより、１ｓｔロットの製品ウエハにおける合わせずれ量が規格外となるのを抑制できる。従って、納期の急がれる１ｓｔロットにおいてリワークの発生を低減でき、１ｓｔロットを短納期で流動させることができる。
【００４３】
また、新マスクの位置ずれ補正値のみを露光条件に加えて露光しても１ｓｔロットの製品ウエハにおける合わせずれ量が規格外となるのを抑制できる効果が期待できる。また、既存機種ウエハの合わせずれ補正値のみを露光条件に加えて露光しても１ｓｔロットの製品ウエハにおける合わせずれ量が規格外となるのを抑制できる効果が期待できる。
【００４４】
（実施形態２）
実施形態２は、実施形態１の表１に示す検査成績表の９ポイントに対応する座標が得られている点が実施形態１と異なる。
【００４５】
まず、予め、既存機種ウエハの合わせずれ補正値を準備する。この既存機種ウエハの合わせずれ補正値は実施形態１と同様である。
【００４６】
既存機種ウエハの合わせずれ補正値の一例を下記に示す。この例は、実施形態１と同様である。
offset-Ｘ'    ０．１μｍ
offset-Ｙ'    ０．１μｍ
Ｗ-scal    ０ｐｐｍ
Ｗ-rot    ０μｒａｄ
Ｓ.scal'    ０．５ｐｐｍ
Ｓ.rot'    ０．５μｒａｄ
【００４７】
次に、新マスクの位置ずれ補正値を準備する。以下に新マスクの位置ずれ補正値について詳細に説明する。新マスク（新レチクル）とは、新機種の製品ウエハである新機種ウエハを露光するためのマスクを意味し、この新マスクは、マスクメーカーによって作製される。
【００４８】
マスクメーカーは、新マスクを作製した後に、この新マスクのパターンが設計値からずれている量を検査し、その検査結果である検査成績表を作成する。この検査成績表は、１ショット内の９ポイントにおけるパターンの位置ずれ量を示したものであり、その一例は実施形態１の表１と同様である。図１（Ａ），（Ｂ）は、表１に示す１ショット内の９ポイントに対応する座標及びずれ量を示す図であり、図１（Ｃ）は、表１に示す９ポイントに対応する１ショット内の位置を示す図である。
【００４９】
次に、表１に示す結果から新マスクのoffset位置ずれ量を以下のように計算する。
offset-Ｘ（new）＝Ave（Ｘ１〜Ｘ９）／５＝０．０１［μｍ］
offset-Ｙ（new）＝Ave（Ｙ１〜Ｙ９）／５＝０．０１［μｍ］
なお、Ave（Ｘ１〜Ｘ９）は、表１に示すpoint１からpoint９のＸ座標の平均値であり、Ave（Ｙ１〜Ｙ９）は、表１に示すpoint１からpoint９のＹ座標の平均値である。
【００５０】
次に、上記のoffset位置ずれ量から新マスクの位置ずれ補正値を下記のように計算する。
offset-Ｘ＝（offset-Ｘ'）−（offset-Ｘ（new））
＝０．１−０．０１＝０．０９［μｍ］
offset-Ｙ＝（offset-Ｙ'）−（offset-Ｙ（new））
＝０．１−０．０１＝０．０９［μｍ］
【００５１】
次に、表１に示す結果から新マスクのＳ.scal 位置ずれ量を以下のように計算する。
Ｘ方向のＳ.scal 量＝［Ave（Ｘ３，Ｘ６，Ｘ９）−Ave（Ｘ１，Ｘ４，Ｘ７）］／５
＝−０．０２［μｍ］＝(1)
Ｙ方向のＳ.scal 量＝［Ave（Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３）−Ave（Ｙ７，Ｙ８，Ｙ９）］／５
＝０．００［μｍ］＝(2)
なお、Ave（Ｘ３，Ｘ６，Ｘ９）は、表１に示す座標Ｘ３，Ｘ６，Ｘ９の平均値であり、他も同様である。
【００５２】
Ｘ−Ｓ.scal＝(1)／（ａ／２×１０−３）×１０−６＝−２．００［ｐｐｍ］＝(3)
Ｙ−Ｓ.scal＝(2)／（ｂ／２×１０−３）×１０−６＝０．００［ｐｐｍ］＝(4)
Ｓ.scal（new）＝Ave［(3)，(4)］＝−１．００［ｐｐｍ］
なお、Ave［(3)，(4)］は、(3)と(4)の平均値である。
【００５３】
次に、上記のＳ.scal位置ずれ量から新マスクの位置ずれ補正値を下記のように計算する。
Ｓ.scal ＝Ｓ.scal'−Ｓ.scal（new）
＝０．５０−（−１．００）＝１．５０［ｐｐｍ］
【００５４】
次に、表１に示す結果から新マスクのＳ.rot 位置ずれ量を以下のように計算する。なお、このＳ.rot 位置ずれ量は、図２に示す矢印のように回転する方向の位置ずれ量である。
＋Ｘ側ｄｙ＝Ｙ６／５＝０．００［μｍ］＝(5)
−Ｘ側ｄｙ＝Ｙ４／５＝０．００［μｍ］＝(6)
＋Ｙ側ｄｘ＝Ｘ２／５＝０．０４［μｍ］＝(7)
−Ｙ側ｄｘ＝Ｘ８／５＝０．００［μｍ］＝(8)
＋Ｘ側rot量＝(5)／（ａ／２×１０−３）×１０−６＝０．００［μｒａｄ］＝(9)
−Ｘ側rot量＝(6)／（ａ／２×１０−３）×１０−６＝０．００［μｒａｄ］＝(10)
＋Ｙ側rot量＝(7)／（ｂ／２×１０−３）×１０−６＝４．００［μｒａｄ］＝(11)
−Ｙ側rot量＝(8)／（ｂ／２×１０−３）×１０−６＝０．００［μｒａｄ］＝(12)
Ｓ.rot（new）＝Ave［(9)，(10)，(11)，(12)］＝１．００［μｒａｄ］
【００５５】
次に、上記のＳ.rot位置ずれ量から新マスクの位置ずれ補正値を下記のように計算する。
Ｓ.rot ＝Ｓ.rot'−Ｓ.rot（new）
＝０．５０−１．００＝−０．５０［μｒａｄ］
【００５６】
以上の説明により得られた既存機種ウエハの合わせずれ補正値及び新マスクの位置ずれ補正値を表３に示す。
【００５７】
【表３】
2010272799.tif 000004
【００５８】
次に、新マスクを用いて新機種ウエハを露光する方法について説明する。
新機種の被合わせパターン（第１の被合わせパターン）を形成するための第３の層を有する新機種ウエハを用意し、この第３の層上に第３のレジスト膜を形成する。
【００５９】
次いで、第３の所定の露光条件を１号機の露光装置（第１の露光装置）に設定する。次いで、１号機の露光装置に新機種ウエハを投入し、前記第３の所定の露光条件によって新機種ウエハの第３のレジスト膜を露光する。次いで、この第３のレジスト膜を現像することにより、前記第３の層上に第３のレジストパターンが形成される。次いで、この第３のレジストパターンをマスクとして、前記第３の層を加工することにより新機種ウエハには新機種の被合わせパターンが形成される。次いで、第３のレジストパターンが除去される。なお、前記第３の層を加工する方法は、前記第１の層（実施形態１に記載）を加工する方法と同じであることが条件となるが、詳細な加工条件は必ずしも同じである必要はない。
【００６０】
次に、新機種の被合わせパターンの上又は上方に、新機種の合わせパターン（第１の合わせパターン）を形成するための第４の層を設け、この第４の層上に第４のレジスト膜を形成する。
【００６１】
次いで、新マスク（新レチクル）を２号機の露光装置（第２の露光装置）に設置し、表３に示す既存機種ウエハの合わせずれ補正値及び新マスクの位置ずれ補正値を加えた露光条件を２号機の露光装置に設定する。次いで、２号機の露光装置に新機種ウエハを投入し、前記露光条件によって新機種ウエハの第４のレジスト膜を露光する。次いで、この第４のレジスト膜を現像することにより、前記第４の層上に第４のレジストパターンが形成される。次いで、この第４のレジストパターンをマスクとして、前記第４の層を加工することにより新機種ウエハには新機種の前記第４の層からなる合わせパターンが形成される。次いで、第４のレジストパターンが除去される。なお、新機種の前記第４の層からなる合わせパターン（第１の合わせパターン）及び前記第４のレジストパターンそれぞれは、新機種の被合わせパターン（第１の被合わせパターン）に対して合わせる合わせパターンである。
【００６２】
新機種の被合わせパターンの材質は、既存機種の被合わせパターンの材質と同じであることが条件となるが、新機種の合わせパターンの材質は、既存機種の合わせパターンの材質と同じであっても良いし、異なっていても良い。被合わせパターン及び合わせパターンそれぞれの材質は、Ａｌ合金、ポリシリコン、シリコン酸化物、シリコン窒化物、Ｔｉ合金及び単結晶シリコンなどが用いられる。
また、前記第４の層を加工する方法は、前記第２の層（実施形態１に記載）を加工する方法と同じであっても良いし、異なっていても良い。例えば、前記第４の層を加工する方法がエッチングの場合に前記第２の層を加工する方法が熱酸化であっても良い。
【００６３】
上記実施形態２においても実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【００６４】
また、新マスクの位置ずれ補正値のみを露光条件に加えて露光しても１ｓｔロットの製品ウエハにおける合わせずれ量が規格外となるのを抑制できる効果が期待できる。また、既存機種ウエハの合わせずれ補正値のみを露光条件に加えて露光しても１ｓｔロットの製品ウエハにおける合わせずれ量が規格外となるのを抑制できる効果が期待できる。
【００６５】
（実施形態３）
実施形態３は、既存マスクの検査成績表に基づく既存マスクの位置ずれ補正値を露光条件に加える点が実施形態２と異なる。
【００６６】
まず、予め、既存機種ウエハの合わせずれ補正値を準備する。この既存機種ウエハの合わせずれ補正値は実施形態１と同様である。
【００６７】
既存機種ウエハの合わせずれ補正値の一例を下記に示す。この例は、実施形態１と同様である。
offset-Ｘ'    ０．１μｍ
offset-Ｙ'    ０．１μｍ
Ｗ-scal    ０ｐｐｍ
Ｗ-rot    ０μｒａｄ
Ｓ.scal'    ０．５ｐｐｍ
Ｓ.rot'    ０．５μｒａｄ
【００６８】
次に、新マスクの位置ずれ補正値を準備する。この新マスクの位置ずれ補正値は、実施形態２の位置ずれ補正値に加え、既存マスクの検査成績表に基づく位置ずれ補正値も加えるものである。なお、新マスクの検査成績表に基づく位置ずれ補正値は実施形態２と同様であるので説明を省略する。
【００６９】
マスクメーカーは、既存機種ウエハを露光するためのマスクである既存マスクを作製した後に、この既存マスクのパターンが設計値からずれている量を検査し、その検査結果である検査成績表を作成する。この検査成績表は、１ショット内の９ポイントにおけるパターンの位置ずれ量を示したものであり、その一例を図３に示す。図３（Ａ），（Ｂ）は、１ショット内の９ポイントに対応する座標及びずれ量を示す図であり、図３（Ｃ）は、９ポイントに対応する１ショット内の位置を示す図である。
【００７０】
次に、図３に示す結果から既存マスクのoffset位置ずれ量を以下のように計算する。
offset-Ｘ（ex）＝Ave（Ｘ１〜Ｘ９）／５＝０．００［μｍ］
offset-Ｙ（ex）＝Ave（Ｙ１〜Ｙ９）／５＝０．０２［μｍ］
なお、Ave（Ｘ１〜Ｘ９）は、図３（Ｃ）に示すpoint１からpoint９のＸ座標の平均値であり、Ave（Ｙ１〜Ｙ９）は、図３（Ｃ）に示すpoint１からpoint９のＹ座標の平均値である。
【００７１】
次に、上記の既存マスクのoffset位置ずれ量及び実施形態２と同様の新マスクのoffset位置ずれ量から新マスクの位置ずれ補正値を下記のように計算する。
offset-Ｘ＝（offset-Ｘ'）−［（offset-Ｘ（new））−（offset-Ｘ（ex））］
＝０．１−［０．０１−０．００］＝０．０９［μｍ］
offset-Ｙ＝（offset-Ｙ'）−［（offset-Ｙ（new））−（offset-Ｙ（ex））］
＝０．１−［０．０１−０．０２］＝０．１１［μｍ］
【００７２】
次に、図３に示す結果から既存マスクのＳ.scal 位置ずれ量を以下のように計算する。
Ｘ方向のＳ.scal 量＝［Ave（Ｘ３，Ｘ６，Ｘ９）−Ave（Ｘ１，Ｘ４，Ｘ７）］／５
＝−０．０４［μｍ］＝(1)
Ｙ方向のＳ.scal 量＝［Ave（Ｙ１，Ｙ２，Ｙ３）−Ave（Ｙ７，Ｙ８，Ｙ９）］／５
＝０．００［μｍ］＝(2)
なお、Ave（Ｘ３，Ｘ６，Ｘ９）は、図３に示す座標Ｘ３，Ｘ６，Ｘ９の平均値であり、他も同様である。
【００７３】
Ｘ−Ｓ.scal＝(1)／（ａ／２×１０−３）×１０−６＝−４．００［ｐｐｍ］＝(3)
Ｙ−Ｓ.scal＝(2)／（ｂ／２×１０−３）×１０−６＝０．００［ｐｐｍ］＝(4)
Ｓ.scal（ex）＝Ave［(3)，(4)］＝−２．００［ｐｐｍ］
なお、Ave［(3)，(4)］は、(3)と(4)の平均値である。
【００７４】
次に、上記の既存マスクのＳ.scal位置ずれ量及び実施形態２と同様の新マスクのＳ.scal位置ずれ量から新マスクの位置ずれ補正値を下記のように計算する。
Ｓ.scal ＝Ｓ.scal'−［Ｓ.scal（new）−Ｓ.scal（ex）］
＝０．５０−［−１．００−（−２．００））＝−０．５０［ｐｐｍ］
【００７５】
次に、図３に示す結果から既存マスクのＳ.rot 位置ずれ量を以下のように計算する。なお、このＳ.rot 位置ずれ量は、図２に示す矢印のように回転する方向の位置ずれ量である。
＋Ｘ側ｄｙ＝Ｙ６／５＝０．０４［μｍ］＝(5)
−Ｘ側ｄｙ＝Ｙ４／５＝０．００［μｍ］＝(6)
＋Ｙ側ｄｘ＝Ｘ２／５＝０．０２［μｍ］＝(7)
−Ｙ側ｄｘ＝Ｘ８／５＝−０．０２［μｍ］＝(8)
＋Ｘ側rot量＝(5)／（ａ／２×１０−３）×１０−６＝４．００［μｒａｄ］＝(9)
−Ｘ側rot量＝(6)／（ａ／２×１０−３）×１０−６＝０．００［μｒａｄ］＝(10)
＋Ｙ側rot量＝(7)／（ｂ／２×１０−３）×１０−６＝２．００［μｒａｄ］＝(11)
−Ｙ側rot量＝(8)／（ｂ／２×１０−３）×１０−６＝−２．００［μｒａｄ］＝(12)
Ｓ.rot（ex）＝Ave［(9)，(10)，(11)，(12)］＝１．００［μｒａｄ］
【００７６】
次に、上記の既存マスクのＳ.rot位置ずれ量及び実施形態２と同様の新マスクのＳ.rot位置ずれ量から新マスクの位置ずれ補正値を下記のように計算する。
Ｓ.rot ＝Ｓ.rot'−［Ｓ.rot（new）−Ｓ.rot（ex）］
＝０．５０−［１．００−１．００］＝０．５０［μｒａｄ］
【００７７】
以上の説明により得られた既存機種ウエハの合わせずれ補正値及び新マスクの位置ずれ補正値を表４に示す。
【００７８】
【表４】
2010272799.tif 000005
【００７９】
次に、新マスクを用いて新機種ウエハを露光する方法について説明する。
新機種の被合わせパターン（第１の被合わせパターン）を形成するための第３の層を有する新機種ウエハを用意し、この第３の層上に第３のレジスト膜を形成する。
【００８０】
次いで、第３の所定の露光条件を１号機の露光装置（第１の露光装置）に設定する。次いで、１号機の露光装置に新機種ウエハを投入し、前記第３の所定の露光条件によって新機種ウエハの第３のレジスト膜を露光する。次いで、この第３のレジスト膜を現像することにより、前記第３の層上に第３のレジストパターンが形成される。次いで、この第３のレジストパターンをマスクとして、前記第３の層を加工することにより新機種ウエハには新機種の被合わせパターンが形成される。次いで、第３のレジストパターンが除去される。なお、前記第３の層を加工する方法は、前記第１の層（実施形態１に記載）を加工する方法と同じであることが条件となるが、詳細な加工条件は必ずしも同じである必要はない。
【００８１】
次に、新機種の被合わせパターンの上又は上方に、新機種の合わせパターン（第１の合わせパターン）を形成するための第４の層を設け、この第４の層上に第４のレジスト膜を形成する。
【００８２】
次いで、新マスク（新レチクル）を２号機の露光装置（第２の露光装置）に設置し、表４に示す既存機種ウエハの合わせずれ補正値及び新マスクの位置ずれ補正値を加えた露光条件を２号機の露光装置に設定する。次いで、２号機の露光装置に新機種ウエハを投入し、前記露光条件によって新機種ウエハの第４のレジスト膜を露光する。次いで、この第４のレジスト膜を現像することにより、前記第４の層上に第４のレジストパターンが形成される。次いで、この第４のレジストパターンをマスクとして、前記第４の層を加工することにより新機種ウエハには新機種の前記第４の層からなる合わせパターンが形成される。次いで、第４のレジストパターンが除去される。なお、新機種の前記第４の層からなる合わせパターン（第１の合わせパターン）及び前記第４のレジストパターンそれぞれは、新機種の被合わせパターン（第１の被合わせパターン）に対して合わせる合わせパターンである。
【００８３】
新機種の被合わせパターンの材質は、既存機種の被合わせパターンの材質と同じであることが条件となるが、新機種の合わせパターンの材質は、既存機種の合わせパターンの材質と同じであっても良いし、異なっていても良い。被合わせパターン及び合わせパターンそれぞれの材質は、Ａｌ合金、ポリシリコン、シリコン酸化物、シリコン窒化物、Ｔｉ合金及び単結晶シリコンなどが用いられる。
また、前記第４の層を加工する方法は、前記第２の層（実施形態１に記載）を加工する方法と同じであっても良いし、異なっていても良い。例えば、前記第４の層を加工する方法がエッチングの場合に前記第２の層を加工する方法が熱酸化であっても良い。
【００８４】
上記実施形態３においても実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【００８５】
また、新マスクの位置ずれ補正値のみを露光条件に加えて露光しても１ｓｔロットの製品ウエハにおける合わせずれ量が規格外となるのを抑制できる効果が期待できる。また、既存機種ウエハの合わせずれ補正値のみを露光条件に加えて露光しても１ｓｔロットの製品ウエハにおける合わせずれ量が規格外となるのを抑制できる効果が期待できる。
【００８６】
（実施形態４）
まず、新マスクの露光量補正値を準備する。以下に新マスクの露光量補正値について詳細に説明する。
【００８７】
マスクメーカーは、新機種の製品ウエハである新機種ウエハを露光するための新マスクを作製した後に、この新マスクのパターン寸法値がマスク寸法センター値（即ち、設計値）からずれている量を検査し、その検査結果である検査成績表を作成する。この検査成績表の一例を図４（Ａ），（Ｂ）に示す。図４（Ｂ）は、１ショット内の９ポイント（Ｐ１〜Ｐ９）におけるパターン寸法が設計値からずれているずれ量を示したものであり、図４（Ａ）は、１ショット内の測定ポイントを示す図である。
【００８８】
マスクメーカーは、既存機種の製品ウエハである既存機種ウエハを露光するための既存マスクを作製した後に、この既存マスクのパターン寸法値がマスク寸法センター値（即ち、設計値）からずれている量を検査し、その検査結果である検査成績表を作成する。この検査成績表の一例を図４（Ａ），（Ｃ）に示す。図４（Ｃ）は、１ショット内の９ポイント（Ｐ１〜Ｐ９）におけるパターン寸法が設計値からずれているずれ量を示したものであり、図４（Ａ）は、１ショット内の測定ポイントを示す図である。
【００８９】
次に、図４（Ｂ）に示す結果から新マスクのパターン寸法ずれ量を以下のように計算する。
寸法ずれ量＝［Ave（Ｐ１〜Ｐ９）−Ａ］／５＝−０．１３［μｍ］
ただし、Ａは、マスクのパターン寸法センター値であり、５．０μｍである。
【００９０】
次に、図４（Ｃ）に示す結果から既存マスクのパターン寸法ずれ量を以下のように計算する。
寸法ずれ量＝［Ave（Ｐ１〜Ｐ９）−Ａ］／５＝−０．０９［μｍ］
ただし、Ａは、マスクのパターン寸法センター値であり、５．０μｍである。
【００９１】
新マスクによって露光した結果として得られる新機種ウエハのパターンの狙い寸法（即ち、目標仕上がり寸法）を１μｍとする。
【００９２】
既存マスクによって露光した実績のある既存機種ウエハのパターンの実績寸法を１．０５μｍとする。既存マスクは露光した実績のあるマスクである。
【００９３】
既存マスクによって露光した際の露光量の平均値（平均露光量実績値）は１００ｍｓｅｃである。
【００９４】
新機種ウエハのパターンの寸法ずれ量を以下のように計算する。
（新マスクのパターン寸法ずれ量）−（既存マスクのパターン寸法ずれ量）
＝−０．１３−０．０９＝−０．２２［μｍ］
【００９５】
新マスクによって露光するレジスト膜の１ｍｓｅｃあたりの寸法変動を示す係数は、０．０２μｍ／ｍｓｅｃである。なお、図５は、レジストの種類によって露光量と寸法の関係が異なることを模式的に示すグラフである。
【００９６】
次に、新マスクの露光量補正値を下記のように計算する。
（新マスクの露光量補正値）＝［（新機種ウエハのパターンの狙い寸法）−（既存機種ウエハのパターンの実績寸法）＋（新機種ウエハのパターンの寸法ずれ量）］／（係数）＝［１−１．０５＋（−０．２２）］／０．０２＝−１３．６
【００９７】
次に、新マスクによって露光する際の処理露光量を下記のように計算する。
処理露光量＝（平均露光量実績値）−（新マスクの露光量補正値）
＝１００−（−１３．６）＝１１３．６［ｍｓｅｃ］
【００９８】
次に、既存マスクの使用実績について説明する。
既存機種のパターン（第２のパターン）を形成するための第５の層を有する既存機種ウエハを用意し、この第５の層上に第５のレジスト膜を形成する。
【００９９】
次いで、所定の露光量の条件を３号機の露光装置（第１の露光装置）に設定する。次いで、３号機の露光装置に既存機種ウエハを投入し、前記所定の露光量の条件によって既存機種ウエハの第５のレジスト膜を露光する。次いで、この第５のレジスト膜を現像することにより、前記第５の層上に第５のレジストパターンが形成される。次いで、この第５のレジストパターンをマスクとして、前記第５の層を加工することにより既存機種ウエハには既存機種のパターンが形成される。次いで、第５のレジストパターンが除去される。
【０１００】
次に、新マスクを用いて新機種ウエハを露光する方法について説明する。
新機種のパターン（第１のパターン）を形成するための第６の層を有する新機種ウエハを用意し、この第６の層上に第６のレジスト膜を形成する。
【０１０１】
次いで、新マスクを３号機の露光装置に設置し、新マスクの処理露光量の条件を３号機の露光装置に設定する。次いで、３号機の露光装置に新機種ウエハを投入し、前記処理露光量の条件によって新機種ウエハの第６のレジスト膜を露光する。次いで、この第６のレジスト膜を現像することにより、前記第６の層上に第６のレジストパターンが形成される。次いで、この第６のレジストパターンをマスクとして、前記第６の層を加工することにより新機種ウエハには新機種のパターンが形成される。次いで、第６のレジストパターンが除去される。
【０１０２】
なお、前記第６の層を加工する方法は、前記第５の層を加工する方法と同じであることが条件となるが、詳細な加工条件は必ずしも同じである必要はない。例えば、前記第６の層を加工する方法がエッチングであれば前記第５の層を加工する方法もエッチングであることが条件となるが、詳細なエッチング条件は異なっていても良い。
【０１０３】
新機種のパターンの材質は、既存機種のパターンの材質と同じであることが条件となる。パターンの材質は、Ａｌ合金、ポリシリコン、シリコン酸化物、シリコン窒化物、Ｔｉ合金及び単結晶シリコンなどが用いられる。
【０１０４】
上記実施形態４によれば、新しいマスクによって１ｓｔロットの製品ウエハを露光する際、新マスクの検査成績表を用いて得られる新マスクの露光量補正値を加えた露光条件により露光する。これにより、１ｓｔロットの製品ウエハにおけるパターン寸法が規格外となるのを抑制できる。従って、納期の急がれる１ｓｔロットにおいてリワークの発生を低減でき、１ｓｔロットを短納期で流動させることができる。
【０１０５】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、上記実施形態１〜４を互いに組み合わせて実施しても良い。また、上記実施形態１〜４による露光方法を用いた露光工程を有する半導体装置の製造方法も本発明の範囲に含まれるものとする。
【図１】
2010272799.tif 000006
【図２】
2010272799.tif 000007
【図３】
2010272799.tif 000008
【図４】
2010272799.tif 000009
【図５】
2010272799.tif 000010