(57)【要約】【課題】  インクジェット方式で基板上に樹脂を滴下するナノインプリント方法を用いてパターンを形成する際に、樹脂の未充填に起因する欠陥の発生を抑制すること。【解決手段】  前記基板上に滴下する前記樹脂の量を算出する工程は、前記パターンを複数の領域に分割する工程（Ｓ１）と、前記パターンを形成するために必要な樹脂の量を、前記複数の領域の各々について算出する工程（Ｓ２）と、前記樹脂を硬化する工程において、前記テンプレートの凹部内に前記算出した量の樹脂が所定時間内に充填されるか否かを、前記複数の領域の各々について判断する工程（Ｓ３）と、前記判断する工程において、前記所定時間内に前記樹脂が前記凹部内に充填されない判断された領域に関しては、前記所定時間内に前記樹脂が前記凹部内に充填されるように、前記基板上に滴下する前記樹脂の量を補正する工程（Ｓ４）とを含む。【選択図】      図１
2010123757.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工基板上に形成する硬化性樹脂の量を算出する工程と、
前記被加工基板上に前記算出した量の硬化性樹脂を形成する工程と、
前記被加工基板上に形成した前記硬化性樹脂にパターンが形成されたテンプレートを接触させて、前記テンプレートのパターンに前記硬化性樹脂を充填する工程と、
前記硬化性樹脂に前記テンプレートを接触させた状態で前記硬化性樹脂を硬化する工程と、
前記硬化した硬化性樹脂から前記テンプレートを離して、前記硬化性樹脂にパターンを形成する工程と、
前記硬化性樹脂に形成したパターンに基づき、前記被加工基板にパターンを形成する工程とを含み、
前記被加工基板上に形成する硬化性樹脂の量を算出する工程は、
前記テンプレートに形成されるパターンの密度または形状とそのパターンに前記硬化性樹脂が充填される充填時間の関係に基づいて算出することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
前記被加工基板上に形成する硬化性樹脂の量を算出する工程は、
前記テンプレートに形成されるパターンを複数のパターン領域に分割する工程と、
前記テンプレートと前記硬化性樹脂との接触工程で前記分割したパターン領域と接触する前記基板上領域毎に、前記基板上に形成する硬化性樹脂の量を決定する工程と、
前記テンプレートのパターン内に前記決定した量の硬化性樹脂が所望の時間内に充填されるか否かを、前記複数のパターン領域の各々について判断する工程と、
前記判断する工程において、前記所望の時間内に前記硬化性樹脂が前記パターン領域内に充填されないと判断された場合、前記テンプレートに形成されるパターンの密度または形状とそのパターンに前記硬化性樹脂が充填される充填時間の関係に基づいて、前記決定した樹脂量を補正する工程と
を含むことを特徴とする請求項１に記載のパターン形成方法。
【請求項３】
被加工基板上に形成する硬化性樹脂の量を算出する工程と、
前記被加工基板上に前記算出した量の硬化性樹脂を形成する工程と、
前記被加工基板上に形成した前記硬化性樹脂にパターンが形成されたテンプレートを接触させて、前記テンプレートのパターンに前記硬化性樹脂を充填する工程と、
前記硬化性樹脂に前記テンプレートを接触させた状態で前記硬化性樹脂を硬化する工程と、
前記硬化した硬化性樹脂から前記テンプレートを離して、前記硬化性樹脂にパターンを形成する工程と、
前記硬化性樹脂に形成したパターンに基づき、前記被加工基板にパターンを形成する工程とを含み、
前記被加工基板上に形成する硬化性樹脂の量を算出する工程は、
前記テンプレートに形成されるパターンを複数のパターン領域に分割する工程と、
前記テンプレートと前記硬化性樹脂との接触工程で前記分割したパターン領域と接触する前記基板上領域毎に、前記基板上に形成する硬化性樹脂の量を決定する工程と、
前記テンプレートのパターン内に前記決定した量の硬化性樹脂が所望の時間内に充填されるか否かを、前記複数のパターン領域の各々について判断する工程と、
前記判断する工程において、前記複数のパターン領域のうち、前記所望の時間内に前記硬化性樹脂が充填されない未充填パターン領域があると判断する場合、前記未充填パターン領域に隣接するパターン領域と接触する前記基板上領域に形成される前記決定された硬化性樹脂の量を増加するように補正する工程と
を含むことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項４】
前記決定された硬化性樹脂の量を増加するように補正する工程では、前記未充填パターン領域と接触する前記基板上領域に形成される前記決定された硬化性樹脂の量を減少するように補正する工程とを含むことを特徴とする請求項３に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
テンプレートに形成されるパターンを複数のパターン領域に分割する手順と、
前記テンプレートを基板上に形成した硬化性樹脂と接触させる際に、前記分割したパターン領域と接触する前記基板上領域毎に前記基板上に形成する硬化性樹脂の量を決定する手順と、
前記接触の際に、前記テンプレートの複数のパターン領域のうち、所望の時間内に前記硬化性樹脂が充填されない未充填パターン領域があると判断する場合、前記未充填パターン領域に隣接するパターン領域と接触する前記基板上領域に形成される前記決定された硬化性樹脂の量を増加するように補正する手順と
をコンピュータに実行させることを特徴とする樹脂量算出プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上にパターンを形成する工程を含むパターン形成方法およびプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の製造工程において、１００ｎｍ以下の微細パターンの形成と、量産性とを両立させる技術の一つとして、基板にテンプレート（モールド、原版とも呼ばれる。）のパターンを転写するインプリント技術が注目されている。
【０００３】
インプリント技術の一つとして、光（ＵＶ）ナノインプリントがある。光ナノインプリントは、被加工基板上に光硬化性樹脂を塗布する工程と、被加工基板とテンプレートとを位置合わせする工程（アライメント）と、光硬化性樹脂にテンプレートを直接接触させる工程（インプリント）と、光照射により光硬化性樹脂を硬化する工程と、硬化した光硬化性樹脂（樹脂パターン）からテンプレートを離す工程（離型）と、樹脂パターンをマスクにして被加工基板をエッチングする工程とを含む（特許文献１）。
【０００４】
被加工基板上に光硬化性樹脂を塗布する方法の一つとして、インクジョット方式により光硬化性樹脂を形成する方法がある。この方法では、被加工基板の複数の領域上に、光硬化性樹脂をそれぞれ形成する。テンプレートを光硬化性樹脂に接触させ、テンプレートに形成された凹凸パターンの凹部（底部）内に光硬化性樹脂が充填されるまで待つ必要がある。この待つ時間（充填時間）が十分でないと、光硬化性樹脂が充填されない部分が生じる。この未充填の部分が残った状態で、光硬化性樹脂に光を照射して硬化を行うと、未充填の部分のサイズや形状によっては、未充填の部分は、パターン欠陥（未充填欠陥）となる。
【特許文献１】特開２０００−１９４１４２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、基板上にパターンを形成する際におけるパターン欠陥の発生を抑制できるパターン形成方法およびプログラムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によるパターン形成方法は、被加工基板上に形成する硬化性樹脂の量を算出する工程と、前記被加工基板上に前記算出した量の硬化性樹脂を形成する工程と、前記被加工基板上に形成した前記硬化性樹脂にパターンが形成されたテンプレートを接触させて、前記テンプレートのパターンに前記硬化性樹脂を充填する工程と、前記硬化性樹脂に前記テンプレートを接触させた状態で前記硬化性樹脂を硬化する工程と、前記硬化した硬化性樹脂から前記テンプレートを離して、前記硬化性樹脂にパターンを形成する工程と、前記硬化性樹脂に形成したパターンに基づき、前記被加工基板にパターンを形成する工程とを含み、前記被加工基板上に形成する硬化性樹脂の量を算出する工程は、前記テンプレートに形成されるパターンの密度または形状とそのパターンに前記硬化性樹脂が充填される充填時間の関係に基づいて算出することを特徴とする。
【０００７】
本発明の他の態様によるパターン形成方法は、被加工基板上に形成する硬化性樹脂の量を算出する工程と、前記被加工基板上に前記算出した量の硬化性樹脂を形成する工程と、前記被加工基板上に形成した前記硬化性樹脂にパターンが形成されたテンプレートを接触させて、前記テンプレートのパターンに前記硬化性樹脂を充填する工程と、前記硬化性樹脂に前記テンプレートを接触させた状態で前記硬化性樹脂を硬化する工程と、前記硬化した硬化性樹脂から前記テンプレートを離して、前記硬化性樹脂にパターンを形成する工程と、前記硬化性樹脂に形成したパターンに基づき、前記被加工基板にパターンを形成する工程とを含み、前記被加工基板上に形成する硬化性樹脂の量を算出する工程は、前記テンプレートに形成されるパターンを複数のパターン領域に分割する工程と、記テンプレートと前記硬化性樹脂との接触工程で前記分割したパターン領域と接触する前記基板上領域毎に、前記基板上に形成する硬化性樹脂の量を決定する工程と、記テンプレートのパターン内に前記決定した量の硬化性樹脂が所望の時間内に充填されるか否かを、前記複数のパターン領域の各々について判断する工程と、前記判断する工程において、前記複数のパターン領域のうち、前記所望の時間内に前記硬化性樹脂が充填されない未充填パターン領域があると判断する場合、前記未充填パターン領域に隣接するパターン領域と接触する前記基板上領域に形成される前記決定された硬化性樹脂の量を増加するように補正する工程とを含むことを特徴とする。
【０００８】
本発明の一態様による樹脂量算出ププログラムは、テンプレートに形成されるパターンを複数のパターン領域に分割する手順と、前記テンプレートを基板上に形成した硬化性樹脂と接触させる際に、前記分割したパターン領域と接触する前記基板上領域毎に前記基板上に形成する硬化性樹脂の量を決定する手順と、前記接触の際に、前記テンプレートの複数のパターン領域のうち、所望の時間内に前記硬化性樹脂が充填されない未充填パターン領域があると判断する場合、前記未充填パターン領域に隣接するパターン領域と接触する前記基板上領域に形成される前記決定された硬化性樹脂の量を増加するように補正する手順とコンピュータに実行させることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基板上にパターンを形成する際におけるパターン欠陥の発生を抑制できるパターン形成方法およびプログラムを実現できるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を説明する。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るパターン形成方法を示すフローチャートである。本実施形態のパターン形成方法は、例えばインクジェット方式で被加工基板の複数の領域に光硬化性樹脂を滴下する。
【００１２】
なお、光硬化性樹脂は光照射により硬化する樹脂であるが、例えば、加熱により硬化する樹脂（熱硬化性樹脂）などのように光照射以外の手法により硬化する樹脂を使用することも可能である。
【００１３】
［ステップＳ１］
テンプレートに形成されるパターンを複数のメッシュに分割する。より詳細には、一定の形式で表されたデータ上のパターンを分割する。上記データは、例えば、ＣＡＤデータの形式で与えられる。ここでは、ディスペンサの最小可動ピッチ（メッシュサイズ）を一辺とする矩形状のメッシュによりパターンを分割する。ここでのパターンは、エッチマスクとして使用される、上記光硬化性樹脂に形成されるパターン（樹脂パターン）である。
【００１４】
上記被加工基板は、例えば、シリコン基板（半導体基板）や、ＳＯＩ基板（半導体基板）である。被加工基板は、多層構造のものであっても構わない。例えば、上記半導体基板とその上に設けられた導電膜または絶縁膜とで構成されたもの（多層構造の被加工基板）であっても構わない。上記導電膜は、例えば金属膜、ゲート材料となるポリシリコン膜等であり、上記絶縁膜は、例えば、ハードマスクとなるシリコン窒化膜やシリコン酸化膜である。
【００１５】
［ステップＳ２］
上記パターンを形成するために必要な光硬化性樹脂の滴下量を算出するために、複数のメッシュの各々について、インプリントの工程（光硬化性樹脂にテンプレートを接触させる工程）時に、メッシュ内にあるテンプレートの凹凸パターンの凹部を充填するのに必要な光硬化性樹脂の滴下量を算出する。
【００１６】
上記光硬化性樹脂の滴下量の算出は、インプリントの工程時に、各メッシュ内にあるテンプレートの凹凸パターンの凹部の密度（パターン密度）に基づいて行われる。パターン密度が高いメッシュほど、そのメッシュに接触するテンプレートの凹凸パターンの凹部（凹パターン）の割合は大きくなる。パターン密度が高いメッシュほど、凹パターン内を充填するために必要な光硬化性樹脂の量は多くなる。したがって、一般には、パターン密度が高いメッシュほど、光硬化性樹脂の滴下量が多くなるように算出される。
【００１７】
［ステップＳ３］
複数のメッシュの各々について、インプリントの際に、メッシュ内のテンプレートの凹パターンが、予め決められた充填時間（所定時間）内で、ステップＳ２で算出した滴下量の光硬化性樹脂で充填されるか否かを判断する。
【００１８】
上記判断は、以下のように行われる。
【００１９】
図２を用いて、メッシュ内のパターン密度に基づいた充填時間の良否の判断方法について具体的に説明する。
【００２０】
図２には、二つのメッシュ１ａ,１ｂが示されている。メッシュ１ａ内に占める凹パターン２の割合は、メッシュ１ｂ内に占める凹パターン２の割合よりも大きい。そのため、パターン密度（充填するべき凹部の密度）に従うと、メッシュ１ａの光硬化性樹脂３ａの滴下量は、メッシュ１ｂの光硬化性樹脂３ｂの滴下量よりも多くなる。なお、メッシュの光硬化性樹脂の滴下量とは、例えば、基板上に形成した硬化性樹脂とテンプレートを接触させる際に、メッシュに分割された各パターン領域に対応する各テンプレート領域と接触する基板上領域毎に滴下される硬化性樹脂の量をさしている。
【００２１】
図２の場合、メッシュ１ａの方がメッシュ１ｂよりもパターン密度が大きいため、毛細管現象によって、光硬化性樹脂の充填速度は、メッシュ１ａの方がメッシュ１ｂより遅くなる。そのため、図２の示されるような大小関係の量の光硬化性樹脂３ａ,３ｂを滴下した場合には、メッシュ１ｂの方で充填が終了した後にも、メッシュ１ａの方では充填が続く可能性がある。すなわち、メッシュ１ａの方は所定時間内で充填が終了しない可能性がある。
【００２２】
例えば、図２に示すように、メッシュ１ａの滴下位置から凹パターン２のエッジ（パターンエッジ）までの距離Ｌを考えると、距離Ｌが短いほど、メッシュ１ａ内のパターン密度は低くなると考えられる。したがって、メッシュ１ａ内のパターン密度は、距離Ｌに基づいて簡単に見積もることができる。メッシュ内のパターン密度と滴下量の関係については、充填実験または充填シミュレーションによって算出される。
【００２３】
また、凹パターン２領域内には複数の微細なパターン（凹部）が存在するので、これらの複数の微細なパターンからメッシュ１ａ,１ｂ内のパターン密度をより正確に見積もることができる。具体的には、メッシュ１ａ,１ｂの面積に占める凹パターン２内の複数の凹部の合計面積をそれぞれメッシュ１ａ,１ｂのパターン密度とする。なお、将来は、メッシュ１ａ,１ｂのサイズが小さくなり、凹パターン２内には一つの微細なパターン（凹部）しか存在しない可能性がある。
【００２４】
図３を用いて、メッシュ内のテンプレートの凹パターンの形状（パターン形状）に基づいた充填時間の良否の判断方法について具体的に説明する。
【００２５】
図３は、ラインアンドスペースパターン（Ｌ＆Ｓ）およびコンタクトホールパターン（ＣＨ）の二つの形状の異なる凹パターンに関し、パターン寸法と充填時間（fill time）との関係を示す図である。パターン寸法は、Ｌ＆Ｓの場合にはラインとスペースとの間隔、ＣＨの場合にはコンタクトホールの径である。
【００２６】
図３から、同じパターン寸法であれば、Ｌ＆Ｓの方がＣＨよりも充填時間が短いことが分かる。パターン寸法が４００ｎｍの場合、Ｌ＆Ｓは所定時間Ｔfix 内に充填できるが、ＣＨは所定時間Ｔfix 内に充填できないことが分かる。ナノインプリント方法は所定時間Ｔfix が固定されているので、Ｌ＆ＳとＣＨとで所定時間Ｔfix を変えることはできない。形成するべきパターンの寸法および所定時間Ｔfix は予め分かっているので、ステップＳ３において、メッシュ内のテンプレートの凹パターンの形状（パターン形状）に基づいて、所定時間内で光硬化性樹脂を充填できるか否か判断することができる。
【００２７】
なお、充填時間が遅いＣＨに合わせて所定時間Ｔfix を決めるという方法もあるが、この方法はスループットが低下するという問題がある。メッシュ内のパターン形状と滴下量の関係については、充填実験または充填シミュレーションによって算出される。
【００２８】
［ステップＳ４］
ステップＳ３での判断の結果、Ｎｏと判断されたメッシュについては、所定時間内で光硬化性樹脂を充填できるように、ステップＳ２で算出した光硬化性樹脂の滴下量を補正する。Ｎｏと判断されたメッシュにおいては、凹パターン内に光硬化性樹脂の未充填部分が生じる可能性がある。このような未充填部分はパターン欠陥（未充填欠陥）を招く原因となる。そこで、本実施形態では、本ステップ（ステップＳ４）を設け、所定時間内で光硬化性樹脂を充填できるように、光硬化性樹脂の滴下量を補正する。
【００２９】
図４を用いて、光硬化性樹脂の滴下量の補正方法の一例について具体的に説明する。この補正方法は、ステップＳ３において、メッシュ内のパターン密度に基づいて、充填時間の良否を判断した場合（図２）の一例である。
【００３０】
上述したように、図２の場合、メッシュ１ａの光硬化性樹脂３ａの滴下量はメッシュ１ｂの光硬化性樹脂３ｂの滴下量よりも多く、メッシュ１ａの充填速度はメッシュ１ｂの充填速度よりも遅いため、メッシュ１ａの方では、所定時間内で充填が終了しない可能性がある。すなわち、所定時間経過後には、メッシュ１ａは未充填パターン領域となっている。
【００３１】
メッシュ１ａの方で所定時間内で充填が終了しない場合には、図４に示すように、メッシュ１ｂに滴下する光硬化性樹脂３ｂの量を、メッシュ１ｂ内の凹パターンを充填するために必要な量よりも多くする。一方で、図４に示すように、メッシュ１ａに滴下する光硬化性樹脂３ａの量を減らすこともできる。ただし、メッシュ１ａに滴下する光硬化性樹脂３ａの量を減らさない場合もありうる。
【００３２】
これにより、メッシュ１ａ内の凹パターン２を充填するための光硬化性樹脂は、メッシュ１ｂからも供給されるようになるので、メッシュ１ａ内の凹パターンの充填時間は短縮される。なお、メッシュ１ｂの光硬化性樹脂３ｂは図示しない隣接するメッシュに供給される可能性もあるが、一般には、樹脂の平坦化現象により、図示しない隣接するメッシュの光硬化性樹脂が極端の厚さとなることはなく、許容値に収まるので、問題となることはない。
【００３３】
したがって、ステップＳ３にてＮｏと判断されたメッシュ（ＮＧメッシュ）については、該ＮＧメッシュの凹パターンの充填時間が所定時間内に収まるように、上記ＮＧメッシュ（図４ではメッシュ１ａ）およびそれに隣接するメッシュ（図４ではメッシュ１ｂ）の光硬化性樹脂の滴下量を補正する。この補正については、所定のメッシュおよび隣接メッシュのパターン密度、樹脂滴下量および充填時間の関係を、実験もしくは計算（シミュレーション）、または、実験および計算（シミュレーション）の併用により求め、その関係に基づいて補正することができる。上記予め求めておいた関係は、例えば、テーブル（ルール）または計算式（モデル）で表現されたものである。なお、この関係として、樹脂の滴下位置を含めることも可能である。
【００３４】
また、ステップＳ３において、メッシュ内のパターン形状に基づいて充填時間の良否を判断した場合には、メッシュ内のパターン形状と、光硬化性樹脂の滴下量と、充填時間との関係に基づいて、同様に、光硬化性樹脂の滴下量を補正することができる。
【００３５】
例えば、所定の隣接するメッシュ領域間で形成されているコンタクトホールパターンとラインアンドスペースパターンとの比率が異なっている場合、両メッシュに滴下される光硬化性樹脂の滴下量を補正することができる。すなわち、図３によれば、コンタクトホールパターンの比率が高いメッシュ領域のパターンは、ラインアンドスペースパターンとの比率が高い隣接メッシュ領域に比べて、充填にかかる時間が大きくなる。このため、ラインアンドスペースパターンとの比率が高い隣接メッシュ領域に滴下する樹脂量を増加するよう補正することができる。これにより、コンタクトホールパターンの比率が高いメッシュ領域のパターンへの充填時間を短縮することができる。なお、この補正の際、コンタクトホールパターンの比率が高いメッシュ領域に滴下する樹脂量を減少するよう補正することもできる。
【００３６】
補正量に関しては、上述のパターン密度、樹脂滴下量、および充填時間の関係と同様、パターン形状、樹脂滴下量、および充填時間の関係に基づいて求めることができる。
【００３７】
なお、補正については、必ずしもパターン密度やパターン形状の関係に基づくものでなくともよい。すなわち、充填実験または充填シミュレーションを通して、未充填パターン領域となる領域があると判断できる場合、その充填パターン領域に隣接するパターン領域に対応する基板上に形成される樹脂量を増加させればよい。これにより、所望時間内にパターン内部への樹脂の充填を完了することが可能となる。この際、未充填パターン領域に対応する基板上に形成される樹脂量を減少させることもできる。
【００３８】
［ステップＳ５］
ステップＳ３において、全てのメッシュについて、Ｙｅｓと判断されたら、そのＹｅｓと判断された滴下量の光硬化性樹脂を被加工基板上に滴下する。
【００３９】
なお、本実施形態において、予めパターン密度もしくは形状、樹脂滴下量、および充填時間の関係に基づき、樹脂形成量を算出する場合には、図１に示したステップＳ３の判断工程，Ｓ４の補正工程を省略できるとともに、ステップＳ２において、所望の時間内に重点可能な樹脂形成量を算出することも可能である。
【００４０】
［ステップＳ６］
ステップＳ５の後は、周知のアライメント工程、インプリント工程、硬化工程、離型工程、エッチング工程、および、その他の周知の工程を行うことで、被加工基板上にパターンを形成する。
【００４１】
上記の周知のアライメント工程、インプリント工程、硬化工程、離型工程、エッチング工程、その他の工程について簡単に説明する。
【００４２】
アライメント工程においては、被加工基板とテンプレートとの位置合わせが行われる。上記テンプレートは、表面にパターン（凹パターン）が形成された透明基板で構成されている。上記透明基板は、例えば、石英基板である。上記凹パターンは、被加工基板上に形成するべきパターンに対応する。
【００４３】
インプリント工程においては、光硬化性樹脂にテンプレートが直接接触される。このとき、テンプレートの凸部と被加工基板との間（隙間）には光硬化性樹脂が薄く残る。この薄く残った光硬化性樹脂は残膜となる。
【００４４】
硬化工程においては、光硬化性樹脂に光を照射することにより、光硬化性樹脂を硬化させる。
【００４５】
離型工程においては、光硬化性樹脂からテンプレートが離される。
【００４６】
エッチング工程においては、上記残膜が例えば主に酸素プラズマによる異方性エッチングにより除去されて、上記硬化された光硬化性樹脂で構成されたパターン（樹脂パターン）が形成され、さらに、このパターンをエッチングマスクに用いて、被加工基板をエッチングすることにより、被加工基板上に微細パターンが形成される。
【００４７】
その他の工程としては、例えば、離型工程後に行われるパターンの欠陥を検査する検査工程、エッチング工程に行われるエッチングマスク（樹脂パターン）の除去工程などがある。
【００４８】
以上述べたように本実施形態によれば、ステップ２において算出した各メッシュにおける光硬化性樹脂の滴下量は、各メッシュの凹パターンを充填するためには十分な量ではあるが、充填時間の観点からは必ずしも最適化されていないが、ステップＳ３,Ｓ４により各メッシュの凹パターンを所定の充填時間内に充填できるように滴下量の判断および補正が行われるので、凹パターン内における光硬化性樹脂の未充填部分の発生によるパターン欠陥（未充填欠陥）を抑制できる、インクジェット方式のナノインプリント方法を用いたパターン形成方法を実現できるようになる。なお、インクジェット方式以外の方式で、被加工基板の複数の領域上に樹脂を滴下しても構わない。
【００４９】
さらに、ステップ２において算出した各メッシュにおける光硬化性樹脂の滴下量は、テンプレートに形成するパターンの密度によって算出されているが、必ずしもパターン密度のみによって算出されるものではない。たとえば、前記パターン密度、樹脂の揮発量、テンプレートに形成したパターンの位置・深さ、さらにはテンプレートを離型した後の樹脂の残膜として必要な膜厚といった要因の少なくとも一部に基づいて適宜決定することができる。
【００５０】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係るナノインプリント方法を用いたパターン形成方法について説明する。本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、上述したその他の工程の一例としたあげた検査工程にある。
【００５１】
先ず、比較例の検査工程について説明する。図５に示すように、比較例では、チップ内にパターン密度Ｄ１,Ｄ２,Ｄ３が異なる複数の領域（破線で示された領域）があっても、ある一定レベル以上の同じ検査感度で上記複数の領域を検査する。図５において、上記複数の領域は、ディスペンサの最小可動ピッチ（メッシュサイズ）を一辺とする矩形状のメッシュである。
【００５２】
ここで、パターン密度が異なる複数の領域をある一定レベル以上の同じ検査感度で検査すると、検査工程に時間がかかる。以下、この点についてさらに説明する。
【００５３】
上記検査工程は、まず、光学式検査装置を用いて行う。この光学式検査装置を用いた検査は、パターン密度が異なる複数の領域の全てに対して、ある一定レベル以上の同じ検査感度で行われる。
【００５４】
上記光学式検査装置を用いた検査の際には、疑似欠陥と呼ばれる欠陥が検出される場合がある。疑似欠陥は、製造される半導体装置に大きな悪影響を及ぼす欠陥、例えば半導体装置が電気特性等の許容スペックを満たさなくなるような欠陥ではなく、欠陥として誤認識された箇所である。上記光学式検査装置の検査感度を上げるほど、一般には、より多くの疑似欠陥が検出される。
【００５５】
次に、より精度の高い検査装置（例えば電子ビームを用いた検査装置）を用いて、上記光学式検査装置で検出された欠陥をより正確に検査する。この段階で、疑似欠陥であるか否かを判断できる。疑似欠陥が多いほど、この段階の検査は時間がかかる。
【００５６】
したがって、パターン密度が異なる複数の領域をある一定レベル以上の同じ検査感度で光学式検査装置で検査する比較例は、多くの疑似欠陥が検出されやすく、検査工程に時間がかかることになる。
【００５７】
製品レベルのデバイスを製造する以前の検討段階では、検査を素早く行いたい場合がある。したがって、比較例の時間がかかる検査方法は、検討段階における検査方法としては適していない。
【００５８】
そこで、本実施形態では、本当の欠陥が発生しやすい箇所は疑似欠陥も発生しやすいことを鑑み、本当の欠陥が発生しやすい箇所は、検査感度を下げて光学式検査装置で検査する。
【００５９】
ここで、欠陥が発生しやすい箇所としては、光硬化性樹脂の滴下位置に対してパターンエッジが遠い、未充填欠陥が発生しやすい箇所があげられる。したがって、図５に示したように、パターン密度Ｄ１,Ｄ２,Ｄ３が異なる複数の領域が配置されている場合、図６に示すように、パターンエッジが遠い箇所は検査感度が低いレシピＲ１で検査し、その他の箇所は検査感度が通常レベルであるレシピＲ２で検査する。
【００６０】
以上述べたように本実施形態によれば、パターン密度が異なる複数の領域がある場合には、これらの複数の領域の全てを同じ検査感度で検査するのではなく、欠陥が発生しやすい箇所においては検査感度を下げて検査するという、検査箇所に応じて検査感度を適宜調整するという検査方法を採用することにより、検査工程に要する時間を短縮できるようになる。その他、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００６１】
なお、実施形態のパターン形成方法における光硬化性樹脂の量の算出方法は、プログラムとしても実施することができる。すなわち、実施形態のプログラムは、硬化性樹脂量算出プログラムであり、図１のステップＳ１−Ｓ４をコンピュータに実行させるためのものである。なお、実施形態のプログラムは、ステップＳ１，Ｓ２またはステップＳ２のみをコンピュータに実行させる硬化性樹脂量算出プログラムと、ステップＳ３、Ｓ４またはステップＳ４のみをコンピュータに実行させる補正量算出プログラムを別々に分離することも可能である。
【００６２】
上記プログラムは、コンピュータ内のＣＰＵおよびメモリ（外部メモリを併用することもある。）等のハードウエハ資源を用いて実施される。ＣＰＵは、メモリ内から必要なデータを読み込み、該データに対して上記ステップを行う。各ステップの結果は、必要に応じてメモリ内に一時的に保存され、他のステップ（手順）で必要になったときに読み出される。
【００６３】
また、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００６４】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】第１の実施形態に係るナノインプリント方法を用いたパターン形成方法を示すフローチャート。
【図２】第１の実施形態に係るメッシュ内のパターン密度に基づいた充填時間の良否の判断方法を説明するための平面図。
【図３】コンタクトホールパターンおよびラインアンドスペースパターンのパターン寸法と充填時間との関係を示す図。
【図４】第１の実施形態に係る光硬化性樹脂の滴下量の補正方法の一例を説明するための平面図。
【図５】パターン密度が異なる複数の領域の配置例を示す平面図。
【図６】第２の実施形態に係るナノインプリント方法を用いたパターン形成方法における検査方法を説明するための平面図。
【符号の説明】
【００６６】
１ａ,１ｂ…メッシュ、２…凹パターン、３ａ,３ｂ…光硬化性樹脂。
【図１】
2010123757.tif 000003
【図２】
2010123757.tif 000004
【図３】
2010123757.tif 000005
【図４】
2010123757.tif 000006
【図５】
2010123757.tif 000007
【図６】
2010123757.tif 000008