(57)【要約】【課題】ＥＵＶ露光装置内の汚染を低減するとともに、スループットの向上を可能とする、レジスト塗布現像装置とＥＵＶ露光装置との間に好適なインターフェイス装置及び基板搬送方法を提供する。【解決手段】インターフェイス装置３０は、開閉可能な第１搬送口１Ｖ３を通して露光装置との間で基板を受け渡す減圧可能な第１搬送室１ｂ；第２搬送口４Ｖ１を通して第１搬送室１ｂとの間で基板を受け渡し、第３搬送口４Ｖ１３を通して塗布現像装置２０との間で基板を受け渡す複数のロードロック室４ａ〜４ｄ；第４搬送口１Ｖ１を通して第１搬送室１との間で基板を受け渡す、第２搬送室１ａ；第２搬送室１ａと連通する第５搬送口を通して基板を受け渡す、基板を加熱する複数の加熱モジュール２ａ〜２ｃ；第２搬送室１ａと連通する第６搬送口を通して基板を受け渡す、基板を冷却する複数の冷却モジュール３ａ〜３ｃを含む。【選択図】図７
2010123732.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
極端紫外光でレジスト膜を露光する露光装置と、基板に前記レジスト膜を形成し、前記露光装置により露光された前記レジスト膜を現像するレジスト塗布現像装置との間に設けられるインターフェイス装置であって、
開閉可能な第１の搬送口を含み、当該第１の搬送口を通して前記露光装置との間で前記基板が受け渡されるように構成され、内部空間が減圧可能な第１の搬送室；
内部空間が減圧可能な複数のロードロック室であって、該複数のロードロック室の各々が開閉可能な第２の搬送口と開閉可能な第３の搬送口とを含み、前記第２の搬送口を通して前記第１の搬送室との間で前記基板が受け渡され、前記第３の搬送口を通して前記レジスト塗布現像装置との間で前記基板が受け渡されるように構成される、当該複数のロードロック室；
開閉可能な第４の搬送口を含み、当該第４の搬送口を通して前記第１の搬送室との間で前記基板が受け渡されるように構成され、内部空間が減圧可能な第２の搬送室；
前記基板を減圧下で加熱する複数の加熱モジュールであって、該複数の加熱モジュールの各々が前記第２の搬送室と連通する第５の搬送口を含み、当該第５の搬送口を通して前記基板が受け渡されるように構成される、当該複数の加熱モジュール；および
前記基板を減圧下で冷却する複数の冷却モジュールであって、該複数の冷却モジュールの各々が前記第２の搬送室と連通する第６の搬送口を含み、当該第６の搬送口を通して前記基板が受け渡されるように構成される、当該複数の冷却モジュール；
を備えるインターフェイス装置。
【請求項２】
極端紫外光でレジスト膜を露光する露光装置と、基板に前記レジスト膜を形成し、前記露光装置により露光された前記レジスト膜を現像するレジスト塗布現像装置との間に設けられるインターフェイス装置であって、
開閉可能な第１の搬送口を含み、当該第１の搬送口を通して前記露光装置との間で前記基板が受け渡されるように構成され、内部空間が減圧可能な第１の搬送室；および
内部空間が減圧可能な複数のロードロック室であって、該複数のロードロック室の各々が開閉可能な第２の搬送口と開閉可能な第３の搬送口とを含み、前記第２の搬送口を通して前記第１の搬送室との間で前記基板が受け渡され、前記第３の搬送口を通して前記レジスト塗布現像装置との間で前記基板が受け渡されるように構成される、当該複数のロードロック室；
を備えるインターフェイス装置。
【請求項３】
前記複数のロードロック室の各々に、前記第２の搬送口および前記第３の搬送口のいずれか一方または双方に隣接して、当該ロードロック室に搬入出される基板にガスを噴射するガス噴出部が設けられる、請求項１または２に記載のインターフェイス装置。
【請求項４】
前記複数のロードロック室の各々に、当該ロードロック室の内部へガスを供給するガス供給部が設けられる、請求項１から３のいずれか一項に記載のインターフェイス装置。
【請求項５】
前記ガス供給部が、前記第３の搬送口が開いているときに、該第３の搬送口に向かって流れるガス流を形成することができるように設けられる、請求項４に記載のインターフェイス装置。
【請求項６】
前記複数のロードロック室が多段に配置される、請求項１から５のいずれか一項に記載のインターフェイス装置。
【請求項７】
前記第１の搬送室が、前記複数のロードロック室に対して前記基板を搬入出する基板搬送部を含む、請求項１から６のいずれか一項に記載のインターフェイス装置。
【請求項８】
前記複数のロードロック室が個別に高真空ポンプを含む、請求項１から７のいずれか一項に記載のインターフェイス装置。
【請求項９】
前記複数の加熱モジュールが多段に配置される、請求項１に記載のインターフェイス装置。
【請求項１０】
前記複数の冷却モジュールが多段に配置される、請求項１または９に記載のインターフェイス装置。
【請求項１１】
前記第１の搬送室が、前記複数のロードロック室、前記複数の加熱モジュール、および前記複数の冷却モジュールに対して前記基板を搬入出する基板搬送部を含む、請求項１、９および１０のいずれか一項に記載のインターフェイス装置。
【請求項１２】
前記複数の加熱モジュールおよび前記複数の冷却モジュールのいずれか一方または双方が、前記基板が載置される載置台を含み、当該載置台に静電チャックが設けられる、請求項１、および９から１１のいずれか一項に記載のインターフェイス装置。
【請求項１３】
前記第５の搬送口および前記第６の搬送口のいずれか一方または双方に、開閉可能な扉が設けられる、請求項１、および９から１２のいずれか一項に記載のインターフェイス装置。
【請求項１４】
請求項１に記載のインターフェイス装置を介して、前記レジスト塗布現像装置から前記露光装置へ基板を搬送する方法であって、
大気圧下において、前記レジスト塗布現像装置から前記インターフェイス装置の複数のロードロック室のうちの一のロードロック室へ、前記レジスト膜が形成された前記基板を搬送する、ロードロック室への搬送工程と、
前記一のロードロック室内を第１の真空度にまで減圧する工程と、
前記第１の真空度の下で、前記一のロードロック室から前記第１の搬送室へ前記基板を搬送する工程と、
前記第１の真空度の下で、前記第１の搬送室から前記第２の搬送室を通して前記複数の加熱モジュールのうちの一の加熱モジュールへ前記基板を搬送する工程と、
前記第１の真空度の下で、前記一の加熱モジュール内で前記基板を加熱する工程と、
前記第１の真空度の下で、前記一の加熱モジュールから前記複数の冷却モジュールのうちの一の冷却モジュールへ前記基板を搬送する工程と、
前記第１の真空度の下で、前記一の冷却モジュール内で前記基板を冷却する工程と、
前記第１の真空度の下で、前記一の冷却モジュールから前記第２の搬送室を通して前記第１の搬送室へ前記基板を搬送する工程と、
前記第１の搬送室内を、前記第１の真空度よりも低い第２の真空度にまで減圧する工程と、
前記第２の真空度の下で、前記第１の搬送室から前記露光装置へ前記基板を搬送する工程と
を含む方法。
【請求項１５】
前記第１の真空度が１０−４から１０−５Ｐａの範囲にあり、前記第２の真空度が約１０−２から１０−４Ｐａの範囲にある、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
請求項２に記載のインターフェイス装置を介して、前記レジスト塗布現像装置から前記露光装置へ基板を搬送する方法であって、
大気圧下において、前記レジスト塗布現像装置から前記インターフェイス装置の複数のロードロック室のうちの一のロードロック室へ、前記レジスト膜が形成された前記基板を搬送する、ロードロック室への工程と、
前記一のロードロック室内を減圧する工程と、
減圧下において、前記一のロードロック室から前記第１の搬送室へ前記基板を搬送する、ロードロック室への搬送工程と、
減圧下において、前記第１の搬送室から前記露光装置へ前記基板を搬送する工程と
を含む方法。
【請求項１７】
請求項１または２に記載のインターフェイス装置を介して、前記露光装置から前記レジスト塗布現像装置へ基板を搬送する方法であって、
減圧下において、露光処理が終了した基板を前記露光装置から前記第１の搬送室へ搬送する工程と、
減圧下において、前記第１の搬送室から前記複数のロードロック室のうちの一のロードロック室へ前記基板を搬送する工程と、
前記一のロードロック室内を大気圧に戻す工程と、
前記一のロードロック室内の前記基板を前記レジスト塗布現像装置へ搬送する工程と
を含む方法。
【請求項１８】
前記複数のロードロック室の各々に、前記第２の搬送口および前記第３の搬送口のいずれか一方または双方に隣接して、当該ロードロック室に搬入出される基板にガスを噴射するガス噴出部が設けられ、
前記ロードロック室への搬送工程において、前記ロードロック室へ搬送される前記基板に対して、前記ガス噴出部から前記ガスが噴出される、請求項１４または１６に記載の方法。
【請求項１９】
前記複数のロードロック室の各々に、当該ロードロック室の内部へガスを供給するガス供給部が設けられ、
前記ロードロック室への搬送工程において、前記一のロードロック室には前記ガス供給部から当該第３の搬送口へガスが流れる、請求項１４、１６および１８のいずれか一項に記載の方法。
【請求項２０】
請求項１４から１９のいずれか一項に記載の基板を搬送する方法を、請求項１から１３のいずれか一項のインターフェイス装置に実行させるコンピュータプログラムを記憶するコンピュータ可読記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外光でレジスト膜を露光する露光装置と、基板にレジスト膜を形成し、露光装置により露光されたレジスト膜を現像するレジスト塗布現像装置との間に設けられるインターフェイス装置、基板を搬送する方法、およびコンピュータ可読記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの更なる微細化に伴い、約２０ｎｍという線幅の実現が要請されている。このような線幅を実現するため、極端紫外光（以下、ＥＵＶ光）を露光光として用いる露光装置の開発が進められている。ＥＵＶ露光装置においては、ＥＵＶ光が大気中を透過できないため、真空下でレジスト膜への露光が行われる。一方、ウエハへのレジスト膜の塗布や現像は大気圧下で行われるため、レジスト塗布現像装置とＥＵＶ露光装置との間には、インターフェイスとしてのロードロック機構が不可欠である（例えば特許文献１）。
【特許文献１】特開２００８−３４７３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の発明者の検討によれば、ＥＵＶ露光装置では、レジスト膜からの溶剤などのアウトガスにより、光学系が汚染されるだけでなく、例えば、クリーンルーム中の雰囲気に含まれる有機物などがＥＵＶ露光装置に流入すると、ＥＵＶ光によって有機物が固化（黒鉛化）し、ミラーなどの光学系に付着するといった問題がある。特に、クリーンルーム中の有機物には高い炭素価を有するものも多く、このような有機物が光学系に固化し、付着すると取り除くのが困難となり、高価な光学系を交換しなければならないという事態ともなる。
【０００４】
このような問題は、ウエハをレジスト塗布現像装置からＥＵＶ露光装置へ搬送する際に、ロードロック室を真空排気し、ロードロック室内に例えば窒素（Ｎ２）ガスを充填し、再度真空排気するといった手順を繰り返すことによって、ある程度低減することが可能である。
【０００５】
しかし、このような手順を何度も繰り返すとウエハの搬送に長い時間がかかる。しかも、ＥＵＶ露光は例えば１０−５〜１０−６Ｐａといった高真空下で行われるため、上記の手順の後にロードロック室をこの程度の真空度まで真空排気する必要があり、高真空排気に更に長い時間がかかることになる。
【０００６】
一方、プロセスの再現性という観点から、レジスト膜の塗布から露光までにかかる時間や、露光から現像までにかかる時間をウエハ毎にほぼ一定にすることが好ましいという事情があるため、レジスト塗布現像装置とＥＵＶ露光装置との間のウエハの搬送はウエハキャリアを利用したバッチ式でなく、枚様式で行うことが好ましい。
【０００７】
そうすると、ウエハ１枚に対して上記の手順を何度も繰り返し、更に高真空排気を行うとすると、汚染を低減しつつ、例えば１００枚毎時といったスループットを実現することは殆ど不可能とある。
【０００８】
本発明は、上記の状況に照らして為され、ＥＵＶ露光装置内の汚染を低減するとともに、スループットの向上を可能とする、レジスト塗布現像装置とＥＵＶ露光装置との間に好適なインターフェイス装置、基板を搬送する方法、およびコンピュータ可読記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を実現するため、本発明の第１の態様は、極端紫外光でレジスト膜を露光する露光装置と、基板にレジスト膜を形成し、露光装置により露光されたレジスト膜を現像するレジスト塗布現像装置との間に設けられるインターフェイス装置を提供する。このインターフェイス装置は、開閉可能な第１の搬送口を含み、当該第１の搬送口を通して露光装置との間で基板が受け渡されるように構成され、内部空間が減圧可能な第１の搬送室；内部空間が減圧可能な複数のロードロック室であって、該複数のロードロック室の各々が開閉可能な第２の搬送口と開閉可能な第３の搬送口とを含み、第２の搬送口を通して第１の搬送室との間で基板が受け渡され、第３の搬送口を通してレジスト塗布現像装置との間で基板が受け渡されるように構成される、当該複数のロードロック室；開閉可能な第４の搬送口を含み、当該第４の搬送口を通して第１の搬送室との間で基板が受け渡されるように構成され、内部空間が減圧可能な第２の搬送室；基板を減圧下で加熱する複数の加熱モジュールであって、該複数の加熱モジュールの各々が第２の搬送室と連通する第５の搬送口を含み、当該第５の搬送口を通して基板が受け渡されるように構成される、当該複数の加熱モジュール；および基板を減圧下で冷却する複数の冷却モジュールであって、該複数の冷却モジュールの各々が第２の搬送室と連通する第６の搬送口を含み、当該第６の搬送口を通して基板が受け渡されるように構成される、当該複数の冷却モジュールを備える。
【００１０】
本発明の第２の態様は、極端紫外光でレジスト膜を露光する露光装置と、基板にレジスト膜を形成し、露光装置により露光されたレジスト膜を現像するレジスト塗布現像装置との間に設けられるインターフェイス装置であって、開閉可能な第１の搬送口を含み、当該第１の搬送口を通して露光装置との間で基板が受け渡されるように構成され、内部空間が減圧可能な第１の搬送室；および内部空間が減圧可能な複数のロードロック室であって、該複数のロードロック室の各々が開閉可能な第２の搬送口と開閉可能な第３の搬送口とを含み、第２の搬送口を通して第１の搬送室との間で基板が受け渡され、第３の搬送口を通してレジスト塗布現像装置との間で基板が受け渡されるように構成される、当該複数のロードロック室を備えるインターフェイス装置を提供する。
【００１１】
本発明の第３の態様は、第１または第２の態様のインターフェイス装置であって、複数のロードロック室の各々に、第２の搬送口および第３の搬送口のいずれか一方または双方に隣接して、当該ロードロック室に搬入出される基板にガスを噴射するガス噴出部が設けられるインターフェイス装置を提供する。
【００１２】
本発明の第４の態様は、第１から第３のいずれかの態様のインターフェイス装置であって、複数のロードロック室の各々に、当該ロードロック室の内部へガスを供給するガス供給部が設けられるインターフェイス装置を提供する。
【００１３】
本発明の第４の態様は、第１から第３のいずれかの態様のインターフェイス装置であって、複数のロードロック室の各々に、当該ロードロック室の内部へガスを供給するガス供給部が設けられるインターフェイス装置を提供する。
【００１４】
本発明の第５の態様は、第４の態様のインターフェイス装置であって、ガス供給部が、第３の搬送口が開いているときに、該第３の搬送口に向かって流れるガス流を形成することができるように設けられるインターフェイス装置を提供する。
【００１５】
本発明の第６の態様は、第１から第５のいずれかの態様のインターフェイス装置であって、複数のロードロック室が多段に配置されるインターフェイス装置を提供する。
【００１６】
本発明の第７の態様は、第１から第６のいずれかの態様のインターフェイス装置であって、第１の搬送室が、複数のロードロック室に対して基板を搬入出する基板搬送部を含むインターフェイス装置を提供する。
【００１７】
本発明の第８の態様は、第１から第７のいずれかの態様のインターフェイス装置であって、複数のロードロック室が個別に高真空ポンプを含むインターフェイス装置を提供する。
【００１８】
本発明の第９の態様は、第１の態様のインターフェイス装置であって、複数の加熱モジュールが多段に配置されるインターフェイス装置を提供する。
【００１９】
本発明の第１０の態様は、第１または第９の態様のインターフェイス装置であって、複数の冷却モジュールが多段に配置されるインターフェイス装置を提供する。
【００２０】
本発明の第１１の態様は、第１、第９および第１０のいずれかの態様のインターフェイス装置であって、第１の搬送室が、複数のロードロック室、複数の加熱モジュール、および複数の冷却モジュールに対して基板を搬入出する基板搬送部を含むインターフェイス装置を提供する。
【００２１】
本発明の第１２の態様は、第１および第９から第１１のいずれかの態様のインターフェイス装置であって、複数の加熱モジュールおよび複数の冷却モジュールのいずれか一方または双方が、基板が載置される載置台を含み、当該載置台に静電チャックが設けられるインターフェイス装置を提供する。
【００２２】
本発明の第１３の態様は、第１および第９から第１２のいずれかの態様のインターフェイス装置であって、第５の搬送口および第６の搬送口のいずれか一方または双方に、開閉可能な扉が設けられるインターフェイス装置を提供する。
【００２３】
本発明の第１４の態様は、第１の態様のインターフェイス装置を介して、レジスト塗布現像装置から露光装置へ基板を搬送する方法を提供する。この方法は、大気圧下において、レジスト塗布現像装置からインターフェイス装置の複数のロードロック室のうちの一のロードロック室へ、レジスト膜が形成された基板を搬送する、ロードロック室への搬送工程と、一のロードロック室内を第１の真空度にまで減圧する工程と、第１の真空度の下で、一のロードロック室から第１の搬送室へ基板を搬送する工程と、第１の真空度の下で、第１の搬送室から第２の搬送室を通して複数の加熱モジュールのうちの一の加熱モジュールへ基板を搬送する工程と、第１の真空度の下で、一の加熱モジュール内で基板を加熱する工程と、第１の真空度の下で、一の加熱モジュールから複数の冷却モジュールのうちの一の冷却モジュールへ基板を搬送する工程と、第１の真空度の下で、一の冷却モジュール内で基板を冷却する工程と、第１の真空度の下で、一の冷却モジュールから第２の搬送室を通して第１の搬送室へ基板を搬送する工程と、第１の搬送室内を、第１の真空度よりも低い第２の真空度にまで減圧する工程と、第２の真空度の下で、第１の搬送室から露光装置へ基板を搬送する工程とを含む。
【００２４】
本発明の第１５の態様は、第１４の態様の方法であって、第１の真空度が１０−４から１０−５Ｐａの範囲にあり、第２の真空度が１０−２から１０−４Ｐａの範囲にある方法を提供する。
【００２５】
本発明の第１６の態様は、第２の態様のインターフェイス装置を介して、レジスト塗布現像装置から露光装置へ基板を搬送する方法であって、大気圧下において、レジスト塗布現像装置からインターフェイス装置の複数のロードロック室のうちの一のロードロック室へ、レジスト膜が形成された基板を搬送する、ロードロック室への工程と、一のロードロック室内を減圧する工程と、減圧下において、一のロードロック室から第１の搬送室へ基板を搬送する、ロードロック室への搬送工程と、減圧下において、第１の搬送室から露光装置へ基板を搬送する工程とを含む方法を提供する。
【００２６】
本発明の第１７の態様は、第１または第２の態様のインターフェイス装置を介して、露光装置からレジスト塗布現像装置へ基板を搬送する方法であって、減圧下において、露光処理が終了した基板を露光装置から第１の搬送室へ搬送する工程と、減圧下において、第１の搬送室から複数のロードロック室のうちの一のロードロック室へ基板を搬送する工程と、一のロードロック室内を大気圧に戻す工程と、一のロードロック室内の基板をレジスト塗布現像装置へ搬送する工程とを含む方法を提供する。
【００２７】
本発明の第１８の態様は、第１４または第１６の態様の方法であって、複数のロードロック室の各々に、第２の搬送口および第３の搬送口のいずれか一方または双方に隣接して、当該ロードロック室に搬入出される基板にガスを噴射するガス噴出部が設けられ、ロードロック室への搬送工程において、ロードロック室へ搬送される基板に対して、ガス噴出部からガスが噴出される方法を提供する。
【００２８】
本発明の第１９の態様は、第１４、第１６および第１８のいずれかの態様の方法であって、複数のロードロック室の各々に、当該ロードロック室の内部へガスを供給するガス供給部が設けられ、ロードロック室への搬送工程において、一のロードロック室にはガス供給部から当該第３の搬送口へガスが流れる方法を提供する。
【００２９】
本発明の第２０の態様は、第１４１４から第１９のいずれかの態様の方法を、第１から第１３のいずれかの態様のインターフェイス装置に実行させるコンピュータプログラムを記憶するコンピュータ可読記憶媒体を提供する。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の実施形態によれば、ＥＵＶ露光装置内の汚染を低減するとともに、スループットの向上を可能とする、レジスト塗布現像装置とＥＵＶ露光装置との間に好適なインターフェイス装置、基板を搬送する方法、およびコンピュータ可読記憶媒体が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の実施形態による洗浄用治具を説明する。添付の全図面中、同一または対応する部材または部品については、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面は、部材もしくは部品間の相対比を示すことを目的とせず、したがって、具体的な寸法は、以下の限定的でない実施形態に照らし、当業者により決定されるべきものである。
【００３２】
本発明の一実施形態によるインターフェイス装置は、ウエハＷへレジスト膜を塗布し、露光されたレジスト膜を現像するレジスト塗布現像装置（以下、単に塗布現像装置という）と、塗布現像装置において塗布されたレジスト膜をＥＵＶ光で露光するＥＵＶ露光装置との間に設けられる。
【００３３】
初めに、図１および図２を参照しながら、本発明の一実施形態によるインターフェイス装置が利用される塗布現像装置について説明する。図１に示すように、塗布現像装置２０は、所謂ＦＯＵＰ（Front Opening Universal Pod）などのウエハカセットＣに収容されるウエハＷを搬入出するためのカセットステーションＳ１を有している。カセットステーションＳ１は、複数のウエハカセットＣを載置可能な載置台２１と、この載置台２１に載置される複数のウエハカセットＣに対応して設けられる複数の開閉部２２と、ウエハカセット開閉部２２を通してウエハＷをウエハカセットＣから取り出し、ウエハカセットＣへ戻す搬送機構２３（図２）と、を有する。なお、ウエハカセットＣは、複数（たとえば１３枚）のウエハＷを収納することができる。
【００３４】
また、塗布現像装置２０は、カセットステーションＳ１の隣に、筐体２４で囲まれた処理部Ｓ２を有する。図２に示すとおり、処理部Ｓ２においては、棚ユニットＵ１、主搬送部２５Ａ、棚ユニットＵ２、主搬送部２５Ｂ、および棚ユニットＵ３がこの順にＸ方向に沿って配置されている。
【００３５】
棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３の各々は、液処理ユニットＵ４、Ｕ５（後述）にて行われる処理に対する前処理および後処理を行うための多段（例えば１０段）の加熱ユニットかつ／または冷却ユニットを有している。
【００３６】
主搬送部２５Ａ、２５Ｂは、棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３や、塗布・現像ユニットＵ４、Ｕ５を含む種々の処理ユニットの間でウエハＷを搬送する。棚ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３および主搬送部２５Ａ、２５Ｂの各々には図示しない開口部が形成され、開口部を通して、ウエハＷを棚ユニットＵ１から棚ユニットＵ３まで搬送することができる。
【００３７】
搬送部２５Ａは、棚ユニットＵ１、液処理ユニットＵ４および棚ユニットＵ２に囲まれるように配置されている。同様に、搬送部２５Ｂは、棚ユニットＵ２、液処理ユニットＵ５および棚ユニットＵ３に囲まれるように配置されている。
【００３８】
液処理ユニットＵ４、Ｕ５は、図１に示すように、レジスト液や現像液などを収納する収納部２９と、収納部２９の上に配置され、塗布ユニットＣＯＴ、現像ユニットＤＥＶおよび反射防止膜形成ユニットＢＡＲＣ等を含む複数段（例えば５段）のユニットと、を有する。なお、液処理ユニットＵ４は３段の塗布ユニットＣＯＴと２段の反射防止膜形成ユニットＢＡＲＣとを有し、液処理ユニットＵ５は５段の現像ユニットＤＥＶを有しているが、塗布ユニットＣＯＴ、現像ユニットＤＥＶおよび反射防止膜形成ユニットＢＡＲＣの組み合わせは、図示の例に限られず、適宜組み合わされて良い。また、液処理ユニットＵ４（Ｕ５）の隣には、液処理ユニットで使用される液の温度調節装置や、温湿度調節に用いられるダクト等を含む温湿度調整ユニット２７（２８）が設けられている。
【００３９】
処理部Ｓ２の隣に図１および図２に示すＸ軸の正方向に沿って、搬送ユニット部Ｓ３が設けられ、処理部Ｓ２がカセットステーションＳ１と搬送ユニット部Ｓ３とで挟まれている。搬送ユニット部Ｓ３は、処理部Ｓ２と、後に説明する本発明の実施形態によるインターフェイス装置３０（３００）との間でウエハＷを受け渡す受け渡しユニット３３を有している。受け渡しユニット３３は、ウエハＷの裏面外周部を支持して搬送する支持部を有し、この支持部を図２中のＹ軸方向に移動することができ、基端を中心に回転することができる。これにより、処理部Ｓ２とインターフェイス装置３０との間でウエハＷを受け渡すことができる。
【００４０】
図１および図２を参照すると、塗布現像装置２０の搬送ユニット部Ｓ３に隣接して、本発明の実施形態によるインターフェイス装置３０（または３００）が配置され、インターフェイス装置３０に隣接してＥＵＶ露光装置４０が配置されている。すなわち、インターフェイス装置３０は、塗布現像装置２０とＥＵＶ露光装置４０との間に配置されている。
【００４１】
ＥＵＶ露光装置４０は、ゲート弁４１が設けられた搬送口（図示せず）を有する真空チャンバ４２と、真空チャンバ４２内に配置され、露光処理の対象となるウエハが載置されるウエハステージ４３とを有している。真空チャンバ４２には、多層膜ミラーなどを含む光学系（図示せず）が配置され、真空チャンバ４２の外に配置されたＥＵＶ光源（図示せず）からのＥＵＶ光により、ウエハステージ４３上のウエハが露光される。
【００４２】
（第１の実施形態）
次に、本発明の第１の実施形態によるインターフェイス装置３０について説明する。図３は、インターフェイス装置３０の構成をＥＵＶ露光装置４０（図示省略）の方から見た斜視図である。なお、インターフェイス装置３０は、塗布現像装置２０（搬送ユニット部Ｓ３）とほぼ同一の高さと幅を有するキャビネットを有するが、図３においては省略している。 
図示の通り、インターフェイス装置３０は、ほぼ中央部に搬送室１を有している。また、インターフェイス装置３０は、ゲート弁４Ｖ１を介して搬送室１に連結されるロードロック室４ａと、ゲート弁４Ｖ２を介して搬送室１に連結され、ロードロック室４ａの下方に配置されるロードロック室４ｂと、ゲート弁４Ｖ３を介して搬送室１に連結され、搬送室１を間に挟んでロードロック室４ａと対向するロードロック室４ｃと、ゲート弁４Ｖ４を介して搬送室１と連結され、ロードロック室４ｃの下方に配置されるロードロック室４ｄと、を有している。
【００４３】
搬送室１には、ゲート弁１Ｖ２を介して例えばターボ分子ポンプ（図示せず）が接続されている。また、搬送室１は、ＥＵＶ露光装置４０に向けて開口する搬送口（図示せず）を有し、この搬送口はゲート弁１Ｖ３により開閉される。この搬送口を通して、ウエハＷがインターフェイス装置３０とＥＵＶ露光装置４０との間で搬入出される。ゲート弁１Ｖ２、１Ｖ３、およびゲート弁４Ｖ１〜４Ｖ４を閉めると、搬送室１は密閉される一方、ゲート弁１Ｖ２を開けてターボ分子ポンプで排気すると、搬送室１内が１０−４〜１０−５Ｐａ程度の減圧状態に維持される。なお、搬送室１内の圧力は、図示しない真空計により測定することができる。真空計は、一般的なイオンゲージであって良い。ただし、イオンゲージから放出される光または電子により、ウエハＷ上に形成されるレジスト膜が変質する可能性があるため、イオンゲージは、イオンゲージからの光や電子がレジスト膜に到達しない位置に設けられる。また、真空計は、ロードロック室４ａ〜４ｄにも設けることができる。この場合にも、真空計としてのイオンゲージは、イオンゲージからの光や電子がレジスト膜に到達しない位置に設けられる。
【００４４】
さらに、搬送室１内には、ウエハ搬送ユニット１ｃが設けられている。ウエハ搬送ユニット１ｃは、上下方向（図３中のＺ軸方向）に伸縮可能であり、上下方向を中心軸として約３６０°回動可能である。また、ウエハ搬送ユニット１ｃは、先端部にウエハＷの裏面を保持する２つのウエハ支持プレート１ｃ１（図４に１つのみを示す）を有し、ウエハ支持プレート１ｃ１をＸ方向およびＹ方向に沿って動かすことができる。また、２つのウエハ支持プレート１ｃ１は、交互に前進し後退できるように構成されており、一度に２枚のウエハＷを取り扱うことができる。具体的には、一方のウエハ支持プレート１ｃ１がウエハＷ１を支持し、他方のウエハ支持プレート１ｃ１がウエハを支持しない状態で例えばロードロック室４ａの前に位置し、ゲート弁４Ｖ１が開いた後、他方のウエハ支持プレート１ｃ１でロードロック室４ａ内のウエハＷ２を搬出し、続けて（ゲート弁４Ｖ１を閉めずに）、一方のウエハ支持プレート１ｃ１でロードロック室４ａ内へウエハＷ１を搬入することができる。 
なお、後に説明するように、ウエハ支持プレート１ｃ１は冷却機能または温調機能を有して良い。
【００４５】
次に、図４（Ａ）および図４（Ｂ）を参照しながら、ロードロック室４ａについて説明する。図４（Ａ）は、ロードロック室４ａの概略断面図であり、図４（Ｂ）は、ロードロック室４ａの概略上面図である。図示のとおり、ロードロック室４ａは、扁平な筐体４ａ２を有している。図４（Ａ）に示すように、筐体４ａ２は、ゲート弁４Ｖ１により開閉可能な搬送口４ａ３と、ゲート弁４Ｖ１１により開閉可能な排気口４ａ４と、ゲート弁４Ｖ１２により開閉可能な高真空排気口４ａ５とを有している。さらに、図４（Ｂ）に示すように、筐体４ａ２は、ゲート弁４Ｖ１３により開閉可能な搬送口４ａ６を有している。
【００４６】
搬送口４ａ３は、筐体４ａ２における搬送室１に面する側壁に形成されている。搬送口４ａ３を通して、ウエハ支持プレート１ｃ１により搬送室１と筐体４ａ２との間でウエハＷが搬入出される。 
一方、搬送口４ａ６は、筐体４ａ２における塗布現像装置２０に面する側壁に形成されている。搬送口４ａ６を通して、塗布現像装置２０の搬送ユニット部Ｓ３に設けられた受け渡しユニット３３によって、塗布現像装置２０と筐体４ａ２との間でウエハＷが搬入出される。
【００４７】
排気口４ａ４は、筐体４ａ２内が粗排気されるときに使用される。排気口４ａ４に設けられたゲート弁４Ｖ１１にはバイパス管ＢＰが接続され、バイパス管ＢＰはドライポンプＤＰに接続されている。また、バイパス管ＢＰの途中にはストップ弁ＳＶ１が設けられている。この構成により、ロードロック室４ａの内部を粗排気することができる。 
一方、高真空排気口４ａ５は、筐体４ａ２内が高真空排気されるときに使用される。高真空排気口４ａ５に設けられたゲート弁４ａＶ１２には、ターボ分子ポンプＴＭＰが接続されており、ターボ分子ポンプＴＭＰには補助排気パイプＡＰが接続され、補助排気パイプＡＰにはドライポンプＤＰが接続されている。また、補助排気パイプＡＰの途中にはストップ弁ＳＶ２が設けられている。この構成により、粗排気されたロードロック室４ａ内を高真空（例えば１０−４〜１０−５Ｐａ）にまで排気することができる。なお、この場合、ドライポンプＤＰは、ストップ弁ＳＶ１およびＳＶ２の切り替えにより、ロードロック室４ａ内の粗排気用ポンプと、ターボ分子ポンプＴＭＰの補助ポンプとして機能する。
【００４８】
また、ロードロック室４ａ内には、ウエハＷを支持する３つのウエハ支持ピン４ａ７が設けられている。ウエハ支持ピン４ａ７は本実施形態では上下動することなく、したがって、ウエハＷは、ウエハ支持プレート１ｃ１および受け渡しユニット３３が上下動することにより、ウエハ支持ピン４ａ７へ載置され、ウエハ支持ピン４ａ７から取り上げられる。他の実施形態においては、ウエハ支持ピン４ａ７を上下動可能に設けても良い。
【００４９】
また、筐体４ａ２には、一組のガスブロワー４００が設けられている。一方のガスブロワー４００は、図４（Ａ）に示すように、筐体４ａ２内にて搬送口４ａ３から離れた位置において筐体４ａ２の天井部と底部に配置されており、他方のガスブロワー４００は、図４（Ｂ）に部分的に示すように、搬送口４ａ６から離れた位置において筐体４ａ２の天井部と底部に配置されている。図４（Ａ）を参照すると、ガスブロワー４００は、一方端において、筐体４ａ２の天井部に設けられた貫通孔に気密に挿入された配管４０１と、配管４０２の途中に設けられたガスラインフィルタ４０２と、配管４０２の途中であってガスラインフィルタ４０２よりも筐体４ａ２側に設けられたバルブ４０３と、筐体４ａ２内において配管４０１の先端に取り付けられたガス噴出スリット４０４とを有している。配管４０２の他方端は図示しないガス供給源に接続されている。ガス供給源は例えば窒素（Ｎ２）ガスシリンダーを含み、これにより、ガス供給源から配管４０１へＮ２ガスを供給することができる。また、ガス供給源は、配管４０２へドライエアを供給できるよう構成しても良い。ガスラインフィルタ４０２は、例えばフッ素樹脂による濾過膜などを有し、配管４０１内を流れるＮ２ガス中の異物を除去する。ガス噴出スリット４０４は、図４（Ｂ）に示すように、ウエハＷの搬入出方向と交差する方向に延在している。このような構成により、ガス噴出スリット４０４からＮ２ガスを噴出することができる。なお、ガス噴出スリット４０４のスリット幅は、配管４０１内外において、このガス噴出スリット４０４から噴出されるガスにより例えばエアカーテンが形成される程度の圧力差を生じる程度とされる。
【００５０】
さらに、筐体４ａ２の底部には、図４（Ｂ）に示すように、ガス流入口４ａ８が形成されており、ガス流入口４ａ８に接続された配管（図示せず）には、ストップ弁と、筐体４ａ２内が加圧されるのを防止する安全弁とが設けられており（ともに図示せず）、ストップ弁を開くことにより、例えばＮ２ガスまたはドライエアが筐体４ａ２内へ流入する。この構成により、筐体４ａ２内を大気圧にすることができる。また、筐体４ａ２内が大気圧となりゲート弁４Ｖ１３が開いた後にもガス流入口４ａ８からＮ２ガスを継続して流すようにすると好ましいこのＮ２ガスは、筐体４２ａから搬送口４ａ６を通して塗布現像装置２０内へと流れるため、塗布現像装置２０から筐体４ａ２内へ空気が流入するのを低減することができる。上述のとおり、塗布現像装置２０内は、大気圧下にあり、クリーンルーム内の空気で満たされている。クリーンルーム内の空気には有機物が含まれるが、このようにＮ２ガスを流し続けることによって、有機物の筐体４ａ２内への流入を低減することが可能となる。また、塗布現像装置２０から筐体４ａ２内に空気が流れ込むと、空気中の水分が筐体４ａ２の内壁に付着し、高真空にまで排気するのに長い時間がかかることとなるが、本実施形態によるロードロック室４ａによれば、ガス流入口４ａ８からのＮ２ガスにより塗布現像装置２０からの空気の流入を低減できるので、高真空に排気するまでの時間を短縮することが可能となる。
【００５１】
以上、ロードロック室４ａについて説明したが、ロードロック室４ｂ〜４ｄも同じ構成を有している。なお、ターボ分子ポンプＴＭＰは、各ロードロック室４ａ〜４ｄに一つずつ設けられる一方で、ドライポンプＤＰは全てのロードロック室４ａ〜４ｄについて補助ポンプおよび粗排気ポンプとして共用することができる。この場合、例えばロードロック室４ａを高真空排気中にロードロック室４ｂを大気圧から粗排気するときには、バイパス管ＢＰおよび補助排気パイプＡＰ内の圧力が一時的に上昇するが、ターボ分子ポンプＴＭＰの構成上、ロードロック室４ａ内の圧力は上昇することがなく、高真空が維持される。
【００５２】
再び図２を参照すると、インターフェイス装置３０は、インターフェイス装置３０を構成するロードロック室、モジュール、ゲート弁、ポンプ、種々の機器などを制御する制御部３０ａと、制御部３０ａに接続され、所定のプログラムを記憶する記憶装置３０ｂと、コンピュータ可読記憶媒体３０ｅに格納されるプログラムを記憶装置３０ｂへ読み込むための入出力（Ｉ／Ｏ）装置３０ｃと、制御部３０ａに接続され、プロセスパラメータの変更や更新のためプロセスレシピを表示したり、プロセスの状況を表示したりする表示装置３０ｄとを有している。
【００５３】
制御部３０ａは、構成要素としてＣＰＵ（中央処理装置）を含む例えばコンピュータであって良く、インターフェイス装置３０に例えば後述するプロセスを実行させるための命令群を有するプログラムに基づいて、インターフェイス装置３０の各機器を動作させ、そのプロセスを実施する。このプログラムは、ハードディスク、光ディスク、磁気ディスク、半導体メモリデバイスを始めとする種々のコンピュータ可読記録媒体３０ｅに格納されて良く、Ｉ／Ｏ装置３０ｃを通して読み込まれて記憶装置３０ｂに記憶され、必要に応じて制御部３０ａに読み出されて実行される。なお、制御部３０ａは、塗布現像装置２０とＥＵＶ露光装置４０の制御部（図示せず）と接続されており、上記のプログラムに従って塗布現像装置２０とＥＵＶ露光装置４０の制御部との間で信号の送受信を行い（図２中の破線矢印）、塗布現像装置２０、インターフェイス装置３０、およびＥＵＶ露光装置４０によるプロセスを実行させる。これにより、例えば、塗布現像装置２０の受け渡しユニット３３とインターフェイス装置３０のロードロック室４ａとが協働して、受け渡しユニット３３からロードロック室４ａへウエハＷが搬送される。
【００５４】
次に、図２、図５および図６を参照しながら、塗布現像装置２０、インターフェイス装置３０、およびＥＵＶ露光装置４０において行われる一連の塗布／露光／現像プロセスについて説明する。なお、図６はウエハ搬送のタイムチャートの一例を示すに過ぎず、本発明を限定するものではない。
【００５５】
（レジスト塗布）
先ず、ウエハＷの収納されたウエハカセットＣが載置台２１に載置される。次に、ウエハカセットＣの蓋体が外されるとともに、このウエハカセットＣに対応する開閉部２２が開かれ、搬送機構２３（図２）によってウエハカセットＣからウエハＷが取り出される。次に、ウエハＷは、棚ユニットＵ１の一段をなす受け渡しユニット（図示せず）を介して主搬送部２５Ａへと引き渡される。次いで、ウエハＷは主搬送部２５Ａにより棚ユニットＵ１〜Ｕ３内のいずれかの棚へ搬送され、前処理として例えば疎水化処理や冷却処理などが行われ、更に塗布ユニットＣＯＴへ搬送されて、レジスト膜が回転塗布される。
【００５６】
次いで、ウエハＷは、棚ユニットＵ３の加熱ユニットに搬送され、プリベークが行われる。
【００５７】
（ウエハのロードロック室への搬送）
この後、ウエハＷは、棚ユニットＵ３から搬送ユニット部Ｓ３の受け渡しユニット３３（図５）へ受け渡される。受け渡しユニット３３はウエハＷを支持したまま、ロードロック室４ａのゲート弁４Ｖ１３の前に移動する。この時点で、ロードロック室４ａ内はガス流入口４ａ８から供給されるＮ２ガスによって大気圧になっており、すなわち、ゲート弁４Ｖ１３を開く準備が整っている。ゲート弁４Ｖ１３が開くと、受け渡しユニット３３はロードロック室４ａの筐体４ａ２内へ進入する。この際、ガス流入口４ａ８からＮ２を供給し続けることにより、搬送ユニット部Ｓ３から筐体４ａ２内への空気の流入を低減することができる。また、ガスブロワー４００のガス噴出スリット４０４からもＮ２ガスまたはドライエアを噴出させることにより、筐体４ａ２内への空気の流入を更に低減することができる。筐体４ａ２内へ搬送されたウエハＷは、受け渡しユニット３３が下方へ移動することにより、ウエハ支持ピン４ａ７により支持される。受け渡しユニット３３が筐体４ａ２から退出した後、ゲート弁４Ｖ１３が閉まり、ウエハＷのロードロック室への搬送が完了する。
【００５８】
ウエハＷをロードロック室４ａに搬入するのに要する時間（ゲート弁４Ｖ１３を開けてから再び閉めるまでの時間）は、例えば約６秒とすることができる（図６の「waf. in1」）。
【００５９】
（ロードロック室の排気）
次に、ゲート弁４Ｖ１１が開き、筐体４ａ２内が粗排気される。粗排気の時間は、例えば約９秒とすることができる（図６の「粗排気１」）。この後、ゲート弁４Ｖ１１を閉じて排気を停止するともに、ガス流入口４ａ８から例えばＮ２ガスを流し、約４秒間（図６の「Ｎ２」）で筐体４ａ２内が大気圧に戻される。そして、ガス流入口４ａ８からのＮ２ガスの供給を停止し、ゲート弁４Ｖ１１を開くことにより再度粗排気が行われる。この粗排気も約９秒間で良い（図６の「粗排気２」）。
【００６０】
次いで、ゲート弁４Ｖ１１を閉めて粗排気を停止するとともに、ゲート弁４Ｖ１２を開いて、ターボ分子ポンプＴＭＰにより筐体４ａ２内を高真空排気する。高真空排気は２６秒間程度であって良い（図６の「本排気」）。ウエハＷの搬入時にロードロック室４ａの筐体４ａ２内へ空気が僅かに流入したとしても、２回の粗排気に加えて高真空排気によりパージすることができる。
【００６１】
（ウエハのＥＵＶ露光装置への搬送）
ロードロック室４ａ内が高真空排気されている間、搬送室１も、ゲート弁１Ｖ２が開いてターボ分子ポンプ（図示せず）により高真空排気されている。 
ロードロック室４ａおよび搬送室１内が高真空排気された後、ロードロック室４ａのゲート弁４Ｖ１２と、搬送室１のゲート弁１Ｖ２とが閉じるとともに、ロードロック室４ａと搬送室１との間のゲート弁４Ｖ１が開く。次に、搬送室１内のウエハ搬送ユニット１ｃのウエハ支持プレート１ｃ１がロードロック室４ａ内へ進入し、ウエハ支持ピン４ａ７上のウエハＷを持ち上げ、搬送室１へ搬出する。
【００６２】
この後、搬送室１のゲート弁１Ｖ３とＥＵＶ露光装置４０のゲート弁４１（図５）とが開き、ウエハＷは、ウエハ搬送ユニット１ｃにより、ＥＵＶ露光装置４０の真空チャンバ４２内へ搬送されて、ウエハステージ４３に載置される。
【００６３】
（ウエハのインターフェイス装置への搬送）
ＥＵＶ露光装置４０のウエハステージ４３上でウエハＷ（レジスト膜）の露光が終了すると、ゲート弁４１とゲート弁１Ｖ３が開き、インターフェイス装置３０のウエハ搬送ユニット１ｃによって、ウエハＷがＥＵＶ露光装置４０のウエハステージ４３からインターフェイス装置３０の搬送室１へ搬送される。次いで、ゲート弁４１とゲート弁１Ｖ３が閉まって、ウエハＷの搬送室１への搬送が終了する。これに要する時間は、例えば約８秒とすることができる（図６（Ａ）の「waf. out1」）。
【００６４】
（ウエハの塗布現像装置への搬送）
次いで、ウエハＷは、一のウエハＷがどのように搬送されるかを予め定めた搬送フローに従って、所定のロードロック室に搬送される。具体的には、搬送フローに従ってこの時点において高真空排気が終了しているロードロック室へ搬送される。便宜上、ロードロック室４ａへ搬送されるとすると、まずゲート弁４Ｖ１が開き、ウエハ搬送ユニット１ｃが露光されたウエハＷをロードロック室４ａ内へ搬入し、ウエハ支持ピン４ａ７上に載置する。ウエハ搬送ユニット１ｃ（ウエハ支持プレート１ｃ１）がロードロック室４ａから退出した後、ゲート弁４Ｖ１が閉まる。ゲート弁４Ｖ１が開いてから閉まるまでは、例えば約７秒を要する（図６中の「waf. in2」）。
【００６５】
続けて、ロードロック室４ａ内へガス流入口４ａ８から例えばＮ２ガスが流入し、例えば約５０秒かけて、ロードロック室４ａ内が大気圧に戻される（図６中の「Ｎ２パージ」）。この後、ガス流入口４ａ８からＮ２ガスを流したまま、ゲート弁４Ｖ１３を開く。これにより、搬送口４ａ６（図４（Ｂ））を介してロードロック室４ａと、塗布現像装置２０の搬送ユニット部Ｓ３とが連通する。また、ロードロック室４ａから搬送ユニット部Ｓ３へ向かうＮ２ガスにより、搬送ユニット部Ｓ３から空気の流入が低減され、ロードロック室４ａ内が清浄な雰囲気に維持される。
【００６６】
そして、搬送ユニット部Ｓ３の受け渡しユニット３３がロードロック室４ａ内へ進入し、ウエハ支持ピン４ａ７上のウエハＷを受け取って、搬送ユニット部Ｓ３へと退出する。この後、ゲート弁４Ｖ１３が閉まって、ウエハＷの塗布現像装置２０への搬送が終了する。ウエハＷをロードロック室４ａから搬送ユニット部Ｓ３へ搬送するのに要する時間は、例えば約５秒とすることができる（図６（Ａ）の「waf. out2」）。
【００６７】
なお、ロードロック室４ａから搬送ユニット部Ｓ３へウエハＷを搬出した後、次のウエハＷがロードロック室４ａ内へ搬入されてから、ゲート弁４Ｖ１３を閉じるようにしても良い。
【００６８】
この後、主搬送部２５Ｂ（図２）により、露光されたウエハＷは現像ユニットＤＥＶへ搬送され、現像ユニットＤＥＶにてウエハＷ上のレジスト膜が現像されてレジストマスクが形成される。その後、主搬送部２５Ａや搬送機構２３（図２）により、ウエハＷは載置台２１上の元のウエハカセットＣへと戻される。
【００６９】
なお、以上、１枚のウエハの搬送手順を説明したが、ウエハカセットＣ内の複数枚のウエハＷ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４，・・・を枚様式に連続して処理する場合は、図６（Ｂ）に示すように、例えば先行するウエハＷ１がロードロック室４ａ内にあり、このロードロック室４ａの内部が高真空排気されているときに、次のウエハＷ２のロードロック室４ｂへの搬送を開始して良い。また、ウエハＷ２がロードロック室４ｂ内にあり、このロードロック室４ｂの内部が高真空排気されているときに、次のウエハＷ３のロードロック室４ｃへの搬送を開始して良い。
【００７０】
また、このようにウエハＷを搬送する場合、ＥＵＶ露光されたウエハＷ１が搬送室１からロードロック室４ａに搬入されるときには、露光されたウエハＷは、ロードロック室４ａ〜４ｄのうち、ＥＵＶ露光装置４０への搬送が予定されるウエハＷが収容され、高真空排気が完了しているロードロック室、すなわち、ウエハＷのＥＵＶ露光装置４０への搬送の準備が整っているロードロック室（ロードロック室４ａ）へ搬送される。具体的には、まずゲート弁４Ｖ１が開くと、ウエハ搬送ユニット１ｃの２つのウエハ支持プレート１ｃ１のうち、ウエハＷを支持していないウエハ支持プレート１ｃ１がロードロック室４ａ内へ進入し、ロードロック室４ａ内のウエハＷを受け取り、搬送室１内へ退出する。これにより、ロードロック室４ａ内のウエハＷが搬送室１へ搬送される（図６（Ａ）の「waf. in1」）。続いて、ウエハ搬送ユニット１ｃは、ＥＵＶ露光装置４０から搬出したウエハＷをウエハ支持プレート１ｃ１によりロードロック室４ａ内へ搬送し、ロードロック室４ａ内のウエハ支持ピン４ａ７上に載置する。これにより、露光されたウエハＷがロードロック室４ａ内に搬入される（図６（Ａ）の「waf. in2」）。ウエハ支持プレート１ｃ１がロードロック室４ａから退出した後、ゲート弁４Ｖ１が閉まる。ゲート弁４Ｖ１が開いてから再び閉じるまでに要する時間は、例えば約１５秒とすることができる（図６（Ａ）の「waf. in1」＋「waf. in2」）。
【００７１】
なお、このようなウエハの出し入れは、搬送室１とロードロック室４ａ〜４ｄとの間だけでなく、搬送室１とＥＵＶ露光装置４０内の真空チャンバ４２との間でも可能である。
【００７２】
以上のように時間差を設けて順次ウエハＷを搬送することにより、スループットを向上することができる。すなわち、上記の説明によれば、１枚のウエハＷがインターフェイス装置３０に存する時間（図６（Ａ）のタイムチャートの合計時間）は約１２４秒となるが、１２４秒後に次のウエハＷの搬送を開始するのではなく、所定の時間差でウエハＷを順次搬送することが可能となる。
【００７３】
また、例えば１時間当たり約１００枚のウエハＷを搬送しようとすれば、図６（Ｂ）に示すように、約３６秒毎にウエハＷの搬送を開始すれば良い。この場合、１枚のウエハＷの露光処理に約１４４秒が許容される。これにより、例えば粗排気を３回にしたり、高真空排気（本排気）時間を長くしたりすることができ、空気中の有機物等がＥＵＶ露光装置４０内へ混入するのを更に防止することが可能となる。なお、図６（Ｂ）では、ロードロック室４ａ〜４ｄが大気圧になっている期間（図６（Ａ）の符号に従って説明すると「Ｎ２パージ」、「waf. out2」、および「waf. in1」の合計期間）を符号「ＡＴ」で示し、減圧になっている期間（「粗排気１」の後の「Ｎ２」を含む）を符号「ＶＡ」で示している。
【００７４】
以上のとおり、本発明の第１の実施形態によれば、インターフェイス装置３０は複数のロードロック室４ａ〜４ｄを備え、ウエハＷを枚様式に連続して搬送することが可能であるため、ロードロック室４ａ〜４ｄの粗排気、清浄ガスの大気圧充填、再度の粗排気、および高真空排気を行って、空気中の有機物に起因する汚染を低減しつつ、スループットを向上することができる。また、レジスト塗布から露光までの時間と、露光から現像までの時間をウエハＷ毎にほぼ同一とすることができ、したがって、ウエハ間のプロセス再現性のばらつきを最小限に抑えることが可能である。
【００７５】
また、ロードロック室４ａのガス流入口４ａ８から例えばＮ２ガスを流すことにより、塗布現像装置２０からロードロック室４ａ内に空気が流入するのを防止することが可能となり、さらに、ガスブロワー４００からのＮ２ガスまたはドライエアの噴出によっても空気の流入が妨げられるので、空気中の有機物がロードロック室４ａひいてはＥＵＶ露光装置４０へ流入するのが防止され、ＥＵＶ露光装置４０内の光学系等の汚染が防止される。
【００７６】
さらに、ロードロック室４ａ〜４ｄは同一の構成を有してユニット化されているため、例えば、ロードロック室４ａのゲート弁４Ｖ１とストップ弁ＳＶ１，ＳＶ２とを閉めれば、ロードロック室４ｂ〜４ｄを使用してプロセスを行いつつ、ロードロック室４ａの筐体４ａ２をゲート弁４Ｖ１から取り外し、ロードロック室４ａのメンテナンスを行うことが可能である。
【００７７】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態によるインターフェイス装置について説明する。第２の実施形態によるインターフェイス装置は、第１の実施形態によるインターフェイス装置３０と同様に、塗布現像装置２０とＥＵＶ露光装置４０との間に配置される。 
図７を参照すると、第２の実施形態によるインターフェイス装置３００は、第１の実施形態によるインターフェイス装置３０と比較して、搬送室１の縦方向のほぼ中間部に設けられたゲート弁１Ｖ１により、搬送室１が上部搬送室１ａと下部搬送室１ｂに区分けされ、複数のロードロック室４ａ〜４ｄが対応するゲート弁４Ｖ１〜４Ｖ４を介して下部搬送室１ｂに連結し、上部搬送室１ａと連通する加熱モジュール２ａ〜２ｃと冷却モジュール３ａ〜３ｃを有している点で相違し、その他の点で同一である。
【００７８】
以下、ロードロック室４ａ〜４ｄの構成等に関する重複する説明を省略しつつ、相違点を中心に、本実施形態によるインターフェイス装置３００について説明する。
【００７９】
図７に示すように、インターフェイス装置３００は、中央部において縦方向に延びる搬送室１を有しており、搬送室１は、縦方向のほぼ中間部に設けられたゲート弁１Ｖ１により、上部搬送室１ａと下部搬送室１ｂに区分けされている。また、インターフェイス装置３００は、ロードロック室４ａの上方において、上部搬送室１ａの右側（−Ｙ側）に多段に重ねられて配置され、上部搬送室１ａに連通する３個の加熱モジュール２ａ、２ｂ、２ｃと、ロードロック室４ｃの上方において、上部搬送室１ａの左側（＋Ｙ側）に多段に重ねられて配置され、上部搬送室１ａに連通する３個の冷却モジュール３ａ、３ｂ、３ｃとを有している。
【００８０】
上部搬送室１ａは、ゲート弁１Ｖ１が閉まっている場合、例えばドライポンプ等（図示せず）により排気されて、１０−２〜１０−４Ｐａといった減圧状態に維持可能である。また、図示しないが、上部搬送室１ａとドライポンプとを繋ぐ配管には、ストップバルブ、逆止弁、および圧力調整バルブなどが設けられている。なお、上部搬送室１ａ内の圧力は、図示しない真空計により測定することができる。真空計は、一般的なイオンゲージであって良い。ただし、イオンゲージから放出される光または電子により、ウエハＷ上に形成されるレジスト膜が変質する可能性があるため、イオンゲージは、イオンゲージからの光や電子がレジスト膜に到達しない位置に設けられる。また、真空計は、ロードロック室４ａ〜４ｄ、下部搬送室１ｂ、加熱モジュール２ａ、２ｂ、２ｃ、及び冷却モジュール３ａ、３ｂ、３ｃにも設けることができる。この場合にも、真空計としてのイオンゲージは、イオンゲージからの光や電子がレジスト膜に到達しない位置に設けられる。
【００８１】
下部搬送室１ｂには、ゲート弁１Ｖ２を介して例えばターボ分子ポンプ（図示せず）が接続されている。また、下部搬送室１ｂは、ＥＵＶ露光装置４０に向けて開口するとともにゲート弁１Ｖ３により閉止可能な搬送口（図示せず）を有している。この搬送口を通して、ウエハＷがインターフェイス装置３００とＥＵＶ露光装置４０との間で搬送される。ゲート弁１Ｖ１〜１Ｖ３とゲート弁４Ｖ１〜４Ｖ４とを閉めると、下部搬送室１ｂは気密に密閉される一方で、ゲート弁１Ｖ２を開け、ターボ分子ポンプで排気することにより、下部搬送室１ｂ内が１０−４〜１０−５Ｐａ程度の減圧状態に維持される。
【００８２】
さらに、下部搬送室１ｂ内には、ウエハ搬送ユニット１ｃが設けられている。ウエハ搬送ユニット１ｃは、上下方向（図７中のＺ方向）に伸縮可能であり、上下方向を中心軸として回動可能である。また、ウエハ搬送ユニット１ｃは、先端部にウエハＷの裏面を保持する２つのウエハ支持プレート１ｃ１（図８および図９に一つのみ示す）を有し、ウエハ支持プレート１ｃ１をＸ方向およびＹ方向に沿って動かすことができる。２つのウエハ支持プレート１ｃ１は内部に流体導管を有し、例えばフレキシブル配管を通して流体導管へ流体を流すことにより、温度調整が可能である。これにより、例えば加熱モジュール２ａ〜２ｃで加熱されたウエハＷを冷却モジュール３ａ〜３ｃへ搬送する場合、加熱モジュール２ａ〜２ｃからウエハＷを取り出すときに、加熱されたウエハＷがウエハ支持プレート１ｃ１によってある程度の温度まで冷却することができる（いわゆる粗熱を取ることができる）。したがって、加熱されたウエハＷを早く冷却することができ、冷却モジュール３ａ〜３ｃにおける冷却をより効率的に行うことができる。また、２つのウエハ支持プレート１ｃ１は、交互に前進し後退できるように構成されており、一度に２枚のウエハＷを取り扱うことができる。
【００８３】
ウエハ搬送ユニット１ｃは、ゲート弁４Ｖ１（４Ｖ２〜４Ｖ４）が開いているときに、ロードロック室４ａ（３ｂ〜３ｄ）へウエハ支持プレート１ｃ１を進入させ、ロードロック室４ａ（３ｂ〜３ｄ）内のウエハＷを取り出すことができ、ロードロック室４ａ（３ｂ〜３ｄ）内へウエハＷを搬入することができる。さらに、ウエハ搬送ユニット１ｃは、ゲート弁１Ｖ１が開いているときに、Ｚ方向に延びて上部搬送室１ａ内へ進入することができ、上部搬送室１ａから加熱モジュール２ａ〜２ｃまたは冷却モジュール３ａ〜３ｃへウエハ支持プレート１ｃ１を進入させることができる。すなわち、ウエハ搬送ユニット１ｃは、ロードロック室４ａ〜３ｄだけでなく、加熱モジュール２ａ〜２ｃおよび冷却モジュール３ａ〜３ｃに対してもアクセスすることができる。
【００８４】
加熱モジュール２ａは、図８（Ａ）および図８（Ｂ）に示すように、上部搬送室１ａに向って開口する開口部２ａ１を有する扁平な筐体２ａ２と、筐体２ａ２内に配置され、ウエハ搬送ユニット１ｃ（ウエハ支持プレート１ｃ１）によって上部搬送室１ａから搬入されるウエハＷが載置される載置台２ａ３とを有している。載置台２ａ３は、内部に熱電ヒータと熱電対（ともに図示せず）を有し、これらと所定の温度調整器（図示せず）によって、所定の温度に維持される。これにより、載置台２ａ３上のウエハＷを加熱することができる。また、載置台２ａ３には、載置台２ａ３に設けられた貫通孔を通して上下動可能な３つの昇降ピン２ａ４が設けられている。昇降ピン２ａ４は、ウエハ支持プレート１ｃ１によって載置台２ａ３の上方に支持されたウエハＷを受け取って、載置台２ａ３上に載置し、また、載置台２ａ３上のウエハＷを持ち上げてウエハ支持プレート１ｃ１へウエハＷを受け渡すことができる。
【００８５】
さらに、図８（Ａ）に示すように、載置台２ａ３には静電チャック２ａ５が設けられている。図示しない電源から静電チャック２ａ５に所定の電圧を印加すると、載置台２ａ３上に載置されたウエハＷは静電力によって載置台２ａ３の上面に密着される。このため、ウエハＷを効率よく加熱することができる。特に、加熱モジュール２ａの内部は、開口部１ａ１を通して上部搬送室１ａと同様に減圧に維持されており、滞留による熱伝導が生じ難いため、静電チャック２ａ５により載置台２ａ３の上面にウエハＷを密着させる効果は大きい。 
なお、加熱モジュール２ｂおよび２ｃは、加熱モジュール２ａと同じ構成を有している。
【００８６】
冷却モジュール３ａは、図９（Ａ）および図９（Ｂ）に示すように、上部搬送室１ａに向かって開口する開口部３ａ１を有する扁平な筐体３ａ２と、筐体３ａ２内に配置され、ウエハ搬送ユニット１ｃによって上部搬送室１ａから搬入されるウエハＷが載置される載置台３ａ３とを有している。図９（Ａ）に示すように、載置台３ａ３の内部には導管３ａ４が形成されており、温調機能を有する流体循環器（図示せず）から導管３ａ４内へ温度調整された所定の流体が流れることにより、載置台３ａ３が所定の温度に維持される。これにより、載置台３ａ３上のウエハＷを冷却することができる。また、載置台３ａ３には、加熱モジュール２ａの載置台２ａ３と同様に、ウエハＷを載置台３ａ３の上面に対して突没可能な３つの昇降ピン３ａ４（図９（Ｂ））が設けられている。さらに、載置台３ａ３には静電チャック３ａ５（図９（Ａ））が設けられており、昇降ピン３ａ４により載置台３ａ３上に載置されたウエハＷは静電チャック３ａ５により載置台３ａ３の上面に密着される。これにより、ウエハＷと載置台３ａ３との間の熱伝導が促進される。 
冷却モジュール３ｂおよび３ｃもまた冷却モジュール３ａと同じ構成を有している。
【００８７】
次に、塗布現像装置２０、インターフェイス装置３００、およびＥＵＶ露光装置４０において行われる一連の塗布／露光／現像プロセスについて説明する。
【００８８】
（レジスト塗布）
先ず、ウエハＷの収納されたウエハカセットＣが載置台２１に載置される。次に、ウエハカセットＣの蓋体が外されるとともに、このウエハカセットＣに対応する開閉部２２が開かれ、搬送機構２３（図２）によってウエハカセットＣからウエハＷが取り出される。次に、ウエハＷは、棚ユニットＵ１の一段をなす受け渡しユニット（図示せず）を介して主搬送部２５Ａへと引き渡される。次いで、ウエハＷは主搬送部２５Ａにより棚ユニットＵ１〜Ｕ３内のいずれかの棚へ搬送され、前処理として例えば疎水化処理や冷却処理などが行われ、更に塗布ユニットＣＯＴへ搬送されて、レジスト膜が回転塗布される。
【００８９】
（ウエハのロードロック室への搬送）
この後、ウエハＷは、棚ユニットＵ３を経由して搬送ユニット部Ｓ３の受け渡しユニット３３へ受け渡される。受け渡しユニット３３はウエハＷを支持したまま、ロードロック室４ａのゲート弁４Ｖ１３の前に移動する（図５参照）。この時点で、ロードロック室４ａ内はガス流入口４ａ８から供給されるＮ２ガスによって大気圧とされている。ゲート弁４Ｖ１３が開くと、受け渡しユニット３３はロードロック室４ａの筐体４ａ２内へ進入する。この際、ガス流入口４ａ８からＮ２を供給し続けることにより、搬送ユニット部Ｓ３から筐体４ａ２内への空気の流入が低減される。また、ガスブロワー４００のガス噴出スリット４０４からもＮ２ガスまたはドライエアを噴出させることにより、筐体４ａ２内への空気の流入を更に低減することができる。筐体４ａ２内へ搬送されたウエハＷは、受け渡しユニット３３が下方へ移動することにより、ウエハ支持ピン４ａ７により支持される。
【００９０】
（ロードロック室の排気）
受け渡しユニット３３が筐体４ａ２から退出した後、ゲート弁４Ｖ１３が閉まり、ゲート弁４Ｖ１１が開いて筐体４ａ２内が粗排気される。この後、ゲート弁４Ｖ１１を閉じて排気を停止するともに、ガス流入口４ａ８からＮ２ガスを流して、筐体４ａ２内が大気圧に戻される。そして、ガス流入口４ａ８からのＮ２ガスの供給を停止し、ゲート弁４Ｖ１１を開くことにより再度の粗排気が行われる。これにより、搬送ユニット部Ｓ３から筐体４ａ２内へ僅かな空気が流入したとしても、パージすることができる。なお、２回目の粗排気の後、ターボ分子ポンプＴＭＰを使用して、高真空排気を行っても良い。これにより、プリベーク前のレジスト膜からのアウトガスを促進することができ、プリベークを短期化することが可能となる。すなわち、スループットを向上することができる。
【００９１】
（ウエハの加熱モジュールへの搬送）
ロードロック室４ａ内の粗排気が行われている間に、ウエハＷが次に搬送される下部搬送室１ｂも所定の圧力にまで排気され、ウエハＷを受け入れる準備が完了している。そして、ロードロック室４ａの筐体４ａ２内が所定の圧力となった後、ロードロック室４ａと下部搬送室１ｂとの間のゲート弁４Ｖ１が開き、下部搬送室１ｂに設けられたウエハ搬送ユニット１ｃのウエハ支持プレート１ｃ１が筐体４ａ２へ進入し、ウエハＷを受け取る。そして、ウエハ支持プレート１ｃ１がウエハＷを支持したまま下部搬送室１ｂへ戻ると、ゲート弁４Ｖ１が閉じる。
【００９２】
ウエハＷがロードロック室４ａから下部搬送室１ｂへ搬送されているときには、ウエハＷが次に搬送される上部搬送室１ａも所定の圧力に維持されている。そして、下部搬送室１ｂと上部搬送室１ａとの間のゲート弁１Ｖ１（図７）が開くと、ウエハ搬送ユニット１ｃが上方へ延びて上部搬送室１ａ内へ進入し、加熱モジュール２ａの開口部２ａ１を通してウエハＷを加熱モジュール２ａの筐体２ａ２内へ搬送する。次いで、ウエハＷが昇降ピン２ａ４により受け取られ、載置台２ａ３上に載置される。そして、静電チャック２ａ５により、ウエハＷは載置台２ａ３の上面に密着される。このとき、載置台２ａ３は所定の温度に維持されており、これにより、レジスト膜が塗布されたウエハＷが加熱される（プリベーク）。プリベークの温度は例えば約８０〜約１５０℃とすることができ、プリベーク時間は例えば約３０〜約１２０秒とすることができる。プリベーク中、加熱モジュール２ａの筐体２ａ２内部は、上部搬送室１ａと同様に、所定の圧力（減圧）に維持されているので、ウエハＷ上のレジスト膜からのアウトガスが促進され、ウエハＷが後に搬送されるＥＵＶ露光装置４０内の真空チャンバ４２内でのアウトガスが低減される。これにより、レジスト膜中の溶剤等による光学系の汚染を低減することが可能となる。
【００９３】
上記の手順の間、２枚目以降のウエハについても同じ手順が順次開始され、２枚目のウエハが、例えば、ロードロック室４ｂから、下部搬送室１ｂと上部搬送室１ａを通って加熱モジュール２ｂへ搬送され、ここでプリベークが行われる。また、３枚目のウエハが、例えば、ロードロック室４ｃから、下部搬送室１ｂと上部搬送室１ａを通って加熱モジュール２ｃへ搬送され、４枚目のウエハが、例えばロードロック室４ｄへ搬送される。
【００９４】
（ウエハの冷却モジュールへの搬送）
加熱モジュール２ａ内のウエハＷについてのプリベークが終了すると（所定のプリベーク時間が経過すると）、ウエハ搬送ユニット１ｃにより、このウエハＷが加熱モジュール２ａから冷却プレート３ａへ搬送される。このとき、ウエハ搬送ユニット１ｃのウエハ支持プレート１ｃ１が冷却されているため、ウエハＷがウエハ支持プレート１ｃ１に受け取られると直ちに冷却が始まる。したがって、ウエハＷが冷却プレート３ａへ搬送されて、載置台３ａ３に載置されるときには、ウエハＷはある程度の温度までに冷却されており、冷却モジュール３ａにおける冷却を効率的に行うことができる。冷却モジュール３ａにおいては、ウエハＷは、ほぼ室温（約２２℃）程度の温度にまで冷却される。
【００９５】
このようにして加熱モジュール２ｂ、２ｃ内のウエハＷもそれぞれ冷却モジュール３ｂ、３ｃへ搬送されるとともに、ロードロック室４ａ〜４ｄ内にあるウエハＷが順次加熱モジュール２ａ〜２ｃへ搬送される。
【００９６】
（ウエハのＥＵＶ露光装置への搬送）
冷却モジュール３ａ内においてウエハＷが冷却された後、ウエハＷは、ウエハ搬送ユニット１ｃにより上部搬送室１ａを通って下部搬送室１ｂへ搬送される。そして、上部搬送室１ａと下部搬送室１ｂとの間のゲート弁１Ｖ１が閉じた後、ゲート弁１Ｖ２が開いて下部搬送室１ｂ内が高真空に排気される。
【００９７】
下部搬送室１ｂ内が所定の圧力になった後、下部搬送室１ｂに設けられたゲート弁１Ｖ３とＥＵＶ露光装置４０のゲート弁４１とが開き、ウエハＷは、ウエハ搬送ユニット１ｃにより、ＥＵＶ露光装置４０の真空チャンバ４２内へ搬送されて、ウエハステージ４３に載置される（図５参照）。
【００９８】
（ウエハのインターフェイス装置への搬送）
ＥＵＶ露光装置４０のウエハステージ４３上でウエハＷ（レジスト膜）の露光が終了すると、ゲート弁４１とゲート弁１Ｖ３が開き、インターフェイス装置３００のウエハ搬送ユニット１ｃによって、ウエハＷがＥＵＶ露光装置４０のウエハステージ４３からインターフェイス装置３００の下部搬送室１ｂへ搬送される。なお、ＥＵＶ露光装置４０内で露光が行われている間、２枚目以降のウエハについて、加熱モジュール２ａ〜２ｃ、冷却モジュール３ａ〜３ｃ、およびロードロック室４ａ〜４ｄの間でウエハ搬送が行われる。このため、上部搬送室１ａと下部搬送室１ｂとの間のゲート弁１Ｖ１は開いており、下部搬送室１ｂ内はドライポンプにより実現される程度の圧力となっているが、ＥＵＶ露光装置４０からのウエハの搬出に際して、所定のタイミングでゲート弁１Ｖ１が閉じ、ゲート弁１Ｖ２を通して高真空排気が行われる。これにより、ＥＵＶ露光装置４０内の真空チャンバ４２内を高真空に維持することができる。
【００９９】
（ウエハの加熱モジュールおよび冷却モジュールへの搬送）
下部搬送室１ｂに戻ったウエハＷは、ポストベークのため、予め定められた搬送フローに従って、所定の加熱モジュール（便宜上、加熱モジュール２ａとする）へ搬送される。具体的には、ゲート弁１Ｖ１が開き、ウエハ搬送ユニット１ｃが上方へ延びて上部搬送室１ａ内へ進入し、加熱モジュール２ａの開口部２ａ１を通してウエハＷを加熱モジュール２ａの筐体２ａ２内へ搬送する。次いで、ウエハＷが昇降ピン２ａ４により載置台２ａ３上に載置される。そして、静電チャック２ａ５により、ウエハＷは載置台２ａ３の上面に密着される。このようにしてポストベークが行われ、次いで、ウエハ搬送ユニット１ｃにより、加熱モジュール２ａから冷却モジュール３ａ〜３ｃのいずれかへ搬送される。この場合においても、どの冷却モジュールへ搬送されるかは、予め定められた搬送フローに従って決定される（便宜上、冷却モジュール３ａへ搬送されるものとする）。また、この場合においても、加熱モジュール２ａで加熱されたウエハＷは、ウエハ支持プレート１ｃ１により受け取られると、ウエハ支持プレート１ｃ１によってある程度の温度まで冷却される。
【０１００】
（ウエハの塗布現像装置への搬送）
冷却モジュール３ａにおいて、室温（約２２℃）近くまで冷却された後、ウエハＷは、ウエハ搬送ユニット１ｃによって、冷却モジュール３ａから上部搬送室１ａを通って下部搬送室１ｂへ搬送される。次いで、ウエハＷは、搬送フローに従って、所定のロードロック室（便宜上、ロードロック室４ａとする）に搬送される。すなわち、まずゲート弁１Ｖ１が閉まり、次にゲート弁４Ｖ１が開くと、ウエハＷは搬送ユニット１ｃによりロードロック室４ａ内へ搬送され、ロードロック室４ａ内のウエハ支持ピン４ａ７上に載置される。ウエハ搬送ユニット１ｃ（ウエハ支持プレート１ｃ１）がロードロック室４ａから退出した後、ゲート弁４Ｖ１が閉まり、ロードロック室４ａ内へガス流入口４ａ８から例えばＮ２ガスが流入し、ロードロック室４ａ内が大気圧になる。この後、ガス流入口４ａ８からＮ２ガスを流したまま、ゲート弁４Ｖ１３を開く。これにより、搬送口４ａ６（図４（Ｂ）参照）を介してロードロック室４ａと、塗布現像装置２０の搬送ユニット部Ｓ３とが連通する。また、ロードロック室４ａから搬送ユニット部Ｓ３へ流れるＮ２ガスにより、搬送ユニット部Ｓ３から空気の流入が低減され、ロードロック室４ａ内が清浄な雰囲気に維持される。
【０１０１】
そして、搬送ユニット部Ｓ３の受け渡しユニット３３がロードロック室４ａ内へ進入し、ウエハ支持ピン４ａ７上のウエハＷを受け取って、搬送ユニット部Ｓ３へと退出する。この後、ゲート弁４Ｖ１３が閉まって、ウエハＷの塗布現像装置２０への搬送が終了する。
【０１０２】
この後、主搬送部２５Ｂ（図２）により、現像ユニットＤＥＶへ搬送され、現像ユニットＤＥＶにてウエハＷ上のレジスト膜が現像されてレジストマスクが形成される。その後、ウエハＷは載置台２１上の元のウエハカセットＣへと戻される。
【０１０３】
以上のとおり、本発明の第２の実施形態によれば、インターフェイス装置３００が複数の加熱モジュール２ａ〜２ｃ、複数の冷却モジュール３ａ〜３ｃ、および複数のロードロック室４ａ〜４ｄを備えているため、加熱条件や冷却条件に応じて作成された搬送フローに従って、枚様式にウエハＷを搬送することが可能であり、スループットの低下を回避することができる。また、レジスト塗布から露光までの時間と、露光から現像までの時間をウエハＷ毎にほぼ同一とすることができ、したがって、ウエハ間のプロセス再現性のばらつきを最小限に抑えることが可能である。
【０１０４】
さらに、第１の実施形態によるインターフェイス装置３０と同様に、ロードロック室４ａ〜４ｄは同一の構成を有してユニット化されているため、例えば、ロードロック室４ａのストップ弁ＳＶ２を閉めれば、ロードロック室４ｂ〜４ｄを使用してプロセスを行いつつ、ロードロック室４のみを取り外してメンテナンスをすることが可能である。
【０１０５】
また、加熱モジュール２ａ〜２ｃ、冷却モジュール３ａ〜３ｃ、およびロードロック室４ａ〜４ｄの間のウエハ搬送が減圧下で行われるため、下部搬送室１ｂ内が減圧に維持される。このため、下部搬送室１ｂからＥＵＶ露光装置４０へウエハＷを搬送する際には、大気圧からではなく所定の減圧下から高真空に排気すれば良いため、ＥＵＶ露光装置４０へウエハＷを短時間で搬送することが可能となる。これにより、スループットをいたずらに低下させることがない。
【０１０６】
さらに、塗布現像装置２０においてレジスト膜が塗布されたウエハＷがインターフェイス装置３００のロードロック室４ａ〜４ｄを通して減圧下の加熱モジュール２ａ〜２ｃへ搬送され、ここでプリベークが行われるため、レジスト膜中の溶剤等を十分に蒸発させることができ、したがって、レジスト膜からのアウトガスによるＥＵＶ露光装置４０内の光学系等の汚染を更に低減することができる。
【０１０７】
さらに、ロードロック室４ａのガス流入口４ａ８から例えばＮ２ガスを流すことにより、塗布現像装置２０からロードロック室４ａ内に空気が流入するのを防止することが可能となり、さらに、ガスブロワー４００からのＮ２ガスまたはドライエアの噴出によっても空気の流入が妨げられるので、空気中の有機物がロードロック室４ａひいてはＥＵＶ露光装置４０へ流入するのが防止され、ＥＵＶ露光装置４０内の光学系等の汚染が防止される。
【０１０８】
また、真空下で加熱処理を行うためには、減圧維持可能な加熱モジュールが必要となるが、そのような加熱モジュールを既にクリーンルーム内に設置されたレジスト塗布現像装置に搭載するのはスペース上困難な場合が多く、減圧維持可能な加熱モジュールを備える新たなレジスト塗布現像装置が必要となることもある。しかし、本発明の実施形態によるインターフェイス装置３００によれば、露光機とレジスト塗布現像装置との間に設けることができるので、既存のレジスト塗布現像装置を活用しつつ減圧下での加熱処理を行うことが可能となる。
【０１０９】
また、ポストベークを加熱モジュール２ａ〜２ｃにおいて真空下で行う例を示したが、ポストベークは塗布現像装置２０内の加熱ユニットにおいて行っても良い。
【０１１０】
以上、幾つかの実施形態を参照しながら、本発明を説明したが、本発明は上記の実施形態に限らず、添付の特許請求の範囲に照らし、種々に変更することが可能である。 
例えば、第１および第２の実施形態においては、ガスブロワー４００を上下一対に設けたが、一方だけを設けても良い。この場合、ロードロック室４ａ〜４ｄ内の天井部側に設けると好ましい。
【０１１１】
また、第１および第２の実施形態において、ガスブロワー４００は、ガス噴射スリット４０４の代わりに、複数のオリフィスが所定の間隔で形成されたガスノズルを有しても良い。
【０１１２】
また、第１および第２の実施形態によるインターフェイス装置３０，３００のロードロック室４ａ〜４ｄでは、例えばガスブロワー４００のガス噴出スリット４０４を、ガス噴出スリット４０４からのＮ２ガスが搬送口４ａ６に向って噴出するようにガス流入口４ａ８に取り付けても良い。また、複数のオリフィスが所定の間隔で形成されたガスノズルを、オリフィスが搬送口４ａ６を向くように設置することも可能である。これらによれば、筐体４ａ２内に層流を容易に形成することが可能となり、塗布現像装置２０からの空気の流入をより確実に低減することができる。なお、筐体４ａ２内に層流を形成するためには、筐体４ａ２の高さを低くすることが有効である。筐体４ａ２の高さは、ウエハＷを筐体４ａ２に搬入出する際に、ウエハＷが搬送口４ａ３，４ａ６やガス噴出スリット４０４に接しない範囲でできるだけ低いと好ましく、例えば、約３ｃｍから約１０ｃｍまでの範囲にあると好適である。筐体４ａ２の高さが約３ｃｍより低いと、真空排気するときにガス流に対するコンダクタンスが高くなって排気に長時間を要することとなり、約１０ｃｍより高いと、ガス流入口４ａ８からのＮ２ガスを層流とするのが難しくなる。また、約４ｃｍから約６ｃｍまでの範囲にあると更に好ましい。
【０１１３】
また、第２の実施形態において、加熱モジュール２ａ〜２ｃおよび冷却モジュール３ａ〜３ｃの開口部に開閉可能な扉を設けても良い。このようにすれば、加熱モジュール２ａ〜２ｃおよび冷却モジュール３ａ〜３ｃ内にウエハＷを搬入した後、扉を閉めることにより、上部搬送室１ａ内の圧力変動の影響が加熱モジュール２ａ〜２ｃおよび冷却モジュール３ａ〜３ｃの内部を及ぶのを低減することができる。この扉は、ゲート弁であって良いが、例えばラビリンス構造やバタフライ弁などの簡易なものであっても良い。
【０１１４】
また、第１および第２の実施形態においては、ターボ分子ポンプＴＭＰに限らず、１０−４〜１０−５Ｐａといった圧力にまでロードロック室４ａ〜４ｄ内を排気することができる限り、例えば油拡散ポンプなどの高真空ポンプを使用しても構わない。
【０１１５】
また、図１０に示すように、必要に応じて、レジスト塗布現像装置とＥＵＶ露光装置との間に、複数のインターフェイス装置３０若しくはインターフェイス装置３００、またはこれらを組み合わせて配置しても良い。これにより、ウエハＷを待機させることなく搬送することが可能となる。
【０１１６】
また、第２の実施形態によるインターフェイス装置３００を用いてレジスト膜の塗布／露光／現像プロセスを行う場合、ゲート弁１Ｖ１を常時開いておいても良い。この場合、上部搬送室１ａ、加熱モジュール２ａ〜２ｃ、及び冷却モジュール３ａ〜３ｃが１０−４〜１０−５Ｐａといった圧力にまで減圧することができるように構成されていると好ましい。これによれば、１０−４Ｐａ程度の圧力（ドライポンプやロータリポンプの到達圧力よりも低い圧力）の下で、下部搬送室１ｂからＥＵＶ露光装置４０の真空チャンバ４２へウエハＷを搬送することができる。この程度の圧力であっても、ＥＵＶ露光装置４０内の光学系等の汚染を十分に防止すること可能である。また、使用するレジストの種類などにより、減圧下でのプリベークの必要性が低い場合には、第２の実施形態によるインターフェイス装置３００のゲート弁１Ｖ１を常時閉めておき、第１の実施形態によるインターフェイス装置３０と同様に塗布／露光／現像プロセスを行うことも可能である。さらに、ゲート弁１Ｖ１を閉めておき、第１の実施形態によるインターフェイス装置３０と同様に塗布／露光／現像プロセスを行いつつ、加熱モジュール２ａ〜２ｃや冷却モジュール３ａ〜３ｃのメンテナンスを行うことも可能となる。
【０１１７】
また、第１および第２の実施形態において、ウエハＷは例えばシリコンなどの半導体ウエハであって良く、また、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用のガラス基板であっても良い。すなわち、本発明の実施形態によるインターフェイス装置３０（３００）は、半導体デバイス製造用のレジスト塗布現像装置とＥＵＶ露光装置に対してだけでなく、ＦＰＤ製造用のレジスト塗布現像装置とＥＵＶ露光装置に対しても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１１８】
【図１】本発明の実施形態によるインターフェイス装置と、これを適用するに好適なレジスト塗布現像装置およびＥＵＶ露光装置とを概略的に示す斜視図である。
【図２】図１のインターフェイス装置とレジスト塗布現像装置およびＥＵＶ露光装置とを概略的に示す平面図である。
【図３】本発明の実施形態によるインターフェイス装置を概略的に示す斜視図である。
【図４】図３に示すインターフェイス装置のロードロック室を概略的に示す断面図（Ａ）および平面図（Ｂ）である。
【図５】本発明の実施形態によるインターフェイス装置と、これを適用するに好適なレジスト塗布現像装置およびＥＵＶ露光装置との位置関係を拡大して示す平面図である。
【図６】本発明の実施形態によるインターフェイス装置においてウエハが搬送されるタイムチャートの一例である。
【図７】本発明の他の実施形態による真空処理装置を概略的に示す斜視図である。
【図８】図７の真空処理装置の加熱モジュールを概略的に示す断面図（Ａ）および平面図（Ｂ）である。
【図９】図７の真空処理装置の冷却モジュールを概略的に示す断面図（Ａ）および平面図（Ｂ）である。
【図１０】本発明の実施形態の変形例を模式的に示す斜視図である。
【符号の説明】
【０１１９】
２０・・・塗布現像装置、３０・・・インターフェイス装置、４０・・・ＥＵＶ露光装置、１・・・搬送室、１ｃ・・・ウエハ搬送ユニット、１ｃ１・・・ウエハ支持プレート、１ａ・・・上部搬送室、１ｂ・・・下部搬送室、１Ｖ１〜１Ｖ３・・・ゲート弁、４ａ〜４ｄ・・・ロードロック室、４Ｖ１〜４Ｖ４・・・ゲート弁、４ａ７・・・ウエハ支持ピン、４ａ８・・・ガス流入口、４００・・・ガスブロワー、ＴＭＰ・・・ターボ分子ポンプ、２ａ〜２ｃ・・・加熱モジュール、２ａ４・・・昇降ピン、２ａ５・・・静電チャック、３ａ〜３ｃ・・・冷却モジュール、３ａ４・・・昇降ピン、３ａ５・・・静電チャック、４２・・・（ＥＵＶ露光装置の）真空チャンバ、４３・・・（ＥＵＶ露光装置の）ウエハステージ。
【図１】
2010123732.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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