(57)【要約】【課題】対向電極の電圧降下を防止しつつ、狭額縁化を図ることが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。【解決手段】アレイ基板１００と、アレイ基板１００の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが配置された面と向かい合う封止基板２００と、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを囲むように枠状に配置され、アレイ基板１００と封止基板２００とを接合するフリットガラスからなるシール部材３００と、アレイ基板１００上において、シール部材３００の外側に配置された電源端子Ｔと、シール部材３００と重なるように配置されるとともにシール部材３００よりも融点の高い材料で形成された第１配線Ｗ１と、第１配線Ｗ１の一端と対向電極ＣＥと電源端子Ｔとを接続する第２配線Ｗ２と、第１配線Ｗ１の他端と対向電極ＣＥとを接続する第３配線Ｗ３と、を備えた電源配線Ｗと、を備えたことを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と第２電極との間に配置された有機層を備えた有機ＥＬ素子と、を備えたアレイ基板と、
前記アレイ基板の前記有機ＥＬ素子が配置された面と向かい合う封止基板と、
前記有機ＥＬ素子を囲むように枠状に配置され、前記アレイ基板と前記封止基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材と、
前記アレイ基板上において、前記シール部材の外側に配置された電源端子と、
前記シール部材と重なるように配置されるとともに前記シール部材よりも融点の高い材料で形成された第１配線と、前記第１配線の一端と前記第２電極と前記電源端子とを接続する第２配線と、前記第１配線の他端と前記第２電極とを接続する第３配線と、を備えた電源配線と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
さらに、前記アレイ基板は、前記有機ＥＬ素子の前記第１電極に接続されたスイッチングトランジスタを備え、
前記第１配線は、前記スイッチングトランジスタのゲート電極と同一材料で形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記第１配線は、タングステン、モリブデン、チタンの少なくとも一つによって形成されたことを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記アレイ基板は、矩形状であり、
前記第１配線は、前記アレイ基板の前記電源端子が配置された辺に隣接する辺に沿って配置されたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記第２電極は、前記アレイ基板の前記電源端子が配置された辺側で第２配線と接続され、前記電源端子が配置された辺と対向する辺側で第３配線と接続されたことを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラストの特徴を有し、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。
【０００３】
この有機ＥＬ素子は、画素電極と対向電極との間に有機層を保持している。有機ＥＬ素子、特に、有機層は、水分や酸素の影響により劣化しやすい薄膜を含んでいる。このため、有機ＥＬ素子が大気に曝されないように気密に封止する必要がある。
【０００４】
例えば、特許文献１によれば、照射源を用いて、第２の基板上に配置したフリットを加熱し、溶融して、第１の基板を第２の基板に連結する技術が開示されている。
【０００５】
ところで、対向電極の電圧降下を低減させるために、対向電極は、複数の箇所、例えば、表示パネルの上辺と下辺で電源配線と接続されることがある。このとき、電源配線を引き回すためのスペースを確保すると表示パネルの額縁が大きくなってしまうことがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−５２４４１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、対向電極の電圧降下を防止しつつ、狭額縁化を図ることが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、第１電極と第２電極との間に配置された有機層を備えた有機ＥＬ素子と、を備えたアレイ基板と、前記アレイ基板の前記有機ＥＬ素子が配置された面と向かい合う封止基板と、前記有機ＥＬ素子を囲むように枠状に配置され、前記アレイ基板と前記封止基板とを接合するフリットガラスからなるシール部材と、前記アレイ基板上において、前記シール部材の外側に配置された電源端子と、前記シール部材と重なるように配置されるとともに前記シール部材よりも融点の高い材料で形成された第１配線と、前記第１配線の一端と前記第２電極と前記電源端子とを接続する第２配線と、前記第１配線の他端と前記第２電極とを接続する第３配線と、を備えた電源配線と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、対向電極の電圧降下を防止しつつ、狭額縁化を図ることが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置をＩＩ−ＩＩ線で切断したときの構成を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置をＩＩＩ−ＩＩＩ線で切断したときの構成を概略的に示す断面図である。
【図４】図４は、図１に示した有機ＥＬ表示装置をＩＶ−ＩＶ線で切断したときの構成を概略的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の一実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
図１は、有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。
【００１３】
この有機ＥＬ表示装置は、表示パネル１を備えている。表示パネル１は、アレイ基板１００および封止基板２００を備えている。アレイ基板１００は、画像を表示するアクティブエリア１０２において、マトリクス状に配置された複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを備えている。封止基板２００は、アレイ基板１００の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと向かい合っている。これらのアレイ基板１００と封止基板２００とは、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを囲むように枠状に配置されたシール部材３００により接合されている。このシール部材３００は、フリットガラスによって形成されている。
【００１４】
アレイ基板１００の上には、電源端子ＴＡおよびＴＢが配置されている。これらの電源端子ＴＡおよびＴＢは、シール部材３００の外側に配置されている。この例では、電源端子ＴＡおよびＴＢは、アレイ基板１００における封止基板２００の端部から外方に延在した延在部に配置され、外部回路と接続可能である。電源端子ＴＡおよび電源端子ＴＢは、それぞれアレイ基板１００の辺Ｓ１に配置されている。
【００１５】
さらに、アレイ基板１００の上には、電源配線Ｗが配置されている。この電源配線Ｗは、第１配線Ｗ１ＡおよびＷ１Ｂと、第２配線Ｗ２ＡおよびＷ２Ｂと、第３配線Ｗ３と、を備えている。
【００１６】
第１配線Ｗ１Ａは、電源端子ＴＡが設けられている辺Ｓ１に隣接する辺Ｓ２に沿ってシール部材３００と重なるように配置されている。第１配線Ｗ１Ｂは、電源端子ＴＢが設けられている辺Ｓ１に隣接する辺Ｓ４に沿ってシール部材３００と重なるように配置されている。
【００１７】
第２配線Ｗ２Ａは、シール部材３００より外側で電源端子ＴＡに接続されるとともに、シール部材３００と交差して、シール部材３００の内側に延在し、アクティブエリア１０２内のＡ領域を経由して、第１配線Ｗ１Ａに接続されている。
【００１８】
第２配線Ｗ２Ｂは、シール部材３００より外側で電源端子ＴＢに接続されるとともに、シール部材３００と交差して、シール部材３００の内側に延在し、アクティブエリア１０２内のＢ領域を経由して、第１配線Ｗ１Ｂに接続されている。
【００１９】
第３配線Ｗ３は、第１配線Ｗ１Ａの他端と第１配線Ｗ１Ｂの他端とを接続している。すなわち、この第３配線Ｗ３は、アレイ基板１００の辺Ｓ３に沿ってシール部材３００の内側に配置され、アクティブエリア１０２内のＣ領域に延在している。なお、アクティブエリア１０２のＡ領域及びＢ領域は、アレイ基板１００の辺Ｓ１側に位置している。また、アクティブエリア１０２のＣ領域は、アレイ基板１００の辺Ｓ１と対向する辺Ｓ３側に位置している。
【００２０】
図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の最外周に配置された有機ＥＬ素子および第１配線Ｗ１Ａを含む断面図である。
【００２１】
アレイ基板１００は、ガラスなどの絶縁基板１０１、絶縁基板１０１の上に形成されたスイッチングトランジスタＳＷ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤおよび配線を有する。絶縁基板１０１の上には、アンダーコート層１１１が配置されている。このアンダーコート層１１１は、例えば、シリコン酸化物によって形成されている。このようなアンダーコート層１１１は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。
【００２２】
アンダーコート層１１１の上には、スイッチングトランジスタＳＷの半導体層ＳＣが配置されている。この半導体層ＳＣは、例えばポリシリコンによって形成されている。この半導体層ＳＣには、チャネル領域ＳＣＣを挟んでソース領域ＳＣＳおよびドレイン領域ＳＣＤが形成されている。
【００２３】
半導体層ＳＣは、ゲート絶縁膜１１２によって被覆されている。また、ゲート絶縁膜１１２は、アンダーコート層１１１の上に配置されている。このゲート絶縁膜１１２は、例えば、シリコン窒化物によって形成されている。このようなゲート絶縁膜１１２は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。
【００２４】
ゲート絶縁膜１１２の上には、チャネル領域ＳＣＣの直上にスイッチングトランジスタＳＷのゲート電極Ｇが配置されている。この例では、スイッチングトランジスタＳＷは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。
【００２５】
ゲート電極Ｇは、パッシベーション膜１１３によって被覆されている。また、パッシベーション膜１１３は、ゲート絶縁膜１１２の上に配置されている。このパッシベーション膜１１３は、例えば、シリコン窒化物によって形成されている。このようなパッシベーション膜１１３は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。
【００２６】
パッシベーション膜１１３の上には、スイッチングトランジスタＳＷのソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄが配置されている。ソース電極Ｓは、半導体層ＳＣのソース領域ＳＣＳにコンタクトしている。ドレイン電極Ｄは、半導体層ＳＣのドレイン領域ＳＣＤにコンタクトしている。
【００２７】
ソース電極Ｓおよびドレイン電極Ｄは、層間絶縁膜１１４によって被覆されている。また、層間絶縁膜１１４は、パッシベーション膜１１３の上に配置されている。このような層間絶縁膜１１４は、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。
【００２８】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する画素電極（第１電極）ＰＥは、層間絶縁膜１１４の上に配置されている。画素電極ＰＥは、スイッチングトランジスタＳＷのドレイン電極Ｄに接続されている。この画素電極ＰＥは、この例では陽極に相当する。
【００２９】
この画素電極ＰＥは、反射層ＰＥＲおよび透過層ＰＥＴが積層された２層構造である。つまり、反射層ＰＥＲは、層間絶縁膜１１４の上に配置されている。透過層ＰＥＴは、反射層ＰＥＲに積層されている。反射層ＰＥＲは、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する導電材料によって形成可能である。透過層ＰＥＴは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成可能である。なお、画素電極ＰＥは、上述した２層構造に限らず、透過層ＰＥＴ単層、または、反射層ＰＥＲ単層で構成しても良い。
【００３０】
層間絶縁膜１１４の上には、隔壁ＰＩが配置されている。この隔壁ＰＩは、画素電極ＰＥの周縁に沿って配置されている。この隔壁ＰＩは、例えば樹脂材料をパターニングすることによって形成可能である。
【００３１】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する有機層ＯＲＧは、画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、少なくとも発光層を含み、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などを含んでも良い。
【００３２】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する対向電極（第２電極）ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この例では、対向電極ＣＥは、陰極に相当する。この対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧのみならず隔壁ＰＩも被覆している。このような対向電極ＣＥは、例えば、マグネシウム・銀などによって形成可能である。このような対向電極ＣＥは、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。
【００３３】
封止基板２００は、ガラスなどの絶縁基板２０１を用いて形成されている。この封止基板２００は、アレイ基板１００の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが配置された面と向かい合うように配置されている。
【００３４】
第１配線Ｗ１Ａは、アクティブエリア１０２よりも外側で、ゲート絶縁膜１１２の上に配置されている。この第１配線Ｗ１Ａは、パッシベーション膜１１３によって覆われている。同様に、図示を省略するが、第１配線Ｗ１Ｂは、ゲート絶縁膜１１２の上に配置されており、パッシベーション膜１１３によって覆われている。シール部材３００は、第１配線Ｗ１Ａの上にパッシベーション膜１１３を介して配置されている。
【００３５】
これらの第１配線Ｗ１Ａ及びＷ１Ｂは、シール部材３００よりも融点の高い材料で形成されている。第１配線Ｗ１Ａ及びＷ１Ｂは、この例では、スイッチングトランジスタＳＷのゲート電極Ｇと同一材料で形成されている。第１配線Ｗ１Ａ及びＷ１Ｂは、ゲート電極Ｇと同一工程で形成可能である。第１配線Ｗ１Ａ及びＷ１Ｂは、特に、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）の少なくとも一つによって形成されることが望ましい。
【００３６】
図３は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の最外周に配置された有機ＥＬ素子および第２配線Ｗ２Ａを含む断面図である。図３に図示した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの構造は上記の通りであり、その説明は省略する。
【００３７】
第２配線Ｗ２Ａは、パッシベーション膜１１３の上に配置されている。この第２配線Ｗ２Ａは、層間絶縁膜１１４によって覆われている。第２配線Ｗ２Ａは、アクティブエリア１０２のＡ領域において、層間絶縁膜１１４を貫通するコンタクトホールＣＨ２を介して対向電極ＣＥと接続されている。また、第２配線Ｗ２Ａは、図示しないがパッシベーション膜１１３を貫通するコンタクトホールを介して第１配線Ｗ１Ａの一端と接続されている。
【００３８】
同様に、図示を省略するが、第２配線Ｗ２Ｂは、パッシベーション膜１１３の上に配置され、層間絶縁膜１１４によって覆われている。第２配線Ｗ２Ｂは、アクティブエリア１０２のＢ領域において、層間絶縁膜１１４を貫通するコンタクトホールＣＨ２を介して対向電極ＣＥと接続されている。第２配線Ｗ２Ｂは、パッシベーション膜１１３を貫通するコンタクトホールを介して第１配線Ｗ１Ｂの一端と接続されている。
【００３９】
これらの第２配線Ｗ２Ａ及びＷ２Ｂは、この例では、スイッチングトランジスタＳＷのソース電極Ｓと同一材料で形成されている。第２配線Ｗ２Ａ及びＷ２Ｂは、ソース電極Ｓと同一工程で形成可能である。
【００４０】
図４は、図１に示した有機ＥＬ表示装置の最外周に配置された有機ＥＬ素子および第３配線Ｗ３を含む断面図である。図４に図示した有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの構造は上記の通りであり、その説明は省略する。
【００４１】
第３配線Ｗ３は、パッシベーション膜１１３の上に配置されている。この第３配線Ｗ３は、層間絶縁膜１１４によって覆われている。第３配線Ｗ３は、アクティブエリア１０２のＣ領域において、層間絶縁膜１１４を貫通するコンタクトホールＣＨ３を介して対向電極ＣＥと接続されている。また、第３配線Ｗ３は、図示しないパッシベーション膜１１３を貫通するコンタクトホールを介して第１配線Ｗ１ＡおよびＷ１Ｂのそれぞれ他端と接続されている。
【００４２】
第３配線Ｗ３は、この例では、スイッチングトランジスタＳＷのソース電極Ｓと同一材料で形成されている。第３配線Ｗ３は、ソース電極Ｓと同一工程で形成可能である。なお、この第３配線Ｗ３は、スイッチングトランジスタＳＷのゲート電極Ｇと同一材料で形成しても良い。この場合、第３配線Ｗ３は、ゲート絶縁膜１１２の上に配置される。また、この場合、第３配線Ｗ３は、第１配線Ｗ１Ａ及びＷ１Ｂと一体的に形成することも可能である。
【００４３】
本実施形態において、対向電極ＣＥは、電源配線Ｗと複数個所、すなわち、アレイ基板１００の辺Ｓ１側のアクティブエリア１０２のＡ領域及びＢ領域、及び、アレイ基板１００の辺Ｓ３側のアクティブエリア１０２のＣ領域で接続されている。電源端子ＴＡ及びＴＢからの電圧は、それぞれ第２配線Ｗ２Ａ及びＷ２Ｂを介してＡ領域及びＢ領域で対向電極ＣＥに供給される。さらに、電源端子ＴＡ及びＴＢからの電圧は、それぞれ第２配線Ｗ２Ａ及びＷ２Ｂから第１配線Ｗ１Ａ及びＷ１Ｂと、第３配線Ｗ３とを介してＣ領域で対向電極ＣＥに供給される。これにより、対向電極ＣＥに一様な電圧が供給され、対向電極ＣＥの電圧降下を防止することが可能となる。
【００４４】
ところで、アレイ基板１００と封止基板２００とは、シール部材３００であるフリットガラスにレーザを照射し、フリットガラスを溶融することによって接合される。本実施形態において、電源配線Ｗと対向電極ＣＥとを電気的に接続するＡ領域、Ｂ領域、及び、Ｃ領域を繋ぐ第１配線Ｗ１Ａ及びＷ１Ｂは、アレイ基板１００の辺Ｓ２及びＳ４に沿ってシール部材３００と重なるように配置されている。
【００４５】
このため、アクティブエリア１０２の外周と、アレイ基板１００の辺Ｓ２、辺Ｓ４との間に、シール部材３００を配置するスペースの他に第１配線Ｗ１を配置するスペースを設ける必要がなくなる。これにより、表示パネル１の狭額縁化が可能となる。
【００４６】
また、第１配線Ｗ１Ａ及びＷ１Ｂがシール部材３００よりも融点の高い材料によって形成されているため、フリットガラスに向けて照射されたレーザによる第１配線Ｗ１へのダメージを軽減することが可能である。
【００４７】
以上より、本実施形態によれば、対向電極ＣＥの電圧降下を防ぎつつ、表示パネル１の狭額縁化を図ることが可能となる。
【００４８】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００４９】
図１に示した例では、２つの電源端子ＴＡおよびＴＢを備えた表示パネル１について説明したが、この例に限らず、例えば、１つの電源端子Ｔを備えた表示パネル１であってもよい。このとき、第１配線Ｗ１は、アレイ基板１００の電源端子Ｔが配置された辺と隣接する一方の辺に沿って配置されている。第２配線Ｗ２は、第１配線Ｗ１の一端と、電源端子と、対向電極ＣＥと、を接続している。第３配線Ｗ３は、第１配線Ｗ１の他端と、対向電極ＣＥを接続している。このような構成においても、上述の実施形態と同様の効果が得られる。
【符号の説明】
【００５０】
１００…アレイ基板  ２００…封止基板  ＰＥ…画素電極（第１電極）  ＣＥ…対向電極（第２電極）  ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子  ３００…シール部材  Ｔ…電源端子  Ｗ…電源配線  Ｗ１…第１配線  Ｗ２…第２配線  Ｗ３…第３配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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