(57)【要約】      （修正有）【課題】製造コストの増大を抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】絶縁基板１００と、前記絶縁基板１００の上方においてアクティブエリア１０２及び前記アクティブエリア１０２の周辺エリア１０４に配置された絶縁膜１１４と、前記アクティブエリア１０２の前記絶縁膜１１４の上に配置された画素電極ＰＥと、前記画素電極ＰＥの上に配置された有機層ＯＲＧと、前記有機層ＯＲＧの上に配置された対向電極ＣＥと、を備えた有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと、前記絶縁基板１００の上方において前記周辺エリア１０４に配置された電極パッド１３１と、前記絶縁基板１００と前記電極パッド１３１との間に配置された弾性層１３２と、前記有機ＥＬ素子ＯＬＥＤ及び前記電極パッド１３１を覆う保護膜１１５と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。【選択図】図２
2010244850.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板の上方においてアクティブエリア及び前記アクティブエリアの周辺エリアに配置された絶縁膜と、
前記アクティブエリアの前記絶縁膜の上に配置された画素電極と、前記画素電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えた有機ＥＬ素子と、
前記絶縁基板の上方において前記周辺エリアに配置された電極パッドと、
前記絶縁基板と前記電極パッドとの間に配置された弾性層と、
前記有機ＥＬ素子及び前記電極パッドを覆う保護膜と、
を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記弾性層は、前記絶縁膜と同一材料によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記電極パッドは、前記画素電極または前記対向電極と同一材料によって形成されたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
さらに、前記絶縁基板と前記弾性層との間に配置され、前記電極パッドに電気的に接続された配線を備えたことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記弾性層は、前記配線の上に配置された複数のセグメントを有し、
前記電極パッドと前記配線とが前記セグメントの間で接続されたことを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自発光型で、高速応答、広視野角、高コントラストの特徴を有し、かつ、更に薄型軽量化が可能な有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。
【０００３】
例えば、特許文献１によれば、駆動用基板に表示領域及び外部接続領域を設け、駆動用基板の全面に保護膜を形成して表示領域及び外部接続領域を覆った後に、外部接続領域を覆う保護膜をエッチングによって除去し、駆動用基板と封止用基板とを接着層を介して貼り合わせた完全固体封止構造の表示装置が開示されている。
【０００４】
しかしながら、外部接続領域を覆う保護膜を除去する工程が必要であり、製造コストの増大を招く。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１２７６３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、製造コストの増大を抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様によれば、
絶縁基板と、前記絶縁基板の上方においてアクティブエリア及び前記アクティブエリアの周辺エリアに配置された絶縁膜と、前記アクティブエリアの前記絶縁膜の上に配置された画素電極と、前記画素電極の上に配置された有機層と、前記有機層の上に配置された対向電極と、を備えた有機ＥＬ素子と、前記絶縁基板の上方において前記周辺エリアに配置された電極パッドと、前記絶縁基板と前記電極パッドとの間に配置された弾性層と、
前記有機ＥＬ素子及び前記電極パッドを覆う保護膜と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、製造コストの増大を抑制することが可能な有機ＥＬ表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の一態様に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図２は、第１実施形態における有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子を含む表示パネルの概略断面図である。
【図３】図３は、図２に示した有機ＥＬ表示装置の接続部を拡大した図である。
【図４】図４は、第１実施形態における第１実験の結果を示す図である。
【図５】図５は、第１実施形態における第２実験の結果を示す図である。
【図６】図６は、第２実施形態における有機ＥＬ表示装置の接続部を拡大した図である。
【図７】図７は、第３実施形態における有機ＥＬ表示装置の接続部を拡大した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の一態様について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１１】
図１は、有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す平面図である。
【００１２】
すなわち、有機ＥＬ表示装置は、表示パネル１を備えている。この表示パネル１は、アレイ基板１００及び封止基板２００を備えている。アレイ基板１００は、画像を表示するアクティブエリア１０２において、マトリクス状に配置された複数の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを備えている。封止基板２００は、アクティブエリア１０２において、アレイ基板１００の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと向かい合っている。
【００１３】
これらのアレイ基板１００及び封止基板２００は、アクティブエリア１０２を囲む枠状に形成されたシール材３００によって貼り合わせされている。シール材３００は、例えば、紫外線硬化型樹脂などの有機系材料によって形成されている。アレイ基板１００と封止基板２００との間には、シール材３００によって囲まれた内側に樹脂層３１０が充填されている。このような樹脂層３１０は、例えば、紫外線硬化型樹脂などの有機系材料によって形成されている。
【００１４】
また、アレイ基板１００は、アクティブエリア１０２の外側の周辺エリア１０４において、封止基板２００の端部２００Ｅから外方に向かって延在した延在部１１０を備えている。この延在部１１０には、接続部１３０が設けられている。この接続部１３０には、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤに電源や各種制御信号などの有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを駆動するのに必要な信号を供給する駆動ＩＣチップやフレキシブル・プリンテッド・サーキット（以下、ＦＰＣと称する）などの信号供給源が接続可能である。
【００１５】
図２は、第１実施形態における有機ＥＬ表示装置の有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを含む表示パネル１の断面図である。
【００１６】
アレイ基板１００は、ガラスなどの絶縁基板１０１、絶縁基板１０１の上に形成されたスイッチング素子ＳＷ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤなどを有している。絶縁基板１０１の上には、アンダーコート層１１１が配置されている。このアンダーコート層１１１は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などによって形成されている。このようなアンダーコート層１１１は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。
【００１７】
アンダーコート層１１１の上には、スイッチング素子ＳＷの半導体層ＳＣが配置されている。この半導体層ＳＣは、例えばポリシリコンによって形成されている。この半導体層ＳＣには、チャネル領域ＳＣＣを挟んでソース領域ＳＣＳ及びドレイン領域ＳＣＤが形成されている。
【００１８】
半導体層ＳＣは、ゲート絶縁膜１１２によって被覆されている。また、ゲート絶縁膜１１２は、アンダーコート層１１１の上に配置されている。このゲート絶縁膜１１２は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などによって形成されている。このようなゲート絶縁膜１１２は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。
【００１９】
ゲート絶縁膜１１２の上には、チャネル領域ＳＣＣの直上にスイッチング素子ＳＷのゲート電極Ｇが配置されている。この例では、スイッチング素子ＳＷは、トップゲート型のｐチャネル薄膜トランジスタである。このゲート電極Ｇは、パッシベーション膜１１３によって被覆されている。また、パッシベーション膜１１３は、ゲート絶縁膜１１２の上に配置されている。このパッシベーション膜１１３は、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物などによって形成されている。このようなパッシベーション膜１１３は、アクティブエリア１０２の概ね全体に亘って延在している。
【００２０】
パッシベーション膜１１３の上には、スイッチング素子ＳＷのソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄが配置されている。ソース電極Ｓは、半導体層ＳＣのソース領域ＳＣＳにコンタクトしている。ドレイン電極Ｄは、半導体層ＳＣのドレイン領域ＳＣＤにコンタクトしている。スイッチング素子ＳＷのゲート電極Ｇ、ソース電極Ｓ、及び、ドレイン電極Ｄは、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）などを用いて形成されている。
【００２１】
ソース電極Ｓ及びドレイン電極Ｄは、絶縁膜１１４によって被覆されている。また、絶縁膜１１４は、パッシベーション膜１１３の上に配置されている。このような絶縁膜１１４は、例えば、紫外線硬化型樹脂や熱硬化型樹脂などの有機系材料によって形成されている。また、このような絶縁膜１１４は、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。
【００２２】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する画素電極ＰＥは、絶縁膜１１４の上に配置されている。画素電極ＰＥは、スイッチング素子ＳＷのドレイン電極Ｄに接続されている。この画素電極ＰＥは、この例では陽極に相当する。
【００２３】
この画素電極ＰＥは、反射電極ＰＥＲ及び透過電極ＰＥＴが積層された２層構造である。つまり、反射電極ＰＥＲは、絶縁膜１１４の上に配置されている。また、透過電極ＰＥＴは、反射電極ＰＥＲの上に積層されている。反射電極ＰＥＲは、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）などの光反射性を有する導電材料によって形成されている。透過電極ＰＥＴは、例えば、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）、インジウム・ジンク・オキサイド（ＩＺＯ）などの光透過性を有する導電材料によって形成されている。なお、画素電極ＰＥは、上述した２層構造に限らず、反射電極ＰＥＲ単層であっても良いし、透過電極ＰＥＴ単層であっても良い。
【００２４】
絶縁膜１１４の上には、隔壁ＰＩが配置されている。この隔壁ＰＩは、画素電極ＰＥの周縁に沿って配置されている。この隔壁ＰＩは、例えば有機系材料によって形成されている。
【００２５】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する有機層ＯＲＧは、画素電極ＰＥの上に配置されている。この有機層ＯＲＧは、少なくとも発光層を含み、さらに、ホール注入層、ホール輸送層、電子注入層、電子輸送層などを含んでも良い。有機層ＯＲＧの材料については、蛍光材料を含んでいても良いし、燐光材料を含んでいても良い。
【００２６】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを構成する対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧの上に配置されている。この対向電極ＣＥは、有機層ＯＲＧのみならず隔壁ＰＩも被覆している。この例では、対向電極ＣＥは、陰極に相当する。このような対向電極ＣＥは、例えば、マグネシウム・銀などによって形成されている。
【００２７】
対向電極ＣＥの上には、保護膜１１５が配置されている。保護膜１１５の上には、樹脂層３１０が配置されている。これらの保護膜１１５及び樹脂層３１０は、アクティブエリア１０２の全体に亘って延在している。樹脂層３１０の上には、封止基板２００が配置されている。封止基板２００は、ガラスやプラスチックなどの光透過性を有する絶縁基板である。アレイ基板１００と封止基板２００とは、アクティブエリア１０２の外側に配置されたシール材３００によって貼り合わせられている。
【００２８】
有機ＥＬ素子ＯＬＥＤが封止基板２００の側から光を放射するトップエミッションタイプである場合には、保護膜１１５及び樹脂層３１０は、光透過性を有する材料によって形成されている。保護膜１１５は、プラズマＣＶＤ法や、スパッタ法により形成可能である。このような保護膜１１５は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ）やシリコン窒化物（ＳｉＮ）、シリコン酸窒化物（ＳｉＯＮ）、アルミニウム酸化物（Ａｌ２Ｏ３）などの無機系材料によって形成されている。樹脂層３１０は、例えば、透明な紫外線硬化型樹脂によって形成されている。
【００２９】
アクティブエリア１０２の外側の周辺エリア１０４に位置するアレイ基板１００の延在部１１０においては、絶縁基板１０１の上に、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び、パッシベーション膜１１３が順に積層されている。これらのアンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び、パッシベーション膜１１３は、アクティブエリア１０２から延在している。
【００３０】
また、このアレイ基板１００の延在部１１０において、パッシベーション膜１１３の上には、接続部１３０が設けられている。この接続部１３０は、電極パッド１３１を備えている。電極パッド１３１とパッシベーション膜１１３との間には、弾性層１３２が配置されている。
【００３１】
この弾性層１３２は、電気的に絶縁体であり、例えば、紫外線硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、ゴム、低分子の有機物、ゼラチン、ゲルなどによって形成されている。ここに示した例では、弾性層１３２は、アクティブエリア１０２に配置された絶縁膜１１４と同一材料によって形成されている。これにより、弾性層１３２は、絶縁膜１１４と同一工程で形成可能である。このため、弾性層１３２を形成するに際して、製造工程が増加することはない。図２に示した弾性層１３２は、延在部１１０において島状に形成されているが、絶縁膜１１４がアクティブエリア１０２から周辺エリア１０４まで延在して絶縁膜１１４と一体的に形成されても良い。なお、この弾性層１３２は、アクティブエリア１０２に配置された隔壁ＰＩと同一材料によって形成しても良い。
【００３２】
電極パッド１３１は、弾性層１３２の上に配置されている。この電極パッド１３１は、画素電極ＰＥまたは対向電極ＣＥと同一材料によって形成されている。ここに示した例では、電極パッド１３１は、画素電極ＰＥの透過電極ＰＥＴと同一材料によって形成され、例えば、ＩＴＯによって形成されている。
【００３３】
このような接続部１３０は、保護膜１１５によって覆われている。この保護膜１１５は、アレイ基板１００の全面を覆うように配置されており、アクティブエリア１０２のみならず周辺エリア１０４にも延在している。つまり、保護膜１１５は、アクティブエリア１０２において有機ＥＬ素子ＯＬＥＤを覆うとともに、周辺エリア１０４の延在部１１０において電極パッド１３１を覆い、さらに、アレイ基板１００の端部１００Ｅまで延在している。
【００３４】
ここに示した例では、信号供給源の一例として、ＦＰＣ４００が接続部１３０に接続されている。このＦＰＣ４００は、絶縁基板４１０と、この絶縁基板４１０の上に配置された端子４２０と、を備えている。ＦＰＣ４００の端子４２０と電極パッド１３１を覆う保護膜１１５との間には、導電性を有する接着剤、例えば、異方性導電膜５００が介在しており、端子４２０と保護膜１１５とが接着されている。異方性導電膜５００は、接着剤５０１の中に分散された粒状の導電部材５０２を有している。
【００３５】
図３は、図２に示した接続部１３０の拡大図であり、異方性導電膜５００を介してＦＰＣ４００を接続部１３０に接続した状態を模式的に示す図である。
【００３６】
絶縁基板１０１と接続部１３０との間には、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び、パッシベーション膜１１３が配置されている。弾性層１３２は、電極パッド１３１とパッシベーション膜１１３との間に配置されている。電極パッド１３１は、保護膜１１５によって覆われている。
【００３７】
絶縁基板４１０の上の端子４２０を有するＦＰＣ４００は、接着剤５０１の中に導電部材５０２を含む異方性導電膜５００を介して接続部１３０に接続されている。このような接続は、例えば、加熱しながらＦＰＣ４００を接続部１３０に向けて押圧する熱圧着によってなされる。この熱圧着により、端子４２０と保護膜１１５との間に介在する異方性導電膜５００の導電部材５０２の一部が保護膜１１５を貫通し、電極パッド１３１に接触する。場合によっては、導電部材５０２の一部は、保護膜１１５のみならず電極パッド１３１も貫通し、弾性層１３２に陥没する。一部の導電部材５０２は端子４２０に接触し、また、他の導電部材５０２は電極パッド１３１に接触している。これらの導電部材５０２は、接着剤５０１の中で連なり、電極パッド１３１と端子４２０とが電気的に接続される。
【００３８】
このような第１実施形態によれば、電極パッド１３１の下地として比較的柔軟な弾性層１３２が配置されているため、電極パッド１３１を覆う保護膜１１５とＦＰＣ４００の端子４２０との間に異方性導電膜５００を介在させた状態で熱圧着することによって、異方性導電膜５００に含まれる導電部材５０２が保護膜１１５を貫通して電極パッド１３１と端子４２０との電気的な接続がなされる。
【００３９】
このため、電極パッド１３１を覆う保護膜１１５を除去して電極パッド１３１を露出させる工程が不要であり、製造コストの増大を抑制することが可能となる。また、保護膜１１５を除去するためのエッチングが不要であるため、電極パッド１３１に与えるダメージを軽減できる。さらに、電極パッド１３１は、導電部材５０２が貫通した部分を除いて保護膜１１５によって覆われているため、保護膜１１５を除去して電極パッド１３１を露出させる場合と比較して、電極パッド１３１の腐食などの劣化を抑制できる。
【００４０】
また、この第１実施形態においては、アレイ基板１００と封止基板２００との間に樹脂層３１０が充填された固体封止構造を採用し、しかも、アレイ基板１００に形成された有機ＥＬ素子ＯＬＥＤと樹脂層３１０との間に保護膜１１５が配置されている。このため、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤへの水分の到達を抑制することができ、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤの劣化が抑制できる。
【００４１】
次に、この第１実施形態における第１実験について説明する。この第１実験は、弾性層１３２の厚さを一定とし、その硬度を変化させた場合の表示不具合を発生した表示パネルの数を計数した実験である。
【００４２】
１４００ｍｍ×５００ｍｍの長方形状の絶縁基板の上にスイッチング素子ＳＷなどを形成した５枚のマザー基板Ｍａ、Ｍｂ、Ｍｃ、Ｍｄ、Ｍｅを作成した。各マザー基板Ｍａ〜Ｍｅには、アレイ基板１００を形成するための領域が２４箇所形成される。
【００４３】
各マザー基板Ｍａ〜Ｍｅにおいて、スイッチング素子ＳＷの上には絶縁膜１１４が配置されている。このような絶縁膜１１４は、紫外線硬化型樹脂によって形成され、フォトリソグフィ方式によりパターニングされている。この絶縁膜１１４の厚さは、２μｍである。
【００４４】
各マザー基板Ｍｂ、Ｍｃ、Ｍｄ、Ｍｅについては、絶縁膜１１４は、スイッチング素子ＳＷが形成されたアクティブエリア１０２のみならず周辺エリア１０４の接続部１３０が形成される領域まで延在している。これらのマザー基板Ｍｂ〜Ｍｅは、アクティブエリア１０２から延在した絶縁膜１１４によって形成された厚さ２μｍの弾性層１３２を備えている。
【００４５】
マザー基板Ｍｂに形成された絶縁膜１１４及び弾性層１３２の鉛筆硬度はＨとした。マザー基板Ｍｃに形成された絶縁膜１１４及び弾性層１３２の鉛筆硬度は２Ｈとした。マザー基板Ｍｄに形成された絶縁膜１１４及び弾性層１３２の鉛筆硬度は３Ｈとした。マザー基板Ｍｅに形成された絶縁膜１１４及び弾性層１３２の鉛筆硬度は４Ｈとした。なお、ここで硬度の一例である鉛筆硬度とは、ＪＩＳ規格〔Ｋ５４００〕の鉛筆硬度試験に従って測定した硬度である。
【００４６】
比較例であるマザー基板Ｍａについては、絶縁膜１１４は、各アクティブエリア１０２に配置され、接続部１３０が形成される領域には配置されていない。つまり、このマザー基板Ｍａには、接続部１３０が形成される領域に弾性層を備えていない。マザー基板Ｍａに形成された絶縁膜１１４の鉛筆硬度はＨとした。
【００４７】
続いて、各マザー基板Ｍａ〜Ｍｅにおいて、アクティブエリア１０２の絶縁膜１１４の上に反射電極ＰＥＲを形成し、この反射電極ＰＥＲの上にＩＴＯからなる厚さ５０ｎｍの透過電極ＰＥＴを形成した。このとき、各マザー基板Ｍａ〜Ｍｅの接続部１３０が形成される領域には、各々透過電極ＰＥＴと同一材料によって電極パッド１３１を形成した。各マザー基板Ｍｂ〜Ｍｅについては、電極パッド１３１は弾性層１３２の上に形成される。また、マザー基板Ｍａについては、電極パッド１３１は絶縁基板の上に形成される。その後、各マザー基板Ｍａ〜Ｍｅにおいて、反射電極ＰＥＲ及び透過電極ＰＥＴを積層した画素電極ＰＥの周辺に隔壁ＰＩを形成した。
【００４８】
続いて、各マザー基板Ｍａ〜Ｍｅを抵抗加熱方式の有機ＥＬ成膜装置にセットし、画素電極ＰＥの上に有機ＥＬ材料として、ビス〔（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル〕ベンジジン（略称；α−ＮＰＤ）を用いて厚さ２００ｎｍホール輸送層を形成し、このホール輸送層の上に８−キノリノールアルミニウム錯体（略称；Ａｌｑ３）を用いて厚さ５０ｎｍの発光層兼電子輸送層を形成し、さらに、この電子輸送層の上にマグネシウム・銀を用いて厚さ２ｎｍの電子注入層兼陰極を形成した。
【００４９】
続いて、各マザー基板Ｍａ〜Ｍｅの全面に、プラズマＣＶＤ法により窒化シリコン（ＳｉＮ）を用いて厚さ２μｍの保護膜１１５を形成した。
【００５０】
一方で、５枚の封止基板２００の上には、シール材３００としてディスペンサーを用いて紫外線硬化型樹脂を塗布し、更にシール材３００で囲まれた内側には樹脂層３１０として適量に紫外線硬化型樹脂を適量滴下した。これらの５枚の封止基板２００は、真空チャンバー中でそれぞれ５枚のマザー基板Ｍａ〜Ｍｅに貼りあわせられる。その後、シール材３００及び樹脂層３１０となる紫外線硬化型樹脂に紫外線が照射され、これらの紫外線硬化型樹脂を硬化させた。
【００５１】
各マザー基板Ｍａ〜Ｍｅと封止基板２００とが貼り合わせられた基板対は、それぞれ２４個の表示パネルに割断される。その後、各表示パネルの接続部１３０には、熱圧着により異方性導電膜５００を用いて信号供給源４００を実装した。異方性導電膜５００は、直径４μｍの粒状の導電部材５０２を含んでいる。
【００５２】
これらの各表示パネルに電源を供給して点灯させ、それぞれの点灯状態を観察して、接続部１３０と信号供給源４００との接続不良によると思われる表示不具合が生じた表示パネルの枚数を計数した。この結果を図４に示す。なお、この図４においては、マザー基板Ｍａから割断された表示パネルをａとして表し、マザー基板Ｍｂから割断された表示パネルをｂとして表し、マザー基板Ｍｃから割断された表示パネルをｃとして表し、マザー基板Ｍｄから割断された表示パネルをｄとして表し、マザー基板Ｍｅから割断された表示パネルをｅとして表している。
【００５３】
表示パネルａは、電極パッド１３１の下地として弾性層を備えていない。表示パネルａの電極パッド１３１は、厚さ２μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルａについては、２４個中の２４個で接続不良が原因と思われる表示不具合が発生した。
【００５４】
表示パネルｂは、電極パッド１３１の下地として厚さが２μｍであり鉛筆硬度がＨの弾性層１３２を備えている。表示パネルｂの電極パッド１３１は、厚さ２μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｂについては、２４個のいずれも表示不具合が発生しなかった。
【００５５】
表示パネルｃは、電極パッド１３１の下地として厚さが２μｍであり鉛筆硬度が２Ｈの弾性層１３２を備えている。表示パネルｃの電極パッド１３１は、厚さ２μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｃについては、２４個のいずれも表示不具合が発生しなかった。
【００５６】
表示パネルｄは、電極パッド１３１の下地として厚さが２μｍであり鉛筆硬度が３Ｈの弾性層１３２を備えている。表示パネルｄの電極パッド１３１は、厚さ２μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｄについては、２４個中の１１個で接続不良が原因と思われる表示不具合が発生した。
【００５７】
表示パネルｅは、電極パッド１３１の下地として厚さが２μｍであり鉛筆硬度が４Ｈの弾性層１３２を備えている。表示パネルｅの電極パッド１３１は、厚さ２μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｅについては、２４個中の２４個で接続不良が原因と思われる表示不具合が発生した。
【００５８】
以上の結果から、電極パッド１３１の下地として弾性層を備えていない場合には、電極パッド１３１と信号供給源４００との間が保護膜１１５によって絶縁され、接続部１３０と信号供給源４００との接続不良が発生しやすい傾向が確認された。一方、電極パッド１３１の下層に弾性層１３２を設置した場合には、電極パッド１３１と信号供給源４００とが電気的に接続され、表示パネルを点灯させることが可能となるが、弾性層１３２の硬度が高くなるにしたがって、接続不良の発生が増える傾向が確認された。ここで説明した第１実施権においては、弾性層１３２の鉛筆硬度は３Ｈ未満であることが望ましく、２Ｈ以下であることがより望ましい。
【００５９】
次に、第２実験について説明する。この第２実験は、弾性層１３２の鉛筆硬度を一定とし、弾性層１３２の厚さ及び保護膜１１５の厚さを変化させた場合の表示不具合を発生した表示パネルの数を計数した実験である。この第２実験では、弾性層１３２の鉛筆硬度を２Ｈとし、弾性層１３２の厚さを１．５μｍ、２．０μｍ、２．５μｍの３通りとし、保護膜（ＳｉＮ）１１５の厚さを１μｍ、２μｍ、３μｍの３通りとした以外は、上述した第１実験と同様の作成手順にて表示パネルを作成した。
【００６０】
これらの各表示パネルに電源を供給して点灯させ、それぞれの点灯状態を観察して、接続部１３０と信号供給源４００との接続不良によると思われる表示不具合が生じたパネル枚数を計数した。この結果を図５に示す。
【００６１】
表示パネルｆは、電極パッド１３１の下地として厚さが１．５μｍの弾性層１３２を備えている。表示パネルｆの電極パッド１３１は、厚さ１μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｆについては、２４個のいずれも表示不具合が発生しなかった。
【００６２】
表示パネルｇは、電極パッド１３１の下地として厚さが１．５μｍの弾性層１３２を備えている。表示パネルｇの電極パッド１３１は、厚さ２μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｇについては、２４個中の１７個で表示不具合が発生した。
【００６３】
表示パネルｈは、電極パッド１３１の下地として厚さが１．５μｍの弾性層１３２を備えている。表示パネルｈの電極パッド１３１は、厚さ３μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｈについては、２４個中の２４個で表示不具合が発生した。
【００６４】
表示パネルｉは、電極パッド１３１の下地として厚さが２．０μｍの弾性層１３２を備えている。表示パネルｉの電極パッド１３１は、厚さ１μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｉについては、２４個のいずれも表示不具合が発生しなかった。
【００６５】
表示パネルｊは、電極パッド１３１の下地として厚さが２．０μｍの弾性層１３２を備えている。表示パネルｊの電極パッド１３１は、厚さ２μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｊについては、２４個のいずれも表示不具合が発生しなかった。
【００６６】
表示パネルｋは、電極パッド１３１の下地として厚さが２．０μｍの弾性層１３２を備えている。表示パネルｋの電極パッド１３１は、厚さ３μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｋについては、２４個中の２４個で表示不具合が発生した。
【００６７】
表示パネルｌは、電極パッド１３１の下地として厚さが２．５μｍの弾性層１３２を備えている。表示パネルｌの電極パッド１３１は、厚さ１μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｌについては、２４個のいずれも表示不具合が発生しなかった。
【００６８】
表示パネルｍは、電極パッド１３１の下地として厚さが２．５μｍの弾性層１３２を備えている。表示パネルｍの電極パッド１３１は、厚さ２μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｍについては、２４個のいずれも表示不具合が発生しなかった。
【００６９】
表示パネルｎは、電極パッド１３１の下地として厚さが２．５μｍの弾性層１３２を備えている。表示パネルｎの電極パッド１３１は、厚さ３μｍの保護膜１１５によって覆われている。このような表示パネルｎについては、２４個中の２４個で表示不具合が発生した。
【００７０】
以上の結果から、電極パッド１３１を覆う保護膜１１５の厚さが薄いほど、電極パッド１３１と信号供給源４００とが電気的に接続される傾向が確認された。また、弾性層１３２の厚さと、保護膜１１５の厚さとの関係については、保護膜１１５の厚さが弾性層１３２の厚さ以下である場合に電極パッド１３１と信号供給源４００とが電気的に接続される傾向が確認された。
【００７１】
次に、第２実施形態について説明する。
【００７２】
図６は、第２実施形態における有機ＥＬ表示装置の接続部１３０の拡大図であり、異方性導電膜５００を介してＦＰＣ４００を接続部１３０に接続した状態を模式的に示す図である。なお、図３に示した第１実施形態の構成と同一構成については、同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。また、図６で図示していないアクティブエリアの構造は、図２に示した通りである。
【００７３】
この第２実施形態においては、上述した第１実施形態と比較して、絶縁基板１０１と弾性層１３２との間に配線１４０が配置され、この配線１４０が電極パッド１３１に電気的に接続された点で相違する。
【００７４】
絶縁基板１０１と接続部１３０との間には、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び、パッシベーション膜１１３が配置されている。配線１４０は、パッシベーション膜１１３の上に配置されている。この配線１４０は、図示しないアクティブエリアに延在してスイッチング素子や有機ＥＬ素子などに接続されている。また、この配線１４０は、アレイ基板１００の端部１００Ｅの側にも延在している。
【００７５】
配線１４０の上には、島状に形成された弾性層１３２が配置されている。この弾性層１３２は、接続部１３０を形成し、アクティブエリア側には延在していない。配線１４０の一部は、弾性層１３２よりもアクティブエリア側及びアレイ基板１００の端部１００Ｅの側において、弾性層１３２から露出している。
【００７６】
電極パッド１３１は、島状の弾性層１３２を覆うように配置され、弾性層１３２から露出した配線１４０と電気的に接続されている。電極パッド１３１は、保護膜１１５によって覆われている。保護膜１１５は、アレイ基板１００の端部１００Ｅまで延在している。
【００７７】
配線１４０は、パッシベーション膜１１３の上に配置された図示しないスイッチング素子のソース電極やドレイン電極と同一材料によって形成可能である。なお、この配線１４０は、ゲート絶縁膜１１２とパッシベーション膜１１３との間に配置されてもよく、この場合、図示しないスイッチング素子のゲート電極と同一材料によって形成しても良い。
【００７８】
絶縁基板４１０の上の端子４２０を有するＦＰＣ４００は、例えば熱圧着により接着剤５０１の中に導電部材５０２を含む異方性導電膜５００を介して接続部１３０に接続されている。端子４２０と保護膜１１５との間に介在する導電部材５０２の一部は、保護膜１１５を貫通して電極パッド１３１に接触する。場合によっては、導電部材５０２の一部は、保護膜１１５のみならず電極パッド１３１も貫通し、弾性層１３２に陥没する。これらの導電部材５０２は、接着剤５０１の中で連なり、電極パッド１３１と端子４２０とが電気的に接続される。
【００７９】
このような第２実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果が得られる。加えて、配線１４０とこの配線１４０の上に形成された弾性層１３２を覆う電極パッド１３１とが電気的に接続されているため、電極パッド１３１の低抵抗化が可能となる。
【００８０】
この第２実施形態においても、上述した第１実施形態と同様の第１実験及び第２実験にて接続部１３０と信号供給源４００との接続不良の発生状況を確認したところ、同様の傾向が確認された。
【００８１】
次に、第３実施形態について説明する。
【００８２】
図７は、第３実施形態における有機ＥＬ表示装置の接続部１３０の拡大図であり、異方性導電膜５００を介してＦＰＣ４００を接続部１３０に接続した状態を模式的に示す図である。なお、図６に示した第２実施形態の構成と同一構成については、同一の参照符号を付して詳細な説明を省略する。また、図７で図示していないアクティブエリアの構造は、図２に示した通りである。
【００８３】
この第３実施形態においては、上述した第２実施形態と比較して、弾性層１３２が配線１４０の上に配置された複数のセグメント１３２Ａ、１３２Ｂ、１３２Ｃ、…を有し、配線１４０と電極パッド１３１とが弾性層１３２のセグメントの間で電気的に接続された点で相違する。
【００８４】
絶縁基板１０１と接続部１３０との間には、アンダーコート層１１１、ゲート絶縁膜１１２、及び、パッシベーション膜１１３が配置されている。配線１４０は、パッシベーション膜１１３の上に配置されている。配線１４０の上には、複数のセグメント１３２Ａ、１３２Ｂ、１３２Ｃ、…からなる弾性層１３２が配置されている。各セグメント１３２Ａ、１３２Ｂ、１３２Ｃ、…は、互いに離間している。配線１４０の一部は、各セグメントの間、例えば、図示した例では、セグメント１３２Ａとセグメント１３２Ｂとの間、セグメント１３２Ｂとセグメント１３２Ｃとの間において、弾性層１３２から露出している。
【００８５】
電極パッド１３１は、弾性層１３２の各セグメント１３２Ａ、１３２Ｂ、１３２Ｃ、…を覆うように配置され、各セグメントの間から露出した配線１４０と電気的に接続されている。電極パッド１３１は、保護膜１１５によって覆われている。
【００８６】
絶縁基板４１０の上の端子４２０を有するＦＰＣ４００は、例えば熱圧着により接着剤５０１の中に導電部材５０２を含む異方性導電膜５００を介して接続部１３０に接続されている。端子４２０と保護膜１１５との間に介在する導電部材５０２の一部は、保護膜１１５を貫通して電極パッド１３１に接触する。場合によっては、導電部材５０２の一部は、保護膜１１５のみならず電極パッド１３１も貫通し、弾性層１３２に陥没する。これらの導電部材５０２は、接着剤５０１の中で連なり、電極パッド１３１と端子４２０とが電気的に接続される。
【００８７】
このような第３実施形態によれば、第１実施形態と同様の効果が得られる。加えて、弾性層１３２が複数のセグメント１３２Ａ、１３２Ｂ、１３２Ｃ、…によって構成されているため、熱圧着の際、各セグメントに荷重が集中しやすくなり、導電部材５０２が保護膜１１５を貫通しやすくなる。また、弾性層１３２のセグメント１３２Ａ、１３２Ｂ、１３２Ｃ、…の間で配線１４０と電極パッド１３１とが接触するため、電極パッド１３１の低抵抗化が可能となる。
【００８８】
この第３実施形態においても、上述した第１実施形態と同様の第１実験及び第２実験にて接続部１３０と信号供給源４００との接続不良の発生状況を確認したところ、同様の傾向が確認された。
【００８９】
なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【００９０】
本実施形態において、有機ＥＬ素子ＯＬＥＤは、封止基板２００側から光を放射するトップエミッションタイプとして構成されても良いし、アレイ基板１００の絶縁基板１０１側から光を放射するボトムエミッションタイプとして構成されても良い。
【００９１】
また、本実施形態では、アレイ基板１００と封止基板２００との間に樹脂層３１０が充填された固体封止構造を採用した例について説明したが、この例に限らない。例えば、アレイ基板１００と封止基板２００とがアクティブエリア１０２を囲むように枠状に配置されたフリットガラスからなるシール部材３００によって接合されるフリット封止構造を採用しても良い。
【符号の説明】
【００９２】
１…表示パネル
１００…アレイ基板
１１４…絶縁膜
１１５…保護膜
１３０…接続部  １３１…電極パッド  １３２…弾性層
１４０…配線
２００…封止基板
３００…シール材  ３１０…樹脂層
ＯＬＥＤ…有機ＥＬ素子
ＰＥ…画素電極（ＰＥＲ…反射電極  ＰＥＴ…透過電極）
ＣＥ…対向電極
ＯＲＧ…有機層
５００…異方性導電膜  ５０２…導電部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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