(57)【要約】【課題】  振動子の振動部が不必要な箇所で固定されることを防止できるＭＥＭＳ構造体の製造方法を提供する。【解決手段】  支持構造部１１と梁状の振動部１２とを備える振動子１０を、実装基板３０上に、振動部１２が実装基板３０と間隔を空けて対向するようにしてダイボンドするに際し、実装基板３０の支持構造部１１とダイボンドする面、又は、支持構造部１１の実装基板３０とダイボンドする面に、溝又は突起からなるダム部２６ａを形成し、ダイボンドする面に接着剤３１を塗工して、支持構造部１１と実装基板３０とをダイボンドする。【選択図】 図５
2010036280.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持構造部と梁状の振動部とを備える振動子が、接着剤によって実装基板上に、前記振動部が前記実装基板と間隔を空けて対向するようにしてダイボンドされたＭＥＭＳ構造体の製造方法であって、
前記実装基板の前記支持構造部とダイボンドする面、又は、前記支持構造部の前記実装基板とダイボンドする面に、溝又は突起からなるダム部を形成し、
前記ダイボンドする面に接着剤を塗工して、前記支持構造部と前記実装基板とをダイボンドする
ことを特徴とするＭＥＭＳ構造体の製造方法。
【請求項２】
前記ダム部は、前記支持構造部をエッチングして形成する、請求項１に記載のＭＥＭＳ構造体の製造方法。
【請求項３】
前記ダム部は、前記支持構造部又は前記実装基板に、金属、シリコン酸化物及びシリコン窒化物から選ばれる層を積層して形成する、請求項１に記載のＭＥＭＳ構造体の製造方法。
【請求項４】
支持構造部と梁状の振動部とを備える振動子が、接着剤によって実装基板上に、前記振動部が前記実装基板と間隔を空けて対向するようにしてダイボンドされたＭＥＭＳ構造体の製造方法であって、
前記実装基板の前記支持構造部とダイボンドする面、又は、前記支持構造部の前記実装基板とダイボンドする面に吸着材層を形成し、
前記吸着材層に接着剤を塗工して、前記支持構造部と前記実装基板とをダイボンドする
ことを特徴とするＭＥＭＳ構造体の製造方法。
【請求項５】
前記吸着材層は、金属メッシュ、金属焼結体、多孔質セラミックから選ばれる一種以上を、前記実装基板又は前記支持構造部に接合して形成する、請求項４に記載のＭＥＭＳ構造体の製造方法。
【請求項６】
前記振動子が、支持層上に、絶縁層、半導体層の順に積層されてなるものであって、前記絶縁層を介して前記支持層に支持された支持部を基端として前記半導体層が梁状に形成された、前記半導体層からなる振動部を備えたものである、請求項１〜５のいずれか１項に記載のＭＥＭＳ構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共振器などに用いられるＭＥＭＳ構造体の製造方法であって、更に詳しくは、振動子を実装基板上にダイボンドしてなるＭＥＭＳ構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）技術は、マイクロマシン技術の一つで、携帯電話などの小型電子機器に用いられる部品の製造技術として注目されている。
【０００３】
ＭＥＭＳ技術により形成されたＭＥＭＳ構造体の一つとして、振動子を実装基板上にダイボンドしてなるＭＥＭＳ構造体がある。実装基板上にダイボンドされる振動子は、支持構造部と振動部とを備えており、振動部は、片持ち梁状や両持ち梁状の構造をとり、支持構造部に支持された振動部は空中に浮いた構造をなしている。そして、かかるＭＥＭＳ構造体は、その振動子の機能を生かして、共振器や各種センサなどの用途に利用されている。
【０００４】
ところで、振動子を実装基板上にダイボンドするにあたり、接着剤をダイボンド面に塗工して振動子と実装基板とをダイボンドする方法が行われている（例えば、下記特許文献１など）。
【特許文献１】特開平８−１４５６８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
振動子と実装基板との接着強度を十分に得るためには、ダイボンド面に接着剤を比較的多量に塗布する必要がある。また、流動性の悪い接着剤を用いると、ダイボンド面への接着剤の塗工作業性が低下するので、ＭＥＭＳ構造体の生産性を向上させるには、すなわち流動性の高い接着剤を用いることが好ましい。
【０００６】
しかしながら、接着剤の塗工量を多くしたり、流動性の高い接着剤を使用すると、実装基板上に振動子をダイボンドした際、ダイボンド面から接着剤がはみ出て、周囲に接着剤が広がってしまう。そのため、特に、支持構造部と梁状の振動部とを備える振動子を、該振動子の振動部が、実装基板と間隔を空けて対向するように実装基板上にダイボンドする場合にあっては、ダイボンド面からはみ出した接着剤が振動子の振動部に付着して、振動部と実装基板や支持構造部との間に本来は不要な接着箇所が生じて振動部が固定されてしまい、振動子の所望の特性が得られなくなる、という製品不良が生じ易かった。
【０００７】
したがって、本発明の目的は、支持構造部と梁状の振動部とを備える振動子を、実装基板上に、振動部が実装基板と間隔を空けて対向するようにしてダイボンドするに際し、接着剤が必要以上に広がり、振動子の振動部が不必要な箇所で固定されてしまうことを防止できるＭＥＭＳ構造体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明のＭＥＭＳ構造体の製造方法の第一は、支持構造部と梁状の振動部とを備える振動子が、接着剤によって実装基板上に、前記振動部が前記実装基板と間隔を空けて対向するようにしてダイボンドされたＭＥＭＳ構造体の製造方法であって、前記実装基板の前記支持構造部とダイボンドする面、又は、前記支持構造部の前記実装基板とダイボンドする面に、溝又は突起からなるダム部を形成し、前記ダイボンドする面に接着剤を塗工して、前記支持構造部と前記実装基板とをダイボンドすることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明のＭＥＭＳ構造体の製造方法の第二は、支持構造部と梁状の振動部とを備える振動子が、接着剤によって実装基板上に、前記振動部が前記実装基板と間隔を空けて対向するようにしてダイボンドされたＭＥＭＳ構造体の製造方法であって、前記実装基板の前記支持構造部とダイボンドする面、又は、前記支持構造部の前記実装基板とダイボンドする面に吸着材層を形成し、前記吸着材層に接着剤を塗工して、前記支持構造部と前記実装基板とをダイボンドすることを特徴とする。
【００１０】
本発明のＭＥＭＳ構造体の製造方法の第一によれば、実装基板の支持構造部とダイボンドする面、又は、支持構造部の実装基板とダイボンドする面に、溝又は突起からなるダム部を形成したことで、流動性の高い接着剤を使用した場合であっても、該ダム部によってダイボンド面に塗工した接着剤の過剰流動を抑制でき、ダイボンド面の周囲に接着剤がはみ出して広がることを防止できる。このため、振動子の振動部が不必要な箇所で固定されることなく、実装基板上に振動子をダイボンドでき、安定した特性を備えたＭＥＭＳ構造体を生産性よく製造できる。
【００１１】
また、本発明のＭＥＭＳ構造体の製造方法の第二によれば、実装基板の支持構造部とダイボンドする面、又は、支持構造部の実装基板とダイボンドする面に吸着材層を形成したことで、流動性の高い接着剤を使用した場合であっても、ダイボンド面に塗工した接着剤は、該吸着材層に含浸するので、接着剤のダイボンド面からのはみ出しを抑制できる。このため、振動子の振動部が、不必要な箇所で固定されることなく、実装基板上に振動子をダイボンドでき、安定した特性を備えたＭＥＭＳ構造体を生産性よく製造できる。なお、あらかじめ接着剤を含浸させた吸着材をダイボンド面に配置して、実装基板上に振動子をダイボンドしようとした場合、吸着材の位置調整をするには、ピンセットやコレットなどを用いて、吸着材の位置合わせをする必要があるが、吸着材には接着剤が含浸されているので、吸着材がピンセットなどに付着してピンセットから離れないなどの不具合が生じ易く、吸着材の設置位置の調整を精度良く行えない問題がある。これに対して、本発明のＭＥＭＳ構造体の製造方法の第二においては、ダイボンド面に吸着材層を形成し、この吸着材層に接着剤を塗工して、支持構造部と実装基板とをダイボンドする構成であるため、上述のような吸着材の位置調整に関する問題がない。
【００１２】
本発明のＭＥＭＳ構造体の製造方法の第一において、前記ダム部は、前記支持構造部をエッチングして形成する、あるいは、前記支持構造部又は前記実装基板に、金属、シリコン酸化物及びシリコン窒化物から選ばれる層を積層して形成することが好ましい。
【００１３】
本発明のＭＥＭＳ構造体の製造方法の第二において、前記吸着材層は、金属メッシュ、金属焼結体、多孔質セラミックから選ばれる一種以上を、前記実装基板又は前記支持構造部に接合して形成することが好ましい。
【００１４】
本発明のＭＥＭＳ構造体の製造方法の第一及び第二において、前記振動子が、支持層上に、絶縁層、半導体層の順に積層されてなるものであって、前記絶縁層を介して前記支持層に支持された支持部を基端として前記半導体層が梁状に形成された、前記半導体層からなる振動部を備えたものであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、実装基板上の振動子とのダイボンド面に塗布した接着剤が、ダイボンド面からはみ出して周囲に広がることを抑制できるので、振動子の振動部が不必要な箇所で固定されることなく、安定した特性を備えたＭＥＭＳ構造体を生産性よく製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
まず、本発明のＭＥＭＳ構造体の製造方法において、実装基板にダイボンドさせる振動子について説明する。この振動子は、支持構造部と梁状の振動部とを備えるものであれば特に限定はなく、例えば、図１に示す振動子１０が一例として挙げられる。
【００１７】
図１の振動子１０は、基体５２の上に半導体層５１が積層されたものから形成されており、支持構造部１１と梁状の振動部１２とを備えている。振動部１２は、可動電極として機能するものであり、シリコンなどの材料で形成されている。そして、支持構造部１１より水平方向に突出した梁部１２ａの先端に、梁部１２ａよりも幅の広い重錘部１２ｂが形成された片持ち梁状の構造をなしている。また、支持構造部１１には、振動部１２（可動電極）の重錘部１２ｂと対向する電極面を備えた、例えばシリコンなどの材料から形成された一対の固定電極１４ａ，１４ｂが、振動部１２の両側に配置されている。そして、固定電極１４ａ，１４ｂの上面には、後段の電子回路と接続するための電極パッド１３ａ，１３ｂが形成されている。また、支持構造部１１の振動部１２の基端側には、振動部１２（可動電極）と後段の電子回路とを接続するための電極パッド１３ｃが形成されている。
【００１８】
このような振動子は、例えば、図２に示すような、支持層２３上に、絶縁層２２、半導体層２１の順に積層された、いわゆるＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板２０を用いて形成することができる。この場合、半導体層２１の部分が図１の半導体層５１に対応し、絶縁層２２および支持層２３の部分が図１の基体５２に対応する。ＳＯＩ基板２０としては、支持層２３の厚さが２００〜５２５μｍ、絶縁層２２の厚さが０．２〜１．０μｍ、半導体層２１の厚さが２〜３０μｍのものが一例として挙げられる。
【００１９】
そして、図３に示すように、ＳＯＩ基板２０の半導体層２１表面に、所望の振動部および固定電極の形状となるようにレジストパターニングを行った後、エッチングガス（例えば、Ｃ４Ｆ８とＳＦ６の混合ガス）を用いてドライエッチングして、半導体層２１のうち、不要な部分を除去して、図１における支持構造部１１と、振動部１２（可動電極）と、固定電極１４ａ，１４ｂとの各構成材料となる残存部分２１ａだけを残す。次いで、図４に示すように、絶縁層２２及び支持層２３をそれぞれエッチングして、絶縁層２２及び支持層２３のうち、それぞれ不要な部分を除去し、図１における支持構造部１１の構成材料となる残存部分２２ａ及び２３ａだけを残すようにして、半導体層２１の残存部分２１ａのうち、振動部１２をなす残存部分２１ａ２及び２１ａ３の下方に空間２４を形成する。ここで、図１における振動部１２（可動電極）のうち、梁部１２ａは半導体層２１の残存部分２１ａ２から構成されるとともに、重錘部１２ｂは半導体層２１の残存部分２１ａ３から構成される。また、図１における支持構造部１１は、半導体層２１の残存部分２１ａ１と、絶縁層２２の残存部分２２ａと、支持層２３の残存部分２３ａとから構成される。さらに、図１における固定電極１４ａ，１４ｂは、半導体層２１の残存部分２１ａ４から構成されており、支持構造部１１の絶縁層２２の残存部分２２ａの上面に、半導体層２１の残存部分２１ａ１とは溝１５ａ１，１５ａ２，１５ｂ１，１５ｂ２で分離された状態で配置される。
【００２０】
そして、上述の固定電極用の電極パッド１３ａ，１３ｂおよび可動電極用の電極パッド１３ｃを形成した上で、振動子のＭＥＭＳ構造が多数作りこまれたＳＯＩ基板をダイシングしてチップ化することで、振動子を製造できる。なお、図１の振動子１０における半導体層５１のうち、溝１５ａ２，１５ｂ２を介して固定電極１４ａ，１４ｂと対向している半導体層部分（図４における半導体層２１の残存部分２１ａ１）の上面にも図示のように電極パッド１３ｄを形成しておき、後段の電子回路との接続により、上記半導体層部分（図４の残存部分２１ａ１）の電位を例えば振動部１２（可動電極）などと同じ電位にすることができるようにしておくとよい。
【００２１】
また、本発明における振動子は、上述のようなＳＯＩ基板を用いて形成された振動子に限定されるものでなく、例えば、支持構造部をなすガラス基板などからなる絶縁性の基体に、所望の振動部（可動電極）および固定電極の形状に形成される金属層や半導体層を積層して製造することもできる。
【００２２】
また、図１に示す振動子１０は、振動部１２の一端が支持構造部１１に固定された片持ち梁状の構造をなしているが、振動部１２の両端を支持構造部１１に固定して、両持ち梁状としてもよい。
【００２３】
また、図１に示す振動子１０は、固定電極（駆動電極）１４ａ，１４ｂに交流電圧を与えることで、可動電極である振動部１２と、固定電極（駆動電極）１４ａ，１４ｂとの間に発生した静電力により、振動部１２を固定電極（駆動電極）１４ａ，１４ｂ間で水平方向（左右方向）に振動させる静電容量型の振動子であり、これを共振子として様々な用途に合わせて用いることができる。なお、本発明における振動子は、駆動方式として、上記の静電容量型に限定されるものでなく、圧電素子を振動部１２の上方あるいは左右の側面などに配置してなる圧電駆動型の振動子や、磁気駆動型の振動子であってもよい。
【００２４】
また、図１に示す振動子１０は、固定電極（駆動電極）１４ａ，１４ｂに交流電圧を与えることで、振動部（可動電極）１２と固定電極（駆動電極）１４ａ，１４ｂとの間に発生した静電力により、振動部１２を固定電極（駆動電極）１４ａ，１４ｂ間で水平方向（左右方向）に振動させる静電容量型の振動子であるが、この図１の構成において、振動部１２（可動電極）の上方向（あるいは下方向）に間隙を空けて対向するようにして図示されない検出電極を設け、この検出電極と振動部１２（可動電極）との間の静電容量を検出する容量検出回路を設けることにより、角速度センサを構成することができる。このような角速度センサは、固定電極（駆動電極）１４ａ，１４ｂに交流電圧の駆動信号を印加すると、振動部（可動電極）１２が固定周波数で水平方向（左右方向）に強制振動する。このとき、振動部（可動電極）１２を軸とした角速度が加わると、振動部（可動電極）１２が強制振動方向に対して直行する方向（上下方向）に角速度に比例したコリオリ振動を始め、振動部（可動電極）１２と検出電極との間の静電容量が変化する。この静電容量の変化を容量検出回路で検出することにより角速度を測定することができる。
【００２５】
また、図１の構成において、固定電極１４ａ，１４ｂに交流電圧の駆動信号を印加して振動部（可動電極）１２を強制振動させる代わりに、固定電極１４ａ，１４ｂを検出電極とし、この固定電極（検出電極）１４ａ，１４ｂと振動部１２（可動電極）との間の静電容量を検出する容量検出回路を設けることにより、加速度センサを構成することができる。この加速度センサでは、加速度等の外力が加わると、振動部１２（可動電極）が動き、振動部（可動電極）１２と固定電極（検出電極）１４ａ，１４ｂとの間の静電容量が変化する。この静電容量の変化を容量検出回路で検出することにより加速度を測定することができる。
【００２６】
次に、本発明のＭＥＭＳ構造体の製造方法の第１の実施形態について説明する。
【００２７】
図５は、本発明のＭＥＭＳ構造体の製造方法の第１の実施形態の概略工程図である。第１の実施形態では、実装基板３０の支持構造部１１とダイボンドする面、又は、支持構造部１１の実装基板３０とダイボンドする面のいずれか一方に、溝からなるダム部２６ａを形成する。そして、ダイボンドする面に接着剤を塗工し、振動部１２が実装基板３０と所定間隔を空けて対向するように、支持構造部１１と実装基板３０とをダイボンドする。以下、図５（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。
【００２８】
まず、図５（ａ）に示すように、振動子１０の支持構造部１１の実装基板３０とダイボンドする面に、接着剤広がり防止用の溝をレジストパターニングし、エッチングガス（例えば、Ｃ４Ｆ８とＳＦ６の混合ガス）を用いてドライエッチングし、不要な支持層２３を除去して、支持構造部１１に溝からなるダム部２６ａを形成する。このダム部２６ａは、ＳＯＩ基板を用いて振動子を形成する場合、振動部１２（梁部１２ａおよび重錘部１２ｂ）をなす半導体層２１（残存部分２１ａ２および２１ａ３）の下方に空間２４を形成する際に、支持層２３をエッチングして形成してもよい。したがって、ＳＯＩ基板をエッチングして振動子を製造する場合においては、ＳＯＩ基板のエッチング時（不要な支持層２３の除去時）に、溝からなるダム部を形成することができるので、ＭＥＭＳ構造体の製造工程をより簡略化できる。
【００２９】
次に、図５（ｂ）に示すように、接着剤３１を、ダイボンドする面に塗工する。この実施形態では、接着剤３１は、実装基板３０側に塗工しているが、支持構造部１１側に塗工してもよい。
【００３０】
接着剤３１としては、特に限定はなく、用途に応じて適宜選択できる。例えば、銀、ニッケル、カーボンなどの導電性フィラーをエポキシ、ポリウレタン、シリコーンなどの樹脂に添加kしてなる導電性接着剤や、ポリエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂などを主成分とした非導電性接着剤が挙げられる。
【００３１】
接着剤３１の塗工量は、支持構造部１１に形成されたダム部２６ａの容積以下が好ましく、ダム部２６ａの容積の４０〜１００％がより好ましい。接着剤の塗工量が少なすぎると、振動子１０と実装基板３０との接合強度が十分得られないことがある。また、ダム部２６ａの容積を超える塗工量であると、ダイボンド面から接着剤３１が周囲にはみ出す恐れがある。
【００３２】
次に、図５（ｃ）に示すように、振動部１２が実装基板３０と所定間隔を空けて対向するように、支持構造部１１と実装基板３０とをダイボンドする。ダイボンド面に塗工した接着剤３１は、ダム部２６ａ内に封止されるので、流動性の高い接着剤を用いた場合であっても、ダイボンド面の周囲に接着剤が流れ出にくくなる。その結果、本来は接着の不要な箇所である、振動部１２と実装基板３０との間、および、振動部１２と支持構造部１１の側面部との間に接着剤３１が介在して、振動子１０の振動部１２が不必要な箇所で固定されることがなくなり、安定した特性を備えたＭＥＭＳ構造体を生産性よく製造できる。
【００３３】
なお、上記実施例では、支持構造部１１をエッチングして、支持構造部１１側に溝からなるダム部２６ａを形成したが、実装基板３０の支持構造部１１とダイボンドする面に、接着剤広がり防止用の溝をレジストパターニングしてエッチングし、実装基板３０の表面に溝からなるダム部２６ａを形成してもよい。ただし、振動子１０を実装基板３０にダイボンドする際の位置決めのしやすさや、エッチング工程の手間などの観点から、ダム部２６ａは、振動子１０の支持構造部１１側に形成することが好ましい。
【００３４】
図６は、本発明のＭＥＭＳ構造体の製造方法の第２の実施形態の概略工程図である。第２の実施形態では、実装基板３０の支持構造部１１とダイボンドする面、又は、支持構造部１１の実装基板３０とダイボンドする面に、突起２７からなるダム部２６ｂを形成し、ダイボンドする面に接着剤を塗工して、振動部１２が実装基板３０と所定間隔を空けて対向するように、支持構造部１１と実装基板３０とをダイボンドする。以下、図６（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。
【００３５】
まず、図６（ａ）に示すように、振動子１０の支持構造部１１側の支持層２３（残存部２３ａ）の実装基板３０とダイボンドする面に、金属、シリコン酸化物及びシリコン窒化物から選ばれる層を積層して突起２７を形成し、該突起２７で囲まれたダム部２６ｂを形成する。
【００３６】
突起２７の形成方法としては、特に限定はなく、スパッタリング法、ＣＶＤ法、スクリーン印刷等の方法が一例として挙げられる。
【００３７】
次に、図６（ｂ）に示すように、接着剤３１を、ダイボンドする面に塗工する。この実施形態では、接着剤３１は、実装基板３０側に塗工しているが、支持構造部１１側に塗工してもよい。
【００３８】
次に、図６（ｃ）に示すように、振動部１２が実装基板３０と所定間隔を空けて対向するように、支持構造部１１と実装基板３０とをダイボンドする。ダイボンド面に塗工した接着剤３１は、ダム部２６ｂ内に封止されるので、流動性の高い接着剤を用いた場合であっても、ダイボンド面の周囲に流れ出ることがなくなる。その結果、本来は接着の不要な箇所である、振動部１２と実装基板３０との間、および、振動部１２と支持構造部１１の側面部との間に接着剤３１が介在して、振動子１０の振動部１２が不必要な箇所で固定されることを防止でき、安定した特性を備えたＭＥＭＳ構造体を生産性よく製造できる。
【００３９】
なお、上記実施例では、支持構造部１１に突起２７を形成して、該突起２７でかこまれたダム部を形成したが、実装基板３０の支持構造部１１とダイボンドする面に、金属、シリコン酸化物及びシリコン窒化物から選ばれる層を積層して突起を形成し、該突起で囲まれたダム部２６ｂを形成してもよい。ただし、振動子１０を実装基板３０にダイボンドする際の位置決めのしやすさなどの観点から、ダム部２６ｂは、振動子１０の支持構造部１１に形成することが好ましい。
【００４０】
次に、本発明のＭＥＭＳ構造体の製造方法の第３の実施形態について説明する。
【００４１】
図７は、本発明のＭＥＭＳ構造体の製造方法の第３の実施形態の概略工程図である。第３の実施形態では、実装基板３０の支持構造部１１とダイボンドする面、又は、支持構造部１１の実装基板３０とダイボンドする面に、吸着材層２８を形成する。そして、吸着材層２８に接着剤を塗工し、振動部１２が実装基板３０と所定間隔を空けて対向するように、支持構造部１１と実装基板３０とをダイボンドする。以下、図７（ａ）〜（ｃ）を用いて説明する。
【００４２】
まず、図７（ａ）に示すように、振動子１０の支持構造部１１部側の支持層２３（残存部２３ａ）の実装基板３０とダイボンドする面に、吸着材を接合して、吸着材層２８を形成する。
【００４３】
吸着材としては、金属メッシュ、金属焼結体、多孔質セラミックなどが挙げられる。
【００４４】
吸着材の厚さは、塗工された接着剤を含浸しきれるような厚みにすることが好ましい。接着剤の塗工量は、接着剤の種類に応じて適宜調整できる。
【００４５】
吸着材の接合方法としては、以下の（１）〜（４）の方法が一例として挙げられる。
【００４６】
（１）接着剤により支持構造部１１と吸着材とを接合する方法
（２）接合部を加熱加圧し、熱圧着により支持構造部１１と吸着材とを接合する方法
（３）接合部に超音波を印加し、支持構造部１１と吸着材との界面の摩擦熱を利用した、超音波接合により支持構造部１１と吸着材とを接合する方法
（４）熱共晶接合により支持構造部１１と吸着材とを接合する方法（ただし、吸着材が金属材料からなる場合のみ）
【００４７】
次に、図７（ｂ）に示すように、接着剤３１を、吸着材層２８に塗工する。
【００４８】
次に、図７（ｃ）に示すように、振動部１２が実装基板３０と所定間隔を空けて対向するように、支持構造部１１と実装基板３０とをダイボンドする。吸着材層２８に塗工された接着剤３１は、吸着材層２８に含浸されるので、接着剤３１がダイボンド面の周囲に流れ出にくくなる。このため、本来は接着の不要な箇所である、振動部１２と実装基板３０との間、および、振動部１２と支持構造部１１の側面部との間に接着剤３１が介在して、振動子の振動部が不必要な箇所で固定されることなく、実装基板上に振動子をダイボンドできる。
【００４９】
なお、上記実施例では、支持構造部１１の実装基板３０とのダイボンドする面に吸着材を接合して、吸着材層を形成したが、実装基板３０の支持構造部１１とダイボンドする面に、吸着材を接合して、実装基板３０側に吸着材層を形成してもよい。ただし、振動子１０を実装基板３０にダイボンドする際の位置決めのしやすさなどの観点から、吸着材層２８は、振動子１０の支持構造部１１に形成することが好ましい。
【００５０】
次に、ＭＥＭＳ構造体の製造方法の比較例について説明する。
【００５１】
図８は、ＭＥＭＳ構造体の製造方法の比較例の概略工程図である。この比較例は、接着剤はみ出し防止手段、すなわち、ダム部２６ａ，２６ｂあるいは吸着材層２８のような、接着剤がダイボンド面からはみ出すことを防止する手段を形成しない点で、上述の第１〜３の実施形態と異なっており、それ以外の点では、第１〜３の実施形態と同様である。
【００５２】
そして、この比較例では、図８（ｂ）のように、実装基板３０の支持構造部１１とダイボンドする面に接着剤３１を塗工し、図８（ｃ）のように、振動部１２が実装基板３０と所定間隔を空けて対向するように、支持構造部１１と実装基板３０とをダイボンドするが、このダイボンドした状態において、振動部１２と実装基板３０および支持構造部１１との間に本来は不要な接着箇所が生じて振動部が固定されてしまう可能性がある。
【００５３】
すなわち、この比較例では、第１〜３の実施形態におけるダム部２６ａ，２６ｂあるいは吸着材層２８のような接着剤はみ出し防止手段を形成しないので、接着剤の流動性や塗工量にもよるが、図８（ｃ）のように、実装基板３０上に振動子１０をダイボンドした際、接着剤３１がダイボンド面（実装基板３０の実装面におけるダイボンド領域）からはみ出し、実装基板３０の実装面におけるダイボンド領域外の部分、そして、支持構造部１１の側面、および、振動部１２の下面さらには側面に達するまで広がる。このため、図８（ｃ）において不要接合箇所３１ａ、３１ｂとして示すように、本来は接着の不要な箇所である、振動部１２と実装基板３０との間、および、振動部１２と支持構造部１１の側面部との間に接着剤３１が介在することになり、振動部１２を不必要な箇所で固定してしまい、振動子の所望の特性が得られなくなる、という不良が発生する可能性がある。なお、このような不良発生の問題は、支持構造部１１の実装基板３０とダイボンドする面に接着剤３１を塗工した場合でも同様である。
【００５４】
また、上述の比較例で説明した、振動部と実装基板や支持構造部との間に本来は不要な接着箇所が生じて振動部が固定されてしまう問題は、図８（ａ）ようなＳＯＩ基板を用いて形成された振動子が、接着剤によって実装基板上にダイボンドされてなるＭＥＭＳ構造体の製造方法だけではなく、支持構造部と梁状の振動部とを備える振動子が、接着剤によって実装基板上に、振動部が実装基板と間隔を空けて対向するようにしてダイボンドされてなるＭＥＭＳ構造体の製造方法に共通する問題となっている。
【００５５】
そして、上記図８の比較例に対して、本発明によるＭＥＭＳ構造体の製造方法では、上述の第１〜３の実施形態で説明したように、ダム部２６ａ，２６ｂあるいは吸着材層２８のような接着剤はみ出し防止手段を形成していることにより、振動部と実装基板や支持構造部との間に本来は不要な接着箇所が生じて振動部が固定されてしまい、不良が発生するという問題がなく、安定した特性を備えたＭＥＭＳ構造体を生産性よく製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】振動子の一実施形態を示す斜視図である
【図２】振動子の製造に用いるＳＯＩ基板の概略断面図である。
【図３】ＳＯＩ基板を用いた振動子の製造工程のうち半導体層をエッチングする工程を表す概略図であって、図３（ａ）は同（ｂ）のＡ−Ａ線断面図であり、図３（ｂ）は平面図である。
【図４】ＳＯＩ基板を用いた振動子の製造工程のうち絶縁層および支持層をそれぞれエッチングする工程を表す概略図であって、図３（ａ）は同（ｂ）のＡ−Ａ線断面図であり、図３（ｂ）は平面図である。
【図５】本発明のＭＥＭＳ構造体の製造方法の第１の実施形態の概略工程図である。
【図６】本発明のＭＥＭＳ構造体の製造方法の第２の実施形態の概略工程図である。
【図７】本発明のＭＥＭＳ構造体の製造方法の第３の実施形態の概略工程図である。
【図８】ＭＥＭＳ構造体の製造方法の比較例の概略工程図である。
【符号の説明】
【００５７】
１０：振動子
１１：支持構造部
１３ａ，１３ｂ，１３ｃ，１３ｄ：電極パッド
１４ａ，１４ｂ：固定電極
２０：ＳＯＩ基板
２１：半導体層
２２：絶縁層
２３：支持層
２６ａ，２６ｂ：ダム部
２７：突起
２８：吸着材層
３０：実装基板
３１：接着剤
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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