(57)【要約】【課題】導入された光束から近接場光を効率良く発生させることができる近接場光ヘッドおよび情報記録再生装置を提供する。【解決手段】磁気記録媒体Ｄを近接場光Ｒにより加熱するとともに、磁気記録媒体に情報を記録させる近接場光ヘッド２であって、磁気記録媒体の表面Ｄ１に対向配置されたスライダ２０と、光束Ｌを用いて近接場光を発生させる近接場光発生素子２２と、近接場光発生素子に光束を導入する光束導入手段４と、を備え、近接場光発生素子は、光束を透過する材料で形成され、光束導入手段から導入された光束を磁気記録媒体側に向けて反射する反射面４０ａを有するコア４０と、コアよりも屈折率が低い材料で形成されコアを覆うクラッド４１と、を備え、光束導入手段から導入される光束のうちスポット径内の光の全てが反射面において反射されるように、スライダにおける磁気記録媒体に対向する面２０ａに対して光束導入手段の光軸が傾斜している。【選択図】図４
2010123226.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一定方向に回転する磁気記録媒体を近接場光により加熱するとともに、前記磁気記録媒体に対して記録磁界を与えることで磁化反転を生じさせ、情報を記録させる近接場光ヘッドであって、
前記磁気記録媒体の表面に対向配置されたスライダと、
前記スライダを支持する支持部材と、
前記スライダに装着され、前記支持部材側から導入された光束を用いて前記磁気記録媒体側に前記近接場光を発生させる近接場光発生素子と、
該近接場光発生素子の前記支持部材側に光束を導入する光束導入手段と、を備え、
前記近接場光発生素子は、前記光束を透過する材料で形成され、前記光束導入手段から導入された前記光束を前記磁気記録媒体側に向けて反射する反射面を有するコアと、該コアよりも屈折率が低い材料で形成され前記コアを覆うクラッドと、を備え、
前記光束導入手段から導入される前記光束のうちスポット径内の光の全てが前記反射面において反射されるように、前記スライダにおける前記磁気記録媒体に対向する面に対して前記光束導入手段の光軸が傾斜していることを特徴とする近接場光ヘッド。
【請求項２】
前記近接場光発生素子は、前記光軸に直交する前記コアの断面積が前記支持部材側から前記磁気記録媒体側に向かって漸次減少するように形成された光束集光部と、集光された前記光束から前記近接場光を生成する近接場光生成部と、を備え、
前記反射面は、前記光束導入手段から導入された前記光束を前記光束集光部に向けて反射するものであり、
前記光束導入手段から導入される前記光束のうちスポット径内の光の全てが前記反射面において反射され、反射された光の全てが前記光束集光部の内部を伝播されて前記近接場光生成部へ導かれるように、前記スライダにおける前記磁気記録媒体に対向する面に対して前記光束導入手段の光軸が傾斜していることを特徴とする請求項１に記載の近接場光ヘッド。
【請求項３】
前記光束導入手段における前記近接場光発生素子に接続される先端部近傍が前記スライダの上面に載置可能な構造体に収容され、
該構造体において前記光束導入手段が前記スライダにおける前記磁気記録媒体に対向する面に対して傾斜するように保持された状態で前記光束導入手段と前記コアとが前記所定角度で接続されていることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の近接場光ヘッド。
【請求項４】
前記スライダの上面に斜面が形成され、
該斜面に前記光束導入手段が形成され、
該光束導入手段と前記コアとが前記所定角度で接続されていることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の近接場光ヘッド。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の近接場光ヘッドと、
前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に移動可能に構成されるとともに、前記近接場光ヘッドを先端側で支持する回動部材と、
前記光束導入手段に対して前記光束を入射させる光源と、
前記回動部材の基端側を支持するとともに、該回動部材を前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に向けて移動させるアクチュエータと、
前記磁気記録媒体を前記一定方向に回転させる回転駆動部と、
前記光源の作動を制御する制御部と、を備えていることを特徴とする情報記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導入された光束を集光して該光束から近接場光を発生させる近接場光発生素子により発生された近接場光を利用して磁気記録媒体に各種の情報を超高密度で記録する近接場光ヘッドおよび該近接場光ヘッドを有する情報記録再生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、コンピュータ機器におけるハードディスクなどの容量増加に伴い、単一記録面内における情報の記録密度が増加している。例えば、磁気ディスクの単位面積当たりの記録容量を多くするためには、面記録密度を高くする必要がある。ところが、記録密度が高くなるにつれて、記録媒体上で１ビット当たりの占める記録面積が小さくなっている。このビットサイズが小さくなると、１ビットの情報が持つエネルギーが、室温の熱エネルギーに近くなり、記録した情報が熱揺らぎなどのために反転したり、消えてしまったりするなどの熱減磁の問題が生じてしまう。
【０００３】
一般的に用いられてきた面内記録方式では、磁化の方向が記録媒体の面内方向に向くように磁気を記録する方式であるが、この方式では上述した熱減磁による記録情報の消失などが起こり易い。そこで、このような不具合を解消するために、記録媒体に対して垂直な方向に磁化信号を記録する垂直記録方式に移行しつつある。この方式は、記録媒体に対して、単磁極を近づける原理で磁気情報を記録する方式である。この方式によれば、記録磁界が記録膜に対してほぼ垂直な方向を向く。垂直な磁界で記録された情報は、記録膜面内においてＮ極とＳ極とがループを作り難いため、エネルギー的に安定を保ち易い。そのため、この垂直記録方式は、面内記録方式に対して熱減磁に強くなっている。
【０００４】
しかしながら、近年の記録媒体は、より大量且つ高密度情報の記録再生を行いたいなどのニーズを受けて、さらなる高密度化が求められている。そのため、隣り合う磁区同士の影響や、熱揺らぎを最小限に抑えるために、保磁力の強いものが記録媒体として採用され始めている。そのため、上述した垂直記録方式であっても、記録媒体に情報を記録することが困難になっていた。
【０００５】
そのような不具合を解消するために、近接場光により磁区を局所的に加熱して一時的に保磁力を低下させ、その間に書き込みを行うハイブリッド磁気記録方式（近接場光アシスト磁気記録方式）が提案されている。このハイブリッド磁気記録方式は、微小領域と、近接場光ヘッドに形成された光の波長以下のサイズに形成された光学的開口との相互作用により発生する近接場光を利用する方式である。このように、光の回折限界を超えた微小な光学的開口、すなわち、近接場光発生素子を有する近接場光ヘッドを利用することで、従来の光学系において限界とされていた光の波長以下となる領域における光学情報を扱うことが可能となる。よって、従来の光情報記録再生装置などを超える記録ビットの高密度化を図ることができる。
なお、近接場光発生素子は、上述した光学的微小開口によるものだけでなく、例えば、ナノメートルサイズに形成された突起部により構成しても構わない。この突起部によっても、光学的微小開口と同様に近接場光を発生させることができる。
【０００６】
上述したハイブリッド磁気記録方式による記録ヘッドとしては、各種のものが提案されているが、その一つとして、光スポットのサイズを縮小して記録密度の増大化を図った近接場光ヘッドが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００７】
図１５に示すように、この近接場光ヘッド１０２は、スライダ１２０と、主磁極１３２と、補助磁極１３０と、螺旋状の導体パターンが絶縁体の内部に形成されたコイル１３３と、照射されたレーザ光から近接場光を発生させる近接場光発生素子１２２と、近接場光発生素子に向けてレーザ光を照射するレーザ光源（不図示）と、レーザ光源から発せられた光束Ｌを近接場光発生素子まで導く光導波路１０４と、を備えている。
【０００８】
主磁極１３２は、一端側が記録媒体Ｄに対向した面となっており、他端側が補助磁極１３０に接続されている。つまり、主磁極１３２および補助磁極１３０は、１本の磁極（単磁極）を垂直方向に配置した単磁極型垂直ヘッドを構成している。また、コイル１３３は、主磁極１３２と補助磁極１３０との間を一部が通過するように配置されている。これら主磁極１３２、補助磁極１３０およびコイル１３３は、全体として電磁石を構成している。
【０００９】
このように構成された近接場光ヘッド１０２を利用する場合には、近接場光Ｒを発生させると同時に記録磁界を印加することで、記録媒体Ｄに各種の情報を記録している。
すなわち、レーザ光源から照射されたレーザ光は、光導波路１０４を経由して近接場光発生素子１２２に導かれる。すると、近接場光発生素子１２２のコア１４０の内部の自由電子がレーザ光の電場によって一様に振動させられるためプラズモンが励起されて先端部分に近接場光Ｒを発生させる。その結果、記録媒体Ｄの磁気記録層は、近接場光Ｒによって局所的に加熱され、一時的に保磁力が低下する。
また、上記レーザ光の照射と同時に、コイル１３３に駆動電流を供給することで、主磁極１３２に近接する記録媒体Ｄの磁気記録層に対して記録磁界を局所的に印加する。これにより、保磁力が一時的に低下した磁気記録層に各種の情報を記録することができる。つまり、近接場光Ｒと磁場との協働により、記録媒体Ｄへの記録を行うことができる。
【特許文献１】特開２００８−１５２８９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上述した従来の近接場光ヘッドは、近接場光発生素子１２２における光束Ｌを受け入れる面に対して光導波路１０４が直交する方向（光導波路１０４とディスクＤの表面に対向する対向面１２０ａとが平行）に接続されている。このような方向から光束Ｌ（スポット径内の光）が近接場光発生素子１２２に入ってくると、反射面１４０ａにおいて全ての光束Ｌが反射されず光漏れが発生する。
具体的には、光導波路１０４がスライダ１２０の上面と平行な状態で近接場光発生素子１２２に接続する場合には、図１６に示すように、光束Ｌはコア１４０内に入射して反射面１４０ａで反射する。ここで、光束Ｌは反射面１４０ａに対して放射状に入射するため、光束Ｌの入射角θ８は一定ではない。そのため、光束Ｌの一部が反射面１４０ａにおいて全反射されずに透過して光損失が発生する。なお、反射面１４０ａに対して入射角θ８が４１°未満の場合には、入射光が全反射せずに一部の光がコア１４０を透過してしまい、光損失が発生する。つまり、コア１４０を透過した光（屈折透過光成分）は近接場光Ｒとして生成されないため、近接場光Ｒを効率良く発生させることができないという問題がある。
また、光束Ｌと反射面１４０ａとの成す角度（入射角度θ８）が所定角度よりも大きくなるように反射面１４０ａの傾斜角度を調整することが考えられるが、反射面１４０ａは光束集光部１４０ｂの側面またはそれ以外の側面と同時に形成されるため、反射面１４０ａの傾斜角度を独立して調整することは困難である。
【００１１】
本発明は、このような事情を鑑みてなされたものであり、導入された光束から近接場光を効率良く発生させることができる近接場光ヘッドおよび情報記録再生装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、前記課題を解決するために以下の手段を提供する。
本発明に係る近接場光ヘッドは、一定方向に回転する磁気記録媒体を近接場光により加熱するとともに、前記磁気記録媒体に対して記録磁界を与えることで磁化反転を生じさせ、情報を記録させる近接場光ヘッドであって、前記磁気記録媒体の表面に対向配置されたスライダと、前記スライダを支持する支持部材と、前記スライダに装着され、前記支持部材側から導入された光束を用いて前記磁気記録媒体側に前記近接場光を発生させる近接場光発生素子と、該近接場光発生素子の前記支持部材側に光束を導入する光束導入手段と、を備え、前記近接場光発生素子は、前記光束を透過する材料で形成され、前記光束導入手段から導入された前記光束を前記磁気記録媒体側に向けて反射する反射面を有するコアと、該コアよりも屈折率が低い材料で形成され前記コアを覆うクラッドと、を備え、前記光束導入手段から導入される前記光束のうちスポット径内の光の全てが前記反射面において反射されるように、前記スライダにおける前記磁気記録媒体に対向する面に対して前記光束導入手段の光軸が傾斜していることを特徴としている。
【００１３】
本発明に係る近接場光ヘッドにおいては、近接場光発生素子が反射面を有するコアと、該コアを内部に閉じ込めるクラッドとを有しており、コアの内部に導入された光束を近接場光として外部に発することができる。また、クラッドは、コアよりも屈折率が低い材料によりコアの側面に密着するように形成されており、コアとの間に隙間が生じないようにコアを閉じ込めている。ここで、コアの内部に光束を導入すると、該光束は反射面で反射されて向きが変わる。すなわち、導入方向とは異なる方向に向きが変化する。そして、向きが変化した光束は、磁気記録媒体側に向けてコアの内部を伝播する。
【００１４】
光束はコア内で反射を繰り返しながらコアの内部を伝播していく。特に、コアの側面にはクラッドが密着しているため、コアの外部に光が漏れることなく、導入された光束を無駄にすることなく磁気記録媒体側に伝播させることができる。
【００１５】
上述したように、コアの支持部材側から導入させた光束を近接場光に変換することができるとともに、磁気記録媒体側からこの近接場光を外部に発することができる。つまり、導入された光束の向きを変えながら集光して該光束から近接場光を効率良く発生させることができる。
なお、ここでいう光束とは光束導入手段から発せられる光のうちスポット径内の光束のことをいう。スポット径とは、一般に中心光強度の１／ｅ２（約１３．５％、ｅは自然対数の底）の範囲内のことをいう。
【００１６】
さらに、光束導入手段の光軸がスライダにおける磁気記録媒体に対向する面に対して傾斜するように光束導入手段を配置し、光束導入手段から近接場光発生素子に導入された光束が反射面において全て反射されるように構成したため、近接場光を効率良く発生させることができる。
【００１７】
具体的には、光束導入手段の光軸がスライダにおける磁気記録媒体に対向する面に対して傾斜するように光束導入手段を配置することにより、近接場光発生素子（反射面）に入射する光束の入射角度が変化する。光束のうちスポット径内の光の全てが反射面において全反射するように光束導入手段とスライダにおける磁気記録媒体に対向する面との間のなす角度を調整する。さらに、入射角度が大きくなりすぎると、その光は反射面においては全反射するものの、その後コア内に伝播した際に、コア内の側面に対するその反射光の入射角度が小さくなってしまい、コア内において光損失が発生する。したがって、光束導入手段とスライダにおける磁気記録媒体に対向する面との間のなす角度を所定角度に調整して、光束導入手段から近接場光発生素子に導入された光束が反射面において全て反射され、かつ、その反射光が近接場光として発生する端部へ導かれるように構成することにより、光損失が生じることがなくなり、近接場光を高効率で発生させることができる。
【００１８】
また、近接場光を効率良く発生することができる近接場光発生素子を備えているため、近接場光ヘッド自体の書き込みの信頼性を高めることができ、高品質化を図ることができる。また、光束を光束導入手段を介して近接場光発生素子へ導入しているため、光束を空中伝播させて導入する場合に比べて導光損失を極力低下させることができる。
【００１９】
また、本発明に係る近接場光ヘッドは、前記近接場光発生素子は、前記光軸に直交する前記コアの断面積が前記支持部材側から前記磁気記録媒体側に向かって漸次減少するように形成された光束集光部と、集光された前記光束から前記近接場光を生成する近接場光生成部と、を備え、前記反射面は、前記光束導入手段から導入された前記光束を前記光束集光部に向けて反射するものであり、前記光束導入手段から導入される前記光束のうちスポット径内の光の全てが前記反射面において反射され、反射された光の全てが前記光束集光部の内部を伝播されて前記近接場光生成部へ導かれるように、前記スライダにおける前記磁気記録媒体に対向する面に対して前記光束導入手段の光軸が傾斜していることを特徴としている。
【００２０】
本発明に係る近接場光ヘッドにおいては、近接場光発生素子が反射面、光束集光部および近接場光生成部により一体的に形成された多面体のコアと、該コアを内部に閉じ込めるクラッドとを有しており、コアの内部に導入された光束を近接場光として外部に発することができる。また、クラッドは、コアよりも屈折率が低い材料によりコアの側面に密着するように形成されており、コアとの間に隙間が生じないようにコアを閉じ込めている。ここで、コアの内部に光束を導入すると、該光束は反射面で反射されて向きが変わる。すなわち、導入方向とは異なる方向に向きが変化する。そして、向きが変化した光束は、光束集光部によって支持部材側から磁気記録媒体側に向けてコアの内部を伝播する。
【００２１】
また、光束集光部は、支持部材側から磁気記録媒体側に向かう長手方向に直交する断面積が漸次減少するように絞り成形されている。そのため、光束はこの光束集光部を通過する際に、側面で反射を繰り返しながら徐々に集光されてコアの内部を伝播していく。特に、コアの側面にはクラッドが密着しているため、コアの外部に光が漏れることなく、導入された光束を無駄にすることなく絞りながら磁気記録媒体側に伝播させることができる。
【００２２】
上述したように、コアの支持部材側から導入させた光束を近接場光に変換することができるとともに、磁気記録媒体側からこの近接場光を外部に発することができる。つまり、導入された光束の向きを変えながら集光して該光束から近接場光を効率良く発生させることができる。
【００２３】
さらに、光束導入手段とスライダにおける磁気記録媒体に対向する面との間のなす角度を所定角度に調整して光束導入手段から近接場光発生素子に導入された光束が反射面において全て反射され、かつ、その反射光が近接場光生成部へ導かれるように構成したため、近接場光を効率良く発生させることができる。
【００２４】
具体的には、光束導入手段とスライダにおける磁気記録媒体に対向する面との間のなす角度を調整することにより、近接場光発生素子（反射面）に入射する光束の入射角度が変化する。光束のうちスポット径内の光の全てが反射面において全反射するように光束導入手段とスライダにおける磁気記録媒体に対向する面との間のなす角度を調整する。さらに、入射角度が大きくなりすぎると、その光は反射面においては全反射するものの、その後光束集光部に伝播した際に、光束集光部の側面に対するその反射光の入射角度が小さくなってしまい、光束集光部において光損失が発生する。したがって、光束導入手段とスライダにおける磁気記録媒体に対向する面との間のなす角度を所定角度に調整して、光束導入手段から近接場光発生素子に導入された光束が反射面において全て反射され、かつ、その反射光が近接場光生成部へ導かれるように構成することにより、光損失が生じることがなくなり、近接場光を高効率で発生させることができる。
【００２５】
また、近接場光を効率良く発生することができる近接場光発生素子を備えているため、近接場光ヘッド自体の書き込みの信頼性を高めることができ、高品質化を図ることができる。また、光束を光束導入手段を介して近接場光発生素子へ導入しているため、光束を空中伝播させて導入する場合に比べて導光損失を極力低下させることができる。
【００２６】
また、本発明に係る近接場光ヘッドは、前記光束導入手段における前記近接場光発生素子に接続される先端部近傍が前記スライダの上面に載置可能な構造体に収容され、該構造体において前記光束導入手段が前記スライダにおける前記磁気記録媒体に対向する面に対して傾斜するように保持された状態で前記光束導入手段と前記コアとが前記所定角度で接続されていることを特徴としている。
【００２７】
この発明に係る近接場光ヘッドにおいては、近接場光発生素子のコアに対して光束導入手段の配置角度を固定することができる。したがって、光束導入手段とスライダにおける磁気記録媒体に対向する面との間のなす角度が所定角度になるように、光束導入手段の配置角度を設定して形成することで、光束導入手段から近接場光発生素子のコアに導入された光束が反射面において全て反射され、かつ、その反射光を近接場光生成部へ導くことができる。つまり、近接場光を効率良く発生させることができる。
【００２８】
また、本発明に係る情報記録再生装置は、上記本発明のいずれかの近接場光ヘッドと、前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に移動可能に構成されるとともに、前記近接場光ヘッドを先端側で支持する回動部材と、前記光束導入手段に対して前記光束を入射させる光源と、前記回動部材の基端側を支持するとともに、該回動部材を前記磁気記録媒体の表面に平行な方向に向けて移動させるアクチュエータと、前記磁気記録媒体を前記一定方向に回転させる回転駆動部と、前記光源の作動を制御する制御部と、を備えていることを特徴としている。
【００２９】
この発明に係る情報記録再生装置においては、上述した近接場光ヘッドを備えているため、書き込みの信頼性が高く、高密度記録化に対応することができ、高品質化を図ることができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明に係る近接場光ヘッドによれば、光束導入手段とスライダにおける磁気記録媒体に対向する面との間のなす角度を所定角度に調整して光束導入手段から近接場光発生素子に導入された光束が反射面において全て反射され、かつ、その反射光が全て近接場光として生成されるように構成したため、近接場光を効率良く発生させることができる。したがって、書き込みの信頼性が高く、高密度記録化に対応することができ、高品質化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
（第一実施形態）
以下、本発明に係る近接場光ヘッドおよび情報記録再生装置の第一実施形態を、図１〜図１０を参照して説明する。なお、本実施形態の情報記録再生装置１は、垂直記録層ｄ２を有するディスク（磁気記録媒体）Ｄに対して、垂直記録方式で書き込みを行う装置である。また、本実施形態では、ディスクＤが回転する空気の流れを利用して近接場光ヘッド２を浮かせた空気浮上タイプを例に挙げて説明する。
【００３２】
本実施形態の情報記録再生装置１は、図１に示すように、後述するスポットサイズ変換器（近接場光発生素子）２２を有する近接場光ヘッド２と、ディスク面（磁気記録媒体の表面）Ｄ１に平行なＸＹ方向に移動可能とされ、ディスク面Ｄ１に平行で且つ互いに直交する２軸（Ｘ軸、Ｙ軸）回りに回動自在な状態で近接場光ヘッド２を先端側で支持するサスペンション３と、光ファイバ（光束導入手段）４の基端側から該光ファイバ４に対して光束Ｌを入射させるレーザ光源（光源）５と、サスペンション３の基端側を支持すると共に、該サスペンション３をディスク面Ｄ１に平行なＸＹ方向に向けてスキャン移動させるアクチュエータ６と、ディスクＤを一定方向に回転させるスピンドルモータ（回転駆動部）７と、情報に応じて変調した電流を後述するコイル３３に対して供給すると共に、レーザ光源５の作動を制御する制御部８と、これら各構成品を内部に収容するハウジング９とを備えている。
【００３３】
ハウジング９は、アルミニウムなどの金属材料により、上面視四角形状に形成されていると共に、内側に各構成品を収容する凹部９ａが形成されている。また、このハウジング９には、凹部９ａの開口を塞ぐように図示しない蓋が着脱可能に固定されるようになっている。凹部９ａの略中心には、スピンドルモータ７が取り付けられており、該スピンドルモータ７に中心孔を嵌め込むことでディスクＤが着脱自在に固定される。凹部９ａの隅角部には、上記アクチュエータ６が取り付けられている。このアクチュエータ６には、軸受１０を介してキャリッジ１１が取り付けられており、該キャリッジ１１の先端にサスペンション３が取り付けられている。そして、キャリッジ１１およびサスペンション３は、アクチュエータ６の駆動によって共に上記ＸＹ方向に移動可能とされた回動部材１３を構成している。
【００３４】
なお、キャリッジ１１およびサスペンション３（回動部材１３）は、ディスクＤの回転停止時にアクチュエータ６の駆動によって、ディスクＤ上から退避するようになっている。また、近接場光ヘッド２とサスペンション３とで、ヘッドジンバルアセンブリ１２を構成している。また、レーザ光源５は、アクチュエータ６に隣接するように凹部９ａ内に取り付けられている。そして、レーザ光源５に隣接して、制御部８が取り付けられている。
【００３５】
近接場光ヘッド２は、回転するディスクＤを加熱すると共に、ディスクＤに対して垂直方向の記録磁界を与えることで磁化反転を生じさせ、情報を記録させるものである。この近接場光ヘッド２は、図２および図３に示すように、ディスク面Ｄ１から所定距離Ｈだけ浮上した状態でディスクＤに対向配置され、ディスク面Ｄ１に対向する対向面２０ａを有するスライダ２０と、該スライダ２０の先端面（以降、流出端側の側面と表現する）に固定された記録素子２１と、該記録素子２１に隣接して固定されたスポットサイズ変換器２２と、該スポットサイズ変換器２２の後述するコア４０内にレーザ光源５からの光束Ｌを導入する光ファイバ４とを備えている。また、本実施形態の近接場光ヘッド２は、スポットサイズ変換器２２に隣接して固定された再生素子２３を備えている。
【００３６】
ここで、図４に示すように、光ファイバ４は、スライダ２０上において樹脂構造体５０内に内包されて配されている。また、樹脂構造体５０内において、光ファイバ４は途中で折曲されており、スポットサイズ変換器２２に対して斜め上方から接続されている。例えば、水平方向（ＸＹ面内方向）と光ファイバ４とのなす角度θ１は１０°で設定されている。なお、光ファイバ４は樹脂構造体５０内で折曲せずに水平方向（ＸＹ面内方向）と光ファイバ４とのなす角度がθ１になるように直線状に光ファイバ４を樹脂構造体５０内に配置してもよい。
【００３７】
スライダ２０は、石英ガラスなどの光透過性材料や、ＡｌＴｉＣ（アルチック）などのセラミックなどによって直方体状に形成されている。このスライダ２０は、対向面２０ａをディスクＤ側にした状態で、ジンバル部２４を介してサスペンション３の先端にぶら下がるように支持されている。このジンバル部２４は、Ｘ軸回りおよびＹ軸回りにのみ変位するように動きが規制された部品である。これによりスライダ２０は、上述したようにディスク面Ｄ１に平行で且つ互いに直交する２軸（Ｘ軸、Ｙ軸）回りに回動自在とされている。
【００３８】
スライダ２０の対向面２０ａには、回転するディスクＤによって生じた空気流の粘性から、浮上するための圧力を発生させる凸条部２０ｂが形成されている。本実施形態では、レール状に並ぶように、長手方向に沿って延びた凸条部２０ｂを２つ形成している場合を例にしている。但し、この場合に限定されるものではなく、スライダ２０をディスク面Ｄ１から離そうとする正圧とスライダ２０をディスク面Ｄ１に引き付けようとする負圧とを調整して、スライダ２０を最適な状態で浮上させるように設計されていれば、どのような凹凸形状でも構わない。なお、この凸条部２０ｂの表面はＡＢＳ（Air Bearing Surface）と呼ばれる面とされている。
【００３９】
スライダ２０は、この２つの凸条部２０ｂによってディスク面Ｄ１から浮上する力を受けている。また、サスペンション３は、ディスク面Ｄ１に垂直なＺ方向に撓むようになっており、スライダ２０の浮上力を吸収している。つまり、スライダ２０は、浮上した際にサスペンション３によってディスク面Ｄ１側に押さえ付けられる力を受けている。よってスライダ２０は、この両者の力のバランスによって、上述したようにディスク面Ｄ１から所定距離Ｈ離間した状態で浮上するようになっている。しかもスライダ２０は、ジンバル部２４によってＸ軸回りおよびＹ軸回りに回動するようになっているので、常に姿勢が安定した状態で浮上するようになっている。なお、ディスクＤの回転に伴って生じる空気流は、スライダ２０の流入端側（サスペンション３の基端側）から流入した後、ＡＢＳに沿って流れ、スライダ２０の流出端側（サスペンション３の先端側）から抜けている。
【００４０】
記録素子２１は、図４に示すように、スライダ２０の流出端側の側面に固定された補助磁極３０と、磁気回路３１を介して補助磁極３０に接続され、ディスクＤに対して垂直な記録磁界を補助磁極３０との間で発生させる主磁極３２と、磁気回路３１を中心として該磁気回路３１の周囲を螺旋状に巻回するコイル３３とを備えている。つまり、スライダ２０の流出端側から順に、補助磁極３０、磁気回路３１、コイル３３、主磁極３２が配置されている。
【００４１】
補助磁極３０、主磁極３２および磁気回路３１は、磁束密度が高い高飽和磁束密度（Ｂｓ）材料（例えば、ＣｏＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金など）により形成されている。また、コイル３３は、ショートしないように、隣り合うコイル線間、磁気回路３１との間、両磁極３０，３２との間に隙間が空くように配置されており、この状態で絶縁体３４によってモールドされている。そして、コイル３３は、情報に応じて変調された電流が制御部８から供給されるようになっている。すなわち、磁気回路３１およびコイル３３は、全体として電磁石を構成している。なお、主磁極３２および補助磁極３０は、ディスクＤに対向する端面がスライダ２０のＡＢＳと面一となるように設計されている。
【００４２】
スポットサイズ変換器２２は、一端側がスライダ２０の上方側に向くとともに、他端側がディスクＤ側に向いた状態で、記録素子２１に隣接して固定されている。より具体的には、主磁極３２に隣接して固定されている。
【００４３】
このスポットサイズ変換器２２は、一端側に導入された光束Ｌを導入方向とは異なる方向で他端側に集光しながら伝播するとともに、近接場光Ｒを生成した後に外部に発する素子であって、図４〜図８に示すように、多面体のコア４０と、コア４０を内部に閉じ込めるクラッド４１とから構成されており、全体として略板状に形成されている。
なお、図５は図４に示すスポットサイズ変換器２２の他端側の拡大図であり、図６は図５で示すコア４０の他端側の拡大図（Ａ方向からの矢視図）であり、図７は図５に示すスポットサイズ変換器２２を端面４０ｄ側から見た図である。
【００４４】
図４に示すように、コア４０は、反射面４０ａと、光束集光部４０ｂと、近接場光生成部４０ｃとにより一体的に形成されている。なお、本実施形態では、光束集光部４０ｂおよび近接場光生成部４０ｃがそれぞれ３つの側面を有するように形成されており、そのうちの１つの側面が主磁極３２に対向するように配置されている。
【００４５】
反射面４０ａは、一端側から光ファイバ４によって導入された光束Ｌを導入方向とは異なる方向に反射させている。
また、光束集光部４０ｂは、一端側から他端側に向かう長手方向（Ｚ方向）に直交する断面積が漸次減少するように絞り成形された部分であり、反射面４０ａによって反射された光束Ｌを集光させながら他端側に向けて伝播させている。つまり光束集光部４０ｂは、導入された光束Ｌのスポットサイズを小さいサイズに絞ることができるようになっている。ここで、図８に示すように、反射面４０ａで反射して光束集光部４０ｂに伝播された光束Ｌは全て近接場光生成部４０ｃに伝播される訳ではなく、光束集光部４０ｂの入口面４０ｅのうちの一部である受光可能面４０ｆに入射した光束Ｌのみが近接場光生成部４０ｃへと導かれる。
【００４６】
近接場光生成部４０ｃは、光束集光部４０ｂの端部から他端側に向けてさらに絞り成形された部分である。つまり近接場光生成部４０ｃは、光束集光部４０ｂによって絞られたスポットサイズをさらに小さく絞ることができるようになっている。この際、近接場光生成部４０ｃは、図７に示すように、他端側に位置する端面４０ｄが光の波長以下のサイズとなるように絞り成形されている。つまり、端面４０ｄ上で確保できる最大直線長さＬ１が、光の波長以下となるように設計されている。なお、この光の波長以下のサイズとしては、１ｎｍから１μｍの範囲にすることが好ましく、より好ましくは１ｎｍから５００ｎｍの範囲である。
これにより、スポットサイズを最大直線長さＬ１と同程度の大きさ、すなわち、直径を約１ｎｍから１μｍ程度（或いは１ｎｍから５００ｎｍ程度）に絞ることができ、このサイズの近接場光Ｒ（図４参照）として端面４０ｄから外部に発することができる。
【００４７】
また、本実施形態では光束集光部４０ｂおよび近接場光生成部４０ｃが、図４に示すように、共に主磁極３２側に向けて漸次絞り成形されている。これにより、主磁極３２側に端面４０ｄが位置するようになっている。これにより、主磁極３２の近傍に上記サイズの近接場光Ｒを発生させることができるようになっている。なお、本実施形態でいう「近傍」とは、端面４０ｄから発生する近接場光Ｒの直径と同程度の距離、或いは、それ以下の距離だけ、主磁極３２から離間した範囲内の領域をいう。よって、本実施形態の場合は、主磁極３２と近接場光生成部４０ｃの端面４０ｄとの距離が、近接場光Ｒの直径（最大直線長さＬ１）と同程度である１ｎｍから１μｍ程度（或いは１ｎｍから５００ｎｍ程度）或いは、それ以下の距離になるように設計されている。
【００４８】
クラッド４１は、図４に示すように、コア４０よりも屈折率が低い材料で形成されており、コア４０の側面に密着して、コア４０を内部に閉じ込めている。よって、コア４０とクラッド４１との間に隙間が生じないようになっている。また、本実施形態のクラッド４１は、コア４０の一端側と同様に、他端側の端面４０ｄが外部に露出させるように形成されている。
【００４９】
なお、クラッド４１およびコア４０として使用される材料の組み合わせの一例を記載すると、例えば、石英（ＳｉＯ2）でコア４０を形成し、フッ素をドープした石英でクラッド４１を形成する組み合わせが考えられる。この場合には、光束Ｌの波長が４００ｎｍのときに、コア４０の屈折率が１．４７となり、クラッド４１の屈折率が１．４７未満となるので好ましい組み合わせである。また、ゲルマニウムをドープした石英でコア４０を形成し、石英（ＳｉＯ2）でクラッド４１を形成する組み合わせも考えられる。この場合には、光束Ｌの波長が４００ｎｍのときに、コア４０の屈折率が１．４７より大きくなり、クラッド４１の屈折率が１．４７となるのでやはり好ましい組み合わせである。
【００５０】
特に、コア４０とクラッド４１との屈折率差が大きいほど、コア４０内に光束Ｌを閉じ込める力が大きくなるため、コア４０に酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5：波長が５５０ｎｍのときに屈折率が２．１６）を用い、クラッド４１に石英などを用いて、両者の屈折率差を大きくすることがより好ましい。また、赤外領域の光束Ｌを利用する場合には、赤外光に対して透明な材料であるシリコン（Ｓｉ：屈折率が約４）でコア４０を形成することも有効である。
【００５１】
また、近接場光生成部４０ｃの３つの側面のうち、主磁極３２に対向する１つの側面を除く２面には、光束Ｌを遮光する遮光膜４２が形成されている。これにより、近接場光生成部４０ｃからクラッド４１側に光束Ｌが漏れ出さないようになっている。近接場光生成部４０ｃは、この遮光膜４２と上述した絞り成形とによって、光束集光部４０ｂで集光された光束Ｌから近接場光Ｒを生成して端面４０ｄから外部に発することができるようになっている。しかも、端面４０ｄが主磁極３２側に形成されているため、近接場光Ｒを主磁極３２の近傍に発生させることができるようになっている。なお、スポットサイズ変換器２２の端面４０ｄは、スライダ２０のＡＢＳと面一となるように設計されている。
【００５２】
光ファイバ４は、図４に示すように、コア４ａとクラッド４ｂとで構成されており、コア４ａ内を光束Ｌが伝播するようになっている。また、光ファイバ４の先端は、スポットサイズ変換器２２の一端側に接続されており、光束Ｌをコア４０内に導入している。また、光ファイバ４の基端側は、サスペンション３およびキャリッジ１１などを介してレーザ光源５に接続されている。
【００５３】
ここで、図４に示すように、光ファイバ４からコア４０内に導入された光束Ｌが反射面４０ａで全反射して光束集光部４０ｂへ導かれるように、スポットサイズ変換器２２に対する光ファイバ４の位置関係が調整されている。具体的には、光ファイバ４とスライダ２０の対向面２０ａ（スライダ２０の上面）とのなす角度θ１＝１０°になるように光ファイバ４が傾斜されている（詳細は後述する）。なお、ここでいう光束Ｌは、光束のうちスポット径内の光のことをいう。スポット径とは、一般に中心光強度の１／ｅ２（約１３．５％、ｅは自然対数の底）の範囲内のことをいう。
【００５４】
また、再生素子２３は、ディスクＤの垂直記録層ｄ２から漏れ出ている磁界の大きさに応じて電気抵抗が変換する磁気抵抗効果膜である。この再生素子２３には、図示しないリード膜などを介して制御部８からバイアス電流が供給されている。これにより制御部８は、ディスクＤから漏れ出た磁界の変化を電圧の変化として検出することでき、この電圧の変化から信号の再生を行うことができるようになっている。
【００５５】
なお、本実施形態のディスクＤは、少なくとも、ディスク面Ｄ１に垂直な方向に磁化容易軸を有する垂直記録層ｄ２と、高透磁率材料からなる軟磁性層ｄ３との２層で構成される垂直２層膜ディスクを使用する。このようなディスクＤとしては、例えば、図２に示すように、基板ｄ１上に、軟磁性層ｄ３と、中間層ｄ４と、垂直記録層ｄ２と、保護層ｄ５と、潤滑層ｄ６とを順に成膜したものを使用する。
【００５６】
基板ｄ１としては、例えば、アルミ基板やガラス基板などである。軟磁性層ｄ３は、高透磁率層である。中間層ｄ４は、垂直記録層ｄ２の結晶制御層である。垂直記録層ｄ２は、垂直異方性磁性層となっており、例えばＣｏＣｒＰｔ系合金が使用される。保護層ｄ５は、垂直記録層ｄ２を保護するためのもので、例えばＤＬＣ（ダイヤモンド・ライク・カーボン）膜が使用される。潤滑層ｄ６は、例えば、フッ素系の液体潤滑材が使用される。
【００５７】
次に、このように構成された情報記録再生装置１により、ディスクＤに各種の情報を記録再生する場合について以下に説明する。
まず、スピンドルモータ７を駆動させてディスクＤを一定方向に回転させる。次いで、アクチュエータ６を作動させて、キャリッジ１１を介してサスペンション３をＸＹ方向にスキャンさせる。これにより、図１に示すように、ディスクＤ上の所望する位置に近接場光ヘッド２を位置させることができる。この際、近接場光ヘッド２は、スライダ２０の対向面２０ａに形成された２つの凸条部２０ｂによって浮上する力を受けるとともに、サスペンション３などによってディスクＤ側に所定の力で押さえ付けられる。近接場光ヘッド２は、この両者の力のバランスによって、図２に示すようにディスクＤ上から所定距離Ｈ離間した位置に浮上する。
【００５８】
また、近接場光ヘッド２は、ディスクＤのうねりに起因して発生する風圧を受けたとしても、サスペンション３によってＺ方向の変位が吸収されるとともに、ジンバル部２４によってＸＹ軸回りに変位することができるようになっているため、うねりに起因する風圧を吸収することができる。そのため、近接場光ヘッド２を安定した状態で浮上させることができる。
【００５９】
ここで、情報の記録を行う場合、制御部８はレーザ光源５を作動させるとともに、情報に応じて変調した電流をコイル３３に供給する。
まず、レーザ光源５は、制御部８からの指示を受けて光束Ｌを光ファイバ４の基端側から入射させる。図４に示すように、入射した光束Ｌは、光ファイバ４のコア４ａ内を先端側に向かって進み、スポットサイズ変換器２２の一端側からコア４０内に導入される。ここで、本実施形態では、光ファイバ４からコア４０内に導入された光束Ｌが反射面４０ａで全反射して光束集光部４０ｂへ導かれるように、スポットサイズ変換器２２に対する光ファイバ４の接続角度（光ファイバ４とスライダ２０の対向面２０ａとの間のなす角度）が所定角度θ１（＝１０°）になるように構成した。このとき光束Ｌは、スライダ２０の対向面２０ａに対して所定角度θ１傾斜した方向からコア４０内に導入される。
すると、コア４０内に導入された光束Ｌは、反射面４０ａで全反射されて向きが変わる。すなわち、全ての光束Ｌが反射面４０ａに対して入射角度θ２が４１°以上になり、反射面４０ａにおいて全反射して、導入方向とは異なる方向に光束Ｌの向きが変化する。そして、向きが変わった光束Ｌが、光束集光部４０ｂの入口面４０ｅに対しての入射角度θ３（図９参照）が所定角度以下で入射することにより、光束集光部４０ｂ内を全反射して集光されながら伝播して近接場光生成部４０ｃに入射する。したがって、近接場光Ｒを高効率に生成することができる。
【００６０】
ちなみに、図１０に示すように、光ファイバ４とスライダ２０の対向面２０ａ（スライダ２の上面）との成す角度θ４を２０°にした場合には、全ての光束Ｌが反射面４０ａに対して入射角度θ５が４１°以上になり、反射面４０ａにおいて全反射するものの、その反射光のうちの一部が光束集光部４０ｂの入口面４０ｅに対しての入射角度θ６が所定角度より大きい角度で入射することになる。すると、このように入射角度θ６が所定角度より大きい光は、光束集光部４０ｂにおいて全反射せず屈折透過光成分としてコア４０から漏洩してしまう。つまり、近接場光生成部４０ｃに入射する光量が減少するため、近接場光Ｒの生成効率が低下してしまう。
【００６１】
また、光束集光部４０ｂは、一端側から他端側に向かう長手方向に直交する断面積が漸次減少するように絞り成形されている。そのため、光束Ｌはこの光束集光部４０ｂを通過する際に、側面で反射を繰り返しながら徐々に集光されてコア４０の内部を伝播していく。特に、コア４０の側面にはクラッド４１が密着しているため、コア４０の外部に光が漏れることなく、導入された光束Ｌを無駄にすることなく絞りながら他端側に伝播させることができる。
【００６２】
そして、光束集光部４０ｂの他端側の端部まで伝播された光束Ｌは、続いて近接場光生成部４０ｃに入射する。この近接場光生成部４０ｃは、他端側に向けてさらに絞り成形されており、端面４０ｄが光の波長以下のサイズとされている。しかも、近接場光生成部４０ｃの２つの側面は、遮光膜４２によって遮光されている。よって、近接場光生成部４０ｃに入射した光束Ｌを、クラッド４１側に漏らすことなく端面４０ｄに向けて伝播させることができる。そのため、近接場光Ｒを高効率で生成することができ、該近接場光Ｒを端面４０ｄから外部に発することができる。
【００６３】
この近接場光Ｒによって、ディスクＤは局所的に加熱されて一時的に保磁力が低下する。特に、近接場光生成部４０ｃは、この近接場光Ｒを主磁極３２の近傍、すなわち、主磁極３２から近接場光Ｒの直径と同程度の距離だけ離間した範囲内に発生させるので、主磁極３２にできるだけ近い位置でディスクＤの保磁力を低下させることができる。
【００６４】
一方、制御部８によってコイル３３に電流が供給されると、電磁石の原理により電流磁界が磁気回路３１内に磁界を発生させるため、主磁極３２と補助磁極３０との間にディスクＤに対して垂直方向の記録磁界を発生させることができる。すると、主磁極３２側から発生した磁束が、図４に示すように、ディスクＤの垂直記録層ｄ２を真直ぐ通り抜けて軟磁性層ｄ３に達する。これによって、垂直記録層ｄ２の磁化をディスク面Ｄ１に対して垂直に向けた状態で記録を行うことができる。また、軟磁性層ｄ３に達した磁束は、軟磁性層ｄ３を経由して補助磁極３０に戻る。この際、補助磁極３０に戻るときには磁化の方向に影響を与えることはない。これは、ディスク面Ｄ１に対向する補助磁極３０の面積が、主磁極３２よりも大きいため磁束密度が大きく磁化を反転させるほどの力が生じないからである。つまり、主磁極３２側でのみ記録を行うことができる。
【００６５】
その結果、近接場光Ｒと両磁極３０，３２で発生した記録磁界とを協働させた近接場光アシスト磁気記録方式により情報の記録を行うことができる。しかも垂直記録方式で記録を行うため、熱揺らぎ現象などの影響を受け難く、安定した記録を行うことができる。よって、書き込みの信頼性を高めることができる。
また、主磁極３２の近傍でディスクＤの保磁力を低下させることができるため、記録磁界が局所的に作用する位置に加熱温度のピーク位置を入れることができる。したがって、確実に記録を行うことができ、信頼性の向上化を図ることができると共に高密度記録化を図ることができる。
【００６６】
次に、ディスクＤに記録された情報を再生する場合には、スポットサイズ変換器２２に隣接して固定されている再生素子２３が、ディスクＤの垂直記録層ｄ２から漏れ出ている磁界を受けて、その大きさに応じて電気抵抗が変化する。よって、再生素子２３の電圧が変化する。これにより制御部８は、ディスクＤから漏れ出た磁界の変化を電圧の変化として検出することができる。そして制御部８は、この電圧の変化から信号の再生を行うことで、情報の再生を行うことができる。
【００６７】
上述したように、本実施形態の近接場光ヘッド２は、近接場光Ｒを効率良く発生することができるスポットサイズ変換器２２を備えているため、近接場光ヘッド２自体の書き込みの信頼性を高めることができ、高品質化を図ることができる。しかも、本実施形態では、コア４０の一端側および他端側の端面４０ｄを外部に露出させた状態でクラッド４１が形成されているため、クラッド４１を介さずに直接コア４０に光束Ｌを導入することができると共に、より効率良く近接場光Ｒに変換して端面４０ｄから外部に発することができる。
【００６８】
特に、このスポットサイズ変換器２２は、導入された光束Ｌを反射面４０ａで反射させて向きを変えることができるため、スライダ２０の上面に沿うように光ファイバ４を配置しても、光ファイバ４からの光束Ｌを主磁極３２の近傍で近接場光Ｒにすることができる。したがって、近接場光ヘッド２の設計をコンパクトにすることができる。しかも光束Ｌを空中伝播させる必要がないため、導光損失を極力低下させることができる。さらに、スライダ２０の流出端側の側面に、順に記録素子２１、スポットサイズ変換器２２および再生素子２３を配置しているため、光ファイバ４以外の各構成品がスライダ２０の厚み方向に重なることを防止している。したがって、近接場光ヘッド２自体の薄型化を図ることができる。
【００６９】
また、本実施形態の近接場光ヘッド２を製造する場合には、フォトリソグラフィ技術およびエッチング加工技術などの半導体技術を利用して製造を行うことができる。つまり、スポットサイズ変換器２２を有している場合であっても、特別な手法を用いずに、従来の製造プロセスの流れの中でスポットサイズ変換器２２も同時に作り込むことができる。
【００７０】
具体的に説明すると、スライダ２０を所定の外形形状に加工した後、スライダ２０の流出端側の側面に上記半導体技術を利用して記録素子２１を作り込む。
また、それとは別にスポットサイズ変換器２２を作り込む。このときクラッド４１を構成する部材を形成するとともに、クラッド４１にレジストを形成する。レジストにはコア４０を形成するための溝部に相当するパターニングを施し、等方エッチングによりクラッド４１に溝部を形成する。そして、溝部にコア４０（反射面４０ａ、光束集光部４０ｂおよび近接場光生成部４０ｃ）を形成する。また、スポットサイズ変換器２２の他端側をダイシングなどで切断加工することで、端面４０ｄを形成することができる。このように半導体技術を利用して、容易にスポットサイズ変換器２２を製造することができる。
このように形成したスポットサイズ変換器２２を記録素子２１上に配置する。そして最後に、スポットサイズ変換器２２上に再生素子２３を作り込めば良い。このように、容易に近接場光ヘッド２を製造することができる。
【００７１】
本実施形態によれば、光ファイバ４とスライダ２０の対向面２０ａとの間のなす角度θ１（光ファイバ４とスポットサイズ変換器２２の光軸とのなす角度）を調整して光ファイバ４からスポットサイズ変換器２２のコア４０に導入された光束Ｌが反射面４０ａにおいて全反射され、かつ、その反射光の全てが光束集光部４０ｂから近接場光生成部４０ｃへ導かれるように構成したため、近接場光Ｒを効率良く発生させることができる。
【００７２】
また、光ファイバ４におけるスポットサイズ変換器２２に接続される端部近傍をスライダ２０の上面に載置可能な樹脂構造体５０内に収容し、樹脂構造体５０内において光ファイバ４がスライダ２０の対向面２０ａ（スライダ２０の上面）に対して傾斜（θ１＝１０°）した状態で保持（固定）したため、スポットサイズ変換器２２のコア４０ａに対して光ファイバ４の配置角度を容易に、かつ、確実に固定することができる。
【００７３】
また、本実施形態の情報記録再生装置１によれば、上述した近接場光ヘッド２を備えているため、書き込みの信頼性が高く、高密度記録化に対応することができ、高品質化を図ることができる。
なお、上記実施形態において、図７に示す矢印Ｌ２方向に光束Ｌの偏光成分が向くように調整した後に、光束Ｌを光ファイバ４内に導入することが好ましい。こうすることで、近接場光Ｒを主磁極３２側に向いた近接場光生成部４０ｃの側面付近（図７に示す領域Ｓ）に集中的に局在化することができる。したがって、さらなる高密度記録化を図ることができる。
【００７４】
（第二実施形態）
以下、本発明に係る近接場光ヘッドおよび情報記録再生装置の第二実施形態を、図１１〜図１３を参照して説明する。なお、本実施形態は第一実施形態と光導波路（光ファイバ）の構成およびスライダへの支持方法が異なるのみであり、その他の構成は略同一であるため、同一箇所には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
図１１〜図１３に示すように、スライダ２０の上面に、斜面６０ａを有する斜面台６０が配置されている。斜面６０ａは、スポットサイズ変換器２２（コア４０）に向かって下り勾配になるように形成され、その傾斜角度θ１は１０°で形成されている。また斜面台６０の上面に沿って光導波路５４が形成されている。つまり、光導波路５４は斜面台６０上において途中で折曲されており、スポットサイズ変換器２２に対して斜め上方から接続されている。なお、光導波路５４は斜面台６０上で折曲せずに水平方向（ＸＹ面内方向）と光導波路５４とのなす角度がθ１になるように直線状に光導波路５４を形成してもよい。また、斜面６０ａをスライダ２０の上面に直接形成し、斜面台６０を別個に配置しない構成にしてもよい。
【００７５】
光導波路５４を製造する場合には、フォトリソグラフィ技術およびエッチング加工技術などの半導体技術を利用して容易に製造を行うことができる。この光導波路５４は、コア５４ａとクラッド５４ｂとで構成されている。
なお、コア５４ａおよびクラッド５４ｂとして使用される材料の組み合わせの一例を記載すると、例えば、石英（ＳｉＯ2）でコア５４ａを形成し、フッ素をドープした石英でクラッド５４ｂを形成する組み合わせが考えられる。この場合には、光束Ｌの波長が４００ｎｍのときに、コア５４ａの屈折率が１．４７となり、クラッド５４ｂの屈折率が１．４７未満となるので好ましい組み合わせである。また、ゲルマニウムをドープした石英でコア５４ａを形成し、石英（ＳｉＯ2）でクラッド５４ｂを形成する組み合わせも考えられる。この場合には、光束Ｌの波長が４００ｎｍのときに、コア５４ａの屈折率が１．４７より大きくなり、クラッド５４ｂの屈折率が１．４７となるのでやはり好ましい組み合わせである。
【００７６】
特に、コア５４ａとクラッド５４ｂとの屈折率差が大きいほど、コア５４ａ内に光束Ｌを閉じ込める力が大きくなるため、コア５４ａに酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5：波長が５５０ｎｍのときに屈折率が２．１６）を用い、クラッド５４ｂに石英などを用いて、両者の屈折率差を大きくすることがより好ましい。また、赤外領域の光束Ｌを利用する場合には、赤外光に対して透明な材料であるシリコン（Ｓｉ：屈折率が約４）でコア５４ａを形成することも有効である。
【００７７】
本実施形態によれば、光導波路５４とスポットサイズ変換器２２（スライダ２の上面）との間のなす角度θ１を調整して光導波路５４からスポットサイズ変換器２２のコア４０に導入された光束Ｌが反射面４０ａにおいて全反射され、かつ、その反射光の全てが光束集光部４０ｂから近接場光生成部４０ｃへ導かれるように構成したため、近接場光Ｒを効率良く発生させることができる。
【００７８】
また、光導波路５４におけるスポットサイズ変換器２２に接続される端部近傍をスライダ２０の上面に形成された斜面台６０上に形成し、光導波路５４がスライダ２０の上面に対して傾斜（θ１＝１０°）した状態にしたため、スポットサイズ変換器２２のコア４０に対して光導波路５４の配置角度を容易に、かつ、確実に固定することができる。
【００７９】
また、本実施形態の情報記録再生装置１によれば、近接場光Ｒを高効率に生成可能な近接場光ヘッド２を備えているため、書き込みの信頼性が高く、高密度記録化に対応することができ、高品質化を図ることができる。
【００８０】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
例えば、上記実施形態では、スポットサイズ変換器２２を近接場光ヘッド２に適用した場合を例に挙げて説明したが、近接場光ヘッド２に限定されず、近接場光Ｒが必要な各種のデバイスに適用しても構わない。特に上記実施形態では、近接場光ヘッド２に適用するにあたって、導入された光束Ｌを反射面４０ａで向きが変わるように設計したが、反射角度は所定角度θ１に限定されるものではない。
【００８１】
また、上記実施形態では、近接場光生成部４０ｃの３つの側面のうち、２つの側面だけを遮光膜４２で遮光した構成にしたが、少なくとも１つの側面だけを遮光しても構わない。この場合であっても、近接場光Ｒを発生することができる。
但し、全ての側面（３つの側面）を遮光膜４２で遮光することが好ましい。こうすることで、近接場光生成部４０ｃに入射した光束Ｌが、クラッド４１側に漏れることをより確実に防止できる。よって、光束Ｌの損失を最小限に抑えることができ、より効率良く近接場光Ｒを発生させることができる。
【００８２】
また、上記各実施形態では、近接場光ヘッド２を浮上させた空気浮上タイプの情報記録再生装置１を例に挙げて説明したが、この場合に限られず、ディスク面Ｄ１に対向配置されていればディスクＤとスライダ２０とが接触していても構わない。つまり、本発明に係る近接場光ヘッド２は、コンタクトスライダタイプのヘッドであっても構わない。この場合であっても、同様の作用効果を奏することができる。
【００８３】
さらに、上記実施形態では、垂直記録方式の近接場光ヘッド２の場合について説明したが、水平記録方式の近接場光ヘッドにも適用することができる。
そして、上記実施形態の近接場光ヘッドの構造に限らず、図１４に示すように、コア２４０の光束集光部２４０ｂおよび近接場光生成部２４０ｃが、Ｚ方向（長手方向）に直交する断面積が同一になるようなストレート構造のコア２４０を有するものにも採用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の実施形態における情報記録再生装置を示す構成図である。
【図２】図１に示す近接場光ヘッドの拡大断面図である。
【図３】図２に示す近接場光ヘッドを、ディスク面側から見た図である。
【図４】図２に示す近接場光ヘッドの流出端側の側面を拡大した断面図であり、スポットサイズ変換器および記録素子の構成を示すと共に、記録を行っている際の近接場光と磁界との関係を示した図である。
【図５】図４に示すスポットサイズ変換器の他端側を拡大した図である。
【図６】図５に示すスポットサイズ変換器のコアを矢印Ａ方向から見た図である。
【図７】図５に示すスポットサイズ変換器を端面側から見た図である。
【図８】本発明の実施形態におけるコア内の光束の進路について説明する図である。
【図９】本発明の実施形態における光束の導入方向について説明する図である。
【図１０】図９とは別の角度から光束が導入された場合の光束の導入方向について説明する図である。
【図１１】本発明の第二実施形態における近接場光ヘッドの拡大断面図（図２に相当）である。
【図１２】本発明の第二実施形態における近接場光ヘッドの流出端側の側面を拡大した断面図であり、スポットサイズ変換器および記録素子の構成を示すと共に、記録を行っている際の近接場光と磁界との関係を示した図（図４に相当）である。
【図１３】本発明の第二実施形態における近接場光ヘッドの斜視図（一部部品は省略）である。
【図１４】本発明の実施形態における近接場光ヘッドの流出端側の側面を拡大した別の態様を示す断面図である。
【図１５】従来の近接場光ヘッドの流出端側の側面を拡大した断面図（図４に相当）である。
【図１６】図１５に示す近接場光ヘッドを用いた際の光束の導入方向について説明する図である。
【符号の説明】
【００８５】
１…情報記録再生装置  ２…近接場光ヘッド  ３…サスペンション（回動部材）  ４…光ファイバ（光束導入手段）  ５…レーザ光源（光源）  ６…アクチュエータ  ７…スピンドルモータ（回転駆動部）  ８…制御部  １１…キャリッジ（回動部材）  １３…回動部材  ２０…スライダ  ２０ａ…対向面（磁気記録媒体に対向する面）  ２２…スポットサイズ変換器（近接場光発生素子）  ２４…ジンバル部（支持部材）  ４０…コア  ４０ａ…反射面  ４０ｂ…光束集光部  ４０ｃ…近接場光生成部  ４１…クラッド  ５０…樹脂構造体（構造体）  ５４…光導波路（光束導入手段）  ６０ａ…斜面  Ｄ…ディスク（磁気記録媒体）  Ｄ１…ディスク面（磁気記録媒体の表面）  Ｌ…光束  Ｒ…近接場光  θ１…所定角度（接続角度）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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