(57)【要約】      （修正有）【課題】回転軸金属が受ける腐食ガスの影響を低減させる。【解決手段】ウエハ２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内でウエハ２００を支持するボート２１７と、処理室２０１を閉塞するシールキャップ２１９と、ボート２１７を回転させる回転軸２５５と、処理室２０１内に腐食性ガスを供給する腐食性ガス供給ノズル２３０ａと、処理室２０１内に非腐食性ガスを供給する非腐食性ガス供給ノズル２３０ｂとを備えた基板処理装置において、腐食性ガス供給ノズル２３０ａのガス噴出口および非腐食性ガス供給ノズル２３０ｂのガス噴出口と対向しつつ回転軸２５５を覆う軸保護具３０１をシールキャップ２１９上に設け、軸保護具３０１には非腐食性ガス供給ノズル２３０ｂのガス噴出口と対向する部分に開口部３０２を開設する。【選択図】図３
2010123624.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
前記処理室内で基板を支持する支持具と、
前記支持具を支持して回転させる回転軸と、
前記処理室内に腐食性ガスを供給する腐食性ガス供給ノズルと、
前記処理室内に非腐食性ガスを供給する非腐食性ガス供給ノズルと、
前記腐食性ガス供給ノズルのガス噴出口および前記非腐食性ガス供給ノズルのガス噴出口と対向しつつ前記回転軸を覆うように設けられ、前記非腐食性ガス供給ノズルのガス噴出口と対向する部分に開口部が設けられたカバー部材と、
を有することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハやガラス基板等の基板を成膜処理するための基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
縦型成膜処理装置等の基板処理装置を用いて、複数枚のウエハである基板を成膜処理する場合、回転軸の保護構造としてＬ型ノズルを使用したり、回転軸金属の材質を変更する等の技術が知られている。
また、縦型熱ＣＶＤ装置によりＳｉＨ2 Ｃｌ2 とＮＨ3 とを用いて、基板上にＳｉ3 Ｎ4 膜を形成するプロセスであって、反応炉内と炉口部との間に板状部材を設け、ＮＨ3 を板状部材の上流側から、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 を下流側から分けて供給することで、炉口部等の低温部へのＮＨ4 Ｃｌ等の副生成物の付着を防止する構造において、ＮＨ3 を不活性ガスに置き換えることで、炉口部金属の腐食を防止する方法等もある。例えば、特許文献１参照。
【０００３】
【特許文献１】国際公開２００４／０７５２７２号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ノズルを介して反応ガスを反応炉内に供給する基板処理装置において、成膜処理する工程で反応ガスを供給する際、反応炉内のノズル位置が、同装置の基板を保持するボートが有する回転軸と同じ高さにあたるため、ノズルから吹き出したガスが流動的かつ拡散的に回転軸に流れる形になる。これにより、回転軸金属が腐食性ガスの影響を受け、汚染源を発生させ、処理基板へ影響することが懸念される。
そこで、対策として、減圧下で、事前に腐食性の無いガスを反応炉内に充満させる技術や、耐腐食性金属を回転軸に採用する技術が考えられる。これらの技術によれば、大きな影響を回避することができるが、完全ではなく、懸念点は残っていると推定する。
また、ノズル形状をＬ型に変えて反応ガスの流れを変えることもできるが、反応炉内壁と基板支持具であるボートとのクリアランスが狭い形状の場合は不向きである等の問題点がある。
【０００５】
本発明の目的は、これらの問題点のノズル形状を制限される場合の対策を解決し、回転軸金属が受ける腐食ガスの影響を低減させることができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内で基板を支持する支持具と、前記支持具を支持して回転させる回転軸と、前記処理室内に腐食性ガスを供給する腐食性ガス供給ノズルと、前記処理室内に非腐食性ガスを供給する非腐食性ガス供給ノズルと、前記腐食性ガス供給ノズルのガス噴出口および前記非腐食性ガス供給ノズルのガス噴出口と対向しつつ前記回転軸を覆うように設けられ、前記非腐食性ガス供給ノズルのガス噴出口と対向する部分に開口部が設けられたカバー部材と、を有する基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、回転軸の保護構造として、腐食性ガスが回転軸に直接流れ込むのを防ぐことができる。これにより、回転軸金属からの汚染源の発生を防ぎ、処理基板への汚染影響を低減させることができる。また、腐食性の無いガスを保護具内に流した場合、保護具内の空間に邪魔板等を設け一時停滞させることで、反応ガスの分解効率の促進も兼ねることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下に、本発明の一実施形態を図面に即して説明する。
【０００９】
まず、本実施形態に係る基板処理装置の構成を図面に基づいて説明する。
図１は本実施形態で好適に用いられる基板処理装置の処理炉２０２の概略構成図であり、縦断面図として示されている。
【００１０】
図１に示されているように、処理炉２０２は加熱機構としてのヒータ２０６を有する。ヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。
【００１１】
ヒータ２０６の内側には、ヒータ２０６と同心円状に反応管としてのプロセスチューブ２０３が配設されている。プロセスチューブ２０３は内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５とから構成されている。
インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ2 ）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４の筒中空部には、基板としてのウエハ２００上に薄膜を形成する処理を行う処理室２０１が形成されている。処理室２０１は、ウエハ２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
アウターチューブ２０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなり、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられている。
【００１２】
アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状にマニホールド２０９が配設されている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端および下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５に係合しており、これらを支持するように設けられている。マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。
マニホールド２０９がヒータベース２５１に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９により反応容器が形成される。
【００１３】
マニホールド２０９にはガス導入部としてのノズル２３０ａ、２３０ｂが処理室２０１内に連通するように接続されている。ノズル２３０ａ、２３０ｂには、薄膜を形成する処理ガスを処理室２０１内に供給する処理ガス供給管２３２ａ、２３２ｂがそれぞれ接続されている。
処理ガス供給管２３２ａのノズル２３０ａとの接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１ａを介して第１処理ガス供給源としてのＳｉＨ2 Ｃｌ2 （ＤＣＳ）ガス供給源２７１が接続されている。処理ガス供給管２３２ａのＭＦＣ２４１ａよりも上流側、下流側にはそれぞれバルブ２６２ａ、２６１ａが設けられている。
処理ガス供給管２３２ｂのノズル２３０ｂとの接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１ｂを介して第２処理ガス供給源としてのＮ2 Ｏガス供給源２７２が接続されている。処理ガス供給管２３２ｂのＭＦＣ２４１ｂよりも上流側、下流側には、バルブ２６２ｂ、２６１ｂがそれぞれ設けられている。
主に、処理ガス供給管２３２ａ，２３２ｂ、ＭＦＣ２４１ａ，２４１ｂ、バルブ２６２ａ，２６１ａ，２６２ｂ，２６１ｂ、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ガス供給源２７１、Ｎ2 Ｏガス供給源２７２により、処理ガス供給系が構成される。
【００１４】
処理ガス供給管２３２ａ、２３２ｂのバルブ２６１ａ、２６１ｂよりも下流側には、それぞれ不活性ガス供給管２３２ｃ、２３２ｄが接続されている。
不活性ガス供給管２３２ｃの処理ガス供給管２３２ａとの接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１ｃを介して不活性ガス供給源としてのＮ2 ガス供給源２７３が接続されている。不活性ガス供給管２３２ｃのＭＦＣ２４１ｃよりも上流側、下流側には、バルブ２６２ｃ、２６１ｃがそれぞれ設けられている。
不活性ガス供給管２３２ｄの処理ガス供給管２３２ｂとの接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１ｄを介してＮ2 ガス供給源２７３が接続されている。正確には、不活性ガス供給管２３２ｄの上流側は不活性ガス供給管２３２ｃのバルブ２６２ｃよりも上流側に接続されており、不活性ガス供給管２３２ｄはバルブ２６２ｃよりも上流側で不活性ガス供給管２３２ｃから分岐するように設けられている。不活性ガス供給管２３２ｄのＭＦＣ２４１ｄよりも上流側、下流側にはそれぞれバルブ２６２ｄ、２６１ｄが設けられている。
主に、不活性ガス供給管２３２ｃ，２３２ｄ、ＭＦＣ２４１ｃ，２４１ｄ、バルブ２６２ｃ，２６１ｃ，２６２ｄ，２６１ｄ、Ｎ2 ガス供給源２７３により、不活性ガス供給系が構成される。
【００１５】
なお、不活性ガス供給系には処理ガスを希釈する役割もあり、不活性ガス供給系は、処理ガス供給系の一部をも構成する。また、不活性ガス供給系はパージガス供給系としても機能する。
【００１６】
ＭＦＣ２４１ａ、２４１ｂ、２４１ｃ、２４１ｄ、バルブ２６１ａ、２６１ｂ、２６１ｃ、２６１ｄ、２６２ａ、２６２ｂ、２６２ｃ、２６２ｄには、ガス供給・流量制御部２３５が電気的に接続されている。ガス供給・流量制御部２３５は、後述する各ステップで処理室２０１内に供給するガスの種類が所望のガス種となるよう、また、供給するガスの流量が所望の量となるよう、さらには、供給するガスの濃度が所望の濃度となるよう、ＭＦＣ２４１ａ、２４１ｂ、２４１ｃ、２４１ｄ、バルブ２６１ａ、２６１ｂ、２６１ｃ、２６１ｄ、２６２ａ、２６２ｂ、２６２ｃ、２６２ｄを所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００１７】
マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されており、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１のマニホールド２０９との接続側と反対側である下流側には、圧力検出器としての圧力センサ２４５、および可変コンダクタンスバルブ、例えばＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ等の圧力調整装置２４２を介して、真空ポンプ等の真空排気装置２４６が接続されている。
真空排気装置２４６は、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。圧力調整装置２４２および圧力センサ２４５には、圧力制御部２３６が電気的に接続されている。圧力制御部２３６は、処理室２０１内の圧力が所望の圧力となるように、圧力センサ２４５により検出された圧力に基づいて圧力調整装置２４２を所望のタイミングにて制御するように構成されている。
主に、排気管２３１、圧力調整装置２４２、真空排気装置２４６、により、排気系が構成される。
【００１８】
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられる。
シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、ボートを回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通して後述するボート２１７に接続されており、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。
シールキャップ２１９はプロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１に対し搬入搬出することが可能となっている。
回転機構２５４およびボートエレベータ１１５には、駆動制御部２３７が電気的に接続されている。駆動制御部２３７は、回転機構２５４およびボートエレベータ１１５が所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００１９】
基板保持具としてのボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。
なお、ボート２１７の下部には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わりにくくなるよう構成されている。
【００２０】
プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。ヒータ２０６と温度センサ２６３には、温度制御部２３８が電気的に接続されている。温度制御部２３８は、処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるように、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づいてヒータ２０６への通電具合を所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２１】
ガス供給・流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、および温度制御部２３８は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。これら、ガス供給・流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、および主制御部２３９は、コントローラ２４０として構成されている。
【００２２】
次に、以上の構成に係る処理炉２０２を用いて、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ＣＶＤ法により処理室２０１内でウエハ２００上に薄膜を形成する方法について説明する。
なお、以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ２４０により制御される。
【００２３】
複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージ）されると、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて処理室２０１内に搬入（ボートロード）される。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。
【００２４】
処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように真空排気装置２４６によって真空排気される。この際、処理室２０１内の圧力は圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調整装置２４２がフィードバック制御される。
また、処理室２０１内が所望の温度となるようにヒータ２０６によって加熱される。この際、処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるように、温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合がフィードバック制御される。
続いて、回転機構２５４によりボート２１７が回転されることで、ウエハ２００が回転される。
【００２５】
次いで、処理室２０１内の温度および圧力が所望の温度および圧力に維持された状態で、第１処理ガス供給源としてのＳｉＨ2 Ｃｌ2 ガス供給源２７１、第２処理ガス供給源としてのＮ2 Ｏガス供給源２７２から、第１処理ガスとしてのＳｉＨ2 Ｃｌ2 ガス、第２処理ガスとしてのＮ2 Ｏガスが処理室２０１内にそれぞれ供給される。
すなわち、バルブ２６２ａ、２６１ａ、２６２ｂ、２６１ｂが開かれることによって、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ガス供給源２７１、Ｎ2 Ｏガス供給源２７２から処理ガス供給管２３２ａ、２３２ｂ内にそれぞれ供給されたＳｉＨ2 Ｃｌ2 ガス、Ｎ2 Ｏガスは、ＭＦＣ２４１ａ、２４１ｂにて所望の流量となるようにそれぞれ制御された後、処理ガス供給管２３２ａ、２３２ｂを通り、ノズル２３０ａ、２３０ｂから処理室２０１内に導入される。
【００２６】
このとき、同時に、不活性ガス供給源としてのＮ2 ガス供給源２７３から処理室２０１内にＮ2 ガスを供給し、処理ガス（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ガス、Ｎ2 Ｏガス）を希釈するようにしてもよい。
この場合、例えば、バルブ２６２ｃ、２６１ｃ、２６２ｄ、２６１ｄが開かれることで、Ｎ2 ガス供給源２７３から不活性ガス供給管２３２ｃ、２３２ｄ内にそれぞれ供給されたＮ2 ガスは、ＭＦＣ２４１ｃ、２４１ｄにて所望の流量となるようにそれぞれ制御された後、不活性ガス供給管２３２ｃ、２３２ｄを通り、処理ガス供給管２３２ａ、２３２ｂを経由して、ノズル２３０ａ、２３０ｂから処理室２０１内に導入される。
Ｎ2 ガスは、処理ガス供給管２３２ａ、２３２ｂ内でＳｉＨ2 Ｃｌ2 ガス、Ｎ2 Ｏガスのそれぞれと混合されることとなる。Ｎ2 ガスの供給流量を制御することで、処理ガスの濃度を制御することもできる。
【００２７】
処理室２０１内に導入された処理ガスは、処理室２０１内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０に流出し、筒状空間２５０を流下した後に、排気管２３１から排気される。
処理ガスは、処理室２０１内を通過する際にウエハ２００の表面と接触する。この際、熱ＣＶＤ反応によってウエハ２００の表面上に薄膜、すなわちシリコン酸化（ＳｉＯ2 ）膜が堆積（デポジション）される。
【００２８】
予め設定された処理時間が経過すると、処理ガスの供給が停止される。すなわち、バルブ２６２ａ、２６１ａ、２６２ｂ、２６１ｂが閉じられることにより、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ガス供給源２７１、Ｎ2 Ｏガス供給源２７２からのＳｉＨ2 Ｃｌ2 ガス、Ｎ2 Ｏガスの処理室２０１内への供給が停止される。
その後に、バルブ２６２ｃ、２６１ｃ、２６２ｄ、２６１ｄが開かれ、Ｎ2 ガス供給源２７３から処理室２０１内にＮ2 ガスが供給されつつ排気管２３１から排気されることで、処理室２０１内がパージされ、処理室２０１内がＮ2 ガスに置換され、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される。
【００２９】
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９が下降されてマニホールド２０９の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ２００が、ボート２１７に保持された状態でマニホールド２０９の下端からプロセスチューブ２０３の外部に搬出（ボートアンロード）される。その後、処理済のウエハ２００はボート２１７より取出される（ウエハディスチャージ）。
【００３０】
なお、本実施形態の処理炉２０２にてウエハ２００を処理する際の処理条件としては、例えば、シリコン酸化膜の成膜においては、
処理温度：７００〜８３０℃、
処理圧力：１０〜１００Ｐａ、
ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ガス供給流量：５０〜３００ｓｃｃｍ、
Ｎ2 Ｏガス供給流量：５０〜６００ｓｃｃｍ
が例示され、それぞれの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することで、ウエハ２００に処理がなされる。
【００３１】
次に、以上の基板処理装置に回転軸の保護構造を加えた構造について記述する。
ウエハ２００を保持するボート２１７を処理炉２０２に内に搬入（ボートローディング）した状態では、回転軸２５５とガス供給ノズル２３０ａ，２３０ｂが同じ高さにあり、ボート２１７とインナーチューブ２０４との間のクリアランスが狭くノズル形状を制限されるため、ガスを供給した際に、ガスの流れが流動的かつ拡散的に回転軸２５５に多く流れることになる。すると、腐食性ガスであるＳｉＨ2 Ｃｌ2 ガス２８１による回転軸２５５の金属の腐食影響が懸念される。
そこで、図２および図３に示されているように、カバー部材としての軸保護具３０１を回転軸２５５の周りに、回転軸２５５を覆うように被せることにより、腐食性のあるＳｉＨ2 Ｃｌ2 ガス２８１の流れと、腐食性の無いＮ2 Ｏガス２８２の流れとを分岐させるものとした。
すなわち、軸保護具３０１は、石英または炭化シリコン（ＳｉＣ）が使用されて、図４（ａ）に示されているように、下端面が開口した短尺円筒形状に一体に形成されており、側壁の一部には開口部３０２が開設されているとともに、上端閉塞壁には回転軸２５５の取付部２５５ａを逃げる逃げ孔３０３が開設されている。軸保護具３０１はシールキャップ２１９上に載置されたシールキャップ受け３０４上に、回転軸２５５を覆うように被せられ（図２および図３参照）、シールキャップ受け３０４の上面に没設された位置決め穴３０５によって位置決めされる。軸保護具３０１を位置決めすることにより、軸保護具３０１と回転軸２５５とが接触するのを防止することができる。
また、位置決め穴３０５に突設された回止部３０６が開口部３０２に係合されることにより、軸保護具３０１はシールキャップ受け３０４に回り止めされている。
位置決めされた状態で、図３および図４（ａ）に示されているように、軸保護具３０１の開口部３０２は腐食性の無いＮ2 Ｏガス２８２を供給するノズル２３０ｂに対向するが、腐食性のあるＳｉＨ2 Ｃｌ2 ガス２８１を供給するノズル２３０ａからはずれる。
【００３２】
以上のように、側壁に開口部３０２が開設された軸保護具３０１を回転軸２５５を覆うようにシールキャップ２１９上に設置することにより、図３に示されているように、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ガス２８１は軸保護具３０１の外側に流れるので、ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ガスが回転軸２５５に流れ込む量を減らすことができ、また、Ｎ2 Ｏガス２８２は軸保護具３０１側面の開口部３０２より軸保護具３０１内に流れ込むので、回転軸２５５周りのパージ効果を高めることができる。
これにより、回転軸２５５の金属部分の腐食を防止し、ウエハ２００への金属汚染レベルを低減させることができる。
【００３３】
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
【００３４】
例えば、カバー部材としての軸保護具は一体的に形成するに限らず、分割型に形成してもよい。分割型軸保護具はシールキャップへの設置作業を容易化することができる。
この場合、図４（ｂ）に示された分割型軸保護具３０１Ａの如く、回転軸の横方向から回転軸を挟み込んで覆うように縦に分割するのが好ましい。縦分割型の軸保護具３０１Ａはシールキャップへの設置作業をより一層容易化することができる。
【００３５】
軸保護具はシールキャップ受けに没設した位置決め穴によって位置決めするように構成するに限らず、図３に想像線で示されているように、シールキャップ受けまたはシールキャップに設けたストッパ３０７によって位置決めするように構成してもよい。
【００３６】
軸保護具内に邪魔板等を設けることが好ましい。邪魔板等を設けることにより、Ｎ2 Ｏガスを軸保護具内に流した際に、ガスを一時停滞させることができるので、反応ガスの分解促進を促す。
【００３７】
本発明の好ましい態様を付記する。
本発明の一態様によれば、基板を処理する処理室と、前記処理室内で基板を支持する支持具と、前記支持具を支持して回転させる回転軸と、前記処理室内に腐食性ガスを供給する腐食性ガス供給ノズルと、前記処理室内に非腐食性ガスを供給する非腐食性ガス供給ノズルと、前記腐食性ガス供給ノズルのガス噴出口および前記非腐食性ガス供給ノズルのガス噴出口と対向しつつ前記回転軸を覆うように設けられ、前記非腐食性ガス供給ノズルのガス噴出口と対向する部分に開口部が設けられたカバー部材と、を有する基板処理装置が提供される。
好ましくは、前記カバー部材は一つの部材で構成される一体型である。
また、好ましくは、前記カバー部材は、複数の部材で構成される分割型である。
また、好ましくは、前記カバー部材は、複数の部材で構成されており、前記複数の部材は、前記回転軸の横方向から前記回転軸を挟み込んで覆うように構成されている。
また、好ましくは、前記カバー部材の内部には、前記非腐食性ガスの流れを妨げ、前記非腐食性ガスを一時的に停滞させる少なくとも一つの邪魔板が設けられている。
また、好ましくは、前記腐食性ガスがＳｉＨ2 Ｃｌ2 ガスであり、前記非腐食性ガスがＮ2 Ｏガスである。
また、好ましくは、前記腐食性ガスがＳｉＨ2 Ｃｌ2 ガスであり、前記非腐食性ガスがＮＨ3 ガスである。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の一実施形態である基板処理装置の反応炉を示す縦断面図である。
【図２】炉口部詳細を示す縦断面図である。
【図３】炉口部詳細を示す横断面図である。
【図４】軸保護具を示す各斜視図であり、（ａ）は一体型軸保護具を示し、（ｂ）は分割型軸保持具を示している。
【符号の説明】
【００３９】
２００  ウエハ（基板）
２０２  処理炉
２０３  プロセスチューブ
２１７  ボート
２１９  シールキャップ
２３０ａ、２３０ｂ  ノズル
２８１  ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ガス（腐食性ガス）
２８２  Ｎ2 Ｏガス（非腐食性ガス）
３０１  軸保護具（カバー部材）
３０２  開口部
３０３  逃げ孔
３０４  シールキャップ受け
３０５  位置決め穴。
【図１】
2010123624.tif 000003
【図２】
2010123624.tif 000004
【図３】
2010123624.tif 000005
【図４】
2010123624.tif 000006