(57)【要約】【課題】磁気ヘッドの位置決めを高速かつ高精度に制御でき、更に製造が容易なヘッドユニット、ヘッドジンバルアセンブリ及び磁気記録装置を提供する。【解決手段】板状のサスペンション１５ｂの先端部のジンバル１５ｃの磁気ディスク側の面にヘッドユニット１４を配置する。ヘッドユニット１４は、スライダー１９と、磁気ヘッド１３と、それらの間に配置された一対の圧電アクチュエータ１８ａ、１８ｂを有する。圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂは、電極膜と圧電体膜とを交互に積層した構造を有し、電圧を印加することにより圧電体膜の厚さ方向に伸縮する。圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂに相互に逆極性の電圧を印加すると、磁気ヘッド１３は電圧に応じた角度だけ傾斜し、トラック幅方向の位置が変化する。【選択図】図３
2010102809.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面が磁気記録媒体に対向して配置されるスライダーと、
前記磁気記録媒体に情報を書き込む記録素子及び前記磁気記録媒体から情報を読み出す再生素子の少なくとも一方を備え、前記スライダーの第２の面側に配置された磁気ヘッドと、
前記スライダーの前記第２の面と前記磁気ヘッドとの間に配置された第１及び第２のアクチュエータとを有し、
前記第１及び第２のアクチュエータは前記磁気記録媒体のトラック幅方向に相互に離隔して配置され、電圧の印加により前記第２の面に垂直な方向に伸縮することを特徴とするヘッドユニット。
【請求項２】
前記第１及び第２のアクチュエータは、いずれも前記スライダーの前記第２の面上に電極膜と圧電体膜とを交互に積層した構造を有することを特徴とする請求項１に記載のヘッドユニット。
【請求項３】
更に、前記第１及び第２のアクチュエータを結ぶ第１の仮想線に直交する第２の仮想線上に、電圧の印加により前記第２の面に垂直な方向に伸縮する第３のアクチュエータを有することを特徴とする請求項１又は２に記載のヘッドユニット。
【請求項４】
前記スライダーが、前記ヘッド側が薄く、その反対側が厚いテーパー状に形成されていることを特徴とする請求項１又は２項に記載のヘッドユニット。
【請求項５】
弾力性を有する板状のサスペンションと、
前記サスペンションの一端側に設けられて前記サスペンションの厚さ方向に揺動可能なジンバルと、
前記ジンバルに支持されるヘッドユニットとを有し、
前記ヘッドユニットが、
第１の面が磁気記録媒体に対向して配置されるスライダーと、
前記磁気記録媒体に情報を書き込む記録素子及び前記磁気記録媒体から情報を読み出す再生素子の少なくとも一方を備え、前記スライダーの第２の面側に配置された磁気ヘッドと、
前記スライダーの前記第２の面と前記磁気ヘッドとの間に配置された第１及び第２のアクチュエータとを有し、
前記第１及び第２のアクチュエータは前記磁気記録媒体のトラック幅方向に相互に離隔して配置され、電圧の印加により前記第２の面に垂直な方向に伸縮することを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項６】
更に、前記第１及び第２のアクチュエータを結ぶ第１の仮想線に直交する第２の仮想線上に、電圧の印加により前記第２の面に垂直な方向に伸縮する第３のアクチュエータを有することを特徴とする請求項５に記載のヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項７】
磁気ディスクと、
ヘッドユニットと、
前記ヘッドユニットを支持するサスペンションアームと、
前記サスペンションアームを駆動して前記ヘッドユニットを前記磁気ディスクの半径方向に移動させるサスペンションアーム駆動部とを具備し、
前記ヘッドユニットが、
第１の面が前記磁気ディスクに対向して配置されるスライダーと、
前記磁気ディスクに情報を書き込む記録素子及び前記磁気ディスクから情報を読み出す再生素子の少なくとも一方を備え、前記スライダーの第２の面側に配置された磁気ヘッドと、
前記スライダーの前記第２の面と前記磁気ヘッドとの間に配置された第１及び第２のアクチュエータとを有し、
前記第１及び第２のアクチュエータは前記磁気記録媒体のトラック幅方向に相互に離隔して配置され、電圧の印加により前記第２の面に垂直な方向に伸縮することを特徴とする磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体に情報を書き込む記録素子及び磁気記録媒体から情報を読み出す再生素子の少なくとも一方を備えたヘッドユニット、ヘッドジンバルアセンブリ及び磁気記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気記録装置（ハードディスク装置）は、コンピュータ等の情報機器だけでなく、ハードディスクビデオレコーダ（ＨＤＤレコーダ）等の家電製品にも広く使用されるようになった。また、これらの機器の高性能化にともない磁気記録装置の大容量化が要求されており、磁気ディスク１枚当たりの記録容量が著しく増大している。
【０００３】
磁気ディスクの大きさを変えずに記録容量を増大するためには、単位長さ当たりのトラック数（track per inch：ＴＰＩ）を多くすること、つまりトラックを狭幅化して高密度に配置することが必須である。また、トラックの狭幅化及び高密度化に対応して、磁気ディスクに対し情報の記録及び再生を行う磁気ヘッド（記録素子及び再生素子）の微細化も要求されている。
【０００４】
磁気ヘッドは、スライダーと呼ばれるほぼ直方体の形状の部材の端面に配置される。以下、磁気ヘッドが取り付けられたスライダーをヘッドユニットと呼ぶ。従来の磁気記録装置では、ヘッドユニットを支持するサスペンションアームをボイスコイルモータ（電磁アクチュエータ）により磁気ディスクの面に平行な方向に所定の角度範囲内で回転させて磁気ヘッドの位置決めを行っている。
【０００５】
しかし、上述した理由によりトラック密度が高くなると、単にボイスコイルモータでサスペンションアームを回転駆動するだけでは、磁気ヘッドの位置決めを高精度に制御することが困難になってきた。そこで、ボイスコイルモータによる位置制御に加えて、マイクロアクチュエータを用いて磁気ヘッドの位置を微調整することが提案されている。また、磁気ヘッドの位置制御に圧電素子を使用することも提案されている。
【特許文献１】特開平８−１８０６２３号公報
【特許文献２】特開２００２−７４８７０号公報
【特許文献３】特開平１１−３１３６８号公報
【特許文献４】特開２００２−１３３６０１号公報
【特許文献５】特開平１１−３１７０３４号公報
【特許文献６】特開２００１−２１６７５１号公報
【特許文献７】特開２００７−２６５５７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
磁気ディスクのトラックの狭幅化及び高密度化に対応するためには、磁気ヘッドの位置決めを高速かつ高精度に制御することが要求される。また、ヘッドユニットの製造が容易であることも重要である。しかしながら、現状では、これらの要求を十分に満足させることができない。よって、磁気ヘッドの位置決めを高速かつ高精度に制御でき、更に製造が容易なヘッドユニットが要望されている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一観点によれば、第１の面が磁気記録媒体に対向して配置されるスライダーと、前記磁気記録媒体に情報を書き込む記録素子及び前記磁気記録媒体から情報を読み出す再生素子の少なくとも一方を備え、前記スライダーの第２の面側に配置された磁気ヘッドと、前記スライダーの前記第２の面と前記磁気ヘッドとの間に配置されて前記磁気記録媒体のトラック幅方向における前記磁気ヘッドの位置を調整する第１及び第２のアクチュエータとを有し、前記第１及び第２のアクチュエータは前記トラック幅方向に相互に離隔して配置され、電圧の印加により前記第２の面に垂直な方向に伸縮するヘッドユニットが提供される。
【発明の効果】
【０００８】
上記一観点によれば、スライダーと磁気ヘッドとの間に第１及び第２のアクチュエータが配置されている。これらのアクチュエータは、磁気記録媒体（磁気ディスク）のトラック幅方向に相互に離隔しており、スライダーの第２の面に垂直な方向に伸縮して、トラック幅方向における磁気ヘッドの位置を調整する。この構造では、アクチュエータとして、例えばスライダーの第２の面上に電極膜と圧電体膜とを交互に積層した構造の圧電素子を用いることができ、製造が容易である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、実施形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１０】
（第１の実施形態）
図１は第１の実施形態に係る磁気記録装置を示す平面図、図２は同じくその磁気記録装置の概要を示すブロック図である。また、図３（ａ）はその磁気記録装置に使用されるヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）を下側（磁気ディスク側）から見た平面図、図３（ｂ）は同じくそのヘッドジンバルアセンブリの側面図、図４はヘッドユニットの磁気ヘッド側の端部を拡大して示す図である。
【００１１】
図１，図２に示すように、本実施形態に係る磁気記録装置は、金属製の筐体１０と、この筐体１０内に収納された円盤状の磁気ディスク（磁気記録媒体）１１と、磁気ディスク１１を回転させるスピンドルモータ１２と、磁気ヘッド１３（記録素子１３ａ及び再生素子１３ｂ）が設けられたヘッドユニット１４と、ヘッドユニット１４を支持するサスペンションアーム１５と、サスペンションアーム１５を駆動するボイスコイルモータ（電磁アクチュエータ）１６と、磁気ヘッド１３を介して磁気ディスク１１に対し情報の書き込み（記録）及び読み出し（再生）を行うとともにスピンドルモータ１２及びボイスコイルモータ１６を制御する制御部（電子回路）１７とを有している。
【００１２】
ヘッドユニット１４は、図３（ａ），（ｂ）に示すように、スライダー１９と、磁気ヘッド１３と、これらのスライダー１９及び磁気ヘッド１３間に配置された一対の圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂとを有している。本実施形態では、図４に示すように、一対の圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂは、磁気ディスク１１のトラック幅方向に相互に離隔し、かつスライダー１９の中心線に対し対称の位置に配置されている。
【００１３】
磁気ディスク１１は、スピンドルモータ１２の回転軸１２ａに固定され、スピンドルモータ１２により高速で回転する。サスペンションアーム１５は、基端側のキャリッジアーム１５ａと、先端側の板ばね状のサスペンション１５ｂとを有している。このサスペンションアーム１５はボイスコイルモータ１６により駆動制御され、回転軸１６ａを中心として所定の角度範囲内を回転し、ヘッドユニット１４（磁気ヘッド１３）を磁気ディスク１１の半径方向に移動させる。
【００１４】
本実施形態では、図３（ａ），（ｂ）に示すようにヘッドユニット１４が取り付けられたサスペンション１５ｂを、ヘッドジンバルアセンブリと呼んでいる。サスペンション１５ｂには、磁気ヘッド１３（記録素子１３ａ及び再生素子１３ｂ）及び圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂと制御部１７との間を電気的に接続するための配線（図示せず）が設けられている。
【００１５】
磁気ディスク１１に情報を書き込む記録素子１３ａとしては、例えば公知の単磁極ヘッドが使用される。また、磁気ディスク１１から情報を読み出す再生素子１３ｂとしては、例えば公知のＭＲ（Magneto Resistive）素子、ＧＭＲ（Giant Magneto Resistive）素子又はＴＭＲ（Tunnel Magneto Resistive）素子が使用される。なお、これらの記録素子１３ａ及び再生素子１３ｂを含む磁気ヘッド１３の構造は公知であるので、ここではその詳細な説明を省略する。
【００１６】
ヘッドユニット１４は、サスペンション１５ｂの先端の“Ｃ”字状の切り欠きで囲まれた部分に磁気ディスク１１と対向するようにして配置される。以下、この“Ｃ”字状の切り欠きで囲まれた部分をジンバル１５ｃと呼び、サスペンション１５ｂのその他の部分と区別する。ジンバル１５ｃは、サスペンション１５ｂとの連結部（図中Ａで示す部分）を支点として上下方向（磁気ディスク１１に接離する方向）に揺動可能に形成されている。また、記録素子１３ａ、再生素子１３ｂ及び圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂとサスペンション１５ｂに設けられた配線との間は、金属細線（図示せず）により電気的に接続されている。
【００１７】
図５は、ジンバル１５ｃに平行な面における圧電アクチュエータ１８ａの断面図である。なお、圧電アクチュエータ１８ｂの構造も圧電アクチュエータ１８ａと同様であるので、ここではその説明を省略する。
【００１８】
この図５に示すように、圧電アクチュエータ１８ａは、幅方向（図５の上下方向）に若干ずれて交互に配置された複数の第１の電極膜２１ａ及び第２の電極膜２１ｂと、これらの電極膜２１ａ，２１ｂ間にそれぞれ配置された圧電体膜２２とにより形成されている。
【００１９】
電極膜２１ａ，２１ｂは、例えばＰｔ（白金）により形成されており、その厚さは例えば１００ｎｍである。また、圧電体膜２２は例えばＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）又はＰＮＮ（ニッケル酸ニオブ酸鉛）等の圧電セラミックスにより形成されており、１層当たりの厚さは例えば２００ｎｍである。
【００２０】
各第１の電極膜２１ａはいずれも、圧電アクチュエータ１８ａの一方の側面に形成された第１の共通電極２３ａに接続されている。これと同様に、各第２の電極膜２１ｂはいずれも、圧電アクチュエータ１８ａの他方の側面に形成された第２の共通電極２３ｂに接続されている。
【００２１】
この圧電アクチュエータ１８ａは、電極面（第１及び第２の電極膜２１ａ，２１ｂの面）に垂直な方向に伸縮するｄ33モードで駆動される。ここでは、１Ｖの電圧により１層の圧電体膜２２がその厚さ方向に０．２ｎｍ伸縮する（ｄ33＝０．２ｎｍ／Ｖ）ものとする。また、本実施形態では、圧電体膜２２の積層数を２０とする。なお、電極膜２１ａ，２１ｂ及び圧電体膜２２の厚さ及び積層数は上記の値に限定するものではなく、適宜設定すればよい。
【００２２】
図６は、本実施形態のヘッドユニットの動作を示す図である。ここでは、圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂに電圧を印加しない状態では、図６中に実線で示すように磁気ヘッド１３はスライダー１９の端面に平行であるとする。また、図６中の符号１３ｃは磁気ヘッド１３のうち磁気ディスク１１に対し情報の記録及び再生を行う部分を模式的に示している。
【００２３】
例えば圧電アクチュエータ１８ａに正の電圧（＋Ｖ）を印加し、圧電アクチュエータ１８ｂに負の電圧（−Ｖ）を印加する。そうすると、圧電アクチュエータ１８ａは印加電圧に応じた長さだけ伸長し、圧電アクチュエータ１８ｂは印加電圧に応じた長さだけ収縮する。これにより、磁気ヘッド１３は図６中に破線で示すようにスライダー１９の端面に対し斜めに変位する。ここで、磁気ヘッド１３の厚さをｄ、傾きをθとすると、磁気ヘッド１３の情報の記録及び再生を行う部分１３ｃのトラック幅方向の変位量ｘは、ｘ＝ｄｓｉｎθとなる。
【００２４】
例えば、前述したように、アクチュエータ１８ａ，１８ｂの圧電体膜２２の１層当たりの伸縮量を０．２ｎｍ／Ｖとし、圧電体膜２２の積層数を２０層とする。また、磁気ヘッド１３の厚さｄを３０μｍとし、圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂ間の間隔を１０μｍとする。更に、圧電アクチュエータ１８ａには＋３Ｖの電圧を印加し、圧電アクチュエータ１８ｂには−３Ｖの電圧を印加するものとする。この場合、磁気ヘッド１３の変位量（磁気ディスク１１に対し情報の記録及び再生を行う部分１３ｃの変位量）は約７２ｎｍとなる。圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂに印加する電圧の極性を逆にすることにより、磁気ヘッド１３は逆方向に変位する。
【００２５】
以下、本実施形態に係るヘッドユニットの製造方法の一例について、図７〜図９に示す断面図を参照して説明する。
【００２６】
まず、図７（ａ）に示すように、スライダー１９となるアルチック（ＡｌＴｉＣ）基板４０の上に、アルミナ等の絶縁材料からなる絶縁膜４１を例えば５００ｎｍの厚さに形成する。その後、図７（ｂ）に示すように、例えばスパッタ法により、絶縁膜４１の上にＰｔ等の金属からなる金属膜４２を５０〜１００ｎｍの厚さに形成する。次いで、図７（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ法及びエッチング法により金属膜４２をパターニングして、第１の電極膜４２ａ（図５の第１の電極膜２１ａに対応）を形成する。
【００２７】
次に、図７（ｄ）に示すように、スパッタ法等により、アルチック基板４０の上側全面にＰＺＴ等の圧電特性を有する材料からなる圧電体膜４３ａ（図５の圧電体膜２２に対応）を２００〜５００ｎｍの厚さに形成し、この圧電体膜４３ａにより第１の電極膜４２ａを覆う。その後、図８（ａ）に示すように、スパッタ法等により、圧電体膜４３ａの上にＰｔ等の金属からなる金属膜４４を５０〜１００ｎｍの厚さに形成する。
【００２８】
次に、図８（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ法及びエッチング法により金属膜４４をパターニングして、第２の電極膜４４ａ（図５の第２の電極膜２１ｂに対応）を形成する。この場合、図５に示すように、第２の電極膜４４ａは第１の電極膜４２ａよりも若干ずれた位置に形成する。その後、アルチック基板４０の上側全面に第２層目の圧電体膜４３ｂを形成し、この圧電体膜４３ｂにより第２の電極膜４２ａを覆う。
【００２９】
次いで、第１の電極膜形成工程、圧電体膜形成工程及び第２の電極膜形成工程を繰り返し実施して、図８（ｃ）に示すように第１の電極膜４２ａ，４２ｂ，…、第２の電極膜４４ａ，４４ｂ，…、及び圧電体膜４３ａ，４３ｂ，…を積層してなる積層体を形成する。図８（ｃ）では２つの第１の電極膜４２ａ，４２ｂ、２つの第２の電極膜４４ａ，４４ｂ、及び４つの圧電体膜４３ａ〜４３ｄしか示していないが、実際にはこれらの第１の電極膜、第２の電極膜及び圧電体膜を所望の数だけ積層する。
【００３０】
次に、図８（ｄ）に示すように、フォトリソグラフィ法及びエッチング法により圧電体膜４３ａ〜４３ｄをパターニングして、圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂを形成する。その後、図９（ａ）に示すように、アルチック基板４０の上側全面に、例えばスパッタ法によりＰｔ等からなる金属膜４５を約５０〜１００ｎｍの厚さに形成する。
【００３１】
次に、図９（ｂ）に示すように、アルチック基板４０の上側全面に犠牲層４６を形成した後、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法等により圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂの上の金属膜４５が除去されるまで犠牲層４６を研磨して、表面を平坦化する。犠牲層４６は、例えば酸化シリコン又はポリシリコン等の無機物により形成してもよく、有機物により形成してもよい。この研磨工程により金属膜４５が分断されて、共通電極４５ａ，４５ｂ，４５ｃ（図５の第１及び第２の共通電極２３ａ，２３ｂに対応）が形成される。
【００３２】
次に、公知の方法により、図９（ｃ）に示すように、圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂ及び犠牲層４６の上に磁気ヘッド（記録素子及び再生素子）４７を形成する。再生素子としてＭＲ素子を採用する場合は、例えばＮｉＦｅ合金からなるＳＡＬ（Soft Adjacent Layer）層と、Ｔａ等からなる非磁性層と、ＮｉＦｅ等からなるＭＲ層とを積層し、これらをフォトリソグラフィ法及びエッチング法によりパターニングして形成する。一方、記録素子として単磁極ヘッドを採用する場合は、磁性材料により主磁極及びリターンヨークを形成し、銅又はアルミニウム等の導電材料によりコイルを形成する。
【００３３】
このようにして基板４０上に圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂ及び磁気ヘッド４７を形成した後、図９（ｄ）に示すように、犠牲層４６を除去する。犠牲層４６を酸化シリコン又はポリシリコンにより形成した場合は、例えばＣＦ4やＳＦ6等のガスを用いたドライエッチングにより犠牲層４６を除去する。また、犠牲層４６を有機物により形成した場合は、専用の剥離液を用いて犠牲層４６を除去する。次いで、基板４０をダイシングソーにより切断して、個々のヘッドユニットに分離する。
【００３４】
このようにして形成されたヘッドユニットを、図３に示すようにサスペンション１５ｂ（ジンバル１５ｃ）に取り付けた後、ワイヤボンディング等により各圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂ、記録素子及び再生素子の各電極とサスペンション１５ｂの表面上に形成された配線とを電気的に接続する。このようにして、ヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）が完成する。
【００３５】
なお、圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂを使用する前に、圧電体膜に対し分極処理を実施することが必要である。本実施形態では、圧電体膜をｄ33モードで使用するので、第１の電極膜４２ａ，４２ｂ，…と第２の電極膜４４ａ，４４ｂ，…との間に所定の電圧（例えば５〜１０Ｖ)を印加すればよい。従って、分極処理用に特別の電極を形成する工程や、その電極を分極処理後に除去する工程は不要である。
【００３６】
上述の製造方法によれば、比較的簡単な工程で、図３，図４に示すようなスライダー１９と磁気ヘッド１３との間に圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂを組み込んだヘッドユニット及びヘッドジンバルアセンブリを製造することができる。
【００３７】
上述の実施形態では、スパッタ法等を用いたいわゆる薄膜工程で圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂの電極膜及び圧電体膜を形成するものとしているが、印刷法等を用いたいわゆる厚膜工程で電極膜及び圧電体膜を形成してもよい。
【００３８】
また、上述の実施形態では圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂの側面に共通電極２３ａ，２３ｂ（図９（ｄ）では４５ａ，４５ｂ，４５ｃ）を形成しているが、圧電体膜２２（図８（ｂ）では４３ａ〜４３ｄ）の積層方向に貫通する孔を形成し、この孔内に導電材料を埋め込んで共通電極を形成してもよい。その場合、共通電極は図８（ｃ）に示す工程の後に形成する。このようにして形成した共通電極は、磁気ヘッド４７内に形成された配線層を介して磁気ヘッド４７の表面の電極に電気的に接続される。
【００３９】
更にまた、上述の実施形態ではスライダー１９の端面上に圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂを一体的に形成する場合について説明したが、圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂを個別に形成し、接着剤等によりスライダー１９の端面に接合してもよい。
【００４０】
更にまた、上述の実施形態では磁気ヘッド４７を形成した後に犠牲層４６を除去しているが、犠牲層４６が適度の弾力性を有する場合は、犠牲層４６を除去しなくてもよい。
【００４１】
以下、本実施形態に係る磁気記録装置において、磁気ディスク１１に対し情報の記録・再生を行うときの動作例を、図１０に示すフローチャートを参照して説明する。但し、ここでは、予め磁気ディスク１１のトラック毎にトラック位置情報が記録されているものとする。
【００４２】
磁気ディスク１１に対し情報を記録・再生するときには、まず、ステップＳ１１において、制御部１７により情報の記録・再生を行うトラックが決定される。そして、ステップＳ１２において、制御部１７によりボイスコイルモータ１６が駆動され、サスペンションアーム１５が回転軸１６ａを中心に移動する。
【００４３】
次に、ステップＳ１３に移行し、再生素子１３ｂによりトラック位置情報を読み出す。そして、ステップＳ１４において、磁気ヘッドの位置が所定のトラックの位置か否かを判定する。磁気ヘッドの位置が所定のトラックの位置と異なる場合（ＮＯの場合）は、ステップＳ１５に移行し、制御部１７は圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂを駆動して、磁気ヘッド（記録素子１３ａ及び再生素子１３ｂ）の位置を微小量移動する。そして、ステップ１３に戻り、磁気ディスク１１からトラック位置情報を読み出し、ステップＳ１４に移行して所定のトラックか否かを判定する。
【００４４】
このようにして、磁気ヘッドの位置が所定のトラックの位置に一致するまで、制御部１７は圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂを駆動して磁気ヘッドの位置を調整する。
【００４５】
ステップ１４で磁気ヘッドの位置が所定のトラックの位置に一致したと判定した場合（ＹＥＳの場合）は、ステップＳ１６に移行する。そして、制御部１７は、磁気ディスク１１に対し情報（データ）の記録・再生を行う。
【００４６】
上述の例では磁気ディスクのトラックからトラック位置情報を読み出して磁気ヘッドの位置を微調整する場合について説明したが、磁気ディスクの記録領域を磁気ディスクの中心からの距離に応じて複数の領域に分割し、圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂを制御して分割した領域毎に磁気ヘッドの傾斜角度を変化させてもよい。
【００４７】
情報の書き込み又は読み出し時には、書き込み位置又は読み出し位置におけるトラックの接線の方向と磁気ヘッドの中心線の方向とが一致していることが好ましい。しかし、前述したように、サスペンションアーム１５は、回転軸１６ａを中心に回転するので、トラックの位置（磁気ディスクの中心からの位置）により、トラックの接線と磁気ヘッドの中心線との角度は変化する。この角度が大きくなると、書き込みエラー又は読み出しエラーの原因となる。そこで、上述のように磁気ディスクの記録領域を磁気ディスクの中心からの距離に応じて複数の領域に分割し、領域毎に磁気ヘッドの傾斜角度を制御することにより、読み出しエラー及び書き込みエラーを抑制できる。
【００４８】
（第２の実施形態）
図１１は、第２の実施形態に係る磁気記録装置の構成を示すブロック図である。また、図１２（ａ）はその磁気記録装置のヘッドジンバルアセンブリを下側（磁気ディスク側）から見た平面図、図１２（ｂ）は同じくそのヘッドジンバルアセンブリの側面図である。更に、図１３は加速度センサの構造を示す断面図、図１４はヘッドユニットの磁気ヘッド側の端部を拡大して示す図、図１５はジンバルに取り付けられたスライダーを示す側面図である。
【００４９】
なお、本実施形態が第１の実施形態と異なる点はヘッド浮上量（磁気ヘッドと磁気ディスクとの間隔）を制御する機構が設けられていることにあり、その他の構成は基本的に第１の実施形態と同様であるので、図１１〜図１５において、第１の実施形態で説明したものと同一物には同一符号を付してその詳しい説明は省略する。
【００５０】
図１２（ａ），（ｂ）に示すように、本実施形態のヘッドジンバルアセンブリは、サスペンション１５ｂと、このサスペンション１５ｂの先端のジンバル１５ｃに取り付けられたヘッドユニット１４と、一対の加速度センサ（歪みセンサ）５５とを有している。一対の加速度センサ５５は、サスペンション１５ｂの基端側（キャリッジアーム１５ａ側）の部分に、サスペンション１５ｂの中心線に対し対称の位置に配置されている。
【００５１】
図１３に示すように、加速度センサ５５は、圧電体膜６２を第１の電極６１と第２の電極６３とにより挟んだ構造を有している。第１の電極６１及び第２の電極６３は例えばステンレス、チタン（Ｔｉ）又はシリコン（Ｓｉ）により形成されている。圧電体膜６２は、ＰＺＴ又はＰＮＮ等の圧電特性を有するセラミックであってもよく、ＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）のような圧電特性を有する樹脂であってもよい。
【００５２】
何らかの原因（例えば振動や気圧の変化等）によりヘッド浮上量が変化すると、サスペンション１５ｂが弾性変形し、加速度センサ５５に応力（歪み）が加わる。これにより、加速度センサ５５の圧電体膜６２が分極し、第１の電極６１と第２の電極６３との間に応力に応じた電位差が発生する。この第１の電極６１と第２の電極６３との間に発生した電位差は、ヘッド浮上量の変化を示す加速度信号として制御部１７に入力される。
【００５３】
ヘッドユニット１４は、図１２（ａ），（ｂ）に示すように、スライダー１９と、磁気ヘッド１３と、これらのスライダー１９と磁気ヘッド１３との間に配置された圧電アクチュエータ５１及び圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂとを有している。圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂは、第１の実施形態と同様に、磁気ヘッド１３（記録素子１３ａ及び再生素子１３ｂ）のトラック幅方向の位置調整のために設けられている。
【００５４】
一方、圧電アクチュエータ５１は、ヘッド浮上量の制御のために設けられている。図１４に示すように、圧電アクチュエータ５１は、スライダー１９の端面上に第１の電極膜５２ａ、第２の電極膜５２ｂ及び圧電体膜５３を複数積層することにより形成されている。但し、第１の電極膜５２ａ及び第２の電極膜５２ｂは幅方向（図１４では上下方向）にずれて配置されている。
【００５５】
各第１の電極膜５２ａはいずれも圧電アクチュエータ５１の一方の側面上に形成された第１の共通電極５４ａに接続されており、各第２の電極膜５２ｂはいずれも圧電アクチュエータ５１の他方の側面上に形成された第２の共通電極５４ｂに接続されている。第１の共通電極５４ａ及び第２の共通電極５４ｂは、金属細線（図示せず）及びサスペンション１５ｂに設けられた配線（図示せず）を介して制御部１７に電気的に接続されている。
【００５６】
この圧電アクチュエータ５１は、電極面（第１及び第２の電極膜５２ａ，５２ｂの面）に垂直な方向に伸縮するｄ33モードで駆動される。ここでは、１Ｖの電圧により１層の圧電体膜５３がその厚さ方向に０．２ｎｍ伸長する（ｄ33＝０．２ｎｍ／Ｖ）ものとする。また、圧電体膜５３の積層数を２０とする。この場合、圧電アクチュエータ５１に１０Ｖの電圧を印加すると、圧電アクチュエータ５１は図１４に矢印で示す方向に４０ｎｍだけ伸長する。
【００５７】
スライダー１９は、図１５に示すように、磁気ヘッド１３側が薄く、その反対側が厚くなるようにテーパー状に形成されている。本実施形態では、ジンバル１５ｃとスライダー１９の磁気ヘッド１３側の端面（第２の面）とのなす角度は直角（９０°）とする。また、スライダー１９の上面に平行な面とスライダー１９の下面（第１の面）とのなす角度φは５°とする。なお、スライダー１９の上面に平行な面とスライダー１９の下面とのなす角度φの好ましい範囲は１〜７°である。
【００５８】
磁気ディスク１１に情報を書き込むとき、及び磁気ディスク１１から情報を読み出すときには、磁気ディスク１１の回転により発生する空気流により、図１６に示すようにスライダー１９の下面（磁気ディスク１１側の面）が磁気ディスク１１と平行になる。これにより、圧電アクチュエータ５１の伸張方向は磁気ディスク１１の表面に対し角度φ（５°）だけ傾斜する。この場合、上述の如く圧電アクチュエータ５１が４０ｎｍ伸長したとすると、図１７に示すように磁気ヘッド１３の浮上量の変化ｚは約３．５ｎｍ（≒４０ｎｍ×ｓｉｎφ）となる。すなわち、圧電アクチュエータ５１に供給する電圧を０〜１０Ｖの範囲で変化させることにより、磁気ヘッド１３の浮上量を０〜３．５ｎｍの範囲で調整することができる。
【００５９】
以下、図１１，図１２、図１５及び図１６を参照して、磁気ディスク１１に情報を記録するとき又は磁気ディスク１１から情報を読み出すときの動作について説明する。
【００６０】
磁気ディスク１１に情報を書き込むとき、及び磁気ディスク１１から情報を読み出すときには、制御部１７によりスピンドルモータ１２が駆動されて磁気ディスク１１が回転する。また、制御部１７によりボイスコイルモータ１６が駆動され、スライダー１９（磁気ヘッド１３）が磁気ディスク１１の上方の所定位置に配置される。
【００６１】
このとき、磁気ディスク１１の回転によって生じる空気流により、図１６に示すように、スライダー１９は磁気ディスク１１から若干浮上するとともに、スライダー１９の下面が磁気ディスク１１の面に平行になるようにジンバル１５ｃとサスペンション１５ｂとの連結部Ａが湾曲する。
【００６２】
一方、スライダー１９の浮上により、サスペンション１５ｂも湾曲する。これにより、加速度センサ５５にはスライダー１９の浮上量に応じた歪みが印加され、加速度センサ５５から歪み量に応じた信号が出力される。この信号は、制御部１７に伝達され、制御部１７内のアンプにより増幅されて圧電アクチュエータ２２に出力される。
【００６３】
図１８は、横軸に時間をとり、加速度センサ５５の出力及び圧電アクチュエータ５１への印加電圧とヘッド浮上量との関係を示す図である。この図１８に示すように、サスペンション１５ｂが変形すると、加速度センサ５５からサスペンション１５ｂの変形量に応じた信号が出力される。制御部１７は、加速度センサ５５から出力される信号を電力増幅し、圧電アクチュエータ５１に出力する。
【００６４】
ヘッド浮上量が一定の場合、サスペンション１５ｂの形状が変化しないので、加速度センサ５５の出力が一定となり、圧電アクチュエータ５１への印加電圧も一定となる。
【００６５】
何らかの原因（例えば振動や気圧の変化等）によりヘッド浮上量が大きくなると、サスペンション１５ｂの湾曲（変形量）が大きくなる。そのため、加速度センサ５５の出力が大きくなり、制御部１７から圧電アクチュエータ５１に印加される電圧が高くなる。その結果、圧電アクチュエータ５１の変形量が大きくなって、磁気ヘッド１３が磁気ディスク１１側に下降する。これにより、磁気ヘッド１３と磁気ディスク１１との間隔（すなわち、ヘッド浮上量）が小さくなる。
【００６６】
逆に、何らかの原因によりヘッド浮上量が減少すると、加速度センサ５５の出力が減少し、制御部１７から圧電アクチュエータ５１に印加される電圧が低下する。その結果、圧電アクチュエータ５１の変形量が小さくなり、磁気ヘッド１３と磁気ディスク１１との間隔（すなわち、ヘッド浮上量）が大きくなる。このようにして、磁気ヘッド１３と磁気ディスク１１との間隔がほぼ一定に維持される。
【００６７】
本実施形態では、加速度センサ５５及び圧電アクチュエータ５１がいずれも同様の特性を有する圧電材料により形成されているため、複雑な信号処理が必要なく、加速度センサ５５の出力を電力増幅して圧電アクチュエータ５１に供給するだけで、磁気ヘッド１３の浮上量をリアルタイムに制御することができる。
【００６８】
本実施形態では、磁気ヘッド１３のトラック幅方向の位置を調整するための圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂに加えて、ヘッド浮上量を調整するための圧電アクチュエータ５１を有している。このため、本実施形態においては、第１の実施形態に比べて磁気記録装置の信頼性がより一層向上するという効果を奏する。
【００６９】
なお、圧電アクチュエータ５１は、圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂと同様にＰｔ等の導電材料からなる電極膜と圧電体膜とを交互に積層することにより形成される。圧電アクチュエータ５１を形成後、その上に例えばアルミナ膜を形成し、更に図８，図９に示す工程を実施して圧電アクチュエータ１８ａ，１８ｂを形成する。その後、ダイシングソーにより基板を切断して個々のヘッドユニットに分離した後、ヘッドユニットの底面をＣＭＰ法等により研磨して、テーパー状にする。このようにして、本実施形態に係るヘッドユニットが完成する。
【００７０】
（第３の実施形態）
図１９（ａ）は第３の実施形態に係るヘッドユニットの磁気ヘッド側の端部を示す上面図、図１９（ｂ）は同じくその側面図、図１９（ｃ）は圧電アクチュエータの配置を示す平面図である。なお、本実施形態が第１の実施形態と異なる点はスライダーと磁気ヘッドとの間の圧電アクチュエータの数及び配置状態が異なることにあり、その他の構成は基本的に第１の実施形態と同様である。そのため、図１９（ａ）〜（ｃ）において、図４と同一物には同一符号を付して重複する部分の説明を省略する。また、図１９（ａ）〜（ｃ）において、Ｘ軸及びＹ軸方向はいずれも磁気ディスクの面に平行な方向であり、Ｚ軸方向は磁気ディスクの面に直交する方向である。
【００７１】
本実施形態においては、図１９（ａ）〜（ｃ）に示すように、スライダー１９と磁気ヘッド１３との間に３個の圧電アクチュエータ７１ａ，７１ｂ，７１ｃが配置されている。これらの圧電アクチュエータ７１ａ，７１ｂ，７１ｃは、第１の実施形態と同様に、圧電体膜と電極膜とを交互に積層して形成されている（図５参照）。
【００７２】
図１９（ｃ）に示すように、圧電アクチュエータ７１ａ，７１ｂはスライダー１９の端面の上側に、磁気ディスクのトラック幅方向に相互に離隔し、かつスライダー１９の幅方向の中心線に対し対称の位置に配置されている。また、圧電アクチュエータ７１ｃは、スライダー１９の端面の下側（磁気ディスクに近い側）であってスライダー１９の幅方向の中心の位置に配置されている。図１９（ｃ）中の一点鎖線は、圧電アクチュエータ７１ａ，７１ｂを結ぶ第１の仮想線、及び第１の仮想線に直交する第２の仮想線を示している。
【００７３】
本実施形態において、スライダー１９のＸ軸方向の長さ（幅）は０．７ｍｍ、Ｙ軸方向の長さは１．０ｍｍ、Ｚ軸方向の長さ（厚さ）は０．３ｍｍである。また、圧電体アクチュエータ７１ａ，７１ｂ，７１ｃのＸ軸方向の長さは０．１ｍｍ、Ｙ軸方向の長さ（厚さ）は０．００６ｍｍ、Ｚ軸方向の長さは０．１ｍｍである。更に、圧電アクチュエータ７１ａ，７１ｂ間のＸ軸方向の距離ａ1及び圧電アクチュエータ７１ａ，７１ｃ間のＺ軸方向の距離ａ2はいずれも０．１ｍｍとする。
【００７４】
磁気ヘッド１３（磁気ディスクに対し情報の記録及び再生を行う部分１３ｃ）のトラック幅方向の位置を調整する場合、例えば圧電アクチュエータ７１ａに正の電圧を印加し、圧電アクチュエータ７１ｂに負の電圧を印加する。これにより、圧電アクチュエータ７１ａは伸長し、圧電アクチュエータ７１ｂは収縮して、磁気ヘッド１３はＺ軸に平行な直線を中心に回転し、磁気ヘッド１３はスライダー１９の端面に対し斜めになる。例えば、第１の実施形態と同様に、圧電アクチュエータ７１ａ，７１ｂの圧電体膜の１層当たりの伸縮量を０．２ｎｍ／Ｖとし、圧電体膜の積層数を２０層とし、磁気ヘッド１３の厚さｄを３０μｍとする。また、圧電アクチュエータ７１ａには＋３Ｖの電圧を印加し、圧電アクチュエータ７１ｂには−３Ｖの電圧を印加するものとする。この場合、磁気ヘッド１３（磁気ディスクに対し情報の記録及び再生を行う部分１３ｃ）のトラック幅方向の変位量は約１．５ｎｍとなる。圧電アクチュエータ７１ａ，７１ｂに印加する電圧の極性を逆にすることにより、磁気ヘッド１３は逆方向に変位する。
【００７５】
また、ヘッド浮上量を制御する場合は、例えば圧電アクチュエータ７１ａ，７１ｂに正の電圧（＋Ｖ）を印加し、圧電アクチュエータ７１ｃに負の電圧（−Ｖ）を印加する。そうすると、圧電アクチュエータ７１ａ，７１ｂは印加電圧に応じた長さだけ伸長し、圧電アクチュエータ７１ｃは印加電圧に応じた長さだけ収縮する。これにより、磁気ヘッド１３（磁気ディスクに対し情報の記録及び再生を行う部分１３ｃ）は、図２０中に破線で示すように磁気ディスクに接離する方向に変位する。ここで、磁気ヘッド１３の厚さをｄ、傾きをψとすると、磁気ヘッド１３の情報の記録及び再生を行う部分１３ｃの変位量（ヘッド浮上量の変化量）ｚは、ｚ＝ｄｓｉｎψとなる。
【００７６】
圧電アクチュエータ７１ａ，７１ｂに＋３Ｖの電圧を印加し、圧電アクチュエータ７１ｃに−３Ｖの電圧を印加した場合のヘッド浮上量の変化量を計算すると、約２．６ｎｍとなる。
【００７７】
圧電アクチュエータ７１ａ，７１ｂ，７１ｃは、第１の実施形態で説明した方法（図８〜図９参照）を用いて形成することができるので、ここではその説明を省略する。
【００７８】
図２１は、本実施形態に係る磁気記録装置において情報の記録・再生を行うときの動作例を示すフローチャートである。なお、ここでは、図２に示す磁気記録装置のブロック図も参照する。
【００７９】
まず、ステップＳ２１において、情報の記録・再生を行うトラックを決定する。その後、ステップＳ２２において、制御部１７（図２参照）によりボイスコイルモータ１６が駆動され、ヘッドユニット１４が磁気ディスクの半径方向に移動する。
【００８０】
次に、ステップＳ２３に移行し、制御部１７は圧電アクチュエータ７１ａ，７１ｂを駆動して、磁気ヘッド１３のトラック幅方向に位置を調整する（図１０のフローチャート参照）。
【００８１】
次に、ステップＳ２４に移行し、制御部１７は加速度センサ（図１２参照）の出力を調べる。そして、ステップＳ２５において、制御部１７は加速度センサの出力から浮上量が適正か否かを判定する。浮上量が適正であると判定した場合（ＹＥＳの場合）は、ステップＳ２５からステップＳ２７に直接移行し、制御部１７は磁気ディスクに対し情報の記録・再生を行う。なお、加速度センサの出力からヘッド浮上量を判定する方法に替えて、磁気ヘッド（再生素子）から出力される信号の強度によりヘッド浮上量を判定するようにしてもよい。
【００８２】
一方、ステップＳ２５において浮上量が適正でないと判定した場合（ＮＯの場合）は、ステップＳ２６に移行し、制御部１７は圧電アクチュエータ７１ａ，７１ｂ及び圧電アクチュエータ７１ｃに浮上量の誤差に応じた電圧を印加する。その後、ステップＳ２７に移行し、制御部１７は磁気ディスクに対し情報の記録・再生を行う。
【００８３】
本実施形態においては、スライダー１９と磁気ヘッド１３との間に配置された３個の圧電アクチュエータ７１ａ，７１ｂ，７１ｃにより、第２の実施形態と同様に磁気ヘッド１３（情報の記録及び再生を行う部分１３ｃ）のトラック幅方向の位置制御とヘッド浮上量の制御とを行う。本実施形態においては、第２の実施形態に比べて製造が容易であるという利点がある。
【００８４】
（第４の実施形態）
図２２（ａ）は第４の実施形態に係るヘッドユニットの磁気ヘッドの端部を示す上面図、図２２（ｂ）は同じくその側面図、図２２（ｃ）は圧電アクチュエータの配置を示す平面図である。なお、本実施形態が第１の実施形態と異なる点はスライダーと磁気ヘッドとの間の圧電アクチュエータの数及び配置状態が異なることにあり、その他の構成は基本的に第１の実施の形態と同様である。そのため、図２２（ａ）〜（ｃ）において、図４と同一物には同一符号を付して重複する部分の説明は省略する。
【００８５】
本実施形態においては、図２２（ａ）〜（ｃ）に示すように、スライダー１９と磁気ヘッド１３との間に４個の圧電アクチュエータ７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄが配置されている。これらの圧電アクチュエータ７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄは、第１の実施形態と同様に、圧電体膜と電極膜とを交互に積層して形成されている（図５参照）。
【００８６】
図２２（ｃ）に示すように、圧電アクチュエータ７２ａ，７２ｂはスライダー１９の端面の上側に、磁気ディスクのトラック幅方向に相互に離隔し、かつスライダー１９の幅方向の中心線に対し対称の位置に配置されている。また、圧電アクチュエータ７２，７２ｄはスライダー１９の端面の下側（磁気ディスクに近い側）に、スライダー１９の幅方向の中心線に対し対称の位置に配置されている。本実施形態においては、圧電アクチュエータ７２ａ，７２ｂ間の距離、及び圧電アクチュエータ７２ｃ，７２ｄ間の距離ｂ1は５０ｎｍとする。また、圧電アクチュエータ７２ａ，７２ｃ間の距離、及び圧電アクチュエータ７２ｂ，７２ｄ間の距離ｂ2も５０ｎｍとする。図２２（ｃ）中の一点鎖線は、圧電アクチュエータ７２ａ，７２ｂを結ぶ第１の仮想線、及び第１の仮想線に直交する第２の仮想線を示している。
【００８７】
磁気ヘッド１３（磁気ディスクに対し情報の記録及び再生を行う部分１３ｃ）のトラック幅方向の位置を調整する場合、例えば圧電アクチュエータ７２ａ，７２ｃに正の電圧を印加し、圧電アクチュエータ７２ｂ，７２ｄに負の電圧を印加する。これにより、圧電アクチュエータ７２ａ，７２ｃは伸長し、圧電アクチュエータ７２ｂ，７２ｄは収縮して、磁気ヘッド１３はＺ軸に平行な直線を中心に回転する。例えば、第１の実施形態と同様に、圧電アクチュエータ７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄの圧電体膜の１層当たりの伸縮量を０．２ｎｍ／Ｖとし、圧電体膜の積層数を２０層とし、磁気ヘッド１３の厚さｄを３０μｍとする。また、圧電アクチュエータ７２ａ，７２ｃには＋３Ｖの電圧を印加し、圧電アクチュエータ７２ｂ，７２ｄには−３Ｖの電圧を印加するものとする。この場合、磁気ヘッド１３（磁気ディスクに対し情報の記録及び再生を行う部分１３ｃ）のトラック幅方向の変位量は約５ｎｍとなる。
【００８８】
また、ヘッド浮上量を制御する場合は、例えば圧電アクチュエータ７２ａ，７２ｂに正の電圧（＋Ｖ）を印加し、圧電アクチュエータ７２ｃ，７２ｄに負の電圧（−Ｖ）を印加する。これにより、圧電アクチュエータ７２ａ，７２ｂは印加電圧に応じた長さだけ伸長し、圧電アクチュエータ７２ｃ，７２ｄは印加電圧に応じた長さだけ収縮して、磁気ヘッド１３が磁気ディスクに近づく。例えば圧電アクチュエータ７１ａ，７２ｂに＋３Ｖの電圧を印加し、圧電アクチュエータ７２ｃ，７２ｄに−３Ｖの電圧を印加すると、磁気ヘッド１３（情報の記録及び再生を行う部分１３ｃ）は磁気ディスクに接離する方向に約１．５ｎｍ変位する。
【００８９】
圧電アクチュエータ７２ａ，７２ｂ，７２ｃ，７２ｄは、第１の実施形態で説明した方法（図８〜図９参照）を用いて形成することができるので、ここではその説明を省略する。本実施形態においても、第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００９０】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る磁気記録装置を示す平面図である。
【図２】図２は、同じくその磁気記録装置の概要を示すブロック図である。
【図３】図３（ａ）はその磁気記録装置に使用されるヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）を下側（磁気ディスク側）から見た平面図、図３（ｂ）は同じくそのヘッドジンバルアセンブリの側面図である。
【図４】図４は、ヘッドユニットの磁気ヘッド側の端部を拡大して示す図である。
【図５】図５は、ジンバルに平行な面における圧電アクチュエータの断面図である。
【図６】図６は、第１の実施形態のヘッドユニットの動作を示す図である。
【図７】図７は、第１の実施形態に係るヘッドユニットの製造方法の一例を示す断面図（その１）である。
【図８】図８は、第１の実施形態に係るヘッドユニットの製造方法の一例を示す断面図（その２）である。
【図９】図９は、第１の実施形態に係るヘッドユニットの製造方法の一例を示す断面図（その３）である。
【図１０】図１０は、磁気ディスクに対し情報の記録・再生を行うときの動作例を示すフローチャートである。
【図１１】図１１は、第２の実施形態に係る磁気記録装置の構成を示すブロック図である。
【図１２】図１２（ａ）はその磁気記録装置のヘッドジンバルアセンブリを下側（磁気ディスク側）から見た平面図、図１２（ｂ）は同じくそのヘッドジンバルアセンブリの側面図である。
【図１３】図１３は、加速度センサの構造を示す断面図である。
【図１４】図１４は、ヘッドユニットの磁気ヘッド側の端部を拡大して示す図である。
【図１５】図１５は、ジンバルに取り付けられたスライダーを示す側面図である。
【図１６】図１６は、磁気ディスクに情報を書き込むとき、及び磁気ディスクから情報を読み出すときにおけるスライダーの状態を示す側面図である。
【図１７】図１７は、圧電アクチュエータの伸張にともなうヘッド浮上量の変化を示す模式図である。
【図１８】図１８は、加速度センサの出力及び圧電アクチュエータへの印加電圧と浮上量との関係を示す図である。
【図１９】図１９（ａ）は第３の実施形態に係るヘッドユニットの磁気ヘッド側の端部を示す上面図、図１９（ｂ）は同じくその側面図、図１９（ｃ）は圧電アクチュエータの配置を示す平面図である。
【図２０】図２０は、第３の実施形態のヘッドユニットの動作を示す図である。
【図２１】図２１は、第３の実施形態に係る磁気記録装置において情報の記録・再生を行うときの動作例を示すフローチャートである。
【図２２】図２２（ａ）は第４の実施形態に係るヘッドユニットの磁気ヘッドの端部を示す上面図、図２２（ｂ）は同じくその側面図、図２２（ｃ）は圧電アクチュエータの配置を示す平面図である。
【符号の説明】
【００９１】
１１…磁気ディスク、１２…スピンドルモータ、１３…磁気ヘッド、１４…ヘッドユニット、１５…サスペンションアーム、１５ａ…キャリッジアーム、１５ｂ…サスペンション、１５ｃ…ジンバル、１６…ボイスコイルモータ、１７…制御部、１８ａ，１８ｂ…圧電アクチュエータ、１９…スライダー、２１ａ，２１ｂ…電極膜、２２…圧電体膜、２３ａ，２３ｂ…共通電極、４０…アルチック基板、４１…絶縁膜、４２，４５…金属膜、４２ａ，４２ｂ，４４ａ，４４ｂ…電極膜、４３ａ，４３ｂ，４３ｃ，４３ｄ…圧電体膜、４５ａ，４５ｂ，４５ｃ…共通電極、４６…犠牲層、４７…磁気ヘッド、５１…圧電アクチュエータ、５２ａ，５２ｂ…電極膜、５３…圧電体膜、５４ａ，５４ｂ…共通電極、５５…加速度センサ、６１，６３…電極、６２…圧電体膜、７１ａ〜７１ｃ，７２ａ〜７２ｄ…圧電アクチュエータ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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