(57)【要約】【課題】使用後のフォトマスクからペリクルを容易に除去できるフォトマスクを提供すること。【解決手段】透明基板上のパターン領域の外周におけるペリクルフレーム装着領域に遮光膜が形成されていることを特徴とするフォトマスク。前記フォトマスクは、ネガ型レジスト用であることが好ましい。また、前記フォトマスクにおける前記ペリクルフレーム装着領域に形成されている遮光膜と前記透明基板とが直接接していることが好ましい。また、前記フォトマスクにおける前記透明基板が、石英ガラス基板であることが好ましい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板上のパターン領域の外周におけるペリクルフレーム装着領域に遮光膜が形成されていることを特徴とする
フォトマスク。
【請求項２】
ネガ型レジスト用である請求項１に記載のフォトマスク。
【請求項３】
前記ペリクルフレーム装着領域に形成されている遮光膜と前記透明基板とが直接接している請求項１又は２に記載のフォトマスク。
【請求項４】
前記透明基板が、石英ガラス基板である請求項１〜３のいずれか１つに記載のフォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体集積回路、ＣＣＤ（電荷結合素子）、ＬＣＤ（液晶表示素子）を製造する際に使用されるフォトマスクに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フォトマスクを形成する方法としては、石英ガラス等の透明な基板上に、通常はクロム膜を遮光膜としてスパッタリング法又は真空蒸着法等により成膜する。その膜上にレジスト膜を形成した後、電子ビーム（ＥＢ）露光機等を用いたフォトリソグラフィ法でレジスト膜のパターンを形成する。そのレジストパターンをマスクとして所望の部分のクロム系膜をエッチングして基板を露出させる。その後レジスト膜を剥離することによりフォトマスクが得られる。なおレジストの種類としてポジ型とネガ型とがあり、ポジ型の場合、外周部は遮光膜が残る。一方でネガ型の場合、外周部の遮光膜が除去され、基板が露出する。
【０００３】
フォトマスクはパターン形成後パターンの検査等を行い、欠陥等がないことを確認して完成となる。完成した後にはパターンを異物から保護するためにペリクルが装着される。ペリクルは一般に非常に薄い有機膜とそれを支えるアルミ製フレーム、フレームをフォトマスクに貼り付ける粘着剤から成る。ペリクルはパターン部を保護するため、パターン部よりも一回り大きなサイズになっており、パターン外周部の基板上に装着される。
【０００４】
また、例えば、特許文献１及び２に記載のフォトマスクが知られている。
特許文献１には、ペリクルを装着するフォトマスクにおいて、少なくとも前記ペリクルのフレーム部と前記フォトマスクが接触する部分について、前記フォトマスクの遮光材を除去することを特徴とするフォトマスクが開示されている。
特許文献２には、ペリクルを装着してなるフォトマスクであって、平板状のガラスからなる基材と、前記基材の一面において、製品パターン部を除いた領域と前記ペリクルの接着部との間に、遮光膜と酸化膜が順に積層されてなることを特徴とするフォトマスクが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−１０７７４５号公報
【特許文献２】特開２００８−１７５９５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
フォトマスクは、フォトリソグラフィの露光機の中でシリコンウエハに描かれるパターンの原版として使用される。長期間の使用により、パターン上に異物が発生したり、ペリクル膜が曇ったり、破れたりといった理由でペリクルを交換する場合がある。その場合まずはペリクルをフォトマスクから除去し、フォトマスクの洗浄を行い、新たに別のペリクルを装着する。しかし、長期間使用したペリクルはフォトマスクから除去し難い、という問題がある。特にペリクルが、遮光膜が無い石英ガラス上に装着された場合に顕著である。
本発明は、上記の問題点を解決するためになされたものである。すなわち、本発明が解決しようとする課題は、使用後のフォトマスクからペリクルを容易に除去できるフォトマスクを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題は、以下の＜１＞に記載の手段により解決された。本発明の好ましい実施態様である＜２＞〜＜４＞とともに以下に列記する。
＜１＞透明基板上のパターン領域の外周におけるペリクルフレーム装着領域に遮光膜が形成されていることを特徴とするフォトマスク、
＜２＞ネガ型レジスト用である上記＜１＞に記載のフォトマスク、
＜３＞前記ペリクルフレーム装着領域に形成されている遮光膜と前記透明基板とが直接接している上記＜１＞又は＜２＞に記載のフォトマスク、
＜４＞前記透明基板が、石英ガラス基板である上記＜１＞〜＜３＞のいずれか１つに記載のフォトマスク。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、使用後のフォトマスクからペリクルを容易に除去できるフォトマスクを提供することができた。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明のフォトマスクの一例を示す模式平面図である。
【図２】ペリクルを装着した本発明のフォトマスクの一例を示す模式平面図である。
【図３】図２に示すペリクルを装着した本発明のフォトマスクの一例をａ−ａ線に沿って切断した断面模式図である。
【図４】ペリクル装着前の従来のフォトマスクの一例を示す模式平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明のフォトマスクは、透明基板上のパターン領域の外周におけるペリクルフレーム装着領域に遮光膜が形成されていることを特徴とする。
特に、本発明のフォトマスクは、ネガ型レジスト用フォトマスクとして好適に使用することができる。
以下、図面も参照しながら、本発明を詳細に説明する。
【００１１】
本発明者は、上記目的を達成するため鋭意検討を重ねた結果、フォトマスクの外周部のペリクルが貼り付けられる部分に遮光膜を形成することが、使用後のフォトマスクからペリクルを容易に除去することに有効であることを見出した。
フォトマスクは、フォトリソグラフィの露光機の中で使用される際、一般的にはパターン部以外の外周部には遮光板が装着され、ペリクルが貼り付けられている外周部には直接露光光が照射されないようになっている。しかしながら、パターンを透過する露光光がパターンで散乱され、散乱光等が石英ガラス基板等の透明基板中を伝播しフォトマスク外周部に到達する場合があることが判明した。
この時、外周部の遮光膜が除去されたフォトマスクの場合には、ペリクルの粘着層に直接散乱光が当たり、ペリクルの粘着剤を変質させてしまうことが、使用後のフォトマスクからペリクルを除去するのが困難な理由であることを本発明者は見いだした。
粘着剤の変質により、例えば、粘着剤が硬くなったり、場合によっては透明基板表面との間で固着が発生し、使用後のペリクルの除去を困難にしている。
【００１２】
特に、ネガ型レジストを使用するフォトマスクの場合に、外周部に遮光膜を形成することで、遮光膜上に貼り付けられ透明基板中を伝播する散乱光がペリクルの粘着層に当たることがなくなる。
なお、ネガ型レジストを使用する場合であっても、パターン外周部全てに遮光膜を残すのが好ましいが、遮光膜を残す部分にはレジストプロセスにおいてＥＢ露光機等で照射する必要があり、広く遮光膜を残すほどスループットが落ちるという問題がある。そこでペリクルが貼り付けられる部分のみ遮光膜を残せば狭い面積の照射ですむため、スループットの低下を防ぐことができる。
【００１３】
また、粘着層に散乱光が当たる場合、粘着剤が散乱光で分解し、粘着剤から分解ガスが発生する場合もある。この場合、前記分解ガスはペリクル閉空間にも放出され、露光光との反応により、パターン上への成長性異物（ヘイズ）の原因にもなり得る。本発明により、ペリクルの粘着層に直接散乱光が当たらないようにすることで、粘着剤からの分解ガスも抑制することができる。
【００１４】
本発明のフォトマスクにおける基板は、透明基板である。
本発明に用いることができる透明基板としては、特に制限はなく、公知の透明基板を用いることができる。中でも、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス基板であることが好ましく、石英ガラス基板であることが特に好ましい。
また、本発明のフォトマスクにおける透明基板上のパターン領域は、特に制限はなく、所望のパターン形成した領域であればよい。また、パターン領域に形成されるパターンの材質も、特に制限はなく、公知の材質を使用し、公知の方法により形成すればよいが、パターン領域に形成されるパターンを遮光膜で形成することが好ましく、さらに、ペリクルフレーム装着領域に形成する遮光膜とともに形成することがより好ましい。
【００１５】
本発明のフォトマスクは、透明基板上のパターン領域の外周におけるペリクルフレーム装着領域に遮光膜を形成したフォトマスクである。
遮光膜としては、クロムや、モリブデンシリサイド、ジルコニアシリサイド、タングステンシリサイドなどの金属シリサイドやこれらに窒素や酸素を含んだ膜が例示される。
遮光膜の形成方法としては、特に制限はなく、例えば、スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法などの公知の方法を用いることができる。
透明基板として石英ガラス基板を用いた場合、遮光膜としてクロムを主成分とする膜を用いると、エッチングを行う際に石英ガラス基板との間でエッチング選択性に優れるため好ましい。
露光波長が２００ｎｍ以下（例えば、１９３ｎｍなど）の場合には、金属シリサイドを主成分とする膜（酸素や窒素を含ませることもできる。）を用いると、反射率を所定の値まで低減させること、遮光性膜の薄膜化、パターン微細化のために有利なフッ素系エッチングが可能になるといった利点がある。
遮光膜の厚さは、必要に応じ、適宜選択することができるが、５〜５００ｎｍであることが好ましく、１０〜２００ｎｍであることがより好ましく、１５〜１５０ｎｍであることが更に好ましい。
また、前記遮光層は、複数の金属膜を積層させて構成するようにしてもよい。
【００１６】
本発明において、透明基板上の「ペリクルフレーム装着領域」とは、ペリクルを装着する際に透明基板上におけるペリクルフレームが設置される位置、又は、ペリクルフレームが設置される位置及びその近傍のことであり、露光の際にペリクルフレームに直接散乱光が当たることを防ぐために十分な領域であればよい。なお、ペリクルフレームが設置される位置の近傍には、ペリクルにより閉塞される空間内及び空間外の両方が含まれることは言うまでもない。
ペリクルフレーム装着領域における遮光膜の幅（ペリクルフレームの厚み方向における遮光膜の幅）は、最低フレーム幅と同じ幅を有することが必要で、できればフレーム幅に加え、両脇に１ｍｍ以上太くするのが好ましく、両脇に２ｍｍ以上太くするのがより好ましく、両脇に５ｍｍ以上太くするのが更に好ましい。
また、前記ペリクルフレーム装着領域（遮光膜）は、使用するペリクルフレームの形状にあわせた形状の領域であればよい。前記ペリクルフレーム装着領域の形状は、例えば、後述する図１に示すように、角が丸くなっている長方形の枠型の形状であっても、正方形の枠型の形状であっても、円形のドーナツ形状であってもよい。
本発明のフォトマスクにおける遮光膜は、透明基板上において、パターン領域以外では、ペリクルフレーム装着領域のみに形成されていることが特に好ましい。
【００１７】
図１は、本発明のフォトマスクの一例を示す模式平面図である。
図１に示すフォトマスク１０は、透明基板１２上のパターン領域１４の外周におけるペリクルフレーム装着領域１８に遮光膜１６が形成されており、透明基板１２上の中央部のパターン領域１４においては、パターンが形成されており、また、パターン領域１４の外周のペリクルフレーム装着領域１８に遮光膜１６が形成されている。
フォトマスク１０におけるパターン領域１４のパターンの形状は、特に制限はなく、フォトマスクとして所望される任意の形状であればよい。
【００１８】
図２は、ペリクルを装着した本発明のフォトマスクの一例を示す模式平面図である。
また、図３は、図２に示すペリクルを装着した本発明のフォトマスクの一例をａ−ａ線に沿って切断した断面模式図である。
また、図２に示すペリクルを装着した本発明のフォトマスクの一例は、図１に示す本発明のフォトマスクの一例にペリクルを装着したものである。
図２に示すペリクルを装着したフォトマスク２０は、透明基板１２上のパターン領域１４の外周におけるペリクルフレーム装着領域１８に遮光膜１６が形成されており、ペリクルフレーム装着領域１８の遮光膜１６上には、ペリクル膜２２、ペリクルフレーム２４、粘着層２６及び接着層２８からなるペリクルを装着している。なお、図２では、粘着層２６及び接着層２８の記載は省略している。
より詳細には、図３に示すように、透明基板１２上のペリクルフレーム装着領域１８には、透明基板１２と接して遮光膜１６が形成されており、前記遮光膜１６の中央部には粘着層２６を介してペリクルフレーム２４が下端面で接して設置されており、さらに、ペリクルフレーム２４の上端面には接着層２８を介してペリクル膜２２が張設されている。
【００１９】
本発明のフォトマスクに装着することができるペリクルは、特に制限はなく、公知のペリクルを用いることができ、例えば、半導体リソグラフィ用ペリクル、大型液晶表示板製造リソグラフィ工程用ペリクル等と同様であり、また、その材質も上述したような公知の材質とすることができる。
ペリクルとしては、ペリクル膜、ペリクルフレーム、及び、遮光膜とペリクルフレームとを貼り付ける粘着層を有することが好ましい。
ペリクル膜の種類については、特に制限はなく、例えば、従来エキシマレーザー用に使用されている、非晶質フッ素ポリマー等が用いられる。非晶質フッ素ポリマーの例としては、サイトップ（旭硝子（株）製商品名）、テフロン（登録商標）ＡＦ（デュポン社製商品名）等が挙げられる。これらのポリマーは、そのペリクル膜作製時に必要に応じて溶媒に溶解して使用してもよく、例えば、フッ素系溶媒などで適宜溶解することができる。
【００２０】
ペリクルフレームの母材に関しては、従来使用されているアルミニウム合金材、好ましくは、ＪＩＳ  Ａ７０７５、ＪＩＳ  Ａ６０６１、ＪＩＳ  Ａ５０５２材等が用いられるが、アルミニウム合金材を使用する場合は、ペリクルフレームとしての強度が確保される限り特に制限はない。ペリクルフレーム表面は、ポリマー被膜を設ける前に、サンドブラストや化学研磨によって粗化することが好ましい。本発明において、このフレーム表面の粗化の方法は従来公知の方法を採用できる。アルミニウム合金材に対して、ステンレス、カーボランダム、ガラスビーズ等によって表面をブラスト処理し、さらにＮａＯＨ等によって化学研磨を行って表面を粗化する方法が好ましい。
ペリクル膜とペリクルフレームとの接着は、公知の方法により行えばよく、例えば、接着剤により好適に接着することができる。接着剤としては、特に制限はなく、公知のものを用いることができる。
また、ペリクルフレームには、気圧調整用穴（通気口）が設置されていてもよく、さらにパーティクル除去の目的で除塵用フィルターが設けられていてもよい。
【００２１】
遮光膜とペリクルフレームとを貼り付ける粘着層に使用する接着剤は、各種の接着剤を適宜選択でき、アクリル接着剤や、スチレンエチレン・ブチレンスチレン共重合体（ＳＥＢＳ）系接着剤及びシリコーン系接着剤が好ましく使用でき、シリコーン系接着剤がより好ましく使用できる。
【００２２】
本発明のパターン形成方法は、公知のリソグラフィ技術を利用して行うことができ、例えば、集積回路製造用基板へのレジスト膜の塗布、加熱処理（プリベーク）、露光、加熱処理（ポストエクスポージャーベーク、ＰＥＢ）、現像の各工程を経て達成される。
本発明のパターン形成方法は、本発明のフォトマスクを介して高エネルギー線でレジスト膜を有する基板を露光する露光工程と、露光した前記基板を現像液により現像する現像工程とを含むことが好ましい。また、必要に応じて、更にいくつかの公知の工程を追加してもよい。
【００２３】
集積回路製造用基板の材質としては、例えば、Ｓｉ、ＳｉＯ2、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ、ＴｉＮ、ＷＳｉ、ＢＰＳＧ、ＳＯＧ、有機反射防止膜、Ｃｒ、ＣｒＯ、ＣｒＯＮ、ＭｏＳｉ等が挙げられる。
レジスト組成物を集積回路製造用基板上に、スピンコート、ロールコート、フローコート、ディップコート、スプレーコート、ドクターコート等の適当な塗布方法により塗布膜厚が０．０１〜２．０μｍとなるように塗布し、ホットプレート上で好ましくは６０〜１５０℃、１〜１０分間、より好ましくは８０〜１４０℃、１〜５分間プリベークする。
【００２４】
レジスト膜の薄膜化と共に被加工基板のエッチング選択比の関係から加工が厳しくなっており、レジスト膜の下層に珪素含有中間膜、その下に炭素密度が高くエッチング耐性が高い下層膜、その下に被加工基板を積層する３層プロセスが検討されている。酸素ガスや水素ガス、アンモニアガスなどを用いる珪素含有中間膜と下層膜とのエッチング選択比は高く、珪素含有中間膜は薄膜化が可能である。単層レジストと珪素含有中間層とのエッチング選択比も比較的高く、単層レジストの薄膜化が可能となる。この場合、下層膜の形成方法としては塗布とベークによる方法と化学気相蒸着（ＣＶＤ）による方法とが挙げられる。塗布型の場合は、ノボラック樹脂や縮合環などを有するオレフィンを重合した樹脂が用いられ、ＣＶＤ膜作製にはブタン、エタン、プロパン、エチレン、アセチレン等のガスが用いられる。珪素含有中間層の場合も塗布型とＣＶＤ型が挙げられ、塗布型としてはシルセスキオキサン、かご状オリゴシルセスキオキサン（ＰＯＳＳ）等が挙げられ、ＣＶＤ用としては各種シランガスが原料として挙げられる。珪素含有中間層は光吸収を持った反射防止機能を有していてもよく、フェニル基などの吸光基や、ＳｉＯＮ膜であってもよい。珪素含有中間膜とフォトレジストの間に有機膜を形成してもよく、この場合の有機膜は有機反射防止膜であってもよい。フォトレジスト膜形成後に、純水リンス（ポストソーク）を行うことによって膜表面からの酸発生剤などの抽出、あるいはパーティクルの洗い流しを行ってもよいし、保護膜を塗布してもよい。
【００２５】
前記露光工程における光源としては、紫外線、遠紫外線、電子線、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、シンクロトロン放射線等が例示できる。
特に高エネルギー線の中でも、波長２５４〜１９３ｎｍの遠紫外線、波長１５７ｎｍの真空紫外線、電子線、軟Ｘ線、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、シンクロトロン放射線などの高エネルギー線による微細パターンニングに最適である。具体的には、ＫｒＦエキシマレーザー（２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（１９３ｎｍ）、Ｆ2レーザー（１５７ｎｍ）などが例示できる。
露光量は１〜２００ｍＪ／ｃｍ2程度が好ましく、１０〜１００ｍＪ／ｃｍ2程度がより好ましい。
前記露光工程の後、前記現像工程の前に、ホットプレート上でポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）することが好ましい。ポストエクスポージャーベークの条件としては、好ましくは６０〜１５０℃、１〜５分間、より好ましくは８０〜１２０℃、１〜３分間である。
前記現像工程に使用する現像液としては、特に限定はなく、使用するレジストにあわせ、公知の現像液を使用することができる。
また、前記現像工程は、例えば、浸漬（ｄｉｐ）法、パドル（ｐｕｄｄｌｅ）法、スプレー（ｓｐｒａｙ）法等の常法を用いて現像することができる。
【００２６】
また、本発明のフォトマスクからペリクルを剥離する方法としては、特に制限はなく、公知の方法を用いることができる。
中でも、ペリクルの剥離操作の際に、粘着層を加温することが好ましい。
加温は、粘着層が接する本発明のフォトマスク及び／又はペリクルフレームを加温する方法が好ましく、本発明のフォトマスクを加熱することがより好ましい。
具体的な方法としては、熱風乾燥機、赤外線ランプ、ホットプレートなどの高温体の輻射熱による方法、ホットプレートなどの高温体と接触させる熱伝導による方法、高周波誘導加熱を利用して粘着層に接触させることなくフレームに誘導電流を流し、フレームのみを効率的に加熱し間接的に粘着層を加熱する方法などがいずれも可能である。
好ましい剥離方法としては、ペリクルを本発明のフォトマスクから剥離させる際、ペリクルと本発明のフォトマスクとの間の粘着層を加温した状態で剥離させるが、この粘着層の加温温度が４０〜１５０℃であることが好ましく、５０〜１２０℃であることがより好ましく、６０〜１２０℃であることが特に好ましい。前記の加温温度の範囲では粘着剤が充分に軟化し、スムーズに剥離することができ、また、本発明のフォトマスク表面への粘着剤の糊残りを防止することができる。
加熱温度は、例えば、サミスター温度計により検出して制御することができる。
また、ペリクルを本発明のフォトマスクから剥離させる方法において、必要に応じて、ペリクルフレームの長辺側又は短辺側からゆっくりと引き上げるようにしてペリクルを剥離することができる。
【００２７】
また、ペリクルの剥離操作の際、本発明のフォトマスクとペリクルフレームとを剥離する方向に加重をかけることが好ましい。ペリクルを装着した本発明のフォトマスクにおいて、ペリクルが装着された面を上にしてペリクルフレームを上向きに引き上げる力をかけてもよく、また、ペリクルが装着された面を下にしてペリクルフレームを鉛直方向に引き下げる力をかけてもよい。
加重の大きさは、適宜選択できるが、０．１〜２ｋｇ重の加重が好ましく、０．２〜１．５ｋｇ重の加重がより好ましい。
加重は、例えば、ペリクル長辺に設置されている４つのジグ穴を使用してペリクルと本発明のフォトマスクとを剥離する方向に重りにより加重をかけることができる。また、上記の加熱範囲に加温しながら、前記の範囲の加重をかけることが好ましい。
上向きに引き上げる力又は横向きに剥離する力をかける必要があるときは、適宜滑車を用いて重りの力の向きを変更することができる。
【００２８】
また、ペリクル剥離後は、公知の方法により、本発明のフォトマスクを洗浄し、検査を経て、新しいペリクルを貼り付け、使用することができる。
洗浄方法としては、オゾン（Ｏ3）含有水（オゾン水）を用いた洗浄方法が好ましく例示できる。
【実施例】
【００２９】
以下、実施例により具体的に本発明を例示して説明する。
【００３０】
（実施例１）
６インチの角形合成石英ガラス基板上にクロム（Ｃｒ）膜をスパッタリング法にて膜厚１００ｎｍに成膜した。その上にネガ型のＥＢレジスト液を塗布し、５００ｎｍのレジスト膜を形成した。その後、ＥＢ露光装置にて露光、現像を行った。この際、ペリクル装着部分にも露光を行った。
続いて、得られたレジストパターンをマスクとしてクロム膜をドライエッチングによりパターニングした。その後レジスト層を除去しフォトマスクを完成させた。なお、このフォトマスクではペリクル装着領域にＣｒ膜を形成した（図１）。
ペリクル装着領域のＣｒ膜は、図１に示すように、四隅の角が丸いロ型に形成し、膜厚１００ｎｍ、幅４ｍｍ、図１の上下方向の透明基板端部からペリクル装着領域のＣｒ膜の端部までの長さは上下それぞれ０．５ｍｍ、図１の左右方向の透明基板端部からペリクル装着領域のＣｒ膜の端部までの長さは左右それぞれ１４ｍｍに形成した。
透明フッ素樹脂をペリクル膜に、アルミをペリクルフレームに、シリコーン粘着剤をペリクル粘着剤に使用したペリクルを完成させたフォトマスクに装着した。この際ペリクルはペリクル貼り付け部のＣｒ膜の上に装着された。
なお、ペリクルフレームは、フレーム外寸１４９ｍｍ×１２２ｍｍ、フレーム厚さ２ｍｍのものを使用した。
このフォトマスクの石英ガラス側から、フォトマスク中央付近のパターン部にＡｒＦレーザーを照射した。１パルスあたりのレーザー強度は０．１ｍＪ／ｃｍ2、繰り返しパルスは１，０００Ｈｚであった。また、照射エネルギー量は１０，０００Ｊ／ｃｍ2であった。なおフォトマスクのパターン部以外の外周部には遮光板を設置した。
照射後のフォトマスクからペリクルを除去した。なお、フォトマスクを６０℃に加熱した状態で除去を行った。剥離は容易に行えた。また、ペリクル除去後のフォトマスクのペリクルが貼りついていた部分を観察すると、約１０μｍの厚みの粘着剤残渣が認められたが、オゾン水を用いた１０分間の洗浄によりこの粘着剤残渣は洗浄可能であった。
【００３１】
（比較例１）
６インチの角形合成石英ガラス基板上にクロム膜をスパッタリング法にて膜厚１００ｎｍに成膜した。その上にネガ型のＥＢレジスト液を塗布し、５００ｎｍのレジスト膜を形成した。その後、ＥＢ露光装置にて露光、現像を行った。この際、ペリクル装着部分にも露光を行った。
続いて、得られたレジストパターンをマスクとしてクロム膜をドライエッチングによりパターニングした。その後レジスト層を除去しフォトマスクを完成させた。なお、このフォトマスクでは外周部の遮光膜は除去された（図４）。
透明フッ素樹脂をペリクル膜に、アルミをペリクルフレームに、シリコーン粘着剤をペリクル粘着剤に使用した実施例１で使用したものと同様のペリクルを完成させたフォトマスクに装着した。この際ペリクルは外周部の石英ガラス上に装着された。
このフォトマスクの石英ガラス側から、フォトマスク中央付近のパターン部にＡｒＦレーザーを照射した。１パルスあたりのレーザー強度は０．１ｍＪ／ｃｍ2、繰り返しパルスは１，０００Ｈｚであった。また、照射エネルギー量は１０，０００Ｊ／ｃｍ2であった。なお、フォトマスクのパターン部以外の外周部には遮光板を設置した。
照射後のフォトマスクからペリクルを除去した。なお、フォトマスクを６０℃に加熱した状態で除去を行った。剥離は実施例１よりも困難であった。また、ペリクル除去後のフォトマスクのペリクルが貼りついていた部分を観察すると、約１００μｍの厚みの粘着剤残渣が認められたが、オゾン水を用いた１０分間の洗浄によりこの粘着剤残渣は洗浄不可能であった。
【符号の説明】
【００３２】
１０：フォトマスク
１２：透明基板
１４：パターン領域
１６：遮光膜
１８：ペリクルフレーム装着領域
２０：ペリクルを装着したフォトマスク
２２：ペリクル膜
２４：ペリクルフレーム
２６：粘着層
２８：接着層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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