(57)【要約】【課題】マイクロストリップライン構造を持つ半導体装置において、はんだボールからＩＣまでのパッケージ伝送線路において高いインピーダンスマッチングを実現することのできる構造を提供する。【解決手段】はんだボール４２のランド４３下のパッケージＧＮＤ層４４に、ランド直径と同じ直径を持ちかつ空気や基板材料で満たされた開口４５、あるいはランド直径よりも大きいもしくは小さい直径を持つ開口４５を設ける。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ＬＳＩパッケージをはんだボールを介してマザーボードに実装する半導体装置の配線構造であって、はんだボールのランド下のパッケージＧＮＤ層に、ランド直径と同じ直径を持ち、かつ気体で満たされた開口が設けられている、配線構造。
【請求項２】
半導体ＬＳＩパッケージをはんだボールを介してマザーボードに実装する構造であって、はんだボールのランド下のパッケージＧＮＤ層に、ランド直径と同じ直径を持ち、かつ基板材料で埋められた開口が設けられている、配線構造。
【請求項３】
半導体ＬＳＩパッケージをはんだボールを介してマザーボードに実装する半導体装置の配線構造であって、はんだボールのランド下のパッケージＧＮＤ層に、ランド直径とは異なる直径を持つ開口が設けられている、配線構造。
【請求項４】
前記開口の直径がランド直径よりも小さい、請求項３記載の配線構造。
【請求項５】
前記開口の直径がランド直径よりも大きい、請求項３記載の配線構造。
【請求項６】
前記開口が気体で満たされている、請求項１ないし５のいずれかに記載の配線構造。
【請求項７】
前記開口が基板材料予備配線の表面を覆う表面コーティング材で埋められている、請求項１ないし５のいずれかに記載の配線構造。
【請求項８】
前記開口が基板材料で埋められている、請求項１ないし５のいずれかに記載の配線構造。
【請求項９】
前記ランド下にビアを設置して前記パッケージＧＮＤ層に接続している、請求項１ないし８のいずれかに記載の配線構造。
【請求項１０】
マザーボードＧＮＤ層に開口が設けられている、請求項１ないし９のいずれかに記載の配線構造。
【請求項１１】
前記開口の直径がランド直径に等しい、請求項１０記載の配線構造。
【請求項１２】
前記開口の直径がランド直径よりも小さい、請求項１０記載の配線構造。
【請求項１３】
前記開口の直径がランド直径よりも大きい、請求項１０記載の配線構造。
【請求項１４】
前記開口が空気で満たされている、請求項１０ないし１３のいずれかに記載の配線構造。
【請求項１５】
前記開口が基板材料予備配線の表面を覆う表面コーティング材で埋められている、請求項１０ないし１３のいずれかに記載の配線構造。
【請求項１６】
前記開口が基板材料で埋められている、請求項１０ないし１３のいずれかに記載の配線構造。
【請求項１７】
前記開口が円形開口である、請求項１ないし１６のいずれかに記載の配線構造。
【請求項１８】
前記開口が正方形開口である、請求項１ないし１６のいずれかに記載の配線構造。
【請求項１９】
前記開口が多角形開口である、請求項１ないし１４のいずれかに記載の配線構造。
【請求項２０】
パッケージ信号線用のＧＮＤ層とは別の層において、ランドとＧＮＤ層との間の距離を調整するために、前記開口の下に更なるＧＮＤ層が設けられている、請求項１ないし１９のいずれかに記載の配線構造。
【請求項２１】
前記更なるＧＮＤ層と前記パッケージ信号線用のＧＮＤ層がビアで接続されている、請求項２０記載の配線構造。
【請求項２２】
パッケージ信号線用のＧＮＤ層と同じ層において、ランドとＧＮＤ層との間の距離を調整するために、窪みが設けられている、請求項１ないし１９のいずれかに記載の配線構造。
【請求項２３】
パッケージ基板の最上面に設けられたランドとパッケージ基板中に設けられたパッケージ信号線が、ランド下に設けられたビアで接続されており、該ビア用のランド下のパッケージＧＮＤ層に、ビア用ランド直径とは異なる直径を持つ開口が設けられている、請求項１ないし２２のいずれかに記載の配線構造。
【請求項２４】
請求項１ないし２３のいずれかに記載の配線構造を備えた半導体装置。
【請求項２５】
マイクロストリップライン構造を持つ請求項２４に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロストリップライン構造を持つ半導体装置の配線構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子情報機器や通信機器の高速、高機能化にはＬＳＩ（Large Scale Integration）の高性能化が不可欠である。これからのＬＳＩの高性能化に対応するためには，ＬＳＩと機器の電子回路の根幹であるプリント基板を接続する半導体ＬＳＩパッケージ（以下パッケージ）の性能において、「電気的接続」、「チップ保護」、「熱拡散」、「実装」といった従来の機能に加えて、高レベルのシグナルインテグリティも要求されてきている。
【０００３】
特に、高周波対応の特徴をもつＥＢＧＡ（Enhanced Ball Grid Array）パッケージについては、図１のようにＰＫＧ（パッケージ）をマザーボードに実装した状態で１０ＧＨｚの信号伝送を可能にすることを目指す場合、シグナルインテグリティに対する要求は極めて高い。
【０００４】
このＥＢＧＡパッケージにおけるマザーボードとパッケージを接続した時の信号伝送の経路は、マザーボードから信号が入力され、マザーボードのマイクロストリップライン→はんだボールランド（ランド）→はんだボール→パッケージ基板のはんだボールランド（ランド）→マイクロストリップライン→ボンディングワイヤー→ＬＳＩの順に伝送される。
【０００５】
しかしながら、この経路は、はんだボール部の伝送線路の伝送損失に影響を与える。
【０００６】
そこで、図１の伝送経路の矢印（マザーボード・マイクロストリップライン→マザーボード・はんだボールランド（ランド）→はんだボール→パッケージ基板・はんだボールランド（ランド）→パッケージ基板・マイクロストリップライン基板）の信号伝送について、たとえば図２に例示したように、ランド部直下のグラウンド（ＧＮＤ）層にランド部と同径の開口を設けることで、ランド部とＧＮＤ層との間のキャパシタンス成分が減少し、伝送損失に対するはんだボール部の影響を低減でき、よってランド部とマイクロストリップラインとの特性インピーダンス整合を高めることができる（非特許文献１参照）。
【非特許文献１】「伝送線路設計を用いた10GHz-BGAパッケージの開発」、第17回マイクロエレクトロニクスシンポジウム（MES2007）論文集、社団法人エレクトロニクス実装学会、平成19年9月13日
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、マイクロストリップライン構造の微細化や高周波電層化を推し進めるべく、更なるインピーダンスマッチングを図ることが重要である。これは、ＥＢＧＡだけではなく、ＢＧＡにおいても解決すべき事項である。
【０００８】
本発明は、以上の事情に鑑みてなされたものであり、マイクロストリップライン構造を持つ半導体装置において、はんだボールからＩＣまでのパッケージ伝送つまり伝送線路において高いインピーダンスマッチングを実現することのできる配線構造、およびそれを備えた半導体装置を提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するため、本発明の配線構造は、半導体ＬＳＩパッケージをはんだボールを介してマザーボードに実装する半導体装置の配線構造であって、はんだボールのランド下のパッケージＧＮＤ層に、ランド直径と同じ直径を持ち、かつ空気で満たされた開口が設けられていることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の配線構造は、半導体ＬＳＩパッケージをはんだボールを介してマザーボードに実装する構造であって、はんだボールのランド下のパッケージＧＮＤ層に、ランド直径と同じ直径を持ち、かつ基板材料で埋められた開口が設けられていることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の配線構造は、半導体ＬＳＩパッケージをはんだボールを介してマザーボードに実装する半導体装置の配線構造であって、はんだボールのランド下のパッケージＧＮＤ層に、ランド直径とは異なる直径を持つ開口が設けられていることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の配線構造は、前記ランド下にビアを設置して前記パッケージＧＮＤ層に接続していることをも特徴としている。
【００１３】
また、本発明の配線構造は、マザーボードＧＮＤ層に開口が設けられていることをも特徴としている。
また、本発明の配線構造は、パッケージ信号線用のＧＮＤ層とは別の層において、ランドとＧＮＤ層との間の距離を調整するために、前記開口の下に更なるＧＮＤ層が設けられていることをも特徴としている。
【００１４】
また、本発明の配線構造は、パッケージ信号線用のＧＮＤ層と同じ層において、ランドとＧＮＤ層との間の距離を調整するために、窪みが設けられていることをも特徴としている。
【００１５】
以上のとおりの特徴を有する本発明によれば、はんだボール部及びはんだボールランド部の特性インピーダンスをマッチングさせるために、ＧＮＤ部の開口及びＧＮＤとの距離を変更することで、はんだボールランド部とＧＮＤ層との間のキャパシタンス成分を減少させ、高いインピーダンスマッチングを実現することができる。
【００１６】
また、ＧＮＤ開口及び信号とＧＮＤとの距離を変更する配線構造は、はんだボール部だけではなく、ビアにも適用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
［第１実施形態］
図３は、本発明の一実施形態を例示したものである。
【００１８】
図３の実施形態では、一方の面にＧＮＤ層１１、他方の面に信号／電源／ＧＮＤ層１２を備えたフレキシブル基板１に封止材８及び金属バンプ３を介してＩＣ２をフリップチップ接続したパッケージ基板４において、基板配線（信号）４１上に設けたはんだボール４２のランド４３の直下のＧＮＤ／電源層４４に、開口４５が設けられている。ＩＣ２及び基板４の裏面にはＡｇペースト５を介して放熱板６が設けられている。
【００１９】
開口４５についてさらに説明すると、図４に拡大例示したように、開口４５は従来と同様にランド４３の直径Ｗ１と同径Ｗ２を有しているが、本実施形態では、その開口４５を空気等の気体、または基板材料で形成している。すなわち、開口４５内は、気体で満たされた、あるいは基板材料で埋められた構成となっている。
【００２０】
ＧＮＤ層４４に気体で満たした開口４５を設ける場合、ＧＮＤ層４４の材料となる銅などの金属にエッチング、またはレーザー、ドリルによって開口処理を行う。ただし、これによる開口４５については金属の厚み分だけになるので、ＧＮＤ層４４上にある絶縁材料（基板４の材料）には開口４５は無い状態になる。開口したＧＮＤ層４４はそのまま剥き出しの状態なので、開口４５部分には空気などの気体が入ることになる。
【００２１】
基板材料で開口４５を満たす場合では、まず上記と同様に、ＧＮＤ層４４にエッチングまたはレーザー、ドリルなどによって開口処理を行う。次に、開口したＧＮＤ層４４に基板材料を塗布する。このときの厚さは任意である。基板材料を塗布することによって、基板材料は開口４５部分に流れ込み、開口部分が基板材料に埋められた状態となる。
【００２２】
本実施形態について、１０ＧＨｚ以上の高周波信号の通過特性を実測したところ、図５に例示したように、開口４５が空気で形成されていても基板材料で形成されていても、通過特性の向上が見られる。
【００２３】
［第２実施形態］
図６及び図７は、本発明の別の一実施形態を例示したものである。
【００２４】
図６及び図７の実施形態では、開口４５の直径Ｗ２を、ランド４３の直径Ｗ１よりも大きくまたは小さくしている。この場合においても、開口４５を空気で形成し（もちろん基板材料でもよい）、Ｗ１＝６００μｍ＞Ｗ２＝３００μｍ、Ｗ１＝６００μｍ＜Ｗ２＝９００μｍを一例として通過特性を実測したところ、図８に例示したように、Ｗ１＞Ｗ２及びＷ１＜Ｗ２ともに、通過特性の向上が見られる。但し、Ｗ１＜Ｗ２の開口４５の方が大きい場合においてより顕著な効果が得られている。
【００２５】
［第３実施形態］
図９は、本発明の別の一実施形態を例示したものである。
【００２６】
図９の実施形態では、開口４５の直径Ｗ２を、ランド４３の直径Ｗ１よりも大きくすることに加えて、はんだボール４２ないしランド４３の直下にビアを設置して、ＧＮＤ層を介した位置にある、基板４内層にあるストリップライン構造の信号配線４１１（内層信号線）に接続している。図中４３１は内層ランドである。この場合においても、図１０に例示したように通過特性のさらなる向上が見られ、特に約１５ＧＨｚ以上の高周波信号についてＷ１＜Ｗ２のみの場合よりも常により良いｄＢが得られている。
【００２７】
［第４実施形態］
図１１は、本発明のさらに別の一実施形態を例示したものである。
【００２８】
上述した図１〜図１０の実施形態ではパッケージ基板４の信号線用のＧＮＤ層４４に開口４５を設けることでインピーダンスマッチングを図っているが、図１１の実施形態では、マザーボード７側のＧＮＤ層７２にも開口７３を設けて、更なるインピーダンスマッチングを図る。図中７１はマザーボード側の信号層である。
【００２９】
このとき、開口７３を空気で形成し（もちろん基板材料でもよい）、その直径Ｗ３をはんだボール４３の直径Ｗ１及びパッケージ基板４側の開口４５の直径Ｗ２に等しくして、通過特性を実測したところ、図１２に例示したように、マザーボード７側の開口７３の存在により更に一層の高周波信号の通過特性の向上が見られた。
【００３０】
［第５実施形態］
図１３は、本発明のさらに別の一実施形態を例示したものである。
【００３１】
図１３の実施形態では、パッケージ基板４側の開口４５の直径Ｗ２及びマザーボード７側の開口７３の直径Ｗ３を互いに等しくし、且つランド４３の直径Ｗ１よりも大きくしている。この場合においても、Ｗ１＝６００μｍ＜Ｗ２＝Ｗ３＝１０００μｍを一例として通過特性を実測したところ、図１４に例示したように通過特性の向上が見られ、特に前述した図１１の実施形態におけるＷ１＝Ｗ２＝Ｗ３の場合よりも更に良好なｄＢが得られた。
【００３２】
［第６実施形態］
開口４５及び開口７３の直径Ｗ２及びＷ３を上記実施形態よりも更に大きく、１５００μｍとして場合にも、図１５に例示したように通過特性の向上が見られた。
【００３３】
［第７実施形態］
開口４５及び開口７３の直径Ｗ２及びＷ３を上記実施形態よりも更に大きく、１２５０μｍとして場合にも、図１６に例示したように通過特性の向上が見られた。
【００３４】
但し、１５００μｍよりも１２５０μｍの方が特性改善は効果的であり、よって、直径Ｗ２，Ｗ３は直径Ｗ１の２倍程度までとすることが好ましいとも言える。
【００３５】
尚、開口７３の直径Ｗ３をランドの直径Ｗ１より小さくした場合においても、通過特性の向上を図ることができる。
【００３６】
［第８実施形態］
上述したいずれの実施形態においても開口４５も開口７３もランド４３と同じ円形の開口形状を想定しているが、正方形や多角形（六角形や八角形など）の開口形状とすることもできる。
【００３７】
この場合において、１０００μｍ□の開口４５及び開口７３としたところ、図１７に例示したようにやはり通過特性の向上が見られた。但し、円形開口よりも向上レベルが低く、これは、正方形や多角形では角部分におけるランド４３との距離が異なるためと考えられる。したがって、開口４５、７３を設ける場合には、ランド端から開口端が同じ距離あることがより一層好ましい。また、多角形の場合でもより円形に近い多角形の場合は、円形に近い効果が得られる。
【００３８】
より具体的には、たとえば、図１８に例示したように、円形ランド４３の直径と円形開口４５、７３の直径又は正方形または多角形開口４５、７３の辺の大きさを同じにすると、ランド４３及び円形開口４５、７３それぞれの中心からの直径（若しくは半径）上に引かれた線とそれぞれの円弧の交点を、ランド４３の円弧上にて４点（Ａ点とする）、円形開口４５、７３上にて４点（Ｂ点とする）とした時に、直径と同じ辺の長さをもつ正方形／多角形開口４５、７３の４辺には中心点を４点（Ｃ、Ｄ、Ｅ点とする）とることができる。円形直径と正方形辺は同じ長さであるため、Ａ点とＢ点、Ａ点とＣ／Ｄ／Ｅ点は基板材料（つまり絶縁材料）を介して同じ線上にある。この点及び距離については開口４５、７３の形状は関係ない。この時、基板材料厚は伝送線路（つまりマイクロストリップライン）を形成する厚さと変わらないものとする。よって、点間の直線とランド４３及び開口部分４５、７３の金属層との交点は直角となる。
【００３９】
この基板材料厚の前提条件を考えた場合、ランド４３と円形開口４５、７３については、それぞれの円弧上の点（Ａ−Ｂ点）においてはどの円弧上の点を取っても厚さは不変となる。しかし、正方形開口４５，７３との組み合わせの場合、正方形４辺の中心点から移動したとき、ランド４３は円形であるため、円弧上に点が移動するが、正方形は横及び縦のどちらかの方向にしか動かすことができない。このことから、正方形の中心点と円弧の点との間隔において基板材料厚が最も小さく、また、正方形開口４５、７３の４角部分において最も円形ランド４３との距離が大きくなる。
【００４０】
［第９実施形態］
図１９は、本発明のさらにまた別の一実施形態を例示したものである。
【００４１】
図１９の実施形態では、上述したパッケージ基板４の信号線用のＧＮＤ層４４に開口４５を設けることに加えて、ランド４３とＧＮＤ層との間の距離を調整すべく、信号線用のＧＮＤ層４４とは別の層において、開口４５の下に更なるＧＮＤ層４６を設けている。このＧＮＤ層４６の存在により、ランド４３下に位置するＧＮＤ層、つまりＧＮＤ層４６との距離Ｔが変更されて、インピーダンスマッチングを行った層構成が実現される。
【００４２】
［第１０実施形態］
図２０は、本発明のさらにまた別の一実施形態を例示したものである。
【００４３】
図２０の実施形態では、上述した追加のＧＮＤ層４６を開口４５よりも長くし、その両端をビア４７を介して信号線用のＧＮＤ層４４と接続している。
【００４４】
面積の大きいランド４３下のＧＮＤ層４６との距離Ｔ、つまり基板材料厚を大きく取ることによって、ランド部分単体でのインピーダンスマッチングを取る。Ｔについてはランド４３の大きさにより異なる。また、マイクロストリップラインに対するＧＮＤ層４４とランド４３下のＧＮＤ層４６との電位差を抑えるためにビア４７で接続を行い、同じＧＮＤ層面となるようにする。
【００４５】
［第１１実施形態］
図２１は、本発明のさらにまた別の一実施形態を例示したものである。
【００４６】
図２１の実施形態では、上述したＧＮＤ層４４とは別層にて距離Ｔ調整用に設けたＧＮＤ層４６の代わりに、ＧＮＤ層４４と同じ層にて、その一部を基板作製時のプレスなどにより窪み４８を形成して、開口４６を設けると同時に距離Ｔをより多く取れるようにしている。
【００４７】
この場合の電気特性に対する効果は第１０実施形態と同じである。異なるのは、ランド４３と、ランド４３に対するＧＮＤとの距離Ｔをどのようにして作るかということである。第１０実施形態では、専用のＧＮＤ層４６を形成し、ビア４７でマイクロストリップラインに対するＧＮＤ層４４と接続を行い、同じＧＮＤ層として見ている。ただし、工程数およびコストを考えると、専用のＧＮＤ層４６やビア４７を形成することはデメリットになる。第１１実施形態では、そのデメリットを無くするために、ＧＮＤ層４４形成時にプレスなどを用いて、１面の金属層のＧＮＤ層４４のランド４３直下に該当する部分に窪み４８を形成している。このような形成方法により、一面のＧＮＤ層４４内で距離Ｔを広げる窪み４３を形成できるため、専用のＧＮＤ層４６の形成およびビア４７の形成が不要になる。
【００４８】
［第１２実施形態］
図２２は、本発明のさらにまた別の一実施形態を例示したものである。
【００４９】
上記までの配線構造としては、最上面にランド４３及びマイクロストリップラインが形成されており、ランド部分の直下のＧＮＤ層４４に開口４５を設けるという形態としていた。これに対し図２２の実施形態では、ランド４３のみが最上面に形成されており、伝送路部分のマイクロストリップライン４１０は基板４の材料（つまり絶縁材料）中に形成される形態としている（このときの伝送線路は、マイクロストリップラインからエンデベットマイクロストリップラインになる）。また図２２では最下層がＧＮＤ層になる。このとき、ランド４３と伝送線路４１０はランド４３直下（もしくはランド４３脇）に形成されたビア４９で接続される。このビア４９の部分にはまたランドを形成する必要があり、そのため、ビア４９用のランド径分だけＧＮＤ層４４に開口４５を設けている。この場合の開口径もビア４９のランド径と同等以上とする。
【００５０】
なお、ビア４９については、ランド４３や伝送線路４１０の材料と同じ金属で形成したもの、開口処理だけ行ってその外壁のみ金属を形成して接続し、その内側は基板材料で埋められたもの、などの形態を取り得る。
【００５１】
また、図２２のようにマイクロストリップラインから基板４中に埋め込んだエンデベットマイクロストリップライン４１０にする理由は、空気層と接しているマイクロストリップラインでは、信号を空気中に電波として放出してしまい損失が大きくなる可能性があるのに対し、これを基板中に埋め込むことで電波としての放出を抑えることができるためである。
【００５２】
［第１３実施形態］
図２３は、第１の実施形態を改良した本発明の一実施形態を例示したものである。
【００５３】
図２３の実施形態では、フレキシブル基板１のフリップチップ接続において、エポキシ系樹脂等の放熱性の高い樹脂でなる封止材８を、フレキシブル基板１とＩＣ２及びパッケージ基板４との間に充填している。これによれば、放熱性をより高めることができる。
【００５４】
［第１４実施形態］
図２４は、第１の実施形態をマルチチップ化した本発明の一実施形態を例示したものである。
【００５５】
図２４の実施形態では、フレキシブル基板１がフリップチップ接続される追加のＩＣ２１が備えられ、追加のＩＣ２１に位置するＩＣ２はパッケージ基板４にワイヤ９によりボンディングされている。パッケージ基板４にはこのＩＣ２が接続される更なる基板配線（信号）４１１およびＧＮＤ／電源層４１２も積層されている。
【００５６】
以上の実施形態はＥＢＧＡ／ＢＧＡの区別なく適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】従来のＥＢＧＡパッケージ実装について説明するための図。
【図２】従来のＥＢＧＡパッケージ実装における伝送経路について説明するための図。
【図３】本発明の第１実施形態を示す断面概念図。
【図４】本発明の第１実施形態を示す別の断面概念図。
【図５】第１実施形態における通過特性の実測例を示す図。
【図６】本発明の第２実施形態を示す断面概念図。
【図７】本発明の第２実施形態を示す別の断面概念図。
【図８】第２実施形態における通過特性の実測例を示す図。
【図９】本発明の第３実施形態を示す断面概念図。
【図１０】第３実施形態における通過特性の実測例を示す図。
【図１１】本発明の第４実施形態を示す断面概念図。
【図１２】第４実施形態における通過特性の実測例を示す図。
【図１３】本発明の第５実施形態を示す断面概念図。
【図１４】第５実施形態における通過特性の実測例を示す図。
【図１５】第６実施形態における通過特性の実測例を示す図。
【図１６】第７実施形態における通過特性の実測例を示す図。
【図１７】第８実施形態における通過特性の実測例を示す図。
【図１８】第８実施形態について説明するための図。
【図１９】本発明の第９実施形態を示す断面概念図。
【図２０】本発明の第１０実施形態を示す断面概念図。
【図２１】本発明の第１１実施形態を示す断面概念図。
【図２２】本発明の第１２実施形態を示す断面概念図。
【図２３】本発明の第１３実施形態を示す断面概念図。
【図２４】本発明の第１４実施形態を示す断面概念図。
【符号の説明】
【００５８】
１  フレキシブル基板
１１  ＧＮＤ層
１２  信号／電源／ＧＮＤ層
２  ＩＣ
２１  ＩＣ
３  金属バンプ
４  パッケージ基板
４１  基板配線（信号）
４１１  配線（内層信号線）
４２  はんだボール
４３  ランド
４３１  ランド（内層ランド）
４４  ＧＮＤ／電源層
４５  開口
４６  ＧＮＤ層
４７  ビア
４８  窪み
４９  ビア
４１０  基板配線（信号）
４１１  基板配線（信号）
４１２  ＧＮＤ／電源層
５  Ａｇペースト
６  放熱板
７  マザーボード基板
７１  信号層
７２  ＧＮＤ層
７３  開口
８  封止材
９  ワイヤ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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