(57)【要約】【課題】筐体基板と誘電体基板との接触状態に関係なく、誘電体基板間での良好な高周波信号の伝搬特性を実現する。【解決手段】マイクロストリップ導体３ａ、３ｂと、一対のグランド導体４ａ、４ｂ、５ａ、５ｂとが表面に形成され、べたのグランド導体７、８が裏面に形成され、表面のグランド導体４ａ、４ｂ、５ａ、５ｂおよび裏面のグランド導体７、８間をグランドビア９ａ、９ｂ、１０ａ、１０ｂで接続した２つの誘電体基板１、２と、筐体基板１１とを備え、２つの誘電体基板１，２の表層に形成されたマイクロストリップ導体３ａ、３ｂ同士および一対のグランド導体４ａ、４ｂ、５ａ、５ｂ同士を接続導体６ａ〜６ｃで接続した高周波実装構造において、２つの誘電体基板１、２の裏面には、基板端部からグランドビア９ａ、９ｂ、１０ａ、１０ｂの手前位置までの領域以外にグランド導体を形成し、前記領域では誘電体を露出させる。【選択図】        図１
2010004294.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロストリップ導体と、このマイクロストリップ導体を挟むように形成された一対のグランド導体とが表面に形成され、べたのグランド導体が裏面に形成され、表面のグランド導体および裏面のグランド導体間をグランドビアで接続した２つの誘電体基板と、前記２つの誘電体基板が搭載される筐体基板とを備え、前記２つの誘電体基板の表層に形成されたマイクロストリップ導体同士および一対のグランド導体同士を接続導体で接続した高周波実装構造において、
前記２つの誘電体基板の裏面には、他方の誘電体基板に対向する基板端部からグランドビアの手前位置までの領域以外にグランド導体を形成し、前記領域では誘電体を露出させるようにしたことを特徴とする高周波実装構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、離間配置された２つの誘電体基板上に形成されたマイクロストリップ線路を接続するための高周波実装構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
マイクロストリップ線路は、誘電体基板の表面に形成されたマイクロストリップ導体および誘電体基板の裏面に形成された接地導体によって構成されている。このようなマイクロストリップ線路が形成された２つの離間配置された誘電体基板を接続するには、通常、導体片やボンディングワイヤが用いられる。
【０００３】
特許文献１では、表面にマイクロストリップ導体を備え、裏面に接地導体を備えた２つの誘電体基板における対向するマイクロストリップ導体間を接続導体で接続する際に、マイクロストリップ導体の両側に沿って接地パッドを形成し、誘電体基板を貫通するビアを用いて裏面の接地導体と表面の接地パッドとを接続し、対向する接地パッド間を接続導体で接続し、接続導体の上面に接続フィルムを着接するようにしている。
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−４９５０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来技術においては、誘電体基板の表裏に形成した接地導体と接地パッドを接続するビアが基板端部からどの程度の距離をもった位置に配設されているか、あるいは誘電体基板を筐体へネジ止め等行う場合に誘電体基板の裏面の筐体への接触状態が不明であるにも関わらず、誘電体基板の裏面に形成された接地導体は、常に、２つの誘電体基板が対向する側の基板端部まで形成されていた。この場合、誘電体基板の裏面端部の接地導体が常に筐体と接触状態であれば、高周波信号の伝送は広帯域で良好であるが、環境条件等で誘電体基板の裏面の接地導体と筐体間に非接触となる隙間が発生した場合、隙間の程度により高周波信号の伝送は、ある周波数で著しく劣化する特異点を有するという課題があった。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、筐体基板と誘電体基板との接触状態に関係なく、２つの誘電体基板間での良好な高周波信号の伝搬特性を実現する高周波実装構造を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、マイクロストリップ導体と、このマイクロストリップ導体を挟むように形成された一対のグランド導体とが表面に形成され、べたのグランド導体が裏面に形成され、表面のグランド導体および裏面のグランド導体間をグランドビアで接続した２つの誘電体基板と、前記２つの誘電体基板が搭載される筐体基板とを備え、前記２つの誘電体基板の表層に形成されたマイクロストリップ導体同士および一対のグランド導体同士を接続導体で接続した高周波実装構造において、前記２つの誘電体基板の裏面には、他方の誘電体基板に対向する基板端部からグランドビアの手前位置までの領域以外にグランド導体を形成し、前記領域では誘電体を露出させるようにしたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、２つの誘電体基板の裏面には、他方の誘電体基板に対向する基板端部からグランドビアの手前位置までの領域以外にグランド導体を形成し、前記領域では誘電体を露出させるようにしたので、筐体基板と誘電体基板との接触状態に関係なく、誘電体基板間での良好な高周波信号の伝搬特性を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下に、本発明にかかる高周波実装構造の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１０】
実施の形態１．
図１は、本発明にかかる高周波実装構造の実施の形態の構成を示す斜視図である。図１において、筐体基板１１には、２つの誘電体基板１、２が側面を対向配置するように、間隔をおいて配設されている。
【００１１】
第１誘電体基板１の表層面には、マイクロストリップ線路を構成するマイクロストリップ導体３ａが形成されている。第１誘電体基板１の表層面において、第２誘電体基板２と対向する側の基板端部には、マイクロストリップ導体３ａの挟むように、一対のグランドパッド４ａ，４ｂが形成されている。第１誘電体基板の裏面には、マイクロストロック線路を構成するグランド導体７が形成されている。表層のグランドパッド（グランド導体）４ａ，４ｂと、裏面のグランド導体７とは、グランドビア９ａ，９ｂによって接続されている。
【００１２】
第２誘電体基板２の表層面には、マイクロストリップ線路を構成するマイクロストリップ導体３ｂが形成されている。第２誘電体基板２の表層面において、第１誘電体基板１と対向する側の基板端部には、マイクロストリップ導体３ｂの挟むように、一対のグランドパッド５ａ，５ｂが形成されている。第２誘電体基板の裏面には、マイクロストロック線路を構成するグランド導体８が形成されている。表層のグランドパッド（グランド導体）５ａ，５ｂと、裏面のグランド導体８とは、グランドビア１０ａ，１０ｂによって接続されている。
【００１３】
第１誘電体基板１のマイクロストリップ導体３ａと第２誘電体基板２のマイクロストリップ導体３ｂとは、接続導体６ａによって接続されている。第１誘電体基板１のグランドパッド４ａと第２誘電体基板２のグランドパッド５ａとは、接続導体６ｃによって接続されている。第１誘電体基板１のグランドパッド４ｂと第２誘電体基板２のグランドパッド５ｂとは、接続導体６ｂによって接続されている。
【００１４】
図２は、図１のＡ−Ａ断面を示すものである。図１、図２に示すように、第１誘電体基板１の裏面においては、グランドビア９ａ，９ｂとの接続部までベタグランドとしてグランド導体７が形成され、第２誘電体基板２と対向する側の基板端部からグランドビア９ａ，９ｂの手前位置までの領域にはグランド導体７は形成されておらず、誘電体が露出されている。同様に、第２誘電体基板２の裏面においては、グランドビア１０ａ，１０ｂとの接続部までベタグランドとしてグランド導体８が形成され、第１誘電体基板１と対向する側の基板端部からグランドビア１０ａ，１０ｂの手前位置までの領域にはグランド導体８は形成されておらず、誘電体が露出されている。
【００１５】
このように本実施の形態においては、誘電体基板の裏面においては、他方の誘電体基板と対向する基板端部からグランドビアの手前位置までの領域には、グランド導体を形成しないようにしているので、誘電体基板１、２の裏面と筐体基板１１との接触状態にかかわらず、高周波信号のリターン電流は、基板裏面のグランド導体７からグランド９ａ，９ｂ、基板表面のグランドパッド４ａ，４ｂ、接続導体６ｃ，６ｂ、表層のグランドパッド５ａ，５ｂ、グランドビア１０ａ，１０ｂ、基板裏面のグランド導体８へと伝播されることとなり、異なる基板間での良好な伝送特性を得ることができる。
【００１６】
図４は、例えば、特許文献１に示された従来技術を示すものである。図４において、１００は誘電体基板、１０１は表層のグランド導体、１０２はグランドビア、１０３は裏面のべたグランド導体、１０４は筐体基板、１０５は接続導体である。図４に示すように、従来技術においては、誘電体基板１００の裏面にべた形成されたグランド導体１０３は、誘電体基板１００の裏面全面に形成されている。このため、図４に示すように、環境条件等で誘電体基板の裏面のグランド導体１０３と筐体基板１０４間に非接触となる隙間１０６が発生した場合、隙間の程度により高周波信号の伝送特性は、図６に示すような、ある周波数ｆ０で著しく劣化する特異点を有することがある。
【００１７】
すなわち、従来技術の場合、リターン電流の大半は、図４の矢印で示すように、グランド導体１０３→グランドビア１０２→グランド導体１０１→接続導体１０５→グランド導体１０１→グランドビア１０２→グランド導体１０３と流れる。ただし、この際、一部漏れ電流が筐体基板１０４を伝播する事となるが、この時、両誘電体基板１００のグランド導体１０３が筐体基板１０４と十分接触状態に保たれていれば通過特性に特異点は発生しない。しかし、図４に示すように、グランド導体１０３が形成されたままの基板端面が筐体基板１０４と非接触状態となって隙間１０６が発生した場合、この隙間１０６部分に形成されたグランド導体１０７にもリターン電流が流れることになるが、これはリターン電流経路に先端開放のスタブが付加されたものと同等である。
【００１８】
図５に先端オープンスタブの等価回路及びインピーダンスＺを示す。
Ｚ＝−ｊＺ０×ｃｏｔ（２πＬ／λ）
Ｚｏ及びスタブ長Ｌは基板裏面のグランド導体非接触状態により特定される定数であり、ある特定の周波数において、インピーダンスＺ＝０Ωとなり、この結果、通過特性に、図６に示したような特異点を生じさせる原因となる。
【００１９】
これに対し、本実施の形態においては、誘電体基板の裏面においては、他方の誘電体基板と対向する基板端部からグランドビアの手前位置までの領域には、グランド導体を形成しないようにしているので、基板裏面の筐体１１との接触状態にかかわらず、高周波信号のリターン電流は上述したように正当な経路のみを流れ、高周波信号の伝送特性（通過特性）は、図３に示すように、特定の周波数で特性劣化することがない平坦な特性となる。
【産業上の利用可能性】
【００２０】
以上のように、本発明にかかる高周波実装構造は、マイクロストリップ線路が形成された２つの誘電体基板を接続するため実装構造として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】この発明にかかる高周波実装構造の実施の形態を示す斜視図である。
【図２】この発明にかかる高周波実装構造の実施の形態を示す断面図である。
【図３】実施の形態の実装構造の通過特性を示す図である。
【図４】従来技術を示す断面図である。
【図５】先端オープンスタブの等価回路を示す図である。
【図６】従来技術において基板裏面が筐体と非接触となった場合の通過特性を示す図である。
【符号の説明】
【００２２】
１，２  誘電体基板
３ａ，３ｂ  マイクロストリップ導体
４ａ，４ｂ  グランドパッド
５ａ，５ｂ  グランドパッド
６ａ〜６ｂ  接続導体
７，８  グランド導体
９ａ，９ｂ  グランドビア
１０ａ，１０ｂ  グランドビア
１１  筐体基板
【図１】
2010004294.tif 000003
【図２】
2010004294.tif 000004
【図３】
2010004294.tif 000005
【図４】
2010004294.tif 000006
【図５】
2010004294.tif 000007
【図６】
2010004294.tif 000008