(57)【要約】【課題】インターポーザとマザーボードとの間にアンダーフィルを充填し硬化させる作業等の補強作業を実行することなく、電子機器の信頼性を向上させることが可能な、インターポーザ、及びインターポーザの電極と半田ボールとの半田接合部の接合構造を提供する。【解決手段】インターポーザ１の外部接続電極２は、銅からなる第１金属層２ａとニッケルからなる第２金属層２ｂと金からなる第３金属層２ｃがこの順に積層された積層体を有して、表面が第３金属層２ｃとなるように形成されている。インターポーザ１の外部接続電極２と半田ボール４０とが接合された半田接合部５０において、外部接続電極２と半田ボール４０との界面で、第１金属層２ａの銅と、第２金属層２ｂのニッケルと、半田ボール４０に含まれるスズとによって、銅−ニッケル−スズ合金を形成している。【選択図】図１
2010262960.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部電極と接続するための外部接続電極を有したインターポーザであって、
前記外部接続電極は、銅からなる第１金属層と、ニッケルからなる第２金属層と、金からなる第３金属層がこの順に積層され、表面が前記第３金属層となるように形成された積層体を有し、
前記積層体の前記第２金属層は、前記外部接続電極にスズを含む半田ボールを接合した半田接合部において、前記外部接続電極と前記半田ボールとの界面で、銅−ニッケル−スズ合金を形成する厚さを有していることを特徴とするインターポーザ。
【請求項２】
前記積層体の前記第２金属層の厚さは、２μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のインターポーザ。
【請求項３】
前記積層体の前記第２金属層の厚さは、１μｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載のインターポーザ。
【請求項４】
インターポーザの外部接続電極と半田ボールとが接合された半田接合部の接合構造であって、
前記外部接続電極は、銅からなる第１金属層と、ニッケルからなる第２金属層と、金からなる第３金属層がこの順に積層され、表面が前記第３金属層となるように形成された積層体を有し、
前記積層体の前記第２金属層の厚さを薄くして、前記半田接合部において、前記外部接続電極とスズを含む前記半田ボールとの界面で、銅−ニッケル−スズ合金を形成することを特徴とする半田接合部の接合構造。
【請求項５】
前記積層体の前記第２金属層の厚さは、２μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載の半田接合部の接合構造。
【請求項６】
前記積層体の前記第２金属層の厚さは、１μｍ以下であることを特徴とする請求項５に記載の半田接合部の接合構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インターポーザ、及びインターポーザの外部接続電極と半田ボールとが接合された半田接合部の接合構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話、デジタルカメラ、液晶ディスプレイに代表される電子機器においては、小型化、薄肉化、高機能化の要請から、これら電子機器に搭載される半導体チップ等の電子デバイスとマザーボードとを接続するためにインターポーザが用いられている。
【０００３】
従来、電子デバイスを実装したインターポーザの電極とマザーボードの電極との間の接続は半田ボールを使用して行われる。また、インターポーザの配線には銅が用いられることが多く、インターポーザの銅によって形成された配線上に積層されるインターポーザの電極はニッケル及び金で形成されることが多い（例えば、特許文献１を参照）。電極の金と配線の銅の間に、ニッケルの金属層を設けているのは、近年、配線の銅の金属層が箔薄化し、半田ボールと電極とを接合したとき、ニッケル層がないと、非常に薄い金が、すぐに半田の中に拡散して無くなり、銅と半田の接合となり、半田の中に銅が拡散して無くなってしまうためである。これを防止するために電極の金と配線の銅の間に、ニッケルの金属層を設けている。
【０００４】
一般に、銅とニッケルの界面の密着性が悪いことが知られており、そのため、配線の銅と電極のニッケルとの密着性を高めるとともに、銅の表面の酸化を防止するために、銅とニッケルの間にニッケル−クロム合金の金属下地層を介して、銅によって形成された配線上に、インターポーザの電極のニッケル及び金の金属層を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３４０８６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のようなインターポーザの電極と、スズが多く含まれる鉛フリーの半田ボールとを接合する場合に、金属下地層に含まれるクロムと半田ボールに含まれるスズとの接合性が悪いために、電極のニッケル層の厚さを５μｍ〜１０μｍにして、インターポーザの電極と半田ボールの界面で、ニッケル−スズ合金を形成していた。
しかしながら、ニッケル−スズ合金は接合強度が小さいため、例えば、外部環境の変化によって、電子デバイスを実装したインターポーザの熱膨張係数とマザーボードとの熱膨張係数の間に差ができ、この差によって生じた応力が半田ボールへ加わることにより、インターポーザの電極と半田ボールの間にクラックが生じ、インターポーザを使用した電子機器の信頼性を低下させてしまう問題があった。
また、上記のような電子機器の信頼性の低下を解決するために、インターポーザとマザーボードとの間にアンダーフィル材を充填し硬化させる作業等の補強作業を行なわなければならず、工数およびコストがかかるという問題があった。
【０００７】
そこで、本発明は、以上のような問題点を解決するためになされたもので、インターポーザとマザーボードとの間にアンダーフィル材を充填し硬化させる作業等の補強作業を実行することなく、電子機器の信頼性を向上させることが可能なインタポーザ、及びインターポーザの電極と半田ボールとの半田接合部の接合構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した従来の問題点を解決すべく下記の発明を提供する。
本発明の第１の態様にかかるインターポーザは、外部電極と接続するための外部接続電極を有したインターポーザであって、前記外部接続電極は、銅からなる第１金属層と、ニッケルからなる第２金属層と、金からなる第３金属層がこの順に積層され、表面が前記第３金属層となるように形成された積層体を有し、前記積層体の前記第２金属層は、前記外部接続電極にスズを含む半田ボールを接合した半田接合部において、前記外部接続電極と前記半田ボールとの界面で、銅−ニッケル−スズ合金を形成する厚さを有していることを特徴とする。
【０００９】
本発明の第２の態様にかかるインターポーザは、本発明の第１の態様にかかるインターポーザにおいて、前記積層体の前記第２金属層の厚さが、２μｍ以下であることを特徴とする。
【００１０】
本発明の第３の態様にかかるインターポーザは、本発明の第１の態様にかかるインターポーザにおいて、前記積層体の前記第２金属層の厚さが、１μｍ以下であることを特徴とする。
【００１１】
本発明の第１の態様にかかる半田接合部の接合構造は、インターポーザの外部接続電極と半田ボールとが接合された半田接合部の接合構造であって、前記外部接続電極は、銅からなる第１金属層と、ニッケルからなる第２金属層と、金からなる第３金属層がこの順に積層され、表面が前記第３金属層となるように形成された積層体を有し、前記積層体の前記第２金属層の厚さを薄くして、前記半田接合部において、前記外部接続電極とスズを含む前記半田ボールとの界面で、銅−ニッケル−スズ合金を形成することを特徴とする。
【００１２】
本発明の第２の態様にかかる半田接合部の接合構造は、本発明の第１の態様にかかる半田接合部の接合構造において、前記積層体の前記第２金属層の厚さが、２μｍ以下であることを特徴とする。
【００１３】
本発明の第３の態様にかかる半田接合部の接合構造は、本発明の第１の態様にかかる半田接合部の接合構造において、前記積層体の前記第２金属層の厚さが、１μｍ以下であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、インターポーザの電極と半田ボールとが接合された半田接合部において、インターポーザの電極と半田ボールの界面で、接合強度の大きい銅−ニッケル−スズ合金を形成し、これにより、例えば、外部環境の変化によって応力が半田ボールへ加わった場合であっても、インターポーザの電極と半田ボールの間のクラックを抑制し、インターポーザを使用した電子機器の信頼性を向上させることができる。また、アンダーフィル材を充填し硬化させる作業等の電子機器の信頼性を向上させるための補強作業を実行する必要がなく、工数及びコストのかからない信頼性の高い電子機器を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施形態に係る半田接合部の接合構造の一例を模式的に示した断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係るインターポーザ１の一例を模式的に示した断面図である。
【図３】図２のインターポーザ１の製造方法を説明するための図である。
【図４】図２のインターポーザ１の製造方法を説明するための図３に続く図である。
【図５】図２のインターポーザ１の製造方法を説明するための図４に続く図である。
【図６】図２のインターポーザ１の製造方法を説明するための図５に続く図である。
【図７】実施例における破断強度の測定結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
まず、本発明の実施形態に係る半田接合部の接合構造について説明する。図１は、本発明の実施形態に係る半田接合部の接合構造の一例を模式的に示した断面図である。
【００１７】
図１に示すように、本発明の実施形態に係る半田接合部５０の接合構造は、インターポーザ１の外部接続電極２と半田ボール４０とが接合された半田接合部５０において、外部接続電極２と半田ボール４０との界面で、銅−ニッケル−スズ合金を形成している。
本発明の実施形態に係る半田接合部５０の接合構造を構成するために使用したインターポーザ１は、マザーボードの電極等の外部電極と接続するための外部接続電極２を有している。外部接続電極２は、銅からなる第１金属層２ａと、ニッケルからなる第２金属層２ｂ、と金からなる第３金属層２ｃがこの順に積層された積層体を有して、表面が第３金属層２ｃとなるように形成されている。
【００１８】
外部接続電極２の第２金属層２ｂの厚さは、インターポーザ１の外部接続電極２と半田ボール４０とを溶融接合したとき、第１金属層２ａの銅と、第２金属層２ｂのニッケルと、半田ボール４０に含まれるスズとが化合物を生成する厚さを有している。外部接続電極２の第２金属層２ｂの厚さの厚さは、好ましくは２μｍ以下であり、より好ましくは、１μｍ以下である。
【００１９】
上記のインターポーザ１を使用して、インターポーザ１の外部接続電極２と半田ボール４０とを溶融接合したとき、半田接合部５０において、外部接続電極２と半田ボール４０との界面で、第１金属層２ａの銅と、第２金属層２ｂのニッケルと、半田ボール４０に含まれるスズとによって、銅−ニッケル−スズ合金を形成している。
【００２０】
銅−ニッケル−スズ合金の接合強度は大きく、インターポーザ１の外部接続電極２と半田ボール４０とが接合された半田接合部５０において、例えば、外部環境の変化によって、電子デバイス３０を実装したインターポーザ１の熱膨張係数とマザーボードとの熱膨張係数の間に差ができ、この差によって生じた応力が半田ボール４０へ加わった場合であっても、インターポーザ１の外部接続電極２と半田ボール４０の間に発生するクラックを抑制することができ、インターポーザ１を使用した電子機器の信頼性を向上させることができる。
【００２１】
また、従来のように、インターポーザ１とマザーボードとの間にアンダーフィル材を充填し硬化させる作業等の補強作業を行なうことを必要とせず、電子機器の製造工数およびコストを低減させることができる。
【００２２】
次に、本発明の実施形態に係るインターポーザについて説明する。図２は、本発明の実施形態に係るインターポーザ１の一例を模式的に示した断面図である。尚、本実施形態は、電子デバイス３０が実装された状態のインターポーザ１を示している。
【００２３】
図２に示すように、本発明の実施形態に係るインターポーザ１は、マザーボードの電極等の外部電極と接続するための外部接続電極２を有している。
【００２４】
外部接続電極２は、銅からなる金属層によって形成された配線パターン８に、金属下地層９を介して、ニッケルからなる第１表面金属層６ａと金からなる第２表面金属層６ｂが積層された表面電極層６を有している。また、金属下地層９は、銅からなる第１金属下地層９ａとニッケルからなる第２金属下地層９ｂが積層された積層体である。
【００２５】
従って、外部接続電極２は、配線パターン８の銅からなる金属層と、銅からなる第１金属下地層９ａと、ニッケルからなる第２金属下地層９ｂと、ニッケルからなる第１表面金属層６ａと、金からからなる第２表面金属層６ｂとがこの順に積層されて積層体を有している。
【００２６】
即ち、配線パターン８の銅からなる金属層と銅からなる第１金属下地層９ａとによって構成された第１金属層２ａと、ニッケルからなる第２金属下地層９ｂとニッケルからなる第１表面金属層６ａとによって構成された第２金属層２ｂと、金からなる第２表面金属層６ｂ（以下、第３金属層２ｃという）とが、この順に積層された積層体を有し、表面が第３金属層２ｃとなるように形成されている。
【００２７】
また、図２に示すように、インターポーザ１は、フリップチップ接続によって半導体チップ等の電子デバイス３０を実装しており、電子デバイス３０とインターポーザ１との間に樹脂３１が封止されて、外部接続電極２は樹脂３１を内包した樹脂突起電極となっている。
【００２８】
外部接続電極２の第２金属層２ｂの厚さは、インターポーザ１の外部接続電極２と半田ボール４０とを溶融接合したとき、外部接続電極２と半田ボール４０とが接合され半田接合部５０において、第１金属層２ａの銅と、第２金属層２ｂのニッケルと、半田ボール４０に含まれるスズとによって、銅−ニッケル−スズ合金を生成する厚さを有している。外部接続電極２の第２金属層２ｂの厚さは、好ましくは２μｍ以下であり、より好ましくは、１μｍ以下である。
【００２９】
銅−ニッケル−スズ合金の接合強度は大きく、インターポーザ１の外部接続電極２と半田ボール４０とが接合された半田接合部５０において、例えば、外部環境の変化によって、電子デバイス３０を実装したインターポーザ１の熱膨張係数とマザーボードとの熱膨張係数の間に差ができ、この差によって生じた応力が半田ボールへ加わった場合であっても、インターポーザ１の外部接続電極２と半田ボール４０の間に発生するクラックを抑制することができ、インターポーザ１を使用した電子機器の信頼性を向上させることができる。
【００３０】
また、従来のように、インターポーザ１とマザーボードとの間にアンダーフィル材を充填し硬化させる作業等の補強作業を行なうことを必要とせず、電子機器の製造工数およびコストを低減させることができる。
【００３１】
本実施形態に係る半田接合部の接合構造に使用したインターポーザ１、及び、本実施形態に係るインターポーザ１において、電子デバイス３０が実装されたインターポーザ１の外部接続電極２は、上述したように樹脂３１を内包した樹脂突起電極を例に挙げているが、配線パターンの上に形成した銅ポストタイプの外部接続電極を有したインターポーザであっても良い。即ち、ニッケル層の厚さを薄くして、インターポーザの外部接続電極と半田ボールとを接合した半田接合部において、ニッケルと、銅ポストを構成する銅の金属層と、半田ボールに含まれるスズとによって、インターポーザの外部接続電極と半田ボールとの界面で、銅−ニッケル−スズ合金を形成し、インターポーザの外部接続電極と半田ボールの半田接合部の接合強度を大きくするようにしても良い。
【００３２】
次に、図３から図６を参照して、本発明の実施形態に係るインターポーザ１の製造方法について詳細を説明する。本実施形態に係るインターポーザ１は、ロール状に巻いた長尺の基材を送り出し搬送させる過程で、回路パターンを形成し、再びロール状に巻き取るロールツーロール方式により、製造される。
【００３３】
図３に示すように、まず、金属箔である厚さ３５μｍの銅箔５ａに剥離層５ｂを介して金属極薄箔である厚さ５μｍの極薄銅箔５ｃが接着されたキャリア付きプリント配線基板２０のキャリア層であるピーラブル銅箔５を用意し、ピーラブル銅箔５の長手方向両端部に、ピーラブル銅箔５を送り出し搬送するローラに係止するための穴１１をパンチングにより所定間隔で開ける（ステップ１：Ｓ１）。
【００３４】
次に、ピーラブル銅箔５の表面に厚さ５０μｍの感光性カバーレイ１２をラミネートする（ステップ２：Ｓ２）。そして、外部接続電極２に対応するパターンのマスクをして、感光性カバーレイ１２を露光、現像することにより、外部接続電極２が形成される位置１３の感光性カバーレイ１２を除去し、さらにＵＶキュア、加熱キュアの処理を行うことにより感光性カバーレイ１２を完全に硬化させる（ステップ３：Ｓ３）。これにより、ピーラブル銅箔５の表面には、絶縁層７が形成される。
【００３５】
次に、電気めっきを行うに先立ち、ピーラブル銅箔５の絶縁層７が形成された面と逆側の面に、めっきが付着しないように保護する保護用ドライフィルム１４をラミネートする（ステップ４：Ｓ４）。そして、電気めっきにより、厚さが０．１５μｍ〜０．５０μｍとなるように金の第２表面金属層６ｂ（図２参照）を形成し、電気めっきにより、第２表面金属層６ｂの上に、ニッケルの第１表面金属層６ａ（図２参照）を形成することにより、外部接続電極２の表面電極層６が形成される（ステップ５：Ｓ５）。
【００３６】
次に、図４に示すように、外部接続電極２の表面電極層６及び絶縁層７の上に、ニッケルをスパッタリングして第２金属下地層９ｂ（図２参照）を形成し、第２金属下地層９ｂの上に、銅をスパッタリングして第１金属下地層９ａ（図２参照）を形成することにより、金属下地層９を形成する（ステップ６：Ｓ６）。なお、金属下地層９はスパッタリングに限らず、たとえば無電解めっきにより形成してもよい。また、第１表面金属層６ａと第２金属下地層９ｂとによって形成されるニッケル層の厚さは、２μｍ以下であり、より好ましくは、１μｍ以下である。
【００３７】
その後、金属下地層９の表面に、ドライフィルム１５をラミネートし（ステップ７：Ｓ７）、所望の配線パターン８に対応するパターンのマスクをして、ドライフィルム１５を露光、現像する（ステップ８：Ｓ８）。
【００３８】
次に、電気めっきにより、銅１６をめっきする（ステップ９：Ｓ９）。そして、金属下地層９の表面に形成されたドライフィルム１５を除去し（ステップ１０：Ｓ１０）、さらに、ドライフィルム１５が除去された位置において絶縁層７の表面に形成されている金属下地層９を除去する（ステップ１１：Ｓ１１）。これにより、所望の配線パターン８が形成される。
【００３９】
次に、図５に示すように、配線パターン８および絶縁層７の表面にドライフィルム１７をラミネートする（ステップ１２：Ｓ１２）。そして、バンプ１０を形成する位置に対応するパターンのマスクをしてこのドライフィルム１７を露光、現像するとともに、ステップ４でピーラブル銅箔５の裏面にラミネートした保護用ドライフィルム１４を露光、現像し、ドライフィルム１７が除去された位置に、電気めっきによりスズ−銀合金層を形成する（ステップ１３：Ｓ１３）ことにより、バンプ１０が形成される。
【００４０】
その後、ドライフィルム１７および保護用ドライフィルム１４を剥離し除去することにより、キャリア付きプリント配線基板２０を形成する（ステップ１４：Ｓ１４）。
【００４１】
次に、図６に示すように、キャリア付きプリント配線基板２０と半導体チップ等の電子デバイス３０のバンプ３２とをフリップチップ接続することによって、キャリア付きプリント配線基板２０に半導体チップ等の電子デバイス３０を実装する（ステップ１５：Ｓ１５）。このとき、電子デバイス３０とキャリア付きプリント配線基板２０との間に樹脂３１が封止されて、外部接続電極２は樹脂３１を内包した樹脂突起電極となっている。
【００４２】
最後に、銅箔５ａを剥離層５ｂとともに極薄銅箔５ｃから剥離して、極薄銅箔５ｃをエッチングにより除去することにより、ピーラブル銅箔５を除去する（ステップ１６：Ｓ１６）。これにより、図２に示したような、電子デバイス３０を実装した本発明の実施形態に係るインターポーザ１が製造される。
【００４３】
その後、半田ボール４０と、インターポーザ１の外部接続電極２とを溶融接合することにより、図１に示したように、外部接続電極２と半田ボール４０との半田接合部５０において、部接続電極２と半田ボール４０との界面で、銅−ニッケル−スズ合金を形成する。
【００４４】
（実施例）
次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。本発明の実施例により、上記の本発明の実施形態に係る半田接合部の接合構造の効果を明確に説明する。
【００４５】
（インターポーザの作製）
まず、図３から図６に示した方法により、外部接続電極２のニッケルからなる第２金属層２ｂが下記の表１に示す厚さとなる実施例１及び実施例２に係るインターポーザ１、及び、外部接続電極２のニッケルからなる第２金属層２ｂが下記の表１に示す厚さとなる比較例１及び比較例２に係るインターポーザを作製する。
【００４６】
実施例１に係るインターポーザ１は、外部接続電極２のニッケルからなる第２金属層２ｂが１μｍである。
実施例２に係るインターポーザ１は、外部接続電極２のニッケルからなる第２金属層２ｂが２μｍである。
【００４７】
比較例１に係るインターポーザは、外部接続電極２のニッケルからなる第２金属層２ｂが５μｍである。
比較例２に係るインターポーザは、外部接続電極２のニッケルからなる第２金属層２ｂが１０μｍである。
【００４８】
（半田接合部の形成）
半田接合部は、実施例１及び実施例２に係るインターポーザ１の外部接続電極２上、及び、比較例１及び比較例２に係るインターポーザの外部接続電極２上に半田ボール４０を載置し、窒素リフロー炉にて、１６０±１０℃で６０秒加熱し、その後、２２０℃以上で３０秒（ピーク温度２５０℃）溶融接合を行い、実施例１及び実施例２に係るインターポーザ１の外部接続電極２と半田ボール４０とが接合された半田接合部５０、及び、比較例１及び比較例２に係るインターポーザの外部接続電極と半田ボール４０とが接合された半田接合部を形成した。
【００４９】
（半田接合部の破断強度の測定）
実施例１及び実施例２に係るインターポーザ１の外部接続電極２、及び、比較例１及び比較例２に係るインターポーザの外部接続電極に接合した半田ボールに、Ｄａｇｅ  Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製万能型ボンドテスター４０００を用いて、半プル用プローブ（Ｄａｇｅ  Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ  Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ社製、ＪＡＷ３００：５ｋｇロードセル）を立て、チャッキング強度０．０４〜０．０６［ＭＰａ］で半田ボールを把持し、冷間にて、実施例１及び実施例２に係るインターポーザ１の表面、及び、比較例１及び比較例２に係るインターポーザの表面に対して垂直方向に７０［μｍ／ｓ］で引っ張り、実施例１及び実施例２に係るインターポーザ１の外部接続電極２と半田ボール４０の半田接合部５０、及び、比較例１及び比較例２に係るインターポーザの外部接続電極と半田ボール４０の半田接合部のプル強度を測定した。また、株式会社レスカ社製の測定装置（ＰＵＬＬ  ＴＥＳＴＥＲ  ＰＴＲ−０１）を用い、ロードセル（ＬＶ２５−５００）に取り付けられたツールにより、インターポーザの半田ボール接合面と平行に、半田ボールの接合部を押し、破壊時の荷重を計測することにより、実施例１及び実施例２に係るインターポーザ１の外部接続電極２と半田ボール４０の半田接合部５０、及び、比較例１及び比較例２に係るインターポーザの外部接続電極と半田ボール４０の半田接合部のシェア強度を測定した。ツールのインターポーザの半田ボール接合面からの高さは２０μｍ、半田ボールの接合部を押す速度は、５００μｍ／ｓｅｃとした。測定した結果を下記の表１と図７に示す。
【００５０】
【表１】
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【００５１】
表１及び図７に示すように、実施例１に係るインターポーザ１の外部接続電極２と半田ボール４０との半田接合部５０の破断強度は、プル強度が３２０．３［ｇ］で、シェア強度が２５６．７［ｇ］であった。また、実施例２に係るインターポーザ１の外部接続電極２と半田ボール４０との半田接合部５０の破断強度は、プル強度が２５６．８［ｇ］で、シェア強度が２５６．０［ｇ］であった。
【００５２】
比較例１に係るインターポーザの外部接続電極と半田ボールとの半田接合部の破断強度は、プル強度が２３４．４［ｇ］で、シェア強度が２４９．９［ｇ］であった。また、比較例２に係るインターポーザの外部接続電極と半田ボールとの半田接合部の破断強度は、プル強度が２４９．４［ｇ］で、シェア強度が２５２．８［ｇ］であった。
【００５３】
実施例１及び実施例２の破断強度は、比較例１及び比較例２の破断強度に比較して、プル強度及びシェア強度がともに、大きい結果となった。特に、実施例１のプル強度は、大きくなった。
【００５４】
これは、外部接続電極２のニッケルからなる第２金属層２ｂの厚さを、２μｍ以下、より好ましくは、１μｍ以下とすることにより、インターポーザ１の外部接続電極２と半田ボール４０とが接合された半田接合部５０において、外部接続電極２と半田ボール４０との界面で、外部接続電極２と半田ボール４０との界面で、第１金属層２ａの銅と、第２金属層２ｂのニッケルと、半田ボール４０に含まれるスズとによって、接合強度の大きい銅−ニッケル−スズ合金を形成した結果である。
【００５５】
以上のことから、外部接続電極２のニッケルからなる第２金属層２ｂの厚さを、２μｍ以下、より好ましくは、１μｍ以下とすることにより、インターポーザ１の外部接続電極２と半田ボール４０とが接合され半田接合部５０において、接合強度の大きい銅−ニッケル−スズ合金を形成することにより、例えば、外部環境の変化によって、電子デバイス３０を実装したインターポーザ１の熱膨張係数とマザーボードとの熱膨張係数の間に差ができ、この差によって生じた応力が半田ボール４０へ加わった場合であっても、インターポーザ１の外部接続電極２と半田ボール４０の間に発生するクラックを抑制することができ、インターポーザ１を使用した電子機器の信頼性を向上させることができる。
【００５６】
また、従来のように、インターポーザ１とマザーボードとの間にアンダーフィル材を充填し硬化させる作業等の補強作業を行なうことを必要とせず、電子機器の製造工数およびコストを低減させることができる。
【符号の説明】
【００５７】
１：  インターポーザ
２０：  プリント配線基板
２：  外部接続電極
２ａ：  第１金属層
２ｂ：  第２金属層
２ｃ：  第３金属層
５：  ピーラブル銅箔
６：  表面電極層
６ａ：  第１表面金属層
６ｂ：  第２表面金属層
７：  絶縁層
８：  配線パターン
９：  金属下地層
９ａ：  第１金属下地層
９ｂ：  第２金属下地層
１０：  バンプ
３０：  電子デバイス
４０：  半田ボール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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