(57)【要約】【課題】サイドイレーズの抑制に大いに貢献することができる垂直磁気記憶媒体を提供する。【解決手段】裏打ち層５２は、基板の表面に沿って広がり、同心円状の非磁性体５４で仕切られて基板の表面に平行な磁化容易軸を有する同心円状の軟磁性体５３を有する。記録  磁性膜５６は、裏打ち層５２の表面に沿って広がり、基板の表面に直交する垂直方向に磁化容易軸を有する。軟磁性体５３は、規定のトラックピッチの２分の１以下のピッチ間隔で配列される。裏打ち層５２では半径方向に磁界の流通は制限される。こうして隣接トラックに作用する磁界は抑制される。隣接トラックで磁化の反転は低減される。サイドイレーズは抑制される。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板に支持されて前記基板の表面に沿って広がり、同心円状の非磁性体で仕切られて前記基板の表面に平行な磁化容易軸を有する同心円状の軟磁性体を有する裏打ち層と、
前記裏打ち層の表面に沿って広がり、前記基板の表面に直交する垂直方向に磁化容易軸を有する記録磁性膜とを備え、
前記非磁性体は規定のトラックピッチの２分の１以下のピッチ間隔で配列されることを特徴とする垂直磁気記憶媒体。
【請求項２】
請求項１に記載の垂直磁気記憶媒体において、前記規定のトラックピッチは最小トラックピッチであることを特徴とする垂直磁気記憶媒体。
【請求項３】
請求項１に記載の垂直磁気記憶媒体において、前記ピッチ間隔は、書き込み素子のコア幅と読み出し素子の幅との差分の２分の１以下に設定されることを特徴とする垂直磁気記憶媒体。
【請求項４】
垂直磁気記憶媒体と、
前記垂直磁気記憶媒体に向き合わせられる書き込み素子と、
前記垂直磁気記憶媒体に向き合わせられる読み出し素子とを備え、
前記垂直磁気記憶媒体は、
基板と、
前記基板に支持されて前記基板の表面に沿って広がり、同心円状の非磁性体で仕切られて前記基板の表面に平行な磁化容易軸を有する同心円状の軟磁性体を有する裏打ち層と、
前記裏打ち層の表面に沿って広がり、前記基板の表面に直交する垂直方向に磁化容易軸を有する記録磁性膜とを備え、
前記非磁性体は規定のトラックピッチの２分の１以下のピッチ間隔で配列されることを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項５】
請求項４に記載の磁気記憶装置において、前記規定のトラックピッチは最小トラックピッチであることを特徴とする磁気記憶装置。
【請求項６】
請求項４に記載の磁気記憶装置において、前記ピッチ間隔は、前記書き込み素子のコア幅と前記読み出し素子の幅との差分の２分の１以下に設定されることを特徴とする磁気記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった記憶装置に関し、特に、こういった記憶装置に組み込まれる垂直磁気記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
いわゆる垂直磁気記録は広く知られる。垂直磁気記録には垂直磁気記憶媒体が利用される。垂直磁気記憶媒体は、基板に支持されて基板の表面に沿って広がる軟磁性の裏打ち層を備える。裏打ち層では基板の表面に平行な磁化容易軸が確立される。裏打ち層の表面に沿って記録磁性膜が広がる。記録磁性膜では基板の表面に直交する垂直方向に磁化容易軸が確立される。
【特許文献１】特開平１−２１７７２４号公報
【特許文献２】特開平５−１５９２７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
磁気記録にあたって記録磁性膜には書き込み素子から垂直方向に磁界が作用する。磁界は裏打ち層に導かれる。磁界は裏打ち層から書き込み素子に向かって流れ込む。こういった磁界は隣接トラックに記録された磁化の反転を引き起こす。こういった現象はサイドイレーズと呼ばれる。記録密度の高まりにつれてサイドイレーズの抑制が要求される。
【０００４】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、サイドイレーズの抑制に大いに貢献することができる垂直磁気記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、垂直磁気記憶媒体は、基板と、前記基板に支持されて前記基板の表面に沿って広がり、同心円状の非磁性体で仕切られて前記基板の表面に平行な磁化容易軸を有する同心円状の軟磁性体を有する裏打ち層と、前記裏打ち層の表面に沿って広がり、前記基板の表面に直交する垂直方向に磁化容易軸を有する記録磁性膜とを備える。このとき、前記非磁性体は規定のトラックピッチの２分の１以下のピッチ間隔で配列される。
【０００６】
非磁性体の働きで裏打ち層では半径方向に磁界の流通は制限される。こうして隣接トラックに作用する磁界は抑制される。隣接トラックで磁化の反転は低減される。サイドイレーズは抑制される。
【発明の効果】
【０００７】
以上のように本発明によれば、サイドイレーズの抑制に大いに貢献することができる垂直磁気記憶媒体は提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【０００９】
図１は本発明に係る記憶装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は筐体すなわちハウジング１２を備える。ハウジング１２は箱形のベース１３およびカバー（図示されず）を有する。ベース１３は例えば平たい直方体の内部空間すなわち収容空間を区画する。ベース１３は例えばＡｌ（アルミニウム）といった金属材料から鋳造に基づき成形されればよい。カバーはベース１３の開口に結合される。カバーとベース１３との間で収容空間は密閉される。カバーは例えばプレス加工に基づき１枚の板材から成形されればよい。
【００１０】
収容空間には記憶媒体として１枚以上の磁気ディスク１４が収容される。磁気ディスク１４はスピンドルモーター１５の駆動軸に装着される。スピンドルモーター１５は例えば４２００ｒｐｍや５４００ｒｐｍ、７２００ｒｐｍ、１００００ｒｐｍ、１５０００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１４を回転駆動する。ここでは、例えば磁気ディスク１４は垂直磁気記憶媒体すなわち垂直磁気ディスクに構成される。磁気ディスク１４の詳細は後述される。
【００１１】
収容空間にはキャリッジ１６がさらに収容される。キャリッジ１６はキャリッジブロック１７を備える。キャリッジブロック１７は、垂直方向に延びる支軸１８に回転自在に連結される。キャリッジブロック１７には支軸１８から水平方向に延びる複数のキャリッジアーム１９が区画される。キャリッジブロック１７は例えば押し出し成型に基づきアルミニウムから成型されればよい。
【００１２】
個々のキャリッジアーム１９の先端にはヘッドサスペンション２１が取り付けられる。ヘッドサスペンション２１はキャリッジアーム１９の先端から前方に延びる。ヘッドサスペンション２１にはフレキシャが貼り付けられる。ヘッドサスペンション２１の先端でフレキシャにはジンバルが区画される。ジンバルに磁気ヘッドスライダーすなわち浮上ヘッドスライダー２２が搭載される。ジンバルの働きで浮上ヘッドスライダー２２はヘッドサスペンション２１に対して姿勢を変化させることができる。浮上ヘッドスライダー２２には磁気ヘッドすなわち電磁変換素子が搭載される。電磁変換素子の詳細は後述される。
【００１３】
磁気ディスク１４の回転に基づき磁気ディスク１４の表面で気流が生成されると、気流の働きで浮上ヘッドスライダー２２には正圧すなわち浮力および負圧が作用する。浮力および負圧とヘッドサスペンション２１の押し付け力とが釣り合うことで磁気ディスク１４の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダー２２は浮上し続けることができる。
【００１４】
キャリッジブロック１７には例えばボイスコイルモーター（ＶＣＭ）２３といった動力源が接続される。このボイスコイルモーター２３の働きでキャリッジブロック１７は支軸１８回りで回転することができる。こうしたキャリッジブロック１７の回転に基づきキャリッジアーム１９およびヘッドサスペンション２１の揺動は実現される。浮上ヘッドスライダー２２の浮上中にキャリッジアーム１９が支軸１８回りで揺動すると、浮上ヘッドスライダー２２は磁気ディスク１４の半径線に沿って移動することができる。その結果、浮上ヘッドスライダー２２上の電磁変換素子は最内周記録トラックと最外周記録トラックとの間でデータゾーンを横切ることができる。こうして浮上ヘッドスライダー２２上の電磁変換素子は目標の記録トラック上に位置決めされる。
【００１５】
図２は一具体例に係る浮上ヘッドスライダー２２を示す。この浮上ヘッドスライダー２２は、例えば平たい直方体に形成される基材すなわちスライダー本体２５を備える。スライダー本体２５の空気流出側端面には絶縁性の非磁性膜すなわち素子内蔵膜２６が積層される。この素子内蔵膜２６に電磁変換素子２７が組み込まれる。
【００１６】
スライダー本体２５は例えばＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ（アルチック）といった硬質の非磁性材料から形成される。素子内蔵膜２６は例えばＡｌ２Ｏ３（アルミナ）といった比較的に軟質の絶縁非磁性材料から形成される。スライダー本体２５は媒体対向面２８で磁気ディスク１４に向き合う。媒体対向面２８には平坦なベース面２９すなわち基準面が規定される。磁気ディスク１４が回転すると、スライダー本体２５の前端から後端に向かって媒体対向面２８には気流３１が作用する。
【００１７】
媒体対向面２８には、前述の気流３１の上流側すなわち空気流入側でベース面２９から立ち上がる１筋のフロントレール３２が形成される。フロントレール３２はベース面２９の空気流入端に沿ってスライダー幅方向に延びる。同様に、媒体対向面２８には、気流３１の下流側すなわち空気流出側でベース面２９から立ち上がるリアセンターレール３３が形成される。リアセンターレール３３はスライダー幅方向の中央位置に配置される。リアセンターレール３３は素子内蔵膜２６に至る。媒体対向面２８には左右１対のリアサイドレール３４、３４がさらに形成される。リアサイドレール３４は空気流出側でスライダー本体２５の側端に沿ってベース面２９から立ち上がる。リアサイドレール３４、３４同士の間にリアセンターレール３３は配置される。
【００１８】
フロントレール３２、リアセンターレール３３およびリアサイドレール３４、３４の頂上面にはいわゆる空気軸受け面（ＡＢＳ）３５、３６、３７、３７が規定される。空気軸受け面３５、３６、３７の空気流入端は段差でフロントレール３２、リアセンターレール３３およびリアサイドレール３４の頂上面にそれぞれ接続される。気流３１が媒体対向面２８に受け止められると、段差の働きで空気軸受け面３５、３６、３７には比較的に大きな正圧すなわち浮力が生成される。しかも、フロントレール３２の後方すなわち背後には大きな負圧が生成される。これら浮力および負圧のバランスに基づき浮上ヘッドスライダー２２の浮上姿勢は確立される。なお、浮上ヘッドスライダー２２の形態はこういった形態に限られるものではない。
【００１９】
空気軸受け面３６の空気流出側でリアセンターレール３３には電磁変換素子２７が埋め込まれる。電磁変換素子２７は例えば読み出し素子と書き込み素子とを備える。読み出し素子にはトンネル接合磁気抵抗効果（ＴｕＭＲ）素子が用いられる。ＴｕＭＲ素子では磁気ディスク１４から作用する磁界の向きに応じてトンネル接合膜の抵抗変化が引き起こされる。こういった抵抗変化に基づき磁気ディスク１４から情報は読み出される。書き込み素子にはいわゆる単磁極ヘッドが用いられる。単磁極ヘッドは薄膜コイルパターンの働きで磁界を生成する。この磁界の働きで磁気ディスク１４に情報は書き込まれる。電磁変換素子２７は素子内蔵膜２６の表面に読み出し素子の読み出しギャップや書き込み素子の書き込みギャップを臨ませる。ただし、空気軸受け面３６の空気流出側で素子内蔵膜２６の表面には硬質の保護膜が形成される。こういった硬質の保護膜は素子内蔵膜２６の表面で露出する読み出しギャップや書き込みギャップを覆う。保護膜には例えばＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜が用いられればよい。
【００２０】
図３に示されるように、読み出し素子３８では、上下１対の導電層すなわち下部電極３９および上部電極４１にトンネル接合磁気抵抗効果膜４２が挟み込まれる。下部電極３９および上部電極４１は例えばＦｅＮ（窒化鉄）やＮｉＦｅ（ニッケル鉄）、ＮｉＦｅＢ（ニッケル鉄ボロン）、ＣｏＦｅＢ（コバルト鉄ボロン）といった高透磁率材料から構成されればよい。下部電極３９や上部電極４１の膜厚は例えば２．０μｍ〜３．０μｍに設定される。こうして下部電極３９および上部電極４１は下部シールド層および上部シールド層として機能することができる。その結果、下部電極３９および上部電極４１の間隔は磁気ディスク１４上で記録トラックの線方向に磁気記録の分解能を決定する。
【００２１】
トンネル接合磁気抵抗効果膜４２は下部電極３９上で下部電極３９の表面に平行に広がる固定磁化層および自由磁化層を備える。固定磁化層および自由磁化層の間には絶縁層すなわちトンネルバリア層が挟み込まれる。固定磁化層、自由磁化層およびトンネルバリア層は下部電極３９の表面に積層される積層体で提供される。センス電流は下部磁極３９の表面に直交する垂直方向に流通する。
【００２２】
固定磁化層は例えば反強磁性のピニング層と強磁性のピンド層とを備える。ピニング層は例えばＩｒＭｎ（イリジウムマンガン）から形成される。ピンド層は例えばＣｏＦｅ（コバルト鉄）から形成される。ピンド層とピニング層との間には交換結合が確立される。この交換結合の働きでピンド層では外部から作用する磁界に拘わらず磁化の向きは固定される。その一方で、自由磁化層はＮｉＦｅ（ニッケル鉄）層、Ｔａ（タンタル）層およびＣｏＦｅＢ（コバルト鉄ボロン）層の積層体から形成される。自由磁化層では外部磁界の向きに応じて磁化の向きは変化する。こうして固定磁化層および自由磁化層の間で磁化の相対角は変化する。こういった変化に基づきトンネル接合磁気抵抗効果膜４２の電気抵抗は変化する。
【００２３】
同時に、下部電極３９および上部電極４１の間には１対の磁区制御膜４３が配置される。トンネル接合磁気抵抗効果膜４２は媒体対向面２８に沿って磁区制御膜４３同士の間に配置される。磁区制御膜４３は例えばＣｏＣｒＰｔ（コバルトクロム白金）といった硬磁性材料から形成される。磁区制御膜４３は媒体対向面２８に沿って一方向に磁化を確立する。磁区制御膜４３と下部電極３９との間、および、磁区制御膜４３とトンネル接合磁気抵抗効果膜４２との間には絶縁膜４４が挟み込まれる。絶縁膜４４は例えばＡｌ２Ｏ３から形成される。絶縁膜４４の膜厚は例えば３．０ｎｍ〜１０．０ｎｍの範囲で設定されればよい。磁区制御膜４３は下部電極３９およびトンネル接合磁気抵抗効果膜４２から絶縁される。したがって、たとえ磁区制御膜４３が導電性を有していても、上部電極４１と下部電極３９との間ではセンス電流の流通路はトンネル接合磁気抵抗効果膜４２に限定される。
【００２４】
書き込み素子４５すなわち単磁極ヘッドは主磁極４６および補助磁極４７を備える。主磁極４６および補助磁極４７はリアセンターレール３３の表面で露出する。主磁極４６および補助磁極４７は例えばＦｅＮやＮｉＦｅ、ＮｉＦｅＢ、ＣｏＦｅＢといった磁性材料から構成されればよい。図４を併せて参照し、補助磁極４７の後端は主磁極４６に磁性連結片４８で接続される。磁性連結片４８周りで磁気コイルすなわち薄膜コイルパターン４９が形成される。こうして主磁極４６、補助磁極４７および磁性連結片４８は、薄膜コイルパターン４９の中心位置を貫通する磁性コアを形成する。
【００２５】
図５は磁気ディスク１４の構造を概略的に示す。磁気ディスク１４は円盤形の基板５１を備える。基板５１は例えばガラスといった非磁性体から構成される。その他、基板５１にはシリコン基板やアルミニウム基板が用いられてもよい。基板５１には平坦な表面および裏面が確立される。
【００２６】
基板５１上には裏打ち層５２が支持される。裏打ち層５２は基板５１の表面（および裏面）に沿って広がる。裏打ち層５２は基板５１の表面（および裏面）に積層される。裏打ち層５２は同心円状の軟磁性環５３を有する。軟磁性環５３同士は同心円状の非磁性壁５４で相互に仕切られる。こうして隣接する軟磁性環５３同士は磁気的に分断される。軟磁性環５３は例えばＦｅＴａＣ（鉄タンタル炭素）やＮｉＦｅ（ニッケル鉄）といった軟磁性材料から形成される。軟磁性環５３では基板５１の表面（または裏面）に平行な磁化容易軸が確立される。非磁性壁５４は例えばＳｉＯ２といった非磁性材料から形成される。非磁性壁５４は例えばサーボセクター領域で円周方向に分断されてもよい。裏打ち層５２は平坦な表面を規定する。
【００２７】
裏打ち層５２の表面には非磁性の中間層５５が支持される。中間層５５は裏打ち層５２の表面に沿って広がる。中間層５５は裏打ち層５２の表面に積層される。中間層５５は例えばＣｏおよびＣｒを含む非磁性合金から形成されればよい。
【００２８】
中間層５５の表面には記録磁性膜５６が支持される。記録磁性膜５６は中間層５５の表面に沿って広がる。記録磁性膜５６は中間層５５の表面に積層される。記録磁性膜５６は、例えばＣｏおよびＣｒを含む合金すなわちＣｏＣｒＰｔといった磁性材料から形成される。記録磁性膜５６では基板５１の表面に直交する垂直方向に磁化容易軸が確立される。記録磁性膜５６は結晶粒の集合体で構成される。個々の結晶粒同士は例えばＣｒの偏析に基づき相互に磁気的に分断されればよい。
【００２９】
記録磁性膜５６の表面には保護膜５７が支持されてもよい。保護膜５７は記録磁性膜５６の表面に沿って広がる。保護膜５７は記録磁性膜５６の表面に積層される。保護膜５７には例えばＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）といった硬質材料が利用される。保護膜５７の表面には潤滑膜５８が支持される。潤滑膜５８は保護膜５７の表面に沿って広がる。潤滑膜５８は保護膜５７の表面に積層される。潤滑膜５８には例えばパーフルオロポリエーテル（ＰＦＰＥ）といった潤滑剤が用いられる。
【００３０】
いま、磁気ディスク１４に磁気情報が書き込まれる場面を想定する。図６に示されるように、記録磁性膜５６の表面に書き込み素子４５は向き合わせられる。書き込み素子４５はトラッキングサーボ制御に基づき１記録トラックを辿る。トラッキングサーボ制御にあたって読み出し素子３８はサーボセクター領域内のサーボパターンから磁気情報を読み出す。書き込み素子４５から記録磁性膜５６に磁界６２は作用する。こうして磁気情報は書き込まれる。
【００３１】
記録トラックＲＴのトラックピッチＴＰは書き込み素子４５のコア幅Ｗｃｗに基づき設定される。トラックピッチＴＰは記録トラック６１のトラック幅に相当する。裏打ち層５２内で軟磁性環５３はトラックピッチＴＰの２分の１以下のピッチ間隔ＰＰで配列される。したがって、裏打ち層５２では磁気ディスク１４の半径方向に磁界６３の流通は制限される。こうして隣接トラックに作用する磁界６３は抑制される。隣接トラックで磁化の反転は低減される。サイドイレーズは抑制される。このとき、軟磁性環５３の幅は読み出し素子３８の幅Ｗｃｗよりも小さく設定されることが望まれる。こうした設定によれば、たとえ隣接トラックの縁で磁化の反転が引き起こされても、隣接トラックの読み出し時に反転の影響は最小限に抑えられることができる。しかも、軟磁性環５３のピッチ間隔ＰＰの設定にあたってトラックピッチＴＰは最小トラックピッチに設定される。こういった設定によれば、可変トラックピッチの採用に基づきトラックピッチＴＰが変化しても、軟磁性環５３のピッチ間隔ＰＰは確実にトラックピッチＴＰの２分の１以下に保証されることができる。
【００３２】
その他、図７に示されるように、ピッチ間隔ＰＰは、書き込み素子４５のコア幅Ｗｃｗと読み出し素子３８の幅Ｒｃｗとの差分の２分の１以下に設定されてもよい。こういった設定によれば、記録トラック６１を辿る読み出し素子３８に基づき個々の記録トラックに規定される読み出しトラック６５、６５同士の間に確実に少なくとも１本の軟磁性環５３が配置されることができる。たとえ隣接トラックの縁で磁化の反転が引き起こされても、隣接トラックの読み出し時に反転の影響は確実に抑えられることができる。
【００３３】
次に、磁気ディスク１４の製造方法を簡単に説明する。図８に示されるように、基板５１が用意される。基板５１の表面には軟磁性膜６６が積層される。軟磁性膜６６は一定の厚み（例えば５０ｎｍ程度）を有する。軟磁性膜６６の表面には熱可塑性樹脂膜６７が積層される。熱可塑性樹脂膜６７にはスタンパ６８が押し付けられる。押し付けにあたって熱可塑性樹脂膜６７は加熱される。その結果、図９に示されるように、スタンパ６８の凹凸パターンは熱可塑性樹脂膜６７に転写される。熱可塑性樹脂膜６７には同心円状の窪みすなわち溝６９が形成される。この溝６９のパターンは非磁性壁５４の同心円状パターンを反映する。
【００３４】
スタンパ６８は例えばニッケルから形成される。スタンパ６８の形成にあたってシリコン基板（図示されず）は用意される。シリコン基板の表面にはレジストが被膜される。レジストには電子線描画に基づき凹凸パターンが形成される。凹凸パターンの凹形状は非磁性壁５４の同心円状パターンを反映する。凹凸パターンには導電化処理が施される。凹凸パターン上でニッケルの電気めっきが実施される。こうしてスタンパ６８は形成される。
【００３５】
基板５１上でアルゴンイオンミリングが実施される。熱可塑性樹脂膜はマスクに利用される。溝６９の底で軟磁性膜６６は露出する。その後、溝６９に沿って軟磁性膜６６はエッチングされる。図１０に示されるように、こうして軟磁性膜６６から軟磁性環５３は削り出される。軟磁性環５３上には熱可塑性樹脂膜６７が残存する。熱可塑性樹脂膜６７にはアッシング処理が施される。アッシング処理にあたって酸素プラズマが利用される。熱可塑性樹脂膜６７は除去される。
【００３６】
続いて図１１に示されるように、基板５１上でスパッタリングが実施される。例えばＳｉＯ２膜７１が積層される。ＳｉＯ２膜７１は軟磁性環５３同士の間を埋める。基板５１の表面で平坦化研磨処理が施される。平坦化研磨処理にあたって例えば化学的機械研磨法が用いられる。図１２に示されるように、裏打ち層５２の表面は平坦化される。こうして軟磁性環５３同士の間に非磁性壁５４が確立される。その後、裏打ち層５２の表面には、中間層５５、記録磁性膜５６および保護膜５７が積層される。積層にあたって例えばスパッタリングが用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】記憶装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の構造を概略的に示す平面図である。
【図２】浮上ヘッドスライダーの構造を概略的に示す拡大斜視図である。
【図３】浮上面で観察される電磁変換素子を概略的に示す拡大平面図である。
【図４】図３の４−４線に沿った断面図である。
【図５】円盤の軸心を含む平面に沿った拡大垂直断面図である。
【図６】軟磁性環のピッチ間隔とトラックピッチとの関係を示す模式図である。
【図７】軟磁性環のピッチ間隔と読み出しトラックとの関係を示す模式図である。
【図８】基板の表面に積層される軟磁性膜および熱可塑性樹脂膜を概略的に示し、図５に対応する拡大垂直断面図である。
【図９】イオンミリングの工程を概略的に示し、図５に対応する拡大垂直断面図である。
【図１０】基板上に形成された軟磁性環を概略的に示し、図５に対応する拡大垂直断面図である。
【図１１】スパッタリングの工程を概略的に示し、図５に対応する拡大垂直断面図である。
【図１２】平坦化研磨処理後の裏打ち層を概略的に示し、図５に対応する拡大垂直断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１１  磁気記憶装置（ハードディスク駆動装置）、１４  垂直磁気記憶媒体、３８  読み出し素子、４５  書き込み素子、５１  基板、５２  裏打ち層、５３  軟磁性体（軟磁性環）、５４  非磁性体（非磁性壁）、５６  記録磁性膜、ＰＰ  ピッチ間隔、ＴＰ  トラックピッチ、Ｒｃｗ  読み出し素子の幅、Ｗｃｗ  書き込み素子のコア幅。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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