(57)【要約】【課題】個片化を行う加工の際の切削水や切断屑の浸入を抑制でき、信頼性が向上するＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置であって、基板と、前記基板の第１主面に実装される１つ以上半導体素子と、前記基板の前記第１主面に固定され、前記１つ以上の半導体素子をカバーするケースと、前記基板または前記ケースに形成され、音孔となる貫通孔と、前記基板の前記第１主面と反対の面である第２主面に形成される複数の接続電極とを備え、前記貫通孔は、ダイシング時の切削水の浸入を抑止し得る浸入抑止形状が施されている。【選択図】図１
2010268412.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）マイクロフォン半導体装置であって、
基板と、
前記基板の第１主面に実装される１つ以上の半導体素子と、
前記基板の前記第１主面に固定され、前記１つ以上の半導体素子をカバーするケースと、
前記基板または前記ケースに形成され、音孔となる貫通孔と、
前記基板の前記第１主面と反対の面である第２主面に形成される複数の接続電極とを備え、
前記貫通孔は、ダイシング時の切削水の浸入を抑止し得る浸入抑止形状が施されている
ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置。
【請求項２】
前記貫通孔には、前記貫通孔の径が前記基板または前記ケースの厚みの中央に向けて漸次狭くなる１つ以上のくびれ形状が施されている
請求項１に記載のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置。
【請求項３】
前記貫通孔には、前記貫通孔の径が前記基板における前記第１主面または前記第２主面に向けて漸次狭くなるテーパー形状が施されている
請求項１に記載のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置。
【請求項４】
前記貫通孔には、断面が階段状となる形状が施されている
請求項１に記載のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置。
【請求項５】
前記貫通孔には、屈曲部を２以上有する形状が施されている
請求項１に記載のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置。
【請求項６】
前記貫通孔には、前記基板における前記第１主面の垂直方向から所定の角度傾斜した斜め構造を有する形状が施されている
請求項１に記載のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置。
【請求項７】
前記貫通孔には、さらに、直径１〜１００μｍのポーラス孔を有するポーラス膜が設けられている
請求項１に記載のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置。
【請求項８】
前記ポーラス膜は、アルミナセラミック、ステンレス、ポーラスシリコン、有機高分子多孔体、樹脂ポーラスのいずれかからなる
請求項７に記載のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置。
【請求項９】
基板と、
前記基板の第１主面に実装される１つ以上の半導体素子と、
前記基板の主面に固定され、前記１つ以上の半導体素子をカバーするケースと、
前記基板に形成され、音孔となる貫通孔と、
前記基板の前記第１主面と反対の面である第２主面に形成される複数の接続電極と、
前記基板の前記第２主面における前記貫通孔及び前記接側電極以外の領域に塗布されるレジスト膜とを備え、
前記レジスト膜は、前記接続電極の高さより０〜５０μｍ低く塗布されている
ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置。
【請求項１０】
前記レジスト膜は、前記基板の前記第２主面における前記貫通孔の周りに形成されている
請求項９に記載のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置。
【請求項１１】
前記レジスト膜は、さらに、前記基板の接する面と反対側の面に凹凸となる凹凸構造が設けられている
請求項９に記載のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置。
【請求項１２】
基板と、
前記基板の第１主面に実装される１つ以上半導体素子と、
前記基板の前記第１主面における前記半導体素子の周囲に固定されるリブと、
平面板であり、前記半導体素子を覆うように前記リブに固定される板キャップと、
前記基板または前記板キャップに形成され、音孔となる貫通孔と、
前記基板の前記第１主面と反対の面である第２主面に形成される複数の接続電極とを備え、
前記貫通孔は、ダイシング時の切削水の浸入を抑止し得る浸入抑止形状が施されている
ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置。
【請求項１３】
前記貫通孔には、前記貫通孔の径が前記基板または前記板キャップの中央に向けて漸次狭くなる１つ以上のくびれ形状が施されている
請求項１２に記載のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置。
【請求項１４】
ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の製造方法であって、
基板の第１主面に、１つ以上の半導体素子を実装する第１工程と、
前記１つ以上の半導体素子をカバーするケースを、前記基板の前記第１主面に固定する第２工程と、
前記基板または前記ケースに音孔となる貫通孔を形成する第３工程と、
前記基板における前記第１主面と反対の面である第２主面に複数の接続電極を形成する第４工程を含み、
前記第３工程において、前記貫通孔にダイシング時の切削水の浸入を抑止し得る浸入抑止形状を施す
製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）マイクロフォン半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば振動電極を有するセンサーデバイスなどのＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置では、ＭＥＭＳ半導体素子とＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）半導体素子とが基板に実装されており、ケースでカバーされているのが一般的な構造である。このＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置では、音波が、外部から基板またはケースに形成された貫通孔を通ってその内部に入り、ＭＥＭＳ半導体素子のダイヤフラム構造により、電気信号に変換され出力される。
【０００３】
また、このＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置は、複数個同時に形成した後に、個々に分割され個片化されることにより製造される。ここでの分割は、ダイシング法または金型で切断する加工方法で行われる。
【０００４】
ダイシング法では、一般的に、ダイヤモンドやＣＢＮ（Ｃｕｂｉｃ  Ｂｏｒｏｎ  Ｎｉｔｒｉｄｅ：立方晶窒化ホウ素）の粒子が固着された環状のダイシングソーを高速回転させて破砕する加工が行われる。ダイシング法では、破砕屑を除去し摩擦熱を抑えるための切削水を流しながら上記の加工が行われる。しかし、ＭＥＭＳ半導体素子が有するダイヤフラム構造や梁構造は脆弱な構造であるため、切削水が音孔から浸入してしまうと浸入した切削水や切断屑によって破壊されることがある。特に、実装の高密度化が進む中、電子部品の小型化が進んでおり、ダイシング法による分割（個片化）の際における切削水または切断屑の音孔への浸入はますます問題となってきている。
【０００５】
一方、金型で切断する加工方法では、切断屑が飛び散ってしまい、その飛び散った切断屑が、音孔付近または音孔内に飛び散り（浸入し）、ダイヤフラム構造の振動に悪影響を与え、音質に影響を及ぼすことがある。
【０００６】
このような切削水または切断屑の音孔への浸入を抑制する方法がいくつか提案されている（例えば、下記特許文献１及び特許文献２参照。）。
【０００７】
特許文献１にはシリコン基板上に形成したエレクトレットシリコン酸化膜を、絶縁膜と金属膜とにて挟み込み、シリコン酸化膜を露出させない構造が開示されている。このとき、金属膜をスパッタで形成する直前に、スパッタ装置の真空チャンバー内でプラズマを用いてシリコン酸化膜のエレクトレット化を行う。このような構造により、ＭＥＭＳ半導体素子であるＭＥＭＳマイクロフォンチップへの吸湿を抑制している。
【０００８】
特許文献２には、金属ケースまたは基板側に音響ホールが形成されており、金属ケースと、金属ケースと接合するための接続パターンが形成された基板と、基板に実装されたＭＥＭＳマイクロフォンチップと特殊目的型半導体（ＡＳＩＣ：Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）チップと、金属ケースと基板とを接合する接着剤とで形成されるシリコンコンデンサーマイクロフォンが開示されている。このように、ＭＥＭＳ半導体素子であるＭＥＭＳマイクロフォンチップを金属ケースで覆うことにより、切削水または切断屑の音孔への浸入を抑制する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−１８３４３７号公報
【特許文献２】特開２００７−８２２３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１に開示されているＭＥＭＳマイクロフォン構造では、湿度などの特性に影響を及ぼす対策が半導体素子での対策に言及しているのみであり、切削水または切断屑の浸入を抑制するには不十分である。
【００１１】
また、特許文献２に開示されているＭＥＭＳマイクロフォン構造では、ダイシング法により複数の半導体装置を分割（個片化）する際、ダイシングの破砕屑を除去し摩擦熱を抑えるための切削水が音孔に浸入してしまい、ＭＥＭＳマイクロフォン半導体素子のダイヤフラム構造や梁構造は破壊されてしまうことがある。
【００１２】
同様に、金型で切断する加工方法では、そこで発生する切断屑が音孔に浸入してしまい、ダイヤフラム構造の振動に悪影響を与え、音質に影響を及ぼしてしまうことがある。
【００１３】
そこで、本発明は、上記問題を解決するものであり、個片化を行う加工の際の切削水や切断屑の浸入を抑制でき、信頼性が向上するＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明に係るＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置は、ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置であって、基板と、前記基板の第１主面に実装される１つ以上の半導体素子と、前記基板の前記第１主面に固定され、前記１つ以上の半導体素子をカバーするケースと、前記基板または前記ケースに形成され、音孔となる貫通孔と、前記基板の前記第１主面と反対の面である第２主面に形成される複数の接続電極とを備え、前記貫通孔は、ダイシング時の切削水の浸入を抑止し得る浸入抑止形状が施されている。
【００１５】
この構成により、個片化を行う加工の際の切削水や切断屑の浸入を抑制でき、信頼性が向上するＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置を実現することができる。
【００１６】
ここで、前記貫通孔には、前記貫通孔の径が前記基板または前記ケースの厚みの中央に向けて漸次狭くなる１つ以上のくびれ形状が施されていてもよく、前記貫通孔には、前記貫通孔の径が前記基板における前記第１主面または前記第２主面に向けて漸次狭くなるテーパー形状が施されていてもよい。また、前記貫通孔には、断面が階段状となる形状が施されていてもよく、前記貫通孔には、屈曲部を２以上有する形状が施されていてもよい。また、前記貫通孔には、前記基板における前記第１主面の垂直方向から所定の角度傾斜した斜め構造を有する形状が施されてもよい。
【００１７】
このように、ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置は、その基板またはケースに設けられた貫通孔に対して例えば１つ以上のくびれ形状、テーパー形状、階段形状、屈曲部を２以上有する形状または斜め形状などの浸入抑止形状が施される。それによりにＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置を個片化する際の切削水または切削屑の浸入経路が上記浸入抑止形状を持たない場合の切削水または切削屑の浸入経路よりも貫通孔壁面距離が長くなるので、切削水や切削屑が貫通孔内に浸入することを抑止することができる。
【００１８】
また、前記貫通孔には、さらに、直径１〜１００μｍのポーラス孔を有するポーラス膜が設けられていてもよく、前記ポーラス膜は、アルミナセラミック、ステンレス、ポーラスシリコン、有機高分子多孔体、樹脂ポーラスのいずれかからなってもよい。
【００１９】
この構成により、基板またはキャップに設置される貫通孔に、空気など伝播物質は透過させ、ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置を個片化する際の切削水または切断屑の浸入を防ぐようなポーラス状の保護膜が設けられることにより、ダイヤフラム構造が保護される。それにより信頼性の高いＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置を実現することができる。
【００２０】
また、上記課題を解決するために、本発明に係るＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置は、基板と、前記基板の第１主面に実装される１つ以上の半導体素子と、前記基板の主面に固定され、前記１つ以上の半導体素子をカバーするケースと、前記基板に形成され、音孔となる貫通孔と、前記基板の前記第１主面と反対の面である第２主面に形成される複数の接続電極と、前記基板の前記第２主面における前記貫通孔及び前記接側電極以外の領域に塗布されるレジスト膜とを備え、前記レジスト膜は、前記接続電極の高さより０〜５０μｍ低く塗布されている。また、前記レジスト膜は、前記基板の前記第２主面における前記貫通孔の周りに形成されてもよい。
【００２１】
このように、実装面の複数の接続電極と実装面側の基板表面との段差が０〜５０μｍ以内になるようにレジストを基板表面に設けたり、貫通孔の回りのみにレジストを設けたりすることにより、ダイシングテープとＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置との密着性向上を可能にする。それにより、分割際の切削水や切断屑が貫通孔内に浸入することを抑制することができるので、信頼性の高いＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置を実現することができる。
【００２２】
また、前記レジスト膜は、さらに、前記基板の接する面と反対側の面に凹凸となる凹凸構造が設けられてもよい。
【００２３】
このように、レジストに凹凸構造を設けることにより、ダイシング時の切削水または切断屑における貫通孔に対する浸入経路が長くなるので、切削水や切断屑が貫通孔内に浸入することを抑止することができる。したがって、高品質のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置を実現することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、個片化を行う加工の際の切削水や切断屑の浸入を抑制でき、信頼性が向上する半導体装置及びその製造方法を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施の形態１におけるＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１におけるＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図３】本発明の実施の形態１におけるＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図４】本発明の実施の形態１における別の態様のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１における別の態様のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図６】本発明の実施の形態１における別の態様のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【図７】本発明の実施の形態１における変形例１のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１における変形例１の別の態様のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。
【図９】本発明の実施の形態１における変形例２のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態１における変形例２の別の態様のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態１における変形例３のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態１における変形例３の別の態様のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態１における変形例４のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態１における変形例４の別の態様のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態１における変形例５のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態１における変形例５の別の態様のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態２におけるＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態２における別の態様のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態３におけるＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。
【図２０】本発明の実施の形態３におけるＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。
【図２１】本発明の実施の形態３における変形例１のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態３における変形例１のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。
【図２３】本発明の実施の形態４におけるＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。
【図２４】本発明の実施の形態４におけるＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、本発明の実施の形態についての図面では、稜線は未記載である。
【００２７】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。図１に示すように、ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１００は、キャップ１と、半導体素子２と、半導体素子４と、接着剤５と、基板６と、電極７とを備える。図１では、は、個片化される前のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１００がダイシングテープ９により固定されている様子を示している。
【００２８】
キャップ１は、基板６に固定されている半導体素子２と半導体素子４とをカバーするものであり、接着剤５により基板６に固定されている。キャップ１の材質は、耐熱性のよいものであればよい。例えばＣｕ、ＡｌまたはＭｇの金属からなっていてもよいし、これらの合金であってもよい。また、例えばプラスチックまたはセラミックの非金属からなってもよい。このように、キャップ１の材質は、特に限定されていないが、非金属のものであれば、表面にはＳｎやＮｉめっきされていることが望ましい。
【００２９】
半導体素子２は、例えば振動電極を有するセンサーデバイスなどダイヤフラム構造３または梁構造を有するＭＥＭＳマイクロフォン半導体素子であり、基板６に固定されている。また、半導体素子２は、ワイヤー部１０により基板６または半導体素子４と電気的に接続している。
【００３０】
半導体素子４は、例えばＣＭＯＳ半導体素子であり、基板６に固定されており、ワイヤー部１０により基板６または半導体素子２と電気的に接続している。半導体素子４は、例えばアナログＩＣ、ロジックＩＣ、メモリＩＣ等が用いられるＣＭＯＳ半導体素子であるが、それらに特に限定されるものではない。
【００３１】
接着剤５は、キャップ１と基板６を接合する接着剤であり、例えば導電性エポキシ、非導電性エポキシ、シルバーペースト、シリコン、ウレタン、アクリル及びはんだペーストのうちのいずれかからなる。
【００３２】
基板６は、ガラス布積層エポキシ基板（ガラエポ基板）、ガラス布積層ポリイミド基板、またはアラミド不織布基板などで構成されている。基板６では、その第１主面１６に半導体素子２と半導体素子４とが固定されており、固定されている半導体素子２と半導体素子４とをカバーするようにキャップ１が接着剤５により接合されている。基板６は、上述したように、固定されている半導体素子２と半導体素子４とワイヤー部１０により電気的に接続されている。
【００３３】
また、基板６には、音孔となる貫通孔８が設けられており、電極７が主面とは反対の面に形成されている。
【００３４】
電極７は、例えばＣｕからなる電極であり、マザー基板への電気的接続を図るための電極である。電極７は、第１主面１６（半導体素子２と半導体素子４とが固定されている面）とは反対の面（第２主面１７）に形成されている。また、電極７の表面処理は水溶性耐熱プリフラックスやＡｕ／Ｎｉめっきが望ましい。
【００３５】
貫通孔８は、音孔として基板６に設けられている。そして、基板６に設けられた貫通孔８には、音のような空気の振動は抑止しないがダイシング時の切削水の浸入は抑止し得る浸入抑止形状が設けられている。
【００３６】
貫通孔８は、図１に示すように、例えば１つ以上のくびれ部を有する浸入抑止形状が施されている。具体的には、貫通孔８は、ダイヤフラム構造３の直径をＡ、基板６の第１主面１６側の貫通孔８の径をａ、貫通孔８内の直径をｂ、基板６の第２主面１７側の貫通孔８の径をｃとすると、ａ及びｃと比較してｂが最小すなわち貫通孔８の径が中央付近に向けて漸次狭くなるくびれ部を有する浸入抑止形状が設けられている。貫通孔８にくびれ部を有する浸入抑止形状を設けることにより、くびれ部を設けない場合よりも貫通孔８の壁面距離が増大する。それにより、ダイシング時の切削水の浸入経路が長くなり、切削水が貫通孔８内に浸入することを抑止することができる。
【００３７】
なお、第１主面１６側の貫通孔直径ａと第２主面１７側の貫通孔直径ｃとダイヤフラム構造３の直径Ａとは、同じすなわちＡ＝ａ＝ｃであってもよい。しかし、それに限らずＡ＝ｃ＞ａ、Ａ＝ａ＞ｃまたはＡ＞ａ＝ｃであってもよい。その場合、ダイヤフラム構造３への切削屑の浸入抑止に対してより効果的である。
【００３８】
ダイシングテープ９は、ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１００を同時に複数形成した後に、個々に分割（個片化）することで製造される場合に使用されるダイシングテープである。ダイシングテープ９には、例えば感圧テープもしくはＵＶテープが用いられるが、特に限定されるものではない。また、ダイシングテープ９において、その糊材厚みは１〜５０μｍ、その基材厚みは５０〜２００μｍであるのが望ましい。
【００３９】
ワイヤー部１０は、半導体素子２及び半導体素子４、半導体素子２及び基板６、並びに、半導体素子４及び基板６を電気的に接続するものである。
【００４０】
以上のようにして、ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１００は構成される。
次に、貫通孔８を有している基板６を備えるＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１００の製造方法について説明する。
【００４１】
図２及び図３は、実施の形態１におけるＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【００４２】
まず、貫通孔８を有する基板６の第２主面１７に電極７を設け（図２（ａ））、基板６の第１主面１８にダイヤフラム構造３を有する半導体素子２と半導体素子４とを搭載する（図２（ｂ））。次に、基板６と電気的に接続するためのワイヤー部１０を半導体素子２及び半導体素子４、半導体素子２及び基板６、並びに、半導体素子４及び基板６に形成する（図２（ｃ））。ワイヤー部１０を形成した後、接着剤５を用い（図２（ｄ））、キャップ１を基板６に接合する（図３（ｅ））。次に、複数のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１００を固定するためダイシングテープ９で基板６を固定し（図３（ｆ））、ダイシングブレード１４で複数のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１００を個片化する（図３（ｇ））。そしてダイシングテープ９を剥離する（図３（ｈ））。このようにして、ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１００を製造する。
【００４３】
なお、図示していないが、貫通孔８には、個片化する際までに、ダイシング時の切削水の浸入を抑止する浸入抑止形状が施されている。
【００４４】
また、上記では、音孔である貫通孔８が基板６に設けられる場合について説明したがそれに限らない。音孔である貫通孔８１がキャップ１に設けられている場合も同様である。以下、それについて説明する。
【００４５】
図４は、本発明の実施の形態１における別の態様のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。なお、図１と同様の要素には同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【００４６】
図４に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１０１は、図１に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１００と、音孔である貫通孔８１が基板６でなくキャップ１に設けられている点で構成が異なる。また、図４では、個片化される前のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１０１のキャップ１がダイシングテープ９により固定されている様子を示している。
【００４７】
貫通孔８１は、音孔としてキャップ１に設けられている。そして、キャップ１に設けられた貫通孔８には、音のような空気の振動は抑止しないがダイシング時の切削水の浸入は抑止する浸入抑止形状が設けられている。
【００４８】
貫通孔８１は、図４に示すように、例えば１つ以上のくびれ部を有する浸入抑止形状が施されている。具体的には、キャップ１に設けられた貫通孔８１は、キャップ１の第１主面１８側の貫通孔径をｄ、キャップ１の第２主面１９側の貫通孔径をｅとすると、ｄ及びｅと比較してｂが最小すなわち貫通孔８１の径がキャップ１の中央付近に向けて漸次狭くなるくびれ部を有する浸入抑止形状が設けられている。貫通孔８１にくびれ部を有する浸入抑止形状を設けることにより、くびれ部を設けない場合よりも貫通孔８１の壁面距離が増大する。それにより、ダイシング時の切削水の浸入経路が長くなり、切削水が貫通孔内に浸入することを抑止することができる。
【００４９】
なお、キャップ１の第１主面１８側の貫通孔直径ｄとキャップ１の第２主面１９側の貫通孔直径ｅとダイヤフラム構造３の直径Ａとは、同じすなわちＡ＝ｄ＝ｅであってもよい。しかし、それに限らず、Ａ＝ｄ＞ｅ、Ａ＝ｅ＞ｄまたはＡ＞ｄ＝ｅであってもよい。その場合、ダイヤフラム構造３への切削屑の浸入抑止に対してより効果的である。
【００５０】
以上のようにして、ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１０１は構成される。
次に、貫通孔８１を有しているキャップ１を備えるＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１０１の製造方法について説明する。
【００５１】
図５及び図６は、実施の形態１の別の態様におけるＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の製造方法を説明するための図である。
【００５２】
まず、基板６の第２主面１７に電極７を設け（図５（ａ））、基板６の第１主面１８にダイヤフラム構造３を有する半導体素子２と半導体素子４とを搭載する（図５（ｂ））。次に、基板６と電気的に接続するためのワイヤー部１０を半導体素子２及び半導体素子４、半導体素子２及び基板６、並びに、半導体素子４及び基板６に形成する（図５（ｃ））。ワイヤー部１０を形成した後、接着剤５を用い（図５（ｄ））、貫通孔８１を有するキャップ１を基板６に接合する（図６（ｅ））。次に、複数のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１０１を固定するためダイシングテープ９でキャップ１側を固定し（図６（ｆ））、ダイシングブレード１４で複数のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１０１を個片化する（図６（ｇ））。そしてダイシングテープ９を剥離する（図６（ｈ））。このようにして、ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１０１を製造する。
【００５３】
なお、図示していないが、貫通孔８１には、個片化する際までに、ダイシング時の切削水の浸入を抑止する浸入抑止形状が施される。
【００５４】
以上、実施の形態１によれば、個片化を行う加工の際の切削水や切断屑の浸入を抑制でき、信頼性が向上するＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置及びその製造方法を実現することができる。具体的には、ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１００の基板６またはキャップ１に設けられた音孔である貫通孔８または貫通孔８１に、くびれ部をする浸入抑止形状を施す。それにより浸入抑止形状が施されない場合に比べ貫通孔壁面距離すなわち切削水や切断屑の浸入経路が長くなり、ダイシング時の切削水または切断屑が貫通孔８内に浸入するのを抑止することができるので、ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１００におけるダイヤフラム構造３を守ることができる。
【００５５】
なお、実施の形態１では、音孔として形成されている貫通孔に浸入抑止形状としてくびれ部が設けられている例を説明したが、それに限定されない。以下、変形例１〜５として、浸入抑止形状の他の例について説明する。
【００５６】
（変形例１）
図７は、本発明の実施の形態１における変形例１のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。なお、図１と同様の要素には同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【００５７】
図７に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１０２は、図１に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１００と、基板６に設けられた貫通孔８２に施された浸入抑止形状が異なる。
【００５８】
貫通孔８２は、音孔として基板６に設けられており、貫通孔８２の径が基板６の第２主面１７に向けて漸次狭くなるテーパー形状を有している浸入抑止形状が施されている。貫通孔８２に、図７のようにテーパー形状を有する浸入抑止形状が施されることにより、テーパー形状を設けない場合よりも貫通孔８２の壁面距離が増大する。それにより、ダイシング時の切削水の浸入経路が長くなり、切削水が貫通孔８２内に浸入することを抑止することができる。
【００５９】
なお、貫通孔８２には、第１主面１６側の貫通孔直径ａとダイヤフラム構造３の直径ＡとがＡ＞ａであるテーパー形状を有している浸入抑止形状が施されるのが好ましい。それは、ダイヤフラム構造３への切削屑の浸入に対してより効果的であるからである。
【００６０】
また、上記の浸入抑止形状が施される貫通孔８２は基板６に設けられる場合に限られない。貫通孔８３としてキャップ１に設けられていてもよい。
【００６１】
図８は、本発明の実施の形態１における変形例１の別の態様のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。なお、図７と同様の要素には同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【００６２】
図７に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１０２は、図１に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１０２と、音孔である貫通孔８３が基板６でなくキャップ１に設けられている点で構成が異なる。
【００６３】
貫通孔８３は、音孔としてキャップ１に設けられており、貫通孔８３の径がキャップ１の第１主面１８に向けて漸次狭くなるテーパー形状を有している浸入抑止形状が施されている。貫通孔８３に、図８のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１０３ようにテーパー形状を有する浸入抑止形状が施されることにより、テーパー形状を設けない場合よりも貫通孔８３の壁面距離が増大する。それにより、ダイシング時の切削水の浸入経路が長くなり、切削水が貫通孔８３内に浸入することを抑止することができる。
【００６４】
なお、貫通孔８３には、キャップ１の第２主面１９側の貫通孔直径ｅよりもダイヤフラム構造３の直径Ａが大きいすなわちＡ＞ｅであるテーパー形状を有している浸入抑止形状が施されるのが好ましい。それは、ダイヤフラム構造３への切削屑の浸入に対してより効果的であるからである。
【００６５】
（変形例２）
図９は、本発明の実施の形態１における変形例２のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。なお、図７と同様の要素には同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【００６６】
図９に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１０４は、図７に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１０２と、基板６に設けられた貫通孔８４に施された浸入抑止形状が異なる。
【００６７】
貫通孔８４は、音孔として基板６に設けられており、貫通孔８４の径が基板６の第１主面１６に向けて漸次狭くなるテーパー形状を有している浸入抑止形状が施されている。図９のように貫通孔８４にテーパー形状を有する浸入抑止形状が施されることにより、テーパー形状を設けない場合よりも貫通孔８４の壁面距離が増大する。それにより、ダイシング時の切削水の浸入経路が長くなり、切削水が貫通孔８４内に浸入することを抑止することができる。
【００６８】
なお、貫通孔８４には、第２主面１７側の貫通孔直径ｃとダイヤフラム構造３の直径ＡとがＡ＞ｃであるテーパー形状を有している浸入抑止形状が施されるのが好ましい。それは、ダイヤフラム構造３への切削屑の浸入に対してより効果的であるからである。
【００６９】
また、上記の浸入抑止形状が施される貫通孔８４は基板６に設けられる場合に限られない。貫通孔８５としてキャップ１に設けられていてもよい。
【００７０】
図１０は、本発明の実施の形態１における変形例２の別の態様のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。なお、図９と同様の要素には同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【００７１】
図１０に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１０５は、図９に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１０４と、音孔である貫通孔８５が基板６でなくキャップ１に設けられている点で構成が異なる。
【００７２】
貫通孔８５は、音孔としてキャップ１に設けられており、貫通孔８５の径がキャップ１の第２主面１９に向けて漸次狭くなるテーパー形状を有している浸入抑止形状が施されている。貫通孔８３に、図１０のようにテーパー形状を有する浸入抑止形状が施されることにより、テーパー形状を設けない場合よりも貫通孔８５の壁面距離が増大する。それにより、ダイシング時の切削水の浸入経路が長くなり、切削水が貫通孔８５内に浸入することを抑止することができる。
【００７３】
なお、貫通孔８５には、キャップ１の第１主面１８側の貫通孔直径ｄよりもダイヤフラム構造３の直径Ａが大きいすなわちＡ＞ｄであるテーパー形状を有している浸入抑止形状が施されるのが好ましい。それは、ダイヤフラム構造３への切削屑の浸入に対してより効果的であるからである。
【００７４】
（変形例３）
図１１は、本発明の実施の形態１における変形例３のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。なお、図１と同様の要素には同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【００７５】
図１１に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１０６は、図１に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１００と、基板６に設けられた貫通孔８６に施された浸入抑止形状が異なる。
【００７６】
貫通孔８６は、音孔として基板６に設けられており、基板６の第１主面１６と垂直方向から一定の角度傾斜した斜め形状を有している浸入抑止形状が施されている。図１１のように貫通孔８６に斜め形状を有する浸入抑止形状が施されることにより、斜め形状を有しない場合よりも貫通孔８６の壁面距離が増大する。それにより、ダイシング時の切削水の浸入経路が長くなり、切削水が貫通孔８６内に浸入することを抑止することができる。
【００７７】
なお、貫通孔８６には、第１主面１６側の貫通孔直径ａと第２主面１７側の貫通孔直径ｃとダイヤフラム構造３の直径Ａとは、Ａ＝ａ＝ｃであってもよい。しかし、それに限らず、ダイヤフラム構造３の直径Ａより第１主面１６側の貫通孔直径ａと第２主面１７側の貫通孔直径ｃとが小さい、すなわち、Ａ＞ａ＝ｃであってもよい。その場合、ダイヤフラム構造３への切削屑の浸入に対してより効果的である。
【００７８】
また、上記の浸入抑止形状が施される貫通孔８６は基板６に設けられる場合に限られない。貫通孔８７としてキャップ１に設けられていてもよい。
【００７９】
図１２は、本発明の実施の形態１における変形例３の別の態様のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。なお、図１１と同様の要素には同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【００８０】
図１２に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１０７は、図１１に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１０６と、音孔である貫通孔８７が基板６でなくキャップ１に設けられている点で構成が異なる。
【００８１】
貫通孔８７は、音孔としてキャップ１に設けられており、キャップ１の第１主面１８と垂直方向から一定の角度傾斜した斜め形状を有している浸入抑止形状が施されている。貫通孔８７に、図１２のように斜め形状を有する浸入抑止形状が施されることにより、斜め形状を有しない場合よりも貫通孔８７の壁面距離が増大する。それにより、ダイシング時の切削水の浸入経路が長くなり、切削水が貫通孔８７内に浸入することを抑止することができる。
【００８２】
なお、貫通孔８７には、キャップ１の第１主面１８側の貫通孔直径ｄとキャップ１の第２主面１９の貫通孔直径ｅとダイヤフラム構造３の直径Ａとは、Ａ＝ｄ＝ｅであってもよい。しかし、それに限らず、ダイヤフラム構造３の直径Ａよりキャップ１の第１主面１８側の貫通孔直径ｄとキャップ１の第２主面１９側の貫通孔直径ｅとが小さい、すなわち、Ａ＞ｄ＝ｅであってもよい。その場合、ダイヤフラム構造３への切削屑の浸入に対してより効果的である。
【００８３】
（変形例４）
図１３は、本発明の実施の形態１における変形例４のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。なお、図１と同様の要素には同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【００８４】
図１３に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１０８は、図１に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１００と、基板６に設けられた貫通孔８８に施された浸入抑止形状が異なる。
【００８５】
貫通孔８８は、音孔として基板６に設けられており、貫通孔８８の両側面に階段形状を有している浸入抑止形状が施されている。貫通孔８８に、図１３のように階段形状を有する浸入抑止形状が施されることにより、階段形状を有しない場合よりも貫通孔８８の壁面距離が増大する。それにより、ダイシング時の切削水の浸入経路が長くなり、切削水が貫通孔内に浸入することを抑止することができる。
【００８６】
なお、貫通孔８８において、第１主面１６側の貫通孔直径ａと第２主面１７側の貫通孔直径ｃとダイヤフラム構造３の直径ＡとはＡ＝ａ＝ｃであってもよい。しかし、それに限らず、ダイヤフラム構造３の直径Ａより第１主面１６側の貫通孔直径ａと第２主面１７側の貫通孔直径ｃと、または、双方のいずれかを小さくすることにより、切削屑の浸入を抑止することも可能である。また、貫通孔８８内の直径ｂが、ａ及びｃと異なる径を有するようにしてもよい。その場合には、階段形状内にくびれ部やテーパー形状を設けることも可能であり、ダイヤフラム構造３への切削屑の浸入に対してより効果的である。
【００８７】
なお、上記の浸入抑止形状が施される貫通孔８８は基板６に設けられる場合に限られない。貫通孔８９としてキャップ１に設けられていてもよい。
【００８８】
図１４は、本発明の実施の形態１における変形例４の別の態様のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。なお、図１３と同様の要素には同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【００８９】
図１４に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１０９は、図１１に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１０８と、音孔である貫通孔８９が基板６でなくキャップ１に設けられている点で構成が異なる。
【００９０】
貫通孔８９は、音孔としてキャップ１に設けられており、貫通孔８９の両側面に階段形状を有している浸入抑止形状が施されている。貫通孔８９に、図１４のように階段形状を有する浸入抑止形状が施されることにより、階段形状を有しない場合よりも貫通孔８９の壁面距離が増大する。それにより、ダイシング時の切削水の浸入経路が長くなり、切削水が貫通孔８９内に浸入することを抑止することができる。
【００９１】
なお、貫通孔８９には、キャップ１の第１主面１８側の貫通孔直径ｄとキャップ１の第２主面１９側の貫通孔直径ｅとダイヤフラム構造３の直径ＡとはＡ＝ｄ＝ｅであってもよい。しかし、それに限らず、ダイヤフラム構造３の直径Ａよりキャップ１の第１主面１８側の貫通孔直径ｄとキャップ１の第２主面１９側の貫通孔直径ｅと、または双方のいずれかを小さくすることにより、切削屑の浸入を抑止することも可能である。また、貫通孔８９内の直径ｂが、ｄ及びｅと異なる径を有するようにしてもよい。その場合には、階段形状内にくびれ部やテーパー形状を設けることも可能であり、ダイヤフラム構造３への切削屑の浸入に対してより効果的である。
【００９２】
（変形例５）
図１５は、本発明の実施の形態１における変形例５のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。なお、図１４と同様の要素には同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【００９３】
図１５に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１０９は、図１４に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１０８と、基板６に設けられた貫通孔９０に施された浸入抑止形状が異なる。
【００９４】
貫通孔９０は、音孔として基板６に設けられており、例えば断面形状に２つＵ字形状をもつような屈曲部を２以上有する浸入抑止形状が施されている。貫通孔９０に、図１５のようにＵ字形状を有する浸入抑止形状が施されることにより、Ｕ字形状を有しない場合よりも貫通孔９０の壁面距離が増大する。それにより、ダイシング時の切削水の浸入経路が長くなり、切削水が貫通孔９０内に浸入することを抑止することができる。
【００９５】
なお、貫通孔９０において、第１主面１６側の貫通孔直径ａと第２主面１７側の貫通孔直径ｃとダイヤフラム構造３の直径ＡとはＡ＝ａ＝ｃであってもよい。しかし、それに限らず、ダイヤフラム構造３の直径Ａより第１主面１６側の貫通孔直径ａと第２主面１７側の貫通孔直径ｃと、または双方のいずれか小さくすることにより、切削屑の浸入を抑止することも可能である。また、貫通孔９０内の直径ｂが、ａ及びｃと異なる径を有するようにしてもよい。その場合には、Ｕ字形状内にくびれ部やテーパー形状を設けることも可能であり、ダイヤフラム構造３への切削屑の浸入に対してより効果的である。
【００９６】
なお、上記の浸入抑止形状が施される貫通孔９０は基板６に設けられる場合に限られない。貫通孔９１としてキャップ１に設けられていてもよい。
【００９７】
図１６は、本発明の実施の形態１における変形例５の別の態様のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。なお、図１５と同様の要素には同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【００９８】
図１６に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１１１は、図１５に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１１０と、音孔である貫通孔９１が基板６でなくキャップ１に設けられている点で構成が異なる。
【００９９】
貫通孔９１は、音孔としてキャップ１に設けられており、貫通孔９１の断面形状がＵ字形状となる浸入抑止形状が施されている。貫通孔９１に、図１６のようにＵ字形状を有する浸入抑止形状が施されることにより、Ｕ字形状を有しない場合よりも貫通孔９１の壁面距離が増大する。それにより、ダイシング時の切削水の浸入経路が長くなり、切削水が貫通孔９１内に浸入することを抑止することができる。
【０１００】
なお、貫通孔９１において、キャップ１の第１主面１８側の貫通孔直径ｄとキャップ１の第２主面１９側の貫通孔直径ｅとダイヤフラム構造３の直径ＡとはＡ＝ｄ＝ｅであってもよい。しかし、それに限らず、ダイヤフラム構造３の直径Ａよりキャップ１の第１主面１８側の貫通孔直径ｄとキャップ１の第２主面１９側の貫通孔直径ｅと、または双方のいずれかを小さくすることにより、切削屑の浸入を抑止することも可能である。また、貫通孔９１内の直径ｂが、ｄ及びｅと異なる径を有するようにしてもよい。その場合には、Ｕ字形状内にくびれ部やテーパー形状を設けることも可能であり、ダイヤフラム構造３への切削屑の浸入に対してより効果的である。
【０１０１】
以上のように、ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の基板またはキャップに設けられた音孔である貫通孔に浸入抑止形状が施されることにより浸入抑止形状が施されない場合に比べ貫通孔壁面距離すなわち切削水や切断屑の浸入経路が長くなり、ダイシング時の切削水または切断屑が貫通孔８内に浸入するのを抑止することができる。そのため、ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置におけるダイヤフラム構造を守ることができる。
【０１０２】
以上、実施の形態１によれば、個片化を行う加工の際の切削水や切断屑の浸入を抑制でき、信頼性が向上するＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置及びその製造方法を実現することができる。
【０１０３】
（実施の形態２）
実施の形態１では、浸入抑止形状が貫通孔に設けられている場合の例を説明したが、それに限られない。音のような空気の振動は抑止しないがダイシング時の切削水の浸入を抑止できるものならよい。実施の形態２では、その例について説明する。
【０１０４】
図１７は、本発明の実施の形態２におけるＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。なお、図１と同様の要素には同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【０１０５】
図１７に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置２００は、図１に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１００と、音孔である貫通孔８に浸入抑止形状でなくポーラス膜１１が設けられている点で構成が異なる。
【０１０６】
貫通孔８は、図１７に示すように、音孔として基板６に設けられており、その貫通孔８の一部に、空気などの伝播物質は透過させるがダイシング時の切削水の浸入を防ぐようなポーラス膜１１を有している。
【０１０７】
ポーラス膜１１は、孔径が直径１〜１００μｍの多数の細孔を有しており、その組成はアルミナセラミック、ステンレス、ポーラスシリコン、有機高分子多孔体または樹脂ポーラスからなる。
【０１０８】
図１７のように、貫通孔８がポーラス膜１１を有することにより、貫通孔８にダイシング時の切削水が浸入することを防ぐことができる。また、切削屑の浸入に対してもより効果的である。
【０１０９】
なお、上記のポーラス膜が施される貫通孔８は基板６に設けられる場合に限られない。キャップ１に設けられていてもよい。
【０１１０】
図１８は、本発明の実施の形態２における別の態様のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。なお、図１７と同様の要素には同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【０１１１】
図１８に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置２０１は、図１７に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置２００と、音孔である貫通孔２０８が基板６でなくキャップ１に設けられている点で構成が異なる。
【０１１２】
貫通孔２０８は、音孔としてキャップ１に設けられており、キャップ１に設けられた貫通孔２０８の一部に空気などの伝播物質は透過させるがダイシング時の切削水の浸入を防ぐようなポーラス膜１１を有している。
【０１１３】
図１８のように貫通孔２０８がポーラス膜１１を有することにより、貫通孔２０８にダイシング時の切削水が浸入することを防ぐことができる。さらに、切削屑の浸入を防ぐこともできる。
【０１１４】
以上のように、ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の基板またはキャップに設けられた音孔である貫通孔にポーラス膜を設けることにより、ダイシング時の切削水または切断屑が貫通孔８内に浸入するのを防止することができる。そのため、ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置におけるダイヤフラム構造を守ることができる。
【０１１５】
以上、実施の形態２によれば、個片化を行う加工の際の切削水や切断屑の浸入を抑制でき、信頼性が向上するＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置及びその製造方法を実現することができる。
【０１１６】
（実施の形態３）
実施の形態３では、ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の基板またはキャップに設けられた音孔である貫通孔に個片化を行う加工の際の切削水や切断屑の浸入を抑制する別の態様について説明する。
【０１１７】
図１９及び図２０は、本発明の実施の形態３におけるＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。なお、図１と同様の要素には同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【０１１８】
図１９に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置３００は、図１に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１００と、ダイシング時の切削水の浸入を抑制するための構造を音孔である貫通孔８に設けるのではなくダイシングテープ９と基板６との間に設けられている点で構成が異なる。
【０１１９】
レジスト膜３１２は、ダイシング時の切削水の浸入を抑制するために、ダイシングテープ９と基板６との間に設けられているものである。レジスト膜３１２は、基板６の第１主面１６の垂直方向における電極７の厚さ（高さ）よりもｔ（例えば０〜５０μｍ）薄く（低く）形成されている。言い換えると、レジスト膜３１２は、電極７がレジスト膜３１２より０〜５０μｍの凸量ｔを有するようダイシングテープ９と基板６との間に設けられている。
【０１２０】
図１９のように、電極７がレジスト膜３１２より０〜５０μｍの凸量ｔを有するようにレジスト膜３１２を基板６の第２主面１７に設けられることにより、ダイシングテープ９の糊材が電極７におけるレジスト膜３１２からの凸量ｔを緩衝することができる。すなわち、ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置３００は、レジスト膜３１２と電極７とを介して基板６とダイシングテープ９との密着面積を増大させることにより、貫通孔８を密閉することができるので、ダイシング時の切削水及び切削屑の浸入を防ぐことができる。
【０１２１】
なお、レジスト膜３１２は、図２０に示すように、基板６と反対側の面に１〜４９μｍの程度の凹凸３１３を有していてもよい。その場合、貫通孔８への切削水浸入経路がさらに増大することになるので、ダイシング時の切削水及び切削屑が貫通孔８へ浸入することを防ぐことができる。
【０１２２】
また、このレジスト膜３１２はダイシングテープ９から剥す工程で、ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置３００が有するようにしても良いし、ダイシングテープ９に残るようにしても良い。
【０１２３】
（変形例１）
図２１及び図２２は、本発明の実施の形態３における変形例１のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。なお、図１９と同様の要素には同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【０１２４】
図２１に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置３０２は、図１９に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置３００と、ダイシング時の切削水の浸入を抑制するために設けられるレジスト膜３１４の構成が異なる。すなわち、レジスト膜３１４は、基板６の第２主面側全体にではなく特に貫通孔８の回りのみに形成されている点が異なる。
【０１２５】
レジスト膜３１４は、電極７がレジスト膜３１４より０〜５０μｍの凸量ｔを有するよう貫通孔８の回りに設けられている。図中、レジスト膜３１４は、基板６の第２主面１７における貫通孔８の回りに、ダイシングテープ９と基板６との間でかつ、基板６の第２主面１７における電極７の間を連続的につないだパターンを有するように形成されている。
【０１２６】
図２０のように、電極７がレジスト膜３１４より０〜５０μｍの凸量ｔを有するようなレジスト膜３１２を上記のように特に貫通孔８回りのみに設けられることにより、ダイシングテープ９の糊材が電極７の凸量ｔを緩衝することができる。すなわち、ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置３００は、レジスト膜３１４と電極７とを介して貫通孔８回りにおける基板６とダイシングテープ９との密着面積を増大させることにより、貫通孔８を密閉することができる。それにより、ダイシング時の切削水及び切削屑の浸入を防ぐことができる。
【０１２７】
なお、レジスト膜３１４は、図２２に示すように、基板６と反対側の面に１〜４９μｍの程度の凹凸３１３を有していてもよい。その場合、貫通孔８への切削水浸入経路がさらに増大することになるので、ダイシング時の切削水及び切削屑が貫通孔８へ浸入することを防ぐことができる。
【０１２８】
また、このレジスト膜３１４はダイシングテープ９から剥す工程で、ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置３０２に有するようにしても良いし、ダイシングテープ９に残るようにしても良い。
【０１２９】
以上のように、ダイシング時の切削水の浸入を抑制するために、ダイシングテープ９と基板６との間にレジスト膜を設けることによりダイシング時には貫通孔８が密封されているので、ダイシング時の切削水または切断屑が貫通孔８内に浸入するのを防止することができる。そのため、ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置におけるダイヤフラム構造を守ることができる。
【０１３０】
以上、実施の形態３によれば、個片化を行う加工の際の切削水や切断屑の浸入を抑制でき、信頼性が向上するＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置及びその製造方法を実現することができる。
【０１３１】
（実施の形態４）
実施の形態１〜３では、ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の基板に固定されている半導体素子２と半導体素子４とをカバーするものとしてキャップ１を例に挙げて説明したが、それに限らない。例えばキャップ１の代わりにリブと板キャップとを用いてもよい。以下、実施の形態４として、リブと板キャップとを用いる場合の例を説明する。
【０１３２】
図２３及び図２４は、本発明の実施の形態４におけるＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置の断面図である。なお、図１及び図４と同様の要素には同一の符号を付しており、詳細な説明は省略する。
【０１３３】
図２３に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置４００は、図１に示すＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置１００に対してキャップ１の代わりに、リブ４５１と板キャップ４５３とが接着剤５により基板６に固定される点が異なる。
【０１３４】
リブ４５１と板キャップ４５３とは、基板６に固定されている半導体素子２と半導体素子４とをカバーするものであり、接着剤５により基板６に固定されている。
【０１３５】
リブ４５１は、基板６の第１主面１６における半導体素子２及び半導体素子４の周囲に設置されており、接着剤５により基板６と固定されている。
【０１３６】
板キャップ４５３は、平面板である。板キャップ４５３は、基板６に固定されている半導体素子２と半導体素子４とを覆うよう、リブ４５１上に設置されて接着剤５によりリブ４５１と固定されている。
【０１３７】
なお、接着剤５は、リブ４５１と板キャップ４５３とが設置された後に熱により硬化（熱硬化）される。それにより、接着剤５は、基板６及びリブ４５１並びにリブ４５１及び板キャップ４５３を固定する。
【０１３８】
また、基板６には、音孔となる貫通孔８が設けられており、電極７が主面とは反対の面に形成されている。
【０１３９】
貫通孔８には、音孔として基板６に設けられている。そして、基板６に設けられた貫通孔８には、音のような空気の振動は抑止しないがダイシング時の切削水の浸入は抑止し得る浸入抑止形状が設けられている。
【０１４０】
以上のようにして、ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置４００は構成される。
以上、実施の形態４によれば、個片化を行う加工の際の切削水や切断屑の浸入を抑制でき、信頼性が向上するＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置及びその製造方法を実現することができる。
【０１４１】
なお、上記では、浸入抑止形状が貫通孔に設けられている例を説明したが、音のような空気の振動は抑止しないがダイシング時の切削水の浸入は抑止するものなら貫通孔に浸入抑止形状を設ける場合に限らない、実施の形態１〜４で説明したいずれの場合も適用できるのはいうまでもない。
【０１４２】
また、音孔である貫通孔８が基板６に設けられる場合に限らない。図２４に示すように音孔である貫通孔８１が板キャップ４５３に設けられていてもよい。
【０１４３】
以上、本発明のＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、当業者が思いつく各種変形を本実施の形態に施したものや、異なる実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される形態も、本発明の範囲内に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１４４】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に利用でき、特に振動電極を有するセンサーデバイスなどのＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術を用いて形成する半導体装置及びその製造方法に利用することができる。
【符号の説明】
【０１４５】
１  キャップ
２  半導体素子
３  ダイヤフラム構造
４  半導体素子
５  接着剤
６  基板
７  電極
８、８１、８２、８３、８４、８５、８６、８７、８８、８９、９０、９１、２０８  貫通孔
９  ダイシングテープ
１０  ワイヤー部
１１  ポーラス膜
１４  ダイシングブレード
１６、１８  第１主面
１７、１９  第２主面
１００、１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６、１０７、１０８、１０９、１１０、１１１、２００、２０１、３００、３０２、４００、４０１  ＭＥＭＳマイクロフォン半導体装置
３１２、３１４  レジスト膜
３１３  凹凸
４５１  リブ
４５３  板キャップ
【図１】
2010268412.tif 000003
【図２】
2010268412.tif 000004
【図３】
2010268412.tif 000005
【図４】
2010268412.tif 000006
【図５】
2010268412.tif 000007
【図６】
2010268412.tif 000008
【図７】
2010268412.tif 000009
【図８】
2010268412.tif 000010
【図９】
2010268412.tif 000011
【図１０】
2010268412.tif 000012
【図１１】
2010268412.tif 000013
【図１２】
2010268412.tif 000014
【図１３】
2010268412.tif 000015
【図１４】
2010268412.tif 000016
【図１５】
2010268412.tif 000017
【図１６】
2010268412.tif 000018
【図１７】
2010268412.tif 000019
【図１８】
2010268412.tif 000020
【図１９】
2010268412.tif 000021
【図２０】
2010268412.tif 000022
【図２１】
2010268412.tif 000023
【図２２】
2010268412.tif 000024
【図２３】
2010268412.tif 000025
【図２４】
2010268412.tif 000026