(57)【要約】      （修正有）【課題】プラズマディスプレイパネル内に残留ガスが少なく、封止部にチップ管の突起物がなく、封止部で放電ガスが漏洩しない封止方法と製造装置を提供する。【解決手段】プラズマディスプレイパネルは、接続孔１８が設けられた第一の基板１０と第二の基板２０からなり、第一の基板１０と第二の基板２０を貼り合わせ、接続孔１８から所定圧力の放電ガスを導入する。表面に封着材料６２が配置された封止板６１を第一の基板１０表面の接続孔１８周辺に押し当て、封着材料６２を加熱台４６により加熱溶融し、冷却固化させ接続孔１８を封止する。封着材料６２を加熱溶融させる際に、封着材料６２の周辺（小室４１内）の圧力を第一の基板１０と第二の基板２０間の圧力より高くすることにより、封止部から放電ガスが漏洩しなくなる。また、チップ管を必要としないので、パネル内の排気が十分にできる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面から裏面まで貫通する接続孔が設けられた第一の基板を、第二の基板と貼り合せ、
前記接続孔を介して、前記第一、第二の基板間に放電ガスを導入し、設定圧力の放電雰囲気を形成した後、
封止板表面に封着材料が配置された封止部材の、前記封着材料が配置された面を、前記第一の基板表面の前記接続孔が形成された部分に押し当て、
前記封着材料を加熱溶融し、加熱溶融した前記封着材料を前記第一の基板の前記接続孔周囲の部分に密着させ、
前記封着材料を冷却固化させ、前記接続孔を封止するプラズマディスプレイパネルの封止方法であって、
加熱溶融した前記封着材料を前記第一の基板に密着させる際には、前記封着材料周囲の圧力を、前記放電雰囲気の前記設定圧力よりも高くするプラズマディスプレイパネルの封止方法。
【請求項２】
開口が形成された小室の、前記開口が形成された面を、前記第一の基板に押し当て、前記第一、第二の基板間の空間を前記小室の内部空間に気密に接続し、
前記小室の内部空間に前記放電ガスを導入して、前記第一、第二の基板間に前記放電雰囲気を形成する請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの封止方法であって、
前記放電雰囲気形成後、前記第一、第二の基板間の空間を前記小室の内部空間に気密に接続したまま、前記小室内で前記封止部材を前記第一の基板に押し当て、前記封着材料を加熱溶融し、
前記小室内部に前記放電ガスを導入して、前記封着材料周囲の圧力を高くするプラズマディスプレイパネルの封止方法。
【請求項３】
前記第一の基板表面の前記接続孔周囲にガラスを露出させておき、
前記封着材料としてガラスを用いる請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のプラズマディスプレイパネルの封止方法。
【請求項４】
前記第一の基板表面の前記接続孔周囲に金属膜を露出させておき、
前記封着材料として金属を用いる請求項１又は請求項２のいずれか１項記載のプラズマディスプレイパネルの封止方法。
【請求項５】
前記第一、第二の基板を貼り合せた後、前記放電ガスを導入する前に、前記第一、第二の基板を加熱しながら、前記第一、第二の基板間を真空排気する請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載のプラズマディスプレイパネルの封止方法。
【請求項６】
前記第一、第二の基板の貼り合せを、真空雰囲気中で行う請求項１乃至請求項４のいずれか１項記載のプラズマディスプレイパネルの封止方法。
【請求項７】
請求項２記載の封止方法を実施するための封止機構であって、
前記小室と、
前記小室を前記封着対象物に対して移動させる第一の移動装置と、
前記小室内部に配置されたヒータと、
前記ヒータを前記封着対象物に対して移動させる第二の移動装置と、
前記小室内部の圧力を測定する圧力計と、
前記小室内部に前記放電ガスを導入するガス導入系とを有し、
前記圧力計の測定値に基づいて、前記小室内部に導入される前記放電ガスの流量を変更可能にされた封止機構。
【請求項８】
封止室と、請求項７記載の封止機構とを有し、
前記小室は前記第一の移動装置により、前記開口が形成された部分が前記封止室内部に突き出されるようにされた封止装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はプラズマディスプレイパネル等の表示装置の封止技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、プラズマディスプレイパネルは表示装置として広く用いられている。
プラズマディスプレイは、前面板と背面板からなり、これらを対向させ、周辺部を低融点ガラスで封着することにより、内部に数百μｍ程度の放電空間を形成した表示デバイスである。
【０００３】
背面板にはあらかじめ貫通穴が開けられており、周辺部の封着時に貫通穴と連結するように給排気用のガラス管（チップ管）を低融点ガラスで取り付ける。その後、チップ管を介して内部の放電空間の真空排気を行うとともに放電空間の加熱排気を行う。
【０００４】
所定の真空度になるように所定の時間排気を行った後、パネル内を室温に戻し、チップ管を介して放電ガス、たとえば、ネオン、キセノン、ヘリウム、あるいはこれらの混合ガスを所定の圧力まで充填し、チップ管をガスバーナー等で封じきる。従って、背面板には、通常チップ管がついた状態にある。
【０００５】
しかし、チップ管を使用した封止方法では、長時間の加熱排気が必要となり、加熱排気が不十分だった場合は、放電ガス純度が悪くなり、放電特性にばらつきが出る。また、最終的にパネルにチップ管が残る。このチップ管は脆いため、取り扱いに注意が必要となる。
【０００６】
他の封止方法として、背面板と前面板を貼り合わせ治具に装着した状態で真空処理装置内に設置し、真空排気、加熱排気を行った後、真空処理装置内に放電ガスを導入し、前面板と背面板を低融点ガラスを溶かして封着を行う方法が提案されている（特許文献１を参照）。
【０００７】
この封止方法で作成した場合は、排気時間が短くなるが、パネルの封着時に放出されるガスが放電ガスとともにパネル内部に残留する問題がある。また、ガスを導入した状態で加熱封着を行うため、パネル内のガス圧力が所定の圧力になっていない可能性がある。更に、真空処理装置内にガスを導入するため、高価な放電ガスが大量に必要である。
【０００８】
別の封止方法として、前面板と背面板を低融点ガラスで加熱封着し、パネルを形成後、パネル内部を排気する機構、放電ガスを導入する機構、低融点ガラスを塗布した金属板を加熱する機構を持つ装置をパネルのガス導入用穴に取り付け、内部の排気、ガス導入を行い、最後に低融点ガラスを塗布した金属板を加熱してガス導入用穴を塞ぐ方法が提案されている（特許文献３を参照）。
【０００９】
この封止方法で作成した場合、チップ管がなく、また、パネル内の排気も十分にできるが、最後のガス導入用穴を塞ぐ金属板を取り付けるために加熱するときにパネル内部のガスが膨張し、低融点ガラスから吹き出し、その状態で加熱を停止するために、封止部でガスが漏洩し、パネルの封止ができない問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開平１０−３１９５７号公報
【特許文献２】特開平１０−４０８１８号公報
【特許文献３】特開２００１−１９５９８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
パネル内に残留ガスが少なく、かつ、チップ管を使用せずに、封止部でリークのないプラズマディスプレイの封止方法と製造装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために本発明は、表面から裏面まで貫通する接続孔が設けられた第一の基板を、第二の基板と貼り合せ、前記接続孔を介して、前記第一、第二の基板間に放電ガスを導入し、設定圧力の放電雰囲気を形成した後、封止板表面に封着材料が配置された封止部材の、前記封着材料が配置された面を、前記第一の基板表面の前記接続孔が形成された部分に押し当て、前記封着材料を加熱溶融し、加熱溶融した前記封着材料を前記第一の基板の前記接続孔周囲の部分に密着させ、前記封着材料を冷却固化させ、前記接続孔を封止するプラズマディスプレイパネルの封止方法であって、加熱溶融した前記封着材料を前記第一の基板に密着させる際には、前記封着材料周囲の圧力を、前記放電雰囲気の前記設定圧力よりも高くするプラズマディスプレイパネルの封止方法である。
本発明は、開口が形成された小室の、前記開口が形成された面を、前記第一の基板に押し当て、前記第一、第二の基板間の空間を前記小室の内部空間に気密に接続し、前記小室の内部空間に前記放電ガスを導入して、前記第一、第二の基板間に前記放電雰囲気を形成する請求項１記載のプラズマディスプレイパネルの封止方法であって、前記放電雰囲気形成後、前記第一、第二の基板間の空間を前記小室の内部空間に気密に接続したまま、前記小室内で前記封止部材を前記第一の基板に押し当て、前記封着材料を加熱溶融し、前記小室内部に前記放電ガスを導入して、前記封着材料周囲の圧力を高くするプラズマディスプレイパネルの封止方法である。
本発明はプラズマディスプレイパネルの封止方法であって、前記第一の基板表面の前記接続孔周囲にガラスを露出させておき、前記封着材料としてガラスを用いるプラズマディスプレイパネルの封止方法である。
本発明はプラズマディスプレイパネルの封止方法であって、前記第一の基板表面の前記接続孔周囲に金属膜を露出させておき、前記封着材料として金属を用いるプラズマディスプレイパネルの封止方法である。
本発明はプラズマディスプレイパネルの封止方法であって、前記第一、第二の基板を貼り合せた後、前記放電ガスを導入する前に、前記第一、第二の基板を加熱しながら、前記第一、第二の基板間を真空排気するプラズマディスプレイパネルの封止方法である。
本発明はプラズマディスプレイパネルの封止方法であって、前記第一、第二の基板の貼り合せを、真空雰囲気中で行うプラズマディスプレイパネルの封止方法である。
本発明は、前記封止方法を実施するための封止機構であって、前記小室と、前記小室を前記封着対象物に対して移動させる第一の移動装置と、前記小室内部に配置されたヒータと、前記ヒータを前記封着対象物に対して移動させる第二の移動装置と、前記小室内部の圧力を測定する圧力計と、前記小室内部に前記放電ガスを導入するガス導入系とを有し、前記圧力計の測定値に基づいて、前記小室内部に導入される前記放電ガスの流量を変更可能にされた封止機構である。
本発明は封止装置であって、封止室と、前記封止機構とを有し、前記小室は前記第一の移動装置により、前記開口が形成された部分が前記封止室内部に突き出されるようにされた封止装置である。
【発明の効果】
【００１３】
小室は封止室よりも小さいから放電ガスの使用量が少なくてすむ。加熱溶融した封着材料を第一の基板に密着させる際、放電ガスが吹き出さないから、パネルの封止が正常に行なわれ、第一、第二の基板間の放電雰囲気が維持される。チップ管を用いないから、脱ガス及び放電ガスの導入が短時間で終了し、しかもＰＤＰの取り扱いが容易になる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】ＰＤＰの一例を説明する模式的な斜視図
【図２】本発明の封止装置の一例を説明する断面図
【図３】本発明の封止機構を説明する断面図
【図４】封止部材を第一の基板に押し当てた状態の断面図
【図５】封止部材が第一の基板に固定された状態の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１５】
図１の符号１はＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）の一例を示している。ＰＤＰ１は、第一、第二の基板１０、２０を有している。第一、第二の基板１０、２０は第一、第二の基板本体１１、２１を有している。
第一の基板本体１１の表面には、維持電極１５と走査電極１６が間隔を空けて交互に並べられている。維持電極１５と走査電極１６は互いに離間して絶縁され、それら表面と、維持電極１５と走査電極１６の間には誘電体膜１２が形成されている。誘電体膜１２の表面には保護膜１４が形成されている。
【００１６】
他方、第二の基板本体２１の表面には、アドレス電極２５が互いに平行に配置されている。アドレス電極２５は互いに離間して絶縁され、それら表面と、アドレス電極２５間には誘電体層２４が配置されている。アドレス電極２５間には、隔壁２３がアドレス電極２５の長手方向に沿って配置されている。
【００１７】
第一、第二の基板１０、２０は、保護膜１４が形成された面と、隔壁２３が形成された側の面とが互いに対向し、アドレス電極２５に対し、維持電極１５と走査電極１６が直交するよう位置合わせされて貼り合わされている。
第一、第二の基板１０、２０間の放電空間２７は、後述するように放電ガスが導入されてから封止され、所定圧力の放電雰囲気が形成されている。選択した走査電極１６とアドレス電極２５の間に電圧を印加すると、それらの電極が交差する発光セルで書き込み放電（アドレス放電）が起こり、壁電荷が蓄積する。
【００１８】
保護膜１４はＭｇＯ、ＳｒＯ、ＣａＯ等の金属酸化物からなり、走査電極１６と維持電極１５との間に交流電圧を印加すると、壁電荷が蓄積された発光セルで、保護膜１４から電子が放電されて維持放電が起こり、放電ガスがプラズマ化し、紫外線が発生する。
【００１９】
第一、第二の基板１０、２０のいずれか一方又は両方の表面には蛍光体膜２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂが配置されている。蛍光体膜２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂは複数色（例えば赤、緑、青）があり、隣接する隔壁２３間には異なる色の蛍光体膜２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂが配置されている。紫外線が発生した発光セルにある蛍光体膜２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂは、紫外線により励起して可視光を放出する。
【００２０】
第一、第二の基板本体１１、２１は透明基板（例えばガラス）で構成されている。誘電体膜１２や保護膜１４、維持、走査電極１５、１６も透明であるから、少なくとも第一の基板１０は透明である。従って、放出された可視光は、第一の基板１０を透過して外部に放出される。
【００２１】
尚、選択した走査電極１６と、該走査電極１６に隣接する維持電極１５の間に、維持放電の時よりも弱い電圧を印加し、維持放電よりも弱い放電（消去放電）を起こすと、壁電荷が中和され、消灯する。
【００２２】
次に、ＰＤＰ１の製造に用いる本発明の封止装置について説明する。
図２の符号３は本発明の封止装置を示している。封止装置３は、封止室３１と、封止機構４とを有している。
封止機構４は容器状の小室４１と、昇降軸４５と、第一、第二の移動装置５０、５５とを有している。第一、第二の移動装置５０、５５は筒状の伸縮部材（第一、第二のベローズ５１、５６）を有している。
【００２３】
封止室３１の底壁には貫通孔３２が形成されている。第一のベローズ５１の一端開口は、貫通孔３２の周囲を取り囲み、封止室３１の底壁に気密に取り付けられ、第一のベローズ５１と貫通孔３２とが気密に連通している。第一のベローズ５１の他端は第一の支持板５２で塞がれている。
【００２４】
小室４１は開口４３を封止室３１に向けた状態で、第一の支持板５２を貫通して第一のベローズ５１内に挿通されている。小室４１の底面は第一のベローズ５１外部に突き出されている。
小室４１底面には貫通孔４２が形成されており、第二のベローズ５６は、一端開口がその貫通孔４２の周囲を取り囲み、小室４１底面に気密に取り付けられ、第二のベローズ５６と貫通孔４２とが気密に連通している。第二のベローズ５６の他端は第二の支持板５７で塞がれている。
昇降軸４５は、第二の支持板５７を気密に貫通して第二のベローズ５６に挿通され、上端は貫通孔４２を通って小室４１内に突き出されている。
【００２５】
封止室３１と第一のベローズ５１の間と、第一のベローズ５１と第一の支持板５２の間と、第一の支持板５２と小室４１の間と、小室４１と第二のベローズ５６の間と、第二のベローズ５６と第二の支持板５７間と、第二の支持板５７と昇降軸４５間は気密にされている。
しかも、開口４３や、貫通孔３２、４２は、第一、第二のベローズ５１、５６や第一、第二の支持板５２、５７で覆われているから、第一、第二のベローズ５１、５６の内部空間と、小室４１の内部空間と、封止室３１の内部空間は気密に接続され、それらの内部空間で構成される封止装置３の内部空間は、外部雰囲気から遮断されている。
【００２６】
第一の支持板５２と昇降軸４５は第一、第二の移動手段５３、５８に接続されており、第一、第二の移動手段５３、５８により、第一の支持板５２と昇降軸４５は別々に昇降可能になっている。小室４１は第一の支持板５２に固定され、第二の支持板５７は昇降軸４５に固定されている。
【００２７】
第一の支持板５２を昇降させると、第一のベローズ５１が伸縮して、封止装置３の内部空間を外部雰囲気から遮断したまま小室４１が昇降する。また、昇降軸４５を昇降させると、第二のベローズ５６が伸縮して、封止装置３の内部空間を外部雰囲気から遮断したまま第二の支持板５７が一緒に昇降する。
【００２８】
小室４１は封止室３１の貫通孔３２よりも小径であって、小室４１を上昇させると、上端の開口４３が貫通孔３２を通って封止室３１内部に突き出される。逆に、小室４１を下降させると、小室４１が封止室３１から退出する。
昇降軸４５の先端には加熱台４６が配置され、昇降軸４５を上昇させると、加熱台４６が小室４１上端から突き出され、昇降軸４５を下降させると加熱台４６が小室４１内部に退出する。
【００２９】
次に、この封止装置３を用いて、ＰＤＰ１を製造する工程について説明する。
先ず、第一、第二の基板１０、２０を位置合わせし、リング状の封止材料２９を、蛍光体膜２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂが配置された発光領域２８を取り囲むように第一、第二の基板１０、２０間に配置する。
【００３０】
封止材料２９は低融点ガラスや樹脂等で構成されている。第一、第二の基板１０、２０で封止材料２９を挟み込み、封止材料２９を加熱溶融後、冷却する。封止材料２９は第一、第二の基板１０、２０と密着した状態で固化し、第一、第二の基板１０、２０が一定距離離間した状態で貼り合わされる。
小室４１及び加熱台４６を封止室３１から退出させておき、貼り合せた第一、第二の基板１０、２０を、封止室３１に接続された搬送室１９、又は大気雰囲気から直接、封止室３１に搬入する。
【００３１】
第一の基板１０の発光領域２８と封止材料２９との間には、第一の基板１０を表面から裏面まで貫通する接続孔１８が設けられている。第一、第二の基板１０、２０間の封止材料２９で囲まれた放電空間２７は、接続孔１８を介して封止室３１の内部空間に接続される。
小室４１の開口４３は接続孔１８よりは大きく、かつ、第一の基板１０よりは小さくされている。第一の基板１０を下側に向け、接続孔１８とその周囲の部分が開口４３の真上に位置するように、第一、第二の基板１０、２０を不図示の基板ホルダに保持させる。
【００３２】
小室４１の上端には、開口４３を取り囲むリング状の密着部材（Ｏリング）６５が配置されている。加熱台４６上に後述する封止部材６０を予め配置しておき、加熱台４６及び封止部材６０を小室４１内に配置した状態で、小室４１を上昇させ、Ｏリング６５を第一の基板１０表面の接続孔１８周囲の部分に接触させる。
【００３３】
更に小室４１を上昇させ、Ｏリング６５を弾性変形させ、小室４１上端と第一の基板１０表面に密着させる（図３）。接続孔１８はＯリング６５の内側に位置するから、第一、第二の基板１０、２０間の放電空間２７は小室４１の内部空間に気密に接続され、封止室３１の内部空間からは遮断される。
【００３４】
小室４１には、真空排気系４４と、圧力計４７と、ガス導入系４９とが接続され、封止室３１内には不図示のヒータが配置されている。
第一、第二の基板１０、２０間の放電空間２７を小室４１の内部空間に気密に接続し、封止室３１の内部空間からは遮断した状態で、ヒータに通電し、第一、第二の基板１０、２０を所定の前処理温度に加熱し、真空排気系４４により小室４１内部を真空排気し、前処理を行なう。
【００３５】
第一、第二の基板１０、２０に付着する水等の不純物は加熱により蒸発する。蒸発した不純物のガスは、酸素等の他の不純物ガスと一緒に、第一、第二の基板１０、２０間の放電空間２７から、接続孔１８を通って小室４１内に排出され、更に真空排気系４４により小室４１内部からも排出される。
【００３６】
従って、第一、第二の基板１０、２０を大気雰囲気で貼り合せたとしても、貼り合せ時に混入した不純物は、前処理により除去される。前処理条件の一例を述べると、前処理温度は３８０℃、前処理時の真空雰囲気の圧力は１．０×１０-5Ｐａ、前処理に要する時間は１０時間である。
【００３７】
前処理終了後、第一、第二の基板１０、２０の加熱を終了し、第一、第二の基板１０、２０を所定温度（例えば室温）まで冷却する。第一、第二の基板１０、２０間の放電空間２７及び小室４１の内部空間を、封止室３１から遮断した状態で、真空排気しながら、ガス導入系４９から放電ガスを小室４１内に導入する。
【００３８】
圧力計４７とガス導入系４９はそれぞれ制御手段４８に接続されている。圧力計４７は小室４１の内部圧力を測定し、その測定値を制御手段４８に伝達する。制御手段４８には、予め、放電空間２７に形成すべき放電雰囲気の圧力（例えば６６．７ｋＰａ）が設定されている。
【００３９】
制御手段４８は圧力計４７の測定値と、放電雰囲気の設定圧力とを比較し、測定値が放電雰囲気の設定圧力と同じになるように放電ガス流量を制御する。放電空間２７には、前処理によって、放電雰囲気の設定圧力よりも低圧の真空雰囲気が形成されているから、放電ガスは接続孔１８を通って放電空間２７に入り込み、設定圧力の放電雰囲気が形成される。
放電雰囲気形成後、第一、第二の基板１０、２０間の放電空間２７及び小室４１の内部空間を、封止室３１から遮断したまま、昇降軸４５を上昇させて、加熱台４６上の封止部材６０を第一の基板１０に接近させる。
【００４０】
封止部材６０は封止板６１と、封止板６１表面に配置された封着材料６２とを有しており、封着材料６２が配置された面を上側に向けて加熱台４６上に配置されている。
封止部材６０の封着材料６２が形成された部分の面積は、接続孔１８よりも広く、封着材料６２は接続孔１８の真下位置で、外周が接続孔１８の全外周からはみ出している。従って、封止部材６０を第一の基板１０に押し当てると、第一の基板１０の接続孔１８と、その周囲の部分が封着材料６２で覆われる（図４）。
【００４１】
加熱台４６には不図示のヒータが内蔵されており、ヒータに通電して加熱台４６を昇温させ、封着材料６２を加熱する。封着材料６２は低融点ガラス又は低融点金属からなり、封止部材６０を第一の基板１０に押し当てながら封着材料６２を融点以上に加熱すると、封着材料６２が溶融し、溶融した封着材料６２が第一の基板１０の接続孔１８周囲の部分に隙間無く密着する。
【００４２】
加熱開始から所定時間が経過するか、封着材料６２が融点以上に昇温したことが不図示の温度計で確認されたら、制御手段４８は封着材料６２が溶融したと判断し、排気速度を一定にしたまま、放電ガスの流量を上げて、小室４１の内部圧力を、放電雰囲気の設定圧力よりも高い圧力（例えば７５ｋＰａ）にする。
【００４３】
封着材料６２が加熱される時には、第一の基板１０も加熱され、第一、第二の基板１０、２０間の放電空間２７に導入された放電ガスが熱膨張し、放電空間２７に形成された放電雰囲気は設定圧力よりも高くなる。
上述したように、小室４１の内部圧力は、放電雰囲気の設定圧力よりも高くなっているから、放電ガスが第一、第二の基板１０、２０間の放電空間２７から吹き出さない。
【００４４】
小室４１の内部圧力を、放電雰囲気の設定圧力よりも高い値に維持したまま、加熱溶融した封着材料６２を所定時間（例えば２分）第一の基板１０に押し当て、接着させる。接着終了後、加熱を終了し、封止部材６０を第一の基板１０に押し当てたまま冷却して、封着材料６２を固化させる。
小室４１には回収手段のベント配管６７が接続されており、封着材料６２を固化させた後、放電ガスの導入を停止した状態で、回収手段により小室４１内部を排気して放電ガスを回収する。
【００４５】
放電ガス回収後、放電ガスと同じガス導入系４９、又は別のガス導入系からＮ2等の後処理ガスを導入し、小室４１内の圧力を、封止室３１の内部圧力と略等しい所定圧力（例えば大気圧）に上昇させてから、小室４１と加熱台４６とを下降させ、封止機構４を第一、第二の基板１０、２０から分離する（図５）。
【００４６】
第一の基板１０の接続孔１８周囲の部分にガラスが露出する場合、封止板６１の表面にはガラスが露出し、封着材料６２は低融点ガラスで構成される。また、第一の基板１０の接続孔１８周囲の部分に金属膜が露出する場合、封止板６１の表面には金属が露出し、封着材料６２は低融点金属で構成されている。
【００４７】
同じ種類の材料同士（ガラスと低融点金属、又は金属と低融点金属）は接着性が高いから、封止板６１が第一の基板１０に強固に固定され、接続孔１８が封止部材６０で気密に塞がれ、放電雰囲気が維持される。
以上は、前処理を行なってから放電ガスを導入する場合について説明したが、本発明はこれに限定されない。例えば、封止装置３の内部空間に予め真空雰囲気を形成しておき、真空雰囲気中で貼り合せた第一、第二の基板１０、２０を大気に曝さず、真空雰囲気中を運搬して封止室３１内部に搬入する。
【００４８】
第一、第二の基板１０、２０間の放電空間２７を小室４１の内部空間に気密に接続し、該放電空間２７と小室４１とを封止室３１から遮断した後、封止室３１の内部を大気圧にする。貼り合せ時に第一、第二の基板１０、２０間に不純物が混入が混入し難いから、封止室３１を大気圧に戻してから、前処理を行なわずに、小室４１内部に放電ガスを導入して、第一、第二の基板１０、２０間に放電雰囲気を形成できる。
【００４９】
封止板６１は例えばガラスであり、第一、第二の基板本体１１、２１と同じ種類ガラスを用いることが望ましい。
封止板６１の表面及び第一の基板１０表面の接続孔１８周囲の部分に金属膜を形成する場合、その金属膜の材料や成膜方法は特に限定されないが、一例を述べると、クロムと銀の積層膜をスパッタリング法等で成膜する。
【００５０】
封着材料６２として、インジウム等の低融点金属を使用する場合は、事前に封止板６１に封着材料６２を載せた状態で、真空中で溶融させ脱ガスを行なう。
放電雰囲気の圧力は特に限定されないが、例えば５３ｋＰａ〜６６．７ｋＰａである。封着材料６２が溶融した時の小室４１の内部圧力も特に限定されないが、例えば、７０ｋＰａ〜７５ｋＰａであり、加熱溶融した封着材料６２を第一の基板１０に押し当てる時間は、例えば１分〜２分程度である。
【００５１】
ここでは、維持電極１５と走査電極１６が形成された基板１０を第一の基板としたが、アドレス電極２５が形成された基板２０を第一の基板とし、その基板に接続孔１８を形成してもよい。また、接続孔１８を第一、第二の基板１０、２０の両方に形成してもよい。この場合、第一、第二の基板１０、２０の両方の接続孔１８を、封止部材６０により封止する必要がある。
【００５２】
制御手段４８を真空排気系４４に接続し、放電ガスの流量を変えずに、真空排気系４４の排気速度を変えることで、小室４１の内部圧力を変更することもできる。更に、制御手段４８を、ガス導入系４９と真空排気系４４の両方に接続し、放電ガスの流量と排気速度の両方を変えることで、小室４１内部の圧力を変更することもできる。
【００５３】
封着材料６２が溶融する前に、小室４１の内部圧力を上昇させてもよいが、固体の封着材料６２と、第一の基板１０の間には隙間が生じる場合があり、第一、第二の基板１０、２０間の放電空間２７に余分な放電ガスが入り込む虞がある。従って、封着材料が溶融し、第一の基板１０と隙間無く密着してから、小室４１の内部圧力を上昇させることが望ましい。
【００５４】
放電ガスは特に限定されないが、例えばＸｅガスとＮｅガスのいずれか一方又は両方を有する。放電ガス以外のガスを入れて、小室４１の内部圧力を上げてもよいが、第一、第二の基板１０、２０間の放電空間２７が汚染される虞があるので、放電空間２７に導入したものと同じ放電ガスを用いることが望ましい。
【符号の説明】
【００５５】
１……ＰＤＰ    ３……封止装置    ４……封止機構    １０……第一の基板    １８……接続孔    １９……搬送室    ２０……第二の基板    ３１……封止室    ４１……小室    ４４……真空排気系    ４６……加熱台    ４７……圧力計    ４９……ガス導入系    ５０……第一の移動装置    ５５……第二の移動装置    ６０……封止部材    ６１……封止板    ６２……封着材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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