(57)【要約】【課題】発光デバイス１を構成するパッケージ基板２に、貫通電極７と反射膜５の基板に対する密着性を向上させる。【解決手段】中央部に窪み３を有するパッケージ基板２と、その窪み３の底辺に実装された発光素子４と、窪み３の壁面に形成された反射膜５と、窪み３の底辺からパッケージ基板２の裏面に貫通する貫通孔１１に充填された貫通電極７と、を備えており、当該反射膜５及び貫通電極７は、ナノ金属粒子を熱処理して得られた金属材料を含むようにした。【選択図】図１
2010123606.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中央部に窪みを有するパッケージ基板と、前記窪みの底辺に実装された発光素子と、前記窪みの壁面に形成された反射膜と、前記窪みの底辺から前記パッケージ基板の裏面に貫通する貫通孔に充填された貫通電極と、を備え、
前記反射膜及び前記貫通電極は、前記窪みの壁面及び前記貫通孔の側壁面にナノ金属粒子を付着させて熱処理により得られた金属材料を含む発光デバイス。
【請求項２】
前記貫通電極は、前記貫通孔の側壁面にナノ金属粒子を付着させて熱処理により得られた第１導体と、前記第１導体の内周側に充填された第２導体からなることを特徴とする請求項１に記載の発光デバイス。
【請求項３】
前記窪みの底辺には、ナノ金属粒子を付着させて熱処理により得られた金属材料からなる反射膜が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光デバイス。
【請求項４】
中央部に窪みと、前記窪みの底辺に穴を有するパッケージ基板を形成する工程と、
前記窪みの壁面と、前記穴の側壁面にナノ金属粒子を付着させて熱処理する工程と、
前記ナノ金属粒子が付着された穴に導電材料を充填する工程と、
前記窪みの底辺に発光素子を実装する工程と、
前記発光素子を封止材により封止する工程と、を含む発光デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記ナノ金属粒子は、ナノ銀粒子、ナノ金粒子又はナノ銅粒子であることを特徴とする請求項４に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記ナノ金属粒子を付着させる工程の前に、前記窪みの壁面及び前記穴の側壁面を撥水性表面に置換することを特徴とする請求項４又は５に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記パッケージ基板を形成する工程において、前記窪み及び穴は成形加工により形成することを特徴とする請求項４〜６のいずれか１項に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記導電材料を充填する工程の後に、前記穴が形成された表面とは反対側の裏面を研削して、前記充填された導電材料を露出させて平坦化する工程を有することを特徴とする請求項４〜７のいずれか１項に記載の基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に使用される基板に貫通電極を形成した貫通電極付基板、その製造方法、及び貫通電極付基板を用いた発光デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
面発光素子、特にＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）は、近年、発光輝度等の改善が図られて、用途拡大への期待が高い。従来はプラスチックケースにＬＥＤを実装し、マイクロレンズなどを光路の途中において集光させたり、ＬＥＤ及びＬＥＤを実装した基板全体を、透明な樹脂でモールドし、樹脂の表面を滑らかな球面などに仕上げることで、樹脂をレンズとして使用して集光させたりした。このようなＬＥＤを実装した発光デバイスは、例えば液晶表示装置のバックライト、信号機の発光素子、大型電光掲示板や映像画面、その他イルミネーション用として使用されている。ＬＥＤは、低電圧、低消費電力で駆動でき、発光輝度や発光寿命が改善されたことから室内灯や自動車照明、液晶表示画面のバックライト用などの幅広い分野への適用が期待されている。
【０００３】
しかし、ＬＥＤ素子単体の発光輝度は他の発光体と比較するといまだ弱く、そのために多数のＬＥＤ素子をまとめて発光体を構成する必要がある。また、ＬＥＤ素子の発光強度を強くすると発熱量が増大する。ＬＥＤ素子が加熱されると発光効率が低下するので、効果的に放熱できる構造を採用する必要がある。また、蛍光灯等の他の発光体と置き換えるには製造工程を簡単にして製造コストを低下させる必要がある。
【０００４】
特許文献１には、表面に導体膜を印刷したセラミックグリーンシートを成形加工してキャビティーを形成し、このキャビティーの底部にＬＥＤを実装したＬＥＤパッケージが記載されている。キャビティーの側面には導体膜からなる反射層が形成されている。この反射層は、成形される前のグリーンシート上に印刷法により導体膜を形成し、キャビティーの傾斜部にこの導体膜が位置するようにプレス加工し、その後焼成によるメタライズを行って光反射層としている。キャビティーの底部にはスルーホールが形成され、このスルーホールを介して裏面側に配線が引き出されている。
【特許文献１】特開平９−４５９６５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載されるＬＥＤパッケージは、焼成前に電極や反射膜用の導体膜を形成し、その後プレス加工によりキャビティーを形成し、焼成している。この焼成はセラミックスの焼結なので１０００℃以上の高温処理が必要である。そのため、製造工程を通す時間が長くなるとともに、電極パターンを印刷してからプレス加工や高温熱処理を経ることになるので、キャビティーの外形精度や電極パターンの高精細化には限界がある。
【０００６】
また、高温処理を行わないで貫通電極を形成する方法として、パッケージに形成した貫通孔に金属メッキ処理を施す方法が知られている。しかし、メッキ処理による金属の析出速度が遅く、生産性が悪い、という課題がある。更に、メッキ処理により析出した貫通電極には内部に空洞が生じやすい。そのため、貫通電極による密閉性が低下して水分や不純物が外部から浸入し、素子の信頼性を損なう、という課題があった。また、貫通電極と貫通孔の即壁面との間の密着性が弱く、温度変化を繰り返すことにより貫通電極が脱落する、などの課題があった。
【０００７】
また、発光デバイスの場合には、パッケージに形成する貫通電極の他に、発光素子から射出される光に指向性を付与するために反射膜を形成する必要がある。しかし、メッキ処理により形成した金属膜の表面は反射率が低い、或いは、波長依存性が強くなる。そのために、反射面の形成と貫通電極の形成と同時に行うことができず、製造工程数が増加する不具合があった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そこで、本発明においては上記課題を解決するために以下の構成とした。
【０００９】
（１）中央部に窪みを有するパッケージ基板と、前記窪みの底辺に実装された発光素子と、前記窪みの壁面に形成された反射膜と、前記窪みの底辺から前記パッケージ基板の裏面に貫通する貫通孔に充填された貫通電極と、を備え、前記反射膜及び前記貫通電極は、前記窪みの壁面及び前記貫通孔の側壁面にナノ金属粒子を付着させて熱処理により得られた金属材料を含むようにした。
【００１０】
（２）前記貫通電極は、前記貫通孔の側壁面にナノ金属粒子を付着させて熱処理により得られた第１導体と、前記第１導体の内周側に充填された第２導体からなることとした。
【００１１】
（３）前記窪みの底辺には、ナノ金属粒子を付着させて熱処理により得られた金属材料からなる反射膜が形成されるようにした。
【００１２】
（４）中央部に窪みと、前記窪みの底辺に穴を有するパッケージ基板を形成する工程と、前記窪みの壁面と、前記穴の側壁面にナノ金属粒子を付着させて熱処理する工程と、前記ナノ金属粒子が付着された穴に導電材料を充填する工程と、前記窪みの底辺に発光素子を実装する工程と、前記発光素子を封止材により封止する工程と、を含む発光デバイスの製造方法とした。
【００１３】
（５）前記ナノ金属粒子は、ナノ銀粒子、ナノ金粒子又はナノ銅粒子であることとした。
【００１４】
（６）前記ナノ金属粒子を付着させる工程の前に、前記窪みの壁面及び前記穴の側壁面を撥水性表面に置換するようにした。
【００１５】
（７）前記パッケージ基板を形成する工程において、前記窪み及び穴は成形加工により形成するようにした。
【００１６】
（８）前記導電材料を充填する工程の後に、前記穴が形成された表面とは反対側の裏面を研削して、前記充填された導電材料を露出させて平坦化する工程を有するようにした。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、パッケージ基板に形成した貫通孔に充填する貫通電極と、パッケージ基板の窪みの壁面に形成する反射膜に、ナノ金属粒子を焼成して得られる金属材料を含むようにした。これにより、パッケージ基板と貫通電極及びパッケージ基板と反射膜との間の密着性が向上させることができるとともに、貫通電極を形成するのと同じ工程で反射膜を形成することができるので、製造工程数を増加させないで発光デバイスを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る発光デバイス１の模式的な縦断面図である。発光デバイス１は、パッケージ基板２の窪み３の底面にダイボンディング材９により発光素子４が実装されている。パッケージ基板２には、窪み３の底面から裏面に貫通する貫通孔１１が形成されている。貫通孔１１には貫通電極７ａ、７ｂが充填されている。パッケージ基板２の窪み３の壁面には、発光素子４から発光する光を反射させるための反射膜５が形成されている。発光素子４の裏面には図示しない電極が形成され、ダイボンディング材９を介して貫通電極７ａに電気的に接続されている。更に、発光素子４の上面には図示しない他の電極が形成され、ワイヤー１０を介して貫通電極７ｂと電気的に接続されている。
【００１９】
パッケージ基板２の窪み３には封止材６が塗布され、発光素子４及びワイヤー１０が封止されている。パッケージ基板２の裏面には裏面電極８ａ、８ｂが電気的に分離して形成されている。即ち、発光素子４に対して、裏面電極７ａ及び７ｂから電力供給が可能に構成されている。更に、発光素子４が発光して発熱したときは、貫通電極７ａを介して裏面電極８ａに熱が伝達され、放熱可能に構成されている。
【００２０】
ここで、反射膜５及び貫通電極７ａ、７ｂは、ナノ金属粒子を熱処理して得られた金属材料を含んでいる。なお、ナノ金属粒子とは、粒子径が数ナノメートルから数１０ナノメートルの金属粒子をいう。ナノ金属粒子の熱処理は１００℃〜６００℃の温度により行う。ナノ金属粒子として、例えばナノＡｇ粒子、ナノＡｕ粒子、ナノＣｕ粒子を使用することができる。ナノ金属粒子を溶媒に分散させ、ディスペンス法やインクジェット印刷法により窪み３の壁面及び貫通孔１１の側壁面に付着し、熱処理して金属膜とする。ナノ金属粒子は他の金属粒子やバルクと比較して、表面積が極めて大きい。そのため、ナノ金属粒子を塗布した後に焼成して金属膜を形成すると、基板面に対する密着力が向上する。また、ナノ金属粒子は反応性が高いので、他の金属粒子の場合と比較して焼成温度を低下させることができる。
【００２１】
（実施形態２）
図２は、本発明の実施形態２に係る発光デバイス１の模式的な縦断面図である。図１に示す実施形態１と異なる部分は、パッケージ基板２の窪み３の底面にも反射膜５が形成され、貫通電極７は第１導体Ｘと第２導体Ｙから構成されている点である。同一の部分又は同一の機能を有する部分には同一の符号を付している。
【００２２】
発光デバイス１は、中央部に窪み３を有するパッケージ基板２と、窪み３の底部に実装したＬＥＤを用いた発光素子４と、発光素子４から発光した光を反射させるため、窪み３の壁面に形成した反射膜５を備えている。発光デバイス１は、更に、窪み３の底面からパッケージ基板２の裏面に貫通する貫通孔１１に形成した貫通電極７ａ、７ｂと、パッケージ基板２の裏面に形成し、貫通電極７ａ、７ｂとそれぞれ電気的に接続する裏面電極８ａ、８ｂを備えている。発光素子４は、貫通電極７ａの上にダイボンディング材９を介して実装されている。発光素子４の上部に図示しない電極パッドが形成され、この電極パッドと貫通電極７ｂは金線からなるワイヤー１０により接続されている。
【００２３】
窪み３の壁面と底面に形成した反射膜５は、ナノ金属粒子の印刷法により形成されている。また、貫通電極７ａ、７ｂは、第１導体Ｘと第２導体Ｙから構成されている。第１導体Ｘは、ナノ金属粒子の印刷法により形成されている。第２導体Ｙは、導体フィラーと樹脂バインダーを混練した導電ペースト、または導体フィラーとガラスフリットと樹脂バインダーを混練した導電ペーストから形成されている。従って、窪み３の壁面及び底面に形成した反射膜５と、貫通孔１１の側壁面に形成した第１導体Ｘとを、ナノ金属粒子の印刷により同時に形成することができる。ナノ金属粒子としてナノＡｇ粒子を使用することができる。Ａｇ膜は反射率が高いので反射膜５に適するからである。
【００２４】
パッケージ基板２は板状のガラス材料を使用し、成形加工により窪み３及び貫通孔１１を形成した。パッケージ基板２は、異なる材料による接合部が無いように一体的に形成されているので、耐久性が向上した。また、パッケージ基板２は、同じ材料を用いた一体物に代えて異なる材料を接合して形成してもよい。また、ナノ金属粒子の焼成は１０００℃以上の高温処理を必要としないので、パッケージ基板２の材料選択の幅が拡大する。例えば、ガラス材料の他にセラミックス材料、窒化アルミニウム材料又は金属材料を使用することができる。また、窪み３や貫通孔１１は、サンドブラスト法やエッチング法により形成してもよい。
【００２５】
発光素子４及びワイヤー１０は透明な封止材６により封止されている。また、パッケージ基板２にガラス材料を使用する場合は、封止材６として、樹脂材料に代えて金属アルコキシド又は金属アルコキシドから形成されたポリメタロキサンを重合・焼成した金属酸化物から作成することができる。特に、金属アルコキシド又はポリメタロキサンから作成した金属酸化物を封止材６とした場合は、ガラスからなるパッケージ基板２もシリコン酸化物であることから、熱膨張係数が近似し、良好な接着性及び封止性を得ることができる。
【００２６】
裏面電極８ａ、８ｂは、金属の蒸着法やスパッタリング法、或いは導電材料の印刷法により形成することができる。印刷法によれば、導電膜の堆積とそのパターニングを同時に行うので、製造プロセスの簡素化を図ることができる。パッケージ基板２の材料としてガラスを使用し、金属の蒸着やスパッタリング法により裏面電極８ａ、８ｂを形成する場合には、密着性を向上させるためにＴｉ層、その上にバリア層、その上にＰｔ層、或いはＮｉ層、さらに表面酸化を防止するためにＡｕ層を形成することができる。また、先に感光性樹脂、例えばレジスト等により電極パターンを形成しておき、その上に金属膜を堆積して、レジストを除去するリフトオフ法により形成することもできる。
【００２７】
このように、発光素子４の下部に貫通電極７ａを設け、この貫通電極７ａに裏面電極８ａが接続するようにしたので、発光素子４の発光により発生した熱は、貫通電極７ａ及び裏面電極８ａを介して外部へ効率よく放熱することができる。そのため、一つの窪み３に複数の発光素子４を設けて発光輝度を向上させる場合でも、加熱による発光効率の低下を防ぐことができる。また、窪み３を下部から上部に向けてその口径が末広状に拡大する形状としたので、発光素子４から発光した光に指向性を付与することができる。
【００２８】
ここで、貫通電極７ａ、７ｂは、貫通孔１１の壁面に形成した第１導体Ｘと、その内周部に充填した第２導体Ｙにより構成している。第２導体Ｙは、第１導体Ｘの内周側に導電性フィラーと樹脂バインダーを混練した導電ペーストを充填し、焼成して形成した。ナノ金属粒子は反応性が高いので、導電ペーストの焼成において、ナノ金属粒子と導電ペーストの導体とはその界面において相互に拡散する。その結果、焼成後の第１導体Ｘと第２導体Ｙとは、その界面において相互拡散層又は合金層が形成されて強固に結合し、密着力が向上する。そのため、パッケージ基板２の昇温及び降温を繰り返しても、貫通電極７が落下することがない。
【００２９】
また、第１導体Ｘを貫通孔１１の側壁面に１μｍ以上の厚さで形成すれば、貫通孔１１の側壁面の凹凸を埋めて滑らかな表面にすることができる。第１導体Ｘの内表面を滑らかにすることにより、導電ペーストを充填したときに導電ペーストと第１導体Ｘの表面との間に気泡が取り込まれ難くなるので、第１導体Ｘと第２導体Ｙとの間の密着力低下を防止することができる。
【００３０】
基板２として、ガラス基板やセラミックス基板を使用することができる。ナノ金属粒子との密着性が優れているためである。貫通孔１１は、その口径が裏面から表面に向けて末広状に拡大するように形成されている。これは、ナノ金属粒子を貫通孔１１の側壁面に塗布し易くするためであるが、必須要件ではない。
【００３１】
パッケージ基板２の裏面における貫通電極７の表面は、パッケージ基板２の裏面と同一の表面となるように、平坦化されている。このように表面を平坦化することにより、裏面に電極を形成し、発光デバイス１を他の部品に実装することが容易となる。
【００３２】
第１導体Ｘを形成するためのナノ金属粒子として、ナノ銀粒子を使用することが好ましい。ナノ銀粒子は基板に対する密着性が優れていることと、導電ペーストとの間の相互拡散層を形成しやすいからである。また、ナノ銀粒子は０．５μｍ以上の厚さで形成することが好ましい。
【００３３】
（実施形態３）
図３〜図１０は、本発明の実施形態３に係る発光デバイス１の製造方法を表す模式図である。
【００３４】
図３は、パッケージ基板２を成形加工する様子を表している。図３（ａ）は成形加工方法を表し、定盤１６の上にパッケージ材料としてガラス材１５を設置し、ガラス材１５が軟化する温度３００℃〜８００℃に加熱する。金型１７の表面に、凸部１８と凹部１９が形成されている。凸部１８は貫通電極用の穴となる部分であり、凹部１９は窪み３の周囲の土手となる部分である。金型１７も温度３００℃〜８００℃に加熱して、下部のガラス材１５に押圧する。図３（ｂ）は成型加工後のパッケージ基板２の縦断面図であり、窪み３及び穴２０が形成される。なお、本実施形態３では、窪み３は平面的形状が円形のすり鉢状の形状を有している。
【００３５】
図４は、窪み３の壁面と底面及び穴２０の側壁面にインクジェット印刷法によりナノ金属粒子としてナノ銀粒子を印刷している様子を表している。インクジェット印刷を行う前に、パッケージ基板２の表面をフッ酸により洗浄する。次に、Ａｒプラズマによりドライ洗浄を行う。次に、穴２０の側壁面にフッ素系の表面処理を施して約８０℃にて乾燥し、撥水性表面に置換する。撥水性表面に置換することにより、壁面におけるインクだれを低減することができる。次に、パッケージ基板２を温度７０℃〜１００℃の範囲に昇温して、インクジェット印刷機１３のノズル１４から溶媒に分散したナノ銀粒子を窪み３の壁面、底面及び穴２０の側壁面に噴射する。インクジェット印刷の際には、反射膜５ａと反射膜５ｂとは分離したパターンとする。後に実装する発光素子４の２つの電極として機能させるためである。なお、インクジェット印刷法に代えて、ディスペンス法によりナノ金属粒子を塗布してもよい。
【００３６】
ノズル１４は紙面垂直方向に多数配列しているので、面状に任意のパターンに印刷することができる。ノズル１４から噴射する液滴は、極めて微量で弾丸のように噴出するので、ノズル１４の先端とパッケージ基板２の表面との間隙を２ｍｍ〜３ｍｍに固定することができる。その結果、窪み３の壁面、底面及び穴２０の側壁面にほぼ均一に印刷することができる。印刷後に、温度４５０℃〜５５０℃で焼成する。これにより、窪み３の壁面及び底面に反射膜５ａ、５ｂを、また穴２０の側壁面にナノＡｇ膜からなる第１導体Ｘａ、Ｘｂが強固に付着する。
【００３７】
図５は、パッケージ基板２に形成した穴２０に第２導体Ｙａ、Ｙｂを充填した状態を表す縦断面図である。図４に示す穴２０にディスペンサー等によりＡｇ等の金属を含有する導電ペーストを充填する。その後、温度約２００℃で焼成して固化した。この焼成により、第１導体Ｘａ、ＸｂのナノＡｇ膜と導電ペーストのＡｇとが相互に拡散してその界面に相互拡散層が形成される。これにより、第１導体Ｘａ、Ｘｂと第２導体Ｙａ、Ｙｂとは強固に結合する。第１導体Ｘａと第２導体Ｙａからなる貫通電極７ａと、第１導体Ｘｂと第２導体Ｙｂからなる貫通電極７ｂとは電気的に分離している。また、導電ペーストに代えて、金属心材及びガラスフリットを挿入・充填して接着固化してもよい。
【００３８】
このように、反射膜５と貫通電極７の第１導体Ｘとを同一の工程で製作することができるので、製造工程数を削減でき、製品コストの低減を図ることができる。
【００３９】
図６は、パッケージ基板２の裏面を研磨して、貫通電極７を裏面側に露出させた状態を表す縦断面図である。パッケージ基板２を平坦な研磨定盤又は研磨パッドに載置し、パッケージ基板２を、研磨剤を介在して押圧しながら相対的に移動して研磨する。これにより、貫通電極７の裏面の露出面とパッケージ基板２の裏面とを平坦化することができる。また、このように平坦化することにより、パッケージ基板２を他の部品に容易に実装することができる。
【００４０】
図７は、パッケージ基板２の裏面に裏面電極８ａ、８ｂを形成した状態を表す縦断面図である。パッケージ基板２の裏面に、Ａｇ等の導電材料が混入したインキをスクリーン印刷法により印刷する。次に、加熱焼成を行って固化する。印刷により裏面電極８ａ、８ｂを形成するので、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を必要とせず、製造コストを低減させることができる。また、スクリーン印刷法に代えて、他の方法、例えばスパッタリング法や蒸着法、或いはメッキ法により金属膜を堆積し、パターニングして裏面電極８ａ、８ｂを形成してもよい。
【００４１】
図８は、パッケージ基板２の窪み３に発光素子４を実装した状態を表す模式的な縦断面図である。発光素子４を、ダイボンディング材９を介在して貫通電極７ａの露出面に載置し、加熱炉でダイボンディング材９を硬化して接着する。ダイボンディング材９は導電性であり、発光素子４の裏面には図示しない電極が形成されており、貫通電極７ａと発光素子４とを機械的及び電気的に接続する。ダイボンディング材９は、半田バンプや金バンプを使用することができる。また、ダイボンディング材９として、導電性接着材を使用することができる。
【００４２】
図９は、発光素子４と貫通電極７ｂとをワイヤー１０により接続した状態を表す縦断面図である。発光素子４の上面には図示しない電極が形成されている。ワイヤー１０として金の細線を使用することができる。なお、ワイヤー１０を使用して接続することに代えて、発光素子４を貫通電極７ｂまで延在させ、発光素子４の裏面に貫通電極７ａ、７ｂを対応させ２つの電極を形成し、面実装により一括して電気的及び機械的に接続してもよい。
【００４３】
図１０は、窪み３に封止材６を塗布して発光素子４を封止した状態を表す縦断面図である。封止材６として、絶縁性の透明樹脂材を使用することができる。また、金属アルコキシド又は金属アルコキシドから形成されたポリメタロキサンを重合・硬化させたシリコン酸化物を形成することができる。
【００４４】
以上説明してきたように、本発明の発光デバイスの製造方法によれば、窪み３の壁面、底面及び貫通電極用の穴２０にナノ金属粒子を印刷法により印刷したので、従来例のように高温処理によるメタライズを必要としないで密着性の良好な貫通電極７を作成することができる。また、印刷法としてインクジェット印刷法を適用したので、段差のある表面に高精度の印刷パターンを形成することができる。また、必要な部分にのみナノ金属粒子を付着又は印刷するので、全面に電極形成後に必要な部分を残してエッチング除去する方法と比較して、使用する材料を低減することができる。
【００４５】
なお、上記実施形態３においては、パッケージ基板２を成形法により成形した例を説明したが、これに限定されない。例えば、パッケージ基板２に貫通電極７を形成した板状体と、窪み３を構成するための枠を当該板状体に貼り合わせた構造とすることもできる。また、パッケージ基板２の窪み３をサンドブラスト法やエッチング法により形成してもよい。
【００４６】
また、上記実施形態３においては、（１）ガラス材料の成形→（２）貫通電極の形成→（３）裏面の平坦化→（４）裏面電極の形成→（５）発光素子の実装→（６）封止材の形成の順であるが、この工程順に限定されない。例えば、（２）貫通電極を形成後に、（５）発光素子の実装→（６）封止材の形成→（３）裏面の平坦化→（４）裏面電極の形成の順であっても良い。
【００４７】
（実施形態４）
図１１は、本発明の実施形態４に係る発光デバイス１の多数個取りの製造方法を説明するための模式図である。例えば、上記実施形態３に係る発光デバイス１の製造方法において、１枚のウエハー３０から８６個の発光デバイス１を同時に製造する場合である。
【００４８】
図１１（ａ）は、実施形態３における図８〜図１０のいずれかに対応し、パッケージ基板２の裏面に形成した裏面電極８ａ、８ｂのパターンを表している。図１１（ｂ）は、１個のパッケージ基板２を拡大した模式的な背面図である。図１１（ｂ）に示すように、発光素子４の領域に４個の貫通電極７ａが、発光素子４の外側に１個の貫通電極７ｂが形成されている。発光素子４の領域に４個の貫通電極７ａを形成することにより、発光素子４で発生する熱を効果的に放熱することができる。裏面電極８は、電極分離領域３３を境にして、裏面電極８ａと８ｂに電気的に分離している。
【００４９】
１個のパッケージ基板２は、縦切断ライン３１、及び、横切断ライン３２により区画されている。実施形態３の図１０に示す工程の終了後に、上記縦切断ライン３１及び横切断ライン３２に沿って個々の発光デバイス１に分離する。分離は、ダイシング又はスクライブ等により行うことができる。なお、取り個数は実施形態４に限定されない。また、貫通電極７ａ、７ｂの個数や径は、発光素子４の数、供給する電流、放熱量等により適宜設定すればよい。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の実施形態に係る発光デバイスの模式的な縦断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る発光デバイスの模式的な縦断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法を表す模式図である。
【図４】本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法を表す模式図である。
【図５】本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法を表す模式図である。
【図６】本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法を表す模式図である。
【図７】本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法を表す模式図である。
【図８】本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法を表す模式図である。
【図９】本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法を表す模式図である。
【図１０】本発明の実施形態に係る発光デバイスの製造方法を表す模式図である。
【図１１】本発明の実施形態に係る発光デバイスの多数個取りの製造方法を表す模式図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  発光デバイス
２  パッケージ基板
３  窪み
４  発光素子
５  反射膜
６  封止材
７  貫通電極
８  裏面電極
９  ダイボンディング材
１０  ワイヤー
１１  貫通孔
Ｘ  第１導体
Ｙ  第２導体
【図１】
2010123606.tif 000003
【図２】
2010123606.tif 000004
【図３】
2010123606.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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