(57)【要約】【課題】マイクロストリップライン構造を持つ半導体装置において、従来のワイヤーボンディングを用いる代わりに、フレキシブル基板を用いることで、インピーダンス特性のより一層の向上を実現できる構造を提供する。【解決手段】半導体ＬＳＩパッケージをはんだボール４２を介してマザーボード基板７に実装する半導体装置の配線構造であって、マザーボード基板７へ配線接続されるパッケージ基板４においてＩＣ２がフレキシブル基板１にフリップチップ接続されており、パッケージ基板４とＩＣ２をフレキシブル基板４を介して接続させる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ＬＳＩパッケージをはんだボールを介してマザーボードに実装する半導体装置の配線構造であって、マザーボードへ配線接続されるパッケージ基板においてＩＣがフレキシブル基板にフリップチップ接続されており、パッケージ基板とＩＣをフレキシブル基板を介して接続させる半導体装置の配線構造。
【請求項２】
請求項１記載の配線構造を備えた半導体装置。
【請求項３】
マイクロストリップライン構造を持つ請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
はんだボールを介してマザーボードに実装される半導体ＬＳＩパッケージであって、ＩＣがフレキシブル基板にフリップチップ接続されており、パッケージ基板とＩＣがフレキシブル基板を介して接続されている半導体ＬＳＩパッケージ。
【請求項５】
請求項４記載の半導体ＬＳＩパッケージを備えた半導体装置。
【請求項６】
はんだボールを介してマザーボードに実装される半導体ＬＳＩパッケージの作製方法であって、配線形成したパッケージ基板と放熱板を互いに取り付け、放熱板にＩＣをその回路面が上方を向くように取り付け、パッケージ基板及びＩＣにフレキシブル基板を取り付け、パッケージ基板にはんだボールを取り付ける、作製方法。
【請求項７】
フレキシブル基板に、パッケージ基板及びＩＣとの取り付けのための、導電性粒子が添加された接着フィルムを設ける、請求項６記載の作製方法。
【請求項８】
フレキシブル基板に、パッケージ基板及びＩＣとの取り付けのための、導電性粒子が添加されていない接着フィルムを設ける、請求項６記載の作製方法。
【請求項９】
フレキシブル基板に、パッケージ基板及びＩＣとの取り付けのための、導電性粒子が添加された接着樹脂を設ける、請求項６記載の作製方法。
【請求項１０】
フレキシブル基板に、パッケージ基板及びＩＣとの取り付けのための、導電性粒子が添加されていない接着樹脂を設ける、請求項６記載の作製方法。
【請求項１１】
パッケージ基板及びＩＣに、フレキシブル基板との取り付けのための、導電性粒子が添加された接着フィルムを設ける、請求項６記載の作製方法。
【請求項１２】
パッケージ基板及びＩＣに、フレキシブル基板との取り付けのための、導電性粒子が添加されていない接着フィルムを設ける、請求項６記載の作製方法。
【請求項１３】
パッケージ基板及びＩＣに、フレキシブル基板との取り付けのための、導電性粒子が添加された接着樹脂を設ける、請求項６記載の作製方法。
【請求項１４】
パッケージ基板及びＩＣに、フレキシブル基板との取り付けのための、導電性粒子が添加されていない接着樹脂を設ける、請求項６記載の作製方法。
【請求項１５】
パッケージ基板及びＩＣとフレキシブル基板との間に封止樹脂を充填する、請求項６記載の作製方法。
【請求項１６】
マザーボードに実装される半導体ＬＳＩパッケージ基板上に第一のＩＣが搭載され、該半導体ＬＳＩパッケージ基板と該第一のＩＣとがワイヤーボンディングで接続されており、
フレキシブル基板上に第二のＩＣが搭載され、該フレキシブル基板と該第二のＩＣとが、導電性粒子が添加された接着フィルムで接続されている、半導体装置。
【請求項１７】
マザーボードに実装される半導体ＬＳＩパッケージ基板上に第一のＩＣが搭載され、該半導体ＬＳＩパッケージ基板と該第一のＩＣとがワイヤーボンディングで接続されており、
フレキシブル基板上に第二のＩＣが搭載され、該フレキシブル基板と該第二のＩＣとが、導電性粒子が添加されていない接着フィルムで接続されている、半導体装置。
【請求項１８】
第一のＩＣを搭載した半導体ＬＳＩパッケージ基板と第二のＩＣを搭載したフレキシブル基板とが、導電性粒子が添加された接着フィルムで接続されている、請求項１６または１７記載の半導体装置。
【請求項１９】
第一のＩＣを搭載した半導体ＬＳＩパッケージ基板と第二のＩＣを搭載したフレキシブル基板とが、導電性粒子が添加されていない接着フィルムで接続されている、請求項１６または１７記載の半導体装置。
【請求項２０】
第一のＩＣを搭載した半導体ＬＳＩパッケージ基板と第二のＩＣを搭載したフレキシブル基板とが、導電性粒子が添加された接着樹脂で接続されている、請求項１６または１７記載の半導体装置。
【請求項２１】
第一のＩＣを搭載した半導体ＬＳＩパッケージ基板と第二のＩＣを搭載したフレキシブル基板とが、導電性粒子が添加されていない接着樹脂で接続されている、請求項１６または１７記載の半導体装置。
【請求項２２】
マザーボードに実装される半導体ＬＳＩパッケージ基板上に第一のＩＣを接着し、半導体ＬＳＩパッケージ基板と第一のＩＣをワイヤーボンディングで接続し、フレキシブル基板上に第二のＩＣを接着し、フレキシブル基板と第二のＩＣを導電性粒子が添加された接着フィルムで接続する、半導体装置の作製方法。
【請求項２３】
マザーボードに実装される半導体ＬＳＩパッケージ基板上に第一のＩＣを接着し、半導体ＬＳＩパッケージ基板と第一のＩＣをワイヤーボンディングで接続し、フレキシブル基板上に第二のＩＣを接着し、フレキシブル基板と第二のＩＣを導電性粒子が添加されていない接着フィルムで接続する、半導体装置の作製方法。
【請求項２４】
第一のＩＣを搭載した半導体ＬＳＩパッケージと第二のＩＣを搭載したフレキシブル基板を導電性粒子が添加された接着フィルムで接続する、請求項２２または２３記載の作製方法。
【請求項２５】
第一のＩＣを搭載した半導体ＬＳＩパッケージと第二のＩＣを搭載したフレキシブル基板を導電性粒子が添加されていない接着フィルムで接続する、請求項２２または２３記載の作製方法。
【請求項２６】
第一のＩＣを搭載した半導体ＬＳＩパッケージと第二のＩＣを搭載したフレキシブル基板を導電性粒子が添加された接着樹脂で接続する、請求項２２または２３記載の作製方法。
【請求項２７】
第一のＩＣを搭載した半導体ＬＳＩパッケージと第二のＩＣを搭載したフレキシブル基板を導電性粒子が添加されていない接着樹脂で接続する、請求項２２または２３記載の作製方法。
【請求項２８】
フレキシブル基板とＩＣを、フレキシブル基板配線上に形成した金属バンプとＩＣ上に形成した金属バンプに温度および荷重を掛けて、金属間化合物を作り接続させ、封止樹脂で接続部を保護する、半導体装置の作製方法。
【請求項２９】
フレキシブル基板とＩＣを、フレキシブル基板配線上に形成した金属のバンプとＩＣ上に形成した金属バンプに温度、荷重、および超音波を掛けて、金属間化合物を作り接続させ、封止樹脂で接続部を保護する、半導体装置の作製方法。
【請求項３０】
互いに高低差が付けられた半導体ＬＳＩパッケージ基板と該基板に搭載されたＩＣが、高低差に合わせて湾曲されたフレキシブル基板により接続されている半導体装置。
【請求項３１】
互いに高低差が付けられた半導体ＬＳＩパッケージ基板と該基板に搭載されたＩＣを、フレキシブル基板を湾曲させて接続する、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロストリップライン構造を持つ半導体装置の配線構造に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子情報機器や通信機器の高速、高機能化にはＬＳＩ（Large Scale Integration）の高性能化が不可欠である。これからのＬＳＩの高性能化に対応するためには，ＬＳＩと機器の電子回路の根幹であるプリント基板を接続する半導体ＬＳＩパッケージ（以下パッケージ）の性能において、「電気的接続」、「チップ保護」、「熱拡散」、「実装」といった従来の機能に加えて、高レベルのシグナルインテグリティも要求されてきている。
【０００３】
特に、高周波対応の特徴をもつＥＢＧＡ（Enhanced Ball Grid Array）パッケージについては、図１のようにＰＫＧ（パッケージ）をマザーボードに実装した状態で１０ＧＨｚの信号伝送を可能にすることを目指す場合、シグナルインテグリティに対する要求は極めて高い。
【０００４】
このＥＢＧＡパッケージにおけるマザーボードとパッケージを接続した時の信号伝送の経路は、マザーボードから信号が入力され、マザーボードのマイクロストリップライン→はんだボールランド（ランド）→はんだボール→パッケージ基板のはんだボールランド（ランド）→マイクロストリップライン→ボンディングワイヤー→ＬＳＩの順に伝送される。
【０００５】
しかしながら、この経路は、はんだボール部の伝送線路の伝送損失に影響を与える。
【０００６】
そこで、図１の伝送経路の矢印（マザーボード・マイクロストリップライン→マザーボード・はんだボールランド（ランド）→はんだボール→パッケージ基板・はんだボールランド（ランド）→パッケージ基板・マイクロストリップライン基板）の信号伝送について、たとえば図２に例示したように、ランド部直下のグラウンド（ＧＮＤ）層にランド部と同径の開口を設けることで、ランド部とＧＮＤ層との間のキャパシタンス成分が減少し、伝送損失に対するはんだボール部の影響を低減でき、よってランド部とマイクロストリップラインとの特性インピーダンス整合を高めることができる（非特許文献１参照）。
【非特許文献１】「伝送線路設計を用いた10GHz-BGAパッケージの開発」、第17回マイクロエレクトロニクスシンポジウム（MES2007）論文集、社団法人エレクトロニクス実装学会、平成19年9月13日
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、マイクロストリップライン構造の微細化や高周波電層化を推し進めるべく、はんだボール部だけではなく上記ＥＢＧＡパッケージやＢＧＡパッケージ全体において更なるインピーダンス特性の向上を図ることが重要である。
【０００８】
本発明は、以上の事情に鑑みてなされたものであり、マイクロストリップライン構造を持つ半導体装置において、従来のワイヤーボンディングを用いる代わりに、フレキシブル基板を用いることで、インピーダンス特性のより一層の向上を実現できる配線構造、およびそれを備えた半導体装置などを提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するため、本発明は、半導体ＬＳＩパッケージをはんだボールを介してマザーボードに実装する半導体装置の配線構造であって、マザーボードへ配線接続されるパッケージ基板においてＩＣがフレキシブル基板にフリップチップ接続されており、パッケージ基板とＩＣとがフレキシブル基板を介して接続させる配線構造を提供する。
【００１０】
また、本発明は、はんだボールを介してマザーボードに実装される半導体ＬＳＩパッケージであって、ＩＣがフレキシブル基板にフリップチップ接続されており、パッケージ基板とＩＣがフレキシブル基板を介して接続されている半導体ＬＳＩパッケージを提供する。
【００１１】
またさらに、本発明は、はんだボールを介してマザーボードに実装される半導体ＬＳＩパッケージの作製方法であって、配線形成したパッケージ基板と放熱板を互いに取り付け、放熱板にＩＣをその回路面が上方を向くように取り付け、パッケージ基板及びＩＣにフレキシブル基板を取り付け、パッケージ基板にはんだボールを取り付ける、作製方法を提供する。
【００１２】
またさらには、本発明は、マザーボードに実装される半導体ＬＳＩパッケージ基板上に第一のＩＣが搭載され、該半導体ＬＳＩパッケージ基板と該第一のＩＣとがワイヤーボンディングで接続されており、フレキシブル基板上に第二のＩＣが搭載され、該フレキシブル基板と該第二のＩＣとが、導電性粒子が添加された接着フィルムで接続されている、半導体装置、および
マザーボードに実装される半導体ＬＳＩパッケージ基板上に第一のＩＣが搭載され、該半導体ＬＳＩパッケージ基板と該第一のＩＣとがワイヤーボンディングで接続されており、フレキシブル基板上に第二のＩＣが搭載され、該フレキシブル基板と該第二のＩＣとが、導電性粒子が添加されていない接着フィルムで接続されている、半導体装置、ならびに、
マザーボードに実装される半導体ＬＳＩパッケージ基板上に第一のＩＣを接着し、半導体ＬＳＩパッケージ基板と第一のＩＣをワイヤーボンディングで接続し、フレキシブル基板上に第二のＩＣを接着し、フレキシブル基板と第二のＩＣを導電性粒子が添加された接着フィルムで接続する、半導体装置の作製方法、および
マザーボードに実装される半導体ＬＳＩパッケージ基板上に第一のＩＣを接着し、半導体ＬＳＩパッケージ基板と第一のＩＣをワイヤーボンディングで接続し、フレキシブル基板上に第二のＩＣを接着し、フレキシブル基板と第二のＩＣを導電性粒子が添加されていない接着フィルムで接続する、半導体装置の作製方法を提供する。
【００１３】
そして、本発明は、互いに高低差が付けられた半導体ＬＳＩパッケージ基板と該基板に搭載されたＩＣが、高低差に合わせて湾曲されたフレキシブル基板により接続されている半導体装置、および
互いに高低差が付けられた半導体ＬＳＩパッケージ基板と該基板に搭載されたＩＣを、フレキシブル基板を湾曲させて接続する、半導体装置の製造方法をも提供する。
【００１４】
以上のとおりの特徴を有する本発明によれば、従来使用されてきたワイヤーボンディングを用いる代わりに、両面又は片面で構成されるフレキシブル基板にＩＣをフリップチップ接続したパッケージ基板をマザーボード基板へ配線接続することで、ワイヤーボンディングよりも短距離での接続が可能となり、インダクタンス成分をより効果的に抑えることができる。
【００１５】
したがって、このＩＣとパッケージ基板をフレキシブル基板を用いて接続する配線構造では、フレキシブル基板が伝送路設計が可能であるので、伝送路設計のできないワイヤーと比較して、電気特性を格段に向上させることができる。
【００１６】
また、フレキシブル基板を用いることで接続長を１００μｍ以下、たとえば実質的には５０μｍ程度に抑えることができるため、数ｍｍ長ものワイヤーを必要とするワイヤーボンディングと比較すれば、非常に短い配線長となり、よって高周波による影響を十分に無視できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
［第１実施形態］
図３は、本発明のＥＢＧＡパッケージの一実施形態を示したものである。
【００１８】
図３の実施形態は、一方の面にＧＮＤ層１１、他方の面に信号／電源／ＧＮＤ層１２を備えたフレキシブル基板１に接着フィルム８及び金属バンプ３を介してＩＣ２をフリップチップ接続したパッケージ基板４のものである。このパッケージ基板４をはんだボール４２を介してマザーボード基板７へ配線接続することで、フリップチップパッケージであるＥＢＧＡパッケージが得られる。接着フィルム８を接着樹脂としてもよい。もちろん同様にしてＢＧＡパッケージが得られることも言うまでもない。
【００１９】
本実施形態のパッケージ基板４では、基板配線（信号）４１上に設けたはんだボール４２のランド４３の直下のＧＮＤ／電源層４４に、開口４５が設けられており、インピーダンスマッチングが図られている。開口４５は、たとえば、ランドの直径Ｗ１と同径Ｗ２を有しており、且つ、空気等の気体、または基板材料で形成されている。すなわち、開口４５内は、気体で満たされた、あるいは基板材料で埋められた構成となっている。
【００２０】
また、マザーボード基板７のＧＮＤ層７２にも開口７３が設けられており、更なるインピーダンスマッチングが図られている。図中７１はマザーボード側の信号層である。
【００２１】
ここで、本実施形態のフリップチップパッケージの作製方法について図４を参照してさらに説明すると、まず、配線形成を終えたパッケージ基板４と、放熱板６を、接着剤を介して接着する（図４（ａ））。
【００２２】
次いで、接着したパッケージ基板４及び放熱板６において、露出している放熱板６の部分に、Ａｇペーストなどの接着剤５を介して、回路面にＡｕなどで作成した金属バンプ３を備えたＩＣ２を接着する（図４（ｂ））。このとき、ＩＣ２の回路面が上面にくるようにする。
【００２３】
一方、バンプ３を具備したフレキシブル基板１に、導電性粒子が添加された異方導電性フィルム（ＡＣＦ）や導電性粒子が添加されていない非導電性フィルム（ＮＣＦ）などの接着フィルム８を貼り付ける（図４（ｃ））。接着フィルム８の代わりに、導電性粒子が添加された異方導電性樹脂（ＡＣＰ）や導電性粒子が添加されていない非導電性樹脂（ＮＣＰ）を用いることもできる。あるいは、バンプ３を具備したフレキシブル基板１にＩＣを熱や荷重、または超音波を掛けて、金属管化合物を作ってバンプ間の接合を行い、その後に封止樹脂で接続部分を保護することもできる。
【００２４】
このフレキシブル基板１及び前記パッケージ基板４を接着する（図４（ｄ））。具体的には、フレキシブル基板１を反転させ、接着フィルム８（または接着樹脂）を介してＩＣ２及びパッケージ基板４上に接着させる。このとき、バンプ３の確実な接続と接着フィルム８の確実な硬化のために、熱と荷重をかける。
【００２５】
そして、この組み立て後にはんだボール４２を取り付ける(図４（ｅ）)。具体的には、水溶性などのフラックスをパッケージ基板４の塗布し、リフロー炉で加熱を行い、はんだボール４２を溶融し、パッケージ基板４に接続する。
【００２６】
後は、このパッケージ基板４をはんだボール４２を介してマザーボード基板７に接続すればよい。
【００２７】
以上により作製されたパッケージによれば、ＩＣ２とパッケージ基板４をフレキシブル基板１を用いて接続することで、伝送路設計のできないワイヤーボンディングを用いた接続と比較して、パッケージ全体で電気特性をより一層向上させることができる。また、ワイヤーボンディングでは必要となるワイヤーが数ｍｍ長となるのに対し、フレキシブル基板による接続では、１０ＧＨｚ以上の高周波信号による影響を実質的に無視できる程度にまで接続長を短く、たとえば１００μｍ以下に抑えることができる。
【００２８】
［第２実施形態］
図５は作製方法の別の一例を示したものである。
【００２９】
図５の作製方法では、図５（ａ）（ｂ）（ｅ）（ｆ）に示した工程が前述の図４（ａ）（ｂ）（ｅ）（ｆ）の工程と同じであり、図５（ｃ）（ｄ）に示した接着フィルム８及びフレキシブル基板１に関する工程が異なっている。
【００３０】
具体的には、図５（ｂ）で組み立てたＩＣ２とパッケージ基板４上に、接着フィルム８を設ける（図５（ｃ））。この接着フィルム８は、次の工程で各バンプ３と各配線との金属接合を低温で行うために塗布される。次に、この接着フィルム８を貼り付けたパッケージ基板４に、フレキシブル基板１を熱と荷重をかけて接続する（図５（ｄ））。
【００３１】
この場合においても、組み立てられたパッケージでは、ワイヤーボンディングの代わりにフレキシブル基板１を用いていることで、電気特性のより一層の向上が図られている。
【００３２】
［第３実施形態］
図６は作製方法のさらに別の一例を示したものである。
【００３３】
図６の作製方法では、図６（ａ）（ｂ）（ｅ）（ｆ）に示した工程が前述の図４（ａ）（ｂ）（ｅ）（ｆ）の工程と同じであり、図６（ｃ）（ｄ）に示した接着フィルム８及びフレキシブル基板１に関する工程が異なっている。
【００３４】
具体的には、図６（ｂ）で組み立てたＩＣ２とパッケージ基板４上に、フレキシブル１基板を接着する（図６（ｃ））。このとき、各バンプ３と各配線との金属接合を行うため、熱と荷重をかける。次に、フレキシブル基板１とＩＣ２及びパッケージ基板との間の空間にエポキシ系などの封止樹脂９を注入して塗布し、空間を塞ぐ（図６（ｄ））。
【００３５】
［第４実施形態］
図７は、図１のＥＢＧＡパッケージをマルチチップ化した一実施形態を示したものである。
【００３６】
図７の実施形態では、フレキシブル基板１がフリップチップ接続される追加のＩＣ２１が備えられ、追加のＩＣ２１に位置するＩＣ２はパッケージ基板４にワイヤ１０によりボンディングされている。パッケージ基板４にはこのＩＣ２が接続される更なる基板配線（信号）４５およびＧＮＤ／電源層４６も積層されている。
【００３７】
このマルチチップパッケージの作製方法について図８を参照して説明すると、まず、配線形成を終えたパッケージ基板４と、放熱板６を、接着樹脂を介して接着する（図８（ａ））。
【００３８】
次いで、接着したパッケージ基板４上に、Ａｇペーストなどの接着剤５を介して、ＩＣ２を接着する（図８（ｂ））。続いて、ＩＣ２とパッケージ基板４を、Ａｕ等のワイヤー１０で接続する（図８（ｃ））。
【００３９】
一方、金属バンプ３を形成したフレキシブル基板１に、ＡＣＦやＮＣＦなどの接着フィルム８を貼り付ける（図８（ｄ））。
【００４０】
このフレキシブル基板１に、金属バンプ３を形成した別のＩＣ２１を、熱および荷重をかけて接続する（図８（ｅ））。
【００４１】
このフレキシブル基板１を、前記パッケージ基板４に、熱および荷重をかけてフリップチップ接続する（図８（ｆ））。
【００４２】
そして、この組み立て後にはんだボール４２を取り付ける(図４（ｅ）)。具体的には、水溶性などのフラックスをパッケージ基板４の塗布し、リフロー炉で加熱を行い、はんだボール４２を溶融し、パッケージ基板４に接続する。
【００４３】
後は、このパッケージ基板４をはんだボール４２を介してマザーボード基板（図示なし）に接続すればよい。
【００４４】
以上により組み立てられたマルチチップパッケージにおいても、前述の各実施形態と同様にフレキシブル基板１を用いていることで、電気特性のより一層の向上が図られている。
【００４５】
［第５実施形態］
図９は作製方法の別の一例を示したものである。
【００４６】
図９の作製方法では、図９（ａ）（ｂ）（ｃ）に示した工程は前述の図８（ａ）（ｂ）（ｃ）の工程と同じであるが、それ以降の工程が異なっている。
【００４７】
具体的には、金属バンプ３を具備するフレキシブル基板１と、金属バンプを具備するＩＣ２１を、熱および荷重をかけて接続する（図９（ｄ））。
【００４８】
組み立てたフレキシブル基板１及びＩＣ２１を、パッケージ基板４に、熱および荷重をかけて接続する（図９（ｅ））。
【００４９】
次に、フレキシブル基板、ＩＣ２１、ＩＣ２、およびパッケージ基板４それぞれの間の空間に、封止樹脂９を塗布して充填させる（図９（ｆ））。
【００５０】
そして後は、図８（ｆ）と同様にはんだボール４２を搭載する。
【００５１】
もちろん本実施形態においても、作製方法が他の実施形態と若干異なるだけであって、フレキシブル基板１の使用によってより一層向上した電気特性を実現できる。
【００５２】
［第６実施形態］
図１０および図１１は、フレキシブル基板１を図３や図７の様に半導体ＬＳＩパッケージ基板４と平行に接着させるのではなく、フレキシブル基板１を湾曲させて接続させる。より具体的には、半導体ＬＳＩパッケージ基板４よりもバンプ形成されたＩＣ２の高さを低くする（図１０）あるいは高くする（図１１）ことで高低差を付け、フレキシブル基板１を湾曲した状態で接続させる。
【００５３】
はんだボール４２の取り付け時に行うリフロー工程においては、半導体ＬＳＩパッケージ基板４及びフレキシブル基板１が高温条件下になることで両基板に熱応力が発生し、剥がれなどの不具合が発生する恐れがあり、フレキシブル基板１を湾曲させることで、その応力を緩和させる余裕をフレキシブル基板１に与え、リフロー温度による熱膨張の横方向ストレスを緩和させることができるようになる。
【００５４】
以上の実施形態はＥＢＧＡ／ＢＧＡの区別なく適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】従来のＥＢＧＡパッケージ実装について説明するための図。
【図２】従来のＥＢＧＡパッケージ実装における伝送経路について説明するための図。
【図３】本発明のＥＢＧＡパッケージの一実施形態を示す断面概念図。
【図４】図３のＥＢＧＡパッケージの作製方法の一例について説明する図。
【図５】図３のＥＢＧＡパッケージの作製方法の別の一例について説明する図。
【図６】図３のＥＢＧＡパッケージの作製方法のさらに別の一例について説明する図。
【図７】本発明のＥＢＧＡパッケージの一実施形態を示す断面概念図。
【図８】図７のＥＢＧＡパッケージの作製方法の一例について説明する図。
【図９】図７のＥＢＧＡパッケージの作製方法の別の一例について説明する図。
【図１０】本発明のＥＢＧＡパッケージの一実施形態を示す断面概念図。
【図１１】本発明のＥＢＧＡパッケージの一実施形態を示す断面概念図。
【符号の説明】
【００５６】
１  フレキシブル基板
１１  ＧＮＤ層
１２  信号／電源／ＧＮＤ層
２  ＩＣ
２１  ＩＣ
３  金属バンプ
４  パッケージ基板
４１  基板配線（信号）
４２  はんだボール
４３  ランド
４４  ＧＮＤ／電源層
４５  基板配線(信号)
４６  ＧＮＤ／電源層
５  Ａｇペースト
６  放熱板
７  マザーボード基板
７１  信号層
７２  ＧＮＤ層
７３  開口
８  接着フィルム
９  封止樹脂
１０  ワイヤー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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