(57)【要約】【課題】基板上への放射ビームの焦点制御における誤差を低減すること。【解決手段】リソグラフィ装置によって提供されるパターニングの、パターニングされる基板のトポロジに起因する焦点誤差が光学的に修正される。基板のマップされたトポロジに基づいてレチクルをスキャン軸の周りに湾曲させることにより、交差スキャン方向の焦点制御が提供される。湾曲は、レチクルをスキャンする際に、フィールドからフィールドまで更新することができる。湾曲は一方向（たとえば下向きのみ）であってもよいが、ビーム波面に対して正または負のいずれかの曲率（あるいはゼロ曲率）を導入するために、光学補償エレメント（たとえば円筒形状に研磨されたレンズまたはミラー、あるいは力アクチュエータによって円筒形状に湾曲した透明なプレートまたはミラー）を含むことができ、それによりベンダのメカトロニクスが単純化される。【選択図】図１３
2010157714.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンを有し、前記パターンの少なくとも一部を、入射する放射ビームに付与するように構成された所与のパターニングデバイスをサポートするように構成され、前記パターニングデバイスを湾曲させるように構成されたベンダを含む、サポート構造と、前記パターニングデバイスと基板位置の間に配置された基板の上に前記放射ビームを投射することができる投影システムと、を備えた、パターニングデバイスハンドラを含む、
リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記サポート構造がスキャン方向に移動するように構成され、
前記ベンダが前記スキャン方向に実質的に平行の軸の周りに前記パターニングデバイスを湾曲させるように構成された、
請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記ベンダが、前記基板の一部のマップされたトポロジに応答して前記パターニングデバイスを湾曲させるように構成かつ構成された、
請求項２に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記基板の前記マップされた部分が前記基板のフィールドに対応する、
請求項３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記ベンダが第１の方向への一方向湾曲用に構成された、
請求項３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記投影システムが、前記第１の方向とは異なる、前記第１の方向に関連する方向に前記ビームの波面を湾曲させるように構成された光学補償エレメントを含む、
請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記光学補償エレメントが、レンズおよびミラーからなるグループから選択され、かつ、実質的に円筒形状に研磨された少なくとも１つのエレメントを備えた、
請求項６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
前記光学補償エレメントが、透明なフラットプレートおよびフラットミラーからなるグループから選択される、その自由状態では実質的に平らな光学エレメントであり、力アクチュエータを使用して実質的に円筒形状に湾曲するように構成される、
請求項６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記アクチュエータによって生成される力の大きさを変化させることができ、それにより大きさが異なる曲率が前記光学補償エレメントに生成される、
請求項８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
生成される曲率が実質的にゼロになる実質的にゼロの力まで前記力が変化する、
請求項９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記アクチュエータによって生成される前記力の方向が反転可能である、
請求項９に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記光学補償エレメントが、前記パターニングデバイスの湾曲の大きさおよび湾曲形状が実質的に相殺され、それにより前記光学補償エレメントを通過した後の前記ビームが実質的に平らな波面を有するように前記ビームの波面を湾曲させることができる、
請求項６に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記ベンダが前記サポート構造に運動学的に結合されたリアクションフレームを含む、
請求項３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
基板のトポロジをマッピングする工程と、
前記基板の前記マップされたトポロジに関連する方法でパターニングデバイスを湾曲させる工程と、
放射ビームを前記パターニングデバイスの上に導く工程と、
パターンの一部を前記放射ビームに付与する工程と、
前記パターニングデバイスから前記基板の上に前記放射ビームを投射する工程と、
を含む製造方法。
【請求項１５】
前記放射ビームを停止する工程と、
サポート構造を前記基板のフィールドまで前記基板に対してスキャンする工程と、
前記フィールドのトポロジをマッピングする工程と、前記フィールドの前記マップされたトポロジに応答して前記パターニングデバイスを湾曲させる工程と、
をさらに含み、
前記サポート構造がスキャン方向に移動するように構成され、前記スキャン方向に実質的に平行の軸の周りに湾曲が生じ、前記湾曲が第１の方向に実施され、
投影システムが、前記ビームの波面を前記第１の方向とは逆の第２の方向に湾曲させるように構成された光学補償エレメントを含む、
請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  関連出願の相互参照
本出願は、２００８年１２月３１日に出願した、参照によりその開示全体が本明細書に組み込まれている米国仮出願第６１／１４１９５１号の優先権を主張するものである。
【０００２】
[0002]  本発明は一般にリソグラフィに関し、より詳細にはリソグラフィ焦点制御装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、基板、一般的には基板のターゲット部分に所望のパターンを付与するマシンである。リソグラフィ装置は、たとえば集積回路（IC）の製造に使用することができる。その場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを基板（たとえばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（たとえばダイの一部、または1つもしくは複数のダイが含まれている）に転写することができる。パターンの転写は、通常、基板の上に提供されている放射感応性材料（レジスト）の層の上へのイメージングによって実施される。通常、１枚の基板には、連続的にパターニングされる隣接するターゲット部分の回路網が含まれている。知られているリソグラフィ装置には、パターン全体を１回でターゲット部分に露光することによってターゲット部分の各々が照射されるいわゆるステッパと、パターンを放射ビームで所与の方向（「ｙ方向」とも呼ばれる「スキャンニング」方向）にスキャンし、かつ、基板をこの方向に平行または非平行に同期スキャンすることによってターゲット部分の各々が照射されるいわゆるスキャナがある。また、基板上へのパターンのインプリントによってパターンをパターニングデバイスから基板へ転写することも可能である。
【０００４】
[0004]  リソグラフィによってデバイスを製造する場合、最も重要な制御は、基板上への放射ビームの焦点制御である。焦点制御における重要な誤差源の１つは、基板、たとえばウェーハの固有の非一様性である。基板の局部トポロジがマップされ既知である場合、基板のマップされたトポロジに従ってパターニングデバイスを垂直方向（「ｚ方向」）に調整することにより、この非一様性を部分的にスキャンニング方向に補償することができる。しかしながら、この補償によっては、非スキャンニング方向（「ｘ方向」）の焦点誤差は何ら修正されない。また、パターニングデバイスをスキャンニング方向に平行の軸およびスキャンニング方向に直角の軸の周りに回転させることも可能であるが、それによって修正されるのは、ｘ方向およびｙ方向の焦点誤差のごく一部にすぎない。これらの理由により、ｘ方向の焦点制御は主要な課題である。他の場合には、パターニングデバイス自体の固有の非一様性によって焦点制御に誤差が誘導されることさえある。
【発明の概要】
【０００５】
[0005]  本発明の実施形態は、リソグラフィ装置のパターニングデバイスハンドラに関する。本発明の一実施形態によれば、パターンを有するパターニングデバイスをサポートするサポート構造を含むリソグラフィ装置が提供される。パターニングデバイスは、パターンの少なくとも一部を入射する放射ビームに付与するように構築かつ構成されている。サポート構造は、パターニングデバイスを湾曲させるように構築かつ構成されたベンダを含む。リソグラフィ装置は、パターニングデバイスと基板位置の間に配置された、パターニングデバイスから基板位置に配置された基板の上に放射ビームを投射することができる投影システムを含む。
【０００６】
[0006]  本発明の一実施形態によれば、基板のトポロジをマッピングする工程と、基板のマップされたトポロジに関連する方法でパターニングデバイスを湾曲させる工程とを含む製造方法が提供される。この方法には、放射ビームをパターニングデバイスの上に導く工程と、パターンの一部を放射ビームに付与する工程と、パターニングデバイスから基板の上に放射ビームを投射する工程が含まれている。
【０００７】
[0007]  本発明の一実施形態によれば、プロセッサをベースとする制御システムによって実行されると、ある方法に従ってシステムにリソグラフィ装置を制御させるプログラム命令を含むコンピュータ読取可能媒体が提供される。この方法には、基板のトポロジをマッピングする工程と、リソグラフィ装置のベンダを使用して、基板のマップされたトポロジに関連する方法でリソグラフィ装置のパターニングデバイスを湾曲させる工程と、放射ビームをパターニングデバイスの上に導く工程と、リソグラフィ装置の投影システムを使用して、放射ビームをパターニングデバイスから基板の上に投射する工程が含まれている。
【０００８】
[0008]  本発明の一実施形態によれば、パターンを有する、湾曲させることができる所与のパターニングデバイスをリソグラフィ装置内で保持するためのサポート構造が提供される。サポート構造は、パターニングデバイスがパターンの少なくとも一部を入射する放射ビームに付与するとき、パターニングされる基板のトポロジに起因する焦点誤差を修正するために、基板のマップされたトポロジに基づいてパターニングデバイスを第１の方向に湾曲させるように構成されたベンダを備えている。サポート構造は、第１の方向とは逆方向の第２の方向のパターニングデバイスの湾曲を光学的に補償するように構成されている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
[0009]  以上の概要には本発明の多数の態様が示されているが、すべてが示されているわけではない。当業者には、図面を参照しながら本発明の様々な「実施形態」についての説明を読むことにより、間違いなく、本発明に属する本発明の他の態様が明らかであろう。以下の実施形態を示すに当たり、本発明は、一例として示されたものであり、本発明を何ら限定するものではない。図において、同様の参照数表示は類似した構成要素を表している。
【００１０】
【図１Ａ】[0010]本発明の一実施形態に係る反射型リソグラフィ装置の略図である。
【図１Ｂ】[0010]本発明の一実施形態に係る透過型リソグラフィ装置の略図である。
【図２】[0011]本発明の一実施形態に係るリソグラフィセルの略図である。
【図３】[0012]本発明の一実施形態に係るウェーハの略図である。
【図４】[0013]本発明の一実施形態に係るパターニングデバイスの側面図である。
【図５】[0014]本発明の一実施形態に係る湾曲構成の図３のパターニングデバイスの側面図である。
【図６】[0015]本発明の一実施形態に係る複数のリニアアクチュエータのアレイを有するパターニングデバイスの側面図である。
【図７】[0016]本発明の一実施形態に係るリアクションフレームおよびアクチュエータを有するサポート構造の平面図である。
【図８】[0017]本発明の一実施形態に係る光学補償エレメントを示す略図である。
【図９】[0018]本発明の一実施形態に係るリニアアクチュエータによって湾曲したパターニングデバイスの側面図である。
【図１０】[0019]本発明の一実施形態に係るせん断アクチュエータによって湾曲したパターニングデバイスの側面図である。
【図１１】[0020]本発明の一実施形態に係る追加せん断アクチュエータによって湾曲したパターニングデバイスの側面図である。
【図１２】[0021]本発明の一実施形態に係るリアクションフレームに結合されたせん断アクチュエータによって湾曲したパターニングデバイスの側面図である。
【図１３】[0022]本発明の一実施形態に係る製造方法の流れ図である。
【図１４】[0023]本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置の略図である。
【図１５】[0024]本発明の一実施形態に係る第１の構成の調整可能光学補償エレメントを示す略図である。
【図１６】[0025]本発明の一実施形態に係る第２の構成の調整可能光学補償エレメントを示す略図である。
【図１７】[0026]本発明の一実施形態に係る第３の構成の調整可能光学補償エレメントを示す略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[0027]  以下、本発明について、添付の図面に示されている本発明のいくつかの好ましい実施形態を参照して詳細に説明する。以下の説明には、本発明を完全に理解するために多数の特定の詳細が示されている。しかしながら、これらの特定の詳細のうちのいくつか、あるいはすべてを必要とすることなく本発明を実践することができることは当業者には明らかであろう。他の例では、良く知られているプロセス工程については、本発明を明確にするためにその詳細な説明は省略されている。
【００１２】
[0028]  同様に、システムの実施形態が示されている図面は、半図解式かつ略図であり、スケール通りには描かれていない。表現を分かり易くするために、寸法のいくつかは誇張されている。
【００１３】
[0029]  同様に、図面の中の描写は、説明を分かり易くするために概ね同様の向きで示されているが、図のこのような描写は、ほとんどの部品に対して恣意的である。図に示されている装置は、図に示されている向き以外の向きで動作させることができる。また、いくつかの共通の特徴を有する複数の実施形態が開示され、かつ、説明されている場合、それらについての図解、説明および理解を分かり易く、かつ、容易にするために、互いに類似した同様の特徴は、概ね同様の参照数表示を使用して説明されている。
【００１４】
[0030]  図１Ａおよび１Ｂは、それぞれリソグラフィ装置１００およびリソグラフィ装置１００’を略図で示したものである。リソグラフィ装置１００およびリソグラフィ装置１００'は、それぞれ、放射ビームＢ（たとえばＤＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を条件付けるように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（たとえばマスク、レチクルまたは動的パターニングデバイス）ＭＡをサポートするように構成され、パターニングデバイスＭＡを正確に配置するように構成された第１ポジショナＰＭに接続されたサポート構造（たとえばマスクテーブル）ＭＴと、基板（たとえばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、基板Ｗを正確に配置するように構成された第２ポジショナＰＷに接続された基板テーブル（たとえばウェーハテーブル）ＷＴとを含む。リソグラフィ装置１００および１００'は、さらに、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分（たとえば1つまたは複数のダイが含まれている）Ｃの上に投影するように構成された投影システムＰＳを有している。リソグラフィ装置１００の場合、パターニングデバイスＭＡおよび投影システムＰＳは反射型であり、また、リソグラフィ装置１００'の場合、パターニングデバイスＭＡおよび投影システムＰＳは透過型である。
【００１５】
[0031]  照明システムＩＬは、放射Ｂを導き、整形し、あるいは制御するための、屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネント、静電光学コンポーネントまたは他のタイプの光学コンポーネントあるいはそれらの任意の組合せなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。
【００１６】
[0032]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置１００および１００’の設計および他の条件、たとえばパターニングデバイスＭＡが真空環境中で保持されているか否か等に応じた方法でパターニングデバイスＭＡを保持している。サポート構造ＭＴには、パターニングデバイスＭＡを保持するための、機械式クランプ技法、真空クランプ技法、静電クランプ技法または他のクランプ技法を使用することができる。サポート構造ＭＴは、たとえば必要に応じて固定または移動させることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスをたとえば投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に配置することができる。
【００１７】
[0033]  「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、放射ビームＢの断面にパターンを付与し、それにより基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するべく使用することができる任意のデバイスを意味するものとして広義に解釈されたい。放射ビームＢに付与されるパターンは、ターゲット部分Ｃに生成されるデバイス、たとえば集積回路などのデバイス中の特定の機能層に対応していてもよい。
【００１８】
[0034]  パターニングデバイスＭＡは、透過型（図１Ｂのリソグラフィ装置１００'の場合のように）であっても、あるいは反射型（図１Ａのリソグラフィ装置１００の場合のように）であってもよい。パターニングデバイスＭＡの例には、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクについてはリソグラフィにおいては良く知られており、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフトおよびハーフトーン型（attenuated）位相シフトなどのマスクタイプ、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプが知られている。プログラマブルミラーアレイの例には、マトリックスに配列された、入射する放射ビームが異なる方向に反射するよう個々に傾斜させることができる微小ミラーが使用されている。これらの傾斜したミラーによって、ミラーマトリックスで反射した放射ビームＢにパターンが付与される。
【００１９】
[0035]  「投影システム」ＰＳという用語は、たとえば使用する露光放射に適した、もしくは液浸液の使用または真空の使用などの他の要因に適した、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁光学システムおよび静電光学システムまたはそれらの任意の組合せを含めて、任意のタイプの投影システムを包含することができる。他の気体は、放射または電子を過剰に吸収することがあるため、ＥＵＶ放射または電子ビーム放射の場合、真空環境を使用することができる。したがって、真空壁および真空ポンプを使用してビーム経路全体に真空環境を提供することができる。
【００２０】
[0036]  リソグラフィ装置１００および／またはリソグラフィ装置１００'は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および/または複数のマスクテーブル）ＷＴを有するタイプの装置であってもよい。このような「マルチステージ」マシンの場合、追加基板テーブルＷＴを並列に使用することができ、あるいは１つまたは複数の他の基板テーブルＷＴを露光のために使用している間、１つまたは複数のテーブルに対して予備工程を実行することができる。
【００２１】
[0037]  イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受け取っている。放射源ＳＯがたとえばエキシマレーザである場合、放射源ＳＯおよびリソグラフィ装置１００、１００’は、個別の構成要素にすることができる。このような場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１００または１００’の一部を形成するとは見なされず、放射ビームＢは、たとえば適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えたビームデリバリシステムＢＤ（図１Ｂ）を使用して放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ引き渡される。それ以外のたとえば放射源ＳＯが水銀灯などの場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置１００、１００'の一構成要素にすることができる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤと共に放射システムと呼ぶことができる。
【００２２】
[0038]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調整するためのアジャスタＡＤ（図１Ｂ）を備えることができる。通常、イルミネータの瞳面内における強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般に、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）は調整が可能である。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなどの他の様々なコンポーネント（図１Ｂ）を備えることができる。このイルミネータＩＬを使用して、所望の均一性および強度分布をその断面に有するように放射ビームＢを条件付けることができる。
【００２３】
[0039]  図１Ａを参照すると、サポート構造（たとえばマスクテーブル）ＭＴの上に保持されているパターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡに放射ビームＢが入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターニングされる。リソグラフィ装置１００の場合、放射ビームＢは、パターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡで反射する。パターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡで反射した放射ビームＢは、放射ビームＢを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる投影システムＰＳを通過する。基板テーブルＷＴは、第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（たとえば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）を使用して正確に移動させることができ、それによりたとえば異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢの光路内に配置することができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよびもう１つの位置センサＩＦ１を使用して、パターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡを放射ビームＢの光路に対して正確に配置することができる。パターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせさせることができる。
【００２４】
[0040]  図１Ｂを参照すると、サポート構造（たとえばマスクテーブルＭＴ）の上に保持されているパターニングデバイス（たとえばマスクＭＡ）に放射ビームＢが入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。マスクＭＡを通過した放射ビームＢは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる投影システムＰＳを通過する。基板テーブルＷＴは、第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（たとえば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）を使用して正確に移動させることができ、それによりたとえば異なるターゲット部分Ｃを放射ビームＢの光路内に配置することができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよびもう１つの位置センサ（図１Ｂには明確に示されていない）を使用して、たとえばマスクライブラリから機械的に取り出した後、あるいはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの光路に対して正確に配置することができる。
【００２５】
[0041]  通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使用して実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合（スキャナではなく）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに接続することができ、あるいは固定することも可能である。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせさせることができる。図には専用ターゲット部分を占有している基板アライメントマークが示されているが、基板アライメントマークは、ターゲット部分とターゲット部分の間の空間に配置することも可能である（スクライブラインアライメントマークとして知られている）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に提供される場合、ダイとダイの間にマスクアライメントマークを配置することができる。
【００２６】
[0042]  リソグラフィ装置１００および１００'は、以下のモードのうちの少なくとも１つのモードで使用することができる。
１．ステップモード：サポート構造（たとえばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴが基本的に静止状態に維持され、放射ビームＢに付与されたパターン全体がターゲット部分Ｃに１回で投影される（すなわち単一静的露光）。次に、基板テーブルＷＴがＸ方向および／またはＹ方向にシフトされ、異なるターゲット部分Ｃが露光される。
２．スキャンモード：放射ビームＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間、サポート構造（たとえばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期スキャンされる（すなわち単一動的露光）。サポート構造（たとえばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの倍率（縮小率）および画像反転特性によって決まる。
３．その他のモード：プログラマブルパターニングデバイスを保持するべくサポート構造（たとえばマスクテーブル）ＭＴが実質的に静止状態に維持され、放射ビームＢに付与されたパターンがターゲット部分Ｃに投影されている間、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされる。パルス放射源ＳＯを使用することができ、スキャン中、基板テーブルＷＴが移動する毎に、あるいは連続する放射パルスと放射パルスの間に、必要に応じてプログラマブルパターニングデバイスが更新される。この動作モードは、本明細書において参照されているタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用しているマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００２７】
[0043]  上で説明した使用モードの組合せおよび／または変形形態、あるいは全く異なる使用モードを使用することも可能である。
【００２８】
[0044]  他の実施形態では、リソグラフィ装置１００は、ＥＵＶリソグラフィのためのＥＵＶ放射のビームを生成するように構成された極端紫外線（EUV）源を含む。通常、ＥＵＶ源は放射システムの中に構成されており、対応する照明システムは、ＥＵＶ源のＥＵＶ放射ビームを条件付けるように構成されている。
【００２９】
[0045]  上で説明した使用モードの組合せおよび／または変形形態、あるいは全く異なる使用モードを使用することも可能である。
【００３０】
[0046]  図２に示されているように、リソグラフィ装置ＬＡは、基板に対する露光前処理および露光後処理を実行するための装置をも含む、リソセルまたはクラスタと呼ばれることもあるリソグラフィセルＬＣの一部を形成する。一例では、リソセルまたはクラスタは、レジスト層を付着させるためのスピンコータＳＣ、露光済みレジストを現像するための現像装置ＤＥ、チルプレートＣＨおよびベークプレートＢＫを含むことができる。基板ハンドラすなわちロボットＲＯが、入力／出力ポートＩ／Ｏ１、Ｉ／Ｏ２から基板をピックアップし、異なる処理装置の間を移動させた後、リソグラフィ装置のローディングベイＬＢに引き渡す。集合的にしばしばトラックと呼ばれるこれらのデバイスは、トラック制御ユニットＴＣＵの制御下に置かれており、このトラック制御ユニットＴＣＵ自体は、リソグラフィ制御ユニットＬＡＣＵを介して同じくリソグラフィ装置を制御している監視制御システムＳＣＳによって制御されている。したがって異なる装置を動作させることができるため、処理能力および処理効率が最大化される。
【００３１】
[0047]  図３は、一般的には３００ｍｍの直径を有するウェーハ１０を略図で示したものである。一実施形態では、ウェーハ１０は、フィールド２０に細分されており、分かり易くするために図にはその一部のみが示されている。一実施形態では、フィールド２０は、ウェーハの表面で２６ｍｍ×３２ｍｍである。リソグラフィ装置は、４の縮小係数を有することができ、パターニングデバイス上の対応するフィールドがウェーハ上のフィールド２０より４倍大きいことを意味している。他の実施形態では、リソグラフィ装置は、異なる縮小係数を有することも、縮小係数を持たないことも可能であり、あるいはパターニングデバイス上のフィールドをウェーハ上の対応するフィールドより小さくすることも可能である。一実施形態では、露光スリット３０が個々のフィールド内でｙ方向にスキャンされる。
【００３２】
[0048]  ウェーハは本質的に非一様であるため、ビームをｙ方向にスキャンする際に焦点誤差が導入される。ウェーハ１０の固有非一様性に対処するために、リソグラフィ装置は、ウェーハのトポロジをマップするためのセンサを含むことができる。このようなセンサは当技術分野で知られており、トポロジをナノメートルスケールでマッピングすることができる。レチクルは、ウェーハの局部的にマップされたトポロジに応答して垂直方向（ｚ方向）に変位させることができる。「局部的」とは、露光スリット３０の現行位置に直接あることを意味することも、露光スリットが占有しているフィールド２０毎の平均値を意味することも、所与の領域における何らかの他の平均トポロジを意味することもできる。この垂直方向の変位は、ｙ方向の焦点誤差の修正に対しては全く良好に機能しているが、交差スキャン、すなわちｘ方向の焦点誤差に対しては何ら修正していない。ｘ方向の焦点誤差を修正するためにレチクルを傾斜させることができる（ｘ軸、ｙ軸さらにはｚ軸の周りに）。このような傾斜により、若干の焦点誤差の補償が促進されるが、単に「一次」修正にすぎない。
【００３３】
[0049]  より高次の修正は、投影システム（たとえば補償すなわち調整可能レンズは、ビームの波面をひずませてウェーハの局部トポロジをオフセットさせることができる）、レチクル自体（レチクルは、ウェーハ１０の局部トポロジに従って上下に湾曲させることができる）または補償投影システムと湾曲可能レチクルの組合せによって得ることができる。理論的には、補償投影システムと湾曲可能レチクルシステムのいくつかの組合せを使用してｘ方向の焦点誤差を修正することができるが、実際には、財政上および工学上の問題のため、実際に製造に使用するための可能性が限定されている。以下、これらの問題およびそれらに対処するための解決法について、より詳細に説明する。
【００３４】
[0050]  パターニングデバイスを湾曲させる方法の１つは、曲げモーメントを生成するために、大きさが等しく、かつ、方向が逆の力をパターニングデバイスの縁に印加することである。図４は、知られているパターニングデバイスハンドラ（簡潔にするために図には示されていない）のサポート５０によってサポートされた一般的なパターニングデバイス４０を示したものである。サポート５０は、図１Ａおよび図１Ｂに示されているサポート構造ＭＴの一部に対応していてもよい。パターニングデバイス４０の中立軸７０に平行に印加される直前の時間ポイントにおける、大きさが等しく、かつ、方向が逆の一対の力（矢印で示されている）６０が示されている。力６０は、ベンダ（図示せず）によって供給することができる。一実施形態では、力６０は、パターニングデバイス４０の頂部（または底部）縁と中立軸７０の間の中間に印加することができる。
【００３５】
[0051]  圧縮力６０が中立軸７０の上側に印加されると（図４に示されているように）曲げモーメントが生成され、図５に示されているようにパターニングデバイス４０に正の（中心部分が下に向かう）曲率が生じる。図に示されている曲率は、分かり易くするために著しく誇張されている。力が中立軸７０の下側に印加されると、負の曲率（中心部分が上に向かう）が生成されることになる（図示せず）。
【００３６】
[0052]  他の実施形態では、引張り力（圧縮力ではなく）を印加することができる。引張り力が中立軸７０の上側に印加されると曲げモーメントが生成され、図５に示されている曲率とは逆の負の曲率が生じる。引張り力が中立軸７０の下側に印加されると正の曲率が生じる（図示せず）。
【００３７】
[0053]  図４および図５では、湾曲は、ｙ軸（スキャン方向）に実質的に平行の軸の周りに発生している。この方法によれば、ｘ軸（交差スキャン方向）に沿ってパターニングデバイス４０が湾曲する。そのため、パターニングデバイス４０の下方の局部的に非一様なウェーハ表面に応答してパターニングデバイスを単に傾斜させるだけの場合と比較すると、より高次の修正が可能になる。
【００３８】
[0054]  上で言及したように、ベンダは、曲率を誘導するために、圧縮力または引張り力のいずれかをパターニングデバイス４０に印加することができる。圧縮力は、比較的容易に印加することができる。一方、引張り力（パターニングデバイスを引っ張る）は、印加がより困難である。典型的なリソグラフィ装置の場合、パターニングデバイスは、一般的には単に一時的に取り付けられるだけであるため、本発明の一例示的実施形態によれば、薄いクランプ（たとえば真空クランプまたは静電クランプ）を使用して、あるいは粘着性の表面を使用して引張り力を印加することができる。パターニングデバイスのサイズおよび該パターニングデバイスを湾曲させるために必要な力の大きさを考えると、本発明の一例示的実施形態に従って実装するためには、圧縮力の方が効果的であり、はるかに安価である。
【００３９】
[0055]  圧縮力は、より容易に印加することができるため、（ウェーハの非一様性に対処するために）正および負の両方の曲率を生成しなければならないことが問題をより困難にする。一方向リニアアクチュエータ（たとえばプッシュオンリー（push only）タイプのリニアアクチュエータ）を使用する場合、図６に示されているように、一行のアクチュエータ８０を中立軸７０の上側に配置することができ、また、一行のアクチュエータ８５を中立軸７０の下側に配置することができる。もっと複雑な二方向リニアアクチュエータ（たとえばプッシュ/プルタイプのアクチュエータ）を使用する場合、単一行のプッシュ／プルアクチュエータを使用して二方向湾曲を達成することができるが、たとえば中立平面（図示せず）の上側の引張り作用を中立平面の下側の押付け作用に変換するためには、個々のアクチュエータがレバーを駆動しなければならないことになる。サポート構造の力学を損なうことを回避するためにベンダをコンパクトかつ軽いデバイスにすることが望ましいため、ベンダに対する個々の複雑化は、その設計をあまり望ましくないものにする可能性がある。本発明の一実施形態と矛盾しないためには、ベンダは、理想的には、たとえばある１つの露光済みフィールドから次の露光フィールドまで周期的にパターニングデバイスの曲率を変化させるために、高速応答時間を有していることが望ましい。
【００４０】
[0056]  本発明の一実施形態によれば、ベンダには、理想的には、純粋な力のみをパターニングデバイスに印加することが期待される。一実施形態では、「純粋な力」という用語は、ベンダがパターニングデバイスまたはパターニングデバイスをサポートしているサポート構造に実質的な剛性を加えない状況を意味している。これを達成するための方法の１つは、図７の平面図に示されているように、アレイアクチュエータ１４０および１５０をベンダ１２０のリアクションフレーム１３０に結合することである。本発明の図に示されている実施形態では、リアクションフレーム１３０は、サポート構造１１０への運動学的結合のみが示されている。動作中、アクチュエータ１４０および１５０からの大きさが等しく、かつ、逆方向の力がパターニングデバイス１６０の対向する端面に作用し、リアクションフレーム１３０内で互いに実質的に相殺される。
【００４１】
[0057]  機械的に剛直なアクチュエータ、たとえば圧電変換器は、リアクションフレーム１３０のひずみをパターニングデバイス１６０に伝達することがあり、したがって望ましくない。ローレンツアクチュエータおよび磁気抵抗アクチュエータは、純粋な力アクチュエータの例である。本発明の一実施形態では、最も単純かつ最もコンパクトな磁気抵抗アクチュエータである電磁石が、最小の電力散逸で必要な力を提供することができる。しかしながら、このアクチュエータは一方向性であり、したがって正および負の両方の曲率を提供するために、２行のアクチュエータがパターニングデバイス１６０の個々の面に沿って配置されることになる。
【００４２】
[0058]  本発明の一実施形態では、パターニングデバイス１６０の個々の面に２列のアクチュエータを有することの余計なコストおよび複雑性を回避するために、一方向性ベンダ（つまり正または負のいずれかの曲率しか提供することができないベンダ）を光学補償エレメントと組み合わせることにより、もっと複雑なベンダが達成することができる焦点制御と同じ焦点制御を達成することができる。これを可能にするためには、パターニングデバイス１６０の一方向湾曲をビームの波面の二方向湾曲に変換し、しかる後にウェーハ１０の上に投影しなければならない。図８は、本発明の一実施形態に従ってこれを略図で示したものである。図８の左側には、３つの実際のパターニングデバイスの形状が示されている。参照数表示２１０は、平らなパターニングデバイスを表しており、２４０は、軽く湾曲したパターニングデバイスを示している。また、２７０は、その最大偏向まで湾曲したパターニングデバイスを示している。パターニングデバイスは、この場合は下側に向かって一方向にのみ湾曲していることに留意されたい。図８の右側には、ウェーハの表面で見た湾曲した波面の投影２３０、２６０および２９０が示されている。
【００４３】
[0059]  図８では、光学補償エレメント２００は、「固定」光学補償エレメントである。「固定」エレメントによって一定の補償湾曲（大きさおよび方向が一定の補償湾曲）が入射するビームに印加される。図に示されている例では、ベンダは正の曲率（図８の左側）を生成しており、一方、光学補償エレメント２００は、大きさが固定の負の曲率を生成している。波面２２０は、湾曲することなくパターニングデバイス２１０から射出し、光学補償エレメント２００を通過してウェーハで形状２３０に湾曲する。形状２３０は、ベンダが生成することができるすべての曲率とは反対の曲率（たとえば負の曲率）を有していることに留意されたい。この方法によれば、本発明の一実施形態では、波面の二方向湾曲を達成することができる。
【００４４】
[0060]  ベンダが、光学補償エレメント２００によって生成される固定修正の大きさと同じ大きさの（ただし逆方向の）軽く湾曲したパターニングデバイス２４０を生成する場合、波面２５０は、ウェーハ上のその投影２６０が平らになるように湾曲する。これは、露光スリットが局部的に平らなウェーハの上方に位置している場合の状況に対応している。ベンダがその最大偏向２７０に位置している場合、補償エレメントを通過する波面２８０は、ウェーハ１０には軽く湾曲した波面２９０が見えるように湾曲する。
【００４５】
[0061]  図８から分かるように、ベンダは、第１の方向に一方向に湾曲させるように構成することができる。図に示されている実施形態の場合、方向は下向きである（２４０および２７０参照）。光学補償エレメント２００は、ビームの波面を第１の方向とは異なる、第１の方向に関連する方向に湾曲させるように構成されている。図に示されている実施形態の場合、方向は第１の方向とは逆の方向である（２６０および２９０参照）。
【００４６】
[0062]  一実施形態では、光学補償エレメント２００は、投影システム、たとえば図１Ａおよび図１Ｂに示されている投影システムＰＳに組み込むことができる。一実施形態では、固定光学補償エレメントは、実質的に円筒形状に研磨されたレンズを備えている。他の実施形態では、固定光学補償エレメントは、実質的に円筒形状に研磨されたミラーを備えることができる。固定補償は、ウェーハ１０が平らな状態にあるとき湾曲させることを含むが、一般的には湾曲させないことが望ましい。これに対処するために、パターニングデバイス２４０部分における軽い湾曲が使用され、この湾曲が光学補償エレメント２００によってウェーハ部分における実質的に平らな波面２６０に変換される。
【００４７】
[0063]  本発明と無矛盾の他の実施形態では、光学補償エレメント２００を固定にするのではなく、調整可能にすることができる。その場合、調整可能光学補償エレメントは、大きさが可変の正および負の両方の曲率を生成することができるため、ベンダは必要でない可能性がある。
【００４８】
[0064]  しかしながら、調整可能補償エレメントを組み込むためには、多くの課題に対処しなければならない。第１に、ベンダの応答時間は、調整可能光学システムの応答時間より実質的に短くないことが重要である。一例として、図８に示されているシステムの応答時間は、５０ｍｓ未満程度にすることができる。これは、ベンダを使用しないで調整可能補償エレメント（たとえば調整可能透明フラットプレートまたはフラットミラー）を使用し、調整可能補償エレメントの応答時間が５０ｍｓよりはるかに長い場合、曲率が異なる新しいウェーハ領域へ露光スリットを移動させる際に、調整可能システムが応答することができるようになるまでの間、リソグラフィプロセスを停止しなければならないことになることを意味している。第２に、調整可能光学補償エレメントは、特に極めて高速で、または極めて細かい工程で調整するように設計される場合、固定光学補償エレメントよりはるかに高価になることもある。一方、低速調整可能光学補償エレメントあるいは２つの固定状態（たとえば一定の湾曲または実質的に平ら）の間のみで動作する光学補償エレメントは、リソグラフィ装置のユーザが、特定のプロセスレシピに対してはレチクル湾曲を全く使用しないこと、あるいは他のプロセスレシピに対しては湾曲を使用することを選択することができるため、永久固定光学補償エレメントより好ましいことがある。
【００４９】
[0065]  上で説明した課題に合致するいくつかの調整可能光学補償エレメント設計が存在している。本発明と無矛盾の一実施形態では、調整可能光学補償エレメントは、その自由状態では実質的に平らな光学エレメントである。この実質的に平らな光学エレメントは、少なくとも１つの力アクチュエータを使用して実質的に円筒形状に湾曲させることができる。適切な力アクチュエータには、たとえば、ピストンによって加えられる力が実質的に入力圧力に比例する低摩擦空気圧シリンダがある。一実施形態では、この実質的に平らな光学エレメントは、透明な平らなプレートである。他の実施形態では、この実質的に平らな光学エレメントは、実質的に平らなミラーである。
【００５０】
[0066]  本発明と無矛盾の一実施形態では、力アクチュエータによって生成される力の大きさを変化させることができる。一実施形態では、力アクチュエータによって生成される力が実質的にゼロになると、調整可能光学補償エレメントは、その調整可能光学補償エレメントが実質的に平らであること（つまり実質的にゼロ曲率を有していること）を意味するその自由状態になる。本発明と無矛盾の一実施形態では、１つまたは複数のアクチュエータによって生成される力の大きさによって、異なる大きさの曲率が調整可能光学補償エレメント内に生成される。調整可能エレメント内に生成される曲率は、印加される力に比例させることができる。一実施形態では、力の大きさを変化させることができるだけでなく、その方向を変化させることも可能である。印加される力の方向を逆にすることにより、調整可能光学補償エレメント内に生成される曲率の方向が逆になる。
【００５１】
[0067]  図１５は、調整可能光学補償エレメント１５１０を略図で示したものである。図に示されている調整可能補償エレメント１５１０は、自由状態、つまり実質的に平らな調整可能補償エレメント１５１０である。エレメント１５１０には、大きさおよび方向を有する所与の力をエレメント１５１０に印加するように構成された少なくとも１つの力アクチュエータ１５２０が結合されている。図に示されている実施形態では、力アクチュエータは実質的に力を生成していない。
【００５２】
[0068]  図１６は、アクチュエータ１５２０からの緩やかな力に露出された光学補償エレメント１５１０を略図で示したものである。エレメント１５１０は、緩やかな曲率を有する実質的に円筒状の形をしている。図１７は、アクチュエータ１５２０からの最大の力に露出された光学補償エレメント１５１０を略図で示したものである。この場合、エレメント１５１０は、最大曲率を有する実質的に円筒状の形をしている。
【００５３】
[0069]  少なくとも１つの力アクチュエータ１５２０が印加される力の方向を反転させると、エレメント１５１０内に生成される曲率の方向も反転する。この反転により、図１６および図１７に示されている大きさと同様の大きさの曲率が生成されることになるが、曲率の方向が逆になる。この方法によれば、調整可能光学補償エレメント１５１０は、その曲率をゼロから緩やかな曲率または最大曲率まで、いずれか一方の方向に変化させることができる（つまり上向きまたは下向きの曲率）。
【００５４】
[0070]  図１５〜１７の調整可能光学補償エレメントの描写は、必ずしもこれらの３つの大きさの曲率だけが可能であることを暗に意味しているわけではない。この描写は、説明を容易にするためのものにすぎず、本発明を何ら限定するものではない。そうではなく、エレメント１５１０内に生成される曲率の大きさは、ゼロと最大偏向の間で無限に変化させることができる（印加される力の大きさを変化させることによって）。さらに、アクチュエータ１５２０から印加される力の方向を反転させることによって曲率の方向を反転させることも可能である。この方法によれば、特定のリソグラフィプロセスレシピの要件に従って調整可能光学補償エレメント１５１０の曲率を制御することができる。
【００５５】
[0071]  一方向湾曲の主要な利点の１つは、パターニングデバイスベンダのメカトロニクスが単純化されることである。そのため、ベンダをより小型かつ軽量にすることができ、したがってサポート構造力学に対するその負の影響を最小化することができ、延いては性能を最大化することができる。
【００５６】
[0072]  サポート構造力学要件は、ウェーハに対するサポート構造の位置を１ｎｍ未満内で維持し、かつ、速くする（たとえば最大１５０ウェーハ/時間で処理する）ために、パターニングデバイスを６自由度で且つ１ｎｍ未満内で配置することができるようにすることである。
【００５７】
[0073]  さらに、サポート構造を制御してウェーハの非一様性を修正する場合、常に共振モードを励起することができる。これに対処するために、微動修正（たとえばショートストロークポジショナを使用して）を実施するようにサポート構造に指令する入力信号をフィルタリングして共振モードを回避することができる。共振モードが低い場合、制御の帯域幅が犠牲にされ、その結果、性能が低下することになる。そのため、共振モードは高いことが望ましい。また、１つのサポート構造から次のサポート構造への動的再現性を有していることも重要である。これらのすべての理由により、「単純な」設計の使用が強いられている。
【００５８】
[0074]  また、一方向湾曲は、二方向性ベンダ（追加アクチュエータまたは部品が必要である）を使用する場合、あるいは調整可能光学補償システム（極めて高価な可能性がある）を使用する場合より安価である。
【００５９】
[0075]  さらに、現在のリソグラフィ装置には既に投影システム内のパターニングデバイスの重力たるみが考慮されており、たとえば、現在のリソグラフィ装置には、重力たるみに対して反作用するように研磨されたレンズが使用されている。このようなレンズを使用する代わりに、たとえば湾曲したパターニングデバイスの中間レンジの偏向の大きさ（および反対方向の）に対応する新しい「たるみプロファイル」を単純に研磨することも可能である。したがって、一方向性ベンダは、ほとんど困難を伴うことなく、また、余計な経費をほとんど伴うことなく、現在のシステムに追加することができる。
【００６０】
[0076]  元に戻って図９を参照すると、一実施形態では、スプリングブレード３１０が、サポート構造３００（チャックを含むことができる）と、パターニングデバイス３３０をサポートしているクランプ３２０との間を展開している。「スプリングブレード」という用語は、その固有の平面内（図９に示されている実施形態ではｘ−ｙ平面内）で実質的に剛直であるが、平面外に容易に移動することができる（たとえばｚ方向に）構造を表す一般的な用語である。スプリングブレード３１０は、ｘ−ｙ平面内の移動を拘束するが、ｚ軸に沿った変形は許容する。クランプ３２０は、実質的に薄くすることができ、パターニングデバイス３３０の局部トポロジに対して変形させることができる材料で形成することができる。クランプ３２０は、機械式クランプ、真空クランプおよび／または静電クランプであってもよい。
【００６１】
[0077]  リニアアクチュエータのアレイは、リアクションフレーム３４０から展開させることができる。図に示されている実施形態では、正の曲率のための一行のリニアアクチュエータ３５０がパターニングデバイス３３０の中立軸の上側に配置されており、また、負の曲率のための一行のリニアアクチュエータ３６０がパターニングデバイス３３０の中立軸の下側に配置されている。この実施形態の場合、スプリングブレード３１０の一方または両方をｘ方向に弱くし、パターニングデバイス３３０を湾曲させる際の自由度を許容することが望ましい可能性がある。
【００６２】
[0078]  リニアアクチュエータ３５０および３６０は、ローレンツアクチュエータ、磁気抵抗アクチュエータまたは圧電アクチュエータであってもよい。リニアアクチュエータの選択に際しては、ストローク、熱散逸および剛性に対処しなければならない。一般に、リニア圧電アクチュエータは、特別な注意を払わない場合、実際の使用に際して過剰の剛性を導入することがある。
【００６３】
[0079]  図９に示されている実施形態の場合、若干の圧縮がパターニングデバイス３３０に加えられることがある。したがって、パターニングデバイスとして広く使用されている水晶および石英ガラスなどの多くの材料は、応力によって変化する屈折率を有しているため、複屈折が生じることがある。
【００６４】
[0080]  図１０に示されている実施形態には、図８に示されている実施形態で説明したリニアアクチュエータおよび力フレームの代わりにせん断圧電アクチュエータ３７０が使用されている。この実施形態の場合、せん断圧電アクチュエータ３７０の外向きの偏向によって、パターニングデバイス３３０を下に向かって湾曲させるトルクが生成される。せん断圧電アクチュエータ３７０の偏向を反転させることができる場合、逆の曲率を生成することができる。この実施形態の場合、ｘ方向の追加自由度を許容するためにスプリングブレード３１０を弱くする必要がない可能性がある。また、せん断圧電アクチュエータ３７０はパターニングデバイス３３０と接触しないため、それらの剛性は重大な問題ではない。しかしながら、湾曲することによってｙ方向の加速に利用することができる力が低下する可能性があるため、パターニングデバイス３３０とサポート構造３００の間に滑りが生じないことを保証することが重要である。一般的にはサポート構造３００自体の位置のみが測定されるため（たとえば光学エンコーダを使用して）、これは極めて重要である。言い換えると、パターニングデバイスの位置は、サポート構造３００の既知の位置に対して一定であることが仮定されている。滑りによってこの仮定が成り立たなくなると、リソグラフィプロセスの最終製品は使用不可能になる。
【００６５】
[0081]  他のセットのクランプ４３０、スプリングブレード４２０およびせん断圧電アクチュエータ４１０に適応するために、サポート構造の取外し可能部品４００を追加することができる。図１１に示されているように、頂部および底部を介した湾曲により、実質的に純粋なトルクがパターニングデバイス３３０に誘導される。この方法によれば、複屈折を実質的に抑制することができる。また、クランプ力が２倍になるため、ｙ方向の加速中に滑りが生じる可能性が小さくなる。図１１に示されている装置の場合、パターニングデバイスをロードまたはアンロードするために、上部クランプ４３０を後退させなければならない可能性がある。
【００６６】
[0082]  サポート構造を曲げトルクから遮蔽するために、図１２に示されているように、サポート構造３００に運動学的に結合された力フレーム４４０にせん断圧電アクチュエータを接続することができる。この方法によれば、サポート構造３００が曲げモーメントに遭遇することは実質的になくなる。この実施形態の場合、頂部せん断圧電アクチュエータ４１０は、力フレーム４４０の可動部分４５０に取り付けることができる。そうすることにより、ローディングおよびアンローディングのために上部クランプ４３０をパターニングデバイス３３０から滑り出させることができる。パターニングデバイスをロードまたはアンロードするためには、可動部分４５０を外側に向かってスライドさせ（図示せず）、邪魔するものがないアクセスがパターニングデバイス３３０に提供される。
【００６７】
[0083]  圧電アクチュエータの固有ヒステリシスは、光学エンコーダ５００、５０１、５０２および５０３を追加して圧電アクチュエータの正確な位置を測定することによって克服することができる。しかしながら、重要な情報は、実際には湾曲可能パターニングデバイス３３０の位置である。幸いなことには、圧電座標５００〜５０３と湾曲可能パターニングデバイス３３０上の位置との間には線形関係が存在している。この関係は、パターニングデバイス、クランプおよび力フレーム４４０の剛性で決まる。この関係はキャリブレーションが可能であり、４つのエンコーダ信号を関連するパターニングデバイスパラメータ、つまりｘ方向の拡張、ｘ方向の並進および曲率に関連付けることができる。この方法によれば、湾曲可能パターニングデバイス３３０の位置を既知の圧電座標から推定することができる。
【００６８】
[0084]  せん断圧電アクチュエータは５ｍｓ程度の高速反応時間を有しており、したがってこれらのせん断圧電アクチュエータは、非一様なウェーハ１０のフィールド間に必要な湾曲の量を更新するだけの十分な速さである。これらのアクチュエータは十分に高速であり、したがってフィールド内における（「イントラフィールド」）湾曲更新さえ可能である。
【００６９】
[0085]  図１３は、リソグラフィ装置内のパターニングデバイスベンダを利用してデバイスを製造する方法を開示したものである。ブロック１２００では、この方法はリソグラフィ装置を提供する工程を含み、リソグラフィ装置は、パターンを有するパターニングデバイスと、パターニングデバイスをサポートするように構成されたサポート構造と、パターニングデバイスを湾曲させるように構成されたベンダと、基板と、投影システムとを含む。ブロック１２１０で、センサを使用して基板のトポロジがマップされる。基板をマップするためのセンサの使用については当技術分野で知られている。一実施形態では、基板はウェーハであってもよい。ブロック１２２０で、ベンダを使用して、基板のマップされたトポロジに関連する方法でパターニングデバイスが曲げられる。サポート構造は、スキャン方向に移動するように構成することができ、ブロック１２２０における湾曲は、このスキャン方向に実質的に平行の軸の周りに実施することができる。ブロック１２２０では、湾曲は、第１の方向に実施することができ、投影システムは、ビームの波面を第１の方向とは逆の第２の方向に湾曲させるように構成された光学補償エレメントを含むことができる。光学補償エレメントは固定光学補償エレメントであってもよく、たとえば実質的に円筒形状に研磨されたレンズであってもよい。ブロック１２３０で、パターニングデバイスの上に放射ビームが導かれる。ブロック１２４０で、パターンの一部が放射ビームに付与される。ブロック１２５０で、投影システムを使用して放射ビームがパターニングデバイスから基板の上に投射される。
【００７０】
[0086]  この方法は、さらに、放射ビームを停止するブロック１２６０、サポート構造を基板のフィールドまで基板に対してスキャンするブロック１２７０、フィールドのトポロジをマッピングするブロック１２８０、およびフィールドのマップされたトポロジに関連する方法でパターニングデバイスを湾曲させるブロック１２９０を含むことができる。この方法によれば、ベンダは、基板のフィールドからフィールドまでパターニングデバイスの湾曲を更新することができる。他の実施形態では、ベンダは、所与のフィールド内でパターニングデバイスの湾曲を更新することができる。
【００７１】
[0087]  本発明の実施形態は、上で開示した方法を記述した１つまたは複数の機械読取可能命令シーケンスを含むコンピュータプログラムの形態を取ることができ、あるいはこのようなコンピュータプログラムを記憶したデータ記憶媒体またはコンピュータ読取可能媒体（たとえば半導体記憶装置、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態を取ることができる。このようなプログラムまたはコンピュータ読取可能媒体は、リソグラフィ装置と結合した制御システムまたはコンピュータシステムの中に格納することができる。一実施形態では、プログラムまたはコンピュータ読取可能媒体は、図２に示されている監視制御システムＳＣＳの中に格納することができる。
【００７２】
[0088]  図１４は、リソグラフィ装置１３００の一実施形態を略図で示したものである。リソグラフィ装置１３００は、パターンを有するパターニングデバイスをサポートするためのサポート構造１３１０を有している。サポート構造１３１０は、パターニングデバイスを湾曲させることができるベンダ１３２０を含む。ベンダ１３２０は、リアクションフレームおよび１つまたは複数のアクチュエータを含むことができる。アクチュエータは、リニアアクチュエータであっても、あるいはせん断アクチュエータ、たとえばせん断圧電アクチュエータであってもよい。一実施形態では、リソグラフィ装置１３００は放射源１３５０を含む。他の実施形態（図示せず）では、外部放射源を使用することができる。放射源は放射ビームを生成している。投影システム１３３０は、サポート構造１３１０と基板１３４０の間に配置されている。基板１３４０は、基板テーブル（図示せず）によってサポートすることができる。サポート構造１３１０および基板テーブルのうちのいずれか一方または両方を投影システムに対して移動させることができる。
【００７３】
[0089]  リソグラフィ装置１３００は、基板１３４０の一部のトポロジをマッピングするためのセンサ１３５０を含む（マッピングは矢印１３５５で示されている）。一実施形態では、基板１３４０のフィールドがマップされる。次に、マップされたトポロジをベンダ１３２０に入力することができる。ベンダへのマップされたトポロジの入力は矢印１３２５で示されている。ベンダは、マップされたトポロジを受け取ると、基板１３４０のトポロジに関連する方法でパターニングデバイスを湾曲させることができる。次に、放射源１３５０（または外部放射源）がパターニングデバイスに入射する放射ビームを生成する。パターンの一部が放射ビームに付与され、次に、投影システム１３３０によって基板１３４０の上に投射される。投影システム１３３０は、基板１３４０上への放射ビームの投射に先立ってその波面を湾曲させることができる光学補償エレメント１３６０を含むことができる。一実施形態では、光学補償エレメント１３６０は固定補償エレメントである。
【００７４】
[0090]  基板１３４０のフィールド全体が放射ビームに露光されると、サポート構造が新しいフィールドへ移動し、その新しいフィールドのトポロジがセンサ１３５０によってマップされ、マップされたトポロジによってベンダ１３２０が更新され、新しいフィールドのトポロジに関連する方法でパターニングデバイスが再構成されるまでの間、ビームを停止することができる。これは、基板のターゲット領域全体が露光されるまで繰り返すことができる。この方法によれば、既存の方法と比較すると、本質的に非一様な基板に対する焦点制御が著しく改善される。
【００７５】
[0091]  本明細書においては、とりわけＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用が参照されているが、本明細書において説明されているリソグラフィ装置は、集積光学システム、磁気ドメインメモリのための誘導および検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（LCD）、薄膜磁気ヘッド、等々の製造などの他のアプリケーションを有することができることを理解されたい。このような代替アプリケーションのコンテキストにおいては、本明細書における「ウェーハ」または「ダイ」という用語の使用はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語の同義語と見なすことができることは当業者には理解されよう。本明細書において参照されている基板は、たとえばトラック（通常、基板にレジストの層を加え、かつ、露光済みのレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール中で、露光前または露光後に処理することができる。適用可能である場合、本明細書における開示は、このような基板処理ツールおよび他の基板処理ツールに適用することができる。さらに、基板は、たとえば多層ＩＣを生成するために複数回にわたって処理することができるため、本明細書において使用されている基板という用語は、処理済みの複数の層が既に含まれている基板を指している場合もある。
【００７６】
[0092]  本明細書において使用されている「放射」および「ビーム」という用語には、紫外（UV）放射（たとえば３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍまたは１２６ｎｍの波長を有する放射またはその近辺の波長を有する放射）および極端紫外線（EUV）放射（たとえば波長の範囲が５〜２０ｎｍの放射）、ならびにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子線を含むあらゆるタイプの電磁放射が包含されている。
【００７７】
[0093]  コンテキストが許容する場合、「レンズ」という用語は、屈折光学コンポーネント、反射光学コンポーネント、磁気光学コンポーネント、電磁光学コンポーネントおよび静電光学コンポーネントを含めて、様々なタイプの光学コンポーネントのうちの任意の１つまたは組合せを指すことができる。
【００７８】
[0094]  以上の説明は、例による説明を意図したものであり、本発明を限定するものではない。したがって、特許請求の範囲に示されている各請求項の範囲を逸脱することなく、上で説明した本発明に修正を加えることができることは当業者には明らかであろう。
【図１Ａ】
2010157714.tif 000003
【図１Ｂ】
2010157714.tif 000004
【図２】
2010157714.tif 000005
【図３】
2010157714.tif 000006
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【外国語明細書】
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