(57)【要約】【課題】凹凸部に導電性材料を斜め蒸着することによりパターニングなしで、部分的に補助電極層を形成可能であり、高透明性と高導電性を両立することができ、発光素子に用いると光取り出し効率の向上を図れる透明導電体、及び該透明導電体を効率よく製造することができる透明導電体の製造方法の提供。【解決手段】基材の一の表面に、該表面を基準として複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部と、前記凹凸部の少なくとも斜面部分に形成された導電性材料からなる補助電極層と、前記凹凸部及び前記補助電極層の表面に形成された透明導電層とを有する透明導電体である。【選択図】図７Ｃ
2010272466.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の一の表面に、該表面を基準として複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部と、
前記凹凸部の少なくとも斜面部分に形成された導電性材料からなる補助電極層と、
前記凹凸部及び前記補助電極層の表面に形成された透明導電層と、を有することを特徴とする透明導電体。
【請求項２】
斜面部分の補助電極層における透明導電体の垂直方向に対する角度が０度〜４５度の鋭角である請求項１に記載の透明導電体。
【請求項３】
凹凸部の断面形状が、非対称形状である請求項１から２のいずれかに記載の透明導電体。
【請求項４】
凹凸部の平面視形状が、ライン状及び格子状のいずれかである請求項１から３のいずれかに記載の透明導電体。
【請求項５】
凸部の平坦幅ａの隣接する凸部間の最短距離Ｐに対する割合〔（ａ／Ｐ）×１００〕が、５０％以下である請求項１から４のいずれかに記載の透明導電体。
【請求項６】
透明導電層が、導電性ポリマーからなる請求項１から５のいずれかに記載の透明導電体。
【請求項７】
基材の一の表面に、該表面を基準として複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部を形成する凹凸部形成工程と、
前記凹凸部の少なくとも斜面部分に導電性材料からなる補助電極層を形成する補助電極層形成工程と、
前記凹凸部及び前記補助電極層の表面に透明導電層を形成する透明導電層形成工程と、を含むことを特徴とする透明導電体の製造方法。
【請求項８】
凹凸部形成工程において、基材の一の表面にヒートモードの形状変化が可能な有機層を設け、該有機層に集光した光を照射することで凹凸部を形成する請求項７に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項９】
凹凸部形成工程において、基材の一の表面にインプリント層を設け、該インプリント層にインプリントモールドを押し付けるインプリント法により凹凸部を形成する請求項７に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項１０】
インプリントモールドが、ヒートモードの形状変化が可能な有機層に集光した光を照射して凹凸部を形成した該有機層をマスクとしてエッチングにより形成される請求項９に記載の透明導電体の製造方法。
【請求項１１】
補助電極層の形成が真空蒸着で行われ、該真空蒸着が、表面に凹凸部が形成された基材の該凹凸部側を真空蒸着方向に向けて、該基材の鉛直方向に対する角度を１度〜８０度にして行われる請求項７から１０のいずれかに記載の透明導電体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）、無機電界発光素子（無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子に好適に用いられる透明導電体及び透明導電体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子、ＬＥＤ等の発光素子に用いられる透明導電膜においては、高導電性と高透明性を両立できることが望まれている。
例えば特許文献１には、透明な絶縁基板上に透明導電膜を形成し、更に、所定形状の絶縁性マスクを用いて所定形状の透明電極を形成し、前記透明電極の上面を前記絶縁性マスクで被覆したままの状態で無電解メッキ浴に浸漬して透明電極が露出している部分に金属メッキを施し、しかる後、絶縁性マスクを剥離し、除去することにより、透明電極部に金属補助電極を形成する方法が提案されている。
前記特許文献１では、エッチングした透明導電層にマスクを行い、部分的にめっきを形成して補助電極を作製しており、パターニングなしで部分的に補助電極を効率よく形成できるものではなく、エッチングでパターニングすると材料の無駄が生じてしまうという課題がある。
【０００３】
また、特許文献２には、基板の表裏両面に形成された凹凸構造上に斜め金属蒸着により凸部頂上及びその近傍に金属細線を形成してなるワイヤーグリッド型偏光子が提案されている。この提案によれば、良好な偏光特性は得られるが、透明電極に応用することについては開示も示唆もされておらず、導電性の高い透明電極をパターニングなしで簡便かつ効率よく形成することを意図したものではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−１５１８４０号公報
【特許文献２】特開２００１−３３０７２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、高透明性と高導電性を両立することができ、発光素子に用いた場合に光取り出し効率の向上を図れる透明導電体、及び該透明導電体を効率よく製造することができる透明導電体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記課題を解決するため本発明者が鋭意検討を重ねた結果、ヒートモード材料を用いたレーザ直接描画やインプリント法により形成した凹凸部に導電性材料を斜め蒸着することにより、パターニングなしで部分的に補助電極層を形成し得、高透明性と高導電性を両立できる透明導電体が得られ、該透明導電体を発光素子に用いた場合に光取り出し効率の向上を図れることを知見した。
【０００７】
本発明は、本発明者による前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞  基材の一の表面に、該表面を基準として複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部と、
前記凹凸部の少なくとも斜面部分に形成された導電性材料からなる補助電極層と、
前記凹凸部及び前記補助電極層の表面に形成された透明導電層と、を有することを特徴とする透明導電体である。
＜２＞  斜面部分の補助電極層における透明導電体の垂直方向に対する角度が０度〜４５度の鋭角である前記＜１＞に記載の透明導電体である。
＜３＞  凹凸部の断面形状が、非対称形状である前記＜１＞から＜２＞のいずれかに記載の透明導電体である。
＜４＞  凹凸部の平面視形状が、ライン状及び格子状のいずれかである前記＜１＞から＜３＞のいずれかに記載の透明導電体である。
＜５＞  凸部の平坦幅ａの隣接する凸部間の最短距離Ｐに対する割合〔（ａ／Ｐ）×１００〕が、５０％以下である前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の透明導電体である。
＜６＞  透明導電層が、導電性ポリマーからなる前記＜１＞から＜５＞のいずれかに記載の透明導電体である。
＜７＞  基材の一の表面に、該表面を基準として複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部を形成する凹凸部形成工程と、
前記凹凸部の少なくとも斜面部分に導電性材料からなる補助電極層を形成する補助電極層形成工程と、
前記凹凸部及び前記補助電極層の表面に透明導電層を形成する透明導電層形成工程と、を含むことを特徴とする透明導電体の製造方法である。
＜８＞  凹凸部形成工程において、基材の一の表面にヒートモードの形状変化が可能な有機層を設け、該有機層に集光した光を照射することで凹凸部を形成する前記＜７＞に記載の透明導電体の製造方法である。
＜９＞  凹凸部形成工程において、基材の一の表面にインプリント層を設け、該インプリント層にインプリントモールドを押し付けるインプリント法により凹凸部を形成する前記＜７＞に記載の透明導電体の製造方法である。
＜１０＞  インプリントモールドが、ヒートモードの形状変化が可能な有機層に集光した光を照射して凹凸部を形成した該有機層をマスクとしてエッチングにより形成される前記＜９＞に記載の透明導電体の製造方法である。
＜１１＞  補助電極層の形成が真空蒸着で行われ、該真空蒸着が、表面に凹凸部が形成された基材の該凹凸部側を真空蒸着方向に向けて、該基材の鉛直方向に対する角度を１度〜８０度にして行われる前記＜７＞から＜１０＞のいずれかに記載の透明導電体の製造方法である。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によると、従来における問題を解決することができ、凹凸部に導電性材料を斜め蒸着することによりパターニングなしで、部分的に補助電極層を形成可能であり、高透明性と高導電性を両立することができ、発光素子に用いた場合に光取り出し効率の向上を図れる透明導電体、及び該透明導電体を効率よく製造することができる透明導電体の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、凹凸部の断面形状の一例を示す概略図である。
【図２】図２は、凹凸部の断面形状の他の一例を示す概略図である
【図３】図３は、凹凸部の断面形状の他の一例を示す概略図である。
【図４】図４は、凹凸部の断面形状の他の一例を示す概略図である。
【図５Ａ】図５Ａは、有機層の表面を平面的に見た一例を示す図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、有機層の表面を平面的に見た他の一例を示す図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、凹部が形成された有機層及び基材の一例を示す断面図である。
【図６】図６は、インプリント法により凹凸部を形成する工程を示す図である。
【図７Ａ】図７Ａは、本発明の透明導電体の製造方法における凹凸部形成工程を示す模式図である。
【図７Ｂ】図７Ｂは、本発明の透明導電体の製造方法における透明導電層形成工程を示す模式図である。
【図７Ｃ】図７Ｃは、本発明の透明導電体の製造方法における透明導電層形成工程を示す模式図である。
【図８】図８は、実施例１における凹凸部形成工程及び補助電極層形成工程を説明するための概略図である。
【図９】図９は、実施例１の補助電極層形成工程における斜め真空蒸着の様子を示す概略図である。
【図１０】図１０は、実施例１の補助電極層形成工程において凹凸部の斜面部分に形成された補助電極層を示す概略図である。
【図１１】図１１は、実施例１の透明導電層形成工程において透明導電層を形成した状態を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（透明導電体及び透明導電体の製造方法）
本発明の透明導電体は、基材の一の表面に、該表面を基準として複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部と、
前記凹凸部の少なくとも斜面部分に形成された導電性材料からなる補助電極層と、
前記凹凸部及び前記補助電極層の表面に形成された透明導電層とを有し、更に必要に応じてその他の層を有してなる。
本発明の透明導電体の製造方法は、凹凸部形成工程と、補助電極層形成工程と、透明導電層形成工程とを含み、更に必要に応じてその他の工程を含んでなる。
本発明の透明導電体は、本発明の透明導電体の製造方法により好適に製造される。
以下、本発明の透明導電体の製造方法の説明を通して本発明の透明導電体の詳細についても明らかにする。
【００１１】
本発明の透明導電体においては、凹凸部の斜面部分の補助電極層における透明導電体の垂直方向に対する角度は、０度〜４５度の鋭角であることが好ましく、１度〜３０度がより好ましく、５度〜２０度が更に好ましい。
前記角度が、０度未満であると、凹凸部を転写にて形成するときに、型から抜くのが困難になることがあり、４５度を超えると、補助電極層によって光透過率が低下してしまうことがある。
【００１２】
図１に示すように、隣接する凸部間の最短距離（ピッチ）Ｐは、１０ｎｍ〜１０，０００ｎｍであることが好ましく、１００ｎｍ〜１，０００ｎｍであることがより好ましい。
また、図１に示すように、凸部の平坦幅ａの前記ピッチＰに対する割合〔（ａ／Ｐ）×１００〕は、５０％以下であることが好ましく、２５％以下であることがより好ましく、１０％以下であることが更に好ましく、０％であることが最も好ましい。前記凸部の平坦幅のピッチに対する割合〔（ａ／Ｐ）×１００〕が、５０％を超えると、補助電極層を形成時に導電性材料が平坦部に付着して、光透過率が低下してしまうことがある。
また、図１に示すように、傾斜部の幅ｂの前記ピッチＰに対する割合〔（ｂ／Ｐ）×１００〕は、０％〜５０％であることが好ましい。また、底部の平坦幅ｃのピッチＰに対する割合〔（ｃ／Ｐ）×１００〕は、０％〜１００％であることが好ましい。また、凸部高さｄのピッチＰに対する割合〔（ｄ／Ｐ）×１００〕は、１０％〜１００％であることが好ましい。
したがって凹凸部の断面形状は、図３に示す断面形状（底部の平坦幅ｃが０ｎｍ）よりも図２に示す断面形状（凸部の平坦幅ａが０ｎｍ）であること、即ち凹凸部において凸部に平坦な部分がなく、かつ底部がある断面形状であることが、透過率を高める点で好ましい。
【００１３】
また、前記凹凸部の断面形状が、図４に示すように、対称形状ではなく非対称形状であることが、補助電極層の形成のしやすさは同等で、凹凸部形成工程での転写時の剥離がしやすくなる点で好ましい。
ここで、前記凹凸部の断面形状とは、特に断りがない限り、凸部の配列方向（凸部が列設されている方向）における断面（形状）を指し、例えば矩形状、三角形状、長方形状、台形状などが挙げられる。
【００１４】
前記凹凸部の平面視形状としては、例えばライン状、メッシュ状、六角形状を多数並べた形状、三角形状を多数並べた形状、多角形状を多数並べた形状、ストライプ状（格子状）などが挙げられる。これらの中でも、ライン状、格子状が形成しやすく、斜め蒸着が行い易い点で特に好ましい。
【００１５】
＜凹凸部形成工程＞
前記凹凸部形成工程は、基材の一の表面に、該表面を基準として複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部を形成する工程である。
【００１６】
−基材−
前記基材としては、その材質、形状、構造、大きさ等については特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、前記材質としては、金属、無機物、有機物などが挙げられ、前記形状としては、平板状などが挙げられ、前記構造としては、単層構造であってもよいし、積層構造であってもよく、前記大きさとしては、用途等に応じて適宜選択することができる。
前記金属としては、遷移金属が好ましい。該遷移金属としては、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ等の各種金属、又はこれらの合金、などが挙げられる。
前記無機物としては、例えばガラス、シリコン（Ｓｉ）、石英（ＳｉＯ２）などが挙げられる。
前記樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、低融点フッ素樹脂、ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、トリアセテートセルロース（ＴＡＣ）、などが挙げられる。これらの中でも、ＰＥＴ、ＰＣ、ＴＡＣが特に好ましい。
【００１７】
−凹凸部の形成−
前記凹凸部は、珪酸土からなる基材のように最初から凹凸部を有するものであっても構わないが、フォトリソグラフィやインプリンティングなどの方法で任意に凹凸部を形成することが好ましい。
ここで、図５Ｃに示すように、基材１の一方の表面１ａに、複数の凸部１３及び凹部１５が一定のピッチで形成されている。この場合、凸部１３と、複数の凸部１３間に形成された凹部１５とを総称して凹凸部とする。
なお、前記凹凸部の断面形状は、直線的な形状に限られず、曲線的な形状であっても構わない。
【００１８】
前記凹凸部の形成においては、基材そのものをサンドブラスト加工して凹凸部を形成しても構わないが、基材上に凹凸部を形成可能な層（ヒートモード層、インプリント層、レジスト層）を設けて凹凸部を形成する方法が好ましい。具体的には、（１）基材の一の表面に、ヒートモードの形状変化が可能な有機層を設け、該有機層に集光した光を照射することで凹凸部を形成する方法、（２）基材の一の表面にインプリント層を設け、該インプリント層にインプリントモールドを押し付けるインプリント法により凹凸部を形成する方法、（３）基材の一の表面にレジスト層を設け、フォトリソグラフィにより凹凸部を形成する方法、などが挙げられる。
【００１９】
−−前記（１）の凹凸部の形成方法−−
前記ヒートモードの形状変化が可能な有機層は、強い光の照射により光が熱に変換されてこの熱により材料が形状変化して凹部を形成することが可能な層であり、例えば、シアニン系、フタロシアニン系、キノン系、スクワリリウム系、アズレニウム系、チオール錯塩系、メロシアニン系などを用いることができる。
好適な例としては、例えばメチン色素（シアニン色素、ヘミシアニン色素、スチリル色素、オキソノール色素、メロシアニン色素など）、大環状色素（フタロシアニン色素、ナフタロシアニン色素、ポルフィリン色素など）、アゾ色素（アゾ金属キレート色素を含む）、アリリデン色素、錯体色素、クマリン色素、アゾール誘導体、トリアジン誘導体、１−アミノブタジエン誘導体、桂皮酸誘導体、キノフタロン系色素などが挙げられる。これらの中でも、メチン色素、アゾ色素が特に好ましい。
【００２０】
なお、前記有機層は、レーザ光源の波長に応じて適宜色素を選択したり、構造を改変することができる。例えば、レーザ光源の発振波長が７８０ｎｍ付近であった場合、ペンタメチンシアニン色素、ヘプタメチンオキソノール色素、ペンタメチンオキソノール色素、フタロシアニン色素、ナフタロシアニン色素などから選択することが有利である。
また、レーザ光源の発振波長が６６０ｎｍ付近であった場合は、トリメチンシアニン色素、ペンタメチンオキソノール色素、アゾ色素、アゾ金属錯体色素、ピロメテン錯体色素などから選択することが有利である。
更に、レーザ光源の発振波長が４０５ｎｍ付近であった場合は、モノメチンシアニン色素、モノメチンオキソノール色素、ゼロメチンメロシアニン色素、フタロシアニン色素、アゾ色素、アゾ金属錯体色素、ポルフィリン色素、アリリデン色素、錯体色素、クマリン色素、アゾール誘導体、トリアジン誘導体、ベンゾトリアゾール誘導体、１−アミノブタジエン誘導体、キノフタロン系色素などから選択することが有利である。
【００２１】
以下、レーザ光源の発振波長が４０５ｎｍ付近であった場合に対し、有機層として好ましい化合物の例を挙げる。下記ＩＩＩ−１〜ＩＩＩ−１４で表される化合物は、レーザ光源の発振波長が４０５ｎｍ付近であった場合の化合物である。また、レーザ光源の発振波長が７８０ｎｍ付近であった場合、６６０ｎｍ付近であった場合の好ましい化合物は、特開２００８−２５２０５６号公報の段落〔００２４〕〜〔００２８〕に記載されている化合物が挙げられる。なお、本発明は、これらの化合物を用いた場合に限定されるものではない。
【００２２】
＜レーザ光源の発振波長が４０５ｎｍ付近であった場合の化合物例＞
【化１】
2010272466.tif 000003
【００２３】
＜レーザ光源の発振波長が４０５ｎｍ付近であった場合の化合物例＞
【化２】
2010272466.tif 000004
【００２４】
また、特開平４−７４６９０号公報、特開平８−１２７１７４号公報、特開平１１−５３７５８号公報、特開平１１−３３４２０４号公報、特開平１１−３３４２０５号公報、特開平１１−３３４２０６号公報、特開平１１−３３４２０７号公報、特開２０００−４３４２３号公報、特開２０００−１０８５１３号公報、特開２０００−１５８８１８号公報等に記載されている色素も好適に用いられる。
【００２５】
このような色素型の有機層は、色素を、結合剤等と共に適当な溶剤に溶解して塗布液を調製し、次いで、この塗布液を、基材上に塗布して塗膜を形成した後、乾燥することにより形成できる。その際、塗布液を塗布する面の温度は、１０℃〜４０℃の範囲であることが好ましい。下限値が、１５℃以上であることがより好ましく、２０℃以上であることが更に好ましく、２３℃以上であることが特に好ましい。また、上限値としては、３５℃以下であることがより好ましく、３０℃以下であることが更に好ましく、２７℃以下であることが特に好ましい。このように被塗布面温度が上記範囲にあると、塗布ムラや塗布故障の発生を防止し、塗膜の厚さを均一にすることができる。なお、前記上限値及び下限値は、それぞれが任意で組み合わせることができる。
ここで、前記有機層は、単層でも重層でもよく、重層構造の場合、塗布工程を複数回行うことによって形成される。
塗布液中の色素の濃度は、有機溶媒に対して０．３質量％以上３０質量％以下で溶解することが好ましく、１質量％以上２０質量％以下で溶解することがより好ましく、テトラフルオロプロパノールに１質量％以上２０質量％以下で溶解することが特に好ましい。
【００２６】
塗布液の溶剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば酢酸ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテート等のエステル；メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン等のケトン；ジクロルメタン、１，２−ジクロルエタン、クロロホルム等の塩素化炭化水素；ジメチルホルムアミド等のアミド；メチルシクロヘキサン等の炭化水素；テトラヒドロフラン、エチルエーテル、ジオキサン等のエーテル；エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、ｎ−ブタノールジアセトンアルコール等のアルコール；２，２，３，３−テトラフルオロプロパノール等のフッ素系溶剤；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のグリコールエーテル類；などが挙げられる。これらの中でも、酢酸ブチル、乳酸エチル、セロソルブアセテート、メチルエチルケトン、イソプロパノール、２，２，３，３−テトラフルオロプロパノールが特に好ましい。
前記溶剤は、使用する色素の溶解性を考慮して１種単独で、或いは２種以上を組み合わせて使用することができる。塗布液中には、更に、酸化防止剤、ＵＶ吸収剤、可塑剤、潤滑剤等の各種添加剤を目的に応じて添加してもよい。
【００２７】
前記塗布方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばスプレー法、スピンコート法、ディップ法、ロールコート法、ブレードコート法、ドクターロール法、ドクターブレード法、スクリーン印刷法などが挙げられる。これらの中でも、生産性に優れ、膜厚のコントロールが容易であるという点でスピンコート法を採用することが特に好ましい。
前記有機層における色素は、スピンコート法による形成に有利であるという点から、有機溶媒に対して０．３質量％以上３０質量％以下で溶解することが好ましく、１質量％以上２０質量％以下で溶解することがより好ましい。
また、前記色素は、その熱分解温度が１５０℃以上５００℃以下であることが好ましく、２００℃以上４００℃以下であることがより好ましい。
塗布の際、塗布液の温度は、２３℃〜５０℃であることが好ましく、２４℃〜４０℃であることがより好ましく、２５℃〜３０℃であることが更に好ましい。
【００２８】
塗布液が結合剤を含有する場合、該結合剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばゼラチン、セルロース誘導体、デキストラン、ロジン、ゴム等の天然有機高分子物質；ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイソブチレン等の炭化水素系樹脂；ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル・ポリ酢酸ビニル共重合体等のビニル系樹脂、ポリアクリル酸メチル、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂；ポリビニルアルコール、塩素化ポリエチレン、エポキシ樹脂、ブチラール樹脂、ゴム誘導体；フェノール・ホルムアルデヒド樹脂等の熱硬化性樹脂の初期縮合物などが挙げられる。
前記有機層の材料として結合剤を併用する場合に、前記結合剤の使用量は、一般に色素に対して０．０１倍量〜５０倍量（質量比）が好ましく、０．１倍量〜５倍量（質量比）がより好ましい。
【００２９】
また、前記有機層には、該有機層の耐光性を向上させるために、種々の褪色防止剤を含有させることができる。
前記褪色防止剤としては、一般的に一重項酸素クエンチャーが用いられる。一重項酸素クエンチャーとしては、既に公知の特許明細書等の刊行物に記載のものを利用することができる。
その具体例としては、特開昭５８−１７５６９３号公報、特開昭５９−８１１９４号公報、特開昭６０−１８３８７号公報、特開昭６０−１９５８６号公報、特開昭６０−１９５８７号公報、特開昭６０−３５０５４号公報、特開昭６０−３６１９０号公報、特開昭６０−３６１９１号公報、特開昭６０−４４５５４号公報、特開昭６０−４４５５５号公報、特開昭６０−４４３８９号公報、特開昭６０−４４３９０号公報、特開昭６０−５４８９２号公報、特開昭６０−４７０６９号公報、特開昭６３−２０９９９５号公報、特開平４−２５４９２号公報、特公平１−３８６８０号公報、特公平６−２６０２８号公報、ドイツ特許第３５０３９９号明細書、日本化学会誌１９９２年１０月号第１１４１頁などに記載のものを挙げることができる。
前記一重項酸素クエンチャー等の褪色防止剤の使用量は、色素の量に対して、０．１質量％〜５０質量％の範囲が好ましく、０．５質量％〜４５質量％の範囲がより好ましく、３質量％〜４０質量％の範囲が更に好ましく、５質量％〜２５質量％の範囲が特に好ましい。
【００３０】
以上、前記有機層の溶剤塗布法について述べたが、該有機層は、蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等の成膜法によって形成することもできる。
【００３１】
なお、前記色素は、後述する凹部の加工に用いるレーザ光の波長において、他の波長よりも光の吸収率が高いものが用いられる。
前記色素の吸収ピークの波長は、必ずしも可視光の波長域内であるものに限定されず、紫外域や、赤外域にあるものであっても構わない。
【００３２】
レーザで凹部を形成する波長λｗは、λａ＜λｗの関係であることが好ましい。このような関係にあれば、色素の光吸収量が適切で記録効率が高まるし、きれいな凹凸形状が形成できる場合がある。また、λｗ＜λｃの関係であることが好ましい。λｗは、色素が吸収する波長であるべきなので、このλｗの波長よりも長波長側に発光素子の中心波長λｃがあることで、発光素子の発する光が色素に吸収されず透過率が向上し、結果として発光効率が向上できるからである。
以上のような観点から、λａ＜λｗ＜λｃの関係にあることが最も好ましいといえる。
【００３３】
なお、凹部を形成するためのレーザ光の波長λｗは、大きなレーザパワーが得られる波長であればよく、例えば、有機層に色素を用いる場合は、１９３ｎｍ、２１０ｎｍ、２６６ｎｍ、３６５ｎｍ、４０５ｎｍ、４８８ｎｍ、５３２ｎｍ、６３３ｎｍ、６５０ｎｍ、６８０ｎｍ、７８０ｎｍ、８３０ｎｍなど、１，０００ｎｍ以下が好ましい。
【００３４】
また、レーザ光の種類としては、ガスレーザ、固体レーザ、半導体レーザなどのどのようなレーザであってもよい。ただし、光学系を簡単にするために、固体レーザや半導体レーザを採用するのが好ましい。レーザ光は、連続光でもパルス光でもよいが、自在に発光間隔が変更可能なレーザ光を採用するのが好ましい。例えば、半導体レーザを採用するのが好ましい。レーザを直接オンオフ変調できない場合は、外部変調素子で変調するのが好ましい。
【００３５】
また、レーザパワーは、加工速度を高めるためには高い方が好ましい。ただし、レーザパワーを高めるにつれ、スキャン速度（レーザ光で有機層を走査する速度）を上げなければならない。そのため、レーザパワーの上限値は、スキャン速度の上限値を考慮して、１００Ｗが好ましく、１０Ｗがより好ましく、５Ｗが更に好ましく、１Ｗが特に好ましい。また、レーザパワーの下限値は、０．１ｍＷが好ましく、０．５ｍＷがより好ましく、１ｍＷが更に好ましい。
【００３６】
更に、レーザ光は、発信波長幅及びコヒーレンシが優れていて、波長並みのスポットサイズに絞ることができるような光であることが好ましい。また、凹部を適正に形成するための光パルス照射条件は、光ディスクで使われているようなストラテジを採用するのが好ましい。即ち、光ディスクで使われているような、記録速度や照射するレーザ光の波高値、パルス幅などの条件を採用するのが好ましい。
【００３７】
前記有機層の厚さは、後述する凹部１５の深さに対応させるのがよい。
前記有機層の厚さは、例えば、１ｎｍ〜１０，０００ｎｍの範囲で適宜設定することができ、厚さの下限は、１０ｎｍ以上が好ましく、３０ｎｍ以上がより好ましい。前記厚さが薄すぎると、凹部１５が浅く形成されるため、光学的な効果が得られなくなることがある。また、厚さの上限は、１，０００ｎｍ以下が好ましく、５００ｎｍ以下がより好ましい。前記厚さが厚すぎると、大きなレーザパワーが必要になるとともに、深い穴を形成することが困難になることがあり、更には、加工速度が低下することがある。
【００３８】
また、前記有機層の厚さｔと、凹部の直径ｄとは、以下の関係であることが好ましい。即ち、前記有機層の厚さｔの上限値は、ｔ＜１０ｄを満たす値とするのが好ましく、ｔ＜５ｄを満たす値とするのがより好ましく、ｔ＜３ｄを満たす値とするのが更に好ましい。また、有機層の厚さｔの下限値は、ｔ＞ｄ／１００を満たす値とするのが好ましく、ｔ＞ｄ／１０を満たす値とするのがより好ましく、ｔ＞ｄ／５を満たす値とするのが更に好ましい。このように凹部の直径ｄとの関係で有機層の厚さｔの上限値及び下限値を設定する理由は、前記した理由と同様である。
【００３９】
前記有機層を形成するときは、色素を適当な溶剤に溶解又は分散して塗布液を調製した後、この塗布液をスピンコート、ディップコート、エクストルージョンコートなどの塗布法により基材の表面に塗布することにより形成することができる。
【００４０】
前記有機層には、周期的に複数の凹部が形成されている。前記凹部は、有機層に集光した光を照射することで、該照射部分を変形（消失による変形を含む）させて形成されたものである。
【００４１】
なお、凹部が形成される原理は、以下の通りとなっている。
前記有機層に、材料の光吸収がある波長（材料で吸収される波長）のレーザ光を照射すると、前記有機層によってレーザ光が吸収され、この吸収された光が熱に変換され、光の照射部分の温度が上昇する。これにより、有機層が、軟化、液化、気化、昇華、分解などの化学乃至物理変化を起こす。そして、このような変化を起こした材料が移動乃至消失することで、凹部が形成される。
【００４２】
なお、前記凹部の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ライトワンス光ディスクや追記型光ディスクなどで公知となっているピットの形成方法を適用することができる。具体的には、ピットサイズによって変化するレーザの反射光の強度を検出し、この反射光の強度が一定となるようにレーザの出力を補正することで、均一なピットを形成するといった、公知のランニングＯＰＣ技術（特許第３０９６２３９号公報）を適用することができる。
【００４３】
また、前記したような有機層の気化、昇華又は分解は、その変化の割合が大きく、急峻であることが好ましい。具体的には、色素の気化、昇華又は分解時の示差熱天秤（ＴＧ−ＤＴＡ）による質量減少率は、５％以上であることが好ましく、１０％以上がより好ましく、２０％以上が更に好ましい。また、色素の気化、昇華又は分解時の示差熱天秤（ＴＧ−ＤＴＡ）による質量減少の傾き（昇温１℃あたりの質量減少率が０．１％／℃以上であることが好ましく、０．２％／℃以上がより好ましく、０．４％／℃以上が更に好ましい。
【００４４】
また、軟化、液化、気化、昇華、分解などの化学乃至物理変化の転移温度は、その上限値が、２，０００℃以下であることが好ましく、１，０００℃以下であることがより好ましく、５００℃以下であることが更に好ましい。前記転移温度が高すぎると、大きなレーザパワーが必要となることがある。また、転移温度の下限値は、５０℃以上であることが好ましく、１００℃以上であることがより好ましく、１５０℃以上であることが更に好ましい。前記転移温度が低すぎると、周囲との温度勾配が少ないため、明瞭な穴エッジ形状を形成することができなくなる場合がある。
【００４５】
図５Ａは、有機層を平面的に見た一例の図であり、図５Ｂは、有機層を平面的に見た他の一例の図であり、図５Ｃは、基材及び有機層の断面図である。図５Ａに示すように、凹部１５は、ドット状に形成され、このドットが格子状に配列されたものを採用することができる。また、図５Ｂに示すように、凹部１５は、細長い溝状に形成され、これが断続的につながったものでもよい。更に、図示は省略するが、連続した溝形状として形成することもできる。
【００４６】
隣接する凹部１５同士のピッチＰは、発光体であるＬＥＤ素子１０が発光する光の中心波長λｃの０．０１倍〜１００倍であることが好ましい。
【００４７】
凹部１５のピッチＰは、中心波長λｃの０．０５倍〜２０倍が好ましく、０．１倍〜５倍がより好ましく、０．５倍〜２倍が更に好ましい。具体的には、ピッチＰの下限値は、中心波長λｃの０．０１倍以上が好ましく、０．０５倍以上がより好ましく、０．１倍以上が更に好ましく、０．２倍以上が特に好ましい。また、ピッチＰの上限値は、中心波長λｃの１００倍以下が好ましく、５０倍以下がより好ましく、１０倍以下が更に好ましく、５倍以下が特に好ましい。
【００４８】
凹部１５の直径又は溝の幅は、中心波長λｃの０．００５倍〜２５倍が好ましく、０．０２５倍〜１０倍がより好ましく、０．０５倍〜２．５倍が更に好ましく、０．２５倍〜２倍が特に好ましい。
ここでいう直径又は溝の幅は、凹部１５の半分の深さにおける大きさ、いわゆる半値幅である。
【００４９】
凹部１５の直径又は溝の幅は、上記の範囲で適宜設定することができるが、発光面１８から離れるにつれ、巨視的に徐々に屈折率が小さくなるように、ピッチＰの大きさに応じて調整するのが好ましい。即ち、ピッチＰが大きい場合には、凹部１５の直径又は溝の幅も大きくし、ピッチＰが小さい場合には、凹部１５の直径又は溝の幅も小さくするのが好ましい。この観点から、直径又は溝の幅は、ピッチＰに対して２分の１程度の大きさであるのが好ましく、例えば、ピッチＰの２０％〜８０％が好ましく、３０％〜７０％がより好ましく、４０％〜６０％が更に好ましい。
【００５０】
凹部１５の深さは、中心波長λｃの０．０１倍〜２０倍が好ましく、０．０５倍〜１０倍がより好ましく、０．１倍〜５倍が更に好ましく、０．２倍〜２倍が特に好ましい。
【００５１】
−−前記（２）の凹凸部の形成方法（インプリント法）−−
前記インプリント方法としては、熱ナノインプリント方式と、光ナノインプリント方式とがある。
前記熱ナノインプリント方式は、基体の表面に形成されたインプリント層にインプリントモールドの複数の凸部を押し当てて凹凸パターンを形成する。ここでは、系を前記インプリント層のガラス転移温度（Ｔｇ）付近に維持しておき、転写後、インプリント層に含まれる熱可塑性樹脂のガラス転移温度よりも低下することにより硬化する。インプリントモールドを剥離すると、インプリント層に凹凸パターンが形成される。
【００５２】
前記光インプリント方式は、光透過性を有し、インプリントモールドとして機能する強度を有する材料（例えば、石英（ＳｉＯ２）、有機樹脂（ＰＥＴ、ＰＥＮ、ポリカーボネート、低融点フッ素樹脂）等）からなるインプリントモールドを用いてレジスト凹凸パターンを形成する。
その後、少なくとも光硬化性樹脂を含むインプリント組成物からなるインプリント層に紫外線等を照射して転写されたパターンを硬化させる。なお、パターニング後であってモールドモールドと基材とを剥離した後に紫外線を照射して硬化してもよい。
【００５３】
前記インプリントモールドとしては、ヒートモードの形状変化が可能な有機層に集光した光を照射して凹凸部を形成した該有機層をマスクとしてエッチングにより形成されたものが好ましい。
【００５４】
ここで、図６は、インプリント方法により凹凸部を形成する方法を示す工程図である。
図６のＡに示すように、アルミニウム、ガラス、シリコン、石英、又はシリコン等の基板４０上に、ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等のインプリントレジスト液を塗布してなるインプリント層２４を有する基板に対して、表面に凹凸パターンが形成されたインプリントモールド１を押し当てる。
【００５５】
次に、図６のＢに示すように、インプリント層２４にインプリントモールド１を押し当てた際には、系を前記インプリントレジスト液のガラス転移温度（Ｔｇ）付近に維持しておき、転写後、インプリント層２４が前記インプリントレジスト液のガラス転移温度よりも低下することにより硬化する。また、必要に応じて加熱又はＵＶ照射により硬化処理を行ってもよい。これにより、インプリントモールド１上に形成された凹凸パターンがインプリント層２４に転写される。
【００５６】
次に、図６のＣに示すように、インプリントモールド１を剥離すると、インプリント層２４に凹凸パターンが形成される。
【００５７】
＜補助電極層形成工程＞
前記補助電極層形成工程は、前記凹凸部の少なくとも斜面部分に導電性材料からなる補助電極層を形成する工程である。
【００５８】
前記凹凸部の少なくとも斜面部分に補助電極層を形成することが好ましく、その形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、凹凸部上に斜め方向から導電性材料を蒸着することにより、凹部の蒸着源に面した箇所のみに成膜を行うことができる。
前記補助電極層形成方法としては、凹凸部の少なくとも斜面部分を選択して補助電極層を形成できれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ、めっき、溶液中析出、スプレー法などが挙げられる。これらの中でも、真空蒸着、低圧力スパッタリング、スプレー法が好ましく、真空蒸着が特に好ましい。
【００５９】
前記真空蒸着としては、例えば電子ビーム蒸着、イオンプレーティングなどが挙げられる。
前記スパッタリングとしては、例えば低圧力成膜、高圧力成膜などが挙げられる。
前記低圧力成膜は、成膜時圧力を下げると、被成膜面に到達する微粒子の進行方向分布が狭くなり、異方性が高まるので好ましい。被成膜面圧力は０．１Ｐａ以下が好ましく、０．０１Ｐａ以下がより好ましく、０．００１Ｐａ以下が更に好ましい。被成膜面エリアのみを圧力下げるか、イオンビームスパッタのような方法により実現できる。
前記高圧力成膜は、成膜時圧力を上げ、凸部へ選択的に成膜される方法も好ましい。前記被成膜面圧力は、０．５Ｐａ以上が好ましく、５Ｐａ以上がより好ましい。
【００６０】
−真空蒸着−
前記真空蒸着は、表面に凹凸部が形成された基材の該凹凸部側を真空蒸着方向に向けて、該基材の鉛直方向に対する角度（蒸着角度）を１度〜８０度にして行うことが好ましい。
前記真空蒸着を行うときの角度の下限は、１度以上が好ましく、５度以上がより好ましく、１０度以上が更に好ましい。前記角度があまり小さすぎると、蒸着効率が低下する場合がある。
前記蒸着角度の上限は、８０度以下が好ましく、７０度以下がより好ましく、６０度以下が更に好ましく、５０度以下が特に好ましい。前記蒸着角度が、８０度を超えると、被蒸着面に蒸着材料がほとんど付着しなくなり、蒸着効率が下がる、また更にその付着強度が弱くなることがある。
ただし、凹部深さが、真空蒸着厚さより大きくて、凹部の斜面が急な場合は、９０度（角度を設けない）でなくても構わない。
前記真空蒸着時の圧力は、上限は１×１０-3Ｔｏｒｒが好ましく、５×１０-4Ｔｏｒｒがより好ましく、１×１０-4Ｔｏｒｒが更に好ましい。下限は、１×１０-8Ｔｏｒｒが好ましく、５×１０-7Ｔｏｒｒがより好ましく、１×１０-6Ｔｏｒｒが更に好ましい。前記蒸着速度は、上限は、１００ｎｍ／ｓが好ましく、２０ｎｍ／ｓがより好ましく、５ｎｍ／ｓが更に好ましい。下限は、０．００１ｎｍ／ｓが好ましく、０．０１ｎｍ／ｓがより好ましく、０．１ｎｍ／ｓが更に好ましい。
【００６１】
前記導電性材料としては、蒸着可能な材料であれば特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ等の各種金属、又はこれらの合金を用いることが好適である。
【００６２】
前記補助電極層の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、１０ｎｍ〜５０，０００ｎｍが好ましく、５０ｎｍ〜５，０００ｎｍがより好ましく、１００ｎｍ〜１，０００ｎｍが更に好ましい。
【００６３】
＜透明導電層形成工程＞
前記透明導電層形成工程は、前記凹凸部及び前記補助電極層の表面に透明導電層を形成する工程である。即ち、図１１に示すように、前記凹凸部における補助電極層が形成されていない凹凸部表面、及び凹凸部上に形成された補助電極層３表面に透明導電層５を形成する。
【００６４】
前記透明導電層は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリイソチアナフテン等の透明導電性ポリマー；金属酸化物、金属微粒子、金属ナノロッド・ナノワイヤ等の導電性金属；カーボンナノチューブ等の導電性無機微粒子、又は有機水溶性塩のいずれかを、塗布、印刷等の方法で付着し、成膜することで得られる。これらの中でも、導電性ポリマーが特に好ましい。
これらの塗布液は塗布適性向上や膜物性調整のために他の非導電性ポリマーやラテックス等をブレンドして用いてもよい。また、銀の薄膜を高屈折率層で挟んだ多層構造を用いてもよい。これら透明導電性材料に関しては、東レリサーチセンター株式会社発行「電磁波シールド材料の現状と将来」、特開平９−１４７６３９号公報などに記載されている。
前記塗布及び印刷の方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えばスライドコータ、スロットダイコータ、カーテンコータ、ロールコータ、バーコータ、グラビアコータ等の塗布コータやスクリーン印刷などが挙げられる。
【００６５】
前記導電性ポリマーとしては、透光性及び導電性の高いものが好ましく、ポリチオフェン類、ポリピロール類、ポリアニリン類等の電子伝導性導電性ポリマーが好ましい。
前記電子伝導性ポリマーとしては、当該技術分野で既知のポリマー、例えばポリアセチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリチオフェン等である。その詳細については、例えば“Ａｄｖａｎｃｅｓ  ｉｎ  Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ  Ｍｅｔａｌｓ”，ｅｄ．Ｐ．Ｂｅｒｎｉｅｒ，Ｓ．Ｌｅｆｒａｎｔ，ａｎｄ  Ｇ．Ｂｉｄａｎ，Ｅｌｓｅｖｉｅｒ，１９９９；“Ｉｎｔｒｉｎｓｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  Ｐｏｌｙｍｅｒｓ：Ａｎ  Ｅｍｅｒｇｉｎｇ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ”，Ｋｌｕｗｅｒ（１９９３）；“Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  Ｐｏｌｙｍｅｒ  Ｆｕｎｄａｍｅｎｔａｌｓ  ａｎｄ  Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ，Ａ  Ｐｒａｃｔｉｃａｌ  Ａｐｐｒｏａｃｈ”，Ｐ．Ｃｈａｎｄｒａｓｅｋｈａｒ，Ｋｌｕｗｅｒ，１９９９；及び“Ｈａｎｄｂｏｏｋ  ｏｆ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｎｇ  Ｍｏｌｅｃｕｌｅｓ  ａｎｄ  Ｐｏｌｙｍｅｒｓ”，Ｅｄ．Ｗａｌｗａ，Ｖｏｌ．１−４，Ｍａｒｃｅｌ  Ｄｅｋｋｅｒ  Ｉｎｃ．（１９９７）のような教本に記載されている。これらの電子伝導性ポリマーは１種単独で用いてもよいし、ポリマーブレンドのように複数種のポリマーを混合して用いてもよい。
【００６６】
前記透明導電層の厚み（ただし、凸部は除く）は、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、１０ｎｍ〜５０，０００ｎｍが好ましく、５０ｎｍ〜５，０００ｎｍがより好ましい。１００ｎｍ〜１，０００ｎｍが更に好ましい。
【００６７】
ここで、本発明の透明導電体の製造方法の一例について、図７Ａ〜図７Ｃを参照して説明する。
図７Ａは、基材１の一の表面に、該表面を基準として複数の凸部が配列されたことによって形成された凹凸部を形成する凹凸部形成工程を示す図である。凹凸部の形成方法としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択されるが、ヒートモードの形状変化が可能な有機層２に集光した光を照射することで凹凸部を形成する方法、ナノインプリント方法などが挙げられる。
図７Ｂは、前記凹凸部の少なくとも斜面部分に導電性材料からなる補助電極層３を形成する補助電極層形成工程を示す図である。表面に凹凸部が形成された基材１の該凹凸部側を真空蒸着装置４に向けて、該基材の鉛直方向に対する角度θ１を１度〜８０度に傾けて真空蒸着することにより、凹凸部の斜面部分に補助電極層を形成できる。
図７Ｃは、前記凹凸部及び前記補助電極層の表面に透明導電層を形成する透明導電層形成工程を示す図である。凹凸部及び前記補助電極層３の表面に透明導電層５を塗布により形成することで、透明導電体が得られる。
【００６８】
本発明の透明導電体の製造方法によれば、補助電極層形成工程の斜め蒸着により形成した補助電極層及び凹凸部表面に、導電性ポリマー溶液を用いた塗布法により透明導電層を形成すると、表面がフラットな透明導電層を形成することができる。
また、凹凸部に形成された補助電極層は、光透過方向に対して厚いが、開口方向には狭い立体構造となり、その結果、従来に比べて透明性及び導電性を向上させることができる。
【００６９】
−用途−
本発明の透明導電体は、例えば液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、エレクトロクロミックディスプレイ、太陽電池、タッチパネルなどの透明電極、電子ペーパー、電磁波シールド材などに幅広く用いることができる。
【実施例】
【００７０】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、これらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００７１】
（実施例１）
直径４インチの円盤状シリコン基板を用い、該シリコン基板上に、下記構造式で表されるオキソノール有機物（ヒートモード材料１）１５ｍｇを、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール１ｍｌに溶解した溶液を、スピンコーターを用いて回転数３００ｒｐｍで塗布し、その後回転数１，０００ｒｐｍで乾燥させ、厚さ７０ｎｍの有機層を形成した。
【化３】
2010272466.tif 000005
【００７２】
次に、シリコン基板上の有機層にＮＥＯ１０００（パルステック工業株式会社製）にて、５ｍ／ｓ、４ｍＷ、円周方向に５００ｎｍピッチで、レーザ照射を行った。これにより、表面に凹凸部が形成された有機層を有する基板が得られた。
次に、凹凸部が形成された有機層をマスクとしてシリコン基板をドライエッチングして、シリコン基板上に深さ２００ｎｍの凹部を形成し、シリコン基板表面の残存有機層を、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノールで溶解除去した。なお、ドライエッチング条件は、ガスＳＦ６、出力１５０Ｗ、４０秒の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）で行った。以上により、インプリントモールドを作製した。
次に、厚み８０μｍのポリカーボネート基板上に、光硬化性樹脂（ＰＡＫ０１、東洋合成株式会社製）を塗布し、厚み１０μｍのインプリント層を形成した。
作製したインプリントモールドを、ポリカーボネート基板上のインプリント層に押し付け、ＵＶ硬化させて、インプリントモールドの凹凸パターンを転写し、インプリントモールドを剥離することでポリカーボネート基板上に凹凸部を形成した（凹凸部形成工程；図８（Ａ）参照）。
ポリカーボネート基板に形成された凹凸部は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察したところ、図１において、ピッチＰが５００ｎｍ、凸部の平坦幅ａが５０ｎｍ、傾斜部幅ｂが１５０ｎｍ、底部の平坦幅ｃが１５０ｎｍ、凸部の高さｄが１５０ｎｍ、傾斜部の傾斜角度θが４５度であった。
次に、図８（Ｂ）に示すように、凹凸部を形成したポリカーボネート基板を１／４にカットし、図８（Ｃ）に示すように、導電性材料として銀を用いた真空蒸着を、表面に凹凸部が形成されたポリカーボネート基板の該凹凸部側を真空蒸着方向に向けて、該基板の鉛直方向に対する角度θ１を２７度にして行い、図９に示すように、凹凸部の少なくとも斜面部に銀からなる補助電極層を２０ｎｍの厚さに成膜した（補助電極層形成工程；図１０参照）。
斜面部分の補助電極層における基板の垂直方向に対する角度は４５度であった。
その後、凹凸部及び補助電極層の表面に導電性ポリマー溶液（Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ、Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ社製）を１，０００ｒｐｍでスピンコートし、乾燥させて、厚み１００ｎｍ〜２００ｎｍの透明導電層を形成した（透明導電層形成工程；図１１参照）。以上により、実施例１の透明導電体を作製した。
【００７３】
（実施例２）
直径４インチの円盤状シリコン基板を用い、該シリコン基板上に、下記構造式で表されるオキソノール有機物（ヒートモード材料２）１５ｍｇを、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノール１ｍｌに溶解した溶液を、スピンコーターを用いて回転数３００ｒｐｍで塗布し、その後回転数１，０００ｒｐｍで乾燥させ、厚さ７０ｎｍの有機層を形成した。
【化４】
2010272466.tif 000006
【００７４】
次に、シリコン基板上の有機層にＮＥＯ１０００（パルステック工業株式会社製）にて、５ｍ／ｓ、６ｍＷ、円周方向に６００ｎｍピッチで、レーザ照射を行った。これにより、表面に凹凸部が形成された有機層を有する基板が得られた。
次に、凹凸部が形成された有機層をマスクとしてシリコン基板をドライエッチングして、シリコン基板上に深さ２００ｎｍの凹部を形成し、シリコン基板表面の残存有機層を、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノールで溶解除去した。なお、ドライエッチング条件は、ガスＳＦ６、出力１５０Ｗ、４０秒の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）で行った。以上により、インプリントモールドを作製した。
次に、厚み８０μｍのポリカーボネート基板上に、光硬化性樹脂（ＰＡＫ０１、東洋合成株式会社製）を塗布し、厚み１０μｍのインプリント層を形成した。
作製したインプリントモールドを、ポリカーボネート基板上のインプリント層に押し付け、ＵＶ硬化させて、インプリントモールドの凹凸パターンを転写し、インプリントモールドを剥離することでポリカーボネート基板上に凹凸部を形成した(凹凸部形成工程)。
ポリカーボネート基板に形成された凹凸部は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察したところ、図１において、ピッチＰが６００ｎｍ、凸部の平坦幅ａが１００ｎｍ、傾斜部幅ｂが１５０ｎｍ、底部の平坦幅ｃが２００ｎｍ、凸部の高さｄが１５０ｎｍ、傾斜部の傾斜角度θが４５度であった。
次に、凹凸部を形成したポリカーボネート基板を１／４にカットし、導電性材料として銀を用いた真空蒸着を、表面に凹凸部が形成されたポリカーボネート基板の該凹凸部側を真空蒸着方向に向けて、該基板の鉛直方向に対する角度θ１を２３度にして行い、凹凸部の少なくとも斜面部に銀からなる補助電極層を２０ｎｍの厚さに成膜した（補助電極層形成工程）。
斜面部分の補助電極層における基板の垂直方向に対する角度は４５度であった。
その後、凹凸部及び補助電極層の表面に導電性ポリマー溶液（Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ、Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ社製）を１，０００ｒｐｍでスピンコートし、乾燥させて、厚み１００ｎｍ〜２００ｎｍの透明導電層を形成した（透明導電層形成工程）。以上により、実施例２の透明導電体を作製した。
【００７５】
（実施例３）
直径４インチの円盤状シリコン基板を用い、該シリコン基板上に、ヒートモード材料３としてのフタロシアニン有機物〔（ＺｎＰｃ(α−ＳＯ２Ｂｕ−ｓｅｃ)４〕１５ｍｇを、アセトン１ｍｌに溶解した溶液を、スピンコーターを用いて回転数３００ｒｐｍで塗布し、その後回転数１，０００ｒｐｍで乾燥させ、厚さ７０ｎｍの有機層を形成した。
次に、シリコン基板上の有機層にＮＥＯ１０００（パルステック工業株式会社製）にて、５ｍ／ｓ、５ｍＷ、円周方向に７００ｎｍピッチで、レーザ照射を行った。これにより、表面に凹凸部が形成された有機層を有する基板が得られた。
次に、凹凸部が形成された有機層をマスクとしてシリコン基板をドライエッチングして、シリコン基板上に深さ２００ｎｍの凹部を形成し、シリコン基板表面の残存有機層を、２，２，３，３−テトラフルオロ−１−プロパノールで溶解除去した。なお、ドライエッチング条件は、ガスＳＦ６、出力１５０Ｗ、２５秒の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）で行った。以上により、インプリントモールドを作製した。
次に、厚み８０μｍのポリカーボネート基板上に、光硬化性樹脂（ＰＡＫ０１、東洋合成株式会社製）を塗布し、厚み１０μｍのインプリント層を形成した。
作製したインプリントモールドを、ポリカーボネート基板上のインプリント層に押し付け、ＵＶ硬化させて、インプリントモールドの凹凸パターンを転写し、インプリントモールドを剥離することでポリカーボネート基板上に凹凸部を形成した（凹凸部形成工程）。
ポリカーボネート基板に形成された凹凸部は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察したところ、図１において、ピッチＰが７００ｎｍ、凸部の平坦幅ａが２００ｎｍ、傾斜部幅ｂが１５０ｎｍ、底部の平坦幅ｃが２００ｎｍ、凸部の高さｄが１００ｎｍ、傾斜部の傾斜角度θが３４度であった。
次に、凹凸部を形成したポリカーボネート基板を１／４にカットし、導電性材料として銀を用いた真空蒸着を、表面に凹凸部が形成されたポリカーボネート基板の該凹凸部側を真空蒸着方向に向けて、該基板の鉛直方向に対する角度θ１を１６度にして行い、凹凸部の少なくとも斜面部に銀からなる補助電極層を２０ｎｍの厚さに成膜した（補助電極層形成工程）。
斜面部分の補助電極層における基板の垂直方向に対する角度は３４度であった。
その後、凹凸部及び補助電極層の表面に導電性ポリマー溶液（Ｂａｙｔｒｏｎ  Ｐ、Ｈ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋ社製）を１，０００ｒｐｍでスピンコートし、乾燥させて、厚み１００ｎｍ〜２００ｎｍの透明導電層を形成した（透明導電層形成工程）。以上により、実施例３の透明導電体を作製した。
【００７６】
（実施例４）
実施例１において、シリコン基板上の有機層にＮＥＯ１０００（パルステック工業株式会社製）にて、５ｍ／ｓ、３ｍＷ、円周方向に５００ｎｍピッチで、レーザ照射を行い、導電性材料として銀を用いた真空蒸着を、表面に凹凸部が形成されたポリカーボネート基板の該凹凸部側を真空蒸着方向に向けて、該基板の鉛直方向に対する角度θ１を２２度にして行った以外は、実施例１と同様にして、実施例４の透明導電体を作製した。
ポリカーボネート基板に形成された凹凸部は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察したところ、図１において、ピッチＰが５００ｎｍ、凸部の平坦幅ａが０ｎｍ、傾斜部幅ｂが１２０ｎｍ、底部の平坦幅ｃが２６０ｎｍ、凸部の高さｄが１５０ｎｍ、傾斜部の傾斜角度θが５１度であった。
斜面部分の補助電極層における基板の垂直方向に対する角度は５１度であった。
【００７７】
（実施例５）
実施例１において、シリコン基板上の有機層にＮＥＯ１０００（パルステック工業株式会社製）にて、５ｍ／ｓ、３ｍＷ、円周方向に５００ｎｍピッチで、レーザ照射を行い、
ドライエッチング条件を、ガスＳＦ６、出力１５０Ｗ、５０秒の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）で行い、導電性材料として銀を用いた真空蒸着を、表面に凹凸部が形成されたポリカーボネート基板の該凹凸部側を真空蒸着方向に向けて、該基板の鉛直方向に対する角度θ１を２８度にして行った以外は、実施例１と同様にして、実施例５の透明導電体を作製した。
ポリカーボネート基板に形成された凹凸部は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察したところ、図１において、ピッチＰが５００ｎｍ、凸部の平坦幅ａが０ｎｍ、傾斜部幅ｂが１２０ｎｍ、底部の平坦幅ｃが２６０ｎｍ、凸部の高さｄが２００ｎｍ、傾斜部の傾斜角度θが５９度であった。
斜面部分の補助電極層における基板の垂直方向に対する角度は５９度であった。
【００７８】
（実施例６）
実施例１において、シリコン基板上の有機層にＮＥＯ１０００（パルステック工業株式会社製）にて、５ｍ／ｓ、６ｍＷ、円周方向に５００ｎｍピッチで、レーザ照射を行い、導電性材料として銀を用いた真空蒸着を、表面に凹凸部が形成されたポリカーボネート基板の該凹凸部側を真空蒸着方向に向けて、該基板の鉛直方向に対する角度θ１を１０度にして行った以外は、実施例１と同様にして、実施例６の透明導電体を作製した。
ポリカーボネート基板に形成された凹凸部は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察したところ、図１において、ピッチＰが５００ｎｍ、凸部の平坦幅ａが２００ｎｍ、傾斜部幅ｂが１５０ｎｍ、底部の平坦幅ｃが０ｎｍ、凸部の高さｄが１５０ｎｍ、傾斜部の傾斜角度θが４５度であった。
斜面部分の補助電極層における基板の垂直方向に対する角度は４５度であった。
【００７９】
（実施例７）
実施例１において、シリコン基板上の有機層にＮＥＯ１０００（パルステック工業株式会社製）にて、５ｍ／ｓ、６ｍＷ、円周方向に５００ｎｍピッチで、レーザ照射を行い、導電性材料として銀を用いた真空蒸着を、表面に凹凸部が形成されたポリカーボネート基板の該凹凸部側を真空蒸着方向に向けて、該基板の鉛直方向に対する角度θ１を４５度にして行った以外は、実施例１と同様にして、実施例７の透明導電体を作製した。
ポリカーボネート基板に形成された凹凸部は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）観察したところ、図１において、ピッチＰが５００ｎｍ、凸部の平坦幅ａが２００ｎｍ、傾斜部幅ｂが１５０ｎｍ、底部の平坦幅ｃが０ｎｍ、凸部の高さｄが１５０ｎｍ、傾斜部の傾斜角度θが４５度であった。
斜面部分の補助電極層における基板の垂直方向に対する角度は４５度であった。
【００８０】
（比較例１）
実施例１において、表面に凹凸部のないポリカーボネート基板を、マスクなしで、該基板の鉛直方向に対する角度を９０度にして蒸着を行った以外は、実施例１と同様にして、比較例１の透明導電体を作製した。
【００８１】
次に、実施例１〜７及び比較例１の各透明導電体について、以下のようにして、透過率、抵抗率、及び照明取り付け時の光取り出し効率を評価した。結果を表１に示す。
【００８２】
＜透過率＞
透過率を、オーシャンオプティクス社製ＵＳＢ２０００で測定した。
【００８３】
＜抵抗率＞
抵抗率を、マルチメータ２８９（Ｆｌｕｋａ社製）で測定した。
【００８４】
＜照明取り付け時の光取り出し効率＞
蛍光体照明に各透明導電体を取り付け、出射光量をオーシャンオプティクス社製ＵＳＢ２０００で測定した。蛍光照明体に透明導電体を取り付けないときの出射光量を１００として表した。
【００８５】
【表１】
2010272466.tif 000007
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明の透明導電体は、例えば液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、エレクトロルミネッセンスディスプレイ、エレクトロクロミックディスプレイ、太陽電池、タッチパネルなどの透明電極、電子ペーパー、電磁波シールド材などに幅広く用いられる。
【符号の説明】
【００８７】
１      基材
２      有機層
３      補助電極層
４      真空蒸着装置
５      透明導電層
１２      有機層
１３      凸部
１５      凹部
Ｐ      ピッチ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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