(57)【要約】【課題】小型化に対応できる光ピックアップ装置及びこれを備えた光ディスク記録再生装置を提供する。【解決手段】光ピックアップ装置５０は、レーザ光Ｌａを出射する半導体レーザ素子１と、レーザ光Ｌａを集光するレンズ４と、半導体レーザ素子１及びレンズ４がそれぞれ所定の位置に配置されたベース部７とを備えている。ベース部７は、レンズ４が配置されている第１の面Ｓａと、第１の面Ｓａに対向する第２の面Ｓｂと、第１の面Ｓａ及び第２の面Ｓｂにそれぞれ連接する第３の面Ｓｃと、第２の面Ｓｂ及び第３の面Ｓｃにそれぞれ連接する第４の面１０ａと、第４の面１０ａに設けられて互いに離間する一対の電極１１ａ，１１ｂを有するランド部１２とを備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を出射する半導体レーザ素子と、
前記レーザ光を集光するレンズと、
前記半導体レーザ素子及び前記レンズがそれぞれ所定の位置に配置されたベース部と、
を備え、
前記ベース部は、
前記レンズが配置されている第１の面と、
前記第１の面に対向する第２の面と、
前記第１の面及び前記第２の面にそれぞれ連接する第３の面と、
前記第２の面及び前記第３の面にそれぞれ連接する第４の面と、
前記第４の面に設けられて互いに離間する一対の電極を有するランド部と、
を備えていることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項２】
請求項１記載の光ピックアップ装置を備えた光ディスク記録再生装置であって、
前記光ピックアップ装置は、前記第３の面が前記光ディスク記録再生装置に装着された光ディスクの中心に対して径の外側方向を向くように配置されていることを特徴とする光ディスク記録再生装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクに所定の情報を記録したり光ディスクに記録されている情報を再生する光ディスク記録再生装置に用いられる光ピックアップ装置、及びこれを備えた光ディスク記録再生装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、光ディスクに所定の情報を記録したり光ディスクに記録されている情報を再生する光ディスク記録再生装置には光ピックアップ装置が用いられている。
光ピックアップ装置は、主として、レーザ光を出射する半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子から出射されたレーザ光を光ディスクの記録面に集光するレンズと、光ディスクで反射したレーザ光を再生光として受光する受光部と、これら半導体レーザ素子，レンズ，及び受光部がそれぞれ所定の位置に配置されたベース部と、を有して構成されている。
【０００３】
ところで、半導体レーザ素子は静電破壊しやすい素子である。
そこで、光ピックアップ装置の製造過程、及び光ピックアップ装置を備える光ディスク記録再生装置の製造過程で半導体レーザ素子が静電破壊しないように、複数のショートランドをベース部に設ける手段が例えば特許文献１に開示されている。
【特許文献１】実用新案登録第３０７３２７３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えばベース部の側面と裏面とにそれぞれショートランドを設けることにより、光ピックアップ装置の製造過程、及び光ピックアップ装置を備える光ディスク記録再生装置の製造過程において、ショートランドに半田付けを行ったりショートランドの半田を除去する等の作業を、ベース部の裏面側から行えない場合には側面側から行うことができ、また、ベース部の側面側から行えない場合には裏面側から行うことができるので、上記各製造過程における作業環境に応じて所望の作業を容易に行うことができる。
【０００５】
しかしながら、ベース部に複数のショートランドを設けるため、光ピックアップ装置及びこれを備えた光ディスク記録再生装置の小型化に対してはその改善が望まれている。
【０００６】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、小型化に対応できる光ピックアップ装置及びこれを備えた光ディスク記録再生装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本願各発明は次の光ピックアップ装置及びこれを備えた光ディスク記録再生装置を提供する。
１）レーザ光（Ｌａ）を出射する半導体レーザ素子（１）と、前記レーザ光を集光するレンズ（４）と、前記半導体レーザ素子及び前記レンズがそれぞれ所定の位置に配置されたベース部（７）と、を備え、前記ベース部は、前記レンズが配置されている第１の面（Ｓａ）と、前記第１の面に対向する第２の面（Ｓｂ）と、前記第１の面及び前記第２の面にそれぞれ連接する第３の面（Ｓｃ）と、前記第２の面及び前記第３の面にそれぞれ連接する第４の面（１０ａ）と、前記第４の面に設けられて互いに離間する一対の電極（１１ａ，１１ｂ）を有するランド部（１２）と、を備えていることを特徴とする光ピックアップ装置（５０）。
２）１）記載の光ピックアップ装置を備えた光ディスク記録再生装置であって、前記光ピックアップ装置は、前記第３の面が前記光ディスク記録再生装置に装着された光ディスク（Ｄ）の中心に対して径の外側方向を向くように配置されていることを特徴とする光ディスク記録再生装置。
【発明の効果】
【０００８】
本発明に係る光ピックアップ装置及びこれを備えた光ディスク記録再生装置によれば、従来よりも小型にできるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明の実施の形態を、好ましい実施例により図１〜図４を用いて説明する。
図１は、本発明に係る光ピックアップ装置の実施例を説明するための図であり、同図中の（ａ）はレンズ６が配置されている表面Ｓａ側から見たときの平面図、（ｃ）はレンズ６とは反対側に位置して表面Ｓａに対向する裏面Ｓｂ側から見たときの平面図、（ｂ）は表面Ｓａ及び裏面Ｓｂにそれぞれ連接する側面Ｓｃ側から見たときの平面図、（ｄ）は裏面Ｓｂ及び側面Ｓｃ側から見たときの斜視図である。
また、図１中の“Ｄ”は光ディスクであり、図１では、光ディスク記録再生装置における光ピックアップ装置５０と光ディスクＤとの位置関係をそれぞれ模式的に示している。
図２は、図１中の半導体レーザ素子１とショートランド１２との電気的な接続の関係を説明するための模式図である。
図３は、光ピックアップ装置の製造方法及びこの光ピックアップ装置を備える光ディスク記録再生装置の製造方法を説明するための工程フローである。
【００１０】
＜実施例＞
図１に示すように、光ピックアップ装置５０は、レーザ光Ｌａを出射する光源である半導体レーザ素子１と、レーザ光Ｌａを透過して光ディスクＤからの反射光Ｌｂを回折させる回折格子２と、レーザ光Ｌａを光ディスクＤに向けて反射すると共に光ディスクＤからの反射光Ｌｂを回折格子２に向けて反射するミラー３と、ミラー３で反射したレーザ光Ｌａを光ディスクＤの記録面に集光するレンズ４と、回折格子２で回折された反射光Ｌｂを受光する受光部５を有する受光基板６と、これら半導体レーザ素子１，回折格子２，ミラー３，レンズ４，及び受光基板６がそれぞれ所定の位置に配置されたオプトベース７と、を備えている。
【００１１】
オプトベース７は、レンズ４が配置されている表面Ｓａと、レンズ４とは反対側に位置して表面Ｓａに対向する裏面Ｓｂと、表面Ｓａ及び裏面Ｓｂにそれぞれ連接する側面Ｓｃとを有する。
また、オプトベース７は、側面Ｓｃ及び裏面Ｓｂにそれぞれ連接する傾斜面１０ａを有する切り欠き部１０を備え、傾斜面１０ａには互いに離間して設けられた一対の電極１１ａ，１１ｂを有するショートランド１２が形成されている。
【００１２】
図２（ａ）に示すように、ショートランド１２は、一方の電極１１ａが半導体レーザ素子１のアノードに電気的に接続されており、他方の電極１１ｂが半導体レーザ素子１のカソードに電気的に接続されている。
そして、図２（ｂ）に示すように、ショートランド１２を半田付けすることにより、一方の電極１１ａと他方の電極１１ｂとが半田１５によってショートするため、光ピックアップ装置５０の製造過程及びこの光ピックアップ装置５０を備える光ディスク記録再生装置の製造過程で静電気が発生した場合に、静電気はショートランド１２に流れるので半導体レーザ素子１の静電破壊を防止することができる。
【００１３】
次に、上述した光ピックアップ装置の製造方法及びこの光ピックアップ装置を備える光ディスク記録再生装置の製造方法について、図１及び図２と共に図３を用いて説明する。
【００１４】
［第１工程］（光ピックアップ組立）
ショートランド１２を半田付けして電極１１ａ，１１ｂ間を半田１５でショートさせた状態にし、オプトベース７の所定の位置に、半導体レーザ素子１，回折格子２，ミラー３，レンズ４，及び受光基板６をそれぞれ取り付けて、光ピックアップ装置５０を組み立てる。
光ピックアップ装置５０を組み立て過程で静電気が発生した場合、静電気はショートランド１２に流れるので半導体レーザ素子１の静電破壊を防止することができる。
【００１５】
第１工程後から次工程の第２工程前まで期間は、半導体レーザ素子１が静電破壊されないようにショートランド１２の電極１１ａ，１１ｂ間が半田１５でショートされた状態を維持する。
【００１６】
［第２工程］（電気的性能調整）
光ピックアップ装置５０を図示しない調整機に保持した状態で、側面Ｓｃ側から電極１１ａ，１１ｂ間の半田１５を除去して電極１１ａ，１１ｂ間をオープン状態にし、光ピックアップ装置の電気的性能の調整を行う。
具体的には、ボリューム等を用いたＲＦ信号レベル調整、回折格子２の回転調整によるＥ−Ｆ位相差調整、レンズ角度調整によるジッタ（Jitter）調整等を行う。
【００１７】
第２工程後に、側面Ｓｃ側からショートランド１２に半田付けを行って電極１１ａ，１１ｂ間を半田１５でショートさせる。これにより、第２工程後から次工程の第３工程前までの期間における半導体レーザ素子１の静電破壊を防止することができる。
【００１８】
ここで、第２工程で側面Ｓｃ側から半田１５を除去する理由、及び第２工程後に側面Ｓｃ側から半田付けを行う理由について説明する。
通常、光ピックアップ装置５０の電気的性能調整を行う場合、調整機を何らかの台に置いて調整するため、裏面Ｓｂからの調整は困難である。そのため、第２工程での半田１５の除去及び第２工程後の半田付けを側面Ｓｃ側から行う。
【００１９】
［第３工程］（最終検査）
側面Ｓｃ側から電極１１ａ，１１ｂ間の半田１５を除去して電極１１ａ，１１ｂ間をオープン状態にし、光ピックアップ装置５０の最終検査を行う。
具体的には、ＲＦ信号レベル、ＴＥ信号レベル、及びジッタ等の電気的性能検査を行う。
【００２０】
第３工程後に、裏面Ｓｂ側からショートランド１２に半田付けを行って電極１１ａ，１１ｂ間を半田１５でショートさせる。これにより、第３工程後から次工程の第４工程前までの期間における半導体レーザ素子１の静電破壊を防止することができる。
【００２１】
ここで、第３工程後に、裏面Ｓｂ側からショートランド１２に半田付けを行う理由について説明する。
一般的に、後述するような光ディスク再生記録装置に光ピックアップ装置５０に組み込んだ際、光ピックアップ装置５０の側面Ｓｃ側は光ディスク再生装置の機構部品により隠れてしまうため、光ピックアップ装置５０の側面Ｓｃ側から半田付けや半田１５の除去を行うことが難しい。
それに対して、光ピックアップ装置５０の裏面Ｓｂ側にはこのような機構部品がないため、レンズ４を下にして光ピックアップ装置を設置して検査すれば、裏面Ｓｂ側から半田付けや半田１５の除去を容易に行うことができる。
にショートランドを設けることで作業性が向上する。
【００２２】
［第４工程］（光ディスク記録再生装置組立）
電極１１ａ，１１ｂ間が半田１５でショートされた状態を維持しつつ、上記工程を経た光ピックアップ装置５０を備えた光ディスク記録再生装置の組み立てを行う。
このとき、光ピックアップ装置５０は、側面Ｓｃが光ディスク記録再生装置に装着された光ディスクＤの中心に対して径の外側方向を向くように配置される。
光ディスク記録再生装置の組み立て過程で静電気が発生した場合、静電気はショートランド１２に流れるので半導体レーザ素子１の静電破壊を防止することができる。
【００２３】
第４工程後から次工程の第５工程前までの期間は、半導体レーザ素子１が静電破壊されないように電極１１ａ，１１ｂ間が半田１５でショートされた状態を維持する。
【００２４】
［第５工程］（電気検査）
裏面Ｓｂ側から電極１１ａ，１１ｂ間の半田１５を除去して電極１１ａ，１１ｂ間をオープン状態にし、光ディスク記録再生装置の電気検査を行う。例えば、ローディングによる記録再生検査等を行う。
【００２５】
第５工程後に、裏面Ｓｂ側からショートランド１２に半田付けを行って電極１１ａ，１１ｂ間を半田１５でショートさせ、この状態を出荷前まで維持する。
そして、裏面Ｓｂ側から電極１１ａ，１１ｂ間の半田１５を除去して電極１１ａ，１１ｂ間をオープン状態にした後に出荷する。
【００２６】
上述した光ピックアップ装置及びこれを備えた光ディスク記録再生装置によれば、複数の面（側面Ｓｃ，裏面Ｓｂ）にそれぞれ連接する傾斜面にショートランドが形成された構成とすることにより、このショートランドに上記複数の面側から半田付け作業や半田除去作業等の作業をそれぞれ行うことができるので、ショートランドの数を削減することができ、光ピックアップ装置及びこれを備えた光ディスク記録再生装置の小型化が可能になる。
【００２７】
本発明の実施例は、上述した構成及び手順に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において変形例としてもよいのは言うまでもない。
【００２８】
ここで、上述したショートランド１２の変形例について図４を用いて説明する。
図４は実施例のショートランドの変形例を説明するための平面図である。
【００２９】
図４（ａ）に示すショートランド２０は、実施例のショートランド１２に対する第１の変形例である。
ショートランド２０の一対の電極２１ａ，２１ｂはショートランド１２の一対の電極１１ａ，１１ｂに対応するものである。
ショートランド２０の特徴は、一対の電極２１ａ，２１ｂにおける互いに対向する側の一方の角部｛図４（ａ）における下側の角部｝が他方の角部｛図４（ａ）における上側の角部｝よりも鋭角になっている点である。
これにより、電極２１ａ，２１ｂ間をショートさせている半田を例えば半田ごてを用いて除去する際、こて先を図４（ａ）における上側から下側に向かって移動させることにより、半田の切れが改善され、電極２１ａ，２１ｂ間の半田をより容易に除去することができる。
【００３０】
図４（ｂ）に示すショートランド３０は、実施例のショートランド１２に対する第２の変形例である。
ショートランド３０の一対の電極３１ａ，３１ｂはショートランド１２の一対の電極１１ａ，１１ｂに対応するものである。
ショートランド３０の特徴は、一対の電極３１ａ，３１ｂ間の距離が、ショートランド３０の中央部よりも縁部の方が広くなっている点である。
これにより、電極３１ａ，３１ｂ間をショートさせている半田を例えば半田ごてを用いて除去する際、こて先を図４（ｂ）における上側から下側に向かって又は下側から上側に向かって移動させることにより、半田の切れが改善され、電極３１ａ，３１ｂ間の半田をより容易に除去することができる。
【００３１】
図４（ｃ）に示すショートランド４０は、実施例のショートランド１２に対する第３の変形例である。
ショートランド４０の一対の電極４１ａ，４１ｂはショートランド１２の一対の電極１１ａ，１１ｂに対応するものである。
第３の変形例は、第２の変形例に対し、電極形状が異なるものの、電極４１ａ，４１ｂ間をショートさせている半田を例えば半田ごてを用いて除去する際、こて先を図４（ｃ）における上側から下側に向かって又は下側から上側に向かって移動させることにより電極４１ａ，４１ｂ間の半田をより容易に除去することができる点では同じである。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明に係る光ピックアップ装置の実施例を説明するための図である。
【図２】図１中の半導体レーザ素子１とショートランド１２との電気的な接続の関係を説明するための模式図である。
【図３】光ピックアップ装置の製造方法及びこの光ピックアップ装置を備える光ディスク記録再生装置の製造方法を説明するための工程フローである。
【図４】実施例のショートランドの変形例を説明するための平面図である。
【符号の説明】
【００３３】
１＿半導体レーザ素子、  ２＿回折格子、  ３＿ミラー、  ４＿レンズ、  ５＿受光部、  ６＿受光基板、  ７＿オプトベース、  １０＿切り欠き部、  １０ａ＿傾斜面、  １１ａ，１１ｂ＿電極、  １２＿ショートランド、  １５＿半田、  ５０＿光ピックアップ装置、  Ｌａ＿レーザ光、  Ｄ＿光ディスク、  Ｌｂ＿反射光、  Ｓａ＿表面、Ｓｂ＿裏面、  Ｓｃ＿側面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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