(57)【要約】【課題】高密度磁気ディスクの再生ヘッドのセンサ膜と磁性体上部シールドとの間には剥がれ防止のために非磁性密着層が介している。しかし、その層は低抵抗、高ＭＲ比、そしてシールド間隔の狭小化の妨げとなる。【解決手段】センサ膜の上には非磁性密着層が介せず磁性体上部シールドが配置され、センサ膜の両側に形成される第１の絶縁膜、更にその両側に形成される一対の磁区制御用磁性膜、そのまた更にその両側に形成される一対の第２の絶縁膜上に形成される第３の絶縁膜の上には非磁性密着層を介して磁性体上部シールドが配置される構造。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサ膜と、
前記センサ膜の膜厚方向に電流を流す一対の磁性体上部シールド及び磁性体下部シールドと、
前記センサ膜のトラック幅方向の両側に第１の絶縁膜を介して設けられた磁区制御用磁性膜とを有し、
前記磁性体上部シールドは非磁性密着層を介して形成されている垂直電流型再生磁気ヘッドにおいて、
前記非磁性密着層は前記センサ膜の近くに不連続な領域を有し、前記センサ膜は前記磁性体上部シールドと接していることを特徴とする垂直電流型再生磁気ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載の垂直電流型再生磁気ヘッドにおいて、前記磁区制御用磁性膜の上に前記非磁性密着層が設けられていることを特徴とする垂直電流型再生磁気ヘッド。
【請求項３】
請求項１記載の垂直電流型再生磁気ヘッドにおいて、
前記磁区制御用磁性膜のトラック幅方向外側に設けられた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上あるいは前記磁区制御用磁性膜のトラック幅方向外側領域から前記第２の絶縁膜の上に連続して設けられた第３の絶縁膜とを有し、
前記第３の絶縁膜上に前記非磁性密着層が設けられていることを特徴とする垂直電流型再生磁気ヘッド。
【請求項４】
請求項１記載の垂直電流型再生磁気ヘッドにおいて、
前記磁区制御用磁性膜のトラック幅方向外側に設けられた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上あるいは前記磁区制御用磁性膜のトラック幅方向外側領域から前記第２の絶縁膜の上に連続して設けられた第３の絶縁膜とを有し、
前記非磁性密着層は第１の非磁性密着層と第２の非磁性密着層からなり、
前記磁区制御用磁性膜の上に第１の非磁性密着層が設けられ、前記第３の絶縁膜上に第２の非磁性密着層が設けられていることを特徴とする垂直電流型再生磁気ヘッド。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項記載の垂直電流型再生磁気ヘッドにおいて、前記非磁性密着層はＣｒ，Ｔａ，Ｔｉ，ＮｉＣｒ、あるいはこれらの合金又は酸化膜で構成されていることを特徴とする垂直電流型再生磁気ヘッド。
【請求項６】
センサ膜と、前記センサ膜の膜厚方向に電流を流す一対の磁性体上部シールド及び磁性体下部シールドと、前記センサ膜のトラック幅方向の両側に第１の絶縁膜を介して設けられた磁区制御用磁性膜とを有する垂直電流型再生磁気ヘッドの製造方法において、
磁性体下部シールドの上に形成されたセンサ膜の上にトラック形成レジストを形成する工程と、
前記トラック形成レジストをマスクとして前記センサ膜をエッチング加工する工程と、
前記トラック形成レジストを残したまま、第１の絶縁膜と磁区制御用磁性膜と非磁性密着層を積層して形成する工程と、
前記トラック形成レジストをリフトオフする工程と、
磁性体上部シールドを形成する工程と
を有することを特徴とする垂直電流型再生磁気ヘッドの製造方法。
【請求項７】
センサ膜と、前記センサ膜の膜厚方向に電流を流す一対の磁性体上部シールド及び磁性体下部シールドと、前記センサ膜のトラック幅方向の両側に第１の絶縁膜を介して設けられた磁区制御用磁性膜と、前記磁区制御用磁性膜のトラック幅方向外側に設けられた第２の絶縁膜と、前記第２の絶縁膜の上あるいは前記磁区制御用磁性膜のトラック幅方向外側領域から前記第２の絶縁膜の上に連続して設けられた第３の絶縁膜とを有する垂直電流型再生磁気ヘッドの製造方法であって、
磁性体下部シールドの上に形成されたセンサ膜の上にトラック形成レジストを形成する工程と、
前記トラック形成レジストをマスクとして前記センサ膜をエッチング加工する工程と、
前記トラック形成レジストを残したまま、第１の絶縁膜と磁区制御用磁性膜を積層して形成する工程と、
前記トラック形成レジストをリフトオフする工程と、
前記センサ膜と少なくとも前記磁区制御用磁性膜の前記センサ膜側の領域の上に第３の絶縁膜形成レジストを形成する工程と、
第３の絶縁膜と非磁性密着層を積層して形成する工程と、
前記第３の絶縁膜形成レジストをリフトオフする工程と、
磁性体上部シールドを形成する工程と
を有することを特徴とする垂直電流型再生磁気ヘッドの製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の垂直電流型再生磁気ヘッドの製造方法において、前記第１の絶縁膜と磁区制御用磁性膜を積層して形成する工程では、前記磁区制御用磁性膜の上に更に非磁性密着層を積層して形成することを特徴とする垂直電流型再生磁気ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁気ディスク装置に使用される薄膜磁気ヘッドに関するものであり、特に再生用に使用される薄膜磁気ヘッドに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＨＤＤの高記録密度化に伴い、搭載される薄膜磁気ヘッドは、より一層の狭トラック化及び狭ギャップ化、高感度化が求められている。現在、薄膜磁気ヘッドは記録ヘッドと再生ヘッドが組み合わされて用いられている。これまでの再生ヘッドとしてはＧＭＲ効果を利用したＧＭＲヘッドが主流で用いられていた。このＧＭＲヘッドは検知電流をセンサ膜に膜面内に平行に流すＣＩＰ（Current In Plane）型のヘッドである。現在の再生ヘッドとしては記録密度の向上の為に、狭トラック化及び狭ギャップ化においても高出力化に有利と思われるＴＭＲ（Tunneling MagnetoResistive）ヘッドが主に採用されている。更にＴＭＲヘッドの次の世代として期待されているＣＰＰ−ＧＭＲ（Current Perpendicular to the Plane-Giant MagnetoResistive）ヘッドの開発も盛んに行われている。このＴＭＲヘッド及びＣＰＰ−ＧＭＲヘッドは従来のＧＭＲヘッドとは異なり、検知電流を膜面と垂直方向に流すＣＰＰ型ヘッドである点が大きく異なる。
【０００３】
ＣＰＰ構造のヘッドでは、いずれのタイプのヘッドにおいてもセンサ膜と磁性体上部シールドは、その間に非磁性金属層を介して電気的に接続されている（特許文献１，２）。この非磁性金属層には、Ｔａなどが用いられている。
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−９７７００号公報
【特許文献２】特開２００３−２０４０９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明者は、高密度磁気ディスクの再生ヘッドの構造に関する種々の検討を行っている。ＣＰＰ−ＧＭＲやＴＭＲ、またそれ以降の高密度磁気ディスクの再生ヘッドには、低抵抗、高ＭＲ比、そしてシールド間隔の狭小化が要求されている。ここでシールド間隔とは、特にセンサ膜部分における磁性体下部シールド上面と磁性体上部シールドの下面の距離を指す。このシールド間隔を狭小化することで、磁気ディスクからの信号磁界を高分解能で検出が可能となり、高密度記録化が可能となる。
【０００６】
従来例の特開２００８−９７７００号公報及び特開２００３−２０４０９６号公報などにおける浮上面形状では、センサ膜及び磁区制御用磁性膜などのセンサ膜端部周辺に配置される様々な膜構造と、これらの上に形成される磁性体上部シールドとの間には非磁性密着層が全面に介在している。それは、センサ膜及びセンサ膜端部周辺に配置される様々な膜構造と磁性体上部シールドとの間の密着性を確保し、磁性体上部シールドの剥がれを防止し、ヘッド特性を維持する為である。しかしながら、前記従来構造ではセンサ膜と磁性体上部シールドの間には非磁性密着層が新たに配置される為、その非磁性密着層の膜厚分だけシールド間隔が増加する。また、非磁性密着層は抵抗成分となるため、電気的な特性が劣化する。
【０００７】
つまり、従来の構造では非磁性密着層は低抵抗、高ＭＲ比、そしてシールド間隔の狭小化の妨げとなるが、センサ膜と磁性体上部シールド間を剥がれ難くするという点において必要不可欠である。
【０００８】
そこで、本発明ではセンサ膜と磁性体上部シールド間で剥がれずに、低抵抗、高ＭＲ比、そしてシールド間隔の狭小化が可能な再生ヘッドの構造を提案する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
従来の構造ではセンサ膜、その両側に形成される一対の第１の絶縁膜、更にその両側に形成される一対の磁区制御用磁性膜、そのまた更にその両側に形成される一対の第２の絶縁膜、その第２の絶縁膜上に形成される第３の絶縁膜を有し、これらの膜上に連続した非磁性密着層を介して磁性体上部シールドが配置されている。
【００１０】
本発明の垂直電流型再生磁気ヘッドは、センサ膜の上には非磁性密着層が存在せず、第１の絶縁膜と磁区制御磁性膜の上部、又は磁区制御磁性膜の上部に非磁性密着層が存在して、磁性体上部シールドが配置される。あるいは、センサ膜と第１の絶縁膜と磁区制御用磁性膜の上には非磁性密着層が存在せず、第３の絶縁膜の上部に非磁性密着層が存在して、磁性体上部シールドが配置される。別の形態によると、センサ膜の上には非磁性密着層が存在せず、第１の絶縁膜と磁区制御磁性膜の上部、又は磁区制御磁性膜の上部に第１の非磁性密着層が存在し、更に第３の絶縁膜の上部に第２の非磁性密着層が存在して、磁性体上部シールドが配置される。非磁性密着層はＣｒ，Ｔａ，Ｔｉ，ＮｉＣｒのいずれか、あるいはこれらの合金又は酸化膜で構成される。
【００１１】
本発明の垂直電流型再生磁気ヘッドは、磁性体下部シールドの上に形成されたセンサ膜の上にトラック形成レジストを形成する工程と、トラック形成レジストをマスクとしてセンサ膜をエッチング加工する工程と、トラック形成レジストを残したまま、第１の絶縁膜と磁区制御用磁性膜と非磁性密着層を積層して形成する工程と、トラック形成レジストをリフトオフする工程と、磁性体上部シールドを形成する工程とを有する製造方法によって製造される。
【００１２】
また、本発明の垂直電流型再生磁気ヘッドは、磁性体下部シールドの上に形成されたセンサ膜の上にトラック形成レジストを形成する工程と、トラック形成レジストをマスクとしてセンサ膜をエッチング加工する工程と、トラック形成レジストを残したまま、第１の絶縁膜と磁区制御用磁性膜を積層して形成する工程と、トラック形成レジストをリフトオフする工程と、センサ膜と少なくとも磁区制御用磁性膜のセンサ膜側の領域の上に第３の絶縁膜形成レジストを形成する工程と、第３の絶縁膜と非磁性密着層を積層して形成する工程と、第３の絶縁膜形成レジストをリフトオフする工程と、磁性体上部シールドを形成する工程とを有する製造方法によって製造される。第１の絶縁膜と磁区制御用磁性膜を積層して形成する工程では、磁区制御用磁性膜の上に更に非磁性密着層を積層して形成するようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、センサ膜の上には非磁性密着層が存在しないため、従来の構造に比べてその膜厚分だけシールド間隔の狭小化が可能となることで分解能が向上し、記録密度向上が可能となる。更に非磁性密着層の抵抗成分を削減することが出来る為、ヘッド抵抗の低減が可能となり、ＭＲ比の向上やヘッド特性のＳ／Ｎ向上が可能となる。且つセンサ膜端部より外側の膜の上に存在する非磁性密着層によって磁性体上部シールドの剥離を防止することが可能であるため、磁性体上部シールドを安定に配置することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下に、本発明の実施の形態を説明する。通常、本発明の高密度磁気ディスクの再生ヘッドは、記録ヘッドと組み合わせて使用される。本発明は再生ヘッドに適用されるため、記録ヘッド部分は省略し、再生ヘッド部分のみを説明する。
【００１５】
図１は本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドの一実施例を示す図であり、センサ膜近傍の浮上面形状を示した図である。センサ膜３、磁性体下部シールド１、第１の絶縁膜５、磁区制御用磁性膜６、非磁性密着層２、磁性体上部シールド１１を示している。センサ膜３は、自由層、固定層、及び自由層と固定層の間にある中間層を少なくとも有している多層膜であり、その詳細な構成については省略する。センサ膜３の上には非磁性密着層２が存在せず、且つ第１の絶縁膜５と磁区制御用磁性膜６の上に非磁性密着層２が存在する構造である。センサ膜３の上面は磁性体上部シールド１１に接している。
【００１６】
本実施例の構造は、従来の構造に比べてセンサ膜３の上に非磁性密着層２が存在しないため、その膜厚分だけシールド間隔の狭小化が可能となることで分解能が向上し、記録密度向上が可能となる。更に非磁性密着層２の抵抗成分を削減することが出来る為、ヘッド抵抗の低減が可能となり、ＭＲ比の向上やヘッド特性のＳ／Ｎ向上が可能となる。且つセンサ膜端部より外側の膜の上に存在する非磁性密着層２によって磁性体上部シールド１１の剥離を防止することが可能であるため、非磁性密着層２をセンサ膜上部からセンサ膜周辺部にまで連続的に形成すること無く磁性体上部シールド１１を安定に配置することが可能となる。
【００１７】
図２は、本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドの一実施例を示す図である。本実施例は、センサ膜３と第１の絶縁膜５の上には非磁性密着層２が存在せず、且つ磁区制御用磁性膜６の上に非磁性密着層２が存在する構造である。センサ膜３の上面及び第１の絶縁膜５のセンサ側上端面は磁性体上部シールド１１に接している。本構造は図１の構造に比べて、トラック端部のシールド間隔が縮まることによって、隣接ビットの影響が低減でき、分解能の向上などが可能である。
【００１８】
図３は本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドの一実施例を示す図であり、第３の絶縁膜１０を示している。第１の絶縁膜５のトラック幅方向外側の両側には第２の絶縁膜７が形成され、第２の絶縁膜７の上に第３の絶縁膜１０が形成されている。本実施例の構造は、センサ膜３と第１の絶縁膜５と磁区制御用磁性膜６の上には非磁性密着層２が存在せず、且つ第３の絶縁膜端部１０の上に非磁性密着層２２が存在する構造である。センサ膜３と磁区制御用磁性膜６の上面及び第１の絶縁膜５の上端面は磁性体上部シールド１１に接している。本構造は図１〜２の構造に比べて、非磁性密着層２を作成する工程を省略でき、工程短縮及びコスト低減ができる。
【００１９】
図４は本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドの一実施例を示す図であり、第３の絶縁膜１０を示している。第１の絶縁膜５のトラック幅方向外側の両側には第２の絶縁膜７が形成され、磁区制御用磁性膜６の一部及び第２の絶縁膜７の上に第３の絶縁膜１０が連続して形成されている。センサ膜３と第１の絶縁膜５と磁区制御用磁性膜６の上には非磁性密着層２が存在せず、且つ第３の絶縁膜１０の上に非磁性密着層２２が存在する構造である。センサ膜３と磁区制御用磁性膜６のセンサ側の一部領域の上面及び第１の絶縁膜５のセンサ側の上端面は磁性体上部シールド１１に接している。本構造は図１〜２の構造に比べて、非磁性密着層２を作成する工程を省略でき、工程短縮及びコスト低減ができる。本実施例は、図３の第３の絶縁膜１０の成膜範囲を変えた構造である。図３よりも非磁性密着層２２がセンサ膜近傍に配置できる為、磁性体上部シールド１１の密着性を図３の形態よりも向上させることが可能である。
【００２０】
図５は、本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドの一実施例を示す図である。第１の絶縁膜５のトラック幅方向外側の両側に第２の絶縁膜７が形成され、第２の絶縁膜７の上に第３の絶縁膜１０が形成されている。本実施例では、非磁性密着層は第１の非磁性密着層２と第２の非磁性密着層２２からなる。センサ膜３の上には非磁性密着層２，２２が存在せず、且つ第１の絶縁膜５と磁区制御用磁性膜６の上に第１の非磁性密着層２が存在し、第３の絶縁膜１０の上に第２の非磁性密着層２２が存在する構造である。センサ膜３の上面は磁性体上部シールド１１に接している。本実施例は、図３の構造に非磁性密着層２を作成する工程を追加して磁性体上部シールド１１の密着性を高めている。
【００２１】
図６は、本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドの一実施例を示す図である。本実施例では、非磁性密着層は第１の非磁性密着層２と第２の非磁性密着層２２からなる。センサ膜３の上には非磁性密着層２，２２が存在せず、且つ第１の絶縁膜５と磁区制御用磁性膜６の上に第１の非磁性密着層２が存在する。更に、第１の非磁性密着層２のトラック幅方向外側の一部領域と第２の絶縁膜７の上に連続して第３の絶縁膜１０が形成され、第３の絶縁膜１０の上に第２の非磁性密着層２２が存在する構造である。センサ膜３の上面は磁性体上部シールド１１に接している。本構造は、図５の構造に対して第３の絶縁膜１０の成膜範囲を変えた構造である。センサ膜上部以外には第１の非磁性密着層２、もしくは第２の非磁性密着層２２が必ずあり、磁性体上部シールドの密着性をより高めている。
【００２２】
図７は、本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドの一実施例を示す図である。本実施例では、非磁性密着層は第１の非磁性密着層２と第２の非磁性密着層２２からなる。センサ膜３と第１の絶縁膜５の上には非磁性密着層２，２２が存在せず、且つ磁区制御用磁性膜６の上に第１の非磁性密着層２が存在し、第３の絶縁膜１０の上に第２の非磁性密着層２２が存在する構造である。センサ膜３の上面は磁性体上部シールド１１に接している。本構造は図５の構造に比べて、トラック端部のシールド間隔が縮まることによって、隣接ビットの影響が低減でき、分解能が上がる。更に、非磁性密着層２を作成する工程を追加して密着性を高めている。
【００２３】
図８は、本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドの一実施例を示す図である。本実施例では、非磁性密着層は第１の非磁性密着層２と第２の非磁性密着層２２からなる。センサ膜３と第１の絶縁膜５の上には非磁性密着層２，２２が存在せず、且つ磁区制御用磁性膜６の上に第１の非磁性密着層２が存在する。更に、第１の非磁性密着層２のトラック幅方向外側の一部領域と更にその外側の領域の上に連続して第３の絶縁膜１０が形成され、第３の絶縁膜１０の上に第２の非磁性密着層２２が存在する構造である。本構造は、図７の構造と第３の絶縁膜１０の成膜範囲を変えた構造である。センサ膜３の上面は磁性体上部シールド１１に接している。センサ膜３の上面と第１の絶縁膜５のセンサ側上端面以外には第１の非磁性密着層２、もしくは第２の非磁性密着層２２が必ずあり、より密着性を高めている。
【００２４】
上述したいずれの実施例においても、第１の非磁性密着層２と第２の非磁性密着層２２は、Ｃｒ，Ｔａ，Ｔｉ，ＮｉＣｒや、これらの合金又は酸化膜で構成されている。
【００２５】
次に、本発明の高密度磁気ディスクの再生ヘッドの製造方法の一実施例について、図９及び図１０を用いて説明する。
【００２６】
図９（ａ）：まず、磁性体下部シールド１上にＴＭＲ膜などのセンサ膜３を形成する。その後、素子高さ形成レジスト８を形成する。
図９（ｂ）：素子高さ形成レジスト８をエッチングマスクとして、センサ膜３をエッチングする。そして、素子高さ形成レジスト８がある状態で、第２の絶縁膜７を形成する。図示していないが、その後、素子高さ形成レジスト８をリフトオフすることにより素子高さ形成レジスト８を用いたエッチング部分にのみ第２の絶縁膜７が配置される。
図９（ｃ）：トラック形成レジスト４を形成する。
図９（ｄ）：トラック形成レジスト４をエッチングマスクとして用い、センサ膜３と第２の絶縁膜７をエッチングする。
【００２７】
図１０（ａ）：トラック形成レジスト４を残した状態で、次にセンサ壁面の絶縁性を確保する為に第１の絶縁膜５と磁区制御用磁性膜６と非磁性密着層２を形成する。
図１０（ｂ）：トラック形成レジスト４をリフトオフすることにより不要な部分の第１の絶縁膜５と磁区制御用磁性膜６と非磁性密着層２を除去する。
図１０（ｃ）：第３の絶縁膜形成レジスト２０を形成する。その後、第３の絶縁膜１０と、第２の非磁性密着層２２を形成する。
図１０（ｄ）：第３の絶縁膜形成レジスト２０をリフトオフすることにより、不要な部分の第３の絶縁膜１０と、第２の非磁性密着層２２を除去する。
図１０（ｅ）：磁性体上部シールド１１を形成する。
【００２８】
上記製造方法を用いることで、図５に示した再生ヘッドの構造を安定に得ることが可能となる。
【００２９】
次に、本発明の高密度磁気ディスクの再生ヘッドの製造方法の別の方法について説明する。図９（ａ）から図９（ｄ）までの工程は共通なので説明を省略し、その後の工程について説明する。
【００３０】
図１１（ａ）：トラック形成レジスト４を残した状態で、次にセンサ壁面の絶縁性を確保する為に第１の絶縁膜５と磁区制御用磁性膜６を形成する。
図１１（ｂ）：トラック形成レジスト４をリフトオフすることにより不要な部分の第１の絶縁膜５と磁区制御用磁性膜６を除去する。
図１１（ｃ）：第３の絶縁膜形成レジスト２０を形成する。その後、第３の絶縁膜１０と第２の非磁性密着層２２を形成する。
図１１（ｄ）：第３の絶縁膜形成レジスト２０をリフトオフすることにより不要な部分の第３の絶縁膜１０と、第２の非磁性密着層２２を除去する。
図１１（ｅ）：磁性体上部シールド１１を形成する。
【００３１】
上記製造方法を用いることで、図３に示した再生ヘッドの構造を安定に得ることが可能となる。
【００３２】
次に、本発明の高密度磁気ディスクの再生ヘッドの製造方法の別の方法について説明する。図９（ａ）から図９（ｄ）までの工程は共通なので説明を省略し、その後の工程について説明する。
【００３３】
図１２（ａ）：トラック形成レジスト４を残した状態で、次にセンサ壁面の絶縁性を確保する為に、コンフォーマルに第１の絶縁膜５を形成し、次に磁区制御用磁性膜６を形成する。
図１２（ｂ）：トラック形成レジスト４をリフトオフすることにより、不要な部分の第１の絶縁膜５と磁区制御用磁性膜６を除去する。
図１２（ｃ）：第３の絶縁膜形成レジスト２０を形成する。その後、第３の絶縁膜１０と第２の非磁性密着層２２を形成する。
図１２（ｄ）：第３の絶縁膜形成レジスト２０をリフトオフすることにより、不要な部分の第３の絶縁膜１０と第２の非磁性密着層２２を除去する。
図１２（ｅ）：磁性体上部シールド１１を形成する。
【００３４】
上記製造方法を用いることで、図７に示した再生ヘッドの構造を安定に得ることが可能となる。
【００３５】
以上、実施例を用いて本発明の内容を具体的に説明してきた。本発明の基本的な技術思想、説明に基づいて種々の変形形態をとりえることが可能である。
【００３６】
例えば、図８の構造はセンサ膜３と第１の絶縁膜５の上には非磁性密着層が存在せず、且つ磁区制御用磁性膜６と第３の絶縁膜１０の上に非磁性密着層が存在する構造であるが、本発明の思想に依ればセンサ膜上に非磁性密着層を配置しない構造であれば良い。つまり、第一の絶縁膜５上に非磁性密着層を配置する構造と組み合わせることも可能である。
【００３７】
なお、センサ膜３についての膜構成については詳細には触れてはいないが、センサ膜３に対して垂直な方向に検知電流を流すデバイスであれば、本発明の効果は変わるものではない。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドの実施例を示す図である。
【図２】本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドの実施例を示す図である。
【図３】本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドの実施例を示す図である。
【図４】本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドの実施例を示す図である。
【図５】本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドの実施例を示す図である。
【図６】本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドの実施例を示す図である。
【図７】本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドの実施例を示す図である。
【図８】本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドの実施例を示す図である。
【図９】本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドのプロセスフロー説明図である。
【図１０】本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドのプロセスフロー説明図である。
【図１１】本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドのプロセスフロー説明図である。
【図１２】本発明による高密度磁気ディスクの再生ヘッドのプロセスフロー説明図である。
【符号の説明】
【００３９】
１．磁性体下部シールド
２．非磁性密着層
３．センサ膜
４．トラック形成レジスト
５．第１の絶縁膜
６．磁区制御用磁性膜
７．第２の絶縁膜
８．素子高さ形成レジスト
１０．第３の絶縁膜
１１．磁性体上部シールド
２０．第３の絶縁膜形成レジスト
２２．第２の非磁性密着層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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