(57)【要約】【課題】低コストでパッケージ内の半導体素子に生じる応力を低減することが可能で、且つ、配線基板との接合部の信頼性を向上可能な半導体デバイスを提供する。【解決手段】表面実装型のパッケージ１０１は、一面が開放された箱状に形成されるとともに半導体素子Ａに電気的に接続される複数のリード１１２のアウタリード１１２ｂが外側面から導出された中空のプラスチックパッケージ本体１０２と、プラスチックパッケージ本体１０２の上記一面を閉塞する形でプラスチックパッケージ本体１０２に気密的に接合されるパッケージ蓋１０３とで構成される。半導体素子Ａは、当該半導体素子Ａの外周形状に基づいて規定した仮想三角形の３つの頂点に対応する３箇所で接着剤（例えば、弾性率が１ＭＰａ以下のシリコーン樹脂などのシリコーン系樹脂など）からなる接着部１０４によりプラスチックパッケージ本体１０２の底部に固着されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、当該半導体素子が収納された表面実装型のパッケージとを備え、パッケージは、一面が開放された箱状に形成されるとともに半導体素子に電気的に接続される複数のリードのアウタリードが外側面から導出された中空のプラスチックパッケージ本体と、プラスチックパッケージ本体の前記一面を閉塞する形でプラスチックパッケージ本体に気密的に接合されるパッケージ蓋とで構成され、半導体素子の外周形状が矩形状であり、半導体素子が当該半導体素子の外周形状に基づいて規定した仮想三角形の３つの頂点に対応する３箇所で接着剤からなる接着部によりプラスチックパッケージ本体の底部に固着されてなることを特徴とする半導体デバイス。
【請求項２】
前記プラスチックパッケージ本体は、前記底部において前記３箇所それぞれに対応する各部位に、前記接着剤により被覆される突起部が連続一体に突設されてなることを特徴とする請求項１記載の半導体デバイス。
【請求項３】
前記接着剤は、シリコーン系樹脂であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の半導体デバイス。
【請求項４】
前記半導体素子は、前記セラミックパッケージ本体の前記底部側とは反対側の表面側において全てのパッドが１辺に沿って配置されており、当該１辺の両端の２箇所と、当該１辺に平行な辺の１箇所との３箇所に前記接着部が位置していることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項５】
前記プラスチックパッケージ本体が熱可塑性樹脂により形成されるとともに、前記パッケージ蓋が金属により形成され、前記プラスチックパッケージ本体と前記パッケージ蓋とは融着により接合されてなることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項６】
前記プラスチックパッケージ本体の内側で前記各リードにおけるインナリードの露出部位および前記プラスチックパッケージ本体における前記露出部位の周部を覆う非透湿性の樹脂からなる樹脂被覆部が設けられてなることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【請求項７】
前記半導体素子の前記パッドにおけるボンディングワイヤの接合部を局所的に覆う樹脂からなる保護部が設けられてなることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の半導体デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子をパッケージに収納した半導体デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの小型高機能化のニーズに伴い、層間絶縁膜として低誘電率（low-k）材料を用いたＩＣチップや、ＭＥＭＳ（Micro  Electro  Mechanical  Systems）チップ（例えば、加速度センサチップ、ジャイロセンサチップなど）などの半導体素子の開発が各所で行われているが、この種の半導体素子は、脆弱であり、パッケージのパッケージ本体に１次実装する１次実装工程や、パッケージをプリント配線基板などの配線基板に２次実装する２次実装工程で発生する応力が問題視されている。
【０００３】
これに対して、１次実装工程で半導体素子に発生する応力を低減することが可能な半導体デバイスとして、半導体素子である加速度センサチップを基板に実装した加速度センサが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
ここで、上記特許文献１に記載された半導体デバイスは、図１１に示すように、ピエゾ抵抗型の加速度センサチップからなる半導体素子Ａ’と、一面が開放された箱状であって底部の搭載面２０２ａ’に半導体素子Ａ’の裏面側の４箇所が接着剤からなる接着部２０４’により固着された中空のセラミックパッケージ本体２０２’と、半導体素子Ａ’の主表面側の４箇所が接着剤からなる接着部２０７’により固着され半導体素子Ａ’の重り部１３’の過度な変位を規制する硼珪酸ガラス基板からなる規制板２０５’と、セラミックパッケージ本体２０２’の上記一面を閉塞する形で接着剤からなる接着部２０８’によりセラミックパッケージ本体２０２’に封着された矩形板状のセラミックパッケージ蓋２０３’とを備えており、セラミックパッケージ本体２０２’とセラミックパッケージ蓋２０３’とで半導体素子Ａ’を収納する表面実装型のパッケージ２０１’が構成されている。
【０００５】
ここにおいて、上記特許文献１では、上述の半導体素子Ａ’が接する接着部２０４’，２０７’用の接着剤として、球状のスペーサが混合されたシリコーン樹脂を用いており、セラミックパッケージ本体２０２’とセラミックパッケージ蓋２０３’とが接する接着部２０８’用の接着剤として、低融点ガラスを用いている。なお、図１１に示した構成の半導体デバイスでは、半導体素子Ａ’の主表面側のパッド（図示せず）と、セラミックパッケージ本体２０２’の内側で露出した膜状の導体パターン（図示せず）とがボンディングワイヤ（図示せず）を介して電気的に接続されている。また、セラミックパッケージ本体２０２’の上記導体パターンは、当該セラミックパッケージ本体２０２’の外底面と外側面とに跨って形成された外部接続用電極と電気的に接続されている。なお、この種の半導体デバイスにおいては、規制板２０５’の代わりに、半導体素子Ａ’と協働する信号処理回路が形成されたＩＣチップを用いたものも提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
また、従来から、図１２に示すように、センサ本体１’の厚み方向の両面にガラス基板からなる固定基板２’，３’が接合され、センサ本体１’に可動電極１５’が設けられるとともに各ガラス基板２’，３’に固定電極２５’，２５’が設けられた静電容量型の加速度センサチップからなる半導体素子Ａ’と、当該半導体素子Ａ’が球状のアルミナのスペーサ２２６’を混合したシリコーン樹脂からなる接着部２２４’により固着されたセラミック基板２２２’とを備えた加速度センサが提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００７】
ここにおいて、図１２に示した構成の加速度センサでは、スペーサ２２６’の粒径を０．０１ｍｍ〜０．１ｍｍの範囲で制御することにより、セラミック基板２２２’と半導体素子Ａ’との線膨張率差に起因して半導体素子Ａ’に発生する熱応力を低減でき、半導体素子Ａ’をセラミック基板２２２’に対して精度良く平行に配置することができる。
【０００８】
また、従来から、半導体デバイスとして、図１３に示すように、ＣＣＤチップからなる半導体素子Ａ’と、半導体素子Ａ’が収納されたパッケージ３０１’とを備え、パッケージ３０１’が、一面が開放された箱状に形成されるとともに半導体素子Ａ’に電気的に接続される多数のリード３１２’を一体に有する中空のパッケージ本体３０２’と、パッケージ本体３０２’の上記一面を閉塞する形でパッケージ本体３０２’に気密的に接合されるパッケージ蓋３０３’とで構成され、パッケージ本体３０２’が、当該パッケージ本体３０２’の底部の一部を構成し半導体素子Ａ’がマウント材３０４’により接合される長尺の金属ベース３０２ａ’と、金属ベース３０２ａ’に固定される樹脂枠体３０２ｂ’と、樹脂枠体３０２ｂ’に一体に形成された多数のリード３１２’とで構成されたものが提案されている（例えば、特許文献４参照）。ここにおいて、半導体素子Ａ’の各パッド（図示せず）は、ボンディングワイヤＷ’を介してリード３１２’のインナリード３１２ａ’と電気的に接続されている。
【０００９】
なお、図１３に示した構成の半導体デバイスでは、ガラス基板からなるパッケージ蓋３０３’がパッケージ本体３０２’に対して紫外線硬化樹脂からなる接着部３０８’により気密的に接合されている。また、図１３に示した構成の半導体デバイスでは、多数のリード３１２’が一対のリードフレームを用いて形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００４−２１２２４６号公報
【特許文献２】特開２００６−１３３１２３号公報
【特許文献３】特開平５−３３３０５６号公報
【特許文献４】特開２００２−３３４９７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、図１１に示した構成の半導体デバイスでは、半導体素子Ａ’が４箇所で接着部２０４’によりセラミックパッケージ本体２０２’に固着されているので、半導体素子Ａ’をセラミックパッケージ本体２０２’に実装するにあたって、図１４（ａ）に示すようにセラミックパッケージ本体２０２’における半導体素子Ａ’の搭載面２０２ａ’上の４箇所に常温下で接着剤２０４ａ’を塗布してから半導体素子Ａ’を搭載した後、接着剤２０４ａ’が硬化するように所定温度（例えば、１５０℃）に加熱すると図１４（ｂ）に示すようにセラミックパッケージ本体２０２’が熱変形し、その後、常温になると図１４（ｃ）に示すようにセラミックパッケージ本体２０２’が熱変形のない状態に戻ろうとするが、半導体素子Ａ’はセラミックパッケージ本体２０２’が熱変形した状態で固定されていたので、半導体素子Ａ’が変形して応力が発生してしまう。
【００１２】
また、図１１に示した構成の半導体デバイスでは、パッケージ２０１’の気密性は高いものの、セラミックパッケージ本体２０２’と樹脂系基板（例えば、ＦＲ−４など）を用いたプリント配線基板からなる配線基板との線膨張率差が大きいため、セラミックパッケージ本体２０２’の外底面と外側面とに跨って形成された外部接続電極を、プリント配線板などの配線基板に対して半田からなる接合部を介して２次実装して使用する場合、温度サイクルに起因した熱ストレスがかかると、セラミックパッケージ本体２０２’と配線基板との線膨張率差に起因して接合部に応力がかかり、接合部にクラックが発生して通電不良の原因になる恐れがあった。なお、本願発明者らは、セラミックパッケージを用いた場合、−４０℃の低温期間と１２５℃の高温期間とを３０分ずつ交互に繰り返すヒートサイクル試験において数百サイクル程度で、半田からなる接合部にクラックが発生し、信頼性に問題があるという実験結果を得た。
【００１３】
また、図１２に示した構成の半導体デバイスでは、図１５（ａ）に示すように半導体素子Ａ’とセラミック基板２２２’との間隔を一定に保つことができる反面、図１５（ｂ）に示すように、セラミック基板２２２’の反り変形が半導体素子Ａ’にそのまま伝わり、半導体素子Ａ’に曲げ応力が発生してしまう。したがって、セラミック基板２２２’がパッケージの一部を構成している場合、パッケージ内の半導体素子Ａ’に生じる応力が大きくなってしまう。
【００１４】
また、図１３に示した構成の半導体デバイスでは、パッケージ本体３０２’の構造が複雑でコストが高くなってしまう。
【００１５】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、低コストでパッケージ内の半導体素子に生じる応力を低減することが可能で、且つ、配線基板との接合部の信頼性を向上可能な半導体デバイスを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
請求項１の発明は、半導体素子と、当該半導体素子が収納された表面実装型のパッケージとを備え、パッケージは、一面が開放された箱状に形成されるとともに半導体素子に電気的に接続される複数のリードのアウタリードが外側面から導出された中空のプラスチックパッケージ本体と、プラスチックパッケージ本体の前記一面を閉塞する形でプラスチックパッケージ本体に気密的に接合されるパッケージ蓋とで構成され、半導体素子の外周形状が矩形状であり、半導体素子が当該半導体素子の外周形状に基づいて規定した仮想三角形の３つの頂点に対応する３箇所で接着剤からなる接着部によりプラスチックパッケージ本体の底部に固着されてなることを特徴とする。
【００１７】
この発明によれば、一面が開放された箱状に形成されるとともに半導体素子に電気的に接続される複数のリードのアウタリードが外側面から導出された中空のプラスチックパッケージ本体を備え、半導体素子が当該半導体素子の外周形状に基づいて規定した仮想三角形の３つの頂点に対応する３箇所で接着剤からなる接着部によりプラスチックパッケージ本体の底部に固着されているので、半導体素子のプラスチックパッケージ本体への１次実装時、パッケージの配線基板への２次実装時などの温度変化に起因して半導体素子が変形するのを抑制することができ、低コストでパッケージ内の半導体素子に生じる応力を低減することが可能となり、しかも、プラスチックパッケージ本体がリードを一体に有しているので、配線基板との接合部に温度サイクルに起因したクラックが発生するのを抑制でき、信頼性を向上可能となる。
【００１８】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記プラスチックパッケージ本体は、前記底部において前記３箇所それぞれに対応する各部位に、前記接着剤により被覆される突起部が連続一体に突設されてなることを特徴とする。
【００１９】
この発明によれば、前記プラスチックパッケージ本体の前記底部と前記半導体素子との所望の間隔を容易に確保することが可能となるとともに、球状のスペーサを混合した接着剤を用いる場合に比べて当該間隔の設定の自由度が高くなる。
【００２０】
請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明において、前記接着剤は、シリコーン系樹脂であることを特徴とする。
【００２１】
この発明によれば、前記接着剤としてエポキシ樹脂に比べて弾性率の低いシリコーン系樹脂を用いることにより、前記プラスチックパッケージ本体から前記半導体素子への応力の伝達を抑制することができる。
【００２２】
請求項４の発明は、請求項１ないし請求項３の発明において、前記半導体素子は、前記セラミックパッケージ本体の前記底部側とは反対側の表面側において全てのパッドが１辺に沿って配置されており、当該１辺の両端の２箇所と、当該１辺に平行な辺の１箇所との３箇所に前記接着部が位置していることを特徴とする。
【００２３】
この発明によれば、前記半導体素子の各パッドにボンディングワイヤを、超音波を利用するワイヤボンディング技術により安定してボンディングすることができる。
【００２４】
請求項５の発明は、請求項１ないし請求項４の発明において、前記プラスチックパッケージ本体が熱可塑性樹脂により形成されるとともに、前記パッケージ蓋が金属により形成され、前記プラスチックパッケージ本体と前記パッケージ蓋とは融着により接合されてなることを特徴とする。
【００２５】
この発明によれば、前記プラスチックパッケージ本体と前記パッケージ蓋とが融着により接合されているので、前記プラスチックパッケージ本体と前記パッケージ蓋とを接着剤により接合してある場合に比べて、前記パッケージの気密性を高くすることができる。
【００２６】
請求項６の発明は、請求項１ないし請求項５の発明において、前記プラスチックパッケージ本体の内側で前記各リードにおけるインナリードの露出部位および前記プラスチックパッケージ本体における前記露出部位の周部を覆う非透湿性の樹脂からなる樹脂被覆部が設けられてなることを特徴とする。
【００２７】
この発明によれば、前記各リードにおけるインナリードの露出部位および前記プラスチックパッケージ本体における前記露出部位の周部を覆う非透湿性の樹脂からなる樹脂被覆部が設けられているので、前記半導体素子に樹脂による応力をかけずに、前記各リードと前記プラスチックパッケージ本体との界面を通してパッケージ内へ外部からの水分やガスが侵入するのを防止することができる。
【００２８】
請求項７の発明は、請求項１ないし請求項６の発明において、前記半導体素子の前記パッドにおけるボンディングワイヤの接合部を局所的に覆う樹脂からなる保護部が設けられてなることを特徴とする。
【００２９】
この発明によれば、前記半導体素子の前記パッドとボンディングワイヤとの接合部の信頼性を高めながらも、前記半導体素子およびボンディングワイヤを樹脂により封止する場合に比べて前記半導体素子にかかる応力を低減できる。
【発明の効果】
【００３０】
請求項１の発明では、低コストでパッケージ内の半導体素子に生じる応力を低減することが可能で、且つ、配線基板との接合部の信頼性を向上可能となるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】実施形態の半導体デバイスを示し、（ａ）は概略分解斜視図、（ｂ）は概略断面図である。
【図２】同上の半導体デバイスの概略分解斜視図である。
【図３】同上の半導体デバイスにおける半導体素子の概略分解斜視図である。
【図４】同上の半導体デバイスにおける半導体素子のセンサ本体を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略下面図である。
【図５】同上の半導体デバイスにおける半導体素子のセンサ本体を示し、図４（ａ）のＤ−Ｄ’概略断面図である。
【図６】同上の半導体デバイスにおける半導体素子の１次実装工程の説明図である。
【図７】同上の半導体デバイスにおける半導体素子の１次実装工程の説明図である。
【図８】同上の半導体デバイスの要部説明図である。
【図９】同上の半導体デバイスの製造方法の説明図である。
【図１０】同上の半導体デバイスの製造方法の説明図である。
【図１１】従来例の半導体デバイスの概略断面図である。
【図１２】他の従来例の半導体デバイスの概略断面図である。
【図１３】別の従来例の半導体デバイスを示し、（ａ）は概略断面図、（ｂ）は一部破断した概略側面図である。
【図１４】図１１の半導体デバイスにおける半導体素子の１次実装工程の説明図である。
【図１５】図１２の半導体デバイスにおける半導体素子の１次実装工程の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本実施形態の半導体デバイスについて図１ないし図１０を参照しながら説明する。
【００３３】
本実施形態の半導体デバイスは、図１および図２に示すように、ＭＥＭＳチップの一種である加速度センサチップからなる半導体素子Ａと、当該半導体素子Ａが収納された表面実装型のパッケージ１０１とを備えている。
【００３４】
パッケージ１０１は、一面（図１（ｂ）における上面）が開放された箱状に形成されるとともに半導体素子Ａに電気的に接続される複数のリード１１２のアウタリード１１２ｂが外側面から導出された中空のプラスチックパッケージ本体１０２と、プラスチックパッケージ本体１０２の上記一面を閉塞する形でプラスチックパッケージ本体１０２に気密的に接合されるパッケージ蓋（リッド）１０３とで構成されている。
【００３５】
半導体素子Ａは、静電容量型の加速度センサチップであって、図３ないし図５に示すように、半導体基板であるＳＯＩ基板１０を用いて形成されたセンサ本体１と、第１のガラス基板２０を用いて形成されセンサ本体１の一表面側（図５における上面側）に固定された第１の固定基板２と、第２のガラス基板３０を用いて形成されセンサ本体１の他表面側に固定された第２の固定基板３とを備えている。ここにおいて、センサ本体１および各固定基板２，３の外周形状は矩形状であり、各固定基板２，３はセンサ本体１と同じ外形寸法に形成されている。また、本実施形態では、半導体基板として、シリコン基板からなる支持基板１０ａ上のシリコン酸化膜からなる絶縁層（埋込酸化膜）１０ｂ上にｎ形のシリコン層（活性層）１０ｃを有するＳＯＩ基板１０を用いているが、ＳＯＩ基板１０に限らず、例えば、シリコン基板を用いてもよい。また、各固定基板２，３が、ガラス基板２０，３０を用いて形成されているが、ガラス基板２０，３０に限らず、シリコン基板を用いて形成してもよい。
【００３６】
センサ本体１は、２つの平面視矩形状の開口窓１２が上記一表面に沿って並設されたフレーム部１１と、フレーム部１１の各開口窓１２の内側において各固定基板２，３から離間して配置された２つの平面視矩形状の重り部１３と、フレーム部２１の各開口窓１２の内側で重り部１３を挟む形で配置され上記一表面側においてフレーム部１１と重り部１３とを連結した各一対の支持ばね部１４，１４とを備えており、フレーム部１１が各固定基板２，３と接合されている。なお、半導体素子Ａは、フレーム部１１の周部が全周に亘って各固定基板２，３の周部と接合されており、フレーム部１１と各固定基板２，３とで、チップサイズパッケージが構成されている。
【００３７】
ところで、センサ本体１のフレーム部１１には、各開口窓１２それぞれに連通する平面視矩形状の窓孔１７が２つの開口窓１２と同じ方向に並設されており、各窓孔１７の内側には、それぞれ２つの固定子１６が一対の支持ばね部１４，１４の並設方向に沿って配置されている。
【００３８】
各固定子１６は、窓孔１７の内周面との間、重り部１３の外周面との間、および隣り合う固定子１６との間に隙間が形成されており、互いに分離独立して電気的に絶縁されており、フレーム部１１とも電気的に絶縁されている。ここにおいて、各固定子１６は、両固定基板２，３と接合されている。また、センサ本体１の上記一表面側において、各固定子１６には、金属薄膜（例えば、Ａｌ−Ｓｉ膜）からなる円形状のパッド１８が形成され、フレーム部１１において隣り合う窓孔１７の間の部位にも、金属薄膜（例えば、Ａｌ−Ｓｉ膜）からなる円形状のパッド１８が形成されている。
【００３９】
また、第２の固定基板２には、各パッド１８を各別に露出させる複数（ここでは、５つ）のテーパ状の貫通孔２８が形成されている。ここで、第２の固定基板２は、各貫通孔２８を、センサ本体１から離れるにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ状に形成してあり、センサ本体１において各パッド１８それぞれの外周縁から離れた各部位に各貫通孔２８の周部が接合されるように開口面積を設定してある。本実施形態における半導体素子Ａは、静電容量型の加速度センサチップであり、各固定子１６に形成された各パッド１８は後述の各固定電極２５に電気的に接続され、フレーム部１１に形成されたパッド１８は後述の各可動電極１５に電気的に接続されている。以上説明した複数のパッド１８は、半導体素子Ａの矩形状の外周形状の１辺に沿って配置されている。なお、半導体素子Ａは、各パッド１８を、第１の固定基板２におけるセンサ本体１側とは反対側の表面において当該半導体素子Ａの矩形状の外周形状の１辺に沿って配置して適宜の配線により各固定電極２５および各可動電極１５と電気的に接続するようにしてもよい。
【００４０】
以下、図４の左側に示した直交座標系のように、重り部１３が並ぶ方向をｙ軸方向、センサ本体１の上記一表面に沿う面内でｙ軸方向に直交する方向をｘ軸方向、ｘ軸方向とｙ軸方向とに直交する方向（つまり、センサ本体１の厚み方向）をｚ軸方向として説明する。
【００４１】
半導体素子Ａにおける各支持ばね部１４，１４は、ねじれ変形が可能なトーションばね（トーションバー）であって、フレーム部１１および重り部１３に比べて薄肉に形成されており、重り部１３は、フレーム部１１に対して一対の支持ばね部１４，１４の回りで変位可能となっている（ｙ軸方向の軸回りで可動可能となっている）。つまり、一対の支持ばね部１４，１４は、フレーム部１１に対して重り部１３が揺動自在となるようにフレーム部１１と重り部１３とを連結している。言い換えれば、フレーム部１１の開口窓１２の内側に配置される重り部１３は、当該重り部１３から相反する２方向へ延長された２つの支持ばね部１４，１４を介してフレーム部１１に揺動自在に支持されている。ここにおいて、フレーム部１１は、ＳＯＩ基板１０の支持基板１０ａ、絶縁層１０ｂ、シリコン層１０ｃそれぞれを利用して形成してある。これに対して、支持ばね部１４は、ＳＯＩ基板１０におけるシリコン層１０ｃを利用して形成してあり、フレーム部１１よりも薄肉となっている。また、重り部１３は、上述のＳＯＩ基板１０の支持基板１０ａ、絶縁層１０ｂ、シリコン層１０ｃそれぞれを利用して形成してある。半導体素子Ａのセンサ本体１は、バルクマイクロマシニング技術などを利用して形成してある。
【００４２】
また、各固定子１６は、ＳＯＩ基板１０の支持基板１０ａ、絶縁層１０ｂ、シリコン層１０ｃそれぞれを利用して形成してあり、ＳＯＩ基板１０に適宜加工を施してから当該ＳＯＩ基板１０を第２の固定基板３に陽極接合により接合した後に、フレーム部１１から分離されている。
【００４３】
ところで、半導体素子Ａは、センサ本体１の上記一表面側に接合される第１の固定基板２側への重り部１３の変位空間を確保するために、重り部１３、各支持ばね部１４，１４、およびフレーム部１１における開口窓１２の周部それぞれに対応する各部位におけるシリコン層１０ｃの厚みを薄くしてあるが、これら各部位の厚みを薄くせずに、第１の固定基板２の基礎となる第１のガラス基板２０におけるセンサ本体１との対向面に重り部１３の変位空間形成用凹部を形成し、当該変位空間形成用凹部の内底面に固定電極２５を形成するようにしてもよい。また、半導体素子Ａは、センサ本体１の上記他表面側に接合される第２の固定基板３側への重り部１３の変位空間を確保するために、重り部１３およびフレーム部１１における開口窓１２の周部それぞれに対応する各部位における支持基板１０ａの厚みを薄くしてあるが、これら各部位の厚みを薄くせずに、第２の固定基板３の基礎となる第２のガラス基板３０におけるセンサ本体１との対向面に重り部１３の変位空間形成用凹部を形成するようにしてもよい。なお、本実施形態では、ＳＯＩ基板１０を用いて半導体素子Ａを形成しているので、シリコン基板を用いて形成する場合に比べて、各支持ばね部１４，１４の厚み寸法の精度を高めることができる。
【００４４】
また、センサ本体１の上記一表面側および上記他表面側には、重り部１３の過度の変位を規制する複数の微小な突起部１３ｃ（図５参照）が重り部１３における各固定基板２，３それぞれとの対向面から突設されている。しかして、重り部１３の過度の変位による支持ばね部１４，１４の破損や各固定基板２，３の破損などを防止することができる。ここで、突起部１３ｃは、ＳＯＩ基板１０の一部により構成してもよいし、別途に形成したシリコン酸化膜をパターニングすることにより構成してもよい。なお、このような突起部１３ｃは、センサ本体１に設けずに、各固定基板２，３それぞれにおける重り部１３との対向面に設けてもよい。また、第２の固定基板３における重り部１３との対向面には、金属薄膜（例えば、Ａｌ−Ｓｉ膜など）により構成され重り部１３の付着を防止する付着防止膜３５が形成されている。
【００４５】
本実施形態における半導体素子Ａは、上述の説明から分かるように、各重り部１３がｙ軸方向に沿って延長された一対の支持ばね部１４，１４を介してフレーム部１１に連結され、第１の固定基板２において各重り部１３それぞれに対向する部位ごとにｘ軸方向に沿って金属薄膜（例えば、Ａｌ−Ｓｉ膜など）からなる２つの固定電極２５が並設されるとともに、各重り部１３に可動電極１５が設けられており、ｚ軸方向において対向して対をなす可動電極１５と固定電極２５との対の間に空隙が形成されている。ここで、各一対の支持ばね部１４，１４は、平面視における重り部１３のｙ軸方向に沿った中心線の延長線上に形成されている。
【００４６】
また、センサ本体１の重り部１３は、上記他表面側において重り部１３のｙ軸方向の中心線（ここでは、一対の支持ばね部１４，１４を結ぶ直線に一致する）におけるｘ軸方向の両側に、矩形状に開口され互いに大きさの異なる凹部１３ａ，１３ｂが形成されており、当該両側の部分で平面サイズが同じであるにもかかわらず互いに質量が異なっている。また、センサ本体１は、重り部１３において開口サイズの大きな凹部１３ｂ内に、凹部１３ｂの矩形状の内底面の２つの対角線に沿ったＸ字状の補強壁１９が、凹部１３ｂの内底面と内側面とに連続する形で形成されている。また、センサ本体１は、隣り合う開口窓１２それぞれに配置された２つの重り部１３に関して、当該センサ本体１の上記一表面に沿った面内において一方の重り部１３が他方の重り部１３を１８０°回転させた形で形成されている。
【００４７】
上述の半導体素子Ａは、センサ本体１に設けられた可動電極１５と第１の固定基板２に設けられた固定電極２５との対を４対有しており、可動電極１５と固定電極２５との対ごとに可変容量コンデンサが構成されている。要するに、半導体素子Ａは、重り部１３が振動することにより、対をなす固定電極２５と可動電極１５との対向面積が変化し、可変容量コンデンサの静電容量が変化する。
【００４８】
なお、以下では、説明の便宜上、４個の固定電極２５について、図３における左上の固定電極２５の符号を２５Ａａ、左下の固定電極２５の符号を２５Ａｂ、右上の固定電極２５の符号を２５Ｂａ、右下の固定電極２５の符号を２５Ｂｂとし、２個の可動電極１５について、図３における左側の可動電極１５の符号を１５Ａ、右側の可動電極１５の符号を１５Ｂとして説明する。
【００４９】
ここにおいて、図３において４つの固定子１６それぞれに形成された４つのパッド１８について、左側から順に符号を１８Ａａ，１８Ａｂ，１８Ｂａ，１８Ｂｂとすれば、各パッド１８Ａａ，１８Ａｂ，１８Ｂａ，１８Ｂｂは、それぞれ、固定子１６、および第２の固定基板２において固定電極２５と連続一体に形成された金属配線２６（図５参照）を介して固定電極２５Ａａ，２５Ａｂ，２５Ｂａ，２５Ｂｂと電気的に接続されている。ここで、センサ本体１は、各固定子１６における重り部１３側の端部の表面をセンサ本体１の上記一表面よりも後退させてあり（各固定子１６における当該端部のシリコン層１０ｃの厚みを薄くしてあり）、固定子１６における当該端部の表面に、第２の固定基板２の金属配線２６が圧接される連絡用導体部１６ｄ（図４（ａ）および図５参照）が形成されている。また、フレーム部１１に形成されたパッド１８は、可動電極１５Ａ，１５Ｂの両方と電気的に接続されている。
【００５０】
ここで、半導体素子Ａの基本的な動作例について説明する。
【００５１】
いま、半導体素子Ａに加速度がかかっていない状態で、半導体素子Ａに対してｘ軸方向（ｘ軸の正方向）の加速度がかかって各重り部１３が一対の支持ばね部１４，１４を回動軸として回動して各可変容量コンデンサの静電容量が変化する。ここにおいて、半導体素子Ａに加速度がかかっていない状態での各可変容量コンデンサの静電容量をＣ０とし、ｘ軸方向の加速度がかかったときの、各可変容量コンデンサの静電容量の変化分をΔＣ、可動電極１５Ａと固定電極２５Ａａとで構成される可変容量コンデンサの静電容量をＣＡａ、可動電極１５Ａと固定電極２５Ａｂとで構成される可変容量コンデンサの静電容量をＣＡｂ、可変電極１５Ｂと固定電極２５Ｂａとで構成される可変容量コンデンサの静電容量をＣＢａ、可変電極１５Ｂと固定電極２５Ｂｂとで構成される可変容量コンデンサの静電容量をＣＢｂとすれば、
ＣＡａ＝Ｃ０＋ΔＣ
ＣＡｂ＝Ｃ０−ΔＣ
ＣＢａ＝Ｃ０＋ΔＣ
ＣＢｂ＝Ｃ０−ΔＣ
となる。ここで、一方の重り部１３側の２個の可変容量コンデンサの静電容量の差分値（＝ＣＡａ−ＣＡｂ）と、他方の重り部１３側の２個の可変容量コンデンサの静電容量の差分値（＝ＣＢａ−ＣＢｂ）との和は４ΔＣとなる。
【００５２】
また、同様に、半導体素子Ａにｚ軸方向の加速度がかかったときの、各可変容量コンデンサの静電容量の変化分をΔＣ、可動電極１５Ａと固定電極２５Ａａとで構成される可変容量コンデンサの静電容量をＣＡａ、可動電極１５Ａと固定電極２５Ａｂとで構成される可変容量コンデンサの静電容量をＣＡｂ、可変電極１５Ｂと固定電極２５Ｂａとで構成される可変容量コンデンサの静電容量をＣＢａ、可変電極１５Ｂと固定電極２５Ｂｂとで構成される可変容量コンデンサの静電容量をＣＢｂとすれば、
ＣＡａ＝Ｃ０＋ΔＣ
ＣＡｂ＝Ｃ０−ΔＣ
ＣＢａ＝Ｃ０−ΔＣ
ＣＢｂ＝Ｃ０＋ΔＣ
となる。ここで、一方の重り部１３側の２個の可変容量コンデンサの静電容量の差分値（＝ＣＡａ−ＣＡｂ）と、他方の重り部１３側の２個の可変容量コンデンサの静電容量の差分値（＝ＣＢｂ−ＣＢａ）との和は４ΔＣとなる。
【００５３】
しかして、｛（ＣＡａ−ＣＡｂ）＋（ＣＢａ−ＣＢｂ）｝の静電容量の変化に基づいて、半導体素子Ａのｘ軸方向に作用した加速度を検出することができ、｛（ＣＡａ−ＣＡｂ）＋（ＣＢｂ−ＣＢａ）｝の静電容量の変化に基づいて、半導体素子Ａのｚ軸方向に作用した加速度を検出することができる。
【００５４】
ここにおいて、本実施形態の半導体デバイスは、半導体素子Ａの出力信号を信号処理する信号処理回路が形成されたＩＣチップＢが、半導体素子Ａとともにパッケージ１０１に収納されている。ＩＣチップＢは、ＡＳＩＣ（Application  Specific  ＩＣ）であり、シリコン基板を用いて形成されており、裏面全面がシリコーン系樹脂を用いて接着されている。なお、ＩＣチップＢの機能は、半導体素子Ａの機能に応じて適宜設計すればよく、半導体素子Ａと協働するものであればよい。また、ＩＣチップＢは、必ずしも、半導体素子Ａと同一のパッケージ１０１に収納する必要はなく、この場合は、半導体素子Ａの各パッド１８に一端部が接続されるボンディングワイヤＷの他端部をプラスパッケージ本体１０２のリード１１２のインナリード１１２ａに接続すればよい。ただし、ＩＣチップＢを半導体素子Ａと同じパッケージ１０１に収納した場合のほうが、異なるパッケージに収納する場合に比べて、半導体デバイス全体の小型化および低コスト化を図れるとともに加速度の検出精度の向上を図れる。
【００５５】
本実施形態では、ＩＣチップＢが１枚のシリコン基板を用いて形成されているのに対して、半導体素子ＡがＳＯＩ基板１０と２つのガラス基板２０，３０とを用いて形成されており、半導体素子Ａの厚みがＩＣチップＢの厚みに比べて大きくなっているので、上述のプラスチックパッケージ本体１０２の底部において半導体素子Ａを搭載する搭載面１０２ａをＩＣチップＢの搭載部位よりも凹ませてある（したがって、半導体素子Ａを搭載する部位は底部の肉厚が他の部位に比べて薄くなっている）。なお、本実施形態では、プラスチックパッケージ本体１０２の外形を１０ｍｍ×７ｍｍ×３ｍｍの直方体としてあるが、この数値は一例であり、半導体素子ＡやＩＣチップＢの外形、リード１１２の本数やピッチなどに応じて適宜設定すればよい。
【００５６】
ところで、半導体素子Ａは、当該半導体素子Ａの外周形状に基づいて規定した仮想三角形の３つの頂点に対応する３箇所で接着剤（例えば、弾性率が１ＭＰａ以下のシリコーン樹脂などのシリコーン系樹脂など）からなる接着部１０４によりプラスチックパッケージ本体１０２に固着されている。ここにおいて、半導体素子Ａは、プラスチックパッケージ本体１０２の底部の搭載面１０２ａ側とは反対側の表面側（上記一表面側）において全てのパッド１８が１辺に沿って配置されており、当該１辺の両端の２箇所と、当該１辺に平行な辺の１箇所（ここでは、中央部）との３箇所とに頂点を有する仮想三角形の各頂点に接着部１０４が位置しており、各パッド１８にボンディングワイヤＷを安定してボンディングすることができる。なお、接着部１０４の位置に関し、上記１辺に平行な辺の１箇所については、中央部に限らず、例えば、両端の一方でもよいが、中央部の方が半導体素子Ａをより安定して支持することができるとともに、各パッド１８にボンディングワイヤＷを安定してボンディングすることができる。
【００５７】
以下、半導体素子Ａをプラスチックパッケージ本体１０２に１次実装する際の半導体素子Ａおよびプラスチックパッケージ本体１０２の底部の状態変化について図６に基づいて説明するが、（ａ）〜（ｃ）それぞれにおける上段は概略側面図、下段は概略斜視図である。
【００５８】
半導体素子Ａをプラスチックパッケージ本体１０２に１次実装するにあたっては、図６（ａ）に示すようにプラスチックパッケージ本体１０２における半導体素子Ａの搭載面１０２ａ上の３箇所に常温下で接着剤１０４ａをディスペンサなどにより塗布（滴下）してから半導体素子Ａを搭載した後、接着剤１０４ａが硬化するように所定温度（例えば、１５０℃）に加熱すると図６（ｂ）に示すようにプラスチックパッケージ本体１０２が熱変形し、その後、常温になると図６（ｃ）に示すようにプラスチックパッケージ本体１０２が熱変形のない状態に戻ろうとする。ここで、半導体素子Ａはプラスチックパッケージ本体１０２が熱変形した状態で固定されていたが、プラスチックパッケージ本体１０２に対して３箇所のみしか接着部１０４により固着されていないので、常温に戻ったときに温度変化によるプラスチックパッケージ本体１０２側の変形が半導体素子Ａには当該半導体素子Ａの傾きとして伝わり、半導体素子Ａの表面を３点で決定でき、半導体素子Ａが変形して応力が発生するのを防止することができる。プラスチックパッケージ本体１０２が常温に戻ったときに半導体素子Ａは図６（ｃ）の下段の概略斜視図に示すように若干傾くが、高低差がナノメータレベルの傾きであり、特に問題ない。なお、半導体素子Ａとしてチップサイズが１ｍｍ□〜１０ｍｍ□、厚みが０．１ｍｍ〜１ｍｍ程度の場合、接着剤１０４ａはφ２００μｍ〜φ１０００μｍ程度の領域に塗布すればよい。
【００５９】
以上説明したプラスチックパッケージ本体１０２への半導体素子Ａの実装構造では、プラスチックパッケージ本体１０２への実装時などの温度変化に起因して半導体素子Ａが変形するのを抑制することができ、半導体素子Ａに生じる応力を低減することが可能となる。ここで、半導体素子Ａが上述のような加速度センサチップであれば、半導体素子Ａにおける第２の固定基板２の４つの角部を固着した場合（つまり、４箇所で固着した場合）や半導体素子Ａの第２の固定基板２の周部を全周に亙って固着した場合に比べて、プラスチックパッケージ本体１０２から半導体素子Ａへの応力が支持ばね部１４に作用しにくく安定した精度の高い加速度測定が可能となる。
【００６０】
また、本実施形態では、接着剤１０４ａとしてエポキシ樹脂に比べて弾性率の低いシリコーン系樹脂を用いることにより、プラスチックパッケージ本体１０２から半導体素子Ａへの応力の伝達を抑制する（つまり、応力を緩和する）ことができる。
【００６１】
ここにおいて、接着剤１０４ａとして、シリコーン系樹脂に球状のスペーサ（例えば、ガラスやプラスチックにより形成されたスペーサ）が混合されたものを用いれば、半導体素子Ａとプラスチックパッケージ本体１０２との間の所望の間隔（ギャップ長）をスペーサにより確保することが可能となって、半導体素子Ａとプラスチックパッケージ本体１０２との間の接着部１０４の厚み精度の向上が可能となる。
【００６２】
しかしながら、スペーサが混合されたシリコーン系樹脂をディスペンサで滴下する場合には、ディスペンサのノズルにスペーサが詰まるのを防止するために、当該ノズルの内径によりスペーサの粒径が制限され、当該ノズルの内径よりも粒径が十分に小さなスペーサ（例えば、粒径が６μｍ〜３０μｍ程度のスペーサ）しか用いることができず、数十μｍ以上の粒径のスペーサを混合した樹脂を用いることができない。
【００６３】
そこで、本実施形態の半導体デバイスにおけるプラスチックパッケージ本体１０２は、当該プラスチックパッケージ本体１０２の底部において上述の３箇所それぞれに対応する各部位に、上記接着剤１０４ａにより被覆される円錐台状の突起部１０２ｂが連続一体に突設されている（つまり、プラスチックパッケージ本体１０２は、３つの突起部１０２が一体成形されている）。各突起部１０２ｂは、底面の直径を１００μｍ、高さを１００μｍに設定してある（アスペクト比＝１００／１００＝１）が、この数値は一例であって、これに限らず、例えば、底面の直径が１００μｍ、高さが２００μｍというように、より高アスペクト比（アスペクト比＝２００／１００＝２）の形状とすることも可能である。ここで、突起部１０２ｂの形状はプラスチックパッケージ本体１０２の成形用の金型で制御することができる。しかして、プラスチックパッケージ本体１０２の底部と半導体素子Ａとの所望の間隔を容易に確保することが可能となるとともに、球状のスペーサを混合した接着剤を用いる場合に比べて当該間隔の設定の自由度が高くなり、半導体素子Ａとプラスチックパッケージ本体１０２との間のギャップ長を大きくすることができ、プラスチックパッケージ本体１０２から半導体素子Ａへの応力の伝達抑制効果も大きくなる。
【００６４】
また、本実施形態における半導体素子Ａの実装構造によれば、各接着部１０４が半導体素子Ａの外周部に位置しているので、各接着部１０４が半導体素子Ａの外周部よりも内側に位置している場合に比べて、半導体素子Ａを安定して固定することができる。
【００６５】
ところで、半導体素子Ａは、上述のように当該半導体素子Ａの１辺に沿ってパッド１８が配列されているので、図７（ｂ）に示すように、接着部１０４が当該１辺の中央部と、当該１辺に平行な他の１辺の両端との３箇所に接着部１０３が位置している場合、ワイヤボンディング工程において、キャピラリなどの接合冶具（ツール）ＫＰを用い超音波を利用したワイヤボンディングを行う際に、半導体素子Ａが傾斜・振動してボンディングワイヤの接合を安定して行えないことがある。
【００６６】
これに対して、本実施形態では、図７（ａ）に示すように、半導体素子Ａにおいてパッド１８の配列方向に平行で且つパッド１８に近い１辺両端の２箇所と、当該１辺に平行な辺の中央部の１箇所との３箇所に接着部１０４が位置しているので、前記半導体素子の各パッドにボンディングワイヤを、超音波を利用するワイヤボンディング技術（超音波併用熱圧着ワイヤボンディング、超音波ワイヤボンディングなど）により安定してボンディングすることができる。なお、図７（ａ）中の下向きの矢印は、荷重および超音波の印加方向を示している。
【００６７】
また、本実施形態の半導体デバイスは、半導体素子Ａのパッド１８におけるボンディングワイヤＷの接合部を局所的に覆う樹脂（例えば、エポキシ樹脂など）からなる保護部（図示せず）が設けられているので、半導体素子Ａ全体に応力がかかるのを防止しつつ、半導体素子Ａのパッド１８とボンディングワイヤＷとの接合部の信頼性を高めることができる。（つまり、半導体素子Ａのパッド１８とボンディングワイヤＷとの接合部の信頼性を高めながらも、半導体素子ＡおよびボンディングワイヤＷを樹脂により封止する場合に比べて半導体素子Ａにかかる応力を低減できる。
【００６８】
また、本実施形態の半導体デバイスでは、図８（ｂ）に示すように、各接着部１０４の接着剤１０４ａ（図６参照）の一部が半導体素子Ａの側面まで這い上がるようにしてあるので、図８（ａ）に示すように接着部１０４が半導体素子Ａの底面のみに接着されている場合に比べて、横方向の力に対する接着部１０４の耐性を高めることができる。
【００６９】
ところで、上述のパッケージ１０１は、リード１１２のアウタリード１１２ｂがプラスチックパッケージ本体１０２の２つの外側面から導出されガルウィング形状に形成されている。しかして、本実施形態の半導体デバイスでは、配線基板への２次実装後において、配線基板との接合部の外観検査を容易に行うことができる。
【００７０】
プラスチックパッケージ本体１０２の材料としては、熱可塑性樹脂の一種であって、酸素および水蒸気の透過率が極めて低い液晶性ポリエステル（ＬＣＰ）を採用しているが、ＬＣＰに限らず、例えば、ポリフェニレンサルファイト（ＰＰＳ）、ポリビスアミドトリアゾール（ＰＢＴ）などを採用してもよい。
【００７１】
また、各リード１１２の材料、つまり、各リード１１２の基礎となるリードフレームの材料としては、リードフレーム材料として用いられる銅合金の中でもばね性の高いりん青銅を採用している。ここでは、リードフレームとして、材質がりん青銅で板厚が０．２ｍｍのリードフレームを用い、厚みが２μｍ〜４μｍのＮｉ膜と、厚みが０．２μｍ〜０．３μｍのＡｕ膜との積層膜からなるめっき膜を電解めっき法により形成してある。本実施形態の半導体デバイスでは、パッケージ１０２の各リード１１２に、上述のめっき膜が設けられているので、ワイヤボンディングの接合信頼性と半田付け信頼性とを両立させることができる。また、熱可塑性樹脂成形品のプラスパッケージ本体１０２は、リード１１２が同時一体に成形されているが、熱可塑性樹脂であるＬＣＰにより形成されるプラスチックパッケージ本体１０２とリード１１２のＡｕ膜とは密着性が低いので、上述のリードフレームのうちプラスチックパッケージ本体１０２に埋設される部位にパンチ穴を設けることで各リード１１２が抜け落ちるのを防止してある。
【００７２】
また、本実施形態の半導体デバイスは、プラスチックパッケージ本体１０２の内側で各リード１１２におけるインナリード１１２ａの露出部位およびプラスチックパッケージ本体１０２における上記露出部位の周部を覆う非透湿性の樹脂（例えば、アミン系エポキシ樹脂などのエポキシ系樹脂）からなる樹脂被覆部１１６が設けられている。ここで、樹脂被覆部１１６は、ワイヤボンディング工程の後でディスペンサを用いて上記非透湿性の樹脂を塗布し、硬化させることで、気密性を向上させている。なお、上記非透湿性の樹脂に代えてセラミックスを用いてもよく、セラミックスを用いる場合には、プラズマ溶射などの技術を用いて局所的に吹き付ければよい。
【００７３】
しかして、本実施形態の半導体デバイスでは、各リード１１２におけるインナリード１１２ａの露出部位およびプラスチックパッケージ本体１１２における上記露出部位の周部を覆う非透湿性の樹脂からなる樹脂被覆部１１６が設けられているので、半導体素子Ａに樹脂による応力をかけずに、各リード１１２とプラスチックパッケージ本体１０２との界面を通してパッケージ１０１内へ外部からの水分やガス（例えば、水蒸気など）が侵入するのを防止することができる。
【００７４】
また、ボンディングワイヤＷとしては、Ａｌワイヤに比べて耐腐食性の高いＡｕワイヤを用いている。また、ボンディングワイヤＷを構成するＡｕワイヤとしては直径が２５μｍのものを採用しているが、これに限らず、例えば、直径が２０μｍ〜５０μｍのＡｕワイヤから適宜選択すればよい。
【００７５】
また、パッケージ蓋１０３は、金属（例えば、ステンレス鋼など）により形成されている。しかして、プラスチックパッケージ本体１０２が熱可塑性樹脂により形成されるとともに、パッケージ蓋１０３が金属により形成されているので、プラスチックパッケージ本体１０２とパッケージ蓋１０３とを融着により接合することができる。ここにおいて、本実施形態の半導体デバイスでは、プラスチックパッケージ本体１０２とパッケージ蓋１０３とが融着により接合されており、プラスチックパッケージ本体１０２とパッケージ蓋１０３とを接着剤により接合してある場合に比べて、パッケージ１０１の気密性を高くすることができる。なお、パッケージ蓋１０３の適宜部位には、レーザマーキング技術により、製品名称や製造日時などを示す表記１１３が形成されている。
【００７６】
プラスチックパッケージ本体１０２とパッケージ蓋１０３とが融着により接合するには、例えば、図９に示すように、パッケージ蓋１０３の周部がプラスチックパッケージ本体１０２の上記一面に形成された段差部に載置されるようにパッケージ蓋１０３をプラスチックパッケージ本体１０２に嵌め込んでから、レーザビームＬＢを照射して加熱し融着させればよい。なお、パッケージ蓋１０３が未着色のＬＣＰなどにより形成されている場合には、パッケージ蓋１０３とプラスチックパッケージ本体１０２との界面も加熱することができ、より広い面積を融着することができる。
【００７７】
また、図１０に示すように、ヒータツールＨＴにより保持したパッケージ蓋１０３をプラスチックパッケージ本体１０２の材料（ここでは、ＬＣＰ）の融点以上の所定温度（例えば、４００℃程度）に加熱した状態で、プラスチックパッケージ本体１０２に押し付けることで融着させるようにしてもよい。
【００７８】
本実施形態の半導体デバイスの製造にあたっては、半導体素子ＡおよびＩＣチップＢをプラスチックパッケージ本体１０２に接着固定するダイボンディング工程を行ってから、半導体素子ＡとＩＣチップＢとの間、ＩＣチップＢとインナリード１１２ａとの間、それぞれをボンディングワイヤＷを介して電気的に接続するワイヤボンディング工程を行い、その後、樹脂被覆部１１６を形成する樹脂被覆部形成工程を行い、続いて、パッケージ蓋１０３をプラスチックパッケージ本体１０２に接合するシーリング工程を行えばよい。
【００７９】
以上説明した本実施形態の半導体デバイスによれば、一面が開放された箱状に形成されるとともに半導体素子Ａに電気的に接続される複数のリード１１２のアウタリード１１２ｂが外側面から導出された中空のプラスチックパッケージ本体１０２を備え、半導体素子Ａが当該半導体素子Ａの外周形状に基づいて規定した仮想三角形の３つの頂点に対応する３箇所で接着剤からなる接着部１０４によりプラスチックパッケージ本体１０２の底部に固着されているので、半導体素子Ａのプラスチックパッケージ本体１０２への１次実装時、パッケージ１０１の配線基板への２次実装時などの温度変化に起因して半導体素子Ａが変形するのを抑制することができ、低コストでパッケージ１０１内の半導体素子Ａに生じる応力を低減することが可能となり、しかも、プラスチックパッケージ本体１０２がリード１１２を一体に有しているので、配線基板との接合部に温度サイクルに起因したクラックが発生するのを抑制でき、信頼性を向上可能となる。
【００８０】
上述の実施形態では、半導体素子Ａとして、ＭＥＭＳチップの一例として静電容量型の加速度センサチップを例示したが、半導体素子Ａは、静電容量型の半導体加速度センサチップに限らず、例えば、ピエゾ抵抗型の加速度センサチップやジャイロセンサ、マイクロアクチュエータ、マイクロリレー、赤外線センサなどや、ＩＣチップなどにも適用できる。
【符号の説明】
【００８１】
Ａ  半導体素子
１０１  パッケージ
１０２  プラスチックパッケージ本体
１０２ａ  搭載面
１０２ｂ  突起部
１０３  パッケージ蓋
１０４  接着部
１１２  リード
１１２ａ  インナリード
１１２ｂ  アウタリード
１１６  樹脂被覆部
【図１】
2010272696.tif 000003
【図２】
2010272696.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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