(57)【要約】【課題】残留電圧が低く、その長期信頼性の良好な種々の駆動方式に適用することができる液晶表示素子を提供する。【解決手段】特定のジアミンとテトラカルボン酸二無水物との反応生成物であるポリアミック酸又はその誘導体と、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物とを含有する液晶配向剤から液晶配向膜を形成し、この液晶配向膜を有する液晶表示素子を構成する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ジアミン又はその誘導体とテトラカルボン酸又はその誘導体との反応生成物であるポリアミック酸又はその誘導体と、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物とを含有する液晶配向剤であって、
前記ジアミン又はその誘導体は下記一般式（Ｉ）で表されるジアミンを含む液晶配向剤。
【化１】
2010102184.tif 000068
（一般式（Ｉ）中、−Ｘ1−は、−Ｓ−、または−Ｓ−（ＣＨ2）n−Ｓ−で表される２価の基であり、ｎは１〜１６の整数である。）
【請求項２】
前記一般式（Ｉ）で表されるジアミンの−Ｘ1−が、−Ｓ−、−Ｓ−ＣＨ2−Ｓ−、−Ｓ−（ＣＨ2）2−Ｓ−、−Ｓ−（ＣＨ2）3−Ｓ−、−Ｓ−（ＣＨ2）4−Ｓ−、−Ｓ−（ＣＨ2）5−Ｓ−又は−Ｓ−（ＣＨ2）6−Ｓ−である請求項１に記載の液晶配向剤。
【請求項３】
前記一般式（Ｉ）で表されるジアミンの−Ｘ1−が、−Ｓ−、−Ｓ−ＣＨ2−Ｓ−、−Ｓ−（ＣＨ2）2−Ｓ−、−Ｓ−（ＣＨ2）3−Ｓ−、−Ｓ−（ＣＨ2）4−Ｓ−又は−Ｓ−（ＣＨ2）5−Ｓ−である請求項１に記載の液晶配向剤。
【請求項４】
前記テトラカルボン酸又はその誘導体が、下記構造式（１）、（１４）及び（ｉ）で表わされるテトラカルボン酸二無水物の一種以上を含み、前記ジアミン又はその誘導体が、さらに下記一般式（Ａ）〜（Ｄ）及び（ＸＩＩ−Ａ）で表わされる一種以上のジアミンを含む請求項１〜３のいずれかに記載の液晶配向剤。
【化２】
2010102184.tif 000069
【化３】
2010102184.tif 000070
（一般式（Ａ）中、ｎは、１から１２の整数である。一般式（Ｂ１）、（Ｂ２）及び（Ｂ３）中、−Ｙ1、−Ｙ2、および−Ｙ3はそれぞれ独立して、−Ｈまたは炭素数１から３０のアルキルである。一般式（Ｄ）中、Ａ1は独立して、−（ＣＨ2）m−又は−Ｎ（ＣＨ3）−（ＣＨ2）m−Ｎ（ＣＨ3）−を表す。ここでｍは１〜１２の整数を表す。一般式（ＸＩＩ−Ａ）中、−Ｙ4は炭素数１から３０のアルキル、
【化４】
2010102184.tif 000071
、または
【化５】
2010102184.tif 000072
であり、−Ｙ5および−Ｙ6はそれぞれ独立して炭素数１から３０のアルキルであり、Ｘ2は−ＣＨ2−又は−Ｏ−を表わす。）
【請求項５】
前記一般式（Ａ）〜（Ｄ）及び（ＸＩＩ−Ａ）で表わされるジアミンが、下記構造式（Ａ１）、（Ｂ１−１）、（Ｂ２−１）、（Ｂ３−１）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｃ３）、（Ｄ１）、（Ｄ２）、（Ｄ３）、（Ｄ４）、（ＸＩＩ−２−１）、（ＸＩＩ−４−１）及
び（ＸＩＩ−７−１）で表わされる一種以上のジアミンである請求項４に記載の液晶配向剤。
【化６】
2010102184.tif 000073
【請求項６】
前記ジアミン又はその誘導体が、下記構造式（Ａ１）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｃ３）、（Ｄ１）及び（Ｄ２）で表わされる一種以上のジアミンである請求項５に記載の液晶配向剤。
【化７】
2010102184.tif 000074
【請求項７】
前記ジアミン又はその誘導体が、下記構造式（Ａ１）、（Ｄ１）及び（Ｄ２）で表わされる一種以上のジアミンである請求項６に記載の液晶配向剤。
【化８】
2010102184.tif 000075
【請求項８】
前記ジアミン又はその誘導体が、下記構造式（Ｄ２）、（Ｄ３）、（Ｄ４）、（ＸＩＩ−２−１）、（ＸＩＩ−４−１）及び（ＸＩＩ−７−１）で表わされる一種以上のジアミンである請求項５に記載の液晶配向剤。
【化９】
2010102184.tif 000076
【請求項９】
前記ジアミン又はその誘導体が、下記構造式（ＸＩＩ−２−１）、（ＸＩＩ−４−１）及び（ＸＩＩ−７−１）で表わされる一種以上のジアミンである請求項８に記載の液晶配向剤。
【化１０】
2010102184.tif 000077
【請求項１０】
前記ジアミン又はその誘導体が、下記構造式（Ｂ１−１）、（Ｂ２−１）、（Ｂ３−１）及び（Ｄ１）で表わされる一種以上のジアミンである請求項５に記載の液晶配向剤。
【化１１】
2010102184.tif 000078
【請求項１１】
前記構造式（Ｂ１−１）、（Ｂ２−１）、（Ｂ３−１）及び（Ｄ１）で表わされる一種以上のジアミンが、前記構造式（Ｂ１−１）で表わされるジアミンであり、前記構造式（１）、（１４）及び（ｉ）で表わされる一種以上のテトラカルボン酸二無水物が、前記構造式（１４）で表わされるテトラカルボン酸二無水物である請求項１０に記載の液晶配向剤。
【請求項１２】
前記エポキシ化合物が、グリシジルエーテル、グリシジルエステル、グリシジルアミン、エポキシ基含有アクリル系樹脂、グリシジルアミド、グリシジルイソシアヌレート、鎖状脂肪族型エポキシ化合物、及び環状脂肪族型エポキシ化合物からなる群から選ばれる一以上である、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の液晶配向剤。
【請求項１３】
前記エポキシ化合物が、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、２−［４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル］−２−［４−［１，１−ビス［４−（［２，３−エポキシプロポキシ］フェニル）］エチル］フェニル］プロパン、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、Ｎ−フェニルマレイミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、及びＮ，Ｎ，Ｏ−トリグリシジル−ｐ−アミノフェノールから選ばれる一以上であることを特徴とする請求項１２に記載の液晶配向剤。
【請求項１４】
請求項１〜１３のいずれか一項に記載の液晶配向剤の膜を焼成して形成される液晶配向膜。
【請求項１５】
対向配置されている一対の基板と、前記一対の基板それぞれの対向している面の一方又は両方に形成されている電極と、前記一対の基板それぞれの対向している面に形成されている液晶配向膜と、前記一対の基板間に形成されている液晶層とを有する液晶表示素子において、前記液晶配向膜は請求項１４に記載の液晶配向膜であることを特徴とする液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ポリアミック酸又はその誘導体とエポキシ化合物とを含有する液晶配向剤、該液晶配向剤から形成される液晶配向膜、及びそれを具備した液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示素子は、ノートパソコンやデスクトップパソコンのモニターをはじめ、ビデオカメラのビューファインダー、投写型のディスプレイ等の様々な液晶表示装置に使われており、最近ではテレビとしても用いられるようになってきた。さらに液晶表示素子は、光プリンターヘッド、光フーリエ変換素子、ライトバルブ等のオプトエレクトロニクス関連素子としても利用されている。
【０００３】
液晶表示素子は、通常は、１）対向配置されている一対の基板、２）前記一対の基板それぞれの対向している面の一方又は両方に形成されている電極、３）前記一対の基板それぞれの対向している面に形成された液晶配向膜、及び４）前記一対の基板間に形成された液晶層、を有する。
【０００４】
従来の液晶表示素子としては、ネマチック液晶を用いた表示素子が主流であり、１）９０度ツイストしたＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）型液晶表示素子、２）通常１８０度以上ツイストしたＳＴＮ（Ｓｕｐｅｒ  Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）型液晶表示素子、３）薄膜トランジスタを使用したいわゆるＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）型液晶表示素子が実用化されている。これらの液晶表示素子は、画像が適正に視認できる視野角が狭く、斜め方向から見たときに、輝度やコントラストの低下及び中間調での輝度反転を生じるという欠点を有している。
【０００５】
近年、この視野角の問題については、１）光学補償フィルムを用いたＴＮ−ＴＦＴ型液晶表示素子、２）垂直配向と光学補償フィルムを用いたＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型液晶表示素子、３）垂直配向と突起構造物の技術を併用したＭＶＡ（Ｍｕｌｔｉ  Ｄｏｍａｉｎ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）型液晶表示素子、又は４）横電界方式のＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）型液晶表示素子、５）ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）型液晶表示素子、６）光学補償ベンド（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ又はＯｐｔｉｃａｌｌｙ  ｓｅｌｆ−Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ：ＯＣＢ）型液晶表示素子等の技術により改良されており、改良された技術が実用化、又は検討されている。
【０００６】
液晶表示素子の技術の発展は、単にこれらの駆動方式や素子構造の改良のみならず、液晶表示素子に使用される構成部材の改良によっても達成されている。液晶表示素子に使用される構成部材のなかでも、特に液晶配向膜は、液晶表示素子の表示品位に係わる重要な要素の一つであり、液晶表示素子の高品質化に伴って液晶配向膜の役割が年々重要になってきている。
【０００７】
液晶配向膜は、液晶配向剤より調製される。現在、主として用いられている液晶配向剤とは、ポリアミック酸又は可溶性のポリイミドを有機溶媒に溶解させた溶液である。このような溶液を基板に塗布した後、加熱等の手段により成膜してポリイミド系配向膜を形成する。このような液晶配向剤としては、例えばポリアミック酸又はその誘導体の原料であるテトラカルボン酸二無水物及びジアミンと、発現されるプレチルト角とが規定されている液晶配向剤が知られている（例えば、特許文献１参照。）。ポリアミック酸以外の種々
の液晶配向剤も検討されているが、耐熱性、耐薬品性（耐液晶性）、塗布性、液晶配向性、電気特性、光学特性、表示特性等の点から、ほとんど実用化されていない。
【０００８】
液晶表示素子の表示品位を向上させるために液晶配向膜に要求される重要な特性として、残留電圧が挙げられる。この残留電圧の特性はすべての液晶表示素子に共通する問題であり、同一画面を長時間表示した後、他の画面に移ると前の画像が残像として残る、焼き付きと呼ばれる現象に関係する。焼き付きは、配向膜表面の液晶中に含まれる不純物イオン等の電荷蓄積、すなわち残留電圧のために、液晶分子に所定の電圧がかからないために起こるものと考えられる。高品位の液晶表示素子を得るためには、この焼き付きを改善することが非常に重要である。
【０００９】
前記した問題を解決する試みとして、例えば主鎖に硫黄を含む直鎖状のジアミンとテトラカルボン酸二無水物との反応生成物であるポリアミック酸又はポリイミドを含有する液晶配向剤が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
しかしながら、液晶表示素子における表示品位のさらなる向上が求められており、またさらなる高性能の液晶表示素子を提供することができる液晶配向剤の開発が依然として求められている。
【特許文献１】特開２００６−２２０６７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記状況を考慮して、焼き付きの問題が改善された液晶表示素子用の液晶配向剤、それを用いて形成される液晶配向膜、及びそれを具備した液晶表示素子の開発が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者らは、前記課題を解決するべく鋭意研究を行った。
その結果、特定のポリアミック酸又はその誘導体と特定のエポキシ化合物とを含有する液晶配向剤が、これを使用して作製された液晶配向膜を具備する液晶表示素子の残留電圧を低減できることを見出し、本発明を完成させた。
本発明は以下の構成からなる。
【００１２】
（１）ジアミン又はその誘導体とテトラカルボン酸又はその誘導体との反応生成物であるポリアミック酸又はその誘導体と、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物とを含有する液晶配向剤であって、
前記ジアミン又はその誘導体は下記一般式（Ｉ）で表されるジアミンを含む液晶配向剤。
【化１】
2010102184.tif 000002
（一般式（Ｉ）中、−Ｘ1−は、−Ｓ−、または−Ｓ−（ＣＨ2）n−Ｓ−で表される２価の基であり、ｎは１〜１６の整数である。）
【００１３】
（２）前記一般式（Ｉ）で表されるジアミンの−Ｘ1−が、−Ｓ−、−Ｓ−ＣＨ2−Ｓ−、−Ｓ−（ＣＨ2）2−Ｓ−、−Ｓ−（ＣＨ2）3−Ｓ−、−Ｓ−（ＣＨ2）4−Ｓ−、−Ｓ−（ＣＨ2）5−Ｓ−又は−Ｓ−（ＣＨ2）6−Ｓ−である（１）に記載の液晶配向剤。
【００１４】
（３）前記一般式（Ｉ）で表されるジアミンの−Ｘ1−が、−Ｓ−、−Ｓ−ＣＨ2−Ｓ−、−Ｓ−（ＣＨ2）2−Ｓ−、−Ｓ−（ＣＨ2）3−Ｓ−、−Ｓ−（ＣＨ2）4−Ｓ−又は−Ｓ−（ＣＨ2）5−Ｓ−である（１）に記載の液晶配向剤。
【００１５】
（４）前記テトラカルボン酸又はその誘導体が、下記構造式（１）、（１４）及び（ｉ）で表わされるテトラカルボン酸二無水物の一種以上を含み、前記ジアミン又はその誘導体が、さらに下記一般式（Ａ）〜（Ｄ）及び（ＸＩＩ−Ａ）で表わされる一種以上のジアミンを含む（１）〜（３）のいずれかに記載の液晶配向剤。
【００１６】
【化２】
2010102184.tif 000003
【００１７】
【化３】
2010102184.tif 000004
（一般式（Ａ）中、ｎは、１から１２の整数である。一般式（Ｂ１）、（Ｂ２）及び（Ｂ３）中、−Ｙ1、−Ｙ2、および−Ｙ3はそれぞれ独立して、−Ｈまたは炭素数１から３０のアルキルである。一般式（Ｄ）中、Ａ1は独立して、−（ＣＨ2）m−又は−Ｎ（ＣＨ3）−（ＣＨ2）m−Ｎ（ＣＨ3）−を表す。ここでｍは１〜１２の整数を表す。一般式（ＸＩＩ−Ａ）中、−Ｙ4は炭素数１から３０のアルキル、
【化４】
2010102184.tif 000005
、または
【化５】
2010102184.tif 000006
であり、−Ｙ5および−Ｙ6はそれぞれ独立して炭素数１から３０のアルキルであり、Ｘ2は−ＣＨ2−又は−Ｏ−を表わす。）
【００１８】
（５）前記一般式（Ａ）〜（Ｄ）及び（ＸＩＩ−Ａ）で表わされるジアミンが、下記構造式（Ａ１）、（Ｂ１−１）、（Ｂ２−１）、（Ｂ３−１）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｃ３）、（Ｄ１）、（Ｄ２）、（Ｄ３）、（Ｄ４）、（ＸＩＩ−２−１）、（ＸＩＩ−４−１）及び（ＸＩＩ−７−１）で表わされる一種以上のジアミンである（４）に記載の液晶配向剤。
【化６】
2010102184.tif 000007
【００１９】
（６）前記ジアミン又はその誘導体が、下記構造式（Ａ１）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｃ
３）、（Ｄ１）及び（Ｄ２）で表わされる一種以上のジアミンである（５）に記載の液晶配向剤。
【化７】
2010102184.tif 000008
【００２０】
（７）前記ジアミン又はその誘導体が、下記構造式（Ａ１）、（Ｄ１）及び（Ｄ２）で表わされる一種以上のジアミンである（６）に記載の液晶配向剤。
【化８】
2010102184.tif 000009
【００２１】
（８）前記ジアミン又はその誘導体が、下記構造式（Ｄ２）、（Ｄ３）、（Ｄ４）、（ＸＩＩ−２−１）、（ＸＩＩ−４−１）及び（ＸＩＩ−７−１）で表わされる一種以上のジアミンである（５）に記載の液晶配向剤。
【化９】
2010102184.tif 000010
【００２２】
（９）前記ジアミン又はその誘導体が、下記構造式（ＸＩＩ−２−１）、（ＸＩＩ−４−１）及び（ＸＩＩ−７−１）で表わされる一種以上のジアミンである（８）に記載の液晶配向剤。
【化１０】
2010102184.tif 000011
【００２３】
（１０）前記ジアミン又はその誘導体が、下記構造式（Ｂ１−１）、（Ｂ２−１）、（Ｂ３−１）及び（Ｄ１）で表わされる一種以上のジアミンである（５）に記載の液晶配向剤。
【化１１】
2010102184.tif 000012
【００２４】
（１１）前記構造式（Ｂ１−１）、（Ｂ２−１）、（Ｂ３−１）及び（Ｄ１）で表わされる一種以上のジアミンが、前記構造式（Ｂ１−１）で表わされるジアミンであり、前記構造式（１）、（１４）及び（ｉ）で表わされる一種以上のテトラカルボン酸二無水物が、前記構造式（１４）で表わされるテトラカルボン酸二無水物である（１０）に記載の液晶配向剤。
【００２５】
（１２）前記エポキシ化合物が、グリシジルエーテル、グリシジルエステル、グリシジルアミン、エポキシ基含有アクリル系樹脂、グリシジルアミド、グリシジルイソシアヌレート、鎖状脂肪族型エポキシ化合物、及び環状脂肪族型エポキシ化合物からなる群から選ば
れる一以上である、（１）〜（１１）のいずれかに記載の液晶配向剤。
【００２６】
（１３）前記エポキシ化合物が、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン、２−［４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル］−２−［４−［１，１−ビス［４−（［２，３−エポキシプロポキシ］フェニル）］エチル］フェニル］プロパン、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、Ｎ−フェニルマレイミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、及びＮ，Ｎ，Ｏ−トリグリシジル−ｐ−アミノフェノールから選ばれる一以上であることを特徴とする（１２）に記載の液晶配向剤。
【００２７】
（１４）（１）〜（１３）のいずれかに記載の液晶配向剤の膜を焼成して形成される液晶配向膜。
【００２８】
（１５）対向配置されている一対の基板と、前記一対の基板それぞれの対向している面の一方又は両方に形成されている電極と、前記一対の基板それぞれの対向している面に形成されている液晶配向膜と、前記一対の基板間に形成されている液晶層とを有する液晶表示素子において、前記液晶配向膜は（１４）に記載の液晶配向膜であることを特徴とする液晶表示素子。
【００２９】
なお、本明細書において、「アルキル」、「アルケニル」、「アルキニル」というときは、線状でもよいし、枝分かれでもよい。
【発明の効果】
【００３０】
本発明は、残留電圧が低く、焼き付きの問題が生じにくい種々の駆動方式の液晶表示素子を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
本発明の液晶配向剤は、ポリアミック酸又はその誘導体と、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物とを含有する。ポリアミック酸又はその誘導体は一種でも二種以上でもよい。前記エポキシ化合物は一種でも二種以上でもよい。前記ポリアミック酸又はその誘導体の含有量は、液晶配向剤中、０．１〜５０重量％であることが好ましく、１〜３０重量％であることがより好ましい。また前記エポキシ化合物の含有量は、前記ポリアミック酸又はその誘導体１００重量部に対して０．１〜１００重量部であることが好ましく、０．５〜８０重量部であることがより好ましい。
【００３２】
前記ポリアミック酸及びその誘導体は、ジアミン又はその誘導体とテトラカルボン酸又はその誘導体との反応生成物である。前記ポリアミック酸の誘導体とは、後述する液晶配向剤としたときに溶媒に溶解した形態であり、その液晶配向剤を後述する液晶配向膜としたときに、ポリイミドを主成分とする液晶配向膜を形成することができる成分である。このようなポリアミック酸の誘導体としては、例えば可溶性ポリイミド、ポリアミック酸エステル、及びポリアミック酸アミド等が挙げられ、より具体的には１）ポリアミック酸の全てのアミノとカルボキシルとが脱水閉環反応したポリイミド、２）部分的に脱水閉環反応した部分ポリイミド、３）ポリアミック酸のカルボキシルがエステルに変換されたポリアミック酸エステル、４）テトラカルボン酸二無水物化合物に含まれる酸二無水物の一部を有機ジカルボン酸に置き換えて反応させて得られたポリアミック酸−ポリアミド共重合体、さらに５）該ポリアミック酸−ポリアミド共重合体の一部又は全部を脱水閉環反応させたポリアミドイミドを含む。
【００３３】
前記ポリアミック酸又はその誘導体において、前記テトラカルボン酸又はその誘導体とジアミン又はその誘導体とは、モル比で０．８：１．２〜１．２：０．８であることが好ましく、０．９：１．１〜１．１：０．９であることがより好ましい。
【００３４】
前記ジアミン又はその誘導体は、一種でも二種以上でもよいが、下記一般式（Ｉ）で表される含スルフィドジアミンを含む。この一般式（Ｉ）で表されるジアミンも一種でも二種以上でもよい。前記ジアミン中、一般式（Ｉ）で表されるジアミンは０．５〜１００モル％であることが好ましく、１〜１００モル％であることがより好ましい。
【００３５】
【化１２】
2010102184.tif 000013
【００３６】
一般式（Ｉ）中、−Ｘ1−は、−Ｓ−、または−Ｓ−（ＣＨ2）n−Ｓ−で表される２価の基であり、ｎは１〜１６の整数である。
【００３７】
前記一般式（Ｉ）で表されるジアミンは、例えば下記構造式（Ｉ−１）〜（Ｉ−６）で表わされるように、−Ｘ1−が、−Ｓ−、−Ｓ−ＣＨ2−Ｓ−、−Ｓ−（ＣＨ2）2−Ｓ−、−Ｓ−（ＣＨ2）3−Ｓ−、−Ｓ−（ＣＨ2）4−Ｓ−、−Ｓ−（ＣＨ2）5−Ｓ−又は−Ｓ−（ＣＨ2）6−Ｓ−であることが好ましい。
【化１３】
2010102184.tif 000014
【００３８】
前記一般式（Ｉ）で表わされるジアミンは、前記構造式（Ｉ−１）〜（Ｉ−５）で表わされるジアミンが特に好ましく用いられる。
【００３９】
前記ジアミン又はその誘導体は、前記一般式（Ｉ）で表されるジアミン以外の他のジアミンをさらに含んでいてもよい。このような他のジアミンとしては、例えば下記一般式（Ａ）〜（Ｄ）及び下記一般式（ＩＩ）〜（ＸＩＩＩ）及び（ＸＶ）で表わされるジアミンが挙げられる。
【００４０】
【化１４】
2010102184.tif 000015
（一般式（Ａ）中、ｎは、１から１２の整数である。一般式（Ｂ１）、（Ｂ２）及び（Ｂ３）中、−Ｙ1、−Ｙ2、および−Ｙ3はそれぞれ独立して、−Ｈまたは炭素数１から３０のアルキルである。一般式（Ｄ）中、Ａ1は独立して、−（ＣＨ2）m−又は−Ｎ（ＣＨ3）−（ＣＨ2）m−Ｎ（ＣＨ3）−を表す。ここでｍは１〜１２の整数を表す。）
【００４１】
前記一般式（Ａ）で表わされるジアミンとして、例えば下記構造式（Ａ１）で表わされるジアミンが好ましく用いられる。
【化１５】
2010102184.tif 000016
【００４２】
前記一般式（Ｂ１）〜（Ｂ３）で表わされるジアミンとして、例えば下記構造式（Ｂ１−１）〜（Ｂ３−１）で表わされるジアミンが好ましく用いられる。
【化１６】
2010102184.tif 000017
【００４３】
前記一般式（Ｃ）で表わされるジアミンとして、例えば下記構造式（Ｃ１）〜（Ｃ３）で表わされるジアミンが好ましく用いられる。
【化１７】
2010102184.tif 000018
【００４４】
前記一般式（Ｄ）で表わされるジアミンとして、例えば下記構造式（Ｄ１）〜（Ｄ４）で表わされるジアミンが好ましく用いられる。
【化１８】
2010102184.tif 000019
【００４５】
前記一般式（Ｉ）で表されるジアミン以外の他のジアミンとして、下記一般式（ＩＩ）〜（ＶＩＩＩ）で表される直鎖型ジアミンも挙げられる。直鎖型ジアミンは一種でも二種以上でもよい。
【００４６】
【化１９】
2010102184.tif 000020
【００４７】
一般式（ＩＩ）中、Ａ1は、−（ＣＨ2）m−を表す。ここでｍは１〜１２の整数を表す。また一般式（ＩＶ）中のＡ1は、独立して、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ−Ｓ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−（ＣＨ2）m−、−Ｏ−（ＣＨ2）m−Ｏ−、−Ｎ（ＣＨ3）−（ＣＨ2）m−Ｎ（ＣＨ3）−、−Ｓ−（ＣＨ2）m−Ｓ−を表す。一般式（ＶＩ）中のＡ1'は、独立して、単結合、−Ｓ−、−Ｓ−Ｓ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｏ−（ＣＨ2）m−Ｏ−、−Ｓ−（ＣＨ2）m−Ｓ−を表す。ここでｍは１〜１２の整数を表す。
【００４８】
また一般式（ＶＩＩ）中、Ａ2は、独立して−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−又は炭素数１〜３のアルキレンを表す。
【００４９】
また一般式（ＶＩＩＩ）中、Ａ1は独立して、−Ｓ−、−Ｓ−Ｓ−、−ＳＯ2−、−ＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、−Ｏ−（ＣＨ2）m−Ｏ−、−Ｓ−（ＣＨ2）m−Ｓ−を表す。ここでｍは１〜１２の整数を表す。また一般式（ＶＩＩＩ）中、Ａ2は単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−Ｃ（ＣＨ3）2−、−Ｃ（ＣＦ3）2−、又は炭素数１〜３のアルキレンを表す。
【００５０】
さらに一般式（ＩＩＩ）〜（ＶＩＩＩ）中のシクロヘキサン環又はベンゼン環に結合している水素は、独立して−Ｆ、−Ｃｌ、−ＣＨ3、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳＯ3Ｈ、−ＰＯ3Ｈ2、又は４−ヒドロキシベンジルと置き換えられていてもよい。
【００５１】
一般式（ＩＩ）で表される直鎖型ジアミンとしては、例えば下記構造式（ＩＩ−１）〜（ＩＩ−３）で表されるジアミンが挙げられる。
【００５２】
【化２０】
2010102184.tif 000021
【００５３】
一般式（ＩＩＩ）で表される直鎖型ジアミンとしては、例えば下記構造式（ＩＩＩ−１）及び（ＩＩＩ−２）で表されるジアミンが挙げられる。
【００５４】
【化２１】
2010102184.tif 000022
【００５５】
一般式（ＶＩ）で表される直鎖型ジアミンとしては、例えば下記構造式（ＩＶ−１）〜（ＩＶ−３）で表されるジアミンが挙げられる。
【００５６】
【化２２】
2010102184.tif 000023
【００５７】
一般式（Ｖ）で表される直鎖型ジアミンとしては、例えば下記構造式（Ｖ−１）〜（Ｖ−１４）で表されるジアミンが挙げられる。
【００５８】
【化２３】
2010102184.tif 000024
【００５９】
一般式（ＶＩ）で表される直鎖型ジアミンとしては、例えば下記構造式（ＶＩ−１）〜（ＶＩ−２７）で表されるジアミンが挙げられる。
【００６０】
【化２４】
2010102184.tif 000025
【００６１】
【化２５】
2010102184.tif 000026
【００６２】
一般式（ＶＩＩ）で表される直鎖型ジアミンとしては、例えば下記構造式（ＶＩＩ−１）〜（ＶＩＩ−６）で表されるジアミンが挙げられる。
【００６３】
【化２６】
2010102184.tif 000027
【００６４】
一般式（ＶＩＩＩ）で表される直鎖型ジアミンとしては、例えば下記構造式（ＶＩＩＩ−１）〜（ＶＩＩＩ−６）で表されるジアミンが挙げられる。
【００６５】
【化２７】
2010102184.tif 000028
【００６６】
これらのうち、より好ましい直鎖型ジアミンとしては、前記構造式（Ｖ−１）〜（Ｖ−５）、（ＶＩ−１）〜（ＶＩ−１０）、（ＶＩ−２１）、（ＶＩ−２２）、（ＶＩ−２６）、（ＶＩＩ−１）、（ＶＩＩ−２）、（ＶＩＩ−６）、及び（ＶＩＩＩ−１）で表されるジアミンが挙げられ、さらに好ましい直鎖型ジアミンとしては、前記構造式（Ｖ−１）、（Ｖ−２）、（ＶＩ−１）〜（ＶＩ−１０）及び（ＶＩ−２６）で表されるジアミンが挙げられる。
【００６７】
前記ジアミン中における前記直鎖型ジアミンのモル比は、液晶表示素子としたときの適切な配向性を得る観点から、ＴＮ及びＩＰＳにおいては１〜９０％であることが好ましく、５〜８０％であることがより好ましい。
【００６８】
ＶＡ型液晶表示素子、ＯＣＢ型液晶表示素子、ＴＮ型液晶表示素子、ＳＴＮ型液晶表示素子等の大きなプレチルト角が要求される用途では、前記ジアミンに側鎖構造を有するジアミンを含むことが好ましいことから、前記一般式（Ｉ）で表されるジアミン以外の他のジアミンに、このような側鎖構造を有するジアミンを用いることができる。このような側鎖構造を有するジアミンとしては、例えば下記一般式（ＩＸ）〜（ＸＩＩＩ）で表される側鎖型ジアミンが挙げられる。側鎖型ジアミンは一種でも二種以上でもよい。
【００６９】
【化２８】
2010102184.tif 000029
【００７０】
一般式（ＩＸ）中、Ａ3は、単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯ−、−ＣＯＮＨ−又は−（ＣＨ2）m−を表す。ここでｍは１〜６の整数を表す。Ｒ7は、ステロイド骨格を有する基、下記一般式（ＸＩＶ）で表される基、又は炭素数１〜３０のアルキルを表す。該アルキルにおいては、独立して、任意の−ＣＨ2−が−ＣＦ2−、−ＣＨＦ−、−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられていてもよく、−ＣＨ3が−ＣＨ2Ｆ、−ＣＨＦ2又は−ＣＦ3で置き換えられていてもよい。ただし該アルキルにおいて−Ｏ−は隣り合わない。
【００７１】
【化２９】
2010102184.tif 000030
【００７２】
一般式（ＸＩＶ）中、Ａ4及びＡ5はそれぞれ独立して、単結合、−Ｏ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＯＮＨ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は炭素数１〜２０のアルキレンを表す。Ｒ8及びＲ9はそれぞれ独立して、−Ｆ又は−ＣＨ3を表す。環Ｓは１，４−フェニレン、１，４−シクロヘキシレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、ピリジン−２，５−ジイル、ナフタレン−１，５−ジイル、ナフタレン−２，７−ジイル又はアントラセン−９，１０−ジイルを表す。Ｒ10は−Ｆ、炭素数１〜３０のアルキル、炭素数１〜３０のフッ素置換アルキル、炭素数１〜３０のアルコキシ、−ＣＮ、−ＯＣＨ2Ｆ、−ＯＣＨＦ2又は−ＯＣＦ3を表す。またａ及びｂはそれぞれ独立して０〜４の整数を表し、ａ又はｂが２〜４であるとき隣り合うＡ4又はＡ5は異なる基であり、ｃ、ｄ及びｅはそれぞれ独立して０〜３の整数を表し、ｅが２又は３であるとき複数の環Ｓは同一の基であっても異なる基であってもよい。ｆ及びｇはそれぞれ独立して０〜２の整数を表し、かつｃ＋ｄ＋ｅ≧１である。
【００７３】
【化３０】
2010102184.tif 000031
【００７４】
一般式（Ｘ）中、ステロイド骨格を形成する炭素に結合している水素は、独立して−ＣＨ3と置き換えられていてもよい。一般式（Ｘ）及び（ＸＩ）中、Ｒ11はそれぞれ独立して、−Ｈ又は−ＣＨ3を表し、Ｒ12は、−Ｈ又は炭素数１〜２０のアルキル若しくはアルケニルを表す。Ａ6はそれぞれ独立して、単結合、−Ｃ（＝Ｏ）−又は−ＣＨ2−を表す。一般式（ＸＩ）中、Ｒ13及びＲ14はそれぞれ独立して、−Ｈ、炭素数１〜２０のアルキル又はフェニルを表す。
【００７５】
【化３１】
2010102184.tif 000032
【００７６】
一般式（ＸＩＩ）中、Ｒ15は−Ｈ又は炭素数１〜３０のアルキルを表す。該アルキルのうち炭素数２〜３０のアルキルの任意の−ＣＨ2−は、独立して−Ｏ−、−ＣＨ＝ＣＨ−又は−Ｃ≡Ｃ−で置き換えられてもよい。ただし該アルキルにおいて−Ｏ−は隣り合わない。一般式（ＸＩＩ）及び（ＸＩＩＩ）中、Ａ7は独立して−Ｏ−又は炭素数１〜６のアルキレンを表す。一般式（ＸＩＩ）中、Ａ8は単結合又は炭素数１〜３のアルキレンを表す。環Ｔは１，４−フェニレン又は１，４−シクロヘキシレンを表す。ｈは０又は１を表す。一般式（ＸＩＩＩ）中、Ｒ16は炭素数６〜２２のアルキルを表し、Ｒ17は−Ｈ又は炭素数１〜２２のアルキルを表す。
【００７７】
前記一般式（ＩＸ）で表される側鎖型ジアミンは、二つのアミノ基はフェニル環の炭素に結合している二つのアミノ基の結合位置関係がメタ又はパラであることが好ましい。さらに二つのアミノ基の結合位置関係が、「Ｒ7−Ａ3−」の結合位置を１位としたときに３位と５位、又は２位と５位であることが好ましい。
【００７８】
前記一般式（ＩＸ）で表されるジアミンとしては、例えば下記一般式（ＩＸ−１）〜（ＩＸ−９）で表されるジアミンが挙げられる。
【００７９】
【化３２】
2010102184.tif 000033
【００８０】
前記一般式（ＩＸ−１）、（ＩＸ−２）、（ＩＸ−５）及び（ＩＸ−６）中、Ｒ18は炭素数１〜３０のアルキル又は炭素数１〜３０のアルコキシが好ましく、炭素数３〜３０のアルキル又は炭素数３〜３０のアルコキシがより好ましく、炭素数５〜２５のアルキル又は炭素数５〜２５のアルコキシがさらに好ましい。また前記一般式（ＩＸ−３）、（ＩＸ−４）及び（ＩＸ−７）〜（ＩＸ−９）中、Ｒ19は炭素数１〜３０のアルキル又は炭素数１〜３０のアルコキシが好ましく、炭素数３〜２５のアルキル又は炭素数３〜２５のアルコキシがさらに好ましい。前記一般式（ＩＸ）で表わされるジアミンの中でも、特に前記一般式（Ｂ１）〜（Ｂ３）で表わされるジアミンがより好ましく、前記構造式（Ｂ１−１）〜（Ｂ３−１）で表わされるジアミンが特に好ましい。
【００８１】
また前記一般式（ＩＸ）で表される側鎖型ジアミンとしては、例えば下記一般式（ＩＸ−１０）〜（ＩＸ−１５）で表されるジアミンが挙げられる。
【００８２】
【化３３】
2010102184.tif 000034
【００８３】
前記一般式（ＩＸ−１０）〜（ＩＸ−１３）中、Ｒ20は炭素数４〜３０のアルキルが好ましく、炭素数６〜２５のアルキルがさらに好ましい。前記一般式（ＩＸ−１４）及び（ＩＸ−１５）中、Ｒ21は炭素数６〜３０のアルキルが好ましく、炭素数８〜２５のアルキルがさらに好ましい。
【００８４】
また前記一般式（ＩＸ）で表される側鎖型ジアミンとしては、例えば下記一般式（ＩＸ−１６）〜（ＩＸ−３６）で表されるジアミンが挙げられる。
【００８５】
【化３４】
2010102184.tif 000035
【００８６】
【化３５】
2010102184.tif 000036
【００８７】
前記一般式（ＩＸ−１６）、（ＩＸ−１７）、（ＩＸ−２０）、（ＩＸ−２２）、（ＩＸ−２３）、（ＩＸ−２６）、（ＩＸ−２８）、（ＩＸ−２９）、（ＩＸ−３４）及び（ＩＸ−３５）中、Ｒ22は炭素数１〜３０のアルキル、炭素数１〜３０のアルコキシが好ましく、炭素数３〜２５のアルキル又は炭素数３〜２５のアルコキシがさらに好ましい。
前記一般式（ＩＸ−１８）、（ＩＸ−１９）、（ＩＸ−２１）、（ＩＸ−２４）、（ＩＸ−２５）、（ＩＸ−２７）、（ＩＸ−３０）〜（ＩＸ−３３）及び（ＩＸ−３６）中、Ｒ23は−Ｈ、−Ｆ、炭素数１〜３０のアルキル、炭素数１〜３０のアルコキシ、−ＣＮ、−ＯＣＨ2Ｆ、−ＯＣＨＦ2又は−ＯＣＦ3が好ましく、炭素数３〜２５のアルキル又は炭素数３〜２５のアルコキシがさらに好ましい。前記一般式（ＩＸ−３１）及び（ＩＸ−３２）中、Ａ9は炭素数１〜２０のアルキレンを表す。
【００８８】
また前記一般式（ＩＸ）で表される側鎖型ジアミンとしては、例えば下記構造式（ＩＸ−３７）〜（ＩＸ−４６）で表されるジアミンが挙げられる。
【００８９】
【化３６】
2010102184.tif 000037
【００９０】
【化３７】
2010102184.tif 000038
【００９１】
前記一般式（ＩＸ）で表される側鎖型ジアミンは、一般式（ＩＸ−１）〜（ＩＸ−９）
で表されるジアミンが好ましく、一般式（ＩＸ−２）又は（ＩＸ−４）で表されるジアミンがより好ましい。
【００９２】
前記一般式（Ｘ）で表される側鎖型ジアミンは、二つの「ＮＨ2−Ｐｈ−Ａ6−Ｏ−」の一方はステロイド核の３位に結合し、もう一方は６位に結合していることが好ましい。また、二つのフェニルにそれぞれ結合している二つのアミノ基は、Ａ6の結合位置に対してメタ位又はパラ位に結合していることが好ましい。
【００９３】
前記一般式（Ｘ）で表される側鎖型ジアミンとしては、例えば下記構造式（Ｘ−１）〜（Ｘ−４）で表されるジアミンが挙げられる。
【００９４】
【化３８】
2010102184.tif 000039
【００９５】
前記一般式（ＸＩ）で表される側鎖型ジアミンは、二つの「ＮＨ2−（Ｒ14−）Ｐｈ−Ａ6−Ｏ−」は、それぞれフェニルの炭素に結合しているが、ステロイド核が結合しているフェニル中の炭素に対してメタ位又はパラ位に結合していることが好ましい。また、二つのフェニルにそれぞれ結合している二つのアミノ基は、Ａ6の結合位置に対してメタ位又はパラ位に結合していることが好ましい。
【００９６】
前記一般式（ＸＩ）で表される側鎖型ジアミンとしては、例えば下記構造式（ＸＩ−１）〜（ＸＩ−８）で表されるジアミンが挙げられる。
【００９７】
【化３９】
2010102184.tif 000040
【００９８】
前記一般式（ＸＩＩ）で表される側鎖型ジアミンは、二つのフェニルにそれぞれ結合している二つのアミノ基がＡ7に対してメタ位又はパラ位に結合していることが好ましい。
【００９９】
前記一般式（ＸＩＩ）で表される側鎖型ジアミンとしては、例えば、下記一般式（ＸＩＩ−Ａ）で表わされるジアミンが挙げられる。
【化４０】
2010102184.tif 000041
（−Ｙ4は炭素数１から３０のアルキル、
【化４１】
2010102184.tif 000042
、または
【化４２】
2010102184.tif 000043
であり、−Ｙ5および−Ｙ6はそれぞれ独立して炭素数１から３０のアルキルであり、Ｘ2は−ＣＨ2−又は−Ｏ−を表わす。）
【０１００】
また、前記一般式（ＸＩＩ）で表される側鎖型ジアミンとしては、例えば、下記一般式（ＸＩＩ−１）〜（ＸＩＩ−９）で表されるジアミンが挙げられる。
【０１０１】
【化４３】
2010102184.tif 000044
【０１０２】
前記一般式（ＸＩＩ−１）及び（ＸＩＩ−２）中、Ｒ24は−Ｈ又は炭素数１〜３０のアルキル基であることが好ましく、前記一般式（ＸＩＩ−４）及び（ＸＩＩ−５）中、Ｒ25は−Ｈ又は炭素数１〜３０のアルキル基であることが好ましい。また前記一般式（ＸＩＩ−３）中、Ｒ24は−Ｈ又は炭素数１〜３０のアルキル基であることが好ましく、前記一般式（ＸＩＩ−６）〜（ＸＩＩ−９）中、Ｒ25は−Ｈ又は炭素数１〜２０のアルキル基であることが好ましい。
【０１０３】
前記一般式（ＸＩＩ）で表わされるジアミンとして、例えば下記構造式（ＸＩＩ−２−１）、（ＸＩＩ−４−１）及び（ＸＩＩ−７−１）で表わされるジアミンが好ましく用いられる。
【０１０４】
【化４４】
2010102184.tif 000045
【０１０５】
前記一般式（ＸＩＩＩ）で表される側鎖型ジアミンは、二つのフェニルにそれぞれ結合している二つのアミノ基がＡ7に対してメタ位又はパラ位に結合していることが好ましい。
【０１０６】
前記一般式（ＸＩＩＩ）で表される側鎖型ジアミンとしては、例えば下記一般式（ＸＩＩＩ−１）〜（ＸＩＩＩ−３）で表されるジアミンが挙げられる。
【０１０７】
【化４５】
2010102184.tif 000046
【０１０８】
前記一般式中、Ｒ26は炭素数６〜２０のアルキル基であることが好ましく、Ｒ27は−Ｈ又は炭素数１〜１０のアルキル基であることが好ましい。
【０１０９】
前記ジアミン中における前記側鎖型ジアミンのモル比は、液晶表示素子としたときの適切なプレチルト角を得る観点から、ＴＮ及びＶＡにおいては１〜９０％であることが好ましく、５〜８０％であることがより好ましい。
【０１１０】
前記ジアミン又はその誘導体は、前記一般式（Ｉ）で表されるジアミン以外の他のジアミンとして、ナフタレン構造を有するナフタレン系ジアミン、フルオレン構造を有するフルオレン系ジアミン、又はシロキサン結合を有するシロキサン系ジアミン、又は前記一般式（ＩＸ）〜（ＸＩＩＩ）で表された側鎖構造以外の側鎖構造を有するジアミンをさらに含んでいてもよい。
【０１１１】
例えば前記シロキサン系ジアミンとしては、例えば下記一般式（ＸＶ）で表されるジアミンが挙げられる。
【０１１２】
【化４６】
2010102184.tif 000047
【０１１３】
前記一般式（ＸＶ）中、Ｒ28及びＲ29は独立して炭素数１〜３のアルキル又はフェニルを表し、Ａ10は独立してメチレン、フェニレン又はアルキル置換されたフェニレンを表す。ｉは１〜６の整数を表し、ｊは１〜１０の整数を表す。
【０１１４】
前記一般式（ＸＶ）で表されるジアミンとしては、例えば下記構造式（ＸＶ−１）〜（ＸＶ−７）で表されるジアミンが挙げられる。
【０１１５】
【化４７】
2010102184.tif 000048
【０１１６】
さらに前記他のジアミンとしては、特に限定されないが、例えば下記一般式（１'）〜（８'）で表されるジアミンが挙げられる。
【０１１７】
【化４８】
2010102184.tif 000049
【０１１８】
前記一般式中、Ｒ30は独立して炭素数３〜３０のアルキル基を表し、前記一般式（４’）、（６’）及び（８’）中、Ｒ31は炭素数３〜３０のアルキル基を表す。
【０１１９】
前記ジアミンの誘導体としては、ジアミンをシリル化して得られるシリル化ジアミン化合物が挙げられる。
ジアミンのシリル化に用いられるシリル化剤としては、例えばトリメチルクロロシラン、トリメチルブロモシラン、トリメチルヨードシラン、トリエチルクロロシラン、トリエチルブロモシラン、トリプロピルクロロシラン、トリブチルクロロシラン、トリヘキシルクロロシラン、ジメチルプロピルクロロシラン、ジメチルプロピルクロロシラン、ジメチルオクチルクロロシラン、ジメチルオクタデシルクロロシラン、ｔ−ブチルジメチルクロロシランなどのトリアルキルハロゲン化シラン；ジメチルビニルクロロシランなどのビニル基含有ハロゲン化シラン；ジメチルフェニルクロロシラン、ジフェニルメチルクロロシラン、ジメチルフェニルクロロシラン、ジフェニルメチルクロロシラン、メチルフェニルビニルクロロシランなどのフェニル基含有ハロゲン化シラン；クロロメチルジメチルクロロシラン、３−クロロプロピルジメチルクロロシラン、ジクロロメチルジメチルクロロシランなどのハロゲン化アルキル基含有ハロゲン化シラン；トリメトキシクロロシラン、トリエトキシクロロシラン、ジメトキシメチルクロロシランなどのアルコキシ基含有ハロゲン化シラン；ジメチルジクロロシラン、ジエチルジクロロシラン、ジプロピルジクロロシラン、ジブチルジクロロシラン、ジヘキシルジクロロシランなどのアルキル基含有ジハロゲン化シラン；ヘキサメチルジシラン、ヘキサエチルジシラン、ヘキサフェニルジシランなどのジシラン；ビス（トリメチルシリル）アセトアミド、ビス（トリエチルシリル）アセトアミド、ビス（トリフェニルシリル）アセトアミドなどのシリル化アセトアミド；ヘキサメチルジシラザンなどのジシラザンなどが挙げられる。
ジアミンをシリル化してシリル化ジアミン化合物を得る方法は、特開平１−２１７４２０号公報に記載された方法が挙げられる。
【０１２０】
なお、前記他のジアミンは前述したジアミンに限定されることなく、前記他のジアミンには、他にも存在する種々の形態のジアミンを本発明の目的が達成される範囲内で用いる
ことができることはいうまでもない。
【０１２１】
前記ジアミンの一部はモノアミンに置き換えられてもよい。ジアミンの一部をモノアミンに置き換えることは、ポリアミック酸又はその誘導体を生成する重合反応のターミネーションを起こし、それ以上の反応の進行を抑えることから、得られるポリアミック酸又はその誘導体の分子量を容易に制御する観点から好ましい。ジアミンに対するモノアミンの比率は、本発明の効果を損なわない範囲であればよいが、目安として全アミンの１０モル％以下であることが好ましい。
【０１２２】
前記テトラカルボン酸又はその誘導体として、テトラカルボン酸二無水物を用いることが好ましく例示できる。前記テトラカルボン酸二無水物は一種でも二種以上でもよい。本発明におけるポリアミック酸又はその誘導体を溶剤に可溶な形態とする観点から、前記テトラカルボン酸二無水物を適宜に選択することが好ましい。前記テトラカルボン酸二無水物としては、例えば芳香族テトラカルボン酸二無水物、脂肪族テトラカルボン酸二無水物、及び脂環式テトラカルボン酸二無水物が挙げられる。また、前記テトラカルボン酸二無水物はシルセスキオキサン二無水物誘導体を含んでもよい。
【０１２３】
前記芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、例えば下記構造式（１）〜（１３）で表される化合物が挙げられる。
【０１２４】
【化４９】
2010102184.tif 000050
【０１２５】
前記芳香族テトラカルボン酸二無水物は、下記構造式（１）、（２）、（５）、（６）及び（７）で表される化合物であることが好ましく、構造式（１）で表されるピロメリット酸二無水物であることがより好ましい。
【０１２６】
前記脂肪族テトラカルボン酸二無水物及び脂環式テトラカルボン酸二無水物としては、例えば下記構造式（１４）〜（６２）で表される化合物が挙げられる。
【０１２７】
【化５０】
2010102184.tif 000051
【０１２８】
【化５１】
2010102184.tif 000052
【０１２９】
【化５２】
2010102184.tif 000053
【０１３０】
前記脂肪族テトラカルボン酸二無水物及び脂環式テトラカルボン酸二無水物は、前記構造式（１４）〜（２９）、及び（６０）で表される化合物であることが好ましく、前記構造式（１４）で表される１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物であることがより好ましい。
【０１３１】
また前記脂肪族テトラカルボン酸二無水物及び脂環式テトラカルボン酸二無水物は、本発明におけるポリアミック酸又はその誘導体を溶媒に可溶性なポリイミドとする観点から、前記構造式（１９）、（２０）、（２７）〜（２９）、及び（６０）で表される化合物であることが好ましい。
【０１３２】
前記シルセスキオキサン二無水物誘導体としては、例えば下記構造式（ｉ）で表される化合物が挙げられる。
【化５３】
2010102184.tif 000054
【０１３３】
さらに前記テトラカルボン酸二無水物は側鎖構造を有するテトラカルボン酸二無水物を
含んでいてもよい。側鎖構造を有するテトラカルボン酸二無水物は、液晶表示素子におけるプレチルト角を大きくすることができる。側鎖構造を有するテトラカルボン酸二無水物としては、例えば下記構造式（６３）及び（６４）で表される、ステロイド骨格を有する化合物が挙げられる。
【０１３４】
【化５４】
2010102184.tif 000055
【０１３５】
テトラカルボン酸誘導体としては、下記一般式（１００００）で示されるテトラカルボン酸二無水物をエステル化して得られるジカルボン酸ジエステル化合物が挙げられる。
【０１３６】
【化５５】
2010102184.tif 000056
【０１３７】
一般式１００００中、Ｙ100は炭素数１〜４のアルキルを表す。
【０１３８】
テトラカルボン酸二無水物をエステル化する１価のアルコールおよび１価のアルコール誘導体としては、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール等が挙げられる。テトラカルボン酸二無水物をエステル化してジカルボン酸ジエステル化合物を得る方法は、特開昭６１−７２０２２号公報に記載された方法に準じて行われる。
ジカルボン酸ジエステル化合物とジアミンからポリイミド誘導体を得る方法は、縮合剤としてカルボジイミドを用いる方法（特開昭６１−７２０２２号公報）、炭酸ジエステルを用いる方法（特開昭６２−７２７２４号公報）、リン系化合物を用いる方法（特開２００２−３５６５５４号公報）等が挙げられ、またフェノール系溶剤中で加熱する方法（特開昭５３−１２４５９６号公報）が挙げられる。
【０１３９】
前記テトラカルボン酸二無水物が前記芳香族テトラカルボン酸二無水物と、脂肪族テト
ラカルボン酸二無水物及び脂環式テトラカルボン酸二無水物の一方又は両方とを含むことは、液晶表示素子における残留電圧を低減する観点から好ましい。
【０１４０】
前記テトラカルボン酸二無水物は、他にも種々の形態のテトラカルボン酸二無水物を含み、前述したテトラカルボン酸二無水物に限定されない。前記テトラカルボン酸二無水物には、本発明の目的が達成される範囲内で他の種々の形態のテトラカルボン酸二無水物を用いることができる。
【０１４１】
前記テトラカルボン酸二無水物の一部がカルボン酸無水物に置き換えられてもよい。テトラカルボン酸二無水物の一部をカルボン酸無水物に置き換えることは、前記ポリアミック酸又はその誘導体を生成する重合反応のターミネーションを起こし、それ以上の反応の進行を抑えることから、ポリアミック酸又はその誘導体の分子量を容易に制御する観点から好ましい。前記テトラカルボン酸二無水物に対するカルボン酸無水物の比率は、本発明の効果を損なわない範囲であればよいが、目安として前記テトラカルボン酸二無水物の１０モル％以下であることが好ましい。
【０１４２】
前述した前記ジアミン又はその誘導体及び前記テトラカルボン酸又はその誘導体の組み合わせについて、より具体的には、以下のような組み合わせが好ましく例示できる。
（１）前記ジアミン又はその誘導体が前記構造式（Ｉ−１）〜（Ｉ−５）で表わされる一種以上のジアミンと、前記構造式（Ａ１）、（Ｂ１−１）、（Ｂ２−１）、（Ｂ３−１）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｃ３）、（Ｄ１）、（Ｄ２）、（Ｄ３）、（Ｄ４）、（ＸＩＩ−２−１）、（ＸＩＩ−４−１）及び（ＸＩＩ−７−１）で表わされる一種以上のジアミンとを含み、前記テトラカルボン酸又はその誘導体が前記構造式（１）及び（１４）で表わされるテトラカルボン酸二無水物の一方又は両方を含む組み合わせ。
（２）前記ジアミン又はその誘導体が前記構造式（Ｉ−１）〜（Ｉ−５）で表わされる一種以上のジアミンと、前記構造式（Ａ１）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｃ３）、（Ｄ１）及び（Ｄ２）で表わされる一種以上のジアミンとを含み、前記テトラカルボン酸又はその誘導体が前記構造式（１）及び（１４）で表わされるテトラカルボン酸二無水物の一方又は両方を含む組み合わせ。この組み合わせの好ましい用途として、ＩＰＳ型液晶表示素子及びＴＮ型液晶表示素子が挙げられる。
（３）前記（２）において、前記ジアミン又はその誘導体は前記構造式（Ｉ−１）〜（Ｉ−５）で表わされる一種以上のジアミンと、前記構造式（Ａ１）、（Ｄ１）及び（Ｄ２）で表わされる一種以上のジアミンとを含み、前記テトラカルボン酸又はその誘導体が前記構造式（１）及び（１４）で表わされるテトラカルボン酸二無水物の一方又は両方を含む組み合わせ。この組み合わせの好ましい用途として、ＩＰＳ型液晶表示素子が挙げられる。
（４）前記ジアミン又はその誘導体が前記構造式（Ｉ−１）〜（Ｉ−５）で表わされる一種以上のジアミンと、前記構造式（Ｄ２）、（Ｄ３）、（Ｄ４）、（ＸＩＩ−２−１）、（ＸＩＩ−４−１）及び（ＸＩＩ−７−１）で表わされる一種以上のジアミンとを含み、前記テトラカルボン酸又はその誘導体が前記構造式（１）及び（１４）で表わされるテトラカルボン酸二無水物の一方又は両方を含む組み合わせ。この組み合わせの好ましい用途として、ＴＮ型液晶表示素子が挙げられる。
（５）前記（４）において、前記ジアミン又はその誘導体が前記構造式（Ｉ−１）〜（Ｉ−５）で表わされる一種以上のジアミンと、前記構造式（ＸＩＩ−２−１）、（ＸＩＩ−４−１）及び（ＸＩＩ−７−１）で表わされる一種以上のジアミンとを含み、前記テトラカルボン酸又はその誘導体が前記構造式（１）及び（１４）で表わされるテトラカルボン酸二無水物の一方又は両方を含む組み合わせ。この組み合わせの好ましい用途として、ＴＮ型液晶表示素子が挙げられる。
（６）前記ジアミン又はその誘導体が前記構造式（Ｉ−１）〜（Ｉ−５）で表わされる一種以上のジアミンと、前記構造式（Ｂ１−１）、（Ｂ２−１）、（Ｂ３−１）及び（Ｄ１
）で表わされる一種以上のジアミンとを含み、前記テトラカルボン酸又はその誘導体が前記構造式（１）、（１４）及び（ｉ）で表わされるテトラカルボン酸二無水物の一種以上を含む組み合わせ。この組み合わせの好ましい用途として、ＶＡ型液晶表示素子が挙げられる。
（７）前記（６）において、前記ジアミン又はその誘導体が前記構造式（Ｉ−１）〜（Ｉ−５）で表わされる一種以上のジアミンと、前記構造式（Ｂ１−１）で表わされるジアミンとを含み、前記テトラカルボン酸又はその誘導体が前記構造式（１４）で表わされるテトラカルボン酸二無水物を含む組み合わせ。この組み合わせの好ましい用途として、ＶＡ型液晶表示素子が挙げられる。
また、上記（１）〜（７）の組み合わせを採用することは、液晶表示素子の残留電圧の低減の観点から好ましい。
【０１４３】
前記ポリアミック酸又はその誘導体の重量平均分子量は特に限定されないが、液晶配向剤の成分として用いられる場合は、液晶配向膜を焼成するステップにおいて蒸発せず、また液晶配向剤の成分として好ましい物性を得る観点から、５×１０3以上であることが好ましく、１×１０4以上であることがより好ましい。また前記重量平均分子量は、１×１０6以下であることが、粘性等の液晶配向剤としての取り扱いを容易にする観点から好ましい。
【０１４４】
前記ポリアミック酸又はその誘導体の重量平均分子量はゲル浸透クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定される。例えば、得られたポリアミック酸又はその誘導体をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）でポリアミック酸又はその誘導体の濃度が約１重量％になるように希釈し、クロマトパックＣ−Ｒ７Ａ（島津製作所製）を用いて、ＤＭＦを展開溶媒としてゲル浸透クロマトグラフ分析（ＧＰＣ）法により測定し、ポリスチレン換算することにより求められる。さらに、ＧＰＣ測定の精度を高める観点から、リン酸、塩酸、硝酸、硫酸等の無機酸やリチウムブロミド、リチウムクロリド等の無機塩をＤＭＦ溶媒に溶解させた展開溶媒を調製して用いてもよい。
【０１４５】
前記ポリアミック酸又はその誘導体は、公知の方法を用いて製造することができる。例えば、原料投入口、窒素導入口、温度計、攪拌機及びコンデンサーを備えた反応容器に、前記ジアミンを仕込み、さらに必要に応じて所望量のモノアミンを仕込む。
【０１４６】
次に、溶媒（例えばアミド系極性溶媒であるＮ−メチル−２−ピロリドンやジメチルホルムアミド等）及び前記テトラカルボン酸二無水物を投入し、さらに必要に応じて所望量のカルボン酸無水物を投入する。このときテトラカルボン酸二無水物の総仕込み量は、ジアミンの総モル数とほぼ等モル（モル比０．９〜１．１程度）とすることが好ましい。
【０１４７】
攪拌下に温度０〜７０℃で１〜４８時間反応させることによりポリアミック酸の溶液を、好適に得ることができる。また、加熱して反応温度を上げる（例えば５０〜８０℃）ことにより、分子量の小さいポリアミック酸を得ることもできる。生成したポリアミック酸は、多量の貧溶媒で沈殿させ、固形分と溶媒とを濾過等により完全に分離することによって得られる。
【０１４８】
ポリアミック酸誘導体である可溶性ポリイミドは、通常、ポリアミック酸の溶液を、脱水剤である無水酢酸、無水プロピオン酸、無水トリフルオロ酢酸等の酸無水物、及び脱水閉環触媒であるトリエチルアミン、ピリジン、コリジン等の三級アミンと共に、温度２０〜１５０℃でイミド化反応させて得ることができる。
【０１４９】
又は、ポリアミック酸の溶液から多量の貧溶媒（メタノール、エタノール、イソプロパノール等のアルコール系溶媒やグリコール系溶媒）を用いてポリアミック酸を析出させ、
析出させたポリアミック酸を、トルエン、キシレン等の溶媒中で、前記と同様の脱水剤及び脱水閉環触媒と共に、温度２０〜１５０℃でイミド化反応させて得ることもできる。
【０１５０】
前記イミド化反応において、脱水剤と脱水閉環触媒の割合は０．１〜１０（モル比）であることが好ましい。両者の合計使用量は、使用するテトラカルボン酸二無水物に含まれる酸二無水物の総モル量に対して１．５〜１０倍モルであることが好ましい。この化学的イミド化の脱水剤、触媒量、反応温度及び反応時間を調整することによって、イミド化の程度を制御し、部分ポリイミドを得ることができる。
【０１５１】
また前記テトラカルボン酸二無水物の一部を有機ジカルボン酸に置き換えると、ポリアミック酸−ポリアミド共重合体を得ることができる。ここで、テトラカルボン酸二無水物に対する有機ジカルボン酸の比率は、本発明の効果を損なわない範囲であればよいが、目安としては前記テトラカルボン酸二無水物の１０モル％以下であることが好ましい。
【０１５２】
さらに、該ポリアミック酸−ポリアミド共重合体を化学的にイミド化することによってポリアミドイミドを製造することができる。
【０１５３】
前記ポリアミック酸又はその誘導体は、ＩＲ、ＮＭＲで分析することにより同定され得る。さらには、ＫＯＨやＮａＯＨ等の強アルカリの水溶液で固形のポリアミック酸又はその誘導体を分解後、有機溶媒で抽出し、ＧＣ、ＨＰＬＣ又はＧＣ−ＭＳで分析することにより、使用されているモノマーを同定することができる。
【０１５４】
得られたポリアミック酸又はその誘導体は、所望の粘度に調整するために溶媒で希釈して使用することができる。
【０１５５】
また得られたポリアミック酸又はその誘導体は、溶媒と分離して、後述するエポキシ化合物と共に後述する溶媒に再溶解させて液晶配向剤として使用することもできるし、又は溶媒と分離することなくエポキシ化合物を添加して液晶配向剤として使用することもできる。
【０１５６】
前記ポリアミック酸又はその誘導体は、前記側鎖型ジアミンのような側鎖構造を有するジアミン又はテトラカルボン酸二無水物を用いることによって、液晶表示素子におけるプレチルト角を適宜調整することができ、任意の種類の液晶表示素子に適用することができる。プレチルト角としては、ＶＡ型液晶表示素子の場合には８０〜９０°程度の大きなプレチルト角が、ＯＣＢ型液晶表示素子の場合には７〜２０°程度のプレチルト角が、ＴＮ型液晶表示素子やＳＴＮ型液晶表示素子の場合には３〜１０°程度のプレチルト角が、及びＩＰＳ型液晶表示素子の場合には０〜３°程度の小さなプレチルト角が要求される場合が多い。
【０１５７】
前記のプレチルト角のように、ポリアミック酸又はその誘導体のモノマーによって発現される特性は、そのような特性をもたらすモノマーを用いてポリアミック酸又はその誘導体を製造することによって得られる。モノマーによる特性は、このような特性をもたらす複数種のモノマーを用いて得られる一種のポリアミック酸又はその誘導体から得ることができ、またこのような特性をもたらす複数種のモノマーを用いて得られる二種以上のポリアミック酸又はその誘導体から得ることができる。
【０１５８】
モノマーの一部又は全部が異なる二種以上のポリアミック酸又はその誘導体が液晶配向剤に含有されることは、本発明の液晶配向剤として好ましい特性を付与する観点から好ましい。二種以上のポリアミック酸又はその誘導体の混合比は、液晶配向剤の用途に応じた所望の特性が得られる程度であればよい。
【０１５９】
より具体的には、前記ジアミン又はその誘導体やテトラカルボン酸又はその誘導体の種類及びその組み合わせを適宜選択することにより、本発明の液晶配向剤に求められる、さらに良好な残留電圧の低減や好適なプレチルト角等の所望の特性を付与することができ、また向上させることができる。
【０１６０】
前記エポキシ化合物は、２個以上のエポキシ基を有する化合物である。エポキシ化合物は一種でも二種以上でもよい。エポキシ化合物は、液晶配向剤においてエポキシ化合物と前記ポリアミック酸又はその誘導体との溶液を形成する種類や含有量で用いられる。なお、エポキシ樹脂は、エポキシ基を有する樹脂を意味する。
【０１６１】
前記エポキシ化合物としては、例えばグリシジルエーテル、グリシジルエステル、グリシジルアミン、エポキシ基含有アクリル系樹脂、グリシジルアミド、グリシジルイソシアヌレート、鎖状脂肪族型エポキシ化合物、及び環状脂肪族型エポキシ化合物が挙げられる。
【０１６２】
前記グリシジルエーテルとしては、例えばビスフェノールＡ型エポキシ化合物、ビスフェノールＦ型エポキシ化合物、ビスフェノールＳ型エポキシ化合物、ビスフェノール型エポキシ化合物、水素化ビスフェノール−Ａ型エポキシ化合物、水素化ビスフェノール−Ｆ型エポキシ化合物、水素化ビスフェノール−Ｓ型エポキシ化合物、水素化ビスフェノール型エポキシ化合物、臭素化ビスフェノール−Ａ型エポキシ化合物、臭素化ビスフェノール−Ｆ型エポキシ化合物、フェノールノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、臭素化フェノールノボラック型エポキシ化合物、臭素化クレゾールノボラック型エポキシ化合物、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ化合物、ナフタレン骨格含有エポキシ化合物、芳香族ポリグリシジルエーテル化合物、ジシクロペンタジエンフェノール型エポキシ化合物、脂環式ジグリシジルエーテル化合物、脂肪族ポリグリシジルエーテル化合物、ポリサルファイド型ジグリシジルエーテル化合物、及びビフェノール型エポキシ化合物が挙げられる。
【０１６３】
前記グリシジルエステルとしては、例えばジグリシジルエステル化合物及びグリシジルエステルエポキシ化合物が挙げられる。
【０１６４】
前記グリシジルアミンとしては、例えばポリグリシジルアミン化合物及びグリシジルアミン型エポキシ樹脂が挙げられる。
【０１６５】
前記エポキシ基含有アクリル系化合物としては、例えばオキシラニルを有するモノマーの単独重合体及び共重合体が挙げられる。
【０１６６】
前記グリシジルアミドとしては、例えばグリシジルアミド型エポキシ化合物が挙げられる。
【０１６７】
前記鎖状脂肪族型エポキシ化合物としては、例えばアルケン化合物の炭素−炭素二重結合を酸化して得られる、エポキシ基を含有する化合物が挙げられる。
【０１６８】
前記環状脂肪族型エポキシ化合物としては、例えばシクロアルケン化合物の炭素−炭素二重結合を酸化して得られる、エポキシ基を含有する化合物が挙げられる。
【０１６９】
前記ビスフェノールＡ型エポキシ化合物としては、例えば８２８、１００１、１００２、１００３、１００４、１００７、１０１０（いずれもジャパンエポキシレジン製）、エポトートＹＤ−１２８（東都化成社製）、ＤＥＲ−３３１、ＤＥＲ−３３２、ＤＥＲ−３
２４（いずれもダウ・ケミカル社製）、エピクロン８４０、エピクロン８５０、エピクロン１０５０（いずれも大日本インキ製）、エポミックＲ−１４０、エポミックＲ−３０１、及びエポミックＲ−３０４（いずれも三井化学製）が挙げられる。
【０１７０】
前記ビスフェノールＦ型エポキシ化合物としては、例えば８０６、８０７、４００４Ｐ（いずれもジャパンエポキシレジン製）、エポトートＹＤＦ−１７０、エポトートＹＤＦ−１７５Ｓ、エポトートＹＤＦ−２００１（いずれも東都化成社製）、ＤＥＲ−３５４（ダウ・ケミカル社製）、エピクロン８３０、及びエピクロン８３５（いずれも大日本インキ製）が挙げられる。
【０１７１】
前記ビスフェノール型エポキシ化合物としては、例えば２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンのエポキシ化物が挙げられる。
【０１７２】
前記水素化ビスフェノール−Ａ型エポキシ化合物としては、例えばサントートＳＴ−３０００（東都化成社製）、リカレジンＨＢＥ−１００（新日本理化製）、及びデナコールＥＸ−２５２（ナガセケムテックス社製）が挙げられる。
【０１７３】
前記水素化ビスフェノール型エポキシ化合物としては、例えば水素化２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロプロパンのエポキシ化物が挙げられる。
【０１７４】
前記臭素化ビスフェノール−Ａ型エポキシ化合物としては、例えば５０５０、５０５１（いずれもジャパンエポキシレジン製）、エポトートＹＤＢ−３６０、エポトートＹＤＢ−４００（いずれも東都化成社製）、ＤＥＲ−５３０、ＤＥＲ−５３８（いずれもダウ・ケミカル社製）、エピクロン１５２、及びエピクロン１５３（いずれも大日本インキ製）が挙げられる。
【０１７５】
前記フェノールノボラック型エポキシ化合物としては、例えば１５２、１５４（いずれもジャパンエポキシレジン製）、ＹＤＰＮ−６３８（東都化成社製）、ＤＥＮ４３１、ＤＥＮ４３８（いずれもダウ・ケミカル社製）、エピクロンＮ−７７０（大日本インキ化学工業（株）製）、ＥＰＰＮ−２０１、及びＥＰＰＮ−２０２（いずれも日本化薬（株）製）が挙げられる。
【０１７６】
前記クレゾールノボラック型エポキシ化合物としては、例えば１８０Ｓ７５（ジャパンエポキシレジン製）、ＹＤＣＮ−７０１、ＹＤＣＮ−７０２（いずれも東都化成社製）、エピクロンＮ−６６５、エピクロンＮ−６９５（いずれも大日本インキ化学工業（株）製）、ＥＯＣＮ−１０２Ｓ、ＥＯＣＮ−１０３Ｓ、ＥＯＣＮ−１０４Ｓ、ＥＯＣＮ−１０２０、ＥＯＣＮ−１０２５、及びＥＯＣＮ−１０２７（いずれも日本化薬（株）製）が挙げられる。
【０１７７】
前記ビスフェノールＡノボラック型エポキシ化合物としては、例えば１５７Ｓ７０（ジャパンエポキシレジン（株）製）、及びエピクロンＮ−８８０（大日本インキ化学工業（株）製）が挙げられる。
【０１７８】
前記ナフタレン骨格含有エポキシ化合物としては、例えばエピクロンＨＰ−４０３２、エピクロンＨＰ−４７００、エピクロンＨＰ−４７７０（いずれも大日本インキ化学工業（株）製）、及びＮＣ−７０００（日本化薬社製）が挙げられる。
【０１７９】
前記芳香族ポリグリシジルエーテル化合物としては、例えばハイドロキノンジグリシジ
ルエーテル（下記構造式１０１）、カテコールジグリシジルエーテル（下記構造式１０２）レゾルシノールジグリシジルエーテル（下記構造式１０３）、２−［４−（２，３−エポキシプロポキシ）フェニル］−２−［４−［１，１−ビス［４−（［２，３−エポキシプロポキシ］フェニル）］エチル］フェニル］プロパン（下記構造式１０４）、トリス（４−グリシジルオキシフェニル）メタン（下記構造式１０５）、１０３１Ｓ、１０３２Ｈ６０（いずれもジャパンエポキシレジン製）、ＴＡＣＴＩＸ−７４２（ダウ・ケミカル社製）、デナコールＥＸ−２０１（ナガセケムテックス社製）、ＤＰＰＮ−５０３、ＤＰＰＮ−５０２Ｈ、ＤＰＰＮ−５０１Ｈ、ＮＣ６０００（いずれも日本化薬（株）製）、テクモアＶＧ３１０１Ｌ（三井化学社製）、下記構造式１０６で表される化合物、及び下記構造式１０７で表される化合物が挙げられる。
【０１８０】
【化５６】
2010102184.tif 000057
【０１８１】
前記ジシクロペンタジエンフェノール型エポキシ化合物としては、例えばＴＡＣＴＩＸ
−５５６（ダウ・ケミカル社製）、及びエピクロンＨＰ−７２００（大日本インキ化学工業（株）製）が挙げられる。
【０１８２】
前記脂環式ジグリシジルエーテル化合物としては、例えばシクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル化合物、及びリカレジンＤＭＥ−１００（新日本理化製）が挙げられる。
【０１８３】
前記脂肪族ポリグリシジルエーテル化合物としては、例えばエチレングリコールジグリシジルエーテル（下記構造式１０８）、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル（下記構造式１０９）、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル（下記構造式１１０）、トリプロピレングリコールジグリシジルエーテル（下記構造式１１１）、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル（下記構造式１１２）、１，４−ブタンジオールジグリシジルエーテル（下記構造式１１３）、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル（下記構造式１１４）、ジブロモネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル（下記構造式１１５）、デナコールＥＸ−８１０、デナコールＥＸ−８５１、デナコールＥＸ−８３０１、デナコールＥＸ−９１１、デナコールＥＸ−９２０、デナコールＥＸ−９３１、デナコールＥＸ−２１１、デナコールＥＸ−２１２、デナコールＥＸ−３１３（いずれもナガセケムテックス社製）、ＤＤ−５０３（旭電化製）、リカレジンＷ−１００（新日本理化製）、１，３，５，６−テトラグリシジル−２，４−ヘキサンジオール（下記構造式１１６）、グリセリンポリグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールポリグリシジルエーテル、デナコールＥＸ−３１３、デナコールＥＸ−６１１、デナコールＥＸ−３２１、及びデナコールＥＸ−４１１（いずれもナガセケムテックス社製）が挙げられる。
【０１８４】
【化５７】
2010102184.tif 000058
【０１８５】
前記ポリサルファイド型ジグリシジルエーテル化合物としては、例えばＦＬＤＰ−５０、及びＦＬＤＰ−６０（いずれも東レチオコール製）が挙げられる。
【０１８６】
前記ビフェノール型エポキシ化合物としては、例えばＹＸ−４０００、ＹＬ−６１２１Ｈ（いずれもジャパンエポキシレジン製）、ＮＣ−３０００Ｐ、及びＮＣ−３０００Ｓ（いずれも日本化薬（株）製）が挙げられる。
【０１８７】
前記ジグリシジルエステル化合物としては、例えばジグリシジルテレフタレート（下記構造式１１７）、ジグリシジルフタレート（下記構造式１１８）、ビス（２−メチルオキシラニルメチル）フタレート（下記構造式１１９）、ジグリシジルヘキサヒドロフタレート（下記構造式１２０）、下記構造式１２１で表される化合物、下記構造式１２２で表される化合物、及び下記構造式１２３で表される化合物が挙げられる。
【０１８８】
【化５８】
2010102184.tif 000059
【０１８９】
前記グリシジルエステルエポキシ化合物としては、例えば８７１、８７２（いずれもジャパンエポキシレジン製）、エピクロン２００、エピクロン４００（いずれも大日本インキ化学工業（株）製）、デナコールＥＸ−７１１、及びデナコールＥＸ−７２１（いずれもナガセケムテックス社製）が挙げられる。
【０１９０】
前記ポリグリシジルアミン化合物としては、例えばＮ，Ｎ−ジグリシジルアニリン（下記構造式１２４）、Ｎ，Ｎ−ジグリシジル−ｏ−トルイジン（下記構造式１２５）、Ｎ，Ｎ−ジグリシジル−ｍ−トルイジン（下記構造式１２６）、Ｎ，Ｎ−ジグリシジル−２，４，６−トリブロモアニリン（下記構造式１２７）、３−（Ｎ，Ｎ−ジグリシジル）アミノプロピルトリメトキシシラン（下記構造式１２８）、Ｎ，Ｎ，Ｏ−トリグリシジル−ｐ−アミノフェノール（下記構造式１２９）、Ｎ，Ｎ，Ｏ−トリグリシジル−ｍ−アミノフェノール（下記構造式１３０）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン（下記構造式１３１）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−ｍ−キシリレンジアミン（ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱ガス化学）、下記構造式１３２）、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン（ＴＥＴＲＡＤ−Ｃ（三菱ガス化学）、下記構造式１３３）、１，４−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン（下記構造式１３４）、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノ）シクロヘキサン（下記構造式１３５）、１，４−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノ）シクロヘキサン（下記構造式１３６）、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノ）ベンゼン（下記構造式１３７）、１，４−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノ）ベンゼン
（下記構造式１３８）、２，６−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン（下記構造式１３９）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−４，４’−ジアミノジシクロヘキシルメタン（下記構造式１４０）、２，２’−ジメチル−（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル）−４，４’−ジアミノビフェニル（下記構造式１４１）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−４，４’−ジアミノジフェニルエーテル（下記構造式１４２）、１，３，５−トリス（４−（Ｎ，Ｎ−ジグリシジル）アミノフェノキシ）ベンゼン（下記構造式１４３）、２，４，４’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノ）ジフェニルエーテル（下記構造式１４４）、トリス（４−（Ｎ，Ｎ−ジグリシジル）アミノフェニル）メタン（下記構造式１４５）、３，４，３’，４’−テトラキス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノ）ビフェニル（下記構造式１４６）、３，４，３’，４’−テトラキス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノ）ジフェニルエーテル（下記構造式１４７）、下記構造式１４８で表される化合物、及び下記構造式１４９で表される化合物が挙げられる。
【０１９１】
【化５９】
2010102184.tif 000060
【０１９２】
【化６０】
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【０１９３】
【化６１】
2010102184.tif 000062
【０１９４】
前記オキシラニルを有するモノマーの単独重合体としては、例えばポリグリシジルメタクリレートが挙げられる。前記オキシラニルを有するモノマーの共重合体としては、例えばＮ−フェニルマレイミド−グリシジルメタクリレート共重合体、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド−グリシジルメタクリレート共重合体、ベンジルメタクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体、ブチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体、２−ヒドロキシエチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体、（３−エチル−３−オキセタニル）メチルメタクリレート−グリシジルメタクリレート共重合体、及びスチレン−グリシジルメタクリレート共重合体が挙げられる。
【０１９５】
前記オキシラニルを有するモノマーとしては、例えばグリシジル（メタ）アクリレート、３，４−エポキシシクロヘキシル（メタ）アクリレート、及びメチルグリシジル（メタ）アクリレートが挙げられる。
【０１９６】
前記オキシラニルを有するモノマーの共重合体における前記オキシラニルを有するモノマー以外の他のモノマーとしては、例えば（メタ）アクリル酸、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、２−ヒドロ
キシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、スチレン、メチルスチレン、クロルメチルスチレン、（３−エチル−３−オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、Ｎ−シクロヘキシルマレイミド、及びＮ−フェニルマレイミドが挙げられる。
【０１９７】
前記グリシジルイソシアヌレートとしては、例えば１，３，５−トリグリシジル−１，３，５−トリアジン−２，４，６−（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）−トリオン（下記構造式１５０）、１，３−ジグリシジル−５−アリル−１，３，５−トリアジン−２，４，６−（１Ｈ，３Ｈ，５Ｈ）−トリオン（下記構造式１５１）、及びグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂が挙げられる。
【０１９８】
【化６２】
2010102184.tif 000063
【０１９９】
前記鎖状脂肪族型エポキシ化合物としては、例えばエポキシ化ポリブタジエン、及びエポリードＰＢ３６００（ダイセル化学工業（株）製）が挙げられる。
【０２００】
前記環状脂肪族型エポキシ化合物としては、例えば３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート（セロキサイド２０２１（ダイセル化学工業（株）製）、下記構造式１５２）、２−メチル−３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−２’−メチル−３’，４’−エポキシシクロヘキシルカルボキシレート（下記構造式１５３）、２，３−エポキシシクロペンタン−２’，３’−エポキシシクロペンタンエーテル（下記構造式１５４）、ε−カプロラクトン変性３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−３’，４’−エポキシシクロヘキサンカルボキレート、１，２：８，９−ジエポキシリモネン（セロキサイド３０００（ダイセル化学工業（株）製）、下記構造式１５５）、下記構造式１５６で表される化合物、ＣＹ−１７５、ＣＹ−１７７、ＣＹ−１７９（いずれもＣＩＢＡ−ＧＥＩＧＹ社製）、ＥＨＰＤ−３１５０（ダイセル化学工業（株）製）、及び環状脂肪族型エポキシ樹脂が挙げられる。
【０２０１】
【化６３】
2010102184.tif 000064
【０２０２】
前記エポキシ化合物は、ポリグリシジルアミン化合物、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ化合物、クレゾールノボラック型エポキシ化合物、及び環状脂肪族型エポキシ化
合物の一以上であることが好ましく、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラグリシジル−ｍ−キシレンジアミン、１，３−ビス（Ｎ，Ｎ−ジグリシジルアミノメチル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラグリシジル−４，４'−ジアミノジフェニルメタン、商品名「テクモアＶＧ３１０１Ｌ」、３，４−エポキシシクロヘキセニルメチル−３'，４'−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート、Ｎ−フェニルマレイミド−グリシジルメタクリレート共重合体、Ｎ，Ｎ，Ｏ−トリグリシジル−ｐ−アミノフェノール、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ化合物、及びクレゾールノボラック型エポキシ化合物の一以上であることが好ましい。
【０２０３】
本発明の液晶配向剤は、前述したポリアミック酸又はその誘導体、及びエポキシ化合物以外の成分をさらに含有していてもよい。このようなさらなる成分としては、例えば溶媒、及び通常の液晶配向剤に含有される各種添加剤が挙げられる。
【０２０４】
前記溶媒は、ポリアミック酸、可溶性ポリイミド、及びポリアミドイミド等の高分子成分の製造工程や用途で通常使用されている溶媒を広く含み、使用目的に応じて適宜選択され得る。例えば前記溶媒は、液晶配向剤の粘度等の物性の調整、取り扱いの容易さ、工程の簡略化等の観点から用いることができる。溶媒は一種でも二種以上でもよい。前記溶媒としては、例えばポリアミック酸又はその誘導体に対して易溶性である非プロトン性極性有機溶媒、及び表面張力を変えて塗布性改善等を目的とする塗布性改善溶媒が挙げられ、前記溶媒はこれらを含む混合溶媒であることが好ましい。
【０２０５】
前記非プロトン性極性有機溶媒としては、例えばＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ−メチルカプロラクタム、Ｎ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチル尿素、γ−ブチロラクトン、及びγ−バレロラクトンが挙げられる。前記非プロトン性極性有機溶媒は、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルイミダゾリジノン、γ−ブチロラクトン、及びγ−バレロラクトンから選ばれる一以上であることが好ましい。
【０２０６】
前記塗布性改善溶媒としては、例えば乳酸アルキル、３−メチル−３−メトキシブタノール、テトラリン、イソホロン、エチレングリコールモノブチルエーテル等のエチレングリコールモノアルキルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等のジエチレングリコールモノアルキルエーテル、エチレングリコールモノアルキル又はフェニルアセテート、トリエチレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル、マロン酸ジエチル等のマロン酸ジアルキル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル等のジプロピレングリコールモノアルキルエーテル、及びこれらアセテート類等のエステル化合物が挙げられる。前記塗布性改善溶媒は、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、及びジプロピレングリコールモノメチルエーテルから選ばれる一以上であることが好ましい。
【０２０７】
非プロトン性極性溶媒と塗布性改善溶媒の種類及び割合は、液晶配向剤の印刷性、塗布性、溶解性及び保存安定性等を考慮して、適宜に設定することができる。非プロトン性極性溶媒は、塗布性改善溶媒よりも相対的に溶解性及び保存安定性に優れ、塗布性改善溶媒は印刷性及び塗布性に優れる傾向がある。
【０２０８】
前記添加剤は、液晶配向剤の特定の性質を向上させる目的で用いられる成分であればよく、一種でも二種以上でもよい。前記添加剤としては、それぞれの目的に応じて用いられるポリアミック酸又はその誘導体以外の高分子化合物及び低分子化合物が挙げられる。
【０２０９】
前記高分子化合物は、有機溶媒に可溶性の高分子化合物であることが、形成される液晶配向膜の電気特性や配向性を制御する観点から好ましい。このような高分子化合物としては、例えばポリアミド、ポリウレタン、ポリウレア、ポリエステル、ポリエポキサイド、ポリエステルポリオール、シリコーン変性ポリウレタン、シリコーン変性ポリエステルが挙げられる。
【０２１０】
前記低分子化合物としては、例えば界面活性剤、帯電防止剤、シランカップリング剤、チタン系のカップリング剤、及びイミド化触媒が挙げられる。界面活性剤は液晶配向剤の塗布性を向上させる観点から好ましい。帯電防止剤は液晶配向剤及び液晶配向膜の帯電防止性を向上させる観点から好ましい。シランカップリング剤及びチタン系のカップリング剤剤は、液晶配向膜の基板との密着性や耐ラビング性を向上させる観点から好ましい。イミド化触媒は、液晶配向膜の形成において低温でイミド化を進行させる観点から好ましい。
【０２１１】
前記シランカップリング剤としては、例えばビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルトリメトキシシラン、パラアミノフェニルトリメトキシシラン、パラアミノフェニルトリエトキシシラン、メタアミノフェニルトリメトキシシラン、メタアミノフェニルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、３−クロロプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（１，３−ジメチルブチリデン）−３−（トリエトキシシリル）−１−プロピルアミン、及びＮ，Ｎ'−ビス［３−（トリメトキシシリル）プロピル］エチレンジアミンが挙げられる。
【０２１２】
前記イミド化触媒としては、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン等の脂肪族アミン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン、メチル置換アニリン、ヒドロキシ置換アニリン等の芳香族アミン類；ピリジン、メチル置換ピリジン、ヒドロキシ置換ピリジン、キノリン、メチル置換キノリン、ヒドロキシ置換キノリン、イソキノリン、メチル置換イソキノリン、ヒドロキシ置換イソキノリン、イミダゾール、メチル置換イミダゾール、ヒドロキシ置換イミダゾール等の環式アミン類が挙げられる。前記イミド化触媒は、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、ｏ−，ｍ−，ｐ−ヒドロキシアニリン、ｏ−，ｍ−，ｐ−ヒドロキシピリジン、及びイソキノリンから選ばれる一以上であることが好ましい。
【０２１３】
シランカップリング剤の添加量は、通常、ポリアミック酸又はその誘導体１００重量部に対して０〜３０重量部であり、０．０５〜２０重量部であることが好ましい。
【０２１４】
イミド化触媒の添加量は、通常、ポリアミック酸又はその誘導体のカルボニル基に対して０〜５当量であり、０．０５〜３当量であることが好ましい。
【０２１５】
その他の添加剤の添加量は、その用途に応じて異なるが、通常、ポリアミック酸又はその誘導体１００重量部に対して０〜３０重量部であり、０．１〜２０重量部であることが好ましい。
【０２１６】
本発明の液晶配向剤におけるポリアミック酸又はその誘導体の含有率は、液晶配向剤の基板への塗布方法によっても選択され得る。例えば、通常の液晶表示素子の製造工程で用
いられる印刷機（オフセット印刷機やインクジェット印刷機を含む。以下、「印刷機」と略すことがある。）で使用される液晶配向剤であれば、ポリアミック酸又はその誘導体の含有率は０．５〜３０重量％であることが好ましく、１〜１５重量％であることがより好ましいが、液晶配向剤の粘度（後述）との関係で適宜調整される。
【０２１７】
本発明の液晶配向剤の粘度は、塗布する方法、ポリアミック酸又はその誘導体の濃度、使用するポリアミック酸又はその誘導体の種類、溶媒の種類と割合によって多種多様である。例えば、印刷機による塗布の場合は、液晶配向剤の粘度は５〜１００ｍＰａ・ｓであることが好ましく、１０〜８０ｍＰａ・ｓであることがより好ましい。液晶配向剤の粘度が５ｍＰａ・ｓより小さいと液晶配向膜の十分な膜厚を得ることが難しくなり、１００ｍＰａ・ｓを超えると印刷ムラが大きくなることがある。スピンコートによる塗布の場合は、液晶配向剤の粘度は５〜２００ｍＰａ・ｓであることが好ましく、１０〜１００ｍＰａ・ｓであることがより好ましい。
【０２１８】
液晶配向剤の粘度は回転粘度測定法により測定され、例えば回転粘度計（東機産業製ＴＶＥ−２０Ｌ型）を用いて測定（測定温度：２５℃）される。
【０２１９】
本発明の液晶配向膜は、前述した本発明の液晶配向剤の膜を焼成して形成される。液晶配向剤の膜の形成及びその焼成は、フォトレジストにおける通常の方法によって行うことができる。
【０２２０】
前記液晶配向膜は、例えば液晶表示素子用の基板、又はフッ化カルシウムやシリコン等の測定用の基板に本発明の液晶配向剤を塗布し、この液晶配向剤の膜を例えば１５０〜４００℃、好ましくは１８０〜２８０℃に加熱することによって形成することができる。ここで液晶配向膜の膜厚は、１０〜３００ｎｍであることが好ましく、３０〜１００ｎｍであることがより好ましい。また、液晶配向膜は、ＩＰＳ型液晶表示素子のような横電界方式の液晶表示素子の用途である場合は、ラビング処理されていることが好ましい。
【０２２１】
前記液晶配向膜の膜厚は、液晶配向剤の粘度や液晶配向剤の塗布方法によって調整することができる。また液晶配向膜の膜厚は、段差計やエリプソメータ等の公知の膜厚測定装置によって測定することができる。さらに液晶配向膜中の成分は、必要に応じて加水分解等の処理を行い、ＩＲやＭＳ等の通常の分析手段を利用して分析することができる。例えば、ポリアミック酸をイミド化してなる膜中のオキサジン化合物をＩＲで分析する方法が「Performance improvement of polybenzoxazine by alloying with polyimide: effect of preparation method on the properties」（Tsutomu Takeichi et al., polymer, 2005, 46, p.4909-4916）には記載されている。
【０２２２】
本発明の液晶表示素子は、対向配置されている一対の基板と、前記一対の基板それぞれの対向している面の一方又は両方に形成されている電極と、前記一対の基盤それぞれの対向している面に形成されている本発明の液晶配向膜と、前記一対の基板間に形成されている液晶層を有する。
【０２２３】
前記対向配置された一対の電極付き基板は、透明基板（例えばガラス基板）であることが好ましい。
【０２２４】
前記一対の基板の少なくとも一方又は両方の基板の表面には、液晶表示素子の形態に応じて電極が設けられる。前記電極は、基板の一面に形成される電極であれば特に限定されない。このような電極には、例えばＩＴＯや金属の蒸着膜等が挙げられる。電極は、基板の表面の全体に形成されていてもよいし、例えばパターン化されている所定の形状に形成されていてもよい。また電極は一対の基板の一方のみに設けられていてもよいし、両方に
設けられていてもよい。例えば電極が設けられていない基板には基板の表面上に本発明の液晶配向膜が形成され、電極が設けられている基板には電極の上に本発明の液晶配向膜が形成される。本発明の液晶配向膜の形成については前述したとおりである。
【０２２５】
前記一対の基板間に挟持された液晶層は液晶組成物を含む。ここで液晶組成物は特に制限はされず、駆動モードに応じて、誘電率異方性が正の液晶組成物及び誘電率異方性が負の液晶組成物のいずれの組成物も用いることができる。
【０２２６】
誘電率異方性が正である好ましい液晶組成物の例は、特許第３０８６２２８号公報、特許第２６３５４３５号公報、特表平５−５０１７３５号公報、特開平８−１５７８２６号公報、特開平８−２３１９６０号公報、特開平９−２４１６４４号公報（ＥＰ８８５２７２Ａ１）、特開平９−３０２３４６号公報（ＥＰ８０６４６６Ａ１）、特開平８−１９９１６８号公報（ＥＰ７２２９９８Ａ１）、特開平９−２３５５５２号公報、特開平９−２５５９５６号公報、特開平９−２４１６４３号公報（ＥＰ８８５２７１Ａ１）、特開平１０−２０４０１６号公報（ＥＰ８４４２２９Ａ１）、特開平１０−２０４４３６号公報、特開平１０−２３１４８２号公報、特開２０００−０８７０４０公報、特開２００１−４８８２２公報等に開示されている。
【０２２７】
ＶＡ型液晶表示素子において用いられる液晶組成物は、誘電率異方性が負の各種の液晶組成物とすることができる。好ましい液晶組成物の例は、特開昭５７−１１４５３２号公報、特開平２−４７２５号公報、特開平４−２２４８８５号公報、特開平８−４０９５３号公報、特開平８−１０４８６９号公報、特開平１０−１６８０７６号公報、特開平１０−１６８４５３号公報、特開平１０−２３６９８９号公報、特開平１０−２３６９９０号公報、特開平１０−２３６９９２号公報、特開平１０−２３６９９３号公報、特開平１０−２３６９９４号公報、特開平１０−２３７０００号公報、特開平１０−２３７００４号公報、特開平１０−２３７０２４号公報、特開平１０−２３７０３５号公報、特開平１０−２３７０７５号公報、特開平１０−２３７０７６号公報、特開平１０−２３７４４８号公報（ＥＰ９６７２６１Ａ１）、特開平１０−２８７８７４号公報、特開平１０−２８７８７５号公報、特開平１０−２９１９４５号公報、特開平１１−０２９５８１号公報、特開平１１−０８００４９号公報、特開２０００−２５６３０７公報、特開２００１−０１９９６５公報、特開２００１−０７２６２６公報、特開２００１−１９２６５７公報等に開示されている。
【０２２８】
前記誘電率異方性が正又は負の液晶組成物に、一つ以上の光学活性化合物を添加して使用することも何ら差し支えない。
【０２２９】
本発明の液晶表示素子は、もちろんその他の部材を有していてもよい。例えば、薄膜トランジスタを使用したカラー表示のＴＦＴ型液晶素子においては、第１の透明基板上に薄膜トランジスタ、絶縁膜、保護膜、信号電極及び画素電極等が形成されており、第２の透明基板上に画素領域以外の光を遮断するブラックマトリクス、カラーフィルター、平坦化膜及び画素電極等を有し得る。
【０２３０】
また、ＶＡ型液晶表示素子、特にＭＶＡ型液晶表示素子においては、第１の透明基板上にドメインと称される微小な突起物が形成されている。また、基板間のセルギャップの調整用にスペーサーが形成されていてもよい。
【０２３１】
本発明の液晶表示素子は任意の方法で製作され得るが、例えば、１）前記二枚の透明基板上に液晶配向剤を塗布する工程、２）塗布された液晶配向剤を乾燥する工程、３）乾燥された液晶配向剤を脱水・閉環反応させるために必要な加熱処理をする工程、４）得られた液晶配向膜を配向処理する工程、５）二枚の基板を張り合わせた後に、基板の間に液晶
組成物を封入する工程、又は一方の基板に液晶組成物を滴下させた後に、もう一方の基板と張り合わせる工程を含む方法で製作される。
【０２３２】
前記液晶配向剤を塗布する工程における塗布方法としては、スピンナー法、印刷法、ディッピング法、滴下法、インクジェット法等が一般に知られている。これらの方法が本発明においても適用可能である。
【０２３３】
また、前記乾燥工程及び脱水反応に必要な加熱処理を施す工程の方法として、オーブン又は赤外炉の中で加熱処理する方法、ホットプレート上で加熱処理する方法等が一般に知られている。これらの方法が本発明においても適用可能である。乾燥工程は、溶媒の蒸発が可能な範囲内の比較的低温（５０〜１４０℃）で実施することが好ましい。加熱処理の工程は一般に１５０〜３００℃程度の温度で行うことが好ましい。
【０２３４】
液晶配向膜への配向処理は、ＩＰＳ型液晶表示素子、ＯＣＢ型液晶表示素子、ＴＮ型液晶表示素子、ＳＴＮ型液晶表示素子では通常ラビング処理を行う。ＶＡ型液晶表示素子ではラビング処理を行わないことが多いが行ってもよい。
【０２３５】
次いで、一方の基板上に接着剤を塗布し貼りあわせ真空中で液晶を注入する。滴下注入法の場合には、貼りあわせる前に液晶組成物を基板上に滴下し、その後もう一方の基板で貼りあわせる。貼りあわせに使用した接着剤を熱又は紫外線で硬化させて本発明の液晶表示素子が作製される。
【０２３６】
本発明の液晶表示素子には、偏光板（偏光フィルム）、波長板、光散乱フィルム、駆動回路等が実装されてもよい。
【実施例】
【０２３７】
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されない。実施例において用いる化合物は次の通りである。
【０２３８】
＜テトラカルボン酸二無水物＞
化合物：ピロメリット酸二無水物：ＰＭＤＡ
化合物：１，２，３，４−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物：ＣＢＤＡ
【０２３９】
＜ジアミン＞
化合物：４，４’−ジアミノジフェニルサルファイド：ＡＳＤ
化合物：１，２−ビス（４−アミノフェニル）チオエタン：ＤＤＳＥ
化合物：１，３−ビス（４−アミノフェニル）チオプロパン：ＤＤＳＰ
化合物：１，４−ビス（４−アミノフェニル）チオブタン：ＤＤＳＢ
化合物：１，５−ビス（４−アミノフェニル）チオペンタン：ＤＤＳＮ
化合物：４，４’−ジアミノジフェニルメタン：ＤＤＭ
化合物：４，４’−ジアミノジフェニルエーテル：ＤＤＥ
化合物：４，４’−ジアミノジフェニルプロパン：ＤＤＰｒ
化合物：Ｎ，Ｎ’−ビス（４−アミノフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン：ＮＮ２ＤＡＭｅ
化合物：１，５−ビス（４−アミノフェニル）オキシペンタン：ＤＤＯＮ
【０２４０】
＜エポキシ化合物＞
化合物：Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラグリシジル−４，４’−ジアミノジフェニルメタン：ＴＧＤＤＭ
【０２４１】
＜溶剤＞
Ｎ−メチル−２−ピロリドン：ＮＭＰ
γ−ブチロラクトン：ＧＢＬ
ブチルセロソルブ（エチレングリコールモノブチルエーテル）：ＢＣ
【０２４２】
＜１．ポリアミック酸の合成＞
［合成例１］
温度計、攪拌機、原料投入仕込み口及び窒素ガス導入口を備えた１００ｍＬの四つ口フラスコにＤＤＳＥを３．４３０ｇ（１２．４０９ｍｍｏｌ）、及び脱水ＮＭＰを５４．０ｇ入れ、乾燥窒素気流下攪拌溶解した。次いでＰＭＤＡを１．３５３ｇ（６．２０４ｍｍｏｌ）とＣＢＤＡを１．２１７ｇ（６．２０４ｍｍｏｌ）、及び脱水ＧＢＬを１５．０ｇ加えて、室温環境下で３０時間反応させた。反応中に反応温度が上昇する場合は、反応温度を約７０℃以下に抑えて反応させた。得られた溶液に、ＢＣを２５．０ｇ加えて、濃度が６重量％のポリアミック酸溶液を得た。このポリアミック酸溶液をＰＡ１とする。
【０２４３】
［合成例２〜１０］
表１に示したようにテトラカルボン酸二無水物及びジアミンを変更した以外は、合成例１に準拠してポリアミック酸溶液ＰＡ２〜ＰＡ１０を調製した。合成例１を含めて、結果を表１にまとめた。
【０２４４】
【表１】
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【０２４５】
＜２．液晶表示素子の作製＞
［比較例１］
ＰＡ１にＮＭＰ／ＢＣ＝１／１（重量比）の混合溶媒を加えて全体をポリアミック酸の濃度が４重量％となるように希釈して液晶配向剤を得た。得られた液晶配向剤を用いて、下記の通り液晶表示素子を作製した。
【０２４６】
＜液晶表示素子の作製方法（実施例１〜５、比較例１〜１０）＞
液晶配向剤を、二枚のＩＴＯ電極付きガラス基板にスピンナーにて塗布し、膜厚７０ｎｍの膜を形成した。塗膜後８０℃にて約５分間加熱乾燥した後、２１０℃にて２０分間加熱処理を行い、液晶配向膜を形成した。次いで、液晶配向膜が形成された基板の表面をラビング装置にてラビング処理して配向処理を行った。その後、液晶配向膜を超純水中で５分間超音波洗浄してからオーブン中１２０℃で３０分間乾燥した。
【０２４７】
一方のガラス基板に７μｍのギャップ材を散布し、液晶配向膜を形成した面を内側にしてラビング方向が逆平行になるように対向配置させた後、エポキシ硬化剤でシールし、ギャップ７μｍのアンチパラレルセルを作製した。該セルに、下記に示す液晶組成物を注入し、注入口を光硬化剤で封止した。次いで、１１０℃で３０分間加熱処理を行い、液晶表示素子を作製した。
【０２４８】
【化６４】
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【０２４９】
［実施例１］
比較例１で得られた４重量％の液晶配向剤に、ＴＧＤＤＭをポリアミック酸１００重量部に対して２０重量部溶解させて液晶配向剤を得た。得られた液晶配向剤を用いて、上記の通り液晶表示素子を作製した。
【０２５０】
［比較例２］
ＰＡ２にＮＭＰ／ＢＣ＝１／１（重量比）の混合溶媒を加えて全体をポリアミック酸の濃度が４重量％となるように希釈して液晶配向剤を得た。得られた液晶配向剤を用いて、
上記の通り液晶表示素子を作製した。
【０２５１】
［実施例２］
比較例２で得られた４重量％の液晶配向剤に、ＴＧＤＤＭをポリアミック酸１００重量部に対して２０重量部溶解させて液晶配向剤を得た。得られた液晶配向剤を用いて、上記の通り液晶表示素子を作製した。
【０２５２】
［比較例３］
ＰＡ３にＮＭＰ／ＢＣ＝１／１（重量比）の混合溶媒を加えて全体をポリアミック酸の濃度が４重量％となるように希釈して液晶配向剤を得た。得られた液晶配向剤を用いて、上記の通り液晶表示素子を作製した。
【０２５３】
［実施例３］
比較例３で得られた４重量％の液晶配向剤に、ＴＧＤＤＭをポリアミック酸１００重量部に対して２０重量部溶解させて液晶配向剤を得た。得られた液晶配向剤を用いて、上記の通り液晶表示素子を作製した。
【０２５４】
［比較例４］
ＰＡ４にＮＭＰ／ＢＣ＝１／１（重量比）の混合溶媒を加えて全体をポリアミック酸の濃度が４重量％となるように希釈して液晶配向剤を得た。得られた液晶配向剤を用いて、上記の通り液晶表示素子を作製した。
【０２５５】
［実施例４］
比較例４で得られた４重量％の液晶配向剤に、ＴＧＤＤＭをポリアミック酸１００重量部に対して２０重量部溶解させて液晶配向剤を得た。得られた液晶配向剤を用いて、上記の通り液晶表示素子を作製した。
【０２５６】
［比較例５］
ＰＡ５にＮＭＰ／ＢＣ＝１／１（重量比）の混合溶媒を加えて全体をポリアミック酸の濃度が４重量％となるように希釈して液晶配向剤を得た。得られた液晶配向剤を用いて、上記の通り液晶表示素子を作製した。
【０２５７】
［実施例５］
比較例５で得られた４重量％の液晶配向剤に、ＴＧＤＤＭをポリアミック酸１００重量部に対して２０重量部溶解させて液晶配向剤を得た。得られた液晶配向剤を用いて、上記の通り液晶表示素子を作製した。
【０２５８】
［比較例６］
ＰＡ６にＮＭＰ／ＢＣ＝１／１（重量比）の混合溶媒を加えて全体をポリアミック酸の濃度が４重量％となるように希釈し、さらにＴＧＤＤＭをポリアミック酸１００重量部に対して２０重量部溶解させて液晶配向剤を得た。得られた液晶配向剤を用いて、上記の通り液晶表示素子を作製した。
【０２５９】
［比較例７］
ＰＡ７にＮＭＰ／ＢＣ＝１／１（重量比）の混合溶媒を加えて全体をポリアミック酸の濃度が４重量％となるように希釈し、さらにＴＧＤＤＭをポリアミック酸１００重量部に対して２０重量部溶解させて液晶配向剤を得た。得られた液晶配向剤を用いて、上記の通り液晶表示素子を作製した。
【０２６０】
［比較例８］
ＰＡ８にＮＭＰ／ＢＣ＝１／１（重量比）の混合溶媒を加えて全体をポリアミック酸の濃度が４重量％となるように希釈し、さらにＴＧＤＤＭをポリアミック酸１００重量部に対して２０重量部溶解させて液晶配向剤を得た。得られた液晶配向剤を用いて、上記の通り液晶表示素子を作製した。
【０２６１】
［比較例９］
ＰＡ９にＮＭＰ／ＢＣ＝１／１（重量比）の混合溶媒を加えて全体をポリアミック酸の濃度が４重量％となるように希釈し、さらにＴＧＤＤＭをポリアミック酸１００重量部に対して２０重量部溶解させて液晶配向剤を得た。得られた液晶配向剤を用いて、上記の通り液晶表示素子を作製した。
【０２６２】
［比較例１０］
ＰＡ１０にＮＭＰ／ＢＣ＝１／１（重量比）の混合溶媒を加えて全体をポリアミック酸の濃度が４重量％となるように希釈し、さらにＴＧＤＤＭをポリアミック酸１００重量部に対して２０重量部溶解させて液晶配向剤を得た。得られた液晶配向剤を用いて、上記の通り液晶表示素子を作製した。
【０２６３】
＜３．残留電圧の評価＞
実施例１〜５、比較例１〜１０で作製した液晶表示素子について、残留電圧の測定を行った。測定は、液晶表示素子に、直流３Ｖをバイアスした３０Ｈｚ、１．６２Ｖの矩形波を３０分印加し、直流電圧を切った直後の液晶セル内に残留した電圧をフリッカー消去法により求めた。残留電圧の値が小さいほど焼き付き現象が発生しづらいと言える。結果を表２に示す。
【０２６４】
【表２】
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【０２６５】
表２に示されたように、エポキシ化合物を添加した実施例１〜５の液晶配向剤を使用した液晶表示素子では、エポキシ化合物を添加しない比較例１〜５の液晶配向剤と比較して残留電圧を低減させることができる。また、実施例１〜４の液晶配向剤を使用した液晶表示素子では、比較例６〜８の液晶配向剤と比較して残留電圧を低減させることができる。さらに、実施例５の液晶配向剤を使用した液晶表示素子では、比較例９〜１０の液晶配向剤と比較して残留電圧を低減させることができる。