(57)【要約】【課題】製品の小型化を阻害することなく且つ光学特性を損なうことなく製造工程を簡略することが可能な、半導体装置の製造方法を提供することにある。【解決手段】基板上に複数の光半導体素子が実装されてなる光半導体素子実装基板３０を下金型１にセットし、下金型１と一次上金型１０による一次トランスファーモールドで前記光半導体素子実装基板３０上に、光半導体素子３１を囲うように枠体３２を形成し、その後光半導体素子実装基板３０を下金型１にセットしたままで下金型１と二次上金型２０による二次トランスファーモールドで前記光半導体素子実装基板３０上の光半導体素子３１及び枠体３２を覆うように透光部５２を形成するようにした。そして、二次トランスファーモールド後に、下金型１から多数個取り成型品（半導体装置）を取り出してダイサーカットにより個々の半導体装置に個片化するようにした。【選択図】図７
2010123620.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下金型に、所定の間隔で複数の光半導体素子が実装されてなる光半導体素子実装基板をセットする工程と、
前記下金型と、複数の枠体形成用キャビティが形成された一次上金型とによる一次トランスファーモールドで前記光半導体素子実装基板上に、前記光半導体素子を囲うように遮光性及び反射性を有する熱硬化性樹脂からなる枠体を形成する工程と、
前記下金型に前記光半導体素子実装基板をセットしたままで前記一次上金型を透光部形成用キャビティが形成された二次上金型に交換した後に、前記下金型と前記二次上金型とによる二次トランスファーモールドで前記光半導体素子実装基板上の前記光半導体素子及び前記枠体を覆うように、前記光半導体素子が発光又は受光する光の波長領域の少なくとも一部に対して透光性を有する熱硬化性樹脂からなる透光部を形成する工程と、
前記下金型及び前記二次上金型から、前記光半導体素子実装基板上に前記枠体及び前記透光部が形成されてなる多面取り半導体装置を取り出す工程と、
前記多面取り半導体装置を所定の間隔で切断することにより個々の半導体装置に個片化する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記二次上金型の透光部形成キャビティは、前記下金型と前記二次上金型による二次トランスファーモールドにおいて前記光半導体素子の上方となる位置に球面又は非球面形状の凹部が構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記下金型の前記光半導体素子実装基板がセットされる側の面、前記一次上金型の前記枠体成形用キャビティが形成された側の面、及び前記二次上金型の前記透光部形成用キャビティが形成された側の面はいずれも全面に亘って離型膜が設けられていることを特徴とする請求項１又は２のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記一次上金型の少なくとも前記枠体成形用キャビティの内面及び前記二次上金型の少なくとも前記透光部形成用キャビティの内面にトリアジンチオールによる離型膜が形成されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記透光性を有する熱硬化性樹脂に、１種類以上の蛍光体、１種類以上の染料、１種類以上の顔料、及び１種類以上の染料と１種類以上の顔料による混合物のうちいずれかの物質が分散されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関するものであり、詳しくは、半導体素子をトランスファーモールドで樹脂封止する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に遮光性及び反射性を有する枠体が配設され、枠体内の前記基板上に半導体発光素子が実装されると共に枠体内に透光性樹脂が充填されて該半導体発光素子が樹脂封止された構成の半導体発光装置は、従来、例えば図１１に示す方法で製造されている。
【０００３】
それは、（ａ）の工程において、基板上に所定の間隔で複数の半導体発光素子１００を実装して多数個取り半導体発光素子実装基板１０１を作製する。次に（ｂ）の工程において、透光性樹脂による一次トランスファーモールドにより多数個取り半導体発光素子実装基板１０１上に所定の厚みで透光部１０２を形成する（半導体発光素子の樹脂封止）。次に（ｃ）の工程において、透光部１０２にダイサーカットにより縦横夫々の間隔で、該透光部の厚みの深さで所定の幅の溝１０３を形成する。次に、（ｄ）の工程において、遮光性及び反射性を有する樹脂による二次トランスファーモールドにより溝内に枠体１０４を形成する。次に、（ｅ）の工程において、ダイサーカットにより枠体１０４に沿って該枠体１０４と多数個取り半導体発光素子実装基板１０１を同時にカットし個片化する。すると（ｆ）に示す外観の半導体発光素子１０５が複数個完成する（例えば、特許文献１及び特許文献２参照。）。
【０００４】
また、基板上に一次トランスファーモールドにより枠体を形成し、一旦金型から取り出して枠体内に発光体を配置した後、再度金型にセットして二次トランスファーモールドにより枠体内に透光性樹脂を充填して発光体を樹脂封止する方法も提案されている（例えば、特許文献３参照。）。
【特許文献１】特開２００２−３４４０３０号公報
【特許文献２】特開２００３−３１８５４号公報
【特許文献３】特開２００６−３２４６２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１及び特許文献２による半導体発光装置の製造方法は、透光部に溝を形成するためのダイサーカット及び個片化のためのダイサーカットの２回のダイサーカットが必要であり、製造工数が多くなって生産性の低下を招く。
【０００６】
また、透光性樹脂による一次トランスファーモールドにより各半導体発光素子上を凸状レンズとする透光部を形成すると、遮光性及び反射性を有する樹脂による二次トランスファーモールドにおいて透光部の凸レンズ面と成形用金型の凹面との面合わせが困難となる。そのため、透光部は平坦面しか形成できないことになる。
【０００７】
特許文献３による半導体発光装置の製造方法は、枠体を成形するときと透光性樹脂を充填するときの２回の金型セットが必要であり、上記特許文献１及び特許文献２と同様に製造工数が多くなって生産性の低下を招く。
【０００８】
また、一次トランスファーモールドにより枠体が形成された基板上の該枠体内に発光体を配置するため、枠体内に配線用ボンディングワイヤのボンディングツール（例えば、キャピラリ）の作業領域が必要となり、半導体発光装置の小型化が阻害されることになる。
【０００９】
そこで、上記以外の製造方法として、複数の半導体発光素子１００を実装した多数個取り半導体発光素子実装基板１０１に一次トランスファーモールドにより溝１０３を有す透光部１０２を形成し（図１２（ａ）、（ｂ）参照）、二次トランスファーモールドにより溝内に枠体１０４を形成するす（図１２（ｃ）参照）方法が考えられるが、一次トランスファーモールドにける金型抜き勾配の必要性から完成した製品（図１２（ｄ）参照）が、その枠体１０４の内側面１０６が上方に向けて内側に傾斜した錐体側面形状となる。そのため、半導体発光素子１００から出射して枠体１０４の内側面１０６で反射した光が上方に向かわず、光の利用効率が低いものとなってしまう。
【００１０】
そこで、本発明は上記問題に鑑みて創案なされたもので、その目的とするところは、製品の小型化を阻害することなく且つ光学特性を損なうことなく製造工程を簡略することが可能な、半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明の請求項１に記載された発明は、下金型に、所定の間隔で複数の光半導体素子が実装されてなる光半導体素子実装基板をセットする工程と、
前記下金型と、複数の枠体形成用キャビティが形成された一次上金型とによる一次トランスファーモールドで前記光半導体素子実装基板上に、前記光半導体素子を囲うように遮光性及び反射性を有する熱硬化性樹脂からなる枠体を形成する工程と、
前記下金型に前記光半導体素子実装基板をセットしたままで前記一次上金型を透光部形成用キャビティが形成された二次上金型に交換した後に、前記下金型と前記二次上金型とによる二次トランスファーモールドで前記光半導体素子実装基板上の前記光半導体素子及び前記枠体を覆うように、前記光半導体素子が発光又は受光する光の波長領域の少なくとも一部に対して透光性を有する熱硬化性樹脂からなる透光部を形成する工程と、
前記下金型及び前記二次上金型から、前記光半導体素子実装基板上に前記枠体及び前記透光部が形成されてなる多面取り半導体装置を取り出す工程と、
前記多面取り半導体装置を所定の間隔で切断することにより個々の半導体装置に個片化する工程とを有することを特徴とするものである。
【００１２】
また、本発明の請求項２に記載された発明は、請求項１において、前記二次上金型の透光部形成キャビティは、前記下金型と前記二次上金型による二次トランスファーモールドにおいて前記光半導体素子の上方となる位置に球面又は非球面形状の凹部が構成されていることを特徴とするものである。
【００１３】
また、本発明の請求項３に記載された発明は、請求項１又は２のいずれか１項において、前記下金型の前記光半導体素子実装基板がセットされる側の面、前記一次上金型の前記枠体成形用キャビティが形成された側の面、及び前記二次上金型の前記透光部形成用キャビティが形成された側の面はいずれも全面に亘って離型膜が設けられていることを特徴とするものである。
【００１４】
また、本発明の請求項４に記載された発明は、請求項３において、前記一次上金型の少なくとも前記枠体成形用キャビティの内面及び前記二次上金型の少なくとも前記透光部形成用キャビティの内面にトリアジンチオールによる離型膜が形成されていることを特徴とするものである。
【００１５】
また、本発明の請求項５に記載された発明は、請求項１〜４のいずれか１項において、前記透光性を有する熱硬化性樹脂に、１種類以上の蛍光体、１種類以上の染料、１種類以上の顔料、及び１種類以上の染料と１種類以上の顔料による混合物のうちいずれかの物質が分散されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明は、複数の光半導体素子が実装された光半導体素子実装基板を下金型にセットし、一次上金型とによる一次トランスファーモールドで光半導体素子実装基板上に光半導体素子を囲うように枠体を形成し、その後光半導体素子実装基板を下金型にセットしたままで二次上金型とによる二次トランスファーモールドで光半導体素子実装基板上の光半導体素子及び枠体を覆うように透光部を形成するようにした。そして、二次トランスファーモールド後に上下金型から多数個取り成型品（半導体装置）を取り出してダイサーカットにより個々の半導体装置に個片化するようにした。
【００１７】
その結果、ダイサーカットが１回で済むため、製造工数の低減が図られて生産効率の向上が可能となった。
【００１８】
また、一次トランスファーモールドで枠体が形成されるために型抜き勾配を設けることが可能となり、枠体の内側面（反射面）を鉢形状とすることで光の取り出し効率が改善されて光の利用効率を高めることが可能となった。
【００１９】
更に、光半導体素子を基板上に実装した後に、一次トランスファーモールドによる枠体及び二次トランスファーモールドによる透光部が形成される。そのため、枠体内に配線用ボンディングワイヤのボンディングツール（例えば、キャピラリ）等の作業領域を設ける必要がなく、半導体装置の小型化が実現できた。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、この発明の好適な実施例を図１〜図９を参照しながら、詳細に説明する。尚、以下に述べる実施例は、本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの実施例に限られるものではない。
【００２１】
図１は本発明の製造方法に基づいて作製される半導体装置の説明図である。
【００２２】
半導体装置６２は、光半導体素子３１が実装された光半導体素子実装基板３０上に遮光性及び反射性を有する熱硬化性樹脂からなる枠体３２が形成され、枠体３２で囲まれた内部及び枠体３２の上面上に熱硬化性の透光性樹脂による透光部５２が配置されている。透光性樹脂は、光半導体素子３１が発光又は受光する光の波長領域の少なくとも一部に対して透光性を有する樹脂からなる。
【００２３】
透光部５２は、光半導体素子３１を覆うように該光半導体素子３１を樹脂封止していると共に光半導体素子３１の上方に球面又は非球面の凸形状のレンズ面６３を形成しており、光半導体素子３１がＬＥＤ等の発光素子の場合は、光半導体素子３１から出射して透光部５２内を導光されて外部に対する光出射面となるレンズ面６３に至った光線は、レンズ面６３で光半導体素子３１の光軸Ｘ方向に屈折されて透光部５２外に出射される。
【００２４】
光半導体素子３１がフォトダイオード、フォトトランジスタ等の受光素子の場合は、外部から透光部５２のレンズ面６３に到達した光線は、透光部５２の光入射面となるレンズ面６３で光半導体素子３１の光軸Ｘ方向に屈折されて透光部５２内に入射し、透光部５２内を導光されて光半導体素子３１上に収束される。
【００２５】
枠体３２は、光半導体素子３１が発光素子の場合は、光半導体素子３１から出射して透光部５２内を導光されて枠体３２の内側面６４に向かう光線は該内側面６４で遮光されて外部への出射が阻止されると共に内側面６４で反射されて透光部５２内を導光されてレンズ面６３方向に向かい、レンズ面６３に至った光線はレンズ面６３で光半導体素子３１の光軸Ｘ方向に屈折されて透光部５２外に出射される。
【００２６】
光半導体素子３１が発光素子の場合は、外部から透光部５２のレンズ面６３に到達し、レンズ面６３から透光部５２内に入射して該透光部５２内を導光されて枠体３２の内側面６４に向かう光線は、該枠体３２の内側面６４で反射されて光半導体素子３１上に収束される。
【００２７】
このような構成の半導体装置は、図２〜図９に示す製造工程を経て作製される。
【００２８】
本発明の半導体装置の製造方法は、１面の下金型と２面の上金型（一次上金型と二次上金型）を用いる。
【００２９】
まず、図２の金型準備工程において、下金型１と上金型の一次上金型１０と上金型の二次上金型２０を準備する。そのうち下金型１は、後述する光半導体素子実装基板３０をセットするための基板セット用凹部２が形成されると共にプランジャポット３と該プランジャポット３内を進退自在に摺動するプランジャ４を備えており、プランジャポット３の上端開口部にはプランジャポット３よりも径が大きいカル溜り部５が設けられている。更に、樹脂溜６と、該樹脂溜６と下金型１外とを連通するエアベント７が設けられている。
【００３０】
一方、上金型の一次上金型１０は、枠体形成用キャビティ１１が形成されると共に該枠体形成用キャビティ１１に連通するランナ１２が設けられ、更に光半導体素子実装基板３０がセットされた下金型１と枠体形成用キャビティ１１が形成された一次上金型１０を型締めしたときに後述する光半導体素子３１を収容する複数の光半導体素子収容用凹部１３が形成されている。
【００３１】
また、上金型の二次上金型２０は、透光部形成用キャビティ２１が形成されると共に該透光部形成用キャビティ２１に連通するランナ２２が設けられ、ランナ２２はプランジャポット２３の下端開口部に設けられた、該プランジャポット２３よりも径が大きいカル溜り部２４に連通されている。更に、透光部形成用キャビティ２１に連通する樹脂溜２５と、該樹脂溜２５と二次上金型２０外とを連通するエアベント２６が設けられている。
【００３２】
透光部形成用キャビティ２１は、光半導体素子実装基板３０がセットされた下金型１と二次上金型２０を型締めしたときに後述する光半導体素子３１の上方となる位置に球面又は非球面形状の凹部２７が形成されている。
【００３３】
なお、下金型１の基板セット用凹部２が形成された側の面、一次上金型１０の枠体成形用キャビティ１１が形成された側の面、及び二次上金型２０の透光部形成用キャビティ２１が形成された側の面はいずれも、プランジャポット３、２３の内周面を含む全面に亘って離型膜７０が形成されている。
【００３４】
そのうち、一次上金型１０の少なくとも枠体成形用キャビティ１１の内面は成形品における枠体３２の光反射面等の光学機能面を形成する面となるため、例えば、均一な薄膜形成が可能で耐久性が良好であり且つ高離型性を有するトリアジンチオールの被膜７１が形成されている。同様に、二次上金型２０の少なくとも透光部形成用キャビティ２１の内面は成形品にけるレンズあるいはプリズム等の光学機能面を形成する面となるため、例えば、均一な薄膜形成が可能で耐久性が良好であり且つ高離型性を有するトリアジンチオールの被膜７１が形成されている。
【００３５】
次の図３の型締工程において、予め所定の間隔で複数の光半導体素子３１が実装された光半導体素子実装基板３０を下金型１の基板セット用凹部２内にセットすると共に遮光性及び反射性を有する熱硬化性樹脂からなるタブレット４０を加熱状態でプランジャポット３内に供給し、その後下金型１と一次上金型１０を型締めする。
【００３６】
次の図４の一次トランスファーモールド工程において、プランジャポット３内に供給された加熱状態のタブレット４０をプランジャ４で加圧溶融し、溶融樹脂５０を一次上金型１０のランナ１２を介して、同様に一次上金型１０に形成された枠体形成用キャビティ１１内に注入する。このとき、上下金型１０、１内の空気や溶融樹脂５０から発生するガスはエアベント７から上下金型１０、１外に排気される。
【００３７】
この一次トランスファーモールド工程において、光半導体素子実装基板３０上に、光半導体素子３１を囲むように遮光性及び反射性を有する熱硬化性樹脂からなる枠体３２が形成される。
【００３８】
次の図５の金型交換工程において、下金型１と一次上金型１０を型開きし、下金型１上に、光半導体素子３１が実装されると共に該光半導体素子３１を囲むように形成された枠体３２を有する光半導体素子実装基板３０を保持したままで下金型１を回転あるいはスライドさせて予め準備された二次上金型２０に、互いの金型１、２０が所定の位置関係となるように対向させる。
【００３９】
なお、この時点では、二次上金型２０のプランジャポット２３内にはプランジャは備えられておらず、プランジャポット２３内は空洞状態となっている。
【００４０】
次の図６の型締工程において、下金型１と二次上金型２０を型締めし、熱硬化性の透光性樹脂からなるタブレット４１を加熱状態でプランジャポット２３内に供給する。プランジャポット２３内に供給されたタブレット４１は一次トランスファーモールド工程において形成された、遮光性及び反射性を有する熱硬化性樹脂からなるカル８上に位置する。
【００４１】
この場合、下金型１のプランジャポット３と二次上金型２０のプランジャポット２３は互いの中心軸（CL）が略同一線上に位置するように設けられることが好ましい。
【００４２】
次の図７の二次トランスファーモールド工程において、プランジャポット２３内に該プランジャポット２３内を進退自在に摺動するようにプランジャ２８を配置し、プランジャポット２３内に供給された加熱状態のタブレット４１をプランジャ２８で加圧溶融し、溶融樹脂５１を二次上金型２０のランナ２２を介して同様に二次上金型２０に形成された透光部形成用キャビティ２１内に注入する。このとき、溶融樹脂５１は一次トランスファーモールド工程において形成されたカル８上面及びランナ１２上面に接するように流動して透光部形成用キャビティ２１内に移送される。なお、上下金型２０、１内の空気や溶融樹脂５１から発生するガスはエアベント２６から上下金型２０、１外に排気される。
【００４３】
この二次トランスファーモールドは、光半導体素子３１及び一次トランスファーモールドで形成された枠体３２を覆うように光半導体素子実装基板３０上に透光性樹脂からなる透光部５２を形成するものであり、これにより、透光部５２内に光半導体素子３１及び枠体３２が埋設された状態となる。
【００４４】
次の図８の型開き工程において、下金型１と二次上金型２０を型開きし、上下金型２０、１から成形品６０を取り出す。成形品６０と同時に、カル溜り部５、２４のカル８、２９及びランナ１２、２２、樹脂溜６、２５、エアベント７、２６などの溶融樹脂通路内の硬化樹脂も取り出される。
【００４５】
次の図９の切断工程において、成形品６０からカル８、２９などの溶融樹脂通路内の硬化樹脂を切断除去した後、多数個取り半導体装置６１をダイサーによりカットし、個々の半導体装置（図１０及び図１参照）に個片化することにより半導体装置６２が完成する。
【００４６】
なお、光半導体素子３１が発光素子の場合、二次トランスファーモールド工程において、熱硬化性の透光性樹脂に１種類以上の蛍光体を分散してなるタブレット４１を使用することも可能である。これにより、光半導体素子３１が、蛍光体が分散された透光性樹脂で樹脂封止されることになり、半導体装置からは半導体素子３１の光源色とは異なる色調の光を得ることができる。また、熱硬化性の透光性樹脂に１種類以上の染料、１種類以上の顔料、及び１種類以上の染料と１種類以上の顔料による混合物のうちいずれかの、特定の波長領域を選択的に吸収する物質を分散してなるタブレット４１を使用することも可能である。これにより、光半導体素子３１が、１種類以上の染料、１種類以上の顔料、及び１種類以上の染料と１種類以上の顔料による混合物のうちいずれかの物質が分散された透光性樹脂で樹脂封止されることになり、光半導体素子３１の非点灯時に着色樹脂が観視されることでカラフルな半導体装置とすることができる。
【００４７】
また、光半導体素子３１が受光素子の場合、二次トランスファーモールド工程において、熱硬化性の透光性樹脂に１種類以上の染料、１種類以上の顔料、及び１種類以上の染料と１種類以上の顔料による混合物のうちいずれかの、特定の波長領域を選択的に吸収する物質を分散してなるタブレット４１を使用することも可能である。これにより、光半導体素子３１が１種類以上の染料、１種類以上の顔料、及び１種類以上の染料と１種類以上の顔料による混合物のうちいずれかの物質が分散された透光性樹脂で樹脂封止されることになり、所望する波長領域以外がカットされた光を光半導体素子３１で受光することができる。これにより、外乱ノイズに強い半導体装置が実現できる。
【００４８】
また、金型交換工程において、一次トランスファーモールド終了後の光半導体素子実装基板３０を保持した下金型１を固定し、一次上金型１０及び二次上金型２０を回転あるいはスライドさせて上金型１０、２０同士の金型交換を行うことも可能である。つまり、下金型１と一次上金型１０による一次トランスファーモールド及び下金型１と二次上金型２０による二次トランスファーモールドができるようであれば、上金型又は下金型のいずれか一方、あるいは両方を移動させるようにしても良い。
【００４９】
なお、本実施形態においては、透光部５２に球面又は非球面の凸形状のレンズ面６３が形成されているが、二次上金型１０の透光部形成用キャビティ２１の形状を変えることにより種々の形状に形成することができる。
【００５０】
以上説明したように、本発明の半導体装置の製造方法は、複数の光半導体素子が実装された光半導体素子実装基板を下金型にセットし、下金型と一次上金型１０による一次トランスファーモールドで前記光半導体素子実装基板上に、光半導体素子を囲うように枠体を形成し、その後光半導体素子実装基板を下金型にセットしたままで下金型と二次上金型による二次トランスファーモールドで前記光半導体素子実装基板上の光半導体素子及び枠体を覆うように透光部を形成するようにした。そして、二次トランスファーモールド後に、上下金型から多数個取り成型品（半導体装置）を取り出してダイサーカットにより個々の半導体装置に個片化するようにした。
【００５１】
その結果、一次上金型と二次上金型の金型交換時に光半導体素子実装基板を取り出す必要がなく且つダイサーカットが１回で済むため、製造工数の低減が図られて生産効率の向上が可能となった。
【００５２】
また、一次トランスファーモールドで枠体が形成されるために型抜き勾配を設けることが可能となり、枠体の内側面を上方に向けて外側に傾斜したすり鉢形状とすることが可能となった。その結果、光半導体素子（発光素子）から出射して枠体の内側面で反射した光が効率よく上方に向かい、光の取り出し効率が改善されて光の利用効率を高めることが可能となった。
【００５３】
また、下金型、一次上金型及び二次上金型の夫々に離型膜が形成されているため、トランスファーモールドの度毎に離型剤を塗布する必要がなく、離型剤塗布工程が削減できる。更に、少なくとも光反射面となる枠体の内側面を形成する一次上金型の枠体形成用キャビティの内面、及び光出射面又は光入射面となる透光部のレンズ面を形成する二次上金型の透光部形成用キャビティの内面に、均一な薄膜形成が可能で耐久性が良好であり且つ高離型性を有するトリアジンチオールの被膜を形成した。
【００５４】
その結果、光学系を構成する枠体の内側面及び透光部のレンズ面が滑面となり、光学特性を損なうことのない半導体装置が実現できる。
【００５５】
更に、光半導体素子を基板上に実装した後に、一次トランスファーモールドによる枠体及び二次トランスファーモールドによる透光部が形成される。そのため、枠体内に配線用ボンディングワイヤのボンディングツール（例えば、キャピラリ）等の作業領域を設ける必要がなく、半導体装置の小型化が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本発明の製造方法で作製される半導体装置の説明図である。
【図２】本発明の製造方法に係る金型準備工程の説明図である。
【図３】同じく、本発明の製造方法に係る型締工程の説明図である。
【図４】同じく、本発明の製造方法に係る一次トランスファーモールド工程の説明図である。
【図５】同じく、本発明の製造方法に係る金型交換工程の説明図である。
【図６】同じく、本発明の製造方法に係る型締工程の説明図である。
【図７】同じく、本発明の製造方法に係る二次トランスファーモールド工程の説明図である。
【図８】同じく、本発明の製造方法に係る型開き工程の説明図である。
【図９】同じく、本発明の製造方法に係る切断工程の説明図である。
【図１０】同じく、本発明の製造方法による完成図である。
【図１１】半導体発光装置の従来の製造方法の説明図である。
【図１２】半導体発光装置の他の従来の製造方法の説明図である。
【符号の説明】
【００５７】
１  下金型
２  基板セット用凹部
３  プランジャポット
４  プランジャ
５  カル溜り部
６  樹脂溜
７  エアベント
８  カル
１０  一次上金型
１１  枠体形成用キャビティ
１２  ランナ
１３  光半導体素子収容用凹部
２０  二次上金型
２１  透光部形成用キャビティ
２２  ランナ
２３  プランジャポット
２４  カル溜り部
２５  樹脂溜
２６  エアベント
２７  凹部
２８  プランジャ
２９  カル
３０  光半導体素子実装基板
３１  光半導体素子
３２  枠体
４０  タブレット
４１  タブレット
４２  カル
５０  溶融樹脂
５１  溶融樹脂
５２  透光部
６０  成形品
６１  多数個取り半導体装置
６２  半導体装置
６３  レンズ面
６４  内側面
７０  離型膜
７１  被膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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