(57)【要約】      （修正有）【課題】加工後の切断ラインに大きな段差が生じること無く、加工時及び以後の工程で損傷するのが抑制された高品位な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、複数の配線基板が連結された連結配線基板１に、複数の配線基板の各々のコーナー部に設けられた連結部を残して、各配線基板の外形ライン３に沿って長穴５を形成する工程（ａ）、各配線基板上に半導体素子を搭載する工程（ｂ）と、パンチ８を用いて連結部を切断することで、連結配線基板を各配線基板に個片化する工程（ｃ）とを備えている。工程（ｃ）では、各配線基板に、外形ライン３の第１の辺に設けられた長穴５の端部から、外形ライン３の内側に設けられた連結部上にわたって延伸し、各配線基板のコーナー部に向かうにつれ各配線基板の内側へ傾斜する辺を持たせる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板上に半導体素子が搭載された半導体装置の製造方法であって、
複数の前記配線基板が連結された連結配線基板に、前記複数の配線基板の各々のコーナー部に設けられた連結部を残して、前記各配線基板の外形ラインに沿って長穴を形成する工程（ａ）と、
前記各配線基板上に、半導体素子を搭載する工程（ｂ）と、
パンチを用いて前記連結部を切断することで、前記連結配線基板を前記各配線基板に個片化し、前記各配線基板に、前記外形ラインの第１の辺に設けられた長穴の端部から、前記外形ラインの内側に設けられた前記連結部上にわたって延伸し、前記各配線基板のコーナー部に向かうにつれ前記各配線基板の内側へ傾斜する辺を持たせる工程（ｃ）とを備えた半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記工程（ａ）は、前記各配線基板のコーナー部に孔を形成する工程をさらに含み、
前記工程（ｃ）では、パンチを用いて前記連結部を切断することで、前記各配線基板に、前記第１の辺に設けられた前記長穴の端部から、前記長穴と前記孔との間に設けられた前記連結部上、及び前記孔にわたって延伸し、前記孔に向かうにつれ前記各配線基板の内側へ傾斜する辺を持たせることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記工程（ｃ）では、パンチを用いて前記連結部を切断することで、前記各配線基板に、前記第１の辺に設けられた前記長穴の端部から、前記連結部上、及び前記第１の辺に隣接する第２の辺に設けられた前記長穴の端部にわたって延伸し、前記第２の辺に設けられた前記長穴の端部に向かうにつれ前記各配線基板の内側へ傾斜する辺を持たせることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記工程（ａ）では、前記外形ラインの前記第２の辺に、前記外形ラインに沿って、且つ、前記外形ラインの外側まで延伸する前記長穴を形成することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記工程（ｃ）において、前記第１の辺に設けられた前記長穴に対して、前記パンチが傾斜する角度をθとすると、０°＜θ≦５°であることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記各配線基板は、繊維が縦横に交差して織られた基材に樹脂が含有されたものから構成され、
前記工程（ｃ）において、前記各配線基板の内側へ傾斜する辺は、前記繊維が延伸する方向に対して平行ではないことを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
配線基板上に半導体素子が搭載された半導体装置であって、
前記配線基板の少なくとも１辺は、前記配線基板のコーナー部に向かって延伸する第１の直線部と、前記第１の直線部から前記配線基板のコーナー部に向かうにつれ前記配線基板の内側に傾斜する第２の直線部とから構成されている半導体装置。
【請求項８】
前記各配線基板のコーナー部には、前記配線基板の内側に凹む曲線部が形成されており、
前記半導体基板の少なくとも１辺は、前記第１の直線部、前記第２の直線部、及び前記曲線部から構成されていることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１の直線部に対して前記第２の直線部が傾斜する角度をθとすると、０°＜θ≦５°であることを特徴とする請求項７または８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記配線基板は、繊維が縦横に交差して織られた基材に樹脂が含有されたものから構成され、
前記第２の直線部は、前記繊維が延伸する方向に対して平行ではないことを特徴とする請求項７〜９のうちいずれか１つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子が搭載された配線基板を有する半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化に伴い、それに搭載及び実装される半導体装置にも小型化及び高密度化が強く求められている。その要求に応じるため、半導体装置の形状は、従来の挿入型のＤＩＰ（デュアル・インライン・パッケージ）から、面実装型のＳＯＰ（スモール・アウトライン・パッケージ）やＱＦＰ（クワッド・フラット・パッケージ）等に移り変わってきた。近年では、更なる小型化、高密度化を実現するために、外部端子が装置下部全面にわたって格子状に配置されたＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）と呼ばれるパッケージや、ＢＧＡよりも狭いピッチに外部端子が配置され、且つＢＧＡよりも小型化されたＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケージ）と呼ばれるパッケージが主流となってきている。このＢＧＡ及びＣＳＰの主な構成及び製造方法について以下に述べる。
【０００３】
ＢＧＡ及びＣＳＰでは、配線基板として有機物を含む多層配線基板を用いるのが一般的である。多層配線基板は、Ｃｕ等の金属材料からなる配線部と、樹脂及びガラスクロス等からなる絶縁部とで構成されている。また、半導体素子の配線基板への実装方法はワイヤボンド工法が一般的であるが、電気的特性の向上を目的にフリップチップ工法を用いる場合もある。配線基板へ実装された半導体素子は、必要に応じて樹脂によりオーバーモールドされる。また、一般的には、外部端子として半田ボールが配線基板の背面（半導体素子が実装される面と反対側の面）に搭載される。
【０００４】
次に、ＢＧＡ及びＣＳＰの製造方法について述べる。ＢＧＡ及びＣＳＰでは、製造の効率化のため、半導体素子が搭載される個々の配線基板が複数個連結された連結配線基板が用いられる。個々の配線基板上の所定の位置に半導体素子を実装した後、必要に応じて半導体素子をオーバーモールドしたり、外部端子として半田ボールを背面に搭載する。そして、最後に半導体装置を個片化するために、連結配線基板の外形切断を行う。ここで、外形切断の方法は、例えば次の２つの方法が知られている。
【０００５】
第１の方法としては、ダイヤモンドブレード等を用いて、ダイシングにより個々の半導体装置に分割する方法である。この方法では、ダイヤモンドが装着されたヤスリ状のブレードによって外形切断を行うので、切断面の面粗度に優れた半導体装置が得られる。しかしながら、個々の半導体装置の外形ラインに沿ってダイシングする必要があるため、作業性及び量産性の問題が生じる。また、ダイシングソーの発熱による半導体装置の端部の劣化を防ぐために、水などをダイシングソーに噴霧する必要がある。この場合、配線基板に実装された半導体素子が水に晒されるため、半導体素子の吸湿が懸念され、外形切断後に半導体装置を乾燥させなくてはいけない。
【０００６】
一方、第２の方法としては、連結配線基板に予め設けられた位置決め用の規制穴にピンを挿入して連結配線基板の位置を規制した後、個々の半導体装置の外形ラインに沿って、金型でパンチして打ち抜くことで、個々の半導体装置に分割する方法である。この方法は、第１の方法に比べて作業性及び量産性に優れ、現在、最も一般的に用いられる方法である。ここで、金型でパンチして連結配線基板を打ち抜く一般的な方法として、ルーターと呼ばれるドリルによる長穴加工と、パンチによる打ち抜き加工とを併用する方法が用いられる。以下、長穴加工と打ち抜き加工とを併用した従来の配線基板の加工方法について、図１２〜図１６を用いて説明する。
【０００７】
図１２（ａ）〜（ｃ）は、従来の配線基板の加工方法を示す平面図である。また、図１３は、パンチによる打ち抜き加工時において、半導体装置の外形ラインのコーナー部を拡大した平面図であり、図１４は、従来の加工後の配線基板を示す平面図である。
【０００８】
まず、図１２（ａ）に示すように、連結配線基板１０１に位置決め用の規制穴１０２と、連結配線基板１０１上であって、個々の半導体装置（配線基板）の外形ライン１０３のコーナー部に孔１０４をそれぞれ形成する。なお、孔１０４は、個々の半導体装置のコーナー部を面取りするためのものである。次に、ルーターを用いて、連結配線基板１０１に、互いに隣接する孔１０４の間に延伸する長穴１０５を形成する。ここで、長穴１０５は、長軸の内側が半導体装置の外形ライン１０３と一致するように形成する。なお、長穴１０５の末端から孔１０４までの領域（切り残し領域）の長さは、以降の半導体装置の組み立て工程に連結配線基板１０１が耐えうる程度の強度を有するように設定する。
【０００９】
次に、図１２（ｂ）に示すように、連結配線基板１０１を構成する個々の配線基板の所定の領域上に、半導体素子１０６をそれぞれ実装する。次に、図１２（ｃ）に示すように、実装した半導体素子１０６を封止樹脂１０７によりオーバーモールドする。その後、図示は省略するが、例えば外部端子として半田ボールを個々の配線基板の背面に搭載する。
【００１０】
次に、図１３に示すように、長穴１０５の端部から孔１０４までの領域であって、半導体装置を連結配線基板１０１のフレームに連結する吊り部をパンチにより打ち抜き、半導体装置を個片化する。以上の工程により、配線基板を加工することができる。
【特許文献１】特許第４０１０５９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、従来の配線基板の加工方法では、図１４に示すような不具合が生じる。図１４は、従来の配線基板の加工方法により形成された配線基板を示す平面図である。図１４に示すように、従来の方法で加工すると、パンチによる打ち抜きで形成された第１の切断ライン１０９は、長穴１０５による第２の切断ライン１１０よりも外側になり、第１の切断ライン１０９と第２の切断ライン１１０との間に段差１１３が生じる。その結果、配線基板の一部が外側に突出した形状で形成されてしまう。ここで、パンチの狙い位置を半導体装置の外形ライン１０３よりも外側にするのは、長穴１０５の内側にパンチが入ると、長穴１０５の端部が崩れてしまう結果、製品が破壊される恐れがあるからである。具体的には、連結端線基板１０１に設けられた規制穴１０２に対する長穴１０５の位置精度は、０．１０ｍｍないし０．１５ｍｍ程度であり、規制穴１０２に対するパンチ１０８の位置精度は、０．０５ｍｍ程度である。従って、パンチ１０８で長穴１０５の端部を破壊しないようにするためには、パンチ１０８の狙い位置を、長穴１０５の狙い位置である半導体装置（配線基板）の外形ライン１０３から少なくとも０．１５ｍｍ程度外側に設定する必要がある。
【００１２】
上記の従来の方法の不具合を解消するために、以下の配線基板の加工方法が考案されている。図１５は、従来の配線基板の加工方法におけるパンチによる打ち抜き工程を示す平面図である。また、図１６は、従来の加工後の配線基板を示す平面図である。なお、図１５及び図１６は、それぞれ半導体装置の外形ラインのコーナー部を拡大して示している。
【００１３】
図１５に示すように、従来の配線基板の加工方法では、長穴２０５の末端部に突出部２０４が形成されている。この構成によれば、パンチ２０８の狙い位置が公差により半導体装置の外形ラインの内側に入ったとしても、パンチ２０８の端部は長穴２０５の突出部２０４に収納されるので、加工時にパンチによって半導体装置の外形が崩される可能性は低くなる。しかしながら、図１６に示すように、加工後の配線基板１０１には、長穴２０３の突出部２０４による第３の切断ライン１１２が形成される。その結果、配線基板２００の一部に凹み部が設けられ、図１４に示す配線基板と同様に、配線基板１０１の外形ラインに段差が生じてしまう。
【００１４】
以上のように、いずれの従来の方法を用いても、外形ラインに突出部や凹み部が設けられた段差を有する配線基板が形成されてしまう。配線基板の外形ラインに段差が生じると、検査ソケットや搬送用トレイに半導体装置を挿抜する際に、半導体装置が検査ソケット及び搬送用トレイに挟み込まれたり、引っかかることで、半導体装置が破壊される恐れがある。
【００１５】
また、一般的に配線基板には、ガラス繊維などが織られた基材に樹脂が含浸されたものが用いられるため、パンチなどによる打ち抜き加工時に繊維が崩れる結果、加工断面に崩れた繊維が毛羽立つ現象が起こる。この現象は、製品の品位を低下させたり、光学機器にて半導体装置の外形を認識する際に、毛羽立ちのため外形ラインが精度良く認識できないという問題を引き起こすことがある。従来の方法では、パンチによる打ち抜きで形成される切断ラインが半導体装置の外形ラインと平行に形成されるため、切断ラインが繊維の方向と一致する場合、繊維崩れが多くなり毛羽立ちが発生することがあった。
【００１６】
本発明は、上記不具合に鑑みてなされたものであり、加工後の切断ラインに大きな段差が生じること無く、加工時及び以後の工程で損傷するのが抑制された高品位な半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するために、本発明の半導体装置は、配線基板上に半導体素子が搭載された半導体装置の製造方法であって、複数の前記配線基板が連結された連結配線基板に、前記複数の配線基板の各々のコーナー部に設けられた連結部を残して、前記各配線基板の外形ラインに沿って長穴を形成する工程（ａ）と、前記各配線基板上に、半導体素子を搭載する工程（ｂ）と、パンチを用いて前記連結部を切断することで、前記連結配線基板を前記各配線基板に個片化し、前記各配線基板に、前記外形ラインの第１の辺に設けられた長穴の端部から、前記外形ラインの内側に設けられた前記連結部上にわたって延伸し、前記各配線基板のコーナー部に向かうにつれ前記各配線基板の内側へ傾斜する辺を持たせる工程（ｃ）とを備えている。
【００１８】
この方法によれば、工程（ｃ）で第１の辺に設けられた長穴が延伸する方向に対して各配線基板の内側へ傾斜する辺を持つように、パンチを用いて連結部を打ち抜くことで、従来の方法と異なり、パンチの末端部を長穴の末端部よりも中央部に近い領域に配置することができる。その結果、パンチの末端部が長穴の末端部に入るのを抑制することができ、パンチによって長穴が破壊され、半導体装置の外形ラインが損傷するのを回避することができる。従って、本発明の半導体装置の製造方法を用いると、微細化されても、配線基板の加工時及び加工後の工程において、半導体装置が破壊されるのを防ぐことができ、高品位な半導体装置を実現することができる。
【００１９】
また、本発明の半導体装置は、配線基板上に半導体素子が搭載された半導体装置であって、前記配線基板の少なくとも一辺は、前記配線基板のコーナー部に向かって延伸する第１の直線部と、前記第１の直線部から前記配線基板のコーナー部に向かうにつれ前記配線基板の内側に傾斜する第２の直線部とから構成されている。
【００２０】
この構成によれば、少なくとも１辺が第１の直線部と、第１の直線部に対して配線基板の内側に傾斜する第２の直線部とから構成されており、従来の半導体装置に比べて、半導体装置の外形ラインは、大きな段差を持たないため、直進性を低下させることなく高品位な半導体装置を実現することができる。また、例えば配線基板の材料として繊維に樹脂が含浸されたものを用いた場合、第１の直線部と平行でない第２の直線部を有することで、従来の半導体装置に比べて、繊維が延伸する方向と平行となる直線部を少なくすることができ、加工面に大きく繊維が露出して、毛羽立ちが生じるのを抑制することができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の半導体装置及びその製造方法によれば、微細化されても、外形ラインに大きな段差が無い半導体装置が得られるため、損傷が抑制された高品位な半導体装置を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
（第１の実施形態）
以下、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図１（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態の半導体装置の製造方法を示す平面図である。また、図２は、本実施形態の半導体装置の製造方法に係る半導体装置の外形ラインのコーナー部を拡大した平面図である。さらに、図３（ａ）、（ｂ）は、本実施形態の半導体装置の製造方法を示す図である。なお、本実施形態の製造方法では、ルーターと呼ばれるドリルによる長穴加工と、金型でパンチして打ち抜く加工とを併用した方法で、配線基板上に半導体素子が搭載された半導体装置を製造する。
【００２３】
まず、図１（ａ）に示すように、連結配線基板１に設けられた位置決め用の規制穴２と、個々の配線基板の外形ライン３のコーナー部に孔４をそれぞれ形成する。ここで、連結配線基板１は、半導体素子が搭載される個々の配線基板が複数個連結されたもので、例えば、Ｃｕ等の金属材料からなる配線部と、樹脂及びガラスクロス等からなる絶縁部とで構成されている。なお、孔４は、各半導体装置（配線基板）のコーナー部を面取りするためのものである。
【００２４】
次に、ルーターを用いて、連結配線基板１に、各配線基板の外形ライン３に沿って設けられ、互いに隣接する孔４の間に延伸する長穴５を形成する。ルーターによる長穴５の加工は、連結配線基板１の素材及び厚さに応じて決定したドリルによって行われる。長穴５は、長辺の内側が配線基板の外形ライン３と一致するように形成する。ここで、図２に示すように、各配線基板のうち、長穴５の末端から孔４までの領域は連結部として残存させる。この連結部の長さは、後の工程で連結配線基板１を個々の半導体装置（配線基板）に分割するまで、連結配線基板１のフレームが各半導体装置を十分に支持できる強度を有する範囲で、できるだけ小さく設定することが望ましい。具体的には、連結部の長さを例えば数ｎｍ程度に設定する。
【００２５】
次に、図１（ｂ）に示すように、個々の配線基板の所定の領域上に、半導体素子６をそれぞれ搭載して、配線基板と半導体素子６とを電気的に接続する。この際、半導体素子６の実装方法として、例えばワイヤボンド工法やフリップチップ工法などを用いる。
【００２６】
次に、図１（ｃ）に示すように、実装した半導体素子６を封止樹脂７によりオーバーモールドする。その後、図示は省略するが、例えば外部端子として半田ボールを個々の配線基板の背面に搭載する。
【００２７】
次に、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、連結配線基板１を個々の半導体装置に分割するための外形切断を行う。この分割工程では、まず、連結配線基板１の規制穴２にパンチ本体（金型）１４の規制ピン１５を挿入して、連結配線基板１の位置を固定する。次に、図３（ｂ）に示すように、パンチを用いて連結部を切断することで、連結配線基板１を各半導体装置に個片化する。この時、各配線基板に、長穴５の端部から、各配線基板の外形ライン３の内側に設けられた連結部上、及び孔４にわたって延伸し、孔４に向かうにつれ各配線基板の内側へ傾斜する辺を持たせるように切断する。
【００２８】
なお、図２に示すように、長穴５に対してパンチ８が傾斜する角度θは、例えば０°＜θ≦５°程度の小さな角度でよい。角度θを大きな角度に設定すると、加工後の配線基板の外形ラインの直進性が低下し、半導体装置としての品位を損なう恐れがある。
【００２９】
また、パンチ８の長さは、孔４から長穴５の端部までの領域を延伸することができる十分な長さであることが望ましい。特に、図３（ｂ）に示す工程で、パンチ８のうち、長穴５の長辺の内側と接する接点から長穴５を覆うはみ出し部分が、パンチ８の位置公差のマージンとなるので、該はみ出し部分の長さをパンチ（金型）本体１４及び規制穴２の公差によるパンチの打ち抜き精度よりも大きくすることで、パンチ８の打ち抜き精度にかかわらず、パンチ８による配線基板の外形ラインの崩れを回避することができる。なお、パンチ８と長穴５の長辺の内側とが接する接点の位置は、長穴５の末端部ではなく、長穴５の末端部よりも中央部に近い領域に設定することが好ましい。接点が長穴５の末端部に位置する場合、長穴５の端部の形状により加工後の外形ラインに段差が発生する恐れがあるが、接点の位置を調整することで、このような不具合を抑制することが可能となる。
【００３０】
以上の工程により、図４に示す外形ラインを有する半導体装置を製造することができる。図４は、本実施形態の半導体装置の製造方法に係る、加工後の配線基板を示す平面図である。図４に示すように、加工後の配線基板の外形ラインは、ルーターにより形成され、配線基板のコーナー部に向かって延伸する第１の直線部１０と、パンチ８により形成され、第１の直線部１０から配線基板のコーナー部に向かうにつれ配線基板の内側に傾斜する第２の直線部９と、配線基板のコーナー部に設けられた孔により形成され、配線基板の内側に凹む曲線部１６とから構成されている。
【００３１】
本実施形態の半導体装置の製造方法の特徴は、長穴５の延伸する方向に対して配線基板の内側へ傾斜する辺を持つように、パンチを用いて連結配線基板の連結部を打ち抜くことにある。この方法によれば、従来の方法と異なり、長穴５の延伸する方向とパンチが延伸する方向とを平行にせず、長穴の延伸する方向に対して角度をつけてパンチ８を設置することで、従来の方法と比較してパンチ８の末端部は、長穴５の末端部よりも中央部に近い領域に設置される。その結果、パンチ８の末端部が長穴５の末端部に入るのを抑制することができるため、パンチ８によって長穴５が破壊され、半導体装置の外形ラインが損傷するのを回避することができる。
【００３２】
また、本実施形態の半導体装置の製造方法では、長穴５に対してパンチ８を傾斜させる角度を例えば５°以下程度と小さな角度にするだけで、上述の効果が得られる。そのため、半導体装置の外形ラインには大きな凹凸が生じることなく、外形ラインの直進性の低下が抑制され、略四辺形からなる半導体装置を製造することができる。これにより、個片化した半導体装置を検査ソケットや搬送用のトレイに挿抜する際に、半導体装置が検査ソケットや搬送用トレイに嵌り込むなどの不具合が生じるのを抑制することができる。従って、本実施形態の半導体装置の製造方法を用いると、微細化されても、配線基板の加工時及び加工後の工程において、半導体装置が破壊されるのを防ぐことができ、高品位な半導体装置を実現することができる。
【００３３】
ここで、本実施形態の半導体装置及びその製造方法では、連結配線基板１として、例えばガラス繊維が縦横に交差して織られた基材に樹脂が含浸されたものを用いる。図５は、本実施形態の半導体装置に係る配線基板のコーナー部を拡大した平面図である。
【００３４】
図５に示すように、本実施形態の半導体装置では、配線基板は、縦横に交差して織られ、例えばガラスクロスからなる繊維１７と、配線基板の強度を向上させるため含浸された樹脂１８とから構成されている。なお、繊維１７はガラスクロスに限定されるものではなく、近年では、アラミド繊維など様々な材料が用いられている。ここで、含浸された繊維と樹脂の複合剤からなる配線基板では、ルーターによる長穴加工の際には特に問題は生じないが、パンチなどを用いた金型加工の際には、切断時に繊維及び樹脂が崩れる結果、繊維が毛羽立つという不具合が生じる恐れがある。特に、加工面と平行に繊維が延伸する場合、切断面に大きく繊維が露出して、毛羽立ちも大きくなってしまう。
【００３５】
このような不具合に対し、本実施形態の半導体装置及びその製造方法では、図５に示すように、ルーターにより形成され、配線基板のコーナー部に向かって延伸する第１の直線部１０と、パンチにより形成され、第１の直線部１０から配線基板のコーナー部に向かうにつれ配線基板の内側に傾斜する第２の直線部９とは、互いに平行でない。そのため、例えば第１の直線部１０と繊維が延伸する方向を一致させた場合、第２の直線部９は繊維が延伸する方向と平行でないので、パンチによる切断面と繊維が平行に延伸するのを防ぐことができる。従って、本実施形態の半導体装置及びその製造方法では、従来に比べて、加工面に繊維が露出するのを抑制することができ、繊維が樹脂中から脱落して毛羽立ちが発生するのを防ぐことができるので、より高品位な半導体装置を実現することが可能となる。
【００３６】
なお、パンチによる連結配線基板１の個片化は、連結配線基板１上に半導体素子６を搭載した後に行ってもよいが、先に連結配線基板１を個片化した後に半導体素子６を搭載してもよい。
【００３７】
（第２の実施形態）
以下、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。図６（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態の半導体装置の製造方法を示す平面図である。また、図７は、本実施形態の半導体装置の製造方法に係る半導体装置の外形ラインのコーナー部を拡大した図である。さらに、図８（ａ）、（ｂ）は、本実施形態の半導体装置の製造方法を示す図である。なお、本実施形態の半導体装置の製造方法では、長穴の形成工程が第１の実施形態の製造方法と異なるため、同様な部分については簡略化して説明する。
【００３８】
まず、図６（ａ）に示すように、個々の配線基板が複数個連結された連結配線基板１に設けられた位置決め用の規制穴２と、ルーターにより各配線基板の外形ラインに沿って設けられた長穴５とを形成する。ルーターによる長穴５の加工は、連結配線基板１の素材及び厚さに応じて決定したドリルによって行われる。長穴５は、長辺の内側が外形ライン３と一致するように、且つ、各配線基板の各コーナー部に設けられた４つの連結部を残して形成する。本工程では、各配線基板に、外形ラインの第１の辺に設けられ、例えばＸ軸方向に延伸する１組の長穴５と、第１の辺と隣接する第２の辺に設けられ、例えばＹ軸方向に延伸する１組の長穴５とがそれぞれ形成される。ここで、第２の辺に設けられた長穴５は、外形ラインの外側まで延伸するように形成される。なお、連結部の長さは、連結配線基板１のフレームが各半導体装置を十分に支持できる強度を有する範囲で、できるだけ小さく設定することが望ましく、例えば数ｎｍ程度に設定する。
【００３９】
次に、図６（ｂ）に示すように、個々の配線基板の所定の領域上に、例えばワイヤボンド工法やフリップチップ工法などを用いて、半導体素子６をそれぞれ搭載して配線基板と半導体素子６とを電気的に接続する。
【００４０】
次に、図６（ｃ）に示すように、実装した半導体素子６を封止樹脂７によりオーバーモールドする。その後、図示は省略するが、例えば外部端子として半田ボールを個々の配線基板の背面に搭載する。
【００４１】
次に、図８（ａ）に示すように、連結配線基板１の規制穴２にパンチ本体１４の規制ピン１５を挿入して、連結配線基板１の位置を固定する。次に、図８（ｂ）に示すように、パンチを用いて連結部を切断することで、連結配線基板１を各半導体装置に個片化する。この時、各配線基板に、第１の辺に設けられた長穴５の端部から、各配線基板の外形ライン３の内側に設けられた連結部上、及び、第２の辺に設けられた長穴５の端部にわたって延伸し、第２の辺に設けられた長穴５の端部に向かうにつれ各配線基板の内側へ傾斜する辺を持たせるように切断する。
【００４２】
なお、図７に示すように、長穴５に対してパンチ８が傾斜する角度θは、例えば０°＜θ≦５°程度の小さな角度でよい。角度θを大きな角度に設定すると、加工後の配線基板の外形ラインの直進性が低下し、半導体装置としての品位を損なう恐れがある。
【００４３】
また、パンチ８の長さは、第１の辺に設けられた長穴５の端部から第２の辺に設けられた長穴５の端部までの領域を延伸することができる十分な長さであることが望ましい。特に、図８（ｂ）に示す工程で、パンチ８のうち、長穴５の長辺の内側と接する接点から長穴５を覆うはみ出し部分が、パンチ８の位置公差のマージンとなるので、該はみ出し部分をパンチ（金型）本体１４及び規制穴２の公差によるパンチの打ち抜き精度よりも大きくすることで、パンチ８の打ち抜き精度にかかわらず、パンチ８による配線基板の外形ラインの崩れを回避することができる。なお、パンチ８と長穴５の長辺の内側とが接する接点の位置は、長穴５の末端部ではなく、長穴５の末端部よりも中央部に近い領域に設定することが好ましい。接点が長穴５の末端部に位置する場合、長穴５の端部の形状により加工後の外形ラインに段差が発生する恐れがあるが、接点の位置を調整することで、このような不具合を抑制することが可能となる。
【００４４】
以上の工程により、図９に示す外形ラインを有する半導体装置を製造することができる。図９は、本実施形態の半導体装置の製造方法に係る、加工後の配線基板を示す平面図である。図９に示すように、加工後の配線基板の外形ラインは、ルーターにより形成され、配線基板のコーナー部へ向かって延伸する第１の直線部１０と、パンチ８により形成され、第１の直線部１０から配線基板のコーナー部に向かうにつれ配線基板の内側に傾斜する第２の直線部９とから構成されている。
【００４５】
本実施形態の半導体装置の製造方法の特徴は、第１の実施形態と同様にして、長穴５の延伸する方向に対して配線基板の内側へ傾斜する辺を持つように、パンチを用いて連結配線基板の連結部を打ち抜くことにある。この方法によれば、パンチ８の末端部が長穴５の末端部に入るのを抑制することができるため、パンチ８によって長穴５が破壊され、半導体装置の外形ラインが損傷するのを回避することができる。
【００４６】
また、本実施形態の半導体装置の製造方法では、第１の実施形態の半導体装置と異なり、配線基板のコーナー部に孔を設ける代わりに、互いに隣接する長穴５の一方を外形ラインの外側まで延伸して形成している。この方法により、孔を設ける工程を省くことができ、第１の実施形態の製造方法よりパンチで打ち抜く連結部の数を減らすことができるとともに、半導体装置のコーナー部をほぼ垂直な形状で形成することができる。その結果、製造コストの削減と半導体装置の品質の向上を図ることができる。従って、本実施形態の半導体装置の製造方法を用いると、微細化されても、配線基板の加工時及び加工後の工程において、半導体装置が破壊されるのを比較的容易に防ぐことができ、品質が良好で高品位な半導体装置を実現することが可能となる。
【００４７】
なお、本実施形態の半導体装置の製造方法において、外形ラインの外側まで延伸する長穴５は外形ラインのＹ軸方向に形成したが、これに限定されるものではなく、外形ラインのＸ軸方向に外形ラインの外側まで延伸する長穴５を形成し、外形ラインのＹ軸方向に連結部を残して長さの短い長穴５を形成してもよい。
【００４８】
また、本実施形態の半導体装置の製造方法では、図６（ａ）に示す工程で、各配線基板のコーナー部に設けられた４つの連結部を残して長穴５を形成したが、図１０（ａ）及び図１１（ａ）に示すように、長穴を形成してもよい。図１０（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態の半導体装置の製造方法に係る第１の変形例を示す平面図である。また、図１１（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態の半導体装置の製造方法に係る第２の変形例を示す平面図である。
【００４９】
図１０（ａ）に示すように、本実施形態の製造方法の第１の変形例では、まず、連結配線基板１に設けられた位置決め用の規制穴２と、ルーターにより各配線基板の外形ラインに沿って設けられた長穴５とを形成する。ここで、長穴５は、長辺の内側が外形ラインと一致するように、且つ、各配線基板のコーナー部のうち２つのコーナー部に設けられた連結部を残して形成する。
【００５０】
続いて、図１０（ｂ）及び（ｃ）に示すように、本実施形態の半導体装置の製造方法と同様にして、各配線基板の所定の領域上に半導体素子６を搭載した後、封止樹脂７により半導体素子６をオーバーモールドする。
【００５１】
以降、図示は省略するが、本実施形態の半導体装置の製造方法と同様にして、パンチを用いて各配線基板に設けられた２つの連結部を切断することで、連結配線基板１を各半導体装置に個片化する。この時、各配線基板に、外形ライン３のＸ軸方向に設けられた長穴５の端部から、各配線基板の外形ライン３の内側に設けられた連結部上、及び、外形ラインのＹ軸方向に設けられた長穴５の端部にわたって延伸し、外形ラインのＹ軸方向に設けられた長穴５の端部に向かうにつれ各配線基板の内側へ傾斜する辺を持たせるように切断する。
【００５２】
一方、図１１（ａ）に示すように、本実施形態の製造方法の第２の変形例では、まず、連結配線基板１に設けられた位置決め用の規制穴２と、ルーターにより各配線基板の外形ラインに沿って設けられた長穴５とを形成する。ここで、長穴５は、長辺の内側が外形ラインと一致するように、且つ、各配線基板のコーナー部のうち１つのコーナー部に設けられた連結部を残して形成する。
【００５３】
次に、図１１（ｂ）及び（ｃ）に示すように、本実施形態の半導体装置の製造方法と同様にして、各配線基板の所定の領域上に半導体素子６を搭載した後、封止樹脂７により半導体素子６をオーバーモールドする。
【００５４】
以降、図示は省略するが、本実施形態の半導体装置の製造方法と同様にして、パンチを用いて各配線基板に設けられた１つの連結部を切断することで、連結配線基板１を各半導体装置に個片化する。この時、各配線基板に、外形ライン３のＸ軸方向に設けられた長穴５の端部から、各配線基板の外形ライン３の内側に設けられた連結部上、及び、外形ラインのＹ軸方向に設けられた長穴５の端部にわたって延伸し、外形ラインのＹ軸方向に設けられた長穴５の端部に向かうにつれ各配線基板の内側へ傾斜する辺を持たせるように切断する。
【００５５】
本実施形態の半導体装置の製造方法に係る第１の変形例及び第２の変形例では、長穴の形状を変えることで、本実施形態の半導体装置の製造方法に比べて、パンチにより打ち抜く連結部の数を少なくすることできる。その結果、加工後の半導体装置の外形ラインに、ルーターにより切断された切断ラインとパンチにより打ち抜かれた切断ラインとの境界部が減少するので、半導体装置の外形ラインの直進性をより一層増加させることができ、略四辺形を有する半導体装置を安定に形成することが可能となる。
【００５６】
なお、本発明の趣旨を逸脱しない限り、以上で説明した複数の実施形態やその変形例を組み合わせてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００５７】
本発明の半導体装置及びその製造方法は、半導体装置の小型化及び高密度化に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図２】第１の実施形態に係る配線基板のコーナー部を拡大した平面図である。
【図３】（ａ）、（ｂ）は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図４】第１の実施形態に係る加工後の配線基板の構成を示す平面図である。
【図５】第１の実施形態に係る配線基板のコーナー部を拡大した平面図である。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図７】第２の実施形態に係る配線基板のコーナー部を拡大した平面図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す図である。
【図９】第２の実施形態に係る加工後の配線基板の構成を示す平面図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施形態の半導体装置の製造方法に係る第１の変形例を示す平面図である。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、第２の実施形態の半導体装置の製造方法に係る第２の変形例を示す平面図である。
【図１２】（ａ）〜（ｃ）は、従来の配線基板の加工方法を示す平面図である。
【図１３】従来の配線基板のコーナー部を拡大した平面図である。
【図１４】従来の加工後の配線基板の構成を示す平面図である。
【図１５】従来の配線基板のコーナー部を拡大した平面図である。
【図１６】従来の加工後の配線基板の構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１      連結配線基板 
２      規制穴 
３      外形ライン 
４      孔 
５      長穴 
６      半導体素子 
７      封止樹脂 
８      パンチ 
９      第２の直線部 
１０      第１の直線部 
１４      パンチ本体
１５      規制ピン 
１６      曲線部 
１７      繊維 
１８      樹脂 
【図１】
2010004011.tif 000003
【図２】
2010004011.tif 000004
【図３】
2010004011.tif 000005
【図４】
2010004011.tif 000006
【図５】
2010004011.tif 000007
【図６】
2010004011.tif 000008
【図７】
2010004011.tif 000009
【図８】
2010004011.tif 000010
【図９】
2010004011.tif 000011
【図１０】
2010004011.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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