(57)【要約】【課題】積層型バランの上下の伝送路を絶縁する樹脂層に開口を設けることなく、下側の伝送路と樹脂層の上側に形成された電極パッドとを電気的に接続する。【解決手段】基板１０上に形成された第１絶縁樹脂層２２上に設けられ、一端を平衡信号出入力端３５ａとし、他端を接地端３５ｂとする平衡信号伝送路３５（一方のみ図示）と、断面台形状の樹脂構造物２４の頂面上に平衡信号伝送路３５に対向して設けられ、一端を不平衡信号入出力端５０ａとし、他端を開放端とする不平衡信号伝送路５０と、樹脂構造物２４の頂面から側面を経由して平衡信号出入力端３５ａに接続された平衡信号出入力引き出し配線３６と、樹脂構造物２４の頂面から側面を経由して接地端３５ｂに接続された接地引き出し配線３７とを備え、不平衡信号入出力端５０ａおよび引き出し配線３６，３７は、樹脂構造物２４の頂面上にそれぞれ電極パッド５６，５７，５９を有する。【選択図】図１
2010123813.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された第１絶縁樹脂層と、
前記第１絶縁樹脂層上に設けられ、一端を第１平衡信号出入力端とし、他端を第１接地端とする第１平衡信号伝送路と、
前記第１絶縁樹脂層上に前記第１平衡信号伝送路とは電気的に独立して設けられ、一端を第２平衡信号出入力端とし、他端を第２接地端とする第２平衡信号伝送路と、
前記２つの平衡信号伝送路上および前記第１絶縁樹脂層上に形成された断面台形状の樹脂構造物の頂面上において、前記２つの平衡信号伝送路に対向して設けられ、一端を不平衡信号入出力端とし、他端を開放端とする不平衡信号伝送路と、
前記第１絶縁樹脂層上に形成された断面台形状の樹脂構造物の頂面から側面を経由して、前記第１平衡信号出入力端に接続された第１平衡信号出入力引き出し配線と、
前記第１絶縁樹脂層上に形成された断面台形状の樹脂構造物の頂面から側面を経由して、前記第２平衡信号出入力端に接続された第２平衡信号出入力引き出し配線と、
前記第１絶縁樹脂層上に形成された断面台形状の樹脂構造物の頂面から側面を経由して、前記第１接地端に接続された第１接地引き出し配線と、
前記第１絶縁樹脂層上に形成された断面台形状の樹脂構造物の頂面から側面を経由して、前記第２接地端に接続された第２接地引き出し配線とを少なくとも備え、
前記断面台形状の樹脂構造物の頂面上には、前記不平衡信号入出力端と、前記２つの平衡信号出入力引き出し配線と、前記２つの接地引き出し配線とのそれぞれと接続する電極パッドが形成されていることを特徴とするバラン実装デバイス。
【請求項２】
前記不平衡信号入出力端に接続された電極パッドと、前記平衡信号出入力引き出し配線を介して平衡信号出入力端に接続された電極パッドとが、同一の断面台形状の樹脂構造物の上に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のバラン実装デバイス。
【請求項３】
前記不平衡信号入出力端に接続された電極パッドと、前記接地引き出し配線を介して接地端に接続された電極パッドとが、同一の断面台形状の樹脂構造物の上に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のバラン実装デバイス。
【請求項４】
前記不平衡信号入出力端に接続された電極パッドと、前記平衡信号出入力引き出し配線を介して平衡信号出入力端に接続された電極パッドと、前記接地引き出し配線を介して接地端に接続された電極パッドとが、同一の断面台形状の樹脂構造物の上に設けられていることを特徴とする請求項１に記載のバラン実装デバイス。
【請求項５】
前記不平衡信号伝送路は、前記第１平衡信号伝送路に対向した部分と、前記第２平衡信号伝送路に対向した部分とが、同一の断面台形状の樹脂構造物の上に設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のバラン実装デバイス。
【請求項６】
前記電極パッドにはバンプが搭載されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のバラン実装デバイス。
【請求項７】
前記電極パッドは、前記引き出し配線よりも厚さが厚くなるように形成されてなることを特徴とする請求項６に記載のバラン実装デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、無線回路等に用いられるバラン（バランストランス・不平衡−平衡変換器）が基板上に実装されてなる、バラン実装デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
バランは、第１平衡信号伝送路と、第１平衡信号伝送路とは電気的に独立して設けられた第２平衡信号伝送路と、これら２つの平衡信号伝送路に対向して設けられた不平衡信号伝送路とを備え、不平衡信号伝送路は、一端が不平衡信号入出力端、他端が開放端となり、２つの平衡信号伝送路は、一端が平衡信号出入力端、他端が接地端となった構造を備える。この種のバランは、２つの平衡信号出入力端から平衡信号が入力されたときには、平衡信号伝送路から不平衡信号伝送路への電磁結合により、平衡信号を不平衡信号に変換して不平衡信号入出力端から不平衡信号を出力し、逆に不平衡信号入出力端から不平衡信号を入力したときには、不平衡信号伝送路から平衡信号伝送路への電磁結合により、不平衡信号を平衡信号に変換して２つの平衡信号出入力端から平衡信号を出力する。
【０００３】
積層型バランは、不平衡信号伝送路と、２つの平衡信号伝送路とが、絶縁層（誘電体層）を介して上下（絶縁層の厚さ方向）に積層された構造を有する。従来の積層型バランは、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ）技術をベースとしたもの（例えば特許文献１）が知られている。
【特許文献１】特開２００２−５０９１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の積層型バランは、不平衡信号伝送路の層および平衡信号伝送路の層のほか、入力部の端子層、接地（ＧＮＤ）層などを含む多数の層からなり、かつ実装のための端子部を側面に施す必要がある。このため、従来の積層型バランの製造は、非常に複雑で高度な製造技術が必要とされ、結果的に高コストとなっている。
【０００５】
また、バランにおいて、２つの平衡信号伝送路はそれぞれ１／４波長以下のサイズで、不平衡信号伝送路は、２つの平衡信号伝送路を合計したサイズで作製される。信号の周波数が低いと、信号の波長が長くなるため、伝送路の長さも長くなる。
一方、高周波回路設計においては、デバイスの出入力のインピーダンスを５０Ωに設計する場合が多い。そこで、バランにおいても、不平衡入力のインピーダンスを５０Ωにすることが求められ、かつ挿入損失（通過損失）を可能な限り小さくすることが要求される。このため、高周波回路にバランを組み込むには、バランの挿入損失（通過損失）の低減のために配線の直流抵抗値を可能な限り小さくする必要がある。
【０００６】
現在、ＬＴＣＣの量産工程で用いられている配線のデザインルールは、Ｌ／Ｓ＝６０／６０μｍ（ライン幅Ｌ＝６０μｍ、スペースＳ＝６０μｍ）かつ配線厚さ１０μｍ程度である。この程度の寸法の配線を積層型バランの製造に用いることができれば、一般的に１ｄＢ未満の低挿入損失が実現可能である。
しかしながら、上記デザインルールをウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ：Ｗａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ  Ｐａｃｋａｇｅ）技術による半導体加工プロセスに採用する場合、ＷＬＰ技術にとっては通常より大きめのデザインルールとなるため、不平衡入力インピーダンスを５０Ωに保つには、積層型バランを構成する上下の伝送路間の絶縁層の厚さを数十μｍ程度確保する必要がある。ところが、ＷＬＰ技術において数十μｍ程度の厚さの絶縁樹脂層を形成した場合、開口およびビアを形成するのは容易ではない。一般に、絶縁樹脂層に開口できる穴のアスペクト比（開口径と樹脂層の厚さとの比）は樹脂ごとに決まっており、厚い樹脂層に開口を設けるには、樹脂層の厚さに比例して開口径を大きくする必要があり、ビアに大きな面積を占有されるといった問題が生じる。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、積層型バランの上下の伝送路を絶縁する樹脂層に開口を設けることなく、下側の伝送路と樹脂層の上側に形成された電極パッドとを電気的に接続することが可能なバラン実装デバイスを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するため、本発明は、基板と、前記基板上に形成された第１絶縁樹脂層と、前記第１絶縁樹脂層上に設けられ、一端を第１平衡信号出入力端とし、他端を第１接地端とする第１平衡信号伝送路と、前記第１絶縁樹脂層上に前記第１平衡信号伝送路とは電気的に独立して設けられ、一端を第２平衡信号出入力端とし、他端を第２接地端とする第２平衡信号伝送路と、前記２つの平衡信号伝送路上および前記第１絶縁樹脂層上に形成された断面台形状の樹脂構造物の頂面上において、前記２つの平衡信号伝送路に対向して設けられ、一端を不平衡信号入出力端とし、他端を開放端とする不平衡信号伝送路と、前記第１絶縁樹脂層上に形成された断面台形状の樹脂構造物の頂面から側面を経由して、前記第１平衡信号出入力端に接続された第１平衡信号出入力引き出し配線と、前記第１絶縁樹脂層上に形成された断面台形状の樹脂構造物の頂面から側面を経由して、前記第２平衡信号出入力端に接続された第２平衡信号出入力引き出し配線と、前記第１絶縁樹脂層上に形成された断面台形状の樹脂構造物の頂面から側面を経由して、前記第１接地端に接続された第１接地引き出し配線と、前記第１絶縁樹脂層上に形成された断面台形状の樹脂構造物の頂面から側面を経由して、前記第２接地端に接続された第２接地引き出し配線とを少なくとも備え、前記断面台形状の樹脂構造物の頂面上には、前記不平衡信号入出力端と、前記２つの平衡信号出入力引き出し配線と、前記２つの接地引き出し配線とのそれぞれと接続する電極パッドが形成されていることを特徴とするバラン実装デバイスを提供する。
【０００９】
本発明においては、前記不平衡信号入出力端に接続された電極パッドと、前記平衡信号出入力引き出し配線を介して平衡信号出入力端に接続された電極パッドとが、同一の断面台形状の樹脂構造物の上に設けられている構成とすることも可能である。
また、前記不平衡信号入出力端に接続された電極パッドと、前記接地引き出し配線を介して接地端に接続された電極パッドとが、同一の断面台形状の樹脂構造物の上に設けられている構成とすることも可能である。
また、前記不平衡信号入出力端に接続された電極パッドと、前記平衡信号出入力引き出し配線を介して平衡信号出入力端に接続された電極パッドと、前記接地引き出し配線を介して接地端に接続された電極パッドとが、同一の断面台形状の樹脂構造物の上に設けられている構成とすることも可能である。
【００１０】
前記不平衡信号伝送路は、前記第１平衡信号伝送路に対向した部分と、前記第２平衡信号伝送路に対向した部分とが、同一の断面台形状の樹脂構造物の上に設けられていることが好ましい。
前記電極パッドにはバンプが搭載されていることが好ましい。
前記電極パッドは、前記引き出し配線よりも厚さが厚くなるように形成されてなることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、下側の伝送路の上に断面台形状の樹脂構造物を積層し、その上に上側の伝送路を形成して積層型バランを基板上に構成し、断面台形状の樹脂構造物の側面に沿って引き出し配線を設けているので、積層型バランの上下の伝送路を絶縁する樹脂層に開口を設けることなく、下側の伝送路と樹脂層の上側に形成された電極パッドとを電気的に接続することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、最良の形態に基づき、図面を参照して本発明を説明する。
図１は、本発明の第１形態例のバラン実装デバイスの要部を示す模式的断面図である。図２は、バラン実装デバイスの全体構成例を示す斜視図である。図３は、図２に示すバランの接地端子部および不平衡信号入出力端子部を示す部分拡大斜視図である。
図１は、図２に示すバラン実装デバイス１００のＩ−Ｉ線を図の左側に、ＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図を右側に配置した断面図である。図２および図３には、バラン実装デバイス１００のバランを構成する伝送路（配線）が図示され、断面台形状の樹脂構造物２４は省略されている。
【００１３】
図４は、図２に示すバランの模式的平面図である。図５は、図４のＡ−Ａ線に沿う断面図である。図６は、図４のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。図７は、図４のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。図４〜図７では、バランの構造を説明するために、平衡信号伝送路３０，３５および不平衡信号伝送路５０が直線状に展開して図示されている。
なお、以下の説明に用いる図面は模式的なものであって、大きさや縦横比率は、実際とは異なる場合がある。
【００１４】
このバラン実装デバイスは、図２に示すように、基板１０と、基板１０上に形成された第１絶縁樹脂層２２と、第１絶縁樹脂層２２上に設けられた２つの平衡信号伝送路３０，３５と、断面台形状の樹脂構造物２４（図２中には図示せず。）の頂面上において、２つの平衡信号伝送路３０，３５に対向して設けられた不平衡信号伝送路５０とを備える。
基板１０は、例えばシリコン（Ｓｉ）などの半導体基板や、ガラス基板などの絶縁性基板である。
【００１５】
平衡信号伝送路３０，３５は、電気的に互いに独立して設けられた第１平衡信号伝送路３０および第２平衡信号伝送路３５からなる。
第１平衡信号伝送路３０は、一端を第１平衡信号出入力端３０ａとし、他端を第１接地端３０ｂとする。第１平衡信号出入力端３０ａは、第１平衡信号出入力引き出し配線３１を介して第１平衡信号出入力端子部６０に接続されている。また、第１接地端３０ｂは、第１接地引き出し配線３２を介して第１接地端子部７０に接続されている。
同様に、第２平衡信号伝送路３５は、一端を第２平衡信号出入力端３５ａとし、他端を第２接地端３５ｂとし、第２平衡信号出入力端３５ａは、第２平衡信号出入力引き出し配線３６を介して第２平衡信号出入力端子部６５に接続され、第２接地端３５ｂは、第２接地引き出し配線３７を介して第２接地端子部７５に接続されている。
【００１６】
不平衡信号伝送路５０は、一端を不平衡信号入出力端５０ａとし、他端を開放端５０ｂとする。不平衡信号伝送路５０は、不平衡信号入出力端５０ａと開放端５０ｂとの間に、第１平衡信号伝送路３０に対向した部分５０ｃと、第２平衡信号伝送路３５に対向した部分５０ｄとを有する。不平衡信号入出力端５０ａは、不平衡信号入出力端子部９０に接続されている。
【００１７】
本形態例においては、図１、図２に示すように、不平衡信号伝送路５０の第１平衡信号伝送路３０に対向した部分５０ｃおよび第１平衡信号伝送路３０が、内周にスペースＥ１を有するように平面スパイラル型に配置されるとともに、不平衡信号伝送路５０の第２平衡信号伝送路３５に対向した部分５０ｄおよび第２平衡信号伝送路３５が、内周にスペースＥ２を有するように平面スパイラル型に配置されている。
また、図２、図４、図５に示すように、不平衡信号伝送路５０の第１平衡信号伝送路３０に対向した部分５０ｃと第２平衡信号伝送路３５に対向した部分５０ｄとの間は、中間部５０ｅによって接続されている。
本形態例では、平面スパイラルの巻き方向（内周から外周への巻き方向）は、第１平衡信号伝送路３０と第２平衡信号伝送路３５とで互いに反対であり、かつ、不平衡信号伝送路５０の２つの平面スパイラル状の部分５０ｃ，５０ｄで互いに反対である。不平衡信号伝送路５０においては、不平衡信号入出力端５０ａから開放端５０ｂに向けて（あるいはその逆に）流れる電流の向きに沿って配線が巻き回される方向が、２つの平面スパイラル状の部分５０ｃ，５０ｄについて互いに逆になっている。
伝送路３０，３５，５０をスパイラル型に設けることにより、方形や楕円等の狭いスペースに長い伝送路を配置できる。このため、スパイラル型とすることによって、バランが占有するスペースを低減して、かつ長い伝送路を有するバランを実現できる。
なお、本発明においては、伝送路の形状は、平面スパイラルのほか、ミアンダ状、直線状等でも良い。
【００１８】
この平面スパイラルにおいては、不平衡信号伝送路５０の不平衡信号入出力端５０ａおよび開放端５０ｂと、平衡信号伝送路３０，３５の接地端３０ｂ，３５ｂとが内周側に配置され、不平衡信号伝送路５０の中間部５０ｅと平衡信号伝送路３０，３５の平衡信号出入力端３０ａ，３５ａとが外周側に配置されている。
また、第１接地端子部７０は、平面スパイラル内周の第１スペースＥ１内に配置され、第２接地端子部７５および不平衡信号入出力端子部９０は、平面スパイラル内周の第２スペースＥ２内に配置されている。２つの平衡信号出入力端子部６０，６５は、平面スパイラルの外側に配置されている。
【００１９】
２つの平衡信号伝送路３０，３５は、例えば銅めっき等のめっき金属などから構成することができる。２つの平衡信号伝送路３０，３５が同じ導体材料から、第１平衡信号伝送路３０の伝送路長Ｌ１と第２平衡信号伝送路３５の伝送路長Ｌ２とが等しいように形成されることが好ましい。ここで、伝送路長Ｌ１，Ｌ２は、スパイラルに沿った伝送路の長さである。２つの平衡信号伝送路３０，３５の幅Ｗおよび厚さＴは、幅Ｗ同士および厚さＴ同士が互いに等しくなるように形成されることが好ましい。
【００２０】
図５〜図７に示すように、第１絶縁樹脂層２２の厚さｈ１は、基板１０全面でなるべく均一にすることが好ましい。なお、第１絶縁樹脂層２２の厚さｈ１は、基板１０の上面と平衡信号伝送路３０，３５の下面との距離に対応する。
第１絶縁樹脂層２２を構成する樹脂としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。なかでも、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂などの感光性樹脂は、フォトリソグラフィーによりパターニングが可能なので好ましい。第１絶縁樹脂層２２は、基板１０上の全面に塗布されるので、熱硬化性樹脂などでも良い。
【００２１】
図１および図５〜図７に示すように、不平衡信号伝送路５０は、２つの平衡信号伝送路３０，３５上および第１絶縁樹脂層２２上に形成された断面台形状の樹脂構造物２４の頂面上に形成されている。不平衡信号伝送路５０の下に設けられる樹脂構造物２４は、例えば、それぞれの平衡信号伝送路３０，３５に沿って環状に（スペースＥ１，Ｅ２の周囲）に形成される。
「断面台形状」とは、樹脂構造物２４の頂面が下面よりも幅が狭くなるように、両側の側面が頂面に向けて傾斜した斜面となっていることを意味する。この斜面は、樹脂構造物２４の側面に沿って、後述する引き出し配線３１，３２，３６，３７が形成されるときの土台となる。
【００２２】
不平衡信号伝送路５０は、２つのスパイラル状の部分５０ｃ，５０ｄが中間部５０ｅにより接続され、少なくとも、一端の不平衡信号入出力端５０ａから他端の開放端５０ｂまでの範囲で連なった１本の伝送路である。不平衡信号伝送路５０の中間部５０ｅは、平面スパイラルの外周端同士を接続する位置に設けられている。
【００２３】
不平衡信号伝送路５０は、例えば銅めっき等のめっき金属などから構成することができる。不平衡信号伝送路５０は、２つの平衡信号伝送路３０，３５と同じ導体材料から形成されることが好ましい。また、不平衡信号伝送路５０の幅Ｗおよび厚さＴは、２つの平衡信号伝送路３０，３５の幅Ｗおよび厚さＴと、それぞれ幅Ｗ同士および厚さＴ同士が等しくなるように形成されることが好ましい。
【００２４】
中間部５０ｅは、２つの平面スパイラル状の部分５０ｃ，５０ｄ同士の間隔ｇに対応する長さを有する。２つのスパイラル状の部分５０ｃ，５０ｄの長さＬ１，Ｌ２は、それぞれ平衡信号伝送路３０，３５の伝送路長Ｌ１，Ｌ２に等しい。
不平衡信号伝送路５０の不平衡信号入出力端５０ａから開放端５０ｂまでの長さＬは、２つのスパイラル状の部分５０ｃ，５０ｄの長さＬ１，Ｌ２と、中間部５０ｅの長さｇとの和（Ｌ＝Ｌ１＋ｇ＋Ｌ２）に相当する。
なお、図４に示す伝送路長Ｌ１，Ｌ２は、平衡信号伝送路３０，３５と不平衡信号伝送路５０とが、断面台形状の樹脂構造物２４からなる第２絶縁樹脂層を介して上下に対向している部分の長さを表している。
【００２５】
図５〜図７に示すように、平衡信号伝送路３０，３５上における樹脂構造物２４の厚さｄは、平衡信号伝送路３０，３５に沿う全長でなるべく均一にすることが好ましい。なお、樹脂構造物２４の厚さｄは、平衡信号伝送路３０，３５の上面と不平衡信号伝送路５０の下面との距離に対応する。第１絶縁樹脂層２２上における樹脂構造物２４の厚さは、計算上は、平衡信号伝送路３０，３５の厚さＴと、平衡信号伝送路３０，３５上における樹脂構造物２４の厚さｄとの和（Ｔ＋ｄ）に相当する。しかし、樹脂構造物２４は、第１絶縁樹脂層２２とその上に形成した平衡信号伝送路３０，３５による凹凸面の上に形成されるので、平衡信号伝送路３０，３５から離れた箇所では、必ずしも樹脂構造物２４の厚さが均一でなくでも構わない。
【００２６】
平衡信号伝送路３０，３５の上面と不平衡信号伝送路５０の下面との距離ｄは、特に限定されるものではないが、ｄ＝５〜４０μｍが挙げられる。
断面台形状の樹脂構造物２４を構成する樹脂としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。なかでも、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂などの感光性樹脂は、フォトリソグラフィーによりパターニングが可能なので好ましい。
【００２７】
不平衡信号伝送路５０の上には、第３絶縁樹脂層として、封止樹脂層２６を設けることができる。不平衡信号伝送路５０上における封止樹脂層２６の厚さｈ２は、不平衡信号伝送路５０の上面と封止樹脂層２６の上面との距離に相当する。
封止樹脂層２６を構成する樹脂としては、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。なかでも、感光性ポリイミド樹脂、感光性エポキシ樹脂などの感光性樹脂は、フォトリソグラフィーによりパターニングが可能なので好ましい。封止樹脂層２６は、デバイスの全面に塗布されるので、熱硬化性樹脂などでも良い。
【００２８】
図１、図２、図４、図６に示すように、平衡信号出入力引き出し配線３１，３６は、第１絶縁樹脂層２２上に形成された断面台形状の樹脂構造物２４の頂面上に、それぞれ形成された平衡信号出入力電極パッド５１，５６（第１平衡信号出入力電極パッド５１および第２平衡信号出入力電極パッド５６）と接続されている。また、平衡信号出入力引き出し配線３１，３６は、樹脂構造物２４の頂面から側面を経由して、平衡信号出入力端３０ａ，３５ａに接続されている。平衡信号出入力電極パッド５１，５６は、平衡信号出入力端子部６０，６５において平衡信号を出入力するための電極パッドである。
封止樹脂層２６は、平衡信号出入力電極パッド５１，５６の少なくとも一部を露出するための開口部２６ａ，２６ｃを有する。なお、図１には、第２平衡信号出入力端子部６５の断面構造を示すが、第１平衡信号出入力端子部６０も同様である。
なお、第１平衡信号出入力引き出し配線３１の長さＬ１ａ（第１平衡信号出入力端３０ａから第１平衡信号出入力電極パッド５１までの長さ）と、第２平衡信号出入力引き出し配線３６の長さＬ２ａ（第２平衡信号出入力端３５ａから第２平衡信号出入力電極パッド５６までの長さ）は、振幅バランス特性および位相バランス特性を向上させるため、互いに等しいこと（Ｌ１ａ＝Ｌ２ａ）が好ましい。
【００２９】
図１、図２、図３、図４に示すように、接地引き出し配線３２，３７は、第１絶縁樹脂層２２上に形成された断面台形状の樹脂構造物２４の頂面上に、それぞれ形成された接地電極パッド５２，５７（第１接地電極パッド５２および第２接地電極パッド５７）と接続されている。また、接地引き出し配線３２，３７は、樹脂構造物２４の頂面から側面を経由して、接地端３０ｂ，３５ｂに接続されている。接地電極パッド５２，５７は、接地端子部７０，７５においてバランの平衡信号伝送路３０，３５の他端を接地するための電極パッドである。
封止樹脂層２６は、接地電極パッド５２，５７の少なくとも一部を露出するための開口部２６ｂ，２６ｄを有する。なお、図１には、第２接地端子部７５の断面構造を示すが、第１接地端子部７０も同様である。
なお、第１接地引き出し配線３２の長さＬ１ｂ（第１接地端３０ｂから第１接地電極パッド５２までの長さ）と、第２接地引き出し配線３７の長さＬ２ｂ（第２接地端３５ｂから第２接地電極パッド５７までの長さ）は、振幅バランス特性および位相バランス特性を向上させるため、互いに等しいこと（Ｌ１ｂ＝Ｌ２ｂ）が好ましい。
【００３０】
図１、図２、図３、図４、図７に示すように、不平衡信号伝送路５０の不平衡信号入出力端５０ａは、第１絶縁樹脂層２２上に形成された断面台形状の樹脂構造物２４の頂面上に設けられた不平衡信号入出力電極パッド５９に接続されている。不平衡信号入出力電極パッド５９は、不平衡信号入出力端子部９０において不平衡信号を入出力するための電極パッドである。
封止樹脂層２６は、不平衡信号入出力電極パッド５９の少なくとも一部を露出するための開口部２６ｅを有する。
【００３１】
このように、本形態例のバラン実装デバイスにおいては、平衡信号出入力端３０ａ，３５ａに接続された平衡信号出入力電極パッド５１，５６と、接地端３０ｂ，３５ｂに接続された接地電極パッド５２，５７と、不平衡信号入出力端５０ａに接続された電極パッド５９とが断面台形状の樹脂構造物２４の頂面上に設けられ、平衡信号出入力端３０ａ，３５ａと平衡信号出入力電極パッド５１，５６との接続、ならびに、接地端３０ｂ，３５ｂと接地電極パッド５２，５７との接続が、樹脂構造物２４の頂面から側面を経由して配された引き出し配線（平衡信号出入力引き出し配線３１，３６および接地引き出し配線３２，３７）を介してなされている。これにより、樹脂構造物２４が厚くても、開口およびビアを設けることなく、樹脂構造物２４の下の平衡信号伝送路３０，３５を樹脂構造物２４の上の電極パッド５１，５２，５６，５７に接続することができる。
【００３２】
さらに、本形態例のバラン実装デバイスにおいては、それぞれの引き出し配線３１，３２，３６，３７は、第１絶縁樹脂層２２上において平衡信号伝送路３０，３５の平衡信号出入力端３０ａ，３５ａまたは接地端３０ｂ，３５ｂから、電極パッド５１，５２，５６，５７を有する断面台形状の樹脂構造物２４の側面の付近までの間に配された平衡信号伝送路延長部３１ａ，３２ａ，３６ａ，３７ａと、断面台形状の樹脂構造物２４の側面から頂面までの間に配された樹脂構造物側面連絡部３１ｂ，３２ｂ，３６ｂ，３７ｂとを有する。
【００３３】
平衡信号伝送路延長部３１ａ，３２ａ，３６ａ，３７ａは、平衡信号伝送路３０，３５と一体的に（平衡信号伝送路３０，３５と同一の工程で）形成したのち、断面台形状の樹脂構造物２４を形成して、平衡信号出入力端３０ａ，３５ａおよび接地端３０ｂ，３５ｂの上が樹脂構造物２４に覆われた後では、樹脂構造物２４の外側に露出される。このため、樹脂構造物２４を形成した後で、その外側に露出された平衡信号伝送路延長部３１ａ，３２ａ，３６ａ，３７ａと接続されるように、樹脂構造物側面連絡部３１ｂ，３２ｂ，３６ｂ，３７ｂおよび電極パッド５１，５２，５６，５７を形成することができる。この場合、樹脂構造物２４の形成工程において、上に不平衡信号伝送路５０が形成される樹脂構造物２４と、上に電極パッド５１，５２，５６，５７が形成される樹脂構造物２４とを同時に作製して、平衡信号伝送路３０，３５が樹脂構造物２４に覆われても、引き出し配線３１，３２，３６，３７の形成に支障を生じることがない。
なお、平衡信号伝送路延長部３１ａ，３２ａ，３６ａ，３７ａは、その少なくとも一部が、頂面に不平衡信号伝送路５０が形成される樹脂構造物２４の外側に露出していればよい。平衡信号伝送路延長部３１ａ，３２ａ，３６ａ，３７ａは、樹脂構造物側面連絡部３１ｂ，３２ｂ，３６ｂ，３７ｂが形成される樹脂構造物２４の側面に対しては、必ずしも接している必要はない。つまり、後述する方法により製造する場合、図１５において、平衡信号伝送路延長部３７ａの左端はその左側の樹脂構造物２４の側面に接しているが、これが接していないとしても、図１６において、樹脂構造物側面連絡部３７ｂが平衡信号伝送路延長部３７ａと導通するまで、樹脂構造物側面連絡部３７ｂの右端を第１絶縁樹脂層２２上で延長すれば良い。
【００３４】
本形態例の場合、図１および図２に示すように、電極パッド５１，５２，５６，５７，５９の上には、それぞれ、はんだバンプ（第１平衡信号出入力バンプ８１、第１接地バンプ８２、第２平衡信号出入力バンプ８６、第２接地バンプ８７、不平衡信号入出力バンプ８９）が搭載される。これらのバンプ８１，８２，８６，８７，８９は、封止樹脂層２６の開口部２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅの内側に配され、封止樹脂層２６の上面より上方に突出している。これらのバンプ８１，８２，８６，８７，８９を用いることにより、バラン実装デバイス１００を他の実装基板にフリップチップ実装することができる。なお、フリップチップ実装の安定性を高めるため、バランの伝送路３０，３５，５０に接続されたバンプ８１，８２，８６，８７，８９以外にもダミーのバンプを適宜設けて、他の実装基板上でバラン実装デバイス１００をバランスよく支持できるようにするのが望ましい。
【００３５】
バラン実装デバイス１００を他の実装基板にフリップチップ実装する場合、電極パッド５１，５２，５６，５７，５９は、引き出し配線３１，３２，３６，３７よりも厚さが厚くなるように形成されることが好ましい。これにより、電極パッド５１，５２，５６，５７，５９上に設けたバンプ８１，８２，８６，８７，８９を介してバラン実装デバイス１００を他の実装基板にフリップチップ実装したときに、他の実装基板上の配線回路と、バラン実装デバイス１００の伝送路３０，３５，５０との距離をより大きく離し、配線回路と伝送路３０，３５，５０との相互作用を抑制することができる。
電極パッド５１，５２，５６，５７，５９を引き出し配線３１，３２，３６，３７よりも厚く形成する方法としては、電極パッド５１，５２，５６，５７，５９において、めっきを選択的に成長させる方法が挙げられる。
なお、電極パッド５９は引き出し配線３１，３２，３６，３７とは接続されないが、他の電極パッド５１，５２，５６，５７と同等の厚さとすることが好ましい。
【００３６】
多層樹脂体２０は、第１絶縁樹脂層２２と、断面台形状の樹脂構造物２４からなる第２絶縁樹脂層と、封止樹脂層２６からなる第３絶縁樹脂層とによって構成された積層構造である。第１絶縁樹脂層２２は、基板１０上に形成されている。
これらの樹脂層２２，２４，２６は、同じ樹脂を用いて同一の手法で形成することにより、同一の比誘電率を有するようにしても良い。
特に、上下の平衡信号伝送路３０，３５と不平衡信号伝送路５０との間に介在される断面台形状の樹脂構造物２４は、平衡信号伝送路３０，３５と不平衡信号伝送路５０との間の電磁結合を制御するため、他の樹脂層２２，２６と異なる比誘電率を有する樹脂から構成しても良い。
【００３７】
図８に、図２に示すバランの模式的回路図を示す。
図８のバラン１１０において、不平衡信号伝送路５０の不平衡信号入出力端５０ａに不平衡信号（単一信号）ＳＳが入力されると、不平衡信号伝送路５０と平衡信号伝送路３０，３５との電磁結合が生じる。この際、伝送される信号の波長をλとすると、第１平衡信号伝送路３０の伝送路長Ｌ１および第２平衡信号伝送路３５の伝送路長Ｌ２がそれぞれλ／４（以下）であることにより、平衡信号伝送路３０，３５の平衡信号出入力端３０ａ，３５ａから平衡信号（差動信号）ＳＤ１，ＳＤ２が出力される。
同様に、平衡信号伝送路３０，３５の平衡信号出入力端３０ａ，３５ａから平衡信号（差動信号）ＳＤ１，ＳＤ２を入力すると、平衡信号伝送路３０，３５と不平衡信号伝送路５０との電磁結合により、不平衡信号伝送路５０の不平衡信号入出力端５０ａから不平衡信号（単一信号）ＳＳが出力される。
【００３８】
このようなバラン１１０は、アンテナで受信した不平衡信号を復調するにあたって当該不平衡信号を平衡信号に変換したり、逆に平衡信号である変調信号をアンテナから送信するにあたって当該平衡信号を不平衡信号に変換したりするため、携帯電話などの無線通信機器に用いられる。
【００３９】
また、図８のバラン１１０は、インピーダンスを変換するトランスとしての機能も兼ね備えている。インピーダンス変換においては、不平衡信号伝送路５０の入出力インピーダンスＺＳ、および平衡信号伝送路３０，３５の出入力インピーダンスＺＤ１，ＺＤ２が、設計仕様のインピーダンスであることが要求される。例えば、ＺＳ＝５０Ωであり、ＺＤ１＋ＺＤ２＝１００Ω、１５０Ω、２００Ω等である。
【００４０】
本形態例のバラン実装デバイスにおいて、断面台形状の樹脂構造物２４の数は、特に限定されない。
なお、図９〜１１は、図１と同様に、図２に示すバラン実装デバイス１００のＩ−Ｉ線を図の左側に、ＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図を右側に配置した断面図である。
例えば、図９に示すように、不平衡信号入出力端５０ａに接続された電極パッド５９と、平衡信号出入力引き出し配線３６を介して平衡信号出入力端３５ａに接続された電極パッド５６とが、同一の断面台形状の樹脂構造物２４の上に設けられていても良い。
また、図１０に示すように、不平衡信号入出力端５０ａに接続された電極パッド５９と、接地引き出し配線３７を介して接地端３５ｂに接続された電極パッド５７とが、同一の断面台形状の樹脂構造物２４の上に設けられていても良い。
また、図１１に示すように、不平衡信号入出力端５０ａに接続された電極パッド５９と、平衡信号出入力引き出し配線３６を介して平衡信号出入力端３５ａに接続された電極パッド５６と、接地引き出し配線３７を介して接地端３５ｂに接続された電極パッド５７とが、同一の断面台形状の樹脂構造物２４の上に設けられていても良い。
なお、不平衡信号入出力端５０ａに接続された電極パッド５９と、不平衡信号伝送路５０の第２平衡信号伝送路３５に対向した部分（内周に不平衡信号入出力端５０ａを有する側のスパイラル状の部分）５０ｄとは、同一の断面台形状の樹脂構造物２４の上に設けられていることが好ましい。
【００４１】
なお、図９〜図１１は、内周に不平衡信号入出力端５０ａを有する側のスパイラル状の部分５０ｄについて示すが、内周に開放端５０ｂを有する側のスパイラル状の部分５０ｃについても同様である。
例えば、開放端５０ｂと、平衡信号出入力引き出し配線３１を介して平衡信号出入力端３０ａに接続された電極パッド５１とが、同一の断面台形状の樹脂構造物２４の上に設けられていても良い。
また、開放端５０ｂと、接地引き出し配線３２を介して接地端３０ｂに接続された電極パッド５２とが、同一の断面台形状の樹脂構造物２４の上に設けられていても良い。
また、開放端５０ｂと、平衡信号出入力引き出し配線３１を介して平衡信号出入力端３０ａに接続された電極パッド５１と、接地引き出し配線３２を介して接地端３０ｂに接続された電極パッド５２とが、同一の断面台形状の樹脂構造物２４の上に設けられていても良い。
なお、開放端５０ｂと、不平衡信号伝送路５０の第１平衡信号伝送路３０に対向した部分（内周に開放端５０ｂを有する側のスパイラル状の部分）５０ｃとは、同一の断面台形状の樹脂構造物２４の上に設けられていることが好ましい。
【００４２】
図１２に示すように、不平衡信号伝送路５０は、第１平衡信号伝送路３０に対向した部分５０ｃと、第２平衡信号伝送路３５に対向した部分５０ｄとが、同一の断面台形状の樹脂構造物２４の上に設けられていることが好ましい。
なお、中間部５０ｅも、第１平衡信号伝送路３０に対向した部分５０ｃおよび第２平衡信号伝送路３５に対向した部分５０ｄと、同一の断面台形状の樹脂構造物２４の上に設けられていることが好ましい。
図１３に示すように、本形態例のバラン実装デバイスは、封止樹脂層２６に電極パッド５１，５２，５６，５７，５９を露出する開口部２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅを有し、この電極パッド５１，５２，５６，５７，５９にワイヤボンディングで実装基板（図示せず）に実装できるように構成しても良い。
【００４３】
本形態例のバラン実装デバイスは、ＷＬＰ技術を応用した製造方法によって製造することができる。図１４〜図１６に、図１等に示す第１形態例のバラン実装デバイスの製造工程を示す。
図１４に示すように、シリコン（Ｓｉ）ウエハ等の基板１０の上に第１絶縁樹脂層２２を形成した後、第１絶縁樹脂層２２の上に平衡信号伝送路３５を形成する。平衡信号伝送路３５を形成する際は、平衡信号出入力端３５ａおよび接地端３５ｂからそれぞれ延長された平衡信号伝送路延長部３６ａ，３７ａを平衡信号伝送路３５とともに形成する。
なお、図１４には図示されていないが、平衡信号伝送路３５および平衡信号伝送路延長部３６ａ，３７ａと同様に、平衡信号伝送路３０および平衡信号伝送路延長部３１ａ，３２ａも同時に形成される。
【００４４】
次に、図１５に示すように、平衡信号伝送路３５上および第１絶縁樹脂層２２上に断面台形状の樹脂構造物２４を形成する。平衡信号伝送路３５上の断面台形状の樹脂構造物２４は、平衡信号出入力端３５ａおよび接地端３５ｂが断面台形状の樹脂構造物２４に覆われても、平衡信号伝送路延長部３６ａ，３７ａの少なくとも一部が樹脂構造物２４の外側に露出されるように形成される。
なお、図１５には図示されていないが、平衡信号伝送路３０上の断面台形状の樹脂構造物２４も同様に、平衡信号出入力端３０ａおよび接地端３０ｂが断面台形状の樹脂構造物２４に覆われても、平衡信号伝送路延長部３１ａ，３２ａの少なくとも一部が樹脂構造物２４の外側に露出されるように形成される。
【００４５】
次に、図１６に示すように、断面台形状の樹脂構造物２４上に不平衡信号伝送路５０および電極パッド５６，５７，５９を形成するとともに、平衡信号伝送路延長部３６ａ，３７ａから電極パッド５６，５７までを連絡する樹脂構造物側面連絡部３６ｂ，３７ｂを、樹脂構造物２４の頂面から側面に形成する。
なお、図１６には図示されていないが、不平衡信号伝送路５０は不平衡信号入出力端５０ａから開放端５０ｂまでの全体（第１平衡信号伝送路に対向した部分５０ｃ、第２平衡信号伝送路に対向した部分５０ｄおよび中間部５０ｅ）が同時に形成される。また、電極パッド５６，５７，５９および樹脂構造物側面連絡部３６ｂ，３７ｂと同様に、電極パッド５１，５２および樹脂構造物側面連絡部３１ｂ，３２ｂも同時に形成される。
【００４６】
次に、電極パッド５６，５７，５９の少なくとも一部を露出する開口部２６ｃ，２６ｄ，２６ｅを有する封止樹脂層２６を形成すると、図１３に示すように、不平衡信号伝送路５０が封止樹脂層２６に覆われてなるバラン実装デバイスが得られる。
なお、図１３には図示されていないが、封止樹脂層２６には、電極パッド５１，５２の少なくとも一部を露出する開口部２６ａ，２６ｂも同様に形成される。
【００４７】
さらに、図１に示すように、開口部２６ｃ，２６ｄ，２６ｅに露出された電極パッド５６，５７，５９上にバンプ８６，８７，８９を形成する。
なお、図１には図示されていないが、電極パッド５１，５２上のバンプ８１，８２も同様に形成される。
基板１０がウエハである場合には、さらにダイシングをすることで、バラン実装デバイスのチップが得られる。
伝送路３０，３５，５０、引き出し配線３１，３２，３６，３７や、電極パッド５１，５２，５６，５７，５９の形成は、例えば銅（Ｃｕ）めっき等の金属めっきを用いることが好ましい。
断面台形状の樹脂構造物２４の形成や第３絶縁樹脂層２６に開口部を形成するには、スピンコートや電着法、ドライフィルム接着などにより全面に感光性樹脂層を形成した後、フォトリソグラフィー工程によりパターニングする方法等が挙げられる。
このように、ウエハレベルパッケージ（ＷＬＰ）技術を応用した製造方法によれば、バラン実装デバイス１００の製造の際のプロセス温度は、最高でも３００℃未満とすることができる。
【００４８】
本形態例のバラン実装デバイスは、下側の伝送路３０，３５の上に断面台形状の樹脂構造物２４を形成し、その上に上側の伝送路５０を形成して積層型バランを基板１０上に構成するので、断面台形状の樹脂構造物２４の側面に沿って引き出し配線３１，３２，３６，３７を設けて、断面台形状の樹脂構造物２４の頂面に形成した電極パッド５１，５２，５６，５７に接続することができる。
これにより、下側の伝送路３０，３５と上側の伝送路５０との間の誘電体層に開口やビアを形成することなく、上側の伝送路５０と同じ層で断面台形状の樹脂構造物２４の頂面に形成した電極パッド５１，５２，５６，５７と下側の伝送路３０，３５を容易に接続することが可能である。すなわち、半導体加工プロセスに比べて大きなデザインルールをもつバラン用伝送路に対してＷＬＰ技術の適用を可能にする。さらに、不平衡入力５０Ωを実現した、低損失で低コストのバラン実装デバイスおよびその製造方法を提供することが可能である。
また、デバイスの特性のみならず、実装上の応力緩和も実現でき、信頼性を向上することができる。
【００４９】
なお、本形態例のバラン実装デバイスは、断面台形状の樹脂構造物２４の下側（基板１０に近い側）に平衡信号伝送路３０，３５が設けられ、断面台形状の樹脂構造物２４の上側（基板１０から遠い側）に不平衡信号伝送路５０が設けられたものである。
本発明の思想においては、断面台形状の樹脂構造物２４の下側（基板１０に近い側）に不平衡信号伝送路５０が設けられ、断面台形状の樹脂構造物２４の上側（基板１０から遠い側）に平衡信号伝送路３０，３５が設けられたバラン実装デバイスを実現することも可能である。ただし、この場合は、２つの平衡信号出入力端３０ａ，３５ａおよび２つの接地端３０ｂ，３５ｂは樹脂構造物２４上に形成され、それを樹脂構造物２４上の電極パッドと接続する際に、樹脂構造物２４の側面を経由する必要はない。その代わりに、不平衡信号伝送路５０の不平衡信号入出力端５０ａを電極パッドと接続するために、第１絶縁樹脂層２２上に形成された断面台形状の樹脂構造物２４の頂面から側面を経由して、不平衡信号入出力端５０ａを断面台形状の樹脂構造物２４の頂面上の電極パッドと接続するための引き出し配線が設けられる。
【実施例】
【００５０】
以下、実施例をもって本発明を具体的に説明する。
図１において、平衡信号伝送路３０，３５がスパイラル状に３本並列している部分の幅Ｗ１を３００μｍ、断面台形状の樹脂構造物２４の高さ（図６のＴ＋ｄに相当する）をＴ１＝４０μｍ、断面台形状の樹脂構造物２４の下面の幅をＷ２＝５００μｍ、Ｗ３＝４５０μｍとして、図１、図２に示すバラン実装デバイス１００をシミュレーションした。
第１絶縁樹脂層２２、断面台形状の樹脂構造物２４、封止樹脂層２６の形成には、感光性樹脂などの絶縁性樹脂を用いた。
伝送路３０，３５，５０、引き出し配線３１，３２，３６，３７や、電極パッド５１，５２，５６，５７，５９の形成は、例えば銅（Ｃｕ）めっき等の金属めっきを用いた。
【００５１】
基板１０はシリコン（Ｓｉ）基板やガラス基板とし、基板１０上に第１絶縁樹脂層２２を塗布した上に、電気めっき等で平衡信号伝送路３０，３５や平衡信号伝送路延長部３１ａ，３２ａ，３６ａ，３７ａを形成した（図１４参照）。
【００５２】
次に、スピンコートや電着法、ドライフィルム接着などにより、誘電体層を設け、フォトリソグラフィー工程によりパターニングして、断面台形状の樹脂構造物２４を形成した
（図１５参照）
次に、電気めっき等により、不平衡信号伝送路５０、電極パッド５１，５２，５６，５７，５９、および樹脂構造物側面連絡部３１ｂ，３２ｂ，３６ｂ，３７ｂを形成した。（図１６参照）
【００５３】
次に、スピンコートや電着法、ドライフィルム接着などにより、封止樹脂層２６を設け、フォトリソグラフィー工程によりパターニングして、電極パッド５１，５２，５６，５７，５９の少なくとも一部を露出する開口部２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅを形成した。（図１３参照）
次に、開口部２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｄ，２６ｅから露出された電極パッド５１，５２，５６，５７，５９上にバンプ８１，８２，８６，８７，８９を形成して、図１、図２に示すバラン実装デバイス１００を得た。
【産業上の利用可能性】
【００５４】
本発明は、種々の高周波回路に用いることができる。例えば、携帯電話、無線ＬＡＮ、Ｂｌｕｅｔｏｏｔｈ（登録商標）、ＷｉＭＡＸ（登録商標）等の無線通信機器を構成する回路に好適に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５５】
【図１】本発明の第１形態例のバラン実装デバイスの要部を示す模式的断面図である。
【図２】バラン実装デバイスの全体構成例を示す斜視図である。
【図３】図２の接地端子部および不平衡信号入出力端子部を示す部分拡大斜視図である。
【図４】図２に示すバランの模式的平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図６】図４のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図７】図４のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【図８】図２に示すバランの模式的回路図である。
【図９】本発明の第２形態例のバラン実装デバイスの要部を示す模式的断面図である。
【図１０】本発明の第３形態例のバラン実装デバイスの要部を示す模式的断面図である。
【図１１】本発明の第４形態例のバラン実装デバイスの要部を示す模式的断面図である。
【図１２】本発明の第５形態例のバラン実装デバイスの要部を示す模式的断面図である。
【図１３】本発明の第６形態例のバラン実装デバイスの要部を示す模式的断面図である。
【図１４】第１形態例のバラン実装デバイスの製造工程を示す模式的断面図である。
【図１５】第１形態例のバラン実装デバイスの製造工程を示す模式的断面図である。
【図１６】第１形態例のバラン実装デバイスの製造工程を示す模式的断面図である。
【符号の説明】
【００５６】
１０…基板、２２…第１絶縁樹脂層、２４…断面台形状の樹脂構造物、
３０…第１平衡信号伝送路、３０ａ…第１平衡信号出入力端、３０ｂ…第１接地端、
３１…第１平衡信号出入力引き出し配線、３２…第１接地引き出し配線、
３５…第２平衡信号伝送路、３５ａ…第２平衡信号出入力端、３５ｂ…第２接地端、
３６…第２平衡信号出入力引き出し配線、３７…第２接地引き出し配線、
５０…不平衡信号伝送路、５０ａ…不平衡信号入出力端、５０ｂ…開放端、５０ｃ…第１平衡信号伝送路に対向した部分、５０ｄ…第２平衡信号伝送路に対向した部分、
５１，５２，５６，５７，５９…電極パッド、８１，８２，８６，８７，８９…バンプ、
１００…バラン実装デバイス、１１０…バラン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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