(57)【要約】【課題】  リソグラフィ装置の焦点特性を少なくとも示す情報を入手する方法を提供する。【解決手段】  この方法は、放射を実質的に回折させる第１のパターンフィーチャと、該放射を実質的に回折させない第２のパターンフィーチャとを含むパターニングデバイスのパターンを対称照明モードを有する放射ビームで照明し、位相変調素子をパターニングデバイスのパターンから発する放射で照明して、位相変調素子を用いて実質的に回折した放射内に光軸に対して非対称を導入し、放射ビーム受光素子を位相変調素子から発する放射で照明して受光素子上に、第１及び第２のパターンフィーチャに関連する第１及び第２のフィーチャを有する受光素子パターンを形成し、第１のフィーチャと第２のフィーチャとの相対位置に関する位置情報を入手し、入手した位置情報からリソグラフィ装置の焦点特性を少なくとも示す情報を判別するステップを含む。【選択図】  図１
2010123948.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置の焦点特性を少なくとも示す情報を入手する方法であって、
パターニングデバイスによって提供されるパターニングデバイスのパターンを対称照明モードを有する放射ビームで照明するステップであって、前記パターニングデバイスのパターンが、前記放射ビームの少なくとも一部を構成する放射を実質的に回折させる第１のパターンフィーチャと、前記放射ビームの少なくとも一部を構成する放射を実質的に回折させない第２のパターンフィーチャとを含むステップと、
位相変調素子を前記パターニングデバイスから発する放射で照明し、前記位相変調素子を用いて前記実質的に回折した放射内に光軸に対して非対称を導入するステップと、
放射ビーム受光素子を前記位相変調素子から発する放射で照明して前記受光素子上に前記パターニングデバイスのパターンに関連する受光素子パターンを形成するステップであって、前記受光素子パターンが、前記パターニングデバイスのパターンの前記第１のパターンフィーチャに関連する第１のフィーチャと、前記パターニングデバイスのパターンの前記第２のパターンフィーチャに関連する第２のフィーチャとを有するステップと、
前記受光素子パターンの前記第１のフィーチャと前記受光素子パターンの前記第２のフィーチャとの相対位置に関する位置情報を入手するステップと、
前記入手した位置情報から前記リソグラフィ装置の前記焦点特性を少なくとも示す情報を判別するステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記位相変調素子を用いて前記実質的に回折した放射内に光軸に対して非対称を導入するステップが、
前記位相変調素子を用いて前記実質的に回折した放射の回折次数の少なくとも一部を構成する第１の放射と同じ回折次数の別の部分を構成する第２の放射との間に位相シフトを誘発して、前記第１の放射と第２の放射とが、別の回折次数の少なくとも一部を構成する放射に結合されて、前記放射ビーム受光素子を照明するときに実質的に一定の放射レベルが得られるステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記位相変調素子を用いて前記実質的に回折した放射内に光軸に対して非対称を導入するステップが、
前記位相変調素子を用いて前記実質的に回折した放射の回折次数の少なくとも一部を構成する第１の放射と同じ回折次数の別の部分を構成する第２の放射との間に位相シフトを誘発して、前記第１の放射及び第２の放射が、別の回折次数の少なくとも一部を構成する放射に結合されて、放射を実質的に回折させる前記パターニングデバイスの前記第１のパターンフィーチャを含む前記パターニングデバイスのパターンが前記放射ビーム受光素子上に確実に結像されないようにするステップを含む、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記位相シフトが、前記照明モードの少なくとも２つの極のうちの１つから導出される回折次数を構成する放射内に導入され、それ故、非対称が導入される、請求項２から４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記実質的に回折した放射の０次回折次数及び追加の回折次数が、前記位相変調素子に入射する、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記０次回折次数及び前記追加の回折次数が、前記位相変調素子に入射する時に空間的に分離している、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記受光素子パターンの前記第１のフィーチャと前記受光素子パターンの前記第２のフィーチャとの相対位置に関する位置情報を入手するステップが、前記受光素子パターンの前記第１のフィーチャと前記受光素子パターンの前記第２のフィーチャとの間の相対移動の方向及び／又は程度を判別するステップを含む、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記入手した位置情報から前記リソグラフィ装置の焦点特性を少なくとも示す情報を判別するステップが、前記受光素子パターンの前記第１のフィーチャと前記受光素子パターンの前記第２のフィーチャとの間の相対移動の前記判別された方向及び／又は程度から前記リソグラフィ装置の焦点特性を少なくとも示す情報を判別するステップを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記パターニングデバイスのパターンの前記第１のパターンフィーチャが、１本の線を含み、前記パターニングデバイスのパターンの前記第２のパターンフィーチャが、１本の線を含み、前記第１のパターンフィーチャの線が、前記第２のパターンフィーチャの線に平行に延在する、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記パターニングデバイスのパターンが、第３及び第４のパターンフィーチャをさらに含み、前記パターニングデバイスのパターンの前記第３のパターンフィーチャが、１本の線を含み、前記パターニングデバイスのパターンの前記第４のパターンフィーチャが、１本の線を含み、前記第３のパターンフィーチャの線が、前記第４のパターンフィーチャの線に平行に延在し、前記第１及び第２のパターンフィーチャの線が延在する前記方向に垂直な方向に延在する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記第１のパターンフィーチャが、基準線を含むか又は備える、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
前記位相変調素子が、制御可能な領域を含む、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
前記制御可能な領域が、前記制御可能な領域を選択的に加熱することで前記制御可能な領域の屈折率を変更するように制御可能である、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記入手した情報に基づいて、前記リソグラフィ装置の焦点の位置を調整し、及び／又は前記放射ビーム受光素子を前記リソグラフィ装置の焦点へ移動させるステップをさらに含む、前記請求項のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１５】
放射ビームに対称照明モードを提供するアジャスタと、
パターニングデバイスのパターンを提供するように配置された前記放射ビームを受光するパターニングデバイスであって、前記パターニングデバイスのパターンが、前記放射ビームの少なくとも一部を構成する放射を実質的に回折させる第１のパターンフィーチャと、前記放射ビームの少なくとも一部を構成する放射を実質的に回折させない第２のパターンフィーチャとを含むパターニングデバイスと、
前記実質的に回折した放射内に光軸に対して非対称を導入するように構成された位相変調素子と、
使用時に、前記受光素子上に前記パターニングデバイスのパターンに関連する受光素子パターンが形成されるように、前記位相変調素子から発する放射を受光するように配置された放射ビーム受光素子であって、前記受光素子パターンが、前記パターニングデバイスのパターンの前記第１のパターンフィーチャに関連する第１のフィーチャと、前記パターニングデバイスのパターンの前記第２のパターンフィーチャに関連する第２のフィーチャとを有する放射ビーム受光素子と、
前記受光素子パターンの前記第１のフィーチャと前記受光素子パターンの前記第２のフィーチャとの前記相対位置に関する位置情報を入手するように構成された位置検出装置と、
前記入手した位置情報から前記リソグラフィ装置の焦点特性を少なくとも示す情報を判別する判別構成と、
を備えるリソグラフィ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置のための方法に関する。本発明は、特に、リソグラフィ装置の焦点特性を少なくとも示す情報を入手する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に与える機械である。リソグラフィ装置は例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる互いに近接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所定の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所定の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。
【０００３】
[0003]  半導体製造業では、フィーチャの微細化とフィーチャの高密度実装への需要が増加している。従って、パターンフィーチャのクリティカルディメンション（ＣＤ）は急速に縮小しており、上記のステッパ及びスキャナなどの最新のリソグラフィ装置の理論的な解像度の限界に極めて近づいている。解像度を向上させパターニングが可能なクリティカルディメンションを最小化する従来の技術は、露光放射の波長を低減するステップと、リソグラフィ装置の投影システムの開口数を増加させるステップと、リソグラフィ装置の解像度の限界よりも小さいフィーチャを含み、それらが基板上にパターニングされないようにし、一方で基板に印加されるパターンのコントラストを向上させ微細なフィーチャを鮮明にすることができる回折効果を生むようにするステップとを含む。しかし、そのような従来の解像度エンハンスメント技術の適用によって、例えば、解像度能力の限界での又はそれに近い所望のパターンの結像が達成可能な焦点深度が低減する可能性がある。焦点深度が低減すると、例えば、基板の露光時に基板の残留凹凸が補償できない時に許容差を超えたパターンの欠陥（例えば、パターンフィーチャの線又はエッジのぼけ）を引き起こすことがある。代替的に又は追加的に、多くの場合、基板に印加されるパターンが確実に十分に鮮明になるようにリソグラフィ装置の焦点を判別し、及び／又は高い精度に設定できることが望ましい。
【０００４】
[0004]  焦点又は焦点深度などのリソグラフィ装置の焦点特性を少なくとも示す（例えば、測定又はモニタする）情報を入手するために、様々な技術が提案されている。幾つかの技術は、２つの重ね合わせた露光パターンの使用を含む。各々のオーバーレイ露光のたびに使用するリソグラフィ装置の適当な構成と併用するオーバーレイパターンの相対位置の変化を用いてリソグラフィ装置の焦点特性の変化を判別することができる。しかし、この方法は、２回のオーバーレイ露光を含むため、露光の結果としてのパターンの位置のいかなる変化もパターンアラインメント特性の変化ではなく装置の焦点特性の変化に確実に帰せられるようにするために、露光そのものを極めて高い精度に整合しなければならない。さらに、２回の露光でこの方法を使用しなければならない。必要な情報を得るために必要な時間を低減し、露光中に作成されるパターンの形状、又は向き又は位置に影響する可能性がある露光間のリソグラフィ装置内に発生する変化の可能性を低減するために、必要な露光回数を最小限にすることが望ましい。
【０００５】
[0005]  リソグラフィ装置の焦点特性をモニタするための別の方法は、例えば、オフ光軸単極照明モードなどの一般的でない照明モードを使用するステップを含む。リソグラフィ装置の１つ又は複数の焦点特性を少なくとも示す情報を入手するためにリソグラフィ装置に対して行う変更ができるだけ少なくてすむように、リソグラフィ装置及び方法で一般的に使用される照明モードを使用することが望ましい。
【０００６】
[0006]  例えば、上記の１つ又は複数の問題、又は本明細書に記載しているか否かを問わず、従来技術一般の１つ又は複数の問題を除去するか軽減する１つ又は複数の方法を提供することが望ましい。
【発明の概要】
【０００７】
[0007]  本発明のある実施形態によれば、リソグラフィ装置の焦点特性を少なくとも示す情報を入手する方法であって、パターニングデバイスによって提供されるパターニングデバイスのパターンを対称照明モード（例えば、点対称照明モード）を有する放射ビームで照明するステップであって、パターニングデバイスのパターンが放射ビームの少なくとも一部を構成する放射を実質的に回折させる第１のパターンフィーチャと、放射ビームの少なくとも一部を構成する放射を実質的に回折させない第２のパターンフィーチャとを含むステップと、位相変調素子をパターニングデバイスから発する放射で照明し、位相変調素子を用いて実質的に回折した放射内に光軸に対して非対称を導入するステップと、放射ビーム受光素子を位相変調素子から発する放射で照明して受光素子上にパターニングデバイスのパターンに関連する受光素子パターンを形成するステップであって、受光素子パターンがパターニングデバイスのパターンの第１のパターンフィーチャに関連する第１のフィーチャとパターニングデバイスのパターンの第２のパターンフィーチャに関連する第２のフィーチャとを有するステップと、受光素子パターンの第１のフィーチャと受光素子パターンの第２のフィーチャとの相対位置に関する位置情報を入手するステップと、入手した位置情報からリソグラフィ装置の焦点特性を少なくとも示す情報を判別するステップとを含む方法が提供される。
【０００８】
[0008]  実質的に回折した放射は、実質的に回折していない放射よりも回折の程度が大きい。一例では、実質的に回折した放射（例えば、照明モードの第１の極を構成する放射から導出される）は、０次、１次、２次及び／又はさらに高次の回折次数（例えば、その第１の極の）が位相変調素子上で互いに空間的に分離するように回折する。実質的に回折した放射（例えば、その第１の極の）は、位相変調素子の所与の単一の制御可能な領域（以下に詳述する）に所与の単一の回折次数のみが入射するように回折することができる。例えば、１つの（例えば、０次）回折次数が位相変調素子の第１の制御可能な領域に入射し、別の（例えば、１次）回折次数が位相変調素子の第２の制御可能な領域に入射してもよい。一例では、実質的に回折していない放射（例えば、照明モードの第１の極を構成する放射から導出される）は、位相変調素子上で互いに空間的に分離していない回折次数を有していてもよく、又は位相変調素子上で互いに実質的に空間的に分離していない回折次数を有していてもよい。実質的に回折していない放射（例えば、その第１の極の）は、２次以上の（例えば、大多数又はすべての）回折次数が位相変調素子の単一の制御可能な領域（以下に詳述する）に入射するように回折してもよい。例えば、１つの（例えば、０次）回折次数が位相変調素子の第１の制御可能な領域に入射し、別の（例えば、１次）回折次数も位相変調素子の第１の制御可能な領域に入射してもよい。
【０００９】
[0009]  位相変調素子を用いて実質的に回折した放射内に光軸に対して非対称を導入するステップは、位相変調素子を用いて実質的に回折した放射の回折次数の少なくとも一部を構成する第１の放射と同じ回折次数の別の部分を構成する第２の放射との間に位相シフトを誘発して、第１の放射と第２の放射とが別の回折次数の少なくとも一部を構成する放射に結合されて、放射ビーム受光素子を照明するときに実質的に一定の放射レベルが得られるステップを含む。
【００１０】
[0010]  位相変調素子を用いて実質的に回折した放射内に光軸に対して非対称を導入するステップは、位相変調素子を用いて実質的に回折した放射の回折次数の少なくとも一部を構成する第１の放射と同じ回折次数の別の部分を構成する第２の放射との間に位相シフトを誘発して第１の放射と第２の放射とが別の回折次数の少なくとも一部を構成する放射に結合されて放射を実質的に回折させるパターニングデバイスの第１のパターンフィーチャを含むパターニングデバイスのパターンが放射ビーム受光素子上に結像されないようにするステップを含む。
【００１１】
[0011]  回折次数の少なくとも一部を構成し位相シフトされている第１の放射は、その回折次数の放射のほぼ半分を構成することができる。位相シフトは、１８０°であってもよい。
【００１２】
[0012]  位相シフトを、照明モードの少なくとも２つの極のうちの１つから導出される回折次数を構成する放射内に導入することができ、そのため非対称を導入することができる。
【００１３】
[0013]  回折次数は、０次回折次数であってもよい。
【００１４】
[0014]  実質的に回折した放射の０次回折次数と追加の回折次数は、位相変調素子に入射してもよい。０次回折次数と追加の回折次数は、位相変調素子に入射する際に空間的に分離していてもよい。これによって、回折次数又は回折次数の一部の位相を他の回折次数又は回折次数の他の部分から独立して制御することができる。
【００１５】
[0015]  受光素子パターンの第１のフィーチャと受光素子パターンの第２のフィーチャとの相対位置に関する位置情報を入手するステップは、受光素子パターンの第１のフィーチャと受光素子パターンの第２のフィーチャとの間の相対移動の方向及び／又は程度を判別するステップを含むことができる。入手した位置情報からリソグラフィ装置の焦点特性を少なくとも示す情報を判別するステップは、受光素子パターンの第１のフィーチャと受光素子パターンの第２のフィーチャとの間の相対移動の判別された方向及び／又は程度からリソグラフィ装置の焦点特性を少なくとも示す情報を判別するステップを含むことができる。
【００１６】
[0016]  パターニングデバイスのパターンの第１のパターンフィーチャは１本の線を含むことができ、パターニングデバイスのパターンの第２のパターンフィーチャは１本の線を含むことができ、第１のパターンフィーチャの線は第２のパターンフィーチャの線に平行に延在する。
【００１７】
[0017]  パターニングデバイスのパターンは、第３及び第４のパターンフィーチャをさらに含むことができる。パターニングデバイスのパターンの第３のパターンフィーチャは、１本の線を含むことができ、パターニングデバイスのパターンの第４のパターンフィーチャは１本の線を含むことができ、第３のパターンフィーチャの線は第４のパターンフィーチャの線に平行に延在する。第３及び第４のパターンフィーチャの線は、第１及び第２のパターンフィーチャの線が延在する方向に垂直な方向に延在することができる。
【００１８】
[0018]  第１のパターンフィーチャは、基準線を含むか又は備えることができる。
【００１９】
[0019]  照明モードは、ダイポール（二重極）又は四極（四重極）照明モードであってもよい。照明モードは、別の照明モードであってもよい。
【００２０】
[0020]  位相変調素子は、制御可能な領域を含むことができる。制御可能な領域は、制御可能な領域の屈折率を変更するように制御可能であってもよい。制御可能な領域は、制御可能な領域を選択的に加熱することで制御可能であってもよい。領域は、領域の形状、位置又は向きを選択的に制御することで制御してもよい。これは、例えば、ミラーのアレイを含む反射型位相変調素子に特にあてはまる。
【００２１】
[0021]  焦点特性は、リソグラフィ装置の焦点であってもよい。
【００２２】
[0022]  この方法は、入手した情報を考慮するためにリソグラフィ装置の素子又は放射ビーム受光素子の構成又は位置を制御するステップをさらに含む。入手した情報を用いてリソグラフィ装置の焦点の位置を調整し、及び／又は放射ビーム受光素子をリソグラフィ装置の焦点へ移動させることができる。
【００２３】
[0023]  放射ビーム受光素子は、基板又は検出器であってもよい。
【００２４】
[0024]  位相変調素子は、リソグラフィ装置のフーリエ変換平面（例えば、瞳面）に又はそれに隣接して位置していてもよい。
【００２５】
[0025]  実質的に回折した放射は、実質的に回折していない放射よりも回折の程度が大きいことを理解されたい。
【００２６】
[0026]  本発明のある実施形態によれば、放射ビームに対称照明モード（例えば、点対称照明モード）を提供するアジャスタと、パターニングデバイスのパターンを提供するように配置された放射ビームを受光するパターニングデバイスであって、パターニングデバイスのパターンが放射ビームの少なくとも一部を構成する放射を実質的に回折させる第１のパターンフィーチャと、放射ビームの少なくとも一部を構成する放射を実質的に回折させない第２のパターンフィーチャとを含むパターニングデバイスと、実質的に回折した放射内に光軸に対して非対称を導入するように構成された位相変調素子と、使用時に、受光素子上にパターニングデバイスのパターンに関連する受光素子パターンが形成されるように位相変調素子から発する放射を受光するように構成された放射ビーム受光素子であって、受光素子パターンがパターニングデバイスのパターンの第１のパターンフィーチャに関連する第１のフィーチャと、パターニングデバイスのパターンの第２のパターンフィーチャに関連する第２のフィーチャとを有する放射ビーム受光素子と、受光素子パターンの第１のフィーチャと受光素子パターンの第２のフィーチャとの相対位置に関する位置情報を入手するように構成された位置検出装置と、入手した位置情報からリソグラフィ装置の焦点特性を少なくとも示す情報を判別する判別装置とを含むリソグラフィ装置が提供される。
【００２７】
[0027]  このリソグラフィ装置は、適宜、上記方法に関する上述の１つ又は複数のフィーチャを有することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
[0028]  以下、対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら、もっぱら例示的な本発明の実施形態について説明する。
【００２９】
【図１】[0029]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置の概略図である。
【図２】[0030]リソグラフィ装置のイルミネータ内で使用するアジャスタの概略図である。
【図３】[0031]本発明のある実施形態による、リソグラフィ装置の焦点特性を少なくとも示す情報の少なくとも一部を入手するためにリソグラフィ装置のパターニングデバイスに提供することができるパターンの概略図である。
【図４】[0032]図１に示しそれに関連して説明するリソグラフィ装置の様々な部分に関する本発明のある実施形態の動作原理の概略図である。
【図５ａ】[0033]本発明のある実施形態による位相変調素子とその使用法の概略図である。
【図５ｂ】[0033]本発明のある実施形態による位相変調素子とその使用法の概略図である。
【図５ｃ】[0033]本発明のある実施形態による位相変調素子とその使用法の概略図である。
【図６ａ】[0034]本発明のある実施形態による合焦状態の基板の露光の一例の概略図である。
【図６ｂ】[0034]本発明のある実施形態による合焦状態の基板の露光が基板上に提供されたパターンに与える影響の一例の概略図である。
【図７ａ】[0035]本発明のある実施形態による焦点はずれ状態の基板の露光の一例の概略図である。
【図７ｂ】[0035]本発明のある実施形態による焦点はずれ状態の基板の露光が基板上に提供されたパターンに与える影響の一例の概略図である。
【図８ａ】[0036]本発明のある実施形態による図７ａに示す方向と逆の方向の焦点はずれ状態の基板の露光の一例の概略図である。
【図８ｂ】[0036]本発明のある実施形態による図７ａに示す方向と逆の方向の焦点はずれ状態の基板の露光が基板上に提供されたパターンに与える影響の一例の概略図である。
【図９】[0037]本発明のある実施形態による、リソグラフィ装置の焦点特性を少なくとも示す情報の少なくとも一部を入手するためにリソグラフィ装置のパターニングデバイスに提供することができる別のパターンの概略図である。
【図１０】[0038]本発明の別の実施形態によるアジャスタの概略図である。
【図１１】[0039]図１及び図４に示しそれに関連して説明する位相変調素子のある実施形態の詳細を示す概略図である。
【図１２】[0040]図１１に示しそれに関連して説明する位相変調素子の実施形態のさらなる詳細を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
[0041]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００３１】
[0042]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）及び極端紫外線光（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍ〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００３２】
[0043]  本明細書において使用する「パターニングデバイス」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するように、放射ビームの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームに与えられるパターンは、例えばパターンが位相シフトフィーチャ又はいわゆるアシストフィーチャを含む場合、基板のターゲット部分における所望のパターンに正確には対応しないことがある点に留意されたい。一般的に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分に生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００３３】
[0044]  パターニングデバイスは、透過型でも反射型でもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルが挙げられる。マスクは、リソグラフィ分野で周知であり、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、及びハーフトーン型（attenuated）位相シフトならびに様々なハイブリッドマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの一例は、入射する放射ビームを様々な方向に反射するように各々を個々に傾けることができる小型ミラーの行列構成を採用する。
【００３４】
[0045]  本明細書において使用する「投影システム」という用語は、例えば使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅するものとして広義に解釈されるべきである。本明細書において「投影レンズ」という用語を使用した場合、これはさらに一般的な「投影システム」という用語と同義と見なされる。
【００３５】
[0046]  リソグラフィ装置は２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のパターニングデバイステーブル）を有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルを並行して使用するか、１つ又は複数の他のテーブルを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００３６】
[0047]  リソグラフィ装置は、投影システムの最終要素と基板との間の空間を充填するように水などの比較的高い屈折率を有する液体内に基板が浸漬されるタイプであってもよい。投影システムの開口数を増加させる液浸技術は当技術分野で周知である。
【００３７】
[0048]  図１は、本発明の特定の実施形態によるリソグラフィ装置の概略図を示す。この装置は、
放射ビームＰＢ（例えば、ＵＶ放射又はＥＵＶ放射）を調節する照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えば、マスク）を支持し、部品ＰＬに対してパターニングデバイスを正確に位置決めする第１の位置決めデバイスＰＭに接続された支持構造（例えば、支持構造）ＭＴと、
基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持し、部品ＰＬに対して基板を正確に位置決めする第２の位置決めデバイスＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＰＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイを含む）上に結像するように構成された投影システム（例えば、屈折型投影レンズ）ＰＬと、
投影システムＰＬの瞳面ＰＰ内又はそれに隣接して位置し、放射ビームの電界の少なくとも一部の位相を調整するように配置された位相変調素子ＰＭＥとを備える。
【００３８】
[0049]  本明細書で示すように、本装置は透過型である（例えば透過マスクを使用する）。あるいは、装置は反射型でもよい（例えば上記で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイを使用する）。
【００３９】
[0050]  支持構造ＭＴは、パターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、及びパターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどのその他の条件に応じてパターニングデバイスを保持する。支持構造ＭＴは、機械的クランピング、真空、又は真空条件下での静電クランピングなどのその他のクランピング技術を用いることができる。支持構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定式又は可動式でパターニングデバイスが例えば投影システムに対して所望の位置に確実に位置するようにするフレーム又はテーブルであってもよい。本明細書において「レチクル」又は「マスク」という用語を使用した場合、その用語は、より一般的な用語である「パターニングデバイス」と同義と見なすことができる。
【００４０】
[0051]  イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００４１】
[0052]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＭを備えていてもよい（例えば放射ビーム内に所望の照明モードを提供するために）。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。照明システムは、放射ビームを方向付け、整形し、又は制御する屈折、反射、及び反射屈折光学コンポーネントを含む、様々なタイプの光学コンポーネントを包含してよく、そのようなコンポーネントも以下で集合的又は単独に“レンズ”とも呼ぶ場合がある。
【００４２】
[0053]  放射ビームＰＢは、支持構造ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横断した放射ビームＰＢは、投影システムＰＬを通過し、投影システムＰＬは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。投影システムＰＬを通過する際に、ビームＰＢは、また、位相変調素子ＰＭＥを通過する。
【００４３】
[0054]  第２位置決めデバイスＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば放射ビームＰＢの経路において様々なターゲット部分Ｃに位置決めするように正確に移動できる。同様に、第１位置決めデバイスＰＭ及び別の位置センサ（図１には明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＰＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。一般的に、支持構造ＭＴとＷＴの移動は、第１位置決めデバイスＰＭとＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。しかしながら、ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、支持構造ＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、固定してもよい。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、パターニングデバイスアラインメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アラインメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。
【００４４】
[0055]  図示のリソグラフィ装置は以下の好適なモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００４５】
[0056]  １．ステップモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームＰＢに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００４６】
[0057]  ２．スキャンモードにおいては、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームＰＢに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する（つまり単一動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＬの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分Ｃの（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分Ｃの（スキャン方向における）高さが決まる。
【００４７】
[0058]  ３．別のモードでは、支持構造ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームＰＢに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００４８】
[0059]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００４９】
[0060]  図２は、図１のイルミネータに示し、それに関連してより詳細に説明するアジャスタＡＭを概略示す。アジャスタＡＭは、リソグラフィ装置で使用する放射ビームを構成する放射を通さないプレート２を備える。プレート２は、２つの環状部、すなわち、第１の環状部４と第２の環状部６とを備える。環状部４、６によって、放射ビームの一部はプレート２を通過することができる。放射ビームの第１の部分は第１の環状部４を通過し、放射ビームの第２の部分は第２の環状部６を通過する。従って、アジャスタＡＭは、ダイポールの各々の極がプレート２の環状部４、６の各々を通過する放射によって形成されるダイポール照明モードを提供する。図２から、環状部４、６は、プレート２の中心の周りに対称に配置されているため、照明モードは対称であることが分かる。
【００５０】
[0061]  例えば、アジャスタＡＭは、回折光学要素又は複数の制御可能なミラーであるか、又はそれを備えていてもよいことを理解されたい。
【００５１】
[0062]  本発明のある実施形態によれば、ダイポール照明モード（又は別の対称照明モード）を有する放射ビームを用いてパターニングデバイス上に提供されたパターンを照明することができる。パターニングデバイスによって提供されるパターンが一定の寸法を有する一定の具体的なフィーチャを有する場合、パターンを用いてリソグラフィ装置の焦点特性を少なくとも示す情報を入手する方法を実施できる。
【００５２】
[0063]  図３は、パターニングデバイス内に提供することができるパターン８を示す。当業者であれば周知のように、パターンは、例えば、透過型レチクル又はマスク、反射型レチクル又はマスクを用いて、あるいは複数の個別に制御可能な素子を備えるパターニングデバイスによって提供することができる。パターン８は、線１０のアレイを備える。線１０のサイズ（線幅又は幅）及び間隔は、放射ビームの少なくとも一部を構成する放射を実質的に回折させるように具体的に選択される。例えば、１９３ｎｍの波長を有する放射を含む放射ビームの場合、線１０の幅は、１００ｎｍ、線１０の間隔は１００ｎｍでピッチが２００ｎｍであってもよい。太い線１２（「太い」とは、線１０よりも線幅が太いということを指す）もパターン８内に提供される。太い線１２は、線のアレイの線１０に平行に延在する。太い線１２は、パターン８に入射する放射を実質的に回折させない程度の太さである。例えば、１９３ｎｍの波長を有する放射を含む放射ビームの場合、太い線１２は１０００ｎｍの太さを有することがある。以下に詳述するように、リソグラフィ装置の焦点特性を少なくとも示す情報を入手する方法は、基板など（例えば、基板以外の放射ビーム受光素子、例えばＣＣＤアレイなど）の上に提供されたパターン内の太い線１２及び線１０のアレイの相対位置の変化（もしあれば）を判別するステップを含むことができる。太い線１２及び線１０のアレイの相対位置の変化の大きさを判別するステップは、線１０のアレイ内に基準線１４を提供することで容易にすることができる。基準線１４はアレイ内の他の線１０よりやや長く、太い線１２に結合し、太い線１２及び線１０のアレイの相対位置の変化の大きさを判別する基準として用いることができる。
【００５３】
[0064]  実質的に回折した放射は、実質的に回折していない放射よりも回折の程度が大きい。一例では、実質的に回折した放射（例えば、照明モードの第１の極の少なくとも一部を構成する放射から導出される）は、０次、１次、２次及び／又はさらに高次の回折次数（例えば、その第１の極の）が位相変調素子ＰＭＥ上で互いに空間的に分離するように回折する。実質的に回折した放射（例えば、その第１の極の）は、位相変調素子ＰＭＥの所与の単一の制御可能な領域（以下に詳述する）に所与の単一の回折次数のみが入射するように回折することができる。例えば、１つの（例えば、０次）回折次数が位相変調素子ＰＭＥの第１の制御可能な領域に入射し、別の（例えば、１次）回折次数が位相変調素子ＰＭＥの第２の制御可能な領域に入射してもよい。一例では、実質的に回折していない放射（例えば、照明モードの第１の極の少なくとも一部を構成する放射から導出される）は、位相変調素子ＰＭＥ上で互いに空間的に分離していない回折次数を有していてもよい。実質的に回折していない放射（例えば、その第１の極の）は、複数の（例えば、大多数又はすべての）回折次数が位相変調素子ＰＭＥの単一の制御可能な領域（以下に詳述する）に入射するように回折してもよい。例えば、１つの（例えば、０次）回折次数が位相変調素子ＰＭＥの第１の制御可能な領域に入射し、別の（例えば、１次）回折次数も位相変調素子ＰＭＥの第１の制御可能な領域に入射してもよい。
【００５４】
[0065]  図４は、図１に示しそれに関連して説明するリソグラフィ装置の選択された部分を概略示す。図４を参照しながら、選択された部分及びそれらの機能をリソグラフィ装置の焦点特性を少なくとも示す情報を入手する方法を含む本発明のある実施形態に関連して説明する。放射ビームの様々な部分の伝搬経路及び方向はその概略のみを示し、本発明の実施形態の理解を助けるために示されている。実際、放射ビームのこれらの部分の伝搬の正確な経路及び方向は必ずしも図示したものと同じではない。
【００５５】
[0066]  図４を参照すると、放射ビームＰＢがアジャスタＡＭに入射する様子が示されている。アジャスタに提供された第１及び第２の環状部４、６は、放射ビームＰＢ内に対称のダイポール照明モードを確立するために使用される。アジャスタＡＭの第１の環状部４を通過し、ダイポール照明モードの第１の極の放射を形成する（すなわち、構成する）放射を矢印２０として示す。同様に、アジャスタＡＭの第２の環状部６を通過し、ダイポール照明モードの第２の極の放射を構成する放射を矢印４０として示す。図では、理解を容易にするため、矢印の頭の反対側の端部にある黒い丸は、アジャスタＡＭの第２の環状部６を通過した放射を表している。黒い丸がない矢印は、アジャスタＡＭの第１の環状部４を通過した放射を表している。
【００５６】
[0067]  第１の環状部４を通過する放射２０は、照明モードの第１の極を形成する。アジャスタの第２の環状部６を通過する放射４０は、照明モードの第２の極を形成する。第１及び第２の極を構成する放射２０、４０は、図１に関連して説明する集光レンズＣＯなどのレンズに入射する。集光レンズＣＯは、第１及び第２の極を構成する放射２０、４０をパターニングデバイスＭＡの方へ向けてパターニングデバイスＭＡを照明する。第１及び第２の極を構成する放射２０、４０は、（図３に示しそれに関連して説明するように）パターニングデバイスＭＡのパターン８に入射しパターン８によってパターニングされる。
【００５７】
[0068]  上述のように、パターン８は、放射ビームＰＢの少なくとも一部を構成する放射を実質的に回折させる線のアレイと、放射ビームＰＢの少なくとも一部を構成する放射を実質的に回折させない太い線とを含む。従って、パターン８を通過する放射の一部は実質的に回折し、パターン８を通過する放射の一部は、実質的に回折しないことを理解されたい。図４で、パターン８内の線１０のアレイ自体又はその周囲を通過し該アレイによって回折する放射を含む回折パターンを構成する放射が点線の矢印で示されている。パターン８の太い線１２自体を、それに沿って又はその周囲を通過する（また実質的に回折しないが、太い線１２によって回折する）放射が実線を有する矢印で示されている。しかし、後者の放射は実質的に回折しない。
【００５８】
[0069]  パターニングデバイスＭＡ内のパターン８を通過した後で、照明モードの第１の極を構成する放射、すなわち放射２０は、幾つかの成分を有する。それらは、例えば、０次回折次数２０ａ、第１の（例えば、＋１次）回折次数２０ｂ、別の第１の（例えば、−１次）回折次数２０ｃ、及びパターン８内の太い線１２を通過し、それによって実質的に回折していない放射に対応する実質的に回折していない部分２０ｄである。同様に、パターニングデバイスＭＡ内のパターン８を通過した後で、照明モードの第２の極を構成する放射、すなわち放射４０は、幾つかの成分を有する。それらは、例えば、０次回折次数４０ａ、第１の（例えば、＋１次）回折次数４０ｂ、別の第１の（例えば、−１次）回折次数４０ｃ、及びパターン８内の太い線１２を通過し、それによって実質的に回折していない放射に対応する実質的に回折していない部分４０ｄである。図示はしていないが、これより高次の回折次数も可能である。
【００５９】
[0070]  照明モードの第１の極を構成する放射２０ａ〜ｄは、パターニングデバイスＭＡから発し、一般に、上記の位相変調素子ＰＭＥの方へ向けられてこれを照明する。特に、０次回折次数２０ａは、実質的に回折していない放射２０ｄと実質的に同一の位相変調素子ＰＭＥ上の位置に向けられる。１つの１次回折次数２０ｂも位相変調素子ＰＭＥ上の０次回折次数２０ａと実質的に回折していない放射２０ｄと空間的に分離した別の場所に入射する。同様に、照明モードの第２の極を構成する放射４０ａ〜ｄは、パターニングデバイスＭＡから発し、一般に、上記の位相変調素子ＰＭＥの方へ向けられてこれを照明する。特に、０次回折次数４０ａは、実質的に回折していない放射４０ｄと実質的に同一の位相変調素子ＰＭＥ上の位置に向けられる。１つの１次回折次数４０ｃも位相変調素子ＰＭＥ上の０次回折次数４０ａと実質的に回折していない放射４０ｄと空間的に分離した別の場所に入射する。
【００６０】
[0071]  照明モードの第１の極の少なくとも一部を形成する放射から導出される０次回折次数２０ａが実質的に回折していない放射２０ｄと実質的に同一の位相変調素子ＰＭＥ上の位置に向けられる様子を説明した。この放射２０ａ、２０ｄを表す図の矢印は、図を見やすくするために互いにやや離間しているが、実際には、この放射２０ａ、２０ｄは、リソグラフィ装置を通過する実質的に同一の経路を有することを理解されたい。同様に、照明モードの第２の極の少なくとも一部を形成する放射から導出される０次回折次数４０ａが実質的に回折していない放射４０ｄと実質的に同一の位相変調素子ＰＭＥ上の位置に向けられる様子を説明した。この放射４０ａ、４０ｄを表す図の矢印は図を見やすくするために互いにやや離間しているが、実際には、この放射４０ａ、４０ｄは、リソグラフィ装置を通過する実質的に同一の経路を有することを理解されたい。
【００６１】
[0072]  図４から分かるように、パターニングデバイスＭＡと位相変調素子ＰＭＥとの間には、回折した放射が光軸ＯＡを中心に実質的に対称に分布している。
【００６２】
[0073]  位相変調素子ＰＭＥは、位相変調素子ＰＭＥに入射し、位相変調素子ＰＭＥによって透過される１つ又は複数の放射の選択された部分の位相又は位相の変化を変調する（例えば、制御する）ように構成されている。この特定の実施形態では、位相変調素子ＰＭＥは、照明モードの第１の極の少なくとも一部を構成する放射から導出される０次回折次数２０ａの少なくとも一部を構成する放射のほぼ半分の位相を０次回折次数２０ａの他方の半分に対して１８０°変更するように構成されている。以下に述べるように、この位相の変更によって、第１の極の少なくとも一部を形成する放射から導出される回折放射は、基板上にパターンの線のアレイの画像を形成せず、実質的に一定の背景放射レベルを提供する。これは、位相が変化せず、従って、基板上にパターンの線のアレイの画像を形成する第２の極の少なくとも一部を形成する放射から導出される回折放射と対照的である。従って、回折放射内には、光軸ＯＡを中心とする非対称が導入され、下記のように、この非対称を利用できる。さらに、位相が変化せず、従って、基板上にパターンの線のアレイの画像を形成する第２の極を構成する回折放射内に基板レベルの非テレセントリシティが導入される。下記のように、この非テレセントリシティを利用できる。
【００６３】
[0074]  放射が位相変調素子ＰＭＥを通過し、例えば投影システムＰＬのレンズＰＬａによって基板Ｗ上に投影されると、パターンフィーチャの結像に寄与する回折放射の全体の分布は、非対称で非テレセントリックになる。これは、放射の一部の成分がパターンフィーチャの線のアレイの結像の形成に寄与する一方で、別の成分はそれに寄与せず、一定の背景を提供するためである。図４は、太い線４０ｄ、２０ｄ及び線４０ａ、４０ｃのアレイの結像に寄与する位相変調素子ＰＭＥから発する放射（すなわち、位相が変化しなかった放射又は位相が変化した放射と干渉しない放射）を示す。線のアレイの結像に寄与せず、２０ｂなどの放射の背景レベルのみを提供する放射も位相変調素子ＰＭＥから発し、基板Ｗに入射することを理解されたい。しかし、基板Ｗに入射し、その基板上のパターンフィーチャの結像に寄与する放射の非対称と非テレセントリシティとを強調するために、そのような放射は図示していない。
【００６４】
[0075]  以下に詳述するように、位相変調素子ＰＭＥから発して、線４０ａ、４０ｃのアレイの結像に寄与する放射は非テレセントリックであり、太い線２０ｄ、４０ｄの結像に寄与する実質的に回折していない成分は、テレセントリックであるという事実を利用して、リソグラフィ装置の１つ又は複数の焦点特性を少なくとも示す情報を入手することができる。リソグラフィ装置の１つ又は複数の焦点特性を入手する方法を述べる前に、位相変調素子ＰＭＥに入射し位相変調素子ＰＭＥによって透過される放射の１つ又は複数の部分の位相を変調する（例えば、制御する）方法を説明することが有用であろう。
【００６５】
[0076]  図５ａは、位相変調素子ＰＭＥの平面図を示す。位相変調素子ＰＭＥに入射する放射の分布も示されている。照明モードの第１の極から導出される放射の０次回折次数２０ａを形成する放射は、実質的に回折していない放射２０ｄと実質的に同一の位相変調素子ＰＭＥの領域に入射することが分かる。さらに、照明モードの第１の極から導出される放射の１次回折次数２０ｂを構成する放射は位相変調素子ＰＭＥの表面で０次回折次数２０ａ及び実質的に回折していない放射２０ｄから空間的に分離している（すなわち、両者は離間している）。さらに、照明モードの第２の極から導出される放射の０次回折次数４０ａを形成する放射は実質的に回折していない放射４０ｄと実質的に同一の位相変調素子ＰＭＥの領域に入射することが分かる。さらに、照明モードの第２の極から導出される放射の１次回折次数４０ｃを構成する放射は、位相変調素子ＰＭＥの表面で０次回折次数２０ａ及び実質的に回折していない成分２０ｄから空間的に分離している（すなわち、両者は離間している）。照明モード２０ａ、２０ｄ、２０ｃの第１の極から導出される放射の成分は、照明モード４０ａ、４０ｂ、４０ｄの第２の極から導出される放射から空間的に分離していることが分かる。これらの放射成分の空間的な離間によって、これらの成分の１つ又はそれ以上の位相を個別に制御することができる。幾つかの実施形態では、位相変調素子ＰＭＥにより高次の回折次数（すなわち、１次回折次数より高次の次数）が入射してもよい。そのような高次の次数は図示していない。
【００６６】
[0077]  図５ｂは、位相変調素子ＰＭＥの平面図を示す。位相変調素子ＰＭＥの領域５０は、領域５０を通過する放射が領域５０を通過しない放射に対して確実に位相シフトされるように構成することができる。位相シフト（すなわち、位相の変化）は、例えば、１８０°又は任意の他の適切な位相シフトであってよい。１８０°の位相シフトは、例えば、基板上にパターンフィーチャを結像するための放射内に非対称（例えば、非テレセントリシティ）を導入するために使用することができる。１８０°以外の位相シフトを用いて、基板上にパターンフィーチャを結像する（例えば、基板上にパターンフィーチャを結像させないように回折放射の一部を操作することで）ための放射（例えば、回折放射）内に非対称（例えば、非テレセントリシティ）を導入することもできる。位相変調素子ＰＭＥを用いて、実質的に回折した放射内に光軸に対して非対称を導入することができる。領域５０を制御して位相シフトを提供することができ、又は領域５０は位相シフトを提供するように設計された受動領域５０であってもよい。図５ｂには１つの領域５０しか示していないが、位相変調素子ＰＭＥの様々な領域に入射し様々な領域を通過する放射ビームの１つ又は複数の部分の位相を制御することができるように、位相変調素子ＰＭＥ上又はその内部にそのような１つ又は複数の領域を提供することができることを理解されたい。
【００６７】
[0078]  図５ｃを参照すると、図５ａに示しそれに関連して説明する放射の分布が領域５０を備えた位相変調素子ＰＭＥの上に重ね合わされている。照明モードの第１の極から導出される実質的に回折していない放射２０ｄの半分と０次回折次数放射２０ａの半分が領域５０に入射することが分かる。０次回折次数放射２０ａを構成し、領域５０を通過する放射の半分は、領域５０を通過しない半分に対して位相が１８０°シフトされている。０次回折次数放射２０ａ及び領域５０から空間的に分離した実質的に回折した１次回折次数放射２０ｂは、位相が変化しない。
【００６８】
[0079]  最良の合焦状態では、照明モードの第２の極の少なくとも一部を形成する放射から導出される放射の０次回折次数４０ａ及び１次回折次数４０ｃ（位相がシフトされない）は、Ａ／２（１＋Ｋｃｏｓ（２πｘ／ｐ）（ただし、Ａは平均強度、Ｋは定数）で定義される画像に再び結合される。これとは対照的に、照明モードの第１の極から導出される０次回折次数放射２０ａの半分（図の上半分）内に１８０°の位相シフトを導入することで、０次回折次数２０ａに結合される（すなわち、これと干渉する）放射によって別の画像が形成される。照明モードの第１の極から導出される１次次数放射２０ｂは、位相がシフトされた０次次数放射２０ａに結合され、項Ａ／４（１＋Ｋｃｏｓ（２πｘ／ｐ）を最良の合焦状態の画像に与える。これとは対照的に、照明モードの第１の極から導出される１次次数放射２０ｂは、位相がシフトされない０次次数放射２０ａに結合され、項Ａ／４（１−Ｋｃｏｓ（２πｘ／ｐ）を最良の合焦状態の画像に与える。この例の照明モードの第１の極の回折放射２０ａ、２０ｂの全体画像への寄与は、一定の強度オフセットＡ／２である。すなわち、可変干渉項はない。位相変調の結果、照明モードを構成する２つの極のうち１つの極の少なくとも一部を形成する放射から導出される回折放射によってパターンフィーチャは結像されない。従って、基板上に形成される画像の変調は、照明モードの第２の極のみによって引き起こされ、非対称と非テレセントリシティが導入される。
【００６９】
[0080]  同様に領域５０に入射する実質的に回折していない放射２０ｄの場合、すべての回折次数はゼロ次数に近く、位相変調素子による同じ位相シフトが実行される。従って、実質的に回折していない放射内には非対称は導入されない。以上から、パターニングデバイスのパターンの太い線１２によって実質的に回折されず基板に入射する放射はテレセントリックである。これと対照的に、パターニングデバイスのパターンの線１０のアレイによって回折される実質的に回折した放射は非テレセントリックである。
【００７０】
[0081]  図４及び図５の説明から、放射の回折成分を適切に位相操作することで、放射の実質的に対称の分布は非対称にでき、従って、基板に入射する時に非テレセントリックにできることを理解されたい。そのような非テレセントリックな原理の使用法と利点について以下に説明する。
【００７１】
[0082]  図６ａは、基板Ｗと、基板Ｗに入射する様々な放射成分とを示す。図示の成分は、パターニングデバイスのパターンフィーチャの結像に寄与する成分であり、一定の背景（すなわち、照明モードの第１の極からの放射の０次回折次数２０ａ及び１次回折次数２０ｂ）のみを提供する成分ではない。従って、図示の成分は、照明モードの第１の極から導出される実質的に回折していない放射２０ｄと、照明モードの第２の極を構成する放射から導出される実質的に回折していない放射４０ｄと、照明モードの第２の極を構成する放射から導出される０次回折次数放射４０ａと、照明モードの第２の極を構成する放射から導出される１次回折次数放射４０ｃとを含む。
【００７２】
[0083]  図４に関して上述したように、図６ａから、実質的に回折していない放射成分２０ｄ、４０ｄは、大きさが実質的に等しく、光軸ＯＡに対して実質的に等しい傾きを有する（すなわち、実質的に回折していない放射成分２０ｄ、４０ｄは、光軸ＯＡを中心に互いに対して実質的に対称に分布している）という点でテレセントリックであることが分かる。また上述のように、基板Ｗに入射し強度が変調される回折放射は、１次回折次数放射４０ｃに結合される０次回折次数放射４０ａであり、これらは共に照明モードの第２の極から導出される（すなわち、照明モードの第１の極からの寄与がない）ことが分かる。従って、基板Ｗに入射する１次回折次数放射４０ｃに結合される０次回折次数放射４０ａは、画像内に非テレセントリシティを導入する（すなわち、回折放射の効果は光軸ＯＡを中心に対称に分布していない）。この実施形態で使用する２ビーム（すなわち、２極）結像では、焦点に依存するシフトは、
【数１】
2010123948.tif 000003
に正比例し、上式で、ｚは焦点位置、λは波長、σ０，１はそれぞれ瞳面内の次数０、１の位置である。
【００７３】
[0084]  図６ａに示すように、放射成分２０ｄ、４０ａ、４０ｃ、４０ｄが基板Ｗ上の共通の焦点Ｆに合焦する場合、図３に示しそれに関連して説明するパターニングデバイスによって提供されるパターンに対応するパターンを基板Ｗ上に提供することができる。図６ｂは、基板Ｗに印加されるそのようなパターン８０を示す。パターンの形状は、図３に示しそれに関連して説明するパターンの形状に実質的に対応することが分かる。しかし、例えば、リソグラフィ装置の投影システムによるパターンの結像に関連付けられた縮小率のために、パターン８０の正確な寸法は図３に示し、それに関連して説明するパターンよりも小さいことがある。図６ｂを再度参照すると、パターン８０は線１００のアレイを含むことが分かる。１本の太い線１２０が線のアレイに平行に延在する。線１００のアレイ内の基準線１４０は線１００のアレイ外へ延在し、太い線１２０へ向かいこれと接触する。以下に詳述するように、線１００のアレイと太い線１２０との相対移動を基準線１４０に関して判別することができる。
【００７４】
[0085]  上述のように、リソグラフィ装置の１つ又は複数の焦点特性、例えば、リソグラフィ装置の焦点及び／又は焦点深度を少なくとも示す（例えば、測定する）情報を入手することができることが望ましい。本発明のある実施形態によれば、そのような情報の入手は図６ｂに示し、それに関連して説明するパターンを形成するフィーチャの位置の変化（もしあれば）に関する位置情報を入手することで可能である。
【００７５】
[0086]  以下に図７及び図８に関連して説明するように、リソグラフィ装置の１つ又は複数の焦点特性の変化によって図６ｂに示す線１００のアレイと太い線１２０との相対移動が引き起こされることがある。相対移動の程度と方向を用いて、例えば、リソグラフィ装置の光軸に沿った焦点位置の変化を判別し、ある種のパターンでは、基板の平面内の焦点の移動を判別することができる。相対移動の程度と方向は、任意の適当な方法で、例えば、顕微鏡装置、ディジタルカメラ、又はその他の任意の適した装置を用いて判別することができる。
【００７６】
[0087]  図６ｂを再度参照すると、太い線１２０は基準線１４０と整列していることが分かる。これは、焦点Ｆが基板Ｗの表面にあるため、放射成分２０ｄ、４０ａ、４０ｃ、４０ｄが基板Ｗの同じ場所に入射することを理由とする。
【００７７】
[0088]  図７ａは、リソグラフィ装置の焦点が基板Ｗの下にある状況を示す。図７ｂは、基板が図７ａに示す構成で、放射にさらされる時に基板上に形成される対応するパターン８０を示す。図７ｂを参照すると、線１００のアレイが太い線１２０に対して左側へ移動したことが分かる。太い線１２０に対する線１００のアレイの移動について以下に説明する。
【００７８】
[0089]  図７ａを参照すると、基板Ｗに入射する実質的に回折していない放射成分２０ｄ、４０ｄが、図７ｂに示す基板上に太い線１２０を提供する。実質的に回折していない成分２０ｄ、４０ｄは光軸ＯＡに関してテレセントリックであるため、焦点Ｆの移動によって基板上の太い線１２０の移動は引き起こされないが、焦点Ｆの移動によって太い線１２０の縁部はわずかに焦点はずれを起こすことがある（灰色で示す）。しかし、基板上に提供された線１００のアレイに関する状況は全く異なる。
【００７９】
[0090]  線１００のアレイを提供するための放射は、放射ビームをパターニングするためのパターニングデバイスのパターン内に提供されたそれに対応する線によって実質的に回折されている。上記適当な位相変調と組み合わせて、その結果、回折放射が基板Ｗに入射し、実質的に非テレセントリックな効果を生む。図７ａは、照明モードの第２の極から導出される０次回折次数放射４０ａ及び１次回折次数放射４０ｃの形のこの非テレセントリックな放射を示す（照明モードの第１の極から導出される回折放射は、下記のように結合されて一定の背景強度を提供するため、図示していない）。この効果的な非テレセントリシティのため、光軸ＯＡに沿った焦点Ｆの移動によって基板上の線１００のアレイが移動する。この移動は、パターン線１００のアレイを結像し提供するための回折放射が圧倒的に光軸に対して傾いており、非テレセントリックであるために引き起こされる。この傾き及び非テレセントリシティのため、光軸ＯＡに沿った焦点Ｆと基板Ｗとの相対移動がある場合に０次回折次数放射４０ａ及び１次回折次数放射４０ｃが基板Ｗの異なる部分に入射することが、図７ａから分かる。これは、０次回折次数放射４０ａと１次回折次数放射４０ｃとの組合せによって形成されるパターン（例えば、線１００のアレイ）が基板の異なる部分に提供されるということを意味する。
【００８０】
[0091]  図８ａは、図７ａに示す状況と似ているが、焦点Ｆが基板Ｗ上にある状況を示す。図７ａに示し、それに関連して説明する状況と比較して、０次回折次数放射４０ａ及び１次回折次数放射４０ｃは、基板の異なる部分に入射することが分かる。従って、０次回折次数放射４０ａ及び１次回折次数放射４０ｃによって形成される線１００のアレイも基板Ｗ上を移動すると予測することができる。図８ｂは、基板上に提供されたパターン８０を示す図であり、パターン線１００のアレイが太い線１２０の右側へ移動したことを示している。
【００８１】
[0092]  図６、図７、及び図８を再び参照すると、リソグラフィ装置の焦点特性が、基板上に提供されたパターン又はパターンフィーチャの位置の変化を識別することで判別することができることを理解されたい。例えば、図７及び図８から基板の上方又は下方への焦点の移動が、それぞれ基板上のパターン内に提供された線１００のアレイの太い線１２０の右側又は左側への移動から識別することができることを理解されたい。焦点の変化の大きさは、例えば、１つ又は複数の較正ルーチンなどを用いて判別することができる。例えば、焦点が確実に基板表面にあるように焦点及び／又は基板を移動させることができる。次に、焦点及び／又は基板を光軸に沿って移動させて太い線に対して基板上に提供された線のアレイの位置の変化をもたらすことができる。パターンフィーチャの位置の変化が焦点の変化に対応する仕方を理解することができ、この理解によって焦点の変化を将来判別することができる。パターン内に提供された基準線は、太い線に対する移動の大きさを判別する元になる便利な基準点を提供する。
【００８２】
[0093]  本発明の実施形態は、単一の露光と、共通の（例えば、対称の）照明モードとを用いて判別されるリソグラフィ装置の焦点特性を少なくとも示す情報を入手することができるため、有利である。入手した情報は実際に焦点特性の大きさでなく、又はその特性の変化でもなく、その大きさ又は大きさの変化に関連する可能性があるため、情報は「少なくとも示す」と記述される。他の利点として、この方法は簡単なパターンフィーチャ（例えば、線などのバイナリフィーチャ）を使用することができ、フィールド依存情報を推定することができ、この方法を焦点特性の変化に対して高感度にする有効な非テレセントリシティが大きいことが挙げられる。
【００８３】
[0094]  以上から、本発明のある実施形態は、リソグラフィ装置の焦点特性を少なくとも示す情報を入手する方法である。この方法は、パターニングデバイスに提供されたパターニングデバイスのパターンを対称の照明モード（例えば、ダイポール、四極）を有する放射ビームで照明するステップを含む。パターニングデバイスのパターンは、放射ビームの少なくとも一部を構成する放射を実質的に回折させる第１のパターンフィーチャ（例えば、１つ又は複数の線）と、放射ビームの少なくとも一部を構成する放射を実質的に回折させない第２のパターンフィーチャ（例えば、１つ又は複数の線）とを含む。この方法は、位相変調素子をパターニングデバイスから発する放射で照明するステップをさらに含む。位相変調素子を使用することで、実質的に回折した放射内に光軸に対して非対称を導入することができる（例えば、回折放射の適当な位相操作と回折放射の結合／干渉の操作で照明モードの１つ又は複数の極によってパターンフィーチャ（例えば、線のアレイ）が結像されることを防止することで）。放射ビーム受光素子（例えば、基板、ＣＣＤアレイ、又は一般の検出装置）は、位相変調素子から発する放射で照明されて受光素子上に受光素子のパターンを形成する。受光素子のパターンは、パターニングデバイスのパターンに関連し、受光素子のパターンは、パターニングデバイスのパターンの第１のフィーチャに関連する第１のフィーチャと、パターニングデバイスのパターンの第２のフィーチャに関連する第２のフィーチャとを有する。次に、受光素子のパターンの第１のフィーチャと受光素子のパターンの第２のフィーチャとの相対位置に関する位置情報が入手される（例えば、カメラ、顕微鏡、パターン認識装置などを用いて）。次に、入手した位置情報からリソグラフィ装置の焦点特性を少なくとも示す情報が判別される（例えば、入手した位置情報を以前のデータ又は測定値と比較することで、又は位置の変化と焦点特性の変化との周知の関係から）。
【００８４】
[0095]  リソグラフィ装置の焦点特性を少なくとも示す情報を入手するステップの他に（に加えて）、本発明のある実施形態は、入手した情報を考慮するためにリソグラフィ装置又は基板の構成（例えば、リソグラフィ装置又は基板の１つ又は複数の素子の位置又は向き）を制御するステップを含む。例えば、入手した情報を用いてリソグラフィ装置の焦点を調整し、及び／又は基板を焦点へ移動させることができる。
【００８５】
[0096]  本発明の別の実施形態は、放射ビームに対称照明モード（例えば、ダイポール、四極）を提供するアジャスタを含むリソグラフィ装置である。リソグラフィ装置は、パターニングデバイスのパターン（すなわち、放射ビームにパターンを付与するための）を提供するように配置された放射ビームを受光するパターニングデバイス（例えば、マスク、レチクル、又は個別に制御可能な素子のアレイ）をさらに含む。パターニングデバイスのパターンは、放射ビームの少なくとも一部を構成する放射を実質的に回折させる第１のパターンフィーチャ（例えば、１つ又は複数の線）と、放射ビームの少なくとも一部を構成する放射を実質的に回折させない第２のパターンフィーチャ（例えば、１つ又は複数の線）とを含むか又は提供する。リソグラフィ装置は、実質的に回折した放射内に光軸に対して非対称を導入する（例えば、回折放射の適当な位相操作、それ故、回折放射の結合／干渉の操作によって照明モードの１つ又は複数の極によりパターンフィーチャ（例えば、線のアレイ）が結像されることを防止することによって）ように構成された位相変調素子をさらに含む。また、放射ビーム受光素子（例えば、基板又は検出器）が提供され、使用時に、受光素子上にパターニングデバイスのパターンに関連する受光素子パターンが形成されるように、位相変調素子から発する放射を受光するように配置されている。受光素子パターンは、パターニングデバイスのパターンの第１のフィーチャに関連する第１のフィーチャと、パターニングデバイスのパターンの第２のフィーチャに関連する第２のフィーチャとを有する。リソグラフィ装置は、受光素子のパターンの第１のフィーチャと受光素子のパターンの第２のフィーチャとの相対位置に関する位置情報を入手するように構成された位置検出装置（例えば、カメラ、顕微鏡、パターン認識装置などであるか又はそれらを含む）をさらに含む。最後に、リソグラフィ装置は、入手した位置情報からリソグラフィ装置の焦点特性を少なくとも示す情報を判別する（例えば、入手した位置情報を以前のデータ又は測定値と比較することで、又は位置の変化と焦点特性の変化との周知の関係から）判別構成（例えば、コンピュータ装置など）を備える。
【００８６】
[0097]  上記実施形態では、パターニングデバイスによって提供されるパターンは、単一の太い線に隣接する細い線のアレイを含むパターンの提供として説明してきた。本発明のある実施形態は、１つのパターンフィーチャが放射を実質的に回折させ、別のパターンフィーチャが放射を実質的に回折させない限り、形状及びサイズが異なる別のパターンにも適用可能である。例えば、放射を実質的に回折させないように構成されたパターンフィーチャは矩形又は四角形（例えば、ボックス様の構造）を形成することができる１つ又は複数の線を含むことができる。放射ビームを形成する放射を実質的に回折させない太い線から形成されたボックスは放射ビームを形成する放射を実質的に回折させる細い線のアレイを囲むことができる。
【００８７】
[0098]  上記実施形態では、線のアレイと太い線が同じ方向に延在するように示されている。リソグラフィ装置の焦点特性に関する追加情報は、例えば、上記パターンによって回折された放射に実質的に垂直の方向に放射を回折させる１つ又は複数の追加パターンを提供することで入手することができる。図９は、そのようなパターン８００を示す。パターンの第１の部分は、線１０００の第１のアレイと、線１０００のアレイに隣接して平行に位置する第１の太い線１２００とを含む。パターンの第２の部分は、同様の線１０００ａの別のアレイと、線１０００ａのアレイに隣接して平行に位置する別の太い線１２００ａとを含む。線１０００ａの別のアレイ及び別の太い線１２００ａは、線１０００の第１のアレイ及び第１の太い線１２００に対して９０°の向きにある。図９に示すパターンは、放射を互いに垂直な２つの方向に回折させる。そのような方向によって基板上に提供されたパターンフィーチャは対応する異なる垂直方向に移動でき、（例えば）焦点の変化を基板に向かう／近づくものと判別するだけでなく、基板表面に平行な平面内で判別することができる。
【００８８】
[0099]  図９に示すパターンに入射する放射の２つの異なる方向の回折を実現又は促進するために、上記と異なる対称照明モードが必要な場合がある。例えば、ダイポール照明モードに対して、追加の方向からパターニングデバイスを照明するための対称四極照明モードがより適当な場合がある。図１０は、そのような四極照明モードを示す。図１０は、アジャスタＡＭを示す。アジャスタＡＭは、リソグラフィ装置で使用される放射ビームを構成する放射を実質的に透過しないプレート２０００を含む。プレート２０００は、４つの環状のアパーチャ又は開口２１００、２２００、２３００、及び２４００を含む。当業者であれば周知のように、環状のアパーチャ２１００、２２００、２３００、及び２４００は、放射ビーム内に対称四極照明モードを提供するためにプレート２０００の周囲に等間隔で離間する。上記方法は、四極照明モードの４つの極を形成する直径をはさんで対向する各々の対の１つの極から導出された０次回折次数放射（又は別の回折次数）の一部（例えば、半分）を位相シフトすることでそのような四極照明モードに適用することができる。
【００８９】
[00100]  本明細書に記載するアジャスタは、単なる例示としてのものにすぎない。他のアジャスタも等しく適用可能であり、好ましい場合さえある。例えば、アジャスタは、複数の制御可能なミラー又は回折光学要素を備えることができる。そのような代替アジャスタは、アパーチャを有するプレートよりも効率的な場合がある。これは、そのようなプレートが複数の制御可能なミラー又は回折光学要素よりも吸収又は阻止する放射量が多いためである。
【００９０】
[00101]  上記実施形態では、放射ビームの一部を実質的に回折させるように構成された１つ又は複数のパターンフィーチャと、放射ビームの一部を実質的に回折させないように構成された１つ又は複数のパターンフィーチャとを提供する放射ビームが通過する（又は放射ビームが反射する）パターニングデバイスについて説明した。これは機能的な限界であり、そのようなパターンフィーチャの正確な寸法又は寸法の範囲は、リソグラフィ装置内で、又はリソグラフィ装置によって使用される放射ビームを形成するための放射の１つ又は複数の波長に応じて変化することを理解されたい。
【００９１】
[00102]  上記実施形態では、位相変調素子について説明した。位相変調素子は、位相変調素子のある部分が位相変調素子に入射する（及び／又は通過する）放射ビームの１つ又は複数の成分のある部分の位相を変更するように配置することができる。この構成は、位相変調素子内で能動的に制御することができるか、又は受動的に提供（例えば、事前設定）することができる。位相変調は、例えば、透過型位相変調素子又は反射型位相変調素子（例えば、可動ミラー式平面のアレイなどを含む可撓ミラー式表面又はミラー式表面）の構成の適当な制御によって実行することができる。
【００９２】
[00103]  図１１及び図１２は、適した位相変調素子の特定の実施形態を示す。位相変調素子ＰＭＥは、リソグラフィ装置で使用される放射ビームを構成する放射を実質的に透過する材料から形成された光学要素３１００を含むことができる。また、位相変調素子は、コントローラ３４００を含むか、又はコントローラ３４００に接続されていてもよい。光学要素３１００を通過する波の光路長は、コントローラ３４００によって提供される信号に応じて調整することができる。光学要素３１００は、例えば、リソグラフィ装置の投影システムのフーリエ変換平面（例えば、瞳面）内に配置することができる。そのような場所では、使用時に、光学要素３１００がパターニングデバイスから生じる放射（例えば、実質的に回折した、また実質的に回折していない）によって横切られる。光学要素３１００を横切る波の位相の調整（すなわち、変調）は、光学要素３１００の領域３２００に熱を印加して領域３２００に隣接し、これを取り囲む材料の屈折率に対して光学要素を構成する材料の屈折率を局所的に変化させることで達成できる。熱の印加は、例えば、オーム抵抗を有し光学要素３１００の領域３２００に接触して配置されたワイヤ３３００を通して電流を流すことで達成できる。コントローラ３４００は、ワイヤ３３００に（正確なレベルの）電流を提供して領域３２００の屈折率の所望の変化、従って、領域３２００を通過する波の位相の変調を達成するように配置されている。
【００９３】
[00104]  例えば、光学要素３１００の複数の隣接する部分に、他のいかなる領域からも独立して光学要素３１００の１つ、複数、又はすべての領域を加熱する対応する複数のワイヤを備えることができる。図１２は、そのような構成の一例を概略示す。図１２は、光学要素３１００を示す。隣接する領域３２００−１から３２００−４４が隣接する行に、また図では左から右へ、上から下へと配置されている。領域３２００−１から３２００−４４の各領域３２００は、対応する加熱ワイヤ３３００−１〜３３００−４４を備える。図を見やすくするため、図１２は、これらの加熱ワイヤ３３００−１〜３３００−４４のうちごく少数しか示していないが、加熱ワイヤは、実際には領域３２００−１から３２００−４４の各々又は複数に提供される。
【００９４】
[00105]  コントローラ３４００は、各ワイヤ３３００−１〜３３００−４４が独立して電流起動できるように構成され、配置されている。これによって、光学要素３１００を横断する１つ又は複数の光波（例えば、放射ビームの成分）の空間位相分布の印加が可能になる。図４及び図５に関連して上に述べたように、この空間位相分布を用いて位相変調素子を通過する放射ビームの１つ又は複数の成分の特定の部分を操作して、例えば、その放射ビームの成分の結合（すなわち、干渉）を操作することができる。そのような操作を用いて（例えば、回折した）放射ビームの分布内に光軸を中心とする非対称及び非テレセントリシティを導入することができる。
【００９５】
[00106]  位相変調素子は任意の適した数の領域から形成することができ、又はそれらの領域を含むことができることを理解されたい。また、その数は４４に限定されない。領域の数は、一般に、リソグラフィ装置で望まれる位相変化の所望の特別の解像度に依存する。例えば、瞳面内のクリアな面積のサイズに対する位相変調素子の領域の各々の面積の比率は、１００〜１０００の間である。位相変調素子のその他の実施形態は、例えば、米国特許出願第ＵＳ２００８−０１２３０６６号に記載されている。位相変調素子は反射型であってもよいことを理解されたい。
【００９６】
[00107]  本発明は、位相アジャスタ（「変調素子」）ＰＭＥの上記の特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。そのような実施形態は、例示的な目的でのみ本明細書に記載している。本明細書に含まれる教示に基づいて当業者は追加の実施形態を直ちに思い付くであろう。例えば、代替位相アジャスタＰＭＥは、投影システムＰＬの瞳の近くに配置された光学要素の各部を選択的に加熱するように配置された赤外線レーザ（又は複数の赤外線レーザ）を含むことができる。例えば、中空の光ファイバによって、光学要素の選択した部分に赤外放射を案内することができる。この実施形態の詳細は、日本国特許出願第ＪＰ２００７３１７８４７Ａ号から収集することができる。冷却手段がない場合、対応する様々な部分に対応する相互に異なる量の赤外放射エネルギーを供給することで様々な部分の温度を調整して、互いに異なるようにすることができる。次に、例えば、相互に異なる温度の平均温度の値として公称温度を指定することができる。
【００９７】
[00108]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。上記説明は本発明を限定するものではなく、本発明は添付の特許請求の範囲によって限定される。
【図１】
2010123948.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５ａ】
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【図５ｂ】
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【図５ｃ】
2010123948.tif 000010
【図６ａ】
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【図６ｂ】
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【図７ａ】
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【図８ａ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図７ｂ】
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【図８ｂ】
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【外国語明細書】
2010123948000001.pdf