(57)【要約】【課題】制御用膜厚センサーによる計測データを補正し、高精度な膜厚制御を行う。【解決手段】基板３１に蒸着させる蒸着材料の蒸気を発生させる蒸着源１０と、蒸着材料の蒸気をモニターして蒸着源１０を温度制御するための、水晶振動子を用いた制御用膜厚センサー２０と、水晶振動子を用いた補正用膜厚センサー４０と、を設ける。不連続的に蒸着レートを計測する補正用膜厚センサー４０による補正値に基づいて、制御用膜厚センサー２０の計測データを補正することで、膜厚制御の精度を向上させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する保持機構と、
前記基板に成膜するための蒸着材料の蒸気を発生させる蒸着源と、
前記基板に成膜中に蒸着材料の蒸着レートを計測し、前記蒸着源の温度制御を行うための制御用膜厚センサーと、
前記制御用膜厚センサーによる計測データに基づいて前記蒸着源の温度制御を行う制御系と、
蒸着材料の蒸着レートを計測し、前記制御用膜厚センサーによる計測データを補正するための補正値を前記制御系に出力する補正用膜厚センサーと、を有することを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項２】
前記制御用膜厚センサー及び前記補正用膜厚センサーは、それぞれ水晶振動子によって蒸着レートを計測することを特徴とする請求項１に記載の真空蒸着装置。
【請求項３】
基板への成膜中は前記補正用膜厚センサーへの蒸着材料の蒸気を遮断するためのシャッターを備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の真空蒸着装置。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれかに記載の真空蒸着装置を用いて有機ＥＬ素子の薄膜を成膜する工程を有することを特徴とする有機ＥＬ素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子を製造するための真空蒸着装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、一般的に透明導電膜（例えばインジウム錫酸化物）からなる陽極と金属（例えばＡｌ）からなる陰極との間に、有機薄膜層として正孔輸送層、発光層、電子輸送層等を形成する。陽極側から注入された正孔と、陰極側から注入された電子が、それぞれ正孔輸送層、電子輸送層を介して発光層で再結合することにより、発光を得る電子デバイスである。
【０００３】
この有機ＥＬ素子の製造方法の一つとして、真空蒸着法が知られている。有機ＥＬ材料をルツボに入れ、真空装置内で蒸着材料の気化温度以上にルツボ等を加熱することで、蒸着材料の蒸気を発生させ、有機ＥＬ素子の基体となる基板に堆積して有機薄膜層を形成する。
【０００４】
この有機ＥＬ素子の製造工程において、水晶振動子を用いた膜厚モニターにより蒸着レートをモニターし、有機ＥＬ材料の蒸発量を制御する方法が知られている。蒸着レートをモニターしなければ、成膜中の基板への付着量が不明となり、基板上での膜厚を目標とする値に合わせることが不可能となる。
【０００５】
しかし、水晶振動子への有機ＥＬ材料の付着量が増すに従って、膜厚モニターの示す蒸着レート指示値と、基板上での付着量に差異が生じてくる。これは、水晶振動子に付着する有機ＥＬ材料の膜厚の増加に伴い、水晶振動子の周波数が変化することに起因する。この現象は、膜厚の目標値範囲が特に狭い場合に問題となる。通常、有機ＥＬ素子の一層当たりの膜厚は、数十〜１００［ｎｍ］程度であることから、蒸着レート指示値と基板上での付着量の差は製造歩留り低下の要因となる。
【０００６】
このような問題を解決するため、特許文献１には、膜厚制御用の水晶モニターと膜厚補正用の光学モニターとを備えた蒸着装置が開示されている。この蒸着装置は、光学モニターで目標膜厚近くまで制御し、その後、光学モニターの値で水晶モニターの値を補正してから水晶モニターにより目標膜厚となるまで精度良く膜厚を制御する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−３５５２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところが、特許文献１に記載されているように、光学モニターは水晶振動子に比べて膜厚の分解能が低く、有機ＥＬ素子の１層あたりの膜厚が数十〜１００［ｎｍ］程度の薄膜は、光学モニターで正確に計測するのは難しい。つまり、光学モニターで計測中は、膜厚レート指示値と基板上への付着量との差異を小さくすることは難しく、有機ＥＬ素子の製造には適していない。
【０００９】
本発明は、蒸着レートを正確に計測し、高精度の膜厚制御を行うことを可能とする真空蒸着装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の真空蒸着装置は、基板を保持する保持機構と、前記基板に成膜するための蒸着材料の蒸気を発生させる蒸着源と、前記基板に成膜中に蒸着材料の蒸着レートを計測し、前記蒸着源の温度制御を行うための制御用膜厚センサーと、前記制御用膜厚センサーによる計測データに基づいて前記蒸着源の温度制御を行う制御系と、蒸着材料の蒸着レートを計測し、前記制御用膜厚センサーによる計測データを補正するための補正値を前記制御系に出力する補正用膜厚センサーと、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
基板に成膜する蒸着材料の蒸着レートを制御するための制御用膜厚センサーの計測データを、補正用膜厚センサーによって不連続的に計測された蒸着材料の蒸着レートにより補正する。逐次補正される制御用膜厚センサーの計測データによって蒸着源を制御することで、基板に成膜される薄膜の膜厚を高精度で管理し、有機ＥＬ素子の製造歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施例１による真空蒸着装置を示す模式図である。
【図２】実施例２による真空蒸着装置を示す模式図である。
【図３】実施例１の一変形例を示す模式図である。
【図４】実施例１の別の変形例を示す模式図である。
【図５】実施例１の別の変形例を示す模式図である。
【図６】一従来例による真空蒸着装置を示す模式図である。
【図７】実施例１において計測された膜厚及び補正値を示すグラフである。
【図８】実施例２に用いたＡｌｑ３の補正値を示すグラフである。
【図９】実施例２に用いたＣｏｕｍａｒｉｎ６の補正値を示すグラフである。
【図１０】実施例２において得られた、Ａｌｑ３＋Ｃｏｕｍａｒｉｎ６の膜厚を示すグラフである。
【図１１】図６の従来例において得られた膜厚を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明を実施するための最良の形態を、図面に基づいて説明する。
【００１４】
図１に示すように、蒸着源１０は、蒸着材料１１を収容するルツボ１２と、ルツボ１２を加熱するためのヒーター１３と、蓋１４と、リフレクター１５と、を備えている。蒸着材料１１は、ルツボ１２内で加熱され、蓋１４の開口部から蒸気が放出される。蒸着源１０から発生する蒸気は、保持機構３０に保持された成膜用の基板３１の成膜面上にマスク３２を介して付着し、薄膜を形成する。
【００１５】
蒸着源１０から発生する蒸気が基板３１に堆積する速度（蒸着レート）は、水晶振動子を備えた制御用膜厚センサー２０によって計測される。制御用膜厚センサー２０は、その計測データを、蒸着源１０を温度制御し、蒸発量を制御する制御系に出力する。この制御用膜厚センサー２０とは別に、制御用膜厚センサー２０の計測データを補正する補正値を出力するための、水晶振動子を備えた補正用膜厚センサー４０が設けられている。補正用膜厚センサー４０は、蒸着源１０から発生する蒸気を遮断するためのシャッター４１を備え、制御用膜厚センサー２０への補正値を出力するために、蒸着源１０から発生する蒸気を不連続的にモニターする。制御用膜厚センサー２０には、必要に応じてパイプや遮蔽板などを設けてもよい。補正用膜厚センサー４０は、基板３１の近傍に設けられていることが望ましいが、これに限定されるものではない。尚、補正値は下記のような式で算出される。
【００１６】
再補正値 ＝ 補正値 × t1 ／ t2  ・・・（式１）
t1：補正用膜厚センサー４０の指示値
t2：制御用膜厚センサー２０の指示値
【００１７】
ここで、それぞれ同一の膜厚センサ−で複数回成膜を行う場合、前回の成膜で用いた再補正値が補正値となり、その補正値を制御用膜厚センサー２０および補正用膜厚センサー４０の計測データを用いて補正した値が再補正値となる。ただし、膜厚センサーの初回使用時においては、補正値は任意の値となり、再補正値は制御用膜厚センサ−の計測データを用いた補正値となる。
【００１８】
基板３１及びマスク３２は、チャンバー５０内に保持機構３０にて保持されており、必要であれば、保持機構３０に回転機構を設けてもよい。また、基板３１及びマスク３２は、保持機構３０によりチャンバー内にどのように配置されていてもよい。蒸着源１０の蓋１４に設けられた開口部と、基板３１の成膜面との間には、図示しないシャッターが個別に設けられていてもよい。蓋１４に設けられた開口部にシャッターが設けられていれば、開口部から発生する蒸気を自由に遮断することが可能となる。
【００１９】
チャンバー５０は、図示しないアライメント機構を備えていて、マスク３２に高精細マスクを用いて、マスク蒸着による微細パターン形成を行ってもよい。チャンバー５０内を排気するための図示しない真空排気系は、迅速に高真空領域まで排気できる能力を持った真空ポンプを用いることが望ましい。
【００２０】
この真空蒸着装置を有機ＥＬ素子の製造に用いる場合は、ゲートバルブ５１により他の真空装置と接続し、有機ＥＬ素子を作製するための様々な工程を行えばよい。有機ＥＬ素子の製造装置には、様々な工程を行うチャンバーが複数備えてあることが望ましく、チャンバー５０はそれらの一部であることが望ましい。
【００２１】
基板３１が大型基板である場合は、複数の蒸着源１０を用いて、基板３１の成膜面に対して膜厚むらの少ない均一な蒸着膜形成を行うことが望ましい。
【００２２】
蒸着源１０の蓋１４に設けられた開口部の開口面積、開口形状、材質等は個別に異なっていてもよく、開口形状は、円形、矩形、楕円形など、どのような形状でもよい。開口面積及び開口形状がそれぞれ異なることにより、基板３１上での膜厚制御性がより向上する場合がある。また同じ理由で、ルツボ１２の形状、材質等は個別に異なっていてもよい。
【００２３】
マスク３２に高精細マスクを用いて、マスク蒸着による微細パターン形成を行う場合は、マスクへの熱影響を考慮して、蒸着源１０を移動させながら成膜を行ってもよい。また、基板３１及びマスク３２を移動させながら成膜を行ってもよい。
【００２４】
図２は、別の実施形態による真空蒸着装置を示す。これは、複数の蒸着源１０ａ、１０ｂと、各蒸着源１０ａ、１０ｂから発生する蒸気の蒸着レートをそれぞれ検出して膜厚制御を行うための制御用膜厚センサー２０ａ、２０ｂ及び補正用膜厚センサー４０ａ、４０ｂを備える。
【００２５】
このように、複数の蒸着源を用いて、同じ蒸着材料の蒸気を発生させてもよいし、それぞれ異なる蒸着材料を用いた共蒸着膜を成膜してもよい。
【実施例１】
【００２６】
図１は実施例１による真空蒸着装置を示す。蒸着源１０のルツボには、蒸着材料１１として有機ＥＬ材料であるトリス（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム（Ａｌｑ３）を１０．０［ｇ］充填し、ルツボ１２に蓋１４を取り付けた。ルツボ１１に充填されたＡｌｑ３は、蓋１４の開口部を介して蒸発する。ルツボ１２と蓋１４の接合部はフランジ形状として、蒸発したＡｌｑ３の開口部以外からの漏れを防止した。蒸着源１０は、基板３１の成膜面に対向して配置されている。制御用膜厚センサー２０は、基板３１に向かう蒸着源１０から発生した蒸気を遮ることのない位置に配置した。蓋１４の開口部から、基板３１の成膜面までの距離は３００［ｍｍ］とした。蓋１４の開口部から、制御用膜厚センサー２０までの距離は２００［ｍｍ］とした。
【００２７】
基板３１として、１００［ｍｍ］×１００［ｍｍ］×０．７［ｍｍ］のガラス基板を、ゲートバルブ５１を介してチャンバー５０と接合された図示しない基板ストック装置に１１枚セットした。基板ストック装置内を図示しない真空排気系により１．０×１０−４［Ｐａ］以下まで排気した。チャンバー５０内も、図示しない真空排気系により１．０×１０−４［Ｐａ］以下まで排気し、排気した後にヒーター１３でルツボ１２を２００［℃］まで加熱した。ヒーターパワーはルツボ１２の底面付近の温度に基づいて制御した。まず、ルツボ１２の底面付近の温度を２００［℃］のまま３０［ｍｉｎ］保持してＡｌｑ３の脱ガスを行った。
【００２８】
次に、制御用膜厚センサー２０において蒸着レートが１．０［ｎｍ／ｓｅｃ］となる温度までルツボ１２を加熱した。制御用膜厚センサー２０において、蒸着レートが１．０［ｎｍ／ｓｅｃ］となったところで、基板ストック装置から基板搬送機構を用いて、チャンバー５０へ基板を１枚搬入して成膜を行った。基板３１の中心部分で膜厚が１００［ｎｍ］となるように成膜して、成膜を終えた基板３１を直ちに搬出して、次の基板３１を搬入するというプロセスで、１１枚の基板３１に上記の条件で成膜を行った。基板３１への成膜は、制御用膜厚センサー２０の水晶振動子の周波数が０．０１５［ＭＨｚ］低下する毎に行った。また、各基板３１への成膜前に、補正用膜厚センサー４０の近傍に設けられたシャッター４１を開き、補正用膜厚センサー４０によって計測された蒸着レートに基づく補正値を求めて、制御用膜厚センサー２０の計測データ（蒸着レート）を補正した。
【００２９】
上記の方法で成膜を行い、基板３１の中央部付近の膜厚を触針式段差計により測定した。その結果と、補正用膜厚センサー４０による補正値を図７に示す。図７から判るように、目標膜厚１００［ｎｍ］に対して、測定膜厚は±２．０［％］の範囲におさまっている。このことから、Ａｌｑ３を目標膜厚に対して精度良く成膜できていたことが判った。
【００３０】
本実施例においては、蒸着源１０として図１に示す構成を用いたが、これに限定されるものではない。蒸着源１０の数についても、これに限定されるものではない。また、各膜厚センサーの位置等もこれに限定されるものではない。
【００３１】
基板３１に大判のものを用いる場合には、保持機構３０を回転させて、基板３１の成膜面内でむらのない膜厚分布を得ればよい。高精細マスクを用いる場合は、アライメントステージを用いてマスク蒸着による微細パターン形成を行ってもよい。この際、高精細マスクへの熱影響が問題となるようであれば、蒸着源１０においてリフレクター１５を多く用いればよいし、必要であればリフレクター１５に冷却パイプや空冷パイプを設けてもよい。
【００３２】
なお、図３に示すように、蒸着源１０を図示しない蒸着源搬送機構により搬送させて、基板３１に蒸着膜の形成を行ってもよい。また、図４に示すように、基板３１とマスク３２を図示しない蒸着源搬送機構により搬送させて、成膜を行ってもよい。また、図５に示すように、基板３１とマスク３２が、チャンバー５０の設置面に対して垂直、もしくは垂直に近い角度になるように保持機構３０で保持し、蒸着膜の形成を行ってもよい。
【００３３】
本実施例の効果を検証するために、図６に示す従来構成の真空蒸着装置で成膜した場合の比較実験を行った。チャンバー１５０内の基板１３１及びマスク１３２からなる被成膜物に向かって、ルツボ１１２、ヒーター１１３等からなる蒸着源１１０からＡｌｑ３の蒸気を発生させ、蓋１１４に設けた開口部を介して蒸着させた。成膜中、制御用膜厚センサー１２０による蒸着レートが１．０［ｎｍ／ｓｅｃ］となる温度までルツボ１１２を加熱し、蒸着レートが１．０［ｎｍ／ｓｅｃ］で保持されるように制御した。
【００３４】
成膜後、基板１３１の中央部付近の膜厚をαステップにより測定した。その結果を図１１に示す。図１１から判るように、目標膜厚１００［ｎｍ］に対して、測定膜厚は±４．８［％］となった。これは、制御用膜厚センサー１２０に付着するＡｌｑ３の量と、基板上への付着量との差異が時間経過と共に変化しているためであり、水晶振動子の周波数低下に伴う現象である。
【００３５】
これにより、従来構成の真空蒸着装置よりも、本実施例の真空蒸着装置が優れていると判った。
【実施例２】
【００３６】
図２は実施例２による真空蒸着装置を示す。蒸着源１０ａのルツボ１２ａに、蒸着材料１１ａとして有機ＥＬ材料であるＡｌｑ３を１０．０［ｇ］充填し、ルツボ１２ａに蓋１４ａを取り付け、蒸着源１０ａにセットした。ルツボ１２ａに充填されたＡｌｑ３は、蓋１４ａの開口部を介して蒸発する。ルツボ１２ａと蓋１４ａの接合部はフランジ形状として、蒸発したＡｌｑ３の開口部以外からの漏れを防止した。蒸着源１０ｂのルツボ１２ｂには、蒸着材料１１ｂとして有機ＥＬ材料である３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−（ジエチルアミノ）クマリン（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を１０．０［ｇ］充填し、ルツボ１２ｂに蓋１４ｂを取り付け、蒸着源１０ｂにセットした。ルツボ１２ｂに充填されたＣｏｕｍａｒｉｎ６は、蓋１４ｂの開口部を介して蒸発する。ルツボ１２ｂと蓋１４ｂの接合部はフランジ形状として、Ｃｏｕｍａｒｉｎ６の開口部以外からの漏れを防止した。
【００３７】
蒸着源１０ａ、１０ｂは、基板３１の成膜面に対向して配置されている。制御用膜厚センサー２０ａ、２０ｂは、基板３１に向かう蒸着源１０ａ、１０ｂから発生した蒸気を遮ることのないような位置に配置した。制御用膜厚センサー２０ａは、蒸着源１０ａで発生し、蓋１４ａに設けられた開口部を介して出てくるＡｌｑ３の蒸気のみをモニターできる位置に配置した。制御用膜厚センサー２０ｂは、蒸着源１０ｂで発生し、蓋１４ｂに設けられた開口部を介して出てくるＣｏｕｍａｒｉｎ６の蒸気のみをモニターできる位置に配置した。
【００３８】
蓋１４ａ、１４ｂのそれぞれの開口部から、基板３１の成膜面までの距離は３００［ｍｍ］とした。蓋１４ａの開口部から、制御用膜厚センサー２０ａまでの距離は１００［ｍｍ］とした。蓋１４ｂの開口部から、制御用膜厚センサー２０ｂまでの距離は１００［ｍｍ］とした。
【００３９】
また、蒸着源１０ａ、１０ｂから発生した蒸気をモニターできる位置に、補正用膜厚センサー４０ａ、４０ｂを配置した。補正用膜厚センサー４０ａ、４０ｂにはそれぞれ、シャッター４１ａ、４１ｂが設けられている。蓋１４ａの開口部から、補正用膜厚センサー４０ａまでの距離は１００［ｍｍ］とした。蓋１４ｂの開口部から、補正用膜厚センサー４０ｂまでの距離は１００［ｍｍ］とした。
【００４０】
基板３１として、１００［ｍｍ］×１００［ｍｍ］×０．７［ｍｍ］のガラス基板を、ゲートバルブ５１を介してチャンバー５０と接合された図示しない基板ストック装置に１１枚セットした。基板ストック装置内を図示しない真空排気系により１．０×１０−４［Ｐａ］以下まで排気した。チャンバー５０内も、図示しない真空排気系により１．０×１０−４［Ｐａ］以下まで排気し、排気した後にヒーター１３ａ、１３ｂでルツボ１２ａ、１２ｂを２００［℃］まで加熱した。ヒーターパワーはルツボ１２ａ、１２ｂの底面付近の温度を基に制御した。まず、ルツボ１２ａ、１２ｂの底面付近の温度を２００［℃］のまま３０［ｍｉｎ］保持してＡｌｑ３及びＣｏｕｍａｒｉｎ６の脱ガスを行った。
【００４１】
次に、制御用膜厚センサー２０ａ、２０ｂにおいて蒸着レートがそれぞれ１．０［ｎｍ／ｓｅｃ］、０．３［ｎｍ／ｓｅｃ］となる温度までルツボ１２ａ、１２ｂを加熱した。制御用膜厚センサー２０ａ、２０ｂにおいて、蒸着レートがそれぞれ１．０［ｎｍ／ｓｅｃ］、０．３［ｎｍ／ｓｅｃ］となったところで、基板ストック装置から基板搬送機構を用いて、チャンバー５０へ基板を１枚搬入して成膜を行った。基板３１の中心部分で膜厚が１３０［ｎｍ］となるように成膜して、成膜を終えた基板３１を直ちに搬出して、次の基板３１を搬入するというプロセスで、１１枚の基板３１に上記の条件で成膜を行った。基板３１への成膜は、制御用膜厚センサー２０ａの水晶振動子の周波数が０．０１５［ＭＨｚ］低下する毎に行った。また、各基板３１への成膜前に、シャッター４１ａ、４１ｂを開き、補正用膜厚センサー４０ａ、４０ｂによる蒸着レートに基づく補正値を求めて、制御用膜厚センサー２０ａ、２０ｂの蒸着レートを補正した。基板３１への成膜中、制御用膜厚センサー２０ａ、２０ｂによる蒸着レートの大きな変動は無かった。
【００４２】
上記の方法で成膜を行い、実施例１と同様に、基板３１の中央部付近の膜厚を触針式段差計により測定した。成膜に用いた２つの補正値も含めて、それらのデータを図８、図９、図１０に示す。図１０から判るように、目標膜厚１３０［ｎｍ］に対して、測定膜厚は±１．９［％］の範囲におさまっている。このことから、Ａｌｑ３とＣｏｕｍａｒｉｎ６が足し合わされた膜厚は、基板３１の成膜中において精度良く制御できていたことが判った。
【００４３】
このように、本実施例によれば、Ａｌｑ３とＣｏｕｍａｒｉｎ６との共蒸着膜形成においても、補正用膜厚センサー４０ａ、４０ｂを用いることによって、安定した膜厚を維持できることが判った。
【００４４】
本実施例においては、蒸着源として図２に示す構成を用いたが、これに限定されるものではない。蒸着源の数についても、これに限定されるものではない。また、制御用膜厚センサー及び補正用膜厚センサーの配置等もこれに限定されるものではない。
【００４５】
基板に大判のものを用いる場合には、保持機構を回転させて、基板の成膜面内でむらのない膜厚分布を得ればよい。高精細マスクを用いる場合は、アライメントステージを用いてマスク蒸着による微細パターン形成を行ってもよい。この際、高精細マスクへの熱影響が問題となるようであれば、蒸着源においてリフレクターを多く用いればよいし、必要であればリフレクターに冷却パイプや空冷パイプを設けてもよい。
【００４６】
なお、実施例１と同様に、蒸着源を蒸着源搬送機構により搬送させて、基板に蒸着膜の形成を行ってもよい。また、基板とマスクを蒸着源搬送機構により搬送させて、蒸着膜の形成を行ってもよい。また、基板とマスクを、チャンバーの設置面に対して垂直、もしくは垂直に近い角度になるように保持機構で保持して蒸着膜の形成を行ってもよい。共蒸着膜形成を行う場合には、蒸着源を少なくとも２つ以上用いればよい。共蒸着膜形成の際は、制御用膜厚センサーと補正用膜厚センサーが、複数の蒸着源に個別に設けられていることが望ましく、必要に応じてパイプや遮蔽版などの蒸気遮断手段を設けてもよい。
【符号の説明】
【００４７】
１０、１０ａ、１０ｂ    蒸着源
１１、１１ａ、１１ｂ    蒸着材料
１２、１２ａ、１２ｂ    ルツボ
１３、１３ａ、１３ｂ    ヒーター
１４、１４ａ、１４ｂ    蓋
１５、１５ａ、１５ｂ    リフレクター
２０、２０ａ、２０ｂ    制御用膜厚センサー
３０    保持機構
３１    基板
３２    マスク
４０、４０ａ、４０ｂ    補正用膜厚センサー
４１、４１ａ、４１ｂ    シャッター
５０    チャンバー
５１    ゲートバルブ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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