(57)【要約】【課題】  抗折強度の高いデバイスを製造可能な半導体ウエーハのレーザ加工方法を提供することである。【解決手段】  半導体ウエーハのレーザ加工方法であって、半導体ウエーハの分割予定ラインに沿って半導体ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザビームを照射して半導体ウエーハにレーザ加工溝を形成する加工溝形成工程を具備し、該加工溝形成工程では、パルスレーザビームのパルス幅を２ｎｓ以下に設定するとともに、１パルス当たりのピークエネルギー密度の上昇に伴って半導体ウエーハの分割予定ラインに形成されるレーザ加工溝の深さの進行が急峻化する変曲点以下のピークエネルギー密度でレーザビームを半導体ウエーハの分割予定ラインに照射することを特徴とする。【選択図】図９
2010272699.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエーハのレーザ加工方法であって、
半導体ウエーハの分割予定ラインに沿って半導体ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザビームを照射して半導体ウエーハにレーザ加工溝を形成する加工溝形成工程を具備し、
該加工溝形成工程では、パルスレーザビームのパルス幅を２ｎｓ以下に設定するとともに、１パルス当たりのピークエネルギー密度の上昇に伴って半導体ウエーハの分割予定ラインに形成されるレーザ加工溝の深さの進行が急峻化する変曲点以下のピークエネルギー密度でレーザビームを半導体ウエーハの分割予定ラインに照射することを特徴とする半導体ウエーハのレーザ加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエーハの分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して半導体ウエーハにレーザ加工溝を形成する半導体ウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造プロセスにおいては、略円板形状であるシリコンウエーハ、ガリウム砒素ウエーハ等の半導体ウエーハの表面に格子状に形成されたストリートと呼ばれる分割予定ラインによって複数の領域が区画され、区画された各領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハは切削装置又はレーザ加工装置によって個々のデバイスに分割され、分割されたデバイスは携帯電話、パソコン等の各種電気機器に広く利用されている。
【０００３】
切削装置としては一般にダイシング装置と呼ばれる切削装置が用いられており、この切削装置ではダイアモンドやＣＢＮ等の超砥粒をメタルやレジンで固めて厚さ３０〜３００μｍ程度とした切削ブレードが約３００００ｒｐｍと高速回転しつつ半導体ウエーハへ切り込むことで切削が遂行される。
【０００４】
一方、レーザ加工装置は、半導体ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された半導体ウエーハにパルスレーザビームを照射するレーザビーム照射手段と、該チャックテーブルと該レーザビーム照射手段とを相対的に加工送りする加工送り手段とを少なくとも備えていて、半導体ウエーハの表面に形成された分割予定ラインに沿って半導体ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザビームを照射してレーザ加工溝を形成し、次いで外力を付与してレーザ加工溝に沿って半導体ウエーハを破断して個々のデバイスに分割する（例えば、特開２００７−１９２５２号公報参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１９２５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、切削ブレードを備えたダイシング装置によって半導体ウエーハを切削して形成したデバイスの抗折強度が８００ＭＰａであるのに対して、従来のレーザ加工方法によって形成したデバイスの抗折強度は４００ＭＰａと低く、電気機器の品質の低下を招くという問題がある。
【０００７】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、抗折強度の高いデバイスを製造可能な半導体ウエーハのレーザ加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によると、半導体ウエーハのレーザ加工方法であって、半導体ウエーハの分割予定ラインに沿って半導体ウエーハに対して吸収性を有する波長のパルスレーザビームを照射して半導体ウエーハにレーザ加工溝を形成する加工溝形成工程を具備し、該加工溝形成工程では、パルスレーザビームのパルス幅を２ｎｓ以下に設定するとともに、１パルス当たりのピークエネルギー密度の上昇に伴って半導体ウエーハの分割予定ラインに形成されるレーザ加工溝の深さの進行が急峻化する変曲点以下のピークエネルギー密度でレーザビームを半導体ウエーハの分割予定ラインに照射することを特徴とする半導体ウエーハのレーザ加工方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、パルスレーザビームのパルス幅を２ｎｓ以下に設定し、１パルス当たりのピークエネルギー密度をレーザ加工溝の深さが急峻化する変曲点以下に抑えるようにしたので、分割されたデバイスの抗折強度を８００ＭＰａ以上にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明を実施するのに適したレーザ加工装置の外観斜視図である。
【図２】粘着テープを介して環状フレームにより支持された半導体ウエーハの斜視図である。
【図３】レーザビーム照射ユニットのブロック図である。
【図４】レーザ加工溝形成工程の斜視図である。
【図５】図５（Ａ）はレーザ加工溝形成工程の説明図、図５（Ｂ）はレーザ加工溝を示す半導体ウエーハの断面図である。
【図６】ビームスポットの重なり量を説明する図である。
【図７】分割装置の斜視図である。
【図８】半導体ウエーハ分割工程の説明図である。
【図９】パルス幅１０ｐｓ、波長１０６４ｎｍのレーザビームをシリコンウエーハに１パルス照射したときのピークエネルギー密度と加工深さの関係を示すグラフである。
【図１０】パルス幅１０ｐｓ、波長５３２ｎｍのレーザビームをシリコンウエーハに１パルス照射したときのピークエネルギー密度と加工深さの関係を示すグラフである。
【図１１】パルス幅１０ｐｓ、波長３５５ｎｍのレーザビームをシリコンウエーハに１パルス照射したときのピークエネルギー密度と加工深さの関係を示すグラフである。
【図１２】パルス幅１０ｐｓ、波長１０６４ｎｍ及び５３２ｎｍのレーザビームをＧａＡｓウエーハに１パルス照射したときのピークエネルギー密度と加工深さの関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の半導体ウエーハの加工方法を実施するのに適したレーザ加工装置の概略構成図を示している。
【００１２】
レーザ加工装置２は、静止基台４上にＸ軸方向に移動可能に搭載された第１スライドブロック６を含んでいる。第１スライドブロック６は、ボールねじ８及びパルスモータ１０から構成される加工送り手段１２により一対のガイドレール１４に沿って加工送り方向、すなわちＸ軸方向に移動される。
【００１３】
第１スライドブロック６上には第２スライドブロック１６がＹ軸方向に移動可能に搭載されている。すなわち、第２スライドブロック１６はボールねじ１８及びパルスモータ２０から構成される割り出し送り手段２２により一対のガイドレール２４に沿って割り出し方向、すなわちＹ軸方向に移動される。
【００１４】
第２スライドブロック１６上には円筒支持部材２６を介してチャックテーブル２８が搭載されており、チャックテーブル２８は加工送り手段１２及び割り出し送り手段２２によりＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能である。チャックテーブル２８には、チャックテーブル２８に吸引保持された半導体ウエーハをクランプするクランパ３０が設けられている。
【００１５】
静止基台４にはコラム３２が立設されており、このコラム３２にはレーザビーム照射ユニット３４を収容するケーシング３５が取り付けられている。レーザビーム照射ユニット３４は、図３に示すように、ＹＡＧレーザ又はＹＶＯ４レーザを発振するレーザ発振器６２と、繰り返し周波数設定手段６４と、パルス幅調整手段６６と、パワー調整手段６８とを含んでいる。
【００１６】
レーザビーム照射ユニット３４のパワー調整手段６８により所定パワーに調整されたパルスレーザビームは、ケーシング３５の先端に取り付けられた集光器３６のミラー７０で反射され、更に集光用対物レンズ７２によって集光されてチャックテーブル２８に保持されている半導体ウエーハＷに照射される。
【００１７】
ケーシング３５の先端部には、集光器３６とＸ軸方向に整列してレーザ加工すべき加工領域を検出する撮像手段３８が配設されている。撮像手段３８は、可視光によって半導体ウエーハの加工領域を撮像する通常のＣＣＤ等の撮像素子を含んでいる。
【００１８】
撮像手段３８は更に、半導体ウエーハに赤外線を照射する赤外線照射手段と、赤外線照射手段によって照射された赤外線を捕らえる光学系と、この光学系によって捕らえられた赤外線に対応した電気信号を出力する赤外線ＣＣＤ等の赤外線撮像素子から構成される赤外線撮像手段を含んでおり、撮像した画像信号はコントローラ（制御手段）４０に送信される。
【００１９】
コントローラ４０はコンピュータによって構成されており、制御プログラムに従って演算処理する中央処理装置（ＣＰＵ）４２と、制御プログラム等を格納するリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）４４と、演算結果等を格納する読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）４６と、カウンタ４８と、入力インターフェイス５０と、出力インターフェイス５２とを備えている。
【００２０】
５６は案内レール１４に沿って配設されたリニアスケール５４と、第１スライドブロック６に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される加工送り量検出手段であり、加工送り量検出手段５６の検出信号はコントローラ４０の入力エンターフェイス５０に入力される。
【００２１】
６０はガイドレール２４に沿って配設されたリニアスケール５８と第２スライドブロック１６に配設された図示しない読み取りヘッドとから構成される割り出し送り量検出手段であり、割り出し送り量検出手段６０の検出信号はコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。
【００２２】
撮像手段３８で撮像した画像信号もコントローラ４０の入力インターフェイス５０に入力される。一方、コントローラ４０の出力インターフェイス５２からはパルスモータ１０、パルスモータ２０、レーザビーム照射ユニット３４等に制御信号が出力される。
【００２３】
図２に示すように、レーザ加工装置２の加工対象である半導体ウエーハＷの表面においては、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とが直交して形成されており、第１のストリートＳ１と第２のストリートＳ２とによって区画された領域に多数のデバイスＤが形成されている。
【００２４】
ウエーハＷは粘着テープであるダイシングテープＴに貼着され、ダイシングテープＴの外周部は環状フレームＦに貼着されている。これにより、ウエーハＷはダイシングテープＴを介して環状フレームＦに支持された状態となり、図１に示すクランパ３０により環状フレームＦをクランプすることによりチャックテーブル２８上に支持固定される。
【００２５】
次に図４乃至図１２を参照して、本発明実施形態の半導体ウエーハのレーザ加工方法について詳細に説明する。本発明の半導体ウエーハのレーザ加工方法では、図４及び図５（Ａ）に示すように、半導体ウエーハＷに対して吸収性を有する波長のパルスレーザビーム３７を集光器３６で集光して半導体ウエーハＷの表面に照射しつつ、チャックテーブル２８を図５（Ａ）において一端（図５（Ａ）で左端）から矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動させる。
【００２６】
そして、ストリートＳ１の他端（図５（Ａ）の右端）が集光器３６の照射位置に達したら、パルスレーザビームの照射を停止すると共にチャックテーブル２８の移動を停止する。その結果、半導体ウエーハＷには、図５（Ｂ）に示すようにストリートＳ１に沿ってレーザ加工溝７４が形成される。
【００２７】
全ての第１のストリートＳ１に沿ってレーザ加工溝７４を形成したら、チャックテーブル２８を９０度回転する。次いで、第１のストリートＳ１と直交する全ての第２のストリートＳ２に沿って同様なレーザ加工溝７４を形成する。その結果、半導体ウエーハＷには全てのストリートＳ１，Ｓ２に沿ってレーザ加工溝７４が形成される。
【００２８】
本発明のレーザ加工方法では、集光器３６から出力されるパルスレーザビームの繰り返し周波数、パルス幅、スポット径Ｄ１及び加工送り速度を最適に設定することにより、図６に示すように、隣接するパルスレーザビームのスポットの加工送り方向の重なり量（オーバーラップ量）ＯＬを以下の範囲内に調整するのが好ましい。即ち、スポット径をＤ１とすると、１６Ｄ１／２０≦ＯＬ≦１９Ｄ１／２０に重なり量を調整する。
【００２９】
このように全てのストリートＳ１，Ｓ２に沿ってレーザ加工溝７４を形成したならば、次に図７に示すような分割装置８０を使用して半導体ウエーハＷをレーザ加工溝７４に沿って個々のチップに分割するウエーハ分割工程を実施する。
【００３０】
図７に示す分割装置８０は、環状フレームＦを保持するフレーム保持手段８２と、フレーム保持手段８２に保持された環状フレームＦに装着された粘着テープＴを拡張するテープ拡張手段８４を具備している。
【００３１】
フレーム保持手段８２は、環状のフレーム保持部材８６と、フレーム保持部材８６の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ８８から構成される。フレーム保持部８６の上面は環状フレームＦを載置する載置面８６ａを形成しており、この載置面８６ａ上に環状フレームＦが載置される。
【００３２】
そして、載置面８６ａ上に載置された環状フレームＦは、クランプ８８によってフレーム保持部材８６に固定される。このように構成されたフレーム保持手段８２はテープ拡張手段８４によって上下方向に移動可能に支持されている。
【００３３】
テープ拡張手段８４は、環状のフレーム保持部材８６の内側に配設された拡張ドラム９０を具備している。この拡張ドラム９０は、環状フレームＦの内径より小さく、該環状フレームＦに装着された粘着テープＴに貼着される半導体ウエーハＷの外径より大きい内径を有している。
【００３４】
拡張ドラム９０はその下端に一体的に形成された支持フランジ９２を有している。テープ拡張手段８４は更に、環状のフレーム保持部材８６を上下方向に移動する駆動手段９４を具備している。この駆動手段９４は支持フランジ９２上に配設された複数のエアシリンダ９６から構成されており、そのピストンロッド９８がフレーム保持部材８６の下面に連結されている。
【００３５】
複数のエアシリンダ９６から構成される駆動手段９４は、環状のフレーム保持部材８６をその載置面８６ａが拡張ドラム９０の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム９０の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動する。
【００３６】
以上のように構成された分割装置８０を用いて実施する半導体ウエーハ分割工程について図８（Ａ）及び図８（Ｂ）を参照して説明する。図８（Ａ）に示すように、半導体ウエーハＷを粘着テープＴを介して支持した環状フレームＦを、フレーム保持部材８６の載置面８６ａ上に載置し、クランプ８８によってフレーム保持部材８６を固定する。このとき、フレーム保持部材８６はその載置面８６ａが拡張ドラム９０の上端と略同一高さとなる基準位置に位置付けられる。
【００３７】
次いで、エアシリンダ９６を駆動してフレーム保持部材８６を図８（Ｂ）に示す拡張位置に下降する。これにより、フレーム保持部材８６の載置面８６ａ上に固定されている環状フレームＦも下降するため、環状フレームＦに装着された粘着テープＴは拡張ドラム９０の上端縁に当接して主に半径方向に拡張される。
【００３８】
その結果、粘着テープＴに貼着されている半導体ウエーハＷには放射状に引張力が作用する。このように半導体ウエーハＷに放射状に引張力が作用すると、半導体ウエーハＷはレーザ加工溝７４に沿って破断され、個々の半導体チップ（デバイス）Ｄに分割される。
【００３９】
本発明は、従来のレーザ加工方法によって形成したデバイスの抗折強度は４００ＭＰａと低く、電気機器の品質の低下を招くという問題があるので、レーザ加工の際の１パルス当たりのピークエネルギー密度に着目し、ピークエネルギー密度と加工深さの関係を検討したものである。
【００４０】
図９を参照すると、パルス幅１０ｐｓ、波長１０６４ｎｍのレーザビームをシリコンウエーハに１パルス照射したときの、ピークエネルギー密度と加工深さの関係が示されている。横軸は対数メモリのピークエネルギー密度（ＧＷ／ｃｍ２）を示し、縦軸は加工深さ（ｎｍ）を示している。
【００４１】
図９を観察すると明らかなように、ピークエネルギー密度が小さいときにはピークエネルギー密度の増大に応じて加工溝の深さは徐々に深くなっているが、ピークエネルギー密度がＡ点以上になるとピークエネルギー密度の増大に応じて加工溝の深さの進行が急峻になっている。本明細書ではＡ点を変曲点と定義する。Ａ点のピークエネルギー密度は約２００ＧＷ／ｃｍ２である。
【００４２】
本発明は、パルス幅を所定値以下に抑え、且つピークエネルギー密度を変曲点Ａ以下に抑えて１パルス当たりの加工深さを制御することにより、デバイスの抗折強度を８００ＭＰａ以上に向上できることを見出したものである。
【００４３】
図１０を参照すると、パルス幅１０ｐｓ、波長５３２ｎｍのレーザビームをシリコンウエーハに１パルス照射したときの、ピークエネルギー密度と加工深さの関係が示されている。図９に示した波長１０６４ｎｍのレーザビームと同様に、波長５３２ｎｍのレーザビームでも変曲点Ｂが存在し、この変曲点Ｂ以下のピークエネルギー密度でレーザビームをシリコンウエーハに照射することにより、デバイスの抗折強度を８００ＭＰａ以上に向上することができる。変曲点Ｂは約２００ＧＷ／ｃｍ２である。
【００４４】
図１１を参照すると、パルス幅１０ｐｓ、波長３５５ｎｍのレーザビームをシリコンウエーハに１パルス照射したときの、ピークエネルギー密度と加工深さの関係が示されている。波長３５５ｎｍのレーザビームでも、波長１０６４ｎｍ、５３２ｎｍのレーザビームと同様に、変曲点Ｃが存在し、この変曲点Ｃ以下のピークエネルギー密度でレーザ加工を遂行することにより、デバイスの抗折強度を８００ＭＰａ以上に向上することができる。変曲点Ｃは約２００ＧＷ／ｃｍ２である。
【００４５】
図１２を参照すると、ＧａＡｓウエーハにレーザビームを１パルス照射したときの、ピークエネルギー密度と加工深さの関係が示されている。符号１００は波長１０６４ｎｍのレーザビームを、１０２は波長５３２ｎｍのレーザビームを示している。図１２を観察すると明らかなように、ＧａＡｓウエーハについては加工深さの進行が急峻になる明らかな変曲点Ｄ（波長１０６４ｎｍ）、Ｅ（波長５３２ｎｍ）が存在する。
【００４６】
ＧａＡｓウエーハについても、ＧａＡｓウエーハに照射される１パルス当たりのエネルギー密度を変曲点以下に抑えることにより、デバイスの抗折強度を向上することができる。図１２で変曲点Ｄは約８００ＧＷ／ｃｍ２、変曲点Ｅは約７０ＧＷ／ｃｍ２である。
【００４７】
次に、上述した本発明の知見を確認するためと、パルスレーザビームの好ましいパルス幅を決定するとともにデバイスの抗折強度が８００ＭＰａ以上となる加工条件を調べるために、以下の実験を行った。
【００４８】
波長１０６４ｎｍ、５３２ｎｍ、３５５ｎｍの各レーザビームについてパルス幅を３０ｎｓ、１０ｎｓ、５ｎｓ、３ｎｓ、２ｎｓ、１ｎｓ、１００ｐｓ、５０ｐｓ、１０ｐｓと変化させるとともに、各パルス幅において出力を変化させて所望のレーザ加工が施される１パルス当たりのエネルギーを実験で求め、そのエネルギーをパルス幅で割り算するとともに、スポットの面積で割り算してピークエネルギー密度を算出し、パルス幅とピークエネルギー密度と抗折強度との関係を調べた。
【００４９】
ここで、ピークエネルギー密度（Ｗ／ｃｍ２）＝平均出力（Ｗ）／（繰り返し周波数（Ｈｚ）×スポット面積（ｃｍ２）×パルス幅（ｓ））の関係がある。その結果、波長１０６４ｎｍ、５３２ｎｍ、３５５ｎｍの各レーザビームについてほとんど同様の以下の結果が得られた。
【００５０】
（実験１）  繰り返し周波数：１０ｋＨｚ、平均出力：０．１Ｗ、パルス幅：２ｎｓ、スポット径：φ１０μｍ、送り速度：１０ｍｍ／ｓ、ピークエネルギー密度：６．３５ＧＷ／ｃｍ２で半導体ウエーハにレーザ加工溝を形成してから個々のデバイスに分割し、デバイスの抗折強度を測定したところ８００ＭＰａであった。
【００５１】
（実験２）  繰り返し周波数：１００ｋＨｚ、平均出力：０．１Ｗ、パルス幅：１０ｐｓ、スポット径：φ１０μｍ、送り速度：１００ｍｍ／ｓ、ピークエネルギー密度：６３．６６ＧＷ／ｃｍ２で半導体ウエーハにレーザ加工溝を形成してから個々のデバイスに分割し、デバイスの抗折強度を測定したところ１８００ＭＰａであった。
【００５２】
（実験３）  繰り返し周波数：１００ｋＨｚ、平均出力：０．３Ｗ、パルス幅：１０ｐｓ、スポット径：φ１０μｍ、送り速度：１００ｍｍ／ｓ、ピークエネルギー密度：１９０．９ＧＷ／ｃｍ２で半導体ウエーハにレーザ加工溝を形成してから個々のデバイスに分割し、デバイスの抗折強度を測定したところ１０００ＭＰａであった。
【００５３】
（実験４）  繰り返し周波数：１００ｋＨｚ、平均出力：０．４Ｗ、パルス幅：１０ｐｓ、スポット径：φ１０μｍ、送り速度：１００ｍｍ／ｓ、ピークエネルギー密度：２５４．６ＧＷ／ｃｍ２で半導体ウエーハにレーザ加工溝を形成してから個々のデバイスに分割し、デバイスの抗折強度を測定したところ５００ＭＰａであった。
【００５４】
（実験５）  繰り返し周波数：１０ｋＨｚ、平均出力：０．２Ｗ、パルス幅：３ｎｓ、スポット径：φ１０μｍ、送り速度：１０ｍｍ／ｓ、ピークエネルギー密度：８．２ＧＷ／ｃｍ２で半導体ウエーハにレーザ加工溝を形成してから個々のデバイスに分割し、デバイスの抗折強度を測定したところ５００ＭＰａであった。
【００５５】
実験１〜実験３の結果に示されるように、パルス幅を２ｎｓ以下に抑え、ピークエネルギー密度を２００ＧＷ／ｃｍ２以下に抑えた場合には、８００ＭＰａ以上の抗折強度が得られることが確認された。このピークエネルギー密度２００ＧＷ／ｃｍ２という値は図９〜図１１に示した変曲点Ａ，Ｂ，Ｃに概略対応している。
【００５６】
しかし、実験５の結果から明らかなように、ピークエネルギー密度を２００ＧＷ／ｃｍ２に抑えた場合でも、パルス幅を３ｎｓにするとデバイスの抗折強度が５００ＭＰａであり、デバイスの抗折強度の向上が十分でないことが確認された。よって、照射するパルスレーザビームのパルス幅を２ｎｓ以下にすることが必要である。
【００５７】
実験４は変曲点Ａ，Ｂ，Ｃ以上のピークエネルギー密度でレーザ加工した場合を示しており、この場合にはパルスレーザビームのパルス幅を２ｎｓ以下にしてもデバイスの抗折強度の向上が十分ではないことが示されている。
【００５８】
また、図６を参照して説明したように、隣接するスポットＳの加工送り方向におけるオーバーラップ率が１６／２０〜１９／２０の範囲内にあることが好ましい。更に、半導体ウエーハＷ上でのレーザビームのスポット径はφ５μｍ〜φ１５μｍの範囲内にあることが好ましい。
【符号の説明】
【００５９】
Ｗ    半導体ウエーハ
Ｔ    粘着テープ（ダイシングテープ）
Ｆ    環状フレーム
Ｄ    デバイス
２    レーザ加工装置
２８    チャックテーブル
３４    レーザビーム照射ユニット
３６    集光器
７４    レーザ加工溝
８０    分割装置
８２    フレーム保持手段
８４    テープ拡張手段
８６    フレーム保持部材
９０    拡張ドラム
９６    エアシリンダ
Ａ〜Ｅ    変曲点
【図１】
2010272699.tif 000003
【図２】
2010272699.tif 000004
【図３】
2010272699.tif 000005
【図４】
2010272699.tif 000006
【図５】
2010272699.tif 000007
【図６】
2010272699.tif 000008
【図７】
2010272699.tif 000009
【図８】
2010272699.tif 000010
【図９】
2010272699.tif 000011
【図１０】
2010272699.tif 000012
【図１１】
2010272699.tif 000013
【図１２】
2010272699.tif 000014