(57)【要約】【課題】高い寸法精度で強固に接合された接合体を低温下で効率よく製造することができる接合方法およびかかる接合方法を用いて形成された接合体を提供することにある。【解決手段】本発明の接合方法は、第1の基板21上に第1の金属原子とこの第1の金属原子よりもイオン化傾向が大きい第2の金属原子と脱離基とを含む第1の接合膜31を形成して第1の接合膜付き基材11を得るとともに、第2の基板22上に第1の金属原子と第2の金属原子と脱離基とを含む第2の接合膜32を形成して第2の接合膜付き基材12を得る工程と、接合膜31、32に対してエネルギーを付与して接合膜31、32の表面付近に存在する脱離基をこれら接合膜31、32から脱離させることにより、接合膜31、32に接着性を発現させる工程と、接合膜31、32とが密着するように、第1の接合膜付き基材11と第2の接合膜付き基材12とを貼り合わせて、接合膜31、32とが接合された接合体5を得る工程とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基材上に、第１の金属原子と、該第１の金属原子よりもイオン化傾向が大きい第２の金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含む第１の接合膜を形成して第１の接合膜付き基材を得るとともに、第２の基材上に、前記第１の金属原子と、前記第２の金属原子と、前記脱離基とを含む第２の接合膜を形成して第２の接合膜付き基材を得る工程と、
前記第１の接合膜および前記第２の接合膜に対してエネルギーを付与して、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜の表面付近に存在する前記脱離基をこれら接合膜から脱離させることにより、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜に接着性を発現させる工程と、
前記第１の接合膜と前記第２の接合膜とが密着するように、前記第１の接合膜付き基材と前記第２の接合膜付き基材とを貼り合わせて、前記第１の接合膜と前記第２の接合膜とが接合された接合体を得る工程とを有することを特徴とする接合方法。
【請求項２】
第１の基材上に、第１の金属原子と、該第１の金属原子よりもイオン化傾向が大きい第２の金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含む第１の接合膜を形成して第１の接合膜付き基材を得るとともに、第２の基材上に、前記第１の金属原子と、前記第２の金属原子と、前記脱離基とを含む第２の接合膜を形成して第２の接合膜付き基材を得る工程と、
前記第１の接合膜と前記第２の接合膜とが密着するように、前記第１の接合膜付き基材と前記第２の接合膜付き基材とを重ね合わせて、積層体を得る工程と、
前記第１の接合膜および前記第２の接合膜に対してエネルギーを付与して、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜の表面付近に存在する前記脱離基を、これら接合膜から脱離させることにより、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜に接着性を発現させて、前記第１の接合膜と前記第２の接合膜とが接合された接合体を得る工程とを有することを特徴とする接合方法。
【請求項３】
前記第１の接合膜および前記第２の接合膜は、ともに、前記第１の金属原子を備える第１の有機金属材料と、前記第２の金属原子を備える第２の有機金属材料とを原材料として、有機金属化学気相成長法を用いて成膜される請求項１または２に記載の接合方法。
【請求項４】
前記第１の接合膜および前記第２の接合膜は、ともに、低還元性雰囲気下で成膜される請求項３に記載の接合方法。
【請求項５】
前記脱離基は、前記第１の有機金属材料および前記第２の有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存したものである請求項３または４に記載の接合方法。
【請求項６】
前記脱離基は、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団で構成される請求項３ないし５のいずれかに記載の接合方法。
【請求項７】
前記脱離基は、アルキル基を含む請求項６に記載の接合方法。
【請求項８】
前記第１の有機金属材料および前記第２の有機金属材料は、ともにβジケトン系錯体である請求項３ないし７のいずれかに記載の接合方法。
【請求項９】
前記第１の接合膜および前記第２の接合膜は、それぞれ、導電性を有する請求項１ないし８のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１０】
前記第１の金属原子は、銅、アルミニウムおよび銀のうちの少なくとも１種である請求項１ないし８のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１１】
前記第１の金属原子として銅を用いた時、前記第２の金属原子は、アルミニウム、亜鉛、鉄、ニッケル、鉛およびインジウムのうちの少なくとも１種である請求項１０に記載の接合方法。
【請求項１２】
前記第１の接合膜および前記第２の接合膜における前記第１の金属原子および前記第２の金属原子の合計と炭素原子との存在比は、それぞれ、３：７〜７：３である請求項１ないし１１のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１３】
前記第１の接合膜および前記第２の接合膜は、それぞれ、その少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が、当該各接合膜から脱離した後に、活性手が生じる請求項１ないし１２のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１４】
前記活性手は、未結合手または水酸基である請求項１３に記載の接合方法。
【請求項１５】
前記第１の接合膜および前記第２の接合膜の平均厚さは、それぞれ、１〜１０００ｎｍである請求項１ないし１４のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１６】
前記第１の接合膜および前記第２の接合膜は、それぞれ、流動性を有さない固体状をなしている請求項１ないし１５のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１７】
前記第１の基材および第２の基材は、板状をなしている請求項１ないし１６のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１８】
前記第１の基材の少なくとも前記第１の接合膜を形成する部分および前記第２の基材の少なくとも前記第２の接合膜を形成する部分は、それぞれ、シリコン材料、金属材料またはガラス材料を主材料として構成されている請求項１ないし１７のいずれかに記載の接合方法。
【請求項１９】
前記第１の基材の前記第１の接合膜を形成する面および前記第２の基材の前記第２の接合膜を形成する面には、それぞれ、あらかじめ、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜との密着性を高める表面処理が施されている請求項１ないし１８のいずれかに記載の接合方法。
【請求項２０】
前記表面処理は、プラズマ処理である請求項１９に記載の接合方法。
【請求項２１】
前記第１の基材と前記第１の接合膜との間および前記第２の基材と前記第２の接合膜との間に、それぞれ、中間層を介挿する請求項１ないし２０のいずれかに記載の接合方法。
【請求項２２】
前記中間層は、酸化物系材料を主材料として構成されているものを用いる請求項２１に記載の接合方法。
【請求項２３】
前記エネルギーの付与は、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜を加熱する方法、ならびに前記第１の接合膜および前記第２の接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行う請求項１ないし２２のいずれかに記載の接合方法。
【請求項２４】
前記エネルギー線は、波長１２６〜３００ｎｍの紫外線である請求項２３に記載の接合方法。
【請求項２５】
前記加熱の温度は、２５〜２００℃である請求項２３または２４に記載の接合方法。
【請求項２６】
前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａである請求項２３ないし２５のいずれかに記載の接合方法。
【請求項２７】
前記エネルギーの付与を、大気雰囲気中で行う請求項１ないし２６のいずれかに記載の接合方法。
【請求項２８】
さらに、前記接合体に対して、その接合強度を高める処理を行う工程を有する請求項１ないし２７のいずれかに記載の接合方法。
【請求項２９】
前記接合強度を高める処理を行う工程は、前記接合体にエネルギー線を照射する方法、前記接合体を加熱する方法、および前記接合体に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われる請求項２８に記載の接合方法。
【請求項３０】
請求項１ないし２９のいずれかに記載の接合方法により接合されたことを特徴とする接合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合方法および接合体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
２つの部材（基材）同士を接合（接着）する際には、従来、エポキシ系接着剤、ウレタン系接着剤、シリコーン系接着剤等の接着剤を用いて行う方法が多く用いられている。
接着剤は、一般的に、接合する部材の材質によらず、優れた接着性を示すものである。このため、種々の材料で構成された部材同士を、様々な組み合わせで接着することができる。
【０００３】
例えば、インクジェットプリンタが備える液滴吐出ヘッド（インクジェット式記録ヘッド）は、樹脂材料、金属材料およびシリコン系材料等の異種材料で構成された部品同士を、接着剤を用いて接着することにより組み立てられている。
このように接着剤を用いて部材同士を接着する際には、液状またはペースト状の接着剤を接着面に塗布し、塗布された接着剤を介して部材同士を貼り合わせる。その後、熱または光の作用により接着剤を硬化（固化）させることにより、部材同士を接着する。
【０００４】
ところが、このような接着剤を用いた接合では、以下のような問題がある。
・接着強度が低い
・寸法精度が低い
・硬化時間が長いため、接着に長時間を要する
また、多くの場合、接着強度を高めるためにプライマーを用いる必要があり、そのためのコストと手間が接着工程の高コスト化・複雑化を招いている。
【０００５】
一方、接着剤を用いない接合方法として、固体接合による方法がある。
固体接合は、接着剤等の中間層が介在することなく、部材同士を直接接合する方法である（例えば、特許文献１参照）。
このような固体接合によれば、接着剤のような中間層を用いないので、寸法精度の高い接合体を得ることができる。
【０００６】
しかしながら、固体接合には、以下のような問題がある。
・接合される部材の材質に制約がある
・接合プロセスにおいて高温（例えば、７００〜８００℃程度）での熱処理を伴う
・接合プロセスにおける雰囲気が減圧雰囲気に限られる
このような問題を受け、接合に供される部材の材質によらず、部材同士を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合する方法が求められている。
【０００７】
また、このような接合の分野では、２つの部材（基材）同士を、接合すると同時に電気的にも接続することが求められる場合（導電性接合技術）がある。このような技術は、電子部品の電極と配線パターンとを接続する場合等に用いられる。
従来、このような電気的な接続には、導電性微粒子を接着剤に混合してなる導電性接着剤（ＡＣＰ）や、導電性フィルム（ＡＣＦ）等が用いられる（例えば、特許文献２参照）。しかしながら、これらの接合材を用いた接続では、前述したのと同様の接着剤を含有する導電性接着剤（導電性シート）が用いられるため、前述した接着剤と同様の問題が生じる。
【０００８】
【特許文献１】特開平５−８２４０４号公報
【特許文献２】特開平７−２０５３９５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の目的は、高い寸法精度で強固に接合された接合体を、低温下で効率よく製造することができる接合方法、および、かかる接合方法を用いて形成された接合体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の接合方法は、第１の基材上に、第１の金属原子と、該第１の金属原子よりもイオン化傾向が大きい第２の金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含む第１の接合膜を形成して第１の接合膜付き基材を得るとともに、第２の基材上に、前記第１の金属原子と、前記第２の金属原子と、前記脱離基とを含む第２の接合膜を形成して第２の接合膜付き基材を得る工程と、
前記第１の接合膜および前記第２の接合膜に対してエネルギーを付与して、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜の表面付近に存在する前記脱離基をこれら接合膜から脱離させることにより、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜に接着性を発現させる工程と、
前記第１の接合膜と前記第２の接合膜とが密着するように、前記第１の接合膜付き基材と前記第２の接合膜付き基材とを貼り合わせて、前記第１の接合膜と前記第２の接合膜とが接合された接合体を得る工程とを有することを特徴とする。
これにより、第１の基材と第２の基材とを、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができる。
【００１１】
本発明の接合方法は、第１の基材上に、第１の金属原子と、該第１の金属原子よりもイオン化傾向が大きい第２の金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含む第１の接合膜を形成して第１の接合膜付き基材を得るとともに、第２の基材上に、前記第１の金属原子と、前記第２の金属原子と、前記脱離基とを含む第２の接合膜を形成して第２の接合膜付き基材を得る工程と、
前記第１の接合膜と前記第２の接合膜とが密着するように、前記第１の接合膜付き基材と前記第２の接合膜付き基材とを重ね合わせて、積層体を得る工程と、
前記第１の接合膜および前記第２の接合膜に対してエネルギーを付与して、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜の表面付近に存在する前記脱離基を、これら接合膜から脱離させることにより、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜に接着性を発現させて、前記第１の接合膜と前記第２の接合膜とが接合された接合体を得る工程とを有することを特徴とする。
【００１２】
これにより、第１の基材と第２の基材とを、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合することができる。さらに、積層体の状態では、第１の接合膜付き基材と第２の接合膜付き基材との間は接合されていない。このため、第１の接合膜付き基材と第２の接合膜付き基材とをずらし、これらの相対的な位置を調整することができる。このようにすれば、２つの接合膜付き基材を重ね合わせた後、これらの位置を容易に微調整することができるので、位置の調整の作業性が向上し、最終的に得られる接合体の面方向における寸法精度を高めることができる。
【００１３】
本発明の接合方法では、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜は、ともに、前記第１の金属原子を備える第１の有機金属材料と、前記第２の金属原子を備える第２の有機金属材料とを原材料として、有機金属化学気相成長法を用いて成膜されることが好ましい。
かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の第１の接合膜および第２の接合膜を成膜することができる。また、第１の有機金属材料および第２の有機金属材料中に含まれる有機物から比較的容易に脱離基を残存させることができる。
【００１４】
本発明の接合方法では、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜は、ともに、低還元性雰囲気下で成膜されることが好ましい。
これにより、第１の基材および第２の基材上に、それぞれ、純粋な金属膜が形成されることなく、第１の有機金属材料および第２の有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、第１の接合膜および第２の接合膜を成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた第１の接合膜および第２の接合膜を形成することができる。
【００１５】
本発明の接合方法では、前記脱離基は、前記第１の有機金属材料および前記第２の有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存したものであることが好ましい。
このように成膜した際に膜中に残存する残存物を脱離基として用いる構成とすることにより、形成された金属膜中に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で第１の接合膜および第２の接合膜を成膜することができる。
【００１６】
本発明の接合方法では、前記脱離基は、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団で構成されることが好ましい。
これらの脱離基は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、エネルギーを付与することによって比較的簡単に、かつ均一に脱離する脱離基が得られることとなり、第１の接合膜および第２の接合膜の接着性をより高度化することができる。
【００１７】
本発明の接合方法では、前記脱離基は、アルキル基を含むことが好ましい。
アルキル基を含む脱離基は、化学的な安定性が高いため、脱離基としてアルキル基を備える第１の接合膜および第２の接合膜は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
本発明の接合方法では、前記第１の有機金属材料および前記第２の有機金属材料は、ともにβジケトン系錯体であることが好ましい。
βジケトン系錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、第１の接合膜および第２の接合膜をより確実に形成することができる。また、βジケトン系錯体は、金属原子に酸素原子が配位しており、炭素原子のように酸素原子以外の原子が金属原子に配位している金属錯体と比較して反応性が低く安定しており、取扱いが容易である。
【００１８】
本発明の接合方法では、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜は、それぞれ、導電性を有することが好ましい。
これにより、接合体において、第１の接合膜および第２の接合膜を配線基板が備える配線や、その端子等に適用することができる。
本発明の接合方法では、前記第１の金属原子は、銅、アルミニウムおよび銀のうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これにより、第１の接合膜および第２の接合膜は、優れた導電性を発揮するものとなる。
【００１９】
本発明の接合方法では、前記第１の金属原子として銅を用いた時、前記第２の金属原子は、アルミニウム、亜鉛、鉄、ニッケル、鉛およびインジウムのうちの少なくとも１種であることが好ましい。
これにより、第２の金属原子のイオン化傾向が第１の金属原子のイオン化傾向よりも大きくなるとともに、第１の接合膜および第２の接合膜は、接着性および導電性の双方の特性に優れたものとなる。
【００２０】
本発明の接合方法では、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜における前記第１の金属原子および前記第２の金属原子の合計と炭素原子との存在比は、それぞれ、３：７〜７：３であることが好ましい。
これにより、第１の接合膜および第２の接合膜の安定性が高くなり、第１の接合膜付き基材と第２の接合膜付き基材とをより強固に接合することができるようになる。また、第１の接合膜および第２の接合膜を優れた導電性を発揮するものとすることができる。
【００２１】
本発明の接合方法では、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜は、それぞれ、その少なくとも表面付近に存在する前記脱離基が、当該各接合膜から脱離した後に、活性手が生じることが好ましい。
これにより、第１の接合膜付き基材と第２の接合膜付き基材とを、化学的結合に基づいて強固に接合することができる。
【００２２】
本発明の接合方法では、前記活性手は、未結合手または水酸基であることが好ましい。
これにより、第１の接合膜付き基材と第２の接合膜付き基材とを、特に強固に接合することができる。
本発明の接合方法では、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜の平均厚さは、それぞれ、１〜１０００ｎｍであることが好ましい。
これにより、接合体の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、第１の接合膜付き基材と第２の接合膜付き基材とをより強固に接合することができる。
【００２３】
本発明の接合方法では、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜は、それぞれ、流動性を有さない固体状をなしていることが好ましい。
これにより、接合体の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。また、従来に比べ、短時間で強固な接合が可能になる。
本発明の接合方法では、前記第１の基材および第２の基材は、板状をなしていることが好ましい。
これにより、第１の基材および第２の基材は撓み易くなり、第１の基材および第２の基材を重ね合わせたときに、互いの形状に沿って十分に変形し得るものとなる。このため、第１の基材および第２の基材を重ね合わせたときの密着性が高くなり、最終的に得られる接合体における接合強度が高くなる。
【００２４】
本発明の接合方法では、前記第１の基材の少なくとも前記第１の接合膜を形成する部分および前記第２の基材の少なくとも前記第２の接合膜を形成する部分は、それぞれ、シリコン材料、金属材料またはガラス材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、表面処理を施さなくても、十分な接合強度が得られる。
本発明の接合方法では、前記第１の基材の前記第１の接合膜を形成する面および前記第２の基材の前記第２の接合膜を形成する面には、それぞれ、あらかじめ、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜との密着性を高める表面処理が施されていることが好ましい。
これにより、第１の基材および第２の基材の表面を清浄化および活性化し、第１の接合膜と第１の基材との接合強度および第２の接合膜と第２の基材との接合強度とをそれぞれ高めることができる。
【００２５】
本発明の接合方法では、前記表面処理は、プラズマ処理であることが好ましい。
これにより、第１の基材および第２の基材にそれぞれ第１の接合膜および第２の接合膜を形成するために、第１の基材および第２の基材の表面を特に最適化することができる。
本発明の接合方法では、前記第１の基材と前記第１の接合膜との間および前記第２の基材と前記第２の接合膜との間に、それぞれ、中間層を介挿することが好ましい。
これにより、信頼性の高い接合体を得ることができる。
【００２６】
本発明の接合方法では、前記中間層は、酸化物系材料を主材料として構成されているものを用いることが好ましい。
これにより、第１の基材と第１の接合膜との間の接合強度および第２の基材と第２の接合膜との間の接合強度を特に高めることができる。
本発明の接合方法では、前記エネルギーの付与は、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜にエネルギー線を照射する方法、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜を加熱する方法、ならびに前記第１の接合膜および前記第２の接合膜に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行うことが好ましい。
これにより、第１の接合膜および第２の接合膜に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができる。
【００２７】
本発明の接合方法では、前記エネルギー線は、波長１２６〜３００ｎｍの紫外線であることが好ましい。
これにより、第１の接合膜および第２の接合膜に付与されるエネルギー量が最適化されるので、第１の接合膜および第２の接合膜中の脱離基を確実に脱離させることができる。その結果、第１の接合膜および第２の接合膜の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、第１の接合膜および第２の接合膜に接着性を発現させることができる。
【００２８】
本発明の接合方法では、前記加熱の温度は、２５〜２００℃であることが好ましい。
これにより、接合体が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
本発明の接合方法では、前記圧縮力は、０．２〜１０ＭＰａであることが好ましい。
これにより、圧力が高すぎて第１の基材および第２の基材に損傷等が生じるのを防止しつつ、接合体の接合強度を確実に高めることができる。
【００２９】
本発明の接合方法では、前記エネルギーの付与を、大気雰囲気中で行うことが好ましい。
これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギーの付与をより簡単に行うことができる。
本発明の接合方法では、さらに、前記接合体に対して、その接合強度を高める処理を行う工程を有することが好ましい。
これにより、接合体の接合強度のさらなる向上を図ることができる。
【００３０】
本発明の接合方法では、前記接合強度を高める処理を行う工程は、前記接合体にエネルギー線を照射する方法、前記接合体を加熱する方法、および前記接合体に圧縮力を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法により行われることが好ましい。
これにより、接合体の接合強度のさらなる向上を容易に図ることができる。
本発明の接合体は、本発明の接合方法により接合されたことを特徴とする。
これにより、第１の接合膜付き基材および第２の接合膜付き基材が高い寸法精度で強固に接合してなる信頼性の高い接合体が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の接合方法および接合体を、添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
本発明の接合方法は、２つの基材（第１の基板２１および第２の基板２２）を、各基材に設けられた接合膜（第１の接合膜３１および第２の接合膜３２）を介して、接合することにより接合体を得る方法である。
【００３２】
各基材に形成される各接合膜は、それぞれ脱離基を含んでおり、エネルギーを付与することにより、各接合膜の表面付近に存在する脱離基が各接合膜から脱離するものである。そして、各接合膜は、脱離基の脱離によって、その表面のエネルギーを付与した領域に、接着性が発現するものである。
また、各接合膜には、イオン化傾向が異なる２種の金属原子（第１の金属原子Ｍ１および第２の金属原子Ｍ２）が含まれている。
このような特徴を有する各接合膜は、２つの基材同士を、高い寸法精度で強固に、かつ低温下で効率よく接合可能なものであり、２つの基材がかかる接合膜を介して接合された本発明の接合体は、接合膜により強固に接合された信頼性の高いものとなる。
【００３３】
以下、本発明の接合方法を、工程ごとに説明する。
＜接合方法＞
≪第１実施形態≫
まず、本発明の接合方法の第１実施形態について説明する。
図１、２は、本発明の接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）、図３は、本発明の接合方法において、エネルギー付与前の接合膜の状態を示す部分拡大図、図４は、本発明の接合方法において、エネルギー付与後の接合膜の状態を示す部分拡大図である。なお、以下の説明では、図１〜４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００３４】
本実施形態にかかる接合方法は、第１の基材上に、第１の金属原子と、この第１の金属原子よりもイオン化傾向が大きい第２の金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含む第１の接合膜が形成して第１の接合膜付き基材を得るとともに、第２の基材上に、前記第１の金属原子と、前記第２の金属原子と、前記脱離基とを含む第２の接合膜を形成して第２の接合膜付き基材を得る工程と、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜に対してエネルギーを付与して、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜の表面付近に存在する前記脱離基をこれら接合膜から脱離させることにより、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜に接着性を発現させる工程と、前記第１の接合膜と前記第２の接合膜とが密着するように、前記第１の接合膜付き基材と前記第２の接合膜付き基材とを貼り合わせて、前記第１の接合膜と前記第２の接合膜とが接合された接合体を得る工程とを有する。
【００３５】
以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
［１］まず、第１の基板（第１の基材）２１上に、第１の金属原子Ｍ１と、この第１の金属原子Ｍ１よりもイオン化傾向が大きい第２の金属原子Ｍ２と、有機成分で構成される脱離基３０３とを含む第１の接合膜３１が形成して第１の接合膜付き基材１１を得るとともに、第２の基板（第２の基材）２２上に、第１の金属原子Ｍ１と第２の金属原子Ｍ２と脱離基３０３とを含む第２の接合膜３２を形成して第２の接合膜付き基材１２を得る。
【００３６】
［１−１］まず、第１の基板（第１の基材）２１および第２の基板（第２の基材）２２を用意する。
これら第１の基板２１および第２の基板２２は、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２を介して互いに接合させるためのものであり、それぞれ、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２（以下、これらを「接合膜３１、３２」と言うこともある。）を支持する程度の剛性を有するものであれば、いかなる材料で構成されたものであってもよい。
【００３７】
具体的には、第１の基板２１および第２の基板２２の各構成材料は、それぞれ、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）等のポリオレフィン、環状ポリオレフィン、変性ポリオレフィン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリカーボネート、ポリ−（４−メチルペンテン−１）、アイオノマー、アクリル系樹脂、ポリメチルメタクリレート、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体（ＡＢＳ樹脂）、アクリロニトリル−スチレン共重合体（ＡＳ樹脂）、ブタジエン−スチレン共重合体、ポリオキシメチレン、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、エチレン−ビニルアルコール共重合体（ＥＶＯＨ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリシクロヘキサンテレフタレート（ＰＣＴ）等のポリエステル、ポリエーテル、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルイミド、ポリアセタール（ＰＯＭ）、ポリフェニレンオキシド、変性ポリフェニレンオキシド、ポリサルフォン、ポリエーテルサルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリアリレート、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）、ポリテトラフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、その他フッ素系樹脂、スチレン系、ポリオレフィン系、ポリ塩化ビニル系、ポリウレタン系、ポリエステル系、ポリアミド系、ポリブタジエン系、トランスポリイソプレン系、フッ素ゴム系、塩素化ポリエチレン系等の各種熱可塑性エラストマー、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、アラミド系樹脂、不飽和ポリエステル、シリコーン樹脂、ポリウレタン等、またはこれらを主とする共重合体、ブレンド体、ポリマーアロイ等の樹脂系材料、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｗ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍのような金属、またはこれらの金属を含む合金、炭素鋼、ステンレス鋼、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、ガリウムヒ素のような金属系材料、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコンのようなシリコン系材料、ケイ酸ガラス（石英ガラス）、ケイ酸アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリ石灰ガラス、鉛（アルカリ）ガラス、バリウムガラス、ホウケイ酸ガラスのようなガラス系材料、アルミナ、ジルコニア、フェライト、窒化ケイ素、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化チタン、炭化ケイ素、炭化ホウ素、炭化チタン、炭化タングステンのようなセラミックス系材料、グラファイトのような炭素系材料、またはこれらの各材料の１種または２種以上を組み合わせた複合材料等が挙げられる。
【００３８】
また、第１の基板２１および第２の基板２２は、それぞれ、その表面に、Ｎｉめっきのようなめっき処理、クロメート処理のような不働態化処理、または窒化処理等を施したものであってもよい。
また、第１の基板２１および第２の基板２２は、互いの構成材料が異なっていても同じであってもよいが、第１の基板２１と第２の基板２２との各熱膨張率が、ほぼ等しいものを選択するのが好ましい。第１の基板２１と第２の基板２２との熱膨張率がほぼ等しければ、第１の接合膜付き基材１１と第２の接合膜付き基材１２とを貼り合せた際に、その接合界面に熱膨張に伴う応力が発生し難くなる。その結果、最終的に得られる接合体５において、剥離等の不具合が発生するのを確実に防止することができる。
【００３９】
また、後に詳述するが、第１の基板２１および第２の基板２２の各熱膨張率が互いに異なる場合であっても、後述する工程において、第１の接合膜付き基材１１と第２の接合膜付き基材１２とを接合する際の条件を最適化することにより、これらを高い寸法精度で強固に接合することができる。
さらに、第１の基板２１および第２の基板２２は、互いに剛性が異なっているのが好ましい。これにより、第１の基板２１および第２の基板２２を接合膜３１、３２を介してより強固に接合することができる。
【００４０】
また、第１の基板２１および第２の基板２２のうち、少なくとも一方の基板は、その構成材料が樹脂材料で構成されているのが好ましい。樹脂材料は、その柔軟性により、第１の基板２１および第２の基板２２を接合した際に、その接合界面に発生する応力（例えば、熱膨張に伴う応力等）を緩和することができる。このため、接合界面が破壊し難くなり、結果的に、接合強度の高い接合体５を得ることができる。
【００４１】
また、第１の基板２１および第２の基板２２の形状は、ぞれぞれ、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２を支持する面を有するような形状であればよく、板状のものに限定されない。すなわち、第１の基板２１および第２の基板２２の形状は、例えば、塊状（ブロック状）や、棒状等であってもよい。
なお、図１（ａ）に示すように、本実施形態では、第１の基板２１および第２の基板２２がそれぞれ板状をなしている。これにより、第１の基板２１および第２の基板２２は撓み易くなり、第１の基板２１および第２の基板２２を重ね合わせたときに、互いの形状に沿って十分に変形し得るものとなる。このため、第１の基板２１および第２の基板２２を重ね合わせたときの密着性が高くなり、最終的に得られる接合体５における接合強度が高くなる。
【００４２】
また、第１の基板２１および第２の基板２２が撓むことによって、接合界面に生じる応力を、ある程度緩和することができる。
この場合、第１の基板２１および第２の基板２２の平均厚さは、それぞれ、特に限定されないが、０．０１〜１０ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。
【００４３】
［１−２］次に、必要に応じて、第１の基板２１の少なくとも第１の接合膜３１を形成すべき領域に、第１の基板２１の構成材料に応じて、第１の接合膜３１との密着性を高める表面処理を施す。
かかる表面処理としては、例えば、スパッタリング処理、ブラスト処理のような物理的表面処理、酸素プラズマ、窒素プラズマ等を用いたプラズマ処理、コロナ放電処理、エッチング処理、電子線照射処理、紫外線照射処理、オゾン暴露処理のような化学的表面処理、または、これらを組み合わせた処理等が挙げられる。このような処理を施すことにより、第１の基板２１の第１の接合膜３１を形成すべき領域を清浄化するとともに、該領域を活性化させることができる。これにより、第１の基板２１と第１の接合膜３１との接合強度を高めることができる。
【００４４】
また、これらの各表面処理の中でもプラズマ処理を用いることにより、第１の接合膜３１を形成するために、第１の基板２１の表面を特に最適化することができる。
なお、表面処理を施す第１の基板２１が、樹脂材料（高分子材料）で構成されている場合には、特に、コロナ放電処理、窒素プラズマ処理等が好適に用いられる。
また、第１の基板２１の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、第１の接合膜３１との接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる第１の基板２１の構成材料としては、例えば、前述したような各種金属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を主材料とするものが挙げられる。
【００４５】
このような材料で構成された第１の基板２１は、その表面が酸化膜で覆われており、この酸化膜の表面には、比較的活性の高い水酸基が結合している。したがって、このような材料で構成された第１の基板２１を用いると、上記のような表面処理を施さなくても、第１の基板２１と第１の接合膜３１との接合強度を高めることができる。
なお、この場合、第１の基板２１の全体が上記のような材料で構成されていなくてもよく、少なくとも第１の接合膜３１を形成すべき領域の表面付近が上記のような材料で構成されていればよい。
【００４６】
また、表面処理に代えて、第１の基板２１の少なくとも第１の接合膜３１を形成すべき領域には、あらかじめ、中間層を形成するようにしてもよい。
この中間層は、いかなる機能を有するものであってもよく、特に限定されるものではないが、例えば、第１の接合膜３１との密着性を高める機能、クッション性（緩衝機能）、応力集中を緩和する機能、第１の接合膜３１を成膜する際に第１の接合膜３１の膜成長を促進する機能（シード層）、第１の接合膜３１を保護する機能（バリア層）等を有するものが好ましい。このような中間層を介して第１の基板２１と第１の接合膜３１とを接合することになり、信頼性の高い接合体５を得ることができる。
【００４７】
かかる中間層の構成材料としては、例えば、アルミニウム、チタン、タングステン、銅およびその合金等の金属系材料、金属酸化物、金属窒化物、シリコン酸化物のような酸化物系材料、金属窒化物、シリコン窒化物のような窒化物系材料、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボンのような炭素系材料、シランカップリング剤、チオール系化合物、金属アルコキシド、金属−ハロゲン化合物のような自己組織化膜材料、樹脂系接着剤、樹脂フィルム、樹脂コーティング材、各種ゴム材料、各種エラストマーのような樹脂系材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
また、これらの各種材料で構成された中間層の中でも、酸化物系材料で構成された中間層によれば、第１の基板２１と第１の接合膜３１との間の接合強度を特に高めることができる。
【００４８】
［１−３］次に、第１の基板２１と同様、必要に応じて、第２の基板２２の第２の接合膜３２を形成すべき領域に、第２の基板２２の構成材料に応じて、第２の基板２２と第２の接合膜３２との密着性を高める表面処理を施す。
これにより、第２の基板２２と第２の接合膜３２との接合強度をより高めることができる。なお、表面処理としては、第１の基板２１に対して施す前述したような表面処理と同様の処理を適用することができる。
【００４９】
また、第２の基板２２の構成材料によっては、上記のような表面処理を施さなくても、第２の基板２２と第２の接合膜３２との接合強度が十分に高くなるものがある。このような効果が得られる第２の基板２２の構成材料には、前述した第１の基板２１の構成材料と同様のもの、すなわち、各種金属系材料、各種シリコン系材料、各種ガラス系材料等を用いることができる。
【００５０】
また、このようなものを有する表面が得られるように、上述したような各種表面処理を適宜選択して行うことにより、第２の接合膜３２に対して特に強固に接合可能な第２の基板２２が得られる。
また、表面処理に代えて、第２の基板２２の第２の接合膜３２を形成すべき領域には、あらかじめ、第２の接合膜３２との密着性を高める機能を有する中間層を形成しておくのが好ましい。これにより、かかる中間層を介して第２の基板２２と第２の接合膜３２とを接合することになり、最終的に、より接合強度の高い接合体５が得られるようになる。
かかる中間層の構成材料には、前述の第１の基板２１に形成する中間層の構成材料と同様のものを用いることができる。
【００５１】
［１−４］次に、図１（ａ）に示すように、第１の基板２１上に第１の接合膜３１を形成することにより、第１の接合膜付き基材１１を得るとともに、第２の基板２２上に第２の接合膜３２を形成することにより、第２の接合膜付き基材１２を得る。
ここで、第１の基板２１および第２の基板２２上にそれぞれ形成された第１の接合膜３１および第２の接合膜３２は、第１の基板２１と第２の基板２２との間に位置し、これら基板２１、２２同士の接合を担うものである。
【００５２】
本発明では、第１の接合膜３１と第２の接合膜３２とは、同様の構成をなしており、第１の金属原子Ｍ１と、この第１の金属原子Ｍ１よりもイオン化傾向の大きい第２の金属原子Ｍ２と、有機成分で構成された脱離基とを含むものである。
かかる構成の接合膜３１、３２にエネルギーが付与されると、各接合膜３１、３２の表面３５１、３５２付近に存在する脱離基３０３が各接合膜３１、３２から脱離する。そして、この各接合膜３１、３２は、脱離基の脱離によって、その表面のエネルギーを付与した領域に、接着性が発現するという機能を有するものである。
本発明の接合方法は、これら第１の接合膜３１および第２の接合膜３２を用いて接合体５を得る点に特徴を有する。
なお、これら第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の構成については、後に詳述する。
【００５３】
［２］次に、第１の接合膜付き基材１１の第１の接合膜３１、および第２の接合膜付き基材１２の第２の接合膜３２に対してそれぞれエネルギーを付与する。
ここで、各接合膜３１、３２に、それぞれエネルギーを付与すると、各接合膜３１、３２では、図３、４に示すように、脱離基３０３の結合手が切れて各接合膜３１、３２の表面３５１、３５２付近から脱離し、脱離基３０３が脱離した後には、活性手３０４が各接合膜３１、３２の表面３５１、３５２付近に生じる。これにより、各接合膜３１、３２の表面３５１、３５２に接着性が発現する。なお、図３は、脱離基３０３がメチル基の場合である。
【００５４】
このような状態の第１の接合膜付き基材１１および第２の接合膜付き基材１２は、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２を互いに密着させることにより、化学的結合に基づいて互いに接合可能なものとなる。
ここで、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に付与するエネルギーは、いかなる方法を用いて付与されるものであってもよいが、例えば、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２にエネルギー線を照射する方法、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２を加熱する方法、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２をプラズマに曝す（プラズマエネルギーを付与する）方法、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２をオゾンガスに曝す（化学的エネルギーを付与する）方法等が挙げられる。中でも、本実施形態では、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２にエネルギーを付与する方法として、特に、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２にエネルギー線を照射する方法を用いるのが好ましい。かかる方法は、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギーを付与する方法として好適に用いられる。
【００５５】
このうち、エネルギー線としては、例えば、紫外線、レーザ光のような光、Ｘ線、γ線、電子線、イオンビームのような粒子線等や、またはこれらのエネルギー線を２種以上組み合わせたものが挙げられる。
これらのエネルギー線の中でも、特に、波長１２６〜３００ｎｍ程度の紫外線を用いるのが好ましい（図１（ｂ）参照）。かかる範囲内の紫外線によれば、付与されるエネルギー量が最適化されるので、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２中の脱離基３０３を確実に脱離させることができる。これにより、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の特性（機械的特性、化学的特性等）が低下するのを防止しつつ、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に接着性を確実に発現させることができる。
【００５６】
また、紫外線によれば、広い範囲をムラなく短時間に処理することができるので、脱離基３０３の脱離を効率よく行わせることができる。さらに、紫外線には、例えば、ＵＶランプ等の簡単な設備で発生させることができるという利点もある。
なお、紫外線の波長は、より好ましくは、１２６〜２００ｎｍ程度とされる。
また、ＵＶランプを用いる場合、その出力は、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の面積に応じて異なるが、１ｍＷ／ｃｍ２〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、５ｍＷ／ｃｍ２〜５０ｍＷ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。なお、この場合、ＵＶランプと各接合膜３１、３２との離間距離は、１〜１０ｍｍ程度とするのが好ましく、１〜５ｍｍ程度とするのがより好ましい。
【００５７】
また、紫外線を照射する時間は、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の各表面３５１、３５２付近の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間、すなわち、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に必要以上に紫外線が照射されない程度の時間とするのが好ましい。これにより、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２が変質・劣化するのを効果的に防止することができる。具体的には、紫外線の光量、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の構成材料等に応じて若干異なるものの、０．５〜３０分程度であるのが好ましく、１〜１０分程度であるのがより好ましい。
また、紫外線は、時間的に連続して照射されてもよいが、間欠的（パルス状）に照射されてもよい。
【００５８】
一方、レーザ光としては、例えば、エキシマレーザのようなパルス発振レーザ（パルスレーザ）、炭酸ガスレーザ、半導体レーザのような連続発振レーザ等が挙げられる。中でも、パルスレーザが好ましく用いられる。パルスレーザでは、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２のレーザ光が照射された部分に経時的に熱が蓄積され難いので、蓄積された熱による各接合膜３１、３２の変質・劣化を確実に防止することができる。すなわち、パルスレーザによれば、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の内部にまで蓄積された熱の影響がおよぶのを、防止することができる。
【００５９】
また、パルスレーザのパルス幅は、熱の影響を考慮した場合、できるだけ短い方が好ましい。具体的には、パルス幅が１ｐｓ（ピコ秒）以下であるのが好ましく、５００ｆｓ（フェムト秒）以下であるのがより好ましい。パルス幅を前記範囲内にすれば、レーザ光照射に伴って第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に生じる熱の影響を、的確に抑制することができる。なお、パルス幅が前記範囲内程度に小さいパルスレーザは、「フェムト秒レーザ」と呼ばれる。
【００６０】
また、レーザ光の波長は、特に限定されないが、例えば、２００〜１２００ｎｍ程度であるのが好ましく、４００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、レーザ光のピーク出力は、パルスレーザの場合、パルス幅によって異なるが、０．１〜１０Ｗ程度であるのが好ましく、１〜５Ｗ程度であるのがより好ましい。
さらに、パルスレーザの繰り返し周波数は、０．１〜１００ｋＨｚ程度であるのが好ましく、１〜１０ｋＨｚ程度であるのがより好ましい。パルスレーザの周波数を前記範囲内に設定することにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に含まれる有機成分の一部が残存した状態で、脱離基３０３を第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の各表面３５１、３５２付近から確実に切断することができる。
【００６１】
なお、このようなレーザ光の各種条件は、レーザ光を照射された部分の温度が、好ましくは常温（室温）〜６００℃程度、より好ましくは２００〜６００℃程度、さらに好ましくは３００〜４００℃程度になるように適宜調整されるのが好ましい。これにより、レーザ光を照射した部分の温度が著しく上昇して、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に含まれる有機成分の一部が残存した状態で、脱離基３０３を第１の接合膜３１および第２の接合膜３２から確実に切断することができる。
【００６２】
また、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に照射するレーザ光は、その焦点を、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の各表面３５１、３５２に合わせた状態で、この表面３５１、３５２に沿って走査されるようにするのが好ましい。これにより、レーザ光の照射によって発生した熱が、表面３５１、３５２付近に局所的に蓄積されることとなる。その結果、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の各表面３５１、３５２に存在する脱離基３０３を選択的に脱離させることができる。
【００６３】
また、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に対するエネルギー線の照射は、いかなる雰囲気中で行うようにしてもよく、具体的には、大気、酸素のような酸化性ガス雰囲気、水素のような還元性ガス雰囲気、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、またはこれらの雰囲気を減圧した減圧（真空）雰囲気等が挙げられるが、中でも、特に、大気雰囲気中で行うのが好ましい。これにより、雰囲気を制御することに手間やコストをかける必要がなくなり、エネルギー線の照射をより簡単に行うことができる。
【００６４】
このように、エネルギー線を照射する方法によれば、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の各表面３５１、３５２付近に対して選択的にエネルギーを付与することが容易に行えるため、例えば、エネルギーの付与による各基板２１、２２および各接合膜３１、３２の変質・劣化を防止することができる。
また、エネルギー線を照射する方法によれば、付与するエネルギーの大きさを、精度よく簡単に調整することができる。このため、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２から脱離する脱離基３０３の脱離量を調整することが可能となる。このように脱離基３０３の脱離量を調整することにより、第１の接合膜付き基材１１と第２の接合膜付き基材１２との間の接合強度を容易に制御することができる。
【００６５】
すなわち、脱離基３０３の脱離量を多くすることにより、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の各表面３５１、３５２付近に、より多くの活性手が生じるため、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に発現する接着性をより高めることができる。一方、脱離基３０３の脱離量を少なくすることにより、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の各表面３５１、３５２付近に生じる活性手を少なくし、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に発現する接着性を抑えることができる。
【００６６】
なお、付与するエネルギーの大きさを調整するためには、例えば、エネルギー線の種類、エネルギー線の出力、エネルギー線の照射時間等の条件を調整すればよい。
さらに、エネルギー線を照射する方法によれば、短時間で大きなエネルギーを付与することができるので、エネルギーの付与をより効率よく行うことができる。
ここで、エネルギーが付与される前の第１の接合膜３１および第２の接合膜３２は、図３に示すように、それら表面３５１、３５２付近に脱離基３０３を有している。かかる第１の接合膜３１および第２の接合膜３２にエネルギーを付与すると、脱離基３０３（図３では、メチル基）が第１の接合膜３１および第２の接合膜３２から脱離する。これにより、図４に示すように、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の各表面３５１、３５２に活性手３０４が生じ、活性化される。その結果、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の各表面３５１、３５２に接着性が発現する。
【００６７】
ここで、本明細書中において、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２が「活性化された」状態とは、上述のように第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の各表面３５１、３５２および内部の脱離基３０３が脱離して、各接合膜３１、３２の構成原子において終端化されていない結合手（以下、「未結合手」または「ダングリングボンド」とも言う。）が生じた状態の他、この未結合手が水酸基（ＯＨ基）によって終端化された状態、さらに、これらの状態が混在した状態を含めて、接合膜３が「活性化された」状態と言うこととする。
【００６８】
したがって、活性手３０４とは、図４に示すように、未結合手（ダングリングボンド）、または未結合手が水酸基によって終端化されたもののことを言う。このような活性手３０４が存在するようにすれば、第１の接合膜３１と第２の接合膜３２とが特に強固な接合が可能となる。
なお、後者の状態（未結合手が水酸基によって終端化された状態）は、例えば、各接合膜３１、３２に対して大気雰囲気中でエネルギー線を照射することにより、大気中の水分が未結合手を終端化することによって、容易に生成されることとなる。
【００６９】
また、本実施形態では、第１の接合膜付き基材１１と第２の接合膜付き基材１２とを貼り合わせる前に、あらかじめ、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に対してエネルギーを付与する場合について説明しているが、かかるエネルギーの付与は、第１の接合膜付き基材１１と第２の接合膜付き基材１２とを貼り合わせる（重ね合わせる）際、または貼り合わせた（重ね合わせた）後に行うようにしてもよい。なお、このような場合については、後述する第２実施形態において説明する。
【００７０】
［３］次に、活性化させた第１の接合膜３１と第２の接合膜３２と（各接合膜同士）が密着するように、第１の接合膜付き基材１１と第２の接合膜付き基材１２と（各接合膜付き基材同士）を貼り合わせる（図１（ｃ）参照）。これにより、前記工程［２］において、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に接着性が発現していることから、第１の接合膜３１と第２の接合膜３２とが化学的に結合して一体化される。
【００７１】
この際、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の双方に含まれている第１の金属原子および第２の金属原子は、これらのイオン化傾向が第２の金属原子の方が大きく、それぞれのイオン化傾向に差を有することから、第１の接合膜３１と第２の接合膜３２との間の化学的な結合がより強固なものとなる。なお、第１の接合膜３１と第２の接合膜３２との間の化学的な結合がより強固なものとなるメカニズムについては後に詳述する。
【００７２】
以上のようにして、第１の接合膜付き基材１１と第２の接合膜付き基材１２とが接合され、図１（ｄ）に示すような接合体５が得られる。
このようにして得られた接合体５では、従来の接合方法で用いられていた接着剤のように、主にアンカー効果のような物理的結合に基づく接着ではなく、共有結合のような短時間で生じる強固な化学的結合に基づいて、第１の接合膜付き基材１１と第２の接合膜付き基材１２とが接合されている。このため、接合体５は短時間で形成することができ、かつ、極めて剥離し難く、接合ムラ等も生じ難いものとなる。
【００７３】
また、かかる方法によれば、従来の固体接合のように、高温（例えば、７００℃以上）での熱処理を必要としないことから、耐熱性の低い材料で構成された第１の基板２１および第２の基板２２をも、接合に供することができる。
なお、第１の基板２１と第２の基板２２の各熱膨張率が互いに異なっている場合には、できるだけ低温下で接合を行うのが好ましい。接合を低温下で行うことにより、接合界面に発生する熱応力のさらなる低減を図ることができる。
【００７４】
具体的には、第１の基板２１と第２の基板２２との熱膨張率の差にもよるが、第１の基板２１および第２の基板２２の温度が２５〜５０℃程度である状態下で、第１の接合膜付き基材１１と第２の接合膜付き基材１２とを貼り合わせるのが好ましく、２５〜４０℃程度である状態下で貼り合わせるのがより好ましい。このような温度範囲であれば、第１の基板２１と第２の基板２２との熱膨張率の差がある程度大きくても、接合界面に発生する熱応力を十分に低減することができる。その結果、接合体５における反りや剥離等の発生を確実に抑制または防止することができる。
【００７５】
また、この場合、具体的な第１の基板２１と第２の基板２２との間の熱膨張係数の差が、５×１０−５／Ｋ以上あるような場合には、上記のようにして、できるだけ低温下で接合を行うことが特に推奨される。
なお、前記工程［２］で活性化された第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の各表面３５１、３５２は、その活性状態が経時的に緩和してしまう。このため、前記工程［２］の終了後、できるだけ早く本工程［３］を行うようにするのが好ましい。具体的には、前記工程［２］の終了後、６０分以内に本工程［３］を行うようにするのが好ましく、５分以内に行うのがより好ましい。かかる時間内であれば、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の表面が十分な活性状態を維持しているので、本工程で第１の接合膜付き基材１１（第１の接合膜３１）と第２の接合膜付き基材１２（第２の接合膜３２）とを貼り合わせたとき、これらの間に十分な接合強度を得ることができる。
【００７６】
換言すれば、活性化させる前の第１の接合膜３１および第２の接合膜３２は、ともに、第１の金属原子Ｍ１と第２の金属原子Ｍ２と、有機成分で構成される脱離基３０３とを含む接合膜であるため、化学的に比較的安定であり、耐候性に優れている。このため、活性化させる前の第１の接合膜３１および第２の接合膜３２は、長期にわたる保存に適したものとなる。したがって、そのような第１の接合膜３１および第２の接合膜３２を備えた第１の接合膜付き基材１１および第２の接合膜付き基材１２を多量に製造または購入して保存しておき、本工程の貼り合わせを行う直前に、必要な個数のみに前記工程［２］に記載したエネルギーの付与を行うようにすれば、接合体５の製造効率の観点から有効である。
【００７７】
以上のようにして、図１（ｄ）に示す接合体５を得ることができる。
なお、図１（ｄ）では、第１の接合膜付き基材１１の第１の接合膜３１の全面を覆うように第２の接合膜付き基材１２を重ね合わせているが、これらの相対的な位置は、互いにずれていてもよい。すなわち、第１の接合膜３１から第２の接合膜付き基材１２がはみ出るように、第１の接合膜付き基材１１と第２の接合膜付き基材１２とが重ね合わされていてもよい。
【００７８】
なお、従来のシリコン基板同士を直接接合するような固体接合では、接合に供される基板の表面を活性化させても、その活性状態は、大気中で数秒〜数十秒程度の極めて短時間しか維持することができなかった。このため、表面の活性化を行った後、接合する２つの基板を貼り合わせる等の作業に要する時間を、十分に確保することができないという問題があった。
【００７９】
これに対し、本発明によれば、比較的長時間に亘って活性状態を維持することができる。このため、貼り合わせ作業に要する時間を十分に確保することができ、接合作業の効率化を高めることができる。なお、比較的長時間に亘って活性状態を維持し得ることは、有機成分で構成される脱離基３０３が脱離した活性化状態が安定化していることに起因しているものと推察される。
【００８０】
また、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２を介して第１の基板２１と第２の基板２２とを接合しているため、第１の基板２１や第２の基板２２の構成材料に制約がないという利点もある。
以上のことから、本発明によれば、第１の基板２１および第２の基板２２の各構成材料の選択の幅をそれぞれ広げることができる。
【００８１】
また、固体接合では、接合膜を介していないため、第１の基板２１と第２の基板２２との間の熱膨張率に大きな差がある場合、その差に基づく応力が接合界面に集中し易く、剥離等が生じるおそれがあったが、接合体（本発明の接合体）５では、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２によって応力の集中が緩和され、剥離の発生を的確に抑制または防止することができる。
【００８２】
このようにして得られた接合体５は、第１の基板２１と第２の基板２２との間の接合強度が５ＭＰａ（５０ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのが好ましく、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）以上であるのがより好ましい。このような接合強度を有する接合体５は、その剥離を十分に防止し得るものとなる。そして、後述のように、接合体５を用いて、例えば液滴吐出ヘッドを構成した場合、耐久性に優れた液滴吐出ヘッドが得られる。また、本発明の接合方法によれば、第１の基板２１と第２の基板２２とが上記のような大きな接合強度で接合された接合体５を効率よく作製することができる。
【００８３】
ここで、前述したように、本発明の接合方法では、第１の基板２１と第２の基板２２とを、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２を用いて接合するところに特徴を有している。なお、本発明では、第１の接合膜３１と第２の接合膜３２とは、同様の構成をなしていることから、以下では第１の接合膜３１を代表にして説明する。
第１の接合膜３１は、第１の金属原子Ｍ１と、この第１の金属原子Ｍ１よりもイオン化傾向が大きい第２の金属原子Ｍ２と、有機成分で構成される脱離基３０３とを含むものである。このような第１の接合膜３１は、エネルギーが付与されると、図３に示す脱離基３０３が第１の接合膜３１の少なくとも表面３５１付近から脱離し、図４に示すように、第１の接合膜３１の少なくとも表面３５１付近に、活性手３０４が生じるものである。
【００８４】
そして、第１の接合膜３１の表面３５１付近に活性手３０４が生じることにより、第１の接合膜３１の表面３５１に接着性が発現する。かかる接着性が発現すると、第１の接合膜付き基材１１は、同様の構成となっている第２の接合膜３２を備える第２の接合膜付き基材１２に対して、高い寸法精度で、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２により強固に効率よく接合可能なものとなる。
【００８５】
本発明では、特に、第１の接合膜３１中に含まれる第１の金属原子Ｍ１と第２の金属原子Ｍ２との関係が、第１の金属原子Ｍ１よりも第２の金属原子Ｍ２の方がイオン化傾向が大きく、第１の金属原子Ｍ１のイオン化傾向と第２の金属原子Ｍ２のイオン化傾向との間に差が生じるようになっている。そのため、第１の接合膜３１と第２の接合膜３２と（各接合膜同士）が各表面３５１、３５２において、より強固に接合するものとなる。
【００８６】
また、第１の接合膜３１は、第１の金属原子Ｍ１と、第２の金属原子Ｍ２と、有機成分で構成される脱離基３０３とを含むもの、すなわち有機金属膜であることから、変形し難い強固な膜となる。このため、第１の接合膜３１自体が寸法精度の高いものとなり、最終的に得られる接合体５においても、寸法精度が高いものが得られる。
このような第１の接合膜３１は、流動性を有さない固体状をなすものである。このため、従来から用いられている、流動性を有する液状または粘液状（半固形状）の接着剤に比べて、接着層（第１の接合膜３１）の厚さや形状がほとんど変化しない。したがって、第１の接合膜付き基材１１および第２の接合膜付き基材１２を用いて得られる接合体５の寸法精度は、従来に比べて格段に高いものとなる。さらに、接着剤の硬化に要する時間が不要になるため、短時間で強固な接合が可能となる。
【００８７】
また、本発明では、第１の接合膜３１は、導電性を有するものであるのが好ましい。これにより、後述する接合体５において、第１の接合膜３１を配線基板が備える配線や、その端子等に適用することができる。
以上のような第１の接合膜３１としての機能が好適に発揮されるように、第１の金属原子Ｍ１と、第２の金属原子Ｍ２と、脱離基３０３との組み合わせが適宜選択される。
【００８８】
具体的には、第１の金属原子Ｍ１および第２の金属原子Ｍ２としては、それぞれ、例えば、Ｓｃ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｙ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔｃ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｅ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、各種ランタノイド元素、各種アクチノイド元素のような遷移金属元素、Ｌｉ、Ｂｅ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｒｂ、Ｓｒ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｓｂ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｔｌ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｐｏのような典型金属元素等が挙げられる。
【００８９】
ここで、遷移金属元素は、各遷移金属元素間で、最外殻電子の数が異なることのみの差異であるため、物性が類似している。そして、遷移金属は、一般に、硬度や融点が高く、電気伝導性および熱伝導性が高い。このため、各金属原子として遷移金属元素を用いた場合、第１の接合膜３１に発現する接着性をより高めることができるとともに、第１の接合膜３１の導電性をより高めることができる。
【００９０】
これらの中から、第１の接合膜３１に付与すべき特性を考慮しつつ、第２の金属原子Ｍ２が第１の金属原子Ｍ１よりもイオン化傾向が大きくなるように、第１の金属原子Ｍ１および第２の金属原子Ｍ２が選択される。
例えば、第１の接合膜３１に優れた導電性を発揮させるために、第１の金属原子Ｍ１として、Ｃｕ、ＡｌおよびＡｇのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いた場合、その導電性を考慮しつつ、これらよりもイオン化傾向が大きい金属原子が第２の金属原子Ｍ２として選択される。
【００９１】
より具体的には、第１の金属原子Ｍ１としてＣｕを選択した場合、導電性とイオン化傾向を考慮して、第２の金属原子Ｍ２としては、Ａｌ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、ＰｂおよびＩｎが挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせたものが好適に用いられる。これにより、第１の接合膜３１は、接着性および導電性の双方の特性に優れたものとなる。
【００９２】
また、これらＣｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｚｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐｂ、Ｉｎのような金属原子を含有する第１の接合膜３１を後述する有機金属化学気相成長法を用いて成膜する場合には、これらの金属原子を第１の金属原子Ｍ１および第２の金属原子Ｍ２として含む金属錯体等を原材料として用いて、比較的容易かつ均一な膜厚の第１の接合膜３１を成膜することができる。
【００９３】
以上のようにして第１の金属原子Ｍ１と第２の金属原子Ｍ２とが、第１の接合膜３１の機能が好適に発揮されるように選択されるが、かかる観点から、第１の接合膜は、第１の金属原子Ｍ１および第２の金属原子Ｍ２の双方の特性が相乗的に発揮される合金膜と捉えることができる。
ここで、本発明において、第１の接合膜３１の表面３５１に接着性が発現し、この接着性により、第１の接合膜３１と同様の構成となっている第２の接合膜３２に対して接合するのは、以下のような２つのメカニズム（ｉ）、（ii）の双方または一方に基づくものであると推察される。
【００９４】
（ｉ）  例えば、第１の接合膜３１の表面３５１および第２の接合膜３２の表面３５２に、それぞれ、水酸基が露出している場合を例に説明すると、第１の接合膜付き基材１１の第１の接合膜３１と第２の接合膜付き基材１２の第２の接合膜３２とが接触するように、これらを貼り合わせたとき、第１の接合膜３１の表面３５１に存在する水酸基と、第２の接合膜３２の表面３５２に存在する水酸基とが、水素結合によって互いに引き合い、水酸基同士の間に引力が発生する。この引力によって、第１の接合膜付き基材１１と第２の接合膜付き基材１２とが接合されると推察される。
【００９５】
また、この水素結合によって互いに引き合う水酸基同士は、温度条件等によって、脱水縮合を伴って表面から切断される。その結果、第１の接合膜付き基材１１と第２の接合膜付き基材１２との接触界面では、水酸基が結合していた結合手同士が結合する。これにより、第１の接合膜付き基材１１と第２の接合膜付き基材１２とがより強固に接合されると推察される。
【００９６】
（ii）  第１の接合膜付き基材１１および第２の接合膜付き基材１２同士を貼り合わせると、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の各表面３５１、３５２付近に生じた終端化されていない結合手（未結合手）同士が、直接または雰囲気中に含まれる酸素原子を取り込みながら再結合する。この再結合は、互いに重なり合う（絡み合う）ように複雑に生じることから、接合界面にネットワーク状の結合が形成される。これにより、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に含まれる第１の金属原子Ｍ１と第２の金属原子Ｍ２が互いに直接または酸素原子を介して接合することにより、第１の接合膜３１と第２の接合膜３２とが一体化する。
【００９７】
以上のような（ｉ）または（ii）のメカニズムにより、第１の接合膜３１と第２の接合膜３２とが接合されるが、本発明では、さらに、各接合膜３１、３２中に含まれる第１の金属原子Ｍ１と第２の金属原子Ｍ２とが、第２の金属原子Ｍ２が第１の金属原子Ｍ１よりもイオン化傾向が大きく、第１の金属原子Ｍ１と第２の金属原子Ｍ２とのイオン化傾向の差が生じるようになっている。これにより、第１の接合膜３１と第２の接合膜３２との接着強度をより高めることができ、第１の接合膜付き基材１１と第２の接合膜付き基材１２とがより強固に接合された接合体５を得ることができる。
【００９８】
以上のように第１の接合膜３１と第２の接合膜３２との接着強度がより高まるのは、次のようなメカニズムによるものと推察される。
ここで、前述したような（ｉ）および（ii）のメカニズムのいずれで第１の接合膜３１と第２の接合膜３２とが接合する場合であっても、各接合膜３１、３２中に含まれる金属原子同士が酸素原子を介して結合することがある。
【００９９】
また、本発明のように、各接合膜３１、３２中に、第１の金属原子Ｍ１と、この第１の金属原子Ｍ１よりもイオン化傾向が大きい第２の金属原子Ｍ２とが含まれていると、これらの金属原子Ｍ１、Ｍ２との間のイオン化傾向に差が生じるため、第１の金属原子Ｍ１に対する還元剤として第２の金属原子Ｍ２が作用する。
そのため、上記のような酸素原子を介した金属原子同士の結合に対して、第２の金属原子Ｍ２が還元剤としての機能を発揮して、酸素原子を引き抜き、その結果として、酸素原子を介した第１の金属原子Ｍ１と第２の金属原子Ｍ２との結合を優先的に形成することとなる。
【０１００】
したがって、後述するような有機金属化学気相成長法を用いて第１の接合膜３１および第２の接合膜３２を成膜した場合には、特に、これら接合膜３１、３２の表面３５１、３５２付近において、第１の金属原子Ｍ１と第２の金属原子Ｍ２とが均一に分散することとなるため、酸素原子を介した第１の金属原子Ｍ１と第２の金属原子Ｍ２との結合により、接合膜３１、３２間において複雑なネットワークが形成されていると推察される。このような複雑なネットワークの形成により、第１の接合膜３１と第２の接合膜３２との接着強度が向上するものと考えられる。
【０１０１】
なお、第１の接合膜３１に導電性を付与する場合には、第２の金属原子Ｍ２は、酸化状態と非酸化状態の双方で導電性を発揮するものであるのが好ましい。これにより、第２の金属原子Ｍ２は、非酸化状態のものと、還元剤として作用して酸化状態のもの（酸化物）の双方が導電性を発揮するので、酸化物が非導電性を示す第２の金属原子Ｍ２を用いた場合と比較して、第１の接合膜３１により優れた導電性を付与することができる。
【０１０２】
このような第２の金属原子Ｍ２としては、例えば、Ｉｎ、ＺｎおよびＳｎ等が挙げられる。
また、脱離基３０３は、前述したように、第１の接合膜３１から脱離することにより、第１の接合膜３１に活性手を生じさせるよう振る舞うものである。したがって、脱離基３０３には、エネルギーを付与されることによって、比較的簡単に、かつ均一に脱離するものの、エネルギーが付与されないときには、脱離しないよう第１の接合膜３１に確実に結合しているものが好適に選択される。
【０１０３】
具体的には、脱離基３０３としては、炭素原子を必須成分とし、水素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子およびハロゲン原子のうちの少なくとも１種を含む原子団が好適に選択される。かかる脱離基３０３は、エネルギーの付与による結合／脱離の選択性に比較的優れている。このため、このような脱離基３０３は、上記のような必要性を十分に満足し得るものとなり、第１の接合膜付き基材１１および第２の接合膜付き基材１２の接着性をより高度なものとすることができる。
【０１０４】
より具体的には、原子団（基）としては、例えば、メチル基、エチル基のようなアルキル基、メトキシ基、エトキシ基のようなアルコキシ基、カルボキシル基の他、前記アルキル基の末端がイソシアネート基、アミノ基およびスルホン酸基等で終端しているもの等が挙げられる。
以上のような原子団の中でも、脱離基３０３は、特に、アルキル基を含有するものが好ましい。アルキル基を含有する脱離基３０３は、化学的な安定性が高いため、脱離基３０３としてアルキル基を備える第１の接合膜３１は、耐候性および耐薬品性に優れたものとなる。
【０１０５】
また、かかる構成の第１の接合膜３１において、第１の金属原子Ｍ１および第２の金属原子Ｍ２の合計と炭素原子との存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。第１の金属原子Ｍ１および第２の金属原子Ｍ２の合計と炭素原子の存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、第１の接合膜３１の安定性が高くなり、第１の接合膜付き基材１１と第２の接合膜付き基材１２とをより強固に接合することができるようになる。また、第１の接合膜３１を優れた導電性を発揮するものとすることができる。
【０１０６】
また、第１の接合膜３１において、第１の金属原子Ｍ１と第２の金属原子Ｍ２との存在比は、３：７〜７：３程度であるのが好ましく、４：６〜６：４程度であるのがより好ましい。第１の金属原子Ｍ１と第２の金属原子Ｍ２との存在比を前記範囲内になるよう設定することにより、第１の接合膜３１をより優れた接着性を発現し得るものとすることができるとともに、第１の接合膜３１に、第１の金属原子Ｍ１および第２の金属原子Ｍ２の双方の特性を確実に付与することができ、例えば、第１の接合膜３１に優れた導電性を付与することができる。
【０１０７】
さらに、第１の接合膜３１の平均厚さは、１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜８００ｎｍ程度であるのがより好ましい。第１の接合膜３１の平均厚さを前記範囲内とすることにより、第１の接合膜付き基材１１と第２の接合膜付き基材１２とを接合した接合体５の寸法精度が著しく低下するのを防止しつつ、これらをより強固に接合することができる。
【０１０８】
すなわち、第１の接合膜３１の平均厚さが前記下限値を下回った場合は、十分な接合強度が得られないおそれがある。一方、第１の接合膜３１の平均厚さが前記上限値を上回った場合は、接合体５の寸法精度が著しく低下するおそれがある。
以上説明したような第１の接合膜３１は、いかなる方法で成膜してもよいが、例えば、Ｉ：第１の金属原子Ｍ１および第２の金属原子Ｍ２で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜のほぼ全体に付与して第１の接合膜３１を形成する方法、II：第１の金属原子Ｍ１および第２の金属原子Ｍ２で構成される金属膜に、脱離基（有機成分）３０３を含む有機物を、金属膜の表面付近に選択的に付与（化学修飾）して第１の接合膜３１を形成する方法、III：第１の金属原子Ｍ１と脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する第１の有機金属材料と、第２の金属原子Ｍ２と脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する第２の有機金属材料とを原材料として気相成膜法を用いて第１の接合膜３１を形成する方法が挙げられる。これらの中でも、IIIの方法により第１の接合膜３１を成膜するのが好ましい。かかる方法によれば、比較的簡単な工程で、かつ、均一な膜厚の第１の接合膜３１を形成することができる。
【０１０９】
以下、IIIの方法、すなわち、第１の金属原子Ｍ１と脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する第１の有機金属材料と、第２の金属原子Ｍ２と脱離基（有機成分）３０３を含む有機物とを有する第２の有機金属材料とを原材料として気相成膜法を用いて第１の接合膜３１を形成する場合を代表に説明する。
なお、気相成膜法としては、有機金属化学気相成長法の他、真空蒸着法、スパッタリング法のような物理的気相成膜法を用いることができるが、有機金属化学気相成長法を用いれば有機金属材料中に含まれる有機物から比較的容易に脱離基３０３を残存させることができることから、以下では、有機金属化学気相成長法を用いることとする。
【０１１０】
まず、第１の接合膜３１の成膜方法を説明するのに先立って、第１の接合膜３１を成膜する際に用いられる成膜装置２００について説明する。
図５は、本発明の接合方法に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図５に示す成膜装置２００は、有機金属化学気相成長法（以下、「ＭＯＣＶＤ法」と省略することもある。）による第１の接合膜３１の形成をチャンバー２１１内で行えるように構成されている。
【０１１１】
具体的には、成膜装置２００は、チャンバー（真空チャンバー）２１１と、このチャンバー２１１内に設置され、第１の基板２１（成膜対象物）を保持する基板ホルダー（成膜対象物保持部）２１２と、チャンバー２１１内に、気化または霧化した第１の有機金属材料および第２の有機金属材料を供給する有機金属材料供給手段２６０と、チャンバー２１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを供給するガス供給手段２７０と、チャンバー２１１内の排気をして圧力を制御する排気手段２３０と、基板ホルダー２１２を加熱する加熱手段（図示せず）とを有している。
【０１１２】
基板ホルダー２１２は、本実施形態では、チャンバー２１１の底部に取り付けられている。この基板ホルダー２１２は、モータの作動により回動可能となっている。これにより、第１の基板２１上に第１の接合膜３１を均質かつ均一な厚さで成膜することができる。
また、基板ホルダー２１２の近傍には、それぞれ、これらを覆うことができるシャッター２２１が配設されている。このシャッター２２１は、第１の基板２１および第１の接合膜３１が不要な雰囲気等に曝されるのを防ぐためのものである。
【０１１３】
有機金属材料供給手段２６０は、チャンバー２１１に接続されている。この有機金属材料供給手段２６０は、固形状の第１の有機金属材料を貯留する第１の貯留槽２６２ａと、固形状の第２の有機金属材料を貯留する第２の貯留層２６２ｂと、気化または霧化した第１の有機金属材料と第２の有機金属材料とが混合された有機金属材料を調製する混合装置２６６と、気化または霧化した第１の有機金属材料をチャンバー２１１側に送気するキャリアガスを貯留するガスボンベ２６５ａと、気化または霧化した第２の有機金属材料をチャンバー２１１側に送気するキャリアガスを貯留するガスボンベ２６５ｂと、キャリアガスと気化または霧化した第１の有機金属材料を混合装置２６６に導く第１のガス供給ライン２６１ａと、キャリアガスと気化または霧化した第２の有機金属材料を混合装置２６６に導く第２のガス供給ライン２６１ｂと、混合装置２６６によって混合された有機金属材料をチャンバー２１１内に導く第３のガス供給ライン２６１ｃと、第１のガス供給ライン２６１ａの途中に設けられたポンプ２６４ａと、第２のガス供給ライン２６１ｂの途中の設けられたポンプ２６４ｂと、第３のガス供給ラインの途中の設けられたバルブ２６３とで構成されている。第１のガス供給ライン２６１ａと第２のガス供給ライン２６１ｂはチャンバー２１１側の端部において合流しており、合流した先に第３のガス供給ライン２６１ｃが連続している。
【０１１４】
かかる構成の有機金属材料供給手段２６０では、各貯留槽２６２ａ、２６２ｂは、加熱手段を有しており、この加熱手段の作動により固形状の各有機金属材料を加熱して気化し得るようになっている。そのため、バルブ２６３を開放した状態で、各ポンプ２６４ａ、２６４ｂを作動させて、キャリアガスを各ガスボンベ２６５ａ、２６５ｂから各貯留槽２６２ａ、２６２ｂに供給すると、このキャリアガスとともに気化または霧化した第１の有機金属材料および第２の有機金属材料がチャンバー２１１側に送気され、混合装置によって混合される。この混合装置により混合された有機金属材料が、第３の供給ライン２６１ｃ内を通過してチャンバー２１１内に供給されるようになっている。
【０１１５】
なお、キャリアガスとしては、特に限定されず、例えば、窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガス等が好適に用いられる。
また、本実施形態では、ガス供給手段２７０がチャンバー２１１に接続されている。ガス供給手段２７０は、チャンバー２１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスを貯留するガスボンベ２７５と、前記低還元性雰囲気下とするためのガスをチャンバー２１１内に導くガス供給ライン２７１と、ガス供給ライン２７１の途中に設けられたポンプ２７４およびバルブ２７３とで構成されている。かかる構成のガス供給手段２７０では、バルブ２７３を開放した状態で、ポンプ２７４を作動させると、前記低還元性雰囲気下とするためのガスが、ガスボンベ２７５から、供給ライン２７１を介して、チャンバー２１１内に供給されるようになっている。ガス供給手段２７０をかかる構成とすることにより、チャンバー２１１内を第１の有機金属材料および第２の有機金属材料に対して確実に低還元な雰囲気とすることができる。その結果、第１の有機金属材料および第２の有機金属材料を原材料としてＭＯＣＶＤ法を用いて第１の接合膜３１を成膜する際に、第１の有機金属材料および第２の有機金属材料に含まれる有機成分の少なくとも一部を脱離基３０３として残存させた状態で第１の接合膜３１が成膜される。
【０１１６】
チャンバー２１１内を低還元性雰囲気下とするためのガスとしては、特に限定されないが、例えば、窒素ガスおよびヘリウム、アルゴン、キセノンのような希ガス等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
なお、第１の有機金属材料および第２の有機金属材料として、後述する２，４−ペンタジオネート−銅（II）や［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、ビス（ジピバロイルメタナイト）銅［Ｃｕ（ＤＰＭ）２］、ビス（ジピバロイルメタナイト）インジウム［Ｉｎ（ＤＰＭ）２］のようなβジケトンを配位子とするβジケトン系錯体等のように分子構造中に酸素原子を含有するものを用いる場合には、低還元性雰囲気下とするためのガスに、水素ガスを添加するのが好ましい。これにより、酸素原子に対する還元性を向上させることができ、第１の接合膜３１に過度の酸素原子が残存することなく、第１の接合膜３１を成膜することができる。その結果、この第１の接合膜３１は、膜中における金属酸化物の存在率が低いものとなり、優れた導電性を発揮することとなる。
【０１１７】
また、キャリアガスとして前述した窒素ガス、アルゴンガスおよびヘリウムガスのうちの少なくとも１種を用いる場合には、このキャリアガスに低還元性雰囲気下とするためのガスとしての機能をも発揮させることができる。
また、排気手段２３０は、ポンプ２３２と、ポンプ２３２とチャンバー２１１とを連通する排気ライン２３１と、排気ライン２３１の途中に設けられたバルブ２３３とで構成されており、チャンバー２１１内を所望の圧力に減圧し得るようになっている。
以上のような構成の成膜装置２００を用いてＭＯＣＶＤ法により、以下のようにして第１の基板２１上に第１の接合膜３１が形成される。
【０１１８】
［１］  まず、第１の基板２１を用意する。そして、この第１の基板２１を成膜装置２００のチャンバー２１１内に搬入し、基板ホルダー２１２に装着（セット）する。
［２］  次に、排気手段２３０を動作させ、すなわちポンプ２３２を作動させた状態でバルブ２３３を開くことにより、チャンバー２１１内を減圧状態にする。この減圧の程度（真空度）は、特に限定されないが、１×１０−７〜１×１０−４Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましく、１×１０−６〜１×１０−５Ｔｏｒｒ程度であるのがより好ましい。
【０１１９】
また、ガス供給手段２７０を動作させ、すなわちポンプ２７４を作動させた状態でバルブ２７３を開くことにより、チャンバー２１１内に、低還元性雰囲気下とするためのガスを供給して、チャンバー２１１内を低還元性雰囲気下とする。ガス供給手段２７０による前記ガスの流量は、特に限定されないが、０．１〜１０ｓｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜５ｓｃｃｍ程度であるのがより好ましい。
【０１２０】
さらに、このとき、加熱手段を動作させ、基板ホルダー２１２を加熱する。基板ホルダー２１２の温度は、形成する第１の接合膜３１の種類、すなわち、第１の接合膜３１を形成する際に用いる原材料の種類によっても若干異なるが、８０〜３００℃程度で有るのが好ましく、１００〜２７５℃程度であるのがより好ましい。かかる範囲内に設定することにより、後述する第１の有機金属材料および第２の有機金属材料を用いて、優れた接着性を有する第１の接合膜３１を成膜することができる。
【０１２１】
［３］  次に、シャッター２２１を開いた状態にする。
そして、固形状の第１の有機金属材料を貯留された第１の貯留槽２６２ａおよび固形状の第２の有機金属材料を貯留された第２の貯留層２６２ｂが備える各加熱手段を動作させることにより、第１の有機金属材料および第２の有機金属材料を気化させた状態で、混合装置２６６および各ポンプ２６４ａ、２６４ｂを動作させるとともに、バルブ２６３を開くことにより、混合装置２６６のより混合された有機金属材料をキャリアガスとともにチャンバー２１１内に導入する。
【０１２２】
このように、前記工程［２］で基板ホルダー２１２が加熱された状態で、チャンバー２１１内に、第１の有機金属材料と第２の有機金属材料とが混合された有機金属材料を供給すると、第１の基板２１上で混合された有機金属材料が加熱されることにより、有機金属材料（第１の有機金属材料および第２の有機金属材料）中に含まれる有機物の一部が残存した状態で、第１の基板２１上に第１の接合膜３１を形成することができる。
すなわち、ＭＯＣＶＤ法によれば、第１の有機金属材料および第２の有機金属材料に含まれる有機物の一部が残存するように、第１の金属原子Ｍ１および第２の金属原子Ｍ２を含む膜を形成すれば、この有機物の一部が脱離基３０３としての機能を発揮する第１の接合膜３１を第１の基板２１上に形成することができる。
【０１２３】
このようなＭＯＣＶＤ法に用いられる、第１の有機金属材料および第２の有機金属材料としては、それぞれ、金属原子として第１の金属原子Ｍ１または第２の金属原子Ｍ２を備えるものであればよく、特に限定されるものではないが、例えば、ビス（２，６−ジメチル−２−（トリメチルシリロキシ）−３，５−ヘプタジオナト）銅（II）（Ｃｕ（ＳＯＰＤ）２；Ｃ２４Ｈ４６ＣｕＯ６Ｓｉ２）、２，４−ペンタジオネート−銅（II）、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（ヘキサフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｈｆａｃ）（ＭＨＹ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（ビニルトリメチルシラン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＶＴＭＳ）］、Ｃｕ（パーフルオロアセチルアセトネート）（２−メチル−１−ヘキセン−３−エン）［Ｃｕ（ｐｆａｃ）（ＭＨＹ）］、ビス（ジピバロイルメタナイト）銅［Ｃｕ（ＤＰＭ）２、ＤＭＰ：Ｃ１１Ｈ１９Ｏ２］、ビス（ジピバロイルメタナイト）インジウム［Ｉｎ（ＤＰＭ）２］、トリス（ジピバロイルメタナイト）アルミニウム［Ａｌ（ＤＰＭ）３］、ジ（ジピバロイルメタナイト）鉛［Ｐｂ（ＤＰＭ）２］、トリス（ジピバロイルメタナイト）鉄［Ｆｅ（ＤＰＭ）３］、ビス（イソブチルピバロイルメタナイト）銅［Ｃｕ（ＩＢＰＭ）２、ＩＢＭＰ：Ｃ１０Ｈ１７Ｏ２］トリス（イソブチルピバロイルメタナイト）ルテニウム［Ｒｕ（ＩＢＰＭ）３］、ビス（ジイソブチリルメタナイト）銅［Ｃｕ（ＤＩＢＭ）２、ＤＩＢＭ：Ｃ９Ｈ１５Ｏ２］のようなβジケトンを配位子として備えるβジケトン系錯体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ２）のようなキノリノール系錯体、銅フタロシアニンのようなフタロシアニン系錯体およびトリフルオロ酢酸銅、トリフルオロ酢酸イットリウム、テレフタル酸銅錯体のようなカルボン酸塩系錯体等の金属錯体、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、ジエチル亜鉛のようなアルキル金属や、その誘導体等が挙げられ、これらの中でも、金属錯体であるのが好ましい。金属錯体を用いることにより、金属錯体中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、第１の接合膜３１を確実に形成することができる。また、金属錯体の中でも、特に、βジケトン系錯体であるのがより好ましい。βジケトン系錯体を用いることにより、前記効果がより顕著に認められる。その他、βジケトン系錯体は、金属原子に酸素原子が配位しており、炭素原子のように酸素原子以外の原子が金属原子に配位している金属錯体と比較して反応性が低く安定しており、取扱いが容易である。
【０１２４】
以上のような第１の有機金属材料および第２の有機金属材料が、成膜すべき第１の接合膜３１の種類に応じて、すなわち、第１の金属原子Ｍ１、第２の金属原子Ｍ２および脱離基３０３の種類に応じて選択される。
また、本実施形態では、ガス供給手段２７０を動作させることにより、チャンバー２１１内を低還元性雰囲気下となっているが、このような雰囲気下とすることにより、第１の基板２１上に第１の金属原子Ｍ１と第２の金属原子Ｍ２とで構成される純粋な金属膜が形成されることなく、第１の有機金属材料および第２の有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で成膜することができる。すなわち、接合膜および金属膜としての双方の特性に優れた第１の接合膜３１を形成することができる。
【０１２５】
混合された有機金属材料の流量は、０．１〜１００ｃｃｍ程度であるのが好ましく、０．５〜６０ｃｃｍ程度であるのがより好ましい。これにより、均一な膜厚で、かつ、第１の有機金属材料および第２の有機金属材料中に含まれる有機物の一部を残存させた状態で、第１の接合膜３１を成膜することができる。
以上のように、第１の接合膜３１を成膜した際に膜中に残存する残存物（有機成分）を脱離基３０３として用いる構成とすることにより、形成した金属膜等に脱離基を導入する必要がなく、比較的簡単な工程で第１の接合膜３１を成膜することができる。
【０１２６】
なお、有機金属材料を用いて形成された第１の接合膜３１に残存する前記有機物の一部は、その全てが脱離基３０３として機能するものであってもよいし、その一部が脱離基３０３として機能するものであってもよい。
以上のようにして、第１の接合膜３１が第１の基板２１上に成膜されて、第１の接合膜付き基材１１を得ることができる。
【０１２７】
なお、第２の接合膜付き基材１２は、第２の基板２２を用意し、この第２の基板２２上に、上述したようなＭＯＣＶＤ法を用いて、第１の接合膜３１と同様の構成をなす第２の接合膜３２を成膜することにより得られる。
この第２の接合膜３２は、第１の接合膜３１と同様の構成をなしていればよく、第１の金属原子Ｍ１と第２の金属原子Ｍ２との存在比が第１の接合膜３１と同一であってもよく、異なっていてもよいし、脱離基３０３の種類が第１の接合膜３１と同一であってもよく、異なっていてもよい。
【０１２８】
また、接合体５を得る際、または、接合体５を得た後に、この接合体５（第１の接合膜付き基材１１と第２の接合膜付き基材１２の積層体）に対して、必要に応じ、以下の３つの工程（［４Ａ］、［４Ｂ］および［４Ｃ］）のうちの少なくとも１つの工程（接合体５の接合強度を高める工程）を行うようにしてもよい。これにより、接合体５の接合強度のさらなる向上を図ることができる。
【０１２９】
［４Ａ］図２（ａ）に示すように、得られた接合体５を、第１の基板２１と第２の基板２２とが互いに近づく方向に加圧する。
これにより、第１の基板２１の表面および第２の基板２２の表面に、それぞれ第１の接合膜３１の表面３５１および第２の接合膜３２の表面３５２がより近接し、その結果、各表面３５１、３５２に存在する活性手同士間で結合が起こるため、接合体５における接合強度をより高めることができる。
【０１３０】
また、接合体５を加圧することにより、接合体５中の接合界面に残存していた隙間を押し潰して、接合面積をさらに広げることができる。これにより、接合体５における接合強度をさらに高めることができる。
このとき、接合体５を加圧する際の圧力は、接合体５が損傷を受けない程度の圧力で、できるだけ高い方が好ましい。これにより、この圧力に比例して接合体５における接合強度を高めることができる。
【０１３１】
なお、この圧力は、第１の基板２１および第２の基板２２の各構成材料や各厚さ、接合装置等の条件に応じて、適宜調整すればよい。具体的には、第１の基板２１および第２の基板２２の各構成材料や各厚さ等に応じて若干異なるものの、０．２〜１０ＭＰａ程度であるのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、接合体５の接合強度を確実に高めることができる。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、第１の基板２１および第２の基板２２の各構成材料によっては、第１の基板２１および第２の基板２２に損傷等が生じるおそれがある。
また、加圧する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、加圧する時間は、加圧する際の圧力に応じて適宜変更すればよい。具体的には、接合体５を加圧する際の圧力が高いほど、加圧する時間を短くしても、接合強度の向上を図ることができる。
【０１３２】
［４Ｂ］図２（ａ）に示すように、得られた接合体５を加熱する。
これにより、接合体５における接合強度をより高めることができる。
このとき、接合体５を加熱する際の温度は、室温より高く、接合体５の耐熱温度未満であれば、特に限定されないが、好ましくは２５〜２００℃程度とされ、より好ましくは５０〜１００℃程度とされる。かかる範囲の温度で加熱すれば、接合体５が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、接合強度を確実に高めることができる。
【０１３３】
また、加熱時間は、特に限定されないが、１〜３０分程度であるのが好ましい。
また、前記工程［４Ａ］、［４Ｂ］の双方を行う場合、これらを同時に行うのが好ましい。すなわち、図２（ａ）に示すように、接合体５を加圧しつつ、加熱するのが好ましい。これにより、加圧による効果と、加熱による効果とが相乗的に発揮され、接合体５の接合強度を特に高めることができる。
【０１３４】
［４Ｃ］  図２（ｂ）に示すように、得られた接合体５に紫外線を照射する。
これにより、第１の接合膜３１と第２の接合膜３２との間に形成される化学結合との間に形成される化学結合を増加させ、接合体５の接合強度を特に高めることができる。
このとき照射される紫外線の条件は、前記工程［２］に示した紫外線の条件と同等にすればよい。
【０１３５】
また、本工程［４Ｂ］を行う場合、第１の基板２１および第２の基板２２のうち、いずれか一方が透光性を有していることが必要である。そして、透光性を有する基板側から、紫外線を照射することにより、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に対して確実に紫外線を照射することができる。
以上のような工程を行うことにより、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の界面における水酸基の脱水縮合や未結合手同士の再結合が促進される。そして、第１の接合膜３１と第２の接合膜３２との一体化がより進行する。その結果、接合体５を、第１の接合膜３１と第２の接合膜３２とがほぼ完全に一体化された接合膜を備えるものとすることができる。
【０１３６】
≪第２実施形態≫
次に、本発明の接合方法の第２実施形態について説明する。
図６は、本発明の接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第２実施形態にかかる接合方法について説明するが、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１３７】
本実施形態にかかる接合方法は、第１の接合膜付き基材１１と第２の接合膜付き基材１２とを重ね合わせた後に、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２にエネルギーを付与するようにしたこと以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態にかかる接合方法は、第１の基材上に、第１の金属原子と、該第１の金属原子よりもイオン化傾向が大きい第２の金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含む第１の接合膜が形成して第１の接合膜付き基材を得るとともに、第２の基材上に、前記第１の金属原子と、前記第２の金属原子と、前記脱離基とを含む第２の接合膜を形成して第２の接合膜付き基材を得る工程と、前記第１の接合膜と前記第２の接合膜とが密着するように、前記第１の接合膜付き基材と前記第２の接合膜付き基材とを重ね合わせて、積層体を得る工程と、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜に対してエネルギーを付与して、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜の表面付近に存在する前記脱離基を、これら接合膜から脱離させることにより、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜に接着性を発現させて、前記第１の接合膜と前記第２の接合膜とが接合された接合体を得る工程とを有する。
【０１３８】
以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
［１］まず、前記第１実施形態と同様にして、第１の接合膜付き基材１１および第２の接合膜付き基材１２を得る（図６（ａ）参照）。
［２］次に、図６（ｂ）に示すように、第１の接合膜３１と第２の接合膜３２とが密着するように、第１の接合膜付き基材１１と第２の接合膜付き基材１２とを重ね合わせて、積層体５１を得る。
【０１３９】
なお、この積層体５１の状態では、第１の接合膜付き基材１１（第１の接合膜３１）と第２の接合膜付き基材１２（第２の接合膜３２）との間は接合されていないので、第１の接合膜付き基材１１の第２の接合膜付き基材１２に対する相対位置を調整することができる。これにより、第１の接合膜付き基材１１と第２の接合膜付き基材１２とを重ね合わせた後、これらの位置を容易に微調整することができる。その結果、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の表面３５１、３５２方向における位置精度を高めることができる。
【０１４０】
［３］次に、図６（ｃ）に示すように、積層体５１中の第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に対してエネルギーを付与する。第１の接合膜３１および第２の接合膜３２にエネルギーが付与されると、第１の接合膜３１に第２の接合膜付き基材１２との接着性が発現し、第２の接合膜３２に第１の接合膜付き基材１１との接着性が発現する。これにより、第１の接合膜付き基材１１と第２の接合膜付き基材１２とが接合され、図６（ｄ）に示すような接合体５が得られる。
【０１４１】
この際、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の双方に含まれている第１の金属原子と第２の金属原子とでは、これらのイオン化傾向が第２の金属原子の方が大きく、それぞれのイオン化傾向に差を有することから、第１の接合膜３１と第２の接合膜３２との間の化学的な結合がより強固なものとなる。
ここで、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に付与するエネルギーは、いかなる方法で付与されてもよいが、例えば、前記第１実施形態で挙げたような方法で付与される。
【０１４２】
また、本実施形態では、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２にエネルギーを付与する方法としては、特に、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２にエネルギー線を照射する方法、加熱する方法、および圧縮力（物理的エネルギー）を付与する方法のうちの少なくとも１つの方法を用いるのが好ましい。これらの方法は、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを付与することができるので、エネルギー付与方法として好適である。
【０１４３】
このうち、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２にエネルギー線を照射する方法としては、前記第１実施形態と同様の方法を用いることができる。
なお、この場合、エネルギー線は、第１の基板２１または第２の基板２２を透過して第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に照射されることとなる。したがって、第１の基板２１または第２の基板２２のうちエネルギー線を照射する側の基板は、透光性を有するもので構成される。
【０１４４】
一方、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２を加熱することにより、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に対してエネルギーを付与する場合には、加熱温度を２５〜２００℃程度に設定するのが好ましく、５０〜１００℃程度に設定するのがより好ましい。かかる範囲の温度で加熱すれば、各基板２１、２２が熱によって変質・劣化するのを確実に防止しつつ、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２を確実に活性化させることができる。
【０１４５】
また、加熱時間は、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の脱離基３０３を脱離し得る程度の時間とするのが好ましく、具体的には、加熱温度が前記範囲内であれば、１〜３０分程度であるのが好ましい。
【０１４６】
また、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２は、いかなる方法で加熱されてもよいが、例えば、ヒータを用いる方法、赤外線を照射する方法、火炎に接触させる方法等の各種方法で加熱することができる。
なお、赤外線を照射する方法を用いる場合には、第１の基板２１または第２の基板２２は、光吸収性を有する材料で構成されているのが好ましい。これにより、赤外線を照射された第１の基板２１または第２の基板２２は、効率よく発熱する。その結果、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２を効率よく加熱することができる。
【０１４７】
また、ヒータを用いる方法または火炎に接触させる方法を用いる場合には、第１の基板２１または第２の基板２２のうちヒータまたは火炎を接触させる側の基板は、熱伝導性に優れた材料で構成されているのが好ましい。これにより、第１の基板２１または第２の基板２２を介して、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に対して効率よく熱を伝えることができ、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２を効率よく加熱することができる。
【０１４８】
また、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に圧縮力を付与することにより、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に対してエネルギーを付与する場合には、第１の接合膜付き基材１１と第２の接合膜付き基材１２とが互いに近づく方向に、０．２〜１０ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのが好ましく、１〜５ＭＰａ程度の圧力で圧縮するのがより好ましい。これにより、単に圧縮するのみで、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に対して適度なエネルギーを簡単に付与することができ、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に、これら膜同士に対する十分な接着性が発現する。なお、この圧力が前記上限値を上回っても構わないが、第１の基板２１と第２の基板２２の各構成材料によっては、第１の基板２１および第２の基板２２に損傷等が生じるおそれがある。
【０１４９】
また、圧縮力を付与する時間は、特に限定されないが、１０秒〜３０分程度であるのが好ましい。なお、圧縮力を付与する時間は、圧縮力の大きさに応じて適宜変更すればよい。具体的には、圧縮力の大きさが大きいほど、圧縮力を付与する時間を短くすることができる。
以上のようにして接合体５を得ることができる。
【０１５０】
≪第３実施形態≫
次に、本発明の接合方法の第３実施形態について説明する。
図７は、本発明の接合方法の第３実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第３実施形態にかかる接合方法について説明するが、前記第１実施形態または前記第２実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１５１】
本実施形態にかかる接合方法は、第１の接合膜３１の全面および第２の接合膜３２の一部の所定領域３５０のみを選択的に活性化させることにより、第１の接合膜付き基材１１と第２の接合膜付き基材１２とを、前記所定領域３５０において部分的に接合するようにしたこと以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態にかかる接合方法は、第１の基材上に、第１の金属原子と、該第１の金属原子よりもイオン化傾向が大きい第２の金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含む第１の接合膜が形成して第１の接合膜付き基材を得るとともに、第２の基材上に、前記第１の金属原子と、前記第２の金属原子と、前記脱離基とを含む第２の接合膜を形成して第２の接合膜付き基材を得る工程と、第１の接合膜の全面にエネルギーを付与するとともに、第２の接合膜の一部の領域に対して選択的にエネルギーを付与して、第１の接合膜の全面および第２の接合膜の一部の領域に接着性を発現させる工程と、前記第１の接合膜と前記第２の接合膜とが密着するように、前記第１の接合膜付き基材と前記第２の接合膜付き基材とを貼り合わせることにより、これらを一部の領域において部分的に接合した、接合体を得る工程とを有する。
【０１５２】
以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
［１］まず、前記第１実施形態と同様にして、第１の接合膜付き基材１１および第２の接合膜付き基材１２を得る（図７（ａ）参照）。
［２］次に、図７（ｂ）に示すように、第１の接合膜付き基材１１の第１の接合膜（一方の接合膜）３１に対しては、その全面にエネルギーを付与する。一方、第２の接合膜付き基材１２の第２の接合膜（他方の接合膜）３２に対しては、その一部の所定領域３５０に対して選択的にエネルギーを付与する。
【０１５３】
ここで、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に付与するエネルギーは、いかなる方法で付与されてもよいが、例えば、前記第１実施形態で挙げたような方法で付与される。
また、第２の接合膜３２の所定領域３５０に対して選択的にエネルギーを付与する方法としては、特に、第２の接合膜３２にエネルギー線を照射する方法を用いるのが好ましい。この方法は、第２の接合膜３２に対して比較的簡単に効率よくエネルギーを選択的に付与することができるので、エネルギー付与方法として好適である。
【０１５４】
さらに、本実施形態では、エネルギー線として、特に、レーザ光、電子線のような指向性の高いエネルギー線を用いるのが好ましい。かかるエネルギー線であれば、目的の方向に向けて照射することにより、所定領域３５０に対してエネルギー線を選択的にかつ簡単に照射することができる。
また、指向性の低いエネルギー線であっても、第２の接合膜３２の表面３５２のうち、エネルギー線を照射すべき所定領域３５０以外の領域を覆うように（隠すように）して照射すれば、所定領域３５０に対してエネルギー線を選択的に照射することができる。
【０１５５】
具体的には、図７（ｂ）に示すように、第２の接合膜３２の表面３５２の上方に、エネルギー線を照射すべき所定領域３５０の形状に対応する窓部を有するマスク６を設け、このマスク６を介してエネルギー線を照射すればよい。このようにすれば、所定領域３５０に対して、エネルギー線を選択的に照射することが容易に行える。
第１の接合膜３１および第２の接合膜３２にそれぞれエネルギーが付与されると、図３に示す脱離基３０３が第１の接合膜３１および第２の接合膜３２から脱離する。そして、脱離基３０３が脱離した後には、図４に示すように、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の各表面３５１、３５２付近に活性手３０４が生じ、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２が活性化される。これにより、第１の接合膜３１の表面３５１の全面と、第２の接合膜３２の表面３５２の所定領域３５０とに、それぞれ接着性が発現する。また、その一方、第２の接合膜３２の所定領域３５０以外の領域には、該接着性はほとんど発現しない。
このような状態の各接合膜付き基材１１、１２は、所定領域３５０において部分的に接着可能なものとなる。
【０１５６】
［３］次に、図７（ｃ）に示すように、接着性が発現した第１の接合膜３１と第２の接合膜３２とが密着するように、２枚の接合膜付き基材１１、１２同士を貼り合わせる。これにより、図７（ｄ）に示すような接合体５ａを得ることができる。
このようにして得られた接合体５ａは、２枚の接合膜付き基材１１、１２同士を対向面全体で接合するのではなく、一部の領域（所定領域３５０）のみを部分的に接合してなるものである。そして、この接合の際、第２の接合膜３２に対してエネルギーを付与する領域を制御することのみで、接合される領域を簡単に選択することができる。これにより、例えば、接合体５ａの接合強度を容易に調整することができる。
【０１５７】
なお、接合体５ａを得た後、この接合体５ａに対して、必要に応じ、前記第１実施形態の工程［４Ａ］、［４Ｂ］および［４Ｃ］のうちの少なくとも１つの工程を行うようにしてもよい。
例えば、接合体５ａを加圧しつつ、加熱することにより、接合体５ａの各基板２１、２２同士がより近接する。これにより、各接合膜３１、３２の界面における水酸基の脱水縮合や未結合手同士の再結合が促進される。そして、所定領域３５０に形成された接合部において、一体化がより進行し、最終的には、ほぼ完全に一体化される。
【０１５８】
なお、このとき、接合膜３１の表面３５１と接合膜３２の表面３５２との界面のうち、所定領域３５０以外の領域（非接合領域）では、各表面３５１、３５２間にわずかな間隙が生じている（残存している）。したがって、接合体５ａを加圧しつつ、加熱する際には、この所定領域３５０以外の領域において、各接合膜３１、３２が接合されないような条件で行うようにするのが好ましい。
また、上記のことを考慮して、前記第１実施形態の工程［４Ａ］、［４Ｂ］および［４Ｃ］のうちの少なくとも１つの工程を行う場合、これらの工程を、所定領域３５０に対して選択的に行うのが好ましい。これにより、所定領域３５０以外の領域において、各接合膜３１、３２が接合されるのを防止することができる。
【０１５９】
≪第４実施形態≫
次に、本発明の接合体の接合方法の第４実施形態について説明する。
図８は、本発明の接合方法の第４実施形態を説明するための図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図８中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第４実施形態にかかる接合方法について説明するが、前記第１実施形態ないし前記第３実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０１６０】
本実施形態にかかる接合方法は、各基板２１、２２の上面２５１、２５２のうち、一部の所定領域３５０のみに選択的に第１の接合膜３１および第２の接合膜３２を形成することにより、第１の接合膜付き基材１１と第２の接合膜付き基材１２とを、前記所定領域３５０において部分的に接合するようにした以外は、前記第１実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態にかかる接合方法は、第１の基材上の一部の領域に、第１の金属原子と、該第１の金属原子よりもイオン化傾向が大きい第２の金属原子と、有機成分で構成される脱離基とを含む第１の接合膜が形成して第１の接合膜付き基材を得るとともに、第２の基材上の一部の領域に、前記第１の金属原子と、前記第２の金属原子と、前記脱離基とを含む第２の接合膜を形成して第２の接合膜付き基材を得る工程と、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜にエネルギーを付与して、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜の表面付近に存在する前記脱離基をこれら接合膜から脱離させることにより、前記第１の接合膜および前記第２の接合膜に接着性を発現させる工程と、前記第１の接合膜と前記第２の接合膜とが密着するように、前記第１の接合膜付き基材と前記第２の接合膜付き基材とを貼り合わせて、これらを一部の領域において部分的に接合した接合体を得る工程とを有する。
【０１６１】
以下、本実施形態にかかる接合方法の各工程について順次説明する。
［１］まず、図８（ａ）に示すように、各基板２１、２２の上方に、所定領域３５０の形状に対応する窓部を有するマスク６をそれぞれ配置する。
次に、マスク６を介して、第１の基板２１および第２の基板２２の上面２５１、２５２に、それぞれ、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２を成膜する。例えば、図８（ａ）に示すように、マスク６を介して、例えば、前記第１実施形態で説明したＭＯＣＶＤ法を用いて第１の接合膜３１および第２の接合膜３２を成膜すると、第１の有機金属材料および第２の有機金属材料は、このものに含まれる有機物の一部が残存した状態で、各基板２１、２２の上面２５１、２５２上に堆積するが、このときマスク６を介することにより、それぞれの所定領域３５０にのみ第１の有機金属材料および第２の有機金属材料の一部が堆積する。その結果、各基板２１、２２の上面２５１、２５２の一部の所定領域３５０に、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２がそれぞれ形成される。
【０１６２】
［２］次に、図８（ｂ）に示すように、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２にエネルギーを付与する。これにより、各接合膜付き基材１１、１２では、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に接着性が発現する。
なお、本工程でエネルギーを付与する際には、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に選択的にエネルギーを付与してもよいが、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２を包含する基板２１、２２の上面２５１、２５２の全体に、それぞれエネルギーを付与するようにしてもよい。
また、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２に付与するエネルギーは、いかなる方法で付与されてもよいが、例えば、前記第１実施形態で挙げたような方法で付与される。
【０１６３】
［３］次に、図８（ｃ）に示すように、接着性が発現した第１の接合膜３１および第２の接合膜３２同士が密着するように、２枚の接合膜付き基材１１、１２同士を貼り合わせる。これにより、図８（ｄ）に示すような接合体５ｂを得ることができる。
このようにして得られた接合体５ｂは、２枚の接合膜付き基材１１、１２同士を対向面全体で接合するのではなく、一部の領域（所定領域３５０）のみを部分的に接合してなるものである。そして、この接合される領域は、各基板２１、２２における各接合膜３１、３２の成膜領域を制御することのみで簡単に選択することができる。これにより、例えば、接合体５ｂの接合強度を容易に調整することができる。
【０１６４】
また、接合体５ｂの各基板２１、２２間には、所定領域３５０以外の領域に、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の合計厚さに相当する離間距離の間隙３ｃが形成されている（図８（ｄ）参照）。したがって、所定領域３５０の形状や各接合膜３１、３２の厚さを適宜調整することにより、各基板２１、２２間に、所望の形状の閉空間や流路等を容易に形成することができる。
以上のようにして接合体５ｂを得ることができる。
【０１６５】
なお、接合体５ｂを得た後、この接合体５ｂに対して、必要に応じ、前記第１実施形態の工程［４Ａ］、［４Ｂ］および［４Ｃ］のうちの少なくとも１つの工程を行うようにしてもよい。
例えば、接合体５ｂを加圧しつつ、加熱することにより、接合体５ｂの各基板２１、２２同士がより近接する。これにより、第１の接合膜３１と第２の接合膜３２との界面における水酸基の脱水縮合や未結合手同士の再結合が促進される。そして、所定領域３５０に形成された接合部において、一体化がより進行し、最終的には、ほぼ完全に一体化される。
【０１６６】
なお、本実施形態では、第１の基板２１および第２の基板２２上の一部の領域（所定領域３５０）にそれぞれ形成される第１の接合膜３１および第２の接合膜３２がともに同一形状をなす場合について説明したが、この場合に限定されず、これら第１の接合膜３１および第２の接合膜３２の形状は互いに異なっていてもよい。この場合、平面視において、第１の接合膜３１と第２の接合膜３２とが互いに重なりあう領域において、これら同士が接合される。
【０１６７】
以上のような前記各実施形態にかかる接合方法は、種々の複数の部材同士を接合するのに用いることができる。
このような接合に供される部材としては、例えば、トランジスタ、ダイオード、メモリのような半導体素子、水晶発振子のような圧電素子、反射鏡、光学レンズ、回折格子、光学フィルターのような光学素子、太陽電池のような光電変換素子、半導体基板とそれに搭載される半導体素子、絶縁性基板と配線または電極、インクジェット式記録ヘッド、マイクロリアクタ、マイクロミラーのようなＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）部品、圧力センサ、加速度センサのようなセンサ部品、半導体素子や電子部品のパッケージ部品、磁気記録媒体、光磁気記録媒体、光記録媒体のような記録媒体、液晶表示素子、有機ＥＬ素子、電気泳動表示素子のような表示素子用部品、燃料電池用部品等が挙げられる。
【０１６８】
＜液滴吐出ヘッド＞
ここでは、本発明の接合体をインクジェット式記録ヘッドに適用した場合の実施形態について説明する。
図９は、本発明の接合体を適用して得られたインクジェット式記録ヘッド（液滴吐出ヘッド）を示す分解斜視図、図１０は、図９に示すインクジェット式記録ヘッドの主要部の構成を示す断面図、図１１は、図９に示すインクジェット式記録ヘッドを備えるインクジェットプリンタの実施形態を示す概略図である。なお、図９は、通常使用される状態とは、上下逆に示されている。
【０１６９】
図９に示すインクジェット式記録ヘッド１０は、図１１に示すようなインクジェットプリンタ９に搭載されている。
図１１に示すインクジェットプリンタ９は、装置本体９２を備えており、上部後方に記録用紙Ｐを設置するトレイ９２１と、下部前方に記録用紙Ｐを排出する排紙口９２２と、上部面に操作パネル９７とが設けられている。
【０１７０】
操作パネル９７は、例えば、液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、ＬＥＤランプ等で構成され、エラーメッセージ等を表示する表示部（図示せず）と、各種スイッチ等で構成される操作部（図示せず）とを備えている。
また、装置本体９２の内部には、主に、往復動するヘッドユニット９３を備える印刷装置（印刷手段）９４と、記録用紙Ｐを１枚ずつ印刷装置９４に送り込む給紙装置（給紙手段）９５と、印刷装置９４および給紙装置９５を制御する制御部（制御手段）９６とを有している。
【０１７１】
制御部９６の制御により、給紙装置９５は、記録用紙Ｐを一枚ずつ間欠送りする。この記録用紙Ｐは、ヘッドユニット９３の下部近傍を通過する。このとき、ヘッドユニット９３が記録用紙Ｐの送り方向とほぼ直交する方向に往復移動して、記録用紙Ｐへの印刷が行なわれる。すなわち、ヘッドユニット９３の往復動と記録用紙Ｐの間欠送りとが、印刷における主走査および副走査となって、インクジェット方式の印刷が行なわれる。
【０１７２】
印刷装置９４は、ヘッドユニット９３と、ヘッドユニット９３の駆動源となるキャリッジモータ９４１と、キャリッジモータ９４１の回転を受けて、ヘッドユニット９３を往復動させる往復動機構９４２とを備えている。
ヘッドユニット９３は、その下部に、多数のノズル孔１１１を備えるインクジェット式記録ヘッド１０（以下、単に「ヘッド１０」と言う。）と、ヘッド１０にインクを供給するインクカートリッジ９３１と、ヘッド１０およびインクカートリッジ９３１を搭載したキャリッジ９３２とを有している。
【０１７３】
なお、インクカートリッジ９３１として、イエロー、シアン、マゼンタ、ブラック（黒）の４色のインクを充填したものを用いることにより、フルカラー印刷が可能となる。
往復動機構９４２は、その両端をフレーム（図示せず）に支持されたキャリッジガイド軸９４３と、キャリッジガイド軸９４３と平行に延在するタイミングベルト９４４とを有している。
【０１７４】
キャリッジ９３２は、キャリッジガイド軸９４３に往復動自在に支持されるとともに、タイミングベルト９４４の一部に固定されている。
キャリッジモータ９４１の作動により、プーリを介してタイミングベルト９４４を正逆走行させると、キャリッジガイド軸９４３に案内されて、ヘッドユニット９３が往復動する。そして、この往復動の際に、ヘッド１０から適宜インクが吐出され、記録用紙Ｐへの印刷が行われる。
【０１７５】
給紙装置９５は、その駆動源となる給紙モータ９５１と、給紙モータ９５１の作動により回転する給紙ローラ９５２とを有している。
給紙ローラ９５２は、記録用紙Ｐの送り経路（記録用紙Ｐ）を挟んで上下に対向する従動ローラ９５２ａと駆動ローラ９５２ｂとで構成され、駆動ローラ９５２ｂは給紙モータ９５１に連結されている。これにより、給紙ローラ９５２は、トレイ９２１に設置した多数枚の記録用紙Ｐを、印刷装置９４に向かって１枚ずつ送り込めるようになっている。なお、トレイ９２１に代えて、記録用紙Ｐを収容する給紙カセットを着脱自在に装着し得るような構成であってもよい。
【０１７６】
制御部９６は、例えばパーソナルコンピュータやディジタルカメラ等のホストコンピュータから入力された印刷データに基づいて、印刷装置９４や給紙装置９５等を制御することにより印刷を行うものである。
制御部９６は、いずれも図示しないが、主に、各部を制御する制御プログラム等を記憶するメモリ、圧電素子（振動源）１４を駆動して、インクの吐出タイミングを制御する圧電素子駆動回路、印刷装置９４（キャリッジモータ９４１）を駆動する駆動回路、給紙装置９５（給紙モータ９５１）を駆動する駆動回路、および、ホストコンピュータからの印刷データを入手する通信回路と、これらに電気的に接続され、各部での各種制御を行うＣＰＵとを備えている。
【０１７７】
また、ＣＰＵには、例えば、インクカートリッジ９３１のインク残量、ヘッドユニット９３の位置等を検出可能な各種センサ等が、それぞれ電気的に接続されている。
制御部９６は、通信回路を介して、印刷データを入手してメモリに格納する。ＣＰＵは、この印刷データを処理して、この処理データおよび各種センサからの入力データに基づいて、各駆動回路に駆動信号を出力する。この駆動信号により圧電素子１４、印刷装置９４および給紙装置９５は、それぞれ作動する。これにより、記録用紙Ｐに印刷が行われる。
【０１７８】
以下、ヘッド１０について、図９および図１０を参照しつつ詳述する。
ヘッド１０は、ノズル板１１０と、インク室基板１２０と、振動板１３と、振動板１３に接合された圧電素子（振動源）１４とを備えるヘッド本体１７と、このヘッド本体１７を収納する基体１６とを有している。なお、このヘッド１０は、オンデマンド形のピエゾジェット式ヘッドを構成する。
【０１７９】
ノズル板１１０は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、石英ガラスのようなシリコン系材料、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕまたはこれらを含む合金のような金属系材料、アルミナ、酸化鉄のような酸化物系材料、カーボンブラック、グラファイトのような炭素系材料等で構成されている。
このノズル板１１０には、インク滴を吐出するための多数のノズル孔１１１が形成されている。これらのノズル孔１１１間のピッチは、印刷精度に応じて適宜設定される。
【０１８０】
ノズル板１１０には、インク室基板１２０が固着（固定）されている。
このインク室基板１２０は、ノズル板１１０、側壁（隔壁）１２２および後述する振動板１３により、複数のインク室（キャビティ、圧力室）１２１と、インクカートリッジ９３１から供給されるインクを貯留するリザーバ室１２３と、リザーバ室１２３から各インク室１２１に、それぞれインクを供給する供給口１２４とが区画形成されている。
【０１８１】
各インク室１２１は、それぞれ短冊状（直方体状）に形成され、各ノズル孔１１１に対応して配設されている。各インク室１２１は、後述する振動板１３の振動により容積可変であり、この容積変化により、インクを吐出するよう構成されている。
インク室基板１２０を得るための母材としては、例えば、シリコン単結晶基板、各種ガラス基板、各種樹脂基板等を用いることができる。これらの基板は、いずれも汎用的な基板であるので、これらの基板を用いることにより、ヘッド１０の製造コストを低減することができる。
【０１８２】
一方、インク室基板１２０のノズル板１１０と反対側には、振動板１３が接合され、さらに振動板１３のインク室基板１２０と反対側には、複数の圧電素子１４が設けられている。
また、振動板１３の所定位置には、振動板１３の厚さ方向に貫通して連通孔１３１が形成されている。この連通孔１３１を介して、前述したインクカートリッジ９３１からリザーバ室１２３に、インクが供給可能となっている。
【０１８３】
各圧電素子１４は、それぞれ、下部電極１４２と上部電極１４１との間に圧電体層１４３を介挿してなり、各インク室１２１のほぼ中央部に対応して配設されている。各圧電素子１４は、圧電素子駆動回路に電気的に接続され、圧電素子駆動回路の信号に基づいて作動（振動、変形）するよう構成されている。
各圧電素子１４は、それぞれ、振動源として機能し、振動板１３は、圧電素子１４の振動により振動し、インク室１２１の内部圧力を瞬間的に高めるよう機能する。
【０１８４】
基体１６は、例えば各種樹脂材料、各種金属材料等で構成されており、この基体１６にノズル板１１０が固定、支持されている。すなわち、基体１６が備える凹部１６１に、ヘッド本体１７を収納した状態で、凹部１６１の外周部に形成された段差１６２によりノズル板１１０の縁部を支持する。
以上のような、ノズル板１１０とインク室基板１２０との接合、インク室基板１２０と振動板１３との接合、およびノズル板１１０と基体１６とを接合する際に、少なくとも１箇所において本発明の接合方法が適用されている。
【０１８５】
換言すれば、ノズル板１１０とインク室基板１２０との接合体、インク室基板１２０と振動板１３との接合体、およびノズル板１１０と基体１６との接合体のうち、少なくとも１箇所に本発明の接合体が適用されている。
このようなヘッド１０は、接合部の接合界面の接合強度および耐薬品性が高くなっており、これにより、各インク室１２１に貯留されたインクに対する耐久性および液密性が高くなっている。その結果、ヘッド１０は、信頼性の高いものとなる。
【０１８６】
また、非常に低温で信頼性の高い接合ができるため、線膨張係数の異なる材料でも大面積のヘッドができる点でも有利である。
このようなヘッド１０は、圧電素子駆動回路を介して所定の吐出信号が入力されていない状態、すなわち、圧電素子１４の下部電極１４２と上部電極１４１との間に電圧が印加されていない状態では、圧電体層１４３に変形が生じない。このため、振動板１３にも変形が生じず、インク室１２１には容積変化が生じない。したがって、ノズル孔１１１からインク滴は吐出されない。
【０１８７】
一方、圧電素子駆動回路を介して所定の吐出信号が入力された状態、すなわち、圧電素子１４の下部電極１４２と上部電極１４１との間に一定電圧が印加された状態では、圧電体層１４３に変形が生じる。これにより、振動板１３が大きくたわみ、インク室１２１の容積変化が生じる。このとき、インク室１２１内の圧力が瞬間的に高まり、ノズル孔１１１からインク滴が吐出される。
【０１８８】
１回のインクの吐出が終了すると、圧電素子駆動回路は、下部電極１４２と上部電極１４１との間への電圧の印加を停止する。これにより、圧電素子１４は、ほぼ元の形状に戻り、インク室１２１の容積が増大する。なお、このとき、インクには、インクカートリッジ９３１からノズル孔１１１へ向かう圧力（正方向への圧力）が作用している。このため、空気がノズル孔１１１からインク室１２１へ入り込むことが防止され、インクの吐出量に見合った量のインクがインクカートリッジ９３１（リザーバ室１２３）からインク室１２１へ供給される。
【０１８９】
このようにして、ヘッド１０において、印刷させたい位置の圧電素子１４に、圧電素子駆動回路を介して吐出信号を順次入力することにより、任意の（所望の）文字や図形等を印刷することができる。
なお、ヘッド１０は、圧電素子１４の代わりに電気熱変換素子を有していてもよい。つまり、ヘッド１０は、電気熱変換素子による材料の熱膨張を利用してインクを吐出する構成（いわゆる、「バブルジェット方式」（「バブルジェット」は登録商標））のものであってもよい。
【０１９０】
かかる構成のヘッド１０において、ノズル板１１０には、撥液性を付与することを目的に形成された被膜１１４が設けられている。これにより、ノズル孔１１１からインク滴が吐出される際に、このノズル孔１１１の周辺にインク滴が残存するのを確実に防止することができる。その結果、ノズル孔１１１から吐出されたインク滴を目的とする領域に確実に着弾させることができる。
【０１９１】
＜配線基板＞
さらに、本発明の接合体を配線基板に適用した場合の実施形態について説明する。
図１２は、本発明の接合体を適用して得られた配線基板を示す斜視図である。
図１２に示す配線基板４１０は、絶縁基板４１３と、絶縁基板４１３上に配設された電極４１２と、リード４１４と、リード４１４の一端に、電極４１２と対向するように設けられた電極４１５とを有する。
【０１９２】
そして、電極４１２の上面と電極４１５の下面とには、それぞれ、第１の接合膜３１と第２の接合膜３２が形成されている。これら第１の接合膜３１と第２の接合膜３２とは、前述の本発明の接合方法によって貼り合わせることにより接合されている。これにより、電極４１２、４１５間は、一体化された第１の接合膜３１および第２の接合膜３２によって強固に接合されることになり、各電極４１２、４１５間の層間剥離等が確実に防止されるとともに、信頼性の高い配線基板４１０が得られる。
【０１９３】
また、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２は、それぞれに含まれる第１の金属原子Ｍ１および第２の金属原子Ｍ２として導電性を有するものを選択することにより、各電極４１２、４１５間を導通する機能をも担う。第１の接合膜３１および第２の接合膜３２は、非常に薄いものでも十分な接合力を発揮する。このため、各電極４１２、４１５間の間隙をより小さくすることができ、各電極４１２、４１５間の電気抵抗成分（接触抵抗）の低減を図ることができる。その結果、各電極４１２、４１５間の導電性をより高めることができる。
【０１９４】
また、第１の接合膜３１および第２の接合膜３２は、前述したように、その厚さを高い精度で容易に制御することができる。これにより、配線基板４１０は、より寸法精度の高いものとなり、各電極４１２、４１５間の導電性も容易に制御することができる。
以上、本発明の接合方法および接合体を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１９５】
例えば、本発明の接合方法は、前記各実施形態のうち、任意の１つまたは２つ以上を組み合わせたものであってもよい。
また、本発明の接合方法では、必要に応じて、１以上の任意の目的の工程を追加してもよい。
また、前記各実施形態では、第１の基板と第２の基板の２枚の基材を接合する方法について説明しているが、３枚以上の基材を接合する場合に、本発明の接合方法および接合体を用いるようにしてもよい。
【実施例】
【０１９６】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．接合体の製造
（実施例１）
まず、第１の基板として、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×平均厚さ１ｍｍの単結晶シリコン基板を用意し、第２の基板として、縦２０ｍｍ×横２０ｍｍ×平均厚さ１ｍｍのガラス基板を用意した。
【０１９７】
次に、単結晶シリコン基板およびガラス基板の双方を図５に示す成膜装置２００のチャンバー２１１内に収納し、酸素プラズマによる表面処理を行った。
次に、単結晶シリコン基板およびガラス基板の表面処理を行った面に、それぞれ、第１の有機金属材料をＣｕ（ＤＰＭ）２、第２の有機金属材料をＩｎ（ＤＰＭ）２とし、ＭＯＣＶＤ法を用いて、平均厚さ１００ｎｍの第１の接合膜および第２の接合膜を成膜した。なお、成膜条件は以下に示す通りである。
【０１９８】
＜成膜条件＞
・チャンバー内の雰囲気            ：窒素ガス  ＋  水素ガス
・第１の有機金属材料（原材料）          ：Ｃｕ（ＤＰＭ）２
・霧化した第１の有機金属材料の流量      ：１ｓｃｃｍ
・第２の有機金属材料（原材料）          ：Ｉｎ（ＤＰＭ）２
・霧化した第２の有機金属材料の流量      ：１ｓｃｃｍ
・キャリアガス                    ：窒素ガス
・キャリアガスの流量              ：２５０ｓｃｃｍ
・水素ガスの流量                  ：０．２ｓｃｃｍ
・成膜時のチャンバー内の圧力      ：１×１０−３Ｔｏｒｒ
・基板ホルダーの温度              ：２００℃
・処理時間                        ：１５分
【０１９９】
以上のようにして成膜された第１の接合膜および第２の接合膜は、第１の金属原子および第２の金属原子としてそれぞれ銅原子およびインジウム原子を含み、脱離基として、Ｃｕ（ＤＰＭ）２およびＩｎ（ＤＰＭ）２に含まれる有機物の一部が残存しているものである。
これにより、単結晶シリコン基板上に第１の接合膜が形成された第１の接合膜付き基材と、ガラス基板上に第２の接合膜が形成された第２の接合膜付き基材とを得た。
【０２００】
次に、得られた第１の接合膜および第２の接合膜にそれぞれ以下に示す条件で紫外線を照射した。
＜紫外線照射条件＞
・雰囲気ガスの組成  ：窒素ガス
・雰囲気ガスの温度  ：２５℃
・雰囲気ガスの圧力  ：大気圧（１００ｋＰａ）
・紫外線の波長      ：１７２ｎｍ
・紫外線の照射時間  ：１５分
次に、紫外線を照射してから１分後に、各接合膜の紫外線を照射した面同士が接触するように、単結晶シリコン基板とガラス基板とを重ね合わせた状態で、各基板同士を１０ＭＰａで加圧し、１５分間維持して接合体を得た。
【０２０１】
（実施例２）
各基板同士を加圧する際の圧力を１０ＭＰａから４ＭＰａに変更した以外は、前記実施例１と同様にして接合体を得た。
（実施例３〜１３）
第１の基板の構成材料および第２の基板の構成材料を、それぞれ表１に示す材料に変更した以外は、前記実施例１と同様にして接合体を得た。
【０２０２】
（実施例１４）
まず、前記実施例１と同様にして、単結晶シリコン基板とガラス基板（第１の基板および第２の基板）を用意し、それぞれに酸素プラズマによる表面処理を行った。
次に、シリコン基板およびガラス基板の表面処理を行った面に、前記実施例１と同様にして、それぞれ、第１の接合膜および第２の接合膜を成膜した。これにより、第１の接合膜付き基材および第２の接合膜付き基材を得た。
次に、第１の接合膜付き基材の接合膜と、第２の接合膜付き基材の接合膜とが接触するように、第１の接合膜付き基材と第２の接合膜付き基材とを重ね合わせた。
【０２０３】
そして、重ね合わせた各基板に対して、以下に示す条件で紫外線を照射した。
＜紫外線照射条件＞
・雰囲気ガスの組成  ：窒素ガス
・雰囲気ガスの温度  ：２５℃
・雰囲気ガスの圧力  ：大気圧（１００ｋＰａ）
・紫外線の波長      ：１７２ｎｍ
・紫外線の照射時間  ：１５分
紫外線照射後に、単結晶シリコン基板とガラス基板とを重ね合わせた状態のまま、各基板同士を６ＭＰａで加圧し、１５分間維持して接合体を得た。
【０２０４】
（実施例１５）
まず、前記実施例１と同様の単結晶シリコン基板とガラス基板との双方を図５に示す成膜装置２００のチャンバー２１１内に収納し、酸素プラズマによる表面処理を行った。
次に、単結晶シリコン基板およびガラス基板の表面処理を行った面に、それぞれ、第１の有機金属材料をＣｕ（ＤＰＭ）２、第２の有機金属材料をＡｌ（ＤＰＭ）３とし、ＭＯＣＶＤ法を用いて、平均厚さ１００ｎｍの第１の接合膜および第２の接合膜を成膜した。なお、成膜条件は以下に示す通りである。
【０２０５】
＜成膜条件＞
・チャンバー内の雰囲気            ：窒素ガス  ＋  水素ガス
・第１の有機金属材料（原材料）          ：Ｃｕ（ＤＰＭ）２
・霧化した第１の有機金属材料の流量      ：２ｓｃｃｍ
・第２の有機金属材料（原材料）          ：Ａｌ（ＤＰＭ）２
・霧化した第２の有機金属材料の流量      ：１ｓｃｃｍ
・キャリアガス                    ：窒素ガス
・キャリアガスの流量              ：２５０ｓｃｃｍ
・水素ガスの流量                  ：０．２ｓｃｃｍ
・成膜時のチャンバー内の圧力      ：１×１０−３Ｔｏｒｒ
・基板ホルダーの温度              ：２００℃
・処理時間                        ：１０分
【０２０６】
以上のようにして成膜された第１の接合膜および第２の接合膜は、第１の金属原子および第２の金属原子としてそれぞれ銅原子およびアルミニウム原子を含み、脱離基として、Ｃｕ（ＤＰＭ）２およびＡｌ（ＤＰＭ）３に含まれる有機物の一部が残存しているものである。
これにより、単結晶シリコン基板上に第１の接合膜が形成された第１の接合膜付き基材と、ガラス基板上に第２の接合膜が形成された第２の接合膜付き基材とを得た。
【０２０７】
次に、得られた第１の接合膜および第２の接合膜にそれぞれ前記実施例１と同様の条件で紫外線を照射した。
次に、紫外線を照射してから１分後に、各接合膜の紫外線を照射した面同士が接触するように、単結晶シリコン基板とガラス基板とを重ね合わせた状態で、各基板同士を５ＭＰａで加圧し、１５分間維持して接合体を得た。
【０２０８】
（実施例１６）
各基板同士を加圧する際の圧力を５ＭＰａから２ＭＰａに変更した以外は、前記実施例１５と同様にして接合体を得た。
（実施例１７〜２７）
第１の基板の構成材料および第２の基板の構成材料を、それぞれ表２に示す材料に変更した以外は、前記実施例１５と同様にして接合体を得た。
【０２０９】
（実施例２８）
まず、前記実施例１５と同様にして、単結晶シリコン基板とガラス基板（第１の基板および第２の基板）を用意し、それぞれに酸素プラズマによる表面処理を行った。
次に、シリコン基板およびガラス基板の表面処理を行った面に、前記実施例１５と同様にして、それぞれ、第１の接合膜および第２の接合膜を成膜した。これにより、第１の接合膜付き基材および第２の接合膜付き基材を得た。
次に、第１の接合膜付き基材の接合膜と、第２の接合膜付き基材の接合膜とが接触するように、第１の接合膜付き基材と第２の接合膜付き基材とを重ね合わせた。
【０２１０】
そして、重ね合わせた各基板に対して、以下に示す条件で紫外線を照射した。
＜紫外線照射条件＞
・雰囲気ガスの組成  ：窒素ガス
・雰囲気ガスの温度  ：２５℃
・雰囲気ガスの圧力  ：大気圧（１００ｋＰａ）
・紫外線の波長      ：１７２ｎｍ
・紫外線の照射時間  ：１５分
紫外線照射後に、単結晶シリコン基板とガラス基板とを重ね合わせた状態のまま、各基板同士を３ＭＰａで加圧し、１５分間維持して接合体を得た。
【０２１１】
（実施例２９）
まず、前記実施例１と同様にして、単結晶シリコン基板とガラス基板（第１の基板および第２の基板）を用意し、それぞれに酸素プラズマによる表面処理を行った。
次に、シリコン基板の表面処理を行った面に、前記実施例１と同様にして第１の接合膜を成膜した。これにより、第１の接合膜付き基材を得た。
【０２１２】
また、ガラス基板の表面処理を行った面に、前記実施例１と同様にして第２の接合膜を成膜した。これにより、第２の接合膜付き基材を得た。
次に、単結晶シリコン基板およびガラス基板上に得られた各接合膜に、それぞれ以下に示す条件で紫外線を照射した。なお、紫外線を照射した領域は、単結晶シリコン基板に形成した第１の接合膜の表面全体と、ガラス基板に形成した第２の接合膜の表面のうち、周縁部の幅３ｍｍの枠状の領域とした。
【０２１３】
＜紫外線照射条件＞
・雰囲気ガスの組成  ：窒素ガス
・雰囲気ガスの温度  ：２５℃
・雰囲気ガスの圧力  ：大気圧（１００ｋＰａ）
・紫外線の波長      ：１７２ｎｍ
・紫外線の照射時間  ：１５分
次に、紫外線を照射してから１分後に、各接合膜の紫外線を照射した面同士が接触するように、単結晶シリコン基板とガラス基板とを重ね合わせた状態で、各基板同士を１０ＭＰａで加圧し、１５分間維持して接合体を得た。
【０２１４】
（実施例３０）
各基板同士を加圧する際の圧力を１０ＭＰａから４ＭＰａに変更した以外は、前記実施例１と同様にして接合体を得た。
（実施例３１〜３６）
第１の基板の構成材料および第２の基板の構成材料を、それぞれ表３に示す材料に変更した以外は、前記実施例２９と同様にして接合体を得た。
【０２１５】
（参考例１）
単結晶シリコン基板およびガラス基板上に、第１の接合膜および第２の接合膜を成膜する際に、第２の有機金属材料の供給を省略して、Ｃｕ（ＤＰＭ）２を原材料とする第１の接合膜および第２の接合膜を形成したこと以外は、前記実施例１と同様にして接合体を得た。
（参考例２、３）
第１の基板の構成材料および第２の基板の構成材料を、それぞれ表１に示す材料とした以外は、前記参考例１と同様にして接合体を得た。
【０２１６】
（比較例１〜３）
第１の基板の構成材料および第２の基板の構成材料を、それぞれ表２に示す材料とし、各基材間をエポキシ系接着剤で接着した以外は、前記実施例１と同様にして、接合体を得た。
（比較例４〜６）
第１の基板の構成材料および第２の基板の構成材料を、それぞれ表２に示す材料とし、各基材間をＡｇペーストで接着した以外は、前記実施例１と同様にして、接合体を得た。
（比較例７〜９）
第１の基板の構成材料および第２の基板の構成材料を、それぞれ表３に示す材料とし、各基材間を、周縁部の幅３ｍｍの枠状の領域において、エポキシ系接着剤で部分的に接着した以外は、前記実施例１と同様にして、接合体を得た。
【０２１７】
２．接合体の評価
２．１  接合強度（割裂強度）の評価
各実施例１〜２８、各参考例１〜３および各比較例１〜６で得られた接合体について、それぞれ接合強度を測定した。
接合強度の測定は、各基材を引き剥がしたとき、剥がれる直前の強度を測定することにより行った。そして、接合強度を以下の基準にしたがって評価した。
【０２１８】
＜接合強度の評価基準＞
◎：１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）以上
○：  ５ＭＰａ（  ５０ｋｇｆ／ｃｍ２）以上、１０ＭＰａ（１００ｋｇｆ／ｃｍ２）未満
△：  １ＭＰａ（  １０ｋｇｆ／ｃｍ２）以上、  ５ＭＰａ（  ５０ｋｇｆ／ｃｍ２）未満
×：  １ＭＰａ（  １０ｋｇｆ／ｃｍ２）未満
【０２１９】
２．２  寸法精度の評価
各実施例、各参考例および各比較例で得られた接合体について、それぞれ厚さ方向の寸法精度を測定した。
寸法精度の測定は、正方形の接合体の各角部の厚さを測定し、４箇所の厚さの最大値と最小値の差を算出することにより行った。そして、この差を以下の基準にしたがって評価した。
＜寸法精度の評価基準＞
○：１０μｍ未満
×：１０μｍ以上
【０２２０】
２．３  耐薬品性の評価
各実施例、各参考例および各比較例で得られた接合体を、８０℃に維持したインクジェットプリンタ用インク（エプソン社製、「ＨＱ４」）に３週間浸漬した。その後、各基材を引き剥がし、接合界面にインクが浸入していないかを確認した。そして、その結果を以下の基準にしたがって評価した。
【０２２１】
＜耐薬品性の評価基準＞
◎：全く浸入していない
○：角部にわずかに浸入している
△：縁部に沿って浸入している
×：内側に浸入している
【０２２２】
２．４  抵抗率の評価
各実施例１２、１３、２６、２７および各比較例５、６で得られた積層体について、それぞれ接合部分の抵抗率を測定した。そして、測定した抵抗率を以下の基準にしたがって評価した。
＜抵抗率の評価基準＞
○：１×１０−３Ω・ｃｍ未満
×：１×１０−３Ω・ｃｍ以上
【０２２３】
２．５  形状変化の評価
各実施例２９〜３６および各比較例７〜９で得られた接合体について、それぞれの接合体の接合前後における形状変化を測定した。
具体的には、接合体の反り量を、接合前後で測定し、以下の基準にしたがって評価した。
【０２２４】
＜反り量の評価基準＞
◎：接合前後で反り量がほとんど変化しなかった
○：接合前後で反り量がわずかに変化した
△：接合前後で反り量がやや大きく変化した
×：接合前後で反り量が大きく変化した
以上、２．１〜２．５の各評価結果を表１〜表３に示す。
【０２２５】
【表１】
2010029871.tif 000003
【０２２６】
【表２】
2010029871.tif 000004
【０２２７】
【表３】
2010029871.tif 000005
【０２２８】
表１〜３から明らかなように、各実施例で得られた接合体は、接合強度、寸法精度、耐薬品性および抵抗率のいずれの項目においても優れた特性を示した。
一方、比較例１〜６および参考例１〜３で得られた接合体（接合体）は、接合強度が各実施例より劣っていた。
また、比較例１〜６で得られた接合体は、耐薬品性が十分ではなかった。また、寸法精度は、特に低いことが認められた。さらに、比較例５、６で得られた接合体は、抵抗率が、高いものであった。
また、各実施例で得られた接合体は、各比較例で得られた接合体よりも反り量の変化が小さかった。
【図面の簡単な説明】
【０２２９】
【図１】本発明の接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図２】本発明の接合方法の第１実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図３】本発明の接合方法において、接合膜のエネルギー付与前の状態を示す部分拡大図である。
【図４】本発明の接合方法において、接合膜のエネルギー付与後の状態を示す部分拡大図である。
【図５】本発明の接合方法に用いられる成膜装置を模式的に示す縦断面図である。
【図６】本発明の接合方法の第２実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図７】本発明の接合方法の第３実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図８】本発明の接合方法の第４実施形態を説明するための図（縦断面図）である。
【図９】本発明の接合体を適用して得られたインクジェット式記録ヘッド（液滴吐出ヘッド）を示す分解斜視図である。
【図１０】図９に示すインクジェット式記録ヘッドの主要部の構成を示す断面図である。
【図１１】図９に示すインクジェット式記録ヘッドを備えるインクジェットプリンタの実施形態を示す概略図である。
【図１２】本発明の接合体を適用して得られた配線基板を示す斜視図である。
【符号の説明】
【０２３０】
１１……第１の接合膜付き基材  １２……第２の接合膜付き基材  ２１……第１の基板  ２２……第２の基板  ２５１、２５２……上面  ３１……第１の接合膜  ３２……第２の接合膜  ３０３……脱離基  ３０４……活性手  ３ｃ……間隙  ３５１、３５２……表面  ３５０……所定領域  ５、５ａ、５ｂ……接合体  ５１……積層体  ６……マスク  ２００……成膜装置  ２１１……チャンバー  ２１２……基板ホルダー  ２２１……シャッター  ２３０……排気手段  ２３１……排気ライン  ２３２……ポンプ  ２３３……バルブ  ２６０……有機金属材料供給手段  ２６１ａ……第１のガス供給ライン  ２６１ｂ……第２のガス供給ライン  ２６１ｃ……第３のガス供給ライン  ２６２ａ……第１の貯留槽  ２６２ｂ……第２の貯留槽  ２６３……バルブ  ２６４ａ、２６４ｂ……ポンプ  ２６５ａ、２６５ｂ……ガスボンベ  ２６６……混合装置  ２７０……ガス供給手段  ２７１……ガス供給ライン  ２７３……バルブ  ２７４……ポンプ  ２７５……ガスボンベ  １０……インクジェット式記録ヘッド  １１０……ノズル板  １１１……ノズル孔  １１４……被膜  １２０……インク室基板  １２１……インク室  １２２……側壁  １２３……リザーバ室  １２４……供給口  １３……振動板  １３１……連通孔  １４……圧電素子  １４１……上部電極  １４２……下部電極  １４３……圧電体層  １６……基体  １６１……凹部  １６２……段差  １７……ヘッド本体  ９……インクジェットプリンタ  ９２……装置本体  ９２１……トレイ  ９２２……排紙口  ９３……ヘッドユニット  ９３１……インクカートリッジ  ９３２……キャリッジ  ９４……印刷装置  ９４１……キャリッジモータ  ９４２……往復動機構  ９４３……キャリッジガイド軸  ９４４……タイミングベルト  ９５……給紙装置  ９５１……給紙モータ  ９５２……給紙ローラ  ９５２ａ……従動ローラ  ９５２ｂ……駆動ローラ  ９６……制御部  ９７……操作パネル  Ｐ……記録用紙  ４１０……配線基板  ４１２……電極  ４１３……絶縁基板  ４１４……リード  ４１５……電極  Ｍ１……第１の金属原子、Ｍ２……第２の金属原子
【図１】
2010029871.tif 000006
【図２】
2010029871.tif 000007
【図３】
2010029871.tif 000008
【図４】
2010029871.tif 000009
【図５】
2010029871.tif 000010
【図６】
2010029871.tif 000011
【図７】
2010029871.tif 000012
【図８】
2010029871.tif 000013
【図９】
2010029871.tif 000014
【図１０】
2010029871.tif 000015
【図１１】
2010029871.tif 000016
【図１２】
2010029871.tif 000017