(57)【要約】【課題】熱伝導によるＱ値の低下を防止することができる振動片及び発振器を提供する。【解決手段】本発明の振動片２０は、振動により圧縮応力又は引張り応力を受ける第１領域と、前記第１領域の圧縮応力又は引張り応力と相反する引張り応力又は圧縮応力を受ける第２領域を有する振動体を備え、前記振動体表面における前記第１領域と前記第２領域の間に前記振動体よりも熱伝導率の高い膜を少なくとも１層形成し、前記膜は、前記第１領域と前記第２領域の間で少なくとも１層が削除された凹部６０を形成したことを特徴としている。【選択図】図２
2010233204.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動により圧縮応力又は引張り応力を受ける第１領域と、前記第１領域の圧縮応力又は
引張り応力と相反する引張り応力又は圧縮応力を受ける第２領域を有する振動体を備え、
前記振動体表面における前記第１領域と前記第２領域の間に前記振動体よりも熱伝導率
の高い膜を少なくとも１層形成し、
前記膜は、前記第１領域と前記第２領域の間で少なくとも１層が削除された凹部を形成
したことを特徴とする振動片。
【請求項２】
前記振動体は溝部を備え、前記溝部に前記凹部を形成したことを特徴とする請求項１に
記載の振動片。
【請求項３】
前記振動体が屈曲振動をするものであることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載
の振動片。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の前記振動片を用いたことを特徴とする
発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に振動片および発振器の熱伝導によるＱ値の改善に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、振動片として１対の振動腕が互いに接近又は離反する向きに振動する音叉型の圧
電振動片が広く用いられている。このような音叉型振動片を屈曲振動させたとき、その振
動エネルギーに損失が生じると、ＣＩ値の増加やＱ値の低下などの振動子の性能を低下さ
せる原因となっていた。この振動エネルギーの損失の一因として熱伝導が考えられている
。
【０００３】
図８は圧電振動片の熱伝導の説明図である。図８において圧電振動片１は、連結部２か
ら延出する２本の平行な振動腕３，４を備えている。この状態で図示しない励振電極に所
定の電圧を印加すると、振動腕３，４は、互いに離反する振動状態のとき、斜線領域Ａに
示すように振動腕３，４の外側の根元付近で圧縮応力が作用する。一方、斜線領域Ｂに示
すように振動腕３，４の内側の根元付近では引張り応力が作用する。また振動腕３，４が
離反から接近の振動状態のときには、斜線領域Ａでは引張り応力が作用し、斜線領域Ｂで
は圧縮応力が作用する。圧縮応力が作用する領域は温度が上昇し、引張り応力が作用する
領域は温度が下降する。屈曲振動する振動腕の圧縮部と引張応力を受ける伸張部との間で
発生する熱伝導により、振動エネルギーの損失が生じる。このような熱伝導により生じる
Ｑ値の低下は、熱弾性損失と呼ばれている。
【０００４】
熱弾性損失によるＱ値低下を防止又は抑制するために、矩形断面を有する振動腕の中心
線上に溝又は孔を形成した音叉型の振動子が開示されている（例えば特許文献１）。
【０００５】
特許文献１によれば、一般に温度差を原因として生じる固体の内部摩擦の場合によく知
られた歪みと応力の関係式から、熱弾性損失は、屈曲振動モードの振動子において、振動
数が変化したときに、緩和振動数ｆｍ＝１／２πτ（ここでπは円周率、τは緩和時間）
でＱ値が極小となる、と説明されている。このＱ値と周波数との関係を一般的に表すと、
図９の曲線Ｆのようになる。同図において、Ｑ値が極小Ｑ０となる周波数が熱緩和周波数
ｆ０（＝１／２πτ）である。またｆ／ｆ０＝１を境にして周波数が高い領域（１＜ｆ／
ｆ０）が断熱的領域となり、周波数が低い領域（ｆ／ｆ０＜１）が等温的領域となる。
【０００６】
一方、基本波モード振動の周波数が高い周波数安定性を有し、Ｑ値が高い音叉形状の屈
曲振動子として図１０に示すような屈曲振動片がある。図１０は従来の屈曲振動片の構成
概略を示す図である。同図（１）は平面図を示し、（２）は（１）のＡ−Ａ線断面図を示
している。図示のように屈曲振動片１００は、音叉腕１０２と音叉腕基部１０４を備え、
音叉腕１０２の上下面に溝１０６を設け、この溝１０６の側面部に電極１１０，１１２を
配置している。また電極に対抗して音叉腕１０２の側面に極性の異なる電極１１４，１１
６を配置している（例えば特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】実開平２−３２２２９号公報
【特許文献２】特開２００５−３９７６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記特許文献２の溝を形成した構成によれば、図１０（２）に示すように音叉腕１０２
の圧縮領域と引張り領域間の熱伝達経路が溝１０６によって途中で狭められている。その
結果、圧縮領域と引張り領域間で温度が平衡状態になるまでの緩和時間τが長くなる。こ
れにより図９に示す断熱的領域では、溝１０６を形成することで、曲線Ｆ自体の形は変化
せず、緩和周波数の低下に伴って、曲線Ｆが曲線Ｆ１の位置まで周波数の低下方向にシフ
トしたことになる。このため矢印ａに示すようにＱ値が高くなる。ところが、電極を形成
すると、曲線Ｆが曲線Ｆ２の位置までシフトし、矢印ｂに示すようにＱ値が低下してしま
う。この原因として、電極が熱伝達経路を形成することが考えられる。すなわち電極材料
のように導電性を有する材料は熱伝導率が大きい。導電性材料では金属のフォノンのほか
に電子が熱エネルギーを運搬する。図１０（２）の矢印に示すように、熱伝導が水晶材料
に加えて、電極を介しても行なわれるため、緩和時間τが早くなり、緩和周波数の上昇に
伴って、曲線Ｆが曲線Ｆ２の位置まで周波数の上昇方向にシフトしたと考えられる。
【０００９】
そこで本発明は、上記従来技術の問題点を解決するため、熱伝導によるＱ値の低下を防
止することができる振動片および、これを実装した発振器を提供することを目的としてい
る。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上記の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の
形態又は適用例として実現することが可能である。
〔適用例１〕振動により圧縮応力又は引張り応力を受ける第１領域と、前記第１領域の圧
縮応力又は引張り応力と相反する引張り応力又は圧縮応力を受ける第２領域を有する振動
体を備え、前記振動体表面における前記第１領域と前記第２領域の間に前記振動体よりも
熱伝導率の高い膜を少なくとも１層形成し、前記膜は、前記第１領域と前記第２領域の間
で少なくとも１層が削除された凹部を形成したことを特徴とする振動片。
【００１１】
これによれば、振動による圧縮応力又は引張り応力を交互に受ける第１及び第２の領域
の間で振動体表面に形成した膜の一部が削除されるので、圧縮領域と引張り領域の熱伝達
経路が制限されて緩和時間が長くなり、緩和周波数が低下する。このため、熱伝導に起因
するＱ値の低下を防止して高くすることができる。
【００１２】
〔適用例２〕前記振動体は溝部を備え、前記溝部に前記凹部を形成したことを特徴とする
適用例１に記載の振動片。
溝部を形成することにより圧縮領域と引張り領域で温度が平衡状態になるまでの緩和時
間が長くなり、緩和周波数が低下して熱伝導に起因するＱ値の低下を防止して高くするこ
とができる。
【００１３】
〔適用例３〕前記振動体が屈曲振動をするものであることを特徴とする適用例１又は適用
例２に記載の振動片。
これにより屈曲振動により生じる圧縮応力又は引張り応力に伴う熱伝導によるＱ値の低
下を防止して高くすることができる。
【００１４】
〔適用例４〕適用例１ないし適用例３のいずれか１に記載の前記振動片を用いたことを特
徴とする発振器。
これにより上記記載の振動片を備え、熱伝導によるＱ値の低下が改善された発振器を得
ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１実施形態の振動片の構成概略を示す図である。
【図２】振動片のＡ−Ａ線断面図である
【図３】膜材料の熱伝導率を示す図である。
【図４】第２実施形態の振動片の特徴部分を示す断面図である。
【図５】第３実施形態の振動片の特徴部分を示す平面図である。
【図６】第４実施形態の振動片の特徴部分を示す断面図である。
【図７】本発明の振動片を実装した発振器を示す図である。
【図８】圧電振動片の熱伝導の説明図である。
【図９】緩和周波数とＱ値の極小値との関係を示す図である。
【図１０】従来の屈曲振動片の構成概略を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明の振動片および発振器を添付の図面を参照しながら以下詳細に説明する。なお本
実施形態の振動片は、音叉型圧電振動片を用いて以下説明するが、振動片はこれに限らず
、振動によって温度上昇部分と温度低下部分が対向するように発生するものであればよい
。即ち、振動片は圧電体に限られるものではなく、また振動モードも屈曲振動に限るもの
ではない。図１は第１実施形態の振動片の構成概略を示す図である。図２は図１のＡ−Ａ
線断面図である。
【００１７】
振動片２０は、図示のように、基部２２と、基部２２から延びる一対の振動腕２４と、
一対の支持腕３２を備えている。ここで本実施形態では振動片２０の材料として水晶を用
いている。振動片２０は水晶以外にもタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、チタン酸
ジルコン酸鉛等の圧電材料、シリコン半導体などの半導体材料、またはその他絶縁体材料
などを適用することが可能である。
【００１８】
振動体となる振動腕２４は、基部２２に接続される根元部において、基部側に向けて幅
を拡げてあり、広い幅で基部２２に接続するので剛性が高くなっている。図２に示すよう
に振動腕２４には、第１及び第２の面のそれぞれに長手方向に溝部となる長溝３０が形成
されている。この長溝３０によって熱弾性損失が低減し、効率的に振動することとなり、
さらには電界効率の向上（即ち励振効率の向上）によってＣＩ値を下げることができる。
【００１９】
支持腕３２は、基部２２から一対の振動腕２４の伸びる方向とは交差方向（例えば垂直
方向）であってそれぞれ相互に反対方向に延び、一対の振動腕２４の延びる方向に屈曲し
てさらに延びている。屈曲することで、支持腕３２は小型化される。支持腕３２は図示し
ないパッケージなどに取り付けられる部分であり、支持腕３２での取り付けによって振動
腕２４及び基部２２はパッケージ内で浮いた状態となる。なお本実施形態では、支持腕３
２が２本の振動腕２４を挟むように両脇に配置されているが、支持腕３２が振動腕２４の
間に少なくとも１本配置されている形態であってもよい。
【００２０】
基部２２には、相互に対向方向に一対の切り込み３８が形成されている。一対の切り込
み３８は、基部２２の、支持腕３２が接続する部分よりも振動腕２４に近い位置に形成さ
れている。切り込み３８によって振動腕２４の振動の伝達の多くが相殺されるので、振動
が基部２２や支持腕３２を介して外部に伝達すること（振動漏れ）を抑制し、ＣＩ値の上
昇を防止することができる。
【００２１】
振動片２０上には電極４０が形成されている。電極４０は、第１及び第２の電極４２，
４４を含む。第１及び第２の電極４２，４４は、異なる電位に接続するために、電気的に
分離されている。電極４０は、一例として、圧電体との密着性の高い下地層（例えばＣｒ
層）と、その上の電気抵抗が低く酸化しにくい層（例えばＡｕ層）の２層で形成している
。
【００２２】
図３は振動片に形成する膜材料の熱伝導率を示す図である。ここで振動片２０に形成す
る膜は電極４０のほかにも、保護膜、調整膜、駆動材料などを形成する場合がある。
【００２３】
本発明の膜材料は、振動体の材料となる水晶（結晶Ｘ軸方向又は結晶Ｙ軸方向における
熱伝導）；６．２Ｗｍ−１Ｋ−１，水晶（結晶Ｚ軸方向における熱伝導）；１０．４Ｗｍ
−１Ｋ−１よりも高い材料を用いている。膜材料は一例として、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃ（
ダイヤモンド）、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｐｔ、ＡＩＮ、ＺｎＯなどを用
いることができる。また振動片２０の表面に皮膜する膜を複数積層する場合には、下層よ
りも上層の熱伝導率が高くなるように形成している。なお振動体の材料として水晶以外の
ものを用いる場合には、その材料よりも熱伝導率の高い材料を膜材料として用いている。
【００２４】
１つの振動腕２４の長溝３０内（内側面及び底面）には第１の励振電極４６が形成され
ている。具体的には、１つの振動腕２４の第１及び第２の面（表面又は裏面）に形成され
た長溝３０にそれぞれ、一対の第１の励振電極４６が背中合わせに形成されている。第１
の面の長溝３０に形成された第１の励振電極４６は第１の面上に至るように形成されても
よい。第２の面の長溝３０に形成された第１の励振電極４６は第２の面上に至るように形
成されてもよい。一対の第１の励振電極４６は電気的に接続されている。一方の振動腕２
４に形成された一対の第１の励振電極４６の電気的接続は、他方の振動腕２４の第２の励
振電極４８によって図られる。
【００２５】
また１つの振動腕２４の側面には第２の励振電極４８が形成されている。具体的には、
振動腕２４の第１及び第２の面に接続される厚み方向の面であって、反対方向を向く両側
面に、それぞれ、一対の第２の励振電極４８が背中合わせに形成されている。それぞれの
第２の励振電極４８は、第１及び第２の面の少なくとも一方（あるいは両方）上に至るよ
うに形成されてもよい。一対の第２の励振電極４８は、振動腕２４の長溝３０が形成され
ていない部分（例えば先端部）において、第１及び第２の面の少なくとも一方（あるいは
両方）上に形成された接続電極５０によって電気的に接続されている。
【００２６】
一方の振動腕２４に形成された第１の励振電極４６と、他方の振動腕２４に形成された
第２の励振電極４８とは基部２２上の引き出し電極５２で電気的に接続されている。引き
出し電極５２は、第２の励振電極４８が形成される振動腕２４の隣に並ぶ支持腕３２上に
至るまで形成されている。引き出し電極５２は、支持腕３２の第１及び第２の面（あるい
はさらに側面）に形成してもよい。支持腕３２上で、引き出し電極５２を外部との電気的
接続部分にすることができる。電気的に接続された第１の励振電極４６、第２の励振電極
４８、接続電極５０、及び引き出し電極５２によって、第１及び第２の励振電極４６，４
８のそれぞれが構成される。１つの振動腕２４において、第１及び第２の電極４２，４４
のそれぞれが構成される。１つの振動腕２４において、第１及び第２の励振電極４６，４
８間に電圧を印加して、振動腕２４の側面を伸縮されることで振動２４を振動させる。
【００２７】
本実施形態の長溝３０に形成した膜となる第１の励振電極４６は、前述のように下層の
Ｃｒと上層のＡｕの積層構造である。この第１の励振電極４６は、図２に示すように上層
のＡｕ膜を平面視して底面部分を削除した凹部６０を形成している。この凹部６０は、図
１では長溝３０に沿って形成しているが、少なくとも圧縮領域又は引張り領域の間、すな
わち振動腕２４の根元部に形成するとよい。また振動片２０に皮膜する膜を２層以上積層
させた構造の場合、上層の熱伝導率の高い材料を削除するようにしている。
【００２８】
なお本発明の振動片２０は、熱弾性損失が断熱的領域、すなわち振動体の機械的な共振
周波数ｆｒを振動体単体での熱緩和周波数ｆ０で除した値ｆｒ／ｆ０が、１＜ｆｒ／ｆ０
の関係を満たす高周波数の領域を対象としている。ここで振動体単体とは、電極等の金属
膜などを一切配置していない振動体である。例えば振動体の材料として水晶を用いる場合
には、水晶以外の材料が一切配置されていない状態の振動体をいう。
【００２９】
なお一般的に、熱緩和振動数ｆｍは、下式で求まることが知られている。
【数１】
2010233204.tif 000003
ここで、πは円周率、ｋは振動腕の振動方向の熱伝導率、ρは振動腕の質量密度、ＣＰ
は振動腕の熱容量、ａは振動腕の振動方向の幅である。
【００３０】
数式１の熱伝導率ｋ、質量密度ρ、熱容量ＣＰに振動腕の材料そのものの定数を入力し
た場合、求まる熱緩和振動数ｆｍは振動腕に溝を設けていない場合の熱緩和振動数となる
。
【００３１】
上記構成による本発明の振動片２０は、励振電極をパッケージの接続電極５０と電気的
に接続して固定する。この状態で励振電極に所定の電圧を印加すると、振動腕２４は互い
に接近又は離反する向きに屈曲振動する。即ち振動により振動体となる振動腕２４は、圧
縮応力又は引張り応力を受ける第１領域と、この第１領域の圧縮応力又は引張り応力に相
反する引張り領域又は圧縮領域を受ける第２領域を有している。
【００３２】
この屈曲振動によって、振動腕２４の根元部で圧縮応力と引張り応力が発生する。振動
腕２４が互いに接近する向きに屈曲すると、根元部に内側（例えば第１領域）では、圧縮
応力が作用し、外側（例えば第２領域）では引張り応力が作用する。この機械的歪みによ
って、圧縮応力を受けた部分は温度が上昇し、引張り応力を受けた部分は温度が低下する
。一方、振動腕２４が互いに離反する向きに屈曲すると、根元部の内側では、引張り応力
が作用して温度が低下し、外側では圧縮応力が作用して温度が上昇する。このように振動
腕２４の根元部分では、内側と外側で温度勾配が生じ、その傾斜は、振動腕２４が互いに
接近又は離反する向きによって逆向きになる。
【００３３】
ここで図２に示すように、温度勾配による熱が圧縮領域から長溝３０を通って引張り領
域へと伝達される。このとき圧縮領域と引張り領域の熱伝達経路が長溝３０によって途中
で狭められている。その結果、圧縮領域と引張り領域で温度が平衡状態になるまでの緩和
時間τは、長溝３０がない構造の緩和時間τ０よりも長くなる。これは図中破線で示すよ
うに、振動腕２４の幅方向に沿って長溝３０の幅Ｔをみかけ上Ｔ１まで長くしたのと等価
と考えることができるからである。加えて本実施形態の長溝３０に形成した膜となる第１
の励振電極４６は、上層のＡｕに凹部６０を形成しているため、熱伝導率の高いＡｕを経
由する熱伝達経路が遮断されている。このように緩和時間が長くなると、ｆｍ＝１／２π
τの関係式より、緩和周波数は低くなる。
【００３４】
これを図９に示す周波数とＱ値の関係で見ると、曲線Ｆ自体の形状は変わらないが、緩
和周波数の低下に伴って、曲線Ｆが曲線Ｆ１方向（周波数の低下方向）へシフトしたこと
になる。従って、所望の使用周波数が断熱的領域である場合には、Ｑ値は常に、従来構造
における極小値Ｑ０よりも高くなる。このように本実施形態の振動片２０は、圧縮領域（
第１又は第２領域）と引張り領域（第２又は第１領域）の間の長溝３０の電極に凹部６０
を設けることによって、Ｑ値を高く設定し、高性能化を図ることができる。
【００３５】
図４は、第２実施形態の振動片の特徴部分の断面図である。図示のように第２実施形態
の振動腕２４は、長溝３０の底面を露出させた凹部６０ａを形成している。具体的には、
長溝３０に第１の励振電極４６、すなわち下層に圧電体と密着性の高いＣｒ層を形成して
、上層に電気抵抗が低く酸化し難いＡｕ層を形成する際に、長溝３０の底面に電極を形成
しないように一部除去した凹部６０ａを形成する。これにより長溝３０の底面から振動腕
２４を露出させている。なお凹部６０ａは、長溝３０に沿って形成してもよく、または少
なくとも圧縮領域又は引張り領域の間、すなわち振動腕２４の根元部に形成するとよい。
【００３６】
このような第２実施形態の振動片によれば、振動体の材料よりも熱伝導率の高い膜に凹
部を設け、膜部分の圧縮領域と引張り領域の熱伝達経路を遮断し、長溝３０のみを熱伝達
経路としている。従って図１，２に示す振動片と同様に、緩和時間が長くなり、緩和周波
数が低くなってＱ値を高くすることができる。
【００３７】
図５は、第３実施形態の振動片の特徴部分を示す平面図である。図示のように第３実施
形態の振動腕２４と第１実施形態の振動腕との構成上の相違は、長溝３０に形成した膜と
なる第１の励振電極の先端部６２に凹部を形成しない点である。その他の構成は第１実施
形態の振動片２０と同一である。
【００３８】
第３実施形態の振動片は、振動腕２４の長溝３０の先端部６２の底面に膜となる第１の
励振電極４６を形成し、長溝３０の先端部６２と根元部６１を除く底面に凹部６０を形成
している。これにより長溝３０を平面視すると、先端部６２と根元部６１の間で囲まれた
部分が凹部６０となる。
なお、第３実施形態の振動腕に第２実施形態の凹部６０ａを適用する構成とすることも
できる。
【００３９】
このような第３実施形態の振動片によれば、振動腕２４の凹部６０により、緩和時間を
長くすることができる。また長溝３０の先端部に凹部６０を形成せず、電極を形成するこ
とにより、電気的導通を図ることができ、オーミックロス（抵抗損）を低減することがで
きる。
【００４０】
図６は第４実施形態の振動片の特徴部分を示す断面図である。図示のように第４実施形
態の振動片は振動腕２４ａに長溝を形成していない。
同図（１）の振動腕２４ａは、振動体表面に膜となる第１の励振電極４６を形成する際
、第１実施形態の振動片と同様に、上層のＡｕ層に凹部６０を設けている。
【００４１】
また同図（２）の振動片２４ａは、振動体表面に膜となる第１の励振電極４６を形成す
る際、第２実施形態の振動片と同様に、上下層を削除した凹部６０ａを設けている。
なお第４実施形態の凹部は、少なくとも圧縮領域又は引張り領域の間、すなわち振動腕
２４ａの根元部に形成するとよい。
【００４２】
このような第４実施形態の振動片によれば、振動体の材料よりも熱伝導率の高い膜に凹
部を設け、膜部分の圧縮領域と引張り領域の熱伝達経路を遮断し、長溝３０のみを熱伝達
経路としている。従って図１，２に示す振動片と同様に、緩和時間が長くなり、緩和周波
数が低くなってＱ値を高くすることができる。
図７は本発明の振動片を実装した発振器を示す図である。
【００４３】
本実施形態に係る発振器２００は、上述した振動片２０と、ＩＣ素子２１２と、ＩＣ素
子２１２及び振動片２０を収容するパッケージ２１０、およびパッケージ２１０の開口部
を封止するリッド２２０とを主な構成要素としている。
【００４４】
パッケージ２１０は、セラミックグリーンシート等を積層して焼成した箱体であり、凹
状に形成されたキャビティ内部には、振動片２０を実装するための内部実装電極２１４が
形成されている。パッケージ２１０の外部には、底面に、外部実装端子が形成されている
。外部実装端子は、図示しないスルーホール等を介して、内部実装電極２１４と電気的に
接続されている。
リッド２２０は、パッケージ２１０の上面開口部を封止するものである。構成部材とし
ては、金属またはガラスを用いることができる。
【００４５】
上記のような構成のパッケージ２１０に対し、ＩＣ素子２１２と、振動片２０を実装す
る。ＩＣ素子２１２の実装にはワイヤボンディングを用い、振動片２０の実装には、導電
性接着剤２１６を用いる。ＩＣ素子２１２、振動片２０を実装したパッケージ２１０の開
口部を封止する際、リッド２２０は接合部材を介して接合される。
このような構成の発振器は、熱伝導によるＱ値の低下が改善された発振器とすることが
できる。
【符号の説明】
【００４６】
１………屈曲振動片、２………連結部、３………振動腕、４………振動腕、２０………振
動片、２２………基部、２４………振動腕、３０………長溝、３２………支持腕、４０…
……電極、４２………第１の電極、４４………第２の電極、４６………第１の励振電極、
４８………第２の励振電極、５０………接続電極、５２………引き回し電極、６０………
凹部、６１………根元部、６２………先端部、１００………屈曲振動片、１０２………音
叉腕、１０４………音叉腕基部、１０６………溝、１１０………電極、１１２………電極
、１１４………電極、１１６………電極、２００………発振器、２１０………パッケージ
、２１２………ＩＣ素子、２１４………内部実装電極、２１６………導電性接着剤、２２
０………リッド。
【図１】
2010233204.tif 000004
【図２】
2010233204.tif 000005
【図３】
2010233204.tif 000006
【図４】
2010233204.tif 000007
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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