(57)【要約】      （修正有）【課題】従来の半導体装置の外壁と基板の凹部の内壁との間の隙間の底部に封止用樹脂が挿入しない空隙発生の発生を防止し、加熱硬化時の樹脂封止部の破壊等による樹脂封止効果を低下させないようにする。【解決手段】半導体装置１を覆う第１封止用樹脂部５を配置した後、第１脱泡工程と、マスク６の表面側から第２封止用樹脂部７を配置しマスク６表面に沿ってスキージ８を移動し、半導体装置１の表面および半導体装置１外壁１ｂと凹部２ａの内壁２ｃとの隙間９底部とに樹脂封止部３を充填する第２封止用樹脂部配置工程と、第２脱泡工程とを行う。このため、隙間９の底部まで樹脂封止部３を充填し気体を除去しているので加熱硬化工程によっても樹脂封止部３を破壊させることがなく良好な封止効果をもたらす。【選択図】図２
2010157631.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の凹部に配置された電子装置の樹脂封止部の形成方法であって、
前記基板の凹部に電子装置を配置する電子装置の配置工程と、
前記電子装置のほぼ表面を覆うように第１封止用樹脂部を配置する第１封止用樹脂部配置工程と、
前記第１封止用樹脂部を脱泡する第１脱泡工程と、
前記第１封止用樹脂部の外縁より大きな寸法に形成された開口部を有し前記開口部が前記第１封止用樹脂部の外縁を囲むように前記基板上の所定位置に配置されたマスクの表面側であって、前記第１封止用樹脂部の近傍位置に第２封止用樹脂部を配置する第２封止用樹脂部配置工程と、
前記第２封止用樹脂部の側方から前記マスク表面に沿ってスキージを移動して前記マスク表面より突出する少なくとも前記第２封止用樹脂部を除去し、前記電子装置の表面を樹脂封止するとともに前記凹部の内壁と前記電子装置の外壁との間の隙間を樹脂封止する樹脂封止部を構成する樹脂封止部構成工程と、
前記樹脂封止部の脱泡を行う第２脱泡工程と、
前記樹脂封止部の硬化を行う樹脂封止部硬化工程と、
を備えたことを特徴とする電子装置の樹脂封止部の形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の電子装置の樹脂封止部の形成方法であって、
前記第１脱泡工程の直後に、前記マスクを前記基板上の所定位置に配置するマスク配置工程を有すること
を特徴とする電子装置の樹脂封止部の形成方法。
【請求項３】
請求項１乃至請求項２のいずれか１項に記載の電子装置の樹脂封止部の形成方法であって、
前記第１封止用樹脂部配置工程の前に、
前記電子装置の電極と前記基板の導電リードとをワイヤーで接続するワイヤーボンディング工程を備え、
前記樹脂封止部構成工程で構成された前記樹脂封止部は、前記ワイヤーを封止していること
を特徴とする電子装置の樹脂封止部の形成方法。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の電子装置の樹脂封止部の形成方法であって、
前記樹脂封止部構成工程は、前記第１封止用樹脂部配置工程で配置された前記第１封止用樹脂部が硬化する前に行われることを
を特徴とする電子装置の樹脂封止部の形成方法。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電子装置の樹脂封止部の形成方法であって、
前記第１封止用樹脂部配置工程で配置される第１封止用樹脂部の外縁は、前記マスクが前記基板の所定位置に配置された際の前記開口部の内端よりも前記開口部の中央側に形成されていること
を特徴とする電子装置の樹脂封止部の形成方法。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の電子装置の樹脂封止部の形成方法であって、
前記第２封止用樹脂部は、前記第１封止用樹脂部と同一の材料であること
を特徴とする電子装置の樹脂封止部の形成方法。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の電子装置の樹脂封止部の形成方法であって、
前記第２脱泡工程の脱泡時間は、前記第１脱泡工程の脱泡時間よりも短いこと
を特徴とする電子装置の樹脂封止部の形成方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の電子装置の樹脂封止部の形成方法であって、
前記基板の凹部の内壁と前記電子装置の外壁との隙間は、前記電子装置の高さより小さく構成されていること
を特徴とする電子装置の樹脂封止部の形成方法。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の電子装置の樹脂封止部の形成方法であって、
前記基板は、前記凹部を形成するための凹部形成用開口部を有した基板本体と、前記基板本体の裏面に接合された放熱板とを備え、
前記凹部は、前記基板本体の前記凹部形成用開口部と前記放熱板とにより形成されており、前記電子装置は平面視で前記凹部形成用開口部の内側に配置されて前記放熱板上に固定されていること
を特徴とする電子装置の樹脂封止部の形成方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の電子装置の樹脂封止部の形成方法により前記樹脂封止部が形成されていること
を特徴とする電子装置体。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電子装置体であって、
前記基板の表面に露出形成された外部接続用導電部に導電ボールが導電設置されていること
を特徴とする電子装置体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置の封止樹脂部の形成方法、およびその形成方法により得られる電子装置体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＩＣ、ＬＳＩなどの電子装置を回路基板などの基板に実装し、前記電子装置を封止する樹脂封止部を形成することは広く行われている。
一般的には、上記樹脂封止部の形成は、特許文献１（特許請求の範囲、図１など）に開示されているように前記電子装置を回路基板に実装した後、液状の封止用樹脂を前記電子装置の表面側に塗布してから、前記封止用樹脂を脱泡し、しかるのち加熱などにより封止用樹脂を硬化して得られるものである。
ここで、電子装置を回路基板に実装する構造において、回路基板に凹部が形成され、その底部に電子装置が実装され、電子装置の表面の電極と前記回路基板の表面の導電リードとの間にワイヤーボンディングされたワイヤーが接続され、上記電子装置の表面に前記ワイヤーを埋める厚さに液状の封止用樹脂が形成され、しかるのち前述の脱泡作業がおこなわれている。この構造を採用した従来の電子装置の主要部断面を図１０に図示する。
【０００３】
図１０において、５０１はＩＣである半導体装置、５０２は基板で、回路基板５０２ｄと放熱板５０２ｅが接合されて構成されている。
基板５０２には、凹部５０２ａが形成され、凹部５０２ａ底部の放熱板５０２ｅ上に半導体装置５０１が接合され、ワイヤー５０４が半導体装置５０１の電極と回路基板５０２ｄの導電リードとを導通接続し、樹脂封止部５０３が半導体装置５０１とワイヤー５０４とを封止しているものである。
この樹脂封止部５０３は、基板５０２上に配置されたマスク５０６の上に封止用樹脂が注出され、マスク５０６上にスキージ（図示せず）を水平方向に移動しマスク５０６上の封止用樹脂を押し広げて、半導体装置５０１とワイヤー５０４との表面を埋設させるとともに、マスク５０６上の余分の封止用樹脂を除去し、脱泡し、その後、加熱して樹脂封止部５０３を硬化させるものである。
【０００４】
【特許文献１】特開平５−２９１３１７号公報（特許請求の範囲、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記実装構造においては、半導体装置５０１の外壁と凹部５０２ａの内壁との間には隙間５０９が形成されおり、上記スキージによる封止用樹脂の押し広げにより半導体装置５０１の周囲に形成されている隙間５０９にも封止用樹脂が挿入するのであるが、隙間５０９の底部には容易に封止用樹脂が充填されず、底部に空隙５１１が生じてしまう。
この空隙５１１が発生すると、樹脂封止部５０３の脱泡が行われても、上記空隙５１１が樹脂封止部５０３の表面からは最も深い箇所となって脱泡が十分に行われないことになる。この状態で、樹脂封止部５０３の加熱硬化を行うと、上記空隙５１１の空気が膨張し樹脂封止部５０３を破壊してしまう。あるいは脱泡工程により、空隙５１１の空気が多少でも除去されると、空隙５１１側に封止用樹脂が低下移動することになり、樹脂封止部５０３の表面に部分的に窪んで部分窪み５０３ｂが形成される場合も有りうる。この部分窪み５０３ｂは上記隙間５０９の上部付近であり、ワイヤー５０４や半導体装置５０１の一部が露出し、樹脂封止することができなくなる危険性を有する。
このように、樹脂封止部５０３の破壊やワイヤー５０４および半導体装置５０１の一部の露出によって、半導体装置５０１やワイヤー５０４に対する湿気および外光の侵入を許容し、電子装置の絶縁性、耐湿性、耐光性などの樹脂封止効果を著しく低下させてしまうという決定的な問題を有する。
【０００６】
本発明は、上記の問題点を解決するもので、基板の凹部に実装する電子装置の樹脂封止部の封止効果を良好に発揮させ維持させる樹脂封止部の形成方法、およびその形成方法によって得られる電子装置体をもたらすことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明実施態様１における電子装置の樹脂封止部の形成方法は、基板の凹部に配置された電子装置の樹脂封止部の形成方法であって、前記基板の凹部に電子装置を配置する電子装置の配置工程と、前記電子装置のほぼ表面を覆うように第１封止用樹脂部を配置する第１封止用樹脂部配置工程と、前記第１封止用樹脂部を脱泡する第１脱泡工程と、前記第１封止用樹脂部の外縁より大きな寸法に形成された開口部を有し前記開口部が前記第１封止用樹脂部の外縁を囲むように前記基板上の所定位置に配置されたマスクの表面側であって、前記第１封止用樹脂部の近傍位置に第２封止用樹脂部を配置する第２封止用樹脂部配置工程と、前記第２封止用樹脂部の側方から前記マスク表面に沿ってスキージを移動して前記マスク表面より突出する少なくとも前記第２封止用樹脂部を除去し、前記電子装置の表面を樹脂封止するとともに前記凹部の内壁と前記電子装置の外壁との間の隙間を樹脂封止する樹脂封止部を構成する樹脂封止部構成工程と、前記樹脂封止部の脱泡を行う第２脱泡工程と、前記樹脂封止部の硬化を行う樹脂封止部硬化工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
上記構成によれば、第１脱泡工程により第１封止用樹脂部が脱泡されるので、第１封止用樹脂部内の空気と前述した従来の空隙とがほとんど除去される。この状態において、第２封止用樹脂部配置工程により、前記開口部が前記第１封止用樹脂部の外縁を囲むように前記基板上の所定位置に配置されたマスクの表面側であって前記第１封止用樹脂部の近傍位置に第２封止用樹脂部を配置してから、マスク表面に沿ってスキージを移動し、前記マスク表面より突出する少なくとも前記第２封止用樹脂部を除去するとともに、前記電子装置の表面を樹脂封止することによって、基板の凹部の内壁と前記電子装置の外壁との間の隙間に封止樹脂が確実に挿入されることになる。
特に、第１脱泡工程により第１封止用樹脂部内の空気が殆ど除去され、たとえ多少空隙が残存する場合でも、第２封止用樹脂部配置工程において第２封止用樹脂部を配置し且つマスク表面に沿ってスキージを移動すると第２封止用樹脂部や第１封止用樹脂部を下側に押圧することになるため、たとえ前記空隙が残存していても上記押圧された第２封止用樹脂部や第１封止用樹脂部の封止用樹脂が空隙に圧入されることになり、空隙内に封止用樹脂が充填されることになる。よって、基板の凹部の内壁と前記電子装置の外壁との間の隙間には底部に封止用樹脂が確実に充填されることになる。
【０００９】
加えて、第２封止用樹脂部はスキージにてマスク上面から下方（つまり前記電子装置側）側に配置されることになり、第２脱泡工程により上記第２封止用樹脂部内の泡も除去されるから、この脱泡された状態で封止用樹脂部が硬化されるので、電子装置の封止が安定するものである。
よって、電子装置を長期に渡って良好に封止することができ、水分、ほこり、場合によっては光などから電子装置を防御することができるものである。
なお、第１封止用樹脂部や第２封止用樹脂部を配置する方法は、ディスペンサーにより封止用樹脂を所定位置に抽出することが好ましいが、その他の種々の方法でもかまわない。例えば、第１封止用樹脂部の配置方法は、マスクを配置して第１封止用樹脂を印刷するようにしてもよい。
【００１０】
さらに、本発明実施態様２における電子装置の樹脂封止部の形成方法は、実施態様１に記載の電子装置の樹脂封止部の形成方法であって、前記第１脱泡工程の直後に、前記マスクを前記基板上の所定位置に配置するマスク配置工程を有することを特徴とする。
【００１１】
上記構成によれば、第１封止用樹脂部配置工程は基板上にマスクが配置される前に行われることから、マスクに邪魔されずに基板上に第１封止用樹脂部を配置することができ、第１封止用樹脂部の配置作業がしやすくなるものである。
なお、この場合、基板上に配置される第１封止用樹脂部の外縁は、マスクの開口部の内端より中央側に配置されること、つまり外形が小さく形成されることが肝要になる。
【００１２】
本発明実施態様３における電子装置の樹脂封止部の形成方法は、実施態様１乃至実施態様２のいずれか１に記載の電子装置の樹脂封止部の形成方法であって、前記第１封止用樹脂部配置工程の前に、前記電子装置の電極と前記基板の導電リードとをワイヤーで接続するワイヤーボンディング工程を備え、前記樹脂封止部構成工程で構成された前記樹脂封止部は、前記ワイヤーを封止していることを特徴とする。
【００１３】
上記構成によれば、前記電子装置の電極と前記基板の導電リードとをワイヤーにより接続するワイヤーボンディングを行い、しかる後に前記第１封止用樹脂部を配置するので、ワイヤーが接続する電子装置の電極と、前記基板の導電リードと、ワイヤーとを樹脂により封止することを容易に行えるものである。
よって、ワイヤーが接続する電子装置の電極、前記基板の導電リード、およびワイヤーを、水分、ほこり、場合によっては光などから防御することができる。
【００１４】
本発明実施態様４における電子装置の樹脂封止部の形成方法は、実施態様１乃至実施態様３のいずれか１に記載の電子装置の樹脂封止部の形成方法であって、前記樹脂封止部構成工程は、前記第１封止用樹脂部配置工程で配置された前記第１封止用樹脂部が硬化する前に行われることを特徴とする。
【００１５】
上記構成によれば、前記樹脂封止部構成工程とその前提となる第２封止用樹脂配置工程が前記第１封止用樹脂部が硬化する前に行われるものである。このように前記第１封止用樹脂部の硬化前に、前述の第２封止用樹脂を所定個所に配置し、側方から前記マスク表面に沿ってスキージを移動して前記マスク表面より突出する少なくとも前記第２封止用樹脂部を除去するとともに、スキージの押圧力により第２封止用樹脂とともに第１封止用樹脂を下側に押圧することによって、基板の凹部の内壁と前記電子装置の外壁との間の隙間に第１封止用樹脂部等が侵入することになり、前記電子装置の表面を樹脂封止するとともに前記隙間を確実に樹脂封止することができるものである。
なお、第１封止用樹脂部が硬化する前とは、第１封止用樹脂部が硬化開始する前であることが好ましいが、多少の硬化が始まったとしても、上述のようにスキージにより基板の凹部の内壁と前記電子装置の外壁との間の隙間に第１封止用樹脂部が侵入することができる間ならば、上記の第１封止用樹脂部が硬化開始する前に含まれる。
上記第１封止用樹脂部の硬化は、種々の方法が考えられるが、たとえば加熱硬化する場合、照光硬化する場合、自然放置して硬化する場合などがあり得るものである。
【００１６】
本発明実施態様５における電子装置の樹脂封止部の形成方法は、実施態様１乃至実施態様４のいずれか１に記載の電子装置の樹脂封止部の形成方法であって、前記第１封止用樹脂部配置工程で配置される第１封止用樹脂部の外縁は、前記マスクが前記基板の所定位置に配置された際の前記開口部の内端よりも前記開口部の中央側に形成されていることを特徴とする。
【００１７】
上記構成によれば、マスクが前記基板の所定位置に配置された際、第１封止用樹脂部の外縁がマスクの開口部の内端よりも前記開口部の中央側に寄って外径が小さく形成されているので、マスクの下面側に第１封止用樹脂部の外縁が侵入することがなく、従ってマスクの下面が基板の上面に密着することになる。よって、マスクの上面位置が正確に確保され、スキージ位置も正確となって、樹脂封止部の上面位置が所定高さ位置に形成され、電子装置やワイヤーを確実に封止することができるものである。
【００１８】
本発明実施態様６における電子装置の樹脂封止部の形成方法は、実施態様１乃至実施態様５のいずれか１に記載の電子装置の樹脂封止部の形成方法であって、前記第２封止用樹脂部は、前記第１封止用樹脂部と同一の材料であることを特徴とする。
【００１９】
上記構成によれば、第２封止用樹脂部が第２封止用樹脂部と同一材料で構成されていることにより、スキージにより第２封止用樹脂部と第１封止用樹脂部が押圧される際に第２封止用樹脂部と第１封止用樹脂部が一体化されやすく、最終的に仕上げられた樹脂封止部の強度が向上し、かつ各々が別材料で構成され場合のように境界面が生じることがなく、よって外部からの湿気、外光の侵入を確実に防止することができるものである。
【００２０】
本発明実施態様７における電子装置の樹脂封止部の形成方法は、実施態様１乃至実施態様６のいずれか１に記載の電子装置の樹脂封止部の形成方法であって、前記第２脱泡工程の脱泡時間は、前記第１脱泡工程の脱泡時間よりも短いことを特徴とする。
【００２１】
上記構成によれば、第２脱泡工程は、上層に配置されやすい第２封止用樹脂部内の気体を除去することを目的とするものである。最終的に仕上げられた樹脂封止部において、下側（電子装置が基板の凹部に接合されている接合面側）には主に第１封止用樹脂部が配置され、上側（最終的な樹脂封止部の表面側）には主に第２封止用樹脂部が配置ており、この第２封止用樹脂部は、第１封止用樹脂部の脱泡時の広さよりも広く形成されているのが一般的であるので、第２封止用樹脂部の脱泡は容易である。よって第２脱泡工程は、第１脱泡工程の脱泡時間よりも短い時間でよいことになる。第２脱泡工程の脱泡時間が短いことにより作業性が向上するものである。
【００２２】
本発明実施態様８における電子装置の樹脂封止部の形成方法は、実施態様１乃至実施態様７のいずれか１に記載の電子装置の樹脂封止部の形成方法であって、前記基板の凹部の内壁と前記電子装置の外壁との隙間は、前記電子装置の高さより小さく構成されていることを特徴とする。
【００２３】
上記構成によれば、前記基板の凹部の内壁と前記電子装置の外壁との隙間が前記電子装置の高さより小さく、狭く構成されていても、前記凹部の内壁と前記電子装置の外壁との間の隙間に封止用樹脂を良好に挿入されるものである。
仮に第１脱泡工程の後で第２封止用樹脂部配置工程と樹脂封止部構成工程とを行わないで、第１封止用樹脂部配置工程と第１脱泡工程と樹脂封止部硬化工程だけを行うならば、前記凹部の内壁と前記電子装置の外壁との間の隙間は、電子装置の高い外周壁により封止用樹脂の侵入が妨げられ、上記隙間の下底には空隙が生じやすくなってしまう。
これに対して、上述のように第１脱泡工程の後で第２封止用樹脂部配置工程と樹脂封止部構成工程とを行うことにより、スキージによって第２封止用樹脂部の横下側に配置されている第１封止用樹脂部を横下側に押圧するので、第１封止用樹脂部を上記狭い隙間の中に侵入しやすくなる。よって上記隙間の中に、特に隙間の底部にまで封止用樹脂が充填し、電子装置の側壁、特に底部側壁まで封止することができる。
【００２４】
本発明実施態様９における電子装置の樹脂封止部の形成方法は、実施態様１乃至実施態様８のいずれか１に記載の電子装置の樹脂封止部の形成方法であって、前記基板は、前記凹部を形成するための凹部形成用開口部を有した基板本体と、前記基板本体の裏面に接合された放熱板とを備え、前記凹部は、前記基板本体の前記凹部形成用開口部と前記放熱板とにより形成されており、前記電子装置は平面視で前記凹部形成用開口部の内側に配置されて前記放熱板上に固定されていることを特徴とする。
【００２５】
上記構成によれば、前記基板は、前記凹部を形成するための凹部形成用開口部を有した回路基板等の基板本体と、前記基板本体の裏面に接合された放熱板とを備えて構成されているので、上記凹部を容易に寸法正確に形成することができる。すなわち、凹部は、基板本体に凹部に対応する開口を設けるだけでよく、例えばプレス加工、放電加工などで容易に正確に形成できる。
また電子装置は、放熱板上に固定されることにより電子装置の発熱が容易に放熱し、樹脂封止部の過熱劣化を防止することができる。
【００２６】
本発明実施態様１０における電子装置体は、実施態様１乃至実施態様９のいずれか１に記載の電子装置の樹脂封止部の形成方法により前記樹脂封止部が形成されていることを特徴とする。
【００２７】
上記構成によれば、電子装置体は、上述した本発明の樹脂封止部の形成方法の作用効果を有するものである。
【００２８】
本発明実施態様１１における電子装置体は、実施態様１０に記載の電子装置体であって、その前記基板の表面に露出形成された外部接続用導電部に導電ボールが導電設置されていることを特徴とする。
【００２９】
上記構成によれば、上記電子装置体において基板の表面に露出形成された導電リード等の外部接続用導電部に導電ボールが導電設置されているので、第２回路基板などの導電部材との導通が上記導電ボールにより確実に行われるものである。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、基板の凹部に実装する電子装置の封止樹脂部の封止効果を良好に発揮する封止樹脂部を形成することができるものである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
〔第１実施形態〕
本発明の第1実施形態は、基板に実装された電子装置である半導体装置（ＩＣ、ＬＳＩ等）１を樹脂封止する樹脂封止部３の形成方法であり、図１、図２、図３、図４にその主な内容が図示されている。
【００３２】
図１は、第1実施形態における基板２に実装された上記半導体装置１を樹脂封止する樹脂封止部３の形成方法を示す工程図である。
図２は、図１の主な工程における主要部断面図である。
図２（１）は、半導体装置１（電子装置）の配置工程およびワイヤーボンディング工程の終了後における主要部断面図である。
図２（２）は、第１封止用樹脂部配置工程の終了後における主要部断面図である。
図２（３）は、第２封止用樹脂部配置工程の終了後、および樹脂封止部構成工程の準備状態における主要部断面図である。
図２（４）は、上記樹脂封止部構成工程が終了した状態における主要部断面図である。
図２（５）は、マスク剥離工程の終了後、および樹脂封止硬化工程の終了後における主要部断面図である。
図３は、図２（３）における主要部の拡大断面図である。
図４は、図２（３）において、第２封止用樹脂部７とスキージ８を省略した状態の平面図である。
【００３３】
まず、本発明の第１実施形態における電子装置の樹脂封止部の形成方法の工程は、図１に記載されている。
すなわち、上記電子装置の樹脂封止部の形成方法は、図１のように、まず半導体装置１（電子装置）の配置工程Ａ、次にワイヤーボンディング工程Ｂ、次に第１封止用樹脂部配置工程Ｃ、次に第１脱泡工程Ｄ、次にマスク配置工程Ｅ、次に第２封止用樹脂部配置工程Ｆ、次に樹脂封止部構成工程Ｇ、次にマスク剥離工程Ｈ、次に第２脱泡工程Ｉ、最後に樹脂封止部硬化工程Ｊが行われる。
【００３４】
ここで、各工程について順に詳述する。
まず、半導体装置１（電子装置）の配置工程Ａは、次のように行われる。
図２（１）において、半導体装置１が基板２の凹部２ａの底面に露出している放熱板２ｅ上に載置され、半導体装置１の底面と放熱板２ｅの上面（凹部２ａの底面）とが接着剤により接合されることにより、半導体装置１が基板２に取り付けられている。
なお、基板２は、回路基板２ｄ（基板本体）と回路基板２ｄに接合された放熱板２ｅとを有して構成されており、回路基板２ｄの中央には凹部形成用開口部２ｄａが形成されており、凹部形成用開口部２ｄａと放熱板２ｅとにより凹部２ａが構成されている。
上記回路基板２ｄは、ガラス繊維入りエポキシ樹脂からなり、上記凹部形成用開口部２ｄａの外周側の上面に導電リード２ｂ（外部接続用導電リード）が多数所定パターンに形成されている。基板２の平面は、図４のように形成されている。この導電リード２ｂは中央に配置された上記凹部２ａの各辺に放射状に配置されている。
回路基板２ｄの材料は、上記ガラス繊維入りエポキシ樹脂以外の絶縁性材料で必要な強度を備えているならばどのような材料でもよく、例えばエポキシ樹脂であってもよい。
上記導電リード２ｂは、銅箔、アルミニューム箔などの導電性薄板金属からなり、所定パターンに形成されている。
上記放熱板２ｅは、銅からなり、回路基板２ｄの裏面に接着材により接合されている。この放熱板２ｅの材料は、放熱性が良好な材料ならばどのような材料でもよく、例えばアルミニューム、ステンレススチール、などでもよい。
【００３５】
なお、図２（１）の半導体装置１、基板２の関係寸法は、図３に図示されている。
すなわち、図３において、半導体装置１の厚さＱは、回路基板２ｄの厚さＰより薄い。また半導体装置１の外壁１ｂと基板２の内壁２ｃとの隙間９の幅Ｒは、半導体装置１の厚さＱより小さく（狭く）構成されている。
なお、半導体装置１の厚さＱが回路基板２ｄの厚さＰと同じか厚くてもよく、また半導体装置１の外壁１ｂと基板２の内壁２ｃとの隙間９の幅Ｒが半導体装置１の厚さＱと同じか大きくても良い。
【００３６】
上記半導体装置１（電子装置）の配置工程Ａの後で、ワイヤーボンディング工程Ｂが次の様に行われる。
半導体装置１の配置工程Ａの後、周知のワイヤーボンダーにより、半導体装置１の電極１ａと前記基板２の上表面であって上記凹部２ａの外周に放射状に多数形成されている導電リード２ｂとをワイヤー４にて接合する。
上記ワイヤーは、金線、アルミニューム線などの導電性材料が用いられる。
図２（１）には、上記半導体装置１の配置工程Ａとワイヤーボンディング工程Ｂが終了した状態の主要部の断面図が図示されている。
【００３７】
上記ワイヤーボンディング工程Ｂの後で、第１封止用樹脂部配置工程Ｃが行われる。
図２（２）には、第１封止用樹脂部配置工程Ｃにて、第１封止用樹脂部５が所定位置に配置された状態が図示されている。
第１封止用樹脂部配置工程Ｃにおいて、第１封止用樹脂部５は、液状のエポキシ樹脂であって、ディスペンサー（図示せず）などの樹脂抽出装置によりエポキシ樹脂を上記半導体装置１とボンディングされたワイヤー５とを覆うように抽出される。こうして第１封止用樹脂部５の所定量が所定箇所に配置される。
上記所定箇所は、基板２の上面側において、半導体装置１およびワイヤー５を覆う箇所であり、同時に後述するように基板２の上面に配置されるマスク６の開口部６ａより内側位置である。すなわち、上述のように配置された第１封止用樹脂部５の外端５ａが、マスク６の開口部６ａの内端６ｂより内側（半導体装置１側）に位置するように配置されものである。このように配置されることは、後述のマスク６が基板２の表面側に配置された際に、マスク６が第１封止用樹脂部５と重なることを防止するものであって、マスク６の内端６ｂが第１封止用樹脂部５の外端５ａに乗り上がることがなく、マスク６が基板２の上表面に密着するものである。
【００３８】
従って、後述のように所定位置に配置された第２封止用樹脂部７がスキージ８でスキージされる際、スキージされた第１封止用樹脂部５や第２封止用樹脂部７がマスク６下面と基板２の上表面との間に入り込むことがなく、第１封止用樹脂部５や第２封止用樹脂部７がマスク６の開口部６ａ内に保持され、半導体装置１およびワイヤー５を確実に覆って樹脂封止することができる。
また第１封止用樹脂部５が所定箇所に配置される際の所定量は、次の通りである。
すなわち、上記所定量は、所定箇所に配置され第１封止用樹脂部５が、半導体装置１およびワイヤー５を十分埋設する量である。
なお、第１封止用樹脂部５は、図３に図示されているように基板２の表面の所定位置に配置されるマスク６の上表面より突出形成され、しかも最上部が厚くなっていることが好ましい。上記の第１封止用樹脂部５がマスク６の上表面より突出形成されていると、第２封止用樹脂部７とともに第１封止用樹脂部５の上記突出部がスキージされ、凹部２ａ内に充填されやすくなる。
【００３９】
上記第１封止用樹脂部配置工程Ｃの後で、第１脱泡工程Ｄが次のように行われる。
第１脱泡工程Ｄは、第１封止用樹脂部配置工程Ｃの直後に行われることが好ましい。
第１脱泡工程Ｄは、半導体装置１が載置された基板２上に第１封止用樹脂部５が配置された実装体を、真空状態の雰囲気内に１分から２分程度留めて置くことにより行われる。
上記第１脱泡工程Ｄにより、第１封止用樹脂部５の内部に封入されていた空気やガスが放出される。従って、第１封止用樹脂部５の内部が緻密になって外部からの湿気や気体や光が内部の半導体装置１に侵入することを防止する。しかも半導体装置１の外壁１ｂと基板２の内壁２ｃとの間に形成されている隙間９には第１封止用樹脂部５が侵入しにくく、特に隙間９の底部には第１封止用樹脂部５が存在していない空隙１１が構成されていても、この空隙１１の空気や気体が外部に飛散することになる。したがって上記空隙１１内に第１封止用樹脂部５が自重等で侵入することになり、上記隙間９全体が樹脂封止されることになる。上記第１脱泡工程によっても上記隙間９の特に底部には完全に第１封止用樹脂部５が侵入することができない場合も有りうるが、上記第１脱泡工程により、上記空隙１１が縮小することにはなる。
【００４０】
この第１脱泡工程Ｄにより、第１封止用樹脂部５内や上記空隙１１に存在している空気やガスが飛散するため、第１封止用樹脂部５の上表面は、図３に図示された鎖線のように下側に変形することになる。特に上記隙間９に対応する箇所は窪み量が大きく、隙間窪み５ｂが形成される。この隙間窪み５ｂの発生によってもワイヤー４や半導体装置１の表面が露出しないように、第１封止用樹脂部配置工程Ｃでの第１封止用樹脂部５が所定量形成されることが肝要である。
この第１脱泡工程Ｄは、常温で行うことが好ましく、常温で行うことにより作業性が向上する。なお、エポキシ樹脂が硬化を開始しない程度の若干の温度を加えた状態で行っても良く、その場合は、第１封止用樹脂部５内や上記空隙１１に存在している空気やガスが飛散しやすくなるという効果を有する。
【００４１】
上記第１脱泡工程Ｄの後で、マスク配置工程Ｅが次のように行われる。
マスク配置工程Ｅは、マスク６を基板２の上表面の所定位置に配置するものである。
上記所定位置は、マスク６の開口部６ａの内端６ｂが前述の第１封止用樹脂部配置工程で配置される第１封止用樹脂部５の外端５ａより外側（半導体装置１の外側）に位置する位置である。マスク６が基板の所定位置に配置されるためには、たとえば基板２に配置された位置決めピンにマスク６に形成された位置決め穴が挿入する等、どのような方法によって行われてもよい。
上記マスク配置工程によりマスク６が基板２の所定位置に配置された状態は、図２の（３）に主要部断面図が、図４に平面図が図示されている。
図４に図示されているように、マスク６の開口部６ａは四辺形に形成され、各辺において半導体装置１の各辺の電極と基板２各辺側に形成されている導電リード２ｂとをワイヤー４が連結しており、第１封止用樹脂部５が、半導体装置１、ワイヤー４、導電リード２ｂの内端部を埋設している。  第１封止用樹脂部５の外端５ａは、導電リード２ｂの内端部とマスク６の開口部６ａの内端６ｂとの間に配置されているものである。
【００４２】
上記マスク配置工程Ｅの後で、第２封止用樹脂部配置工程Ｆが次のように行われる。
第２封止用樹脂部配置工程Ｆは、マスク６の表面側であって、前記第１封止用樹脂部５の外周側（半導体装置１外周側）の所定位置付近に第２封止用樹脂部７を配置するものである。すなわち、上記所定位置は、マスク６の開口部６ａの外周側で第２封止用樹脂部７が抽出等により配置される場所である。
第２封止用樹脂部７が所定位置に配置された状態が図２の（３）に図示されている。同図の右側に実線図示のように第２封止用樹脂部７を配置する。
なお、右側に実線図示のように第２封止用樹脂部７を配置するとともに、左側に鎖線で図示されているように、第２封止用樹脂部７を配置してもよい。
上記第２封止用樹脂部７は、第１封止用樹脂部５と同じ液状エポキシ樹脂であり、図示していないディスペンサーにて上記外周側の所定位置に抽出することにより行う。
【００４３】
上記第２封止用樹脂部配置工程Ｆの後で、樹脂封止部構成工程Ｇが次のように行われる。
第２封止用樹脂部７が所定位置に配置されると、スキージ８をマスク６の表面に沿って移動し、第２封止用樹脂部７を押し広げる。
図２の（３）の右側に配置された第２封止用樹脂部７（実線で図示）を右側のスキージ８（実線で図示）により矢印の左側方向に移動する。このスキージ８の上部を進行方向（左方向）に傾けているため左側に移動するスキージ８は、第２封止用樹脂部７をマスク６の上表面上で左側に移動し、第２封止用樹脂部７も左側に移動するようになる。マスク６の開口部６ａに至ると、第２封止用樹脂部７とこの第２封止用樹脂部７が覆いかぶさる第１封止用樹脂部５とは、スキージ７により半導体装置１側に押し付けられ、しかも上記隙間９内にも侵入するようになる。
したがって、上記隙間９の底部に形成されていた空隙１１にも、第１封止用樹脂部５が押し付けられることのよって容易に侵入することになる。一方、空隙１１は、第１脱泡工程により空気やガスが抜き取られていることから、第１封止用樹脂部５が押し込む際の抵抗は無く、したがって容易に充填されることになる。
こうしてスキージ７は、マスク６の開口部６ａを横切ってマスク６の左端側に至り、スキージ作業が終了する。
【００４４】
この終了後の状態は、図２の（４）に図示されており、マスク６の上表面に飛び出していた第２封止用樹脂部７や第１封止用樹脂部５はスキージ８により掻き取られ、第２封止用樹脂部７や第１封止用樹脂部５の表面は、マスク６の上表面と同じ位置になっている。
また平面方向において、図４のマスク６の開口部６ａの各辺の内端６ｂの隅々まで第１封止用樹脂部５または第２封止用樹脂部７が充填するものである。
以上により、樹脂封止部３が構成される。
【００４５】
なお、左端まで移動したスキージ６は、右側に移動してマスク６の上表面から多少盛り上がった第２封止用樹脂部７や第１封止用樹脂部５を再度掻き取るようにしてもよい。
あるいは、上記のようにスキージ６を左端まで移動したのち、図２の（３）に鎖線で図示されているように、新たな第２封止用樹脂部７を配置し、鎖線のスキージ８を上部を右側に傾斜させて右側矢印方向に移動してマスク６の右端側までスキージ移動させるようにしてもよい。この新たなる第２封止用樹脂部７を配置しスキージ８を右側矢印方向に移動することにより、前記空隙１１の底やマスク６の開口部６ａの隅々まで第１封止用樹脂部５または第２封止用樹脂部７をより充填することができるものである。
【００４６】
また、第２封止用樹脂部７は、第１封止用樹脂部５と全く同じ材料が好ましい。それはスキージ８により第２封止用樹脂部７がスキージされることによって第２封止用樹脂部７が第１封止用樹脂部５と交じり合うが、両者が同一の材料であることから両者が容易に一体化でき、樹脂封止部３が緻密になって封止効果が向上するからである。
また、第２封止用樹脂部７の材料は、第１封止用樹脂部５と全く同じものではなくともよく、たとえば同一の材質の場合（たとえば同じ液状エポキシ樹脂の場合）、粘度が異なってもよい。あるいは、異なった材質同士であってもよい。要は、第１封止用樹脂部５と一体化しやすい材料であれば、第２封止用樹脂部７としてはどのようなものであっても採用することができる。
なお、両者が同じ材質であって第２封止用樹脂部７の粘度が第１封止用樹脂部５の粘度より低い場合には、比較的長い距離をスキージすることになる第２封止用樹脂部７がスキージされやすくなり、その際、第１封止用樹脂部５を押圧しやすく、たとえばマスク６の内端６ｂの隅々まで第１封止用樹脂部５や第２封止用樹脂部７を充填することができる。
また、第２封止用樹脂部７の配置方法は、上記ディスペンサーにて抽出する方法以外であってもよく、たとえばスクリーン印刷によって第２封止用樹脂部７を上記所定箇所に配置する方法でもよい。
【００４７】
上記樹脂封止部構成工程Ｇの後で、マスク剥離工程Ｈが行われる。
マスク剥離工程Ｈは、図２の（４）の状態において、マスク６を上方に剥離するものである。
マスク剥離工程Ｈが終了すると、図２の（５）の状態が得られる。
【００４８】
上記マスク剥離工程Ｈの後で、第２脱泡工程Ｉが次のように行われる。
第２脱泡工程Ｉは、樹脂封止部構成工程Ｇおよびマスク剥離工程Ｈの直後に行われることが好ましい。
第２脱泡工程Ｉは、半導体装置１が載置された基板２上に樹脂封止部３が配置された実装体を、真空状態の雰囲気内に１分程度（好ましくは１分未満）留めて置くことにより行われる。
上記第２脱泡工程Ｉにより、樹脂封止部３、特に新たに配置された第２封止用樹脂部７部分の内部に封入されていた空気やガスが放出されようになる。従って、樹脂封止部３の内部が緻密になって外部からの湿気や気体や光が半導体装置１に侵入することを防止することができる。また樹脂封止部３の表面は殆ど窪むことがなく、よって、ワイヤー４や半導体装置１の表面が、樹脂封止部３により被覆されたままとなる。
【００４９】
なお、第２脱泡工程Ｉは、第１脱泡工程Ｄにより第１封止用樹脂部５の気体などが既に脱泡されていることから、樹脂封止部３の上層部に配置されている第２封止用樹脂部７の脱泡が行われる程度でよい。したがって第２脱泡工程Ｉは、第１脱泡工程Ｄより短時間でよい。すなわち、第２脱泡工程Ｉは、第１脱泡工程Ｄと同じ真空度（同じ真空槽）で行うことが作業性から好ましいことから、第２脱泡工程Ｉは第１脱泡工程Ｄにより短時間で行うことができるものである。なお、第２脱泡工程Ｉの脱泡程度が、第１脱泡工程Ｄにくらべて低いならば、脱泡時間を短くする以外の方法でもよく。たとえば、第２脱泡工程Ｉの真空度を第１脱泡工程Ｄの真空度よりも低い（大気状態に近い状態）で行ってもよい。
なお、第２封止用樹脂部７の配置場所、配置量によっては、第２脱泡工程Ｉの脱泡度を第１脱泡工程Ｄの脱泡度以上で行ってもよい。たとえば、真空度が同じ状態であれば、第２脱泡工程Ｉは第１脱泡工程Ｄと同じ時間か長い時間で行ってもよく、第２脱泡工程Ｉの真空度を第１脱泡工程Ｄの真空度と同じか深くし大気状態よりも真空度を高めるようにして脱泡してもよい。
【００５０】
上記第２脱泡工程Ｉの後で、樹脂封止部硬化工程Ｊが次のように行われる。
上記のようにマスク６が剥離された状態の電子装置体１２（図２の（５）の状態のもの）を、８０℃の加熱炉で２時間の加熱が行われ、続いて１５０℃の加熱炉で１時間の加熱が行われる。上記加熱炉は、雰囲気が大気中で上記の各加熱が行われる。但し、雰囲気は、不活性ガス中であってもよい。
こうして、加熱炉から取り出すと図２の（５）の電子装置体１２が得られる。
【００５１】
なお、本実施形態では、半導体装置１の各電極１ａ同士の平面間隔が０．１ｍｍ以下、また基板２上表面に配置されている導電リード２ｂ同士の平面間隔が０．１ｍｍ以下である場合、例えば、図４に図示されているように、半導体装置１の四辺形の各辺に配置された電極１ａと隣接する電極１ａとの中心位置間隔が上記０．１ｍｍ以下であり、加えて／または基板２の凹部２ａの四辺形の各辺に配置された導電リード２ｂと隣接する導電リード２ｂとの中心位置間隔が上記０．１ｍｍ以下である場合、特に上記各電極１ａ同士加えて／または導電リード２ｂ同士の平面間隔が０．１ｍｍ以下である場合、両者を導通接続するワイヤー４同士の間隔もほぼ０．１ｍｍ以下という高密度に配線される場合には、本発明の効果が著しく発揮されることになる。
このように高密度にワイヤー４が配置されていると、第１封止用樹脂部配置工程Ｃによる第１封止用樹脂部５が抽出されるだけでは、半導体装置１の外壁１ｂと凹部２ａの内壁２ｃとの間の隙間９の底部には第１封止用樹脂部５が充填されにくくなる。
これに対して本発明の本実施形態は、第１封止用樹脂部５が所定位置に配置される第１封止用樹脂部配置工程Ｃの後で第１脱泡工程を行い、その後に第２封止用樹脂部配置工程Ｆ、その後で樹脂封止部構成工程Ｇが行われるので、封止用樹脂は、ワイヤー４が込み入って配置されていてもワイヤー４と隣接のワイヤー４との隙間から押し出され、上記隙間９に容易に侵入することができ、隙間９の底部まで空隙がない状態に充填することができるようになる。
【００５２】
〔第１実施形態の変形例１〕
上記マスク配置工程Ｅは、第１脱泡工程Ｄの後で行っていたが、第１封止用樹脂配置工程Ｃの直前に行うようにしてもよい。
その場合は、第１封止用樹脂配置工程Ｃで配置する第１封止用樹脂部５は、既に基板２上の所定位置に配置されているマスク６の開口部６ａ内に留まるように配置することが好ましい。また、第１封止用樹脂部５が、開口部６ａの内端６ｂに接してマスク６の開口部６ａに充填するようにしてもよい。その場合の方が第１封止用樹脂配置工程Ｃにおいて、図２の（２）のように第１封止用樹脂部５の外端位置を上記開口部６ａ内に留めるように注意する必要がないので、作業性が向上する。
【００５３】
〔第１実施形態の変形例２〕
マスク剥離工程Ｈは、第１実施形態では第２脱泡工程Ｉの前で行っていたが、第２脱泡工程Ｉの後で行うようにしてもよい。
あるいは、マスク剥離工程Ｈは、樹脂部硬化工程Ｊの後で行うようにしてもよい。すなわち、樹脂封止部硬化工程Ｊは、マスク６が剥離されるマスク剥離工程Ｈの前に行ってもよい。なお、樹脂封止部硬化工程Ｊをマスク剥離工程Ｈの前に行うにあたり、硬化樹脂がマスク６の内壁などに密着し剥離しにくくなる場合には、あらかじめマスク６の内面や上面に硬化樹脂との剥離を容易とする剥離材を塗布しておくことが好ましい。
【００５４】
〔第２実施形態〕
第２実施形態は、第１実施形態の基板２が異なるのみである。
第１実施形態の基板２は、回路基板２ｄとそれに一体化された放熱板２ｅとを有し表面に導電リード２ｂが構成されていたが、第２実施形態の基板１０２は、一体の基板と導電リードで構成されるものである。
図５は、第２実施形態における完成状態の電子装置体１１２の断面図である。
第２実施形態の電子装置体１１２の基板１０２には、中央に凹部１０２ａが形成されており、表面に導電リード１０２ｂが所定形状に形成されているものである。上記凹部１０２ａの底部には、半導体装置１が接合され、ワイヤー４が半導体装置１の電極と導電リード１０２ｂを導通させている。
基板１０２は、ガラス繊維入りエポキシ樹脂等の非導電性材から形成され、凹部１０２ａは機械加工、エッチング加工などにより形成されている。
樹脂封止部３は、第１実施形態やその各変形例と同様な方法によって形成されているものである。
第２実施形態の基板２は一体構成のため、部品数が少ないというメリットを有する。
【００５５】
〔第３実施形態〕
第３実施形態は、第１実施形態のマスク６（第２実施形態のマスクと同様）を多数個用に用いるものである。
第１実施形態（第２実施形態も同様）では、１個の電子装置体１２、１１２に対して１個のマスク６を所定位置に配置し、マスク６の上から第２封止用樹脂部配置工程Ｆを行うものである。
第３実施形態は、複数個の電子装置体１２、１１２を平面的に並べて、その上に各電子装置体１２、１１２に対応した複数個分のマスクが一体化された大型マスク１０６を配置するものである。
【００５６】
図６は、第３実施形態の上記大型マスク１０６が載置された状態の上側から見た平面図である。
図６において大型マスク１０６は、第１実施形態のマスク６が４個分一体に構成されているものである。各々のマスク６には、第１実施形態と同様に開口部６ａが形成され、開口部６ａ内には、第１封止用樹脂部５が配置され、半導体装置１、導電リード２ｂなどが第１実施形態と同様に構成されている。なお、図６では、左上のマスク６の箇所のみ上記第１封止用樹脂部５、半導体装置１、導電リード２ｂが図示されているが、他の３箇所のマスク箇所ではそれらの図示は省略されている。
大型マスク１０６の下側には、４個の基板２が平面的に隙間なく並んで配置されている。
各基板２には、既に上記半導体装置１、導電リード２ｂが構成されており、第１封止用樹脂部５が配置されている。
上記４つの基板２は、作業台の所定箇所に位置決め配列され、その上から大型マスク１０６が作業台の所定場所に位置決め配置される。
その上で、前述した第２封止用樹脂部配置工程Ｆ、樹脂封止部構成工程Ｇ、マスク剥離工程Ｈ、第２脱泡工程、樹脂封止部硬化工程Ｊなどを行なう。
【００５７】
なお、マスク配置工程やマスク剥離工程は、第１実施形態の変形例１や変形例２のように、その順番を変更して行ってもよいものである。
また、大型マスク１０６は、個別マスク６を複数個一体化させるものであれば、その数には限定されず、２個分でも３個分でも１０個分でもよいものである。
第３実施形態では、大型マスク１０６により多数個の基板６を用いて一度に後工程を行うことができるので、後工程の作業性が向上ししかもマスクの点数が減少して低コストとすることができ、さらに第２封止用樹脂部配置工程Ｆ、樹脂封止部構成工程Ｇの作業品質が安定化するので、半導体装置１やワイヤー４を安定的に樹脂封止でき、特に前記隙間９の底部へ封止用樹脂を充填させて樹脂封止部を確実に構成することができるものである。
【００５８】
〔第４実施形態〕
第４実施形態は、第３実施形態において、基板２が別々のものを平面的に所定位置に並べてその上に大型マスク１０６を配置し、後工程を行うものであった。
第４実施形態は、大型マスク１０６の下に配置される基板として複数個分の基板を一体化した大型基板とする点が異なるものである。
第４実施形態の平面図は、図６と同様の平面図となる。
図６において、４個分の基板２が一体化されて大型基板２０２として形成されているものである。
【００５９】
大型基板２０２は、４個の基板２の相当個所に図２（１）に図示されたように開口部が形成され放熱板が接合された基板を構成しておき、開口部の底辺に半導体装置１を取り付けし、ワイヤーにより半導体装置の電極と導電リードとを導通しておき、前述のように、各々の半導体装置やワイヤーを覆うように第１封止用樹脂を抽出しておくものである。
しかる後、作業台の所定箇所に上記大型基板２０２を位置決め載置し、大型基板２０２から大型マスク１０６を位置決め載置し、第３実施形態と同様に、前述した第２封止用樹脂部配置工程Ｆ、樹脂封止部構成工程Ｇ、マスク剥離工程Ｈ、第２脱泡工程、樹脂封止部硬化工程Ｊなどを行なう。
しかるに、大型マスク１０６を剥離し、樹脂封止部硬化工程が終了した後に、大型基板２０２を各々の基板に分離すると、電子装置体が完成する。この分離は、機械加工により行われる。上記分離線は、図６の鎖線箇所である。
なお、マスク配置工程やマスク剥離工程は、第１実施形態の変形例１や変形例２のように、その順番を変更して行ってもよいものである。
また、大型基板２０２は、個別マスク６を複数個一体化させるものであれば、その数には限定されず、２個分でも３個分でも１０個分でもよいものである。
第４実施形態では、大型基板２０２により多数個分の基板６の後工程を一挙に行うことができるので、後工程の作業性が向上や基板毎の品質のバラツキが減少する。
なお、大型基板で得られる基板は、図２のように第１実施形態の回路基板２ｄと放熱板２ｅが接合したものでも、図５のように第２実施形態の基板１０２のものでもよい。
【００６０】
〔第５実施形態〕
第５実施形態は、第１実施形態の第２封止用樹脂部配置工程Ｆにおけるスキージの配置およびスキージ方向を異ならせたものである。
図７は、スキージ８の配置場所、スキージの移動方向Ｌを、種々の場合毎に図示した平面図である。
【００６１】
まず、実線で図示されたスキージ８ａは、基板２の凹部２ａの底辺２ａａの直交方向に対し傾斜して配置されており、その移動方向Ｌａは上記底辺２ａａとほぼ平行方向としたものである。スキージ８ａが上記のように傾斜してスキージするので、第２封止用樹脂部７は、凹部２ａの各辺（凹部の縁）内により良好に入り込み易くなる。すなわち、傾斜したスキージ８ａは凹部２ａの各辺に対しても傾斜することになり、各辺に直交する場合や平行する場合、直交辺と平行辺においては第２封止用樹脂部７が凹部内に押し込められる際の抵抗に差が生じるのに対し、傾斜スキージ８ａでは、各辺の上記抵抗差が緩和されるように作用する。従って、各辺での凹部２ａ内への第２封止用樹脂部７の押し込まれ方の差が減少し、第２封止用樹脂部７が凹部２ａに良好に配置されることになる。
なお、上記傾斜したスキージ８ａは、上記移動方向Ｌａに移動して第２封止用樹脂部７を凹部２ａに押し込んだ後、上記移動方向Ｌａとは反対方向に戻すようにスキージさせてもよく、その場合は、押し込まれずに残された第２封止用樹脂部７を凹部２ａ内にさらに押し込むことができる。
【００６２】
また、図７において、左側に鎖線で図示されたスキージ８ｂは、中央部を中心にスキージ移動方向Ｌｂに向かって曲げられて、くの字形状に形成されているものである。
上記くの字形状のため、スキージする際に、第２封止用樹脂部７を凹部２ａに押し込むことが容易になるものである。すなわち、上記くの字形状により、第２封止用樹脂部７がスキージ８ｂの中央側に集められ、凹部２ａにも集められるようになるためである。
なお、スキージ８ｂの移動方向は、上記Ｌｂに移動した後、その逆方向に戻るように移動させてもよいものである。
【００６３】
さらに、図７において、右上側に鎖線で図示されたスキージ８ｃは、直線形状に形成されているが、その配置位置とその移動方向に特徴を有する。
すなわち、スキージ８ｃは、上記凹部２ａの底辺２ａａに対して傾斜して配置されており、その点では傾斜スキージ８ａに類似して配置しているが、その移動方向Ｌｃも上記凹部２ａの底辺２ａａに対して傾斜しているものである。
従って、傾斜スキージ８ａで述べた作用効果をより高めることができる。
すなわち、スキージ８ｃは凹部２ａの各辺に対しての傾斜程度がより均一になることから、第２封止用樹脂部７が凹部内に押し込められる各辺の抵抗差がより減少し、従って、各辺での凹部２ａ内に第２封止用樹脂部７が程よく押し込まれることになる。
なお、スキージ８ｃの移動方向は、上記Ｌｃに移動した後、その逆方向に戻るように移動させてもよいものである。
【００６４】
〔第６実施形態〕
第６実施形態は、半導体装置の上表面位置を第１実施形態における半導体装置の上表面位置と異なるようにしたものである。
図８は、第６実施形態の電子装置体２１２の断面図を示し、第１実施形態の樹脂封止部硬化工程終了後の対応状態を示している。
図８において、半導体装置１０１は、基板２の表面から突出している。すなわち、半導体装置１０１は、第１実施形態のものより厚く形成されており、基板２の表面から段差Ｍだけ突出しているものである。
この場合は、樹脂封止部１０３も、第１実施形態より厚く形成されており、ワイヤー１０４を十分埋設できるようにしている。
上記の場合、半導体装置１０１の外壁１０１ｂと基板２の凹部の内壁２ｃとの間に形成される隙間１０９は、第１実施形態のものより深く構成されることになる。このため、従来のように第１脱泡工程と第２封止用樹脂部配置工程とを行わずに樹脂封止部を形成すると、深い隙間１０９の底部には空隙１１が生じやすくなるが、本発明によれば上記第１脱泡工程を行った後に第２封止用樹脂部配置工程（スキージ工程を含む）を行うので、第１封止用樹脂部配置工程で隙間１０９の底部に残存している気体が脱泡されることから、第２封止用樹脂部配置工程により深い隙間１０９の底部にも確実に封止用樹脂部が充填されるものである。
【００６５】
〔第７実施形態〕
各実施形態で得られた電子装置体１２、１１２、２１２を用いて、他の電子回路体に接続させることが容易なように、導電リード上に導電ボールを配置接合させるものである。
図９は、導電ボールが配置接合された第１実施形態の電子装置体１２の断面図である。電子装置体は、第１実施形態の電子装置体１２以外の他の実施形態における電子装置体１１２、２１２を用いてもよい。
詳述すると、第１実施形態で得られた電子装置体１２を用い、電子装置体１２の上表面に形成されている導電リード２ｂ上に、他の電子回路体である第２回路基板１３の導電リードと導通する導電ボール１４を配置し固定する導電ボール配置工程が行われるものである。
上記導電ボール１４は、半田ボール、銀ボール、アルミニュームボール、樹脂材中に導電微粒子を混合した導電樹脂ボール、樹脂ボールの表面に導電薄膜を形成した導電薄膜ボールなどで、例えば０．５ｍｍ径である。この導電ボール１４は、電子装置体１２において半導体装置１の外周の基板２の表面に配置された導電リード２ｂの上に載置され、加熱することにより導電ボール１４が導電リードに接合されるものである。
導電ボール１４が接合された電子装置体１２を他の電子回路体に接続させるには、電子装置体１２の各導電リード２ｂに対向するように所定位置に配置された第２回路基板１３の導電リードが導電ボール１４上に載置され必要により押圧されてから、加熱することにより導電ボール１４が上下の導電リードに接合されるとともに導通するようになる。
【００６６】
なお、導電ボール１４が上下の導電リードに接合されるとともに導通するようになった状態において、図９のように、第２回路基板１３の下面と封止用樹脂部３の上表面とが接触しないように隙Ｎを設けるように、導電ボール１４の高さを設定しておくことが好ましい。但し、隙Ｎがゼロであってもよいが、第２回路基板１３と封止用樹脂部３の上表面とが互いに押し合うことがなく互いに変形や内部応力をおよぼさないようにしておくことが好ましい。
また上記導電ボール１４を基板２の導電リード上に配置してから加熱して導電ボール１４を導電リードに接合してから、第２回路基板１３の各導電リードを導電ボール１４上に載置し、しかるのち再び加熱して第２回路基板１３の各導電リードを導電ボール１４に接合するようにしてもよい。あるいは、上記導電ボール１４を基板２の導電リード上に配置し、加熱することなく第２回路基板１３の各導電リードを導電ボール１４上に載置し、しかるのち加熱して第２回路基板１３の各導電リードを導電ボール１４に接合するようにしてもよい。
前述した導電ボール１４を基板２の導電リード上に配置し、あるいはさらに第２回路基板１３の各導電リードが導電ボール１４上に載置する時期は、第１実施形態において樹脂封止部硬化工程後であったが、その時期は上記に限定されるものではなく、例えばマスク剥離工程Ｈの後であってもよく、あるいは第２脱泡工程Ｉの後でもよい。それらの場合、導電ボール１４の材質によっては樹脂封止部硬化工程の加熱によって導電ボール１４が上下の導電リードに接合され導通し、新たな導電ボールと上下導電リードとの接合のための加熱を不要とすることも可能である。
【００６７】
〔第１変形例〕
これまで説明してきた第１脱泡工程Ｄは、第１封止用樹脂部配置工程Ｃの後で行うものであったが、第１封止用樹脂部配置工程Ｃと第１脱泡工程Ｄとを同時に行ってもよいものである。
上記同時に行うには、真空雰囲気内（真空槽内など）で第１封止用樹脂部配置工程Ｃを行うことにより実現されるものである。
同様に、第２封止用樹脂部配置工程Ｆと第２脱泡工程Ｉとを同時に行ってもよく、例えば、真空雰囲気内（真空槽内など）で第２封止用樹脂部配置工程Ｆを行うことにより実現されるものである。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明は、基板に配置固定された電子装置ならば半導体装置以外でもよく、たとえばコンデンサ、抵抗であってもよい。また本発明で得られた電子装置体は、他の回路部材や電子装置に導通させて使用することができ、携帯電話、電子時計、パーソナルコンピュータなどの電子機器に用いることができるものである。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の第１実施形態における半導体装置を樹脂封止する樹脂封止部の形成方法を示す工程図。
【図２】図１の主な工程における主要部断面図で、（１）は半導体装置の配置工程およびワイヤーボンディング工程の終了後における主要部断面図、（２）は第１封止用樹脂部配置工程の終了後における主要部断面図、（３）は第２封止用樹脂部配置工程の終了後および樹脂封止部構成工程の準備状態における主要部断面図、（４）は樹脂封止部構成工程が終了した状態における主要部断面図、（５）はマスク剥離工程の終了後および樹脂封止硬化工程の終了後における主要部断面図。
【図３】図２（３）における主要部の拡大断面図。
【図４】図２（３）における第２封止用樹脂部とスキージを省略した状態の平面図。
【図５】本発明の第２実施形態における完成状態の電子装置体の断面図。
【図６】本発明の第３実施形態および第４実施形態における上記大型マスクが載置された状態の平面図。
【図７】本発明の第５実施形態におけるスキージの配置およびスキージ方向を異ならせた状態を図示する平面図。
【図８】本発明の第６実施形態における電子装置体の断面図。
【図９】本発明の第７実施形態における導電ボールが配置接合された電子装置体の断面図。
【図１０】従来の電子装置の主要部断面。
【符号の説明】
【００７０】
１、１０１、５０１：半導体装置、１ａ：電極、１ｂ、１０１ｂ：外壁、２、１０２、５０２：基板、２ａ、１０２ａ、５０２ａ：凹部、２ａａ：凹部の底辺、２ｂ、１０２ｂ：導電リード、２ｃ：内壁、２ｄ、５０２ｄ：回路基板、２ｄａ：凹部形成用開口部、２ｅ、５０２ｅ：放熱板、３、１０３、５０３：樹脂封止部、５０３ｂ：部分窪み、４、１０４、５０４：ワイヤー、５：第１樹脂封止部、５ａ：外端、５ｂ：隙間窪み、６、５０６：マスク、６ａ：開口部、６ｂ：開口部の内端、７：第２樹脂封止部、８、８ａ、８ｂ、８ｃ：スキージ、９、１０９、５０９：隙間、１０：回路基板、１１、５１１：空隙、１２、１１２、２１２：電子装置体、１３：第２回路基板、１４：導電ボール、１０６：大型マスク、２０２：大型基板
Ｌ、Ｌａ，Ｌｂ，Ｌｃ：スキージ移動方向、Ｍ：半導体装置と回路基板との段差、Ｎ：樹脂封止部と第２回路基板との隙、Ｐ：回路基板の厚さ、Ｑ：半導体装置の厚さ、Ｒ：隙間の幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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