(57)【要約】【課題】使用周波数によるキャビティ寸法の制約なく２倍波の漏洩を抑圧できる高周波パッケージを得ること。【解決手段】出力整合回路４と高周波パッケージ１の出力端子２との間に、使用周波数の２倍波に対する１／４波長型吸収体を配置し、出力整合回路４の出力端と出力端子２との間を２倍波のカットオフブロックで覆ったマイクロトリップ線路で接続し、１／４波長型吸収体を構成する抵抗膜６に、マイクロストリップ線路７を覆う２倍波カットオフブロック８の外周が密着した状態で貫通する貫通穴を設けてある。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロ帯またはミリ波帯の高周波送信信号を増幅する送信用増幅器と該送信用増幅器の出力整合回路とを実装する高周波パッケージにおいて、
前記整合回路と高周波パッケージの送信出力側壁面に設けられる出力端子との間に使用周波数の２倍波に対する１／４波長型吸収体を配置し、
前記出力整合回路の出力端と前記出力端子との間を２倍波のカットオフブロックで覆ったマイクロトリップ線路で接続し、
前記１／４波長型吸収体を構成する抵抗膜に、前記マイクロストリップ線路を覆う前記２倍波カットオフブロックの外周が密着した状態で貫通する貫通穴が設けられている
ことを特徴とする高周波パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波帯またはミリ波帯などの高周波帯で動作する高周波デバイスを実装する高周波パッケージに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
マイクロ波帯またはミリ波帯などの高周波帯で動作する高周波デバイスを実装する高周波パッケージでは、耐環境性や動作安定性を確保するため、高周波デバイスを、カバー（ 蓋体） 、シールリング、接地導体などにより気密でかつ電気的にシールドされたキャビティ内の誘電体基板上に搭載している場合が多い。
【０００３】
このように構成される高周波パッケージでは、カバーなどの部材により決定されるキャビティ寸法が自由空間伝搬波長の概略１／２波長あるいはその整数倍となる波長に対応する周波数帯において共振が発生し、キャビティ内の高周波デバイスの動作や伝送線路の特性が不安定になり、２倍波などの不要高調波が外部に漏洩することが起こる。
【０００４】
そこで、従来では、高周波パッケージの気密性を保持しつつキャビティ内の共振を抑圧するために、キャビティ寸法をカットオフ周波数以下にしたり、パッケージ筐体内に抵抗体などの吸収体を配置したりして、共振を抑圧していた（例えば、特許文献１等）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−１８３１０号公報（図３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、キャビティ寸法をカットオフ周波数以下にする方法では、使用周波数が高くなるに従って実装上の制約が発生し、２倍波の漏洩を抑圧できない場合が起こるという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであり、使用周波数によるキャビティ寸法の制約なく２倍波の漏洩を抑圧できる高周波パッケージを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した目的を達成するために、本発明は、マイクロ帯またはミリ波帯の高周波送信信号を増幅する送信用増幅器と、該送信用増幅器の出力整合回路とを実装する高周波パッケージにおいて、前記出力整合回路と高周波パッケージの出力側金属壁面に設けられる出力端子との間に使用周波数の２倍波に対する１／４波長型吸収体を配置し、前記出力整合回路の出力端と前記出力端子との間を２倍波のカットオフブロックで覆ったマイクロトリップ線路で接続し、前記１／４波長型吸収体を構成する抵抗膜に、前記マイクロストリップ線路を覆う前記２倍波カットオフブロックの外周が密着した状態で貫通できる貫通穴が設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、パッケージ内の出力整合回路側空間を出力端子が設けられる出力側金属壁面に向かって伝搬する２倍波は１／４波長型吸収体を構成する抵抗膜で吸収される。また、抵抗膜に設けた貫通孔は、２倍波カットオフブロックによって２倍波でカットオフとなるので、パッケージ内の出力整合回路側空間を伝搬する２倍波が抵抗膜に設けた貫通孔からマイクロストリップ線路側へ漏洩することもない。したがって、使用周波数によるキャビティ寸法の制約なく、２倍波が出力端子から外部へ漏洩するのを抑圧できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本発明の一実施の形態による高周波パッケージの構成を示す上面図である。
【図２】図２は、図１に示すＡ−Ａ’線での断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明にかかる高周波パッケージの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００１２】
図１は、本発明の一実施の形態による高周波パッケージ構成を示す上面図である。図２は、図１に示すＡ−Ａ’線での断面図である。なお、図１では、上部開口端を塞ぐカバーを外してパッケージ内の送信出力側における本実施の形態に関わる要部構成が明確に示されている。
【００１３】
図１において、高周波パッケージ１の出力側金属壁面には、出力端子２が取り付けられている。この高周波パッケージ１の送信出力側の内部では、本実施の形態に関わる要素である送信用増幅器３と出力整合回路４とが配置される。出力整合回路４は、本実施の形態では、２倍波抑圧回路も設けられ、送信用増幅器３の出力に含まれる２倍波を抑圧する。
【００１４】
そして、出力整合回路４の出力端と高周波パッケージ１の出力側金属壁面との間に高周波パッケージ１の出力側金属壁面から使用周波数の２倍波に対する１／４波長離れた位置にパッケージ内を仕切る壁５を設け、この壁５の出力整合回路４側に面した壁面に、抵抗膜６を積層形成してある。この抵抗膜６は、使用周波数の２倍波を終端する１／４波長型吸収体を構成する。
【００１５】
また、出力整合回路４の出力端と高周波パッケージ１の出力端子２との間を接続するマイクロストリップ線路７の外周囲は、２倍波をカットする２倍波カットオフブロック８で覆われている。そのため、図２に示すように、壁５および抵抗膜６の下端側に、マイクロストリップ線路７の外周囲を覆う２倍波カットオフブロック８が密着した状態で貫通できる貫通穴９が設けられている。
【００１６】
次に、動作について説明する。送信用増幅器３の出力には、使用周波数による基本波の他に、２倍波も含まれている。送信用増幅器３の出力に含まれる２倍波は、主に整合回路４に入力されるが、一部がパッケージ内空間へ漏洩し、パッケージ内空間を伝搬する。
【００１７】
送信用増幅器３から出力される基本波は、出力整合回路４から２倍波カットオフブロック８で覆われたマイクロストリップ線路７上を伝送して高周波パッケージ１の出力端子２から外部へ出力される。
【００１８】
高周波パッケージ１内の出力端子２側に向かって伝搬する２倍波１０は、２倍波に対する１／４波長吸収体である抵抗膜６に入射し、吸収されるので、高周波パッケージ１内の空間を伝搬する２倍波１０の大部分は、２倍波に対する１／４波長吸収体である抵抗膜６により終端される。つまり、出力端子２が設けられる高周波パッケージ１の出力側金属壁面に伝達される２倍波はなく、出力端子２から２倍波が漏洩することはない。
【００１９】
このとき、高周波パッケージ１内の空間を伝搬する２倍波１０の一部は、抵抗膜６の下端側に開けた貫通穴９から、マイクロストリップ線路７と２倍波カットオフブロック８との間の空間１１にも入射する。しかし、抵抗膜６の下端側に開けた貫通穴９は、２倍波でカットオフであるため、２倍波は貫通穴９で全反射する。そのため、出力端子２から２倍波が漏洩することはない。
【００２０】
以上のように、本実施の形態によれば、２倍波の漏洩を抑圧できる高周波パッケージを実現することができる。このとき、貫通穴からマイクロストリップ線路に向かう２倍波のカットオフは、２倍波カットオフブロックで実現されるので、高周波パッケージのキャビティサイズに使用周波数による制約はなくなる。また、空間を伝搬する２倍波を高周波パッケージ内で終端できるので、送信用増幅器の出力に対する整合回路での２倍波抑圧処理に対する影響を防止することができる。
【産業上の利用可能性】
【００２１】
以上のように、本発明にかかる高周波パッケージは、高周波パッケージのキャビティサイズに使用周波数による制約を設けることなく２倍波の漏洩を抑圧する高周波パッケージとして有用である。
【符号の説明】
【００２２】
１  高周波パッケージ、２  出力端子、３  送信用増幅器、４  出力整合回路、５  壁、６  抵抗膜（１／４波長型吸収体）、７  マイクロストリップ線路、８  ２倍波カットオフブロック、９  貫通穴、１０  整合回路側空間を伝搬する２倍波、１１  マイクロストリップ線路と２倍波カットオフブロックとの間の空間。
【図１】
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【図２】
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