(57)【要約】【課題】発光ダイオードの発光光度を正確に評価することができ、しかも製造の簡素化が図れる発光装置、発光装置の評価方法、および発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板１と、基板１上に形成される光吸収層６を含むフォトダイオード構造２と、フォトダイオード構造２上にエッチングストップ層３を介して形成される活性層９を含む発光ダイオード構造４と、フォトダイオード構造２の一部を露出させて形成される、発光ダイオード構造４及びフォトダイオード構造２に対して用いられる共通電極１６と、基板１のフォトダイオード構造２と反対の面側に設けられるフォトダイオード用電極１７と、発光ダイオード構造４の上方に設けられる発光ダイオード用電極１５とを備えた発光装置である。【選択図】図３
2010262961.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、当該基板上に形成されるフォトダイオード構造と、当該フォトダイオード構造上にエッチングストップ層を介して形成される発光ダイオード構造と、上記フォトダイオード構造の一部を露出させて形成される、上記発光ダイオード構造及び上記フォトダイオード構造に対して用いられる共通電極と、上記基板の上記フォトダイオード構造と反対の面側に設けられるフォトダイオード用電極と、上記発光ダイオード構造の上方に設けられる発光ダイオード用電極とを備えた発光装置。
【請求項２】
基板上にフォトダイオード構造を設け、上記フォトダイオード構造上にエッチングストップ層を設け、上記エッチングストップ層上に発光ダイオード構造を設けて得られた発光ダイオード用ウェハの一部に、上記エッチングストッブ層までエッチングしメサ溝を形成することで分離されたメサ構造部を形成し、上記エッチングにより上記メサ溝内で露出したフォトダイオード構造上に、上記発光ダイオード構造及び上記フォトダイオード構造に対して用いられる共通電極となる金属層を形成し、上記メサ構造部上に発光ダイオード用電極となる金属層を形成し、さらに上記基板の上記フォトダイオード構造とは反対側の面にフォトダイオード用電極となる金属層を形成し、上記発光ダイオード用電極と上記共通電極との間に電流を流すことで上記発光ダイオード構造を発光させ、上記発光ダイオード構造から発光され上記基板側に放出された光を上記フォトダイオード構造で受光することで上記発光ダイオード構造の発光光度を評価することを特徴とする発光装置の評価方法。
【請求項３】
基板上にフォトダイオード構造を設け、上記フォトダイオード構造上にエッチングストップ層を設け、上記エッチングストップ層上に発光ダイオード構造を設けて得られた発光ダイオード用ウェハの一部に、上記エッチングストップ層までエッチングしメサ溝を形成することで分離されたメサ構造部を形成し、上記エッチングにより上記メサ溝内で露出したフォトダイオード構造上に、上記発光ダイオード構造及び上記フォトダイオード構造に対して用いられる共通電極となる第１金属層を形成し、上記メサ構造部上に発光ダイオード用電極となる第２金属層を形成し、さらに上記基板の上記フォトダイオード構造とは反対側の面にフォトダイオード用電極となる第３金属層を形成し、上記発光ダイオード用電極と上記共通電極との間に電流を流すことで上記発光ダイオード構造を発光させ、上記発光ダイオード構造から発光され上記基板側に放出された光を上記フォトダイオード構造で受光することで上記発光ダイオード構造の発光光度を評価し、その後、一方の面に金属接合層が形成された支持基板の上記金属接合層と上記発光ダイオード用ウェハの上記メサ構造部上に設けられた第２金属層とを重ね合わせて接合し、上記支持基板と上記発光ダイオード用ウェハとが貼り合わされた接合基板から上記第１金属層、上記第３金属層、及び上記フォトダイオード構造を除去する工程を備えることを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項４】
上記エッチングストップ層と上記発光ダイオード構造との間に電流拡散層を設けることを特徴とする請求項３に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード構造を有する発光装置、発光装置の評価方法、および発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）用エピタキシャルウェハは、通常、バックラップ（裏面研削）、粗面化、電極形成、ダイシング等の半導体プロセスを経て、チップ化される。チップ化されたＬＥＤは、チッププローバーを用いて、発光光度や出力が測定されるが、ＬＥＤ用エピタキシャルウェハの状態でも、その特性を評価・管理し、チップ化した際の特性を保証するために、グルービング法による光測定が行われている（例えば、特許文献１、２参照）。
【０００３】
グルービング法では、超音波振動を加えた金属製のホーンを、ＬＥＤ用のエピタキシャルウェハ１００の表面１００ａに接触させ、図６（ａ）に示すように、エピタキシャルウェハ１００の中心部など数カ所に、円形の溝１０１を形成する。溝１０１は、図６（ａ）のＡ部拡大図である図６（ｂ）に示すように、内径ｄ１が約０.５５ｍｍ、外径ｄ２が約
０.９５ｍｍの大きさである。また、溝１０１の深さは、図６（ａ）のＡ部の拡大断面図
である図６（ｃ）に示すように、ＬＥＤ構造のエピタキシャル層１０２よりも深くして基板１０３まで到達させることで、溝１０１で囲まれた円柱状の評価領域（メサ構造部）Ｂに電流を狭窄できるようにしている。
【０００４】
次に、溝１０１を加工した後のエピタキシャルウェハ１００を、図６（ｄ）に示すように、測定装置の金属製の電極ステージ１０４上に載せ、評価領域Ｂの表面中央部にプローブ１０５を接触させて、評価領域Ｂのエピタキシャル層１０２に垂直方向に電流を流すことで、プローブ１０５直下の評価領域Ｂを発光させる。この評価領域Ｂからの放出光１０６を、評価領域Ｂ上方のフォトダイオード（ＰＤ）１０７で検出し、検出されたフォトダイオード１０７の出力電圧値に、ある係数を掛けた値を発光ダイオードの発光光度としている。
このとき、プローブ１０５、フォトダイオード１０７の位置は固定で、電極ステージ１０４が上下することで、発光面となる表面１００ａとプローブ１０５の位置関係が一定となるように、測定装置ではアライメントを行っている。
【０００５】
また、端面発光型発光ダイオードと、この端面発光型発光ダイオードの下方より放出される光を入射することが可能な面入射型フォトダイオードとを同一基板上に設け、端面発光型発光ダイオードの光出力を面入射型フォトダイオードでモニタリングする発光ダイオードアレイからなる半導体発光装置が知られている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２４２８４０号公報
【特許文献２】特開平８−６４６５２号公報
【特許文献３】特開平８−２３６７４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記のグルービング法による光測定では、次のような問題があった。超音波加工による機械加工では、評価領域Ｂの断面に歪が多くリーク電流が流れやすく、ま
た、ウェハ表面１００ａに電極が形成されていないので、プローブ１０５との接触抵抗が大きく誤差が生じやすいなど、正確な測定が難しい。更に、エピタキシャル層１０２上層に位置する電流拡散層が薄くなるにつれて、電流が広がらなくなり、プローブ１０５下方の発光面積が小さくなり、測定精度が悪化するという問題があった。特に、貼り合わせ用ＬＥＤエピウェハの場合には、電流拡散層が薄く電流が広がらず、グルービング法による光測定方法では発光出力が低いため、精度の高い測定は困難であった。
【０００８】
また、特許文献３の半導体発光装置は、発光ダイオード用の電極と、フォトダイオード用の電極とがそれぞれ２つずつ設けられているため、構造が複雑であり、メサ溝等のエッチング工程、ＳｉＯ２等の絶縁層の形成工程などの多くの工程が必要となる。また、特許文献３の半導体発光装置を貼り合わせタイプの発光ダイオードに適用した場合には、電極等の除去工程が煩雑となる。
【０００９】
本発明は、上記課題を解決し、発光ダイオードの発光光度を正確に評価することができ、しかも製造の簡素化が図れる発光装置、発光装置の評価方法、および発光装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明は次のように構成されている。
本発明の第１の態様は、基板と、当該基板上に形成されるフォトダイオード構造と、当該フォトダイオード構造上にエッチングストップ層を介して形成される発光ダイオード構造と、上記フォトダイオード構造の一部を露出させて形成される、上記発光ダイオード構造及び上記フォトダイオード構造に対して用いられる共通電極と、上記基板の上記フォトダイオード構造と反対の面側に設けられるフォトダイオード用電極と、上記発光ダイオード構造の上方に設けられる発光ダイオード用電極とを備えた発光装置である。
【００１１】
本発明の第２の態様は、基板上にフォトダイオード構造を設け、上記フォトダイオード構造上にエッチングストップ層を設け、上記エッチングストップ層上に発光ダイオード構造を設けて得られた発光ダイオード用ウェハの一部に、上記エッチングストッブ層までエッチングしメサ溝を形成することで分離されたメサ構造部を形成し、上記エッチングにより上記メサ溝内で露出したフォトダイオード構造上に、上記発光ダイオード構造及び上記フォトダイオード構造に対して用いられる共通電極となる金属層を形成し、上記メサ構造部上に発光ダイオード用電極となる金属層を形成し、さらに上記基板の上記フォトダイオード構造とは反対側の面にフォトダイオード用電極となる金属層を形成し、上記発光ダイオード用電極と上記共通電極との間に電流を流すことで上記発光ダイオード構造を発光させ、上記発光ダイオード構造から発光され上記基板側に放出された光を上記フォトダイオード構造で受光することで上記発光ダイオード構造の発光光度を評価することを特徴とする発光装置の評価方法である。
【００１２】
本発明の第３の態様は、基板上にフォトダイオード構造を設け、上記フォトダイオード構造上にエッチングストップ層を設け、上記エッチングストップ層上に発光ダイオード構造を設けて得られた発光ダイオード用ウェハの一部に、上記エッチングストップ層までエッチングしメサ溝を形成することで分離されたメサ構造部を形成し、上記エッチングにより上記メサ溝内で露出したフォトダイオード構造上に、上記発光ダイオード構造及び上記フォトダイオード構造に対して用いられる共通電極となる第１金属層を形成し、上記メサ構造部上に発光ダイオード用電極となる第２金属層を形成し、さらに上記基板の上記フォトダイオード構造とは反対側の面にフォトダイオード用電極となる第３金属層を形成し、上記発光ダイオード用電極と上記共通電極との間に電流を流すことで上記発光ダイオード構造を発光させ、上記発光ダイオード構造から発光され上記基板側に放出された光を上記フォトダイオード構造で受光することで上記発光ダイオード構造の発光光度を評価し、そ
の後、一方の面に金属接合層が形成された支持基板の上記金属接合層と上記発光ダイオード用ウェハの上記メサ構造部上に設けられた第２金属層とを重ね合わせて接合し、上記支持基板と上記発光ダイオード用ウェハとが貼り合わされた接合基板から上記第１金属層、上記第３金属層、及び上記フォトダイオード構造を除去する工程を備えることを特徴とする発光装置の製造方法である。
【００１３】
本発明の第４の態様は、第３の態様の発光装置の製造方法において、上記エッチングストップ層と上記発光ダイオード構造との間に電流拡散層を設ける。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、発光ダイオードの発光光度を正確に評価することができ、しかも製造の簡素化が図れる発光装置、発光装置の評価方法、および発光装置の製造方法が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る発光装置の製造に用いられる発光ダイオード用エピタキシャルウェハの模式的な断面図である。
【図２】図１のエピタキシャルウェハにメサ構造部を形成した後の模式的な断面図である。
【図３】図２のエピタキシャルウェハに電極を形成した、第１の実施形態及び実施例に係る発光装置の模式的な断面図である。
【図４】図３の発光装置をチップ化した、本発明の第２の実施形態に係る発光装置の模式的な断面図である。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る発光装置の製造工程を示す工程図である。
【図６】従来のグルービング法による光測定方法を説明する概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明に係る発光装置、発光装置の評価方法、および発光装置の製造方法の実施形態を図面を用いて説明する。
【００１７】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態の発光装置の製造に用いられる発光ダイオード用エピタキシャルウェハの模式的な断面図を示す。
発光ダイオード用エピタキシャルウェハは、ｐ型基板１上に、有機金属気相成長法などを用いたエピタキシャル成長によって、化合物半導体からなる表面入射型のフォトダイオード（ＰＤ）構造２と、ｎ型エッチングストップ層３と、表面発光型の発光ダイオード（ＬＥＤ）構造４とが順次形成されている。
フォトダイオード構造２は、本実施形態では、ｐ型クラッド層５と、アンドーブ光吸収層６と、ｎ型クラッド層７とからなる。フォトダイオード構造２の受光波長帯は、発光ダイオード構造４の発光波長帯に合わせて設定されている。
フォトダイオード構造２上に形成されるｎ型エッチングストップ層３は、半導体プロセスでの電極形成面を出すための層である。
発光ダイオード構造４は、本実施形態では、ｎ型クラッド層８と、発光層（活性層）９と、ｐ型クラッド層１０と、ｐ型電流拡散層１１とからなる。
【００１８】
図１の上記発光ダイオード用エピタキシャルウェハに対して、フォトリソグラフィを用いてレジストパターンを形成し、ｎ型エッチングストップ層３までエッチングによりメサ溝１２を形成し、発光ダイオード構造４部にメサ溝１２によって分離されたメサ構造部Ｃを形成する（図２）。
【００１９】
更に、メサ溝１２の形成によって露出しているｎ型エッチングストップ層３をエッチングにより除去した後、真空蒸着法などを用いて、メサ構造部Ｃのｐ型電流拡散層１１上の一部には発光ダイオード用電極となる金属層１５、ｐ型基板１の裏面にはフォトダイオード用電極となる金属層１７、メサ構造部Ｃ外周のフォトダイオード構造２のｎ型クラッド層７上には、発光ダイオード構造とフォトダイオード構造に共通する共通電極となる金属層１６を形成する（図３）。これにより、第１の実施形態の発光装置が作製される。
【００２０】
発光ダイオード構造４の発光ダイオード用電極（ｐ側電極）１５と共通電極（ｎ側電極）１６間には順方向バイアスをかけ、フォトダイオード構造２の共通電極（ｎ側電極）１６とフォトダイオード用電極（ｐ側電極）１７との間には逆方向バイアスをかけて駆動させる。
発光ダイオード構造４のメサ構造部Ｃに順バイアスを印加することにより、発光層９で発光し、発光層９からｐ型基板１側に放出された光は、エッチングストップ層３を透過し、アンドーブ光吸収層６で吸収されて電流が流れる。このときに生じた電位差（電圧）を測定し、発光ダイオード構造４の発光光度を求める。この発光光度から発光ダイオード構造４の特性を評価することができる。
【００２１】
本実施形態の発光装置は、同一の基板１に上下に表面入射型のフォトダイオード構造２と表面発光型の発光ダイオード構造４とを設け、発光ダイオード構造４で発光した光をフォトダイオード構造２で検出する構成となっているため、発光ダイオード構造２の発光光度を精度よく測定することができる。
また、本実施形態の発光装置は、メサ溝１２内で露出したフォトダイオード構造２上に、発光ダイオード構造４とフォトダイオード構造２とに共通する共通電極１６を設けた構造であるため、メサ溝等のエッチング工程の簡素化が可能となると共に、発光ダイオード構造４とフォトダイオード構造２とに個別に個別電極を設けた場合に比較して、個別電極を電気的に分離するＳｉＯ２等の絶縁層の形成や個別電極の形成などの工程を省略ないし大幅に削減することが可能となり、発光装置の製造プロセスの簡素化が図れる。
【００２２】
（第２の実施形態）
図４は、図３の発光ダイオード構造４のメサ構造部Ｃが多数形成された発光装置をダイシング等でチップ化した、一または複数の発光ダイオード構造４のメサ構造部Ｃを有する発光装置（発光素子）である。図３のメサ構造部Ｃが多数形成された発光装置の段階で発光ダイオード構造４の発光光度を評価できるが、さらに、この図４に示す発光装置に対しても、発光ダイオード構造４に順方向バイアス、フォトダイオード構造２に逆方向バイアスをかけて、発光ダイオード構造４の発光光度を個別に評価することができる。
【００２３】
（第３の実施形態）
図５は、第３の実施形態に係る発光装置の製造工程を模式的に示す断面図である。この実施形態の発光装置は、エピタキシャル成長用基板上に形成したエピタキシャル層を支持基板に貼り替える貼替型の発光装置である。
【００２４】
まず、図５（ａ）に示すように、エピタキシャル成長用のｐ型基板１上に、化合物半導体からなるフォトダイオード構造２、ｎ型エッチングストップ層３、および発光ダイオード構造４を順次、エピタキシャル成長する。
フォトダイオード構造２は、上記第１の実施形態と同様に、ｐ型クラッド層５と、アンドーブ光吸収層６と、ｎ型クラッド層７とからなる。
発光ダイオード構造４は、本実施形態では、エッチングストップ層３上に、ｎ型電流拡散層１３、ｎ型クラッド層８、発光層（活性層）９、ｐ型クラッド層１０が、順次積層されている。
【００２５】
次に、図５（ｂ）に示すように、上記発光ダイオード用エピタキシャルウェハの一部に、フォトリソグラフィ技術を用いて、ｎ型エッチングストップ層３までエッチングによりメサ溝１２を形成し、発光ダイオード構造４部にメサ溝１２によって分離されたメサ構造部Ｃを形成する。更に、メサ溝１２の形成によって露出しているｎ型エッチングストップ層３をエッチングにより除去した後、真空蒸着法などにより、メサ溝１２内のフォトダイオード構造２のｎ型クラッド層７上に、発光ダイオード構造４とフォトダイオード構造２に共通する共通電極となる第１金属層１８を形成し、メサ構造部Ｃ上に発光ダイオード用電極となる第２金属層１９を形成し、さらにｐ型基板１の裏面にフォトダイオード用電極となる第３金属層２０を形成する。
【００２６】
メサ構造部Ｃ上の第２金属層（発光ダイオード用電極）１９とメサ溝１２内のｎ型クラッド層７上の第１金属層（共通電極）１８との間に順方向バイアスをかけ、メサ溝１２内のｎ型クラッド層７上の第１金属層（共通電極）１８とｐ型基板１裏面の第３金属層（フォトダイオード用電極）２０との間に逆方向バイアスをかける。
発光ダイオード構造４のメサ構造部Ｃに順バイアスを印加することにより、発光層９で発光し、発光層９からｐ型基板１側に放出された光は、エッチングストップ層３を透過し、アンドーブ光吸収層６で吸収されて電流が流れる。このときに生じた電位差（電圧）を測定し、発光ダイオード構造４の発光光度を求める。この発光光度から発光ダイオード構造４の特性を評価する。
なお、ｐ型クラッド層１０と金属層１９との間に、さらに電流拡散機能を持った層を形成したり、或いはｐ型クラッド層１０上などの一部にエピタキシャル層との接触抵抗低減のためのオーミックコンタクト接合部（部分電極）を設けたりしてもよい。
【００２７】
上記発光光度の評価の結果、発光ダイオード構造４の発光光度が所定の基準値以上の場合には、良好な発光ダイオード構造４が得られたと判断し、エピタキシャル成長用の基板１上の発光ダイオード構造４を、支持基板（メカニカル基板）に張り替える。張り替えは、次のようにして行う。
【００２８】
Ｓｉなどの支持基板２１上に、金などを主成分とする金属接合層２２を真空蒸着などにより形成する。
この支持基板２１の金属接合層２２と上記金属層付きエピタキシャルウェハの第２金属層１９とを重ね合わせ、熱圧着などにより、金属接合層２２と第２金属層１９とを接合して一体化し、支持基板２１と金属層付きエピタキシャルウェハを貼り合わせる。
金属接合層２２との接合を良好とするために、少なくとも第２金属層１９の金属接合層２２側の表面部は、金属接合層２２と同質の材料とするのが好ましい。また、第２金属層１９は、貼り合わせ後に、発光層９からの光を反射する反射層として機能させるので、少なくとも第２金属層１９の発光層９側の表面部は、反射率の高い金属とするのが好ましい。
【００２９】
次に、金属層付きエピタキシャルウェハと支持基板２０とが貼り合わされた接合基板から、研削、エッチングなどによって、第１金属層１８、第３金属層２０、ｐ型基板１、フォトダイオード構造２、ｎ型エッチングストップ層３を除去する。エッチングに際しては、再度、ｎ型エッチングストップ層３を利用する。これにより、図５（ｃ）に示すように、貼替型の発光ダイオード用エピタキシャルウェハが得られる。
この図５（ｃ）に示す貼替型の発光ダイオード用エピタキシャルウェハに、電極形成、ダイシング等の半導体プロセスを経て、本実施形態の発光装置（発光素子）が作製される。
【００３０】
なお、上記実施形態において、半導体のｎ型、ｐ型を全て逆に変更しても良い。また、エピタキシャル成長用の基板としては、ＧａＡｓ基板、ＧａＮ基板、ＧａＰ基板、その他
のＬＥＤ構造をエピタキシャル成長可能な全てのＬＥＤ用途の基板を適用できる。
【実施例】
【００３１】
次に、本発明の実施例を説明する。
本実施例の発光装置は、ＡｌＧａＩｎＰ系の発光ダイオード構造（発光波長：５７０ｎｍ〜６６０ｎｍ）を有する発光装置である。本実施例の発光装置は、図３に示す上記第１の実施形態の発光装置と同一の断面構造を有するので、図３を用いて説明する。
【００３２】
まず、ｐ型ＧａＡｓ基板１上に、有機金属気相成長法を用いて、フォトダイオード（ＰＤ）構造２、すなわち、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層５、アンドープＧａＩｎＰ光吸収層６、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層７をエピタキシャル成長した。フォトダイオード構造２の上には、半導体プロセスでの電極形成面を出すために、ｎ型ＧａＩｎＰエッチングストップ層３を成長した。更に、ｎ型ＧａＩｎＰエッチングストップ層３の上に、発光ダイオード（ＬＥＤ）構造４、すなわち、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層８、ＡｌＧａＩｎＰ系の多重量子井戸（ＭＱＷ）層９、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層１０、ｐ型ＧａＰ電流拡散層１１を成長した。なお、フォトダイオード構造２の発光波長によっては、エッチングストップ層３の透過率を高めるために、Ｉｎ組成を減らしたり、Ａｌ組成を増やしたりする等、適宜に設計変更を行うのがよい。
【００３３】
得られたＬＥＤ用エピタキシャルウェハに対して、フォトリソグラフィを用いてレジストパターンを形成し、ｎ型ＧａＩｎＰエッチングストップ層３までエッチングによりメサ溝を形成し、発光ダイオード構造４部にメサ構造部を形成した。更に、メサ溝部のｎ型ＧａＩｎＰエッチングストップ層３をエッチングにより除去した後、真空蒸着により、メサ構造部のｐ型ＧａＰ電流拡散層１１上に発光ダイオード用電極１５、メサ構造部外周のフォトダイオード構造２のｎ型ＡｌＧａＩｎＰクラッド層７上には共通電極１６、ｐ型ＧａＡｓ基板１の裏面にはフォトダイオード用電極１７を形成した（図３）。
【００３４】
なお、図５に示す上記第３の実施形態の張り替え型の発光装置に適用する場合には、発光ダイオード構造部にメサ構を形成する際だけではなく、支持基板への貼り付け後にエピタキシャル成長用のｐ型ＧａＡｓ基板１等を除去する際にもエッチングストップ層を利用できるように、例えば、エッチングストップ層をＧａＡｓ（またはＡｌＧａＡｓ）／ＧａＩｎＰ／ＧａＡｓ（またはＡｌＧａＡｓ）の三層構造とするのがよい。ＧａＡｓ（またはＡｌＧａＡｓ）は、５７０ｎｍ〜６６０ｎｍの光に対して透明ではないが、膜厚を１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすることで、発光強度を十分精度良く測定できる。
【００３５】
上記において、エッチング液としては、ＧａＡｓ、ＡｌＧａＡｓに対しては、例えば、アンモニア水と過酸化水素水との混合液が用いられ、ＧａＩｎＰ、ＡｌＧａＩｎＰに対しては、例えば、臭化水素酸と過酸化水素水と水との混合液が用いられる。
【００３６】
第１の実施形態と同様に、発光ダイオード構造４には順方向バイアス、フォトダイオード構造２には逆方向バイアスをかけて駆動した。発光ダイオード構造４に順方向バイアスを印加することで、多重量子井戸層９に電子、ホールが注入されて発光する。ｐ型ＧａＡｓ基板１側に放出された光は、アンドープＧａＩｎＰ光吸収層６で吸収され、電子とホールを生成し、逆バイアスにより引き離されて電流が流れる。このときに生じた電位差から、発光光度を求めた。十分な発光出力が得られ、発光ダイオードの精度の高い測定・評価ができた。
なお、上記実施例のｐ型ＧａＡｓ基板１に代えて、ｎ型ＧａＡｓ基板を用いてもよい。ｎ型ＧａＡｓ基板を用いる場合には、上記実施例の各エピタキシャル層のｎ型、ｐ型を逆にすればよい。
【符号の説明】
【００３７】
１  ｐ型基板（基板）
２  フォトダイオード構造
３  ｎ型エッチングストップ層（エッチングストップ層）
４  発光ダイオード構造
５  ｐ型クラッド層
６  アンドーブ光吸収層（光吸収層）
７  ｎ型クラッド層
８  ｎ型クラッド層
９  発光層（活性層）
１０  ｐ型クラッド層
１１  ｐ型電流拡散層
１２  メサ溝
１３  ｎ型電流拡散層（電流拡散層）
１５  金属層（発光ダイオード用電極）
１６  金属層（共通電極）
１７  金属層（フォトダイオード用電極）
１８  第１金属層（共通電極）
１９  第２金属層（発光ダイオード用電極）
２０  第３金属層（フォトダイオード用電極）
２１  支持基板
２２  金属接合層
Ｃ  メサ構造部
【図１】
2010262961.tif 000003
【図２】
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【図３】
2010262961.tif 000005
【図４】
2010262961.tif 000006
【図５】
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【図６】
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