(57)【要約】【課題】化学機械の研磨組成物に用いられ、加工物件の平坦化効果を向上させられる平坦化金属層に用いる研磨組成物を提供する。【解決手段】研磨組成物は少なくとも重量が計約750ppm以上5000ppm以下の研磨粒、過酸化水素、加速剤、共同腐蝕抑制剤、水を備え、共同腐蝕抑制剤は第一、第二腐蝕抑制剤を備え、共同腐蝕抑制剤は平坦化金属層中に応用され、金属層の高研磨除去率を維持可能であると同時に、金属エッチング抑制の特性をも備え、ディッシングとエロージョン等の研磨欠陥を減少させることができる。【選択図】図１
2010157680.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平坦化金属層に用いる研磨組成物は、少なくとも研磨粒、過酸化水素、加速剤、共同腐蝕抑制剤、水を備え、
前記研磨粒の重量は、計約750ppm以上5000ppm以下で、
前記共同腐蝕抑制剤は、第一、第二腐蝕抑制剤を備えることを特徴とする平坦化金属層に用いる研磨組成物。
【請求項２】
前記研磨粒の重量は、1000ppm以上3000ppm以下を最適とすることを特徴とする請求項１に記載の平坦化金属層に用いる研磨組成物。
【請求項３】
前記研磨粒の粒径は、90nm以下であることを特徴とする請求項１に記載の平坦化金属層に用いる研磨組成物。
【請求項４】
前記研磨粒の粒径は、50nm以下を最適とすることを特徴とする請求項１に記載の平坦化金属層に用いる研磨組成物。
【請求項５】
前記研磨粒は、か焼した(fumed)二酸化シリコン、ソディウムシリケート或いはポタジウムシリケートを加水分解、或いはシランを加水分解し、及び縮合して形成する二酸化シリコンコロイド溶液、沈殿或いはか焼した(fumed)二酸化アルミニウム、沈殿或いはか焼した(fumed)二酸化チタン、高分子材料、金属酸化物及び高分子材料混合体(hybrid)により組成するグループから選択することを特徴とする請求項１に記載の平坦化金属層に用いる研磨組成物。
【請求項６】
前記研磨粒は、二酸化シリコンコロイド溶液であることを特徴とする請求項１に記載の平坦化金属層に用いる研磨組成物。
【請求項７】
前記過酸化水素は、組成物総重量の0.25から5重量%を占めることを特徴とする請求項１に記載の平坦化金属層に用いる研磨組成物。
【請求項８】
前記加速剤は、クエン酸、シュウ酸、ジヒドロキシコハク酸、ヒスチジン、アラミン、グリシン、アンモニウム塩、ナトリウム塩、レオポルダイト、或いはリチウムにより構成するグループから選択することを特徴とする請求項１に記載の平坦化金属層に用いる研磨組成物。
【請求項９】
前記加速剤は、組成物総重量の0.01から5重量%を占めることを特徴とする請求項１に記載の平坦化金属層に用いる研磨組成物。
【請求項１０】
前記第一腐蝕抑制剤は、1-H-ベンゾトリアゾール、N-アシルサルコジン(N-acyl sarcosine)、硫化アリル(Alkyl sulfate) 或いはアルキルスルホン酸(Alkyl sulfonate)から選択することを特徴とする請求項１に記載の平坦化金属層に用いる研磨組成物。
【請求項１１】
前記第二腐蝕抑制剤は、1,2,3-トリアゾール、1,2,4-トリアゾール、トリルトリアゾール(tolyltriazole)、5-アミノテトラゾール(5-amino tetrazole)、3-アミノ-1,2,4-トリアゾール(3-Amino-1,2,4-triazole)、4-アミノ-4H-1,2,4,-トリアゾール(4-Amino-4H-1,2,4-triazole)、3-ニトロ-1,2,4-トリアゾール(3-Nitro-1,2,4-triazole)、3-メルカプト-1,2,4-トリアゾール(3-Mercapto-1,2,4-triazole)、1H-1,2,3-トリアゾール-1-エタノール(1H-1,2,3 TRIAZOLE-1-ETHANOL)、ベンジミダゾール(benzimidazole)、イミダゾール(imidazole)、ピロール(Pyrrole)、ピロリン(Pyrroline)、オキサゾール(Oxazole)、イソオキサゾール(Isoxazole)、インダゾール(INDAZOLE)或いはインドリジン(INDOLIZINE)から選択することを特徴とする請求項１に記載の平坦化金属層に用いる研磨組成物。
【請求項１２】
前記共同腐蝕抑制剤は、組成物総重量の0.001から1重量%を占めることを特徴とする平坦化金属層に用いる研磨組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は平坦化金属層に用いる研磨組成物に関し、特に化学機械の研磨組成物に用いられ、加工物件の平坦化効果を向上させられる平坦化金属層に用いる研磨組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品の最小加工寸法(Critical Dimension)はどんどん小さくなっており、配線のレイヤー数も急激に増加している。
それに従い、RCタイムディレイ(RC Time Delay)は、回路全体の操作速度に重大な影響を及ぼすようになる。
金属配線の線幅が縮小することにより起きるタイムディレイと電子遷移信頼性の問題を改善するため、アルミニウム合金金属に代わり、電気抵抗率が低く、抗電子遷移破壊能力が高い銅導線材料が採用されている。
しかし、銅金属は、エッチングが容易でないという特性を備えるため、ダマシン(Damascene)方式を採用し銅金属配線を形成する必要がある。
【０００３】
ダマシン(Damascene)方式製造プロセスは、先ず金属パターンを定義し、次に誘電層を溝に充填する伝統的な金属化製造プロセスとは異なる。
その方法は、先ず平坦な誘電層上に金属線の溝をエッチングし、次に金属層を充填し、最後に余剰金属を除去し、こうして、金属ダマシンを誘電層中に備える平坦構造を形成するものである。
ダマシン式製造プロセスは、従来の金属化製造プロセスに比べ、以下のような長所を備える。
１．基底表面を隨時平坦に保持することができる。
２．伝統的な製造プロセスにおいては、誘電材料は金属導線間隙に充填しにくいが、その欠点を排除することができる。
３．金属層、特に銅金属層へのエッチングが容易でないという問題を解決することができる。
さらに、伝統的なインターコネクションの製造プロセス中においては、コンタクトホール構造と導線パターンを別々に製作しなければならないため、製造プロセス全体のステップが極めて煩雑になっているが、その欠点をも克服することができる。
【０００４】
現在では、さらにデュアルダマシン(dual damascene)製造プロセスが開発されている。
それは、2回の選択性エッチングを行なう。
すなわち、導線誘電質(line dielectric)とビア誘電質(via dielectric)を開けた後に、一度に金属層と充填するバリア層を形成し、さらに一度に導電金属をビアプラグとインターコネクション槽に充填する。
こうして、製造プロセスステップを簡略化する効果を達成する。
【０００５】
近年、部品サイズ縮小化と部品操作速度向上のニーズに対応するため、従来のアルミニウム金属製造プロセス技術に代わって、電気抵抗係数が低く、電子遷移抵抗が高い銅金属が、金属インターコネクションの材質として、徐々に応用されるようになっている。
銅金属のダマシン式インターコネクション技術は、インターコネクションの縮小化を達成することができ、しかもRCタイムディレイを減少させることができる。
また同時に、金属銅エッチングが容易でないという問題をも解決することができるため、現在では多重インターコネクションの主流となりつつある。
【０００６】
シングルダマシン或いはデュアルダマシンの銅製造プロセス共に、銅金属の充填を完成後には、平坦化製造プロセスを行い、誘電層上の余剰金属を除去する必要がある。
現在、通常は、化学機械研磨製造プロセスにより、この目的を達成しているが、金属化学機械研磨の技術においては、金属層表面には、金属ディッシング(Dishing)及びエロージョン(Erosion)等の研磨欠陥がしばしば発生する。
【０００７】
金属ディッシング及びエロージョン現象と、研磨速度及びエッチング比(RR/DER)には、極めて大きな関係がある。
エッチング速度が比較的低ければ、パターンビア位置の除去率を低くすることができるため、ディッシング欠陥の抑制に効果的である。
しかし、単位時間当たりの生産量を考慮すると、研磨速度もまた、受け入れ可能な範囲内に維持する必要がある。
また、研磨の均一度は、平坦結果に一定の影響を及ぼすため、均一度が劣れば、より多くの研磨時間を費やし、銅を完全に除去しなければならなくなり、重大な金属ディッシング及びエロージョン現象を引き起こしてしまう。
【０００８】
単位当たりの生産量と金属ディッシング及びエロージョン現象の抑制を両立させるため、通常は銅-化学機械研磨製造プロセスを、２段階のステップに分けて行なう。
第一段階では、比較的速い研磨速度により、大部分の銅を除去し、単位当たりの生産量を拡大する。
第二段階では、比較的ゆっくりした研磨速度により、残った少量の銅を取り除く。
これにより、槽内の銅が過度のエロージョン現象を生じないよう回避する。
通常、２段階の銅研磨製造プロセスでは、異なる段階の銅研磨ニーズに対応するため、異なる組成の研磨組成物にそれぞれ交換することが必要である。
しかし、研磨組成物の交換は、製造プロセスの簡略化に不利であるばかりか、廃棄材料の増加をも増加させてしまう。
【０００９】
特許文献１が掲示する研磨組成物は、アミノ酸、重量計約5ppm以上700ppm以下の研磨粒、トリアゾール化合物、水を備える。
該研磨組成物は、銅のバリア層に対する除去選択性は、50:1を超過している。
特許文献２が掲示する銅金属研磨組成物は、二酸化シリコン、酸化剤、アミノ酸、トリアゾール化合物、水を備える。
特許文献３が掲示する研磨組成物は、研磨粒、保護膜層成形剤、過酸化水素を含み、該研磨粒の粒径は50 〜120nmで、研磨組成物総重量の0.5〜5重量%(wt%)を占める。
特許文献４が掲示する研磨組成物は、研磨粒、少なくとも10個の炭素を備える脂肪族カルボキシル酸、水酸化アンモニウム等のアルカリ性物質から選択する加速剤、腐蝕抑制剤、過酸化水素、水を備える。
しかし、上記した各特許文献では、共同抑制剤を使用し高研磨除去率を維持するという条件において、研磨組成物の金属のエッチングに対する速度を低減し、同時に、第一及び第二段階に適用する銅金属研磨については、未掲示である。
本発明は、従来の研磨組成物の上記した欠点に鑑みてなされたものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】米国公開第2008/0254629号
【特許文献２】米国公開第2004/0020135号
【特許文献３】米国特許第6,440,186号
【特許文献４】米国特許第6,679,929号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明が解決しようとする第一の課題は、加工物件の平坦化効果を向上させられる平坦化金属層に用いる研磨組成物を提供することである。
本発明が解決しようとする第二の課題は、２段階の金属研磨に同時に適用可能な平坦化金属層に用いる研磨組成物を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明は下記の平坦化金属層に用いる研磨組成物を提供する。
研磨組成物は、少なくとも重量が計約750ppm以上5000ppm以下の研磨粒、過酸化水素、加速剤、共同腐蝕抑制剤、水を備え、
該共同腐蝕抑制剤は、第一、第二腐蝕抑制剤を備え、
該共同腐蝕抑制剤は、平坦化金属層中に応用され、金属層の高研磨除去率を維持可能であると同時に、金属エッチング抑制の特性をも備え、ディッシングとエロージョン等の研磨欠陥を減少させることができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明は、化学機械の研磨組成物に用いられ、加工物件の平坦化効果を向上させられる。すなわち、金属層の高研磨除去率を維持可能であると同時に、金属エッチング抑制の特性をも備え、ディッシングとエロージョン等の研磨欠陥を減少させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】研磨粒濃度と研磨除去率の関係図である。
【図２】粒径が比較的大きい研磨粒が、斜率が比較的大きい線性パフォーマンスを備えることを示す図である。
【図３】研磨粒の濃度と金属ディッシングの結果図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に図面を参照しながら本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
本発明の平坦化金属層に用いる研磨組成物は、少なくとも重量が計約750ppm以上5000ppm以下である研磨粒、過酸化水素、加速剤、共同腐蝕抑制剤、水を備える。
共同腐蝕抑制剤は、第一、第二腐蝕抑制剤を備える。
共同腐蝕抑制剤は、平坦化金属層中に用いられ、化学機械研磨時に、加工物件の表面に一層の保護膜を形成することができ、これにより加工物件が過度の腐蝕を受けることを回避可能で、こうして加工物件の腐蝕抑制能力を向上させることができる。
【００１６】
該研磨粒の重量は、計約750ppm以上5000ppm以下で、1000ppm以上3000ppm以下が最適である。
しかも、研磨粒の粒径は、90nm(50nm以下が最適)以下である。
研磨粒の実施例は、以下を備えるがこれに限定するものではない。
すなわち、か焼した(fumed)二酸化シリコン、ソディウムシリケート或いはポタジウムシリケートを加水分解し、或いはシランを加水分解及び縮合して形成する二酸化シリコンコロイド溶液、沈殿或いはか焼した(fumed)二酸化アルミニウム、沈殿或いはか焼した(fumed)二酸化チタン、高分子材料、金属酸化物及び高分子材料の混合体(hybrid)を備える。
内、二酸化シリコンコロイド溶液が最適である。
【００１７】
研磨粒の用量が少な過ぎれば、機械研磨には不利であり、予期の研磨除去率を達成することはできない。
一方、研磨粒の用量が多過ぎれば、機械研磨の効果を加速し、バリア層及び絶縁酸化層の除去率を高め、表面エロージョンの研磨欠陥を生じてしまう。
【００１８】
酸化剤は、組成物総重量の0.25から5重量％を占める。
研磨組成物に用いる加速剤の実施例は、クエン酸、シュウ酸、ジヒドロキシコハク酸、ヒスチジン、アラミン、グリシン、アンモニウム塩、ナトリウム塩、レオポルダイト、或いはリチウムを備えるが、これに限定するものではない。
加速剤は、銅の溶解等の研磨を待つ金属の促進に用いる。
研磨組成物中の加速剤の添加量を上げれば、金属層の研磨除去率を高められ、第一段階の金属層研磨に適用することができる。
しかし、研磨組成物中の加速剤の添加量を上げれば、靜態エッチングの速度を高めてしまい、第二段階の細微研磨に不利である。
よって、具体的実施例中では、加速剤は、組成物総重量の0.01から5重量％を占める。
【００１９】
共同腐蝕抑制剤は、高研磨除去率の条件において、靜態エッチング速度の抑制に効果的であるため、第一段階と第二段階の研磨ポリッシュ製造プロセスに適用することができる。
本発明の第一腐蝕抑制剤は、1-H-ベンゾトリアゾール、N-アシルサルコジン(N-acyl sarcosine)、硫化アリル(Alkyl sulfate)、或いはアルキルスルホン酸(Alkyl sulfonate)から選択する。
【００２０】
第二腐蝕抑制剤は、1,2,3-トリアゾール、1,2,4-トリアゾール、トリルトリアゾール、5-アミノ-テトラゾール、3-アミノ-1,2,4-トリアゾール、4-アミノ-4H-1,2,4-トリアゾール、3-ニトロ-1,2,4-トリアゾール、3-メルカプト-1,2,4-トリアゾール、1H-1,2,3-トリアゾール-1-エタノール、ベンジミダゾール、イミダゾール、ピロール、ピロリン、オキサゾール、イソオキサゾール、インダゾール或いはインドリジンから選択する。
しかも、共同腐蝕抑制剤は、組成物総重量の0.001から1重量%を占める。
以下に、特定の具体的実施例を用い、本発明の特徴と効果について説明するが本発明の範囲を制限するものではない。
【００２１】
実施例１〜５
表１に示すように、二酸化シリコンコロイド溶液研磨粒、グリシン、過酸化水素、1-H-ベンゾトリアゾール(BTA)、1,2,4-トリアゾール及び水を含む研磨スラリー組成物を使用し、実施サンプルに対して試験を行なった。
【００２２】
【表１】
2010157680.tif 000003
研磨試験は、以下の条件に基づき行われた。
研磨機台：Mirra polisher
(Applied Materials)
ウエハタイプ：8”、15KA Copper blanket wafer (Ramco Co)
研磨下圧力：3、1.5及び0 psi 
平台回転速度：93 rpm
キャリア回転速度：87 rpm
研磨用パッド：IC1010(Rohm Hass Electronic Materials)
スラリー流速：150 ml/min。
【００２３】
ウエハは、４ポイントプローブを使用し、研磨前後の銅膜の厚みを測定し、速度を計算した。
その結果を、表２に示す。
【００２４】
【表２】
2010157680.tif 000004
RRは、研磨除去率(Removal Rate)を指し、DERは、動態エッチング速度(Dynamic etching rate)、つまり0 psiでの除去率を指す。
表２が示す結果により明らかなように、実施例1、2は、共同腐蝕抑制剤の効果について説明することができる。
実施例2は、共同腐蝕抑制剤を使用しており、結果は、それが比較的高いRR/DER値を備えることを示している。
共同腐蝕抑制剤中のBTAは、研磨除去装置中の粗調節の機能に用い、1,2,4-トリアゾールは、細調節の機能に用いる。
実施例4、5中では、含まれる加速剤の量が多ければ多いほど、研磨除去率は高くなるが、動態エッチング速度もこれに従い高くなるため、抑制剤を調整し制御する必要が出て来る。
すなわち、最も理想的な研磨組成物は、研磨除去率とRR/DER値との間でバランスを取る必要がある。
【００２５】
実施例５、６
表３に示すように、二酸化シリコンコロイド溶液研磨粒、グリシン、過酸化水素、1-H-ベンゾトリアゾール(BTA)、1,2,4-トリアゾール及び水を備える研磨スラリー組成物を使用し、実施サンプルに対して試験を行なった。
【００２６】
【表３】
2010157680.tif 000005
研磨試験は、以下の条件に基づき行われた。
その結果は、表４に記載する。
ウエハタイプ：MIT854 patterned wafer (Ramco Co)
研磨下圧力：3 psi
平台回転速度：93 rpm
キャリア回転速度：87rpm
スラリー流速：150 ml/min。
【００２７】
HRP220 profiler (KLA-Tenco)測定器を用いて、研磨後の各測定位置の金属ディッシングの程度を測定した。測定時は、100x100ミクロンの銅線を測定点とし、ウエハの円心、中段、辺縁部位の結晶粒を測定した結果は、表４に記載する。
【００２８】
【表４】
2010157680.tif 000006
これら金属ディッシング値は、end point後にさらに30%の過度研磨(over-polished)を行なったが、表４の結果から明らかなように、これら数値はすべて800Å(Angstrom)以下である。IC製造プロセスにおいては、これは極めて高い実用性を備えた表面輪郭(Topographies)である。
すなわち、本発明が開発した組成物は、優れた効果を備え、IC製造プロセスのCMPとして用いることが実証された。
【００２９】
実施例７〜１３
表５に示すように、二酸化シリコンコロイド溶液研磨粒、グリシン、過酸化水素、ベンゾトリアゾール、1,2,4-トリアゾール及び水を備える研磨組成物を用い、実施サンプルに対して試験を行なった。
【００３０】
【表５】
2010157680.tif 000007
【００３１】
表５の各実施例は、Mirra polisher
(Applied Materials)の研磨機台上において、実施例1〜5に記載する条件に基づき、研磨試験を行なったもので、研磨したウエハは、Cu、Ta及びTaN Blanket wafersである。
その結果は表６及び図１に示す。
【００３２】
【表６】
2010157680.tif 000008
【００３３】
表６の結果から明らかなように、研磨粒濃度が高くなればなるほど、銅研磨除去率も高くなる。この現象は、研磨粒の粒径が大きい方が明確である。
研磨粒濃度が一定の含量に達した後、研磨除去率は持続区域に達しそれ以上上がらない。しかも、粒径が大きい方が、粒径が小さい研磨粒より速く持平区域に達する。
この結果は、二酸化シリコン濃度により達成された除去率の上昇には、限界があることを示している。
運用する二酸化シリコンが小粒径であろうと、大粒径であろうと、この面では差異はない。
二酸化シリコンの濃度は、除去率の上昇において、限界があるため、応用においては、適当で有効な濃度範囲を選択する。
【００３４】
実施例８、１１
表７に示すように、実施例8及び実施例11を使用し、異なる研磨下圧力において試験を行なった。
【００３５】
【表７】
2010157680.tif 000009
表７の各実施例、Mirra polisher
(Applied Materials)の研磨機台上において、実施例1〜5に記載する条件に基づき、研磨下圧力(Df)1.5、2、3psiで、研磨試験を行なったもので、４ポイントプローブにより測定を行なった。
その結果は、表８、及び図２に示す。
【００３６】
【表８】
2010157680.tif 000010
【００３７】
表８の結果に明らかなように、研磨下圧力3 psiの条件下では、粒径が大きい(87nm)研磨粒が、より高い銅研磨除去率を備え、研磨下圧力1.5psiの条件下では、粒径が小さい(32nm)研磨粒が、より高い銅研磨除去率を備える。
図２は、粒径が比較的大きい研磨粒は、斜率が比較的大きい線性パフォーマンスを備え、粒径が比較的大きい研磨粒は、研磨下圧力が高いという条件下では、より有効であることを示している。
しかし、先進的なCu CMP製造プロセス中では、下圧力が高い状態では、欠点が存在し、またk値が低い材料では、損害を引き起こし、しかも欠陥(defects)を生じる。
よって、化学機械研磨製造プロセスの多くでは、2.5psi以上の研磨下圧力をできるだけ使用しないようにしており、よって、化学機械研磨製造プロセス中でも、研磨粒の粒径を比較的小さい範囲に制限する必要がある。
【００３８】
表７に示すように、実施例8及び実施例11を利用し、パターン化ウエハ(タイプはMIT854)に対して、相同のパラメーター条件下で、研磨を行なった。
パターン化ウエハは、end point後に、さらに30%お過度研磨(over-polished)を行い、測定時は、100x100ミクロンの銅線を測定点として、ウエハの円心、中段、辺縁部位の結晶粒位置の金属ディッシングを測定する。
結果は、表９に記載する。
【００３９】
【表９】
2010157680.tif 000011
結果は、比較的大きい粒径の研磨粒は、高い研磨除去率(比較的短い研磨時間)を提供することはできるが、これに伴い、金属ディッシング等研磨欠陥は、より悪化することを示している。
よって、比較的小さい粒径の研磨粒は、化学機械研磨製造プロセス中においては、より有利である。
【００４０】
実施例１４〜１７
表１０に示すように、二酸化シリコンコロイド溶液研磨粒、グリシン、過酸化水素、ベンゾトリアゾール、1,2,4-トリアゾール及び水を備える研磨組成物を使用し、実施サンプルに対して試験を行なった。
【００４１】
【表１０】
2010157680.tif 000012
表１０の各実施例は、Mirra polisher
(Applied Materials)の研磨機台中において、ブランケット銅ウエハ(Blanket Cu
wafers)及びパターン化ウエハ(タイプはMIT854)に対して研磨を行なったものである。
研磨除去率及び研磨後ウエハの円心、中段、辺縁の結晶粒の各測定位置での金属ディッシングの平均値等結果は、表１１及び図３に記載する。
【００４２】
【表１１】
2010157680.tif 000013
【００４３】
表１１は、研磨除去率は研磨粒濃度の増加に伴いゆっくりと上昇するが、この増加幅は、非常に小さいことを示している。
例えば、比較実施例14及び16の研磨除去率はわずかに18％しか増加していないが、10倍以上の濃度に増加させて、初めて達成されている。
図３中より、研磨粒の濃度が金属ディッシングの結果に確かに影響を及ぼしていることは明らかで、研磨粒が多いほど(濃度が高いほど)、金属ディッシング等研磨欠陥はさらに悪化する。
金属ディッシングを受け入れ可能な程度に制御するため、研磨粒濃度は、一定の範囲に制限しなければならない。
【００４４】
本発明の技術内容及び技術特徴は、上記に掲示したが、本発明技術内容の説明に用いたのみで、本発明を限定するものではない。本発明の精神に基づく等価応用或いは構造の転換、置換、数量の増減はすべて、本発明の保護範囲に含むものとする
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は特許請求の要件である新規性を備え、従来の同類製品に比べ十分な進歩を有し、実用性が高く、社会のニーズに合致しており、産業上の利用価値は非常に大きい。
【図１】
2010157680.tif 000014
【図２】
2010157680.tif 000015
【図３】
2010157680.tif 000016