(57)【要約】      （修正有）【課題】短絡を生じることなく、容易に接続可能でかつ汎用性の高い接続構造をもつ半導体装置を提供する。【解決手段】相対向する第１および第２主面を有し、第１主面に素子電極４を有する半導体素子３と、半導体素子３の第２主面が当接するように半導体素子３を搭載する半導体素子搭載部と、半導体素子搭載部から所定の間隔を隔てて配設されたリード端子１と、素子電極とリード端子とを電気的に接続する帯状体からなる接続導体６と、半導体素子３、接続導体６およびリード端子の一部を覆うとともに、リード端子の一部を外部に導出する封止樹脂７とからなり、半導体素子搭載部に搭載された半導体素子の素子電極が、半導体素子搭載部に搭載された半導体素子３の素子電極４が、半導体素子表面よりも突出して形成された半導体装置である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
相対向する第１および第２主面を有し、前記第１主面に素子電極を有する半導体素子と、前記半導体素子の第２主面が当接するように前記半導体素子を搭載する半導体素子搭載部と、前記半導体素子搭載部から所定の間隔を隔てて配設されたリード端子と、前記素子電極と前記リード端子とを電気的に接続する帯状体からなる接続導体と、前記半導体素子、前記接続導体および前記リード端子の一部を覆うとともに、前記リード端子の一部を外部に導出する封止樹脂とからなり、
前記半導体素子搭載部に搭載された前記半導体素子の前記素子電極が、前記半導体素子表面よりも突出して形成された半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記素子電極表面は平坦であり、
前記接続導体を介して接続される前記リード端子と、ほぼ同程度の高さを有する半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記接続導体の幅は、前記半導体素子の幅の３分の２以上である半導体装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記半導体素子はディスクリート素子である半導体装置。
【請求項５】
半導体素子搭載部と、前記半導体素子搭載部に近接して設けられたリード端子とを有し、前記半導体素子搭載部に搭載された前記半導体素子の前記素子電極が、前記半導体素子表面よりも高くなるように設計されたリードフレームを用意する工程と、
前記半導体素子搭載部に半導体素子を接着する素子接着工程と、
前記半導体素子の主面に形成された素子電極および前記リード端子に、導電性の帯状体からなる接続導体を位置あわせして切断する切断工程と、
前記帯状体を湾曲しないように前記素子電極および前記リード端子に接合する接合工程と、
前記帯状体と、前記半導体素子および前記リード端子の一部を覆うように封止用樹脂で覆う樹脂封止工程とを含む半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記接続導体は、可撓性材料である半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５または６に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記接続導体は、絶縁層と金属箔との積層体である半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法にかかり、特に樹脂封止型半導体装置において、小型化、薄型化を企図した、半導体素子とリードフレームとの接続方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子装置の小型化、薄型化、軽量化への要求に応えて、電子装置に組み込まれる半導体装置においては高密度実装がなされており、小型化、薄型化、軽量化および低価格化への要求が強くなっている。中でも半導体素子とリードフレームとの接続においては、限られた領域の中でより薄くかつ低抵抗で信頼性の高い接続が求められている。
【０００３】
従来、パワーＭＯＳＦＥＴのような大電流用の半導体素子とリードとの接続に際しては、クリップと呼ばれる、あらかじめカットされた金属片を用いることで、直接同時に超音波接合で接合する方法が提案されている。
その一例として特許文献１では、図１７に示すように、最初に、アーチ形状に形成されている１個のアルミニウム製の金属片１０６を用意し、次にこの金属片１０６の両端部が、半導体素子１０３表面の素子電極１０４および第２リード端子１０２に直接接触する様に、超音波接合により同時に電気的に接合するようにして固着している。ここで１３１は保護膜である。
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−３１３８５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前記従来の半導体装置では、組立の際、短絡を防ぐためには接続面積は半導体素子の素子電極より小さい金属片が必要であり、加工が煩雑であった。
また、半導体素子を小さくすれば、金属片が個片化されているので製品ごとに形状変更が必要であった。
またこの方法では、金属片１０６にアーチを形成するため、パッケージ高さが高くなるという問題があった。
また、第１リード端子１０１に接続される半導体素子１０３の接続位置はさまざまであり、また同一種のデバイスにおいても寸法バラツキが生じることがある。このため、半導体素子１０３の素子電極１０４と第２リード端子１０２を電気的に接続する金属片１０６には、前記バラツキに伴った、位置や長さの変更が不可能である。この場合、十分にこの位置や長さの調整ができないと、半導体素子１０３の電極部と第２リード端子１０２と接続する金属片１０６の接続不良が発生し、リークやショートなど、半導体装置としての電気特性が損なわれ易いという課題を有していた。
【０００６】
本発明は、前記実情に鑑みてなされたもので、短絡を生じることなく、容易に接続可能でかつ汎用性の高い接続構造をもつ半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
そこで本発明は、相対向する第１および第２主面を有し、前記第１主面に素子電極を有する半導体素子と、前記半導体素子の第２主面が当接するように前記半導体素子を搭載する半導体素子搭載部と、前記半導体素子搭載部から所定の間隔を隔てて配設されたリード端子と、前記素子電極と前記リード端子とを電気的に接続する帯状体からなる接続導体と、前記半導体素子、前記接続導体および前記リード端子の一部を覆うとともに、前記リード端子の一部を外部に導出する封止樹脂とからなり、前記半導体素子搭載部に搭載された前記半導体素子の前記素子電極が、前記半導体素子搭載部に搭載された前記半導体素子の前記素子電極が、前記半導体素子表面よりも突出して形成されたことを特徴とする。
この構成により、素子電極が、前記半導体素子表面よりも突出して形成されているため、素子電極よりも幅広の接続導体を用いても短絡を生じたりすることなく、低インピーダンスでかつ確実で信頼性の高い接続が可能となる。また、電極全体を接続導体で覆うことが出来ることから、放熱性の向上をはかることができる。
【０００８】
また本発明は、上記半導体装置において、前記素子電極表面は平坦であり、前記接続導体を介して接続される前記リード端子と、ほぼ同程度の高さを有するものを含む。
この構成により、素子電極表面との接触面積を十分にとることができる。また素子電極表面とリード端子との高さが同程度であるため、ループを形成する必要がなく、低背化が可能でかつ、接続導体の長さを低減することができ、薄型化を図ることができると共に低インピーダンス化を図ることができる。
【０００９】
また本発明は、上記半導体装置において、前記接続導体の幅は、前記半導体素子の幅の３分の２以上であるものを含む。
この構成により、接続導体を介した放熱が行なわれるため、放熱性が向上するとともに、接続導体の接触抵抗を低減することができ、素子特性の向上を図ることができる。
【００１０】
また本発明は、上記半導体装置において、前記半導体素子はディスクリート素子であるものを含む。
【００１１】
また本発明は、上記半導体装置において、前記半導体素子は表面に１つの素子電極を具備したものを含む。
【００１２】
また本発明は、半導体素子搭載部と、前記半導体素子搭載部に近接して設けられたリード端子とを有し、前記半導体素子搭載部に搭載された前記半導体素子の前記素子電極が、前記半導体素子表面よりも高くなるように設計されたリードフレームを用意する工程と、前記半導体素子搭載部に半導体素子を接着する素子接着工程と、前記半導体素子の主面に形成された素子電極および前記リード端子に、導電性の帯状体からなる接続導体を位置あわせして切断する切断工程と、前記帯状体を湾曲しないように前記素子電極および前記リード端子に接合する接合工程と、前記帯状体と、前記半導体素子および前記リード端子の一部を覆うように封止用樹脂で覆う樹脂封止工程とを含む。
この構成により、素子電極よりも幅広の接続導体を用いても短絡を生じたりすることなく、低インピーダンスでかつ確実で信頼性の高い接続が可能となるという効果に加え、製造に際しては以下の効果を奏功する。第１に接続導体をロール状のスプールから供給しながら、位置あわせをして切断し、一括で接合するようにしているため、接続導体をあらかじめフォーミングすることなく、位置あわせをしながら接合することができ、位置ずれに伴うリークやショートなどを低減することができるため、信頼性が向上する。また、長さを調整しながら実装することができるため、材料に無駄がなく、低コスト化をはかることができる。
【００１３】
また本発明は、上記半導体装置において、前記接続導体は、絶縁層と金属箔との積層体であるものを含む。
この構成により、半導体素子の素子電極とリードフレームとを電気的に接続する接続導体として、前記素子電極と前記リード端子との接続領域を除く少なくとも前記半導体素子側の面が、絶縁被覆された帯状体を用いているため、変形による断線、短絡の課題を解決する事ができる。また、平型であることと、半導体素子側の面が絶縁被覆されていることから、金属細線を用いて接続する場合に必要となっていた高さよりも大幅に低背化することができ、半導体装置の小型化、薄型化が可能となる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の半導体装置によれば、電極全体を接続導体で覆うことが出来ることから、放熱性が向上する。また、接続導体の幅を大きくかつ短くすることができ、低インピーダンス化が可能となる。
また、本発明の半導体装置の製造方法によれば、幅広の接続導体を使用することができ、半導体素子の接続位置に関係なく一括接合することが可能である。従って、接合不良による不具合品が発生することが無く、効率良く製造することができる。また低抵抗化にするため半導体素子に合わせて金属片の厚み、幅の変更が可能であり、最良の設計を行うことができる。
尚、接続導体を形成する際、曲げ工程が不要で工数の低減をはかることができ、また不良の発生が抑制でき、また接続導体のカット工程における廃材も発生しない為、材料の利用効率も高くなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
（実施の形態１）
本発明の実施の形態の樹脂封止型半導体装置を図１乃至６に示す。この半導体装置は縦型ＭＯＳＦＥＴであり、第１のリード端子１に搭載された半導体素子３表面に大面積の素子電極４としてドレイン電極と、小面積の素子電極５としてのゲート電極とが形成され、素子電極４と第２のリード端子２とが、接続導体６を介して接続されている。図１は、本発明の樹脂封止型半導体装置の断面図、図２は上面図、図３は同要部説明図、図４はここで用いられる半導体素子の断面図、図５は同上面図、図６はリード端子と素子電極の高さの関係を示す説明図である。
【００１６】
この樹脂封止型半導体装置は、相対向する第１および第２主面を有し、第１主面に大面積の素子電極４としてのソース電極と小面積の素子電極５としてのゲート電極とを有する半導体素子３と、前記半導体素子３の第２主面が当接するように前記半導体素子を搭載する半導体素子搭載部としてのダイパッドを構成する第１リード端子１と、このダイパッドから所定の間隔を隔てて配設された第２リード端子２と、素子電極４と第２リード端子２とを電気的に接続する接続導体６と、半導体素子３、接続導体６および第１および第２リード端子１，２の一部を覆うとともに、第１および第２リード端子１，２の一部を外部に露出する封止樹脂７とからなり、前記半導体素子搭載部に搭載された前記半導体素子の前記素子電極４が、前記半導体素子３表面よりも突出して形成されたことを特徴とする。
【００１７】
なお、組み立てに際しては、前記接続導体６が、図示しないスプールで巻回された長尺体として形成され、１端を超音波接合した後に、位置あわせをして他端を切断し、一括で超音波接合することで、アーチ状をなすのではなく、若干の張力をもつほどに、最短距離でまっすぐに接続されたことを特徴とする。
【００１８】
半導体素子３は、シリコン基板上に拡散層などの素子領域が形成されており、図４および図５に示すように、表面にゲート電極３２とソース電極３３とを具備し裏面がドレイン電極（図示せず）を構成するもので、ソース電極３３とゲート電極３２の表面は接続部を除きポリイミド樹脂膜などの保護膜３１で被覆され、このソース電極３３から突出するように表面が平坦な素子電極４が形成されている。ゲート電極３２はそのままでもよいし、金などのボンディングしやすい膜で被覆し素子電極５を構成するようにしてもよい。たとえば、半導体素子３とダイパッド（第１リード端子１）の第一主面とは、たとえば、はんだ材、熱硬化性樹脂、導電性接着剤等、導電性材料５を用いて接合されている。また図６に示すように、第１リード端子１の高さは、半導体素子３の素子電極４の頂面とほぼ同程度であるのが接続上は、望ましい。ダイパッドは、たとえば、金属材料により形成されており、その一部に半導体装置の外部へと成形された第１リード端子１を構成している。またゲート電極３２の接続については後述するが、ソース電極のように大電流が流れるわけではないため、ワイヤボンディングによって接続する。
【００１９】
第２リード端子２は、たとえば、前記第１リード端子１を構成する金属材料と同一材料で一体的に形成されており、先端部は半導体装置の外部に露出する形で、第１リード端子１の先端部と相対する位置に設置されている。
【００２０】
また、素子電極４とリード端子２の先端部とを電気的に接続する接続導体６を構成する導電性の帯状体は、たとえば、銅などの金属片から形成されているが、超音波接合を可能にするために表面にニッケルめっきを施している。ここで金属片としては、可撓性をもつものが望ましいが、可撓性をもたないものも使用可能である。例えば、導電性の帯状体として銅または銅合金を用いた場合、幅は３ｍｍ以上が望ましいが、この導電性の帯状体である接続導体６の幅ａ２は半導体素子の幅ａ１の３分の２以上であればよい。また導電性の帯状体の厚さは２０μｍから０．５ｍｍ程度である。
【００２１】
封止樹脂７は、第１および第２リード端子１，２をその相対向する面側に導出する形で形成されており、たとえば、エポキシ樹脂等の封止樹脂により形成されている。
【００２２】
次にこの半導体装置の実装工程について説明する。
この方法では、半導体素子搭載部と、前記半導体素子搭載部に近接して設けられたリード端子とを有し、前記半導体素子搭載部に搭載される半導体素子の前記素子電極が、前記半導体素子表面よりも高くなるように設計された半導体素子搭載部と、前記半導体素子搭載部に近接して設けられたリード端子とを有するリードフレームを用意する工程と、前記半導体素子搭載部に半導体素子を接着する素子接着工程と、前記半導体素子の主面に形成された素子電極および前記リード端子に、ロール状のスプールから供給される導電性の帯状体からなる接続導体を重ねてこの帯状体を切断する第１の工程と、前記帯状体を前記素子電極および前記リード端子に接合する接合工程と、前記帯状体と、前記半導体素子および前記リード端子を覆うように封止用樹脂で覆う樹脂封止工程とを含むことを特徴とする。
【００２３】
まず、第１リード端子１に対向させて形成された第２リード端子２とを、枠体（図示せず）で連結するように打ち抜き加工などで成形するとともに、両リード端子の第１主面が上段となるようクランク状に段差を設けてフォーミングし、リードフレームを形成する。なお、リードフレーム表面にはニッケルめっきを施してもよい。そして、前記第１リード端子１の上段第１主面に半導体素子３をはんだ材（導電性接着剤）を用いて接続する。
【００２４】
ここで半導体素子３の第１主面には十分に高くかつ平坦な頂面をもつ素子電極４を有し、周囲が保護膜３１で被覆されており、該素子電極４と、接続導体としてスプールから繰り出された幅広の帯状、未切断の接続導体６の第１先端部とを位置決めする（図７（ａ））。ここでは超音波接合用ツールによって第１に直接超音波接合させ、仮止めをしてもよい。８は台である。
【００２５】
その後、超音波接合用ツール１０に取り付けられたカッター９で、接続導体６の他端をカットする（図７（ｂ））。このとき接続導体がアーチ形状とならない程度に張力を持たせて引っ張るようにする。
そして前記素子電極４と前記第２リード端子２とが電気的に導通されるよう第２リード端子２の第１主表面におよび素子電極４上を一括で押圧するように超音波接合ツール１０が移動し直接超音波接合する（図７（ｃ））。
【００２６】
これらの接合には導電性ペースト等を介しての接続を行わず、直接超音波接合を行う為、半導体素子の接続位置のバラツキやサイズ変更に伴っての金属の厚み、幅、長さの変更が可能となっており接続不良の防止、または製品の低抵抗化の設計が実現可能である。
【００２７】
ここで、該導電性の帯状体は幅３ｍｍ以上で厚みが20μｍ〜0.5ｍｍで、柔軟性のある金属、例えばアルミニウムまたはアルミニウム合金であるためスプールに巻かれた状態になっており、それが回転することで導電性の帯状体の供給を行い、接合後、切断して金属片からなる接続導体６を形成する。このアーチ形成等の形状変更が容易に可能となる。なお、封止用樹脂注入時に接続導体上下に気泡・未充填が発生しないよう穴を形成してもよい。
【００２８】
そして封止金型に前記リードフレーム、前記半導体素子３、接続導体６とを包含し、前記第１リード端子と前記第２リード端子との一部または全てを含んだキャビティーを形成して該キャビティー内に封止用樹脂、例えばエポキシ等の樹脂を注入して加熱硬化させて封止樹脂（パッケージ）７が形成される。ここで金属片に貫通穴を形成していることで封止樹脂が流動し易くなり、気泡の発生を抑制し、信頼性の高い封止樹脂７を得ることができる。
【００２９】
前記封止部から引き出された前記リードフレームの一部である前記第１リード端子と前記第２リード端子とのリード端子先端予定部を各々切断して外部引き出し端子としての該第１リード端子と該第２リード端子とする。
【００３０】
この方法によれば、接続導体である導電性の帯状体をロール状のスプールから供給しながら、一端を素子電極に接合し、次いで位置あわせをして他端をリード端子にあわせて、切断して、一括して超音波接合している。このため、接続導体をあらかじめフォーミングすることなく、位置あわせをしながら一括して接合することができ、位置ずれに伴うリークやショートなどを低減することができ、信頼性が向上する。また、長さを調整しながら実装することができるため、材料に無駄がなく、低コスト化をはかることができる。
【００３１】
なお前記実施の形態では、接続導体をアルミニウムまたはアルミニウム合金で構成したが、帯状金属としての銅に貫通穴を形成し折り曲げ易くなるように構成するなどの構成も有効であり、その形状についてはこれに限定されるものではない。
また、前記接続導体は、厚さや材質を考慮して材料自体に可撓性をもたせ、可撓性の単体材料で構成してもよい。この構成により、薄型化が可能となり取り扱いが容易となる。
【００３２】
また接続導体として、第１主面から第２主面を貫通する貫通穴を有するものを用いたが、必ずしも貫通穴でなくてもよく、少なくとも一部に凹凸を有するものを用いるようにしても、接続導体の可撓性を高めることができる。さらにまた、貫通穴と凹凸が並存していてもよいことはいうまでもない。
【００３３】
（実施の形態２）
前記実施の形態１では、接続導体は単層構造で構成したが、絶縁層と金属箔との積層体で接続導体を構成してもよい。
本実施の形態においても、基本的には前記実施の形態１と同様であるが、この半導体装置は、図８に示すように、前記接続導体６が、絶縁層１５と金属箔１６との積層体で構成され、絶縁層が前記半導体素子表面の一部に当接するように、前記半導体素子に沿うように成形された点で前記実施の形態と異なる。他は同様に形成されているためここでは説明を省略する。
この構成により、短絡を招くことなく、更なる低背化が可能となる。
【００３４】
すなわち、素子電極とリード端子のリード第１先端部とを電気的に接続する接続導体６は、たとえば、金属箔１６としての銅箔とこの銅箔の表面を覆う絶縁層１５としてのポリイミド樹脂から形成されている。ここで銅箔および絶縁層には柔軟性を有するものを用いる。
この構造の場合、金属箔１６としての銅箔の露呈部と素子電極４との位置決めを必要とするが、接続の信頼性は極めて高いものとなる。
【００３５】
（実施の形態３）
次に本発明の実施の形態３の樹脂封止型半導体装置について説明する。ここでは半導体素子の構造に特徴を有するものであるため、まず半導体素子について説明する。図９および図１０は実施の形態３の樹脂封止型半導体装置において用いられる半導体素子を示す断面図および上面図である。
この半導体素子３は、保護膜３１よりも十分に高く形成される複数の素子電極４Ｓを有することを特徴とするものである。複数の素子電極４Ｓに分割されているが、ソース電極３３は前記実施の形態１で用いた半導体素子と同様に形成されている。
【００３６】
この構成により、高さのずれがあった場合にも、図１１および図１２に示すように、接続導体６との接合に際して、素子電極４Ｓの側面にも至るように接続導体６に食い込んだ状態での接合が可能となり、接続導体６との接触性を高めることができる。
【００３７】
（実施の形態４）
次に本発明の実施の形態４の樹脂封止型半導体装置について説明する。ここでは接続導体６を２分割構造にしたことを特徴とする。図１３は実施の形態４の樹脂封止型半導体装置を示す上面図である。
ここでは半導体素子３は、前記実施の形態１で用いたものと同様であるが、接続導体６を２分割にしている。
この構成により、高さのずれがあった場合にも、図１３に示すように、接続導体６との接合に際して、柔軟な接合が可能となり、接続導体６との接触性を高めることができる。
【００３８】
（実施の形態５）
次に本発明の実施の形態５の樹脂封止型半導体装置について説明する。ここでは２つの半導体素子を一括封止したものであり、２つの半導体素子３ａ、３ｂを１つの接続導体６を用いて一括接続したことを特徴とする。図１４は実施の形態５の樹脂封止型半導体装置を示す上面図である。
ここでは半導体素子３は、前記実施の形態１で用いたものと同様であるが、２個を同様のリードフレームに搭載し、１つの接続導体６で素子電極４ａ、４ｂを一括接合し、一括して樹脂封止をしたものである。
この構成により、ソース共通で用いる場合に、２個の半導体素子を１つのパッケージに収納できることになり、大型化しやすいパワーデバイスの小型化、薄型化が可能となる。
【００３９】
（実施の形態６）
次に本発明の実施の形態６の樹脂封止型半導体装置について説明する。図１５および図１６は本発明の実施の形態６の樹脂封止型半導体装置を示す断面図および上面図である。ゲートリード端子の接続にワイヤボンディングを用いる場合、ゲートリード端子２ｇとなる端子のみを低い位置にし、ゲートリード端子２ｇと接続導体６との接触を防止するようにしたことを特徴とするものである。他は前記実施の形態１と同様であるためここでは説明を省略する。
この構成により、ゲートリード端子との短絡を防止することができ、更なる信頼性の向上をはかることができる。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
以上説明してきたように、本発明の樹脂封止型半導体装置は、幅広の接続導体を用いて素子電極とリード端子とを接続することができ、低抵抗でかつ放熱性が良好であることから、パワートランジスタ、ダイオードなどへの適用が可能であり、薄型化により携帯電話などの携帯端末への適用に有効である。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施の形態１における半導体装置の断面図
【図２】本発明の実施の形態１における半導体装置の上面図
【図３】本発明の実施の形態１における半導体装置の要部説明図
【図４】本発明の実施の形態１における半導体素子を示す断面図
【図５】本発明の実施の形態１における半導体素子を示す上面図
【図６】本発明の実施の形態１における半導体装置を示す説明図
【図７】本発明の実施の形態１の半導体装置の製造工程図
【図８】本発明の実施の形態２における半導体装置の断面図
【図９】本発明の実施の形態３における半導体素子を示す断面図
【図１０】本発明の実施の形態３における半導体素子を示す上面図
【図１１】本発明の実施の形態３における半導体装置を示す断面図
【図１２】本発明の実施の形態３における半導体装置を示す上面図
【図１３】本発明の実施の形態４における半導体装置を示す上面図
【図１４】本発明の実施の形態５における半導体装置を示す上面図
【図１５】本発明の実施の形態６における半導体装置を示す断面図
【図１６】本発明の実施の形態６における半導体装置を示す上面図
【図１７】従来例の半導体装置の断面図
【符号の説明】
【００４２】
１  第１リード端子
２  第２リード端子
２ｇ  ゲートリード端子
３  半導体素子
４  素子電極
６  接続導体（導電性の帯状体）
７  封止樹脂
８  台
９  カッター
１０  超音波接続用ツール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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