(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子の有機層の欠陥に起因して、輝度低下や輝度むらが発生する。【解決手段】有機ＥＬ素子の一対の電極の少なくとも一方に、温度の上昇により抵抗値が増加する材料を含む層を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一方が透光性を有する一対の電極間に、発光層を含む有機層が形成された有機ＥＬ素子において、
前記一対の電極の少なくとも一方に、温度の上昇によって抵抗値が増加する温度可変抵抗材料を含む層が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ素子であって、
前記温度可変抵抗材料が、ＢａＴｉＯｘ、（Ｂａ１−ｙＳｒｙ）ＴｉＯｘ、（Ｂａ１−ｙＰｂｙ）ＴｉＯｘ、Ｐｂ（ＦｅＮｂ）Ｏｘ、（ＺｎＮｉ）ＴｉＯｘ、ＣｄＢｉＯｘから選ばれた１の材料または複数の材料の混合物であることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の有機ＥＬ素子であって、
前記温度可変抵抗材料を含む層が、スパッタ法または電子ビーム蒸着法で形成されていることを特徴とする有機ＥＬ素子。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか１つに記載の有機ＥＬ素子であって、
前記温度可変抵抗材料が、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｔｈ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれた１の元素または複数の元素を含むことを特徴とする有機ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）に関し、特に有機層の欠陥等に起因する電流集中を緩和する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子は、薄型化や軽量化に有利で、低電圧駆動、高輝度及び自発光等の特性を有することから、現在、盛んに研究開発が行われおり、一部では量産も開始されつつある。
【０００３】
有機ＥＬ素子には、陽極及び陰極からなる一対の電極と、これら電極間に形成される有機層とが備えられている。有機層には、これら電極間に電圧を印加することで発光する発光層が備えられ、発光層の他にも、必要に応じて電荷注入層や電荷輸送層などが備えられている。
【０００４】
有機層の膜厚は非常に薄く、１００ｎｍから２００ｎｍ程度である。そのため、有機層の成膜時には、微小な埃等の異物が僅かに混入しても欠陥を生じる場合がある。図５に、その状態を模式的に示す。同図中、１０１は陽極、１０２は陰極、１０３は有機層、１０４は異物、１０５はこの異物の混入によって有機層１０３に形成された欠陥である。
【０００５】
このように有機層に欠陥が生じると、膜厚の薄い部分が形成されてそこに電流が集中するため、同図に濃淡で示すように、その部分を中心に周りの温度が上昇する。
【０００６】
有機層は、温度の影響を受け易く、高温環境下で動作させると輝度劣化が早く進むことが知られている。有機ＥＬ素子の温度が上昇すると、通常、電極から有機層へ電荷が注入され易くなるため、高電流が流れ易くなって輝度劣化がさらに早く進むのである。特に電流が集中すると、その部分だけでなく周囲にも影響が広がるため、欠陥が大きい場合には、画素全体が発光しなくなるおそれもある。
【０００７】
このように、有機層の欠陥は、有機ＥＬパネルの歩留まりの低下や寿命の短期化などの問題を引き起こす。
【０００８】
そこで、このような問題を改善するために、電極に抵抗値の高い層を挿入し、有機層に膜厚の薄い部分が生じても、電流の集中が起こり難くすることが提案されている（特許文献１）。
【０００９】
また、有機層の各層、例えば、電荷注入層や電荷輸送層などを、温度上昇に伴って高抵抗化するように形成し、有機層の一部にリーク防止層としての機能を付与することが提案されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００５−２０９６４７
【特許文献２】特開２００４−９５３８８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、欠損が発生する部分は僅かであるのに対し、特許文献１のように、欠損に起因よる膜厚の薄い部分を考慮して、有機層の全部に高い抵抗値の層を設けることは過度な条件設定になり易いため、好ましくない。
【００１２】
それに対し、特許文献２では、欠損の発生する部分にのみ作用させることができるため、有利ではある。しかし、有機層の一部の層にリーク防止層としての機能を持たせているため、被覆不良を生じてリーク防止層を兼ねる層自体に欠陥が形成されると、その機能を適正に発揮させることができない。そのため、リーク防止層を兼ねる層の成膜方法を工夫して改善を図っているが、それだけ製造過程が複雑化し、生産性に支障をきたす。リーク防止層としての機能を持たせることで、有機層本来の機能を損なうおそれもある。
【００１３】
そこで、本発明は、有機層に欠陥が生じた場合でもその電流集中を効果的に緩和することができ、輝度劣化を防止して長期の信頼性が確保できる有機ＥＬ素子の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するため、本発明は、少なくとも一方が透光性を有する一対の電極間に、発光層を含む有機層が形成された有機ＥＬ素子において、前記一対の電極の少なくとも一方に、温度の上昇によって抵抗値が増加する温度可変抵抗材料を含む層が形成されていることを特徴とする。
【００１５】
係る構成によれば、欠陥により膜厚が薄くなった有機層の部分に電流が集中しても、電極には、温度可変抵抗材料を含む層が形成されているので、その部分に接している電極の抵抗値が発熱によって大きくなり、電流の集中が緩和される。従って、過度な条件を設定することなしに、欠陥に起因して有機層が高温に曝されるのを効率よく防ぐことができる。膜厚が薄くて成膜し難い有機層ではなく、電極自体に温度可変抵抗材料を含む層が形成されているので、比較的自由に膜厚や材料を選択して形成することができ、安定してその性能を発揮させることができる。有機層の構成も自由に設定できる。
【００１６】
具体的には、前記温度可変抵抗材料は、ＢａＴｉＯｘ、（Ｂａ１−ｙＳｒｙ）ＴｉＯｘ、（Ｂａ１−ｙＰｂｙ）ＴｉＯｘ、Ｐｂ（ＦｅＮｂ）Ｏｘ、（ＺｎＮｉ）ＴｉＯｘ、ＣｄＢｉＯｘから選ばれた１の材料または複数の材料の混合物であるのが好ましい。
【００１７】
これらは正温度係数サーミスタに使用される材料であるため、入手が容易で生産性に優れるうえ、材料コストの抑制にも有利だからである。
【００１８】
なお、ここで示す小文字のｘやｙは０より大きい実数を表している。例えば、ＢａＴｉＯｘ（チタン酸バリウム）の場合、ｘの理論値は「３」であるが、組成分析を行った場合、層の膜厚等によって実測値がばらつくことを考慮したものである（実験式）。
【００１９】
より具体的には、前記温度可変抵抗材料を含む層は、スパッタ法または電子ビーム蒸着法で形成するのが好ましい。
【００２０】
温度可変抵抗材料の場合、その融点は他の材料と比べて高くなり易いが、スパッタ法等であれば、そのような融点の高い材料であっても支障なく成膜できるからである。
【００２１】
特に、温度可変抵抗材料は、Ｙ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｔｈ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗから選ばれた１の元素または複数の元素を含んでいるのが好ましい。
【００２２】
これら元素を微量含ませることで、抵抗値の調整が可能になる。
【発明の効果】
【００２３】
以上説明したように、本発明によれば、有機層中に欠陥が存在していても、電流の集中を効果的に緩和できるので、有機ＥＬ素子の輝度劣化を抑制することができる。従って、有機ＥＬパネルの歩留まりが向上し、長期の信頼性も確保できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子を表した断面の模式図である。
【図２】有機層の断面の模式図である。
【図３】実施例１を説明するための模式図である。
【図４】実施例２を説明するための模式図である。
【図５】有機層の欠陥の問題を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。ただし、以下の説明は、本質的に例示に過ぎず、本発明、その適用物あるいはその用途を制限するものではない。
【００２６】
図１に、本発明の有機ＥＬ素子を表した断面の模式図を示す。この有機ＥＬ素子は、基板１の上に下部電極２と、有機層５と、上部電極９とがこの順に積層されている。
【００２７】
基板１には、公知の基板が使用できる。例えば、ガラス、プラスチック等の透光性を有するものや、金属板に絶縁膜を形成したものや半導体ウエハーのような透光性を有しないものも使用できる。光を基板１の側から取り出す、いわゆるボトムエミッション構造の場合には、透光性を有する基板を使用すればよい。光を基板１の反対側から取り出す、いわゆるトップエミッション構造の場合には、透光性、非透光性いずれの基板でも使用できる。
【００２８】
下部電極２には、公知の電極材料が使用できる。例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の酸化物のほか、各種の金属や合金、これらの積層膜が使用可能である。下部電極２を陽極とする場合には、ＩＴＯ、Ｎｉ等の仕事関数が大きい材料を使用するのが好ましい。一方、下部電極２を陰極とする場合には、Ｃａ，Ｂａ等の仕事関数が小さい材料を使用するのが好ましい。
【００２９】
なお、仕事関数の小さい金属を使用する場合には、これら金属は比較的不安定であるため、安定な金属であるＡｌ等とで合金にしたり、低仕事関数金属のハロゲン化物やその酸化物等とＡｌ等とで積層膜にして使用するのが好ましい。また、ボトムエミッション構造の場合には、透光性を有するＩＴＯやＩＺＯ等を使用するのが好ましく、トップエミッション構造の場合には、反射性を有するＡｌ等の金属、または、これら反射性を有する金属とＩＺＯ等との積層膜などを使用するのが好ましい。
【００３０】
これら膜は公知の製造法、例えば、抵抗加熱蒸着法や電子ビーム蒸着法、スパッタ法により形成することができる。
【００３１】
有機層５には、発光材料を含む発光層が形成されている。必要に応じて更に正孔注入層や正孔輸送層、電子輸送層、正孔ブロッキング層、電子ブロッキング層等を挿入することができる。
【００３２】
例えば図２に模式的に示すように、有機層５は、基板１側から順に、正孔注入層５１、正孔輸送層５２、電子ブロッキング層５３、発光層５４、正孔ブロッキング層５５、電子輸送層５６、電子注入層５７を積層して形成することができる。また、その成膜法も公知の蒸着法等のドライプロセス、インクジェット法や印刷法のウエットプロセスが使用できる。
【００３３】
発光層５４の発光材料には、公知の発光材料を用いることができる。低分子発光材料としては、例えば、４，４'−ビス（２，２'−ジフェニルビニル）−ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族ジメチリデェン化合物、５−メチル−２−［２−［４−（５−メチル−２−ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール等のオキサジアゾール化合物、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５−ｔ−ブチルフェニル−１，２，４−トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾ−ル誘導体、１，４−ビス（２−メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料、アゾメチン亜鉛錯体、（８−ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ３）等の蛍光性有機金属化合物、また（アセチルアセトナート）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（ＰｔＯＥＰ）等の燐光材料が挙げられる。なお、これらの材料を発光中心として母体材料中にドープしても構わない。
【００３４】
高分子発光材料としては、例えば、ポリ（２−デシルオキシ−１，４−フェニレン）ＤＯ−ＰＰＰ、ポリ［２，５−ビス−［２−（Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリエチルアンモニウム）エトキシ］−１，４−フェニル−アルト−１，４−フェニルレン］ジブロマイド（ＰＰＰ−ＮＥｔ3+）、ポリ［２−（２'−エチルヘキシルオキシ）−５−メトキシ−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＥＨ−ＰＰＶ）、ポリ［５−メトキシ−（２−プロパノキシサルフォニド）−１，４−フェニレンビニレン］（ＭＰＳ−ＰＰＶ）、ポリ［２，５−ビス−（ヘキシルオキシ）−１，４−フェニレン−（１−シアノビニレン）］（ＣＮ−ＰＰＶ）、ポリ（９，９−ジオクチルフルオレン）（ＰＤＡＦ）、ポリスピロ等、高分子発光材料の前駆体（例えば、ＰＰＶ前駆体、ＰＮＶ前駆体、ＰＰＰ前駆体等）が挙げられる。
【００３５】
正孔注入層５１の材料には、公知の正孔注入層材料を用いることができる。例えば、無機ｐ型半導体材料、ポルフィリン化合物、Ｎ，Ｎ'−ビス−（３‐メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ'−ビス−（フェニル）−ベンジジン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ'−ジ（ナフタレン‐１‐イル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニル−ベンジジン（ＮＰＤ）等の芳香族第三級アミン化合物、ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物、スチリルアミン化合物等の低分子材料、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネイト（ＰＥＤＴ／ＰＳＳ）、ポリ［トリフェニルアミン誘導体］（Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）等の高分子材料、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＰＶ）、ポリ（ｐ−ナフタレンビニレン）前駆体（Ｐｒｅ−ＰＮＶ）等の高分子材料前駆体などを用いることができる。
【００３６】
正孔輸送層５２は、正孔注入層５１から効率良く正孔を受け取って発光層５４へ効率良く受け渡すために設けられる。正孔輸送層５２は正孔注入層５１と同じ材料で形成することができる。但し、その正孔輸送層５２の材料のＨＯＭＯレベルは、正孔注入層５１の材料のＨＯＭＯレベルと、発光層５４の材料のＨＯＭＯレベルとの間であるのが好ましい。そうすれば、正孔をより効率よく発光層に注入・輸送でき、素子の電圧を低減、または、発光効率を高めることができる。
【００３７】
また、発光層５４での発光効率を高めるため、正孔輸送層５２の材料のＬＵＭＯレベルを発光層５４の材料のＬＵＭＯレベルより低くして、発光層５４からの電子の漏れを抑制するのが好ましい。また、発光層５４中に励起子を閉じ込める目的で、正孔輸送層５２の材料のバンドギャップを発光層５４の材料のバンドギャップより大きくするのが好ましい。
【００３８】
正孔輸送層５２や正孔注入層５１は、真空蒸着法等のドライプロセスによって形成できる。正孔輸送層５２等は、２種以上の正孔輸送層５２の材料を含有していてもよく、２層以上の積層構造であっても構わない。また、正孔輸送層５２等は、添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含有していてもよい。
【００３９】
正孔輸送層５２等は、正孔輸送層５２の材料を溶媒に溶かした正孔輸送層形成用塗液を用いて、ＩＪ法や印刷法のウエットプロセスにより形成することができる。その溶剤は、正孔輸送層５２の材料を溶解、または分散できるものであればく、例えば、純水、メタノール、エタノール、ＴＨＦ、クロロホルム、キシレン、トリメチルベンゼン等を用いることができる。
【００４０】
電子輸送層５６は、電子注入層５７から効率良く電子を受け取って発光層５４へ効率良く受け渡すために設けられる。電子輸送層５６は、例えば、オキサジアゾール誘導体などの低分子材料やポリスチレン誘導体（ＰＳＳ）などの高分子材料で形成することができる。
【００４１】
電子注入層５７は、電子輸送層５６と同じ材料で形成することができる。但し、電子輸送層５６の材料のＬＵＭＯレベルは、電子注入層５７の材料のＬＵＭＯレベルと、発光層５４の材料のＬＵＭＯレベルとの間であるのが好ましい。そうすれば、電子をより効率よく発光層５４に注入・輸送でき、素子の電圧を低減、または、発光効率を高めることができる。
【００４２】
また、発光層５４での発光効率を高めるため、電子輸送層５６の材料のＨＯＭＯレベルを発光層５４の材料のＨＯＭＯレベルより高くして、発光層５４からの正孔の漏れを抑制するのが好ましい。また、発光層５４中に励起子を閉じ込める目的で、電子輸送層５６の材料のバンドギャップを発光層５４の材料のバンドギャップより大きくするのが好ましい。
【００４３】
電子輸送層５６や電子注入層５７は、正孔輸送層５２等と同様に、ドライプロセス、ウエットプロセス法で形成することができ、２種以上の電子輸送層５６の材料を含有していてもよく、２層以上の積層構造でも構わない。
【００４４】
電子ブロッキング層５３は、正孔注入層５１や正孔輸送層５２と同じ材料を用いて形成することができる。電子ブロッキング層材料のＬＵＭＯレベルの絶対値は、発光層５４の材料のＬＵＭＯレベルの絶対値より小さい方が好ましい。電子をより効率よく、発光層５４に閉じ込めることができるからである。またこの条件を満たせば正孔輸送層５２で電子ブロッキング層５３を兼ねることも可能である。
【００４５】
正孔ブロッキング層５５は、電子輸送層５６と同じ材料を用いて形成することができる。正孔ブロッキング層５５の材料のＨＯＭＯレベルは、発光層５４の材料のＨＯＭＯレベルより高くするのが好ましい。正孔をより効率よく、発光層５４に閉じ込めることができるからである。またこの条件を満たせば電子輸送層５６で正孔ブロッキング層５５を兼ねることも可能である。
【００４６】
上部電極９は、下部電極２と同様の材料、製法で形成することができる。本実施形態では、この上部電極９の下側に、温度が上昇すると抵抗値が増加する材料（温度可変抵抗材料）を含む可変抵抗層７が形成されている。
【００４７】
このような特性を有する温度可変抵抗材料としては、正温度係数サーミスタに使用されているＢａＴｉＯｘ、（Ｂａ１−ｙＳｒｙ）ＴｉＯｘ、（Ｂａ１−ｙＰｂｙ）ＴｉＯｘ、Ｐｂ（ＦｅＮｂ）Ｏｘ、（ＺｎＮｉ）ＴｉＯｘ、ＣｄＢｉＯｘ等が好適に使用できる（小文字のｘ、ｙは０より大きい実数）。
【００４８】
これら温度可変抵抗材料は比較的融点が高いため、その成膜はスパッタ法や電子ビーム蒸着法により形成するのが好ましい。
【００４９】
スパッタリング用ターゲットまたは電子ビーム蒸着用ペレットは、温度可変抵抗材料を構成する金属元素の酸化物や炭酸化物、例えばＢａＣＯ３、ＴｉＯ２を必要量だけ秤量し、湿式混合により混合した後、脱水乾燥、仮焼、粉砕、成形を行い焼結して作製することができる。
【００５０】
室温下での抵抗値を調整するために、０．１〜１．０ｍｏｌ％程度のイットリウム（Ｙ）やランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、トリウム（Ｔｈ）、アンチモン（Ｓｂ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）等を温度可変抵抗材料に微量添加することができる。
【００５１】
可変抵抗層７の膜厚は、形成された膜の抵抗値、素子を発光させるために必要な電流量から適宜設定すればよい。比較的自由に設定することができるので、その性能を安定して発揮させることができる。
【００５２】
本実施形態では、可変抵抗層７が有機層５と直接接しているが、有機層５と接する電極の部分は、陽極の場合には、正孔を効率よく注入させるうえで仕事関数が高いのが好ましく、陰極の場合には、電子を効率よく注入させるうえで仕事関数が低いのが好ましい。
【００５３】
従って、可変抵抗層７を陽極の一部とする場合には、可変抵抗層７と有機層５との間に、仕事関数の大きい材料、例えば、金（Ａｕ）や白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、インジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）の酸化物（ＩＴＯ）、錫（Ｓｎ）の酸化物（ＳｎＯ２）、インジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）の酸化物（ＩＺＯ）等からなる高仕事関数材料層を形成するのが好ましい。
【００５４】
陰極の一部とする場合には、可変抵抗層７と有機層５との間に、仕事関数の小さい材料、例えば、リチウム（Ｌｉ）やカルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、バリウム（Ｂａ）、アルミニウム（Ａｌ）、これらの金属を含有するＭｇ：Ａｇ合金、Ｌｉ：Ａｌ合金等の合金などからなる低仕事関数材料層を形成するのが好ましい。また、電極全体としての抵抗値を下げるため、Ａｌ等の抵抗値の低い材料をさらに積層してあってもよい。
【００５５】
また、本実施形態では、上部電極９にのみ可変抵抗層７を形成したが、下部電極２にのみ形成することもできるし、上部電極９及び下部電極２の双方に形成しても構わない。
【００５６】
有機ＥＬ素子をこのように構成することにより、有機層５に存在する欠陥に起因して電流集中が生じた場合、上部電極９の欠陥付近の部分では、電流集中による発熱で可変抵抗層７の抵抗値が増加する。その結果、電流集中を効率よく緩和することができ、有機層７が過度な高温に曝されるのを効果的に防ぐことができるので、有機ＥＬパネルの歩留まり向上や長寿命化が実現できる。
【００５７】
（実施例１）
図３に、本発明に係る有機ＥＬ素子の実施例１を示す。本実施例の有機ＥＬ素子は、下部電極２Ａに可変抵抗層７が形成されていて、基板１の反対側から発光を取り出すトップエミッション構造となっている。
【００５８】
下部電極２Ａは、アルミニウム（Ａｌ）層１１と、可変抵抗層７と、高仕事関数材料層１２とを積層して形成されている。すなわち、基板１の直ぐ上には、アルミニウム層１１を抵抗加熱蒸着法で約１００ｎｍの厚さで形成した。このアルミニウム層１１の上に、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯｘ）にランタン（Ｌａ）を０．５ｍｏｌ％添加し、約５０ｎｍの膜厚の可変抵抗層７を形成した。そして、この可変抵抗層７の上に、材料にＩＴＯを用いて、スパッタ法により約２０ｎｍの膜厚の高仕事関数材料層１２を形成した。なお、可変抵抗層７をスパッタ法により形成する場合には、酸素抜けを防ぐため、アルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ２）の混合ガスをスパッタガスとして用いるのが好ましい。
【００５９】
本実施例の有機層５Ａは、図示しないが、正孔注入輸送層と、発光層とで構成されている。すなわち、材料にα―ＮＰＤを用いて、抵抗加熱蒸着法により約７０ｎｍの膜厚の正孔注入輸送層を形成した。正孔注入層の上に、材料にＡｌｑ３を用いて、抵抗加熱蒸着法により約７０ｎｍの膜厚の発光層を形成した。
【００６０】
上部電極９Ａは、透光性陰極とするために透光性の低仕事関数材料層１３と高仕事関数材料層１４とで構成した。すなわち、有機層５Ａの上に、材料にフッ化リチウム（ＬｉＦ）を用いて膜厚が約５ｎｍの低仕事関数材料層１３を形成し、この低仕事関数材料層１３の上に、材料にＩＴＯを用いて膜厚が約２００ｎｍの高仕事関数材料層１４を形成した。低仕事関数材料層１３は抵抗加熱蒸着法により、高仕事関数材料層１４はスパッタ法により形成した。
【００６１】
最後に、掘り込みガラス（図示せず）で素子全体を封止することにより、有機ＥＬ素子を完成させた。
【００６２】
完成した有機ＥＬ素子について、下部電極２Ａを正極とし、上部電極９Ａを陰極として８Ｖの電圧を印加すると、上部電極９Ａを通して有機層５Ａで発光する緑色発光を観察することができた。また、室温条件下で１００時間連続発光させる強制試験を行った結果、電流集中による輝度劣化は認められなかった。
【００６３】
（実施例２）
図４に、本発明に係る有機ＥＬ素子の実施例２を示す。本実施例の有機ＥＬ素子は、上部電極９Ｂ及び下部電極２Ｂの両電極に可変抵抗層７が形成されていて、基板１側から発光を取り出すボトムエミッション構造となっている。なお、有機層５Ａは、実施例１と同様の構成としたため、その説明は省略する。
【００６４】
下部電極２Ｂは、透光性の陽極とするために、２つの透光性の高仕事関数材料層２１，２１の間に可変抵抗層７を挟むように形成した。すなわち、基板１の上に、材料にＩＴＯを用いて約２００ｎｍの膜厚の第１の高仕事関数材料層２１を形成した。この第１の高仕事関数材料層２１の上に、実施例１と同様にして約５０ｎｍの膜厚の可変抵抗層７を形成した。そして、この可変抵抗層７の上に、材料にＩＴＯを用いて約１０ｎｍの膜厚の第２の高仕事関数材料層２１を形成した。第１及び第２の高仕事関数材料層２１，２１、可変抵抗層７は、いずれもスパッタ法で形成した。
【００６５】
上部電極９Ｂは、陰極とするために、膜厚が約５ｎｍの低仕事関数材料層２２と、下部電極２Ｂの可変抵抗層７と同じ構成、膜厚の可変抵抗層７と、膜厚が１００ｎｍのアルミニウム層２３と、を積層して形成した。低仕事関数材料層２２及びアルミニウム層２３は抵抗加熱蒸着法により、可変抵抗層７はスパッタ法により形成した。
【００６６】
最後に、掘り込みガラス（図示せず）で素子全体を封止することにより、有機ＥＬ素子を完成させた。
【００６７】
完成した有機ＥＬ素子について、実施例１と同様に、発光を観察した後、強制試験を行った結果、電流集中による輝度劣化は認められなかった。
【産業上の利用可能性】
【００６８】
本発明の有機ＥＬ素子は、携帯情報機器のディスプレイやフルカラーハイビジョンテレビなどに好適に利用できる。
【符号の説明】
【００６９】
１  基板
２  下部電極
５  有機層
７  可変抵抗層（温度可変抵抗材料を含む層）
９  上部電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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