(57)【要約】【課題】生産性を高めるのに適したビットパターンド型磁気記録媒体、および、そのような磁気記録媒体を備える磁気記録装置を提供する。【解決手段】磁気ディスクＹ１は、複数の磁気ビット２１ａを含むデータ領域２０Ｄと、磁気ビット２１ａよりも大きな保磁力を有する複数の磁気ビット２１ｂを含むＲＯＭ領域２０Ｒとを備える。ＲＯＭ領域２０Ｒ内の複数の磁気ビット２１ｂは、第１方向に磁化された少なくとも一つの磁気ビット２１ｂ、および、第１方向とは反対の第２方向に磁化された少なくとも一つの磁気ビット２１ｂを含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１磁気ビットを含むデータ領域と、
前記第１磁気ビットよりも大きな保磁力を有する複数の第２磁気ビットを含むＲＯＭ領域と、を備え、
前記複数の第２磁気ビットは、第１方向に磁化された少なくとも一つの第２磁気ビット、および、前記第１方向とは反対の第２方向に磁化された少なくとも一つの第２磁気ビットを含む、磁気記録媒体。
【請求項２】
前記第２磁気ビットのビット面積は、前記第１磁気ビットのビット面積より小さい、請求項１に記載の磁気記録媒体。
【請求項３】
複数の第１磁気ビットを含むデータ領域と、
前記第１磁気ビットよりも大きな保磁力を有する複数の第２磁気ビットを含む第１ＲＯＭ領域と、
前記第１磁気ビットよりも大きな保磁力であり且つ前記第２磁気ビットよりも小さな保磁力、を有する複数の第３磁気ビットを含む少なくとも一つの第２ＲＯＭ領域と、を備え、
前記複数の第２磁気ビットは、第１方向に磁化された少なくとも一つの第２磁気ビット、および、前記第１方向とは反対の第２方向に磁化された少なくとも一つの第２磁気ビットを含む、磁気記録媒体。
【請求項４】
一の前記第２ＲＯＭ領域に含まれる前記複数の第３磁気ビットは、第１方向に磁化された少なくとも一つの第３磁気ビット、および、前記第１方向とは反対の第２方向に磁化された少なくとも一つの第３磁気ビットを含む、請求項３に記載の磁気記録媒体。
【請求項５】
複数の前記第２ＲＯＭ領域を備え、各第２ＲＯＭ領域に含まれる前記第３磁気ビットの保磁力は、前記複数の第２ＲＯＭ領域の間で異なる、請求項３または４に記載の磁気記録媒体。
【請求項６】
前記第２磁気ビットのビット面積は、前記第１磁気ビットのビット面積より小さく、前記第３磁気ビットのビット面積は、前記第１磁気ビットのビット面積より小さく且つ前記第２磁気ビットのビット面積より大きい、請求項３から５のいずれか一つに記載の磁気記録媒体。
【請求項７】
磁気記録媒体および記録ヘッドを備え、
前記磁気記録媒体は、
複数の第１磁気ビットを含むデータ領域と、
前記第１磁気ビットよりも大きな保磁力を有する複数の第２磁気ビットを含むＲＯＭ領域と、を備え、
前記複数の第２磁気ビットは、第１方向に磁化された少なくとも一つの第２磁気ビット、および、前記第１方向とは反対の第２方向に磁化された少なくとも一つの第２磁気ビットを含み、
前記記録ヘッドは、前記第１磁気ビットの磁化方向を変化させるための磁界を前記第１磁気ビットに対して印加可能である、磁気記録装置。
【請求項８】
磁気記録媒体および記録ヘッドを備え、
前記磁気記録媒体は、
複数の第１磁気ビットを含むデータ領域と、
前記第１磁気ビットよりも大きな保磁力を有する複数の第２磁気ビットを含む第１ＲＯＭ領域と、
前記第１磁気ビットよりも大きな保磁力であり且つ前記第２磁気ビットよりも小さな保磁力、を有する複数の第３磁気ビットを含む少なくとも一つの第２ＲＯＭ領域と、を備え、
前記複数の第２磁気ビットは、第１方向に磁化された少なくとも一つの第２磁気ビット、および、前記第１方向とは反対の第２方向に磁化された少なくとも一つの第２磁気ビットを含み、
前記記録ヘッドは、前記第１磁気ビットの磁化方向を変化させるための磁界を前記第１磁気ビットに対して印加可能であり、且つ、前記第３磁気ビットの磁化方向を変化させるための磁界を前記第３磁気ビットに対して印加可能である、磁気記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ビットパターンド磁気記録媒体、および、ビットパターンド磁気記録媒体を備えた磁気記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスク等の磁気記録装置の大容量化にともない磁気記録媒体の記録密度の向上が進められている。記録密度の向上を図るのに適した磁気記録媒体として、ビットパターンドメディア（ＢＰＭ）が知られている。ＢＰＭは、パターニングされた磁性部を記録層に有する。パターニングされた磁性部には、ユーザデータを記録するための磁気ビット群が含まれる。ＢＰＭについては、下記の特許文献１，２に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平３−２２２１１号公報
【特許文献２】特開２００５−１０８３６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、生産性を高めるのに適した、ＲＯＭ領域を備えるＢＰＭ型磁気記録媒体、および、そのような磁気記録媒体を備える磁気記録装置を提供することを、目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明に係る磁気記録媒体は、複数の第１磁気ビットを含むデータ領域と、第１磁気ビットよりも大きな保磁力を有する複数の第２磁気ビットを含むＲＯＭ領域とを備える。ＲＯＭ領域内の複数の第２磁気ビットは、第１方向に磁化された少なくとも一つの第２磁気ビット、および、第１方向とは反対の第２方向に磁化された少なくとも一つの第２磁気ビットを含む。
【発明の効果】
【０００６】
本発明に係る磁気記録媒体によると、製造過程において同じ凹部パターンのスタンパを使用しつつ、ＲＯＭ領域のＲＯＭ情報を作り分けることができる。したがって、本媒体の構成によると、ＲＯＭ領域に形成すべきＲＯＭ情報に応じて、転写面の凹部パターンが異なるスタンパないしその原盤を作製する必要はない。形成すべきＲＯＭ情報ごとにスタンパないしその原盤を作製する必要のない本媒体は、ＢＰＭ型磁気記録媒体の生産性を高めるのに好適である。このように、本発明に係る磁気記録媒体は、ＢＰＭ型磁気記録媒体の生産性を高めるのに適するのである。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る磁気記録装置の平面図である。
【図２】図１に示す磁気記録装置の具備する磁気ディスクの平面図である。
【図３】図２の線III−IIIに沿った一部省略断面図である。
【図４】図２に示す磁気ディスクの製造方法における一部の工程を表す。
【図５】図４の後に続く工程を表す。
【図６】図５の後に続く工程を表す。
【図７】図６の後に続く工程を表す。
【図８】図２に示す磁気ディスクの変形例の平面図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る磁気記録装置の平面図である。
【図１０】図９に示す磁気記録装置の具備する磁気ディスクの平面図である。
【図１１】図１０の線XI−XIに沿った一部省略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る磁気記録装置Ｘ１の平面図である。磁気記録装置Ｘ１は、複数の磁気ディスクＹ１と、基板１と、回転機構２と、磁気ヘッド３と、スイングアーム４と、アクチュエータ５と、コネクタ６とを備える。
【０００９】
複数の磁気ディスクＹ１は、所定の間隔を空けて配されている（図１では、一の磁気ディスクＹ１を図示する）。磁気ディスクＹ１は、ビットパターンドメディア（ＢＰＭ）であり、両面に記録面を有する。基板１には、本装置Ｘ１にて記録再生処理を実行するための回路が設けられている。そのような回路には、回転機構２、磁気ヘッド３、およびアクチュエータ５の動作を制御する制御回路や、コネクタ６を介して外部との信号の送受を行う信号処理回路が含まれる。回転機構２は、例えばスピンドルモータであり、磁気ディスクＹ１を所定の回転数で回転させるためのものである。磁気ヘッド３は、磁気ディスクＹ１の記録面ごとに設けられ、再生時や記録時において磁気ディスクＹ１の記録面に対して対向配置されるものであり、記録ヘッド部および再生ヘッド部を有する。記録ヘッド部は、磁気ディスクＹ１のユーザデータをなす磁気ビットの磁化方向を反転させるための磁界を発生させるための素子である。記録ヘッド部は、コアないし磁極が導線で巻かれた構造を有する。再生ヘッド部は、磁気ディスクＹ１からの磁界を検出可能で且つ検出磁界に応じて出力可能な素子である。そのような素子としては、ＭＲ素子やＧＭＲ素子を挙げることができる。スイングアーム４は、磁気ヘッド３を先端にて支持するためのものである。アクチュエータ５は、磁気ディスクＹ１に対向する磁気ヘッド３（記録ヘッド部と再生ヘッド部を伴う）のディスク径方向における位置を変化させるべくスイングアーム４を動作させるためのものである。アクチュエータ５は、例えばボイスコイルモータである。
【００１０】
図２および図３は、磁気ディスクＹ１を表す。図２は、磁気ディスクＹ１の平面図である。図３は、図２の線III−IIIに沿った一部省略断面図である。
【００１１】
磁気ディスクＹ１は、図３に示すように、ディスク基板１０、記録層２０、軟磁性層３０、および保護層４０（図３では省略）を含む積層構造を有する、情報記録と情報再生とを実行可能なＢＰＭである。
【００１２】
ディスク基板１０は、主に、磁気ディスクＹ１の剛性を確保するための部位であり、例えば、アルミニウム合金、ガラス、シリコン、またはポリカーボネート樹脂よりなる。
【００１３】
記録層２０は、図３に示すように、相互に離隔する複数の磁気ビット２１ａ、相互に離隔する複数の磁気ビット２１ｂ、および、磁気ビット２１ａ，２１ｂ間に介在する非磁性部２２を含む。また、記録層２０は、図２に示すように、データ領域２０ＤおよびＲＯＭ領域２０Ｒを備える。磁気ビット２１ａは、データ領域２０Ｄに含まれ、図２にて拡大して示すように、例えばマトリクス状に配置されている。磁気ビット２１ｂは、ＲＯＭ領域２０Ｒに含まれ、図２にて拡大して示すように、例えばマトリクス状に配置されている。磁気ビット２１ａ，２１ｂのそれぞれは、例えば硬磁性材料よりなり、垂直磁気異方性を有する。磁気ビット２１ａ，２１ｂのための硬磁性材料としては、例えばＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ、またはＳｍＣｏを採用することができる。非磁性部２２は、例えばＳｉＮ、Ｃ、またはＳｉＯ2などの非磁性材料よりなる。非磁性部２２の存在により、磁気ビット２１ａ，２１ｂ間の磁気的相互作用が充分に抑制される。記録層２０の厚さは例えば３０〜５０ｎｍである。このような記録層２０には、磁気ディスクＹ１の図２に示す回転中心Ａを共通中心として同心円状に配された複数のトラック（図示略）が設定されている。
【００１４】
データ領域２０Ｄにおける複数の磁気ビット２１ａは、ユーザデータが書換え可能に記録されるものである。各磁気ビット２１ａは、図２に示すようにドット状の単一の記録セルであり、上述の磁気ヘッド３の再生ヘッド部が検出可能な磁界を発生している。また、磁気ビット２１ａは、磁気ヘッド３の記録ヘッド部による磁界印加によって磁化方向が反転可能な程度の保磁力を有する。磁気ビット２１ａの例えば図２に表れている表面の直径は、例えば２０〜３０ｎｍである。データ領域２０Ｄでは、各磁気ビット２１ａが所定方向に磁化されて、ディスク周方向に連なる磁気ビット２１ａ列において所定のユーザデータが書き換え可能に記録されている。垂直磁気異方性を有する磁気ビット２１ａの磁化方向は、図３中の上方向および下方向の二方向である。磁気ディスクＹ１についてセクタサーボ方式を採用する場合、データ領域２０Ｄには、ディスク周方向に離隔する複数のサーボセクタが設けられ、当該サーボセクタ外に磁気ビット２１ａは位置する。
【００１５】
ＲＯＭ領域２０Ｒにおける複数の磁気ビット２１ｂは、書換え不可の情報をなすものである。各磁気ビット２１ｂは、図２に示すようにドット状の単一の記録セルであり、上述の磁気ヘッド３の再生ヘッド部が検出可能な磁界を発生している。磁気ビット２１ｂの例えば図２に表れている表面の直径は、磁気ビット２１ａの前記の直径より小さい限りにおいて、例えば５〜１０ｎｍである。磁気ビット２１ｂの例えば図２に表れている記録面側の面積（ビット面積）は、磁気ビット２１ａの例えば図２に表れている記録面側の面積より、小さい。このようにビット面積が磁気ビット２１ａよりも小さい磁気ビット２１ｂは、磁気ビット２１ａよりも大きな保磁力を有する（磁気ビットについては、そのビット面積が小さいほど保磁力が大きい傾向にある）。具体的には、磁気ビット２１ｂの保磁力は、上述の磁気ヘッド３の記録ヘッド部による磁界印加によっては磁化方向が変化しない程度の大きさに設定されている。ＲＯＭ領域２０Ｒでは、各磁気ビット２１ｂが所定方向に磁化されて、ディスク周方向に連なる磁気ビット２１ｂ列において、エンドユーザによっては書換え不可の情報（ＲＯＭ情報）が保持ないし記憶されている。ＲＯＭ情報としては、例えば、データを暗号化するための鍵情報や、出荷段階でプリインストールするアプリケーション情報などが挙げられる。垂直磁気異方性を有する磁気ビット２１ｂの磁化方向は、図３中の上方向（第１方向）および下方向（第２方向）の二方向である。ＲＯＭ領域２０Ｒに保持ないし記憶されるべきＲＯＭ情報に応じて、磁気ビット２１ｂの少なくとも一つは第１方向に磁化され、磁気ビット２１ｂの少なくとも一つは第２方向に磁化されている。磁気ディスクＹ１についてセクタサーボ方式を採用する場合、ＲＯＭ領域２０Ｒには、ディスク周方向に離隔する複数のサーボセクタが設けられ、当該サーボセクタ外に磁気ビット２１ｂは位置する。
【００１６】
軟磁性層３０は、磁気ディスクＹ１への書込み時等に保護膜４０に対向する上述の磁気ヘッド３の記録ヘッド部からの磁束を再び当該記録ヘッド部に環流させる磁路を効率よく形成するためのものである。このような軟磁性層３０は、高透磁率を有して大きな飽和磁化を有するとともに小さな保磁力を有する軟磁性材料よりなる。書込み時には、記録ヘッド部による記録磁界の印加によって、データ領域２０Ｄの所定の磁気ビット２１ａが所定方向に磁化されるところ、軟磁性層３０が存在することにより、磁気ビット２１ａを磁化反転させるのに必要な実効的な記録磁界を低減させることが可能となる。軟磁性層３０のための軟磁性材料としては、例えば、ＦｅＣ、ＦｅＮｉ、ＦｅＣｏＢ、ＦｅＣｏＳｉＣ、またはＦｅＣｏ−ＡｌＯを採用することができる。
【００１７】
保護膜４０は、記録層２０や軟磁性層３０を外界から物理的および化学的に保護するための部位であり、例えば、ＳｉＮ、ＳｉＯ2、またはダイアモンドライクカーボン（ＤＬＣ）よりなる。保護膜４０の厚さは、例えば１〜５ｎｍである。保護膜４０の露出面は、磁気ディスクＹ１の記録面をなす。
【００１８】
以上のような記録層２０、軟磁性層３０、および保護膜４０を含む積層構造を磁気ディスクＹ１はディスク基板１０の両面上に有する。また、記録層２０、軟磁性層３０、および保護膜４０を含む積層構造中には、必要に応じて他の層が含まれてもよい。
【００１９】
図４から図７は、磁気ディスクＹ１の製造方法の一例を表す。本方法では、まず、図４（ａ）に示すように、ディスク基板１０上に、軟磁性層３０、磁性膜２１、およびレジスト膜６１を順次形成する。軟磁性層３０の形成においては、例えばスパッタリング法により、軟磁性層３０に関して上述した軟磁性材料をディスク基板１０上に成膜する。磁性膜２１の形成においては、例えばスパッタリング法により、磁気ビット２１ａ，２１ｂに関して上述した磁性材料を軟磁性層３０上に成膜する。レジスト膜６１の形成においては、熱硬化型レジスト材料または紫外線硬化型レジスト材料をスピンコーティング法によって磁性膜２１上に成膜する。
【００２０】
次に、図４（ｂ）および図５（ａ）に示すように、スタンパ６２を使用してインプリント工程を行う。スタンパ６２は、転写面６２’を有し、転写面６２’側に凹部６２ａ，６２ｂを有する。凹部６２ａは、上述の磁気ビット２１ａに対応するパターン形状を有する。凹部６２ｂは、上述の磁気ビット２１ｂに対応するパターン形状を有する。凹部６２ｂの開口径は、凹部６２ａの開口径より小さい。レジスト膜６１として紫外線硬化型レジスト材料よりなるものを採用する場合、スタンパ６２としては、紫外線が透過可能なものを使用する。
【００２１】
インプリント工程では、このようなスタンパ６２の転写面６２’をレジスト膜６１に押し付ける。レジスト膜６１が熱硬化型レジスト材料よりなる場合、スタンパ６２をレジスト膜６１に押し付けた状態で加熱してレジスト膜６１を硬化させる。レジスト膜６１が紫外線硬化型レジスト材料よりなる場合、スタンパ６２をレジスト膜６１に押し付けた状態でレジスト膜６１に対して紫外線を照射してレジスト膜６１を硬化させる。このようなインプリント工程によって、転写面６２’の凹凸形状がレジスト膜６１に転写されて、レジストマスク６１Ａが形成される。レジストマスク６１Ａには、スタンパ６２の凹部６２ａ，６２ｂに応じて形成された凸部６１ａ，６１ｂが含まれる。また、インプリント工程では、図５（ａ）に示すように、スタンパ６２は磁性膜２１に至らず、磁性膜２１とスタンパ６２との間にレジスト材料が残存するのが好ましい。スタンパ６２が磁性膜２１に至ると、形成されるレジストマスク６１Ａと磁性膜２１との接触面積が低下するなどしてレジストマスク６１Ａが磁性膜２１から剥離しやすくなってしまう。そのような剥離が生じないように、スタンパ６２と磁性膜２１との間にレジスト材料が意図的に残されるのが好ましいのである。
【００２２】
本方法では、スタンパ６２を使用して行う上述のインプリント工程の後、図５（ｂ）に示すように、スタンパ６２をレジストマスク６１Ａから取り外す。
【００２３】
次に、凸部６１ａ，６１ｂを有するレジストマスク６１Ａの側から磁性膜２１に対して異方性ドライエッチングを施すことにより、図６（ａ）に示すように、上述の磁気ビット２１ａ，２１ｂを形成する。この後、例えば所定の溶解液を作用させることにより、レジストマスク６１Ａの残渣を除去する。
【００２４】
次に、図６（ｂ）に示すように非磁性部２２を形成する。具体的には、磁気ビット２１ａ，２１ｂ間の隙間を充填しつつ磁気ビット２１ａ，２１ｂを覆うように、非磁性部２２に関して上述した非磁性材料を堆積させた後、過剰分を例えば研磨除去して磁気ビット２１ａ，２１ｂを露出させる。本工程にて、記録層２０が形成されることとなる。
【００２５】
次に、図７（ａ）に示すように保護膜４０を形成する。保護膜４０の形成においては、例えばスパッタリング法により、保護膜４０に関して上述した材料を記録層２０上に成膜する。本工程を終えた時点では、磁気ビット２１ａ，２１ｂの磁化方向はランダムである。
【００２６】
次に、磁気ビット２１ａ，２１ｂに対して磁界を印加することによって、当該磁気ビット２１ａ，２１ｂの磁化方向を揃える（初期化工程）。本工程では、例えば、磁気ビット２１ａ，２１ｂの保磁力より大きな磁界を、記録層２０内の全ての磁気ビット２１ａ，２１ｂに対して一括的に印加する。
【００２７】
次に、図７（ｂ）に示すように、ＲＯＭ領域２０Ｒにおける磁気ビット２１ｂ群から選択された磁気ビット２１ｂに対して磁界を印加することによって、ＲＯＭ領域２０ＲにＲＯＭ情報を記録する（ＲＯＭ情報記録工程）。本工程は、磁気ビット２１ａよりも保磁力の大きい磁気ビット２１ｂの磁化方向を反転可能な磁界を発生させることのできる記録ヘッド６３を備える装置を使用して行う。以上のようにして、磁気ディスクＹ１を適切に製造することができる。
【００２８】
磁気記録装置Ｘ１における情報記録時には、記録層２０のデータ領域２０Ｄにデータが書き込まれる。具体的には、磁気記録装置Ｘ１の各部が協働して、回転される磁気ディスクＹ１の記録層２０のデータ領域２０Ｄ（磁気ビット２１ａ群）に対し、磁気ヘッド３の記録ヘッド部の磁界印加によってデータが書き込まれる。磁気ディスクＹ１では、上述のように、磁気ビット２１ｂの保磁力は、磁気ビット２１ａの保磁力より大きく、磁気ヘッド３の記録ヘッド部による磁界印加によっては磁化方向が変化しない程度の大きさに設定されている。そのため、仮に、情報記録実行中に、磁気ヘッド３ないし記録ヘッド部が、ＲＯＭ領域２０Ｒの近傍を通過したり、ＲＯＭ領域２０Ｒ内に進入したとしても、ＲＯＭ領域２０Ｒの磁気ビット２１ｂは磁化反転を生じず、ＲＯＭ情報は書き換えられない。
【００２９】
磁気記録装置Ｘ１における情報再生時には、記録層２０のデータ領域２０Ｄからデータが読み取られたり、ＲＯＭ領域２０ＲからＲＯＭ情報が読み取られる。具体的には、磁気記録装置Ｘ１の各部が協働して、磁気ヘッド３の再生ヘッド部により、回転される磁気ディスクＹ１の記録層２０におけるデータ領域２０Ｄのデータや、ＲＯＭ領域２０ＲのＲＯＭ情報が読み取られる。
【００３０】
磁気記録装置Ｘ１の磁気ディスクＹ１においては、上述のように、ＲＯＭ領域２０Ｒに含まれる磁気ビット２１ｂはデータ領域２０Ｄに含まれる磁気ビット２１ａよりも、保磁力が大きい。この磁気ディスクＹ１では、磁気記録装置Ｘ１（エンドユーザ装置）での記録ヘッド部による磁界印加によって磁化反転し得るように磁気ビット２１ａの保磁力を設定しつつ、当該磁界印加によっては磁化反転しないように磁気ビット２１ｂの保磁力を設定できる。また、磁気ディスクＹ１では、上述のように、ＲＯＭ領域２０Ｒの磁気ビット２１ｂ群は、第１方向に磁化された少なくとも一つの磁気ビット２１ｂと、第１方向とは反対の第２方向に磁化された少なくとも一つの磁気ビット２１ｂとを含む。磁気ビット２１ｂに関するこのような磁化反転構成は、磁気記録装置Ｘ１（エンドユーザ装置）の磁気ヘッド３の記録ヘッド部が発する磁界よりも大きな磁界を発生可能な上述のような記録ヘッド６３を利用して例えば、実現することができる。したがって、磁気ディスクＹ１では、ＲＯＭ情報について、磁気記録装置Ｘ１（エンドユーザ装置）では書換え不可としつつ、ＲＯＭ領域２０Ｒの磁気ビット２１ｂ群の配置パターンではなくて磁気ビット２１ｂ群の磁化方向によって形成することができる。このような磁気ディスクＹ１では、記録層２０に形成すべき磁性部のパターンに対応する一の凹部パターンを転写面に伴うスタンパによるインプリント法を経る製造手法を採る場合であっても、ＲＯＭ領域２０ＲのＲＯＭ情報を作り分けることができる。すなわち、磁気ディスクＹ１の構成によると、例えば上述のスタンパ６２のような、同じ凹部パターンのスタンパを使用しつつ、ＲＯＭ領域２０ＲのＲＯＭ情報を作り分けることができるのである。したがって、磁気ディスクＹ１の構成によると、ＲＯＭ領域２０Ｒに形成すべきＲＯＭ情報に応じて、転写面の凹部パターンが異なるスタンパないしその原盤を作製する必要はない。形成すべきＲＯＭ情報ごとにスタンパないしその原盤を作製する必要のない本媒体は、ＢＰＭ型磁気記録媒体たる磁気ディスクＹ１の生産性を高めるのに好適である。以上のように、磁気ディスクＹ１は、生産性を高めるのに適するのである。磁気ディスクＹ１の生産性の向上は、磁気ディスクＹ１ないし磁気記録装置Ｘ１の製造コストの削減を図るうえで、好ましい。
【００３１】
図８は、磁気ディスクＹ１の変形例たる磁気ディスクＹ１’の平面図である。磁気ディスクＹ１’は、ＲＯＭ領域２０Ｒの配置について、磁気ディスクＹ１と異なる。磁気ディスクＹ１’のＲＯＭ領域２０Ｒは、データ領域２０Ｄの外側に位置する外環部２０Ａと、データ領域２０Ｄの内側に位置する内環部２０Ｂとを有する。
【００３２】
ＲＯＭ領域２０Ｒがこのような配置をとる場合、ＲＯＭ情報について、エンドユーザがアクセスできない領域に格納しやすい。したがって、磁気ディスクＹ１’におけるＲＯＭ領域２０Ｒの当該配置は、ユーザレベルでアクセスされることが望ましくない情報、例えばセキュリティ情報を格納するための領域としてＲＯＭ領域２０Ｒを利用するのに好適である。
【００３３】
図９は、本発明の第２の実施形態に係る磁気記録装置Ｘ２の平面図である。磁気記録装置Ｘ２は、複数の磁気ディスクＹ２と、基板１と、回転機構２と、磁気ヘッド３’と、スイングアーム４と、アクチュエータ５と、コネクタ６とを備える。磁気記録装置Ｘ２は、複数の磁気ディスクＹ１に代えて複数の磁気ディスクＹ２を備える点、および、磁気ヘッド３に代えて磁気ヘッド３’を備える点において、磁気記録装置Ｘ１と異なる。
【００３４】
図１０および図１１は、磁気ディスクＹ２を表す。図１０は、磁気ディスクＹ２の平面図である。図１１は、図１０の線XI−XIに沿った一部省略断面図である。
【００３５】
磁気ディスクＹ２は、図１１に示すように、ディスク基板１０、記録層２０’、軟磁性層３０、および保護層４０（図１０では省略）を含む積層構造を有する、情報記録と情報再生とを実行可能なＢＰＭである。磁気ディスクＹ２は、記録層２０に代えて記録層２０’を積層構造中に含む点において、磁気ディスクＹ１と異なる。
【００３６】
記録層２０’は、図１１に示すように、相互に離隔する複数の磁気ビット２１ａ、相互に離隔する複数の磁気ビット２１ｂ、相互に離隔する複数の磁気ビット２１ｃ、および、磁気ビット２１ａ，２１ｂ，２１ｃ間に介在する非磁性部２２を含む。また、記録層２０’は、図１０に示すように、データ領域２０Ｄ、外環部２０Ａと内環部２０Ｂを含むＲＯＭ領域２０Ｒ、および、ＲＯＭ領域２０Ｒ’を備える。磁気ビット２１ａは、データ領域２０Ｄに含まれ、図１０にて拡大して示すように、例えばマトリクス状に配置されている。磁気ビット２１ｂは、ＲＯＭ領域２０Ｒに含まれ、図１０にて拡大して示すように、例えばマトリクス状に配置されている。磁気ビット２１ｃは、ＲＯＭ領域２０Ｒ’に含まれ、図１０にて拡大して示すように、例えばマトリクス状に配置されている。磁気ビット２１ａ，２１ｂ，２１ｃのそれぞれは、例えば硬磁性材料よりなり、垂直磁気異方性を有する。磁気ビット２１ａ，２１ｂ，２１ｃのための硬磁性材料としては、例えばＣｏＰｔ、ＣｏＰｔＣｒ、またはＳｍＣｏを採用することができる。非磁性部２２は、例えばＳｉＮ、Ｃ、またはＳｉＯ2などの非磁性材料よりなる。このような記録層２０’は、ＲＯＭ領域２０Ｒ’を更に備える点において、上述の磁気ディスクＹ１’と異なる。
【００３７】
データ領域２０Ｄにおける複数の磁気ビット２１ａは、ユーザデータが書換え可能に記録されるものであり、磁気ディスクＹ１における磁気ビット２１ａに関して上述したのと同様の構成を有する。
【００３８】
ＲＯＭ領域２０Ｒ（外環部２０Ａ，内環部２０Ｂ）における複数の磁気ビット２１ｂは、書換え不可の情報をなすものであり、磁気ディスクＹ１における磁気ビット２１ａに関して上述したのと同様の構成を有する。
【００３９】
ＲＯＭ領域２０Ｒ’は、仮想ＲＯＭ領域であり、エンドユーザ装置にて形成し得る擬似的なＲＯＭ情報を保持ないし記憶するための領域である。そのようなＲＯＭ情報としては、例えば、セキュリティログ情報など、書換えが制限されるべき情報が挙げられる。ＲＯＭ領域２０Ｒ’における複数の磁気ビット２１ｃのそれぞれは、図１０に示すようにドット状の単一の記録セルであり、上述の磁気ヘッド３の再生ヘッド部が検出可能な磁界を発生している。磁気ビット２１ｃの例えば図１０に表れている表面の直径は、磁気ビット２１ａの直径より小さく且つ磁気ビット２１ｂの直径より大きい限りにおいて、例えば１０〜２０ｎｍである。磁気ビット２１ｃの例えば図１０に表れている記録面側の面積（ビット面積）は、磁気ビット２１ａの例えば図１０に表れている記録面側の面積より小さく、且つ、磁気ビット２１ｂの例えば図１０に表れている記録面側の面積より大きい。このようにビット面積が磁気ビット２１ａよりも小さく且つ磁気ビット２１ｂよりも大きい磁気ビット２１ｃの、保磁力は、磁気ビット２１ａの保磁力より大きく且つ磁気ビット２１ｂの保磁力より小さい。ＲＯＭ領域２０Ｒ’では、各磁気ビット２１ｃが所定方向に磁化されて、ディスク周方向に連なる磁気ビット２１ｃ列において、所定の情報が保持ないし記憶されている。垂直磁気異方性を有する磁気ビット２１ｃの磁化方向は、図１１中の上方向（第１方向）および下方向（第２方向）の二方向である。ＲＯＭ領域２０Ｒ’に保持ないし記憶されるべき情報に応じて、磁気ビット２１ｃの少なくとも一つは第１方向に磁化され、磁気ビット２１ｃの少なくとも一つは第２方向に磁化されている。磁気ディスクＹ２についてセクタサーボ方式を採用する場合、ＲＯＭ領域２０Ｒ’には、ディスク周方向に離隔する複数のサーボセクタが設けられ、当該サーボセクタ外に磁気ビット２１ｃは位置する。
【００４０】
以上のような記録層２０’を積層構造中に含む磁気ディスクＹ２は、磁気ディスクＹ１の製造手法として上述したのと同様の手法（スタンパを使用したインプリント法を経る手法）によって製造することができる。
【００４１】
磁気ヘッド３’は、磁気ディスクＹ２の記録面ごとに設けられ、再生時や記録時において磁気ディスクＹ２の記録面に対して対向配置されるものであり、記録ヘッド部および再生ヘッド部を有する。磁気ヘッド３’の記録ヘッド部は、第１磁界および当該第１磁界より大きい第２磁界を発生可能な素子である。この記録ヘッド部は、コアないし磁極が導線で巻かれた構造を有し、駆動電流や駆動電圧の制御によって第１磁界および第２磁界の一方を選択的に発生可能である。第１磁界は、データ領域２０Ｄの磁気ビット２１ａの磁化方向を反転可能な強度に設定されている。第２磁界は、ＲＯＭ領域２０Ｒ’の磁気ビット２１ｃの磁化方向を反転可能であってＲＯＭ領域２０Ｒの磁気ビット２１ｂの磁化方向を変化させることができない強度に設定されている。また、磁気ヘッド３’の再生ヘッド部は、磁気ディスクＹ２からの磁界を検出可能で且つ検出磁界に応じて出力可能な素子である。そのような素子としては、ＭＲ素子やＧＭＲ素子を挙げることができる。
【００４２】
磁気記録装置Ｘ２における第１の情報記録時には、記録層２０’のデータ領域２０Ｄにデータが書き込まれる。具体的には、磁気記録装置Ｘ２の各部が協働して、回転される磁気ディスクＹ２の記録層２０’のデータ領域２０Ｄ（磁気ビット２１ａ群）に対し、磁気ヘッド３’の記録ヘッド部によってデータが書き込まれる。第１の情報記録時に磁気ヘッド３’の記録ヘッド部が発する磁界は、上述の第１磁界（第２磁界より小さい）である。磁気ディスクＹ２では、磁気ビット２１ｂ，２１ｃの保磁力は、磁気ビット２１ａの保磁力より大きく、磁気ヘッド３’の記録ヘッド部による第１磁界の印加によっては磁化方向が変化しない程度の大きさに設定されている。そのため、仮に第１の情報記録実行中に磁気ヘッド３’ないし記録ヘッド部がＲＯＭ領域２０Ｒ，２０Ｒ’の近傍を通過したりＲＯＭ領域２０Ｒ，２０Ｒ’内に進入したとしても、ＲＯＭ領域２０Ｒ，２０Ｒ’の磁気ビット２１ｂ，２１ｃは磁化反転を生じない。すなわち、第１の情報記録実行中にはＲＯＭ情報は書き換えられない。
【００４３】
磁気記録装置Ｘ２における第２の情報記録時（擬似的なＲＯＭ情報を記録する時）には、記録層２０’のＲＯＭ領域２０Ｒ’に所定情報が書き込まれる。具体的には、磁気記録装置Ｘ２の各部が協働して、回転される磁気ディスクＹ２の記録層２０’のＲＯＭ領域２０Ｒ’（磁気ビット２１ｃ群）に対し、磁気ヘッド３’の記録ヘッド部による第２磁界の印加によって所定情報が書き込まれる。第２の情報記録時に磁気ヘッド３’の記録ヘッド部が発する磁界は、上述の第２磁界（第１磁界より大きい）である。磁気ディスクＹ２では、磁気ビット２１ｂの保磁力は、磁気ビット２１ｃの保磁力より大きく、磁気ヘッド３’の記録ヘッド部による第２磁界の印加によっては磁化方向が変化しない程度の大きさに設定されている。そのため、仮に第２の情報記録実行中に磁気ヘッド３’ないし記録ヘッド部がＲＯＭ領域２０Ｒの近傍を通過したりＲＯＭ領域２０Ｒ内に進入したとしても、ＲＯＭ領域２０Ｒの磁気ビット２１ｂは磁化反転を生じない。すなわち、第２の情報記録実行中には、ＲＯＭ領域２０Ｒ内のＲＯＭ情報は書き換えられない。
【００４４】
磁気記録装置Ｘ２における情報再生時には、記録層２０’のデータ領域２０Ｄからデータが読み取られたり、ＲＯＭ領域２０Ｒ，２０Ｒ’からＲＯＭ情報が読み取られる。具体的には、磁気記録装置Ｘ２の各部が協働して、磁気ヘッド３’の再生ヘッド部により、回転される磁気ディスクＹ２の記録層２０’におけるデータ領域２０Ｄのデータや、ＲＯＭ領域２０Ｒ，２０Ｒ’のＲＯＭ情報が読み取られる。
【００４５】
磁気記録装置Ｘ２の磁気ディスクＹ２においては、上述のように、ＲＯＭ領域２０Ｒの磁気ビット２１ｂは、データ領域２０Ｄの磁気ビット２１ａや、仮想ＲＯＭ領域たるＲＯＭ領域２０Ｒ’の磁気ビット２１ｃよりも、保磁力が大きい。この磁気ディスクＹ２では、磁気記録装置Ｘ２での記録ヘッド部による磁界印加によって磁化反転し得るように磁気ビット２１ａ，２１ｃの保磁力を設定しつつ、当該磁界印加によっては磁化反転しないように磁気ビット２１ｂの保磁力を設定できる。また、磁気ディスクＹ２では、ＲＯＭ領域２０Ｒの磁気ビット２１ｂ群は、第１方向に磁化された少なくとも一つの磁気ビット２１ｂと、第１方向とは反対の第２方向に磁化された少なくとも一つの磁気ビット２１ｂとを含む。磁気ビット２１ｂに関するこのような磁化反転構成は、磁気ビット２１ｂの磁化方向を反転可能な磁界を発生可能な上述の記録ヘッド６３を利用して例えば、実現することができる。したがって、磁気ディスクＹ２では、ＲＯＭ領域２０ＲのＲＯＭ情報について、磁気記録装置Ｘ２では書換え不可としつつ、ＲＯＭ領域２０Ｒの磁気ビット２１ｂ群の配置パターンではなくて磁気ビット２１ｂ群の磁化方向によって形成することができる。このような磁気ディスクＹ２では、記録層２０’に形成すべき磁性部のパターンに対応する一の凹部パターンを転写面に伴うスタンパによるインプリント法を経る製造手法を採る場合であっても、ＲＯＭ領域２０ＲのＲＯＭ情報を作り分けることができる。すなわち、磁気ディスクＹ２の構成によると、例えば上述のスタンパ６２のような、同じ凹部パターンのスタンパを使用しつつ、ＲＯＭ領域２０ＲのＲＯＭ情報を作り分けることができるのである。したがって、磁気ディスクＹ２の構成によると、ＲＯＭ領域２０Ｒに形成すべきＲＯＭ情報に応じて、転写面の凹部パターンが異なるスタンパないしその原盤を作製する必要はない。形成すべきＲＯＭ情報ごとにスタンパないしその原盤を作製する必要のない本媒体は、ＢＰＭ型磁気記録媒体たる磁気ディスクＹ２の生産性を高めるのに好適である。以上のように、磁気ディスクＹ２は、生産性を高めるのに適するのである。磁気ディスクＹ２の生産性の向上は、磁気ディスクＹ２ないし磁気記録装置Ｘ２の製造コストの削減を図るうえで、好ましい。
【００４６】
加えて、磁気記録装置Ｘ２の磁気ディスクＹ２においては、ＲＯＭ領域２０ＲのＲＯＭ情報とは別に、エンドユーザが書き換え可能な擬似的なＲＯＭ情報をＲＯＭ領域２０Ｒ’に保持させることができる。このような構成によると、複数種類のＲＯＭ情報について、例えばその種類ないし役割に応じて、書換え性に差異を設けることが可能である。
【００４７】
磁気ディスクＹ２の記録層２０’には、仮想ＲＯＭ領域として、それぞれが複数の磁気ビット２１ｃを含む複数のＲＯＭ領域２０Ｒ’を設けてもよい（磁気ビット２１ｃの保磁力は、磁気ビット２１ａの保磁力より大きく且つ磁気ビット２１ｂの保磁力より小さい）。この場合、一のＲＯＭ領域２０Ｒ’の磁気ビット２１ｃの保磁力と、他のＲＯＭ領域２０Ｒ’の磁気ビット２１ｃの保磁力とを異ならしめるのが好ましい。すなわち、ＲＯＭ領域２０Ｒ’間で磁気ビット２１ｃの保磁力を異ならしめるのが好ましい。ＲＯＭ領域２０Ｒ’ごとに磁気ビット２１ｃのビット面積を異ならしめることによって、ＲＯＭ領域２０Ｒ’間で磁気ビット２１ｃの保磁力を異ならしめることが可能である。磁気ビット２１ｃの保磁力がＲＯＭ領域２０Ｒ’ごとに異なるこのような構成は、例えば、重要な情報ほど書換えるのに強い磁界が必要となるように、情報の重要度に応じて記録する仮想ＲＯＭ領域を分類したい場合などに利用可能である。そして、このような磁気ディスクＹ２を磁気記録装置Ｘ２において採用する場合には、上述の磁気ヘッド３’は、磁気ビット２１ｃの保磁力が異なるＲＯＭ領域２０Ｒ’（仮想ＲＯＭ領域）ごとに異なる磁界を当該仮想ＲＯＭ領域に印加可能に設定ないし制御される。
【００４８】
本発明に係る磁気記録媒体においては、上述のように、ＲＯＭ領域に含まれる磁気ビット（第２磁気ビット）はデータ領域に含まれる磁気ビット（第１磁気ビット）よりも、保磁力が大きい。そのため、本媒体では、エンドユーザの使用する装置（エンドユーザ装置）の記録ヘッドによる磁界印加によって磁化方向が反転し得るように第１磁気ビットの保磁力を設定し、且つ、当該磁界印加によっては磁化方向が反転しないように第２磁気ビットの保磁力を設定することができる。また、本媒体では、上述のように、ＲＯＭ領域内の複数の第２磁気ビットは、第１方向に磁化された少なくとも一つの第２磁気ビットと、第１方向とは反対の第２方向に磁化された少なくとも一つの第２磁気ビットとを含む。第２磁気ビットに関するこのような磁化反転構成は、エンドユーザ装置の記録ヘッドが発する磁界よりも大きな磁界を発生可能な記録ヘッドを利用して例えば、実現することができる。具体的には、第２磁気ビットの磁化反転構成は、ＲＯＭ領域の第２磁気ビット群から選択された第２磁気ビットに対して当該第２磁気ビットの保磁力より大きな磁界を印加することによって、実現することができる。したがって、本媒体では、ＲＯＭ領域に保持ないし記憶させるべき情報（ＲＯＭ情報）について、エンドユーザ装置では書換え不可としつつ、ＲＯＭ領域の第２磁気ビット群の配置パターンではなくて第２磁気ビット群の磁化方向によって形成することができる。このような本媒体では、記録層に形成すべき磁性部（第１および第２磁気ビットを含む）のパターンに対応する一の凹部パターンを転写面に伴うスタンパによるインプリント法を経る製造手法を採る場合であっても、ＲＯＭ領域のＲＯＭ情報を作り分けることができる。すなわち、本媒体の構成によると、同じ凹部パターンのスタンパを使用しつつ、ＲＯＭ領域のＲＯＭ情報を作り分けることができるのである。したがって、本媒体の構成によると、ＲＯＭ領域に形成すべきＲＯＭ情報に応じて、転写面の凹部パターンが異なるスタンパないしその原盤を作製する必要はない。形成すべきＲＯＭ情報ごとにスタンパないしその原盤を作製する必要のない本媒体は、ＢＰＭ型磁気記録媒体の生産性を高めるのに好適である。以上のように、本発明に係る磁気記録媒体は、ＢＰＭ型磁気記録媒体の生産性を高めるのに適するのである。
【００４９】
ＲＯＭ領域を有するＢＰＭに関連する技術の延長線上に想定される、以下のような比較例たるＢＰＭ製造技術について、検討する。比較例たるＢＰＭ製造技術においては、記録層の磁性部へとパターニングされることとなる磁性膜上にレジスト材料が成膜された後、スタンパを使用して行ういわゆるインプリント法によって当該レジスト膜からレジストパターンが形成される。スタンパは、記録層において形成すべき磁性部に対応するパターン形状を有する凹部を表面に伴う転写面を有する。インプリント法では、スタンパの転写面がレジスト膜に押し付けられた後、レジスト材料が硬化されて前記のレジストパターンが形成される。レジスト材料が硬化した後、スタンパはレジストパターンから取り外される。レジストパターンは、記録層において形成すべき磁性部に対応するパターン形状を有し、前記の磁気ビット群に対応するビットパターン部を含む。このように磁性膜上にレジストパターンが形成された後、レジストパターンをマスクとして利用して当該レジストパターンの側から磁性膜に対して異方性ドライエッチングが施されることにより、磁性部がパターン形成される。この後、磁性部間に介在する非磁性部が形成される。これにより、所定のパターンを有する磁性部を含む記録層が形成されることとなる。記録層の形成の後、記録層上に保護層が形成される。比較例たるＢＰＭ製造技術では、以上のようにしてＢＰＭは製造される。そして、比較例たるＢＰＭ製造技術では、記録層において書換え不可の情報を保持ないし記憶するためのＲＯＭ領域を設ける場合、情報に応じたパターン形状を有する磁性部がＲＯＭ領域に形成される。比較例たるＢＰＭ製造技術では、情報に応じたパターン形状の磁性部をＲＯＭ領域に形成するうえで、転写面の凹部のパターン形状にＲＯＭ領域磁性部のパターン形状を含むスタンパを使用して上述のインプリント法が行われる。このような比較例たるＢＰＭ製造技術では、ＲＯＭ領域に保持ないし記憶されるべき情報（ＲＯＭ情報）が、ＲＯＭ領域磁性部のパターン形状として固定される。そのため、比較例たるＢＰＭ製造技術おいて、ＲＯＭ情報が異なるＢＰＭを製造するためには、転写面の凹部のパターン形状（ＲＯＭ領域磁性部のパターン形状を含む）が異なるスタンパが作製される。
【００５０】
しかしながら、ＲＯＭ領域のＲＯＭ情報に応じて、転写面の凹部パターンの異なるスタンパを作製するのは、効率的でなく、ＢＰＭの生産性の観点から好ましくない。その理由は次のとおりである。
【００５１】
比較例たるＢＰＭ製造技術では、上述のＢＰＭ製造過程において、表面に凹凸パターンを有する原盤が上記スタンパとして使用されるか、或は、このような原盤の凹凸パターンがインプリント法によって転写された樹脂性スタンパが上記スタンパとして使用される。スタンパの原盤または原盤たるスタンパの作製においては、まず、例えば石英基板上にレジスト材料が成膜される。次に、当該レジスト膜に対し、電子線描画装置を使用して行う露光処理と、その後の現像処理とが施されて、レジストパターンが形成される。次に、当該レジストパターンがマスクとして利用されて石英基板に異方性エッチング処理が施され、石英基板表面に凹凸パターンが形成される。このような原盤作製過程における電子線描画装置による露光処理には長時間を要し、従って、原盤の作製には長時間を要することが知られている。原盤に形成すべき凹凸パターンが微細であるほど、露光処理は長時間化し、原盤の作製は長時間化する（例えば数カ月にわたる）。
【００５２】
したがって、ＲＯＭ領域のＲＯＭ情報に応じて、転写面の凹部パターンの異なるスタンパ（ないしその原盤）を、比較例たるＢＰＭ製造技術のように作製するのは、効率的でなく、ＢＰＭの生産性の観点から好ましくないのである。
【符号の説明】
【００５３】
Ｘ１，Ｘ２      磁気記録装置
Ｙ１，Ｙ１’，Ｙ２      磁気ディスク
１      基板
２      回転機構
３，３’      磁気ヘッド
４      スイングアーム
５      アクチュエータ
６      コネクタ
１０      ディスク基板
２０，２０’      記録層
２０Ｄ      データ領域
２０Ｒ，２０Ｒ’      ＲＯＭ領域
２１ａ，２１ｂ，２１ｂ      磁気ビット
２１      磁性膜
２２      非磁性部
３０      軟磁性層
４０      保護層
６２      スタンパ
６３      記録ヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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