(57)【要約】【課題】外部から有機層上へのゴミや浮遊物の吸着を防止し、有機発光素子の信頼性を向上する。【解決手段】有機発光素子は、基板１と、基板１の上に形成された複数の画素と、該複数の画素間に形成された補助電極３とを有している。また、各画素は、基板１側から順に、画素毎に離間して設けられた下部電極２と、発光層を含む有機化合物層５と、複数の画素間を跨いで共通に設けられた上部電極とを有している。有機発光素子の製造方法は、以下の４つの工程を有する。下部電極２及び補助電極３の上に、有機化合物層５を形成する工程。有機化合物層５の表面に、複数の画素間を跨いで、第１上部電極６を共通に形成する工程。有機化合物層５と第１上部電極６とを部分的に除去し、補助電極３を露出させる工程。第１上部電極６及び補助電極３の上に、複数の画素間を跨いで、第２上部電極７を共通に形成する工程。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板の上に形成された複数の画素と、該複数の画素間に形成された補助電極と、を有すると共に、
各画素は、前記基板側から順に、画素毎に離間して設けられた下部電極と、発光層を含む有機化合物層と、複数の画素間を跨いで共通に設けられた上部電極と、を有する有機発光素子の製造方法において、
前記下部電極及び前記補助電極の上に、前記有機化合物層を形成する工程と、
前記有機化合物層の表面に、前記複数の画素間を跨いで、第１上部電極を共通に形成する工程と、
前記有機化合物層と前記第１上部電極とを部分的に除去し、前記補助電極を露出させる工程と、
前記第１上部電極及び前記補助電極の上に、前記複数の画素間を跨いで、第２上部電極を共通に形成する工程と、を有することを特徴とする有機発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記補助電極を露出させる工程は、エネルギービームを前記補助電極に部分的に付与する工程であることを特徴とする請求項１に記載の有機発光素子の製造方法。
【請求項３】
基板と、該基板の上に形成された複数の画素と、該複数の画素間に形成された補助電極と、を有し、
各画素は、前記基板側から順に、画素毎に離間して設けられた下部電極と、発光層を含む有機化合物層と、複数の画素間を跨いで共通に設けられた上部電極と、を有する有機発光素子において、
前記上部電極は、前記有機化合物層の上に、第１上部電極と第２上部電極とをこの順に有しており、
前記第１上部電極の厚みは、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることを特徴とする有機発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光層を備えた有機発光素子の製造方法及び有機発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機材料のエレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下、ＥＬと記す）を利用した有機ＥＬ素子は、高輝度発光及び低電圧駆動が可能な発光素子として注目されている。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、２つの電極間に、低分子又は高分子からなる正孔輸送層や発光層、電子輸送層等を積層させて構成されている。このような有機ＥＬ素子の駆動方法としては、単純マトリックス型、アクティブマトリックス型を挙げることができる。
【０００４】
アクティブマトリックス型の表示装置においては、基板上の各画素に薄膜トランジスタが設けられており、層間絶縁膜で覆われている。また、薄膜トランジスタに接続された状態で各画素にパターニングされた下部電極と、この下部電極上に形成された有機化合物層と、有機化合物層上に全画素共通として形成された第２上部電極とを有している。このようなアクティブマトリックス型の表示装置は、有機ＥＬ素子の開口率を確保するために、基板と反対側から光を取り出す、いわゆるトップエミッション型の構成が有効である。
【０００５】
トップエミッション型の構成とした場合に、第２上部電極は透明又は半透明の材料で構成されるが、抵抗値が高いことから、第２上部電極内において電圧勾配が発生して電圧降下が生じ、発光ムラが発生するなど、表示性能が著しく低下してしまう。
【０００６】
そこで、補助電極を設けて第２上部電極と導通させ、電圧降下を防ぐ方法が提案されている。ところが、補助電極を設けた場合には、成膜マスクを用いずに、共通層である有機膜を素子全面に成膜すると、有機膜が補助電極上にも形成されてしまい、第２上部電極を形成した際に、第２上部電極と補助電極との導通が悪化してしまう場合がある。
【０００７】
また、成膜マスクを用いて有機化合物層を形成する場合においても、成膜マスクの位置決め精度や開口の加工精度が悪いと、補助電極上に有機化合物層が成膜されてしまう場合があった。
【０００８】
このような問題を解決するために、補助電極上の有機膜をレーザー照射により選択的に除去し、第２上部電極を形成して、第２上部電極と補助電極とを電気的に接合する技術が提案されている（特許文献１参照）。
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−１１８１０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記特許文献１に記載された方法では、補助電極上の有機化合物層を除去する場合、有機化合物層を形成した後にレーザー等で補助電極上の有機化合物層を除去するために、有機化合物層が剥き出しの状態で除去工程を行うことになる。このため、チャンバ移動を行う間にゴミ等によるコンタミネーションが発生し、また、除去された有機化合物層が電子輸送層上に付着することにより、表示性能が著しく低下してしまう問題があった。
【００１１】
本発明は、上述した問題に対処するために提案されたものであり、補助電極上の有機化合物層を除去する際に、ゴミなどの原因となる飛散物の影響を抑え、発光ムラのない高品質な有機発光素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の有機発光素子の製造方法は、上述した目的を達成するため、以下の特徴点を備えている。すなわち、本発明の有機発光素子の製造方法により製造する有機発光素子は、基板と、該基板の上に形成された複数の画素と、該複数の画素間に形成された補助電極とを有している。また、各画素は、基板側から順に、画素毎に離間して設けられた下部電極と、発光層を含む有機化合物層と、複数の画素間を跨いで共通に設けられた上部電極とを有している。
【００１３】
そして、本発明の有機発光素子の製造方法は、以下の４つの工程を有していることを特徴とするものである。第１の工程は、下部電極及び補助電極の上に、有機化合物層を形成する工程である。第２の工程は、有機化合物層の表面に、複数の画素間を跨いで、第１上部電極を共通に形成する工程である。第３の工程は、有機化合層と第１上部電極とを部分的に除去し、補助電極を露出させる工程である。第４の工程は、第１上部電極及び補助電極の上に、複数の画素間を跨いで、第２上部電極を共通に形成する工程である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の有機発光素子の製造方法によれば、有機化合物層上に電極材料が形成されることから、補助電極上の有機化合物層を除去する際に有機化合物層を保護し、劣化やゴミの付着を防止することができる。また、上部電極の電圧降下を抑制することができ、各画素における有機発光層の発光強度を維持することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
まず、本発明の実施形態に係る有機発光素子及びその製造方法の概略について説明する。
【００１６】
本発明の実施形態に係る有機発光素子は、基板と、該基板の上に形成された複数の画素と、該複数の画素間に形成された補助電極とを有している。各画素は、基板側から順に、画素毎に離間して設けられた下部電極と、発光層を含む有機化合物層と、複数の画素間を跨いで共通に設けられた上部電極とを有している。また、上部電極は、有機化合物層の上に、第１上部電極と第２上部電極とをこの順に有しており、第１上部電極の厚みは、５ｎｍ以上２００ｎｍ以下となっている。
【００１７】
このような構成からなる有機発光素子では、適切な膜厚の電極を用いることで有機化合物層を保護してコンタミネーションの影響を防止することができるので、上部電極の電圧降下を効果的に抑制することができる。
【００１８】
本発明の実施形態に係る有機発光素子の製造方法は、次の４つの工程を有している。第１の工程では、下部電極及び補助電極の上に、有機化合物層を形成する。第２の工程では、有機化合物層の表面に、複数の画素間を跨いで、第１上部電極を共通に形成する。第３の工程では、有機化合層と第１上部電極とを部分的に除去し、補助電極を露出させる。第４の工程では、第１上部電極及び補助電極の上に、複数の画素間を跨いで、第２上部電極を共通に形成する。ここで、第３の工程では、エネルギービームを補助電極に部分的に付与する。このような有機発光素子の製造方法では、補助電極に対してエネルギービームを部分的に付与することにより、補助電極の露出工程のタクトを短縮することができ、生産性が向上する。
【００１９】
＜有機ＥＬ素子の製造方法＞
次に、本発明の実施形態に係る有機発光素子の概略構成について説明する。なお、以下の実施形態では、有機発光素子として有機ＥＬ素子について説明するが、本発明は電極と補助電極の構造を有する他の有機発光素子に対しても適用できるものである。
【００２０】
図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の模式的断面図である。本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子は、各画素の部分に対応して形成される。すなわち、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子は、基板１上に、下部電極２、有機化合物層５、第１上部電極６、及び第２上部電極７を積層して構成される。
【００２１】
また、各画素間に形成される補助電極３上の有機化合物層５及び第１上部電極６は除去されており、第２上部電極７と補助電極３とがコンタクトして導通状態となっている。本発明では、補助電極３上の有機化合物層５と第１上部電極６が除去されている点に特徴がある。なお、第１上部電極６は、一層であっても複数層であってもよい。
【００２２】
本実施形態の有機ＥＬ素子は、後に詳述するように、下部電極２及び補助電極３を形成した状態で有機化合物層５を成膜し、少なくとも一層以上の第１上部電極６を形成した後にエネルギービームを照射する。これにより、補助電極３上の有機化合物層５及び少なくとも一層以上の第１上部電極６が、熱剥離によって除去される。
【００２３】
また、有機化合物層５及び第１上部電極６を除去する際に、特定の波長に吸収を持ち、熱を発生させる光吸収層が補助電極３の上下少なくとも一方に形成されていてもよい。こうすることで、より効率よく光を熱に変換して、補助電極３上の有機化合物層５及び第１上部電極６を除去することができる。
【００２４】
＜有機ＥＬ素子の製造方法＞
次に、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法について説明する。なお、以下の説明では、下部電極２の形成工程から説明するが、アクティブマトリックス型の表示素子の場合には、基板１上の各画素に、薄膜トランジスタが形成されているものとする。
【００２５】
図２は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示す模式的断面図、図３乃至図６は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の模式的平面図である。
【００２６】
＜下部電極及び補助電極形成工程＞
本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法では、まず、基板１の上に下部電極２をパターニングする。
【００２７】
下部電極２はアノード電極又はカソード電極として用いられるもので、トップエミッション型である場合には、下部電極２は可視光に対して高反射率の材料で形成され、ボトムエミッション型である場合には可視光に対して透明に形成される。トップエミッション型でアノード電極として用いる場合には、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕなどのような可視光に対して反射率の高い導電性材料及びその合金やＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯなど、有機ＥＬ素子の電極として公知の材料を用いることができる。なお、ＩＴＯとは、「Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ」のことであり、ＩＺＯとは、「Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ」のことである。また、トップエミッション型で下部電極２をカソード電極として用いる場合には、下部電極２はＡｌ、Ｉｎ、Ｍｇ、Ａｇ合金のような仕事関数が小さい導電性材料で可視光に対して反射率の高いもので形成される。
【００２８】
また、ボトムエミッション型で下部電極２をアノード電極として用いる場合には、下部電極２はＩＴＯやＩＺＯのように、可視光に対して高透過率の導電性材料で形成される。さらに、ボトムエミッション型で下部電極２をカソード電極として用いる場合には、下部電極２は仕事関数が小さく可視光に対して透過率の高い導電性材料で形成される。
【００２９】
ここで、補助電極３の下部に光吸収層を形成しておいてもよい。光吸収層としては、所定波長のレーザー光を効率よく吸収できる材料を用いればよく、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗなどが好適である。
【００３０】
補助電極３としては、ＡｌやＣｒ、及びその合金のような低抵抗の導電性材料を単層又は積層して用いることができる。
【００３１】
基板１上の下部電極２と補助電極３は同一工程で一括して形成してもよい。
【００３２】
補助電極３は、図３に示すように、画素間に格子状に形成してあってもよいし、図４に示すようにストライプ状であってもよく、図５に示すように、間欠的であって、下層で補助電源ラインに接続されていてもよい。
【００３３】
＜絶縁膜形成工程＞
次に、図２（ａ）に示すように、下部電極２の縁を覆うように絶縁層４を形成する。例えば、絶縁層４を形成した後にフォトリソグラフィにて下部電極２を露出させ、画素領域とする。絶縁層４は、塗布法を用いて形成してもよい。絶縁層４は、例えば、ポリイミドやフォトレジスト等の有機絶縁材料や酸化シリコン等の無機絶縁材料を用いることができる。
【００３４】
＜有機化合物層形成工程＞
その後、発光層を含む有機化合物層５を、各画素の下部電極２上に順次形成する。有機化合物層５は、下部電極２の露出面を完全に覆うような状態で形成される。
【００３５】
有機化合物層５は、発光層の他に、不図示の正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の機能を持つ層を必要に応じて有していてもよい。有機化合物層５の各層には公知の材料を用いることができる。
【００３６】
本発明は、他の形態の発光素子にも適用することができる。例えば、共通層をマスク無しで全面に成膜し、発光層をＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｗ（白）として塗り分けた発光素子にも適用することができる。また、複数の発光ピークを持つ白色素子を成膜した表示素子や、発光層を有する有機化合物層のユニットを複数積層したタンデム型の有機ＥＬ素子にも適用することができる。
【００３７】
本実施形態では、説明を簡略なものとするため、単色の発光層を含む有機膜をベタ成膜した場合について説明する。
【００３８】
＜第１上部電極形成工程＞
さらに、図２（ｂ）に示すように、有機化合物層５上に、第１上部電極６を成膜する。この際、有機化合物層５と同一装置内において連続して第１上部電極６を形成し、有機化合物層５の劣化を防止する。
【００３９】
導電性材料としては、有機化合物層５に対して電子を効率的に注入できるように仕事関数が小さく、可視光に対して透明であることが好ましい。例えば、ＩＴＯやＩＺＯなど、有機ＥＬ素子の電極材料として公知の材料が用いられる。
【００４０】
第１上部電極６の膜厚は、薄すぎるとコンタミネーションによる影響を受けてしまうので５ｎｍ以上であることが望ましい。また、厚すぎると発光の吸収が増加してしまい、また、除去された有機化合物層５や第１上部電極６のコンタミネーションの影響が大きくなるので、２００ｎｍ以下であることが望ましい。さらに、１００ｎｍより薄いことが一層望ましい。
【００４１】
＜補助電極の露出工程＞
次に、図２（ｃ）に示すように、基板１の表面から、補助電極３上にエネルギービーム８を照射する。例えば、半導体ＣＷレーザーを用いて波長８１０ｎｍの赤外レーザーを照射して、補助電極３上に成膜された有機化合物層５及び第１上部電極６を剥離、除去する。
【００４２】
エネルギービームとしては、補助電極３上の有機化合物層５及び第１上部電極６をアブレーション現象や昇華等で除去できればよく、赤外域から紫外域までの波長のレーザーや、ＧａやＡｒを用いたイオンビーム、また電子ビームなどが用いられる。
【００４３】
また、基板１としてガラス等の透明な材質なものを用いることにより、基板１の裏面からエネルギービームを照射してもよい。この場合、エネルギービームとしては、補助電極３もしくは光吸収層が吸収できる波長の光を用いる。
【００４４】
また、照射装置に精密なアライメント機構を備えることにより、補助電極３に沿ってレーザーを適正なスポットに照射することができる。
【００４５】
また、アライメント機構が無い場合には、マスクを用いるか、あるいは、基板１の裏面において、補助電極３上だけにエネルギービームが透過するようにマスクとなる遮光膜を形成しておく。これにより、精密なアライメント無しにエネルギービームを照射することができる。
【００４６】
エネルギービームによる有機化合物層５及び第１上部電極６の除去工程は、大気圧中でも可能であるが、真空中で行うことが望ましい。真空中で行うことにより、大気圧中よりも低エネルギーで有機化合物層５及び第１上部電極６を除去することができ、周囲への悪影響をより低減することができる。
【００４７】
さらに、エネルギービームの付与は補助電極３に沿って連続的であってもよいし、部分的であってもよい。
【００４８】
＜第２上部電極形成工程＞
以上のようにして、有機化合物層５及び第１上部電極６を形成し、補助電極３上の有機化合物層及び第１上部電極６を除去した後、図２（ｄ）に示すように、第２上部電極７を全面にベタ付けで形成する。
【００４９】
この際、上述した工程で露出した補助電極３と第２上部電極７とが接続されることになる。ただし、第２上部電極７は、有機化合物層５及び絶縁層４によって下部電極２とは絶縁されたものになる。
【００５０】
第２上部電極７はアノード電極又はカソード電極として用いられるため、トップエミッション型である場合には、可視光に対して透明又は半透明に形成され、ボトムエミッション型である場合には、可視光に対して高反射性材料で構成される。
【００５１】
本実施形態では、有機ＥＬ表示素子はトップエミッション型であり、下部電極２をアノード電極として用いるため、第２上部電極７はカソード電極として用いられることになる。この場合、第２上部電極７は、有機化合物層５に対して電子を効率的に注入できるように、仕事関数が小さく、可視光に対して透明であることが好ましい。第２上部電極７の材料としては、Ｍｇ−Ａｇ合金など、好適なものが用いられる。
【００５２】
また、表示素子がボトムエミッション型であり、第２上部電極７をカソード電極として用いる場合には、仕事関数が小さく可視光に対して反射率の高い導電性材料で構成する。
【００５３】
さらに、表示素子がボトムエミッション型であり、第２上部電極７をアノード電極として用いる場合には、可視光に対して反射率の高い導電性材料で構成する。
【００５４】
＜保護層形成工程＞
最後に、図示しないが、第２上部電極７上に保護層を形成する。
【００５５】
この際、下地に対して影響を及ぼさない程度に成膜粒子のエネルギーが小さい方法で、保護層を形成する。
【００５６】
また、大気に暴露することなく、保護層までを形成することにより、大気中の水分や酸素による有機化合物層５の劣化を防止する。この保護層は、有機化合物層５への水分と酸素の接触防止を目的とし、防湿材料で十分な膜厚で形成すればよい。
【００５７】
トップエミッション型では、この保護層も可視光に対して透過率の高い材料を用いる。例えば、アモルファス状のシリコン、炭化シリコン、窒化シリコンなどを好適に用いることができる。成膜に際しては、成膜温度を常温近くにし、膜ストレスが小さな条件で成膜することが望ましい。
【００５８】
＜補助電極の異種例＞
図６に示すように、補助電極３は、絶縁層４上にあってもよい。この場合、補助電極３の形成後に、マスクを用いた抵抗加熱蒸着法、印刷法、塗布法、レーザー等を用いた転写法などによって、導電性材料を絶縁層４上に形成して、補助電極３とする。
【実施例】
【００５９】
以下、本発明に係る有機ＥＬ素子を具体的な実施例を用いて説明する。
【００６０】
＜実施例１＞
実施例１の有機ＥＬ素子は、図１に示す構成となっている。なお、以下の説明では、下部電極２の形成工程から説明するが、アクティブマトリックス型の表示素子であるため、基板１上の各画素に、薄膜トランジスタが形成されているものとする。また、説明を簡略なものとするため、単色の素子について説明する。
【００６１】
実施例１では、まず、基板１の上に下部電極２と補助電極３をパターニングした。
【００６２】
下部電極２は、膜厚１００ｎｍのＡｌと膜厚５０ｎｍのＩＴＯの積層膜をスパッタリング法により形成した。補助電極３は、膜厚１００ｎｍのＡｌを同様にスパッタリング法により形成した。
【００６３】
下部電極２及び補助電極３は、基板１上の積層体全面に形成した後、フォトリソグラフィにて画素回路に対応した有機ＥＬ素子のパターンに形成した。
【００６４】
次に、下部電極２を覆うようにポリイミドで絶縁層４を形成し、この絶縁層４をフォトリソグラフィで除去し、下部電極２を露出させ、画素領域とした。
【００６５】
次に、下部電極２上に、有機化合物層５を蒸着法で形成した。本実施例では、有機化合物層５として、公知の有機材料からなるホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層を、抵抗加熱蒸着法を用いて積層形成した。
【００６６】
次に、第１上部電極６として、膜厚４０ｎｍのＩＺＯをスパッタ法で成膜した。ここで、同一装置内の他の真空チャンバ内で、波長８１０ｎｍの半導体ＣＷレーザーを基板１の表面から補助電極３上に照射し、有機化合物層５及び第１上部電極６を除去した。
【００６７】
次に、第２上部電極７として、膜厚４０ｎｍのＭｇ−Ａｇ合金を抵抗加熱蒸着法で成膜した。
【００６８】
最後に、窒化珪素からなる無機保護層（図示せず）を、ＳｉＨ4ガス、Ｎ2ガス、Ｈ2ガスを用いたプラズマＣＶＤ法で成膜した。無機保護層の膜厚は、１μｍとし、有機ＥＬ素子が形成された基板面全体を覆うように形成した。
【００６９】
以上のようにして作成した実施例１の有機ＥＬ素子において、発光ムラのない良好な発光が得られた。
【００７０】
＜実施例２＞
実施例２の有機ＥＬ素子は、図４に示す構成となっている。なお、以下の説明では、下部電極２の形成工程から説明するが、アクティブマトリックス型の表示素子であるため、基板１上の各画素に、薄膜トランジスタが形成されているものとする。また、説明を簡略なものとするため、単色の素子について説明する。
【００７１】
実施例２では、実施例１と同様に、基板１上に下部電極２をパターニングした。
【００７２】
補助電極３は、図４に示すように、ストライプ状にパターニングした。こうすることで、エネルギービームの補助電極３上への走査が簡便となる。
【００７３】
次に、実施例１と同様に、絶縁層４をパターニングした。
【００７４】
次に、抵抗加熱蒸着法で、絶縁層４上にマスクを介して補助電極３を形成した。補助電極３としては、膜厚１００ｎｍのＡｌを用いた。
【００７５】
次に、実施例１と同様に、有機化合物層５を蒸着法で形成した。ここで、同一装置内の他の真空チャンバ内で、波長８１０ｎｍの半導体ＣＷレーザーを基板１の表面から補助電極３上に照射し、有機化合物層５を除去した。
【００７６】
次に、実施例１と同様に、第１上部電極６として膜厚４０ｎｍのＩＺＯをスパッタ法で成膜した。
【００７７】
次に、第２上部電極７として、膜厚４０ｎｍのＭｇ−Ａｇ合金を蒸着法で成膜した。
【００７８】
最後に、実施例１と同様に、窒化珪素からなる無機保護層（図示せず）を、ＳｉＨ4ガス、Ｎ2ガス、Ｈ2ガスを用いたプラズマＣＶＤ法で成膜した。
【００７９】
以上のようにして作成した実施例２の有機ＥＬ素子において、発光ムラのない良好な発光が得られた。
【００８０】
＜実施例３＞
実施例３の有機ＥＬ素子は、図６に示す構成となっている。なお、以下の説明では、下部電極２の形成工程から説明するが、アクティブマトリックス型の表示素子であるため、基板１上の各画素に、薄膜トランジスタが形成されているものとする。また、説明を簡略なものとするため、単色の素子について説明する。
【００８１】
実施例３では、実施例１と同様に、基板１上に下部電極２をパターニングした。
【００８２】
次に、図３に示すように、絶縁層４をパターニングした。こうすることで、絶縁層４を画素間で共通化して、フォトリソ工程が簡略化できる。
【００８３】
次に、抵抗加熱蒸着法で、絶縁層４上にマスクを介して補助電極３を形成した。補助電極３としては、膜厚１００ｎｍのＡｌを用いた。
【００８４】
次に、実施例１と同様に、有機化合物層５を蒸着法で形成した。ここで、同一装置内の他の真空チャンバ内で、波長８１０ｎｍの半導体ＣＷレーザーを基板１の表面から補助電極３上に照射し、有機化合物層５を除去した。
【００８５】
次に、実施例１と同様に、第１上部電極６として膜厚４０ｎｍのＩＺＯをスパッタ法で成膜した。
【００８６】
次いで、第２上部電極７として膜厚４０ｎｍのＭｇ−Ａｇ合金を蒸着法で成膜した。
【００８７】
最後に、実施例１と同様に、窒化珪素からなる無機保護層（図示せず）を、ＳｉＨ4ガス、Ｎ2ガス、Ｈ2ガスを用いたプラズマＣＶＤ法で成膜した。
【００８８】
以上のようにして作成した実施例３の有機ＥＬ素子において、発光ムラのない良好な発光が得られた。
【００８９】
＜実施例４＞
実施例４では、実施例１と同様に、基板１上に、下部電極２、補助電極３、絶縁層４、有機化合物層５、第１上部電極６を形成した。そして、補助電極３上の有機化合物層５及び第１上部電極６を除去し、第２上部電極７及び無機保護層（図示せず）を形成し、有機ＥＬ素子を作成した。ただし、第１上部電極６であるＩＺＯの膜厚を５ｎｍとした。
【００９０】
以上のようにして作成した実施例４の有機ＥＬ素子において、発光ムラのない良好な発光が得られた。
【００９１】
＜実施例５＞
実施例５では、実施例１と同様に、基板１上に、下部電極２、補助電極３、絶縁層４、有機化合物層５、第１上部電極６を形成した。そして、補助電極３上の有機化合物層５及び第１上部電極６を除去し、第２上部電極７及び無機保護層（図示せず）を形成し、有機ＥＬ素子を作成した。ただし、第１上部電極６であるＩＺＯの膜厚を２００ｎｍとした。
【００９２】
以上のようにして作成した実施例５の有機ＥＬ素子において、発光ムラのない良好な発光が得られた。
【００９３】
＜比較例１＞
図７は、比較例に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示す模式的断面図である。なお、以下の説明では、下部電極２の形成工程から説明するが、アクティブマトリックス型の表示素子であるため、基板１上の各画素に、薄膜トランジスタが形成されているものとする。また、説明を簡略なものとするため、単色の素子について説明する。
【００９４】
比較例１では、実施例１と同様に、基板１上に、下部電極２、補助電極３、及び絶縁層４をパターニングした。
【００９５】
次に、実施例１と同様に、有機化合物層５を蒸着法で形成した。ここで、同一装置内の他の真空チャンバ内で、波長８１０ｎｍの半導体ＣＷレーザーを基板１の表面から補助電極３上に照射し、有機化合物層５を除去した。
【００９６】
次に、実施例１と同様に、第１上部電極６として、膜厚４０ｎｍのＩＺＯをスパッタ法で成膜した。
【００９７】
次に、第２上部電極７として、膜厚４０ｎｍのＭｇ−Ａｇ合金を蒸着法で成膜した。
【００９８】
最後に、実施例１と同様に、窒化珪素からなる無機保護層（図示せず）を、ＳｉＨ4ガス、Ｎ2ガス、Ｈ2ガスを用いたプラズマＣＶＤ法で成膜した。
【００９９】
以上のようにして作成した比較例１の有機ＥＬ素子において、コンタミネーションによる発光ムラがみられた。
【０１００】
＜比較例２＞
比較例２では、実施例１と同様に、まず基板１上に下部電極２、補助電極３、絶縁層４、有機化合物層５、第１上部電極６を形成した。次に、補助電極３上の有機化合物層５及び第１上部電極６を除去した後、第２上部電極７及び無機保護層（図示せず）を形成することにより、有機ＥＬ素子を作成した。ただし、第１上部電極６であるＩＺＯの膜厚を３ｎｍとした。
【０１０１】
以上のようにして作成した比較例２の有機ＥＬ素子において、コンタミネーションによる発光ムラがみられた。
【０１０２】
＜比較例３＞
比較例３では、実施例１と同様に、基板１上に、下部電極２、補助電極３、絶縁層４、有機化合物層５、第１上部電極６を形成した。そして、補助電極３上の有機化合物層５及び第１上部電極６を除去し、第２上部電極７及び無機保護層（図示せず）を形成し、有機ＥＬ素子を作成した。ただし、第１上部電極６であるＩＺＯの膜厚を２５０ｎｍとした。
【０１０３】
以上のようにして作成した比較例３の有機ＥＬ素子において、コンタミネーションによる発光ムラがみられた。また、第１上部電極６の吸収が大きく、全体的に輝度が低下した。
【図面の簡単な説明】
【０１０４】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の模式的断面図。
【図２】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示す模式的断面図。
【図３】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の模式的平面図。
【図４】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の模式的平面図。
【図５】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の模式的平面図。
【図６】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の模式的断面図。
【図７】比較例に係る有機ＥＬ素子の製造方法を示す模式的断面図。
【符号の説明】
【０１０５】
１  基板
２  下部電極
３  補助電極
４  絶縁層
５  有機化合物層
６  第１上部電極
７  第２上部電極
８  エネルギービーム
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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