(57)【要約】【課題】  小型で、かつ高周波のノイズを除去可能なコイル部品を提供する。【解決手段】  コモンモードチョークコイル１は、第１，第２の磁性体基板１６，１７の間に積層体２を設けて構成する。また、積層体２は、第１の絶縁層３、１次コイル８、コイル間絶縁層９、２次コイル１４、第２の絶縁層１５等を積み重ねることによって形成する。一方、第１，第２の磁性体基板１６，１７は、２つの磁性体層１６Ａ，１６Ｂ，１７Ａ，１７Ｂの間に低誘電率層１６Ｃ，１７Ｃを挟む構成とする。これにより、各コイル８，１４の周囲に生じる電気力線の一部が低誘電率層１６Ｃ，１７Ｃの内部を通過し、各コイル８，１４の浮遊容量が低下する。【選択図】        図３
2010062386.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の磁性体基板と、
該第１の磁性体基板の表面に形成され、少なくとも１つの平面状のコイルを挟んだ状態で複数の絶縁層を厚さ方向に積み重ねた積層体と、
前記第１の磁性体基板との間に該積層体を挟む第２の磁性体基板とを備えたコイル部品において、
前記第１，第２の磁性体基板は、２つの磁性体層と、前記コイルと平行な状態でこれら２つの磁性体層に挟まれ該磁性体層よりも誘電率が低い低誘電率層とによって構成したことを特徴とするコイル部品。
【請求項２】
前記２つの磁性体層のうち前記積層体に近い位置に配置された一方の磁性体層は、他方の磁性体層よりも厚さ寸法を小さく形成してなる請求項１に記載のコイル部品。
【請求項３】
前記低誘電率層は、絶縁樹脂材料を用いて形成してなる請求項１または２に記載のコイル部品。
【請求項４】
前記積層体は、互いに対向した状態で厚さ方向に離間した２つのコイルを備える構成としてなる請求項１，２または３に記載のコイル部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２枚の磁性体基板の間にコイルを挟むコイル部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、コイル部品として、互いに対向した２つのコイルを挟んだ状態で複数の絶縁層を厚さ方向に積み重ねて積層体を形成すると共に、該積層体を第１，第２の磁性体基板の間に挟んだコモンモードチョークコイルが知られている（例えば、特許文献１参照）。このとき、コイルが２つの磁性体基板によって挟持されているから、容易に大きなインダクタンス値が確保できる。また、積層体の絶縁層を磁性材料を用いて形成したものに比べて、２つのコイル間で高い結合が得られるため、小型、低背でありながら良好な電気的特性を得ることができる。
【０００３】
【特許文献１】特開平８−２０３７３７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、近年、小型液晶の高解像度化に伴って差動信号の高周波化が進んでいる。また、映像と音声を１本のケーブルで出力可能な超高速差動伝送方式ＨＤＭＩ（High Definition Multimedia Interface）のモバイル機器への搭載が進められている。このため、小型で高周波のノイズを除去可能なコモンモードチョークコイルが要求されている。
【０００５】
特に、ＣＩＳＰＲ（国際無線障害特別委員会）において、新たに１〜６ＧＨｚでの輻射ノイズに関する規格が制定されることに伴って、１〜６ＧＨｚの高周波帯域におけるノイズ除去効果の高いコモンモードチョークコイルが望まれている。
【０００６】
一方、小型で、かつ高周波のコモンモードノイズの除去効果が高いコモンモードチョークコイルを実現するためには、１次コイルと２次コイルのそれぞれについて浮遊容量を削減する必要がある。しかし、従来技術では、例えば１ＧＨｚ以上の高周波帯域でのコイルの浮遊容量を削減する方法が提示されておらず、小型で高周波のノイズを除去可能なコモンモードチョークコイルは提供されていなかった。
【０００７】
本発明は上述した従来技術の問題に鑑みなされたもので、本発明の目的は、小型で、かつ高周波のノイズを除去可能なコイル部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決するために、請求項１の発明は、第１の磁性体基板と、該第１の磁性体基板の表面に形成され、少なくとも１つの平面状のコイルを挟んだ状態で複数の絶縁層を厚さ方向に積み重ねた積層体と、前記第１の磁性体基板との間に該積層体を挟む第２の磁性体基板とを備えたコイル部品において、前記第１，第２の磁性体基板は、２つの磁性体層と、前記コイルと平行な状態でこれら２つの磁性体層に挟まれ該磁性体層よりも誘電率が低い低誘電率層とによって構成したことを特徴としている。
【０００９】
請求項２の発明では、前記２つの磁性体層のうち前記積層体に近い位置に配置された一方の磁性体層は、他方の磁性体層よりも厚さ寸法を小さく形成している。
【００１０】
請求項３の発明では、前記低誘電率層は、絶縁樹脂材料を用いて形成している。
【００１１】
請求項４の発明では、前記積層体は、互いに対向した状態で厚さ方向に離間した２つのコイルを備える構成としている。
【発明の効果】
【００１２】
請求項１の発明によれば、第１，第２の磁性体基板は、２つの磁性体層と、これら２つの磁性体層に挟まれた低誘電率層とによって構成したから、コイルの周囲に電気力線が形成されたときに、この電気力線の一部を低誘電率層内に形成することができる。このとき、低誘電率層は磁性体層よりも誘電率が低い材料を用いて形成したから、例えば従来技術のように磁性体基板を磁性体層（磁性体材料）だけで形成した場合に比べて、コイルの周囲に形成される浮遊容量を小さくすることができる。この結果、コイルの自己共振周波数を高周波側に移動させることができるから、外形形状を小型に維持しつつ、例えば１ＧＨｚ以上の高周波信号に対してインピーダンスを高めることができ、高周波のノイズを除去することができる。
【００１３】
請求項２の発明によれば、積層体に近い一方の磁性体層はその厚さ寸法を他方の磁性体層の厚さ寸法よりも小さく形成した。このとき、低誘電率層は一方の磁性体層を挟んで積層体と対向するから、低誘電率層を積層体内のコイルに近付けることができる。ここで、コイルによる電気力線はコイルに近付くに従って増加する。このため、低誘電率層をコイルに近付けることによって、低誘電率層内に形成される電気力線を増やすことができ、コイルの周囲に形成される浮遊容量を小さくすることができる。
【００１４】
請求項３の発明によれば、低誘電率層は絶縁樹脂材料を用いて形成したから、例えば低誘電率層を積層体の絶縁層と同じ材料を用いて形成することができる。このため、例えば低誘電率層および絶縁層を耐熱性等の特性が優れた材料を用いて形成することによって、部品全体の耐熱性等を高めることができる。
【００１５】
請求項４の発明によれば、積層体は互いに対向した状態で厚さ方向に離間した２つのコイルを備える構成としたから、これら２つのコイルを磁気的に相互に結合させることができ、２つのコイルを用いてコモンモードチョークコイルを構成することができる。このとき、低誘電率層によって各コイルの自己共振周波数を高周波側に移動させることができるから、例えば１ＧＨｚ以上の高周波に対してコモンモードインピーダンスを高めることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態によるコイル部品としてコモンモードチョークコイルを例に挙げて、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００１７】
図１に示すように、コモンモードチョークコイル１は、後述する第１，第２の磁性体基板１６，１７と該磁性体基板１６，１７の間に挟まれた積層体２とによって構成されている。
【００１８】
積層体２は、図２ないし図４に示すように、後述する絶縁層３，９，１５、コイル８，１４等を厚み方向に積み重ねることによって形成されている。
【００１９】
第１の絶縁層３は、磁性体基板１６の表面に位置して、スピン塗布法、スクリーン印刷等の方法を用いて形成されている。絶縁層３は、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、環状オレフィン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等の種々の樹脂材料、またはＳｉＯ2等のガラス、ガラスセラミックス、誘電体材料等の非磁性体の絶縁材料を用いて形成されている。絶縁層３の材料は、その目的に応じて複数材料を組み合わせたものを使用してもよい。そして、絶縁層３は、例えば３．３程度の誘電率（比誘電率）を有している。
【００２０】
また、第１の絶縁層３の表面には、渦巻状（スパイラル形状）のコイルパターン４が形成されている。コイルパターン４の材料には、導電性に優れた金属、例えばＡｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ａｌ等の金属、またはこれらの合金等が採用される。コイルパターン４等の電極材料と絶縁層３等の絶縁材料との組み合わせは、加工性・密着性等を考慮して選択するのが望ましい。
【００２１】
そして、コイルパターン４は、絶縁層３の表面に導電性材料膜を形成した後に、レジストの塗布、露光、現像、エッチング等の一連のフォトリソグラフィ技術を用いて渦巻形状に形成される。なお、導電性材料膜は、スパッタリング、真空蒸着等の薄膜形成法、またはスクリーン印刷等の厚膜形成法といった成膜技術を用いて形成される。また、コイルパターン４のうち外周側の端部は、絶縁層３の外縁側に位置して引出電極部４Ａとなっている。一方、コイルパターン４のうち内周側の端部は、後述する引出パターン６に電気的に接続されている。
【００２２】
そして、コイルパターン４の表面には、例えば絶縁層３と同じ材料を用いて層間絶縁層５が形成される。層間絶縁層５には、例えばフォトリソグラフィ技術を用いて複数のビアホール５Ａが形成されている。このとき、ビアホール５Ａは、層間絶縁層５を貫通した状態で形成され、例えばコイルパターン４の内周側の端部や渦巻状に延びる途中部位と対応した位置に配置されている。
【００２３】
なお、フォトリソグラフィ技術を用いる場合には、層間絶縁層５の材料として感光性機能を付加した材料が用いられる。本実施の形態では、層間絶縁層５は、例えば感光性のポリイミド樹脂材料が用いられる。
【００２４】
また、層間絶縁層５の表面には、層間絶縁層５の内側から外縁側に向けて延びる引出パターン６が形成されている。このとき、引出パターン６の一端側は、ビアホール５Ａを介してコイルパターン４の内周側の端部に電気的に接続されている。一方、引出パターン６の他端側は、層間絶縁層５の外縁側に位置して引出電極部６Ａとなっている。また、引出電極部６Ａは、例えばコイルパターン４を挟んで引出電極部４Ａとは図２中の前，後方向の反対側に配置されている。
【００２５】
さらに、層間絶縁層５の表面には、Ｃ字状をなす複数のラダーコイルパターン７が形成されている。このとき、ラダーコイルパターン７は、コイルパターン４に沿って延びると共に、その両端側がビアホール５Ａを介してコイルパターン４の途中位置に電気的に接続されている。これにより、ラダーコイルパターン７は、１次コイル８の直流抵抗Ｒdcを低下させている。また、引出パターン６およびラダーコイルパターン７は、例えばコイルパターン４と同じ材料を用いて形成されている。
【００２６】
そして、コイルパターン４、引出パターン６およびラダーコイルパターン７によって、平面状の１次コイル８が形成されている。
【００２７】
コイル間絶縁層９は、引出パターン６およびラダーコイルパターン７の表面に位置して、例えば絶縁層３，５と同じ材料を用いて成膜されている。そして、コイル間絶縁層９は、１次コイル８と２次コイル１４との間を絶縁している。
【００２８】
コイル間絶縁層９の表面には、１次コイル８と同様な成膜工程等を繰返すことによって、コイルパターン４、層間絶縁層５、引出パターン６、ラダーコイルパターン７とほぼ同様な、コイルパターン１０、層間絶縁層１１、引出パターン１２、ラダーコイルパターン１３がそれぞれ形成されている。但し、コイルパターン１０と引出パターン１２の引出電極部１０Ａ，１２Ａは、コイルパターン４と引出パターン６の引出電極部４Ａ，６Ａと異なる位置として、例えば引出電極部４Ａ，６Ａから図２中の左，右方向に離間した位置に配置されている。
【００２９】
また、ラダーコイルパターン１３は、ビアホール１１Ａを介してコイルパターン１０の途中位置に電気的に接続されている。そして、コイルパターン１０、引出パターン１２およびラダーコイルパターン１３によって、平面状の２次コイル１４が形成されている。これにより、１次コイル８と２次コイル１４とは、厚さ方向に積層された状態で磁気的に密接に結合するものである。
【００３０】
第２の絶縁層１５は２次コイル１４と第２の磁性体基板１７との間に位置して、例えば第１の絶縁層３と同じ材料を用いて形成されている。このため、第２の絶縁層１５も、第１の絶縁層３と同様に、例えば３．３程度の誘電率を有している。
【００３１】
また、第２の絶縁層１５は、例えば熱硬化性のポリイミド樹脂が用いられ、第２の磁性体基板１７を２次コイル１４の表面に接着するための接着剤を兼ねている。即ち、コモンモードチョークコイル１の製造時には、まず第１の磁性体基板１６の表面に、第１の絶縁層３、１次コイル８、コイル間絶縁層９、２次コイル１４を成膜工程等を繰返して積み重ねる。その後、第２の磁性体基板１７の裏面側に接着剤としての第２の絶縁層１５を塗布した後に、２次コイル１４（引出パターン１２およびラダーコイルパターン１３）の表面に第２の磁性体基板１７の裏面側を貼り合わせる。このとき、第２の磁性体基板１７の接合は、真空中または不活性ガス中にて加熱、加圧した状態で行い、冷却後に圧力を解除するものである。
【００３２】
これにより、第２の絶縁層１５は、２次コイル１４と第２の磁性体基板１７との間に配置される。この結果、第１，第２の磁性体基板１６，１７の間には、第１，第２の絶縁層３，１５、１次コイル８、２次コイル１４、コイル間絶縁層９からなる積層体２が形成される。
【００３３】
このとき、積層体２の絶縁層３，５，９，１１，１５は、例えば５〜１０μｍ程度の厚さ寸法をもって形成されている。これにより、コイル８，１４は磁性体基板１６，１７に近付けて配置されるから、インダクタンスの取得効率が高いのに加え、コモンモードチョークコイル１全体の厚さ寸法を小さくすることができる。また、絶縁層３，５，９，１１，１５は、耐熱性の向上、層間の熱歪みの低減、機械的な強度の確保等を図るために、全て同じ系統の材料（例えばポリイミド樹脂）を用いて形成するのが好ましい。
【００３４】
磁性体基板１６，１７は、積層体２を挟んで厚さ方向の両端側に配置されている。ここで、第１の磁性体基板１６は、第１，第２の磁性体層１６Ａ，１６Ｂと、これらの磁性体層１６Ａ，１６Ｂに挟まれた低誘電率層１６Ｃとによって構成されている。
【００３５】
このとき、第２の磁性体層１６Ｂは、積層体２の裏面側に位置して絶縁層３に接合されている。このため、第２の磁性体層１６Ｂは、第１の磁性体層１６Ａよりも積層体２に近い位置に配置されている。
【００３６】
また、第１，第２の磁性体層１６Ａ，１６Ｂは、フェライト等の磁性体材料を用いて形成されている。特に、磁性体層１６Ａ，１６Ｂにフェライトを使用した場合には、コモンモードチョークコイル１は高インダクタンスで、高周波特性が優れたものになる。そして、磁性体層１６Ａ，１６Ｂは、例えば９〜１６程度の誘電率（比誘電率）を有している。
【００３７】
さらに、第２の磁性体層１６Ｂの厚さ寸法Ｔ1bは、第１の磁性体層１６Ａの厚さ寸法Ｔ1aよりも小さい値に設定されている。これにより、低誘電率層１６Ｃは、１次コイル８に近い位置に配置されている。特に、第２の磁性体層１６Ｂの厚さ寸法Ｔ1bは、１００μｍ以下の値に設定するのが好ましい。
【００３８】
一方、低誘電率層１６Ｃは、平面状をなすコイル８，１４と平行な状態で磁性体層１６Ａ，１６Ｂに挟まれている。そして、低誘電率層１６Ｃは、磁性体層１６Ａ，１６Ｂの誘電率よりも低い値として例えば３．３程度の誘電率（比誘電率）を有する材料を用いて形成されている。
【００３９】
具体的には、低誘電率層１６Ｃは、絶縁層３等と同様に、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、環状オレフィン樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂等の種々の樹脂材料、またはＳｉＯ2等のガラス、ガラスセラミックス、誘電体材料等の非磁性体の絶縁材料を用いて形成されている。低誘電率層１６Ｃの材料は、その目的に応じて複数材料を組み合わせたものを使用してもよい。
【００４０】
特に、耐熱性の向上、層間の熱歪みの低減、機械的な強度の確保等を図るために、低誘電率層１６Ｃは、絶縁層３等と同じ耐熱性等を有する材料（例えばポリイミド樹脂）を用いて形成するのが好ましい。
【００４１】
第２の磁性体基板１７は、第１の磁性体基板１６とほぼ同様に、第１，第２の磁性体層１７Ａ，１７Ｂと、これらの磁性体層１７Ａ，１７Ｂに挟まれた低誘電率層１７Ｃとによって構成されている。
【００４２】
このとき、第２の磁性体層１７Ｂは、積層体２の表面側に位置して絶縁層１５に接合されている。このため、第２の磁性体層１７Ｂは、第１の磁性体層１７Ａよりも積層体２に近い位置に配置されている。また、第１，第２の磁性体層１７Ａ，１７Ｂは、磁性体層１６Ａ，１６Ｂと同じフェライト等の磁性体材料を用いて形成され、第２の磁性体層１７Ｂの厚さ寸法Ｔ2bは、第１の磁性体層１７Ａの厚さ寸法Ｔ2aよりも小さい値に設定されている。
【００４３】
さらに、低誘電率層１７Ｃは、低誘電率層１６Ｃと同じ非磁性体の絶縁材料を用いて形成され、その誘電率が磁性体層１７Ａ，１７Ｂの誘電率よりも低い値に設定されている。
【００４４】
なお、磁性体基板１６，１７は、フォトリソ加工において絶縁層３，５，９，１１，１５、電極層（パターン４，６，７，１０，１２，１３等）の形成に支承がないように、表面粗さＲａで０．５μｍ以下に研磨されていることが望ましい。
【００４５】
そして、図１に示すように、コモンモードチョークコイル１の後側端面には外部電極１８，１９が設けられ、前側端面には外部電極２０，２１が設けられている。外部電極１８，１９，２０，２１はそれぞれ引出電極部４Ａ，１０Ａ，６Ａ，１２Ａに電気的に接続されている。外部電極１８〜２１は、例えばＡｇ，Ｃｕ，Ｐｂ，ＮｉＣｒ，ＮｉＣｕまたはこれらの合金等の導電性材料を用いて形成される。具体的には、外部電極１８〜２１は、例えば導電性材料を含む導電性ペーストを塗布したり、これらの材料を蒸着、スパッタリング、無電解めっき等の手段を用いて形成され、コモンモードチョークコイル１の端面に堅固に密着している。さらに、必要であれば、例えば湿式電解めっきによりＮｉ，Ｓｎ，Ｓｎ−Ｐｂ等の金属膜を形成し、外部電極１８〜２１の膜厚を厚くしてもよい。外部電極１８，１９，２０，２１の材料は、絶縁層３，５，９，１１，１５（積層体２）に対する密着性や加工性等に優れたものが適宜選択されるものである。
【００４６】
なお、実際にコモンモードチョークコイル１を製造する場合には、１枚の親基板（磁性体基板）に多数のコモンモードチョークコイル１を一緒に形成した後に、ダイシング等の切断加工によって分割を行い、それぞれのコモンモードチョークコイル１を切り出す。このとき、切断面には、コイル８，１４の引出電極部４Ａ，１０Ａ，６Ａ，１２Ａが露出するようにする。これにより、切断面に露出した引出電極部４Ａ，１０Ａ，６Ａ，１２Ａに対して、外部電極１８〜２１を接続することができる。
【００４７】
本実施の形態によるコモンモードチョークコイル１は上述の如き構成を有するもので、次に低誘電率層１６Ｃ，１７Ｃと浮遊容量との関係について、図４ないし図６を参照しつつ検討する。
【００４８】
まず、図５に示す比較例によるコモンモードチョークコイル３１について検討する。比較例のコモンモードチョークコイル３１では、第１，第２の磁性体基板３２，３３は、低誘電率層を含まず、磁性体材料のみによって形成した。この比較例について、コモンモードインピーダンスの周波数特性を測定した。その結果を図６中に点線で示す。
【００４９】
図６の結果より、比較例のコモンモードチョークコイル３１では、６００ＭＨｚ付近でコモンモードインピーダンスが最大（８００Ω程度）となり、それよりも高周波側ではコモンモードインピーダンスが低下する。このため、例えば１ＧＨｚ付近ではコモンモードインピーダンスが３５０Ω程度になっている。この理由は、１次コイル８や２次コイル１４に並列接続された状態で浮遊容量が生じるためと考えられる。即ち、信号の周波数が高くなるに従って、各コイル８，１４のインダクタンスは増加する。一方、信号の周波数が高くなるに従って、浮遊容量によるインピーダンスは低下する。このため、高周波側ではコモンモードインピーダンスに対する浮遊容量の影響が大きくなり、コモンモードインピーダンスが減少し、コモンモードノイズの減衰量が低下するものと考えられる。
【００５０】
ここで、浮遊容量は、各コイル８，１４の周囲、各コイル８，１４と外部電極１８〜２１との間等のように種々の箇所に生じる。しかし、従来技術では、大きな浮遊容量が生じる箇所を十分に特定できていなかった。
【００５１】
本発明者達は鋭意検討の結果、各コイル８，１４の内周側８Ａ，１４Ａと外周側８Ｂ，１４Ｂとの間に大きな浮遊容量が生じることが分かった。これは、例えば１次コイル８の内周側８Ａと外周側８Ｂは、それぞれ１次コイル８の両端に近く、他の部位に比べて、１次コイル８の内周側８Ａと外周側８Ｂとの間に大きな電位差が生じることが原因と考えられる。この原因は、２次コイル１４についても同様である。
【００５２】
このとき、１次コイル８は略平面状に広がった渦巻形状をなしている。また、１次コイル８は第１の絶縁層３を挟んで第１の磁性体基板３２と対面した状態で配置されている。このため、１次コイル８の内周側８Ａと外周側８Ｂとの間に生じる電気力線Ｅは、第１の絶縁層３や第１の磁性体基板３２に沿って平面状に広がり、第１の絶縁層３および第１の磁性体基板３２の内部を通過する。同様な理由により、２次コイル１４の内周側１４Ａと外周側１４Ｂとの間に生じる電気力線Ｅは、第２の絶縁層１５および第２の磁性体基板３３の内部を通過する。
【００５３】
ここで、磁性体基板３２，３３は、フェライト等の磁性体材料を用いて形成されるから、例えば９〜１６程度の誘電率を有している。このとき、磁性体基板３２，３３の誘電率は、磁性体基板３２，３３の材料によって決まり、例えば９よりも低下させることは困難である。
【００５４】
これにより、各コイル８，１４の内周側８Ａ，１４Ａと外周側８Ｂ，１４Ｂとの間に生じる電気力線Ｅは、誘電率の高い磁性体基板３２，３３の内部を通過する割合が高い。また、各コイル８，１４と外部電極１８〜２１との間に生じる電気力線Ｅも、磁性体基板３２，３３の内部を通過する傾向がある。
【００５５】
この結果、比較例では、誘電率の高い磁性体基板３２，３３の内部に電気力線Ｅが形成されることによって、各コイル８，１４の内周側８Ａ，１４Ａと外周側８Ｂ，１４Ｂとの間の浮遊容量Ｃ11や各コイル８，１４と外部電極１８〜２１との間の浮遊容量Ｃ12が増加する。このため、比較例では、１ＧＨｚ以上の高周波信号に対するコモンモードインピーダンスが低下し、高周波信号に対するコモンモードノイズの減衰量が低下するという問題があった。
【００５６】
次に、本実施の形態によるコモンモードチョークコイル１について検討する。そこで、本実施の形態によるコモンモードチョークコイル１について、コモンモードインピーダンスの周波数特性を測定した。その結果を図６中に実線で示す。
【００５７】
図６の結果より、実施の形態のコモンモードチョークコイル１では、８００ＭＨｚ付近でコモンモードインピーダンスが最大（１ｋΩ程度）となると共に、１ＧＨｚ以上の高周波側のインピーダンスは、比較例の場合よりも増加している。このように、第１の磁性体層１６Ａ，１７Ａと第２の磁性体層１６Ｂ，１７Ｂとの間に低誘電率層１６Ｃ，１７Ｃを挟むことによって、コモンモードインピーダンスのピークが高周波側に移動すると共に、１ＧＨｚ以上の高周波側のコモンモードインピーダンスが増加することが分かる。
【００５８】
この理由は、磁性体基板１６，１７に低誘電率層１６Ｃ，１７Ｃを設けることによって、各コイル８，１４の内周側８Ａ，１４Ａと外周側８Ｂ，１４Ｂとの間に生じる電気力線Ｅや各コイル８，１４と外部電極１８〜２１との間に生じる電気力線Ｅは、比較例に比べて、誘電率の低い低誘電率層１６Ｃ，１７Ｃの内部を通過するためと考えられる。
【００５９】
この結果、本実施の形態では、誘電率の低い低誘電率層１６Ｃ，１７Ｃの内部に形成される電気力線Ｅの割合を増加させることによって、各コイル８，１４の内周側８Ａ，１４Ａと外周側８Ｂ，１４Ｂとの間の浮遊容量Ｃ1や各コイル８，１４と外部電極１８〜２１との間の浮遊容量Ｃ2を低下させることができる。これにより、本実施の形態では、１ＧＨｚ以上の高周波信号に対するコモンモードインピーダンスを大きくすることができ、高周波信号に対するコモンモードノイズの減衰量を増加させることができる。
【００６０】
なお、第２の磁性体層１６Ｂ，１７Ｂの厚さ寸法Ｔ1b，Ｔ2bを小さくすると、各コイル８，１４と低誘電率層１６Ｃ，１７Ｃとの距離が近くなるから、浮遊容量Ｃ1，Ｃ2は低下する。しかし、低誘電率層１６Ｃ，１７Ｃによって磁気抵抗が増加するから、インダクタンスの取得効率が低下する。
【００６１】
一方、第２の磁性体層１６Ｂ，１７Ｂの厚さ寸法Ｔ1b，Ｔ2bを大きくすると、各コイル８，１４と低誘電率層１６Ｃ，１７Ｃとの距離が遠くなるから、浮遊容量Ｃ1，Ｃ2は増加するが、磁気抵抗が減少してインダクタンスの取得効率は向上する。
【００６２】
このような相反する性質を考慮すると、第２の磁性体層１６Ｂ，１７Ｂの厚さ寸法Ｔ1b，Ｔ2bは、例えば１００μｍ以下（Ｔ1b，Ｔ2b≦１００μｍ）に設定するのが好ましい。
【００６３】
かくして、本実施の形態では、第１，第２の磁性体基板１６，１７は、２つの磁性体層１６Ａ，１６Ｂ，１７Ａ，１７Ｂと、これら２つの磁性体層１６Ａ，１６Ｂ，１７Ａ，１７Ｂに挟まれた低誘電率層１６Ｃ，１７Ｃとによって構成したから、コイル８，１４の周囲に電気力線が形成されたときに、この電気力線の一部を低誘電率層１６Ｃ，１７Ｃ内に形成することができる。このとき、低誘電率層１６Ｃ，１７Ｃは磁性体層１６Ａ，１６Ｂ，１７Ａ，１７Ｂよりも誘電率が低い材料を用いて形成したから、例えば従来技術のように磁性体基板を磁性体層（磁性体材料）だけで形成した場合に比べて、コイル８，１４の周囲に形成される浮遊容量Ｃ1，Ｃ2を小さくすることができる。この結果、コイル８，１４の自己共振周波数を高周波側に移動させることができるから、外形形状を小型に維持しつつ、例えば１ＧＨｚ以上の高周波信号に対してコモンモードインピーダンスを高めることができ、高周波のコモンモードノイズを除去することができる。
【００６４】
また、積層体２に近い第２の磁性体層１６Ｂ，１７Ｂはその厚さ寸法Ｔ1b，Ｔ2bを第１の磁性体層１６Ａ，１７Ａの厚さ寸法Ｔ1a，Ｔ2aよりも小さく形成したから、低誘電率層１６Ｃ，１７Ｃを積層体２内のコイル８，１４に近付けることができる。このとき、コイル８，１４による電気力線はコイル８，１４に近付くに従って増加する。このため、低誘電率層１６Ｃ，１７Ｃをコイル８，１４に近付けることによって、低誘電率層１６Ｃ，１７Ｃ内に形成される電気力線を増やすことができ、コイル８，１４の周囲に形成される浮遊容量Ｃ1，Ｃ2を小さくすることができる。
【００６５】
また、低誘電率層１６Ｃ，１７Ｃは絶縁樹脂材料を用いて形成したから、例えば低誘電率層１６Ｃ，１７Ｃを積層体２の絶縁層３，５，９，１１，１５と同じ材料を用いて形成することができる。このため、例えば低誘電率層１６Ｃ，１７Ｃおよび絶縁層３，５，９，１１，１５を耐熱性等の特性が優れた材料を用いて形成することによって、コモンモードチョークコイル１全体の耐熱性等を高めることができる。
【００６６】
さらに、積層体２は互いに対向した状態で厚さ方向に離間した２つのコイル８，１４を備える構成としたから、これら２つのコイル８，１４を磁気的に相互に結合させることができ、２つのコイル８，１４を用いてコモンモードチョークコイル１を構成することができる。このとき、低誘電率層１６Ｃ，１７Ｃによって各コイル８，１４の自己共振周波数を高周波側に移動させることができるから、例えば１ＧＨｚ以上の高周波に対してコモンモードインピーダンスを高めることができ、コモンモードノイズの減衰量を増加させることができる。
【００６７】
なお、前記実施の形態では、積層体２は２つのコイル８，１４を備える構成とした。しかし、本発明はこれに限らず、例えば図７に示す変形例のように、２次コイルを省き、積層体２′は１つのコイル８だけを備える構成としてもよい。この場合でも、第１，第２の磁性体基板１６，１７の低誘電率層１６Ｃ，１７Ｃによってコイル８の自己共振周波数を高周波側に移動させることができ、高周波信号に対するインピーダンスを高めることができる。
【００６８】
また、前記実施の形態では、１次コイル８、２次コイル１４は、ラダーコイルパターン７，１３を備える構成とした。しかし、本発明はこれに限らず、例えば１次コイル、２次コイルはラダーコイルパターンを省く構成としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の実施の形態によるコモンモードチョークコイルを示す斜視図である。
【図２】図１中のコモンモードチョークコイルを分解して示す分解斜視図である。
【図３】実施の形態によるコモンモードチョークコイルを図１中の矢示III−III方向からみた断面図である。
【図４】実施の形態によるコモンモードチョークコイルに生じる電気力線を示す説明図である。
【図５】比較例によるコモンモードチョークコイルに生じる電気力線を示す説明図である。
【図６】コモンモードチョークコイルのコモンモードインピーダンスと周波数との関係を示す特性線図である。
【図７】変形例によるコイル部品を分解して示す分解斜視図である。
【符号の説明】
【００７０】
１  コモンモードチョークコイル
２，２′  積層体
３，５，９，１１，１５  絶縁層
８，１４  コイル
１６  第１の磁性体基板
１７  第２の磁性体基板
１６Ａ，１６Ｂ，１７Ａ，１７Ｂ  磁性体層
１６Ｃ，１７Ｃ  低誘電率層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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