(57)【要約】【課題】表面酸化膜下の界面近傍で発生する降伏を防ぎ、ツェナー降伏によるブレークダウン電圧の経時変動を防ぐバイポーラトランジスタを提供することを目的としている。【解決手段】第一導電型半導体基体３内に不純物濃度が第一導電型半導体基体３より高い第一導電型の電流経路領域４と、電流経路領域４内に第二導電型の表面降伏防止領域５と、第一導電型半導体基体３表面に電流経路領域４と表面降伏防止領域５に接し不純物濃度が表面降伏防止領域５より高い第二導電型のベース領域６と、第一導電型半導体基体３表面に電流経路領域４と表面降伏防止領域５に接する第一導電型コレクタ領域７と、第一導電型半導体基体３表面かつ表面降伏防止領域５内に不純物濃度が電流経路領域４より高い第一導電型のエミッタ領域８と、表面降伏防止領域５内かつエミッタ領域８に接する不純物濃度が表面降伏防止領域５より高い第一導電型内部降伏誘導領域９を備える。【選択図】図１
2010278356.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一導電型半導体基体と、
前記第一導電型半導体基体内に形成され、不純物濃度が前記第一導電型半導体基体よりも高い第一導電型の電流経路領域と、
前記電流経路領域上側に形成され、第二導電型の表面降伏防止領域と、
前記電流経路領域と前記表面降伏防止領域との両方に接し、かつ、前記第一導電型半導体基体表面のベース電極に接続され、不純物濃度が前記表面降伏防止領域よりも高い第二導電型のベース領域と、
前記電流経路領域と前記表面降伏防止領域との両方に接し、かつ、前記第一導電型半導体基体表面のコレクタ電極に接続され、不純物濃度が前記第一導電型半導体基体より高い第一導電型のコレクタ領域と、
前記表面降伏防止領域に接し、かつ、前記第一導電型半導体基体表面のエミッタ電極に接続され、不純物濃度が前記電流経路領域よりも高い第一導電型のエミッタ領域と、
前記エミッタ領域と前記表面降伏防止領域の両方に接し、かつ、不純物濃度が前記表面降伏防止領域よりも高い第二導電型の内部降伏誘導領域と、
を備えることを特徴とするバイポーラトランジスタ。
【請求項２】
前記電流経路領域と前記表面降伏防止領域との両方に接し、不純物濃度が前記第一導電型半導体基体より高い第一導電型の第１コレクタ領域と、
前記第１コレクタ領域と前記表面降伏防止領域との両方に接し、かつ、前記第一導電型半導体基体表面のエミッタ電極に接続され、かつ、不純物濃度が前記第１コレクタ領域よりも高い第一導電型の第２コレクタ領域と、
を備えることを特徴とする請求項１に記載のバイポーラトランジスタ。
【請求項３】
第一導電型半導体基体と、
前記第一導電型半導体基体内に形成され、不純物濃度が前記第一導電型半導体基体よりも高い第一導電型の電流経路領域と、
前記電流経路領域上側に形成され、第二導電型の表面降伏防止領域と、
前記電流経路領域と前記表面降伏防止領域との両方に接し、かつ、前記第一導電型半導体基体表面のベース電極に接続され、不純物濃度が前記表面降伏防止領域よりも高い第二導電型のベース領域と、
前記電流経路領域に接し、かつ、前記第一導電型半導体基体表面のコレクタ電極に接続され、不純物濃度が前記電流経路領域よりも高い第一導電型のコレクタ領域と、
前記表面降伏防止領域に接し、かつ、前記第一導電型半導体基体表面のエミッタ電極に接続され、不純物濃度が前記電流経路領域よりも高い第一導電型のエミッタ領域と、
前記エミッタ領域と前記表面降伏防止領域の両方に接し、かつ、不純物濃度が前記表面降伏防止領域よりも高い第二導電型の内部降伏誘導領域と、
を備えることを特徴とするバイポーラトランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バイポーラトランジスタに関する。
【背景技術】
【０００２】
ｎｐｎ型の一般的なｐｎ接合分離型バイポーラトランジスタの概略構成を図４に示す。図４において、バイポーラトランジスタは、第一導電型であるｐ型基板４０１上に、高不純物濃度の第二導電型のｎ型層４０２と、高不純物濃度のｎ型層４０２上のｎ型エピタキシャル層４０３と、ｎ型エピタキシャル層４０３内に形成されるｐ型によるベース拡散層４０４と、ベース拡散層内に形成される高不純物濃度のｎ型のエミッタ領域４０５と、ｎ型エピタキシャル層４０３内に形成される高不純物濃度のｎ型のコレクタ領域４０６と、ベース電極４０７とエミッタ電極５０８とコレクタ電極４０９と、酸化膜４１０と４１１から構成されている（例えば、非特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】前田、「はじめての半導体プロセス」、工業調査会、２０００年１２月２０日、ｐ３７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の構成による従来のバイポーラトランジスタ４００では、ｐ型半導体のベース拡散層４０４と高不純物濃度のｎ型半導体のエミッタ層４０５によるｐｎ接合部で発生するツェナー降伏によるブレークダウン箇所がエミッタ領域４０５の界面４２０と４２１で発生する。この場合、ブレークダウン箇所がｎ型エピタキシャル層４０３の表面近傍のため、降伏により発生した電流が酸化膜４１０の界面４３１と、酸化膜４１１の界面４３２に流れ込む。また、ｐ型半導体のベース拡散層４０４とｎ型エピタキシャル層４０３によるｐｎ接合部で発生するアバランシェ降伏によるブレークダウン箇所がベース領域４０４の界面４３２で発生する。この場合、ブレークダウン箇所がｎ型エピタキシャル層４０３の表面近傍のため、降伏により発生した電流が酸化膜４１１の界面４３３に流れ込む。このため、表面の酸化膜４１０と４１１下の各界面４３１と４３３に降伏により発生した電流が流れ込むため、ベース拡散層４０４とエミッタ層４０５によるｐｎ接合部で発生するツェナー降伏によるツェナー電圧の経時変動が起きるという課題があった。また、表面の酸化膜４１１下の界面４３３に降伏により発生した電流が流れ込むため、ベース拡散層４０４とｎ型エピタキシャル層４０３によるｐｎ接合部で発生するアバランシェ降伏によるブレークダウン電圧の経時変動が起きるという課題があった。
【０００５】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであって、表面酸化膜下の界面近傍で発生する降伏を防ぎ、ベース拡散層とエミッタ層によるｐｎ接合部、および、ベース拡散層とｎ型エピタキシャル層によるｐｎ接合部で発生するアバランシェ降伏によるブレークダウン電圧の経時変動を防ぐバイポーラトランジスタを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明にかかるバイポーラトランジスタは、第一導電型半導体基体と、
前記第一導電型半導体基体内に形成され、不純物濃度が前記第一導電型半導体基体よりも高い第一導電型の電流経路領域と、
前記電流経路領域上側に形成され、第二導電型の表面降伏防止領域と、
前記電流経路領域と前記表面降伏防止領域との両方に接し、かつ、前記第一導電型半導体基体表面のベース電極に接続され、不純物濃度が前記表面降伏防止領域よりも高い第二導電型のベース領域と、
前記電流経路領域と前記表面降伏防止領域との両方に接し、かつ、前記第一導電型半導体基体表面のコレクタ電極に接続され、不純物濃度が前記第一導電型半導体基体より高い第一導電型のコレクタ領域と、
前記表面降伏防止領域に接し、かつ、前記第一導電型半導体基体表面のエミッタ電極に接続され、不純物濃度が前記電流経路領域よりも高い第一導電型のエミッタ領域と、
前記エミッタ領域と前記表面降伏防止領域の両方に接し、かつ、不純物濃度が前記表面降伏防止領域よりも高い第二導電型の内部降伏誘導領域と、
を備えることを特徴とする
【０００７】
また、本発明にかかるバイポーラトランジスタは、前記電流経路領域と前記表面降伏防止領域との両方に接し、不純物濃度が前記第一導電型半導体基体より高い第一導電型の第１コレクタ領域と、
前記第１コレクタ領域と前記表面降伏防止領域との両方に接し、かつ、前記第一導電型半導体基体表面のエミッタ電極に接続され、かつ、不純物濃度が前記第１コレクタ領域よりも高い第一導電型の第２コレクタ領域と、
を備えることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明にかかるバイポーラトランジスタは、第一導電型半導体基体と、
前記第一導電型半導体基体内に形成され、不純物濃度が前記第一導電型半導体基体よりも高い第一導電型の電流経路領域と、
前記電流経路領域上側に形成され、第二導電型の表面降伏防止領域と、
前記電流経路領域と前記表面降伏防止領域との両方に接し、かつ、前記第一導電型半導体基体表面のベース電極に接続され、不純物濃度が前記表面降伏防止領域よりも高い第二導電型のベース領域と、
前記電流経路領域に接し、かつ、前記第一導電型半導体基体表面のコレクタ電極に接続され、不純物濃度が前記電流経路領域よりも高い第一導電型のコレクタ領域と、
前記表面降伏防止領域に接し、かつ、前記第一導電型半導体基体表面のエミッタ電極に接続され、不純物濃度が前記電流経路領域よりも高い第一導電型のエミッタ領域と、
前記エミッタ領域と前記表面降伏防止領域の両方に接し、かつ、不純物濃度が前記表面降伏防止領域よりも高い第二導電型の内部降伏誘導領域と、
を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、第一導電型半導体基体を形成し、第一導電型半導体基体内に不純物濃度が第一導電型半導体基体より高い第一導電型の電流経路領域を形成し、また、電流経路領域内に第二導電型の表面降伏防止領域を形成する。
また、第一導電型半導体基体表面に電流経路領域と表面降伏防止領域に接し、不純物濃度が表面降伏防止領域より高いベース領域と、第一導電型半導体基体表面に電流経路領域と表面降伏防止領域に接するコレクタ領域と、第一導電型半導体基体表面かつ表面降伏防止領域内に不純物濃度が電流経路領域より高いエミッタ領域と、表面降伏防止領域内かつエミッタ領域に接する不純物濃度が表面降伏防止領域より高い内部降伏誘導領域を形成する。
以上により、ｐｎ接合により生じるツェナー降伏もしくはアバランシェ降伏によるブレークダウン箇所を、ベース領域と電流経路領域の界面、および、エミッタ領域と内部降伏誘導領域の界面の半導体内部で生じるようにしたので、ツェナー降伏もしくはアバランシェ降伏による電子が表面の酸化膜に注入されることを防ぐことができ、これにより、逆降伏電圧の経時変動を防ぐバイポーラトランジスタを実現することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るバイポーラトランジスタの断面構成図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係るバイポーラトランジスタの断面構成図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係るバイポーラトランジスタの断面構成図である。
【図４】従来の実施形態に係るバイポーラトランジスタの断面構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図１〜３を用いて本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、本発明は係る実施形態に限定されず、その技術思想の範囲内で種々の変更が可能である。
【００１２】
[第１実施形態]
図１は、第１の実施形態のバイポーラトランジスタ１００の断面構成図である。図１において、第二導電型（Ｐ型）の半導体基板１上に第一導電型（Ｎ型）不純物を拡散し、その後さらにＮ型不純物をエピタキシャル成長により積層させた半導体基板２０が形成されている。
【００１３】
半導体基板２０においては、Ｐ型半導体基板１上に高濃度（例えば２×１０１９ｃｍ−３）の下層Ｎ型半導体領域２と、下層Ｎ型半導体領域２より不純物濃度が低い（例えば１×１０１５ｃｍ−３）上層Ｎ型半導体領域３が形成されている。
【００１４】
上層Ｎ型半導体領域３の表面近傍には、Ｐ型半導体基板１より不純物濃度の高い（例えば１×１０２０ｃｍ−３）Ｐ型半導体のベース領域６と、下層Ｎ型半導体領域２より不純物濃度の高い（例えば１×１０２０ｃｍ−３）Ｎ型半導体のエミッタ領域８と、Ｎ型半導体（例えば不純物濃度５×１０１８ｃｍ−３）のコレクタ領域７が形成されている。コレクタ領域７は所定の深さ（例えば１〜２μｍ）に形成されている。また、ベース領域６とコレクタ領域７とエミッタ領域８は、上層Ｎ型半導体領域３の表面で各々ベース電極１０とコレクタ電極１１とエミッタ電極１２に接続されている。この場合、ベース領域６とエミッタ領域８は、各々不純物濃度が高いため、それぞれベース電極１０とエミッタ電極１２とオーミック接続されている。
【００１５】
上層Ｎ型半導体領域３内には、ベース領域６とコレクタ領域７の下界面に接して下層Ｎ型半導体領域２より不純物濃度が低い（例えば５×１０１８ｃｍ−３）Ｎ型半導体である電流経路領域４が形成されている。また、電流経路領域４は、上層Ｎ型半導体領域３の表面から所定の深さ（例えば３〜４μｍ）に形成されている。
【００１６】
上層Ｎ型半導体領域３内には、電流経路領域４の上側に半導体基板１より不純物濃度が低い（例えば１×１０１８ｃｍ−３〜４×１０１８ｃｍ−３）Ｐ型半導体である表面降伏防止領域５が形成されている。また、表面降伏防止領域５は、上層Ｎ型半導体領域３の表面から電流経路領域４より浅くエミッタ領域８より深く形成されている。
【００１７】
また、エミッタ領域８は、表面降伏防止領域５に接し、ベース領域６とコレクタ領域７の間に、ベース領域６とコレクタ領域７それぞれに接しないで形成されている。
【００１８】
Ｐ型半導体基板１より不純物濃度が高い（例えば表面降伏防止領域５の不純物濃度の２倍）Ｐ型半導体領域である内部降伏誘導領域９は、エミッタ領域８と表面降伏防止領域５の両方に接して形成されている。また、内部降伏誘導領域９は、表面降伏防止領域５より浅くエミッタ領域８より深く形成されており、エミッタ領域８に接し、上層Ｎ型半導体領域３の表面には接しないで形成されている。
【００１９】
上層Ｎ型半導体領域３の表面には、ベース領域６上とエミッタ領域８上にそれぞれの電極１０と１２を除く範囲で酸化膜１３、また、エミッタ領域８上とコレクタ領域７上にそれぞれの電極１２と１１を除く範囲で酸化膜１４が、例えば０．４〜０．７μｍの厚みで形成されている。
【００２０】
次に、図１のバイポーラトランジスタ１００に逆方向電圧が印加された場合の降伏現象について説明する。まず、ベース電極１０とコレクタ電極１１との間のｐｎ接合部に逆方向バイアス電圧が印加された場合について説明する。この状態では、ベース領域６（アノード）とコレクタ領域７（カソード）の間は、電流経路領域４を介した第１の接合と、表面降伏防止領域５を介した第２の接合が形成されて、この２つの接合に逆方向電圧が印加されることになる。
【００２１】
一般にｐｎ接合に逆方向電圧が印加された場合、接合されているｐｎ半導体の不純物濃度が高いほど降伏が低い電圧で発生するため、降伏が発生しやすい。ここで、図１の構成では、逆方向電圧が印加されている第１の接合（Ｐ＋―Ｎ―Ｎ）と第２の接合（Ｐ＋―Ｐ−―Ｎ）の各ｐｎ接合部においては、第１のｐｎ接合部である（Ｐ＋―Ｎ）の方が第２のｐｎ接合部である（Ｐ−―Ｎ）より不純物濃度の高い接合となっている。このため、第１のｐｎ接合部であるベース領域６と電流経路領域４の界面２３で降伏が発生し、この界面２３がブレークダウン箇所となる。この場合、第２のｐｎ接合部である（Ｐ−―Ｎ）には降伏が発生していないため、上層Ｎ型半導体領域３の表面と酸化膜１３との界面２１、または、酸化膜１４との界面２２に逆降伏電流が流れ込まない。
【００２２】
次に、エミッタ領域８とベース領域６に逆方向電圧が印加された場合について説明する。この状態では、エミッタ領域８とベース領域６の間は、表面降伏防止領域５を介した第３の接合（Ｎ＋―Ｐ−―Ｐ＋）と、内部降伏誘導領域９を介し、さらに表面降伏防止領域５を介した第４の接合（Ｎ＋―Ｐ＋―Ｐ−―Ｐ＋）が形成されている。そして、第３と第４の接合の各ｐｎ接合部においては、第４のｐｎ接合部である（Ｎ＋―Ｐ＋）の方が第３のｐｎ接合部である（Ｎ＋―Ｐ−）より不純物濃度の高い接合である。ここで、図１の構成では、第４のｐｎ接合である（Ｎ＋―Ｐ＋）のエミッタ領域８と内部降伏誘導領域９の界面２４にブレークダウン箇所が生じる。この場合、第３のｐｎ接合（Ｎ＋―Ｐ−）には降伏が発生していないため、従来例のように上層Ｎ型半導体領域３の表面と酸化膜１３との界面２１、または、酸化膜１４との界面２２に逆降伏電流が流れ込まない。
【００２３】
以上のように、第１の実施形態によれば、上層Ｎ型半導体領域３の内部の界面２３と２４にブレークダウン箇所を発生するような構成にしたので、上層Ｎ型半導体領域３の表面と酸化膜１３との界面２１、または、酸化膜１４との界面２２に逆降伏電流が流れ込むことを防ぐことができ、これにより逆降伏電圧の経時変動を防ぐことが可能になる。
【００２４】
[第２実施形態]
図２は、第２の実施形態のバイポーラトランジスタ２００の断面構成図である。第１の実施形態と同じ部分は同じ番号を用いて説明を省略する。
第２の実施形態との違いは、コレクタ領域２０１であり、Ｎ型（例えば不純物濃度５×１０１８ｃｍ−３）半導体で形成されている第１コレクタ領域２０２と、第１コレクタ領域２０２の上側に第１コレクタ領域２０２の不純物濃度より高い（例えば不純物濃度１×１０２０ｃｍ−３）Ｎ型半導体で形成されている第２コレクタ領域２０３を備えている。第１コレクタ領域２０２は、所定の深さ（例えば１〜２μｍ）に形成され、第２コレクタ領域２０３は所定の深さ（例えば０．８μｍ）に形成されている。また、第２コレクタ領域２０３がコレクタ電極１１に接続されているため、オーミック接続も実現されている。
【００２５】
次に、ベース領域６とコレクタ領域２０１との間のｐｎ接合部に逆方向電圧が印加された場合について説明する。この状態では、ベース領域６とコレクタ領域２０１の間には、電流経路領域４を介した第５の接合（Ｐ＋―Ｎ―Ｎ―Ｎ＋）と、表面降伏防止領域５を介した第６の接合（Ｐ＋―Ｐ−―Ｎ―Ｎ＋）が形成され、これら２つの接合に逆方向電圧が印加されることになる。ここで、図２の構成では、逆方向電圧印加されている第５のｐｎ接合部である（Ｎ＋―Ｐ＋）の方が第６のｐｎ接合部である（Ｎ＋―Ｐ−）より不純物濃度の高い接合となっている。このため、第５のｐｎ接合部（Ｐ＋―Ｎ）のベース領域６と電流経路領域４の界面２３で降伏が発生し、この界面２３がブレークダウン箇所となる。この場合、第６のｐｎ接合部（Ｐ−―Ｎ）には降伏が発生しないため、従来例のように上層Ｎ型半導体領域３の表面と酸化膜１３との界面２１、または、酸化膜１４との界面２２に逆降伏電流が流れ込まない。
【００２６】
エミッタ領域８とベース領域６に逆方向電圧が印加された場合については、第１の実施形態と同じため説明を省略する。
【００２７】
以上のように、第２の実施形態によれば、上層Ｎ型半導体領域３の内部の界面２３と２４にブレークダウン箇所を生じるような構成にしたので、上層Ｎ型半導体領域３の表面と酸化膜１３との界面２１、または、酸化膜１４との界面２２に逆降伏電流が流れ込むことを防ぐことができ、これにより逆降伏電圧の経時変動を防ぐことが可能になる。また、コレクタ領域２０１をＮ型半導体で形成されている第１コレクタ領域２０２と、第１コレクタ領域の不純物濃度より高いＮ型半導体で形成されている第２コレクタ領域２０３で形成したので、第２コレクタ領域２０３とコレクタ電極１１の接続により、オーミック接続が可能になる。
【００２８】
[第３実施形態]
図３は、第３の実施形態のバイポーラトランジスタ３００の断面構成図である。第１または第２の実施形態と同じ部分は同じ番号を用いて説明を省略する。
第１の実施形態との違いは、コレクタ領域３０１と電流経路領域３０２と表面降伏防止領域３０３との位置関係と、コレクタ領域３０１の不純物濃度である。上層Ｎ型半導体領域３の表面近傍に、Ｎ型半導体（例えば不純物濃度１×１０２０ｃｍ−３）であるコレクタ領域３０１が形成されている。電流経路領域３０２は、上層Ｎ型半導体領域３内において、ベース領域６に接しコレクタ領域３０１を取り囲むように形成されている。また、電流経路領域３０２の不純物濃度は、コレクタ領域３０１の不純物濃度より低く形成されている（例えば５×１０１８ｃｍ−３）。また、表面降伏防止領域３０３は、電流経路領域３０２の上側においてコレクタ領域３０１に接しないように形成されている。上記のように、図３の構成では、第１の実施形態と比較して、コレクタ領域３０１の不純物濃度が電流経路領域３０２より高いため、コレクタ領域３０１とコレクタ電極１１のオーミック接続が実現されている。また、図３の構成では、第２の実施形態と比較して、コレクタ領域２０２を形成する拡散工程を一工程削減できる。
【００２９】
第１の実施形態と異なり、コレクタ領域３０１が表面降伏防止領域３０３に接しないように形成した理由を説明する。図１において、コレクタ領域７とコレクタ電極１１をオーミック接触させるためには、コレクタ領域７の不純物濃度を電流経路領域４より高くする必要がある。このため、図１の構成で、仮にコレクタ領域７を電流経路領域４より不純物濃度が高いＮ型半導体で形成することとし、ベース領域６と不純物濃度が高いコレクタ領域７との間のｐｎ接合部に逆方向電圧が印加された場合を考える。この状態では、ベース領域６と電流経路領域４より不純物濃度が高いコレクタ領域７の間には、電流経路領域４を介した第１’の接合（Ｐ＋―Ｎ―Ｎ＋）と、表面降伏防止領域５を介した第２’の接合（Ｐ＋―Ｐ−―Ｎ＋）が形成されて、この２つの接合に逆方向電圧が印加されることになる。ここで、逆方向電圧が印加されている第１’の接合（Ｐ＋―Ｎ―Ｎ＋）と第２’の接合（Ｐ＋―Ｐ−―Ｎ＋）の各ｐｎ接合部においては、第１’のｐｎ接合部である（Ｐ＋―Ｎ）と第２’のｐｎ接合部である（Ｐ−―Ｎ＋）の不純物濃度は、降伏の生じやすさが同等である。このため、意図した第１’のｐｎ接合部である（Ｐ＋―Ｎ）の界面２３で降伏が発生する可能性と、意図しない第２’のｐｎ接合部である（Ｐ−―Ｎ＋）の界面３１で降伏が発生する可能性がある。界面３１がブレークダウン箇所になった場合、この降伏により発生した電流が、酸化膜１４の界面２２に流れ込むことで、ツェナー電圧の経時変動が起きる。このため、界面３１がブレークダウン箇所になることを防ぎ、かつ、コレクタ電極１１とのオーミック接触のために、図３のように、電流経路領域３０２より不純物濃度が高いＮ型半導体によるコレクタ領域３０１を表面降伏防止領域３０３に接しないように形成する。
【００３０】
次に、ベース領域６とコレクタ領域３０１との間のｐｎ接合部に逆方向電圧が印加された場合について説明する。この状態では、ベース領域６とコレクタ領域３０１の間には、電流経路領域３０２を介した第７の接合（Ｐ＋―Ｎ―Ｎ＋）と、表面降伏防止領域５を介した第８の接合（Ｐ＋―Ｐ−―Ｎ―Ｎ＋）が形成され、これら２つの接合に逆方向電圧が印加されることになる。ここで、図３の構成では、逆方向電圧印加されている第７のｐｎ接合部である（Ｐ＋―Ｎ）の方が第８のｐｎ接合部である（Ｐ−―Ｎ）より不純物濃度の高い接合となっている。このため、第７のｐｎ接合であるベース領域６と電流経路領域３０２の界面２３で降伏が発生し、この界面２３がブレークダウン箇所となる。このため、第８の接合（Ｐ＋―Ｐ−―Ｎ―Ｎ＋）には降伏が発生しないため、上層Ｎ型半導体領域３の表面と酸化膜１３との界面２１、または、酸化膜１４との界面２２に逆降伏電流が流れ込まない。
【００３１】
エミッタ領域８とベース領域６に逆方向電圧が印加された場合については、第１の実施形態と同じため説明を省略する。
【００３２】
以上のように、第３の実施形態によれば、上層Ｎ型半導体領域３の内部の界面２３と２４にブレークダウン箇所を生じるような構成にしたので、上層Ｎ型半導体領域３の表面と酸化膜１３との界面２１、または、酸化膜１４との界面２２に逆降伏電流が流れ込むことを防ぐことができ、これにより、逆降伏電圧の経時変動を防ぐことが可能になる。また、コレクタ領域２０１を電流経路領域３０２より不純物濃度より高いＮ型半導体によるコレクタ領域３０１を形成したので、コレクタ領域３０１とコレクタ電極１１とオーミック接続が可能になる。さらに、第二の実施形態と比較して、コレクタ電極を形成する拡散工程を一工程削減することが可能になる。
【００３３】
なお、本実施形態では、ｎｐｎ型バイポーラトランジスタについて説明したが、不純物層のｐ型、ｎ型を入れ替えたｐｎｐ型においても同一の効果が得られる。
【００３４】
また、本実施形態では、バイポーラトランジスタ単体の構成について説明したが、半導体集積回路上に形成する場合にも有効である。
【００３５】
さらにまた、本実施形態で説明時にあげた各領域の不純物濃度および深さの例に限られるものではなく、本実施形態における各々の希望するブレークダウン箇所に降伏が生じる各領域間の不純物濃度の関係であれば良い。
【符号の説明】
【００３６】
１、４０１・・・Ｐ型半導体基板
３・・・Ｎ型半導体基板
４、３０２・・・電流経路領域
５、３０３・・・表面降伏防止領域
６、４０４・・・ベース領域
７、２０１、２０２、２０３、３０１、４０６・・・コレクタ領域
８、４０５・・・エミッタ領域
１０、１１、１２、４０７、４０８、４０９・・・電極
９・・・内部降伏誘導領域
１３、１４、４１０、４１１・・・酸化膜
２１、２２、２３、２４、３１、４２０、４２１、４３１、４３２、４３３・・・ブレークダウン箇所
【図１】
2010278356.tif 000003
【図２】
2010278356.tif 000004
【図３】
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【図４】
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