(57)【要約】【課題】光取り出し効率の向上を図りつつ信頼性を向上できる半導体発光素子を提供する。【解決手段】ｐ形窒化物半導体層６とアノード電極７との間に、ｐ形窒化物半導体層６における窒化物発光層５側とは反対側に積層されｐ形窒化物半導体層６よりも屈折率が小さなＧＺＯ（ＧａをドープしたＺｎＯ）膜からなる透明導電膜９と、透明導電膜９におけるｐ形窒化物半導体層６側とは反対側に形成され導電性を有するとともに窒化物発光層５から放射された光を反射するＡｇ膜からなる反射導電膜１１とを備え、透明導電膜９と反射導電膜１１との間に、窒化物発光層５から放射される光に対して透明であるとともに導電性を有し且つ透明導電膜９側への反射導電膜１１の接着力を高めるＰｔ膜からなる接着導電膜１０を介在させてある。ここで、接着導電膜１０を構成するＰｔ膜の膜厚は、０．５ｎｍ以下に設定する。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ形窒化物半導体層と窒化物発光層とｐ形窒化物半導体層との積層構造を有し、ｐ形窒化物半導体層における窒化物発光層側とは反対側にアノード電極が形成されるとともに、ｎ形窒化物半導体層における窒化物発光層の積層側にカソード電極が形成された半導体発光素子であって、ｐ形窒化物半導体層とアノード電極との間に、ｐ形窒化物半導体層における窒化物発光層側とは反対側に積層されｐ形窒化物半導体層よりも屈折率が小さな透明導電膜と、透明導電膜におけるｐ形窒化物半導体層側とは反対側に形成され導電性を有するとともに窒化物発光層から放射された光を反射する反射導電膜とを備え、透明導電膜と反射導電膜との間に、窒化物発光層から放射される光に対して透明であるとともに導電性を有し且つ透明導電膜側への反射導電膜の接着力を高める接着導電膜を介在させてなることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記透明導電膜の材料は、ＧＺＯ、ＡＺＯ、ＩＴＯの群から選択されることを特徴とする請求項１記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記反射導電膜の材料は、Ａｇであることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記接着導電膜の材料は、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３の群から選択されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記ｎ形窒化物半導体層と前記カソード電極との間に、前記ｎ形窒化物半導体層における前記窒化物発光層の積層側に形成され前記ｎ形窒化物半導体層よりも屈折率が小さな透明導電膜と、透明導電膜における前記ｎ形窒化物半導体層側とは反対側に形成され導電性を有するとともに前記窒化物発光層から放射された光を反射する反射導電膜とを備え、透明導電膜と反射導電膜との間に、窒化物発光層から放射される光に対して透明であるとともに導電性を有し且つ透明導電膜側への反射導電膜の接着力を高める接着導電膜を介在させてなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光層が窒化物半導体材料により形成された半導体発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、発光層がＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮなどの窒化物半導体材料により形成されるとともに厚み方向の一表面側にアノード電極およびカソード電極が形成され、実装基板に対してフリップチップ実装して用いることが可能な半導体発光素子において、光取り出し効率を向上するためにアノード電極およびカソード電極での光吸収を抑制するようにした構造が各所で研究開発されている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
ここにおいて、上記特許文献１に開示された半導体発光素子は、図５に示すように、サファイア基板からなる透光性基板１’の一表面側に形成されたＧａＮ層からなるバッファ層２’と、バッファ層２’上に形成されたノンドープＧａＮ層からなるノンドープ窒化物半導体層３’と、ノンドープ窒化物半導体層３’上に形成されたｎ形ＧａＮ層からなるｎ形窒化物半導体層４’と、ｎ形窒化物半導体層４’上に形成され量子井戸構造を有する窒化物発光層５’と、窒化物発光層５’上に形成されたｐ形ＧａＮ層からなるｐ形窒化物半導体層６’と、ｐ形窒化物半導体層６’の表面側に形成されたアノード電極７’と、ｎ形窒化物半導体層４’における透光性基板１’側とは反対の表面側に形成されたカソード電極８’とを備え、ｐ形窒化物半導体層６’とアノード電極７’との間に、ｐ形窒化物半導体層６’における窒化物発光層５’側とは反対側に積層されｐ形窒化物半導体層よりも屈折率が小さなＺｎＯ膜からなる透明導電膜９’と、透明導電膜９’におけるｐ形窒化物半導体層６’側とは反対側に形成され導電性を有するとともに窒化物発光層５’から放射された光を反射するＡｇ膜からなる反射導電膜１１’とを備えている。
【０００４】
図５に示した構成の半導体発光素子では、アノード電極７’とカソード電極８’との間に順方向バイアス電圧を印加することにより窒化物発光層５’に注入された電子とホールとが再結合することで発光する。ここで、図５に示した構成の半導体発光素子は、実装基板にフリップチップ実装し透光性基板１’の他表面を光取り出し面として用いられるものであり、窒化物発光層５’からｎ形窒化物半導体層４’側へ放射された光が透光性基板１’を通して光取り出し面から出射されるとともに、ｐ形窒化物半導体層６’側へ放射された光の一部がｐ形窒化物半導体層６’と透明導電膜９’との界面で両者の屈折率差に起因してフレネル反射されて光取り出し面から出射され、透明導電膜９’を透過した光が反射導電膜１１’で反射されて光取り出し面から出射されることとなるので、光取り出し効率を高めることができる。
【特許文献１】特開２００５−４５０３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図５に示した構成の半導体発光素子では、透明導電膜９’と反射導電膜１１’との密着性が低いので、実装基板にフリップチップ実装する際や当該フリップチップ実装後に透明導電膜９’から反射導電膜１１’が剥離してしまい、光出力特性が低下してしまうという問題があった。
【０００６】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、光取り出し効率の向上を図りつつ信頼性の向上を図れる半導体発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１の発明は、ｎ形窒化物半導体層と窒化物発光層とｐ形窒化物半導体層との積層構造を有し、ｐ形窒化物半導体層における窒化物発光層側とは反対側にアノード電極が形成されるとともに、ｎ形窒化物半導体層における窒化物発光層の積層側にカソード電極が形成された半導体発光素子であって、ｐ形窒化物半導体層とアノード電極との間に、ｐ形窒化物半導体層における窒化物発光層側とは反対側に積層されｐ形窒化物半導体層よりも屈折率が小さな透明導電膜と、透明導電膜におけるｐ形窒化物半導体層側とは反対側に形成され導電性を有するとともに窒化物発光層から放射された光を反射する反射導電膜とを備え、透明導電膜と反射導電膜との間に、窒化物発光層から放射される光に対して透明であるとともに導電性を有し且つ透明導電膜側への反射導電膜の接着力を高める接着導電膜を介在させてなることを特徴とする。
【０００８】
この発明によれば、ｐ形窒化物半導体層における窒化物発光層側とは反対側に積層されｐ形窒化物半導体層よりも屈折率が小さな透明導電膜と、透明導電膜におけるｐ形窒化物半導体層側とは反対側に形成され導電性を有するとともに窒化物発光層から放射された光を反射する反射導電膜とを備えているので、光取り出し効率の向上を図れ、しかも、透明導電膜と反射導電膜との間に、窒化物発光層から放射される光に対して透明であるとともに導電性を有し且つ透明導電膜側への反射導電膜の接着力を高める接着導電膜を介在させてあるので、光取り出し効率の低下を抑制しつつ透明導電膜側への反射導電膜の接着力を高めることができ、信頼性を向上できる。
【０００９】
請求項２の発明は、請求項１の発明において、前記透明導電膜の材料は、ＧＺＯ、ＡＺＯ、ＩＴＯの群から選択されることを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、前記ｐ形窒化物半導体層と前記透明導電膜とのオーミック接触を得ることができる。
【００１１】
請求項３の発明は、請求項１又は２の発明において、前記反射導電膜の材料は、Ａｇであることを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、前記反射導電膜の材料がＡｌである場合に比べて、前記窒化物発光層から放射される光に対する前記反射導電膜の反射率を高めることができる。
【００１３】
請求項４の発明は、請求項１乃至３の発明において、前記接着導電膜の材料は、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３の群から選択されることを特徴とする。
【００１４】
この発明によれば、前記接着導電膜の膜厚を適宜設定することにより、光取り出し効率の低下を抑制しつつ前記透明導電膜側への前記反射導電膜の接着力を高めることができる。
【００１５】
請求項５の発明は、請求項１乃至４の発明において、前記ｎ形窒化物半導体層と前記カソード電極との間に、前記ｎ形窒化物半導体層における前記窒化物発光層の積層側に形成され前記ｎ形窒化物半導体層よりも屈折率が小さな透明導電膜と、透明導電膜における前記ｎ形窒化物半導体層側とは反対側に形成され導電性を有するとともに前記窒化物発光層から放射された光を反射する反射導電膜とを備え、透明導電膜と反射導電膜との間に、窒化物発光層から放射される光に対して透明であるとともに導電性を有し且つ透明導電膜側への反射導電膜の接着力を高める接着導電膜を介在させてなることを特徴とする。
【００１６】
この発明によれば、前記ｎ形窒化物半導体層における前記窒化物発光層の積層側に形成され前記ｎ形窒化物半導体層よりも屈折率が小さな透明導電膜と、透明導電膜における前記ｎ形窒化物半導体層側とは反対側に形成され導電性を有するとともに前記窒化物発光層から放射された光を反射する反射導電膜とを備えているので、光取り出し効率の向上を図れ、しかも、透明導電膜と反射導電膜との間に、窒化物発光層から放射される光に対して透明であるとともに導電性を有し且つ透明導電膜側への反射導電膜の接着力を高める接着導電膜を介在させてあるので、光取り出し効率の低下を抑制しつつ透明導電膜側への反射導電膜の接着力を高めることができ、信頼性を向上できる。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１の発明では、光取り出し効率の向上を図りつつ信頼性を向上できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（実施形態１）
本実施形態の半導体発光素子は、図１に示すように、ＧａＮ基板からなる透光性基板１の一表面側（図１における下面側）にｎ形ＧａＮ層からなるｎ形窒化物半導体層４が形成され、ｎ形窒化物半導体層４上に量子井戸構造を有する窒化物発光層５が形成され、窒化物発光層５上にｐ形ＧａＮ層からなるｐ形窒化物半導体層６が形成されている。要するに、本実施形態の半導体発光素子は、透光性基板１の上記一表面側にｎ形窒化物半導体層４と窒化物発光層５とｐ形窒化物半導体層６との積層構造を有している。なお、ｎ形窒化物半導体層４、窒化物発光層５、およびｐ形窒化物半導体層６は、透光性基板１の上記一表面側にＭＯＶＰＥ法のようなエピタキシャル成長技術を利用して成膜するので、透光性基板１とｎ形窒化物半導体層４との間にバッファ層を適宜設けてもよい。また、ｎ形窒化物半導体層４、窒化物発光層５、およびｐ形窒化物半導体層６の結晶成長方法は、ＭＯＶＰＥ法に限定するものではなく、例えば、ハライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）や、分子線エピタキシー法（ＭＢＥ法）などを採用してもよい。また、透光性基板１は、窒化物発光層５から放射される光に対して透明であればよく、例えば、サファイア基板、ＳｉＣ基板、ＺｎＯ基板などを採用してもよい。
【００１９】
また、本実施形態の半導体発光素子は、ｐ形窒化物半導体層６における窒化物発光層５側とは反対側にアノード電極７が形成されるとともに、ｎ形窒化物半導体層４における窒化物発光層５の積層側にカソード電極８が形成されている。ここで、カソード電極８は、透光性基板１の上記一表面側へｎ形窒化物半導体層４、窒化物発光層５、ｐ形窒化物半導体層６を順次成長させた後で、ｎ形窒化物半導体層４と窒化物発光層５とｐ形窒化物半導体層５との積層膜の所定領域をｐ形窒化物半導体層６の表面側からｎ形窒化物半導体層４の途中までエッチングすることにより露出させたｎ形窒化物半導体層４の表面に形成されている。
【００２０】
ここにおいて、本実施形態の半導体発光素子では、アノード電極７とカソード電極８との間に順方向バイアス電圧を印加することにより、アノード電極７からｐ形窒化物半導体層６へホールが注入されるとともに、カソード電極８からｎ形窒化物半導体層４へ電子が注入され、窒化物発光層５に注入された電子とホールとが再結合することで発光する。
【００２１】
上述のｎ形窒化物半導体層４は、透光性基板１上に形成されたｎ形ＧａＮ層で構成してあるが、単層構造に限らず、多層構造でもよく、例えば、透光性基板１がサファイア基板の場合には、透光性基板１の上記一表面側にＡｌＮ層やＡｌＧａＮ層などからなるバッファ層を介して形成されたｎ形ＡｌＧａＮ層と、当該ｎ形ＡｌＧａＮ層上のｎ形ＧａＮ層とで構成してもよい。
【００２２】
また、窒化物発光層５は、ＧａＮ層からなる障壁層によりＩｎＧａＮ層からなる井戸層が挟まれた量子井戸構造を有しており、当該窒化物発光層５の発光ピーク波長が４５０ｎｍとなるようにＩｎＧａＮ層の組成を設定してあるが、発光ピーク波長は特に限定するものではない。なお、窒化物発光層５の量子井戸構造は単一量子井戸構造に限らず、多重量子井戸構造でもよい。また、窒化物発光層５は、必ずしも量子井戸構造を有している必要はなく、単層構造でもよい。また、窒化物発光層５の材料も窒化物半導体材料であればよく、所望の発光ピーク波長に応じて、例えば、ＡｌＩｎＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＮなどを適宜採用してもよい。
【００２３】
また、ｐ形窒化物半導体層６は、窒化物発光層５上に形成されたｐ形ＧａＮ層で構成してあるが、単層構造に限らず、多層構造でもよく、例えば、ｐ形ＡｌＧａＮ層からなる第１のｐ形半導体層と、第１のｐ形半導体層上に形成されたｐ形ＧａＮ層からなる第２のｐ形半導体層とで構成してもよい。
【００２４】
また、アノード電極７は、後述の反射導電膜１１上のＡｕ層と当該Ａｕ層上のＴｉ層と当該Ｔｉ層上のＡｕ層との積層構造を有しており、最表面側のＡｕ層がｐパッド層を構成している。
【００２５】
また、カソード電極８は、ｎ形窒化物半導体層４上のＴｉ層と当該Ｔｉ層上のＡｕ層との積層構造を有しており、Ａｕ層がｎパッド層を構成している。ここで、ｎ形窒化物半導体層４上のＴｉ層は、ｎ形窒化物半導体層４に対するオーミックコンタクト層として設けてあるが、オーミックコンタクト層の材料は、例えば、Ｔｉ、Ｖ、Ａｌやこれらのいずれか一種類の金属を含む合金などを採用すればよい。
【００２６】
ところで、本実施形態の半導体発光素子は、ｐ形窒化物半導体層６とアノード電極７との間に、ｐ形窒化物半導体層６における窒化物発光層５側とは反対側に積層されｐ形窒化物半導体層６よりも屈折率が小さなＧＺＯ（ＧａをドープしたＺｎＯ）膜からなる透明導電膜９と、透明導電膜９におけるｐ形窒化物半導体層６側とは反対側に形成され導電性を有するとともに窒化物発光層５から放射された光を反射するＡｇ膜からなる反射導電膜１１とを備え、透明導電膜９と反射導電膜１１との間に、窒化物発光層５から放射される光に対して透明であるとともに導電性を有し且つ透明導電膜９側への反射導電膜１１の接着力を高めるＰｔ膜からなる接着導電膜１０を介在させてある。
【００２７】
本実施形態では、透明導電膜９の材料としてＧＺＯを採用しているが、透明導電膜９の材料は、ＧＺＯ、ＡＺＯ（ＡｌをドーピングしたＺｎＯ）、ＩＴＯの群から選択される材料であればよく、当該群から選択される材料を採用することにより、当該透明導電膜９とｐ形窒化物半導体層６との接触をオーミック接触とすることができる。ここにおいて、透明導電膜９をＧＺＯ膜、ＡＺＯ膜、ＩＴＯ膜などにより構成する場合、当該透明導電膜９の形成にあたっては、Ｏ２ガスアシストの電子ビーム蒸着法により成膜した後、Ｎ２ガスとＯ２ガスとの混合ガス中でアニールするようにすればよく、このような形成方法を採用することにより、透明導電膜９の消衰係数を０．００１以下とすることができる。ここで、透明導電膜９をＧＺＯ膜により構成する場合のアニール条件の一例として、例えば、Ｎ２ガスとＯ２ガスとの体積比を９５：５、アニール温度を５００℃、アニール時間を５分とすればよい。なお、透明導電膜９の形成方法および形成条件は上述の例に限らないが、消衰係数ｋが０．００３以下となるように形成方法および形成条件を設定することが好ましい。
【００２８】
また、反射導電膜１０の材料としてＡｇを採用しているが、Ａｇに限らず、例えば、Ａｌなどを採用してもよい。ただし、Ａｇを採用した方がＡｌを採用する場合に比べて、窒化物発光層５から放射される光（紫外光〜可視光）に対する反射導電膜１１の反射率を高めることができる。
【００２９】
また、本実施形態では、接着導電膜１０を構成するＰｔ膜の膜厚を０．１ｎｍに設定してあるが、この膜厚に限定するものではない。ここで、Ｐｔ膜からなる接着導電膜１０の膜厚と当該接着導電膜１０の波長４５０ｎｍの光に対する光透過率との関係についてシミュレーションした結果を図２に示す。図２から分かるように、接着導電膜１０の膜厚が小さいほど当該接着導電膜１０の光透過率が高くなり、接着導電膜１０をＰｔ膜により構成する場合、接着導電膜１０の膜厚が０．６ｎｍになると、光透過率が９５％程度まで低下してしまい、Ａｇ膜からなる反射導電膜１１の光反射率と同程度の値となってしまうので、接着導電膜１０の膜厚は０．５ｎｍ以下に設定することが好ましい。また、接着導電膜１０の材料は、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｇａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３の群から選択される材料であればよい。
【００３０】
また、本実施形態では、透明導電膜９を構成するＧＺＯ膜の膜厚を１０ｎｍに設定してあるが、この膜厚に限定するものではない。ここで、Ｐｔ膜からなる接着導電膜１０の膜厚を０．１ｎｍ、Ａｇ膜からなる反射導電膜１１の膜厚を１５０ｎｍとして、ＧＺＯ膜からなる透明導電膜９の消衰係数ｋを種々変化させて、透明導電膜９の膜厚と４５０ｎｍの光に対する光反射率との関係についてシミュレーションした結果を図３に示す。ここで、図３において、「イ」は消衰係数ｋ＝０の場合、「ロ」は消衰係数ｋ＝０．００１の場合、「ハ」は消衰係数ｋ＝０．００３の場合、をそれぞれ示している。
【００３１】
図３から分かるように、透明導電膜９の消衰係数ｋが０の場合や０．００１の場合には、透明導電膜９の膜厚を１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲で変化させても、透明導電膜９を設けずにｐ形ＧａＮ層からなるｐ形窒化物半導体層６とＡｇ膜からなる反射導電膜との間にオーミックコンタクト層としてＰｔ膜（オーミック接触を得るために膜厚を０．３ｎｍとしてある）を設けた場合のシミュレーション結果（図３中には実線で示してある）に比べて反射率を高めることができることが分かり、消衰係数ｋが０．００３の場合でも透明導電膜９の膜厚を２００ｎｍ以下にすれば反射率を高めることができることが分かる。また、透明導電膜９の消衰係数ｋが０ないし０．００１の場合には、透明導電膜９の膜厚を１０ｎｍ以上とすることにより光反射率を向上できることが分かる。一方、透明導電膜９の消衰係数ｋが０．００３の場合には透明導電膜９の膜厚が大きくなるにつれて光反射率が低下することが分かる。したがって、透明導電膜９をＧＺＯ膜により構成する場合の膜厚は、ＧＺＯ膜の消衰係数ｋの再現性やばらつきなどを考慮すれば１０ｎｍ程度に設定することが好ましい。
【００３２】
また、本実施形態では、反射導電膜１１を構成するＡｇ膜の膜厚を１００ｎｍに設定してあるが、この膜厚は特に限定するものではなく、例えば、５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度の範囲で適宜設定すればよい。
【００３３】
ところで、上述のｎ形窒化物半導体層４をｎ形ＧａＮ層、窒化物発光層５をＧａＮ層からなる障壁層とＩｎＧａＮ層からなる井戸層とを有する量子井戸構造、ｐ形窒化物半導体層６をｐ形ＧａＮ層、透明導電膜９を膜厚が１０ｎｍのＧＺＯ膜、反射導電膜１１を膜厚が１００ｎｍのＡｇ膜、接着導電膜１０を膜厚が０．１ｎｍのＰｔ膜とした一実施例、透明導電膜９と反射導電膜１１との間に接着導電膜１０を介在させていない比較例、それぞれについて、反射導電膜１１の透明導電膜９側への接着力を評価するために引張接着強度を測定したところ、比較例では０．２５ｋＮ／ｃｍ２程度であったのに対して、実施例では２．６ｋＮ／ｃｍ２程度であり、接着力が大幅に向上していることが確認され、シェア強度も向上していることが確認された。
【００３４】
以上説明した本実施形態の半導体発光素子では、ｐ形窒化物半導体層６における窒化物発光層５側とは反対側に積層されｐ形窒化物半導体層６よりも屈折率が小さな透明導電膜９と、透明導電膜９におけるｐ形窒化物半導体層６側とは反対側に形成され導電性を有するとともに窒化物発光層５から放射された光を反射する反射導電膜１１とを備えているので、光取り出し効率の向上を図れ、しかも、透明導電膜９と反射導電膜１１との間に、窒化物発光層５から放射される光に対して透明であるとともに導電性を有し且つ透明導電膜９側への反射導電膜１１の接着力を高める接着導電膜１０を介在させてあるので、光取り出し効率の低下を抑制しつつ透明導電膜９側への反射導電膜１１の接着力を高めることができ、信頼性を向上できる。
【００３５】
しかして、本実施形態の半導体発光素子を実装基板にフリップチップ実装する際や当該フリップチップ実装後に透明導電膜９と反射導電膜１１との間で剥離が生じるのを防止することができ、光出力特性が低下するのを防止することができる。
【００３６】
（実施形態２）
本実施形態の半導体発光素子の基本構成は、実施形態１と略同じであり、図４に示すように、ｎ形窒化物半導体層４とカソード電極８との間に、ｎ形窒化物半導体層４における窒化物発光層５の積層側に形成されｎ形窒化物半導体層４よりも屈折率が小さな透明導電膜１９と、透明導電膜１９におけるｎ形窒化物半導体層４側とは反対側に形成され導電性を有するとともに窒化物発光層５から放射された光を反射する反射導電膜２１とを備え、透明導電膜１９と反射導電膜２１との間に、窒化物発光層５から放射される光に対して透明であるとともに導電性を有し且つ透明導電膜１９側への反射導電膜２１の接着力を高める接着導電膜２０を介在させてある点、カソード電極８が、反射導電膜２１上のＡｕ層と当該Ａｕ層上のＴｉ層と当該Ｔｉ層上のＡｕ層との積層構造を有しており、最表面側のＡｕ層がｎパッド層を構成している点が相違するだけである。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００３７】
ところで、本実施形態では、透明導電膜１９、反射導電膜２１、接着導電膜２０の材料および膜厚を、実施形態１に説明した透明導電膜９、反射導電膜１１、接着導電膜１０それぞれと同じに設定してあり、カソード電極８の材料および膜厚をアノード電極７と同じに設定してあるので、ｎ形窒化物半導体層４とカソード電極８との間の層構造をｐ形窒化物半導体層６とアノード電極７との間の層構造を同じにすることができ、製造プロセスを増加させることなく製造することが可能となる。
【００３８】
また、本実施形態の半導体発光素子では、ｎ形窒化物半導体層４とカソード電極８との間に、上述の透明導電膜１９と反射導電膜２１とを備えていることにより、光取り出し効率の向上を図れ、透明導電膜１９と反射導電膜２１との間に接着導電膜２０を介在させてあることにより、光取り出し効率の低下を抑制しつつ透明導電膜１９側への反射導電膜２１の接着力を高めることができ、信頼性が向上する。
【００３９】
なお、上記各実施形態では、透光性基板１の上記一表面側にｎ形窒化物半導体層４を形成しているが、透光性基板１の導電形がｎ形の場合（例えば、透光性基板１がｎ形ＧａＮ基板の場合）には、透光性基板１がｎ形窒化物半導体層４を兼ねる構成を採用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】実施形態１の半導体発光素子を示す概略断面図である。
【図２】同上の半導体発光素子の特性説明図である。
【図３】同上の半導体発光素子の特性説明図である。
【図４】実施形態２の半導体発光素子の概略断面図である。
【図５】従来例を示す半導体発光素子の概略断面図である。
【符号の説明】
【００４１】
１  透光性基板
４  ｎ形窒化物半導体層
５  発光層
６  ｐ形窒化物半導体層
７  アノード電極
８  カソード電極
９  透明導電膜
１０  接着導電膜
１１  反射導電膜
【図１】
2010087283.tif 000003
【図２】
2010087283.tif 000004
【図３】
2010087283.tif 000005
【図４】
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【図５】
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