(57)【要約】【課題】イレーズ磁界を減少させつつ記録磁界を増大させることができる磁気記録ヘッドおよび記憶装置を提供する。【解決手段】磁気記録ヘッド４６は主磁極４７を備える。主磁極４７は、記憶媒体に向き合わせられる媒体対向面２８に臨む先端片６２を備える。先端片６２は第１稜線６７および第２稜線６８を規定する。先端片６２にはテーパ片６３の前端が接続される。テーパ片６３は前端に向かって先細る。テーパ片６３には、第１稜線６７の延長線に所定の第１傾斜角α１で傾斜しつつ先端で第１稜線６７に接続される第３稜線７１と、第２稜線６８の延長線に第１傾斜角α１よりも大きい第２傾斜角α２で傾斜しつつ先端で第２稜線６８に接続される第４稜線７２とが規定される。発明者の検証によれば、テーパ片６３の働きで磁気記録ヘッド４６では、イレーズ磁界が減少すると同時に、記録磁界は増大することができる。記録密度は向上する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶媒体に向き合わせられる媒体対向面に臨み、第１仮想平面内で前記媒体対向面に直交する１対の平行線に沿って第１稜線を規定し、前記第１仮想平面に平行に広がる第２仮想平面内で前記媒体対向面に直交する１対の平行線に沿って第２稜線を規定する先端片と、
前記先端片に接続される前端に向かって先細り、前記第１稜線の延長線に所定の第１傾斜角で傾斜しつつ前記第１仮想平面内で延びて先端で前記第１稜線に接続される第３稜線を規定し、前記第２稜線の延長線に前記第１傾斜角よりも大きい第２傾斜角で傾斜しつつ前記第２仮想平面内で延びて先端で前記第２稜線に接続される第４稜線を規定するテーパ片とを有する主磁極を備えることを特徴とする磁気記録ヘッド。
【請求項２】
請求項１に記載の磁気記録ヘッドにおいて、前記第１仮想平面は前記第２仮想平面よりもリーディング側に規定されることを特徴とする磁気記録ヘッド。
【請求項３】
請求項１または２に記載の磁気記録ヘッドにおいて、前記第１稜線同士の間隔は前記第２稜線同士の間隔より小さいことを特徴とする磁気記録ヘッド。
【請求項４】
記憶媒体と、
前記記憶媒体に向き合わせられる磁気記録ヘッドとを備え、
前記磁気記録ヘッドは、
前記記憶媒体に向き合わせられる媒体対向面に臨み、第１仮想平面内で前記媒体対向面に直交する１対の平行線に沿って第１稜線を規定し、前記第１仮想平面に平行に広がる第２仮想平面内で前記媒体対向面に直交する１対の平行線に沿って第２稜線を規定する先端片と、
前記先端片に接続される前端に向かって先細り、前記第１稜線の延長線に所定の第１傾斜角で傾斜しつつ前記第１仮想平面内で延びて先端で前記第１稜線に接続される第３稜線を規定し、前記第２稜線の延長線に前記第１傾斜角よりも大きい第２傾斜角で傾斜しつつ前記第２仮想平面内で延びて先端で前記第２稜線に接続される第４稜線を規定するテーパ片とを有する主磁極を備えることを特徴とする記憶装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）といった記憶装置で磁気情報の書き込みに用いられる磁気記録ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば特許文献１に開示されるように、単磁極ヘッドは広く知られる。単磁極ヘッドは薄膜コイルパターンの働きで記録磁界を生成する。記録磁界は主磁極および補助磁極すなわち副磁極の働きで単磁極ヘッドおよび磁気ディスクを循環する。こういった循環の働きで、磁気ディスクの表面に直交する垂直方向に記録磁界は誘導される。この記録磁界の働きで磁気ディスクに情報が書き込まれる。
【０００３】
主磁極は媒体対向面に向かって急激に先細る。主磁極の先端には、媒体対向面から均一幅で主磁極の後端に向かって延びる先端片が規定される。媒体対向面に平行に規定される先端片の断面は、例えばトレーリング側よりリーディング側で狭まる逆台形形状に規定される。こうした形状に基づき隣接する記録トラックに対して先端域のエッジのはみ出しは極力回避される。いわゆるイレーズ磁界は減少する。
【特許文献１】特開２００６−２７７８３４号公報
【特許文献２】特開２００６−１９０４７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述の通り、先端片の先端面の形状が逆台形に規定されると、イレーズ磁界は減少する。しかしながら、同時に、先端片の先端面から漏れ出る記録磁界は減少してしまう。記録密度の向上にあたって記録トラック同士のトラックピッチが狭められると、記録磁界の減少に基づき書き込み不良の発生が懸念される。
【０００５】
本発明は、上記実状に鑑みてなされたもので、イレーズ磁界を減少させつつ記録磁界を増大させることができる磁気記録ヘッドおよび記憶装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、磁気記録ヘッドは、記憶媒体に向き合わせられる媒体対向面に臨み、第１仮想平面内で前記媒体対向面に直交する１対の平行線に沿って第１稜線を規定し、前記第１仮想平面に平行に広がる第２仮想平面内で前記媒体対向面に直交する１対の平行線に沿って第２稜線を規定する先端片と、前記先端片に接続される前端に向かって先細り、前記第１稜線の延長線に所定の第１傾斜角で傾斜しつつ前記第１仮想平面内で延びて先端で前記第１稜線に接続される第３稜線を規定し、前記第２稜線の延長線に前記第１傾斜角よりも大きい第２傾斜角で傾斜しつつ前記第２仮想平面内で延びて先端で前記第２稜線に接続される第４稜線を規定するテーパ片とを有する主磁極を備えることを特徴とする。
【０００７】
こうした磁気記録ヘッドでは、先端片から記録磁界が漏れ出る。主磁極のテーパ片で第４稜線の第２傾斜角は第３稜線の第１傾斜角よりも大きく設定される。第４稜線同士は第３稜線同士よりも大きく広がる。発明者の検証によれば、こうしたテーパ片の働きで、イレーズ磁界は減少すると同時に、先端片の第２仮想平面側で記録磁界は増大することができる。こうした磁気記録ヘッドは記録密度の向上に大いに貢献することができる。
【発明の効果】
【０００８】
以上のように、磁気記録ヘッドおよび記憶装置はイレーズ磁界を減少させつつ記録磁界を増大させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照しつつ本発明の一実施形態を説明する。
【００１０】
図１は本発明に係る記憶装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）１１の内部構造を概略的に示す。このＨＤＤ１１は筐体すなわちハウジング１２を備える。ハウジング１２は箱形のベース１３およびカバー（図示されず）から構成される。ベース１３は例えば平たい直方体の内部空間すなわち収容空間を区画する。ベース１３は例えばＡｌ（アルミニウム）といった金属材料から鋳造に基づき成形されればよい。カバーはベース１３の開口に結合される。カバーとベース１３との間で収容空間は密閉される。カバーは例えばプレス加工に基づき１枚の板材から成形されればよい。
【００１１】
収容空間には、記憶媒体としての１枚以上の磁気ディスク１４が収容される。磁気ディスク１４はスピンドルモータ１５の駆動軸に装着される。スピンドルモータ１５は例えば３６００ｒｐｍや４２００ｒｐｍ、５４００ｒｐｍ、７２００ｒｐｍ、１００００ｒｐｍ、１５０００ｒｐｍといった高速度で磁気ディスク１４を回転させることができる。ここでは、例えば磁気ディスク１４は垂直磁気記録ディスクに構成される。すなわち、磁気ディスク１４上の記録磁性膜では磁化容易軸は磁気ディスク１４の表面に直交する垂直方向に設定される。
【００１２】
収容空間にはキャリッジ１６がさらに収容される。キャリッジ１６はキャリッジブロック１７を備える。キャリッジブロック１７は、垂直方向に延びる支軸１８に回転自在に連結される。キャリッジブロック１７には支軸１８から水平方向に延びる複数のキャリッジアーム１９が区画される。キャリッジブロック１７は例えば押し出し成型に基づきＡｌ（アルミニウム）から成型されればよい。
【００１３】
個々のキャリッジアーム１９の先端にはヘッドサスペンション２１が取り付けられる。ヘッドサスペンション２１はキャリッジアーム１９の先端から前方に延びる。ヘッドサスペンション２１にはフレキシャが貼り付けられる。ヘッドサスペンション２１の先端でフレキシャにはジンバルが区画される。ジンバルに磁気ヘッドスライダすなわち浮上ヘッドスライダ２２が搭載される。ジンバルの働きで浮上ヘッドスライダ２２はヘッドサスペンション２１に対して姿勢を変化させることができる。浮上ヘッドスライダ２２には磁気ヘッドすなわち電磁変換素子が搭載される。
【００１４】
磁気ディスク１４の回転に基づき磁気ディスク１４の表面で気流が生成されると、気流の働きで浮上ヘッドスライダ２２には正圧すなわち浮力および負圧が作用する。浮力および負圧とヘッドサスペンション２１の押し付け力とが釣り合うことで磁気ディスク１４の回転中に比較的に高い剛性で浮上ヘッドスライダ２２は浮上し続けることができる。
【００１５】
キャリッジブロック１７には例えばボイスコイルモータ（ＶＣＭ）２３といった動力源が接続される。このボイスコイルモータ２３の働きでキャリッジブロック１７は支軸１８回りで回転することができる。こうしたキャリッジブロック１７の回転に基づきキャリッジアーム１９およびヘッドサスペンション２１の揺動は実現される。浮上ヘッドスライダ２２の浮上中にキャリッジアーム１９が支軸１８回りで揺動すると、浮上ヘッドスライダ２２は磁気ディスク１４の半径線に沿って移動することができる。その結果、浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は最内周記録トラックと最外周記録トラックとの間でデータゾーンを横切ることができる。こうして浮上ヘッドスライダ２２上の電磁変換素子は目標の記録トラック上に位置決めされる。
【００１６】
図２は一具体例に係る浮上ヘッドスライダ２２を示す。この浮上ヘッドスライダ２２は、例えば平たい直方体に形成される基材すなわちスライダ本体２５を備える。スライダ本体２５の空気流出側端面には絶縁性の非磁性膜すなわち素子内蔵膜２６が積層される。この素子内蔵膜２６に電磁変換素子２７が組み込まれる。電磁変換素子２７の詳細は後述される。
【００１７】
スライダ本体２５は例えばＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ（アルチック）といった硬質の非磁性材料から形成される。素子内蔵膜２６は例えばＡｌ２Ｏ３（アルミナ）といった比較的に軟質の絶縁非磁性材料から形成される。スライダ本体２５は媒体対向面２８で磁気ディスク１４に向き合う。媒体対向面２８には平坦なベース面２９すなわち基準面が規定される。磁気ディスク１４が回転すると、スライダ本体２５の前端から後端に向かって媒体対向面２８には気流３１が作用する。
【００１８】
媒体対向面２８には、前述の気流３１の上流側すなわち空気流入側でベース面２９から立ち上がる１筋のフロントレール３２が形成される。フロントレール３２はベース面２９の空気流入端に沿ってスライダ幅方向に延びる。同様に、媒体対向面２８には、気流３１の下流側すなわち空気流出側でベース面２９から立ち上がるリアセンターレール３３が形成される。リアセンターレール３３はスライダ幅方向の中央位置に配置される。リアセンターレール３３は素子内蔵膜２６に至る。媒体対向面２８には左右１対のリアサイドレール３４、３４がさらに形成される。リアサイドレール３４は空気流出側でスライダ本体２５の側端に沿ってベース面２９から立ち上がる。リアサイドレール３４、３４同士の間にリアセンターレール３３は配置される。
【００１９】
フロントレール３２、リアセンターレール３３およびリアサイドレール３４、３４の頂上面にはいわゆる空気軸受け面（ＡＢＳ）３５、３６、３７、３７が規定される。空気軸受け面３５、３６、３７の空気流入端は段差でフロントレール３２、リアセンターレール３３およびリアサイドレール３４の頂上面にそれぞれ接続される。気流３１が媒体対向面２８に受け止められると、段差の働きで空気軸受け面３５、３６、３７には比較的に大きな正圧すなわち浮力が生成される。しかも、フロントレール３２の後方すなわち背後には大きな負圧が生成される。これら浮力および負圧のバランスに基づき浮上ヘッドスライダ２２の浮上姿勢は確立される。なお、浮上ヘッドスライダ２２の形態はこういった形態に限られるものではない。
【００２０】
空気軸受け面３６の空気流出側でリアセンターレール３３には電磁変換素子２７が埋め込まれる。電磁変換素子２７は例えば読み出し素子と磁気記録ヘッドすなわち書き込み素子とを備える。読み出し素子にはトンネル接合磁気抵抗効果（ＴＭＲ）素子が用いられる。ＴＭＲ素子では磁気ディスク１４から作用する磁界の向きに応じてトンネル接合膜の抵抗変化が引き起こされる。こういった抵抗変化に基づき磁気ディスク１４から情報は読み出される。書き込み素子にはいわゆる単磁極ヘッドが用いられる。単磁極ヘッドは薄膜コイルパターンの働きで記録磁界を生成する。この記録磁界の働きで磁気ディスク１４に情報は書き込まれる。電磁変換素子２７は素子内蔵膜２６の表面に読み出し素子の読み出しギャップや書き込み素子の書き込みギャップを臨ませる。ただし、空気軸受け面３７の空気流出側で素子内蔵膜２６の表面には硬質の保護膜が形成されてもよい。こういった硬質の保護膜は素子内蔵膜２６の表面で露出する読み出しギャップや書き込みギャップを覆う。保護膜には例えばＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜が用いられればよい。
【００２１】
図３は本発明の第１実施形態に係る電磁変換素子２７の構造を概略的に示す。読み出し素子４２では、上下１対の導電層すなわち下側電極層４３および上側電極層４４にトンネル接合磁気抵抗効果膜４５が挟み込まれる。下側電極層４３および上側電極層４４は例えばＣｏＦｅ（コバルト鉄）やＦｅＮ（窒化鉄）、ＮｉＦｅ（ニッケル鉄）といった高透磁率材料から構成されればよい。下側電極層４３や上側電極層４４の膜厚は例えば２．０μｍ〜３．０μｍに設定される。こうして下側電極層４３および上側電極層４４は下部シールド層および上部シールド層として機能することができる。その結果、下側電極層４３および上側電極層４４の間隔は磁気ディスク１４上で記録トラックの線方向に磁気記録の分解能を決定する。
【００２２】
書き込み素子４６すなわち単磁極ヘッドは、リアセンターレール３３の表面すなわち媒体対向面２８で露出する主磁極４７、下側リターンヨーク４８および上側リターンヨーク４９を備える。図４を併せて参照し、上側リターンヨーク４９の後端は主磁極４７に磁性連結片５１で接続される。磁性連結片５１周りで１対の磁気コイルすなわち薄膜コイルパターン５２、５３が形成される。こうして主磁極４７、下側リターンヨーク４８、上側リターンヨーク４９および磁性連結片５１は、薄膜コイルパターン５２、５３の中心位置を貫通する磁性コアを形成する。主磁極４７に向き合わせられる上側リターンヨーク４９の下端にはトレーリングシールド５４が区画される。主磁極４７には主磁極補助層５５が重ね合わせられる。主磁極４７、下側リターンヨーク４８、上側リターンヨーク４９、磁性連結片５１および主磁極補助層５５は例えばＣｏＦｅ（コバルト鉄）やＦｅＮ（窒化鉄）、ＮｉＦｅ（ニッケル鉄）といった磁性材料から形成される。薄膜コイルパターン５２、５３は例えばＣｕ（銅）といった導電材料から形成される。
【００２３】
図５に示されるように、主磁極４７は、媒体対向面２８に臨む先端面６１を規定する先端片６２を区画する。先端片６２の後端にはテーパ片６３が接続される。テーパ片６３は先端片６２に接続される前端に向かって先細る。テーパ片６３の後端には後端片６４が接続される。後端片６４は例えば平たい直方体の輪郭を規定する。図６を併せて参照し、主磁極４７は、例えばスライダ本体２５の空気流出側端面に平行に広がる第１仮想平面６５と、第１仮想平面６５に平行に広がる第２仮想平面６６の間で広がる。第１仮想平面６５は第２仮想平面６６よりもリーディング側に規定される。
【００２４】
先端片６２は、第１仮想平面６５内で媒体対向面２８に直交する１対の平行線に沿って第１稜線６７、６７を規定する。同様に、先端片６２は、第２仮想平面６６内で媒体対向面２８に直交する１対の平行線に沿って第２稜線６８、６８を規定する。第１稜線６７、６７同士の間隔は第２稜線６８、６８同士の間隔よりも小さく規定される。先端面６１は逆台形に規定される。
【００２５】
図７を併せて参照し、テーパ片６３は、先端片６２の第１稜線６７の延長線に所定の第１傾斜角α１で傾斜しつつ第１仮想平面６５内で延びる第３稜線７１を規定する。第３稜線７１の先端は第１稜線６７に接続される。こうして第３稜線７１、７１同士は後端片６４に向かうにつれて相互に遠ざかる。同様に、テーパ片６３は、先端片６２の第２稜線６８の延長線に所定の第２傾斜角α２で傾斜しつつ第２仮想平面６６内で延びる第４稜線７２を規定する。第２傾斜角α２は第１傾斜角α１より大きく設定される。こうして第４稜線７２、７２同士は後端片６４に向かうにつれて相互に遠ざかる。
【００２６】
以上のような書き込み素子４６によれば、主磁極４７のテーパ片６３では、第３稜線７１の第１傾斜角α１は第４稜線７２の第２傾斜角α２よりも小さく設定される。トレーリング側の第４稜線７２、７２同士はリーディング側の第３稜線７１、７１同士よりも大きく広がる。後述の検証によれば、第３稜線７１の第１傾斜角α１がこれまでより小さく設定されれば、イレーズ磁界は減少する。同時に、第４稜線７２の第２傾斜角α２がこれまでより大きく設定されれば、記録磁界は増大することができる。こうした書き込み素子４６は記録密度の向上に大いに貢献することができる。
【００２７】
次に読み出し素子４２および書き込み素子４６の製造方法を簡単に説明する。まず、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ基板は用意される。Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ基板の表面にはＡｌ２Ｏ３膜が形成される。Ａｌ２Ｏ３膜上では個々の浮上ヘッドスライダ２２ごとに読み出し素子４２が形成される。読み出し素子４２は周知のとおりに形成されればよい。読み出し素子４２上には下側リターンヨーク４８、薄膜コイルパターン５３および主磁極補助層５５が形成される。
【００２８】
その後、図８に示されるように、Ａｌ２Ｏ３膜８１上にめっきベース８２が形成される。めっきベース８２は例えばＲｕ（ルテニウム）やＴａ（タンタル）が用いられる。めっきベース８２上にはフォトレジスト膜８３が形成される。フォトレジスト膜８３には所定のパターンで１回目の露光が実施される。露光にあたって電子線が照射される。電子線の照射領域はめっきベース８２まで到達する。その結果、図９に示されるように、フォトレジスト膜８３には露光領域８４および未露光領域８５が規定される。露光領域８４は主磁極４７の輪郭に近い輪郭を象る。
【００２９】
その後、未露光領域８５には２回目の露光が実施される。図１０に示されるように、テーパ片６３を象る露光領域８４の稜線８６、８６に沿って未露光領域８５に電子線が照射される。図１１を併せて参照し、未露光領域８５では表面に近接する領域が露光される。こうして露光領域８４に隣接する露光領域８７が形成される。ここで、未露光領域８５の稜線８８の先端は露光領域８４の稜線８６の先端に接続される。稜線８６および稜線８８は先端から後端に向かうにつれて遠ざかる。その後、フォトレジスト膜８３には現像が実施される。その結果、図１２に示されるように、露光領域８４、８７でフォトレジスト膜８３は取り除かれる。フォトレジスト膜８３には空隙８９が形成される。
【００３０】
その後、フォトレジスト膜８３には例えば１５０℃の温度で加熱処理が実施される。フォトレジスト膜８３では露光領域８４および露光領域８７の間に規定される段差は消失する。その結果、図１３に示されるように、空隙８９は主磁極４７の輪郭を象る。その後、空隙８９内でめっき処理が実施される。図１４に示されるように、空隙８９内に磁性材料９１が充填される。充填後、図１５に示されるように、フォトレジスト膜８３は除去される。図１６に示されるように、めっきベース８２上には磁性材料９１に覆い被さるＡｌ２Ｏ３膜９２が形成される。Ａｌ２Ｏ３膜９２の表面は平坦化研磨処理される。化学機械研磨（ＣＭＰ）が用いられる。図１７に示されるように、Ａｌ２Ｏ３膜９２および磁性材料９１の表面は平坦化される。こうして主磁極４７は形成される。
【００３１】
その後、主磁極４７上には磁性連結片５１、薄膜コイルパターン５２および上側リターンヨーク４９が形成される。こうして書き込み素子４６が形成される。読み出し素子４２や書き込み素子４６の形成後、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ基板の表面にはＡｌ２Ｏ３膜が形成される。これらのＡｌ２Ｏ３膜は素子内臓膜２６となる。その後、Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ基板から個々の浮上ヘッドスライダ２２は切り出される。
【００３２】
発明者はシミュレーションに基づき本発明の効果を検証した。検証にあたって具体例および比較例に係る各条件が設定された。具体例に係る書き込み素子４６では前述の主磁極４７が確立された。比較例に係る書き込み素子４６では第１傾斜角α１および第２傾斜角α２は同一の傾斜角α３に設定された。具体例に係る第１傾斜角α１は傾斜角α３より小さく設定された。具体例に係る第２傾斜角α２は傾斜角α３より大きく設定された。比較例では前端から後端まで先端片６２の長さごとに記録磁界およびイレーズ磁界が算出された。具体例では先端片６２の長さは所定の大きさに設定された。その結果、図１８に示されるように、比較例と同一の記録磁界の確立にあたって具体例ではイレーズ磁界は減少することが確認された。
【００３３】
図１９は本発明の第２実施形態に係る電磁変換素子２７ａの構造を概略的に示す。この電磁変換素子２７ａは、主磁極４７の先端片６２を挟み込む１対のサイドシールド９５、９５を備える。サイドシールド９５は前述の第１仮想平面６５に沿って広がる。サイドシールド９５は媒体対向面２８に臨む。図２０を併せて参照し、各サイドシールド９５は所定の距離Ｄで先端片６２から隔てられる。サイドシールド９５は例えばＣｏＦｅ（コバルト鉄）やＦｅＮ（窒化鉄）、ＮｉＦｅ（ニッケル鉄）といった磁性材料から形成される。その他、前述と均等な構成や構造には同一の参照符号が付される。こうした電磁変換素子２７ａでは、イレーズ磁界は減少すると同時に、記録磁界は増大することができる。
【００３４】
発明者はシミュレーションに基づき本発明の効果を検証した。検証にあたって具体例および比較例の各条件が設定された。具体例に係る書き込み素子４６では前述の主磁極４７およびサイドシールド９５が確立された。比較例に係る書き込み素子４６では第１傾斜角α１および第２傾斜角α２は同一の傾斜角α３に設定された。書き込み素子４６にはサイドシールド９５が組み込まれた。具体例に係る第１傾斜角α１は傾斜角α３より小さく設定された。具体例に係る第２傾斜角α２は傾斜角α３より大きく設定された。比較例では先端片６２およびサイドシールド９５の間の距離Ｄごとに記録磁界およびイレーズ磁界が算出された。具体例では距離Ｄは１２４ｎｍに設定された。
【００３５】
その結果、図２１に示されるように、比較例では距離Ｄの増大に伴って記録磁界およびイレーズ磁界ともに増大することが確認された。その一方で、具体例では、比較例と同一の距離Ｄすなわち１２４ｎｍで記録磁界は増大することが確認された。具体例と同一の記録磁界の実現にあたって比較例では距離Ｄは例えば１６７ｎｍ程度に設定されなければならなかった。このときのイレーズ磁界は具体例に係るイレーズ磁界よりも増大してしまう。したがって、本発明に係る具体例では、比較例に比べて、イレーズ磁界が減少すると同時に、記録磁界は増大することができる。
【００３６】
以上のような電磁変換素子２７、２７ａでは、図２２に示されるように、主磁極４７の厚みは部分的に増大してもよい。主磁極４７では、例えばテーパ片６３の前端から後端に向かうにつれて厚みは増大する。後端片６４の厚みは一定に維持されることが望ましい。こうした書き込み素子４６によれば、前述と同様の作用効果が実現される。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明に係る記憶装置の一具体例すなわちハードディスク駆動装置（ＨＤＤ）の内部構造を概略的に示す平面図である。
【図２】一具体例に係る浮上ヘッドスライダを概略的に示す拡大斜視図である。
【図３】媒体対向面から観察される本発明の第１実施形態に係る電磁変換素子を概略的に示す電磁変換素子の正面図である。
【図４】図３の４−４線に沿った断面図である。
【図５】主磁極の構造を概略的に示す斜視図である。
【図６】媒体対向面から観察される主磁極を概略的に示す正面図である。
【図７】主磁極の構造を概略的に示す背面図である。
【図８】Ａｌ２Ｏ３膜の表面にめっきベースおよびフォトレジスト膜を形成する工程を概略的に示す断面図である。
【図９】フォトレジスト膜を露光する工程を概略的に示す斜視図である。
【図１０】フォトレジスト膜を露光する工程を概略的に示す斜視図である。
【図１１】図１０の１１−１１線に沿った断面図である。
【図１２】フォトレジスト膜に空隙が形成される工程を概略的に示す断面図である。
【図１３】フォトレジスト膜に加熱処理を施す工程を概略的に示す断面図である。
【図１４】空隙に磁性材料が充填される工程を概略的に示す断面図である。
【図１５】フォトレジスト膜が取り除かれる工程を概略的に示す断面図である。
【図１６】めっきベースの表面にＡｌ２Ｏ３膜を形成する工程を概略的に示す断面図である。
【図１７】Ａｌ２Ｏ３膜および磁性材料の表面に平坦化処理を実施する工程を概略的に示す断面図である。
【図１８】先端片の長さに応じたイレーズ磁界および記録磁界を示すグラフである。
【図１９】媒体対向面から観察される本発明の第２実施形態に係る電磁変換素子を概略的に示す電磁変換素子の正面図である。
【図２０】図１９の２０−２０線に沿った断面図である。
【図２１】先端片およびサイドシールドの距離に応じたイレーズ磁界および記録磁界を示すグラフである。
【図２２】他の具体例に係る電磁変換素子の構造を概略的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１１  記憶装置、１４  記憶媒体（磁気ディスク）、２８  媒体対向面、４６  磁気記録ヘッド（書き込み素子）、４７  主磁極、６２  先端片、６３  テーパ片、６５  第１仮想平面、６６  第２仮想平面、６７  第１稜線、６８  第２稜線、７１  第３稜線、７２  第４稜線、α１  第１傾斜角、α２  第２傾斜角。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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