(57)【要約】【課題】レーザー加工の際のスミアの飛散、付着を防止する配線基板の製法の提供。【解決手段】絶縁基板表面に、エーテル結合とベンゼン核を有するビニル化合物Ａ、ゴムおよび／または熱可塑性エラストマーＢを含有する樹脂組成物のフィルムと、ポリイミドフィルムとの積層フィルムをマスクフィルムとして設置し、レーザー光で配線パターンを作製し、絶縁基板表面に配線層を形成した後、加熱によりマスクフィルムを剥離除去し、配線パターンに金属配線を形成する配線基板の製法、配線基板、半導体装置。【選択図】図２
2010212291.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板表面にマスクフィルムを設置し、レーザー光を照射して配線パターンを作製し、前記絶縁基板表面に配線層を形成した後、加熱により前記マスクフィルムを前記絶縁基板表面から剥離除去し、前記配線パターンに配線を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記マスクフィルムが、下記式（１）で示されるビニル化合物（Ａ）ならびにゴムおよび／または熱可塑性エラストマーを含有する樹脂組成物のフィルムおよびポリイミドフィルムからなる積層フィルムであり、前記樹脂組成物のフィルムが基板表面に接する請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【化１】
2010212291.tif 000009
［式（１）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基またはフェニル基を表し、複数のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は同一であっても異なっていてもよい。
−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−は下記式（２）で表される構造であり、−（Ｙ−Ｏ）−は下記式（３）で表される繰返し単位であり、Ｚは酸素原子、窒素原子、イオウ原子、ハロゲン原子を含んでいてもよい炭素原子数１〜３の有機基を表す。
ａおよびｂは少なくとも一方が０でない０〜３００の整数を表し、ｃおよびｄはそれぞれ独立に０または１の整数を表す。］
【化２】
2010212291.tif 000010
［式（２）中、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ14およびＲ15はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素原子数６以下のアルキル基またはフェニル基を表し、Ｒ11、Ｒ12およびＲ13はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数６以下のアルキル基またはフェニル基を表す。
式（３）中、Ｒ16およびＲ17はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素原子数６以下のアルキル基またはフェニル基を表し、Ｒ18およびＲ19はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数６以下のアルキル基またはフェニル基を表す。］
【請求項３】
前記（Ａ）成分の−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−が下記式（４）で表される構造であり、前記−（Ｙ−Ｏ）−が下記式（５）または（６）で表される繰返し単位である請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【化３】
2010212291.tif 000011
【請求項４】
前記（Ａ）成分の−（Ｙ−Ｏ）−が前記式（６）で表される繰返し単位である請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記（Ｂ）成分が熱可塑性エラストマーである請求項２〜４のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分との質量割合が４０：６０〜６０：４０である請求項２〜５のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記加熱が温度２００〜３００℃である請求項１〜６のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記配線パターンの作製がＹＡＧレーザー光の照射による請求項１〜７のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記配線層の形成がスパッタ法、真空蒸着法またはメッキによる請求項１〜８のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載の配線基板の製造方法により製造したことを特徴とする配線基板。
【請求項１１】
請求項１０に記載の配線基板を用いたことを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
前記式（１）で示されるビニル化合物（Ａ）ならびにゴムおよび／または熱可塑性エラストマーを含有する樹脂組成物のフィルムおよびポリイミドフィルムからなるマスクフィルム用積層フィルム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線パターンをレーザー加工により作製して得た配線基板の製造方法、得られた配線基板およびそれを用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置用配線基板は、通常、絶縁基板表面を熱酸化したり、ＣＶＤ法やスパッタ法によって酸化膜、窒化膜などの薄膜を形成し、スピンコーターなどを用いて感光材（レジスト材）を塗布し、ステッパ装置で露光し、現像し、エッチング後、感光材をプラズマアッシャー、オゾンアッシャー、ウエットステーションなどを用いて剥離して製造されている。従来の製造方法は工程数が多く、そのため配線基板の歩留まりが低く、かつ装置費（設備費）が大規模になるという課題があった。
これに対し、レーザー光照射により絶縁基板表面に配線パターンを作製する方法は、工程数が減るため配線基板の歩留まりが上がり、装置費の大幅軽減が期待できる。
【０００３】
しかし、レーザー加工法は、絶縁基板表面にレーザー光を照射し熱で絶縁基板の表面を溶融飛散させる工程を必須とするため、照射面に絶縁基板の一部が飛散し付着し、付着物の除去が非常に困難であり、配線基板の歩留まりが著しく低い。該飛散、付着を防止するために、絶縁基板表面に水溶性樹脂を塗布しマスクフィルムを製膜する方法や、水溶性樹脂のマスクフィルムを接着する方法が提案されている。
【０００４】
例えば、シリコンウエハ表面に水溶性樹脂であるポリメチルメタクリレートの溶液をスピンコート法で塗布し、焼成（硬化）を行い被膜を製膜し、これをＹＡＧレーザー加工した後、得られた配線パターン付き基板に溶媒中で超音波を付与して被膜を溶解除去し、水洗し乾燥して配線基板を製造する方法が提案されている（特許文献１）。
【０００５】
また、シリコンウエハ表面に水溶性接着剤を介してアルミ箔などの保護シートを装着し、これをＹＡＧレーザー加工した後、得られた配線パターン付き基板に水を供給して保護シートを接着剤とともに溶解除去して配線基板を製造する方法が提案されている（特許文献２）。
【０００６】
また、シリコンウエハ表面に水溶性レーザー光吸収剤を含有する水溶性樹脂を塗布し乾燥して保護膜を製膜し、これをＹＡＧレーザー加工した後、保護膜を水洗除去して配線基板を製造する方法が提案されている（特許文献３）。
【０００７】
前記に加えて、水溶性樹脂、水溶性接着剤のマスクフィルムの代わりに、非水溶性の剥離可能なシートを用い、これを剥離除去する方法も提案されている。例えば、シリコンウエハ表面に、薄い剥離可能シートを貼り付け、レーザー光照射して配線パターンを作製した後、配線パターンに金属微粉を含有するエポキシ樹脂などのペースト状導電体を埋め込み、エポキシ樹脂を硬化後、剥離可能シートを剥離して配線基板を製造する方法が提案されている（特許文献４）。
【０００８】
しかし、水溶性樹脂、水溶性接着剤のマスクフィルムを溶媒により溶解除去する方法は、樹脂または接着剤やそれらの分解物等（スミア）による配線基板の汚染、溶媒の浄化または廃水処理の負担が大きいという問題がある。
一方、剥離可能シートを剥離する方法に適用できる剥離可能シートの内容および剥離手段・方法が、前記公報には具体的に記載されていない。
なお、本発明に使用される樹脂組成物を用いたフィルムが、配線基板上に実装される電子部品を封止するための封止用フィルムに使用されることが知られている。しかし、封止用フィルムであり配線基板から除去されることはなく、剥離性には言及されていない（特許文献５）。
要するに、絶縁基板表面に対する接着性、レーザー照射時の耐熱性、レーザー照射後の剥離性等の諸特性を同時に満足できるフィルム材料はこれまでに知られていない。無論、該フィルム材料を配線基板の製造に使用することも知られていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平５−３３００４６号公報
【特許文献２】特開２００５−３１３１８８号公報
【特許文献３】特開２００６−１４０３１１号公報
【特許文献４】特開２００６−６０１５０号公報
【特許文献５】特開２００８−２１８４９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、絶縁基板表面に対する接着性、レーザー照射時の耐熱性、レーザー照射後の絶縁基板表面からの加熱剥離性などの諸特性を同時に満足できるフィルム形成可能な樹脂組成物を見出し、この樹脂組成物を剥離可能なマスクフィルムの材料として用いて、スミアの飛散、付着を防止するレーザー加工法による配線基板の製造方法の具体的方法を提供することが目的である。また、本発明は、その方法により得られた配線基板およびそれを用いた半導体装置を提供することも目的である。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、下記の［１］〜［１２］に記載したとおりである。
［１］絶縁基板表面にマスクフィルムを設置し、レーザー光を照射して配線パターンを作製し、前記絶縁基板表面に配線層を形成した後、加熱により前記マスクフィルムを前記絶縁基板表面から剥離除去し、前記配線パターンに配線を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【００１２】
［２］前記マスクフィルムが、下記式（１）で示されるビニル化合物（Ａ）ならびにゴムおよび／または熱可塑性エラストマーを含有する樹脂組成物のフィルムおよびポリイミドフィルムからなる積層フィルムであり、前記樹脂組成物のフィルムが基板表面に接する前記〔１〕に記載の配線基板の製造方法。
【化１】
2010212291.tif 000003
【００１３】
［式（１）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基またはフェニル基を表し、複数のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は同一であっても異なっていてもよい。
−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−は下記式（２）で表される構造であり、−（Ｙ−Ｏ）−は下記式（３）で表される繰返し単位であり、Ｚは酸素原子、窒素原子、イオウ原子、ハロゲン原子を含んでいてもよい炭素原子数１〜３の有機基を表す。
ａおよびｂは少なくとも一方が０でない０〜３００の整数を表し、ｃおよびｄはそれぞれ独立に０または１の整数を表す。］
【化２】
2010212291.tif 000004
【００１４】
［式（２）中、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ14およびＲ15はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素原子数６以下のアルキル基またはフェニル基を表し、Ｒ11、Ｒ12およびＲ13はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数６以下のアルキル基またはフェニル基を表す。
式（３）中、Ｒ16およびＲ17はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素原子数６以下のアルキル基またはフェニル基を表し、Ｒ18およびＲ19はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数６以下のアルキル基またはフェニル基を表す。］
【００１５】
［３］前記（Ａ）成分の−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−が下記式（４）で表される構造であり、前記−（Ｙ−Ｏ）−が下記式（５）または（６）で表される繰返し単位である前記［２］に記載の配線基板の製造方法。
【化３】
2010212291.tif 000005
【００１６】
［４］前記（Ａ）成分の−（Ｙ−Ｏ）−が前記式（６）で表される繰返し単位である前記［３］に記載の配線基板の製造方法。
［５］前記（Ｂ）成分が熱可塑性エラストマーである前記［２］〜［４］のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
［６］前記（Ａ）成分と前記（Ｂ）成分との質量割合が４０：６０〜６０：４０である前記［２］〜［５］のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【００１７】
［７］前記加熱が温度２００〜３００℃である前記［１］〜［６］のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
［８］前記配線パターンの作製がＹＡＧレーザー光の照射による前記［１］〜［７］のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
［９］前記配線層の形成が金属のスパッタ法、真空蒸着法またはメッキによる前記［１］〜［８］のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
［１０］前記［１］〜［９］のいずれかに記載の配線基板の製造方法により製造したことを特徴とする配線基板。
［１１］前記［１０］に記載の配線基板を用いたことを特徴とする半導体装置。
［１２］前記式（１）で示されるビニル化合物（Ａ）ならびにゴムおよび／または熱可塑性エラストマーを含有する樹脂組成物のフィルムおよびポリイミドフィルムからなるマスクフィルム用積層フィルム。
【発明の効果】
【００１８】
本発明により、レーザー光照射により配線パターンを絶縁基板表面に作製する際に、積層マスクフィルムの一層を構成する樹脂組成物が適度に硬化し、耐熱性があり、炭化しないため、マスクフィルムが、レーザー加工の際に生じる絶縁基板のスミアの飛散、付着および汚染を防止し、加工精度を低下させることなく、設計とおりの配線パターンを作製することができる。また、何らの外力を加えることなく、加熱により樹脂組成物のフィルムが絶縁基板表面から極めて容易に界面剥離し、絶縁基板にスミアを残さないので、効率よく配線基板を製造することができる。
また、マスクフィルムを溶解除去するための有機溶剤や水を使用する必要がないので、溶剤処理、廃水処理が不要になる。
また、本発明により、加工精度が良い配線基板および小型、高性能の半導体装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の配線基板の製造方法の工程の一例を示す模式断面図である。
【図２】本発明の配線基板の実施例１の断面写真（倍率１５００倍）である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明は、シリコンウエハ等の絶縁基板表面に、特定成分を含有する樹脂組成物のフィルム（以後、組成物フィルムとも記す）とポリイミドフィルムとの積層フィルムからなるマスクフィルムを設置し、ステッパ装置を用いてレーザー光照射により配線パターンを作製し、さらに、スパッタリングなどにより配線層（金属膜）を形成し、マスクフィルムを加熱により剥離除去する配線基板の製造方法である。なお、前記積層フィルムは、組成物フィルムとポリイミドフィルムとを絶縁基板上で加熱接着して得られる積層フィルムも包含する。
本発明において、絶縁基板表面にマスクフィルムを設置する工程から配線層を形成するまでの工程は、絶縁基板に公知のレーザー加工を施して配線基板を製造する方法の工程を適用することができる。
本発明の配線基板の製造方法は、マスクフィルムが従来法の水溶性樹脂、接着剤のフィルムではなく、特定成分を含有する非水溶性樹脂組成物のフィルムとポリイミドフィルムとの積層フィルムからなり、加熱により剥離可能な積層フィルムをマスクフィルムとして用いる点に特徴がある。
【００２１】
樹脂組成物を構成するビニル化合物（Ａ）と、ゴムおよび／または熱可塑性エラストマー（Ｂ）について説明する。なお、ビニル化合物（Ａ）は特開２００４−５９６４４号公報に記載されたビニル化合物（Ａ）と同じである。
【００２２】
（ビニル化合物）
ビニル化合物（Ａ）は下記式（１）で示されるエーテル結合とベンゼン核を有するビニル化合物である。
【化４】
2010212291.tif 000006
【００２３】
［式（１）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数１〜６のハロゲン化アルキル基またはフェニル基を表し、複数のＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5、Ｒ6およびＲ7は同一であっても異なっていてもよい。
−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−は下記式（２）で表される構造であり、−（Ｙ−Ｏ）−は下記式（３）で表される繰返し単位であり、Ｚは酸素原子、窒素原子、イオウ原子、ハロゲン原子を含んでいてもよい炭素原子数１〜３の有機基を表す。
ａおよびｂは少なくとも一方が０でない０〜３００の整数を表し、ｃおよびｄはそれぞれ独立に０または１の整数を表す。］
【化５】
2010212291.tif 000007
【００２４】
［式（２）中、Ｒ8、Ｒ9、Ｒ10、Ｒ14およびＲ15はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素原子数６以下のアルキル基またはフェニル基を表し、Ｒ11、Ｒ12およびＲ13はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数６以下のアルキル基またはフェニル基を表す。
式（３）中、Ｒ16およびＲ17はそれぞれ独立にハロゲン原子、炭素原子数６以下のアルキル基またはフェニル基を表し、Ｒ18およびＲ19はそれぞれ独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数６以下のアルキル基またはフェニル基を表す。］
【００２５】
前記（Ａ）成分の−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−は下記式（４）で表される構造であり、前記−（Ｙ−Ｏ）−は下記式（５）または（６）で表される繰返し単位である。
【化６】
2010212291.tif 000008
【００２６】
前記（Ａ）成分の−（Ｙ−Ｏ）−は前記式（６）で表される繰返し単位である。
【００２７】
本発明に使用されるビニル化合物（Ａ）は数平均分子量が５００〜５０００であることが好ましく、１０００〜３０００であることがより好ましい。その理由は、ビニル化合物（Ａ）と成分（Ｂ）を含有する樹脂組成物の溶融粘度を低くすることができ、ビニル化合物（Ａ）同士の反応性が良好にできるからである。なお、数平均分子量はＧＰＣにより、標準ポリスチレンによる検量線を用いて求めた値である。
【００２８】
ビニル化合物（Ａ）は好ましくは、前記式（１）において、Ｒ1〜Ｒ7が水素であり、−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−が前記式（４）であり、−（Ｙ−Ｏ）−が前記式（６）であり、Ｚがメチレン基であり、ｃおよびｄが１である化合物で数平均分子量が１０００〜３０００のものである。
【００２９】
（ゴム、熱可塑性エラストマー）
本発明に使用される成分（Ｂ）のゴムおよび／または熱可塑性エラストマーは以下に示すとおりである。
ゴムとしてはスチレン−ブタジエンゴム（ＳＢＲ）、ブチルゴム（ＩＩＲ）、ブタジエンゴム（ＢＲ）、アクリルゴム（ＡＣＭ）、ニトリルゴム（ＮＢＲ）等が挙げられる。スチレン−ブタジエンゴムは（Ａ）成分との相溶性が良好で、得られる樹脂組成物からなるフィルムが絶縁基板との接着性が良好で、加熱剥離性に優れるので好ましい。
【００３０】
一方、熱可塑性エラストマーとして、具体的にはスチレン‐ジエン共重合体、スチレン‐ブタジエン‐スチレンブロック共重合体（ＳＢＳ）、水添スチレン‐ブタジエン‐スチレン共重合体（ＳＥＢＳ）、スチレン‐イソプレン‐スチレン共重合体（ＳＩＳ）、水添スチレン‐イソプレン‐スチレン共重合体（ＳＥＰＳ）、水添スチレン（ブタジエン／イソプレン）共重合体等のスチレン系熱可塑性エラストマー、オレフィン系熱可塑性エラストマー、ポリエステル系熱可塑性エラストマー等が挙げられる。
【００３１】
（Ｂ）成分としては、マスクフィルムの特性の点から熱可塑性エラストマーが好ましい。特に、マスクフィルムのシリコンウエハ等の絶縁基板に対する流動性、接着性の観点から、重量平均分子量は２０，０００〜２５０，０００のスチレン系熱可塑性エラストマーが好ましい。なお、重量平均分子量はＧＰＣにより、標準ポリスチレンによる検量線を用いて求めた値である。
【００３２】
また、本発明においては、このようなゴムおよび／または熱可塑性エラストマーは、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００３３】
（樹脂組成物）
本発明においては、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の質量割合は１０：９０〜９０：１０であるのが好ましく、得られるマスクフィルムの硬化物の特性の点から４０：６０〜６０：４０であるのがより好ましく、４５：５５〜５５：４５であるのがさらに好ましい。
【００３４】
本発明においては、（Ａ）成分および（Ｂ）成分を含有する樹脂組成物は、本発明の効果を損なわない範囲で、無機フィラー、粘着性付与剤、消泡剤、流動調整剤、製膜補助剤、分散助剤、難燃化剤等の公知の添加剤を含有していてもよい。特に、樹脂組成物からなるマスクフィルムの加熱による溶融剥離温度を低温化するために、樹脂組成物に溶融温度を低下させる成分を添加したり、ビニル化合物（Ａ）や成分（Ｂ）の溶融温度を低下させるための変性をすることが好ましい。
【００３５】
本発明において、樹脂組成物は加熱により硬化するので、硬化触媒、硬化促進剤を必ずしも含有させなくてよい。
【００３６】
本発明に使用される樹脂組成物は、公知の方法により製造することができる。例えば、溶媒の存在下または非存在下で、（Ａ）成分および（Ｂ）ならびに所望により含有してもよい各種添加剤の各々を混合する方法により製造することができる。
【００３７】
（樹脂組成物のフィルム）
本発明のマスクフィルムを製造するには、まず樹脂組成物のフィルム化を行う。例えば、樹脂組成物を有機溶剤に溶解または分散させてワニスとした後に、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどの基材フィルムに塗布し、乾燥させて製膜し、基材フィルムから剥離する方法等が挙げられる。本発明が適用される基材フィルムは特に限定されない。基材フィルムの厚さは１〜５０μｍであるのが好ましく、５〜４０μｍであるのがより好ましく、１０〜３０μｍであるのがさらに好ましい。
【００３８】
ワニスを基材フィルムに塗布する方法は特に限定されないが、薄膜化、膜厚制御の観点からグラビア法、スロットダイ法、ドクターコ一タ一方式等が挙げられ、所望のフィルムの厚み等に応じて適宜選択されるが、特にグラビア法がフィルムの厚みを薄く設計しうることから好ましい。
【００３９】
ワニス用有機溶剤としては、例えば、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素系溶剤；メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン系溶剤；ジオクチルフタレート、ジブチルフタレートなどの高沸点溶媒等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
有機溶剤の使用量は特に限定されないが、固形分濃度が２０〜９０質量％となるように使用するのが好ましく、２０〜５０質量％となるように使用するのがより好ましい。
作業性の観点から、ワニスは１００〜６００ｍＰａ・ｓの粘度であるのが好ましい。
ここで、粘度はＥ型粘度計を用いて、回転数６０ｒｐｍ、２５℃で測定した値とする。
【００４０】
ワニスを塗布した後の乾燥条件は、ワニスに使用される有機溶剤の種類や量、塗布の厚み等に応じて適宜設定することができ、一般に、大気圧下、６０〜１２０℃で、１〜３０ｍｉｎ程度行うことが好ましく、防爆機能を有する乾燥機を使用することが安全上の観点から好ましい。また、乾燥は大気中または窒素雰囲気中にて行うことができる。
【００４１】
基材フィルム上の組成物フィルムの厚さは０．５〜３０μｍであるのが好ましく、１〜２０μｍであるのがより好ましく、２〜１５μｍであるのがさらに好ましい。組成物フィルムの厚さが前記範囲にあれば、マスクフィルムとして十分なフィルム強度を維持し、加熱真空プレス、レーザー光照射および加熱剥離に際しても、炭化せず、溶融するまで変形せず、亀裂、皺等の発生もない。
【００４２】
（配線パターンの作製）
絶縁基板表面上にマスクフィルムを接着する方法は従来公知の方法による。例えば、シリコンウエハ表面に、組成物フィルムとポリイミドフィルムからなる積層フィルムの組成物フィルムが接するように置くか、または、シリコンウエハ表面に、組成物フィルムを置き、その上に、ポリイミドフィルムを載せ、真空下、１５０〜２５０℃、好ましくは１８０〜２００℃に加熱し、圧力０．５〜１０Ｍｐａで１０〜１２０ｍｉｎ、好ましくは３０〜６０ｍｉｎプレスする方法が挙げられる。この際、マスクフィルムの一層を構成するビニル化合物（Ａ）、ゴムおよび／または熱可塑性エラストマーを含有する樹脂組成物が硬化する。樹脂組成物の硬化度が高いほど、耐熱性が上がり、炭化することもなく、かつ、後工程の加熱剥離の際にスミアを残さず、剥離が円滑に進行するので、硬化度は高いほど好ましい。
【００４３】
組成物フィルムおよび基材フィルムからなる積層フィルムの組成物フィルムを接着した絶縁基板表面への配線パターンの作製は、従来公知のレーザー加工方法、条件により実施される。ＹＡＧレーザーが好ましいが、エキシマレーザーも使用できる。
【００４４】
（配線層の形成）
配線パターンが形成された絶縁基板表面に、従来公知のスパッタ法、真空蒸着法、メッキ等の方法により公知の条件で金属の薄膜を製膜し、被覆し、配線層を形成する。好ましい方法はスパッタ法である。配線層の厚さは５μｍ未満であり、１〜３μｍであるのが好ましい。
【００４５】
（マスクフィルムの剥離）
配線層が形成された絶縁基板表面を加熱するとマスクフィルムが絶縁基板表面から外力を加えずとも自然に界面剥離を開始し、一挙に剥離が完了する。マスクフィルムとともにマスクフィルムを被覆している金属膜も勿論一挙に剥離除去される。加熱条件はマスクフィルムを構成する樹脂組成物の成分（Ａ）および（Ｂ）の種類や組成比、樹脂組成物の硬化度、マスクフィルムの厚さ等により変わるので一様ではないが、加熱温度は１５０〜４００℃、好ましくは２００〜３００℃であり、加熱時間は１００〜５００ｈｒ、好ましくは２００〜３００ｈｒである。マスクフィルムの一層を構成する材料である樹脂組成物に、溶融温度を低下させる成分を含有したり、ビニル化合物（Ａ）や成分（Ｂ）の溶融温度を低下させる変性をした場合には、剥離のための加熱温度、時間を低減できることは言うまでもない。
加熱は大気中で実施することができる。
加熱手段は特に限定されないが、加熱オーブンが好ましい。
加熱により剥離する理由は不明であるが、組成物フィルムの加熱による凝集と推定される。
【００４６】
マスクフィルムを剥離除去して得た配線基板は、必要ならば洗浄して、製品としての配線基板になる。配線基板にはスミアが存在しないので、配線基板の性能は実用化可能な水準にある。
【００４７】
（半導体装置）
本発明の配線基板を用いた半導体装置は従来公知の方法により製造することができる。例えば、本発明の配線基板を、有機配線板または無機配線板にＳｎ/Ｐｂ、Ａｕ/Ｓｉなどでダイボンティングし、配線基板の金属配線と配線板上のパターンをＡｕまたはＡｌのワイヤで接合する。その後、封止剤により絶縁し本発明の半導体装置を製造する。もちろん、この方法に限定される訳ではなく、フリップチップにより接合する半導体装置も製造可能である。本発明の半導体装置は従来法による半導体装置と何ら変わるところがない性能を有しており、各種製品に使用することができる。
【実施例】
【００４８】
（実施例１）
（樹脂組成物）
2,2’,3,3’,5,5’−ヘキサメチルビフェニル−4,4’−ジオール−2,6−ジメチルフェノールとクロロメチルスチレンとの反応で得られる、前記式（１）において、Ｒ1〜Ｒ7が水素であり、−（Ｏ−Ｘ−Ｏ）−が構造式（４）であり、−（Ｙ−Ｏ）−が構造式（６）であり、Ｚがメチレン基であり、ｃおよびｄが１である化合物（Ａ１）（数平均分子量２２００；「 ＯＰＥ‐２Ｓｔ−２２００」；三菱ガス化学株式会社製）１５質量部と、スチレン−ブタジエン−スチレンブロック共重合体ＳＢＳ（重量平均分子量１００，０００；「ＴＲ２００３」；ＪＳＲ株式会社製）１５質量部を溶剤ＭＥＫ７０質量部に入れ、７０℃で８ｈｒ攪拌混合してワニス（固形分濃度３０質量％、粘度２５０ｍＰａ・s）を調製した。
【００４９】
（樹脂組成物のフィルム）
前記ワニスを、膜厚７５μｍのＰＥＴフィルム（「ＰＥＴ７５ＧＳ」；リンテック株式会社製）に、グラビアロール機（ナミックス株式会社製）を用いて、塗布膜厚３０μｍになるように均一に塗布した。グラビアロール機と一体化している熱風乾燥機で、ワニスを蒸発させ残留ＭＥＫが０．１％以下、膜厚９μｍの組成物フィルム２を得た。
【００５０】
図１に基いて、配線基板を製造する方法を説明する。
（積層体）
シリコンウエハ１（板厚６００μｍ）表面全体を覆うように、ＰＥＴフィルムから剥離した前記組成物フィルム２を載せ、その上にポリイミドフィルム３（膜厚２５μｍ；「カプトン１００Ｈ」；東レ株式会社製）を載せ、２００℃、６０ｍｉｎ、圧力１Ｍｐａ、真空度１０ｋＰａ未満の条件で真空加熱プレスし、２５０℃で２４ｈｒ加熱（硬化）を行い、組成物フィルム２およびポリイミドフィルム３との積層フィルムを作製するとともに、積層フィルムがシリコンウエハ１に接着した積層体４を製造した。（図１−Ａ）
【００５１】
（配線パターン）
ＹＡＧレーザー加工機（「ＭＬ６０５ＧＴＸ」；三菱電機株式会社製）を用いて、レーザー光の周波数１００Ｈｚ、パルス幅１０μｍ、パルスエネルギー０．３ｍＪの条件で、アルゴンガスを積層体４に吹き付け、ステッパ装置を用いて、１ブロック配線数１００本の設計通りの配線パターン５（パターン厚１〜３μｍ、パターン幅６０μｍ、パターン長さ２０ｍｍ）をパターン間隔４０μｍで得た。（図１−Ｂ）
【００５２】
（配線基板）
配線パターン５が形成された積層体４にスパッタ装置を用いて、金板をターゲットとして真空雰囲気下でスパッタリングし、金膜６（膜厚３μｍ）を製膜し、積層体４表面を被覆した。（図１−Ｃ）
【００５３】
金膜６で被覆された積層体４を加熱オーブンに入れ、大気雰囲気下、２５０℃に加熱した。２５０℃で２００ｈｒ経過しても変化が見られなかったが、３００ｈｒ経過すると、積層体４の形状が維持されたまま組成物フィルム２がシリコンウエハ１表面からポリイミドフィルム３および金膜６とともに、一挙に剥離した。（図１−Ｄ）
【００５４】
冷却後の配線基板は、配線１００本のうち、スミアがある配線は０本であった。
配線基板８の断面を顕微鏡で１５００倍に拡大した写真に見られるように、配線パターン５に金配線７が奇麗に形成された配線基板８が得られた。（図２）
【００５５】
（実施例２）
実施例１において、樹脂組成物を構成するビニル化合物を数平均分子量が２２００のもの（Ａ−1）から、数平均分子量が１２００のもの（Ａ−２）に変更する以外は、実施例１と同様な方法と条件で、配線基板を製造した。
配線基板８を顕微鏡で１５００倍に拡大しても、シリコンウエハによるスミアも、組成物フィルムおよびポリイミドフィルムのスミアも認められなかった。
【００５６】
（実施例３）
実施例１において、組成物フィルム２の膜厚９μｍを１８μｍに変更して製膜し、マスクフィルムの膜厚を４３μｍにする以外は実施例１と同様な方法で配線基板を製造した。  配線基板を顕微鏡で１５００倍に拡大しても、シリコンウエハによるスミアも、組成物フィルムおよびポリイミドフィルムのスミアも認められなかった。
【符号の説明】
【００５７】
１        シリコンウエハ
２        樹脂組成物フィルム
３        ポリイミドフィルム
４        積層体
５        配線パターン
６        金膜
７        金線
８        配線基板
【図１】
2010212291.tif 000012
【図２】
2010212291.tif 000013