(57)【要約】      （修正有）【課題】さらなる開口率の向上を図ったＩＰＳ型液晶表示装置の提供。【解決手段】第１基板ＳＵＢ１には、容量信号線ＣＬと、第１絶縁膜ＧＩと、容量電極ＣＰＴと、第２絶縁膜ＰＡＳと、画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴとが積層されて形成され、複数の並設された線状電極ＰＸｌと、前記線状電極ＰＸｌのそれぞれの一端側を共通に接続させた共通接続部ＰＸｃとを備え、対向電極ＣＴは、線状電極ＰＸｌの両脇に配置される複数の並設された線状電極ＣＴｌを備え、第２基板ＳＵＢ２には、第１遮光膜ＢＭ１が第１ゲート信号線ＧＬ（ＧＬ１）と、容量信号線ＣＬと、容量電極ＣＰＴと、画素電極ＰＸの共通接続部ＰＸｃとを被って形成され、平面的に観た場合、共通接続部ＰＸｃ、容量電極ＣＰＴ、および第１遮光膜ＢＭ１のそれぞれの画素領域の中央側の辺が、この順番で、容量信号線ＣＬの画素領域の中央側の辺よりも、画素領域の中央側へ多くはみ出して形成される。【選択図】図１
2010175790.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、
前記第１基板の液晶側の面に、第１方向に延在し第２方向に並設されるゲート信号線と、前記第２方向に延在し前記第１方向に並設されるドレイン信号線とを備え、
一対の隣接するゲート信号線と一対の隣接するドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域としたとき、
前記画素領域に、前記一対のゲート信号線のうち一方のゲート信号線である第１ゲート信号線に接続されるゲート電極を備える薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのドレイン電極およびソース電極を通して前記一対のドレイン信号線のうち一方のドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、前記画素電極と同層に形成され前記画素電極との間に前記液晶の分子を駆動させる電界を生じさせる対向電極と、
前記第１ゲート信号線に隣接し前記第１ゲート信号線の伸長方向に沿って形成される容量信号線と、第１絶縁膜と、前記容量信号線と前記第１絶縁膜を介して重畳され前記画素電極と電気的に接続される容量電極とで容量を構成する容量素子と、
を備える液晶表示装置であって、
前記第１基板には、前記第１基板側から、少なくとも、前記容量信号線と、前記第１絶縁膜と、前記容量電極と、第２絶縁膜と、互いに同層に形成された前記画素電極および前記対向電極とが積層されて形成され、
前記画素領域のそれぞれにおいて、前記画素電極は、前記ドレイン信号線の伸長方向に延在する複数の並設された線状電極と、前記線状電極のそれぞれの一端側を共通に接続させた共通接続部とを備え、
前記画素領域のそれぞれにおいて、前記対向電極は、少なくとも、前記画素電極の線状電極のそれぞれを間に挟んで前記画素電極の線状電極の両脇に配置される複数の並設された線状電極を備え、
前記画素領域のそれぞれにおいて、前記対向電極の複数の線状電極は、前記ドレイン信号線に隣接する２本の第１線状電極と、前記２本の第１線状電極の間に配置された少なくとも１本の第２線状電極とを有し、
前記第２基板の液晶側の面に、第１遮光膜が、平面的に観て、少なくとも、前記第１ゲート信号線と、前記容量信号線と、前記容量電極と、前記画素電極の前記共通接続部とを被って形成され、
平面的に観た場合、前記画素電極の前記共通接続部、前記容量電極、および前記第１遮光膜のそれぞれの前記画素領域の中央側の辺が、この順番で、前記容量信号線の前記画素領域の中央側の辺よりも、前記画素領域の中央側へ多くはみ出して形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
平面的に観た場合、前記第１遮光膜の前記画素領域の中央側の辺は、前記容量電極の前記画素領域の中央側の辺と、前記対向電極の前記第２線状電極の前記容量電極側の端部との間に位置づけられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記一対のゲート信号線のうち他方のゲート信号線を第２ゲート信号線としたとき、
前記第２基板の液晶側の面に、第２遮光膜が、平面的に観て、少なくとも、前記第２ゲート信号線を被って形成され、
前記液晶表示装置はマルチドメイン方式の画素を有し、
前記マルチドメイン方式の画素は、前記画素領域のうち、前記第１遮光膜と、前記第２遮光膜との間の領域において、
前記ドレイン信号線の延在方向に沿って区分された第１ドメインと第２ドメインからなる複数のドメインを備えていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記画素電極および前記対向電極のそれぞれの線状電極は、前記第１ドメインと前記第２ドメインとの境界において屈曲され、前記第１ドメインにおける伸長方向と前記第２ドメインにおける伸長方向とが異なっていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
平面的に観た場合、前記第１遮光膜は、その前記画素領域の中央側の辺が、前記対向電極の前記第２線状電極の前記容量電極側の端部に重畳されて形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記一対のゲート信号線のうち他方のゲート信号線を第２ゲート信号線としたとき、
前記第２基板の液晶側の面に、第２遮光膜が、平面的に観て、少なくとも、前記第２ゲート信号線を被って形成され、
前記液晶表示装置はマルチドメイン方式の画素を有し、
前記マルチドメイン方式の画素は、前記画素領域のうち、前記第１遮光膜と前記第２遮光膜との間の領域において、
前記ドレイン信号線の延在方向に沿って区分された第１ドメインと第２ドメインからなる複数のドメインを備え、
前記第１ドメインにおける前記ゲート信号線と直交する方向の寸法と前記第２ドメインにおける前記ゲート信号線と直交する方向の寸法との差が５μｍ以下の範囲内にあることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
平面的に観た場合、前記対向電極の複数の線状電極のうち前記ドレイン信号線と隣接する前記第１線状電極は、それぞれ、前記ドレイン信号線を跨ぎ、前記ドレイン信号線を境にして隣接する他の画素領域の対向電極の前記ドレイン信号線に隣接する第１線状電極と共通に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
平面的に観た場合、前記容量信号線は、前記ドレイン信号線に隣接し前記ドレイン信号線の延在方向に延在された線状の突出部を備えるパターンで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、
前記第１基板の液晶側の面に、第１方向に延在し第２方向に並設されるゲート信号線と、前記第２方向に延在し前記第１方向に並設されるドレイン信号線とを備え、
一対の隣接するゲート信号線と一対の隣接するドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とするとともに、緑色担当の画素領域を含み前記ゲート信号線の延在方向に隣接して並設された複数の画素領域をカラー表示用の単位画素としたとき、
前記画素領域に、前記一対のゲート信号線のうち一方のゲート信号線である第１ゲート信号線に接続されるゲート電極を備える薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのドレイン電極およびソース電極を通して前記一対のドレイン信号線のうち一方のドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、前記画素電極と同層に形成され前記画素電極との間に前記液晶の分子を駆動させる電界を生じさせる対向電極と、
前記第１ゲート信号線に隣接し前記第１ゲート信号線の伸長方向に沿って形成される容量信号線と、第１絶縁膜と、前記容量信号線と前記第１絶縁膜を介して重畳され前記画素電極と電気的に接続される容量電極とで容量を構成する容量素子と、
を備える液晶表示装置であって、
前記第１基板には、前記第１基板側から、少なくとも、前記容量信号線と、前記第１絶縁膜と、前記容量電極と、第２絶縁膜と、互いに同層に形成された前記画素電極および前記対向電極とが積層されて形成され、
前記画素領域のそれぞれにおいて、前記画素電極は、前記ドレイン信号線の伸長方向に延在する複数の並設された線状電極と、前記線状電極のそれぞれの一端側を共通に接続させた共通接続部とを備え、
前記画素領域のそれぞれにおいて、前記対向電極は、少なくとも、前記画素電極の線状電極のそれぞれを間に挟んで前記画素電極の線状電極の両脇に配置される複数の並設された線状電極を備え、
前記画素領域のそれぞれにおいて、前記対向電極の複数の線状電極は、前記ドレイン信号線に隣接する２本の第１線状電極と、前記２本の第１線状電極の間に配置された少なくとも１本の第２線状電極とを有し、
前記第２基板の液晶側の面に、第１遮光膜が、平面的に観て、少なくとも、前記第１ゲート信号線と、前記容量信号線と、前記容量電極と、前記画素電極の前記共通接続部とを被って形成され、第２遮光膜が、前記一対のゲート信号線のうち他方のゲート信号線である第２ゲート信号線を被って形成され、
平面的に観た場合、前記画素電極の前記共通接続部、前記容量電極、および前記第１遮光膜のそれぞれの前記画素領域の中央側の辺が、この順番で、前記容量信号線の前記画素領域の中央側の辺よりも、前記画素領域の中央側へ多くはみ出して形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
平面的に観た場合、前記ゲート信号線の延在方向に隣接して並設される前記カラー表示用の前記単位画素を構成する前記複数の画素領域において、それぞれ、
前記第１遮光膜の前記画素領域の中央側の辺が、前記容量電極の前記画素領域の中央側の辺と、前記対向電極の前記第２線状電極の前記容量電極側の端部との間に位置づけられて形成されているとともに、
それぞれの前記画素領域における前記第１遮光膜と前記第２遮光膜との間の間隔の差は０．３μｍ以下の範囲内にあることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
平面的に観た場合、前記ゲート信号線の延在方向に隣接して並設される前記カラー表示用の前記単位画素を構成する前記複数の画素領域において、
前記緑色担当の画素領域は、前記第１遮光膜の前記画素領域の中央側の辺が、前記対向電極の前記第２線状電極の前記容量電極側の端部に重畳されて形成され、
その他の色を担当する画素領域は、前記第１遮光膜の前記画素領域の中央側の辺が、前記容量電極の前記画素領域の中央側の辺と、前記対向電極の前記第２線状電極の前記容量電極側の端部との間に位置づけられて形成され、
前記緑色担当の画素領域における前記第１遮光膜と前記第２遮光膜との間の間隔は、前記その他の色を担当する画素領域における前記第１遮光膜と前記第２遮光膜との間の間隔よりも小さくなっていることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記液晶表示装置はマルチドメイン方式の画素を有し、
平面的に観た場合、前記ゲート信号線の延在方向に隣接して並設される前記カラー表示用の前記単位画素を構成する前記複数の画素領域において、
前記マルチドメイン方式の画素は、前記第１遮光膜と前記第２遮光膜との間に、前記ドレイン信号線の延在方向に沿って区分された第１ドメインと第２ドメインからなる複数のドメインを備え、
前記緑色担当の画素領域は、前記第１遮光膜が、他の色を担当する画素領域の前記第１遮光膜よりも、前記画素領域の中央側にはみ出され、前記第２遮光膜は、前記他の色を担当する画素領域の前記第２遮光膜よりも、前記画素領域の中央側にはみ出されて形成され、
前記緑色担当の画素領域における前記第１遮光膜の前記画素領域の中央側へのはみ出し量と前記第２遮光膜の前記画素領域の中央側へのはみ出し量との差は、０．３μｍ以下の範囲内になっていることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
平面的に観た場合、前記カラー表示用の前記単位画素を構成する前記複数の画素領域において、それぞれ、前記第１ドメインと前記第２ドメインとの境界と前記第１遮光膜の前記画素領域の中央側の辺との間隔と、前記第１ドメインと前記第２ドメインとの前記境界と前記第２遮光膜の前記画素領域の中央側の辺との間隔との差が５μｍ以下の範囲内にあることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記画素電極および前記対向電極のそれぞれの線状電極は、前記第１ドメインと前記第２ドメインとの境界において屈曲され、前記第１ドメインにおける伸長方向と前記第２ドメインにおける伸長方向とが異なっていることを特徴とする請求項１２に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
平面的に観た場合、前記対向電極の複数の線状電極のうち前記ドレイン信号線と隣接する前記第１線状電極は、それぞれ、前記ドレイン信号線を跨ぎ、前記ドレイン信号線を境にして隣接する他の画素領域の対向電極の前記ドレイン信号線に隣接する第１線状電極と共通に形成されていることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１６】
平面的に観た場合、前記容量信号線は、前記ドレイン信号線に隣接し前記ドレイン信号線の延在方向に延在された線状の突出部を備えるパターンで形成されていることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、いわゆるＩＰＳ（In Plane Switching）方式であって、複数の線状の画素電極と複数の線状の対向電極とがそれぞれ同層で交互に並設されて配置された構造の液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の液晶表示装置は、液晶層に対して基板面と平行な成分をもつ電界を形成でき、これにより広視野角特性に優れたものとして知られている。
【０００３】
図１１は、従来のこのような液晶表示装置の画素の構成の一例を示す図である。図１１（ａ）は平面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のｂ−ｂ線における断面図を示している。図１１は、本発明の実施例を示す図１と対応して描画したものである。このため、図１１の以下に示す説明以外の構成については図１等における説明を参照されたい。
【０００４】
図１１（ａ）において、基板ＳＵＢ１側の画素領域は、図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬと図中ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬとで囲まれた領域によって構成されている。画素領域には、一方のゲート信号線ＧＬ（図中下側のゲート信号線ＧＬ１）からの信号（走査信号）によってオンする薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを通して一方のドレイン信号線ＤＬ（図中左側のドレイン信号線ＤＬ）からの信号（映像信号）が供給される画素電極ＰＸと、この画素電極ＰＸとの間で電界を生じせしめる対向電極ＣＴとが備えられている。
【０００５】
画素電極ＰＸは、ドレイン信号線ＤＬの伸長方向に延在する複数の並設された線状電極ＰＸｌと、これら線状電極ＰＸｌのそれぞれの一端側を共通に接続させた共通接続部ＰＸｃを備えて構成され、対向電極ＣＴは、少なくとも、画素電極ＰＸの線状電極ＰＸｌのそれぞれを間に挟んで画素電極ＰＸの線状電極ＰＸｌの両脇に配置される複数の並設された線状電極ＣＴｌを備えて構成されている。
【０００６】
また、ゲート信号線ＧＬ1に隣接し前記ゲート信号線ＧＬ1の延在方向に沿って形成される容量信号線ＣＬと、絶縁膜ＧＩと、この容量信号線ＣＬと絶縁膜ＧＩを介して重畳され画素電極ＰＸと電気的に接続される容量電極ＣＰＴとで容量を構成する容量素子ＣＰが具備され、この容量素子ＣＰによって、画素電極ＰＸに供給された映像信号を比較的長い時間蓄積できるようになっている。ここで、容量電極ＣＰＴは、その幅が容量信号線ＣＬの幅よりも大きく形成され、前記容量信号線ＣＬに対して両方の幅方向にはみ出したパターンとして形成されている。これは、容量信号線ＣＬに対する容量電極ＣＰＴの形成の際のマスクずれ（特に図中ｙ方向のずれ）を考慮し、所定通りの容量値を得るようにするためである。
【０００７】
基板ＳＵＢ１上には、図１１（ｂ）に示すように、前記基板ＳＵＢ１側から、容量信号線ＣＬ、絶縁膜ＧＩ、容量電極ＣＰＴ、絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳ１、ＰＡＳ２が順次積層され、該保護膜ＰＡＳ２上において、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとが同層かつ同材料で形成されている。なお、図示されていないが、前記薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層ＳＣが前記絶縁膜ＧＩと保護膜ＰＡＳ１との間に形成され、前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴは同層の前記容量電極ＣＰＴと電気的に接続されて構成されている。
【０００８】
また、基板ＳＵＢ１と液晶ＬＣを介して対向配置される基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、ブラックマトリックス（遮光膜）ＢＭが形成されている。このブラックマトリックスＢＭは、薄膜トランジスタＴＦＴを駆動させるゲート信号線ＧＬ、該ゲート信号線ＧＬに隣接して配置される容量信号線ＣＬの周囲を被うパターンによって形成することによって画素領域の中央部を開口させるようになっている。
【０００９】
図１１に示した液晶表示装置以外にも、これに類似する構成は、下記特許文献１に開示されている。また、本願発明に関連する文献としては、下記特許文献２、特許文献３、特許文献４がある。これら特許文献２、特許文献３、特許文献４に示す液晶表示装置は、いずれも、その画素電極と対向電極とがいわゆる櫛歯状をなし、それらが同層で互いに噛み合って配置された構造となっている。
【００１０】
そして、特許文献２は、図１８に、画素電極と対向電極が最下層に形成され、該対向電極に一体に形成されるコモン信号線の上層に絶縁膜を介して容量電極を重畳させることによって、容量素子を構成している開示がある。
【００１１】
特許文献３は、容量信号線を具備しない構成となっており、画素電極は、当該画素電極に対応する表示ラインに対して隣接する隣の表示ラインに対応するゲート信号線との間で容量素子を構成するようになっている。また、ブラックマトリックスの構成が開示されていないものとなっている。
【００１２】
特許文献４は、容量信号線に対して容量電極はその幅が小さく、容量電極は容量信号線の形成領域内からはみ出すことなく形成されている。また、ブラックマトリックスの構成が開示されていないものとなっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２００４−２１９７０７号公報
【特許文献２】特開２００８−１７０９８７号公報
【特許文献３】特開２００４−１２７３１号公報
【特許文献４】特開２００７−３１６６７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
しかし、図１１および特許文献１に開示される液晶表示装置は、図１１に示すように、画素電極ＰＸにおいて、複数の並設された線状電極ＰＸｌの一端側を共通に接続させた共通接続部ＰＸｃが、容量電極ＣＰＴよりも画素領域の中央側へ突出した構成となっている。
【００１５】
この場合、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは、同層かつ同材料で構成されているため、フォトリソグラフィ技術による選択エッチングの精度等によって、画素電極ＰＸの前記共通接続部ＰＸｃと対向電極ＣＴの線状電極ＣＴｌとの間の距離（図中Ｌで示す）をある値以下にすることができないようになっている。このため、画素電極ＰＸの共通接続部ＰＸｃを容量電極ＣＰＴよりも画素領域の中央側へ突出させることによって、対向電極ＣＴも同方向へシフトされて形成されることになる。
【００１６】
一方、前記画素領域において、実質的に画素として機能する領域はブラックマトリックスＢＭによって決定される。この場合、該ブラックマトリックスＢＭ（図中符号ＢＭ１で示す側のブラックマトリックス）は、画素電極ＰＸの前記共通接続部ＰＸｃを充分に被って形成される必要があり、画素の開口率の向上の観点から、ブラックマトリックスＢＭ１の画素領域の中央側の辺ＳＤｂ１は、前記共通接続部ＰＸｃと対向電極ＣＴの線状電極ＣＴｌとの間に位置づけられるように形成される。
【００１７】
このようなことから、前記ブラックマトリックスＢＭ１は、画素電極ＰＸの前記共通接続部ＰＸｃを容量電極ＣＰＴよりも画素領域の中央側へ突出させた分だけ、前記ブラックマトリックスＢＭ１の画素領域の中央側の辺ＳＤｂ１を、画素領域の中央側へ突出させて形成しなければならず、画素の開口の向上を妨げるようになっていた。
【００１８】
本発明の目的は、さらなる開口率の向上を図った液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明による液晶表示装置は、画素電極ＰＸの共通接続部ＰＸｃを、容量電極ＣＰＴの画素領域の中央側の辺ＳＤｔよりも突出させることなく形成し、これにより、対向電極ＣＴの線状電極ＣＴｌを、前記共通接続部ＰＸｃとの間の距離Ｌを保った状態で、前記共通接続部ＰＸｃ側へ延在させるようにして形成できる。このため、ブラックマトリックスＢＭ１は、その画素領域の中央側の辺ＳＤｂ１を、容量電極ＣＰＴ側に後退でき、実質的に画素として機能する領域を拡大するようにできる。
【００２０】
本発明の構成は、たとえば、以下のようなものとすることができる。
【００２１】
（１）本発明の液晶表示装置は、液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、
前記第１基板の液晶側の面に、第１方向に延在し第２方向に並設されるゲート信号線と、前記第２方向に延在し前記第１方向に並設されるドレイン信号線とを備え、
一対の隣接するゲート信号線と一対の隣接するドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域としたとき、
前記画素領域に、前記一対のゲート信号線のうち一方のゲート信号線である第１ゲート信号線に接続されるゲート電極を備える薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのドレイン電極およびソース電極を通して前記一対のドレイン信号線のうち一方のドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、前記画素電極と同層に形成され前記画素電極との間に前記液晶の分子を駆動させる電界を生じさせる対向電極と、
前記第１ゲート信号線に隣接し前記第１ゲート信号線の伸長方向に沿って形成される容量信号線と、第１絶縁膜と、前記容量信号線と前記第１絶縁膜を介して重畳され前記画素電極と電気的に接続される容量電極とで容量を構成する容量素子と、
を備える液晶表示装置であって、
前記第１基板には、前記第１基板側から、少なくとも、前記容量信号線と、前記第１絶縁膜と、前記容量電極と、第２絶縁膜と、互いに同層に形成された前記画素電極および前記対向電極とが積層されて形成され、
前記画素領域のそれぞれにおいて、前記画素電極は、前記ドレイン信号線の伸長方向に延在する複数の並設された線状電極と、前記線状電極のそれぞれの一端側を共通に接続させた共通接続部とを備え、
前記画素領域のそれぞれにおいて、前記対向電極は、少なくとも、前記画素電極の線状電極のそれぞれを間に挟んで前記画素電極の線状電極の両脇に配置される複数の並設された線状電極を備え、
前記画素領域のそれぞれにおいて、前記対向電極の複数の線状電極は、前記ドレイン信号線に隣接する２本の第１線状電極と、前記２本の第１線状電極の間に配置された少なくとも１本の第２線状電極とを有し、
前記第２基板の液晶側の面に、第１遮光膜が、平面的に観て、少なくとも、前記第１ゲート信号線と、前記容量信号線と、前記容量電極と、前記画素電極の前記共通接続部とを被って形成され、
平面的に観た場合、前記画素電極の前記共通接続部、前記容量電極、および前記第１遮光膜のそれぞれの前記画素領域の中央側の辺が、この順番で、前記容量信号線の前記画素領域の中央側の辺よりも、前記画素領域の中央側へ多くはみ出して形成されていることを特徴とする。
【００２２】
（２）本発明の液晶表示装置は、（１）において、平面的に観た場合、前記第１遮光膜の前記画素領域の中央側の辺は、前記容量電極の前記画素領域の中央側の辺と、前記対向電極の前記第２線状電極の前記容量電極側の端部との間に位置づけられていることを特徴とする。
【００２３】
（３）本発明の液晶表示装置は、（１）において、前記一対のゲート信号線のうち他方のゲート信号線を第２ゲート信号線としたとき、
前記第２基板の液晶側の面に、第２遮光膜が、平面的に観て、少なくとも、前記第２ゲート信号線を被って形成され、
前記液晶表示装置はマルチドメイン方式の画素を有し、
前記マルチドメイン方式の画素は、前記画素領域のうち、前記第１遮光膜と、前記第２遮光膜との間の領域において、
前記ドレイン信号線の延在方向に沿って区分された第１ドメインと第２ドメインからなる複数のドメインを備えていることを特徴とする。
【００２４】
（４）本発明の液晶表示装置は、（３）において、前記画素電極および前記対向電極のそれぞれの線状電極は、前記第１ドメインと前記第２ドメインとの境界において屈曲され、前記第１ドメインにおける伸長方向と前記第２ドメインにおける伸長方向とが異なっていることを特徴とする。
【００２５】
（５）本発明の液晶表示装置は、（１）において、平面的に観た場合、前記第１遮光膜は、その前記画素領域の中央側の辺が、前記対向電極の前記第２線状電極の前記容量電極側の端部に重畳されて形成されていることを特徴とする。
【００２６】
（６）本発明の液晶表示装置は、（５）において、前記一対のゲート信号線のうち他方のゲート信号線を第２ゲート信号線としたとき、
前記第２基板の液晶側の面に、第２遮光膜が、平面的に観て、少なくとも、前記第２ゲート信号線を被って形成され、
前記液晶表示装置はマルチドメイン方式の画素を有し、
前記マルチドメイン方式の画素は、前記画素領域のうち、前記第１遮光膜と前記第２遮光膜との間の領域において、
前記ドレイン信号線の延在方向に沿って区分された第１ドメインと第２ドメインからなる複数のドメインを備え、
前記第１ドメインにおける前記ゲート信号線と直交する方向の寸法と前記第２ドメインにおける前記ゲート信号線と直交する方向の寸法との差が５μｍ以下の範囲内にあることを特徴とする。
【００２７】
（７）本発明の液晶表示装置は、（１）において、平面的に観た場合、前記対向電極の複数の線状電極のうち前記ドレイン信号線と隣接する前記第１線状電極は、それぞれ、前記ドレイン信号線を跨ぎ、前記ドレイン信号線を境にして隣接する他の画素領域の対向電極の前記ドレイン信号線に隣接する第１線状電極と共通に形成されていることを特徴とする。
【００２８】
（８）本発明の液晶表示装置は、（１）において、平面的に観た場合、前記容量信号線は、前記ドレイン信号線に隣接し前記ドレイン信号線の延在方向に延在された線状の突出部を備えるパターンで形成されていることを特徴とする。
【００２９】
（９）本発明の液晶表示装置は、液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、
前記第１基板の液晶側の面に、第１方向に延在し第２方向に並設されるゲート信号線と、前記第２方向に延在し前記第１方向に並設されるドレイン信号線とを備え、
一対の隣接するゲート信号線と一対の隣接するドレイン信号線とで囲まれた領域を画素領域とするとともに、緑色担当の画素領域を含み前記ゲート信号線の延在方向に隣接して並設された複数の画素領域をカラー表示用の単位画素としたとき、
前記画素領域に、前記一対のゲート信号線のうち一方のゲート信号線である第１ゲート信号線に接続されるゲート電極を備える薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタのドレイン電極およびソース電極を通して前記一対のドレイン信号線のうち一方のドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極と、前記画素電極と同層に形成され前記画素電極との間に前記液晶の分子を駆動させる電界を生じさせる対向電極と、
前記第１ゲート信号線に隣接し前記第１ゲート信号線の伸長方向に沿って形成される容量信号線と、第１絶縁膜と、前記容量信号線と前記第１絶縁膜を介して重畳され前記画素電極と電気的に接続される容量電極とで容量を構成する容量素子と、
を備える液晶表示装置であって、
前記第１基板には、前記第１基板側から、少なくとも、前記容量信号線と、前記第１絶縁膜と、前記容量電極と、第２絶縁膜と、互いに同層に形成された前記画素電極および前記対向電極とが積層されて形成され、
前記画素領域のそれぞれにおいて、前記画素電極は、前記ドレイン信号線の伸長方向に延在する複数の並設された線状電極と、前記線状電極のそれぞれの一端側を共通に接続させた共通接続部とを備え、
前記画素領域のそれぞれにおいて、前記対向電極は、少なくとも、前記画素電極の線状電極のそれぞれを間に挟んで前記画素電極の線状電極の両脇に配置される複数の並設された線状電極を備え、
前記画素領域のそれぞれにおいて、前記対向電極の複数の線状電極は、前記ドレイン信号線に隣接する２本の第１線状電極と、前記２本の第１線状電極の間に配置された少なくとも１本の第２線状電極とを有し、
前記第２基板の液晶側の面に、第１遮光膜が、平面的に観て、少なくとも、前記第１ゲート信号線と、前記容量信号線と、前記容量電極と、前記画素電極の前記共通接続部とを被って形成され、第２遮光膜が、前記一対のゲート信号線のうち他方のゲート信号線である第２ゲート信号線を被って形成され、
平面的に観た場合、前記画素電極の前記共通接続部、前記容量電極、および前記第１遮光膜のそれぞれの前記画素領域の中央側の辺が、この順番で、前記容量信号線の前記画素領域の中央側の辺よりも、前記画素領域の中央側へ多くはみ出して形成されていることを特徴とする。
【００３０】
（１０）本発明の液晶表示装置は、（９）において、平面的に観た場合、前記ゲート信号線の延在方向に隣接して並設される前記カラー表示用の前記単位画素を構成する前記複数の画素領域において、それぞれ、
前記第１遮光膜の前記画素領域の中央側の辺が、前記容量電極の前記画素領域の中央側の辺と、前記対向電極の前記第２線状電極の前記容量電極側の端部との間に位置づけられて形成されているとともに、
それぞれの前記画素領域における前記第１遮光膜と前記第２遮光膜との間の間隔の差は０．３μｍ以下の範囲内にあることを特徴とする。
【００３１】
（１１）本発明の液晶表示装置は、（９）において、平面的に観た場合、前記ゲート信号線の延在方向に隣接して並設される前記カラー表示用の前記単位画素を構成する前記複数の画素領域において、
前記緑色担当の画素領域は、前記第１遮光膜の前記画素領域の中央側の辺が、前記対向電極の前記第２線状電極の前記容量電極側の端部に重畳されて形成され、
その他の色を担当する画素領域は、前記第１遮光膜の前記画素領域の中央側の辺が、前記容量電極の前記画素領域の中央側の辺と、前記対向電極の前記第２線状電極の前記容量電極側の端部との間に位置づけられて形成され、
前記緑色担当の画素領域における前記第１遮光膜と前記第２遮光膜との間の間隔は、前記その他の色を担当する画素領域における前記第１遮光膜と前記第２遮光膜との間の間隔よりも小さくなっていることを特徴とする。
【００３２】
（１２）本発明の液晶表示装置は、（９）において、前記液晶表示装置はマルチドメイン方式の画素を有し、
平面的に観た場合、前記ゲート信号線の延在方向に隣接して並設される前記カラー表示用の前記単位画素を構成する前記複数の画素領域において、
前記マルチドメイン方式の画素は、前記第１遮光膜と前記第２遮光膜との間に、前記ドレイン信号線の延在方向に沿って区分された第１ドメインと第２ドメインからなる複数のドメインを備え、
前記緑色担当の画素領域は、前記第１遮光膜が、他の色を担当する画素領域の前記第１遮光膜よりも、前記画素領域の中央側にはみ出され、前記第２遮光膜は、前記他の色を担当する画素領域の前記第２遮光膜よりも、前記画素領域の中央側にはみ出されて形成され、
前記緑色担当の画素領域における前記第１遮光膜の前記画素領域の中央側へのはみ出し量と前記第２遮光膜の前記画素領域の中央側へのはみ出し量との差は、０．３μｍ以下の範囲内になっていることを特徴とする。
【００３３】
（１３）本発明の液晶表示装置は、（１２）において、平面的に観た場合、前記カラー表示用の前記単位画素を構成する前記複数の画素領域において、それぞれ、前記第１ドメインと前記第２ドメインとの境界と前記第１遮光膜の前記画素領域の中央側の辺との間隔と、前記第１ドメインと前記第２ドメインとの前記境界と前記第２遮光膜の前記画素領域の中央側の辺との間隔との差が５μｍ以下の範囲内にあることを特徴とする。
【００３４】
（１４）本発明の液晶表示装置は、（１２）において、前記画素電極および前記対向電極のそれぞれの線状電極は、前記第１ドメインと前記第２ドメインとの境界において屈曲され、前記第１ドメインにおける伸長方向と前記第２ドメインにおける伸長方向とが異なっていることを特徴とする。
【００３５】
（１５）本発明の液晶表示装置は、（９）において、平面的に観た場合、前記対向電極の複数の線状電極のうち前記ドレイン信号線と隣接する前記第１線状電極は、それぞれ、前記ドレイン信号線を跨ぎ、前記ドレイン信号線を境にして隣接する他の画素領域の対向電極の前記ドレイン信号線に隣接する第１線状電極と共通に形成されていることを特徴とする。
【００３６】
（１６）本発明の液晶表示装置は、（９）において、平面的に観た場合、前記容量信号線は、前記ドレイン信号線に隣接し前記ドレイン信号線の延在方向に延在された線状の突出部を備えるパターンで形成されていることを特徴とする。
【００３７】
なお、上記した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、上記した構成以外の本発明の構成の例は、本願明細書全体の記載または図面から明らかにされる。
【発明の効果】
【００３８】
このように構成した液晶表示装置は、さらなる開口率の向上を図ることができる。
【００３９】
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の液晶表示装置の実施例１の画素の構成を示した図である。
【図２】本発明の液晶表示装置の実施例１の全体を概略的に示す平面図である。
【図３】本発明の液晶表示装置の実施例２の画素の構成を示した図である。
【図４】実施例２に示す液晶表示装置の効果を示す図である。
【図５】本発明の液晶表示装置の実施例３の画素の構成を示した図である。
【図６】マルチドメイン方式の効果をシングルドメイン方式と比較して示した説明図である。
【図７】本発明の液晶表示装置の実施例４における画素の構成を示した概略平面図である。
【図８】本発明の液晶表示装置の実施例５における画素の構成を示した概略平面図である。
【図９】本発明の液晶表示装置の実施例６における画素の構成を示した概略平面図である。
【図１０】本発明の液晶表示装置の実施例７における画素の構成を示した概略平面図である。
【図１１】従来の液晶表示装置の画素の構成の例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
本発明の実施例を図面を参照しながら説明する。なお、各図および各実施例において、同一または類似の構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。
【実施例１】
【００４２】
（全体の構成）
図２は、本発明の液晶表示装置の実施例１の全体を概略的に示す平面図である。
【００４３】
図２において、液晶（図示せず)を挟持して対向配置される基板ＳＵＢ１および基板ＳＵＢ２がある。基板ＳＵＢ２は基板ＳＵＢ１に対して若干面積が小さく形成され、たとえば図中左側辺部および下側辺部において、基板ＳＵＢ１は基板ＳＵＢ２から露出された領域を有する。基板ＳＵＢ２の周辺には、基板ＳＵＢ１との固着を兼ねるシール材ＳＬが形成され、このシール材ＳＬによって前記液晶が基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との間に封入されるようになっている。シール材ＳＬは環状に形成され、この内側の領域は多数の画素が配列された画像表示部ＡＲを構成するようになっている。
【００４４】
基板ＳＵＢ１の基板ＳＵＢ２から露出された左側辺部、および下側辺部には、それぞれ、走査信号駆動回路Ｖ、および映像信号駆動回路Ｈｅがたとえば搭載されて配置されている。これら走査信号駆動回路Ｖ、および映像信号駆動回路Ｈｅは画像表示部ＡＲ内のそれぞれの画素を独立に駆動するようになっている。また、図示していないが、走査信号駆動回路Ｖ、および映像信号駆動回路Ｈｅは、それぞれ、複数の並設された半導体チップから構成されている。
【００４５】
基板ＳＵＢ１の液晶側の面であってシール材ＳＬに囲まれた領域には、図中ｘ方向に延在されｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬと、図中ｙ方向に延在されｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬとが形成されている。前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれは、走査信号駆動回路Ｖに接続され、この走査信号駆動回路Ｖから走査信号が供給されるようになっている。前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞれは、映像信号駆動回路Ｈｅに接続され、この映像信号駆動回路Ｈｅから映像信号が供給されるようになっている。
【００４６】
一対の隣接するゲート信号線ＧＬと一対の隣接するドレイン信号線ＤＬとによって囲まれた領域は画素領域ＰＩＸを構成し、これら画素領域ＰＩＸの集合によって前記画像表示部ＡＲを構成するようになっている。
【００４７】
画素領域ＰＩＸは、それを拡大した図Ａ内の等価回路に示すように、ゲート信号線ＧＬからの走査信号の供給によってオンする薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを通してドレイン信号線ＤＬから映像信号が供給される画素電極ＰＸと、この画素電極ＰＸとの間に電界を生じさせる対向電極ＣＴと、前記画素電極ＰＸに供給された映像信号を比較的長い時間蓄積させるための容量素子ＣＰを備えるようになっている。容量素子ＣＰは、ゲート信号線ＧＬに沿って形成される容量信号線ＣＬと画素電極ＰＸとの間に接続されて構成されている。また、対向電極ＣＴは、映像信号に対して基準となる信号が供給されるようになっており、この実施例１の場合、たとえば前記容量信号線ＣＬに供給される信号と同電位となるようになっている。但し、図Ａ中では便宜的に容量信号線ＣＬと対向電極ＣＴとを接続するように描いているが、後述する図１のように、実際には画素領域内部では両者を接続していない構成でもよい。
【００４８】
（画素の構成）
図１は、基板ＳＵＢ１の液晶側の面に形成された画素ＰＩＸの構成を示している。図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のｂ−ｂ線における断面図である。
【００４９】
まず、図１（ａ）において、基板ＳＵＢ１（図１（ｂ）参照）の液晶側の面（表面）には、図中ｘ方向に伸長しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬが形成されている。ゲート信号線ＧＬには画素領域側に指向する突起部が形成され、この突起部は後述する薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極ＧＴとして機能するようになっている。また、画素領域内において、図中下側のゲート信号線ＧＬ（符号ＧＬ１で示す）と隣接して図中ｘ方向に伸長する容量信号線ＣＬが形成されている。ゲート信号線ＧＬと容量信号線ＣＬは同一の金属等の導電材料をフォトリソグラフィ技術による選択エッチングによって同層で同時に形成されるようになっている。容量信号線ＣＬとゲート信号線ＧＬ１との間の距離は、画素の開口率の向上の観点から、できるだけ小さくすることが好ましい。
【００５０】
基板ＳＵＢ１の表面には、ゲート信号線ＧＬ（ゲート電極ＧＴ）、容量信号線ＣＬをも被うようにして絶縁膜ＧＩ（図１（ｂ）参照）が形成されている。この絶縁膜ＧＩは、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてゲート絶縁膜として機能するようになっている。前記絶縁膜ＧＩの上面であって、前記ゲート電極ＧＴと重畳する個所において、たとえばアモルファスシリコンからなる半導体層ＳＣが形成されている。この半導体層ＳＣは前記薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層となるものである。
【００５１】
また、図中ｙ方向に伸張しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成され、画素領域に対してたとえば図中左側のドレイン信号線ＤＬはその一部において前記半導体層ＳＣに積層される延在部が形成され、この延在部は前記薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極ＤＴとして機能するようになっている。また、前記半導体層ＳＣ上に前記ドレイン電極ＤＴと対向してソース電極ＳＴが形成されている。このソース電極ＳＴは、画素領域の中央側に延在された延在部を備え、この延在部は、前記容量信号線ＣＬに絶縁膜ＧＩを介して重畳され、容量素子ＣＰの容量電極ＣＰＴを構成するようになっている。容量素子ＣＰは、容量電極ＣＰＴを一方の電極、容量信号線ＣＬを他方の電極、絶縁膜ＧＩを誘電体膜として構成されるようになっている。
【００５２】
容量電極ＣＰＴは、その幅が容量信号線ＣＬの幅よりも大きく形成され、前記容量信号線ＣＬに対して両方（画素領域の中央側とその反対側）の幅方向にはみ出したパターンとして形成されている。容量信号線ＣＬに対する容量電極ＣＰＴの形成の際のマスクずれ（特に図中ｙ方向のずれ）を考慮し、所定通りの容量値を得るようにするためである（このような構造にすることで、多少のマスクずれが起こっても、容量素子ＣＰの容量は変化しない）。このことから、平面的に観た場合、容量電極ＣＰＴの画素領域の中央側の辺（図中ＳＤｔで示す）は、容量信号線ＣＬの画素領域側の辺（図中ＳＤｌで示す）よりも画素領域の中央側へはみ出す構成となる。
【００５３】
基板ＳＵＢ１上には、薄膜トランジスタＴＦＴ、ドレイン信号線ＤＬ、および容量電極ＣＰＴ等を被って保護膜ＰＡＳ（図１（ｂ）参照）が形成されている。この保護膜ＰＡＳは、薄膜トランジスタＴＦＴが液晶と直接に接触するのを回避させ、該薄膜トランジスタＴＦＴの特性が変化してしまうのを防止する機能を有する。保護膜ＰＡＳは、たとえば、無機絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳ１と有機絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳ２との順次積層体によって構成されている。保護膜ＰＡＳの上層を有機絶縁膜とすることによって前記保護膜ＰＡＳの表面を平坦化できるようになる。
【００５４】
そして、保護膜ＰＡＳの上面には、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとが同層かつ同材料で形成されている。これら画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは、たとえば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明導電膜によって形成されている。
【００５５】
画素電極ＰＸは、ドレイン信号線ＤＬの伸長方向に伸長する複数（図１（ａ）では２個示している）の並設された線状電極（符号ＰＸｌで示す）と、これら線状電極ＰＸｌの前記薄膜トランジスタＴＦＴ側の端部を共通に接続させた共通接続部（符号ＰＸｃで示す）とを備えた櫛歯状のパターンからなっている。画素電極ＰＸの共通接続部ＰＸｃは、前記容量電極ＣＰＴに重畳するように配置され、前記共通接続部ＰＸｃの一部が保護膜ＰＡＳに形成されたスルーホールＴＨを通して前記容量電極ＣＰＴに電気的に接続されている。これにより、画素電極ＰＸは容量電極ＣＰＴを介して前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴに電気的に接続されるようになっている。
【００５６】
ここで、画素電極ＰＸの共通接続部ＰＸｃは、少なくとも、その画素領域の中央側の辺（図中ＳＤｐで示す）が、前記容量電極ＣＰＴの画素領域の中央側の辺ＳＤｔよりも画素領域の中央側へはみ出すことなく、反対方向に後退するようにして構成されている。
【００５７】
対向電極ＣＴは、少なくとも、ドレイン信号線ＤＬの伸長方向に伸長する複数の並設された線状電極（符号ＣＴｌで示す）と、これら線状電極ＣＴｌの端部を共通に接続させた共通接続部（符号ＣＴｃで示す）を備えて構成されている。対向電極ＣＴの前記線状電極ＣＴｌは、それぞれ、画素電極ＰＸの線状電極ＰＸｌのそれぞれを間に挟んで画素電極ＰＸの線状電極ＰＸｌの両脇に位置づけられるようにして配置されるようになっている。図１（ａ）では、一例として、１つの画素領域に対して、画素電極ＰＸの線状電極ＰＸｌが２本、対向電極ＣＴの線状電極ＣＴｌが３本、対向電極ＣＴの共通接続部ＣＴｃは上側と下側の２箇所である場合を示した。尚、３本の対向電極ＣＴの線状電極ＣＴｌのうち、ドレイン信号線ＤＬに隣接する２本の線状電極ＣＴｌ１は、上側と下側の両方の共通接続部ＣＴｃに接続されているが、２本の線状電極ＣＴｌ１の間に配置された線状電極ＣＴｌ２は、上側の共通接続部ＣＴｃには接続されているが、下側の共通接続部ＣＴｃには間に画素電極ＰＸの共通接続部ＰＸｃがあるため接続されていない。尚、図示しないが、画素電極ＰＸの線状電極ＰＸｌが３本以上の場合は、対向電極ＣＴの線状電極ＣＴｌ２はそれに対応して２本以上となる。
【００５８】
なお、この実施例では、対向電極ＣＴの複数の線状電極ＣＴｌのうちドレイン信号線ＤＬと隣接する線状電極ＣＴｌ１は、平面的に観た場合、ドレイン信号線ＤＬを跨ぎ、該ドレイン信号線ＤＬを境にして隣接する他の画素領域の対向電極ＤＬの該ドレイン信号線ＤＬに隣接する対向電極ＣＴの線状電極ＣＴｌ１と共通に形成されるようになっている。これにより、ドレイン信号線ＤＬを始点として発生する電気力線を線状電極ＣＴｌ１に終端させることができ、該ドレイン信号線ＤＬからの電界を画素領域側へ及ぼさないようにしている。
【００５９】
ここで、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは、保護膜ＰＡＳ上に形成されたたとえばＩＴＯ膜を、フォトリソグラフィ技術による選択エッチングによって同時に形成するようになっている。前記透明導電膜に蛇行状のパターンの選択エッチングをすることによって、画素電極ＰＸの線状電極ＰＸｌと対向電極ＣＴの線状電極ＣＴｌとを交互に配列させて構成することができる。
【００６０】
このことから、前記蛇行状のパターンの幅は、それを最小としようとしても、フォトリソグラフィ技術による選択エッチングの精度等によって定まり、たとえば、画素電極ＰＸの前記共通接続部ＰＸｃと対向電極ＣＴの線状電極ＣＴｌ２との間の距離（図１（ｂ）にてＬで示す）は所定の値に設定される。このため、上述したように、画素電極ＰＸの共通接続部ＰＸｃの画素領域の中央側の辺ＳＤｐを、容量電極ＣＰＴの画素領域側の辺ＳＤｔよりも画素中央側へはみ出すことなく、反対方向に後退させるようにして構成することにより、距離Ｌを保ったまま対向電極ＣＴの線状電極ＣＴｌ２も同方向へ伸長させて構成できることになる。このことは、限られた面積の画素領域において、対向電極ＣＴの線状電極ＣＴｌの長さを大きくでき、これにともなって、後述するブラックマトリックスＢＭの開口面積を大きくすることにより、画素の開口率を大きくできる。
【００６１】
なお、上述した説明では、画素電極ＰＸは、複数の並設された線状電極ＰＸｌとこれら線状電極ＰＸｌを電気的に接続させる共通接続部ＰＸｃを有し、これら区別する符号を付したが、以下の説明では、画素電極ＰＸの線状電極ＰＸｌを単に画素電極ＰＸと称する場合がある。対向電極ＣＴにおいても同様である。
【００６２】
基板ＳＵＢ１と液晶ＬＣを介して対向配置される基板ＳＵＢ２の液晶ＬＣ側の面には、ブラックマトリックス（遮光膜）ＢＭが形成されている。このブラックマトリックスＢＭは、図１（ａ）に示すように、図中下側のゲート信号線ＧＬ１、このゲート信号線ＧＬ１に隣接する容量信号線ＣＬ、および容量電極ＣＰＴ等を被うブラックマトリックス（便宜上、第１遮光膜と称する場合がある）ＢＭ（図中符号ＢＭ１で示す）と、図中上側のゲート信号線ＧＬ２を被うブラックマトリックス（便宜上、第２遮光膜と称する場合がある）ＢＭ（図中符号ＢＭ２で示す）によって構成されている。なお、ブラックマトリックスＢＭ１とブラックマトリックスＢＭ２は、図中ｙ方向に隣接される各画素領域を跨いで共通なものとして形成されている。しかし、１個の画素領域を取り出して観た場合に、それらは観念的に分離できることから、それぞれ符号ＢＭ１、ＢＭ２を付して区別している。
【００６３】
ここで、ブラックマトリックスＢＭ１は、たとえば図１（ｂ）に示すように、その画素領域の中央側の辺（図中符号ＳＤｂ１で示す）が、画素電極ＰＸの線状電極ＰＸｌの画素領域の中央側の辺ＳＤｐと対向電極ＣＴの線状電極ＣＴｌ２の容量電極ＣＰＴ側の端部との間に位置づけられるようになっている。上述したように、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴは、画素電極ＰＸの共通接続部ＰＸｃの画素領域の中央側の辺ＳＤｐを、容量電極ＣＰＴの画素領域側の辺ＳＤｔよりも画素領域の中央側へはみ出すことなく反対方向に後退させるとともに、対向電極ＣＴの線状電極ＣＴｌ２も、同方向へ伸長させたパターンとしたものである。このため、ブラックマトリックスＢＭ１も、その画素領域の中央側の辺ＳＤｂ１を画素領域の中央側に対して反対方向に後退させることによって、ブラックマトリックスＢＭによる開口を大きくするようにしたものである。
【００６４】
なお、基板ＳＵＢ２の液晶側の面には、ブラックマトリックスＢＭの開口を被って形成されるカラーフィルタＦＩＬ、ブラックマトリックスＢＭおよびカラーフィルタＦＩＬをも被って形成される平坦化膜ＯＣが形成されている。
【００６５】
この実施例では、画素領域を図中ｙ方向にたとえば２つの領域に区分けし、画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴは、それぞれ、これらの領域の境界において屈曲され、図中下側の領域（第１ドメインＤＭ１と称する）には図中ｙ方向に対して−θ°の方向に伸長するように形成し、図中上側の領域（第２ドメインＤＭ２と称する）には＋θ°の方向に伸長するようにして形成している。いわゆるマルチドメイン方式を採用するもので、仮に画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴの伸長方向が単一である場合、観る方向により色つき（着色）が生じる不都合を解消した構成となっている。このマルチドメイン方式については以下においてさらに詳述する。
【００６６】
この場合、ドレイン信号線ＤＬは、第１ドメインＤＭ１および第２ドメインＤＭ２に相当する部分において、それぞれ、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとが平行となるように、第１ドメインＤＭ１と第２ドメインＤＭ２の境界に相当する部分において屈曲部を備えるように形成されている。
【００６７】
上述した実施例では、薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層はアモルファスシリコンで形成したものであるが、ポリシリコンで形成したものであってもよい。
【実施例２】
【００６８】
図３は、本発明の液晶表示装置の実施例２における画素の構成を示している。図３は、実施例１に示した構成を改良したものとなっており、図１と対応させて描いている。図３（ａ）は平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）のｂ−ｂ線における断面図である。
【００６９】
図３において、図１と比較して異なる構成は、ブラックマトリックスＢＭ１の画素領域の中央側の辺ＳＤｂ１を、さらに画素領域の中央側にはみ出させるように構成し、平面的に観た場合、対向電極ＣＴの線状電極ＣＴｌ２の容量電極ＣＰＴ側の端部に重畳されるようにしたことにある。このように構成した理由は、基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との貼り合わせの際において、基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との合わせずれによって、コントラスト比の低下が生じてしまうのを回避するためである。
【００７０】
図４は、図３と対応させて描いた図であり、実施例１に示した構成（図１）において、基板ＳＵＢ２が基板ＳＵＢ１に対して図中α方向へずれて貼り合わされた状態を示している。この場合、画素電極ＰＸの共通接続部ＰＸｃの画素領域の中央側の辺からはみ出された容量電極ＣＰＴの画素領域の中央側の辺部がブラックマトリックスＢＭ１から露出されてしまうことになる。この場合、基板ＳＵＢ２側からたとえば太陽光のような外部光（図中矢印ＬＧで示す）が入射され、容量電極ＣＰＴの画素領域の中央側の辺部で反射された場合、その反射光は観察者によって感知できるようになる。このため、画像のコントラスト比の低下をもたらし、特に、黒表示の場合には、前記反射光によって白っぽく浮いてしまうような表示がなされてしまう。
【００７１】
図３に示した構成は、基板ＳＵＢ１に対して基板ＳＵＢ２の合わせずれが生じる場合を見越し、ブラックマトリックスＢＭ１を画素領域の中央側に若干はみ出させ、たとえ合わせずれが生じても、容量電極ＣＰＴの画素領域の中央側の辺部がブラックマトリックスＢＭから露出しないように構成したものである。
【実施例３】
【００７２】
図５は、本発明の液晶表示装置の実施例３における画素の構成を示している。図５は、実施例２に示した構成を改良したものとなっており、図３と対応させて描いている。図５（ａ）は平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のｂ−ｂ線における断面図である。
【００７３】
図５において、図３と比較して異なる構成は、図中上側のゲート信号線ＧＬ２を被って形成されるブラックマトリックスＢＭ２において、その画素領域の中央側の辺を画素領域の中央側にはみ出させるようにしている。これにより、ブラックマトリックスＢＭ２は、平面的に観た場合、画素電極ＰＸの線状電極ＰＸｌの先端部を被うようにして形成される。
【００７４】
このような構成は、実施例２に示したように図中下側のゲート信号線ＧＬ１を被うブラックマトリックスＢＭ１の画素領域の中央側の辺ＳＤｂ１を画素領域の中央側にはみ出させたことに基づき、実質的に画素として機能する画素領域におけるマルチドメインの第１ドメインＤＭ１と第２ドメインＤＭ２におけるそれぞれの面積をほぼ等しく設定していることにある。すなわち、第１ドメインＤＭ１は、図中下側のゲート信号線ＧＬ１を被うブラックマトリックスＢＭ１の画素領域の中央側の辺から画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴの各屈曲部を結ぶ仮想の線分（図中符号βで示す）までの寸法（ゲート信号線ＧＬと直交する方向の寸法）Ｗ１に相当する領域として把握でき、第２ドメインＤＭ２は、図中上側のゲート信号線ＧＬ２を被うブラックマトリックスＢＭ２の画素領域の中央側の辺から前記仮想の線分βまでの寸法（ゲート信号線ＧＬと直交する方向の寸法）Ｗ２に相当する領域として把握できることから、上述した寸法Ｗ１と寸法Ｗ２とが等しく設定されるようになっている。この場合、画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴが形成される基板ＳＵＢ１とブラックマトリックスＢＭが形成される基板ＳＵＢ２の貼り合わせの際の合わせずれ（５μｍ以内）を考慮しなければならないことから、前記寸法Ｗ１と寸法Ｗ２との差が５μｍ以下の範囲内であれば、寸法Ｗ１と寸法Ｗ２とが等しく設定されているものとみなされる。
【００７５】
図６は、マルチドメイン方式によって、画面の観る方向により発生する色つき（着色）を解消できる理由を示した図である。図６（ａ）は、画素電極ＰＸおよび対向電極ＣＴがゲート信号線ＧＬと直交する方向に一直線に形成されたいわゆるシングルドメインと称される構成を示し、図６（ｂ）は、図５（ａ）に示したと同様のマルチドメインの構成を示した図である。なお、それぞれの構成において、液晶分子の初期配向方向を図中太線矢印で示している。
【００７６】
まず、図６（ａ）の構成では、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に発生する電界の方向は画素領域の全域において一定となり、液晶の分子は初期配向方向に対して一方の側にのみ回転するようになる。図６（ａ）には、その下側において、図中左側から、電界が印加されていない際（ＯＦＦ状態）の液晶の分子ＬＣｍが初期配向方向に沿って位置づけられている場合と、電界が印加された際（ＯＮ状態）の液晶の分子ＬＣｍが初期配向方向に対して一方向に回転している場合とをそれぞれ示している。このため、画面を斜め方向から観た場合には液晶の位相差の影響によって着色して見えてしまうことになる。
【００７７】
これに対して、図６（ｂ）の構成では、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間に発生する電界の方向は第１ドメインＤＭ１と第２ドメインＤＭ２とでは異なり、第１ドメインＤＭ１と第２ドメインＤＭ２とにおいて、それぞれ、液晶の分子は初期配向方向に対して互いに逆方向に回転するようになる。図６（ｂ）には、その下側において、図中左側から、電界が印加されていない際（ＯＦＦ状態）の液晶の分子ＬＣｍが初期配向方向に沿って位置づけられている場合と、第１ドメインＤＭ１において電界が印加された際（ＯＮ状態）の液晶の分子ＬＣｍが初期配向方向に対して一方の側に回転している場合と、第２ドメインＤＭ２において電界が印加された際（ＯＮ状態）の液晶の分子ＬＣｍが初期配向方向に対して他方の側に回転している場合とをそれぞれ示している。このため、画面を斜め方向から観た場合にはたとえば第１ドメインＤＭ１の液晶の位相差を第２ドメインＤＭ２の液晶の位相差によって打ち消し合うようになって着色されないことになる。
【００７８】
このことから、第１ドメインＤＭ１の面積と第２ドメインＤＭ２の面積とを等しくする（図６（ｂ）においてＷ１＝Ｗ２とする）ことは、画面を斜め方向から観た場合に液晶の位相差を完全に打ち消すことができることとなり、着色の防止において信頼性を有するようになる。
【実施例４】
【００７９】
図７は、本発明の液晶表示装置の実施例４における画素の構成を示している。図７は、図中ｘ方向に隣接する３個の画素を示し、これら画素はカラー表示用の単位画素として構成されるようになっている。各画素は、図中左側から右側へかけて、たとえば、赤色（Ｒ）のカラーフィルタＦＩＬを備えた赤色担当の画素、緑色（Ｇ）のカラーフィルタＦＩＬを備えた緑色担当の画素、青色（Ｂ）のカラーフィルタＦＩＬを備えた青色担当の画素となっている。
【００８０】
図７において、各画素は、実施例１に示した画素（図１に示した画素）が採用され、その詳細な構成の描画は省略し、ゲート信号線ＧＬとブラックマトリックスＢＭのみを示している。ゲート信号線ＧＬは、図中ｘ方向に直線的に伸長されて形成され、カラー表示用の単位画素を構成する各画素の画素領域は一対の隣接するゲート信号線ＧＬの間に同じ大きさ（図中ｙ方向の長さが等しい）で形成されている。
【００８１】
また、ブラックマトリックスＢＭは、各画素領域において、それぞれ、対応する位置に開口が形成されて構成されている。すなわち、各画素領域のそれぞれにおいて、図１に示したように、ブラックマトリックスＢＭ１の画素領域の中央側の辺（図中符号ＳＤｂ１で示す）が、図示しない容量電極ＣＰＴの画素領域の中央側の辺と、図示しない対向電極ＣＴの線状電極ＣＴｌ２の容量電極ＣＰＴ側の端部との間に位置づけられて形成されている。そして、このブラックマトリックスＢＭの画素領域の中央側の辺ＳＤｂ１からゲート信号線ＧＬ２を被うブラックマトリックスＢＭ２の画素領域の中央側の辺までの距離（図中Ｗで示す）が等しく設定されるようになっている。この場合、ブラックマトリックスＢＭをフォトリソグラフィ技術による選択エッチングによって形成する場合、そのエッチングずれが０．３μｍ以下の範囲で生じることから、それぞれの画素領域において、ブラックマトリックスＢＭ１とブラックマトリックスＢＭ２との間の差が０．３μｍ以下の範囲内にあるときは等しい範囲にあるとみなされる。
【００８２】
図７に示したブラックマトリックスＢＭは、実質的に画素として機能する領域を明確にするため、隣接する各画素の間にも形成されて示している。しかし、図１に示した画素構成のように、隣接する各画素の間には形成せず、ゲート信号線ＧＬとこのゲート信号線ＧＬの近傍を被うブラックマトリックスＢＭのみで構成してもよい。この場合、互いに隣接する画素における異なる色のカラーフィルタを境界部分で重ねることによって遮光してもよい。また、図の縦方向にもブラックマトリックスＢＭを設ける場合、図７のように直線状でもよいし、図１（ａ）のようなドレイン信号線ＤＬの屈曲にあわせて屈曲させてもよい。
【００８３】
このように構成したカラー用の単位画素は、各色を担当する複数の画素において、それぞれ、図１に示した構成となっていることから、全ての画素において開口率の向上が図れる構成となっている。
【００８４】
なお、この実施例４では、各画素において実施例１に示した構成が採用されたものであるが、これら各画素においてマルチドメイン方式が採用されることなくいわゆるシングルドメインとしてもよい。
【実施例５】
【００８５】
図８は、本発明の液晶表示装置の実施例５における画素の構成を示し、図  ７に対応させて描画している。
【００８６】
図８において、図７と比較して異なる構成は、カラー用の単位画素を構成する各画素のうち、緑色（Ｇ）を担当する画素（たとえば図中中央の画素）において、特に、実施例２に示した画素（図３に示した画素）が採用されていることにある。実施例２に示した画素は、ゲート信号線ＧＬ１に隣接する容量電極ＣＰＴにおける光の反射が観測者側に至るのを防止するために、基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との貼り合わせの際の合わせずれを考慮し、該容量電極ＣＰＴ等を被う遮光膜ＢＭ１の画素領域の中央側へのはみ出しを充分に行うようにしたものである。すなわち、緑色（Ｇ）を担当する画素領域において、ブラックマトリックスＢＭ１は、画素領域の中央側の辺ＳＤｂ１が、対向電極ＣＴの線状電極ＣＴｌ２の容量電極ＣＰＴ側の端部に重畳されて形成されているようになっている。
【００８７】
このため、平面的に観た場合、カラー用の単位画素を構成する各画素において、緑色を担当する画素領域のブラックマトリックスＢＭ１とブラックマトリックスＢＭ２との間の間隔（図中符号Ｗ'で示す）は、その他の色を担当する画素領域におけるブラックマトリックスＢＭ１とブラックマトリックスＢＭ２との間の間隔Ｗよりも小さくなっている。赤色、緑色、および青色のうち、最も視感度が高い波長領域に透過光の分光スペクトルをもつ色は緑色であることから、この緑色を担当する画素において、上述のように、容量電極ＣＰＴにおける光の反射の防止を図った構成としている。緑色の画素において、容量電極ＣＰＴにおける光の反射が観察者側に至った場合、他の色の画素の場合よりも、光の反射によるコントラスト比の低下が甚だしくなるからである。
【００８８】
このように構成した場合、画素の開口率を確保しつつ、光の反射によるコントラスト比の低下を抑制する効果を奏するようになる。
【００８９】
尚、縦方向のブラックマトリックスＢＭの構成の変形例については、実施例４で説明したのと同様である。
【００９０】
また、この実施例５では、各画素において実施例２に示した構成が採用されたものであるが、これら各画素においてマルチドメイン方式が採用されることなくいわゆるシングルドメインとしてもよい。
【実施例６】
【００９１】
図９は、本発明の液晶表示装置の実施例６における画素の構成を示し、図７に対応させて描画している。
【００９２】
図９に示すカラー用の単位画素を構成する各画素は、それぞれ、マルチドメイン方式を採用した構成となっている。そして、図７と比較して異なる構成は、緑色（Ｇ）を担当する画素（たとえば図中中央の画素）において、特に、実施例３に示した画素（図５に示した画素）が採用されていることにある。
【００９３】
実施例３に示した画素は、ゲート信号線ＧＬ１を被う遮光膜ＢＭ１の画素領域の中央側へのはみ出しを充分に行い、それに応じてゲート信号線ＧＬ２を被う遮光膜ＢＭ２の画素領域の中央側へのはみ出しを行ったものである。
【００９４】
このため、図６において、緑色を担当する画素領域は、そのブラックマトリックスＢＭ１が、他の色を担当する画素領域のブラックマトリックスＢＭ１よりも、画素領域の中央側にはみ出され、前記ブラックマトリックスＢＭ２は、他の色を担当する画素領域のブラックマトリックスＢＭ２よりも、画素領域の中央側にはみ出されて形成され、それらのはみ出し量（図中符号Ｗ０で示す）は等しくなっている。緑色を担当する画素領域における第１ドメインＤＭ１（図５参照）と第２ドメインＤＭ２（図５参照）との面積を等しくするためである。なお、ブラックマトリックスＢＭをフォトリソグラフィ技術による選択エッチングによって形成する場合、そのエッチングずれが０．３μｍ以下の範囲で生じることを考慮し、緑色を担当する画素領域において、ブラックマトリックスＢＭ１のはみ出し量Ｗ０とブラックマトリックスＢＭ２のはみ出し量Ｗ０との差が０．３μｍ以下の範囲内にあるときそれらは等しいとみなすことができる。
【００９５】
このように構成した場合、実施例５と同様に画素の開口率を確保しつつ、光の反射によるコントラスト比の低下を抑制できる。そして、カラー表示用の単位画素となる複数の各画素において、それぞれ、第１ドメインＤＭ１と第２ドメインＤＭ２との面積を等しくできる。したがって、画面を斜め方向から観た場合に液晶の位相差を完全に打ち消すことができ、着色の防止において信頼性を有するようになる。
【００９６】
尚、縦方向のブラックマトリックスＢＭの構成の変形例については、実施例４で説明したのと同様である。
【実施例７】
【００９７】
図１０は、本発明の液晶表示装置の実施例７における画素の構成を示している。図１０は、実施例１に示した画素の構成を改良したものとなっており、図１（ａ）と対応させて描いている。
【００９８】
図１０において、図１の場合と比較して異なる構成は、容量信号線ＣＬにあり、容量信号線ＣＬは、平面的に観た場合、ドレイン信号線ＤＬに隣接し前記ドレイン信号線ＤＬの延在方向に延在された線状の突出部ＣＬｐを備えるパターンで形成されていることにある。突起部ＣＬｐは、ドレイン信号線ＤＬを跨って形成される対向電極ＣＴに重ねられて形成されるともに、図中上側のゲート信号線ＧＬ２に近接するまで伸長されて形成されている。
【００９９】
このように構成された液晶表示装置は、ドレイン信号線ＤＬを跨って形成される対向電極の線状電極ＣＴｌ１とともに、ドレイン信号線ＤＬからの電界の漏れを完全に防止できる効果を奏する。
【０１００】
図１０は、上述したように実施例１に示した構成を改良した構成として示したものであるが、実施例２以降の各実施例に示した構成にも適用できることはもちろんである。
【０１０１】
尚、図１０では容量素子ＣＰを形成する部分で容量信号線ＣＬを太らせている箇所が図１（ａ）等と逆方向になっているが、図１（ａ）等と同じ方向に太らせてもよい。逆に、実施例１〜６において、容量信号線ＣＬを太らせる方向を図１０のようにしてもよい。
【０１０２】
以上、本発明を実施例を用いて説明してきたが、これまでの各実施例で説明した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、それぞれの実施例で説明した構成は、互いに矛盾しない限り、組み合わせて用いてもよい。
【符号の説明】
【０１０３】
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２……基板、ＳＬ……シール材、Ｖ……走査信号駆動回路、Ｈｅ……映像信号駆動回路、ＧＬ、ＧＬ１、ＧＬ２……ゲート信号線、ＤＬ……ドレイン信号線、ＣＬ……容量信号線、ＣＬｐ……突出部、ＰＩＸ……画素、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＧＴ……ゲート電極、ＤＴ……ドレイン電極、ＳＴ……ソース電極、ＰＸ……画素電極、ＰＸｌ……線状電極、ＰＸ……共通接続部、ＣＴ……対向電極、ＣＴｌ……線状電極、ＣＴｃ……共通接続部、ＣＰ……容量素子、ＣＰＴ……容量素子、ＢＭ、ＢＭ１、ＢＭ２……ブラックマトリックス（遮光膜）、ＧＩ……絶縁膜、ＰＡＳ、ＰＡＳ１、ＰＡＳ２……保護膜、ＴＨ……スルーホール、ＬＣ……液晶、ＬＣｍ……液晶の分子、ＦＩＬ……カラーフィルタ、ＯＣ……平坦化膜。
【図１】
2010175790.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2010175790.tif 000010
【図９】
2010175790.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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