(57)【要約】【課題】光源から射出された所定の波長帯域の光を減光することができる減光装置、光源装置、露光装置、及びデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】減光装置３６は、内部に密閉された空間を有する筐体４１を備え、筐体４１は、本体部４２と、本体部４２における光軸ＡＸ方向の両面に形成された開口部４３，４４を閉塞する一対のフィルタ部材４５，４６とにより構成される。両フィルタ部材４５，４６は、光源装置から射出される露光光のうちＥＵＶ光の波長成分のみを選択的に透過させる。また、気体排出側の各連通流路４９，５０の途中位置に本体部４２内の気体の圧力を検出するための真空ゲージを配置すると共に、気体導入側の各連通流路５７，５８の途中位置に流量調整バルブを配置する。そして、真空ゲージの検出結果に基づき流量調整バルブの開度を調整することで本体部４２内に供給するキセノン量を制御する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源から射出される光の光量を減少させる減光装置であって、
前記光の光路途中に配置されて前記光を透過させる少なくとも２つの光学部材を用い、気体を封入する封入部と、
前記封入部内における前記気体の圧力を調整する圧力調整部と、を備え、
前記各光学部材は、前記光のうち所定の波長帯域の光を透過させることを特徴とする減光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の減光装置であって、
前記封入部内における前記気体の圧力を検出する圧力検出部を更に備え、
前記圧力調整部は、前記圧力検出部により検出された前記気体の圧力に基づき、前記封入部内における前記気体の圧力を調整することを特徴とする減光装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の減光装置であって、
前記封入部は、該封入部内に前記気体を導入する気体導入口と、前記封入部内から前記気体を排出する気体排出口とを別々に有することを特徴とする減光装置。
【請求項４】
請求項３に記載の減光装置であって、
前記気体排出口は、前記気体導入口からの前記封入部内への前記気体の流入方向の延長線上から外れた位置に形成されていることを特徴とする減光装置。
【請求項５】
請求項３又は請求項４に記載の減光装置であって、
前記封入部は、一対の前記気体導入口を有し、
前記一対の気体導入口は、前記気体排出口とは異なる位置であって、互いに一方向に沿って対向するように配置されることを特徴とする減光装置。
【請求項６】
請求項３〜請求項５のうち何れか一項に記載の減光装置であって、
前記封入部は、一対の前記気体排出口を有し、
前記一対の気体排出口は、前記気体導入口とは異なる位置であって、互いに一方向に沿って対向するように配置されることを特徴とする減光装置。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のうち何れか一項に記載の減光装置であって、
前記各光学部材は、前記光の光軸方向において一端側に配置された光学部材と他端側に配置された光学部材の間隔が変更可能に構成されていることを特徴とする減光装置。
【請求項８】
請求項７に記載の減光装置であって、
前記封入部は、前記光の光軸方向に伸縮可能な蛇腹構造をなすように構成されていることを特徴とする減光装置。
【請求項９】
請求項７に記載の減光装置であって、
前記封入部は、前記光の光軸方向に伸縮可能なスライド構造をなすように構成されていることを特徴とする減光装置。
【請求項１０】
請求項７〜請求項９のうち何れか一項に記載の減光装置であって、
前記封入部を前記光の光軸方向に伸縮駆動させるための駆動機構を更に備えたことを特徴とする減光装置。
【請求項１１】
請求項１〜請求項１０のうち何れか一項に記載の減光装置であって、
前記封入部は、前記気体を含む混合気体を封入することを特徴とする減光装置。
【請求項１２】
請求項１１に記載の減光装置であって、
前記圧力調整部は、前記封入部内における前記混合気体の全圧を一定に保つことを特徴とする減光装置。
【請求項１３】
請求項１〜請求項１２のうち何れか一項に記載の減光装置であって、
前記所定の波長帯域の光は、ＥＵＶ光であることを特徴とする減光装置。
【請求項１４】
請求項１〜請求項１３のうち何れか一項に記載の減光装置であって、
前記気体は、前記所定の波長帯域以外の光を吸収することを特徴とする減光装置。
【請求項１５】
請求項１〜請求項１４のうち何れか一項に記載の減光装置であって、
前記気体は、不活性ガスであることを特徴とする減光装置。
【請求項１６】
請求項１〜請求項１５のうち何れか一項に記載の減光装置であって、
前記気体は、キセノン、アルゴン、及びクリプトンのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする減光装置。
【請求項１７】
請求項１〜請求項１３のうち何れか一項に記載の減光装置であって、
前記気体は、少なくとも１つの前記光学部材を冷却することを特徴とする減光装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の減光装置であって、
前記気体は、窒素、ヘリウム、アルゴン、及びキセノンのうち少なくとも１つを含むことを特徴とする減光装置。
【請求項１９】
請求項１〜請求項１８のうち何れか一項に記載の減光装置であって、
前記光学部材は、ジルコニウム、イットリウム、及びモリブデンのうち少なくとも一つを含んで構成されることを特徴とする減光装置。
【請求項２０】
プラズマを生成し、該プラズマから放射される放射ビームを供給する光源装置であって、
請求項１〜請求項１９のうち何れか一項に記載の減光装置を備えることを特徴とする光源装置。
【請求項２１】
請求項２０に記載の光源装置であって、
前記放射ビームを中間集光点に集光させる集光光学系を備えることを特徴とする光源装置。
【請求項２２】
請求項２１に記載の光源装置であって、
前記減光装置は、前記中間集光点又は前記中間集光点の近傍に配置されることを特徴とする光源装置。
【請求項２３】
請求項２０〜請求項２２のうち何れか一項に記載の光源装置と、
前記光源装置から射出される光で第１面を照明する照明光学系と、
前記第１面に形成されるパターンの像を第２面上に投影する投影光学系と、を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項２４】
光源から射出される光で第１面を照明する照明光学系と、
前記第１面に形成されるパターンの像を前記第１面とは異なる第２面上に投影する投影光学系と、
請求項１〜請求項１９のうち何れか一項に記載の減光装置と、を備えたことを特徴とする露光装置。
【請求項２５】
請求項２４に記載の露光装置であって、
前記光学部材は、前記第１面と共役でない位置に配置されていることを特徴とする露光装置。
【請求項２６】
請求項２４又は請求項２５に記載の露光装置であって、
前記光源は、プラズマを発生させ、該プラズマから放射される放射ビームを集光光学系によって集光させると共に、
前記減光装置は、前記集光光学系から射出される前記光が集光する中間集光点の位置、及び該中間集光点の近傍位置に配置されていることを特徴とする露光装置。
【請求項２７】
リソグラフィ工程を含むデバイスの製造方法において、
前記リソグラフィ工程は、請求項２３〜請求項２６のうち何れか一項に記載の露光装置を用いることを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源から射出された光の光量を減少させる減光装置、該減光装置を備える光源装置、該光源装置を備える露光装置、及び該露光装置を用いたデバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体集積回路などのマイクロデバイスを製造するための露光装置は、所定のパターンが形成されたレチクルなどのマスクに露光光を照射する照明光学系と、露光光が照射されたマスクのパターンの像を感光性材料の塗布されたウエハ、ガラスプレートなどの基板に投影する投影光学系とを備えている（例えば、特許文献１）。このような露光装置では、半導体集積回路の高集積化及び該高集積化に伴うパターンの像の微細化を図るために、投影光学系の更なる高解像度化が要望されている。そのため、露光装置に用いる露光光の短波長化が進み、近年では、ＥＵＶ（Extreme Ultraviolet ）光やＥＢ（Electron Beam ）を露光光として用いる露光装置の開発が行われている。
【特許文献１】特許第３５６４１０４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ところで、露光装置では、光源の射出側に配置される減光板（NDフィルタ）により減光することで、ウエハを照射する露光光の光量調整が行われる。しかしながら、EUV光やＥＢ光は非常に短波長であるため、従来の誘電体多層薄膜を成膜してなる減光板では所望の透過率を得ることが困難となり使用することができないという問題があった。そこで、EUV光等の短波長の光の光量を調整可能な減光装置の開発が強く望まれていた。
【０００４】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、光源から射出された所定の波長帯域の光を減光することができる減光装置、光源装置、露光装置、及びデバイスの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するため、本発明は、実施形態に示す図１〜図１０に対応付けした以下の構成を採用している。
本発明の減光装置は、光源（１３）から射出される光（ＥＬ）の光量を減少させる減光装置（３６）であって、前記光（ＥＬ）の光路途中に配置されて前記光（ＥＬ）を透過させる少なくとも２つの光学部材（４５，４６）を用い、気体を封入する封入部（４２）と、前記封入部（４２）内における前記気体の圧力を調整する圧力調整部（６１，６１ａ，６１ｂ，６２，６２ａ，６２ｂ）と、を備え、前記各光学部材（４５，４６）は、前記光（ＥＬ）のうち所定の波長帯域の光を透過させることを要旨とする。
【０００６】
上記構成によれば、光源から射出された光は、光学部材及び封入部内の気体を透過する過程で所定の波長帯域以外の光が除去される。そして、圧力調整部が封入部内における気体の圧力を調整することで、所定の波長帯域の光は、封入部内を透過する過程で減光率が調整される。
【０００７】
なお、本発明をわかりやすく説明するために実施形態を示す図面の符号に対応づけて説明したが、本発明が実施形態に限定されるものではないことは言うまでもない。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、光源から射出された所定の波長帯域の光を減光することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
（第１の実施形態）
以下、本発明の一実施形態である第１の実施形態について図１〜図５に基づいて説明する。
【００１０】
図１に示すように、本実施形態の露光装置１１は、波長が１００ｎｍ程度以下の軟Ｘ線領域である極端紫外光、即ちＥＵＶ光を露光光ＥＬとして用いるＥＵＶ露光装置であって、内部が真空雰囲気となるチャンバ１２（図１では二点鎖線で示す。）内に設置されている。この露光装置１１は、光源としての光源装置１３と、照明光学系１４と、所定のパターンが形成された反射型のレチクルＲを保持するレチクルステージ１５と、投影光学系１６と、表面にレジストなどの感光性材料が塗布された被照射体としてのウエハＷを保持するウエハステージ１７と、露光装置１１全体を制御するための制御装置７０とを備えている。なお、本実施形態の光源装置１３としてはレーザ励起プラズマ光源が用いられており、プラズマから放射された露光光（放射ビーム）ＥＬは中間集光点ＣＰに集光する。そして、中間集光点ＣＰの位置には、光源装置１３から出力された露光光ＥＬの減光率を調整するための減光装置３６が配置されている。
【００１１】
照明光学系１４は、チャンバ１２の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定される筐体１８（図１では一点鎖線で示す。）を備えている。この筐体１８内には、光源装置１３側から出力された露光光ＥＬを集光するコリメート用ミラー１９が設けられており、該コリメート用ミラー１９は、入射した露光光ＥＬを略平行に変換して射出する。そして、コリメート用ミラー１９から射出された露光光ＥＬは、オプティカルインテグレータの一種であるフライアイ光学系２０に入射する。このフライアイ光学系２０は、一対のフライアイミラー２１，２２を備えており、該各フライアイミラー２１，２２のうち入射側に配置される入射側フライアイミラー２１は、レチクルＲの被照射面（即ち、図１における下面であって、パターン形成面）とは共役となる位置に配置されている。こうした入射側フライアイミラー２１で反射された露光光ＥＬは、射出側に配置される射出側フライアイミラー２２に入射する。なお、射出側フライアイミラー２２の近傍には、開口絞り２３が配置されており、該開口絞り２３は、図示しない移動機構によって露光光ＥＬの光路外に退避移動可能となっている。
【００１２】
また、照明光学系１４には、フライアイ光学系２０から射出された露光光ＥＬを筐体１８外に射出するコンデンサミラー２４が設けられている。そして、コンデンサミラー２４から射出された露光光ＥＬは、コンデンサミラー２４よりもレチクルＲ側に配置された折り返し用の反射ミラー２５により、レチクルステージ１５に保持されるレチクルＲに導かれる。なお、照明光学系１４を構成する各ミラー１９，２１，２２，２４，２５の反射面には、露光光ＥＬを反射する反射層がそれぞれ形成されている。この反射層は、モリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を交互に積層した多層膜から構成される。
【００１３】
レチクルステージ１５は、後述する投影光学系１６の物体面側に配置されており、レチクルＲを静電吸着する静電チャック２６と、レチクルＲをＹ軸方向（図１における左右方向）に所定ストロークで移動させるレチクルステージ駆動部２７とを備えている。このレチクルステージ駆動部２７は、レチクルＲをＸ軸方向（図１において紙面と直交する方向）及びθＺ方向（Ｚ軸周りの回転方向）にも移動可能に構成されている。そして、レチクルＲにおいて上記パターンが形成された第１面としての被照射面で反射された露光光ＥＬは、投影光学系１６に導かれる。
【００１４】
投影光学系１６は、チャンバ１２の内部と同様に、内部が真空雰囲気に設定された筐体２８（図１では一点鎖線で示す。）を備えている。この筐体２８内には、複数枚（本実施形態では６枚）の反射型のミラー２９，３０，３１，３２，３３，３４が収容されている。そして、物体面側であるレチクルＲ側から導かれた露光光ＥＬは、第１ミラー２９、第２ミラー３０、第３ミラー３１、第４ミラー３２、第５ミラー３３、第６ミラー３４の順に反射され、ウエハステージ１７に保持されるウエハＷに導かれる。なお、各ミラー２９〜３４の反射面には、露光光ＥＬを反射する反射層がそれぞれ形成されている。この反射層は、モリブデンとシリコンを交互に積層した多層膜から構成される。
【００１５】
ウエハステージ１７は、基板としてのウエハＷを静電吸着する静電チャック３５と、ウエハＷをＹ軸方向に所定ストロークで移動させる図示しないウエハステージ駆動部とを備えている。このウエハステージ駆動部は、ウエハＷをＸ軸方向及びＺ軸方向にも移動させるように構成されている。また、ウエハステージ１７には、静電チャック３５を保持する不図示のウエハホルダと、該ウエハホルダのＺ軸方向における位置及びＸ軸周り、Ｙ軸周りの傾斜角を調整するＺレベリング機構（図示略）とが組み込まれている。そして、投影光学系１６から射出された露光光ＥＬがウエハＷの第２面としての被照射面（即ち、図１における上面）を照射することにより、ウエハＷには、レチクルＲ上の上記パターンを所定倍率に縮小したパターン像が投影転写される。すなわち、本実施形態の照明光学系１４及び投影光学系１６は、レチクルＲの被照射面に形成されたパターン像をウエハＷの被照射面に結像させる結像光学系として機能する。
【００１６】
次に、光源装置１３の構成について説明する。
図２に示すように、光源装置１３は、プラズマＰＬを発生させるプラズマ発生部３７と、プラズマＰＬから放射される露光光ＥＬを集光させるための筒状の集光ミラー３８とを備えている。プラズマ発生部３７は、ＥＵＶ光発生物質としてターゲット（例えば、高密度のキセノン（Ｘｅ）ガスなど）を高速で噴出するノズル３９と、半導体レーザ励起による高出力レーザ４０とを備えている。そして、高出力レーザから射出されたレーザ光がノズル３９から噴出されるキセノンガスを照射することによりプラズマＰＬが生成され、該プラズマＰＬからはＥＵＶ光が露光光ＥＬとして放出される。そして、放出された露光光ＥＬは、集光ミラー３８の入射側（−Ｚ方向側であって、図２では左側）の開口から集光ミラー３８内に入射する。
【００１７】
集光ミラー３８は、Ｚ軸方向における各部位の断面形状が円環状をなすように形成されており、集光ミラー３８の内周面には露光光ＥＬを反射可能な反射層が形成されている。そして、プラズマＰＬからの露光光ＥＬは、集光ミラー３８の内周面に反射された後、集光ミラー３８の射出側の開口（＋Ｚ方向側であって、図２では右側）から射出されて、集光ミラー３８の光軸ＡＸ上の中間集光点ＣＰに集光する。さらに、中間集光点ＣＰに集光した露光光ＥＬは、減光装置３６を介して減光された後、照明光学系１４に向けて出力される。
【００１８】
次に、光源装置１３から出力された露光光ＥＬの減光率を調整するための減光装置３６について説明する。
図２〜図４に示すように、減光装置３６は、内部に密閉された空間を有する筐体４１を備えている。この筐体４１は、略箱体状の六面体からなる本体部４２を有しており、該本体部４２における光軸ＡＸ方向（図３では、Ｚ軸方向）で対向する両面には楕円形状の開口部４３，４４がそれぞれ形成されている。そして、これらの各開口部４３，４４を閉塞するように、本体部４２には一対の薄膜状のフィルタ部材４５，４６が取着されている。
【００１９】
本体部４２における光軸ＡＸ方向と直交する一方向（図３では、Ｙ軸方向）で対向する両面の各上部中央位置には気体導入口として機能する開口部５５，５６がそれぞれ形成されており、各開口部５５，５６を基端として＋Ｙ軸方向及び−Ｙ軸方向に向けて連通流路５７，５８がそれぞれ延設されている。そして、各連通流路５７，５８の先端は、キセノンを高圧状態で貯留するキセノン貯留タンク５９，６０に連結されている。すなわち、キセノン貯留タンク５９，６０から本体部４２内にキセノンを導入する一対の連通流路５７，５８の基端側（本体部側）の開口部５５，５６は、互いにＹ軸方向に沿って対向するように配置されている。
【００２０】
また、本体部４２における光軸ＡＸ方向と直交する他方向（図３では、Ｘ軸方向）で対向する両面の各下部中央位置には気体排出口として機能する開口部４７，４８がそれぞれ形成されており、各開口部４７，４８を基端として＋Ｘ軸方向及び−Ｘ軸方向に向けて連通流路４９，５０がそれぞれ延設されている。そして、各連通流路４９，５０の先端は、内部に吸引ファンを収容した誘引送風機５１，５２に連結され、該誘引送風機５１，５２の駆動により吸引ファンが回転した場合に、連通流路４９，５０を介して本体部４２内からキセノンを吸引して排出するようになっている。すなわち、本体部４２内からキセノンを排出する一対の連通流路４９，５０の基端側（本体部側）の開口部４７，４８は、互いにＸ軸方向に沿って対向するように配置されている。
【００２１】
なお、各連通流路４９，５０の途中位置には、本体部４２内に封入されているキセノンの圧力を検出するための真空ゲージ５３，５４が圧力検出部として機能するように介設されている。そして、本実施形態では、本体部４２内は、光源装置１３から射出される露光光ＥＬのうちＥＵＶ光の波長成分は透過させる一方で、ＥＵＶ光以外の波長成分に対しては高い吸収作用をもつキセノンで充填されている。そのため、真空ゲージ５３，５４は、本体部４２内のキセノンの圧力を検出し、その検出結果を制御装置７０に対して出力するようになっている。
【００２２】
また、気体封入部としての本体部４２は、本体部４２内にキセノンを導入するための一対の連通流路５７，５８と、本体部４２内からキセノンを排出するための一対の連通流路４９，５０とを別々に有しており、各連通流路４９，５０，５７，５８の基端側（本体部側）の開口部４７，４８，５５，５６はＺ軸周りに９０度間隔で形成されている。そのため、気体排出側の各連通流路４９，５０の開口部４７，４８は、気体導入側の各連通流路５７，５８の開口部５５，５６を介した本体部４２内へのキセノンの流入方向の延長線上から外れた位置に配置される。
【００２３】
また、気体導入側の各連通流路５７，５８の途中位置には、連通流路５７，５８を流動するキセノンの流量を調整するための流量調整バルブ６１，６２がそれぞれ介設されている。そして、各流量調整バルブ６１，６２は、制御装置７０の制御信号に基づき、各連通流路５７，５８を介して本体部４２内に流入するキセノン量を制御することで本体部４２内に封入されたキセノンの圧力を調整するようになっている。すなわち、各流量調整バルブ６１，６２は、本体部４２内のキセノンの圧力を調整する圧力調整部として機能することにより、本体部４２内のキセノンを露光光ＥＬが透過する過程での該露光光ＥＬの減光率を調整し得るようになっている。
【００２４】
また、一対のフィルタ部材４５，４６は、光源装置１３から射出される露光光ＥＬのうち所定の波長成分（本実施形態では、ＥＵＶ光の波長である１３．５ｎｍ程度）の光のみを選択的に透過させ得る光学部材として構成されている。具体的には、両フィルタ部材４５，４６は、ジルコニウムを主成分とする厚さ０．１ｕｍ程度の薄膜状に成形されている。そして、減光装置３６は、両フィルタ部材４５，４６がレチクルＲの被照射面と共役でない位置に配置されるように、露光装置１１に対する組み付け位置が設定されている。
【００２５】
次に、露光装置１１の制御構成について説明する。
図１に示すように、制御装置７０は、ＣＰＵ７１、ＲＯＭ７２、及びＲＡＭ７３などを備えたコントローラと、各装置を駆動させるための駆動回路（図示略）とを主体として構成されている。ＲＯＭ７２には、キセノンの圧力と該圧力のキセノンが露光光ＥＬの光エネルギーを吸収することで減光する減光率との対応関係を示すマップ（図５参照）が記憶されている。また、ＲＡＭ７３には、露光装置１１の駆動中に適宜書き換えられる各種の情報が記憶されるようになっている。なお、制御装置７０は、減光装置３６における露光光ＥＬの減光率の目標値を設定するための入力装置７４が接続されており、入力装置７４からの入力信号を受信するようになっている。
【００２６】
次に、ＲＯＭ７２に記憶されるマップについて説明する。
図５に示すマップは、光源装置１３から射出される露光光ＥＬのうちＥＵＶ光の波長成分について、キセノンの圧力と該圧力のキセノンによる露光光ＥＬの減光率との対応関係を示したマップの一例である。そして、このマップは、キセノンの圧力が高くなるほど露光光ＥＬの減光率が高くなることを示している。
【００２７】
次に、上記のように構成された露光装置１１の作用について説明する。
さて、露光装置１１において、光源装置１３から射出される露光光ＥＬの減光率を調整する場合には、以下に示す複数の処理段階を経て、減光装置３６の本体部４２内におけるキセノン圧力を調整する。すなわち、減光装置３６における露光光ＥＬの減光率の目標値を設定する減光率設定段階と、該減光率設定段階により設定された減光率を満たすために必要なキセノンの圧力を推定するキセノン圧力推定段階とを備える。また、減光装置３６の本体部４２内におけるキセノンの圧力を検出する圧力検出段階と、該圧力検出段階の検出結果に基づき、キセノン圧力推定段階にて推定されたキセノンの圧力を満たすように減光装置３６の本体部４２内に供給するキセノン量を調整するキセノン量調整段階とを更に備えている。
【００２８】
まず、減光率設定段階として、ＣＰＵ７１は、入力装置７４から受信した信号に基づき、減光装置３６における露光光ＥＬの目標減光率Ｘ１を設定する。具体的には、光源装置１３から射出された露光光ＥＬが、照明光学系１４及び投影光学系１６を介してウエハステージ１７上のウエハＷに到達した時点で、ウエハＷの被照射面にレチクルＲのパターン像を投影転写するのに適した光強度となるように目標減光率Ｘ１を設定する。
【００２９】
そして次に、キセノン圧力推定段階として、ＣＰＵ７１は、キセノンの圧力と、該圧力のキセノンによる露光光ＥＬの減光率との対応関係を示したマップをＲＯＭ７２から読み出して、その読み出したグラフをＲＡＭ７３に一時記憶する。そして、読み出したグラフを参照しながら、減光率設定段階にて設定された目標減光率Ｘ１を満たすようなキセノンの圧力を推定し、その推定値をキセノンの目標圧力値Ｐ１としてＲＡＭ７３に一時記憶する。
【００３０】
続いて、圧力検出段階として、ＣＰＵ７１は、減光装置３６の本体部４２内と連通する連通流路４９，５０に配置された真空ゲージ５３，５４から受信した信号に基づいて減光装置３６の本体部４２内におけるキセノンの圧力を検出し、その検出したキセノンの圧力をＲＡＭ７３に一時記憶する。
【００３１】
そして次に、キセノン量調整段階として、ＣＰＵ７１は、減光装置３６の本体部４２内におけるキセノンの圧力がキセノン圧力推定段階にて推定された目標圧力値Ｐ１となるように、流量調整バルブ６１，６２の開度を調整することで減光装置３６の本体部４２内に供給するキセノン流量を調整する。具体的には、圧力検出段階にて検出されたキセノンの圧力が目標圧力値Ｐ１よりも小さい場合には、ＣＰＵ７１は、減光装置３６の本体部４２内におけるキセノンの圧力が増大するように流量調整バルブ６１，６２の開度を拡大させる。一方、圧力検出段階にて検出されたキセノンの圧力が目標圧力値Ｐ１よりも大きい場合には、ＣＰＵ７１は、減光装置３６の本体部４２内におけるキセノンの圧力が減少するように流量調整バルブ６１，６２の開度を縮小させる。
【００３２】
ところで、露光装置１１においては、光源装置１３から射出された露光光ＥＬは、光路途中に配置された減光装置３６のフィルタ部材４６を透過して本体部４２内に進入する。そして、露光光ＥＬは、本体部４２内を通過する過程で、本体部４２内に封入された気体により光エネルギーの一部が吸収されることで減光される。
【００３３】
ここで、露光光ＥＬを減光するための気体として酸素を適用する場合には、減光装置３６の本体部４２からチャンバ１２内に酸素が漏洩したとすると、その酸素がミラー１９，２１，２２，２４，２５，２９〜３４の表面に対して酸化反応をすることでミラー１９，２１，２２，２４，２５，２９〜３４の光学特性を劣化させる虞があった。また、露光光ＥＬがフィルタ部材４５，４６を透過する場合には、フィルタ部材４５，４６は、露光光ＥＬに含まれる可視光及び赤外光を高効率に吸収する、もしくは、露光光ＥＬに含まれるＥＵＶ光の一部を吸収することにより発熱して損傷する虞もあった。
【００３４】
この点、本実施形態の露光装置１１は、露光光ＥＬを減光させるための気体として、ミラー１９，２１，２２，２４，２５，２９〜３４の表面を被覆するモリブデン及びシリコンとの反応性が極めて低い不活性ガスの一種であるキセノンを適用している。そのため、もし仮に、減光装置３６の本体部４２からチャンバ１２内にキセノンが漏洩したとしても、そのキセノンがミラー１９，２１，２２，２４，２５，２９〜３４の表面に対して劣化反応を生じることはほとんどなく、ミラー１９，２１，２２，２４，２５，２９〜３４の光学特性に影響を及ぼすことが抑制される。
【００３５】
また、キセノンは、酸素と比較して露光光ＥＬに対する吸収率が高いため、少量のガス圧力で酸素と同程度の減光効果が期待できると共に、酸素と同程度のガス圧力でより多くの減光効果が期待できる。
【００３６】
さらに、露光装置１１の駆動時には、常時、本体部４２内のキセノンの圧力が減光装置３６における目標減光率Ｘ１を満たす圧力値となるように、キセノン貯留タンク５９，６０から連通流路５７，５８を介して本体部４２内にキセノンが導入されると共に、導入された量と同量のキセノンが連通流路４９，５０を介して本体部４２内から排出される。そのため、フィルタ部材４５，４６が露光光ＥＬの光エネルギーを吸収して発熱した場合であっても、フィルタ部材４５，４６からの放熱により加熱された本体部４２内のキセノンは、キセノン貯留タンク５９，６０内に常温で貯留されるキセノンに随時置換される。その結果、フィルタ部材４５，４６は、本体部４２内に常時供給される新規のキセノンにより冷却されるため、熱劣化を誘起することが抑制される。
【００３７】
したがって、本実施形態では、以下に示す効果を得ることができる。
（１）本実施形態では、減光装置３６の本体部４２における光軸ＡＸ方向の両面には、光源装置１３から射出される露光光ＥＬのうちＥＵＶ光の波長成分のみを選択的に透過させるフィルタ部材４５，４６が配置されている。そのため、露光光ＥＬは、フィルタ部材４５，４６を透過する過程で露光光ＥＬに含まれるＥＵＶ光以外の波長成分が除去（又は低減）される。すなわち、本実施形態の減光装置３６は、光源装置１３から射出された露光光ＥＬに対する減光機能と、露光光ＥＬのうちＥＵＶ光の波長成分を選択する波長選択機能とを兼備した構成となっている。したがって、減光機構と波長選択機構とを別部材構成にする場合と比較して、装置全体の小型化を図ることができる。
【００３８】
（２）本実施形態では、気体導入側の各連通流路５７，５８の途中位置に流量調整バルブ６１，６２を配置している。そして、流量調整バルブ６１，６２の開度を調整することで各連通流路５７，５８を介して本体部４２内に供給されるキセノン量が制御される。そのため、本体部４２内におけるキセノンの圧力を調整することで、露光光ＥＬが本体部４２内を透過する過程で該露光光ＥＬが減光される比率を連続的に可変できる。
【００３９】
（３）本実施形態では、気体排出側の各連通流路４９，５０の途中位置に真空ゲージ５３，５４を配置している。そして、真空ゲージ５３，５４により検出されたキセノンの圧力に基づき、流量調整バルブ６１，６２の開度を調整することで本体部４２内に供給するキセノン量が制御される。そのため、本体部４２内におけるキセノンの圧力を、減光装置３６における目標減光率Ｘ１に対応した目標圧力値Ｐ１となるように調整することができる。
【００４０】
（４）本実施形態では、本体部４２内にキセノンを導入するための連通流路５７，５８と、本体部４２内からキセノンを排出するための連通流路４９，５０とが別体に構成されている。そして、露光装置１１の駆動時には、気体導入側の各連通流路５７，５８を介してキセノン貯留タンク５９，６０から本体部４２内にキセノンが導入されると同時に、気体排出側の各連通流路４９，５０を介して本体部４２内からキセノンが排出される。そのため、フィルタ部材４５，４６が露光光ＥＬの光エネルギーを吸収して発熱した場合であっても、フィルタ部材４５，４６からの放熱により加熱された本体部４２内のキセノンは、キセノン貯留タンク５９，６０内に常温で貯留されているキセノンに随時置換される。その結果、フィルタ部材４５，４６は、本体部４２内に常時供給される新規のキセノンにより冷却されるため、熱劣化を誘起することが抑制される。したがって、フィルタ部材４５，４６の冷却機構を減光装置とは別部材構成で設ける場合と比較して、装置全体の小型化を図ることができる。
【００４１】
（５）本実施形態では、気体排出側の各連通流路４９，５０の開口部４７，４８は、気体導入側の各連通流路５７，５８を介した本体部４２内へのキセノンの流入方向の延長線上から外れた位置に配置される。そのため、気体導入側の各連通流路５７，５８を介して本体部４２内に導入されたキセノンは、流入方向に沿って本体部４２から直ちに排出されることはなく、流入方向とは異なる方向に本体部４２内を対流した後に気体排出側の各連通流路４９，５０に送出される。そのため、気体排出側の各連通流路４９，５０の開口部５５，５６をキセノンの流入方向の延長線上に配置する場合と比較して、本体部４２内のキセノンの圧力分布をより均一にすることができる。
【００４２】
（６）本実施形態では、本体部４２内に封入する気体として、不活性ガスの一種であるキセノンを適用している。そのため、本体部４２からチャンバ１２内にキセノンが漏洩した場合であっても、漏洩したキセノンがミラー１９，２１，２２，２４，２５，２９〜３４の表面に対して劣化反応を生じることはほとんどなく、ミラー１９，２１，２２，２４，２５，２９〜３４の光学特性に影響を及ぼすことを抑制できる。
【００４３】
（７）本実施形態では、光源装置１３から射出される露光光ＥＬのうちＥＵＶ光の波長成分について、キセノンの圧力と該圧力のキセノンによる露光光ＥＬの減光率との対応関係を示したマップをＲＯＭ７２に記憶している。そのため、このマップに基づいて、減光装置における目標減光率Ｘ１を満たすようなキセノンの目標圧力値Ｐ１を簡便に算出することができると共に、この目標圧力値Ｐ１と本体部４２内のキセノンの検出圧力値とを比較することにより、本体部４２内に導入するキセノン量を決定することができる。
【００４４】
（８）本実施形態では、減光装置３６の組み付け時には、フィルタ部材４５，４６がレチクルＲの被照射面と共役でない位置に配置される。そのため、フィルタ部材４５，４６は、各種ミラー１９，２１，２２，２４，２５，２９〜３４の配置位置となるレチクルＲの被照射面とは共役となる位置を占有することがなく、露光装置１１における各種ミラー１９，２１，２２，２４，２５，２９〜３４の配置に関する自由度を確保することができる。また、フィルタ部材４５，４６がレチクルＲの被照射面と共役でない位置に配置されるため、例えば減光装置３６のガス圧力にムラがあった場合においても、該ガス圧力のムラがレチクルＲの被照射面に照度ムラを生じることが抑制される。
【００４５】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態を図６に従って説明する。なお、第２の実施形態は、導入側の各連通流路５７，５８の構成が第１の実施形態と異なっている。したがって、以下の説明においては、第１の実施形態と相違する部分について主に説明するものとし、第１の実施形態と同一又は相当する部材構成には同一符号を付して重複説明を省略するものとする。
【００４６】
図６に示すように、本実施形態の減光装置３６は、気体排出側の各連通流路４９，５０の途中位置に、ガス分子をイオン化し、電場・磁場を用いて特定の質量電荷比（Ｍ／ｅ）を持つイオンを検出することで分圧を測定するマスアナライザ８１，８２がそれぞれ配置されている。そして、本実施形態では、マスアナライザ８１，８２は、本体部４２内に充填される混合気体の成分であるキセノン及び窒素の分圧をそれぞれ検出すると共に、それらの分圧値を総和することで混合気体の全圧を算出するようになっている。
【００４７】
また、気体導入側の各連通流路５７，５８は、先端側が複数（本実施形態では２つ）に分岐している。そして、分岐した各分岐流路５７ａ，５７ｂ，５８ａ，５８ｂの先端は、キセノン及び窒素を高圧状態で個別に貯留するキセノン貯留タンク５９，６０及び窒素貯留タンク８３，８４にそれぞれ連結されている。なお、各分岐流路５７ａ，５７ｂ，５８ａ，５８ｂの途中位置には、分岐流路５７ａ，５７ｂ，５８ａ，５８ｂを流動するキセノン又は窒素の流量を調整するための流量調整バルブ６１ａ，６１ｂ，６２ａ，６２ｂがそれぞれ介設されている。そして、各流量調整バルブ６１ａ，６１ｂ，６２ａ，６２ｂは、制御装置７０の制御信号に基づき、本体部４２内に流入するキセノン量又は窒素量を制御することで、本体部４２内におけるキセノンの分圧及び混合気体の全圧を調整するようになっている。
【００４８】
そして、ＣＰＵ７１は、減光装置３６の本体部４２内におけるキセノンの分圧が予め設定した目標圧力値Ｐ１となるように、流量調整バルブ６１ａ，６１ｂ，６２ａ，６２ｂの開度を調整することで減光装置３６の本体部４２内に供給するキセノン流量及び窒素流量を調整する。具体的には、マスアナライザ８１，８２により検出されたキセノンの分圧が目標圧力値Ｐ１よりも小さい場合には、ＣＰＵ７１は、キセノン貯留タンク５９，６０側の流量調整バルブ６１ａ，６２ａの開度を拡大させると共に、キセノン流量の増加分に相当する窒素流量を減少させるように窒素貯留タンク８３，８４側の流量調整バルブ６１ｂ，６２ｂの開度を縮小させる。
【００４９】
一方、マスアナライザ８１，８２により検出されたキセノンの分圧が目標圧力値Ｐ１よりも大きい場合には、ＣＰＵ７１は，キセノン貯留タンク５９，６０側の流量調整バルブ６１ａ，６２ａの開度を縮小させると共に、キセノン流量の減少分に相当する窒素流量を増加させるように窒素貯留タンク８３，８４側の流量調整バルブ６１ｂ，６２ｂの開度を拡大させる。その結果、減光装置３６は、本体部４２内における混合気体の全圧が一定に保たれた状態でキセノンの分圧が調整されるようになっている。
【００５０】
したがって、本実施形態では、上記第１の実施形態の効果（１）〜（８）に加えて以下に示す効果を得ることができる。
（９）本実施形態では、制御装置７０は、本体部４２内における混合気体の全圧が一定に保たれるようにキセノン流量及び窒素流量を制御する。そのため、マスアナライザ８１，８２が本体部４２内における混合気体の全圧の低下を検出した場合には、フィルタ部材４５，４６の損傷等の要因により本体部４２から混合気体が漏洩していることを判別できる。すなわち、減光装置３６の動作状況を常に監視することができるため、減光装置３６の動作の信頼性を高めることが可能となる。
【００５１】
なお、上記実施形態は以下のような別の実施形態に変更してもよい。
・上記各実施形態において、図７に示すように、減光装置３６の本体部４２は、露光光ＥＬの光軸ＡＸ方向（Ｚ軸方向）に伸縮可能な蛇腹構造をなすように構成してもよい。この場合、露光光ＥＬの光軸ＡＸ方向において一端側（図７では＋Ｚ方向側）のフィルタ部材４５と他端側（図７では−Ｚ方向側）のフィルタ部材４６との間隔を変更するように、本体部４２を伸縮駆動させるための駆動機構（図示略）を配置することが望ましい。この構成によれば、駆動機構が本体部４２を伸長させて本体部４２内を通過する露光光ＥＬの光路長を増大させることで、減光装置３６における露光光ＥＬの減光率を増加させることができる。また、駆動機構が本体部４２を収縮させて本体部４２内を通過する露光光ＥＬの光路長を縮小させることで、減光装置３６における露光光ＥＬの減光率を減少させることができる。すなわち、駆動機構は、本体部４２を露光光ＥＬの光軸ＡＸ方向に伸縮駆動させることにより、本体部４２内のキセノンの圧力を変更することなく、減光装置３６における露光光ＥＬの減光率を調整することができる。
【００５２】
・上記各実施形態において、図８に示すように、減光装置３６の本体部４２は、露光光ＥＬの光軸ＡＸ方向に伸縮可能なスライド構造をなすように構成してもよい。例えば、図８（ａ）（ｂ）に示す構成では、本体部４２は、露光光ＥＬの光軸ＡＸ方向において、入射側（図８（ａ）（ｂ）では−Ｚ方向側）が閉塞し、且つ射出側（図８（ａ）（ｂ）では＋Ｚ方向側）が開口した有底略四角筒状のベース部材９０を備えている。すなわち、ベース部材の底壁には、楕円形状の開口部が形成されると共に、この開口部を閉塞するように薄膜状のフィルタ部材４６が配置されている。また、ベース部材９０の側壁における角部には、その内側面から内側に向けて突出した四角柱状の支柱部９１ａ，９１ｂ，９１ｃ，９１ｄが上下方向に沿って延びるように形成されている。さらに、図８（ｂ）に示すように、支柱部９１ａ〜９１ｄにおける上下方向の途中位置には、突片状の係止部９２ａ，９２ｂが水平方向に沿って内向きに延設されている。
【００５３】
また、ベース部材９０の底壁９０ａ及び側壁９０ｂにより囲繞される空間内には、ベース部材９０の上部の開口を覆蓋するように、ベース部材９０の平面視形状と対応した四角板状をなす蓋部材９３が配置されることにより、キセノンを封入する封入室９４を形成している。また、蓋部材９３において、ベース部材９０に形成された支柱部９１ａ〜９１ｄに対して上下方向で対応する位置（即ち、蓋部材９３の４つの角部）には、支柱部９１ａ〜９１ｄを嵌挿するための四角形状の溝部９５ａ，９５ｂ，９５ｃ，９５ｄが切り欠き形成されている。そして、蓋部材９３は、これらの各溝部９５ａ〜９５ｄがベース部材９０の内側面に対応形成された各支柱部９１ａ〜９１ｄに凹凸嵌合した状態でベース部材９０内に配置されている。すなわち、蓋部材９３は、各溝部９５ａ〜９５ｄが対応する支柱部９１ａ〜９１ｄに対する嵌合態様を維持した状態で、上下方向に摺動ガイドされながら移動することが可能となっている。
【００５４】
なお、蓋部材９３には、楕円形状の開口部４３が形成されると共に、この開口部４３を閉塞するように薄膜状のフィルタ部材４５が配置されている。また、ベース部材９０内には、上下方向において一端側（図８では＋Ｚ方向側）のフィルタ部材４５と他端側（図８では−Ｚ方向側）のフィルタ部材４６との間隔を変更するように、蓋部材９３を上下方向にスライド移動させるための駆動機構（図示略）が配置されている。
【００５５】
この構成によれば、駆動機構の駆動に基づき蓋部材９３が光軸ＡＸ方向に移動して封入室９４内を通過する露光光ＥＬの光路長を増減させることで、封入室９４内のキセノンの圧力を変更することなく、減光装置３６における露光光ＥＬの減光率を調整することができる。
【００５６】
なお、係止部９２ａ，９２ｂは、気体導入側の各連通流路５７，５８の開口部５５，５６に対して相対的に上方となる位置に形成されている。そのため、蓋部材９３は、係止部９２ａ，９２ｂよりその下方への移動が規制されるため、気体導入側の各連通流路５７，５８内が封入室９４の外部空間に対して連通状態となることはなく、キセノン貯留タンク５９，６０内のキセノンが各連通流路５７，５８を介してチャンバ１２内に漏洩することを抑制できる。
【００５７】
・上記各実施形態において、本体部４２内に封入する気体として、アルゴン又はクリプトン等の他の気体を適用してもよい。すなわち、光源装置１３から射出される露光光ＥＬのうちＥＵＶ光の波長成分は透過させる一方で、ＥＵＶ光以外の波長成分に対して高い吸収作用をもつ気体であれば適用することができる。
【００５８】
・上記各実施形態において、例えば、露光装置１１の駆動停止時において、フィルタ部材４５，４６の冷却のみを実行する場合には、本体部４２内に常時供給する気体として、窒素又はヘリウム等の他の気体を適用してもよい。なお、この場合、気体は、ミラー１９，２１，２２，２４，２５，２９〜３４の表面を被覆するモリブデン及びシリコンとの反応性が極めて低い不活性ガスであることが望ましい。
【００５９】
・上記各実施形態において、気体導入口としての開口部５５，５６同士は互いに一方向（Ｙ軸方向）に沿って対向した位置に設けられていなくてもよく、又、気体排出口としての開口部４７，４８同士は互いに一方向（Ｘ軸方向）に沿って対向した位置に設けられていなくてもよい。
【００６０】
・上記各実施形態において、気体導入口としての開口部５５，５６と気体排出口としての開口部４７，４８は本体部４２における同じ面に設けられていてもよい。
・上記各実施形態において、光学部材としてのフィルタ部材は、露光光ＥＬの光路途中に配置されるならば、本体部４２の開口部４３，４４を閉塞する一対のフィルタ部材４５，４６に加えて本体部４２内に更に少なくとも一つのフィルタ部材が設けられていてもよい。
【００６１】
・上記各実施形態において、フィルタ部材４５，４６は、イットリウム又はモリブデン等の他の材質を主成分として成形してもよい。すなわち、ＥＵＶ光の波長成分のみを選択的に透過する材質であれば適用することができる。
【００６２】
・上記各実施形態において、ＥＵＶ光を出力可能な光源装置１３として、キセノンに対して高圧電圧を印加することで放電を生じ、更に、荷電粒子流の自己磁場によるピンチ作用によって高密度のプラズマを生成する放電型プラズマ光源を適用してもよい。
【００６３】
・上記各実施形態において、光源装置１３は、例えばＡｒＦエキシマレーザ（１９３ｎｍ）、Ｆ２レーザ（１５７ｎｍ）、Ｋｒ２レーザ（１４６ｎｍ）、Ａｒ２レーザ（１２６ｎｍ）、ＥＢ光等の短波長の光を出力可能な光源であってもよい。また、光源装置１３は、ＤＦＢ半導体レーザまたはファイバレーザから発振される赤外域、または可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（またはエルビウムとイッテルビウムの双方）がドープされたファイバアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を出力可能な光源であってもよい。このような光源装置１３を用いる場合、光源装置１３から射出される露光光ＥＬの波長成分に応じて、フィルタ部材４５，４６の材質、及び本体部４２内に封入する気体の種類を選択する。
【００６４】
・上記各実施形態において、露光装置１１は、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクルまたはマスクを製造するために、マザーレチクルからガラス基板やシリコンウエハなどへ回路パターンを転写する露光装置であってもよい。また、露光装置１１は、液晶表示素子（ＬＣＤ）などを含むディスプレイの製造に用いられてデバイスパターンをガラスプレート上へ転写する露光装置、薄膜磁気ヘッド等の製造に用いられて、デバイスパターンをセラミックウエハ等へ転写する露光装置、及びＣＣＤ等の撮像素子の製造に用いられる露光装置などであってもよい。また、露光装置１１は、縮小露光型の露光装置に限定されるものではなく、例えば等倍露光型、拡大露光型の露光装置であってもよい。
【００６５】
次に、本発明の実施形態の露光装置１１によるデバイスの製造方法をリソグラフィ工程で使用したマイクロデバイスの製造方法の実施形態について説明する。図９は、マイクロデバイス（ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造例のフローチャートを示す図である。
【００６６】
まず、ステップＳ１０１（設計ステップ）において、マイクロデバイスの機能・性能設計（例えば、半導体デバイスの回路設計等）を行い、その機能を実現するためのパターン設計を行う。引き続き、ステップＳ１０２（マスク製作ステップ）において、設計した回路パターンを形成したマスク（レチクルＲなど）を製作する。一方、ステップＳ１０３（基板製造ステップ）において、シリコン、ガラス、セラミックス等の材料を用いて基板（シリコン材料を用いた場合にはウエハＷとなる。）を製造する。
【００６７】
次に、ステップＳ１０４（基板処理ステップ）において、ステップＳ１０１〜ステップＳ１０４で用意したマスクと基板を使用して、後述するように、リソグラフィ技術等によって基板上に実際の回路等を形成する。次いで、ステップＳ１０５（デバイス組立ステップ）において、ステップＳ１０４で処理された基板を用いてデバイス組立を行う。このステップＳ１０５には、ダイシング工程、ボンティング工程、及びパッケージング工程（チップ封入）等の工程が必要に応じて含まれる。最後に、ステップＳ１０６（検査ステップ）において、ステップＳ１０５で作製されたマイクロデバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検査を行う。こうした工程を経た後にマイクロデバイスが完成し、これが出荷される。
【００６８】
図１０は、半導体デバイスの場合におけるステップＳ１０４の詳細工程の一例を示す図である。
ステップＳ１１１（酸化ステップ）おいては、基板の表面を酸化させる。ステップＳ１１２（ＣＶＤステップ）においては、基板表面に絶縁膜を形成する。ステップＳ１１３（電極形成ステップ）においては、基板上に電極を蒸着によって形成する。ステップＳ１１４（イオン打込みステップ）においては、基板にイオンを打ち込む。以上のステップＳ１１１〜ステップＳ１１４のそれぞれは、基板処理の各段階の前処理工程を構成しており、各段階において必要な処理に応じて選択されて実行される。
【００６９】
基板プロセスの各段階において、上述の前処理工程が終了すると、以下のようにして後処理工程が実行される。この後処理工程では、まず、ステップＳ１１５（レジスト形成ステップ）において、基板に感光性材料を塗布する。引き続き、ステップＳ１１６（露光ステップ）において、上で説明したリソグラフィシステム（露光装置１１）によってマスクの回路パターンを基板に転写する。次に、ステップＳ１１７（現像ステップ）において、ステップＳ１１６にて露光された基板を現像して、基板の表面に回路パターンからなるマスク層を形成する。さらに続いて、ステップＳ１１８（エッチングステップ）において、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去る。そして、ステップＳ１１９（レジスト除去ステップ）において、エッチングが済んで不要となった感光性材料を取り除く。すなわち、ステップＳ１１８及びステップＳ１１９において、マスク層を介して基板の表面を加工する。これらの前処理工程と後処理工程とを繰り返し行うことによって、基板上に多重に回路パターンが形成される。
【図面の簡単な説明】
【００７０】
【図１】第１の実施形態の露光装置を示す概略構成図。
【図２】第１の実施形態の光源装置を示す概略断面図。
【図３】第１の実施形態の減光装置を示す概略斜視図。
【図４】第１の実施形態の減光装置を示す概略平面図。
【図５】キセノンの圧力と該圧力のキセノンが減光する露光光の減光率との対応関係を示すマップ。
【図６】第２の実施形態の減光装置を示す概略平面図。
【図７】別の実施形態の減光装置を示す概略斜視図。
【図８】（ａ）は別の実施形態の減光装置を示す概略斜視図、（ｂ）は（ａ）における２−２線矢視断面図。
【図９】デバイスの製造例のフローチャート。
【図１０】半導体デバイスの場合の基板処理に関する詳細なフローチャート。
【符号の説明】
【００７１】
１１…露光装置、１３…光源としての光源装置、１４…照明光学系、１６…投影光学系、３６…減光装置、３８…集光光学系としての集光ミラー、４２…封入部としての本体部、４５，４６…光学部材としてのフィルタ部材、４７，４８…気体排出口としての開口部、５５，５６…気体導入口としての開口部、６１，６１ａ，６１ｂ，６２，６２ａ，６２ｂ…圧力調整部としての流量調整バルブ、５３，５４…圧力検出部としての真空ゲージ、ＡＸ…光軸、ＣＰ…中間集光点、ＥＬ…光としての露光光、ＰＬ…プラズマ、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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