(57)【要約】      （修正有）【課題】基板が破損する可能性を軽減しつつ、基板が載置台上に吸着しているか否かを検出し解消する吸着検知解消方法を提供すること。【解決手段】載置台の載置面から被処理体の裏面に対して、所定の吸着判定圧力にて流体を供給する工程と（ステップ２）、吸着判定圧力にて流体を供給開始してから、所定の吸着判定時間が経過したときの流体の流量を検知する工程と、該工程において検知された流体の流量が、所定の吸着判定流量以下か否か、を判定する工程と（ステップ３）、該工程における判定の結果、流体の流量が吸着判定流量以下の場合、被処理体の裏面に対して流体を供給する圧力を吸着判定圧力よりも高圧の吸着解消圧力にする工程と（ステップ７）、を具備する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体を載置する載置台から前記被処理体を離脱させる前に、前記被処理体が前記載置台上に吸着しているか否かを検知し、吸着している場合は吸着を解消する吸着検知解消方法であって、
（１）前記載置台の載置面から前記被処理体の裏面に対して、所定の吸着判定圧力にて流体を供給する工程と、
（２）前記吸着判定圧力にて流体を供給開始してから、所定の吸着判定時間が経過したときの前記流体の流量を検知する工程と、
（３）前記（２）工程において検知された前記流体の流量が、所定の吸着判定流量以下か否か、を判定する工程と、
（４）前記（３）工程における判定の結果、前記流体の流量が前記吸着判定流量以下の場合、前記被処理体の裏面に対して流体を供給する圧力を前記吸着判定圧力よりも高圧の吸着解消圧力にする工程と、
を具備することを特徴とする吸着検知解消方法。
【請求項２】
（５）前記被処理体の裏面に対して流体を供給する圧力を前記吸着解消圧力にしたのち、所定の吸着解消判定時間が経過するまでの前記被処理体の裏面に対し供給される前記流体の流量が、所定の吸着解消判定流量以上か否かを判定する工程、
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の吸着検知解消方法。
【請求項３】
前記吸着解消判定流量の値が、前記吸着判定流量の値よりも小さいことを特徴とする請求項２に記載の吸着検知解消方法。
【請求項４】
前記（５）工程における判定の結果、前記流体の流量が前記吸着解消判定流量以上の場合、
（６）前記被処理体の裏面に対し供給される前記流体の流量が、前記吸着判定流量以上か否かを判定し、前記被処理体の前記載置台への吸着が解消されているか否かを判定する工程、
をさらに備えることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の吸着検知解消方法。
【請求項５】
前記（５）工程における判定の結果、吸着が未解消である場合、又は
前記（６）工程における再判定の結果、吸着が未解消である場合、
（７）前記被処理体の周縁部を持ち上げるリフターピンを駆動して、前記被処理体の撓み許容範囲内で前記被処理体の周縁部のみを持ち上げて、前記載置台から剥離させる工程、
をさらに備えることを特徴とする請求項４に記載の吸着検知解消方法。
【請求項６】
前記（７）工程において、前記リフターピンを駆動して持ち上げる前記被処理体の周縁部は、前記被処理体の四隅であることを特徴とする請求項５に記載の吸着検知解消方法。
【請求項７】
前記（７）工程において、前記リフターピンを駆動して持ち上げる前記被処理体の周縁部は、前記被処理体の対向する二辺であることを特徴とする請求項５に記載の吸着検知解消方法。
【請求項８】
前記（７）工程において、前記リフターピンによる前記被処理体の周縁部のみを持ち上げる動作は、所定の制限時間の間、繰り返し実施されることを特徴とする請求項５乃至請求項７いずれか一項に記載の吸着検知解消方法。
【請求項９】
前記（７）工程が、前記被処理体の除電しながら行われることを特徴とする請求項５乃至請求項８いずれか一項に記載の吸着検知解消方法。
【請求項１０】
前記（７）工程において、前記被処理体の裏面に対し供給される前記流体の流量が、前記吸着判定流量以下か否かを再判定し、前記被処理体の前記載置台への吸着が解消されたか否かを判定することを特徴とする請求項５乃至請求項９いずれか一項に記載の吸着検知解消方法。
【請求項１１】
前記（３）工程における判定の結果、吸着していない場合、又は
前記（６）工程における再判定の結果、吸着が解消した場合、又は
前記（７）工程における再判定の結果、吸着が解消した場合、
前記リフターピンを用いて、前記被処理体を前記載置台から離脱させることを特徴とする請求項１０に記載の吸着検知解消方法。
【請求項１２】
前記（７）工程における再判定は、所定の制限時間まで続けられ、前記制限時間までに前記被処理体の前記載置台への吸着が解消されない場合には、処理を中止することを特徴とする請求項１０又は請求項１１に記載の吸着検知解消方法。
【請求項１３】
前記載置台の載置面から前記被処理体の裏面に対し流体を供給した際、前記被処理体の中央部分の膨らみが限界に達したとき、
（８）前記リフターピンを駆動して前記被処理体の外側を持ち上げ、前記被処理体の外側を、前記被処理体の撓み許容範囲内で前記載置台から剥離させる工程を、さらに備えることを特徴とする請求項１乃至請求項１２いずれか一項に記載の吸着検知解消方法。
【請求項１４】
前記（１）工程と、前記（２）工程との間に、
（９）前記被処理体を除電する除電工程を、さらに備えることを特徴とする請求項１乃至請求項１３いずれか一項に記載の吸着検知解消方法。
【請求項１５】
被処理体を載置する載置台と、
前記載置台の載置面上から突没可能に構成され、前記載置台の載置面上方で前記基板を昇降させるリフターピンと、
前記載置台の載置面上に設けられた複数のガス穴と、
前記複数のガス穴に接続されたガス供給管と、
前記ガス供給管にガスを供給するガス供給機構と、
前記ガス供給管に設けられ、前記ガス供給管内の圧力を設定された圧力となるように、前記ガス供給管に供給されるガス流量を調整する圧力調整機構と、
前記請求項１乃至請求項１４いずれか一項に記載の吸着検知解消方法を実行するように、前記圧力調整機構、及び前記リフターピンの少なくともいずれかを制御する制御機構と、
を具備することを特徴とする処理装置。
【請求項１６】
コンピュータ上で動作し、処理装置を制御する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、請求項１乃至請求項１４いずれか一項に記載の吸着検知解消方法が行われるように、前記処理装置を制御させることを特徴とするコンピュータ読取可能な記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ガラス基板等の基板が載置台上に吸着しているか否かを検出し解消する吸着検知解消方法、この吸着検知解消方法を実行することが可能な処理装置、及び上記吸着検知解消方法を処理装置に実行させるプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイを製造する際、ガラス基板上に電気的素子を形成するために、ドライエッチング装置などのプラズマ処理装置が用いられる。プラズマ処理装置は基板を載置する載置台を備えており、載置台の表面は、プラズマによる異常放電を防止するため、陽極酸化膜などの絶縁物で被覆されている。
【０００３】
絶縁物であるガラス基板を、絶縁物で被覆された載置台上でプラズマ処理した場合、基板や載置台表面が帯電し、双方が吸着することがある。双方が吸着しているとき、基板を搬出するためにリフターピンを駆動させると、吸着力が強い場合、基板が浮上できずに割れてしまう。
【０００４】
そこで、特許文献１には、基板をリフターピンで突き上げる際に、基板の載置台への静電吸着力に関するデータを検出し、静電吸着力が所定値以上である場合に、リフターピンによる突き上げ動作を規制するようにした基板の取り扱い方法が記載されている。
【０００５】
さらに、特許文献２には、静電吸着力が強い場合に、伝熱ガスを基板と載置台との間に供給し、リフターピンによる突き上げ力と、伝熱ガスによる圧力とで基板を押し上げるようにした基板取り外し制御方法が記載されている。
【０００６】
また、特許文献３には、成膜またはエッチング処理後に、試料を試料保持部から離脱させる場合、アルゴン、ヘリウム等のガスを試料下面の多くの箇所に押し上げ力として均等に付与し、この後、プラズマを照射して試料に蓄積された電荷を放出させる。ガス圧力に比べて、残留吸着力が小さくなった時点で、試料が試料保持部から離脱する、という試料の離脱方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−２６０８９７号公報
【特許文献２】特開２０００−２００８２５号公報
【特許文献３】特開平７−１３０８２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ガラス基板は、薄膜化、大型化が進展している。このため、特許文献１、２のように、リフターピンにかかる圧力に基づいて静電吸着力の強さを判定する方式では、基板と載置台との間に静電吸着力が作用しているか否かに関わらずにリフターピンを駆動してしまうため、ガラス基板が破損する可能性が高まってきている。
【０００９】
特許文献３は、試料の離脱方法を記載するのみで、試料と試料保持部とが吸着しているか否かの判定はしない。
【００１０】
また、特許文献３に記載された離脱方法は、試料が試料保持部から離脱するまでガス圧力を上げる。このため、試料がガラス基板のように破損しやすいものであった場合には、試料が強く試料保持部に吸着していると、試料が試料保持部から離脱する前に破損してしまう可能性がある。
【００１１】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、基板が破損する可能性を軽減しつつ、基板が載置台上に吸着しているか否かを検出し解消する吸着検知解消方法、この吸着検知解消方法を実行することが可能な処理装置、及び上記吸着検知解消方法を処理装置に実行させるプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、この発明の第１の態様に係る吸着検知解消方法は、被処理体を載置する載置台から前記被処理体を離脱させる前に、前記被処理体が前記載置台上に吸着しているか否かを検知し、吸着している場合は吸着を解消する吸着検知解消方法であって、（１）前記載置台の載置面から前記被処理体の裏面に対して、所定の吸着判定圧力にて流体を供給する工程と、（２）前記吸着判定圧力にて流体を供給開始してから、所定の吸着判定時間が経過したときの前記流体の流量を検知する工程と、（３）前記（２）工程において検知された前記流体の流量が、所定の吸着判定流量以下か否か、を判定する工程と、（４）前記（３）工程における判定の結果、前記流体の流量が前記吸着判定流量以下の場合、前記被処理体の裏面に対して流体を供給する圧力を前記吸着判定圧力よりも高圧の吸着解消圧力にする工程と、を具備する。
【００１３】
また、この発明の第２の態様に係る処理装置は、被処理体を載置する載置台と、前記載置台の載置面上から突没可能に構成され、前記載置台の載置面上方で前記基板を昇降させるリフターピンと、前記載置台の載置面上に設けられた複数のガス穴と、前記複数のガス穴に接続されたガス供給管と、前記ガス供給管にガスを供給するガス供給機構と、前記ガス供給管に設けられ、前記ガス供給管内の圧力を設定された圧力となるように、前記ガス供給管に供給されるガス流量を調整する圧力調整機構と、上記第１の態様に係る吸着検知解消方法を実行するように、前記圧力調整機構、及び前記リフターピンの少なくともいずれかを制御する制御機構と、を具備する。
【００１４】
また、この発明の第３の態様に係るコンピュータ読み取り可能な記憶媒体は、コンピュータ上で動作し、処理装置を制御する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、前記制御プログラムは、実行時に、上記第１の態様に係る吸着検知解消方法が行われるように、前記処理装置を制御させる。
【発明の効果】
【００１５】
この発明によれば、基板が破損する可能性を軽減しつつ、基板が載置台上に吸着しているか否かを検出し解消する吸着検知解消方法、この吸着検知解消方法を実行することが可能な処理装置、及び上記吸着検知解消方法を処理装置に実行させるプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】この発明の第１の実施形態に係る吸着検知解消方法を実施することが可能な基板処理装置の一例を概略的に示す断面図
【図２】基板を載置台上に載置した状態を示す図
【図３】吸着なし状態を示す図
【図４】吸着ありの状態を示す図
【図５】吸着の有無によるガス流量の変化を示す図
【図６】この発明の第１の実施形態に係る吸着検知解消シーケンスの一例を示す流れ図
【図７】この発明の第２の実施形態に係る吸着検知解消シーケンスの一例を示す流れ図
【図８】吸着の有無及び吸着解消の有無によるガス流量の変化を示す図
【図９】基板Ｇを撓ませている状態の一例を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、この発明の実施形態を、図面を参照して説明する。なお、全図にわたり、共通の部分には共通の参照符号を付す。
【００１８】
（第１の実施形態）
図１は、この発明の第１の実施形態に係る吸着検知解消方法を実施することが可能な処理装置の一例を、概略的に示す断面図である。本例では処理装置として、被処理体である基板、例えば、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）用のガラス基板（以下、単に「基板」と記す）Ｇに対してプラズマエッチングを施すプラズマエッチング装置を例示する。なお、この発明はプラズマエッチング装置に限って適用されるものではない。
【００１９】
図１に示すように、プラズマエッチング装置１は、基板Ｇに対してエッチングを行う容量結合型平行平板プラズマエッチング装置として構成されている。
【００２０】
プラズマエッチング装置１は、基板Ｇを収容する処理容器としてのチャンバー２を備えている。チャンバー２は、例えば、表面がアルマイト処理（陽極酸化処理）されたアルミニウムからなり、基板Ｇの形状に対応して四角筒形状に形成されている。
【００２１】
チャンバー２の底壁には、絶縁体３ｂを介して基板Ｇを載置する載置台（ステージ）３が設けられている。載置台３は、基板Ｇの形状に対応して四角板状に形成されており、本例では高周波電源７に接続されている。また、載置台３の基板Ｇを載置する載置面３ａには、基板Ｇの裏面に向けて不活性ガスを流出させる複数のガス穴４が形成されている。複数のガス穴４はそれぞれ、不活性ガスが供給される不活性ガス供給管５に接続されている。また、特に図示しないが、載置台３の表面は、プラズマによる異常放電を防止するため、陽極酸化膜などの絶縁物で被覆されている。
【００２２】
チャンバー２の上壁には、チャンバー２内に処理ガスを供給するシャワーヘッド６が、載置台３と対向するように設けられている。シャワーヘッド６は、内部に処理ガスを拡散させるガス拡散空間６ａを備え、載置台３との対向面に処理ガスを吐出する複数の吐出孔６ｂを備えている。本例では、シャワーヘッド６は接地されており、載置台３とともに一対の平行平板電極を構成する。
【００２３】
シャワーヘッド６の上面にはガス導入口６ｃが設けられている。ガス導入口６ｃは、処理ガス供給管８に接続されている。処理ガス供給管８には、図示せぬバルブおよびマスフローコントローラを介して、図示せぬ処理ガス供給源からエッチングのための処理ガスが供給される。処理ガスとしては、ハロゲン系のガス、Ｏ２ガス、Ａｒガス等、通常この分野で用いられるガスを用いることができる。
【００２４】
チャンバー２の底壁には排気管９が接続されている。排気管９は、図示せぬ排気装置に接続されている。チャンバー２の内部は、図示せぬ排気装置を用いて排気することで、所定の減圧雰囲気まで真空引きすることが可能である。
【００２５】
チャンバー２の側壁には、基板Ｇを搬入出する搬入出口１０が形成されている。搬入出口１０はゲートバルブ１１により開閉される。
【００２６】
チャンバー２の底壁及び載置台３には、これらを貫通する複数の挿通孔１２が形成されている。複数の挿通孔１２には、基板Ｇを下方から支持して昇降させるリフターピン１３が載置面３ａに対して突没可能に挿入されている。図１においては、リフターピン１３が載置面３ａから突出し、基板Ｇを載置台３の上方に保持している状態が示されている。図１では、便宜上、複数の挿通孔１２は載置台３の周縁部のみに図示されているが、複数の挿通孔１２は、載置台３の中央部にも形成されている。
【００２７】
制御部１４は、プラズマエッチング装置１を制御する。制御部１４は、コントローラ１４１、ユーザーインターフェース１４２、及び記憶部１４３を含んで構成される。ユーザーインターフェース１４２は、工程管理者が、プラズマエッチング装置１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボード、プラズマエッチング装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を含む。記憶部１４３には、プラズマエッチング装置１による処理を、コントローラ１４１の制御にて実現するための制御プログラムや駆動条件データ等が記録されたレシピが格納される。レシピは、必要に応じてユーザーインターフェース１４２からの指示により記憶部１４３から呼び出され、コントローラ１４１に実行させることでプラズマエッチング装置１が制御される。レシピは、例えば、ＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フラッシュメモリなどのコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納された状態のものを利用したり、あるいは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させて利用したりすることも可能である。
【００２８】
プラズマエッチング装置１が備える載置台３は、上述したように、不活性ガス供給管５、この不活性ガス供給管５に接続され、載置面３ａから基板Ｇの裏面に向けて不活性ガスを流出させる複数のガス穴４を有している。不活性ガス供給管５の上流には圧力調整バルブ（ＰＣＶ）１５が有り、この圧力調整バルブ１５を介して、不活性ガス供給機構１６に接続されている。不活性ガスとしては、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の希ガスの他、窒素ガスも使用することができる。圧力調整バルブ１５は、不活性ガス供給管５内の圧力Ｐ１がコントローラ１４１にて予め設定された圧力Ｐ０になるように、不活性ガス供給管５に供給する不活性ガス流量を制御する。
【００２９】
なお、ガス穴４、不活性ガス供給管５、圧力調整バルブ１５、及び不活性ガス供給機構１６は、載置台３に既設されている基板冷却機構等を利用するようにしても良い。
【００３０】
はじめに、この発明の第１の実施形態に係る吸着状態を確認する方法を説明する。
【００３１】
図２は基板を載置台上に載置した状態を示す図、図３は吸着なしの状態を示す図、図４は吸着ありの状態を示す図である。
【００３２】
プラズマ処理終了後、基板Ｇを載置台３の載置面３ａ上に載置した状態（図２参照）にて、吸着状態を確認する方法は、次の通りである。
【００３３】
（１）圧力調整バルブ１５の設定圧力をＰ０とし、不活性ガス供給管５へ不活性ガスを供給する。設定圧力Ｐ０は、基板冷却のために使用されるバッククーリングガスの圧力よりも低く設定する。
【００３４】
（２）不活性ガス供給管５へ不活性ガスを供給開始してから、所定の吸着判定時間ｔ１が経過したのち、圧力調整バルブ１５が不活性ガス供給管５に流すガス流量Ｑを検知する。このときのガス流量Ｑの大小に基づいて、基板Ｇと載置台３との吸着の有無を判定する。
【００３５】
基板Ｇが載置台３に吸着していない、又は吸着が弱い場合（“吸着なし”または、“吸着弱”の場合）、不活性ガスを不活性ガス供給管５に供給すると基板Ｇが浮上し、載置面３ａと基板Ｇの裏面との間に大きな隙間１００が生じる（図３参照）。ガス穴４から流出した不活性ガスは大きな隙間１００を流れるため、不活性ガス供給管５内の圧力Ｐ１は上がり難くなる。このため、不活性ガスの供給開始から吸着判定時間ｔ１が経過しても、不活性ガス供給管５内の圧力Ｐ１は、設定圧力Ｐ０に到達できない（Ｐ０＞＞Ｐ１）。不活性ガス供給管５内の圧力Ｐ１が設定圧力Ｐ０に到達していないため、圧力調整バルブ１５が不活性ガス供給管５に流すガス流量Ｑは、圧力調整バルブ１５が流せる最大のガス流量Ｑ１となる。
【００３６】
基板Ｇが載置台３に吸着している、即ち、吸着が強い場合（“吸着あり”または、“吸着強”の場合）、基板Ｇは反対に浮上し難くなる。基板Ｇが浮上し難いため、載置台３と基板Ｇとの間には隙間ができないか、もしくは“吸着なし”の場合に比較して小さな隙間１０１しか生じない（図４参照）。ガス穴４から流出した不活性ガスの漏れが、“吸着なし”の場合に比較して大幅に制限され、不活性ガス供給管５内の圧力Ｐ１は上がり易くなる。このため、吸着判定時間ｔ１が経過した時点では、圧力調整バルブ１５が不活性ガス供給管５に流すガス流量Ｑは、“吸着なし”の場合のガス流量Ｑ１よりも小さい流量Ｑ２となる。
【００３７】
このように吸着の有無によって、活性ガス供給管５へ不活性ガスを供給開始してから吸着判定時間ｔ１が経過した時の圧力調整バルブ１５が不活性ガス供給管５に流すガス流量Ｑに明らかな違いが生ずる。この違いを利用することで、以下の通りに吸着の有無を判定することができる。
【００３８】
図５は吸着の有無によるガス流量の変化を示す図である。
【００３９】
図５に示すように、吸着判定時間ｔ１は、吸着なし”の場合に圧力調整バルブ１５が流すガス流量Ｑ１がほぼ安定する時間に設定する。
さらに、“吸着なし”の場合に圧力調整バルブ１５が流す大きなガス流量Ｑ１と、“吸着あり”の場合の小さなガス流量Ｑ２との間に吸着判定流量Ａを設定する。そして、吸着判定時間ｔ１におけるガス流量Ｑが、吸着判定流量Ａ以上か否か（もしくは吸着判定流量Ａを超えたか否か）で、“吸着あり”か“吸着なし”か、を判定する。
【００４０】
次に、具体的な吸着検知シーケンスを吸着解消シーケンスと併せて説明する。
【００４１】
図６は、吸着検知解消シーケンスの一例を示す流れ図である。
【００４２】
まず、基板Ｇを載置台３上に載置し、載置台３上に載置された基板Ｇに対して処理、例えば、プラズマ処理を行い、これを終了する（ステップ１）。
【００４３】
次に、プラズマ処理が終了した基板Ｇを載置台３上に載置したまま、圧力調整バルブ１５の設定圧力を吸着判定圧力Ｐ０に設定し、不活性ガス供給管５に不活性ガスを供給し、ガス穴４から流出させる（ステップ２）。
【００４４】
吸着判定時間ｔ１経過後、圧力調整バルブ１５が流すガス流量Ｑが、吸着判定流量Ａ以上か否かを判定する（ステップ３）。
【００４５】
ガス流量Ｑが吸着判定流量Ａ以上であるとき（ＹＥＳ）には、“吸着なし（＝吸着弱）”と判定し（ステップ４）、不活性ガスの供給を止め、リフターピン１３を駆動（上昇）させて基板Ｇを載置台３上から離脱させる（ステップ５）。
【００４６】
反対に、ガス流量Ｑが吸着判定流量Ａ未満であるとき（ＮＯ）には、“吸着あり（＝吸着強）”と判定する（ステップ６）。このように吸着している場合には、吸着解消シーケンスに移行する。
【００４７】
吸着解消シーケンスでは、圧力調整バルブ１５の設定圧力を吸着判定圧力Ｐ０よりも高い吸着解消圧力Ｐ３に設定する（ステップ７）。
【００４８】
圧力調整バルブ１５の設定圧力を吸着解消判定圧力Ｐ３に設定してから、吸着解消判定時間ｔ２が経過するまでの間、圧力調整バルブ１５が流すガス流量Ｑが、吸着判定流量Ｂ以上になるか否かを判定する（ステップ8）。ここで、吸着解消判定流量Ｂの値は、吸着判定流量Ａの値よりも小さく設定されている。
【００４９】
吸着解消判定時間ｔ２内に、ガス流量Ｑが吸着解消判定流量Ｂに達しないとき（ＮＯ）には、“吸着未解消”と判定し、後述する状態確認シーケンスに進む。
【００５０】
反対に、吸着解消判定時間ｔ２内に、ガス流量Ｑが解消判定流量Ｂに達したとき（ＹＥＳ）には、暫定的に“吸着が解消された”と判定し、ステップ１０に進む。
【００５１】
ステップ１０では、基板Ｇの裏面に対し供給されるガス流量Ｑが、吸着判定流量Ａ以上か否か、もしくは吸着判定流量Ａを超えたか否かを再判定し、基板Ｇが載置台３に吸着しているか否かを再判定する。
【００５２】
ガス流量Ｑが吸着判定流量Ａ以上であるとき（ＹＥＳ）には、“吸着解消（＝吸着弱）”と判定し（ステップ１１）、不活性ガスの供給を止め、リフターピン１３を駆動（上昇）させて基板Ｇを載置台３上から離脱させる（ステップ５）。
【００５３】
反対に、ガス流量Ｑが吸着判定流量Ａ未満であるとき（ＮＯ）には、“吸着未解消”と判定し、状態確認シーケンスに進む。
【００５４】
状態確認シーケンスでは、不活性ガス供給管５への不活性ガスの供給を止め、警告を発生し（ステップ１４）、処理を中止する（ステップ１５）。
【００５５】
ここで、ステップ７からステップ１０は、圧力Ｐ０をＰ３まで徐々に上昇させて、その都度、あるいは圧力の上昇と並行して吸着判定流量Ｂ以上であるか否か、あるいは吸着判定流量Ａ以上か否かを判定しても良い。また、ステップ１０にて、基板Ｇが載置台３に吸着しているか否かを再判定する場合、圧力Ｐ３をＰ０まで下げたのち、判定を実施しても良い。
【００５６】
このように、第１の実施形態では、吸着が無い場合あるいは、吸着が解消された場合にのみ、リフターピン１３を駆動（上昇）させて基板Ｇを載置台３上から離脱させる動作に移るので、基板が破損する可能性を軽減することができる。
【００５７】
（第２の実施形態）
次に、別の吸着解消方法を含めた吸着検知解消方法を、この発明の第２の実施形態として説明する。
【００５８】
図７は、この発明の第２の実施形態に係る吸着検知解消シーケンスを示す流れ図である。図７に示す第２の実施形態に係る吸着検知解消シーケンスのステップ１〜ステップ１０は、第１の実施形態において説明した吸着検知解消シーケンスにおけるステップ１〜ステップ１０と同じである。
【００５９】
しかし、第２の実施形態に係る吸着検知解消シーケンスでは、ステップ８、又はステップ１０において、“吸着未解消”と判定された場合、基板Ｇの周縁部下にあるリフターピン１３を駆動して基板Ｇの周縁部を持ち上げ、基板Ｇの撓み許容範囲内で基板Ｇの周縁部を載置台３から剥離させる（ステップ９）。基板Ｇを撓ませている状態の一例を図９に示す。
【００６０】
図９に示すように、基板Ｇを撓み許容範囲内で撓ませ、基板Ｇの周縁部を載置台３の載置面３ａ上から剥離させる。これにより、基板Ｇの裏面と載置台３の載置面３ａとの隙間が広がる。この結果、ガス穴４からの不活性ガスの流出量が増し、基板Ｇの裏面、及び載置面３ａにより多くの不活性ガスが接触するようになり、基板Ｇの除電が進み、吸着の解消が促進される。基板Ｇの周縁部が持ち上げられる範囲は、基板Ｇの撓み許容範囲内であるため、基板Ｇが破損する恐れはない。
【００６１】
持ち上げる基板Ｇの周縁部としては、基板Ｇの四隅のみでも良いし、基板Ｇの対向する二辺のみでも良いし、あるいは基板Ｇの周縁部全てを持ち上げても良い。
【００６２】
いずれにせよ、基板Ｇを単純に持ち上げるのではなく、基板Ｇの周縁部のみが載置台３から剥離するように持ち上げることができればよい。
【００６３】
さらに、基板Ｇの周縁部下のリフターピン１３の駆動を開始したのち、基板Ｇの裏面に対し供給されるガスの流量が、吸着判定流量Ａ以上か否か、もしくは吸着判定流量Ａを超えたか否かを再判定し、基板Ｇの載置台３への吸着が解消されたか否かを判定する（ステップ１２）。この判定を制限時間まで続ける。具体的な一例は、ステップ３と同様であり、吸着判定時間ｔ１において、圧力調整バルブ１５が流すガス流量Ｑが、例えば、吸着判定流量Ａ以上か否かを判定する。
【００６４】
ガス流量Ｑが吸着判定流量Ａ以上であるとき（ＹＥＳ）には、“吸着解消（＝吸着弱）”と判定し（ステップ１３）、不活性ガスの供給を止め、リフターピン１３を駆動（上昇）させて基板Ｇを載置台３上から離脱させる（ステップ５）。
【００６５】
具体的には、図８に示すように、基板Ｇの周縁部下のリフターピン１３を駆動した結果、ガス流量Ｑが増え、吸着判定圧力Ａを超えたときに、吸着解消とする。
【００６６】
反対に、制限時間を超えても、ガス流量Ｑが吸着判定流量Ａ未満であるとき（ＮＯ）には、図８に示すように、“タイムアウト”と判定し、例えば、警告を発生し（ステップ１４）、処理を中止する（ステップ１５）。
【００６７】
このように第２の実施形態に係る吸着検知解消方法によれば、基板Ｇの裏面に印加される圧力を高めても、吸着が解消されない場合に、基板Ｇの周縁部のみを載置台から剥離させることで、吸着の解消を促進させる。このため、ガスの圧力のみで吸着を解消する場合に比較して、より吸着を解消できる確率を高めることができる。
【００６８】
また、単に基板Ｇ周縁部下のリフターピン１３を上昇させて、基板Ｇの周縁部を載置台３から剥離するだけではなく、制限時間の範囲内で前記リフターピン１３を上下動させて、基板Ｇの外側を繰り返し持ち上げるようにしても良い。
【００６９】
以上、この発明を二つの実施形態に従って説明したが、これら実施形態に係る吸着検知解消方法は、図６及び図７の流れ図に示すように、吸着の有無を判定し、吸着があった場合でも、装置の稼動を止めることなく、その吸着を解消でき、生産を行うことができる。このため、製品のスループットを維持すること、さらにはスループットを向上させることも可能である。
【００７０】
このように、この発明によれば、基板Ｇが破損する可能性を軽減しつつ、基板Ｇが載置台３上に吸着しているか否かを検出し解消する吸着検知解消方法、この吸着検知解消方法を実行することが可能な基板処理装置、及び上記吸着検知解消方法を基板処理装置に実行させるプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体を提供できる。
【００７１】
この発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その主旨を逸脱しない範囲で様々に変形することができる。
【００７２】
例えば、上記実施形態においては、圧力調整バルブ１５は、不活性ガス供給管５内の圧力Ｐ１が、設定圧力Ｐ０になるように、不活性ガス供給管５に供給する不活性ガス流量を制御したが、基板Ｇと載置台３間の圧力、ガス穴４内の圧力など、圧力調整バルブ１５から基板Ｇ直下までの間であれば、任意の箇所の圧力を設定圧力Ｐ０にするように、不活性ガス供給管５に供給する不活性ガス流量を制御しても良い。
【００７３】
また、載置台３の載置面３ａから基板Ｇの裏面に対し流体を供給した際、基板Ｇの中央部分のみが膨らみ、基板Ｇが破損することがある。このような事情を解消したい場合には、基板Ｇの中央部分の膨らみの変位を、光学的センサー等を用いて監視し、膨らみが、例えば、撓みの限界に達したとき、一旦、流体の供給を停止し、撓みを解消させた後、再度、流体の供給と併せて基板Ｇの周縁部下のリフターピン１３を駆動して基板Ｇの周縁部を持ち上げ、基板Ｇの周縁部を基板Ｇの撓み許容範囲内で撓ませて載置台３から剥離させるようにしても良い。このように基板Ｇの周縁部を載置台３から剥離することで、膨らみからガスが抜け、基板Ｇの破損を抑制することができる。
【００７４】
さらに、上記実施形態に基板Ｇを除電する除電シーケンスを組み込んでも良い。除電の例としては、チャンバー２内に、例えば、プラズマを生成することや、チャンバー２内の圧力を高めること等を挙げることができる。例えば、ステップ１とステップ２の間、あるいはステップ９からステップ１２と並行して、基板Ｇを除電する除電シーケンスを組み込むことができる。
【符号の説明】
【００７５】
１…プラズマエッチング装置、２…チャンバー、３…載置台、３ａ…載置面、４…ガス穴、５…不活性ガス供給管、６…シャワーヘッド、７…高周波電源、８…処理ガス供給管、９…排気管、１０…搬入出口、１１…ゲートバルブ、１２…挿通孔、１３…リフターピン、１４…制御部、１５…圧力調整バルブ、１６…不活性ガス供給機構、１００、１０１…載置面と基板の裏面との間に生じる隙間。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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