(57)【要約】【課題】ＩＣ素子に課せられる制約の増加を抑えつつ、ＩＣ素子を搭載する基板の仕様を共通化できるようにした半導体装置の製造方法、基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】上面及び上面とは反対側を向く下面を有し、平面視で縦方向に複数の列、横方向に複数の行ができるように並んだ複数本のポスト４０、を備えた基板５０を用意する工程と、第１のポスト４０の上面にＩＣ素子を固定する工程と、ＩＣ素子５１と第２のポスト４０の上面とを金線５３を用いて電気的に接続する工程と、ＩＣ素子５１及び金線５３をモールド樹脂６１で封止する工程と、複数本のポスト４０を囲む外周の領域にマーク６３ａ〜６３ｈを配置する工程と、を含み、マーク６３ａ〜６３ｈを形成する工程では、マーク６３ａ〜６３ｈと、マーク６３ａ〜６３ｈに最も近いポスト４０との間の距離が、ポスト４０のピッチの等倍若しくは整数倍となるように、マーク６３ａ〜６３ｈを配置する。【選択図】図１３
2010027678.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有し、平面視で縦方向に複数の列、横方向に複数の行ができるように並んだ複数本の金属支柱を備えた基板を用意する工程と、
前記複数本の金属支柱のうちの第１の金属支柱の前記第１の面にＩＣ素子を固定する工程と、
前記複数本の金属支柱のうちの第２の金属支柱の前記第１の面と、前記ＩＣ素子とを導電部材を用いて電気的に接続する工程と、
前記ＩＣ素子及び前記導電部材を樹脂で封止する工程と、
前記複数本の金属支柱を囲む外周の領域に第１のマーク及び第２のマークを形成する工程と、を含み、
前記複数個のマークを形成する工程では、前記第１のマークと前記複数本の金属支柱のうち最も前記第１のマークに近い金属支柱との間の距離は、前記複数本の金属支柱のうち隣り合う金属支柱間の距離の等倍若しくは整数倍となり、前記第２のマークと前記複数本の金属支柱のうち最も前記第２のマークに近い金属支柱との間の距離は、前記隣り合う金属支柱間の距離の等倍若しくは整数倍となるように前記第１のマーク及び前記第２のマークを配置することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記複数個のマークを形成する工程では、
前記複数の列のうちの第１の列の延長上に前記第１のマークを形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記複数個のマークを形成する工程では、
前記複数の行のうちの第１の行の延長上に前記第２のマークを形成することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１のマークと前記第２のマークの間の横方向の距離を測定して第１の測定値を取得する工程と、
前記第１のマークと前記第２のマークの間の横方向の距離の設計値と前記第１の測定値との第１の差を算出する工程と、
前記第１の差に基づいて前記樹脂の第１の切断ラインを認識する工程と、
前記第１の切断ラインに沿って前記樹脂を切断する工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１から請求項３の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１のマークと前記第２のマークの間の縦方向の距離を測定して第２の測定値を取得する工程と、
前記第１のマークと前記第２のマークの間の縦方向の距離の設計値と前記第２の測定値との第２の差を算出する工程と、
前記第２の差に基づいて前記樹脂の第２の切断ラインを認識する工程と、
前記第２の切断ラインに沿って前記樹脂を切断する工程と、
をさらに含むことを特徴とする請求項１から請求項４の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１のマーク及び前記第２のマークを形成する工程では、前記第１のマーク又は前記第２のマークのうちの少なくとも一方として、前記外周の領域にある前記樹脂に貫通穴を形成することを特徴とする請求項１から請求項５の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有し平面視で縦方向に複数の列、横方向に複数の行ができるように並んだ複数本の金属支柱と、第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有し前記複数本の金属支柱を囲む外周の領域に形成された第１のマーク及び第２のマークと、を備え、前記第１のマークと前記複数本の金属支柱のうち最も前記第１のマークに近い金属支柱との間の距離は、前記複数本の金属支柱のうち隣り合う金属支柱間の距離の等倍若しくは整数倍となり、前記第２のマークと前記複数本の金属支柱のうち最も前記第２のマークに近い金属支柱との間の距離は、前記隣り合う金属支柱間の距離の等倍若しくは整数倍となるように、前記第１のマーク及び前記第２のマークが配置された基板を用意する工程と、
前記複数本の金属支柱のうちの第１の金属支柱の前記第１の面にＩＣ素子を固定する工程と、
前記複数本の金属支柱のうちの第２の金属支柱の前記第１の面と、前記ＩＣ素子とを導電部材を用いて電気的に接続する工程と、
前記ＩＣ素子及び前記導電部材を樹脂で封止する工程と、を含み、
前記樹脂で封止する工程では、前記複数個のマークの前記第２の面が前記樹脂から露出するように前記樹脂を成型することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
ＩＣ素子を固定するための基板であって、
第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有し、平面視で縦方向に複数の列、横方向に複数の行ができるように並んだ複数本の金属支柱と、
前記複数本の金属支柱を囲む外周の領域に形成された第１のマーク及び第２のマークと、を備え、
前記第１のマークと前記複数本の金属支柱のうち最も前記第１のマークに近い金属支柱との間の距離は、前記複数本の金属支柱のうち隣り合う金属支柱間の距離の等倍若しくは整数倍となり、前記第２のマークと前記複数本の金属支柱のうち最も前記第２のマークに近い金属支柱との間の距離は、前記隣り合う金属支柱間の距離の等倍若しくは整数倍となるように前記第１のマーク及び前記第２のマークを配置することを特徴とする基板。
【請求項９】
前記複数本の金属支柱を前記複数本の金属支柱の前記第１の面から前記複数本の金属支柱の前記第２の面に至る間の一部分で互いに連結する連結部、をさらに備えることを特徴とする請求項８に記載の基板。
【請求項１０】
前記複数本の金属支柱の前記第２の面を支持する支持基板、をさらに備え、
前記支持基板と前記複数本の金属支柱は、接着剤を介して接合されていることを特徴とする請求項８に記載の基板。
【請求項１１】
前記複数本の金属支柱は、その各々が同一の形状で且つ同一の寸法に形成されていることを特徴とする請求項８から請求項１０の何れか一項に記載の基板。
【請求項１２】
前記複数個のマークは、前記複数本の金属支柱と同一の材料からなることを特徴とする請求項８から請求項１１の何れか一項に記載の基板。
【請求項１３】
ＩＣ素子を固定するための基板の製造方法であって、
第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有し、平面視で縦方向に複数の列、横方向に複数の行ができるように複数本の金属支柱を形成する工程と、
前記複数本の金属支柱を囲む外周の領域に第１のマーク及び第２のマークを形成する工程と、を含み、
前記複数個のマークを形成する工程では、前記第１のマークと前記複数本の金属支柱のうち最も前記第１のマークに近い金属支柱との間の距離は、前記複数本の金属支柱のうち隣り合う金属支柱間の距離の等倍若しくは整数倍となり、前記第２のマークと前記複数本の金属支柱のうち最も前記第２のマークに近い金属支柱との間の距離は、前記隣り合う金属支柱間の距離の等倍若しくは整数倍となるように前記第１のマーク及び前記第２のマークを配置することを特徴とする基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法、基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージは、外部端子をパッケージ周辺に配置したペリフェラル型と、外部端子をパッケージ下面に配置したエリア型とに大別される。ペリフェラル型とは、図２８（ａ）〜（ｃ）に示すように、ＤＩＰ、ＳＯＰ、ＱＦＰに代表されるパッケージのことである。図２８（ｄ）に示すように、ペリフェラル型は、ダイパッド２０１といわれるチップ搭載部にＩＣ素子２１０を搭載し、ＩＣ素子２１０上の電極とリードフレームのリード２０３とを金線等で接続し、その後、リード２０３の外周部の一部を残し、それ以外の全てを樹脂封止することで製造される。リード２０３のうちの樹脂パッケージ内側の部分は内部端子と呼ばれ、樹脂パッケージ外側の部分は外部端子とも呼ばれている。
また、エリア型とは、図２９（ａ）及び（ｂ）、並びに、図３０（ａ）及び（ｂ）に示すように、ＢＧＡに代表されるパッケージのことであり、基板２１１の上にＩＣ素子２１０を搭載し、金線若しくは半田、金のバンプにより基板２１１とＩＣ素子２１０を電気的に接続させ、さらにＩＣ素子２１０等を樹脂封止することにより製造される。図２９（ａ）及び（ｂ）に示すように、基板２１１とＩＣ素子２１０とが金線２１３で接続されているものは金線型ＢＧＡとも呼ばれている。
【０００３】
また、図３０（ａ）及び（ｂ）に示すように、基板２１１とＩＣ素子２１０とがバンプ２２３で接続されているものはバンプ型ＢＧＡとも呼ばれている。特に、バンプ型ＢＧＡでは、図３０（ａ）及び（ｂ）に示すように樹脂封止を行わないタイプのものもある。図２９（ａ）〜図３０（ｂ）に示すように、エリア型の外部端子はリードではなく、基板２１１の下面に搭載された電極（又は、半田ボール）２２５となっている。
さらに、近年では、図３１（ａ）〜（ｉ）に示すように、金属板２３１の上に電柱状の端子２３３及びダイパッド２３５を電気メッキで形成した後、ダイパッド２３５上にＩＣ素子２１０を搭載し、金線２１３によるＩＣ素子２１０と端子２３３との接続を行い、その後樹脂封止を行い、樹脂成型部２３６から金属板２３１を引き剥がして、個々の製品に切断するパッケージも作られている。
【０００４】
詳しく説明すると、図３１（ａ）及び（ｂ）では、まず始めに、金属板２３１の上にレジストを塗布し、これに露光現像処理を施してレジストパターン２３７を形成する。次に、図３１（ｃ）に示すように、レジストパターン２３７下から露出している金属板２３１の上面に例えば銅を電気メッキで形成し、電柱状の端子２３３及びダイパッド２３５を形成し、その後、図３１（ｄ）に示すようにレジストパターンを除去する。次に、図３１（ｅ）に示すように、電気メッキによって形成されたダイパッド２３５上にＩＣ素子２１０を搭載し、ワイヤーボンディングを行う。そして、図３１（ｆ）に示すＩように、ＩＣ素子２１０及び金線２１３等を樹脂封止する。次に、図３１（ｇ）に示すように、樹脂成型部２３６から金属板２３１を引き剥がす。そして、図３１（ｈ）及び（ｉ）に示すように、樹脂成型部２３６を個々の製品に切断して、パッケージを完成させる。
【０００５】
また、特許文献１には、平板状のリードフレームの支持部の一方の面をハーフエッチングした後で、リードフレームのダイパッド上にＩＣ素子を搭載し、続いて、ワイヤーボンディング及び樹脂封止を行い、その後、一方の面がハーフエッチされている支持部の他方の面を研削して支持部を除去することによって、ペリフェラル型パッケージを完成させる技術が開示されている。特許文献２には、平面視で基板の中心から外側へ放射状に配線を配置することで、エリア型パッケージの汎用性を高めようとする技術が開示されている。
さらに、特許文献３には、封止樹脂等をダイシングする技術が開示されている。
【特許文献１】特開平２−２４０９４０号公報
【特許文献２】特開２００４−２８１４８６号公報
【特許文献３】特開２００６−１０８３４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の技術では、ペリフェラル型パッケージ、エリア型パッケージ、図３１（ａ）〜（ｉ）に示したパッケージ、特許文献１に記載のパッケージの何れにおいても、ＩＣ素子搭載面としてダイパッド若しくは、インターポーザなどの基板を必要としており、ＩＣ素子の大きさ、ＩＣ素子からの外部出力数（即ち、リード数もしくはボール数）に応じて、固有のリードフレーム又は固有の基板、若しくは（電柱形成用の）固有のフォトマスクを必要としていた。特に、少量多品種の製品においては、製品の生産に合わせて多くのリードフレーム又は基板、若しくはフォトマスクを保有する必要があり、製造コスト低減の妨げとなっていた。
【０００７】
また、特許文献２では、基板の中心から外側へ放射状に配線を配置することで、大小のチップサイズに対応したエリア型パッケージを達成している。しかしながら、この技術では、基板中心から放射状に延びる配線と平面視で必ず重なるようにＩＣ素子のパッド端子を配置する必要があるので、パッド端子のレイアウトに関して設計の自由度が低くなってしまう。つまり、パッケージの汎用性は高まるものの、一方で、ＩＣ素子に課せられる制約も増えてしまう。
そこで、この発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、ＩＣ素子に課せられる制約の増加を抑えつつ、ＩＣ素子を搭載する基板の仕様を共通化できるようにした基板及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）半導体装置の製造方法について
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有し、平面視で縦方向に複数の列、横方向に複数の行ができるように並んだ複数本の金属支柱を備えた基板を用意する工程と、前記複数本の金属支柱のうちの第１の金属支柱の前記第１の面にＩＣ素子を固定する工程と、前記複数本の金属支柱のうちの第２の金属支柱の前記第１の面と、前記ＩＣ素子とを導電部材を用いて電気的に接続する工程と、前記ＩＣ素子及び前記導電部材を樹脂で封止する工程と、前記複数本の金属支柱を囲む外周の領域に第１のマーク及び第２のマークを形成する工程と、を含み、前記複数個のマークを形成する工程では、前記第１のマークと前記複数本の金属支柱のうち最も前記第１のマークに近い金属支柱との間の距離は、前記複数本の金属支柱のうち隣り合う金属支柱間の距離の等倍若しくは整数倍となり、前記第２のマークと前記複数本の金属支柱のうち最も前記第２のマークに近い金属支柱との間の距離は、前記隣り合う金属支柱間の距離の等倍若しくは整数倍となるように前記第１のマーク及び前記第２のマークを配置することを特徴とするものである。
【０００９】
このような方法であれば、ＩＣ素子を搭載するためのダイパッドとして、又は、ＩＣ素子の外部端子として複数本の金属支柱を利用することができ、任意に設定されるＩＣ素子の固定領域（以下、ＩＣ固定領域という。）の形状及び大きさに応じて、複数本の金属支柱をダイパッド又は外部端子として使い分けることができる。このため、ＩＣ素子の種類毎に、固有のダイパッドや固有のリードフレーム、固有の基板（インターポーザなど）を用意して半導体装置を組み立てる必要はない。多種類のＩＣ素子に対して、そのパッド端子のレイアウト（配置位置）に制約を課することなく、素子搭載及び外部端子として用いる基板の仕様を共通化できる。それゆえ、半導体装置の製造コストを低減することができる。また、例えば、複数個のマークを基準に樹脂の切断ラインを認識することができ、認識した切断ラインに沿って樹脂を切断することができる。
【００１０】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、前記複数個のマークを形成する工程では、前記複数の列のうちの第１の列の延長上に前記第１のマークを形成することを特徴とするものである。
このような方法であれば、任意の列の端に位置する金属支柱を目印に第１のマークの形成位置を認識することができ、認識した位置に第１のマークを形成することができる。複数本の金属支柱を囲む外周の領域の予め設定された位置に、第１のマークを精度良く形成することができる。また、例えばダイシングブレードを用いて、任意の列に並ぶ金属支柱を樹脂と共に切削して除去することができ、樹脂切断面に金属支柱が露出しないようにすることができる。金属支柱の側面を樹脂で覆うことができ、金属支柱と樹脂との接触界面に水分等が浸入し難い構造となるため、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００１１】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、  前記複数個のマークを形成する工程では、前記複数の行のうちの第１の行の延長上に前記第２のマークを形成することを特徴とするものである。
このような方法であれば、任意の行の端に位置する金属支柱を目印に第２のマークの形成位置を認識することができ、認識した位置に第２のマークを形成することができる。複数本の金属支柱を囲む外周の領域の予め設定された位置に、第２のマークを精度良く形成することができる。また、例えばダイシングブレードを用いて、任意の行に並ぶ金属支柱を樹脂と共に切削して除去することができ、樹脂切断面に金属支柱が露出しないようにすることができる。金属支柱の側面を樹脂で覆うことができ、金属支柱と樹脂との接触界面に水分等が浸入し難い構造となるため、半導体装置の信頼性を高めることができる。
【００１２】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、前記第１のマークと前記第２のマークの間の横方向の距離を測定して第１の測定値を取得する工程と、前記第１のマークと前記第２のマークの間の横方向の距離の設計値と前記第１の測定値との第１の差を算出する工程と、前記第１の差に基づいて前記樹脂の第１の切断ラインを認識する工程と、前記第１の切断ラインに沿って前記樹脂を切断する工程と、をさらに含むことを特徴とするものである。
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、前記第１のマークと前記第２のマークの間の縦方向の距離を測定して第２の測定値を取得する工程と、前記第１のマークと前記第２のマークの間の縦方向の距離の設計値と前記第２の測定値との第２の差を算出する工程と、前記第２の差に基づいて前記樹脂の第２の切断ラインを認識する工程と、前記第２の切断ラインに沿って前記樹脂を切断する工程と、をさらに含むことを特徴とするものである。
【００１３】
このような方法であれば、基板の製造工程、ダイアタッチ工程、ワイヤーボンディング工程、樹脂封止工程など、各工程で製造上の誤差が生じ、これらが累積されている場合でも、予定されている切断ラインに沿って樹脂を切断することができる。例えば、製造上の誤差が累積されている場合でも、切断ラインと重なる金属支柱を樹脂と共に切削して除去することができ、樹脂切断面に金属支柱が露出しないようにすることができる。
【００１４】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、前記第１のマーク及び前記第２のマークを形成する工程では、前記第１のマーク又は前記第２のマークのうちの少なくとも一方として、前記外周の領域にある前記樹脂に貫通穴を形成することを特徴とするものである。このような方法であれば、例えばドリルを用いて樹脂を上面から下面にかけて掘削することによりマークを形成することができる。ドリルなどの汎用手段を用いて複数個のマークを簡単に形成することができるので、半導体装置の製造コストの低減に寄与することができる。
【００１５】
また、本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有し平面視で縦方向に複数の列、横方向に複数の行ができるように並んだ複数本の金属支柱と、第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有し前記複数本の金属支柱を囲む外周の領域に形成された第１のマーク及び第２のマークと、を備え、前記第１のマークと前記複数本の金属支柱のうち最も前記第１のマークに近い金属支柱との間の距離は、前記複数本の金属支柱のうち隣り合う金属支柱間の距離の等倍若しくは整数倍となり、前記第２のマークと前記複数本の金属支柱のうち最も前記第２のマークに近い金属支柱との間の距離は、前記隣り合う金属支柱間の距離の等倍若しくは整数倍となるように、前記第１のマーク及び前記第２のマークが配置された基板を用意する工程と、前記複数本の金属支柱のうちの第１の金属支柱の前記第１の面にＩＣ素子を固定する工程と、前記複数本の金属支柱のうちの第２の金属支柱の前記第１の面と、前記ＩＣ素子とを導電部材を用いて電気的に接続する工程と、前記ＩＣ素子及び前記導電部材を樹脂で封止する工程と、を含み、前記樹脂で封止する工程では、前記複数個のマークの前記第２の面が前記樹脂から露出するように前記樹脂を成型することを特徴とするものである。
【００１６】
このような方法であれば、ＩＣ素子を搭載するためのダイパッドとして、又は、ＩＣ素子の外部端子として複数本の金属支柱を利用することができ、任意に設定されるＩＣ固定領域の形状及び大きさに応じて、複数本の金属支柱をダイパッド又は外部端子として使い分けることができる。このため、ＩＣ素子の種類毎に、固有のダイパッドや固有のリードフレーム、固有の基板を用意して半導体装置を組み立てる必要はない。多種類のＩＣ素子に対して、そのパッド端子のレイアウトに制約を課することなく、素子搭載及び外部端子として用いる基板の仕様を共通化できる。それゆえ、半導体装置の製造コストを低減することができる。また、例えば、複数個のマークを基準に樹脂の切断ラインを認識することができ、認識した切断ラインに沿って樹脂を切断することができる。
【００１７】
（２）基板について
本発明の一態様に係る基板は、第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有し、平面視で縦方向に複数の列、横方向に複数の行ができるように並んだ複数本の金属支柱と、前記複数本の金属支柱を囲む外周の領域に形成された第１のマーク及び第２のマークと、を備え、前記第１のマークと前記複数本の金属支柱のうち最も前記第１のマークに近い金属支柱との間の距離は、前記複数本の金属支柱のうち隣り合う金属支柱間の距離の等倍若しくは整数倍となり、前記第２のマークと前記複数本の金属支柱のうち最も前記第２のマークに近い金属支柱との間の距離は、前記隣り合う金属支柱間の距離の等倍若しくは整数倍となるように前記第１のマーク及び前記第２のマークを配置することを特徴とするものである。
【００１８】
このような構成であれば、ＩＣ素子を搭載するためのダイパッドとして、又は、ＩＣ素子の外部端子として複数本の金属支柱を利用することができ、任意に設定されるＩＣ固定領域の形状及び大きさに応じて、複数本の金属支柱をダイパッド又は外部端子として使い分けることができる。このため、ＩＣ素子の種類毎に、固有のダイパッドや固有のリードフレーム、固有の基板を用意して半導体装置を組み立てる必要はない。多種類のＩＣ素子に対して、そのパッド端子のレイアウトに制約を課することなく、素子搭載及び外部端子として用いる基板の仕様を共通化できる。それゆえ、基板の製造コストや、この基板を用いた半導体装置の製造コストを低減することができる。また、この基板を用いて半導体装置を製造する工程では、例えば、複数個のマークを基準に樹脂の切断ラインを認識することができ、認識した切断ラインに沿って樹脂を切断することができる。
【００１９】
本発明の一態様に係る基板は、前記複数本の金属支柱を前記複数本の金属支柱の前記第１の面から前記複数本の金属支柱の前記第２の面に至る間の一部分で互いに連結する連結部、をさらに備えることを特徴とするものである。
本発明の一態様に係る基板は、前記複数本の金属支柱の前記第２の面を支持する支持基板、をさらに備え、前記支持基板と前記複数本の金属支柱は、接着剤を介して接合されていることを特徴とするものである。
本発明の一態様に係る基板は、前記複数本の金属支柱は、その各々が同一の形状で且つ同一の寸法に形成されていることを特徴とするものである。
本発明の一態様に係る基板は、前記複数個のマークは、前記複数本の金属支柱と同一の材料からなることを特徴とするものである。
【００２０】
（３）基板の製造方法について
本発明の一態様に係る基板の製造方法は、第１の面及び前記第１の面とは反対側を向く第２の面を有し、平面視で縦方向に複数の列、横方向に複数の行ができるように複数本の金属支柱を形成する工程と、前記複数本の金属支柱を囲む外周の領域に第１のマーク及び第２のマークを形成する工程と、を含み、前記複数個のマークを形成する工程では、前記第１のマークと前記複数本の金属支柱のうち最も前記第１のマークに近い金属支柱との間の距離は、前記複数本の金属支柱のうち隣り合う金属支柱間の距離の等倍若しくは整数倍となり、前記第２のマークと前記複数本の金属支柱のうち最も前記第２のマークに近い金属支柱との間の距離は、前記隣り合う金属支柱間の距離の等倍若しくは整数倍となるように前記第１のマーク及び前記第２のマークを配置することを特徴とするものである。
【００２１】
このような方法であれば、ＩＣ素子を搭載するためのダイパッドとして、又は、ＩＣ素子の外部端子として複数本の金属支柱を利用することができ、任意に設定されるＩＣ固定領域の形状及び大きさに応じて、複数本の金属支柱をダイパッド又は外部端子として使い分けることができる。このため、ＩＣ素子の種類毎に、固有のダイパッドや固有のリードフレーム、固有の基板を用意して半導体装置を組み立てる必要はない。多種類のＩＣ素子に対して、そのパッド端子のレイアウトに制約を課することなく、素子搭載及び外部端子として用いる基板の仕様を共通化できる。それゆえ、基板の製造コストや、この基板を用いた半導体装置の製造コストを低減することができる。また、この基板を用いて半導体装置を製造する工程では、例えば、複数個のマークを基準に樹脂の切断ラインを認識することができ、認識した切断ラインに沿って樹脂を切断することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。なお、以下に説明する各図において、同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その重複する説明は省略する。
（１）第１実施形態
図１〜図６は、本発明の第１実施形態に係る基板５０の製造方法を示す図である。詳しく説明すると、図１（ａ）、図２（ａ）、図４（ａ）及び図５は下面図であり、図１（ｂ）、図２（ｂ）及び図４（ｂ）は、図１（ａ）、図２（ａ）及び図４（ａ）をＸ１−Ｘ´１線、Ｘ２−Ｘ´２線、Ｘ４−Ｘ´４線でそれぞれ切断したときの端面図である。また、図３、図５（ａ）〜図６（ｃ）は、端面図である。
【００２３】
まず始めに、図１（ａ）及び（ｂ）に示すような銅板（即ち、Ｃｕ条）１を用意する。銅板１の平面視での縦、横の寸法は、銅板１から作成される半導体装置のパッケージ外形よりも大きいものであれば良い。また、銅板１の厚さｈは、例えば０．１０〜０．３０ｍｍ程度である。次に、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、銅板１の上面をフォトレジスト３で全面的に覆うと共に、銅板１の下面にはその表面を部分的に露出するレジストパターン５を形成する。ここでは、まず、銅板１の下面全体に例えばポジ型のフォトレジストを塗布し、次に、例えば図１７（ａ）に示すフォトマスクＭ１を用いてフォトレジストを露光し、その後、フォトレジストに現像処理を施すことによって、銅板１の下面にレジストパターン５を形成する。
【００２４】
図１７（ａ）に示すように、フォトマスクＭ１には、例えば、平面視で正円形の遮光パターンＰ１を有し、この遮光パターンＰ１は縦方向及び横方向（縦方向に対して直角に交わる方向）にそれぞれ複数個ずつ配置されている。また、フォトマスクＭ１において、遮光パターンＰ１以外の領域は、光を透過させる透過領域である。このようなフォトマスクＭ１を用いてポジ形のフォトレジストを露光処理することにより、銅板１の下面には遮光パターンＰ１が転写されて、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、平面視で正円形のレジストパターン５が形成される。なお、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、レジストパターン５の中心間の距離（即ち、ピッチ）は例えば０．５〜１．０ｍｍ程度、直径φは０．２〜０．３ｍｍ程度である。
【００２５】
次に、図３に示すように、正円形のレジストパターン５をマスクに、銅板１の下面をハーフエッチング（即ち、銅板１の厚み方向の途中までエッチング）して、銅板１の下面側に凹部７を形成する。銅板１のエッチングには、例えば塩化第２鉄溶液を使用する。次に、フォトレジスト３とレジストパターン５を銅板１から取り除く。そして、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、銅板１の上面及び下面にそれぞれ銀（Ａｇ）又はパラジウム（Ｐｄ）等の金属薄膜９をメッキする。なお、この金属薄膜９のメッキは、銅板１のエッチングの前に行ってもよい。銅板１の下面に凹部７を形成し、金属薄膜９をメッキした後は、そこに複数個の正円形が浮かび上がることとなる。
また、このようなメッキ処理等と前後して或いは同時に、図５（ａ）に示すような支持基板２１を用意し、図５（ｂ）に示すように支持基板２１の上面に接着剤２３を塗布しておく。支持基板２１は例えばガラス基板である。また、接着剤２３は例えばソルダーレジスト、紫外線硬化接着剤（即ち、ＵＶ接着剤）又は熱硬化接着剤などである。そして、図５（ｃ）に示すように、メッキ処理が施された銅板１の下面を、接着剤２３が塗布された支持基板２１の上面に押し当てて接着する。
【００２６】
次に、図６（ａ）に示すように、凹部７が形成された領域の真上を開口し、それ以外の領域（即ち、複数個の正円形が浮かび上がっている領域）の真上を覆うレジストパターン３１を銅板１の上面に形成する。ここでは、まず、銅板１の上面全体に例えばポジ型のレジストを塗布し、次に、例えば図１７（ａ）に示したようなフォトマスクＭ１を用いてレジストを露光し、その後、レジストに現像処理を施すことによって、銅板１の上面にレジストパターン３１を形成する。フォトマスクＭ１を用いてポジ形のレジストを露光処理することにより、銅板１の上面には遮光パターンＰ１が転写されて、平面視で正円形のレジストパターン３１が形成される。
次に、図６（ｂ）に示すように、正円形のレジストパターン３１をマスクに、銅板１をその上面側から下面側にかけて貫通するまでエッチングして、複数本の円筒状電極（即ち、ポスト）４０を形成する。銅板１から複数本のポスト４０を形成した後は、図６（ｃ）に示すように、ポスト４０の上面からレジストパターン３１を除去する。これにより、基板５０が完成する。
【００２７】
図７に示すように、完成した基板５０は、平面視で縦方向及び横方向に並んだ複数本のポスト４０を備え、これらポスト４０が接着剤（図示せず）を介して支持基板２１に接合されている。このように基板５０が完成した後は、例えばインクジェット工法又はレーザーマークによって、所望の位置にあるポスト４０の上面（表面）を着色して認識マーク８を形成する。または、ディスペンサを用いてポスト４０の上面にインクを塗布する、若しくは印刷工法を用いて、認識マーク８を形成してもよい。認識マーク８をインクジェット工法で形成する場合、その着色材料には例えば耐熱性異色インク、又は、異色メッキ等を採用することが可能である。図７に示すように、支持基板２１上には銅板１からなるポスト４０が多数形成されており、それらは互いに同一形状且つ同一寸法で、縦、横方向にそれぞれ等間隔で配置されているが、任意のポスト４０に認識マーク８を形成することで、ＩＣ素子を基板５０に取り付ける工程（即ち、ダイアタッチ工程）で、基板５０におけるＩＣ固定領域を認識することができ、ＩＣ素子をＩＣ固定領域に精度良く位置合わせすることができる。
【００２８】
次に、この基板５０にベア状態のＩＣ素子を取り付けて半導体装置１００を製造する方法について説明する。
図８〜図１４は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す図である。詳しく説明すると、図８（ａ）〜図１１（ａ）は平面図、図８（ｂ）〜図１１（ｂ）は、図８（ａ）〜図１１（ａ）をＸ軸方向に沿って切断したときの拡大端面図である。また、図１２（ａ）〜図１４（ａ）は下面図であり、図１４（ｂ）は図１４（ａ）をＸ軸方向に沿って切断したときの拡大端面図である。
図８（ａ）及び（ｂ）において、まず始めに、ＩＣ固定領域にあるポスト４０の上面（又は、ＩＣ素子５１の下面側）に図示しない接着剤を塗布する。ここで使用する接着剤は、例えば熱硬化ペースト若しくはシートである。次に、認識マーク８を目印にＩＣ固定領域を認識し、認識したＩＣ固定領域にＩＣ素子５１を位置合わせする。そして、位置合わせした状態で、ＩＣ固定領域の複数本のポスト４０上にＩＣ素子５１の下面（ＩＣ素子５１のパッド端子が形成された面とは反対側の面）を接触させて固定する（ダイアタッチ工程）。
【００２９】
次に、図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、ＩＣ固定領域以外の領域の（即ち、ＩＣ素子５１の直下から外れた領域）のポスト４０の上面と、ＩＣ素子５１表面のパッド端子とを例えば金線５３で接続する（ワイヤーボンディング工程）。ここでは、認識マーク８を目印に、外部端子となるポスト４０を認識し、認識したポスト４０に金線５３の一端を接続するようにしても良い。このような方法によれば、複数本のポスト４０の中から外部端子となるポスト４０を精度良く認識することができ、認識したポスト４０に金線５３を精度良く取り付けることができる。なお、認識マーク８がポスト４０と同様に導電性を有する場合は、例えば、認識マーク８が形成されたポスト４０に金線５３を接続して当該ポスト４０を外部端子として使用しても良い。
【００３０】
次に、図１０（ａ）及び（ｂ）に示すように、支持基板２１の上面側にモールド樹脂６１を供給して、ＩＣ素子５１と、金線５３及びポスト４０を含む支持基板２１の上方全体をモールド樹脂６１で封止する（樹脂封止工程）。この樹脂封止工程では、例えば、支持基板２１上に複数個のＩＣ素子５１と、複数個のポスト４０等が収められる金型（図示せず）を被せ、この金型の内部にモールド樹脂６１を高温（例えば、１５０℃以上）で圧入する。モールド樹脂６１は、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂等である。上述したように、支持基板２１は例えばガラス基板であり、比較的熱膨張係数が小さい材料であるため、樹脂封止工程で２００℃程度の熱が加わった場合でも、平面視で縦及び横方向にほとんど広がらない。従って、樹脂封止工程の間も、隣接するポスト４０間の距離をほぼ一定に保ち続けることが可能である。また、この樹脂封止工程は、真空状態で行ってもよい。
【００３１】
次に、図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ＩＣ素子５１と、金線５３及びポスト４０を内包したモールド樹脂６１を支持基板から引き剥がす。支持基板からの引き剥がしは、接着剤２３として紫外線硬化型接着剤を用いた場合には、ＵＶ（紫外線）照射により接着力を低下させてから引き剥がしても良い。若しくは、機械的に力を加えてＩＣ素子５１を内包したモールド樹脂６１を支持基板から引き剥がすだけでも良い。支持基板からモールド樹脂６１を引き剥がした後は、図１２（ａ）に示すように、モールド樹脂６１の下面（即ち、支持基板から剥がされた面）からポスト４０の金属薄膜９で覆われた面が露出した状態となる。なお、図１１（ａ）及び（ｂ）において、モールド樹脂６１を支持基板から引き剥がした後の接着剤は、モールド樹脂６１側に残っていても良いし、支持基板側に残っていても良い。
【００３２】
次に、図１１（ａ）及び（ｂ）において、例えばインク及びレーザーを用いて、モールド樹脂６１の上面（即ち、端子が露出していない側の面）に製品マーク（図示せず）などを記す。そして、図１１（ａ）及び（ｂ）に示すように、モールド樹脂６１の上面全体に例えば紫外線硬化テープ（ＵＶテープ）６７を連続して貼る。なお、ＵＶテープ６７はモールド樹脂６１の上面ではなく、下面全体に連続して貼るようにしても良い。
次に、図１４（ａ）及び（ｂ）に示すように、モールド樹脂６１のＵＶテープ６７が貼られていない側の面（例えば、下面）にダイシングブレード７５を当てて、モールド樹脂６１を製品外形に合わせて切断する（ダイシング工程）。このダイシング工程では、モールド樹脂６１を個々の樹脂パッケージに分割すると共に、製品にならない樹脂の余白部分を切断して除去する。
【００３３】
これにより、図１５（ａ）及び（ｂ）に示すように、ＩＣ素子５１と、ポスト４０と、金線５３と、これらを封止する樹脂パッケージ６２とからなる半導体装置１００が完成する。樹脂パッケージから露出しているポスト４０の下面側は、金属薄膜９で覆われたままでも良いし、金属薄膜９を覆うように半田ボール等を載せても良い。
表１に、第１実施形態に係る半導体装置１００の適用チップサイズ、チップ下の端子数（即ち、ポスト４０の数）、最大外部端子数及びパッケージ外形の一例を示す。
【００３４】
【表１】
2010027678.tif 000003
【００３５】
表１において、ピッチとは、同一列内、又は、同一行内で隣り合うポスト間の距離のことであり、例えば、一方のポスト中心から他方のポスト中心までの距離で示される値のことである。ここでは、同一列内のピッチと同一行内のピッチは同じ値であり、その値は表１に示すように、例えば０．５ｍｍ程度である。また、適用チップサイズとは、樹脂パッケージに封止されているＩＣ素子のチップサイズのことである。最大外部端子数とは、樹脂パッケージによって樹脂封止されるポスト４０の最大数であり、パッケージ外形とは樹脂パッケージの平面視での縦又は横の長さのことである。なお、表１では、ＩＣ素子の平面視での形状と、樹脂パッケージの平面視での形状とがそれぞれ正方形の場合を例示している。
ところで、上記のダイシング工程では、例えば図１４（ａ）及び（ｂ）に示したように、モールド樹脂６１を切断ライン（以下、ダイシングラインという。）に沿って切断することにより個々の樹脂パッケージに分割する。このとき、ポスト４０の列又は行と平面視で重なる位置でモールド樹脂６１を切断すれば、ダイシングラインと重なる位置のポスト４０が取り除かれ、結果的に、半導体装置１００の信頼性を高めることができる。
【００３６】
この点について詳しく説明すると、例えば図２４（ａ）に示すように、ポスト１５（ポスト１５は、第２実施形態に係る金属支柱である。ここでは、ポスト１５とポスト４０は同じものと考えて良い。）と重なる位置でモールド樹脂６１を切断したときの樹脂切断面と、ポスト１５側面との間の距離をＬａとし、ポスト１５間の位置でモールド樹脂６１を切断したときの切断面とポスト１５側面との間の距離をＬｂとすると、ＬａとＬｂの大小関係は明らかに、Ｌａ＞Ｌｂとなる。このように、ポスト１５と重なる位置でモールド樹脂６１を切断したときの方が、外部端子として機能するポスト１５側面をモールド樹脂６１で比較的厚く覆うことができ、樹脂切断面にポスト４０が露出しないようにすることができる。これにより、ポスト４０とモールド樹脂６１との接触界面に水分等が浸入し難い構造となる。
【００３７】
さらに、図２４（ｂ）に示すように、ダイアタッチ工程の目印となるマーク８をポスト１５表面にインクジェット工法で形成したような場合は、マーク８に含まれる電界質が水分と共に図中の矢印で示すようにパッケージ内に拡散してマイグレーション（例えば、配線材料がイオン化して移動すること）の原因となる可能性がある。しかしながら、マーク８が形成されたポスト１５をダイシング工程で取り除くことにより、こうした懸念を無くすことができる。このような理由から、ダイシング工程では、ポスト４０の列又は行と平面視で重なる位置でモールド樹脂６１を切断することが好ましい。
【００３８】
しかしながら、図１２（ａ）に示したように、モールド樹脂６１の下面に露出するポスト４０の平面形状は同一形状（本実施形態では正円形）である。モールド樹脂６１を例えば製品外形に合わせてダイシングするときは、モールド樹脂６１の下面に目印となるような特異な形状は見当たらない。また、ダイシング工程に到達した半導体装置１００では、その前に経てきた基板５０の製造工程、ダイアタッチ工程、ワイヤーボンディング工程、樹脂封止工程など、各工程で生じた製造上の誤差が含まれている場合がある。このため、例えば、ポスト４０の実際のピッチがその設計値からズレている場合があり、上記のダイシング工程では、上記の列又は行の位置でモールド樹脂６１を切断できない可能性がある。
そこで、このような可能性を低減するために、本実施形態では、ダイシング装置にセットされる基板（樹脂を含む）毎にダイシングラインの計算を行う。また、その計算を行うために、例えば図１２（ｂ）に示すように、平面視で矩形の基板の四隅にマーク６３ａ〜６３ｈを形成する。
【００３９】
具体的には、例えば図１２（ｂ）に示すように、平面視で縦方向に複数の列、横方向に複数の行ができるように並んだ複数本のポスト４０を囲む外周の領域（即ち、モールド樹脂６１の外周部）に、マーク６３ａ〜６３ｈを形成する。これら各マークのうち、マーク６３ａは平面視で最も左側の列の延長上であって、この列の上端に位置するポスト４０ａから１ピッチ分の距離だけ上側に離れた位置に形成する。マーク６３ｄは平面視で最も左側の列の延長上であって、この列の下端に位置するポスト４０ｂから１ピッチ分の距離だけ下側に離れた位置に形成する。また、マーク６３ｈは平面視で最も右側の列の延長上であって、この列の上端に位置するポスト４０ｄから１ピッチ分の距離だけ上側に離れた位置に形成する。また、マーク６３ｅは平面視で最も左側の列の延長上であって、この列の下端に位置するポスト４０ｃから１ピッチ分の距離だけ下側に離れた位置に形成する。
【００４０】
さらに、マーク６３ｂは平面視で最も上側の行の延長上であって、この行の左端に位置するポスト４０ａから１ピッチ分の距離だけ左側に離れた位置に形成する。また、マーク６３ｇは平面視で最も上側の行の延長上であって、この行の右端に位置するポスト４０ｄから１ピッチ分の距離だけ右側に離れた位置に形成する。また、マーク６３ｃは平面視で最も下側の行の延長上であって、この行の左端に位置するポスト４０ｂから１ピッチ分の距離だけ左側に離れた位置に形成する。また、マーク６３ｆは平面視で最も下側の行の延長上であって、この行の右端に位置するポスト４０ｃから１ピッチ分の距離だけ右側に離れた位置に形成する。
【００４１】
即ち、マーク６３ａは平面視で最も左上に位置するポスト４０ａの上側に形成し、マーク６３ｂはポスト４０ａの左側に形成する。ポスト４０ａ（複数本のポスト４０のうち最もマーク６３ａに近いポスト）とマーク６３ａとの間の距離（ポスト４０ａとマーク６３ａの中心間の距離）は、例えば隣り合うポスト４０間の１ピッチ（隣り合うポスト４０の中心間の距離）と同じ値とする。また、ポスト４０ａ（複数本のポスト４０のうち最もマーク６３ｂに近いポスト）とマーク６３ｂとの間の距離（ポスト４０ａとマーク６３ｂの中心間の距離）は、例えば隣り合うポスト４０間の１ピッチ（隣り合うポスト４０の中心間の距離）と同じ値とする。また、マーク６３ｃは平面視で最も左下に位置するポスト４０ｂの左側に形成し、マーク６３ｄはポスト４０ａの下側に形成する。ポスト４０ｂ（複数本のポスト４０のうち最もマーク６３ｃに近いポスト）とマーク６３ｃとの間の距離（ポスト４０ｂとマーク６３ｃの中心間の距離）は、例えば隣り合うポスト４０間の１ピッチ（隣り合うポスト４０の中心間の距離）と同じ値とする。また、ポスト４０ｂ（複数本のポスト４０のうち最もマーク６３ｄに近いポスト）とマーク６３ｄとの間の距離（ポスト４０ｂとマーク６３ｄの中心間の距離）は、例えば隣り合うポスト４０間の１ピッチ（隣り合うポスト４０の中心間の距離）と同じ値とする。さらに、マーク６３ｅは平面視で最も右下に位置するポスト４０ｃの下側に形成し、マーク６３ｆはポスト４０ｃの右側に形成する。ポスト４０ｃ（複数本のポスト４０のうち最もマーク６３ｅに近いポスト）とマーク６３ｅとの間の距離（ポスト４０ｃとマーク６３ｅの中心間の距離）は、例えば隣り合うポスト４０間の１ピッチ（隣り合うポスト４０の中心間の距離）と同じ値とする。また、ポスト４０ｃ（複数本のポスト４０のうち最もマーク６３ｆに近いポスト）とマーク６３ｆとの間の距離（ポスト４０ｃとマーク６３ｅの中心間の距離）は、例えば隣り合うポスト４０間の１ピッチ（隣り合うポスト４０の中心間の距離）と同じ値とする。また、マーク６３ｇは平面視で最も右上に位置するポスト４０ｄの右側に形成し、マーク６３ｈはポスト４０ｄの上側に形成する。ポスト４０ｄ（複数本のポスト４０のうち最もマーク６３ｇに近いポスト）とマーク６３ｇとの間の距離（ポスト４０ｄとマーク６３ｇの中心間の距離）は、例えば隣り合うポスト４０間の１ピッチ（隣り合うポスト４０の中心間の距離）と同じ値とする。また、ポスト４０ｄ（複数本のポスト４０のうち最もマーク６３ｈに近いポスト）とマーク６３ｈとの間の距離（ポスト４０ｄとマーク６３ｈの中心間の距離）は、例えば隣り合うポスト４０間の１ピッチ（隣り合うポスト４０の中心間の距離）と同じ値とする。これにより、マーク６３ａ〜６３ｈは、ポスト４０の最外周の列又は行と同一ライン上に配置されることとなる。なお、各マークとそれに最も近いポストとの距離を、隣り合うポスト４０間の１ピッチと同じ値（等倍）である例を説明したが、同じ値（等倍）ではなく、整数倍としてもよい。
なお、上記のマーク６３ａ〜６３ｈは、例えばモールド樹脂６１に形成された貫通穴（即ち、パイロットホール）である。このようなパイロットホールは、例えばドリルを用いてモールド樹脂６１を上面から下面にかけて掘削することにより形成することができる。
【００４２】
次に、これらのマーク６３ａ〜６３ｈを用いてダイシングラインを計算する方法について、図１３及び表２を参照しながら説明する。
まず始めに、ダイシング前の半導体装置１００を図示しないダイシング装置にセットする。また、このダイシング装置へのセットと前後して、マーク６３ａ、６３ｈ間の間隔（即ち、図１３（ａ）に示す間隔［Ｘ］）の設計値をダイシング装置に予め入力しておく。表２に示すように、距離［Ｘ］の設計値は例えば１８．５ｍｍであり、この値をダイシング装置が備える記憶手段に予め記憶させておく。ここで、記憶手段とは、例えばハードディスク又はフラッシュメモリなどのデータ保持機能を備えた装置のことである。また、表２に示すように、切断間隔（即ち、パッケージ外形の横方向の長さ）［Ｘ１］［Ｘ２］［Ｘ３］…は等間隔で、その設計値は製品の種類によっても異なるが、一例として２．５ｍｍである。この設計値も上記の記憶手段に予め記憶させておく。なお、間隔［Ｘ８］は長さが足りず製品に使うことができない、余り部分の長さである。間隔［Ｘ８］は、間隔［Ｘ１］［Ｘ２］［Ｘ３］…と、［Ｘ］の各値に依存して決められる値であるが、一例として１．０ｍｍである。この値も上記の記憶手段に予め記憶させておく。
【００４３】
【表２】
2010027678.tif 000004
【００４４】
次に、ダイシング装置が備える撮像装置（例えば、ＣＣＤや、ＣＭＯＳイメージセンサなど）により、マーク６３ａ、６３ｈを撮像してマーク６３ａとマーク６３ｈの横方向の間の距離、即ち、間隔［Ｘ］を実際に測定する。そして、この測定値を上記の記憶手段に記憶させる。表２に示すように、ここでは［Ｘ］の測定値が例えば１８．６ｍｍであったとする。
次に、間隔［Ｘ］について、その設計値と測定値とを比較する演算処理を行って、測定値の設計値に対する誤差を算出する。ここでは、表２に示すように、誤差は例えば＋０．５４％となる。そして、間隔［Ｘ１］［Ｘ２］［Ｘ３］…と、［Ｘ８］の各設計値に上記の誤差を反映させて、これら間隔［Ｘ１］［Ｘ２］［Ｘ３］…と、［Ｘ８］について実際の値を算出する。表２に示す算出値が、上記の誤差を反映した値であり、その値は間隔［Ｘ１］［Ｘ２］［Ｘ３］…が例えば２．５１ｍｍ、間隔［Ｘ８］…が例えば１．０１ｍｍとなる。この算出値が、ダイシングラインを決定する際の数値となる。本実施形態では、この算出値をダイシング装置の記憶手段に記憶させる。
【００４５】
同様の手順により、例えば図１３（ｂ）に示す間隔［Ｙ１］［Ｙ２］［Ｙ３］について実際の値を算出し、これらの算出値をダイシング装置の記憶手段に記憶させる。即ち、マーク６３ｂと６３ｃの縦方向の間の間隔である［Ｙ］の設計値と、切断間隔［Ｙ１］［Ｙ２］［Ｙ３］の各設計値をダイシング装置の記憶手段に予め記憶させておく。次に、間隔［Ｙ］を実際に測定し、その測定値を上記の記憶手段に記憶させる。続いて、間隔［Ｙ］について、その設計値と測定値とを比較する演算処理を行って、測定値の設計値に対する誤差を算出する。そして、上記の誤差を間隔［Ｙ１］［Ｙ２］［Ｙ３］の各設計値に反映させて、［Ｙ１］［Ｙ２］［Ｙ３］についての実際の値を算出する。その後、この算出値をダイシング装置の記憶手段に記憶させる。
【００４６】
このように、［Ｘ１］［Ｘ２］［Ｘ３］…と、［Ｘ８］と、［Ｙ１］［Ｙ２］［Ｙ３］について各算出値をダイシング装置の記憶手段に記憶させた後で、上記の測定が行われた半導体装置１００に対するダイシング処理を行う。例えば図１３（ａ）において、モールド樹脂６１を縦方向にダイシングする場合は、ダイシング装置が例えばマーク６３ａとマーク６３ｄを撮像装置で認識し、この２つのマークで結ばれる縦方向の直線（即ち、ポスト４０の最も左側の列）と平面視で重なるように、モールド樹脂６１の下面にダイシングブレードを当てて、この列を切断する。つまり、この最も左側の列に並ぶ全てのポスト４０をダイシングブレードで切断する（縦方向への１回目の切断）。次に、この切断したラインを基準に右側へ２．５１ｍｍ移動した位置にダイシングブレードを当てて、この列を切断する（縦方向への２回目の切断）。以下、同じように３回目、４回目…７回目と列の切断を行う。
【００４７】
そして、縦方向への最後の切断は、ダイシング装置が例えばマーク６３ｈとマーク６３ｅを認識し、この２つのマークで結ばれる縦方向の直線（即ち、ポスト４０の最も右側の列）を基準に左側へ１．０１ｍｍ移動した位置にダイシングブレードを当てて、この列を切断する（縦方向への８回目の切断）。これにより、縦方向への切断が完了し、余りの部分が製品から取り除かれる。
同様に、モールド樹脂６１を横方向にダイシングする場合は、ダイシング装置がマーク６３ｂと６３ｇを撮像装置で認識し、この２つのマークで結ばれる横方向の直線（即ち、ポスト４０の最も上側の行）にダイシングブレードを当てて、この行を切断する（横方向への１回目の切断）。次に、この切断したラインを基準に下側へ［Ｙ１］の算出値だけ移動した位置にダイシングブレードを当てて、この行を切断する（横方向への２回目の切断）。以下、同じように、３回目、４回目と行の切断を行えば良い。
【００４８】
上記の実施例では、間隔［Ｘ］としてマーク６３ａとマーク６３ｈの横方向の間の距離を用い、間隔［Ｙ］としてマーク６３ｂとマーク６３ｃの縦方向の間の距離を用いてダイシングラインを決定する方法を示した。各マークとそれに最も近いポストとの距離を、隣り合うポスト４０間の１ピッチとが等倍若しくは整数倍であれば、例えば間隔［Ｘ］としてマーク６３ａとマーク６３ｆの横方向の間の距離を用い、間隔［Ｙ］としてマーク６３ａとマーク６３ｆの縦方向の間の距離を用いて、ダイシングラインを決定することができ、この場合はマーク６３ａとマーク６３ｆの２つを設けるだけでよい。
【００４９】
以上説明したように、本発明の第１実施形態によれば、ＩＣ素子５１を搭載するためのダイパッドとして、又は、ＩＣ素子５１の外部端子としてポスト４０を利用することができ、任意に設定されるＩＣ固定領域の形状及び大きさに応じて、ポスト４０をダイパッド又は外部端子として使い分けることができる。即ち、ポスト４０はダイパッドにもなるし外部端子にもなる。従って、従来技術のように、ＩＣ素子５１の種類毎に、固有のダイパッドや固有のリードフレーム、固有の基板（インターポーザなど）を用意して半導体装置を組み立てる必要はない。多種類のＩＣ素子５１に対して、そのパッド端子のレイアウトに制約を課することなく、素子搭載及び外部端子として用いる基板の仕様を共通化できる。これにより、基板の製造コストや、この基板を用いた半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００５０】
また、本発明の第１実施形態によれば、マーク６３ａ〜６３ｈ間の距離の設計値とその測定値とに基づいて、ポスト４０の実際のピッチを把握することができ、モールド樹脂６１を切断する前にそのダイシングラインを補正することができる。これにより、ポスト４０の行又は列と平面視で重なる位置でモールド樹脂６１を再現性良く切断することができる。さらに、上記のように、ポスト４０の行又は列と平面視で重なる位置でモールド樹脂６１を切断した場合は、パッケージ側面とポスト４０の側面との間の距離Ｌａを大きく確保することができ、樹脂切断面にポスト４０が露出しないようにすることができる。ポスト４０の側面をモールド樹脂６１で覆うことができ、ポスト４０とモールド樹脂６１との接触界面に水分等が浸入し難い構造を造ることができる。これにより、ポスト４０の腐食の可能性を低減することができるので、半導体装置の信頼性向上に寄与することができる。
【００５１】
なお、上記の第１実施形態では、ダイシングラインを計算するためのマーク６３ａ〜６３ｈがパイロットホールからなる場合について説明した。しかしながら、マーク６３ａ〜６３ｈはパイロットホールに限定されない。例えば、図１６に示すように、マーク６３ａ及び６３ｂは支持基板２１上に形成されたポストでも良い。図示しないが、マーク６３ｃ〜６３ｈについても同様である。このような構成であっても、マーク６３ａ〜６３ｈの下面とポスト４０の下面は同じ高さに揃えられているので、樹脂封止工程の後、マーク６３ａ〜６３ｈはポスト４０と共にモールド樹脂６１の下面から露出することとなる。従って、例えば、マーク６３ａ、６３ｂ間の距離を測定することができ、その測定値と設計値とに基づいて、ポスト４０の実際のピッチを把握することができる。これにより、上記の第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５２】
また、図１６に示す基板５０を製造する場合は、図１７（ａ）に示したフォトマスクＭ１ではなく、例えば図１７（ｂ）に示すようなフォトマスクＭ２を用いると良い。このフォトマスクＭ２は、遮光パターンＰ１のほか、マーク６３ａ〜６３ｈに対応した位置に、マーク６３ａ〜６３ｈと相似形の遮光パターンＰ２をそれぞれ有する。このようなフォトマスクＭ２を用いて、フォトレジストを露光し、レジストパターン５、３１（図２、図６参照。）を形成することにより、銅板１からマーク６３ａ〜６３ｈを形成することができる。この方法によれば、ポスト４０とマーク６３ａ〜６３ｈとを同時に形成することができるので、上記の第１実施形態と比べて穴あけ等の工程を減らすことができ、工程数の削減に寄与することができる。
【００５３】
また、上記の第１実施形態では、銅板１の上面と下面とに形成するフォトレジストがポジ型である場合について説明したが、これらはポジ型に限定されることはなく、ネガ型であっても良い。フォトレジストにネガ型を用いる場合は、例えば図１７（ａ）に示したフォトマスクＭ１や、図１７（ｂ）に示したフォトマスクＭ２において、光を遮る遮光パターンＰ１、Ｐ２と、光を透過させる透過領域とを反転させれば良い。つまり、フォトマスクＭ１の反転マスクや、フォトマスクＭ２の反転マスクを用いれば良い。これにより、第１実施形態で説明したレジストパターン５、３１（図２、図６参照。）を形成することができる。
【００５４】
（２）第２実施形態
上記の第１実施形態では、支持基板２１の上面に銅板１の下面を接着して、ポスト４０を含む基板５０を製造する場合について説明した。そして、この基板５０を封止したモールド樹脂６１に、ダイシングラインを計算するためのマーク６３ａ〜６３ｈを形成する場合について説明した。しかしながら、本発明に係る半導体装置の製造方法、基板及びその製造方法は第１実施形態に限られることはなく、例えば、以下のような第２実施形態であっても良い。
この第２実施形態では、まず始めに、基板の製造方法について説明し、次に、この基板を用いた半導体装置の製造方法について説明する。なお、この第２実施形態では基板の製造方法の一例として、図１８及び図１９に示す二通りの製造方法を説明する。図１８はセミアディティブ工法を応用した製造方法であり、図１９はサブトラクティブ工法を応用した製造方法である。この二通りの基板の製造方法について説明した後、図２１、２５において半導体装置の製造方法を説明する。
【００５５】
図１８（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第２実施形態に係る基板１５０の製造方法（セミアディティブ工法）を示す断面図である。まず始めに、図１８（ａ）に示すように銅板１を用意する。次に、図１８（ｂ）に示すように、銅板１の上面及び下面にそれぞれフォトレジスト１２ａ及び１２ｂを塗布する。このフォトレジスト１２ａ及び１２ｂは例えばポジ型でも、ネガ型でも良い。
次に、図１８（ｃ）に示すように、フォトレジストを露光及び現像処理して、複数本の円筒状電極（即ち、ポスト）が形成される領域を露出し、それ以外の領域を覆うレジストパターン１２ａ´及び１２ｂ´を形成する。ここでは、銅板１の上面にレジストパターン１２ａ´を形成すると共に、銅板１の下面にレジストパターン１２ｂ´を形成する。なお、フォトレジスト１２ａ、１２ｂが例えばネガ型の場合は、それらの露光処理に例えば図１７（ａ）に示したフォトマスクＭ１を用いれば良い。一方、フォトレジスト１２ａ、１２ｂが例えばポジ型の場合は、フォトレジスト１２ａ及び１２ｂの露光に例えばフォトマスクＭ１の反転マスクを用いれば良い。
【００５６】
次に、図１８（ｄ）に示すように、例えば電解メッキ法により、レジストパターン１２ａ´及び１２ｂ´から露出している領域（即ち、ポストが形成される領域）の銅板１にメッキ層１３ａ及び１３ｂを形成する。ここでは、銅板１の上面にメッキ層１３ａを形成すると共に、銅板１の下面にメッキ層１３ｂを形成する。
なお、図１８（ｄ）ではメッキ層１３ａ及び１３ｂをそれぞれ２層構造で示しているが、メッキ層１３ａ及び１３ｂは２層以上の積層構造でも単層構造でも良い。例えば、メッキ層１３ａ及び１３ｂは、Ｎｉ（下層）／Ｐｄ（中層）／Ａｕ（上層）からなる３層構造、Ｎｉ（下層）／Ａｕ（上層）からなる２層構造、又は、Ａｇからなる単層構造を採ることができる。
【００５７】
次に、図１８（ｅ）に示すように、銅板１の上面及び下面からそれぞれレジストパターンを除去する。そして、図１８（ｆ）に示すように、メッキ層１３ａをマスクに銅板１を上面側からエッチングして凹部１４ａを形成する共に、メッキ層１３ｂをマスクに銅板１を下面側からエッチングして凹部１４ｂを形成する。ここでは、銅板１を上面及び下面からそれぞれハーフエッチングして、複数本のポスト１５を形成すると共に、これらポスト１５を断面視で横方向に連結する連結部１６を形成する。即ち、複数本のポスト１５間で銅板１が完全にエッチングされてなくなる前（即ち、貫通前）にエッチングを止める。そして、このようなハーフエッチングにより、銅板１の上面から下面に至る間の一部分でポストが互いに連結された状態の基板１５０が完成する。
図１８（ｆ）に示す銅板１のハーフエッチングは、例えばディップ式又はスプレー式のウェットエッチングで行う。また、エッチング液には、例えば塩化第２鉄溶液、又は、アルカリ性のエッチング溶液（以下、アルカリ溶液という。）を用いる。
【００５８】
なお、銅板１の上面及び下面にそれぞれ形成する凹部１４ａ及び１４ｂは、それぞれ同じ深さに形成しても良いし、異なる深さに形成しても良い。例えば、スプレー式のウェットエッチングで凹部１４ａ及び１４ｂを形成する場合は、上面側のエッチング時間を下面側のエッチング時間の２倍に設定する。これにより、上面側に例えば深さ０．１ｍｍの凹部１４ａを形成すると共に、下面側に深さ０．０５ｍｍの凹部１４ｂを形成することができる。
また、図１８（ｅ）において、銅板１をエッチングする前に銅板１の上面及び下面にそれぞれメッキ保護用のフォトレジスト（図示せず）を新たに形成しておいても良い。銅板１のエッチング工程では当該フォトレジストで覆われたメッキ層１３ａ及び１３ｂをマスクに銅板１をエッチングすることになるので、メッキ層１３ａ及び１３ｂをエッチング液から保護することができる。
【００５９】
また、このメッキ保護用のフォトレジストは、凹部１４ａ及び１４ｂを形成した後もそのまま残しておいても良い。これにより、以降の組立工程においても、メッキ層１３ａ及び１３ｂを保護し続けることができる。このメッキ保護用のフォトレジストは、メッキ層１３ａ及び１３ｂの両方に残しておいても良いし、メッキ層１３ｂにのみ残しても良い。メッキ層１３ｂにのみフォトレジストを残した場合、以降の組立工程においても、メッキ層１３ｂを保護し続けることができる。また、このようなメッキ保護用のフォトレジストは、銅板１のエッチング前ではなく、銅板１のエッチング後に形成しても良い。このような構成であっても、以降の組立工程においても、メッキ層１３ａ及び１３ｂを保護し続けることができる。
【００６０】
次に、もう一方の基板の製造方法について、図１９を参照しながら説明する。
図１９（ａ）〜（ｇ）は、本発明の第２実施形態に係る基板１５０の製造方法（サブトラクティブ工法）を示す断面図である。図１９において、図１８と同一の構成を有する部分には同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
まず始めに、図１９（ａ）に示すように銅板１を用意する。次に、図１９（ｂ）に示すように、例えば電解メッキ法により、銅板１の上面及び下面にそれぞれメッキ層１３ａ及び１３ｂを形成する。図１８と同様、図１９（ｂ）でもメッキ層１３ａ´及び１３ｂ´をそれぞれ２層構造で示しているが、メッキ層１３ａ´及び１３ｂ´は２層以上の積層構造でも単層構造でも良い。メッキ層１３ａ´及び１３ｂ´は、例えばＮｉ（下層）／Ｐｄ（中層）／Ａｕ（上層）からなる積層構造、Ｎｉ（下層）／Ａｕ（上層）からなる積層構造、又は、Ａｇからなる単層構造を採ることができる。
【００６１】
次に、図１９（ｃ）に示すように、銅板１の上面及び下面にそれぞれフォトレジスト１７ａ及び１７ｂを塗布する。このフォトレジスト１７ａ及び１７ｂは例えばポジ型でも、ネガ型でも良い。そして、図１９（ｄ）に示すように、フォトレジスト１７ａ及び１７ｂを露光及び現像処理して、ポストが形成される領域を覆い、それ以外の領域を露出するレジストパターン１７ａ´及び１７ｂ´を形成する。
ここでは、銅板１の上面にレジストパターン１７ａ´を形成すると共に、銅板１の下面にレジストパターン１７ｂ´を形成する。なお、フォトレジスト１７ａ、１７ｂが例えばポジ型の場合は、それらの露光に例えば図１７（ａ）に示したフォトマスクＭ１を用いれば良い。また、フォトレジスト１７ａ、１７ｂが例えばネガ型の場合は、フォトレジスト１７ａ及び１７ｂの露光処理にフォトマスクＭ１の反転マスクを用いれば良い。
【００６２】
次に、レジストパターン１７ａ´及び１７ｂ´をマスクにメッキ層１３ａ´及び１３ｂ´をそれぞれエッチングして除去する。これにより、図１９（ｅ）に示すように、パターニングされたメッキ層１３ａ及び１３ｂが銅板１の上面と下面とにそれぞれ形成される。
ここで、メッキ層１３ａ及び１３ｂが例えばＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ、又は、Ｎｉ／Ａｕからなる場合は、メッキ層のエッチング液に例えば王水を使用する。また、メッキ層１３ａ及び１３ｂが例えばＡｇからなる場合は、エッチング液に例えば硝酸溶液を使用する。このようにメッキ層をエッチングした後で、図１９（ｆ）に示すように、レジストパターン１７ａ´及び１７ｂ´と、これに覆われているメッキ層１３ａ及び１３ｂとをマスクに銅板１を上面側及び下面側からそれぞれエッチングする。これにより、銅板１の上面側に凹部１４ａを形成する共に、その下面側に凹部１４ｂを形成する。
【００６３】
この図１９に示す製造方法においても、図１８に示した製造方法と同様、銅板１を上面及び下面からそれぞれハーフエッチングして、複数本のポスト１５を形成すると共に、これらポスト１５を断面視で横方向に連結する連結部１６を形成する。即ち、複数本のポスト１５間で銅板１が完全にエッチングされてなくなる前（即ち、貫通前）にエッチングを止める。そして、このようなハーフエッチングにより、銅板１の上面から下面に至る間の一部分でポスト１５が互いに連結された状態の基板１５０が完成する。
なお、図１９（ｆ）に示す銅板１のハーフエッチングは、例えばディップ式又はスプレー式のウェットエッチングで行う。エッチング液には、例えば塩化第２鉄溶液又はアルカリ溶液を用いる。また、銅板１の上面及び下面にそれぞれ形成する凹部１４ａ及び１４ｂは、それぞれ同じ深さに形成しても良いし、異なる深さに形成しても良い。例えば、スプレー式で凹部１４ａ及び１４ｂを形成する場合は、図１８に示した製造方法と同様にウェットエッチングの所要時間を調整することで、上面側に例えば深さ０．１ｍｍの凹部を形成すると共に、下面側に深さ０．０５ｍｍの凹部を形成することができる。
【００６４】
次に、図１９（ｇ）に示すように、基板１５０からレジストパターンを除去する。但し、このレジストパターンの除去工程は、本実施形態において必須の工程ではない。本実施形態では、基板１５０の両面にレジストパターンを残しておいても良い。また、図１９（ｇ）では、基板１５０の上面側のレジストパターンだけを取り除き、下面側のレジストパターンはそのまま残しておいても良い。これにより、以降の組立工程においてレジストパターンをメッキ層１３ａ及び１３ｂ、又はメッキ層１３ｂの保護膜として利用することができる。
また、この図１９に示す製造方法では、図１９（ｃ）〜（ｅ）の工程をウェットエッチングのような化学的な加工ではなく、物理的な加工により行っても良い。例えば、サンドブラスト処理や切削工具を用いた処理により、メッキ層１３ａ及び１３ｂを部分的に除去することも可能である。サンドブラスト処理は、例えばガラス粒子を部分的に吹き付けてメッキ層１３ａ及び１３ｂを削る処理であるが、このときのガラス粒子の吹き付ける量と吹き付け圧力等を調整することにより、図１９（ｅ）に示したようなメッキ層１３ａ及び１３ｂの加工が可能である。
【００６５】
図２０（ａ）は、基板１５０の一例を示す図である。図１８（ａ）〜（ｆ）に示す方法で形成された基板１５０の構成と、図１９（ａ）〜（ｇ）に示す方法で形成された基板１５０の構成は同じであり、その形状を立体的に見ると例えば図２０に示す通りである。即ち、基板１５０は、縦方向及び横方向に並んだ複数本のポスト１５を備え、これらのポスト１５は上面から下面に至る間の一部分（例えば、厚さ方向の中間部分）で互いに連結された構造となっている。
このように基板１５０が完成した後は、例えばインクジェット工法又はレーザーマークによって、所望の位置にあるポスト１５の上面（表面）を着色して認識マーク８を形成する。認識マーク８をインクジェット工法で形成する場合、その着色材料には例えば耐熱性異色インク、又は、異色メッキ等を採用することが可能である。または、ディスペンサを用いてポスト４０の上面にインクを塗布する、若しくは印刷工法を用いて、認識マーク８を形成してもよい。
【００６６】
次に、この基板１５０にベア状態のＩＣ素子を取り付けて半導体装置を製造する方法について説明する。
図２１（ａ）〜図２２（ｂ）は、本発明の第２実施形態に係る半導体装置２００の製造方法を示す断面図である。図２１（ａ）では、まず始めに、認識マーク８を目印にＩＣ固定領域を認識する。次に認識したＩＣ固定領域にＩＣ素子５１を位置合わせし、位置合わせした状態で、図２１（ｂ）に示すように、ＩＣ固定領域にある複数本のポスト１５上にＩＣ素子５１を取り付ける（ダイアタッチ工程）。このような方法によれば、ＩＣ素子５１をＩＣ固定領域に精度良く位置合わせすることができ、ＩＣ素子５１を基板１５０に位置ズレ少なく取り付けることができる。なお、このダイアタッチ工程では、ＩＣ素子５１とポスト１５とを接着剤２３で取り付ける。使用する接着剤２３は、例えば熱硬化ペースト又はシート状のものである。
【００６７】
次に、図２１（ｃ）に示すように、ＩＣ固定領域以外の領域（即ち、ＩＣ素子の直下から外れた領域）にあるポスト１５の上面と、ＩＣ素子５１の能動面に設けられているパッド端子とを例えば金線５３で接続する（ワイヤーボンディング工程）。ここでは、認識マーク８を目印に、外部端子となるポスト１５を認識し、認識したポスト１５に金線５３の一端を接続するようにしても良い。
次に、図２１（ｄ）に示すように、ＩＣ素子５１、金線５３及びポスト１５を含む基板１５０の上方全体をモールド樹脂６１で封止する（樹脂封止工程）。モールド樹脂６１は、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂等である。この樹脂封止工程では、例えば、ＩＣ素子５１等を含む基板１５０の上面側にキャビティを被せてその内側を減圧し、減圧されたキャビティ内にモールド樹脂６１を供給する。このような減圧下での樹脂供給により、キャビティ内にモールド樹脂６１を充填性良く供給することができ、図２１（ｄ）に示すように、モールド樹脂６１で凹部１４ａを隙間なく埋め込むことができる。
【００６８】
その後、ポスト１５同士を連結している連結部１６を下面の側からエッチングして取り除く。この連結部１６のエッチングは、凹部１４ａ及び１４ｂを形成したときと同様、例えば塩化第２鉄溶液又はアルカリ溶液を用いて行う。これにより、図２１（ｅ）に示すように、隣り合うポスト１５同士を電気的に切り離すことができ、金線５３に繋がるポスト１５をそれぞれ電気的に独立した外部端子として使用することが可能となる。また、各ポスト１５はモールド樹脂６１によってその上面側の部位が固定されているので、連結部を取り除いた後もその位置が保持される。
【００６９】
なお、メッキ層１３ｂの保護膜として下面側に図示しないフォトレジストが残されている場合は、当該フォトレジストを連結部のエッチング後に除去する。また、メッキ層１３ｂがＡｇメッキの場合は、Ａｇメッキを除去し、別のメッキ処理を行っても良い。即ち、Ａｇメッキを除去し、その後、別種類のメッキをメッキ層１３ｂとして付け直しても良い。別種類のメッキとしては、例えば、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、又は、Ｎｉ／Ａｕ、半田などが挙げられる。このようなメッキ層１３ｂの付け直しは、下面側にフォトレジストが形成されている場合は当該フォトレジストを除去した後で行えば良く、また、下面側にフォトレジストが形成されていない場合は連結部を除去した後で行えば良い。
【００７０】
次に、例えば図１２（ｂ）に示したように、ダイシングラインを計算するためのマーク６３ａ〜６３ｈを形成する。この第２実施形態においても、第１実施形態と同様、マーク６３ａ〜６３ｈは例えばパイロットホールで良い。パイロットホールは例えばドリルを用いてモールド樹脂６１を上面から下面にかけて掘削することにより形成する。そして、ダイシング処理を行う前に、マーク６３ａ〜６３ｈを用いてダイシングラインを補正する。その具体的な方法は、第１実施形態において図１３（ａ）及び（ｂ）と、表２を参照しながら説明した通りである。
ダイシングラインを補正した後は、例えば図２２に示すように、モールド樹脂６１にダイシングブレード７５を当てて、モールド樹脂６１を製品外形に合わせて切断する（ダイシング工程）。ここでは、例えば表２の算出値に基づいて補正されたダイシングラインに沿ってモールド樹脂６１を切断する。これにより、モールド樹脂６１を個々の樹脂パッケージに分割すると共に、製品にならない樹脂の余白部分を切断して除去する。これにより、半導体装置２００が完成する。
【００７１】
なお、このダイシング工程では、例えば図２２に示すように、端子サイズ以上の（即ち、ポスト１５よりも幅の大きな）ダイシングブレード７５を用いて、ポスト１５を切断することが好ましい。これにより、ダイシングラインと重なる位置のポスト１５をより確実に樹脂パッケージから排除することができる。また、図２２では、モールド樹脂６１の上面全体にＵＶテープ等を貼らないでダイシングする場合について示したが、これはあくまで一例である。この第２実施形態においても、第１実施形態と同様、モールド樹脂６１の上面全体にＵＶテープを貼り、この状態でダイシングを行っても良い。その場合は、第１実施形態と同様、モールド樹脂６１のＵＶテープが貼られていない側の面にダイシングブレード７５を当てて、モールド樹脂６１を製品外形に合わせて切断すれば良い。
【００７２】
以上説明したように、本発明の第２実施形態によれば、ＩＣ素子５１を搭載するためのダイパッドとして、又は、ＩＣ素子５１の外部端子として複数本のポスト１５を利用することができ、任意に設定されるＩＣ固定領域の形状及び大きさに応じて、複数本のポスト１５をダイパッド又は外部端子として使い分けることができる。従って、ＩＣ素子５１の種類毎に、固有のダイパッドや固有のリードフレーム、固有の基板を用意して半導体装置を組み立てる必要はない。多種類のＩＣ素子５１に対して、そのパッド端子のレイアウトに制約を課することなく、素子搭載及び外部端子として用いる基板の仕様を共通化できる。これにより、基板の製造コストや、この基板を用いた半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００７３】
また、本発明の第２実施形態によれば、マーク６３ａ〜６３ｈ間の距離の設計値とその測定値とに基づいて、ポスト１５の実際のピッチを把握することができ、モールド樹脂６１を切断する前にその切断ラインを補正することができる。これにより、ポスト１５の行又は列と平面視で重なる位置でモールド樹脂６１を再現性良く切断することができる。さらに、上記のように、ポスト１５の行又は列と平面視で重なる位置でモールド樹脂６１を切断した場合は、パッケージ側面とポスト１５の側面との間の距離Ｌａを大きく確保することができ、樹脂切断面にポスト１５が露出しないようにすることができる。ポスト１５の側面をモールド樹脂６１で覆うことができ、ポスト１５とモールド樹脂６１との接触界面に水分等が浸入し難い構造を造ることができる。これにより、ポスト４０の腐食の可能性を低減することができるので、半導体装置の信頼性向上に寄与することができる。
【００７４】
なお、上記の第２実施形態では、ダイシングラインを計算するためのマーク６３ａ〜６３ｈがパイロットホールからなる場合について説明した。しかしながら、マーク６３ａ〜６３ｈはパイロットホールに限定されない。例えば、図２３に示すように、マーク６３ａ及び６３ｂは基板１５０の下面側に形成されたポストでも良い。図示しないが、マーク６３ｃ〜６３ｈについても同様である。このような構成であっても、マーク６３ａ〜６３ｈの下面とポスト１５の下面を同じ高さに揃えることができ、例えば図１３（ａ）及び（ｂ）に示したように、ポスト１５とマーク６３ａ〜６３ｈとをモールド樹脂６１の下面に露出させることができる。
【００７５】
従って、樹脂封止工程の後も、マーク６３ａとマーク６３ｂとの間の距離や、マーク６３ｂとマーク６３ｃとの間の距離を測定することができ、その測定値と設計値とに基づいてポスト１５の実際のピッチを把握することができる。これにより、上記の第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、図２３に示す基板１５０を製造する場合は、図１７（ａ）に示したフォトマスクＭ１の代わりに、例えば図１７（ｂ）に示すようなフォトマスクＭ２を用いると良い。フォトマスクＭ２（又は、フォトマスクＭ２の反転マスク）を用いて、図１８に示したレジストパターン１２ａ´、１２ｂ´や、図１９に示したレジストパターン１７ａ´、１７ｂ´（例えば、図１９参照。）を形成することにより、銅板１からマーク６３ａ〜６３ｈを形成することができる。この方法によれば、ポスト１５とマーク６３ａ〜６３ｈとを同時に形成することができるので、上記の第２実施形態と比べて穴あけ等の工程を減らすことができ、工程数の削減に寄与することができる。
【００７６】
また、上記の第１、第２実施形態では、例えば図１３（ａ）及び（ｂ）に示したように、モールド樹脂６１の下面において、最外周の列又は行と同一ライン上に配置されるようにマーク６３ａ〜６３ｈを形成する場合について説明した。しかしながら、本発明において、マーク６３ａ〜６３ｈの配置ルールはこれに限定されることはない。例えば、図２５に示すように、ポスト１５の行又は列の延長上から離れた位置にマーク６３ａ、６３ｂ等を形成しても良い。このような構成であっても、マーク６３ａとポスト１５との間の距離、及び、マーク６３ｂとポスト６３ｂとの間の距離をそれぞれ、ポスト１５のピッチの整数倍とすることができる。そして、この整数倍の値をダイシング装置が認識していれば、マーク６３ａ、６３ｂ等を基準にモールド樹脂６１を切断することができる。従って、例えば、上記の整数倍の値をダイシング装置の記憶手段に記憶させておくことにより、マーク６３ａ、６３ｂ等を基準にモールド樹脂６１を切断することができる。
【００７７】
（３）第３実施形態
上記の第２実施形態では、例えば図１８、図１９に示したように、メッキ層１３ａ及び１３ｂをマスクとして、銅板１を上面及び下面の両方から同時にエッチングする場合について説明した。しかしながら、本発明では、銅板１を上面及び下面の両方から同時にエッチングするのではなく、例えばレジストパターンをマスクとして銅板１を下面からエッチングすることにより、連結部を残しつつ基板を完成するようにしても良い。第３実施形態では、このような形態について説明する。
【００７８】
図２６（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第３実施形態に係る基板１６０の製造方法を示す断面図である。まず始めに、図２６（ａ）に示すように銅板１を用意する。次に、銅板１の上面及び下面にそれぞれ第１のフォトレジスト２７を塗布する。このフォトレジスト２７は例えばポジ型でも、ネガ型でも良い。
次に、銅板１の上面に塗布されたフォトレジスト２７を露光及び現像処理して、ポストが形成される領域を覆い、それ以外の領域を露出するレジストパターン２７ａを形成する。図２６（ａ）に示すように、ここでは、銅板１の上面にのみレジストパターン２７ａを形成する。銅板１の下面には、未露光のフォトレジスト２７をそのまま残しておく。ここで、フォトレジスト２７が例えばポジ型の場合は、その露光処理に図１７（ａ）に示したフォトマスクＭ１を用いれば良い。また、フォトレジスト２７が例えばネガ型の場合は、その露光処理にフォトマスクＭ１の反転マスクを用いれば良い。
【００７９】
次に、レジストパターン２７ａをマスクに銅板１の上面をエッチングする。これにより、銅板１の上面側に凹部２９を形成する。凹部２９の形成により、銅板１の上面には複数本のポスト１５が形成される。また、このエッチング工程では、凹部２９は銅板１の上面にのみ形成されるため、銅板１の下面側には複数本のポスト１５を断面視で横方向に連結する連結部１６が残される。即ち、複数本のポスト１５間で銅板１が完全にエッチングされてなくなる前（即ち、貫通前）にエッチングを止める。そして、このようなハーフエッチングにより、凹部２９の底面から銅板１の下面に至る間の一部分で、ポスト１５は互いに連結された状態となる。
【００８０】
なお、図２６（ｂ）に示す銅板１のハーフエッチングは、例えばディップ式又はスプレー式のウェットエッチングで行う。エッチング液には、例えば塩化第２鉄溶液又はアルカリ溶液を用いる。また、銅板１の上面に形成する凹部２９の深さは、例えば、銅板１の厚さをｈ、凹部２９の深さをｄとしたとき、ｄ＝０．４×ｈ〜０．６×ｈ程度である。例えば、ウェットエッチングの所要時間を調整することで、銅板１の上面側に深さ０．１ｍｍの凹部を形成する。
次に、銅板１の上面からレジストパターン２７ａを除去すると共に、下面からフォトレジスト２７を除去する。これにより、図２６（ｃ）に示すように、銅板１の上面及び下面を露出させる。次に、凹部２９が形成された銅板１の上面及び下面にそれぞれ第２のフォトレジストを塗布する。この第２のフォトレジストは例えばポジ型でも、ネガ型でも良い。
【００８１】
次に、図２６（ｄ）に示すように、銅板１の上面及び下面にそれぞれ塗布された第２のフォトレジストを露光及び現像処理して、ポストが形成される領域を露出し、それ以外の領域を露出するレジストパターン３７ａ及び３７ｂを銅板１の上面と下面にそれぞれ形成する。即ち、レジストパターン３７ａは凹部２９の底面及び側面を覆うように形成し、レジストパターン３７ｂは銅板１の下面であって凹部２９と対向する領域に形成する。ここで、第２のフォトレジストが例えばポジ型の場合は、その露光処理に図１７（ａ）に示したフォトマスクＭ１を用いれば良い。また、フォトレジスト２７が例えばネガ型の場合は、その露光処理にフォトマスクＭ１の反転マスクを用いれば良い。
また、レジストパターン３７ａの形成工程では、レジストパターン３７ａを、凹部２９の内側に加えて、凹部２９の開口端に沿った領域（即ち、平面視でポストの外周部となる領域）を覆うように形成することが好ましい。これにより、後の工程で、ポスト１５の上面からはみ出さないようにメッキ層を形成することができる。その結果、メッキ層の端部においてバリの発生を抑制することができ、メッキ層の剛性を向上させることができる。例えば、バリの発生が抑制されると、後の工程で、凹部２９内にモールド樹脂が入り易くなるなどの利点がある。
【００８２】
次に、図２６（ｅ）に示すように、例えば電解メッキ法により、レジストパターン３７ａ及び３７ｂから露出している領域（即ち、ポストが形成される領域）の銅板１にメッキ層４３ａ及び４３ｂを形成する。ここでは、銅板１の上面にメッキ層４３ａを形成すると共に、銅板１の下面にメッキ層４３ｂを形成する。なお、図２６（ｅ）ではメッキ層４３ａ及び４３ｂをそれぞれ単層構造で示しているが、メッキ層４３ａ及び４３ｂは単層構造でも２層以上の積層構造でも良い。例えば、メッキ層４３ａ及び４３ｂは、Ｎｉ（下層）／Ｐｄ（中層）／Ａｕ（上層）からなる３層構造、Ｎｉ（下層）／Ａｕ（上層）からなる２層構造、又は、Ａｇからなる単層構造を採ることができる。
次に、図２６（ｅ）に示すように、銅板１の上面及び下面からそれぞれレジストパターンを除去する。これにより、複数本のポスト１５が銅板１の下面側で互いに連結された状態の基板１６０が完成する。
【００８３】
次に、この基板１６０にベア状態のＩＣ素子及び受動素子を取り付けて半導体装置３００を製造する場合について説明する。
図２７（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第３実施形態に係る半導体装置３００の製造方法を示す断面図である。図２７（ａ）では、まず始めに、第１、第２実施形態と同様の方法により、所望の位置にあるポスト１５の上面（表面）を着色して認識マーク８を形成する。
次に、図２７（ｂ）において、認識マーク８を目印にＩＣ固定領域を認識し、認識した領域にＩＣ素子５１を位置合わせする。そして、位置合わせした状態で、ＩＣ固定領域にあるポスト１５上にＩＣ素子５１を取り付ける（ダイアタッチ工程）。このような方法によれば、ＩＣ素子５１をＩＣ固定領域に精度良く位置合わせすることができ、ＩＣ素子５１を基板１６０に位置ズレ少なく取り付けることができる。なお、このダイアタッチ工程では、ＩＣ素子５１とポスト１５とを接着剤２３で取り付ける。
【００８４】
次に、図２７（ｃ）に示すように、ＩＣ固定領域以外の領域（即ち、ＩＣ素子の直下から外れた領域）にあるポスト１５の上面と、ＩＣ素子５１の能動面に設けられているパッド端子とを例えば金線５３で接続する（ワイヤーボンディング工程）。ここでは、認識マーク８を目印に、外部端子となるポスト１５を認識し、認識したポスト１５に金線５３の一端を接続するようにしても良い。
次に、図２７（ｄ）に示すように、ＩＣ素子５１と、金線５３及びポスト１５を含む基板１６０の上方全体をモールド樹脂６１で封止する（樹脂封止工程）。この樹脂封止工程では、例えば、ＩＣ素子５１等を含む基板１６０の上面側にキャビティを被せてその内側を減圧し、減圧されたキャビティ内にモールド樹脂６１を供給する。このような減圧下での樹脂供給により、キャビティ内にモールド樹脂６１を充填性良く供給することができ、図２７（ｄ）に示すように、モールド樹脂６１で凹部２９を隙間なく埋め込むことができる。
【００８５】
その後、ポスト１５同士を連結している連結部１６を、基板１６０の下面の側からエッチングして取り除く。この連結部１６のエッチングは、凹部２９を形成したときと同様、例えば塩化第２鉄溶液又はアルカリ溶液を用いて行う。これにより、図２７（ｅ）に示すように、隣り合うポスト１５同士を電気的に切り離すことができ、ＩＣ固定領域以外の領域にあるポスト１５を、それぞれ電気的に独立した外部端子として使用することが可能となる。また、各ポスト１５はモールド樹脂６１によってその上面側の部位が固定されているので、連結部を取り除いた後もその位置が保持される。
これ以降の工程は、第１、第２実施形態と同様である。例えば図２２に示したようなダイシング工程により、モールド樹脂６１を個々の樹脂パッケージに分割すると共に、製品にならない樹脂の余白部分を切断して除去する。これにより、半導体装置３００が完成する。本発明の第３実施形態によれば、第１、第２実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００８６】
なお、上記の第１〜第３実施形態では、ＩＣ素子５１の下面（パッド端子が形成された面とは反対側の面）をポスト４０と対向するように固定し、金線５３を用いてＩＣ素子５１のパッド端子とポスト４０とを接続する場合を示したが、本発明はこれに限られることはない。例えば、ＩＣ素子５１を、パッド端子が形成された面がポスト４０と対向するようにし、パッド端子とポスト４０とを、パッド端子上に設けられたバンプを用いて接続するようにしてもよい。パッド端子とポスト１５との接続についても同様である。この場合、バンプはスタッドバンプ、半田バンプ、電解メッキで形成されたＡｕバンプなどを用いても良い。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】第１実施形態に係る基板５０の製造方法を示す図（その１）。
【図２】第１実施形態に係る基板５０の製造方法を示す図（その２）。
【図３】第１実施形態に係る基板５０の製造方法を示す図（その３）。
【図４】第１実施形態に係る基板５０の製造方法を示す図（その４）。
【図５】第１実施形態に係る基板５０の製造方法を示す図（その５）。
【図６】第１実施形態に係る基板５０の製造方法を示す図（その６）。
【図７】第１実施形態に係る基板５０の一例を示す図。
【図８】第１実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す図（その１）。
【図９】第１実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す図（その２）。
【図１０】第１実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す図（その３）。
【図１１】第１実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す図（その４）。
【図１２】第１実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す図（その５）。
【図１３】第１実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す図（その６）。
【図１４】第１実施形態に係る半導体装置１００の製造方法を示す図（その７）。
【図１５】半導体装置１００の構成例を示す図。
【図１６】基板５０の他の構成例を示す図。
【図１７】フォトマスクＭ１、Ｍ２の一例を示す図。
【図１８】第２実施形態に係る基板１５０の製造方法を示す図（その１）。
【図１９】第２実施形態に係る基板１５０の製造方法を示す図（その２）。
【図２０】第２実施形態に係る基板１５０の一例を示す図。
【図２１】第２実施形態に係る半導体装置２００の製造方法を示す図（その１）。
【図２２】第２実施形態に係る半導体装置２００の製造方法を示す図（その２）。
【図２３】基板１５０の他の構成例を示す図。
【図２４】ダイシング位置の一例を示す図。
【図２５】マーク６３ａ、６３ｂ等の配置の一例を示す図。
【図２６】第３実施形態に係る基板２５０の製造方法を示す図。
【図２７】第３実施形態に係る半導体装置３００の製造方法を示す図。
【図２８】従来例を示す図。
【図２９】従来例を示す図。
【図３０】従来例を示す図。
【図３１】従来例を示す図。
【符号の説明】
【００８８】
１  銅板、３、１２ａ、１２ｂ、１７ａ、１７ｂ、２７  フォトレジスト、５、１２ａ´、１２ｂ´、１７ａ´、７ｂ´、２７ａ、３７ａ、３７ｂ  レジストパターン、７、１４ａ、１４ｂ  凹部、８  認識マーク、９、１３ａ、１３ａ´、１３ｂ、１３ｂ´、４３ａ、４３ｂ  メッキ層、１５、４０  ポスト（金属支柱の一例）、１６  連結部、２１  支持基板、２３、６７  接着剤、２９  凹部、５０、１５０、１６０  基板、５１  ＩＣ素子、５３  金線（導電部材の一例）、６１  モールド樹脂、６３ａ〜６３ｈ  マーク、７５  ブレード、１００、２００、３００  半導体装置、Ｍ１、Ｍ２  フォトマスク、Ｐ１、Ｐ２  遮光パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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