(57)【要約】      （修正有）【課題】固体電解コンデンサ、固体電解コンデンサを用いた電子機器、及び固体電解コンデンサの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の固体電解コンデンサは、ニオブからなる陽極１と、陽極１を覆うニオブの酸化物からなる誘電体層３と、誘電体層３を覆う銅からなる陰極層４とを有するものであるので、漏れ電流を低減させることができる。また、本発明の電子機器は、前述の固体電解コンデンサをマイコンやＤＳＰなどの半導体集積回路のためのバイパスコンデンサとして用いるものである。本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、ニオブからなる陽極１を形成する工程と、前記陽極を陽極酸化することにより、陽極１を覆うように、ニオブの酸化物からなる誘電体層３を形成する工程と、誘電体層３を覆う銅からなる陰極層４を形成する工程を備える。【選択図】図１
2010278343.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ニオブからなる陽極と、
前記陽極を覆うニオブの酸化物からなる誘電体層と、
前記誘電体層を覆う銅からなる陰極層を備えた固体電解コンデンサ。
【請求項２】
前記請求項１記載の固体電解コンデンサを用いた電子機器。
【請求項３】
ニオブからなる陽極を形成する工程と、
前記陽極を陽極酸化することにより、前記陽極を覆うように、ニオブの酸化物からなる誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層を覆う銅からなる陰極層を形成する工程を備えた固体電解コンデンサの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、陽極にニオブを用いた固体電解コンデンサ、この固体電解コンデンサを用いた電子機器、及びこの固体電解コンデンサの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体電解コンデンサは、電源回路の電圧平滑の用途、電流ノイズ除去の用途に使用されるものであるが、特に、電流ノイズ除去の用途としてのバイパスコンデンサとして、コンピュータのみならず、広くデジタル機器をはじめとする様々な電子機器に使用されている。
【０００３】
近年、パーソナルコンピュータ等の電子機器の小型化に伴って、これらの電子機器に用いる固体電解コンデンサについても、小型で高容量のものが望まれている。このため、従来のタンタルを用いた固体電解コンデンサ（以下、タンタルコンデンサと略称する）に代えて、ニオブを用いた小型で高容量の固体電解コンデンサ（以下、ニオブコンデンサと略称する）が開発されつつある。
【０００４】
このようなニオブコンデンサは、ニオブからなる陽極を陽極酸化することよって得られる誘電体物質であるニオブの酸化物からなる誘電体層を備えており、このニオブの酸化物がタンタルコンデンサに用いられるタンタルの酸化物に比べて誘電率が約１．８倍大きいため、高容量化が図れるのである。従って、同程度の容量を得ようとする場合には、ニオブコンデンサは、タンタルコンデンサに比べ小型化が図れるため、小型高容量化が可能な次世代の固体電解コンデンサとして期待されている。
【０００５】
しかしながら、現在、開発が進められているニオブコンデンサは、上述のとおり、静電容量が高いという長所をもつものの、漏れ電流が大きくなるという短所があることが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−３２２６６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載の固体電解コンデンサは、陽極上に形成した誘電体層の表面に、陰極層として導電性高分子層を形成するものであり、これら誘電体層と導電性高分子層との密着性を向上させることによって漏れ電流の低減を図るものである。しかしながら、固体電界コンデンサに、導電性高分子層を用いている限り、漏れ電流の低減には限界があった。そこで、本発明は、漏れ電流の低減を可能とした新規のニオブコンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の固体電解コンデンサは、ニオブからなる陽極と、前記陽極を覆うニオブの酸化物からなる誘電体層と、前記誘電体層を覆う銅からなる陰極層を備えたものである。このような構成によって、固体電解コンデンサの漏れ電流の低減を可能とするものである。
【０００９】
また、本発明の電子機器は、前述の構成の固体電解コンデンサを用いたものである。このような本発明の電子機器としては、情報処理装置、映像機器、音響機器、さらには、通信機器などである。
【００１０】
さらに、本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、ニオブからなる陽極を形成する工程と、前記陽極を陽極酸化することにより、前記陽極を覆うように、ニオブの酸化物からなる誘電体層を形成する工程と、前記誘電体層を覆う銅からなる陰極層を形成する工程を備えるものである。このような製造方法によって、漏れ電流の小さな固体電解コンデンサの製造を可能とするものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、固体電解コンデンサの漏れ電流の低減を実現するものであり、また、漏れ電流が低減された固体電解コンデンサを用いた電子機器を実現するものである。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１実施形態におけるニオブコンデンサを説明するための断面図である。
【図２】第１実施形態におけるニオブコンデンサの陰極層の配置を説明するための斜視図である。
【図３】第１実施形態におけるニオブコンデンサの製造工程を説明するための図である。
【図４】第２実施形態におけるニオブコンデンサを説明するための断面図である。
【図５】評価サンプルにおけるニオブコンデンサを説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
次に、図面を用いて、本発明の実施の形態を説明する。ただし、図面は模式的なものであり、縦横の各寸法の比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。従って、具体的な寸法等は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。
【００１４】
（第１実施形態）
図１は、本実施形態におけるニオブコンデンサの内部を説明するための模式的な断面図である。
【００１５】
本実施形態におけるニオブコンデンサ２０は、直方体の外形を有しており、基本的には、図１に示すように、ニオブからなる陽極１と、陽極１に一端部２ａが埋設され、他端部２ｂが突出するように設けられた陽極リード２と、陽極１を陽極酸化することにより形成されたニオブ酸化物からなる誘電体層３と、誘電体層３を覆う陰極層４と、陰極層４を覆う陰極引出層５とを有している。陽極リードの他端部２ｂには陽極端子７が接続され、陰極引出層５には導電性接着材８により陰極端子９が接着されている。そして、陽極端子７及び陰極端子８の一部が露出するように外装樹脂体１１が形成されている。
【００１６】
以下に、本実施形態におけるニオブコンデンサの具体的な構成を説明する。
【００１７】
陽極１は、弁作用金属であるニオブの金属粒子からなる粉体を所定の形状（この場合、直方体）に固めて焼結したものであり、焼結前の金属粒子間の隙間が焼結後も連通した細い孔となって残り、多孔質体を形成している。陽極リード２は針状をなし、その一端２ａが陽極１に埋設され、他端２ｂが陽極１から植立した状態で、陽極１に一体化されている。陽極リード２の材料としては、弁作用金属であって良く、陽極１の材料と異なる材料、たとえばアルミニウムなどの弁作用金属を用いてもよいが、陽極１と同様にニオブを用いることが好ましい。
【００１８】
誘電体層３は、陽極１を陽極酸化することにより得られるニオブの酸化物である酸化ニオブからなる層であって、陽極１を覆うように形成されている。図１では、図示の都合上、陽極１の直方体をなす外形の表面に誘電体層３を示すに止めているが、陽極１は上述のように多孔質体であるため、多孔質体の孔の壁面にもこの誘電体層３（図示せず）が形成されている。
【００１９】
陰極層４は銅からなるものであって、誘電体層３を覆うように形成されている。
【００２０】
図２は、陽極１の表面に形成された誘電体層３上にこの陰極層４を形成した状態を示した斜視図である。本実施形態では、図１の陰極層４は、直方体の外形をなす誘電体層３の表面の略全面が陰極層４で覆われている。これらの図１、図２においては、図示の都合上、誘電体層３の直方体をなす外形の表面に陰極層４を示すに止めているが、陽極１は上述のように多孔質体であり、多孔質体の孔の壁面にも誘電体層（図示せず）とその誘電体層を覆う陰極（図示せず）が形成されている。
【００２１】
陰極引出層５は、陰極層４を部分的に覆うように形成されており、カーボン層５ａ、銀ペースト層５ｂが順次形成された積層構造をしている。カーボン層５ａは、カーボン粒子を含む層により形成されている。このように陰極引出層５は、陰極層４上に直接接するように形成されている。
【００２２】
陰極端子９は、陰極引出層５に取り付けられている。具体的には、この陰極端子９は、帯状の金属板を折り曲げて形成されており、同図に示すように、その一端部９ａ側の下面が陰極引出層５に導電性接着材８により接着されることにより、陰極端子９と陰極引出層５とは機械的にも電気的にも接続されている。具体的な導電性接着材８の材料としては、銀とエポキシ樹脂とが混合された銀ペーストなどの材料が挙げられる。
【００２３】
尚、陰極引出層５は、カーボン層５ａ又は銀ペースト層５ｂのどちらか一方だけからなってもよく、陰極層４と陰極端子９とを電気的に接続するものであれば種々の構成をとることができる。また、陰極層４と陰極端子９との間に形成される層が、陰極引出層５のみであってもよい。この場合、陰極引出層５により、陰極層４と陰極端子９とが機械的にも電気的にも接続されている。
【００２４】
陽極端子７は、陽極リード２に取り付けられている。具体的には、この陽極端子７は、帯状の金属板を折り曲げて形成されおり、図１に示すように、その一端部７ａ側の下面が陽極リードの他端部２ｂに溶接等により機械的にも電気的にも接続されている。
【００２５】
陽極端子７及び陰極端子９の材料としては、銅、銅合金及び鉄‐ニッケル合金（４２アロイ）などが挙げられる。
【００２６】
樹脂外装体１１は、上述のように配された陰極層４、陽極端子７、陰極端子９の露出した周囲を覆うように形成されている。陽極端子７の他端部７ｂ及び陰極端子９の他端部９ｂは、樹脂外装体１１の側面から下面にかけて露出しており、この露出箇所は基板との半田接続に用いられる。樹脂外装体１１の材料としては、封止材として機能する材料が用いられ、具体的にはエポキシ樹脂やシリコーン樹脂などが挙げられる。樹脂外装体１１は主剤、硬化剤及びフィラーを適宜配合することにより調整された樹脂を硬化することにより形成することができる。
【００２７】
（第１実施形態に係るニオブコンデンサの製造方法）
本実施形態に係るニオブコンデンサの製造方法について以下に説明する。
【００２８】
図３は、本実施形態に係るニオブコンデンサの製造工程図である。
【００２９】
＜工程１：陽極の形成＞
１次粒径が約０．５μｍのニオブ金属からなる弁作用金属の粉末を用いて、図３（ａ）
に示すように、陽極リード２の一端部２ａが陽極１に埋め込まれた状態で陽極１を成形し
、真空中で焼結することにより、陽極１を成型する。陽極リード２の他端部２ｂは、陽極
１の一面から突出した形で固定されている。このように形成された多孔質焼結体からなる
陽極１の外形は、長さが４．４ｍｍ、幅が３．３ｍｍ、厚みが１．０ｍｍからなる直方体
である。
【００３０】
＜工程２：誘電体層の形成＞
図３（ｂ）に示すように、陽極１を陽極酸化することにより、陽極１の表面に酸化皮膜
からなる誘電体層３を形成する。具体的には、燐酸水溶液中において、約１０Ｖの定電圧
で約２時間陽極酸化を行うことにより、ニオブ酸化物の誘電体層３を形成する。
【００３１】
＜工程３：陰極層の形成＞
図３（ｃ）に示すように、誘電体層３の表面にメッキ法により、銅からなる陰極層４を形成する。具体的には、まず、誘電体層３まで形成した陽極１を燐酸水溶液に硫酸銅を溶解させたメッキ溶液に浸漬する。このとき、陽極リード２の他端部２ｂはメッキ溶液に浸漬されないよう陽極リード２を固定する。次に、陽極リード２の他端部２ｂとメッキ溶液に浸漬させた白金で構成された対極とに夫々電極を接続し、電解メッキを行うことで、誘電体層３上に陰極層４を形成する。このような陰極層４の厚みは、焼結体表面において１μｍ程度あり、焼結体の内部においてもサブミクロンオーダーの厚みである。
【００３２】
また、陰極層４の形成方法としては、メッキ法以外に、スパッタ法、蒸着法等が挙げられる。スパッタ法、蒸着法を用いる場合は、誘電体層３までが形成された状態の素子を回転させることにより、誘電体層３の表面に陰極層４を形成できる。本実施形態のように、陽極１が多孔質体である場合は、メッキ法で陰極層４を形成することにより、多孔質体である陽極１の孔の表面に形成された誘電体層３の表面にまで陰極層４を形成しやすくなる。また、メッキ法では、メッキ溶液中に浸漬させて陰極層４を形成するため、誘電体層３の直方体の外形の表面の略全面を覆う陰極層４を形成できる。
【００３３】
＜工程４：陰極引出層の形成＞
図３（ｄ）に示すように、陰極層４の表面に直接接するようにカーボンペーストを塗布することによりカーボン層５ａを形成し、カーボン層５ａ上に銀ペーストを塗布することにより銀ペースト層５ｂを形成した。本実施例において、陰極引出層５は、このカーボン層５ａ及び銀ペースト層５ｂにより構成されている。
【００３４】
＜工程５：陽極端子及び陰極端子の接続＞
図３（ｅ）に示すように、陽極端子７の端部７ａは、陽極リード２の端部２ｂに溶接等により電気的及び機械的に接続されている。また、陰極端子９の端部９ａは、陰極引出層５上に導電性接着材８により電気的及び機械的に接続されている。
【００３５】
＜工程６：モールド工程＞
図３（ｆ）に示すように、工程５まで形成後、陽極端子及び陰極端子の一部が露出するように、エポキシ樹脂及びイミダゾール化合物を含む封止材を用い、トランスファーモールド法により樹脂外装体１１を形成する。具体的には、予備加熱した封止材を金型に注入し、金型内で硬化させた。樹脂外装体１１を形成後、露出した陽極端子及び陰極端子を樹脂外装体１１の側面から下面側に折り曲げることにより、基板との半田接続に用いる端子７ｂ、９ｂ部分を形成する。
【００３６】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態について以下に説明する。尚、上述の第１実施形態と同様の部分については説明を省略する。
【００３７】
本実施形態においては、ニオブからなる陽極１としては、前述の第１実施形態では、多
孔質焼結体状のものを用いたが、これに代えて、板状あるいは箔状のものを用いる（以下、板状あるいは箔状を一括して板状と称する）。
【００３８】
図４は、本実施形態におけるニオブコンデンサ２０の内部を説明するための模式的な断面図である。ニオブからなる板状の陽極１の一端部１ａ側が陽極酸化され誘電体層３が形成されている。そして、陽極１の他端部１ｂ側の上面に陽極端子７の端部７ａが接続されている。このように、板状の陽極１の用いた場合は、第１実施形態のニオブコンデンサに比べて、図１の陽極リード２を用いる必要がない。
【００３９】
また、ニオブからなる板状の陽極１を用いた場合は、スパッタ法や蒸着法により、陽極１を適宜回転させることにより誘電体層３上に陰極層４を均一に形成することができる。
【００４０】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態は、前述した図１に示した第１実施形態のニオブコンデンサ、あるいは図４に示した第２実施形態のニオブコンデンサを用いた電子機器である。第３実施形態の電子機器としては、パーソナルコンピュータ、ＰＤＡなどの情報処理装置、テレビジョン装置、ハードディスクレコーダ、ＤＶＤレコーダ、ブルーレイレコーダ、デジタルカメラ、ビデオカメラなどの映像機器、ＭＰ３オーディオプレーヤ、ハードディスクオーディオプレーヤなどの音響機器、さらには、電話機、携帯電話機、ファクシミリ装置などの通信機器であるが、これらに限定されるものではない。これらの電子機器は、ＣＰＵやマイコンによって制御されるものであり、また、ＤＳＰなどによって信号処理がなされるものもある。
【００４１】
本発明の第３実施形態の電子機器においては、これらのＣＰＵ、マイコン、ＤＳＰを構成する半導体集積回路に対して、電源回路から電源電圧を供給するための電源線とアース線が設けられている。そして、この電源線とアース線とに跨って、前述の構成のニオブコンデンサが接続されている。このニオブコンデンサは、上述の半導体集積回に供給すべき電源電圧の変動を抑制するバイパスコンデンサとして機能するものである。
【００４２】
（評価）
以下の工程により、漏れ電流を測定するためにニオブコンデンサの実施例と比較例の評価サンプルを作製した。図５は、斯かる評価サンプルを模式的に示した断面図である。同図に示すように評価サンプルは、上記実施形態に係るニオブコンデンサとして機能する基本的な構成である陽極１、誘電体層３及び陰極層４を備えている。このような評価サンプルの構成であれば、上記実施形態に係るニオブコンデンサの陽極１と陰極層４との間に発生する漏れ電流の確認が可能となり、以下に説明するように、その評価を行うことができる。
【００４３】
（実施例１）
実施例１の評価サンプルは、陽極１として、縦２０ｍｍ、横４０ｍｍ、厚さ１ｍｍの圧延で作製した純度９９．９％のニオブからなる板状の陽極を用いたものである。この陽極１の一端部１ａ表面を、０．５ｗｔ％の燐酸水溶液中において、約８０Ｖの定電圧で、制限電流を１０ｍＡ／４００ｍｍ２とし、約４時間陽極酸化を行うことにより、ニオブ酸化物からなる誘電体層３を形成した。このとき、誘電体層３の膜厚は、透過型電子顕微鏡による断面観察から２２０ｎｍである。
【００４４】
その後、直径１．５ｍｍ、ピッチ５ｍｍで孔が形成されているステンレス製の板状マスクを用いてニオブからなる板状の陽極の一部に、抵抗加熱方式による蒸着法により、直径１．５ｍｍの銅からなる陰極層４を形成した。この場合の陰極層４の膜厚は蛍光エックス線装置による評価から、約1μnmである。
【００４５】
次に、マニュアルプローバと半導体パラメータアナライザ（アジレントテクノロジー社製の型番４１５６Ａ）を組み合わせたシステムを用いて、本発明の実施例１の評価サンプルであるニオブコンデンサの電流−電圧特性を測定した。その結果、電圧が＋１５（Ｖ）、すなわち、順方向に１５（Ｖ）の電圧を印加した時の電極４の1つ当りの電流値は１．５３Ｅ−６（Ａ）、電圧が−１５（Ｖ）、すなわち逆方向に１５（Ｖ）の電圧を印加したの時のその電流値は２．０２Ｅ−６（Ａ）であった。この測定結果を下記の表１に示す。
【００４６】
（比較例１）
上述の実施例１の評価サンプルにおける銅をアルミニウムに替えて陰極層１を形成したこと以外は、実施例１と同様に比較例１の評価サンプルであるニオブコンデンサを作製した。
【００４７】
この比較例１では、抵抗加熱による蒸着法によりアルミニウムの陰極層を形成した。この場合のアルミニウムの陰極４の膜厚は、蛍光Ｘ線装置による評価から、約１０００ｎｍであった。
【００４８】
この比較例１の評価サンプルについて、上述の実施例１の場合と同様の測定を行い、この測定結果を下記の表１に示す。
【００４９】
（比較例２）
上述の実施例１の評価サンプルにおける銅を白金に替えて陰極層４を形成したこと以外は、実施例１と同様に比較例２の評価サンプルであるニオブコンデンサを作製した。この場合の白金の陰極層４は、以下のようなスパッタ法によって形成した。
【００５０】
ターゲットとして９９．９％の白金を用い、スパッタ条件は全圧を１．２ｍＴｏｒｒ（Ａｒ圧）、高周波出力を２００Ｗ、時間を２０分とし白金の陰極層を形成した。このとき、白金の膜厚は、蛍光エックス線装置による評価から、約６５０ｎｍであった。
【００５１】
この比較例２の評価サンプルについて、上述の実施例１の場合と同様の測定を行い、測定結果を下記の表１に示す。
【００５２】
（比較例３）
比較例３の評価サンプルは、縦２０ｍｍ、横４０ｍｍで厚さ１ｍｍの圧延で作製した純度９９．９％のタンタルからなる板を陽極１として用い、これを陽極酸化することにより、陽極の表面に酸化タンタルからなる誘電体層３を形成した。また、陽極１にリードを取り付けるために、タンタルの板からなる陽極１の表面の一部は陽極酸化を行わなかった。このときの陽極酸化条件は、電解質：０．５ｗｔ％リン酸、電圧：８０Ｖ、制限電流：１０ｍＡ／４００ｍｍ２、時間：４時間とした。また、酸化タンタルからなる誘電体層３の膜厚は、透過型電子顕微鏡による断面観察から約１２０ｎｍであった。
【００５３】
その後、直径１．５ｍｍ、ピッチ５ｍｍで孔が形成されているステンレス製の板状マスクを用いて酸化タンタルからなる誘電体層３上の一部に、抵抗加熱方式による蒸着法により、銅からなる陰極層４を形成した。この場合の陰極層４の膜厚は蛍光エックス線装置による評価から、約１μｍであった。
【００５４】
この比較例３の評価サンプルについて、上述の実施例１の場合と同様の測定を行い、測定結果を下記の表１に示す。
【００５５】
表１に、以上の実施例１および比較例１〜３の夫々についての測定結果を示す。
【００５６】
【表１】
2010278343.tif 000003
【００５７】
この表１から、銅を陰極とする実施例１のニオブコンデンサが他の比較例１および２のニオブコンデンサに比べて、「順方向電圧印加の場合の電流値」、即ち、順方向の漏れ電流がもっとも小さいことが分かる。
【００５８】
また、この表１から、銅を陰極とする実施例１のニオブコンデンサが他の比較例１および２のニオブコンデンサや比較例３のタンタルコンデンサに比べて、「逆方向電圧印加の場合の電流値」、即ち、逆方向の漏れ電流がもっとも小さいことが分かる。そして、実施例１のニオブコンデンサは、「逆方向電圧印加の場合の電流値」、即ち、順方向の漏れ電流が逆方向の漏れ電流の値と同等のオーダの値であって、他の比較例に比べて、もっとも両電流値の差が小さいことが分かる。
【００５９】
従って、実施例１のニオブコンデンサは、順方向と逆方向の両方において、共に、略同等（数μＡ程度）に漏れ電流を抑制できるものであることが分かる。
（実施形態の効果）  
前述の評価の結果から明らかなように、実施形態１および２のニオブコンデンサは、アルミニウムや白金を陰極としたニオブコンデンサに比べて、漏れ電流を低減できる。
【００６０】
また、順方向においても逆方向においても共に漏れ電流を低減することができる。従って、これらの実施形態のニオブコンデンサを電子機器に取り付ける作業の際に、電源線とアースとに、端子の極性が逆になるように、誤って接たり取り付けたとしても、このコンデンサの逆極性の漏れ電流が小さいために、このコンデンサ自体の損傷を回避できるので、これを正しく接続しなおして使用することができる。従って、部品の無駄を軽減して電子機器の製造歩留まりの向上に寄与できる。
【００６１】
加えて、実施形態１および２のニオブコンデンサは、陰極が銅からなるので、即ち、無機物であるので、陰極層に導電性高分子等の従来の有機物を用いた場合と比べ、高温時において陰極層４の膜質の劣化による不都合、即ち、陰極層４の導電率が低下や、誘電体層３と陰極層４との密着性の低下と云った不都合を抑制できるので、ＥＳＲの増大を抑えることもできる。従って、本実施形態の陰極層４は、従来のように導電性高分子等の有機物を用いた場合と比べて、ＥＳＲの増大をも抑制できるため、高温時におけるニオブコンデンサの信頼性が高まる。
【００６２】
また、銅は、一般的に導電性高分子等の有機物よりも導電性が優れているため、本実施形態では、陰極層の導電率を高めることが可能となり、この点でもＥＳＲを低減できる効果は大きい。
【００６３】
さらに、陰極引出層９は、陰極層４上に直接接するように形成されている。よって、従来のように導電性高分子を用いた場合と比べ、銅からなる陰極層は、上述のように導電率や信頼性を高めることができるため、陰極層４から陰極引出層５にかけてのＥＳＲを低減できる。
【００６４】
実施形態３の電子機器においては、漏れ電流が低減されたニオブコンデンサがバイパスコンデンサとして多数用いられるので、この漏れ電流による電気エネルギーの損失を抑制することが可能となる。したがって、特に電池を電源とする形態性に優れた電子機器、たとえば、形態電話機、ＰＤＡ、デジタルカメラなどの電子機器の場合には、電池の消費を節約して、電子機器の長時間駆動を実現することができる。
（実施形態の変形例）
上述の実施形態では、ニオブからなる陽極１を用いるものであるが、本発明の構成要素である「ニオブからなる陽極」とは、ニオブに不純物が含有する材料からなる陽極であってもよいし、ニオブに他の金属を合金化したニオブ合金からなる陽極であってもよい。また、上述の実施形態では、銅からなる陰極４を用いるものであるが、本発明の構成要素である「銅からなる陰極」とは、銅に不純物が含有する材料からなる陽極であってもよいし、銅に他の金属を合金化した銅合金からなる陰極であってもよい。
【００６５】
本発明のニオブコンデンサにおける漏れ電流は、誘電体層と陰極との間に形成されるショットキー障壁によって抑制されると考えられる。この場合のショットキー障壁は、陰極の仕事関数の値から、誘電体層のバンドギャップにおける伝導帯の底の値（電子親和力）を引いた値に対応するため、銅からなる陰極仕事関数が酸化ニオブ（陽極の自己酸化膜）からなる誘電体層の伝導帯の底の値に近い値となる程度（たとえば、この値の差が０．１電子ボルト以下となる程度）であればよいと考えられる。
【００６６】
従って、陽極としてニオブ合金を用いる場合、上述のような陰極の仕事関数と誘電体層の伝導帯の関係が維持できる範囲において、ニオブを主体とするニオブ合金を用いることができ、合金において結晶変態を起こさない範囲をも考慮して、例えば、ニオブ合金の総重量に対してニオブ合金に含まれる添加剤の重量が２０％以下であるニオブ合金が好ましい。このような陽極材料のニオブ合金に含まれる添加剤としては、ケイ素、バナジウム、ホウ素、窒素、アルミニウム、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、ハフニウム等が挙げられ、このような添加剤をニオブに添加することによりニオブ合金が形成される。また、陰極として銅合金を用いる場合、上述のような陰極の仕事関数と誘電体層の伝導帯の関係が維持できる範囲において、銅を主体とする銅合金を用いることができ、合金において結晶変態を起こさない範囲をも考慮して、銅合金の総重量に対して他の金属の重量が１０％以下である銅合金が好ましい。このような陰極材料の銅合金に含まれる添加剤としては、アルミニウム、鉄、ニッケル、マンガン、亜鉛、錫、鉛、燐などが挙げられる。
【符号の説明】
【００６７】
１      陽極
２      陽極リード
３      誘電体層
４      陰極層
【図１】
2010278343.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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