(57)【要約】【課題】近接場光発生素子に依らずとも、急峻な磁化遷移領域を有する安定した記録ビットパターンを形成することができる熱アシスト磁気記録用の薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】このヘッドは、光を磁気記録媒体に導くための導波路と、この導波路のトレーリング側に形成されており書き込み磁極を有する書き込みヘッド素子とを備えている。ここで、磁気記録媒体が有する記録層におけるトラックに沿った方向の位置に関する、書き込み磁極から生じる書き込み磁界の強度分布である書き込み磁界プロファイルが、リーディング側に突出部分を有している。また、導波路から出た光の照射によって記録層の一部分の磁気異方性磁界が低下する際の、トラックに沿った方向の位置に関する異方性磁界の分布である異方性磁界プロファイルが、書き込み磁界プロファイルのこの突出部分を横切っている。これにより、形成される記録ビットの磁化遷移領域が急峻となる。【選択図】図８
2010027195.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の素子形成面に形成されており、熱アシスト用の光を磁気記録媒体に導くための導波路と、該導波路のトレーリング側に形成されており、該磁気記録媒体に書き込み磁界を印加するための書き込み磁極を有する書き込みヘッド素子とを備えた薄膜磁気ヘッドであって、
前記書き込み磁極から生じる書き込み磁界の強度分布であって、前記磁気記録媒体が有する記録層におけるトラックに沿った方向の位置に関する強度分布である書き込み磁界プロファイルが、リーディング側に突出部分を有しており、
前記導波路から出た光が前記記録層の一部分に照射されることによって該一部分の磁気異方性磁界が低下する際の、トラックに沿った方向の位置に関する異方性磁界の分布である異方性磁界プロファイルが、前記書き込み磁界プロファイルの突出部分を横切っている
ことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】
前記書き込み磁界プロファイルの突出部分と前記異方性磁界プロファイルとの交点であって、該突出部分のトレーリング側の交点における書き込み磁界の値ＥＨＸＰが、前記書き込み磁界プロファイルの平坦部分における書き込み磁界の最小値をＥＨＭＩＮとし、該突出部分における書き込み磁界の最大値をＥＨＭＡＸとした場合に、０.２・（ＥＨＭＡＸ−ＥＨＭＩＮ）≦ＥＨＸＰ−ＥＨＭＩＮ≦０.８・（ＥＨＭＡＸ−ＥＨＭＩＮ）の条件を満たすことを特徴とする請求項１に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】
前記異方性磁界プロファイルにおける異方性磁界の最小値をＨＫＭＩＮとすると、該最小値ＨＫＭＩＮがＨＫＭＩＮ＞ＥＨＭＩＮの条件を満たすことを特徴とする請求項２に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】
前記導波路は、近接場光発生素子を備えておらず、該導波路を取り囲む絶縁層がクラッドとして働く一方、該導波路層はコアとして働くことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項５】
前記導波路の媒体対向面とは反対側の端面に接して又は近接して、熱アシスト用の光を発生させる光源が設けられていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】
サスペンションと、該サスペンションに取り付けられた請求項１から５のいずれか１項に記載の薄膜磁気ヘッドとを備えていることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
【請求項７】
請求項６に記載のヘッドジンバルアセンブリと、
少なくとも１つの磁気記録媒体と、
前記導波路を伝播する光に係る発光動作を制御し、さらに前記少なくとも１つの磁気記録媒体に対して前記薄膜磁気ヘッドが行う書き込み動作を制御するための記録及び発光制御回路と
を備えていることを特徴とする磁気記録装置。
【請求項８】
前記薄膜磁気ヘッドにおいて、前記書き込み磁界プロファイルの突出部分と前記異方性磁界プロファイルとの、該突出部分のトレーリング側の交点における書き込み磁界の値ＥＨＸＰが、前記書き込み磁界プロファイルの平坦部分における書き込み磁界の最小値をＥＨＭＩＮとし、該突出部分における書き込み磁界の最大値をＥＨＭＡＸとした場合に、０.２・（ＥＨＭＡＸ−ＥＨＭＩＮ）≦ＥＨＸＰ−ＥＨＭＩＮ≦０.８・（ＥＨＭＡＸ−ＥＨＭＩＮ）の条件を満たすことを特徴とする請求項７に記載の磁気記録装置。
【請求項９】
前記異方性磁界プロファイルにおける異方性磁界の最小値をＨＫＭＩＮとすると、該最小値ＨＫＭＩＮがＨＫＭＩＮ＞ＥＨＭＩＮの条件を満たすことを特徴とする請求項８に記載の磁気記録装置。
【請求項１０】
前記薄膜磁気ヘッドにおいて、前記導波路は、近接場光発生素子を備えておらず、該導波路を取り囲む絶縁層がクラッドとして働く一方、該導波路層はコアとして働くことを特徴とする請求項７から９のいずれか１項に記載の磁気記録装置。
【請求項１１】
前記導波路の媒体対向面とは反対側の端面に接する又は近接する位置に設けられた、熱アシスト用の光を発生させる光源をさらに備えていることを特徴とする請求項７から１０のいずれか１項に記載の磁気記録装置。
【請求項１２】
磁気記録媒体の記録層におけるトラックに沿った方向の位置に関する書き込み磁界プロファイルが、リーディング側に突出部分を有するように、書き込み磁界の強度分布を設定し、
前記記録層におけるトラックに沿った方向の位置に関する異方性磁界の分布である異方性磁界プロファイルが、前記書き込み磁界プロファイルの突出部分を横切るように、熱アシスト用の光を、該書き込み磁界プロファイルの中心に対してリーディング側に位置する該記録層の一部分に照射して、該一部分の磁気異方性磁界を低下させる
ことを特徴とする熱アシスト磁気記録方法。
【請求項１３】
前記書き込み磁界プロファイルの突出部分と前記異方性磁界プロファイルとの交点であって、該突出部分のトレーリング側の交点における書き込み磁界の値ＥＨＸＰが、前記書き込み磁界プロファイルの平坦部分における書き込み磁界の最小値をＥＨＭＩＮとし、該突出部分における書き込み磁界の最大値をＥＨＭＡＸとした場合に、０.２・（ＥＨＭＡＸ−ＥＨＭＩＮ）≦ＥＨＸＰ−ＥＨＭＩＮ≦０.８・（ＥＨＭＡＸ−ＥＨＭＩＮ）の条件を満たすように、該書き込み磁界プロファイルと該異方性磁界プロファイルとを設定することを特徴とする請求項１２に記載の熱アシスト磁気記録方法。
【請求項１４】
前記異方性磁界プロファイルにおける異方性磁界の最小値をＨＫＭＩＮとすると、該最小値ＨＫＭＩＮが、ＨＫＭＩＮ＞ＥＨＭＩＮの条件を満たすように、該書き込み磁界プロファイルと該異方性磁界プロファイルとを設定することを特徴とする請求項１３に記載の熱アシスト磁気記録方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気記録媒体に光を照射し、磁気記録媒体の異方性磁界を低下させて磁気記録を行う熱アシスト磁気記録方法に関し、さらに、この熱アシスト磁気記録方法によってデータの書き込みを行う薄膜磁気ヘッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク装置の高記録密度化に伴い、薄膜磁気ヘッドのさらなる性能の向上が要求されている。薄膜磁気ヘッドとしては、読み出し用の磁気抵抗（ＭＲ）素子と書き込み用の電磁変換素子とを積層した構造である複合型薄膜磁気ヘッドが広く用いられている。
【０００３】
一般に、磁気記録媒体は、いわば磁性微粒子が集合した不連続体であり、それぞれの磁性微粒子は単磁区構造となっている。ここで、１つの記録ビットは、複数の磁性微粒子から構成されている。従って、記録密度を高めるためには、磁性微粒子を小さくして、記録ビットの境界の凹凸を減少させなければならない。しかし、磁性微粒子を小さくすると、体積減少に伴う磁化の熱安定性の低下が問題となる。
【０００４】
この問題への対策として、磁性微粒子の磁気異方性エネルギーＫＵを大きくすることが考えられるが、このＫＵの増加は、磁気記録媒体の保磁力の増加をもたらす。これに対して、薄膜磁気ヘッドによる書き込み磁界強度の上限は、ヘッド内の磁気コアを構成する軟磁性材料の飽和磁束密度でほぼ決定されてしまう。従って、磁気記録媒体の保持力が、この書き込み磁界強度の上限から決まる許容値を超えると書き込みが不可能となってしまう。
【０００５】
現在、このような熱安定性の問題を解決する１つの方法として、ＫＵの大きな磁性材料を用いる一方で、書き込み磁界印加の直前に磁気記録媒体に熱を加えることによって、保磁力を小さくして書き込みを行う、いわゆる熱アシスト磁気記録方式が提案されている。この熱アシスト磁気記録方式は、光磁気記録方式と一見類似する。しかしながら、光磁気記録方式は、記録ビットの空間分解能を光に持たせている（光ドミナントである）のに対して、熱アシスト磁気記録方式は、記録ビットの空間分解能を磁界に持たせている（磁気ドミネントである）。
【０００６】
この熱アシスト磁気記録方式について、例えば、特許文献１においては、光を磁気記録媒体に照射するための光放射部として、基板上に形成された円錐体等の形状をした金属の散乱体と、その散乱体の周辺に形成された誘電体等の膜とを備えた近接場光プローブが開示されている。また、特許文献２は、記録再生装置における固体イマージョン・レンズを用いたヘッドを開示している。
【０００７】
さらに、特許文献３においては、近接場光プローブを構成する散乱体が、その照射される面が磁気記録媒体に垂直となるように、垂直磁気記録用ヘッドの主磁極に接する位置に形成された構成が開示されている。さらに、非特許文献１は、水晶のスライダ上に形成されたＵ字状の近接場光プローブを開示している。さらにまた、特許文献４においては、光照射部が、記録磁極のトレーリング側終端近傍に設けられていながら、記録磁界の勾配等を工夫することによって、磁気記録媒体の加熱部分に適切な記録磁界が印加可能となる技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許第６，７６８，５５６号明細書
【特許文献２】特開平１０−１６２４４４号公報
【特許文献３】特開２００４−１５８０６７号公報
【特許文献４】特開２００５−４９０１号公報
【特許文献５】特開２００５−１９０６５５号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Miyanishi 他, “Near-field Assisted Magnetic Recording”, IEEETRANSACTIONS ON MAGNETICS ２００５年, 第４１巻, 第１０号, ｐ．２８１７−２８２１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
以上に述べたように、熱アシスト磁気記録方式として種々の形態が提案されている。しかしながら、上述した近接場光プローブ等の近接場光発生素子を用いて熱アシスト磁気記録を実現しようとした場合、以下に述べるような困難な問題が生じ得る。
【００１１】
例えば、近接場光発生素子がヘッドの主磁極のトレーリング側（基板とは反対側）に配置された場合、近接場光の照射中心を、主磁極に十分に近づける必要がある。ここで、トラックに沿った方向の位置に関する書き込み磁界強度の分布である書き込み磁界プロファイルのトレーリング側の磁界勾配が、例えば１００Ｏｅ（エルステッド）／ｎｍであって、書き込み磁界の最大値が１０ｋＯｅの場合、例えば５ｋＯｅ以上の書き込み磁界で磁気記録媒体への書き込みを行うとすると、主磁極と近接場光の照射中心との距離を、５０ｎｍ以内に設定する必要がある。さらに、磁界勾配が高記録密度化に応じて、例えば５００Ｏｅ／ｎｍ程度にまで大きくなる場合、この距離をさらに小さくする必要が生じる。
【００１２】
一方、近接場光発生素子は、一般に、導波路を伝播してきた光を受けることによって、近接場光を発生する。この導波路は、屈折率の高い領域（コア）をそれより屈折率の低い領域（クラッド）によって覆うことにより形成されている。ここで、各領域の厚みは、導波路としての機能を維持するため、使用される光の波長と同程度又はそれ以上に設定される。従って、高記録密度の光記録に使用されている青色レーザを光源として用いた場合においても、クラッドの厚みは４００ｎｍ程度又はそれ以上とすることが要求され、これよりクラッドが薄くなると光伝播効率が極端に低下する。その結果、この導波路の端に設けられることになる近接場光発生素子を、主磁極に十分に近づけることは非常に困難となる。
【００１３】
次いで、近接場光発生素子がヘッドの主磁極のリーディング側（基板側）に配置された構成について考察する。例えば、特許文献５は、加熱源としての発光素子が、記録磁極のリーディング側に設けられた構成を開示している。このような場合には、上述した近接場光発生素子を主磁極に近接させる問題に加えて、一旦決定された記録ビットの磁化遷移領域が、その後より高い書き込み磁界を受けて乱されることにより、記録ビットにダメージがもたらされる懸念が生じ得る。
【００１４】
これらに対して、上述した非特許文献１は、近接場光発生部と書き込み磁界発生部とを一致させる構造を提案している。しかしながら、この構造は磁極を有しておらず、印加可能な磁界の大きさに制限がある。以上、種々の問題を挙げたが、そもそも現在、十分な発生効率を有する近接場光発生素子の実現自体が、困難な状況にある。特に、例えば７２００ｒｐｍ程度の高速で回転する磁気記録媒体に十分な加熱を行うことを考えると、現状では、依然として近接場光発生素子の発生効率が不足している。
【００１５】
以上の問題点を勘案すると、近接場光発生素子を利用しないタイプの熱アシスト磁気記録の実現に期待が持たれる。しかしながら、単に、大きなスポット径を有する光の供給部を使用しただけでは、良好な熱アシスト磁気記録は実現しない。例えば、大きなスポット径を有する光の供給部が主磁極のトレーリング側に配置された場合、一旦決定された記録ビットの磁化遷移領域が、その後より高い温度に晒されて乱されることにより、記録ビットにダメージがもたらされる懸念が生じ得る。一方、大きなスポット径を有する光の供給部が主磁極のリーディング側に配置された場合、記録ビットにおける磁化遷移が、最終的に熱勾配及び磁界勾配が共に非常に小さい状態において決定されることになり、高い線記録密度の実現が非常に困難となる。
【００１６】
従って、本発明の目的は、熱アシスト磁気記録において、近接場光発生素子に依らずとも、急峻な磁化遷移領域を有する安定した記録ビットパターンを形成することができる薄膜磁気ヘッドを提供することにあり、このようなヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）を提供することにあり、さらに、このようなＨＧＡを備えた磁気記録装置を提供することにある。
【００１７】
また、本発明の他の目的は、近接場光の照射に依らずとも、急峻な磁化遷移領域を有する安定した記録ビットパターンを形成することができる熱アシスト磁気記録方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明について説明する前に、本明細書において用いられる用語の定義を行う。本発明による薄膜磁気ヘッドのスライダ基板の素子形成面に形成された積層構造若しくは素子構造において、基準となる層又は素子から見て、基板側を「下方」とし、その反対側を「上方」とする。また、ある層又は素子において、基板側の部分を「下部」とし、その反対側の部分を「上部」とする。また、本発明による薄膜磁気ヘッドの実施形態において、必要に応じ、いくつかの図面中、「Ｘ、Ｙ及びＺ軸方向」を規定している。
【００１９】
本発明によれば、基板の素子形成面に形成されており、熱アシスト用の光を磁気記録媒体に導くための導波路と、この導波路のトレーリング側に形成されており、磁気記録媒体に書き込み磁界を印加するための書き込み磁極を有する書き込みヘッド素子とを備えた薄膜磁気ヘッドであって、
書き込み磁極から生じる書き込み磁界の強度分布であって、磁気記録媒体が有する記録層におけるトラックに沿った方向の位置に関する強度分布である書き込み磁界プロファイルが、リーディング側に突出部分を有しており、
導波路から出た光が記録層の一部分に照射されることによってこの一部分の磁気異方性磁界が低下する際の、トラックに沿った方向の位置に関する異方性磁界の分布である異方性磁界プロファイルが、書き込み磁界プロファイルのこの突出部分を横切っている薄膜磁気ヘッドが提供される。
【００２０】
このような薄膜磁気ヘッドにおいては、磁気記録媒体に形成される記録ビットにおける磁化遷移は、最終的に、磁界勾配が非常に大きい突出部分のトレーリング側の交点において決定されることになる。これにより、磁化遷移領域がより急峻となって、記録ビットをより小さくすることができ、高い線記録密度が実現可能となる。また、形成された記録ビットは、その後より高い温度に晒されることもない。その結果、この記録ビットの磁化が安定し、ＳＮ比の向上に寄与することも可能となる。このように、本発明による熱アシスト磁気記録においては、近接場光発生素子に依らずとも、急峻な磁化遷移領域を有する安定した記録ビットパターンを形成し、記録密度及びＳＮ比の向上に寄与することが可能となる。
【００２１】
また、この本発明による薄膜磁気ヘッドにおいて、書き込み磁界プロファイルの突出部分と異方性磁界プロファイルとの交点であって、この突出部分のトレーリング側の交点における書き込み磁界の値ＥＨＸＰが、書き込み磁界プロファイルの平坦部分における書き込み磁界の最小値をＥＨＭＩＮとし、この突出部分における書き込み磁界の最大値をＥＨＭＡＸとした場合に、０.２・（ＥＨＭＡＸ−ＥＨＭＩＮ）≦ＥＨＸＰ−ＥＨＭＩＮ≦０.８・（ＥＨＭＡＸ−ＥＨＭＩＮ）の条件を満たすことが好ましい。これにより、ＳＮ比が確実に向上する。また、異方性磁界プロファイルにおける異方性磁界の最小値をＨＫＭＩＮとすると、この最小値ＨＫＭＩＮが、ＨＫＭＩＮ＞ＥＨＭＩＮの条件を満たすことがより好ましい。これにより、隣接するトラックのデータを不要に消去してしまう隣接トラック消去（ＡＴＥ）を防止することができる。
【００２２】
さらに、本発明による薄膜磁気ヘッドにおいて、導波路は、近接場光発生素子を備えておらず、この導波路を取り囲む絶縁層がクラッドとして働く一方、この導波路層はコアとして働くことが好ましい。また、導波路の媒体対向面とは反対側の端面に接して又は近接して、熱アシスト用の光を発生させる、レーザダイオード等の光源が設けられていることも好ましい。
【００２３】
本発明によれば、また、サスペンションと、このサスペンションに取り付けられており、以上に述べた薄膜磁気ヘッドとを備えているヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）が提供される。
【００２４】
本発明によれば、さらにまた、上述したＨＧＡと、少なくとも１つの磁気記録媒体と、導波路を伝播する光に係る発光動作を制御し、さらに少なくとも１つの磁気記録媒体に対して薄膜磁気ヘッドが行う書き込み動作を制御するための記録及び発光制御回路とを備えた磁気記録装置が提供される。ここで、この磁気記録装置が、導波路の媒体対向面とは反対側の端面に接する又は近接する位置に設けられた、熱アシスト用の光を発生させる光源をさらに備えていることも好ましい。
【００２５】
本発明によれば、さらにまた、磁気記録媒体の記録層におけるトラックに沿った方向の位置に関する書き込み磁界プロファイルが、リーディング側に突出部分を有するように、書き込み磁界の強度分布を設定し、
記録層におけるトラックに沿った方向の位置に関する異方性磁界の分布である異方性磁界プロファイルが、書き込み磁界プロファイルの突出部分を横切るように、熱アシスト用の光を、書き込み磁界プロファイルの中心に対してリーディング側に位置する記録層の一部分に照射して、この一部分の磁気異方性磁界を低下させる熱アシスト磁気記録方法が提供される。これにより、近接場光の照射に依らずとも、急峻な磁化遷移領域を有する安定した記録ビットパターンを形成することができる。
【００２６】
この本発明による熱アシスト磁気記録方法において、書き込み磁界プロファイルの突出部分と異方性磁界プロファイルとの交点であって、この突出部分のトレーリング側の交点における書き込み磁界の値ＥＨＸＰが、書き込み磁界プロファイルの平坦部分における書き込み磁界の最小値をＥＨＭＩＮとし、この突出部分における書き込み磁界の最大値をＥＨＭＡＸとした場合に、０.２・（ＥＨＭＡＸ−ＥＨＭＩＮ）≦ＥＨＸＰ−ＥＨＭＩＮ≦０.８・（ＥＨＭＡＸ−ＥＨＭＩＮ）の条件を満たすように、書き込み磁界プロファイルと異方性磁界プロファイルとを設定することがこのましい。また、異方性磁界プロファイルにおける異方性磁界の最小値をＨＫＭＩＮとすると、この最小値ＨＫＭＩＮが、ＨＫＭＩＮ＞ＥＨＭＩＮの条件を満たすように、書き込み磁界プロファイルと異方性磁界プロファイルとを設定することがより好ましい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、熱アシスト磁気記録において、近接場光発生素子に依らずとも、急峻な磁化遷移領域を有する安定した記録ビットパターンを形成することができる。また、本発明によれば、近接場光の照射に依らずとも、急峻な磁化遷移領域を有する安定した記録ビットパターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明による磁気記録装置及びＨＧＡの一実施形態における要部の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】本発明による薄膜磁気ヘッドの一実施形態を示す斜視図である。
【図３】導波路の一実施形態を示す斜視図、及び電磁変換素子及び導波路のヘッド部端面における端の形状を示す平面図である。
【図４】薄膜磁気ヘッドの要部の構成を概略的に示す、図２のＡ面による断面図である。
【図５】近接場光発生素子を用いた従来の熱アシスト磁気記録における、有効書き込み磁界プロファイルと異方性磁界プロファイルとを示す概略図である。
【図６】近接場光発生素子を用いずに、大きなスポット径を有するレーザ光の供給部によって熱アシスト磁気記録を行う場合の、有効書き込み磁界プロファイルと異方性磁界プロファイルとを示す概略図である。
【図７】リーディング側に突出部分を有する有効書き込み磁界プロファイルを説明するための概略図である。
【図８】本発明による熱アシスト磁気記録の原理を説明するための、有効書き込み磁界プロファイル及び異方性磁界プロファイルを示す概略図である。
【図９】実施例に用いた主磁極の有効書き込み磁界プロファイルを示すグラフである。
【図１０】表１のシミュレーション結果のうち、交差レベルαと、異方性磁界プロファイルの半値半幅ＷＨＫ／２及び異方性磁界の最小値ＨＫＭＩＮとの関係を示すグラフ、及び表１のシミュレーション結果のうち、交差レベルαと、読み出し出力のＳＮ比ＳＮＲとの関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下に、本発明を実施するための形態について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図面において、同一の要素は、同一の参照番号を用いて示されている。また、図面中の構成要素内及び構成要素間の寸法比は、図面の見易さのため、それぞれ任意となっている。
【００３０】
図１は、本発明による磁気記録装置及びＨＧＡの一実施形態における要部の構成を概略的に示す斜視図である。ここで、ＨＧＡの斜視図においては、ＨＧＡの磁気記録媒体表面に対向する側が上になって表示されている。
【００３１】
図１に示した磁気記録装置としての磁気ディスク装置は、スピンドルモータ１１の回転軸の回りを回転する、磁気記録媒体としての複数の磁気ディスク１０と、複数の駆動アーム１４が設けられたアセンブリキャリッジ装置１２と、各駆動アーム１４の先端部に取り付けられており薄膜磁気ヘッド２１を備えたヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）１７と、薄膜磁気ヘッドヘッド２１の書き込み及び読み出し動作を制御し、さらに、後述する熱アシスト磁気記録用のレーザ光を発生させる光源であるレーザダイオードの発光動作を制御するための記録再生及び発光制御回路１３とを備えている。
【００３２】
本実施形態において、磁気ディスク１０は、垂直磁気記録用であり、ディスク基板に、軟磁性裏打ち層、中間層及び記録層（垂直磁化層）が順次積層された構造を有している。アセンブリキャリッジ装置１２は、薄膜磁気ヘッド２１を、磁気ディスク１０に形成されており記録ビットが並ぶトラック上に位置決めするための装置である。同装置内において、駆動アーム１４は、ピボットベアリング軸１６に沿った方向にスタックされており、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１５によってこの軸１６を中心にして角揺動可能となっている。なお、本発明に係る磁気ディスク装置の構造は、以上に述べた構造に限定されるものではない。磁気ディスク１０、駆動アーム１４、ＨＧＡ１７及びスライダ２１は、単数であってもよい。
【００３３】
同じく図１によれば、ＨＧＡ１７において、サスペンション２０は、ロードビーム２００と、このロードビーム２００に固着されており弾性を有するフレクシャ２０１と、ロードビーム２００の基部に設けられたベースプレート２０２と、フレクシャ２０１上に設けられておりリード導体及びその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材２０３とを備えている。薄膜磁気ヘッド２１は、各磁気ディスク１０の表面に対して所定の間隔（浮上量）をもって対向するように、サスペンション２０の先端部であってフレクシャ２０１に固着されている。さらに、配線部材２０３の一端が、熱アシスト磁気記録ヘッド２１の端子電極に電気的に接続されている。なお、サスペンション２０の構造も、以上に述べた構造に限定されるものではない。図示されていないが、サスペンション２０の途中にヘッド駆動用ＩＣチップが装着されていてもよい。
【００３４】
図２は、本発明による薄膜磁気ヘッド２１の一実施形態を示す斜視図である。
【００３５】
図２によれば、薄膜磁気ヘッド２１は、スライダ２２及び光源ユニット２３を備えている。スライダ２２は、アルチック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等から形成されており、適切な浮上量を得るように加工された媒体対向面である浮上面（ＡＢＳ）２２００を有するスライダ基板２２０と、ＡＢＳ２２００とは垂直な素子形成面２２０２上に形成されたヘッド部２２１とを備えている。また、光源ユニット２３は、アルチック（Ａｌ２Ｏ３−ＴｉＣ）等から形成されており、接着面２３００を有するユニット基板２３０と、接着面２３００とは垂直な光源設置面２３０２に設けられた光源としてのレーザダイオード４０とを備えている。ここで、スライダ２２と光源ユニット２３とは、スライダ基板２２０の背面２２０１と、ユニット基板２３０の接着面２３００とを接面させて互いに接着されている。ここで、スライダ基板２２０の背面２２０１は、スライダ基板２２０のＡＢＳ２２００とは反対側の端面のことである。
【００３６】
スライダ２２のスライダ基板２２０の素子形成面２２０２上に形成されたヘッド部２２１は、磁気ディスクからデータを読み出すためのＭＲ素子３３と磁気ディスクにデータを書き込むための電磁変換素子３４とから構成されるヘッド素子３２と、光源ユニット２３に備えられた光源としてのレーザダイオード４０からのレーザ光を媒体対向面側に導くための導波路３５と、ＭＲ素子３３、電磁変換素子３４及び導波路層３５を覆うように素子形成面２２０２上に形成された保護層３８と、保護層３８の上面に露出しておりＭＲ素子３３に電気的に接続された一対の端子電極３７０と、同じく保護層３８の上面に露出しており電磁変換素子３４に電気的に接続された一対の端子電極３７１とを備えている。これらの端子電極３７０及び３７１は、フレクシャ２０１（図１）に設けられた配線部材２０３の接続パッドに電気的に接続される。
【００３７】
ＭＲ素子３３、電磁変換素子３４及び導波路３５の一端は、ヘッド部２２１の媒体対向面であるヘッド部端面２２１０に達している。ここで、ヘッド部端面２２１０とＡＢＳ２２００とが熱アシスト磁気記録ヘッド２１全体の媒体対向面をなしている。実際の書き込み又は読み出し時においては、熱アシスト磁気記録ヘッド２１が回転する磁気ディスク表面上において流体力学的に所定の浮上量をもって浮上する。この際、ＭＲ素子３３及び電磁変換素子３４の端が、磁気ディスクの磁気記録層の表面と適当なマグネティックスペーシングを介して対向することになる。この状態において、ＭＲ素子３３が磁気記録層からのデータ信号磁界を感受して読み出しを行い、電磁変換素子３４が磁気記録層にデータ信号磁界を印加して書き込みを行う。ここで、書き込みの際、光源ユニット２３のレーザダイオード４０から導波路３５を通って伝播してきたレーザ光が、磁気ディスクの記録層部分に照射され、この記録層部分を加熱する。それにより、この記録層部分の異方性磁界が書き込み可能な値にまで低下する。この異方性磁界が低下した記録層部分に書き込み磁界を印加することによって、熱アシスト磁気記録を行う。
【００３８】
この際、導波路３５は、ＭＲ素子３３及び電磁変換素子３４の間、すなわち、電磁変換素子３４のリーディング側（−Ｚ方向）に設けられている。本発明による薄膜磁気ヘッドにおいては、このような導波路３５の配置を含む、後述する特別の構成によって、近接場光を発生させる近接場光発生素子に依らずとも、高記録密度に対応した良好な熱アシスト磁気記録を実現することができる。なお、薄膜磁気ヘッド２１は、光源ユニット２３を用いずに、レーザダイオード４０がスライダ２２に直接搭載された形態であってもよい。
【００３９】
図３（Ａ）は、導波路３５の一実施形態を示す斜視図である。さらに、図３（Ｂ）及び（Ｃ）は、電磁変換素子３４及び導波路３５のヘッド部端面２２１０における端の形状を示す平面図である。
【００４０】
導波路３５は、図３（Ａ）に示すように、素子形成面２２０２と平行であってＭＲ素子３３と電磁変換素子３４との間に位置しており、ヘッド部端面２２１０に達した端面３５０から、反対側のヘッド部端面２２１１に達した端面３５２にまで伸長している。導波路３５の形状は直方体でもよいが、図３（Ａ）に示すように、ヘッド部端面２２１０側の部分がトラック幅方向（Ｙ軸方向）において先細となっていてもよい。導波路３５のトラック幅方向（Ｙ軸方向）の幅ＷＷＧは、例えば約１〜２００μｍ（マイクロメートル）とすることができ、（Ｚ軸方向の）厚みＴＷＧは、例えば０.１〜４μｍとすることができ、（Ｘ軸方向の）高さＨＷＧは、例えば１０〜３００μｍとすることができる。
【００４１】
また、図３（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、導波路３５の両側面３５１、下面３５３及び上面３５４は、保護層３８と接している。ここで、導波路３５は、保護層３８の構成材料よりも高い屈折率ｎを有する、例えばスパッタリング法等を用いて形成された誘電材料から構成されている。例えば、保護層３８が、ＳｉＯ２（ｎ＝１.５）から形成されている場合、導波路３５は、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝１.６３）から形成されていてもよい。さらに、保護層３８が、Ａｌ２Ｏ３（ｎ＝１.６３）から形成されている場合、導波路３５は、ＳｉＯＸＮＹ（ｎ＝１.７〜１.８５）、Ｔａ２Ｏ５（ｎ＝２.１６）、Ｎｂ２Ｏ５（ｎ＝２.３３）、ＴｉＯ（ｎ＝２.３〜２.５５）又はＴｉＯ２（ｎ＝２.３〜２.５５）から形成されていてもよい。導波路３５をこのような材料で構成することによって、材料そのものが有する良好な光学特性によってレーザ光の伝播損失が低く抑えられる。さらに、導波路３５がコアとして働く一方、保護層３８がクラッドとしての機能を果たし、両側面３５１、下面３５３及び上面３５４での全反射条件が整うことになる。これにより、より多くのレーザ光４８が端面３５０に達し、導波路３５の伝播効率が向上する。
【００４２】
さらに、図３（Ｂ）に示すように、ヘッド部端面２２１０上において、導波路３５の端面３５０は、電磁変換素子３４の主磁極３４００（図４）の端面よりも、リーディング側（−Ｚ方向）に位置している。ここで、導波路３５の端面３５０から放射されるレーザ光における、端面３５０上でのスポット中心３５００と、主磁極３４００のリーディング側（−Ｚ方向）の端面３４００ｃとのＺ軸方向における距離をＤＭＷとする。この距離ＤＭＷを適切に選択して、書き込み磁界の分布と異方性磁界の分布との位置関係を制御することが、後述するように、本願発明に係る熱アシスト磁気記録にとって非常に重要となる。
【００４３】
ここで、導波路３５が、誘電材料の多層構造を有しており、上方の層ほど屈折率ｎがより高くなる構造を有していてもよい。例えば、ＳｉＯＸＮＹにおいて組成比Ｘ、Ｙの値を適切に変化させた誘電材料を順次積層することにより、このような多層構造が実現する。積層数は、例えば８〜１２層とすることができる。その結果、レーザ光４８がＺ軸方向の直線偏光である場合、レーザ光４８の端面３５０でのスポット中心３５００を、Ｚ軸方向においてより電磁変換素子３４側とすることができる。この際、この多層構造の各層の組成、層厚及び層数を選択することによって、所望の距離ＤＭＷの値を実現することが可能となる。
【００４４】
なお、図３（Ｃ）に示すように、距離ＤＭＷが、十分に小さな値、すなわち導波路３５の（Ｚ軸方向の）厚みＴＷＧの半分未満の値である場合（ＤＭＷ＜０.５・ＴＷＧ）、導波路３５は、主磁極３４００の端面３４００ｃを含む部分を取り囲むこととなる。この場合においても、レーザ光のスポット中心３５００は、主磁極３４００の端面よりもリーディング側（−Ｚ方向）に位置しており、後述するように、良好な熱アシスト磁気記録が実現可能となる。
【００４５】
図２に戻って、光源ユニット２３は、ユニット基板２３０と、ユニット基板２３０の光源設置面２３０２に設けられたレーザダイオード４０と、レーザダイオード４０の下面４０１をなす電極に電気的に接続された端子電極４１０と、レーザダイオード４０の上面４０３をなす電極に電気的に接続された端子電極４１１とを備えている。これらの端子電極４１０及び４１１は、フレクシャ２０１（図１）に設けられた配線部材２０３の接続パッドに電気的に接続されている。この両電極４１０及び４１１を介してレーザダイオード４０に所定の電圧を印加すると、レーザダイオード４０の発光面４００に位置する発光中心からレーザ光が放射される。
【００４６】
以上に述べた光源ユニット２３とスライダ２２とを接続することによって、薄膜磁気ヘッド２１が構成される。この接続においては、ユニット基板２３０の接着面２３００とスライダ基板２２０の背面２２０１とを接面させるが、その際、レーザダイオード４０から発生したレーザ光が導波路３５のＡＢＳ２２００とは反対側の端面３５２に丁度入射するように、ユニット基板２３０及びスライダ基板２２０の位置が決定される。
【００４７】
なお、スライダ２２及び光源ユニット２３の大きさは任意であるが、例えば、スライダ２２は、トラック幅方向（Ｙ軸方向）の幅７００μｍ×（Ｚ軸方向の）長さ８５０μｍ×（Ｘ軸方向の）厚み２３０μｍの、いわゆるフェムトスライダであってもよい。この場合、光源ユニット２３は、これよりも一回り小さい大きさ、例えば、トラック幅方向の幅４２５μｍ×長さ３００μｍ×厚み３００μｍであってもよい。
【００４８】
図４は、薄膜磁気ヘッド２１の要部の構成を概略的に示す、図２のＡ面による断面図である。
【００４９】
図４によれば、ＭＲ素子３３は、ＭＲ積層体３３２と、対となってＭＲ積層体３３２及び絶縁層３８１を挟む位置に配置されている下部シールド層３３０及び上部シールド層３３４とを含み、素子形成面２２０２上に形成された絶縁層３８０上に形成されている。上下部シールド層３３４及び３３０は、ＭＲ積層体３３２が雑音となる外部磁界を受けることを防止する。上下部シールド層３３４及び３３０は、例えばフレームめっき法又はスパッタリング法等によって形成された磁性層であり、例えばＮｉＦｅ（パーマロイ）、ＦｅＳｉＡｌ（センダスト）、ＣｏＦｅＮｉ、ＣｏＦｅ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ若しくはＣｏＺｒＴａＣｒ等、又はこれらの材料の多層膜等の軟磁性材料からなり、厚さは、例えば０.５〜３μｍ程度である。
【００５０】
ＭＲ積層体３３２は、ＭＲ効果を利用して信号磁界を感受する感磁部であり、例えば、面内通電型巨大磁気抵抗（ＣＩＰ-ＧＭＲ）効果を利用したＣＩＰ-ＧＭＲ積層体、垂直通電型巨大磁気抵抗（ＣＰＰ-ＧＭＲ）効果を利用したＣＰＰ-ＧＭＲ積層体、又はトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）効果を利用したＴＭＲ積層体であってよい。これらのＭＲ効果を利用したＭＲ積層体３３２はいずれにおいても、高い感度で磁気ディスクからの信号磁界を感受する。なお、ＭＲ積層体３３２がＣＰＰ−ＧＭＲ積層体又はＴＭＲ積層体である場合、上下部シールド層３３４及び３３０は、電極としての役割も果たす。一方、ＭＲ積層体３３２がＣＩＰ−ＧＭＲ積層体である場合、ＭＲ積層体３３２と上下部シールド層３３４及び３３０それぞれとの間には絶縁層が設けられ、さらに、ＭＲ積層体３３２に電気的に接続されたＭＲリード層が設けられる。
【００５１】
ＭＲ積層体３３２は、例えば、ＴＭＲ積層体である場合、例えばＩｒＭｎ、ＰｔＭｎ、ＮｉＭｎ、ＲｕＲｈＭｎ等からなる厚さ５〜１５ｎｍ程度の反強磁性層と、例えばＣｏＦｅ等からなる２つの強磁性層がＲｕ等の非磁性金属層を間に挟んでおり、反強磁性層によって磁化方向が固定されている磁化固定層と、例えばＡｌ、ＡｌＣｕ等からなる厚さ０.５〜１ｎｍ程度の金属膜が真空装置内に導入された酸素によって又は自然酸化によって酸化された非磁性誘電材料からなるトンネルバリア層と、例えば強磁性材料である厚さ１ｎｍ程度のＣｏＦｅ等と厚さ３〜４ｎｍ程度のＮｉＦｅ等との２層膜から構成されておりトンネルバリア層を介して磁化固定層との間でトンネル交換結合をなす磁化自由層とが、順次積層された構造を有していてもよい。
【００５２】
同じく図４によれば、電磁変換素子３４は、垂直磁気記録用であって、主磁極層３４０と、ギャップ層３４１と、書き込みコイル層３４３と、コイル絶縁層３４４と、ライトシールド層３４５とを備えている。
【００５３】
主磁極層３４０は、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）等の絶縁材料からなる絶縁層３８４上に形成されており、書き込みコイル層３４３に書き込み電流を印加することによって発生した磁束を、書き込みがなされる磁気ディスクの磁気記録層（垂直磁化層）まで収束させながら導くための導磁路である。主磁極層３４０は、主磁極３４００及び主磁極本体部３４０１が順次積層されて互いに磁気的に接続された２層構造を有している。このうち、主磁極３４００は、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）等の絶縁材料からなる絶縁層３８４に周囲を絶縁されている。この主磁極３４００は、ヘッド部端面２２１０に達しており、トラック幅方向の小さな幅ＷＰ（図３（Ｂ）及び（Ｃ））を有する主磁極先端部３４００ａと、この主磁極先端部３４００ａの後方に位置しており、主磁極先端部３４００ａの幅よりも大きなトラック幅方向の幅を有する主磁極後端部３４００ｂとを有している。このように、主磁極先端部３４００ａが小さな幅ＷＰを有することによって、微細な書き込み磁界が発生可能となり、トラック幅を高記録密度化に対応した微小値に設定可能となる。
【００５４】
また、図３（Ｂ）及び（Ｃ）に示すように、主磁極層３４０のヘッド部端面２２１０上における形状は、トレーリング側（＋Ｚ方向）に長辺を有する逆台形となっている。ここで、上述した主磁極先端部３４００ａの幅ＷＰは、この長辺の長さであり、磁気ディスクの記録層に形成されるトラックの幅を規定する。幅ＷＰは、例えば、０.０５〜０.５μｍ程度である。また、言い換えると、主磁極層３４０の端面は、ヘッド部端面２２１０上において、ベベル角θを有している。ベベル角θは、ロータリーアクチュエータでの駆動により発生するスキュー角の影響によって、隣接トラックに不要な書き込み等を及ぼさないようにするための角度である。このベベル角の大きさは、例えば、１５°程度である。
【００５５】
図４に戻って、主磁極３４００は、主磁極本体部３４０１よりも高い飽和磁束密度を有する軟磁性材料から形成されており、例えば、Ｆｅが主成分である鉄系合金材料である、ＦｅＮｉ、ＦｅＣｏ、ＦｅＣｏＮｉ、ＦｅＮ又はＦｅＺｒＮ等の軟磁性材料から形成される。主磁極３４００の厚さは、例えば、０.１〜０.８μｍである。
【００５６】
ギャップ層３４１は、主磁極層３４０とライトシールド層３４５とをヘッド端面３００近傍において磁気的に分離させるためのギャップを形成する。ギャップ層３４１は、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）、ＳｉＯ２（二酸化珪素）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）若しくはＤＬＣ等の非磁性絶縁材料、又はＲｕ（ルテニウム）等の非磁性導電材料で構成されている。ギャップ層３４１の厚さは、主磁極層３４１とライトシールド層３４５との間のギャップを規定しており、例えば、０.０１〜０.５μｍ程度である。
【００５７】
書き込みコイル層３４３は、Ａｌ２Ｏ３（アルミナ）等の絶縁材料からなる絶縁層３４２１上において、１ターンの間に少なくとも主磁極層３４０とライトシールド層３４５との間を通過するように形成されており、バックコンタクト部３４０２を中心として巻回するスパイラル構造を有している。この書き込みコイル層３４３は、例えば、Ｃｕ（銅）等の導電材料から形成されている。ここで、加熱キュアされたフォトレジスト等の絶縁材料からなる書き込みコイル絶縁層３４４が、書き込みコイル層３４３を覆っており、書き込みコイル層と主磁極層３４０及びライトシールド層３４５との間を電気的に絶縁している。
【００５８】
書き込みコイル層３４３は、本実施形態において１層であるが、２層以上又はヘリカルコイルでもよい。また、巻き数も図４での数に限定されるものではなく、例えば、２〜７ターンに設定され得る。
【００５９】
ライトシールド層３４５は、ヘッド部端面２２１０に達しており、磁気ディスクの垂直磁化層の下に設けられた軟磁性裏打ち層から戻ってきた磁束のための導磁路としての役割を果たす。ライトシールド層３４５の厚さは、例えば、０.５〜５μｍ程度である。また、ライトシールド層３４５において、主磁極層３４０と対向する部分は、同じくヘッド部端面２２１０に達しており、主磁極層３４０から発して広がった磁束を取り込むためのトレーリングシールド３４５０となっている。トレーリングシールド３４５０は、本実施形態において、絶縁層３４２０及び主磁極本体部３４０１とともに平坦化されていて、主磁極先端部３４００ａのみならず主磁極後端部３４００ｂ及び主磁極本体部３４０１よりも大きなトラック幅方向の幅を有している。このようなトレーリングシールド３４５０を設けることによって、トレーリングシールド３４５０の端部と主磁極先端部３４００ａとの間において磁界勾配がより急峻になる。この結果、信号出力のジッタが小さくなって読み出し時のエラーレートが低減可能となる。また、ライトシールド層３４５は、軟磁性材料から形成されるが、特に、トレーリングシールド３４５０は、高飽和磁束密度を有する、ＮｉＦｅ（パーマロイ）又は主磁極３４００と同様の鉄系合金材料等から形成される。
【００６０】
また、本実施形態においては、ＭＲ素子３３と電磁変換素子３４との間に、絶縁層３８２及び３８３に挟まれた素子間シールド層３９が設けられている。この素子間シールド層３９は、電磁変換素子３４より発生する磁界からＭＲ素子３３をシールドする役割を果たしており、上下部シールド層３３４及び３３０と同じ軟磁性材料で形成されていてもよい。なお、素子間シールド層３９は必ずしも必要ではなく、素子間シールド層３９が存在しない形態も本発明の範囲内となる。また、この素子間シールド層３９と導波路３５との間に、バッキングコイル部が形成されていてもよい。バッキングコイル部は、電磁変換素子３４から発生してＭＲ効果素子３３の上下部シールド層３３４及び３３０を経由する磁束ループを打ち消す磁束を発生させて、磁気ディスクへの不要な書き込み動作又は消去動作である広域隣接トラック消去（ＷＡＴＥ）現象の抑制を図るものである。
【００６１】
同じく図４によれば、レーザダイオード４０は、本実施形態において、ｎ電極４０ａと、ｎ−ＧａＡｓ基板４０ｂと、ｎ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４０ｃと、第１のＩｎＧａＡｌＰガイド層４０ｄと、多重量子井戸（ＩｎＧａＰ／ＩｎＧａＡｌＰ）等からなる活性層４０ｅと、第２のＩｎＧａＡｌＰガイド層４０ｆと、ｐ−ＩｎＧａＡｌＰクラッド層４０ｇと、ｐ電極下地層４０ｈと、ｐ電極４０ｉとが順次積層された構造を含む。この多層構造の劈開面の前後には、全反射による発振を励起するためのＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等からなる反射層が形成されており、反射層４２に、開口が、発光中心４０００を含む活性層４０ｅの位置に設けられている。
【００６２】
放射されるレーザ光の波長λＬは、例えば４００〜６５０ｎｍ程度であってもよい。なお、本発明の薄膜磁気ヘッドにおいては、近接場光発生素子に依らないので、近接場光発生素子の構成材料による使用可能波長の制限が存在せず、波長の選択範囲がより広くなっている。また、レーザダイオード４０の厚みＴＬＡは、６０〜２００μｍ程度である。
【００６３】
また、このレーザダイオード４０の駆動においては、磁気ディスク装置内の電源が使用可能である。実際、磁気ディスク装置は、通常、例えば２Ｖ程度の電源を備えており、レーザ発振動作には十分の電圧を有している。また、レーザダイオード４０の消費電力も、例えば、数十ｍＷ程度であり、磁気ディスク装置内の電源で十分に賄うことができる。実際には、ｐ電極４０ｉに電気的に接続された端子電極４１０とｎ電極４０ａに電気的に接続された端子電極４１１との間に、この電源によって所定の電圧を印加し、レーザダイオード４０を発振させることによって、反射層４２の発光中心４０００を含む開口からレーザ光が放射される。
【００６４】
なお、レーザダイオード４０及び駆動端子電極４１０及び４１１は、上述した実施形態に限定されるものではない。例えば、レーザダイオード４０において電極の上下を逆にし、ｎ電極４０ａがユニット基板２３０の光源設置面２３０２に接着されてもよい。また、レーザダイオード４０が、ＧａＡｌＡｓ系等、他の半導体材料を用いた他の構成のものであってもよい。さらに、レーザダイオード４０として、通常、光学系ディスクストレージに使用されるものと同じ構造のものを用いてもよい。さらに、薄膜磁気ヘッド２１がレーザダイオード４０を備えておらず、磁気ディスク装置内に設けられたレーザダイオードの発光中心と導波路３５の端面３５２とが、例えば光ファイバを用いて接続されていてもよい。
【００６５】
以下、従来の熱アシスト磁気記録と、本発明による熱アシスト磁気記録との比較を行い、本発明による熱アシスト磁気記録の作用効果について説明を行う。
【００６６】
図５（Ａ）及び（Ｂ）は、近接場光発生素子を用いた従来の熱アシスト磁気記録における、有効書き込み磁界プロファイルと異方性磁界プロファイルとを示す概略図である。なお、図５（Ａ）は、近接場光発生素子がヘッドの主磁極３４００のトレーリング側に配置された場合を示しており、図５（Ｂ）は、近接場光発生素子がヘッドの主磁極３４００のリーディング側に配置された場合を示している。
【００６７】
ここで、有効書き込み磁界プロファイルとは、磁気ディスクの記録層におけるトラックに沿った方向の位置に関する有効書き込み磁界の強度分布である。なお、有効書き込み磁界とは、記録層の磁化を反転させて記録ビットを形成するために、記録層に有効に作用する主磁極からの書き込み磁界である。また、異方性磁界プロファイルとは、熱アシスト用のレーザ光が磁気ディスクの記録層の一部分に照射されることによってこの一部分の磁気異方性磁界が低下する際の、この記録層におけるトラックに沿った方向の位置に関する異方性磁界の分布である。なお、図５（Ａ）及び（Ｂ）のいずれにおいても、有効書き込み磁界プロファイル及び異方性磁界プロファイルは簡略化して描かれているが、特に、有効書き込み磁界プロファイルについては、後に図７を用いて詳細に説明する。
【００６８】
最初に、図５（Ａ）に示すように、近接場光発生素子がヘッドの主磁極３４００のトレーリング側に配置された場合を説明する。この場合、有効書き込み磁界プロファイル５０及び異方性磁界プロファイル５１は、有効書き込み磁界プロファイル５０のトレーリング側の磁界勾配上の位置において２点で交わるように設定される。ここで、異方性磁界プロファイル５１は、近接場光発生素子から発生する局所的な近接場光の影響で、非常に急峻な壁面を持つ谷をなしている。このような設定の下において、異方性磁界プロファイル５１が有効書き込み磁界プロファイル５０を下回る（異方性磁界ＨＫ＜有効書き込み磁界ＨＥＦＦ）領域において、磁気ディスクの記録層１００の磁化が反転し得る。この際、磁気ディスクが回転することにより記録層１００が矢印５２の方向に移動する間、書き込み磁界の方向５００が反転することによって、記録層１００に磁化遷移領域５３０が生じる。この磁化遷移領域５３０がビットの境界となり、記録ビット５３が形成されることになる。
【００６９】
この場合、近接場光発生素子における近接場光の照射中心５１０は、主磁極３４００のトレーリング側の端面に十分に近づける必要がある。この有効書き込み磁界プロファイル５０のトレーリング側の磁界勾配が、例えば１００Ｏｅ（エルステッド）／ｎｍであって、有効書き込み磁界の最大値が１０ｋＯｅの場合、有効書き込み磁界がこの最大値からゼロとなる勾配をなす距離は、１００ｎｍである。従って、例えば、５ｋＯｅ以上の有効書き込み磁界で磁気ディスクへの書き込みを行いたい場合、主磁極３４００のトレーリング側の端面と近接場光発生素子の照射中心５１０との距離ＤＮＦを、５０ｎｍ以内に設定する必要がある。さらに、磁界勾配が高記録密度化に応じて、例えば５００Ｏｅ／ｎｍ程度にまで大きくなる場合、この距離ＤＮＦをより小さくする必要が生じる。
【００７０】
一方、近接場光発生素子は、一般に、導波路を伝播してきた光を受けることによって、近接場光を発生する。この導波路は、上述したように屈折率の高い領域（コア）をそれより屈折率の低い領域（クラッド）によって覆うことにより形成されている。ここで、各領域の厚みは、導波路としての機能を維持するため、使用される光の波長と同程度又はそれ以上に設定される必要がある。従って、高記録密度の光記録に使用されている青色レーザを光源として用いた場合においても、クラッドの厚みは４００ｎｍ程度又はそれ以上とすることが要求され、これよりクラッドが薄くなると光伝播効率が極端に低下する。その結果、この導波路の端に設けられることになる近接場光発生素子を、主磁極の端面に十分に近づけることができず、距離ＤＮＦを低減化することが非常に困難となり得る。
【００７１】
一方、図５（Ｂ）に示すように、近接場光発生素子がヘッドの主磁極３４００のリーディング側に配置された場合、有効書き込み磁界プロファイル５４及び異方性磁界プロファイル５５は、有効書き込み磁界プロファイル５４のリーディング側の磁界勾配上の位置において２点で交わるように設定される。この場合、図５（Ａ）を用いて説明した、距離ＤＮＦの低減化の問題に加えて記録ビットの不安定化の問題が生じ得る。すなわち、一旦決定された記録ビット５７は、その後主磁極３４００により近づき、より高い有効書き込み磁界５８を受けることになる。その結果、この記録ビット５７の磁化遷移領域が乱されて、記録ビット５７にダメージがもたらされる懸念が生じ得る。
【００７２】
次いで、以上に述べた、近接場光発生素子を用いた場合の問題を回避するため、近接場光発生素子を用いず、導波路等の、大きなスポット径を有するレーザ光の供給部によって熱アシスト磁気記録を行う場合を考察する。
【００７３】
図６（Ａ）及び（Ｂ）は、近接場光発生素子を用いずに、大きなスポット径を有するレーザ光の供給部によって熱アシスト磁気記録を行う場合の、有効書き込み磁界プロファイルと異方性磁界プロファイルとを示す概略図である。なお、図６（Ａ）は、レーザ光の供給部がヘッドの主磁極３４００のトレーリング側に配置された場合を示しており、図６（Ｂ）は、レーザ光の供給部がヘッドの主磁極３４００のリーディング側に配置された場合を示している。
【００７４】
最初に、図６（Ａ）に示すように、レーザ光の供給部がヘッドの主磁極３４００のトレーリング側に配置された場合を説明する。この場合、異方性磁界プロファイル６１は、近接場光発生素子を用いた場合の図５（Ａ）及び（Ｂ）における異方性磁界プロファイル５１及び５５と比べると、よりブロードな谷をなしている。また、有効書き込み磁界プロファイル６０及び異方性磁界プロファイル６１は、有効書き込み磁界プロファイル６０におけるトレーリング側の磁界勾配上の１点と、有効書き込み磁界プロファイル６０の平坦部分上の１点とで交わるように設定される。従って、主磁極３４００のトレーリング側の端面とレーザ光の供給部の照射中心６１０との距離ＤＭＷは、図５（Ａ）及び（Ｂ）の距離ＤＮＦほど小さくする必要はない。このような設定の下において、異方性磁界プロファイル６１が有効書き込み磁界プロファイル６０を下回る（異方性磁界ＨＫ＜有効書き込み磁界ＨＥＦＦ）領域において、磁気ディスクの記録層１００の磁化が反転し得る。この際、磁気ディスクが回転することにより記録層１００が矢印６２の方向に移動する間、書き込み磁界の方向６００が反転することによって、記録層１００に記録ビット６３が形成されることになる。
【００７５】
しかしながら、この場合、一旦決定された記録ビット６３は、その後レーザ光の供給部の照射中心６１０に近づき、より高い温度６４に晒されることになる。その結果、この記録ビット６３の磁化遷移領域が乱されて、記録ビット６３にダメージがもたらされる懸念が生じ得る。
【００７６】
一方、図６（Ｂ）に示すように、レーザ光の供給部がヘッドの主磁極３４００のリーディング側に配置された場合、有効書き込み磁界プロファイル６５及び異方性磁界プロファイル６６は、有効書き込み磁界プロファイル６５の平坦部分上の１点６９と、有効書き込み磁界プロファイル６５におけるリーディング側の磁界勾配上の１点とで交わるように設定される。この場合、記録ビット６８における磁化遷移は、最終的に、有効書き込み磁界プロファイル６５の磁界勾配及び異方性磁界プロファイル６６の磁界勾配が非常に小さい交点６９において決定されることになる。ここで、異方性磁界プロファイル６６の磁界勾配が非常に小さいということは、温度勾配が非常に小さいことを意味する。すなわち、記録ビット６８における磁化遷移は、温度勾配及び磁界勾配が共に非常に小さい状態において決定されることになり、高い線記録密度の実現が非常に困難となる。
【００７７】
以上、単に、従来の大きなスポット径を有する光の供給部を使用しただけでは、良好な高い線記録密度に対応した熱アシスト磁気記録を実現することは困難であることが理解される。ここで、以下に、本発明による熱アシスト磁気記録について説明を行う。
【００７８】
図７は、リーディング側に突出部分を有する有効書き込み磁界プロファイルを説明するための概略図である。
図７に示すように、電磁変換素子３４の主磁極３４００から発生する書き込み磁界における、記録層面に垂直な方向（Ｘ軸方向）の成分ＨＰと、記録層面であってトラックに沿った方向（Ｚ軸方向）の成分ＨＴと、記録層面であってトラック幅方向（Ｙ軸方向）の成分ＨＬとを考察する。ここで、書き込み磁界成分ＨＰ、ＨＴ及びＨＬは、磁気ディスク１０の記録層（垂直磁化層）１００の層内であって、記録層１００の積層方向（Ｘ軸方向）における中央の位置での値となっている。
【００７９】
書き込み磁界成分ＨＰ、ＨＴ及びＨＬは、横軸をトラックに沿った方向（Ｚ軸方向）の位置Ｌとすると、それぞれプロファイル７０、７１及び７２によって表すことができる。なお、プロファイル７２によって理解されるように、書き込み磁界成分ＨＬは、通常、他の磁界成分ＨＰ及びＨＴに比べて非常に小さくなっている。ここで、記録層の磁化を反転させて記録ビットを形成するために、記録層に有効に作用する有効書き込み磁界ＨＥＦＦは、
（１）  ＨＥＦＦ＝（（ＨＰ２＋ＨＴ２）１／３＋ＨＬ２／３）３／２
に示すように、３つの書き込み磁界成分ＨＰ、ＨＴ及びＨＬに依存する形で表される。これは、記録層１００の磁化を例えば上向き（＋Ｘ方向）から下向き（−Ｘ方向）に反転させる際、−Ｘ方向の書き込み磁界成分ＨＰは当然に反転に寄与するが、Ｚ軸方向の書き込み磁界成分ＨＴ及びＹ軸方向の書き込み磁界成分ＨＬも、磁化の歳差運動を誘起してその反転に寄与するからである。従って、有効書き込み磁界ＨＥＦＦは、横軸を同じく位置Ｌとすると、プロファイル７３によって表すことができる。この有効書き込み磁界プロファイル７３は、書き込み磁界成分ＨＴ及びＨＬの影響によって、リーディング側（−Ｚ方向）に突出部分７３０を有することになる。なお、定性的に言えば、この突出部分７３０は、磁界が主磁極３４００のエッジ部分に集中して発生し易いために生じるものと理解される。
【００８０】
この突出部分７３０の高さ及び幅は、電磁変換素子３４の主磁極３４００及びトレーリングシールド３４５０のサイズ、形状、互いの間隔等を調整することによって制御することができる。特に、主磁極３４００の高飽和磁束密度を有する先端部の厚さＴＰ（図３（Ｂ））を０.３μｍ以上とすることによって、突出部分７３０における有効書き込み磁界の最大値を、２５ｋＯｅを超える十分に大きな値に設定可能であることが、実験により確認されている。
【００８１】
本発明においては、このようにリーディング側（−Ｚ方向）に十分な高さの突出部分を有するように調整された有効書き込み磁界プロファイルを用いて、熱アシスト磁気記録を行う。
【００８２】
図８（Ａ）及び（Ｂ）は、本発明による熱アシスト磁気記録の原理を説明するための、有効書き込み磁界プロファイル及び異方性磁界プロファイルを示す概略図である。ここで、説明する熱アシスト磁気記録においては、図２、図３（Ｂ）及び（Ｃ）並びに図４に示すような、導波路３５のスポット中心３５００が主磁極３４００のリーディング側に設けられた薄膜磁気ヘッド２１が用いられている。
【００８３】
図８（Ａ）に示すように、本発明による熱アシスト磁気記録において、有効書き込み磁界プロファイル８０は、リーディング側に突出部分８００を有している。また、異方性磁界プロファイル８１は、近接場光発生素子を用いた場合の図５（Ａ）及び（Ｂ）における異方性磁界プロファイル５１及び５５と比べると、よりブロードな谷をなしている。さらに、この異方性磁界プロファイル８１は、この突出部分８００を横切るように設定される。従って、有効書き込み磁界プロファイル８０及び異方性磁界プロファイル８１は、突出部分８００のトレーリング側に存在する点８４と、リーディング側に存在する点とで交わることになる。ここで、主磁極３４００のトレーリング側の端面と導波路３５のスポット中心３５００との距離ＤＭＷは、図５（Ａ）及び（Ｂ）の距離ＤＮＦほど小さくする必要はない。このような設定の下において、異方性磁界プロファイル８１が有効書き込み磁界プロファイル８０を下回る（異方性磁界ＨＫ＜有効書き込み磁界ＨＥＦＦ）領域において、磁気ディスクの記録層１００の磁化が反転し得る。この際、磁気ディスクが回転することにより記録層１００が矢印８２の方向に移動する間、書き込み磁界の方向８０２が反転することによって、記録層１００に記録ビット８３が形成されることになる。
【００８４】
この際、形成された記録ビット８３における磁化遷移は、最終的に、磁界勾配が非常に大きい突出部分８００のトレーリング側の交点８４において決定されることになる。これにより、磁化遷移領域がより急峻となって、記録ビット８３をより小さくすることができ、高い線記録密度が実現可能となる。また、形成された記録ビット８３は、その後導波路３５のスポット中心３５００から離れていくので、形成後により高い温度に晒されることもない。その結果、この記録ビット８３の磁化が安定し、ＳＮ比の向上に寄与することも可能となる。このように、本発明による熱アシスト磁気記録においては、近接場光発生素子に依らずとも、急峻な磁化遷移領域を有する安定した記録ビットパターンを形成し、記録密度及びＳＮ比の向上に寄与することができることが理解される。
【００８５】
次いで、突出部分８００のトレーリング側の交点８４の位置の限定について説明を行う。まず、有効書き込み磁界プロファイル８０の平坦部分８０１における有効書き込み磁界の最小値をＥＨＭＩＮとし、突出部分８００における有効書き込み磁界の最大値をＥＨＭＡＸとする。ここで、突出部分８００のトレーリング側の交点８４における有効書き込み磁界の値ＥＨＸＰが、
（２）  ０.２・（ＥＨＭＡＸ−ＥＨＭＩＮ）≦ＥＨＸＰ−ＥＨＭＩＮ
≦０.８・（ＥＨＭＡＸ−ＥＨＭＩＮ）
の条件を満たすことが好ましい。これは、すなわち、図８（Ｂ）に示すように、突出部分８００のトレーリング側における交点８４の位置は、突出部分８００の高さの０.２倍以上であって０.８倍以下であることが好ましいことを意味している。これにより、後に実施例を用いて詳述するように、より確実にＳＮ比が向上する。
さらに、本発明による熱アシスト磁気記録においては、図８（Ａ）に示すように、異方性磁界プロファイル８１における異方性磁界の最小値をＨＫＭＩＮとすると、最小値ＨＫＭＩＮが、ＨＫＭＩＮ＞ＥＨＭＩＮの条件を満たすことが好ましい。有効書き込み磁界プロファイル８０の平坦部分８０１の書き込み磁界は、ある程度トラック幅方向に広がっている。ここで、異方性磁界プロファイル８１における異方性磁界の最小値ＨＫＭＩＮを、この平坦部分８０１における有効書き込み磁界の最小値ＥＨＭＩＮよりも大きく設定しておくことによって、平坦部分８０１における有効書き込み磁界が、隣接するトラックのデータを不要に消去してしまう隣接トラック消去（ＡＴＥ）を防止することができる。
以下、本発明による薄膜磁気ヘッドを用いた熱アシスト磁気記録のシミュレーションを行った実施例を示す。
【００８６】
（実施例）
実施例として、線記録密度が２１００ｋＦＣＩ（Flux Change per Inch）の熱アシスト磁気記録を行った際の、記録ビットパターンの磁化状態をシミュレーションした。さらに、この記録ビットパターンをＭＲ素子３３を用いて読み出した際の読み出し出力におけるＳＮ比ＳＮＲを計算した。
【００８７】
磁化状態のシミュレーションとして、Ｌａｎｄａｕ−Ｌｉｆｓｈｉｔｚ−Ｇｉｌｂｅｒｔ方程式によるＬＬＧシミュレーションを用いた。このシミュレーションの条件として、熱アシストに用いるレーザ光用の光源のパワーは、８ｍＶであった。レーザ光の波長は、６５０ｎｍであった。導波路３５からのレーザ光の光スポット径は、８００ｎｍであった。磁気ディスク１０の回転による移動線速度は、１.５ｍ／ｓ（ｍ／秒）であった。また、ＭＲ素子３３及び電磁変換素子３４の端と記録層表面との距離であるマグネティックスペーシングは、６ｎｍであった。さらに、主磁極３４００の先端部における厚みＴＰは０.３μｍであり、トラック幅方向の幅ＷＰは１００ｎｍであった。
【００８８】
図９は、実施例に用いた主磁極３４００の有効書き込み磁界プロファイルを示すグラフである。
【００８９】
本実施例の有効書き込み磁界プロファイルとして、図９に示した形状のものを使用した。この有効書き込み磁界プロファイルにおける有効書き込み磁界の最大値ＥＨＭＡＸは、２７.８ｋＯｅであった。また、有効書き込み磁界プロファイルの平坦部分における最小値ＥＨＭＩＮは、１１.７ｋＯｅであった。ここで、主磁極３４００のリーディング側の端面と導波路３５のスポット中心３５００との距離ＤＭＷを、５０〜６５０ｎｍの範囲内で種々の値に設定することによって、有効書き込み磁界プロファイルに対する異方性磁界プロファイルの位置を変化させた。
【００９０】
磁気記録媒体は、ガラス基板上に、厚さ２０ｎｍの軟磁性裏打ち層と、厚さ５ｎｍの中間層と、厚さ１０ｎｍの記録層とが順次積層された磁気ディスクであった。記録層のグレインサイズの平均値は４ｎｍであり、このグレインサイズのばらつき（標準偏差）σは１８％であった。また、記録層の磁気異方性エネルギーＫＵは、２×１０７ｅｒｇ／ｃｃであった。記録層の磁気異方性エネルギーＫＵ及び飽和磁化ＭＳの温度依存性は、Thiele et al. Journal of Applied Physics Vol.91, No. 10, p.6595-6600（2002）のＦｅＰｔＮｉ（Ｎｉ：２０ａｔｏｍｉｃ％）のデータに基づいた。記録層の室温における異方性磁界ＨＫは、４０ｋＯｅであった。さらに、グレイン間の交換結合の大きさは、１０−７ｅｒｇ／ｃｍであった。
【００９１】
表１は、有効書き込み磁界プロファイルと異方性磁界プロファイルとの種々の位置関係における、異方性磁界プロファイルの半値幅ＷＨＫの半値ＷＨＫ／２と、異方性磁界プロファイルの最小値ＨＫＭＩＮと、読み出し出力のＳＮ比ＳＮＲとを示している。ここで、異方性磁界プロファイルの半値半幅ＷＨＫ／２（図８（Ａ））は、室温における異方性磁界の値ＨＫＲＭと異方性磁界の最小値ＨＫＭＩＮとの中間値０.５・（ＨＫＲＭ＋ＨＫＭＩＮ）における異方性磁界プロファイルの幅の半値である。また、表１における交差レベルαは、図８（Ｂ）において、有効書き込み磁界プロファイルの突出部分８００と異方性磁界プロファイル８１とのトレーリング側の交点８４における有効書き込み磁界ＥＨＸＰが、
（３）  ＥＨＸＰ＝α・（ＥＨＭＡＸ−ＥＨＭＩＮ）
の条件を満たす場合のαである。すなわち、α＝ＥＨＸＰ／（ＥＨＭＡＸ−ＥＨＭＩＮ）である。
【００９２】
【表１】
2010027195.tif 000003
【００９３】
また、図１０（Ａ）は、表１のシミュレーション結果のうち、交差レベルαと、異方性磁界プロファイルの半値半幅ＷＨＫ／２及び異方性磁界の最小値ＨＫＭＩＮとの関係を示すグラフである。さらに、図１０（Ｂ）は、表１のシミュレーション結果のうち、交差レベルαと、読み出し出力のＳＮ比ＳＮＲとの関係を示すグラフである。
【００９４】
図１０（Ａ）及び表１によれば、交差レベルαが０.２〜０.９の範囲においては、異方性磁界プロファイルの半値半幅ＷＨＫ／２は十分に大きな値となっており、また、異方性磁界の最小値ＨＫＭＩＮも十分に小さい値となっている。これにより、所定の書き込み磁界によって記録ビットを形成することが可能となる。ここで、異方性磁界の最小値ＨＫＭＩＮは、使用した有効書き込み磁界プロファイルの平坦部分における最小値ＥＨＭＩＮ＝１１.７ｋＯｅよりも大きくなっており、上述したように、ＡＴＥを防止し得る値である。なお、交差レベルαが大きいほど、主磁極３４００のリーディング側の端面と導波路３５のスポット中心３５００との距離ＤＭＷは大きくなっている。
【００９５】
これに対して、交差レベルαが０.２を下回ると、すなわち、距離ＤＭＷが非常に小さくなると、レーザ光の一部が主磁極３４００に吸収されてしまい、異方性磁界プロファイルの半値半幅ＷＨＫ／２が縮小し、異方性磁界の最小値ＨＫＭＩＮも増大する。この場合、所定の書き込み磁界によって良好な記録ビットを形成することが困難となってしまう。
【００９６】
また、図１０（Ｂ）及び表１によれば、交差レベルαが０.２〜０.８の範囲においては、読み出し出力のＳＮ比ＳＮＲは、約１０ｄＢ又はそれ以上の高い値を示している。しかしながら、交差レベルαが０.２を下回ると、すなわち、距離ＤＭＷが非常に小さくなると、ＳＮ比ＳＮＲは大幅に劣化する。これは、上述したように、記録層の異方性磁界の低下が不十分となっていることによる。さらに、交差レベルαが０.８を上回る場合においても、ＳＮ比ＳＮＲは大幅に劣化する。これは、主磁極３４００と導波路３５のスポット中心３５００との距離ＤＭＷがあまりにも大きくなって、異方性磁界プロファイルの裾野において記録ビットが形成されることとなり、その結果、記録ビットの境界（磁化遷移領域）の形成時において十分な大きさの磁界勾配が得られないためである。
【００９７】
以上、図１０（Ａ）及び（Ｂ）並びに表１に示したシミュレーション結果によって、以下のことが理解される。すなわち、リーディング側に突出部分を有する有効書き込み磁界プロファイルを設け、異方性磁界プロファイルがこの突出部分を横切るように設定することによって、さらに、この突出部分のトレーリング側の交点における有効書き込み磁界の値ＥＨＸＰが、０.２・（ＥＨＭＡＸ−ＥＨＭＩＮ）≦ＥＨＸＰ−ＥＨＭＩＮ≦０.８・（ＥＨＭＡＸ−ＥＨＭＩＮ）の条件を満たすようにすることによって、近接場光の照射に依らずとも、高記録密度に対応し、ＳＮ比が向上した熱アシスト磁気記録を実現することが可能となる。これにより、例えば、１Ｔｂｉｔｓ／ｉｎ２を超える記録密度の達成に貢献し得る。
【００９８】
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
【符号の説明】
【００９９】
１０  磁気ディスク
１１  スピンドルモータ
１２  アセンブリキャリッジ装置
１３  記録再生及び発光制御回路
１４  駆動アーム
１５  ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）
１６  ピボットベアリング軸
１７  ＨＧＡ
２０  サスペンション
２１  薄膜磁気ヘッド
２２  スライダ
２２０  スライダ基板
２２００  ＡＢＳ
２２０１  背面
２２０２  素子形成面
２２１  ヘッド部
２２１０、２２１１  ヘッド部端面
２３  光源ユニット
２３０  ユニット基板
２３００  接着面
２３０２  光源設置面
３２  ヘッド素子
３３  磁気抵抗（ＭＲ）素子
３４  電磁変換素子
３４０  主磁極層
３４００  主磁極
３４５  ライトシールド層
３４５０  トレーリングシールド
３５  導波路
３５０、３５２  端面
３７０、３７１、４１０、４１１  端子電極
３８  被覆層
３９  素子間シールド層
４０  レーザダイオード
４００  発光面
４０００  発光中心
４０ａ  ｎ電極
４０ｅ  活性層
４０ｉ  ｐ電極
５０、５４、６０、６５、８０  有効書き込み磁界プロファイル
５１、５５、６１、６６、８１  異方性磁界プロファイル
５３、５７、６３、６８、８３  記録ビット
７０、７１、７２  プロファイル
７３０、８００  突出部分
８０１  平坦部分
８４  交点
【図１】
2010027195.tif 000004
【図２】
2010027195.tif 000005
【図３】
2010027195.tif 000006
【図４】
2010027195.tif 000007
【図５】
2010027195.tif 000008
【図６】
2010027195.tif 000009
【図７】
2010027195.tif 000010
【図８】
2010027195.tif 000011
【図９】
2010027195.tif 000012
【図１０】
2010027195.tif 000013