(57)【要約】      （修正有）【課題】イオンミリングによって磁気記録層を有する基板表面が消失することなく、かつ大気の影響を受けずに磁気記録媒体を製造する。【解決手段】磁気記録層を有する基板にイオンビームを注入した後、該イオンビーム注入後の磁気記録層を有する基板の表面をアッシングにより除去して磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体製造装置１０であって、レジスト膜またはメタルマスクが塗布された磁気記録層を有する基板にイオンビームを注入するイオン注入室２０と、レジスト膜またはメタルマスクが塗布された磁気記録層を有する基板のレジスト膜またはメタルマスクを、プラズマによりアッシングして除去するアッシング室３０と、を有し、イオン注入室２０とアッシング室３０とは真空状態で連結されると共に、イオンビーム注入後の基板をイオン注入室２０からアッシング室３０に搬送する基板搬送機６０を備える。【選択図】図１
2010027157.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録層を有する基板にイオンビームを注入した後、該イオンビーム注入後の磁気記録層を有する基板の表面のレジスト膜またはメタルマスクをアッシングにより除去して磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体製造装置であって、
イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギーに加速して、レジスト膜またはメタルマスクが塗布された磁気記録層を有する基板にイオンビームを注入するイオン注入室と、
プラズマを発生および拡散させるプラズマ発生装置を備え、上記レジスト膜またはメタルマスクが塗布された磁気記録層を有する基板のうち少なくとも上記レジスト膜またはメタルマスクを、上記プラズマ発生装置によって拡散されたプラズマによりアッシングして除去するアッシング室と、
を有し、
上記イオン注入室と上記アッシング室とは真空バルブを介して真空状態で連結されると共に、上記イオンビーム注入後の基板を上記イオン注入室から上記アッシング室に搬送する基板搬送機を備えていることを特徴とする磁気記録媒体製造装置。
【請求項２】
さらに、平行平板電極または誘導結合型アンテナに高周波電力を印加してプラズマを発生させて、前記アッシング後の磁気記録層を有する基板の表面に薄膜を形成するＣＶＤ室を有し、
前記アッシング室と上記ＣＶＤ室とは真空バルブを介して真空状態で連結されると共に、前記アッシング後の磁気記録層を有する基板は前記基板搬送機により前記アッシング室から上記ＣＶＤ室に搬送されることを特徴とする請求項１記載の磁気記録媒体製造装置。
【請求項３】
前記基板搬送機は、
前記基板を保持するための基板ホルダと、
上記基板ホルダを駆動させる駆動機構と、
を有することを特徴とする請求項１または２記載の磁気記録媒体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高密度の磁気記録媒体を製造するための磁気記録媒体製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来からの磁気記録媒体の製造方法では、まず、磁性層上に形成されたレジストパターンに従って、当該磁性層をプラズマまたはイオンビームを用いてエッチングを行い、当該エッチングされた磁性層の溝に非磁性材料を充填させる。次に、イオンビームエッチングまたは研磨等の平坦化処理によって、表面を平坦化した後、その表面に保護膜を形成している（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
しかしながら、特許文献１に開示されている磁気記録媒体の製造方法を用いると、情報記録領域以外の部分をエッチング加工して除去した後、非磁性材料を充填して平坦化加工する必要があり、製造工程が複雑なものとなる。その結果、製造コストも増大するといった問題が生じる。
【０００４】
これらの問題を解決するための方法として、イオンを磁性膜に局所的に注入して磁化状態を変化させ、その後、磁性膜全面を熱処理する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１６６２１号公報（図３）
【特許文献２】特開２００５−２２８８１７号公報（図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献２に開示されている磁気記録媒体の製造方法では、磁性膜における原子の構成比率を変えるべく、１×１０１６イオン／ｃｍ２以上１×１０１９イオン／ｃｍ２以下の高濃度のイオンを注入する必要がある。このため、レジストおよび保護膜が消失する危険性があり、加えて、イオンビームミリングによって磁性膜が消失する危険性も存在する。また、磁気記録媒体の製造過程において、基板は、各工程に移動する際、外部に搬出される。このため、基板が大気に接触し、品質の劣化を招くといった問題がある。
【０００７】
本発明は、かかる問題に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、イオンビームミリングによってレジスト、保護膜または磁性膜が消失することなく、かつ大気の影響を受けずに磁気記録媒体を製造することが可能な磁気記録媒体製造装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、磁気記録層を有する基板にイオンビームを注入した後、該イオンビーム注入後の磁気記録層を有する基板の表面のレジスト膜またはメタルマスクをアッシングにより除去して磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体製造装置であって、イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギーに加速して、レジスト膜またはメタルマスクが塗布された磁気記録層を有する基板にイオンビームを注入するイオン注入室と、プラズマを発生および拡散させるプラズマ発生装置を備え、レジスト膜またはメタルマスクが塗布された磁気記録層を有する基板のうち少なくともレジスト膜またはメタルマスクを、プラズマ発生装置によって拡散されたプラズマによりアッシングして除去するアッシング室と、を有し、イオン注入室とアッシング室とは真空バルブを介して真空状態で連結されると共に、イオンビーム注入後の基板をイオン注入室からアッシング室に搬送する基板搬送機を備えているものである。
【０００９】
このように構成した場合には、イオン注入室とアッシング室とが真空バルブを介して真空状態で連結されているため、イオン注入およびアッシングの工程間において、磁気記録層を有する基板が外気に触れることなく連続処理することが可能となる。したがって、大気の悪影響を受けて、磁気記録媒体が品質劣化するのを防止できる。
【００１０】
また、他の発明は、上述の発明に加えて更に、平行平板電極または誘導結合型アンテナに高周波電力を印加してプラズマを発生させて、アッシング後の磁気記録層を有する基板の表面に薄膜を形成するＣＶＤ室を有し、アッシング室とＣＶＤ室とは真空バルブを介して真空状態で連結されると共に、アッシング後の磁気記録層を有する基板は基板搬送機によりアッシング室からＣＶＤ室に搬送されるものである。
【００１１】
このように構成した場合には、基板の表面に保護膜を形成できるため、磁気記録媒体の傷による損傷を防止することが可能となると共に、大気の悪影響を受けて、磁気記録媒体が品質劣化するのを防止できる。
【００１２】
さらに、他の発明は、上述の発明に加えて更に、基板搬送機は、基板を保持するための基板ホルダと、基板ホルダを駆動させる駆動機構とを有するものである。
【００１３】
このように構成した場合には、磁気記録層を有する基板を次の処理室へスムーズに搬送することが可能となる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によると、イオンミリングによって磁気記録層を有する基板表面が消失することなく、かつ大気の影響を受けずに磁気記録媒体を製造することが可能となり、さらに、特許文献１に記載されている製造方法と比べて製造工程が簡素化され、低コスト化が達成できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の一実施の形態に係る磁気記録媒体製造装置１０について、図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明において、図１〜図６に示す矢示Ｘ１方向を前、矢示Ｘ２方向を後、このＸ１方向とＸ２方向と水平方向で直交する方向となる矢示Ｙ１方向を左、矢示Ｙ２方向を右、このＸＹ平面と直交する方向の矢示Ｚ１方向を上および矢示Ｚ２方向を下とそれぞれ規定する。
【００１６】
図１は、本発明の一実施の形態に係る磁気記録媒体製造装置１０の概略構成を説明するための側面図である。図２は、図１中のＡ−Ａ線で切断した磁気記録媒体製造装置１０の断面図である。
【００１７】
図１および図２に示すように、磁気記録媒体製造装置１０は、イオン注入室２０、アッシング室３０およびＣＶＤ室４０（以下、イオン注入室２０、アッシング室３０およびＣＶＤ室４０をまとめて称呼する場合には、単に、処理室２０，３０，４０と称呼する。）が一列に連結され、それらの外側を搬送通路５０で連結した無終端のインライン式の装置である。また、磁気記録媒体製造装置１０は、磁気記録層を有する基板（以下、各処理室２０，３０，４０で処理される前後の基板を総称して基板５２という。）を搬送するための基板搬送機６０を備えており、始点部５４で取り込まれた基板５２が処理室２０，３０，４０で各処理を施され、再度、始点部５４に搬送される構成となっている。
【００１８】
イオン注入室２０の後方およびＣＶＤ室４０の前方には、ロードロック５６が設けられている。ロードロック５６は、基板搬送機６０が大気環境の搬送通路５０から真空環境の各処理室２０，３０，４０に基板５２が導入される前に、大気が各処理室２０，３０，４０に流入しないように予備排気を行う。また、イオン注入室２０、アッシング室３０、ＣＶＤ室４０、後述する前方縦路５０ａ、後述する下方横路５０ｄおよびロードロック５６は、それぞれ連結部５８を介して気密に連結されている。図１には図示されていないが、各処理室２０，３０，４０およびロードロック５６を連結する連結部５８には、真空バルブとなる仕切りバルブが存在している。
【００１９】
搬送通路５０は、前方縦路５０ａと、後方縦路５０ｂと、上方横路５０ｃと、下方横路５０ｄとを有しており、一方のロードロック５６と他方のロードロック５６とが無終端となるように環状に連結されている（図１参照）。前方縦路５０ａ、後方縦路５０ｂ、上方横路５０ｃおよび下方横路５０ｄは、共に断面四角形の筒形状を呈している。前方縦路５０ａはＣＶＤ室４０の前方に配置されるロードロック５６のさらに前方に立設されている。前方縦路５０ａの下方部は、連結部５８を介してロードロック５６と連結されている。後方縦路５０ｂは、前方縦路５０ａと対向するように、イオン注入室２０の前方に立設されている。始点部５４は、例えば、後方縦路５０ｂの下方部に設けられている。上方横路５０ｃは、前方縦路５０ａと後方縦路５０ｂの上部を横方向に向かって連結している。下方横路５０ｄは、イオン注入室２０の後方に配置されるロードロック５６と後方縦路５０ｂの下方部との間を横方向に向かって連結している。また、基板搬送機６０は、例えば、各処理室２０，３０，４０および搬送通路５０の内部に所定の間隔を隔てて複数配置されている。
【００２０】
次に、基板搬送機６０の構成について説明する。
【００２１】
図３は、基板搬送機６０の構成を示す図であり、（Ａ）はその側面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）中のＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【００２２】
図３に示すように、基板搬送機６０は、基板５２を保持する基板ホルダ６２と、基板ホルダ６２を駆動させる駆動機構である駆動用ローラ６４とを有する。基板ホルダ６２は、上方において左右に突出する（図３（Ｂ）参照）凸部６５と、略平板状の平板部６６とを有しており、その断面形状は略Ｔ字状の形態を有している。また、平板部６６の略中央には、左右方向に貫通するような３つの円形孔６７が設けられている。当該円形孔６７は、正三角形の３つの頂点に対応する位置に設けられている。また、平板部６６における各円形孔６７の外縁部には基板５２を保持するための基板クランプ６８が設けられている。基板クランプ６８は、円形孔６７の内壁における四角形の対角する４つの箇所に設けられている。円盤状の形態を有する基板５２は、円形孔６７の内部に納められ、かつその外周部近傍を基板クランプ６８によって狭持されることによって基板ホルダ６２に保持される。基板５２が基板ホルダ６２に保持された状態では、基板５２の表裏の面は、基板ホルダ６２のＺＸ平面と略平行な面上に位置する。
【００２３】
駆動用ローラ６４は、基板ホルダ６２の下端部に前後に並ぶように、例えば、４つ設けられており、該駆動用ローラ６４が回転することにより基板ホルダ６２が前後方向に移動する。また、不図示の制御装置によって駆動用ローラ６４の回転制御を行うことにより、基板搬送機６０の移動が制御される。
【００２４】
次に、イオン注入室２０の構成について図４に基づいて説明する。図４は、図１中のＣ−Ｃ線に沿って切断したイオン注入室の断面図である。
【００２５】
図４に示すように、イオン注入室２０は、プロセスガスを制御して噴出させるＭＦＣ（Mass Flow Controller）２１と、イオンを生成し、生成量を調節して拡散させるイオン発生装置２３と、イオンの広がりおよびエネルギーを調節する加速電極部２４と、基板搬送機６０が収納される基板収納部２５と、基板搬送機６０を保持する基板保持部２６と、イオン注入室２０内の残留ガスを外部に排出する真空排気ポンプ２７と、を主に有する。
【００２６】
ＭＦＣ２１、イオン発生装置２３および加速電極部２４は、基板収納部２５の左右にそれぞれ設けられている。ＭＦＣ２１は、不図示のプロセスガス供給源からイオン発生装置２３へ導入されるプロセスガスの量を調節する。ＭＦＣ２１とイオン発生装置２３とはチューブ２８によって接続され、該チューブ２８を介してＭＦＣ２１からイオン発生装置２３にプロセスガスが供給される。イオン発生装置２３は、供給されたプロセスガスに基づいて、イオンを発生させて、イオン量及びその空間分布を調節する。さらに、加速電極部２４において、これらのイオンを例えば２０ｋＶ以上３０ｋＶ以下の電圧で噴出して加速させる。このようにして、イオン発生装置２３及び加速電極部２４から加速されたイオンがイオンビームとして基板５２に注入される。
【００２７】
基板保持部２６は基板収納部２５の上部であって、Ｙ１Ｙ２方向の中央に設けられている。基板保持部２６の下端面には、上方に向かって前後方向に切り欠かれた係合溝部２６ａが設けられている。この係合溝部２６ａに基板ホルダ６２の凸部６５が非接触で係合することによって、基板ホルダ６２がイオン注入室２０の略中央部に保持される。そして、基板ホルダ６２に保持された基板５２に向かってイオンビームを照射することにより、イオン注入がなされる。また、イオン注入がなされた後の基板収納部２５内のガスは、真空排気ポンプ２７によって外部に排出される。
【００２８】
次に、アッシング室３０の構成について図５に基づいて説明する。図５は、図１中のＤ−Ｄ線に沿って切断したアッシング室３０の断面図である。
【００２９】
図５に示すように、アッシング室３０は、ＭＦＣ２１と、プラズマを発生および拡散させるプラズマ発生装置３２と、イオン注入室２０から搬送されてくる基板搬送機６０を収納する基板収納部３４と、基板保持部２６と、真空排気ポンプ２７と、コンダクタンス可変バルブ３５と、を主に有する。
【００３０】
ＭＦＣ２１およびプラズマ発生装置３２は、基板収納部３４の左右にそれぞれ設けられている。プラズマ発生装置３２には、ＭＦＣ２１において制御された適量のプロセスガスが不図示のプロセスガス供給源から供給される。アッシング用のプロセスガスとしては、一般的に使用されている酸素系もしくはフッ素系の単一ガスまたは、それらの混合ガスを使用することができる。ＭＦＣ２１とプラズマ発生装置３２とはチューブ３６によって接続され、該チューブ３６を介してＭＦＣ２１からプラズマ発生装置３２にプロセスガスが供給される。プラズマ発生装置３２では、供給されたプロセスガスが高周波により励起されてプラズマが生成され、生成されたプラズマが基板収納部３４の中央に向かって拡散される。これにより、基板保持部２６によって保持された基板５２にプラズマが照射され、基板５２上のレジスト等がアッシングされる。なお、アッシングがなされた後の基板収納部３４内のガスは、真空排気ポンプ２７によって外部に排出される。また、真空排気ポンプ２７と基板収納部３４との間にコンダクタンス可変バルブ３５を配設することにより、真空排気ポンプ２７から排気される実効排気速度が制御され、基板収納部３４内の分圧が制御されている。また、アッシング室３０における基板保持部２６には、該基板保持部２６に保持される基板ホルダ６２に基板バイアスを印加することが可能な不図示のバイアス印加用電源が接続されている。そして、基板ホルダ６２の基板バイアスを制御することによって、基板５２に照射されるプラズマのエネルギーを制御することができる。
【００３１】
次に、ＣＶＤ室４０の構成について図６に基づいて説明する。図６は、図１中のＥ−Ｅ線に沿って切断したＣＶＤ室４０の断面図である。
【００３２】
図６に示すように、ＣＶＤ室４０は、ＭＦＣ２１と、基板収納部４４内に設置された平板電極４１と、アッシング室３０から搬送されてくる基板搬送機６０を収納する基板収納部４４と、基板保持部２６と、真空排気ポンプ２７と、コンダクタンス可変バルブ３５と、を主に有する。
【００３３】
ＭＦＣ２１および平板電極４１は、基板収納部４４の左右にそれぞれ設けられている。平板電極４１には、不図示の高周波電源を介して高周波電力がそれぞれ印加される。また、基板収納部４４には、ＭＦＣ２１によって制御された適量のプロセスガスが不図示のプロセスガス供給源から供給される。さらに、基板保持部２６は接地電位に接続されており、該基板保持部２６に保持される基板ホルダ６２には基板バイアスを印加することが可能な不図示のバイアス印加用電源が接続されている。そして、基板ホルダ６２の基板バイアスを制御することによって成膜性能を制御している。ＣＶＤ用のプロセスガスとしては、一般的に使用されている炭素系混合ガスを使用することができる。ＭＦＣ２１と基板収納部４４とはチューブ４６によって接続され、該チューブ４６を介してＭＦＣ２１から基板収納部４４にプロセスガスが導入される。ここで、高周波電力が平板電極４１に印加されると、ＭＦＣ２１から基板収納部４４に導入されたプロセスガスが、基板ホルダ６２と、平板電極４１との間で放電し、基板収納部４４内でプラズマ化される。このプラズマ化したプロセスガスが、基板保持部２６によって基板収納部４４の中央に保持された基板５２の表面に到達し、基板５２上に所望の薄膜が形成される。なお、成膜後の基板収納部４４内のガスは、真空排気ポンプ２７によって外部に排出される。また、ＣＶＤ室４０における基板保持部２６には、該基板保持部２６に保持される基板ホルダ６２に基板バイアスを印加することが可能な不図示のバイアス印加用電源が接続されている。そして、基板ホルダ６２の基板バイアスを制御することによって、基板５２に形成される薄膜の特性を制御することができる。
【００３４】
次に、磁気記録媒体製造装置１０を用いて磁気記録媒体７０を製造する一連の工程について説明する。
【００３５】
図７は、磁気記録媒体製造装置１０を用いて磁気記録媒体７０を製造する工程を説明する図であり、（Ａ）は、イオン注入を説明するための断面図であり、（Ｂ）は、イオン注入後のレジスト膜付き基板８０の断面図であり、（Ｃ）は、アッシング処理後の磁気記録層を有する基板８４の断面図であり、（Ｄ）は、磁気記録媒体７０の断面図である。
【００３６】
まず、図７（Ａ）に示す処理基板７３上に磁性膜７２、保護膜７４およびレジスト膜７６が順番に予め積層されているレジスト膜付き基板７１を、図１に示す始点部５４において、基板搬送機６０に移載機を用いてセットする。レジスト膜付き基板７１の基板搬送機６０へのセットは、上述したように、基板ホルダ６２にレジスト膜付き基板７１を保持させることによりなされる。なお、レジスト膜付き基板７１の外形は、処理基板７３と同様に、略円盤状の形態を有している。処理基板７３としては、例えば、アルミニウム合金基板、シリコンガラス基板等の非磁性基板が用いられる。また、磁性膜７２は、磁気異方性の高い規則構造を有するのが好ましい。保護膜７４は、例えば、ダイヤモンドライクカーボン等を材料とするコーティング膜である。レジスト膜７６は、所定のパターンにレジストが施された薄膜である。
【００３７】
基板搬送機６０にレジスト膜付き基板７１がセットされると、基板搬送機６０は、図１中の下方横路５０ｄを通過して、ロードロック５６に到達する。ロードロック５６内の気圧がイオン注入室２０内の気圧に大きく影響しない圧力まで、真空排気された後、ロードロック５６が開状態である場合、基板搬送機６０はロードロック５６を通過して、イオン注入室２０に移動する。そして、基板搬送機６０は、イオン注入室２０内の基板保持部２６に係合することで、イオン注入室２０の略中央に保持される。次に、イオン発生装置２３から、レジスト膜付き基板７１の表面にイオンビーム７７を照射して、イオン注入を行う（図７（Ａ）参照）。レジスト膜付き基板７１の表面にイオン注入がなされると、図７（Ｂ）に示すように、レジスト膜７６の開口領域を通過してイオン注入がなされた注入部分７８の磁力が減少する。
【００３８】
次に、基板搬送機６０は、図１中の連結部５８を介して、イオン注入室２０からアッシング室３０に移動する。そして、基板搬送機６０は、アッシング室３０内の基板保持部２６に係合することで、アッシング室３０の略中央に保持される。次に、プラズマ発生装置３２から、イオン注入がなされたレジスト膜付き基板８０の表面にプラズマを照射して、レジスト膜７６および保護膜７４をアッシングして除去する。すると、図７（Ｃ）に示すように、処理基板７３上に所定の磁気特性を有する特質磁性膜８２が積層された、磁気記録層を有する基板８４が形成される。
【００３９】
次に、基板搬送機６０は、図１中の連結部５８を介して、アッシング室３０からＣＶＤ室４０に移動する。そして、基板搬送機６０は、ＣＶＤ室４０内の基板保持部２６に係合することで、ＣＶＤ室４０の略中央に保持される。次に、平板電極４１に高周波電力を印加させると共に、基板収納部４４にプロセスガスを供給することで、該供給されたプロセスガスを基板収納部４４内でプラズマ化させる。このプラズマ化されたプロセスガスが磁気記録層を有する基板８４に照射されて、磁気記録層を有する基板８４上に平坦な表面を有するＣＶＤ保護膜８６が形成される。このようにして、図７（Ｄ）に示すような、磁気記録層を有する基板８４上にＣＶＤ保護膜８６が積層された、磁気記録媒体７０が製造される。
【００４０】
次に、磁気記録媒体７０を保持した基板搬送機６０は、ロードロック５６内の圧力が大気圧と同等になると、ロードロック５６を通過して、前方縦路５０ａに移動する。さらに、基板搬送機６０は前方縦路５０ａから上方横路５０ｃを介して、後方縦路５０ｂに移動することで、磁気記録媒体７０が始点部５４に搬送される。そして、始点部５４において、基板搬送機６０から磁気記録媒体７０を移載機を用いて外すことで、該磁気記録媒体７０を磁気記録媒体製造装置１０から取り出すことが可能となる。
【００４１】
以上のように構成された磁気記録媒体製造装置１０では、イオン注入室２０とアッシング室３０、並びに、アッシング室３０とＣＶＤ室４０が真空状態で連結されているため、イオン注入、アッシングおよびＣＶＤの工程を外気に触れることなく連続処理することが可能となる。したがって、大気の悪影響を受けて、磁気記録媒体７０が品質劣化するのを防止できる。
【００４２】
また、磁気記録媒体製造装置１０では、基板５２の表面にＣＶＤ保護膜８６を形成することができる。このため、磁気記録媒体７０の傷による損傷を防止することが可能となると共に、大気の悪影響を受けて、磁気記録媒体７０が品質劣化するのを確実に防止できる。
【００４３】
また、磁気記録媒体製造装置１０では、基板５２は、基板搬送機６０に保持された状態で処理室２０，３０，４０に搬送される。したがって、基板５２は、進行方向に対して横方向が基板ホルダ６２に対して露出した状態で搬送される。このため、搬送されてきた基板搬送機６０を各処理室２０，３０，４０内において保持するのみで、基板５２を処理可能な状態にセットすることが可能となる。
【００４４】
以上、本発明の一実施の形態について説明したが、本発明は上述の形態に限定されることなく、種々変形した形態にて実施可能である。
【００４５】
上述の実施の形態では、搬送通路５０を処理室２０，３０，４０に対して縦方向の環状となるように設けたが、縦方向の他に、例えば、横方向の環状に設けるようにしても良い。また、磁気記録媒体製造装置１０を環状のインライン式に設けないようにしても良い。
【００４６】
また、上述の実施の形態では、基板搬送機６０を駆動用ローラ６４によって駆動する構成としたが、このような構成に限定されるものではなく、例えば、磁気記録媒体製造装置１０にラインを設け、このラインに沿って移動するような他の構成としても良い。また、上述の実施の形態では、基板搬送機６０によって一度に保持される基板５２の数は３つであるが、当該個数は３つに限定されるものではなく、２つ以下としても良いし、４つ以上としても良い。
【００４７】
また、上述の実施の形態では、処理室２０，３０，４０において、基板搬送機６０を基板保持部２６に係合させて保持しているが、基板搬送機６０を各処理室２０，３０，４０内において保持する方法は、係合固定に限定されるものではなく、他の方法によって、保持するようにしても良い。
【００４８】
また、上述の実施の形態では、単原子のイオンビームを採用しているが、イオンビームの種類は単原子のものに限定されるものではなく、例えば、複数の原子が集まって一塊となったクラスターイオンビームを採用するようにしても良い。
【００４９】
また、上述の実施の形態では、イオン注入室２０、アッシング室３０およびＣＶＤ室４０が連続して連結されているが、これらの処理室２０，３０，４０の間に基板５２を前処理加熱または、冷却するための処理室を設けるようにしても良い。さらに、処理室２０，３０，４０内の圧力を調整するためのバッファー室を設けるようにしても良い。
【００５０】
また、上述の実施の形態では、ＣＶＤ室４０において、平板電極４１に高周波電力を印加してプラズマを発生させているが、平板電極４１の代わりに、ループ状の誘導結合型アンテナを配置し、当該アンテナに高周波電力を印加することにより誘導結合型の高周波プラズマを生成するようにしても良い。
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明の磁気記録媒体製造装置は、半導体を使用する各種電子産業において利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】本発明の一実施の形態に係る磁気記録媒体製造装置の概略構成を説明するための側面図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ線で切断した磁気記録媒体製造装置の断面図である。
【図３】図１中の基板搬送機の構成を示す図であり、（Ａ）はその側面図であり、（Ｂ）は、（Ａ）中のＢ−Ｂ線で切断した断面図である。
【図４】図１中のＣ−Ｃ線に沿って切断したイオン注入室の断面図である。
【図５】図１中のＤ−Ｄ線に沿って切断したアッシング室の断面図である。
【図６】図１中のＥ−Ｅ線に沿って切断したＣＶＤ室の断面図である。
【図７】本発明の一実施の形態に係る磁気記録媒体製造装置を用いて磁気記録媒体を製造する工程を説明する図であり、（Ａ）は、イオン注入を説明するための断面図であり、（Ｂ）は、イオン注入後のレジスト膜付き基板の断面図であり、（Ｃ）は、アッシング処理後の磁気記録層を有する基板の断面図であり、（Ｄ）は、磁気記録媒体の断面図である。
【符号の説明】
【００５３】
１０…磁気記録媒体製造装置
２０…イオン注入室
３０…アッシング室
３２…プラズマ発生装置
４０…ＣＶＤ室
４１…平板電極（平行平板電極）
６０…基板搬送機
６２…基板ホルダ
６４…駆動用ローラ（駆動機構）
７０…磁気記録媒体（基板）
７１…レジスト膜付き基板（基板）
７６…レジスト膜
８０…レジスト膜付き基板（基板）
８６…ＣＶＤ保護膜（薄膜）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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