(57)【要約】【課題】小型かつ簡易な構成により信号伝送の際の対地容量変化を大きくすることが可能な伝送線路素子および電子機器を提供する。【解決手段】導電体パターン層１７における中空部Ｇに対応する領域の少なくとも一部分が、下部電極１２１、上部電極１２２および駆動電圧供給部１９からなる静電アクチュエータによって、基板面に対して変位可能となっているようにする。これにより、信号線路としての導電体パターン層１７において、基板面に対する対地容量を容易に変化させることができる。【選択図】図１
2010278895.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板面に対する中空領域を有すると共に、信号を伝送するための導電体パターン層と、
前記導電体パターン層のうちの前記中空領域を除く領域を前記基板面に対して支持する支持部と、
前記導電体パターン層における前記中空領域の少なくとも一部分を前記基板面に対して変位させる駆動部と
を備えた伝送線路素子。
【請求項２】
前記導電体パターン層が、信号の伝送方向に沿って分離された複数の非連続体により構成され、
前記駆動部は、各非連続体を互いに独立して変位させる
請求項１に記載の伝送線路素子。
【請求項３】
前記駆動部は、前記複数の非連続体のうちの少なくとも１つを、信号が伝送可能な範囲内で変位させる
請求項２に記載の伝送線路素子。
【請求項４】
前記駆動部は、前記複数の非連続体のうちの少なくとも１つを、信号が伝送可能な範囲を超えて変位させる
請求項２に記載の伝送線路素子。
【請求項５】
前記導電体パターン層が、信号の伝送方向に沿って単一の連続体により構成されている
請求項１に記載の伝送線路素子。
【請求項６】
前記支持部と前記導電体パターン層との間に、前記導電体パターン層を保持する保持層を備えた
請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の伝送線路素子。
【請求項７】
前記保持層が、誘電体層である
請求項６に記載の伝送線路素子。
【請求項８】
前記駆動部が、
前記基板面上に配設された下部電極と、
前記導電体パターン層に対して電気的に絶縁して配設されると共に、前記支持部により支持された上部電極と
を含む静電アクチュエータを用いて構成されている
請求項１に記載の伝送線路素子。
【請求項９】
信号を伝送する伝送線路素子を備え、
前記伝送線路素子は、
基板面に対する中空領域を有すると共に、前記信号を伝送するための導電体パターン層と、
前記導電体パターン層のうちの前記中空領域を除く領域を前記基板面に対して支持する支持部と、
前記導電体パターン層における前記中空領域の少なくとも一部分を前記基板面に対して変位させる駆動部と
を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems；マイクロマシン）の要素技術を応用した伝送線路素子、およびそのような伝送線路素子を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の集積化技術の向上に伴い、電子機器の小型・軽量化、低電圧動作・低消費電力化、高周波動作化が急速に進んでいる。特に、携帯電話などの移動通信端末装置の技術分野では、上記の要求が厳しい上に、高機能化も求められており、これらの対立する課題を解決する技術の一つとして、ＭＥＭＳが注目されている。このＭＥＭＳは、シリコンプロセス技術により、マイクロな機械的要素と電子回路要素とを融合したシステムであり、日本では主にマイクロマシンと称されるものである。ＭＥＭＳ技術は、その精密加工性などの優れた特徴から、高機能化に対応しつつ、小型で低価格なＳｏＣ（System on a Chip）を実現することができる。
【０００３】
このようなＭＥＭＳ技術を用いた素子として、高周波回路での周波数調整や位相調整、インピーダンス整合等を行うことが可能な伝送線路素子が提案されている（例えば、特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３６６４７２１号公報
【特許文献２】特許第３８６６２７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、伝送線路素子において上記したような調整を行うための手法として、信号線路の下層部に設けられた誘電体層の誘電率を変化させる手法がある。この誘電体層の誘電率を変化させる手法としても、例えば、誘電体層への印加電圧により誘電率を直接変化させる手法（第１の手法）や、複数の信号線路同士をスイッチで切り替える手法（第２の手法）などが挙げられる。
【０００６】
ところが、上記第１の手法では誘電率の変化量が小さいため、例えば、アンテナの放射器に使用した場合、広範囲で周波数を変化させることが困難である。また、誘電体の変化量を大きくするためには、素子構造も複雑になる。一方、上記第２の手法では、複数の信号線路やスイッチを設けるための領域が必要となるため、小型化には適さない。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、小型かつ簡易な構成により信号伝送の際の対地容量変化を大きくすることが可能な伝送線路素子、およびそのような伝送線路素子を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の伝送線路素子は、基板面に対する中空領域を有すると共に、信号を伝送するための導電体パターン層と、この導電体パターン層のうちの中空領域を除く領域を基板面に対して支持する支持部と、導電体パターン層における中空領域の少なくとも一部分を基板面に対して変位させる駆動部とを備えたものである。
【０００９】
本発明の電子機器は、信号を伝送する上記本発明の伝送線路素子を備えたものである。
【００１０】
本発明の伝送線路素子および電子機器では、導電体パターン層における中空領域の少なくとも一部分が基板面に対して変位可能となっていることにより、信号線路としての導電体パターン層において、基板面に対する対地容量を容易に変化させることができる。
【００１１】
本発明の伝送線路素子では、上記導電体パターン層を、信号の伝送方向に沿って分離された複数の非連続体により構成すると共に、上記駆動部が、各非連続体を互いに独立して変位させるようにするのが好ましい。このように構成した場合、導電体パターン層において、上記対地容量に加えて、導電体パターン層自身の伝送方向の長さも変化させることができる。よって、例えばこの伝送線路素子を用いて周波数調整や位相調整、インピーダンス整合等を行う場合の調整量を、より大きくすることが可能となる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の伝送線路素子および電子機器によれば、導電体パターン層における中空領域の少なくとも一部分が基板面に対して変位可能となっているようにしたので、信号線路としての導電体パターン層において、基板面に対する対地容量を容易に変化させることができる。よって、簡易な構成により信号伝送の際の対地容量変化を大きくすることが可能となり、小型化にも有利となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施の形態に係る伝送線路素子の構成を表す平面図および断面図である。
【図２】図１に示した伝送線路素子の製造方法の一例を工程順に表す断面図である。
【図３】図２に続く工程を表す断面図である。
【図４】図３に続く工程を表す断面図である。
【図５】図１に示した伝送線路素子の作用について説明するための断面図である。
【図６】図５に示した作用の詳細について説明するため拡大断面図である。
【図７】図１に示した伝送線路素子の一適用例としての逆Ｆアンテナの構成を表す平面図である。
【図８】図７に示した逆Ｆアンテナにおける信号線路の変位態様例を表す断面図である。
【図９】本発明の変形例に係る伝送線路素子の構成を表す平面図および断面図である。
【図１０】図９に示した伝送線路素子の作用について説明するための断面図である。
【図１１】本発明の伝送線路素子の適用例に係る電子機器の機能ブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（導電体パターン層を複数の非連続体により構成した例）
２．適用例１  （実施の形態の伝送線路素子を逆Ｆアンテナに適用した例）
３．変形例    （導電体パターン層を単一の連続体により構成した例）
４．適用例２  （実施の形態および変形例の伝送線路素子を内蔵した電子機器の例）
【００１５】
＜１．実施の形態＞
［伝送線路素子の構成例］
図１（Ａ）は、本発明の一実施の形態に係る伝送線路素子１の平面構成（Ｘ−Ｙ平面構成）を表すものであり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示したＩＩ−ＩＩ線に沿った断面構成（Ｚ−Ｘ断面構成）を表すものである。この伝送線路素子１は、例えばＳｉ（シリコン）基板等からなる基板１０上の信号線路としての導電体パターン層１７に沿って、Ｘ軸方向に、例えば高周波（例えば、６０ＧＨｚ程度）の信号を伝送するものである。伝送線路素子１では、基板１０上に、絶縁層１１、エッチングストッパ層１３、下部電極１２１、支持部１４、絶縁層１５、上部電極１２２、保持層１６および導電体パターン層１７（信号線路）が、この順に形成されている。
【００１６】
絶縁層１１は、下層側の絶縁層１１１と、上層側の絶縁層１１２とからなる２層構造を有している。絶縁層１１１は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）により構成され、絶縁層１１２は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ2）により構成されている。これらの絶縁層１１１，１１２は、基板１０と下部電極１２１との間を電気的に絶縁させるためのものである。
【００１７】
下部電極１２１は、後述する上部電極１２２と共に静電アクチュエータを構成するための電極であり、例えばＰ（リン）を含有した多結晶シリコン（ポリシリコン）などにより構成されている。この下部電極１２１は、絶縁層１１２上の、後述する中空部Ｇに対応する領域およびその周辺領域に一様に形成されている。
【００１８】
エッチングストッパ層１３は、絶縁層１１２および下部電極１２１の上に形成されており、後述する中空部Ｇを形成する際に犠牲層Ｔ１を除去するときの、下部電極１２１に対するエッチングストッパ層として機能するものである。このエッチングストッパ層１３は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）により構成される。
【００１９】
支持部１４は、絶縁層１５、保持層１６および導電体パターン層１７の少なくとも一部分（支持領域）と、下部電極１２２とを、基板１０の基板面に対して支持する部分である。すなわち、支持部１４は、絶縁層１５、保持層１６および導電体パターン層１７における中空部（空間領域）Ｇに対応する領域（中空領域）を除く領域（支持領域）を、基板面に対して支持するようになっている。この支持部１４は、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）により構成される。
【００２０】
絶縁層１５は、支持部１４および中空部Ｇの上において、複数のスリットＳを除いて一様に形成されているものであり、例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）により構成される。スリットＳは、導電体パターン層１７の一部分を物理的に分離して後述する非連続体１８を構成するための開口であり、伝送線路素子１の表面から中空部Ｇへ向けて貫通している。このようなスリットＳは、ここでは、Ｙ軸方向に沿って延在する細長い矩形状のものが、Ｘ軸方向（導電体パターン層１７における信号の伝送方向）に沿って、６つ形成されている。
【００２１】
上部電極１２２は、絶縁層１５上における中空部（空間領域）Ｇに対応する領域（中空領域）内に形成されている。具体的には、ここでは、後述する非連続体１８ごとに１つずつ設けられている。この上部電極１２２は、前述した下部電極１２１と共に電アクチュエータを構成するための電極であり、例えば、Ａｌ（アルミニウム）−Ｃｕ（銅）やＡｌ−ＳｉなどのＡｌ合金、あるいはＡｕ，Ｃｕなどの金属材料等により構成される。
【００２２】
保持層１６は、導電体パターン層１７を保持すると共に、この導電体パターン層１７と上部電極１２２とを電気的に絶縁するためのものであり、絶縁層１５および上部電極１２２の上において、複数のスリットＳを除いて一様に形成されている。この保持層１６は、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ2）などの誘電体により構成されている。ただし、上記のような保持層としての機能を有するのであれば、誘電体以外の材料により構成されていてもよい。
【００２３】
導電体パターン層１７は、前述した高周波等の信号をＸ軸方向に沿って伝送するための信号線路（伝送線路）として機能するものであり、保持層１６上の所定パターンにより形成されている。この導電体パターン層１７は、保持層１６、絶縁層１５、支持部１４およびエッチングストッパ層１３を貫通する導電性のコンタクト部１７１を介して、下部電極１２１と電気的に接続されている。このような導電体パターン層１７およびコンタクト部１７１は、例えば、Ａｌ−ＣｕやＡｌ−ＳｉなどのＡｌ合金、あるいはＡｕ，Ｃｕなどの金属材料等により構成される。
【００２４】
この導電体パターン層１７は、前述した複数のスリットＳによって、信号が伝送可能な程度に伝送方向（Ｘ軸方向）に沿って分離された、複数の非連続体１８により構成されている。言い換えると、非連続体１８同士は、物理的には互いに分離された状態ではあるが、高周波的には１つの導体（連続体）としてみなすことができる程度の距離で互いに分離されている。
【００２５】
駆動電圧供給部１９は、基板１０上に設けられており（図１上では、模式的に機能ブロックにて示している）、前述した下部電極１２１および上部電極１２２と共に静電アクチュエータを構成している。具体的には、駆動電圧供給部１９は、下部電極１２１および上部電極１２２に対してそれぞれ、これらの電極間に、誘導電荷による静電力を発生させるための駆動電圧を供給するものである。これにより、絶縁層１５、保持層１６および導電体パターン層１７における中空部Ｇに対応する領域の少なくとも一部分を、基板面側に変位させることが可能となっている。また、ここでは、このような静電力を利用することにより、各非連続体１８は、互いに独立して基板面側に変位できるようになっている。なお、下部電極１２１、上部電極１２２および駆動電圧供給部１９が、本発明における「駆動部」の一具体例に対応する。
【００２６】
［伝送線路素子の製造方法］
この伝送線路素子１は、例えば次のようにして製造することができる。
【００２７】
図２〜図４は、伝送線路素子１を製造する工程の一例をＺ−Ｘ断面図で表すものである。
【００２８】
まず、図２（Ａ）に示したように、Ｓｉ等からなる基板１０上に、例えば減圧ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）法により、上述した材料よりなる絶縁層１１１，１１２をそれぞれ、例えば、５００ｎｍ，３００ｎｍ程度の厚みで一様に形成する。これにより、絶縁層１１１，１１２の２層構造からなる絶縁層１１が形成される。
【００２９】
続いて、図２（Ｂ）に示したように、絶縁層１１２上に、上述した材料よりなるポリシリコン層等を、例えば４００ｎｍ程度の厚みで一様に形成したのち、例えばフォトリソグラフィ法を用いたドライエッチングを行うことにより、下部電極１２１を形成する。
【００３０】
そののち、図２（Ｃ）に示したように、絶縁層１１２および下部電極１２１上に、例えば減圧ＣＶＤ法を用いてＳｉＯ2膜等を、例えば１００ｎｍ程度の厚みで一様に形成する。そして、例えばフォトリソグラフィ法を用いたドライエッチングを行うことにより、後述する犠牲層Ｔ１を除去する際の下部電極１２１に対するエッチングストッパ層１３を形成する。
【００３１】
次に、図２（Ｄ）に示したように、エッチングストッパ層１３上の中空部Ｇの形成領域に、例えば減圧ＣＶＤ法を用いて非晶質Ｓｉ（アモルファスＳｉ）等を、例えば１００ｎｍ程度の厚みで一様に形成する。そして、例えばフォトリソグラフィ法を用いたドライエッチングを行うことにより、犠牲層Ｔ１を形成する。
【００３２】
続いて、図３（Ａ）に示したように、絶縁層１１２およびエッチングストッパ層１３上の犠牲層Ｔ１を除く領域に、例えば減圧ＣＶＤ法を用いてＳｉＯ2膜等を、例えば１５００ｎｍ程度の厚みで一様に形成する。次いで、このＳｉＯ2膜等を、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing:化学的機械的研磨）を用いて平坦化することにより、支持部１４を形成する。そののち、この上にＳｉＯ2膜等からなる絶縁層１５０（絶縁層１５の前駆体層）を、例えば減圧ＣＶＤ法を用いることにより、例えば１００ｎｍ程度の厚みで一様に形成する。
【００３３】
次に、図３（Ｂ）に示したように、絶縁層１５０上に、例えばスパッタ法を用いてＡｌ−ＣｕやＡｌ−ＳｉなどのＡｌ合金等の層を、例えば１００ｎｍ程度の厚みで一様に形成する。次いで、例えばフォトリソグラフィ法を用いたドライエッチングを行うことにより、上部電極１２２を形成する。
【００３４】
続いて、図３（Ｃ）に示したように、絶縁層１５０および上部電極１２２上に、例えば減圧ＣＶＤ法を用いてＳｉＯ2膜等を、例えば２００ｎｍ程度の厚みで一様に形成する。これにより、保持層１６の前駆体層としての絶縁層１６０が形成される。
【００３５】
次に、図４（Ａ）に示したように、例えばフォトリソグラフィ法を用いたドライエッチングを行うことにより、絶縁層１６０，１５０、支持部１４およびエッチングストッパ層１３の一部分を貫通するコンタクトホールＣＨを形成する。
【００３６】
続いて、図４（Ｂ）に示したように、絶縁層１６０上およびコンタクトホールＣＨの部分に、例えばスパッタ法を用いてＡｌ−ＣｕやＡｌ−ＳｉなどのＡｌ合金等の層を形成する。そして、例えばフォトリソグラフィ法を用いたドライエッチングを行うことにより、例えば１０００ｎｍ程度の厚みの導電体パターン層１７と、コンタクト部１７１とを形成する。
【００３７】
次に、図４（Ｃ）に示したように、導電体パターン層１７、絶縁層１６０，１５０を貫通する複数のスリットＳを、例えばドライエッチング法を用いて形成する。これにより、絶縁層１５および保持層１６と、複数の非連続体１８からなる導電体パターン層１７とを形成する。そして、例えばＸｅＦ2（フッ化キセノン）などのガスを使用して、スリットＳを介して犠牲層Ｔ１と反応させることにより、犠牲層Ｔ１を選択的に除去し、中空部Ｇを形成する。以上により、図１に示した伝送線路素子１が完成する。
【００３８】
［伝送線路素子の作用・効果］
本実施の形態の伝送線路素子１では、高周波等の信号が、導電体パターン層１７に沿ってＸ軸方向に伝送する。このとき、導電体パターン層１７における中空部Ｇに対応する領域の少なくとも一部分が、下部電極１２１、上部電極１２２および駆動電圧供給部１９からなる静電アクチュエータによって、基板面側に変位可能となっている。
【００３９】
具体的には、ここでは例えば図５（Ａ），（Ｂ）に示したように、複数の非連続体１８の少なくとも１つと、それに対応する保護層１６の一部分が、静電アクチュエータによる静電力を利用して、基板１０の基板面側に独立して変化可能となる。なお、この図５では、説明上の便宜のため、伝送線路素子１の断面構成を一部簡略化して示している。これにより、信号線路としての導電体パターン層１７において、基板面に対する対地容量が、容易に変化する。また、図中に示したように、信号線路の線路長も容易に変化する（線路長Ｌ１１から線路長Ｌ１２へと長くなる）。
【００４０】
この際、例えば図６（Ａ），（Ｂ）に示したように、各非連続体１８のサイズ（長さ）をａ、各非連続体１８間の間隔をｂ、基板面側への変位長（移動距離）をｃとすると、（ａ＋ｂ）の長さのものが、｛ａ＋√（ｂ2＋ｃ2）｝の長さのものに変化したことになる。したがって、間隔ｂを限りなく小さくすると共に、変位長ｃを可能な限り大きくすれば、信号線路の線路長を大きく変更することが可能となる。具体的には、例えば、ａ＝６μｍ、ｂ＝０．５μｍ、ｃ＝３μｍとした場合、線路長を約４５％長くすることが可能となる。
【００４１】
以上のように本実施の形態では、導電体パターン層１７における中空部Ｇに対応する領域の少なくとも一部分が、下部電極１２１、上部電極１２２および駆動電圧供給部１９からなる静電アクチュエータによって、基板面側に変位可能となっているようにしたので、信号線路としての導電体パターン層１７において、基板面に対する対地容量を容易に変化させることができる。よって、簡易な構成により信号伝送の際の対地容量変化を大きくすることが可能となり、小型化にも有利となる。
【００４２】
また、導電体パターン層１７を、信号が伝送可能な程度に伝送方向に沿って分離された複数の非連続体１８により構成すると共に、各非連続体１８を互いに独立して基板面側に変位させるようにしたので、導電体パターン層１７において、上記対地容量に加えて、導電体パターン層１７自身の伝送方向の長さ（線路長）も変化させることができる。よって、例えばこの伝送線路素子１を用いて周波数調整や位相調整、インピーダンス整合等を行う場合の調整量を、より大きくすることが可能となる。
【００４３】
＜２．適用例１（伝送線路素子１の逆Ｆアンテナへの適用例）＞
図７は、上記実施の形態で説明した伝送線路素子１の一適用例としての逆Ｆアンテナ２の平面構成（Ｘ−Ｙ平面構成）を表すものである。この逆Ｆアンテナ２は、交流電源Ｖａｃが供給される給電点Ｐ１を基準として、Ｘ軸方向に沿って右側の伝送線路である右側伝送線路１Ｒと、左側の伝送線路である左側伝送線路１Ｌとからなる伝送線路１を備えている。この逆Ｆアンテナ２は、給電点Ｐ１の位置をＸ軸方向に沿って変化させることにより、周波数変化およびインピーダンス整合を行うことが可能となっている。
【００４４】
図８（Ａ）〜（Ｄ）は、図７に示したＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面構成の一部を模式的に表したものである。この逆Ｆアンテナ２では、上記実施の形態の伝送線路素子１と同様の作用により、図８（Ａ）に示した保持層１６および導電体パターン層１７等が、例えば図８（Ｂ）〜（Ｄ）に示したように、基板面側に変位可能となっている。
【００４５】
具体的には、図８（Ｂ）では、左側伝送線路１Ｌにおける複数の非連続体１８のうちの少なくとも１つを、信号が伝送可能な範囲内で変位させている。また、図８（Ｃ）では、右側伝送線路１Ｒにおける複数の非連続体１８のうちの少なくとも１つを、信号が伝送可能な範囲内で変位させている。すなわち、複数の非連続体１８の任意の箇所を、高周波的に連続体とみなせる距離の限界まで独立に基板面側に変形させることにより、左側伝送線路１Ｌまたは右側伝送線路１Ｒの線路長を変化させている（長くしている）。
【００４６】
一方、図８（Ｄ）では、左側伝送線路１Ｌにおける複数の非連続体１８のうちの少なくとも１つを、信号が伝送可能な範囲を超えて変位させている。すなわち、複数の非連続体１８の任意の箇所を、高周波的に分離できるまで独立に基板面側に変形させることにより、左側伝送線路１Ｌの線路長を変化させている（短くしている）。
【００４７】
このようにして逆Ｆアンテナ２では、左側伝送線路１Ｌの長さを調整する（長くしたり短くしたりする）ことにより、周波数を変化させると共に、左右の伝送線路の長さのバランスを変えることにより、インピーダンス整合を行っている。すなわち、給電点Ｐ１の位置を変更したのと同じ効果が得られるため、アンテナ長を変えることができ、周波数可変アンテナを構成することが可能である。また、アンテナの共振周波数を任意に選択することができるため、大きな面積を必要とせず、小型化に適している。なお、この他にも、整合回路を構成したり、位相の調整等も行うことも可能である。
【００４８】
＜３．変形例＞
図９（Ａ）は、本発明の変形例に係る伝送線路素子１Ａの平面構成（Ｘ−Ｙ平面構成）を表すものであり、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）に示したＩＶ−ＩＶ線に沿った断面構成（Ｚ−Ｘ断面構成）を表すものである。なお、上記実施の形態と同様の構成要素については、同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００４９】
本変形例の伝送線路素子１Ａは、上記実施の形態で説明した伝送線路素子１とは異なり、絶縁層１５、保持層１６および導電体パターン層１７が、物理的に連続したものとなっている。すなわち、本変形例の導電体パターン層１７Ａは、信号の伝送方向（Ｘ軸方向）に沿って単一の連続体により構成されている。
【００５０】
この伝送線路素子１Ａにおいても、例えば図１０（Ａ），（Ｂ）に示したように、導電体パターン層１７における中空部Ｇに対応する領域の少なくとも一部分が、前述した静電アクチュエータによって、基板面側に変位可能となっている。なお、この図１０においても、説明上の便宜のため、伝送線路素子１の断面構成を一部簡略化して示している。これにより、上記実施の形態と同様に、信号線路としての導電体パターン層１７において、基板面に対する対地容量を容易に変化させることができる。よって、簡易な構成により信号伝送の際の対地容量変化を大きくすることが可能となり、小型化にも有利となる。
【００５１】
＜４．適用例２（伝送線路素子１，１Ａの電子機器への適用例）＞
図１１は、上記実施の形態および変形例で説明した伝送線路素子１，１Ａ等を搭載した電子機器の一例としての通信装置の機能ブロック構成を表すものである。この通信装置は、上記実施の形態等で説明した伝送線路素子１，１Ａ等を後述するアンテナ３０３（例えば、適用例１で説明した逆Ｆアンテナ２等）として搭載したものであり、例えば、携帯電話器、情報携帯端末（ＰＤＡ）、無線ＬＡＮ機器などである。
【００５２】
この通信装置は、例えば、送信系回路３００Ａと、受信系回路３００Ｂと、送受信経路を切り替える送受信切替器３０１と、高周波フィルタ３０２と、送受信用のアンテナ３０３とを備えている。
【００５３】
送信系回路３００Ａは、２つのデジタル／アナログ変換器（ＤＡＣ；Digital/Analogue Converter）３１１Ｉ，３１１Ｑと、２つのバンドパスフィルタ３１２Ｉ，３１２Ｑとを備えている。これらのＤＡＣ３１１Ｉ，３１１Ｑおよびバンドパスフィルタ３１２Ｉ，３１２Ｑは、Ｉチャンネルの送信データおよびＱチャンネルの送信データに対応したものである。送信系回路３００Ａはまた、変調器３２０および送信用ＰＬＬ（Phase-Locked Loop ）回路３１３と、電力増幅器３１４とを備えている。変調器３２０は、上記した２つのバンドパスフィルタ３１２Ｉ，３１２Ｑに対応した２つのバッファアンプ３２１Ｉ，３２１Ｑおよび２つのミキサ３２２Ｉ，３２２Ｑと、移相器３２３と、加算器３２４と、バッファアンプ３２５とを含んで構成されている。
【００５４】
受信系回路３００Ｂは、高周波部３３０、バンドパスフィルタ３４１およびチャンネル選択用ＰＬＬ回路３４２と、中間周波回路３５０およびバンドパスフィルタ３４３と、復調器３６０および中間周波用ＰＬＬ回路３４４とを備えている。この受信系回路３００Ｂはまた、Ｉチャンネルの受信データおよびＱチャンネルの受信データに対応した２つのバンドパスフィルタ３４５Ｉ，３４５Ｑおよび２つのアナログ／デジタル変換器（ＡＤＣ；Analogue/Digital Converter）３４６Ｉ，３４６Ｑを備えている。高周波部３３０は、低ノイズアンプ３３１と、バッファアンプ３３２，３３４と、ミキサ３３３とを含んで構成されている。中間周波回路３５０は、バッファアンプ３５１，３５３と、自動ゲイン調整（ＡＧＣ；Auto Gain Controller）回路３５２とを含んで構成されている。復調器３６０は、バッファアンプ３６１と、上記した２つのバンドパスフィルタ３４５Ｉ，３４５Ｑに対応した２つのミキサ３６２Ｉ，３６２Ｑおよび２つのバッファアンプ３６３Ｉ，３６３Ｑと、移相器３６４とを含んで構成されている。
【００５５】
この通信装置では、送信系回路３００ＡにＩチャンネルの送信データおよびＱチャンネルの送信データが入力されると、それぞれの送信データを以下の手順で処理する。すなわち、まず、ＤＡＣ３１１Ｉ、３１１Ｑにおいてアナログ信号に変換し、引き続きバンドパスフィルタ３１２Ｉ，３１２Ｑにおいて送信信号の帯域以外の信号成分を除去したのち、変調器３２０に供給する。続いて、変調器３２０において、バッファアンプ３２１Ｉ，３２１Ｑを介してミキサ３２２Ｉ，３２２Ｑに供給し、引き続き送信用ＰＬＬ回路３１３から供給される送信周波数に対応した周波数信号を混合して変調する。そののち、両混合信号を加算器３２４において加算することにより、１系統の送信信号とする。この際、ミキサ３２２Ｉに供給する周波数信号に関しては、移相器３２３において信号移相を９０°シフトさせることにより、Ｉチャンネルの信号とＱチャンネルの信号とが互いに直交変調されるようにする。最後に、バッファアンプ３２５を介して電力増幅器３１４に供給することにより、所定の送信電力となるように増幅する。この電力増幅器３１４において増幅された信号は、送受信切換器３０１および高周波フィルタ３０２を介してアンテナ３０３に供給されることにより、そのアンテナ３０３を介して無線送信される。この高周波フィルタ３０２は、通信装置において送信または受信する信号のうちの周波数帯域以外の信号成分を除去するバンドパスフィルタとして機能する。
【００５６】
一方、アンテナ３０３から高周波フィルタ３０２および送受信切換器３０１を介して受信系回路３００Ｂに信号が受信されると、その信号を以下の手順で処理する。すなわち、まず、高周波部３３０において、受信信号を低ノイズアンプ３３１で増幅し、引き続きバンドパスフィルタ３４１で受信周波数帯域以外の信号成分を除去したのち、バッファアンプ３３２を介してミキサ３３３に供給する。続いて、チャンネル選択用ＰＰＬ回路３４２から供給される周波数信号を混合し、所定の送信チャンネルの信号を中間周波信号とすることにより、バッファアンプ３３４を介して中間周波回路３５０に供給する。続いて、中間周波回路３５０において、バッファアンプ３５１を介してバンドパスフィルタ３４３に供給することにより中間周波信号の帯域以外の信号成分を除去する。そして、引き続きＡＧＣ回路３５２でほぼ一定のゲイン信号としたのち、バッファアンプ３５３を介して復調器３６０に供給する。続いて、復調器３６０において、バッファアンプ３６１を介してミキサ３６２Ｉ，３６２Ｑに供給したのち、中間周波用ＰＰＬ回路３４４から供給される周波数信号を混合し、Ｉチャンネルの信号成分とＱチャンネルの信号成分とを復調する。この際、ミキサ３６２Ｉに供給する周波数信号に関しては、移相器３６４において信号移相を９０°シフトさせることにより、互いに直交変調されたＩチャンネルの信号成分とＱチャンネルの信号成分とを復調する。最後に、Ｉチャンネルの信号およびＱチャンネルの信号をバンドパスフィルタ３４５Ｉ，３４５Ｑに供給することによりＩチャンネルの信号およびＱチャンネルの信号以外の信号成分を除去したのち、ＡＤＣ３４６Ｉ，３４６Ｑに供給してデジタルデータとする。これにより、Ｉチャンネルの受信データおよびＱチャンネルの受信データが得られる。
【００５７】
この通信装置は、上記各実施の形態等で説明した伝送線路素子をアンテナ３０３として搭載しているため、上記実施の形態等において説明した作用により、優れた高周波特性を有する。
【００５８】
（その他の変形例）
以上、実施の形態、変形例および適用例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。
【００５９】
例えば、上記実施の形態等では、支持部１４と導電体パターン層１７との間に、導電体パターン層１７を保持する保持層１６を設けた場合について説明したが、場合によっては、このような保持層１６を設けないようにしてもよい。
【００６０】
また、上記実施の形態等では、導電対パターン層１７の少なくとも一部分を基板１０側（基板面側）に変位させる場合について説明したが、この場合には限られない。すなわち、本発明は、導電対パターン層１７の少なくとも一部分を、逆に、基板１０側（基板面側）とは反対側に変位させる場合にも適用することが可能である。
【００６１】
更に、上記実施の形態等では、ＭＥＭＳによって形成されたアクチュエータの一例として、静電アクチュエータを挙げて説明したが、他のアクチュエータ（例えば、圧電アクチュエータ等）を用いるようにしてもよい。
【００６２】
加えて、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００６３】
加えてまた、上記実施の形態等では、本発明の伝送線路素子を携帯電話機などの通信装置に代表される電子機器に適用する場合について説明したが、これに限られるものではなく、通信装置以外の電子機器（例えば、計測器など）に適用することも可能である。これらのいずれの場合においても、上記実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００６４】
１，１Ａ…伝送線路素子、１Ｒ…右側伝送線路、１Ｌ…左側伝送線路、１０…基板、１１，１１１，１１２，１５…絶縁層、１５０，１６０…絶縁層（前駆体層）、１２１…下部電極、１２２…上部電極、１３…エッチングストッパ層、１４…支持部、１６…保持層、１７，１７Ａ…導電体パターン層（信号線路）、１７１…コンタクト部、１８，１８Ａ，１８Ｂ…非連続体、１９…駆動電圧供給部、２…逆Ｆアンテナ、３００Ａ…送信系回路、３００Ｂ…受信系回路、３０３…アンテナ、Ｇ…中空部、Ｓ…スリット、Ｔ１…犠牲層、ＣＨ…コンタクトホール、Ｌ１１，Ｌ１２…線路長、ａ…非連続体のサイズ、ｂ…非連続体間の間隔、ｃ…変位長、Ｐ１…給電点、Ｖａｃ…交流電源。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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