(57)【要約】【課題】フレア光の結像面への到達を確実に抑制する。【解決手段】光学系の最終光学素子（ミラー）ＰＭ６とウエハＷとの間の光路中に、複数の遮光板２１，２２及び駆動部２１ａ，２２ａを有し、開口部ＳＨの形状を変更可能なフレア絞りＳ３を設け、光学系のＮＡ絞りにより規定される開口数に連動して、フレア絞りＳ３の開口部ＳＨの形状を変更する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
極端紫外線を反射する複数の多層膜ミラーと、
前記極端紫外線を通過させる開口部を有し、前記極端紫外線のフレア光を遮光するフレア絞りとを備える光学系であって、
前記フレア絞りは、前記開口部の形状を変更する可変機構を有することを特徴とする光学系。
【請求項２】
前記光学系の開口数を規定するＮＡ絞りを更に備え、
前記可変機構は前記ＮＡ絞りの開口数に応じて前記開口部の形状を変更することを特徴とする請求項１に記載の光学系。
【請求項３】
前記ＮＡ絞りは可変ＮＡ絞りであって、
前記可変機構は前記可変ＮＡ絞りの開口数と連動して前記開口部の形状を変更することを特徴とする請求項２に記載の光学系。
【請求項４】
照明視野を規定する照明視野絞りを更に備え、
前記可変機構は前記照明視野絞りの絞り値に応じて前記開口部の形状を変更することを特徴とする請求項１に記載の光学系。
【請求項５】
前記照明視野絞りは可変照明視野絞りであって、
前記可変機構は前記可変照明視野絞りの絞り値と連動して前記開口部の形状を変更することを特徴とする請求項４に記載の光学系。
【請求項６】
極端紫外線を反射する複数の多層膜ミラーと、
前記極端紫外線を通過させる開口部を有し、前記極端紫外線のフレア光を遮光するフレア絞りとを備える光学系であって、
前記フレア絞りの前記光学系の光軸に沿う方向の位置を変更する可変機構を備えることを特徴とする光学系。
【請求項７】
前記光学系の開口数を規定するＮＡ絞りを更に備え、
前記可変機構は前記ＮＡ絞りの開口数に応じて前記フレア絞りの前記光軸に沿う方向の位置を変更することを特徴とする請求項６に記載の光学系。
【請求項８】
前記ＮＡ絞りは可変ＮＡ絞りであって、
前記可変機構は前記可変ＮＡ絞りの開口数と連動して前記フレア絞りの前記光軸に沿う方向の位置を変更することを特徴とする請求項７に記載の光学系。
【請求項９】
照明視野を規定する照明視野絞りを更に備え、
前記可変機構は前記照明視野絞りの絞り値に応じて前記フレア絞りの前記光軸に沿う方向の位置を変更することを特徴とする請求項６に記載の光学系。
【請求項１０】
前記照明視野絞りは可変照明視野絞りであって、
前記可変機構は前記可変照明視野絞りの絞り値と連動して前記フレア絞りの前記光軸に沿う方向の位置を変更することを特徴とする請求項９に記載の光学系。
【請求項１１】
前記フレア絞りは前記複数のミラーのうち前記光学系の結像面に最も近いミラーと該結像面との間に配置されることを特徴とする請求項１〜１０の何れか一項に記載の光学系。
【請求項１２】
前記フレア絞りは前記結像面の近傍に配置されることを特徴とする請求項１１に記載の光学系。
【請求項１３】
前記フレア絞りは前記結像面に最も近いミラーの近傍に配置されることを特徴とする請求項１１に記載の光学系。
【請求項１４】
前記光学系は少なくとも１つの中間結像面を有し、
前記フレア絞りは、前記複数のミラーのうち前記中間結像面を挟む一対のミラーの間に配置されることを特徴とする請求項１〜１０の何れか一項に記載の光学系。
【請求項１５】
前記フレア絞りは前記中間結像面の近傍に配置されることを特徴とする請求項１４に記載の光学系。
【請求項１６】
前記フレア絞りは前記中間結像面を挟む一対のミラーのうち一方のミラーの近傍に配置されることを特徴とする請求項１４に記載の光学系。
【請求項１７】
前記多層膜ミラーは、少なくとも２つの材料が交互に積層された多層膜が形成されていることを特徴とする請求項１〜請求項１６の何れか一項に記載の光学系。
【請求項１８】
第１面の像を第２面上に投影露光する露光装置であって、
請求項１〜１７の何れか一項に記載の光学系を備えることを特徴とする露光装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
露光された前記基板を現像する工程とを含むことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置等に用いて好適な光学系、該光学系を備える露光装置、及び該露光装置を用いる電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の微細化に伴い、光の回折限界によって制限される光学系の解像力を向上させるために、従来の紫外線に代えてこれより短い波長（５〜５０ｎｍ程度）のＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）光（極端紫外線）を使用した露光技術が開発されている。これにより、約２２〜４５ｎｍのパターンサイズの露光が可能になるものと期待されている。ＥＵＶ光の波長領域での物質の屈折率は１に近いため、従来のレンズのような透過屈折型の光学素子を使用することができず、反射型の光学素子であるミラーが使用される。
【０００３】
ＥＵＶ光を露光光とする露光装置（以下、ＥＵＶ露光装置という）は、ＥＵＶ光を発生する光源、光を整形する照明光学系、反射型のマスク、該マスク上の回路パターンをウエハ上に縮小投影する投影光学系等を備えて構成されている。光源としては、レーザプラズマ方式、放電プラズマ方式等が使用される。
【０００４】
照明光学系及び投影光学系としては、上述した通り、反射鏡（ミラー）を組み合わせた反射光学系が用いられる。投影光学系は、例えば、多層膜がコーティングされた４枚又は６枚のＥＵＶ反射鏡を備えている。これらの反射鏡は、多層膜の各界面における反射光の位相を一致させ、干渉効果によって高い反射率を実現するものである。
【０００５】
投影光学系の瞳面又はその近傍には、露光転写するパターンに応じて最適な開口数（ＮＡ：Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ）を規定するために、開口径を変更可能な可変タイプのＮＡ絞りが設けられている。また、照明光学系のマスクのパターン面と共役な面又はその近傍には、露光光の形状を規定するため、あるいは走査型の露光装置では露光量制御（Ｄｏｅｓ  Ｃｏｎｔｒｏｌ）を行うため、可変タイプの照明視野絞りが設けられている。
【０００６】
露光光の光路は、光の吸収を抑制するため、真空とされる必要があり、光学系を構成するミラー群は真空チャンバ内に収容されている。このようなＥＵＶ露光装置は、例えば、下記特許文献１に記載されている。
【０００７】
ところで、露光光（ＥＵＶ光）が光学系を構成する光学素子としてのミラーやマスクに照射されると、当該光学素子の反射面は高精度に仕上げられてはいるものの、その加工精度に応じて迷光（反射面の微小凹凸による乱反射等に起因する光）が発生する。この迷光のうちフレア光（露光光の本来の光束の外側に飛び出した光）が結像面に到達すると、該結像面における像のコントラストが低下する等、光学系の結像性能が悪化する。このようなフレア光を伴う露光光でウエハ（感光性基板）上にパターンを露光転写すると、高精度なパターンを形成することができない。
【０００８】
これに対策するための技術として、従来のフレア絞りは、例えば、図１３に示されるように、光学系の最終光学素子（結像面に最も近い光学素子）Ｌ２と結像面（ウエハＷの表面）との間の光路中に設けられた板状の固定絞り板１１０により構成されている。
【０００９】
固定絞り板１１０は開口部１１０ａを有しており、この開口部１１０ａは、結像面に到達するフレア光をより確実に遮蔽するため、光学系の瞳面又はその近傍に設けられる可変ＮＡ絞り１２０によって規定される最大ＮＡに対応し、最終光学素子Ｌ２により収斂される光線１０１の該固定絞り板１１０に対応する位置（高さ）における断面形状に略一致する形状となっている。
【００１０】
なお、同図では、光学素子としてレンズＬ１，Ｌ２を備える透過屈折型の光学系を表示しているが、これは説明又は図示を簡略にするためであり、複数のミラーを備える反射型の光学系であっても同様である。なお、同図において、Ｍは転写すべきパターンが形成されたマスクである。
【００１１】
しかしながら、ＮＡ絞り１２０によりＮＡがより小さい値（小ＮＡ値）に変更されると、図１４に示されるように、光学系の最終光学素子Ｌ２により収斂される光線１０２は、図１３における光線１０１よりも細くなり、従来のフレア絞りでは、固定絞り板１１０の開口部１１０ａの形状を変更することができないため、該開口部１１０ａと光線１０２との間にギャップＧＡが生じる。このため、このギャップＧＡを介して結像面にフレア光が到達してしまい、結像特性を悪化させる原因となっていた。なお、ここでは、可変ＮＡ絞りによりＮＡ値が変更された場合について説明したが、照明光学系に設けられる可変照明視野絞りの絞り値（形状）が変更された場合等においても、同様のことが言える。
【００１２】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、フレア光の結像面への到達をより確実に抑制して、結像性能の高い光学系を提供することを目的とする。また、そのような光学系を備える露光装置、及び該露光装置を用いる電子デバイスの製造方法を提供することも目的とする。
【特許文献１】国際公開第２００７／００４３５８号
【発明の開示】
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の第１の態様に係る光学系は、極端紫外線を反射する複数の多層膜ミラーと、前記極端紫外線を通過させる開口部を有し、前記極端紫外線のフレア光を遮光するフレア絞りとを備える光学系であって、前記フレア絞りは、前記開口部の形状を変更する可変機構を有することを特徴とする。
【００１４】
本発明の第１の態様に係る光学系において、前記光学系の開口数を規定するＮＡ絞りを更に備え、前記可変機構は前記ＮＡ絞りの開口数に応じて前記開口部の形状を変更するようにできる。この場合において、前記ＮＡ絞りは可変ＮＡ絞りであって、前記可変機構は前記可変ＮＡ絞りの開口数と連動して前記開口部の形状を変更するようにできる。
【００１５】
また、本発明の第１の態様に係る光学系において、照明視野を規定する照明視野絞りを更に備え、前記可変機構は前記照明視野絞りの絞り値に応じて前記開口部の形状を変更するようにできる。この場合において、前記照明視野絞りは可変照明視野絞りであって、前記可変機構は前記可変照明視野絞りの絞り値と連動して前記開口部の形状を変更するようにできる。
【００１６】
本発明の第２の態様に係る光学系は、極端紫外線を反射する複数の多層膜ミラーと、前記極端紫外線を通過させる開口部を有し、前記極端紫外線のフレア光を遮光するフレア絞りとを備える光学系であって、前記フレア絞りの前記光学系の光軸に沿う方向の位置を変更する可変機構を備えることを特徴とする。
【００１７】
本発明の第２の態様に係る光学系において、前記光学系の開口数を規定するＮＡ絞りを更に備え、前記可変機構は前記ＮＡ絞りの開口数に応じて前記フレア絞りの前記光軸に沿う方向の位置を変更するようにできる。この場合において、前記ＮＡ絞りは可変ＮＡ絞りであって、前記可変機構は前記可変ＮＡ絞りの開口数と連動して前記フレア絞りの前記光軸に沿う方向の位置を変更するようにできる。
【００１８】
また、本発明の第２の態様に係る光学系において、照明視野を規定する照明視野絞りを更に備え、前記可変機構は前記照明視野絞りの絞り値に応じて前記フレア絞りの前記光軸に沿う方向の位置を変更するようにできる。この場合において、前記照明視野絞りは可変照明視野絞りであって、前記可変機構は前記可変照明視野絞りの絞り値と連動して前記フレア絞りの前記光軸に沿う方向の位置を変更するようにできる。
【００１９】
本発明の第１又は第２の態様に係る光学系において、前記フレア絞りを前記複数のミラーのうち前記光学系の結像面に最も近いミラーと該結像面との間に配置することができる。この場合において、前記フレア絞りは前記結像面の近傍に配置することができる。また、前記フレア絞りは前記結像面に最も近いミラーの近傍に配置してもよい。
【００２０】
本発明の第１又は第２の態様に係る光学系において、前記光学系が少なくとも１つの中間結像面を有する場合には、前記フレア絞りを、前記複数のミラーのうち前記中間結像面を挟む一対のミラーの間に配置することができる。この場合において、前記フレア絞りは前記中間結像面の近傍に配置することができる。また、前記フレア絞りは前記中間結像面を挟む一対のミラーのうち一方のミラーの近傍に配置してもよい。
【００２１】
本発明の第１又は第２の態様に係る光学系において、前記多層膜ミラーとしては、少なくとも２つの材料が交互に積層された多層膜が形成されているものを用いることができる。
【００２２】
本発明の第３の態様に係る露光装置は、第１面の像を第２面上に投影露光する露光装置であって、上述した本発明に係る光学系を備えることを特徴とする。
【００２３】
本発明の第４の態様に係る電子デバイスの製造方法は、上述した本発明に係る露光装置を用いて基板を露光する工程と、露光された前記基板を現像する工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の第１の態様に係る光学系によれば、フレア絞りの開口部の形状を変更する可変機構を有しているので、例えば、ＮＡ絞りの開口形状や照明視野絞りの開口形状の変更等に伴い、フレア絞りを通過する光線の断面形状が変化した場合には、これに応じて、フレア絞りの開口部の形状を変更することができるため、フレア光の結像面への到達を、より確実に抑制することができ、結像性能の高い光学系を実現することができる。
【００２５】
本発明の第２の態様に係る光学系によれば、フレア絞りの光学系の光軸に沿う方向の位置を変更する可変機構を備えているので、例えば、ＮＡ絞りの開口形状や照明視野絞りの開口形状の変更等に伴い、フレア絞りを通過する光線の断面形状が変化した場合には、これに応じて、フレア絞りの光軸に沿う方向の位置を変更することができるため、フレア光の結像面への到達を、より確実に抑制することができ、結像性能の高い光学系を実現することができる。
【００２６】
また、本発明の第３の態様に係る露光装置によれば、このような結像性能の高い光学系を備えているので、露光精度を向上することができる。
【００２７】
さらに、本発明の第４の態様に係る電子デバイスの製造方法によれば、このような露光精度の高い露光装置を用いているので、高集積、高性能、高信頼な電子デバイスを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、投影露光装置の投影光学系に、本発明の光学系を適用した実施形態について、図面を参照して説明する。
【００２９】
〔露光装置の全体構成〕
図１は、本例の露光装置の概要を示す図である。本例の露光装置は、波長５ｎｍ〜１００ｎｍ程度の極紫外線光であるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  ＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）光を露光光として使用するＥＵＶ露光装置である。
【００３０】
本露光装置は、光源装置１からの露光用の照明光（露光光）ＩＬで反射型のマスクＭのパターン面（マスク面）を照明する照明光学系ＩＬＳと、マスクＭを載置し、マスクＭの位置決めを行うマスクステージＭＳと、マスクＭのパターン像をウエハＷ（感光性基板）上に投影する投影光学系（結像光学系）ＰＬと、ウエハＷを載置し、ウエハＷの位置決めを行うウエハステージＷＳを備える。
【００３１】
図１においては、ウエハＷの載置面の法線方向をＺ方向とし、Ｚ方向に垂直な平面内において図１の紙面に平行な方向をＹ方向、紙面に垂直な方向をＸ方向としている。なお、本露光装置は、マスクＭとウエハＷとを図１のＹ方向（以下、走査方向Ｙともいう）に走査移動させつつ、マスクＭ上のマスクパターンをウエハＷに投影する走査型露光装置である。
【００３２】
本例の露光装置は、その内部が真空雰囲気に維持される真空チャンバ１０を有しており、ＥＵＶ光の発光点からウエハＷまでの光路の全体は、真空チャンバ１０内に収められる。また、マスクステージＭＳには、不図示の静電チャック方式のマスクホルダが設けられ、そのマスクホルダによってマスクＭが保持される。同様に、ウエハステージＷＳには、不図示の静電チャック方式のウエハホルダが設けられ、そのウエハホルダによってウエハＷが保持される。さらに、マスクステージＭＳ及びウエハステージＷＳは、それぞれマスクステージ駆動部（不図示）及びウエハステージ駆動部（不図示）によって、Ｙ方向に所定ストロークで駆動可能であるとともに、Ｘ方向、Ｚ方向、Ｘ方向周りの回転方向であるθＸ方向、Ｙ方向回りの回転方向であるθＹ方向及びＺ方向回りの回転方向であるθＺ方向にも駆動可能である。
【００３３】
なお、不図示の制御部が配置されており、その制御部からマスクステージＭＳやウエハステージＷＳ等の本露光装置の各部に対して各種の指令を与える。レーザ励起型プラズマ光源又は放電励起型プラズマ光源等の光源装置１から射出された露光光は、コリメータミラー２により略平行光束とされ、照明光学系ＩＬＳに入射される。
【００３４】
照明光学系ＩＬＳに入射された露光光（照明光ＩＬ）は、オプティカルインテグレータ３に入射する。すなわち、照明光ＩＬは、反射型のオプティカルインテグレータ３を構成する第１のフライアイミラー３ａ（第１の均一化光学素子）と第２のフライアイミラー３ｂ（第２の均一化光学素子）とにより順次反射され、第２のフライアイミラー３ｂ上（又はその近傍）である照明光学系ＩＬＳの瞳面（照明光学系瞳面）に、所定の形状を有する実質的な面光源を形成する。
【００３５】
その後、照明光ＩＬは、フライアイミラー３ａとコンデンサミラー４との間の光路中であって、マスクＭのパターン面と共役な位置又はその近傍に配置された照明視野絞りＳ１によって円弧スリット状に整形される。照明視野絞りＳは、特に限定されないが、この実施形態では、照明光ＩＬを円弧スリット状又は矩形スリット状（この実施形態では円弧スリット状とする）に整形するための開口部を絞り値に応じて連続的に又は段階的に変更できるタイプの可変照明視野絞りである。照明視野絞りＳ１により整形された照明光ＩＬは、次いで、コンデンサミラー４によって集光され、光路折り曲げ用の平面ミラー５によって偏向されて、マスクＭのパターン面を円弧スリット状の照明光ＩＬとしてほぼ均一に照明する。
【００３６】
マスクＭのパターン面により反射されて投影光学系ＰＬに入射した照明光ＩＬ（露光光）は、第１ミラーＰＭ１によって反射され、投影光学系ＰＬの瞳面又はその近傍に配置された開口絞りＳ２を介した後、第２ミラーＰＭ２に入射する。第２ミラーＰＭ２で反射された照明光ＩＬ（露光光）は、第３ミラーＰＭ３、第４ミラーＰＭ４、第５ミラーＰＭ５、第６ミラーＰＭ６の順に反射されて、ウエハＷ上の露光領域にマスクパターンの像を形成する。
【００３７】
投影光学系ＰＬを構成する各ミラーＰＭ１〜ＰＭ６は、低熱膨張ガラス製のミラー基板の表面に、少なくとも２つの材料が互いに積層された多層膜を有する反射型光学素子である。多層膜としては、波長１３．５ｎｍに反射ピークを有するモリブデン（Ｍｏ）とシリコン（Ｓｉ）を例えば４０〜５０層程度交互に積層して構成されるものを用いることができる。なお、照明光学系ＩＬＳを構成するミラー等も同様に構成されている。
【００３８】
第２ミラーＰＭ２と第３ミラーＰＭ３との間の光路中であって、投影光学系ＰＬの瞳面又はその近傍には、ＮＡ絞りＳ２が設けられている。ＮＡ絞りＳ２は、投影光学系ＰＬの瞳を通過する光束について、ＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ａｐｅｒｔｕｒｅ：開口数）を規定するものであり、この実施形態のＮＡ絞りＳ２は、円形又は楕円形の開口を形成するための複数の遮光羽根とこれらを適宜移動させる駆動部とを備え、その開口径を連続的に又は段階的に変更可能な可変ＮＡ絞りである。なお、ＮＡ絞りＳ２としては、このような複数の遮光羽根と駆動部とを備える構成のもの以外に、互いに開口形状の異なる開口がそれぞれ形成された複数の絞り板を、当該光路中に交換して配置するような構成のものであってもよい。この場合において、各絞り板の交換は、駆動部を設けて自動的に行い得るようにしてもよいし、手動で交換し得るようにしてもよい。また、ＮＡ絞りＳ２の構成は、その他の構成であってもよい。
【００３９】
なお、光源装置１から射出される光には、露光に寄与するＥＵＶ光（極端紫外線）以外にも、可視光や紫外光、赤外光などの露光に寄与しない非露光光（ＯｕｔＯｆＢａｎｄ光）も含まれることがあり、これらの非露光光も後段に配置されるミラー等により反射され、フレア光の原因になるとともに、特に可視光や赤外光は、後段に配置されるミラーに熱変形などをもたらすことがあり、好ましくない。このため、図示は省略するが、照明光学系ＩＬＳの上流側に、これらの非露光光をカットするフィルタを設けるとよい。このようなフィルタは、例えば、コリメータミラー２と第１のフライアイミラー３ａの間の光路中に設けることができる。
【００４０】
このようなフィルタを設けることにより、下流側のミラー等に到達する非露光光の量を低減でき、従って該非露光光に起因するフレア光の発生も少なくすることができるとともに、ミラーの熱変形なども小さくすることができる。但し、本実施形態では、後述するフレア絞りを設けているため、このようなフィルタを設けない場合においても、当該非露光光に起因するフレア光も含めて、ＥＵＶ光に起因するフレア光を、確実に遮光することができる。
【００４１】
なお、本願特許請求の範囲及び明細書中で用いている「極端紫外線」という用語は、上述したような光源の性能等に起因して付随的に発生する可視光や紫外光、赤外光などの光を含まない厳密な意味での極端紫外線を言う場合と、そのような可視光や紫外光、赤外光などの光を含む極端紫外線を言う場合とがある。
【００４２】
投影光学系ＰＬの最終光学素子としての第６ミラーＰＭ６とウエハＷとの間の光路中には、フレア絞りＳ３又はＳ５が設けられている。フレア絞りＳ３又はＳ５は、上述した視野形状を規定する照明視野絞りＳ１やＮＡを規定するＮＡ絞りＳ２とは目的が異なり、上流側のミラー（３〜５，ＰＭ１〜ＰＭ６）やマスクＭの反射面での乱反射などによって発生するフレア光が結像面（ウエハＷの表面）に到達することを防止ないし抑制するための装置である。以下に、第１実施形態としてフレア絞りＳ３について、及び第２実施形態としてフレア絞りＳ５について、詳細に説明する。
【００４３】
〔第１実施形態〕
図２〜図４は本発明の第１実施形態に係るフレア絞りＳ３の構成を説明するための図である。
【００４４】
フレア絞りＳ３は、第６ミラーＰＭ６とウエハＷとの間の光路中に設けられている。フレア絞りＳ３のＺ方向の位置は、第６ミラーＰＭ６とウエハＷとの間の光路中であれば、何れの位置でもよく、結像面（ウエハＷの表面）の近傍でも、ミラーＰＭ６の近傍でも、これらの中間位置でもよい。フレア光の除去の観点からは、なるべく結像面に近いことが望ましいが、結像面近傍には、オートフォーカス系（不図示）やアライメントセンサ（不図示）の光路などが存在しているため、あるいは光学系の設計によってはミラーＰＭ５等が存在することがあるため、この実施形態では、これらに干渉ないし影響を与えない程度であって、該結像面になるべく近い位置（図２及び図３では符号Ｚ１で表示された位置）に設定されている。但し、このような事情がない場合には、結像面近傍に位置させるとよい。
【００４５】
このフレア絞りＳ３は、フレア光以外の光を透過させる開口部を規定するため、それぞれ薄い板状体からなる４枚の遮光板２１〜２４（図２及び図３では、遮光板２１及び遮光板２２の２枚のみ表示）を備えている。遮光板２１〜２４はそれぞれの板面がＸ−Ｙ平面に略平行する面に設定されている。遮光板２１〜２４の材料としては、熱伝導率の高い金属などが望ましく、例えばステンレス鋼を用いることができる。また、遮光板２１〜２４の材料は、露光光のみを遮蔽させる材料であればよく、アライメントに使用されるアライメント光やオートフォーカスに使用されるオートフォーカス光などは透過させる材料でもよく、例えば石英などのガラスを用いることができる。
【００４６】
遮光板２１は、駆動部２１ａにより、Ｙ方向に沿ってそれぞれスライド（進退）可能に保持されるとともに、Ｙ方向の任意の位置で位置決め可能にスライド駆動される。遮光板２２は、駆動部２２ａにより、Ｙ方向に沿ってそれぞれスライド（進退）可能に保持されるとともに、Ｙ方向の任意の位置で位置決め可能にスライド駆動される。遮光板２３は、駆動部２３ａにより、Ｘ方向に沿ってそれぞれスライド（進退）可能に保持されるとともに、Ｘ方向の任意の位置で位置決め可能にスライド駆動される。遮光板２４は、駆動部２４ａにより、Ｘ方向に沿ってそれぞれスライド（進退）可能に保持されるとともに、Ｘ方向の任意の位置で位置決め可能にスライド駆動される。
【００４７】
各駆動部２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａとしては、ピエゾ素子と変位拡大機構等を備えるピエゾアクチュエータ、リニアモータ、あるいはステッピングモータとラックアンドピニオンからなるもの等を用いることができる。また、各駆動部２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａは、各遮光板２１〜２４のそれぞれの位置を検出するための位置検出センサを備えており、各遮光板２１〜２４を高精度に位置決めできるようになっている。
【００４８】
この実施形態では、遮光板２１及び遮光板２２の互いに相対する内辺２１ｂ，２２ｂは円弧状となっており、遮光板２３及び遮光板２４の互いに相対する内側の辺２３ｂ，２４ｂは直線状となっている。照明光学系ＩＬＳの照明視野絞りＳ１によって規定される照明領域の形状（すなわち、ウエハＷの表面における露光光の形状）がこの実施形態では円弧スリット状であるため、これらの辺２１ｂ，２２ｂ，２３ｂ，２４ｂによって規定される開口部ＳＨの形状が、該円弧スリット状の照明領域の形状に略相似する形状を画成できるようになっている。なお、当該照明領域の形状が矩形スリット状である場合には、図５に示されるように、遮光板２１及び遮光板２２の互いに対応する辺は２１ｂ，２２ｂは、直線状に形成される。すなわち、これらの遮光板２１〜２４のそれぞれの内辺２１ｂ，２２ｂ，２３ｂ，２４ｂは、照明視野絞りＳ１の開口形状に略相似する形状を画成できるように形成されている。
【００４９】
また、この実施形態では、フレア絞りＳ３には、ペルチェ素子等を備える冷却機構（不図示）が付設されている。ＥＵＶ露光装置の光学系内部は真空とされるため、フレア絞りＳ３は断熱状態に近い環境下に配置されることとなる。そのため、フレア絞りＳ３にＥＵＶ光の一部が照射されると温度上昇をきたし易く、熱変形が起こることも想定されるが、この冷却機構で冷却することで、フレア絞りＳ３の温度上昇が抑制できる。冷却機構としては、冷媒を循環させるタイプのものを用いてもよい。
【００５０】
図１のＮＡ絞りＳ２が例えば最大ＮＡに設定された状態では、図２に示されているように、投影光学系ＰＬの最終光学素子としてのミラーＰＭ６により収斂される光線ＩＬ１の主光線ＩＬＭに対する最大角度θ１は比較的に大きい。このため、フレア絞りＳ３の遮光板２１及び遮光板２２、遮光板２３及び遮光板２４は、これらを駆動する駆動部２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａによって、それぞれ互いに離間する方向に駆動され、それぞれの内辺２１ｂ，２２ｂ，２３ｂ，２４ｂが、フレア絞りＳ３のミラーＰＭ６により収斂される光線ＩＬ１の符号Ｚ１で示す位置におけるＸ−Ｙ平面に平行な断面の形状に略一致するように、広げられた状態で位置決めされている。
【００５１】
従って、ＮＡ絞りＳ２が最大ＮＡに設定された場合において、該フレア絞りＳ３よりも前側で発生しているフレア光は、各遮光板２１〜２４によって遮光され、結像面（ウエハＷの表面）に到達するフレア光を最小限に抑制することができる。
【００５２】
一方、図１のＮＡ絞りＳ２が例えば最小ＮＡに設定された状態では、図３に示されているように、投影光学系ＰＬの最終光学素子としてのミラーＰＭ６により収斂される光線ＩＬ２の主光線ＩＬＭに対する最大角度θ２はθ１よりも小さくなる。このため、フレア絞りＳ３の遮光板２１及び遮光板２２、遮光板２３及び遮光板２４は、これらを駆動する駆動部２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａによって、それぞれ互いに近接する方向に駆動され、それぞれの内辺２１ｂ，２２ｂ，２３ｂ，２４ｂが、フレア絞りＳ３のミラーＰＭ６により収斂される光線ＩＬ２の位置Ｚ１におけるＸ−Ｙ平面に平行な断面の形状に略一致するように、狭められた位置に位置決めされる。従って、ＮＡ絞りが最小ＮＡに設定された場合においても、該フレア絞りＳ３よりも前側に存在しているフレア光は、各遮光板２１〜２４によって遮光され、結像面（ウエハＷの表面）に到達するフレア光を最小限にすることができる。
【００５３】
なお、ここでは、ＮＡが最大ＮＡに設定された場合と最小ＮＡに設定された場合について説明したが、最大ＮＡと最小ＮＡとの間の任意の中間ＮＡに設定された場合であっても、これに対応（連動）して開口部ＳＨの形状が変更されることは同様であるので、その詳細説明は省略する。
【００５４】
このように、ＮＡ絞りＳ２により、ＮＡが変更された場合には、そのＮＡ値の変更に連動させて、フレア絞りＳ３の各遮光板２１〜２４を、これらを駆動する駆動部２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａを介して適宜にスライド駆動させるようにしている。これにより、ＮＡの変更により、ミラーＰＭ６によって収斂される光線ＩＬ１，ＩＬ２の形状が変化しても、常に最適な状態でフレア光を遮光することができる。従って、高精度な露光が可能となる。
【００５５】
なお、照明視野絞りＳ１の絞り値の変化、すなわち開口形状の変化によっても、ミラーＰＭ６によって収斂される光線の形状が変化するが、ＮＡの変更の場合と同様に対応すればよいので、これについてもその詳細説明は省略する。なお、ＮＡ絞りＳ２によるＮＡ値及び照明視野絞りＳ１による絞り値の両方が変更される場合には、これらの両方の変更に伴う、ミラーＰＭ６によって収斂される光線の形状変化に応じて、フレア絞りＳ３を作動させればよい。
【００５６】
上述した実施形態においては、ＮＡ絞りＳ２によるＮＡ値及び／又は照明視野絞りＳ１による絞り値に応じて、４枚の遮光板２１〜２４及び駆動部２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａを有するフレア絞りＳ３で、その開口形状を自動的に変更するようにしたが、互いに開口形状の異なる開口部がそれぞれ形成された複数の遮光板、及び必要に応じてこれらの交換機構を設けて、ＮＡ絞りＳ２によるＮＡ値及び／又は照明視野絞りＳ１による絞り値の変更に応じて、手動で又は自動で交換できるように構成してもよい。
【００５７】
また、上述した実施形態においては、ミラーＰＭ６とウエハＷとの間の光路中にフレア絞りＳ３を配置したが、投影光学系ＰＬの光路中に中間結像面がある場合には、フレア絞りＳ３に代えて又はこれに加えて、該フレア絞りＳ３と同様の構成を有するフレア絞りを、当該中間結像面を有するミラー間の光路中に設けることができる。例えば、図１に示されるように、ミラーＰＭ４とミラーＰＭ５との間に中間結像面ＩＰがある場合には、ミラーＰＭ４とミラーＰＭ５との間の光路中にフレア絞りＳ４を設けることができる。この場合において、該フレア絞りＳ４を設ける位置は、ミラーＰＭ４の近傍、ミラーＰＭ５の近傍、又はこれらの間の何れの位置であってもよいが、当該中間結像面ＩＰの近傍に設けることが好ましい。
【００５８】
また、そのような中間結像面が投影光学系ＰＬ中に複数存在する場合には、当該複数の中間結像面のうちの２以上にそれぞれフレア絞りＳ３と同様の構成のフレア絞りを設けてもよい。なお、ここでは、投影光学系ＰＬにフレア絞りを設ける場合について説明したが、照明光学系ＩＬＳ内に中間結像面がある場合には、当該中間結像面の近傍に、フレア絞りＳ３と同様の構成を有するフレア絞りを設けてもよい。
【００５９】
フレア絞りを光学系中に複数設けることにより、フレア光の結像面（ウエハＷの表面）への到達をさらに効果的に抑制することができる。
【００６０】
〔第２実施形態〕
図６〜図８は本発明の第２実施形態に係るフレア絞りＳ５の構成を説明するための図である。
【００６１】
フレア絞りＳ５は、第６ミラーＰＭ６とウエハＷとの間の光路中に設けられている。フレア絞りＳ５のＺ方向の位置は、第６ミラーＰＭ６とウエハＷとの間の光路中であれば、何れの位置でもよく、結像面（ウエハＷの表面）の近傍でも、ミラーＰＭ６の近傍でも、これらの中間位置でもよい。フレア光の除去の観点からは、なるべく結像面に近いことが望ましいが、結像面近傍には、オートフォーカス系（不図示）やアライメントセンサの光路などが存在しているため、あるいは光学系の設計によってはミラーＰＭ５等が存在することがあるため、この実施形態では、これらに干渉ないし影響を与えない程度であって、該結像面になるべく近い位置（図６及び図７では符号Ｚ１〜Ｚ３で表示された位置）に設定されている。但し、このような事情がない場合には、結像面近傍に位置させるとよい。なお、この第２実施形態のフレア絞りＳ５は、後述するようにＺ方向にスライドされるため、そのストロークを考慮して、Ｚ方向の位置が設定される。
【００６２】
このフレア絞りＳ５は、単一の薄い板状体からなる遮光板３１を備えている。遮光板３１はフレア光以外の光を透過させる開口部を有しており、その板面がＸ−Ｙ平面に略平行する面に設定されている。遮光板３１の材料としては、熱伝導率の高い金属などが望ましく、例えばステンレス鋼を用いることができる。また、遮光板３１の材料は、露光光のみを遮蔽させる材料であればよく、アライメントに使用されるアライメント光やオートフォーカスに使用されるオートフォーカス光などは透過させる材料でもよく、例えば石英などのガラスを用いることができる。
【００６３】
遮光板３１は、駆動部３１ａにより、Ｚ方向に沿ってスライド（上下動）可能に保持されるとともに、Ｚ方向の任意の位置で位置決め可能にスライド駆動される。
【００６４】
駆動部３１ａとしては、ピエゾ素子と変位拡大機構を備えるピエゾアクチュエータ、リニアモータ、ステッピングモータとラックアンドピニオンからなるもの等を用いることができる。また、駆動部３１ａは、遮光板３１のＺ方向の位置を検出するための位置検出センサを備えており、遮光板３１をＺ方向の任意の位置で高精度に位置決めできるようになっている。
【００６５】
この実施形態では、遮光板３１に形成されている開口部ＳＨは、図８に最もよく示されているように、照明光学系ＩＬＳの照明視野絞りＳ１によって規定される照明領域の形状（すなわち、ウエハＷの表面における露光光の形状）がこの実施形態では円弧スリット状であるため、該円弧スリット状の照明領域の形状に略相似する形状を画成できるように形成されている。なお、当該照明領域の形状が矩形スリット状である場合には、遮光板３１の開口はこれに対応する長方形に形成される。
【００６６】
また、この実施形態では、フレア絞りＳ５には、ペルチェ素子等を備える冷却機構（不図示）が付設されている。ＥＵＶ露光装置の光学系内部は真空とされるため、フレア絞りＳ５は断熱状態に近い環境下に配置されることとなる。そのため、フレア絞りＳ５にＥＵＶ光一部が照射されると温度上昇をきたし易く、熱変形が起こることも想定されるが、この冷却機構で冷却することで、フレア絞りＳ５の温度上昇が抑制できる。冷却機構としては、冷媒を循環させるタイプのものを用いてもよい。
【００６７】
図１のＮＡ絞りＳ２が例えば最大ＮＡに設定された状態では、図６に示されているように、投影光学系ＰＬの最終光学素子としてのミラーＰＭ６により収斂される光線ＩＬ１の主光線ＩＬＭに対する最大角度θ１は比較的に大きい。このため、フレア絞りＳ５の遮光板３１は、開口部ＳＨが、フレア絞りＳ５のミラーＰＭ６により収斂される光線ＩＬ１のＸ−Ｙ平面に平行な断面の形状に略一致するような符号Ｚ２で示す位置に位置決めされている。
【００６８】
このように、フレア絞りＳ５の遮光板３１は、その開口部ＳＨが、フレア絞りＳ５のミラーＰＭ６により収斂される光線ＩＬ１のＺ方向の位置Ｚ１におけるＸ−Ｙ平面に平行な断面の形状に略一致する位置に位置決めされている。従って、ＮＡ絞りＳ２が最大ＮＡに設定された場合において、該フレア絞りＳ５よりも前側で発生しているフレア光は、遮光板３１によって遮光され、結像面（ウエハＷの表面）に到達するフレア光を最小限に抑制することができる。
【００６９】
一方、図１のＮＡ絞りＳ２が例えば最小ＮＡに設定された状態では、図７に示されているように、投影光学系ＰＬの最終光学素子としてのミラーＰＭ６により収斂される光線ＩＬ２の主光線ＩＬＭに対する最大角度θ２はθ１よりも小さくなる。このため、フレア絞りＳ５の駆動部３１ａを作動させて、遮光板３１を＋Ｚ方向に移動させて、開口部ＳＨが、フレア絞りＳ５のミラーＰＭ６により収斂される光線ＩＬ２のＸ−Ｙ平面に平行な断面の形状に略一致するように、遮光板Ｓ５を上昇させた位置Ｚ３に位置決めされている。従って、ＮＡ絞りが最小ＮＡに設定された場合においても、該フレア絞りＳ５よりも前側に存在しているフレア光は、遮光板３１によって遮光され、結像面（ウエハＷの表面）に到達するフレア光を最小限にすることができる。
【００７０】
なお、ここでは、ＮＡが最大ＮＡに設定された場合と最小ＮＡに設定された場合について説明したが、最大ＮＡと最小ＮＡとの間の任意の中間ＮＡに設定された場合であっても、同様に遮光板３１のＺ方向の位置を調整することにより対応できるので、その詳細説明は省略する。
【００７１】
このように、ＮＡ絞りＳ２により、ＮＡが変更された場合には、そのＮＡ値の変更に連動させて、フレア絞りＳ５の遮光板３１を、これを駆動する駆動部３１ａを介して適宜にＺ方向にスライドさせるようにしている。これにより、ＮＡの変更により、ミラーＰＭ６によって収斂される光線ＩＬ１，ＩＬ２の形状が変化しても、常に最適な状態でフレア光を遮光することができる。従って、高精度な露光が可能となる。
【００７２】
なお、照明視野絞りＳ１の絞り値の変化、すなわち開口形状の変化によっても、ミラーＰＭ６によって収斂される光線の形状が変化するが、ＮＡの変更の場合と同様に対応すればよいので、これについてもその詳細説明は省略する。なお、ＮＡ絞りＳ２によるＮＡ値及び照明視野絞りＳ１による絞り値の両方が変更される場合には、これらの両方の変更に伴う、ミラーＰＭ６によって収斂される光線の形状変化に応じて、フレア絞りＳ５を作動させればよい。
【００７３】
上述した実施形態においては、ＮＡ絞りＳ２によるＮＡ値及び／又は照明視野絞りＳ１による絞り値に応じて、単一の遮光板３１及び駆動部３１ａを有するフレア絞りＳ５で、そのＺ方向の位置（高さ）を自動的に変更するようにしたが、駆動部を省略して、遮光板３１のＺ方向の位置を手動により調整するように構成してもよい。
【００７４】
また、上述した実施形態においては、ミラーＰＭ６とウエハＷとの間の光路中にフレア絞りＳ５を配置したが、投影光学系ＰＬの光路中に中間結像面がある場合には、フレア絞りＳ５に代えて又はこれに加えて、該フレア絞りＳ５又は上述した第１実施形態に係るフレア絞りＳ３と同様の構成を有するフレア絞りを、当該中間結像面を有するミラー間の光路中に設けることができる。例えば、図１に示されるように、ミラーＰＭ４とミラーＰＭ５との間に中間結像面ＩＰがある場合には、ミラーＰＭ４とミラーＰＭ５との間の光路中にフレア絞りＳ４を設けることができる。この場合において、該フレア絞りＳ４を設ける位置は、ミラーＰＭ４の近傍、ミラーＰＭ５の近傍、又はこれらの間の何れの位置であってもよいが、当該中間結像面ＩＰの近傍に設けることが好ましい。
【００７５】
また、そのような中間結像面が投影光学系ＰＬ中に複数存在する場合には、当該複数の中間結像面のうちの２以上にそれぞれフレア絞りＳ５又は上述した第１実施形態に係るフレア絞りＳ３と同様の構成のフレア絞りを設けてもよい。なお、ここでは、投影光学系ＰＬにフレア絞りを設ける場合について説明したが、照明光学系ＩＬＳ内に中間結像面がある場合には、当該中間結像面の近傍に、フレア絞りＳ３又は上述した第１実施形態に係るフレア絞りＳ３と同様の構成のフレア絞りを設けてもよい。
【００７６】
フレア絞りを複数設けることにより、フレア光の結像面（ウエハＷの表面）への到達をさらに効果的に抑制することができる。
【００７７】
〔その他〕
上述した第１実施形態において、フレア絞りＳ３を構成する４枚の遮光板２１〜２４の開口部ＳＨの内面（内辺２１ｂ，２２ｂ，２３ｂ，２４ｂに係る内面）の形状は、図２又は図３に示されているように、板面に対して略直交する平面となっている。この内面の形状は、図９に示されているように、上面から下面に向かって幅が拡大するような斜面としてもよい。また、図１０に示されているように、下面から上面に向かって幅が拡大するような斜面としてもよい。さらに、図１１に示されているように、上面から中間部分に向かって幅が縮小し、該中間部分から下面に向かって幅が拡大するような略Ｖ字状の面としてもよい。図９又は図１０に示したものは、当該斜面の傾斜角度を適宜に設定した上で、規定する光束の収束又は発散方向に応じて選択するとよい。図１１に示したものは、規定する光束の収束又は発散方向にかかわらず、使用可能である点で好適に用いることができる。
【００７８】
なお、上述した第２実施形態において、フレア絞りＳ５を構成する単一の遮光板３１の開口部ＳＨの内面（内側端面）の形状についても、上述したものと同様である。
【００７９】
上述した実施形態における投影光学系ＰＬは、上述の６枚の非球面の各ミラーＰＭ１〜ＰＭ６で構成される光学系に限られるものではなく、８枚のミラーや１０枚のミラーなど、他の枚数のミラーからなる反射光学系を用いることもできる。
【００８０】
また、本実施形態における露光装置に用いられるミラー（例えば、コリメータミラー２、照明光学系ＩＬＳ及び投影光学系ＰＬの各ミラー）は、ＥＵＶ光を反射させるために、反射面に多層膜が形成されているが、この多層膜は、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜以外に、Ｍｏ／Ｂｅ多層膜などで構成されていてもよい。さらに、本実施形態の光源装置１から射出されるＥＵＶ光（露光光）のピーク波長は、１３．５ｎｍに限られず、１１．８ｎｍであってもよい。
【００８１】
また、以上の説明においては、露光対象となる基板として半導体ウエハＷを想定したが、露光対象となる基板は半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスク又はレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）、又はフィルム部材などであってもよい。また、その基板は、その形状が円形に限られるものではなく、矩形など他の形状でもよい。
【００８２】
さらに、本実施形態の光学系を適用する露光装置の形態は、上述したマスクＭとウエハＷとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）に限らず、マスクＭとウエハＷとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、ウエハＷを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）であってもよい。
【００８３】
上述した本実施形態の走査型露光装置は、本願特許請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることは言うまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が完了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は、温度及びクリーン度等が管理されたクリーンルーム内で行うことが望ましい。
【００８４】
次に、本実施形態における露光装置を用いた電子デバイスの製造方法について説明する。上記の実施形態の露光装置を用いて半導体デバイス等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造する場合、電子デバイスは、図１２に示す如く、電子デバイスの機能・性能設計を行うステップＳＴ１１１、この設計ステップＳＴ１１１に基づいたマスク（レチクル）を製作するステップＳＴ１１２、デバイスの基材である基板（ウエハ）を製造するステップＳＴ１１３、前述した実施形態の露光装置によりマスクのパターンを基板へ露光転写する工程、露光した基板を現像する工程、現像した基板の加熱（キュア）及びエッチング工程などを含む基板処理ステップＳＴ１１４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージング工程などの加工プロセスを含む）ＳＴ１１５、並びに検査ステップＳＴ１１６等を経て製造される。言い換えると、このデバイスの製造方法は、リソグラフィ工程を含み、そのリソグラフィ工程で上記の実施形態の露光装置を用いて感光性基板を露光している。
【００８５】
なお、本発明は上述した全ての構成要素を適宜組み合わせて用いる事が可能であり、また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明の実施形態におけるＥＵＶ露光装置の概略構成を示す正面図である。
【図２】本発明の第１実施形態における投影光学系の要部を示す正面図である。
【図３】本発明の第１実施形態における投影光学系の要部を示す正面図である。
【図４】本発明の第１実施形態におけるフレア絞りの構成を示す平面図である。
【図５】本発明の第１実施形態における他のフレア絞りの構成を示す平面図である。
【図６】本発明の第２実施形態における投影光学系の要部を示す正面図である。
【図７】本発明の第２実施形態における投影光学系の要部を示す正面図である。
【図８】本発明の第２実施形態におけるフレア絞りの構成を示す平面図である。
【図９】本発明の第１又は第２実施形態におけるフレア絞りの開口部の内面の構成を示す断面図である。
【図１０】本発明の第１又は第２実施形態におけるフレア絞りの開口部の内面の他の構成を示す断面図である。
【図１１】本発明の第１又は第２実施形態におけるフレア絞りの開口部の内面のさらに他の構成を示す断面図である。
【図１２】本発明の実施形態における電子デバイスの製造方法の概要を示す図である。
【図１３】従来技術の光学系の問題点を説明するための側面図である。
【図１４】従来技術の光学系の問題点を説明するための側面図である。
【符号の説明】
【００８７】
１…光源装置、ＩＬＳ…照明光学系、ＰＬ…投影光学系、ＰＭ１〜ＰＭ６…ミラー、Ｍ…マスク、Ｗ…ウエハ、Ｓ１…照明視野絞り、Ｓ２…ＮＡ絞り、Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５…フレア絞り、２１，２２，２３，２４，３１…遮光板、ＳＨ…開口部、２１ａ，２２ａ，２３ａ，２４ａ，３１ａ…駆動部、Ｚ１，Ｚ２，Ｚ３…Ｚ方向の位置、ＩＰ…中間結像面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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