(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体装置の製造工程において配線基板を個片分割する際に、配線基板にクラックが発生又は進展することを抑制して配線基板の断線を防止することにより、品質の向上を図ることができる半導体装置及び当該半導体装置を効率よく製造することができる方法を提供する。【解決手段】半導体装置２０は、多連配線基板の主面であって半導体素子が実装され樹脂封止される領域の外側に溝部２８を形成する工程と、前記領域に実装された前記半導体素子を樹脂封止する工程と、前記半導体素子が実装され樹脂封止された前記多連配線基板の前記主面であって、溝部２８よりも外側の箇所で前記多連配線基板を切断する工程と、を有する。【選択図】図７
2010062429.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多連配線基板が切断されて形成された配線基板に半導体素子が実装され樹脂封止された構造を有する半導体装置の製造方法において、
前記多連配線基板の主面であって、前記半導体素子が実装され樹脂封止される領域の外側に溝部を形成する工程と、
前記領域に実装された前記半導体素子を樹脂封止する工程と、
前記半導体素子が実装され樹脂封止された前記多連配線基板の前記主面であって、前記溝部よりも外側の箇所で前記多連配線基板を切断する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記溝部を形成する工程は、
前記多連配線基板と電気的に絶縁されたスルーホールを形成する工程と、
前記スルーホールを含む面にて前記多連配線基板を切断する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
多連配線基板が切断されて形成された配線基板に半導体素子が実装され樹脂封止された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
前記多連配線基板の主面であって、前記半導体素子が実装され樹脂封止される領域の外側に、前記多連配線基板に貫通溝部を形成する工程と、
前記多連配線基板の裏面に、前記溝部の内側の領域から前記溝部の外側の領域にわたる補強部材を貼り付ける工程と、
前記領域に実装された前記半導体素子を樹脂封止する工程と、
前記半導体素子を樹脂封止した後、金型の第1の部分を前記多連配線基板の主面側から前記溝部に挿入し、前記第1の部分の押圧により前記補強部材を前記多連配線基板の裏面から剥がす工程と、
前記補強部材を剥がした後、前記金型の第２の部分の押圧により前記多連配線基板を前記溝部にて切断する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
配線基板と、
前記配線基板の主面に実装される半導体素子と、
前記半導体素子を封止する封止樹脂と、
前記配線基板の主面であって、前記封止樹脂の外側に形成された溝部と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置において、
前記溝部は、前記配線基板のコーナー部に形成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項４又は５記載の半導体装置において、
前記溝部は、前記配線基板を貫通する前記略半円状の断面を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項４乃至６いずれか一項記載の半導体装置において、
前記溝部は、第１の溝部と、前記第１の溝部の外側に位置する第２の溝部と、を有することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置構造及びその製造方法に関し、より具体的には、配線基板の主面であって半導体素子が実装された面が樹脂封止されてなる半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型化・高密度化・高機能化に伴い、電子部品の小型化・薄型化が要求されている。そこで、小型化により実装面積を低減させた高密度実装に優れたパッケージとして、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ：Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）等の表面実装型パッケージが提案されている。
【０００３】
図１に、かかるＢＧＡパッケージ構造を有する半導体装置１０を示す。半導体装置１０にあっては、配線基板（支持基板、インターポーザ）１の上に、半導体集積回路素子（以下、半導体素子と称する）２が載置され、配線基板１の電極端子（図示を省略）と半導体素子２の外部接続端子（図示を省略）とは、例えば金（Ａｕ）等から成るボンディングワイヤ３によって接続されている。
【０００４】
配線基板１は、例えば、ガラスエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を基材とし、一方の主面に銅（Ｃｕ）等からなる導電層が選択的に配設されている。当該導電層は、配線基板１と半導体素子２とを接続するボンディングワイヤ３が接続される領域を除いてソルダーレジスト層により選択的に被覆されている。
【０００５】
また、配線基板１の他方の主面にも、銅（Ｃｕ）等からなる導電層が選択的に配設され、当該導電層はソルダーレジスト層により選択的に被覆されている。導電層には、半田を主体とする球状電極端子等の外部接続端子（バンプ）４が配設されている。
【０００６】
半導体素子２は、シリコン（Ｓｉ）半導体基板を用い、周知の半導体製造プロセスをもって形成され、上面にはボンディングワイヤ３が接続される外部接続端子（電極パッド）が設けられている。そして、半導体素子２の背面（電子回路素子・電子回路などの非形成面）と配線基板１の一方の主面との間には、例えばダイボンディングフィルム等のダイボンディング材からなる接着剤（図示を省略）が設けられ、これによって半導体素子２は配線基板１に接着固定されている。
【０００７】
更に、半導体素子２及びボンディングワイヤ３は、エポキシ系樹脂等の封止樹脂５により封止され、半導体装置１０が形成されている。
【０００８】
ところで、半導体装置１０の製造工程では生産性を高めるために、配線基板が複数個連結した多連外形を有する多連配線基板に、一括してパッケージング処理し、最終工程で個片分割処理を施して、個々の半導体装置１０を完成させている。
【０００９】
図２は、半導体素子が実装された面が樹脂封止されており、個片分割される前の状態の多連配線基板１'の部分上面図である。なお、図２では図示の便宜に鑑み、２つの配線基板１が連結されてなる多連配線基板１'を図示している。また、図２においては、封止樹脂５に樹脂封止された半導体素子２とボンディングワイヤ３の図示は省略している。
【００１０】
図２に示すように、多連配線基板１'には、２つの配線基板１が、図２において矢印Ａで示す箇所（基板支持部）で連結されている。半導体装置１０の製造工程の最終工程では、切断金型と支持金型（図示を省略）を用いて、図２において矢印Ａで示す基板支持部を挟み込み、当該金型を用いた打ち抜き切断により多連配線基板１'を個片分割し、個々の半導体装置１０が完成となる。
【００１１】
また、多連配線基板１'には、半導体素子が実装され封止樹脂５によって封止された箇所が２箇所形成されている。封止樹脂５を用いて半導体素子２（図１参照）を封止する際に形成された樹脂ベント部６が封止樹脂５に接続するように形成されている。樹脂ベント部６は、図２において矢印Ａで示す基板支持部の一部に形成されている。
【００１２】
なお、多連配線基板１'において、封止樹脂５が形成されている箇所よりも外側には、スリット７が貫通形成されている。図２において矢印Ａで示す基板支持部の端部が、スリット７に接続している。スリット７により、切断金型を用いた打ち抜き切断により多連配線基板１'を個片分割する際に多連配線基板１'に作用する応力の軽減が図られている。
【００１３】
その他、予め目的の外形に沿ってルーター加工した配線基板の残り部分のコーナー４頂点を狙い値として、丸穴もしくは曲線形状のパンチで打ち抜きし単品の半導体装置に外形加工する構造が提案されている。また、電子部品搭載用基板におけるコーナー部に、切断用スリットから斜め方向に延びるサブスリットが形成された構造が提案されている。いずれも、半導体装置のコーナー部側面は、全面に亘って配線基板の基材が露出している。
【００１４】
更に、半導体チップが搭載された後で切断されて半導体装置の基板となる複数の配線基板領域が、搬送方向に延在する２つの吊り基板領域に挟まれて所定の間隔で一列に配置された基板であって、前記配線基板領域の周囲の境界部分における配線パターン及びソルダーレジストを除去したことを特徴とする基板が提案されている。
【００１５】
また、半導体ウェハに複数個が形成され、前記半導体ウェハをダイシングにより分割されるＩＣチップであって、前記ＩＣチップ上の内周部に沿って一連に設けた溝と、前記溝よりも内側に配置され、導電性材料を含むインクを用いた配線により外部と電気的に接続するための少なくとも２つのパッドとを備え、前記配線が前記溝と交差する交差部の近傍に、前記各配線を行う際に、その各配線同士の短絡を防止する短絡防止部を設けたＩＣチップが提案されている。
【００１６】
更に、表面に半導体素子がフリップチップ実装される領域を有する絶縁基板と、絶縁基板裏面に形成された外部回路基板との接合用ランド部と、該絶縁基板に形成され、該接合用ランド部を半導体素子に電気的に接続するための配線層とからなる配線基板であって、前記絶縁基板表面には、半導体素子搭載領域の周囲に凹部またはスリットが形成されている配線基板が提案されている。
【特許文献１】特開２００２−３３４９５３号公報
【特許文献２】特開平９−１８１４０６号公報
【特許文献３】特開２００５−７９３６５号公報
【特許文献４】特開２００６−２６９７４７号公報
【特許文献５】特開２００５−１２９８１８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、上述したように、半導体装置１０の製造工程の最終工程では、図２において矢印Ａで示す基板支持部を挟み込み、当該金型を用いた打ち抜き切断により多連配線基板１'を個片分割している。従って、前記基板支持部が切断される際に、配線基板１と前記基板支持部との間にクラックが発生するおそれがある。
【００１８】
当該クラックが、配線基板１の内部に進行し、配線基板１の内部回路まで達すると、配線基板１の断線を引き起こし、機能障害を招くおそれがある。
【００１９】
また、かかるクラックの発生を防止するために、時間をかけて多連配線基板１'の個片分割を行おうとすると、半導体装置１０の生産効率が低下する。
【００２０】
更に、図３に示す問題も生じ得る。ここで、図３は、図２に示す多連配線基板１'を個片分割するときの状態を示す断面図である。なお、図３においては、封止樹脂５に樹脂封止された半導体素子２及びボンディングワイヤ３の図示は省略している。
【００２１】
図３に示すように、多連配線基板１'の個片分割にあっては、支持金型８上に、上面が樹脂封止された多連配線基板１'が載置され、切断金型９によって多連配線基板１'が切断される。封止樹脂５を用いて半導体素子２（図１参照）を封止する際に、前記基板支持部の一部に樹脂ベント部６（図２参照）が形成され、樹脂ベント部６のバリ６ａ（図３参照）が発生すると、多連配線基板１'を個片分割する際に、支持金型８と切断金型９との間に樹脂ベント部６のバリ６ａが挟み込まれる。
【００２２】
従って、多連配線基板１'に局所的に力が作用して局所的な歪応力が発生し、上述の不具合を引き起こすクラックが発生するおそれがある。
【００２３】
そこで、本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであって、半導体装置の製造工程において配線基板を個片分割する際に、配線基板にクラックが発生又は進展することを抑制して配線基板の断線を防止することにより、品質の向上を図ることができる半導体装置及び当該半導体装置を効率よく製造することができる方法を提供することを本発明の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本発明の一観点によれば、多連配線基板が切断されて形成された配線基板に半導体素子が実装され樹脂封止された構造を有する半導体装置の製造方法において、前記多連配線基板の主面であって、前記半導体素子が実装され樹脂封止される領域の外側に溝部を形成する工程と、前記領域に実装された前記半導体素子を樹脂封止する工程と、前記半導体素子が実装され樹脂封止された前記多連配線基板の前記主面であって、前記溝部よりも外側の箇所で前記多連配線基板を切断する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００２５】
本発明の別の観点によれば、多連配線基板が切断されて形成された配線基板に半導体素子が実装され樹脂封止された構造を有する半導体装置の製造方法であって、前記多連配線基板の主面であって、前記半導体素子が実装され樹脂封止される領域の外側に、前記多連配線基板に貫通溝部を形成する工程と、前記多連配線基板の裏面に、前記溝部の内側の領域から前記溝部の外側の領域にわたる補強部材を貼り付ける工程と、前記領域に実装された前記半導体素子を樹脂封止する工程と、前記半導体素子を樹脂封止した後、金型の第1の部分を前記多連配線基板の主面側から前記溝部に挿入し、前記第1の部分の押圧により前記補強部材を前記多連配線基板の裏面から剥がす工程と、前記補強部材を剥がした後、前記金型の第２の部分の押圧により前記多連配線基板を前記溝部にて切断する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【００２６】
本発明の更に別の観点によれば、配線基板と、前記配線基板の主面に実装される半導体素子と、前記半導体素子を封止する封止樹脂と、前記配線基板の主面であって、前記封止樹脂の外側に形成された溝部と、を含むことを特徴とする半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、半導体装置の製造工程において配線基板を個片分割する際に、配線基板にクラックが発生又は進展することを抑制して配線基板の断線を防止することにより、品質の向上を図ることができる半導体装置及び当該半導体装置を効率よく製造することができる方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態に係る半導体装置及び当該半導体装置に用いられる配線基板が複数接合され多連配線基板ついて説明し、次いで、当該半導体装置の製造方法について説明する。
【００２９】
［半導体装置及び多連配線基板］
１．第１の例
図４に本発明の実施の形態の第１の例に係る半導体装置の構造を示す。
【００３０】
図４に示す半導体装置２０は、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ：Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）等の表面実装型パッケージ構造を有する。
【００３１】
半導体装置２０は、配線基板（支持基板、インターポーザ）２１の上に、半導体集積回路素子（以下、半導体素子と称する）２２が載置され、配線基板２１の電極端子（図示を省略）と半導体素子２２の外部接続端子（図示を省略）とは、例えば金（Ａｕ）等から成るボンディングワイヤ２３によって接続されている。
【００３２】
配線基板２１は、例えば、ガラスエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を基材とし、一方の主面に銅（Ｃｕ）等からなる導電層が選択的に配設されている。当該導電層は、配線基板２１と半導体素子２２とを接続するボンディングワイヤ２３が接続される領域を除いてソルダーレジスト層により選択的に被覆されている。
【００３３】
また、配線基板２１の他方の主面にも、銅（Ｃｕ）等からなる導電層が選択的に配設され、当該導電層はソルダーレジスト層により選択的に被覆されている。導電層には、半田を主体とする球状電極端子等の外部接続端子（バンプ）２４が配設されている。
【００３４】
半導体素子２２は、シリコン（Ｓｉ）半導体基板を用い、周知の半導体製造プロセスをもって形成され、上面にはボンディングワイヤ２３が接続される外部接続端子（電極パッド）が設けられている。そして、半導体素子２２の背面（電子回路素子・電子回路などの非形成面）と配線基板２１の一方の主面との間には、例えばダイボンディングフィルム等のダイボンディング材からなる接着剤（図示を省略）が設けられ、これによって半導体素子２２は配線基板２１に接着固定されている。
【００３５】
更に、半導体素子２２及びボンディングワイヤ２３は、エポキシ系樹脂等の封止樹脂２５により封止されている。
【００３６】
本例では更に、配線基板２１の半導体素子２２が搭載された主面に、溝部２８が形成されている。これについて、図５及び図６を参照して説明する。
【００３７】
図５は、半導体素子２２が実装された面が樹脂封止されており、個片分割される前の状態の配線基板２１の部分上面図を示す。なお、図５では図示の便宜に鑑み、２つの配線基板２１が連結されてなる状態を図示している。なお、図５においては、封止樹脂２５に樹脂封止された半導体素子２２とボンディングワイヤ２３の図示は省略している。
【００３８】
図５に示すように、なお、配線基板２１において、封止樹脂２５が形成されている箇所よりも外側には、スリット２７が貫通形成されている。図５において矢印Ｂで示す箇所、即ち、隣り合うスリット２７間を、図示を省略する切断金型を用いて打ち抜き切断することにより、配線基板２１が複数接合された配線基板（多連配線基板）２１'は個々の配線基板２１に個片分割される。スリット２７に因り、切断金型を用いた打ち抜き切断により多連配線基板２１'を個片分割する際に当該多連配線基板２１'に作用する応力の軽減が図られている。スリット２７の外周辺のうち、半導体素子２２側に位置する辺は、多連配線基板２１'を個片分割化してなる配線基板２１の外周辺、即ち、半導体装置２０の外形端を構成する。
【００３９】
配線基板２１の半導体素子２２が搭載された主面であって、封止樹脂２５と、スリット２７の外周辺のうち半導体素子２２側に位置する辺との間に、平面視直線状の環状形状を有する溝部２８が形成されている。図５から明らかなように、溝部２８は、図５において矢印Ｂで示す切断箇所よりも封止樹脂２５側に位置している。
【００４０】
図６は、配線基板２１の内部構造を示す断面図である。図６に示すように、本例の配線基板２１は、ガラスエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を基材３０とする。基材３０の内部には、例えば銅（Ｃｕ）等からなる配線層３１が配設されており、また、基材３０の表面および裏面には、銅（Ｃｕ）等からなる導電層３２が選択的に配設されている。当該導電層３２は、ソルダーレジスト層３３により選択的に被覆されている。
【００４１】
上述の溝部２８は、配線基板２１において、基材３０の内部に達する深さをもって形成されている。即ち、溝部２８は、基材３０の表面および裏面に配設された導電層３２又はソルダーレジスト層３３中においてのみ形成される溝ではなく、例えば、ルーター加工又はレーザー加工により、基材３０の内部に達する深さをもって形成されている。
【００４２】
溝部２８は、例えば、配線基板２１の厚さが約０．２ｍｍ乃至約１．０ｍｍの場合、約０．０５ｍｍ乃至約１．０ｍｍの深さ（鉛直方向の長さ）を有する。溝部２８の深さが配線基板２１の厚さの半分以下である場合、配線基板２１の強度としては不十分である。また溝部２８の幅（水平方向の長さ）は例えば約０．１ｍｍ乃至約０．５ｍｍであってもよい。溝部２８は、１回又は複数回のルーター加工又はレーザー加工により形成されてもよい。
【００４３】
かかる溝部２８の存在により、図７に示す効果を奏することができる。なお、図７においては、封止樹脂２５に樹脂封止された半導体素子２２とボンディングワイヤ２３の図示は省略している。
【００４４】
図７（ａ）に示すように、多連配線基板２１'の個片分割にあっては、支持金型３４上に、上面が樹脂封止された多連配線基板２１'が載置され、切断金型３５によって多連配線基板２１'が切断されるが、多連配線基板２１'には溝部２８が形成されている。即ち、配線基板２１の厚さは均一ではなく、溝部２８が形成された箇所は他の箇所よりも薄くなっている。従って、溝部２８が形成された箇所が構造強度的に柔軟となるため、応力緩和機構の役割を果たす。
【００４５】
よって、多連配線基板２１'の個片分割のために、多連配線基板２１'を切断する際に発生する応力を低減することができ、また、切断箇所Ｂにおいて発生した応力が配線基板２１の中心側（内部）に伝達することを防止することができる。よって、配線基板２１の断線等に因る機能障害の発生を防止することができる。
【００４６】
また、多連配線基板２１'を切断する際に、切断箇所Ｂ、即ち、多連配線基板２１'を個片分割化してなる配線基板２１の外周辺（半導体装置２０の外形端）にクラックＣｋが発生し、当該クラックＣｋが配線基板２１の中心側（内部）方向に進行した場合であっても、クラックＣｋは溝部２８に達するとその進行は停止される。従って、クラックＣｋが配線基板２１の中心側（内部）に進行することが防止される。よって、配線基板２１の断線等に因る機能障害の発生を防止することができる。
【００４７】
また、図７（ｂ）に示すように、封止樹脂２５を用いて半導体素子２２（図４参照）を封止する際に、図示を省略する樹脂ベント部のバリ２９が発生しても、溝部２８が当該バリ２９が流れ込むダムの役割を果たす。即ち、余剰の封止樹脂２５が溝部２８に流れ込むことにより、配線基板２１の表面にはバリ２９は殆ど形成されない。
【００４８】
従って、樹脂バリ２９による多連配線基板２１'の切断箇所Ｂの高さの不均一が解消される。よって、多連配線基板２１'を個片分割する際に、支持金型３４と切断金型３５との間に樹脂ベント部のバリ２９が挟み込まれ、多連配線基板２１'に局所的に力が作用して局所的な歪応力が発生してしまうことを回避することができる。よって、樹脂バリ２９に起因するクラックの発生を防止することができる。
【００４９】
図８に、図４に示す本発明の実施の形態の第１の例の変形例（その１）に係る半導体装置４０を示す。なお、図８において、図７（ａ）に示した箇所と同じ箇所には同じ符号を付し、その説明を省略する。また、図８においては、封止樹脂２５に樹脂封止された半導体素子２２とボンディングワイヤ２３の図示は省略している。
【００５０】
図８に示す例では、配線基板４１の半導体素子２２が搭載された主面であって、封止樹脂２５と、スリット２７の外周辺のうち、半導体素子２２側に位置する辺との間に複数の溝部２８ａ及び２８ｂが形成されている。溝部２８ａ及び２８ｂは、図８において矢印Ｂで示す切断箇所よりも封止樹脂２５側に位置している。溝部２８ａ及び２８ｂは、配線基板４１において、例えば、ルーター加工又はレーザー加工により、基材３０の内部に達する深さをもって形成されている。
【００５１】
かかる溝部２８ａ及び２８ｂの存在により、配線基板４１の厚さは均一ではなく、溝部２８ａ及び２８ｂが形成された箇所は他の箇所よりも薄くなっている。従って、溝部２８ａ及び２８ｂが形成された箇所が構造強度的に柔軟となるため、応力緩和機構の役割を果たす。
【００５２】
よって、配線基板４１が複数接合された多連配線基板の個片分割のために、当該多連配線基板を切断する際に発生する応力を低減することができ、また、切断箇所Ｂにおいて発生した応力が配線基板４１の中心側（内部）に伝達することを防止することができる。よって、配線基板４１の断線等に因る機能障害の発生を防止することができる。
【００５３】
また、多連配線基板を切断する際に、切断箇所Ｂ、即ち、当該多連配線基板を個片分割化してなる配線基板４１の外周辺（半導体装置２０の外形端）にクラックが発生し、当該クラックが配線基板４１の中心側（内部）方向に進行し、仮に、配線基板４１の外周側に位置する溝部２８ｂで当該進行が止まらなかった場合であっても、クラックは溝部２８ａに達するとその進行を停止することができる。従って、配線基板４１の中心側（内部）に進行することが防止される。よって、配線基板４１の断線等に因る機能障害の発生を防止することができる。
【００５４】
また、図８に示すように、封止樹脂２５を用いて半導体素子２２（図４参照）を封止する際に、図示を省略する樹脂ベント部のバリ２９が発生しても、溝部２８ａが当該バリ２９が流れ込むダムの役割を果たす。また、当該バリ２９は溝部２８ａから溢れ出ても、溝部２８ａの外側に位置する溝部２８ｂが当該バリ２９が流れ込むダムの役割を果たす。即ち、余剰の封止樹脂２５が溝部２８ａ及び２８ｂに流れ込むことにより、配線基板４１の表面にはバリ２９は殆ど形成されない。
【００５５】
従って、樹脂バリ２９による多連配線基板の切断箇所Ｂの高さの不均一が解消される。即ち、当該多連配線基板を個片分割する際に、支持金型３４と切断金型３５との間に樹脂ベント部のバリ２９が挟み込まれ、多連配線基板に局所的に力が作用して局所的な歪応力が発生してしまうことを回避することができ、よって樹脂バリ２９に起因するクラックの発生を防止することができる。
【００５６】
なお、図８に示す例では、配線基板４１の半導体素子２２が搭載された主面であって、封止樹脂２５と多連配線基板を個片分割化してなる配線基板４１の外周辺（半導体装置２０の外形端）との間に、２つの溝部２８ａ及び２８ｂが形成されているが、溝部２８の形成数はかかる例に限定されない。即ち、配線基板４１の半導体素子２２が搭載された主面であって、封止樹脂２５と多連配線基板を個片分割化してなる配線基板４１の外周辺（半導体装置２０の外形端）との間に、３つ以上の溝部２８を形成してもよい。
【００５７】
図９に、図４に示す本発明の実施の形態の第１の例の変形例（その２）に係る半導体装置４５を示す。なお、図９において、図８に示した箇所と同じ箇所には同じ符号を付し、その説明を省略する。また、図９においては、封止樹脂２５に樹脂封止された半導体素子２２とボンディングワイヤ２３の図示は省略している。
【００５８】
図９に示す例では、図８に示す構造において、配線基板４７の外部接続端子（バンプ）２４が搭載された主面であって、封止樹脂２５と、スリット２７の外周辺のうち、半導体素子２２側に位置する辺との間に相当する箇所に、複数の溝部２８ｃ及び２８ｄが形成されている。
【００５９】
図９から明らかなように、溝部２８ｃ及び２８ｄは、図８において矢印Ｂで示す切断箇所よりも封止樹脂２５側に位置している。上述の溝部２８ｃ及び２８ｄは、配線基板４７の半導体素子２２が搭載された主面に形成された溝部２８ａ及び２８ｂと同様に、例えば、ルーター加工又はレーザー加工により、基材３０の内部に達する深さをもって形成されている。
【００６０】
溝部２８ｃ及び２８ｄは、溝部２８ａ及び２８ｂと互い違いになる（水平方向にずれる）ように配線基板４７の外部接続端子（バンプ）２４が搭載された主面に形成されている。溝部２８ｃ及び２８ｄは、溝部２８ａ及び２８ｂの直下ではなく、溝部２８ａ及び２８ｂと互い違いに（水平方向にずれて）形成されているため、配線基板４７の厚さが極端に薄くなっている箇所はなく、所定の強度を安定的に維持しつつ、溝部２８ａ乃至２８ｄが形成された箇所が構造強度的に柔軟となるため、応力緩和機構の役割を果たすことができる。
【００６１】
よって、多連配線基板の個片分割のために、多連配線基板を切断する際に発生する応力を低減することができ、また、切断箇所Ｂにおいて発生した応力が配線基板４７の中心側（内部）に伝達することを防止することができる。よって、配線基板４７の断線等に因る機能障害の発生を防止することができる。
【００６２】
また、多連配線基板を切断する際に、切断箇所Ｂ、即ち、多連配線基板を個片分割してなる配線基板４７の外周辺（半導体装置２０の外形端）にクラックが発生し、当該クラックが配線基板４７の中心側（内部）方向に進行し、仮に、配線基板４７の外周側に位置する溝部２８ｂ及び２８ｄで当該進行が止まらなかった場合であっても、クラックは溝部２８ａ及び２８ｃに達するとその進行を停止することができる。従って、配線基板４７の中心側（内部）に進行することが防止される。よって、配線基板４７の断線等に因る機能障害の発生を防止することができる。
【００６３】
即ち、配線基板４７の表面及び裏面の双方において、多連配線基板を切断する際に発生する応力を低減することができ、更に、当該切断により発生し得るクラックの進行を抑制することができる。
【００６４】
また、図８に示す例と同様に、封止樹脂２５を用いて半導体素子２２（図４参照）を封止する際に、図示を省略する樹脂ベント部のバリ２９が発生しても、溝部２８ａ及び２８ｂは、当該バリ２９が流れ込むダムの役割を果たす。従って、樹脂バリ２９による多連配線基板の切断箇所Ｂの高さの不均一が解消される。即ち、多連配線基板を個片分割する際に、支持金型３４と切断金型３５との間に樹脂ベント部のバリ２９が挟み込まれ、多連配線基板に局所的に力が作用して局所的な歪応力が発生してしまうことを回避することができ、よって樹脂バリ２９に起因するクラックの発生を防止することができる。
【００６５】
なお、図９に示す例では、配線基板４７の外部接続端子（バンプ）２４が搭載された主面に、２つの溝部２８ｃ及び２８ｄが形成されているが、溝部２８の形成数はかかる例に限定されない。即ち、配線基板４７の外部接続端子（バンプ）２４が搭載された主面であって、封止樹脂２５と多連配線基板を個片分割化してなる配線基板４７の外周辺（半導体装置２０の外形端）との間に、３つ以上の溝部２８を形成してもよい。
【００６６】
２．第２の例
図１０に本発明の実施の形態の第２の例に係る半導体装置の構造を示す。
【００６７】
なお、図１０において、図７（ｂ）に示した箇所と同じ箇所には同じ符号を付し、その説明を省略する。また、図１０においては、封止樹脂２５に樹脂封止された半導体素子２２とボンディングワイヤ２３の図示は省略している。
【００６８】
図１０に示す半導体装置５０では、図４乃至図７に示す構造において、配線基板５２に形成された溝部２８に弾性部材５１が充填されている。
【００６９】
弾性部材５１は、例えばゴム又はアクリル樹脂、ウレタン樹脂、若しくはシリコン樹脂等、配線基板５２の硬度よりも低い硬度を有し、配線基板５２における応力緩和が可能で、切断が容易な材料からなる。配線基板５２が例えば約４５０ＭＰａ乃至約５４０ＭＰａの硬度を有する場合、弾性部材５１は例えば約４５０ＭＰａ未満の硬度を有する。
【００７０】
弾性部材５１は、例えばスクリーン印刷法により、溝部２８に充填される。
【００７１】
かかる構造により、配線基板５２が複数接合されてなる多連配線基板を搬送等する際に発生し得る振動又は曲がりに因り、大きな曲げ力が当該多連配線基板に作用しても、溝部２８に充填された弾性部材５１が一定以上曲がらないストッパーとして機能する。従って、弾性部材５１により、溝部２８の破損を防止することができ、個々の配線基板５２に個片分割される前の多連配線基板の強度補強が図られている。
【００７２】
また、多連配線基板を切断する際に、切断箇所Ｂ、即ち、配線基板を個片分割化してなる配線基板５２の外周辺（半導体装置２０の外形端）にクラックＣｋが発生し、当該クラックＣｋが配線基板５２の中心側（内部）方向に進行した場合であっても、クラックＣｋは弾性部材５１が充填された溝部２８に達するとその進行は確実に停止される。従って、配線基板５２の中心側（内部）に進行することが防止される。よって、よって、配線基板５２の断線等に因る機能障害の発生を防止することができる。
【００７３】
なお、図８に示す半導体装置４０の溝部２８ａ及び２８ｂに上述の弾性部材５１を充填してもよく、また、図９に示す半導体装置４５の溝部２８ａ乃至２８ｄに上述の弾性部材５１を充填してもよい。
【００７４】
３．第３の例
図１１に本発明の実施の形態の第３の例に係る半導体装置の構造を示す。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）において点線Ｃで示す箇所の断面図である。なお、図１１において、図５及び図７（ｂ）に示した箇所と同じ箇所には同じ符号を付し、その説明を省略する。また、図１１においては、封止樹脂２５に樹脂封止された半導体素子２２とボンディングワイヤ２３の図示は省略している。
【００７５】
図４乃至図７に示す本発明の実施の形態の第１の例に係る半導体装置２０では、配線基板２１の半導体素子２２が搭載された主面であって、封止樹脂２５と、スリット２７の外周辺のうち半導体素子２２側に位置する辺との間に、平面視直線状の環状形状を有する溝部２８が形成されている。
【００７６】
これに対し、図１１に示す半導体装置５５では、隣り合うスリット２７間、即ち、矢印Ｂで示す切断箇所と、封止樹脂２５との間であって、封止樹脂２５を用いて半導体素子２２（図４参照）を封止する際に形成された樹脂ベント部５６の形成箇所に、平面視略半円形状の溝部５８が形成されている。溝部５８は、図４に示す溝部２８と同様に、配線基板５７において、基材３０（図６参照）の内部に達する深さをもって形成されている。溝部５８を上方から見たときの形状は、半導体装置５０のコーナー部側に曲線部が形成され、封止樹脂２５側に直線部が形成されてなる略半円形状となっている。このように、溝部５８は平面視略半円形状を有するため、樹脂ベント部５６の余剰樹脂は抵抗を受けることなく溝部５８に流れ込む。前記曲線部に到達した余剰樹脂は、前記曲線部に沿って流れ、溝部５８の底部へと流動する。即ち、溝部５８は、樹脂ベント部５６の余剰樹脂のダムの役割を果たし、余剰樹脂は矢印Ｂで示す切断箇所に流れ込まない。
【００７７】
よって、配線基板５７の表面には樹脂バリは殆ど形成されず、樹脂バリによる多連配線基板５７'の切断箇所Ｂの高さの不均一が解消される。即ち、多連配線基板５７'を個片分割する際に、支持金型と切断金型（図示を省略）との間に樹脂ベント部５６のバリが挟み込まれ、多連配線基板５７'に局所的に力が作用して局所的な歪応力が発生してしまうことを回避することができる。よって樹脂バリに起因するクラックの発生を防止することができる。
【００７８】
溝部５８が形成された配線基板５７の箇所は他の箇所よりも薄くなっている。従って、溝部５８が形成された箇所が構造強度的に柔軟となるため、応力緩和機構の役割を果たす。よって、多連配線基板５７'を切断する際に発生する応力を低減することができ、また、切断箇所Ｂにおいて発生した応力が配線基板５７の中心側（内部）に伝達することを防止することができる。よって、配線基板５７の断線等に因る機能障害の発生を防止することができる。
【００７９】
また、多連配線基板５７'を切断する際に、切断箇所Ｂ、即ち、多連配線基板５７'を個片分割化してなる配線基板５７の外周辺（半導体装置５５の外形端）にクラックが発生し、当該クラックが配線基板５７の中心側（内部）方向に進行した場合であっても、クラックは溝部５８に達するとその進行は停止される。従って、配線基板５７の中心側（内部）に進行することが防止される。よって、配線基板５７の断線等に因る機能障害の発生を防止することができる。
【００８０】
４．第４の例
図１２に本発明の実施の形態の第４の例に係る半導体装置の上面図を示す。
【００８１】
なお、図１２において、図４乃至図１１に示した箇所と同じ箇所には同じ符号を付し、その説明を省略する。また、図１２においては、封止樹脂２５に樹脂封止された半導体素子２２とボンディングワイヤ２３の図示は省略している。
【００８２】
図１２に示す半導体装置６０にあっては、配線基板６１のコーナー部（四隅）の夫々に、断面が略半円形状を有する凹部６２が鉛直方向に２本ずつ形成されている。当該凹部６２の内面には、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）めっきが施された銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）めっきが施された銅（Ｃｕ）等、配線基板６１の基材３０（図６参照）の内部に配設された配線層３１（図６参照）を構成する材料を含む金属６３がめっきされている。
【００８３】
かかる構造を有する図１２に示す半導体装置６０は、図１３に示す多連配線基板６１'が個片分割されてなる。ここで、図１３（ａ）は、主面に実装された半導体素子２２が封止樹脂２５により封止された多連配線基板６１'が個片分割される前の状態を示し、図１３（ｂ）は、当該多連配線基板６１'が個片分割されるときの状態を示す。図１３において、図４乃至図１１に示した箇所と同じ箇所には同じ符号を付し、その説明を省略する。また、図１３においては、封止樹脂２５に樹脂封止された半導体素子２２とボンディングワイヤ２３の図示は省略している。
【００８４】
図１３（ａ）に示すように、半導体素子２２が封止樹脂２５により樹脂封止された領域の外側であって、隣り合うスリット２７間に位置する多連配線基板６１'の切断箇所Ｂに、スルーホール６４が２本ずつ形成されている。切断箇所Ｂは、図１２に示す半導体装置６０の配線基板６１のコーナー部（四隅）に対応する。
【００８５】
スルーホール６４は、多連配線基板６１'の内部において電気的導通を図るためのスルーホール３６（図６参照）と同一方法により形成され、多連配線基板６１'の表面と裏面とを繋ぐように形成されている。更に、スルーホール６４の内側面には、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）めっきが施された銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）めっきが施された銅（Ｃｕ）等、配線基板６１の基材３０（図６参照）の内部に配設された配線層３１を構成する材料を含む金属６３がめっきされている。但し、スルーホール６４は、配線層３１及び導電層３２（図６参照）に電気的に接続されていない。
【００８６】
かかる構造を有する多連配線基板６１'の個片分割にあっては、図１３（ｂ）に示すように、支持金型３４上に、上面が樹脂封止された多連配線基板６１'が載置される。切断金型３５によって、多連配線基板６１'が切断されると、図１２に示す半導体装置６０が形成される。
【００８７】
このとき、スルーホール６４の中心部分が当該切断の切断面を通るように、多連配線基板６１'は切断され、略半円形状の断面を有する凹部６２（図１２参照）が配線基板６１のコーナー部（四隅）の夫々に形成され、金属６３がめっきされた凹部６２の内面が露出すする。
【００８８】
上述のように、多連配線基板６１'には、当該多連配線基板６１'の表面と裏面とを繋ぐようにスルーホール６４が形成されており、多連配線基板６１'の個片分割にあっては当該スルーホール６４が切断されるため、スルーホール６４が形成された箇所が構造強度的に柔軟となるため、応力緩和機構の役割を果たす。
【００８９】
よって、多連配線基板６１'の個片分割のために、多連配線基板６１'を切断する際に発生する応力を低減することができ、また、切断箇所Ｂにおいて発生した応力が配線基板６１の中心側（内部）に伝達することを防止することができる。よって、配線基板６１の断線等に因る機能障害の発生を防止することができる。特に、スルーホール６４は、多連配線基板６１'の表面と裏面とを繋ぐように形成されているため、多連配線基板６１'の表面と裏面の両面における応力緩和と応力が配線基板６１の中心側（内部）に伝達することを防止することができる。
【００９０】
また、多連配線基板６１'を切断する際に、切断箇所ＢにクラックＣｋが発生し、当該クラックＣｋが配線基板６１の中心側（内部）方向に進行した場合であっても、クラックＣｋはスルーホール６４内でとどまる。従って、配線基板６１の中心側（内部）に進行することが防止される。よって、よって、配線基板６１の断線等に因る機能障害の発生を防止することができる。
【００９１】
更に、上述のように、スルーホール６４の内側面には、配線基板６１の基材３０（図６参照）の内部に配設された配線層３１を構成する材料を含む金属６３がめっきされている。かかる金属６３が、多連配線基板６１'の基材３０（図６参照）よりも高強度を有するため、スルーホール６４は耐外部衝撃性に優れる。更に、多連配線基板６１'を切断する際又は切断した後に、当該基材３０を構成するガラス繊維が屑となって飛散することを防止することができる。
【００９２】
図１４に、図１２に示す本発明の実施の形態の第４の例の変形例に係る半導体装置７０を示す。
【００９３】
なお、図１４において、図１２に示した箇所と同じ箇所には同じ符号を付し、その説明を省略する。また、図１４においては、封止樹脂２５に樹脂封止された半導体素子２２とボンディングワイヤ２３の図示は省略している。
【００９４】
図１４に示す半導体装置７０では、図１２に示す構造において、配線基板５２に形成された凹部６２に、図１０に示す弾性部材５１と同じ材料からなる弾性部材６６が充填されている。
【００９５】
かかる構造を有する図１４に示す半導体装置７０は、スルーホール６４に弾性部材６６が充填された図１５に示す多連配線基板７１'が個片分割されてなる。
【００９６】
ここで、図１５（ａ）は、主面に実装された半導体素子２２が封止樹脂２５により封止された多連配線基板７１'が個片分割される前の状態を示し、図１５（ｂ）は、当該多連配線基板７１'が個片分割されるときの状態を示す。図１５において、図１３に示した箇所と同じ箇所には同じ符号を付し、その説明を省略する。また、図１５においては、封止樹脂２５に樹脂封止された半導体素子２２とボンディングワイヤ２３の図示は省略している。
【００９７】
図１５（ａ）に示すように、弾性部材６６は、例えばスクリーン印刷法により、スルーホール６４に充填され、図１５（ｂ）に示すように、切断金型３５を用いてスルーホール６４の中心部分が当該切断の切断面を通るように、多連配線基板７１'は弾性部材６６と共に切断され、凹部６２の内面にめっきされた金属６３と弾性部材５１が露出する。
【００９８】
図１５に示す構造により、多連配線基板７１'を搬送等する際に発生し得る振動又は曲がりに因り、大きな曲げ力が多連配線基板７１'に作用しても、スルーホール６４に充填された弾性部材６６が一定以上曲がらないストッパーとして機能する。従って、弾性部材６６により、スルーホール６４の破損を防止することができ、個々の配線基板７１に個片分割される前の多連配線基板７１'の強度補強が図られている。
【００９９】
また、多連配線基板７１'を切断する際に、切断箇所Ｂ、即ち、配線基板を個片分割化してなる配線基板７１の外周辺（半導体装置７０の外形端）にクラックＣｋが発生し、当該クラックＣｋが配線基板７１の中心側（内部）方向に進行した場合であっても、クラックＣｋは弾性部材６６が充填されたスルーホール６４に達するとその進行は確実に停止される。従って、配線基板７１の中心側（内部）に進行することが防止される。よって、よって、配線基板７１の断線等に因る機能障害の発生を防止することができる。
【０１００】
５．第５の例
図１６に本発明の実施の形態の第５の例に係る半導体装置の上面図を示す。
【０１０１】
なお、図１６において、図４乃至図１５に示した箇所と同じ箇所には同じ符号を付し、その説明を省略する。また、図１６においては、封止樹脂２５に樹脂封止された半導体素子２２とボンディングワイヤ２３の図示は省略している。
【０１０２】
図４乃至図７に示す本発明の実施の形態の第１の例に係る半導体装置２０では、配線基板２１の半導体素子２２が搭載された主面であって、封止樹脂２５と、スリット２７の外周辺のうち半導体素子２２側に位置する辺との間に、平面視直線状の環状形状を有する溝部２８が形成されている。そして、溝部２８は、図５において矢印Ｂで示す切断箇所よりも封止樹脂２５側に位置している。
【０１０３】
これに対し、図１６に示す半導体装置８０では、配線基板８１の端部に他の箇所よりも厚さが小さい段差部８２が形成されている。
【０１０４】
かかる構造を有する図１６に示す半導体装置８０は、半導体素子２２が封止樹脂２５により樹脂封止された領域の外側であって、隣り合うスリット２７間、即ち、矢印Ｂで示す切断箇所に、溝部８８が基材の内部に達する深さをもって形成された図１７に示す多連配線基板８１'を支持金型３４上に載置し、切断金型３５によって当該多連配線基板８１'を切断し個片分割することによって形成される。
【０１０５】
ここで、図１７（ａ）は、主面に実装された半導体素子２２が封止樹脂２５により封止された多連配線基板８１'が個片分割される前の状態を示し、図１７（ｂ）は、当該多連配線基板８１'が個片分割されるときの状態を示す。図１７において、図４乃至図１１に示した箇所と同じ箇所には同じ符号を付し、その説明を省略する。また、図１７においては、封止樹脂２５に樹脂封止された半導体素子２２とボンディングワイヤ２３の図示は省略している。
【０１０６】
多連配線基板８１'の切断箇所Ｂに溝部８８が形成されており、多連配線基板８１'の厚さは均一ではなく、溝部８８が形成された箇所は他の箇所よりも薄くなっている。従って、溝部８８が形成された箇所が構造強度的に柔軟となるため、応力緩和機構の役割を果たす。特に、多連配線基板８１'の溝部８８が形成されているため、容易に多連配線基板８１'を切断することができ、当該切断時に発生する応力そのものを低減することができる。
【０１０７】
よって、多連配線基板８１'の個片分割のために、多連配線基板８１'を切断する際に発生する応力を低減することができ、また、切断箇所Ｂにおいて発生した応力が配線基板８１の中心側（内部）に伝達することを防止することができる。よって、配線基板８１の断線等に因る機能障害の発生を防止することができる。
【０１０８】
また、多連配線基板８１'を切断する際に、切断箇所Ｂ、即ち、多連配線基板８１'を個片分割化してなる配線基板８１の外周辺（半導体装置８０の外形端）にクラックが発生しても、クラックは配線基板８１の厚さが厚い方向（配線基板８１の中心側（内部）方向）に進行し難い。よって、配線基板８１の断線等に因る機能障害の発生を防止することができる。
【０１０９】
図１８に、図１６に示す本発明の実施の形態の第５の例の変形例に係る半導体装置８５を示す。
【０１１０】
なお、図１８において、図１６に示した箇所と同じ箇所には同じ符号を付し、その説明を省略する。また、図１８においては、封止樹脂２５に樹脂封止された半導体素子２２とボンディングワイヤ２３の図示は省略している。
【０１１１】
図１８に示す半導体装置８５では、図１６に示す構造において、配線基板５２に形成された段差部８２に、図１０に示す弾性部材５１と同じ材料からなる弾性部材８６が充填されている。
【０１１２】
かかる構造を有する図１８に示す半導体装置８５は、溝部８８に弾性部材８６が充填された図１９に示す多連配線基板８１'が個片分割されてなる。
【０１１３】
図１９に示す構造により、多連配線基板８１'を搬送等する際に発生し得る振動又は曲がりに因り、大きな曲げ力が多連配線基板８１'に作用しても、溝部８８に充填された弾性部材８６が一定以上曲がらないストッパーとして機能する。従って、弾性部材８６により、溝部８８の破損を防止することができ、個々の配線基板８１に個片分割される前の多連配線基板８１'の強度補強が図られている。
【０１１４】
ところで、図１７に示す溝部８８の下方には、多連配線基板８１'の強度補強部材を設けてもよい。かかる態様を、図２０を参照して説明する。図２０（ｂ）は、図２０（ａ）の点線Ｃで示す箇所の断面図である。また、図２０においては、封止樹脂２５に樹脂封止された半導体素子２２とボンディングワイヤ２３の図示は省略している。
【０１１５】
図２０に示す態様では、図２０（ａ）において点線Ｄで囲んだ領域、即ち、溝部８８とその近傍とが繋がるように、多連配線基板８１'の下面に、粘着性（タック性）を有する補強テープ（補強部材）８９が貼り付けられている。補強テープ８９は、例えばポリミド、アラミド、又はアラミド・ポリミド等の材料からなり、半導体装置の製造過程において作用する熱に耐えうる特性を有する。また、補強テープ８９の幅は、溝部８８の幅よりも広く設定されている。
【０１１６】
このように、多連配線基板８１'の厚さが薄く強度的に柔軟になっている溝部８８と、当該溝部８８の強度以上の強度を有する溝部８８以外の箇所とが繋がるように補強テープ８９が多連配線基板８１'の下面に貼り付けられているため、多連配線基板８１'の強度を補強することができる。
【０１１７】
ところで、多連配線基板８１'における補強テープ８９を貼り付けは、図２０に示す態様に限定されず、図２１に示す態様であってもよい。ここで、図２１（ａ）は多連配線基板８１'の上面を示し、図２１（ｂ）は多連配線基板８１'の下面を示す。図２１（ｂ）において斜線を付した部分が、補強テープ８９が貼り付けられる箇所であり、図２１（ａ）に示す点線Ｅで外周を示す領域がこれに対応する。
【０１１８】
図２１に示す態様では、多連配線基板８１'の下面であって、外部接続端子（バンプ）２４が配設されている領域を除く部分に、補強テープ８９が貼り付けられている。即ち、補強テープ８９は、溝部８８が形成されている箇所よりも外側にも貼り付けられている。スリット２７からは補強テープ８９の粘着面が露出しており、粘着可能な領域が多連配線基板８１'に形成されている。
【０１１９】
多連配線基板８１'は、ガラスエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を基材としているため、多連配線基板８１'の切断の際には、切断面からガラス繊維又は樹脂成分の切断屑が発生するおそれがある。粘着性を有する補強テープ８９が多連配線基板８１'の下面であって、外部接続端子（バンプ）２４が配設されている領域を除く部分に設けられているため、前記切断の際に発生し得る切断屑を補強テープ８９に密着させることができる。よって、半導体装置に前記切断屑が付着することを防止でき、高品位な半導体装置を製造することができる。
【０１２０】
６．第６の例
図２２に本発明の実施の形態の第６の例に係る半導体装置の部分断面図を示す。
【０１２１】
なお、図２２において、図７（ｂ）に示した箇所と同じ箇所には同じ符号を付し、その説明を省略する。また、図２２においては、封止樹脂２５に樹脂封止された半導体素子２２とボンディングワイヤ２３の図示は省略している。
【０１２２】
図２２に示す半導体装置９０では、配線基板９１の端部に他の箇所よりも厚さが小さい段差部９２が形成されている。
【０１２３】
かかる構造を有する図２２に示す半導体装置９０は、図２３に示す多連配線基板９１'を切断箇所Ｂで切断することにより形成される。多連配線基板９１'であって、少なくとも切断箇所Ｂとその外側には、切断箇所Ｂよりも内側の箇所よりも厚さが小さい段差部９８が形成されている。
【０１２４】
ここで、図２３は、主面に実装された半導体素子２２が封止樹脂２５により封止された多連配線基板９１'が個片分割される前の状態を示す図である。図２３において、図４乃至図２２に示した箇所と同じ箇所には同じ符号を付し、その説明を省略する。また、図２３においては、封止樹脂２５に樹脂封止された半導体素子２２とボンディングワイヤ２３の図示は省略している。
【０１２５】
図示を省略する切断金型によって当該多連配線基板９１'を切断箇所Ｂで切断し個片分割することによって、図２２に示す半導体装置９０が形成される。詳細は後述するが、段差部９８は、例えば、多連配線基板９１'に塗布形成するソルダーレジスト層の形成厚さを調整又はルーター加工により形成される。
【０１２６】
このように、多連配線基板９１'であって、少なくとも切断箇所Ｂとその外側には、切断箇所Ｂよりも内側の箇所よりも厚さが小さい段差部９８が形成されているため、多連配線基板９１'の厚さは均一ではなく、少なくとも切断箇所Ｂは他の箇所よりも薄くなっている。段差部９２が形成された箇所は構造強度的に柔軟となるため、応力緩和機構の役割を果たし、更に、容易に多連配線基板９１'を切断することができ、当該切断時に発生する応力そのものを低減することができる。
【０１２７】
よって、多連配線基板９１'を切断する際に発生する応力を低減することができ、また、切断箇所Ｂにおいて発生した応力が配線基板９１の中心側（内部）に伝達することを防止することができる。よって、配線基板９１の断線等に因る機能障害の発生を防止することができる。
【０１２８】
また、多連配線基板９１'を切断する際に、切断箇所Ｂ、即ち、多連配線基板９１'を個片分割化してなる配線基板９１の外周辺（半導体装置９０の外形端）にクラックが発生しても、当該クラックは配線基板９１の厚さが厚い方向（配線基板９１の中心側（内部）方向）に進行し難い。よって、配線基板９１の断線等に因る機能障害の発生を防止することができる。
【０１２９】
７．第７の例
図２４に本発明の実施の形態の第７の例に係る多連配線基板の部分上面図を示す。
【０１３０】
図２４に示す多連配線基板１０１にあっては、スリット２７（第１穴部）よりも外側に、スリット状穴部１０５（第２穴部）が複数並んで貫通形成されている。そして、隣り合うスリット状穴部１０５同士の間隔ａは、隣り合うスリット２７同士の間隔、即ち、切断箇所Ｂの幅ｂよりも短く設定されている。従って、隣り合うスリット状穴部１０５同士の間の箇所は、隣り合うスリット２７同士の間の箇所よりも強度が低くなっている。
【０１３１】
従って、多連配線基板１０１を搬送又は個片分割する際に応力を受け、多連配線基板１０１の強度の限界に至る際に、隣り合うスリット２７同士の間の箇所よりも強度が低い隣り合うスリット状穴部１０５同士の間の箇所が先ず破損する。その結果、多連配線基板１０１に作用する応力は緩和するため、隣り合うスリット２７同士の間の箇所、即ち、切断箇所Ｂの破損を防止することができる。
【０１３２】
また、切断箇所Ｂにおいて応力が発生し、当該応力が配線基板１０１の中心側（内部）に伝達することを防止することができる。よって、配線基板１０１の断線等に因る機能障害の発生を防止することができる。
【０１３３】
［半導体装置の製造方法］
１．本発明の実施の形態の第１乃至第３の例に係る半導体装置の製造方法
図２５に、本発明の実施の形態の第１乃至第３の例に係る半導体装置の製造方法のフローを示す。
【０１３４】
まず、図２６に示す大判の多連配線基板２１"を用意する（図２５のＳ１）。ここで、図２６は、大判の多連配線基板２１"の上面図である。
【０１３５】
大判の多連配線基板２１"は、後の工程で個片分割されて、図５等に示す多連配線基板２１'が形成される。大判の多連配線基板２１"は、図６に示すように、ガラスエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を基材３０とする。基材３０の内部には、例えば銅（Ｃｕ）等からなる配線層３１が配設されており、また、基材３０の表面および裏面には、銅（Ｃｕ）等からなる導電層３２が選択的に配設されている。当該導電層３２は、ソルダーレジスト層３３により選択的に被覆されている。
【０１３６】
次に、図２７に示すように、大判の多連配線基板２１"に、平面視直線状の環状形状を有する溝部２８を、ルーター加工又はレーザー加工により、基材３０の内部に達する深さをもって形成する（図２５のＳ２）。溝部２８は、後の工程で実装される半導体素子の搭載領域αの外周に略沿って、当該外周よりも外側に、平面視直線状の環状形状をもって形成される。
【０１３７】
ここで、図２７（ａ）は、大判の多連配線基板２１"の上面図であり、図２７（ｂ）は、図２７（ａ）において点線Ｘ−Ｘで示す箇所の断面図である。なお、図２７（ｂ）では、大判の多連配線基板２１"の内部構造（図６参照）の図示は省略している。
【０１３８】
溝部２８は、例えば、大判の多連配線基板２１"の厚さが約０．２ｍｍ乃至約１．０ｍｍの場合、約０．０５ｍｍ乃至約１．０ｍｍの深さ（鉛直方向の長さ）を有する。溝部２８の深さは、大判の多連配線基板２１"の厚さの半分以下であると大判の多連配線基板２１"の強度としては不十分である。また溝部２８の幅（水平方向の長さ）は例えば約０．１ｍｍ乃至約０．５ｍｍであってもよい。溝部２８は、１回又は複数回のルーター加工又はレーザー加工により形成されてもよい。
【０１３９】
なお、図８に示す半導体装置４０を作成するには、本工程において、２つの溝部２８ａ及び２８ｂを、半導体素子の搭載領域αの外周に略沿って、当該外周よりも外側に、平面視直線状の環状形状をもって形成する。図９に示す半導体装置４５を作成するには、本工程において、上述の溝部２８ａ及び２８ｂに加え、多連配線基板の裏面に溝部２８ａ及び２８ｂと互い違いになる（水平方向にずれる）ように溝部２８ｃ及び２８ｄを形成する。また、図１１に示す半導体装置５５を作成するには、本工程において、平面視半円形状の溝部５８を形成する。
【０１４０】
図１０に示す半導体装置５０を作成するには、本工程の後に、溝部２８に弾性部材５１を充填する。弾性部材５１は、例えば図２８に示すスクリーン印刷法により、溝部２８に充填される。
【０１４１】
即ち、図２８（ａ）に示すように、大判の多連配線基板２１"に溝部２８に対応する箇所が開口したスクリーンマスク１００を設け、スキージ１０５を用いて当該スクリーンマスク上に設けた弾性部材５１を溝部２８へ移動させ、図２８（ｂ）に示すように、溝部２８内に充填する。
【０１４２】
弾性部材５１として、例えばゴム又はアクリル樹脂、ウレタン樹脂、若しくはシリコン樹脂等の配線基板５２の硬度よりも低い硬度を有する材料等、配線基板５２における応力緩和が可能で、切断が容易な材料を用いることができる。配線基板５２が例えば約４５０ＭＰａ乃至約５４０ＭＰａの硬度を有する場合、弾性部材５１は例えば約４５０ＭＰａ未満の硬度を有する。
【０１４３】
図２８（ｃ）に示すように、弾性部材５１を溝部２８に充填させた後に、スクリーンマスク１００を取り除き、これによって弾性部材５１の溝部２８へのスクリーン印刷が完了する。なお、弾性部材５１として熱硬化型材料を使用する場合には、図２８（ｃ）に示す工程の後に熱を加えて当該材料を硬化させる。また、弾性部材５１を溝部２８に充填させた後に、大判の多連配線基板２１"の平坦性を確保する必要がある場合には、弾性部材５１の溝部２８へのスクリーン印刷が完了した後に、大判の多連配線基板２１"の表裏面を研磨加工し、平坦度加工を施す。
【０１４４】
次に、図２９に示すように、スリット２７を、ルーター加工又はレーザー加工により、大判の多連配線基板２１"に貫通形成する（図２５のＳ３）。図２９に示すように、スリット２７は、溝部２８の外周に略沿って、当該外周よりも外側に形成される。
【０１４５】
ここで、図２９（ａ）は、大判の多連配線基板２１"の上面図であり、図２９（ｂ）は、図２９（ａ）において点線Ｘ−Ｘで示す箇所の断面図である。なお、図２９（ｂ）では、大判の多連配線基板２１"の内部構造（図６参照）の図示は省略している。
【０１４６】
次に、図３０に示すように、大判の多連配線基板２１"を個片分割する（図２５のＳ４）。後の工程で実装される半導体素子の搭載領域αを５つを一つの単位として、大判の多連配線基板２１"を分割ラインＥ（図２９（ｂ）参照）おいて切断し、単一の多連配線基板２１'を作成する。
【０１４７】
しかる後、周知の方法で、多連配線基板２１'の、半導体素子の搭載領域αに半導体素子２２を載置し、多連配線基板２１'の電極端子（図示を省略）と半導体素子２２の外部接続端子（図示を省略）とをボンディングワイヤ２３によって接続する。更に、半導体素子２２とボンディングワイヤ２３は、エポキシ系樹脂等の封止樹脂２５により樹脂封止する（図２５のＳ５）。次いで、半導体素子２２が実装されていない多連配線基板２１'の主面に、半田を主体とする球状電極端子等の外部接続端子（バンプ）２４を配設する（図２５のＳ６）。
【０１４８】
しかる後、図７（ａ）に示すように、支持金型３４上に、上面が樹脂封止された多連配線基板２１'を載置し、図５及び図７（ａ）において矢印Ｂで示す箇所、即ち、隣り合うスリット２７間を、切断金型３５を用いて打ち抜き切断し、個々の配線基板２１に個片分割する（図２５のＳ７）。
【０１４９】
このとき、多連配線基板２１'には溝部２８が形成されているため、上述のように、溝部２８が形成された箇所が構造強度的に柔軟となり、応力緩和機構の役割を果たす。よって、多連配線基板２１'を切断する際に発生する応力を低減することができる。また、多連配線基板２１'を切断する際に、切断箇所Ｂ、即ち、多連配線基板２１'を個片分割化してなる配線基板２１の外周辺（半導体装置２０の外形端）にクラックが発生・進行しても、クラックは溝部２８に達するとその進行は停止される。従って、配線基板２１の中心側（内部）に進行することが防止される。よって、配線基板２１の断線等に因る機能障害の発生を防止することができる。
【０１５０】
更に、図７（ｂ）に示すように、封止樹脂２５を用いて半導体素子２２（図４参照）を封止する際（図２５のＳ５）に、図示を省略する樹脂ベント部のバリ２９が発生しても、溝部２８が当該バリ２９が流れ込むダムの役割を果たす。従って、樹脂バリ２９による多連配線基板２１'の切断箇所Ｂの高さの不均一が解消される。即ち、多連配線基板２１'を個片分割する際に、支持金型３４と切断金型３５との間に樹脂ベント部のバリ２９が挟み込まれ、多連配線基板２１'に局所的に力が作用して局所的な歪応力が発生してしまうことを回避することができ、よって樹脂バリ２９に起因するクラックの発生を防止することができる。
【０１５１】
このようにして、本発明の実施の形態の第１乃至第３の例に係る半導体装置が完成となる（図２５のＳ８）。
【０１５２】
２．本発明の実施の形態の第４の例に係る半導体装置の製造方法
図３１に、本発明の実施の形態の第４の例に係る半導体装置６０の製造方法のフローを示す。
【０１５３】
まず、図３２に断面構造の概略示す大判の多連配線基板６１"を用意する（図３１のＳ１１）。大判の多連配線基板６１"は、ガラスエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を基材３０とする。基材３０の表面および裏面には、銅（Ｃｕ）等からなる銅箔１１０が配設されている。
【０１５４】
次に、図３３（ａ）に示すように、大判の多連配線基板６１"にスルーホール６４を形成する（図３１のＳ１２）。スルーホール６４は、多連配線基板６１"の内部において電気的導通を図るためのスルーホール３６を形成する際に、スルーホール３６の形成方法と同一方法（例えば、ドリル１１５を用いて）同一方法により形成される。但し、スルーホール６４は、配線層３１及び導電層３２（図６参照）に電気的に接続されていない。図１３に示すように、スルーホール６４は後の工程で半導体素子２２が実装され樹脂封止される領域の外側であって、隣り合うスリット２７の間に位置している。
【０１５５】
そして、図３３（ｂ）に示すように、スルーホール３６及び６４の内側面に、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）めっきが施された銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）めっきが施された銅（Ｃｕ）等、配線基板６１の基材３０（図６参照）の内部に配設された配線層３１（図６参照）を構成する材料を含む金属６３をめっき形成する。
【０１５６】
図１４に示す半導体装置７０を作成するには、本工程の後に、例えば上述の図２８に示すスクリーン印刷法により、溝部２８内に弾性部材６６を充填する。
【０１５７】
しかる後、図２５に示すＳ３乃至Ｓ６同様の工程を施す。即ち、スリット２７（図１３参照）を、ルーター加工又はレーザー加工により、大判の多連配線基板６１"に貫通形成し（図３１のＳ１３）、次いで、大判の多連配線基板６１"を個片分割する（図３１のＳ１４）。しかる後、周知の方法で、多連配線基板６１'に半導体素子２２をワイヤボンディングし、エポキシ系樹脂等の封止樹脂２５により樹脂封止をする（図３１のＳ１５）。次いで、半導体素子２２が実装されていない多連配線基板６１'の主面に、半田を主体とする球状電極端子等の外部接続端子（バンプ）２４を配設する（図３１のＳ１６）。
【０１５８】
次いで、図１３（ｂ）に示すように、支持金型３４上に、上面が樹脂封止された多連配線基板６１'を載置し、切断金型３５によって、スルーホール６４の中心部分が切断面を通るように、多連配線基板６１'を切断する（図３１のＳ１７）。
【０１５９】
このようにして、金属６３がめっきされた凹部６２の内面が露出する図１２に示す半導体装置６０が形成される（図３１のＳ１８）。
【０１６０】
上述のように、多連配線基板６１'にはスルーホール６４が形成されており、多連配線基板６１'の個片分割にあっては当該スルーホール６４が切断されるため、スルーホール６４が形成された箇所が構造強度的に柔軟となり、応力緩和機構の役割を果たす。よって、多連配線基板６１'の個片分割のために、多連配線基板６１'を切断する際に発生する応力を低減することができる。スルーホール６４は、多連配線基板６１'の表面と裏面とを繋ぐように形成されているため、多連配線基板６１'の表面と裏面の両面における応力緩和と応力が配線基板６１の中心側（内部）に伝達することを防止することができる。
【０１６１】
また、多連配線基板６１'を切断する際に、切断箇所Ｂにクラックが発生・進行した場合であっても、クラックはスルーホール６４内でとどまる。従って、配線基板６１の中心側（内部）に進行することが防止される。よって、配線基板６１の断線等に因る機能障害の発生を防止することができる。
【０１６２】
更に、上述のように、スルーホール６４の内側面には、配線基板６１の基材３０（図６参照）の内部に配設された配線層３１を構成する材料を含む金属６３がめっきされている。かかる金属６３が、多連配線基板６１'の基材３０（図６参照）よりも高強度を有するため、スルーホール６４は耐外部衝撃性に優れる。更に、多連配線基板６１'を切断する際又は切断した後に、当該基材３０を構成するガラス繊維が屑となって飛散することを防止することができる。
【０１６３】
３．本発明の実施の形態の第５の例に係る半導体装置の製造方法
図３４に、本発明の実施の形態の第５の例に係る半導体装置の製造方法のフローを示す。
【０１６４】
まず、図３５に示す大判の多連配線基板８１"を用意する（図３４のＳ２１）。ここで、図３５は、大判の多連配線基板８１"の上面図である。
【０１６５】
次に、図３６に示すように、溝部２８を、後の工程で実装される半導体素子の搭載領域αの外周よりも外側に、スリット２７を、ルーター加工又はレーザー加工により、大判の多連配線基板８１"に貫通形成し（図３４のＳ２２）。ここで、図３６（ａ）は、大判の多連配線基板８１"の上面図であり、図３６（ｂ）は、図３６（ａ）において点線Ｘ−Ｘで示す箇所の断面図である。
【０１６６】
次に、図３７に示すように、後の工程で実装される半導体素子の搭載領域αの外周よりも外側であって、隣り合うスリット２７間に、ルーター加工又はレーザー加工により、溝部８８を基材３０の内部に達する深さをもって形成する（図３４のＳ２３）。ここで、図３７（ａ）は、大判の多連配線基板８１"の上面図であり、図３７（ｂ）は、図３７（ａ）において点線Ｙ−Ｙで示す箇所の断面図である。
【０１６７】
次に、図３８に示すように、大判の多連配線基板８１"の下面であって図２０（ａ）において点線Ｄで囲んだ領域に、溝部８８とその近傍とが繋がるように、粘着性（タック性）を有する補強テープ（補強部材）８９を貼り付ける（図３４のＳ２４）。ここで、図３８（ａ）は、大判の多連配線基板８１"の上面図であり、図３８（ｂ）は、図３８（ａ）において点線Ｙ−Ｙで示す箇所の断面図である。
【０１６８】
補強テープ８９は、例えばポリミド、アラミド、又はアラミド・ポリミド等の材料からなり、半導体装置の製造過程において作用する熱に耐えうる特性を有する。また、補強テープ８９の幅は、溝部８８の幅よりも広く設定されている。
【０１６９】
このように、大判の多連配線基板８１"の厚さが薄く強度的に柔軟になっている溝部８８と、当該溝部８８の強度以上の強度を有する溝部８８以外の箇所とが繋がるように補強テープ８９が大判の多連配線基板８１"の下面に貼り付けられているため、大判の多連配線基板８１"の強度を補強することができる。
【０１７０】
なお、図２１に示すように、多連配線基板８１'の下面であって、外部接続端子（バンプ）２４が配設されている領域を除く部分に、補強テープ８９を貼り付けてもよい。
【０１７１】
また、図１６に示す半導体装置８０の作成にあっては、補強テープ８９を貼り付ける工程（図３４のＳ２４）は省略される。図１８に示す半導体装置８５の作成にあっては、補強テープ８９を貼り付ける工程（図３４のＳ２４）は省略され、更に、該工程の後に、例えば上述の図２８に示すスクリーン印刷法により、溝部８８内に弾性部材８６を充填する。
【０１７２】
次に、図３９に示すように、大判の多連配線基板８１"を個片分割する（図３４のＳ２５）。後の工程で実装される半導体素子の搭載領域αを５つを一つの単位として、大判の多連配線基板８１"を分割ラインＥ（図３８（ｂ）参照）おいて切断し、単一の多連配線基板２１'を作成する。
【０１７３】
しかる後、周知の方法で、多連配線基板８１'の、半導体素子の搭載領域αに半導体素子２２を載置し、多連配線基板８１'の電極端子（図示を省略）と半導体素子２２の外部接続端子（図示を省略）とをボンディングワイヤ２３によって接続する。更に、半導体素子２２とボンディングワイヤ２３は、エポキシ系樹脂等の封止樹脂２５により樹脂封止する（図３４のＳ２６）。次いで、半導体素子２２が実装されていない多連配線基板８１'の主面に、半田を主体とする球状電極端子等の外部接続端子（バンプ）２４を配設する（図３４のＳ２７）。
【０１７４】
しかる後、図２０（ａ）に示すように、図２０において矢印Ｂで示す箇所、即ち、隣り合うスリット２７間を、切断金型３５を用いて打ち抜き切断し、個々の配線基板８１に個片分割する（図３４のＳ２８）。
【０１７５】
このとき、図４０乃至図４５に示す態様により、補強テープ８９を剥がした後に、多連配線基板８１'を個々の配線基板８１に個片分割する。なお、図４０乃至図４５に示す例では、図２１に示す、多連配線基板８１'の下面であって、外部接続端子（バンプ）２４が配設されている領域を除く部分に、補強テープ８９を貼り付けた場合が示されているが、図３８に示すように、大判の多連配線基板８１"の下面であって図２０（ａ）において点線Ｄで囲んだ領域に補強テープ８９を貼り付ける例にも以下の態様は適用することができる。図４０は、多連配線基板８１'の上面図であり、図４１乃至図４５は断面図である。
【０１７６】
まず、図４０に示すように、補強テープ８９の粘着面上であって、スリット２７の内部
のうち、溝部８８の近傍にテープ剥がし用コマ２００を載置する。
【０１７７】
また、図４１に示すように、多連配線基板８１'の主面であって、封止樹脂２５が設けられている面の上方には、切断金型３５と棒状のコマ保持部２０５を備えた上金型２１０が設けられている。多連配線基板８１'の切断機構として機能する切断金型３５は多連配線基板８１'の切断箇所の上方に鉛直方向に移動自在に位置する。コマ保持部２０５は、スリット２７内を鉛直方向に移動自在に、テープ剥がし用コマ２００の上方に設けられている。
【０１７８】
外部接続端子（バンプ）２４が配設されている多連配線基板８１'の下面の下方には、下金型２２０が設けられている。下金型２２０の上面には、多連配線基板８１'の下面であって外部接続端子（バンプ）２４が配設されていない箇所を支持する多連配線基板支持部２２５が突出している。また、下金型２２０の下部であって、テープ剥がし用コマ２００の下方には凹状のコマ収容部２３０が形成されており、凹状のコマ収容部２３０の底面には、鉛直方向に移動自在に、テープ搬出時用コマ保持部材２３５が設けられている。
【０１７９】
上金型２１０のコマ保持部２０５と、下金型２２０の凹状のコマ収容部２３０とで、補強テープ８９の剥がし機構を構成する。
【０１８０】
次に、図４２に示すように、補強テープ８９の粘着面上であって、スリット２７の内部のうち、溝部８８の近傍にテープ剥がし用コマ２００を載置されている多連配線基板８１'を下金型２２０に載置し、多連配線基板支持部２２５で、多連配線基板８１'の下面であって外部接続端子（バンプ）２４が配設されていない箇所を支持する。
【０１８１】
しかる後、図４３に示すように、テープ剥がし用コマ２００の上方に設けられている上金型２１０のコマ保持部２０５を下降させてテープ剥がし用コマ２００と当接させ、更に、テープ剥がし用コマ２００を下方に押し下げる。その結果、多連配線基板８１'の下面に貼り付けられていた補強テープ８９が当該下面から引き剥がされる。テープ剥がし用コマ２００が凹状のコマ収容部２３０内に収容され、コマ保持部２０５と凹状のコマ収容部２３０の底面との間に固定されることにより、補強テープ８９は、多連配線基板８１'の下面から引き剥がされ、保持される。
【０１８２】
次いで、図４４に示すように、多連配線基板８１'の下面から引き剥がされた補強テープ８９を保持した状態で、多連配線基板８１'の切断機構として機能する切断金型３５を下降させて、多連配線基板８１'の所定の切断箇所を切断して、個片分割する。
【０１８３】
しかる後、図４５に示すように、切断金型３５を上昇させ、個片分割された配線基板９１を備えた半導体装置８０を下金型２２０から取り出す。次いで、コマ保持部２０５と、凹状のコマ収容部２３０の底面に位置していたテープ搬出時用コマ保持部材２３５とを上昇させ、下金型２２０から補強テープ８９を搬出する。
【０１８４】
このようにして、補強テープ８９を多連配線基板８１'から剥がした後に、多連配線基板８１'を個々の配線基板８１に個片分割する。多連配線基板８１'を個々の配線基板８１に個片分割する前に補強テープ８９を多連配線基板８１'から剥がすため、補強テープ８９の外形と半導体装置８０の外形とが同一となって補強テープ８９を剥離することが困難となることを防止することができ、また、作業工程数の削減を図ることができる。
【０１８５】
多連配線基板８１'の切断箇所Ｂに溝部８８が形成されており、当該溝部８８が形成された箇所が構造強度的に柔軟となるため、応力緩和機構の役割を果たす。また、溝部８８により、容易に多連配線基板８１'を切断することができ、当該切断時に発生する応力そのものを低減することができる。よって、多連配線基板８１'を切断する際に発生する応力を低減することができ、また、切断箇所Ｂにおいて発生した応力が配線基板８１の中心側（内部）に伝達することを防止することができる。
【０１８６】
また、多連配線基板８１'を切断する際に、切断箇所Ｂ、即ち、多連配線基板８１'を個片分割化してなる配線基板８１の外周辺（半導体装置８０の外形端）にクラックが発生しても、クラックは配線基板８１の厚さが厚い方向（配線基板８１の中心側（内部）方向）に進行し難い。
【０１８７】
よって、配線基板８１の断線等に因る機能障害の発生を防止することができる。
【０１８８】
このようにして、本発明の実施の形態の第５の例に係る半導体装置が完成となる（図３４のＳ２９）。
【０１８９】
４．本発明の実施の形態の第６の例に係る半導体装置の製造方法
図４６に、本発明の実施の形態の第６の例に係る半導体装置の製造方法のフローを示す。
【０１９０】
まず、図４７又は図４８に示す方法により段差部９２が形成された大判の多連配線基板９１"を用意する（図４６のＳ３１）。なお、図４７及び図４８において点線Ｂで示す箇所は、後の工程で切断される箇所を示す。
【０１９１】
図４７に示す方法にあっては、まず、周知の基板製造方法により、ガラスエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を基材３０の内部に、例えば銅（Ｃｕ）等からなる配線層３１を配設し、基材３０の表面および裏面、並びに基材３０内に形成されたスルーホール３６の内壁に、銅（Ｃｕ）等からなる導電層３２を選択的に配設する（図４７（ａ））。
【０１９２】
次に、基材３０及び導電層３２上にソルダーレジスト層３３を形成する（図４７（ｂ））。
【０１９３】
しかる後、少なくとも前記切断箇所Ｂとその外側（図４７に示す例では右側）以外の箇所に再度ソルダーレジスト層３３を形成する（図４７（ｃ））。その結果、少なくとも前記切断箇所Ｂとその外側（図４７に示す例では右側）では、ソルダーレジスト層３３の厚さは他の箇所よりも小さく、段差部９２が形成される。
【０１９４】
図４８に示す方法にあっても、まず、周知の基板製造方法により、ガラスエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を基材３０の内部に、例えば銅（Ｃｕ）等からなる配線層３１を配設し、基材３０の表面および裏面、並びに基材３０内に形成されたスルーホール３６の内壁に、銅（Ｃｕ）等からなる導電層３２を選択的に配設する（図４８（ａ））。
【０１９５】
次に、基材３０のうち、少なくとも前記切断箇所Ｂとその外側（図４８に示す例では右側）を、他の箇所よりも厚さが小さくなるようにルーター加工する（図４８（ｂ））。
【０１９６】
次いで、少なくとも前記切断箇所Ｂとその外側（図４８に示す例では右側）が、他の箇所よりも厚さが小さい基材３０及び導電層３２上に、厚さが略均一のソルダーレジスト層３３を形成する（図４８（ｃ））。その結果、少なくとも前記切断箇所Ｂとその外側（図４８に示す例では右側）に、段差部９２が形成される。
【０１９７】
しかる後、図２５に示すＳ４乃至Ｓ７と同様の工程を施す。即ち、先ず、大判の多連配線基板９１"を個片分割する（図４６のＳ３２）。次いで、周知の方法で、多連配線基板９１'に半導体素子２２をワイヤボンディングし、エポキシ系樹脂等の封止樹脂２５により樹脂封止をする（図４６のＳ３３）。次いで、半導体素子２２が実装されていない多連配線基板６１'の主面に、半田を主体とする球状電極端子等の外部接続端子（バンプ）２４を配設する（図４６のＳ３４）。次いで、上面が樹脂封止された多連配線基板９１'を載置し、切断金型によって、多連配線基板９１'を切断箇所Ｂにおいて切断し、個々の配線基板８１に個片分割する（図４６のＳ３５）。
【０１９８】
多連配線基板９１'であって、少なくとも切断箇所Ｂとその外側には、切断箇所Ｂよりも内側の箇所よりも厚さが小さい段差部９２が形成されているため、多連配線基板９１'の厚さは均一ではなく、少なくとも切断箇所Ｂは他の箇所よりも薄くなっている。段差部９２が形成された箇所は構造強度的に柔軟となるため、応力緩和機構の役割を果たし、更に、容易に多連配線基板９１'を切断することができ、当該切断時に発生する応力そのものを低減することができる。
【０１９９】
よって、多連配線基板９１'の個片分割のために、多連配線基板９１'を切断する際に発生する応力を低減することができ、また、切断箇所Ｂにおいて発生した応力が配線基板９１の中心側（内部）に伝達することを防止することができる。よって、配線基板９１の断線等に因る機能障害の発生を防止することができる。
【０２００】
また、多連配線基板９１'を切断する際に、切断箇所Ｂ、即ち、多連配線基板９１'を個片分割化してなる配線基板９１の外周辺（半導体装置９０の外形端）にクラックが発生しても、当該クラックは配線基板９１の厚さが厚い方向（配線基板９１の中心側（内部）方向）に進行し難い。よって、配線基板９１の断線等に因る機能障害の発生を防止することができる。
【０２０１】
このようにして、本発明の実施の形態の第６の例に係る半導体装置が完成となる（図４６のＳ３６）。
【０２０２】
５．本発明の実施の形態の第７の例に係る多連配線基板を個片分割してなる半導体装置の製造方法
図４９に、本発明の実施の形態の第５の例に係る半導体装置の製造方法のフローを示す。
【０２０３】
まず、図５０に示す大判の多連配線基板１０１"を用意する（図４９のＳ４１）。ここで、図５０は、大判の多連配線基板１０１"の上面図である。
【０２０４】
次に、図５１に示すように、後の工程で実装される半導体素子の搭載領域αの外周よりも外側に、スリット２７（第１穴部）を、ルーター加工又はレーザー加工により、大判の多連配線基板１０１"に貫通形成する（図４９のＳ４２）。ここで、図５１（ａ）は、大判の多連配線基板１０１"の上面図であり、図５１（ｂ）は、図５１（ａ）において点線Ｘ−Ｘで示す箇所の断面図である。
【０２０５】
次に、図５２に示すように、スリット２７よりも外側に、スリット状穴部１０５（第２穴部）をルーター加工又はレーザー加工により、貫通形成する（図４９のＳ４３）。図２４に示すように、隣り合うスリット状穴部１０５同士の間隔ａが、隣り合うスリット２７同士の間隔、即ち、切断箇所Ｂの幅ｂよりも短くなるように、スリット状穴部１０５は形成される。従って、隣り合うスリット状穴部１０５同士の間の箇所は、隣り合うスリット２７同士の間の箇所よりも強度が低くなっている。なお、図５２（ａ）は、大判の多連配線基板１０１"の上面図であり、図３７（ｂ）は、図３７（ａ）において点線Ｙ−Ｙで示す箇所の断面図である。
【０２０６】
次に、図５３に示すように、大判の多連配線基板１０１"を個片分割する（図４９のＳ４４）。後の工程で実装される半導体素子の搭載領域αを５つを一つの単位として、大判の多連配線基板１０１"を分割ラインＳ（図５２（ｂ）参照）おいて切断し、単一の多連配線基板２１'を作成する。
【０２０７】
しかる後、図２５に示すＳ５乃至Ｓ７同様の工程を施す。即ち、先ず、周知の方法で、多連配線基板１０１'に半導体素子２２をワイヤボンディングし、エポキシ系樹脂等の封止樹脂２５により樹脂封止をする（図４９のＳ４５）。次いで、半導体素子２２が実装されていない多連配線基板１０１'の主面に、半田を主体とする球状電極端子等の外部接続端子（バンプ）２４を配設する（図４９のＳ４６）。次いで、上面が樹脂封止された多連配線基板１０１'を載置し、切断金型によって、多連配線基板１０１'を切断箇所Ｂにおいて切断し、個々の配線基板１０１に個片分割する（図４９のＳ４７）。
【０２０８】
上述したように、隣り合うスリット状穴部１０５同士の間の箇所は、隣り合うスリット２７同士の間の箇所よりも強度が低くなっている。従って、多連配線基板１０１'を搬送又は個片分割するために切断する際等に応力を受け、多連配線基板１０１'の強度の限界に至る際に、隣り合うスリット２７同士の間の箇所よりも強度が低い隣り合うスリット状穴部１０５同士の間の箇所が先ず破損する。その結果、多連配線基板１０１'に作用する応力は緩和するため、隣り合うスリット２７同士の間の箇所、即ち、切断箇所Ｂの破損を防止することができる。
【０２０９】
また、切断箇所Ｂにおいて応力が発生し、当該応力が配線基板２１の中心側（内部）に伝達することを防止することができる。よって、配線基板２１の断線等に因る機能障害の発生を防止することができる。
【０２１０】
このようにして、本発明の実施の形態の第６の例に係る半導体装置が完成となる（図４９のＳ４８）。
【０２１１】
以上、本発明の実施の形態について詳述したが、本発明は特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形及び変更が可能である。
【０２１２】
以上の説明に関し、更に以下の項を開示する。
（付記１）
多連配線基板が切断されて形成された配線基板に半導体素子が実装され樹脂封止された構造を有する半導体装置の製造方法において、
前記多連配線基板の主面であって、前記半導体素子が実装され樹脂封止される領域の外側に溝部を形成する工程と、
前記領域に実装された前記半導体素子を樹脂封止する工程と、
前記半導体素子が実装され樹脂封止された前記多連配線基板の前記主面であって、前記溝部よりも外側の箇所で前記多連配線基板を切断する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２）
付記１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記溝部を形成する工程は、
前記多連配線基板と電気的に絶縁されたスルーホールを形成する工程と、
前記スルーホールを含む面にて前記多連配線基板を切断する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記３）
付記１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記溝部を形成する工程において、前記溝部の底部が前記多連配線基板の基材に位置するように前記溝部は形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記４）
付記１記載の半導体装置の製造方法であって、
前記多連配線基板の主面であって前記半導体素子が実装され樹脂封止される面と反対の主面であって、前記半導体素子が実装され樹脂封止される前記多連配線基板の前記主面に形成される溝と水平方向にずれた位置に、別の溝部が複数形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記５）
付記１乃至４いずれか一項記載の半導体装置の製造方法であって、
前記溝部を形成した後、前記多連配線基板を切断する前に、前記溝部に弾性部材を充填する工程を更に有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記６）
多連配線基板が切断されて形成された配線基板に半導体素子が実装され樹脂封止された構造を有する半導体装置の製造方法であって、
前記多連配線基板の主面であって、前記半導体素子が実装され樹脂封止される領域の外側に、前記多連配線基板に貫通溝部を形成する工程と、
前記多連配線基板の裏面に、前記溝部の内側の領域から前記溝部の外側の領域にわたる補強部材を貼り付ける工程と、
前記領域に実装された前記半導体素子を樹脂封止する工程と、
前記半導体素子を樹脂封止した後、金型の第1の部分を前記多連配線基板の主面側から前記溝部に挿入し、前記第1の部分の押圧により前記補強部材を前記多連配線基板の裏面から剥がす工程と、
前記補強部材を剥がした後、前記金型の第２の部分の押圧により前記多連配線基板を前記溝部にて切断する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記７）
多連配線基板が切断されて形成された配線基板に半導体素子が実装され樹脂封止された構造を有する半導体装置の製造方法において、
前記半導体素子が実装され樹脂封止される前記多連配線基板の主面に、段差部を形成する工程と、
前記多連配線基板において、厚さが他より大きい箇所に前記半導体素子を実装し樹脂封止する工程と、
前記多連配線基板において、厚さが他より小さい箇所を切断する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記８）
付記７に記載の半導体装置の製造方法であって、
前記段差部は、前記多連配線基板の表面に設けられたソルダーレジスト層の厚さを異ならして形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記９）
付記７記載の半導体装置の製造方法であって、
前記段差部は、前記多連配線基板の基材の厚さを異ならして形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１０）
多連配線基板が切断されて形成された配線基板に半導体素子が実装され樹脂封止された構造を有する半導体装置の製造方法において、
前記多連配線基板の主面であって、前記半導体素子が実装され樹脂封止される領域の外側に複数の第１穴部を貫通形成する工程と、
前記多連配線基板の主面であって、前記第１穴部よりも外側に、第２穴部を、隣接する前記第２穴部間の長さが、隣接する前記第１穴部間の長さよりも短くなるように、貫通形成する工程と、
前記領域に実装した前記半導体素子を樹脂封止する工程と、
隣接する前記第１穴部間を切断箇所として前記多連配線基板を切断する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１１）
配線基板と、
前記配線基板の主面に実装される半導体素子と、
前記半導体素子を封止する封止樹脂と、
前記配線基板の主面であって、前記封止樹脂の外側に形成された溝部と、
を含むことを特徴とする半導体装置。
（付記１２）
付記１１記載の半導体装置において、
前記溝部は、前記配線基板のコーナー部に形成されることを特徴とする半導体装置。
（付記１３）
付記１１又は１２記載の半導体装置において、
前記溝部は、前記配線基板を貫通する前記略半円状の断面を有することを特徴とする半導体装置。
（付記１４）
付記１１乃至１３いずれか一項記載の半導体装置において、
前記溝部は、第１の溝部と、前記第１の溝部の外側に位置する第２の溝部と、を有することを特徴とする半導体装置。
【図面の簡単な説明】
【０２１３】
【図１】ＢＧＡパッケージ構造を有する半導体装置の断面図である。
【図２】図１に示す半導体素子が実装された面が樹脂封止されており、個片分割される前の状態の多連配線基板の部分上面図である。
【図３】図２に示す配線基板を個片分割するときの状態を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態の第１の例に係る半導体装置の断面図である。
【図５】図４に示す半導体素子が実装された面が樹脂封止されており、個片分割される前の状態の配線基板の部分上面図である。
【図６】図４に示す配線基板の内部構造を示す断面図である。
【図７】図４に示す溝部の効果を説明するための部分断面図である。
【図８】図４に示す半導体装置の変形例（その１）を示す断面図である。
【図９】図４に示す半導体装置の変形例（その２）を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態の第２の例に係る半導体装置の部分断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態の第３の例に係る半導体装置の構造を示す図である。
【図１２】本発明の実施の形態の第４の例に係る半導体装置の上面図である。
【図１３】図１２に示す半導体装置の配線基板を説明するための図である。
【図１４】図１２に示す半導体装置の変形例を示す上面図である。
【図１５】図１４に示す半導体装置の配線基板を説明するための図である。
【図１６】本発明の実施の形態の第５の例に係る半導体装置の上面図である。
【図１７】図１６に示す半導体装置の配線基板を説明するための図である。
【図１８】図１６に示す半導体装置の変形例を示す上面図である。
【図１９】図１８に示す半導体装置の配線基板を説明するための図である。
【図２０】図１７に示す溝部の下方に、多連配線基板の強度補強部材を設ける例を示す図である。
【図２１】多連配線基板における補強テープの貼り付けの別の態様を示す図である。
【図２２】本発明の実施の形態の第６の例に係る半導体装置の部分断面図である。
【図２３】図２２に示す半導体装置の配線基板を説明するための図である。
【図２４】本発明の実施の形態の第７の例に係る多連配線基板の部分上面図である。
【図２５】本発明の実施の形態の第１乃至第３の例に係る半導体装置の製造方法のフローである。
【図２６】図２５のＳ１を説明するための図である。
【図２７】図２５のＳ２を説明するための図である。
【図２８】溝部への弾性部材の充填を説明するための図である。
【図２９】図２５のＳ３を説明するための図である。
【図３０】図２５のＳ４を説明するための図である。
【図３１】本発明の実施の形態の第４の例に係る半導体装置の製造方法のフローである。
【図３２】図３１のＳ１を説明するための図である。
【図３３】図３１のＳ２を説明するための図である。
【図３４】本発明の実施の形態の第４及び第５の例に係る半導体装置の製造方法のフローである。
【図３５】図３４のＳ２１を説明するための図である。
【図３６】図３４のＳ２２を説明するための図である。
【図３７】図３４のＳ２３を説明するための図である。
【図３８】図３４のＳ２４を説明するための図である。
【図３９】図３４のＳ２５を説明するための図である。
【図４０】補強テープを剥がした後に、多連配線基板を個々の配線基板に個片分割する工程を説明するための図（その１）である。
【図４１】補強テープを剥がした後に、多連配線基板を個々の配線基板に個片分割する工程を説明するための図（その２）である。
【図４２】補強テープを剥がした後に、多連配線基板を個々の配線基板に個片分割する工程を説明するための図（その３）である。
【図４３】補強テープを剥がした後に、多連配線基板を個々の配線基板に個片分割する工程を説明するための図（その４）である。
【図４４】補強テープを剥がした後に、多連配線基板を個々の配線基板に個片分割する工程を説明するための図（その５）である。
【図４５】補強テープを剥がした後に、多連配線基板を個々の配線基板に個片分割する工程を説明するための図（その６）である。
【図４６】本発明の実施の形態の第６の例に係る半導体装置の製造方法のフローである。
【図４７】段差部の形成方法（その１）を説明するための図である。
【図４８】段差部の形成方法（その２）を説明するための図である。
【図４９】本発明の実施の形態の第７の例に係る多連配線基板を個片分割してなる半導体装置の製造方法のフローである。
【図５０】図４９のＳ４１を説明するための図である。
【図５１】図４９のＳ４２を説明するための図である。
【図５２】図４９のＳ４３を説明するための図である。
【図５３】図４９のＳ４４を説明するための図である。
【符号の説明】
【０２１４】
２０、４０、４５、５０、５５、６０、７０、８５、９０      半導体装置
２１、４１、４７、５２、５７、６１、７１、８１、９１      配線基板
２１'、２１"、５７'、６１'、６１"、７１'、８１'、８１"、９１'、９１"、１０１'、１０１"          多連配線基板
２２            半導体素子
２５            封止樹脂
２７  スリット
２８、５８、８８          溝部
３０            基材
３３            ソルダーレジスト層
５１、６６      弾性樹脂
６４            スルーホール
８９            補強テープ
９２、９８      段差部
１０５          スリット状穴部
【図１】
2010062429.tif 000003
【図２】
2010062429.tif 000004
【図３】
2010062429.tif 000005
【図４】
2010062429.tif 000006
【図５】
2010062429.tif 000007
【図６】
2010062429.tif 000008
【図７】
2010062429.tif 000009
【図８】
2010062429.tif 000010
【図９】
2010062429.tif 000011
【図１０】
2010062429.tif 000012
【図１１】
2010062429.tif 000013
【図１２】
2010062429.tif 000014
【図１３】
2010062429.tif 000015
【図１４】
2010062429.tif 000016
【図１５】
2010062429.tif 000017
【図１６】
2010062429.tif 000018
【図１７】
2010062429.tif 000019
【図１８】
2010062429.tif 000020
【図１９】
2010062429.tif 000021
【図２０】
2010062429.tif 000022
【図２１】
2010062429.tif 000023
【図２２】
2010062429.tif 000024
【図２３】
2010062429.tif 000025
【図２４】
2010062429.tif 000026
【図２５】
2010062429.tif 000027
【図２６】
2010062429.tif 000028
【図２７】
2010062429.tif 000029
【図２８】
2010062429.tif 000030
【図２９】
2010062429.tif 000031
【図３０】
2010062429.tif 000032
【図３１】
2010062429.tif 000033
【図３２】
2010062429.tif 000034
【図３３】
2010062429.tif 000035
【図３４】
2010062429.tif 000036
【図３５】
2010062429.tif 000037
【図３６】
2010062429.tif 000038
【図３７】
2010062429.tif 000039
【図３８】
2010062429.tif 000040
【図３９】
2010062429.tif 000041
【図４０】
2010062429.tif 000042
【図４１】
2010062429.tif 000043
【図４２】
2010062429.tif 000044
【図４３】
2010062429.tif 000045
【図４４】
2010062429.tif 000046
【図４５】
2010062429.tif 000047
【図４６】
2010062429.tif 000048
【図４７】
2010062429.tif 000049
【図４８】
2010062429.tif 000050
【図４９】
2010062429.tif 000051
【図５０】
2010062429.tif 000052
【図５１】
2010062429.tif 000053
【図５２】
2010062429.tif 000054
【図５３】
2010062429.tif 000055