(57)【要約】【課題】  基板の表面に微小な溝を形成することなく、トレンチ構造を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】  半導体装置の製造方法であって、シリコン層と、層間絶縁膜と、マスク層を有する基板に対して、マスク層の表面からシリコン層内部に達するトレンチを形成する工程と、層間絶縁膜をトレンチ内に露出している壁面からエッチングして後退させる工程と、エッチングによってシリコン層の角部を面取りする工程と、層間絶縁膜をエッチングして側方空間を形成する工程と、トレンチ内及び側方空間内に露出しているシリコン層を酸化させてその表面にトレンチ絶縁膜を形成する工程と、トレンチ及び側方空間内にポリシリコンを充填する工程と、エッチングによってポリシリコンとマスク層の間に隙間を形成する工程と、ポリシリコンの表面にキャップ絶縁膜を形成する工程を実施する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
トレンチ内にポリシリコンが充填されており、トレンチ内のポリシリコンの上部が酸化シリコンによって覆われた構造を有する半導体装置の製造方法であって、
シリコン層と、シリコン層上に積層されており、酸化シリコンからなる層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に積層されており、酸化シリコンに対してエッチング選択比を有する材質からなるマスク層を有する基板に対して、
マスク層、層間絶縁膜、及び、シリコン層をそれぞれエッチングすることによって、基板にマスク層の表面からシリコン層内部に達するトレンチを形成するトレンチ形成工程と、
トレンチ形成工程後に、層間絶縁膜をトレンチ内に露出している壁面からエッチングすることによって、その壁面を後退させる壁面後退工程と、
壁面後退工程後に、トレンチ内に露出しているシリコン層の表面をエッチングすることによって、シリコン層の上面とトレンチ壁面との境界の角部を面取りする面取り工程と、
面取り工程後に、層間絶縁膜をトレンチ内に露出している壁面からエッチングすることによって、トレンチの壁面から側方に伸びる側方空間を形成する側方空間形成工程と、
側方空間形成工程後に、トレンチ内及び側方空間内に露出しているシリコン層を酸化させることによって、その露出しているシリコン層の表面に酸化シリコンからなるトレンチ絶縁膜を形成するトレンチ絶縁膜形成工程と、
トレンチ絶縁膜形成工程後に、トレンチ内及び側方空間内にポリシリコンを充填するポリシリコン充填工程と、
ポリシリコン充填工程後に、充填したポリシリコンをエッチングによって部分的に除去することによって、残存するポリシリコンとマスク層の間に隙間を形成するポリシリコン除去工程と、
ポリシリコン除去工程後に、残存するポリシリコンの表面を酸化させることによって、ポリシリコンの表面に酸化シリコンからなるキャップ絶縁膜を形成するキャップ絶縁膜形成工程を実施することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トレンチ内にポリシリコンが充填されており、トレンチ内のポリシリコンの上部が酸化シリコンによって覆われた構造を有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特許文献１に開示されているように、トレンチ内にポリシリコンが充填されており、トレンチ内のポリシリコンの上部が酸化シリコンによって覆われた構造（以下では、この構造をトレンチ構造という場合がある）を有する半導体装置が知られている。トレンチ構造は、例えば、半導体基板中の素子分離等に用いられる。トレンチ構造の代表的な形成方法は、以下の通りである。
図１３に示すように、シリコン層１１４を有する基板１１２上に層間絶縁膜１１６と第１マスク層１１８と第２マスク層１２０を積層する。層間絶縁膜１１６は酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなっており、第１マスク層１１８は窒化シリコン（ＳｉＮ）からなっており、第２マスク層１２０は酸化シリコンからなっている。次に、第２マスク層１２０、第１マスク層１１８、層間絶縁膜１１６、及び、シリコン層１１４をそれぞれ選択的にエッチングすることによって、図１４に示すように、基板１１２にトレンチ１３０を形成する。
トレンチ１３０を形成したら、第２マスク層１２０をウェットエッチングする。これによって、図１５に示すように、第２マスク層１２０を除去する。この際、層間絶縁膜１１６も、トレンチ１３０内に露出している壁面からエッチングされる。したがって、エッチング後には、図１５に示すように、層間絶縁膜１１６の壁面が後退する。
第２マスク層１２０を除去したら、シリコン層１１４をドライエッチング（等方性エッチング）する。これによって、図１６に示すように、シリコン層１１４の上面とトレンチ壁面の境界部の角部１３４を面取りする。すなわち、角部１３４を緩やかな曲面状に成形する。角部１３４を面取りするのは、半導体装置の使用時に、角部１３４に電界が集中することを防止するためである。
角部１３４を面取りしたら、熱酸化法等によって、トレンチ１３０内に露出しているシリコン層１１４の表面を酸化させる。これによって、図１７に示すように、その露出している表面にトレンチ絶縁膜１３２を形成する。シリコンは、酸化時に体積膨張する。このため、トレンチ１３０の幅は狭くなる。この体積膨張は、トレンチ１３０の深さ方向（すなわち、図１７の上下方向）にも起こる。このため、トレンチ１３０近傍の層間絶縁膜１１６が、成長したトレンチ絶縁膜１３２によって押し上げられて変形する。これによって、層間絶縁膜１１６の上面に凸部１１６ｂが形成されるとともに、層間絶縁膜１１６の壁面１１６ａが上側に向かうに従ってトレンチ幅が広がるテーパ形状となる。
トレンチ絶縁膜１３２を形成したら、基板１１２上にポリシリコンを堆積させるとともに、堆積させたポリシリコンをエッチバックする。これによって、図１８に示すように、トレンチ１３０内にポリシリコン層１３６を形成する。
ポリシリコン層１３６を形成したら、熱酸化法等によって、ポリシリコン層１３６の表面（上面）を酸化させる。これによって、図１９に示すように、ポリシリコン層１３６上にキャップ絶縁膜１３８を形成する。キャップ絶縁膜１３８を形成したら、第１マスク層１１８をエッチングにより除去する。これによって、図２０に示すトレンチ構造が完成する。
【０００３】
【特許文献１】特開平８−２７４１５７号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述したトレンチ構造の形成方法では、トレンチ絶縁膜１３２を形成する際に、層間絶縁膜１１６の上面に凸部１１６ｂが形成される（図１７参照）。また、シリコン層１１４の角部１３４を面取りした後にトレンチ絶縁膜１３２を形成するので、トレンチ絶縁膜１３２形成後に、トレンチ１３０の上部の形状が、上側に向かうほど幅が広がる形状となる（図１７参照）。このため、その後にポリシリコン層１３６を充填したときに、図１８に示すように、ポリシリコン層１３６の上端部に、トレンチ１３０の幅方向に広がる幅広部１３６ａが形成される。幅広部１３６ａは、トレンチ１３０の幅方向の端部（図１７の左右方向の端部）に向かうほど、厚みが薄くなるように形成される。その後、ポリシリコン層１３６の表面を酸化させると、図１９に示すように、幅方向の位置によって厚さが異なるキャップ絶縁膜１３８が形成される。すなわち、幅広部１３６ａの端部の近傍では、ポリシリコンの厚みが薄いため、酸化シリコンが厚く形成されない。一方、幅広部１３６ａの中央部（図１７の左右方向の中央部）の近傍では、ポリシリコンの厚みが厚いため、酸化シリコンが厚く形成される。したがって、キャップ絶縁膜１３８は、図１９に示すように、幅広部１３６ａの端部近傍で薄く、幅広部１３６ａの中央部近傍で厚くなる。このため、図２０に示すように、トレンチ構造形成後の基板１１２の上面（キャップ絶縁膜１３８と層間絶縁膜１１６の境界部）に微小な溝１４０が形成される。基板１１２の上面に溝１４０が存在すると、その後に基板１１２上に金属配線を形成する際に問題が生じる。すなわち、金属配線は、基板１１２上の略全面に金属層を形成した後に、形成した金属層の不要な部分をエッチングして除去することによって形成される。上記のように、基板１１２の上面に溝１４０が存在していると、金属層のエッチング後に、溝１４０内に金属層の残渣が残存してしまうという問題が生じる。
【０００５】
本発明は、上述した実情に鑑みて創作されたものであり、基板の表面に微小な溝を形成することなく、トレンチ構造を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体装置の製造方法では、トレンチ内にポリシリコンが充填されており、トレンチ内のポリシリコンの上部が酸化シリコンによって覆われた構造を有する半導体装置を製造する。この製造方法では、シリコン層と、シリコン層上に積層されており、酸化シリコンからなる層間絶縁膜と、層間絶縁膜上に積層されており、酸化シリコンに対してエッチング選択比を有する材質からなるマスク層を有する基板に対して、トレンチ形成工程と、壁面後退工程と、面取り工程と、側方空間形成工程と、トレンチ絶縁膜形成工程と、ポリシリコン充填工程と、ポリシリコン除去工程と、キャップ絶縁膜形成工程を実施する。トレンチ形成工程では、マスク層、層間絶縁膜、及び、シリコン層をそれぞれエッチングすることによって、基板にマスク層の表面からシリコン層内部に達するトレンチを形成する。壁面後退工程では、トレンチ形成工程後に、層間絶縁膜をトレンチ内に露出している壁面からエッチングすることによって、その壁面を後退させる。面取り工程では、壁面後退工程後に、トレンチ内に露出しているシリコン層の表面をエッチングすることによって、シリコン層の上面とトレンチ壁面との境界の角部を面取りする。側方空間形成工程では、面取り工程後に、層間絶縁膜をトレンチ内に露出している壁面からエッチングすることによって、トレンチの壁面から側方に伸びる側方空間を形成する。トレンチ絶縁膜形成工程では、側方空間形成工程後に、トレンチ内及び側方空間内に露出しているシリコン層を酸化させることによって、その露出しているシリコン層の表面に酸化シリコンからなるトレンチ絶縁膜を形成する。ポリシリコン充填工程では、トレンチ絶縁膜形成工程後に、トレンチ及び側方空間内にポリシリコンを充填する。ポリシリコン除去工程では、ポリシリコン充填工程後に、充填したポリシリコンをエッチングによって部分的に除去することによって、残存するポリシリコンとマスク層の間に隙間を形成する。キャップ絶縁膜形成工程では、ポリシリコン除去工程後に、残存するポリシリコンの表面を酸化させることによって、ポリシリコンの表面に酸化シリコンからなるキャップ絶縁膜を形成する。
この製造方法では、面取り工程後に、側方空間形成工程を実施する。すなわち、層間絶縁膜をトレンチ内に露出している壁面からエッチングし、その壁面をさらに後退させることによって、トレンチの壁面から側方に伸びる側方空間を形成する。その後、トレンチ絶縁膜形成工程で、トレンチ内及び側方空間内に露出しているシリコン層を酸化させることによって、その表面にトレンチ絶縁膜を形成する。シリコンは酸化時に体積膨張する。その体積膨張は、形成される酸化シリコンの厚さ方向だけでなく、酸化シリコンが形成される面内でも生じる。すなわち、トレンチの壁面に形成されるトレンチ絶縁膜はトレンチの深さ方向にも大きく体積膨張する。ここで、層間絶縁膜の壁面は、側方空間の形成によってトレンチから大きく後退されている。このため、層間絶縁膜はトレンチの壁面に成長するトレンチ絶縁膜の体積膨張の影響を受け難い。したがって、トレンチ絶縁膜の形成時に層間絶縁膜が押し上げられることが抑制され、層間絶縁膜の上面に凸部が形成されることを抑制することができる。また、側方空間は面取り行程後に形成されるため、側方空間の底面（すなわち、シリコン層の表面）は略平面形状となっている。このため、側方空間に形成されるトレンチ絶縁膜は表面が略平面形状となる。したがって、その後のポリシリコン充填行程及びポリシリコン除去行程で、トレンチ内及び側方空間内にポリシリコンを残存させたときに、側方空間内のポリシリコンの厚さが略一定になる。すなわち、側方空間内のポリシリコンに厚さが薄い部分が形成されることが抑制される。このため、その後のキャップ絶縁膜形成工程において、ポリシリコンの表面に均一な厚さでキャップ絶縁膜を形成することができる。キャップ絶縁膜が部分的に薄くなることが抑制される。以上に説明したように、本発明の製造方法では、層間絶縁膜の上面に凸部が形成されること、及び、キャップ絶縁膜が部分的に薄くなることが抑制される。したがって、トレンチ構造を形成した後に、基板の表面に溝が形成されることが抑制される。
【発明の効果】
【０００７】
以上に説明したように、本発明の半導体装置の製造方法によれば、基板の表面に溝が形成されることを抑制しながら、トレンチ構造を形成することができる。したがって、その後に基板の表面に金属配線を形成する際に、金属の残渣が基板表面に残留することを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。本実施形態では、図１に示す素子分離用のトレンチ構造を有する半導体装置を製造する。なお、本実施形態の製造方法は、トレンチ構造の形成方法に特徴を有しているため、その他の半導体素子構造の詳細については説明を省略する。
【０００９】
（積層工程）
半導体装置は、図２に示すシリコン層１４からなる基板１２から製造される。まず、図３に示すように、シリコン層１４上に、層間絶縁膜１６（酸化シリコン膜）、第１マスク層１８（窒化シリコン層）、及び、第２マスク層２０（酸化シリコン層）の積層構造を形成する。すなわち、最初に、熱酸化法によって、シリコン層１４の上面に層間絶縁膜１６を形成する。次に、ＣＶＤ法によって、層間絶縁膜１６上に第１マスク層１８を堆積する。次に、ＣＶＤ法によって、第１マスク層１８上に第２マスク層２０を堆積する。
【００１０】
（トレンチ形成工程）
積層工程が終了したら、図４に示すように、層間絶縁膜１６、第１マスク層１８、及び、第２マスク層２０からなる積層構造に開口部４０を形成する。すなわち、最初に、第２マスク層２０上に開口を有するフォトレジストを形成する。そして、フォトレジストをマスクとして、第２マスク層２０を第１マスク層１８に達するまでエッチングする。次に、フォトレジストをマスクとして、第１マスク層１８を層間絶縁膜１６に達するまでエッチングする。次に、フォトレジストをマスクとして、層間絶縁膜１６をシリコン層１４に達するまでエッチングする。層間絶縁膜１６のエッチングが終了したら、フォトレジストを除去する。これによって、図４に示すように、シリコン層１４に達する開口部４０が形成される。
開口部４０を形成したら、ＲＩＥ法によって、開口部４０内に露出している表面からシリコン層１４をエッチングする。これによって、図５に示すように、第２マスク層２０の上面からシリコン層１４の内部にまで達するトレンチ３０を形成する。なお、この際には、第２マスク層２０も低いエッチングレートで物理的なエッチングを受ける。したがって、図５では、第２マスク層２０が薄くなっている。
【００１１】
（壁面後退工程）
トレンチ形成工程が終了したら、基板１２を酸化シリコン用のエッチング液に浸漬して、第２マスク層２０と層間絶縁膜１６をウェットエッチング（等方性エッチング）する。
これにより、図６に示すように、第２マスク層２０が除去される。
また、層間絶縁膜１６は、トレンチ３０内に露出している壁面１６ａからエッチングされる。したがって、図６に示すように、層間絶縁膜１６の壁面１６ａが後退する。すなわち、層間絶縁膜１６に対応する範囲でトレンチ３０の幅が拡大する。
【００１２】
（面取り工程）
第２マスク層除去工程が終了したら、ＣＤＥ法（等方性エッチング）によって、シリコン層１４をエッチングする。等方性エッチングであるので、シリコン層１４の角部３４（シリコン層１４の上面とトレンチ壁面との境界の角部３４：図６参照）が、上面側と壁面側の双方からエッチングされる。これによって、図７に示すように、角部３４が丸みを帯びた形状に面取り成形される。
【００１３】
（側方空間形成工程）
面取り工程が終了したら、ＣＤＥ法によって、層間絶縁膜１６をエッチングする。すなわち、トレンチ３０内の壁面１６ａから、層間絶縁膜１６をエッチングする。これによって、図８に示すように、壁面１６ａをさらに後退させる。壁面１６ａを後退させることによって、トレンチ３０の壁面から側方に伸びる側方空間５０が形成される。
【００１４】
（トレンチ絶縁膜形成工程）
側方空間形成工程が終了したら、熱酸化法によって、シリコン層１４の表面にトレンチ絶縁膜３２（酸化シリコン膜）を形成する。すなわち、図９に示すように、トレンチ３０内と側方空間５０内に露出しているシリコン層１４の表面に、トレンチ絶縁膜３２を形成する。
ここで、トレンチ絶縁膜３２は、体積膨張しながら成長する。トレンチ絶縁膜３２の体積膨張は、トレンチ絶縁膜３２の厚さ方向よりも、トレンチ絶縁膜３２が形成される面内で大きくなる。すなわち、トレンチ３０の壁面に成長するトレンチ絶縁膜３２はトレンチ３０の深さ方向に大きく体積膨張し、側方空間５０の底面（シリコン層１４の上面）に形成されるトレンチ絶縁膜３２はトレンチ３０の幅方向に大きく体積膨張する。ここで、層間絶縁膜１６の壁面１６ａは、側方空間５０の形成によってトレンチ３０から大きく後退している。このため、層間絶縁膜１６はトレンチ３０の壁面に成長するトレンチ絶縁膜３２の体積膨張の影響を受けない。また、層間絶縁膜１６は、側方空間５０の底面に成長するトレンチ絶縁膜３２の体積膨張の影響を受けるが、その体積膨張によって加わる力の方向はトレンチ３０の幅方向（すなわち、図９の左右方向）が主である。したがって、トレンチ絶縁膜３２の形成時に、層間絶縁膜１６が盛り上がって、その上面に凸部が形成されることがない。また、側方空間５０は面取り行程後に形成されるので、側方空間５０の底面は平坦である。このため、側方空間５０の底面に成長するトレンチ絶縁膜３２は、その表面がシリコン層１４の上面と略平行な平面形状となる（図９の平坦部３２ａ参照）。
【００１５】
（ポリシリコン充填工程）
トレンチ絶縁膜形成工程が終了したら、ＣＶＤ法によって、基板１２の上面側にポリシリコンを堆積させる。この際、トレンチ３０内及び側方空間５０内にもポリシリコンが充填される。これによって、図１０に示すように、ポリシリコン層３６が形成される。
【００１６】
（ポリシリコン除去工程）
ポリシリコン層３６を形成したら、ポリシリコン層３６を上面側からドライエッチングする。これによって、図１１に示すように、側方空間５０より上側のポリシリコンを除去する。より詳細には、側方空間５０内のポリシリコン層３６と第１マスク層１８との間に隙間が形成されるように、側方空間５０内の上部のポリシリコン層３６も除去する。すなわち、側方空間５０内の下部、及び、側方空間５０の下側のトレンチ３０内にポリシリコン層３６を残存させる。このとき、側方空間５０内のトレンチ絶縁膜３２の表面が平坦であるので、側方空間５０内に残存するポリシリコン層３６の厚みが略均一となる。
【００１７】
（キャップ絶縁膜形成工程）
ポリシリコン除去工程が終了したら、熱酸化法によって、図１２に示すようにポリシリコン層３６の表面（上面）にキャップ絶縁膜３８（酸化シリコン膜）を形成する。上述したように、側方空間５０内のポリシリコン層３６は厚みが略均一である。したがって、ポリシリコン層３６の表面には、略均一な厚みでキャップ絶縁膜３８が成長する。
【００１８】
（第１マスク層除去工程）
キャップ絶縁膜形成工程が終了したら、エッチングによって第１マスク層１８を除去する。これによって、図１に示すトレンチ構造が完成する。
【００１９】
以上のようにしてトレンチ構造を形成し、その他の必要な構造を従来公知の方法によって形成することで、トレンチ構造を備えた半導体装置が製造される。
【００２０】
以上に説明したように、本実施形態の半導体装置の製造方法では、角部３４を面取りした後に、側方空間５０を形成する。このため、その後にトレンチ絶縁膜３２を形成するときに、層間絶縁膜１６が盛り上がってその表面に凸部が形成されることが防止される。また、側方空間５０を形成するので、側方空間５０内に略均一な厚さでポリシリコン層３６を形成することができる。このため、ポリシリコン層３６の上面に、均一な厚さでキャップ絶縁膜３８を形成することができる。このように、層間絶縁膜１６に凸部が形成されること、及び、キャップ絶縁膜３８に薄い部分が形成されることが防止されるため、トレンチ構造形成後に、基板１２の上面に溝が形成されない。基板１２の上面を従来よりも平坦化することができる。したがって、トレンチ構造形成後に基板１２の上面に金属配線を形成する際に、基板１２の上面に金属層の残渣が残存することが抑制される。
【００２１】
なお、上述した実施形態では、酸化シリコンからなる第２マスク層２０を形成した。しかしながら、トレンチ３０の形成時のエッチング等において第２マスク層２０を必要としない場合には、第２マスク層２０は形成しなくてもよい。また、第２マスク層２０は、他の材質で形成してもよい。
また、上述した実施形態では、第１マスク層１８を窒化シリコンにより形成した。しかしながら、第１マスク層１８は、層間絶縁膜１６（すなわち、酸化シリコン膜）とのエッチング選択比を有していれば、他の材質で形成してもよい。
また、上述した実施形態では、素子分離用のトレンチ構造について説明したが、他の用途のトレンチ構造に対して上記の製造方法を適用してもよい。
【００２２】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例をさまざまに変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組み合わせによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組み合わせに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】実施例の製造方法により形成したトレンチ構造の断面図。
【図２】実施例の製造方法に用いる基板１２の断面図。
【図３】実施例の製造方法における積層工程後の基板１２の断面図。
【図４】実施例の製造方法における開口４０形成後の基板１２の断面図。
【図５】実施例の製造方法におけるトレンチ３０形成後の基板１２の断面図。
【図６】実施例の製造方法における壁面後退工程後の基板１２の断面図。
【図７】実施例の製造方法における面取り工程後の基板１２の断面図。
【図８】実施例の製造方法における側方空間形成工程後の基板１２の断面図。
【図９】実施例の製造方法におけるトレンチ絶縁膜形成工程後の基板１２の断面図。
【図１０】実施例の製造方法におけるポリシリコン充填工程後の基板１２の断面図。
【図１１】実施例の製造方法におけるポリシリコン除去工程後の基板１２の断面図。
【図１２】実施例の製造方法におけるキャップ絶縁膜形成工程後の基板１２の断面図。
【図１３】従来技術の製造方法における積層構造形成後の基板１１２の断面図。
【図１４】従来技術の製造方法におけるトレンチ形成後の基板１１２の断面図。
【図１５】従来技術の製造方法における酸化シリコンエッチング後の基板１１２の断面図。
【図１６】従来技術の製造方法における角部の面取り後の基板１１２の断面図。
【図１７】従来技術の製造方法におけるトレンチ絶縁膜形成後の基板１１２の断面図。
【図１８】従来技術の製造方法におけるポリシリコン層形成後の基板１１２の断面図。
【図１９】従来技術の製造方法におけるキャップ絶縁膜形成後の基板１１２の断面図。
【図２０】従来技術の製造方法により形成したトレンチ構造の断面図。
【符号の説明】
【００２４】
１２：基板
１４：シリコン層
１６：層間絶縁膜
１６ａ：壁面
１８：第１マスク層
２０：第２マスク層
３０：トレンチ
３２：トレンチ絶縁膜
３２ａ：平坦部
３４：角部
３６：ポリシリコン層
３８：キャップ絶縁膜
４０：開口部
５０：側方空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2010087373.tif 000012
【図１１】
2010087373.tif 000013
【図１２】
2010087373.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2010087373.tif 000017
【図１６】
2010087373.tif 000018
【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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