(57)【要約】【課題】液晶滴下法において、出来あがった液晶表示装置が凹形状となってしまうことを低減できる液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】この液晶表示装置１００の製造方法は、表示領域３に対応する領域にフォトスペーサー２２を形成する工程と、非表示領域４に対応する領域にシール内スペーサー３４を含むシール層３１を形成する工程と、基板１と基板２とを対向させるとともに、基板２とシール層３１とが接触するように、基板１または基板２のうちの少なくとも一方を移動させる工程とを備え、基板２とシール層３１とが接触する際に、シール層３１に含まれるシール内スペーサー３４が基板２に接触するよりも先に、フォトスペーサー２２が形成されない基板２側とフォトスペーサー２２とが接触するように、フォトスペーサー２２の高さＨ１とシール内スペーサー３４の高さＨ２とが調整されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と第２基板との間に液晶滴下法によって液晶層を形成する液晶表示装置の製造方法であって、
前記第１基板側または前記第２基板側のどちらか一方の表示領域に、第１スペーサーを形成する工程と、
前記第１基板の非表示領域に第２スペーサーを含むシール層を形成する工程と、
真空状態の下で、前記第１基板と前記第２基板とを対向させる工程と、
大気圧状態の下で、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる工程と、を備え、
前記第２基板と前記シール層とが接触する際に、
前記シール層に含まれる前記第２スペーサーが前記第２基板に接触するよりも先に、
前記第１スペーサーが形成されていない側の基板と、前記第１スペーサーと、が接触するように、前記第１スペーサーの高さと前記第２スペーサーの高さとが調整されている、液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１基板の表面上に第１の層を形成する工程と、
前記第２基板の表面上に第２の層を形成する工程とをさらに備え、
前記第１スペーサーを形成する工程は、
前記第１基板の表面上に形成される前記第１の層の厚みと、前記第２基板の表面上に形成される前記第２の層の厚みと、前記第１基板の表面と直交する方向の前記第１スペーサーの高さとの合計が、前記第１基板の表面と直交する方向の前記第２スペーサーの高さよりも大きくなるように前記第１スペーサーを形成する工程を含む、請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１基板の表面と直交する方向の前記第２スペーサーの高さが、前記第１基板の表面と直交する方向の前記第１スペーサーの高さよりも大きい、請求項１また２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１スペーサーの材料は、前記第２スペーサーの材料よりも軟らかい、請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１基板の前記表示領域の表面上にカラーフィルターを含む第１の層を形成する工程と、
前記第２基板の前記表示領域の表面上に層間絶縁膜を含む第２の層を形成する工程とをさらに備え、
前記第１スペーサーは、前記第１の層または前記第２の層の一方の表面上に形成され、
前記第２基板と前記シール層とが接触する際に、前記シール層に含まれる前記第２スペーサーが前記第２基板に接触するよりも先に、前記第１スペーサーが形成されない他方の層の最表面と前記第１スペーサーとが接触するように、前記第１スペーサーの高さと前記第２スペーサーの高さとが調整されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置の製造方法に関し、特に、シール層を形成する工程を含む液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から液晶注入の方式として、特許文献１や特許文献２に記載されている方法が知られている。
【０００３】
特許文献１に記載されている方法は、液晶を注入するための注入口を形成するようにシール層を形成し、一対の基板を貼り合わせた後、注入口から液晶を注入する方法である。そして一対の基板を貼り合わせる工程では、対向させた基板を、加圧板などを用いて基板に加重することで貼り合わせている。この時、基板上にはシール層の中に混入されているスペーサーと、表示領域に形成されている柱状スペーサーとが存在している。そして上記のような加圧板などを用いた加重を行う場合、このシール層のスペーサーと、表示領域の柱状スペーサーとが加重時、均等に加重されるようその高さが調整されている、或いはシール層のスペーサーがメインに加重されるようにその高さが調整されている。このようにシール層のスペーサーと、柱状スペーサーの高さを調整することで、一対の基板を貼り合わせた際に、両基板が略平行となるようになっている。
【０００４】
一方、特許文献２には、一対の基板のそれぞれに、基板の表示領域の周囲を取り囲むように枠状にスペーサーが設けられ、一対の基板のそれぞれに設けられる枠状のスペーサーを枠状のシール層を介して貼り合わせることにより、一対の基板の間に液晶層を封入する液晶表示装置の製造方法、所謂液晶滴下法が開示されている。上記特許文献２の液晶表示装置の製造方法では、真空状態のチャンバー内で、一対の基板を貼り合わせ、チャンバー内を大気圧に戻すことにより一対の基板が圧し合わされて液晶層が広がる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−７５３０４号公報
【特許文献２】特開２００８−２３３７２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献２に記載のシール層を形成する工程を含む液晶表示装置の製造方法において、特許文献１と同様の設計で、シール層のスペーサーと、表示領域に形成されている柱状スペーサーとを形成してしまうと、チャンバー内が真空状態から大気圧に戻される際に、基板の端部近傍ではシール層のスペーサーによって一対の基板の間隔が所定の間隔に保たれる一方、一対の基板の端部近傍以外の中央部側では、一対の基板が大気圧に押されて凹形状に撓むという不都合が発生してしまった。この理由として、対向する基板が大気圧により圧し合わされる際、シール層側が支点となり、柱状スペーサーが形成されている表示領域側の方が大気圧により圧されてしまう、ということが考えられる。特に一般的にはシール層のスペーサーの方が柱状スペーサーよりも硬い材質なため、この理由によってより顕著に撓みが生じてしまう。このため、出来あがった液晶表示装置が凹形状になることにより、低温時に液晶が収縮した場合、基板が凹形状になっている分、液晶の収縮に基板の撓みが追いつかないことに起因して、液晶表示装置の内部に気泡（低温気泡）が発生するという問題点がある。
【０００７】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、液晶滴下法において、出来あがった液晶表示装置が凹形状となってしまうことを低減できる液晶表示装置の製造方法を提供することである。そして液晶表示装置が凹形状とならないことによって、低温気泡が発生するのを抑制することが可能となるものである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００８】
上記目的を達成するために、この発明の一の局面における液晶表示装置の製造方法は、第１基板と第２基板との間に液晶滴下法によって液晶層を形成する液晶表示装置の製造方法であって、第１基板側または第２基板側のどちらか一方の表示領域に、第１スペーサーを形成する工程と、第１基板の非表示領域に第２スペーサーを含むシール層を形成する工程と、真空状態の下で、第１基板と第２基板とを対向させる工程と、大気圧状態の下で、第１基板と第２基板とを貼り合わせる工程と、を備え、第２基板とシール層とが接触する際に、シール層に含まれる第２スペーサーが第２基板に接触するよりも先に、第１スペーサーが形成されていない側の基板と、第１スペーサーと、が接触するように、第１スペーサーの高さと第２スペーサーの高さとが調整されている。
【０００９】
この一の局面による液晶表示装置の製造方法では、上記のように、第２基板とシール層とが接触する際に、シール層に含まれる第２スペーサーが第２基板に接触するよりも先に、第１スペーサーが形成されない他方の側の基板と第１スペーサーとが接触するように、第１スペーサーの高さと第２スペーサーの高さとを調整することによって、真空状態の際には盛り上がっていた表示領域側が、大気圧状態のもとで徐々に窪んでいき、第１基板と第２基板とが貼り合わされた後に、第１基板および第２基板の表示領域の中央部側が凹形状になるのを抑制することができる。これにより、低温気泡が発生するのを抑制することができる。
【００１０】
上記一の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、第１基板の表面上に第１の層を形成する工程と、第２基板の表面上に第２の層を形成する工程とをさらに備え、第１スペーサーを形成する工程は、第１基板の表面上に形成される第１の層の厚みと、第２基板の表面上に形成される第２の層の厚みと、第１基板の表面と直交する方向の第１スペーサーの高さとの合計が、第１基板の表面と直交する方向の第２スペーサーの高さよりも大きくなるように第１スペーサーを形成する工程を含む。このように構成すれば、表示領域における第１基板の表面上に形成される第１の層の厚みと、第２基板の表面上に形成される第２の層の厚みと、第１基板の表面と直交する方向の第１スペーサーの高さとの合計が、シール層形成領域（非表示領域）における第１基板の表面と直交する方向の第２スペーサーの高さよりも小さくなる場合と異なり、第１基板と第２基板とが凹形状になるのを、容易に抑制することができる。なお、第１の層および第２の層の一方は、第１基板および第２基板の一方の表面上に形成されるカラーフィルターやオーバーコート層などの単一または複数の層を意味し、第１の層および第２の層の他方は、第１基板および第２基板の他方の表面上に形成される層間絶縁膜や平坦化膜などの単一または複数の層を意味する。
【００１１】
上記一の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、第１基板の表面と直交する方向の第２スペーサーの高さが、第１基板の表面と直交する方向の第１スペーサーの高さよりも大きい。このように構成すれば、第１基板と第２基板との表示領域に対応する領域の表面上にそれぞれ層が形成されている場合に、第２スペーサーの高さが第１スペーサーの高さよりも大きい分、第２スペーサーと、第１基板および第２基板との間に極端に大きな隙間が形成されるのを抑制することができる。
【００１２】
上記一の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、第１スペーサーの材料は、第２スペーサーの材料よりも軟らかい。このように構成すれば、第１基板および第２基板が押圧された場合、第２スペーサーの変形量よりも、第１スペーサーの変形量を多くすることが可能となるので、第１基板と第２基板との間隔を、第１スペーサーが設けられる表示領域と、第２スペーサーが設けられる非表示領域（シール層形成領域）とで略等しくすることができる。
【００１３】
上記一の局面による液晶表示装置の製造方法において、好ましくは、第１基板の表示領域の表面上にカラーフィルターを含む第１の層を形成する工程と、第２基板の表示領域の表面上に層間絶縁膜を含む第２の層を形成する工程とをさらに備え、第１スペーサーは、第１の層または第２の層の一方の表面上に形成され、第２基板とシール層とが接触する際に、シール層に含まれる第２スペーサーが第２基板に接触するよりも先に、第１スペーサーが形成されない他方の層の最表面と第１スペーサーとが接触するように、第１スペーサーの高さと第２スペーサーの高さとが調整されている。このように構成すれば、第１基板と第２基板とが貼り合わされた後に、第１基板と第２基板との両方または一方が凸形状に撓むか、または、第１スペーサーが潰れることにより、第１基板および第２基板が撓まずに、表示領域に対応する領域の第１基板と第２基板との最大間隔が、第２スペーサーの高さと略等しくなるので、第１基板および第２基板の表示領域の中央部側が凹形状になるのを抑制することができる。これにより、低温気泡が発生するのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の平面図である。
【図２】図１の２００−２００線に沿った断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスを説明するためのフロー図である。
【図４】本発明の第１実施形態による大判の基板を示す斜視図である。
【図５】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【図８】本発明の第１実施形態による大判の基板が貼り合わされた状態を示す断面図である。
【図９】比較例による液晶表示装置の断面図である。
【図１０】本発明の第１実施形態による液晶表示装置の断面図である。
【図１１】本発明の第２実施形態による液晶表示装置の製造プロセスを説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１６】
（第１実施形態）
図１および図２を参照して、本発明の第１実施形態による液晶表示装置１００の構成について説明する。
【００１７】
本発明の第１実施形態による液晶表示装置１００は、図１および図２に示すように、ガラス等の透明材料からなる基板１と、基板１と対向するようにガラス等の透明材料からなる基板２とが設けられている。なお、基板１および基板２は、それぞれ、本発明の「第１基板」および「第２基板」の一例である。また、液晶表示装置１００には、平面的に見て、画像が表示される矩形状の表示領域３と、表示領域３を取り囲むように形成される非表示領域４とが設けられている。表示領域３には、マトリクス状に配置される複数のサブ画素５が設けられている。
【００１８】
サブ画素５の断面構造としては、図２に示すように、基板２の表面上には、画素選択用の薄膜トランジスタ１１が設けられている。なお、薄膜トランジスタ１１は、サブ画素５毎に１つずつ設けられている。また、薄膜トランジスタ１１の表面上には、層間絶縁膜１２が形成されている。なお、層間絶縁膜１２は、本発明の「第２の膜」の一例である。また、層間絶縁膜１２の表面上には、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの透明電極からなる画素電極（図示せず）が形成されている。また、層間絶縁膜１２および画素電極の表面上には、配向膜（図示せず）が形成されている。
【００１９】
また、基板１の表面上には、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）のカラーフィルター２１がサブ画素５毎に設けられている。なお、カラーフィルター２１は、本発明の「第１の層」の一例である。また、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の３つのサブ画素５によって、１つの画素が構成されている。また、基板１とカラーフィルター２１との間で、かつ、サブ画素５の境界領域に対応する領域にブラックマトリクス（遮光膜）を形成してもよい。また、カラーフィルター２１の表面上に、カラーフィルター２１の表面上を平坦にするためのオーバーコート層を形成してもよい。また、カラーフィルター２１（オーバーコート層が形成された場合は、オーバーコート層）の表面上には、複数のサブ画素５に跨るように、ＩＴＯなどの透明電極からなる対向電極（図示せず）が形成されている。これにより、液晶表示装置１００は、画素電極と対向電極との間の電界により後述する液晶３３が駆動される縦電界方式となる。また、対向電極の表面上には、配向膜（図示せず）が形成されている。
【００２０】
また、カラーフィルター２１の表面上には、たとえばアクリル系の感光性樹脂からなるフォトスペーサー２２が形成されている。なお、フォトスペーサー２２は、本発明の「第１スペーサー」の一例である。また、フォトスペーサー２２は、円柱形状に形成されており、図１に示すように、平面的に見て、サブ画素５間の境界領域に配置されている。また、フォトスペーサー２２を、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）の３つのサブ画素５に１つ設けてもよいし、１つのサブ画素５毎に１つ設けてもよい。また、フォトスペーサー２２を複数の画素毎に設けてもよい。
【００２１】
また、図２に示すように、基板１と基板２との間には、基板１と基板２とを貼り合わせるためのシール層３１が設けられている。また、層間絶縁膜１２、カラーフィルター２１およびシール層３１に囲まれた空間に液晶層３２（液晶３３）が封入されている。なお、シール層３１には、シリカなどからなる球状のシール内スペーサー３４が含まれている。なお、シール内スペーサー３４は、本発明の「第２スペーサー」の一例である。ここで、第１実施形態では、フォトスペーサー２２の材料（アクリル系の感光性樹脂）は、シール内スペーサー３４の材料（シリカなど）よりも軟らかくするのが好ましい。また、第１実施形態では、基板１の表面と直交する方向（Ｚ方向）のシール内スペーサー３４の高さＨ２は、基板１の表面と直交する方向（Ｚ方向）のフォトスペーサー２２の高さＨ１よりも大きく（Ｈ２＞Ｈ１）なるように構成されている。
【００２２】
また、シール層３１は、図１に示すように、基板１および基板２の非表示領域４の表面上に、表示領域３を取り囲むように形成されている。また、シール内スペーサー３４は、シール層３１の全ての領域に含まれている。
【００２３】
ここで、第１実施形態では、後述する液晶表示装置１００の製造工程において、図２に示すように、基板２とシール層３１とが接触する際に、シール層３１に含まれるシール内スペーサー３４が基板２に接触するよりも先に、フォトスペーサー２２と、基板２の表面上に形成される層間絶縁膜１２の基板１側の最表面とが接触するように、フォトスペーサー２２の高さＨ１とシール内スペーサー３４の高さＨ２とが調整されている。具体的には、第１実施形態では、基板１の表面上に形成されるカラーフィルター２１の厚みｔ１と、基板２の表面上に形成される層間絶縁膜１２の厚みｔ２と、基板１の表面と直交する方向（Ｚ方向）のフォトスペーサー２２の高さＨ１との合計が、基板１の表面と直交する方向（Ｚ方向）のシール内スペーサー３４の高さＨ２（球状のシール内スペーサー３４の直径）よりも大きくなる（Ｈ１＋ｔ１＋ｔ２＞Ｈ２）ように構成されている。
【００２４】
なお、基板１とカラーフィルター２１（シール層３１）との間に遮光膜としてのブラックマトリクスが形成された場合でも、ブラックマトリクスの厚みとカラーフィルター２１の厚みとの合計をｔ１として、Ｈ１＋ｔ１＋ｔ２＞Ｈ２の関係を満たすように、フォトスペーサー２２の高さＨ１とシール内スペーサー３４の高さＨ２とを調整する。また、基板２と層間絶縁膜１２との間に走査線や信号線などの配線層が形成され、基板２とシール層３１との間に引き回しの配線層が形成された場合でも、配線層の厚みと層間絶縁膜１２の厚みとの合計をｔ２として、Ｈ１＋ｔ１＋ｔ２＞Ｈ２の関係を満たすように、フォトスペーサー２２の高さＨ１とシール内スペーサー３４の高さＨ２とを調整する。
【００２５】
また、第１実施形態では、シール内スペーサー３４は、基板１と基板２とが貼り合わされた後の基板１と基板２との間の表示領域３の最大間隔Ｌ１よりも小さい直径（高さＨ２）を有するように構成されている。そしてまず真空状態で、第１実施形態では、基板１と基板２とを貼り合わせた際に、基板１と基板２との両方または一方が凸形状に撓んだ状態（図１０参照）となる。つまり表示領域３に対応する領域の基板１と基板２との最大間隔Ｌ１が、シール層３１が形成される非表示領域４に対応する領域の基板１と基板２との間隔Ｌ２よりも大きくなる。次に、大気圧状態にして、基板１と基板２とを貼り合わせていくと、フォトスペーサー２２が潰れることにより、基板１および基板２が撓まずに、表示領域３に対応する領域の基板１と基板２との最大間隔Ｌ１が、シール内スペーサー３４の高さＨ２と略等しくなる。
【００２６】
次に、図１〜図８を参照して、本発明の第１実施形態における液晶表示装置１００の製造方法について説明する。なお、本発明の第１実施形態では、ＯＤＦ（液晶滴下）法による液晶表示装置１００の製造方法について説明する。
【００２７】
まず、図３の表示領域形成工程Ｓ１では、複数の液晶表示装置１００が形成される領域を有する大判の基板４１（図４参照）の表面上に、図５に示すように、画素選択用の薄膜トランジスタ１１を形成する。なお、基板４１は、本発明の「第２基板」の一例である。また、薄膜トランジスタ１１の表面上を覆うように、層間絶縁膜１２を形成する。また、層間絶縁膜１２にコンタクトホールを形成するとともに、コンタクトホールを介して薄膜トランジスタ１１のソース／ドレインの一方と接続するように、ＩＴＯなどの透明電極からなる画素電極（図示せず）を層間絶縁膜１２の表面上に形成する。なお、画素電極は、サブ画素５毎に設けられている。また、層間絶縁膜１２および画素電極の表面上に、配向膜（図示せず）を形成する。
【００２８】
また、複数の液晶表示装置１００が形成される領域を有する大判の基板４２（図４参照）の表面上に、図６に示すように、カラーフィルター２１をサブ画素５毎に形成する。なお、基板４２は、本発明の「第１基板」の一例である。また、カラーフィルター２１の形成に先立って、隣接触するサブ画素５の境界領域に対応する基板４２の表面上に、隣接触するサブ画素５から漏れる光を遮光するためのブラックマトリクスを形成してもよい。また、カラーフィルター２１の形成後、カラーフィルター２１の表面上の凹凸を覆うためのオーバーコート層を設けてもよい。また、カラーフィルター２１（オーバーコート層が形成された場合はオーバーコート層）の表面上に図示しない対向電極を複数のサブ画素５に跨って形成する。
【００２９】
次に、カラーフィルター２１（オーバーコート層または対向電極）の表面上に、感光性のアクリル系の樹脂からなる層を形成した後に、感光性のアクリル系の樹脂の所定の領域に光を照射することにより、フォトスペーサー２２を形成する。また、フォトスペーサー２２は、図１に示すように、平面的に見て、隣接触するサブ画素５の境界領域に設けられている。これにより、サブ画素５の境界領域にブラックマトリクスが設けられた場合に、ブラックマトリクスとフォトスペーサー２２とがオーバーラップする。その結果、フォトスペーサー２２によって、サブ画素５の開口率が低下するのが抑制される。
【００３０】
次に、図３のシール層形成工程Ｓ２では、図６に示すように、基板４２の表面上に、シリカなどからなる複数の球状のシール内スペーサー３４を含むシール層３１を形成する。ここで、第１実施形態では、基板４２（１）と基板４１（２）とが貼り合わされた後の基板４２と基板４１との間の最大間隔Ｌ１（図２参照）よりも小さい直径Ｈ２を有する球状からなるシール内スペーサー３４を含むようにシール層３１を形成する。つまり、第１実施形態では、図２に示すように、基板４２（１）の表面上に形成されるカラーフィルター２１の厚みｔ１と、基板４１（２）の表面上に形成される層間絶縁膜１２の厚みｔ２と、基板４２の表面と直交する方向（Ｚ方向）のフォトスペーサー２２の高さＨ１との合計が、基板４２の表面と直交する方向（Ｚ方向）のシール内スペーサー３４の高さＨ２（球状のシール内スペーサー３４の直径）よりも大きくなる（Ｈ１＋ｔ１＋ｔ２＞Ｈ２）ように、フォトスペーサー２２とシール内スペーサー３４とを形成する。
【００３１】
なお、第１実施形態では、シール内スペーサー３４を、基板４２（１）の表面と直交する方向（Ｚ方向）のシール内スペーサー３４の高さＨ２が、基板４２（１）の表面と直交する方向（Ｚ方向）のフォトスペーサー２２の高さＨ１よりも大きく（Ｈ１＜Ｈ２）なるように形成する。また、第１実施形態では、フォトスペーサー２２（感光性のアクリル系樹脂）を、シール内スペーサー３４（シリカ）よりも軟らかい材料により形成するのが好ましい。
【００３２】
また、シール層３１は、図１に示すように、表示領域３の周囲を覆うように、基板１（大判の基板４２）の非表示領域４に形成される。そして、図４および図６に示すように、基板４２（１）の表示領域３に対応する領域に液晶３３を滴下する。
【００３３】
次に、図３の貼り合わせ工程Ｓ３では、図７に示すように、基板４２および基板４１をチャンバー４３内に配置するとともに、チャンバー４３内を真空状態にする。そして、基板４１（または基板４２）を移動部材４４により、Ｚ１方向（またはＺ２方向）に移動させることにより、基板４２と基板４１とを貼り合わせる。ここで、第１実施形態では、基板４１とシール層３１とが接触する際に、シール層３１に含まれるシール内スペーサー３４が基板４１に接触するよりも先に、フォトスペーサー２２と、基板４１の表面上に形成される層間絶縁膜１２の最表面とが接触する。
【００３４】
次に、図３の大気加圧工程Ｓ４では、チャンバー４３内の気圧を大気圧にする。このとき、基板４２および基板４１と、シール層３１とに囲まれた空間は、真空状態であるので、大気圧によって基板４２および基板４１が液晶３３側に押圧される。これにより、液晶３３が基板４２および基板４１と、シール層３１とに囲まれた空間に広がるとともに封入（図２参照）される。
【００３５】
次に、図３のシール層硬化工程Ｓ５では、シール層３１に、たとえば紫外線を照射してシール層３１を硬化する。これにより、図８に示すように、大判の基板４１と基板４２との間には、液晶表示装置１００毎に液晶３３が封入された状態となる。ここで、第１実施形態では、当初、Ｓ４の工程に入る直前は、基板４２（１）と基板４１（２）との両方または一方が撓んだ状態となっている（図１０参照）。つまり表示領域３に対応する領域の基板４２と基板４１との最大間隔Ｌ１が、シール層３１が形成される非表示領域４に対応する領域の基板４２と基板４１との間隔Ｌ２よりも大きくなる。そしてＳ４の工程中において、フォトスペーサー２２が潰れることにより、表示領域３が徐々に凹んでいき、結果、基板４２と基板４１とが貼り合わされた後、基板４２および基板４１が撓まずに、表示領域３に対応する領域の基板４２と基板４１との最大間隔Ｌ１が、シール内スペーサー３４の高さＨ２と略等しくなる。
【００３６】
最後に、大判の基板４１および基板４２を切断することにより、液晶表示装置１００が完成する。
【００３７】
次に、図９および図１０を参照して、本発明の第１実施形態の液晶表示装置１００による低温気泡の発生の抑制について説明する。なお、図９に示した比較例は、第１実施形態と異なり、基板５１および基板５２が凹形状に撓んでいる構造を有する。
【００３８】
図９に示すように、比較例による液晶表示装置３００では、層間絶縁膜１２ａの厚みｔ４、カラーフィルター２１ａの厚みｔ３、および、フォトスペーサー２２ａの高さＨ３の合計が、シール内スペーサー３４ａの高さＨ４よりも小さいことにより、基板５１および基板５２が凹形状に撓んでいる。このため、低温時に液晶３３が収縮した場合、液晶３３の収縮に基板５１および基板５２が撓むのが追いつかなくなり（撓み量が少なく）、液晶表示装置３００の内部に気泡５３（低温気泡）が発生する。このため、液晶表示装置３００の表示品位が損なわれる。
【００３９】
一方、図１０に示すように、本発明の液晶表示装置１００では、層間絶縁膜１２の厚みｔ２、カラーフィルター２１の厚みｔ１、および、フォトスペーサー２２の高さＨ１の合計が、シール内スペーサー３４の高さＨ２よりも大きくなるようにフォトスペーサー２２の高さＨ１とシール内スペーサーの高さＨ２を設計している。したがって、基板１および基板２が図２に示すように、基板１および基板２が略平行な状態となるように液晶表示装置１００を製造することができる。これにより、低温時に液晶３３が収縮した場合でも、基板１および基板２が凹形状になることが可能であるので、液晶表示装置１００の内部に気泡が発生するのが抑制される。
【００４０】
第１実施形態では、上記のように、基板２とシール層３１とが接触する際に、シール層３１に含まれるシール内スペーサー３４が基板２に接触するよりも先に、フォトスペーサー２２が形成されない基板２側（層間絶縁膜１２）とフォトスペーサー２２とが接触するように、フォトスペーサー２２の高さＨ１とシール内スペーサー３４の高さＨ２とを調整することによって、チャンバー内が真空状態から大気圧に戻され、基板１と基板２とが貼り合わされた後に、基板１と基板２との両方または一方が凸形状に撓むか、または、フォトスペーサー２２が潰れることにより、基板１および基板２が撓まずに、表示領域３に対応する領域の基板１と基板２との最大間隔Ｌ１が、シール内スペーサー３４の高さＨ２と略等しくなるので、基板１および基板２の表示領域３の中央部側が凹形状になるのを抑制することができる。これにより、低温気泡が発生するのを抑制することができる。
【００４１】
また、第１実施形態では、上記のように、シール層３１を形成する工程は、基板１と基板２とが貼り合わされた後の基板１と基板２との間の最大間隔Ｌ１よりも小さい直径Ｈ２を有する球状からなるシール内スペーサー３４を含むようにシール層３１を形成する工程を含むことにより、基板１および基板２の非表示領域４に設けられるシール層３１に含まれるシール内スペーサー３４の直径が、基板１と基板２とが貼り合わされた後の基板１と基板２との最大間隔Ｌ１よりも大きい場合と異なり、基板１と基板２とが凹形状になるのが抑制されるので、低温気泡が発生するのを容易に抑制することができる。
【００４２】
また、第１実施形態では、上記のように、フォトスペーサー２２を形成する工程が、基板１の表面上に形成されるカラーフィルター２１の厚みｔ１と、基板２の表面上に形成される層間絶縁膜１２の厚みｔ２と、基板１の表面と直交する方向のフォトスペーサー２２の高さＨ１との合計が、基板１の表面と直交する方向のシール内スペーサー３４の高さＨ２よりも大きくなるようにフォトスペーサー２２を形成する工程を含むことによって、表示領域３における基板１の表面上に形成されるカラーフィルター２１の厚みｔ１と、基板２の表面上に形成される層間絶縁膜１２の厚みｔ２と、基板１の表面と直交する方向のフォトスペーサー２２の高さＨ１との合計が、シール層３１形成領域（非表示領域４）における基板１の表面と直交する方向のシール内スペーサー３４の高さＨ２よりも小さくなる場合と異なり、基板１と基板２とが凹形状になるのを、容易に抑制することができる。
【００４３】
また、第１実施形態では、上記のように、基板１と基板２とが貼り合わされた後の表示領域３に対応する領域の基板１と基板２との最大間隔Ｌ１を、シール層３１が形成される非表示領域４に対応する領域の基板１と基板２との間隔Ｌ２以上になるように構成することによって、基板１と基板２とが撓まないか、または、基板１と基板２とが凸形状になるので、基板１と基板２との表示領域３に対応する領域が凹形状になるのを、容易に抑制することができる。
【００４４】
また、第１実施形態では、上記のように、基板１の表面と直交する方向のシール内スペーサー３４の高さＨ２を、基板１の表面と直交する方向のフォトスペーサー２２の高さＨ１よりも大きくすることによって、基板１と基板２との表示領域３に対応する領域の表面上にそれぞれフォトスペーサー２２や層間絶縁膜１２が形成されている場合に、シール内スペーサー３４の高さＨ２がフォトスペーサー２２の高さＨ１よりも大きい分、シール内スペーサー３４と、基板１および基板２との間に極端に大きな隙間が形成されるのを抑制することができる。
【００４５】
また、第１実施形態では、上記のように、フォトスペーサー２２の材料を、シール内スペーサー３４の材料よりも軟らかくすることによって、基板１および基板２が押圧された場合、シール内スペーサー３４の変形量よりも、フォトスペーサー２２の変形量を多くすることが可能となるので、基板１と基板２との間隔を、フォトスペーサー２２が設けられる表示領域３と、シール内スペーサー３４が設けられる非表示領域４（シール層３１形成領域）とで略等しくすることができる。
【００４６】
（第２実施形態）
次に、図１１を参照して、本発明の第２実施形態による液晶表示装置１１０の製造工程について説明する。この第２実施形態の製造工程では、上記第１実施形態と異なり、基板２ａの表面上にシール層３１が形成されている。
【００４７】
第２実施形態による液晶表示装置１１０のシール層形成工程Ｓ２（図３参照）では、図１１に示すように、基板２ａの表面上に、シリカなどからなる球状のシール内スペーサー３４を含むシール層３１が形成される。そして、第２実施形態の貼り合わせ工程Ｓ３では、基板１ａとシール層３１とが接触する際に、シール層３１に含まれるシール内スペーサー３４が基板１ａに接触するよりも先に、フォトスペーサー２２と、基板２ａの表面上に形成される層間絶縁膜１２の最表面とが接触する。なお、基板１ａおよび基板２ａは、それぞれ、本発明の「第２基板」および「第１基板」の一例である。
【００４８】
なお、第２実施形態のその他の製造工程は、上記第１実施形態と同様である。
【００４９】
また、第２実施形態の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００５０】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００５１】
たとえば、上記第１および第２実施形態では、フォトスペーサーをカラーフィルターの表面上に形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、フォトスペーサーを層間絶縁膜の表面上に形成してもよい。
【００５２】
また、上記第１および第２実施形態では、縦電界方式の液晶表示装置に本発明を適用する例を示したが、本発明はこれに限らず、横電界方式の液晶表示装置に本発明を適用してもよい。
【００５３】
また、上記第１および第２実施形態では、シリカからなるシール内スペーサーを用いる例を示したが、本発明はこれに限らず、樹脂からなるシール内スペーサーを用いてもよい。
【００５４】
また、上記第１および第２実施形態では、カラーフィルターが本発明の第１の層に含まれる例を示したが、本発明はこれに限らず、カラーフィルターの他に、ブラックマトリクス、オーバーコート層、対向電極および配向膜などが本発明の第１の層に含まれていてもよい。
【００５５】
また、上記第１および第２実施形態では、層間絶縁膜が本発明の第１の層に含まれる例を示したが、本発明はこれに限らず、層間絶縁膜の他に、配向膜、有機膜からなる平坦化膜、横電界方式の場合の共通電極などが本発明の第２の層に含まれていてもよい。
【符号の説明】
【００５６】
１、２ａ、４２  基板（第１基板）      １ａ、２、４１  基板（第２基板）      ３  表示領域      ４  非表示領域      １２  層間絶縁膜（第２の層）      ２１  カラーフィルター（第１の層）      ２２  フォトスペーサー（第１スペーサー）      ３１  シール層      ３４  シール内スペーサー（第２スペーサー）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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