(57)【要約】【課題】複屈折などの光学特性に優れ、グルーブやピット等高密度な情報信号が正確に転写され、平面性、剛性、反りが少なく、振動時の面振れの少ない情報記録媒体としての特性を有しつつ、折曲げ性に優れる光ディスク基板およびそのための材料としての樹脂組成物を提供する。【解決手段】（Ａ）２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成分ａ）より実質的になる二価フェノール成分より構成された芳香族ポリカーボネート（ポリマーＡ）と、（Ｂ）（ｂ−１）１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（成分ｂ−１）および（ｂ−２）４，４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールおよび／または２，２−ビス（３−メチルー４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成分ｂ−２）より実質的になり、成分ｂ−１：成分ｂ−２の割合がモル比で９９：１〜５：９５である二価フェノール成分より構成された芳香族ポリカーボネート共重合体（ポリマーＢ）から実質的になり、ポリマーＡとポリマーＢとの割合が重量比で９９：１〜５０：５０（ポリマーＡ：ポリマーＢ）であることを特徴とする芳香族ポリカーボネート樹脂組成物および該組成物より形成された光ディスク基板。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成分ａ）より実質的になる二価フェノール成分より構成された芳香族ポリカーボネート（ポリマーＡ）と、（Ｂ）（ｂ−１）１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（成分ｂ−１）および（ｂ−２）４，４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールおよび／または２，２−ビス（３−メチルー４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成分ｂ−２）より実質的になり、成分ｂ−１：成分ｂ−２の割合がモル比で９９：１〜５：９５である二価フェノール成分より構成された芳香族ポリカーボネート共重合体（ポリマーＢ）から実質的になり、ポリマーＡとポリマーＢとの割合が重量比で９９：１〜５０：５０（ポリマーＡ：ポリマーＢ）であることを特徴とする芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項２】
ポリマーＢの成分ｂ−１：成分ｂ−２の割合がモル比で８０：２０〜１０：９０である請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項３】
ポリマーＡの粘度平均分子量が１．４５×１０４〜２．００×１０４の範囲である請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項４】
ポリマーＢの比粘度が０．２〜０．５の範囲である請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物。
【請求項５】
請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物より形成された光学用成形品。
【請求項６】
請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物より形成された光ディスク基板。
【請求項７】
請求項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を射出圧縮成形して、形成された光ディスク基板。
【請求項８】
請求項６または７に記載の光ディスク基板を使用した光ディスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規な芳香族ポリカーボネート樹脂組成物およびそれから形成された光学用成形品に関する。さらに詳しくは、上記樹脂組成物より形成された折り曲げ性および光学特性に優れた光ディスク基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
芳香族ポリカーボネート樹脂は、コンパクトディスク、レーザーディスク、光磁気ディスク、デジタルビデオディスク等の光ディスク、さらには情報面からの信号の読み取りや、書き込みを特徴とする近接場記録情報媒体或いはそれらの基板など光学情報記録媒体の原料として、広く用いられている。
【０００３】
そして、これら光学情報記録媒体は、ピットやグルーブの情報信号が刻印されたスタンパーを露出させた金型キャビティに、溶融させた芳香族ポリカーボネート樹脂を射出し、情報信号を転写させる方法によって製造されている。
【０００４】
この光学情報記録媒体の製造に芳香族ポリカーボネート樹脂が使用されている理由は、この樹脂が透明性、光学特性、強度、耐熱性、寸法安定性、耐衝撃性などにおいて優れており、しかも成形性にも優れているためである。特に、射出成形法により、光学情報記録媒体の基板を製造すると、スタンパーに刻設した微細な凹凸模様（情報信号）が、正確に基板表面に転写されて、基板の反りや平面性に優れた高品質の光学情報記録媒体が得られるからである。
【０００５】
一方近年の光学情報記録媒体は、当初のＣＤの基板が単一の一枚からなる形状とは異なってきている。例えばＤＶＤは、厚み０．６ｍｍの基板２枚を紫外線硬化樹脂を用いて貼り合せている。またブルーレイディスク（ＢＤと略）では、ポリカーボネート樹脂から形成された基板の表面に紫外線硬化樹脂からなるカバー層を形成したり、または、カバーフィルムを基板と貼り合わせる形状を有している。
【０００６】
しかしながら、この紫外線硬化樹脂を硬化するための紫外線は、信号読み取り面の側から照射されており、過大な照射がされた場合には、芳香族ポリカーボネート樹脂等が劣化を起こし、該樹脂の分子量低下等を引き起こしてしまう可能性がある。
【０００７】
また、自動車にカーナビゲーション等の映像機器の導入が普及し、車内で映画等を簡単に視聴できるようになってきた。特に真夏の車内は高温高湿の状態になりやすく、光学情報記録媒体が長時間車内に放置されてしまうとその基板に使用されている樹脂が劣化する。すると、光学情報記録媒体が落下等の衝撃により割れ易くなり問題となっている。
【０００８】
そこで、この問題を解決するために、基本的には、芳香族ポリカーボネート樹脂の分子量を高くすることが効果的である。しかしながら、高い分子量を有する芳香族ポリカーボネート樹脂は、溶融粘度が低下して基板の複屈折が高くなり、光学情報記録媒体としては使用することが出来ない。光学情報記録媒体の成形時に、シリンダー温度を高くした成形機を用いて成形する製造方法が考えられるが、冷却時間が長くなり基板生産性が悪化してしまうという問題がある。
【０００９】
また、従来の光学情報記録媒体の基板の生産では、シリンダー温度をより低温に設定し、冷却時間を短縮することで、より短時間で光学情報記録媒体を多く生産し、生産性を向上させるとする方法が一般的である。これを達成するにはシリンダ温度を低くしても、芳香族ポリカーボネート樹脂が十分な溶融粘度を得るに該樹脂の分子量を低くすることが一般的である。従って該樹脂の分子量を高くすることは、従来の製造方法とでは合致せず、この問題を解決することはできない。
【００１０】
分子量を調整したポリカーボネート樹脂を用いた光ディスク基板の発明としては、０．０６〜０．０９％のステアリン酸モノグリセリドを含有した粘度平均分子量１４０００〜１５０００のポリカーボネート樹脂からなる光ディスク基板がある。しかしながら該特許は、離型剤の含有量を規定して成形時の変形抑制の効果を記載しているが、光ディスク基板の強度についての記載がなく課題が残る（特許文献１）。
【００１１】
また、粘度平均分子量１００００〜１７０００かつ、重量平均分子量／数平均分子量が２．３以上のポリカーボネート樹脂からなる光ディスク基板がある。しかしながら、成形時の割れが少ないことが記載されているが、その発生原因や長期使用後の基板の割れが、明らかではない（特許文献２）。
【００１２】
他の試みとしては、光学用ディスク等の光学成形品材料として、分岐化ポリカーボネート樹脂を使用することが提案され、成形時の糸引きが防止され、複屈折性、強度、連続成形性が改善されることが記載されているが、特殊な分岐化ポリカーボネート樹脂を用いる必要がある（特許文献３、特許文献４）。
【００１３】
さらに、超高分子量のポリカーボネート樹脂を混合する方法の提案がある。しかし、一般に光ディスク用に使用されているポリカーボネート樹脂は、混合する超高分子量ポリカーボネート樹脂との分子量の乖離が大きいため、超高分子量ポリカーボネートを混合すると光学的に不均一になり微小な白筋や成形時にシルバー、デラミ現象が生じたり、機械的強度にむらが生じたりする欠点があり、光学用途には不向きである（特許文献５）。
同様に芳香族ポリカーボネート樹脂組成物及び、光学用成形品にて複屈折の低減を効果としてあげているものもあるが、成形品の強度は明らかではない（特許文献６、７）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開平０４−１６８１５１号公報
【特許文献２】特開２００３−１６２８４１号公報
【特許文献３】特開２００６−３４８１３２号公報
【特許文献４】特開昭６０−２１５０１９号公報
【特許文献５】特開平０４−３４２７６０号公報
【特許文献６】特開２０００−１０９６６９号公報
【特許文献７】特許第３１００８６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の目的は、複屈折などの光学特性に優れ、グルーブやピット等高密度な情報信号が正確に転写され、平面性、剛性、反りが少なく、振動時の面振れの少ない情報記録媒体としての特性を有しつつ、折曲げ性に優れる光ディスク基板およびそのための材料としての樹脂組成物を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者等は、上記目的のため検討を重ねた結果、（Ａ）２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成分ａ）より実質的になる二価フェノール成分より構成された芳香族ポリカーボネート（ポリマーＡ）と、（Ｂ）（ｂ−１）１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（成分ｂ−１）および（ｂ−２）４，４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールおよび／または２，２−ビス（３−メチルー４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成分ｂ−２）より実質的になる芳香族ポリカーボネート共重合体（ポリマーＢ）から実質的になる芳香族ポリカーボネート樹脂組成物から形成された光ディスク基板が、上記課題を達成されることを見出した。
【００１７】
すなわち、本発明によれば、
１．（Ａ）２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成分ａ）より実質的になる二価フェノール成分より構成された芳香族ポリカーボネート（ポリマーＡ）と、（Ｂ）（ｂ−１）１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（成分ｂ−１）および（ｂ−２）４，４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールおよび／または２，２−ビス（３−メチルー４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成分ｂ−２）より実質的になり、成分ｂ−１：成分ｂ−２の割合がモル比で９９：１〜５：９５である二価フェノール成分より構成された芳香族ポリカーボネート共重合体（ポリマーＢ）から実質的になり、ポリマーＡとポリマーＢとの割合が重量比で９９：１〜５０：５０（ポリマーＡ：ポリマーＢ）であることを特徴とする芳香族ポリカーボネート樹脂組成物、
２．ポリマーＢの成分ｂ−１：成分ｂ−２の割合がモル比で８０：２０〜１０：９０である前項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物、
３．ポリマーＡの粘度平均分子量が１．４５×１０４〜２．００×１０４の範囲である前項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物、
４．ポリマーＢの比粘度が０．２〜０．５の範囲である前項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物、
５．前項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物より形成された光学用成形品、
６．前項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物より形成された光ディスク基板、
７．前項１記載の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物を射出圧縮成形して、形成された光ディスク基板、および
８．前項６または７に記載の光ディスク基板を使用した光ディスク、
が提供される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の光ディスク基板は、複屈折特性に優れ、落下等の衝撃により割れ難く、非常に取り扱いが容易である。また、長期かつ過酷な環境下での保管が容易であり、格別の効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】光ディスク基板を冶具にセットし、圧力をかける折り曲げ試験を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を詳細に説明する。
＜樹脂組成物＞
（ポリマーＡ）
本発明で使用されるポリマーＡは、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成分ａ）より実質的になる二価フェノール成分より構成された芳香族ポリカーボネートである。ここで、実質的とは、全二価フェノール成分の９０モル％以上、好ましくは９５モル％以上が２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成分ａ）であることを意味する。
【００２１】
２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成分ａ）以外の二価フェノール成分としては、ハイドロキノン、レゾルシノール、４，４’−ジヒドロキシジフェニル、ビス（４−ヒドロキシフェニル）メタン、ビス｛（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチル）フェニル｝メタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）エタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルエタン、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３，５−ジメチル）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（３，５−ジブロモ−４−ヒドロキシ）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（３−イソプロピル−４−ヒドロキシ）フェニル｝プロパン、２，２−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−フェニル）フェニル｝プロパン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３−ジメチルブタン、２，４−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−２−メチルブタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）ペンタン、２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−メチルペンタン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−４−イソプロピルシクロヘキサン、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、９，９−ビス（４−ヒドロキシフェニル）フルオレン、９，９−ビス｛（４−ヒドロキシ−３−メチル）フェニル｝フルオレン、α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｏ−ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｍ−ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−ｐ−ジイソプロピルベンゼン、１，３−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−５，７−ジメチルアダマンタン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルホキシド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルスルフィド、４，４’−ジヒドロキシジフェニルケトン、４，４’−ジヒドロキシジフェニルエーテルおよび４，４’−ジヒドロキシジフェニルエステル等があげられ、これらは単独または２種以上を混合して使用できる。
【００２２】
ポリマーＡの粘度平均分子量は、１．４５×１０４〜２．００×１０４の範囲が好ましく、１．６５×１０４〜１．７５×１０４の範囲がより好ましい。１．４５×１０４未満の場合には、光ディスク基板の長期間使用後の耐折り曲げ性が劣化し、落下等の衝撃により割れ易くなる。２．００×１０４を超えると、溶融粘度が低下して光ディスク基板の複屈折が高くなり、光ディスクとしては好ましくない。
【００２３】
この粘度平均分子量は、芳香族ポリカーボネート樹脂０．７ｇを塩化メチレン１００ｍｌに溶解した溶液の２０℃における比粘度を測定し、下記式から算出したものである。
ηｓｐ／ｃ＝［η］＋０．４５×［η］２ｃ
［η］＝１．２３×１０−４Ｍ０．８３
ηｓｐ：比粘度
［η］：極限粘度
ｃ：定数（＝０．７）
Ｍ：粘度平均分子量
【００２４】
（ポリマーＢ）
本発明で使用されるポリマーＢは、（ｂ−１）１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（成分ｂ−１）および（ｂ−２）４，４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノールおよび／または２，２−ビス（３−メチルー４−ヒドロキシフェニル）プロパン（成分ｂ−２）より実質的になり、成分ｂ−１：成分ｂ−２の割合がモル比で９９：１〜５：９５である二価フェノール成分より構成された芳香族ポリカーボネート共重合体（ポリマーＢ）である。ここで、実質的とは、全二価フェノール成分の９０モル％以上、好ましくは９５モル％以上が成分ｂ−１と成分ｂ−２とからなることを意味する。
【００２５】
上記のように成分ｂ−１：成分ｂ−２の割合はモル比で９９：１〜５：９５の範囲であり、８０：２０〜１０：９０の範囲が好ましく、７０：３０〜３０：７０の範囲がより好ましい。上記範囲内の芳香族ポリカーボネート共重合体は、溶融流動性、耐熱性、および光学特性に優れる。
【００２６】
ポリマーＢの比粘度は、０．２〜０．５の範囲が好ましく、０．２５〜０．４の範囲がより好ましい。上記範囲内の芳香族ポリカーボネート共重合体を使用すると、光ディスク基板の耐折り曲げ性に優れ、光学特性も良好である。
この比粘度は、芳香族ポリカーボネート共重合体０．７ｇを塩化メチレン１００ｍｌに溶解した溶液の２０℃における比粘度を測定した。
【００２７】
（組成物）
本発明において、ポリマーＡとポリマーＢとの割合は、重量比で９９：１〜５０：５０（ポリマーＡ：ポリマーＢ）であり、好ましくは９７：３〜６０：４０であり、より好ましくは９５：５〜８５：１５である。ポリマーＡの割合が９９％を超えると光ディスク基板の光学特性が悪化し、５０％未満であると基板が脆くなり、強度が劣り好ましくない。
【００２８】
（製造方法）
本発明のポリマーＡとしての芳香族ポリカーボネート樹脂およびポリマーＢとしての芳香族ポリカーボネート共重合体は、それぞれ通常の芳香族ポリカーボネート樹脂を製造するそれ自体公知の反応手段、例えば二価フェノール成分とカーボネート前駆体とを界面重合法または溶融重合法で反応させる方法により製造される。次にこれらの製造方法について基本的な手段を簡単に説明する。
【００２９】
カーボネート前駆体としてはカルボニルハライド、カーボネートエステルまたはハロホルメート等が使用され、具体的にはホスゲン、ジフェニルカーボネートまたは二価フェノールのジハロホルメート等が挙げられる。
【００３０】
上記二価フェノールとカーボネート前駆体を界面重合法または溶融重合法によって反応させて芳香族ポリカーボネート樹脂を製造するに当っては、必要に応じて触媒、二価フェノールの酸化防止剤等を使用してもよい。
【００３１】
界面重合法または溶融重合法によって反応させて芳香族ポリカーボネート樹脂を製造する方法は周知である。例えば特開平２００１−２２５５０３号、特開２００３−３０１０９９号、米国公開公報２００５−１０６３５０号等を参照することができる。
【００３２】
界面重合法による反応は、通常二価フェノールとホスゲンとの反応であり、酸結合剤および有機溶媒の存在下に反応させる。酸結合剤としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物またはピリジン等のアミン化合物が用いられる。有機溶媒としては、例えば塩化メチレン、クロロベンゼン等のハロゲン化炭化水素が用いられる。また、反応促進のために例えばトリエチルアミン、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムブロマイド、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムブロマイド等の第三級アミン、第四級アンモニウム化合物、第四級ホスホニウム化合物等の触媒を用いることもできる。その際、反応温度は通常０〜４０℃、反応時間は１０分〜５時間程度、反応中のｐＨは９以上に保つのが好ましい。
【００３３】
溶融重合法による反応は、通常二価フェノールとカーボネートエステルとのエステル交換反応であり、不活性ガスの存在下に二価フェノールとカーボネートエステルとを加熱しながら混合して、生成するアルコールまたはフェノールを留出させる方法により行われる。反応温度は生成するアルコールまたはフェノールの沸点等により異なるが、通常１２０〜３５０℃の範囲である。反応後期には系を１０〜０.１Ｔｏｒｒ程度に減圧して生成するアルコールまたはフェノールの留出を容易にさせる。反応時間は通常１〜４時間程度である。
【００３４】
カーボネートエステルとしては、置換されていてもよい炭素数６〜１０のアリール基、アラルキル基あるいは炭素数１〜４のアルキル基などのエステルが挙げられる。具体的にはジフェニルカーボネート、ジトリルカーボネート、ビス（クロロフェニル）カーボネート、ｍ―クレジルカーボネート、ジナフチルカーボネート、ビス（ジフェニル）カーボネート、ジメチルカーボネート、ジエチルカーボネート、ジブチルカーボネートなどが挙げられ、なかでもジフェニルカーボネートが好ましい。
【００３５】
また、溶融法において重合速度を速めるために重合触媒を用いることができ、かかる重合触媒としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、二価フェノールのナトリウム塩、カリウム塩等のアルカリ金属化合物、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化マグネシウム等のアルカリ土類金属化合物、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルアミン、トリエチルアミン等の含窒素塩基性化合物、アルカリ金属やアルカリ土類金属のアルコキシド類、アルカリ金属やアルカリ土類金属の有機酸塩類、亜鉛化合物類、ホウ素化合物類、アルミニウム化合物類、珪素化合物類、ゲルマニウム化合物類、有機スズ化合物類、鉛化合物類、オスミウム化合物類、アンチモン化合物類マンガン化合物類、チタン化合物類、ジルコニウム化合物類などの通常エステル化反応、エステル交換反応に使用される触媒を用いることができる。触媒は単独で使用してもよいし、２種以上組み合わせ使用してもよい。これらの重合触媒の使用量は、原料の二価フェノール１モルに対し、１×１０−８〜１×１０−３当量、好ましくは１×１０−７〜１×１０−３当量、より好ましくは１×１０−６〜５×１０−４当量の範囲で選ばれる。
【００３６】
芳香族ポリカーボネート樹脂（ポリマーＡおよびポリマーＢ）は、その重合反応において、末端停止剤として通常使用される単官能フェノール類を使用することができる。殊にカーボネート前駆物質としてホスゲンを使用する反応の場合、単官能フェノール類は末端停止剤として分子量調節のために一般的に使用され、また得られたポリマーは、末端が単官能フェノール類に基づく基によって封鎖されているので、そうでないものと比べて熱安定性に優れている。
【００３７】
単官能フェノール類として、下記一般式（１）で表される単官能フェノール類が好ましく、より好ましくはアルキル置換もしくはフェニルアルキル置換のフェノール類であり、特に好ましくはｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールまたはｐ−クミルフェノールである。
【００３８】
【化１】
2010168420.tif 000002
｛式中、Ａは水素原子または炭素数１〜９のアルキル基もしくはフェニルアルキル基（アルキル部分の炭素数１〜９）であり、ｒは１〜５、好ましくは１〜３の整数である。｝
【００３９】
これらの単官能フェノール類の末端停止剤は、得られた芳香族ポリカーボネート樹脂の全末端に対して少なくとも５モル％、好ましくは少くなとも１０モル％末端に導入されることが望ましく、また、末端停止剤は単独でまたは２種以上混合して使用してもよい。
【００４０】
芳香族ポリカーボネート樹脂は、従来公知の方法（界面重合法、溶融重合法など）により製造した後、有機溶媒溶液状態において、純水を用いての芳香族ポリカーボネート樹脂中のアルカリ成分の抽出除去や有機溶媒溶液からの粒子化（造粒）を経た濾過処理を行い精製することが好ましい。
【００４１】
造粒（脱溶媒）後の粒状原料を、芳香族ポリカーボネート樹脂の貧溶媒や非溶媒で洗浄して低分子量成分や未反応成分等の不純物や異物を除去することも好ましい。芳香族ポリカーボネート樹脂の貧溶媒または非溶媒として、アセトンなどのケトン類、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、キシレンなどの芳香族炭化水素などが挙げられる。
【００４２】
射出成形に供するためのペレット状芳香族ポリカーボネート樹脂を得る押出工程（ペレット化工程）では芳香族ポリカーボネート樹脂の溶融状態の時に濾過精度１０μｍの焼結金属フィルターを通すなどの手段により異物を除去したりすることが好ましい。いずれにしても射出成形前の芳香族ポリカーボネート樹脂はナトリウムだけでなく、異物、不純物、溶媒などの含有量も極力低くしておくことが肝要である。
【００４３】
（添加剤）
本発明のポリカーボネート樹脂組成物には、本発明の目的を損なわない範囲で、熱安定剤、酸化防止剤、離型剤、紫外線吸収剤、ブルーイング剤、帯電防止剤、難燃剤、熱線遮蔽剤、蛍光染料（蛍光増白剤含む）、顔料、光拡散剤、強化充填剤、他の樹脂やエラストマー等を配合することができる。
【００４４】
熱安定剤としては、リン系熱安定剤、硫黄系熱安定剤およびヒンダードフェノール系熱安定剤が挙げられる。
リン系熱安定剤としては、リン酸、亜リン酸、ホスホン酸、亜ホスホン酸およびこれらのエステルよりなる群から選択された少なくとも１種のリン化合物が挙げられ、これらを配合することができる。かかるリン化合物の配合量は、前記樹脂組成物１００重量部に対して、０．０００１〜０．０５重量部が好ましく、０．０００５〜０．０２重量部がより好ましく、０．００２〜０．０１重量部が特に好ましい。このリン化合物を配合することにより、かかる前記樹脂組成物の熱安定性が向上し、成形時における分子量の低下や色相の悪化が防止される。
【００４５】
具体的なリン化合物としては、下記一般式［２］〜［６］よりなる群から選択された少なくとも１種のリン化合物である。
【００４６】
【化２】
2010168420.tif 000003
【化３】
2010168420.tif 000004
【化４】
2010168420.tif 000005
【化５】
2010168420.tif 000006
【化６】
2010168420.tif 000007
［式中、Ｒ９〜Ｒ２２は、それぞれ独立して、水素原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシルなどの炭素原子数１〜２０のアルキル基、フェニル、トリル、ナフチルなどの炭素原子数６〜１５のアリール基またはベンジル、フェネチルなどの炭素原子数７〜１８のアラルキル基を表し、また１つの化合物中に２つのアルキル基が存在する場合は、その２つのアルキル基は互いに結合して環を形成していてもよい。］
【００４７】
上記式［２］で示されるリン化合物としては、例えばトリフェニルホスファイト、トリスノニルフェニルホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、トリデシルホスファイト、トリオクチルホスファイト、トリオクタデシルホスファイト、ジデシルモノフェニルホスファイト、ジオクチルモノフェニルホスファイト、ジイソプロピルモノフェニルホスファイト、モノブチルジフェニルホスファイト、モノデシルジフェニルホスファイト、モノオクチルジフェニルホスファイト、などが挙げられる。
【００４８】
上記式［３］で示されるリン化合物としては、例えばトリブチルホスフェート、トリメチルホスフェート、トリフェニルホスフェート、トリエチルホスフェート、ジフェニルモノオルソキセニルホスフェート、ジブチルホスフェート、ジオクチルホスフェート、ジイソプロピルホスフェートなどが挙げられる。上記式［４］で示されるリン化合物としては、テトラキス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４，４−ジフェニレンホスホナイトなどが挙げられる。また上記式［５］で示される化合物としては、ベンゼンホスホン酸ジメチル、ベンゼンホスホン酸ジエチル、ベンゼンホスホン酸ジプロピルなどが挙げられる。上記式［６］で示される化合物としては、ビス（２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、２，２−メチレンビス（４，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）オクチルホスファイト、ビス（ノニルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ビス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、ジステアリルペンタエリスリトールジホスファイトなどが挙げられる。
【００４９】
これらのリン化合物のなかで、トリスノニルフェニルホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト、テトラキス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４，４−ジフェニレンホスホナイトが好ましく使用される。もっとも好ましいのは、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイトである。
【００５０】
硫黄系熱安定剤としては、ペンタエリスリトール−テトラキス（３−ラウリルチオプロピオネート）、ペンタエリスリトール−テトラキス（３−ミリスチルチオプロピオネート）、ペンタエリスリトール−テトラキス（３−ステアリルチオプロピオネート）、ジラウリル−３、３’−チオジプロピオネート、ジミリスチル−３、３’−チオジプロピオネート、ジステアリル−３、３’−チオジプロピオネート等が挙げられ、なかでもペンタエリスリトール−テトラキス（３−ラウリルチオプロピオネート）、ペンタエリスリトール−テトラキス（３−ミリスチルチオプロピオネート）、ジラウリル−３、３’−チオジプロピオネート、ジミリスチル−３、３’−チオジプロピオネートが好ましい。特に好ましくはペンタエリスリトール−テトラキス（３−ラウリルチオプロピオネート）である。該チオエーテル系化合物は住友化学工業（株）からスミライザーＴＰ−Ｄ（商品名）およびスミライザーＴＰＭ（商品名）等として市販されており、容易に利用できる。
芳香族ポリカーボネート樹脂中の硫黄系熱安定剤の含有量としては、芳香族ポリカーボネート樹脂組成物１００重量部に対して０．００１〜０．２重量部が好ましい。
【００５１】
ヒンダードフェノール系熱安定剤としては、トリエチレングリコール−ビス［３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、１，６−ヘキサンジオール−ビス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、ペンタエリスリトール−テトラキス［３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナマイド）、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエステル、トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌレートおよび３，９−ビス｛１，１−ジメチル−２−［β−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］エチル｝−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ（５，５）ウンデカンなどが挙げられ、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネートが特に好ましく用いられる。
【００５２】
芳香族ポリカーボネート樹脂中のヒンダードフェノール系熱安定剤の含有量としては、芳香族ポリカーボネート樹脂組成物１００重量部に対して０．００１〜０．１重量部が好ましい。
【００５３】
本発明のポリカーボネート樹脂組成物には、酸化防止の目的で通常知られた酸化防止剤を添加することができる。その例としてはフェノール系酸化防止剤を示すことができ、具体的には例えばトリエチレングリコール−ビス（３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、１，６−ヘキサンジオール−ビス（３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、ペンタエリスリトール−テトラキス（３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート）、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、Ｎ，Ｎ−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナマイド）、３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ベンジルホスホネート−ジエチルエステル、トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、３，９−ビス｛１，１−ジメチル−２−［β−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ］エチル｝−２，４，８，１０−テトラオキサスピロ（５，５）ウンデカン等が挙げられる。これら酸化防止剤の好ましい添加量の範囲はポリカーボネート樹脂組成物１００重量部に対して０．０００１〜０．０５重量部である。
【００５４】
本発明のポリカーボネート樹脂組成物には、離型剤を添加することができる。離型剤としてはグリセリンモノエステルが好ましく使用される。かかるグリセリンモノエステルは、グリセリンと脂肪酸のモノエステルが主成分であり、好適な脂肪酸としてはステアリン酸、パルチミン酸、ベヘン酸、アラキン酸、モンタン酸、ラウリン酸等の飽和脂肪酸やオレイン酸、リノール酸、ソルビン酸等の不飽和脂肪酸が挙げられ、特にステアリン酸、ベヘン酸、パルチミン酸が好ましく特にベヘン酸が好ましい。天然の脂肪酸から合成されたものが好ましく、そのほとんどが混合物である。
【００５５】
芳香族ポリカーボネート樹脂組成物１００重量部に対して、グリセリンモノエステルの含有量は好ましくは０．０１〜０．３重量部であり、より好ましくは０．０２〜０．２重量部、さらに好ましくは０．０２５〜０．１５重量部である。含有量が少なすぎる場合には、良好な離型性が得られず、多すぎると成形品の変色が悪化する。
【００５６】
離型剤は、当該業者で知られるその他の離型剤とも併用可能であるが、併用した場合でもグリセリンモノエステルの含有量は０．０１〜０．３重量部が好ましく、離型剤の主成分であることが好ましい。
【００５７】
紫外線吸収剤としては、ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、トリアジン系紫外線吸収剤、環状イミノエステル系紫外線吸収剤およびシアノアクリレート系からなる群より選ばれた少なくとも１種の紫外線吸収剤が好ましい。
【００５８】
ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤としては、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジクミルフェニル）フェニルベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２，２’−メチレンビス［４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｎ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール］、２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−アミルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２−ヒドロキシ−４−オクトキシフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２，２’−メチレンビス（４−クミル−６−ベンゾトリアゾールフェニル）、２，２’−ｐ−フェニレンビス（１，３−ベンゾオキサジン−４−オン）、２−［２−ヒドロキシ−３−（３，４，５，６−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５−メチルフェニル］ベンゾトリアゾ−ルが挙げられ、これらを単独あるいは２種以上の混合物で用いることができる。
【００５９】
好ましくは、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２−（２−ヒドロキシ−３，５−ジクミルフェニル）フェニルベンゾトリアゾール、２−（２−ヒドロキシ−３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２，２’−メチレンビス［４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール］、２−［２−ヒドロキシ−３−（３，４，５，６−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５−メチルフェニル］ベンゾトリアゾ−ルであり、より好ましくは、２−（２−ヒドロキシ−５−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）ベンゾトリアゾ−ル、２，２’−メチレンビス［４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール］である。
【００６０】
ベンゾフェノン系紫外線吸収剤としては、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−オクトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−ベンジロキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホキシトリハイドライドレイトベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２，２’，４，４’−テトラヒドロキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシベンゾフェノン、２，２’−ジヒドロキシ−４，４’−ジメトキシ−５−ソジウムスルホキシベンゾフェノン、ビス（５−ベンゾイル−４−ヒドロキシ−２−メトキシフェニル）メタン、２−ヒドロキシ−４−ｎ−ドデシルオキシベンソフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−２’−カルボキシベンゾフェノン等が挙げられる。
【００６１】
トリアジン系紫外線吸収剤としては、２−（４，６−ジフェニル−１，３，５−トリアジン−２−イル）−５−［（ヘキシル）オキシ］−フェノール、２−（４，６−ビス（２．４−ジメチルフェニル）−１，３，５−トリアジン−２−イル）−５−［（オクチル）オキシ］−フェノール等が挙げられる。
【００６２】
環状イミノエステル系紫外線吸収剤としては、２，２’−ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）、２，２’−ｐ−フェニレンビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）、２，２’−ｍ−フェニレンビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）、２，２’−（４，４’−ジフェニレン）ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）、２，２’−（２，６−ナフタレン）ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）、２，２’−（１，５−ナフタレン）ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）、２，２’−（２−メチル−ｐ−フェニレン）ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）、２，２’−（２−ニトロ−ｐ−フェニレン）ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）および２，２’−（２−クロロ−ｐ−フェニレン）ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）などが例示される。なかでも２，２’−ｐ−フェニレンビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）、２，２’−（４，４’−ジフェニレン）ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）および２，２’−（２，６−ナフタレン）ビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）が好適であり、特に２，２’−ｐ−フェニレンビス（３，１−ベンゾオキサジン−４−オン）が好適である。かかる化合物は竹本油脂（株）からＣＥｉ−Ｐ（商品名）として市販されており、容易に利用できる。
【００６３】
シアノアクリレート系紫外線吸収剤としては、１，３−ビス−［（２’−シアノ−３’，３’−ジフェニルアクリロイル）オキシ］−２，２−ビス［（２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリロイル）オキシ］メチル）プロパン、および１，３−ビス−［（２−シアノ−３，３−ジフェニルアクリロイル）オキシ］ベンゼンなどが例示される。
【００６４】
当該紫外線吸収剤の配合量は、芳香族ポリカーボネート樹脂組成物１００重量部に対して好ましくは０．０１〜３．０重量部であり、より好ましくは０．０２〜１．０重量部であり、さらに好ましくは０．０５〜０．８重量部である。かかる配合量の範囲であれば、用途に応じ、ポリカーボネート樹脂成形品に十分な耐候性を付与することが可能である。
【００６５】
ブルーイング剤としては、バイエル社のマクロレックスバイオレットＢ及びマクロレックスブルーＲＲ並びにクラリアント社のポリシンスレンブル−ＲＬＳ等が挙げられる。ブルーイング剤は、ポリカーボネート樹脂粉粒体の黄色味を消すために有効である。
ブルーイング剤の配合量は、ポリカーボネート樹脂組成物に対して好ましくは０．０５〜１．５ｐｐｍであり、より好ましくは０．１〜１．２ｐｐｍである。
【００６６】
＜光ディスク基板および光ディスク＞
本発明の芳香族ポリカーボネート樹脂組成物より形成された光学用成形品、殊に光ディスク基板は、デジタルビデオディスク、ＤＶＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−Ａｕｄｉｏ、ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＡＭ等で代表されるデジタル・バーサタイル・ディスク（ＤＶＤ）、ブルーレイディスク（ＢＤ）の基板をいう。
【００６７】
この光ディスク基板を製造する場合には射出成形機（好ましくは射出圧縮成形機）を用いる。この射出成形機としては一般的に使用されているものでよいが、炭化物の発生を抑制しディスク基板の信頼性を高める観点からシリンダやスクリューとして樹脂との付着性が低く、かつ耐蝕性、耐摩耗性を示す材料を使用してなるものを用いるのが好ましい。
【００６８】
射出成形の条件としてはシリンダ温度が好ましくは２６０〜４５０℃、より好ましくは２８０〜３８０℃、並びに金型温度が好ましくは５０〜１８０℃、より好ましくは７０〜１３５℃であり、これらにより光学的に優れた光ディスク基板を得ることができる。
【００６９】
成形工程での環境は、本発明の目的から考えて、可能な限りクリーンであることが好ましい。また、成形に供する材料を十分乾燥して水分を除去することや、溶融樹脂の分解を招くような滞留を起こさないように配慮することも重要となる。
【００７０】
また、本発明の光ディスク基板は、支持基板、該基板上に形成された反射層、及び該反射層上に形成された光透過層を有してなり、光透過層側からレーザー光を入射して記録及び／又は再生を行う方式の光ディスク、例えばＢＤやＨＤ  ＤＶＤ、更にはホログラムディスクに代表される大容量ディスク用の支持基板として好適に使用される。
【００７１】
本発明の光ディスク基板は、その片面に反射層及び／または記録層を形成する必要がある。上記の記録層、反射層の無機薄膜の製造法としては、公知の真空蒸着法、スパッタリング法等のＰＶＤ法、あるいはＣＶＤ法等、種々の薄膜形成法が適用できる。しかし、光ディスク媒体としては、高温高湿の耐環境試験で生じる剥離を生じさせないために、特に高分子基板との密着性が大きい条件で作製することが好ましい。このためにはスパッタリング法が好ましい。
【００７２】
例えば、ＤＶＤやＨＤ  ＤＶＤの場合、厚み０．６ｍｍの第一の基板上に、接着剤と、第一の基板と同じ厚みの光透過性の第二の基板とが順次形成され、且つ前記第二の基板の前記第一の基板側には反射層及び／又は記録層が形成されてなり、前記第二の基板側からレーザー光を照射して情報の記録再生を行う。前記第二の基板は、前記レーザー光の波長に対して８０％以上の透過率を有することが好ましく、９０％以上が望ましい。
【００７３】
または、第一の基板上に、接着剤と、第一の基板と同じ厚みの光透過性の第二の基板とが順次形成され、且つ第一、第二の基板の互いに対向する側にそれぞれ第一、第二の反射層及び／又は第一、第二の記録層が形成されてなり、前記第二の基板側からレーザー光を照射して情報の記録再生を行う。前記第二の基板は、前記レーザー光の波長に対して８０％以上の透過率を有することが好ましく、９０％以上が望ましい。
【００７４】
例えば、ＢＤの場合、上記反射層及び／または記録層上に光透過性のカバー層を形成する。上記光透過性のカバー層はレーザー光を通過する材料よりなり、かかる材料としては好適にポリカーボネート樹脂が用いられ、例えば、溶融押出法により形成されたポリカーボネートシートや溶液流延法により形成されたポリカーボネートキャスティングフィルムが挙げられる。光透過性のカバー層を形成する手段は、例えば、記録層上にポリカーボネートからなるシートやフィルム等の透明板を粘着剤などで貼り合わせる方法が挙げられる。さらにこの光透過性のカバー層はコマ収差をかなり小さく抑えるために、３〜２００μｍの厚さに制限される。Ｂｌｕ―ｒａｙ  Ｄｉｓｃ（記録型）の場合、１．１ｍｍ厚の基板上に光反射層、記録膜及び記録膜保護膜よりなる記録層、並びに光透過性のカバー層を形成する事により作成される。なお、これらの層は複数形成されてもよい。
【００７５】
上記カバーフイルムを形成する際に使用される接着剤には、紫外線硬化性の高分子材料を主成分として用いてもよい。この場合、前記紫外線硬化性の高分子材料は、側鎖に紫外線硬化性基を有するアクリル酸エステル共重合体であるのが好ましく、紫外線硬化性基は不飽和基であり、かつ、前記アクリル酸エステル共重合体の重量平均分子量は１００，０００以上であるのが好ましい。例えば、紫外線硬化性の高分子材料として、側鎖に紫外線硬化性基を有するアクリル酸エステル共重合体と、紫外線硬化性の多官能モノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物等が用いられる。または、紫外線硬化性基を有しないアクリル酸エステル共重合体と、紫外線硬化性の多官能モノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物であってもよい。その他に、接着剤としては、紫外線硬化性を有しないポリマー成分と紫外線硬化性の多官能モノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物を主成分とするものであってもよい。いずれの場合であっても、硬化させる前は粘着性を示し、硬化後は強固な接着性および適度な硬さを有するものであるのが好ましい。
【００７６】
記録膜は追記型光ディスクの場合、基板上に、レーザー光の照射によって不可逆的な光学特性が変化したり凹凸形状が形成される記録膜であり、例えばレーザー光の照射による加熱で分解して、その光学定数が変化すると共に、体積変化によって基板の変形を生じさせるシアニン系、フタロシアニン系、アゾ系の有機色素等が用いられる。
【００７７】
書き換え可能型光ディスクの場合、記録膜はレーザー光の照射によって生じた物質の非晶質状態と結晶状態の間の可逆的な相構造変化が起こる材料（相変化記録型）、もしくは膜面に垂直な方向に磁化容易方向を有し、任意の反転磁区を作ることにより情報の記録、再生、消去が可能な磁気光学効果を有する磁性薄膜（光磁気記録型）である。相変化記録型の記録膜としては、例えば、カルコゲナイド系材料であるＧｅＳｂＴｅ系、ＩｎＳｂＴｅ系、ＩｎＳｅ系、ＩｎＴｅ系、ＡｓＴｅＧｅ系、ＴｅＯｘ−ＧｅＳｎ系、ＴｅＳｅＳｎ系、ＦｅＴｅ系、ＳｂＳｅＢｉ系、ＢｉＳｅＧｅ系等が用いられているが、ＧｅＳｂＴｅ系よりなる膜は繰り返し記録・消去時における安定動作が良好で好ましい。光磁気記録型の記録膜としては、例えば、ＴｂＦｅ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＮｄＤｙＦｅＣｏ、ＮｄＤｙＴｂＦｅＣｏ、ＮｄＦｅ、ＰｒＦｅ、ＣｅＦｅ等の希土類元素と遷移金属元素との非晶質合金薄膜、交換結合を利用したそれらの二層膜、Ｃｏ／Ｐｔ、Ｃｏ／Ｐｄ等の人工格子多層膜、ＣｏＰｔ系合金等を用いることができる。
【００７８】
また記録膜を狭持する記録膜保護膜としては誘電体材料を用いることが好ましい。これにより、媒体としての結晶相と非晶質相の反射率差、および磁気光学効果を高めることができる。さらにこの場合には、誘電体材料は屈折率ｎが高い材料、すなわちｎ≧１．６である材料、さらに好ましくはｎ≧１．８である材料であることが好ましい。例えば、ＳｉＯ系、ＳｉＯＮ系、Ｔａ２Ｏ３、ＴｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＣｅＯ、Ｌａ２Ｏ３、Ｉｎ２Ｏ３、ＧｅＯ、ＧｅＯ２、ＰｂＯ、ＳｎＯ、ＳｎＯ２、Ｂｉ２Ｏ３、ＴｅＯ２ＷＯ２、ＷＯ３、Ｓｃ２Ｏ３、ＺｒＯ２等の酸化物、ＴａＮ、ＡｌＮ、ＳｉＮ系、ＡｌＳｉＮ系等の窒化物、ＺｎＳ、Ｓｂ２Ｓ３、ＣｄＳ、Ｉｎ２Ｓ３、Ｇａ２Ｓ３、ＧｅＳ、ＳｎＳ２、ＰｂＳ、Ｂｉ２Ｓ３等の硫化物、またはこれらの混合材料やこれらの積層体などを保護膜として用いることが好ましい。
【００７９】
光反射層としては、評価に用いるドライブヘッドのレーザー光に対し、記録層よりも反射率の高い材料であることが特性向上のために好ましい。具体的には、使用レーザー光波長における光学定数である屈折率ｎと消衰係数ｋが、ｎ≦３．５、かつｋ≧３．５であるような材料を選択することが好ましい。さらに好ましくはｎ≦２．５かつ４．５≦ｋ≦８．５であり、この条件で作製した媒体では、再生信号特性のより一層の向上が実現できる。
【００８０】
一方レーザー光による加熱で信号を記録する際、光反射層の熱伝導率が高すぎると、熱拡散が大きく、強いレーザパワーを必要とする。このため現在多用されているパワーが１５ｍＷ以下の半導体レーザーで信号の記録を可能とするためには、光反射層に用いる材料の熱伝導率は１００［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］以下であることが好ましく、さらには８０［Ｗ／（ｍ・Ｋ）］以下であることがより好ましい。
【００８１】
このような条件を満足する材料として、ＡｌもしくはＡｇにＡｕ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｉｒ等の１種類以上の元素を添加した合金が挙げられる。なお、これら合金において添加元素の添加量が、０．５原子％より少ないと前述の熱伝導低下の効果は小さく、逆に２０原子％より多いと前述の光反射率の低下が大きく再生信号特性の面で不利である。従って添加元素の含有量は０．５〜２０原子％の範囲におさめることが好ましい。また、特に金属反射膜自身の耐久性を高めるという点で、上記特定元素群の中ではＴｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｒｅが好ましい。これらの反射層の膜厚範囲は１０〜５００ｎｍであるが、反射率の低下による再生信号特性の低下を抑え、かつレーザパワーが１５ｍＷで記録可能とするためには、好ましくは３０〜２００ｎｍ、特に好ましくは４０〜１００ｎｍである。
なお、再生専用光ディスク媒体の場合は、上述した光反射層のみを基板上に形成する事になるが、材料としては同じものを使用することが出来る。
【００８２】
本発明の光ディスク基板は、長期間使用後の折り曲げ性を有する。これは、成形時における折り曲げ性に優れるばかりで無く、長期間の使用後においてもなお、折り曲げ性に優れる光ディスク基板である。
【実施例】
【００８３】
評価は下記の方法によった。
（１）比粘度
ポリマーＢ０．７ｇを１００ｍｌの塩化メチレンに溶解し２０℃の温度で測定した。
【００８４】
（２）粘度平均分子量
ポリマーＡ０．７ｇを塩化メチレン１００ｍｌに溶解した溶液の２０℃における比粘度を測定し、下記式から算出したものである。
ηｓｐ／ｃ＝［η］＋０．４５×［η］２ｃ
［η］＝１．２３×１０−４Ｍ０．８３
ηｓｐ：比粘度
［η］：極限粘度
ｃ：定数（＝０．７）
Ｍ：粘度平均分子量
【００８５】
（３）ΔＲ値（光学特性）
光ディスク基板について、ＴＯＲＹＯ  ＡＴ社製自動複屈折測定装置Ｂ６ＤＹを用い、光ディスク基板の垂直入射複屈折と光ディスク基板の半径方向に対して垂直になるような斜め入射（３０度）複屈折率の差の絶対値（ΔＲ）を測定した。測定は、半径２５、３０、３５、４０、４５、５０、５５ｍｍ部分において、各半径でそれぞれ円周方向に８点で測定し、平均した値を測定値とした。
【００８６】
（４）折り曲げ性
光ディスク基板を冶具に、図１のように垂直にセットし、１２０ｍｍから２０ｍｍの距離まで５０ｍｍ／ｍｉｎにて圧縮し、１ＭＰａの圧力を掛けた。１２０ｍｍから２０ｍｍまで折り曲げる過程で基板が割れたものを×、割れなかったものを○とした。
【００８７】
（５）湿熱試験後の折り曲げ性
光ディスク基板を８０℃、８５％ＲＨの環境で２００時間湿熱処理を実施した。この湿熱処理後の光ディスク基板の折り曲げ性を評価した。折り曲げる過程で基板が割れたものを×、クラックが入ったものを△、割れずに且つクラックが入らなかったものを○とした。
【００８８】
［実施例１］
（ポリマーＡ）
ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールとホスゲンから界面重合法により得られた粘度平均分子量１７，０００の２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン（ビスフェノールＡ）を繰り返し単位とする粉粒状ポリカーボネート樹脂（Ａ１）を準備した。
【００８９】
（ポリマーＢ）
温度計、攪拌機、還流冷却器付き反応器にイオン交換水９２９．２部、４８％水酸化ナトリウム水溶液６１．３部を入れ、１，１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン（成分ｂ−１：以下“ビスフェノールＴＭＣ”と略称することがある）３９部、４，４’−（ｍ−フェニレンジイソプロピリデン）ジフェノール（成分ｂ−２：以下“ビスフェノールＭ”と略称することがある）４３．６部およびハイドロサルファイト０．１７部を溶解した後、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール１．５１部と塩化メチレン６３７．９部を加えトリエチルアミン０．０９部を添加した後、攪拌下１５〜２５℃でホスゲン３２．４部を４０分を要して吹き込んだ。ホスゲン吹き込み終了後、４８％水酸化ナトリウム水溶液１５．６部を加え、２８〜３３℃で１時間攪拌して反応を終了した。反応終了後、生成物を塩化メチレンで希釈して水洗したのち塩酸酸性にして水洗し、水相の導電率がイオン交換水と殆ど同じになったところで、軸受け部に異物取り出し口を有する隔離室を設けたニーダーにて塩化メチレンを蒸発して、ビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＭの比がモル比で５０：５０の比粘度が０．２８６であるポリマーＢ（Ｂ１）を得た。
【００９０】
（ペレット化）
ポリマーＡ（Ａ１）とポリマーＢ（Ｂ１）との割合が重量比で９０：１０になるようブレンドし、さらにこのブレンド物１００重量部に対し、ステアリン酸モノグリセライド０．０４５重量部、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト０．００３重量部を添加し、２４０〜２８０℃の温度範囲で３０ｍｍ単軸押出機によりストランドを押出しカッターでペレット化した。
【００９１】
（光ディスク基板および光ディスクの製造）
得られたペレットを１２０℃で５時間乾燥後、射出圧縮成形機（住友重機械工業社製ＳＤ−４０Ｅ）とキャビティ厚１．２ｍｍ、直径１２０ｍｍの金型およびＣＤ−ＲＯＭ基板用スタンパーを用いて、シリンダー設定温度３７０℃、金型温度７５℃、型締め力２８０ＰＭａ、成形サイクル５秒で光ディスク基板を成形した。その後、光ディスク基板上に反射膜を形成しＣＤ−ＲＯＭとした。
【００９２】
［実施例２］
（ポリマーＢ）
実施例１において、ビスフェノールＴＭＣ３１．２部、ビスフェノールＭ５２．２部とした以外は実施例１と同様にして、ビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＭの比がモル比で４０：６０の比粘度が０．２９２であるポリマーＢ（Ｂ２）を得た。次いで、ポリマーＢとして、ポリマーＢ（Ｂ２）を用いた以外は、実施例１と同様の方法で光ディスク基板およびＣＤ−ＲＯＭを得た。
【００９３】
［実施例３］
（ポリマーＢ）
実施例１において、ビスフェノールＴＭＣ４６．８部、ビスフェノールＭ３４．９部とした以外は実施例１と同様にして、ビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＭの比がモル比で６０：４０の比粘度が０．２７５であるポリマーＢ（Ｂ３）を得た。次いで、ポリマーＢとして、ポリマーＢ（Ｂ３）を用いた以外は、実施例１と同様の方法で光ディスク基板およびＣＤ−ＲＯＭを得た。
【００９４】
［実施例４］
ポリマーＡ（Ａ１）とポリマーＢ（Ｂ１）との割合が重量比で５０：５０になるようブレンドした以外は、実施例１と同様の方法で光ディスク基板およびＣＤ−ＲＯＭを得た。
【００９５】
［実施例５］
（ポリマーＢ）
実施例１において、ビスフェノールＴＭＣ７．８部、ビスフェノールＭ７８．４部とした以外は実施例１と同様にして、ビスフェノールＴＭＣとビスフェノールＭの比がモル比で１０：９０の比粘度が０．２８６であるポリマーＢ（Ｂ４）を得た。次いで、ポリマーＡ（Ａ１）とポリマーＢ（Ｂ４）との割合が重量比で５０：５０になるようブレンドした以外は、実施例１と同様の方法で光ディスク基板およびＣＤ−ＲＯＭを得た。
【００９６】
［比較例１］
ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールとホスゲンから界面重合法により得られた粘度平均分子量１７，０００のビスフェノールＡを繰り返し単位とする粉粒状ポリカーボネート樹脂１００重量部に対し、ステアリン酸モノグリセライド０．０４５重量部、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト０．００３重量部を添加し、２４０〜２８０℃の温度範囲で３０ｍｍ単軸押出機によりストランドを押出しカッターでペレット化したペレットを使用して、実施例１と同様の方法で光ディスク基板およびＣＤ−ＲＯＭを得た。
【００９７】
［実施例６］
ポリマーＡとして、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールとホスゲンから界面重合法により得られた粘度平均分子量１５，０００のビスフェノールＡを繰り返し単位とする粉粒状ポリカーボネート樹脂（Ａ２）を使用する以外は、実施例１と同様の方法で光ディスク基板およびＣＤ−ＲＯＭを得た。
【００９８】
［実施例７］
ポリマーＡとして、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールとホスゲンから界面重合法により得られた粘度平均分子量１５，０００のビスフェノールＡを繰り返し単位とする粉粒状ポリカーボネート樹脂（Ａ２）を使用する以外は、実施例２と同様の方法で光ディスク基板およびＣＤ−ＲＯＭを得た。
【００９９】
［実施例８］
ポリマーＡとして、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールとホスゲンから界面重合法により得られた粘度平均分子量１５，０００のビスフェノールＡを繰り返し単位とする粉粒状ポリカーボネート樹脂（Ａ２）を使用する以外は、実施例３と同様の方法で光ディスク基板およびＣＤ−ＲＯＭを得た。
【０１００】
［実施例９］
ポリマーＡ（Ａ２）とポリマーＢ（Ｂ１）との割合が重量比で５０：５０になるようブレンドした以外は、実施例１と同様の方法で光ディスク基板およびＣＤ−ＲＯＭを得た。
【０１０１】
［実施例１０］
ポリマーＡ（Ａ２）とポリマーＢ（Ｂ４）との割合が重量比で５０：５０になるようブレンドした以外は、実施例１と同様の方法で光ディスク基板およびＣＤ−ＲＯＭを得た。
【０１０２】
［比較例２］
ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールとホスゲンから界面重合法により得られた粘度平均分子量１５，０００のビスフェノールＡを繰り返し単位とする粉粒状ポリカーボネート樹脂１００重量部に対し、ステアリン酸モノグリセライド０．０４５重量部、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト０．００３重量部を添加し、２４０〜２８０℃の温度範囲で３０ｍｍ単軸押出機によりストランドを押出しカッターでペレット化したペレットを使用して、実施例１と同様の方法で光ディスク基板およびＣＤ−ＲＯＭを得た。
【０１０３】
［比較例３］
ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノールとホスゲンから界面重合法により得られた粘度平均分子量１３，５００のビスフェノールＡを繰り返し単位とする粉粒状ポリカーボネート樹脂１００重量部に対し、ステアリン酸モノグリセライド０．０４５重量部、トリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ホスファイト０．００３重量部を添加し、２４０〜２８０℃の温度範囲で３０ｍｍ単軸押出機によりストランドを押出しカッターでペレット化したペレットを使用して、実施例１と同様の方法で光ディスク基板およびＣＤ−ＲＯＭを得た。
【０１０４】
なお、実施例及び比較例から次のことが明らかである。
実施例１〜５は、折り曲げ性が良好で、比較例１と比べてΔＲ値も良好である。
実施例６〜１０は、折り曲げ性が良好で、比較例２と比べてΔＲ値も良好である。
比較例３は、ΔＲ値は良好であるが、折り曲げ試験で割れた。折り曲げ性に問題を有する。
【０１０５】
【表１】
2010168420.tif 000008
【０１０６】
【表２】
2010168420.tif 000009
【０１０７】
【表３】
2010168420.tif 000010
【０１０８】
【表４】
2010168420.tif 000011
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
本発明の樹脂組成物は、光学用成形品殊に光ディスク基板の成形材料として有用である。
【符号の説明】
【０１１０】
１．冶具
２．光ディスク基板
３．冶具間の幅（１２０ｍｍ）
４．冶具間の幅（２０ｍｍ）
【図１】
2010168420.tif 000012