(57)【要約】【課題】部品点数を削減するとともに、制限空間内での高いデザイン裕度を有する現像処理装置を提供する。【解決手段】共通の筐体５０内に、相互に雰囲気を連通させた状態にて３つの現像処理ユニットＤＥＶが同じ高さ位置に一列に並設されている。現像液を供給するスリットノズル６１０および多孔ノズル６２０は、３つの現像処理ユニットＤＥＶに共用に設けられている。また、隣接する現像処理ユニットＤＥＶの間には、待機状態のスリットノズル６１０および多孔ノズル６２０を受け入れる待機ポッド７０が設けられている。待機ポッド７０は隣接する現像処理ユニットＤＥＶ間の仕切壁としても機能する。このため、新たに別途仕切板を設ける必要がなくなり、現像処理装置の部品点数を削減することができるとともに、筐体５０の制限空間内での高いデザイン裕度を持たせることができる。【選択図】図８
2010087323.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に現像液を供給して現像処理を行う現像処理装置であって、
共通の筐体内に、相互に雰囲気を連通させた状態にて同じ高さ位置に一列に並設された複数の現像処理ユニットと、
前記複数の現像処理ユニットの配列方向に沿って移動し、前記複数の現像処理ユニットのそれぞれに収容された基板に対して現像液を吐出する現像液ノズルと、
前記複数の現像処理ユニットの配列のうちの隣接する現像処理ユニットの間に設けられ、待機状態の現像液ノズルを受け入れる待機ポッドと、
を備え、
前記複数の現像処理ユニットのそれぞれは、
基板を保持して回転させる回転保持手段と、
前記回転保持手段に保持された基板の周囲を取り囲むカップと、
前記カップを、前記回転保持手段に対して基板を搬出入するときの搬出入位置と前記回転保持手段に保持された基板に現像処理を行うときの処理位置との間で昇降させる昇降手段と、
を備え、
前記待機ポッドの上端の高さ位置は前記処理位置における前記カップの上端よりも高く、前記待機ポッドの下端の高さ位置は前記処理位置における前記カップの上端よりも低いことを特徴とする現像処理装置。
【請求項２】
請求項１記載の現像処理装置において、
前記待機ポッドに、前記現像液ノズルの洗浄を行う洗浄機構を設けることを特徴とする現像処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の現像処理装置において、
前記複数の現像処理ユニットにて現像処理される基板は円形を有し、
前記待機ポッドは長尺形状を有し、
前記待機ポッドの長手方向長さは前記基板の径よりも長いことを特徴とする現像処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）に現像液を供給して現像処理を行う現像処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これらの諸処理のうち例えばレジスト塗布処理、現像処理およびそれらに付随する熱処理のそれぞれを行う処理ユニットを複数組み込み、搬送ロボットによってそれら各処理ユニット間で基板の循環搬送を行うことにより基板に一連のフォトリソグラフィー処理を施す基板処理装置がいわゆるコータ＆デベロッパとして広く用いられている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
従来より、特許文献１に開示されているような基板処理装置においては、複数の処理ユニットが個別に組み込まれていた。すなわち、複数の処理ユニットのそれぞれを個別の筐体内に設けるようにしていた。例えば、特許文献１に開示される基板処理装置には５つの現像処理ユニットが設けられているが、それぞれの現像処理ユニットは１つの筐体内に基板を吸着保持して回転させるスピンチャックや基板に現像液を供給するノズルを１つずつ設けて構成されている。よって、複数の現像処理ユニットは、相互に雰囲気も分離されることとなっていた。
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、複数の現像処理ユニットを個別に独立して組み込むようにすると、ユニット数に比例してノズル等のパーツ点数が増え、それに応じてコストも増大することとなっていた。また、１つの筐体の限られた空間内に、現像処理に必要な多数のパーツを設けることとなるため、現像処理ユニットのデザイン仕様の制約も大きくなっていた。さらには、複数の現像処理ユニットの雰囲気が必然的に分離されるため、プロセス雰囲気に微小な機差が生じる可能性もあった。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、部品点数を削減するとともに、制限空間内での高いデザイン裕度を有する現像処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、基板に現像液を供給して現像処理を行う現像処理装置において、共通の筐体内に、相互に雰囲気を連通させた状態にて同じ高さ位置に一列に並設された複数の現像処理ユニットと、前記複数の現像処理ユニットの配列方向に沿って移動し、前記複数の現像処理ユニットのそれぞれに収容された基板に対して現像液を吐出する現像液ノズルと、前記複数の現像処理ユニットの配列のうちの隣接する現像処理ユニットの間に設けられ、待機状態の現像液ノズルを受け入れる待機ポッドと、を備え、前記複数の現像処理ユニットのそれぞれは、基板を保持して回転させる回転保持手段と、前記回転保持手段に保持された基板の周囲を取り囲むカップと、前記カップを、前記回転保持手段に対して基板を搬出入するときの搬出入位置と前記回転保持手段に保持された基板に現像処理を行うときの処理位置との間で昇降させる昇降手段と、を備え、前記待機ポッドの上端の高さ位置は前記処理位置における前記カップの上端よりも高く、前記待機ポッドの下端の高さ位置は前記処理位置における前記カップの上端よりも低いことを特徴とする。
【０００８】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る現像処理装置において、前記待機ポッドに、前記現像液ノズルの洗浄を行う洗浄機構を設けることを特徴とする。
【０００９】
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る現像処理装置において、前記複数の現像処理ユニットにて現像処理される基板は円形を有し、前記待機ポッドは長尺形状を有し、前記待機ポッドの長手方向長さは前記基板の径よりも長いことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、共通の筐体内に相互に雰囲気を連通させた状態にて同じ高さ位置に複数の現像処理ユニットを一列に並設し、それら複数の現像処理ユニットの配列方向に沿って移動して現像液を吐出する現像液ノズルを設け、複数の現像処理ユニットの配列のうちの隣接する現像処理ユニットの間には待機状態の現像液ノズルを受け入れる待機ポッドを設け、待機ポッドの上端の高さ位置は処理位置における現像処理ユニットのカップの上端よりも高く、待機ポッドの下端の高さ位置は処理位置におけるカップの上端よりも低いため、待機ポッドは隣接する現像処理ユニットを仕切る仕切壁としても機能し、別途に仕切板を設ける必要がなくなる。その結果、部品点数を削減することができるとともに、仕切板を設置するためのスペースを削減して筐体の制限空間内での高いデザイン裕度を持たせることができる。
【００１１】
特に、請求項２の発明によれば、待機ポッドに現像液ノズルの洗浄を行う洗浄機構を設けているため、待機中の現像液ノズルの洗浄を行うことができる。
【００１２】
特に、請求項３の発明によれば、待機ポッドの長手方向長さは基板の径よりも長いため、待機ポッドは隣接する現像処理ユニット間をより効果的に仕切ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１４】
＜１．全体構成＞
まず、本発明に係る現像処理装置を組み込んだ基板処理装置の全体構成について説明する。図１は、本発明に係る現像処理装置を組み込んだ基板処理装置１の平面図である。また、図２は基板処理装置１の液処理ユニットの配置構成を示す概略側面図であり、図３は熱処理ユニットの配置構成を示す概略側面図であり、図４は搬送ロボットおよび基板載置部の配置構成を示す側面図である。なお、図１および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を適宜付している。
【００１５】
本実施形態の基板処理装置１は、基板Ｗとして円板形状の半導体ウェハにフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、パターン露光後の半導体ウェハに現像処理を行う装置（いわゆるコータ＆デベロッパ）である。なお、本発明に係る現像処理装置を搭載した基板処理装置１の処理対象となる基板Ｗは半導体ウェハに限定されるものではなく、液晶表示装置用ガラス基板やフォトマスク用ガラス基板等であっても良い。
【００１６】
本実施形態の基板処理装置１は、インデクサブロックＩＤ、塗布処理ブロックＳＣ、現像処理ブロックＳＤおよびインターフェイスブロックＩＦの４つの処理ブロックを一方向（Ｘ軸方向）に連設して構成されている。インターフェイスブロックＩＦには基板処理装置１とは別体の外部装置である露光装置（ステッパ）ＥＸＰが隣接して接続配置されている。
【００１７】
インデクサブロックＩＤは、装置外から受け取った未処理基板Ｗを塗布処理ブロックＳＣに搬入するとともに、現像処理の終了した処理済み基板Ｗを装置外に搬出するための処理ブロックである。インデクサブロックＩＤは、複数のキャリアＣ（本実施形態では４個）を並べて載置する載置台１１と、各キャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出すとともに、各キャリアＣに処理済みの基板Ｗを収納するインデクサロボットＩＤＲと、を備えている。
【００１８】
インデクサブロックＩＤに隣接して塗布処理ブロックＳＣが配置されている。塗布処理ブロックＳＣは、基板Ｗにレジスト膜およびその下地に反射防止膜を形成する処理ブロックである。塗布処理ブロックＳＣは、大まかに上側塗布セルＵＣおよび下側塗布セルＬＣの上下２段に分けられている。上側塗布セルＵＣは、主搬送ロボットＴＲ１および主搬送ロボットＴＲ１が搬送を担当する複数の処理ユニットを備えて構成される。同様に、下側塗布セルＬＣは、主搬送ロボットＴＲ２および主搬送ロボットＴＲ２が搬送を担当する複数の処理ユニットを備えて構成される。
【００１９】
塗布処理ブロックＳＣとインターフェイスブロックＩＦとの間に挟み込まれるようにして現像処理ブロックＳＤが配置されている。現像処理ブロックＳＤは、露光処理後の基板Ｗに対して現像処理を行う処理ブロックである。現像処理ブロックＳＤは、大まかに上側現像セルＵＤおよび下側現像セルＬＤの上下２段に分けられている。上側現像セルＵＤは、主搬送ロボットＴＲ３および主搬送ロボットＴＲ３が搬送を担当する複数の処理ユニットを備えて構成される。同様に、下側現像セルＬＤは、主搬送ロボットＴＲ４および主搬送ロボットＴＲ４が搬送を担当する複数の処理ユニットを備えて構成される。
【００２０】
Ｘ軸方向に沿って並ぶ上側塗布セルＵＣと上側現像セルＵＤとは連結されて、インデクサブロックＩＤとインターフェイスブロックＩＦとの間を結ぶ一つの基板処理経路を形成する。同様に、Ｘ軸方向に沿って並ぶ下側塗布セルＬＣと下側現像セルＬＤとは連結されて、インデクサブロックＩＤとインターフェイスブロックＩＦとの間を結ぶ一つの基板処理経路を形成する。すなわち、基板処理装置１は、塗布処理ブロックＳＣおよび現像処理ブロックＳＤに跨って上下２段の基板処理経路を有する。
【００２１】
現像処理ブロックＳＤに隣接してインターフェイスブロックＩＦが配置されている。インターフェイスブロックＩＦは、未露光の基板Ｗを基板処理装置１とは別体の外部装置である露光装置ＥＸＰに渡すとともに、露光済みの基板Ｗを露光装置ＥＸＰから受け取る処理ブロックである。インターフェイスブロックＩＦは、基板Ｗを搬送する第１インターフェイスロボットＩＦＲ１および第２インターフェイスロボットＩＦＲ２を備える。
【００２２】
インデクサブロックＩＤと塗布処理ブロックＳＣとの接続部分には基板載置部ＰＡＳＳ１Ｕ，ＰＡＳＳ２Ｕ，ＰＡＳＳ１Ｌ，ＰＡＳＳ２Ｌが設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ１Ｕ，ＰＡＳＳ２Ｕは、インデクサブロックＩＤと上側塗布セルＵＣとの接続部分に上下に積層して設けられている。インデクサロボットＩＤＲと主搬送ロボットＴＲ１との間の基板Ｗの受け渡しは基板載置部ＰＡＳＳ１Ｕ，ＰＡＳＳ２Ｕを介して行われる。一方、基板載置部ＰＡＳＳ１Ｌ，ＰＡＳＳ２Ｌは、インデクサブロックＩＤと下側塗布セルＬＣとの接続部分に上下に積層して設けられている。インデクサロボットＩＤＲと主搬送ロボットＴＲ２との間の基板Ｗの受け渡しは基板載置部ＰＡＳＳ１Ｌ，ＰＡＳＳ２Ｌを介して行われる。
【００２３】
また、塗布処理ブロックＳＣと現像処理ブロックＳＤとの接続部分には基板載置部ＰＡＳＳ３Ｕ，ＰＡＳＳ４Ｕ，ＰＡＳＳ３Ｌ，ＰＡＳＳ４Ｌが設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ３Ｕ，ＰＡＳＳ４Ｕは、上側塗布セルＵＣと上側現像セルＵＤとの接続部分に上下に積層して設けられている。主搬送ロボットＴＲ１と主搬送ロボットＴＲ３との間の基板Ｗの受け渡しは基板載置部ＰＡＳＳ３Ｕ，ＰＡＳＳ４Ｕを介して行われる。一方、基板載置部ＰＡＳＳ３Ｌ，ＰＡＳＳ４Ｌは、下側塗布セルＬＣと下側現像セルＬＤとの接続部分に上下に積層して設けられている。主搬送ロボットＴＲ２と主搬送ロボットＴＲ４との間の基板Ｗの受け渡しは基板載置部ＰＡＳＳ３Ｌ，ＰＡＳＳ４Ｌを介して行われる。
【００２４】
また、現像処理ブロックＳＤには、基板載置部ＰＡＳＳ５Ｕ，ＰＡＳＳ６Ｕ，ＰＡＳＳ５Ｌ，ＰＡＳＳ６Ｌが設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ５Ｕ，ＰＡＳＳ６Ｕは、上側現像セルＵＤに上下に積層して設けられている。主搬送ロボットＴＲ３と第１インターフェイスロボットＩＦＲ１との間の基板Ｗの受け渡しは基板載置部ＰＡＳＳ５Ｕ，ＰＡＳＳ６Ｕを介して行われる。基板載置部ＰＡＳＳ５Ｌ，ＰＡＳＳ６Ｌは、下側現像セルＬＤに上下に積層して設けられている。主搬送ロボットＴＲ４と第１インターフェイスロボットＩＦＲ１との間の基板Ｗの受け渡しは基板載置部ＰＡＳＳ５Ｌ，ＰＡＳＳ６Ｌを介して行われる。
【００２５】
さらに、インターフェイスブロックＩＦには、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に積層して設けられている。第１インターフェイスロボットＩＦＲ１と第２インターフェイスロボットＩＦＲ２との間の基板Ｗの受け渡しは基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８を介して行われる。以上の基板載置部はいずれも３本の支持ピンを備えて構成されており、一方のロボットが支持ピン上に載置した基板Ｗを他方のロボットが受け取ることによって基板Ｗの受け渡しが行われる。なお、各基板載置部には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサが設けられている。
【００２６】
＜１−１．インデクサブロック＞
続いて、インデクサブロックＩＤから順に各処理ブロックについて説明する。インデクサブロックＩＤの載置台１１に対しては未処理の複数枚の基板Ｗを収納したキャリアＣがＡＧＶ(automated guided vehicle)等の無人搬送機構によって搬入される。また、処理済みの複数枚の基板Ｗを収納したキャリアＣもＡＧＶ等によって搬出される。なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であっても良い。
【００２７】
インデクサロボットＩＤＲは、載置台１１の側方をキャリアＣの並び方向（Ｙ軸方向）に沿って水平移動する可動台１２と、可動台１２に対して鉛直方向（Ｚ軸方向）に伸縮する昇降軸１３と、基板Ｗを水平姿勢で保持する保持アーム１４と、を備えている。保持アーム１４は、昇降軸１３の上端に搭載されており、鉛直方向に沿った軸心周りでの旋回動作および旋回半径方向に沿ったスライド移動が可能に構成されている。よって、保持アーム１４は、Ｙ軸方向に沿った水平移動、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、インデクサロボットＩＤＲは、保持アーム１４を各キャリアＣにアクセスさせて未処理の基板Ｗの取り出しおよび処理済みの基板Ｗの収納を行うことができる。
【００２８】
＜１−２．塗布処理ブロック＞
塗布処理ブロックＳＣの上側塗布セルＵＣにおいては、主搬送ロボットＴＲ１が移動するための搬送スペースＴＰ１を挟んで熱処理ユニット群と液処理ユニット群とが対向して配置されている。具体的には、液処理ユニット群が装置正面側（（−Ｙ）側）に、熱処理ユニット群が装置背面側（（＋Ｙ）側）に、それぞれ位置している。
【００２９】
図２に示すように、上側塗布セルＵＣの液処理ユニット群は、上段に複数個（本実施の形態では３個）隣接配置された反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣと、下段に複数個（本実施の形態では３個）隣接配置されたレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳとを備える。３個の反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣのそれぞれは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック、そのスピンチャックを回転駆動させるスピンモータおよびスピンチャック上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ等を備えている。３個の反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣは、仕切壁等によって間仕切りされることなく並設されている。そして、３個の反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣに共用の反射防止膜用塗布液供給部２１が設けられている（図１）。反射防止膜用塗布液供給部２１は、吐出ノズル２２を３個の反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣの並びに沿って移動させるとともに、反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣに向かって進退移動させる。吐出ノズル２２は、反射防止膜用の塗布液を吐出する。なお、吐出ノズル２２は反射防止膜用の塗布液の種類毎に複数設けられており、反射防止膜用塗布液供給部２１はそれらのうちの一つを把持して移動させる。
【００３０】
上側塗布セルＵＣの下段に設けられた３個のレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳも反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣとほぼ同様の構成を備えている。すなわち、３個のレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳのそれぞれは、スピンチャック、スピンモータ、カップ等を備えている。また、３個のレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳは、仕切壁等によって間仕切りされることなく並設されており、３個のレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳに共用のレジスト膜用塗布液供給部（図示省略）が設けられている。レジスト膜用塗布液供給部は、吐出ノズルを３個のレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳの並びに沿って移動させるとともに、レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳに向かって進退移動させる。吐出ノズルは、レジスト膜用の塗布液を吐出する。なお、上記と同様に、吐出ノズルはレジスト膜用の塗布液の種類毎に複数設けられており、レジスト膜用塗布液供給部はそれらのうちの一つを把持して移動させる。
【００３１】
図３に示すように、上側塗布セルＵＣの熱処理ユニット群は、搬送スペースＴＰ１に面して３列に熱処理ユニットを積層配置している。最もインデクサブロックＩＤおよび現像処理ブロックＳＤに近い列のそれぞれには、４個の加熱ユニットＰＨＰおよび１個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。また、真ん中の列には、２個の加熱ユニットＰＨＰおよび１個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。
【００３２】
加熱ユニットＰＨＰは、ホットプレート２５、仮置部２７およびローカル搬送アーム２６を備えて構成される。仮置部２７に搬入された基板Ｗがローカル搬送アーム２６によってホットプレート２５に搬送され、その基板Ｗが所定温度にまで昇温されて加熱処理される。加熱処理の終了した基板Ｗはローカル搬送アーム２６によって受け取られることにより粗く冷却される。仮置部２７に冷却機構を設け、ローカル搬送アーム２６の冷却能をさらに高めるようにしても良い。なお、図１の真ん中の列では、ローカル搬送アーム２６の図示を省略している。
【００３３】
冷却ユニットＣＰは、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで正確に降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持する。上側塗布セルＵＣの熱処理ユニット群に配置された１０個の加熱ユニットＰＨＰのうちの１つにおいては、基板Ｗと被膜との密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気中で基板Ｗを熱処理（密着強化処理）する。なお、密着強化処理用の加熱ユニットＰＨＰは、ＨＭＤＳの雰囲気が外部に漏れないように、図示を省略するカバーによりホットプレート表面との間に密閉空間を形成する。
【００３４】
図４に示すように、搬送スペースＴＰ１には、主搬送ロボットＴＲ１を上下方向に案内する２本の縦ガイドレール３１と水平方向（Ｘ方向）に案内する横ガイドレール３２とが設けられている。２本の縦ガイドレール３１は、搬送スペースＴＰ１のＸ軸方向両端において、液処理ユニット群の側に固定設置されている。横ガイドレール３２は、２本の縦ガイドレール３１の間に摺動可能に横架されている。横ガイドレール３２には、ベース部３３が摺動可能に取り付けられている。ベース部３３は、搬送スペースＴＰ１の略中央まで横方向に張り出すように取り付けられている。図示省略の駆動部によって横ガイドレール３２は縦ガイドレール３１に案内されて上下方向に移動し、ベース部３３は横ガイドレール３２に案内されてＸ軸方向に移動する。
【００３５】
ベース部３３には、鉛直方向に沿った軸心周りにて旋回可能に回転台３５が設けられている。回転台３５には、基板Ｗを保持する２つの保持アーム３７ａ，３７ｂがそれぞれ独立して水平方向にスライド移動可能に搭載されている。２つの保持アーム３７ａ，３７ｂは互いに上下に近接した位置に設けられている。ベース部３３には回転台３５を回転する駆動部が設けられ、回転台３５には保持アーム３７ａ，３７ｂを回転台３５の旋回半径方向にスライド移動する駆動部が内蔵されている（いずれも図示省略）。よって、保持アーム３７ａ，３７ｂのそれぞれは、昇降移動、Ｘ軸方向に沿ったスライド移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、主搬送ロボットＴＲ１は、２個の保持アーム３７ａ，３７ｂをそれぞれ個別に上側塗布セルＵＣの液処理ユニット群および熱処理ユニット群に配置された処理ユニット並びに基板載置部ＰＡＳＳ１Ｕ，ＰＡＳＳ２Ｕ，ＰＡＳＳ３Ｕ，ＰＡＳＳ４Ｕに対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。
【００３６】
下側塗布セルＬＣの構成は上側塗布セルＵＣの構成と概ね同じである。すなわち、下側塗布セルＬＣにおいても、主搬送ロボットＴＲ２が移動するための搬送スペースＴＰ２を挟んで熱処理ユニット群と液処理ユニット群とが対向して配置されている。
【００３７】
図２に示すように、下側塗布セルＬＣの液処理ユニット群は、上段に複数個（本実施の形態では３個）隣接配置された反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣと、下段に複数個（本実施の形態では３個）隣接配置されたレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳとを備える。反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣおよびレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳは上側塗布セルＵＣにおけるものと同じである。
【００３８】
図３に示すように、下側塗布セルＬＣの熱処理ユニット群は、搬送スペースＴＰ２に面して３列に熱処理ユニットを積層配置している。最もインデクサブロックＩＤおよび現像処理ブロックＳＤに近い列のそれぞれには、４個の加熱ユニットＰＨＰおよび１個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。また、真ん中の列には、２個の加熱ユニットＰＨＰおよび１個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。加熱ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰは上側塗布セルＵＣにおけるものと同じである。また、上側塗布セルＵＣと同様に、１０個の加熱ユニットＰＨＰのうちの１つにおいては、基板Ｗと被膜との密着性を向上させるためにＨＭＤＳの蒸気雰囲気中で基板Ｗを熱処理する。その加熱ユニットＰＨＰは、ＨＭＤＳの雰囲気が外部に漏れないように、図示を省略するカバーによりホットプレート表面との間に密閉空間を形成する。
【００３９】
また、主搬送ロボットＴＲ２の構成も上側塗布セルＵＣにおける主搬送ロボットＴＲ１と同様である。よって、主搬送ロボットＴＲ２は、２個の保持アーム３７ａ，３７ｂをそれぞれ個別に下側塗布セルＬＣの液処理ユニット群および熱処理ユニット群に配置された処理ユニット並びに基板載置部ＰＡＳＳ１Ｌ，ＰＡＳＳ２Ｌ，ＰＡＳＳ３Ｌ，ＰＡＳＳ４Ｌに対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。
【００４０】
＜１−３．現像処理ブロック＞
現像処理ブロックＳＤの上側現像セルＵＤにおいては、主搬送ロボットＴＲ３が移動するための搬送スペースＴＰ３を挟んで熱処理ユニット群と液処理ユニット群とが対向して配置されている。具体的には、塗布処理ブロックＳＣと同じく、液処理ユニット群が装置正面側（（−Ｙ）側）に、熱処理ユニット群が装置背面側（（＋Ｙ）側）に、それぞれ位置している。
【００４１】
図２に示すように、上側現像セルＵＤの液処理ユニット群は、上下２段のそれぞれに複数個（本実施の形態では３個）隣接配置された現像処理ユニットＤＥＶを備える。複数の現像処理ユニットＤＥＶのそれぞれは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック、そのスピンチャックを回転駆動させるスピンモータおよびスピンチャック上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ等を備えている。上側現像セルＵＤの上段の３個の現像処理ユニットＤＥＶは、相互に雰囲気を連通させた状態にて同じ高さ位置に一列に並設されている。そして、３個の現像処理ユニットＤＥＶに共用の現像液供給部６０が設けられている（図１）。これら同じ高さの一列に並設された３個の現像処理ユニットＤＥＶによって本発明に係る現像処理装置が構成され、その詳細についてはさらに後述する。
【００４２】
上側現像セルＵＤの下段の３個の現像処理ユニットＤＥＶについても、上段と同様に、相互に雰囲気を連通させた状態にて同じ高さ位置に一列に並設されている。そして、３個の現像処理ユニットＤＥＶに共用の現像液供給部が設けられている。この現像液供給部も、上段と同様のものである。
【００４３】
図３に示すように、上側現像セルＵＤの熱処理ユニット群は、搬送スペースＴＰ３に面して３列に処理ユニットを積層配置している。最も塗布処理ブロックＳＣに近い列には、３個の加熱ユニットＰＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。また、インターフェイスブロックＩＦに近い列には、４個の加熱ユニットＰＨＰが積層配置されるとともに、最上段に基板載置部ＰＡＳＳ５Ｕ，ＰＡＳＳ６Ｕが配置されている。真ん中の列には、単一のエッジ露光ユニットＥＥＷと１個の冷却ユニットＣＰとが積層配置されている。加熱ユニットＰＨＰおよび冷却ユニットＣＰは上述した塗布処理ブロックＳＣにおけるものと概ね同様である。エッジ露光ユニットＥＥＷは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャックおよび該スピンチャックに保持された基板Ｗの周縁に光を照射して露光する光照射器などを備えている（いずれも図示省略）。なお、エッジ露光ユニットＥＥＷは、熱処理ユニットに該当する処理ユニットではないが、装置レイアウトの都合上、現像処理ブロックＳＤの熱処理ユニット群に配置している。
【００４４】
また、インターフェイスブロックＩＦに近い列に配置された４個の加熱ユニットＰＨＰは、露光直後の基板Ｗに対して露光後加熱処理(Post Exposure Bake)を行う熱処理ユニットである。これら４個の加熱ユニットＰＨＰは、インターフェイスブロックＩＦの第１インターフェイスロボットＩＦＲ１が搬送を負担するという点において塗布処理ブロックＳＣに近い列に配置された加熱ユニットＰＨＰとは性格が異なるが、レイアウトの都合上、現像処理ブロックＳＤの熱処理ユニット群に配置している。インターフェイスブロックＩＦに近い列に配置された４個の加熱ユニットＰＨＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ５Ｕ，ＰＡＳＳ６Ｕは、搬送スペースＴＰ３に面する前面側とインターフェイスブロックＩＦに面する側面側の双方に開口部が設けられており、それらの両面から基板Ｗの搬出入を行うことができる。
【００４５】
上側現像セルＵＤの主搬送ロボットＴＲ３の構成は塗布処理ブロックＳＣにおける主搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と同様である。よって、主搬送ロボットＴＲ３は、２個の保持アーム３７ａ，３７ｂをそれぞれ個別に上側現像セルＵＤの液処理ユニット群および熱処理ユニット群に配置された処理ユニット並びに基板載置部ＰＡＳＳ３Ｕ，ＰＡＳＳ４Ｕ，ＰＡＳＳ５Ｕ，ＰＡＳＳ６Ｕに対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。
【００４６】
下側現像セルＬＤの構成は上側現像セルＵＤの構成と概ね同じである。すなわち、下側現像セルＬＤにおいても、主搬送ロボットＴＲ４が移動するための搬送スペースＴＰ４を挟んで熱処理ユニット群と液処理ユニット群とが対向して配置されている。
【００４７】
図２に示すように、下側現像セルＬＤの液処理ユニット群は、上下２段のそれぞれに複数個（本実施の形態では３個）隣接配置された現像処理ユニットＤＥＶを備える。現像処理ユニットＤＥＶは上側現像セルＵＤにおけるものと同じである。また、上側現像セルＵＤと同様に、上下２段のそれぞれにおいて、３個の現像処理ユニットＤＥＶが相互に雰囲気を連通させた状態にて同じ高さ位置に一列に並設されており、３個の現像処理ユニットＤＥＶに共用の現像液供給部が設けられている。
【００４８】
図３に示すように、下側現像セルＬＤの熱処理ユニット群は、搬送スペースＴＰ４に面して３列に処理ユニットを積層配置している。最も塗布処理ブロックＳＣに近い列には、３個の加熱ユニットＰＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。また、インターフェイスブロックＩＦに近い列には、４個の加熱ユニットＰＨＰが積層配置されるとともに、最上段に基板載置部ＰＡＳＳ５Ｌ，ＰＡＳＳ６Ｌが配置されている。真ん中の列には、単一のエッジ露光ユニットＥＥＷと１個の冷却ユニットＣＰとが積層配置されている。加熱ユニットＰＨＰ、冷却ユニットＣＰおよびエッジ露光ユニットＥＥＷは上側現像セルＵＤにおけるものと同様である。また、エッジ露光ユニットＥＥＷおよび露光後加熱処理を行う４個の加熱ユニットＰＨＰ（インターフェイスブロックＩＦに近い列の加熱ユニットＰＨＰ）は、レイアウトの都合上現像処理ブロックＳＤの熱処理ユニット群に配置している。さらに、インターフェイスブロックＩＦに近い列に配置された４個の加熱ユニットＰＨＰおよび基板載置部ＰＡＳＳ５Ｌ，ＰＡＳＳ６Ｌは、搬送スペースＴＰ４に面する前面側とインターフェイスブロックＩＦに面する側面側の双方に開口部が設けられており、それらの両面から基板Ｗの搬出入を行うことができる。
【００４９】
下側現像セルＬＤの主搬送ロボットＴＲ４の構成は塗布処理ブロックＳＣにおける主搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２と同様である。よって、主搬送ロボットＴＲ４は、２個の保持アーム３７ａ，３７ｂをそれぞれ個別に下側現像セルＬＤの液処理ユニット群および熱処理ユニット群に配置された処理ユニット並びに基板載置部ＰＡＳＳ３Ｌ，ＰＡＳＳ４Ｌ，ＰＡＳＳ５Ｌ，ＰＡＳＳ６Ｌに対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。
【００５０】
＜１−４．インターフェイスブロック＞
図５は、インターフェイスブロックＩＦの構成を示す側面図である。インターフェイスブロックＩＦの第１インターフェイスロボットＩＦＲ１と第２インターフェイスロボットＩＦＲ２とは、処理ブロックの並びの方向（Ｘ軸方向）とは垂直の方向（Ｙ軸方向）に並んで設けられている。第１インターフェイスロボットＩＦＲ１は現像処理ブロックＳＤの熱処理ユニット群に近い位置に配置されている。第２インターフェイスロボットＩＦＲ２は露光装置ＥＸＰの基板搬出入口に近い位置に配置されている。第１インターフェイスロボットＩＦＲ１と第２インターフェイスロボットＩＦＲ２との間には、２つの基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、基板戻し用のリターンバッファＲＢＦおよび基板送り用のセンドバッファＳＢＦが上下に積層配置されている。
【００５１】
リターンバッファＲＢＦは、何らかの障害によって現像処理ブロックＳＤが露光済みの基板Ｗの現像処理を行うことができない場合に、現像処理ブロックＳＤの加熱ユニットＰＨＰにて露光後加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。一方、センドバッファＳＢＦは、露光装置ＥＸＰが未露光の基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するものである。リターンバッファＲＢＦおよびセンドバッファＳＢＦはいずれも複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。なお、リターンバッファＲＢＦに対しては第１インターフェイスロボットＩＦＲ１がアクセスを行い、センドバッファＳＢＦに対しては第２インターフェイスロボットＩＦＲ２がアクセスを行う。
【００５２】
第１インターフェイスロボットＩＦＲ１は、固定設置された基台４３と、基台４３に対して鉛直方向（Ｚ軸方向）に伸縮する昇降軸４５と、基板Ｗを保持する保持アーム４７と、を備えている。保持アーム４７は、昇降軸４５の上端に搭載されており、鉛直方向に沿った軸心周りでの旋回動作および旋回半径方向に沿ったスライド移動が可能に構成されている。よって、保持アーム４７は、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行うことができる。これにより、第１インターフェイスロボットＩＦＲ１は、保持アーム４７をリターンバッファＲＢＦ、基板載置部ＰＡＳＳ５Ｕ，ＰＡＳＳ６Ｕ，ＰＡＳＳ５Ｌ，ＰＡＳＳ６Ｌ，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８および現像処理ブロックＳＤに配置された露光後加熱処理を行う加熱ユニットＰＨＰにアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。
【００５３】
第２インターフェイスロボットＩＦＲ２も基台４３、昇降軸４５および保持アーム４７を備え、第１インターフェイスロボットＩＦＲ１と同様の構成を備えている。このため、第２インターフェイスロボットＩＦＲ２は、保持アーム４７をセンドバッファＳＢＦおよび基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８にアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。また、第２インターフェイスロボットＩＦＲ２は、露光装置ＥＸＰの基板搬出入口に未露光の基板Ｗを渡すとともに、当該基板搬出入口から露光済みの基板Ｗを受け取る。
【００５４】
なお、露光装置ＥＸＰは、基板処理装置１にてレジスト塗布された露光前の基板ＷをインターフェイスブロックＩＦから受け取ってパターンの露光処理を行う。露光装置ＥＸＰにて露光処理の行われた基板ＷはインターフェイスブロックＩＦに戻される。露光装置ＥＸＰは、投影光学系と基板Ｗとの間に屈折率の大きな液体（例えば、屈折率ｎ＝１．４４の純水）を満たした状態で露光処理を行う、いわゆる「液浸露光処理」に対応したものであっても良い。
【００５５】
＜１−５．制御系＞
次に、基板処理装置１の制御系について説明する。図６は、基板処理装置１の制御系の概略を示すブロック図である。基板処理装置１は、階層構造に構成された制御系を備えており、図６に示すように、上位のメインコントローラＭＣおよび複数の下位のセルコントローラＣＣを備える。メインコントローラＭＣおよび各セルコントローラＣＣのハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、各コントローラは、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。
【００５６】
上位のメインコントローラＭＣは、基板処理装置１の全体に１つ設けられており、装置全体の管理、メインパネルＭＰの管理およびセルコントローラＣＣの管理を主に担当する。メインパネルＭＰは、メインコントローラＭＣのディスプレイとして機能するものである。また、メインコントローラＭＣに対してはキーボードＫＢから種々のコマンドを入力することができる。なお、メインパネルＭＰをタッチパネルにて構成し、メインパネルＭＰからメインコントローラＭＣに入力作業を行うようにしても良い。
【００５７】
セルコントローラＣＣは、１つの搬送ロボット（主搬送ロボットＴＲ１〜ＴＲ４、インデクサロボットＩＤＲ、第１インターフェイスロボットＩＦＲ１および第２インターフェイスロボットＩＦＲ２を含む）とその搬送ロボットが搬送を担当する処理ユニットとによって構成されるセルを管理する制御部である。セルコントローラＣＣは、より下位の搬送コントローラＴＣを介して搬送ロボットの搬送動作を制御するとともに、ユニットコントローラＰＣを介してセル内の各処理ユニットの動作を制御する。
【００５８】
また、メインコントローラＭＣのさらに上位の制御機構として、基板処理装置１とＬＡＮ回線を介して接続されたホストコンピュータ１００が位置している。ホストコンピュータ１００は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えており、一般的なコンピュータと同様の構成を有している。ホストコンピュータ１００には、本実施形態の基板処理装置１が通常複数台接続されている。ホストコンピュータ１００は、接続されたそれぞれの基板処理装置１に処理手順および処理条件を記述したレシピを渡す。ホストコンピュータ１００から渡されたレシピは各基板処理装置１のメインコントローラＭＣの記憶部（例えばメモリ）に記憶される。
【００５９】
なお、露光装置ＥＸＰには、上記の基板処理装置１の制御機構から独立した別個の制御部が設けられている。すなわち、露光装置ＥＸＰは、基板処理装置１のメインコントローラＭＣの制御下で動作しているものではなく、単体で独自の動作制御を行っているものである。もっとも、このような露光装置ＥＸＰもホストコンピュータ１００から受け取ったレシピに従って動作制御を行っており、露光装置ＥＸＰにおける露光処理と同期した処理を基板処理装置１が行うこととなる。
【００６０】
＜１−６．基板載置部＞
本実施形態の基板処理装置１には、複数の基板載置部が設けられており、それらは２つの基板載置部が一対として設けられている（例えば、基板載置部ＰＡＳＳ１Ｕと基板載置部ＰＡＳＳ２Ｕ、基板載置部ＰＡＳＳ７と基板載置部ＰＡＳＳ８）。これは、露光前の基板ＷをインデクサブロックＩＤからインターフェイスブロックＩＦへと向けて送るための送り基板載置部と、露光後の基板ＷをインターフェイスブロックＩＦからインデクサブロックＩＤへと向けて戻すための戻り基板載置部とを区分けしているためである。すなわち、基板載置部ＰＡＳＳ１Ｕ，ＰＡＳＳ１Ｌ，ＰＡＳＳ３Ｕ，ＰＡＳＳ３Ｌ，ＰＡＳＳ５Ｕ，ＰＡＳＳ５Ｌ，ＰＡＳＳ７が送り基板載置部に該当し、露光前の基板Ｗはこれらを介して受け渡しが行われる。一方、基板載置部ＰＡＳＳ２Ｕ，ＰＡＳＳ２Ｌ，ＰＡＳＳ４Ｕ，ＰＡＳＳ４Ｌ，ＰＡＳＳ６Ｕ，ＰＡＳＳ６Ｌ，ＰＡＳＳ８が戻り基板載置部に該当し、露光後の基板Ｗはこれらを介して受け渡しが行われる。
【００６１】
また、図６の各セルコントローラＣＣがセル内の搬送制御を行う際には、各基板載置部は基板Ｗがセル内に搬入される入口基板載置部またはセルから搬出される出口基板載置部となる。なお、入口基板載置部および出口基板載置部はある基板載置部について絶対的に規定されているものではなく、相対的に決定されるものである。例えば、露光前の基板Ｗを載置する基板載置部ＰＡＳＳ３Ｕは、上側塗布セルＵＣの出口基板載置部であると同時に、上側現像セルＵＤの入口基板載置部でもある。
【００６２】
＜２．現像処理装置の構成＞
次に、本発明に係る現像処理装置の構成について説明する。本発明に係る現像処理装置は、一列に並設された３個の現像処理ユニットＤＥＶによって構成される。よって、現像処理ブロックＳＤの上側現像セルＵＤおよび下側現像セルＬＤのそれぞれには本発明に係る現像処理装置が２段ずつ設けられている。
【００６３】
図７は本発明に係る現像処理装置の平面図であり、図８はその側面図である。共通の筐体５０の内部において、３つの現像処理ユニットＤＥＶが相互に雰囲気を連通させた状態にて同じ高さ位置にＸ軸方向に沿って一列に並設されている。図９は、３つの現像処理ユニットＤＥＶのうちの隣接する２つの現像処理ユニットＤＥＶを拡大した側面図である。
【００６４】
３つの現像処理ユニットＤＥＶは同一の構成を有している。各現像処理ユニットＤＥＶは、回転保持部１１０、処理カップ１２０、リンスノズル１３０およびカップ昇降機構１２５を備える。回転保持部１１０は、スピンチャック１１１、回転軸１１３およびモータ１１４を備える。スピンチャック１１１は、基板Ｗの下面中心近傍を真空吸着する。回転軸１１３は、スピンチャック１１１の下面側中心部に垂設されている。回転軸１１３は、モータ１１４のモータ軸に連結されている。スピンチャック１１１が基板Ｗを略水平姿勢にて吸着保持しつつ、モータ１１４が回転軸１１３を回転させることによって、基板Ｗが鉛直方向に沿った軸の周りで回転する。
【００６５】
回転保持部１１０を取り囲んで処理カップ１２０が設けられている。処理カップ１２０は、カップ昇降機構１２５によって搬出入位置と処理位置との間で鉛直方向に沿って昇降される。搬出入位置とは、回転保持部１１０に対して基板Ｗを搬出入するときの処理カップ１２０の高さ位置であり、図９の二点鎖線にて示す位置である。処理カップ１２０が搬出入位置にあるときには、処理カップ１２０の上端がスピンチャック１１１の上面よりも下方に位置する。一方、処理位置とは、回転保持部１１０に保持された基板Ｗに現像処理を行うときの処理カップ１２０の高さ位置であり、図９の実線にて示す位置である。処理カップ１２０が処理位置にあるときには、回転保持部１１０に保持された基板Ｗの周囲を処理カップ１２０が取り囲む。そして、回転する基板Ｗから飛散した液滴は処理カップ１２０によって回収され、図示省略のドレインへと排出される。なお、カップ昇降機構１２５としてはエアシリンダ等を用いることができる。
【００６６】
リンスノズル１３０は、鉛直方向に沿った軸を中心に旋回可能に設けられている。リンスノズル１３０は、処理カップ１２０よりも外側の待避位置と回転保持部１１０に保持された基板Ｗの直上のリンス位置との間で旋回駆動される。リンス位置のリンスノズル１３０は、図示省略のリンス液供給部から送給されたリンス液（本実施の形態では純水）を回転保持部１１０に保持された基板Ｗの上面に供給する。
【００６７】
また、３つの現像処理ユニットＤＥＶを収容する筐体５０の内部には現像液供給部６０が設けられている。現像液供給部６０は、２種類の現像液ノズル、すなわちスリットノズル６１０および多孔ノズル６２０を備えている。スリットノズル６１０は、少なくとも基板Ｗの径以上の長さを有するスリット状の吐出口を備える長尺の現像液ノズルである。スリットノズル６１０は、ノズル昇降機構６１１によって鉛直方向に沿って昇降移動されるとともに、ノズルスライド機構６１２によって水平方向（Ｘ軸方向）に沿ってスライド移動される。ノズル昇降機構６１１としては例えばエアシリンダ等を用いることができ、ノズルスライド機構６１２としては例えばベルト駆動機構等を用いることができる。スリットノズル６１０は、ノズルスライド機構６１２によって３つの現像処理ユニットＤＥＶの配列方向に沿って移動し、３つの現像処理ユニットＤＥＶのいずれの上方にも位置することができる。
【００６８】
スリットノズル６１０には、図示省略の現像液供給部から現像液が送給される。送給された現像液はスリットノズル６１０のスリット状の吐出口から帯状に吐出される。スリットノズル６１０は、３つの現像処理ユニットＤＥＶのそれぞれに収容された基板Ｗに対して現像液を吐出する。より詳細には、３つの現像処理ユニットＤＥＶのいずれかにおいて、回転保持部１１０によって静止状態または低速回転状態にて保持される基板Ｗの上方をスリットノズル６１０がＸ軸方向に沿ってスライド移動しつつ現像液をカーテン状に吐出することにより、基板Ｗの上面に現像液を液盛りすることができる。
【００６９】
一方、多孔ノズル６２０は、現像液を吐出する複数の小孔を備える現像液ノズルである。多孔ノズル６２０は、スリットノズル６１０と比較すると顕著に長さが短い。多孔ノズル６２０は、ノズル昇降機構６２１によって鉛直方向に沿って昇降移動されるとともに、ノズルスライド機構６２２によって水平方向（Ｘ軸方向）に沿ってスライド移動される。上記と同様に、ノズル昇降機構６２１としては例えばエアシリンダ等を用いることができ、ノズルスライド機構６２２としては例えばベルト駆動機構等を用いることができる。多孔ノズル６２０は、ノズルスライド機構６２２によって３つの現像処理ユニットＤＥＶの配列方向に沿って移動し、３つの現像処理ユニットＤＥＶのいずれの上方にも位置することができる。
【００７０】
多孔ノズル６２０には、図示省略の現像液供給部から現像液が送給される。送給された現像液は多孔ノズル６２０の複数の小孔から吐出される。多孔ノズル６２０は、３つの現像処理ユニットＤＥＶのそれぞれに収容された基板Ｗに対して現像液を吐出する。より詳細には、３つの現像処理ユニットＤＥＶのいずれかにおいて、回転保持部１１０に保持されて低速回転される基板Ｗの上方を多孔ノズル６２０がＸ軸方向に沿ってスライド移動しつつ現像液を複数の小孔から吐出することにより、基板Ｗの上面に現像液を液盛りすることができる。なお、多孔ノズル６２０は回転保持部１１０に保持された基板Ｗの中心直上を通過するように移動する。
【００７１】
このように、スリットノズル６１０および多孔ノズル６２０はいずれも複数の現像処理ユニットＤＥＶの配列方向に沿って移動し、複数の現像処理ユニットＤＥＶのそれぞれに収容された基板Ｗに対して現像液を吐出することができる。すなわち、スリットノズル６１０および多孔ノズル６２０は、複数の現像処理ユニットＤＥＶのそれぞれに個別に設けられているものではなく、複数の現像処理ユニットＤＥＶに共用のノズルである。現像処理に際してスリットノズル６１０または多孔ノズル６２０のいずれを用いるかはプロセスの目的や内容に応じて適宜選択することができる。なお、スリットノズル６１０および多孔ノズル６２０のスライド移動は、双方が干渉することの無いようにセルコントローラＣＣによって制御されている。
【００７２】
また、筐体５０の内部には、隣接する現像処理ユニットＤＥＶの間に待機ポッド７０が設けられている。待機ポッド７０は、待機状態にある現像液ノズル（スリットノズル６１０および多孔ノズル６２０）を受け入れるためのものである。具体的には、３つの現像処理ユニットＤＥＶのいずれかにて現像液を吐出する前および／または後に現像液ノズルが待機ポッド７０にて待機する。
【００７３】
現像液ノズルは、ノズル先端近傍にて変質或いは経時劣化した現像液が現像処理結果に影響を与えるのを防止するために、一定時間以上ノズル先端近傍に滞留したままの現像液を吐出して排出するオートディスペンス処理を行う。現像液ノズルは、このようなオートディスペンス処理を待機ポッド７０にて行う。待機ポッド７０は、オートディスペンス処理によって吐出された現像液を図示省略のドレインへと導く。
【００７４】
待機ポッド７０は、スリットノズル６１０および多孔ノズル６２０に共用のものである。すなわち、スリットノズル６１０および多孔ノズル６２０の双方が待機ポッド７０にて待機する。よって、長尺のスリットノズル６１０を受け入れることができるように、待機ポッド７０も長尺形状の箱状部材とされている。待機ポッド７０の長手方向長さは現像処理ユニットＤＥＶにて処理される基板Ｗの径よりも長い。
【００７５】
また、図９に示すように、待機ポッド７０の上端の高さ位置ＰＴは処理位置における処理カップ１２０の上端の高さ位置ＣＴよりも高く、待機ポッド７０の下端の高さ位置ＰＢは処理位置における処理カップ１２０の上端の高さ位置ＣＴよりも低い。よって、処理カップ１２０が処理位置に上昇しているときの処理カップ１２０の上側側方は待機ポッド７０によって覆われることとなる。
【００７６】
また、筐体５０の内部には、３つの現像処理ユニットＤＥＶの並びの両端にも待機ポッド７５，７６が設けられている。一端の待機ポッド７５は待機状態のスリットノズル６１０を受け入れるためのものであり、他端の待機ポッド７６は待機状態の多孔ノズル６２０を受け入れるためのものである。待機ポッド７５，７６は、ともにオートディスペンス処理によって吐出された現像液を図示省略のドレインへと導く。
【００７７】
また、図８に示すように、３つの現像処理ユニットＤＥＶのぞれぞれの上方にはフィルタユニット８０が設けられている。フィルタユニット８０にはエア供給がなされており、筐体５０の内部においては、３つのフィルタユニット８０から下方に向けて清浄な空気のダウンフローが形成される。
【００７８】
さらに、図７に示すように、筐体５０の壁面のうち３つの現像処理ユニットＤＥＶのそれぞれの正面側（搬送スペースＴＰ３，ＴＰ４に面する側）にはシャッター９０が設けられている。現像処理ユニットＤＥＶに対して基板Ｗの搬出入を行うときにはシャッター９０が開放される。基板Ｗの現像処理を行うときにはシャッター９０が閉鎖される。
【００７９】
＜３．基板処理装置の動作＞
次に、上述の構成を有する基板処理装置１の動作について説明する。まず、基板処理装置１の全体における基板搬送の手順について簡単に説明する。以下に説明する処理手順は、ホストコンピュータ１００から受け取ったレシピの記述内容に従って図６の制御系が基板処理装置１の各部を制御することによって実行される。
【００８０】
まず、装置外部から未処理の基板ＷがキャリアＣに収納された状態でＡＧＶ等によってインデクサブロックＩＤに搬入される。続いて、インデクサブロックＩＤから未処理の基板Ｗの払い出しが行われる。具体的には、インデクサロボットＩＤＲが所定のキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ１Ｕまたは基板載置部ＰＡＳＳ１Ｌに交互に搬送して載置する。
【００８１】
基板載置部ＰＡＳＳ１Ｕに未処理の基板Ｗが載置されると、上側塗布セルＵＣの主搬送ロボットＴＲ１がその基板Ｗを冷却ユニットＣＰに搬送する。基板Ｗは冷却ユニットＣＰにて所定温度に温調される。続いて、基板Ｗは主搬送ロボットＴＲ１によっていずれかの反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣに搬送される。反射防止膜用塗布処理ユニットＢＡＲＣでは、基板Ｗに反射防止膜用の塗布液が回転塗布される。塗布処理が終了した後、基板Ｗは主搬送ロボットＴＲ１によって加熱ユニットＰＨＰに搬送される。加熱ユニットＰＨＰにて基板Ｗの加熱処理が行われることによって、塗布液が乾燥されて基板Ｗ上に下地の反射防止膜が形成される。なお、反射防止膜は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、レジスト膜の下地に形成する膜である。その後、主搬送ロボットＴＲ１によって加熱ユニットＰＨＰから取り出された基板Ｗは冷却ユニットＣＰに搬送されて冷却される。なお、下地の反射防止膜を形成する前に基板Ｗを密着強化処理用の加熱ユニットＰＨＰに搬送してＨＭＤＳの蒸気雰囲気で密着強化処理を行うようにしても良い。
【００８２】
冷却後の基板Ｗは主搬送ロボットＴＲ１によって冷却ユニットＣＰからいずれかのレジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳに搬送される。レジスト膜用塗布処理ユニットＲＥＳでは、基板Ｗにレジスト膜用の塗布液が回転塗布される。なお、本実施形態では、レジストとして化学増幅型レジストを用いている。塗布処理が終了した後、基板Ｗは主搬送ロボットＴＲ１によって加熱ユニットＰＨＰに搬送される。加熱ユニットＰＨＰにて基板Ｗの加熱処理が行われることによって、塗布液が乾燥されて基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。その後、主搬送ロボットＴＲ１によって加熱ユニットＰＨＰから取り出された基板Ｗは冷却ユニットＣＰに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは主搬送ロボットＴＲ１によって冷却ユニットＣＰから取り出されて基板載置部ＰＡＳＳ３Ｕに載置される。
【００８３】
基板載置部ＰＡＳＳ３Ｕにレジスト膜が形成された基板Ｗが載置されると、上側現像セルＵＤの主搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗをエッジ露光ユニットＥＥＷに搬送する。エッジ露光ユニットＥＥＷにおいては、基板Ｗを回転させつつ周縁部に光を照射して周縁露光処理が行われる。周縁部の露光処理が終了した基板Ｗは主搬送ロボットＴＲ３によって基板載置部ＰＡＳＳ５Ｕに載置される。
【００８４】
一方、基板載置部ＰＡＳＳ１Ｌに載置された基板Ｗには下側塗布セルＬＣおよび下側現像セルＬＤにおいて上記と同様の処理がなされて基板載置部ＰＡＳＳ５Ｌに載置される。基板Ｗは、下側塗布セルＬＣでは主搬送ロボットＴＲ２によって搬送され、下側現像セルＬＤでは主搬送ロボットＴＲ４によって搬送される。すなわち、基板載置部ＰＡＳＳ１Ｕに載置された基板Ｗは上側塗布セルＵＣから基板載置部ＰＡＳＳ３Ｕを経由して上側現像セルＵＤを通る上側の基板処理経路を搬送されて基板載置部ＰＡＳＳ５Ｕに載置される。基板載置部ＰＡＳＳ１Ｌに載置された基板Ｗは下側塗布セルＬＣから基板載置部ＰＡＳＳ３Ｌを経由して下側現像セルＬＤを通る下側の基板処理経路を搬送されて基板載置部ＰＡＳＳ５Ｌに載置される。上側の基板処理経路に入った基板Ｗが途中から下側の基板処理経路に移ることはなく、逆に下側の基板処理経路に入った基板Ｗが途中から上側の基板処理経路に移ることもない。
【００８５】
基板載置部ＰＡＳＳ５Ｕ，ＰＡＳＳ５Ｌに載置された基板ＷはインターフェイスブロックＩＦの第１インターフェイスロボットＩＦＲ１によって基板載置部ＰＡＳＳ７に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗは第２インターフェイスロボットＩＦＲ２によって受け取られ、露光装置ＥＸＰに搬入され、パターン露光処理に供される。本実施形態では化学増幅型レジストを使用しているため、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜のうち露光された部分では光化学反応によって酸が生成する。なお、露光装置ＥＸＰにおいて、基板Ｗに液浸露光処理を行うようにしても良い。
【００８６】
パターン露光処理が終了した露光済みの基板Ｗは露光装置ＥＸＰから再びインターフェイスブロックＩＦに戻され、第２インターフェイスロボットＩＦＲ２によって基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。露光後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ８に載置されると、第１インターフェイスロボットＩＦＲ１がその基板Ｗを受け取って現像処理ブロックＳＤの上側現像セルＵＤまたは下側現像セルＬＤに配置された加熱ユニットＰＨＰに搬送する。搬送先の加熱ユニットＰＨＰは、インターフェイスブロックＩＦに近い列に配置された加熱ユニットＰＨＰである。加熱ユニットＰＨＰでは、露光時の光化学反応によって生じた生成物を酸触媒としてレジストの樹脂の架橋・重合等の反応を進行させ、現像液に対する溶解度を露光部分のみ局所的に変化させるための露光後加熱処理(Post Exposure Bake)が行われる。露光後加熱処理が終了した基板Ｗは、加熱ユニットＰＨＰが備えるローカル搬送アーム２６によって搬送されることにより冷却され、上記化学反応が停止する。続いて、基板Ｗは第１インターフェイスロボットＩＦＲ１によって加熱ユニットＰＨＰから取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ６Ｕまたは基板載置部ＰＡＳＳ６Ｌに載置される。
【００８７】
基板載置部ＰＡＳＳ６Ｕに基板Ｗが載置されると、上側現像セルＵＤの主搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取って冷却ユニットＣＰに搬送する。冷却ユニットＣＰにおいては、露光後加熱処理が終了した基板Ｗがさらに冷却され、所定温度に正確に温調される。その後、主搬送ロボットＴＲ３は、冷却ユニットＣＰから基板Ｗを取り出して現像処理ユニットＤＥＶのいずれかに搬送する。現像処理ユニットＤＥＶにおける動作についてはさらに後述するが、基板Ｗに現像液を供給して現像処理を進行させる。やがて現像処理が終了した後、基板Ｗは主搬送ロボットＴＲ３によって加熱ユニットＰＨＰに搬送される。このときには塗布処理ブロックＳＣに近い列に配置された加熱ユニットＰＨＰに搬送される。加熱ユニットＰＨＰでは、基板Ｗが加熱処理によって乾燥される。さらにその後、基板Ｗは主搬送ロボットＴＲ３によって冷却ユニットＣＰに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは主搬送ロボットＴＲ３によって冷却ユニットＣＰから取り出されて基板載置部ＰＡＳＳ４Ｕに載置される。基板載置部ＰＡＳＳ４Ｕに載置された基板Ｗは、上側塗布セルＵＣの主搬送ロボットＴＲ１によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ２Ｕに載置される。
【００８８】
一方、基板載置部ＰＡＳＳ６Ｌに載置された基板Ｗには下側現像セルＬＤおよび下側塗布セルＬＣにおいて上記と同様の処理がなされて基板載置部ＰＡＳＳ２Ｌに載置される。すなわち、基板載置部ＰＡＳＳ６Ｕに載置された基板Ｗは上側現像セルＵＤから基板載置部ＰＡＳＳ４Ｕを経由して上側塗布セルＵＣを通る上側の基板処理経路を搬送されて基板載置部ＰＡＳＳ２Ｕに載置される。基板載置部ＰＡＳＳ６Ｌに載置された基板Ｗは下側現像セルＬＤから基板載置部ＰＡＳＳ４Ｌを経由して下側塗布セルＬＣを通る下側の基板処理経路を搬送されて基板載置部ＰＡＳＳ２Ｌに載置される。往路と同様に、上側の基板処理経路に入った基板Ｗが途中から下側の基板処理経路に移ることはなく、逆に下側の基板処理経路に入った基板Ｗが途中から上側の基板処理経路に移ることもない。
【００８９】
基板載置部ＰＡＳＳ２Ｕ，ＰＡＳＳ２Ｌに載置された処理済みの基板ＷはインデクサブロックＩＤのインデクサロボットＩＤＲによって所定のキャリアＣに収納される。その後、所定枚数の処理済み基板Ｗが収納されたキャリアＣが装置外部に搬出されて一連のフォトリソグラフィー処理が完了する。
【００９０】
＜４．現像処理装置の動作＞
次に、現像処理装置の動作について説明する。ここでは、上側現像セルＵＤに設けられた現像処理装置の動作について説明するが、下側現像セルＬＤに設けられた現像処理装置についても同様である。現像処理装置の動作は、主搬送ロボットＴＲ３，ＴＲ４を管理するセルコントローラＣＣが現像処理装置の各部を制御することによって進行する。
【００９１】
図１０は、現像処理装置におけるスリットノズル６１０および多孔ノズル６２０の動作を示す図である。露光後加熱処理が終了して所定温度に温調された基板Ｗが主搬送ロボットＴＲ３によって３つの現像処理ユニットＤＥＶのうちのいずれかに搬入される。基板Ｗが搬入される際にはシャッター９０が開放され、そこから主搬送ロボットＴＲ３の保持アーム３７ａ（または３７ｂ）が進入する。また、処理カップ１２０は搬出入位置に下降しており、搬入された基板Ｗは回転保持部１１０のスピンチャック１１１によって保持される。基板Ｗが搬入された後、保持アーム３７ａ（または３７ｂ）が退出し、シャッター９０が閉鎖される。そして、処理カップ１２０は処理位置にまで上昇する。
【００９２】
スリットノズル６１０によって現像液を供給する場合には、基板Ｗは回転保持部１１０に静止状態で保持される。そして、図１０に示すように、待機ポッド７５に待機していたスリットノズル６１０が基板Ｗの一端側直上に移動し、現像液を帯状に吐出しつつ他端側に向けて水平移動する。これによって、基板Ｗの上面には現像液が液盛りされ、現像処理が進行する。現像液の供給を終了したスリットノズル６１０は待機ポッド７０に移動して待機する。
【００９３】
現像液が液盛りされた状態にて所定時間が経過した後、リンスノズル１３０がリンス位置まで移動して基板Ｗの上面に純水を吐出する。これにより、現像液の濃度が薄くなって現像処理反応が停止する。そして、回転保持部１１０が基板Ｗを回転させて水滴を振り切って乾燥させる。振り切り乾燥処理が終了した後、再び処理カップ１２０が搬出入位置に下降するとともに、シャッター９０が開放されて主搬送ロボットＴＲ３によって基板Ｗが搬出される。
【００９４】
一方、多孔ノズル６２０によって現像液を供給する場合には、回転保持部１１０が基板Ｗを低速で回転させる。そして、待機ポッド７６に待機していた多孔ノズル６２０が基板Ｗの回転中心の直上まで移動し、複数の小孔から現像液を吐出しつつ基板Ｗの端部に向けて水平移動する。これによって、板Ｗの上面には現像液が液盛りされ、現像処理が進行する。現像液の供給を終了した多孔ノズル６２０は待機ポッド７０に移動して待機する。なお、多孔ノズル６２０は回転する基板Ｗの端部から回転中心に向けて水平移動するようにしても良い。
【００９５】
上記と同様に、現像液が液盛りされた状態にて所定時間が経過した後、リンスノズル１３０がリンス位置まで移動して基板Ｗの上面に純水を吐出することにより、現像液の濃度が薄くなって現像処理反応が停止する。そして、回転保持部１１０が基板Ｗを回転させて水滴を振り切って乾燥させる。振り切り乾燥処理が終了した後、再び処理カップ１２０が搬出入位置に下降するとともに、シャッター９０が開放されて主搬送ロボットＴＲ３によって基板Ｗが搬出される。
【００９６】
スリットノズル６１０および多孔ノズル６２０の双方ともに後続の新たな基板Ｗがいずれかの現像処理ユニットＤＥＶに搬入されたときには、待機ポッド７０からその基板Ｗの上方に移動する。スリットノズル６１０および多孔ノズル６２０は待機ポッド７０にてオートディスペンス処理を行っても良い。
【００９７】
回転保持部１１０が基板Ｗを回転させて水滴を振り切るときに、飛散した大半の水滴は処理カップ１２０によって受け止められて回収されるのであるが、一部はミストとして処理カップ１２０を超えて飛散することもある。本実施形態においては、処理カップ１２０が処理位置に上昇しているときの処理カップ１２０の上側側方は待機ポッド７０によって覆われている。従って、処理カップ１２０を超えてミストが飛散したとしても、そのミストが隣接する現像処理ユニットＤＥＶにまで飛散することは待機ポッド７０によってせき止められる。その結果、隣接する現像処理ユニットＤＥＶから飛散したミストが基板Ｗに付着してその基板Ｗを汚染することが防止される。すなわち、待機ポッド７０は、待機状態の現像液ノズルを受け入れるという本来の機能の他に、隣接する現像処理ユニットＤＥＶを仕切る仕切壁としての機能をも兼ね備えているのである。
【００９８】
本実施形態の現像処理装置においては、３つの現像処理ユニットＤＥＶのそれぞれに個別にスリットノズル６１０および多孔ノズル６２０を設けるのではなく、１つのスリットノズル６１０および多孔ノズル６２０を３つの現像処理ユニットＤＥＶにて共有するようにしている。このため、現像液ノズルに関連する部品点数は少なくなっている。そして、待機状態の現像液ノズルを受け入れる待機ポッド７０に隣接する現像処理ユニットＤＥＶを仕切る仕切壁としての役割を果たさせることにより、新たに別途仕切板を設ける必要がなくなり、部品点数をさらに削減することができる。その結果、現像処理装置に必要なコストも低減することができる。
【００９９】
また、別途に仕切板を設ける必要がなくなれば、待機ポッド７０と仕切板とを個別にデザインする必要もなくなり、筐体５０内の限られた制限空間内に仕切板を設置するためのスペースを削減することもできる。このため、その削減スペース分を他の要求仕様実現の目的に流用することができ、筐体５０の制限空間内での高いデザイン裕度を持たせることができる。或いは、その削減スペース分だけ現像処理装置の専有面積を低減することもできる。
【０１００】
また、待機ポッド７０の上方には少なくともスリットノズル６１０および多孔ノズル６２０が通過できるだけのスペースが空いているため、３つの現像処理ユニットＤＥＶの雰囲気は完全に遮断されているのではなく、相互に雰囲気が連通された状態となっている。このため、湿度や温度等の雰囲気を３つの現像処理ユニットＤＥＶについて共通のものとすることができ、プロセス雰囲気に機差が生じるのを防止することができる。その結果、３つの現像処理ユニットＤＥＶについて均一な現像処理を行うことができる。
【０１０１】
さらに、筐体５０の天井部分に設けられた３つのフィルタユニット８０からは、下方に向けて清浄な空気のダウンフローが形成されている。待機ポッド７０が仕切壁としても機能することにより、３つの現像処理ユニットＤＥＶにおけるダウンフローが相互に干渉することが防止され、その結果各現像処理ユニットＤＥＶに安定した清浄空気の気流を形成することができる。このため、より安定した現像処理を行うことができる。
【０１０２】
＜５．変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記実施形態においては、現像処理装置に３つの現像処理ユニットＤＥＶを設けていたが、１つの現像処理装置に設ける現像処理ユニットＤＥＶの設置数は３つに限定されるものではなく、２つであっても良いし、４つ以上であっても良い。設置数にかかわらず複数の現像処理ユニットＤＥＶの配列のうちの隣接する現像処理ユニットＤＥＶの間に上記実施形態と同様の待機ポッド７０を設けるようにすれば、同様の効果を得ることができる。
【０１０３】
また、隣接する現像処理ユニットＤＥＶの間に設ける待機ポッドの構成は図１１，１２に示すようなものであっても良い。図１１に示す待機ポッド１７０は、内部に雰囲気分離板１７１を備えている。雰囲気分離板１７１の一方側にてスリットノズル６１０が待機し、他方側にて多孔ノズル６２０が待機する。このようにすれば、スリットノズル６１０から吐出する現像液の種類と多孔ノズル６２０から吐出する現像液の種類とが異なる場合であっても、互いの現像液がスリットノズル６１０または多孔ノズル６２０に影響を与えるのを防止することができる。
【０１０４】
図１２に示す待機ポッド２７０は、内部にノズル洗浄機構２７１，２７２を備えている。ノズル洗浄機構２７１はスリット状の吐出口を含むスリットノズル６１０の先端を洗浄する。ノズル洗浄機構２７２は複数の小孔を含む多孔ノズル６２０の先端を洗浄する。このようなノズル洗浄機構２７１，２７２を設けるようにすれば、待機ポッド７０において待機中のスリットノズル６１０および多孔ノズル６２０の洗浄処理を行うことができる。
【０１０５】
また、上記実施形態においては、現像処理装置に２種類の現像液ノズル、すなわちスリットノズル６１０および多孔ノズル６２０を設けるようにしていたが、２本のスリットノズル６１０または２本の多孔ノズル６２０を設けるようにしても良い。この場合に図１２のような構成を採用するときには、待機ポッド２７０の内部に２つのノズル洗浄機構２７１または２つのノズル洗浄機構２７２を設けるようにすれば良い。また、現像処理装置に設ける現像液ノズルは１つのみであっても良いし、上記とは異なる種類の現像液ノズルを設けるようにしても良い。いずれの場合であっても、現像液ノズルは複数の現像処理ユニットＤＥＶに共有される。
【０１０６】
また、図１０に示す動作例では、現像液の吐出を終了した後にスリットノズル６１０および多孔ノズル６２０が待機ポッド７０に移動して待機していたが、現像液の吐出を行う前に予め待機ポッド７０に移動して待機するようにしても良い。
【０１０７】
また、上記実施形態においては３つの現像処理ユニットＤＥＶの並びの両端に設けていた待機ポッド７５，７６を待機ポッド７０と同様の構成としても良い。
【０１０８】
また、基板処理装置１の全体構成は図１から図５に示したような形態に限定されるものではなく、本発明に係る現像処理装置を組み込んだ形態であれば、処理ユニットおよび搬送ロボットの数やレイアウトは適宜変更することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】本発明に係る現像処理装置を組み込んだ基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置の液処理ユニットの配置構成を示す概略側面図である。
【図３】図１の基板処理装置の熱処理ユニットの配置構成を示す概略側面図である。
【図４】図１の基板処理装置の搬送ロボットおよび基板載置部の配置構成を示す側面図である。
【図５】インターフェイスブロックの構成を示す側面図である。
【図６】図１の基板処理装置の制御系の概略を示すブロック図である。
【図７】本発明に係る現像処理装置の平面図である。
【図８】図７の現像処理装置の側面図である。
【図９】隣接する２つの現像処理ユニットを拡大した側面図である。
【図１０】現像処理装置におけるスリットノズルおよび多孔ノズルの動作を示す図である。
【図１１】待機ポッドの他の構成例を示す図である。
【図１２】待機ポッドの他の構成例を示す図である。
【符号の説明】
【０１１０】
１  基板処理装置
５０  筐体
７０，１７０，２７０  待機ポッド
８０  フィルタユニット
１１０  回転保持部
１２０  処理カップ
１２５  カップ昇降機構
１３０  リンスノズル
６１０  スリットノズル
６２０  多孔ノズル
ＢＡＲＣ  反射防止膜用塗布処理ユニット
ＣＰ  冷却ユニット
ＤＥＶ  現像処理ユニット
ＩＤ  インデクサブロック
ＩＤＲ  インデクサロボット
ＩＦ  インターフェイスブロック
ＩＦＲ１  第１インターフェイスロボット
ＩＦＲ２  第２インターフェイスロボット
ＬＣ  下側塗布セル
ＬＤ  下側現像セル
ＰＨＰ  加熱ユニット
ＲＥＳ  レジスト膜用塗布処理ユニット
ＳＣ  塗布処理ブロック
ＳＤ  現像処理ブロック
ＴＲ１，ＴＲ２，ＴＲ３，ＴＲ４  主搬送ロボット
ＵＣ  上側塗布セル
ＵＤ  上側現像セル
Ｗ  基板
【図１】
2010087323.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010087323.tif 000009
【図８】
2010087323.tif 000010
【図９】
2010087323.tif 000011
【図１０】
2010087323.tif 000012
【図１１】
2010087323.tif 000013
【図１２】
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