(57)【要約】【課題】高さの高いバンプを低コストで製造可能なバンプ形成方法及び装置を提供する。【解決手段】電気回路が形成された基板Ｗに回路接続用のバンプを形成するバンプ形成装置ＢＳは、基板Ｗを保持する基板保持装置１と、ノズル３０に供給された銅微粒子Ｇをノズル内部のガス気流に分散させて流下させ、下端の噴射口３５から気体とともに噴射する噴射装置３とを備える。そして、基板保持装置１に保持された基板Ｗに、噴射口３５から銅微粒子Ｇを気体とともに噴射して衝突固着させ、常温かつ常圧下で、基板Ｗの表面に銅バンプを形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気回路が形成された基板に回路接続用のバンプを形成するバンプ形成方法であって、
金属微粒子を気体の噴流に乗せてノズルから噴射し前記基板に衝突させて固着させ、常温かつ常圧下で前記基板にバンプを形成することを特徴とするバンプ形成方法。
【請求項２】
前記バンプが、前記電気回路に部品を電気接続するパッドであることを特徴とする請求項１に記載のバンプ形成方法。
【請求項３】
前記金属微粒子は、平均粒径が１０μｍ以下の銅の微粒子であることを特徴とする請求項１または２に記載のバンプ形成方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載のバンプ形成方法によりバンプが形成された基板。
【請求項５】
電気回路が形成された基板に回路接続用のバンプを形成するバンプ形成装置であって、
電気回路が形成された基板を保持する基板保持装置と、
ノズルに供給された金属微粒子を前記ノズルの内部に設けられた流路を流れる気体に分散させて流下させ、前記流路の下流端部に設けられた噴射口から気体とともに噴射する噴射装置とを備え、
前記基板保持装置に保持された前記基板に、前記噴射口から前記金属微粒子を前記気体の噴流に乗せて噴射して衝突固着させ、常温かつ常圧下で前記基板にバンプを形成するように構成したことを特徴とするバンプ形成装置。
【請求項６】
前記噴射口の外周側に金属微粒子の噴射領域を囲んで配設された外筒部材と、
前記噴射口の外周と前記外筒部材の内周との間に形成される間隙部を排気し、前記噴射口から噴射されたが前記基板に固着されなかった金属微粒子を吸引する吸引装置とを備え、
前記外筒部材には、前記噴射口を囲む先端部に弾性材料により形成されたシール部を有して前記噴射口に対して前記金属微粒子の噴射軸方向に移動可能に配設され、
前記シール部が前記基板の表面に接して前記噴射口が前記外筒部材により覆われ、前記外筒部材の内周側が前記吸引装置により排気された状態で、前記噴射口から前記金属微粒子が噴射されるように構成したことを特徴とする請求項５に記載のバンプ形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気回路が形成された基板に回路接続用のバンプを形成するバンプ形成方法、この方法によりバンプが形成された基板、およびバンプ形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気回路が形成された基板の代表例として、ＩＣやトランジスタ等の部品が実装されるプリント配線基板がある。プリント配線基板には、当該基板に形成された電気回路と、この基板に実装される部品や外部引き出し用のリード線とを電気接続するため、パッドとも称される回路接続用のバンプ（Bump：突起）が形成されている。また、多層配線基板においては、複数の配線層の層間接続のため、バイア（Via）とも称されるバンプが基板内部に形成されている。
【０００３】
従来では、このようなバンプを形成する手法として、例えば、基板に形成された銅箔パターン上にハンダをメッキするメッキ法や、スクリーン印刷したレジストパターンの開口部にハンダペーストを刷り込み、リフロー工程で加熱溶融させるハンダペースト刷り込み法などが用いられている。（例えば特許文献１，２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２８４７８６号公報
【特許文献１】特開２００４−１４５６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、メッキにより形成されるバンプの高さはせいぜい数十μｍ程度であり、これよりも高いバンプを形成することが難しい。このため、例えばパワートランジスタやトランス等のような電流容量が大きい部品を実装するパッドや、このような電流容量が大きい回路と外部引き出し用のリード線とを接続するパッド、電流容量が大きい回路を層間接続するバイアなどのように、導体抵抗が低く１００μｍ程度の高さを要求されるバンプを含む基板は、一工程のメッキ法で形成することが困難であるという課題があった。
【０００６】
一方、ハンダペースト刷り込み法は、スクリーン印刷されたレジストパターンの開口部にハンダペーストを埋め込み、これをリフローにより溶融固着させるため、比較的高さのあるバンプを形成することができる。しかしながら、この方法は工程が複雑で基板の製造に時間およびコストがかかり、また基板の回路パターンを変更するたびにレジストパターン等を製作しなおさなければならないという課題があった。
【０００７】
本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであり、導体抵抗が低く高さの高いバンプを低い生産コストで製造可能なバンプ形成方法、バンプ形成装置などを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的達成のため、第１の本発明は、電気回路が形成された基板に回路接続用のバンプを形成するバンプ形成方法である。このバンプ形成方法は、金属微粒子を気体の噴流に乗せてノズルから噴射し基板に衝突させて固着させ、常温かつ常圧下で基板にバンプを形成するように構成される。
【０００９】
第２の本発明は、バンプが形成された基板であり、請求項１〜３のいずれかに記載のバンプ形成方法によりバンプが形成されることにより構成される。
【００１０】
第３の本発明は、電気回路が形成された基板に回路接続用のバンプを形成するバンプ形成装置である。このバンプ形成装置は、電気回路が形成された基板を保持する基板保持装置と、ノズルに供給された金属微粒子をノズルの内部に設けられた流路を流れる気体に分散させて流下させ、流路の下流端部に設けられた噴射口から気体とともに噴射する噴射装置とを備え、基板保持装置に保持された基板に、噴射口から金属微粒子を気体の噴流に乗せて噴射して衝突固着させ、常温かつ常圧下で前記基板にバンプを形成するように構成される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明においては、金属微粒子を気体の噴流に乗せて基板に噴射して衝突固着させ、常温かつ常圧下でバンプが形成される。このため、導体抵抗が低く高さの高いバンプを低い生産コストで製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】バンプ形成装置の概要構成図である。
【図２】図１におけるII−II矢視の平面図である。
【図３】噴射口近傍における金属微粒子の流れ、およびバンプの形成を説明するための模式図である。
【図４】バンプ形成条件−１により基板Ｗに形成された銅バンプの拡大写真である。
【図５】銅微粒子の噴射時間と基板に形成された銅バンプのバンプ高さとの関係を示すグラフである。
【図６】バンプ形成条件−２により形成した銅バンプに銅のリード線をレーザ溶接により接続した接続部の拡大写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら説明する。まず、本発明に係るバンプ形成方法を実施するためのバンプ形成装置ＢＳについて、その概要構成を略示する図１を参照しながら説明する。
【００１４】
バンプ形成装置は、大別的には、電気回路が形成された基板Ｗを保持する基板保持装置１、基板保持装置１に保持された基板Ｗとノズル３０とを相対移動させる移動機構２、ノズル３０内部に金属微粒子を気体とともに流下させる流路を有し流路の下流端部に開口する噴射口３５から気体の噴流に乗せて噴射する噴射装置３、噴射装置３による金属微粒子の噴射を制御する噴射制御部８１および、移動機構２による基板Ｗとノズル３０との相対移動を制御する移動制御部８２を備えた制御装置８などから構成される。
【００１５】
基板保持装置１は、噴射装置３に対して基板Ｗを位置決めした状態で固定保持可能に構成される。このような基板保持装置１の構成として、例えば、セラミックポーラスやメタルポーラス等のポーラス部材を利用し、テーブル１０の上面に基板Ｗを吸着して固定保持する構成が例示される。テーブル１０は、噴射装置３から噴射される金属微粒子と気体とからなる固気混相流の噴射力に対して十分な剛性を有して構成される。
【００１６】
図１におけるII−II矢視の平面図を図２に示すように、本構成形態では、テーブル１０に複数の位置決めピン１２を出没変位可能に設け、テーブル上に載置した基板Ｗの側縁を位置決めピン１２に付き当てることにより、基板Ｗがテーブル上の基準位置に位置決めされるようにした構成を示す。基板Ｗを支持する支持面（テーブル上面）１１は、基板Ｗに対して相対的に高い平面度で平坦に形成されており、真空発生器等によりテーブル内部の排気路が排気されたときに、ポーラス部材の微細な孔部を通して支持面近傍の空気が吸引され、基板Ｗが支持面１１に吸引されて強固に固定保持される。なお、このようなポーラス部材を用いた真空吸着手法ではなく、基板Ｗの周辺部を複数のクランプによりテーブル１０に機械的に固定するように構成してもよい。
【００１７】
移動機構２は、基板保持装置１に保持された基板Ｗとノズル３０とを相対移動させる。ここで、基板Ｗおよびノズル３０はいずれを移動させるように構成してもよいが、図示する構成形態では、上下に延びる噴射装置３の噴射軸CLに対し、これと直交する水平面内の二方向にテーブル１０を移動させるＸ−Ｙステージ２０を用いた構成例を示す。Ｘ−Ｙステージ２０は、テーブル１０をＸ軸方向に移動させるＸ軸移動機構２１、およびテーブル１０をＹ軸方向に移動させるＹ軸移動機構２２から構成される。なるＸ−Ｙステージ形態の移動機構を示す。なお、基板Ｗとノズル３０との上下方向の相対移動については、詳細図示を省略するＺ軸駆移動機構により、テーブル１０に対してノズル３０を上下に移動させる構成になっている。
【００１８】
噴射装置３は、ノズル３０に供給された金属微粒子を、ノズル３０の内部に設けられた流路を流れる気体に分散させて流下させ、下流端部に設けられた噴射口３５から気体とともに噴射する。このような噴射装置として、例えば、本出願人に係る特開２０００−９４３３２号公報に開示したような噴射装置（単管タイプの噴射装置という）や、本出願人に係る特開２００６−２２４２０５号公報に開示したような噴射装置（複合管タイプの噴射装置という）がある。本発明は、上記いずれの形態の噴射装置でも適用可能であるが、図１は、噴射装置３として複合管タイプの噴射装置を適用した構成例を示す。なお、噴射方向は水平でもよい。
【００１９】
この噴射装置３は、金属微粒子を気体とともに噴射するノズル３０と、ノズル３０に金属微粒子Ｇを供給する微粒子供給ユニット４０と、ノズル３０に噴射用のガスを供給するガス供給ユニット４５と、噴射口３５から噴射されたが基板Ｗに固着されなかった金属微粒子を吸引する微粒子回収装置５５などを備えて構成される。
【００２０】
ノズル３０には、基体となるボディ３１の内部を上下に延びるパイプ状の供給ノズル３２が設けられ、この供給ノズル３２の上端部に接続されたガス供給パイプ４６を介して、ガス供給ユニット４５からガス（供給ガスという）が供給される。供給ノズル３２の上下中間部には、金属微粒子が通過可能な孔部３３が壁面を貫通して開口形成され、この孔部３３の周囲に形成された微粒子供給溝４３に微粒子導入路４２を通って微粒子タンク４１に貯留された金属微粒子Ｇが供給される。金属微粒子Ｇは、形成するバンプの特性に応じて適宜な組成のものを使用でき、例えば、平均粒径が１０[μｍ]以下の、銅（Ｃｕ）微粒子、有鉛・無鉛（鉛フリー）のハンダ微粒子、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）微粒子などが例示される。
【００２１】
供給ノズル３２の先端側には、供給ノズル３２よりも大径の加速ノズル３４が下方（噴射方向）に延びて同軸上に設けられ、この加速ノズル３４の先端に噴射口３５が形成される。供給ノズル３２の先端部と加速ノズル３４の基端部は一部重なって配設されており、この重複部に、幅が狭い円環状の加速ガス噴流路３６が形成される。加速ノズル３４の基端部には、加速ガス噴流路３６と繋がる加速ガス導入路３７が形成され、この加速ガス導入路３７に接続された加速ガス供給配管４７を介して、ガス供給ユニット４５からガス（加速ガスという）が供給される。供給ガスおよび加速ガスは、キャリアガスとして一般的に用いられる窒素（Ｎ2）ガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、乾燥空気（Ａｉｒ）のいずれか、またはこれらが組み合わされて使用され、ガスの種別および各供給圧力が制御装置８の噴射制御部８１により制御される。
【００２２】
加速ノズル３４の先端側には、加速ノズルよりも大径の外筒部材５０が上下に延びて同軸上に設けられ、噴射口３５の外周側に金属微粒子の噴射領域ＪＡを囲むように配設される。外筒部材５０は、加速ノズル３４の外周側に不図示のシール部材を介して上下に摺動自在に支持されるとともに、外筒部材５０を上下に移動させる外筒移動機構２５により加速ノズル３４に対して上下に相対移動可能に構成されている。外筒移動機構２５による外筒部材５０の上下移動は、噴射制御部８１により制御される。外筒移動機構２５は、例えば、ノズルのボディ３１と外筒部材５０との間に設けたスプリングと電磁石または直動ソレノイド、ラックとピニオン、リードスクリューなどを利用して構成することができる。なお、外筒部材５０の内径は、基板Ｗに噴射される金属微粒子の噴射領域ＪＡの基板面における外径（噴射径）よりも幾分大きい程度に設定される。
【００２３】
外筒部材５０の先端部には、弾性材料により形成されたシール部５１が設けられている。シール部５１は、硬度が基板Ｗよりも低い高分子材料製の弾性材料により形成されており、外筒部材５０が基板Ｗに押接されたときに柔軟に弾性変形して内外周を隙間なく仕切り、噴射口３５から噴射された金属微粒子Ｇが放射方向に拡散しないように遮断する。シール部５１は、例えば、円環状に打ち抜いたゴムスポンジを外筒部材５０の先端に接着し、あるいは蛇腹状に成型したゴムブーツを外筒部材５０の先端に固定するなどにより外筒部の先端に設けられる。
【００２４】
このため、外筒移動機構により加速ノズル３４に対して外筒部材５０が下動され、外筒部材のシール部５１が基板Ｗに押接されると、外筒部材５０の内周側に周囲の空間と遮断された噴射室５２が形成される。外筒部材５０には壁面を貫通する排気ポート５３が形成され、排気チューブ５４を介して微粒子回収装置５５が接続されている。微粒子回収装置５５は、外筒部材内周側の固気混相流体（気体および金属微粒子）を吸引するバキュームブロワ、固気混相粒体から金属微粒子を分離して回収する微粒子回収器などから構成され、噴射口３５から噴射室５２に噴射されたが基板Ｗに固着されなかった金属微粒子を吸引して回収する。微粒子回収装置５５の作動は制御装置８により制御される。
【００２５】
このような構成のバンプ形成装置では、基板Ｗが吸着保持されたテーブル１０をＸ軸移動機構２１およびＹ軸移動機構２２により移動させ、例えば基板Ｗに形成された銅箔パターンのパッド（電極）Ｐが噴射装置３の噴射軸CL上に位置するように位置決めする。次いで、Ｚ軸移動機構によりノズル３０を下動させ、加速ノズル３４下端と基板Ｗ表面との距離ｈ、すなわちノズルギャップを所定高さに設定する。また外筒移動機構２５により外筒を下動させ、シール部５１を基板表面に押接させる。これにより噴射領域ＪＡの周囲が街頭で囲まれ噴射室５２が形成される。そして、微粒子回収装置５５を起動して噴射室５２を排気し、噴射装置３による噴射加工を行う。
【００２６】
噴射加工は、ガス供給ユニット４５からノズルにガスを供給することにより行われる。ここで、金属微粒子Ｇの噴射形態には、供給ガスの供給のみによる噴射、加速ガスの供給のみによる噴射、両者を組み合わせた噴射などがあり、制御装置８により制御されるが、ここでは、両者を組み合わせで噴射する場合の作用を説明する。制御装置８は、ガス供給ユニット４５からガス供給パイプ４６を介して供給ノズル３２の基端側に供給ガスを供給させ、ガス供給ユニット４５から加速ガス供給配管４７および加速ガス導入路３７を介して加速ノズル３４の基端側に加速ガスを供給させる。
【００２７】
供給ノズル３２の基端側に供給ガスが供給されると、供給ノズル３２内を流れるガス流のエジェクター効果、およびガス供給パイプ４６と供給ノズル３２との段差部に生じる乱流の効果により、微粒子供給溝４３に位置する金属微粒子Ｇが孔部３３を通って供給ノズル３２内に吸い出され、ガス流によって分散されながら供給ノズル内を下方に流下する。
【００２８】
このとき、加速ガス導入路３７に供給された加速ガスが円環状の加速ガス噴流路３６を通って加速ノズル内に高速で噴出しており、供給ノズル３２の出口領域では、加速ガス噴流路３６から噴出する高速のガス流によって大きな負圧が発生し、また両流路とも流路断面積が急拡大するため大きな乱流が発生する。そのため，供給ノズル３２を流下してきた金属微粒子が加速ノズル内に吸引されるとともに、乱流に巻き込まれて加速ガス中に分散され、加速ガスの噴流により加速されて下流端の噴射口３５から噴射される。
【００２９】
この様子を図３に模式的に示すように、噴射された金属微粒子は、基板Ｗに衝突して銅箔パターンのパッドＰに固着し、順次堆積して噴射金属組成のバンプＢが形成される。基板Ｗに固着しなかった金属微粒子は、噴射領域ＪＡを覆う外筒部材５０により放射方向への拡散が阻止され、排気ポート５３に接続された排気チューブ５４を介して微粒子回収装置５５に回収される。ここで、外筒部材５０は、内径が噴射領域ＪＡの外径よりも幾分大きい程度に設定されている。このため、噴射口３５から噴射された金属微粒子が、パッドの形成領域から拡散して周囲の回路パターンに付着し残留するようなことがない。
【００３０】
なお、基板Ｗの表面と噴射口３５との間隔（ノズルギャップ）ｈは、Ｚ軸移動機構によりノズル３０を上下移動させて加速ノズル下端の高さ位置を制御することにより設定され、通常では０．５〜２[ｍｍ]程度の高さ位置に設定される。また、金属微粒子Ｇの噴射速度は、ノズル３０に供給する供給ガス、加速ガスの種類および圧力を制御することにより設定され、用いるガスの音速未満の速度（例えば、供給ガスおよび加速ガスが空気の場合には３００[ｍ／sec]以下の速度）で噴射される。
【００３１】
以上のようなバンプ形成装置を製作し、発明者らは、基板Ｗへのバンプ形成について鋭意研究を進めた結果、加速ノズル３４の内径が０．５[ｍｍ]以上のノズル３０で、平均粒径が１０[μｍ]以下の金属微粒子を用い、高さ１００[μｍ]以上のバンプ形成を実現した。以下、バンプ形成の具体的な実施例について、基板上に銅のバンプ（銅バンプという）を形成した実験データを例示して説明する。
【００３２】
本実施例では、加速ノズル３４の内径が１[ｍｍ]の噴射装置３を用い、ノズルギャップｈを１[ｍｍ]に設定して、以下のバンプ形成条件−１で銅微粒子を噴射し、基板Ｗに衝突固着させて銅バンプを形成した。なお、次述するバンプ形成条件−２を含め、基板Ｗとノズル３０とは相対移動させずに固定した状態で銅バンプの形成を行っている。
【００３３】
（バンプ形成条件−１）
・基板Ｗ      ：表面に厚さ１〜２[μｍ]程度の銅の薄膜が形成されたアルミナセラミック（Ａｌ2Ｏ3）基板
・金属微粒子Ｇ：平均粒径１[μｍ]の銅微粒子
・使用ガス    ：ヘリウム（Ｈｅ）
・供給ガス圧力：０[ＭＰａ]
・加速ガス圧力：０．２[ＭＰａ]
・噴射時間    ：１，５，１０[sec]
【００３４】
上記バンプ形成条件−１により基板Ｗに形成された銅バンプＢ1，Ｂ2，Ｂ3の拡大写真を図４に、銅微粒子の噴射時間と形成された銅バンプＢ1〜Ｂ3のバンプ高さとの関係を図５に示す。バンプ高さ（図５においては最大膜厚と表記）は、上端部に形成されたウィスカー状の突起を除き、基板Ｗの表面から銅バンプ頂部までの高さを測定した。
【００３５】
図４から理解されるように、基板Ｗに噴射された銅微粒子が順次衝突固着して堆積し、上方に盛り上がるように銅バンプが基板上に直接形成されている。バンプ高さは、噴射時間がわずか１秒の銅バンプＢ1で３００[μｍ]を超えており、噴射時間が５秒の銅バンプＢ2では高さが８００[μｍ]近い円錐状のバンプが形成されている。
【００３６】
次に、上記実施例と同様にノズル内径が１[ｍｍ]の噴射装置３を用い、ノズルギャップを１[ｍｍ]に設定して、下記バンプ形成条件−２により銅バンプを形成した。
【００３７】
（バンプ形成条件−２）
・基板Ｗ      ：表面に厚さ１〜２[μｍ]程度の銅薄膜により回路パターンが形成されたアルミナセラミックの回路基板における直径φ１[ｍｍ]のパッド部
・金属微粒子Ｇ：平均粒径２．５[μｍ]の銅微粒子
・使用ガス    ：ヘリウム（Ｈｅ）
・供給ガス圧力：０[ＭＰａ]
・加速ガス圧力：０．５[ＭＰａ]
・噴射時間    ：３[sec]
【００３８】
このとき、直径φ１[ｍｍ]のパッド部には、図４における銅バンプＢ1と同様に、上方に盛り上がる皿状ないし椀状の銅バンプが形成され、測定されたバンプ高さは１６０[μｍ]であった。
【００３９】
このように、噴射装置３により銅微粒子を基板Ｗに噴射して衝突固着させるバンプ形成方法によって、常温、常圧下において、わずか一工程かつ極めて短時間の銅微粒子噴射により、バンプ高さが１００[μｍ]を超える中実の銅バンプを高能率で形成することが実証された。
【００４０】
以上では、加速ノズル３４の内径が噴射口３５においてφ１[ｍｍ]のものを用いた場合の実施例について説明したが、加速ノズル３４の内径は０．５〜２[ｍｍ]程度の範囲で適宜なものを用いることができる。例えば、基板Ｗに形成されたパッドの直径に合わせてノズル内径が０．８[ｍｍ]のものや１．５[ｍｍ]のものを用い、あるいは、適宜な内径の加速ノズルを用いたうえで、移動機構２によりノズルに対して基板Ｗを水平面内で円形に移動させて所望の直径の銅バンプを形成することができる。
【００４１】
また、金属微粒子の例として銅微粒子を例示したが、形成するバンプの仕様に応じて、金、銀などの微粒子、亜鉛を含まない鉛フリーハンダの微粒子など、他の組成の金属微粒子を使用してバンプを形成することもできる。鉛フリーハンダの微粒子を噴射して銅箔パッド上にハンダバンプを形成する手法によれば、バンプ高さが１００[μｍ]以上の基板を簡明な工程で生産したのち、従来用いられているリフローハンダの生産設備を利用して部品実装することができる。
【００４２】
次に、図６は、バンプ形成条件−２により銅箔パッド上に形成した銅バンプＢ5に、幅×厚さが０．６×０．２[ｍｍ]の銅のリード線Ｌを載置し、上方から赤外波長のレーザ光を集光照射してレーザ溶接により接続した接続部の拡大写真である。
【００４３】
この拡大写真から、リード線Ｌおよび銅バンプが一体的に溶け込み、電気的・機械的に強固に接続されていることが確認される。このため、本手法により形成した銅バンプにリード線やパワートランジスタ等の部品をレーザ溶接して実装する基板製造方法によれば、リフローハンダによる基板製造方法のように複雑かつ多段の工程を必要としない極めて簡明な製造工程で、電気部品を実装した回路基板を生産することができる。また、ハンダを用いずに回路基板を製造できるため、ハンダに起因する鉛やハロゲンの問題を生じることがなく、環境保護に貢献することができる。
【符号の説明】
【００４４】
ＢＳ  バンプ形成装置
１  基板保持装置
２  移動機構
３  噴射装置
８  制御装置
３０  ノズル（３２  供給ノズル、３４  加速ノズル）
３５  噴射口
４０  微粒子供給ユニット（吸引装置）
４５  ガス供給ユニット
５０  外筒部材
５１  シール部
５５  微粒子回収装置
Ｇ  金属微粒子
Ｐ  パッド
Ｂ、Ｂ1，Ｂ2，Ｂ3、Ｂ5  バンプ
Ｌ  リード線（部品）
【図１】
2010212353.tif 000003
【図２】
2010212353.tif 000004
【図３】
2010212353.tif 000005
【図５】
2010212353.tif 000006
【図４】
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【図６】
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