(57)【要約】      （修正有）【課題】十分な寸法精度、歩留まり及びプロセス効率を実現する複合基板の製造方法を提供する。【解決手段】第１の導電部材とセラミック基板とを含む複合体１００と、その複合体１００を埋め込む樹脂部材２４０と、その樹脂部材２４０の一方の側に設けた第２の導電部材２２２とを含有する構造体２５０を準備する工程と、上記樹脂部材２４０の他方の側から第１の導電部材を経由して第２の導電部材２２２に到達する孔１８０を形成する工程と、上記孔１８０内に第１の導電部材１１０と第２の導電部材２２２とを接続する第３の導電部材３００を形成する工程とを有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の導電部材とセラミック基板とを含む複合体と、前記複合体を埋め込む樹脂部材と、前記樹脂部材の一方の側に設けた第２の導電部材と、を含有する構造体を準備する工程と、
前記樹脂部材の他方の側から前記第１の導電部材を経由して前記第２の導電部材に到達する孔を形成する工程と、
前記孔内に前記第１の導電部材と前記第２の導電部材とを接続する第３の導電部材を形成する工程と、
を有する複合基板の製造方法。
【請求項２】
前記セラミック基板はその厚み方向に貫通孔を有し、
前記第１の導電部材は前記貫通孔の少なくとも一部を閉塞する閉塞部を有し、
前記孔を形成する工程において、前記貫通孔内で前記閉塞部を経由するように前記孔を形成し、
前記第３の導電部材を形成する工程において、前記第３の導電部材を前記第１の導電部材の前記閉塞部に接合する、請求項１に記載の複合基板の製造方法。
【請求項３】
第１の導電部材とセラミック基板とを含む複合体と、
前記複合体を埋め込む樹脂部材と、
前記樹脂部材の片側に設けた第２の導電部材と、
前記樹脂部材の前記第２の導電部材とは反対側から前記第１の導電部材を経由して前記第２の導電部材に到達する孔の内壁に接合して設けられ、前記第１の導電部材と前記第２の導電部材とを接続し、かつ前記第１の導電部材を貫通する第３の導電部材と、
を含有する複合基板。
【請求項４】
前記第１の導電部材が前記セラミック基板の内側に配線層を有する、請求項３に記載の複合基板。
【請求項５】
厚み方向に貫通孔を有するセラミック基板の素地材料からなるグリーンシートの前記貫通孔に、前記素地材料の焼成温度で焼結しない材料を充填する工程と、
前記焼結しない材料の少なくとも一部を被覆するように導電層を形成して積層体を得る工程と、
前記積層体を前記素地材料の焼成温度で焼成する工程と、
焼成された前記積層体から前記焼結しない材料を除去する工程と、
を有する複合体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複合基板及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の能動部品、フィルター、抵抗、キャパシタ等の受動部品といった電子デバイス、及び、それらのチップ部品等は、小型化及び軽量化がますます進んでおり、これらが実装される配線基板、モジュール、パッケージ部品等も、高密度実装による更なる小型化及び軽量化が切望されている。かかる要求に対し、高密度配線を実現でき、かつ、薄型化及び低背化が可能な複合基板が検討されている。
【０００３】
一方で、複合基板の薄型化及び低背化が進むと、その製造工程や使用過程において、外部からの負荷や熱履歴に起因して、複合基板の反り、歪みやクラックなどが発生しやすくなる。そこで、近年ではセラミック基板を芯材として配置することで、反りや歪みを抑制した複合基板が提案されている。例えば特許文献１では、セラミックコア基板と、セラミックコア基板内に、充填材を介して隙間なく収容されたＩＣチップと、上記セラミックコア基板の少なくとも片側に形成された樹脂絶縁層と、を備える配線基板が提案されている。この特許文献１によると、上記構成を有する配線基板は、熱により変形が生じにくい、とされている。
【特許文献１】特開２００３−３０９２１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の配線基板の製造方法では、その図４及び対応する明細書中の記載に示されているように、多数のスルーホール導体４１８が設けられたセラミックコア基板４１１の主面側にビア孔４２３Ｈを有する樹脂絶縁層４２３を、裏面側にビア孔４２１Ｈを有する樹脂絶縁層４２３を形成した後、ビア孔４２３Ｈにビア導体４３５を、ビア孔４２１Ｈにビア導体４３１を形成し、それらのビア導体４３５、４３１を介して、端子４７３、４０５とセラミックコア基板４１１の導体層４１６、４１７とが接続されている。このようにしてセラミックコア基板の両側にビア孔を有する樹脂絶縁層等を形成する場合、例えば、セラミックコア基板及び一方の樹脂絶縁層を支持体上に固定した状態で、支持体に固定されていない側の樹脂絶縁層にビア孔を形成して中間積層体を得た後、支持体から中間積層体を剥離し、剥離した側の樹脂絶縁層にビア孔を形成する。しかしながら、中間積層体を支持体から剥離した後にビア孔を形成すると、剥離時に中間積層体に負荷がかかって反りや歪みが生じ、その状態でビア孔を形成するため、寸法精度が十分とはいえなくなる。
【０００５】
そこで、本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、十分な寸法精度、歩留まり及びプロセス効率を実現する複合基板の製造方法、並びに、十分な寸法精度、歩留まり及びプロセス効率をもって作製可能な複合基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意研究を重ねた結果、互いに積層方向に離間した導電部材を支持体上に積層した状態で、それらの導電部材同士を接続する手法を見出し、本発明を完成するに至った。
【０００７】
すなわち、本発明による複合基板の製造方法は、第１の導電部材とセラミック基板とを含む複合体と、その複合体を埋め込む樹脂部材と、その樹脂部材の一方の側に設けた第２の導電部材とを含有する構造体を準備する工程と、上記樹脂部材の他方の側から第１の導電部材を経由して第２の導電部材に到達する孔を形成する工程と、上記孔内に第１の導電部材と第２の導電部材とを接続する第３の導電部材を形成する工程とを有する方法である。
【０００８】
本発明の複合基板の製造方法によると、第１の導電部材と第２の導電部材とを接続するために、まず樹脂部材の第２の導電部材を設けたのとは反対側から第２の導電部材に到達する孔を形成する。この際、第１の導電部材を経由するように孔を形成する。これにより、第１の導電部材及び第２の導電部材の一部が孔内に露出する。そして、上記孔の開口部から、孔内に第３の導電部材を導入する。このとき、第３の導電部材を、孔内に露出した第１の導電部材と第２の導電部材とに接合するように形成し、第１の導電部材と第２の導電部材との接続を確保する。このように、第２の導電部材を、内層に埋め込まれた第１の導電部材と接続するにも関わらず、第２の導電部材側から穿孔しなくてもそれらを接続できるため、構造体が支持体上に支持されていたとしても、その支持体から構造体を剥離することなく、それらの導電部材の接続が可能となる。したがって、支持体から構造体を剥離する際に起こり得る歪みや反りにより寸法ずれが生じ、それに起因して導電部材の接続が困難になるということが十分に抑制される。また、第１の導電部材と第２の導電部材との接続は構造体を準備した後に確保されるため、構造体の作製時に、それらを予め接続するのに要求される厳密な位置合わせを行う必要がない。これらの結果、本発明による複合基板の製造方法は、十分な寸法精度、歩留まり及びプロセス効率を実現することができる。
【０００９】
本発明による複合基板の製造方法において、セラミック基板はその厚み方向に貫通孔を有し、第１の導電部材は貫通孔の少なくとも一部を閉塞する閉塞部を有し、上記孔を形成する工程において、上記貫通孔内で上記閉塞部を経由するように孔を形成し、第３の導電部材を形成する工程において、第３の導電部材を第１の導電部材の閉塞部に接合すると好ましい。これにより、支持体上に第１の複合体を設けた状態でセラミック基板に貫通孔を形成する必要がなくなるため、第２の導電部材に到達する孔を形成するのがより容易になる。
【００１０】
本発明による複合基板は、第１の導電部材とセラミック基板とを含む複合体と、その複合体を埋め込む樹脂部材と、その樹脂部材の片側に設けた第２の導電部材と、上記樹脂部材の第２の導電部材とは反対側から第１の導電部材を経由して第２の導電部材に到達する孔の内壁に接合して設けられ、第１の導電部材と第２の導電部材とを接続し、かつ第１の導電部材を貫通する第３の導電部材とを含有する基板である。この複合基板は、上述の本発明による複合基板の製造方法により作製することができる。よって、本発明の複合基板は、十分な寸法精度、歩留まり及びプロセス効率をもって作製可能である。また、本発明の複合基板において、第３の導電部材は、第１の導電部材を貫通して設けられその側面で第１の導電部材に接合すると共に、第１の導電部材から突出した部分で孔の内壁と接合する。これにより、第３の導電部材がその端面でのみ第１の導電部材と接合する場合と比較して、それらの接合強度が更に高くなり、第３の導電部材が孔内でより強固に保持されるため、複合基板における接続信頼性が一層向上する。
【００１１】
本発明による複合基板において、第１の導電部材がセラミック基板の内側に配線層を有すると好ましい。これにより、第１の導電部材と、第２の導電部材の同層に設けられ第１の導電部材と接続しない他の配線部材との間、すなわち電圧が印加されて互いに異なる電位を有する部材間に存在する樹脂の厚みを薄くしても、それらの間の絶縁性をより容易に確保できる。この樹脂の厚みを薄くできれば、複合基板の更なる薄層化が実現可能となる。また、第１の導電部材と他の配線部材との距離が同等である場合、樹脂の厚みが減少する一方で、セラミック基板の厚みが増大するため、複合基板の剛性や機械的強度が向上し、反りや歪みが更に抑制される。
【００１２】
本発明による複合体の製造方法は、厚み方向に貫通孔を有するセラミック基板の素地材料からなるグリーンシートの上記貫通孔に、素地材料の焼成温度で焼結しない材料を充填する工程と、焼結しない材料の少なくとも一部を被覆するように導電層を形成して積層体を得る工程と、積層体を素地材料の焼成温度で焼成する工程と、焼成された積層体から焼結しない材料を除去する工程とを有する方法である。
【００１３】
この複合体の製造方法によると、貫通孔が設けられたセラミック基板と、貫通孔の開口の少なくとも一部を被覆した導電層を含有する複合体を形成することができる。グリーンシートの貫通孔に何も充填せずに焼成すると、グリーンシートの焼結に伴い、貫通孔が変形したり、顕著な場合はセラミックにより閉塞したりしてしまう。また、貫通孔に素地材料の焼結温度で焼結する材料を充填して焼成しても、その材料の焼結に伴い貫通孔が変形を起こしてしまう。一方、本発明による複合体の製造方法では、素地材料の焼結温度で焼結しない材料を貫通孔に充填して焼成するため、貫通孔の変形が抑制され、寸法精度に十分優れた複合体を得ることができる。さらに、貫通孔に上記焼結しない材料を充填することで、従来形成困難であった貫通孔の開口の少なくとも一部を閉塞した導電層を形成することが可能となる。上記焼結しない材料は焼結せずにセラミック基板と接合しないため、焼成後に容易に除去することができる。得られた複合体は、本発明の複合基板の製造方法における第１の複合体として好適に用いることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、十分な寸法精度、歩留まり及びプロセス効率を実現する複合基板の製造方法、並びに、十分な寸法精度、歩留まり及びプロセス効率をもって作製可能な複合基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、必要に応じて図面を参照しつつ、本発明を実施するための最良の形態（以下、単に「本実施形態」という。）について詳細に説明する。なお、図面中、同一要素には同一符号を付すこととし、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。更に、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
【００１６】
図１、２は、本実施形態の複合基板の製造方法を示す概略工程図であり、その製造方法に用いる各部材の断面を示す。まず、図１の（ａ）に示す第１の工程において、第１の導電部材１１０とセラミック基板１２０とを含む第１の複合体であるセラミック配線板１００を準備する。セラミック基板１２０は絶縁性のセラミック材料体から構成されており、その厚み方向に貫通した大きな貫通孔１２０ａと小さな貫通孔１２０ｂとを有している。セラミック基板１２０の厚みは例えば２０〜１０００μｍである。第１の導電部材１１０は導電性を有しており、セラミック基板１２０の厚み方向に貫通して設けられたビア部１１０ａと、セラミック基板１２０の一方の主面上に設けられた配線層１１０ｂとを含む。配線層１１０ｂは所定形状の平面パターンを有しており、その一部がセラミック基板１２０の貫通孔１２０ｂの開口部を被覆して閉塞している。ビア部１１０ａは、セラミック基板１２０の下側の主面で配線層１１０ｂと一体化する一方、セラミック基板１２０の上側の主面から上方にやや突出したランド１１０ｄを有する。セラミック配線板１００の製造方法については後で詳述するので、ここでの説明を省略する。
【００１７】
セラミック基板１２０の材質は特に限定されないが、例えば１０００℃以下にて低温焼成可能なガラスセラミックにより構成される低温焼成（ＬＴＣＣ）基板であることが好ましい。第１の導電部材１１０を構成する導電材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等の金属が挙げられる。これらは１種を単独で又は２種以上を混合して若しく合金の状態で用いられる。
【００１８】
また、図１の（ｂ）に示す第２の工程において、支持体２１０と、その支持体２１０上に設けた第２の導電部材である導電層２２２と樹脂層２２４とを含む第２の複合体２２０とを備える積層体２００を準備する。この積層体２００は、例えば、第２の複合体２２０と支持体２１０とをそれぞれ用意して、支持体２１０の表面上に第２の複合体２２０を、例えば熱剥離シートを介して貼り付けることで形成される。
【００１９】
支持体２１０は複合基板を製造する際に歪んだり破損したりしたりしないよう、例えば２００μｍ以上の厚みを有する。後工程で支持体２１０からその上に形成された構造体２５０を剥離する必要があるため、支持体２１０としては、導電層２２２との間で良好に剥離できるものが好ましい。そのような支持体２１０の材質としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート等の樹脂フィルム、ガラス、セラミック等の無機材料板、銅箔、ニッケル、ステンレス等の金属箔や金属板が挙げられる。これらの中では、後述の工程において加熱した際に収縮を生じ難く、寸法精度を更に高める観点から、セラミック板や金属板が好ましい。
【００２０】
第２の複合体２２０は、導電層２２２と樹脂層２２４とを積層したものであり、例えば金属箔付樹脂膜が挙げられる。導電層２２２としては、例えば、銅箔、ニッケル箔、ステンレス箔などの金属箔が挙げられる。これらの中では、後工程で用いられるレーザーで穿孔され難い銅箔が好ましい。この場合、導電層２２２は単なる金属箔であってもよく、また配線パターンやランドあるいはアライメントマークがパターン形成されたものであってもよい。樹脂層２２４としては、シート状、フィルム状等に成形可能な樹脂材料であればよい。そのような樹脂材料としては、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂が挙げられ、より具体的には、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ビニルベンジルエーテル化合物樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、シアネートエステル系樹脂、ポリイミド、ポリオレフィン系樹脂、ポリエステル、ポリフェニレンオキサイド、液晶ポリマー、シリコーン樹脂、フッ素系樹脂が挙げられ、これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いられる。また、樹脂材料は、アクリルゴム、エチレンアクリルゴム等のゴム材料や、ゴム成分を一部含むような樹脂材料であってもよい。樹脂材料中にセラミックス粒子やガラス繊維等の無機材料が含有されてもよい。導電層２２２の厚みは例えば１．５〜３５μｍであり、樹脂層２２４の厚みは例えば５〜４０μｍである。第２の複合体２２０が金属箔付樹脂膜である場合、公知の金属箔付樹脂膜の製造方法により第２の複合体２２０を作製することができる。
【００２１】
支持体２１０への第２の複合体２２０の貼り付け方法は、後工程で支持体２１０からその上に形成された構造体２５０を剥離可能な方法であれば特に限定されず、例えば、粘着剤を両者の間に介在させて貼り付ける方法など、公知の方法であってもよい。
【００２２】
次いで、図１の（ｃ）に示す第３の工程において、積層体２００の支持体２１０とは反対側にセラミック配線板１００を積層すると共に、チップ部品１５０を貫通孔１２０ａ内に配置して樹脂層２２４上で固定する。この際、位置決めの基準として、導体層２２２にアライメントマークを設けてもよい。チップ部品１５０は、その電極形成面１５０ａにバンプ電極１５２が形成されており、電極形成面１５０ａが支持体２１０とは反対側に向いている。チップ部品１５０の形態は特に限定されない。例えばチップ部品１５０が半導体部品等の能動部品である場合、複合基板の更なる低背化を図る観点から、半導体ベアチップであることが好ましい。あるいは、チップ部品１５０は受動部品であってもよい。チップ部品１５０の樹脂層２２４上への固定方法としては、圧着及び接着剤を用いる方法が挙げられる。第３の工程において、第２の複合体２２０における導電層２２２はまだパターニングされていないため、セラミック配線板１００を積層する際に精密な位置合わせを行う必要はない。
【００２３】
続いて、図１の（ｄ）に示す第４の工程において、埋め込み用樹脂部材１６２により、セラミック配線板１００とチップ部品１５０とを埋め込む。埋め込み用樹脂部材１６２による埋め込みの方法は特に限定されないが、例えば、未硬化又は半硬化の樹脂ペーストをセラミック配線板１００及びチップ部品１５０上に塗布した後、硬化する方法が挙げられる。上記樹脂ペーストは、例えば、樹脂粉末と有機ビヒクルとを混合して得られるスラリー状のものである。この樹脂粉末は、樹脂層２２４と埋め込み用樹脂部材１６２とを容易に一体化する観点から、上述の樹脂層２２４を構成する樹脂材料を含むものであると好ましく、その樹脂材料と同一の組成であるとより好ましい。樹脂として熱硬化性樹脂を用いる場合には、熱処理を施すことにより半硬化状態とする。
【００２４】
塗布後の樹脂ペーストを硬化させるには、樹脂ペースト中の樹脂材料が熱硬化性樹脂である場合、加熱すればよい。この加熱処理前に、塗布した樹脂ペーストの平坦化処理をラミネート及び／又はプレスにより行ってもよい。あるいは、加熱後に、例えばグラインダ等を用いて埋め込み用樹脂部材１６２の表面を研削することによって平坦化処理を行ってもよい。
【００２５】
次に、埋め込み用樹脂部材１６２の表面に金属層１６４を形成する。金属層１６４を形成する方法は特に限定されず、例えば、埋め込み用樹脂部材１６２の表面の全面に無電解めっきにより金属材料を成膜し、フォトリソグラフィ及びエッチングによりパターニングした後、更に電解めっきを行うことにより金属層１６４を形成してもよい。または、金属層１６４として金属箔を埋め込み用樹脂部材１６２に貼り付けてもよい。
【００２６】
あるいは、埋め込み用樹脂部材１６２からなる層と金属層１６４とを積層したシートを予め形成した後に、第３の工程を経て得た構造体上にそのシートを積層し、それらを必要に応じて加熱しながら積層方向に加圧することで、埋め込み用樹脂部材１６２によりセラミック配線板１００とチップ部品１５０とを埋め込んでもよい。この場合、金属層１６４の表面が平坦になるように加圧条件を調整することが好ましい。
金属層１６４を構成する金属材料は、後述のレーザーを反射するものであれば特に限定されず、例えば銅（Ｃｕ）が挙げられる。
【００２７】
次いで、図２の（ａ）に示す第５の工程において、金属層１６４を所望の形状にパターニングしてレーザーマスク層１７０を得る。この際、後述の第６の工程で小さな貫通孔１２０ｂ内に充填された埋め込み用樹脂部材１６２及び配線層１１０ｂを穿孔するために、それらの真上にある金属層１６４の部分を除去して、埋め込み用樹脂部材１６２の対応する表面部分１６２ａを予め露出する。また、第６の工程において、チップ部品１５０のバンプ電極１５２に到達する孔１８２及び第１の導電部材１１０のビア部１１０ａに到達する孔１８４を形成するため、同様に埋め込み用樹脂部材１６２の対応する表面部分１６２ｂ、１６２ｃを予め露出する。これにより、残存したレーザーマスク層１７０がレーザーを反射するので、レーザーマスク層１７０の形成されていない部分をレーザーにより選択的に穿孔できる。このとき、除去すべき金属層１６４の部分は、導電層２２２のアライメントマークを露出させて判定することや、支持体２１０に設けられたアライメントマークにより判定することにより、その位置を特定することができる。こうして、支持体２１０上にセラミック配線板１００と、そのセラミック配線板１００を埋め込み、樹脂層２２４及び埋め込み用樹脂部材１６２からなる樹脂部材２４０と、樹脂部材２４０の一方の側に設けた導電層２２２と、樹脂部材２４０の他方の側に設けたレーザーマスク層１７０とを含有する構造体２５０を得る。
【００２８】
金属層１６４のパターニング方法は特に限定されず、公知の方法であってもよい。例えば、金属層１６４上に所定のパターンを有するエッチマスクを積層した後、エッチマスクが積層された部分以外の金属層１６４を除去し、さらにエッチマスクを除去してレーザーマスク層１７０を得る。エッチマスクが積層された部分以外の金属層１６４を除去する方法としては、図２の（ａ）に示す構造体２５０を、金属層１６４の構成金属を溶解する薬液（例えば、金属層１６４の金属成分が銀の場合、アンモニア水と過酸化水素水の混合溶液等）に浸漬したり、その構造体２５０上に薬液を流通させたりする湿式化学処理、金属成分を選択的に除去できる条件でのイオンミリングやアッシングといった物理処理を例示できる。また、エッチマスクを除去する方法としては、例えばブラスト処理を例示できる。
【００２９】
それから、図２の（ｂ）に示す第６の工程において、第５の工程を経て得られた構造体２５０に対して、埋め込み用樹脂部材１６２の表面部分１６２ａを起点として、小さな貫通孔１２０ｂ内に充填された埋め込み用樹脂部材１６２を貫通し、配線層１１０ｂの閉塞する部分及び樹脂層２２４を経由して導電層２２２に到達する孔１８０を形成する。これと共に、チップ部品１５０のバンプ電極１５２及び第１の導電部材１１０のビア部１１０ａが露出するように、それらのバンプ電極１５２及びビア部１１０ａにそれぞれ到達する孔１８２及び１８４をそれぞれ形成する。孔１８０は、レーザーマスク層１７０側では開口しているものの、導電層２２２側では開口していない。孔１８０、１８２及び１８４を形成する穿孔方法としては、例えば各種のレーザーを用いた穿孔、ドリルを用いた穿孔が挙げられるが、より微細な孔を形成可能であり、かつ、導電層２２２に対する穿孔を抑制できる観点から、レーザーを用いた穿孔が好ましい。
【００３０】
第６の工程においてレーザーによって穿孔する場合、まず、孔１８０の埋め込み用樹脂部材１６２を通る部分並びに孔１８２及び１８４を形成するためにＣＯ2レーザー又はＵＶ−ＹＡＧレーザーを埋め込み用樹脂部材１６２の表面部分１６２ａ、１６２ｂ、１６２ｃに照射する。これらのレーザーを用いることにより、埋め込み用樹脂部材１６２に対してより微細な孔を形成することが可能となる。ＣＯ2レーザーは通常、約１０μｍの発振波長を有し、本実施形態において、その出力は１５０Ｗ以下であればよい。また、ＵＶ−ＹＡＧレーザーは通常、約０．３５５μｍの発振波長を有し、本実施形態において、その出力は５Ｗ以下であればよい。また、穿孔する部位にレーザーを連続的に照射してもよく、パルスにて照射してもよい。さらに、レーザーを照射している最中に、その出力を変更しても変更しなくてもよい。
【００３１】
この穿孔により孔１８０を形成する際、貫通孔１２０ｂ内に充填された埋め込み用樹脂部材１６２の全てを除去してもよいが、貫通孔１２０ｂ内のセラミック基板１２０を被覆するように埋め込み用樹脂部材１６２の一部を残存させて穿孔することが好ましい。これにより、セラミック基板１２０はその主面だけでなく貫通孔１２０ｂ内でも埋め込み用樹脂部材１６２と接合するため、それらの接合面積がより大きくなり、互いの密着性が更に強固なものとなる。
【００３２】
孔１８０の形成に際し、上述のＣＯ2レーザー又はＵＶ−ＹＡＧレーザーを用いて、貫通孔１２０ｂ内の埋め込み用樹脂部材１６２まで穿孔したら、次にレーザーとしてＵＶ−ＹＡＧレーザーを用い、配線層１１０ｂの閉塞する部分に照射してそこを穿孔する。ＵＶ−ＹＡＧレーザーを用いることにより、第１の導電部材１１０が金属で構成されていても、配線層１１０ｂを良好に穿孔することができる。ＵＶ−ＹＡＧレーザーは通常、約０．３５５μｍの発振波長を有し、本実施形態において、その出力は５Ｗ以下であればよい。また、穿孔する部位にＹＡＧレーザーを連続的に照射してもよく、パルスにて照射してもよい。さらに、レーザーを照射している最中に、その出力を変更しても変更しなくてもよい。このようにしてレーザー加工を施した後、必要に応じて、デスミア処理又はプラズマ処理によるアッシング、ブラスト等によりスミア除去を行う。
【００３３】
さらに、穿孔により配線層１１０ｂの閉塞する部分を貫通したら、再度ＣＯ2レーザー又はＵＶ−ＹＡＧレーザーを用いて、導電層２２２に到達するまで樹脂層２２４を穿孔して、孔１８０を完成する。これらのレーザーを用いることにより、樹脂層２２４に対してより微細な孔を形成することが可能となる。ＣＯ2レーザー及びＵＶ−ＹＡＧレーザーの照射条件は埋め込み用樹脂部材１６２を穿孔する際の条件と同一であってもよく異なっていてもよい。一連の穿孔に際して、ＵＶ−ＹＡＧレーザーを用いた方が、レーザーの切替プロセスが不要になるので、より効率的である。
【００３４】
次いで、図２の（ｃ）に示す第７の工程において、無電解めっき法による金属めっきの析出により孔１８０内に第３の導電部材であるフィルドビア３００を形成する。このフィルドビア３００の形成によって、初めて第１の導電部材における配線層１１０ｂと導電層２２２とが層間で接続される。それと共に、同じく無電解めっき法による金属めっきの析出により、孔１８２内にフィルドビア３０２、孔１８４内にフィルドビア３０４を形成する。さらに、これらのフィルドビア３００、３０２、３０４の形成と共に、同じく無電解めっき法による金属めっきの析出により、レーザーマスク層１７０を被覆するように第１のめっき層１７２を形成する。そして、第７の工程の後、支持体２１０を剥離除去する。その除去方法としては、例えば熱処理が挙げられる。次いで、無電解めっき法による金属めっきの析出により、導電層２２２を被覆するように第２のめっき層２２６を形成する。上記各フィルドビア及びめっき層を構成する金属めっきの種類は特に限定されないが、例えば銅めっきが挙げられる。また、無電解めっき液の塗布方法としては、例えばディップ法、スプレー法などが挙げられる。
【００３５】
上述のように、本実施形態では、第７の工程において無電解めっき法によりフィルドビア３００等を形成した後に、支持体２１０を剥離除去する。ただし、支持体２１０の剥離除去よりも前段階である第６の工程において既に孔１８０を形成しているため、第１の導電部材１１０と導電層２２２との間の接続に位置ずれが生じず、歩留まりは良好に維持される。
【００３６】
次いで、図２の（ｄ）に示す第８の工程において、レーザーマスク層１７０及びそれを被覆する第１のめっき層１７２、並びに、導電層２２２及びそれを被覆する第２のめっき層２２６を、フォトリソグラフィ及びエッチングにより選択的に除去して所望の形状にパターニングする。この際、フィルドビア３００による第１の導電部材１１０と導電層２２２との接続が断線しないように、その接続部分を、導電層２２２又は第２のめっき層２２６に設けられたアライメントマークにより特定し、フォトレジストなどによりマスクする。このパターニング方法は特に限定されず、公知の方法であってもよく、上述の金属層１６４のパターニングと同様のものが例示できるので、ここでの詳細な説明を省略する。こうして、本実施形態の複合基板４００を得る。
【００３７】
ここで、上述のセラミック配線板１００の製造方法について説明する。図５、６は、本実施形態のセラミック配線板１００の製造方法を示す概略工程図であり、その要部を示している。まず、図５に示すように、低温焼成基板用のグリーンシート５１０にビア前駆部５１６と易除去性充填体５１２とを備えた２つの構造体５１４と、２枚の収縮抑制シート５０２と、１枚の易除去性収縮抑制シート５０６と、易除去性収縮抑制シート５０６に配線前駆体層５０４を積層した多層体５０８とを準備する。
【００３８】
構造体５１４に備えられる低温焼成基板用のグリーンシート５１０は、下記のようにして得られるものである。まず、非ガラス系材料の素地材料を調製するために、例えば主成分としてバリウム（Ｂａ）、ネオジム（Ｎｄ）等の希土類、及びチタン（Ｔｉ）の各酸化物を用意し、それらが所定の組成比となるように所定量を秤量し、例えば水等を用いた湿式混合等により混合する。それから、ＢａＯ−Ｎｄ2Ｏ3等の希土類酸化物−ＴｉＯ2系化合物の合成を行うため、その混合物を、例えば１１００℃以上、好ましくは１１００℃〜１４００℃程度で所定時間、仮焼を行った後、所定の粒径となるように粉砕する。なお、主成分原料としては、酸化物である必要はなく、バリウム、希土類元素、及びチタンの例えば炭酸塩、水酸化物、硫化物等のように熱処理により酸化物となるものを使用してもよい。
【００３９】
次に、焼結助剤成分である銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、及びホウ素（Ｂ）の各酸化物の所定量を秤量し、先に仮焼して得た主成分（母材粉末）であるＢａＯ−希土類酸化物−ＴｉＯ2化合物と、例えば水等を用いた湿式混合等により混合する。このときの主成分と焼結助剤との混合比は特に制限されず、例えば、主成分粉末に対して焼結助剤が０．１〜１０質量％程度となるように適宜調整できる。なお、焼結助剤に関しても、主成分原料と同様に、酸化物である必要はなく、例えば、炭酸塩、水酸化物、硫化物等のように熱処理により酸化物となるものを使用してもよい。
【００４０】
次いで、主成分と焼結助剤成分との均一分散性を高め、かつ、後工程での成型等の作業性を向上させるべく粒度分布の狭い粉体を得るために、上記の混合粉砕物を、その焼結温度以下の温度で所定時間で再仮焼した後、その仮焼粉末を所定の粒径まで粉砕する。
【００４１】
それから、得られた粉末に、例えば、アクリル系（アクリル酸、メタクリル酸又はそれらのエステルの単独重合体または共重合体、より具体的には、アクリル酸エステル共重合体、メタクリル酸エステル共重合体、アクリル酸エステル−メタクリル酸エステル共重合体等）、ポリビニルブチラール系、ポリビニルアルコール系、アクリル−スチレン系、ポリプロピレンカーボネート系、セルロール系、エチルセルロース系等の単独重合体又は共重合体を適宜の溶剤で溶解したビヒクル等の有機バインダー、あるいは、無機バインダー、必要に応じてエステル等の可塑剤やターピネオール等の有機溶剤を混合してスラリーを得る。次に、このスラリーを、例えばドクターブレード法、スラリーキャスト法、スクリーン印刷法、圧延法、プレス法等の適宜の方法によってシート化し、この誘電体のスラリーシートを所望により複数層積層してグリーンシート５１０を得る。そして、得られたグリーンシート５１０に対して、パンチング加工、レーザー照射、ドリル加工などにより、その厚み方向に複数の貫通孔を設ける。
【００４２】
次いで、金属ペーストを調製し、この金属ペーストを、グリーンシート５１０の一部の貫通孔に充填してビア前駆部５１６を形成する。この際、ビア前駆部５１６から得られるビア同士、又はそのビアとその他の導電体とを確実に接続するため、貫通孔の一方の開口部側にランド前駆部５１６ａを形成する。金属ペーストとしては、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）等の粉末（例えば平均粒径が数μｍオーダーのもの）に、ポリビニルアルコール系、アクリル系、エチルセルロース系のような有機バインダーを加え、塗布に適した粘度となるように適宜混合したものを用いることができる。また、金属ペーストに含まれる金属についても、当初から金属である必要はなく、例えば、硝酸塩、酸化物、塩化物等のように熱処理により金属となるものを使用することができる。
【００４３】
さらに、金属ペーストには適宜の焼結助剤を添加することが好ましい。この焼結助剤としては、非晶質のＳｉＯ2、Ｂ2Ｏ3、Ａｌ2Ｏ3、ＺｎＯ、ＰｂＯ、Ｂｉ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、希土類酸化物等のガラス粉末や、結晶性のＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2、ＺｎＯ、ＭｇＯ、ＭｎＯ2、ＭｇＡｌ2Ｏ4、ＺｎＡｌ2Ｏ4、ＭｇＳｉＯ3、Ｚｎ2ＳｉＯ4、Ｚｎ2ＴｉＯ4、ＳｒＴｉＯ3、ＣａＴｉＯ3、ＭｇＴｉＯ3、ＢａＴｉＯ3、ＡｌＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＣ等のセラミック粉末を、単独で又は複数組み合わせ、適宜選択して用いることができる。
【００４４】
このとき、金属ペーストに含まれる焼結助剤の化合物又は組成物は、素地材料のグリーンシート５１０に含まれる焼結助剤と同じ種類のものであると一層好適である。また、金属ペースト中の金属成分と焼結助剤成分との混合割合は、後の焼成によって形成されるビア部１１０ａに要求される電気的性質や機能に応じて適宜設定することができる。
【００４５】
次に、上記金属ペーストを、グリーンシート５１０の上記とは別の貫通孔の上記ランド前駆部５１６ａと同じ側の開口部周りに塗布して厚み調整層５２０を形成する。この厚み調整層５２０は、構造体５１４同士又は構造体５１４と易除去性収縮抑制シート５０６とを積層した際に、ランド前駆部５１６ａが存在するために易除去性充填体５１２同士又は易除去性充填体５１２と易除去性収縮抑制シート５０６との接触を確実に達成するために、ランド前駆部５１６ａの厚みと同様の厚みを有するものである。厚み調整層５２０の塗布方法としては特に限定されず、例えば、スクリーン印刷法、ドクターブレード法、スラリーキャスト法などが挙げられる。
【００４６】
続いて、易除去性ペーストを調製し、この易除去性ペーストを、グリーンシート５１０の上記とは別の貫通孔に充填して易除去性充填体５１２を形成し、構造体５１４を得る。易除去性充填体５１２は、グリーンシート５１０の焼成温度（グリーンシート５１０の母材粉末の焼結温度）で焼成した後でも、貫通孔から容易に除去することができるものである。易除去性充填体５１２を得るための易除去性ペーストは、バインダーと、易除去性充填体５１２に易除去性を付与し得る無機粉体と、必要に応じて有機溶剤（例えば、有機ビヒクル）とを含む。そのような無機粉体としては、例えば炭酸カルシウム、酸化ジルコニウム、酸化アルミニウムが挙げられ、これらの中では炭酸カルシウムが好ましい。炭酸カルシウムは後述のトリジマイト等ほどではないが、それ自体がグリーンシート５１０の焼成温度で焼成しても収縮し難いものであるので、焼成後の焼成物の除去作業がより容易であることと相俟って、易除去性ペーストの材料として好適である。
【００４７】
バインダーとしては任意の樹脂を使用することが可能であるが、焼成時に速やかに熱分解し得る樹脂が好ましい。
【００４８】
収縮抑制シート５０２は、グリーンシート５１０の焼成温度で焼成しても、特に面内方向において収縮し難いシートであり、この収縮抑制シート５０２に直接又は間接的に支持されたものの収縮を抑制する機能を有する。収縮抑制シート５０２は、グリーンシート５１０の焼成温度で焼結しない難焼結性のセラミック材料粉末に、グリーンシート５１０用のペースト調製と同様にして有機バインダーを添加、混合してスラリーを調製し、このスラリーを、平坦な支持体上に、例えば、ドクターブレード法、スラリーキャスト法、スクリーン印刷法、圧延法、プレス法等によりシート状に塗布し、乾燥して得られる。収縮抑制シート５０２の厚みは、例えば４０〜２００μｍであればよい。
【００４９】
収縮抑制シート５０２を形成する難焼結性のセラミック材料としては、例えば、ジルコニア、アルミナ、トリジマイト、トリジマイト、α石英、トリジマイト−α石英、クリストバライト、β石英等が挙げられる。また、焼成時に、収縮抑制シート５０２による多層体５０８、構造体５１４、易除去性収縮抑制シート５０６の拘束力を高めつつ、有機バインダーを効率よく確実に除去（脱バイ処理）するために、難焼結性のセラミック材料粉末に、グリーンシート５１０の焼結温度以下でありかつグリーンシート５１０に含まれる有機成分の分解温度よりも高い軟化点を有するガラス粉末を所定量加えてもよい。
【００５０】
易除去性収縮抑制シート５０６は、収縮抑制シート５０２と同様にグリーンシート５１０の焼成温度（グリーンシート５１０の母材粉末の焼結温度）で焼成しても、特に面内方向において収縮し難いシートであり、この収縮抑制シート５０２に直接又は間接的に支持されたものの収縮を抑制する機能を有する。さらに、この易除去性収縮抑制シート５０６は、グリーンシート５１０の焼成温度で焼成した後であっても容易に除去することができるものである。
【００５１】
易除去性収縮抑制シート５０６は、上述の易除去性ペーストのうち、収縮抑制効果を有するペーストを、平坦な支持体上に、例えば、ドクターブレード法、スラリーキャスト法、スクリーン印刷法、圧延法、プレス法等によりシート状に塗布し、乾燥して得られる。易除去性収縮抑制シート５０６の厚みは、例えば２０〜２００μｍであればよい。
【００５２】
多層体５０８は、易除去性収縮抑制シート５０６の一主面上に、上記金属ペーストを例えば、スクリーン印刷法などにより所定パターンに塗布し、乾燥して、配線前駆体層５０４を形成することにより得られる。配線前駆体層５０４のパターンは、セラミック配線板１００の配線パターンと同様であればよい。
【００５３】
次いで、図６の（ａ）に示すように、準備した上記各部材を積層し、この状態のものを例えば熱圧着して積層体５３０を得る。この際、２つの構造体５１４を、互いのランド前駆部５１６ａを同一方向に向けつつ、ビア前駆部５１６及び易除去性充填体５１２同士が接合するように積層する。また、多層体５０８を、配線前駆体層５０４を上記ランド前駆部５１６ａと同一方向に向けつつ、ビア前駆部５１６と接合するように、かつ、易除去性充填体５１２とその露出部分を被覆して接合するように、構造体５１４と積層する。
【００５４】
そして、図示していないが、積層体５３０を、例えばアルミナセッター等の支持具に載置し、適宜の温度にて脱バイ処理を行った後、例えば８５０℃〜１０５０℃程度で所定時間焼成する。この焼成温度は９５０℃以下であるとより好ましい。このとき、積層体５３０の厚み方向の焼結収縮を補助・促進するため、積層体５３０上にセラミック板を載せる等の適宜の方法を用いて厚さ方向に加圧するようにしてもよい。
【００５５】
そして、図６の（ｂ）に示すように、焼成後の積層体５３０の両面に未焼結体として残存する収縮抑制シート５０２と易除去性収縮抑制シート５０６と、貫通孔内及びその開口部周辺にやはり未焼結体として残存する易除去性充填体５１２とを、例えば、サンドブラスト、ビーズブラスト、ドライアイスブラスト等の乾式ブラスト処理、水ジェット等やアイスブラスト、スラリーブラスといった湿式ブラスト処理のほか、デスミア処理、プラズマ（アッシング）処理、ジェットスクラブ処理、超音波処理、ブラシ処理といった適宜の方法を用いて除去する。
この際、収縮抑制シート５０２は、易除去性収縮抑制シート５０６を介して構造体５１４と積層されていたため、それ自体は容易に除去されないものであっても、易除去性収縮抑制シート５０６と共に容易に除去される。こうして、セラミック基板１２０と第１の導電部材１１０とを含み、貫通孔１２０ｂを有するセラミック配線板１００を得る。このセラミック配線板１００を図６において上下逆にして見ると、第１の導電部材１１０は、セラミック基板１２０の厚み方向に貫通して設けられたビア部１１０ａと、セラミック基板１２０の一方の主面上に設けられた配線層１１０ｂとを含む。配線層１１０ｂは所定形状の平面パターンを有しており、その一部がセラミック基板１２０の貫通孔１２０ｂの開口部を被覆して閉塞している。ビア部１１０ａは、セラミック基板１２０の下側の主面で配線層１１０ｂと一体化する一方、セラミック基板１２０の上側の主面から上方にやや突出したランド１１０ｄを有する。
【００５６】
このセラミック配線板１００の製造方法によると、セラミック基板１２０において貫通孔１２０ｂの開口部を被覆した配線層１１０ｂを形成することができる。これは、易除去性ペーストによる易除去性充填体５１２を貫通孔１２０ｂに充填することで、配線層１１０ｂを形成する際の下地を設けることができるためである。易除去性充填体５１２はその後の焼成により容易に除去可能であるので、貫通孔１２０ｂ内に充填しても、そのことによる不具合は生じない。このように貫通孔１２０ｂの開口部を被覆した配線層１１０ｂを形成することで、セラミック基板１２０を穿孔しなくても、その貫通孔１２０ｂを経由して配線層１１０ｂとの接続が可能になるという利点がある。また、易除去性充填体５１２に、グリーンシート５１０の焼成温度でも焼結しない炭酸カルシウム等を用いると、焼成による貫通孔１２０ｂの収縮が抑制されるため、貫通孔１２０ｂを十分に高い寸法精度及び形状精度で形成することができる。
【００５７】
さらには、グリーンシート５１０等を、収縮抑制シート５０２、易除去性収縮抑制シート５０６に挟んで焼成することにより、それらの焼結に伴う収縮を十分に抑制できるので、セラミック配線板１００を十分に高い寸法精度及び形状精度で作製することができる。この際、易除去性収縮抑制シート５０６をグリーンシート５１０等と収縮抑制シート５０２との間に挟むので、グリーンシート５１０等が焼結助剤を含む場合であっても、その焼結助剤の収縮抑制シート５０２への拡散を易除去性収縮抑制シート５０６が防止する。その結果、焼結助剤による収縮抑制シート５０２の収縮抑制効果の低下を十分に防止することができる。
【００５８】
上述のようにして得られた複合基板４００は、図２の（ｄ）に示すように、第１の導電部材１１０とセラミック基板１２０とを含むセラミック配線板１００と、そのセラミック配線板１００が有する貫通孔１２０ａ内に配置されたチップ部品１５０と、セラミック配線板１００とチップ部品１５０とを埋め込む樹脂部材２４０と、樹脂部材２４０の一方の側に設けたパターニングされた配線層４０４と、樹脂部材２４０の他方の側に設けたパターニングされた配線層４０６と、樹脂部材２４０の配線層４０６側から前記第１の導電部材１１０を経由して配線層４０４に到達する孔１８０の内壁に接合して設けられ、第１の導電部材１１０における配線層１１０ｂと配線層４０４とを層間で接続し、かつ第１の導電部材１１０を貫通するフィルドビア３００とを含有する。
【００５９】
複合基板４００は、絶縁層であるセラミック基板１２０の貫通孔１２０ａ内に充填された樹脂部材２４０に半導体装置であるチップ部品１５０が埋め込まれて配置された半導体内蔵基板であり、この複合基板４００を備える電子部品や電子機器の小型化及び薄層化に寄与し得るものである。複合基板４００において、チップ部品１５０のバンプ電極１５２と配線層４０６とが、フィルドビア３０２によって接続され、第１の導電部材１１０は、フィルドビア３０４によって配線層４０６と接続される。また、樹脂部材２４０は、樹脂層２２４と埋め込み用樹脂部材１６２とを備え、セラミック基板１２０と共に絶縁層を構成する。孔１８０は配線層４０６側から配線層４０４側に向かって細くなるテーパ形状を有しており、その孔１８０内に形成されたフィルドビア３００も配線層４０６側から配線層４０４側に向かって細くなるテーパ形状を有している。このフィルドビア３００は、第１の導電部材１１０を貫通することで、配線層１１０ｂの上面よりも上側（配線層４０６側）に突出している。
【００６０】
複合基板４００は、上記本実施形態の複合基板の製造方法により作製することができるので、十分な寸法精度、歩留まり及びプロセス効率をもって作製可能である。また、複合基板４００において、フィルドビア３００は、第１の導電部材１１０を貫通して設けられその外周側面で第１の導電部材１１０に接合すると共に、第１の導電部材１１０の配線層１１０ｂから突出した部分で孔１８０の内壁と接合する。これにより、フィルドビア３００がその端面でのみ第１の導電部材１１０と接合する場合と比較して、それらの接合強度が更に高くなり、フィルドビア３００が孔１８０内でより強固に保持されるため、複合基板４００における接続信頼性が一層向上する。また、フィルドビア３００は、配線層４０６側から配線層４０４側に向かって細くなるテーパ形状を有しているので、配線層４０４の樹脂部材２４０との剥離をいわゆるアンカー効果により防止することができる。
【００６１】
さらに、複合基板４００においてフィルドビア３００に空隙が生じた場合であっても、フィルドビア３００は、その外周側面で第１の導電部材１１０と接合するので、第１の導電部材１１０における配線層１１０ｂと配線層４０４との層間接続は十分に確保される。また、フィルドビア３００はその内部に空隙が生じていても、第１の導電部材１１０にのみならず、孔１８０内壁で樹脂部材２４０及び／又はセラミック基板１２０と接合するので、機械的強度の観点からも十分なものである。
【００６２】
また、チップ部品１５０がセラミック基板１２０の内部に配置されており、かつ樹脂部材２４０に埋め込まれているため、単にセラミック基板１２０の表層に露出して配置されている場合と対比して、チップ部品１５０の損傷を十分に防止できる。したがって、特にチップ部品が薄型のＩＣチップである場合は本実施形態の複合基板４００の態様を好適に用いることができる。
【００６３】
本実施形態の複合基板４００の製造方法によると、第１の導電部材１１０及び導電層２２２の一部が孔１８０内に露出した状態で、孔１８０の開口部からその孔１８０内にフィルドビア３００を導入する。このとき、フィルドビア３００を、孔１８０内に露出した第１の導電部材１１０と導電層２２２とに接合するように形成する。このように導電層２２２をその更に外側から穿孔することなく第１の導電部材１１０と導電層２２２とを接続することにより、支持体２１０から構造体２５０を剥離することなく、第１の導電部材１１０と導電層２２２との接続までを行うことができる。したがって、支持体２１０が樹脂層２２４及び埋め込み用樹脂部材１６２を拘束してその収縮を抑制することが可能となり、所望のとおり配線層１１０ｂを経由し導電層２２２に到達する孔１８０を形成することができる。
【００６４】
さらに、第１の導電部材１１０と導電層２２２との接続前に、それらを含む構造体を支持体２１０から剥離する必要がないので、剥離による構造体の歪みや反りを当然に防止できる。支持体２１０から構造体を剥離して、その剥離した面からビア孔を形成して接続を図ろうとすると、剥離の際の歪みや反りに起因して第１の導電部材１１０と導電層２２２との接続精度が低下してしまうところ、本実施形態ではそのような接続精度の低下を十分に抑制できる。また、上記構造体を支持体２１０から剥離する必要がないと、剥離に伴う構造体の損傷も防止でき、そのハンドリング性もより優れたものとなる。これによって、複合基板４００を製造する際の歩留まりが向上する。
【００６５】
以上、本発明を実施するための最良の形態について説明したが、本発明は上記本実施形態に限定されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形が可能である。図３は本発明の別の好適な実施形態に係る複合基板を示す概略断面図であり、図４の図３に示す一点鎖線の円内の部分拡大図である。
【００６６】
この実施形態の複合基板６００は、セラミック配線板６５０に備えられる第１の導電部材６１０が、セラミック基板６２０の主面上ではなく内層（内側）に配線層６１０ｂを含み、セラミック基板６２０が貫通孔内ではなく有底の孔６２０ａ内にチップ部品１５０を配置する以外は、上記複合基板４００と同様の構成を有するので、それ以外の部材についての説明は省略する。このような複合基板６００を製造するには、セラミック配線板６５０を作製する際に、上記セラミック配線板１００を作製する場合に対して、多層体５０８に代えて易除去性収縮抑制シート５０６を用い、その易除去性収縮抑制シート５０６と構造体５１４との間にグリーンシート５１０と配線前駆体層５０４とを積層した多層体を配線前駆体層５０４側を構造体５１４に向けた状態で挿入して、準備した各部材を積層し、その状態のものを例えば熱圧着して、積層体５３０に代わる積層体を得る以外は同様にすればよい。
【００６７】
一般に半導体内蔵基板等のプリント配線板において配線の狭ピッチ化が進行すると、異なる電位（異電位）を有する配線間の距離が短くなり、それらの配線間に電圧が印加されるため絶縁破壊が生じやすくなる。複合基板６００がセラミック配線板６５０を含むことにより、配線層４０４と配線層６１０ｂとの間に絶縁層として樹脂部材２４０だけでなくセラミック基板６２０の一部も存在する。セラミック材料は樹脂材料よりも絶縁耐力が高いため、セラミック基板６２０の一部を配線層４０４と配線層６１０ｂとの間に挟むことにより、配線層４０４と同層にある異電位の他配線６０４と配線層６１０ｂとの間の距離を短くしても絶縁破壊の発生は抑制される。その距離を短くできれば、複合基板６００の更なる薄層化、小型化が可能となり、また、配線層４０４及び同層の他配線６０４の設計自由度が大きくなるので好適である。
【００６８】
図７、８は本発明の更に別の好適な実施形態に係るセラミック配線板の製造方法を示す概略工程図である。まず、図７の（ａ）に示すように、低温焼成基板用のグリーンシート５１０にビア前駆部５１６を備えた２つの構造体７１４と、１枚の収縮抑制シート５０２と、１枚の易除去性収縮抑制シート５０６とを準備する。構造体７１４は、易除去性充填体５１２及び厚み調整層５２０を備えない他は構造体５１４と同様である。
【００６９】
次いで、図７の（ｂ）に示すように、準備した上記各部材を積層し、この状態のものを例えば熱圧着して積層体７３０を得る。続いて、図７の（ｃ）に示すように、ドリルを用いて積層体７３０の厚み方向に穿孔して貫通孔７３２を形成する。次に、図８の（ａ）に示すように、貫通孔７３２に上記と同様の易除去性ペーストを充填して易除去性充填体７１２を形成すると共に、１枚の収縮抑制シート５０２と、易除去性収縮抑制シート５０６に配線前駆体層７０４を積層した多層体７０８とを準備する。多層体７０８は、配線前駆体層７０４のパターンが配線前駆体層５０４と異なる他は、多層体５０８と同様である。
【００７０】
次いで、図８の（ｂ）に示すように、準備した上記各部材を積層し、この状態のものを例えば熱圧着して積層体７３４を得る。この際、多層体７０８を、配線前駆体層７０４をランド前駆部５１６ａと同一方向に向けつつ、ビア前駆部５１６と接合するように、かつ、易除去性充填体７１２とその多層体７０８に対向した側の露出部分の一部を被覆して（つまり、残りの部分を露出させたまま）接合するように、積層体７３０と積層する。そして、上記積層体５３０に対して行ったのと同様に脱バイ処理及び焼成を行い、さらに収縮抑制シート５０２、易除去性収縮抑制シート５０６及び易除去性充填体７１２の除去を行う。こうして、図８の（ｃ）に示す、セラミック基板１２０と第１の導電部材７１０とを含み、貫通孔１２０ｂを有するセラミック配線板７００を得る。
【００７１】
このセラミック配線板７００の製造方法から明らかなように、本発明の実施形態に係るセラミック配線板は、貫通孔を形成する際にドリルを用いることによっても作製可能である。また、本発明の実施形態によると、第１の導電部材７１０が貫通孔１２０ｂの開口部全体を閉塞するのではなく一部のみを閉塞するようなセラミック配線板７００も作製でき、多種多様なセラミック配線板を作製可能である。なお、貫通孔１２０ｂの一部のみを閉塞する第１の導電部材７１０が、その閉塞する部分で囲まれた貫通孔を有している場合、第３の導電部材を充填するための孔を形成する際に既に第１の導電部材７１０に貫通孔が形成されているので、ＹＡＧレーザーを用いる必要がなくなり、上記孔の形成においてＣＯ2レーザー又はＵＶ−ＹＡＧレーザーのみを用いればよく、工程の短縮化が図れるという利点がある。
【００７２】
上記本実施形態においては、チップ部品１５０を貫通孔１２０ａ内に配置しているが、本発明の複合基板はチップ部品を備えなくてもよく、その場合は、上記第３の工程においてチップ部品の配置が省略される。また、セラミック基板は低温焼成基板でなくてもよく、通常のセラミック基板、例えば、低静電損失材であってもよい。さらに、セラミック配線板は配線層を一層のみ備えるものに限定されず、複数層の配線層を主面及び／又は内層に備えるものであってもよい。その場合、複数のセラミック層の間に配線層を挟む構造を有し、各セラミック層の間には、層間を接続するビアなどの内部導体の他、インダクタ、キャパシタ等の電子素子が備えられてもよい。また、複数の配線層のうちの一部又は全部が第３の導電部材（例えばフィルドビア）によって、第２の導電部材と接続されてもよい。また、導電層２２２として比較的箔厚の厚い金属箔を用いることにより、第７の工程を経て支持体２１０を剥離した後に第２のめっき層２２６を形成することなく、第８の工程で導電層２２２を所望の形状にパターニングしてもよい。さらに、セラミック配線板の製造方法において、構造体５１４を３層以上積層してもよい。また上述の説明では、第８の工程において、導電層２２２にパターニングを行ったが、第２の工程において、導電層２２２に配線パターンやアライメントマークを形成するようにしてもよい。その場合、そのアライメントマークを積層体２２０上に露出させて位置合わせを行うことにより、チップ部品１５０やセラミック配線板１００を精密な位置精度で搭載することが可能となる。また、第２の工程において、導電層２２２としてアライメントマークのみが形成された導電層を用い、そのアライメントマークを読んで導電層２２２に配線パターンをパターニングするようにしてもよい。その場合にも、そのアライメントマークを基準に精密な位置合わせを行うことが可能となる。
【００７３】
上記本実施形態において、フィルドビア３００上方の孔１８０内には何も充填されていないが、そこに樹脂を充填してもよい。充填する樹脂には、樹脂部材２４０と同様の樹脂材料を用いることができる。また、フィルドビア３００の形状は上述のようなテーパ形状に限定されず、柱状であってもよい。更にフィルドビア３００は、第１の導電部材１１０の配線層１１０ｂの上面よりも上側に突出していなくてもよく、配線層１１０ｂに接合していればよい。また、フィルドビア３００はめっき法によって形成されなくてもよく、例えば導電性ペーストを孔１８０内に充填して乾燥又は加熱することで形成されてもよい。導電性ペーストとしては上記金属ペーストと同様のものが例示できる。また、第３の導電部材は、配線層１１０ｂと配線層４０４とに接合していればフィルドビアのように孔１８０の面内方向中心部まで充填されていなくてもよく、例えば孔１８０の内壁にのみめっきを形成したものであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
以上説明したとおり、本発明による複合基板及びその製造方法によれば、十分な寸法精度、歩留まり及びプロセス効率を実現することができる。そのため、半導体内蔵基板やその他のプリント配線板を備える各種の電子機器、装置、システム、デバイス等、特に小型化や薄層化、高性能化が求められるものに広くかつ有効に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本発明の実施形態に係る複合基板の製造方法を示す概略工程図である。
【図２】本発明の実施形態に係る複合基板の製造方法を示す概略工程図である。
【図３】本発明の別の実施形態に係る複合基板を示す概略断面図である。
【図４】図３に示す複合基板の部分拡大図である。
【図５】本発明の実施形態に係る複合体の製造方法を示す概略工程図である。
【図６】本発明の実施形態に係る複合体の製造方法を示す概略工程図である。
【図７】本発明の更に別の実施形態に係る複合体の製造方法を示す概略工程図である。
【図８】本発明の更に別の実施形態に係る複合体の製造方法を示す概略工程図である。
【符号の説明】
【００７６】
１００、６５０、７００…セラミック配線板、１１０、６１０、７１０…第１の導電部材、１１０ａ…ビア部、１１０ｂ、４０４、４０６、６１０ｂ…配線層、１１０ｄ…ランド、１２０、６２０…セラミック基板、１２０ａ、１２０ｂ、１２０ｃ、７３２…貫通孔、１５０…チップ部品、１５２…バンプ電極、１６２…埋め込み用樹脂部材、１６４…金属層、１７０…レーザーマスク層、１７２…第１のめっき層、１８０、１８２、１８４、６２０ａ…孔、２００、５３０、７３０、７３４…積層体、２１０…支持体、２２０…第２の複合体、２２２…導電層、２２４…樹脂層、２２６…第２のめっき層、２４０…樹脂部材、２５０、５１４、７１４…構造体、３００、３０２、３０４…フィルドビア、４００、６００…複合基板、５０２…収縮抑制シート、５０４、７０４…配線前駆体層、５０６…易除去性収縮抑制シート、５０８、７０８…多層体、５１０…グリーンシート、５１２、７１２…易除去性充填体、５１６…ビア前駆部、５１６ａ…ランド前駆部、５２０…厚み調整層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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