(57)【要約】【課題】フィルム基板上を通過し基板搬送方向に流れる電流を小さくして、複数電極配置時の相互干渉の抑制、及び搬送ロールから反応容器へ流れる電流を小さくし、フィルムの局所に発生する電流集中部の電流密度を小さな値に抑えることでフィルム焼損や膜質の変化を抑制することにより、安定した特性を有する薄膜を成膜することが可能なプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。  【解決手段】原料ガスが導入される反応容器１内に２つの電極５，６を対向して配置し、２つの電極５，６の一方に高周波電力を供給することによってプラズマ８を生成し、原料ガスを分解して２つの電極５，６の間に搬送されてくるフィルム基板７の表面に薄膜を形成するようにしたプラズマＣＶＤ装置において、２つの電極５，６の外側に位置する基板搬送方向の両側に、フィルム基板７の周りを取り囲む構造の導電リング２１を配置している。【選択図】図２
2010189760.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料ガスが導入される反応容器内に２つの電極を対向して配置し、前記２つの電極の一方に高周波電力を供給することによってプラズマを生成し、前記原料ガスを分解して前記２つの電極の間に搬送されてくる基板の表面に薄膜を形成するようにしたプラズマＣＶＤ装置において、
前記２つの電極の外側に位置する基板搬送方向の両側に、前記基板の周りを取り囲む構造の導電リングを配置したことを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】
前記導電リングの外側に位置する基板搬送方向の両側に、前記基板と接触する搬送ロールを設置し、前記搬送ロールと前記２つの電極との間に前記導電リングを配置したことを特徴とする請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記搬送ロールの外側に位置する基板搬送方向の両側に、前記導電リングに加えて前記基板の周りを取り囲む構造の導電リングをさらに配置したことを特徴とする請求項２に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマを利用して、基板の表面に薄膜を形成するようにしたプラズマＣＶＤ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
反応容器内の基板に対向して配置される２つの電極の間に電圧を印加するとともに原料ガスを流すことによってプラズマを生成し、このプラズマを利用して原料ガスを分解、反応させることにより基板の表面に薄膜を形成するプラズマ処理技術は、従来から、多くの技術分野で適用されている。
かかるプラズマ処理技術の装置としては、例えば容量結合型の平行平板プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置が挙げられる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図６は、ＳｉＨ４を主体とした原料ガスでフィルム基板上にＳｉ系薄膜を形成するプラズマＣＶＤ法によって、薄膜太陽電池を作製する容量結合型の平行平板プラズマＣＶＤ装置の模式図である。
図６において、反応容器１０１の内部に形成された反応室１０２には、外部の高周波電源１０３から整合回路ユニット１０４の整合回路１０４ａを介して高周波電力が供給される高周波電極（ＲＦ電極）１０５と、該高周波電極１０５と対向する位置に接地電極１０６が配置されている。この接地電極１０６内には、搬送されてくるフィルム基板１０７を加熱するヒータが内蔵されている。また、反応容器１０１の両側側壁には、フィルム基板１０７を通過させるための開口部１０１ａが設けられている。
【０００４】
次に、図６に示されるプラズマＣＶＤ装置を用いて基板に薄膜を形成する手順を説明する。
先ず、図示しない搬送機構によりフィルム基板１０７を反応容器１０１内に連続的に搬送し、接地電極１０６内のヒータによってフィルム基板１０７を所望の温度に加熱する。
次いで、高周波電極１０５とフィルム基板１０７との間の放電空間に、図示しないガス導入ラインから薄膜原料となる原料ガスを導入し、矢印Ａで示すように、高周波電源１０３により整合回路ユニット１０４の整合回路１０４ａを介して高周波電極１０５に電圧を印加し、当該放電空間にプラズマ１０８を発生させる。すると、原料ガスがプラズマ化して分解、反応するため、フィルム基板１０７上に所望の薄膜が形成されることになる。なお、図６において、矢印Ｂは接地電極１０６へ向かう変位電流を示し、矢印Ｃは接地電極１０６から反応容器１０１へ抜ける電流を示し、矢印Ｄはアース電流を示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−１９５０５５号公報
【非特許文献】
【０００６】
【非特許文献１】中路幸謙「電熱工学  二次改訂版」p28〜p32，オーム社，1984年）
【非特許文献２】中路幸謙「電熱工学  二次改訂版」p150〜p151，オーム社，1984年）
【非特許文献３】高橋勘次郎「高周波の基礎と応用」p9，東京電機大学出版局，1990）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このような従来のプラズマＣＶＤ装置においては、電極部における異常放電を抑制するために、一対の電極１０５，１０６間をフィルム基板１０７が浮き上がるような配置になっている。
このフィルム基板１０７が導電性を有する場合は、図６の矢印Ｅに示すように、フィルム基板１０７上を通過し、他の反応室や電極部と干渉する迷走電流が流れることになる。しかも、特許文献１の従来のプラズマＣＶＤ装置においては、特許文献１の図４で示されるように、図面の右端下側の巻取りロールの所でアースを取っているので、迷走電流が電極間を流れてしまい、当該電極間で干渉が起こることになる。
これにより、従来のプラズマＣＶＤ装置では、フィルム基板１０７への成膜状態が変化したり、最悪の場合は複数の電極で電力の投入が不可能となったりして、仕様を満たす製品の製造が困難になるという問題を有している。
【０００８】
本発明は、このような実状に鑑みてなされたものであり、その目的は、フィルム基板上を通過し基板搬送方向に流れる電流を小さくして、複数電極配置時の相互干渉の抑制、及び搬送ロールから反応容器へ流れる電流を小さくし、フィルムの局所に発生する電流集中部の電流密度を小さな値に抑えることでフィルム焼損や膜質の変化を抑制することにより、安定した特性を有する薄膜を成膜することが可能なプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記従来技術の有する課題を解決するために、本発明は、原料ガスが導入される反応容器内に２つの電極を対向して配置し、前記２つの電極の一方に高周波電力を供給することによってプラズマを生成し、前記原料ガスを分解して前記２つの電極の間に搬送されてくる基板の表面に薄膜を形成するようにしたプラズマＣＶＤ装置において、前記２つの電極の外側に位置する基板搬送方向の両側に、前記基板の周りを取り囲む構造の導電リングを配置しており、さらに前記導電リングの隣に配置される搬送ロールは反応容器本体に電気的に接続される構造を有している。
【００１０】
本発明において、発明の効果を奏するための基本的な考え方は、以下に述べる２点である。図１を参照しつつ解説する。（ｉ）フィルム基板７が図１には図示しない他の電極、又はＣＶＤ室本体に至る前に接触する部分の構造５０、例えば搬送ロール１１などを何らか別の電気的接続手段１２によって反応容器１に電気的に接続し、前記電気的接続手段１２上を流れる電流（矢印Ｇ）として迷走電流ＥＯを分流回収する方法、並びに、（ｉｉ）フィルム基板搬送方向のインピーダンスＺ値を大きくして電流を制限する構造６０を設ける。特に、次のように構成することが好ましい。
（１）前記導電リングの外側に位置する基板搬送方向の両側に、前記基板と接触する搬送ロールを設置し、前記搬送ロールと前記２つの電極との間に前記導電リングを配置しており、更に該搬送ロールは反応容器本体に別の手段によって電気的に接続されているものとする。さらに、前記導電リングは高周波電力側、接地側（反応容器本体を含む）のいずれかに対しても電気的に接続されておらず、浮動電位を与えられているものとする。
（２）前記搬送ロールの外側に位置する基板搬送方向の両側に、前記導電リングに加えて前記基板の周りを取り囲む構造の導電リングをさらに配置している。また、前記搬送ロールは反応容器本体に電気的に接続され、かつ導電リングはいずれも高周波電力側、並びに接地側（反応容器本体を含む）に対して電気的に接続されておらず、浮動電位を与えられているものとする。
【発明の効果】
【００１１】
上述の如く、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、原料ガスが導入される反応容器内に２つの電極を対向して配置し、前記２つの電極の一方に高周波電力を供給することによってプラズマを生成し、前記原料ガスを分解して前記２つの電極の間に搬送されてくる基板の表面に薄膜を形成するようにしたものであって、前記２つの電極の外側に位置する基板搬送方向の両側に、前記基板の周りを取り囲む構造の導電リングを配置しているので、基板の搬送方向に沿って流れる電流によって、基板の周囲を１周するような磁界が発生した場合に、この発生した磁界によって導電リング上に誘導される電流が発生する反射磁界が基板電流による磁界を打ち消そうとする作用によって、導電リングがない場合に発生する磁界と等量の磁界を発生させるためにはより大きな電流を流さねばならないという効果を逆用して磁界の発生を抑制し、更に、この磁界中に蓄積された磁気エネルギーを導電リングに誘導された電流と導電リングの抵抗分とによって発生するジュール熱として放散させることにより、見かけ上、基板の搬送方向のインピーダンスを大きくすることができる。
これにより、高周波電極から接地電極へ抜ける電流をメインとし、基板の搬送方向へ向かう迷走電流を流れにくくすることが可能となり、複数の電極を配置した時に、これら電極の相互干渉を抑制することができる。また、導電リングが発熱するため、この発熱した導電リングによって基板を保温することもできる。したがって、本発明のプラズマＣＶＤ装置によれば、安定した特性を有する薄膜を成膜することが可能となり、要求される仕様を満たす薄膜太陽電池などの製品を製造することができる。
【００１２】
また、本発明は、前記プラズマＣＶＤ装置において、前記導電リングの外側に位置する基板搬送方向の両側に、前記基板と接触する搬送ロールを設置し、前記搬送ロールと前記２つの電極との間に前記導電リングを配置しているので、搬送ロールから積極的に電流を引き抜き、迷走電流を小さくし、高周波電極から接地電極へ抜ける電流をメインとすることができ、より一層安定した特性を有する薄膜を成膜できる。
【００１３】
さらに、本発明は、前記プラズマＣＶＤ装置において、前記搬送ロールの外側に位置する基板搬送方向の両側に、前記導電リングに加えて前記基板の周りを取り囲む構造の導電リングをさらに配置しているので、基板を介して流れる迷走電流によって他の電極や反応室との間の干渉を更に小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置の構成を示す概念的断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置において、導電リングと搬送ロールを電極両側に配置した例を示す概念的斜視図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置において、数式誘導のための条件を表す概念的斜視図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置において、フィルム基板と導電リングの等価回路を示す模式図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置において、２つの導電リングと搬送ロールを電極両側に配置した例を示す概念的斜視図である。
【図６】従来のプラズマＣＶＤ装置の構成を示す概念的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置について、その実施形態に基づき詳細に説明する。
【００１６】
［第1実施形態］
図１は本発明の第１実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置の構成の概念的断面図、図２は本実施形態のプラズマＣＶＤ装置において、導電リングと搬送ロールを電極両側に配置した例の概念的斜視図、図３は本実施形態のプラズマＣＶＤ装置において、数式誘導のための条件を表す概念的斜視図、図４は本実施形態のプラズマＣＶＤ装置において、フィルム基板と導電リングの等価回路の模式図である。
【００１７】
本発明の第１実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置を実現し、従来のプラズマＣＶＤ装置において発生する迷走電流による干渉などの悪影響を減少させる考え方としては、大きく分けて２つある。
（１）第１はフィルム基板と接触する部分（例えば、搬送ロール）から積極的に電流を引き抜く考え方、（２）第２は何らかの方法、手段によってフィルム基板の搬送方向のインピーダンスを増大させ、フィルム基板の搬送方向へ向かう電流を流れにくくする考え方がある。実際のプラズマＣＶＤ装置においては、プラズマ放電時の電極間の電磁的な干渉を極力減らすために、上記２つの考え方の両方を採用する必要があると考えられる。図１は、これら２つの考え方の両方を採用したプラズマＣＶＤ装置の概念図を示している。なお、迷走電流は、電極から見てフィルム基板の巻き取り方向及び巻き出し方向の双方に向かって流れるので、対策部品は電極を基準にして両側で対称に配置することが前提となる。
【００１８】
図１において、反応容器１の内部に形成された反応室２には、外部の高周波電源３から整合回路ユニット４の整合回路４ａを介して高周波電力（ＲＦ電力）が矢印Ａで示すように供給される高周波電極（ＲＦ電極）５と、該高周波電極５と対向する位置に接地電極６が配置されている。この接地電極６内には、搬送されてくるフィルム基板７を加熱するヒータが内蔵されている。そして、反応容器１の両側側壁には、搬送されるフィルム基板７を通過させるための開口部１ａが設けられている。
また、２つの電極である高周波電極５及び接地電極６の外側に位置するフィルム基板７の搬送方向（矢印Ｆ方向）の両側には、上記（１）の考え方を実行する第１構造物５０と、上記（２）の考え方を実行する第２構造物６０が、反応容器１の反応室２内でそれぞれ対称的に配置されている。このため、第１構造物５０は、フィルム基板７と電気的に接続されており、矢印Ｇで示すように、基板接触部から反応器１へ向かって電流が流れて抜けるように構成されている。一方、第２構造物６０は、フィルム基板７を１周わたり囲む構造で配置されており、インピーダンスＺを増大させることによってフィルム基板７の搬送方向に電流が流れにくくなるように構成されている。したがって、フィルム基板７を通過する迷走電流は、矢印Ｅ０で示すように、小さくなっている。なお、図１において、矢印Ｂは接地電極６へ向かう変位電流を示し、矢印Ｃは接地電極６から反応容器１へ抜ける電流を示し、矢印Ｄはアース電流を示している。
【００１９】
図２は、図１に示す考え方を実現する第１実施形態のプラズマＣＶＤ装置を示している。本実施形態のプラズマＣＶＤ装置においては、第１構造物５０がフィルム基板７を挟持して搬送する一対の搬送ローラ１１によって実現され、第２構造物６０がフィルム基板７の周りを取り囲む構造の導電リング２１によって実現されている。
搬送ローラ１１は、反応容器１に固定された支持ステー１２（図１参照）を介して回転可能に設けられ、フィルム基板７と接触する位置に設置されており、フィルム基板７と反応容器１との間の電気的接続が確保され、接地電位が与えられている。実際には、搬送ローラ１１にフィルム基板７が巻き付くため、搬送ローラ１１を介して反応容器１への電気的接続が確保されることになる。また、搬送ローラ１１は、導電リング２１の外側に位置するフィルム基板７の搬送方向の両側に配置されている。
【００２０】
導電リング２１は、フィルム基板７の搬送方向と直交する幅方向に延在し、フィルム基板７に接しないような配置態様で、フィルム基板７を１周して囲むような長尺のリング状に形成されており、高周波電位も与えず、反応容器１その他の接地電位部に電気的に接続しない浮動電位とされている。
また、導電リング２１は、高周波電極５及び接地電極６の外側に位置するフィルム基板７の搬送方向の両側で、高周波電極５及び接地電極６に近接して配置されている。このため、導電リング２１は、搬送ローラ１１と高周波電極５及び接地電極６との間に配置されることになる。すなわち、反応容器１とは、高周波電極５及び接地電極６、導電リング２１、搬送ローラ１１の順に電気的に接続されるように構成されている。
【００２１】
導電リング２１は、導電性を有する金属などの材料で形成されている。導電性を有する材料としては、一般的な金属のほか、特殊なものとしては導電性ポリマー、フェライト粉末を練り込んだフェライトゴムマットなどがあり、それらの材料の中でいずれを採用するかは使用条件などによって決定する。また、導電リング２１に使用する材料は、強磁性体であればより大きな効果を期待できるが、プラズマＣＶＤ装置で使用される周波数は１０ＭＨｚ以上の高周波であるので、アルミニウムや銅といった常磁性体であっても導電リング２１による迷走電流の抑制効果は発生するため、必ずしも鉄やニッケル、フェライトといった強磁性体である必要はない。
ただし、フェライトなどの強磁性体を用いた場合と、アルミニウムや銅などの常磁性体を用いた場合では、リングによる迷走電流抑制効果をもたらす物理現象が変化する。すなわち、強磁性体の場合は、リングを構成する材質の透磁率が高いため、リングのインダクタンス分が大きくなり、フィルム搬送方向のインピーダンスを大きくすることが可能である。一方、常磁性体の場合は、表皮効果による抵抗分の増加によって、フィルム搬送方向のインピーダンスを大きくすることが可能である。
【００２２】
次に、本発明の第１実施形態に係るプラズマＣＶＤ装置での成膜時の作用について、その概略を説明する。
成膜時には、図示しない搬送機構や搬送ローラ１１によってフィルム基板７を開口部１ａより反応容器１の反応室２内に連続的に搬送し、導電リング２１を通過させて接地電極６に密着させるとともに、接地電極６内のヒータによってフィルム基板７を所望の温度に加熱する。
次いで、高周波電極５とフィルム基板７との間の放電空間に、図示しないガス導入ラインから薄膜原料となる原料ガスを導入し、矢印Ａで示すように、高周波電源３により整合回路ユニット４の整合回路４ａを介して高周波電極５に電圧を印加し、当該放電空間にプラズマ８を発生させる。すると、原料ガスがプラズマ化して分解、反応するため、フィルム基板７上に所望の薄膜が形成されることになる。
【００２３】
このように、本発明の第１実施形態によれば、高周波電極５及び接地電極６の外側に位置するフィルム基板７の搬送方向の両側に、フィルム基板７の周りを取り囲む構造の導電リング２１を配置し、さらに導電リング２１の外側にフィルム基板７と接触する搬送ローラ１１を設置しているので、フィルム基板７の搬送方向に沿って流れる電流によって、フィルム基板７の周囲を１周するような磁界が発生した場合でも、この発生した磁界を導電リング２１によって抑制し、蓄積された磁気エネルギーを熱として放散させることにより、見かけ上フィルム基板７の搬送方向のインピーダンスを大きくできるとともに、搬送ローラ１１から積極的に電流を引き抜き、迷走電流を小さくできる。したがって、フィルム基板７の搬送方向へ向かう電流が流れにくくなり、複数の電極を配置した場合でも、これら電極の相互干渉を抑制することができる。
【００２４】
この第１実施形態による効果を図３及び図４を用いて検証する。
以下の説明では，導電リング２１のフィルム基板２１の搬送方向の幅（図３中ではＬ）が高周波電力の周波数f[MHz]から以下の式(１)によって決定される波長λよりも十分に小さい（λ／８以下）であることを前提とする。
【００２５】
【数１】
2010189760.tif 000003
（１）
【００２６】
（１）式の計算例を挙げると，13.56[MHz]でl＝22.12[m]，27.12[MHz]でl＝11.07[m]であり，その1/8以下では2.77[m]（13.56[MHz]）以下，1.38[m]（27.12[MHz]）であり，導電リングはそれ以下の長さとする。
図３を参照し，フィルム基板７の各寸法を長さＬ（導電リング２１の長さ），幅W，厚さTの導電性薄膜としてモデル化した時に，導電リング２１の長さL[m]でフィルム基板７が有する自己インダクタンスLi[H]は，以下（２）式で計算できる。ただし，W≫T（すなわち薄膜厚さが非常に薄い場合）における近似式である。（２）式は非特許文献１にて公知の式である。
【００２７】
【数２】
2010189760.tif 000004
（２）
（∵mg：フィルムの比透磁率）
【００２８】
また，導電リング部は，導電リング２１を構成する材料の厚さt[m]が表皮深さd[m]（（３）式で算出）よりも十分な厚みを持っているものとする。
【００２９】
【数３】
2010189760.tif 000005
（３）  
（∵f：周波数[Hz]，s：リング材の導電率[S/m]，m：リング材の透磁率[H/m]
【００３０】
このとき，導電リング２１のインピーダンスは，表皮厚さdに対してリング材の厚さtが大きいと近似できる場合（t＞3dの場合）インダクタンスLoと抵抗Roの直列回路として，以下の式（４）で表される。（４）式は，例えば非特許文献２にある計算式からt≫dの近似を行うことにより，簡単に導出が可能である。
【００３１】
【数４】
2010189760.tif 000006
（４）
【００３２】
（３）式、（４）式の出典は非特許文献２である。
以上，フィルム基板７の自己インダクタンスLi[H]，導電リング２１の自己インダクタンスLo[H]，内部抵抗Ro[W]が近似的な値で計算可能である。この，フィルム基板７−導電リング２１の系を等価回路で表すと，図４のように示すことが可能である。
導電リング２１の自己インダクタンスをLo[H]，抵抗分をRo[W]，フィルム基板７と導電リング２１との間の相互インダクタンスをM[H]として，フィルム基板７と導電リング２１を合わせたインダクタンスと抵抗は以下（５）式によって計算される。
【００３３】
【数５】
2010189760.tif 000007
（５）
【００３４】
（５）式の出典は非特許文献３である。
等価回路として表した導電リング２１の特性値（Lo，Ro）、及びフィルム基板７のインダクタンスLiはいずれも正数であり，相互インダクタンスMは２乗で式中にあるので，フィルム基板７を流れる電流から見れば，導電リング２１の効果によってフィルム基板７のインピーダンスがLiから，導電リング２１のインダクタンス分（(5)上式の右辺第２項）と抵抗分（（５）下式のRa）が加わって大きくなる。これにより，電流を抑制する効果を得ることが可能である。
【００３５】
図４におけるLo，Roは、（４）式によって、おおよその概算が可能である。（５）式中には相互インダクタンスMが入っている。このMは，例えば変圧器の漏洩インダクタンスの計算法を援用し，相互インダクタンスは（６）式で概算値は計算可能である。
【００３６】
【数６】
2010189760.tif 000008
（６）
【００３７】
ここで，Gはフィルム基板７と導電リング２１間の間隔である。LとWは図３に示した寸法，Liは（２）式で計算されるフィルム基板７の自己インダクタンスである。
【００３８】
以上の各式によって算出される概算値を用いて計算した結果、本発明の第１実施形態においては、フィルム基板７の自己インダクタンスLiに対して，導電リング２１を付加することにより，インダクタンスが約１５０％まで増加した。さらに、反応容器１と電気的に接続した搬送ロール１１を接地することにより、これらの処置を施さない場合に比べて、フィルム基板７を流れる電流は、条件にもよるが、おおよそ４５〜７０％減少した。
【００３９】
［第２実施形態］
図５は、図１に示す考え方を実現する第２実施形態のプラズマＣＶＤ装置を示している。
本発明の第２実施形態のプラズマＣＶＤ装置においては、高周波電極５及び接地電極６から見て離れる方向で、搬送ロール１１の外側に位置するフィルム基板７の搬送方向の両側に、第１実施形態の導電リング２１に加えてフィルム基板７の周りを取り囲む構造の導電リング２２がさらに配置されている。高周波電極５及び接地電極６から見て近位の導電リング２１と遠位の導電リング２２とは同じ構造であり、搬送ロール１１は、２つの導電リング２１，２２間に挟まれた位置に設置されることになる。
かかる第２実施形態では、第１実施形態の構成に加えて、搬送ロール１１の外側に更なる導電リング２２が配置されているため、フィルム基板７を介して流れる迷走電流によって他の電極や反応室（チャンバ）２との間の干渉を更に小さくすることができる。
その他の構成及び効果は、図２に示す第１実施形態と同様であり、これと同一の部材は同一の符号で示されている。
【００４０】
以上、本発明の実施の形態につき述べたが、本発明は既述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて各種の変形及び変更が可能である。
【符号の説明】
【００４１】
１  反応容器
１ａ  開口部
２  反応室
３  高周波電源
５  高周波電極
６  接地電極
７  フィルム基板
８  プラズマ
１１  搬送ロール
２１，２２  導電リング
【図１】
2010189760.tif 000009
【図２】
2010189760.tif 000010
【図３】
2010189760.tif 000011
【図４】
2010189760.tif 000012
【図５】
2010189760.tif 000013
【図６】
2010189760.tif 000014