(57)【要約】【課題】平均輝度レベルの低い画像を表示する際には表示画像の黒輝度を低減してコントラストを高め、平均輝度レベルの高い画像を表示する際には書込み放電を安定に発生させて画像表示品質を高める。【解決手段】初期化期間において所定の走査電極に強制初期化波形を印加し、他の走査電極に非初期化波形を印加する特定セル初期化サブフィールドと、初期化期間に選択初期化波形を全ての走査電極に印加する選択初期化サブフィールドとを設けるとともに、特定セル初期化サブフィールドと複数の選択初期化サブフィールドとを有する特定セル初期化フィールドを設け、入力画像信号の平均輝度レベルが低くなるにつれて強制初期化波形を走査電極に印加する頻度が低減されるように、強制初期化波形の発生頻度を平均輝度レベルの大きさに応じて変更する。【選択図】図７
2010249913.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルを、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けて階調表示するプラズマディスプレイパネルの駆動方法であって、
前記初期化期間において、
直前のサブフィールドの動作にかかわらず前記放電セルに初期化放電を発生する強制初期化波形と、直前のサブフィールドの前記維持期間に維持放電を発生した前記放電セルだけに初期化放電を発生する選択初期化波形と、前記放電セルに初期化放電が発生しない非初期化波形とのいずれかを前記走査電極に印加し、
前記初期化期間において所定の走査電極に前記強制初期化波形を印加し、他の走査電極に前記非初期化波形を印加する特定セル初期化サブフィールドと、
前記初期化期間に前記選択初期化波形を全ての前記走査電極に印加する選択初期化サブフィールドとを設けるとともに、
前記特定セル初期化サブフィールドと複数の前記選択初期化サブフィールドとを有する特定セル初期化フィールドを設け、
入力画像信号の平均輝度レベルが低くなるにつれて前記強制初期化波形を前記走査電極に印加する頻度が低減されるように、前記強制初期化波形の発生頻度を前記平均輝度レベルの大きさに応じて変更することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項２】
前記初期化期間に前記非初期化波形を発生して全ての前記走査電極に印加する非初期化サブフィールドと、
前記初期化期間に前記強制初期化波形を発生して全ての前記走査電極に印加する全セル初期化サブフィールドとを設けるとともに、
前記特定セル初期化フィールドに、
前記非初期化サブフィールドと複数の前記選択初期化サブフィールドとを有する非初期化フィールドと、
前記全セル初期化サブフィールドと複数の前記選択初期化サブフィールドとを有する全セル初期化フィールドとを加えた少なくとも３種類のフィールドを設け、
前記３種類のフィールドのいずれか１種類またはいずれか２種類を用いて時間的に連続する複数のフィールドで１つのフィールド群を構成し、
前記平均輝度レベルが低くなるにつれて前記強制初期化波形を前記走査電極に印加する頻度が低減されるように、前記フィールド群を構成するフィールドの組み合わせを前記平均輝度レベルの大きさに応じて変更することを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項３】
複数の前記特定セル初期化フィールドを用いて構成されたフィールド群では、前記強制初期化波形を印加する前記走査電極の数がそれぞれの前記特定セル初期化サブフィールドで互いに等しくなるように前記強制初期化波形を発生することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項４】
前記平均輝度レベルが複数の数値範囲に分けられ、それぞれの数値範囲に対して前記フィールド群を構成するフィールドの組み合わせが設定されており、
前記平均輝度レベルが、１つの数値範囲から、他の数値範囲に変化するときには、
まず前記強制初期化波形の最大電圧を変化させ、次に前記フィールド群を構成するフィールドの組み合わせを変更することを特徴とする請求項２に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項５】
前記平均輝度レベルが、１つの数値範囲から、その数値範囲に隣接する他の数値範囲に変化するときには、
前記強制初期化波形の最大電圧を基準電圧値から所定電圧値まで所定の遷移期間をかけて徐々に変化させ、前記最大電圧が前記所定電圧値に到達した後に、前記フィールド群を構成するフィールドの組み合わせを変更すると同時に前記最大電圧を前記所定電圧値から前記基準電圧値に変化させ、
前記平均輝度レベルが、１つの数値範囲から、その数値範囲に隣接する数値範囲を超えて他の数値範囲に変化するときには、
前記最大電圧を変化させることなく前記フィールド群を構成するフィールドの組み合わせを変更することを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項６】
前記プラズマディスプレイパネルを搭載したプラズマディスプレイ装置の動作時間の累積値を計測し、
前記累積値に応じて前記強制初期化波形の発生頻度を変更することを特徴とする請求項４に記載のプラズマディスプレイパネルの駆動方法。
【請求項７】
初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けて階調表示するサブフィールド法で駆動し、
前記サブフィールドとして特定セル初期化サブフィールドと選択初期化サブフィールドを設けるとともに、前記特定セル初期化サブフィールドおよび複数の前記選択初期化サブフィールドを有する特定セル初期化フィールドを設けて駆動する、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたプラズマディスプレイパネルと、
前記初期化期間に、直前のサブフィールドの動作にかかわらず前記放電セルに初期化放電を発生する強制初期化波形と、直前のサブフィールドの前記維持期間に維持放電を発生した前記放電セルだけに初期化放電を発生する選択初期化波形と、前記放電セルに初期化放電が発生しない非初期化波形とのいずれかを発生して前記走査電極に印加するとともに、
前記特定セル初期化サブフィールドの前記初期化期間では、所定の走査電極には前記強制初期化波形を印加し、他の走査電極には前記非初期化波形を印加し、前記選択初期化サブフィールドの前記初期化期間では、前記選択初期化波形を全ての前記走査電極に印加する走査電極駆動回路と、
入力画像信号の平均輝度レベルを検出するＡＰＬ検出回路とを備え、
前記走査電極駆動回路は、
前記ＡＰＬ検出回路において検出された平均輝度レベルが低くなるにつれて前記強制初期化波形を前記走査電極に印加する頻度が低減されるように、前記強制初期化波形の発生頻度を前記平均輝度レベルの大きさに応じて変更することを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
【請求項８】
非初期化サブフィールドと、全セル初期化サブフィールドとをさらに設け、
前記走査電極駆動回路は、
前記非初期化サブフィールドにおいては、前記初期化期間に前記非初期化波形を発生して全ての前記走査電極に印加し、
前記全セル初期化サブフィールドにおいては、前記初期化期間に前記強制初期化波形を発生して全ての前記走査電極に印加し、
前記特定セル初期化フィールドに、
前記非初期化サブフィールドと複数の前記選択初期化サブフィールドとを有する非初期化フィールドと、
前記全セル初期化サブフィールドと複数の前記選択初期化サブフィールドとを有する全セル初期化フィールドとを加えた少なくとも３種類のフィールドを設け、
前記３種類のフィールドのいずれか１種類またはいずれか２種類を用いて時間的に連続する複数のフィールドで１つのフィールド群を構成し、
前記平均輝度レベルが低くなるにつれて前記強制初期化波形を前記走査電極に印加する頻度が低減されるように、前記平均輝度レベルに応じて前記フィールド群の構成を切換えることを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイ装置。
【請求項９】
前記走査電極駆動回路は、
上昇する傾斜電圧を発生する傾斜電圧発生回路を有し、
前記傾斜電圧発生回路が出力する傾斜電圧に所定の電圧を重畳した電圧を前記強制初期化波形として発生し、
前記所定の電圧を重畳しない前記傾斜電圧を前記非初期化波形として発生することを特徴とする請求項７または請求項８に記載のプラズマディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、壁掛けテレビや大型モニターに用いられるプラズマディスプレイパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、「パネル」と略記する）として代表的な交流面放電型パネルは、対向配置された前面板と背面板との間に多数の放電セルが形成されている。前面板は、１対の走査電極と維持電極とからなる表示電極対が前面ガラス基板上に互いに平行に複数対形成され、それら表示電極対を覆うように誘電体層および保護層が形成されている。背面板は、背面ガラス基板上に複数の平行なデータ電極と、それらを覆うように誘電体層と、さらにその上にデータ電極と平行に複数の隔壁とがそれぞれ形成され、誘電体層の表面と隔壁の側面とに蛍光体層が形成されている。そして、表示電極対とデータ電極とが立体交差するように前面板と背面板とが対向配置されて密封され、内部の放電空間には、例えば分圧比で５％のキセノンを含む放電ガスが封入されている。ここで表示電極対とデータ電極とが対向する部分に放電セルが形成される。このような構成のパネルにおいて、各放電セル内でガス放電により紫外線を発生させ、この紫外線で赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色の蛍光体を励起発光させてカラー表示を行っている。
【０００３】
パネルを駆動する方法としては一般にサブフィールド法が用いられている。サブフィールド法では、１フィールドを複数のサブフィールドに分割し、それぞれのサブフィールドで各放電セルの発光と非発光とを制御する。そして、１フィールドに発生する発光の回数を制御することにより階調表示を行う。
【０００４】
各サブフィールドは、初期化期間、書込み期間および維持期間を有する。初期化期間では、各走査電極に初期化波形を印加し、各放電セルで初期化放電を発生させる。これにより、続く書込み動作のために必要な壁電荷を各放電セルに形成するとともに、書込み放電を安定して発生させるためのプライミング粒子（書込み放電を発生させるための励起粒子）を発生させる。
【０００５】
書込み期間では、走査電極には走査パルスを順次印加し、データ電極には表示すべき画像信号に対応した書込みパルスを選択的に印加する。これにより、発光すべき放電セルにおいて、走査電極とデータ電極との間に書込み放電を発生させ、壁電荷を形成する（以下、この動作を「書込み」とも記す）。
【０００６】
維持期間では、走査電極と維持電極とからなる表示電極対に、サブフィールド毎に定められた回数の維持パルスを交互に印加する。これにより、書込み放電による壁電荷形成が行われた放電セルで維持放電を発生させ、その放電セルの蛍光体層を発光させる。このようにして、パネルの画像表示領域に画像を表示する。
【０００７】
パネルにおける画像表示品質を高める上で重要な要因の１つにコントラストの向上がある。そして、サブフィールド法の１つとして、階調表示に関係しない発光を極力減らしコントラスト比を向上させる駆動方法が開示されている。
【０００８】
この駆動方法では、１フィールドを構成する複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間では全ての放電セルに初期化放電を発生させる初期化動作を行う。また、他のサブフィールドの初期化期間では直前の維持期間で維持放電を行った放電セルに対して選択的に初期化放電を行う初期化動作を行う。
【０００９】
維持放電を発生させない黒表示領域の輝度（以下、「黒輝度」と略記する）は画像の表示に関係のない発光、例えば、初期化放電によって生じる発光等によって変化する。しかし、上述の駆動方法では、黒表示領域における発光は全ての放電セルに初期化動作を行うときの微弱発光だけとなる。これにより、黒輝度を低減してコントラストの高い画像表示が可能となる（例えば、特許文献１参照）。
【００１０】
また、徐々に増加する緩やかな傾斜部分を持つ立ち上がり部と、徐々に減少する緩やかな傾斜部分を持つ立ち下がり部とを有する初期化波形を維持期間に放電した放電セルに印加する初期化期間を設け、かつ１フィールドの任意の初期化期間の直前に、全放電セルを対象として維持電極と走査電極の間で微弱放電を起こす期間を設けることで、黒輝度を下げて黒の視認性を向上させる技術が開示されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０００−２４２２２４号公報
【特許文献２】特開２００４−３７８８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上述したように、例えば特許文献１に記載された技術では、全ての放電セルに初期化放電を発生させる初期化動作を１フィールドに１回にすることで、サブフィールド毎に全ての放電セルに初期化放電を発生させる場合と比較して、表示画像の黒輝度を下げ、コントラストを高めることができる。
【００１３】
しかしながら、近年、パネルの大画面化、高精細化にともない画像表示品質の更なる向上が望まれている。
【００１４】
本発明はこのような要望に鑑みなされたものであり、平均輝度レベルの低い画像を表示する際には表示画像の黒輝度を低減してコントラストを高め、平均輝度レベルの高い画像を表示する際には書込み放電を安定に発生させて画像表示品質を高めることができるパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明のパネルの駆動方法は、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたパネルを、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けて階調表示するパネルの駆動方法であって、初期化期間において、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する強制初期化波形と、直前のサブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルだけに初期化放電を発生する選択初期化波形と、放電セルに初期化放電が発生しない非初期化波形とのいずれかを走査電極に印加し、初期化期間において所定の走査電極に強制初期化波形を印加し、他の走査電極に非初期化波形を印加する特定セル初期化サブフィールドと、初期化期間に選択初期化波形を全ての走査電極に印加する選択初期化サブフィールドとを設けるとともに、特定セル初期化サブフィールドと複数の選択初期化サブフィールドとを有する特定セル初期化フィールドを設け、入力画像信号の平均輝度レベルが低くなるにつれて強制初期化波形を走査電極に印加する頻度が低減されるように、強制初期化波形の発生頻度を平均輝度レベルの大きさに応じて変更することを特徴とする。
【００１６】
これにより、黒輝度を上昇させる主な要因の１つである強制初期化波形による初期化放電の発生頻度を入力画像信号の平均輝度レベルに応じて制御することが可能となる。したがって、パネルの画像表示面において暗い領域が占める割り合いが比較的多く平均輝度レベルの低い画像を表示する際には、強制初期化波形による初期化放電の発生頻度を低減して表示画像の黒輝度を低減し、コントラストを高めることが可能となる。また、書込み放電の発生回数が比較的多く書込み放電が不安定になりやすい平均輝度レベルの高い画像を表示する際には、強制初期化波形による初期化放電の発生頻度を上げて、書込み放電を安定に発生させることが可能となる。これにより、プラズマディスプレイ装置における画像表示品質を高めることが可能となる。
【００１７】
また、このパネルの駆動方法においては、初期化期間に非初期化波形を発生して全ての走査電極に印加する非初期化サブフィールドと、初期化期間に強制初期化波形を発生して全ての走査電極に印加する全セル初期化サブフィールドとを設けるとともに、特定セル初期化フィールドに、非初期化サブフィールドと複数の選択初期化サブフィールドとを有する非初期化フィールドと、全セル初期化サブフィールドと複数の選択初期化サブフィールドとを有する全セル初期化フィールドとを加えた少なくとも３種類のフィールドを設け、３種類のフィールドのいずれか１種類またはいずれか２種類を用いて時間的に連続する複数のフィールドで１つのフィールド群を構成し、平均輝度レベルが低くなるにつれて強制初期化波形を走査電極に印加する頻度が低減されるように、フィールド群を構成するフィールドの組み合わせを平均輝度レベルの大きさに応じて変更してもよい。これによっても、平均輝度レベルの低い画像を表示する際には、強制初期化波形による初期化放電の発生頻度を低減し表示画像の黒輝度を低減してコントラストを高め、平均輝度レベルが高く書込み放電が不安定になりやすい画像を表示する際には、強制初期化波形による初期化放電の発生頻度を上げて、書込み放電を安定に発生させることが可能となる。
【００１８】
また、このパネルの駆動方法においては、複数の特定セル初期化フィールドを用いて構成されたフィールド群では、強制初期化波形を印加する走査電極の数がそれぞれの特定セル初期化サブフィールドで互いに等しくなるように強制初期化波形を発生してもよい。これにより、強制初期化波形により生じる初期化放電を各フィールドに分散することができるので、表示画像にちらつきが発生するのを防止することが可能となる。
【００１９】
また、このパネルの駆動方法においては、平均輝度レベルが複数の数値範囲に分けられ、それぞれの数値範囲に対してフィールド群を構成するフィールドの組み合わせが設定されており、平均輝度レベルが、１つの数値範囲から、他の数値範囲に変化するときには、まず強制初期化波形の最大電圧を変化させ、次にフィールド群を構成するフィールドの組み合わせを変更する構成としてもよい。これにより、フィールド群を構成するフィールドの組み合わせを変更する際に、強制初期化波形による初期化放電の放電継続時間を徐々に変更して黒輝度を徐々に変化させることができるので、フィールドの組み合わせを変更する際に生じる黒輝度の変化を緩やかにして黒輝度の変化を認識されにくくし、画像表示品質をさらに高めることが可能となる。
【００２０】
また、このパネルの駆動方法においては、平均輝度レベルが、１つの数値範囲から、その数値範囲に隣接する他の数値範囲に変化するときには、強制初期化波形の最大電圧を基準電圧値から所定電圧値まで所定の遷移期間をかけて徐々に変化させ、最大電圧が所定電圧値に到達した後に、フィールド群を構成するフィールドの組み合わせを変更すると同時に最大電圧を所定電圧値から基準電圧値に変化させ、平均輝度レベルが、１つの数値範囲から、その数値範囲に隣接する数値範囲を超えて他の数値範囲に変化するときには、最大電圧を変化させることなくフィールド群を構成するフィールドの組み合わせを変更する構成としてもよい。これにより、平均輝度レベルが緩やかに変化し、黒輝度の変化が認識されやすいときには、上述と同様に、フィールドの組み合わせを変更する際の黒輝度の変化を緩やかにして、黒輝度の変化を認識されにくくすることができるようになる。一方、平均輝度レベルが大きく変化し、黒輝度の変化が認識されにくく、フィールド群を構成するフィールドの組み合わせを速やかに変更することが望ましいときには、平均輝度レベルの変化にもとづき直ちにフィールドの組み合わせを変更することができるようになる。
【００２１】
また、このパネルの駆動方法においては、上述のパネルを搭載したプラズマディスプレイ装置の動作時間の累積値を計測し、その累積値に応じて強制初期化波形の発生頻度を変更してもよい。これにより、動作時間の累積値に応じて放電特性に変化が生じるようなパネルを用いてプラズマディスプレイ装置を構成する場合でも、放電特性の変化に応じて、フィールド群を構成するフィールドの組み合わせを変更することが可能となる。
【００２２】
本発明のプラズマディスプレイ装置は、初期化期間と書込み期間と維持期間とを有するサブフィールドを１フィールド内に複数設けて階調表示するサブフィールド法で駆動し、サブフィールドとして特定セル初期化サブフィールドと選択初期化サブフィールドを設けるとともに、特定セル初期化サブフィールドおよび複数の選択初期化サブフィールドを有する特定セル初期化フィールドを設けて駆動する、走査電極と維持電極とからなる表示電極対を有する放電セルを複数備えたパネルと、初期化期間に、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する強制初期化波形と、直前のサブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルだけに初期化放電を発生する選択初期化波形と、放電セルに初期化放電が発生しない非初期化波形とのいずれかを発生して走査電極に印加するとともに、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間では、所定の走査電極には強制初期化波形を印加し、他の走査電極には非初期化波形を印加し、選択初期化サブフィールドの初期化期間では、選択初期化波形を全ての走査電極に印加する走査電極駆動回路と、入力画像信号の平均輝度レベルを検出するＡＰＬ検出回路とを備え、走査電極駆動回路は、ＡＰＬ検出回路において検出された平均輝度レベルが低くなるにつれて強制初期化波形を走査電極に印加する頻度が低減されるように、強制初期化波形の発生頻度を平均輝度レベルの大きさに応じて変更することを特徴とする。
【００２３】
これにより、黒輝度を上昇させる主な要因の１つである強制初期化波形による初期化放電の発生頻度を入力画像信号の平均輝度レベルに応じて制御することが可能となる。したがって、パネルの画像表示面において暗い領域が占める割り合いが比較的多く平均輝度レベルの低い画像を表示する際には、強制初期化波形による初期化放電の発生頻度を低減して表示画像の黒輝度を低減し、コントラストを高めることが可能となる。また、書込み放電の発生回数が比較的多く書込み放電が不安定になりやすい平均輝度レベルの高い画像を表示する際には、強制初期化波形による初期化放電の発生頻度を上げて、書込み放電を安定に発生させることが可能となる。これにより、プラズマディスプレイ装置における画像表示品質を高めることが可能となる。
【００２４】
また、このプラズマディスプレイ装置においては、非初期化サブフィールドと、全セル初期化サブフィールドとをさらに設け、走査電極駆動回路は、非初期化サブフィールドにおいては、初期化期間に非初期化波形を発生して全ての走査電極に印加し、全セル初期化サブフィールドにおいては、初期化期間に強制初期化波形を発生して全ての走査電極に印加し、特定セル初期化フィールドに、非初期化サブフィールドと複数の選択初期化サブフィールドとを有する非初期化フィールドと、全セル初期化サブフィールドと複数の選択初期化サブフィールドとを有する全セル初期化フィールドとを加えた少なくとも３種類のフィールドを設け、３種類のフィールドのいずれか１種類またはいずれか２種類を用いて時間的に連続する複数のフィールドで１つのフィールド群を構成し、平均輝度レベルが低くなるにつれて強制初期化波形を走査電極に印加する頻度が低減されるように、平均輝度レベルに応じてフィールド群の構成を切換える構成であってもよい。これによっても、平均輝度レベルの低い画像を表示する際には、強制初期化波形による初期化放電の発生頻度を低減し表示画像の黒輝度を低減してコントラストを高め、平均輝度レベルが高く書込み放電が不安定になりやすい画像を表示する際には、強制初期化波形による初期化放電の発生頻度を上げて、書込み放電を安定に発生させることが可能となる。
【００２５】
また、このプラズマディスプレイ装置において、走査電極駆動回路は、上昇する傾斜電圧を発生する傾斜電圧発生回路を有し、傾斜電圧発生回路が出力する傾斜電圧に所定の電圧を重畳した電圧を強制初期化波形として発生し、所定の電圧を重畳しない傾斜電圧を非初期化波形として発生する構成であってもよい。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、平均輝度レベルの低い画像を表示する際には表示画像の黒輝度を低減してコントラストを高め、平均輝度レベルの高い画像を表示する際には書込み放電を安定に発生させて画像表示品質を高めることができるパネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の実施の形態１におけるパネルの構造を示す分解斜視図である。
【図２】同パネルの電極配列図である。
【図３】同パネルの各電極に印加する駆動電圧波形図である。
【図４】本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置の回路ブロック図である。
【図５】同プラズマディスプレイ装置の走査電極駆動回路の一構成例を示す回路図である。
【図６】本発明の実施の形態１における特定セル初期化サブフィールドの初期化期間の走査電極駆動回路の動作の一例を説明するためのタイミングチャートである。
【図７】本発明の実施の形態１におけるＡＰＬの数値範囲と数値範囲毎に設定した強制初期化波形の発生頻度の一例を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態１における各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を６フィールドに１回とするときの強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの一例を示す概略図である。
【図９】同頻度を４フィールドに１回とするときの強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの一例を示す概略図である。
【図１０】同頻度を３フィールドに１回とするときの強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの一例を示す概略図である。
【図１１】同頻度を２フィールドに１回とするときの強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの一例を示す概略図である。
【図１２】同頻度を４フィールドに３回とするときの強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの一例を示す概略図である。
【図１３】各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を変更したときの黒輝度の変化（相対値）を示す図である。
【図１４】本発明の実施の形態２における強制初期化波形を発生する間隔を変更するときの動作の一例を概略的に示す図である。
【図１５】本発明の実施の形態３におけるプラズマディスプレイ装置の動作時間の累積値と強制初期化波形の発生頻度との一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明の実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置について、図面を用いて説明する。
【００２９】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の構造を示す分解斜視図である。ガラス製の前面板２１上には、走査電極２２と維持電極２３とからなる表示電極対２４が複数形成されている。そして走査電極２２と維持電極２３とを覆うように誘電体層２５が形成され、その誘電体層２５上に保護層２６が形成されている。また、保護層２６は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を主成分とする材料から形成されている。
【００３０】
背面板３１上にはデータ電極３２が複数形成され、データ電極３２を覆うように誘電体層３３が形成され、さらにその上に井桁状の隔壁３４が形成されている。そして、隔壁３４の側面および誘電体層３３上には赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各色に発光する蛍光体層３５が設けられている。
【００３１】
これら前面板２１と背面板３１とは、微小な放電空間を挟んで表示電極対２４とデータ電極３２とが交差するように対向配置され、その外周部をガラスフリット等の封着材によって封着されている。そして、内部の放電空間には、ネオンとキセノンの混合ガスが放電ガスとして封入されている。なお、本実施の形態では、発光効率を向上させるためにキセノン分圧を約１０％とした放電ガスを用いている。放電空間は隔壁３４によって複数の区画に仕切られており、表示電極対２４とデータ電極３２とが交差する部分に放電セルが形成されている。そしてこれらの放電セルが放電、発光することにより画像が表示される。
【００３２】
なお、パネル１０の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えばストライプ状の隔壁を備えたものであってもよい。また、放電ガスの混合比率も上述した数値に限られるわけではなく、その他の混合比率であってもよい。
【００３３】
図２は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の電極配列図である。パネル１０には、行方向に長いｎ本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎ（図１の走査電極２２）およびｎ本の維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ（図１の維持電極２３）が配列され、列方向に長いｍ本のデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ（図１のデータ電極３２）が配列されている。そして、１対の走査電極ＳＣｉ（ｉ＝１〜ｎ）および維持電極ＳＵｉと１つのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）とが交差した部分に放電セルが形成され、放電セルは放電空間内にｍ×ｎ個形成されている。そして、ｍ×ｎ個の放電セルが形成された領域がパネル１０の表示領域となる。
【００３４】
次に、パネル１０を駆動するための駆動電圧波形とその動作の概要について説明する。なお、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置は、サブフィールド法、すなわち１フィールドを時間軸上で複数のサブフィールドに分割し、各サブフィールドに輝度重みをそれぞれ設定し、サブフィールド毎に各放電セルの発光・非発光を制御することによって階調表示を行うものとする。
【００３５】
このサブフィールド法では、例えば、１フィールドを８つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成し、各サブフィールドはそれぞれ１、２、４、８、１６、３２、６４、１２８の輝度重みを有する構成とすることができる。そして、各サブフィールドの維持期間においては、それぞれのサブフィールドの輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを表示電極対２４のそれぞれに印加する。
【００３６】
なお、複数のサブフィールドのうち、１つのサブフィールドの初期化期間においては、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する強制初期化動作と、放電セルに初期化放電が発生しない非初期化動作とを選択的に行う初期化動作を行い（以下、このような初期化動作を「特定セル初期化動作」と呼称し、特定セル初期化動作を行うサブフィールドを「特定セル初期化サブフィールド」と呼称する）、他のサブフィールドの初期化期間においては、直前のサブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルだけに初期化放電を発生する選択初期化動作を行う（以下、選択初期化動作を行うサブフィールドを「選択初期化サブフィールド」と呼称する）ことで、階調表示に関係しない発光を極力減らしコントラスト比を向上させることが可能である。
【００３７】
なお、本実施の形態では、上述した特定セル初期化サブフィールドおよび選択初期化サブフィールドに加え、初期化期間に全ての放電セルで非初期化動作を行う（すなわち、全ての放電セルで初期化放電を発生させない）非初期化サブフィールドと、初期化期間に全ての放電セルで強制初期化動作を行う（すなわち、全ての放電セルで初期化放電を発生させる）全セル初期化サブフィールドとを発生させる構成としている。
【００３８】
そして、本実施の形態では、１フィールドを８つのサブフィールド（第１ＳＦ、第２ＳＦ、・・・、第８ＳＦ）で構成し、第１ＳＦは特定セル初期化サブフィールドと非初期化サブフィールドと全セル初期化サブフィールドとのいずれかとし、第２ＳＦ〜第８ＳＦは選択初期化サブフィールドとする。これにより、画像の表示に関係のない発光は第１ＳＦにおける強制初期化動作の放電にともなう発光のみとなり、維持放電を発生させない黒表示領域の輝度である黒輝度は強制初期化動作における微弱発光だけとなる。したがって、表示画像における黒輝度を低減して、コントラストを高めることが可能となる。
【００３９】
以下、特定セル初期化サブフィールド（例えば、第１ＳＦ）と複数の選択初期化サブフィールド（例えば、第２ＳＦ〜第８ＳＦ）とを有するフィールドを「特定セル初期化フィールド」と呼称し、非初期化サブフィールド（例えば、第１ＳＦ）と複数の選択初期化サブフィールド（例えば、第２ＳＦ〜第８ＳＦ）を有するフィールドを「非初期化フィールド」と呼称し、全セル初期化サブフィールド（例えば、第１ＳＦ）と複数の選択初期化サブフィールド（例えば、第２ＳＦ〜第８ＳＦ）とを有するフィールドを「全セル初期化フィールド」と呼称する。
【００４０】
しかし、本実施の形態は、サブフィールド数や各サブフィールドの輝度重みが上記の値に限定されるものではなく、また、画像信号等にもとづいてサブフィールド構成を切換える構成であってもよい。
【００４１】
次に、特定セル初期化フィールドを例に挙げて駆動電圧波形を説明する。
【００４２】
図３は、本発明の実施の形態１におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形図である。図３には、書込み期間において最初に書込み動作を行う走査電極ＳＣ１、書込み期間において２番目に書込み動作を行う走査電極ＳＣ２、書込み期間において最後に書込み動作を行う走査電極ＳＣｎ（例えば、走査電極ＳＣ１０８０）、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎ、およびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍの駆動波形を示す。
【００４３】
また、図３には、２つのサブフィールドの駆動電圧波形、すなわち特定セル初期化サブフィールドである第１サブフィールド（第１ＳＦ）と、選択初期化サブフィールドである第２サブフィールド（第２ＳＦ）とを示す。また、以下における走査電極ＳＣｉ、維持電極ＳＵｉ、データ電極Ｄｋは、各電極の中からサブフィールドデータ（サブフィールド毎の発光・非発光を示すデータ）にもとづき選択された電極を表す。
【００４４】
まず、特定セル初期化サブフィールドである第１ＳＦについて説明する。
【００４５】
なお、図３には、配置的に見て上から（１＋３×Ｎ）番目（Ｎは整数）の走査電極ＳＣ（１＋３×Ｎ）には直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する強制初期化波形を印加し、それ以外の走査電極２２には放電セルに初期化放電が発生しない非初期化波形を印加する構成を示す。
【００４６】
第１ＳＦの初期化期間前半部では、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎにはそれぞれ０（Ｖ）を印加し、走査電極ＳＣ（１＋３×Ｎ）には、所定の電圧である電圧Ｖｉ１を印加し、電圧Ｖｉ１から電圧Ｖｉ２に向かって緩やかに（例えば、約０．５Ｖ／μｓｅｃの勾配で）上昇する傾斜電圧（以下、「上りランプ電圧」と呼称する）Ｌ１を印加する。このとき、電圧Ｖｉ１は、維持電極ＳＵ（１＋３×Ｎ）に対して放電開始電圧以下の電圧にし、電圧Ｖｉ２は維持電極ＳＵ（１＋３×Ｎ）に対して放電開始電圧を超える電圧にする。
【００４７】
この上りランプ電圧Ｌ１が上昇する間に、走査電極ＳＣ（１＋３×Ｎ）と維持電極ＳＵ（１＋３×Ｎ）との間、および走査電極ＳＣ（１＋３×Ｎ）とデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が持続して起こる。そして、走査電極ＳＣ（１＋３×Ｎ）上部に負の壁電圧が蓄積されるとともに、走査電極ＳＣ（１＋３×Ｎ）と交差するデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上部および維持電極ＳＵ（１＋３×Ｎ）上部には正の壁電圧が蓄積される。この電極上部の壁電圧とは、電極を覆う誘電体層上、保護層上、蛍光体層上等に蓄積された壁電荷により生じる電圧を表す。
【００４８】
初期化期間後半部では、走査電極ＳＣ（１＋３×Ｎ）の印加電圧を、電圧Ｖｉ２から電圧Ｖｉ２よりも低い電圧Ｖｉ３に下降させる。維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには正の電圧Ｖｅを印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには０（Ｖ）を印加する。そして、走査電極ＳＣ（１＋３×Ｎ）に、電圧Ｖｉ３から負の電圧Ｖｉ４に向かって緩やかに（例えば、約−０．５Ｖ／μｓｅｃの勾配で）下降する傾斜電圧（以下、「下りランプ電圧」と呼称する）Ｌ２を印加する。このとき、電圧Ｖｉ３は、維持電極ＳＵ（１＋３×Ｎ）に対して放電開始電圧以下の電圧にし、電圧Ｖｉ４は維持電極ＳＵ（１＋３×Ｎ）に対して放電開始電圧を超える電圧にする。
【００４９】
この間に、走査電極ＳＣ（１＋３×Ｎ）と維持電極ＳＵ（１＋３×Ｎ）との間、および走査電極ＳＣ（１＋３×Ｎ）とデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍとの間でそれぞれ微弱な初期化放電が起こる。そして、走査電極ＳＣ（１＋３×Ｎ）上部の負の壁電圧および維持電極ＳＵ（１＋３×Ｎ）上部の正の壁電圧が弱められ、走査電極ＳＣ（１＋３×Ｎ）と交差するデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍ上部の正の壁電圧は書込み動作に適した値に調整される。
【００５０】
以上の波形が、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する強制初期化波形である。そして、強制初期化波形を走査電極２２に印加して行う上述の動作が強制初期化動作である。
【００５１】
一方、走査電極ＳＣ（１＋３×Ｎ）以外の走査電極２２は、第１ＳＦの初期化期間前半部では、所定の電圧である電圧Ｖｉ１を印加せず、０（Ｖ）のままとし、０（Ｖ）から電圧Ｖｉ２’に向かって緩やかに上昇する上りランプ電圧Ｌ１’を印加する。この上りランプ電圧Ｌ１’は、上りランプ電圧Ｌ１と同じ勾配で、上りランプ電圧Ｌ１と同じ時間だけ上昇を続けるものとする。したがって、電圧Ｖｉ２’は電圧Ｖｉ２から電圧Ｖｉ１を引いた電圧に等しい電圧となる。このとき、電圧Ｖｉ２’は維持電極２３に対して放電開始電圧以下の電圧となるように各電圧および上りランプ電圧Ｌ１’を設定する。これにより、上りランプ電圧Ｌ１’を印加した放電セルでは放電は実質的に発生しない。
【００５２】
初期化期間後半部では、走査電極ＳＣ（１＋３×Ｎ）以外の走査電極２２にも、走査電極ＳＣ（１＋３×Ｎ）と同様に、下りランプ電圧Ｌ２を印加する。このとき、走査電極ＳＣ（１＋３×Ｎ）以外の走査電極２２を有する放電セルでは、第１ＳＦの初期化期間前半部で放電が発生していないので、初期化期間後半部でも放電は実質的に発生しない。
【００５３】
以上の波形が、放電セルに初期化放電が発生しない非初期化波形である。そして、非初期化波形を走査電極２２に印加して行う上述の動作が非初期化動作である。
【００５４】
なお、本発明における強制初期化波形は、何ら上述した波形に限定されるものではない。強制初期化波形は、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生する波形であればどのような波形であってもかまわない。また、本発明における非初期化波形も、何ら上述した波形に限定されるものではない。本実施の形態に示す非初期化波形は放電セルに初期化放電が発生しない波形の一例を示したものに過ぎず、例えば、０（Ｖ）クランプ波形等、初期化放電が発生しない波形であればどのような波形であってもかまわない。
【００５５】
以上により、所定の走査電極２２（例えば、走査電極ＳＣ（１＋３×Ｎ））に強制初期化波形を印加し、他の走査電極２２に非初期化波形を印加して、特定の放電セルで強制初期化動作を行い、他の放電セルで非初期化動作を行う特定セル初期化サブフィールドの初期化期間における特定セル初期化動作が終了する。
【００５６】
続く書込み期間では、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに対しては走査パルス電圧Ｖａを順次印加し、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対しては発光させるべき放電セルに対応するデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加して、各放電セルに選択的に書込み放電を発生させる。
【００５７】
具体的には、まず維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅを、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに電圧Ｖｃｃを印加する。
【００５８】
そして、配置的に見て上から１番目（１行目）の走査電極ＳＣ１に負の走査パルス電圧Ｖａを印加するとともに、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍのうち１行目に発光させるべき放電セルのデータ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）に正の書込みパルス電圧Ｖｄを印加する。このときデータ電極Ｄｋ上と走査電極ＳＣ１上との交差部の電圧差は、外部印加電圧の差（電圧Ｖｄ−電圧Ｖａ）にデータ電極Ｄｋ上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなり放電開始電圧を超える。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に放電が発生する。また、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅを印加しているため、維持電極ＳＵ１上と走査電極ＳＣ１上との電圧差は、外部印加電圧の差である（電圧Ｖｅ−電圧Ｖａ）に維持電極ＳＵ１上の壁電圧と走査電極ＳＣ１上の壁電圧との差が加算されたものとなる。このとき、電圧Ｖｅを、放電開始電圧をやや下回る程度の電圧値に設定することで、維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間を、放電には至らないが放電が発生しやすい状態にすることができる。これにより、データ電極Ｄｋと走査電極ＳＣ１との間に発生する放電を引き金にして、データ電極Ｄｋと交差する領域にある維持電極ＳＵ１と走査電極ＳＣ１との間に放電を発生させることができる。こうして、発光させるべき放電セルに書込み放電が起こり、走査電極ＳＣ１上に正の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵ１上に負の壁電圧が蓄積され、データ電極Ｄｋ上にも負の壁電圧が蓄積される。
【００５９】
このようにして、１行目に発光させるべき放電セルで書込み放電を起こして各電極上に壁電圧を蓄積する書込み動作が行われる。一方、書込みパルス電圧Ｖｄを印加しなかったデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍと走査電極ＳＣ１との交差部の電圧は放電開始電圧を超えないので、書込み放電は発生しない。以上の書込み動作をｎ行目の放電セルに至るまで順次行い、書込み期間が終了する。
【００６０】
続く維持期間では、輝度重みに所定の輝度倍率を乗じた数の維持パルスを表示電極対２４に交互に印加して、書込み放電を発生した放電セルで維持放電を発生させて発光させる。
【００６１】
具体的には、まず走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに正の維持パルス電圧Ｖｓを印加するとともに維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎにベース電位となる接地電位、すなわち０（Ｖ）を印加する。すると書込み放電を起こした放電セルでは、走査電極ＳＣｉ上と維持電極ＳＵｉ上との電圧差が、維持パルス電圧Ｖｓに走査電極ＳＣｉ上の壁電圧と維持電極ＳＵｉ上の壁電圧との差が加算されたものとなり、放電開始電圧を超える。
【００６２】
そして、走査電極ＳＣｉと維持電極ＳＵｉとの間に維持放電が起こり、このとき発生した紫外線により蛍光体層３５が発光する。そして走査電極ＳＣｉ上に負の壁電圧が蓄積され、維持電極ＳＵｉ上に正の壁電圧が蓄積される。さらにデータ電極Ｄｋ上にも正の壁電圧が蓄積される。なお、書込み期間において書込み放電が起きなかった放電セルでは維持放電は発生しない。
【００６３】
続いて、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎにはベース電位となる０（Ｖ）を、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎには維持パルス電圧Ｖｓをそれぞれ印加する。すると、維持放電を起こした放電セルでは、維持電極ＳＵｉ上と走査電極ＳＣｉ上との電圧差が放電開始電圧を超えるので、再び維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に維持放電が起こり、維持電極ＳＵｉ上に負の壁電圧が蓄積され、走査電極ＳＣｉ上に正の壁電圧が蓄積される。以降同様に、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎと維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎとに、輝度重みに輝度倍率を乗じた数の維持パルスを交互に印加し、表示電極対２４の電極間に電位差を与える。これにより、書込み期間において書込み放電を起こした放電セルで維持放電が継続して発生する。
【００６４】
そして、維持期間における維持パルスの発生後に、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎおよびデータ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍには０（Ｖ）を印加したまま、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに、０（Ｖ）から放電開始電圧を超える電圧Ｖｅｒｓに向かって緩やかに（例えば、約１０Ｖ／μｓｅｃの勾配で）上昇する傾斜電圧（以下、「消去ランプ電圧」と呼称する）Ｌ３を印加する。これにより、維持放電を起こした放電セルの維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間に、微弱な放電が持続して発生する。そして、この微弱な放電で発生した荷電粒子は、維持電極ＳＵｉと走査電極ＳＣｉとの間の電圧差を緩和するように、維持電極ＳＵｉ上および走査電極ＳＣｉ上に壁電荷となって蓄積されていく。これにより、データ電極Ｄｋ上の正の壁電圧を残したまま、走査電極ＳＣｉ上の壁電圧および維持電極ＳＵｉ上の壁電圧は、走査電極ＳＣｉに印加した電圧と放電開始電圧の差、例えば（電圧Ｖｅｒｓ−放電開始電圧）の程度まで弱められる。
【００６５】
その後、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する電圧を０（Ｖ）に戻し、維持期間における維持動作が終了する。
【００６６】
次に、選択初期化サブフィールドである第２ＳＦについて説明する。
【００６７】
第２ＳＦの初期化期間では、選択初期化波形を全ての走査電極２２に印加する。本実施の形態における選択初期化波形は、強制初期化波形の前半部を省略した駆動電圧波形である。具体的には、維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎに電圧Ｖｅを、データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに０（Ｖ）をそれぞれ印加する。そして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎには放電開始電圧以下となる電圧（例えば、０（Ｖ））から負の電圧Ｖｉ４に向かって、下りランプ電圧Ｌ２と同じ勾配で下降する下りランプ電圧Ｌ４を印加する。
【００６８】
これにより直前のサブフィールド（図３では、第１ＳＦ）の維持期間で維持放電を起こした放電セルでは微弱な初期化放電が発生し、走査電極ＳＣｉ上部および維持電極ＳＵｉ上部の壁電圧が弱められ、データ電極Ｄｋ（ｋ＝１〜ｍ）上部の壁電圧も書込み動作に適した値に調整される。
【００６９】
以上の波形が、直前のサブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルだけに初期化放電を発生する選択初期化波形である。そして、選択初期化波形を全ての走査電極２２に印加して行う上述の動作が選択初期化動作である。以上により、選択初期化サブフィールドの初期化期間における選択初期化動作が終了する。
【００７０】
なお、本発明における選択初期化波形は、何ら上述した波形に限定されるものではない。選択初期化波形は、直前のサブフィールドの維持期間に維持放電を発生した放電セルだけに初期化放電を発生する波形であればどのような波形であってもかまわない。例えば、本実施の形態では、下りランプ電圧Ｌ４を全て同じ勾配で発生させる構成を説明したが、下りランプ電圧Ｌ４を複数の期間に分け、各期間で勾配を変えて下りランプ電圧Ｌ４を発生させる構成としてもよい。
【００７１】
第２ＳＦの書込み期間では、第１ＳＦの書込み期間と同様の駆動波形を各電極に印加する。また、第２ＳＦの維持期間では、維持パルスの発生数を除き、第１ＳＦの維持期間と同様の駆動波形を各電極に印加する。
【００７２】
また、第３ＳＦ以降のサブフィールドでは、維持期間における維持パルスの発生数を除き、第２ＳＦと同様の駆動波形を各電極に印加する。
【００７３】
以上が、本実施の形態におけるパネル１０の各電極に印加する駆動電圧波形の概要である。
【００７４】
次に、本実施の形態におけるプラズマディスプレイ装置の構成について説明する。図４は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置１の回路ブロック図である。プラズマディスプレイ装置１は、パネル１０、画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３、維持電極駆動回路４４、タイミング発生回路４５、ＡＰＬ検出回路４９、および各回路ブロックに必要な電源を供給する電源回路（図示せず）を備えている。
【００７５】
画像信号処理回路４１は、パネル１０の画素数に応じて、入力された画像信号ｓｉｇをサブフィールド毎の発光・非発光を示すサブフィールドデータに変換する。
【００７６】
ＡＰＬ検出回路４９は、入力された画像信号の輝度値を１フィールド期間にわたって累積する等の一般に知られた手法を用いることによって画像信号の平均輝度レベル（Ａｖｅｒａｇｅ  Ｐｉｃｔｕｒｅ  Ｌｅｖｅｌ、以下、「ＡＰＬ」と略記する）を検出し、検出した結果をタイミング発生回路４５に送信する。
【００７７】
タイミング発生回路４５は、水平同期信号Ｈ、垂直同期信号Ｖ、およびＡＰＬ検出回路４９から出力される検出結果にもとづき、各回路ブロックの動作を制御する各種のタイミング信号を発生し、それぞれの回路ブロック（画像信号処理回路４１、データ電極駆動回路４２、走査電極駆動回路４３および維持電極駆動回路４４）へ供給する。
【００７８】
データ電極駆動回路４２は、サブフィールド毎のサブフィールドデータを各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍに対応する信号に変換し、タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづいて各データ電極Ｄ１〜データ電極Ｄｍを駆動する。
【００７９】
走査電極駆動回路４３は、初期化期間において走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する初期化波形を発生するための初期化波形発生回路、維持期間において走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する維持パルスを発生するための維持パルス発生回路、複数の走査電極駆動ＩＣ（以下、「走査ＩＣ」と略記する）を備え書込み期間において走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する走査パルスを発生するための走査パルス発生回路を有する。そして、タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづいて各走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを駆動する。
【００８０】
維持電極駆動回路４４は、維持パルス発生回路および電圧Ｖｅを発生するための回路を備え、タイミング発生回路４５から供給されるタイミング信号にもとづいて維持電極ＳＵ１〜維持電極ＳＵｎを駆動する。
【００８１】
次に、走査電極駆動回路４３の詳細とその動作について説明する。
【００８２】
図５は、本発明の実施の形態１におけるプラズマディスプレイ装置１の走査電極駆動回路４３の一構成例を示す回路図である。走査電極駆動回路４３は、維持パルスを発生させる維持パルス発生回路５０、初期化波形を発生させる初期化波形発生回路５１、走査パルスを発生させる走査パルス発生回路５２を備え、走査パルス発生回路５２の各出力端子はパネル１０の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに接続されている。なお、本実施の形態では、走査パルス発生回路５２に入力される電圧を「基準電位Ａ」と記す。また、以下の説明においてスイッチング素子を導通させる動作を「オン」、遮断させる動作を「オフ」と表記し、スイッチング素子をオンさせる信号を「Ｈｉ」、オフさせる信号を「Ｌｏ」と表記する。
【００８３】
また、図５には、負の電圧Ｖａを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５４）を動作させているときに、その回路と、維持パルス発生回路５０および電圧Ｖｒを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５３）、電圧Ｖｅｒｓを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５５）とを電気的に分離するためのスイッチング素子Ｑ４を用いた分離回路を示している。また、電圧Ｖｒを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５３）を動作させているときに、その回路と、電圧Ｖｒよりも低い電圧の電圧Ｖｅｒｓを用いた回路（例えば、ミラー積分回路５５）とを電気的に分離するためのスイッチング素子Ｑ６を用いた分離回路を示している。
【００８４】
維持パルス発生回路５０は、一般に用いられている電力回収回路とクランプ回路とを備え、タイミング発生回路４５から出力されるタイミング信号にもとづき、内部に備えた各スイッチング素子を切換えて維持パルスを発生させる。なお、図５では、タイミング信号の信号経路の詳細は省略する。
【００８５】
走査パルス発生回路５２は、ｎ本の走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎのそれぞれに走査パルスを印加するためのスイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎおよびスイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎを備えている。スイッチング素子ＱＨｊ（ｊ＝１〜ｎ）の一方の端子とスイッチング素子ＱＬｊの一方の端子とは互いに接続されており、その接続箇所が走査パルス発生回路５２の出力端子となって、走査電極ＳＣｊに接続されている。また、スイッチング素子ＱＨｊの他方の端子は入力端子ＩＮｂとなっており、スイッチング素子ＱＬｊの他方の端子は入力端子ＩＮａとなっている。なお、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎは複数の出力毎にまとめられＩＣ化されている。このＩＣが走査ＩＣである。
【００８６】
また、走査パルス発生回路５２は、書込み期間において基準電位Ａを負の電圧Ｖａに接続するためのスイッチング素子Ｑ５と、基準電位Ａに電圧Ｖｓｃを重畳した電圧Ｖｃを発生させるための電源ＶＳＣ、ダイオードＤ３１、コンデンサＣ３１とを備えている。そして、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎの入力端子ＩＮｂには電圧Ｖｃが接続され、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎの入力端子ＩＮａには基準電位Ａが接続されている。
【００８７】
このように構成された走査パルス発生回路５２では、書込み期間においては、スイッチング素子Ｑ５をオンにして基準電位Ａを負の電圧Ｖａに等しくし、入力端子ＩＮａには負の電圧Ｖａを、入力端子ＩＮｂには電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｃとなった電圧Ｖｃ（図３に示す電圧Ｖｃｃ）を印加する。そして、サブフィールドデータにもとづき、走査パルスを印加する走査電極ＳＣｉに対しては、スイッチング素子ＱＨｉをオフ、スイッチング素子ＱＬｉをオンにすることで、スイッチング素子ＱＬｉを経由して走査電極ＳＣｉに負の走査パルス電圧Ｖａを印加し、走査パルスを印加しない走査電極ＳＣｈ（ｈは、１〜ｎのうちｉを除いたもの）に対しては、スイッチング素子ＱＬｈをオフ、スイッチング素子ＱＨｈをオンにすることで、スイッチング素子ＱＨｈを経由して走査電極ＳＣｈに電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｃを印加する。
【００８８】
また、走査パルス発生回路５２は、維持期間においては、維持パルス発生回路５０の電圧波形を出力するようにタイミング発生回路４５によって制御されるものとする。
【００８９】
なお、走査パルス発生回路５２の初期化期間における動作の詳細は後述する。
【００９０】
初期化波形発生回路５１は、ミラー積分回路５３、ミラー積分回路５４、およびミラー積分回路５５を有する。図５には、ミラー積分回路５３の入力端子を入力端子ＩＮ１、ミラー積分回路５４の入力端子を入力端子ＩＮ２、ミラー積分回路５５の入力端子を入力端子ＩＮ３として示している。なお、ミラー積分回路５３およびミラー積分回路５５は上昇する傾斜電圧を発生させる傾斜電圧発生回路であり、ミラー積分回路５４は下降する傾斜電圧を発生させる傾斜電圧発生回路である。
【００９１】
ミラー積分回路５３は、スイッチング素子Ｑ１とコンデンサＣ１と抵抗Ｒ１とを有し、初期化動作時に、走査電極駆動回路４３の基準電位Ａを電圧Ｖｉ２’までランプ状に緩やかに（例えば、０．５Ｖ／μｓｅｃで）上昇させて上りランプ電圧Ｌ１’を発生させる。
【００９２】
ミラー積分回路５５は、スイッチング素子Ｑ３とコンデンサＣ３と抵抗Ｒ３とを有し、維持期間の最後に、基準電位Ａを上りランプ電圧Ｌ１よりも急峻な勾配（例えば、１０Ｖ／μｓｅｃ）で電圧Ｖｅｒｓまで上昇させて消去ランプ電圧Ｌ３を発生させる。
【００９３】
ミラー積分回路５４は、スイッチング素子Ｑ２とコンデンサＣ２と抵抗Ｒ２とを有し、初期化動作時に、基準電位Ａを電圧Ｖｉ４までランプ状に緩やかに（例えば、−０．５Ｖ／μｓｅｃの勾配で）下降させて下りランプ電圧Ｌ２を発生させる。
【００９４】
次に、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間において、強制初期化波形および非初期化波形を発生させる動作を図６を用いて説明する。
【００９５】
図６は、本発明の実施の形態１における特定セル初期化サブフィールドの初期化期間の走査電極駆動回路４３の動作の一例を説明するためのタイミングチャートである。なお、この図面では、強制初期化波形を印加する走査電極２２を「走査電極ＳＣｘ」と表し、非初期化波形を印加する走査電極２２を「走査電極ＳＣｙ」と表す。
【００９６】
なお、選択初期化サブフィールドにおいて選択初期化波形を発生させるときの走査電極駆動回路４３の動作については説明を省略するが、選択初期化波形である下りランプ電圧Ｌ４を発生させる動作は、図６に示す下りランプ電圧Ｌ２を発生させる動作と同様であるものとする。また、非初期化サブフィールドにおける非初期化動作は、初期化期間に非初期化波形を発生して全ての走査電極２２に印加する動作であり、全セル初期化サブフィールドにおける全セル初期化動作は、初期化期間に強制初期化波形を発生して全ての走査電極２２に印加する動作であるので、非初期化サブフィールドの初期化期間および全セル初期化サブフィールドの初期化期間における走査電極駆動回路４３の動作についても説明を省略する。
【００９７】
また、図６では、初期化期間を期間Ｔ１〜期間Ｔ４で示す４つの期間に分割し、それぞれの期間について説明する。また、以下、電圧Ｖｉ１は電圧Ｖｓｃに等しいものとし、電圧Ｖｉ２は電圧Ｖｓｃ＋電圧Ｖｒに等しいものとし、電圧Ｖｉ２’は電圧Ｖｒに等しいものとし、電圧Ｖｉ３は維持パルスを発生させるときに用いる電圧Ｖｓに等しいものとし、電圧Ｖｉ４は負の電圧Ｖａに等しいものとして説明する。また、図面にはスイッチング素子をオンさせる信号を「Ｈｉ」、オフさせる信号を「Ｌｏ」と表記する。
【００９８】
なお、図６には、電圧Ｖｓが電圧Ｖｓｃよりも高い電圧値に設定された例を示しているが、電圧Ｖｓと電圧Ｖｓｃとが互いに等しい電圧値であってもよく、あるいは、電圧Ｖｓの方が電圧Ｖｓｃよりも低い電圧値であってもかまわない。
【００９９】
まず、期間Ｔ１に入る前に維持パルス発生回路５０のクランプ回路を動作させて基準電位Ａを０（Ｖ）にしておき、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎをオフ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎをオンにして、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに基準電位Ａ、すなわち０（Ｖ）を印加する。
【０１００】
（期間Ｔ１）
期間Ｔ１では、走査電極ＳＣｘに接続されたスイッチング素子ＱＨｘをオンにし、スイッチング素子ＱＬｘをオフにする。これにより、強制初期化波形を印加する走査電極ＳＣｘには、基準電位Ａ（このとき、０（Ｖ））に電圧Ｖｓｃを重畳した電圧Ｖｃ（すなわち、電圧Ｖｃ＝電圧Ｖｓｃ）を印加する。
【０１０１】
一方、走査電極ＳＣｙに接続されたスイッチング素子ＱＨｙはオフを、スイッチング素子ＱＬｙはオンをそれぞれ維持したままにする。これにより、非初期化波形を印加する走査電極ＳＣｙには、基準電位Ａ、すなわち０（Ｖ）を印加する。
【０１０２】
（期間Ｔ２）
期間Ｔ２では、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎは、期間Ｔ１と同じ状態を維持する。すなわち、走査電極ＳＣｘに接続されたスイッチング素子ＱＨｘはオンを、スイッチング素子ＱＬｘはオフをそれぞれ維持し、走査電極ＳＣｙに接続されたスイッチング素子ＱＨｙはオフを、スイッチング素子ＱＬｙはオンをそれぞれ維持する。
【０１０３】
次に、上りランプ電圧Ｌ１’を発生するミラー積分回路５３の入力端子ＩＮ１を「Ｈｉ」にする。具体的には入力端子ＩＮ１に、所定の定電流を入力する。これにより、コンデンサＣ１に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ１のソース電圧がランプ状に上昇し、基準電位Ａが０（Ｖ）からランプ状に上昇し始める。この電圧上昇は、入力端子ＩＮ１を「Ｈｉ」にしている期間、もしくは、基準電位Ａが電圧Ｖｒに到達するまで継続させることができる。
【０１０４】
このとき、傾斜電圧の勾配が所望の値（例えば、０．５Ｖ／μｓｅｃ）になるように、入力端子ＩＮ１に入力する定電流を発生させる。こうして、０（Ｖ）から電圧Ｖｉ２’（本実施の形態では、電圧Ｖｒに等しい）に向かって上昇する上りランプ電圧Ｌ１’を発生させる。
【０１０５】
スイッチング素子ＱＨｙはオフ、スイッチング素子ＱＬｙはオンなので、走査電極ＳＣｙには、この上りランプ電圧Ｌ１’がそのまま印加される。
【０１０６】
一方、スイッチング素子ＱＨｘはオン、スイッチング素子ＱＬｘはオフなので、走査電極ＳＣｘには、この上りランプ電圧Ｌ１’に電圧Ｖｓｃが重畳された電圧、すなわち電圧Ｖｉ１（本実施の形態では、電圧Ｖｓｃに等しい）から電圧Ｖｉ２（本実施の形態では、電圧Ｖｓｃ＋電圧Ｖｒに等しい）に向かって上昇する上りランプ電圧Ｌ１が印加される。
【０１０７】
（期間Ｔ３）
期間Ｔ３では入力端子ＩＮ１を「Ｌｏ」にする。具体的には、入力端子ＩＮ１への定電流入力を停止する。こうして、ミラー積分回路５３の動作を停止する。また、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎをオフ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎをオンにして、基準電位Ａを走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。合わせて、維持パルス発生回路５０のクランプ回路を動作させて基準電位Ａを電圧Ｖｓにする。これにより、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎの電圧は電圧Ｖｉ３（本実施の形態では、電圧Ｖｓに等しい）まで低下する。
【０１０８】
（期間Ｔ４）
期間Ｔ４では、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎ、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎは、期間Ｔ３と同じ状態を維持する。
【０１０９】
次に、下りランプ電圧Ｌ２を発生するミラー積分回路５４の入力端子ＩＮ２を「Ｈｉ」にする。具体的には入力端子ＩＮ２に、所定の定電流を入力する。これにより、コンデンサＣ２に向かって一定の電流が流れ、スイッチング素子Ｑ２のドレイン電圧がランプ状に下降し始め、走査電極駆動回路４３の出力電圧も、負の電圧Ｖｉ４に向かってランプ状に下降し始める。この電圧下降は、入力端子ＩＮ２を「Ｈｉ」にしている期間、もしくは、基準電位Ａが電圧Ｖａに到達するまで継続させることができる。
【０１１０】
このとき、傾斜電圧の勾配が所望の値（例えば、−０．５Ｖ／μｓｅｃ）になるように、入力端子ＩＮ２に入力する定電流を発生させる。
【０１１１】
そして、走査電極駆動回路４３の出力電圧が負の電圧Ｖｉ４（本実施の形態では、電圧Ｖａに等しい）に到達したら、入力端子ＩＮ２を「Ｌｏ」にする。具体的には、入力端子ＩＮ２への定電流入力を停止する。こうして、ミラー積分回路５４の動作を停止する。
【０１１２】
こうして、電圧Ｖｉ３（本実施の形態では、電圧Ｖｓに等しい）から負の電圧Ｖｉ４に向かって下降する下りランプ電圧Ｌ２を発生させ、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加する。
【０１１３】
なお、入力端子ＩＮ２を「Ｌｏ」にしてミラー積分回路５４の動作を停止したら、スイッチング素子Ｑ５をオンにして、基準電位Ａを電圧Ｖａにする。合わせて、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎをオン、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎをオフにする。こうして、基準電位Ａに電圧Ｖｓｃを重畳した電圧Ｖｃ、すなわち、電圧Ｖｃｃ（本実施の形態では、電圧Ｖａ＋電圧Ｖｓｃに等しい）を走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎに印加し、続く書込み期間に備える。
【０１１４】
本実施の形態ではこのようにして、特定セル初期化サブフィールドの初期化期間において、強制初期化波形および非初期化波形を発生する。そして、スイッチング素子ＱＨ１〜スイッチング素子ＱＨｎと、スイッチング素子ＱＬ１〜スイッチング素子ＱＬｎとを制御することで、強制初期化波形を走査電極ＳＣｘに印加し、非初期化波形を走査電極ＳＣｙに印加する、というように、強制初期化波形および非初期化波形を選択的に走査電極２２に印加することができる。また、同様にして、非初期化サブフィールドの初期化期間においては非初期化波形だけを発生して全ての走査電極２２に印加し、全セル初期化サブフィールドの初期化期間においては強制初期化波形だけを発生して全ての走査電極２２に印加することができる。
【０１１５】
なお、下りランプ電圧Ｌ２、下りランプ電圧Ｌ４は、図６に示すように電圧Ｖａまで下降させる構成であってもよいが、例えば、下降する電圧が、電圧Ｖａに所定の正の電圧Ｖｓｅｔ２を重畳した電圧に到達した時点で、下降を停止させる構成としてもよい。また、下りランプ電圧Ｌ２および下りランプ電圧Ｌ４は、あらかじめ設定された電圧に到達した後、直ちに上昇させる構成であってもよいが、例えば、下降する電圧が、あらかじめ設定された低電圧に到達したら、その後、その電圧を一定期間維持する構成であってもよい。
【０１１６】
次に、本実施の形態における強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンについて説明する。
【０１１７】
プラズマディスプレイ装置１において、画像表示品質を高める上で重要な要素の１つとして、パネル１０に表示される画像のコントラストを向上することが挙げられる。パネル１０のコントラストを向上するには、表示画像の輝度の最大値を高めるか、あるいは表示画像の輝度の最小値、すなわち黒輝度を低減するかの、少なくとも一方を実現すればよい。このとき、家庭内における一般的なテレビジョン視聴環境を考慮すると、黒輝度を低減してコントラストを向上することが、画像表示品質を高める上でより重要であると考えられる。
【０１１８】
黒輝度は、画像の表示に関係のない発光によって変化する。そのため、画像の表示に関係のない発光を低減することで黒輝度を低減することができる。画像の表示に関係のない発光の主なものに、初期化放電による発光がある。ただし、上述した選択初期化動作は、直前のサブフィールドで維持放電を発生しなかった放電セルでは放電が発生しないので、黒輝度の明るさに実質的に影響を与えない。一方、上述した強制初期化動作は、直前のサブフィールドの動作にかかわらず放電セルに初期化放電を発生させるため、黒輝度の明るさに影響を与える。
【０１１９】
したがって、各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を低減することで、表示画像の黒輝度を低減することができる。
【０１２０】
一方、ＡＰＬの高い画像を表示するときには、ＡＰＬの低い画像を表示するときと比較して、発光する放電セルの割り合い（「点灯率」とも呼称する）が増加し、そのために、書込み放電を発生させる放電セルの割り合いも増加する。そして、書込みパルスの発生数が増えると、データ電極駆動ＩＣが有するインピーダンス等により、書込みパルスに電圧降下が生じることがある。
【０１２１】
また、初期化放電によって放電セル内に形成される壁電荷やプライミング粒子は、時間の経過とともに徐々に減少する。そのため、強制初期化動作を行う時間的な間隔が長くなるほど、壁電荷やプライミング粒子の減少量の平均値は増加する。
【０１２２】
書込み動作は、放電セル内に残存する壁電荷やプライミング粒子に関連しており、書込みパルスの電圧降下が予想される画像、すなわち、ＡＰＬが高く、書込みパルスの発生数が多い画像を表示するときには、初期化動作から書込み動作までの時間的な間隔を短くし、壁電荷やプライミング粒子の減少が比較的少ないうちに書込み放電を発生させる方が望ましい。
【０１２３】
そこで、本実施の形態では、ＡＰＬが低い画像を表示するときには強制初期化波形を走査電極２２に印加する時間的な間隔を延長し、ＡＰＬが高い画像を表示するときには強制初期化波形を走査電極２２に印加する時間的な間隔を短縮するように、強制初期化波形の発生頻度をＡＰＬの大きさに応じて変更するものとする。
【０１２４】
すなわち、本実施の形態では、パネル１０の画像表示面において暗い領域が占める割り合いが比較的多く、黒輝度を下げることで画像表示品質の改善効果が大きい画像（ＡＰＬの低い画像）を表示する際には、強制初期化波形による初期化放電の発生頻度を低減して表示画像の黒輝度を低減し、表示画像のコントラストを高めるものとする。また、書込み放電の発生回数が比較的多く書込み放電が不安定になりやすい画像（ＡＰＬの高い画像）を表示する際には、強制初期化波形による初期化放電の発生頻度を上げて、書込み放電を安定に発生させるものとする。
【０１２５】
なお、本実施の形態では、強制初期化波形を発生する頻度を制御するために、特定セル初期化サブフィールドおよび複数の選択初期化サブフィールドを有する特定セル初期化フィールドと、非初期化サブフィールドおよび複数の選択初期化サブフィールドを有する非初期化フィールドと、全セル初期化サブフィールドおよび複数の選択初期化サブフィールドを有する全セル初期化フィールドとの３種類のフィールドを設け、これら３種類のフィールドのいずれか１種類またはいずれか２種類を用い、時間的に連続する複数のフィールドで１つのフィールド群を構成するものとする。また、配置的に連続する複数の走査電極２２で１つの走査電極群を構成するものとする。
【０１２６】
そして、ＡＰＬが低くなるにつれて強制初期化波形を走査電極２２に印加する頻度が低減されるように、フィールド群を構成するフィールドの組み合わせをＡＰＬに応じて変更するものとする。
【０１２７】
このとき、本実施の形態では、ＡＰＬを複数の数値範囲に分け、それぞれの数値範囲に対して、フィールド群を構成するフィールドの組み合わせをあらかじめ設定しておき、検出されたＡＰＬが１つの数値範囲から、他の数値範囲に変化するときに、フィールド群を構成するフィールドの組み合わせを変更するものとする。
【０１２８】
具体的には、ＡＰＬ検出回路４９において、あらかじめ定めた複数のしきい値とＡＰＬとを比較し、比較結果を示す信号をタイミング発生回路４５に出力する。そして、タイミング発生回路４５は、それぞれの数値範囲に対して、フィールド群を構成するフィールドの組み合わせをあらかじめ記憶しておき、検出されたＡＰＬに応じたフィールドの組み合わせでパネル１０が駆動されるように、ＡＰＬ検出回路４９から出力される比較結果にもとづくタイミング信号を各駆動回路に出力する。こうすることで、強制初期化波形を走査電極２２に印加する頻度をＡＰＬに応じて変更することができる。
【０１２９】
図７は、本発明の実施の形態１におけるＡＰＬの数値範囲と数値範囲毎に設定した強制初期化波形の発生頻度の一例を示す図である。
【０１３０】
本実施の形態では、図７に示すように、例えば、ＡＰＬ５％未満の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を６フィールドに１回とし、ＡＰＬ５％以上９％未満の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を４フィールドに１回とし、ＡＰＬ９％以上１３％未満の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を３フィールドに１回とし、ＡＰＬ１３％以上５０％未満の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を２フィールドに１回とし、ＡＰＬ５０％以上８０％未満の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を４フィールドに３回とし、ＡＰＬ８０％以上の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を１フィールドに１回とする。
【０１３１】
次に、それぞれの数値範囲に対して設定された強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの具体的な構成例について説明する。
【０１３２】
図８は、本発明の実施の形態１における各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を６フィールドに１回とするときの強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの一例を示す概略図である。図８において、横軸はフィールドを、縦軸は走査電極２２を表す。
【０１３３】
図８に示す例では、時間的に連続する６つのフィールドで１つのフィールド群を構成し、配置的に連続する３本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成するものとする。また、図８に示す例では、第１ＳＦを上述した特定セル初期化サブフィールドまたは非初期化サブフィールドとし、残りのサブフィールド（第２ＳＦ〜第８ＳＦ）を、上述した選択初期化サブフィールドとする。すなわち、図８に示す例では、特定セル初期化フィールドと非初期化フィールドとの２種類のフィールドでフィールド群を構成するものとする。
【０１３４】
そして、図８に示す「○」は、第１ＳＦの初期化期間において強制初期化動作を行うこと、すなわち、図６に示した上りランプ電圧Ｌ１と下りランプ電圧Ｌ２とを有する強制初期化波形を走査電極２２に印加することを表し、「×」は、第１ＳＦの初期化期間において上述した非初期化動作を行うこと、すなわち、図６に示した上りランプ電圧Ｌ１’と下りランプ電圧Ｌ２とを有する非初期化波形を走査電極２２に印加することを表す。
【０１３５】
以下、１つの走査電極群を構成する走査電極ＳＣｉ〜走査電極ＳＣｉ＋２、および１つのフィールド群を構成するｊフィールド〜ｊ＋５フィールドを例に挙げて説明を行う。
【０１３６】
まず、ｊフィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉに強制初期化波形を印加し、走査電極ＳＣｉ＋１および走査電極ＳＣｉ＋２には非初期化波形を印加する。
【０１３７】
続くｊ＋１フィールドの第１ＳＦでは、全ての走査電極２２に非初期化波形を印加する。
【０１３８】
続くｊ＋２フィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉ＋１に強制初期化波形を印加し、走査電極ＳＣｉおよび走査電極ＳＣｉ＋２には非初期化波形を印加する。
【０１３９】
続くｊ＋３フィールドの第１ＳＦでは、全ての走査電極２２に非初期化波形を印加する。
【０１４０】
続くｊ＋４フィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉ＋２に強制初期化波形を印加し、走査電極ＳＣｉおよび走査電極ＳＣｉ＋１には非初期化波形を印加する。
【０１４１】
続くｊ＋５フィールドの第１ＳＦでは、全ての走査電極２２に非初期化波形を印加する。
【０１４２】
こうして、１つの走査電極群における１つのフィールド群の動作を終了する。他の走査電極群に対しても、上述と同様の動作を行い、これ以降においても、各フィールド群で上述と同様の動作を繰り返す。なお、図８に示す構成においては、ｊフィールド、ｊ＋２フィールド、ｊ＋４フィールド、・・・、は特定セル初期化フィールドとなり、ｊ＋１フィールド、ｊ＋３フィールド、ｊ＋５フィールド、・・・、は非初期化フィールドとなる。
【０１４３】
このように、図８に示す例では、各放電セルで強制初期化動作を行う回数が、１つのフィールド群（図８に示す例では、６フィールド）でそれぞれ１回となるように強制初期化波形および非初期化波形を選択的に発生してパネル１０を駆動する。これにより、フィールド毎に全ての放電セルで強制初期化動作を行う構成と比較して、各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を低減（図８に示す例では、６分の１に低減）することができ、表示画像の黒輝度を低減することができる。
【０１４４】
なお、本実施の形態では、図８に示すように、複数の特定セル初期化フィールドを用いて構成されたフィールド群では、強制初期化波形を印加する走査電極２２の数がそれぞれの特定セル初期化サブフィールドで互いに等しくなるように強制初期化波形を発生するものとする。これは、「フリッカー」と呼ばれる細かいちらつきが表示画像に発生するのを防止するためである。
【０１４５】
例えば、６フィールドのうちの１つを全セル初期化フィールドとし、残りの５つを非初期化フィールドとしても、強制初期化動作を行う頻度を６フィールドに１回とすることができる。しかし、この構成では、パネル１０の全放電セルが、強制初期化動作による放電によって、６フィールドに１回の割り合いで発光することになる。そのため、例えば、６０フィールド／秒の周期で更新される画像をパネル１０に表示すると、パネル１０の画像表示面において、１０フィールド／秒の周期の輝度の変化が発生することになる。この周期的な輝度の変化は、表示画像における細かいちらつき、すなわちフリッカーとして使用者に認識されるおそれがある。
【０１４６】
しかし、本実施の形態では、図８に示すように、強制初期化波形を印加する走査電極２２の数がそれぞれの特定セル初期化サブフィールドで互いに等しくなるように強制初期化波形を発生しているので、強制初期化動作による初期化放電を各フィールドに分散することができる。したがって、パネル１０の画像表示面における強制初期化動作による発光輝度を全セル初期化動作を行うときと比較して低減（図８に示す例では、３分の１）することができる。さらに、各放電セルにおいて強制初期化動作を行う頻度が６フィールドに１回であっても、パネル１０の画像表示面における強制初期化動作による発光の周期を、それよりも早める（図８に示す例では、２フィールドに１回）ことができる。これにより、フリッカーの発生を防止することができる。
【０１４７】
なお、上述した「等しくなるように」は、厳密に等しいことを意味するのではなく、実質的に「等しい」ことを表しており、多少のばらつきは許容されるものとする。
【０１４８】
なお、ＡＰＬの低い画像は、書込み放電の発生回数が少なく書込みパルスの電圧降下も少ないため、書込み放電は比較的安定に発生する。したがって、図８に示すように初期化動作から書込み動作までの時間的な間隔が長くなっても書込み放電を安定に発生させることができる。
【０１４９】
図９は、本発明の実施の形態１における各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を４フィールドに１回とするときの強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの一例を示す概略図である。
【０１５０】
図９に示す例では、時間的に連続する４つのフィールドで１つのフィールド群を構成し、配置的に連続する２本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成するものとする。そして、図９に示す例では、図８に示した例と同様に、特定セル初期化フィールドと非初期化フィールドとの２種類のフィールドでフィールド群を構成するものとする。
【０１５１】
以下、１つの走査電極群を構成する走査電極ＳＣｉ、走査電極ＳＣｉ＋１、および１つのフィールド群を構成するｊフィールド〜ｊ＋３フィールドを例に挙げて説明を行う。
【０１５２】
まず、ｊフィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉに強制初期化波形を印加し、走査電極ＳＣｉ＋１には非初期化波形を印加する。
【０１５３】
続くｊ＋１フィールドの第１ＳＦでは、全ての走査電極２２に非初期化波形を印加する。
【０１５４】
続くｊ＋２フィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉ＋１に強制初期化波形を印加し、走査電極ＳＣｉには非初期化波形を印加する。
【０１５５】
続くｊ＋３フィールドの第１ＳＦでは、全ての走査電極２２に非初期化波形を印加する。
【０１５６】
こうして、１つの走査電極群における１つのフィールド群の動作を終了する。他の走査電極群に対しても、上述と同様の動作を行い、これ以降においても、各フィールド群で上述と同様の動作を繰り返す。なお、図９に示す構成においては、ｊフィールド、ｊ＋２フィールド、ｊ＋４フィールド、・・・、は特定セル初期化フィールドとなり、ｊ＋１フィールド、ｊ＋３フィールド、ｊ＋５フィールド、・・・、は非初期化フィールドとなる。
【０１５７】
そして、図９に示す例では、フィールド毎に全ての放電セルで強制初期化動作を行う構成と比較して、各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を４分の１に低減することができる。
【０１５８】
図１０は、本発明の実施の形態１における各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を３フィールドに１回とするときの強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの一例を示す概略図である。
【０１５９】
図１０に示す例では、時間的に連続する３つのフィールドで１つのフィールド群を構成し、配置的に連続する３本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成するものとする。そして、図１０に示す例では、図８に示した例とは異なり、特定セル初期化フィールドだけでフィールド群を構成するものとする。
【０１６０】
以下、１つの走査電極群を構成する走査電極ＳＣｉ〜走査電極ＳＣｉ＋２、および１つのフィールド群を構成するｊフィールド〜ｊ＋２フィールドを例に挙げて説明を行う。
【０１６１】
まず、ｊフィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉに強制初期化波形を印加し、走査電極ＳＣｉ＋１、走査電極ＳＣｉ＋２には非初期化波形を印加する。
【０１６２】
続くｊ＋１フィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉ＋１に強制初期化波形を印加し、走査電極ＳＣｉ、走査電極ＳＣｉ＋２には非初期化波形を印加する。
【０１６３】
続くｊ＋２フィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉ＋２に強制初期化波形を印加し、走査電極ＳＣｉ、走査電極ＳＣｉ＋１には非初期化波形を印加する。
【０１６４】
こうして、１つの走査電極群における１つのフィールド群の動作を終了する。他の走査電極群に対しても、上述と同様の動作を行い、これ以降においても、各フィールド群で上述と同様の動作を繰り返す。なお、図１０に示す構成においては、全フィールドが特定セル初期化フィールドとなる。
【０１６５】
そして、図１０に示す例では、フィールド毎に全ての放電セルで強制初期化動作を行う構成と比較して、各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を３分の１に低減することができる。
【０１６６】
図１１は、本発明の実施の形態１における各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を２フィールドに１回とするときの強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの一例を示す概略図である。
【０１６７】
図１１に示す例では、時間的に連続する２つのフィールドで１つのフィールド群を構成し、配置的に連続する２本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成するものとする。そして、図１１に示す例では、図１０に示した例と同様に、特定セル初期化フィールドだけでフィールド群を構成するものとする。
【０１６８】
以下、１つの走査電極群を構成する走査電極ＳＣｉ、走査電極ＳＣｉ＋１、および１つのフィールド群を構成するｊフィールド、ｊ＋１フィールドを例に挙げて説明を行う。
【０１６９】
まず、ｊフィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉに強制初期化波形を印加し、走査電極ＳＣｉ＋１には非初期化波形を印加する。
【０１７０】
続くｊ＋１フィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉ＋１に強制初期化波形を印加し、走査電極ＳＣｉには非初期化波形を印加する。
【０１７１】
こうして、１つの走査電極群における１つのフィールド群の動作を終了する。他の走査電極群に対しても、上述と同様の動作を行い、これ以降においても、各フィールド群で上述と同様の動作を繰り返す。なお、図１１に示す構成においては、全フィールドが特定セル初期化フィールドとなる。
【０１７２】
そして、図１１に示す例では、フィールド毎に全ての放電セルで強制初期化動作を行う構成と比較して、各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を２分の１に低減することができる。
【０１７３】
図１２は、本発明の実施の形態１における各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を４フィールドに３回とするときの強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンの一例を示す概略図である。
【０１７４】
図１２に示す例では、時間的に連続する４つのフィールドで１つのフィールド群を構成し、配置的に連続する２本の走査電極２２で１つの走査電極群を構成するものとする。そして、図１２に示す例では、図８、図１０に示した例とは異なり、特定セル初期化フィールドと全セル初期化フィールドとの２種類のフィールドでフィールド群を構成するものとする。
【０１７５】
以下、１つの走査電極群を構成する走査電極ＳＣｉ、走査電極ＳＣｉ＋１、および１つのフィールド群を構成するｊフィールド〜ｊ＋３フィールドを例に挙げて説明を行う。
【０１７６】
まず、ｊフィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉ＋１に強制初期化波形を印加し、走査電極ＳＣｉには非初期化波形を印加する。
【０１７７】
続くｊ＋１フィールドの第１ＳＦでは、全ての走査電極２２に強制初期化波形を印加する。
【０１７８】
続くｊ＋２フィールドの第１ＳＦでは、走査電極ＳＣｉに強制初期化波形を印加し、走査電極ＳＣｉ＋１には非初期化波形を印加する。
【０１７９】
続くｊ＋３フィールドの第１ＳＦでは、全ての走査電極２２に強制初期化波形を印加する。
【０１８０】
こうして、１つの走査電極群における１つのフィールド群の動作を終了する。他の走査電極群に対しても、上述と同様の動作を行い、これ以降においても、各フィールド群で上述と同様の動作を繰り返す。なお、図１２に示す構成においては、ｊフィールド、ｊ＋２フィールド、ｊ＋４フィールド、・・・、は特定セル初期化フィールドとなり、ｊ＋１フィールド、ｊ＋３フィールド、ｊ＋５フィールド、・・・、は全セル初期化フィールドとなる。
【０１８１】
そして、図１２に示す例では、フィールド毎に全ての放電セルで強制初期化動作を行う構成と比較して、各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を４分の３に低減することができる。
【０１８２】
なお、強制初期化動作を１フィールドに１回とするときには、全フィールドを強制初期化フィールドにすればよいので、説明を省略する。
【０１８３】
なお、ＡＰＬの高い画像は、パネル１０の画像表示面において黒の領域が占める割り合いが比較的少なく、黒輝度の明るさが画像表示品質へ与える影響は比較的小さい。したがって、強制初期化波形の発生頻度を上げても、画像表示品質に実質的に影響を与えることはない。
【０１８４】
以上示したように、本実施の形態では、ＡＰＬが低い画像を表示するときには強制初期化波形を走査電極２２に印加する時間的な間隔が延長され、ＡＰＬが高い画像を表示するときには強制初期化波形を走査電極２２に印加する時間的な間隔が短縮されるように、強制初期化波形の発生頻度をＡＰＬ検出回路４９において検出されるＡＰＬの大きさに応じて変更するものとする。これにより、黒輝度を下げたときの画像表示品質の改善効果が大きい画像（ＡＰＬの低い画像）を表示する際には、強制初期化波形による初期化放電の発生頻度を低減し表示画像の黒輝度を低減して表示画像のコントラストを高め、書込み放電の発生回数が比較的多い画像（ＡＰＬの高い画像）を表示する際には、強制初期化波形による初期化放電の発生頻度を上げて、書込み放電を安定に発生させることが可能となる。
【０１８５】
なお、本発明は、フィールドを構成するサブフィールドが、上述した特定セル初期化サブフィールド、非初期化サブフィールド、全セル初期化サブフィールド、選択初期化サブフィールドの４種類のサブフィールドに限定されるものではなく、フィールド群を構成するフィールドが、上述した特定セル初期化フィールド、非初期化フィールド、全セル初期化フィールドの３種類のフィールドに限定されるものではない。上述した４種類以外のサブフィールドを設けてフィールドを構成してもよく、あるいは、上述した３種類以外のフィールドを設けてフィールド群を構成してもよい。
【０１８６】
なお、本実施の形態に示した特定セル初期化サブフィールドにおける強制初期化波形および非初期化波形の発生パターンは、単なる一実施例を示したものに過ぎず、本発明は、何らこれらの構成に限定されるものではない。強制初期化波形の発生頻度を変更することができる構成であれば、本実施の形態に示した以外の構成であってもかまわない。
【０１８７】
（実施の形態２）
上述したように、各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を変更することで、表示画像の黒輝度は変化する。
【０１８８】
図１３は、各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を変更したときの黒輝度の変化（相対値）を示す図である。
【０１８９】
図１３に示すように、本発明者が行った実験結果によれば、例えば、各放電セルにおいて強制初期化動作を行う頻度を６フィールドに１回にしたときの黒輝度に対して、強制初期化動作を行う頻度を４フィールドに１回にしたときの黒輝度は、１．５０倍の明るさであった。また、各放電セルにおいて強制初期化動作を行う頻度を４フィールドに１回にしたときの黒輝度に対して、強制初期化動作を行う頻度を３フィールドに１回にしたときの黒輝度は、１．５０倍の明るさであった。また、各放電セルにおいて強制初期化動作を行う頻度を３フィールドに１回にしたときの黒輝度に対して、強制初期化動作を行う頻度を２フィールドに１回にしたときの黒輝度は、１．５０倍の明るさであった。また、各放電セルにおいて強制初期化動作を行う頻度を２フィールドに１回にしたときの黒輝度に対して、強制初期化動作を行う頻度を４フィールドに３回にしたときの黒輝度は、１．３３倍の明るさであった。また、各放電セルにおいて強制初期化動作を行う頻度を４フィールドに３回にしたときの黒輝度に対して、強制初期化動作を毎フィールド行うときの黒輝度は、１．５０倍の明るさであった。
【０１９０】
このように、強制初期化動作を行う頻度を変更したときには黒輝度に変化が生じる。そこで、本実施の形態では、強制初期化動作を行う頻度を変更するときに生じる黒輝度の変化を緩和し、黒輝度の変化を認識されにくくする構成について説明する。
【０１９１】
本実施の形態では、表示画像の明るさが変化し、ＡＰＬが１つの数値範囲から、他の数値範囲に変化するときには、まず強制初期化波形の最大電圧を変化させ、次にフィールド群を構成するフィールドの組み合わせを変更して、強制初期化波形を発生する間隔を変更するものとする。
【０１９２】
図１４は、本発明の実施の形態２における強制初期化波形を発生する間隔を変更するときの動作の一例を概略的に示す図である。図１４に示す各図において、横軸は時間を表す。また、図１４の上段に示す図は、強制初期化波形の最大電圧の時間的な変化を表す図であり、縦軸は強制初期化波形の最大電圧Ｖｉ２を表す。また、図１４の中段に示す図は、強制初期化波形の発生頻度の時間的な変化を表す図であり、縦軸は強制初期化波形の発生頻度を表す。また、図１４の下段に示す図は、表示画像における黒輝度の時間的な変化を表す図であり、縦軸は黒輝度を表す。
【０１９３】
なお、図１４には、本実施の形態における一実施例として、時刻ｔ１でＡＰＬが１０％から１５％に変化するときの動作を示す。
【０１９４】
例えば、図７に示した規則にもとづけば、ＡＰＬ１０％のときには各放電セルで強制初期化動作を行う頻度は３フィールドに１回であり、ＡＰＬ１５％のときには各放電セルで強制初期化動作を行う頻度は２フィールドに１回である。したがって、図１３に示した実験結果によれば、強制初期化動作を行う頻度が３フィールドに１回から２フィールドに１回に変化するときに、黒輝度は１．５０倍になる（以下、変化前の黒輝度を「黒輝度Ｐ１」と記し、変化後の黒輝度を「黒輝度Ｐ２」と記す。図１４に示す例では、黒輝度Ｐ２は黒輝度Ｐ１の１．５０倍になる）。
【０１９５】
そこで、本実施の形態では、ＡＰＬが１０％から１５％に変化する時刻ｔ１で強制初期化動作を行う頻度を切換えるのではなく、時刻ｔ１から始まる所定の遷移期間Ｔｍ（例えば、約１秒）を設け、遷移期間Ｔｍをかけて強制初期化波形の最大電圧Ｖｉ２を基準電圧値である電圧ＶｓｅｔＡから所定電圧値である電圧ＶｓｅｔＢまで徐々に上げていき、遷移期間が終了する時刻ｔ２でフィールド群を構成するフィールドの組み合わせを変更して強制初期化動作を行う頻度を切換えると同時に強制初期化波形の最大電圧Ｖｉ２を電圧ＶｓｅｔＢから電圧ＶｓｅｔＡに戻すものとする（以下、この時刻ｔ１から時刻ｔ２までの一連の動作を「遷移動作」とも記す）。
【０１９６】
このとき、電圧ＶｓｅｔＢは、時刻ｔ２で強制初期化動作を行う頻度を切換えると同時に強制初期化波形の最大電圧Ｖｉ２を変更するときに、黒輝度の変化が発生しないように、設定する。
【０１９７】
すなわち、強制初期化波形の最大電圧Ｖｉ２を電圧ＶｓｅｔＡに保持したまま各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を変更（図１４に示す例では、２フィールドに１回の頻度に変更）したときの黒輝度と、各放電セルで強制初期化動作を行う頻度を変更せずに（図１４に示す例では、３フィールドに１回の頻度のまま）強制初期化波形の最大電圧Ｖｉ２を電圧ＶｓｅｔＢに変更したときの黒輝度とが等しくなるように、電圧ＶｓｅｔＢを設定する。
【０１９８】
例えば、図１４に示す例では、黒輝度Ｐ２は黒輝度Ｐ１の１．５０倍なので、強制初期化動作を行う頻度を３フィールドに１回に保持した状態で、最大電圧Ｖｉ２を電圧ＶｓｅｔＡから電圧ＶｓｅｔＢに変更したときに黒輝度が１．５０倍になるように、電圧ＶｓｅｔＢを設定する。
【０１９９】
これにより、黒輝度を、黒輝度Ｐ１から黒輝度Ｐ２まで、遷移期間Ｔｍをかけて徐々に上昇させ、時刻ｔ２で黒輝度に変化を生じさせることなく強制初期化動作を行う頻度を切換えることができるので、時刻ｔ１で強制初期化動作を行う頻度を切換えて黒輝度が輝度Ｐ１から輝度Ｐ２に急峻に変化する場合と比較して、黒輝度の変化を認識されにくくすることが可能となる。
【０２００】
なお、図示はしないが、走査電極駆動回路４３においては、ミラー積分回路５３の入力端子ＩＮ１を「Ｈｉ」にしている期間、電圧上昇を継続させることができるので、入力端子ＩＮ１を「Ｈｉ」にする時間の長さを制御することで、強制初期化波形の最大電圧Ｖｉ２の大きさを制御することができる。
【０２０１】
以上示したように、本実施の形態によれば、上述した構成とすることで、強制初期化動作を行う頻度を変更するときに生じる黒輝度の変化を緩和し、黒輝度の変化を認識されにくくして、画像表示品質をさらに向上することが可能となる。
【０２０２】
なお、遷移期間は黒輝度の変化が認識されにくい長さに設定することが好ましく、本実施の形態では約１秒としているが、本発明は何らこの長さに限定されるものではない。遷移期間の長さは、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に応じて最適に設定すればよい。また、遷移期間の長さは、常に一定であってもよく、あるいは、強制初期化波形の最大電圧Ｖｉ２の変化量に応じて変更する構成であってもよい。例えば、黒輝度を１．３３倍に変化させるときの遷移時間Ｔｍ１を、黒輝度を１．５０倍に変化させるときの遷移時間Ｔｍ２と等しい長さに設定してもよく、遷移時間Ｔｍ１が遷移時間Ｔｍ２よりも短くなるように設定してもよい。
【０２０３】
なお、ＡＰＬが急峻に大きく変化するときには黒輝度の変化は認識されにくいので、ＡＰＬが緩やかに変化するとき、すなわちＡＰＬが１つの数値範囲から、その数値範囲に隣接する他の数値範囲に変化するときにのみ上述した遷移動作を行い、ＡＰＬが、１つの数値範囲から、その数値範囲に隣接する数値範囲を超えて他の数値範囲に急峻に変化するとき（例えば、ＡＰＬが１０％から７０％に急峻に変化するような場合）には、上述した遷移動作を行わずに強制初期化動作を行う頻度を切換えるように構成してもよい。
【０２０４】
なお、遷移期間の途中でＡＰＬがさらに他の数値範囲に変化するときには、その変化量に応じて、遷移動作の継続と打ち切りとのいずれかを最適に選択する構成としてもよい。
【０２０５】
なお、本実施の形態では、黒輝度が上昇する方向で変化する構成を説明したが、黒輝度が低下する方向で変化するときには、遷移動作において最大電圧Ｖｉ２を徐々に低下させるような構成とすればよい。
【０２０６】
なお、時刻ｔ２において「強制初期化動作を行う頻度を切換えると同時に強制初期化波形の最大電圧Ｖｉ２を変更する」と説明したが、この「同時」は、厳密に「同時」であることを意味するのではなく、実質的に「同時」であることを表しており、表示画像に影響を与えない範囲でのばらつきは許容されるものとする。
【０２０７】
なお、電圧ＶｓｅｔＢは、「時刻ｔ２で強制初期化動作を行う頻度を切換えると同時に強制初期化波形の最大電圧Ｖｉ２を変更するときに、黒輝度の変化が発生しないように設定する」と説明したが、これは、厳密に「変化が発生しない」ことを意味するのではなく、表示画像に影響を与えない範囲でのばらつきは許容されるものとする。
【０２０８】
（実施の形態３）
一般的に、プラズマディスプレイ装置１においては、パネル１０の使用期間の長さに応じて放電セルの放電特性に変化が生じ、例えば、使用期間が長いパネル１０では、使用期間が短いパネル１０と比較して、放電セルの放電開始電圧は高くなる。
【０２０９】
したがって、表示画像の黒輝度を低減して表示画像のコントラストを高めつつ、パネル１０の使用期間が長くなってからも安定に書込み放電を発生させるためには、プラズマディスプレイ装置１の使用期間の長さに応じて、強制初期化波形の発生頻度を変更することが望ましい。そこで、本実施の形態では、プラズマディスプレイ装置１の使用期間の長さに応じて、強制初期化波形の発生頻度を変更する構成を示す。
【０２１０】
なお、プラズマディスプレイ装置１の使用期間の長さは、例えば、プラズマディスプレイ装置１が動作しているときだけ動作するタイマーと、そのタイマーで計測した時間を累積加算して記憶するメモリーとを備えた動作時間累積回路を設ける（図示せず）ことで、計測することができる。
【０２１１】
図１５は、本発明の実施の形態３におけるプラズマディスプレイ装置１の動作時間の累積値と強制初期化波形の発生頻度との一例を示す図である。
【０２１２】
本実施の形態では、図１５に示すように、例えば、動作時間累積回路において計測された動作時間の累積値があらかじめ設定した「第１時間」に達するまでは、ＡＰＬ５％未満の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を６フィールドに１回とし、ＡＰＬ５％以上９％未満の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を４フィールドに１回とし、ＡＰＬ９％以上１３％未満の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を３フィールドに１回とし、ＡＰＬ１３％以上５０％未満の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を２フィールドに１回とし、ＡＰＬ５０％以上８０％未満の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を４フィールドに３回とし、ＡＰＬ８０％以上の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を１フィールドに１回とする。
【０２１３】
また、動作時間累積回路において計測された動作時間の累積値が、「第１時間」以降、あらかじめ設定した「第２時間」に達するまでは、ＡＰＬ５％未満の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を４フィールドに１回とし、ＡＰＬ５％以上９％未満の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を３フィールドに１回とし、ＡＰＬ９％以上１３％未満の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を２フィールドに１回とし、ＡＰＬ１３％以上５０％未満の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を４フィールドに３回とし、ＡＰＬ５０％以上の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を１フィールドに１回とする。
【０２１４】
また、動作時間累積回路において計測された動作時間の累積値が、「第２時間」以降、あらかじめ設定した「第３時間」に達するまでは、ＡＰＬ５％未満の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を３フィールドに１回とし、ＡＰＬ５％以上９％未満の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を２フィールドに１回とし、ＡＰＬ９％以上１３％未満の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を４フィールドに３回とし、ＡＰＬ１３％以上の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を１フィールドに１回とする。
【０２１５】
また、動作時間累積回路において計測された動作時間の累積値が、「第３時間」以降、あらかじめ設定した「第４時間」に達するまでは、ＡＰＬ５％未満の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を２フィールドに１回とし、ＡＰＬ５％以上９％未満の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を４フィールドに３回とし、ＡＰＬ９％以上の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を１フィールドに１回とする。
【０２１６】
また、動作時間累積回路において計測された動作時間の累積値が、「第４時間」以降、あらかじめ設定した「第５時間」に達するまでは、ＡＰＬ５％未満の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を４フィールドに３回とし、ＡＰＬ５％以上の画像を表示するときには強制初期化波形の発生頻度を１フィールドに１回とする。
【０２１７】
また、動作時間累積回路において計測された動作時間の累積値が、「第５時間」に達してから以降は、常に強制初期化波形の発生頻度を１フィールドに１回とする。
【０２１８】
以上示したように、本実施の形態によれば、プラズマディスプレイ装置１の使用期間の長さに応じて、強制初期化波形の発生頻度を変更する構成とすることで、表示画像の黒輝度を低減して表示画像のコントラストを高めつつ、パネル１０の使用期間が長くなってからも安定に書込み放電を発生させることが可能となる。
【０２１９】
なお、本発明の実施の形態においては、ＡＰＬ検出回路４９において、ＡＰＬが増加しているときに用いるしきい値を、ＡＰＬが減少しているときに用いるしきい値よりも大きい値に設定して、ＡＰＬの検出にヒステリシス特性を設ける構成としてもよい。
【０２２０】
なお、図６に示したタイミングチャートは本発明の実施の形態における一例を示したものに過ぎず、本発明は何らこれらのタイミングチャートに限定されるものではない。
【０２２１】
また、本発明における実施の形態は、走査電極ＳＣ１〜走査電極ＳＣｎを第１の走査電極グループと第２の走査電極グループとに分割し、書込み期間を、第１の走査電極グループに属する走査電極のそれぞれに走査パルスを印加する第１の書込み期間と、第２の走査電極グループに属する走査電極のそれぞれに走査パルスを印加する第２の書込み期間とで構成する、いわゆる２相駆動によるパネルの駆動方法にも適用させることができる。
【０２２２】
なお、本発明における実施の形態は、走査電極と走査電極とが隣り合い、維持電極と維持電極とが隣り合う電極構造、すなわち前面板に設けられる電極の配列が、「・・・走査電極、走査電極、維持電極、維持電極、走査電極、走査電極、・・・」となる電極構造のパネルにおいても有効である。
【０２２３】
なお、本実施の形態において示した具体的な各数値、例えば、上りランプ電圧Ｌ１、下りランプ電圧Ｌ２、消去ランプ電圧Ｌ３の各傾斜電圧の勾配等は表示電極対数１０８０の５０インチのパネルの特性にもとづき設定したものであって、単に実施の形態の一例を示したものに過ぎない。本発明はこれらの数値に何ら限定されるものではなく、パネルの特性やプラズマディスプレイ装置の仕様等に合わせて最適に設定することが望ましい。また、これらの各数値は、上述した効果を得られる範囲でのばらつきを許容するものとする。
【産業上の利用可能性】
【０２２４】
本発明は、平均輝度レベルの低い画像を表示する際には表示画像の黒輝度を低減してコントラストを高め、平均輝度レベルの高い画像を表示する際には書込み放電を安定に発生させて画像表示品質を高めることができるので、パネルの駆動方法およびプラズマディスプレイ装置として有用である。
【符号の説明】
【０２２５】
１    プラズマディスプレイ装置
１０    パネル
２１    （ガラス製の）前面板
２２    走査電極
２３    維持電極
２４    表示電極対
２５，３３    誘電体層
２６    保護層
３１    背面板
３２    データ電極
３４    隔壁
３５    蛍光体層
４１    画像信号処理回路
４２    データ電極駆動回路
４３    走査電極駆動回路
４４    維持電極駆動回路
４５    タイミング発生回路
４９    ＡＰＬ検出回路
５０    維持パルス発生回路
５１    初期化波形発生回路
５２    走査パルス発生回路
５３，５４，５５    ミラー積分回路
Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３，Ｑ４，Ｑ５，Ｑ６，ＱＨ１〜ＱＨｎ，ＱＬ１〜ＱＬｎ    スイッチング素子
Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３，Ｃ３１    コンデンサ
Ｄ３１    ダイオード
Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３    抵抗
Ｌ１    上りランプ電圧
Ｌ２，Ｌ４    下りランプ電圧
Ｌ３    消去ランプ電圧
【図１】
2010249913.tif 000003
【図２】
2010249913.tif 000004
【図３】
2010249913.tif 000005
【図４】
2010249913.tif 000006
【図５】
2010249913.tif 000007
【図６】
2010249913.tif 000008
【図７】
2010249913.tif 000009
【図８】
2010249913.tif 000010
【図９】
2010249913.tif 000011
【図１０】
2010249913.tif 000012
【図１１】
2010249913.tif 000013
【図１２】
2010249913.tif 000014
【図１３】
2010249913.tif 000015
【図１４】
2010249913.tif 000016
【図１５】
2010249913.tif 000017