(57)【要約】【課題】耐熱性に優れ、且つ高温下においても剥離や亀裂を生じない硬化物を与える低粘度のシリコーン樹脂組成物を提供する。【解決手段】（Ａ）二官能性シロキサン単位（Ｄ単位）及び三官能性シロキサン単位（Ｔ単位）を有し、且つ重量平均分子量が３７，０００以上１４０，０００以下のシリコーン樹脂であって、Ｄ単位とＴ単位とのモル比（Ｔ／Ｄ）が０．３以上０．８以下のシリコーン樹脂と、（Ｂ）二官能性シロキサン単位（Ｄ単位）及び三官能性シロキサン単位（Ｔ単位）を有し、且つ重量平均分子量が１，０００以上６０，０００以下のシリコーン樹脂であって、Ｄ単位とＴ単位とのモル比（Ｔ／Ｄ）が０．１５以下のシリコーン樹脂とを含み、前記（Ａ）シリコーン樹脂と前記（Ｂ）シリコーン樹脂とのモル比（Ｂ／Ａ）が１．５以上６．５以下であることを特徴とするシリコーン樹脂組成物とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）二官能性シロキサン単位（Ｄ単位）及び三官能性シロキサン単位（Ｔ単位）を有し、且つ重量平均分子量が３７，０００以上１４０，０００以下のシリコーン樹脂であって、Ｄ単位とＴ単位とのモル比（Ｔ／Ｄ）が０．３以上０．８以下のシリコーン樹脂と、
（Ｂ）二官能性シロキサン単位（Ｄ単位）及び三官能性シロキサン単位（Ｔ単位）を有し、且つ重量平均分子量が１，０００以上６０，０００以下のシリコーン樹脂であって、Ｄ単位とＴ単位とのモル比（Ｔ／Ｄ）が０．１５以下のシリコーン樹脂と
を含み、前記（Ａ）シリコーン樹脂と前記（Ｂ）シリコーン樹脂とのモル比（Ｂ／Ａ）が１．５以上６．５以下であることを特徴とするシリコーン樹脂組成物。
【請求項２】
請求項１に記載のシリコーン樹脂組成物の硬化物で半導体素子を封止したことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記硬化物が、前記（Ａ）シリコーン樹脂と前記（Ｂ）シリコーン樹脂との共重合体であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記硬化物は、接着強度が０．１９ＭＰａ以上であり、且つ−５０℃以上２００℃以下におけるｔａｎδの面積が２１以上であることを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコーン樹脂組成物及び半導体装置に関するものであり、特に、高温下においても剥離や亀裂を生じることなく半導体素子を封止し得る硬化物を与えるシリコーン樹脂組成物、及びそれを用いた半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
産業機器、電鉄及び自動車等の進展に伴い、それらに使用される半導体素子の使用温度も高くなっている。特に、近年、１７５℃以上の高温下においても動作する半導体素子の開発が精力的に行われている。また、これに加えて半導体素子の小型化、高耐圧化及び高電流密度化も進められている。例えば、ＳｉＣやＧａＮ等の化合物半導体はＳｉ半導体よりもバンドギャップが大きいため、この化合物半導体を用いることによって半導体素子の高耐圧化、小型化、高電流密度化及び高温動作が期待されている。
上記のような特徴を持つ半導体素子を半導体装置に実装するためには、１７５℃以上の高温下においても長時間熱分解しない絶縁材料で半導体素子を封止し、回路の絶縁性を確保する必要がある。そこで、耐熱性に優れたシリコーン樹脂組成物の硬化物で半導体素子を封止する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−７３９５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１のシリコーン樹脂組成物の硬化物で半導体素子を封止する方法では、半導体素子が高温になって半導体素子の周囲が局所的に加熱されると、硬化物に生じる熱応力が局所的に大きくなり、硬化物の剥離や亀裂が生じ、半導体装置の絶縁性が著しく低下するという問題があった。
一方、半導体素子に対する硬化物の接着性を高めるためには、一般的に、硬化物の架橋（すなわち、枝分かれ構造）を多くすればよいとも考えられるが、このような硬化物は、硬くて脆いため、熱応力が発生すると硬化物の剥離や亀裂が生じ、上記と同じように半導体装置の絶縁性が損なわれてしまう。
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、耐熱性に優れ、且つ高温下においても剥離や亀裂を生じない硬化物を与えるシリコーン樹脂組成物を提供することを目的とする。また、本発明は、高温下においても良好な絶縁性を保持し、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者は、上記のような問題を解決すべく鋭意研究した結果、枝分かれ構造の多い所定のシリコーン樹脂（Ａ）と、枝分かれ構造が少ない所定のシリコーン樹脂（Ｂ）とを所定の割合で配合することで、硬化物の耐熱性を向上させると共に、硬化物の接着性と硬化物の粘性とのバランスを制御して高温下における硬化物の剥離や亀裂を効果的に防止し得ることを見出した。
【０００６】
すなわち、本発明は、（Ａ）二官能性シロキサン単位（Ｄ単位）及び三官能性シロキサン単位（Ｔ単位）を有し、且つ重量平均分子量が３７，０００以上１４０，０００以下のシリコーン樹脂であって、Ｄ単位とＴ単位とのモル比（Ｔ／Ｄ）が０．３以上０．８以下のシリコーン樹脂と、（Ｂ）二官能性シロキサン単位（Ｄ単位）及び三官能性シロキサン単位（Ｔ単位）を有し、且つ重量平均分子量が１，０００以上６０，０００以下のシリコーン樹脂であって、Ｄ単位とＴ単位とのモル比（Ｔ／Ｄ）が０．１５以下のシリコーン樹脂とを含み、前記（Ａ）シリコーン樹脂と前記（Ｂ）シリコーン樹脂とのモル比（Ｂ／Ａ）が１．５以上６．５以下であることを特徴とするシリコーン樹脂組成物である。
また、本発明は、上記のシリコーン樹脂組成物の硬化物で半導体素子を封止したことを特徴とする半導体装置である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、耐熱性に優れ、且つ高温下においても剥離や亀裂を生じない硬化物を与えるシリコーン樹脂組成物を提供することができる。また、本発明によれば、高温下においても良好な絶縁性を保持し、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】シリコーン樹脂（Ａ）、シリコーン樹脂（Ｂ）、並びにシリコーン樹脂（Ａ）及びシリコーン樹脂（Ｂ）を含むシリコーン樹脂組成物の硬化物の拡大模式図である。
【図２】本発明の半導体装置の断面模式図である。
【図３】−５０℃以上２００℃以下におけるｔａｎδの面積を表すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態１．
高温下におけるシリコーン樹脂組成物の硬化物の剥離や亀裂を防止するためには、一般的に硬化物の接着性を高める必要がある。しかし、この硬化物の接着性を高めるために硬化物の架橋密度を高くし過ぎると、硬化物の可とう性が低下してしまい、高温下において硬化物の剥離や亀裂が生じてしまう。そこで、本発明では、シリコーン樹脂組成物に含有されるシリコーン樹脂の分子構造や分子量、及びシリコーン樹脂の配合割合を制御することにより、硬化物の架橋密度を制御して硬化物の接着性を適切な範囲に保持しつつ、硬化物の粘性を高め、高温下において硬化物に発生する歪を低減し、高温下における硬化物の剥離や亀裂を防止する。すなわち、本発明のシリコーン樹脂組成物は、硬化物の接着性と硬化物の粘性とをバランスよく高めることによって高温下における剥離や亀裂を防止する硬化物を与えるものである。
【００１０】
本発明のシリコーン樹脂組成物は、所定のシリコーン樹脂（Ａ）と、所定のシリコーン樹脂（Ｂ）とを含む。
シリコーン樹脂（Ａ）は、図１に示すような枝分かれ構造が多い耐熱性に優れた樹脂である。このシリコーン樹脂（Ａ）は、二官能性シロキサン単位（Ｄ単位：Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ２／２）及び三官能性シロキサン単位（Ｔ単位：Ｒ３ＳｉＯ３／２）を有する。ここで、Ｒ１〜Ｒ３は、同一又は異種の基であり、ケイ素に結合可能な基であれば特に限定されない。ケイ素に結合可能な基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基及びシクロヘキシル基等のアルキル基；ビニル基及びアリル基等のアルケニル基；フェニル基；メトキシ基、エトキシ基及びプロポキシ基等のアセトキシ基；水素；水酸基等が挙げられる。
【００１１】
シリコーン樹脂（Ａ）におけるＤ単位とＴ単位とのモル比（Ｔ／Ｄ）は、０．３以上０．８以下である。このモル比（Ｔ／Ｄ）が０．３未満であると、シリコーン樹脂組成物の硬化物において所望の接着性が得られない。一方、このモル比（Ｔ／Ｄ）が０．８を超えると、シリコーン樹脂組成物の硬化物において所望の粘性が得られない。その結果、上記範囲外のモル比を有するシリコーン樹脂を含むシリコーン樹脂組成物を用いて作製される半導体装置では、高温下において硬化物の剥離や亀裂が生じるため、絶縁性が低下する。なお、シリコーン樹脂（Ａ）におけるＤ単位及びＴ単位の量は、２９Ｓｉ ＮＭＲスペクトルのピーク面積により算出することができる。
【００１２】
シリコーン樹脂（Ａ）の重量平均分子量は、３７，０００以上１４０，０００以下である。ここで、重量平均分子量は、ＧＰＣ法によるポリスチレン換算により算出した値である（以下、重量平均分子量は同様の方法により算出した値である）。この重量平均分子量が３７，０００未満であると、シリコーン樹脂組成物の硬化物において所望の粘性が得られない。同様に、重量平均分子量が１４０，０００を超えても、シリコーン樹脂組成物の硬化物において所望の粘性が得られない。その結果、上記範囲外の重量平均分子量を有するシリコーン樹脂を含むシリコーン樹脂組成物を用いて作製される半導体装置では、高温下において硬化物の剥離や亀裂が生じるため、絶縁性が低下する。
【００１３】
シリコーン樹脂（Ｂ）は、図１に示すような枝分かれ構造が少ない（すなわち、直線性が高い）流動性に優れた樹脂である。
このシリコーン樹脂（Ｂ）もまた、シリコーン樹脂（Ａ）と同様に、二官能性シロキサン単位（Ｄ単位：Ｒ１Ｒ２ＳｉＯ２／２）及び三官能性シロキサン単位（Ｔ単位：Ｒ３ＳｉＯ３／２）を有する。ここで、Ｒ１〜Ｒ３は上記と同じである。
シリコーン樹脂（Ｂ）におけるＤ単位とＴ単位とのモル比（Ｔ／Ｄ）は、０．１５以下である。このモル比が０．１５を超えると、シリコーン樹脂組成物の硬化物において所望の粘性が得られない。その結果、上記範囲外のモル比を有するシリコーン樹脂を含むシリコーン樹脂組成物を用いて作製される半導体装置では、高温下において硬化物の剥離や亀裂が生じるため、絶縁性が低下する。なお、シリコーン樹脂（Ｂ）におけるＤ単位及びＴ単位の量は、２９Ｓｉ ＮＭＲスペクトルのピーク面積により算出することができる。
【００１４】
シリコーン樹脂（Ｂ）の重量平均分子量は、１，０００以上６０，０００以下である。この重量平均分子量が１，０００未満であると、シリコーン樹脂組成物の硬化物において所望の粘性が得られない。同様に、この重量平均分子量が６０，０００を超えても、シリコーン樹脂組成物の硬化物において所望の粘性が得られない。その結果、上記範囲外の重量平均分子量を有するシリコーン樹脂を含むシリコーン樹脂組成物を用いて作製される半導体装置では、高温下において硬化物の剥離や亀裂が生じるため、絶縁性が低下する。
【００１５】
シリコーン樹脂（Ａ）及びシリコーン樹脂（Ｂ）の調製方法は、特に限定されず、公知の方法を用いることができる。例えば、Ｃｌ等のハロゲン、ＯＣＨ３やＯＣ２Ｈ５等のアルコキシ基、又は水酸基等がＳｉ原子に結合したモノマー化合物及びオリゴマーを縮重合することによってシリコーン樹脂（Ａ）及びシリコーン樹脂（Ｂ）を調製できる。特に、シリコーン樹脂中のＤ単位及びＴ単位の割合は、使用する原料の量によって調整することができる。また、シリコーン樹脂の分子量は、攪拌時間等の反応条件によって調整することができる。
また、シリコーン樹脂（Ａ）及びシリコーン樹脂（Ｂ）として、市販のシリコーン樹脂を用いることもできる。例えば、信越化学株式会社のＫＥ１８３３をシリコーン樹脂（Ａ）として用いることができ、信越化学株式会社のＫＥ１２０４や東レ・ダウコーニング株式会社のＳＥ１８８５４をシリコーン樹脂（Ｂ）として用いることができる。
【００１６】
シリコーン樹脂組成物におけるシリコーン樹脂（Ａ）とシリコーン樹脂（Ｂ）とのモル比（Ｂ／Ａ）は、１．５以上６．５以下である。このモル比が１．５未満であると、シリコーン樹脂組成物の硬化物において所望の粘性が得られない。一方、このモル比が６．５を超えると、シリコーン樹脂組成物の硬化物において所望の接着性が得られない。その結果、上記範囲外のモル比のシリコーン樹脂（Ａ）及びシリコーン樹脂（Ｂ）を含むシリコーン樹脂組成物を用いて作製される半導体装置では、高温下において硬化物の剥離や亀裂が生じるため、絶縁性が低下する。
【００１７】
シリコーン樹脂組成物は、シリコーン樹脂（Ａ）及びシリコーン樹脂（Ｂ）を混合することにより調製することができる。混合方法は、特に限定されることはなく、公知の方法に従って行うことができる。このようにして得られるシリコーン樹脂組成物は、硬化物の接着性と硬化物の粘性とがバランスよく高まるように設計してあるので、高温下において剥離や亀裂が生じない硬化物を与えることができる。また、このシリコーン樹脂組成物は、流動性に優れたシリコーン樹脂（Ｂ）をバランスよく配合しているので、半導体素子の封止に適した粘度を有している。すなわち、このシリコーン樹脂組成物は、半導体素子を封止する際に、気泡の混入が少ないと共に充填性にも優れている。
【００１８】
シリコーン樹脂組成物には、本発明の効果を阻害しない範囲において、様々な特性を付与するために各種添加剤を配合することができる。添加剤としては、特に限定されることはなく、例えば、可とう化剤、熱安定剤、紫外線吸収剤、難燃剤、帯電防止剤、消泡剤、チキソトロピー性付与剤、離型剤、酸化防止剤、連鎖移動剤、充填剤、可塑剤、低応力化剤、カップリング剤、染料等が挙げられる。これらの添加剤のシリコーン樹脂組成物における含有量は、本発明の効果を阻害しない範囲であれば特に限定されない。
【００１９】
シリコーン樹脂組成物は、シリコーン樹脂（Ａ）とシリコーン樹脂（Ｂ）とを共重合させ得る公知の方法より硬化させることができる。公知の方法としては、例えば、脱アルコール、脱オキシム、脱アセトン及び脱酢酸等による縮重合や、Ｓｉ−ＨとＳｉ−ＣＨ＝ＣＨ２との間の反応による付加重合等が挙げられる。このようにして得られるシリコーン樹脂組成物の硬化物は、図１に示すように耐熱性に優れたシリコーン樹脂（Ａ）の構造をバランス良く含有する共重合体であるので、優れた耐熱性を有する。また、この硬化物は、上述したように、硬化物の接着性と粘性とがバランスよく高められているので、高温下における剥離や亀裂を防止することができる。
【００２０】
シリコーン樹脂組成物の硬化物は、好ましくは０．１９ＭＰａ以上、より好ましくは０．１９ＭＰａ以上３．６ＭＰａ以下の接着強度を有する。接着強度が０．２０ＭＰａ未満であると、硬化物の接着性が十分でなく、高温下における硬化物の剥離や亀裂が生じてしまうことがある。
また、シリコーン樹脂組成物の硬化物は、下記式で表される−５０℃以上２００℃以下におけるｔａｎδ（損失正接）の面積Ｓが、好ましくは２１以上、より好ましくは２１以上９２以下である。ｔａｎδ（損失正接）の面積Ｓが２１未満であると、硬化物の粘性が十分でなく、高温下における硬化物の剥離や亀裂が生じてしまうことがある。
【００２１】
【数１】
2010189507.tif 000002
【００２２】
上記式中、ｔａｎδは、Ｅ’（貯蔵弾性率）とＥ”（損失弾性率）との比であり、Ｅ”／Ｅ’を表す。ここで、損失弾性率は、一般的に、硬化物に加えられる歪エネルギーを熱エネルギーに変える効果を示すため、硬化物のｔａｎδが大きいほど、歪が発生したときに硬化物内部の応力を低減することができ、硬化物の剥離や亀裂を抑制して半導体装置の絶縁性を保持することが可能となる。特に、半導体装置では、半導体素子の周辺のみが加熱されるため、その部分での歪が大きくなるが、このｔａｎδが適切な範囲となるように硬化物の粘性を調整することで、硬化物の歪による剥離や亀裂を効果的に抑制することができる。なお、本発明では、ｔａｎδを定量的に取り扱うために、図３に示すような−５０℃以上２００℃以下におけるｔａｎδの面積Ｓを算出した。この温度範囲は、半導体装置の信頼性試験（例えば、ヒートサイクル試験又はパワーサイクル試験）における一般的な温度範囲である。
【００２３】
実施の形態２．
本発明の半導体装置は、上記のシリコーン樹脂組成物の硬化物で半導体素子が封止されている。
以下に、図面を参照して本発明の半導体装置の一例について説明する。
図２は、半導体装置の断面模式図である。半導体装置１は、ベース板２と、ベース板２の上面に配置された電極３と、電極３の上面に配置されたセラミック板４と、セラミック板４の上面に配置された電極５と、電極５の上面に配置された半導体素子６と、配線部材７によって半導体素子６と接続された外部電極８と、ベース板１の上面に設けられたケース９と、半導体素子６等の半導体装置１の内部を封止するシリコーン樹脂組成物の硬化物１０とを備えている。なお、図２では、図面の簡略化のために半導体素子６を２個としているが、半導体素子６の数は、特に限定されることはなく、用途にあわせて適宜設定すればよい。また、シリコーン樹脂組成物の硬化物１０以外の半導体装置１に用いられる材料は、特に限定されることはなく、当該技術分野において公知のものを使用することができる。例えば、半導体素子６としては、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、固体撮像素子等を使用することができる。また、配線部材７としては、銅、アルミニウム、金等を使用することができる。
【００２４】
このような構成を有する本発明の半導体装置１は、耐熱性に優れ、且つ高温下においても剥離や亀裂を生じない硬化物によって半導体素子６等の半導体装置１の内部を封止しているので、高温下においても良好な絶縁性を保持することができ、信頼性が増大する。
【実施例】
【００２５】
以下、実施例により本発明の詳細を説明するが、これらによって本発明が限定されるものではない。
＜実施例１＞
（シリコーン樹脂の合成）
様々なＤ単位とＴ単位のモル比（Ｔ／Ｄ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）を有するシリコーン樹脂を公知の方法に従って合成した。
以下、幾つかのシリコーン樹脂について合成方法を例示する。
還流管、滴下漏斗及び温度計を備えた５００ｍｌの三口フラスコに、３００ｍｌのＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、０．１ｍｏｌの水、及び０．０１ｍｏｌの塩酸を入れて−５℃に冷却した。次に、この冷却溶液に、０．０８ｍｏｌのフェニルトリメトキシシラン（ＬＳ−２７５０、信越化学株式会社）及び０．２ｍｏｌのジメトキシジメチルシラン（ＬＳ−５２０、信越化学株式会社製）を、窒素雰囲気下にて攪拌しながら１５分かけて滴下した。滴下が完了した後、室温で３時間攪拌した。次に、１００℃で６時間攪拌した後、１６０℃でさらに６時間攪拌した。このようにして得られた反応物からＤＭＦを減圧除去することによって、無色透明の粘稠な固体を得た。この固体を２９Ｓｉ ＮＭＲで分析した結果、Ｔ／Ｄが０．４のシリコーン樹脂であることがわかった。また、ＧＰＣ(Gel Permeation Chromatography)により測定した結果、Ｍｗが１００，０２１であることがわかった。
【００２６】
０．１６ｍｏｌのフェニルメトキシシランを用いたこと以外は、上記と同様の方法で合成を行った結果、無色透明の粘稠な固体を得た。この固体を２９Ｓｉ ＮＭＲで分析した結果、Ｔ／Ｄが０．８のシリコーン樹脂であることがわかった。また、ＧＰＣにより測定した結果、Ｍｗが１００，０４３であることがわかった。
また、１６０℃での攪拌を３時間に変えたこと以外は、上記と同様の方法で合成を行った結果、無色透明の粘稠な固体を得た。この固体を２９Ｓｉ ＮＭＲで分析した結果、Ｔ／Ｄが０．４のシリコーン樹脂であることがわかった。また、ＧＰＣにより測定した結果、Ｍｗが３８，０２２であることがわかった。
さらに、０．１６ｍｏｌのフェニルメトキシシランを用い、１６０℃での攪拌を１０時間に変えたこと以外は、上記と同様の方法で合成を行った結果、無色透明の粘稠な固体を得た。この固体を２９Ｓｉ ＮＭＲで分析した結果、Ｔ／Ｄが０．８のシリコーン樹脂であることがわかった。また、ＧＰＣにより測定した結果、Ｍｗが１４１，０７０であることがわかった。
【００２７】
上記の幾つかの合成結果からわかるように、Ｔ／Ｄはフェニルトリメトキシシラン及びジメトキシジメチルシランの配合割合によって制御することができ、また、Ｍｗは攪拌時間（反応時間）を調整することによって制御することができる。
フェニルトリメトキシシラン及びジメトキシジメチルシランの配合割合、並びに攪拌時間の条件を変更したこと以外は、上記と同様の方法で様々なＴ／Ｄ及びＭｗを有するシリコーン樹脂を合成した。
【００２８】
（シリコーン樹脂組成物の調製）
上記で合成されたシリコーン樹脂の中から２つを選択して各種割合で混合し、様々なシリコーン樹脂組成物を調製した。
（半導体装置の作製）
図３の構成を有する半導体装置（ただし、シリコーン樹脂組成物の硬化物１０を除く）を組み立てた後、ケース９内部にシリコーン樹脂組成物を上部から注入し、１０ｔｏｒｒ（約１３３３Ｐａ）で１５分間脱泡させた。なお、半導体装置に注入する前にも、シリコーン樹脂組成物を十分に攪拌し、１０ｔｏｒｒ（約１３３３Ｐａ）で１５分間脱泡させておいた。次に、注入したシリコーン樹脂組成物を１２０℃で１時間加熱した後、１５０℃で３時間加熱し、さらに２００℃で１時間加熱することによって、シリコーン樹脂組成物を重合させ、シリコーン樹脂組成物の硬化物で半導体装置を封止した。
【００２９】
（絶縁破壊試験）
上記で得られた半導体装置に対して、−５０℃〜２００℃のヒートサイクル試験を１００回行った後、絶縁破壊試験を行った。絶縁破壊試験は、シリコーン樹脂組成物の硬化物に対して０．５ｋＶごとに３０秒間印加し、短絡するまでに３０秒を保持できた最大電圧を絶縁破壊電圧として求めた。その結果を以下の表１〜８に示す。
表１には、Ｔ／Ｄが０．２のシリコーン樹脂（Ａ）を用いて作製した半導体装置の絶縁破壊電圧を測定した結果を示す。具体的には、表１は、０．２のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ａ）と、０．１５のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ｂ）とを各種配合割合で含むシリコーン樹脂組成物を用いて作製した半導体装置の絶縁破壊電圧の結果である。なお、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄを０．１及び０．２に変えたシリコーン樹脂組成物を用いて作製した半導体装置の絶縁破壊電圧の結果は、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄが０．１５の場合と同じであっため省略する。
【００３０】
【表１】
2010189507.tif 000003
【００３１】
表２及び３には、Ｔ／Ｄが０．３のシリコーン樹脂（Ａ）を用いて作製した半導体装置の絶縁破壊電圧を測定した結果を示す。具体的には、表２は、０．３のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ａ）と、０．１５のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ｂ）とを各種配合割合で含むシリコーン樹脂組成物を用いて作製した半導体装置の絶縁破壊電圧の結果である。なお、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄを０．１に変えたシリコーン樹脂組成物を用いて作製した半導体装置の絶縁破壊電圧の結果は、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄが０．１５の場合と同じであっため省略する。また、表３は、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄを０．２に変えたシリコーン樹脂組成物を用いて作製した半導体装置の絶縁破壊電圧の結果である。
【００３２】
【表２】
2010189507.tif 000004
【００３３】
【表３】
2010189507.tif 000005
【００３４】
表４及び５には、Ｔ／Ｄが０．４のシリコーン樹脂（Ａ）を用いて作製した半導体装置の絶縁破壊電圧を測定した結果を示す。具体的には、表４は、０．４のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ａ）と、０．１５のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ｂ）とを含むシリコーン樹脂組成物を用いて作製した半導体装置の絶縁破壊電圧の結果である。なお、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄを０．１に変えたシリコーン樹脂組成物を用いて作製した半導体装置の絶縁破壊電圧の結果は、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄが０．１５の場合と同じであっため省略する。また、表５は、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄを０．２に変えたシリコーン樹脂組成物を用いて作製した半導体装置の絶縁破壊電圧の結果である。
【００３５】
【表４】
2010189507.tif 000006
【００３６】
【表５】
2010189507.tif 000007
【００３７】
表６及び７には、Ｔ／Ｄが０．８のシリコーン樹脂（Ａ）を用いて作製した半導体装置の絶縁破壊電圧を測定した結果を示す。具体的には、表６は、０．８のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ａ）と、０．１５のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ｂ）とを含むシリコーン樹脂組成物を用いて作製した半導体装置の絶縁破壊電圧の結果である。なお、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄを０．１に変えたシリコーン樹脂組成物を用いて作製した半導体装置の絶縁破壊電圧の結果は、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄが０．１５の場合と同じであっため省略する。また、表７は、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄを０．２に変えたシリコーン樹脂組成物を用いて作製した半導体装置の絶縁破壊電圧の結果である。
【００３８】
【表６】
2010189507.tif 000008
【００３９】
【表７】
2010189507.tif 000009
【００４０】
表８には、Ｔ／Ｄが０．９のシリコーン樹脂（Ａ）を用いて作製した半導体装置の絶縁破壊電圧を測定した結果を示す。具体的には、表８は、０．９のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ａ）と、０．１５のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ｂ）とを各種配合割合で含むシリコーン樹脂組成物を用いて作製した半導体装置の絶縁破壊電圧の結果である。なお、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄを０．１及び０．２に変えたシリコーン樹脂組成物を用いて作製した半導体装置の絶縁破壊電圧の結果は、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄが０．１５の場合と同じであっため省略する。
【００４１】
【表８】
2010189507.tif 000010
【００４２】
表１〜８の結果に示されているように、シリコーン樹脂（Ａ）のＴ／Ｄが０．３以上０．８以下、シリコーン樹脂（Ａ）のＭｗが３７，０００以上１４０，０００以下、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄが０．１５以下、シリコーン樹脂（Ｂ）のＭｗが１，０００以上６０，０００以下、及びシリコーン樹脂（Ａ）とシリコーン樹脂（Ｂ）とのモル比が１．５以上６．５以下という条件を満たした場合だけ絶縁破壊電圧が高かった。
この絶縁破壊電圧の結果を考察するために、下記の接着強度試験及び粘性試験の評価を行った。
【００４３】
（接着強度試験）
上記で合成したシリコーン樹脂組成物について、ＪＩＳ−Ｋ６８５０に従って接着強度試験を行った。具体的には、一対のアルミ板の間にシリコーン樹脂組成物を注入し、１５０℃で３時間、２００℃で１時間加熱して完全に硬化させ、その試験片を用いて引張剪断試験を行った。その結果を以下の表９〜２３に示す。
表９〜１１には、Ｔ／Ｄが０．２のシリコーン樹脂（Ａ）を用いたシリコーン樹脂組成物の硬化物における接着強度を測定した結果を示す。具体的には、表９は、０．２のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ａ）と、０．１のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ｂ）とを各種配合割合で含むシリコーン樹脂組成物の硬化物における接着強度を測定した結果である。また、表１０及び１１は、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄを０．１５及び０．２に変えたシリコーン樹脂組成物の硬化物における接着強度を測定した結果である。
【００４４】
【表９】
2010189507.tif 000011
【００４５】
【表１０】
2010189507.tif 000012
【００４６】
【表１１】
2010189507.tif 000013
【００４７】
表１２〜１４には、Ｔ／Ｄが０．３のシリコーン樹脂（Ａ）を用いたシリコーン樹脂組成物の硬化物における接着強度を測定した結果を示す。具体的には、表１２は、０．３のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ａ）と、０．１のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ｂ）とを各種配合割合で含むシリコーン樹脂組成物の硬化物における接着強度を測定した結果である。また、表１３及び１４は、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄを０．１５及び０．２に変えたシリコーン樹脂組成物の硬化物における接着強度を測定した結果である。
【００４８】
【表１２】
2010189507.tif 000014
【００４９】
【表１３】
2010189507.tif 000015
【００５０】
【表１４】
2010189507.tif 000016
【００５１】
表１５〜１７には、Ｔ／Ｄが０．４のシリコーン樹脂（Ａ）を用いたシリコーン樹脂組成物の硬化物における接着強度を測定した結果を示す。具体的には、表１５は、０．４のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ａ）と、０．１のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ｂ）とを各種配合割合で含むシリコーン樹脂組成物の硬化物における接着強度を測定した結果である。また、表１６及び１７は、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄを０．１５及び０．２に変えたシリコーン樹脂組成物の硬化物における接着強度を測定した結果である。
【００５２】
【表１５】
2010189507.tif 000017
【００５３】
【表１６】
2010189507.tif 000018
【００５４】
【表１７】
2010189507.tif 000019
【００５５】
表１８〜２０には、Ｔ／Ｄが０．８のシリコーン樹脂（Ａ）を用いたシリコーン樹脂組成物の硬化物における接着強度を測定した結果を示す。具体的には、表１８は、０．８のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ａ）と、０．１のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ｂ）とを各種配合割合で含むシリコーン樹脂組成物の硬化物における接着強度を測定した結果である。また、表１９及び２０は、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄを０．１５及び０．２に変えたシリコーン樹脂組成物の硬化物における接着強度を測定した結果である。
【００５６】
【表１８】
2010189507.tif 000020
【００５７】
【表１９】
2010189507.tif 000021
【００５８】
【表２０】
2010189507.tif 000022
【００５９】
表２１〜２３には、Ｔ／Ｄが０．９のシリコーン樹脂（Ａ）を用いたシリコーン樹脂組成物の硬化物における接着強度を測定した結果を示す。具体的には、表２１は、０．９のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ａ）と、０．１のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ｂ）とを各種配合割合で含むシリコーン樹脂組成物の硬化物における接着強度を測定した結果である。また、表２２及び２３は、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄを０．１５及び０．２に変えたシリコーン樹脂組成物の硬化物における接着強度を測定した結果である。
【００６０】
【表２１】
2010189507.tif 000023
【００６１】
【表２２】
2010189507.tif 000024
【００６２】
【表２３】
2010189507.tif 000025
【００６３】
表９〜２３の結果に示されているように、硬化物の接着強度は、シリコーン樹脂（Ａ）及びシリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄ及びＭｗ、並びにシリコーン樹脂（Ａ）とシリコーン樹脂（Ｂ）とのモル比によって大きく影響されることがわかる。特に、硬化物の接着強度はシリコーン樹脂（Ａ）のＴ／Ｄが大きくなるにつれて高くなり、シリコーン樹脂（Ａ）のＴ／Ｄが０．３未満の場合、接着強度は０．２ＭＰａ未満と低かった。従って、シリコーン樹脂（Ａ）のＴ／Ｄが０．３未満の場合に絶縁破壊電圧が低下するのは、硬化物の接着強度が低すぎ、硬化物が剥離したことに起因していると考えられる。
【００６４】
（粘性試験）
上記で合成したシリコーン樹脂組成物の硬化物について、１０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍの試験片を用い、−５０℃以上２００℃以下における貯蔵弾性率及び損失弾性率を測定してｔａｎδを算出し、−５０℃以上２００℃以下におけるｔａｎδ面積Ｓを求めた。その結果を表２４〜３８に示す。
表２４〜２６には、Ｔ／Ｄが０．２のシリコーン樹脂（Ａ）を用いたシリコーン樹脂組成物の硬化物におけるｔａｎδ面積Ｓを算出した結果を示す。具体的には、表２４は、０．２のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ａ）と、０．１のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ｂ）とを各種配合割合で含むシリコーン樹脂組成物の硬化物におけるｔａｎδ面積Ｓの算出結果である。また、表２５及び２６は、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄを０．１５及び０．２に変えたシリコーン樹脂組成物の硬化物におけるｔａｎδ面積Ｓの算出結果である。
【００６５】
【表２４】
2010189507.tif 000026
【００６６】
【表２５】
2010189507.tif 000027
【００６７】
【表２６】
2010189507.tif 000028
【００６８】
表２７〜２９には、Ｔ／Ｄが０．３のシリコーン樹脂（Ａ）を用いたシリコーン樹脂組成物の硬化物におけるｔａｎδ面積Ｓを算出した結果を示す。具体的には、表２７は、０．３のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ａ）と、０．１のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ｂ）とを各種配合割合で含むシリコーン樹脂組成物の硬化物におけるｔａｎδ面積Ｓの算出結果である。また、表２８及び２９は、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄを０．１５及び０．２に変えたシリコーン樹脂組成物の硬化物におけるｔａｎδ面積Ｓの算出結果である。
【００６９】
【表２７】
2010189507.tif 000029
【００７０】
【表２８】
2010189507.tif 000030
【００７１】
【表２９】
2010189507.tif 000031
【００７２】
表３０〜３２には、Ｔ／Ｄが０．４のシリコーン樹脂（Ａ）を用いたシリコーン樹脂組成物の硬化物におけるｔａｎδ面積Ｓを算出した結果を示す。具体的には、表３０は、０．４のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ａ）と、０．１のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ｂ）とを各種配合割合で含むシリコーン樹脂組成物の硬化物におけるｔａｎδ面積Ｓの算出結果である。また、表３１及び３２は、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄを０．１５及び０．２に変えたシリコーン樹脂組成物の硬化物におけるｔａｎδ面積Ｓの算出結果である。
【００７３】
【表３０】
2010189507.tif 000032
【００７４】
【表３１】
2010189507.tif 000033
【００７５】
【表３２】
2010189507.tif 000034
【００７６】
表３３〜３５には、Ｔ／Ｄが０．８のシリコーン樹脂（Ａ）を用いたシリコーン樹脂組成物の硬化物におけるｔａｎδ面積Ｓを算出した結果を示す。具体的には、表３３は、０．８のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ａ）と、０．１のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ｂ）とを各種配合割合で含むシリコーン樹脂組成物の硬化物におけるｔａｎδ面積Ｓの算出結果である。また、表３４及び３５は、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄを０．１５及び０．２に変えたシリコーン樹脂組成物の硬化物におけるｔａｎδ面積Ｓの算出結果である。
【００７７】
【表３３】
2010189507.tif 000035
【００７８】
【表３４】
2010189507.tif 000036
【００７９】
【表３５】
2010189507.tif 000037
【００８０】
表３６〜３８には、Ｔ／Ｄが０．９のシリコーン樹脂（Ａ）を用いたシリコーン樹脂組成物の硬化物におけるｔａｎδの面積Ｓを算出した結果を示す。具体的には、表３６は、０．９のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ａ）と、０．１のＴ／Ｄ及び各種Ｍｗを有するシリコーン樹脂（Ｂ）とを各種配合割合で含むシリコーン樹脂組成物の硬化物におけるｔａｎδ面積Ｓの算出結果である。また、表３７及び３８は、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄを０．１５及び０．２に変えたシリコーン樹脂組成物の硬化物におけるｔａｎδ面積Ｓの算出結果である。
【００８１】
【表３６】
2010189507.tif 000038
【００８２】
【表３７】
2010189507.tif 000039
【００８３】
【表３８】
2010189507.tif 000040
【００８４】
表２４〜３８の結果に示されているように、硬化物のｔａｎδ面積Ｓは、シリコーン樹脂（Ａ）及びシリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄ及びＭｗ、並びにシリコーン樹脂（Ａ）とシリコーン樹脂（Ｂ）とのモル比によって大きく影響されることがわかる。特に、硬化物のｔａｎδ面積Ｓは、シリコーン樹脂（Ａ）のＴ／Ｄが大きくなるにつれて小さくなり、特にシリコーン樹脂（Ａ）のＴ／Ｄが０．８を超えた場合にｔａｎδ面積Ｓは小さかった。従って、シリコーン樹脂（Ａ）のＴ／Ｄが０．８を超えた場合に絶縁破壊電圧が低下するのは、硬化物の粘性が低すぎるために、接着強度が高くても、発生する歪に耐えることができず、剥離や亀裂が生じたことに起因しているものと考えられる。
また、シリコーン樹脂（Ａ）のＴ／Ｄが０．３以上０．８以下であっても、その他の条件を満たさなければ、接着強度又はｔａｎδ面積Ｓのいずれかが小さくなり、硬化物の接着性と粘性とのバランスを適切な範囲に保持できないため、硬化物の剥離や亀裂が生じてしまうと考えられる。
【００８５】
＜実施例２＞
（シリコーン樹脂の合成）
フェニルトリメトキシシランの代わりにビニルトリメトキシシラン（ＬＳ−８１５、信越化学株式会社製）を用い、ビニルトリメトキシシラン及びジメトキシジメチルシランの配合割合、並びに攪拌時間の条件を変更したこと以外は実施例１と同様の方法にて様々なＴ／Ｄ及びＭｗを有するシリコーン樹脂を合成した。
（シリコーン樹脂組成物の調製）
上記で合成されたシリコーン樹脂の中から２つを選択して各種割合で混合し、様々なシリコーン樹脂組成物を調製した。
（半導体装置の作製）
上記のシリコーン樹脂組成物を用い、実施例１と同様の方法にて半導体装置を作製した。
【００８６】
（絶縁破壊試験）
上記で得られた半導体装置に対して、−５０℃以上２００℃以下のヒートサイクル試験を１００回行った後、実施例１と同様にして絶縁破壊試験を行った。その結果を以下の表３９〜４２に示す。
表３９には、Ｔ／Ｄが０．２、Ｍｗが３７，０１１のシリコーン樹脂（Ａ）を用いて作製した半導体装置の絶縁破壊電圧を測定した結果を示す。
【００８７】
【表３９】
2010189507.tif 000041
【００８８】
表４０には、Ｔ／Ｄが０．３、Ｍｗが３７，０９８のシリコーン樹脂（Ａ）を用いて作製した半導体装置の絶縁破壊電圧を測定した結果を示す。
【００８９】
【表４０】
2010189507.tif 000042
【００９０】
表４１には、Ｔ／Ｄが０．８、Ｍｗが１３９，９３２のシリコーン樹脂（Ａ）を用いて作製した半導体装置の絶縁破壊電圧を測定した結果を示す。
【００９１】
【表４１】
2010189507.tif 000043
【００９２】
表４２には、Ｔ／Ｄが０．９、Ｍｗが１３９，９８１のシリコーン樹脂（Ａ）を用いて作製した半導体装置の絶縁破壊電圧を測定した結果を示す。
【００９３】
【表４２】
2010189507.tif 000044
【００９４】
表３９〜４２の結果に示されているように、シリコーン樹脂（Ａ）のＴ／Ｄが０．３以上０．８以下、シリコーン樹脂（Ａ）のＭｗが３７，０００以上１４０，０００以下、シリコーン樹脂（Ｂ）のＴ／Ｄが０．１５以下、シリコーン樹脂（Ｂ）のＭｗが１，０００以上６０，０００以下、及びシリコーン樹脂（Ａ）とシリコーン樹脂（Ｂ）とのモル比が１．５以上６．５以下という条件を満たした場合だけ絶縁破壊電圧が高かった。
【００９５】
（接着強度試験）
上記で合成したシリコーン樹脂組成物について、ＪＩＳ−Ｋ６８５０に従い、実施例１と同様にして接着強度試験を行った。その結果を以下の表４３〜４６に示す。
表４３には、Ｔ／Ｄが０．２、Ｍｗが３７，０１１のシリコーン樹脂（Ａ）を用いたシリコーン樹脂組成物の硬化物における接着強度を測定した結果を示す。
【００９６】
【表４３】
2010189507.tif 000045
【００９７】
表４４には、Ｔ／Ｄが０．３、Ｍｗが３７，０９８のシリコーン樹脂（Ａ）を用いたシリコーン樹脂組成物の硬化物における接着強度を測定した結果を示す。
【００９８】
【表４４】
2010189507.tif 000046
【００９９】
表４５には、Ｔ／Ｄが０．８、Ｍｗが１３９，９３２のシリコーン樹脂（Ａ）を用いたシリコーン樹脂組成物の硬化物における接着強度を測定した結果を示す。
【０１００】
【表４５】
2010189507.tif 000047
【０１０１】
表４６には、Ｔ／Ｄが０．９、Ｍｗが１３９，９８１のシリコーン樹脂（Ａ）を用いたシリコーン樹脂組成物の硬化物における接着強度を測定した結果を示す。
【０１０２】
【表４６】
2010189507.tif 000048
【０１０３】
表４３〜４６の結果に示されているように、シリコーン樹脂（Ａ）のＴ／Ｄが０．３未満の場合、硬化物の接着強度は０．２ＭＰａ未満と低かった。したがって、シリコーン樹脂（Ａ）のＴ／Ｄが０．３未満の場合に絶縁破壊電圧が低かったのは、硬化物の接着強度が低すぎ、硬化物が剥離したことに起因していると考えられる。
【０１０４】
（粘性試験）
上記で合成したシリコーン樹脂組成物の硬化物について、実施例１と同様にしてｔａｎδ面積Ｓを求めた。その結果を表４７〜５０に示す。
表４７には、Ｔ／Ｄが０．２、Ｍｗが３７，０１１のシリコーン樹脂（Ａ）を用いたシリコーン樹脂組成物の硬化物におけるｔａｎδ面積Ｓを示す。
【０１０５】
【表４７】
2010189507.tif 000049
【０１０６】
表４８には、Ｔ／Ｄが０．３、Ｍｗが３７，０９８のシリコーン樹脂（Ａ）を用いたシリコーン樹脂組成物の硬化物におけるｔａｎδ面積Ｓを示す。
【０１０７】
【表４８】
2010189507.tif 000050
【０１０８】
表４９には、Ｔ／Ｄが０．８、Ｍｗが１３９，９３２のシリコーン樹脂（Ａ）を用いたシリコーン樹脂組成物の硬化物におけるｔａｎδ面積Ｓを示す。
【０１０９】
【表４９】
2010189507.tif 000051
【０１１０】
表５０には、Ｔ／Ｄが０．９、Ｍｗが１３９，９８１のシリコーン樹脂（Ａ）を用いたシリコーン樹脂組成物の硬化物におけるｔａｎδ面積Ｓを示す。
【０１１１】
【表５０】
2010189507.tif 000052
【０１１２】
表４７〜５０の結果に示されているように、シリコーン樹脂（Ａ）のＴ／Ｄが０．８を超えた場合、硬化物におけるｔａｎδ面積Ｓが小さかった。従って、シリコーン樹脂（Ａ）のＴ／Ｄが０．８を超えた場合に絶縁破壊電圧が低かったのは、硬化物の粘性が低すぎ、接着強度が高くても、発生する歪に耐えることができず、剥離や亀裂が生じたことに起因しているものと考えられる。
また、シリコーン樹脂（Ａ）のＴ／Ｄが０．３以上０．８以下であっても、その他の条件を満たさなければ、接着強度又はｔａｎδ面積Ｓのいずれかが小さくなり、硬化物の接着性と粘性とのバランスを適切な範囲に保持できないため、硬化物の剥離や亀裂が生じてしまうと考えられる。
【０１１３】
以上の結果からわかるように、本発明によれば、耐熱性に優れ、且つ高温下においても剥離や亀裂を生じさせない硬化物を与える低粘度のシリコーン樹脂組成物を提供することができる。また、本発明によれば、高温下においても良好な絶縁性を保持し、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。
【符号の説明】
【０１１４】
１  半導体装置、２  ベース板、３、５  電極、４  セラミック板、６  半導体素子、７  配線部材、８  外部電極、９  ケース、１０  シリコーン樹脂組成物の硬化物。
【図１】
2010189507.tif 000053
【図２】
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【図３】
2010189507.tif 000055