(57)【要約】【課題】十分な解像度を持ち、露光マージンが広く、平坦化性能に優れ、高温の加熱工程を経ても高い透明性を維持することができ、金属配線を経時劣化することのない配線隔壁形成用感放射線性樹脂組成物を提供すること。【解決手段】上記感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）（ａ−１）アリール基を有するアルコキシシラン化合物５０〜９９重量％、（ａ−２）アルキル基を有するシラン化合物１〜４５重量および（ａ−３）その他のアルコキシシラン化合物０〜５重量％を重縮合してなるポリシロキサンならびに（Ｂ）放射線の照射を受けて酸を発生する化合物を含有する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）下記式（ａ−１）
（Ｒ１）ｐＳｉ（Ｘ１）４−ｐ      （ａ−１）
（式（ａ−１）中、Ｒ１は炭素数６〜１２のアリール基であり、Ｘ１は炭素数１〜６のアルコキシル基であり、ｐは１〜３の整数である。）
で表される化合物５０〜９９重量％、
下記式（ａ−２）
（Ｒ２）ｑＳｉ（Ｘ２）４−ｑ      （ａ−２）
（式（ａ−２）中、Ｒ２は炭素数１〜６のアルキル基であり、Ｘ２は炭素数１〜６のアルコキシル基であり、ｑは１〜３の整数である。）
で表される化合物１〜４５重量、および
下記式（ａ−３）
（Ｒ３）ｒＳｉ（Ｘ３）４−ｒ      （ａ−３）
（式（ａ−３）中、Ｒ３は炭素数１〜１２の非加水分解性の有機基であり、Ｘ３は炭素数１〜６のアルコキシル基であり、ｒは０〜３の整数である。）
で表される化合物０〜５重量％
を重縮合してなるポリシロキサン、ならびに
（Ｂ）放射線の照射を受けて酸を発生する化合物
を含有することを特徴とする、配線隔壁形成用感放射線性樹脂組成物。
【請求項２】
さらに、（Ｃ）シランカップリング剤を含有する、請求項１に記載の配線隔壁形成用感放射線性樹脂組成物。
【請求項３】
膜厚を３μｍとしたときの波長４００〜８００ｎｍにおける最低光線透過率が９０％以上である配線隔壁を形成するために用いられる、請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線隔壁形成用感放射線性樹脂組成物。
【請求項４】
以下の工程を以下に記載の順で含むことを特徴とする、配線隔壁の形成方法。
（１）基板上に、請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線隔壁形成用感放射線性樹脂組成物の塗膜を形成する工程、
（２）該塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
（３）２００℃以下で行う加熱工程
（４）現像工程、および
（５）３００℃以上で行う加熱工程。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線隔壁形成用感放射線性樹脂組成物から形成された配線隔壁。
【請求項６】
請求項５に記載の配線隔壁を具備することを特徴とする、液晶表示素子。
【請求項７】
請求項５に記載の配線隔壁を具備することを特徴とする、有機ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線隔壁形成用感放射線性樹脂組成物ならびに配線隔壁およびその形成方法に関する。さらに詳しくは紫外線、遠紫外線、Ｘ線、電子線、分子線、γ線、シンクロトロン放射線、プロトンビ−ム等の放射線を利用する配線隔壁の形成に好適なネガ型の感放射線性樹脂組成物、それから形成された配線隔壁およびその形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」という。）型液晶表示素子や有機ＥＬ表示素子等のフラットパネル型表示装置では、ＴＦＴ等のスイッチング素子とこの薄膜トランジスタで駆動される画素電極を有する多数の画素を絶縁基板上に行および列のマトリクス状に配置して構成される。マトリクス配置された多数の薄膜トランジスタを行毎に選択する走査信号を供給する複数のゲート配線と、選択されたゲート配線に接続した薄膜トランジスタに表示データを供給する複数のデータ配線とは、上記行および列に対応してマトリクス状に交差配置される。これらの配線は、所謂薄膜配線と称される。そして、この各薄膜配線（ゲート配線およびデータ配線）の交差部のそれぞれに画素が配置されている。
上記のゲート配線やデータ配線は、フォトリソグラフィーにより形成するのが一般的であるが、近年、インクジェット法（特許文献１−４）、メッキ法（非特許文献１）による配線形成方法が提案された。ただ、これらの方法を用いるためには３００℃以上の高耐熱性・高耐熱透明性をもつ感放射線性の配線隔壁形成材料が必要不可欠である。
このような高耐熱性の感放射線性材料として、例えばポリイミド樹脂とキノンジアジドの組み合わせ（特許文献５）、フェノール樹脂とキノンジアジドの組み合わせ（特許文献６）等が知られている。しかしながら、これらの材料は膜厚が厚くなった場合に、透明性が不足するという問題があり、表示装置には適していない。一方、高い光線透過率を示す感放射線性材料として、アクリル樹脂とキノンジアドの組み合わせ（特許文献７）が知られている。しかしながら、この材料は、耐熱性に乏しく、膜形成後の工程で行われる３００℃以上の温度における加熱工程によりアウトガスが発生したり、透明性が低下する等の問題があり、表示装置に用いるための配線隔壁形成用途には適していない。
【０００３】
ところで、近年の液晶表示素子や有機ＥＬ表示素子は、フルハイビジョン映像を表示するため、画素が微細化する傾向にあり、それに伴い、配線が微細化、複雑化している。感放射線性の材料を用いて微細パターンを形成する際には、露光量を少なくして行うことが通常であるが、露光量が少なすぎるとパターンが剥れやすくなることとなる。そのため、所望のパターンサイズで剥れが起きない最適の露光量を、材料ごとに設定する必要があり、製品の製造を効率よく行うことには限界がある。そのため、露光量が最適値から外れても、所望のサイズの剥れにくいパターンを形成することのできる、露光マージンの広い材料が求められている。
さらに、配線隔壁は、その溝部（スペース部）に配線材料が埋設された配線として液晶表示素子、有機ＥＬ素子等の使用に供されることになるが、従来知られている感放射線性材料を配線隔壁の形成に用いた場合、配線形成後の工程における高温処理の際に、および経年の使用を続けるうちに、配線隔壁と配線材料との間に原子のマイグレーションが起こり、配線材料の導電率が低下することが懸念されている。
【特許文献１】特開２００６−７８８５９号公報
【特許文献２】特開２００６−７８８６０号公報
【特許文献３】特開２００６−８４６７３号公報
【特許文献４】特開２００６−１９０８５２号公報
【特許文献５】特許第２９０６６３７号明細書
【特許文献６】特開２００３−２５５５４６号公報
【特許文献７】特開２００５−３２０５４２号公報
【非特許文献１】電子情報通信学会誌、Ｖｏｌ．  ９０、Ｎｏ．  ５（２００７）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は、上記のような事情に基づいてなされたものであり、その目的は、表示装置の配線隔壁を形成するために十分な解像度を持ち、露光マージンが広く、平坦化性能に優れ、３００℃以上の加熱工程を経ても、熱分解を起こさずに高い透明性を維持することができ、しかも金属配線を経時劣化することのない配線隔壁を形成することができる感放射線性樹脂組成物を提供することにある。
本発明の別の目的は、上記の特性を有する配線隔壁およびその形成方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、本発明の上記目的および利点は、第一に、
（Ａ）下記式（ａ−１）
（Ｒ１）ｐＳｉ（Ｘ１）４−ｐ      （ａ−１）
（式（ａ−１）中、Ｒ１は炭素数６〜１２のアリール基であり、Ｘ１は炭素数１〜６のアルコキシル基であり、ｐは１〜３の整数である。）
で表される化合物５０〜９９重量％、
下記式（ａ−２）
（Ｒ２）ｑＳｉ（Ｘ２）４−ｑ      （ａ−２）
（式（ａ−２）中、Ｒ２は炭素数１〜６のアルキル基であり、Ｘ２は炭素数１〜６のアルコキシル基であり、ｑは１〜３の整数である。）
で表される化合物１〜４５重量、および
下記式（ａ−３）
（Ｒ３）ｒＳｉ（Ｘ３）４−ｒ      （ａ−３）
（式（ａ−３）中、Ｒ３は炭素数１〜１２の非加水分解性の有機基であり、Ｘ３は炭素数１〜６のアルコキシル基であり、ｒは０〜３の整数である。）
で表される化合物０〜５重量％
を重縮合してなるポリシロキサン（以下、「（Ａ）ポリシロキサン」ともいう。）、ならびに
（Ｂ）放射線の照射を受けて酸を発生する化合物（以下、「（Ｂ）感放射線性酸発生剤」ともいう。）
を含有する配線隔壁形成用感放射線性樹脂組成物によって達成される。
【０００６】
本発明の上記目的および利点は、第二に、
以下の工程を以下に記載の順で含む配線隔壁の形成方法によって達成される。
（１）基板上に、上記の配線隔壁形成用感放射線性樹脂組成物の塗膜を形成する工程、
（２）該塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
（３）２００℃以下で行う加熱工程
（４）現像工程、および
（５）３００℃以上で行う加熱工程。
本発明の上記目的および利点は、第三に、
上記配線隔壁形成用感放射線性樹脂組成物から形成された配線隔壁により達成される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
以下、本発明の配線隔壁形成用感放射線性樹脂組成物について詳細に説明する。
（Ａ）ポリシロキサン
本発明の配線隔壁形成用感放射線性樹脂組成物に含有される（Ａ）ポリシロキサンは、
上記式（ａ−１）で表される化合物５０〜９９重量％、
上記式（ａ−２）で表される化合物１〜４５重量、および
上記式（ａ−３）で表される化合物０〜５重量％
を重縮合してなるポリシロキサンである。ここで重縮合物とは、上記式（ａ−１）ないし（ａ−３）のそれぞれで表される化合物の混合物の加水分解物およびその加水分解物の縮合物からなる群から選ばれる少なくとも一種をいう。
上記式（ａ−１）におけるＲ１の炭素数６〜１２のアリール基としては、例えばフェニル基、トリル基、キシリル基、トリメチルフェニル基、テトラメチルフェニル基、ペンタメチルフェニル基、エチルフェニル基、プロピルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ｓｅｃ−ブチルフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ナフチル基等を挙げることができる。Ｘ１の炭素数１〜６のアルコキシル基としては、例えばメトキシル基、エトキシル基、プロポキシル基、イソプロポキシル基等を挙げることができる。
【０００８】
上記式（ａ−１）で表される化合物の具体例としては、上記式（ａ−１）においてｐが１である化合物として、例えば
フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリプロポキシシラン、フェニルトリイソプロポキシシラン、２−トリルトリメトキシシラン、２−トリルトリエトキシシラン、２−トリルトリプロポキシシラン、２−トリルトリイソプロポキシシラン、３−トリルトリメトキシシラン、３−トリルトリエトキシシラン、３−トリルトリプロポキシシラン、３−トリルトリイソプロポキシシラン、４−トリルトリメトキシシラン、４−トリルトリエトキシシラン、４−トリルトリプロポキシシラン、４−トリルトリイソプロポキシシラン、２，３−キシリルトリメトキシシラン、２，３−キシリルトリエトキシシラン、２，３−キシリルトリプロポキシシラン、２，３−キシリルトリイソプロポキシシラン、２，４−キシリルトリメトキシシラン、２，４−キシリルトリエトキシシラン、２，４−キシリルトリプロポキシシラン、２，４−キシリルトリイソプロポキシシラン、３，４−キシリルトリメトキシシラン、３，４−キシリルトリエトキシシラン、３，４−キシリルトリプロポキシシラン、３，４−キシリルトリイソプロポキシシラン、３，５−キシリルトリメトキシシラン、３，５−キシリルトリエトキシシラン、３，５−キシリルトリプロポキシシラン、３，５−キシリルトリイソプロポキシシラン、２，３，４−トリメチルフェニルトリメトキシシラン、２，３，４−トリメチルフェニルトリエトキシシラン、２，３，４−トリメチルフェニルトリプロポキシシラン、２，３，４−トリメチルフェニルトリイソプロポキシシラン、２，３，５−トリメチルフェニルトリメトキシシラン、２，３，５−トリメチルフェニルトリエトキシシラン、２，３，５−トリメチルフェニルトリプロポキシシラン、２，３，５−トリメチルフェニルトリイソプロポキシシラン、２，３，６−トリメチルフェニルトリメトキシシラン、２，３，６−トリメチルフェニルトリエトキシシラン、２，３，６−トリメチルフェニルトリプロポキシシラン、２，３，６−トリメチルフェニルトリイソプロポキシシラン、
【０００９】
３，４，５−トリメチルフェニルトリメトキシシラン、３，４，５−トリメチルフェニルトリエトキシシラン、３，４，５−トリメチルフェニルトリプロポキシシラン、３，４，５−トリメチルフェニルトリイソプロポキシシラン、２，３，４，５−テトラメチルフェニルトリメトキシシラン、２，３，４，５−テトラメチルフェニルトリエトキシシラン、２，３，４，５−テトラメチルフェニルトリプロポキシシラン、２，３，４，５−テトラメチルフェニルトリイソプロポキシシラン、２，３，４，６−テトラメチルフェニルトリメトキシシラン、２，３，４，６−テトラメチルフェニルトリエトキシシラン、２，３，４，６−テトラメチルフェニルトリプロポキシシラン、２，３，４，６−テトラメチルフェニルトリイソプロポキシシラン、２，３，５，６−テトラメチルフェニルトリメトキシシラン、２，３，５，６−テトラメチルフェニルトリエトキシシラン、２，３，５，６−テトラメチルフェニルトリプロポキシシラン、２，３，５，６−テトラメチルフェニルトリイソプロポキシシラン、ペンタメチルフェニルトリメトキシシラン、ペンタメチルフェニルトリエトキシシラン、ペンタメチルフェニルトリプロポキシシラン、ペンタメチルフェニルトリイソプロポキシシラン、エチルフェニルトリメトキシシラン、エチルフェニルトリエトキシシラン、エチルフェニルトリプロポキシシラン、エチルフェニルトリイソプロポキシシラン、ｎ−プロピルフェニルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルフェニルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルフェニルトリプロポキシシラン、ｎ−プロピルフェニルトリイソプロポキシシラン、イソプロピルフェニルトリメトキシシラン、イソプロピルフェニルトリエトキシシラン、イソプロピルフェニルトリプロポキシシラン、イソプロピルフェニルトリイソプロポキシシラン、ｎ−ブチルフェニルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルフェニルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルフェニルトリプロポキシシラン、ｎ−ブチルフェニルトリイソプロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチルフェニルトリメトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルフェニルトリエトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルフェニルトリプロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチルフェニルトリイソプロポキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルフェニルトリメトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルフェニルトリエトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルフェニルトリプロポキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルフェニルトリイソプロポキシシラン、ナフチルフェニルトリメトキシシラン、ナフチルトリエトキシシラン、ナフチルトリプロポキシシラン、ナフチルトリイソプロポキシシラン等を：
【００１０】
上記式（ａ−１）においてｐが２である化合物として、例えば
ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、ジフェニルジプロポキシシラン、ジフェニルジイソプロポキシシラン、ジ−２−トリルジメトキシシラン、ジ−２−トリルジエトキシシラン、ジ−２−トリルジプロポキシシラン、ジ−２−トリルジイソプロポキシシラン、ジ−３−トリルジメトキシシラン、ジ−３−トリルジエトキシシラン、ジ−３−トリルジプロポキシシラン、ジ−３−トリルジイソプロポキシシラン、ジ−４−トリルジメトキシシラン、ジ−４−トリルジエトキシシラン、ジ−４−トリルジプロポキシシラン、ジ−４−トリルジイソプロポキシシラン、ジ−２，３−キシリルジメトキシシラン、ジ−２，３−キシリルジエトキシシラン、ジ−２，３−キシリルジプロポキシシラン、ジ−２，３−キシリルジイソプロポキシシラン、ジ−２，４−キシリルジメトキシシラン、ジ−２，４−キシリルジエトキシシラン、ジ−２，４−キシリルジプロポキシシラン、ジ−２，４−キシリルジイソプロポキシシラン、ジ−３，４−キシリルジメトキシシラン、ジ−３，４−キシリルジエトキシシラン、ジ−３，４−キシリルジプロポキシシラン、ジ−３，４−キシリルジイソプロポキシシラン、ジ−３，５−キシリルジメトキシシラン、ジ−３，５−キシリルジエトキシシラン、ジ−３，５−キシリルジプロポキシシラン、ジ−３，５−キシリルジイソプロポキシシラン、ジ−２，３，４−トリメチルフェニルジメトキシシラン、ジ−２，３，４−トリメチルフェニルジエトキシシラン、ジ−２，３，４−トリメチルフェニルジプロポキシシラン、ジ−２，３，４−トリメチルフェニルジイソプロポキシシラン、ジ−２，３，５−トリメチルフェニルジメトキシシラン、ジ−２，３，５−トリメチルフェニルジエトキシシラン、ジ−２，３，５−トリメチルフェニルジプロポキシシラン、ジ−２，３，５−トリメチルフェニルジイソプロポキシシラン、ジ−２，３，６−トリメチルフェニルジメトキシシラン、ジ−２，３，６−トリメチルフェニルジエトキシシラン、ジ−２，３，６−トリメチルフェニルジプロポキシシラン、ジ−２，３，６−トリメチルフェニルジイソプロポキシシラン、ジ−３，４，５−トリメチルフェニルジメトキシシラン、ジ−３，４，５−トリメチルフェニルジエトキシシラン、ジ−３，４，５−トリメチルフェニルジプロポキシシラン、ジ−３，４，５−トリメチルフェニルジイソプロポキシシラン、
【００１１】
ジ−２，３，４，５−テトラメチルフェニルジメトキシシラン、ジ−２，３，４，５−テトラメチルフェニルジエトキシシラン、ジ−２，３，４，５−テトラメチルフェニルジプロポキシシラン、ジ−２，３，４，５−テトラメチルフェニルジイソプロポキシシラン、ジ−２，３，４，６−テトラメチルフェニルジメトキシシラン、ジ−２，３，４，６−テトラメチルフェニルジエトキシシラン、ジ−２，３，４，６−テトラメチルフェニルジプロポキシシラン、ジ−２，３，４，６−テトラメチルフェニルジイソプロポキシシラン、ジ−２，３，５，６−テトラメチルフェニルジメトキシシラン、ジ−２，３，５，６−テトラメチルフェニルジエトキシシラン、ジ−２，３，５，６−テトラメチルフェニルジプロポキシシラン、ジ−２，３，５，６−テトラメチルフェニルジイソプロポキシシラン、ジペンタメチルフェニルジメトキシシラン、ジペンタメチルフェニルジエトキシシラン、ジペンタメチルフェニルジプロポキシシラン、ジペンタメチルフェニルジイソプロポキシシラン、ジエチルフェニルジメトキシシラン、ジエチルフェニルジエトキシシラン、ジエチルフェニルジプロポキシシラン、ジエチルフェニルジイソプロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピルフェニルジメトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルフェニルジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルフェニルジプロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピルフェニルジイソプロポキシシラン、ジイソプロピルフェニルジメトキシシラン、ジイソプロピルフェニルジエトキシシラン、ジイソプロピルフェニルジプロポキシシラン、ジイソプロピルフェニルジイソプロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチルフェニルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルフェニルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルフェニルジプロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチルフェニルジイソプロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルフェニルジメトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルフェニルジエトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルフェニルジプロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルフェニルジイソプロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルジメトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルジエトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルジプロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルジイソプロポキシシラン、ジナフチルフェニルジメトキシシラン、ジナフチルジエトキシシラン、ジナフチルジプロポキシシラン、ジナフチルジイソプロポキシシラン等を：
【００１２】
上記式（ａ−１）においてｐが３である化合物として、例えば
トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン、トリフェニルプロポキシシラン、トリフェニルイソプロポキシシラン、トリ−２−トリルメトキシシラン、トリ−２−トリルエトキシシラン、トリ−２−トリルプロポキシシラン、トリ−２−トリルイソプロポキシシラン、トリ−３−トリルメトキシシラン、トリ−３−トリルエトキシシラン、トリ−３−トリルプロポキシシラン、トリ−３−トリルイソプロポキシシラン、トリ−４−トリルメトキシシラン、トリ−４−トリルエトキシシラン、トリ−４−トリルプロポキシシラン、トリ−４−トリルイソプロポキシシラン、トリ−２，３−キシリルメトキシシラン、トリ−２，３−キシリルエトキシシラン、トリ−２，３−キシリルプロポキシシラン、トリ−２，３−キシリルイソプロポキシシラン、トリ−２，４−キシリルメトキシシラン、トリ−２，４−キシリルエトキシシラン、トリ−２，４−キシリルプロポキシシラン、トリ−２，４−キシリルイソプロポキシシラン、トリ−３，４−キシリルメトキシシラン、トリ−３，４−キシリルエトキシシラン、トリ−３，４−キシリルプロポキシシラン、トリ−３，４−キシリルイソプロポキシシラン、トリ−３，５−キシリルメトキシシラン、トリ−３，５−キシリルエトキシシラン、トリ−３，５−キシリルプロポキシシラン、トリ−３，５−キシリルイソプロポキシシラン、トリ−２，３，４−トリメチルフェニルメトキシシラン、トリ−２，３，４−トリメチルフェニルエトキシシラン、トリ−２，３，４−トリメチルフェニルプロポキシシラン、トリ−２，３，４−トリメチルフェニルイソプロポキシシラン、トリ−２，３，５−トリメチルフェニルメトキシシラン、トリ−２，３，５−トリメチルフェニルエトキシシラン、トリ−２，３，５−トリメチルフェニルプロポキシシラン、トリ−２，３，５−トリメチルフェニルイソプロポキシシラン、トリ−２，３，６−トリメチルフェニルメトキシシラン、トリ−２，３，６−トリメチルフェニルエトキシシラン、トリ−２，３，６−トリメチルフェニルプロポキシシラン、トリ−２，３，６−トリメチルフェニルイソプロポキシシラン、トリ−３，４，５−トリメチルフェニルメトキシシラン、トリ−３，４，５−トリメチルフェニルエトキシシラン、トリ−３，４，５−トリメチルフェニルプロポキシシラン、トリ−３，４，５−トリメチルフェニルイソプロポキシシラン、
【００１３】
トリ−２，３，４，５−テトラメチルフェニルメトキシシラン、トリ−２，３，４，５−テトラメチルフェニルエトキシシラン、トリ−２，３，４，５−テトラメチルフェニルプロポキシシラン、トリ−２，３，４，５−テトラメチルフェニルイソプロポキシシラン、トリ−２，３，４，６−テトラメチルフェニルメトキシシラン、トリ−２，３，４，６−テトラメチルフェニルエトキシシラン、トリ−２，３，４，６−テトラメチルフェニルプロポキシシラン、トリ−２，３，４，６−テトラメチルフェニルイソプロポキシシラン、トリ−２，３，５，６−テトラメチルフェニルメトキシシラン、トリ−２，３，５，６−テトラメチルフェニルエトキシシラン、トリ−２，３，５，６−テトラメチルフェニルプロポキシシラン、トリ−２，３，５，６−テトラメチルフェニルイソプロポキシシラン、トリペンタメチルフェニルメトキシシラン、トリペンタメチルフェニルエトキシシラン、トリペンタメチルフェニルプロポキシシラン、トリペンタメチルフェニルイソプロポキシシラン、トリエチルフェニルメトキシシラン、トリエチルフェニルエトキシシラン、トリエチルフェニルプロポキシシラン、トリエチルフェニルイソプロポキシシラン、トリ−ｎ−プロピルフェニルメトキシシラン、トリ−ｎ−プロピルフェニルエトキシシラン、トリ−ｎ−プロピルフェニルプロポキシシラン、トリ−ｎ−プロピルフェニルイソプロポキシシラン、トリイソプロピルフェニルメトキシシラン、トリイソプロピルフェニルエトキシシラン、トリイソプロピルフェニルプロポキシシラン、トリイソプロピルフェニルイソプロポキシシラン、トリ−ｎ−ブチルフェニルメトキシシラン、トリ−ｎ−ブチルフェニルエトキシシラン、トリ−ｎ−ブチルフェニルプロポキシシラン、トリ−ｎ−ブチルフェニルイソプロポキシシラン、トリ−ｓｅｃ−ブチルフェニルメトキシシラン、トリ−ｓｅｃ−ブチルフェニルエトキシシラン、トリ−ｓｅｃ−ブチルフェニルプロポキシシラン、トリ−ｓｅｃ−ブチルフェニルイソプロポキシシラン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルメトキシシラン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルエトキシシラン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルプロポキシシラン、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルイソプロポキシシラン、トリナフチルフェニルメトキシシラン、トリナフチルエトキシシラン、トリナフチルプロポキシシラン、トリナフチルイソプロポキシシラン等を、それぞれ挙げることができる。これらの化合物は、一種単独で使用しても、または２種以上を組み合わせて使用してもよい。
これらのうち、上記式（ａ−１）においてｐが１である化合物が好ましく使用でき、特に形成される配線隔壁の耐熱性およびメルト性の点から、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリイソプロポキシシラン、トリルトリメトキシシラン、トリルトリエトキシシラン、トリルトリイソプロポキシシラン、キシリルトリメトキシシラン、キシリルトリエトキシシランおよびキシリルトリイソプロポキシシランよりなる群から選択される少なくとも一種を使用することが好ましい。
【００１４】
上記式（ａ−２）におけるＲ２の炭素数１〜６のアルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基等を挙げることができる。Ｘ２の炭素数１〜６のアルコキシル基については、上記式（ａ−１）におけるＸ１について説明したところと同様である。
上記式（ａ−２）で表される化合物の具体例としては、上記式（ａ−２）においてｑが１である化合物として、例えば
メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリプロポキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン、プロピルトリプロポキシシラン、プロピルトリイソプロポキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、イソプロピルトリエトキシシラン、イソプロピルトリプロポキシシラン、イソプロピルトリイソプロポキシシラン等を：
上記式（ａ−２）においてｑが２である化合物として、例えば
ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジプロポキシシラン、ジメチルジイソプロポキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジプロポキシシラン、ジエチルジイソプロポキシシラン、ジプロピルジメトキシシラン、ジプロピルジエトキシシラン、ジプロピルジプロポキシシラン、ジプロピルジイソプロポキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、ジイソプロピルジエトキシシラン、ジイソプロピルジプロポキシシラン、ジイソプロピルジイソプロポキシシラン等を：
上記式（ａ−２）においてｑが３である化合物として、例えば
トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルプロポキシシラン、トリメチルイソプロポキシシラン、トリエチルメトキシシラン、トリエチルエトキシシラン、トリエチルプロポキシシラン、トリエチルイソプロポキシシラン、トリプロピルメトキシシラン、トリプロピルエトキシシラン、トリプロピルプロポキシシラン、トリプロピルイソプロポキシシラン、トリイソプロピルメトキシシラン、トリイソプロピルエトキシシラン、トリイソプロピルプロポキシシラン、トリイソプロピルイソプロポキシシラン等を、それぞれ挙げることができる。これらの化合物は、一種単独で使用しても、または２種以上を組み合わせて使用してもよい。
これらのうち、ｑが１である化合物が好ましく使用でき、特に形成される配線隔壁の耐熱性およびメルト性の点から、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシランおよびエチルトリイソプロポキシシランよりなる群から選択される少なくとも一種を使用することが好ましい。
【００１５】
上記式（ａ−３）におけるＲ３の炭素数１〜１２の非加水分解性の有機基としては、例えばビニル基、トリフルオロメチル基、ノナフルオロブチルエチル基、３−グリシドキシプロピル基、３−（メタ）アクリロキシプロピル基、３−アミノプロピル基、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピル基、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチル基、３−メルカプトプロピル基、ｐ−スチリル基、３−イソシアネートプロピル基、下記式（１）
【００１６】
【化１】
2010008603.tif 000002
【００１７】
（式（１）中、「＊」は結合手であることを示す。）
で表される基等を挙げることができる。Ｘ３の炭素数１〜６のアルコキシル基については、上記式（ａ−１）におけるＸ１について説明したところと同様である。
上記式（ａ−３）で表される化合物の具体例としては、上記式（ａ−３）においてｒが０である化合物として、例えば
テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラブトキシシラン、テトラプロポキシシラン等を；
上記式（ａ−３）においてｒが１である化合物として、例えば
ノナフルオロブチルエチルトリメトキシシラン、トリフルオロメチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリプロポキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリプロポキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリプロポキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリプロポキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリプロポキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリプロポキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリプロポキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリプロポキシシラン、Ｎ−（１，３−ジメチルブチリデン）−３−（トリメトキシシリル）−１−プロパンアミン、Ｎ−（１，３−ジメチルブチリデン）−３−（トリエトキシシリル）−１−プロパンアミン、Ｎ−（１，３−ジメチルブチリデン）−３−（トリプロポキシシリル）−１−プロパンアミン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、ｐ−スチリルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリプロポキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、３−イソシアネートプロピルトリプロポキシシラン等を；
【００１８】
上記式（ａ−３）においてｒが２である化合物として、例えば
ノナフルオロブチルエチルメチルジメトキシシラン、トリフルオロメチルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジプロポキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジプロポキシシラン、３−アクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルメチルジプロポキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラン、ビニルメチルジプロポキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジプロポキシシラン、３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジプロポキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルメチルジメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルメチルジエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルメチルジプロポキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジエトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジプロポキシシラン、Ｎ−（１，３−ジメチルブチリデン）−３−（トリメトキシシリル）−１−プロパンアミン、Ｎ−（１，３−ジメチルブチリデン）−３−（トリエトキシシリル）−１−プロパンアミン、Ｎ−（１，３−ジメチルブチリデン）−３−（トリプロポキシシリル）−１−プロパンアミン、ｐ−スチリルメチルジメトキシシラン、ｐ−スチリルメチルジエトキシシラン、ｐ−スチリルメチルジプロポキシシラン、３−イソシアネートプロピルメチルジメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルメチルジエトキシシラン、３−イソシアネートプロピルメチルジプロポキシシラン等を；
【００１９】
上記式（ａ−３）においてｒが３である化合物として、例えば
ノナフルオロブチルエチルジメチルメトキシシラン、トリフルオロメチルジメチルメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルジメチルメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルジメチルエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルジメチルプロポキシシラン、３−メタクリロキシプロピルジメチルメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルジメチルエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルジメチルプロポキシシラン、３−アクリロキシプロピルジメチルメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルジメチルエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルジメチルプロポキシシラン、ビニルジメチルメトキシシラン、ビニルジメチルエトキシシラン、ビニルジメチルプロポキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルジメチルメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルジメチルエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルジメチルプロポキシシラン、３−アミノプロピルジメチルメトキシシラン、３−アミノプロピルジメチルエトキシシラン、３−アミノプロピルジメチルプロポキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルジメチルメトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルジメチルエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルジメチルプロポキシシラン、３−メルカプトプロピルジメチルメトキシシラン、３−メルカプトプロピルジメチルエトキシシラン、３−メルカプトプロピルジメチルプロポキシシラン、Ｎ−（１，３−ジメチルブチリデン）−３−（トリメトキシシリル）−１−プロパンアミン、Ｎ−（１，３−ジメチルブチリデン）−３−（トリエトキシシリル）−１−プロパンアミン、Ｎ−（１，３−ジメチルブチリデン）−３−（トリプロポキシシリル）−１−プロパンアミン、ｐ−スチリルジメチルメトキシシラン、ｐ−スチリルジメチルエトキシシラン、ｐ−スチリルジメチルプロポキシシラン、３−イソシアネートプロピルジメチルメトキシシラン、３−イソシアネートプロピルジメチルエトキシシラン、３−イソシアネートプロピルジメチルプロポキシシラン等を、それぞれ挙げることができる。これらの化合物は、一種単独で使用しても、または２種以上を組み合わせて使用してもよい。
これらのうち、ｒが１である化合物が好ましく使用でき、特に形成される配線隔壁の耐熱性およびメルト性の点から、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）トリメトキシシランおよび２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）トリエトキシシランよりなる群から選択される少なくとも一種を使用することが好ましい。
【００２０】
本発明の配線隔壁形成用感放射線性樹脂組成物に含有される（Ａ）ポリシロキサンは、
上記式（ａ−１）で表される化合物５０〜９９重量％、好ましくは６０〜９５重量％、より好ましくは７０〜９０重量％、
上記式（ａ−２）で表される化合物１〜４５重量％、好ましくは５〜４０重量％、より好ましくは１０〜３０重量％、および
上記式（ａ−３）で表される化合物を０〜５重量％、好ましくは０〜４重量％、より好ましくは０〜３重量％
からなる混合物を重縮合してなるポリシロキサンである。
上記式（ａ−１）で表される化合物の使用割合が５０重量％未満である場合、配線隔壁形成時のポストベークや追加ベーク時に隔壁中にクラックが入る場合があり、一方この値が９９重量％を超える場合、ポストベーク時の形状変化が大きくなり、微細なパターンを形成できない場合がある。また、上記式（ａ−１）〜（ａ−３）のそれぞれで表される化合物の使用割合を上記の範囲とすることにより、得られる配線隔壁形成用感放射線性樹脂組成物の露光マージンが十分に広くなるとの利点が得られる。
上記式（ａ−１）〜（ａ−３）のそれぞれで表される化合物の混合物を重縮合する条件（すなわち、これら化合物の混合物を加水分解し、あるいは該加水分解物をさらに縮合するための反応条件）は、特に制限されるものではないが、一例として、以下に示す工程によって実施することができる。
上記式（ａ−１）ないし（ａ−３）のそれぞれで表される化合物の混合物、所定量の水および適当な溶媒ならびに任意的に触媒を、撹拌機付きの容器内に収容し、空気雰囲気中、０℃以上、且つ溶媒および上記式（ａ−１）ないし（ａ−３）のそれぞれで表される化合物のうちの最も低い沸点以下の温度、例えば０〜１５０℃、好ましくは４０〜１００℃において１〜２４時間程度撹拌する。なお、撹拌中、必要に応じて蒸留によって反応混合物を濃縮したり、あるいは溶媒を追加してもよい。
ここで使用することができる溶媒としては特に制限はないが、例えば後述する感放射線性組成物の調製に用いられる溶媒と同種のものを使用することができる。溶媒を使用する場合、その使用割合としては、上記式（ａ−１）ないし（ａ−３）のそれぞれで表される化合物の合計１００重量部あたり１，０００重量部以下であることが好ましく、５０〜３００重量部であることがより好ましい。
【００２１】
上記任意的に使用される触媒としては、例えば金属キレート化合物、有機酸、無機酸、有機塩基、無機塩基等を挙げることができる。
触媒として用いられる金属キレート化合物としては、例えばチタンキレート化合物、ジルコニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物等を挙げることができる。
上記チタンキレート化合物としては、例えば
トリエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、テトラキス（アセチルアセトナート）チタン、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、テトラキス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテート）チタン、ビス（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテート）チタン、トリス（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテート）チタン等を；
【００２２】
上記ジルコニウムキレート化合物としては、例えば
トリエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、テトラキス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｉ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｉ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｉ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、テトラキス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ビス（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリス（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム等を；
上記アルミニウムキレート化合物としては、例えば
トリス（アセチルアセトナート）アルミニウム、トリス（エチルアセトアセテート）アルミニウム等を、それぞれ挙げることができる。
【００２３】
触媒として用いられる有機酸の具体例としては、例えば酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ペンタン酸、ヘキサン酸、ヘプタン酸、オクタン酸、ノナン酸、デカン酸、シュウ酸、マレイン酸、メチルマロン酸、アジピン酸、セバシン酸、没食子酸、酪酸、メリット酸、アラキドン酸、ミキミ酸、２−エチルヘキサン酸、オレイン酸、ステアリン酸、リノール酸、リノレイン酸、サリチル酸、安息香酸、ｐ−アミノ安息香酸、ｐ−トルエンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、モノクロロ酢酸、ジクロロ酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸、ギ酸、マロン酸、スルホン酸、フタル酸、フマル酸、クエン酸、酒石酸等を挙げることができる。
触媒として用いられる無機酸の具体例としては、例えば塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸、リン酸等を挙げることができる。
触媒として用いられる有機塩基の具体例としては、例えばピリジン、ピロール、ピペラジン、ピロリジン、ピペリジン、ピコリン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ジメチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジアザビシクロオクラン、ジアザビシクロノナン、ジアザビシクロウンデセン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等を挙げることができる。
触媒として用いられる無機塩基としては、例えばアンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、水酸化カルシウム等を挙げることができる。
これらの触媒は、１種単独であるいは２種以上組み合わせて用いることができる。
【００２４】
これらの中では、金属キレート化合物、有機酸または無機酸を触媒として用いることが好ましく、より好ましくはチタンキレート化合物または有機酸である。
触媒の使用割合は、上記式（ａ−１）ないし（ａ−３）のそれぞれで表される化合物の合計１００重量部に対して、好ましくは１０重量部以下であり、より好ましくは０．００１〜１０重量部であり、さらに好ましくは０．０１〜１０重量部である。
（Ａ）ポリシロキサンの重量平均分子量は、１５，０００以下であることが好ましく、５００〜１５，０００であることがより好ましく、さらに１，０００〜１２，０００であることが好ましい。この範囲の重量平均分子量とすることにより、成膜性と感放射線性のバランスにより優れた感放射線性樹脂組成物を容易に得ることができる。なお、上記重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィーを使用して、ポリスチレン換算の重量平均分子量として測定されたものと理解すべきである。
【００２５】
（Ｂ）感放射線性酸発生剤
本発明における（Ｂ）感放射線性酸発生剤は、放射線の照射を受けて酸を発生する化合物である。すなわち、（Ｂ）感放射線性酸発生剤は、紫外線等の放射線を照射することにより（Ａ）ポリシロキサンを硬化（架橋）可能な酸性物質を放出することができる化合物であり、例えばトリクロロメチル−ｓ−トリアジン化合物、ジアリールヨードニウム塩、トリアリールスルホニウム塩、その他のスルホニウム塩、第四アンモニウム塩、スルホン酸エステル等を用いることができる。
上記トリクロロメチル−ｓ−トリアジン化合物としては、例えば２，４，６−トリス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−フェニル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−クロロフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−メトキシフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メチルチオフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メチルチオフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−メチルチオフェニル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−メトキシナフチル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メトキシ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（２−メトキシ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３，４，５−トリメトキシ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メチルチオ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メチルチオ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（３−メチルチオ−β−スチリル）−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−ピペロニル−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（フラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［（Ｅ）−２−（３−メチル−２−フラニル）エテニル］−４，６−ジ（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−［２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル］−４，６−ビス（トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン等を；
【００２６】
上記ジアリールヨードニウム塩としては、例えばジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ジフェニルヨードニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、ジフェニルヨードニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、ジフェニルヨードニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、４−メトキシフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムテトラフルオロボレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキサフルオロアルセネート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフルオロアセテート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、フェニル，４−（２’−ヒドロキシ−１’−テトラデカオキシ）フェニルヨードニウムテトラフルオロボレート、フェニル，４−（２’−ヒドロキシ−１’−テトラデカオキシ）フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−（２’−ヒドロキシ−１’−テトラデカオキシ）フェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモナート等を；
【００２７】
上記トリアリールスルホニウム塩としては、例えばトリフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、トリフェニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、トリフェニルスルホニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルスルホニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、トリフェニルスルホニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムテトラフルオロボレート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニルジメチルスルホニウムテトラフルオロボレート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニルジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニルジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニルジメチルスルホニウムトリフルオロアセテート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニルジメチルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニルジメチルスルホニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニルジメチルスルホニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、４−ヒドロキシ−１−ナフタレニルジメチルスルホニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート等を；
【００２８】
上記その他のスルホニウム塩としては、例えば（４−ヒドロキシ−１−ナフチル）ジメチルスルホニウムテトラフルオロボレート、（４−ヒドロキシ−１−ナフチル）ジメチルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、（４−ヒドロキシ−１−ナフチル）ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、（４−ヒドロキシ−１−ナフチル）ジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、（４−ヒドロキシ−１−ナフチル）ジメチルスルホニウムノナフルオロブタンスルホナート、（４−ヒドロキシ−１−ナフチル）ジメチルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、１−（２−ナフタレン−２−イル−２−オキソエチル）チオラン−１−イウムテトラフルオロボレート、１−（２−ナフタレン−２−イル−２−オキソエチル）チオラン−１−イウムヘキサフルオロホスホネート、１−（２−ナフタレン−２−イル−２−オキソエチル）チオラン−１−イウムヘキサフルオロアルセネート、１−（２−ナフタレン−２−イル−２−オキソエチル）チオラン−１−イウムトリフルオロメタンスルホナート、１−（２−ナフタレン−２−イル−２−オキソエチル）チオラン−１−イウムトリフルオロノナフルオロブタンスルホナート、１−（２−ナフタレン−２−イル−２−オキソエチル）チオラン−１−イウム−ｐ−トルエンスルホナート、（４−ヒドロキシ−１−ナフチル）ジメチルスルホニウムテトラフルオロボレート、（４−ヒドロキシ−１−ナフチル）ジメチルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、（４−ヒドロキシ−１−ナフチル）ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、（４−ヒドロキシ−１−ナフチル）ジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、（４−ヒドロキシ−１−ナフチル）ジメチルスルホニウムノナフルオロブタンスルホナート、（４−ヒドロキシ−１−ナフチル）ジメチルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、（４，７−ジヒドロキシ−１−ナフチル）ジメチルスルホニウムテトラフルオロボレート、（４，７−ジヒドロキシ−１−ナフチル）ジメチルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、（４，７−ジヒドロキシ−１−ナフチル）ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、（４，７−ジヒドロキシ−１−ナフチル）ジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、（４，７−ジヒドロキシ−１−ナフチル）ジメチルスルホニウムノナフルオロブタンスルホナート、（４，７−ジヒドロキシ−１−ナフチル）ジメチルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、（４，８−ジヒドロキシ−１−ナフチル）ジメチルスルホニウムテトラフルオロボレート、（４，８−ジヒドロキシ−１−ナフチル）ジメチルスルホニウムヘキサフルオロホスホネート、（４，８−ジヒドロキシ−１−ナフチル）ジメチルスルホニウムヘキサフルオロアルセネート、（４，８−ジヒドロキシ−１−ナフチル）ジメチルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、（４，８−ジヒドロキシ−１−ナフチル）ジメチルスルホニウムノナフルオロブタンスルホナート、（４，８−ジヒドロキシ−１−ナフチル）ジメチルスルホニウム−ｐ−トルエンスルホナート、１−（４，７−ヒドロキシ−１−ナフチル）チオラン−１−イウムテトラフルオロボレート、１−（４，７−ヒドロキシ−１−ナフチル）チオラン−１−イウムヘキサフルオロホスホネート、１−（４，７−ヒドロキシ−１−ナフチル）チオラン−１−イウムヘキサフルオロアルセネート、１−（４，７−ジブトキシ−１−ナフチル）チオラン−１−イウムトリフルオロメタンスルホナート、１−（４，７−ヒドロキシ−１−ナフチル）チオラン−１−イウムノナフルオロブタンスルホナート、１−（４，７−ヒドロキシ−１−ナフチル）チオラン−１−イウム−ｐ−トルエンスルホナート、１−（４，７−ジブトキシ−１−ナフチル）チオラン−１−イウムテトラフルオロボレート、１−（４，７−ジブトキシ−１−ナフチル）チオラン−１−イウムヘキサフルオロホスホネート、１−（４，７−ジブトキシ−１−ナフチル）チオラン−１−イウムヘキサフルオロアルセネート、１−（４，７−ジブトキシ−１−ナフチル）チオラン−１−イウムノナフルオロブタンスルホナート、１−（４，７−ジブトキシ−１−ナフチル）チオラン−１−イウム−ｐ−トルエンスルホナート等を；
【００２９】
上記第四アンモニウム塩としては、例えばテトラメチルアンモニウムテトラフルオロボレート、テトラメチルアンモニウムヘキサフルオロホスホネート、テトラメチルアンモニウムヘキサフルオロアルセネート、テトラメチルアンモニウムトリフルオロメタンスルホナート、テトラメチルアンモニウムトリフルオロアセテート、テトラメチルアンモニウム−ｐ−トルエンスルホナート、テトラメチルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、テトラメチルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、テトラメチルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、テトラブチルアンモニウムテトラフルオロボレート、テトラブチルアンモニウムヘキサフルオロホスホネート、テトラブチルアンモニウムヘキサフルオロアルセネート、テトラブチルアンモニウムトリフルオロメタンスルホナート、テトラブチルアンモニウムトリフルオロアセテート、テトラブチルアンモニウム−ｐ−トルエンスルホナート、テトラブチルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、テトラブチルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、テトラブチルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、ベンジルトリメチルアンモニウムテトラフルオロボレート、ベンジルトリメチルアンモニウムヘキサフルオロホスホネート、ベンジルトリメチルアンモニウムヘキサフルオロアルセネート、ベンジルトリメチルアンモニウムトリフルオロメタンスルホナート、ベンジルトリメチルアンモニウムトリフルオロアセテート、ベンジルトリメチルアンモニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ベンジルトリメチルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、ベンジルトリメチルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、ベンジルトリメチルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムテトラフルオロボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキサフルオロホスホネート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキサフルオロアルセネート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムトリフルオロメタンスルホナート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムトリフルオロアセテート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウム−ｐ−トルエンスルホナート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムテトラフルオロボレート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムヘキサフルオロホスホネート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムヘキサフルオロアルセネート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムトリフルオロメタンスルホナート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムトリフルオロアセテート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウム−ｐ−トルエンスルホナート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、Ｎ−シンナミリデンエチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、Ｎーシンナミリデンエチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート等を；
【００３０】
上記スルホン酸エステルとしては、例えばα−ヒドロキシメチルベンゾイン−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、α−ヒドロキシメチルベンゾイン−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、α−ヒドロキシメチルベンゾイン−メタンスルホン酸エステル、ピロガロール−トリ（ｐ−トルエンスルホン酸）エステル、ピロガロール−トリ（トリフルオロメタンスルホン酸）エステル、ピロガロール−トリメタンスルホン酸エステル、２，４−ジニトロベンジル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、２，４−ジニトロベンジル−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、２，４−ジニトロベンジル−メタンスルホン酸エステル、２，４−ジニトロベンジル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２，６−ジニトロベンジル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、２，６−ジニトロベンジル−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、２，６−ジニトロベンジル−メタンスルホン酸エステル、２，６−ジニトロベンジル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、２−ニトロベンジル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、２−ニトロベンジル−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、２−ニトロベンジル−メタンスルホン酸エステル、２−ニトロベンジル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、４−ニトロベンジル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、４−ニトロベンジル−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、４−ニトロベンジル−メタンスルホン酸エステル、４−ニトロベンジル−１，２−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−メタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシ−５−ノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミド−メタンスルホン酸エステル、２，４，６，３’，４’，５’，−ヘキサヒドロキシベンゾフェノン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル、１，１，１−トリ（ｐ−ヒドロキシフェニル）エタン−１，２−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸エステル等を、それぞれ挙げることができる。
【００３１】
これらの化合物のうち、トリクロロメチル−ｓ−トリアジン化合物としては、２−（３−クロロフェニル）−ビス（４，６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシフェニル）−ビス（４，６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メチルチオフェニル）−ビス（４，６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−（４−メトキシ−β−スチリル）−ビス（４，６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−ピペロニル−ビス（４，６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（フラン−２−イル）エテニル］−ビス（４，６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［（Ｅ）−２−（３−メチル−２−フラニル）エテニル］−４，６−ジ（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン、２−［２−（５−メチルフラン−２−イル）エテニル］−ビス（４，６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジン、２−［２−（４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）エテニル］−ビス（４，６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンまたは２−（４−メトキシナフチル）−ビス（４，６−トリクロロメチル）−ｓ−トリアジンを；
ジアリールヨードニウム塩としては、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、フェニル，４−（２’−ヒドロキシ−１’−テトラデカオキシ）フェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−（２’−ヒドロキシ−１’−テトラデカオキシ）フェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモナートを；
トリアリールスルホニウム塩としては、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、４−フェニルチオフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテートを；
【００３２】
その他のスルホニウム塩としては、１−（４，７−ジブトキシ−１−ナフチル）チオラン−１−イウムトリフルオロメタンスルホナート、１−（４，７−ヒドロキシ−１−ナフチル）チオラン−１−イウムノナフルオロブタンスルホナートを；
第四アンモニウム塩としては、テトラメチルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、テトラメチルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、テトラメチルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムブチルトリス（２，６−ジフルオロフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（ｐ−クロロフェニル）ボレート、ベンジルジメチルフェニルアンモニウムヘキシルトリス（３−トリフルオロメチルフェニル）ボレートを；
スルホン酸エステルとしては、２，６−ジニトロベンジル−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、２，６−ジニトロベンジル−トリフルオロメタンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−ｐ−トルエンスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシナフタルイミド−トリフルオロメタンスルホン酸エステルを、それぞれ好ましいものとして挙げることができる。
（Ｂ）感放射線性酸発生剤としては、ジアリールヨードニウム塩およびトリアリールスルホニウム塩から選択される少なくとも１種を使用することが好ましい。
本発明における（Ｂ）感放射線性酸発生剤の使用割合は、（Ａ）ポリシロキサン１００重量部に対して好ましくは０．１〜１５重量部であり、より好ましくは１〜１０重量部である。この範囲の使用割合において、感放射線性の良好な組成物とすることができ、またそのような組成物から得られる配線隔壁は耐アルカリ性、耐溶剤性および耐熱性に優れたものとなる。
【００３３】
その他の添加剤
本発明の、配線隔壁形成用感放射線性樹脂組成物は、上記（Ａ）ポリシロキサンおよび（Ｂ）感放射線性酸発生剤を必須成分とするものであるが、必要に応じてその他の添加剤を含有することができる。
このようなその他の添加剤としては、例えば（Ｃ）シランカップリング剤、（Ｄ）脱水剤、酸拡散制御剤、増感剤、界面活性剤、保存安定剤、消泡剤等を挙げることができる。
（Ｃ）シランカップリング剤
上記（Ｃ）シランカップリング剤は、本発明の感放射線性組成物から形成される配線隔壁と基板との密着性をより向上するために使用することができる。
このような（Ｃ）シランカップリング剤としては、官能性シランカップリング剤が好ましく使用され、例えばカルボキシル基、メタクリロイル基、ビニル基、イソシアネート基、エポキシ基、アミノ基等の反応性官能基を有するシランカップリング剤を挙げることができる。具体的にはトリメトキシシリル安息香酸、メチルジメトキシシリル安息香酸、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メタクリロキシエチルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシエチルメチルジメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルメチルジエトキシシラン、γ−イソシアナートプロピルトリメトキシシラン、γ−イソシアナートプロピルメチルジメトキシシラン、γ−イソシアナートエチルトリメトキシシラン、γ−イソシアナートエチルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−グリシドキシエチルトリメトキシシラン、β−グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルメチルジメトキシシラン、γ−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピルトリメトキシシラン、γ−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン等を挙げることができる。
【００３４】
これらシランカップリング剤の市販品としては、例えばサイラエースＳ２１０、Ｓ２２０、Ｓ３１０、Ｓ３２０、Ｓ３３０、Ｓ５１０、Ｓ５２０、Ｓ５３０、Ｓ７１０（以上、チッソ（株）製）、Ａ−１５１、Ａ−１７１、Ａ−１７２、Ａ−１７４、Ｙ−９９３６、Ａ−１８６、Ａ−１８７、Ａ−１１００、Ａ−１１１０、Ａ−１１２０、Ａ−１１２２、Ｙ−９６６９、Ａ−１１６０（以上、日本ユニカー（株）製）、ＳＨ６０２０、ＳＺ６０２３、ＳＨ６０２６、ＳＺ６０３０、ＳＺ６０３２、ＳＨ６０４０、ＳＺ６０５０、ＳＺ６０７０、ＳＺ６０７２、ＳＺ６０７５、ＳＺ６０８３、ＳＺ６３００（以上、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）等を挙げることができる。
これらのうち、エポキシ基を有するシランカップリング剤が最も好ましく、中でもγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−グリシドキシエチルトリメトキシシラン、β−グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルメチルジメトキシシラン、γ−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピルトリメトキシシラン、γ−（３，４−エポキシシクロヘキシル）プロピルメチルジメトキシシランが特に好ましい。
このような（Ｃ）シランカップリング剤の配合割合は、（Ａ）ポリシロキサン１００重量部に対して、好ましくは５０重量部以下であり、より好ましくは２〜５０重量部であり、さらに好ましくは５〜３０重量部である。
【００３５】
（Ｄ）脱水剤
本発明の配線隔壁形成用感放射線性樹脂組成物に添加することができる（Ｄ）脱水剤は、水を化学反応により水以外の物質に変換することができるか、または物理吸着もしくは包接によりトラップすることができる物質である。本発明の配線隔壁形成用感放射線性樹脂組成物に（Ｄ）脱水剤を含有させることにより、本発明の組成物の感放射線性をより向上することができる。その理由は未だ明らかではないが、（Ｄ）脱水剤の存在により、環境から浸入する水分、または後述する絶縁膜の形成工程において放射線の照射により（Ａ）成分から発生する水分の影響を軽減することができ、そのために組成物の感放射線性の向上に資するものと推定される。
このような（Ｄ）脱水剤としては、カルボン酸エステル、アセタール化合物（ケタール化合物を含む。）、およびカルボン酸無水物よりなる群から選択される少なくとも一種を好ましく使用できる。
上記カルボン酸エステルとしては、オルトカルボン酸エステル、カルボン酸シリルエステル等が好ましい。
オルトカルボン酸エステルの具体例としては、オルト蟻酸メチル、オルト蟻酸エチル、オルト蟻酸プロピル、オルト蟻酸ブチル、オルト酢酸メチル、オルト酢酸エチル、オルト酢酸プロピル、オルト酢酸ブチル、オルトプロピオン酸メチルおよびオルトプロピオン酸エチル等を挙げることができる。また、これらのカルボン酸オルトエステルのうち、オルト蟻酸エステルが特に好ましい。
カルボン酸シリルエステルの具体例としては、酢酸トリメチルシリル、酢酸トリブチルシリル、蟻酸トリメチルシリル、シュウ酸トリメチルシリル等を挙げることができる。
【００３６】
上記アセタール化合物としては、例えばケトンとアルコールの反応物、ケトンとジアルコールの反応物、ケテンシリルアセタール化合物等を挙げることができる。ケトンとアルコールの反応物の具体例としては、例えばジメチルアセタール、ジエチルアセタール、ジプロピルアセタール等を挙げることができる。
上記カルボン酸無水物の具体例としては、例えば無水蟻酸、無水酢酸、無水コハク酸、無水マレイン酸、無水フタル酸、無水安息香酸、酢酸安息香酸無水物等を挙げることができ、これらのうち、無水酢酸および無水コハク酸が、脱水効果に特に優れており、好ましい。
本発明において（Ｄ）脱水剤を使用する場合の使用割合は、（Ａ）ポリシロキサン１００重量部に対して、好ましくは１００重量部以下であり、より好ましくは０．１〜１００重量部以下であり、さらに好ましくは０．５〜５０重量部であり、特に好ましくは１〜１０重量部である。
この範囲を超えて使用しても、（Ｄ）脱水剤使用の効果がさらに増大するものではい。
【００３７】
酸拡散制御剤
本発明において酸拡散制御剤は、（Ｂ）感放射線性酸発生剤に放射線を照射することにより生じた酸性物質の組成物塗膜中における拡散を制御し、非露光領域での硬化反応を抑制する機能を有する。
このような酸拡散抑制剤としては、例えば下記式（２）
【００３８】
【化２】
2010008603.tif 000003
【００３９】
（式（２）中、ＲＩ、ＲＩＩおよびＲＩＩＩは、相互に独立に、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数６〜１２のアリール基または炭素数７〜１２のアラルキル基であり、ただし上記アルキル基、アリール基およびアラルキル基はそれぞれその水素原子の一部または全部がハロゲン原子によって置換されていてもよい。）
で表される化合物（以下、「含窒素化合物（１）」という。）、同一分子内に窒素原子を２個有するジアミノ化合物（以下、「含窒素化合物（２）」という。）、窒素原子を３個以上有する含窒素化合物（以下、「含窒素化合物（３）」という。）、アミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環化合物等を挙げることができる。
上記含窒素化合物（１）としては、例えばモノアルキルアミン、ジアルキルアミン、トリアルキルアミン、芳香族アミン、アルカノールアミン等を挙げることができる。
これらの具体例としては、モノアルキルアミンとして、例えばｎ−ヘキシルアミン等を；
ジアルキルアミンとして、例えばジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ペンチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシルアミン等を；
トリアルキルアミンとして、例えばトリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン等を；
芳香族アミンとして、例えばアニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、４−メチルアニリン、４−ニトロアニリン、ジフェニルアミン、トリフェニルアミン、１−ナフチルアミン等を；
アルカノールアミンとして、例えばエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等を、それぞれ挙げることができる。
【００４０】
上記含窒素化合物（２）としては、例えばエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレンジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニルアミン、２，２’−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（３−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１，４−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン、１，３−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン等を挙げることができる。
上記含窒素化合物（３）としては、例えばポリエチレンイミン、ポリアリルアミン、ジメチルアミノエチルアクリルアミドの重合体等を挙げることができる。
上記アミド基含有化合物としては、例えば、ホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン等を挙げることができる。
上記ウレア化合物としては、例えば尿素、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレア、１，３−ジフェニルウレア、トリブチルチオウレア等を挙げることができる。
【００４１】
上記含窒素複素環化合物としては、例えばイミダゾールおよびその誘導体、ピリジンおよびその誘導体、その他の含窒素複素環化合物を挙げることができる。
上記イミダゾールおよびその誘導体としては、例えばイミダゾール、ベンズイミダゾール、２−メチルイミダゾール、４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、４−フェニルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダゾール等を；
ピリジンおよびその誘導体としては、例えばピリジン、２−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、Ｎ−メチル−４−フェニルピリジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、８−オキシキノリン、アクリジン等を；
その他の含窒素複素環化合物としてはピラジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、ピロリジン、ピペリジン、モルホリン、４−メチルモルホリン、ピペラジン、１，４−ジメチルピペラジン、１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン、２，４，６−トリ（２−ピリジル）−１，３，５−トリアジン等を、それぞれ挙げることができる。このような酸拡散制御剤は、一種単独で使用してもよく、あるいは二種以上を混合して使用してもよい。
これらの酸拡散抑制剤のうち、含窒素化合物（１）、含窒素複素環化合物が好ましく用いられ、そのうち、含窒素化合物（１）としてはトリアルキルアミンが特に好ましく、含窒素複素環化合物としてはピリジンおよびその誘導体が特に好ましい。
就中好ましいものとして、トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、トリ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、トリ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、トリ−ｎ−オクチルアミン、ピリジン、２−メチルピリジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニルピリジン、Ｎ−メチル−４−フェニルピリジン、２，４，６−トリ（２−ピリジル）−１，３，５−トリアジン、ニコチン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、８−オキシキノリンおよびアクリジンを挙げることができる。
酸拡散制御剤の添加量は、（Ａ）ポリシロキサン１００重量部に対して、好ましくは１５重量部以下であり、より好ましくは０．００１〜１５重量部であり、さらに好ましくは０．００５〜５重量部である。
【００４２】
増感剤
上記増感剤は、本発明の感放射線組成物の放射線に対する感度をより向上する目的で配合することができる。このような増感剤としては、例えば２Ｈ−ピリド−（３，２−ｂ）−１，４−オキサジン−３（４Ｈ）−オン、１０Ｈ−ピリド−（３，２−ｂ）−（１，４）−ベンゾチアジン、ウラゾ−ル、ヒダントイン、バルビツ−ル酸、グリシン無水物、１−ヒドロキシベンゾトリアゾ−ル、アロキサン、マレイミド、３−位もしくは７−位またはその双方に置換基を有するクマリン、フラボン、ジベンザルアセトン、ジベンザルシクロヘキサン、カルコン、キサンテン、チオキサンテン、ポルフィリン、フタロシアニン、アクリジンおよびアントラセンならびにこれらの誘導体等を挙げることができる。
これらの増感剤の使用量は、（Ｂ）感放射線性酸発生剤１００重量部に対して、好ましくは１００重量部以下であり、より好ましくは１〜５０重量部である。
【００４３】
界面活性剤
上記界面活性剤は、塗布性、例えばストリエーションや塗膜形成後の放射線未照射部の現像性をより向上するために添加することができる。
界面活性剤としては、例えばノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、シリコン系界面活性剤、その他の界面活性剤を挙げることができる。
上記ノニオン系界面活性剤として、例えばポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル；ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリールエーテル；ポリエチレングリコールジラウレート、ポリエチレングリコールジステアレート等のポリエチレングリコールジアルキルエステル等を挙げることができる。
フッ素系界面活性剤としては、例えば上記エフトップＥＦ３０１、３０３、３５２（以上、新秋田化成（株）製）、メガファックＦ１７１、１７２、１７３（以上、大日本インキ（株）製）、フロラードＦＣ４３０、４３１（以上、住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、ＳＣ−１０１、１０２、１０３、１０４、１０５、１０６（以上、旭硝子（株）製）等を挙げることができる。
上記シリコン系界面活性剤としては、例えばＳＨ２００−１００ｃｓ、ＳＨ２８ＰＡ、ＳＨ３０ＰＡ、ＳＴ８９ＰＡ、ＳＨ１９０（以上、東レダウコーニングシリコーン（株）製）等を挙げることができる。
上記その他の界面活性剤としては、例えばオルガノシロキサンポリマーＫＰ３４１（信越化学工業（株）製）、アクリル酸系またはメタクリル酸系（共）重合体、ポリフローＮｏ．５７、９５（共栄社化学（株）製）等を挙げることができる。
このような界面活性剤の使用量は、（Ａ）ポリシロキサン１００重量部に対して、好ましくは２重量部以下であり、より好ましくは１重量部以下である。
【００４４】
配線隔壁形成用感放射線性樹脂組成物
本発明の配線隔壁形成用感放射線性樹脂組成物は、上記の通り、（Ａ）ポリシロキサンおよび（Ｂ）感放射線性酸発生剤ならびに任意的に添加されるその他の添加剤を含有するものであるが、好ましくはこれらの各成分が溶媒に溶解または分散された状態に調製され、使用される。
本発明の感放射線性樹脂組成物の調製に用いることができる溶媒としては、本発明の感放射線性樹脂組成物の各成分を均一に溶解または分散し、且つ各成分と反応しないものが好適に用いられる。
このような溶媒としては、例えば、アルコール、エーテル、グリコールエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、ジエチレングリコールアルキルエーテル、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート、芳香族炭化水素、ケトン、エステル等を挙げることができる。
【００４５】
これらの具体例としては、アルコールとして、例えばメタノール、エタノール等を；
エーテルとして、例えばテトラヒドロフラン等を；
グリコールエーテルとして、例えばエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル等を；
エチレングリコールアルキルエーテルアセテートとして、例えばメチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等を；
ジエチレングリコールアルキルエーテルとして、例えばジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル等を；
プロピレングリコールモノアルキルエーテルとして、例えばプロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、プロピレングリコールブチルエーテル等を；
プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートとして、例えばプロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールブチルエーテルアセテート等を；
プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートとして、例えばプロピレングリコールメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールエチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールプロピルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールブチルエーテルプロピオネート等を；
芳香族炭化水素として、例えばトルエン、キシレン等を；
ケトンとして、例えばメチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、２−ヘプタノン、４−ヒドロキシ−４−メチル−２−ペンタノン等を；
【００４６】
エステルとして、例えば酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、ヒドロキシ酢酸メチル、ヒドロキシ酢酸エチル、ヒドロキシ酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、３−ヒドロキシプロピオン酸メチル、３−ヒドロキシプロピオン酸エチル、３−ヒドロキシプロピオン酸プロチル、３−ヒドロキシプロピオン酸ブチル、２−ヒドロキシ−３−メチルブタン酸メチル、メトキシ酢酸メチル、メトキシ酢酸エチル、メトキシ酢酸プロピル、メトキシ酢酸ブチル、エトキシ酢酸メチル、エトキシ酢酸エチル、エトキシ酢酸プロピル、エトキシ酢酸ブチル、プロポキシ酢酸メチル、プロポキシ酢酸エチル、プロポキシ酢酸プロピル、プロポキシ酢酸ブチル、ブトキシ酢酸メチル、ブトキシ酢酸エチル、ブトキシ酢酸プロピル、ブトキシ酢酸ブチル、２−メトキシプロピオン酸メチル、２−メトキシプロピオン酸エチル、２−メトキシプロピオン酸プロピル、２−メトキシプロピオン酸ブチル、２−エトキシプロピオン酸メチル、２−エトキシプロピオン酸エチル、２−エトキシプロピオン酸プロピル、２−エトキシプロピオン酸ブチル、２−ブトキシプロピオン酸メチル、２−ブトキシプロピオン酸エチル、２−ブトキシプロピオン酸プロピル、２−ブトキシプロピオン酸ブチル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシプロピオン酸エチル、３−メトキシプロピオン酸プロピル、３−メトキシプロピオン酸ブチル、３−エトキシプロピオン酸メチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸プロピル、３−エトキシプロピオン酸ブチル、３−プロポキシプロピオン酸メチル、３−プロポキシプロピオン酸エチル、３−プロポキシプロピオン酸プロピル、３−プロポキシプロピオン酸ブチル、３−ブトキシプロピオン酸メチル、３−ブトキシプロピオン酸エチル、３−ブトキシプロピオン酸プロピル、３−ブトキシプロピオン酸ブチル等を、それぞれ挙げることができる。
これらの溶剤は、単独でまたは混合して用いることができる。
【００４７】
これらの溶剤の中で、各成分の溶解性および分散性ならびに各成分と反応しないことならびに塗膜の形成のしやすさから、グリコールエーテル、エチレングリコールアルキルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノアルキルエーテル、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート、ケトン、エステルおよびジエチレングリコールアルキルエーテルよりなる群から選択される少なくとも１種が好ましく用いられ、特にエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールエチルメチルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールエチルエーテル、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、シクロヘキサノン、酢酸プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル、２−ヒドロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸メチル、２−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸エチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、乳酸ブチル、２−メトキシプロピオン酸メチルおよび２−メトキシプロピオン酸エチルよりなる群から選択される少なくとも１種が好ましい。
【００４８】
上記した溶媒に加え、必要に応じて、さらにベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、１−オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテート、カルビトールアセテート等の高沸点溶媒を併用してもよい。
このような高沸点溶媒の使用割合は、溶媒の全量に対して好ましくは５０重量％以下である。
本発明の配線隔壁形成用感放射線性樹脂組成物は、好ましくは上記の如き溶媒を用いて調製される。本発明の感放射線性樹脂組成物の固形分濃度、すなわち組成物注の溶媒を除く成分の合計重量が組成物の全量に占める割合は、その塗布方法に応じて適宜の値とすることがきるが、例えば５〜５０重量％とすることができる。
上記のように調製された組成物溶液は、孔径０．０５μｍ程度のフィルターを用いて濾過した後、使用に供してもよい。
【００４９】
配線隔壁の形成方法
本発明の感放射線性樹脂組成物は、配線隔壁の形成に好適に使用することができる。
配線隔壁の形成は、例えば以下の(１)〜(４）の工程を以下に記載の順で含む方法により、行うことができる。
（１）基板上に、本発明の配線隔壁形成用感放射線性樹脂組成物の塗膜を形成する工程、
（２）該塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程、
（３）２００℃以下で行う加熱工程
（４）現像工程、および
（５）３００℃以上で行う加熱工程。
以下、本発明の配線隔壁の形成方法の各工程について説明する。
【００５０】
（１）基板上に、本発明の配線隔壁形成用感放射線性樹脂組成物の塗膜を形成する工程
工程（１）において、本発明の感放射線性樹脂組成を基板表面に塗布し、プレベークにより溶媒を除去することによって塗膜を形成することができる。
ここで使用される基板としては、例えばガラス基板が好適に使用される。塗布方法としては、例えばスプレー法、ロールコート法、回転塗布法、バー塗布法等の適宜の方法を採用することができる。プレベークの条件は、本発明の感放射線性樹脂組成物に含有される各成分の種類、配合割合等によっても異なるが、好ましくは４０〜２００℃であり、より好ましくは５０〜１５０℃である。このプレベークは、ホットプレート、オーブン、赤外線等の適宜の加熱機器ないし方法を使用して行うことができる。プレベーク時間は、加熱をホットプレートによる場合、好ましくは１〜５分であり、オーブンによる場合、好ましくは１〜１５分である。
プレベーク後の膜厚は、目的とする配線構造等に応じて適宜の値とすることができるが、例えば１〜７μｍとすることができる。
【００５１】
（２）該塗膜の少なくとも一部に放射線を照射する工程
工程（２）では、形成された塗膜少なくとも一部に放射線を照射する。ここで用いられる放射線としては、例えばｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）等の紫外線、ＫｒＦエキシマレーザー等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のＸ線、電子線等の荷電粒子線を挙げることができる。これらのうち、ｇ線およびｉ線のうちの少なくとも一方を含む紫外線が好ましい。塗膜の一部に放射線の照射をするには、例えば放射線の照射を所定のパターンのマスクを介して行う方法を採用することができる。マスクとしては、例えば石英ガラス上に所定パターンのクロム薄膜を形成したマスクを好ましく使用することができる。この場合、クロム薄膜が存在する部分は放射線を遮断し、これに相当する塗膜の領域は後の（４）現像工程により除去されて「スペース」となり、さらに後述の配線形成工程において、このスペース内に配線材料が埋設されることとなる。一方、石英ガラスのみからなる部分は、放射線を透過し、これに相当する塗膜の領域は硬化して配線を絶縁する「ライン」となる。本明細書における「配線隔壁」とは、これらスペースとラインとの集合をいう。
放射線の照射を所定のパターンのマスクを介して行う場合に使用されるマスクパターンとしては、５〜３０μｍのスペースを形成できるフォトマスクが好ましい。
放射線の照射量（露光量）としては、好ましくは５０〜１０，０００Ｊ／ｍ２であり、より好ましくは１００〜５，０００Ｊ／ｍ２である。
【００５２】
（３）２００℃以下で行う加熱工程
次いで、工程（３）において、放射線照射後の塗膜に加熱処理（露光後ベーク（ＰＥＢ））が行われる。この露光後ベークには、上記プレベークと同様の機器ないし方法が使用でき、その条件は任意に設定することができる。露光後ベーク温度は２００℃以下であり、好ましくは３０〜１５０℃であり、より好ましくは４０〜１３０℃である。露光後ベーク時間は、加熱をホットプレートによる場合、好ましくは１分〜１０分であり、オーブンによる場合、好ましくは１〜２０分であり、赤外線による場合、好ましくは１〜２０分である。
（４）現像工程
工程（４）において、上記露光後ベーク後の塗膜につき、現像液を用いて現像処理して放射線の未照射部分を除去することにより、塗膜を所望の形状にパターニングする。
ここで用いられる現像液としては、例えばアルカリ水溶液、有機溶媒等を使用することができる。
上記アルカリ水溶液としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、硅酸ナトリウム、メタ硅酸ナトリウム、アンモニア水等の無機アルカリ；エチルアミン、ｎ−プロピルアミン等の第一級アミン；ジエチルアミン、ジ−ｎ−プロピルアミン等の第二級アミン；トリエチルアミン、メチルジエチルアミン等の第三級アミン；ジメチルエタノ−ルアミン、トリエタノ−ルアミン等のアルコ−ルアミン；テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等の第四級アンモニウム塩；ピロ−ル、ピペリジン、１，８−ジアザビシクロ−［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−ジアザビシクロ−［４．３．０］−５−ノナン等の環状アミン等を水に溶解したアルカリ水溶液が好ましく使用される。このアルカリ水溶液に、水溶性有機溶媒（例えばメタノ−ル、エタノ−ル等のアルコ−ル）、界面活性剤等を適量添加して使用してもよい。上記有機溶媒としては、本発明の感放射線性樹脂組成物を溶解することのできる有機溶媒を使用することができる。
現像方法としては、液盛り法、ディッピング法、揺動浸漬法等の適宜の方法を利用することができる。
現像処理して得られたパターン状の膜に対し、例えば流水洗浄によるリンス処理を行ってもよい。
【００５３】
（５）３００℃以上で行う加熱工程
その後、工程（５）において、上記パターン状の膜を、ホットプレート、オーブン等の適宜の加熱機器を用いて加熱処理を行うことにより、目的とする配線隔壁を形成することができる。
この加熱処理における加熱温度は、３００℃以上であり、好ましくは１５０〜４００℃とすることができる。加熱時間は、ホットプレート上で加熱を行う場合には例えば５〜３０分間、オーブン中で加熱を行う場合には例えば３０〜９０分間とすることができる。
上記絶縁膜の膜厚は、目的とする配線の構造等に基づき適宜の値とすることができるが、例えば１〜７μｍとすることができる。
配線隔壁
上記のごとくして形成された配線隔壁は、３００℃以上の高温の加熱工程を経ているものであるが、熱分解を起こしておらず、高い透明性を維持している。すなわち、上記配線隔壁は、その膜厚を３μｍとしたときの波長４００〜８００ｎｍにおける最低光線透過率が例えば９０％以上であることができ、特に９３％以上であることができる。
さらに、上記配線隔壁は、配線形成後の工程において高温処理が施され、あるいは経年の使用を続けても、配線材料の導電率が低下することがない。
従って、上記配線隔壁は液晶表示素子または有機ＥＬ素子の配線隔壁として好適に適用することができる。
配線の形成方法
上記の如くして形成された配線隔壁のうち、配線形成用のスペース部分に金属等からなる配線材料を埋設することにより、配線とすることができる。
配線材料を埋設するには、例えばインクジェット法、メッキ法、ペースト法、ＣＶＤ法、スパッタ法等適宜の方法によることができる。
形成された配線に対し、必要に応じて抵抗値を下げるためにアニールを行ってもよい。
液晶表示素子および有機ＥＬ素子
上記の如くして形成された配線隔壁は、そのスペース内に金属配線材料を埋設して配線を形成したうえで、液晶表示素子、有機ＥＬ素子に好適に使用することができる。
上記液晶表示素子および有機ＥＬ素子は、それぞれ本発明の配線隔壁形成用感放射線性樹脂組成物から形成された配線隔壁を有するが、その余の構成はそれぞれ公知のものとすることができる。
【実施例】
【００５４】
以下、本発明を下記実施例により詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら制約されるものではない。
下記において測定した分子量は、東ソー（株）製ＧＰＣクロマトグラフ（型式「ＨＬＣ−８０２０」）で測定したポリスチレン換算重量平均分子量である。
合成例１
３００ｍＬの三つ口フラスコにエチルトリメトキシシラン２５．０ｇ、フェニルトリメトキシシラン７５．０ｇ、これにメチルイソブチルケトン５０．０ｇを加えて溶解し、得られた溶液をマグネチックスターラにより撹拌しながら６０℃に昇温した。これに、０．５ｇのシュウ酸を溶解した３０．０ｇのイオン交換水を３０分間かけて連続的に添加した。そして、６０℃で４時間反応を行った後、得られた反応液を４０℃まで冷却し、その後、減圧にてメタノールと水を留去し、固形分濃度が３５重量％になるようにメチルイソブチルケトンを添加することにより、ポリシロキサン［Ａ−１］を含有する溶液を得た。ポリシロキサン［Ａ−１］のポリスチレン換算重量平均分子量Ｍｗは２，４００であった。
合成例２
３００ｍＬの三つ口フラスコにメチルトリメトキシシラン２０．０ｇ、フェニルトリメトキシシラン８０．０ｇ、これにプロピレングリコールモノメチルエーテル５０．０ｇを加えて溶解し、得られた溶液をマグネチックスターラにより撹拌しながら６０℃に昇温した。これに、０．４ｇのシュウ酸を溶解した２５．０ｇのイオン交換水を３０分間かけて連続的に添加した。そして、６０℃で３時間反応を行った後、得られた反応液を４０℃まで冷却し、その後、減圧にてメタノールと水を留去し、固形分濃度が３５重量％になるようにプロピレングリコールモノメチルエーテルを添加することにより、ポリシロキサン［Ａ−２］を含有する溶液を得た。ポリシロキサン［Ａ−２］のポリスチレン換算重量平均分子量Ｍｗは２，５００であった。
【００５５】
合成例３
３００ｍＬの三つ口フラスコにメチルトリメトキシシラン１５．０ｇ、フェニルトリメトキシシラン８０．０ｇ、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン５ｇ、これにプロピレングリコールモノメチルエーテル５０．０ｇを加えて溶解し、得られた溶液をマグネチックスターラにより撹拌しながら６０℃に昇温した。これに、０．４ｇのシュウ酸を溶解した２４．０ｇのイオン交換水を３０分間かけて連続的に添加した。そして、６０℃で３時間反応を行った後、得られた反応液を４０℃まで冷却し、その後、減圧にてメタノールと水を留去し、固形分濃度が３５重量％になるようにプロピレングリコールモノメチルエーテルを添加することにより、ポリシロキサン［Ａ−３］を含有する溶液を得た。ポリシロキサン［Ａ−３］のポリスチレン換算重量平均分子量Ｍｗは２，６００であった。
合成例４
３００ｍＬの三つ口フラスコにメチルトリメトキシシラン１５．０ｇ、フェニルトリメトキシシラン８０．０ｇ、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン５ｇ、これにプロピレングリコールモノメチルエーテル５０．０ｇを加えて溶解し、得られた溶液をマグネチックスターラにより撹拌しながら６０℃に昇温した。これに、０．４ｇのシュウ酸を溶解した２４．０ｇのイオン交換水を３０分間かけて連続的に添加した。そして、６０℃で３時間反応を行った後、得られた反応液を４０℃まで冷却し、その後、減圧にてメタノールと水を留去し、固形分濃度が３５重量％になるようにプロピレングリコールモノメチルエーテルを添加することにより、ポリシロキサン［Ａ−４］を含有する溶液を得た。ポリシロキサン［Ａ−４］のポリスチレン換算重量平均分子量Ｍｗは２，６００であった。
【００５６】
比較合成例１
３００ｍＬの三つ口フラスコにエチルトリメトキシシラン６０．０ｇ、フェニルトリメトキシシラン４０．０ｇ、これにメチルイソブチルケトン５０．０ｇを加えて溶解し、得られた溶液をマグネチックスターラにより撹拌しながら６０℃に昇温した。これに、０．７ｇのシュウ酸を溶解した３０．０ｇのイオン交換水を３０分間かけて連続的に添加した。そして、６０℃で４時間反応を行った後、得られた反応液を４０℃まで冷却し、その後、減圧にてメタノールと水を留去し、固形分濃度が３５重量％になるようにメチルイソブチルケトンを添加することにより、ポリシロキサン［Ａ’−１］を含有する溶液を得た。ポリシロキサン［Ａ’−１］のポリスチレン換算重量平均分子量Ｍｗは２，８００であった。
比較合成例２
フェニルトリメトキシシラン１００．０ｇ、これにメチルイソブチルケトン５０．０ｇを加えて溶解し、得られた溶液をマグネチックスターラにより撹拌しながら６０℃に昇温した。これに、０．４ｇのシュウ酸を溶解した３０．０ｇのイオン交換水を３０分間かけて連続的に添加した。そして、６０℃で４時間反応を行った後、得られた反応液を４０℃まで冷却し、その後、減圧にてメタノールと水を留去し、固形分濃度が３５重量％になるようにメチルイソブチルケトンを添加することにより、ポリシロキサン［Ａ’−２］を含有する溶液を得た。ポリシロキサン［Ａ’−２］のポリスチレン換算重量平均分子量Ｍｗは２，０００であった。
【００５７】
＜感放射線性樹脂組成物の調製＞
実施例１
（Ａ）成分として、上記合成例１で得たポリシロキサン［Ａ−１］を含有する溶液２８６重量部（ポリシロキサン［Ａ−１］として１００重量部に相当する。）、ならびに（Ｂ）感放射線性酸発生剤としてフェニルジ（１−ナフチル）スルホニウムトリフルオロメタンスルホナート２．０重量部および（Ｃ）シランカップリング剤としてβ−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン１０重量部を加えて均一に混合し、固形分濃度を３５％になるようにメチルイソブチルケトンを加え溶解した後、孔径０．２μｍのメンブランフィルターで濾過することにより、感放射線性樹脂組成物の溶液（Ｓ−１）を得た。
実施例２〜４ならびに比較例１および２
実施例１において、（Ａ）ポリシロキサン、（Ｂ）感放射線性酸発生剤および（Ｃ）シランカップリング剤として、それぞれ表１に記載の種類および量を使用した他は、実施例１と同様にして実施し、感放射線性樹脂組成物の溶液（Ｓ−２）〜（Ｓ−４）および（ｓ−１）〜（ｓ−２）を調製した。
なお、実施例２および３においては、さらに酸拡散抑制剤として２，４，６−トリ（２−ピリジル）−１，３，５−トリアジン０．２重量部を添加した。
実施例５
実施例４と同様にして調製した組成物溶液に、溶媒組成がジエチレングリコールエチルメチルエーテル：プロピレングリコールモノメチルエーテル＝４：６（重量比）、固形分濃度が２０重量％となるようにジエチレングリコールエチルメチルエーテルおよびプロピレングリコールモノメチルエーテルを加え、さらに界面活性剤としてＳＨ−２８ＰＡ（商品名、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）０．２重量部を添加することにより、感放射線性樹脂組成物の溶液（Ｓ−５）を調製した。
【００５８】
【表１】
2010008603.tif 000004
【００５９】
表１中、各成分の略称はそれぞれ次の意味である。
＜（Ｂ）感放射線性酸発生剤＞
［Ｂ−２］：１−（４，７−ジブトキシ−１−ナフチル）チオラン−１−イウムトリフルオロメタンスルホナート
［Ｂ−３］：１−（４，７−ヒドロキシ−１−ナフチル）チオラン−１−イウムノナフルオロブタンスルホナート
［Ｂ−４］：２−［（Ｅ）−２−（３−メチル−２−フラニル）エテニル］−４，６−ジ（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジン
＜（Ｃ）シランカップリング剤＞
［Ｃ−１］：β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン
［Ｃ−２］：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
＜酸拡散抑制剤＞
［Ｄ−１］：２，４，６−トリ（２−ピリジル）−１，３，５−トリアジン
＜界面活性剤＞
［Ｅ−１］：ＳＨ−２８ＰＡ（商品名、東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製）
【００６０】
＜配線隔壁の形成および評価＞
実施例６〜１０および比較例３〜５
上記のように調製した感放射線性樹脂組成物をそれぞれ使用し、以下のように配線隔壁を形成し、各種の特性を評価した。結果はすべて表２に示した。
１．感度の評価
ガラス基板「コーニング７０５９」（コーニング社製）上に上記で調製した感放射線性樹脂組成物の溶液を塗布し、プレベークして塗膜を形成した。
実施例６〜９については組成物の溶液をスピンコートし、１００℃のホットプレート上で３．０分間プレベークして膜厚３．０μｍの塗膜を形成した。
一方、実施例１０についてはスリットダイコーターによる塗布を行い、室温で１５秒かけて０．５Ｔｏｒｒまで減圧して溶媒を除去した後、１００℃のホットプレート上で２分間プレベークすることにより、膜厚３．０μｍの塗膜を形成した。
これら塗膜に対し、それぞれ所定のパターンマスクを介して（株）ニコン製、ＮＳＲ１７５５ｉ７Ａ縮小投影露光機（ＮＡ＝０．５０、λ＝３６５ｎｍ）により、露光量を変量として放射線を照射した後、８０℃のホットプレート上で２．０分間露光後ベークを行った。続いて２．３８重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて２５℃、２．０分間揺動浸漬法にて現像処理を行った後、純水で流水洗浄し、乾燥して基板上にパターンを形成した。次いで、オーブン中で３５０℃、６０分間加熱処理することにより、膜厚２．７μｍ、ライン：スペース＝１：１のパターンを形成した。
上記で得られたパターンについて、電子顕微鏡「Ｓ−４２００」（（株）日立計測器サービス製）を用いて観察し、ライン：スペース＝２０μｍ：２０μｍの部分のライン線幅の測長を行った。このパターンの線幅が２０μｍになる露光量を最適露光量とした。
この最適露光量が３，０００Ｊ／ｍ２以下であるとき、感度が良好であるといえる。
【００６１】
２．露光マージンの評価
上記で測定した最適露光量と比較して、露光量を±５００Ｊ／ｍ２で露光を行った場合のパターンの線幅の測定を行った。
このとき、現像後に剥離が生じず、パターン線幅が２０±０．５μｍの範囲にあったとき、露光マージンが良好であるといえる。
３．解像度の評価
上記１．で調べた最適露光量でパターンを形成した際、ポストベーク後に解像できる最小のパターンサイズの測定を行った。
この値が５μｍ以下であれば、パターン解像度が良好であるといえる。
４．耐クラック性の評価
ガラス基板「コーニング７０５９」（コーニング社製）上に上記で調製した感放射線性樹脂組成物の溶液を塗布し、プレベークして塗膜を形成した。
実施例６〜９については組成物の溶液をスピンコートし、１００℃のホットプレート上で３．０分間プレベークして、膜厚１．０、２．０および３．０μｍの塗膜をそれぞれ形成した。
実施例１０についてはスリットダイコーターによる塗布を行い、室温で１５秒かけて０．５Ｔｏｒｒまで減圧し、溶媒を除去した後、１００℃にて２分間ホットプレート上でプレベークすることにより、膜厚１．０、２．０および３．０μｍの塗膜をそれぞれ形成した。
これら塗膜全面に、それぞれキャノン（株）製、ＰＬＡ−５０１Ｆ露光機（超高圧水銀ランプ）を用いて３６５ｎｍの波長で露光量３，０００Ｊ／ｍ２にて放射線を照射した後、８０℃のホットプレート上で２．０分間の露光後ベークを行った。続いて２．３８重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液にて２５℃、２．０分間揺動浸漬法にて現像処理を行い、純水で流水洗浄し乾燥した。次いで、オーブン中で３５０℃、６０分間の加熱処理を行うことにより、硬化膜を形成した。このとき、クラックが入らずに形成できる最大の膜厚を調べた。膜厚３．０μｍでもクラックが入らず硬化膜を形成できる場合、耐クラック性が良好であるといえる。
【００６２】
５．透明性の評価
上記「４．耐クラック性の評価」と同様に形成したポストベーク後の膜厚が２．５〜３．０μｍの硬化膜を有するガラス基板につき、波長４００〜８００ｎｍの範囲の光線透過率を、分光光度計「１５０−２０型ダブルビーム」（（株）日立製作所製）を用い、塗膜を形成していないガラス基板を参照側に用いて測定した。このときの最低光線透過率を膜厚３．０μｍの値に換算した値を表２に示した。この値が９２％よりも高ければ、透明性が良好であるといえる。
なお、比較例３については、膜厚を２．５〜３．０μｍ程度とすると膜にクラックが入るため、透明性の評価は行わなかった。
６．耐熱透明性の評価
上記「５．透明性の評価」で形成した硬化膜を有するガラス基板に、３５０℃６０分の追加ベークを行い、上記透明性評価と同様にして光線透過率の測定を行った。この値を膜厚３．０μｍの値に換算したときの最低光線透過率の値を表２に示した。この値が９１％より高ければ、耐熱透明性が良好であるといえる。
なお、比較例３については、膜厚を２．５〜３．０μｍ程度とすると膜にクラックが入るため、耐熱透明性の評価は行わなかった。
７．耐熱性の評価
上記「５．透明性の評価」と同様にしてガラス基板上に硬化膜を形成し、得られた硬化膜をスパチェラで削り取った。次いでこの膜片の０．７ｇを、ＴＧＡ−２９５０型Ｔｈｅｒｍｏｇｒａｖｉｍｅｔｒｉｃ  Ａｎａｌｙｚｅｒ（ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）を用いて、室温から４００℃まで１０℃／ｍｉｎの昇温速度で昇温しながら重量減少率を測定した。この重量減少率が昇温前の重量の３％以下のとき、耐熱性は良好であるといえる。
なお、比較例３については、耐熱性の評価は行わなかった。
【００６３】
８．金属抵抗試験（耐熱）
上記「４．耐クラック性の評価」と同様にして形成した膜厚２．０μｍの硬化膜の上に、（株）アルバック製、Ｈｉｇｈ  ｒａｔｅ  Ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ装置「ＳＨ−５５０−Ｃ１２」にて、Ｃｕターゲットを用いて、６０℃にてＣｕスパッタを実施した。このときの雰囲気は減圧度１．０×１０−５Ｐａ、Ａｒガス流量３．１２×１０−３ｍ３／ｈであった。
このＣｕスパッタ膜上、１０ｃｍ離れた２点間の抵抗（Ｒ０）を室温で測定した。このＣｕ膜付の塗膜につき、３５０℃、６０分間の再加熱を行った後、再度抵抗（Ｒ１）を測定し、Ｒ１−Ｒ０を算出した。
９．金属抵抗試験（耐光）
上記「８．金属抵抗試験（耐熱）」と同様にして、硬化膜上にＣｕスパッタ膜を形成し。このＣｕスパッタ膜の抵抗（Ｒ０）を測定した。このＣｕ膜付の硬化膜につき、３５０℃、６０分の再加熱を行い、さらに耐光性試験機中でガラス基板側から陽光ランプにて２４０時間照射を行った後、再度抵抗（Ｒ２）を測定し、Ｒ２−Ｒ０を算出した。
１０．耐熱金属密着試験
Ｍｏを３，０００Å蒸着したガラス基板上に、上記「４．耐クラック性の評価」と同様の方法により、膜厚２．０μｍの硬化膜を形成した。
この硬化膜上に、予めエポキシ樹脂を塗布してある直径０．２７ｃｍの円形接着面を持つアルミ製スタットピン（ＱＵＡＤ社製）を、基板に対してピンが垂直になるよう接着し、クリーンオーブン内にて１５０℃で１時間加熱を行ってエポキシ樹脂を硬化した。その後、引っ張り試験機「Ｍｏｔｏｒｉｚｅｄ  Ｓｔａｎｄ  ＳＤＭＳ−０２０１−１００ＳＬ」（（株）今田製作所製）を用いてスタットピンを引っ張り、基板と硬化膜が剥離する際の力の測定を行った。そのときの力の値を表２に示す。この値が１５０Ｎ以上であると基板に対する密着性が良好であるといえる。
【００６４】
比較例６
感放射線性樹脂組成物として日立化成デュポンマイクロシステムズ（株）製の感光性ポリイミド「ＨＤ４０００」を用い、塗膜形成をスピンコートおよびこれに引き続く９０℃、５分間のプレベークによって行い、現像液として同社製「ＨＤ−ＤＥＶ−１」を用い、さらにポストベークを２２０℃、６０分の条件で行った以外は上記実施例６〜１０および比較例３〜５と同様にして配線隔壁を形成し、評価した。評価結果は表２に示した。
比較例７
感放射線性樹脂組成物として新日鐵化学（株）製アクリルネガ型感放射線性材料である「Ｖ２５９ＰＡ」を用い、塗膜形成を、スピンコートおよびこれに引き続く８０℃、３分間のプレベークによって行い、現像液として同社製の０．４％テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを用い、さらにポストベークを２２０℃、６０分の条件で行った以外は上記実施例６〜１０および比較例３〜５と同様にして配線隔壁を形成し、評価した。評価結果は表２に示した。
【００６５】
【表２】
2010008603.tif 000005