(57)【要約】【課題】有機ＥＬ表示装置において、シール材によるシール効果を維持しつつ、額縁の寸法を小さくする。【解決手段】素子基板１０に形成された表示領域１０１には、有機ＥＬ層がマトリクス状に形成されている。有機ＥＬ層を外部雰囲気における水分から保護するために、素子基板１０と封止基板４０の周辺にシール材３０が形成されている。シール材３０を素子基板１０および封止基板４０の端部にまで存在させることによって、水分に対するシール効果を維持しつつ、表示領域１０１の端部から有機ＥＬ表示パネルの端部までの額縁の寸法を小さくする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ層が形成された素子基板と、前記素子基板と対向して封止基板が配置され、前記素子基板と前記封止基板の周辺部を有機材料によるシール材によって接着封止した有機ＥＬ表示装置であって、
前記シール材は、前記素子基板および前記封止基板の端面まで存在しており、前記シール材は端面において分断されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記シール材の幅は０．７ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記シール材は紫外線硬化のエポキシ樹脂で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
有機ＥＬ層が形成された素子基板と、前記素子基板と対向して封止基板が配置され、前記素子基板と前記封止基板の周辺部を有機材料によるシール材によって接着封止した有機ＥＬ表示装置であって、
前記素子基板および前記封止基板の端面は、破断面となっており、
前記シール材は、前記素子基板および前記封止基板の端面まで存在しており、前記シール材は端面が破断面となっていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記シール材の幅は０．７ｍｍ以上であることを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記シール材は紫外線硬化のエポキシ樹脂で形成されていることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特に表示領域周辺の額縁領域が小さい有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置では、素子基板に画素毎に有機ＥＬ層を形成し、有機ＥＬ層を下部電極と上部電極によってサンドイッチし、上部電極と各部電極の間に電圧を印加して有機ＥＬ層を発光させ、画像を形成する。上部電極には一定電圧を印加し、下部電極には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を介して映像信号を印加して、画素毎に映像信号に応じた発光をさせる。
【０００３】
有機ＥＬ層は水分が存在すると、発光特性が劣化する。したがって、有機ＥＬ表示装置に対して所定の寿命特性を持たせるためには、有機ＥＬ層を水分から保護する必要がある。このために、素子基板を覆って、例えばガラスで形成された封止基板を配置する。素子基板と封止基板とは、周辺に配置されたシール材によって接着封止される。
【０００４】
封止材が所定の封止特性を有していないと、有機ＥＬ表示装置の内部を水分から十分に保護することが出来ない。「特許文献１」には、マザー基板に複数の有機ＥＬ表示パネルを形成し、マザー基板から有機ＥＬ表示パネルを分離する際にシール材が劣化することを防止するために、マザー基板の状態においては、シール材を２重に形成し、マザー基板から有機ＥＬ表示パネルを分離後は、通常の単層のシール材とする構成が記載されている。
【０００５】
「特許文献２」には、シール材によるシール効果を確実にするために、シール材を有機シールと無機シールの２層構造とする構成が記載されている。内側と外側にたとえば、フリットガラスのような無機シールを形成し、その間に有機シール材を形成している。
【０００６】
「特許文献３」には、マザー基板から個々の有機ＥＬ表示パネルを分離する際、封止基板の一部を除去して、端子部を形成する際の工程が複雑化することを防止するために、マザー基板の状態において、封止基板に端子部の部分に切り欠きを形成しておく構成が記載されている。こうすることによって、有機ＥＬ表示パネルをマザーパネルから分離する際に、封止基板の一部を除去する工程を削除することが出来る。「特許文献３」における図１には、シール材が基板の端部にまで形成されているが、これは、図を単純化するためにこのように記載されているのであって、実際は図２、図３、図４、図５、図６等に示すように、シール材はガラスの端部にまで形成されるわけではない。
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−２９７５５５号公報
【特許文献２】特開２００２−２８０２６９号公報
【特許文献３】特開２００３−２２３１１１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
携帯電話やＤＳＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｓｔｉｌｌ  Ｃａｍｅｒａ）等に使用される小型の液晶表示装置では、画像表示領域の所定の面積を保ったまま、外形を小さくしたいという要求が強い。そうすると、表示領域周辺の額縁の寸法を小さくする必要がある。
【０００９】
しかし、有機ＥＬ表示装置では、外部からの水分の浸入を防止するために、シール材の幅は所定の値を確保する必要がある。一方、フリットガラスのような無機シール材はシール特性が優れているが、高温で硬化させる必要がある。しかし、有機ＥＬ表示パネルを高温でベークすると内部の有機ＥＬ層が破壊されてしまう。したがって、シール材は有機材料を使用することが好ましい。
【００１０】
本発明の課題は、シール材に有機材料を使用し、かつシール材の所定の幅を確保しつつ、額縁の寸法を小さくし、所定の画面の大きさを確保しつつ、外形の小さな有機ＥＬ表示装置を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は上記課題を解決するものであり、具体的手段は次のとおりである。
【００１２】
（１）有機ＥＬ層が形成された素子基板と、前記素子基板と対向して封止基板が配置され、前記素子基板と前記封止基板の周辺部を有機材料によるシール材によって接着封止した有機ＥＬ表示装置であって、前記シール材は、前記素子基板および前記封止基板の端面まで存在しており、前記シール材は、端面において分断されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００１３】
（２）前記シール材の幅は０．７ｍｍ以上であることを特徴とする（１）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１４】
（３）前記シール材は紫外線硬化のエポキシ樹脂で形成されていることを特徴とする（１）に記載の液晶表示装置。
【００１５】
（４）有機ＥＬ層が形成された素子基板と、前記素子基板と対向して封止基板が配置され、前記素子基板と前記封止基板の周辺部をシール材によって接着封止した有機ＥＬ表示装置であって、前記素子基板および前記封止基板の端面は、破断面となっており、前記シール材は、前記素子基板および前記封止基板の端面まで存在しており、前記シール材の端面は破断面となっていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【００１６】
（５）前記シール材の幅は０．７ｍｍ以上であることを特徴とする（４）に記載の有機ＥＬ表示装置。
【００１７】
（６）前記シール材は紫外線硬化のエポキシ樹脂で形成されていることを特徴とする（４）に記載の液晶表示装置。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、素子基板と封止基板の端部にまで、シール材を形成出来るので、有機ＥＬ表示パネルの額縁の寸法を小さく出来、所定の画面サイズを維持しつつ、外形が小さい有機ＥＬ表示装置を実現することが出来る。
【００１９】
また、本発明によれば、内部を水分から保護するために、所定のシール材幅を確保しつつ、額縁の小さな有機ＥＬ表示装置を実現することが出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下実施例に従い、本発明の内容を詳細に説明する。
【実施例１】
【００２１】
図１は本発明が適用されるトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置の画素部の断面図である。トップエミッション型有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ層２２の上にアノードが存在するトップアノード型と、有機ＥＬ層２２の上にカソードが存在するトップカソード型とが存在する。図１はトップアノード型の場合であるが、トップカソードの場合も本発明は同様に適用することが出来る。
【００２２】
図１において、素子基板１０の上にはＳｉＮからなる第１下地膜１１と、ＳｉＯ２からなる第２下地膜１２が形成されている。ガラス基板からの不純物が半導体層１３を汚染することを防止するためである。第２下地膜１２の上には半導体層１３が形成される。半導体層１３はＣＶＤによってａ−Ｓｉ膜が形成されたあと、レーザー照射によってｐｏｌｙ−Ｓｉ膜に変換する。
【００２３】
半導体層１３を覆って、ＳｉＯ２からなるゲート絶縁膜１４が形成される。ゲート絶縁膜１４を挟んで、半導体層１３と対向する部分にゲート電極１５が形成される。ゲート電極１５をマスクにして、半導体層１３にリンあるいはボロン等の不純物をイオンインプランテーションによって打ち込み、導電性を付与して、半導体層１３にソース部あるいはドレイン部を形成する。
【００２４】
ゲート電極１５を覆って層間絶縁膜１６がＳｉＯ２によって形成される。ゲート配線とドレイン電極１７を絶縁するためである。層間絶縁膜１６の上にはドレイン電極１７が形成される。ドレイン電極１７は層間絶縁膜１６およびゲート絶縁膜１４のスルーホールを介して半導体層１３のドレイン部と接続する。
【００２５】
その後、ＴＦＴを保護するために、ＳｉＮからなる無機パッシベーション膜１８が被着される。無機パッシベーション膜１８の上には、有機パッシベーション膜１９が形成される。有機パッシベーション膜１９は無機パッシベーション膜１８とともに、ＴＦＴをより完全に保護する役割を有するとともに、有機ＥＬ層２２が形成される面を平坦にする役割を有する。したがって、有機パッシベーション膜１９は１〜４μｍと、厚く形成される。
【００２６】
有機パッシベーション膜１９の上には反射電極がＡｌまたはＡｌ合金によって形成される。ＡｌまたはＡｌ合金は反射率が高いので、反射電極として好適である。反射電極は有機パッシベーション膜１９および無機パッシベーション膜１８に形成されたスルーホールを介してドレイン電極１７と接続する。
【００２７】
本実施例はトップアノード型の有機ＥＬ表示装置なので、有機ＥＬ層２２の下部電極２１はカソードとなる。したがって、反射電極２４として使用されるＡｌあるいはＡｌ合金が有機ＥＬ層２２の下部電極２１を兼用することが出来る。ＡｌあるいはＡｌ合金は仕事関数が比較的小さいので、カソードとして機能することが出来るからである。
【００２８】
トップカソード型の場合は、下部電極２１がアノードとなるので、下部電極２１にＩＴＯを用いる。また、有機ＥＬ層２２からの光の取り出し効率を上げるために、下部電極２１であるＩＴＯの下に反射電極を形成する。この場合、反射電極は反射率の良い、ＡｌまたはＡｌ合金を用いる。
【００２９】
下部電極２１の上には有機ＥＬ層２２が形成される。有機ＥＬ層２２は複数の層によって形成される。本実施例では、下層から電子注入層、電子輸送層、発光層、ホール輸送層が形成されている。なお、ホール輸送層と上部電極２３の間にホール注入層を設ける場合もある。有機ＥＬ層２２の上にはアノードとなる上部電極２３が形成される。本実施例では上部電極２３としてはＩＺＯを用いている。ＩＺＯはマスクを用いず、表示領域全体に蒸着される。ＩＺＯの厚さは光の透過率を維持するために、３０ｎｍ程度に形成される。ＩＺＯはアニールをしない状態においては、ＩＴＯよりも抵抗が低い。
【００３０】
有機ＥＬ層２２は複数の層から成っているが、構成は次のとおりである。電子輸送層としては電子輸送性を示し、アルカリ金属と共蒸着することにより電荷移動錯体化しやすいものであれば特に限定は無く、例えばトリス（８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４-メチル-８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル−８−キノリノラート）−４−フェニルフェノラート−アルミニウム、ビス[２-[２-ヒドロキシフェニル]ベンゾオキサゾラート]亜鉛などの金属錯体や２−（４−ビフェニリル）−５−（４−tert−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール、１，３−ビス[５−(ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル)−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル]ベンゼン等を用いることができる。
【００３１】
電子注入層は電子輸送層に用いた物質に対して電子供与性を示す材料を共蒸着して形成した、例えば、リチウム、セシウムなどのアルカリ金属、マグネシウム、カルシウムなどのアルカリ土類金属、さらには希土類金属等の金属類、あるいはそれらの酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物等から選択して電子供与性を示す物質として用いてもかまわない。
【００３２】
ホール輸送層は、例えば、テトラアリールベンジシン化合物（トリフェニルジアミン：ＴＰＤ）、芳香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ基を有するオキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体、銅フタロシアニン誘導体等を用いることができる。
【００３３】
発光層材料としては電子、ホールの輸送能力を有するホスト材料に、それらの再結合により蛍光もしくはりん光を発するドーパントを添加したもので共蒸着により発光層として形成できるものであれば特に限定は無く、例えば、ホストとしてはトリス（８−キノリノラト）アルミニウム、ビス（８−キノリノラト）マグネシウム、ビス（ベンゾ｛ｆ｝−８−キノリノラト）亜鉛、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）アルミニウムオキシド、トリス（８−キノリノラト）インジウム、トリス（５−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム、８−キノリノラトリチウム、トリス（５−クロロ−８−キノリノラト）ガリウム、ビス（５−クロロ−８−キノリノラト）カルシウム、５，７−ジクロル−８−キノリノラトアルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウム、ポリ［亜鉛（II）−ビス（８−ヒドロキシ−５−キノリニル）メタン］のような錯体、アントラセン誘導体、カルバゾール誘導体、等であっても良い。
【００３４】
また、ドーパントとしてはホスト中で電子とホールを捉えて再結合させ発光するものであって、例えば赤ではピラン誘導体、緑ではクマリン誘導体、青ではアントラセン誘導体などの蛍光を発光する物質やもしくはイリジウム錯体、ピリジナート誘導体などりん光を発する物質であっても良い。
【００３５】
最上層である上部電極２３は光を取り出すために透明導電膜１４である必要がある。本実施例ではＩＺＯとしたが光の透過率と電気抵抗との兼ね合いで他の透明導電膜を用いても良い。さらに、Ａｕ、Ａｇ等の金属膜も薄くすると透明となるので、場合によっては上部電極として使用することが出来る。
【００３６】
なお、有機ＥＬ層２２が端部において段切れによって破壊することを防止するために、画素と画素の間にバンク２０が形成される。バンク２０は有機材料で形成する場合もあるし、ＳｉＮのような無機材料で形成する場合もある。有機材料を使用する場合は、一般にはアクリル樹脂によって形成される。
【００３７】
上部電極２３は、有機ＥＬ層２２の上およびバンク２０の上等、有機ＥＬ表示装置の表示領域全体に蒸着あるいはスパッタリング等によって形成される。上部電極の上には空間を挟んでガラスによって形成された封止基板４０が設置されている。有機ＥＬ層２２は水分が存在すると発光効率が低下するので、水分から保護するために封止基板４０が配置される。封止基板４０は、端部において、ＴＦＴ基板とシール材３０によって接着している。封止基板４０とシール材３０によって素子基板１０に形成された有機ＥＬ層２２は水分から保護される。
【００３８】
図２は、本実施例による有機ＥＬ表示装置の平面図である。図２において、素子基板１０と封止基板４０が周辺において、シール材３０によって接着しており、素子基板１０に形成された有機ＥＬ層２２を水分から保護する。シール材３０は例えば、エポキシ樹脂によって形成される。シール材３０の内側には表示領域１０１が形成されている。表示領域１０１とシール材３０の間の素子基板１０には、図示しない乾燥剤が配置されている。
【００３９】
素子基板１０は封止基板４０よりも大きく形成されており、図２における下側で、素子基板１０が一枚となった部分には端子部が形成されている。端子部には、外部回路と接続するためのフレキシブル配線基板と接続する端子の他に、有機ＥＬ表示パネルを駆動するための図示しないＩＣドライバが設置されている。
【００４０】
図２の特徴は、素子基板１０と封止基板４０を接着するシール材３０が有機ＥＬ表示パネルの端部まで形成されていることである。必要な封止領域として有機ＥＬ表示パネルの端部まで利用できるので、いわゆる額縁の幅ｆを小さくすることが出来る。
【００４１】
図３は図２のＡ−Ａ断面図である。図３において、素子基板１０と封止基板４０が周辺においてシール材３０によって接着している。図３おいて、素子基板１０に形成されたＴＦＴ、有機ＥＬ層２２等は省略されている。封止基板４０とシール材３０によって外部の水分を遮断し、素子基板１０に形成された有機ＥＬ層２２を保護する。内部に進入した水分は、封止基板４０の周辺に形成された図示しない凹部に乾燥剤を配置することによって除去する。図３において、シール材３０は、紫外線硬化のエポキシ樹脂が使用される。なお、ディスペンサあるいは、印刷で形成することが出来ればエポキシ樹脂に限らず、他の有機材料であってもよい。
【００４２】
図４は図３のＡ部の拡大図である。図４において、額縁寸法ｆは、表示領域１０１の端部から有機ＥＬ表示パネルの端部までの寸法である。額縁寸法ｆは小さいことが要求されている。図４において、額縁寸法ｆは、シール材塗布位置公差ａ＋シール材必要幅ｂ＋シール材塗布幅公差ｃ＋ガラス切断公差ｄの和である。
【００４３】
図４において、シール材３０はディスペンサによって塗布するか、スクリーン印刷によって塗布する。したがって、塗布あるいは、印刷をする際の位置がばらつくので、所定の公差ａが必要である。シール材３０が表示領域１０１と重ならないようにするために、シール材３０の端部は表示領域１０１の端部よりも少なくともａだけ離れている必要がある。本実施例における寸法ａは０．２ｍｍである。
【００４４】
図４において、寸法ｂはシール材３０の必要幅である。有機ＥＬ表示装置におけるシール材３０の役割は、外部からの水分の浸入を防止することである。このためには、シール材３０は所定の幅を必要とする。有機ＥＬ表示装置では、シール幅は０．７ｍｍ〜１．５ｍｍ程度必要である。これに対して、液晶表示装置におけるシール幅は０．３ｍｍ〜０．５ｍｍ程度である。つまり、有機ＥＬ表示装置では、液晶表示装置に比較してシール材３０が額縁の寸法に占める割合が大きい。
【００４５】
図４において、寸法ｃはシール材３０の塗布幅の公差である。シール材３０をディスペンサによって塗布するにしろ、印刷によって塗布するにしろ、幅の公差は発生する。したがって、幅の公差を額縁寸法に組み込んでおく必要がある。本実施例における寸法ｃは０．２５ｍｍ程度である。
【００４６】
図４において、寸法ｄはガラスの切断位置の公差である。ガラスの切断は、素子基板１０および封止基板４０にスクライブを入れておき、素子基板１０および封止基板４０に衝撃を加えることによってガラスおよびシール材３０を破断する。この場合のガラスの切断は所定の公差を有しているので、額縁寸法にこの値を組み込んでおく必要がある。ガラスに対するスクライビングの位置の精度は２０μｍ前後と、非常に良い。しかし、ガラスを破断するときに破断線が０．１ｍｍ程度うねるので、この値を寸法ｄとして額縁寸法内に確保しておく必要がある。
【００４７】
以上の評価から必要な額縁寸法は、ｆ＝ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝０．２＋１．０＋０．２５＋０．１＝１．５５ｍｍとなる。なお、上記計算では、シール材３０の必要幅を１．０ｍｍとしている。
【００４８】
図２または、図３に示すような、携帯電話あるいはＤＳＣに使用される小型の有機ＥＬ表示パネルは、マザーパネル２００に多数の有機ＥＬ表示パネルを形成し、各有機ＥＬ表示パネル毎にマザーパネル２００を切断することによって形成する。図５にこの状態を示す。
【００４９】
図５において、マザーパネル２００に液晶表示パネルが２０個形成されている。各液晶表示パネル内には表示領域１０１が形成され、各液晶表示パネルの境界にシール材３０が形成されている。表示領域１０１の端部とシール材３０の中心との距離が額縁寸法となる。図５における点線は切断線である。各液晶表示パネルの境界にはシール材３０が形成されており、点線で示す切断線はシール材３０の上に存在している。
【００５０】
図６は、図５のＢ−Ｂ断面図であり、各液晶表示パネルの境界部の断面を示す。図６において、素子基板１０と封止基板４０との間にシール材３０が形成されている。このシール材３０は、２つの液晶表示パネルにまたがって形成されている。シール材３０の中心に対応して、素子基板１０と封止基板４０にスクライビング３５を入れる。その後、素子基板１０および封止基板４０に機械的な衝撃を加えると、図６の点線のように、ガラスおよびシール材３０が破断し、液晶表示パネルが分離される。このときの破断線の精度は０．１ｍｍ程度である。
【００５１】
図６の素子基板１０および封止基板４０において、シール材３０が形成されている部分と形成されていない部分とでは、ガラス基板の応力が異なる。したがって、シール材３０の端部付近において、ガラス基板内の応力が変化している。ここの部分において、ガラス基板を破断すると、応力分布の影響を受けて破断面が不規則になってしまう。本発明においては、ガラス基板の破断部分は、シール材３０の幅方向の中心であるから、ガラスの応力は一定となっている部分である。このために、本発明における破断線は、図６の点線で示すようなきれいな破断線とすることが出来る。
【００５２】
以上説明したように、本発明を用いることによって有機ＥＬ表示装置の額縁の幅小さくすることが出来、かつ、ガラス基板の端部は、規則的なきれいな破断面とすることが出来る。
【００５３】
図７〜図１１は本発明に対する比較例としての従来例である。図７は比較例の平面図である。図７において、素子基板１０と封止基板４０が周辺において、シール材３０によって接着しており、素子基板１０に形成された有機ＥＬ層２２を水分から保護する。シール材３０の内側には表示領域１０１が形成されている。表示領域１０１とシール材３０の間の素子基板１０には、図示しない乾燥剤が配置されている。
【００５４】
従来例である図７が、本発明を示す図２と異なるところは、図７におけるシール材３０は、液晶表示パネルの端部ではなく、端部よりもやや内側に形成されている点である。図７においては、その分、額縁の寸法が図２に比べて大きくなっている。
【００５５】
図８は図７のＣ−Ｃ断面図である。図８において、素子基板１０と封止基板４０は周辺部において、シール材３０によって接着している。素子基板１０の内部を外気の水分から保護するためある。図７においては、シール材３０は素子基板１０あるいは封止基板４０の端部よりも内側に形成されている。
【００５６】
図９は図８のＢ部拡大図である。図９において、額縁寸法ｆは、表示領域１０１の端部から有機ＥＬ表示パネルの端部までの寸法である。図９において、額縁寸法ｆは、シール材３０塗布位置公差ａ＋シール材３０必要幅ｂ＋２×シール材３０塗布幅公差ｃ＋ガラス切断公差ｄ＋ガラスの板厚の１０％ｅの和である。
【００５７】
図９において、シール材３０はディスペンサによって塗布するか、スクリーン印刷によって塗布する。塗布あるいは、印刷をする際の位置がばらつくので、所定の公差が必要である。したがって、シール材３０の塗布位置の公差ａは０．２ｍｍである。
【００５８】
図９において、寸法ｂはシール材３０の必要幅である。有機ＥＬ表示装置におけるシール材３０の役割は、外部からの水分の浸入を防止することであり、このためには、シール材３０のシール幅は０．７ｍｍ〜１．５ｍｍ程度必要である。
【００５９】
図９において、寸法ｃはシール材３０の塗布幅の公差である。シール材３０をディスペンサによって塗布するにしろ、印刷によって塗布するにしろ、幅の公差が必要なことは図４の場合と同様である。しかし、図９においては、シール材３０の幅のばらつきは、図４の場合と異なり、両側を見込んでおく必要がある。したがって、幅の公差の影響は図４の場合の２倍である２×ｃを見込んでおく必要がある。ｃの値は０．２５ｍｍであるから、図９におけるシール材３０の幅のばらつき２×ｃは０．５ｍｍとなる。
【００６０】
図９において、寸法ｄはガラスの切断位置の公差である。ガラスの切断は、素子基板１０および封止基板４０にスクライブを入れておき、素子基板１０および封止基板４０に衝撃を加えることによってガラスおよびシール材３０を破断することは図４と同様である。したがって、ガラスを破断するときに破断線が０．１ｍｍ程度うねるので、この値を寸法ｄとして額縁寸法内に確保しておく必要がある。
【００６１】
図９において、ｅは、ガラスの板厚の１０％の値である。図９において、封止基板４０にＣで示した領域は、シール材３０が存在している所と存在していない所の境界部である。この境界部においては、シール材３０の影響によってガラスに応力が発生している。ガラスに応力が発生していると、この応力の影響によってガラスを破断するときに、破断線が不規則になってしまう。
【００６２】
破断線が不規則になることを避けるためには、シール材３０の境界部分を避けてガラスを破断する必要がある。シール材３０による応力がおよぶ範囲は、シール材３０の端部から、ガラス基板の板厚の１０％程度の範囲である。例えば、ガラス基板の板厚が０．５ｍｍであるとすると、切断線は、応力の影響を避けるためには、０．０５ｍｍ程度、シール材３０の端部よりも外側でガラスを切断する必要がある。
【００６３】
以上の評価から必要な額縁寸法は、最小であっても、ｆ＝ａ＋ｂ＋２×ｃ＋ｄ＋ｅ＝０．２＋１．０＋０．５０＋０．１＋０．０５＝１．８５ｍｍとなる。「最小であっても」という意味は、寸法ｅは安全をとって、ガラス基板の板厚の１／１０よりも大きくとることが普通だからである。なお、上記計算では、シール材３０必要幅を１．０ｍｍとしている。
【００６４】
従来例と本発明を比較すると、本発明においては、シール幅の公差の半分である寸法ｃおよび、ガラスの応力の影響を避けるための寸法ｅが不要である。したがって、本発明では、従来例に比較して０．３ｍｍ以上、額縁を小さくすることが出来る。額縁の寸法は表示装置の片側であるから、表示装置の外形としては０．６ｍｍ以上本発明においては小さくすることが出来る。携帯電話やＤＳＣでは、外形を小さくしたいという要求が強いので、０．６ｍｍ以上の外形縮小は大きな効果がある。
【００６５】
図７等に示すような従来例における小型の有機ＥＬ表示パネルも、マザーパネル２００に多数の有機ＥＬ表示パネルを形成し、各有機ＥＬ表示パネル毎にマザーパネル２００を切断することによって形成する。図１０はこの従来例におけるマザーパネル２００の状態を示すものである。
【００６６】
図１０において、マザーパネル２００に液晶表示パネルが２０個形成されている。図１０に示す従来例においては、分離する前の各液晶表示パネル内にシール材３０が形成されている。したがって、表示領域１０１の面積が同じであれば、シール材３０の分、液晶表示パネルの外形を大きくする必要がある。なお、図１０における点線は切断線である。
【００６７】
図１１は、図５のＤ−Ｄ断面図であり、従来例における各液晶表示パネルの境界部の断面を示す。図１１において、シール材３０は点線で示す切断線よりも、各液晶表示パネルの内側に形成されている。各液晶表示パネルのシール材３０とシール材３０の間は空間となっており、この空間の中央部にスクライビング３５を入れる。スクライビング３５は素子基板１０と封止基板４０の両方にいれる。
【００６８】
その後、素子基板１０および封止基板４０に機械的な衝撃を加えると、図１１の点線のように、素子基板１０および封止基板４０が破断し、液晶表示パネルが分離される。このときの破断線の精度は０．１ｍｍ程度である。素子基板１０および封止基板４０に衝撃を加えて破断する際、図１１に示すｅ寸法、すなわち、シール材３０の端部から液晶表示パネルの端部までの寸法がガラス基板の１／１０よりも小さいと破断線が図１１に示すような点線とはならず、破断線が不規則になってしまう。シール材３０が存在する部分と存在しない部分とでは、ガラスに対する応力が異なるからである。したがって、従来例ではシール材３０の全幅に加えて、寸法ｅを必ず確保しなければならず、その分、液晶表示パネルの外形が大きくなっている。
【００６９】
以上説明したように、本発明によれば、マザーパネル２００の状態において、シール材３０を２つの液晶表示パネルにまたがって形成し、液晶表示パネルを分離後はシール材３０が液晶表示パネルの端部にまで存在させることにより、シール材３０の幅のばらつきｃおよび、ガラスの切断部における応力の変化を避けるための寸法ｅを省略することが出来るので、額縁の小さな有機ＥＬ表示装置を実現することが出来る。
【００７０】
以上の説明は、有機ＥＬ表示装置が、いわゆるトップエミッション型であるとして説明したが、有機ＥＬ層２２からの光を素子基板１０側から取り出す、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置についても適用することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図３】本発明の有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図４】図３の部分拡大図である。
【図５】本発明の有機ＥＬ表示パネルのマザーパネルである。
【図６】本発明におけるマザー基板切断の部分詳細図である。
【図７】従来例の有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図８】従来例の有機ＥＬ表示装置の断面図である。
【図９】図８の部分拡大図である。
【図１０】従来例の有機ＥＬ表示パネルのマザーパネルである。
【図１１】従来例におけるマザー基板切断の部分詳細図である。
【符号の説明】
【００７２】
１０…素子基板、  １１…第１下地膜、  １２…第２下地膜、  １３…半導体層、  １４…ゲート絶縁膜、  １５…ゲート電極、  １６…層間絶縁膜、  １７…ドレイン電極、  １８…無機パッシベーション膜、  １９…有機パッシベーション膜、  ２０…バンク、  ２１…下部電極、  ２２…有機ＥＬ層、  ２３…上部電極、  ３０…シール材、  ３５…スクライビング、  ４０…封止基板、  １０１…表示領域、  ２００…マザーパネル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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