(57)【要約】【課題】被測定電子部品との接触抵抗を小さくし、接触抵抗に起因する測定ばらつきが生じるのを抑制して、高精度の測定が可能なインピーダンス測定方法を提供すること。【解決手段】インピーダンス測定器と、インピーダンス測定器に電気的に接続される同軸コネクタ１０と、同軸コネクタ１０内に収容可能な測定基板２０と、を用いる。測定基板２０は、絶縁基板ＩＳ１と、絶縁基板ＩＳ１の第１の主面ＩＳ１ａにそれぞれ形成された第１及び第２の導体２１，２２と、を有している。被測定電子部品４０を実装した測定基板２０を、第１の導体２１と中心導体１１とを電気的に接続すると共に第２の導体２２と外部導体１２とを電気的に接続するように、インピーダンス測定器に接続された同軸コネクタ１０に収容し、インピーダンス測定器により被測定電子部品４０のインピーダンスを測定する。【選択図】図１２
2010008363.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定電子部品のインピーダンスを測定するためのインピーダンス測定器と、
中心導体と該中心導体の外側に位置する外部導体とを有し、前記インピーダンス測定器に電気的に接続される同軸コネクタと、
前記同軸コネクタ内に収容可能な測定基板と、を用い、
前記測定基板は、
絶縁基板と、
前記絶縁基板の第１の主面にそれぞれ形成された第１及び第２の導体と、を有しており、
前記被測定電子部品を前記第１及び第２の導体に実装した前記測定基板を、前記第１の導体と前記中心導体とを電気的に接続すると共に前記第２の導体と前記外部導体とを電気的に接続するように、前記インピーダンス測定器に接続された前記同軸コネクタに収容し、前記インピーダンス測定器により前記被測定電子部品のインピーダンスを測定することを特徴とするインピーダンス測定方法。
【請求項２】
前記測定基板は、前記絶縁基板の第２の主面にそれぞれ形成され、スルーホール導体を介して前記第１の導体に電気的に接続された第３の導体及びスルーホール導体を介して前記第２の導体に電気的に接続された第４の導体を更に有し、
前記測定基板を、前記第２の主面を前記中心導体及び前記外部導体に対向させ且つ前記第３の導体を前記中心導体と面接触させると共に前記第４の導体を前記外部導体と面接触させるように、前記同軸コネクタに収容し、前記第１の導体を前記第３の導体を介して前記中心導体と電気的に接続し、前記第２導体を前記第４の導体を介して前記外部導体と電気的に接続することを特徴とする請求項１に記載のインピーダンス測定方法。
【請求項３】
前記同軸コネクタに螺合する固定治具により、前記第２の導体を押圧することを特徴とする請求項２に記載のインピーダンス測定方法。
【請求項４】
前記測定基板の前記第１の主面側には、前記第１及び第２の導体における前記被測定電子部品が実装される部分を露出する開口が形成された絶縁被膜が形成されていることを特徴とする請求項２に記載のインピーダンス測定方法。
【請求項５】
前記測定基板と類似形状を有し、前記第１の導体に相当する導体と前記第２の導体に相当する導体とが短絡しているショート基板を更に用い、
前記ショート基板を、前記第１の導体に相当する前記導体と前記中心導体とを電気的に接続すると共に前記第２の導体に相当する前記導体と前記外部導体とを電気的に接続するように、前記同軸コネクタに収容し、前記インピーダンス測定器においてショート校正を行なうことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のインピーダンス測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、同軸コネクタが接続されたインピーダンス測定器を用いたインピーダンス測定方法に関する。
【０００２】
インピーダンス測定方法として、被測定電子部品のインピーダンスを測定するためのインピーダンス測定器と、中心導体と該中心導体の外側に位置する外部導体とを有し、インピーダンス測定器に電気的に接続される同軸コネクタと、同軸コネクタに接続される測定治具と、を用い、測定治具に固定される被測定電子部品のインピーダンスを測定するものが知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載されているインピーダンス測定方法では、被測定電子部品を測定治具と付勢装着治具とで挟持することにより、測定治具に固定している。
【特許文献１】特開２００１−０１３１８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１に記載されているインピーダンス測定方法には、以下の問題点が存在している。すなわち、特許文献１に記載されているインピーダンス測定方法では、被測定電子部品を測定治具と付勢装着治具とで挟持しているために、測定治具と被測定電子部品との間の接触抵抗、及び、付勢装着治具と被測定電子部品との間の接触抵抗が大きくなり、被測定電子部品のインピーダンス特性を適切に測定できない懼れがある。電子部品の外部端子電極の外表面は曲面形状であることが多く、この場合には、被測定電子部品（外部端子電極）と測定治具又は被測定電子部品とは点接触となり、接触抵抗がより一層大きくなってしまう。
【０００４】
また、被測定電子部品（外部端子電極）と測定治具又は被測定電子部品との接触状態が変わってしまうと、測定治具と被測定電子部品又は付勢装着治具と被測定電子部品との間の接触抵抗が変わる懼れがある。この場合には、測定毎における接触抵抗の再現性が悪く、測定結果にばらつきが生じてしまう。
【０００５】
本発明は、上記問題点を解消するためになされたものであり、被測定電子部品との接触抵抗を小さくし、接触抵抗に起因する測定ばらつきが生じるのを抑制して、高精度の測定が可能なインピーダンス測定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るインピーダンス測定方法は、被測定電子部品のインピーダンスを測定するためのインピーダンス測定器と、中心導体と該中心導体の外側に位置する外部導体とを有し、インピーダンス測定器に電気的に接続される同軸コネクタと、同軸コネクタ内に収容可能な測定基板と、を用い、測定基板は、絶縁基板と、絶縁基板の第１の主面にそれぞれ形成された第１及び第２の導体と、を有しており、被測定電子部品を第１及び第２の導体に実装した測定基板を、第１の導体と中心導体とを電気的に接続すると共に第２の導体と外部導体とを電気的に接続するように、インピーダンス測定器に接続された同軸コネクタに収容し、インピーダンス測定器により被測定電子部品のインピーダンスを測定する。
【０００７】
本発明に係るインピーダンス測定方法では、被測定電子部品は測定基板の第１及び第２の導体に実装されることにより測定基板に固定されることとなるため、被測定電子部品と測定基板との接触抵抗は生じない。また、接触抵抗に起因する測定ばらつきの発生が抑制される。これらの結果、本発明によれば、インピーダンス特性の測定を高精度に行うことができる。
【０００８】
好ましくは、測定基板は、絶縁基板の第２の主面にそれぞれ形成され、スルーホール導体を介して第１の導体に電気的に接続された第３の導体及びスルーホール導体を介して第２の導体に電気的に接続された第４の導体を更に有し、測定基板を、第２の主面を中心導体及び外部導体に対向させ且つ第３の導体を中心導体と面接触させると共に第４の導体を外部導体と面接触させるように、同軸コネクタに収容し、第１の導体を第３の導体を介して中心導体と電気的に接続し、第２導体を第４の導体を介して外部導体と電気的に接続する。この場合、被測定電子部品が同軸コネクタ（中心導体及び外部導体）に対向しない第１の主面側に実装されているので、被測定電子部品と同軸コネクタとが接触して、中心導体と外部導体とがショートしてしまうのを確実に防ぐことができる。また、被測定電子部品が、第２の主面側に存在していないため、第３の導体と中心導体と接触及び第４の導体と外部導体との接触に、支障をきたすことがない。この結果、第３の導体と中心導体とを確実に接触させることができると共に、第４の導体と外部導体とを確実に接触させることができる。
【０００９】
第３の導体と中心導体との間、及び、第４の導体と外部導体との間に、接触抵抗が生じる。しかしながら、第３の導体は中心導体と面接触し、第４の導体は外部導体と面接触することとなるため、生じる接触抵抗は比較的小さく、そのばらつきも小さい。この結果、インピーダンス特性の測定に与える影響は極めて低く、測定精度の低下が抑制される。
【００１０】
好ましくは、同軸コネクタに螺合する固定治具により、第２の導体を押圧する。この場合には、第３の導体と中心導体との間、及び、第４の導体と外部導体との間に生じる接触抵抗のばらつきをより一層小さくすることができる。
【００１１】
好ましくは、測定基板の第１の主面側には、第１及び第２の導体における被測定電子部品が実装される部分を露出する開口が形成された絶縁被膜が形成されている。この場合には、被測定電子部品を測定基板に実装する際の被測定電子部品の位置決めを容易に行うことができる。
【００１２】
好ましくは、測定基板と類似形状を有し、第１の導体に相当する導体と第２の導体に相当する導体とが短絡しているショート基板を更に用い、ショート基板を、第１の導体に相当する導体と中心導体とを電気的に接続すると共に第２の導体に相当する導体と外部導体とを電気的に接続するように、同軸コネクタに収容し、インピーダンス測定器においてショート校正を行なう。この場合には、被測定電子部品のインピーダンス測定を行う際に、ショート校正の結果が適切に反映されることとなる。この結果、被測定電子部品のインピーダンス特性の測定をより一層高精度に行うことができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、被測定電子部品との接触抵抗を小さくし、接触抵抗に起因する測定ばらつきが生じるのを抑制して、高精度の測定が可能なインピーダンス測定方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００１５】
本実施形態に係るインピーダンス測定方法では、まず、図１に示されるように、インピーダンス測定器１と、同軸コネクタ１０と、を用意する。インピーダンス測定器１は、被測定電子部品のインピーダンスを測定するものである。本実施形態では、インピーダンス測定器１として、Ｅ４９９１Ａ  ＲＦインピーダンス／マテリアル・アナライザ（アジレント・テクノロジー株式会社製）を用いている。このインピーダンス測定器１は、インピーダンス測定用のテストヘッド部３を含んでいる。テストヘッド部３は、インピーダンス測定器１のテストヘッドインターフェースに接続されている。
【００１６】
同軸コネクタ１０は、テストヘッド部３に配置され、インピーダンス測定器１に電気的に接続されている。同軸コネクタ１０は、図２に示されるように、中心導体１１と、中心導体１１の外側に位置する外部導体１２と、外部導体１２の外側に位置するスリーブ１３と、スリーブ１３と螺合しているコネクタナット１４と、を有している。中心導体１１の端部は、外部導体１２の端部よりも、中心導体１１の中心軸方向に突出している。本実施形態では、同軸コネクタ１０として、Amphenol社製のＡＰＣ（Amphenol Precision Connector）−７を用いている。同軸コネクタ１０は、テストポートとして機能し、５０Ωの特性インピーダンスを有している。
【００１７】
また、本実施形態に係るインピーダンス測定方法では、図３〜図５に示されるように、測定基板２０を用意する。測定基板２０は、絶縁基板ＩＳ１と、第１〜第４の導体２１〜２４と、スルーホール導体２６，２７と、を有している。絶縁基板ＩＳ１は、円板形状を呈しており、電気絶縁材料（例えばガラスエポキシ材料等）からなる。絶縁基板ＩＳ１は、対向する第１の主面ＩＳ１ａと第２の主面ＩＳ１ｂとを有している。
【００１８】
絶縁基板ＩＳ１の外径は、同軸コネクタ１０のスリーブ１３の内径未満に設定されている。これにより、絶縁基板ＩＳ１は、同軸コネクタ１０のスリーブ１３内に収容可能である。第１〜第４の導体２１〜２４及びスルーホール導体２６，２７は、例えば銅等からなる。本実施形態では、絶縁基板ＩＳ１の外径は略１４ｍｍであり、その厚みは略０．３ｍｍである。
【００１９】
第１及び第２の導体２１，２２は、絶縁基板ＩＳ１の第１の主面ＩＳ１ａに形成されており、第１の主面ＩＳ１ａ上において互いに電気的に絶縁されている。第１の導体２１は、略円形状を呈しており、絶縁基板ＩＳ１の中心部に位置している。第１の導体２１は、被測定電子部品が実装される実装部２１ａを含んでいる。第２の導体２２は、第１の導体２１の外側に、第１の導体２１と所定の間隔を有して同心円状に位置している。第２の導体２２は、被測定電子部品が実装される実装部２２ａを含んでいる。
【００２０】
実装部２１ａ，２２ａへの被測定電子部品の実装は、はんだ付け等により行なうことができる。被測定電子部品が実装部２１ａ，２２ａに実装された状態では、被測定電子部品の端子電極と実装部２１ａ，２２ａとが電気的且つ物理的に接続されることとなる。
【００２１】
測定基板２０では、第１の導体２１と第２の導体２２の内側部分とを覆うように、絶縁被膜２５が形成されている。絶縁被膜２５は、例えばフォトレジスト材料等からなる。絶縁被膜２５には、実装部２１ａ，２２ａが露出するように、開口２５ａが形成されている。
【００２２】
第３及び第４の導体２３，２４は、絶縁基板ＩＳ１の第２の主面ＩＳ１ｂに形成されており、第２の主面ＩＳ１ｂ上において互いに電気的に絶縁されている。第３の導体２３は、略円形状を呈しており、絶縁基板ＩＳ１の中心部に位置している。第４の導体２４は、第３の導体２３の外側に、第３の導体２３と所定の間隔を有して同心円状に位置している。
【００２３】
第１の導体２１と第３の導体２３とは、絶縁基板ＩＳ１に形成されたスルーホール導体２６を介して電気的に接続されている。スルーホール導体２６は、絶縁基板ＩＳ１の中心部に位置している。第２の導体２２と第４の導体２４とは、絶縁基板ＩＳ１に形成された複数のスルーホール導体２７を介して電気的に接続されている。複数のスルーホール導体２７は、絶縁基板ＩＳ１の中心部から放射状に位置している。
【００２４】
ここで、絶縁基板ＩＳ１の製造方法について、説明する。まず、母材基板を用意する。母材基板は、絶縁材料（例えば、ガラスエポキシ材料等）からなる基板と、この基板の両面に形成された導体層とからなる。導体層は、金属材料（例えば、銅等）を無電解メッキすることにより形成することができる。そして、用意した母材基板に、スルーホール導体２６，２７が形成される位置に対応する位置にスルーホールを形成する。
【００２５】
次に、金属材料（例えば、銅等）を無電解メッキすることにより、スルーホールの内面に導体層を形成する。スルーホールの内面に形成された導体層は、母材基板の両面に形成された導体層と連続して形成される。これにより、スルーホール導体２６，２７が形成されることとなる。
【００２６】
次に、母材基板の両面に形成された導体層を、フォトリソグラフィ技術によって、パターンニングする。これにより、第１〜第４の導体２１〜２４が形成されることとなる。そして、第１及び第２の導体２１，２２上に、絶縁被膜２５をパターンニングにより形成する。その後、母材基板を切断して、個々の測定基板２０を得る。
【００２７】
続いて、図６〜図８を参照して、インピーダンス測定器１のショート校正に用いられるショート基板３０について、説明する。ショート基板３０は、測定基板２０と類似形状を有している。ショート基板３０の製造方法は、上述した測定基板２０の製造方法と同様であり、ここでの説明を省略する。
【００２８】
ショート基板３０は、絶縁基板ＩＳ２と、第１〜第５の導体３１〜３５と、スルーホール導体３６，３７と、を有している。絶縁基板ＩＳ２は、円板形状を呈しており、電気絶縁材料（例えばガラスエポキシ材料等）からなる。絶縁基板ＩＳ２は、対向する第１の主面ＩＳ２ａと第２の主面ＩＳ２ｂとを有している。
【００２９】
絶縁基板ＩＳ２の外径は、絶縁基板ＩＳ１の外径と略同一であり、同軸コネクタ１０のスリーブ１３の内径未満に設定されている。これにより、絶縁基板ＩＳ２も、絶縁基板ＩＳ１と同じく、同軸コネクタ１０のスリーブ１３内に収容可能である。第１〜第５の導体３１〜３５及びスルーホール導体３６，３７は、例えば銅等からなる。本実施形態では、絶縁基板ＩＳ２の外径は略１４ｍｍであり、その厚みは略０．３ｍｍである。
【００３０】
第１及び第２の導体３１，３２は、絶縁基板ＩＳ２の第１の主面ＩＳ２ａに形成されている。第１の導体３１は、略円形状を呈しており、絶縁基板ＩＳ２の中心部に位置している。第２の導体３２は、第１の導体３１の外側に、第１の導体３１と所定の間隔を有して同心円状に位置している。第１の導体３１と第２の導体３２とは、第５の導体３５により接続されており、電気的に接続されている。すなわち、第１の導体３１と第２の導体３２とは、短絡している。第１の導体３１、第２の導体３２、及び第５の導体３５は、一体に形成されている。
【００３１】
第３及び第４の導体３３，３４は、絶縁基板ＩＳ２の第２の主面ＩＳ２ｂに形成されており、第２の主面ＩＳ２ｂ上において互いに電気的に絶縁されている。第３の導体３３は、略円形状を呈しており、絶縁基板ＩＳ２の中心部に位置している。第４の導体３４は、第３の導体３３の外側に、第３の導体３３と所定の間隔を有して同心円状に位置している。
【００３２】
第１の導体３１と第３の導体３３とは、絶縁基板ＩＳ２に形成されたスルーホール導体３６を介して電気的に接続されている。スルーホール導体３６は、絶縁基板ＩＳ２の中心部に位置している。第２の導体３２と第４の導体３４とは、絶縁基板ＩＳ２に形成された複数のスルーホール導体３７を介して電気的に接続されている。複数のスルーホール導体３７は、絶縁基板ＩＳ２の中心部から放射状に位置している。
【００３３】
測定基板２０の第１の導体２１とショート基板３０の第１の導体３１とは、略同じ形状を呈しており、それぞれ対応している。測定基板２０の第２の導体２２とショート基板３０の第２の導体３２とは、略同じ形状を呈しており、それぞれ対応している。測定基板２０の第３の導体２３とショート基板３０の第３の導体３３とは、略同じ形状を呈しており、それぞれ対応している。測定基板２０の第４の導体２４とショート基板３０の第４の導体３４とは、略同じ形状を呈しており、それぞれ対応している。
【００３４】
次に、図９〜図１２を参照して、インピーダンス測定器１による被測定電子部品４０のインピーダンス測定に関して説明する。本実施形態では、被測定電子部品４０を積層チップコンデンサとして例を示す。図９、図１１、及び図１２では、絶縁被膜２５の図示を省略している。
【００３５】
まず、測定に先立って、測定基板２０に被測定電子部品４０を実装する。これにより、被測定電子部品４０は測定基板２０に固定されることとなる。被測定電子部品４０は、一対の端子電極４１，４２を有している。測定基板２０に被測定電子部品４０が実装された状態では、一方の端子電極４１は第１及び第３の導体２１，２３と電気的に接続され、他方の端子電極４２は第２及び第４の導体２２，２４と電気的に接続される。
【００３６】
次に、図９及び図１０に示されるように、被測定電子部品４０が実装された測定基板２０を同軸コネクタ１０に収容する。このとき、測定基板２０を、第２の主面ＩＳ１ｂ（第３及び第４の導体２３，２４）が同軸コネクタ１０の中心導体１１及び外部導体１２と対向するように、同軸コネクタ１０のスリーブ１３内に収容する。
【００３７】
そして、図１１及び図１２に示されるように、同軸コネクタ１０のスリーブ１３に螺合する固定治具５０により、測定基板２０を押圧する。固定治具５０は、押圧部５１を有している。押圧部５１は、略円筒形状を呈している。押圧部５１の内径は、押圧部５１の内側に被測定電子部品４０が位置するように、絶縁基板ＩＳ１の中心から実装部２２ａまでの長さよりも大きい値に設定されている。また、押圧部５１の高さは、被測定電子部品４０と接触しないように、被測定電子部品４０の高さよりも大きい値に設定されている。
【００３８】
押圧部５１が測定基板２０の第２の導体２２と面接触して、測定基板２０を押圧する。このとき、同軸コネクタ１０の中心導体１１と測定基板２０の第３の導体２３とが面接触して、互いに電気的に接続されると共に、同軸コネクタ１０の外部導体１２と測定基板２０の第４の導体２４とが面接触して、互いに電気的に接続される。測定基板２０が同軸コネクタ１０に収容され且つ固定治具５０により押圧された状態では、同軸コネクタ１０の中心導体１１は、第３の導体２３、スルーホール導体２６、及び第１の導体２１（実装部２１ａ）を介して、一方の端子電極４１に電気的に接続される。また、同軸コネクタ１０の外部導体１２は、第４の導体２４、スルーホール導体２７、及び第２の導体２２（実装部２２ａ）を介して、一方の端子電極４２に電気的に接続される。
【００３９】
次に、インピーダンス測定器１（Ｅ４９９１Ａ  ＲＦインピーダンス／マテリアル・アナライザ）を用いて、被測定電子部品４０のインピーダンス特性を測定する。インピーダンス測定手法としては、一般に、ＲＦ  Ｉ−Ｖ法が用いられている。ＲＦ  Ｉ−Ｖ法に関しては、アジレント・テクノロジー株式会社発行のインピーダンス測定ハンドブック（２００３年１１月版）等により既知であるため、詳細な説明を省略する。
【００４０】
ここで、図１３〜図１４を参照して、インピーダンス測定器１におけるショート校正に関して説明しておく。
【００４１】
図１３及び図１４に示されるように、ショート基板３０を同軸コネクタ１０に収容する。このとき、ショート基板３０を、第２の主面ＩＳ２ｂ（第３及び第４の導体３３，３４）が同軸コネクタ１０の中心導体１１及び外部導体１２と対向するように、同軸コネクタ１０のスリーブ１３内に収容する。
【００４２】
そして、同軸コネクタ１０のスリーブ１３に螺合する固定治具５０により、ショート基板３０を押圧する。押圧部５１がショート基板３０の第２の導体３２と面接触して、ショート基板３０を押圧する。このとき、同軸コネクタ１０の中心導体１１とショート基板３０の第３の導体３３とが面接触して、互いに電気的に接続されると共に、同軸コネクタ１０の外部導体１２とショート基板３０の第４の導体３４とが面接触して、互いに電気的に接続される。ショート基板３０が同軸コネクタ１０に収容され且つ固定治具５０により押圧された状態では、同軸コネクタ１０の中心導体１１と外部導体１２とは、第３の導体３３、スルーホール導体３６、第１の導体３１、第５の導体３５、第２の導体３２、スルーホール導体３７、及び第４の導体３４を介して、電気的に接続される。
【００４３】
その後、インピーダンス測定器１にてショート校正を行う。インピーダンス測定器１におけるショート校正の手法も既知であるため、詳細な説明を省略する。
【００４４】
以上のように、本実施形態では、被測定電子部品４０は測定基板２０の第１及び第２の導体２１，２２（実装部２１ａ，２２ａ）に実装されることにより測定基板２０に固定されることとなるため、被測定電子部品４０と測定基板２０との接触抵抗は生じない。また、接触抵抗に起因する測定ばらつきの発生が抑制される。これらの結果、本実施形態によれば、被測定電子部品４０のインピーダンス特性の測定を高精度に行うことができる。
【００４５】
本実施形態では、測定基板２０を、第２の主面ＩＳ１ｂを中心導体１１及び外部導体１２に対向させ且つ第３の導体２３を中心導体１１と面接触させると共に第４の導体２４を外部導体１２と面接触させるように、同軸コネクタ１０のスリーブ１３内に収容し、第１の導体２１をスルーホール導体２６及び第３の導体２３を介して中心導体１１と電気的に接続し、第２導体２２をスルーホール導体２７及び第４の導体２４を介して外部導体１２と電気的に接続する。これにより、被測定電子部品４０が同軸コネクタ１０（中心導体１１及び外部導体１２）に対向しない第１の主面ＩＳ１ａ側に実装されているので、被測定電子部品４０と同軸コネクタ１０とが接触して、中心導体１１と外部導体１２とがショートしてしまうのを確実に防ぐことができる。また、被測定電子部品４０が、第２の主面ＩＳ１ｂ側に存在していないため、第３の導体２３と中心導体１１との接触及び第４の導体２４と外部導体１２との接触に、支障をきたすことがない。この結果、第３の導体２３と中心導体１１とを確実に接触させることができると共に、第４の導体２４と外部導体１２とを確実に接触させることができる。
【００４６】
第３の導体２３と中心導体１１との間、及び、第４の導体２４と外部導体１２との間に、接触抵抗が生じる。しかしながら、第３の導体２３は中心導体１１と面接触し、第４の導体２４は外部導体１２と面接触することとなるため、生じる接触抵抗は比較的小さく、そのばらつきも小さい。この結果、被測定電子部品４０のインピーダンス特性の測定に与える影響は極めて低く、測定精度の低下が抑制される。
【００４７】
本実施形態では、同軸コネクタ１０のスリーブ１３に螺合する固定治具５０により、第２の導体２２を押圧する。これにより、第３の導体２３と中心導体１１との間、及び、第４の導体２４と外部導体１２との間に生じる接触抵抗のばらつきをより一層小さくすることができる。特に、本実施形態においては、中心導体１１の端部が外部導体１２の端部よりも突出しているので、固定治具５０（押圧部５１）による押圧力が高くなり、第３の導体２３と中心導体１１とが確実に面接触すると共に、第４の導体２４と外部導体１２とが確実に面接触する。
【００４８】
本実施形態では、測定基板２０の第１の主面ＩＳ１ｂ側には、第１及び第２の導体２１，２２の実装部２１ａ，２２ａを露出する開口２５ａが形成された絶縁被膜２５が形成されている。この場合には、被測定電子部品４０を測定基板２０に実装する際の被測定電子部品４０の位置決めを容易に行うことができる。
【００４９】
本実施形態では、ショート基板３０を、第１の導体３１と中心導体１１とを電気的に接続すると共に第２の導体３２と外部導体１２とを電気的に接続するように、同軸コネクタ１０のスリーブ１３内に収容し、インピーダンス測定器１においてショート校正を行なう。測定基板２０と類似形状であるショート基板３０を用いてショート校正を行なうことにより、被測定電子部品４０のインピーダンス測定を行なう条件と極めて類似した条件にてショート校正が行なわれることとなる。したがって、被測定電子部品４０のインピーダンス測定を行う際に、校正結果が適切に反映され、被測定電子部品４０のインピーダンス特性の測定をより一層高精度に行うことができる。
【００５０】
なお、インピーダンス測定器１におけるオープン校正では、被測定電子部品４０が実装されていない測定基板２０を用いることができる。被測定電子部品４０が実装されていない測定基板２０を同軸コネクタ１０のスリーブ１３内に収容して、中心導体１１と第１の導体２１とを電気的に接続すると共に外部導体１２と第２の導体２２とを電気的に接続する。その後、インピーダンス測定器１にてショート校正を行う。測定基板２０を用いてオープン校正を行なうことにより、被測定電子部品４０のインピーダンス測定を行なう条件と極めて類似した条件にてオープン校正が行なわれることとなる。したがって、被測定電子部品４０のインピーダンス測定を行う際に、校正結果が適切に反映され、被測定電子部品４０のインピーダンス特性の測定をより一層高精度に行うことができる。
【００５１】
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【００５２】
本実施形態では、測定基板２０を、第２の主面ＩＳ１ｂが同軸コネクタ１０の各導体１１，１２と対向するように同軸コネクタ１０に収容しているが、これに限られない。測定基板２０に実装された被測定電子部品４０と同軸コネクタ１０の各導体１１，１２とが直接接触しないのであれば、測定基板２０を、第１の主面ＩＳ１ａが同軸コネクタ１０の各導体１１，１２と対向するように同軸コネクタ１０に収容してもよい。この場合、測定基板２０は、第３及び第４の導体２３，２４を有さなくてもよい。
【００５３】
第１の導体２１と第２の導体２２とは同心円状に配置されているが、これに限られることなく、第１の導体２１と第２の導体２２とは、第１の主面ＩＳ１ａ上において互いに電気的に絶縁されていれば、如何なる形状を呈していてもよい。第３の導体２３及び第４の導体２４も同心円状に配置しているが、これに限られることなく、第３の導体２３及び第４の導体２４は、第２の主面ＩＳ２ａ上において互いに電気的に絶縁されていれば、如何なる形状を呈していてもよい。
【００５４】
本実施形態では、インピーダンス測定器１と同軸コネクタ１０とをテストヘッド部３を介して電気的に接続しているが、これに限られることなく、インピーダンス測定器１と同軸コネクタ１０とを同軸ケーブルを介して電気的に接続してもよい。
【００５５】
本発明は、積層チップコンデンサ以外の電子部品（例えば、インダクタ、抵抗器、フィルタ等）のインピーダンス測定方法に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】本実施形態に係るインピーダンス測定方法にて用いるインピーダンス測定器を示す図である。
【図２】本実施形態に係るインピーダンス測定方法にて用いる同軸コネクタを示す斜視図である。
【図３】本実施形態に係るインピーダンス測定方法にて用いる測定基板を示す平面図である。
【図４】本実施形態に係るインピーダンス測定方法にて用いる測定基板を示す平面図である。
【図５】本実施形態に係るインピーダンス測定方法にて用いる測定基板を示す断面図である。
【図６】本実施形態に係るインピーダンス測定方法にて用いるショート基板を示す平面図である。
【図７】本実施形態に係るインピーダンス測定方法にて用いるショート基板を示す平面図である。
【図８】本実施形態に係るインピーダンス測定方法にて用いるショート基板を示す断面図である。
【図９】測定基板を同軸コネクタに収納した状態を示す斜視図である。
【図１０】測定基板を同軸コネクタに収納する状態を示す図である。
【図１１】同軸コネクタに固定治具を螺合した状態を示す斜視図である。
【図１２】測定基板を固定治具で押圧した状態を示す図である。
【図１３】ショート基板を同軸コネクタに収納した状態を示す斜視図である。
【図１４】ショート基板を固定治具で押圧した状態を示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１…インピーダンス測定器、１０…同軸コネクタ、１１…中心導体、１２…外部導体、２０…測定基板、２１〜２４…第１〜第４の導体、２５…絶縁被膜、２５ａ…開口、２６，２７…スルーホール導体、３０…ショート基板、３１〜３５…第１〜第５の導体、３６，３７…スルーホール導体、４０…被測定電子部品、５０…固定治具、ＩＳ１，ＩＳ２…絶縁基板、ＩＳ１ａ，ＩＳ２ａ…第１の主面、ＩＳ１ｂ，ＩＳ２ｂ…第２の主面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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