(57)【要約】【課題】  最小単位のセンサユニットを設け、これらを連結することにより所定の読み取り幅に対応したサイズの密着イメージセンサを提供する。【解決手段】  光源からの光を被照射物に照射する導光体と、被照射物で反射した散乱光を互いに逆方向の副走査側に反射させる反射面を有するミラーで反射させた第１反射光束及び第２反射光束のそれぞれを副走査方向側の異なる位置で収束させる結像手段と、結像手段で収束された第１反射光束をデジタル変換して画像信号を第１内部端子から出力する第１センサ基板と、結像手段で収束された第２反射光束をデジタル変換して画像信号を第２内部端子から出力する第２センサ基板と、第１センサ基板及び第２センサ基板と電気接続され、バスラインを介して第１センサ基板及び第２センサ基板からの画像信号出力を信号処理する信号処理基板と、それらを収納する筐体とを備えるようにした。【選択図】          図１
2010212869.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主走査方向に延在する光源と、この光源からの光を被照射物の照射部に照射する導光体と、前記被照射物で反射した散乱光を互いに逆方向の副走査側に反射させる反射面を有するミラーで反射させた第１反射光束及び第２反射光束のそれぞれを副走査方向側の異なる位置で収束させる主走査方向に沿って設けた結像手段と、この結像手段で収束された前記第１反射光束を受光部で光電変換し、この光電変換されたアナログ信号をデジタル変換して画像信号を第１内部端子から出力する第１センサ基板と、前記結像手段で収束された前記第２反射光束を受光部で光電変換し、この光電変換されたアナログ信号をデジタル変換して画像信号を第２内部端子から出力する第２センサ基板と、前記第１センサ基板及び前記第２センサ基板と電気接続され、バスラインを介して前記第１センサ基板及び前記第２センサ基板からの画像信号出力を信号処理する信号処理ＩＣを有する信号処理基板と、少なくとも前記結像手段、前記第１センサ基板、前記第２センサ基板及び前記信号処理基板を収納又は保持する筐体とを備えた密着イメージセンサ。
【請求項２】
前記バスラインは、前記第１センサ基板から出力された画像信号と前記第２センサ基板から出力された画像信号とは分離されている請求項１に記載の密着イメージセンサ。
【請求項３】
筐体と、主走査方向に延在する光源と、この光源からの光を被照射物の照射部に照射する導光体と、前記被照射物で反射した散乱光を互いに逆方向の副走査側に反射させる反射面を有するミラーで反射させた第１反射光束及び第２反射光束のそれぞれを副走査方向側の異なる位置で収束させる主走査方向に沿って設けた結像手段と、この結像手段を主走査方向に複数配列して前記筐体と固定する取り付け手段と、並べられた複数の前記結像手段で収束された前記第１反射光束を受光部で光電変換し、この光電変換されたアナログ信号をデジタル変換して画像信号を複数の第１内部端子から出力する複数の第１センサ基板と、前記複数の結像手段で収束された前記第２反射光束を受光部で光電変換し、この光電変換されたアナログ信号をデジタル変換して画像信号を複数の第２内部端子から出力する複数の第２センサ基板と、前記複数の第１センサ基板及び前記複数の第２センサ基板と電気接続され、バスラインを介して前記複数の第１センサ基板及び前記複数の第２センサ基板からの画像信号出力を信号処理する信号処理ＩＣを有する信号処理基板とを備えた密着イメージセンサ。
【請求項４】
前記バスラインは、前記複数の第１センサ基板から出力された画像信号と前記複数の第２センサ基板から出力された画像信号とは分離されている請求項３に記載の密着イメージセンサ。
【請求項５】
隣接する前記第１センサ基板の画像信号出力線同士を前記第１内部端子を介して相互に共通接続し、隣接する前記第２センサ基板の画像信号出力線同士を前記第２内部端子を介して相互に共通接続し、共通接続された前記第１センサ基板の画像信号出力及び共通接続された前記第２センサ基板の画像信号出力をそれぞれ前記信号処理基板の前記バスラインに電気接続した請求項３又は４に記載の密着イメージセンサ。
【請求項６】
前記導光体は、前記光源からの光を副走査方向に導光してから被照射物の照射部に照射する請求項１乃至５のいずれか１項に記載の密着イメージセンサ。
【請求項７】
主走査方向に光射出部を有する棒状の導光部の端部にＬＥＤを設け、このＬＥＤ光源からの光を前記導光体に入射させる請求項１乃至６のいずれか１項に記載の密着イメージセンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、複写機や金融端末装置などの画像の読み取りや画像識別に用いる密着イメージセンサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
画像情報を読み取るイメージセンサとして、例えば、特開平２−１７７７６１号公報図１（特許文献１参照）には、ＬＥＤアレイ３、ロッドレンズアレイ５及びセンサモジュール４０を各面に支持したシャーシ５１と、このシャーシ５１を覆うように構成したシャーシ５２で互いに固定した光センサ装置が開示されている。
【０００３】
特開平１０−２９０３３６号公報図１（特許文献２参照）には、画像読み取り装置本体に反射用照明ユニット１８、反射原稿用結像レンズ２３及び固体撮像素子２４が組み込まれた画像読み取り装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平２−１７７７６１号公報（第１図）
【特許文献２】特開平１０−２９０３３６号公報（第１図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載のものは、各面を加工したシャーシ５１にＬＥＤアレイ３、ロッドレンズアレイ５及びセンサモジュール４０を支持するので、ＬＥＤアレイ３による照明光学系とロッドレンズアレイとセンサモジュール４０で構成する結像光学系とが合体した構成となり、シャーシ５１の精密な加工精度が要求されると共に光の照射経路から画像の結像までの光路調整が複雑になるという課題がある。
【０００６】
特許文献２に記載のものは、反射ミラー１９〜２１、反射用照明ユニット１８、反射原稿用結像レンズ２３及び固体撮像素子２４をキャリッジ枠体１７の周囲に分散配置しているものの、照明光学系と結像光学系との具体的な結合については記載されていない。
【０００７】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、最小単位のセンサユニットを設け、これらを連結することにより所定の読み取り幅に対応したサイズの密着イメージセンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
請求項１に係る発明の密着イメージセンサは、主走査方向に延在する光源と、この光源からの光を被照射物の照射部に照射する導光体と、前記被照射物で反射した散乱光を互いに逆方向の副走査側に反射させる反射面を有するミラーで反射させた第１反射光束及び第２反射光束のそれぞれを副走査方向側の異なる位置で収束させる主走査方向に沿って設けた結像手段と、この結像手段で収束された前記第１反射光束を受光部で光電変換し、この光電変換されたアナログ信号をデジタル変換して画像信号を第１内部端子から出力する第１センサ基板と、前記結像手段で収束された前記第２反射光束を受光部で光電変換し、この光電変換されたアナログ信号をデジタル変換して画像信号を第２内部端子から出力する第２センサ基板と、前記第１センサ基板及び前記第２センサ基板と電気接続され、バスラインを介して前記第１センサ基板及び前記第２センサ基板からの画像信号出力を信号処理する信号処理ＩＣを有する信号処理基板と、少なくとも前記結像手段、前記第１センサ基板、前記第２センサ基板及び前記信号処理基板を収納又は保持する筐体とを備えたものである。
【０００９】
請求項２に係る発明の密着イメージセンサは、前記バスラインは、前記第１センサ基板から出力された画像信号と前記第２センサ基板から出力された画像信号とは分離されている請求項１に記載のものである。
【００１０】
請求項３に係る発明の密着イメージセンサは、  筐体と、主走査方向に延在する光源と、この光源からの光を被照射物の照射部に照射する導光体と、前記被照射物で反射した散乱光を互いに逆方向の副走査側に反射させる反射面を有するミラーで反射させた第１反射光束及び第２反射光束のそれぞれを副走査方向側の異なる位置で収束させる主走査方向に沿って設けた結像手段と、この結像手段を主走査方向に複数配列して前記筐体と固定する取り付け手段と、並べられた複数の前記結像手段で収束された前記第１反射光束を受光部で光電変換し、この光電変換されたアナログ信号をデジタル変換して画像信号を複数の第１内部端子から出力する複数の第１センサ基板と、前記複数の結像手段で収束された前記第２反射光束を受光部で光電変換し、この光電変換されたアナログ信号をデジタル変換して画像信号を複数の第２内部端子から出力する複数の第２センサ基板と、前記複数の第１センサ基板及び前記複数の第２センサ基板と電気接続され、バスラインを介して前記複数の第１センサ基板及び前記複数の第２センサ基板からの画像信号出力を信号処理する信号処理ＩＣを有する信号処理基板とを備えたものである。
【００１１】
請求項４に係る発明の密着イメージセンサは、前記バスラインは、前記複数の第１センサ基板から出力された画像信号と前記複数の第２センサ基板から出力された画像信号とは分離されている請求項３に記載のものである。
【００１２】
請求項５に係る発明の密着イメージセンサは、隣接する前記第１センサ基板の画像信号出力線同士を前記第１内部端子を介して相互に共通接続し、隣接する前記第２センサ基板の画像信号出力線同士を前記第２内部端子を介して相互に共通接続し、共通接続された前記第１センサ基板の画像信号出力及び共通接続された前記第２センサ基板の画像信号出力をそれぞれ前記信号処理基板の前記バスラインに電気接続した請求項３又は４に記載のものである。
【００１３】
請求項６に係る発明の密着イメージセンサは、前記導光体は、前記光源からの光を副走査方向に導光してから被照射物の照射部に照射する請求項１乃至５のいずれか１項に記載のものである。
【００１４】
請求項７に係る発明の密着イメージセンサは、主走査方向に光射出部を有する棒状の導光部の端部にＬＥＤを設け、このＬＥＤ光源からの光を前記導光体に入射させる請求項１乃至６のいずれか１項に記載のものである。
【発明の効果】
【００１５】
この発明に係る密着イメージセンサによれば、最小単位のセンサユニットを設け、これらを連結することにより所定の読み取り幅に対応したサイズの密着イメージセンサを得ることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】この発明の実施の形態１による密着イメージセンサの断面図である。
【図２】この発明の実施の形態１による密着イメージセンサの照明光学系の一部を表した平面図である。
【図３】この発明の実施の形態１による密着イメージセンサの結像光学系の一部を表した平面図である。
【図４】この発明の実施の形態１による密着イメージセンサのセンサ基板及び信号処理基板の一部を表した平面図である。
【図５】この発明の実施の形態１による密着イメージセンサの結像光学系の外観図である。
【図６】この発明の実施の形態１による密着イメージセンサの結像光学系の位置を説明する側面図である。
【図７】この発明の実施の形態１による密着イメージセンサの結像光学系の内部を説明する外観図である。
【図８】この発明の実施の形態１による密着イメージセンサのセンサＩＣの平面図である。
【図９】この発明の実施の形態１による密着イメージセンサのセンサ基板と信号処理基板との関係を説明する図である。
【図１０】この発明の実施の形態２による密着イメージセンサのセンサ基板と信号処理基板との関係を説明する図である。
【図１１】この発明の実施の形態３による密着イメージセンサのセンサ基板と信号処理基板との関係を説明する図である。
【図１２】この発明の実施の形態４による密着イメージセンサの光源ユニット側から見た平面図である。
【図１３】この発明の実施の形態４による密着イメージセンサの隣接する導光部端部周辺の平面図である。
【図１４】この発明の実施の形態５による密着イメージセンサの光源ユニット側から見た隣接する導光部端部周辺の平面図である。
【図１５】この発明の実施の形態５による密着イメージセンサの光源ユニット側から見た隣接する導光部端部周辺の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
実施の形態１．
以下、この発明の実施の形態１に係る密着イメージセンサについて図を用いて説明する。図１は実施の形態１による密着イメージセンサの断面図である。図１において、１は紙幣や帳票等の被照射物（原稿とも呼ぶ）、２は被照射物１を搬送する搬送ローラ、３は主走査方向（読み取り幅方向）に沿って設けたＬＥＤからなる光源、４は光源３からの光を副走査方向（主走査方向と直交する方向）に導光するポリカボネートやアクリル、又はガラスなどの透明部材で構成した導光体、５は光源３から照射された光が被照射物１を照明する領域を示す照射部、６は光源３で発生した熱を効率良く外部に伝えるための放熱ブロックである。
【００１８】
７は密着イメージセンサ本体の外枠となるフレーム(筐体)、８は被照射物１の搬送経路を形成すると共に内部への異物の混入を防止するために設けたポリカボネートやアクリル樹脂又はガラスなどの透明部材で構成した透過体、９はミラーやレンズなど結像光学系を内包又は固定すると共にフレーム７の基部（ベース）などと固定する樹脂成型で形成した光学セルである。
【００１９】
１０は被照射物１からの反射光（散乱光）を副走査方向に反射させる第１ミラーであり、互いに逆方向の副走査側に反射させる反射面を有するミラー１０ａ及びミラー１０ｂからなる。１１は第１ミラー１０からの反射光（反射光束）を受光する凹面の第１レンズミラー、１２は第１レンズミラー１１からの平行光を受光するアパーチャ、１３は第１レンズミラー１１で集光され、アパーチャ１２を通過して到達した光を受光する凹面の第２レンズミラー、１４は第２レンズミラー１３からの光を受光し反射させる第２ミラーである。なお、第１ミラー１０、第１レンズミラー１１、アパーチャ１２、第２レンズミラー１３、第２ミラー１４で反射光を収束するので合わせて結像手段とも呼び、第１反射光束で結像される領域と第２反射光束で結像される領域とは主走査方向側に交互に配置される。
【００２０】
１５はフレーム７に支持されたセンサ基板、１６はセンサ基板１５に実装され、第２ミラー１４によって反射された光を受光し、光電変換する光電変換回路及びその駆動部からなる半導体で構成されたセンサＩＣ（受光部）、１７はセンサ基板１５に実装され、センサＩＣ１６で光電変換された電気出力をアナログ信号からデジタル信号に変換するアナログデジタルコンバータ（Ａ／Ｄ変換器）、１８はデジタル変換された読み取り信号(画像信号)を含み外部に出力又は外部から入力される入出力インタフェース（内部端子）である。
【００２１】
１９は入出力インタフェース１８を経由する入出力信号を受け渡しすると共に、センサ基板１５でデジタル変換された読み取り信号を入出力インタフェース１８を経由して取りこみデジタル処理を行う信号処理基板、２０は信号処理基板１９に載置され、センサＩＣ１６やＡ／Ｄ変換器１７に制御信号を送出する信号処理回路や、読み取り信号を並べ替えする結合処理回路を搭載した信号処理ＩＣ（ＡＳＩＣ）、２１は密着イメージセンサの画像信号を送出すると共にシステム側との入出力信号や電源を受け渡しする外部インタフェース（外部端子）である。
【００２２】
次にセンサユニットについて説明する。図２は、この発明の実施の形態１による密着イメージセンサの照明光学系の一部を表した平面図である。図２において、光源３、導光体４、及び放熱ブロック６は副走査方向に相対する１対の照明ブロック２３を構成し、フレーム７に沿って、複数の照明ブロック２３が等間隔に並んだ構造となっている。
【００２３】
図３は、この発明の実施の形態１による密着イメージセンサの結像光学系の一部を表した平面図である。図３において、フレーム７に沿って複数の光学セル９が互い違いに等間隔に並んだ様子を示している。この実施の形態１では光学セル９の主走査方向間隔は照明ブロック２３の主走査方向間隔と同一であり、各々の光学セル９の上部に照明ブロック２３を１対１で配置することとしている。
【００２４】
図４は、この発明の実施の形態１による密着イメージセンサのセンサ基板及び信号処理基板の一部を表した平面図である。図４において、センサ基板１５は光学セル９に１対１で対応するように配置され、各々のセンサ基板１５に実装されたセンサＩＣ１６はフレーム７に沿ってちどり状に並ぶ構造としている。また、信号処理基板１９は主走査方向に延在するようにし、複数のセンサ基板１５とそれぞれインタフェースするように配置する。なお、図２〜図４中、図１と同一符号は、同一又は相当部分を示す。
【００２５】
以上から、図２、図３、図４で示すように照明ブロック２３、光学セル９、センサ基板１５を上下に積み重ねたものを一つのセンサユニットとし、複数のセンサユニットを主走査方向に等間隔に並べた構造としている。
【００２６】
図５は、この発明の実施の形態１による密着イメージセンサの結像光学系の外観図である。図５において、２５は上部に照明光学系を載置するための当接板又はクッション材、２６は筐体７の基部と嵌合させて固定すると共に読み取り幅方向にセンサユニットを連結させるための位置決めピン（取り付け手段）、２７は隣接するセンサユニットを結合させる当接板又はクッション材である。本実施の形態１では、隣接する個々のセル９を互いに点対称となるように千鳥状配置した一対のセンサユニットを最小ユニット単位としており、これを読み取り幅方向に延在させて所定の読み取り幅（有効読み取り幅）としている。したがって、被照射物１で反射した光は、隣接するセル９毎に第１ミラー１０で互いに異なる副走査方向に反射する。また、第１ミラー１０で異なる方向に反射された光はそれぞれが対応する副走査方向側に隔離されたセンサＩＣ１６列で別々に受光される。図中、図１と同一符号は、同一又は相当部分を示す。
【００２７】
図６は、この発明の実施の形態１による密着イメージセンサの結像光学系の位置を説明する側面図である。図６において、２８は照明光学系と結像光学系との間に設けられたウレタンシートなどで構成した弾性部材、２９は照明光学系を載置する当接板又はクッション材である。なお、図６ではセンサユニットは、最小ユニット単位でフレーム７の基部と位置決めピン２６で固定したが、ねじなどの取り付け手段を用いて固定しても良い。図中、図５と同一符号は、同一又は相当部分を示す。
【００２８】
図７は、この発明の実施の形態１による密着イメージセンサの結像光学系の内部を説明する外観図である。センサユニットの結像光学系は第１ミラー１０側にある上部ブロックと下部ブロックからなり、固定ピンで嵌め合わされる。下部ブロックには、センサ基板１５に搭載するセンサＩＣ１６の画素に対応する位置に貫通溝が形成される構造となっている。図中、図５と同一符号は、同一又は相当部分を示す。したがって、図５、図６、図７から被照射物１で反射した反射光束はセル９に内包された空間を通過して主走査方向に２系列並べたちどり配置された受光部（センサＩＣ）１６に到達する。
【００２９】
次に動作について説明する。図１において、光源３より発せられた照明光は導光体４によって被照射物１に導かれ、明るく照らされた被照射物１の表面の画像情報は照明ブロック（光源ユニット）２３に対応した光学セル９に実装された第１ミラー１０、第１レンズミラー１１、アパーチャ１２、第２レンズミラー１３、第２ミラー１４と順次伝播し、対応するセンサ基板１５上に実装されたセンサＩＣ１６上に結像する。
【００３０】
次に結像された画像情報の処理について説明する。図８は、この発明の実施の形態１による密着イメージセンサのセンサＩＣの平面図である。図８において、１６ａは個々の画素（光電変換部）、１６ｂはセンサＩＣ１６の各入出力パッドである。ＣＬＫは連続して送出されるクロック信号（端子）、ＳＩはＣＬＫに同期して各画素の蓄積電荷を順次開閉するスタート信号（端子）、ＣＳは各センサＩＣ１６の動作を制御するチップセレクト（センサセレクト）端子、ＲＳはセンサＩＣ１６を初期状態に戻すリセット端子、ＣＮＴは、カラー・モノクロ読み取りを選択するコントロール端子、Ｒは赤色検出出力信号端子、Ｇは緑色検出出力信号端子、Ｂは青色検出出力信号端子、ＳＯは、次段接続用端子である。なお、モノクロ読み取り時は、ＲＧＢ各端子のいずれかの端子又は全部から出力信号を送出する。
【００３１】
図９は、この発明の実施の形態１による密着イメージセンサのセンサ基板と信号処理基板との関係を説明する図である。図９において、複数のセンサ基板１５に実装されたセンサＩＣ１６によって光電変換された画像信号は、アナログデジタルコンバータ１７によってデジタル変換され、センサ基板１５と信号処理基板１９とに介在する内部端子１８を通じて信号処理基板１９に伝達され、信号バス（バスライン）３０を経由して信号処理基板１９上に実装されたＡＳＩＣ２０の信号処理回路で必要な画像処理を施した後、外部端子２１から画像信号（ＳＩＧ）としてシステムに伝播される。なお、センサセレクト信号３１は、信号処理基板１９に実装された信号処理回路より各センサＩＣ１６にチップセレクト（ＣＳ）信号として送出される。
【００３２】
画像信号は、デジタル信号に変換・保持された後、信号処理基板１９より送出されるセンサセレクト信号３１によって出力のタイミングを規定され、複数のセンサ基板１５から順次読み出されて、内部端子１８及び信号処理基板１９上の信号バス３０を通じて信号処理回路に入力される。ＡＳＩＣ２０に搭載した信号処理回路と結合処理回路は、複数のセンサ基板１５より得られた画像情報を並べ替え、つなぎ合わせて一繋がりの画像データとして再構築し、更に必要な画像処理を適宜加えた後に、外部端子２１を通じて外部システムに対して出力する。
【００３３】
このように、被照射物１の照明から画像情報のデジタル変換までの一連の流れを、対応する照明ブロック２３、光学セル９、センサ基板１５からなるセンサユニット内で完結させることにより、複数のセンサユニットを制御し、出力を統合する処理のみを共通に行うよう動作させる。
【００３４】
実施の形態２．
実施の形態１では、複数のセンサ基板１５からの出力を信号処理基板１９内の一つの信号バスに導いた例について説明したが、例えば図１０に示すように信号処理基板１９内に信号バス３０ａ及び信号バス３０ｂの２つの信号バスを設け、各々の信号バスに対して、接続するセンサ基板１５の数を折半するように構成することで信号処理基板上の信号の伝播周期が高速になり過ぎるのを防ぎ、回路動作マージンが向上すると共に電磁ノイズ輻射を低減する効果がある。
【００３５】
実施の形態３．
また、実施の形態１では、複数のセンサ基板１５の画像信号出力を内部端子１８を介してそれぞれ信号処理基板１９の信号バス３０に接続する例を説明したが、例えば図１１に示すように信号バス３０を複数のセンサ基板１５内を通過するように構成することにより、ＲＧＢ個々のバス数が８などの２５６段階以上になる場合など、センサ基板１５側のパターンを利用することにより信号処理基板１９側におけるバス数を低減することになるので信号処理基板１９をコンパクト化することが可能である。
【００３６】
さらに実施の形態１〜３において、図３では第１ミラー１０、第１レンズミラー１１の主走査方向幅が光学セル９を主走査方向に等間隔に並べる際の間隔を上回るように図示し、また図４ではセンサ基板１５上のセンサＩＣ１６も光学セル９を主走査方向に等間隔に並べる際の間隔を上回るように図示しているが、このように構成することで隣接する光学セル９の継ぎ目を互いに覆うように画像を取得することができ、相互の重複取得領域で画像を滑らかに混合することによって隣接する光学セル９間に発生する隙間の影響を補うことが可能となる効果もある。
【００３７】
なお、実施の形態１〜３では照明ブロック２３、光学セル９、センサ基板１５をそれぞれ最小ユニット単位で構成したセンサユニットとして説明しているが、例えば、照明ブロック２３は光学セル９に対応させて主走査方向にブロック分けせずに主走査方向全長をカバーするように構成しても良い。また、図１２に示すように光源３の光を主走査方向に導光するとともに主走査方向に導光した光を導光体４で副走査方向に導光して照射部５を照明しても良い。
【００３８】
実施の形態１〜３では光学セル９を最小ユニット単位で構成したセンサユニットとしているが、最小ユニットを２系列以上主走査方向に配列したものを最小ユニット単位としてもよく、センサＩＣ１６毎にセンサ基板１５を対応させたが、複数個のセンサＩＣ１６毎に１個のセンサ基板１５とすることにより、このセンサ基板１５に対応する複数のセルを最小ユニット単位とすることでも部品点数の削減や工数削減などの効果がある。
【００３９】
実施の形態４．
実施の形態１〜３では、照明ブロック２３は主走査方向にアレイ配列した光源３を使用した場合について説明したが、実施の形態４では、透明な棒状の端部にＬＥＤを搭載したサイドライト型の光源及び導光部を使用した場合について説明する。図１２は、この発明の実施の形態４による密着イメージセンサの光源ユニット側から見た平面図である。図１２において、３３はＬＥＤ光源、３４はＬＥＤ光源を固定するＬＥＤホルダ、４０は両端部にＬＥＤ光源３３を設けた分割して直線状に配列された棒状の導光部であり、４０ａは導光部４０に設けられた光散乱層である。
【００４０】
４０ｂは光散乱層４０ａに対向する領域であり、光散乱層４０ａで反射・散乱された光が導光部４０から導光体４の入射面に光を照射する射出部（光出射領域）を示す。４０ｃは分割して直線状に配列された隣接する導光部４０同士の境界領域に設けた透過樹脂であり、屈折率を導光部４０の材質と略合わせた値としている。７０は光源ユニットや結像光学系などを収納するフレームであり、光源ユニット部分の一部を除き実施の形態１〜３で説明したフレーム７と同様である。図中、図１と同一符号は同一、又は相当部分を示す。
【００４１】
次に光源ユニットの動作について説明する。照明ブロックが分割された光源ユニットでは、図１３に示すように隣接する導光部４０の端部には光を透過する透過樹脂４０ｃを塗布することにより、隣接する導光部４０で発生する不要な方向へ放散される光の反射や屈折現象を防止する。すなわち、導光部４０がアクリルやポリカボネートなどの樹脂で形成されている場合には、屈折率が１．３〜１．４程度の透過樹脂４０ｃを使用し、導光部４０がソーダガラスなどのガラス材で形成されている場合には、屈折率が１．５程度の透過樹脂４０ｃを端部に充填して隣接する導光部４０同士を接続する。
【００４２】
以上のような光源ユニット構成とすることにより、ＬＥＤ光源３３から照射された光は主走査方向に導光されるとともに主走査方向に導光された光は射出部４０ｂから出射し導光体４で副走査方向に導光されて照射部５を照明する。したがって、導光部４０が分割されていてもＬＥＤ光源３３から照射された光は、隣接する導光部４０の境界で発生する照明損失が透過樹脂４０ｃの介在で軽減されるので、効率よく主走査方向に伝達される。
【００４３】
実施の形態５．
実施の形態４では、直線状に配列された導光部４０の両端部にＬＥＤ光源３３を設置した場合について説明したが、実施の形態５では、分割された個々の導光部にＬＥＤ光源を設けた場合について説明する。図１４は、この発明の実施の形態５による密着イメージセンサの光源ユニット側から見た隣接する導光部端部周辺の平面図である。図１４において、４１は両端部にＬＥＤ光源３３を設けた個々の導光部であり、４１ａは導光部４１に設けられた光散乱層、４１ｂは光散乱層４１ａに対向する領域の射出部である。なお、光散乱層４１ａ、射出部４１ｂについては実施の形態４で説明したものと同一なので説明を省略する。
【００４４】
５０はＬＥＤ光源３３を載置し、電源供給ラインなどをパターン配線した柔軟性のあるフレキシブル基板であり、５０ａはフレキシブル基板５０の屈曲部である。７１は光源ユニットや結像光学系などを収納するフレーム（筐体）であり、７１ａはフレーム７１の突起部である。なおフレーム７１は光源ユニット部分の一部を除き実施の形態１〜３で説明したフレーム７と同様である。図中、図１２と同一符号は同一、又は相当部分を示す。
【００４５】
次に機能について説明する。フレキシブル基板５０に載置されたＬＥＤ光源３３は端部に切り欠きを設けた導光部４１の隙間に設置される。隣接する導光部４１の隙間には、フレーム７１の突起部７１ａが設けられており、この導光部４１の切り欠きに沿うようにＬＥＤ光源３３を配置する。フレキシブル基板５０は柔軟性があり、これを折り曲げて屈曲部５０ａを形成することでＬＥＤ光源３３は導光部４１の端部に対して斜めから照射することになる。光は導光部４１内を全反射して伝播されるとともに光散乱層４１ａに入射した光は散乱し、射出部４１ｂから導光体４に入射する。なお、図１５に示すように離間された導光部４１同士の隙間に透過樹脂４０ｃを塗布し、連結した導光部４１間相互の光の伝播を促すようにしても良い。
【００４６】
以上のような光源ユニット構成とすることにより、ＬＥＤ光源３３から照射された光は主走査方向に導光されるとともに主走査方向に導光された光は射出部４１ｂから出射し導光体４で副走査方向に導光されて照射部５を照明する。したがって、導光部４１が分割されていてもＬＥＤ光源３３から照射された光は、個々の導光部４１にＬＥＤ光源を設けているので照射部５における照明照度が大幅に向上するという効果があり、透過樹脂４１ｃの介在でさらに効率よく主走査方向に照明光が伝達されるという利点もある。
【００４７】
実施の形態４〜５では、ＬＥＤ光源３３は単体で表示しているが、複数の光学波長を有する樹脂などでまとめたＬＥＤ光源であってもよい。なお、導光部４０、４１から導光体４に照射される以降の動作については実施の形態１〜３で説明したものと同一である。
【符号の説明】
【００４８】
１・・・被照射物  ２・・・搬送ローラ
３・・・光源  ４・・・導光体  ５・・・照射部
６・・・放熱ブロック  ７・・・フレーム（筐体）
８・・・透過体  ９・・・光学セル
１０・・・第１ミラー  １０ａ・・・一方の第１ミラー  １０ｂ・・・他方の第ミラー
１１・・・第１レンズミラー（凹面の第レンズミラー）
１２・・・アパーチャ
１３・・・第２レンズミラー（凹面の第２レンズミラー）
１４・・・第２ミラー
１５・・・センサ基板
１５ａ・・・一方のセンサ基板（第１センサ基板）
１５ｂ・・・他方のセンサ基板（第２センサ基板）
１６・・・センサＩＣ（受光部）１６ａ・・・個々の画素、１６ｂ・・・入出力パッド
１７・・・アナログデジタルコンバータ（Ａ／Ｄ変換器）
１８・・・入出力インタフェース（内部端子）
１８ａ・・・一方の入出力インタフェース（第１内部端子）
１８ｂ・・・他方の入出力インタフェース（第２内部端子）
１９・・・信号処理基板
２０・・・信号処理ＩＣ（ＡＳＩＣ）
２１・・・外部インタフェース（外部端子）
２３・・・照明ブロック
２５・・・当接板又はクッション材
２６・・・位置決めピン（取り付け手段）
２７・・・当接板又はクッション材
２８・・・弾性部材
２９・・・当接板又はクッション材
３０・・・バスライン（画像信号出力ライン）
３０ａ・・・信号バス  ３０ｂ・・・信号バス
３１・・・センサセレクト（ＣＳ）信号
３３・・・ＬＥＤ光源
３４・・・ホルダ
４０・・・導光部
４０ａ・・・光散乱層  ４０ｂ・・・射出部（光出射領域）  ４０ｃ・・・透過樹脂
４１・・・導光部
４１ａ・・・光散乱層  ４１ｂ・・・射出部（光出射領域）  ４１ｃ・・・透過樹脂
５０・・・フレキシブル基板  ５０ａ・・・屈曲部
７０・・・フレーム（筐体）
７１・・・フレーム（筐体）  ７１ａ・・・突起部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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