(57)【要約】【課題】横線ノイズを低減した高画質固体撮像装置を提供する。【解決手段】本発明の固体撮像装置の１形態は、行単位に選択される単位画素から画素信号を読み出す固体撮像装置であって、各単位画素に含まれる増幅トランジスタと、列毎に設けられ、選択された行に属する増幅トランジスタにバイアス電流を供給する第１トランジスタと、基準バイアス電圧を発生するアクティブトランジスタと、アクティブトランジスタのゲート端子から、第１トランジスタのゲート端子に基準バイアス電圧を供給するバイアス信号線と、アクティブトランジスタのゲート端子と各第１トランジスタのゲート端子との間の前記バイアス信号線に挿入された低域通過フィルタ２５２とを備える。【選択図】図１
2010278904.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
行列状に配置された複数の単位画素を有し行単位に選択される単位画素から画素信号を読み出す固体撮像装置であって、
前記複数の単位画素のそれぞれに含まれ、画素信号を出力する増幅トランジスタと、
列毎に設けられ、選択された行に属する増幅トランジスタにバイアス電流を供給する第１トランジスタと、
ソース端子およびドレイン端子の一方とゲート端子とがショートされ、前記ソース端子と前記ドレイン端子間に一定の基準バイアス電流を発生し、ゲート端子に基準バイアス電圧を発生する第２トランジスタと、
前記第２トランジスタのゲート端子から、各第１トランジスタのゲート端子に基準バイアス電圧を供給することにより、前記基準バイアス電流に対して前記バイアス電流をミラー化するためのバイアス信号線と、
前記第２トランジスタのゲート端子と各第１トランジスタのゲート端子との間の前記バイアス信号線に挿入された低域通過フィルタと
を備える固体撮像装置。
【請求項２】
前記低域通過フィルタは、
前記第２トランジスタのゲート端子と各第１トランジスタのゲート端子との間の前記バイアス信号線に挿入された抵抗素子と、
前記抵抗素子の前記第１トランジスタ側の一端とグランド線とに接続された容量素子とを備える請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記低域通過フィルタは、さらに、前記抵抗素子の両端に接続されたスイッチ素子を備える請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記単位画素のそれぞれは、
光を信号電荷に変化するフォトダイオードと、
信号電荷を保持する浮遊拡散層と、
前記浮遊拡散層の信号電荷をリセットするリセットトランジスタと、
前記フォトダイオードから浮遊拡散層に信号電荷を転送する転送トランジスタと、
前記浮遊拡散層に保持された信号電荷に応じた前記画素信号を出力する前記増幅トランジスタと
を備え、
前記スイッチ素子は、前記リセットトランジスタによるリセット動作を含む期間である第１の期間中オンであり、前記第１の期間の完了時にオフになる
請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記スイッチ素子は、さらに、
前記転送トランジスタによる転送動作を含む期間である第２の期間中オンであり、
前記第２の期間の完了時にオフになる
請求項４に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記スイッチ素子は、前記増幅トランジスタから出力される前記画素信号が変動する期間ではオンであり、前記増幅トランジスタから出力される前記画素信号が安定している期間ではオフである
請求項３に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記容量素子は、前記固体撮像装置のＬＳＩチップに外付けされる
請求項２に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
請求項１に記載の固体撮像装置を備えるカメラ。
【請求項９】
行列状に配置された複数の単位画素を有し行単位に選択される単位画素から画素信号を読み出す固体撮像装置の駆動方法であって、
前記固体撮像装置は、
前記複数の単位画素のそれぞれに含まれ、画素信号を出力する増幅トランジスタと、
列毎に設けられ、選択された行に属する増幅トランジスタにバイアス電流を供給する第１トランジスタと、
ソース端子およびドレイン端子の一方とゲート端子とがショートされ、前記ソース端子と前記ドレイン端子間に一定の基準バイアス電流を発生し、ゲート端子に基準バイアス電圧を発生する第２トランジスタと、
前記第２トランジスタのゲート端子から、各第１トランジスタのゲート端子に基準バイアス電圧を供給することにより、前記基準バイアス電流に対して前記バイアス電流をミラー化するためのバイアス信号線と、
前記第２トランジスタのゲート端子と各第１トランジスタのゲート端子との間の前記バイアス信号線に挿入された低域通過フィルタと
を備え、
前記単位画素のそれぞれは、
光を信号電荷に変化するフォトダイオードと、
信号電荷を保持する浮遊拡散層と、
前記浮遊拡散層の信号電荷をリセットするリセットトランジスタと、
前記フォトダイオードから浮遊拡散層に信号電荷を転送する転送トランジスタと、
前記浮遊拡散層に保持された信号電荷に応じた前記画素信号を出力する前記増幅トランジスタと
を備え、
前記固体撮像装置の駆動方法は、
前記リセットトランジスタによるリセット動作を含む期間である第１の期間中前記スイッチ素子をオン状態にし、
前記第１の期間の完了時に前記スイッチ素子をオフにする
固体撮像装置の駆動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特にビデオカメラ、ディジタルスチルカメラ用のイメージ入力装置に広範に用いられている固体撮像装置、カメラおよび固体撮像装置の駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の固体撮像装置の応用では、数１００万画素数クラスの解像度の固体撮像装置を使用することが主流であったが、近年では光電変換素子のセルサイズ縮小が行われ、１０００万画素以上の高解像度の固体撮像装置が市場で主に使用されてきている。
【０００３】
近年、固体撮像装置が高解像度になってきたことから、今まで以上に低ノイズ化が望まれるようになってきている。一般に、固体撮像装置から発生するノイズは、その種類により横線ノイズ（Horizontal Noise）と縦線ノイズ（Vertical Noise）とに大別できる。
【０００４】
縦線ノイズは大部分がＦＰＮ（Fixed Pattern Noise）に起因したもので、ノイズが発生している列はデバイスごとに固定していることから固体撮像装置の後段に接続されたＤＳＰ（Digital Signal Processor）などの補正技術により、デバイスごとに最適化されて大部分を除去できる。
【０００５】
これに対して、横線ノイズは、ノイズが発生している行は決まっておらず不規則であることからデバイスごとに補正することはできず、その絶対量の低減化が望まれている。
【０００６】
一般的には、ランダムノイズは正規分布にしたがい画面全体にランダムに現れるノイズのために視覚的に認識しづらいが、横線ノイズは視覚的に認識しやすいものである。
【０００７】
このため、具体的に、横線ノイズはランダムノイズよりも１／１０倍程度の低ノイズが望まれている。特許文献１には光特性には影響を及ぼさずに横線ノイズを改善できる技術が開示されている。
【０００８】
横線ノイズとは、いくつかの理由が考えられるが、その中の１つは、画面上で明るい被写体のある領域の水平方向に線が現れる現象である。
【０００９】
このような現象は、明るい被写体と同じ行にある正常な画素の出力信号が、明るい被写体の影響により、その行の上方や下方の正常な画素の出力信号よりも相対的に小さくなるために起こり、画面上に横線として現れるのである。
【００１０】
図４には、従来方式が示されている。この従来方式においては、上記課題を解決するもので、読み出し回路２５０のロードトランジスタＭＬに関しては、列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２に流れる電流Ｉｂｉａｓ１〜Ｉｂｉａｓ２が、従来と同様に流れるようにし、アクティブトランジスタＭＦに関しては、電流及びサイズをそれぞれロードトランジスタＭＬよりも大きくすることによって、バイアス電圧Ｖｂｉａｓが速く安定化され、光特性には影響を及ぼさずに横線ノイズを改善できるというものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００６−１２８７０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、特許文献１に開示された従来技術では、近年の目標とされる横線ノイズの規格を満足することは困難であった。具体的には、横線ノイズはランダムノイズの１／１０倍程度の０．３ｅｌｅ（数十ｕＶ）程度が必要とされており、従来方式ではノイズ除去ができないという問題があった。具体的には、電流源２５１やアクティブトランジスタＭＦで発生するデバイス起因のサーマルノイズや１／ｆノイズは、従来方法では除去できずに、横引きノイズが発生してしまうという問題があった。
【００１３】
そこで、本発明は、上述した従来の問題を解決するためになされたものであって、その目的は、視覚的に認識しやすい横線ノイズを改善することができる高画質の固体撮像装置、カメラおよび固体撮像装置の駆動方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために本発明の１形態における固体撮像装置は、行列状に配置された複数の単位画素を有し行単位に選択される単位画素から画素信号を読み出す固体撮像装置であって、前記複数の単位画素のそれぞれに含まれ、画素信号を出力する増幅トランジスタと、列毎に設けられ、選択された行に属する増幅トランジスタにバイアス電流を供給する第１トランジスタと、ソース端子およびドレイン端子の一方とゲート端子とがショートされ、前記ソース端子と前記ドレイン端子間に一定の基準バイアス電流を発生し、ゲート端子に基準バイアス電圧を発生する第２トランジスタと、前記第２トランジスタのゲート端子から、各第１トランジスタのゲート端子に基準バイアス電圧を供給することにより、前記基準バイアス電流に対して前記バイアス電流をミラー化するためのバイアス信号線と、前記第２トランジスタのゲート端子と各第１トランジスタのゲート端子との間の前記バイアス信号線に挿入された低域通過フィルタとを備える。
【００１５】
この構成によれば、低域通過フィルタは、カレントミラーの基準バイアス電流を生成する第２トランジスタにおいて生じる高周波ノイズを除去する。つまり、各第１トランジスタのゲート端子に伝達される基準バイアス電圧から高周波ノイズが除去される。これにより、増幅トランジスタから出力される画素信号からも高周波ノイズの影響が低減され、横線ノイズを効果的に低減することができる。その結果、高画質の画像を得ることができる。
【００１６】
ここで、前記低域通過フィルタは、前記第２トランジスタのゲート端子と各第１トランジスタのゲート端子との間の前記バイアス信号線に挿入された抵抗素子と、前記抵抗素子の前記第１トランジスタ側の一端とグランド線とに接続された容量素子とを備えるようにしてもよい。
【００１７】
この構成によれば、低域通過フィルタを、抵抗素子と容量素子とからなる単純な回路により形成することができる。
【００１８】
ここで、前記低域通過フィルタは、さらに、前記抵抗素子の両端に接続されたスイッチ素子を備えるようにしてもよい。
【００１９】
この構成によれば、スイッチ素子をオンにすれば、低域通過帯域が広くなるが過渡応答速度を速めることができ、逆に、スイッチ素子をオフにすれば、過渡応答速度が遅くなるが低域通過帯域を狭くすることができる。これにより、増幅トランジスタから出力された画素信号を後段の回路が読み出していない場面では、スイッチ素子をオンにすることにより過度応答速度を高めることができる。一方、前記画素信号を後段の回路が読み出しており、ノイズを低減する必要がある場面にはスイッチ素子をオフにすることによりノイズ除去効果を高めることができる。
【００２０】
ここで、前記単位画素のそれぞれは、光を信号電荷に変化するフォトダイオードと、信号電荷を保持する浮遊拡散層と、前記浮遊拡散層の信号電荷をリセットするリセットトランジスタと、前記フォトダイオードから浮遊拡散層に信号電荷を転送する転送トランジスタと、前記浮遊拡散層に保持された信号電荷に応じた前記画素信号を出力する前記増幅トランジスタとを備え、前記スイッチ素子は、前記リセットトランジスタによるリセット動作を含む期間である第１の期間中オンであり、前記第１の期間の完了時にオフになるようにしてもよい。
【００２１】
この構成によれば、第１の期間において増幅トランジスタから出力されたリセットレベルの過度的な変動を早期に安定化させ、さらに、第１の期間後、後段の回路へのリセットレベルの読み出しにおいて、高周波ノイズの影響を効果的に除去することができる。
【００２２】
ここで、前記スイッチ素子は、さらに、前記転送トランジスタによる転送動作を含む期間である第２の期間中オンであり、前記第２の期間の完了時にオフになるようにしてもよい。
【００２３】
この構成によれば、第１の期間において増幅トランジスタから出力されたデータレベルの過渡的な変動を早期に安定化させ、さらに、第１の期間後、後段の回路へのデータレベルの読み出しにおいて、高周波ノイズの影響を効果的に除去することができる。
【００２４】
ここで、前記スイッチ素子は、前記増幅トランジスタから出力される前記画素信号が変動する期間ではオンであり、前記増幅トランジスタから出力される前記画素信号が安定している期間ではオフであるようにしてもよい。
【００２５】
この構成によれば、前記画素信号が変動する期間では、スイッチ素子をオンにすることにより過度応答速度を高めて、画素信号を早期に安定化することができ、一方、前記画素信号が安定している期間では、前記画素信号を後段の回路が読み出すに際して、ノイズ除去効果を高めることができる。
【００２６】
ここで、前記容量素子は、前記固体撮像装置のＬＳＩチップに外付けされていてもよい。
【００２７】
この構成によれば、容量素子の容量の制約がなくなり、大きな容量にでき、抵抗素子を小さくすることができ、チップ面積を小さくすることができ、ＬＳＩチップのレイアウト設計の自由度を大きくすることができる。
【００２８】
また、本発明の１形態におけるカメラ、固体撮像装置の駆動方法は、上記と同様の構成を有する。
【発明の効果】
【００２９】
本発明に係る固体撮像装置によれば高解像度の固体撮像装置において発生する横線ノイズを効果的に低減することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施の形態に係る横線ノイズを低減することができる固体撮像装置の構成を示す回路図である。
【図２】本発明の実施の形態係るタイミングチャートである。
【図３】本発明の実施の形態に係る横線ノイズを低減することができる固体撮像装置の変形例を示す回路図である。
【図４】従来技術における固体撮像装置の構成を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る固体撮像装置の構成を示す回路図である。
【００３２】
図１に示されているように、固体撮像装置は、画素アレイ２００、読み出し回路２５０、タイミングジェネレータ１、行走査回路２とを備えている。画素アレイ２００は、単位画素Ｐ２１１〜Ｐ２２２がｍ×ｎ個の行列状に配列されて構成されている。ここでは説明を簡略化するために２×２の画素アレイで説明する。読み出し回路２５０は、単位画素Ｐ２１１〜Ｐ２２２から信号を得るために、列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２を介して単位画素Ｐ２１１〜Ｐ２２２と接続されている。
【００３３】
このような構成において、列（カラム）毎に１つずつのＣＤＳ（Correlated  Double Sampling）を行うＣＤＳ部が画素アレイ２００の下段側に配置され、画素信号を表す出力電圧Ｖｏｕｔが入力される。固体撮像装置は、画素のデータを読み出す時、画素アレイ２００の選択された行（ロー）の画素全体が同一クロックで同時に、列毎に設けられたＣＤＳ回路に画素信号を伝達し、さらに、各ＣＤＳ回路は取得した画素信号を順次後段に伝達する。
【００３４】
読み出し回路２５０は、列毎に設けられた第１トランジスタ（以下、ロードトランジスタ）ＭＬ１、ＭＬ２と、低域通過フィルタ２５２と、第２トランジスタ（以下、アクティブトランジスタ）ＭＦとを備える。
【００３５】
ロードトランジスタは、列毎に設けられ、選択された行に属する増幅トランジスタにバイアス電流を供給する負荷トランジスタである。１つのロードトランジスタと選択された行に属する１つの増幅トランジスタとは、ソースフォロア回路を構成する。
【００３６】
アクティブトランジスタは、ソース端子およびドレイン端子の一方（図１ではドレイン端子）とゲート端子とがショートされ、ソース端子およびドレイン端子の前記一方（図１ではドレイン端子）は電流源２５１に接続されている。ソース端子およびドレイン端子の他方（図１ではソース端子）は接地されている。これにより、アクティブトランジスタは、ソース端子とドレイン端子間に一定の基準バイアス電流を発生し、ゲート端子に基準バイアス電圧を発生する。
【００３７】
前記アクティブトランジスタのゲート端子と、各ロードトランジスタのゲート端子とは、バイアス信号線により接続されている。このバイアス信号線は、アクティブトランジスタのゲート端子から、各ロードトランジスタのゲート端子に基準バイアス電圧を供給する。アクティブトランジスタと各ロードトランジスタとは、カレントミラーを構成する。前記基準バイアス電流に対して、各ロードトランジスタの前記バイアス電流はミラー電流である。ミラー比は１対１でもよいし、任意に定められた比でもよい。
【００３８】
低域通過フィルタ２５２は、前記アクティブトランジスタのゲート端子と各ロードトランジスタのゲート端子との間の前記バイアス信号線に挿入される。この低域通過フィルタ２５２は、カレントミラーの基準バイアス電流を生成するアクティブトランジスタにおいて生じる高周波ノイズを除去する。これにより、増幅トランジスタから出力される画素信号からも高周波ノイズの影響が低減され、横線ノイズを効果的に低減することができる。
【００３９】
同図の低域通過フィルタ２５２の構成例は、アクティブトランジスタのゲート端子とロードトランジスタのゲート端子との間の前記バイアス信号線に挿入された抵抗素子Ｒ１と、抵抗素子Ｒ１のロードトランジスタ側の一端とグランド線とに接続された容量素子Ｃ１とを備える。
【００４０】
前記低域通過フィルタ２５２は、さらに、抵抗素子Ｒ１の両端に接続されたスイッチ素子ＳＷ１を備える。スイッチ素子ＳＷ１をオンにすれば、低域通過帯域が広くなるが過渡応答速度を速めることができ、逆に、スイッチ素子ＳＷ１をオフにすれば、過渡応答速度が遅くなるが低域通過帯域を狭くすることができる。このスイッチ素子は、前記増幅トランジスタから列信号線に出力される画素信号が変動する期間（例えば図２のＴ１、Ｔ２）はオンであり、前記増幅トランジスタから列信号線に出力される前記画素信号が安定している期間（例えば図２のＴ１１、Ｔ１２）はオフである。この安定している期間内に、列信号線の画素信号の電圧レベル（リセットレベルまたはデータレベル）がＣＤＳ回路に読み出される。これにより、ＣＤＳ回路に信号を読み出していない場面では、スイッチ素子をオンにすることにより過度応答速度を高めることができる。一方、ＣＤＳ回路に信号を読み出しており、ノイズを低減する必要がある場面にはスイッチ素子をオフにすることによりノイズ除去効果を高めることができる。
【００４１】
また、単位画素Ｐ２１１〜Ｐ２２２の中で、例えば単位画素Ｐ２１１は、光を受けて光電荷を発生する１つのフォト検出部Ｄ１１と４つのＭＯＳトランジスタＭ１１１、Ｍ２１１、Ｍ３１１、Ｍ４１１とから構成されている。
【００４２】
これら４つのＭＯＳトランジスタは、フォト検出部により集められた光電荷をフローティング拡散（Floating Diffusion）領域に移送するためのトランスファトランジスタＭ１１１と、所望の値にフローティング拡散領域の電位をセットし、電荷を排出してフローティング拡散領域をリセットさせるためのリセットトランジスタＭ２１１と、フローティング拡散領域の電圧がゲートに印加されてソースフォロアバッファ増幅器の役割を果たす増幅トランジスタＭ３１１と、スイッチングすることでアドレス指定の役割を果たすセレクトトランジスタＭ４１１とである。
【００４３】
さらに、図１を用いて、本発明の実施の形態に係る固体撮像装置の動作を説明する。
図１より、信号の読み出しは、タイミングジェネレータ１の出力信号であるリセット制御信号ＴＲＥＳ１〜２、トランスファ制御信号ＴＴＸ１〜２、セレクト制御信号ＴＳＥＬ１〜２が、行走査回路２によってそれぞれリセットトランジスタＭ２１１〜Ｍ２２２、トランスファトランジスタＭ１１１〜Ｍ１２２、セレクトトランジスタＭ４１１〜Ｍ４２２を駆動するのに最適な電圧に変換されて、それぞれ出力信号であるリセット制御信号ＶＲＥＳ１〜２、トランスファ制御信号ＶＴＸ１〜２、セレクト制御信号ＶＳＥＬ１〜２となり、垂直走査しながら行ごとに順次、列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２に読み出されていく。
【００４４】
まず、セレクト制御信号ＶＳＥＬ１がＨｉｇｈレベルとなり単位画素のセレクトトランジスタＭ４１１〜Ｍ４１２をオンさせると１行目が選択されることになる。
【００４５】
次に、トランスファ制御信号ＶＴＸ１がＬｏｗレベルでトランスファトランジスタＭ１１１〜Ｍ１１２がオフされた状態で、リセット制御信号ＶＲＥＳ１がＨｉｇｈレベルとなりリセットトランジスタＭ２１１〜Ｍ２１２をオンさせ、各単位画素２１１〜２１２のフローティング拡散ノードＦＤ１１〜ＦＤ１２の電圧をリセットする。
【００４６】
次に、一定時間が過ぎてからフローティング拡散ノードＦＤ１１〜ＦＤ１２の電圧がリセットされた状態で、リセット制御信号ＶＲＥＳ１がＬｏｗレベルとなりリセットトランジスタＭ２１１〜Ｍ２１２をオフする。
【００４７】
そして、各単位画素２１１〜２１２のフローティング拡散ノードＦＤ１１〜ＦＤ１２の電圧が増幅トランジスタＭ３１１〜Ｍ３１２によって増幅され、出力電圧Ｖｏｕ１〜Ｖｏｕｔ２が列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２を介して読み出されリセット値Ｖ１として格納される。
【００４８】
しばらくした後に、トランスファ制御信号ＶＴＸ１がＨｉｇｈレベルとなりトランスファトランジスタＭ１１１〜Ｍ１１２をオンさせれば、フォト検出部Ｄ１１〜Ｄ１２に蓄積された全ての光電荷は、フローティング拡散ノードＦＤ１１〜ＦＤ１２に伝達される。その後、トランスファ制御信号ＶＴＸ１がＬｏｗレベルとなりトランスファトランジスタＭ１１１〜Ｍ１１２をオフする。
【００４９】
そして、増幅トランジスタＭ３１１〜Ｍ３１２の出力電圧Ｖｏｕ１〜Ｖｏｕｔ２が列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２を介して読み出されデータ値Ｖ２として格納される。
【００５０】
次に、列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２に接続された読み出し回路２５０が、リセット値Ｖ１及びデータ値Ｖ２を読み出す機能を果たし、ＣＤＳ回路が、先に格納されたリセット値Ｖ１と後に格納されたデータ値Ｖ２との電圧差を利用し、サンプリングされた各画素Ｐ２１１〜Ｐ２２２のデータに対する結果値を算出する機能を果たす。
【００５１】
次に、２行目が選択されると同様にして、２行目の信号が列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２を介して出力電圧Ｖｏｕｔ１〜Ｖｏｕｔ２として読み出される。
【００５２】
３行目以降も同様にして列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２を介して出力電圧Ｖｏｕｔ１〜Ｖｏｕｔ２として順次読み出される。
【００５３】
読み出し回路２５０は、列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２に接続されたロード（load）トランジスタＭＬ１〜ＭＬ２、及び、ロードトランジスタＭＬ１〜ＭＬ２と共に電流ミラー回路を構成するアクティブトランジスタＭＦから構成されている。ロードトランジスタＭＬ１〜ＭＬ２は、列毎に設けられ、アクティブトランジスタＭＦは、このロードトランジスタＭＬと電流ミラー回路をなすように構成されている。
【００５４】
上述した動作において、各フォト検出部Ｄ１１〜Ｄ２２の電圧は、周囲の光の明るさに応じて決定される。例えば、明るい光を受けたフォト検出部は、低い電圧を生じ、一方、暗い光を受けたフォト検出部は、相対的に高い電圧を生じる。
【００５５】
このようにノードＦＤ１１〜ＦＤ２２の電圧は、選択された行の画素の増幅トランジスタＭ３１１〜Ｍ３２２と読み出し回路２５０を構成するロードトランジスタＭＬ１〜ＭＬ２とによってソースフォロア構造をなし、列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２の各々の出力電圧Ｖｏｕｔ１〜Ｖｏｕｔ２は、選択された行のノードＦＤ１１〜ＦＤ２２の電圧とロードトランジスタＭＬ１〜ＭＬ２に流れる各電流Ｉｂｉａｓ１〜Ｉｂｉａｓ２とによって決定される。
【００５６】
このとき、バイアス電圧Ｖｂｉａｓは、読み出し回路２５０を構成するアクティブトランジスタＭＦの電流Ｉｂｉａｓを決定する。
【００５７】
ここで、本発明の実施の形態に係る固体撮像装置では、新たに、アクティブトランジスタＭＦのゲートからロードトランジスタＭＬ１〜ＭＬ２のゲートに至る間に挿入された低域通過フィルタ２５２と、帯域選択信号Ｓ１によって制御されて、低域通過フィルタ２５２の帯域を切替えることができるＳＷ１とを備えており、列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２の出力電圧Ｖｏｕｔ１〜Ｖｏｕｔ２が変化している際には低周波通過帯域を広くして過渡特性を高めて収束時間を早め、出力電圧Ｖｏｕｔ１〜Ｖｏｕｔ２が安定した後には低周波通過を狭くしてノイズ特性を良化させることを特徴とする。
【００５８】
また、低域通過フィルタ２５２は、前段から伝達された信号の中で、低周波帯域の信号だけを取り出して後段に伝達する回路であり、高周波帯域の信号は減衰させて除去するものである。
【００５９】
つまり、この低域通過フィルタ２５２は、アクティブトランジスタＭＦのゲート電圧の信号成分の中で、ＤＣ成分を含む低周波帯域の信号成分だけをロードトランジスタＭＬ１〜ＭＬ２のゲート電圧に伝える役目を果たし、高周波帯域の信号成分は減衰させて除去する役目を果たす。すなわち、Ｉｂｉａｓ１〜Ｉｂｉａｓ２を決定するのに必要なＤＣ電圧は伝達されるが、ノイズとなる不要な高周波領域の電圧は除去されることになる。
【００６０】
低域通過フィルタ２５２の回路構成では、抵抗１つと容量１つから構成される単純な１次ＲＣフィルタを代表例として選択している。さらに鋭い減衰特性が必要であれば、オペアンプを用いた２次フィルタなどの構成も考えられ、この場合は減衰特性が特に優れている。
【００６１】
また、回路ノイズに関しては、各トランジスタ素子や抵抗素子などの各デバイスからは、ホワイトノイズであるサーマルノイズや周波数に依存した１／ｆノイズなどのデバイスノイズが発生している。ホワイトノイズに対する対策としては、ノイズ密度と信号通過帯域の積できまるため、信号通過帯域を狭める手段が考えられる。一方、１／ｆノイズに対する対策としては、回路内のトランジスタのサイズを大きくすることやＣＤＳのサンプリング周波数を狭くする手段が考えられる。
【００６２】
まず、電流源２５１の電流は、一般的に、電源電圧変動や温度変動の影響を受けにくくするために、バンドギャップレファレンス回路（ＢＧＲ）と呼ばれる定電圧回路・定電流回路から作成している。このため、各トランジスタ素子や抵抗素子などからはデバイスノイズが発生している。
【００６３】
さらに、バンドギャップレファレンス回路（ＢＧＲ）からアクティブトランジスタＭＦへの距離は、レイアウト的に離れていることが多く、このＩｂｉａｓが流れる配線と他のディジタル信号の配線が併走もしくはクロスしていれば、Ｉｂｉａｓにはこれらのディジタルノイズが重畳してしまう。
【００６４】
さらに、アクティブトランジスタＭＦのデバイスのサーマルノイズや１／ｆノイズなどのデバイスノイズも加算されることになる。
【００６５】
この結果、アクティブトランジスタＭＦの電流Ｉｂｉａｓに重畳された電流ノイズやアクティブトランジスタＭＦのデバイスノイズはアクティブトランジスタＭＦのゲート電圧に変換されることになる。
【００６６】
ここで、本発明によって実施された低域通過フィルタ２５２によって、アクティブトランジスタＭＦのゲートに重畳された電圧成分の中で、ＤＣ成分を含む低周波領域の電圧成分のみが伝達されて、高周波領域のノイズは低減されることになる。このため、ロードトランジスタＭＬ１〜ＭＬ２のゲートへ供給される電圧は、高周波領域のノイズが低減された状態で伝達されることになる。
【００６７】
次に、このロードトランジスタＭＬ１〜ＭＬ２のゲート電圧に重畳されて低減された電圧ノイズは、電流Ｉｂｉａｓ１〜Ｉｂｉａｓ２に重畳する電流ノイズに変換され、そして、最終的には、選択された行の増幅トランジスタＭ３１１〜Ｍ３２２によって電圧ノイズに変換されて、列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２の出力電圧Ｖｏｕｔ１〜Ｖｏｕｔ２に重畳することになるが、この電圧は高周波領域のノイズ成分が低減されたものになっている。
【００６８】
次に、列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２に接続された読み出し回路２５０は、選択された行の画素全体の信号を同一クロックで同時に、リセット値Ｖ１及びデータ値Ｖ２として読み出す機能を果たし、次にＣＤＳ回路が、先に格納されたリセット値Ｖ１と後に格納されたデータ値Ｖ２との電圧差を利用し、単位画素Ｐ２１１〜Ｐ２２２の信号レベルを算出する。
【００６９】
このため、ＣＤＳの周波数（リセット値Ｖ１とデータ値Ｖ２を読み出す時間差）に比べて低い周波数の１／ｆノイズなどに関しては、リセット値Ｖ１と後に格納されたデータ値Ｖ２との電圧差がゼロになるためＣＤＳによって除去できるが、それ以外の周波数の高いノイズはＣＤＳによって除去できずに、全列に対して周波数と大きさがほぼ等しいノイズが重畳してしまう。この結果、横引きノイズとして視覚的に見えやすいものとなってしまう。
【００７０】
ここで、低域通過フィルタ２５２の低域通過帯域は、上記理由により、ＣＤＳの周波数（リセット値V1とデータ値Ｖ２を読み出す時間差）に比べて低い周波数であることが望ましい。このように設定すれば、１／ｆノイズなどの低周波領域のノイズは通過してしまってもＣＤＳによって取り除かれる。一方、ＣＤＳで取り除かれないホワイトノイズであるサーマルノイズなどの高周波領域のノイズは低域通過フィルタ２５２の効果によって低減されることになる。
【００７１】
また、低域通過フィルタ２５２の帯域は、簡単には容量素子Ｃ１の容量値と抵抗素子Ｒ１の抵抗値の積で決定される。このため、同じ帯域にしようとしても、容量素子Ｃ１の容量値と抵抗素子Ｒ１の抵抗値は様々な組み合わせが考えられる。
【００７２】
例えば、容量素子Ｃ１を同一チップに集積化せずにチップ外に外部部品として実装することができれば大きな値をとることができるため、抵抗素子Ｒ１は小さくてよい。このときには、以下に示すようなバイアス電圧Ｖｂｉａｓの収束時間が遅くなるような課題は発生することはなく、横線ノイズを効果的に改善することができる。
【００７３】
逆に、容量素子Ｃ１を外付け容量として実装することができず、同一チップ内に集積化しなければならないときは、容量素子Ｃ１の値は比較的小さなものとなるため、抵抗素子Ｒ１の抵抗値は大きなものとなる。このときは、ノイズを低減するために低域通過フィルタ２５２の通過帯域を低くすると次のような問題が発生する場合がある。
【００７４】
つまり、ロードトランジスタＭＬ１〜ＭＬ２のドレインに接続された列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２とロードトランジスタＭＬ１〜ＭＬ２のゲートとの間のオーバーラップキャパシタンスＣｐ１〜Ｃｐ２と抵抗素子Ｒ１によって、ＨＰＦ（広域通過フィルタ）が形成され、抵抗素子Ｒ１の抵抗値が大きいほど、このカットオフ周波数は低くなってしまう。
【００７５】
このため、列信号線Ｖ２０１の出力電圧Ｖｏｕｔ１〜Ｖｏｕｔ２がリセット電圧Ｖ１に変化する際や、また、明るい光が入りデータ電圧Ｖ２が大きく変動すると、バイアス電圧Ｖｂｉａｓが変化してしまうことになる。
【００７６】
このとき、電流源２５１の電流Ｉｂｉａｓの電流は、Ｖｂｉａｓの変動を抑えようとＶｂｉａｓのラインに電流を供給しようとする。もしくは、アクティブトランジスタＭＦは、Ｖｂｉａｓの変動を抑えようとＶｂｉａｓのラインから電流を引こうとする。
【００７７】
しかしながら、抵抗素子Ｒ１の抵抗値が大きいと、この電流量が制限されて、バイアス電圧Ｖｂｉａｓの復帰時間が遅くなってしまう。
【００７８】
したがって、ロードトランジスタにＭＬ１〜ＭＬ２に流れる電流値が大きく変化して収束時間が遅くなり、選択された行の増幅トランジスタＭ３２１〜Ｍ３２２から生じるＶｇｓ電圧が変化してしまい、これにより、上記したようにリセット電圧Ｖ１とデータ電圧Ｖ２との差により決定される信号が、画素の正常な信号よりも異なる値として決定され、横線ノイズが発生することになる。
【００７９】
特に、さまざまな制約から、このように容量素子を内蔵してＣ１の値を比較的小さくしなければならない場合には抵抗素子Ｒ１の抵抗値を比較的大きくしなければならず、このときに発生する横線ノイズを解決するために、本発明の実施の形態では、図２に示すタイミングチャートで各信号が制御される。
【００８０】
各信号は、それぞれ、行走査回路２から出力される行のセレクト制御信号ＶＳＥＬ１（セレクトトランジスタＭ４１１〜Ｍ４１２のゲート電圧）、リセット制御信号ＶＲＥＳ１（リセットトランジスタＭ２１１〜Ｍ２１２のゲート電圧）、トランスファ制御信号ＶＴＸ１（トランスファトランジスタＭ１１１〜Ｍ１１２のゲート電圧）、及び列信号線Ｖ２０１の出力電圧Ｖｏｕｔ１に関するものである。ここで、新たに、さらにタイミングジェネレータ１から出力される帯域選択信号Ｓ１、及び列信号線Ｖ２０１の出力電圧Ｖｏｕｔ１を示している。
【００８１】
ここで、タイミングジェネレータ１は、近年では、固体撮像装置と１チップ化されることが多いため、帯域選択信号Ｓ１の追加や制御は容易に実現することができる。
【００８２】
この動作を説明すれば、まず、セレクト制御信号ＶＳＥＬ１がＨｉｇｈレベルとなり単位画素のセレクトトランジスタＭ４１１〜Ｍ４１２をオンさせると１行目が選択されることになる。
【００８３】
次に、トランスファ制御信号ＶＴＸ１がＬｏｗレベルでトランスファトランジスタＭ１１１〜Ｍ１１２がオフされた状態で、リセット制御信号ＶＲＥＳ１がＨｉｇｈレベルとなりリセットトランジスタＭ２１１〜Ｍ２１２をオンさせ、各単位画素２１１〜２１２のフローティング拡散ノードＦＤ１１〜ＦＤ１２の電圧をリセットする。
【００８４】
次に、一定時間が過ぎてからフローティング拡散ノードＦＤ１１〜ＦＤ１２の電圧がリセットされた状態で、リセット制御信号ＶＲＥＳ１がＬｏｗレベルとなりリセットトランジスタＭ２１１〜Ｍ２１２をオフする。
【００８５】
そして、各単位画素２１１〜２１２のフローティング拡散ノードＦＤ１１〜ＦＤ１２の電圧が増幅トランジスタＭ３１１〜Ｍ３１２によって増幅され、出力電圧Ｖｏｕ１〜Ｖｏｕｔ２が列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２を介して読み出されリセット値Ｖ１として格納される。
【００８６】
ここで、低域通過フィルタ２５２の帯域を制御する帯域選択信号Ｓ１は、タイミングジェネレータ１から出力され、リセット制御信号ＶＲＥＳ１がオン／オフして出力電圧Ｖｏｕ１が変動している第１の期間（Ｔ１の期間）にはＨｉｇｈレベルを出力して低域通過フィルタ２５２を構成する抵抗素子Ｒ１をスイッチＳＷ１はショートして、低域通過帯域は広くなり過渡応答が高まり、バイアス電圧Ｖｂｉａｓが変動しないようにしている。このように、スイッチＳＷ１は、少なくとも第１の期間中はオンであり、第１の期間完了時にオフになる。この第１の期間は、リセットトランジスタＭ２１１等によるリセット動作を含む期間であり、列信号線Ｖ２０１の出力電圧ＶＯＵＴ１が大きく変動する期間を示している。
【００８７】
すなわち、図２の例では第１の期間はリセットトランジスタＭ２１１等にリセット制御信号ＶＲＥＳ１が印加されることにより、増幅トランジスタＭ３１１等から列信号線に出力される画素信号が変動する期間である。
【００８８】
しばらくして、十分に安定した後（Ｔ１後）に、帯域選択信号Ｓ１がＬｏｗレベルを出力すると、低域通過フィルタ２５２を構成する抵抗素子Ｒ１がスイッチＳＷ１によってショートされないため、低域通過帯域は狭くなり、低域通過フィルタとしての役割を果たす。
【００８９】
この状態では、高周波領域のノイズ成分を低減することができ、Ｔ１１の期間内に、増幅トランジスタＭ３１１〜Ｍ３１２の出力電圧は、列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２を介して出力電圧Ｖｏｕｔ１〜Ｖｏｕｔ２はＣＤＳ回路に読み出され、リセット値Ｖ１として格納する。このように、列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２の出力信号をＣＤＳ回路に読み取った後に、Ｓ１は再びＨｉｇｈレベルとなり広い帯域が選択されるようになる。
【００９０】
しばらくした後に、トランスファ制御信号ＶＴＸ１がＨｉｇｈレベルとなりトランスファトランジスタＭ１１１〜Ｍ１１２をオンさせれば、フォト検出部Ｄ１１〜Ｄ１２に蓄積された全ての光電荷は、フローティング拡散ノードＦＤ１１〜ＦＤ１２に伝達される。その後、トランスファ制御信号ＶＴＸ１がＬｏｗレベルとなりトランスファトランジスタＭ１１１〜Ｍ１１２をオフする。
【００９１】
そして、増幅トランジスタＭ３１１〜Ｍ３１２の出力電圧Ｖｏｕ１〜Ｖｏｕｔ２が列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２を介して読み出されデータ値Ｖ２として格納される。
【００９２】
このときも上記と同様に、低域通過フィルタ２５２の帯域を制御する帯域選択信号Ｓ１は、タイミングジェネレータ１から出力され、トランスファ制御信号ＶＴＸ１がオンして出力電圧Ｖｏｕ１が変動しているとき第２の期間（Ｔ２の期間）にはＨｉｇｈレベルを出力して低域通過フィルタ２５２を構成する抵抗素子Ｒ１をスイッチＳＷ１はショートして、低域通過帯域は広くなり過渡応答が高まり、バイアス電圧Ｖｂｉａｓが変動しないようにしている。このように、スイッチＳＷ１は、第２の期間中はオンであり、第２の期間完了時にオフになる。この第２の期間は、トランスファトランジスタＭ１１１による転送動作を含む期間であり、列信号線Ｖ２０１の出力電圧ＶＯＵＴ１が変動する期間を示している。
【００９３】
すなわち、図２の例では第２の期間は、トランスファトランジスタＭ１１１等にトランスファ制御信号ＶＴＸ１が印加されることにより、増幅トランジスタＭ３１１等の出力ＶＯＵＴ１が変化する期間である。
【００９４】
しばらくして、十分に安定した後（Ｔ２後）に、帯域選択信号Ｓ１がＬｏｗレベルを出力すると、低域通過フィルタ２５２を構成する抵抗素子Ｒ１がスイッチＳＷ１によってショートされないため、低域通過帯域は狭くなり、低域通過フィルタとしての役割を果たす。
【００９５】
この状態では、高周波領域のノイズ成分を低減することができ、増幅トランジスタＭ３１１〜Ｍ３１２の出力電圧は、列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２を介して出力電圧Ｖｏｕｔ１〜Ｖｏｕｔ２はＣＤＳ回路に読み出され、データ値Ｖ２として格納する。このように、列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２の出力信号を読み取った後に、Ｓ１は再びＨｉｇｈレベルとなり広い帯域が選択されるようになる。
【００９６】
次に、列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２に接続された読み出し回路２５０が、リセット値Ｖ１及びデータ値Ｖ２を読み出す機能を果たし、ＣＤＳ回路が、先に格納されたリセット値Ｖ１と後に格納されたデータ値Ｖ２との電圧差を利用し、サンプリングされた各画素Ｐ２１１〜Ｐ２２２のデータに対する結果値を算出する機能を果たす。
【００９７】
次に、２行目が選択されると同様にして、２行目の信号が列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２を介して出力電圧Ｖｏｕｔ１〜Ｖｏｕｔ２として読み出される。
【００９８】
３行目以降も同様にして列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２を介して出力電圧Ｖｏｕｔ１〜Ｖｏｕｔ２として順次読み出される。
【００９９】
その後、これらリセット電圧Ｖ１とデータ電圧Ｖ２との差を算出することによって、単位画素Ｐ２１１〜Ｐ２２２から出力される純粋な光に対するデータを得る。
【０１００】
これによって、本実施の形態では、ロードトランジスタＭＬのゲート電圧Ｖｂｉａｓは、速く安定になり、さらに、信号の読出し時にはノイズ成分も低減することができるため横線ノイズだけを改善することが可能になる。
【０１０１】
すなわち、本発明の実施形態に係る固体撮像装置は、新たに、アクティブトランジスタＭＦからロードトランジスタＭＬ１〜ＭＬ２のゲートに至る間に挿入された低域通過フィルタ２５２を備えている。ここで、図３に示すように、容量素子Ｃ１を固体撮像装置のチップ外部に外付けする外部部品として実装する構成としてもよい。この場合には、抵抗素子Ｒ１の抵抗値は小さくてすむ。この際には、まず、電流源２５１で発生してバイアス電流Ｉｂｉａｓに重畳した電流ノイズやアクティブトランジスタＭＦで発生するデバイスノイズは、アクティブトランジスタＭＦのバイアス電圧Ｖｂｉａｓに重畳される電圧ノイズに変換される。そして、この電圧成分の内、低域通過フィルタ２５２によって、高周波領域のノイズは低減されて、ＤＣ成分を含む低周波領域の成分のみがロードトランジスタＭＬ１〜ＭＬ２のゲートに伝達される。そして、この低減された電圧ノイズはバイアス電流Ｉｂｉａｓ１〜Ｉｂｉａｓ２に重畳する電流ノイズに変換され、さらに、選択された行の増幅トランジスタＭ３１１〜Ｍ３２２によって電圧ノイズに変換され、列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２の出力電圧Ｖｏｕｔ１〜Ｖｏｕｔ２にノイズとして現れるがその値は低減されたものとなる。つまり、この列信号線のＶｏｕｔ１〜Ｖｏｕｔ２に重畳された電圧は高周波領域のノイズが低減されたものとなり、横線ノイズの発生を低減することができる。
【０１０２】
一方、図１に示すように、容量素子Ｃ１を同一チップに集積する際には、その値は比較的小さな値になるため、抵抗素子Ｒ１の抵抗値は大きくしなければならない。この際には、列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２の出力電圧Ｖｏｕｔ１〜Ｖｏｕｔ２が変化したときに、バイアス電圧Ｖｂｉａｓの収束性が遅れて横線ノイズとして現れるときがある。この課題を解決するために、低域通過フィルタ２５２には帯域を切替えることができるスイッチＳＷ１を備え、垂直信号が変化している際には帯域選択信号Ｓ１の制御によって低域通過帯域を広げて過渡特性を高めてバイアス電圧Ｖｂｉａｓを速く安定化させ、垂直信号が安定した後には帯域選択信号Ｓ１の制御によって低域通過帯域を狭くしてノイズを低減させて、この状態で出力信号Ｖｏｕｔ１〜２を読み出させ、横線ノイズを低減することを特徴とする。
【０１０３】
本発明は、ＣＭＯＳ固体撮像装置などの、読み出し回路を備えた全ての固体撮像装置に適用され得る。
【０１０４】
なお、本発明では、画素アレイ２００が２行２列の単位画素Ｐ２１１〜Ｐ２２２で構成しているとしたが、このサイズに限定したものではないことは言うまでもない。
【０１０５】
なお、本発明では、画素アレイ２００が１画素１セルで構成しているとしたが、多画素１セルの構成としてもよいことは言うまでもない。
【０１０６】
また、本発明では、低域通過フィルタ２５２を抵抗１つと容量１つから構成される単純な１次ＲＣフィルタから構成されるとしたが。さらに鋭い減衰特性が必要であれば、オペアンプを用いた２次フィルタなどの構成にしてもよいことは言うまでもない。
【０１０７】
また、本発明では、Ｉｂｉａｓ１〜Ｉｂｉａｓ２を供給するロードトランジスタＭＬ１〜ＭＬ２は列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２と接続しているとして説明してきたが、ロードトランジスタＭＬ１〜ＭＬ２と列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２の間にカスコードトランジスタを入れることによって、列信号線Ｖ２０１〜Ｖ２０２の出力信号Ｖｏｕｔ１〜Ｖｏｕｔ２が大きく変化したときでも、ロードトランジスタＭＬ１〜ＭＬ２のゲート電圧Ｖｂｉａｓの変動を抑制するような構成にしてもよいことは言うまでもない。
【０１０８】
なお、本発明に係る固体撮像装置は、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施形態や、実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る固体撮像装置を内蔵した各種機器も本発明に含まれる。たとえば、本発明に係る固体撮像装置を内蔵するカメラも本発明に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
以上説明したように、本発明は、横線ノイズの改善を、素子数が非常に少ない簡単な構成によって実現することができ、例えば、ＣＭＯＳ固体撮像装置、ディジタルスチルカメラ、ムービーカメラ、カメラ付き携帯電話機、監視カメラ等に適用できる。
【符号の説明】
【０１１０】
１  タイミングジェネレータ
２  行走査回路
２００  画素アレイ
２５２  低域通過フィルタ
Ｖ２０１〜Ｖ２０２  列信号線
Ｐ２１１〜Ｐ２２２  単位画素
ＦＤ１１〜ＦＤ２２  フローティング拡散ノード
Ｍ１１１〜Ｍ１２２  トランスファトランジスタ
Ｍ２１１〜Ｍ２２２  リセットトランジスタ
Ｍ３１１〜Ｍ３２２  増幅トランジスタ
Ｍ４１１〜Ｍ４２２  セレクトトランジスタ
ＭＦ  アクティブトランジスタ
ＭＬ１〜ＭＬ２  ロードトランジスタ
ＳＷ１  スイッチ素子
Ｒ１  抵抗素子
Ｃ１  容量素子ＶＲＥＳ１〜ＶＲＥＳ３  リセット制御信号
ＶＳＥＬ１〜ＶＳＥＬ３  セレクト制御信号
ＶＴＸ１〜ＶＴＸ３  トランスファ制御信号
ＴＲＥＳ１〜ＴＲＥＳ３  リセット制御信号
ＴＳＥＬ１〜ＴＳＥＬ３  セレクト制御信号
ＴＴＸ１〜ＴＴＸ３  トランスファ制御信号
Ｓ１  帯域選択信号
【図１】
2010278904.tif 000003
【図２】
2010278904.tif 000004
【図３】
2010278904.tif 000005
【図４】
2010278904.tif 000006