(57)【要約】【課題】微細な遊離砥粒及び硬度の低い研磨パッドを用いて研磨を行う場合においても、良好な表面粗さを維持しつつ端部形状の悪化を改善すること。【解決手段】本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、キャリア４から一部を露出させた状態で保持されたガラス基板５の主表面を研磨する研磨工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、ガラス基板５の外周近傍における研磨パッド１のキャリア４側への移動を規制した状態で当該研磨パッド１をガラス基板５の主表面に密着させ、キャリア４を回転させてガラス基板５の主表面を研磨することを特徴とする。【選択図】図２
2010115731.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアから一部を露出させた状態で保持されたガラス基板の主表面を研磨する研磨工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、
前記ガラス基板の外周近傍における研磨パッドの前記キャリア側への移動を規制した状態で当該研磨パッドを前記ガラス基板の主表面に密着させ、前記キャリアを回転させて前記ガラス基板の主表面を研磨することを特徴とする磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記ガラス基板の外周近傍に配置され、当該ガラス基板と略同一の厚さ寸法を有するリテーナリングにより前記研磨パッドの前記キャリア側への移動を規制することを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記キャリアにおける前記ガラス基板の保持部内に前記リテーナリングを固定し、当該リテーナリングの内周面で前記ガラス基板を保持することを特徴とする請求項２記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記研磨工程を行う際、前記キャリアにおける前記ガラス基板の保持部内に前記リテーナリングを配置し、当該リテーナリングの内周面で前記ガラス基板を保持することを特徴とする請求項２記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
前記ガラス基板の外周近傍に配置される前記キャリアの一部を、当該ガラス基板と略同一の厚さ寸法に設け、当該キャリアの一部により前記研磨パッドの前記キャリア側への移動を規制することを特徴とする請求項１記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項６】
前記リテーナリング又は前記キャリアの一部の厚さ寸法は、前記ガラス基板の厚さ寸法の９５％以上１０５％以下であることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項７】
前記リテーナリング又は前記キャリアの一部の面積は、前記ガラス基板の主表面の面積をＡ、前記リテーナリング又は前記キャリアの一部における前記ガラス基板の主表面と平行な面の面積をＢとした場合に、Ｂ／Ａの演算結果が０．０１〜０．３の値となることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法により製造された磁気ディスク用ガラス基板上に、少なくとも磁性層を形成することを特徴とする磁気ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ（以下、「ＨＤＤ」という）等の磁気ディスク装置に用いられる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及びその磁気ディスク用ガラス基板を用いた磁気ディスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＨＤＤ等の磁気ディスク装置に搭載される磁気記録媒体として磁気ディスクがある。磁気ディスクは、アルミニウム−マグネシウム合金などで構成された金属板上にＮｉＰ膜を被着した基板、ガラス基板、セラミックス基板上に磁性層や保護層を積層したりして作製される。従来では、磁気ディスク用の基板としてアルミニウム合金基板が広く用いられていたが、近年の磁気ディスクの小型化、薄板化、高密度記録化に伴って、アルミニウム合金基板に比べて表面の平坦度や薄板での強度に優れたガラス基板が用いられるようになってきている。このような磁気ディスク用ガラス基板においては、アルミニウム合金基板に比べて強度に優れているので、磁気ディスク装置の高速回転化に適している。また、平滑で平坦な表面を得ることができるので、磁気ヘッドの浮上量を低下させてＳ／Ｎ比の向上と高記録密度化に適している。
【０００３】
一般に、このような磁気ディスク用ガラス基板は、切り出し工程；形状加工工程；粗面化工程（第１研削工程）；精ラッピング工程（第２研削工程）；端面研磨工程；主表面研磨工程第１及び第２研磨工程）；化学強化工程などの工程を経て製造される。
【０００４】
上述した主表面研磨工程（第１及び第２研磨工程）においては、ガラス基板を所望の表面粗さ及び外周端部形状を得ると共に、ガラス基板に生じたうねりを平坦にすることを目的としている。この主表面研磨工程においては、ガラス基板を研磨装置の上定盤と下定盤とで挟み、これをキャリアにセットして逆方向に回転させながら遊離砥粒（スラリー）を用いて研磨が行われる。この場合、遊離砥粒（スラリー）は、ガラス基板の所定の表面品質に応じた粒度の砥粒が用いられる。例えば、第１研磨工程においては、酸化セリウム砥粒を用いて研磨が行われ、第２研磨工程においては、シリカ砥粒を用いて研磨が行われる（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
ガラス基板表面は、研磨に用いる遊離砥粒（スラリー）の粒子径が小さいほど、また研磨パッドの硬度が低いほど研磨後の表面粗さが良好であることが知られている。このため、第２研磨工程においては、粒子径の微細なシリカ粒子（平均粒子径１０ｎｍ〜１００ｎｍ）と、硬度の低いスウェードパッドとを用いて研磨することにより、表面粗さの低いガラス基板の作製を行っていた。
【特許文献１】特開２００１−１９１２４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述したように微細な遊離砥粒（スラリー）と、硬度の低い研磨パッドを用いて研磨を行う場合には、ガラス基板において良好な表面粗さが得られるものの、端部形状が悪化するという問題がある。すなわち、硬度の低い研磨パッドを用いる場合には、研磨時に研磨パッドがキャリア側へ沈み込むこととなり、ガラス基板の端部に対する荷重が主表面に比べて大きくなる。この結果、ガラス基板の端部形状にロールオフ等の不具合が発生し得る。
【０００７】
このような研磨パッドの沈み込みを抑制する対策として、ガラス基板に対するキャリア全体の厚さ寸法を大きくすることが考えられる。しかしながら、この場合には、研磨パッドによる荷重がガラス基板に加わらなくなる事態が発生し、著しく研磨速度を低下させてしまうという問題が発生する。また、硬度の高い研磨パッドを用いて研磨を行うことも考えられる。しかしながら、この場合には、上述のように研磨後のガラス基板の表面粗さを悪化させてしまうという問題が発生する。
【０００８】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、微細な遊離砥粒及び硬度の低い研磨パッドを用いて研磨を行う場合においても、良好な表面粗さを維持しつつ端部形状の悪化を改善することができる磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法は、キャリアから一部を露出させた状態で保持されたガラス基板の主表面を研磨する研磨工程を含む磁気ディスク用ガラス基板の製造方法であって、前記ガラス基板の外周近傍における研磨パッドの前記キャリア側への移動を規制した状態で当該研磨パッドを前記ガラス基板の主表面に密着させ、前記キャリアを回転させて前記ガラス基板の主表面を研磨することを特徴とする。
【００１０】
この方法によれば、ガラス基板の外周近傍における研磨パッドのキャリア側への移動を規制した状態で当該研磨パッドをガラス基板の主表面に密着させるようにしたことから、研磨時に研磨パッドがキャリア側へ沈み込む事態を抑制しながらガラス基板の主表面を研磨できるので、微細な遊離砥粒及び硬度の低い研磨パッドを用いて研磨を行う場合においても、良好な表面粗さを維持しつつ端部形状の悪化を改善することが可能となる。
【００１１】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法においては、前記ガラス基板の外周近傍に配置され、当該ガラス基板と略同一の厚さ寸法を有するリテーナリングにより前記研磨パッドの前記キャリア側への移動を規制することが好ましい。この場合には、ガラス基板の略同一の厚さ寸法を有するリテーナリングという簡単な構成により、研磨時に研磨パッドがキャリア側へ沈み込む事態を抑制しながらガラス基板の主表面を研磨することが可能となる。
【００１２】
特に、本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法においては、前記キャリアにおける前記ガラス基板の保持部内に前記リテーナリングを固定し、当該リテーナリングの内周面で前記ガラス基板を保持することが好ましい。この場合には、研磨工程を行う際にキャリアの保持部内にリテーナリングを配置する必要がなくなるため、研磨工程における作業効率を向上することが可能となる。
【００１３】
なお、本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法においては、前記研磨工程を行う際、前記キャリアにおける前記ガラス基板の保持部内に前記リテーナリングを配置し、当該リテーナリングの内周面で前記ガラス基板を保持するようにしても良い。この場合には、キャリアの保持部に対する固定作業を省略することができるので、固定作業に要するコストを低減することが可能となる。
【００１４】
また、本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法においては、前記ガラス基板の外周近傍に配置される前記キャリアの一部を、当該ガラス基板と略同一の厚さ寸法に設け、当該キャリアの一部により前記研磨パッドの前記キャリア側への移動を規制するようにしても良い。この場合には、上述したようなリテーナリング等の部材を必要とすることなく、キャリアのみにより研磨時に研磨パッドがキャリア側へ沈み込む事態を抑制しながらガラス基板の主表面を研磨することが可能となる。
【００１５】
さらに、本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、前記リテーナリング又は前記キャリアの一部の厚さ寸法は、前記ガラス基板の厚さ寸法の９５％以上１０５％以下であることが好ましい。リテーナリング等の厚さ寸法がガラス基板よりも極端に薄いと、研磨パッドの沈み込みを抑制することができない。一方、その厚さ寸法がガラス基板よりも厚いと、ガラス基板に荷重が加わらなくなり、研磨速度の低下を招くこととなる。リテーナリングの厚さ寸法を、ガラス基板の厚さ寸法の９５％以上、１０５％以下にした場合には、研磨速度の低下を招くことなく、研磨パッドの沈み込みを効果的に抑制することが可能となる。
【００１６】
さらに、本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法において、前記リテーナリング又は前記キャリアの一部の面積は、前記ガラス基板の主表面の面積をＡ、前記リテーナリング又は前記キャリアの一部における前記ガラス基板の主表面と平行な面の面積をＢとした場合に、Ｂ／Ａの演算結果が０．０１〜０．３の値となることが好ましい。リテーナリング等の面積がガラス基板の面積に比べて小さ過ぎると、研磨パッドの沈み込みを抑制することができない。一方、その面積が大き過ぎると、ガラス基板に荷重が加わらなくなり、研磨速度の低下を招くこととなる。上述したように、ガラス基板の面積をＡ、リテーナリング等の面積をＢとした場合に、Ｂ／Ａの演算結果が０．０１〜０．３の値とした場合には、研磨速度の低下を招くことなく、研磨パッドの沈み込みを効果的に抑制することが可能となる。
【００１７】
本発明の磁気ディスクの製造方法は、上述したいずれかの磁気ディスク用ガラス基板の製造方法により製造された磁気ディスク用ガラス基板上に、少なくとも磁性層を形成することを特徴とする。
【００１８】
この方法によれば、ガラス基板における良好な表面粗さを維持しつつ端部形状の悪化が改善されることから、ガラス基板上に磁性層等を形成して磁気ディスクを製造する際、平滑で、且つ、平坦度の優れた磁気ディスクを製造することが可能となる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の磁気ディスク用ガラス基板の製造方法及び磁気ディスクの製造方法によれば、ガラス基板の外周近傍における研磨パッドのキャリア側への移動を規制した状態で当該研磨パッドをガラス基板の主表面に密着させるようにしたことから、研磨時に研磨パッドがキャリア側へ沈み込む事態を抑制しながらガラス基板の主表面を研磨できるので、微細な遊離砥粒及び硬度の低い研磨パッドを用いて研磨を行う場合においても、良好な表面粗さを維持しつつ端部形状の悪化を改善することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。なお、本実施の形態に係る磁気ディスク用ガラス基板（以下、「ガラス基板」という）の製造方法により製造されるガラス基板の材料としては、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ボロシリケートガラスなどを用いることができる。特に、化学強化を施すことができ、また主表面の平坦性及び基板強度において優れたガラス基板を提供することができるという点で、アルミノシリケートガラスを好ましく用いることができる。
【００２１】
ガラス基板の製造工程については、その概略を述べれば、切り出し工程；形状加工工程；粗面化工程（第１研削工程）；精ラッピング工程（第２研削工程）；端面研磨工程；主表面研磨工程第１及び第２研磨工程）；化学強化工程などの工程を含む。本実施の形態に係るガラス基板の製造方法においては、主表面研磨工程の第２研磨工程において、研磨パッドがキャリア側へ沈み込む事態を抑制する両面研磨装置を用いることで、微細な遊離砥粒及び硬度の低い研磨パッドを用いて研磨を行う場合においても、ガラス基板における良好な表面粗さを維持しつつ端部形状の悪化を改善するものである。
【００２２】
本実施の形態に係るガラス基板の製造方法においては、主表面研磨工程の第２研磨工程において、キャリアに保持されたガラス基板の外周近傍における研磨パッドのキャリア側への移動を規制した状態で当該研磨パッドをガラス基板の主表面に密着させる構成部材を有する両面研磨装置を用いてガラス基板の主表面の研磨を行う。具体的には、キャリアに保持されたガラス基板の周囲に、ガラス基板と略同一の厚さ寸法を有するリテーナリング等を配設した両面研磨装置を用いてガラス基板の主表面の研磨を行う。なお、この第２研磨工程においては、研磨後の良好な表面粗さを確保するため、微細な遊離砥粒（スラリー）と、硬度の低い研磨パッドとが用いられる。
【００２３】
以下、本実施の形態に係るガラス基板の製造方法に用いられる両面研磨装置の構成について説明する。図１は、本実施の形態に係るガラス基板の製造方法に用いられる両面研磨装置の上面図である。なお、図１においては、両面研磨装置が有する上定盤を省略している。図２は、本実施の形態に係るガラス基板の製造方法に用いられる両面研磨装置の部分断面図である。なお、図２においては、図１に示す一点鎖線Ａ−Ａにおける側分断面図を模式的に示している。
【００２４】
図２に示すように、本実施の形態に係るガラス基板の製造方法に用いられる両面研磨装置においては、研磨パッド１が取り付けられた上定盤２及び下定盤３の間に、キャリア４から一部を露出させた状態で保持されたガラス基板５が配置される。なお、上定盤２と下定盤３とは、互いに反対方向に回転するように構成されている。また、上定盤２と下定盤３との間には、図１に示すように、太陽歯車６と内歯歯車７とが設けられ、キャリア４がこれらの間に配置されている。キャリア４の外周には、太陽歯車６と内歯歯車７とに噛合する歯車が形成されている。これにより、上定盤２及び下定盤３の回転に伴って太陽歯車６及び内歯歯車７も回転して、キャリア４が自転及び公転するものとなっている。
【００２５】
この両面研磨装置においては、上定盤２及び下定盤３の間にキャリア４で保持したガラス基板５を密着させた状態において、当該ガラス基板５を上定盤２及び下定盤３によって挟圧する。そして、研磨パッド１とガラス基板５の研磨面との間に微細な遊離砥粒（スラリー）を含む研磨液を供給しながら上定盤２及び下定盤３を回転させる。そして、上定盤２及び下定盤３の回転に伴う太陽歯車６及び内歯歯車７の回転を通じてキャリア４を自転及び公転させ、これに保持されたガラス基板５の両面を同時に研磨するように構成されている。
【００２６】
特に、この両面研磨装置においては、図２に示すように、キャリア４に保持されたガラス基板５の外周近傍における研磨パッド１のキャリア４側への移動を規制した状態で当該研磨パッド１をガラス基板５の主表面に密着させる構成部材を有している。この研磨パッド１の移動を規制する構成部材（以下、適宜「パッド規制部材」という）は、例えば、キャリア４におけるガラス基板５を保持する保持部としての保持穴部４１に配設されるリテーナリング４２や、ガラス基板５の外周近傍に配置される一部を変形させたキャリア４により実現される。このようなパッド規制部材は、ガラス基板５の主表面の研磨時に研磨パッド１がキャリア４側に沈み込むのを抑制する役割を果たす。このようにキャリア４に保持されたガラス基板５の外周近傍にパッド規制部材を設けることにより、ガラス基板５の端部に対する研磨パッド１による荷重が主表面に比べて大きくなるのを抑制することができ、当該荷重に起因するロールオフ等の不具合をガラス基板５の端部に発生し難くすることができる。
【００２７】
ここでは、ガラス基板５の外周近傍に設けられたパッド規制部材がリテーナリング４２で構成される場合について説明する。リテーナリング４２は、例えば、ガラスエポキシやＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）等の樹脂材料により形成され、保持穴部４１の内径と略同一寸法の外径を有する円環形状に設けられる。リテーナリング４２は、例えば、保持穴部４１の壁面に樹脂接着剤等により固定される。このようにリテーナリング４２をキャリア４に固定することにより、主表面研磨工程を実行する際にキャリア４にリテーナリング４２を配置する必要がなくなるため、主表面研磨工程における作業効率を向上することが可能となる。
【００２８】
なお、ここでは、リテーナリング４２をキャリア４に固定する場合について説明しているが、リテーナリング４２をキャリア４に固定せず、主表面研磨固定を実行する際に保持穴部４１に配置することも可能である。この場合には、キャリア４に対する樹脂接着剤等による固定作業を省略することができるので、両面研磨装置の製造に要するコストを低減することが可能となる。
【００２９】
リテーナリング４２は、上述したように、ガラス基板５の研磨時に研磨パッド１がキャリア４側に沈み込むのを抑制する役割を果たすものである。このため、リテーナリング４２の厚さ寸法ｔｓ（図２参照）がガラス基板５よりも極端に薄いと、研磨パッド１の沈み込みを抑制することができない。一方、その厚さ寸法ｔｓがガラス基板５よりも厚いと、ガラス基板５に荷重が加わらなくなり、研磨速度の低下を招くこととなる。このため、リテーナリング４２の厚さ寸法ｔｓは、ガラス基板５の厚さ寸法の９５％以上、１０５％以下であることが好ましく、ガラス基板５の厚さ寸法の１００％以上、１０１％以下であることがより好ましい。このような厚さ寸法ｔｓに設定した場合には、研磨速度の低下を招くことなく、研磨パッド１の沈み込みを効果的に抑制することが可能となる。
【００３０】
また、リテーナリング４２の幅寸法ｂｓ（図２参照）も厚さ寸法ｔｓと同様に、細過ぎると、研磨パッド１の沈み込みを抑制することができない。一方、その幅寸法ｂｓが太過ぎると、ガラス基板５に荷重が加わらなくなり、研磨速度の低下を招くこととなる。このため、リテーナリング４２の幅寸法ｂｓは、ガラス基板５の主表面の面積をＡ、リテーナリング４２におけるガラス基板５の主表面と平行な面の面積をＢとした場合に、Ｂ／Ａの演算結果が０．０１〜０．３の値となることが好ましく、その演算結果が０．０５〜０．１５の値となることがより好ましい。このような幅寸法ｂｓに設定した場合には、研磨速度の低下を招くことなく、研磨パッド１の沈み込みを効果的に抑制することが可能となる。
【００３１】
なお、以上においては、ガラス基板５の外周近傍に配設されるパッド規制部材をリテーナリング４２で構成する場合について説明しているが、当該パッド規制部材を、キャリア４の一部を変形させることで構成するようにしても良い。この場合、キャリア４が上述したリテーナリング４２の機能を兼ね備えることとなる。キャリア４における変形部分については、上述したリテーナリング４２と同様の寸法に設定することが好ましい。この場合には、主表面研磨工程を実行する際にキャリア４にリテーナリング４２を配置する作業や、キャリア４に対するリテーナリング４２を固定する作業を省略することができるので、主表面研磨工程における作業効率を向上することが可能となる。
【００３２】
このように、本実施の形態に係るガラス基板の製造方法によれば、ガラス基板５の外周近傍における研磨パッド１のキャリア４側への移動を規制した状態で当該研磨パッド１をガラス基板５の主表面に密着させるようにしたことから、研磨時に研磨パッド１がキャリア４側へ沈み込む事態を抑制しながらガラス基板５の主表面を研磨できるので、微細な遊離砥粒及び硬度の低い研磨パッド１を用いて研磨を行う場合においても、良好な表面粗さを維持しつつ端部形状の悪化を改善することが可能となる。
【００３３】
（実施例）
以下、実施例に基づいて本発明を更に具体的に説明する。この実施例においては、以下に示す（１）切り出し工程、（２）形状加工工程、（３）粗面化工程（第１研削工程）、（４）精ラッピング工程（第２研削工程）、（５）端面研磨工程、（６）主表面研磨工程、（７）化学強化工程、（８）磁気ディスク製造工程を経てガラス基板５を製造すると共に、このように製造したガラス基板５を用いて磁気ディスクを製造した。
【００３４】
なお、ガラス基板５を製造するための板状ガラス素材はフロート法により製造した。フロート法においては、融液を溶融スズの上に流し、そのまま固化させる。板ガラスの両面は、ガラスの自由表面とガラス／スズの界面であるため研磨せずにＲａ０．００１μｍ以下の鏡面をなす板状のガラス素材を得た。
【００３５】
（１）切り出し工程
まず、切り出し工程においては、フロート法で製造した厚さ０．９５ｍｍのアルミノシリケートガラスからなる板状ガラス素材を所定の大きさの四角形に切断したものを使用し、そのトップ面にガラスカッターで、ガラス基板５となされる領域の外周側及び内周側の略周縁を描く円形の切り筋を形成した。そして、この切り筋を形成した板状ガラス素材のトップ面側を全体的にヒータで加熱し、上記切り筋を板状ガラス素材のボトム面側に進行させて所定の直径を有するガラス基板を切り出した。
【００３６】
（２）形状加工工程
次に、形状加工工程においては、外周端面及び内周端面の研削をして外径を６５ｍｍ、内径（中心部の円孔の直径）を２０ｍｍとした後、外周端面及び内周端面に所定の面取り加工を施した。このときのガラス基板の端面の表面粗さは、Ｒｍａｘで２μｍ程度であった。なお、一般に、２．５（インチ）型ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）では、外径が６５ｍｍの磁気ディスクが用いられる。
【００３７】
（３）粗面化工程（第１研削工程）
粗面化工程（第１研削工程）においては、平面研磨機による遊離砥粒研磨を用いる機械的方法を適用した。遊離砥粒研磨を用いてガラス基板の表面全体が略均一の表面粗さ（Ｒａ＝０．０１〜０．４μｍ程度）になるように研磨加工を施した。なお、粗面化工程において目標とする表面粗さは、後述する精ラッピング工程で使用する固定砥粒の粒度との関係で決めることが望ましい。
【００３８】
（４）精ラッピング工程（第２研削工程）
精ラッピング工程（第２研削工程）においては、粗面化されたガラス基板の主表面を、固定砥粒研磨パッドを用いて研削した。この精ラッピング工程においては、粗面化されたガラス基板をラッピング装置にセットして、ダイヤモンドシートを用いてガラス基板の表面をラッピングすることにより、高加工レートで表面粗さＲａを０．１μｍ以下で、平坦度を７μｍ以下とすることができた。
【００３９】
このように、事前にガラス基板の主表面が粗面化工程で粗面化されているので、微細な固定砥粒の引っ掛かりがガラス基板の主表面に形成される。これにより、固定砥粒がガラス基板の表面を滑ってしまう不具合を防止することができる。この場合、精ラッピング工程における加工レートは、表面研磨開始から高加工レートを実現できるものとなっている。
【００４０】
（５）端面研磨工程
端面研磨工程においては、ブラシ研磨方法により、ガラス基板を回転させながらガラス基板の外周端面及び内周端面の表面の粗さを、Ｒｍａｘで０．４μｍ、Ｒａで０．１μｍ程度になるように研磨した。そして、このような端面研磨を終えたガラス基板の表面を水洗浄した。
【００４１】
（６）主表面研磨工程（第１研磨工程、第２研磨工程）
主表面研磨工程においては、まず、ラッピング工程で残留した傷や歪みの除去するための第１研磨工程を、上述した両面研磨装置を用いて行なった。この第１研磨工程においては、ポリシャが硬質ポリシャ（硬質発泡ウレタン）である研磨パッド１を用いて、ガラス基板の主表面の研磨を行った。なお、研磨剤としては、酸化セリウム砥粒を用いた。
【００４２】
次に、第１研磨工程で使用した同一の両面研磨装置を用いて第２研磨工程を行ったこの第２研磨工程においては、ポリシャが軟質ポリシャ（スウェード）である研磨パッド１に替えてガラス基板の主表面の研磨を行った。なお、研磨剤としては、第１研磨工程で用いた酸化セリウム砥粒よりも微細なシリカ砥粒を用いた。この第２研磨工程においては、上述した第１研磨工程で得られた平坦な表面を維持しつつ、上述したリテーナーリング４２を使用することにより、Ｒａ＜０．１５ｎｍ、Ｄｕｂ−ｏｆｆ＜１０ｎｍ以下を達成できた。
【００４３】
（７）化学強化工程
化学強化工程においては、上述したラッピング工程及び研磨工程を終えたガラス基板に化学強化を施した。この場合、ガラス基板の表面に存在するイオン（例えば、アルミノシリケートガラス使用の場合、Ｌｉ＋及びＮａ＋）よりもイオン半径の大きなイオン（Ｎａ＋及びＫ＋）にイオン交換を行った。ここでは、ガラス基板の表面において（例えば、ガラス基板表面から約５μｍまで）、イオン半径の大きい原子とイオン交換を行って、ガラス基板の表面に圧縮応力を与えることでガラス基板の剛性を上げている。
【００４４】
このように、切り出し工程、形状加工工程、粗面化工程（第１研削工程）、精ラッピング工程（第２研削工程）、端面研磨工程、主表面研磨工程、化学強化工程を経て、平坦で、且つ、平滑な高剛性を有する磁気ディスク用のガラス基板５を得た。
【００４５】
（８）磁気ディスク製造工程
磁気ディスク製造工程においては、このガラス基板５の両面に、スパッタリング装置を用いて、シード層、下地層、磁性層及び保護層を成膜すると共に、潤滑層を形成して磁気ディスクを製造した。この場合、シード層には、ＣｒＴｉ薄膜からなる第１のシード層と、ＡｌＲｕ薄膜からなる第２のシード層とを形成した。下地層は、ＣｒＷ薄膜で、磁性層の結晶構造を良好にするために設けた。磁性層は、ＣｏＰｔＣｒＢ合金からなる。保護層は、磁性層が磁気ヘッドとの接触によって劣化することを防止するためのもので、水素化カーボンからなり、耐磨耗性が得られる。潤滑層は、パーフルオロポリエーテルの液体潤滑剤をディップ法により形成した。このようにして、上述したガラス基板５を用いた磁気ディスクを得た。
【００４６】
（比較例）
比較例においては、主表面研磨工程において用いる両面研磨装置の構成を一部変更する以外、実施例と同様の条件でガラス基板５を製造した。具体的には、図３に示すように、上述したパッド規制部材が設けられていない両面研磨装置を用いて主表面研磨工程を行った（比較例１）。また、図４に示すように、ガラス基板５と略同一の厚さ寸法に設定されたキャリア４を有する両面研磨装置を用いて主表面研磨工程を行った（比較例２）。そして、実施例、比較例１及び比較例２により製造されたガラス基板５の表面粗さ及び端部形状の状態を調査し、図５に示す結果を得た。なお、製造されたガラス基板５における表面粗さは、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）を用いて測定した。また、ガラス基板５の端部形状は、予め定めた不具合（例えば、ロールオフやスキージャンプ）の発生率を超えるか否かにより判定した。
【００４７】
図５から分かるように、実施例で製造されたガラス基板５においては、表面粗さ及び端部形状において、いずれも良好な結果が得られた。一方、比較例１で製造されたガラス基板５においては、表面粗さにおいて良好な結果が得られたものの、端部形状において所定以上のロールオフ等の不具合が見受けられ、良好な結果が得られなかった。また、比較例２で製造されたガラス基板５においては、表面粗さにおいて所望の表面粗さを得ることができず、端部形状において所定以上のロールオフ等の不具合が見受けられ、いずれも良好な結果が得られなかった。
【００４８】
このことから、実施例で製造されたガラス基板５によれば、微細な遊離砥粒（スラリー）と、硬度の低い研磨パッドとを用いて研磨を行う場合においても、良好な表面粗さが維持されると共に、端部形状の悪化が改善されたことが分かる。また、ガラス基板５の外周近傍のみにパッド規制部材を配設していることから、研磨パッド１による荷重がガラス基板に加わらなくなる事態を回避することができるので、研磨速度が低下する事態も発生することはない。
【００４９】
本発明は上記実施の形態に限定されず、適宜変更して実施することができる。上記実施の形態においては、ガラス基板に対して第１研磨加工及び最終研磨加工を行った後に化学強化を行う場合について説明しているが、本発明はこれに限定されず、ガラス基板に対して第１研磨加工を行った後に化学強化を行い、その後に最終研磨加工を行う場合にも同様に適用することができる。また、上記実施の形態における材質、個数、サイズ、処理手順などは一例であり、本発明の効果を発揮する範囲内において種々変更して実施することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、ガラス基板の外周近傍における研磨パッドのキャリア側への移動を規制した状態で当該研磨パッドをガラス基板の主表面に密着させることで、微細な遊離砥粒及び硬度の低い研磨パッドを用いて研磨を行う場合においても、良好な表面粗さを維持しつつ端部形状の悪化を改善するものであり、産業上の利用可能性を有する。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】本実施の形態に係るガラス基板の製造方法に用いられる両面研磨装置の上面図である。
【図２】上記実施の形態に係るガラス基板の製造方法に用いられる両面研磨装置の部分断面図である。
【図３】上記実施の形態の比較例１に係るガラス基板の製造方法に用いられる両面研磨装置の部分断面図である。
【図４】上記実施の形態の比較例２に係るガラス基板の製造方法に用いられる両面研磨装置の部分断面図である。
【図５】上記実施の形態に係るガラス基板の製造方法により作製されたガラス基板の効果について説明するための図である。
【符号の説明】
【００５２】
１  研磨パッド
２  上定盤
３  下定盤
４  キャリア
４１  保持穴部
４２  リテーナリング
５  ガラス基板
６  太陽歯車
７  内歯歯車
【図１】
2010115731.tif 000003
【図２】
2010115731.tif 000004
【図３】
2010115731.tif 000005
【図４】
2010115731.tif 000006
【図５】
2010115731.tif 000007