(57)【要約】【課題】製造コストが増大することを抑制した半導体レーザモジュールを提供する。【解決手段】この半導体レーザモジュールは、半導体レーザ２００、保持部材１５０、ステムベース１００、２本のリード１１０，１２０、及び２本のワイヤ１１４，１２４を備える。保持部材１５０は、半導体レーザ２００を保持している。ステムベース１００には、保持部材１５０が取り付けられている。リード１１０，１２０は、ステムベース１００を挿通している。ワイヤ１１４，１２４は、リード１１０，１２０それぞれの端部（例えばステムベース１００より上側に位置する部分）である２本のリード端子１１２，１２２を半導体レーザ２００に接続している。そして２本のリード端子１１２，１２２は、少なくとも先端部が半導体レーザ２００に近づく方向に傾斜している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザと、
前記半導体レーザを保持している保持部材と、
前記保持部材が取り付けられたステムベースと、
前記ステムベースを挿通している２本のリードと、
前記２本のリードそれぞれの端部である２本のリード端子を、前記半導体レーザに接続している２本のワイヤと、
を備え、
前記２本のリード端子は、少なくとも先端部が前記半導体レーザに近づく方向に傾斜している半導体レーザモジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体レーザモジュールにおいて、前記２本のリード端子の先端は、前記半導体レーザと高さが略同じである半導体レーザモジュール。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体レーザモジュールにおいて、
前記２本のリードを介して前記半導体レーザモジュールに入力される信号は１０Ｇｂｐｓ以上である半導体レーザモジュール。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体レーザモジュールにおいて、
前記２本のワイヤの長さは０．４ｍｍ以下である半導体レーザモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、製造コストが増大することを抑制した半導体レーザモジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信を行うためには、電気信号を光信号に変換する必要がある。この変換を行うモジュールとして、半導体レーザモジュールがある。
【０００３】
特許文献１には、金属製ハウジングの中にレーザダイオード及び少なくとも一つのリード線が収容された高周波電子パッケージが開示されている。この高周波電子パッケージは、金属製ハウジングとリード線の間に接続された容量性デバイスを有している。
【０００４】
特許文献２には、ステムにレーザダイオードを実装した半導体レーザモジュールが開示されている。この半導体レーザモジュールにおいて、リードピンはステムベースに形成された貫通孔を貫通している。そしてリードピンとレーザダイオードは、伝送線路及びワイヤを介して互いに接続されている。
【０００５】
特許文献３には、ステム、半導体レーザ、及びインダクタを備える発光モジュールが開示されている。インダクタの一方の電極は半導体レーザに電気的に接続されており、他方の電極はステムが有するリード端子に電気的に接続されている。
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−３２４８６６号公報
【特許文献２】特開２００３−３３２６６７号公報
【特許文献３】特開２００５−０６４４８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
通信需要の増大に伴い、光通信の変調速度を上げること（例えば従来の２．４Ｇｂｐｓから１０Ｇｂｐｓに上げること）が要求されている。しかし、従来の半導体レーザモジュールをそのまま変調速度を上げた光通信に用いると、回路寸法に対して信号の波長が短くなることから、集中定数回路ではなく分布定数回路として取り扱う必要が出てくる。このため、リード端子ではなくマイクロストリップラインなどの伝送線路を用いる必要がある。しかし、伝送線路を採用すると半導体レーザモジュールのコストが増大してしまう。そこで、変調速度を上げた場合でもリード端子を用いたまま集中定数回路として取り扱うことができるようにして、製造コストが増大することを抑制した半導体レーザモジュールを実現することが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、半導体レーザと、
前記半導体レーザを保持している保持部材と、
前記保持部材が取り付けられたステムベースと、
前記ステムベースを挿通している２本のリードと、
前記２本のリードそれぞれの端部である２本のリード端子を、前記半導体レーザに接続している２本のワイヤと、
を備え、
前記２本のリード端子は、少なくとも先端部が前記半導体レーザに近づく方向に傾斜している半導体レーザモジュールが提供される。
【０００９】
この半導体レーザモジュールによれば、２本のリード端子は、少なくとも先端部が半導体レーザに近づく方向に傾斜しているため、リード端子の先端と半導体レーザの間隔が短くなる。このため、２本のワイヤを短くすることができ、ワイヤにおける偏重信号の損失を低減できる。この結果、リード端子を用いたままであっても、変調速度を上げた場合でも集中定数回路として取り扱うことができるようになる。従って、半導体レーザモジュールの製造コストが増大することを抑制できる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、半導体レーザモジュールの製造コストが増大することを抑制できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１２】
図１は、本実施形態に係る半導体レーザモジュールの正面図であり、図２は図１に示した半導体レーザモジュールの側面図である。この半導体レーザモジュールは、半導体レーザ２００、保持部材１５０、ステムベース１００、２本のリード１１０，１２０、及び２本のワイヤ１１４，１２４を備える。保持部材１５０は、半導体レーザ２００を保持している。ステムベース１００には、保持部材１５０が取り付けられている。リード１１０，１２０は、ステムベース１００を挿通している。ワイヤ１１４，１２４は、リード１１０，１２０それぞれの端部（例えばステムベース１００より上側に位置する部分）である２本のリード端子１１２，１２２を半導体レーザ２００に接続している。そして２本のリード端子１１２，１２２は、少なくとも先端部が半導体レーザ２００に近づく方向に傾斜している。本図においてリード端子１１２，１２２は全体が傾斜しているが、先端部のみが傾斜していても良い。
【００１３】
２本のリード端子１１２，１２２と半導体レーザ２００の距離は、例えば０．４ｍｍ以下である。またリード端子１１２，１２２は、半導体レーザ２００の中心を通っていてステムベース１００に垂直な面を基準に、対称な形状を有している。
【００１４】
リード端子１１２，１２２の先端は、半導体レーザ２００と高さが略同じであるのが好ましい。また２本のワイヤの長さはそれぞれ０．４ｍｍ以下であるのが好ましい。また２本のリード１１２，１２２及び２本のワイヤ１１４，１２４を介して半導体レーザモジュールに入力される信号は、例えば１０Ｇｂｐｓ以上である。
【００１５】
リード１１０，１２０は、それぞれステムベース１００に設けられた開口を挿通している。開口とリード１１０，１２０との隙間は比誘電率が高い（例えば６以上）物質で封止されている。なお、この開口の径と封止用の物質の比誘電率を適宜選択することにより、半導体レーザモジュールの特性インピーダンスを制御することができる。
【００１６】
リード端子１１２，１２２、保持部材１５０、及び半導体レーザ２００は、ステムベース１００の上面に取り付けられたキャップ（図示せず）によって気密封止されており、光ファイバー（図示せず）に接続される。
【００１７】
半導体レーザモジュールは、さらにリード１３０，１４０を備えている。リード１３０は、半導体レーザモジュールをモニタ（図示せず）に接続するためのリードであり、リード１４０は、ステムベース１００を接地するためのグランドリードである。４本のリード１１０，１２０，１３０，１４０は、同一の円周上に９０°間隔で配置されている。
【００１８】
次に、本実施形態の作用及び効果について説明する。本実施形態にかかる半導体レーザモジュールにおいて、リード端子１１２，１２２は、少なくとも先端部が半導体レーザ２００に近づく方向に傾斜している。従って、２本のワイヤ１１４，１２４を短くすることができ、ワイヤにおける変調信号の損失を低減できる。この結果、リード端子を用いたままであっても、変調速度を上げた場合でも集中定数回路として取り扱うことができるようになる。従って、半導体レーザモジュールの製造コストが増大することを抑制できる。また、リード１１０，１２０の距離を近づける必要はない。
【００１９】
特に、２本のリード端子１１２，１２２の先端が半導体レーザ２００と高さが略同じである場合、２本のワイヤ１１４，１２４を特に短くすることができるため、上記した効果が顕著になる。そして、２本のワイヤの長さはそれぞれ０．４ｍｍ以下である場合、１０Ｇｂｐｓの変調信号が入力された場合でも、半導体レーザモジュールを集中定数回路として取り扱うことができる。
【００２０】
（実施例）
本実施形態に示した半導体レーザモジュールを作成した（実施例）。また、リード端子を直線状にした半導体レーザモジュールを作成した（比較例）。なお、半導体レーザモジュールにおいて、ステムベース１００は直径３．８ｍｍの円板形状であり、リード１１０，１２０，１３０，１４０の直径は０．３ｍｍであった。またリード１１０，１２０，１３０，１４０を挿通させるためにステムベース１００に設けられた開口の直径は０．５ｍｍであり、開口とリード１１０，１２０，１３０，１４０の隙間を封止する物質の比誘電率は６．８とした。また実施例に係るリード端子１１２，１２２の先端の間隔を１ｍｍとした。なお比較例に係るリード端子１１２，１２２の先端の間隔は１．４３ｍｍであった。
【００２１】
図３は、実施例及び比較例それぞれにおいて、周波数と利得の関係を示すグラフである。本実施例に係る半導体レーザモジュールにおいて、利得が−３ｄＢになる周波数（遮断周波数）は１４．５ＧＨｚであった。一方、比較例にかかる半導体レーザモジュールにおいて、遮断周波数は１３ＧＨｚであった。このことから、実施例に係る半導体レーザモジュールは、変調信号の損失が低減できたことが示された。
【００２２】
また、実施例及び比較例それぞれにおいて、変調信号が１０Ｇｂｐｓの場合における光変調波形を比較した。この比較において、光通信規格であるＯＣ−１９２に規定された条件で信号を変調している。また信号は、ＯＣ−１９２で規定されている低域通過フィルタを介している。ＯＣ−１９２で規定されているアイマスクを適用した時のマスクマージンは、実施例においては１３％であったのに対して、比較例では９％であった。このマスクマージンは１０％以上必要であるという指標があるが、本実施例ではこの指標を十分に満たすことができた。
【００２３】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】実施の形態にかかる半導体レーザモジュールの正面図である。
【図２】実施の形態にかかる半導体レーザモジュールの側面図である。
【図３】実施例及び比較例それぞれにおいて、周波数と利得の関係を示すグラフ
【符号の説明】
【００２５】
１００    ステムベース
１１０    リード
１１２    リード端子
１２０    リード
１２２    リード端子
１２４    ワイヤ
１３０    リード
１４０    リード
１５０    保持部材
２００    半導体レーザ
【図１】
2010087020.tif 000003
【図２】
2010087020.tif 000004
【図３】
2010087020.tif 000005