(57)【要約】【課題】事前の煩雑な準備工程を行うことなく、工程終了点を、光学的に、簡便かつ正確に検知する方法を提供することを目的とする。【解決手段】研磨面に光を照射し、この研磨面研磨面で反射する反射光を検出し、この検出した反射光の反射強度又は反射率の経時的変化に基づいて、研磨の終点を判定することを含む終点検出方法、ならびにこのような終点検出方法を含む半導体装置の製造方法。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨中の研磨面に、白色光を照射する工程と、
該光の照射により前記研磨面で反射する反射光を検出する工程と、
該検出した反射光の反射強度又は反射率の経時的変化に基づいて、研磨の終点を判定する工程とを含むことを特徴とする終点検出方法。
【請求項２】
前記反射強度又は反射率の経時的変化が、波長に対する反射強度又は反射率のピーク位置又は変極点の経時的な変動である請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記研磨の終点を、前記ピーク又は変極点の波長と研磨時間との相関曲線における傾きにより判定する請求項２に記載の方法。
【請求項４】
基板の表面を研磨する工程を含む半導体装置の製造方法であって、
研磨中の研磨面に、白色光を照射する工程と、
該光の照射により前記研磨面で反射する反射光を検出する工程と、
該検出した反射光の反射強度又は反射率の経時的変化に基づいて、研磨の終点を判定する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記反射強度又は反射率の経時的変化が、波長に対する反射強度又は反射率のピーク位置又は変極点の経時的な変動である請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記研磨の終点を、前記ピーク又は変極点の波長と研磨時間との相関曲線における傾きにより判定する請求項５に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、終点検出方法及び半導体装置の製造方法に関し、より詳細には、化学的機械研磨（ＣＭＰ）による研磨面の研磨終了時期を正確に把握するための終点検出方法及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造プロセスでは、絶縁膜及び金属膜等の加工又は平坦化のためにＣＭＰが用いられているが、このＣＭＰによる研磨では研磨終了時期を正確に把握することが必要となる。
そのために、従来から、ウェハの研磨面に光を照射し、その反射光の所定波長におけるピーク、反射率分布又は色成分を測定することにより研磨終点を検出する方法等が提案されている（例えば、特許文献１〜３等）。
また、研磨対象膜の残り膜厚が大きいと、分光反射率データの振動の中心成分が、研磨対象膜自体の表面分光反射率に漸近するという現象に基づいて、研磨終点を検出する方法が提案されている（例えば、特許文献４）。
これらの方法では、測定された反射率ピーク、分布、色成分等を、予め測定及び記憶された比較対照となる反射率ピーク、分布、色成分等とそれぞれフィッテングすることにより、終点を判断している。
【特許文献１】特開平１１−３２５８４０号公報
【特許文献２】特開２０００−１８６９１８号公報
【特許文献３】特開２０００−１８３００１号公報
【特許文献４】特開２００５−３１９５５７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上述したように、従来の方法では、終点を判断するために、比較対照となる反射率分布又は色成分のデータが必要となる。そのため、予めデバイスパターン種ごとに予備ウェハを作製及び加工して、反射率分布又は色成分等のデータを取得する必要があった。
また、比較対照となるデータが、たとえ研磨対象膜自体の表面分光反射率であっても、研磨対象膜の材料自体及び材料下のパターン等によって、表面分光反射率が変化する。そのため、正確な終点判断のためには、やはり、予め研磨対象膜に対する条件出し工程等が必要であった。
このようなことから、これらの方法では、研磨工程を煩雑化する。
本発明は、事前の煩雑な準備工程を行うことなく、工程終了点を、光学的に、簡便かつ正確に検知する方法を提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本実施形態の一つの観点から、研磨面に光を照射し、この研磨面から発生する反射光を検出し、この検出した反射光の反射強度又は反射率の経時的変化に基づいて、研磨の終点を判定することを含む終点検出方法を提供する。
【発明の効果】
【０００５】
開示の終点検出方法によれば、事前の煩雑な準備工程を行うことなく、工程の終了点を、光学的に、簡便かつ正確に検出することができる。
また、開示の半導体装置の製造方法によれば、ＣＭＰによる終点の正確な検出により、品質及び信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００６】
本発明の終点検出方法及び半導体装置の製造方法の実施の形態を、以下に説明する。
本実施形態で用いるＣＭＰを実現する研磨装置は、当該分野で、絶縁膜又は金属膜等が形成されたウェハ表面の平坦化を実現し得るものとして知られている装置であれば、特に限定されることなく、いずれの装置をも用いることができる。
【０００７】
一例として、光学式終点検出を用いた研磨を行う研磨装置について、図１及び図２を用いて説明する。
この研磨装置１０は、図１に示すように、３つの研磨プラテン１１ａ〜１１ｃが設けられている。これらの研磨プラテンは、１１ａ〜１１ｃ、後述する研磨ヘッドと協働して、目的とする研磨面を得るために、適切な回転数で回転することができる。
【０００８】
研磨プラテン１１ａ〜１１ｃ上には、４本のアームを有するアーム支持体１２が設けられている。各アーム１２ａ〜１２ｄの先端には、研磨ヘッド１３ａ〜１３ｄがそれぞれ設けられている。研磨ヘッド１３ａ〜１３ｄは、アーム支持体１２の中心を軸として矢印のように回転させることにより、各研磨プラテン１１ａ〜１１ｃ上に順次移動できるように組立てられている。なお、各研磨ヘッド１３ａ〜１３ｄは、アーム支持体１２の中心軸での回転とは別に、それぞれ矢印方向への移動及び回転が可能である。回転数は、特に限定されるものではなく、目的とする研磨面を得るために適宜調整することができる。
【０００９】
各研磨プラテン１１は、図２に示すように、それぞれ、ウェハ１４を押し付けることができる研磨パッド１５を備えている。研磨プラテン１１の上方には、研磨スラリー１７を滴下するためのスラリーノズル１６が配設されている。
研磨ヘッド１３は、ウェハ１４を保持し、研磨パッド１５に押し付けながら、研磨スラリー１７とともに、研磨プラテン１１と同一面で圧接回転する。
【００１０】
また、光を用いて終点検出を行うために、図２に示すように、例えば、研磨プラテン１１及び研磨パッド１５に、透明又は半透明のＥＰＤ用窓（窓部）１９が形成されている。この窓１９に、発光部及び受光部１８が設置されている。
【００１１】
発光部及び受光部１８は、光源ランプを内蔵した光源ユニット２０と、光ファイバ等からなる伝送路によって接続されており、かつ、光を各波長ごとに分光する分光器と、伝送路によって接続されている。このように、研磨装置が、発光部及び受光部１８等を備えることにより、ウェハの表面状態を光学的に検知する終点検出機構が実現される。
【００１２】
分光器２１は、分光された光を電気信号に変換し、その変換した電気信号を出力するために、コンピュータ２２に接続されている。
コンピュータ２２は、所定の終点検出アルゴリズムに従って、分光器２１からの光強度信号を演算処理し、終点を判断し、研磨終点信号を生成する。なお、ここでは、必ずしもコンピュータを利用するのではなく、上述した機能を発揮し得る回路等を利用してもよい。
【００１３】
コンピュータ２２は、生成した研磨終点信号を出力するために、研磨装置１０の制御部２３に接続されている。
制御部２３は、研磨終点信号に応じて、適切な時期に研磨プラテン及び／又は研磨ヘッドの動作を停止する。
【００１４】
本実施形態の終点検出方法では、まず、研磨面に所定の光を照射する。
ここで研磨面とは、上述した研磨装置により研磨を行う対象を意味し、通常、基板である。基板としては、シリコン及びＧａＡｓ等の半導体ウェハのみならず、アルミナ・チタンカーバイト等の合金、ガラス等からなるもの全てが包含される。この基板には、絶縁膜、導電膜等の少なくとも１種以上が形成された、加工及び／又は研磨を意図する種々の加工面を有している。具体的には、半導体ウェハに素子分離領域を形成するための加工面、バリア膜又は絶縁膜等の上に形成された導電膜（例えば、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等）をパターニングするための加工面等が挙げられる。
【００１５】
このような研磨面に照射する光は、白色光が適している。白色光とは、単色光でない光を意味しており、所定の波長幅を有していればよい。波長幅としては、特に限定されないが、上述した研磨面で反射された光の反射強度又は反射率を測定し、その変化を検出し得る程度の波長幅を有することが例示される。そのために、比較例急峻なピークを含まない光又はブロードなピークを有する光等の場合には、３８０〜８００ｎｍ程度の間の所定の波長幅、例えば、波長幅が４２０ｎｍ程度、４００ｎｍ程度、３５０ｎｍ程度、３００ｎｍ程度、２５０ｎｍ程度、２００ｎｍ程度のものが例示される。また、別の観点から、ピーク強度の５０％の位置での波長幅が、連続して又は分断されている場合にはそれらの合計において、５０ｎｍ程度以上、６０ｎｍ程度以上、７０ｎｍ程度以上のものが例示される。具体的には、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、白熱球、ナトリウムランプ、キセノンフラッシュランプ、キセノンショートアークランプ、水銀灯、希ガス蛍光ランプ等、種々の光源によって得られる光が例示される。なかでも、当該分野において、光学的検出装置に一般に用いられているハロゲンランプ等によって得られる光が好ましい。このように、所定の波長幅を有する光又は白色光を用いることにより、研磨面の状態を、反射強度又は反射率の経時変化としてその場で認識することができる。
【００１６】
次いで、研磨面から発生する反射光を検出する。つまり、例えば、上述した装置を用いて所定の光を研磨面に照射することによって、研磨面で光を反射し、反射光を検出する。
【００１７】
光源ユニット２０の光源ランプを点灯すると、その光源ランプ（例えば、ハロゲンランプ）の白色光が、伝送路を伝って発光部１８に導かれる。その白色光は、研磨プラテン１１及び研磨パッド１５に形成された窓部１９を通して、研磨中のウェハ１４の研磨面に照射される。ウェハ１４の研磨面で反射した光は、窓部１９を通って、受光部１９で集光され、伝送路を伝って分光器２１へと導かれる。分光器２１に導かれた反射光は、分光器２１で、各波長ごとの光に分光され、各波長ごとに、光強度に応じた電気信号（つまり、光強度信号）に変換される。
【００１８】
なお、研磨面から発生する反射光の検出は、研磨開始から終了までの間に、所定の間隔で行うことが好ましい。所定の間隔は、研磨プラテン及び／又は研磨ヘッド等の回転数、研磨対象の材料等によって適宜調整することができる。例えば、回転する研磨プラテン１１の窓部１９がウェハ１４の所定又は任意の位置を通過した時ごとであることが好ましい。つまり、研磨プラテン１１及び／又は研磨ヘッド１３が１回転するごとの間隔で検出することが好ましい。ただし、２回転以上ごと、例えば、２〜５回転ごとに検出してもよい。また、１回転のうちに複数回、例えば、２〜１００回程度検出してもよい。言い換えると、検出するウェハ１４における位置は、ウェハ１４上の１点でもよいし、複数点でもよい。この位置は、研磨プラテン及び／又は研磨ヘッド等の回転数等を考慮して、必ずしも、検出ごとにウェハ１４における同じ位置でなくてもよい。
【００１９】
研磨面から発生する反射光の検出間隔を調整することによって、ウェハ上の種々の位置における反射光の検出を行うことができるため、結果的に、デバイスパターンの依存性を緩和させることが可能となり、精度の高い終点検出を行うことができる。
【００２０】
続いて、検出した反射光の反射強度又は反射率の経時的変化に基づいて、研磨の終点を判定する。
上述したように、分光器で変換された、各波長ごとの光強度信号（つまり、光強度分布）は、次いで、コンピュータ２２に出力される。コンピュータは、この反射光の各波長ごとの光強度信号を所定の終点検出アルゴリズムに従って演算処理することにより、研磨の終点を判定する。
【００２１】
研磨の終点の判定は、検出した反射光の反射強度又は反射率の経時的変化に基づいて行われる。ここで、反射強度又は反射率の経時的変化は、反射強度又は反射率におけるピーク又は変極点の経時的な波長位置の変動とすることができる。研磨終点の判定は、これらの波長位置を一定と判断した時点とすることができる。ここでの一定とは、必ずしも、厳密な不変を意味しなくてもよい。例えば、検出したピーク波長又は変極点の波長位置が変動しない場合、検出したピーク波長又は変極点の位置が２回以上連続して同じ値として検出された場合、検出した反射強度又は反射率の変化率が０±５（ｎｍ／ｓｅｃ）程度である場合、このような変化率が２回以上連続して検出された場合等とすることができる。これらの場合において、研磨プラテン及び／又は研磨ヘッド等の回転、研磨面の凹凸、光の照射及び／又は受光操作におけるずれ等の種々の要因を考慮しつつ、検出した反射強度又は反射率を略一定であると判断できる。
【００２２】
また、任意に、検出した反射光の反射強度又は反射率のデータから、ピーク又は変極点の波長と研磨時間との相関曲線を描き、この相関曲線における傾きによって、研磨の終点を判定してもよい。このような相関曲線を描いて傾きを求めることにより、より簡易かつ適切に終点を判断することができる。研磨の終点を判定するための傾きは、略０であることが好ましい。ただし、０±５（ｎｍ／ｓｅｃ）程度の傾きであっても、事実上、終点に達したと判断することができる。
【００２３】
なお、研磨終点を判定した際、ウェハの真に適正な研磨終点よりも若干多めに研磨（つまり、オーバー研磨）を行うことが好ましい。ここでのオーバー研磨の量は、特に限定されるものではなく、例えば、表面の研磨残渣を除去する程度が例示される。
【００２４】
以下に、本実施形態の終点検出方法及び半導体装置の製造方法を具体的に説明する。
実施例
この実施例では、終点検出方法及び半導体装置の製造方法を、例えば、ＳＴＩ法により素子分離膜を形成する際の絶縁膜の埋込工程に基づいて説明する。
【００２５】
まず、図３（ａ）に示したように、シリコン基板３０上に、熱酸化法等により、膜厚１０ｎｍ程度のシリコン酸化膜３１を形成した。次に、シリコン酸化膜３１上に、ＣＶＤ法等により、膜厚９０ｎｍ程度のシリコン窒化膜３２を形成した。
【００２６】
次いで、フォトリソグラフィ及びドライエッチング等により、シリコン窒化膜３２及びシリコン酸化膜３１をパターニングし、素子分離膜の形成予定領域におけるシリコン窒化膜３２及びシリコン酸化膜３１に開口を形成した。
その後、開口が形成されたシリコン窒化膜３２をマスクとして、シリコン基板３０をドライエッチング法等にて異方性エッチングした。これにより、シリコン基板３０に、シリコン窒化膜３２の表面からの深さが３００ｎｍ程度の素子分離溝３４を形成した。
【００２７】
次に、熱酸化法等により、素子分離溝３４の内壁に、例えば、シリコン酸化膜よりなるライナー膜（図示せず）を形成した。その後、高密度プラズマＣＶＤ法等により、膜厚４５０ｎｍ程度のシリコン酸化膜３３を堆積した。これにより、素子分離溝３４内にシリコン酸化膜３３を埋め込むことができる。シリコン酸化膜３３の表面には、素子分離溝３４を反映した段差が形成されている。
このようにして、研磨対象のウェハを得た。
【００２８】
その後、ＣＭＰ法により、シリコン酸化膜３３を研磨した。この研磨は、上層として硬質ポリウレタン、下層としてポリウレタンの２層構造の軟質材料からなる一般的な研磨パッド１５を備えた、図１に示した研磨装置１０を用いて行った。
【００２９】
まず、図３（ｂ）に示したように、シリコン窒化膜３２上におけるシリコン酸化膜３３の膜厚が、例えば、２００ｎｍ程度になるまで、研磨プラテン１１ａを用いて、シリコン酸化膜３３を研磨した。研磨スラリーとして、シリカ粒子含有のものを使用した。研磨条件は以下の表１の通りである。
【００３０】
続いて、図３（ｃ）に示したように、シリコン酸化膜３３の表面の凹凸が略除去されるまで、研磨プラテン１１ｂを用いて、シリコン酸化膜３３を研磨した。研磨スラリーとして、セリア粒子とポリアクリル酸アンモニウムとを含むものを使用した。研磨条件は以下の表１の通りである。
研磨の終点は、例えば、研磨プラテンの駆動電流を監視することにより検出した。
【００３１】
この際の研磨プラテンの駆動電流と研磨時間との関係を図４に示す。図４に示したように、研磨プラテンの駆動電流は、表面に凹凸を有するシリコン酸化膜３２の研磨初期には徐々に増加する。研磨するにつれて、研磨ヘッドに対するシリコン酸化膜の接触面積が増加する。表面の凹凸がほぼ研磨され、平坦化すると、それ以上、研磨ヘッドとシリコン酸化膜との接触面積が増加せず、トルクが一定になり、研磨プラテンの駆動電流も一定になる。従って、研磨プラテンの駆動電流がほぼ一定になった時点（例えば、図４中、点Ａ）を研磨の終点と判定することができる。
【００３２】
その後、必要に応じてオーバー研磨量を設定し、それに対応する時間、オーバー研磨（例えば、図４中、Ｂ）した。
【００３３】
次いで、図３（ｄ）に示したように、シリコン窒化膜３２の表面が露出した時点を終点として判定した。ここでは、研磨プラテン１１ｃを用いた。研磨スラリーとして、セリア粒子及びポリアクリル酸アンモニウムと超純水とを１：３の割合で配合したものを使用した。研磨条件は以下の表１の通りである。
【００３４】
【表１】
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研磨の終点は、研磨ウェハより得られた反射率データを監視することで判定した。
例えば、図８に示したように、Ｓ１において、図２に示す研磨装置の受光部１８が、研磨開始時又は研磨開始時から所定時間後のある時点における反射光を受光する。ここでは、３８０〜８００ｎｍの波長幅の反射光を受光した。そして、その反射光は、分光器２１で分光され、分光反射率データとして取得される。その分光反射率データを、図５に示す。
【００３５】
Ｓ２において、コンピュータ２２が、取得した反射率データの波形から、ピークＰの波長を検出する。なお、このような反射率パターン及びピークが発生する位置は、導電膜又は絶縁膜パターン配置、膜厚等によって異なる。また、検出当初から必ずしもピーク又は変極点が認められないこともあるが、通常、研磨するにつれ、ピーク及び／又は変極点が顕著になる。
【００３６】
Ｓ３において、再度、受光部１８が、パターンウェハからの反射率データを取得し、Ｓ４において、コンピュータ２２が、Ｓ２で検出したピークＰの波長を検出する。この実施例での受光間隔は、１回転／１回とした。
任意に、Ｓ３及びＳ４のステップを２回以上繰り返してもよい。このような繰り返し反射率データの取得により、図６に示すように、各波長における反射率の経時的な変化を捉えることができる。
【００３７】
つまり、図６によれば、研磨開始時には、矢印Ｉで示すように、５９０ｎｍ程度にピークＰを有する反射率パターンが得られる。研磨が進行するにつれて（矢印Ｐｏで表す方向）、反射率パターンが変化する。最終的には、矢印Ｆで示すように、５０６ｎｍ程度と、短波長側にピークが移動することが確認される。
【００３８】
Ｓ５において、コンピュータ２２が、例えば、図６に示す各波長における反射率の経時的な変化でのピーク波長Ｐに基づいて、研磨時間とピーク波長位置との相関グラフを作成する。この相関グラフを図７に示す。図７によれば、ピークＰは、研磨時間の経過とともに波長が短い側に移動する。
【００３９】
Ｓ６において、コンピュータ２２は、相関グラフの傾きが所定の傾きに達したか否かを判断する。Ｓ６において、相関グラフの傾きが所定の傾きに達しない場合は、Ｓ３からＳ６の操作を繰り返し、図６に示すような各波長における反射率の経時的な変化及び図７に示すような相関グラフを作成し続ける。言い換えると、図７において、ピークＰが研磨時間の経過とともに波長が短い側に移動し続けている間は、Ｓ３からＳ６の操作を繰り返す。
【００４０】
そして、Ｓ６において、相関グラフの傾きが所定の傾きに達したと判断される場合、その時点を研磨の終点と判定する。つまり、図７の相関グラフに示すように、研磨を進行していくと、ある研磨時間以降は、ピーク波長がほぼ一定となり、ピーク波長−研磨時間曲線の傾きが略０になる（図７中、点Ｃ）。これは、シリコン酸化膜に比べてシリコン窒化膜の研磨レートが遅いため、シリコン窒化膜が表面に現れると、膜厚の変化が鈍くなり、それに伴って、反射率のパターンも変化が鈍くなるからである。
そして、その終点信号を、制御部２３に出力する。
その後、必要に応じてオーバー研磨量を設定し、それに対応する時間、シリコン酸化膜３３をオーバー研磨する。
【００４１】
Ｓ７において、研磨を終了し、次のステップ、例えば、パターンウェハの洗浄・乾燥工程に移行する。
【００４２】
このような判定によって、デバイス種ごとに予め反射率データを検出することなく、さらにその反射率データとのフィッティングを行うことなく、簡便かつ高精度に終点の判定を行うことができる。
また、研磨面から発生する反射光の検出間隔を調整することによって、デバイスパターンの依存性を緩和させることが可能となり、精度の高い終点検出を行うことができる。
【００４３】
なお、上記実施例のように、シリコン窒化膜の露出のための終点検出のみならず、所定の膜厚までの研磨及び表面平坦化（それぞれ、図３（ｂ）及び（ｃ）参照）のためにも、簡便かつ高精度に終点検出できることが確認されている。
【００４４】
また、上記実施例では、図６に示した反射率のピークＰの変化に基づいて終点検出しているが、変極点ＰＩ１、ＰＩ２のいずれにおいても、図７とほぼ同様の曲線が得られることを確認しており、簡便かつ高精度に終点検出できる。
【００４５】
さらに以下の付記を開示する。
（付記１）
研磨中の研磨面に、白色光を照射する工程と、
該光の照射により前記研磨面から発生する反射光を検出する工程と、
該検出した反射光の反射強度又は反射率の経時的変化に基づいて、研磨の終点を判定する工程とを含むことを特徴とする終点検出方法。（１）
（付記２）
基板の表面を研磨する工程を含む半導体装置の製造方法であって、
研磨中の研磨面に、白色光を照射する工程と、
該光の照射により前記研磨面から発生する反射光を検出する工程と、
該検出した反射光の反射強度又は反射率の経時的変化に基づいて、研磨の終点を判定する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。（４）
【００４６】
（付記３）
前記反射強度又は反射率の経時的変化が、反射強度又は反射率におけるピーク又は変極点の経時的な波長位置の変動である付記１又は２の方法。（２，５）
（付記４）
反射強度又は反射率におけるピーク又は変極点の波長位置を一定と判断した時点を、研磨の終点と判定する３の方法。
（付記５）
前記研磨の終点の判定後、さらに研磨面をオーバー研磨して研磨を終了する付記１〜４のいずれか１つの方法。
【００４７】
（付記６）
研磨の終点を、前記ピーク又は変極点の波長と研磨時間との相関曲線における傾きにより判定する付記３〜５のいずれか１つに記載の方法。（３、６）
（付記７）
前記傾きが０±５（ｎｍ／ｓｅｃ）である時点で研磨終点とする付記６のいずれか１つの方法。
（付記８）
前記研磨は回転運動によって行われており、前記反射光の検出を、研磨面の１〜５回転ごとに行う付記１〜７のいずれか１つの方法。
【図面の簡単な説明】
【００４８】
【図１】本発明の終点検出方法において使用した研磨装置の一部を説明するための概略平面図である。
【図２】本発明の終点検出方法において使用した研磨装置の一部を説明するための概略断面及びブロック図である。
【図３】本発明の終点検出方法を使用した研磨プロセスを説明するためのウェハの概略断面工程図である。
【図４】研磨プラテンの駆動電流と研磨時間との関係を示すグラフである。
【図５】本発明の終点検出方法を行った際の分光反射率データを示すグラフである。
【図６】本発明の終点検出方法での繰り返し反射率データの取得による各波長における反射率の経時的な変化を示すグラフである。
【図７】図６に示したデータによる研磨時間とピーク波長位置との相関関係を示すグラフである。
【図８】本発明の終点検出方法におけるフローチャートである。
【符号の説明】
【００４９】
１０  研磨装置
１１ａ〜１１ｃ  研磨プラテン
１２  アーム支持体
１２ａ〜１２ｄ  アーム
１３ａ〜１３ｄ  研磨ヘッド
１４  ウェハ
１５  研磨パッド
１６  スラリーノズル
１７  研磨スラリー
１８  発光部及び受光部
１９  窓
２０  光源ユニット
２１  分光器
２２  コンピュータ
２３  制御部
３０  シリコン基板
３１、３３  シリコン酸化膜
３２  シリコン窒化膜
３４  素子分離溝
【図１】
2010062251.tif 000004
【図２】
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【図３】
2010062251.tif 000006
【図４】
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【図５】
2010062251.tif 000008
【図６】
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【図７】
2010062251.tif 000010
【図８】
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