(57)【要約】【課題】クロス容量が小さく、リークの発生が少ないアクティブマトリクス基板を有する表示装置を提供する。【解決手段】基板３０上にマトリクス状に設けられている複数の走査線２及び複数の信号線１と、複数の走査線２及び複数の信号線１が交差して区画される複数の画素領域５２の各々に設けられている複数のスイッチング素子５１と、複数の走査線２及び複数の信号線１並びに複数のスイッチング素子５１の上に設けられている第１の絶縁膜１２と、複数のスイッチング素子５１の各々により駆動される複数の表示素子とを有する。第１の絶縁膜１２は、複数の画素領域５２が設けられている表示領域３の外側であって走査線２上又は信号線１上に、開口部１４ａ、１４ｂが形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にマトリクス状に設けられている複数の走査線及び複数の信号線と、
前記複数の走査線及び前記複数の信号線が交差して区画される複数の画素領域の各々に設けられている複数のスイッチング素子と、
前記複数の走査線及び前記複数の信号線並びに前記複数のスイッチング素子の上に設けられている第１の絶縁膜と、
前記複数のスイッチング素子の各々により駆動される複数の表示素子と
を有し、
前記第１の絶縁膜は、前記複数の画素領域が設けられている表示領域の外側であって前記走査線上又は前記信号線上に、開口部が形成されていることを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記表示領域の外側の領域に、走査線又は信号線の予備配線が設けられ、
前記第１の絶縁膜は、前記表示領域の外側であって前記予備配線上に、開口部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記開口部は、前記走査線又は前記信号線と直交する方向に線状に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記開口部は、前記走査線又は前記信号線と直交する方向に飛び石状に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記開口部及び該開口部が形成されている前記第１の絶縁膜を被覆するように設けられている第２の絶縁膜を有する請求項１乃至４のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項６】
平面視で前記開口部の形状が略円形であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項７】
平面視で前記開口部の形状が多角形であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の表示装置。
【請求項８】
基板上にマトリクス状に設けられている複数の走査線及び複数の信号線と、前記複数の走査線及び前記複数の信号線が交差して区画される複数の画素領域の各々に設けられている複数のスイッチング素子と、前記複数の走査線及び前記複数の信号線並びに前記複数のスイッチング素子の上に設けられている第１の絶縁膜と、前記複数のスイッチング素子の各々により駆動される複数の表示素子とを有する表示装置の、前記複数の走査線及び前記複数の信号線のいずれかの断線を修正する表示装置の修正方法であって、
前記複数の画素領域が設けられている表示領域の外側であって前記走査線上又は前記信号線上に開口部を有するように、前記第１の絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成工程と、
前記走査線又は前記信号線の断線を検査する断線検査工程と、
一の走査線又は一の信号線が前記表示領域内で断線している場合に、断線している前記一の走査線又は前記一の信号線の前記表示領域の両外側の部分を、前記両外側の部分上の各々の開口部を介し、かつ、前記表示領域の外側に配線を設けて接続する配線接続工程と
を有する表示装置の修正方法。
【請求項９】
予め、前記表示領域の外側の領域に、前記走査線又は前記信号線の予備配線を形成する予備配線形成工程を有し、
前記第１絶縁膜形成工程において、前記走査線上又は前記信号線上に設けられた開口部に対応し、前記表示領域の外側であって前記予備配線の各々の上に開口部を有するように、前記第１の絶縁膜を形成し、
前記配線接続工程において、前記両外側の部分を、更に、一の予備配線、及び該一の予備配線上の開口部を介して接続することを特徴とする請求項８に記載の表示装置の修正方法。
【請求項１０】
前記配線接続工程において、前記両外側の部分上の一の開口部の近傍で、断線している前記一の走査線又は前記一の信号線と直交する方向に延在する延在部と、該延在部の先端から平面視で前記一の開口部へ向けて折曲される折曲部とを有する配線を設け、前記一の開口部を介して接続することを特徴とする請求項８又は９に記載の表示装置の修正方法。
【請求項１１】
前記配線接続工程において、前記両外側の部分を、銀ペースト、金ペースト若しくは銅ペースト、又は銀、金、銅その他の金属のナノ粒子若しくは該ナノ粒子に類似する物質を含む配線材料を用いて接続することを特徴とする請求項８乃至１０のいずれか一項に記載の表示装置の修正方法。
【請求項１２】
前記開口部は、前記走査線又は前記信号線と直交する方向に線状に形成されていることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の表示装置の修正方法。
【請求項１３】
前記開口部は、前記走査線又は前記信号線と直交する方向に飛び石状に形成されていることを特徴とする請求項８乃至１１のいずれか一項に記載の表示装置の修正方法。
【請求項１４】
前記表示装置は、前記開口部及び該開口部が形成されている前記第１の絶縁膜を被覆するように設けられている第２の絶縁膜を有することを特徴とする請求項８乃至１３のいずれか一項に記載の表示装置の修正方法。
【請求項１５】
平面視で前記開口部の形状が略円形であることを特徴とする請求項８乃至１４のいずれか一項に記載の表示装置の修正方法。
【請求項１６】
平面視で前記開口部の形状が多角形であることを特徴とする請求項８乃至１４のいずれか一項に記載の表示装置の修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テレビ、パーソナルコンピュータ、携帯端末等のディスプレイに用いられる表示装置に係り、特に信号線又は走査線の断線を修正することができる表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄型テレビ、パーソナルコンピュータ、携帯端末等のディスプレイ等に用いられる表示装置の需要が高まっている。これらの表示装置は、いわゆる平板状のフラットディスプレイである。そして、これらのフラットディスプレイの様々な種類としては、プラズマ表示素子を表示媒体として用いるＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル：Flat Display Panel）表示装置、液晶表示素子を表示媒体として用いる液晶表示装置、有機ＥＬ表示素子を表示媒体として用いる有機ＥＬ表示装置等が主流であり、それらに加えて、その他の方式による表示素子を表示媒体として用いる各種の表示装置の開発が行われている。
【０００３】
その際、表示装置は様々な方法があるが、表示素子を画素領域単位で駆動させる駆動素子（スイッチング素子）をアレイ状に配置し、背面板としたアレイ基板を用いることが多い。
【０００４】
また、駆動素子（スイッチング素子）として、特にＴＦＴ（薄膜トランジスタ：Thin Film Transistor）を用いることが多い。
【０００５】
このようなＴＦＴ等を駆動素子（スイッチング素子）としてアレイ状に配置したアレイ基板を製造する製造方法として、フォトリソグラフィ技術を用いた多層プロセスを行うことが多い。
【０００６】
フォトリソグラフィ技術は、走査線（ゲートライン）の材料である導電膜を蒸着等で形成し、その後導電膜上にポジレジストを塗布し、走査線として残す箇所以外を、ステッパ露光方式、プロキシミティ露光方式、密着露光方式その他の各種露光方式にて露光する。密着露光方式では、フォトマスクをレジストと密着させることによる歩留まりが低下することが懸念されるため、最近では、ステッパ露光方式が用いられている、更に、最近では、パネルの大型化に対応し、ステッパの原理でスキャン露光という方式も用いられている。露光の後、アレイ基板の表面に現像液を供給し、露光されている部分のポジレジストのみを除去する。その後、ウェットエッチングやドライエッチング等のエッチング技術を用いて、ポジレジストが残存していない部分の導電膜（走査線の材料）をエッチング除去する。その後、残留しているポジレジストやその他の異物等を剥離液を用いて剥離除去することによって、走査線が形成される。その後、ＣＶＤ（化学気相成長：Chemical Vapor Deposition）等による成膜、ポジレジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離という走査線形成工程と同様な工程を繰返し行って、走査線絶縁膜、半導体層であるアモルファスシリコン等のシリコン膜、窒化シリコン系の膜を成膜する。その後、信号線（ソースライン）を蒸着し、塗布、露光、現像、エッチング、剥離という走査線形成工程と同様な工程を行って、信号線を形成する。その際、信号線と同時にデータ線（ドレイン電極）を形成することが通例である。
【０００７】
上述したのは、駆動素子（スイッチング素子）の半導体層としてシリコン膜を用いる無機系薄膜トランジスタの場合である。一方、シリコン膜に代え有機半導体膜を半導体層に用いる有機系薄膜トランジスタ（以下「有機トランジスタ」という。）の場合、ＣＶＤ等によりアモルファスシリコン等は成膜しない。この場合、ＣＶＤ等により成膜するのは走査線絶縁膜のみであり、走査線上の信号線とドレイン電極との間（チャネル領域）の上に、有機半導体膜の材料を印刷やフォトリソグラフィ等で形成する場合もある。
【０００８】
その後、駆動素子（スイッチング素子）が表示素子を駆動するための画素電極と、画素電極をドレイン電極と接続するドレイン配線とを形成する。液晶表示素子を用いる場合、画素電極とドレイン配線とを同時に形成することもある。一般に、トランジスタのソース電極とドレイン電極には高導電性の同一の材料が用いられる。また、画素電極には、光透過性が求められるため、透明電極材料が用いられる。ここで、透明電極材料は高導電性を有していないため、トランジスタを含むドレイン電極には、画素電極に用いられる透明電極材料とは別の材料が用いられる。液晶に限らず、反射型の表示装置であれば、信号線、ドレイン電極及び画素電極に高導電性の同一の材料を用いることができるため、画素電極もドレイン電極や信号線と同時に形成する場合もある。しかしながら、透過型の表示装置においては、近年高開口率化が必要とされているため、画素電極として、ドレイン電極と異なる透明電極材料を用いることが多い。従って、ドレイン電極と画素電極との間に透過性の高い非導電膜（絶縁膜）を形成し、非導電膜（絶縁膜）に、画素電極とドレイン電極とを接続するドレイン配線が形成される穴（開口部）が形成されるアレイ基板の構造及び製造方法が用いられている。液晶表示素子のみならず、有機ＥＬ表示素子等においても、背面板であるアレイ基板の製造工程においては、ほぼ同様の製造方法が実施されている。更に、ポリシリコンがスイッチング素子（トランジスタ）の半導体層に適用されている場合もある。
【０００９】
表示装置の大面積化や高密度化が要求される中で上記のような多層プロセスを実施する場合、各配線自体の断線による不良、または配線同士の間でのリークによる不良が発生し、歩留まりを低下させる大きな要因となっている。そこで、このような不良が発生した場合に、不良が発生した基板をそのまま不良基板として廃棄せずに、断線不良又はリーク不良を修正する各種の修正方法が提案されている。例えば、断線不良が発生している箇所にレーザ光を照射し、断線不良箇所を溶融接続する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。その他、液を吐出等（例えばマイクロディスペンサ等により配線描画、又はインクジェット等により描画）する事による描画等による手法で配線を形成する技術も知られている。
【００１０】
一方、アクティブエリア内での修正で不十分な部分に関して、アクティブエリア外での配線引き回し（以下「予備配線」という。）により入力側からの信号を入力するという手法がある（例えば、特許文献２参照。）。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところが、従来の技術を用いて表示装置の断線の修正を行う場合、以下のような問題があった。
【００１２】
レーザＣＶＤ法によって配線を修正する場合、レーザＣＶＤ法がかなり設備的に高額という問題があった。
【００１３】
また、マイクロディスペンサやインクジェット等により液を吐出して配線を描画する技術では、配線が修正できないか、あるいは配線が修正できていなくてもすぐに発見されず後で初めて発見されることがあり、配線の修正が完全ではないという問題があった。
【００１４】
また、特許文献２に記載される方法では、事前に予備配線を信号線又は走査線と交差するように配線しておき、予備配線と信号線又は走査線と交差する交差部分（クロス部分）を溶融接続し、断線箇所が発生した場合の修正に用いている。この交差部分（クロス部分）であって修正に用いられていない部分が、リークを発生させ、交差容量（クロス容量）を増大させるという問題があった。特に、表示装置の高精細化されるのに伴って、断線箇所及びリーク箇所が増大し、予備配線を設ける本数も増大する。その結果、クロス容量が更に増大するという問題があった。
【００１５】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、クロス容量が小さく、リークの発生が少ないアレイ基板を有する表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
第１の発明に係る表示装置は、基板上にマトリクス状に設けられている複数の走査線及び複数の信号線と、前記複数の走査線及び前記複数の信号線が交差して区画される複数の画素領域の各々に設けられている複数のスイッチング素子と、前記複数の走査線及び前記複数の信号線並びに前記複数のスイッチング素子の上に設けられている第１の絶縁膜と、前記複数のスイッチング素子の各々により駆動される複数の表示素子とを有し、前記第１の絶縁膜は、前記複数の画素領域が設けられている表示領域の外側であって前記走査線上又は前記信号線上に、開口部が形成されていることを特徴とする。
【００１７】
なお、本発明における基板は、表示装置の背面板であるアレイ基板に相当する。
【００１８】
第２の発明は、第１の発明に係る表示装置において、前記表示領域の外側の領域に、走査線又は信号線の予備配線が設けられ、前記第１の絶縁膜は、前記表示領域の外側であって前記予備配線上に、開口部が形成されていることを特徴とする。
【００１９】
第３の発明は、第１又は第２の発明に係る表示装置において、前記開口部は、前記走査線又は前記信号線と直交する方向に線状に形成されていることを特徴とする。
【００２０】
第４の発明は、第１又は第２の発明に係る表示装置において、前記開口部は、前記走査線又は前記信号線と直交する方向に飛び石状に形成されていることを特徴とする。
【００２１】
第５の発明は、第１乃至第４のいずれか一つの発明に係る表示装置において、前記開口部及び該開口部が形成されている前記第１の絶縁膜を被覆するように設けられている第２の絶縁膜を有する。
【００２２】
第６の発明は、第１乃至第５のいずれか一つの発明に係る表示装置において、平面視で前記開口部の形状が略円形であることを特徴とする。
【００２３】
第７の発明は、第１乃至第５のいずれか一つの発明に係る表示装置において、平面視で前記開口部の形状が多角形であることを特徴とする。
【００２４】
第８の発明は、基板上にマトリクス状に設けられている複数の走査線及び複数の信号線と、前記複数の走査線及び前記複数の信号線が交差して区画される複数の画素領域の各々に設けられている複数のスイッチング素子と、前記複数の走査線及び前記複数の信号線並びに前記複数のスイッチング素子の上に設けられている第１の絶縁膜と、前記複数のスイッチング素子の各々により駆動される複数の表示素子とを有する表示装置の、前記複数の走査線及び前記複数の信号線のいずれかの断線を修正する表示装置の修正方法であって、前記複数の画素領域が設けられている表示領域の外側であって前記走査線上又は前記信号線上に開口部を有するように、前記第１の絶縁膜を形成する第１絶縁膜形成工程と、前記走査線又は前記信号線の断線を検査する断線検査工程と、一の走査線又は一の信号線が前記表示領域内で断線している場合に、断線している前記一の走査線又は前記一の信号線の前記表示領域の両外側の部分を、前記両外側の部分上の各々の開口部を介し、かつ、前記表示領域の外側に配線を設けて接続する配線接続工程とを有する。
【００２５】
第９の発明は、第８の発明に係る表示装置の修正方法において、予め、前記表示領域の外側の領域に、前記走査線又は前記信号線の予備配線を形成する予備配線形成工程を有し、前記第１絶縁膜形成工程において、前記走査線上又は前記信号線上に設けられた開口部に対応し、前記表示領域の外側であって前記予備配線の各々の上に開口部を有するように、前記第１の絶縁膜を形成し、前記配線接続工程において、前記両外側の部分を、更に、一の予備配線、及び該一の予備配線上の開口部を介して接続することを特徴とする。
【００２６】
第１０の発明は、第８又は第９の発明に係る表示装置の修正方法において、前記配線接続工程において、前記両外側の部分上の一の開口部の近傍で、断線している前記一の走査線又は前記一の信号線と直交する方向に延在する延在部と、該延在部の先端から平面視で前記一の開口部へ向けて折曲される折曲部とを有する配線を設け、前記一の開口部を介して接続することを特徴とする。
【００２７】
第１１の発明は、第８乃至第１０のいずれか一つの発明に係る表示装置の修正方法において、前記配線接続工程において、前記両外側の部分を、銀ペースト、金ペースト若しくは銅ペースト、又は銀、金、銅その他の金属のナノ粒子若しくは該ナノ粒子に類似する物質を含む配線材料を用いて接続することを特徴とする。
【００２８】
第１２の発明は、第８乃至第１１のいずれか一つの発明に係る表示装置の修正方法において、前記開口部は、前記走査線又は前記信号線と直交する方向に線状に形成されていることを特徴とする。
【００２９】
第１３の発明は、第８乃至第１１のいずれか一つの発明に係る表示装置の修正方法において、前記開口部は、前記走査線又は前記信号線と直交する方向に飛び石状に形成されていることを特徴とする。
【００３０】
第１４の発明は、第８乃至第１３のいずれか一つの発明に係る表示装置の修正方法において、前記表示装置は、前記開口部及び該開口部が形成されている前記第１の絶縁膜を被覆するように設けられている第２の絶縁膜を有することを特徴とする。
【００３１】
第１５の発明は、第８乃至第１４のいずれか一つの発明に係る表示装置の修正方法において、平面視で前記開口部の形状が略円形であることを特徴とする。
【００３２】
第１６の発明は、第８乃至第１４のいずれか一つの発明に係る表示装置の修正方法において、平面視で前記開口部の形状が多角形であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３３】
本発明によれば、クロス容量が小さく、リークの発生が少ないアレイ基板を有する表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置のアレイ基板の構造を模式的に示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の修正方法を用いて修正された表示装置のアレイ基板の構造を模式的に示す上面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の修正方法を用いて修正された表示装置のアレイ基板の修正箇所を拡大して示す上面図及び断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置のアレイ基板において走査線と信号線を入替えた例を示す図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置のアレイ基板における配線の種々の形状の例を示す上面図（その１）である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置のアレイ基板における配線の種々の形状の例を示す上面図（その２）である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の修正方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の第２の絶縁膜が省略されているアレイ基板の上面図及び断面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の非導電膜が省略されているアレイ基板の上面図及び断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る表示装置の非導電膜及び第２の絶縁膜が省略されているアレイ基板の上面図及び断面図である。
【図１１】従来の表示装置のアレイ基板の構造を模式的に示す上面図である。
【図１２】従来の表示装置の修正方法を説明するための図である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態の変形例に係る表示装置のアレイ基板の構造を模式的に示す上面図である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態の変形例に係る表示装置の修正方法を用いて修正された表示装置のアレイ基板の構造を模式的に示す上面図及び断面図である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態の変形例に係る表示装置のアレイ基板における配線の種々の形状の例を示す上面図（その１）である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態の変形例に係る表示装置のアレイ基板における配線の種々の形状の例を示す上面図（その２）である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態の変形例に係る表示装置の第２の絶縁膜が省略されているアレイ基板の上面図及び断面図である。
【図１８】本発明の第１の実施の形態の変形例に係る表示装置の非導電膜が省略されているアレイ基板の上面図及び断面図である。
【図１９】本発明の第１の実施の形態の変形例に係る表示装置の非導電膜及び第２の絶縁膜が省略されているアレイ基板の上面図及び断面図を示す。
【図２０】本発明の第１の実施の形態の変形例に係る表示装置のアレイ基板において平面視での開口部の形状が楕円形である場合の上面図である。
【図２１】図２０において修正箇所を拡大して示す上面図及び断面図である。
【図２２】本発明の第１の実施の形態の変形例に係る表示装置のアレイ基板において平面視での開口部の形状が楕円形である場合の別の例の上面図である。
【図２３】図２２における修正箇所を拡大して示す上面図及び断面図である。
【図２４】本発明の第１の実施の形態の変形例に係る表示装置のアレイ基板において平面視での開口部の形状が三角形である場合の上面図である。
【図２５】図２４における修正箇所を拡大して示す上面図及び断面図である。
【図２６】本発明の第１の実施の形態の変形例に係る表示装置のアレイ基板において平面視での開口部の形状が五角形である場合の上面図である。
【図２７】図２６における修正箇所を拡大して示す上面図及び断面図である。
【図２８】本発明の第１の実施の形態の変形例に係る表示装置のアレイ基板において平面視での開口部の形状が六角形である場合の上面図である。
【図２９】図２８における修正箇所を拡大して示す上面図及び断面図である。
【図３０】本発明の第１の実施の形態の変形例に係る表示装置のアレイ基板において平面視での開口部の形状が十字形である場合の上面図である。
【図３１】図３０における修正箇所を拡大して示す上面図及び断面図である。
【図３２】本発明の第１の実施の形態の変形例に係る表示装置のアレイ基板において平面視での開口部の形状が凸字形状である場合の上面図である。
【図３３】図３２における修正箇所を拡大して示す上面図及び断面図である。
【図３４】本発明の第１の実施の形態の変形例に係る表示装置のアレイ基板において平面視での開口部の形状が円形と十字形を組合せた形状である場合の上面図である。
【図３５】図３４における修正箇所を拡大して示す上面図及び断面図である。
【図３６】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置のアレイ基板の構造を模式的に示す上面図である。
【図３７】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の修正方法を用いて修正された表示装置のアレイ基板の構造を模式的に示す上面図である。
【図３８】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の修正方法を用いて修正された表示装置のアレイ基板の修正箇所を拡大して示す上面図及び断面図である。
【図３９】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置のアレイ基板において走査線と信号線を入替えた例を示す図である。
【図４０】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置のアレイ基板における配線の種々の形状の例を示す上面図及び断面図（その１）である。
【図４１】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置のアレイ基板における配線の種々の形状の例を示す上面図及び断面図（その２）である。
【図４２】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置のアレイ基板における配線の種々の形状の例を示す上面図及び断面図（その３）である。
【図４３】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の第２の絶縁膜が省略されているアレイ基板の上面図及び断面図である。
【図４４】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の第１の絶縁膜の一部が省略されているアレイ基板の上面図及び断面図である。
【図４５】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の第１の絶縁膜の一部が省略され、第２の絶縁膜が省略されているアレイ基板の上面図及び断面図である。
【図４６】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の非導電膜が省略されているアレイ基板の上面図及び断面図である。
【図４７】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の非導電膜及び第２の絶縁膜が省略されているアレイ基板の上面図及び断面図である。
【図４８】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の非導電膜が省略され、第１の絶縁膜の一部が省略されているアレイ基板の上面図及び断面図を示す。
【図４９】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の非導電膜が省略され、第１の絶縁膜の一部が省略され、第２の絶縁膜が省略されているアレイ基板の上面図及び断面図である。
【図５０】本発明の第２の実施の形態に係る表示装置の修正方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。
【図５１】本発明の第２の実施の形態の変形例に係る表示装置のアレイ基板の構造を模式的に示す上面図である。
【図５２】本発明の第２の実施の形態の変形例に係る表示装置の修正方法を用いて修正された表示装置のアレイ基板の修正箇所を拡大して示す上面図及び断面図である。
【図５３】本発明の第２の実施の形態の変形例に係る表示装置のアレイ基板における配線の種々の形状の例を示す上面図及び断面図（その１）である。
【図５４】本発明の第２の実施の形態の変形例に係る表示装置のアレイ基板における配線の種々の形状の例を示す上面図及び断面図（その２）である。
【図５５】本発明の第２の実施の形態の変形例に係る表示装置のアレイ基板における配線の種々の形状の例を示す上面図及び断面図（その３）である。
【図５６】本発明の第２の実施の形態の変形例に係る表示装置の第２の絶縁膜が省略されているアレイ基板の上面図及び断面図である。
【図５７】本発明の第２の実施の形態の変形例に係る表示装置の第１の絶縁膜の一部が省略されているアレイ基板の上面図及び断面図である。
【図５８】本発明の第２の実施の形態の変形例に係る表示装置の第１の絶縁膜の一部が省略され、第２の絶縁膜が省略されているアレイ基板の上面図及び断面図である。
【図５９】本発明の第２の実施の形態の変形例に係る表示装置の非導電膜が省略されている表示装置のアレイ基板の上面図及び断面図である。
【図６０】本発明の第２の実施の形態の変形例に係る表示装置の非導電膜及び第２の絶縁膜が省略されているアレイ基板の上面図及び断面図である。
【図６１】本発明の第２の実施の形態の変形例に係る表示装置の非導電膜が省略され、第１の絶縁膜の一部が省略されているアレイ基板の上面図及び断面図である。
【図６２】本発明の第２の実施の形態の変形例に係る表示装置の非導電膜が省略され、第１の絶縁膜の一部が省略され、第２の絶縁膜が省略されているアレイ基板の上面図及び断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
次に、本発明を実施するための形態について図面と共に説明する。
（第１の実施の形態）
図１乃至図１２を参照し、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置及び表示装置の修正方法について説明する。
【００３６】
始めに、図１を参照し、本発明の第１の実施の形態に係る表示装置について説明する。
【００３７】
図１は、本実施の形態に係る表示装置のアレイ基板の構造を模式的に示す図である。図１（ａ）は、上面図であり、図１（ｂ）は、スイッチング素子の部分を拡大して回路図として示す上面図であり、図１（ｃ）は、スイッチング素子の部分を拡大して示す断面図である。
【００３８】
後述する図３（ｂ）と合わせ、図１を参照するに、本実施の形態に係る表示装置のアレイ基板１０は、基板３０、非導電膜１１、複数の走査線２、複数の信号線１、複数のスイッチング素子５１、第１の絶縁膜１２、信号線の予備配線７、第２の絶縁膜１５を有する。ただし、基板３０、非導電膜１１、第１の絶縁膜１２、第２の絶縁膜１５は、全体に亘って一様に形成されているため、図１における上面図では図示されていない。
【００３９】
非導電膜１１は、基板３０に設けられている。複数の走査線２及び複数の信号線１は、非導電膜１１上にマトリクス状に設けられている。複数のスイッチング素子５１は、複数の走査線２及び複数の信号線１が交差して区画される複数の画素領域５２の各々に設けられている。また、画素領域５２が区画されている領域は、アクティブマトリクス領域３である。第１の絶縁膜１２は、複数の走査線２及び複数の信号線１並びに複数のスイッチング素子５１の上に設けられている。信号線の予備配線７は、表示領域の外側の領域１３に設けられる。また、図示しない複数の表示素子が、複数のスイッチング素子５１である薄膜トランジスタに対応して設けられ、複数のスイッチング素子５１の各々により駆動される。
【００４０】
非導電膜１１は、絶縁性を有する膜であり、信号線の予備配線７を設ける場合には、後述するスイッチング素子５１のゲート絶縁膜５３ａと同時に形成することもできる。また、信号線の予備配線７を設ける場合には、第１の絶縁膜１２は、後述するスイッチング素子５１を覆う層間絶縁膜として設けることもできる。
【００４１】
本実施の形態において、複数の画素領域５２に設けられているスイッチング素子５１である薄膜トランジスタは、図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示すように、ゲート電極５３、ゲート絶縁膜５３ａ、ソース電極５４、ドレイン電極５５、半導体層５６を有する。
【００４２】
なお、アクティブマトリクス領域３は、本発明の表示領域に相当する。以下、表示領域（アクティブマトリクス領域）という。
【００４３】
走査線２は、横に配列してなる薄膜トランジスタ５１の各ゲート電極５３に接続するように、横に連続して一体に設けられる。また、信号線１は、縦に配列してなる各薄膜トランジスタ５１の各ソース電極５４に接続するように、縦に連続して一体に設けられる。
【００４４】
各薄膜トランジスタ５１においては、基板３０上に形成された走査線２と接続されるようにゲート電極５３が形成されている。走査線２及びゲート電極５３が形成された基板３０上に、走査線２及びゲート電極５３を覆うようにゲート絶縁膜５３ａが形成されている。ゲート絶縁膜５３ａ上に信号線１が形成され、信号線１と接続されるようにソース電極５４が形成されている。また、平面視でゲート電極５３上の所定の領域、すなわちチャネル領域Ｃを挟んでソース電極５４と対向してドレイン電極５５が形成されている。また、チャネル領域Ｃ上に、半導体層５６が形成されている。
【００４５】
走査線２及びゲート電極５３は、一般的なフォトリソグラフィ法を用いて形成してもよいが、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法等の印刷法を用いて形成してもよい。パターニング精度、大面積化、コスト、工程数の理由から、インクジェット印刷方法が特に好ましい。このとき、金属粒子が分散されている金属インクを用いることが好ましい。金属粒子としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｍｏ、Ｗ、Ｒｕ、Ｉｎ、Ｓｎ等が挙げられ、二種以上併用してもよい。中でも、電気抵抗、熱伝導率、腐食の面で、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｎｉが好ましい。
【００４６】
走査線２及びゲート電極５３は、導電性高分子を含有してもよい。導電性高分子としては、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリパラフェニレン、ポリアセチレン等が挙げられる。また、これらのポリマーにドーピングを施したものも導電性高分子として用いることができる。中でも、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）とポリスチレンスルホン酸（ＰＳＳ）の錯体（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）は、電気伝導度、安定性、耐熱性等の面で好ましい。導電性高分子は、重合度、構造により電気特性を調整することができ、さらに、焼結を必要としないため、低温で電極を形成することができる。
【００４７】
また、信号線１、ソース電極５４及びドレイン電極５５は、走査線２及びゲート電極５３と同様にして、形成することができる。
【００４８】
半導体層５６として、例えば有機半導体を用いる場合には、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法等の印刷法を用いて形成することが好ましく、パターニング精度、コスト、材料溶解性等の理由から、インクジェット印刷法が特に好ましい。このとき、有機半導体よりなる半導体層３６は、有機溶媒に可溶な有機半導体材料を含有することが好ましい。これにより、有機半導体材料が有機溶媒に溶解されている有機半導体インクを用いて、有機半導体よりなる半導体層を形成することができる。このような有機半導体材料は、特に限定されず、高分子材料、オリゴマー材料、低分子材料等を用いることができる。
【００４９】
スイッチング素子５１は、図１（ａ）に示すように、表示領域（アクティブマトリクス領域）３内の各画素領域５２に設けられている。スイッチング素子５１としては、ＴＦＴを用いることもでき、上述したように、例えば有機半導体膜を半導体層に用いる有機トランジスタを各種方法（例えばフォトリソグラフィ、インクジェット、印刷等）を用いて積層することができる。また、上述したように、それぞれゲート電極５３及びソース電極５４の配線である走査線２及び信号線１は、表示領域（アクティブマトリクス領域）３、及び表示領域（アクティブマトリクス領域）の外側の領域１３にも延長されている。また、走査線２及び信号線１は、外側の領域１３において、入力側及び非入力側の両外側に延長されている。前述したように、外側の領域１３は、アクティブマトリクス領域３の外側の領域であり、通例額縁等が設置される領域に設置される。また外側の領域１３の幅は、特に限定されるものではないが、その中でもアクティブマトリクス領域３から５mm以内に配置するのが好ましい。
【００５０】
第１の絶縁膜１２は、複数の走査線２及び複数の信号線１並びに複数のスイッチング素子５１の上に設けられている。第１の絶縁膜１２は、走査線２、信号線１及びスイッチング素子５１を被覆する層間絶縁膜として設けてもよい。例えば、非導電膜１１を、非導電膜１１が走査線２を被覆するように形成し、その上に、第１の絶縁膜１２を、第１の絶縁膜１２が信号線１を被覆するように形成してもよい。また、走査線２、信号線１の上下の積層関係を入替える場合には、非導電膜１１を、非導電膜１１が信号線１を被覆するように形成し、その上に、第１の絶縁膜１２を、第１の絶縁膜１２が走査線２を被覆するように形成してもよい。
【００５１】
第１の絶縁膜の形成方法として任意の方法を用いることができ、例えばスクリーン印刷法、インクジェット印刷法、フレキソ印刷法、グラビア印刷法、オフセット印刷法等の印刷法を用いて形成することが好ましい。特に、スクリーン印刷法は、真空成膜法や他の印刷法と比較して１μｍ以上の厚膜を容易に形成することができる。また、スクリーン印刷法は、フォトリソグラフィによる形成方法と比較すると、適切なスクリーンさえ作成することができるのであれば、パターニングされた状態の厚膜を容易に形成することができるため、生産性が高いという大きな利点を有する。
【００５２】
第１の絶縁膜の材料としては、任意の絶縁体を用いることができるが、スクリーン印刷法を用いる場合には、スクリーン印刷で使用できる材料を選定する必要がある。これらの材料はスクリーン印刷用ペーストとして市販される公知のものを利用しても良い。具体的には、ポリビニルアルコール、セルロース系ポリマー、シリコンポリマー、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリアミド、高分子量ポリエーテル、ポリビニルブチラール、メタクリル酸エステル重合体、ブチルメタクリレート樹脂等のポリマー材料を用いることができる。これらの樹脂材料に可塑剤を添加しても良く、また任意の溶媒を用いて印刷性の良い粘度に調整しても良い。
【００５３】
第１の絶縁膜１２は、外側の領域１３（１３ａ、１３ｂ）において、信号線１上に、開口部１４ａ、１４ｂが形成されている。開口部１４ａ、１４ｂは、基板３０の平面状の主面上であって、主面に略垂直な方向に沿って第１の絶縁膜１２を貫通するように形成されている。開口部１４ａ、１４ｂは、走査線２や信号線１と同時に形成してもよい。
【００５４】
また、本実施の形態では、開口部１４ａ、１４ｂは、走査線２又は信号線１と直交する方向に、線状に形成されている。
【００５５】
本実施の形態では、図１に示すように、表示領域の外側の領域１３（１３ａ、１３ｂ）に、信号線１と平行に、信号線の予備配線７が複数本設けられている。図１に示す例では、信号線１と平行に、外側の領域１３（１３ａ、１３ｂ）に、信号線１の予備配線７が２本設けられている。
【００５６】
また、外側の領域１３（１３ａ、１３ｂ）であって予備配線７の上にも第１の絶縁膜１２が形成されている。すなわち、予備配線７の入力側の領域１３ａ、予備配線７の出力側の領域１３ｂ、及び予備配線７の入力側の領域１３ａと出力側の領域１３ｂとの間の領域においても、第１の絶縁膜１２が形成されている。
【００５７】
また、本実施の形態では、第１の絶縁膜１２は、表示領域の外側の領域１３であって予備配線７の入力側の領域１３ａ、予備配線７の出力側の領域１３ｂにおいても、予備配線７上に開口部１４ａ、１４ｂが形成されている。
【００５８】
なお、図１において、予備配線７は予め配線されていなくてもよい。第２の実施の形態において、予備配線７を予め配線しない場合を説明する。
【００５９】
更に、第２の絶縁膜１５は、開口部１４ａ、１４ｂ及び開口部１４ａ、１４ｂが形成されている第１の絶縁膜１２を被覆するように設けられている。第２の絶縁膜１５は、更に上から走査線２、信号線１及びスイッチング素子５１を被覆する図示しない層間絶縁膜である。第２の絶縁膜１５の形成方法、材料としては、第１の絶縁膜１２と同様にすることができる。
【００６０】
次に、図２乃至図１０を参照し、本実施の形態に係る表示装置の修正方法について説明する。
【００６１】
図２は、本実施の形態に係る表示装置の修正方法を用いて修正された表示装置のアレイ基板の構造を模式的に示す上面図である。図３は、本実施の形態に係る修正方法を用いて修正された表示装置のアレイ基板の修正箇所を拡大して示す上面図及び断面図である。ただし、以下の文中では、先に説明した部分には同一の符号を付し、説明を省略する場合がある（以下の実施の形態及び変形例についても同様）。
【００６２】
前述した図１において、表示領域（アクティブマトリクス領域）３内の４ａ、４ｂの２箇所において、信号線１に断線（断線以外の不具合の場合も含む）が発生した場合を想定する。図２は、図１と同様の平面図であり、その２箇所の断線箇所４ａ、４ｂに対して、新たに配線を形成し、修正を行った（処置を施した）状態を示す図である。図２においても、図１と同様に、非導電膜１１、第１の絶縁膜１２及び第２の絶縁膜１５は図示されていない。また、図３は、断線箇所４ａに形成されている信号線である不良配線を１ｘ、断線箇所４ｂに形成されている信号線である不良配線を１ｙとした場合の、不良配線１ｘ又は１ｙと、予備配線７との配線の接続を拡大して示す詳細図である。
【００６３】
このようにある信号線１が表示領域（アクティブマトリクス領域）３内で断線している場合に、断線しているその信号線１の表示領域（アクティブマトリクス領域）３の両外側の部分を、両外側の部分上の各々の開口部１４ａ、１４ｂを介し、かつ、表示領域の外側の領域１３に配線を設けて接続する。
【００６４】
図４は、図２において走査線と信号線を入替えた例を示す図である。すなわち、図４に示す例では、走査線２と平行に予め形成した予備配線７を介し、走査線２に断線（断線以外の不具合の場合も含む）が発生した場合に、断線箇所の修正を行った状態を示す図である。また、走査線２と信号線１を入替えて図２を図４に変更する場合には、走査線２と信号線１が上下に積層される積層関係を入替えてもよい。
【００６５】
図２に示すように、信号線１ｘが断線箇所４ａを有する場合、表示領域の外側の領域１３であって、第１の絶縁膜１２の不良配線１ｘの非入力側の上に設けられている開口部５ａｘと、第１の絶縁膜１２の予備配線７上に設けられている開口部９とを電気的に接続するように、表示領域の外側の領域１３ａに配線３１ａを設けて接続する。同様に、表示領域の外側の領域１３であって、第１の絶縁膜１２の不良配線１ｘの入力側の上に設けられている開口部６ａｘと、第１の絶縁膜１２の予備配線７上に設けられている開口部８とを電気的に接続するように、表示領域の外側の領域１３ｂに配線３１ｂを設けて接続する。これにより、断線箇所４ａを有する信号線１ｘの入力側と非入力側とを予備配線７、信号線１ｘ上の開口部５ａｘ、６ａｘを介して電気的に接続する。
【００６６】
同様に、信号線１ｙが断線箇所４ｂを有する場合、図２に示すように、表示領域の外側の領域１３であって、第１の絶縁膜１２の不良配線１ｙの非入力側の上に設けられている開口部５ｂｙと、第１の絶縁膜１２の予備配線７上に設けられている開口部９とを電気的に接続するように、非入力側の表示領域の外側の領域１３ａに配線３１ａを設けて接続する。同様に、表示領域の外側の領域１３であって、第１の絶縁膜１２の不良配線１ｙの入力側の上に設けられている開口部６ｂｙと、第１の絶縁膜１２の予備配線７上に設けられている開口部８とを電気的に接続するように、入力側の表示領域の外側の領域１３ｂに配線３１ｂを設けて接続する。これにより、断線箇所４ｂを有する信号線１ｙの入力側と非入力側とを予備配線７、信号線１ｙ上の開口部５ｂｙ、６ｂｙを介して電気的に接続する。
【００６７】
図３（ａ）に示す配線３１ａ、配線３１ｂは、信号線１ｘ（又は信号線１ｙ）の非入力側、入力側の表示領域の外側の領域１３ａ、１３ｂのそれぞれの上にある開口部５ａｘ（又は開口部５ｂｙ）、開口部６ａｘ（又は開口部６ｂｙ）の近傍で、断線している信号線１ｘ（又は信号線１ｙ）と直交する方向に延在する延在部３１１ａ、延在部３１１ｂと、延在部３１１ａ、延在部３１１ｂの先端から平面視で開口部５ａｘ（又は開口部５ｂｙ）、開口部６ａｘ（又は開口部６ｂｙ）のそれぞれへ向けて折曲される第１の折曲部３１２ａ、第１の折曲部３１２ｂとを有する。また、配線３１ａ、配線３１ｂは、予備配線７上の開口部９、開口部８の近傍で、延在部３１１ａ、延在部３１１ｂと、延在部３１１ａ、延在部３１１ｂの他の先端から平面視で開口部９、開口部８のそれぞれへ向けて折曲される第２の折曲部３１３ａ、第２の折曲部３１３ｂとを有する。従って、延在部３１１ａ、第１の折曲部３１２ａ、第２の折曲部３１３ａよりなり、開口部５ａｘ（又は開口部５ｂｙ）と予備配線７とを接続する配線３１ａは、図３（ａ）に示すように、紙面下向きに開口したコの字形状を有する。また、延在部３１１ｂ、第１の折曲部３１２ｂ、第２の折曲部３１３ｂよりなり、開口部６ａｘ（又は開口部６ｂｙ）と予備配線７とを接続する配線３１ｂは、図３（ａ）に示すように、紙面上向きに開口したコの字形状を有する。
【００６８】
図５（ａ）〜図５（ｃ）は、配線３１ａの種々の形状の例を示す上面図である。図５（ａ）〜図５（ｃ）に示すように、配線３１ａの折曲する形状として、種々の形状をとり得る。図５（ａ）は、紙面上向きに開口したコの字形状を有する例を示す。図５（ｂ）は、延在部３１１ａの紙面右端で上向きに折曲し、延在部３１１ａの紙面左端で下向きに折曲する形状を有する例である。図５（ｃ）は、延在部３１１ａの紙面右端で下向きに折曲し、延在部３１１ａの紙面左端で上向きに折曲する形状を有する例である。図３（ａ）に示した形状と合わせ、合計４種類の形状を有することができる。
【００６９】
図６（ａ）〜図６（ｃ）は、配線３１ｂの種々の形状の例を示す上面図である。図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すように、配線３１ｂの折曲する形状として、種々の形状をとり得る。図６（ａ）は、紙面下向きに開口したコの字形状を有する例を示す。図６（ｂ）は、延在部３１１ｂの紙面右端で下向きに折曲し、延在部３１１ｂの紙面左端で上向きに折曲する形状を有する例である。図６（ｃ）は、延在部３１１ｂの紙面右端で上向きに折曲し、延在部３１１ｂの紙面左端で下向きに折曲する形状を有する例である。図３（ａ）に示した形状と合わせ、合計４種類の形状を有することができる。
【００７０】
上述したように、配線３１ａ、配線３１ｂは、少なくともそれぞれ４種類の形状を有することができる。従って、配線３１ａ、３１ｂを形成する場合、少なくとも４×４＝１６通りの形状の組合せのいずれかにすることができる。
【００７１】
図３（ａ）及び図３（ｂ）に示される表示装置では、図３（ｂ）に示すように、第１の絶縁膜１２上に、第２の絶縁膜１５が形成されている。第２の絶縁膜１５は、第１の絶縁膜１２と同様に、フォトリソグラフィ、印刷、インクジェット、ＣＶＤ等により形成することができる。
【００７２】
次に、図７を参照し、本実施の形態に係る表示装置の修正方法について説明する。
【００７３】
図７は、本実施の形態に係る表示装置の修正方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。
【００７４】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図７に示すように、予備配線形成工程と、第１絶縁膜形成工程と、断線検査工程と、配線接続工程とを含む。予備配線形成工程はステップＳ１１の工程を含み、第１絶縁膜形成工程はステップＳ１２の工程を含み、断線検査工程はステップＳ１３の工程を含み、配線接続工程はステップＳ１４の工程を含む。
【００７５】
初めに、ステップＳ１１を含む予備配線形成工程を行う。ステップＳ１１は、予め、表示領域の外側の領域に、走査線又は信号線の予備配線を形成する工程である。図１に示すように、表示領域の外側の領域１３に、信号線１と平行に、信号線の予備配線７を形成する。あるいは、図４に示すように、表示領域の外側の領域１３に、走査線２と平行に、走査線の予備配線７を形成する。
【００７６】
次に、ステップＳ１２を含む第１絶縁膜形成工程を行う。ステップＳ１２は、表示領域の外側であって走査線上又は信号線上に開口部を有するように第１の絶縁膜を形成する工程である。予備配線７が信号線１と平行に形成されている場合、開口部１４ａ、１４ｂは、図１に示すように、信号線１と直交する方向に線状に形成される。また、図示しないが、予備配線７が走査線２と平行に形成されている場合、開口部１４ａ、１４ｂは、走査線２と直交する方向に線状に形成される。
【００７７】
次に、ステップＳ１３を含む断線検査工程を行う。ステップＳ１３は、走査線又は信号線の断線を検査する工程である。本発明では、断線検査工程は、特に限定されるものではなく、信号線又は走査線の表示領域の両外側の領域に予め検査用のパッドを設け、両端での導通を検査する方法や、表示素子及び対向基板と仮組みし、実際に各画素領域を選択し、表示動作の不良の有無によって信号線又は走査線の断線を検査する方法など、種々の方法を用いることができる。
【００７８】
次に、ステップＳ１４を含む配線接続工程を行う。ステップＳ１４は、走査線又は信号線が表示領域（アクティブマトリクス領域）内で断線している場合に、断線している走査線又は信号線の表示領域の両外側の部分を、各々の開口部、予備配線、及び予備配線上の開口部を介し、かつ、断線している走査線又は信号線と直交する延在部と、延在部の先端から開口部へ向けて折曲される折曲部とを有する配線を、表示領域（アクティブマトリクス領域）の外側に設け、接続する工程である。延在部３１１ａ、３１１ｂ、折曲部３１２ａ、３１２ｂ、３１３ａ、３１３ｂの形状については、前述した通りである。
【００７９】
また、配線接続工程において配線を形成して接続する配線材料として、銀ペースト、金ペースト若しくは銅ペースト、又は銀、金、銅その他の金属のナノ粒子若しくは該ナノ粒子に類似する物質を含む配線材料を用いることができる。また、配線の製造方法として、例えば、マイクロディスペンサで描画する方法、針先にペースト等を付着させ、そのペーストを配線すべき場所に多点打点して描画する方法、等を用いることができる。
【００８０】
配線接続工程において配線を形成して接続する配線材料として、上述したペースト等のほか、蒸着等の成膜方法を用いて形成した、アルミ、タンタル、ニッケル、タングステン、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の高導電性物質を用いてもよい。
【００８１】
また、配線３１ａ、３１ｂは、レーザＣＶＤや、蒸着等の方法で形成する場合を除き、ウェット状態で塗布されることがほとんどである。すなわち配線３１ａ、３１ｂは、この状態で溶媒成分が飛散するだけでは、導通が完全ではない。従って、電極を硬化させ、導通を良好にする必要がある。
【００８２】
電極を硬化させる方法として、一般には焼成されることが多い。例えば配線材料としてナノ粒子等を用いる場合は、レーザベークする方法、あるいは２００℃程度の温度で焼成するという方法の、２つの方法が主流である。
【００８３】
次に、図８乃至図１０を参照し、本実施の形態において、非導電膜、第１の絶縁膜の一部、第２の絶縁膜が省略された場合の表示装置のアレイ基板の構造について説明する。
【００８４】
図８（ａ）及び図８（ｂ）は、第２の絶縁膜が省略されている表示装置のアレイ基板の上面図及び断面図を示す。上述したように、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板１０ａでは、基板３０上に第２の絶縁膜１５が形成されているが、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板１０ｂでは、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板１０ａにおいて、第２の絶縁膜を省略することもできる。
【００８５】
図８（ａ）及び図８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板１０ｂでも、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板１０ａと同様に、配線３１ａ、配線３１ｂは、種々の形状を有することができる。例えば、配線３１ａは、図５（ａ）〜図５（ｃ）に示される形状と合わせ、少なくとも合計４種類の形状を有することができる。また、例えば、配線３１ｂは、図６（ａ）〜図６（ｃ）に示される形状と合わせ、合計４種類の形状を有することができる。従って、図８（ａ）及び図８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板１０ｂでも、配線３１ａ、３１ｂを形成する場合、少なくとも４×４＝１６通りの形状の組合せのいずれかにすることができる。また、複数の配線３１ａ、３１ｂを設ける場合、種々の形状を有するものが混在してもよい。
【００８６】
図９（ａ）及び図９（ｂ）は、非導電膜が省略されている表示装置のアレイ基板の上面図及び断面図を示す。すなわち、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板１０ａでは、基板３０上に非導電膜１１が形成されているが、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板１０ｃでは、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板１０ａにおいて、非導電膜を省略することもできる。
【００８７】
図９（ａ）及び図９（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板１０ｃでも、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板１０ａと同様に、配線３１ａ、配線３１ｂは、種々の形状を有することができる。例えば、配線３１ａは、図５（ａ）〜図５（ｃ）に示される形状と合わせ、合計４種類の形状を有することができる。また、例えば、配線３１ｂは、図６（ａ）〜図６（ｃ）に示される形状と合わせ、少なくとも合計４種類の形状を有することができる。従って、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示される表示装置でも、配線３１ａ、３１ｂを形成する場合、少なくとも４×４＝１６通りの形状の組合せのいずれかにすることができる。
【００８８】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、非導電膜及び第２の絶縁膜が省略されている表示装置のアレイ基板の上面図及び断面図を示す。すなわち、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板１０ｃでは、基板３０上に第２の絶縁膜１５が形成されているが、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示す表示装置のアレイ基板１０ｄでは、図９（ａ）及び図９（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板１０ｃにおいて、第２の絶縁膜を省略することもできる。
【００８９】
図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板１０ｄでも、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板１０ａと同様に、配線３１ａ、配線３１ｂは、種々の形状を有することができる。例えば、配線３１ａは、図５（ａ）〜図５（ｃ）に示される形状と合わせ、合計４種類の形状を有することができる。また、例えば、配線３１ｂは、図６（ａ）〜図６（ｃ）に示される形状と合わせ、少なくとも合計４種類の形状を有することができる。従って、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示される表示装置でも、配線３１ａ、３１ｂを形成する場合、少なくとも４×４＝１６通りの形状の組合せのいずれかにすることができる。また、複数の配線３１ａ、３１ｂを設ける場合、種々の形状を有するものが混在してもよい。
【００９０】
ここで、図３（ａ）を用いて、配線３１ａの延在部３１１ａと折曲部３１２ａとの角度について説明する。
【００９１】
表示領域の外側の領域１３において、図５（ａ）〜図５（ｃ）、図６（ａ）〜図６（ｃ）に示される形状を有するように配線３１ａ、３１ｂの接続を行う場合、アレイ基板１０ａの走査線をｘ方向、信号線をｙ方向とすると、ｚ軸方向ではない方向つまりｘｙ平面内のいずれかの方向に電極配線を折曲し、下層と配線を繋ぐことによって電気的接続を行うことができる。
【００９２】
配線を曲げる角度については、図３（ａ）に示すように、角度４１又は角度４２で規定することができる。角度４１を１８０°未満の角度と規定し、角度４２を３６０°から角度４１を差し引いた角度であると規定する。一般的に、走査線２と信号線１が直交するため、延在部３１１ａと折曲部３１２ａとは、角度４１は略９０°で折曲するように配線するのが最も容易である。しかしながら、断線箇所を有する信号線の近傍の信号線に接触しないように配線できるのであれば、角度４１がより小さくなるように配線を設けてもよい。角度４１に関しては、例えば５°〜１７５°とすることが好ましく、４５°〜１３５°とすることがより好ましい。
【００９３】
なお、延在部３１１ａ、３１１ｂと折曲部３１２ａ、３１２ｂ、３１３ａ、３１３ｂとを有する配線に代え、延在部と折曲部とを有しない配線を用いることもできる。すなわち、図３（ａ）において、断線箇所を有する信号線が、接続する予備配線に最も近い側、あるいは最も近い側から５本目まで、等の接続する予備配線に比較的近い位置にある場合は、信号線と略９０°の角度をなす延在部を設け、延在部から９０°等に折曲げて折曲部を設けるのではなく、信号線と９０°以外の角度、例えば１００°程度の角度をなす延在部を設け、折曲部を設けずに直接信号線に配線接続することもできる。
【００９４】
次に、図１１、図１２を参照し、本発明がクロス容量が小さく、リークの発生が少ないアレイ基板を有する表示装置を提供することができる作用効果について説明する。
【００９５】
図１１は、従来の表示装置のアレイ基板の構造を模式的に示す上面図である。図１２は、従来の表示装置の修正方法を説明するための図である。図１２（ａ）、図１２（ｂ）は、それぞれ断線が修正された表示装置の構造を示す上面図、断面図である。図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【００９６】
従来の表示装置のアレイ基板１１０でも、基板１３０、非導電膜１１１、複数の走査線１０２、複数の信号線１０１、複数のスイッチング素子１５１、第１の絶縁膜１１２を有するのは、本実施の形態に係る表示装置のアレイ基板１０と同様である。また、スイッチング素子１５１のゲート電極に接続される走査線（ゲート線）１０２、スイッチング素子のソース電極に接続される信号線（ソース線）１０１が、表示領域（アクティブマトリクス領域）１０３の入力側から非入力側に向け延在する。
【００９７】
一方、従来の表示装置のアレイ基板１１０では、表示領域（アクティブマトリクス領域）１０３の外側の領域１１３に、信号線の予備配線１０７ａ、走査線の予備配線１０７ｂを、信号線１０１、走査線１０２と同時に予め形成しておく。そして、従来の表示装置のアレイ基板１１０において、例えば図１１で例示する断線箇所１０４ａ、１０４ｂにおいて配線１０１ｘ、１０１ｙに断線不良が発生している場合、表示領域（アクティブマトリクス領域）の外側の領域で、配線１０７ｂと配線１０１ｘ、１０１ｙとが交差する箇所１０５ａｘ、１０５ｂｙ、１０６ａｘ、１０６ｂｙにおいて、アレイ基板の表側若しくは裏側から、レーザを当てて溶融させることにより、電気的接続を行う。例えば断線箇所が１０４ａである場合には、図１２（ａ）に示すように、箇所１０５ａｘ、１０６ａｘでレーザ溶融による電気的接続を行う。また、例えば断線箇所が１０４ｂである場合には、箇所１０５ｂｙ、１０６ｂｙでレーザ溶融による電気的接続を行う。更に、予備配線１０７ａと予備配線１０７ｂとが交差する箇所１０９、１０８でもレーザ溶融による電気的接続を行う。これにより、入力側の信号線１０１ｘ、１０１ｙのそれぞれにおける入力側からの信号を、断線箇所１０４ａ、１０４ｂを中心として反対側である非入力側の信号線１０１ｘ、１０１ｙに回り込ませることができるため、断線不良を修正することができる。
【００９８】
しかし、従来の表示装置のアレイ基板１１０では、予備配線１０７ｂと信号線１０１とが交差する箇所が多く、交差する箇所で発生する交差容量（クロス容量）が大きい。また、予備配線１０７ｂと信号線１０１とが交差する箇所において、予備配線１０７ｂと信号線１０１との間で短絡してリークが発生する。
【００９９】
一方、本発明に係る表示装置のアレイ基板１０では、予備配線７が表示領域（アクティブマトリクス領域）３の外側に、信号線１と平行な方向にだけ形成されるため、予備配線７を信号線１と交差させずに形成することができる。また、従来の表示装置のアレイ基板１１０の予備配線１０７ｂに代え、断線箇所に対応して必要な距離及び本数だけ配線３１ａ、３１ｂを形成すればよい。従って、断線箇所を修正することができ、かつ、クロス容量が小さく、リークの発生が少ないアレイ基板を有する表示装置を提供することができる。
【０１００】
以上述べたアレイ基板を有する表示装置においては、アレイ基板のスイッチング素子として、アモルファスシリコン型薄膜トランジスタ（ａ−Ｓｉ−ＴＦＴ）、ポリシリコン型薄膜トランジスタ（ｐ−Ｓｉ−ＴＦＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）を適用することができる。また、これらの薄膜トランジスタに類するスイッチング素子も適用することができる。
【０１０１】
また、以上述べたアレイ基板を有する表示装置においては、表示素子として液晶表示素子、有機ＥＬ（Electro Luminescence）表示素子、又はプラズマ表示素子等を用いることができ、その場合、本発明に係る表示装置を、液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置、表示装置（Plasma Display Panel：ＰＤＰ）に適用することができる。更に、本発明に係るアレイ基板を種々の方式の表示素子と組合せることにより、エレクトロウェッティング表示装置、デジタルマイクロシャッタ表示装置、電子ペーパ、ＱＲＰＤ表示装置、干渉性変調素子（Interferrometric Modulation：ＩＭＯＤ）表示装置、表面伝導型電子放出素子（Surface-conduction Electron-emitter Display：ＳＥＤ）表示装置、ＴＭＯＳ表示装置、等の表示装置全般まで含め応用範囲となる。
（第１の実施の形態の変形例）
次に、図１３乃至図１９を参照し、第１の実施の形態の変形例について説明する。
【０１０２】
図１３は、本変形例に係る表示装置のアレイ基板の構造を模式的に示す上面図である。
【０１０３】
本変形例に係る表示装置は、開口部が、走査線又は信号線と直交する方向に飛び石状に形成されている点で、第１の実施の形態に係る表示装置と相違する。
【０１０４】
図１３を参照するに、第１の実施の形態において、開口部が、走査線又は信号線と直交する方向に、線状に形成されているのと相違し、本変形例に係る表示装置のアレイ基板６０では、開口部１４１ａ、１４１ｂが、走査線２又は信号線１と直交する方向に飛び石状に形成されている。
【０１０５】
図１３に示すように、本変形例に係る表示装置のアレイ基板６０は、複数の開口部１４１ａ、１４１ｂが第１の絶縁膜１２に形成される表示領域の外側の領域１３ａ、１３ｂを含んでいる。開口部１４１ａ、１４１ｂが、飛び石状に形成されている以外は、本変形例に係る表示装置のアレイ基板６０は、第１の実施の形態に係る表示装置のアレイ基板１０と同様である。
【０１０６】
後述する図１４（ｂ）と合わせ、図１３を参照するに、本変形例に係る表示装置のアレイ基板６０は、第１の実施の形態と同様に、非導電膜１１、複数の走査線２、複数の信号線１、複数のスイッチング素子５１、第１の絶縁膜１２、走査線又は信号線の予備配線７、第２の絶縁膜１５を有する。また、第１の絶縁膜１２以外の構成は、第１の実施の形態と同様である。
【０１０７】
スイッチング素子５１は、図１３に示すように、表示領域（アクティブマトリクス領域）３内の各画素領域５２に設けられている。スイッチング素子５１としては、ＴＦＴを用いることもでき、上述したように、例えば有機半導体を半導体層に用いる有機トランジスタを各種方法（例えばフォトリソグラフィ、インクジェット、印刷等）を用いて積層することができる。また、スイッチング素子５１のゲート電極及びソース電極の配線である走査線２、信号線１は、外側の領域１３において、入力側の外側の領域１３ｂ及び非入力側の外側の領域１３ａの両外側に延長されている。
【０１０８】
第１の絶縁膜１２は、外側の領域１３ａ、１３ｂにおいて、信号線１上に、複数の開口部１４１ａ、１４１ｂが形成されている。開口部１４１ａ、１４１ｂは、走査線２や信号線１と同時に形成してもよい。また、第１の絶縁膜１２は、予備配線７上であって、外側の領域１３ａ、１３ｂとの間の外側の領域１３にも形成されている。
【０１０９】
次に、図１４乃至図１９を参照し、本変形例に係る表示装置の修正方法について説明する。
【０１１０】
図１４は、本変形例に係る表示装置の修正方法を用いて修正された表示装置のアレイ基板の構造を模式的に示す上面図及び断面図である。
【０１１１】
本変形例に係る表示装置の修正方法も、第１の実施の形態に係る表示装置の修正方法と同様である。修正された表示装置の構造は、第１の実施の形態と同様に、図２を用いて示される。
【０１１２】
前述した図１３において、表示領域（アクティブマトリクス領域）３内の４ａ、４ｂの２箇所において、信号線１に断線（断線以外の不具合の場合も含む）が発生した場合を想定する。
【０１１３】
図１４に示すように、信号線１ｘが断線箇所４ａを有する場合、第１の絶縁膜１２の不良配線１ｘの非入力側の外側の領域１３ａの上に設けられている開口部５ａｘと、第１の絶縁膜１２の予備配線７上に設けられている開口部９とを電気的に接続するように、非入力側の表示領域の外側の領域１３ａに配線３１ａを設けて接続する。同様に、第１の絶縁膜１２の不良配線１ｘの入力側の外側の領域１３ｂの上に設けられている開口部６ａｘと、第１の絶縁膜１２の予備配線７上に設けられている開口部８とを電気的に接続するように、入力側の表示領域の外側の領域１３ｂに配線３１ｂを設けて接続する。これにより、断線箇所４ａを有する信号線１ｘの入力側と非入力側とを予備配線７、信号線１ｘ上の開口部５ａｘ、６ａｘを介して電気的に接続する。信号線１ｙが断線箇所４ｂを有する場合も、同様である。
【０１１４】
図１４（ａ）に示す配線３１ａ、配線３１ｂは、信号線１ｘ（又は信号線１ｙ）の非入力側、入力側の表示領域の外側の領域１３ａ、１３ｂのそれぞれの上にある開口部５ａｘ（又は開口部５ｂｙ）、開口部６ａｘ（又は開口部６ｂｙ）の近傍で、断線している信号線１ｘ（又は信号線１ｙ）と直交する方向に延在する延在部３１１ａ、延在部３１１ｂと、延在部３１１ａ、延在部３１１ｂの先端から平面視で開口部５ａｘ（又は開口部５ｂｙ）、開口部６ａｘ（又は開口部６ｂｙ）のそれぞれへ向けて折曲される第１の折曲部３１２ａ、第１の折曲部３１２ｂとを有する。また、配線３１ａ、配線３１ｂは、予備配線７上の開口部９、開口部８の近傍で、延在部３１１ａ、延在部３１１ｂと、延在部３１１ａ、延在部３１１ｂの他の先端から平面視で開口部９、開口部８のそれぞれへ向けて折曲される第２の折曲部３１３ａ、第２の折曲部３１３ｂとを有する。従って、延在部３１１ａ、第１の折曲部３１２ａ、第２の折曲部３１３ａよりなり、開口部５ａｘ（又は開口部５ｂｙ）と予備配線７とを接続する配線３１ａは、図１４（ａ）に示すように、紙面下向きに開口したコの字形状を有する。また、延在部３１１ｂ、第１の折曲部３１２ｂ、第２の折曲部３１３ｂよりなり、開口部６ａｘ（又は開口部６ｂｙ）と予備配線７とを接続する配線３１ｂは、図１４（ａ）に示すように、紙面上向きに開口したコの字形状を有する。
【０１１５】
図１５（ａ）〜図１５（ｃ）は、配線３１ａの種々の形状の例を示す上面図である。図１５（ａ）〜図１５（ｃ）に示すように、配線３１ａの折曲する形状として、種々の形状をとり得る。図１５（ａ）は、紙面上向きに開口したコの字形状を有する例を示す。図１５（ｂ）は、延在部３１１ａの紙面右端で上向きに折曲し、延在部３１１ａの紙面左端で下向きに折曲する形状を有する例である。図１５（ｃ）は、延在部３１１ａの紙面右端で下向きに折曲し、延在部３１１ａの紙面左端で上向きに折曲する形状を有する例である。図１４（ａ）に示した形状と合わせ、合計４種類の形状を有することができる。
【０１１６】
図１６（ａ）〜図１６（ｃ）は、配線３１ｂの種々の形状の例を示す上面図である。図１６（ａ）〜図１６（ｃ）に示すように、配線３１ｂの折曲する形状として、種々の形状をとり得る。図１６（ａ）は、紙面下向きに開口したコの字形状を有する例を示す。図１６（ｂ）は、延在部３１１ｂの紙面右端で下向きに折曲し、延在部３１１ｂの紙面左端で上向きに折曲する形状を有する例である。図１６（ｃ）は、延在部３１１ｂの紙面右端で上向きに折曲し、延在部３１１ｂの紙面左端で下向きに折曲する形状を有する例である。図１４（ａ）に示した形状と合わせ、合計４種類の形状を有することができる。
【０１１７】
上述したように、配線３１ａ、配線３１ｂは、それぞれ少なくとも４種類の形状を有することができる。従って、配線３１ａ、３１ｂを形成する場合、少なくとも４×４＝１６通りの形状の組合せのいずれかにすることができる。
【０１１８】
図１７（ａ）及び図１７（ｂ）は、第２の絶縁膜が省略されている表示装置のアレイ基板の上面図及び断面図を示す。上述したように、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板６０ａでは、基板３０上に第２の絶縁膜１５が形成されているが、図１７（ａ）及び図１７（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板６０ｂでは、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板６０ａにおいて、第２の絶縁膜を省略することもできる。
【０１１９】
図１７（ａ）及び図１７（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板６０ｂでも、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板６０ａと同様に、配線３１ａ、配線３１ｂは、種々の形状を有することができる。例えば、配線３１ａは、図１５（ａ）〜図１５（ｃ）に示される形状と合わせ、少なくとも合計４種類の形状を有することができる。また、例えば、配線３１ｂは、図１６（ａ）〜図１６（ｃ）に示される形状と合わせ、少なくとも合計４種類の形状を有することができる。従って、図１７（ａ）及び図１７（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板６０ｂでも、配線３１ａ、３１ｂを形成する場合、少なくとも４×４＝１６通りの形状のいずれかの形状を有することができる。また、複数の配線３１ａ、３１ｂを設ける場合、種々の形状を有するものが混在してもよい。
【０１２０】
図１８（ａ）及び図１８（ｂ）は、非導電膜が省略されている表示装置のアレイ基板の上面図及び断面図を示す。すなわち、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板６０ａでは、基板３０上に非導電膜１１が形成されているが、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板６０ｃでは、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板６０ａにおいて、非導電膜を省略することもできる。
【０１２１】
図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板６０ｃでも、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板６０ａと同様に、配線３１ａ、配線３１ｂは、種々の形状を有することができる。例えば、配線３１ａは、図１５（ａ）〜図１５（ｃ）に示される形状と合わせ、少なくとも合計４種類の形状を有することができる。また、例えば、配線３１ｂは、図１６（ａ）〜図１６（ｃ）に示される形状と合わせ、少なくとも合計４種類の形状を有することができる。従って、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示される表示装置でも、配線３１ａ、３１ｂを形成する場合、少なくとも４×４＝１６通りの形状の組合せのいずれかにすることができる。
【０１２２】
図１９（ａ）及び図１９（ｂ）は、非導電膜及び第２の絶縁膜が省略されている表示装置のアレイ基板の上面図及び断面図を示す。すなわち、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板６０ｃでは、基板３０上に第２の絶縁膜１５が形成されているが、図１９（ａ）及び図１９（ｂ）に示す表示装置では、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板６０ｃにおいて、第２の絶縁膜を省略することもできる。
【０１２３】
図１９（ａ）及び図１９（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板６０ｄでも、図１４（ａ）及び図１４（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板６０ａと同様に、配線３１ａ、配線３１ｂは、種々の形状を有することができる。例えば、配線３１ａは、図１５（ａ）〜図１５（ｃ）に示される形状と合わせ、少なくとも合計４種類の形状を有することができる。また、例えば、配線３１ｂは、図１６（ａ）〜図１６（ｃ）に示される形状と合わせ、少なくとも合計４種類の形状を有することができる。従って、図１９（ａ）及び図１９（ｂ）に示される表示装置でも、配線３１ａ、３１ｂを形成する場合、少なくとも４×４＝１６通りの形状の組合せのいずれかにすることができる。また、複数の配線３１ａ、３１ｂを設ける場合、種々の形状を有するものが混在してもよい。
【０１２４】
また、配線３１ａ、３１ｂの延在部３１１ａ、３１１ｂと折曲部３１２ａ、３１２ｂ、３１３ａ、３１３ｂとのなす角度４１（角度４１を１８０°未満の角度と規定し、角度４２を３６０°から角度４１を差し引いた角度と規定する。）を、例えば５°〜１７５°とすることができ、好ましくは４５°〜１３５°とすることができるのも、第１の実施の形態と同様である。
【０１２５】
本変形例では、平面視での開口部１４１ａ、１４１ｂの形状が、図１３に示すような矩形だけではなく、種々の形状を有することができる。以下、図２０から図３４を用い、その例を示す。
【０１２６】
図２０は、平面視での開口部の形状が楕円形である場合の上面図である。図２１は、図２０において修正箇所を拡大して示す上面図及び断面図である。図２０及び図２１に示すように、図１３において平面視での開口部１４１ａ、１４１ｂの形状が矩形（長方形）であるのと相違し、開口部１４２ａ、１４２ｂの形状は楕円形である。
【０１２７】
図２２は、平面視での開口部の形状が楕円形である場合の別の例の上面図である。図２３は、図２２における修正箇所を拡大して示す上面図及び断面図である。図２０及び図２１において楕円形（ここでは円形）の内側を開口部としているのと相違し、図２２及び図２３における開口部１４３ａ、１４３ｂは、楕円形（ここでは円形）の外側を穴として楕円形（ここでは円形）の外側の曲線で囲まれた領域を開口部とするものである。また、図２２及び図２３は代表例を示しており、４つの楕円形（ここでは円形）の外側の曲線で囲まれた領域を開口部とする代表例を示しているが、３つの４つの楕円形（又は円形）若しくは５つ以上の楕円形（又は円形）の外側の曲線で囲まれた領域であってもよい。
【０１２８】
図２４は、平面視での開口部の形状が三角形である場合の上面図である。図２５は、図２４における修正箇所を拡大して示す上面図及び断面図である。図２４及び図２５に示すように、図１３において平面視での開口部の形状が矩形（長方形）であるのと相違し、開口部１４４ａ、１４４ｂの形状は三角形である。
【０１２９】
図２６は、平面視での開口部の形状が五角形である場合の上面図である。図２７は、図２６における修正箇所を拡大して示す上面図及び断面図である。図２６及び図２７に示すように、図１３において平面視での開口部の形状が矩形（長方形）であるのと相違し、開口部１４５ａ、１４５ｂの形状は五角形である。
【０１３０】
図２８は、平面視での開口部の形状が六角形である場合の上面図である。図２９は、図２８における修正箇所を拡大して示す上面図及び断面図である。図２８及び図２９に示すように、図１３において平面視での開口部の形状が矩形（長方形）であるのと相違し、開口部１４６ａ、１４６ｂの形状は六角形である。
【０１３１】
図３０は、平面視での開口部の形状が十字形である場合の上面図である。図３１は、図３０における修正箇所を拡大して示す上面図及び断面図である。図３０及び図３１に示すように、図１３において平面視での開口部の形状が矩形（長方形）であるのと相違し、開口部１４７ａ、１４７ｂの形状は十字形である。
【０１３２】
図３２は、平面視での開口部の形状が凸字形状である場合の上面図である。図３３は、図３２における修正箇所を拡大して示す上面図及び断面図である。図３２及び図３３に示すように、図１３において平面視での開口部の形状が矩形（長方形）であるのと相違し、開口部１４８ａ、１４８ｂの形状は凸字形状である。
【０１３３】
図３４は、平面視での開口部の形状が円形と十字形を組合せた形状である場合の上面図である。図３５は、図３４における修正箇所を拡大して示す上面図及び断面図である。図３４及び図３５に示すように、図１３において平面視での開口部の形状が矩形（長方形）であるのと相違し、開口部１４９ａ、１４９ｂの形状は円形と十字形を組合せた形状である。
【０１３４】
また、開口部の形状は、複数種の形状を組合せてもよく、規則性等どのような方法によって組合せても良い。また、多角形であればどのような形状にすることもでき、各多角形の角度を自在に変更することもできる。また、開口部ごとに平面視で任意に回転して設けられてもよい。
【０１３５】
本変形例に係る表示装置の修正方法は、第１の実施の形態に係る表示装置の修正方法と同様である。
【０１３６】
本変形例に係る表示装置も、クロス容量が小さく、リークの発生が少ないアレイ基板を有する表示装置を提供することができる作用効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１３７】
また、第１の実施の形態と同様に、スイッチング素子として、アモルファスシリコン型薄膜トランジスタ（ａ−Ｓｉ−ＴＦＴ）、ポリシリコン型薄膜トランジスタ（ｐ−Ｓｉ−ＴＦＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）を適用することができる。また、これらの薄膜トランジスタに類するスイッチング素子も適用することができる。また、第１の実施の形態と同様に、本発明に係る表示装置を、液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置、ＰＤＰ等に適用することができる。
（第２の実施の形態）
次に、図３６乃至図５０を参照し、第２の実施の形態について説明する。
【０１３８】
図３６は、本実施の形態に係る表示装置のアレイ基板の構造を模式的に示す上面図である。
【０１３９】
本実施の形態に係る表示装置は、予め予備配線を形成しない点で、第１の実施の形態に係る表示装置と相違する。
【０１４０】
図３６を参照するに、第１の実施の形態において、予め信号線又は走査線の予備配線を形成し、走査線又は信号線が表示領域（アクティブマトリクス領域）内で断線している場合に、断線している走査線又は信号線の表示領域の両外側の部分を、各々の開口部、予備配線、及び予備配線上の開口部を介して接続するのと相違し、本実施の形態に係る表示装置では、予め信号線又は走査線の予備配線を設けず、断線している走査線又は信号線の表示領域の両外側の部分を、各々の開口部を介し、かつ、表示領域（アクティブマトリクス領域）の外側に配線を設けて接続する。
【０１４１】
後述する図３８（ｂ）と合わせ、図３６を参照するに、本実施の形態に係る表示装置のアレイ基板７０は、非導電膜１１、複数の走査線２、複数の信号線１、複数のスイッチング素子５１、第１の絶縁膜１２、第２の絶縁膜１５を有する。ただし、本実施の形態に係る表示装置のアレイ基板７０は、走査線２又は信号線１の予備配線が予め形成されていない。
【０１４２】
スイッチング素子５１は、図３６に示すように、表示領域（アクティブマトリクス領域）３内に設けられている。スイッチング素子５１としては、ＴＦＴを用いることもでき、上述したように、例えば有機半導体を半導体層に用いる有機トランジスタを各種方法（例えばフォトリソグラフィ、インクジェット、印刷等）を用いて積層することができる。また、それぞれスイッチング素子５１のゲート電極及びソース電極の配線である走査線２、信号線１は、外側の領域１３において、入力側の外側の領域１３ｂ及び非入力側の外側の領域１３ａの両外側に延長されている。
【０１４３】
第１の絶縁膜１２は、外側の領域１３において、信号線１上に、開口部１４ａ、１４ｂが形成されている。本実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、開口部１４ａ、１４ｂは、走査線２又は信号線１と直交する方向に、線状に形成されている。
【０１４４】
次に、図３７乃至図５０を参照し、本実施の形態に係る表示装置の修正方法について説明する。
【０１４５】
図３７は、本実施の形態に係る表示装置の修正方法を用いて修正された表示装置のアレイ基板の構造を模式的に示す上面図である。図３８は、本実施の形態に係る表示装置の修正方法を用いて修正された表示装置のアレイ基板の修正箇所を拡大して示す上面図及び断面図である。
【０１４６】
第１の実施の形態と同様に、図１において、表示領域（アクティブマトリクス領域）３内の４ａ、４ｂの２箇所において、信号線１に断線（断線以外の不具合の場合も含む）が発生した場合を想定する。図３７は、図１と同様の平面図であり、その２箇所４ａ、４ｂに対して、表示装置の断線箇所について、新たに配線を形成し、修正を行った（処置を施した）状態を示す図である。図３７において、第１絶縁膜及び第２絶縁膜は図示されていない。
【０１４７】
このようにある信号線１が表示領域（アクティブマトリクス領域）３内で断線している場合に、断線しているその信号線１の表示領域（アクティブマトリクス領域）３の両外側の部分を、両外側の部分上の各々の開口部１４ａ、１４ｂを介し、かつ、表示領域の外側の領域１３に配線３１を設けて接続する。
【０１４８】
図３９は、図３７において走査線２と信号線１を入替えた例を示す図である。すなわち、図３９に示す例では、走査線２に断線（断線以外の不具合の場合も含む）が発生した場合に、断線箇所の修正を行った状態を示す図である。また、走査線２と信号線１を入替えて図３７を図３９に変更する場合には、走査線２と信号線１が上下に積層される積層関係を入替えてもよい。
【０１４９】
図３８（ａ）に示すように、信号線１ｘが断線箇所４ａを有する場合、第１の絶縁膜１２の不良配線１ｘの非入力側の外側の領域１３上に設けられている開口部５ａｘと、第１の絶縁膜の不良配線１ｘの入力側の外側の領域１３の上に設けられている開口部６ａｘとを電気的に接続するように、表示領域の外側の領域１３に配線３１を設けて接続する。これにより、断線箇所４ａを有する信号線１ｘの入力側と非入力側とを、信号線１ｘ上の開口部５ａｘ、６ａｘを介して電気的に接続する。
【０１５０】
同様に、信号線１ｙが断線箇所４ｂを有する場合、図３８（ａ）に示すように、第１の絶縁膜１２の不良配線１ｙの非入力側の外側の領域１３の上に設けられている開口部５ｂｙと、第１の絶縁膜１２の不良配線１ｙの入力側の外側の領域１３の上に設けられている開口部６ｂｙとを電気的に接続するように、表示領域の外側の領域１３に配線３１を設けて接続する。これにより、断線箇所４ｂを有する信号線１ｙの入力側と非入力側とを、信号線１ｙ上の開口部５ｂｙ、６ｂｙを介して電気的に接続する。
【０１５１】
図３８（ａ）に示す配線３１は、信号線１ｘ（又は信号線１ｙ）の非入力側の表示領域の外側の領域１３ａの上にある開口部５ａｘ（又は開口部５ｂｙ）の近傍で、断線している信号線１ｘ（又は信号線１ｙ）と直交する方向に延在する延在部３１１ａと、延在部３１１ａの先端から平面視で開口部５ａｘ（又は開口部５ｂｙ）へ向けて折曲される折曲部３１２ａとを有する。また、配線３１は、信号線１ｘ（又は信号線１ｙ）の入力側の表示領域の外側の領域１３ｂの上にある開口部６ａｘ（又は開口部６ｂｙ）の近傍で、断線している信号線１ｘ（又は信号線１ｙ）と直交する方向に延在する延在部３１１ｂと、延在部３１１ｂの先端から平面視で開口部６ａｘ（又は開口部６ｂｙ）へ向けて折曲される折曲部３１２ｂとを有する。また、配線３１は、延在部３１１ａ及び延在部３１１ｂと直交する方向に沿って延在し、延在部３１１ａ及び延在部３１１ｂを接続する延在部３１１ｃを有する。
【０１５２】
図４０〜図４２は、配線３１の種々の形状の例を示す上面図である。図４０〜図４２に示すように、配線３１の折曲する形状として、種々の形状をとり得る。図４０は、開口部５ａｘ、６ａｘの近傍で、紙面上向きに折曲する例を示す。図４１は、開口部５ａｘ、６ａｘの近傍で、紙面下向きに折曲する例を示す。図４２は、開口部５ａｘ、６ａｘの近傍で、それぞれ紙面上向き、紙面下向きに折曲する例を示す。
【０１５３】
図３８（ａ）及び図３８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ａでは、図３８（ｂ）に示すように、基板３０上に第２の絶縁膜１５が形成されている。第２の絶縁膜１５は、第１の絶縁膜１２と同様に、フォトリソグラフィ、印刷、インクジェット、ＣＶＤ等により形成することができる。
【０１５４】
図４３（ａ）及び図４３（ｂ）は、第２の絶縁膜が省略されている表示装置のアレイ基板の上面図及び断面図を示す。上述したように、図３８（ａ）及び図３８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ａでは、基板３０上に第２の絶縁膜１５が形成されているが、図４３（ａ）及び図４３（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ｂでは、図３８（ａ）及び図３８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ａにおいて、第２の絶縁膜を省略することもできる。
【０１５５】
図４３（ａ）及び図４３（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ｂでも、図３８（ａ）及び図３８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ａと同様に、配線３１は、種々の形状を有することができる。すなわち、配線３１は、図４０〜図４２に示されるように、種々の形状を有することができる。また、複数の配線３１を設ける場合、種々の形状を有するものが混在してもよい。
【０１５６】
図４４（ａ）及び図４４（ｂ）は、第１の絶縁膜の一部が省略されている表示装置のアレイ基板の上面図及び断面図を示す。すなわち、図３８（ａ）及び図３８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ａでは、基板３０上の全面に第１の絶縁膜１２が形成されているが、図４４（ａ）及び図４４（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ｃでは、図３８（ａ）及び図３８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ａにおいて、第１の絶縁膜の一部を省略することもできる。
【０１５７】
図４４（ａ）及び図４４（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ｃでも、図３８（ａ）及び図３８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ａと同様に、配線３１は、種々の形状を有することができる。すなわち、配線３１は、図４０〜図４２に示されるように、種々の形状を有することができる。また、複数の配線３１を設ける場合、種々の形状を有するものが混在してもよい。
【０１５８】
図４５（ａ）及び図４５（ｂ）は、第１の絶縁膜の一部が省略され、第２の絶縁膜が省略されている表示装置のアレイ基板の上面図及び断面図を示す。すなわち、図４４（ａ）及び図４４（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ｃでは、基板３０上に第２の絶縁膜１５が形成されているが、図４５（ａ）及び図４５（ｂ）に示す表示装置のアレイ基板７０ｄでは、図４４（ａ）及び図４４（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ｃにおいて、第２の絶縁膜を省略することもできる。
【０１５９】
図４５（ａ）及び図４５（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ｄでも、図３８（ａ）及び図３８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ａと同様に、配線３１は、種々の形状を有することができる。すなわち、配線３１は、図４０〜図４２に示されるように、種々の形状を有することができる。また、複数の配線３１を設ける場合、種々の形状を有するものが混在してもよい。
【０１６０】
図４６（ａ）及び図４６（ｂ）は、非導電膜が省略されている表示装置のアレイ基板の上面図及び断面図を示す。すなわち、図３８（ａ）及び図３８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ａでは、非導電膜１１が形成されているが、図４６（ａ）及び図４６（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ｅでは、図３８（ａ）及び図３８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ａにおいて、非導電膜を省略することもできる。
【０１６１】
図４６（ａ）及び図４６（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ｅでも、図３８（ａ）及び図３８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ａと同様に、配線３１は、種々の形状を有することができる。すなわち、配線３１は、図４０〜図４２に示されるように、種々の形状を有することができる。また、複数の配線３１を設ける場合、種々の形状を有するものが混在してもよい。
【０１６２】
図４７（ａ）及び図４７（ｂ）は、非導電膜及び第２の絶縁膜が省略されている表示装置のアレイ基板の上面図及び断面図を示す。すなわち、図４６（ａ）及び図４６（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ｅでは、基板３０上に第２の絶縁膜１５が形成されているが、図４７（ａ）及び図４７（ｂ）に示す表示装置のアレイ基板７０ｆでは、図４６（ａ）及び図４６（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ｅにおいて、第２の絶縁膜を省略することもできる。
【０１６３】
図４７（ａ）及び図４７（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ｆでも、図３８（ａ）及び図３８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ａと同様に、配線３１は、種々の形状を有することができる。すなわち、配線３１は、図４０〜図４２に示されるように、種々の形状を有することができる。また、複数の配線３１を設ける場合、種々の形状を有するものが混在してもよい。
【０１６４】
図４８（ａ）及び図４８（ｂ）は、非導電膜が省略され、第１の絶縁膜の一部が省略されている表示装置のアレイ基板の上面図及び断面図を示す。すなわち、図３８（ａ）及び図３８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ａでは、非導電膜１１が形成され、第１の絶縁膜１２が全面に形成されているが、図４８（ａ）及び図４８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ｇでは、図３８（ａ）及び図３８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ａにおいて、非導電膜を省略し、第１の絶縁膜の一部を省略することもできる。
【０１６５】
図４８（ａ）及び図４８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ｇでも、図３８（ａ）及び図３８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ａと同様に、配線３１は、種々の形状を有することができる。すなわち、配線３１は、図４０〜図４２に示されるように、種々の形状を有することができる。また、複数の配線３１を設ける場合、種々の形状を有するものが混在してもよい。
【０１６６】
図４９（ａ）及び図４９（ｂ）は、非導電膜が省略され、第１の絶縁膜の一部が省略され、第２の絶縁膜が省略されている表示装置のアレイ基板の上面図及び断面図を示す。すなわち、図４８（ａ）及び図４８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ｇでは、基板３０上に第２の絶縁膜１５が形成されているが、図４９（ａ）及び図４９（ｂ）に示す表示装置のアレイ基板７０ｈでは、図４８（ａ）及び図４８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ｇにおいて、第２の絶縁膜を省略することもできる。
【０１６７】
図４９（ａ）及び図４９（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ｈでも、図３８（ａ）及び図３８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板７０ａと同様に、配線３１は、種々の形状を有することができる。すなわち、配線３１は、図４０〜図４２に示されるように、種々の形状を有することができる。また、複数の配線３１を設ける場合、種々の形状を有するものが混在してもよい。
【０１６８】
また、配線３１ａ、３１ｂの延在部３１１ａ、３１１ｂと折曲部３１２ａ、３１２ｂとのなす角度４１（角度４１を１８０°未満の角度と規定し、角度４２を３６０°から角度４１を差し引いた角度と規定する。）を、例えば５°〜１７５°とすることができ、好ましくは４５°〜１３５°とすることができるのも、第１の実施の形態と同様である。
【０１６９】
次に、図５０を参照し、本実施の形態に係る表示装置の修正方法について説明する。図５０は、本実施の形態に係る表示装置の修正方法の各工程の手順を説明するためのフローチャートである。
【０１７０】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、図５０に示すように、第１絶縁膜形成工程と、断線検査工程と、配線接続工程とを含む。第１絶縁膜形成工程はステップＳ２１の工程を含み、断線検査工程はステップＳ２２の工程を含み、配線接続工程はステップＳ２３の工程を含む。すなわち、本実施の形態に係る表示装置の修正方法は、第１の実施の形態に係る表示装置の修正方法と相違し、予備配線形成工程を有しない。
【０１７１】
初めにステップＳ２１を含む第１絶縁膜形成工程を行う。ステップＳ２１は、表示領域の外側であって走査線上又は信号線上に開口部を有するように第１の絶縁膜を形成する工程である。
【０１７２】
次に、ステップＳ２２を含む断線検査工程を行う。ステップＳ２２は、走査線又は信号線の断線を検査する工程である。本発明では、断線検査工程は、特に限定されるものではなく、信号線又は走査線の表示領域の両外側の領域に予め検査用のパッドを設け、両端での導通を検査する方法や、表示素子及び対向基板と仮組みし、実際に各画素領域を選択し、表示動作の不良の有無によって信号線又は走査線の断線を検査する方法など、種々の方法を用いることができる。
【０１７３】
次に、ステップＳ２３を含む配線接続工程を行う。ステップＳ２３は、走査線又は信号線が表示領域内で断線している場合に、断線している走査線又は信号線の表示領域の両外側の部分を、各々の開口部を介し、かつ、断線している走査線又は信号線と直交する延在部と、延在部の先端から開口部へ向けて折曲される折曲部とを有する配線を、表示領域の外側に設け、接続する工程である。延在部、折曲部の形状については、前述した通りである。
【０１７４】
なお、延在部と折曲部とを有する配線に代え、延在部と折曲部とを有しない配線を用いることもできる。すなわち、図３８（ａ）において、断線箇所を有する信号線が、接続する予備配線７に最も近い側、あるいは最も近い側から５本目まで、等の接続する予備配線７に比較的近い位置にある場合は、信号線と略９０°の角度をなす延在部を設け、延在部から９０°等に折曲げて折曲部を設けるのではなく、信号線と９０°以外の角度、例えば１００°程度の角度をなす延在部を設け、折曲部を設けずに直接信号線に配線接続することもできる。
【０１７５】
また、配線接続工程において配線を形成して接続する配線材料、配線方法については、第１の実施の形態と同様である。
【０１７６】
本実施の形態に係る表示装置も、クロス容量が小さく、リークの発生が少ないアレイ基板を有する表示装置を提供することができる作用効果は、第１の実施の形態と同様である。また、第１の実施の形態と同様に、スイッチング素子として、アモルファスシリコン型薄膜トランジスタ（ａ−Ｓｉ−ＴＦＴ）、ポリシリコン型薄膜トランジスタ（ｐ−Ｓｉ−ＴＦＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）を適用することができる。また、これらの薄膜トランジスタに類するスイッチング素子も適用することができる。
【０１７７】
また、第１の実施の形態と同様に、本発明に係る表示装置を、液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置、ＰＤＰ等に適用することができる。
（第２の実施の形態の変形例）
次に、図５１乃至図６１を参照し、第２の実施の形態の変形例について説明する。
【０１７８】
図５１は、本変形例に係る表示装置のアレイ基板の構造を模式的に示す上面図である。
【０１７９】
本変形例に係る表示装置は、開口部が、走査線又は信号線と直交する方向に飛び石状に形成されている点で、第２の実施の形態に係る表示装置と相違する。
【０１８０】
図５１を参照するに、第２の実施の形態において、開口部が、走査線又は信号線と直交する方向に、線状に形成されているのと相違し、本変形例に係る表示装置のアレイ基板８０では、開口部１４１ａ、１４１ｂが、走査線２又は信号線１と直交する方向に飛び石状に形成されている。
【０１８１】
図５１に示すように、本変形例に係る表示装置のアレイ基板８０は、複数の開口部１４１ａ、１４１ｂが第１の絶縁膜１２に形成される表示領域の外側の領域１３ａ、１３ｂを含んでいる。開口部１４１ａ、１４１ｂが、飛び石状に形成されている以外は、本変形例に係る表示装置のアレイ基板８０は、第２の実施の形態に係る表示装置のアレイ基板７０と同様である。
【０１８２】
後述する図５２（ｂ）と合わせ、図５１を参照するに、本変形例に係る表示装置のアレイ基板は、第２の実施の形態と同様に、非導電膜１１、複数の走査線２、複数の信号線１、複数のスイッチング素子５１、第１の絶縁膜１２、第２の絶縁膜１５を有する。また、第１の絶縁膜１２以外の構成は、第２の実施の形態と同様である。
【０１８３】
スイッチング素子５１は、図５１に示すように、表示領域（アクティブマトリクス領域）３内の各画素領域５２に設けられている。スイッチング素子５１としては、ＴＦＴを用いることもでき、上述したように、例えば有機半導体を半導体層に用いる有機トランジスタを各種方法（例えばフォトリソグラフィ、インクジェット、印刷等）を用いて積層することができる。また、スイッチング素子５１のゲート電極及びソース電極の配線である走査線２、信号線１は、外側の領域１３において、入力側の外側の領域１３ｂ及び非入力側の外側の領域１３ａの両側に延長されている。
【０１８４】
第１の絶縁膜１２は、外側の領域１３ａ、１３ｂにおいて、信号線１上に、複数の開口部１４１ａ、１４１ｂが形成されている。開口部１４１ａ、１４１ｂは、走査線２や信号線１と同時に形成してもよい。また、第１の絶縁膜１２は、予備配線７上であって、外側の領域１３ａ、１３ｂ領域との間の外側の領域１３にも形成されている。
【０１８５】
次に、図５２乃至図６２を参照し、本変形例に係る表示装置の修正方法について説明する。
【０１８６】
本変形例に係る表示装置の修正方法も、第２の実施の形態に係る表示装置の修正方法と同様である。修正された表示装置の構造は、第２の実施の形態と同様に、図３７を用いて示される。
【０１８７】
図５２は、本変形例に係る表示装置の修正方法を用いて修正された表示装置のアレイ基板の修正箇所を拡大して示す上面図及び断面図である。
【０１８８】
図５２（ａ）に示す配線３１は、信号線１ｘ（又は信号線１ｙ）の非入力側の表示領域の外側の領域１３ａの上にある開口部５ａｘ（又は開口部５ｂｙ）の近傍で、断線している信号線１ｘ（又は信号線１ｙ）と直交する方向に延在する延在部３１１ａと、延在部３１１ａの先端から平面視で開口部５ａｘ（又は開口部５ｂｙ）へ向けて折曲される折曲部３１２ａとを有する。また、配線３１は、信号線１ｘ（又は信号線１ｙ）の入力側の表示領域の外側の領域１３ｂの上にある開口部６ａｘ（又は開口部６ｂｙ）の近傍で、断線している信号線１ｘ（又は信号線１ｙ）と直交する方向に延在する延在部３１１ｂと、延在部３１１ｂの先端から平面視で開口部６ａｘ（又は開口部６ｂｙ）へ向けて折曲される折曲部３１２ｂとを有する。また、配線３１は、延在部３１１ａ及び延在部３１１ｂと直交する方向に沿って延在し、延在部３１１ａ及び延在部３１１ｂを接続する延在部３１１ｃを有する。
【０１８９】
図５３〜図５５は、配線３１の種々の形状の例を示す上面図及び断面図である。図５３〜図５５に示すように、配線３１の折曲する形状として、種々の形状をとり得る。図５３は、開口部５ａｘ、６ａｘの近傍で、紙面上向きに折曲する例を示す。図５４は、開口部５ａｘ、６ａｘの近傍で、紙面下向きに折曲する例を示す。図５５は、開口部５ａｘ、６ａｘの近傍で、それぞれ紙面上向き、紙面下向きに折曲する例を示す。
【０１９０】
図５２（ａ）及び図５２（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ａでは、図５２（ｂ）に示すように、基板３０上に、第２の絶縁膜１５が形成されている。第２の絶縁膜１５は、第１の絶縁膜１２と同様に、フォトリソグラフィ、印刷、インクジェット、ＣＶＤ等により形成することができる。
【０１９１】
図５６（ａ）及び図５６（ｂ）は、第２の絶縁膜が省略されている表示装置のアレイ基板の上面図及び断面図を示す。上述したように、図５２（ａ）及び図５２（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ａでは、基板３０上に第２の絶縁膜１５が形成されているが、図５６（ａ）及び図５６（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ｂでは、図５２（ａ）及び図５２（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ａにおいて、第２の絶縁膜を省略することもできる。
【０１９２】
図５６（ａ）及び図５６（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ｂでも、図５２（ａ）及び図５２（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ａと同様に、配線３１は、種々の形状を有することができる。すなわち、配線３１は、図５３〜図５５に示されるように、種々の形状を有することができる。また、複数の配線３１を設ける場合、種々の形状を有するものが混在してもよい。
【０１９３】
図５７（ａ）及び図５７（ｂ）は、第１の絶縁膜の一部が省略されている表示装置のアレイ基板の上面図及び断面図を示す。すなわち、図５２（ａ）及び図５２（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ａでは、基板３０上に第１の絶縁膜１２が全面に形成されているが、図５７（ａ）及び図５７（ｂ）に示す表示装置のアレイ基板８０ｃでは、図５２（ａ）及び図５２（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ａにおいて、第１の絶縁膜の一部を省略することもできる。
【０１９４】
図５７（ａ）及び図５７（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ｃでも、図５２（ａ）及び図５２（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ａと同様に、配線３１は、種々の形状を有することができる。すなわち、配線３１は、図５３〜図５５に示されるように、種々の形状を有することができる。また、複数の配線３１を設ける場合、種々の形状を有するものが混在してもよい。
【０１９５】
図５８（ａ）及び図５８（ｂ）は、第１の絶縁膜の一部が省略され、第２の絶縁膜が省略されている表示装置のアレイ基板の上面図及び断面図を示す。すなわち、図５７（ａ）及び図５７（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ｃでは、基板３０上に第２の絶縁膜１５が形成されているが、図５８（ａ）及び図５８（ｂ）に示す表示装置のアレイ基板８０ｄでは、図５７（ａ）及び図５７（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ｃにおいて、第２の絶縁膜を省略することもできる。
【０１９６】
図５８（ａ）及び図５８（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ｄでも、図５２（ａ）及び図５２（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ａと同様に、配線３１は、種々の形状を有することができる。すなわち、配線３１は、図５３〜図５５に示されるように、種々の形状を有することができる。また、複数の配線３１を設ける場合、種々の形状を有するものが混在してもよい。
【０１９７】
図５９（ａ）及び図５９（ｂ）は、非導電膜が省略されている表示装置のアレイ基板の上面図及び断面図を示す。すなわち、図５２（ａ）及び図５２（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ａでは、非導電膜１１が形成されているが、図５９（ａ）及び図５９（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ｅでは、図５２（ａ）及び図５２（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ａにおいて、非導電膜を省略することもできる。
【０１９８】
図５９（ａ）及び図５９（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ｅでも、図５２（ａ）及び図５２（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ａと同様に、配線３１は、種々の形状を有することができる。すなわち、配線３１は、図５３〜図５５に示されるように、種々の形状を有することができる。また、複数の配線３１を設ける場合、種々の形状を有するものが混在してもよい。
【０１９９】
図６０（ａ）及び図６０（ｂ）は、非導電膜及び第２の絶縁膜が省略されている表示装置のアレイ基板の上面図及び断面図を示す。すなわち、図５９（ａ）及び図５９（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ｅでは、基板３０上に第２の絶縁膜１５が形成されているが、図６０（ａ）及び図６０（ｂ）に示す表示装置のアレイ基板８０ｆでは、図５９（ａ）及び図５９（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ｅにおいて、第２の絶縁膜を省略することもできる。
【０２００】
図６０（ａ）及び図６０（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ｆでも、図５２（ａ）及び図５２（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ａと同様に、配線３１は、種々の形状を有することができる。すなわち、配線３１は、図５３〜図５５に示されるように、種々の形状を有することができる。また、複数の配線３１を設ける場合、種々の形状を有するものが混在してもよい。
【０２０１】
図６１（ａ）及び図６１（ｂ）は、非導電膜が省略され、第１の絶縁膜の一部が省略されている表示装置のアレイ基板の上面図及び断面図を示す。すなわち、図５２（ａ）及び図５２（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ａでは、非導電膜１１が形成され、第１の絶縁膜１２は全面に形成されているが、図６１（ａ）及び図６１（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ｇでは、図５２（ａ）及び図５２（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ａにおいて、非導電膜を省略し、第１の絶縁膜の一部を省略することもできる。
【０２０２】
図６１（ａ）及び図６１（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ｇでも、図５２（ａ）及び図５２（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ａと同様に、配線３１は、種々の形状を有することができる。すなわち、配線３１は、図５３〜図５５に示されるように、種々の形状を有することができる。また、複数の配線３１を設ける場合、種々の形状を有するものが混在してもよい。
【０２０３】
図６２（ａ）及び図６２（ｂ）は、非導電膜が省略され、第１の絶縁膜の一部が省略され、第２の絶縁膜が省略されている表示装置のアレイ基板の上面図及び断面図を示す。すなわち、図６１（ａ）及び図６１（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ｇでは、非導電膜が省略され、第２の絶縁膜１５が形成されているが、図６２（ａ）及び図６２（ｂ）に示す表示装置のアレイ基板８０ｈでは、図６１（ａ）及び図６１（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ｇにおいて、第２の絶縁膜を省略することもできる。
【０２０４】
図６２（ａ）及び図６２（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ｈでも、図５２（ａ）及び図５２（ｂ）に示される表示装置のアレイ基板８０ａと同様に、配線３１は、種々の形状を有することができる。すなわち、配線３１は、図５３〜図５５に示されるように、種々の形状を有することができる。また、複数の配線３１を設ける場合、種々の形状を有するものが混在してもよい。
【０２０５】
また、配線３１の延在部３１１ａ、３１１ｂと折曲部３１２ａ、３１２ｂとのなす角度４１（角度４１を１８０°未満の角度と規定し、角度４２を３６０°から角度４１を差し引いた角度と規定する。）を、例えば５°〜１７５°とすることができ、好ましくは４５°〜１３５°とすることができるのは、第１の実施の形態と同様である。
【０２０６】
本変形例に係る表示装置の修正方法は、第２の実施の形態に係る表示装置の修正方法と同様である。
【０２０７】
また、配線接続工程において配線を形成して接続する配線材料、配線方法については、第１の実施の形態と同様である。
【０２０８】
本変形例に係る表示装置も、クロス容量が小さく、リークの発生が少ないアレイ基板を有する表示装置を提供することができる作用効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０２０９】
また、第１の実施の形態と同様に、スイッチング素子として、アモルファスシリコン型薄膜トランジスタ（ａ−Ｓｉ−ＴＦＴ）、ポリシリコン型薄膜トランジスタ（ｐ−Ｓｉ−ＴＦＴ）、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）を適用することができる。また、これらの薄膜トランジスタに類するスイッチング素子も適用することができる。また、第１の実施の形態と同様に、本発明に係る表示装置を、液晶表示装置、有機ＥＬ表示装置、ＰＤＰ等に適用することができる。
【０２１０】
以上、本発明の好ましい実施の形態について記述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【０２１１】
また、前述したように、本発明における表示素子として、液晶表示素子、有機ＥＬ表示素子、又はプラズマ表示素子を用いることができ、その場合、本発明における表示装置を、液晶表示装置を含む例えば携帯端末やテレビやパーソナルコンピュータに用いるモニタ等、有機ＥＬ表示装置を含む例えば携帯端末やテレビやパーソナルコンピュータに用いるモニタ等、又はＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）を含むテレビやパーソナルコンピュータに用いるモニタ等に適用することができる。また、本発明におけるスイッチング素子として有機半導体を用いることができ、その場合、本発明における表示装置を、有機半導体を含む例えば携帯端末や大型化した場合のテレビやパーソナルコンピュータ等、有機半導体のフレキシビリティや薄さを生かした電子ペーパ等の各種表示装置又は各種表示媒体に適用することができる。
【符号の説明】
【０２１２】
１、１ｘ、１ｙ  信号線
２  走査線
３  表示領域（アクティブマトリクス領域）
４ａ、４ｂ  断線箇所
５ａｘ、５ｂｙ、６ａｘ、６ｂｙ、８、９  開口部
７  予備配線
１０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ  アレイ基板
１１  非導電膜
１２  第１の絶縁膜
１３、１３ａ、１３ｂ  外側の領域
１４、１４ａ、１４ｂ、１４１ａ〜１４９ａ、１４１ｂ〜１４９ｂ  開口部
１５  第２の絶縁膜
３０  基板
３１、３１ａ、３１ｂ  配線
３１１ａ〜３１１ｃ  延在部
３１２ａ、３１２ｂ、３１３ａ、３１３ｂ  折曲部
４１、４２  角度
５１  スイッチング素子
５２  画素領域
５３  ゲート電極
５３ａ  ゲート絶縁膜
５４  ソース電極
５５  ドレイン電極
５６  半導体層
６０、６０ａ〜６０ｄ  アレイ基板
７０、７０ａ〜７０ｈ  アレイ基板
８０、８０ａ〜８０ｈ  アレイ基板
【先行技術文献】
【特許文献】
【０２１３】
【特許文献１】特開２００４−１９８７１８号公報
【特許文献２】特開平５−１２７１９１号公報
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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