(57)【要約】【課題】集光反射鏡４を交換したりアパーチャー部材５を交換する際の作業を簡易に行うことのでき、コストを低減することが可能な極端紫外光光源装置を提供すること。【解決手段】高温プラズマ用の原料に対し、エネルギービーム照射機５０からレーザービームが照射され、気化したＬｉまたはＳｎが放電電極２０ａと２０ｂとの間の放電領域に到達する。この状態で、制御部８から高電圧パルス発生部１１に指令が送信されと、高温プラズマが発生し、高温プラズマから放射されたＥＵＶ光は、集光反射鏡４に反射されることによってアパーチャー部材５の開口５ａに導入されＥＵＶ光出射部６から出射する。アパーチャー部材５は、集光反射鏡４に対して光学的に位置決めされた状態で、支持部材７により固定されユニット化されている。このため、集光反射鏡４のみを光学的に最適な場所に位置決めするだけで、アパーチャー部材５も最適な場所に位置決めされる。【選択図】          図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
極端紫外光を集光する集光反射鏡と、集光された該極端紫外光を所定の大きさに絞り込むための開口を備えるアパーチャー部材とから構成される集光反射鏡ユニットであって、  前記集光反射鏡と前記アパーチャー部材とが、一端が前記集光反射鏡に固定され、他端が前記アパーチャー部材に固定された支持部材を介して接続され、光学的に位置決めされた状態とされている
ことを特徴とする極端紫外光光源装置用集光反射鏡ユニット。
【請求項２】
チャンバと、
このチャンバ内に極端紫外光を放射させるための原料を供給する原料供給手段と、
前記原料の表面にエネルギービームを照射して当該原料を気化するエネルギービーム照射手段と、
気化された前記原料を、放電により上記チャンバ内で加熱励起し高温プラズマを発生させるための一対の放電電極と、
前記放電電極にパルス電力を供給するパルス電力供給手段と、
前記高温プラズマから放射される極端紫外光を集光する集光反射鏡と、
前記高温プラズマから放射される極端紫外光を所定の大きさに絞り込むための極端紫外光出射開口を備えるアパーチャー部材と、を備える極端紫外光光源装置であって、
前記アパーチャー部材が前記集光反射鏡に対して光学的に位置決めされた状態で、該集光反射鏡に固定され、
前記アパーチャー部材が固定された前記集光反射鏡を、可動させる集光反射鏡位置調整機構が設けられている
ことを特徴とする極端紫外光光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外光（以下、単にＥＵＶ光ともいう）を放射させる極端紫外光光源装置（以下、単に、ＥＵＶ光源装置ともいう）に適用される集光反射鏡ユニット及び極端紫外光光源装置に関する。特に、次世代の半導体集積回路の露光用光源として期待される極端紫外光光源装置用集光反射鏡ユニット及び極端紫外光光源装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路の微細化および高集積化が進むにつれて、その製造用の露光装置には解像度の向上が要求されている。解像度を向上させるには、短波長の光を放射する露光用光源を使用することが一般的である。短波長の光を放射する露光用光源としては、エキシマレーザ装置が使用されているが、それに代わる次世代の露光用光源として、特に波長１３．５ｎｍの極端紫外光を放射する極端紫外光光源装置の開発が進められている。
極端紫外光を発生させる方法の一つとして、極端紫外光放射源を含む放電ガスを加熱・励起することにより高密度高温プラズマを発生させ、このプラズマから放射させる極端紫外光を取出す方法がある。
このような方法を採用する極端紫外光光源装置は、高密度高温プラズマの生成方式により、ＬＰＰ（Ｌａｓｅｒ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式と、ＤＰＰ（Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ  Ｐｒｏｄｕｃｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）方式とに大別される。
【０００３】
ＬＰＰ方式の極端紫外光光源装置は、極端紫外光放射源を含む原料からなるターゲットに対してレーザ光を放射して、レーザアブレーションによって高密度高温プラズマを生成し、そこから放射される極端紫外光を利用するものである。
また、ＤＰＰ方式の極端紫外光光源装置は、極端紫外光放射源を含む放電ガスが供給された電極間に、高電圧を印加することで放電により高密度高温プラズマを生成し、そこから放射される極端紫外光を利用するものである。
このようなＤＰＰ方式の極端紫外光光源装置は、ＬＰＰ方式の極端紫外光光源装置に比して、光源装置を小型化することができ、さらに、光源システムの消費電力が小さいという利点があることから、実用化が期待されている。
【０００４】
上記した高密度高温プラズマを発生させる原料としては、１０価前後のＸｅ（キセノン）イオンが知られているが、より強い極端紫外光を放射させるための原料として、Ｌｉ（リチウム）イオン、Ｓｎ（スズ）イオンが注目されている。
例えば、Ｓｎは、高密度高温プラズマの発生に必要な電気入力と波長１３．５ｎｍの極端紫外光の放射強度との比で与えられる極端紫外光変換効率がＸｅよりも数倍大きいことから、大出力の極端紫外光を得るための放射源として期待されている。例えば、特許文献１に示されるように、極端紫外光放射源として、例えばＳｎＨ4 （スタナン）ガスを使用した極端紫外光光源装置の開発が進められている。
近年では、上記のＤＰＰ方式において、放電が発生する電極表面に供給された固体もしくは液体のＳｎやＬｉに対してレーザビーム等のエネルギービームを照射することにより気化し、その後、放電によって高温プラズマを生成する方法が非特許文献１に開示されている。
【０００５】
図４は、ＥＵＶ光源装置の構成を簡易的に説明するための図である。
ＥＵＶ光源装置は、一対の円板状の放電電極２０ａ，２０ｂと集光反射鏡４とが収容される第１のチャンバ１と、アパーチャー部材５が収容される第２のチャンバ２とを備えている。第１のチャンバ１と第２のチャンバ２とは、ゲートバルブＧを介して連結されており、ゲートバルブＧを開くことにより各々の内部空間が連通し、ゲートバルブＧを閉じることにより各々の空間がゲートバルブＧによって遮断される。
第１のチャンバ１は、ホイルトラップ３によって放電部１ａと、ＥＵＶ集光部１ｂとに区画されている。放電部１ａには一対の円板状の放電電極２０ａ、２０ｂが配置され、一対の円盤状の電極２０ａ，２０ｂは、絶縁部材２０ｃを挟んで図４の紙面において上下に配置されている。紙面の下方に位置する放電電極２０ｂには、モータ２０ｄの回転軸２０ｅが取付けられている。
放電電極２０ａ、２０ｂは、摺動子２０ｇ、２０ｈを介して高電圧パルス発生部１１に接続されている。放電電極２０ｂの周辺部には溝部２１ｂが設けられ、この溝部２１ｂに高温プラズマを発生させるための固体の原料（ＬｉまたはＳｎ）が配置されている。
ＥＵＶ集光部１ｂには集光反射鏡４が配置されている。集光反射鏡４を所定の場所に光学的に位置決めするための集光反射鏡位置調整機構９が、集光反射鏡カバー４０の底面に取付けられている。
【０００６】
図５は、集光反射鏡位置調整機構９を説明する模式図である。
同図に示す集光反射鏡位置調整機構９は、集光反射鏡４をＸ軸、Ｙ軸、およびＺ軸方向、並びに、θ１方向、θ２方向に可動させ、集光反射鏡４を位置決めする。なお、同図のθ１は、Ｙ軸−Ｚ軸間における回転方向（Ｘ−Ｙ平面のＹ軸−Ｚ軸間方向の煽り）、θ２はＺ軸−Ｘ軸間における回転方向（Ｘ−Ｙ平面のＺ軸−Ｘ軸間方向の煽り）を示す。
図４に戻り、集光反射鏡４は、集光反射鏡位置調整機構９によって、放電電極２０ａ，２０ｂの間に形成される高温プラズマとの関係で決定される最適な場所に配置される。
第２のチャンバ２の内部には、アパーチャー部材５が収容されている。アパーチャー部材５は、その中央部分に所定の大きさ（例えばφ４．６ｍｍ）のＥＵＶ光出射開口５ａが形成されており、全体としてドーナツ形状を有している。アパーチャー部材５は、ＥＵＶ光出射開口５ａが集光反射鏡４によって反射されたＥＵＶ光が集光する位置に配置されている。また、アパーチャー部材位置調整機構１０がアパーチャー部材５に取付けられている。
【０００７】
図６は、アパーチャー部材位置調整機構１０を説明する模式図である。
同図に示すアパーチャー部材位置調整機構１０は、アパーチャー部材５をＸ軸、Ｙ軸、およびＺ軸方向に可動させることにより、アパーチャー部材５を位置決めする。アパーチャー部材５は、アパーチャー部材１０によって集光反射鏡４との関係で決まる最適な場所に配置される。
【０００８】
上記のＥＵＶ光源装置においては、放電電極２０ｂの溝部２１ｂに配置された高温プラズマ用の原料Ｍに対し、エネルギービーム照射機５０からレーザ照射窓５１、ミラー５１ａを介してレーザービーム等のエネルギービームが照射されることによって、固体の原料ＬｉまたはＳｎが放電電極２０ａと２０ｂとの間で気化する。この状態で、放電電極２０ａと２０ｂとの間に高電圧パルス発生部１１からパルス電力が供給されることによって、放電電極２０ａのエッジ部分と放電電極２０ｂの周辺部に設けられたエッジ部分との間で放電が発生し、ＥＵＶ光が放射される。
放射されたＥＵＶ光は、放電部１ａからホイルトラップ３を介してＥＵＶ集光部１ｂに入射し、集光反射鏡４で集光されてアパーチャー部材５を通過した後に、ＥＵＶ光出射部６から出射する。
【非特許文献１】「リソグラフィ用ＥＵＶ（極端紫外）光源研究の現状と将来展望」J.Plasma Fusion Res.2003年３月,Vol.79.No.3, P219-260
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、図４に示すＥＵＶ光源装置においては、以下に説明するような実用上の問題があった。
ＥＵＶ光源装置においては、ＥＵＶ光を無駄なく出射させることのできるように、一対の放電電極２０ａ、２０ｂ間に形成されるプラズマに対して、集光反射鏡４とアパーチャー部材５とをそれぞれ最適な位置に配置することが必要である。例えば、長期間にわたって使用することにより極端紫外光の反射率が低下した集光反射鏡４などを新品のものに交換する場合は、次のようにして、集光反射鏡４とアパーチャー部材５とをそれぞれ所定の位置に配置することが必要になる。
まず、第１のチャンバ１において、集光反射鏡４を集光反射鏡位置調整機構９によってＸ軸、Ｙ軸、およびＺ軸方向、並びに、θ１、およびθ２方向に可動させ、集光反射鏡４を最適な位置に配置する。
【００１０】
その後、ゲートバルブＧを閉じると共に、第１のチャンバ１の内部空間を排気ユニット１ｃ，１ｄによって排気し、第２のチャンバ２の内部空間を排気ユニット２ｄによって排気して真空状態にし、上記したようにして、一対の放電電極２０ａと２０ｂとの間に放電を発生させＥＵＶ光を出射させる。
この状態でゲートバルブＧを開いて、極端紫外光を第２のチャンバ２の内部へと導き、第２のチャンバ２の内部において、アパーチャ一部材５をアパーチャー部材位置調整機構１０によってＸ軸、Ｙ軸、およびＺ軸方向に可動させ、アパーチャー部材５を最適な位置に固定する。この作業は、アパーチャー部材５のＥＵＶ光出射開口５ａから出射されるＥＵＶ光の放射強度分布を、図示しない例えばＥＵＶフィルタとフォトダイオードあるいはＣＣＤカメラを用いて測定し、所定の放射強度分布が得られるまで行う。
【００１１】
以上のように、従来のＥＵＶ光源装置においては、集光反射鏡４を新品のものに交換したり、アパーチャー部材５を新品のものに交換する際に、集光反射鏡４を放電電極２０ａ、２０ｂとの関係で最適に位置決めした後に、実際にＥＵＶ光を出射させながらアパーチャー部材５を集光反射鏡４との関係で最適に位置決めすることが必要であり、これらの作業が煩雑であるという問題があった。
また、放電電極２０ａ、２０ｂと集光反射鏡４などが収容された第１のチャンバとは別に、アパーチャー部材５を収容するための第２のチャンバ２および第２のチャンバ２の内部を排気して真空状態にするためのガス排気ユニット２ｄを設ける必要があることから、ＥＵＶ光源装置の構成が複雑であることによりＥＵＶ光源装置のコストが高騰するという問題があった。
本発明は、上記のような事情に鑑みてなされたものであり、集光反射鏡４を交換したり、アパーチャー部材５を交換する際の作業を簡易に行うことができると共に、ＥＵＶ光源装置のコストを低減することが可能な極端紫外光光源装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明においては、次のようにして前記課題を解決する。
（１）集光反射鏡と前記アパーチャー部材とを、光学的に位置決めされた状態で、支持部材を介して接続し、ユニット化する。すなわち、アパーチャーの開口の中心が集光反射鏡の光軸の上にあり、かつ集光反射鏡の集光位置の近傍にアパーチャー部材が位置するように、集光反射鏡と前記アパーチャー部材を光学的に位置決めしてユニット化し、極端紫外光光源用集光反射鏡ユニットを構成する。
そして、集光反射鏡４やアパーチャー部材５を新品のものに交換する場合には、ユニット化された集光反射鏡とアパーチャー部材を、ユニット単位で交換する。
（２）チャンバと、このチャンバ内に極端紫外光を放射させるための原料を供給する原料供給手段と、前記原料の表面にエネルギービームを照射して当該原料を気化するエネルギービーム照射手段と、気化された前記原料を、放電により上記チャンバ内で加熱励起し高温プラズマを発生させるための一対の放電電極と、前記放電電極にパルス電力を供給するパルス電力供給手段と、前記高温プラズマから放射される極端紫外光を集光する集光反射鏡と、前記高温プラズマから放射される極端紫外光を所定の大きさに絞り込むための極端紫外光出射開口を備えるアパーチャー部材と、を備える極端紫外光光源装置において、前記アパーチャー部材を前記集光反射鏡に対して光学的に位置決めされた状態で、該集光反射鏡に固定し、前記アパーチャー部材が固定された前記集光反射鏡を可動させる、集光反射鏡位置調整機構を設ける。
【発明の効果】
【００１３】
（１）本発明の極端紫外光光源用集光反射鏡ユニットは、アパーチャー部材が集光反射鏡に対して光学的に位置決めされた状態で固定されユニット化されている。
このため、集光反射鏡のみを光学的に最適な場所に位置決めするだけで、アパーチャー部材も最適な場所に位置決めされる。つまり、集光反射鏡またはアパーチャー部材を新品に交換するときに、集光反射鏡とアパーチャー部材を別々に位置決めする煩わしさから解放される。
（２）本発明のＥＵＶ光源装置は、アパーチャー部材が集光反射鏡に対して光学的に位置決めされた状態で固定されていると共に、アパーチャー部材が固定された集光反射鏡を可動させる集光反射鏡位置調整機構が設けられている。
すなわち、本発明のＥＵＶ光源装置は、予めアパーチャー部材が集光反射鏡に対して光学的に位置決めされた状態で固定されているので、集光反射鏡のみを光学的に最適な場所に位置決めするだけで良く、アパーチャー部材を集光反射鏡と別に位置決めする必要がない。
つまり、本発明のＥＵＶ光源装置によれば、集光反射鏡またはアパーチャー部材を新品に交換するときに、集光反射鏡とアパーチャー部材を別々に位置決めする煩わしさから解放される。
しかも、集光反射鏡とアパーチャー部材とを一体化したことにより、集光反射鏡とアパーチャー部材とを収容するのに必要なチャンバおよびガス排気ユニットが１つのみで済むため、ＥＵＶ光源装置の構成が簡易となりＥＵＶ光源装置のコストを低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１は、本発明の実施例のＥＵＶ光源装置の概略構成を示す図である。
ＥＵＶ光源装置は、チャンバ１の内部がホイルトラップ３によって放電部１ａとＥＵＶ集光部１ｂとに区画されている。
放電部１ａには、一対の円板状の放電電極２０ａ、２０ｂが絶縁部材２０ｃを挟んで対向するよう配置されている。
各放電電極２０ａ、２０ｂは、各々の中心が同軸上に配置されている。紙面において下方側に位置する放電電極２０ｂには、モータ２０ｄの回転軸２０ｅが取付けられている。  回転軸２０ｅは、放電電極２０ａの中心と放電電極２０ｂの中心とが回転軸２０ｅの同軸上に位置している。回転軸２０ｅは、メカニカルシール２０ｆを介してチャンバ１内に導入される。
メカニカルシール２０ｆは、チャンバ１内の減圧雰囲気を維持しつつ、回転軸２０ｅの回転を許容する。
【００１５】
放電電極２０ｂの下方側には、例えばカーボンブラシ等で構成される摺動子２０ｇおよび２０ｈが設けられている。
摺動子２０ｇは、放電電極２０ｂに設けられた貫通孔を介して放電電極２０ａと電気的に接続される。摺動子２０ｈは、放電電極２０ｂと電気的に接続されている。
高電圧パルス発生部１１は、摺動子２０ｇ、２０ｈを介して、それぞれ放電電極２０ａ、２０ｂにパルス電力を供給する。
【００１６】
円板状の放電電極２０ａ，２０ｂの周辺部は、エッジ形状に形成されている。高電圧パルス発生部１１より放電電極２０ａ、２０ｂに電力が供給されると、両電極のエッジ部分間で放電が発生する。
放電が発生すると、放電電極２０ａ，２０ｂの周辺部は放電により高温となるので、放電電極２０ａ，２０ｂは、タングステン、モリブデン、タンタルなどの高融点金属からなる。絶縁部材２０ｃは、窒化珪素、窒化アルミニウム、ダイヤモンド等からなる。
放電電極２０ｂの溝部２１ｂには、高温プラズマ生成用の液体または固体の原料が配置されている。
【００１７】
チャンバ１には、原料Ｍに対してレーザビームを照射するためのエネルギービーム照射機５０が設けられている。エネルギービーム照射機５０から照射されるエネルギービームは、例えばレーザビームである。
放電電極２０ｂの溝部２１ｂに配置された高温プラズマ用の原料に対し、エネルギービーム照射機５０からレーザ照射窓５１、ミラー５１ａを介してレーザービーム等のエネルギービームが照射される。これによって、固体の原料ＬｉまたはＳｎが放電電極２０ａと２０ｂとの間で気化する。
放電部１ａとＥＵＶ集光部１ｂとを区画する区画壁には、ホイルトラップ３が保持されている。
ホイルトラップ３は、放電電極を構成する物質、高温プラズマ発生用の原料Ｍを基にして発生するデブリが、集光反射鏡４に向けて飛散することを抑制するために設けられている。ホイルトラップ３は、放射状に伸びる複数の薄板により仕切られる複数の狭い空間が形成されている。
【００１８】
ＥＵＶ集光部１ｂには、集光反射鏡４が配置されている。集光反射鏡４は、高温プラズマから放射された波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を反射するための光反射面が形成されている。
集光反射鏡４は、集光反射鏡カバー４０と、集光反射鏡カバー４０の内部に互いに接触することなく入れ子状に配置された複数の光反射面４ａとにより構成されている。各光反射面４ａは、Ｎｉ（ニッケル）などからなる平滑面を有する基体材料の反射面側に、Ｒｕ（ルテニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｒｈ（ロジウム）などの金属を緻密にコーティングすることにより、０〜２５°の射入射角度の極端紫外光を良好に反射するように形成されている。
集光反射鏡４を放電電極２０ａ，２０ｂとの関係で最適な場所に配置するための集光反射鏡位置調整機構９が、集光鏡４の底面に取り付けられている。集光反射位置調整機構９は、図５に示すものと同じ構成を有し、アパーチャー部材５が固定された集光反射鏡４を、Ｘ軸、Ｙ軸、およびＺ軸方向、並びに、θ１およびθ２方向に可動させることにより、集光反射鏡４を光学的に最適な場所に位置決めする。
【００１９】
集光反射鏡４の光出射方向には、アパーチャー部材５が配置されている。
アパーチャー部材５は、中央にφ４．６ｍｍのＥＵＶ光出射開口５ａを備え、全体としてドーナツ形状を有するもので、ＥＵＶ光出射開口以外の部分は極端紫外光を透過しないようになっている。
集光反射鏡４とアパーチャー部材５とは、例えば、アパーチャー部材５のＥＵＶ光出射開口５ａが集光反射鏡４によって反射されたＥＵＶ光が集光する位置（中間集光点Ｐともいう）の近傍に配置された状態で、かつ、アパーチャー部材５の開口５ａの中心が集光反射鏡４の光軸上に位置するように、集光反射鏡４の外周方向に互いに離間して配置された複数の棒状の支持部材７を介して集光鏡４と一体化されている。
すなわち、アパーチャー部材５は、ＥＵＶ光を無駄無く取出すことのできるように集光反射鏡４に対して最適に位置合わせされている。
各支持部材７は、それぞれ、一端が集光反射鏡４の光出射方向側の端部に接続されると共に、他端がアパーチャー部材５に接続されることにより、集光反射鏡４の光軸方向に伸びている。各支持部材７は、集光反射鏡４からの伝熱により過度に高温状態になることを避けるため、例えばＳＵＳ３０４（ステンレス）などの材料によって構成されている。
【００２０】
図２、図３は、集光反射鏡４、アパーチャー部材５および支持部材７の構成、並びに、支持部材７を集光反射鏡４及びアパーチャー部材５に対して固定する方法を示す。
図２（ａ）に示す集光反射鏡４は、集光反射鏡カバー４０を備える。集光反射カバー４０は、光軸直交方向に広がるフランジ部４１が形成され、支持部材固定用ネジ穴４１ａ（雌ネジ穴）が、当該フランジ部４１の側周面において互いに円周方向に等間隔で離間して各２箇所ずつ切られている。
図２（ｂ）に示すアパーチャー部材５にも支持部材７を固定するための支持部材固定用穴５ｂが４箇所切られている。アパーチャー部材５のＥＵＶ光出射開口５ａは、集光点後方でのＥＵＶ光の放射を妨げないようにするため、光出射方向に向かうにつれて幅広になる扇状に形成されている。
【００２１】
図３（ｃ）に示す支持部材７は、集光反射鏡固定部７ａ、アパーチャー部材固定部７ｃ、支持棒７ｂから構成される。これらは一体となっており、集光反射鏡固定部７ａに２箇所、アパーチャー部材固定部７ｃに１箇所穴が切られている。この支持部材７を４つ使用して集光反射鏡４とアパーチャー部材５とを一体化する。支持部材７を設計・制作する上で重要となるパラメータ、すなわち、集光反射鏡固定部７ａと支持棒７ｂのなす角、アパーチャー部材固定部７ｃと支持棒７ｂのなす角及び支持棒７の長さは、集光反射鏡４とアパーチャー部材５とを幾何学的に最適に配置することによって決定される。
図３（ｄ）は、集光反射鏡４とアパーチャー部材５の一体構造を示す。集光反射鏡４および集光反射鏡固定部７ａ、並びに、アパーチャー部材５およびアパーチャー部材固定部７ｃは、ボルトにより固定される。アパーチャー部材５は、４つの支持部材７を介して集光反射鏡４と固定されているため、光軸から外れない構造になる。集光反射鏡４とアパーチャー部材５とは、アパーチャー部材５が集光反射鏡４に対して光学的な位置決めされた状態で機械的に固定されることで、ユニット化されている。
図１に戻り、チャンバ１には、放電部１ａ，ＥＵＶ集光部１ｂを排気して真空状態にするためのガス排気ユニット１ｃ、１ｄと、ＥＵＶ光をチャンバ１の外部に出射するためのＥＵＶ光出射部６が設けられている。
制御部８は高電圧パルス発生部１１、モータ２０ｄ、ガス排気ユニット１ｃ、１ｄ、エネルギービーム照射機５０の動作を制御する。
【００２２】
以下に、本発明に係るＥＵＶ光光源装置の動作の一例を説明する。
制御部８からの指令により、モータ２０ｄによって放電電極２０ａ，２０ｂが周方向に回転するよう駆動される。
制御部８からの指令により、放電電極２０ｂの溝部２１ｂに配置された高温プラズマ用の原料に対し、エネルギービーム照射機５０からレーザ入射窓５１、ミラー５１ａを介してレーザービームが照射され、これによって気化したＬｉまたはＳｎが放電電極２０ａと２０ｂとの間の放電領域に到達する。この状態で、制御部８から高電圧パルス発生部１１に指令が送信される。
高電圧パルス発生部１１によって放電電極２０ａ、２０ｂにパルス電圧が供給され、放電電極２０ａ、２０ｂのエッジ間で高温プラズマが発生する。高温プラズマから放射されたＥＵＶ光は、直接或いは集光反射鏡４に反射されることによってアパーチャー部材５に設けられたＥＵＶ光出射開口５ａに導入されると共に、ＥＵＶ光出射開口５ａを通過したＥＵＶ光のみがＥＵＶ光出射部６からチャンバ１の外方に出射する。
【００２３】
以上のように、本発明のＥＵＶ光源装置では、アパーチャー部材５が集光反射鏡４に対して光学的に最適な場所に位置決めされた状態で固定されているので、集光反射鏡位置調整機構９によって集光反射鏡４を光学的に最適な場所に位置決めするだけで、放電電極２０ａ，２０ｂに対する集光反射鏡４、およびアパーチャー部材５のすべての光学的位置調整が完了する。
本発明のＥＵＶ光源装置の最大の利点は、集光反射鏡４とアパーチャー５がユニット化されているので、ＥＵＶ光源装置の納入先等に出向いて集光反射鏡４やアパーチャー部材５を新品に交換するとき、ユニット毎に交換して集光反射鏡４を光学的に最適な場所に位置決めすればよく、集光反射鏡４とアパーチャー部材５を別々に位置調整するという極めて煩わしい作業から解放されることにある。
しかも、本発明のＥＵＶ光源装置によれば、集光反射鏡とアパーチャー部材とをユニット化したことにより、集光反射鏡とアパーチャー部材とを収容するのに必要なチャンバおよびガス排気ユニットが１つのみで済むため、ＥＵＶ光源装置の構成が簡易となり、ＥＵＶ光源装置のコストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施例のＥＵＶ光源装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の実施例において集光反射鏡、アパーチャー部材および支持部材の構造を示す図である。
【図３】本発明の実施例において支持部材を集光反射鏡及びアパーチャー部材に対して固定した構造を示す図である。
【図４】従来のＥＵＶ光源装置の構成を簡易的に説明する図である。
【図５】集光反射鏡位置調整機構を説明する模式図である。
【図６】アパーチャー部材位置調整機構を説明する模式図である。
【符号の説明】
【００２５】
１      チャンバ
１ａ    放電部
１ｂ    ＥＵＶ集光部
１ｃ    ガス排気ユニット
１ｄ    ガス排気ユニット
３      ホイルトラップ
４      集光反射鏡
４ａ    光反射面
５      アパーチャー部材
５ａ    開口
６      ＥＵＶ光出射部
７      支持部材
８      制御部
９      集光鏡位置調整機構
１１    高電圧パルス発生部
２０ａ  第１の放電電極
２０ｂ  第２の放電電極
２０ｃ  絶縁部材
２０ｄ  モータ
２０ｅ  回転軸
４０    集光反射鏡カバー
５０    エネルギービーム照射機
５１    ミラー
５１ａ  レーザ入射窓
【図１】
2010062379.tif 000003
【図２】
2010062379.tif 000004
【図３】
2010062379.tif 000005
【図４】
2010062379.tif 000006
【図５】
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【図６】
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