(57)【要約】【課題】歩留まりの低下を防止することができる液体噴射ヘッドの製造方法及び結晶基板のエッチング方法を提供する。【解決手段】液体を噴射するノズル開口に連通する液体流路が形成されている流路形成基板１０を具備する液体噴射ヘッドの製造方法であって、流路形成基板の表面に開口部２０２を有する膜を形成してマスク２００とするマスク形成工程と、流路形成基板を開口部を介してウェットエッチングすることで液体流路を形成するエッチング工程と、マスクを除去する除去工程とを具備し、マスクは、少なくとも前記開口部の周囲に第一の凹凸部２０１が形成されている。【選択図】  図７
2010137488.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を噴射するノズル開口に連通する液体流路が形成されている流路形成基板を具備す
る液体噴射ヘッドの製造方法であって、
前記流路形成基板の表面に開口部を有する膜を形成してマスクとするマスク形成工程と
、
前記流路形成基板を前記開口部を介してウェットエッチングすることで前記液体流路を
形成するエッチング工程と、
前記マスクを除去する除去工程とを具備し、
前記マスクは、少なくとも前記開口部の周囲に第一の凹凸部が形成されていることを特
徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記マスク形成工程が、
前記流路形成基板の表面に第二の凹凸部を設ける工程と、
この第二の凹凸部が設けられた前記流路形成基板の表面に前記膜を形成することで、こ
の第二の凹凸部に対応した前記第一の凹凸部を形成する工程とを具備することを特徴とす
る請求項１記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記マスクが、ストライプ状の凸部及び凹部が交互に現れる波状の第一の凹凸部を有し
、この第一の凹凸部の各凸部の長手方向が、前記開口部の開口辺と交差することを特徴と
する請求項１又は２に記載の液体噴射ヘッドの製造方法。
【請求項４】
結晶基板に溝部を形成する結晶基板のエッチング方法であって、
前記結晶基板の表面に開口部を有する膜を形成してマスクとするマスク形成工程と、
前記結晶基板を前記マスクの前記開口部を介してウェットエッチングすることで、前記
溝部を形成するエッチング工程と、
前記マスクを除去する工程とを具備し、
前記マスクは、前記開口部の周囲に第一の凹凸部が形成されることを特徴とする結晶基
板のエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体噴射ヘッドの製造方法及び結晶基板のエッチング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液体噴射ヘッドなどのマイクロデバイスの代表的な例であるインクジェット式記録ヘッ
ドとしては、例えば、ノズル開口に連通する圧力発生室とこの圧力発生室に連通する連通
部が形成されると共に、その一方面側に圧電素子が設けられた流路形成基板を具備するも
のがある。そして、流路形成基板としては、例えば、結晶面方位が（１１０）面のシリコ
ン単結晶基板が用いられ、これらの基板は、平行四辺形に開口する開口部を有するマスク
を介してウェットエッチング（異方性エッチング）することによって形成されていた（例
えば、特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２６１２１５号公報（第１２図、第２４〜２５頁等）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、流路形成基板のような結晶基板をウェットエッチングして液体流路を形
成した際に、マスクが庇状に残存することがあり、この庇状のマスクが屈曲して内壁に付
着（密着）することがある。この付着したマスクは洗浄でも除去することができないので
異物となって残留してしまい、歩留まりを低下させてしまうという問題がある。さらに、
この屈曲したマスクと内壁との間にウェットエッチングに用いる溶液中の鉄が析出してし
まうことがあり、これも歩留まりの低下の原因となるという問題がある。
【０００５】
なお、このような問題はインクジェット式記録ヘッド等の液体噴射ヘッドに限定されず
、他のデバイスに用いられる結晶基板のエッチング方法においても同様に存在する。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑み、歩留まりの低下を防止することができる液体噴射ヘッ
ドの製造方法及び結晶基板のエッチング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の液体噴射ヘッドの製造方法は、液体を噴射するノズル開口に連通する液体流路
が形成されている流路形成基板を具備する液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記流路
形成基板の表面に開口部を有する膜を形成してマスクとするマスク形成工程と、前記流路
形成基板を前記開口部を介してウェットエッチングすることで前記液体流路を形成するエ
ッチング工程と、前記マスクを除去する除去工程とを具備し、前記マスクは、少なくとも
前記開口部の周囲に第一の凹凸部が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明の液体噴射ヘッドの製造方法では、第一の凹凸部を有するマスクを形成すること
で、庇状に残ったマスクが屈曲したり、破損して液体流路の壁面に付着したとしても、付
着部分の面積が小さいため、密着しにくく除去しやすい。これにより、マスクの残留に起
因する異物の発生を抑制して歩留まりを向上することができる。
【０００９】
ここで、前記マスク形成工程が、前記流路形成基板の表面に第二の凹凸部を設ける工程
と、この第二の凹凸部が設けられた前記流路形成基板の表面に前記膜を形成することで、
この第二の凹凸部に対応した前記第一の凹凸部を形成する工程とを具備することが好まし
い。流路形成基板の表面に第二の凹凸部を設けることにより、簡易に第一の凹凸部を有す
るマスクを形成することができる。
【００１０】
また、前記マスクが、ストライプ状の凸部及び凹部が交互に現れる波状の第一の凹凸部
を有し、この第一の凹凸部の各凸部の長手方向が、前記開口部の開口辺と交差することが
好ましい。この場合、波状の第一の凹凸部が設けられることにより、庇状に残ったマスク
が屈曲したり、破損して液体流路の壁面に付着したとしても、より壁面との接地面積が小
さいため、密着しにくく除去しやすい。また、この第一の凹凸部の各凸部の長手方向が、
前記開口部の開口辺と交差するように形成されていることで、平坦なマスクよりもマスク
自体の強度が上昇するので、庇状に残ったマスクが屈曲して隔壁に付着したり、破損した
りするのを抑制できる。これにより、マスクの残留に起因する異物の発生を抑制して歩留
まりを向上することができる。
【００１１】
本発明の結晶基板のエッチング方法は、結晶基板に溝部を形成する結晶基板のエッチン
グ方法であって、前記結晶基板の表面に開口部を有する膜を形成してマスクとするマスク
形成工程と、前記結晶基板を前記マスクの前記開口部を介してウェットエッチングするこ
とで、前記溝部を形成するエッチング工程と、前記マスクを除去する工程とを具備し、前
記マスクは、前記開口部の周囲に第一の凹凸部が形成されることを特徴とする。
【００１２】
本発明の結晶基板のエッチング方法は、第一の凹凸部を有するマスクを形成することで
、庇状に残ったマスクが屈曲したり、破損して流路形成基板に付着したとしても、付着部
分の面積が小さいため、密着しにくく、除去しやすい。これにより、マスクの残留に起因
する異物の発生を抑制して歩留まりを向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録
ヘッドの分解斜視図であり、図２は、図１の平面図及びそのＡ−Ａ′断面図である。図示
するように、本実施形態の結晶基板である流路形成基板１０は、本実施形態では面方位（
１１０）のシリコン単結晶基板からなり、その一方の面には予め熱酸化によって二酸化シ
リコンからなる弾性膜５０が形成されている。
【００１４】
流路形成基板１０には、他方面側からウェットエッチングすることにより、複数の隔壁
１１によって区画された圧力発生室１２がその幅方向（短手方向）に並設されている。ま
た、各列の圧力発生室１２の長手方向外側の領域には連通部１３が形成され、連通部１３
と各圧力発生室１２とが、各圧力発生室１２毎に設けられたインク供給路１４及び連通路
１５を介して連通されている。連通部１３は、後述する保護基板３０のリザーバー部３１
と連通して圧力発生室１２の列毎に共通のインク室となるリザーバーの一部を構成する。
インク供給路１４は、圧力発生室１２よりも狭い幅で形成されており、連通部１３から圧
力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を一定に保持している。本実施形態では、イン
ク供給路１４は、圧力発生室１２及び連通路１５の一方の幅を狭めることで形成されてい
るが、特にこれに限定されず、例えば圧力発生室１２及び連通路１５の両側の幅を狭める
ことでインク供給路１４を形成するようにしてもよい。
【００１５】
すなわち、流路形成基板１０には、第１の流路として圧力発生室１２及び連通路１５が
設けられ、第２の流路として第１の流路（圧力発生室１２及び連通路１５）よりも並設方
向（短手方向）の幅が幅狭の液体供給路であるインク供給路１４が設けられている。そし
て、本実施形態では、これら圧力発生室１２、インク供給路１４及び連通路１５からなる
液体流路が、隔壁１１により区画されてその幅方向（短手方向）に複数並設されている。
【００１６】
また、流路形成基板１０の開口面側には、各圧力発生室１２のインク供給路１４とは反
対側の端部近傍に連通するノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が、接着剤や
熱溶着フィルム等によって固着されている。なお、ノズルプレート２０は、例えば、ガラ
スセラミックス、シリコン単結晶基板、ステンレス鋼等からなる。
【００１７】
一方、このような流路形成基板１０のノズルプレート２０とは反対側の面には、上述し
たように、弾性膜５０が形成され、この弾性膜５０上には、弾性膜５０とは異なる材料か
らなる絶縁体膜５５が形成されている。勿論、絶縁体膜５５は、例えば、酸化ジルコニウ
ム、窒化珪素、窒化チタン、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化タンタル、窒化タング
ステン、窒化ジルコニウム、酸化チタン、酸化アルミニウム、炭化珪素、炭化チタン、炭
化タングステン、炭化タンタルの少なくとも１種を主成分とする材料から形成してもよい
。さらに、この絶縁体膜５５上には、下電極膜６０と圧電体層７０と上電極膜８０とが後
述するプロセスで積層形成されて圧電素子３００を構成している。ここで、圧電素子３０
０は、下電極膜６０、圧電体層７０及び上電極膜８０を含む部分をいう。一般的には、圧
電素子３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力
発生室１２毎にパターニングして構成する。本実施形態では、下電極膜６０は圧電素子３
００の共通電極とし、上電極膜８０を圧電素子３００の個別電極としているが、駆動回路
や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。
【００１８】
また、このような各圧電素子３００の上電極膜８０には、流路形成基板１０のインク供
給路１４とは反対側の端部近傍まで延設された金（Ａｕ）等のリード電極９０がそれぞれ
接続されている。このリード電極９０を介して各圧電素子３００に選択的に電圧が印加さ
れる。
【００１９】
さらに、圧電素子３００が形成された流路形成基板１０上には、連通部１３に対向する
領域にリザーバー部３１が設けられた保護基板３０が接着剤３５を介して接合されている
。このリザーバー部３１は、上述したように、流路形成基板１０の連通部１３と連通され
て各圧力発生室１２の共通のインク室となるリザーバー１００を構成している。
【００２０】
また、保護基板３０には、圧電素子３００に対向する領域に、圧電素子３００の運動を
阻害しない程度の空間を有する圧電素子保持部３２が設けられている。なお、圧電素子保
持部３２は、圧電素子３００の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空
間は密封されていても、密封されていなくてもよい。また、流路形成基板１０の連通部１
３を圧力発生室１２毎に複数に分割して、リザーバー部３１のみをリザーバーとしてもよ
い。すなわち、流路形成基板１０に圧力発生室１２とインク供給路１４のみを形成しても
よい。
【００２１】
また、保護基板３０上には、圧電素子３００を駆動するための駆動回路１２０が実装さ
れている。この駆動回路１２０としては、例えば、回路基板や半導体集積回路（ＩＣ）等
を用いることができる。そして、駆動回路１２０とリード電極９０とはボンディングワイ
ヤ等の導電性ワイヤからなる接続配線１２１を介して電気的に接続されている。
【００２２】
保護基板３０としては、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス
、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一
材料の面方位（１１０）のシリコン単結晶基板を用いて形成した。
【００２３】
また、保護基板３０上には、封止膜４１及び固定板４２とからなるコンプライアンス基
板４０が接合されている。ここで、封止膜４１は、剛性が低く可撓性を有する有機絶縁材
料からなり、この封止膜４１によってリザーバー部３１の一方面が封止されている。また
、固定板４２は、金属等の硬質の材料で形成される。この固定板４２のリザーバー１００
に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４３となっているため、リザーバ
ー１００の一方面は可撓性を有する封止膜４１のみで封止されている。
【００２４】
このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドＩでは、図示しない外部インク供
給手段からインクを取り込み、リザーバー１００からノズル開口２１に至るまで内部をイ
ンクで満たした後、駆動回路１２０からの記録信号に従い、圧力発生室１２に対応するそ
れぞれの下電極膜６０と上電極膜８０との間に電圧を印加し、弾性膜５０、絶縁体膜５５
、下電極膜６０及び圧電体層７０をたわみ変形させることにより、各圧力発生室１２内の
圧力が高まりノズル開口２１からインク滴が吐出する。
【００２５】
以下、このようなインクジェット式記録ヘッドＩの製造方法について、図３〜図７を参
照して説明する。なお、図３〜図５は、インクジェット式記録ヘッドの製造工程を示す断
面図であり、図６は、図５のＢ−Ｂ′線における一部拡大断面図であり、図７は、図５の
Ｃ−Ｃ′線におけるインクジェット式記録ヘッドの概略断面斜視図である。
【００２６】
まず、図３（ａ）に示すように、面方位（１１０）のシリコン単結晶基板からなるシリ
コンウェハーである流路形成基板用ウェハー１１０の表面に弾性膜５０を構成する二酸化
シリコン膜５１を形成する。
【００２７】
次に、図３（ｂ）に示すように、弾性膜５０（二酸化シリコン膜５１）上に、酸化ジル
コニウムからなる絶縁体膜５５を形成する。
【００２８】
次いで、図３（ｃ）に示すように、例えば、白金（Ｐｔ）とイリジウム（Ｉｒ）とを絶
縁体膜５５上に積層することにより下電極膜６０を形成した後、この下電極膜６０を所定
形状にパターニングする。次に、図４（ａ）に示すように、例えば、チタン酸ジルコン酸
鉛（ＰＺＴ）等からなる圧電体層７０と、例えば、イリジウムからなる上電極膜８０とを
流路形成基板用ウェハー１１０の全面に形成した後、図４（ｂ）に示すように、これら圧
電体層７０及び上電極膜８０を、各圧力発生室１２に対向する領域にパターニングして圧
電素子３００を形成する。
【００２９】
次に、図４（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０の全面に亘って金（Ａ
ｕ）からなるリード電極９０を形成後、圧電素子３００毎にパターニングする。
【００３０】
次に、図５（ａ）に示すように、保護基板用ウェハー１３０を、流路形成基板用ウェハ
ー１１０上に接着剤３５によって接着する。ここで、この保護基板用ウェハー１３０には
、リザーバー部３１及び圧電素子保持部３２が予め形成されている。なお、この保護基板
用ウェハー１３０は、例えば、４００μｍ程度の厚さを有するため、保護基板用ウェハー
１３０を接合することによって流路形成基板用ウェハー１１０の剛性は著しく向上するこ
とになる。
【００３１】
次いで、図５（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０を所定の厚みに薄く
する。本実施形態においては、ウェハー１１０を所定の厚みになるように薄くする際に、
ウェハー１１０の表面１５０に、図６（ａ）の一部拡大図に示すように断面視において波
状となる凹凸部（第二の凹凸部）１５１を形成する。即ち、表面１５０には、凹凸部１５
１としてストライプ状の凸部と凹部とが交互に現れる波状面が形成されている。このよう
な凹凸部１５１は、例えばグラインダー等の切削手段により凹部を設けることにより形成
することができる。
【００３２】
次に、図５（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０上に、例えば、窒化シ
リコン（ＳｉＮ）からなる膜を形成してマスク２００とする。本実施形態においては、マ
スク２００が形成される流路形成基板用ウェハー１１０の表面１５０には、凹凸部１５１
が設けられている。このため、図６（ｂ）の一部拡大図に示すように表面１５０の凹凸部
１５１上に設けられたマスク２００も断面視において波状の凹凸部２０１（第一の凹凸部
）を有するものとなる。即ち、マスク２００は、流路形成基板用ウェハー１１０の凹凸部
１５１に対応した凹凸部２０１からなる波状面として構成されている。そして、このマス
ク２００を所定形状にパターニングして開口部２０２を形成する。
【００３３】
次いで、このマスク２００を介して流路形成基板用ウェハー１１０をＫＯＨ等のアルカ
リ溶液を用いたウェットエッチングすることにより、流路形成基板用ウェハー１１０の開
口部２０２に対応する領域に圧力発生室１２、インク供給路１４、連通路１５及び連通部
１３を形成する。
【００３４】
ここで、図７を用いて、図６で示した工程について詳細に説明する。図７は、図５のＡ
−Ａ′断面模式図であり、説明のために流路形成基板用ウェハー１１０及びマスク２００
については強調して記載してある。
【００３５】
図７（ａ）に示したように、波状の凹凸部１５１（図６参照）（図７中は省略する）が
設けられた表面１５０に形成されたマスク２００も断面視において波状となる。そして、
流路形成基板用ウェハー１１０をウェットエッチングした際に、マスク２００の開口部２
０２の縁部２０３、２０４の下の領域も徐々にオーバーエッチングされる。そして、マス
ク２００の開口部２０２の縁部２０３、２０４は、このウェットエッチングの際に、図７
（ａ）に示すように凹凸形状を残したまま庇状に残留する。これは、マスク２００自体の
剛性によるものである。
【００３６】
そして、この庇状に残留したマスク２００の縁部２０３は、エッチング中及びエッチン
グ後に隔壁１１側に屈曲された状態で付着する。この場合に、マスク２００に波状の凹凸
部２０１が形成されているので、縁部２０３が屈曲して隔壁１１に付着しても接地面積が
小さいため、密着しにくいので、後述するように洗浄により除去しやすい（剥がしやすい
）。また、本実施形態においては、マスク２００が、ストライプ状の凹凸部２０１の各凸
部の長手方向が、開口部２０２の開口辺と交差するように波状に設けられているので、縁
部２０３、２０４の強度は平坦な（凹凸形状が形成されていない）マスクに比べて強度が
高い。従って、図７（ｂ）に示すように、破損しにくいだけではなく、縁部２０４が屈曲
せずに庇状となって残る場合もある。このように、本実施形態においては、縁部２０３が
付着しても除去しやすく、かつ、付着しない場合にも、強度が高く破損しにくい。このた
め異物の発生を抑制できる。
【００３７】
その後は、マスク２００を除去する。マスク２００の除去は、ウェットエッチング又は
ドライエッチングなどで行うことができる。この場合に、庇状に残存した縁部２０４はこ
のエッチングにより除去しやすい。
【００３８】
次に、流路形成基板用ウェハー１１０を洗浄液を用いて液体洗浄する。この場合に、エ
ッチングによりマスク２００が除去され、マスク２００のうち屈曲した縁部２０３のみが
隔壁１１に残って付着していても、縁部２０３の隔壁１１の付着面には凹凸部１５１が形
成されているので接地面積が小さく、その結果洗浄によって除去しやすい。また、マスク
２００（縁部２０３）と隔壁１１との間に析出した鉄も縁部２０３と一緒に除去すること
が可能である。
【００３９】
このように、本発明の製造方法では、マスク２００を波状に形成したことで、ウェット
エッチングによりマスク２００の庇状に残留した縁部２０３、２０４も波状面として構成
されるので、隔壁１１との接地面積が少ない。その結果、隔壁１１に密着しにくく、さら
に除去されやすい。このように残留したマスクが除去されやすいので、マスク２００の縁
部２０３と隔壁１１との間に析出した鉄も除去することも可能である。従って、流路形成
基板用ウェハー１１０の液体流路に異物が発生するのを抑制でき、その結果保護膜のカバ
レッジ不良やノズル開口２１の目詰まりを抑制して歩留まりを向上することができる。
【００４０】
即ち、本実施形態においては、流路形成基板用ウェハー１１０の表面１５０に凹凸部１
５１を設けることによりマスク２００に凹凸部２０１を設けることで、縁部２０３、２０
４が隔壁１１に張り付いたとしても隔壁１１との付着面積が小さいので除去しやすい。こ
の場合の凹凸部１５１の高さは、例えば数μｍ以下、好ましくは３μｍ以下であることが
好ましい。また、このような凹凸部１５１は、連続的に、例えば本実施形態のようなスト
ライプ状に設けられていてもよく、また、不連続的に１以上設けられていてもよい。
【００４１】
連続的に設ける場合には、図７に示すように各凸部の長手方向が、開口部２０２を構成
する辺部（開口辺）と交差するように設けることが好ましい。このように設けることで、
凹凸部２０１のない平坦なマスクに比べて強度が高くなるので庇状に残存して屈曲しない
場合もあり、より除去しやすいからである。不連続的に設ける場合には、凹凸部２０１は
、突起として表面１５０にランダムに又は規則的に配置することができる。この場合、縁
部２０３、２０４が隔壁１１に付着したとしても除去しやすいように構成されていれば突
起の形状は限定されない。例えば、柱状、角錐状等の平面で構成されるもの、半球状等の
曲面で構成されるものや、これらの組み合わせで構成されるもの等が挙げられる。このよ
うな凹凸部１５１は、開口部２０２の少なくとも周囲の庇状に残りやすい領域に設けられ
ていればよい。また、本実施形態においては、マスク２００の両面に凹凸部２０１が形成
されているが、少なくともマスク２００の一方面に形成されていれば、例えば破損して隔
壁１１に付着した場合に除去しやすい。好ましくは、隔壁１１に付着したとしても除去し
やすいように表面１５０側に凹凸部２０１が形成されていることである。なお、このよう
な凹凸部１５１は、本実施形態では凹部を形成することにより相対的に凸部を形成して設
けたが、凸部を形成することにより相対的に凹部を形成してもよい。
【００４２】
その後は、特に図示しないが、流路形成基板用ウェハー１１０の圧力発生室１２、連通
部１３、インク供給路１４及び連通路１５等の流路の内面に耐インク性（耐液体性）を有
する保護膜を形成する。この場合に、隔壁１１に付着したマスク２００を除去したので、
保護膜のカバレッジが向上する。そして、流路形成基板用ウェハー１１０及び保護基板用
ウェハー１３０の外周縁部の不要部分を、例えば、ダイシング等により切断することによ
って除去する。そして、流路形成基板用ウェハー１１０の保護基板用ウェハー１３０とは
反対側の面にノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０を接合する。この場合、流
路形成基板用ウェハー１１０のノズルプレート２０の接合面に凹凸部１５１が残っている
ことになるが、ノズルプレート２０を接合するための接着剤層があるためノズルプレート
２０の接合は問題がない。そして、保護基板用ウェハー１３０にコンプライアンス基板４
０を接合し、これら流路形成基板用ウェハー１１０を、図１に示すような一つのチップサ
イズの流路形成基板１０毎に分割することによって上述した構造のインクジェット式記録
ヘッドＩが製造される。
【００４３】
（他の実施形態）
以上、本発明の実施形態１について説明したが、本発明は、もちろん上述した実施形態
に限定されるものではない。上述した実施形態１では、マスク２００として、窒化シリコ
ンを用いるようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、シリコン単結晶基板からなる
流路形成基板用ウェハー１１０（結晶基板）を熱酸化したり、ＣＶＤ法やスパッタリング
法等で形成した二酸化シリコン（ＳｉＯ2）などをマスク２００として使用してもよい。
このようにマスク２００を形成する場合であっても、流路形成基板の表面１５０に凹凸部
１５１を設けることにより、マスク２００に凹凸部２０１を簡易に設けることが可能であ
る。
【００４４】
さらに、上述した実施形態１では、液体噴射ヘッドの製造方法の一例としてインクジェ
ット式記録ヘッドＩの製造方法を挙げて説明したが、本発明は、広く液体噴射ヘッドの製
造方法を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドの製造方法
にも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター
等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレー等のカラーフィルタ
ーの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレー、ＦＥＤ（電界放出ディス
プレー）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられ
る生体有機物噴射ヘッド等が挙げられる。
【００４５】
また、本発明は液体噴射ヘッドの製造方法に限定されず、結晶面方位が（１１０）面の
結晶基板をウェットエッチングすることにより微細加工を行う結晶基板のエッチング方法
に広く適用することができるものである。例えば、ＭｇＯ基板のエッチング方法などにも
用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】実施形態１に係る記録ヘッドの分解斜視図である。
【図２】実施形態１に係る記録ヘッドの平面図及び断面図である。
【図３】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図４】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図５】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す断面図である。
【図６】実施形態１に係る記録ヘッドの製造工程を示す一部拡大断面図である。
【図７】実施形態１に係る記録ヘッドの概略断面斜視図である。
【符号の説明】
【００４７】
Ｉ  インクジェット式記録ヘッド（液体噴射ヘッド）、  １０  流路形成基板（結晶基
板）、  １２  圧力発生室、  １３  連通部、  １４  インク供給路、  １５  連通路、
２０  ノズルプレート、  ２１  ノズル開口、  ３０  保護基板、  ３１  リザーバー
部、  ４０  コンプライアンス基板、  ５０  弾性膜、  ５５  絶縁体膜、  ６０  下電
極膜、  ７０  圧電体層、  ８０  上電極膜、  ９０  リード電極、  １００  リザーバ
ー、  １１０  流路形成基板用ウェハー、  １２０  駆動回路、  １２１  接続配線、  
１３０  保護基板用ウェハー、  ２００  マスク、  ２０２  開口部、  ２０３、２０４
縁部、  ３００  圧電素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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