(57)【要約】【課題】  撮像手段として一般的に使用されるエリアセンサカメラでは、撮像範囲全体を単位領域に分割して撮像を行うために、検査時間が長くなり検査工程の高速化に対応することができないという問題がある。また、赤外光光源を用いて検査対象の低抵抗ウエーハを照明した場合、ウエーハの比抵抗を考慮して赤外光照明を選択する必要があり、その設定に時間を要するという問題がある。【解決手段】  赤外光に感度を有するラインセンサアレイを撮像素子として用いることにより、ウエーハ全体を同一の検査条件で行うことを可能にするとともに検査工程の高速化に対応可能なウエーハ検査装置を実現する。また、ウエーハの比抵抗の値を取得する手段を設けることにより、取得した比抵抗の値に応じた照明手段の照度に設定することにより欠陥の撮像に適切な照明を得ることができる。【選択図】図１
2010008392.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウエーハの表面に対峙させて設けた赤外光照明手段と、
前記赤外光照明手段の赤外光に感度を有するラインセンサアレイを備える撮像手段と、
前記撮像手段の画像から前記シリコンウエーハの表面あるいは内部にある欠陥を検出する画像処理装置と
から構成されるウエーハ欠陥検査装置であって、
前記赤外光照明手段は前記シリコンウエーハの比抵抗の値に応じて照度を調節することを特徴とするウエーハ欠陥検査装置。
【請求項２】
前記赤外光照明手段は、比抵抗測定装置で測定した前記シリコンウエーハの比抵抗の値に応じて照度を調節することを特徴とする請求項１に記載のウエーハ欠陥検査装置。
【請求項３】
前記赤外光照明手段は、予め測定された前記シリコンウエーハの比抵抗の値に応じて照度を調節することを特徴とする請求項１に記載のウエーハ欠陥検査装置。
【請求項４】
前記赤外光照明手段は、前記シリコンウエーハを透過する赤外光の透過量の値に応じて照度を調節することを特徴とする請求項１に記載のウエーハ欠陥検査装置。
【請求項５】
前記撮像手段は前記シリコンウエーハの比抵抗の値に応じて赤外光に対する感度を調節可能に構成されていることを特徴とする請求項１に記載のウエーハ欠陥検査装置。
【請求項６】
前記撮像手段は、比抵抗測定装置で測定した前記シリコンウエーハの比抵抗の値に応じて赤外光に対する感度を調節することを特徴とする請求項５に記載のウエーハ欠陥検査装置。
【請求項７】
前記撮像手段は、予め測定された前記シリコンウエーハの比抵抗の値に応じて赤外光に対する感度を調節することを特徴とする請求項５に記載のウエーハ欠陥検査装置。
【請求項８】
前記撮像手段は、前記シリコンウエーハを透過する赤外光の透過量の値に応じて赤外光に対する感度を調節することを特徴とする請求項１に記載のウエーハ欠陥検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】  本発明は、シリコンウエーハの表面及び内部にあるクラック、ピンホールあるいは気泡などの欠陥を透過光照明により検出するウエーハ欠陥検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】  半導体製造に用いられるシリコンウエーハ（以下「ウエーハ」と記す）表面の平面部の欠陥検査の重要性は言うまでもなく、不良率をゼロとするために細心の注意で検査が行われる。一方ウエーハの内部の欠陥については、従来はあまり考慮がされてこなかった。【０００３】  ウエーハを製造する際に、インゴット中に存在する数１０μｍ〜数１００μｍ程度の欠陥（クラック、ピンホールあるいは気泡）はスライスされる際にウエーハの表面あるいは内部にそのまま残されることがある。これらの欠陥が表面に現れている場合は、表面に関する欠陥検査装置により検出することができるが、これらの欠陥がウエーハ内部に残される場合は、表面検査用の欠陥検査装置で検出することはできない。このようなウエーハ内部に存在するクラック、ピンホールあるいは気泡などの欠陥により半導体装置の性能に影響を及ぼすと考えられており、その欠陥検査が求められている。【０００４】  一般的にウエーハの透過検査は、赤外光照明を用いて行われるが、１１２７ｎｍ以上の波長の赤外光のみウエーハを透過することが知られている。ところで、通常のウエーハの比抵抗（電気抵抗率）は１Ω・ｃｍ以上であるが、比抵抗の値が１Ω・ｃｍ以下のウエーハは特に低抵抗ウエーハと呼ばれる。【０００５】  ウエーハの透過光検査を行う場合、可視光は透過せず、１１２７ｎｍ以上の赤外光をシリコン表面に投射すると、その光はウエーハを透過し、その透過光によりウエーハの内部にある欠陥を検査することが可能となる。しかし、低抵抗ウエーハと呼ばれる比抵抗が１Ω・ｃｍ以下の低抵抗ウエーハに対しては、比抵抗の値に応じて透過する赤外光の量が変化することが本出願人の実験により判明している。即ち、撮像に必要な透過光を得るには低抵抗ウエーハの比抵抗を考慮して必要な透過光の量を確保するように赤外光の照明手段を構成する必要がある。【０００６】  一方、ウエーハ内部の欠陥を検査するための撮像手段としては、エリアセンサカメラを用いてウエーハの内部の欠陥を検査する装置が知られている。この装置は、エリアセンサカメラにとって充分な分解能が得られるようなエリアセンサカメラの撮像範囲を単位領域とし、ウエーハの内部欠陥の領域をその単位領域ごとに分割し、その撮像位置を順次移動させることにより複数の撮影画像を得ることで、ウエーハ全体の欠陥を検査している。【０００７】  しかし、上記のようにエリアセンサを用いて撮像を行う場合、単位領域の全域に亙って均一な照明を施すことが難しく、撮像領域の中心部と外端部とは撮像画像にムラができるために正確な画像を撮像することが困難である。また複数の領域に分割して撮像して検査するために、精度および再現性の点で問題がある。さらに小領域に分割して撮像して検査を行うために検査時間が長くなり、検査工程の高速化に対応することができない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】  上述したように、撮像手段として一般的に使用されるエリアセンサカメラでは、撮像範囲全体を単位領域に分割して撮像を行うために、検査時間が長くなり検査工程の高速化に対応することができないという問題がある。また、赤外光光源を用いて検査対象の低抵抗ウエーハを照明した場合、ウエーハの比抵抗を考慮して赤外光照明を選択する必要があり、その設定に時間を要するという問題がある。【０００９】  本発明は、ウエーハ全体を同一の検査条件で行うことにより検査工程の高速化に対応可能なウエーハ欠陥検査装置を提供するとともに、ウエーハの比抵抗に応じて最適な照明条件を短時間で得られる照明手段を構成することにより、低抵抗ウエーハに対しても表面及び内部に存在するクラックあるいは気泡などの欠陥を検査可能なウエーハ欠陥検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】  上記目的を達成するために、本発明の第１の解決手段のウエーハ欠陥検査装置は、シリコンウエーハの表面に対峙させて設けた赤外光照明手段と、前記赤外光照明手段の赤外光に感度を有するラインセンサアレイを備える撮像手段と、前記撮像手段の画像から前記シリコンウエーハの表面あるいは内部にある欠陥を検出する画像処理装置とから構成されるウエーハ欠陥検査装置であって、前記赤外光照明手段は前記ウエーハの比抵抗の値に応じて照度を調節することを特徴とする。【００１１】  上記の第１の解決手段によれば、検査対象物のシリコンウエーハを照明する赤外光照明手段はウエーハの比抵抗の値に応じて照度を調節する機能を備えており、シリコンウエーハを透過するのに適切な赤外光の照度に調節した状態でシリコンウエーハを照明するために、シリコンウエーハの比抵抗に関わりなくシリコンウエーハの内部を検査することができる適切な透過光照明を実現する。【００１２】  本発明の第２の解決手段は、第１の解決手段のウエーハ欠陥検査装置であって、前記赤外光照明手段は、比抵抗測定装置で測定した前記ウエーハの比抵抗の値に応じて照度を調節することを特徴としており、赤外光照明手段の照度はシリコンウエーハの比抵抗を測定する比抵抗測定装置で測定した比抵抗の値に応じて調節される。【００１３】  本発明の第３の解決手段は第１の解決手段のウエーハ欠陥検査装置であって、前記赤外光照明手段は、予め測定された前記シリコンウエーハの比抵抗の値に応じて照度を調節することを特徴としており、赤外光照明手段の照度は予め測定されたシリコンウエーハの比抵抗の値に応じて調節される。【００１４】  本発明の第４の解決手段は、第１の解決手段のウエーハ欠陥検査装置であって、前記赤外光照明手段は、前記シリコンウエーハを透過する赤外光の透過量の値に応じて照度を調節することを特徴としており、透過する赤外光の光量がシリコンウエーハの比抵抗により異なることを利用して撮像に適切な照度に調節する。【００１５】  本発明の第５の解決手段は、第１の解決手段のウエーハ欠陥検査装置であって、前記撮像手段は前記シリコンウエーハの比抵抗の値に応じて赤外光に対する感度を調節可能に構成されていることを特徴としており、比抵抗の値によりシリコンウエーハを透過する光量が変化することから撮像手段の感度を調節することにより適切な撮像画像を得る。【００１６】  本発明の第６の解決手段は、第５の解決手段のウエーハ欠陥検査装置であって、前記撮像手段は、比抵抗測定装置で測定した前記シリコンウエーハの比抵抗の値に応じて赤外光に対する感度を調節することを特徴としており、前記撮像手段の感度はシリコンウエーハの比抵抗を測定する比抵抗測定装置で測定した比抵抗の値に応じて調節される。【００１７】  本発明の第７の解決手段は、第５の解決手段のウエーハ欠陥検査装置であって、前記撮像手段は、予め測定された前記シリコンウエーハの比抵抗の値に応じて赤外光に対する感度を調節することを特徴としており、前記撮像手段の感度は予め測定されたシリコンウエーハの比抵抗の値に応じて調節される。【００１８】  本発明の第８の解決手段は、第１の解決手段のウエーハ欠陥検査装置であって、前記撮像手段は、前記シリコンウエーハを透過する赤外光の透過量の値に応じて赤外光に対する感度を調節することを特徴としており、透過する赤外光の光量がシリコンウエーハの比抵抗により異なることを利用して撮像に適切な感度に調節する。
【発明の効果】
【００１９】  ラインセンサアレイを備える撮像手段によりシリコンウエーハの表面及び内部を撮像することで、すべての撮像範囲に対して均一でかつ高速な撮像を実現することができる。【００２０】  また、赤外光照明手段の照度を比抵抗の値に応じて調節可能にすることにより、ウエーハの比抵抗に対して最適な照度を選択することによりウエーハ表面及び内部の欠陥検査を可能にする。【００２１】  さらに、撮像手段の感度を比抵抗の値に応じて調節可能にすることにより、ウエーハの比抵抗に対して最適な照度を選択することによりウエーハ表面及び内部の欠陥検査を可能にする。
【発明を実施するための最良の形態】
【実施例】
【００２２】  図をもって本発明の方法および装置について詳細に説明する。なお、本発明は本実施例によって限定されるものではない。【００２３】  図１は本発明の実施例のウエーハ欠陥検査装置１の構成を示す正面図であり、図２はその平面図であり、図３はその側面図であり、ウエーハ欠陥検査装置１は撮像手段２、赤外光照明手段であるライン型照明手段３およびウエーハ載置台４および図示しない画像処理装置とから構成される。ここで、ウエーハ９は図４に示すようにウエーハ載置台４に水平に保持されている。【００２４】  撮像手段２は、ラインセンサアレイを撮像素子とする撮像手段であり、図１に示すようにウエーハ載置台４に載置されているウエーハ９の上方に配置される。本実施例で使用するラインセンサアレイは、特に高い解像度を有する素子を採用し、微細な傷や欠陥であっても検出できるように構成されている。【００２５】  ラインセンサアレイは、画素を直線状に並べて走査機能を持たせたものであり、２次元の画像を得るには、ラインセンサアレイの走査方向、即ち画素を並べた直線方向と直交する方向に移動させる必要がある。図１において、撮像手段に搭載されているラインセンサアレイ自身の走査方向は、紙面に平行な方向であり、リニアステージ５により検査対象物のウエーハ９を紙面に垂直な方向（図２におけるＡ矢印方向）に移動させることにより、２次元画像を得る。【００２６】  ラインセンサアレイには、撮像範囲があるために、それを超える範囲の画像を撮像するには、撮像領域を複数の領域に分割し、それぞれの領域を撮像する撮像手段を配置し、それぞれの撮像手段が備えるラインセンサアレイによりそれぞれの領域を撮像する。本実施例では図５に示すように２つの領域に分けてそれぞれの撮像領域に撮像手段２を配置し、ウエーハ９の全面の撮像画像を取得している。【００２７】  撮像手段２にテレセントリック光学系を用いることができる。テレセントリック光学系を採用すると撮像対象と光学系との距離が変わっても撮像される像の大きさは変わらず、欠陥の位置と大きさを正確に把握することができる。【００２８】  ウエーハは可視光を透過しないために、可視光を用いた通常の照明手段では、透過観察を行うことができない。１１２７ｎｍより長い波長（赤外光）であればウエーハを透過することが知られているので、１１２７ｎｍより長い波長を主として発光する赤外光光源を光源７として用いる。【００２９】  ライン型照明手段３は、検査対象であるウエーハ９の撮像範囲を帯状に照明する照明手段であり、１１２７ｎｍより長い波長の赤外光を主として発光する光源７から発せられた照明光は、光ファイバー８を経由してライン型照明手段３からウエーハ９に照射される。本実施例に使用されるライン型照明手段３は、撮像手段２の撮像領域を照明するのに十分な長さと幅を有するとともに、レンズを用いて集光することにより、撮像に十分な強さの照明光が得られるように構成している。【００３０】  図７は低抵抗ウエーハの比抵抗の値に対してウエーハ９の内部の輝度の変化をグラフに示したものであり、照明の照度を変えた場合のウエーハ内部の輝度を示している。図７においてウエーハ内部の輝度の値が９０以上で１３０以下の場合が撮像可能な輝度であり、ウエーハ内の輝度がこの範囲となるように照明の照度を調節する必要がある。【００３１】  本実施例のライン型照明手段３は、ウエーハの比抵抗に対してウエーハ内部が撮像可能な輝度となるように自動的に照度を設定できる構成となっており、ウエーハの比抵抗あるいはウエーハを透過する光量に応じて適切な照明照度に設定し、欠陥の撮像を行っている。【００３２】  ウエーハ載置台４は図に示すように、リニアステージ５およびスライドガイド６によって矢印Ａ方向に移動可能に形成されている。リニアステージ５は、精密に加工されたレールとこれに組み合わせるリニアガイドベアリングによりガイドされるとともに、精密に位置決め可能な駆動部を備えており、ウエーハ載置台４を一定速度で移動させる。スライドガイド６はスライドブッシュ６１とスライドシャフト６２から構成され、ウエーハ載置台４の荷重を支えるとともに、そのスムースな移動を実現する。即ち、本実施例のウエーハの移動手段は、ウエーハ載置台４とリニアステージ５とスライドガイド６とから構成される。【００３３】  上述の説明では、ウエーハを移動させる構成とする実施例を説明したが、これに限るものではなく、例えば、撮像手段と照明手段を移動可能に構成し、固定したウエーハ載置台に載置されるウエーハを照明しつつ撮像する構成とすることで、ウエーハ全体をスキャンできる構成としてもよい。【００３４】  図６は照明手段の照度を調節する際に使用するウエーハの比抵抗を測定する比抵抗測定手段１０の構成を示すものであり、ウエーハ９の表面に測定プローブ１０ａを接触させることによりウエーハの比抵抗を測定する。この測定値に基づいて光源７の強さを調節し、ウエーハ９を透過するウエーハ９の欠陥の撮像に最適な光量となるようにライン型照明手段３の照度を調節する。【００３５】  また本実施例では、撮像手段２の感度がウエーハの比抵抗の値に応じて調節可能に構成されている。例えば照明手段の調節だけでは適切な画像の撮像に必要な透過光量が不足する場合には、撮像手段の感度を調整することにより適切な画像の撮像が実現できる。即ち比抵抗測定手段１０で測定した比抵抗の値を用いて照明手段の照度と撮像手段の感度とを共に調節することにより欠陥の撮像に適したウエーハ内部の輝度を得ることができる。【００３６】  次に本実施例のウエーハ欠陥検査装置の機能と検査を行う工程について説明する。図示しない搬送装置によってウエーハ９を搬送し、ウエーハ載置台４にウエーハ９を移載する。本実施例のウエーハ保持方法は、ウエーハ９を把持装置などにより掴むのではなく、ウエーハ９のエッジに設けられるテーパ部あるいは欠陥検査に影響しない範囲のエッジ部でもってウエーハ９を支える構造としている。【００３７】  ライン型照明手段３はウエーハ９の比抵抗の値に応じて照度を調節するように構成されており、比抵抗測定装置１０によって測定された比抵抗の値に応じて光源７の強さを変更してライン型照明手段３の照度は撮像に適切な透過光量が得られるように調節される。【００３８】  ウエーハ９の比抵抗の値は、図６に示す比抵抗測定装置１０によって測定されるが、ウエーハ９をウエーハ載置台４に載置した状態で比抵抗測定装置１��を近接して配置し測定してもよいし、ウエーハ載置台４に載置する前に別にステージを設けてウエーハ９の比抵抗を測定してもよい。【００３９】  比抵抗測定装置１０によって測定したウエーハ９の比抵抗の値に応じて光源７の強さを変更してライン型照明手段３の照度を調節する。ライン型照明手段３の照明光がウエーハ９を透過する透過光量が撮像手段２の撮像に十分な量となるように調節される。【００４０】  ウエーハ９はリニアステージ５によって一定方向に一定速度で移動し、２台の撮像装置２によってウエーハ９の透過光による映像の撮像が行われる。撮像手段２に搭載されている撮像素子は画素を線状に並べたラインセンサアレイであるので、各撮像素子が並ぶ主走査方向に走査が行われると同時に副走査方向であるラインセンサアレイの移動方向即ち図２の矢印Ａの方向に移動させながら走査を繰り返すことにより、２次元の画像が得られる。【００４１】  撮像手段２のラインセンサアレイの撮像範囲には制限があるために、例えば口径が３００ｍｍのウエーハについては、図５に示すように２個の撮像範囲に分割してそれぞれ対応する撮像素子２を対応させて撮像を行う。【００４２】  撮像に最適に照度が調節されたライン型照明手段３から発せられた照明光は、ウエーハ９を透過し撮像手段２に設けられているラインセンサアレイに達する。ウエーハ９の表面あるいは内部にクラックあるいは気泡が存在すれば、その位置で透過光は屈折しラインセンサアレイの撮像画像に濃淡の差が生じる。ウエーハ表面あるいは内部にクラックが存在する場合は線状、気泡が存在する場合は円状もしくは円環状の画像が得られる。その形状および濃度の情報から図示しない画像処理装置により欠陥の判別を行う。【００４３】  照明手段の照度を調節する方法は、上述のウエーハ測定手段１０に限るものではなく、前工程において比抵抗が測定されている場合には、その値をウエーハごとにデータ化して記憶しておき、その値をもってライン型照明手段３の照度を調節する構成としてもよい。即ち、ウエーハ欠陥検査装置１に搬送されてくるウエーハの比抵抗の値は図示しないデータ管理装置に記憶されているものとし、ウエーハ欠陥検査装置１に移載された際にそのウエーハ９の値を取り出して、その値に基づいて光源７の強さを調節し、ウエーハ９を透過するウエーハ９の欠陥の撮像に最適な光量となるようにライン型照明手段３の照度を調節する。【００４４】  この方法では、ウエーハ欠陥検査装置１内に比抵抗測定手段を設ける必要がないために、ウエーハ９の移載時にすでにライン型照明手段３の照度を撮像に最適に設定しておくことができるために検査に要する時間が短縮できるという利点がある。【００４５】  また、撮像手段２の感度をウエーハの比抵抗の値に応じて調節可能に構成しておき、予め測定された比抵抗の値を用いて照明手段の照度と撮像手段の感度とを共に調節することにより欠陥の撮像に適したウエーハ内部の輝度を得ることができる。【００４６】  さらに、図７にライン型照明手段３などの赤外光照明手段により照明された際のウエーハ９を透過する透過光の量を測定する透過光量測定手段１１を設けた例を示す。透過光量測定手段１１で測定した透過光量はウエーハ内の輝度と���接な関係があり、透過光量が大ならばウエーハ内の輝度は高く、透過光量が小であればウエーハ内の輝度は低い。このことからウエーハを透過する光量の値を用いてライン型照明手段３の照度を調節する構成としてもよい。その際に使用する赤外光照明手段はライン型照明手段３に限るものではなく、透過光量測定用のための専用の照明手段を設けてもよい。【００４７】  また、撮像手段２の感度をウエーハの比抵抗の値に応じて調節可能に構成しておき、ウエーハの透過光量の値を用いて照明手段の照度と撮像手段の感度とを共に調節することにより欠陥の撮像に適したウエーハ内部の輝度を得ることができる。【００４８】  なお、照明手段の照度を調節する方法としては、専用に設けた比抵抗測定装置の測定値による方法、予め測定された比抵抗の値を用いる方法、赤外光の透過量による方法について説明したがこれに限るものではない。【００４９】  本実施例では、２台の撮像手段でウエーハ全面をカバーする構成としたが、これに限るものではなく、多数台の撮像手段を一列に配置して分解能をあげることで、さらに高精細な検査画像を得ることが可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５０】  撮像手段として一般的に使用されるエリアセンサカメラでは、撮像範囲全体を単位領域に分割して撮像を行うために、検査時間が長くなり検査工程の高速化に対応することができないという問題がある。また、赤外光光源を用いて検査対象の低抵抗ウエーハを照明した場合、ウエーハの比抵抗を考慮して赤外光照明を選択する必要があり、その設定に時間を要するという問題がある。【００５１】  本発明のウエーハ欠陥検査装置は、赤外光に感度を有するラインセンサアレイを撮像素子として用いることにより、ウエーハ全体を同一の検査条件で行うことを可能にするとともに検査工程の高速化に対応可能なウエーハ検査装置を実現している。また、ウエーハの比抵抗の値を取得する手段を設けることにより、取得した比抵抗の値に応じた照明手段の照度に設定することにより欠陥の撮像に適切な照明を得ることができる。【００５２】  その結果、本発明のウエーハ欠陥検査装置は従来透過検査の困難であった大口径の低抵抗ウエーハに対して全面に渡って均一でかつ高速に欠陥検査を行うことが可能となり、産業への寄与が大なるものである。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】  本実施例のウエーハ内部検査装置の構成を一部断面で示す正面図である。
【図２】  本実施例のウエーハ欠陥検査装置の構成を示す平面図である。
【図３】  本実施例のウエーハ欠陥検査装置の構成を示す側面図である。
【図４】  ウエーハ載置台の詳細を示す断面図である。
【図５】  本実施例のウエーハ内部欠陥の検査領域を説明する説明図である。
【図６】  比抵抗を測定する比抵抗測定手段の構成を説明する説明図である。
【図７】  透過光量測定手段の構成を説明する説明図である。
【図８】  比抵抗とウエーハ内輝度との関係を示すグラフである。
【符号の説明】
【００５４】１  ウエーハ欠陥検査装置
２  撮像手段
３  ライン型照明手段
４  ウエーハ載置台
５  リニアステージ
６  スライドガイド
７  光源
８  光ファイバー
９  ウエーハ
１０  比抵抗測定手段
１０ａ  測定プローブ
１１  透過光量測定手段
６１  スライドブッシュ
６２  スライドシャフト
【図１】
2010008392.tif 000003
【図２】
2010008392.tif 000004
【図３】
2010008392.tif 000005
【図４】
2010008392.tif 000006
【図５】
2010008392.tif 000007
【図６】
2010008392.tif 000008
【図７】
2010008392.tif 000009
【図８】
2010008392.tif 000010
【手続補正書】
【提出日】平成21年4月24日(2009.4.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウエーハの表面に対峙させて設けた赤外光照明手段と、
前記赤外光照明手段の赤外光に感度を有するラインセンサアレイを備える撮像手段と、
前記撮像手段の画像から前記シリコンウエーハの表面あるいは内部にある欠陥を検出する画像処理装置と
から構成されるウエーハ欠陥検査装置であって、
前記シリコンウエーハの比抵抗の値を予め取得し、
前記赤外光照明手段は、前記取得した前記シリコンウエーハの比抵抗の値に応じて照度を調節するとともに、
前記撮像手段は、前記取得した前記シリコンウエーハの比抵抗の値に応じて赤外光に対する感度を調節する、
ことを特徴とするウエーハ欠陥検査装置。
【請求項２】
シリコンウエーハの表面に対峙させて設けた赤外光照明手段と、
前記赤外光照明手段の赤外光に感度を有するラインセンサアレイを備える撮像手段と、
前記シリコンウエーハを透過する赤外光の透過量の値を予め測定する透過光量測定手段と、
前記撮像手段の画像から前記シリコンウエーハの表面あるいは内部にある欠陥を検出する画像処理装置と
から構成されるウエーハ欠陥検査装置であって、
前記シリコンウエーハの比抵抗の値を予め取得し、
前記赤外光照明手段は、前記取得した前記シリコンウエーハの比抵抗の値に応じて照度を調節するとともに、
前記撮像手段は、前記測定した前記シリコンウエーハを透過する赤外光の透過量の値に応じて赤外光に対する感度を調節する、
ことを特徴とするウエーハ欠陥検査装置。
【請求項３】
前記シリコンウエーハの比抵抗の値を測定する比抵抗測定手段を備えたことを特徴とする請求項１または２に記載のウエーハ欠陥検査装置。
【請求項４】
前記撮像手段は、前記照明手段の調節だけでは前記シリコンウエーハを透過する赤外光の透過量が不足する場合に赤外光に対する感度を調節する、
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一つに記載のウエーハ欠陥検査装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第１の発明によれば、シリコンウエーハの表面に対峙させて設けた赤外光照明手段と、前記赤外光照明手段の赤外光に感度を有するラインセンサアレイを備える撮像手段と、前記撮像手段の画像から前記シリコンウエーハの表面あるいは内部にある欠陥を検出する画像処理装置とから構成されるウエーハ欠陥検査装置であって、前記シリコンウエーハの比抵抗の値を予め取得し、前記赤外光照明手段は、前記取得した前記シリコンウエーハの比抵抗の値に応じて照度を調節するとともに、前記撮像手段は、前記取得した前記シリコンウエーハの比抵抗の値に応じて赤外光に対する感度を調節する、ことを特徴とするウエーハ欠陥検査装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
第２の発明によれば、シリコンウエーハの表面に対峙させて設けた赤外光照明手段と、前記赤外光照明手段の赤外光に感度を有するラインセンサアレイを備える撮像手段と、前記シリコンウエーハを透過する赤外光の透過量の値を予め測定する透過光量測定手段と、前記撮像手段の画像から前記シリコンウエーハの表面あるいは内部にある欠陥を検出する画像処理装置とから構成されるウエーハ欠陥検査装置であって、前記シリコンウエーハの比抵抗の値を予め取得し、前記赤外光照明手段は、前記取得した前記シリコンウエーハの比抵抗の値に応じて照度を調節するとともに、前記撮像手段は、前記測定した前記シリコンウエーハを透過する赤外光の透過量の値に応じて赤外光に対する感度を調節する、ことを特徴とするウエーハ欠陥検査装置が提供される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第３の発明によれば、第１または第２の発明において、前記シリコンウエーハの比抵抗の値を測定する比抵抗測定手段を備えたことを特徴とするウエーハ欠陥検査装置が提供される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
第４の発明によれば、第１から第３の発明において、前記撮像手段は、前記照明手段の調節だけでは前記シリコンウエーハを透過する赤外光の透過量が不足する場合に赤外光に対する感度を調節するウエーハ欠陥検査装置が提供される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
また、比抵抗の値を予め取得し、赤外光照明手段の照度を取得した比抵抗の値に応じて調節可能にすることにより、ウエーハの比抵抗に対して最適な照度を選択することによりウエーハ表面及び内部の欠陥検査を可能にする。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
さらに、撮像手段の感度を取得した比抵抗の値あるいは予め測定した赤外光の透過量の値に応じて調節可能にすることにより、撮像手段の感度を撮像に適した感度に調節することができる。