(57)【要約】【課題】本発明は磁区観察装置に関し、磁区コントラストのよい観察像を得ることができる磁区観察装置を提供することを目的としている。【解決手段】試料２からの反射電子を反射電子検出器１０Ａで検出するように構成された走査電子顕微鏡において、光軸３に対して傾斜した磁性体試料２について、傾斜軸４の直交方向に平行な磁化成分を磁区コントラストとして観察するようにした磁区観察装置であって、前記反射電子検出器１０Ａを光軸方向に対称分割し、該分割された各反射電子検出器１０ＡＲ，１０ＡＬの検出信号を演算処理する演算器を設け、該演算器の出力を磁区コントラスト信号として観察するように構成する。【選択図】図１
2010092646.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料からの反射電子を反射電子検出器で検出するように構成された走査電子顕微鏡において、
光軸に対して傾斜した磁性体試料について、傾斜軸の直交方向に平行な磁化成分を磁区コントラストとして観察するようにした磁区観察方法であって、
前記反射電子検出器は、光軸を含む面を境にして近接する２つの反射電子検出器を光軸から一定の角度を有して試料と光軸との交点を見込むように配置し、該２つの反射電子検出器の検出信号を演算処理する演算器を設け、該演算器は前記２つの反射電子検出器の出力の差分をとることで、磁区コントラストを観察するようにしたことを特徴とする磁区観察方法。
【請求項２】
試料からの反射電子を反射電子検出器で検出するように構成された走査電子顕微鏡において、
光軸に対して傾斜した磁性体試料について、傾斜軸の直交方向に平行な磁化成分を磁区コントラストとして観察するようにした磁区観察装置であって、
前記反射電子検出器は、光軸を含む面を境にして近接する２つの反射電子検出器を光軸から一定の角度を有して試料と光軸との交点を見込むように配置し、該２つの反射電子検出器の検出信号を演算処理する演算器を設け、該演算器は前記２つの反射電子検出器の出力の差分をとることで、磁区コントラストを観察するようにしたことを特徴とする磁区観察装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は磁区観察装置に関し、更に詳しくはコントラストのよい磁区観察画像を得ることができるようにした磁区観察装置に関する。本発明は一般的には磁性体の表面層の磁化分布を走査電子顕微鏡の特性である画像の高分解能性と、電子線の内部浸透性を利用して観察することが必須の技術分野に関するものである。しばしば利用される例としては、方向性又は無方向性電磁鋼板の内部磁化強度及び方位を磁区コントラスト模様として観察して鋼板の磁気特性解析を行なう高加速の走査電子顕微鏡装置に関するものである。更に、磁性体試料の磁場印加、圧縮、引っ張り、加熱等動的環境でその場で観察して磁気特性解析を行なう分野に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
先ず従来装置について説明する。図８は磁区観察装置の従来構成を示す斜視図である。この斜視図は、立体的配置を明確にするためにＸ，Ｙ，Ｚ直交軸が付記されている。図において、ＳＥＭの光学系は既知として電子銃及び集束レンズ、走査偏向器などのＳＥＭ光学要素は省略されている。
【０００３】
電子線プローブ１は、上記のＳＥＭ光学要素によって試料２に集束、走査される。試料２は、光軸３（Ｚ軸）に垂直な試料傾斜軸４（Ｘ軸）の周りに平面軸５（Ｙ軸）より試料傾斜角αを持つ。試料２は、磁性体で、磁壁７を境界に互いに１８０°異なる磁化＋Ｍｘ領域８と、磁化−Ｍｘ領域２０の磁区構造を持つものとする。試料傾斜軸（Ｘ軸）４と磁壁７は図の単純化のために同じとした。
【０００４】
反射電子線９を検出する目的の反射電子検出器１０は試料２の最大傾斜面１１より離陸角βで試料面に対向している。なお、以下動作説明のために、図中にＸ軸４側から見たＡ視と、反射電子検出器１０から試料２を見込むＢ視が付記されている。８は磁化＋Ｍｘ領域、２０は磁化−Ｍｘ領域である。
【０００５】
図９は図８に示す装置のＡ視断面図で、磁区コントラストの形成過程を示す説明図である。図８と同一のものは、同一の符号を付して示す。図において、８は磁化＋Ｍｘ領域で紙面に上向き、２０は磁化−Ｍｘ領域で紙面に下向きの磁化である。電子線プローブ１は試料２の磁化＋Ｍｘ領域８と磁化−Ｍｘ領域２０を順次時系列で走査する。
【０００６】
この時、電子線プローブ１は電子線が試料２に浸透しながら反射電子になるが、この反射電子は磁化との相互作用でローレンツ偏向力を受ける。ここで、ローレンツ力は、磁束密度Ｂの磁界が存在する空間を  電荷ｑが速度ｖで運動する時に受ける力であり、ローレンツ力Ｆ＝ｑｖＢｓｉｎθで表される。ここで、θは磁束密度Ｂと速度ｖとのなす角である。
【０００７】
これは、磁化＋Ｍｘ領域８においては走査中の電子線＋Ｍｘ領域１３と、入射浸透電子のローレンツ偏向力＋Ｍｘ領域１４に示されている。また、同様に磁化−Ｍｘ領域２０においては、走査中の電子線−Ｍｘ領域１５と入射浸透電子のローレンツ偏向力−Ｍｘ領域１６に示されている。この偏向力は、磁化＋Ｍｘ領域８では電子線を試料２の内部に引き込む。一方、磁化−Ｍｘ領域では反対に電子線を試料２の表面に押し出すように働く。
【０００８】
この結果、発生した反射電子線＋Ｍｘ領域１７は、磁化＋Ｍｘ領域８では放出される量がより少なく、発生した反射電子線−Ｍｘ領域１８は、磁化−Ｍｘ領域２０ではより多く放出される。図において、より少量の発生した反射電子線＋Ｍｘ領域１７は底面破線のコーン状で示し、より多量の発生した反射電子線−Ｍｘ領域１８は実線のコーン状で示す。
【０００９】
図１０はＢ視における試料と検出器の関係を示す図である。図８，図９と同一のものは、同一の符号を付して示す。試料２は試料磁壁７を境界に、磁化＋Ｍｘ領域８と、磁化−Ｍｘ領域２０が、また反射電子検出器１０がＢ視より示される。図の右に反射電子検出器１０を示す。そして、この上に重ねて少量発生した反射電子線＋Ｍｘ領域１７を円形破線で示し、多量発生した反射電子線−Ｍｘ領域１８を円形実線でＢ視から示している。
【００１０】
図１１はＢ視における磁区コントラスト図形を示す図である。この図では、図１０の結果、試料２の試料磁壁７を境界にＢ視から見て試料磁壁７を境に、発生した反射電子線＋Ｍｘ１７が少量であるためより暗い像が、また発生した反射電子線−Ｍｘ領域が多量であるためより明るい像が磁区コントラストとして示されている。このような磁区コントラスト図形としてのＳＥＭ像が上部ではより暗い画像、下部ではより明るい画像で形成されているのが分かる。
【００１１】
従来のこの種の装置としては、試料から反射する反射電子を検出し、検出した反射電子と、この検出信号に含まれるレベル変化に対応する信号を生成し、前記検出信号と生成された信号との差を求めて検出信号とする技術が知られている（例えば特許文献１参照）。また、高電圧ＳＥＭにおける磁区観察と、４重極マスフィルタを用いたイオン顕微鏡における量的解析が試みられている（例えば非特許文献１参照）。また、走査電子顕微鏡における磁区観察に関する技術が知られている（例えば非特許文献２参照）。
【特許文献１】特開昭５１−９３６６２号公報（第２頁右上欄第２行〜同頁左下欄第８行、図１，図２）
【非特許文献１】Some Recent Development in Microbeam Analysis in Japan（II）Magnetic Contrast Observation with High Voltage SEM and Approach to Quantitave Analysis by Ion Microprove with Quadrupole Mass Filter By Ryuichi Shimizu
【非特許文献２】山本  敏行  走査電子顕微鏡による磁区観察  固体物理  １９７６  Ｖｏｌ．１１  Ｎｏ．９
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従来技術では、磁化の方向が試料傾斜軸より９０°回転していると磁区コントラストが観察不可となることを以下に示す。図１２は従来装置の問題点の説明図である。図８と同一のものは、同一の符号を付して示す。構成は、図８の磁化＋Ｍｘ領域８と、磁化−Ｍｘ領域２０を除いて同じである。
【００１３】
従って、電子線プローブ１、試料２、光軸３、試料傾斜軸４、平面軸５、試料傾斜角α、磁壁７、反射電子線９、反射電子検出器１０、最大傾斜面１１、離陸角βで試料面の説明は省略する。図８に示す従来装置と大きく異なる点は、互いに１８０°の磁化＋Ｍｘ領域８と、磁化−Ｍｘ領域２０の磁化方位である。これらは図８の場合と比べて９０°異なり、互いに１８０°の磁化方位が、この場合、最大傾斜面１１と平行、反平行になっている点である。
【００１４】
図１３は従来装置の問題点の説明図であり、磁区コントラスト観察不可を示す説明図である。図は図１２のＡ視の試料断面図である。図１２と同一のものは、同一の符号を付して示す。この図においては、磁化＋Ｍｘ領域８と、磁化−Ｍｘ領域２０はそれぞれ試料２の表面に沿って下向き及び上向きである。
【００１５】
同様に、電子線プローブ１は、試料２の磁化＋Ｍｘ領域８、磁化−Ｍｘ領域をそれぞれ走査する。この時、電子線プローブ１は、電子線が試料２に浸透しながら反射電子となるが、この反射電子は磁化との間で相互作用により生じるローレンツ偏向力を受ける。これは、磁化＋Ｍｘ領域８においては、走査中の電子線プローブ−Ｍｘ領域１３と、入射浸透電子のローレンツ偏向力＋Ｍｘ領域１４に示されている。
【００１６】
また、同様に、磁化−Ｍｘ領域２０においては、走査中の電子線−Ｍｘ領域１５と、入射浸透電子のローレンツ偏向力−Ｍｘ領域１６に示されている。この偏向力は、磁化＋Ｍｘ領域８では反射電子線を紙面に下向きに引き下げる。一方、磁化−Ｍｘ領域９では、反対に電子線を上向きに引き上げる。
【００１７】
この結果、発生した反射電子線＋Ｍｘ領域１７は、磁化＋Ｍｘ領域では放出される方位が対向する反射電子検出器１０の左側（紙面に垂直に下側）に偏る。また、発生した反射電子線−Ｍｘ領域１８は、磁化−Ｍｘ領域２０では、反射電子検出器１０の右側（紙面に垂直に上側）に偏る。即ち、磁化＋Ｍｘ領域においても、磁化−Ｍｘ領域２０においても反射電子検出器１０で検出される信号は共に弱いものとなる。
【００１８】
次に、磁区コントラスト図形で具体的に磁区コントラストの観察不可を説明する。図１４はＢ視における試料と検出器の説明図である。図において、試料２は試料磁壁７を境界に磁化＋Ｍｘ領域８と磁化−Ｍｘ領域２０がそれぞれ紙面上下方向に、また反射電子検出器１０の検出面がＢ視より示される。
【００１９】
更に、図の右上に抽出された反射電子検出器１０には、発生した反射電子線＋Ｍｘ領域１７を、反射電子検出器１０の円形形状に対して左側にずれた図形として示す。また、図の右下に抽出された反射電子検出器１０には、発生した反射電子線−Ｍｘ領域１８を右側にずれた円形として示している。
【００２０】
この結果、磁区コントラスト観察不可を図１５の磁区コントラスト図に示す。図１５は、Ｂ視における磁区コントラストを示す図である。図１０に示すと同様に、試料２の試料磁壁７、磁化＋Ｍｘ８と磁化−Ｍｘ領域２０において同じＢ視から見て、発生した反射電子線＋Ｍｘ１７と、発生した反射電子線−Ｍｘ領域１８がそれぞれ対称に同量で偏っているため、磁区コントラストが消失することを示している。即ち、上部も灰色画像、下部も灰色画像で磁区コントラストを消失したＳＥＭ像が形成されるのが分かる。このように、従来技術では、磁化の方向が試料傾斜軸より９０°回転していると、磁区コントラストが消失して磁区コントラストの観察が不可能なことが分かる。
【００２１】
このような場合、光軸を中心にして試料を９０°回転すれば消失していた磁区コントラストが図１１のように観察でき、一方、観察できていた磁区コントラストが図１５のように消失する。しかしながら、このように試料を光軸の周りに回転するのは機構的に困難であるし、０°と９０°回転の２回の観察を要するという問題が生じる。
【００２２】
本発明はこのような課題に鑑みてなされたものであって、磁区コントラストのよい観察像を得ることができる磁区観察装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
（１）請求項１記載の発明は、試料からの反射電子を反射電子検出器で検出するように構成された走査電子顕微鏡において、光軸に対して傾斜した磁性体試料について、傾斜軸の直交方向に平行な磁化成分を磁区コントラストとして観察するようにした磁区観察方法であって、前記反射電子検出器は、光軸を含む面を境にして近接する２つの反射電子検出器を光軸から一定の角度を有して試料と光軸との交点を見込むように配置し、該２つの反射電子検出器の検出信号を演算処理する演算器を設け、該演算器は前記２つの反射電子検出器の出力の差分をとることで、磁区コントラストを観察するようにしたことを特徴とする。
【００２４】
（２）請求項２記載の発明は、試料からの反射電子を反射電子検出器で検出するように構成された走査電子顕微鏡において、光軸に対して傾斜した磁性体試料について、傾斜軸の直交方向に平行な磁化成分を磁区コントラストとして観察するようにした磁区観察装置であって、前記反射電子検出器は、光軸を含む面を境にして近接する２つの反射電子検出器を光軸から一定の角度を有して試料と光軸との交点を見込むように配置し、該２つの反射電子検出器の検出信号を演算処理する演算器を設け、該演算器は前記２つの反射電子検出器の出力の差分をとることで、磁区コントラストを観察するようにしたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、反射電子検出器を光軸方向に対称分割して、該分割された各反射電子検出器の検出信号を演算処理するようにしたので、磁区コントラストのよい観察像を得ることができる。また、反射電子検出器を２分割し、２分割された検出器のそれぞれの出力の差分をとることで、磁区コントラストのよい観察像を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図１は本発明装置の第１の実施の形態を示す斜視図である。図８と同一のものは、同一の符号を付して示す。図において、１は電子線プローブ、２は試料、３は光軸（Ｚ軸）、４は傾斜軸（Ｘ軸）、５ａは平面軸（Ｙ軸）、５ｂは平面Ｙである。８は磁化＋Ｍｘ領域、２０は磁化−Ｍｘ領域である。
【００２７】
７は試料磁壁、１１は試料最大傾斜面である。１０Ａは反射電子検出器、１０Ｂは該反射電子検出器１０Ａの出力を入力して所定の演算を行なう演算器である。反射電子検出器１０Ａは２分割されており、右側の検出器を１０ＡＲ、左側の検出器を１０ＡＬとする。演算器１０Ｂは、各反射電子検出器１０ＡＲ，１０ＡＬの２つの出力を受けて所定の演算を行なうようになっている。
【００２８】
電子線プローブ１は、試料２に集束・走査される。試料２は光軸３に垂直な試料傾斜軸４の周りに平面軸５より試料傾斜角αを持つ。試料２は、磁性体であり、磁壁７を境界に互いに１８０°異なる磁化＋Ｍｘ領域８と磁化−Ｍｘ領域２０を持つものとする。反射電子線９を検出する目的の反射電子検出器１０Ａは、試料２の最大傾斜面１１より離陸角βで試料面に対向している。
【００２９】
ここで、図８に示す装置と図１に示す装置の相違点は、反射電子検出器１０を反射電子検出器１０Ａと演算器１０Ｂからなる２分割された検出器に置き換えた点にある。即ち、反射電子検出器１０Ａは、反射電子検出器１０ＡＲと１０ＡＬに分割され、演算器１０Ｂは、これら分割された検出器１０ＡＲ，１０ＡＬの出力を同時に受けて、所定の演算が行なえるようになっている。
【００３０】
ここで、２分割された検出器については、光軸に対称にＲ部（右側）、Ｌ部（左側）の反射電子検出器であるが、略対称であっても構わない。。また、本発明では反射電子検出器面を従来のものよりも大型化して、反射電子のほとんど全てを検出することができるようになっている。これにより、より正確な反射電子像を得ることができるようになる。
【００３１】
さて、反射電子検出器１０Ａについて再度言及すれば、反射電子検出器の位置は試料の水平面より上にあり、試料傾斜軸と光軸との交点を含み傾斜軸に直交する軸に垂直で光軸を含む面（Ａ面）に直交する面（Ｂ面）に検出器面があって、Ａ面を境界にして対称に分割された検出器で、試料の表面に対向する向きにあることが最も望ましい。
【００３２】
しかしながら、設計の都合などによって、何れも望ましい位置からのずれがあっても構わない。但し、該ずれが大きくなると明暗コントラストが弱くなってくる。なお、先に述べた試料傾斜角αは非特許文献２によればα≒６０°、また離陸角（すなわち取り出し角）βはβ≒６０°〜７０°で軸コントラストが強く観察できるから検出器は傾斜軸近傍に配置するのが望ましい。
【００３３】
ここで、反射電子検出器を１０ＡＲと１０ＡＬとしたが、演算器１０Ｂはこれら検出器１０ＡＲ，１０ＡＬの出力を受けて、加算，減算，極性変換の機能を持つ。検出器の出力を１０ＡＲ，１０ＡＬとして、±（１０ＡＲ±１０ＡＬ）の任意の組合わせ演算機能を持つものとする。このように構成された装置の動作を説明すれば、以下の通りである。
【００３４】
図２は本発明装置のＡ視断面図である。図１と同一のものは、同一の符号を付して示す。発生した反射電子線＋Ｍｘ領域１７は、放出される方位が反射電子検出器１０Ａの１０ＡＬ（紙面に垂直に下側）に偏る。このため、Ｌ側に信号がより多く検出される。一方、発生した反射電子線−Ｍｘ領域１８は、放出される方位が反射電子検出器１０Ａの１０ＡＲ（紙面に垂直に上側）に偏る。このため、Ｒ側に信号がより多く検出される。なお、図において、１４は入射浸透電子のローレンツ偏向力＋Ｍｘ領域であり、１６は入射浸透電子のローレンツ偏向力−Ｍｘ領域である。
【００３５】
図３は本発明装置における試料と検出器の関係を示す図である。この図で、本発明の効果を説明する。試料２は試料磁壁７を境界に磁化＋Ｍｘ領域８と、磁化−Ｍｘ領域２０が、また反射電子検出器１０Ａの検出面がＢ視により示される。反射電子検出器１０Ａには、発生した反射電子線＋Ｍｘ領域１７を分割円形形状に対して左側に移動した円形として示す。また、一方、発生した反射電子線−Ｍｘ領域１８を右側に移動した円形として示す。
【００３６】
この結果、後段の演算器１０Ｂにおいて、１０ＡＬ−１０ＡＲの演算を行なうと、磁化＋Ｍｘ領域８では信号強度明るい像が、磁化−Ｍｘ領域２０では、信号の極性が反転した暗い像が発生することが分かる。即ち、画像が検出器１０ＡＬ側に集中している場合には、（１０ＡＬ−１０ＡＲ）は殆ど１０ＡＬ側の像が占め、画像が検出器１０ＡＲ側に集中している場合には、（１０ＡＬ−１０ＡＲ）は、殆ど−１０ＡＲの像が占めることになる。この結果、図４に示すようなコントラストが得られることになる。
【００３７】
図４は本発明装置における磁区コントラストを示す図である。図に示すコントラストは、１０ＡＬ−１０ＡＲを演算したものである。図のＫが図３の１７に対応しており、図のＬが図３の１８に対応している。このように、Ｋは明るく白い領域、Ｌは暗くて黒い領域であり、黒白コントラストがついた像となる。従来技術ではできなかった、９０°異なる方向（試料最大傾斜面に平行、反平行）に対する磁区コントラストが得られることが分かる。図４によれば、試料の磁区の向きも判定することができる。
（実施の形態２）
実施の形態１では、試料傾斜面に平行な磁区より９０°回転したところの試料の最大傾斜面に平行と反平行の磁化が反射電子検出器の信号演算により磁区コントラストを得ることを説明した。実施の形態２では、以下に図面で示される相互に９０°回転した４方向の磁化において２分割反射電子検出器の加減算及び極性変換により磁区コントラストの形成及びそれぞれの磁化方位の認識が可能なことを示す。
【００３８】
図５は本発明装置の第２の実施の形態を示す斜視図である。図１と同一のものは、同一の符号を付して示す。新たな構成として、磁化＋Ｍｘ領域８−１、磁化−Ｍｘ領域８−２、磁化＋Ｍｙ領域２０−１、磁化−Ｍｙ領域２０−２を示す。また、磁壁７は図示するような互いに直交した２方向に存在する。その他の構成は、図２に示す装置と同じであるので、その詳細構成は省く。
【００３９】
図６は本発明の第２の実施の形態における試料と検出器の関係を示す図である。試料２と電子検出器１０Ａの関係において、Ｂ視の磁化＋Ｍｘ理領域８−１、磁化−Ｍｘ領域８−２、磁化−Ｍｙ領域２０−１、磁化＋Ｍｙ領域２０−２を示す。
【００４０】
ここでは、抽出された反射電子検出器１０Ａの検出面において、磁化＋Ｍｘ領域の少量の反射電子１７−１、磁化−Ｍｘ領域の偏向された多量の反射電子１７−２、磁化−Ｍｙ領域の反射電子１８−１、磁化＋Ｍｙ領域の偏向された反射電子１８−２を示す。
【００４１】
図７は本発明の第２の実施の形態例における磁区コントラストを示す図である。この図から、以下のコントラストの認識が得られる。即ち、（ａ）信号演算１０ＡＲ＋１０ＡＬ、（ｂ）信号演算−（１０ＡＲ＋１０ＡＬ）。（ａ）と（ｂ）は従来例に相当するものである。即ち、反射電子検出器を１個にしたものに相当するからである。
【００４２】
（ｃ）は信号演算−（１０ＡＬ−１０ＡＲ）、（ｄ）は信号演算（１０ＡＬ−１０ＡＲ）である。これらの磁区コントラストにおいて、従来技術で認識できる試料傾斜軸に沿って、平行・反平行の磁化の磁区コントラスト（ａ），（ｂ）に加え、発明により認識できる９０°方位の異なる試料最大傾斜面に沿って平行・反平行の磁区の磁化がおのおのの明暗の磁区コントラスト（ｃ），（ｄ）として認識可能である。
【００４３】
以上、実施の形態１，２では一つの素子を対称２分割した反射電子検出器を例にして説明したが、これに限定されるものではない。例えば、２個の反射電子検出器が光軸を含む面を境にして左右両側の領域に各々あって、試料と光軸の交点付近を見込むように配置したものであっても構わない。
【００４４】
以下に、本発明の効果を示す。
１）試料に対向する反射電子検出器を電子線の光軸に沿ってＲ（右側）とＬ（左側）の２分割対称とすることで、信号演算Ｒ−Ｌ又は−（Ｒ−Ｌ）において従来技術で得られなかった試料最大傾斜軸と直交方向の磁化の磁区コントラストを観察することが可能であり、かつ試料の磁区の向きを認識することができる。
【００４５】
２）試料傾斜軸と（ａ）平行な磁化によるコントラストと（ｂ）直交方向の磁区コントラストを信号加減算及び極性変換演算処理を任意に選択することで、試料の磁化方向を面方位として３６０°定性的に認識することができる。
【００４６】
このように、本発明によれば、磁区コントラストのよい観察像を得ることができる磁区観察装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明装置の第１の実施の形態を示す斜視図である。
【図２】本発明装置のＡ視断面図である。
【図３】本発明装置における試料と検出器の関係を示す図である。
【図４】本発明装置における磁区コントラストを示す図である。
【図５】本発明装置の第２の実施の形態を示す斜視図である。
【図６】本発明の第２実施の形態における試料と検出器の関係を示す図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態における磁区コントラストを示す図である。
【図８】磁区観察装置の従来構成を示す斜視図である。
【図９】図８に示す装置のＡ視断面図である。
【図１０】Ｂ視における試料と検出器の関係を示す図である。
【図１１】Ｂ視における磁区コントラスト図形を示す図である。
【図１２】従来装置の問題点の説明図である。
【図１３】従来装置の問題点の説明図である。
【図１４】Ｂ視における試料と検出器の説明図である。
【図１５】Ｂ視における磁区コントラストを示す図である。
【符号の説明】
【００４８】
１        電子線プローブ
２        試料
３        光軸（Ｚ）
４        傾斜軸（Ｘ）
５        平面軸（Ｙ）
７        試料磁壁
８        磁化Ｍｘ
９        反射電子線
１０Ａ    反射電子検出器
１０ＡＲ  分割検出器
１０ＡＬ  分割検出器
１０Ｂ    演算器
１１      試料最大傾斜面
２０      磁化−Ｍｘ領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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