(57)【要約】【課題】湿式成膜法により、ピンホールやダークスポットの発生のない有機電界発光素子を形成することができる有機電界発光素子用組成物を提供する。【解決手段】電荷輸送材料と溶剤とを含有する、有機電界発光素子の陽極と陰極の間に配置される層を湿式成膜法で形成するために用いられる有機電界発光素子用組成物であって、該組成物は、加熱工程と濾過工程または超音波処理工程を経て製造されたものであり、粒度分布の体積平均粒径（ｄ５０）が、４００ｎｍ以下であることを特徴とする有機電界発光素子用組成物。【選択図】図１
2010212354.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電荷輸送材料と溶剤とを含有する、有機電界発光素子の陽極と陰極の間に配置される層を湿式成膜法で形成するために用いられる有機電界発光素子用組成物であって、
該組成物は、加熱工程と濾過工程を経て製造されたものであり、
粒度分布の体積平均粒径（ｄ５０）が、４００ｎｍ以下であることを特徴とする、有機電界発光素子用組成物。
【請求項２】
電荷輸送材料と溶剤とを含有する、有機電界発光素子の陽極と陰極の間に配置される層を形成するために用いられる有機電界発光素子用組成物であって、
該組成物は、加熱工程と超音波処理工程を経た後に濾過工程を経て製造されたものであり、
粒度分布の体積平均粒径（ｄ５０）が、４００ｎｍ以下であることを特徴とする、有機電界発光素子用組成物。
【請求項３】
該電荷輸送材料が発光層形成用材料であることを特徴とする、請求項１または２に記載の有機電界発光素子用組成物。
【請求項４】
該電荷輸送材料が電荷輸送層形成用材料であることを特徴とする、請求項１または２に記載の有機電界発光素子用組成物。
【請求項５】
前記湿式成膜法が、インクジェット法であることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の有機電界発光素子用組成物。
【請求項６】
陽極、陰極および該陽極と陰極の間に配置された層を有する有機電界発光素子であって、
該陽極と陰極の間に配置された層が、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の有機電界発光素子用組成物を用いて形成された層であることを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項７】
請求項６に記載の有機電界発光素子を用いたことを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。
【請求項８】
請求項６に記載の有機電界発光素子を用いたことを特徴とする、有機ＥＬ照明。
【請求項９】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の有機電界発光素子用組成物の製造方法であって、
電荷輸送材料と溶剤とを含有する溶液を加熱する加熱工程と、
該加熱後の該溶液を濾過する濾過工程とを有し、
濾過後、０．００００００１秒（濾過工程におけるｉｎ  ｓｉｔｕ測定）から２６７８４００秒までの間に、粒度分布を測定することを特徴とする、有機電界発光素子形成用組成物の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし５のいずれか一項に記載の有機電界発光素子用組成物の製造方法であって、
電荷輸送材料と溶剤とを含有する溶液を加熱する加熱工程と超音波処理工程とを経た後、
該溶液を濾過する濾過工程とを有し、
濾過後、０．００００００１秒（濾過工程におけるｉｎ  ｓｉｔｕ測定）から２６７８４００秒までの間に、粒度分布を測定することを特徴とする、有機電界発光素子形成用組成物の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子を湿式成膜法で形成するために用いられる有機電界発光素子用組成物およびその製造方法に関する。
本発明はまた、この有機電界発光素子用組成物を用いた有機電界発光素子と、この有機電界発光素子を用いた有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ照明に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機電界発光素子は、通常、陽極と陰極との間に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などを設けて形成され、各層に適した材料が開発されつつある。また、有機電界発光素子の発光色も赤、緑、青と、それぞれに開発が進んでいる。
【０００３】
有機電界発光素子の各構成層の形成方法としては、真空蒸着法と湿式成膜法がある。このうち、真空蒸着法では、テレビやモニタ用の中・大型フルカラーパネルなどを製作する場合、歩留まりの観点で課題を有する。そのため、中でもこれら大面積の用途には湿式成膜法が好適である。
【０００４】
しかしながら、湿式成膜法で有機電界発光素子の有機層を形成するためには、有機層を形成する材料が溶剤に溶解し、かつ湿式成膜後にも素子の構成層として要求される高い性能を有することが望まれる。特に、湿式成膜法で有機層が形成された有機電界発光素子は、ピンホールやダークスポットの発生が問題となっていた。
【０００５】
このような問題を解決するために、湿式成膜法で用いられる有機電界発光素子用組成物を濾過することが考えられる。
なお、特許文献１では、有機電界発光素子の正孔注入輸送層形成用組成物に関して、濾過前の粒度分布を測定して超音波処理を経ることにより、粒度分布が小さくなったことを述べているが、濾過後の粒度分布に関する記述はなく、濾過が適切に行われたかどうか検証する手段を提供していなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−１０６２７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、湿式成膜法により、ピンホールやダークスポットの発生のない有機電界発光素子を形成することができる有機電界発光素子用組成物を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、有機電界発光素子用組成物の粒度分布の体積平均粒径（ｄ５０）を測定し、この値が所定値以下である有機電界発光素子用組成物であれば、湿式成膜法により、ピンホールやダークスポットの発生のない有機電界発光素子を製造し得ることを見出し、本発明に至った。
【０００９】
すなわち、本発明の要旨は、電荷輸送材料と溶剤とを含有する、有機電界発光素子の陽極と陰極の間に配置される層を湿式成膜法で形成するために用いられる有機電界発光素子用組成物であって、該組成物は、加熱工程と濾過工程を経て製造されたものであり、粒度分布の体積平均粒径（ｄ５０）が、４００ｎｍ以下であることを特徴とする有機電界発光素子用組成物（請求項１）、に存する。
【００１０】
本発明の別の要旨は、電荷輸送材料と溶剤とを含有する、有機電界発光素子の陽極と陰極の間に配置される層を形成するために用いられる有機電界発光素子用組成物であって、該組成物は、加熱工程と超音波処理工程を経た後に濾過工程を経て製造されたものであり、粒度分布の体積平均粒径（ｄ５０）が、４００ｎｍ以下であることを特徴とする有機電界発光素子用組成物（請求項２）、に存する。
【００１１】
本発明の別の要旨は、陽極、陰極および該陽極と陰極の間に配置された層を有する有機電界発光素子であって、該陽極と陰極の間に配置された層が、上記本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて形成された層であることを特徴とする有機電界発光素子（請求項６）、に存する。
【００１２】
本発明の別の要旨は、上記本発明の有機電界発光素子を用いたことを特徴とする有機ＥＬ表示装置（請求項７）、に存する。
【００１３】
本発明の別の要旨は、上記本発明の有機電界発光素子を用いたことを特徴とする有機ＥＬ照明（請求項８）、に存する。
【００１４】
本発明の別の要旨は、上記本発明の有機電界発光素子用組成物の製造方法であって、電荷輸送材料と溶剤とを含有する溶液を加熱する加熱工程と、該加熱後の該溶液を濾過する濾過工程とを有し、濾過後、０．００００００１秒（濾過工程におけるｉｎ  ｓｉｔｕ測定）から２６７８４００秒までの間に、粒度分布を測定することを特徴とする有機電界発光素子形成用組成物の製造方法（請求項９）、に存する。
【００１５】
本発明の別の要旨は、上記本発明の有機電界発光素子用組成物の製造方法であって、電荷輸送材料と溶剤とを含有する溶液を加熱する加熱工程と超音波処理工程とを経た後、該溶液を濾過する濾過工程とを有し、濾過後、０．００００００１秒（濾過工程におけるｉｎ  ｓｉｔｕ測定）から２６７８４００秒までの間に、粒度分布を測定することを特徴とする有機電界発光素子形成用組成物の製造方法（請求項１０）、に存する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の有機電界発光素子用組成物は、加熱工程と濾過または超音波処理工程を経て製造されたものであり、粒度分布の体積平均粒径（ｄ５０）が４００ｎｍ以下と、ピンホールやダークスポットの原因となる異物や材料の析出などのない極めて均一な組成物である。このため、この有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法により、ピンホールやダークスポットの発生の問題のない、高性能の有機電界発光素子を製造することができ、このような有機電界発光素子を用いて、高品質の有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ照明を安定的に提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の有機電界発光素子の一例を示した模式的断面図である。
【図２】動的光散乱法による粒度分布の測定原理の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明するが、以下に記載する構成要件の説明は、本発明の実施態様の一例（代表例）であり、本発明はその要旨を超えない限り、これらの内容に特定されない。
【００１９】
［有機電界発光素子用組成物］
本発明の有機電界発光素子用組成物は、電荷輸送材料と溶剤とを含有する、有機電界発光素子の陽極と陰極の間に配置される層を湿式成膜法で形成するために用いられる有機電界発光素子用組成物であって、該組成物は、加熱工程と濾過工程または超音波処理工程を経て製造されたものであり、粒度分布の体積平均粒径（ｄ５０）が、４００ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００２０】
このような本発明の有機電界発光素子用組成物は、後述の電荷輸送材料および溶剤を用いて加熱下に電荷輸送材料を溶剤に溶解させるか、または、該加熱溶解後、さらに超音波処理した後、濾過を行い、粒度分布の体積平均粒径（ｄ５０）の測定を行って、この値が４００ｎｍ以下であることを確認することにより製造される。或いは、予め実験により求められた、粒度分布の体積平均粒径（ｄ５０）≦４００ｎｍを達成し得る加熱、または、加熱および超音波処理、に続く濾過における各条件で組成物を製造することにより、本発明の有機電界発光素子用組成物を得ることができる。
【００２１】
なお、加熱工程は、超音波処理工程を共に行ってもよく、その場合には、超音波処理工程後に加熱工程を行うことが好ましい。さらに、加熱工程の後で超音波処理工程を行ってもよく、濾過工程において超音波処理を併用することも好ましい。
【００２２】
以下に本発明の有機電界発光素子用組成物の製造方法を各工程毎に説明する。
【００２３】
｛加熱工程｝
電荷輸送材料と溶剤を含有する溶液を加熱する加熱工程は、後述の電荷輸送材料と溶剤とを所定の割合で容器に入れ、好ましくは攪拌下に加熱することにより行われる。
【００２４】
加熱工程における加熱の程度は、用いる溶剤の蒸気圧や沸点、有機電界発光素子材料の溶解性等に応じて適宜決定されるが、通常３０℃以上、特に８０℃以上で、用いる溶剤の沸点以下、特に該沸点から３０℃以上低い温度以下とすることが好ましい。加熱温度が低過ぎると加熱を行ったことによる溶解促進効果を十分に得ることができず、高過ぎると溶剤の沸点、蒸気圧の関係から安全上問題となる場合がある。
【００２５】
また、加熱工程において攪拌を行う場合、攪拌条件としては特に制限はなく、用いる電荷輸送材料の溶剤への溶解性等に応じて適宜決定されるが、攪拌翼等の攪拌手段の回転数として０．０１ｒｐｍ以上、特に１０ｒｐｍ以上で、２０００ｒｐｍ以下、特に２００ｒｐｍ以下とすることが好ましい。攪拌時の回転数が小さ過ぎると、電荷輸送材料の溶解に時間を要する、未溶解分が多くなる、製造歩留りが悪くなる等の恐れがある。また、攪拌時の回転数が大き過ぎると、内容物が容器外へ飛散する、撹拌効率が低下する、撹拌に要する消費電力が増大する、等の弊害が生ずる等の恐れがある。
【００２６】
この加熱工程は、通常の場合、目視により、電荷輸送材料が溶剤中に溶解したことを確認するまで行われる。従って、加熱工程に要する時間は、この溶解の確認までの時間であり、用いる電荷輸送材料の溶剤への溶解性や、加熱条件、攪拌条件によっても異なるが、通常１分以上で７５０時間以下である。
【００２７】
この加熱工程により、目視により電荷輸送材料の溶解を確認した後、即ち、得られた溶液を目視観察して、未溶解材料や微粒子の存在が認められない状態になった後は、次の濾過工程または超音波処理工程に移行する。
【００２８】
{濾過工程}
加熱工程で得られた溶液の濾過手段としては特に制限はないが、例えば、次のようなものが挙げられる。
【００２９】
濾過手段としては、通常の化学実験室で実施するヌッチェと濾紙を用いた自然濾過や減圧濾過、工場等で行われる圧搾・圧縮による加圧濾過、遠心分離機による遠心濾過が挙げられる。さらに、濾過時に加熱を行う熱時濾過、超音波を併用する濾過、濾材の目開き（フィリター孔径）が分子サイズに近づいた限外濾過等が挙げられる。
【００３０】
濾材としては、天然繊維、合成繊維、ガラス繊維、金属製のものなどを挙げることができるが、水圧により開孔率が変化しにくい素材が適しており、例えば、金属製では、ステンレス製メッシュ網、銅製メッシュ網等、合成繊維のものとしては、低吸湿性のナイロン網、合成樹脂にパンチングされた成型品等を挙げることができる。また、メンブレンフィルターと呼ばれる高分子材料からなる多孔質の（円形に近い孔が相互につながりあった孔構造を持つ）フィルム状フィルターおよび、該フィルターが、金属・ガラス・プラスチックなどでできたハウジング（フィルターホルダー）に組み込まれたり、該ハウジングと一体成型されたりしているメンブレンフィルターユニット（一体成型品はシリンジフィルターとも呼ばれる）を用いることもできる。該高分子材料としては、セルロース混合エステル、セルロースアセテート、ポリカーボネート、ＰＴＦＥ（ポリテトラフロロエチレン）、ポリエステル不織布にセルロースアセテートをコートしたもの等が挙げられる。これら種々の濾材は市販品を用いることができる。
【００３１】
また、この濾過工程の濾過条件としても特に制限はないが、次のような条件を採用することができる。
濾過時の加圧力として大気圧との差圧で表したとき、値が正かつ１ｈＰａ以上で、２００ＭＰａ以下、特に０．２ＭＰａ以下とすることが好ましい。濾過時の加圧力が小さ過ぎると、電荷輸送材料の濾過を開始してから濾過を終了するまでに長い時間を要する、溶剤がその間に揮発して溶液としての性質が変化する、等の恐れがある。また、濾過時の加圧力が大き過ぎると、濾過膜を破壊する、濾過性能が低下する（濾過膜の仕様よりも大きい粒子が通過する）、濾過に要する消費電力が増大する、等の弊害が生ずる恐れがある。この時、濾過出口における圧力を減圧とする手段を併用してもよく、その減圧力として０．００１Ｐａ以上、特に１Ｐａ以上で、１０１３ｈＰａ以下、特に９００ｈＰａ以下とすることが好ましい。このような濾過時の減圧は、用いなくてもよいが、用いた場合、濾過時の減圧力が大き過ぎると、溶剤が揮発して溶液としての性質が変化する、濾過膜を破壊する、濾過性能が低下する（濾過膜の仕様よりも大きい粒子が通過する）、濾過に要する消費電力が増大する、等の弊害が生ずる恐れがある。
【００３２】
濾過時の温度として、用いる溶剤の凝固点以上、特に該溶剤の凝固点から５℃以上高い温度で、該溶剤の沸点以下、特に該沸点から２０℃以上低い温度とすることが好ましい。濾過時の温度が低過ぎると、溶液の粘性が上昇して、電荷輸送材料の濾過を開始してから濾過を終了するまでに長い時間を要する、濾過後の溶質濃度が低下する、濾過膜を破壊する、等の恐れがある。また、濾過時の温度が高過ぎると、溶剤が揮発して溶液としての性質が変化する、濾過性能が低下する（濾過膜の仕様よりも大きい粒子が通過する）、濾過に要する消費電力が増大する、等の弊害が生ずる恐れがある。
【００３３】
なお、前述の如く、この濾過工程の前には超音波処理工程を行ってもよく、その場合には、以下の超音波処理工程後の溶液に対して濾過工程を行うことになる。さらに、濾過工程と共に超音波処理工程を併用することも好ましい。
【００３４】
｛超音波処理工程｝
加熱工程で得られた溶液の超音波処理工程で用いる超音波処理手段としては特に制限はないが、例えば、次のようなものが挙げられる。
【００３５】
一般に、溶液に超音波を照射すると溶液中に無数の真空の泡が発生する。真空の泡は、キャビテーションと呼ばれ、このキャビテーションが潰れる時の力を利用し、解砕・破砕・分散・乳化などを行う。例としては、濾過工程に投入される前の溶液（有機電界発光素子用組成物）に触れるよう直接、超音波分散機（超音波ホモジナイザーとも呼ばれる）をセットして超音波を該組成物に印加してから濾過する方法、濾過工程の投入容器に超音波発振器を取り付けて該溶液を容器外から励振する方法、濾過装置のフィルター部のハウジングに超音波発振器を取り付けて濾過中の溶液を該ハウジング外から励振する方法等があげられる。  
【００３６】
また、この超音波処理工程の超音波処理条件としても特に制限はないが、次のような条件を採用することができる。
超音波処理時の周波数としては、技術的な観点から用いることが可能な範囲として、特に２０ｋＨｚ以上で、２０ＭＨｚ以下、特に５００ｋＨｚ以下、を挙げることができる。超音波処理時の周波数が低過ぎると、溶質の解砕が進まず、その後の濾過工程において、電荷輸送材料の濾過を開始してから濾過を終了するまでに長い時間を要する、等の恐れがある。また、超音波処理時の周波数が高過ぎると、該処理に要する消費電力が増大する、濾過工程で超音波処理を併用した場合、濾過膜を破壊する、濾過性能が低下する（濾過膜の仕様よりも大きい粒子が通過する）、等の弊害が生ずる恐れがある。
【００３７】
超音波処理時の出力としては、電波法に定められた規定の出力以内で用いることが義務付けられているが、技術的な観点だけから用いることが可能な範囲として、通常１Ｗ以上で、特に３０Ｗ以上で、通常１００ｋＷ以下、特に１ｋＷ以下、を挙げることができる。超音波の出力は、周波数が一定であれば、その振幅によって決定される。超音波処理時の出力が低過ぎると、溶質の解砕が進まず、その後の濾過工程において、電荷輸送材料の濾過を開始してから濾過を終了するまでに長い時間を要する、等の恐れがある。また、超音波処理時の出力が高過ぎると、電荷輸送材料や発光材料そのものが超音波のエネルギーを受けて分解する、該処理に要する消費電力が増大する、濾過工程で超音波処理を併用した場合、濾過膜を破壊する、濾過性能が低下する（濾過膜の仕様よりも大きい粒子が通過する）、等の弊害が生ずる恐れがある。
【００３８】
超音波処理時の処理時間として、通常０．１秒以上、特に１分以上で、通常１００００分以下、特に２４０分以下とすることが好ましい。超音波処理時の処理時間が短過ぎると、溶質の解砕が進まず、その後の濾過工程において、電荷輸送材料の濾過を開始してから濾過を終了するまでに長い時間を要する、等の恐れがある。また、超音波処理時の処理時間が長過ぎると、電荷輸送材料や発光材料そのものが超音波のエネルギーを受けて分解する、溶剤がその間に揮発して溶液としての性質が変化する、濾過工程で超音波処理を併用した場合、濾過膜を破壊する、濾過性能が低下する（濾過膜の仕様よりも大きい粒子が通過する）、濾過に要する消費電力が増大する、等の弊害が生ずる恐れがある。
【００３９】
超音波処理時の処理温度として、用いる溶剤の凝固点以上、特に該溶剤の凝固点から５℃以上高い温度で、該溶剤の沸点以下、特に該沸点から２０℃以上低い温度とすることが好ましい。超音波処理時の処理温度が低過ぎると、溶質の解砕が進まず、その後の濾過工程において、電荷輸送材料の濾過を開始してから濾過を終了するまでに長い時間を要する、濾過工程で超音波処理を併用した場合、濾過膜を破壊する、歩留りが低下する、濾過後の溶質濃度が低下する、等の恐れがある。また、超音波処理時の処理温度が高過ぎると、溶剤が揮発して溶液としての性質が変化する、濾過性能が低下する（濾過膜の仕様よりも大きい粒子が通過する）、濾過に要する消費電力が増大する、等の弊害が生ずる恐れがある。
【００４０】
｛粒度分布の体積平均粒径（ｄ５０）の測定｝
本発明においては、上記加熱工程、または、加熱工程と超音波処理工程を経た後に濾過工程を経て得られた溶液について、粒度分布の体積平均粒径（ｄ５０）を測定する。この体積平均粒径（ｄ５０）の測定を行って４００ｎｍ以下であることが確認された有機電界発光素子用組成物は、加熱、または、加熱と超音波処理による溶解プロセスが適切に行われ、また、濾過工程等で異物の混入や析出物の発生などのない、従って、ピンホールやダークスポットの発生の問題のない有機電界発光素子を形成し得る有機電界発光素子用組成物である。
このように、体積平均粒径（ｄ５０）≦４００ｎｍというナノスケールサイズの粒径を持つ粒子群の測定は、以下の原理を用いて行われる。
【００４１】
＜測定原理：動的光散乱法（ＦＦＴパワースペクトル法）＞
サイズが数μｍ以下の粒子は、溶剤分子運動の影響を受けてブラウン運動する。この運動の速さは粒子サイズ（正確には質量であり、質量は粒子の密度が一定であれば、粒子の体積に比例することから、体積と言える。）によって異なり、小さい粒子は速く、大きい粒子はゆっくり動く。これらブラウン運動をしている粒子にレーザー光を照射すると、散乱光の位相がその速度に応じて変化する現象（ドップラーシフト）が生じる。このドップラーシフトは粒子の運動速度すなわち粒子径情報を含んでいるので、それ検出して粒度分布を求めることが可能となる。
【００４２】
図２は、この測定原理を示す説明図であり、粒子径情報の検出から粒度分布変換までのプロセスが示されている。
図２に示す如く、動的光散乱法による粒度分布の測定は以下の手順で行われる。
（１）  光ファイバーを通じてレーザーダイオード光をサンプルに照射する。
（２）  反射光をリファレンスとして、粒子径情報を含んだ散乱光も検出部へ伝達する。
（３）  粒子径情報を含んだ位相変化を検出、アナログ／デジタル（Ａ／Ｄ）変換する。
（４）  デジタル化された情報をＦＦＴ（高速フーリエ変換器）にて周波数成分に変換する。
（５）  周波数成分変換されたデータから特殊アルゴリズム（たとえば、装置メーカーの仕様の）を用いて粒度分布を求める。
【００４３】
上記測定原理により、サンプル粒子の密度が既知であるならば、体積（頻度、累積）分布が測定可能になる。従って、粒子が球形であると仮定して、体積分布から粒子直径と頻度の関係、すなわち粒度分布に変換することができる。これを体積粒度分布と呼ぶ。ここで、体積粒度累積分布のメジアン値をもって平均の粒子径とすることがもっぱら採用される。これを体積平均粒径と称し、ｄ５０と略記する。
【００４４】
なお、上記粒度分布の測定において、濾過後の組成物の粒度分布に関しては、濾過フィルターの不良等により、濾過フィルターの目開きよりも大きい粒子が通過することを想定して、用いた濾過用フィルターの目開きに応じて測定レンジを適切に選定しなければならない。例えば、０．２μｍの目開きのフィルターを用いた場合、測定レンジは、少なくとも１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲でなければならない。より好ましくは、０．１ｎｍ〜８００ｎｍの範囲であることが好ましい。即ち、測定レンジは、開いた濾過用フィルターの目開きに対して、測定可能最大粒子径が４倍以上であることが好ましい。
【００４５】
また、有機電界発光素子用組成物の粒度分布は、有機電界発光素子用組成物の製造後、即ち、好ましくは、濾過後、０．００００００１秒（濾過工程におけるｉｎ  ｓｉｔｕ測定）から２６７８４００秒までの間に、測定することが好ましい。この濾過後の測定時間を０．００００００１秒未満とすることは技術的に困難である場合があり、また２６７８４００秒を超えると製造コストが大幅に増大して、インク製造の実用上極めて不利である場合がある。
なお、上記濾過工程において粒度分布をｉｎ  ｓｉｔｕ測定しない場合、濾過による有機電界発光素子用組成物を得てから２６７８４００秒までに粒度分布を測定するが、該組成物を測定する際、同じ目開きのフィルターで濾過した同じ溶剤で該組成物を適切な倍率で希釈した溶液を用いて測定することが通常行われる。この希釈は、該組成物があまりに高濃度の粒度分布を有していた場合に、測定誤差が生じることを防止する目的で行われる。
【００４６】
本発明の有機電界発光素子用組成物は、このようにして測定される粒度分布の体積平均粒径（ｄ５０）が４００ｎｍ以下であることを特徴とする。この体積平均粒径（ｄ５０）が４００ｎｍを超えるものでは、異物や溶解材料の析出の問題があり、ピンホールやダークスポットの発生のない有機電界発光素子を製造し得ない。体積平均粒径（ｄ５０）は小さい程好ましく、従って、特に２００ｎｍ以下、とりわけ５ｎｍ以下であることが好ましいが、体積平均粒径（ｄ５０）を過度に小さくするには、そのため処理に多大な手間を要し、処理コストに見合わなくなる。従って、有機電界発光素子用組成物の体積平均粒径（ｄ５０）は通常１００ｎｍ以上である。
【００４７】
なお、この粒度分布の体積平均粒径（ｄ５０）の測定により、体積平均粒径（ｄ５０）が４００ｎｍを超えることが確認された場合には、更に、前述の加熱工程や濾過工程、超音波処理工程を行って体積平均粒径（ｄ５０）≦４００ｎｍの有機電界発光素子用組成物を得る。
【００４８】
｛用途｝
本発明の有機電界発光素子用組成物は、有機電界発光素子の陽極と陰極との間に配置される層、即ち、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の電荷輸送層や発光層等の機能性層を湿式成膜法で形成されるために用いられるものであるが、特に、発光層、或いは正孔輸送層、正孔注入層等の湿式成膜法で形成される層に適用することが好ましい。
【００４９】
尚、本発明において湿式成膜法とは、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、ノズルプリント法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等湿式で成膜される方法をいう。これらの成膜方法の中でも、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法が好ましい。これは、湿式成膜法において、成膜用組成物として用いられる本発明の有機電界発光素子用組成物に特有の液性に合うためである。
【００５０】
また、本発明の有機電界発光素子用組成物は、粒度分布の体積平均粒径（ｄ５０）が４００ｎｍ以下となっているが、該組成物を用いて、湿式成膜法により、ピンホールやダークスポットの発生の問題のない、高性能の有機電界発光素子を製造することができる。こうしたピンホールやダークスポット発生を評価する方法として、以下の手法を用いることができる。
【００５１】
ピンホールや異物に起因したダークスポットを評価するには、該組成物を用いて形成された薄膜層の表面粗さを測定することによって可能となる。例えば、該薄膜層を形成する前の下地基板の表面粗さをサブｎｍスケールの測定が可能な測定手段によって測定し、該下地基板上に形成した該薄膜層の表面粗さの値との大小を比較するという手法が採用可能である。そうしたサブｎｍスケールの表面粗さを測定できる測定手段としては、例えば、菱化システム社製バートスキャンを挙げることができる。
従って、得られた該組成物を用いて下地基板に薄膜層を形成した場合、この結果から、この薄膜層を有機電界発光素子に適用したとき、電極の表面粗さや異物付着等に起因するピンホールやダークスポットの発生を抑制し得るかどうかを評価することが可能となる。つまり、この評価において、該薄膜層の表面粗さが下地基板の表面粗さと比べて変わらないか小さい場合は、ピンホールやダークスポットの発生を抑制し得ることが判定できる。
特に、表面粗さの指標として、表面形状の山と谷、即ち、最大値と最小値の差を対象となる測定面で、ある種の統計処理をした値（例えば、多数回測定した平均値）をＲｍａｘとして用いることが可能である。その値が、下地基板のＲｍａｘと比べて大きくなった場合は、ピンホールや異物が存在していることを示唆し、素子短絡や、発光面におけるダークスポットの発生が予測される。
【００５２】
{配合成分組成}
以下に本発明の有機電界発光素子用組成物に含まれる電荷輸送材料および溶剤等の配合成分およびその組成について説明する。
【００５３】
本発明の有機電界発光素子用組成物は、電荷輸送材料と溶剤を必須成分として含むが、用途に応じて、更に発光材料やその他の成分を含む。以下において、発光材料と電荷輸送材料を「有機電界発光素子材料」と総称する。
【００５４】
＜有機電界発光素子材料＞
本発明の有機電界発光素子用組成物における有機電界発光素子材料の含有量は、通常０．０００１ｗｔ％以上、好ましくは０．００１ｗｔ％以上、より好ましくは０．１ｗｔ％以上、また、通常９０ｗｔ％以下、好ましくは７０ｗｔ％以下、より好ましくは５０ｗｔ％以下である。この含有量が上記下限より少ないと湿式成膜法により形成される薄膜の膜厚が薄くなり、素子としたときに、黒点や短絡の原因となる恐れがある。この含有量が上記上限より多いと湿式成膜法により形成される薄膜の膜厚が厚くなり、素子としたときに、駆動電圧が上昇したり、膜の不均一性（塗布ムラ）が生じやすくなり、輝度ムラが生じたりする恐れがある。
【００５５】
本発明における有機電界発光素子材料は、低分子であっても高分子であってもよく、本発明の効果を著しく損なわない限り用途に応じて任意に選択される。有機電界発光素子材料が低分子である場合、その分子量は通常１００００以下、好ましくは５０００以下、より好ましくは４０００以下、更に好ましくは３０００以下、また、通常１００以上、好ましくは２００以上、より好ましくは３００以上、更に好ましくは４００以上の範囲である。また、有機電界発光素子材料が高分子である場合、その分子量（以下、特に断りの無い限り、高分子の分子量は重量平均分子量を指す）は通常１００００００以下、好ましくは５０００００以下、より好ましくは３０００００以下、また、通常２０００以上、好ましくは５０００以上、より好ましくは１００００以上の範囲である。
【００５６】
有機電界発光素子材料が低分子の場合、分子量が小さ過ぎると、ガラス転移温度や融点、分解温度等が低くなりやすく、有機電界発光素子材料および形成される有機薄膜の耐熱性が著しく低下し、再結晶化や分子のマイグレーションなどに起因する膜質の低下や、材料の熱分解に伴う不純物濃度の上昇などを引き起こし、素子性能の低下を引き起こす場合がある。高分子の場合は、低分子ほど顕著ではないものの、分子量が小さ過ぎるとやはり耐熱性の低下に起因する同様の不具合が引き起こされる場合がある。
一方、有機電界発光素子材料の分子量が大きすぎると、低分子、高分子いずれも有機電界発光素子材料の構造や組成物（インク）の調製に使用する溶剤の種類によっては溶剤に対する有機電界発光素子材料の溶解度が小さくなりすぎる場合があり、例えば、材料製造工程における精製が困難となる場合がある。また、成膜時に薄膜が形成されない部分が生じたり、形成された有機薄膜の膜厚が薄くなりすぎるなどの問題が生じ、素子としたときに、黒点の発生や短絡の原因となる場合がある。
【００５７】
（発光材料）
本発明の有機電界発光素子用組成物は、有機電界発光素子材料として発光材料を含有していてもよい。この場合、本発明の有機電界発光素子用組成物は、通常、有機電界発光素子の発光層を形成するために使用される。
【００５８】
発光材料とは、不活性ガス雰囲気下、室温で、希薄溶液中における蛍光量子収率または燐光量子収率が３０％以上である材料であって、希薄溶液中における蛍光スペクトルとの対比から、それを用いて作製された有機電界発光素子に通電した際に得られるＥＬスペクトルの一部または全部が、該材料の発光に帰属される材料、と定義される。
【００５９】
発光材料としては、通常、有機電界発光素子の発光材料として使用されているものであれば限定されない。例えば、蛍光発光材料であってもよく、燐光発光材料であってもよいが、内部量子効率の観点から、好ましくは燐光発光材料である。また、青色発光材料は蛍光発光材料を用い、緑色発光材料や赤色発光材料は燐光発光材料を用いるなど、組み合わせて用いてもよい。
【００６０】
なお、発光材料としては、溶剤への溶解性を向上させる目的で、分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基が導入されたりしている材料を用いることが好ましい。
【００６１】
以下、発光材料のうち蛍光発光材料の例を挙げるが、蛍光発光材料は以下の例示物に限定されるものではない。
【００６２】
青色発光を与える蛍光発光材料（青色蛍光色素）としては、例えば、ナフタレン、クリセン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。中でも、アントラセン、クリセン、ピレンおよびそれらの誘導体等が好ましい。
【００６３】
緑色発光を与える蛍光発光材料（緑色蛍光色素）としては、例えば、キナクリドン、クマリン、ジアミノアントラセン、Ａｌ（Ｃ９Ｈ６ＮＯ）３などのアルミニウム錯体およびそれらの誘導体等が挙げられる。
【００６４】
黄色発光を与える蛍光発光材料（黄色蛍光色素）としては、例えば、ルブレン、ペリミドンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。
【００６５】
赤色発光を与える蛍光発光材料（赤色蛍光色素）としては、例えば、ＤＣＭ（４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−（ｐ−ジメチルアミノスチレン）−４Ｈ−ピラン）系化合物、ベンゾピラン、ローダミン、ベンゾチオキサンテン、アザベンゾチオキサンテン等のキサンテンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。
【００６６】
燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表（以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。）第７〜１１族から選ばれる金属を中心金属として含むウェルナー型錯体または非ウェルナー型有機金属錯体が挙げられる。
【００６７】
周期表第７〜１１族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられ、中でもより好ましくはイリジウム、パラジウムまたは白金である。
【００６８】
錯体の配位子としては、（ヘテロ）アリールピリジン配位子、（ヘテロ）アリールピラゾール配位子などの（ヘテロ）アリール基とピリジン、ピラゾール、フェナントロリンなどが連結した配位子が好ましく、特にフェニルピリジン配位子、フェニルピラゾール配位子が好ましい。ここで、（ヘテロ）アリールとは、アリール基またはヘテロアリール基を表す。
【００６９】
燐光発光材料として、具体的には、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）オスミウム、トリス（２−フェニルピリジン）レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が挙げられる。
【００７０】
発光材料として用いる化合物の分子量は、低分子が好ましく、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１００００以下、好ましくは５０００以下、より好ましくは４０００以下、更に好ましくは３０００以下、また、通常１００以上、好ましくは２００以上、より好ましくは３００以上、更に好ましくは４００以上の範囲である。発光材料の分子量が小さ過ぎると、耐熱性が著しく低下したり、ガス発生の原因となったり、膜を形成した際の膜質の低下を招いたり、或いはマイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化を来したりする場合がある。一方、発光材料の分子量が大き過ぎると、π共役長の拡大に起因する発光色純度の低下を引き起こしたり、有機化合物の精製が困難となってしまったり、溶剤に溶解させる際に時間を要したりする傾向がある。
【００７１】
なお、上述した発光材料は、いずれか１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。また、後述する電荷輸送材料と任意の比率で混合して用いてもよい。
【００７２】
本発明の有機電界発光素子用組成物が発光材料を含む場合、有機電界発光素子用組成物に含まれる発光材料の含有量は、０．０００００１ｗｔ％以上が好ましく、０．０００１ｗｔ％以上がより好ましく、０．０１ｗｔ％以上が特に好ましく、２５ｗｔ％以下が好ましく、１５ｗｔ％以下がより好ましく、１５ｗｔ％以下が特に好ましい。
有機電界発光素子用組成物中の発光材料の含有量がこの下限を下回ると、有機電界発光素子用組成物中の固形分含有量が不足することにより成膜時に薄膜が形成されない部分が生じる、あるいは形成された薄膜の膜厚が薄くなりすぎるなどの問題が生じ、最終的に得られた素子の黒点の発生や短絡の原因となる等、所望の機能を十分に得ることが出来ない場合がある。また、有機電界発光素子用組成物に含まれる電荷輸送材料に対する濃度の相対値が低下してしまい、電荷輸送材料からの電荷あるいはエネルギーの移動が不十分となり、無効電流の増大による消費電力の低下や電荷輸送材料そのものからの発光による色ずれなどが生じる場合もある。
一方、有機電界発光素子用組成物中の発光材料の含有量がこの上限を上回ると、成膜時に得られる薄膜の膜厚が厚くなりすぎ、素子の駆動電圧が上昇する、塗布ムラが生じやすくなり、素子発光面の輝度ムラの原因となる等、やはり所望の機能を十分に得られない場合がある。また、一般に濃度消光と呼ばれる発光材料分子間の相互作用の増大による消光現象や、乾燥時の発光材料の凝集、発光材料が発光層へ注入された電荷のトラップとして作用することによる駆動電圧の上昇や素子の耐久性の低下などが起こりやすくなる場合もある。
該含有量は、本発明の有機電界発光素子用組成物中に含まれる発光材料が複数ある場合には、その合計量を表す。
【００７３】
（電荷輸送材料）
有機電界発光素子において、陽極および陰極から正負の電荷（以下、キャリア記述する場合がある）を効率よく取り出し、輸送し、必要に応じて前述の発光材料に効率よく供給することが望まれる。従って、本発明の有機電界発光素子用組成物は、有機電界発光素子材料として、このような電荷輸送材料を必須成分として含有する。電荷輸送材料としては、正孔輸送性の化合物や電子輸送性の化合物が挙げられる。これらの電荷輸送材料は、単独で用いてもよく、また、例えば前述の発光材料と任意の比率で混合して用いてもよい。発光材料と混合して用いる場合は、これら発光材料が電荷輸送材料から電荷またはエネルギーを受け取って発光することが好ましい。
【００７４】
ここで、電荷輸送材料の例としては、芳香族アミン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、チオフェン系化合物、ベンジルフェニル系化合物、フルオレン系化合物、ヒドラゾン系化合物、シラザン系化合物、シラナミン系化合物、ホスファミン系化合物、キナクリドン系化合物、トリフェニレン系化合物、カルバゾール系化合物、ピレン系化合物、ベンジジン系化合物、アントラセン系化合物、フェナントロリン系化合物、キノリン系化合物、ピリジン系化合物、トリアジン系化合物、オキサジアゾール系化合物、イミダゾール系化合物等が挙げられる。これらは低分子であってもよいが、複数の任意の化合物が連結された高分子であってもよい。
【００７５】
より具体的には、４，４−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルに代表される、２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族アミン系化合物（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４’，４”−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン系化合物（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ，１９９７年，Ｖｏｌ．７２−７４，ｐｐ．９８５）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン系化合物（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，１９９６年，ｐｐ．２１７５）、２，２’，７，７’−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン等のフルオレン系化合物（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ  Ｍｅｔａｌｓ，１９９７年，Ｖｏｌ．９１，ｐｐ．２０９）、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）、２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ、バソクプロイン）、２−（４−ビフェニリル）−５−（ｐ−ターシャルブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）、４，４’−ビス（９−カルバゾール）−ビフェニル（ＣＢＰ）、ポリビニルカルバゾール、ポリアニリン、ポリアルキルチオフェン等が挙げられる。
【００７６】
本発明における電荷輸送材料は、低分子であっても高分子であってもよく、本発明の効果を著しく損なわない限り用途に応じて任意に選択される。電荷輸送材料が低分子である場合、その分子量は通常１００００以下、好ましくは５０００以下、より好ましくは４０００以下、更に好ましくは３０００以下、また、通常１００以上、好ましくは２００以上、より好ましくは３００以上、更に好ましくは４００以上の範囲である。また、電荷輸送材料が高分子である場合、その分子量（以下、特に断りの無い限り、高分子の分子量は重量平均分子量を指す）は通常１００００００以下、好ましくは５０００００以下、より好ましくは３０００００以下、また、通常２０００以上、好ましくは５０００以上、より好ましくは１００００以上の範囲である。
電荷輸送材料が低分子の場合、その分子量が小さ過ぎると、ガラス転移温度や融点、分解温度等が低くなりやすく、電荷輸送材料および形成される有機薄膜の耐熱性が著しく低下し、再結晶化や分子のマイグレーションなどに起因する膜質の低下や、材料の熱分解に伴う不純物濃度の上昇などを引き起こし、素子性能の低下を引き起こす場合がある。高分子の場合は、低分子ほど顕著ではないものの、分子量が小さ過ぎるとやはり耐熱性の低下に起因する同様の不具合が引き起こされる場合がある。
一方、電荷輸送材料の分子量が大きすぎると、低分子、高分子いずれも電荷輸送材料の構造や組成物（インク）の調製に使用する溶剤の種類によっては溶剤に対する電荷輸送材料の溶解度が小さくなりすぎる場合があり、例えば材料製造工程における精製が困難となる場合がある。また、成膜時に薄膜が形成されない部分が生じたり、形成された有機薄膜の膜厚が薄くなりすぎるなどの問題が生じ、素子としたときに、黒点の発生や短絡の原因となる場合がある。
【００７７】
なお、上述した電荷輸送材料は、いずれか１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【００７８】
本発明の有機電界発光素子用組成物に含まれる電荷輸送材料の含有量は、０．０００００１ｗｔ％以上が好ましく、０．０００１ｗｔ％以上がより好ましく、０．０１ｗｔ％以上が更に好ましい。また、５０ｗｔ％以下が好ましく、３０ｗｔ％以下がより好ましく、１５ｗｔ％以下が更に好ましい。有機電界発光素子用組成物中の電荷輸送材料の含有量がこの下限を下回ると、形成される薄膜中の電荷輸送能力が低下することによる駆動電圧の上昇、あるいは発光効率の低下を引き起こす場合がある。加えて、有機電界発光素子用組成物中の固形分含有量が不足することにより、塗布成膜時に薄膜が形成されない部分が生じる、あるいは形成された薄膜の膜厚が薄くなりすぎるなどの問題が生じ、最終的に得られた素子の黒点の発生や短絡の原因となる等、所望の機能を十分に得ることが出来ない場合もあるため好ましくなく、一方、電荷輸送材料の含有量がこの上限を上回ると、成膜時に得られる薄膜の膜厚が厚くなりすぎ、素子の駆動電圧が上昇する、塗布ムラが生じやすくなり、素子発光面の輝度ムラの原因となる等、やはり所望の機能を十分に得られない場合があるため、好ましくない。
【００７９】
また、本発明の有機電界発光素子用組成物が電荷輸送材料と共に発光材料を含有する場合、有機電界発光素子用組成物中における電荷輸送材料の含有量に対する発光材料の含有量の割合は、０．０１ｗｔ％以上が好ましく、０．１ｗｔ％以上がより好ましく、１ｗｔ％以上が更に好ましい。また、５０ｗｔ％以下が好ましく、３０ｗｔ％以下がより好ましく、１０ｗｔ％以下が更に好ましい。有機電界発光素子用組成物中の電荷輸送材料の含有量に対する発光材料の含有量の割合がこの下限を下回ると、電荷輸送材料からの電荷あるいはエネルギーの移動が不十分となり、無効電流の増大による消費電力の低下や電荷輸送材料そのものからの発光による色ずれなどが生じるようになる。一方、この割合が上記上限を上回ると、一般に濃度消光と呼ばれる発光材料分子間の相互作用の増大による消光現象や、乾燥時の発光材料の凝集、発光材料が発光層へ注入された電荷のトラップとして作用することによる駆動電圧の上昇や素子の耐久性の低下などが起こりやすくなる。
【００８０】
＜溶剤＞
本発明の有機電界発光素子用組成物は溶剤を含有する。ここで、本発明における溶剤とは、２０℃、１気圧の雰囲気において液体であり、本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される発光材料や電荷輸送材料を溶解することが可能な化合物である。
【００８１】
溶剤としては、一般的に市販されている極性または無極性の溶剤であれば特に制限は無いが、中でもベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、シクロヘキシルベンゼン、ドデシルベンゼン、テトラリン等の置換または無置換の芳香族炭化水素系溶剤、アニソール、安息香酸エステル、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル系溶剤、芳香族エステル系溶剤、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の鎖状または環状アルカン系溶剤、酢酸エチル等のカルボン酸エステル系溶剤、アセトン、シクロヘキサノン等の含カルボニル系溶剤、水、アルコール、環状エーテルなどが好ましく、湿式成膜時に乾燥速度が速くなりすぎ、膜厚ムラなどを生じないためにも、沸点が１８０℃以上の芳香族炭化水素系溶剤がより好ましく、中でも、トリメチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、ドデシルベンゼン、テトラリン、シクロヘキサノン、安息香酸エチルなどが好ましい。
【００８２】
本発明の有機電界発光素子用組成物中に、溶剤は１種類が含有されていてもよいし、２種類あるいはそれ以上の溶剤の組合せで含まれていてもよいが、通常１種類以上、好ましくは２種類以上、通常１０種類以下、好ましくは８種類以下、より好ましくは６種類以下の組み合わせで含有されることが好ましい。
【００８３】
また、２種以上の溶剤を混合して使用する場合、その混合比についても、何ら限定されることはないが、最も混合比が多い溶剤が全溶剤中に通常１ｗｔ％以上、好ましくは５ｗｔ％以上、より好ましくは１０ｗｔ％以上、また、通常１００ｗｔ％以下、好ましくは９０ｗｔ％以下、より好ましくは８０ｗｔ％以下であり、最も混合比が少ない溶剤が全溶剤中に通常０．０００１ｗｔ％以上、好ましくは０．００１ｗｔ％以上、より好ましくは０．０１ｗｔ％以上、また、通常５０ｗｔ％以下となるような混合比であることが好ましい。
【００８４】
＜その他の成分＞
本発明の有機電界発光素子用組成物は、上述の電荷輸送材料や発光材料、溶剤の他、レベリング剤、消泡剤、増粘剤等の塗布性改良剤、電子受容性化合物や電子供与性化合物などの電荷輸送補助剤、バインダー樹脂などを含有していてもよい。これらのその他の成分の有機電界発光素子用組成物中の含有量は、形成される薄膜の電荷移動を著しく阻害しないこと、発光材料の発光を阻害しないこと、形成される薄膜の膜質を低下させないことなどの観点から、通常５０ｗｔ％以下である。
【００８５】
＜溶剤濃度・固形分濃度＞
本発明の有機電界発光素子用組成物中の溶剤の含有量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常５０ｗｔ％以上、通常９９．９９９９ｗｔ％以下、である。なお、溶剤として２種以上の溶剤を混合して用いる場合には、これらの溶剤の合計がこの範囲を満たすようにする。
また、発光材料、電荷輸送材料等の全固形分濃度としては、通常０．０１ｗｔ％以上、通常７０ｗｔ％以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると膜に欠陥が生じる可能性がある。
【００８６】
［有機電界発光素子］
本発明の有機電界発光素子は、陽極、陰極および該陽極と陰極の間に配置された層を有する有機電界発光素子であって、該陽極と陰極の間に配置された層が、前述の本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて形成された層であることを特徴とする。この本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて形成された層は、陽極と陰極との間の層であればよく、特に制限はないが、前述の如く、発光層、正孔注入層、正孔輸送層のうちの１層または２層以上であることが好ましい。
【００８７】
以下に、本発明の有機電界発光素子の層構成およびその一般的形成方法等について、図１を参照して説明する。
図１は本発明の有機電界発光素子１０の構造例を示す断面の模式図であり、図１において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は正孔阻止層、７は電子輸送層、８は電子注入層、９は陰極を各々表す。
【００８８】
｛基板｝
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【００８９】
｛陽極｝
陽極２は発光層側の層への正孔注入の役割を果たすものである。
【００９０】
この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび／またはスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。
【００９１】
陽極２の形成は、通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極２を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。
【００９２】
陽極２は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
【００９３】
陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが好ましい。この場合、陽極２の厚みは通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陽極２の厚みは任意であり、陽極２は基板１と同一でもよい。また、さらには、上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
【００９４】
陽極２に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極２表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。
【００９５】
｛正孔注入層｝
正孔注入層３は、陽極２から発光層５へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極２上に形成される。
【００９６】
本発明に係る正孔注入層３の形成方法は、ダークスポット低減の観点から正孔注入層３を湿式成膜法により形成することが好ましい。特に、以下詳述する正孔輸送性化合物と電子受容性化合物とを含有する、湿式成膜法により形成された層であることが好ましく、とりわけ、本発明の有機電界発光素子用組成物により形成された層であることが好ましい。
【００９７】
正孔注入層３の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。
【００９８】
＜湿式成膜法による正孔注入層の形成＞
湿式成膜法により正孔注入層３を形成する場合、通常は、正孔注入層３を構成する材料を適切な溶剤（正孔注入層用溶剤）と混合して成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物、好ましくは本発明の有機電界発光素子用組成物）を調製し、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。
【００９９】
（正孔輸送性化合物）
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の構成材料として正孔輸送性化合物および溶剤を含有する。
【０１００】
正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、高分子化合物であっても、低分子化合物であってもよい。
【０１０１】
正孔輸送性化合物としては、陽極２から正孔注入層３への電荷注入障壁の観点から４．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、オリゴチオフェン系化合物、ポリチオフェン系化合物、ベンジジン系化合物、ベンジルフェニル系化合物、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン系化合物、シラザン系化合物、シラナミン系化合物、ホスファミン系化合物、キナクリドン系化合物、これらを任意に組み合わせた低分子または高分子の材料等が挙げられる。
また、正孔輸送性化合物は、後述の正孔輸送層４に用いられる化合物として例示されている架橋性化合物や熱による構造変換型化合物を用いることも好ましい。
【０１０２】
正孔注入層３の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。２種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物の１種または２種以上と、その他の正孔輸送性化合物の１種または２種以上を併用することが好ましい。
【０１０３】
上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
【０１０４】
芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型化合物）がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。
【０１０５】
【化１】
2010212354.tif 000003
【０１０６】
［式（Ｉ）中、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ａｒ３〜Ａｒ５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｙは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ａｒ１〜Ａｒ５のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。
【０１０７】
【化２】
2010212354.tif 000004
（上記各式中、Ａｒ６〜Ａｒ１６は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｒ２１およびＲ２２は、それぞれ独立して、水素原子または任意の置換基を表す。）］
【０１０８】
Ａｒ１〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素基および芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基がさらに好ましい。
【０１０９】
Ａｒ１〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素基および芳香族複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。この置換基の分子量としては、通常４００以下、中でも２５０以下程度が好ましい。該置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが好ましい。
【０１１０】
Ｒ２１およびＲ２２が任意の置換基である場合、該置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが挙げられる。
【０１１１】
前記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、ＷＯ２００５／０８９０２４号公報に記載のものが挙げられる。
【０１１２】
正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常０．０１ｗｔ％以上、好ましくは０．１ｗｔ％以上、さらに好ましくは０．５ｗｔ％以上、また、通常７０ｗｔ％以下、好ましくは６０ｗｔ％以下、さらに好ましくは５０ｗｔ％以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。
【０１１３】
（電子受容性化合物）
正孔注入層形成用組成物は正孔注入層の構成材料として、正孔輸送性化合物と共に電子受容性化合物を含有していることが好ましい。
【０１１４】
電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、５ｅＶ以上の化合物である化合物がさらに好ましい。
【０１１５】
このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種または２種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンダフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩（ＷＯ２００５／０８９０２４号公報）；塩化鉄（いずれか１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。）（特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンダフルオロフェニル）ボラン（特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体；ヨウ素等が挙げられる。
【０１１６】
これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。
【０１１７】
正孔注入層或いは正孔注入層形成用組成物中の電子受容性化合物の正孔輸送性化合物に対する含有量は、通常０．１モル％以上、好ましくは１モル％以上である。但し、通常１００モル％以下、好ましくは４０モル％以下である。
【０１１８】
（その他の構成材料）
正孔注入層の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送性化合物や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよいが、陽極からの正孔注入性および陰極側への正孔輸送性を確保する点から、その正孔注入層中の含有量は、８０ｗｔ％以下であることが好ましい。
【０１１９】
（溶剤）
湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物の溶剤のうち少なくとも１種は、上述の正孔注入層の構成材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。また、この溶剤の沸点は通常１１０℃以上、好ましくは１４０℃以上、中でも２００℃以上、通常４００℃以下、中でも３００℃以下であることが好ましい。溶剤の沸点が低すぎると、乾燥速度が速すぎ、膜質が悪化する可能性がある。また、溶剤の沸点が高すぎると乾燥工程の温度を高くする必要があり、他の層や基板に悪影響を与える可能性がある。
【０１２０】
溶剤としては、例えば、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤などが挙げられる。
【０１２１】
エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル、等が挙げられる。
【０１２２】
エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル、等が挙げられる。
【０１２３】
芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、３−イロプロピルビフェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。
アミド系溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、等が挙げられる。
【０１２４】
その他、ジメチルスルホキシド、等も用いることができる。
これらの溶剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で用いてもよい。
【０１２５】
（成膜方法）
正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜法により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極２）上に成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成することができる。
【０１２６】
成膜工程における温度は、組成物中に結晶が生じることによる膜の欠損を防ぐため、１０℃以上が好ましく、５０℃以下が好ましくい。
【０１２７】
成膜工程における相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．０１ｐｐｍ以上、通常８０％以下である。
【０１２８】
成膜後、通常加熱等により正孔注入層形成用組成物の膜を乾燥させる。加熱工程において使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブンおよびホットプレートが好ましい。
【０１２９】
加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔注入層形成用組成物に用いた溶剤の沸点以上の温度で加熱することが好ましい。また、正孔注入層に用いた溶剤が２種類以上含まれている混合溶剤の場合、少なくとも１種類がその溶剤の沸点以上の温度で加熱されるのが好ましい。溶剤の沸点上昇を考慮すると、加熱工程においては、好ましくは１２０℃以上、好ましくは４１０℃以下で加熱することが好ましい。
【０１３０】
加熱工程において、加熱温度が正孔注入層形成用組成物の溶剤の沸点以上であり、かつ薄膜の十分な不溶化が起こらなければ、加熱時間は限定されないが、好ましくは１０秒以上、通常１８０分以下である。加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向があり、短すぎると正孔注入層が不均質になる傾向がある。加熱は２回に分けて行ってもよい。
【０１３１】
＜真空蒸着法による正孔注入層の形成＞
真空蒸着法により正孔注入層３を形成する場合には、正孔注入層３の構成材料（前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等）の１種または２種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ）、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度まで排気した後、るつぼを加熱して（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して）、蒸発量を制御して蒸発させ（２種以上の材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ）、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極２上に正孔注入層３を形成させる。なお、２種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層３を形成することもできる。
【０１３２】
蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１×１０−６Ｔｏｒｒ（０．１３×１０−４Ｐａ）以上、通常９．０×１０−６Ｔｏｒｒ（１２．０×１０−４Ｐａ）以下である。  蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１Å／秒以上、通常５．０Å／秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは１０℃以上、好ましくは５０℃以下で行われる。
【０１３３】
｛正孔輸送層｝
本発明の有機電界発光素子は正孔輸送層４を有することが好ましい。
【０１３４】
本発明に係る正孔輸送層４の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔輸送層４を湿式成膜法により形成することが好ましい。
【０１３５】
特に、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて発光層を形成してなる本発明の有機電界発光素子においては、正孔注入層と発光層との間の正孔注入障壁を緩和し、駆動電圧の低減や層界面への正孔の蓄積による材料の劣化の抑制や、発光層への正孔注入効率の向上による発光効率の向上などの観点から正孔輸送層を有し、また、この正孔輸送層は、正孔注入層を均一に被覆し、更には陽極由来の突起部や、パーティクルなどによる微小な異物を洗い流す、あるいは被覆する等の観点から、湿式成膜法により、好ましくは、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて、湿式成膜法により形成されることが好ましい。
【０１３６】
正孔輸送層４は、正孔注入層がある場合には正孔注入層３の上に、正孔注入層３が無い場合には陽極２の上に形成することができる。ただし、本発明の有機電界発光素子は、正孔輸送層を省いた構成であってもよい。
【０１３７】
正孔輸送層４を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層５に接するため、発光層５からの発光を消光したり、発光層５との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。
【０１３８】
このような正孔輸送層４の材料としては、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられている材料であればよく、例えば、前述の正孔注入層３に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。また、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルで代表される２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４’，４”−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．，７２−７４巻、９８５頁、１９９７年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２１７５頁、１９９６年）、２，２’，７，７’−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ，９１巻、２０９頁、１９９７年）、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール誘導体などが挙げられる。また、例えばポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン（特開平７−５３９５３号公報）、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン（Ｐｏｌｙｍ．Ａｄｖ．Ｔｅｃｈ．，７巻、３３頁、１９９６年）等が挙げられる。
【０１３９】
湿式成膜法で正孔輸送層４を形成する場合は、上記正孔注入層３の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、加熱乾燥させる。
【０１４０】
正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶剤を含有する。用いる溶剤は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層３の形成の場合と同様である。
【０１４１】
真空蒸着により正孔輸送層を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層３の形成の場合と同様である。
【０１４２】
正孔輸送層４は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。
【０１４３】
正孔輸送層４は架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。ここで、架橋性化合物は、架橋基を有する化合物であって、架橋することによりポリマーを形成する。架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。架橋性化合物は１種のみを有していてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で有していてもよい。
【０１４４】
架橋性化合物の架橋基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル；ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合；ベンゾシクロブタンなどが挙げられる。
【０１４５】
架橋性化合物、すなわち、架橋基を有するモノマー、オリゴマーまたはポリマーが有する架橋基の数に特に制限はないが、単位電荷輸送ユニットあたり通常２．０未満、好ましくは０．８以下、より好ましくは０．５以下となる数が好ましい。これは正孔輸送層形成材料の比誘電率を好適な範囲に調整するためである。また、架橋基の数が多すぎると、反応活性種が発生し、他の材料に悪影響を与える可能性があるためである。ここで、単位電荷輸送ユニットとは、架橋性ポリマーを形成する材料がモノマー体の場合、モノマー体そのものであり、架橋基を除いた骨格（主骨格）のことを示す。他種類のモノマーを混合する場合においても、それぞれのモノマーの主骨格のことを示す。架橋性ポリマーを形成する材料がオリゴマーやポリマーの場合、有機化学的に共役がとぎれる構造の繰り返しの場合は、その繰り返しの構造を単位電荷輸送ユニットとする。また、広く共役が連なっている構造の場合には、電荷輸送性を示す最小繰り返し構造、乃至はモノマー構造を示す。例えば、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン、テトラセン、クリセン、ピレン、ペリレンなどの多環系芳香族、フルオレン、トリフェニレン、カルバゾール、トリアリールアミン、テトラアリールベンジジン、１，４−ビス（ジアリールアミノ）ベンゼンなどが挙げられる。
【０１４６】
さらに、架橋性化合物としては、架橋基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。この場合の正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体；トリフェニルアミン誘導体；シロール誘導体；オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体；トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。
【０１４７】
特に、この架橋性化合物としては、下記式で表される基を有する架橋性化合物であることが反応速度の大きさや反応温度の低さ、副反応の少なさなどの点から好ましい。
【０１４８】
【化３】
2010212354.tif 000005
【０１４９】
また、本発明に係る正孔輸送層は、下記式（Ｕ１）または（Ｕ２）で表される構造を有する、熱による構造変換型化合物を用いて形成されることが反応速度の大きさや反応温度の低さ、副反応の少なさなどの点で好ましい。
【０１５０】
【化４】
2010212354.tif 000006
【０１５１】
（式（Ｕ１）中、環Ａ０は熱解離可溶性基が結合する芳香族炭化水素環を表す。該芳香族炭化水素環は置換基を有していてもよい。また、該置換基同士が直接または２価の連結基を介して環を形成していてもよい。
Ｓ１、Ｓ２、Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素環基、置換基を有していてもよい芳香族複素環基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいアリールオキシ基、置換基を有していてもよいアシル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルキニル基、置換基を有していてもよいアシルオキシ基、置換基を有していてもよいアリールアミノ基、置換基を有していてもよいへテロアリールアミノ基または置換基を有していてもよいアシルアミノ基を表す。
式（Ｕ２）中、環Ｂ０は熱解離可溶性基が結合する芳香族炭化水素環を表す。該芳香族炭化水素環は置換基を有していてもよい。また、該置換基同士が直接または２価の連結基を介して環を形成していてもよい。
Ｓ１１〜Ｓ１４、Ｒ１１〜Ｒ１６は、それぞれ独立に、上記Ｓ１、Ｓ２、Ｒ１〜Ｒ６として示したものと同様である。）
【０１５２】
架橋性化合物の分子量は、通常５０００以下、好ましくは２５００以下であり、また好ましくは３００以上、さらに好ましくは５００以上である。
【０１５３】
架橋性化合物を架橋して正孔輸送層４を形成するには、通常、架橋性化合物を溶剤に溶解または分散した正孔輸送層形成用組成物を調製して、湿式成膜法により成膜し、その後架橋性化合物を架橋させる。
【０１５４】
この正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤および重合促進剤；縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤；などが挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、および比率で用いてもよい。
【０１５５】
また、正孔輸送層形成用組成物は、さらに、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤、電子受容性化合物、バインダー樹脂などを含有していてもよい。
【０１５６】
この正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物を通常０．０１ｗｔ％以上、好ましくは０．０５ｗｔ％以上、さらに好ましくは０．１ｗｔ％以上、通常５０ｗｔ％以下、好ましくは２０ｗｔ％以下、さらに好ましくは１０ｗｔ％以下含有する。
【０１５７】
このような濃度で架橋性化合物を含む正孔輸送層形成用組成物を下層（通常は正孔注入層３）上に成膜後、加熱および／または光などの電磁エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させてポリマー化する。
【０１５８】
成膜時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層３の湿式成膜時と同様である。
【０１５９】
成膜後の加熱の手法は特に限定されないが、例としては加熱乾燥、減圧乾燥等が挙げられる。加熱乾燥の場合の加熱温度条件としては、通常１２０℃以上、好ましくは４００℃以下である。
【０１６０】
加熱時間としては、通常１分以上、好ましくは２４時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、成膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で１２０℃以上、１分間以上加熱する等の手段を採用することができる。
【０１６１】
光などの電磁エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の電磁エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常０．１秒以上、好ましくは１０時間以下照射される。
【０１６２】
加熱および光などの電磁エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。
【０１６３】
このようにして形成される正孔輸送層４の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
【０１６４】
｛発光層｝
正孔注入層３の上、または正孔輸送層４を設けた場合には正孔輸送層４の上には発光層５が設けられる。発光層５は、電界を与えられた電極間において、陽極２から注入された正孔と、陰極９から注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。
【０１６５】
＜発光層の材料＞
発光層５は、その構成材料として、少なくとも、発光の性質を有する材料（発光材料）を含有するとともに、好ましくは、正孔輸送の性質を有する化合物（正孔輸送性化合物）、あるいは、電子輸送の性質を有する化合物（電子輸送性化合物）を含有する。発光材料をドーパント材料として使用し、正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物などをホスト材料として使用してもよい。発光材料については特に限定はなく、所望の発光波長で発光し、発光効率が良好である物質を用いればよい。更に、発光層５は、本発明の効果を著しく損なわない範囲で、その他の成分を含有していてもよい。なお、湿式成膜法で発光層５を形成する場合は、何れも低分子量の材料を使用することが好ましい。
【０１６６】
本発明の有機電界発光素子において、発光層５は、好ましくは前述の本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成される。従って、本発明に係る発光層５に含まれる発光材料、電荷輸送性化合物の具体例としては、前述の本発明の有機電界発光素子用組成物に含まれる発光材料、電荷輸送材料の具体例として例示したものと同様であり、これらはそれぞれいずれか１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０１６７】
本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて発光層５を形成するには、この有機電界発光素子用組成物を湿式成膜後、得られた薄膜を乾燥し、溶剤を除去する。ここで、湿式成膜法の方式は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されず、前述のいかなる方式も用いることができる。湿式成膜の具体的な方法は、上記正孔注入層３の形成において記載した方法と同様である。
【０１６８】
このようにして形成される発光層５の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。発光層５の膜厚が、薄すぎると膜に欠陥が生じる可能性があり、厚すぎると駆動電圧が上昇する可能性がある。
【０１６９】
また、発光層５における発光材料の含有割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．０５ｗｔ％以上、通常３５ｗｔ％以下である。発光材料が少なすぎると発光ムラを生じる可能性があり、多すぎると発光効率が低下する可能性がある。なお、２種以上の発光材料を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。
【０１７０】
また、発光層５が電子輸送性化合物を含む場合、発光層５における電子輸送性化合物の含有割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．１ｗｔ％以上、通常６５ｗｔ％以下である。発光層中の電子輸送性化合物が少なすぎると短絡の影響を受けやすくなる可能性があり、多すぎると膜厚ムラを生じる可能性がある。なお、発光層中に２種以上の電子輸送性化合物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。
【０１７１】
また、発光層５が正孔輸送性化合物を含む場合、発光層５における正孔輸送性化合物の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．１ｗｔ％以上、通常６５ｗｔ％以下である。発光層中の正孔輸送性化合物が少なすぎると短絡の影響を受けやすくなる可能性があり、多すぎると膜厚ムラを生じる可能性がある。なお、発光層中に２種以上の正孔輸送性化合物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。
【０１７２】
｛正孔阻止層｝
発光層５と後述の電子注入層８との間に、正孔阻止層６を設けてもよい。正孔阻止層６は、発光層５の上に、発光層５の陰極９側の界面に接するように積層される層である。
【０１７３】
この正孔阻止層６は、陽極２から移動してくる正孔が陰極９に到達するのを阻止する役割と、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とを有する。
【０１７４】
正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層６の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５−０２２９６２号公報に記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層６の材料として好ましい。
【０１７５】
なお、正孔阻止層６の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０１７６】
正孔阻止層６の形成方法に制限はなく、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法を採用することができる。
【０１７７】
正孔阻止層６の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。
【０１７８】
｛電子輸送層｝
発光層５と後述の電子注入層８の間に、電子輸送層７を設けてもよい。
【０１７９】
電子輸送層７は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成される。
【０１８０】
電子輸送層７に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極９または電子注入層８からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。
【０１８１】
なお、電子輸送層７の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０１８２】
電子輸送層７の形成方法に制限はなく、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法を採用することができる。
【０１８３】
電子輸送層７の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。
【０１８４】
｛電子注入層｝
電子注入層８は、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行なうには、電子注入層８を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられ、その膜厚は通常０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下が好ましい。
【０１８５】
更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し、優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は、通常５ｎｍ以上、中でも１０ｎｍ以上が好ましく、また、通常２００ｎｍ以下、中でも１００ｎｍ以下が好ましい。
【０１８６】
なお、電子注入層８の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
電子注入層８の形成方法に制限はなく、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法を採用することができる。
【０１８７】
｛陰極｝
陰極９は、発光層５側の層（電子注入層８または発光層５など）に電子を注入する役割を果たすものである。
【０１８８】
陰極９の材料としては、前記の陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率よく電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
【０１８９】
なお、陰極９の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０１９０】
陰極９の膜厚は、通常、陽極２と同様である。
【０１９１】
さらに、低仕事関数金属から成る陰極９を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、１種のみで用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０１９２】
｛その他の層｝
本発明に係る有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極２と陰極９との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。
【０１９３】
上記説明にある層の他に有していてもよい層としては、例えば、電子阻止層が挙げられる。
電子阻止層は、正孔注入層３または正孔輸送層４と発光層５との間に設けられ、発光層５から移動してくる電子が正孔注入層３に到達するのを阻止することで、発光層５内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層５内に閉じこめる役割と、正孔注入層３から注入された正孔を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とがある。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は、電子阻止層を設けることが効果的である。
【０１９４】
電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いこと等が挙げられる。更に、本発明においては、発光層５を本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法で作製する場合、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。このような電子阻止層に用いられる材料としては、Ｆ８−ＴＦＢに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体（国際公開第２００４／０８４２６０号公報記載）等が挙げられる。
【０１９５】
なお、電子阻止層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０１９６】
電子阻止層の形成方法に制限はなく、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法を採用することができる。
【０１９７】
さらに陰極９と発光層５または電子輸送層７との界面に、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、炭酸セシウム（II）（ＣｓＣＯ３）等で形成された極薄絶縁膜（０．１〜５ｎｍ）を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，  １９９７年，  Ｖｏｌ．７０，  ｐｐ．１５２；特開平１０−７４５８６号公報；ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅｓ，  １９９７年，Ｖｏｌ．４４，  ｐｐ．１２４５；ＳＩＤ  ０４  Ｄｉｇｅｓｔ，  ｐｐ．１５４等参照）。
【０１９８】
また、以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば、図１の層構成であれば、基板１上に他の構成要素を陰極９、電子注入層８、電子輸送層７、正孔阻止層６、発光層５、正孔輸送層４、正孔注入層３、陽極２の順に設けてもよい。
【０１９９】
更には、少なくとも一方が透明性を有する２枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明に係る有機電界発光素子を構成することも可能である。
【０２００】
また、基板以外の構成要素（発光ユニット）を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その場合には、各段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合は、それら２層）の代わりに、例えば五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）等からなる電荷発生層（Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ：ＣＧＬ）を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
【０２０１】
更には、本発明に係る有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。
【０２０２】
また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。
【０２０３】
［有機ＥＬ表示装置］
本発明の有機ＥＬ表示装置は、上述の本発明の有機電界発光素子を用いたものである。本発明の有機ＥＬ表示装置の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社、平成１６年８月２０日発行、時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で、本発明の有機ＥＬ表示装置を形成することができる。
【０２０４】
［有機ＥＬ照明］
本発明の有機ＥＬ照明は、上述の本発明の有機電界発光素子を用いたものである。本発明の有機ＥＬ照明の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
【実施例】
【０２０５】
本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
【０２０６】
＜実施例１＞
正孔輸送層形成用組成物（本発明の有機電界発光素子用組成物）を次のように調製した。
正孔輸送性化合物（電荷輸送材料）として以下の化合物（Ａ−１）（分子量２００００〜３００００）を用い、また、溶剤としてシクロヘキシルベンゼンを用いて、組成物中の正孔輸送性化合物濃度が４ｗｔ％となるようにそれぞれ秤量して、フラスコに入れ、フラスコに栓をして、１３０℃の加熱下、１時間、スターラーにて３００ｒｐｍで攪拌を行った。
【０２０７】
【化５】
2010212354.tif 000007
【０２０８】
目視で正孔輸送性化合物が溶け残っていないことを確認した上で、溶液を加圧ディスペンサーに移し替え、０．２ＭＰａで加圧しながら０．２μｍの目開きのフィルターを用いて、溶液を濾過し、正孔輸送層形成用組成物を得た。
【０２０９】
得られた正孔輸送層形成用組成物を用いて、インクジェット法で、ＩＴＯ（インジウム錫オキサイド）を１５０ｎｍ厚に形成したガラス基板（表面粗さＲｍａｘ＝４ｎｍ）上に成膜し、２３０℃で１時間、窒素雰囲気下で焼成して膜厚２０ｎｍの正孔輸送層を形成した。
【０２１０】
なお、上記濾過による正孔輸送層形成用組成物を得てから１日後に、目開き０．２μｍフィルターで濾過したシクロヘキシルベンゼンでこの組成物を４０倍に希釈し、日機装株式会社製ナノトラックＵＰＡ−ＵＴ１５１を用いて０．８〜８００ｎｍの測定レンジで粒度分布を測定したところ、体積平均粒径（ｄ５０）は、１８０ｎｍであった
【０２１１】
形成されたこの正孔輸送層について、菱化システム社製バートスキャンで表面粗さを測定したところ、Ｒｍａｘ＝４ｎｍであった。
この結果から、得られた正孔輸送層形成用組成物を用いて、下地基板の表面粗さを解消する表面平滑な正孔輸送層を形成することができ、これにより、この正孔輸送層を有機電界発光素子に適用した場合、陽極の平面粗さなどに起因するピンホールやダークスポットの発生を抑制し得ることが分かった。
【０２１２】
＜比較例１＞
実施例１において、目開き０．２μｍのフィルターの代りに、目開き１μｍのフィルターを用いて濾過を行ったこと以外は同様にして正孔輸送層形成用組成物を調製し、同様に正孔輸送層形成用組成物の粒度分布の測定と正孔輸送層の成膜を行ったところ、正孔輸送層形成用組成物の体積平均粒径（ｄ５０）は８００ｎｍであり、また、正孔輸送層の表面粗さはＲｍａｘ＝１０ｎｍで下地基板の表面粗さを解消し得ず、有機電界発光素子において、ピンホールやダークスポットの問題が起こり得ることが予測された。
【符号の説明】
【０２１３】
１  基板
２  陽極
３  正孔注入層
４  正孔輸送層
５  発光層
６  正孔阻止層
７  電子輸送層
８  電子注入層
９  陰極
１０  有機電界発光素子
【図１】
2010212354.tif 000008
【図２】
2010212354.tif 000009