(57)【要約】【課題】露光スキャン中の加速で誘起された位置センサの変形によってもたらされる誤差を克服するシステムを提供する。【解決手段】リソグラフィ装置におけるデバイス製造方法は、基板上の複数の位置を求めることを含む。測定基板上のこれら複数の位置を第１の方向へスキャンして、測定基板の基板レベルの第１の基板マップを求める。測定基板上のこれら複数の位置を第２の方向へスキャンして、測定基板の基板レベルの第２の基板マップを求める。第１および第２の基板マップを用いて、測定基板表面レベルの差の情報を含む差マップを作成する。【選択図】図４
2010087484.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の複数の位置を求めること、
測定基板上の複数の対応する位置を第１の方向にスキャンして第１の基板マップを求めること、
前記測定基板上の複数の対応する位置を第２の方向にスキャンして第２の基板マップを求めること、
前記第１の基板マップと前記第２の基板マップとの間の差に対応する情報を含む差マップを求めることを含む、デバイス製造方法。
【請求項２】
生産ロット基板上の複数の対応する位置を前記第１の方向にスキャンすることにより、測定された生産ロット基板マップを作成すること、
前記測定された生産ロット基板マップを前記差マップに基づいて補正することにより、補正された生産ロット基板マップを作成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記測定基板が生産ロット基板である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記差マップの補正率を減算することにより、前記測定された生産ロット基板マップが補正される、請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記それぞれの生産ロット基板の露光中に、前記補正された生産ロット基板マップを用いて、前記生産ロット基板を露光放射ビーム中に正確に位置決めすることをさらに含む、請求項２に記載の方法。
【請求項６】
前記第１の方向が前記第２の方向に対して反対である、請求項１から５のいずれか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記第１の基板マップのストロークが前記第２の基板マップのストロークとインタリーブして測定される、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
リソグラフィ装置で用いるための制御システムであって、
基板を保持する基板テーブルと、
センサシステムであって、該センサシステムの測定点で基板表面を測定するセンサシステムとを備え、
前記制御システムは、
前記基板テーブルおよび前記センサシステムの前記測定点を相対的に移動させ、
前記基板テーブルおよび前記測定点が前記複数の位置に対応する複数の第１の方向へ移動する間に測定された、前記基板上の複数の位置の第１の測定された基板表面レベルを受け取り、
前記基板テーブルおよび前記測定点が前記複数の位置に対応する複数の第２の方向へ移動する間に測定された、前記基板上の前記複数の位置の第２の測定された基板表面レベルを受け取り、
前記第１の測定された基板表面レベルと前記第２の測定された基板表面レベルとの間の差に基づいて差マップを求める制御ユニットを備えることを特徴とする、制御システム。
【請求項９】
前記基板をパターン付き放射ビームに露光する露光システムをさらに備え、
前記制御ユニットはさらに、前記求められた差マップに基づいて前記基板と前記パターン付き放射ビームとの前記相対位置を制御する、請求項８に記載の制御システム。
【請求項１０】
前記制御ユニットは、
前記基板テーブルまたは前記投影システムに接続され、
前記差マップに基づいて前記基板テーブルまたは前記投影システムの間の相対位置を制御する、請求項９に記載の制御システム。
【請求項１１】
前記制御ユニットは、
レチクルまたはプログラマブルパターニングデバイスを支持するためのサポート構造に接続され、
前記レチクルまたは前記プログラマブルパターニングデバイスの位置を制御するために、前記差マップに基づいて前記サポート構造の動作を制御する、請求項１０に記載の制御システム。
【請求項１２】
前記制御ユニットはさらに、前記基板テーブルまたは前記投影システムと前記レチクルまたは前記プログラマブルパターニングデバイスのうち少なくとも２つの間の相対位置を制御する、請求項１１に記載の制御システム。
【請求項１３】
プロセッサによって実行されたとき、前記プロセッサに、
基板上の複数の位置を求めること、
測定基板上の複数の対応する位置を第１の方向にスキャンして第１の基板マップを求めること、
前記測定基板上の複数の対応する位置を第２の方向にスキャンして第２の基板マップを求めること、
前記第１の基板マップと前記第２の基板マップとの間の差に対応する情報を含む差マップを求めることを含む方法を実行させるコンピュータプログラムコードを記録したコンピュータ可読記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、デバイス製造方法、制御システム、コンピュータプログラムおよびコンピュータ可読媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、基板上に、通常は基板のターゲット部分上に所望のパターンを与えるマシンである。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用することができる。その場合、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスが、ＩＣの個々の層上に形成するべき回路パターンを生成するために使用され得る。このパターンは、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つまたはいくつかのダイの一部を構成する）に転写することができる。パターンの転写は、一般に基板上に与えられた放射感応性材料（レジスト）の層上に結像することによって行われる。一般に、単一の基板は、次々とパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含むことになる。既知のリソグラフィ装置は、ターゲット部分上に全パターンを一度に露光させることによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、放射ビームによってパターンを所定方向（「スキャン」方向）にスキャンし、同時に、基板をこの方向と平行または逆平行に同期してスキャンすることによって、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。基板上にパターンをインプリントすることによりパターニングデバイスから基板へパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  ２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブルを含むデュアルステージリソグラフィシステムでは、パターンに対して露光されることになる基板は、基板マップを得るためにリソグラフィ装置の測定面で解析される。基板マップは、リソグラフィ装置内で露光されることになる基板の表面プロファイルに関係する。そのような基板マップはレベルセンサで測定される。基板マップに基づいて最適なレベリングプロファイルが計算され、これは露光中に基板の表面プロファイルを補償するのに用いられることになる。
【０００４】
[0004]  基板マップを測定した後に、基板テーブルは、次いで、露光を行うためにリソグラフィ装置の測定面から露光面へ移動される。したがって、露光中は、基板テーブルを調整するのに計算されたレベリングプロファイルが用いられる。実行されたレベリングプロファイルは、例えば、リソグラフィ装置の測定面の位置センサと露光面との間の較正された差の明細を明らかにするように調整される。液浸システムについては、ウェーハの冷却によるチャック変形に対する補正も行われる。
【０００５】
[0005]  露光中に、基板テーブルは、一般に等速で実行される実際の露光スキャンの合間に比較的大きな加速力を受ける。大きな加速力により、基板テーブルに結合された位置センサが変形する恐れがある。一般に、このタイプの位置センサは、変形する恐れのある１つまたは複数のミラーのミラーブロックを装備した干渉計を備える。
【０００６】
[0006]  等速露光スキャンでは、加速力はゼロである。しかし、加速力によって、基板テーブルとミラーブロックとの間に小量の滑りが生じることがある。したがって、第１の上方向スキャンと第１の方向に対して反対の第２の下方向スキャン（すなわちアップスキャンとダウンスキャン）とで、基板マップに関して基板テーブルの実際の形状が異なることがある。これは時間依存性のヒステリシスの影響と見なすことができる。基板マップの測定に関して、同じような影響が生じることがある。露光中に、変形の結果として焦点誤差が生じることになる。
【発明の概要】
【０００７】
[0007]  加速で誘起された位置センサの変形によってもたらされる誤差を克服するシステムを有することが望ましい。
【０００８】
[0008]  本発明の一実施形態によれば、以下のステップを含むデバイス製造方法が提供される。基板上の複数の位置を求めること。測定基板上のこれら複数の位置を、対応する複数の第１の方向へスキャンして、測定基板の基板レベルの第１の基板マップを求めること。測定基板上のこれら複数の位置を、対応する複数の第２の方向へスキャンして、測定基板の基板レベルの第２の基板マップを求めること。第１および第２の基板マップを用いて、測定基板表面レベルの差の情報を含む差マップを求めること。
【０００９】
[0009]  本発明の別の実施形態によれば、基板テーブルを備えるリソグラフィ装置で用いるための制御システム、および制御システムを備えるセンサシステムが提供される。基板テーブルは、基板を保持するように構築される。センサシステムは、センサシステムの測定点で基板表面レベルを測定する。制御システムは、基板テーブルとセンサシステムの測定点を相対的に移動させ、基板テーブルおよび測定点が複数の位置に対応する第１の複数の方向へ移動する間に測定された、基板上の複数の位置の測定された基板表面レベルを受け取り、基板テーブルおよび測定点が複数の位置に対応する第２の複数の方向へ移動する間に測定された、基板上の複数の位置の測定された基板表面レベルを受け取り、第１の複数方向へスキャンする間に測定された基板表面レベルと第２の複数の方向へスキャンする間に測定された基板表面レベルとの間の差に基づいて差マップを求めるように構成された制御ユニットを備える。
【００１０】
[0010]  本発明の別の実施形態によれば、コンピュータによってロードされることになるコンピュータ可読媒体上のコンピュータプログラムが提供される。コンピュータはプロセッサおよびメモリを備える。メモリはプロセッサに接続される。コンピュータはリソグラフィ装置の一部である。リソグラフィ装置は、基板を保持するように構築された基板テーブルおよび基板の基板マップを求めるためのセンサシステムを備える。コンピュータは制御システムとして構成される。コンピュータプログラムがロードされた後に、プロセッサは、センサシステムによって、アップスキャンで第１の基板マップを測定し、ダウンスキャンで第２の基板マップを測定し、かつ第１の基板マップと第２の基板マップとの間の基板表面レベルの差の情報を含む差マップを求めることが可能になる。
【００１１】
[0011]  本発明の別の態様によれば、前述の実施形態に類似のコンピュータ可読媒体が提供される。
【００１２】
[0012]  本発明のさらなる特徴および利点、ならびに本発明の様々な実施形態の構造および動作が、添付図面を参照しながら以下で詳細に説明される。本発明は、本明細書に説明された特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。そのような実施形態は、単に説明の目的のために本明細書に示されている。その他の実施形態は、本明細書に含まれる教示に基づいて、当業者には明白になるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
[0013]  本明細書に組み込まれて本明細書の一部を形成する添付図面は、本発明を示し、さらに記述が加わって本発明の原理を説明し、かつ当業者が本発明を製作し使用することを可能にする働きをする。
【００１４】
【図１】[0014]本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の図である。
【図２】[0015]本発明の一実施形態による方法の流れ図である。
【図３】[0016]本発明の一実施形態による方法の第２の流れ図である。
【図４】[0017]本発明の一実施形態によってコンピュータシステムを備えるリソグラフィ装置を示す図である。
【００１５】
[0018]  本発明の特徴および利点は、以下に示す詳細な説明が図面とともに解釈されることから、より明白になるであろう。図を通して、同じ参照文字は対応する要素を識別する。図では、同じ参考番号は概して、同一の要素、機能的に類似した要素、および／または構造的に類似した要素を示す。ある要素が初めて出現する図面では、対応する参照番号の最上位桁によって示される。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
[0019]  開示された実施形態は、本発明の単なる例示である。本発明の範囲は、開示された実施形態に限定されない。本発明は、本明細書に添付された特許請求の範囲によって定義される。
【００１７】
[0020]  説明された実施形態、および本明細書における、「一実施形態」、「実施形態」、「例示の実施形態」などへの言及は、説明された実施形態が、特定の特徴、構造、または特性を含んでよいが、どの実施形態も必ずその特定の特徴、構造、または特性を含むとは限らないことを示す。さらに、そのような語句は、必ずしも同一の実施形態を参照するとは限らない。その上、一実施形態に関連して特定の特徴、構造または特性が説明されたとき、他の実施形態に関連してそのような特徴、構造または特性を達成することは、明示的に説明されたか否かにかかわらず、当業者の理解の範囲内にあることを理解されたい。
【００１８】
[0021]  本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、またはそれらの任意の組合せで実施されてよい。本発明の実施形態は、１つまたは複数のプロセッサによって読み取られかつ実行され得る、機械可読媒体上に保存された命令として実施されてもよい。機械可読媒体は、マシン（例えば演算デバイス）によって読取り可能な形式で情報を保存するかまたは送信するための任意の機構を含んでよい。例えば、機械可読媒体は、リードオンリーメモリ（ROM）、ランダムアクセスメモリ（RAM）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶メディア、フラッシュメモリデバイス、電気的、光学式、音響式、または他の形式の伝搬信号（例えば搬送波、赤外線信号、デジタル信号など）、およびその他を含んでよい。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令が、特定の動作を実行するものとして本明細書に説明されることがある。しかし、そのような説明は単に便宜のためであり、また、そのような動作は、演算デバイス、プロセッサ、コントローラ、またはファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行する他のデバイスに実際に起因するものであることを理解されたい。
【００１９】
[0022]  しかし、そのような実施形態をより詳細に説明する前に、本発明の実施形態が実施され得る例示的環境を示すことが有益である。
【００２０】
[0023]  図１はリソグラフィ装置を概略的に示す。リソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えばＤＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク、レチクル、または動的パターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成され、パターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに接続されるサポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに接続される基板テーブル（例えばウェーハテーブル）ＷＴとを含む。リソグラフィ装置は、基板Ｗのターゲット部分（例えば１つまたは複数のダイを備える）Ｃ上へパターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを投影するように構成された投影システムＰＳも有する。リソグラフィ装置では、パターニングデバイスＭＡおよび投影システムＰＳは透過性であるが、もう１つの選択肢として反射性であり得る。
【００２１】
[0024]  この照明システムＩＬは、放射Ｂを誘導、調整、または制御するために、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気など様々なタイプの光学コンポーネント、または他のタイプの光学コンポーネント、あるいはそれらの任意の組合せを含んでよい。
【００２２】
[0025]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの配向、リソグラフィ装置の設計、および、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境中で保持されるかどうかなど他の条件に左右される形でパターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電気、または他のクランプ技法を用いてよい。サポート構造ＭＴは、例えばフレームまたはテーブルでよく、必要に応じて固定式かまたは可動式でよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスが、例えば投影システムＰＳに対して確実に所望位置にあるようにすることができる。
【００２３】
[0026]  用語「パターニングデバイス」ＭＡは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ内にパターンを作成するなど、その横断面内にパターンを備えた放射ビームＢを与えるために使用され得るあらゆるデバイスを指すものと広義に解釈されたい。放射ビームＢに与えられたパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃに作成されるデバイス内の特定の機能の層に対応してよい。
【００２４】
[0027]  パターニングデバイスＭＡは透過性かまたは反射性でよい。パターニングデバイスＭＡの例には、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイおよびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィにおいて周知であり、マスクタイプとして、バイナリ、レベンソン型（alternating）位相シフト、およびハーフトーン型（attenuated）位相シフトなど、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例は、入ってくる放射ビームを様々な方向に反射するように個々に傾斜させることができる小さなミラーのマトリクス構成を使用する。傾けられたミラーが、ミラーマトリクスによって反射される放射ビームＢ内にパターンを与える。
【００２５】
[0028]  用語「投影システム」ＰＳは、用いられる露光放射あるいは液浸液の使用または真空の使用など他の要因に適切なものとして、屈折システム、反射システム、反射屈折システム、磁気システム、電磁気システム、および静電気光学システムあるいはそれらの任意の組合せを含むあらゆるタイプの投影システムを包含してよい。他の気体が多量の放射または電子を吸収し過ぎる恐れがあるので、ＥＵＶまたは電子ビーム放射向けに真空環境が用いられてよい。したがって、真空壁および真空ポンプの支援によって、ビーム通路の全体に真空環境が与えられてよい。
【００２６】
[0029]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）またはそれ以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）ＷＴを有するタイプでよい。そのような「マルチステージ」マシンでは、追加の基板テーブルＷＴが並行して使用され得る、あるいは１つまたは複数のテーブルが露光に使用されている間に１つまたは複数の他の基板テーブルＷＴ上で準備ステップが行われ得る。
【００２７】
[0030]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えばこの放射源ＳＯがエキシマレーザであるとき、放射源ＳＯとリソグラフィ装置は別個の実体でよい。そのような例では、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一部を形成するとは見なされず、放射ビームＢは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬまで、例えば適当な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを備えるビームデリバリシステムＢＤを用いて通される。他の例では、例えば放射源ＳＯが水銀灯であるとき、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一体型部品でよい。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤも一緒に、放射システムと呼ばれてよい。
【００２８】
[0031]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布の調節のためにアジャスタＡＤを備えてよい。一般に、少なくともイルミネータの瞳面内強度分布の外側および／または内側半径範囲（一般にそれぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）は調整され得る。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯなど様々な他の構成要素を備えてよい。イルミネータＩＬは、その断面内の所望の均一性および強度分布を得るために放射ビームＢを調節するように使用されてよい。
【００２９】
[0032]  放射ビームＢは、支持構造体（例えばマスクテーブルMT）上に保持されるパターニングデバイス（例えばマスクMA）上に入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。放射ビームＢは、マスクＭＡを横切って、基板Ｗのターゲット部分Ｃの上にビームを集束させる投影システムＰＳを通過する。基板テーブルＷＴは、第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉計デバイス、リニアエンコーダまたは容量センサ）を用いて、例えば放射ビームＢの経路内へ個別のターゲット部分Ｃを位置決めするように正確に移動され得る。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（明白には図示されていない）が、例えばマスクライブラリからの機械的検索の後、またはスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めするのに使用され得る。
【００３０】
[0033]  一般に、マスクテーブルＭＴの動作は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使用して実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの動作は、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使用して実現することができる。ステッパの場合には（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴがショートストロークアクチュエータのみに接続されてよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて整列され得る。図示された基板アライメントマーク（スクライブラインアライメントマークとして既知である）は専用ターゲット部分を占めるが、ターゲット部分の間のスペースに配置されてもよい。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイが与えられる状況では、マスクアライメントマークはダイ間に配置されてよい。
【００３１】
[0034]  リソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つで使用され得る。
１．ステップモードでは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴは基本的に静止状態に保たれ、一方、放射ビームＢに与えられたパターン全体がターゲット部分Ｃの上に一度に投影される（すなわち単一静的露光）。次いで、別のターゲット部分Ｃが露光され得るように、基板テーブルＷＴがＸ方向および／またはＹ方向に移動される。
２．スキャンモードでは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと基板テーブルＷＴが同期してスキャンされ、一方、放射ビームＢに与えられたパターンがターゲット部分Ｃの上に投影される（すなわち単一動的露光）。サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）特性および像反転特性によって決定され得る。
３．別のモードでは、サポート構造（例えばマスクテーブル）ＭＴがプログラマブルパターニングデバイスを保持して実質的に静止状態に保たれ、基板テーブルＷＴが移動またはスキャンされ、その一方で放射ビームＢに与えられたパターンがターゲット部分Ｃの上に投影される。パルス放射源ＳＯが使用されてよく、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各動作の後に、またはスキャン中連続した放射パルスの間に必要に応じて更新される。この動作モードは、本明細書で言及されたタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用され得る。
【００３２】
[0035]  説明された使用モードまたは全く異なった使用モードの組合せおよび／または変形形態も使用されてよい。
【００３３】
[0036]  図２は、本発明の一実施形態による方法１００の第１の流れ図を示す。
【００３４】
[0037]  加速力によって誘起された位置センサＩＦの変形、具体的には干渉計のミラーブロックあるいは１つまたは複数のミラーのミラーブロックの変形による焦点誤差を克服するために、本発明の一実施形態は、そのような焦点誤差を補正するためにリソグラフィ装置で実行されるべき方法１００を提供する。ステップ１１０で、任意のウェーハの基板マップを求めて、垂直方向Ｙでアップスキャンおよびダウンスキャンの両方を用いて測定が実行される。ステップ１１２で、第１の基板マップがアップスキャンで測定され、一方、ステップ１１４で、第２の基板マップがダウンスキャン中に測定される。
【００３５】
[0038]  一実施例では、加速力によって生じることがある位置センサＩＦのヒステリシスの影響のために、アップスキャンの第１の基板マップとダウンスキャンの第２の基板マップとは異なる可能性がある。
【００３６】
[0039]  ステップ１２０で、第１の基板マップと第２の基板マップとの間のウェーハ表面レベルの差（すなわちアップスキャンとダウンスキャンとの差）の情報を含む差マップを作成することが決定される。
【００３７】
[0040]  一実施例では、第１および第２の基板マップにおける各位置についてウェーハ表面レベルの差の情報を求めることができる。アップスキャンおよびダウンスキャンの両方で同一のウェーハが測定されるので、ウェーハ表面レベルの差の情報は、ウェーハのスキャンを実行している間の加速力による変形に伴うものであり得る。その点で、差マップは変形マップと見なすことができる。一実施例では、差マップは適当な電子メモリに保存することができる。
【００３８】
[0041]  それに加えて、あるいは代替として、任意のウェーハの全面にわたって第１および第２の基板マップを求めることができる。この任意のウェーハは、ウェーハの生産ロットに先行するテストウェーハとしてもよい。あるいは、この任意のウェーハは、露光されることになる生産ロットウェーハである。
【００３９】
[0042]  あるいは、任意のウェーハの一部分だけについて第１および第２の基板マップを求めることができ、ここで任意のウェーハの一部分は両スキャンで同一のものである。
【００４０】
[0043]  ウェーハの基板マップは、アップ／ダウンのスキャン方向を交番させて、一連の前後するストロークで測定されることが多い。一実施形態では、第１および第２のウェーハマップはインタリーブモードで測定される。次いで、１つの方向で、例えばアップスキャン方向で、ウェーハ上のある位置での第１の基板マップの第１のストロークが求められてよく、次いで、反対のスキャン方向の間に、このウェーハ上の同一の位置での第２の基板マップの同一のストロークが求められる。
【００４１】
[0044]  一実施例では、ヒステリシスの影響は時間依存性であるため、ステップ１１０における任意のウェーハの基板マップの垂直方向Ｙのアップスキャンおよびダウンスキャンの両方による測定は、ステップ１３０の間所与のインターバルで繰り返すことができ、その後に新規の差マップが求められる。
【００４２】
[0045]  一実施形態では、ステップ１１０で、任意のウェーハのアップスキャン基板マップおよびダウンスキャン基板マップの測定は、実質的に毎日繰り返される。あるいは、任意のウェーハの基板マップの測定は、１日数回、例えば約４〜６時間ごとに繰り返される。別の代替形態では、繰返しインターバルは、リソグラフィ装置内の生産ロットウェーハの実際のスループット次第であり得る。
【００４３】
[0046]  図３は、本発明の一実施形態による方法２００の第２の流れ図を示す。例えば、方法２００は、アップスキャンとダウンスキャンとの間の差マップに基づく、１つまたは複数の生産ロットウェーハの基板マップ測定値の補正を含む。
【００４４】
[0047]  一実施形態では、ステップ２１０で、アップスキャン方向およびダウンスキャン方向のうち１つから選択されたスキャン方向において、各生産ロットウェーハの生産ロット基板マップ測定が補正される。例えば、ステップ２１０で、補正は、測定された生産ロット基板マップから差マップの補正率を減算することにより行われ得る。補正の符号は、生産ロットウェーハの選択されたスキャン方向次第である。
【００４５】
[0048]  例えば、生産ロットウェーハのスキャンがアップスキャン方向で行われ、アップスキャン測定からダウンスキャン測定を引いたものとして差が求められるならば、生産ロット基板マップは、測定された生産ロット基板マップから差マップに補正率を掛けたものを減算することにより補正される。しかし、別の実施例で、生産ロットウェーハのスキャンがダウンスキャン方向で行われ、アップスキャン測定からダウンスキャン測定を引いたものとして差が求められるならば、生産ロット基板マップは、測定された生産ロット基板マップからの補正率を差マップに掛けたものを加えることにより補正される。
【００４６】
[0049]  一実施例では、これは基板マップの各位置について実行される。代替実施形態では、限定された数の位置に対して限定された基板マップが求められてよいことに留意されたい。その場合、全面的に測定された基板マップをスケールファクタによって補正するのに、限定された基板マップを用いることができる。この実施形態では、差マップの形状が著しく変化しないものと想定されている。有利には、限定された基板マップの測定は、全面的に測定された基板マップより、必要とする時間が短いはずである。
【００４７】
[0050]  したがって、各生産ロットウェーハについて、アップスキャン方向またはダウンスキャン方向のいずれかで、補正された生産ロット基板マップが得られる。
【００４８】
[0051]  一実施形態では、補正率は約０．５である。
【００４９】
[0052]  別の実施形態では、任意選択のステップ２２０で、それぞれの生産ロットウェーハの露光中に基板テーブルの露光スキャン運動の補正として用いる補正された生産ロット基板マップが提供される。任意選択のステップ２３０で、リソグラフィ装置内で処理されている各生産ロットウェーハについて、アップスキャンとダウンスキャンとの間の差マップに基づいて、生産ロットウェーハの生産ロット基板マップ測定値の補正を繰り返すことができる。
【００５０】
[0053]  図４は、図１で示されたものに似たリソグラフィ装置の実施形態を示しており、本発明の一実施形態の方法の実行を目的として構成されている。この実施形態では、リソグラフィ装置は、加速で誘起された位置センサの変形によってもたらされる誤差を補正するための必要な調整を制御することができる制御システムを備える。一実施例では、制御システムは、算術演算を実行するためのプロセッサＰＲおよびメモリＭＥを備えたコンピュータシステムＣＡに関する。プロセッサＰＲは、メモリＭＥと通信するように構成される。メモリＭＥは、テープユニット、ハードディスク、読取り専用メモリ（ＲＯＭ）、不揮発性ランダムアクセスメモリ（ＮＶＲＡＭ）およびランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）など、命令およびデータを保存するように構成された任意のタイプのメモリでよいが、これらには限定されない。
【００５１】
[0054]  一実施例ではプロセッサＰＲは、メモリＭＥに保存され、プロセッサＰＲにレチクルアライメント調整を実行するための機能を与えるプログラムラインを読み取って実行するように構成されてよく、これは以下でより詳細に説明されることになる。プロセッサＰＲは、この方法の説明された実施形態を実行するために特別に設けられてよいが、全体としてリソグラフィ装置を制御するように構成され、かつこの方法の説明された実施形態を実行するための追加機能を与えられた中央処理装置でもよい。
【００５２】
[0055]  一実施例では、コンピュータシステムＣＡは、デュアルステージリソグラフィ装置の測定面上にある間、基板のウェーハマップと関連した情報を検知し、かつ基板テーブルＷＴの位置と関連した情報を検知するためのセンサに接続される。それに加えて、あるいは代替として、コンピュータシステムＣＡは、メモリＭＥにコンピュータプログラムのコードをロードした後に本発明の方法の実施形態を実行するように構成される。
【００５３】
[0056]  一実施例では、コンピュータのプログラムコードは、プロセッサＰＲが、垂直方向Ｙでアップスキャンおよびダウンスキャンの両方を用いて任意のウェーハの基板マップを測定するステップ（ステップ１１０）と、その測定では、アップスキャンで第１の基板マップが測定され（ステップ１１２）、一方、ダウンスキャン中に第２の基板マップが測定され（ステップ１１４）、第１の基板マップと第２の基板マップとの間のウェーハ表面レベルの差（すなわちアップスキャンとダウンスキャンとの差）の情報を含む差マップを求めるステップ（ステップ１２０）とを実行することを可能にする機械可読命令を含む。差マップはメモリに保存することができる。
【００５４】
[0057]  第１の基板マップと第２の基板マップとの間の差情報は、それぞれの被測定位置に関する実際の差であり得ることに留意されたい。あるいは、第１の基板マップと第２の基板マップとの間の差情報は、フィット関数によって表され、フィット関数のフィットパラメータは、センサシステムによって測定された第１の基板マップと第２の基板マップとの間の測定された差から求められる。フィット関数は、基板マップ上の位置の関数として差マップを記述する。後者の場合には、フィットパラメータは、フィット関数に対して差マップデータを当てはめることから求められている。例えば、フィット関数は多項式関数である。
【００５５】
[0058]  さらに、プロセッサは、ステップ１１０、すなわち所与のインターバルでアップスキャンおよびダウンスキャンの両方を用いて任意のウェーハの基板マップを測定するステップを繰り返し、その後に新規の差マップを求めることを目的として構成されてよい。
【００５６】
[0059]  一実施形態では、プロセッサは、ステップ１１０の繰返し、すなわち任意のウェーハ基板マップ測定を実質的に毎日行うことを目的として構成される。あるいは、プロセッサは、１日数回、例えば約４〜６時間ごとに任意のウェーハの基板マップ測定を行うこと目的として構成されてよい。別の代替形態では、繰返しインターバルは、リソグラフィ装置内の生産ロットウェーハの実際のスループット次第であり得る。
【００５７】
[0060]  一実施例では、プロセッサＰＲは、ステップ２１０の実行、すなわちアップスキャンとダウンスキャンの間の差マップに基づく、１つまたは複数の生産ロットウェーハの基板マップ測定値の補正を目的として構成することができる。
【００５８】
[0061]  一実施形態では、基板マップ測定値の補正は、測定された生産ロット基板マップから差マップの補正率を減算するか、または測定された生産ロット基板マップに差マップの補正率を加えることにより行われる。補正の符号は、より詳細に前述されたように、生産ロットウェーハの選択されたスキャン方向次第である。差マップがフィットパラメータで表される代替実施形態では、基板マップ上の各位置についての補正はフィット関数を用いて計算され、フィットパラメータは、先行して実際のスキャン方向（アップまたはダウン）の関数として求められる。
【００５９】
[0062]  一実施形態では、補正率は約０．５である。
【００６０】
[0063]  別の実施形態では、プロセッサは、ステップ２２０を実行し、すなわち、それぞれの生産ロットウェーハの露光中に基板テーブルの露光スキャン運動の補正として用いる補正された生産ロット基板マップをもたらす。
【００６１】
[0064]  別の実施形態では、プロセッサは、ステップ２３０の実行、すなわちリソグラフィ装置内で処理されている各生産ロットウェーハについての基板マップ測定の繰返し補正を目的として構成されてよい。
【００６２】
[0065]  露光中に補正を実行する実施形態に関して、リソグラフィ装置は、パターン付き放射ビームに基板を露光するための露光システムを備え、コントローラ（またはプロセッサ）が基板とパターン付き放射ビームとの相対位置の補正をもたらすように構成されることに留意されたい。この補正は差マップに基づくものである。
【００６３】
[0066]  一実施形態では、リソグラフィ装置の露光システムは、放射ビームを生成するための放射源、断面内にパターンを有する放射ビームを与えてパターン付き放射ビームを形成することができるレチクル、および基板のターゲット部分上へパターン付き放射ビームを投影するように構成された投影システムを備える。
【００６４】
[0067]  別の実施形態では、コントローラは、基板テーブルおよび投影システムを備える第１群の少なくとも１つの要素に接続される。コントローラは、この少なくとも１つの要素と第１群の別の要素との間の相対位置を制御するために、この少なくとも１つの要素の動作を制御するように構成される。これによって、基板の位置および投影システムで生成された画像の位置に関する第１のタイプの補正が可能になる。
【００６５】
[0068]  別の実施形態では、コントローラは、レチクルおよびプログラマブルパターニングデバイスを備える第２群のうちの１つを備える第２の要素を支持するための支持構造に接続される。コントローラは、第２の要素の位置を制御するために、差マップに基づいてサポート構造の動作を制御するように構成される。これによって、レチクル（またはプログラマブルパターニングデバイス）の位置に関する第２のタイプの補正が可能になる。
【００６６】
[0069]  コントローラは、第１群の要素と第２群の要素との間の相対位置の制御を目的として構成されてもよい。
【００６７】
[0070]  当業者に既知の、メモリユニット、入力デバイスおよび読取りデバイスなど、より多くのユニットおよび／または他のユニットを有するコンピュータシステムが提供され得ることを理解されたい。さらに、それらの１つまたは複数が、必要に応じてプロセッサＰＲから物理的に遠くへ配置されてよい。それに加えて、あるいは代替として、プロセッサＰＲは１つのボックスとして示されているが、当業者に既知のように、プロセッサは、並行して機能するかまたは互いから遠くに配置されてよい１つの主プロセッサＰＲによって制御されるいくつかの処理ユニットを備えてよい。
【００６８】
[0071]  図の接続はすべて物理的接続として示されているが、これらの接続の１つまたは複数を無線にすることができることに注目されたい。それらは、互いに何らかの形で通信するように「接続された」ユニットが配置されることを示すように意図されているだけである。コンピュータシステムは、アナログ技術および／またはデジタル技術および／またはソフトウェア技術を用いてここで論じられた機能を実行するように構成された任意の信号処理システムであり得る。
【００６９】
[0072]  ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に対して本説明に特定の参照がなされてもよいが、本明細書に説明されたリソグラフィ装置が、磁気ドメインメモリ、平面パネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなど向けの集積光学システム、誘導パターンおよび検出パターンの製造など他の用途を有し得ることを理解されたい。当業者なら、そのような代替用途の文脈では、本明細書における用語「ウェーハ」または「ダイ」のどんな使用も、それぞれ、より一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と同義なものと見なしてよいことを理解するであろう。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（一般に基板にレジストの層を与え、露出したレジストを現像するツール）、メトロロジーツールおよび／またはインスペクションツール内で処理されてよい。適用可能であれば、本開示は、そのようなものおよび他の基板処理ツールに適用されてよい。その上、基板は、例えば多層ＩＣを作成するために複数回処理されてよく、そのため、本明細書に用いられる用語の基板は、既に複数の処理層を含む基板も意味してよい。
【００７０】
[0073]  本発明の実施形態の使用に対して、光リソグラフィの文脈において上記で特定の参照がなされていても、本発明は、他の用途、例えばインプリントリソグラフィおよび状況が許すところで使用されてよく、光リソグラフィに限定されないことが理解されよう。インプリントリソグラフィでは、パターニングデバイス内の微細構成が、基板上に作成されるパターンを画定する。パターニングデバイスの微細構成は、基板に与えられたレジストの層へ押しつけられてよく、その後、レジストは、電磁放射、熱、圧力またはそれらの組合せを与えることによって硬化される。パターニングデバイスは、レジストが硬化された後、レジスト中にパターンを残してレジストから離される。
【００７１】
[0074]  本明細書に使用される用語「放射」および「ビーム」は、イオンビームまたは電子ビームなどの粒子線と同様に紫外線（ＵＶ）放射（例えば３６５、３５５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの、またはそれら辺りの波長を有する）および極端紫外線（ＥＵＶ）放射（例えば５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）を含むすべてのタイプの電磁放射を包含する。
【００７２】
[0075]  用語「レンズ」は、文脈上可能であれば、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電気の光学部品を含む様々なタイプの光学部品の任意のものまたはその組合せを意味してよい。
【００７３】
[0076]  本発明の特定の実施形態が上記に説明されてきたが、本発明は、説明されたものと違う風に実行され得ることが理解されよう。例えば、本発明は、上記に開示された方法を記述した機械可読命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形式、またはそのようなコンピュータプログラムが格納されているデータ格納媒体（例えば半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形式をとってよい。
【００７４】
[0077]  発明の概要および要約の項目は、本発明者によって企図された１つまたは複数の本発明の例示的実施形態を説明することができるが、すべての例示的実施形態を説明するものではなく、したがって、これらの項目は、決して本発明および添付の特許請求の範囲を限定するようには意図されていない。
【００７５】
[0078]  特定の諸機能およびそれらの関係の実装形態を示す機能的構成ブロックを用いて、本発明が上記で説明されてきた。これらの機能的構成ブロックの境界は、説明に好都合なように本明細書で便宜的に定義されたものである。特定の諸機能およびそれらの関係が適切に実行される限り、代替の境界を定義することができる。
【００７６】
[0079]  特定の実施形態の上記説明は、他者が、本発明の一般的な概念から逸脱することなく、必要以上の実験作業なしで、当技術の熟練範囲内の知識を適用することによって、そのような特定の実施形態を容易に変更しかつ／または様々な用途に適合させることができるように、十分に本発明の一般的性質を示すはずである。したがって、そのような適合形態および変更形態は、本明細書に示された教示および手引に基づく開示された実施形態の等価物の意味および範囲の中にあるように意図されている。本明細書の表現または用語は、上記教示および手引に照らして当業者によって解釈されるべきであり、そのような表現または用語は、限定するためではなく説明のためのものであることを理解されたい。
【００７７】
[0080]  本発明の広さおよび範囲は、前述の例示的実施形態のうちいかなるものによっても限定されるべきではなく、以下の特許請求の範囲およびそれらの等価物によってのみ定義されるべきである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【外国語明細書】
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