(57)【要約】【課題】導電性、透過率が高く、かつ実用上十分な優れた密着性および耐久性を有し、低温成膜が可能でアニール前後の抵抗率変化の少ない透明導電薄膜を提供する。【解決手段】透明基板３２の少なくとも一方の面上に、無機酸化物層２、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）薄膜層１をこの順に積層した透明導電薄膜において、無機酸化物層２が、高屈折率金属酸化物層２２、低屈折率無機酸化物層２１の順に積層され、前記ＩＴＯ薄膜層が２層１１，１２からなり、高屈折率金属酸化物層２２の屈折率が１．７〜２．８、膜厚が５〜５０ｎｍであり、低屈折率無機酸化物層２１の屈折率が１．２〜１．５、膜厚が１０〜１００ｎｍであり、ＩＴＯ薄膜層１の最表面の層１１の酸化スズの含有量が、ＩＴＯ薄膜層の他の層１２の酸化スズの含有量より大きいことを特徴とする、透明導電薄膜。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板の少なくとも一方の面上に、無機酸化物層、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）薄膜層をこの順に積層した透明導電薄膜において、
前記無機酸化物層が、透明基板側から、高屈折率金属酸化物層、低屈折率無機酸化物層の順に積層され、かつ、前記ＩＴＯ薄膜層が２層からなり、
前記高屈折率金属酸化物層の屈折率が１．７〜２．８、膜厚が５〜５０ｎｍであり、
前記低屈折率無機酸化物層の屈折率が１．２〜１．５、膜厚が１０〜１００ｎｍであり、
前記ＩＴＯ薄膜層の最表面の層の酸化スズの含有量が、前記ＩＴＯ薄膜層の他の層の酸化スズの含有量より大きいことを特徴とする、透明導電薄膜。
【請求項２】
前記ＩＴＯ薄膜層の最表面の層の酸化スズの含有量が７〜１５重量％であり、前記ＩＴＯ薄膜層の他の層の酸化スズの含有量が２〜６重量％であることを特徴とする、請求項１に記載の透明導電膜。
【請求項３】
前記ＩＴＯ薄膜層の膜厚は５〜８０ｎｍであることを特徴とする、請求項１または２に記載の透明導電薄膜。
【請求項４】
前記無機酸化物層及び前記ＩＴＯ薄膜層の成膜温度が−１０℃〜５０℃であることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の透明導電薄膜。
【請求項５】
前記透明基板と前記無機酸化物層との間、および／または、前記透明基板の前記無機酸化物層を設けない面にハードコート層を有することを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の透明導電薄膜。
【請求項６】
全光透過率が９０％以上、ヘーズが１％以下、アニール前後のシート抵抗率変化が０．８〜１．２以内、透過色相ｂ＊が−１．５〜１．５（色彩計算：２°、視野Ｄ６５光源）であることを特徴とする、請求項１から５のいずれかに記載の透明導電薄膜。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の透明導電薄膜を用いたディスプレイまたはタッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明基板上に無機酸化物層および酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）薄膜層を成膜した透明導電薄膜であって、導電性、透過率が高く、かつ実用上十分な優れた密着性および耐久性を有する透明導電薄膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から可視透過率の高い透明導電膜は液晶ディスプレイ（ＬＣＤ：ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ：ｐｌａｓｍａ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）、タッチパネル等に使用されている。これらのディスプレイとタッチパネルは従来のブラウン管（ＣＲＴ：ｃａｔｈｏｄｅ  ｒａｙ  ｔｕｂｅ）ディスプレイに比べて圧倒的に薄く、軽量で、省電力等の多くの利点を有するので、近年、需要が著しく拡大し、主流になっている。
【０００３】
液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイとタッチパネルは光学部品であるため、その中の透明導電膜は低い電気抵抗、可視光に対する高い透過率と耐久性などを有することが要求される。ＩＴＯ膜は、導電性が良好で、しかも可視光波長域での透光性が良好のため、従来から各種のディスプレイ、タッチパネル及び太陽電池の透明電極、熱反射ガラス、防曇、防氷、帯電防止ガラス、電磁シールガラス等に利用されている。
ＩＴＯ透明導電膜について、現在工業的に広く用いられているマグネトロンスパッタ法、加速電子ビームを照射法（ＥＢ）蒸着法などの方法が良く使われている。低抵抗率のＩＴＯ透明導電膜を形成する方法についは下記特許文献１〜５などに提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−６０７２３号公報
【特許文献２】特開平６−２８９３２号公報
【特許文献３】特開平１１−３３５８１５号公報
【特許文献４】特開２００３−７３８６０号公報
【特許文献５】特開２００３−１６０３６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記の特許文献１〜５において、作製したＩＴＯ薄膜は透明性を有し、抵抗率も低い。しかし、得られたＩＴＯ透明導電膜は屈折率が高く、膜厚が厚く、光の干渉効果のために、可視光の透過率が不十分であった。特許文献１、２（特開平６−６０７２３号公報、特開平６−２８９３２号公報）において、ＩＴＯ透明導電膜は結晶質膜であるため、アニール前後でシート抵抗の変化率が大きい。そして、特許文献４（特開２００３−７３８６０号公報）に提案されたＩＴＯ薄膜はアモルファス構造を持ち、アニール前後でシート抵抗の変化率が少ないが、ペン書き耐久性などの耐久性が不十分である。
【０００６】
特許文献５（特開２００３−１６０３６２号公報）は酸化金属を用いて積層を行なうことによって、可視光域での透過率が高い透明導電膜を提案している。しかし、上記透明導電膜はアニール前後でシート抵抗の変化率が大きいあるいは耐久性試験結果が良くないなどの欠点がある。
【０００７】
上記特許文献５（特開２００３−１６０３６２号公報）で提案された方法は成膜温度が高く、プラスチックフィルム基材への応用が難しい。さらに、上記文献ではＩＴＯ透明導電膜が厚い、コストなどの問題もある。
【０００８】
そこで、本発明は前記従来技術の問題点を解決し、透明基板上に無機酸化物層および酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）薄膜層を成膜した透明導電薄膜であって、導電性、透過率が高く、かつ実用上十分な優れた密着性および耐久性を有し、低温成膜が可能でアニール前後の抵抗率変化の少ない透明導電薄膜を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、透明基板の少なくとも一方の面上に、無機酸化物層、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）薄膜層をこの順に積層した透明導電薄膜において、
前記無機酸化物層が、透明基板側から、高屈折率金属酸化物層、低屈折率無機酸化物層の順に積層され、かつ、前記ＩＴＯ薄膜層が２層からなり、
前記高屈折率金属酸化物層の屈折率が１．７〜２．８、膜厚が５〜５０ｎｍであり、
前記低屈折率無機酸化物層の屈折率が１．２〜１．５、膜厚が１０〜１００ｎｍであり、
前記ＩＴＯ薄膜層の最表面の層の酸化スズの含有量が、前記ＩＴＯ薄膜層の他の層の酸化スズの含有量より大きいことを特徴とする、透明導電薄膜である。
請求項２に記載の発明は、前記ＩＴＯ薄膜層の最表面の層の酸化スズの含有量が７〜１５重量％であり、前記ＩＴＯ薄膜層の他の層の酸化スズの含有量が２〜６重量％であることを特徴とする、請求項１に記載の透明導電膜である。
請求項３に記載の発明は、前記ＩＴＯ薄膜層の膜厚は５〜８０ｎｍであることを特徴とする、請求項１または２に記載の透明導電薄膜である。
請求項４に記載の発明は、前記無機酸化物層及び前記ＩＴＯ薄膜層の成膜温度が−１０℃〜５０℃であることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の透明導電薄膜である。
請求項５に記載の発明は、前記透明基板と前記無機酸化物層との間、および／または、前記透明基板の前記無機酸化物層を設けない面にハードコート層を有することを特徴とする、請求項１から４のいずれかに記載の透明導電薄膜である。
請求項６に記載の発明は、全光透過率が９０％以上、ヘーズが１％以下、アニール前後のシート抵抗率変化が０．８〜１．２以内、透過色相ｂ＊が−１．５〜１．５（色彩計算：２°、視野Ｄ６５光源）であることを特徴とする、請求項１から５のいずれかに記載の透明導電薄膜である。
請求項７に記載の発明は、請求項１から６のいずれかに記載の透明導電薄膜を用いたディスプレイまたはタッチパネルである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、透明基板上に無機酸化物層および酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）薄膜層を成膜した透明導電薄膜であって、導電性、透過率が高く、かつ実用上十分な優れた密着性および耐久性を有し、低温成膜が可能でアニール前後の抵抗率変化の少ない透明導電薄膜を提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の透明導電薄膜を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明をさらに詳しく説明する。
図１は、本発明の透明導電薄膜を説明するための断面図である。
本発明の透明導電薄膜は、透明基板３２の少なくとも一方の面上に、無機酸化物層２、酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）薄膜層１をこの順に積層してなる。無機酸化物層２は、透明基板側３２から、高屈折率金属酸化物層２２、低屈折率無機酸化物層２１の順に積層され、かつ、ＩＴＯ薄膜層１は、ＩＴＯ層１２およびＩＴＯ層１１の２層からなる。また、図１に示す形態では、透明基板３２と無機酸化物層２との間、および、透明基板３２の無機酸化物層２を設けない面にハードコート層３１，３３を有している。なお、ハードコート層は、３１，３３のいずれか一方でもよい。
【００１３】
本発明の透明基板としては、例えば、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、メラミン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、セルロースおよびこれらの共重合樹脂、ゼラチン、カゼインなどの有機天然化合物または有機合成化合物からなる透明な基板が例示できる。詳しい例として、ポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、アクリル、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリスチレン、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリビニルブチラール、金属イオン架橋エチレン−メタクリル酸共重合体、ポリウレタン、セロファンなどが挙げられ、好ましくはＰＥＴ、ＰＣ、ＰＭＭＡ、ＴＡＣなどが挙げられるが、この限りではない。
【００１４】
本発明では透明基板として上記のポリエステル、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）などを利用した場合、機械的な強度が不十分であり、その上で成膜した製品の機械的な強度も不十分となる。この問題を解決するために、透明基板と無機酸化物層との間にハードコート層（ＨＣ）を作製することが好ましい。さらに、透明基板の強度をもっと増加するとカールが抑制するために、透明基板の裏面にもハードコート層を作製することが好ましい。
【００１５】
本発明の無機酸化物層の高屈折率金属酸化物層としてはＺｎＯ、ＴｉＯ２、ＣｅＯ２、Ｓｂ２Ｏ５、ＳｎＯ２、Ｙ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｎｂ２Ｏ５等が挙げられるが、この限りではない。
【００１６】
本発明の無機酸化物層の低屈折率金属酸化物層としてはＳｉＯ２、ＣａＦ２、ＭｇＦ２等が挙げられるが、この限りではない。
【００１７】
本発明は積層成膜方法として気相成膜あるいは液相成膜などが使えるが、膜の特性を出やすくするために、気相成膜が好ましい。気相成膜はマグネトロンスパッタリング法や、加速電子ビームを照射法（ＥＢ）や、物理真空蒸着法（ＰＶＤ）や、化学真空蒸着法（ＣＶＤ）などがある。この中で、マグネトロンスパッタリング法が好ましい。
【００１８】
本発明の前記高屈折率金属酸化物層の屈折率は１．７〜２．８であり、膜厚が５〜５０ｎｍであることを特徴とする。そして、低屈折率無機酸化物層の屈折率は１．２〜１．５であり、膜厚が１０〜１００ｎｍであることを特徴とする。一般状況下で、透明なプラスチック基板の屈折率は１．５〜１．７である。このために、高屈折率層として屈折率が１．７以上になる。低屈折率無機酸化物層は低い屈折率が望ましいが、コストと成膜特性を総合的に考えることが必要である。
高屈折率金属酸化物層の膜厚は５〜５０ｎｍ、低屈折率無機酸化物層の膜厚１０〜１００ｎｍであることが好ましい。膜厚が規定範囲以上を超えると成膜効率が悪くなり、コストも高くなる。そして、干渉が出やすい。膜厚が規定範囲以下になった場合、膜が薄過ぎで、透過率増加の効果が弱く、期待される物性が出難くなる。
【００１９】
本発明では、ＩＴＯ薄膜層が２層からなり、ＩＴＯ薄膜層の最表面の層の酸化スズの含有量が、ＩＴＯ薄膜層の他の層の酸化スズの含有量より大きいことを特徴とする。単一な組成であるＩＴＯ膜ではアニール前後でシート抵抗の変化率が小さい、耐久性を持つなどの性能を全部に満足することが難しい。また、前記最表面の層の酸化スズの含有量が少ない場合は、アニール前後のシート抵抗変化が大きい。これは最表面のＩＴＯ膜の結晶化が進むことによりシート抵抗の変化が大きくなるからであると考えられる。そのために、本発明は組成が異なるＩＴＯ薄膜層を用いて酸化スズの含量が多いＩＴＯを最表面に成膜することによって以上の問題を解決した。
【００２０】
ＩＴＯ薄膜層において、酸化スズの含量は２〜１５重量％であることが好ましい。ＩＴＯ薄膜層の最表面の層の酸化スズの含有量が７〜１５重量％であり、前記ＩＴＯ薄膜層の他の層の酸化スズの含有量が２〜６重量％であることが好ましい。そして、成膜した各ＩＴＯ薄膜層の膜厚は５〜８０ｎｍであることが好ましい。
酸化スズの含有量が２重量％未満になるとキャリア密度が低すぎで、導電性能が著しく落ちる。酸化スズの含有量が１５重量％を超えるとＩＴＯ膜の構造が変化し、導電性能と耐久性も悪くなる。
【００２１】
また、ＩＴＯ薄膜の膜厚が５ｎｍ未満になると膜厚が薄く、性能が出にくい。ＩＴＯ薄膜の膜厚が８０ｎｍを超えると成膜の効率が悪くなり、コストが増加する。さらに、干渉縞も出やすい。
酸化スズの含量が７〜１５重量％であるＩＴＯ膜はアニール前後のシート抵抗変化率が少ない。そして、酸化スズの含量が２〜６重量％であるＩＴＯ膜は耐久性を持っている。本発明において上記の特徴を利用してＩＴＯ成膜を行った。
【００２２】
また本発明では、無機酸化物層及び前記ＩＴＯ薄膜層の成膜温度が−１０℃〜５０℃であることが好ましい。本発明で、無機酸化物層とＩＴＯ薄膜層を順次に成膜する時に、基板を熱処理しなくても得られた膜は透明導電膜の各性能を持っている。装置が正常に運転する面および基板へのダメージ低減の面から、上記成膜温度は−１０℃〜５０℃が好ましい。
【００２３】
本発明では全光透過率９０％以上、ヘーズ１％以下；アニール前後のシート抵抗率変化が０．８〜１．２以内；さらに透過色相ｂ＊は−１．５〜１．５（色彩計算：２°、視野Ｄ６５光源）である優れた光学特性を持っている透明導電薄膜の作製することができる。
なおシート抵抗率の変化とは、アニール後のシート抵抗率をアニール前のシート抵抗率で割った値を意味する。
【００２４】
本発明の透明導電薄膜は、ディスプレイやタッチパネルなどに有用である。本発明の透明導電薄膜は、シート抵抗が低い、耐久性が良い、透過率が高いなどの特徴を持っているために、静電防止フィルム、タッチパネルなどの生産への応用が可能である。
【実施例】
【００２５】
以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説明する。
【００２６】
実施例１
図１に示す透明導電薄膜を作製した。すなわち、ＰＥＴからなる透明基板３２の一方の面上に、直流マグネトロンスパッタリング法にて、１８ｎｍ厚のＮｂ２Ｏ５からなる高屈折率金属酸化物層２２、６０ｎｍ厚のＳｉＯ２からなる低屈折率無機酸化物層２１を形成し、さらに酸化スズを３ｗｔ％含有する１０ｎｍ厚のＩＴＯ薄膜層１２および酸化スズを１０ｗｔ％含有する１０ｎｍ厚のＩＴＯ薄膜層１１を順次形成した。なお、透明基板３２と無機酸化物層２との間、および、透明基板３２の無機酸化物層２を設けない面には、ハードコート層３１，３３を設け、基板３２およびハードコート層の合計厚さを約２００μｍとした。
なお、成膜時の酸素流量（分圧）を変化させることにより、形成される薄膜の酸素欠損の量を変化させ、屈折率を請求項１記載の範囲で変化させることができる。ＩＴＯ薄膜の成膜時のシート抵抗の制御は、酸素流量の制御により行った。
以上により、実施例１の透明導電薄膜を作製した。
得られた透明導電膜の評価は以下のように行った。
【００２７】
［シート抵抗測定］
三菱化学社製の表面抵抗測定装置Ｌｏｒｅｓｔａ  ＨＰ／ＭＣＰ−４１０を用いて抵抗値を４端子法で測定した。
【００２８】
［シート抵抗変化率測定］
１５０℃で１時間アニール前後シート抵抗値を測定して、その変化率を計算した。
【００２９】
［分光スペクトルの測定］
アニール後、得られた透明導電薄膜は自動分光光度計（日立製作所製、Ｕ−４０００）を用い、Ｄ６５、２度視野の条件下で、薄膜面について入射角５°における分光スペクトルを測定した。
【００３０】
［全光透過率とヘーズの測定］
アニール後、得られた透明導電薄膜はＮｉｐｐｏｎ  ＤＥＮＳＨＯＫＵ社製ＮＤＨ  ２０００ヘーズメーターを使用して測定した。
【００３１】
［耐湿熱密着性の測定］
アニール後、得られた透明導電薄膜は７０℃、９０％ＲＨ環境下で、１０日間放置した。その後、ガラス基板の上に両面テープで張り付けた。碁盤目を透明導電薄膜の上から、ナイフで１００個入れて、セロハン粘着テープを強く張り付け、９０°方向に急速に剥し、透明導電薄膜剥離の有無を調べた：  剥離なし＝１００／１００；  剥離あり＝Ｘ／１００、Ｘは残った数である。
【００３２】
［１０万回ペン書き試験の測定］
アニール後の透明導電薄膜の裏面にポリアセタールからなるペン先半径０．８ｍｍのタッチペンを用いて、プロッターにより２５０ｇ加重、アからンまでのカタカナ文字を１０万字の筆記を行った。それから、透明導電薄膜面のシート抵抗を測定する。ペン書き試験前後シート抵抗の変化率を計算した。
【００３３】
実施例１についての評価結果は表１に示した。アニール後、得られた透明導電薄膜のシート抵抗変化率がアニール前より±１５％以内である。そして、全光透過率は９２％以上であり、透過色相ｂ＊±０．２以内である。さらに、耐湿熱密着性は問題なく、１０万回ペン書き試験後のシート抵抗変化率も±２０％以内になっている。即ち、実施例１から、得られた透明導電薄膜は優れた物性を持つ、静電防止フィルム、タッチパネルなどへの実用化が可能である。一方、ＩＴＯ薄膜の厚みを増加することにより、抵抗が減少し、ディスプレイへの応用も可能だと考えられる。
【００３４】
実施例２
実施例１において、高屈折率金属酸化物層２２を厚さ１８ｎｍのＴｉＯ２にしたこと以外は実施例１同様に操作し透明導電薄膜を得た。実施例２の評価結果は表１に示した。実施例２から得られた透明導電薄膜は実施例１とほぼ同じ物性を持ち、実用することが可能である。
【００３５】
比較例１
実施例１において、ＩＴＯ薄膜層１２の酸化スズの含有量を１０ｗｔ％とし、ＩＴＯ薄膜層１１の酸化スズの含有量を３ｗｔ％にし、それ以外は実施例１同様に操作し透明導電薄膜を得た。比較例１の評価結果は表１に示した。比較例１と実施例１を比べると光学特性及び耐湿熱密着性がほぼ一緒であるが、アニール前後のシート抵抗変化率が実施例１より大きい。サンプルのアニールによって、最表面の酸化スズ３ｗｔ％含有ＩＴＯのシート抵抗変化率が酸化スズ１０ｗｔ％含有ＩＴＯより大きいと考えられる。
【００３６】
比較例２
実施例２において、ＩＴＯ薄膜層１２の酸化スズの含有量を１０ｗｔ％とし、ＩＴＯ薄膜層１１の酸化スズの含有量を３ｗｔ％にし、それ以外は実施例２同様に操作し透明導電薄膜を得た。比較例２の評価結果は表１に示した。比較例２から得られた透明導電薄膜は実施例２とほぼ同じ光学特性及び耐湿熱密着性を持っているが、アニール前後のシート抵抗変化率が実施例２より大きい。
【００３７】
比較例３
実施例１において、酸化スズを３ｗｔ％含有する１０ｎｍ厚のＩＴＯ薄膜層１２を形成せず、酸化スズを１０ｗｔ％含有するＩＴＯ薄膜層１１を２０ｎｍで成膜した以外は実施例１同様に操作し透明導電薄膜を得た。比較例３の評価結果は表１に示した。比較例３と実施例１を比較するとペン書き試験の結果が悪い。酸化スズを１０ｗｔ％含有するＩＴＯ薄膜層１１だけで成膜すると透明導電薄膜の結晶性が弱い、耐性不足だと考えられる。
【００３８】
比較例４
実施例１において、酸化スズを１０ｗｔ％含有するＩＴＯ薄膜層１１を形成せず、酸化スズを３ｗｔ％含有する１０ｎｍ厚のＩＴＯ薄膜層１２を２０ｎｍで成膜した以外は実施例１同様に操作し透明導電薄膜を得た。比較例４の評価結果は表１に示した。比較例４と実施例１を比較するとアニール前後のシート抵抗変化率結果が悪い。これは酸化スズを３ｗｔ％含有するＩＴＯ薄膜層１２だけで成膜すると膜の耐性を持っているが、結晶性が高いのでアニール前後のシート抵抗変化が大きくなった。
【００３９】
比較例５
実施例１において、高屈折率金属酸化物層２２、低屈折率無機酸化物層２１および酸化スズを３ｗｔ％含有するＩＴＯ薄膜層１２を成膜せず、透明基板上に直接に酸化スズを１０ｗｔ％含有するＩＴＯ薄膜層１１を２０ｎｍ厚で成膜した。比較例５の評価結果は表１に示した。得られた薄膜のペン書き試験、全光透過率及び透過色相ｂ＊の測定結果が実施例を比べると著しく悪い。
【００４０】
比較例５の全光透過率及び透過色相ｂ＊の測定結果が悪い理由としては、高屈折率金属酸化物層２２、低屈折率無機酸化物層２１が存在しないためと考えられる。そして、酸化スズを１０ｗｔ％含有するＩＴＯ薄膜層１１のみで成膜すると膜の結晶性が弱く、ペン書き試験結果が悪い。そして、耐湿熱密着性において膜が剥離された。これはＩＴＯ膜とハードコート層の密着性が不十分だと考えられる。
【００４１】
比較例６
比較例５において、酸化スズを１０ｗｔ％含有するＩＴＯ薄膜層１１を使用せず、酸化スズを３ｗｔ％含有するＩＴＯ薄膜層１２を２０ｎｍ成膜した以外は比較例５同様に操作し透明導電薄膜を得た。比較例６の評価結果は表１に示した。得られた薄膜のアニール前後シート抵抗変化率、全光透過率及び透過色相ｂ＊の測定結果が上記の実施例を比べると著しく悪い。さらに、耐湿熱密着性結果として膜が剥離された。
【００４２】
全光透過率及び透過色相ｂ＊の測定結果が悪い原因としては比較例５の理由と同じである。アニール前後シート抵抗変化率が大きい。その原因として酸化スズを３ｗｔ％含有するＩＴＯ薄膜層１２だけで成膜すると得られた透明導電膜の結晶性が比較的に高く、アニール前後シート抵抗変化が大きいと考えられる。
【００４３】
【表１】
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【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明の透明導電薄膜は、ディスプレイやタッチパネルなどに有用である。
【符号の説明】
【００４５】
１  酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）薄膜層
１１、１２  ＩＴＯ層
２  無機酸化物層
２１  低屈折率無機酸化物層
２２  高屈折率金属酸化物層
３２  透明基板
３１，３３  ハードコート層
【図１】
2010212085.tif 000004