(57)【要約】【課題】バリの発生が抑制された回路基板の製造方法および回路装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の回路基板の製造方法では、基板を分離するために構成される溝同士が交差する領域を切除して分離領域３４を形成している。第１溝３０と第２溝３２とを基板１０の上面に形成すると、除去することが困難なバリが、第１溝３０と第２溝３２とが交差する箇所に形成される。本発明では、これらの溝が交差する箇所を部分的に除去することで、発生したバリを除去される部分と共に基板１０から取り去ることが可能となる。結果的に、導電性のバリが基板１０に残存しないので、バリに起因したショートの発生が防止される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の導電パターンから構成されるユニットがマトリックス状に形成された基板を用意する工程と、
前記基板の一主面に、各前記ユニットの境界に沿って互いに直交する第１溝および第２溝を設ける工程と、
前記第１溝および前記第２溝が設けられた箇所にて、前記基板を各前記ユニット毎に分離する工程と、を備え、
前記基板の前記第１溝と第２溝とが交差する箇所を部分的に除去することにより除去領域を設けることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１溝および前記第２溝を設ける工程では、
前記第１溝および前記第２溝に対応する前記基板の他主面に、第３溝および第４溝を設けることを特徴とする請求項１記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
前記除去領域の形状は、前記第１溝または前記第２溝に重なる位置に角部を備えた多角形形状であることを特徴とする請求項２記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１溝と前記第２溝とが交差する箇所および前記第３溝と前記第４溝とが交差する箇所ではバリが発生し、
前記除去領域を設ける際に、前記基板の除去される部分と共に前記バリを前記基板から分離することを特徴とする請求項３記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記除去領域は、プレス加工または切断加工により形成されることを特徴とする請求項４記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記基板は、前記一主面および前記他主面が酸化膜により被覆されたアルミニウムを主体とする金属基板であり、
前記第１溝、前記第２溝、前記第３溝および前記第４溝は、高速で回転するダイシングソーにて前記基板を研削加工することにより形成されることを特徴とする請求項５記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記ダイシングソーが前記基板を研削する際の、前記ダイシングソーに備えられたブレードの進行方向は、前記ダイシングソーの進行方向と同じ方向であることを特徴とする請求項６記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれかに記載された回路基板の製造方法により製造された回路基板に回路素子を固着する工程を備えたことを特徴とする回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、上面に複数の回路素子が実装される回路基板の製造方法および回路装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路基板上に実装された回路素子から成る回路装置を形成する場合、一枚の大型の基板の上面に多数個のユニットを構成する導電パターンを構成して、導電パターンに回路素子を接続した後に、各ユニットを分離する方法が従来から採用されている（下記特許文献１参照）。
【０００３】
図８を参照して、従来の回路装置の製造方法を説明する。図８（Ａ）、図８（Ｂ）および図８（Ｃ）は、各工程を示す断面図である。
【０００４】
図８（Ａ）を参照して、先ず、基板１００の上面に多数個のユニット１０６を構成する導電パターン１０４を形成し、各ユニット１０６の境界に第１溝１０８および第２溝１１０を設ける。
【０００５】
基板１００の平面的な大きさは多数個のユニット１０６が形成される程度であり、例えば厚みが１．５ｍｍ程度のアルミニウムから成る基板が採用される。この様な基板１０００の上面は、フィラーが混入された樹脂材料から成る絶縁層１０２により被覆される。
【０００６】
絶縁層１０２の上面には、厚みが数十μｍ程度の導電箔をエッチングすることにより所定形状にパターニングされた導電パターン１０４が形成されている。ここで、ユニット１０６とは、１つの回路装置を構成する単位要素のことであり、各ユニット１０６毎に同一の形状の導電パターン１０４が形成されている。ここでは図示されていないが、基板１００には、マトリックス状に多数個のユニット１０６が配置される。
【０００７】
第１溝１０８は、各ユニット１０６の境界に沿って基板１００の上面から形成された溝であり、Ｖ字型の断面形状を有する。基板１００には、マトリックス状にユニット１０６が形成されているので、各ユニット１０６の間に設けられる第１溝１０８は格子状に形成される。ここで、基板１００の厚みが１．５ｍｍの場合、第１溝１０８の深さは０．６ｍｍ程度に形成されている。
【０００８】
第２溝１１０は、第１溝１０８が形成される箇所に対応して、基板１００の下面に設けられている。第２溝１１０の深さは、第１溝１０８と同様に形成されている。
【０００９】
上記した第１溝１０８および第２溝１１０は、高速で回転するカットソーを用いて、基板１００を部分的に切削することにより形成される。
【００１０】
図８（Ｂ）を参照して、次に、各ユニット１０６の導電パターン１０４に回路素子１１２を電気的に接続する。ここで、回路素子１１２としては、トランジスタまたはＩＣ等の半導体素子や、チップ抵抗やチップコンデンサ等のチップ素子が示されている。ＩＣ等の半導体素子は、金属細線を経由して導電パターン１０４と接続される。
【００１１】
図８（Ｃ）を参照して、次に、第１溝１０８および第２溝１１０が設けられた箇所にて基板１００を分割して、各ユニット１０６に分離する。第１溝１０８および第２溝１１０が設けられた領域では、基板１００の厚みが局所的に薄くなっているので、この領域にて基板１００は容易に分離できる。基板１００の分離方法としては、両溝が設けられた箇所にて基板１００を曲折して分離する方法、この箇所にて基板１００をダイシングする方法等がある。
【００１２】
上記した分離の工程が終了した後は、導電パターン１０４から成るパッドにリードを固着し、封止樹脂やケース材を用いて回路素子１１２および基板１００を封止して、回路装置が完成する。
【００１３】
上記した方法により回路装置を製造することにより、多数個の回路装置を効率的に製造することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００３−３１８３３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、上記した回路基板および回路装置の製造方法では、第１溝１０８および第２溝１１０を形成する際に、バリが発生してしまう問題があった。
【００１６】
具体的には、図８（Ａ）を参照して、基板１００の上面にはユニット１０６がマトリックス状に配置されているので、基板１００の上面には第１溝１０８が格子状に形成される。同様に、基板１００の下面にも格子状に第２溝１１０が形成される。
【００１７】
しかしながら、図９の画像に示すように、基板１００の上面に形成される第１溝１０８同士が交差する部分でバリが発生する。この図では、紙面上で縦方向に第１溝１０８Ａが形成され、紙面上にて横方向に第１溝１０８Ｂが形成されており、第１溝１０８Ａと第１溝１０８Ｂが交差する箇所でバリが大量に発生している。ここで、バリが発生する箇所は白抜きの矢印にて指し示している。
【００１８】
第１溝１０８同士が交差する箇所にてバリが発生する原因は、縦方向に第１溝１０８Ａを形成した後に、横方向に交差する第１溝１０８Ｂを形成すると、両溝が交差する箇所にて、基板１００を構成する金属材料の一部が、第１溝１０８Ａの内側にはみ出て付着するからである。
【００１９】
このバリの除去方法として、空気などの気体や水などの液体を高圧にてバリに対して噴射する方法がある。しかしながら、このバリと基板１００との密着強度は非常に高いので、この方法によっても全てのバリを基板１００から除去することは困難であった。
【００２０】
この様に、アルミ等の金属から成る導電性のバリが発生すると、後の工程で基板に組み込まれる導電パターンや回路素子にバリが付着することにより、ショートが発生してしまう恐れがある。
【００２１】
本発明は上記した問題を鑑みてなされ、本発明の目的は、分離用の溝を形成することにより発生するバリの基板への残存を抑制する回路基板の製造方法および回路装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明の回路基板の製造方法は、複数の導電パターンから構成されるユニットがマトリックス状に形成された基板を用意する工程と、前記基板の一主面に、各前記ユニットの境界に沿って互いに直交する第１溝および第２溝を設ける工程と、前記第１溝および前記第２溝が設けられた箇所にて、前記基板を各前記ユニット毎に分離する工程と、を備え、前記基板の前記第１溝と第２溝とが交差する箇所を部分的に除去することにより除去領域を設けることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明では、基板の上面にマトリックス状に形成されるユニットを分離するために、分離用の第１溝および第２溝を基板の上面に格子状に設けている。そして、第１溝と第２溝が交差する箇所の金属基板を部分的に除去して除去領域を設けている。この様にすることで、第１溝と第２溝とが交差する箇所にてバリが発生しても、この箇所と共にバリを基板から分離することが可能となる。従って、導電性のバリが基板に残存することによるショートの発生が抑制される。
【００２４】
更に、上記した除去領域の形成は、分離用の溝を形成する前に行っても良い。除去領域を形成した後に分離用の第１溝および第２溝を形成すれば、これらの溝が交差しないので、バリの発生が防止され、更にバリが発生したとしてもその量は極めて少なくなる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の回路基板の製造方法および回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）は拡大された平面図であり、（Ｃ）は断面図である。
【図２】本発明の回路基板の製造方法および回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は斜視図であり、（Ｃ）は拡大された斜視図であり、（Ｄ）は断面図である。
【図３】本発明の回路基板の製造方法および回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は平面図である。
【図４】本発明の回路基板の製造方法および回路装置の製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の回路基板の製造方法および回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は断面図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図６】本発明により製造される発光モジュールの構成を示す図であり、（Ａ）は平面図であり、（Ｂ）および（Ｃ）は断面図である。
【図７】本発明により製造される混成集積回路装置の構成を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は断面図である。
【図８】背景技術の回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）−（Ｃ）は断面図である。
【図９】背景技術にて発生する金属バリを示す画像である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
＜第１の実施の形態：回路基板および回路装置の製造方法＞
本実施の形態では、図１から図５を参照して、回路基板および回路装置の製造方法を説明する。
【００２７】
図１を参照して、先ず、アルミニウムや銅等の金属から成る基板１０を用意する。図１（Ａ）は基板１０を示す平面図であり、図１（Ｂ）は基板１０を拡大して部分的に示す平面図であり、（Ｃ）は基板１０の断面図である。
【００２８】
図１（Ａ）を参照して、基板１０の平面視での大きさは、例えば縦×横＝２０ｃｍ×４０ｃｍ程度であり、この基板は数十個〜数百個程度の回路装置の材料となる。ここでは、１つの回路装置となる領域をユニット１６と称している。
【００２９】
ユニット１６は、基板１０の上面にマトリックス状に配置されている。そして、各ユニット１６同士の間には、縦方向のダイシングライン１２と、横方向のダイシングライン１４が規程されている。基板１０に分離用の溝を形成する工程では、基板１０の上面および／または下面に、ダイシングライン１２およびダイシングライン１４に沿って分離用の溝が形成される。これらのダイシングライン１２、１４に沿って基板１０はユニット１６毎に分離される。
【００３０】
図１（Ｂ）を参照して、各ユニット１６の上面には、所定形状にパターニングされた複数個の導電パターン２４が形成されている。各ユニット１６には同一形状の導電パターン２４が形成される。導電パターン２４の形状は、各ユニット１６に組み込まれる回路の種類によって異なる。ここでは一例として、複数個のＬＥＤを接続するための導電パターン２４が示されている。
【００３１】
図１（Ｃ）を参照して、基板１０の材料としてアルミニウムが採用された場合、基板１０の上面はアルマイト処理により形成された酸化膜１８（Ａｌ２Ｏ３）により被覆される。同様に、基板１０の下面もアルマイト処理により形成された酸化膜２０により被覆される。酸化膜１８、２０は、基板１０の材料であるアルミニウムよりも耐摩耗性および耐食性に優れた材料である。従って、酸化膜１８、２０により基板１０の上下両主面を被覆することで、基板１０自体の耐摩耗性および耐食性が向上される。また、基板１０の厚みは１．５ｍｍ程度であり、上記した各酸化膜の厚さは５μｍ〜１０μｍ程度である。
【００３２】
絶縁膜２２は、基板１０の上面全域を覆うように形成されており、粒状のアルミナやシリカ等のフィラーが高充填されたエポキシ樹脂等の樹脂材料から成る。フィラーが含有されることにより、絶縁膜２２の熱抵抗が低減されると共に、絶縁膜２２の熱膨張係数が基板１０に近似した値となる。絶縁膜２２の厚みは、例えば５０μｍ程度である
導電パターン２４は、厚みが５０μｍ程度の銅を主材料とする金属膜を、所定形状にウェットエッチングすることにより形成される。更にまた、後に回路素子と接続される箇所を除外して、絶縁膜２２の上面および導電パターン２４は全面的にソルダーレジストにより被覆される。
【００３３】
図２を参照して、次に、ダイシングラインに沿って基板１０に分離用の溝を形成する。図２（Ａ）は本工程を示す斜視図であり、図２（Ｂ）は分離用の溝が形成された後の基板１０を示す斜視図であり、図２（Ｃ）は拡大された断面図であり、図２（Ｄ）は溝を形成している状態を示す断面図である。
【００３４】
図２（Ａ）を参照して、本工程では、高速で回転しつつ紙面上にて右方向に移動するカットソー２６を用いて、ダイシングライン１４に沿って基板１０の上面を部分的に研削する。具体的には、カットソー２６により、アルミニウムから成る基板１０、酸化膜１８、絶縁膜２２が溝状に除去される。また、絶縁膜２２の上面にソルダーレジストが形成されている場合は、基板１０と共にソルダーレジストも研削される。尚、各ユニットを構成する導電パターンは、ダイシングライン１２、１４により囲まれる部分よりも内側に形成されているので、本工程の切削加工により導電パターンは切除されない。
【００３５】
カットソー２６の周囲（先端）に設けられたブレードの断面形状は三角形形状を呈しているので、カットソー２６により形成される溝も三角形形状となる。しかしながら、本工程にて形成される溝の断面形状は他の形状でも良く、例えばＵ字形状でも良いし、四角形形状でも良い。
【００３６】
カットソー２６が回転する方向は、図２（Ａ）にて矢印にて示す方向である。即ち、カットソー２６の下側外周の進行方向が、カットソーの進行方向（紙面上にて右方向）と同じ方向となっている。換言すると、カットソー２６に設けられたブレードの、カットソー２６の下半分に於ける移動方向は、カットソー２６自体の進行方向と同じ方向と成っている。この様にすることで、カットソー２６による基板１０の研削に伴い発生するバリの量が低減される。
【００３７】
同様に、ダイシングライン１４に直交するダイシングライン１２に沿ってカットソー２６による研削が行われる。即ち、ダイシングライン１４に沿って溝を形成した後に、基板１０を９０度回転させて、カットソー２６による溝の形成を再び行う。
【００３８】
更にここでは、基板１０の下面からも、カットソー２８を用いた研削加工が行われる。具体的には、基板１０の上面の場合と同様に、予め規定されたダイシングライン１２およびダイシングライン１４に沿って、高速で回転するカットソー２８により基板１０を下面から研削加工して分離用の溝を形成する。カットソー２８による研削加工により、基板１０と酸化膜２０が部分的に除去されて分離用の溝が形成される。
【００３９】
また、カットソー２８の回転方向は図２（Ａ）にて矢印で示すとおりである。具体的には、カットソー２８の周囲に設けられたブレードの、カットソー２８の上半分に於ける移動方向は、カットソー２８自体が研削時に移動する方向（紙面上にて右方向）と同じ方向である。
【００４０】
図２（Ｂ）に、上記したカットソーを用いた研削加工により各溝が形成された基板１０を示す。基板１０の上面からは第１溝３０および第２溝３２が格子状に形成されており、基板１０の下面からは第３溝４６および第４溝４８が形成されている。ここで、第１溝３０と第３溝４６とは、図２（Ａ）に示すダイシングライン１２に沿って、平面視で重畳して配置される。更に、第２溝３２と第４溝４８とは、図２（Ａ）に示すダイシングライン１４に沿って、平面視で重畳して配置される。
【００４１】
ここで、上記説明では、基板１０の上面に第１溝３０および第２溝３２を格子状に設け、下面に第３溝４６および第４溝４８を格子状に設けたが、何れか一方の面のみに分離用の溝を設けても良い。即ち、基板１０の上面のみに第１溝３０および第２溝３２を設け、基板１０の下面は平坦なままでよい。更には、基板１０の下面のみに第３溝４６および第４溝４８を設け、上面は平坦なままでよい。
【００４２】
更にまた、基板１０の上面に設けられる溝（第１溝３０および第２溝３２）の深さと、下面に設けられる溝（第３溝４６および第４溝４８）の深さは、同じでも良いし、どちらか一方が相対的に深く形成されても良い。
【００４３】
一般的に、金属の中でも粘性が高いアルミニウムに対して上記のような研削加工を施すと、研削面に多量のバリが発生する傾向にある。本工程では、アルマイト処理された基板１０に対して研削加工を行うことで、発生するバリの量を低減させている。
【００４４】
具体的には、図２（Ｃ）および図２（Ｄ）を参照して、アルミニウムから成る基板１０の上面は、アルマイト処理により形成された厚みが数μｍ程度の酸化膜１８により全面的に被覆されている。この酸化膜１８（Ａｌ２Ｏ３）は、基板１０自体を構成するアルミニウムよりも硬い材料である。従って、カットソーのブレード２６Ａにより基板１０を研削しても、ブレード２６Ａにより研削される箇所近傍の基板１０の上面は酸化膜１８により被覆されて押圧されているので、この研削に伴うバリの発生が抑制されている。
【００４５】
更に、基板１０の下面も全面的に酸化膜２０により被覆されているので、カットソーのブレード２８Ａによる研削を行っても、基板１０の下面が酸化膜２０により被覆されているので、研削に伴うバリの発生が抑制されている。
【００４６】
上記したように、本形態では切削加工によるバリの発生は極力抑えられているが、それでも局所的にバリが発生する。具体的には、基板１０の上面においては第１溝３０と第２溝３２とが交差する箇所にてバリが発生する。また、基板１０の下面に於いては第３溝４６と第４溝４８とが交差する箇所にてバリが発生する。これらのバリをそのままにしておくとショートの原因となるので、次工程において基板１０の一部分と共に除去される。
【００４７】
図３を参照して、次に、基板１０を部分的に除去して、先工程にて発生したバリを基板１０から分離させる。図３（Ａ）は本工程を示す断面図であり、図３（Ｂ）は本工程を経た後の基板１０を部分的に示す平面図である。
【００４８】
図３（Ａ）および図３（Ｂ）を参照して、基板１０の上面にて第１溝３０と第２溝３２とが交差する箇所およびその付近の基板１０を部分的に除去する。この除去方法としては、プレス金型を用いたプレス加工またはルーターを用いた切削加工がある。
【００４９】
プレス加工により基板１０を部分的に除去して除去領域３４を設ける場合は、図３（Ｂ）に示す第１溝３０と第２溝３２とクロスする箇所およびその周辺部（除去領域３４）を、プレス金型により打ち抜いて除去する。打ち抜く方向としては、除去領域３４を上方から下方に向かって打ち抜いても良いし、除去領域３４を下方から上方に向かって打ち抜いても良い。
【００５０】
第１溝３０と第２溝３２とが交差する箇所ではバリが発生しているが、このバリも本工程では基板１０の一部分と共に除去される。更に、基板１０の裏面に設けられた第３溝４６および第４溝４８が交差する箇所でもバリが発生しているが、このバリも上記したプレス加工により基板１０の除去部分と共に除去される。
【００５１】
除去領域３４の形状は特に限定されないが、具体的な形状としては円形または四角形形状等の多角形が好適である。特に、除去領域３４の形状として、第１溝３０または第２溝と重なる位置に角部を有する四角形形状が採用されると、除去領域３４を設けることにより形成される辺が直線形状となる。結果的に、製造される回路基板の平面視での形状が簡素化される。
【００５２】
図３（Ｂ）を参照すると、除去領域３４の形状としては、一部がユニットの内部に突出する菱形が採用されている。更に、除去領域３４の菱形形状を構成する角部は、第１溝３０または第２溝３２と重なる位置に配置されている。除去領域３４の内部に突出する部分は、導電パターンに接続される導線を、下面側に通過させるために設けられている。
【００５３】
ここで、上記の説明では、基板１０に分離用の各溝を形成した後に、除去領域３４を形成することでバリを除去したが、この順番を入れ替えても良い。即ち、溝同士が交差する場所の基板１０を予め除去して除去領域３４を設け、この後に基板１０に対して分離用の各溝を形成しても良い。この様にすることで、図３（Ｂ）を参照して、第１溝３０と第２溝とが交差することが無いので、バリの発生が抑制される。
【００５４】
図４を参照して、次に、各ユニット１６の導電パターン２４に回路素子を接続する。ここでは、接続される回路素子としては、ＬＥＤが樹脂封止された発光装置４０が採用されている。各発光装置４０では、内蔵されたＬＥＤと接続された接続端子が下面に露出しており、この接続端子は、基板１０の上面に形成された導電パターン２４と半田３８を介して接続される。
【００５５】
本実施の形態では、発光装置４０等の回路素子が接続される箇所を除いてソルダーレジスト３６が形成されている。即ち、発光装置４０に接続される箇所以外では、導電パターン２４および絶縁膜２２はソルダーレジスト３６により被覆されている。ソルダーレジスト３６は、エポキシ樹脂等の樹脂材料を主体とする材料であり、ここでは発光装置４０から発せられる光の反射率を高めるために白色を呈している。
【００５６】
ここで、後に説明する混成集積回路が各ユニット１６に組み込まれる場合は、ＭＯＳＦＥＴ等のトランジスタ、ＩＣ等が金属細線を経由して導電パターン２４と接続される。更に、チップ抵抗やチップコンデンサ等のチップ素子が半田を介して導電パターン２４に固着される。
【００５７】
図５を参照して、次に、基板１０を各ユニット１６に分離する。各ユニット１６の分離は、ユニット１６同士の境界（溝が形成された箇所）にて基板１０を曲折させることにより行う方法と、鋭利なカッターを使用した方法が考えられる。
【００５８】
図５（Ａ）を参照して、基板１０を曲折させることにより、個々のユニット１６を分割する方法を説明する。この方法では、紙面上にて左側の第１溝３０および第３溝４６が形成された箇所が支点と成るように、基板１０を折り曲げる。第１溝３０および第３溝４６が形成された箇所は、両溝が形成されていない厚み部分のみで連結されているので、この箇所で複数回折り曲げることにより、この連結部分から容易に基板１０を分離することができる。また、基板１０の上面に形成された電気回路が破壊されないように、曲折を行う際には基板１０の側面を保持する。
【００５９】
図５（Ｂ）を参照して、カッター４４により、基板１０の分割を行う方法を説明する。先端が鋭利に形成された円盤状のカッター４４は、回転自在に支持部４２に備えられている。そして、第１溝３０にカッター４４を押し当てながら支持部４２を移動させることにより、第１溝３０と第３溝４６との間の基板１０の残りの厚み部分を除去している。
【００６０】
また、上記したユニット１６の分離は、図２（Ｂ）に示す第２溝３２および第４溝４８が形成された箇所に於いても行われる。更に、各ユニット１６を分離する方法としては、上記した方法の他にも、レーザー照射、打ち抜き等が採用されても良い。
【００６１】
上記した工程を経た各ユニット１６は、そのまま製品としてユーザーに提供されても良いし、上面に形成された回路が封止されても良い。封止される場合は、トランスファーモールドやディッピングにより形成された封止樹脂により、各ユニット１６が備える基板１０の上面や側面が被覆される。また、上面をカバーするケース材による封止が行われても良い。
【００６２】
＜第２の実施の形態：製造される回路装置の構成＞
図６および図７を参照して、上記した製造方法により製造される回路装置の構成を説明する。製造される回路装置の一例として、図６を参照して発光モジュール５０を説明し、図７を参照して混成集積回路装置６０の構成を説明する。
【００６３】
図６を参照して、発光モジュール５０の構成を説明する。図６（Ａ）は発光モジュール５０を示す平面図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）のＢ−Ｂ’線に於ける断面図であり、図６（Ｃ）は図６（Ａ）のＣ−Ｃ’線に於ける断面図である。
【００６４】
これらの図を参照して、発光モジュール５０は、回路基板５２と、回路基板５２の上面に形成された導電パターン２４Ａ−２４Ｆと、これらの導電パターン２４Ａ−２４Ｆに接続された発光装置４０とを備えて構成されている。
【００６５】
回路基板５２は、上記した製造方法により製造され、厚みが１．５ｍｍ程度のアルミニウム等の金属から成る。回路基板５２の上面および下面は、アルマイト処理により形成された酸化膜１８、２０により被覆される。また、酸化膜１８の上面は、フィラーを含む樹脂材料から成る絶縁膜２２により被覆され、この絶縁膜２２の上面に導電パターン２４が形成されている。更に、発光装置４０に接続される箇所以外の導電パターン２４は、ソルダーレジスト３６により被覆されている。
【００６６】
図６（Ａ）を参照して、回路基板５２の上面には、各々が分離された導電パターン２４Ａ−２４Ｆが形成されており、これらの導電パターン２４Ａ−２４Ｆは全体として外縁が円形を呈する様に配置されている。そして、隣接する導電パターン同士を橋渡しするように発光装置４０が接続されている。このことにより、導電パターン２４Ａ−２４Ｆを経由して、５つの発光装置４０が直列に接続される。また、導電パターン２４Ａの一部は、ソルダーレジスト３６により被覆されずに露出する端子部５４Ａとなっている。更に、導電パターン２４Ｆの一部も露出して端子部５４Ｂと成っている。端子部５４Ａ、５４Ｂは外部の電源と接続される。
【００６７】
回路基板５２の平面視での形状は、角部付近が面取りされた四角形形状を呈している。図６（Ａ）を参照すると、回路基板５２は、側面５２Ａ−５２Ｈを備えている。側面５２Ａ、５２Ｃ、５２Ｅ、５２Ｇは、図２に示したような分離用の溝を設けることにより形成された側面である。一方、側面５２Ｂ、５２Ｄ、５２Ｆ、５２Ｈは、図３（Ｂ）に示した打ち抜き加工またはルーター加工により形成された側面である。
【００６８】
また、側面５２Ｈからは内側に矩形形状の切欠き部５４が形成されており、この切欠き部５４は、端子部５４Ａ、５４Ｂに接続される導線を上面側から下面側に通過させるために用いられる。切欠き部５４の側面は、プレス加工またはルーター加工により形成される。
【００６９】
図６（Ｂ）を参照して、側面５２Ａおよび側面５２Ｅは傾斜面と備えた側面となる。具体的には、側面５２Ａは、回路基板５２の上面から連続して外側に膨らむように傾斜する傾斜面５５と、回路基板５２の下面から連続して外側に膨らむように傾斜する傾斜面５６とから構成されている。この構成は、側面５２Ｃ、５２Ｅ、５２Ｇに関しても同様である。
【００７０】
図６（Ｃ）を参照して、側面５２Ｂは、回路基板５２の上面および下面に対して垂直な平坦面である。この構成は、側面５２Ｄ、５２Ｆ、５２Ｈに関しても同様である。
【００７１】
上記した構成の発光モジュール５０は、例えば懐中電灯等の照明器具に、照明源として組み込まれる。懐中電灯に採用される場合は、懐中電灯を構成する筐体の先端部に発光モジュール５０が組み込まれる。そして、図６（Ａ）に示す端子部５４Ａ、５４Ｂは、内蔵された電池と接続される。また、端子部５４Ａ、５４Ｂと電池とを接続される導線は切欠き部５４を通過するように配置される。
【００７２】
図７を参照して、混成集積回路装置６０の構成を説明する。図７（Ａ）は混成集積回路装置６０を示す斜視図であり、図７（Ｂ）はその断面図である。
【００７３】
混成集積回路装置６０は、回路基板５２と、回路基板５２の上面に形成された導電パターン２４と、この導電パターン２４に接続された回路素子６２と、導電パターン２４から成るパッドに接続されたリード６４とを主に備えている。
【００７４】
図７（Ａ）を参照して、回路基板５２の平面視での形状は、上記と同様に、角部が切り取られた矩形形状である。即ち、主たる側面５２Ａ、５２Ｃ、５２Ｅ、５２Ｇが矩形形状と成るように配置され、この矩形形状の角部を直線状に面取りするように側面５２Ｂ、５２Ｄ、５２Ｆ、５２Ｈが配置されている。
【００７５】
図６を参照して説明したように、主たる側面５２Ａ、５２Ｃ、５２Ｅ、５２Ｇは傾斜面から構成され、側面５２Ｂ、５２Ｄ、５２Ｆ、５２Ｈは回路基板５２の上面に対して垂直な形状である。
【００７６】
導電パターン２４に接続される回路素子としては、トランジスタ、ＩＣ、チップコンデンサ、チップ抵抗等が多数個採用される。これらの回路素子６２と導電パターン２４との接続は、半田等の導電性接合材または金属細線が用いられる。
【００７７】
図７（Ｂ）を参照して、上記した構成の回路基板５２の上面および側面は、封止樹脂５８により被覆される。ここでは、回路素子６２が駆動することにより発生した熱を回路基板５２を経由して良好に外部に放出させるために、回路基板５２の下面は封止樹脂５８により被覆せずに外部に露出させている。しかしながら、装置全体の耐湿性を向上させるために、回路基板５２の下面も封止樹脂５８により被覆しても良い。
【符号の説明】
【００７８】
１０      基板
１２      ダイシングライン
１４      ダイシングライン
１６      ユニット
１８      酸化膜
２０      酸化膜
２２      絶縁膜
２４、２４Ａ−２４Ｆ      導電パターン
２６      カットソー
２６Ａ      ブレード
２８      カットソー
２８Ａ      ブレード
３０      第１溝
３２      第２溝
３４      除去領域
３６      ソルダーレジスト
３８      半田
４０      発光装置
４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃ、４０Ｄ      発光装置
４２      支持部
４４      カッター
４６      第３溝
４８      第４溝
５０      発光モジュール
５２      回路基板
５２Ａ、５２Ｂ、５２Ｃ、５２Ｄ、５２Ｅ、５２Ｆ、５２Ｇ、５２Ｈ      側面
５４      切欠き部
５４Ａ、５４Ｂ      端子部
５５      傾斜面
５６      傾斜面
５８      封止樹脂
６０      混成集積回路装置
６２      回路素子
６４      リード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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