(57)【要約】【課題】  別途に測定装置を必要とせずに、原版の透過率の測定及び原版上の異物の検査を行うことができる露光装置を提供する。【解決手段】  露光装置は、光源８ｂからの光で原版１を照明する照明光学系８と、原版１のパターンを基板４に投影する投影光学系７と、原版１のパターンで回折した回折光の強度分布を検出する検出部２４と、検出部２４で検出された回折光の強度分布を記憶する記憶部１１と、記憶部１１に記憶された複数の回折光の強度分布の差に基づいて、原版１上の異物を検出または原版１の透過率を算出する演算部９と、を有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源からの光で原版を照明する照明光学系と、
前記原版のパターンを基板に投影する投影光学系と、
前記原版のパターンで回折した回折光の強度分布を検出する検出部と、
前記検出部で検出された前記回折光の強度分布を記憶する記憶部と、
前記記憶部に記憶された複数の前記回折光の強度分布の差に基づいて、前記原版上の異物を検出または前記原版の透過率を算出する演算部と、を有する
ことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記検出部は、前記原版のパターンで回折した回折光の強度分布と、前記原版と同一のパターンが形成されている検査用原版のパターンで回折した回折光の強度分布とを検出し、
前記演算部は、それらの強度分布の差に基づいて、前記原版上の異物を検出または前記原版の透過率を算出する
ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記検出部は、第１のタイミングで前記原版のパターンで回折した回折光の強度分布と、第１のタイミングより後の第２のタイミングで前記原版のパターンで回折した回折光の強度分布とを検出し、
前記演算部は、それらの強度分布の差に基づいて、前記原版上の異物を検出または前記原版の透過率を算出する
ことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記演算部は、前記記憶部に記憶された複数の前記回折光の強度分布の差に基づいて、前記原版上の異物の大きさを算出する
ことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項５】
前記演算部は、前記記憶部に記憶された複数の前記回折光の強度分布からそれらの平均値を算出し、その平均値に基づいて、前記原版の平均透過率を算出する
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記演算部による検出結果または算出結果に基づいて、前記基板を露光するか否かを判断する判断部と、
前記判断部で露光すると判断された場合に露光条件を設定し、前記判断部で露光しないと判断された場合に露光を中止させる制御部と、を有する
ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の露光装置。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の露光装置によって基板を露光する工程と、
前記基板を現像する工程と、を有する
ことを特徴とするデバイス製造方法。
【請求項８】
光源からの光で原版を照明する照明光学系と、
前記原版のパターンで回折した回折光の強度分布を検出する検出部と、
前記検出部で検出された前記回折光の強度分布を記憶する記憶部と、
前記記憶部に記憶された複数の前記回折光の強度分布の差に基づいて、前記原版上の異物を検出または前記原版の透過率を算出する演算部と、を有する
ことを特徴とする測定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置、デバイス製造方法および測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＩＣ製造工程においてはレチクルやフォトマスク等の原版上に形成されている露光用の回路パターンを半導体露光装置によりレジストが塗布されたウエハ面上に転写して製造している。解像度要求が厳しくなり、ＩＣ業界は高ＮＡと低Ｋ１係数を持つリソグラフィプロセスを導入しようとしている。
その結果、原版上の誤差がウエハ上のパターンに与える影響が大きくなっている。原版上の誤差として、原版を使用していくにつれて発生する進行性の欠陥が歩留まり低下を招いている。進行性の欠陥として例えば、ペリクルの変質による透過率の変化や、結晶成長やヘイズの発生が挙げられる。ペリクルの変質などによる透過率の変化は実効的な光量の減衰を招き、露光量が最適条件からずれてしまう。
【０００３】
また、結晶成長やヘイズなどの異物が発生した場合、サイズの大きい異物はウエハ上のパターンに転写されてしまい、パターン欠陥になってしまう。サイズの小さい異物はパターン欠陥にならないまでも原版を通る光の透過に影響を及ぼし、プロセスウインドウの縮小やＣＤ変化を起こすことがある。そこでこのような進行性の原版欠陥による歩留まり低下を防ぐため、以下のような方法が取られていた。ペリクル透過率については例えば特許文献１乃至２に示すようなペリクル透過率測定及び露光条件の最適化が実施されている。また、結晶成長やヘイズなどの異物に対しては別途測定装置を使用した定期的な原版欠陥検査が実施され、原版の使用可否を管理している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−７７１０７号公報
【特許文献２】特開２００２−５０５５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来方法では原版による露光量減衰をペリクルによるものとして、ペリクル透過率の測定及び補正を行なっていた。しかし前述したように実際には原版欠陥によっても光量の減衰は発生しているが、それは測定されていなかった。また、実際の露光に使用する原版に装着されたペリクルの膜（板）厚ばらつきで発生するペリクル透過率のばらつきは測定できていなかった。特に、ペリクルは１μｍ以下程度の薄膜で形成されており、膜厚が変動すると、干渉条件の変化により透過強度の角度特性が変わってしまう。つまりは投影光学系の開口数（ＮＡ）内における瞳透過率分布の変化となってしまう。
【０００６】
近年、液浸装置ではウエハ側でのＮＡが１．３程度と大きくなると、１／４倍縮小投影露光装置の場合には、原版側でもＮＡ０．３２５、即ち、約２０度程度の角度の光がペリクル面に入射することになる。そのため、ペリクルの膜厚ばらつきに対する敏感度が高くなっている。
一方、進行性の原版欠陥によるデバイス製造の歩留まり低下を抑えるための原版検査は、別途に測定装置を必要としていた。
そこで、本発明は、別途に測定装置を必要とせずに、原版の透過率の測定及び原版上の異物の検査を行うことができる露光装置を提供することを例示的な目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一側面としての露光装置は、光源からの光で原版を照明する照明光学系と、前記原版のパターンを基板に投影する投影光学系と、前記原版のパターンで回折した回折光の強度分布を検出する検出部と、前記検出部で検出された前記回折光の強度分布を記憶する記憶部と、前記記憶部に記憶された複数の前記回折光の強度分布の差に基づいて、前記原版上の異物を検出または前記原版の透過率を算出する演算部と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、別途に測定装置を必要とせずに、原版の透過率の測定及び原版上の異物の検査を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施例の露光装置の概略構成図である。
【図２】本発明の実施例の露光装置を用いる実施例１のデバイス製造方法のフローチャートである。
【図３】本発明の実施例の露光装置を用いる実施例２のデバイス製造方法のフローチャートである。
【図４】本発明の実施例の露光装置を用いる実施例３のデバイス製造方法のフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施例の露光装置について説明する。本実施例の露光装置はステップアンドスキャン方式の投影露光装置であるが、本発明はステップアンドリピート方式の露光装置にも適用可能である。
【００１１】
図１を参照して、回折光分布を測定する測定装置を有する本発明の実施例の露光装置を説明する。照明光学系８は、光源８ｂからの光８ａを使用してパターンが形成されたレチクル１（原版）を照明する光学系である。投影光学系７は、レチクル１のパターンを、ウエハステージ５（基板ステージ）に搭載されたウエハ４（基板）に投影する光学系である。光源８ｂからの光８ａは、所定の照度分布でレチクルステージ２（原版ステージ）に搭載されたレチクル１に入射する。
【００１２】
レチクル１は、その下にレチクル面へのごみ付着防止のための透明薄膜のペリクル３を有する。ＣＣＤ２４（検出部）は、照明光学系８から照射されてレチクル１のパターンを透過する回折光強度の分布を検出する手段である。記憶部１１は、検出された回折光強度の分布を記憶する手段である。演算部９は、記憶部１１に記憶された複数の回折光強度の分布の差に基づいて、レチクル１上（原版上）の異物を検出する手段である。
【００１３】
レチクル１は、第１のレチクルと同一のパターンが形成されており異物の量が相対的に少ない第２のレチクル（検査用原版）とを含む。演算部９は、第１のレチクルに形成されたパターンを透過する回折光強度の分布と、第２のレチクルに形成されたパターンを透過する回折光強度の分布との差に基づいて、第１のレチクル上の異物を検出する。
【００１４】
記憶部１１は、第１のタイミングでパターンを透過する第１の回折光強度の分布と、図３、図４に示される第１のタイミングａより後の第２のタイミングｂでパターンを透過する第２の回折光強度の分布と、を記憶する。演算部９は、第１の回折光強度の分布と第２の回折光強度の分布との差に基づいて、第１及び第２のタイミングａ，ｂの間に形成されたレチクル１上の異物を検出する。
【００１５】
記憶部１１は、第１のタイミングａで第１のレチクルに形成されたパターンを透過する第１の回折光強度の分布と、第１のタイミングａで第２のレチクルに形成されたパターンを透過する第２の回折光強度の分布と、を記憶する。さらに、記憶部１１は、第２のタイミングｂで第１のレチクルに形成されたパターンを透過する第３の回折光強度の分布と、第２のタイミングｂで第２のレチクルに形成されたパターンを透過する第４の回折光強度の分布と、を記憶する。演算部９は、第１及び第３の回折光強度分布の差と、第２及び第４の回折光強度分布の差とに基づいて、第１及び第２のタイミングａ，ｂの間に形成された第１のレチクル上の異物を検出する。
【００１６】
演算部９は、記憶部１１に記憶された複数の回折光強度の分布の差に基づいて、レチクル１上の異物の大きさを算出する。さらに、演算部９は、記憶部１１に記憶された複数の回折光強度の分布に基づいて、レチクル１の透過率分布を算出する。さらに、演算部９は、記憶部１１に記憶された回折光強度の分布から回折光強度の平均値を算出し、複数の回折光強度の平均値に基づいてレチクル１の平均透過率を算出する。
【００１７】
判断部１２は、演算部９による検出結果または算出結果（レチクル１上の異物の大きさ、レチクル１の透過率分布、及びレチクル１の平均透過率の少なくともいずれか１つ）に基づいて、ウエハ４を露光するか否かを判断する。制御部１３は、判断部１２で露光すると判断された場合に露光条件を設定し、判断部１２で露光しないと判断された場合に露光を中止させる。
【００１８】
本発明の実施例の測定装置は、ウエハ４の露光に用いるレチクル１の状態を測定する測定装置で、照明光学系８、ＣＣＤ２４、記憶部１１および演算部９を有する。照明光学系８は、光源８ｂからの光を使用してパターンが形成された前記原版を照明する光学系である。ＣＣＤ２４は、照明光学系８から照射されてパターンを透過する回折光強度の分布を検出する手段である。記憶部１１は、回折光強度の分布を記憶する手段である。演算部９は、記憶部１１に記憶された複数の回折光強度の分布の差に基づいて、レチクル１上の異物を検出する手段である。
【００１９】
レチクル１からは回折光３５が発生し、投影光学系７を介し、ウエハ側プレート６上にレチクル１の像が形成される。ウエハ側プレート６上に直径数１０μｍ〜数１００μｍ程度のピンホール６ａを形成し、ピンホール６ａを透過した光をＣＣＤ２４で受光する。ピンホール６ａを透過した光６ｂは、レチクル１で発生し、投影光学系７を通った回折光３５ａと同じ角度分布でＣＣＤ２４に入射するため、投影光学系７の瞳面上での回折光３５の分布を測定することが可能である。
【００２０】
図１の実施例の露光装置では、同じタイミングで得られた、異なるパターンからの回折光分布を利用することで、レチクル１の透過率測定とレチクル１上の異物を検知する。レチクル基準プレート１０は、レチクル１の面と等価な面を有するが、ペリクル３を有しない。レチクル基準プレート１０は、レチクルステージ２に装着して露光装置内に常設してもよい。レチクル基準プレート１０の代わりにペリクル３を有しない基準レチクルとして露光装置内のレチクルライブラリ内で保管し、必要に応じてレチクルステージ２上に搬送して使用してもよい。
【００２１】
図１の実施例の露光装置では、ペリクル３を有するレチクル１に形成された所定のパターンと、レチクル基準プレート１０上に形成された所定のパターンを使用する。レチクル基準プレート１０は、レチクル１の面と等価な面にパターンを形成している。レチクル基準プレート１０に形成された所定のパターンからの回折光分布をＡ１（ｘ，ｙ）、ペリクル３を有するレチクル１の面上に形成された所定のパターンからの回折光分布をＡ２（ｘ，ｙ）とする。ここで、前提として露光装置内は清浄で、レチクル基準プレート１０に形成されたパターンには異物の付着はないこととする。
【００２２】
まず、Ａ１（ｘ，ｙ）とＡ２（ｘ，ｙ）の回折光分布の広がりの差を算出する。レチクル１上のパターンに異物が付着した場合には、設計パターンサイズと実効パターンサイズは異なる。異物によりレチクル１上のパターンサイズが変化した分、回折角が変化する。この回折角の変化を利用してＡ１（ｘ，ｙ）とＡ２（ｘ，ｙ）の回折光分布の広がりの差から回折角の差を見積る。この回折角の差により異物の有無、さらには異物の大きさを判断する。
次に、Ａ１（ｘ，ｙ）とＡ２（ｘ，ｙ）の各測定点の光量比Ｒ（ｘ，ｙ）および全測定点の平均光量比Ｒａｖｅを次式で算出する。
【００２３】
【数１】
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ペリクル３の撓みや、局所的な変質、膜厚の大きなばらつきなどは、各測定点の光量比Ｒ（ｘ，ｙ）のばらつきとして検出されるため、各測定点の光量比Ｒ（ｘ，ｙ）、即ちレチクル１の透過率分布からペリクル３の異常の有無を判断できる。また、レチクル１の透過率分布より球面収差を発生させるペリクル３の膜厚をばらつきも含めて算出する。全測定点平均の光量比Ｒａｖｅでは異物によるパターン光量の減衰と平均的なペリクル３の透過率との合計である平均のレチクル１の透過率を測定できる。
【００２４】
以下、図２のフローチャートを参照して、上記本発明の実施例の露光装置を用いた実施例１のデバイス製造方法を説明する。デバイス製造方法は、実施例の露光装置によってウエハ４を露光する工程と、ウエハ４を現像する工程と、を有する。
まず、露光装置の照明光学系８により照明条件を設定する（ステップ１００２）。
次に、レチクル２の面に所定パターンを有する基準プレートを搬送し、所定パターンの照明光を照射し、回折光分布の測定を行ない、回折光分布Ａ１（ｘ，ｙ）を得る（ステップ１００４）。
【００２５】
次に、レチクルステージ２に検査対象となるレチクル１を搬送する（ステップ１００６）。
その後、レチクル１上の所定パターンにて、レチクル側基準プレートと同じく回折光分布の測定を行ない、回折光分布Ａ２（ｘ，ｙ）を得る（ステップ１００８）。
次に、ステップ１００４で得られたＡ１（ｘ，ｙ）と、ステップ１００８で得られたＡ２（ｘ，ｙ）の結果から、レチクル１上の異物の有無及び大きさ（サイズ）の検知と、レチクル１の透過率分布である光量減衰率の算出を行なう（ステップ１０１０）。
【００２６】
ステップ１０１０の結果、各パラメータが設定された任意の許容範囲内かの判断をする（ステップ１０１２）。
もし、いずれかのパラメータが任意の許容値を超えていた場合には露光装置に露光中止命令を出し、レチクル１の検査結果を表示する（ステップ１０１４）。
各パラメータが共に任意の許容範囲内であった場合には、Ｒ（ｘ，ｙ）もしくはＲａｖｅを基に、調整された照明光学系８の有効光源分布、投影光学系７および最適露光条件のである最適露光量のいずれか１つ以上の条件を算出し、調整する（ステップ１０１６）。
最後に、ステップ１０１６において調整された照明光学系８の有効光源分布および投影光学系７のいずれか１つ以上、及び最適露光量によりウエハ４の露光処理を行う（ステップ１０１８）。
【００２７】
なお、上記の実施例１のデバイス製造方法では、レチクル１の検査からウエハ４の露光処理までの一連の工程を有するが、レチクル１の検査としてステップ１００２からステップ１０１２のみ実施することも可能である。
また、ステップ１００２で設定する照明光学系８の照明条件については、異物の有無及び大きさを検知するために、回折光分布の広がりを見る必要があるため、小σ照明が好適である。
【００２８】
逆に、レチクル２による透過率分布を測定するためにはペリクル３の透過率の影響を広範囲に見ることが出来る大σ照明が好適である。さらに、見たいパラメータに適した照明光学系８の照明条件を選択してもよく、もしくは、照明光学系８の複数の照明条件を使用して照明条件ごとにステップ１００４以下の手順を繰り返してもよい。この場合、照明光学系８の異なる照明条件間での回折光分布からステップ１０１０以下を実施してもよい。
【００２９】
以上説明したように本発明の実施例の露光装置によれば、別途に測定装置を必要とせずに、レチクルの透過率の測定及びレチクル上の異物の検査を行うことができる。このため、別途検査装置を必要とせずに、レチクルの進行性欠陥やレチクルの透過率分布の検査を行なうことができ、その結果を利用して最適な条件でのデバイス製造を行うことができ、重大なレチクル欠陥の検知による歩留まり低下を防ぐことが出来る。
【００３０】
以下、図３のフローチャートを参照して、上記本発明の実施例の露光装置を用いた実施例２のデバイス製造方法を説明する。
実施例２のデバイス製造方法では、異なるタイミングａ，ｂで得られた、同一パターンからの回折光分布を用い、レチクル１上の微小異物の有無とレチクル１による光量減衰の経時変化量を測定可能にする。ペリクル３を有するレチクル１の面上に形成された所定パターンからのタイミングａでの回折光分布をＡ３ａ（ｘ，ｙ）、タイミングｂでの回折光分布をＡ３ｂ（ｘ，ｙ）とする。
【００３１】
まず、タイミングａにおいて露光装置の照明光学系８により照明条件を設定する（ステップ１０２０）。
次に、レチクル２の面に所定パターンを有する基準プレートを搬送し、所定パターンの照明光を照射し、回折光分布の測定を行ない、回折光分布Ａ３ａ（ｘ，ｙ）を得る（ステップ１０２２）。
タイミングｂにおいては、露光装置の照明光学系８により照明条件を設定する（ステップ１０２４）。
次に、レチクル２の面に所定パターンを有する基準プレートを搬送し、所定パターンの照明光を照射し、回折光分布の測定を行ない、回折光分布Ａ３ｂ（ｘ，ｙ）を得る（ステップ１０２６）。
【００３２】
次に、レチクルステージ２に検査対象となるレチクル１を搬送する（ステップ１０２６）。
その後、レチクル１上の所定パターンにて、レチクル側基準プレートと同じく回折光分布の測定を行ない、回折光分布Ａ３ｂ（ｘ，ｙ）を得る（ステップ１０２８）。
次に、ステップ１０２２で得られた回折光分布Ａ３ａ（ｘ，ｙ）と、ステップ１０２８で得られた回折光分布Ａ３ｂ（ｘ，ｙ）の結果から以下の検知と算出を行う。すなわち、レチクル１の経時的変化間でのレチクル１上の異物の有無及び大きさ（サイズ）の検知と、レチクル１の透過率分布である光量減衰率の算出を行なう（ステップ１０３０）。
【００３３】
ステップ１０３０の結果、各パラメータが設定された任意の許容範囲内かの判断をする（ステップ１０３２）。
もし、いずれかのパラメータが任意の許容値を超えていた場合には露光装置に露光中止命令を出し、レチクル１の検査結果を表示する（ステップ１０３４）。
各パラメータが共に任意の許容範囲内であった場合には、Ｒ（ｘ，ｙ）もしくはＲａｖｅを基に、調整された照明光学系８の有効光源分布、投影光学系７および最適露光条件である最適露光量のいずれか１つ以上の条件を算出し、調整する（ステップ１０３６）。
最後に、ステップ１０１６において調整された照明光学系８の有効光源分布、投影光学系７及び最適露光量のいずれか１つ以上の条件によりウエハ４の露光処理を行う（ステップ１０３８）。
【００３４】
実施例１のデバイス製造方法との違いは、比較を行なう回折光分布が違うタイミングａ，ｂで得られた同じパターンからの回折光分布であるという点である。実施例２のデバイス製造方法では、回折光分布が、時間の経過によって、どれだけ変化したかを測定するため、時間の経過によるレチクル１の透過率変化及び異物の発生、成長を検査することが出来る。実施例２のデバイス製造方法では、２つのタイミングａ，ｂでの方法について説明したが、３回以上のタイミングでもよい。また、この測定結果をレチクル１の使用回数と相関を取ることによって、所定許容値に対してレチクル１の使用限界を予測することも可能である。
【００３５】
以下、図４のフローチャートを参照して、上記本発明の実施例の露光装置を用いた実施例３のデバイス製造方法を説明する。
実施例３のデバイス製造方法では、露光装置内に構成された回折光分布測定を行なう測定装置の経時変化分を除去しより精度良く、レチクル１上の微小異物の有無とレチクルによる光量減衰の経時変化量を測定する。実施例２のデバイス製造方法では、回折光分布測定を行なう測定装置が十分にキャリブレーションされている状態であれば問題ない。しかし、測定装置が十分にキャリブレーションされていない場合には測定装置の経時変化（例えばＣＣＤの感度劣化や投影光学系の瞳透過率低下など）が測定値に入ってくるため、本来のレチクル１の経時変化分だけではなく、結果誤差が発生する。
【００３６】
実施例３のデバイス製造方法では、測定装置の経時変化分を測定、除去することにより、より精度良くレチクル１の経時変化分を算出する。まず、タイミングａでの測定について説明する。
最初に露光装置の証明光学系８の照明条件を設定する。（ステップ２０３０）。
次に、レチクル基準プレートに形成された所定のパターンを照射し、回折光分布Ａ４ａ（ｘ，ｙ）を得る（ステップ２０３２）。
次に、検査対象となるレチクル１上の所定のパターンを照射し、回折光分布Ａ５ａ（ｘ，ｙ）を得る（ステップ２０３４）。なお、Ａ４ａ（ｘ，ｙ）及びＡ５ａ（ｘ，ｙ）の結果は保存しておく。
【００３７】
次に、タイミングｂでの測定を説明する。
タイミングａと同様に露光装置の証明光学系８の照明条件を設定する（ステップ２０３６）。
次に、レチクル基準プレートに形成された所定のパターンを照射し、回折光分布Ａ４ｂ（ｘ，ｙ）を得る（ステップ２０３８）。
ここで、ステップ２０３２で得られた回折光分布とステップ２０３８で得られた回折光分布の差分から測定装置の経時変化分を次式により算出する。即ち、Ａ４ｂ（ｘ、ｙ）−Ａ４ａ（ｘ、ｙ）により算出する（ステップ２０４０）。
【００３８】
次に、レチクルステージ２に検査対象となるレチクル１を搬送する（ステップ２０４２）。
さらに、レチクル１上の所定のパターンを照射し、回折光分布Ａ５ｂ（ｘ，ｙ）を得る（ステップ２０４４）。
Ａ５ｂ（ｘ，ｙ）は、測定装置の経時変化分を含んでいるため、次式によってマスクの経時変化後の回折光分布Ａ５ｂ’（ｘ，ｙ）を算出する。Ａ５ｂ’（ｘ，ｙ）＝Ａ５ｂ（ｘ，ｙ）−（Ａ４ｂ（ｘ，ｙ）−Ａ４ａ（ｘ，ｙ））（ステップ２０４６）
【００３９】
次に、Ａ５ａ（ｘ，ｙ）とＡ５ｂ’（ｘ，ｙ）の結果からレチクル１上の異物の有無及び大きさの検知と、レチクルの透過率分布の算出を行なう（ステップ２０４８）。
ステップ２０４８の結果、各パラメータが設定された任意の許容範囲内かの判断をする（ステップ２０５０）。
もし、いずれかのパラメータが任意の許容値を超えていた場合には露光装置に露光中止命令を出し、レチクル検査結果を表示する（ステップ２０５２）。
【００４０】
各パラメータがともに任意の許容範囲内であった場合には、Ｒ（ｘ，ｙ）もしくはＲａｖｅを基に調整された照明光学系８の有効光源分布、投影光学系７及び最適露光量のいずれか１つ以上の条件により調整する（ステップ２０５４）。
最後に、ステップ２０５４の調整された照明光学系８の有効光源分布、投影光学系７及び最適露光量の１つ以上の条件でウエハ４の露光処理を行う（ステップ２０５６）。
【符号の説明】
【００４１】
８ｂ  光源
１  レチクル（原版）
８  照明光学系
４  ウエハ（基板）
７  投影光学系
２４  ＣＣＤ（検出部）
１１  記憶部
９  演算部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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