(57)【要約】【課題】絶縁膜中の貫通配線が、絶縁膜よりも下層に配置されている配線層あるいは半導体素子層の配線と剥離するのを防ぐ。【解決手段】マイクロカプセルと、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂と、前記マイクロカプセルの空孔が接する貫通孔と、前記貫通孔中に形成され、前記絶縁性樹脂の両面に露出している貫通配線を有する配線基板及びその作製方法に関する。また、マイクロカプセルと、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂と、前記マイクロカプセルの空孔が接する貫通孔と、前記貫通孔中に形成され、前記絶縁性樹脂の両面に露出している貫通配線を有する配線基板と、絶縁膜の表面に配線が露出した半導体素子層とを有し、前記配線が前記貫通配線と接触するように、前記半導体素子層が前記配線基板と密接している半導体装置及びその作製方法に関する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マイクロカプセルと、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂と、
前記マイクロカプセルの空孔が接する貫通孔と、
前記貫通孔中に形成され、前記絶縁性樹脂の両面に露出している貫通配線を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１において、
前記貫通配線は、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パナジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）のいずれかを有することを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記絶縁性樹脂は、アクリル、シロキサン、ポリエステル、エポキシ、ポリウレタンのいずれかであることを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項において、
前記マイクロカプセルは、シリカにより形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項５】
マイクロカプセルを絶縁性樹脂に分散させ、
前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂の一部にエネルギーを照射して、前記マイクロカプセル、あるいは、前記マイクロカプセルに挟まれた絶縁性樹脂を破壊して、貫通孔を形成し、
前記エネルギーを照射した絶縁性樹脂の一部上に、導電性材料を形成し、
前記導電性材料を前記貫通孔の内部に移動させることにより、貫通配線を形成することを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記導電性材料は、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パナジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）のいずれかの粒子を含むペーストであることを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記絶縁性樹脂は、アクリル、シロキサン、ポリエステル、エポキシ、ポリウレタンのいずれかであることを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項８】
請求項５乃至請求項７のいずれか１項において、
前記マイクロカプセルは、シリカにより形成されていることを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項９】
請求項５乃至請求項８のいずれか１項において、
前記エネルギーは、ＵＶ光、超音波、マイクロ波、あるいはレーザ光であることを特徴とする配線基板の作製方法。
【請求項１０】
マイクロカプセルと、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂と、
前記マイクロカプセルの空孔が接する貫通孔と、
前記貫通孔中に形成され、前記絶縁性樹脂の両面に露出している貫通配線を有する配線基板と、
絶縁膜の表面に配線が露出した半導体素子層とを有し、
前記配線が前記貫通配線と接触するように、前記半導体素子層が前記配線基板と密接していることを特徴とする半導体装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記貫通配線は、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パナジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）のいずれかを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項１２】
請求項１０または請求項１１において、
前記絶縁性樹脂は、アクリル、シロキサン、ポリエステル、エポキシ、ポリウレタンのいずれかであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか１項において、
前記マイクロカプセルは、シリカにより形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１４】
半導体素子層上に絶縁膜を形成し、
前記絶縁膜の表面に半導体素子層と電気的に接続された配線を形成し、
マイクロカプセルを絶縁性樹脂に分散させ、
前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂の一部にエネルギーを照射して、前記マイクロカプセル、あるいは、前記マイクロカプセルに挟まれた絶縁性樹脂を破壊して、貫通孔を形成し、
前記エネルギーを照射した絶縁性樹脂の一部上に、導電性材料を形成し、
前記導電性材料を前記貫通孔の内部に移動させることにより、貫通配線を形成し、
前記配線が前記貫通配線と接触するように、前記半導体素子層と前記配線基板を密接させることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記導電性材料は、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パナジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）のいずれかの粒子を含むペーストであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１６】
請求項１４または請求項１５において、
前記絶縁性樹脂は、アクリル、シロキサン、ポリエステル、エポキシ、ポリウレタンのいずれかであることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１７】
請求項１４乃至請求項１６のいずれか１項において、
前記マイクロカプセルは、シリカにより形成されていることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１８】
請求項１４乃至請求項１７のいずれか１項において、
前記エネルギーは、ＵＶ光、超音波、マイクロ波、あるいはレーザ光であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路もしくは回路基板を、電気的、機械的に接続する配線基板、及びそれを用いる半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、配線層あるいは半導体素子層と、外部を電気的に接続するには、貫通配線を有する絶縁膜を、配線層あるいは半導体素子層上に設けることによって行われてきた。このような貫通配線は、絶縁膜に貫通孔を形成し、貫通孔に導電性樹脂を充填することにより、絶縁膜内部に貫通配線を形成することができた（特許文献１及び特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００６−１８６３２８号公報
【特許文献２】特開２００６−１８６３３０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
貫通配線を貫通孔に導電性材料を充填して形成した場合、配線層あるいは半導体素子層が形成されている基板そのものに曲げや膨張など力が加わると、充填した導電性材料が、貫通孔を有する絶縁膜よりも下層に配置されている配線層や半導体素子層の配線と剥離してしまう恐れがある。これが配線層を有する配線基板と貫通配線を有する絶縁膜との断線原因、あるいは半導体素子層を有する半導体基板と貫通配線を有する絶縁膜との断線原因となってしまうことがある。
【０００４】
そこで本発明では、配線層や半導体素子層の配線と貫通配線との剥離を抑制し、断線原因を除去することを課題とする。
【０００５】
また本発明では、破壊が少なく信頼性が高い半導体装置を提供することを課題とする。
【０００６】
さらに本発明では、歩留まりが高く、信頼性の高い半導体装置の作製する方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明では、内部に貫通配線が形成される貫通孔を多孔質（連続した空孔）として形成し、そのような貫通孔に導電性樹脂材料を充填することにより、上記の課題を解決する。
【０００８】
本発明は、マイクロカプセルと、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂と、前記マイクロカプセルの空孔が接する貫通孔と、前記貫通孔中に形成され、前記絶縁性樹脂の両面に露出している貫通配線を有することを特徴とする配線基板に関する。
【０００９】
また本発明は、マイクロカプセルを絶縁性樹脂に分散させ、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂の一部にエネルギーを照射して、前記マイクロカプセル、あるいは、前記マイクロカプセルに挟まれた絶縁性樹脂を破壊して、貫通孔を形成し、前記エネルギーを照射した絶縁性樹脂の一部上に、導電性材料を形成し、前記導電性材料を前記貫通孔の内部に移動させることにより、貫通配線を形成することを特徴とする配線基板の作製方法に関する。
【００１０】
また本発明は、マイクロカプセルと、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂と、前記マイクロカプセルの空孔が接する貫通孔と、前記貫通孔中に形成され、前記絶縁性樹脂の両面に露出している貫通配線を有する配線基板と、絶縁膜の表面に配線が露出した半導体素子層とを有し、前記配線が前記貫通配線と接触するように、前記半導体素子層が前記配線基板と密接していることを特徴とする半導体装置に関する。
【００１１】
また本発明は、半導体素子層上に絶縁膜を形成し、前記絶縁膜の表面に半導体素子層と電気的に接続された配線を形成し、マイクロカプセルを絶縁性樹脂に分散させ、前記マイクロカプセルが分散された絶縁性樹脂の一部にエネルギーを照射して、前記マイクロカプセル、あるいは、前記マイクロカプセルに挟まれた絶縁性樹脂を破壊して、貫通孔を形成し、前記エネルギーを照射した絶縁性樹脂の一部上に、導電性材料を形成し、前記導電性材料を前記貫通孔の内部に移動させることにより、貫通配線を形成し、前記配線が前記貫通配線と接触するように、前記半導体素子層と前記配線基板を密接させることを特徴とする半導体装置の作製方法に関する。
【００１２】
本発明において、前記貫通配線は、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パナジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）のいずれかを有する。
【００１３】
本発明において、前記導電性材料は、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パナジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）のいずれかの粒子を含むペーストである。
【００１４】
本発明において、前記絶縁性樹脂は、アクリル、シロキサン、ポリエステル、エポキシ、ポリウレタンのいずれかである。
【００１５】
本発明において、前記マイクロカプセルは、シリカにより形成されている。
【００１６】
本発明において、前記エネルギーは、ＵＶ光、超音波、マイクロ波、あるいはレーザ光である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明により、絶縁膜中の貫通孔に充填した導電性材料によって形成された貫通配線が、絶縁膜よりも下層に配置されている配線層あるいは半導体素子層の配線と剥離するのを防ぐ。
【００１８】
また絶縁膜そのものが多孔化しているため、耐クラック性の向上や比誘電率を下げることが可能である。
【００１９】
また本発明により、破壊が少なく信頼性が高い半導体装置を提供することができる。
【００２０】
さらに本発明では、歩留まりが高く、信頼性の高い半導体装置の作製する方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の態様について、図面を参照して説明する。但し、本発明は多くの異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に示す図面において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２２】
なお本明細書において、半導体装置とは、半導体を利用することで機能する素子及び装置全般を指し、電子回路、液晶表示装置、発光装置等を含む電気装置およびその電気装置を搭載した電子機器をその範疇とする。
【００２３】
［実施の形態１］
本実施の形態を、図１（Ａ）〜図１（Ｄ）、図２（Ａ）〜図２（Ｄ）、図３（Ａ）〜図３（Ｄ）、図４（Ａ）〜図４（Ｂ）を用いて説明する。
【００２４】
基板１０１上に、配線層１０２を形成する。配線層１０２上に、マイクロカプセル１１２を絶縁性樹脂１１１に分散させた絶縁膜１０３（図１（Ｄ）参照）を配置する。マイクロカプセルはシリカ等を用いて形成された、空孔を有する中空マイクロカプセル、あるいは空孔を有する多孔質マイクロカプセルであればよい。また絶縁性樹脂１１１は、アクリル、シロキサン、ポリエステル、エポキシ、ポリウレタン等熱硬化性樹脂であればよい。
【００２５】
また絶縁膜１０３は、マイクロカプセルを分散させた液体を、基板上に塗布することにより、形成した膜であってもよい。
【００２６】
基板１０１の上面から、ＵＶ光、超音波、マイクロ波、あるいはレーザ光等により、エネルギー１０６を絶縁膜１０３の領域１０５に照射する（図１（Ａ）参照）。
【００２７】
エネルギー１０６の照射により、マイクロカプセル１１２、あるいは、マイクロカプセル１１２に挟まれたために厚さが薄くなった絶縁性樹脂１１１の一部が破壊され、絶縁膜１０３中に独立した状態で分散したマイクロカプセル１１２の空孔が接する状態になり貫通孔が形成される。あるいは、必ずしも空孔が接しなくても、空孔と空孔のの間の絶縁性樹脂１１１が破壊され、貫通孔が形成されていればよい。絶縁膜１０３の強度に関しては、エネルギー１０６の照射前に焼成を行うとで強度を上げられるため、選択的な破壊が可能である。
【００２８】
領域１０５上に、導電性材料１０７を配置する（図１（Ｃ）参照）。導電性材料１０７は、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、パナジウム（Ｐｄ）、白金（Ｐｔ）のいずれかの粒子を含むペースト、あるいは、液晶用のスペーサに金等の導電性材料をメッキした粒子を主成分とするペーストを用いればよい。このような導電性材料１０７を、スクリーン印刷やインクジェット等の方法により、領域１０５上に配置する。
【００２９】
あるいは、導電性材料１０７をスクリーン印刷やインクジェットではなく、メッキ、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等により形成してもよい。
【００３０】
その後、基板１０１全体を加熱することで、導電性材料１０７が貫通孔の内部を移動し、絶縁膜１０３の導電性材料１０７が形成された反対の面に到達し、配線層１０２と導通を取ることができる。これにより貫通配線１０８が形成される（図１（Ｃ）参照）。
【００３１】
また配線層１０２の代わりに、半導体素子を有する層（半導体素子層）を設けてもよい。このような半導体素子層を、図２（Ａ）〜図２（Ｄ）を用いて説明する。
【００３２】
図２（Ａ）には、半導体素子層として、半導体素子層５１を作製した例を示す。図２（Ａ）において、半導体素子層５１は、絶縁膜５６上に、薄膜トランジスタ５２ａ及び薄膜トランジスタ５２ｂ、絶縁膜６５、絶縁膜６６、絶縁膜６７を有している。薄膜トランジスタ５２ａは、ソース領域またはドレイン領域である不純物領域５３ａ、並びに、チャネル形成領域６３ａを有する半導体層、さらにゲート絶縁膜５４、ゲート電極５５ａを有している。薄膜トランジスタ５２ｂは、ソース領域またはドレイン領域である不純物領域５３ｂ、並びに、チャネル形成領域６３ｂを有する半導体層、さらにゲート絶縁膜５４、ゲート電極５５ｂを有している。
【００３３】
薄膜トランジスタ５２ａの不純物領域５３ａ及び薄膜トランジスタ５２ｂの不純物領域５３ｂには、一導電性を付与する不純物元素が含まれている。ｎ型を付与する不純物元素として、リン（Ｐ）やヒ素（Ａｓ）などが用いられる。またｐ型を付与する不純物元素として、ホウ素（Ｂ）などが用いられる。不純物領域５３ａ及び不純物領域５３ｂには、それぞれどちらか一方、あるいは両方同じ不純物元素が含まれていてもよい。本実施の形態では、不純物領域５３ａはリン（Ｐ）が含まれているためｎ型不純物領域であり、不純物領域５３ｂはホウ素（Ｂ）が含まれているためｐ型不純物領域であるとする。すなわち、薄膜トランジスタ５２ａはｎチャネル型薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタ５２ｂはｐチャネル型薄膜トランジスタとなる。
【００３４】
薄膜トランジスタ５２ａ及び薄膜トランジスタ５２ｂの半導体層はそれぞれ、厚さ１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以上７０ｎｍ以下の非単結晶半導体で形成される層であり、非単結晶半導体層としては、結晶性半導体層、非晶質半導体層、微結晶半導体層等がある。また、半導体としては、シリコン、ゲルマニウム、シリコンゲルマニウム化合物等がある。特に、瞬間熱アニール（ＲＴＡ）又はファーネスアニール炉を用いた熱処理により結晶化させた結晶性半導体、加熱処理とレーザビームの照射を組み合わせて結晶化させた結晶性半導体を適用することが好ましい。加熱処理においては、シリコン半導体の結晶化を助長する作用のあるニッケルなどの金属元素を用いた結晶化法を適用することができる。
【００３５】
加熱処理に加えてレーザビームを照射して結晶化する場合には、連続発振レーザビームの照射若しくは繰り返し周波数が１０ＭＨｚ以上であって、パルス幅が１ナノ秒以下、好ましくは１乃至１００ピコ秒である高繰返周波数超短パルス光を照射することによって、結晶性半導体が溶融した溶融帯を、当該レーザビームの照射方向に連続的に移動させながら結晶化を行うことができる。このような結晶化法により、大粒径であって、結晶粒界が一方向に延びる結晶性半導体を得ることができる。
【００３６】
ゲート絶縁膜５４は、厚さ５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上４０ｎｍ以下の酸化珪素及び酸化窒化珪素などの無機絶縁物で形成する。
【００３７】
ゲート電極５５ａ及びゲート電極５５ｂは、金属または一導電型を与える不純物を添加した多結晶半導体で形成することができる。金属を用いる場合は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）などを用いることができる。また、金属を窒化させた金属窒化物を用いることができる。或いは、当該金属窒化物からなる第１層と当該金属から成る第２層とを積層させた構造としても良い。このとき第１層を金属窒化物とすることで、バリアメタルとすることができる。すなわち、第２層の金属が、ゲート絶縁層やその下層の半導体層に拡散することを防ぐことができる。また、積層構造とする場合には、第１層の端部が第２層の端部より外側に突き出した形状としても良い。
【００３８】
半導体層、ゲート絶縁膜５４、ゲート電極５５ａ、ゲート電極５５ｂなどを組み合わせて構成される薄膜トランジスタ５２ａ、薄膜トランジスタ５２ｂは、シングルドレイン構造、ＬＤＤ（低濃度ドレイン）構造、ゲートオーバーラップドレイン構造など各種構造を適用することができる。ここでは、シングルドレイン構造の薄膜トランジスタを示す。さらには、等価的には、同電位のゲート電圧が印加される複数のトランジスタが直列に接続された形となるマルチゲート構造、半導体層の上下をゲート電極で挟むデュアルゲート構造、絶縁膜５６上にゲート電極が形成され、ゲート電極上にゲート絶縁層、半導体層が形成される逆スタガ型薄膜トランジスタ等を適用することができる。
【００３９】
ソース領域またはドレイン領域である不純物領域５３ａ、あるいは不純物領域５３ｂに接する配線５７ａ、配線５７ｂ、配線５８ａ、配線５８ｂは、チタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）の積層構造、モリブデン（Ｍｏ）とアルミニウム（Ａｌ）との積層構造など、アルミニウム（Ａｌ）のような低抵抗材料と、チタン（Ｔｉ）やモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属材料を用いたバリアメタルとの組み合わせで形成することが好ましい。
【００４０】
なお、薄膜トランジスタとして金属酸化物や有機半導体材料を半導体層に用いた薄膜トランジスタを用いることが可能である。金属酸化物の代表例には酸化亜鉛や亜鉛ガリウムインジウムの酸化物等がある。
【００４１】
半導体素子層５１を有する半導体装置の代表例として、他の装置の制御やデータの計算・加工を行なうマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）がある。ＭＰＵは、ＣＰＵ、メインメモリ、コントローラ、インターフェース、Ｉ／Ｏポート等を有し、これらを薄膜トランジスタ、抵抗素子、容量素子、配線等で構成することができる。
【００４２】
さらに半導体素子層５１として、液晶表示装置の駆動装置、ＥＬ表示装置の駆動装置、電子泳動装置の駆動装置が挙げられる。これらは薄膜トランジスタ、抵抗素子、容量素子、配線等で構成することが可能である。
【００４３】
図２（Ｂ）には、半導体素子層６１を作製した例を示す。図２（Ｂ）に示す記憶素子６２は、チャネル形成領域９１及び不純物領域９２を有する半導体層、トンネル酸化層６４、フローティングゲート９３、コントロール絶縁層９４、コントロールゲート９５で構成される不揮発性記憶素子である。
【００４４】
トンネル酸化層６４は、厚さ１ｎｍ〜１０ｎｍ、好ましくは１ｎｍ〜５ｎｍの酸化珪素若しくは酸化珪素と窒化珪素の積層構造を減圧ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法などで形成することができる。また、プラズマ処理により半導体層を酸化又は窒化することによりトンネル酸化層を形成することができる。さらには、プラズマＣＶＤ法により形成した酸化珪素をプラズマ処理により酸化又は窒化してもよい。当該プラズマ処理して形成した絶縁層は、緻密で絶縁耐圧が高く信頼性に優れている。
【００４５】
フローティングゲート９３は、導電層、ポリシリコン層、シリコンドット等で形成することができる。また、フローティングゲートの代わりに、窒化珪素、窒化ゲルマニウム等で形成された電荷蓄積層を用いてもよい。
【００４６】
コントロール絶縁層９４は、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、酸化アルミニウムなどの一層若しくは複数層を、減圧ＣＶＤ法やプラズマＣＶＤ法などで形成する。コントロール絶縁層９４の厚さは１ｎｍ〜２０ｎｍ、好ましくは５〜１０ｎｍで形成する。
【００４７】
コントロールゲート９５は、図２（Ａ）に示すゲート電極５５ａまたはゲート電極５５ｂと同様の材料で形成すればよい。
【００４８】
記憶素子６２を駆動するための駆動素子として薄膜トランジスタ５２ｂを形成してもよい。
【００４９】
記憶素子６２及び薄膜トランジスタ５２ｂを形成したら、記憶素子６２及び薄膜トランジスタ５２ｂを覆って、絶縁膜６５及び絶縁膜６６を形成する。絶縁膜６６上に、不純物領域９２と電気的に接続する配線９７及び配線９８を形成する。薄膜トランジスタ５２ｂについては、上述したように配線５７ｂ及び５８ｂが形成される。絶縁膜６６、配線９７、配線９８、配線５７ｂ、配線５８ｂを覆って、絶縁膜６７が形成される。これにより、記憶素子６２を含む半導体素子層６１が作製される。
【００５０】
また記憶素子としては、記憶素子６２の構成以外に、電荷蓄積層を有する不揮発性記憶素子、薄膜トランジスタ及びそれに接続される容量素子、薄膜トランジスタ及びそれに接続される強誘電層を有する容量素子、一対の電極の間に有機化合物層が挟まれる有機メモリ素子等がある。
【００５１】
また、このような記憶素子を有する半導体装置としては、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＳＲＡＭ（Ｓｔａｔｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＦｅＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、マスクＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＥＥＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  Ｅｒａｓａｂｌｅ  ａｎｄ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）、フラッシュメモリ等の記憶装置がある。
【００５２】
図２（Ｃ）には、半導体素子層７１を作製した例を示す。図２（Ｃ）に示すフォトダイオード７２は、第１の電極として機能する配線５８ａ、受光部７３、及び第２の電極７４で構成されている。受光部は７３、非晶質または結晶質のシリコンを有する半導体層で形成することができる。この代表例としては、シリコン層、シリコンゲルマニウム層、炭化シリコン層、又はこれらのＰＮ接合層、ＰＩＮ接合層が挙げられる。
【００５３】
薄膜トランジスタ５２ａは、配線５８ａを介して電気的にフォトダイオード７２と接続されており、駆動素子として機能する。薄膜トランジスタ５２ａ上に絶縁膜６５及び絶縁膜６６を形成する。絶縁膜６６上に薄膜トランジスタ５２ａの不純物領域に電気的に接続される配線５７ａ及び配線５８ｂを形成する。また絶縁膜６６上に、配線５８ａに電気的に接続される受光部７３、受光部７３上に第２の電極７４を形成する。
【００５４】
絶縁膜６６、配線５７ａ、配線５８ａ、受光部７３、第２の電極７４を覆って絶縁膜６７を形成する。これにより、フォトダイオード７２及び薄膜トランジスタ５２ａを有する半導体素子層７１が作製される。
【００５５】
図２（Ｃ）に示すフォトダイオード７２を有する半導体装置としては、光センサ、太陽電池等がある。
【００５６】
また、図２（Ｄ）には、半導体素子層８１を作製した例を示す。図２（Ｄ）に示す半導体素子層８１は、薄膜トランジスタ５２ａ及び薄膜トランジスタ５２ｂ、並びに、薄膜トランジスタ５２ａまたは５２ｂに電気的に接続し絶縁膜６６上に形成される電極８４、電極８４に電気的に接続し絶縁膜６７上に形成されるアンテナ８３を有している。電極８４は、薄膜トランジスタ５２ａまたは薄膜トランジスタ５２ｂに電気的に接続する配線５７ａ、配線５８ａ、配線５７ｂ、配線５８ｂと同様の材料及び同様の作製工程により形成すればよい。
【００５７】
図２（Ｄ）に示すアンテナ８３は、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔｉ）等のいずれか一つ以上の金属粒子を有する液滴やペーストを液滴吐出法（インクジェット法、ディスペンス法など）により吐出し、乾燥焼成して形成する。液滴吐出法によりアンテナを形成することで、工程数の削減が可能であり、それに伴うコスト削減が可能である。
【００５８】
また、スクリーン印刷法を用いてアンテナ８３を形成してもよい。スクリーン印刷法を用いる場合、アンテナ８３の材料としては、粒径が数ｎｍから数十μｍの導電性粒子を有機樹脂に溶解または分散させた導電性ペーストを選択的に印刷する。導電性粒子としては、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）およびチタン（Ｔｉ）等のいずれか一つ以上の金属粒子やハロゲン化銀の微粒子、または分散性ナノ粒子を用いることができる。また、導電性ペーストに含まれる有機樹脂は、金属粒子のバインダー、溶媒、分散材および被覆材として機能する有機樹脂から選ばれた一つまたは複数を用いることができる。代表的には、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等の有機樹脂が挙げられる。また、導電層の形成にあたり、導電性のペーストを印刷した後に焼成することが好ましい。
【００５９】
また、アンテナ８３は、スクリーン印刷法の他にもグラビア印刷等を用いてもよいし、メッキ法、スパッタリング法等を用いて、導電性材料により形成することができる。
【００６０】
図２（Ｄ）に示す半導体素子層８１を有する半導体装置の代表例としては、無線で情報を送受信することが可能なＩＤタグ、ＩＣタグ、ＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）タグ、無線タグ、電子タグ、ＲＦＩＤ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）タグ、ＩＣカード、ＩＤカード等（以下、ＲＦＩＤと示す。）がある。また、本発明の半導体装置は、薄膜トランジスタ等で構成される集積回路部とアンテナを封止したインレットや、当該インレットをシール状やカード状にしたものを含む。さらに本発明は、ＲＦＩＤのアンテナと集積回路部の接続部分に用いることが可能である。
【００６１】
また、ＲＦＩＤの信号の伝送方式として、電磁結合方式または電磁誘導方式（例えば１３．５６ＭＨｚ帯）を適用する。磁束密度の変化による電磁誘導を利用する場合、アンテナの上面形状を輪状（例えば、ループアンテナ）、らせん状（例えば、スパイラルアンテナ）に形成することができる。
【００６２】
また、ＲＦＩＤにおける信号の伝送方式として、マイクロ波方式（例えば、ＵＨＦ帯（８６０〜９６０ＭＨｚ帯）、２．４５ＧＨｚ帯等）を適用することもできる。その場合には、信号の伝送に用いる電磁波の波長を考慮してアンテナの長さ等の形状を適宜設定すればよい。
【００６３】
ここで、図２（Ａ）に示す半導体素子層５１を用いた場合の半導体装置の作製方法を、図３（Ａ）〜図３（Ｄ）、図４（Ａ）〜図４（Ｂ）に示す。ただし本発明の半導体装置に応用できるのは、半導体素子層５１にだけではなく、半導体素子層６１、半導体素子層７１、半導体素子層８１にも応用できる。さらには、本明細書に記載されていない半導体素子層にも適用可能である。また薄膜素子だけではなく、ＬＳＩにも応用可能である。
【００６４】
基板５９上に半導体素子層５１を作製する。基板５９としては、ガラス基板、石英基板、セラミック基板、絶縁層が少なくとも一表面に形成された金属基板、有機樹脂基板等を用いることができる。本実施の形態では、基板５９としてガラス基板を用いる。
【００６５】
また半導体素子層５１中の絶縁膜６７上に、配線５７ａ、配線５８ａ、配線５７ｂ、配線５８ｂにそれぞれ電気的に接続する、配線１２１、配線１２２、配線１２３、配線１２４を形成する（図３（Ａ）参照）。なお、配線１２１、配線１２２、配線１２３、配線１２４は全て形成する必要はなく、後の工程で形成される貫通配線１０８（貫通配線１０８ａまたは貫通配線１０８ｂ）と電気的に接続する配線のみを形成してもよい。
【００６６】
配線１２１、配線１２２、配線１２３、配線１２４は、配線５７ａ、配線５８ａ、配線５７ｂ、配線５８ｂと同じ材料で形成すればよい。
【００６７】
次いで絶縁膜６７、配線１２１、配線１２２、配線１２３、配線１２４上に、マイクロカプセル１１２を絶縁性樹脂１１１に分散させた絶縁膜１０３を形成する（図３（Ｂ）参照）。
【００６８】
絶縁膜１０３上、かつ、配線１２１、配線１２２、配線１２３、配線１２４の少なくとも１つの上に、エネルギー１０６を照射する。図３（Ｃ）においては、絶縁膜１０３上、かつ、配線１２１及び配線１２４上に、エネルギー１０６を照射する。
【００６９】
エネルギー１０６を照射された領域１０５（領域１０５ａ及び領域１０５ｂ）（図３（Ｄ）参照）では、エネルギー１０６の照射により、マイクロカプセル１１２、あるいは、マイクロカプセル１１２に挟まれ十分な厚さが確保できていない絶縁性樹脂１１１が破壊され、絶縁膜１０３中に独立した状態で分散したマイクロカプセル１１２の空孔と空孔が接する状態になる。あるいは、必ずしも空孔と空孔が接しなくてもよい。
【００７０】
次いで、領域１０５ａ及び領域１０５ｂ上にそれぞれ、導電性材料１０７（導電性材料１０７ａ及び導電性材料１０７ｂ）を配置する（図４（Ａ）参照）。
【００７１】
その後、基板１０１全体を加熱することで、導電性材料１０７ａ及び導電性材料１０７ｂが連続した空孔を有する多孔体を通り、それぞれ配線１２１及び配線１２４と電気的に接続される貫通配線１０８ａ及び貫通配線１０８ｂが形成される（図４（Ｂ）参照）。
【００７２】
本発明により、絶縁膜中の貫通孔に充填した導電性材料によって形成された貫通配線が、絶縁膜よりも下層に配置されている配線層あるいは半導体素子層の配線と剥離するのを防ぐ。
【００７３】
また絶縁膜そのものが多孔化しているため、耐クラック性の向上や比誘電率を下げることが可能である。
【００７４】
また本発明により、破壊が少なく信頼性が高い半導体装置を提供することができる。
【００７５】
さらに本発明では、歩留まりが高く、信頼性の高い半導体装置の作製する方法を提供することができる。
【００７６】
［実施の形態２］
本実施の形態を、図５（Ａ）〜図５（Ｄ）、図６（Ａ）〜図６（Ｄ）、図７（Ａ）〜図７（Ｄ）、図８（Ａ）〜図８（Ｃ）、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）を用いて説明する。
【００７７】
まず基板５９上に剥離層１６１を作製する。剥離層１６１は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、厚さ３０ｎｍ〜２００ｎｍのタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、及び珪素（Ｓｉ）の中から選択された元素、又は元素を主成分とする合金材料、又は元素を主成分とする化合物からなる層を、単層または複数の層を積層させて形成する。珪素を含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。なお、ここでは、塗布法は、溶液を被処理物上に吐出させて成膜する方法であり、例えばスピンコーティング法や液滴吐出法を含む。また、液滴吐出法とは微粒子を含む組成物の液滴を微細な孔から吐出して所定の形状のパターンを形成する方法である。
【００７８】
剥離層１６１が単層構造の場合、好ましくは、タングステン、モリブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。
【００７９】
剥離層１６１が積層構造の場合、好ましくは、１層目として金属層を形成し、２層目として金属酸化物層を形成する。代表的には、１層目の金属層として、タングステン、モリブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングステン、モリブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物、タングステン、モリブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物の窒化物、タングステン、モリブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化窒化物、又はタングステン、モリブデン、又はタングステンとモリブデンの混合物の窒化酸化物を含む層を形成する。
【００８０】
剥離層１６１として、１層目として金属層、２層目として金属酸化物層の積層構造を形成する場合、金属層としてタングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁層を形成することで、タングステンを含む層と絶縁層との界面に、金属酸化物層としてタングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。さらには、金属層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行って金属酸化物層を形成してもよい。
【００８１】
タングステンの酸化物は、ＷＯ２、Ｗ２Ｏ５、Ｗ４Ｏ１１、ＷＯ３などがある。
【００８２】
また、上記の工程によると、絶縁表面を有する基板５９に接するように剥離層１６１を形成しているが、本発明はこの工程に制約されない。絶縁表面を有する基板５９に接するように下地となる絶縁層を形成し、その絶縁層に接するように剥離層１６１を設けてもよい。ここでは、剥離層１６１として厚さ３０ｎｍ〜７０ｎｍのタングステン層をスパッタリング法により形成する。
【００８３】
次いで、図３（Ａ）の構造及びその作製方法に基づいて、剥離層１６１上に絶縁膜５６を含む半導体素子層５１を作製する。半導体素子層は半導体素子層５１に限定されるものではなく、他の半導体素子層、例えば半導体素子層６１、半導体素子層７１、半導体素子層８１などでもよい。
【００８４】
半導体素子層５１中の絶縁膜６７上に、配線５７ａ、配線５８ａ、配線５７ｂ、配線５８ｂそれぞれに電気的に接続される、配線１２１、配線１２２、配線１２３、配線１２４を形成する（図５（Ａ）参照）。なお、配線１２１、配線１２２、配線１２３、配線１２４のうち、後の工程で、電気的に接続される貫通配線１０８が形成されないものについては、形成しなくてもよい。
【００８５】
次いで、図３（Ｂ）に示す構造及び作製工程に基づいて、配線１２１、配線１２２、配線１２３、配線１２４、絶縁膜６７上に、マイクロカプセル１１２を絶縁性樹脂１１１に分散させた絶縁膜１０３を形成する（図５（Ｂ）参照）。
【００８６】
次いで絶縁膜１０３上、かつ、配線１２１、配線１２２、配線１２３、配線１２４の少なくとも１つの上に、エネルギー１０６を照射する。図５（Ｃ）においては、絶縁膜１０３上、かつ、配線１２１及び配線１２４上に、エネルギー１０６を照射する。
【００８７】
エネルギー１０６が照射された、絶縁膜１０３の領域１０５（領域１０５ａ及び領域１０５ｂ）（図５（Ｄ）参照）に、導電性材料１０７（導電性材料１０７ａ及び導電性材料１０７ｂ）を形成する（図６（Ａ）参照）。
【００８８】
加熱工程により、導電性材料１０７ａ及び導電性材料１０７ｂが絶縁膜１０３中を移動し、それぞれ配線１２１及び配線１２４と導通を取る貫通配線１０８（貫通配線１０８ａ及び貫通配線１０８ｂ）が形成される（図６（Ｂ）参照）。
【００８９】
次いで、図６（Ｃ）に示すように、後の剥離工程を容易に行うために、絶縁膜１０３側から、絶縁膜１０３、半導体素子層５１及び剥離層１６１にレーザビーム１２６を照射して、図６（Ｄ）に示すような溝１２７を形成してもよい。溝１２７を形成するために照射するレーザビーム１２６としては、剥離層１６１、半導体素子層５１、または絶縁膜１０３を構成する層のいずれかが吸収する波長を有するレーザビームが好ましく、代表的には、紫外領域、可視領域、又は赤外領域のレーザビームを適宜選択して照射する。
【００９０】
このようなレーザビームを発振することが可能なレーザ発振器としては、ＫｒＦ、ＡｒＦ、ＸｅＣｌ等のエキシマレーザ発振器、Ｈｅ、Ｈｅ−Ｃｄ、Ａｒ、Ｈｅ−Ｎｅ、ＨＦ、ＣＯ２等の気体レーザ発振器、ＹＡＧ、ＧｄＶＯ４、ＹＶＯ４、ＹＬＦ、ＹＡｌＯ３などの結晶にＣｒ、Ｎｄ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｃｅ、Ｃｏ、Ｔｉ又はＴｍをドープした結晶、ガラス、ルビー等の固体レーザ発振器、ＧａＮ、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ、ＩｎＧａＡｓＰ等の半導体レーザ発振器を用いることができる。なお、その固体レーザ発振器においては基本波〜第５高調波を適宜適用するのが好ましい。
【００９１】
次に、図７（Ａ）に示すように、溝１２７をきっかけとして、剥離層１６１及び絶縁膜５６の界面において、剥離層１６１が形成される絶縁表面を有する基板５９と、半導体素子層５１の一部及び絶縁膜１０３の一部とを物理的手段により剥離する。本実施の形態では、剥離した半導体素子層５１の一部及び絶縁膜１０３の一部を、半導体回路素子１５１とする（図７（Ｂ）参照）。
【００９２】
物理的手段とは、力学的手段または機械的手段を指し、何らかの力学的エネルギー（機械的エネルギー）を加える手段を指しており、その手段は、代表的には機械的な力を加えること（例えば人間の手や把治具で引き剥がす処理や、ローラを回転させながら分離する処理）である。このとき、構造体１２０表面に光または熱により剥離可能な粘着シートを設けると、さらに剥離が容易となる。
【００９３】
また、溝１２７に液体を滴下し、剥離層１６１及び絶縁膜５６の界面に液体を浸透させて剥離層１６１から半導体素子層５１を剥離してもよい。この場合、溝１２７にのみ液体を滴下してもよいし、または絶縁表面を有する基板５９、半導体素子層５１、及び絶縁膜１０３全体を液体に浸して、溝１２７から剥離層１６１及び半導体素子層５１の界面に液体を浸透させても良い。
【００９４】
また、溝１２７にＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ガスを導入し、剥離層１６１をフッ化ガスでエッチングし除去して、絶縁表面を有する基板５９から半導体素子層５１の一部を剥離する方法を用いることができる。
【００９５】
さらに半導体回路素子１５１の絶縁膜５６側に、接着材等を用いて新たな基板を貼り合わせてもよい。新たな基板としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）に代表されるプラスチックや、アクリル等の合成樹脂を有するフレキシブル基板を用いることができる。
【００９６】
本実施の形態では、半導体回路素子１５１の絶縁膜５６側に、接着材等を用いて、新たな絶縁膜１２９を貼り合わせた例を図７（Ｃ）に示す。
【００９７】
また図７（Ｄ）では、半導体回路素子１５１の絶縁膜５６側に、接着材等を用いて、シート状繊維体１３１に有機樹脂１３２を含浸させた構造体１３０（「プリプレグ」ともいう）を貼り合わせた例を示す。構造体１３０は、局所的荷重（点圧、線圧等）がかかっても、シート状繊維体１３１で圧力が分散されるため、実装工程や湾曲による破壊を低減することができる。
【００９８】
また図８（Ａ）〜図８（Ｃ）、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）を用いて、半導体素子層を積層した半導体回路素子の作製方法について説明する。
【００９９】
まず図５（Ａ）の構成に基づいて、図８（Ａ）の構造を形成する。図８（Ａ）と図５（Ａ）との違いは、配線１２１及び配線１２４が、剥離層１６１に到達する配線１４１及び配線１４４となることである。
【０１００】
次いで図５（Ｂ）〜図５（Ｄ）、図６（Ａ）〜図６（Ｄ）、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）の作製工程に基づいて、図８（Ｂ）に示す半導体回路素子１５２を得る。ただし半導体回路素子１５１と異なる点は、配線１４１及び配線１４４が、絶縁膜５６の表面に露出していることである。
【０１０１】
ここで図８（Ｃ）に示すように、半導体回路素子１５２と半導体回路素子１５１を、半導体回路素子１５２の配線１４１及び配線１４４と、半導体回路素子１５１の導電性材料１０７ａと導電性材料１０７ｂが、それぞれ重なるように配置させる。
【０１０２】
次いで半導体回路素子１５２と半導体回路素子１５１を、必要であれば接着材等を用いて貼り合わせる。このようにして積層された半導体回路素子１５５が形成される（図９（Ａ）参照）。
【０１０３】
必要であれば、半導体回路素子１５５の、導電性材料１０７ａ及び導電性材料１０７ｂの露出している面と反対側の面に、接着材等を用いて基板１５７を貼り合わせてもよい。基板１５７として、上述のフレキシブル基板、絶縁膜１０３、シート状繊維体１３１に有機樹脂１３２を含浸させた構造体１３０を用いることが可能である。
【０１０４】
本発明により、絶縁膜中の貫通孔に充填した導電性材料によって形成された貫通配線が、絶縁膜よりも下層に配置されている配線層あるいは半導体素子層の配線と剥離するのを防ぐ。
【０１０５】
また絶縁膜そのものが多孔化しているため、耐クラック性の向上や比誘電率を下げることが可能である。
【０１０６】
また本発明により、破壊が少なく信頼性が高い半導体装置を提供することができる。
【０１０７】
さらに本発明では、歩留まりが高く、信頼性の高い半導体装置の作製する方法を提供することができる。
【０１０８】
また本発明により半導体素子層を積層することが可能なので、半導体回路素子の占有面積を小さくすることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】本発明の半導体素子の作製工程を示す断面図。
【図２】本発明の半導体素子の断面図。
【図３】本発明の半導体素子の作製工程を示す断面図。
【図４】本発明の半導体素子の作製工程を示す断面図。
【図５】本発明の半導体素子の作製工程を示す断面図。
【図６】本発明の半導体素子の作製工程を示す断面図。
【図７】本発明の半導体素子の作製工程を示す断面図。
【図８】本発明の半導体素子の作製工程を示す断面図。
【図９】本発明の半導体素子の作製工程を示す断面図。
【符号の説明】
【０１１０】
５１    半導体素子層
５２ａ    薄膜トランジスタ
５２ｂ    薄膜トランジスタ
５３ａ    不純物領域
５３ｂ    不純物領域
５４    ゲート絶縁膜
５５ａ    ゲート電極
５５ｂ    ゲート電極
５６    絶縁膜
５７ａ    配線
５７ｂ    配線
５８ａ    配線
５８ｂ    配線
５９    基板
６１    半導体素子層
６２    記憶素子
６３ａ    チャネル形成領域
６３ｂ    チャネル形成領域
６４    トンネル酸化層
６５    絶縁膜
６６    絶縁膜
６７    絶縁膜
７１    半導体素子層
７２    フォトダイオード
７３    受光部
７４    電極
８１    半導体素子層
８３    アンテナ
８４    電極
９１    チャネル形成領域
９２    不純物領域
９３    フローティングゲート
９４    コントロール絶縁層
９５    コントロールゲート
９７    配線
９８    配線
１０１    基板
１０２    配線層
１０３    絶縁膜
１０５    領域
１０５ａ    領域
１０５ｂ    領域
１０６    エネルギー
１０７    導電性材料
１０７ａ    導電性材料
１０７ｂ    導電性材料
１０８    貫通配線
１０８ａ    貫通配線
１０８ｂ    貫通配線
１１１    絶縁性樹脂
１１２    マイクロカプセル
１２０    構造体
１２１    配線
１２２    配線
１２３    配線
１２４    配線
１２６    レーザビーム
１２７    溝
１２９    絶縁膜
１３０    構造体
１３１    シート状繊維体
１３２    有機樹脂
１４１    配線
１４４    配線
１５１    半導体回路素子
１５２    半導体回路素子
１５５    半導体回路素子
１５７    基板
１６１    剥離層
【図１】
2010027818.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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