(57)【要約】【課題】  水晶振動子の周囲温度に対応してトランジスタにおける容量をダイナミックに可変とし、高感度で発振周波数を一定に保つよう制御できる温度補償型電圧制御発振回路を提供する。【解決手段】  水晶振動子Ｘ1 の周囲温度の変化に対応して発振周波数を一定に保持する容量に相当する電圧値に変換する容量変換制御回路１１と、当該容量変換制御回路１１によって設定される容量に従ってＮＰＮ型トランジスタＱのコレクタＣとベースＢとの間の容量を可変とする容量変更手段１２とを有する容量変換回路１を水晶振動子Ｘ1 とＮＰＮ型トランジスタＱのベースＢとの間に設けた温度補償型電圧制御発振回路である。【選択図】        図３
2010062746.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発振周波数を発生させる水晶振動子と、当該発振周波数を増幅して出力するトランジスタとを有する温度補償型電圧制御発振回路であって、
前記水晶振動子の一端には第１の抵抗と伸長コイルが直列に接続されて電圧が印加され、前記水晶振動子の他端は前記トランジスタのベースに接続され、
可変容量ダイオードのカソード側が前記第１の抵抗と前記伸長コイルの間の点に接続され、前記可変容量ダイオードのアノード側が接地され、
前記トランジスタのコレクタには電源電圧が印加され、
第２の抵抗の一端には電源電圧が印加され、前記第２の抵抗の他端は前記トランジスタのベースに接続され、
第３の抵抗の一端が前記トランジスタのベースに接続されると共に他端が接地され、
直列接続の第１のコンデンサと第２のコンデンサの一端が前記トランジスタのベースに接続されると共に他端が接地され、
第４の抵抗の一端が前記トランジスタのエミッタに接続されると共に他端が接地され、
前記第１のコンデンサと前記第２のコンデンサとの間の点が前記トランジスタのエミッタに接続され、前記エミッタには出力端子が設けられ、
前記水晶振動子の他端と前記トランジスタのベースとの間に、前記水晶振動子の周囲温度に応じて前記水晶振動子で発生する発振周波数を一定に保持するよう、前記水晶振動子の他端と前記トランジスタのベースとの間に付加される容量を変更する容量変換回路を設けたことを特徴とする温度補償型電圧制御発振回路。
【請求項２】
容量変換回路は、前記水晶振動子の周囲温度に応じて変更する容量を特定するための電圧に変換する容量変換制御回路と、前記特定された電圧に応じた容量に変更する容量変更手段とを有することを特徴とする請求項１記載の温度補償型電圧制御発振回路。
【請求項３】
容量変更手段は、第３のコンデンサとダイオードとを有し、前記第３のコンデンサの一端が水晶振動子の他端とトランジスタのベースとの間に接続すると共に、前記第３のコンデンサの他端が前記ダイオードのカソード側に接続され、前記ダイオードのアノード側が接地され、容量変換制御回路から供給される電圧が前記第３のコンデンサと前記ダイオードの間に印加されることを特徴とする請求項２記載の温度補償型電圧制御発振回路。
【請求項４】
容量変換制御回路は、電圧が印加される複数の抵抗と、異なる温度特性を備える複数のサーミスタとを備え、水晶振動子の周囲温度に応じて前記複数のサーミスタの抵抗値が可変となって容量変更手段へ供給する電圧が可変となることを特徴とする請求項２又は３記載の温度補償型電圧制御発振回路。
【請求項５】
水晶振動子の周囲温度を検出して信号出力する温度センサーを設け、
容量変換制御回路は、前記温度センサーからの信号をデジタル変換するアナログ／デジタル変換器と、前記デジタル変換された信号の値に対して予め前記水晶振動子で発生する発振周波数を一定に保持するよう、容量変更手段に印加される電圧値を記憶する記憶部と、前記アナログ／デジタル変換器からの信号を入力し、前記記憶部を参照して対応する電圧値を読み取って出力する容量変換制御部と、前記容量変換制御部からの出力をアナログ変換するデジタル／アナログ変換器とを有することを特徴とする請求項２又は３記載の温度補償型電圧制御発振回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度補償型電圧制御発振回路に係り、特に、近年の低電圧化に対応した高感度の温度補償型電圧制御発振回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
電圧制御発振回路は、ＰＬＬ（Phase Locked Loop：位相ロックド・ループ）トラッキングフィルターとして使用されるが、要求性能として、第１に周波数制御域の広可変化、第２に温度特性の高精度化が要求されるようになっている。
【０００３】
上記第１の特性と第２の特性は、相反する特性であり、広可変化を目指すと温度特性が悪化し、温度特性をよくする（例えば、温度補償発振器［ＴＣＸＯ：Temperature Compensated Crystal Oscillator］にする）と、広可変量が取りにくくなるというジレンマが生じていた。
【０００４】
また、ＴＣＸＯにすると、電圧制御入力の周波数特性が一様でなくなり、温度により変化してしまう問題があった。
また、ＴＣＸＯでは、サーミスタとコンデンサを並列接続する補償方法もあるが、高周波回路ではその周波数特性が伸びなく使用が制限されるものである。
【０００５】
［従来の水晶発振回路：図６］
次ぎに、従来のコルピッツ型水晶発振回路について図６参照しながら説明する。図６は、従来のコルピッツ型水晶発振回路の回路図である。
従来の水晶発振回路は、図６に示すように、ＮＰＮ型トランジスタＱのベースＢとコレクタＣとの間に、水晶振動子Ｘ1 と可変容量ダイオードＤ1 が直列に接続されると共に、ベースＢとコレクタＣとの間には直列接続のコンデンサＣ1 ，Ｃ2 が並列に接続され、トランジスタＱのコレクタＣとエミッタＥが抵抗Ｒ4 を介して接続され、コンデンサＣ1 とコンデンサＣ2 の間の点がエミッタＥと抵抗Ｒ4 を結ぶ線に接続している。
【０００６】
［等価回路：図７］
図６に示した従来の水晶発振回路の等価回路が図７である。図７は、図６の等価回路図である。
図７に示すように、ＮＰＮ型トランジスタＱのベースＢとコレクタＣとの間に、直列接続の水晶振動子Ｘ1 及び可変容量ダイオードＤ1 と直列接続のコンデンサＣ1 ，Ｃ2 とが並列に接続され、トランジスタＱのエミッタＥがコンデンサＣ1 とコンデンサＣ2 との間に接続している。
【０００７】
［従来の具体的回路：図８］
次に、従来の水晶発振回路の具体的回路について図８を参照しながら説明する。図８は、従来の水晶発振回路の具体的回路図である。
従来の水晶発振回路の具体的回路は、図８に示すように、水晶振動子Ｘ1 の一端に電圧Ｖc が抵抗Ｒ1 とコイルＬ1 の直列接続を介して印加され、可変容量ダイオードＤ1 のカソード側が抵抗Ｒ1 とコイルＬ1 の間の点に接続し、可変容量ダイオードＤ1 のアノード側が接地されている。
【０００８】
また、水晶振動子Ｘ1 の他端は、ＮＰＮ型トランジスタＱのベースＢに接続し、トランジスタＱのコレクタＣには電源電圧Ｖccが印加されると共に、電源電圧Ｖccが直列接続の抵抗Ｒ2 と抵抗Ｒ3 によって分圧され、抵抗Ｒ2 と抵抗Ｒ3 との間の点がトランジスタＱのベースＢに接続している。
【０００９】
また、トランジスタＱのベースＢには、直列接続のコンデンサＣ1 ，Ｃ2 の一端が接続し、他端が接地されている。
また、トランジスタＱのエミッタＥには、抵抗Ｒ4 を介して接地されており、エミッタＥと抵抗Ｒ4 の間の点が、コンデンサＣ1 ，Ｃ2 の間の点に接続され、更にコンデンサを介して発振出力を出力端子ＯＵＴから出力している。
【００１０】
尚、関連する先行技術として、特開平１１−０６８４６２号公報（特許文献１／出願人：東洋通信機株式会社）と、特開２０００−２７８０４３号公報（特許文献２／出願人：東光株式会社）がある。
【００１１】
特許文献１には、圧電発振回路において、トランジスタＱ1 のコレクタ電流とエミッタ電流の温度変化に対する電流値変化を抑えるようベースバイアス回路（抵抗Ｒ2 とトランジスタＱ2 の直列接続回路）を挿入した構成が示されている。
【００１２】
また、特許文献２には、温度補償型発振回路において、水晶振動子ＸＴの等価容量を補正するためのコンデンサ回路４の容量値が、温度毎にＲＯＭ回路３に書き込まれた最適な値の情報に基づいて調整されることが記載されている。
【００１３】
【特許文献１】特開平１１−０６８４６２号公報
【特許文献２】特開２０００−２７８０４３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
近年のデジタル通信網の制御周波数安定度において、ストレータムIIIは、４．７ｐｐｍの安定度の規格が設けられ、ストレータムIVにおいては、３２ｐｐｍの安定度を要求されている。
そして、ストレータムIII〜IV規格のＩＴＵ−Ｔ CLOCK Option（G.813）をカバーするには、２０ｐｐｍの安定度が必要とされている。
つまり、近年の駆動電圧の低電圧化に対して充分に高感度化を実現することが難しい状況となっている。
【００１５】
例えば、上記２０ｐｐｍの安定度は、温度範囲が−４０〜＋８５℃と広く、上記従来の温度補償型水晶発振回路では、水晶振動子の製造バラツキにより、歩留まり等が悪く、かつ広い可変量を得るために、伸長コイルを入れざるを得ないため、更に温度特性を入れ込むことが困難となっているという問題点があった。
【００１６】
また、特許文献１では、図７の等価回路におけるコンデンサＣ2 を可変容量としたものであって、トランジスタＱのコレクタＣとベースＢとの間の容量をダイナミックに可変とするものではない。
【００１７】
また、特許文献２では、図７の等価回路におけるコンデンサＣ1 を可変容量としたものであって、トランジスタＱのコレクタＣとベースＢとの間の容量をダイナミックに可変とするものではない。
【００１８】
本発明は上記実情に鑑みて為されたもので、水晶振動子の周囲温度に対応してトランジスタＱにおける容量をダイナミックに可変とし、高感度で発振周波数を一定に保つよう制御できる温度補償型電圧制御発振回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記従来例の問題点を解決するための本発明は、発振周波数を発生させる水晶振動子と、当該発振周波数を増幅して出力するトランジスタとを有する温度補償型電圧制御発振回路であって、水晶振動子の一端には第１の抵抗と伸長コイルが直列に接続されて電圧が印加され、水晶振動子の他端はトランジスタのベースに接続され、可変容量ダイオードのカソード側が第１の抵抗と伸長コイルの間の点に接続され、可変容量ダイオードのアノード側が接地され、トランジスタのコレクタには電源電圧が印加され、第２の抵抗の一端には電源電圧が印加され、第２の抵抗の他端はトランジスタのベースに接続され、第３の抵抗の一端がトランジスタのベースに接続されると共に他端が接地され、直列接続の第１のコンデンサと第２のコンデンサの一端がトランジスタのベースに接続されると共に他端が接地され、第４の抵抗の一端がトランジスタのエミッタに接続されると共に他端が接地され、第１のコンデンサと第２のコンデンサとの間の点がトランジスタのエミッタに接続され、エミッタには出力端子が設けられ、水晶振動子の他端とトランジスタのベースとの間に、水晶振動子の周囲温度に応じて水晶振動子で発生する発振周波数を一定に保持するよう、水晶振動子の他端とトランジスタのベースとの間に付加される容量を変更する容量変換回路を設けたことを特徴とする。
【００２０】
本発明は、上記温度補償型電圧制御発振回路において、容量変換回路が、水晶振動子の周囲温度に応じて変更する容量を特定するための電圧に変換する容量変換制御回路と、特定された電圧に応じた容量に変更する容量変更手段とを有することを特徴とする。
【００２１】
本発明は、上記温度補償型電圧制御発振回路において、容量変更手段が、第３のコンデンサとダイオードとを有し、第３のコンデンサの一端が水晶振動子の他端とトランジスタのベースとの間に接続すると共に、第３のコンデンサの他端がダイオードのカソード側に接続され、ダイオードのアノード側が接地され、容量変換制御回路から供給される電圧が第３のコンデンサとダイオードの間に印加されることを特徴とする。
【００２２】
本発明は、上記温度補償型電圧制御発振回路において、容量変換制御回路が、電圧が印加される複数の抵抗と、異なる温度特性を備える複数のサーミスタとを備え、水晶振動子の周囲温度に応じて複数のサーミスタの抵抗値が可変となって容量変更手段へ供給する電圧が可変となることを特徴とする。
【００２３】
本発明は、上記温度補償型電圧制御発振回路において、水晶振動子の周囲温度を検出して信号出力する温度センサーを設け、容量変換制御回路が、温度センサーからの信号をデジタル変換するアナログ／デジタル変換器と、デジタル変換された信号の値に対して予め水晶振動子で発生する発振周波数を一定に保持するよう、容量変更手段に印加される電圧値を記憶する記憶部と、アナログ／デジタル変換器からの信号を入力し、記憶部を参照して対応する電圧値を読み取って出力する容量変換制御部と、容量変換制御部からの出力をアナログ変換するデジタル／アナログ変換器とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、発振周波数を発生させる水晶振動子と、当該発振周波数を増幅して出力するトランジスタとを有する温度補償型電圧制御発振回路において、水晶振動子とトランジスタのベースとの間に、水晶振動子の周囲温度に応じて水晶振動子で発生する発振周波数を一定に保持するよう、水晶振動子の他端とトランジスタのベースとの間に付加される容量を変更する容量変換回路を設けたものとしているので、水晶振動子の周囲温度に対応してトランジスタにおける容量をダイナミックに可変とし、高感度で発振周波数を一定に保つよう制御できるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２５】
本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
［実施の形態の概要］
本発明の実施の形態に係る温度補償型電圧制御発振回路は、水晶振動子の周囲温度の変化に対応して発振周波数を一定に保持する容量に相当する電圧値に変換する容量変換回路と、当該容量変換回路によって設定される容量に従ってＮＰＮ型トランジスタＱのコレクタＣとベースＢとの間の容量をダイナミックに可変とする容量変更手段とを設け、駆動電圧の低電圧化に対して高感度化を実現し、発振周波数を一定に保つよう制御できるものである。
【００２６】
［本回路：図１］
本発明の実施の形態に係る温度補償型電圧制御発振回路について図１を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る温度補償型電圧制御発振回路の回路図である。
本発明の実施の形態に係る温度補償型電圧制御発振回路（本回路）は、図１に示すように、ＮＰＮ型トランジスタＱのコレクタＣとベースＢとの間に、水晶振動子Ｘ1 と容量変更手段となる可変容量ＣV とが並列に接続され、トランジスタＱのベースＢとエミッタＥとの間にコンデンサＣ1 が接続され、トランジスタＱのコレクタＣとエミッタＥとの間にコンデンサＣ2 が接続される構成である。
【００２７】
［等価回路：図２］
図１に示した本回路の等価回路が図２である。図２は、図１の等価回路図である。
図２に示すように、ＮＰＮ型トランジスタＱのベースＢとコレクタＣとの間に、直列接続の水晶振動子Ｘ1 及び可変容量ダイオードＤ1 と直列接続のコンデンサＣ1 ，Ｃ2 （分割コンデンサ）とが並列に接続され、トランジスタＱのエミッタＥがコンデンサＣ1 とコンデンサＣ2 との間に接続され、更に上記分割コンデンサに並列にトランジスタＱのベースＢとコレクタＣとの間に可変容量ＣV が接続されている。
【００２８】
［具体的回路：図３］
次に、本回路の具体的回路について図３を参照しながら説明する。図３は、本回路の具体的回路図である。
本回路の具体的回路は、図３に示すように、発振周波数を発生させる水晶振動子Ｘ1 の一端に電圧Ｖc が抵抗Ｒ1 とコイルＬ1 の直列接続を介して印加され、可変容量ダイオードＤ1 のカソード側が抵抗Ｒ1 とコイルＬ1 の間の点に接続し、可変容量ダイオードＤ1 のアノード側が接地されている。
【００２９】
また、水晶振動子Ｘ1 の他端は、ＮＰＮ型トランジスタＱのベースＢに接続し、トランジスタＱのコレクタＣには電源電圧Ｖccが印加されると共に、電源電圧Ｖccが直列接続の抵抗Ｒ2 と抵抗Ｒ3 によって分圧され、抵抗Ｒ2 と抵抗Ｒ3 との間の点がトランジスタＱのベースＢに接続している。
【００３０】
また、トランジスタＱのベースＢには、直列接続のコンデンサＣ1 ，Ｃ2 の一端が接続し、他端が接地されている。
また、トランジスタＱのエミッタＥには、抵抗Ｒ4 を介して接地されており、エミッタＥと抵抗Ｒ4 の間の点が、コンデンサＣ1 ，Ｃ2 の間の点に接続され、更にコンデンサを介して発振出力を出力端子ＯＵＴから出力している。
【００３１】
更に、水晶振動子Ｘ1 のトランジスタＱのベースＢ側に、容量変換回路１と温度セイサー２が設けられている。尚、容量変換回路１の容量変更手段を可変容量ＣV で表し、一端が水晶振動子Ｘ1 の出力段に接続し、他端が接地される構成となっている、
ここで、容量変換回路１は、水晶振動子Ｘ1 とトランジスタＱのベースＢとの間に付加される容量を可変にする機能を備えている。
【００３２】
［容量変換回路：図４］
次ぎに、本回路における容量変換回路１について図４を参照しながら説明する。図４は、本回路における容量変換回路の回路図である。
本回路における容量変換回路１は、図４に示すように、容量変換制御回路１１と、容量変更手段１２とから構成されている。
尚、図４の容量変換制御回路１１は、内部に温度センサー２の機能を備える構成となっている。
【００３３】
［容量変換制御回路１１］
容量変換制御回路１１は、電源電圧Ｖccが一端に印加される抵抗Ｒ′1 と、抵抗Ｒ′1 の他端に並列接続する抵抗Ｒ′2 とサーミスタＴＨ1 と、抵抗Ｒ′2 とサーミスタＴＨ1 を接続する線には、抵抗Ｒ′3 とサーミスタＴＨ2 が直列接続され、サーミスタＴＨ2 の他端が接地され、また、抵抗Ｒ′2 とサーミスタＴＨ1 を接続する線には、抵抗Ｒ′4 とサーミスタＴＨ3 が直列接続され、サーミスタＴＨ3 の他端が接地されている。
また、抵抗Ｒ′4 とサーミスタＴＨ3 を結ぶ線に抵抗Ｒ5 の一端が接続され、その他端が容量変更手段１２に接続している。
【００３４】
ここで、サーミスタＴＨ1 〜ＴＨ3 は、異なる温度特性を備えるもので、温度センサーとして一般的に利用されるＮＴＣ（Negative Temperature Coefficient）タイプを用い、温度上昇に対して抵抗値が減少して電流を流すものである。温度特性として電流を流す温度は、サーミスタＴＨ1 〜ＴＨ3 の順に高く設定されている。
また、抵抗Ｒ′1 〜Ｒ5 は、サーミスタＴＨ1 〜ＴＨ3 の三つの温度特性に応じて抵抗値が設定され、全体として容量変更手段１２に容量変更のための電圧を提供している。
【００３５】
［容量変更手段１２］
容量変更手段１２は、コンデンサＣ3 とダイオードＤ2 が直列接続され、抵抗Ｒ5 の他端がコンデンサＣ3 とダイオードＤ2 を結ぶ線に接続している。
ここで、ダイオードＤ2 のカソード側がコンデンサＣ3 に接続され、アノード側が接地されている。
また、コンデンサＣ3 の他端は図３の接続点Ａに接続し、ダイオードＤ2 の他端（アノード側）は接続点Ａ′に接続されている。
【００３６】
容量変更手段１２は、容量変換制御回路１１の抵抗Ｒ5 から出力される電圧によって、コンデンサＣ3 とダイオードＤ2 との間の電圧が決まり、当該電圧の高低によってコンデンサＣ3 の容量を可変にする。
例えば、抵抗Ｒ5 からの電圧が高ければ、コンデンサＣ3 の容量は小さくなり、抵抗Ｒ5 からの電圧が低ければ、コンデンサＣ3 の容量は大きくなる。
容量変換制御回路１１から供給される電圧は、周囲温度に応じて発振周波数を一定に保つよう容量変更手段１２のコンデンサＣ3 の容量が調整されるものである。
【００３７】
［別の容量変換制御回路１１′：図５］
次ぎに、別の容量変換制御回路１１′について図５を参照しながら説明する。図５は、別の容量変換制御回路の構成ブロック図である。
図４の容量変換制御回路１１はアナログ回路であるが、図５の別の容量変換制御回路１１′は、デジタル回路で構成したもので、ＩＣ（Integrated Circuit）化したものである。
【００３８】
別の容量変換制御回路１１′は、図５に示すように、温度センサー２から入力される水晶振動子Ｘ1 の周辺温度の値（例えば、温度に対応した電圧値）のアナログ値をデジタル値に変換するＡ／Ｄ変換器（Ａ／Ｄ）１１１と、温度に対応した値とその値に対応して容量変更手段１２に印加する電圧値を記憶する記憶部、例えばＲＯＭ（Read Only Memory）１１２と、Ａ／Ｄ変換された温度に対応した値を読み込み、当該値に対応した電圧値をＲＯＭ１１２から読み取って出力する容量変換制御部１１３と、容量変換制御部１１３からのデジタルの電圧値をアナログ変換するＤ／Ａ変換器（Ｄ／Ａ）１１４とから構成されている。
【００３９】
ここで、ＲＯＭ１１２に記憶された温度の値と容量変更手段１２に印加する電圧値との関係は、上記電圧値により容量変更手段１２で変更する容量を決定するものであり、当該変更される容量により周囲温度に応じて発振周波数を一定に保持するものとなっている。
つまり、上記電圧値は、周囲温度に応じて発振周波数を一定に保持するために、予め実験又はシミュレーション等によって設定されるものである。
【００４０】
別の容量変換制御回路１１′の動作は、温度センサー２で水晶振動子Ｘ1 の周辺温度を検出し、検出された温度の値をＡ／Ｄ変換器１１１でデジタルに変換し、容量変換制御部１１３がデジタル変換された温度の値に対応した容量変更手段１２に印加する電圧値をＲＯＭ１１２から読み取り、Ｄ／Ａ変換器１１４でアナログ変換して容量変更手段１２に出力する。
容量変更手段１２では、容量変換制御回路１１′から出力される電圧によって容量を変更することで、発振周波数を一定に保つよう制御される。
【００４１】
尚、本発明の実施の形態について、水晶を用いた型で説明してきたが、本回路は、水晶を用いたもののみならず、水晶振動子の替わりにＳＡＷ（Surface acoustic wave：弾性表面波）共振子を用いてもよく、また誘電体共振子を用いても有効である。
【００４２】
［実施の形態の効果］
本回路によれば、コルピッツ型の温度補償型電圧制御発振回路において、水晶振動子Ｘ1 とＮＰＮ型トランジスタＱのベースとを接続する線に、水晶振動子Ｘ1 の周囲温度に応じて発振周波数を一定に保持するために容量を可変にする容量変換回路１を設けて、周囲温度に応じた容量により発振振動子Ｘ1 の発振周波数を調整するようにしているので、等価回路としてのＮＰＮ型トランジスタＱのコレクタＣとベースＢとの間の容量をダイナミックに可変とし、高感度で発振周波数を一定に保つよう制御できる効果がある。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明は、周囲温度に対応してトランジスタＱにおける容量をダイナミックに可変とし、高感度で発振周波数を一定に保つよう制御できる温度補償型電圧制御発振回路に好適である。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施の形態に係る温度補償型電圧制御発振回路の回路図である。
【図２】図１の等価回路図である。
【図３】本回路の具体的回路図である。
【図４】本回路における容量変換回路の回路図である。
【図５】別の容量変換制御回路の構成ブロック図である。
【図６】従来のコルピッツ型水晶発振回路の回路図である。
【図７】図６の等価回路図である。
【図８】従来の水晶発振回路の具体的回路図である。
【符号の説明】
【００４５】
１…容量変換回路、  ２…温度センサー、  １１，１１′…容量変換制御回路、  １２…容量変更手段、  １１１…Ａ／Ｄ変換回路、  １１２…ＲＯＭ、  １１３…容量変換制御部、  １１４…Ｄ／Ａ変換器、  Ｃ…コンデンサ、  ＣV …可変容量、  Ｄ…ダイオード、  Ｌ…コイル、  Ｑ…トランジスタ、  Ｒ…抵抗、  ＴＨ…サーミスタ、  Ｘ1 …水晶振動子
【図１】
2010062746.tif 000003
【図２】
2010062746.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2010062746.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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