(57)【要約】【課題】半導体レーザ装置の製造工程の中で、共振器端面近傍のバンドギャップを拡大するために、不純物の拡散を行なったり、共振器端面にレーザ光を照射したりしなくても、ＣＯＤ防止に有効な窓構造を実現する。【解決手段】本発明の半導体レーザ装置は、共振器の一方の端面３からレーザ光を出射する半導体レーザ素子１と、この半導体レーザ素子１が実装されるサブマウント材２とを備えるもので、サブマウント材２の第１の領域６を第２の領域７よりも熱膨張係数の低い材料で構成することにより、半導体レーザ素子１の光出射側の共振器端面３部分に引っ張り歪を付与した。【選択図】図１
2010027942.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共振器の一方の端面からレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子が実装される実装体とを備え、
前記半導体レーザ素子の光出射側の共振器端面部分に引っ張り歪を付与してなる
半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記実装体は、前記半導体レーザ素子が実装される素子実装領域が、前記共振器長方向において、前記光出射側の共振器端面部分に対応する第１の領域と、当該第１の領域を除く第２の領域とに区分され、前記第１の領域が前記第２の領域よりも熱膨張係数の小さい材料で構成されている
請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記第１の領域の熱膨張係数が、前記半導体レーザ素子の熱膨張係数よりも小さく、前記第２の領域の熱膨張係数が、前記半導体レーザ素子の熱膨張係数と同等である
請求項２記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記実装体は、前記半導体レーザ素子が実装される素子実装領域が、前記共振器長方向において、前記光出射側の共振器端面部分に対応する第１の領域と、当該第１の領域を除く第２の領域とに区分され、前記第２の領域に複数の凹溝が形成されている
請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記複数の凹溝を前記共振器の幅と同等の幅で形成してなる
請求項４記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記実装体は、前記半導体レーザ素子が実装される素子実装領域が、前記共振器長方向において、前記光出射側の共振器端面部分に対応する第１の領域と、当該第１の領域を除く第２の領域とに区分され、前記第１の領域の肉厚が前記第２の領域の肉厚よりも厚い
請求項１記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記第１の領域の肉厚が前記第２の領域の肉厚よりも厚くなるように、前記実装体に対して、前記半導体レーザ素子が実装される実装面と反対側の面にザグリ部を設けるとともに、当該ザグリ部を前記共振器の幅と同等の幅で形成してなる
請求項６記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置に関する。詳しくは、半導体レーザ素子の端面劣化を防止する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、高出力の半導体レーザにおいては、高出力動作時にレーザ光の出射側の共振器端面で、光吸収に伴う発熱に起因した突然破壊現象：ＣＯＤ（Catastrophic Optical Damage）が起こる場合がある。ＣＯＤの発生は、高出力動作や高信頼性の妨げになっている。ＣＯＤの発生を防止するために幾つかの技術が提案されている。その一つとして、例えば、共振器端面（以下、単に「端面」とも記す）をコーティングする「端面コート工程」の前に、プラズマによる共振器端面の「クリーニング工程」を導入することにより、共振器端面の界面準位を低減する技術が知られている。ただし、上記の「クリーニング工程」を導入しても、ＣＯＤの発生を十分に抑制することはできない。
【０００３】
そこで、ウエハ処理工程で共振器端面付近に相当する部分に不純物を拡散させ、量子井戸を混晶化させることにより、半導体レーザの端面近傍のバンドギャップを拡大し、光吸収を低減した「窓構造」が提案されている。ただし、この技術では、上記ウエハ処理工程を含む半導体レーザの製造工程が複雑になるという欠点がある。また、不純物を導入する工程が存在するため、その際に生じる点欠陥などが長期の信頼性を低減させるという欠点もある。ちなみに、「窓構造」とは、共振器端面近傍の活性層のバンドギャップを拡大して、当該共振器端面での光吸収を低減する構造をいう。また、「共振器端面」とは、共振器としての機能を実現するために劈開されるレーザ端面をいう。
【０００４】
上記の「窓構造」を実現する他の技術として、Ｉｎ（インジウム）を含む窒化物系化合物半導体を用いた半導体レーザの製造方法として、半導体レーザの共振器端面を形成した後、当該共振器端面にレーザ光を照射することにより、端面付近でＩｎ組成を低下させてバンドギャップを拡大する技術が知られている（特許文献１を参照）。
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１４７８１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、半導体レーザ装置の製造工程の中で、共振器端面近傍のバンドギャップを拡大するために、不純物の拡散を行なったり、共振器端面にレーザ光を照射したりしなくても、ＣＯＤ防止に有効な窓構造を実現することができる仕組みを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る半導体レーザ装置は、共振器の一方の端面からレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子が実装される実装体とを備え、前記半導体レーザ素子の光出射側の共振器端面部分に引っ張り歪を付与した構成となっている。
【０００８】
本発明に係る半導体レーザ装置においては、活性層に圧縮歪が生じた半導体レーザ素子を実装体に実装した場合に、当該半導体レーザ素子の光出射側の共振器端面部分に付与される引っ張り歪が、活性層の圧縮歪みを打ち消すように作用する。このため、圧縮歪によってレーザ内部に生じるピエゾ電界が減少する。したがって、半導体レーザ素子の光出射側の共振器端面部分でバンドギャップが拡大する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、半導体レーザ装置の製造工程の中で、共振器端面近傍のバンドギャップを拡大するために、不純物の拡散を行なったり、共振器端面にレーザ光を照射したりしなくても、ＣＯＤ防止に有効な窓構造を実現することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明の具体的な実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、本発明の技術的範囲は以下に記述する実施の形態に限定されるものではなく、発明の構成要件やその組み合わせによって得られる特定の効果を導き出せる範囲において、種々の変更や改良を加えた形態も含む。
【００１１】
本発明に係る半導体レーザ装置は、共振器の一方の端面からレーザ光を出射する半導体レーザ素子と、この半導体レーザ素子が実装される実装体とを備えるものである。一般に、半導体レーザ素子は、レーザ光の出射時に熱を発生する。このため、半導体レーザ素子で発生した熱を効率良く外部に逃がすために、半導体レーザ装置を構成する部品の一つとして、ヒートシンクが用いられている。ただし、ヒートシンクを構成する材料と半導体レーザ素子を構成する材料は、熱膨張係数の差が大きい。このため、半導体レーザ素子を直にヒートシンクに実装すると、両者の熱長係数差によって、半導体レーザ素子に反り等が発生する。
【００１２】
このような技術的背景から、半導体レーザ装置の構成として、半導体レーザ素子とヒートシンクとの間に、熱膨張係数差による応力を緩和するために、サブマウント材と呼ばれる中間体を介在させた構成が採用されている。本発明に係る半導体レーザ装置においては、一例として、半導体レーザ素子をサブマウント材に実装した構成を採用するものとする。そうした場合、サブマウント材は、前述した「実装体」に相当するものとなる。
【００１３】
（第１の実施の形態）
図１は本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構成を示す側面概略図である。図１においては、半導体レーザ素子１がサブマウント材２に実装されている。半導体レーザ素子１の下面は、サブマウント材２の上面に接している。半導体レーザ素子１の下面側には、発光層となるｐ−ｎ接合の活性層（不図示）が設けられている。また、半導体レーザ素子１の光出射側の端面３は、サブマウント材２の端面に合わせて、当該サブマウント端面と面一に配置されている。
【００１４】
半導体レーザ素子１は、ＧａＮ（窒化ガリウム）基板を用いた、いわゆるＧａＮ系の半導体レーザ素子であって、青紫色のレーザ光を出射する。半導体レーザ素子１は、平面視長方形のチップ状に形成されている。半導体レーザ素子１は、図示はしないが、ストライプ構造の共振器（光共振器）を有している。
【００１５】
共振器は、例えばＩｎＧａＮからなる活性層にストライプ状に形成されるものである。共振器の長さ方向（以下、「共振器長方向」と記す）の両端には、それぞれ劈開による端面（以下、「共振器端面」）３，４が形成されている。共振器長方向は、図１の左右方向に相当する。各々の共振器端面３，４は、２枚の平行な反射鏡を構成するもので、一方の共振器端面３の光反射率が他方の共振器端面４の光反射率よりも低くなっている。このため、共振器内で反射を繰り返して発振した光は、レーザ光となって一方の共振器端面３から空気中に出射される。
【００１６】
サブマウント材２は、半導体レーザ素子１よりも大きな面積で平面視長方形の板状に形成されている。サブマウント材２は、半導体レーザ素子１が実装される素子実装領域５を有している。サブマウント材２の素子実装領域５は、共振器長方向において、半導体レーザ素子１の光出射側の共振器端面３部分に対応する第１の領域６と、当該第１の領域６を除く第２の領域７とに区分されている。
【００１７】
「光出射側の共振器端面部分」とは、光出射側の共振器端面３から所定寸法Ｌまでの部分をいう。所定寸法Ｌは、例えば最小で１μｍ、最大で５０μｍで規定される寸法である。光出射側の共振器端面３から所定寸法Ｌまでの部分は、ＣＯＤの発生確率が他の部分よりも高い部分となる。特に、光出射側の共振器端面３から５μｍまでの部分は、ＣＯＤの発生確率が非常に高い部分となる。したがって、ＣＯＤの発生を防止するという観点から、所定寸法Ｌは、最小で１μｍ、最大で５μｍで規定することが望ましい。
【００１８】
また、サブマウント材２の素子実装領域５において、第１の領域６は、半導体レーザ素子１の光出射側の共振器端面３部分に対し、平面的に見て、当該共振器端面３部分に重なり合うサブマウント材２の部分領域をいう。具体的には、半導体レーザ素子１の光出射側の共振器端面と面一に配置されたサブマウント材２の端面から、共振器端面部分と同等の寸法Ｌまでの部分をいう。ここで記述する「同等の寸法」とは、上記所定寸法と同一の寸法、又は上記所定寸法よりも数μｍほど大きい寸法をいう。
【００１９】
サブマウント材２は、熱膨張係数の異なる複数種の金属材料（複合材料）を用いて構成されている。サブマウント材２の第１の領域６と第２の領域７は、熱膨張係数の異なる材料によって構成されている。第１の領域６を構成する材料の熱膨張係数は、第２の領域７を構成する材料の熱膨張係数よりも小さい構成になっている。また、半導体レーザ素子１の熱膨張係数（ｃ軸方向の熱膨張係数＝３．２）を基準に考えると、第１の領域６の熱膨張係数は、半導体レーザ素子１の熱膨張係数よりも小さく、第２の領域７の熱膨張係数は、半導体レーザ素子１の熱膨張係数と同等の構成になっている。「熱膨張係数が同等」とは、材料の熱膨張係数の差が±１０％の範囲をいう。具体的な金属材料として、第１の領域６は、例えばＦｅ（鉄）−Ｎｉ（ニッケル）合金で構成され、第２の領域７は、例えばＡｌＮ（窒化アルミニウム）で構成されている。
【００２０】
サブマウント材２は、例えば、未焼結のＡｌＮ材にスルーホールを空けておき、その中にＦｅ−Ｎｉ合金を挿入した状態で焼結するなどの方法により作製することができる。また、ＡｌＮからなる部材とＦｅ−Ｎｉ合金からなる部材を、例えば半田接合、ロウ付けなどにより接合した後、切断するなどの方法を適用して作製してもよい。
【００２１】
半導体レーザ素子１は、活性層となる部分がサブマウント材２側に向くように、ジャンクションダウン(Junction-down)方式で、サブマウント材２に半田材料を用いて接合されている。半導体レーザ素子１の接合に使用する半田材料としては、例えば、金すず半田材料（Ａｕ80Ｓｕ20など）を用いることができる。
【００２２】
本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置を製造する場合は、半導体レーザ素子１をサブマウント材２に実装する「素子実装工程」において、両者の接合に使用する金すず半田材料をその融点２８０℃以上に加熱して当該半田材料を溶融し、半導体レーザ素子１とサブマウント材２の双方に当該半田材料を馴染ませる。そして、半導体レーザ素子１とサブマウント材２を相互に位置合わせした状態で、常温（室温）まで降温させる。
【００２３】
そうすると、半田材料の融点と室温との温度差によって、半導体レーザ素子１の光出射側の共振器端面３部分に引っ張り歪が付与された状態となる。特に、上記のジャンクションダウン方式で半導体レーザ素子１をサブマウント材２に実装すれば、半導体レーザ素子１の活性層に対して、効果的に引っ張り歪を印加することができる。この引っ張り歪は、サブマウント材２の第１の領域６と第２の領域７の熱膨張係数差によって生じるものである。すなわち、第１の領域６の熱膨張係数は、半導体レーザ素子１の熱膨張係数よりも小さく、第２の領域７の熱膨張係数は、第１の領域６の熱膨張係数よりも大きく且つ半導体レーザ素子１の熱膨張係数と同等になっている。このため、半田材料の融点から室温まで降温する過程で、半導体レーザ素子１の光出射側の共振器端面３部分の熱収縮が、サブマウント材２の第１の領域６との物理的な接合によって抑制される。その結果、室温レベルまで降温した段階では、半導体レーザ素子１の光出射側の共振器端面３部分に定常的に引っ張り歪が加わった状態となる。
【００２４】
一般に、ＧａＮ基板上の青紫色レーザでは、活性層にＧａＮとは格子不整合なＩｎＧａＮを用いている。このため、格子歪(圧縮歪)によりレーザ内部にピエゾ電界を生じている。そのピエゾ電界により量子井戸活性層内で量子閉じ込めシュタルクシフトによるバンドギャップ波長の長波化が生じている。例えばＩｎ0.08ＧａＮ層を活性層とした場合、その歪量は０．９％程度である。
【００２５】
これに対して、上記の温度差によって光出射側の共振器端面３部分に付与される引っ張り歪は、上記ＩｎＧａＮ活性層の圧縮歪を打ち消すように作用する。例えば、熱膨張係数＝４．５のＡｌＮと、熱膨張係数＝２．５のＦｅ−Ｎｉ合金を用いた場合は、室温を２５℃とすると、ＡｎＮに接触する部分とＦｅ−Ｎｉ合金に接触する部分で、０．０６４％の歪量の差が生じる。このため、本構造によれば、ＩｎＧａＮ活性層の圧縮歪を、Ｆｅ−Ｎｉ合金に接触している部分で、０．０６４％(活性層の圧縮歪に対する比率で約７％）低減できることになる。Ｆｅ−Ｎｉ合金からなる第１の領域６に接触するレーザ素子部は、ＡｌＮからなる第２の領域７に接触するレーザ素子部に対してピエゾ電界が減少し、バンドギャップ波長が短波化する。このため、共振器端面近傍の活性層のバンドギャップを拡大した窓構造を実現し、共振器端面での光吸収を低減することができる。その結果、高出力動作時等のＣＯＤの発生を有効に防止することが可能となる。
【００２６】
なお、上記第１の実施の形態においては、サブマウント材２の素子実装領域５を第１の領域６とこれを除く第２の領域７に区分し、第１の領域６を相対的に熱膨張係数の低い材料で構成するものとしたが、本発明はこれに限らない。すなわち、サブマウント材２の素子実装領域５において、半導体レーザ素子１の光出射側とは反対側の共振器端面４部分に対応する領域を「第３の領域」とし、当該「第３の領域」を上記第１の領域６と同様に低熱膨張係数材料で構成してもよい。かかる構成を採用すれば、光出射側の共振器端面とその反対側の共振器端面の双方で、ＣＯＤの発生を有効に防止することが可能となる。
【００２７】
（第２の実施の形態）
図２は本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構成を示す側面概略図である。なお、本第２の実施の形態においては、上記第１の実施の形態で挙げた構成部分と同様の部分に同じ符号を付して説明する。図示のように、半導体レーザ素子１はサブマウント材２に実装されている。本第２の実施の形態においては、上記第１の実施の形態と比較して、サブマウント材２の構成（構造）が異なる。すなわち、サブマウント材２は、前述した２種類の金属材料を適用した複合材料ではなく、半導体レーザ素子１よりも熱膨張係数が小さい１種類の金属材料（合金を含む）を用いて構成されている。ここでは一例として、サブマウント材２がＦｅ−Ｎｉ合金で構成されるものとする。
【００２８】
サブマウント材２の素子実装領域５は、上記第１の実施の形態と同様に、第１の領域６と第２の領域７に区分されている。そして、第２の領域７には複数の凹溝８が形成されており、第１の領域６には凹溝８が形成されていない。各々の凹溝８は、サブマウント材２の上面（即ち、半導体レーザ素子１が接合される素子実装面）に形成されている。また、複数の凹溝８は、図３の平面図に示すように、半導体レーザ素子１の共振器の幅と同等の幅Ｗｔで形成されている。ここで記述する「同等の幅」とは、共振器幅±１０％の範囲をいう。半導体レーザ素子１の共振器の幅は、例えば、半導体レーザ素子１のチップ幅Ｗｃを２００μｍ程度とすると、それよりも狭い幅、例えばＷｔ＝２０μｍ程度に設定される。また、複数の凹溝８は、共振器長方向（図３の左右方向）に一定の間隔で周期的に並べて設けられている。各々の凹溝８は、平面視長方形の開口形状に形成されるとともに、その長手方向が共振器幅方向、その短手方向が共振器長方向に対応するものとなっている。各々の凹溝８の深さ寸法Ｄ１は、例えばサブマウント材２の厚さをＴsbとすると、Ｄ１＝Ｔsb×０．５に設定されている。
【００２９】
本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置を製造する場合は、半導体レーザ素子１をサブマウント材２に実装する「素子実装工程」において、両者の接合に使用する半田材料、例えば金すず半田材料をその融点２８０℃以上に加熱して当該半田材料を溶融し、半導体レーザ素子１とサブマウント材２の双方に当該半田材料を馴染ませる。そして、半導体レーザ素子１とサブマウント材２を相互に位置合わせした状態で、常温（室温）まで降温させる。
【００３０】
そうすると、半田材料の融点と室温との温度差によって、半導体レーザ素子１の光出射側の共振器端面３部分に引っ張り歪が付与された状態となる。特に、上記のジャンクションダウン方式で半導体レーザ素子１をサブマウント材２に実装すれば、半導体レーザ素子１の活性層に対して、効果的に引っ張り歪を印加することができる。この引っ張り歪は、半導体レーザ素子１とサブマウント材２の熱膨張係数差によって生じるものである。すなわち、サブマウント材２は、半導体レーザ素子１よりも熱膨張係数の低い材料で構成されている。このため、半田材料の融点から室温まで降温する過程で、半導体レーザ素子１の熱収縮が、サブマウント材２との物理的な接合によって抑制される。この場合、サブマウント材２の第１の領域６と第２の領域７に着目すると、第２の領域７は、複数の凹溝８の存在により、第１の領域６よりも剛性が低くなる。このため、半導体レーザ素子１に対して、サブマウント材２の第２の領域７の剛性を、複数の凹溝８の存在によって弱めることにより、半導体レーザ素子１の光出射側の共振器端面３部分に集中的に引っ張り歪が作用する。その結果、室温レベルまで降温した段階では、半導体レーザ素子１の光出射側の共振器端面３部分に定常的に引っ張り歪が加わった状態となる。
【００３１】
したがって、上記第１の実施の形態と同様の理由（ピエゾ電界の減少等）により、共振器端面３でのバンドギャップ波長が短波化する。このため、共振器端面近傍の活性層のバンドギャップを拡大した窓構造を実現し、共振器端面での光吸収を低減することができる。その結果、高出力動作時等のＣＯＤの発生を有効に防止することが可能となる。また、サブマウント材２の第２の領域７において、複数の凹溝８を共振器の幅と同等の幅Ｗｔで形成することにより、当該第２の領域７で共振器に作用する引っ張り歪を低減しつつ、凹溝８の存在による排熱効率の低下を抑えることができる。
【００３２】
（第３の実施の形態）
図４は本発明の第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構成を示す側面概略図である。なお、本第３の実施の形態においては、上記第１の実施の形態及び第２の実施の形態で挙げた構成部分と同様の部分に同じ符号を付して説明する。図示のように、半導体レーザ素子１はサブマウント材２に実装されている。本第３の実施の形態においては、上記第１の実施の形態及び第２の実施の形態と比較して、サブマウント材２の構成（構造）が異なる。すなわち、サブマウント材２は、上記第１の実施の形態のような２種類の金属材料を適用した複合材料ではなく、半導体レーザ素子１よりも熱膨張係数が小さい１種類の金属材料（合金を含む）を用いて構成されている。ここでは一例として、サブマウント材２がＦｅ−Ｎｉ合金で構成されるものとする。また、サブマウント材２の上面（半導体レーザ素子１が実装される実装面）には、上記第２の実施の形態のような複数の凹溝８が形成されておらず、その反対側の面にザグリ部９が設けられている。
【００３３】
サブマウント材２の素子実装領域５は、上記第１の実施の形態と同様に、第１の領域６と第２の領域７に区分されている。そして、第２の領域７にはザグリ部９が形成されており、第１の領域６にはザグリ部９が形成されていない。このため、第１の領域６の肉厚は、第２の領域７の肉厚よりも厚くなっている。ザグリ部９は、図５の平面図に示すように、半導体レーザ素子１の共振器の幅と同等の幅Ｗｔで形成されている。また、ザグリ部９は、共振器長方向（図５の左右方向）に沿って長く連続した帯状に形成されている。このため、ザグリ部９の長手方向が共振器長方向で、同短手方向が共振器幅方向に対応するものとなっている。ザグリ部９の深さ寸法Ｄ２は、例えばサブマウント材２の厚さをＴsbとすると、Ｄ２＝Ｔsb×０．７５に設定されている。
【００３４】
本発明の第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置を製造する場合は、半導体レーザ素子１をサブマウント材２に実装する「素子実装工程」において、両者の接合に使用する半田材料、例えば金すず半田材料をその融点２８０℃以上に加熱して当該半田材料を溶融し、半導体レーザ素子１とサブマウント材２の双方に当該半田材料を馴染ませる。そして、半導体レーザ素子１とサブマウント材２を相互に位置合わせした状態で、常温（室温）まで降温させる。
【００３５】
そうすると、半田材料の融点と室温との温度差によって、半導体レーザ素子１の光出射側の共振器端面３部分に引っ張り歪が付与された状態となる。特に、上記のジャンクションダウン方式で半導体レーザ素子１をサブマウント材２に実装すれば、半導体レーザ素子１の活性層に対して、効果的に引っ張り歪を印加することができる。この引っ張り歪は、半導体レーザ素子１とサブマウント材２の熱膨張係数差によって生じるものである。すなわち、サブマウント材２は、半導体レーザ素子１よりも熱膨張係数の低い材料で構成されている。このため、半田材料の融点から室温まで降温する過程で、半導体レーザ素子１の熱収縮が、サブマウント材２との物理的な接合によって抑制される。この場合、サブマウント材２の第１の領域６と第２の領域７に着目すると、第２の領域７は、ザグリ部９の存在により、第１の領域６よりも剛性が低くなる。このため、半導体レーザ素子１に対して、サブマウント材２の第２の領域７の剛性を、ザグリ部９の存在によって弱めることにより、半導体レーザ素子１の光出射側の共振器端面３部分に集中的に引っ張り歪が作用する。その結果、室温レベルまで降温した段階では、半導体レーザ素子１の光出射側の共振器端面３部分に定常的に引っ張り歪が加わった状態となる。
【００３６】
したがって、上記第１の実施の形態と同様の理由（ピエゾ電界の減少等）により、共振器端面３でのバンドギャップ波長が短波化する。このため、共振器端面近傍の活性層のバンドギャップを拡大した窓構造を実現し、共振器端面での光吸収を低減することができる。その結果、高出力動作時等のＣＯＤの発生を有効に防止することが可能となる。また、サブマウント材２の第２の領域７において、ザグリ部９を共振器の幅と同等の幅Ｗｔで形成することにより、当該第２の領域７で共振器に作用する引っ張り歪を低減しつつ、ザグリ部９の存在による排熱効率の低下を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構成を示す側面概略図である。
【図２】本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構成を示す側面概略図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る半導体レーザ装置が備えるサブマウント材の構成を示す平面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置の構成を示す側面概略図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る半導体レーザ装置が備えるサブマウント材の構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００３８】
１…半導体レーザ素子、２…サブマウント材、３，４…共振器端面、５…素子実装領域、６…第１の領域、７…第２の領域、８…凹溝、９…ザグリ部
【図１】
2010027942.tif 000003
【図２】
2010027942.tif 000004
【図３】
2010027942.tif 000005
【図４】
2010027942.tif 000006
【図５】
2010027942.tif 000007