(57)【要約】【課題】配向制御突起及びフォトスペーサーが設けられたカラーフィルタの製造にて、ポジ型フォトレジストを用いても、高さ及び幅のバラツキが大きくならないカラーフィルタの製造を可能とするフォトマスクを提供する。カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタを提供する。【解決手段】フォトスペーサーＰｓの形成に対応したパターンは遮光膜５２であり、配向制御突起Ｍｖの形成に対応したパターンは微細遮光膜（グレートーン部）５４であり、該微細遮光膜（グレートーン部）はストライプ状遮光膜５５の幅方向中央部にストライプ状透光スリット５６が設けられている。ストライプ状遮光膜の幅が９〜１３μｍ、ストライプ状透光スリットの幅が１．５〜３．５μｍである。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポジ型フォトレジストを用い、近接露光により配向制御突起及びフォトスペーサーを１露光で同時に形成する際に使用するフォトマスクにおいて、
１）前記フォトマスク上の、該フォトスペーサーの形成に対応したパターンは遮光膜であり、
２）前記フォトマスク上の、該配向制御突起の形成に対応したパターンは微細遮光膜（グレートーン部）であり、該微細遮光膜（グレートーン部）はストライプ状遮光膜の幅方向中央部にストライプ状透光スリットが設けられていることを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】
前記ストライプ状遮光膜の幅が９〜１３μｍ、ストライプ状透光スリットの幅が１．５〜３．５μｍであることを特徴とする請求項１記載のフォトマスク。
【請求項３】
ガラス基板上に少なくともブラックマトリックス、着色画素、透明導電膜が形成され、該透明導電膜上に配向制御突起及びフォトスペーサーを形成するカラーフィルタの製造方法において、
１）前記ガラス基板上に少なくともブラックマトリックス、着色画素を順次に形成する工程、
２）該ブラックマトリックス、着色画素が形成されたガラス基板上の全面に透明導電膜を形成する工程、
３）該透明導電膜が形成されたガラス基板上に、ポジ型フォトレジストの塗膜を設け、フォトマスクを介した近接露光による１露光、及び現像処理により配向制御突起及びフォトスペーサーを形成する工程を具備し、
前記フォトマスクとして請求項１又は請求項２記載のフォトマスクを用い、配向制御突起及びフォトスペーサーを同時に形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法。
【請求項４】
請求項３記載のカラーフィルタの製造方法を用いて製造したことを特徴とするカラーフィルタ。
【請求項５】
請求項４記載のカラーフィルタを用いて製造したことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置用カラーフィルタの製造に関するものであり、特に、透明導電膜上に、ポジ型フォトレジストを用いて配向制御突起及びフォトスペーサーを形成する際に、１工程で配向制御突起及びフォトスペーサーの高さ及び幅を良好に形成するすることのできるフォトマスク、カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置に用いられるカラーフィルタの製造方法としては、先ず、ガラス基板上にブラックマトリックスを形成し、次に、ブラックマトリックスが形成されたガラス基板上のブラックマトリックスのパターンに位置合わせして着色画素を形成し、更に透明導電膜を形成するといった方法が広く用いられている。
【０００３】
ブラックマトリックスは遮光性を有し、カラーフィルタの着色画素の位置を定め、大きさを均一なものとし、また、表示装置に用いられた際に、好ましくない光を遮蔽し、表示装置の画像をムラのない均一な、且つコントラストを向上させた画像にする機能を有している。このブラックマトリックスの形成は、例えば、黒色フォトレジストを用いたフォトリソグラフィ法によって形成するといった方法がとられている。
【０００４】
また、着色画素は、例えば、赤色、緑色、青色のフィルタ機能を有するものであり、このブラックマトリックスが形成されたガラス基板上に、顔料などの色素を分散させたネガ型フォトレジストの塗布膜を設け、この塗布膜への露光、現像によって着色画素を形成するといった方法がとられている。
また、透明導電膜の形成は、ブラックマトリックス及び着色画素が形成されたガラス基板上に、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）を用いスパッタ法によって透明導電膜を形成するといった方法がとられている。
【０００５】
上記方法により製造されたカラーフィルタは、液晶表示装置に用いられるカラーフィルタとして基本的な機能を備えたものである。多様な液晶表示装置の実用に伴い、液晶表示装置に用いられるカラーフィルタには、上記基本的な機能に付随して、例えば、１）保護層（オーバーコート層）、２）スペーサー機能を有するフォトスペーサー（突起部）、３）液晶の配向を制御する配向制御突起、４）透過表示の領域と反射表示の領域を通過する光の位相を揃えるための光路差調整層、５）反射表示の領域への光散乱層、などの種々な機能がカラーフィルタの用途、仕様にもとづき付加されるようになった。
【０００６】
図１は、ガラス基板（４０）上にブラックマトリックス（４１）、着色画素（４２）、透明導電膜（４３）が順次に形成された、該透明導電膜（４３）上に配向制御突起及びフォトスペーサーが形成されたカラーフィルタの一例の平面図である。図１は、カラーフィルタの一画素を拡大し模式的に示したものである。また、図２は、図１におけるＡ−Ａ線での断面を更に拡大して示した断面図である。
【０００７】
図１、及び図２に示すように、この一例に示すカラーフィルタは、図１中、Ｘ軸及びＹ軸方向に設けられたブラックマトリックス（４１）の交点の上方にフォトスペーサー（Ｐｓ）が形成されている。また、配向制御突起（Ｍｖ）は、平面視でストライプ状であり画素内で屈曲して形成されている。
液晶表示装置を構成する基板間の間隔を設定するフォトスペーサー（Ｐｓ）の高さ（ｈ１
２）は、２〜４μｍ程度であり、液晶の配向を制御する配向制御突起（Ｍｖ）の高さ（ｈ１１）は、０．８〜１．４μｍ程度である。フォトスペーサー（Ｐｓ）の高さ（ｈ１２）と、配向制御突起（Ｍｖ）の高さ（ｈ１１）は、ｈ１２＞ｈ１１の関係にある。
【０００８】
図３及び図４は、図１及び図２に示すカラーフィルタを構成する配向制御突起（Ｍｖ）及びフォトスペーサー（Ｐｓ）を形成する方法の一例を示す断面図である。この形成方法は、配向制御突起（Ｍｖ）を形成するフォトリソグラフィ工程と、フォトスペーサー（Ｐｓ）を形成するフォトリソグラフィ工程の２工程によって、透明導電膜（４３）上に配向制御突起及びフォトスペーサーを形成する方法である。
【０００９】
図３（ａ）に示すように、ブラックマトリックス（４１）、着色画素（４２）、及び透明導電膜（４３）が順次に形成されたガラス基板（４０）上にフォトレジスト層（６０）が形成されている。図３（ａ）は、配向制御突起（Ｍｖ）を形成するフォトレジストとして、ポジ型フォトレジストが用いられた例である。
配向制御突起（Ｍｖ）の形成には、要求される断面形状及び電気特性の点からポジ型フォトレジストが広く用いられている。
【００１０】
図３（ａ）中、フォトレジスト層（６０）の上方には近接露光のギャップ（Ｇ）を設けてフォトマスク（ＰＭ）が、その膜面（３１）をフォトレジスト層（６０）に対向させて配置されている。図３（ａ）に示すように、このフォトマスク（ＰＭ）には、配向制御突起（Ｍｖ）の形成に対応した遮光部（３２）が設けられ、遮光部（３２）以外の部分は透光部（３３）となっている。
【００１１】
図３（ａ）に示すように、配向制御突起（Ｍｖ）形成用のフォトレジスト層（６０）にフォトマスク（ＰＭ）を介した露光（Ｅ）を行って、フォトスペーサー（Ｐｓ）より高さの低い配向制御突起（Ｍｖ）を形成する。図３（ａ）においては、既に現像処理が完了し、配向制御突起（Ｍｖ）が形成された状態のものを点線で示してある。
フォトレジスト層（６０）の厚さ（Ｈ１）は、形成される配向制御突起（Ｍｖ）の高さ及び幅が良好に形成されるように設定される。従って、図３（ｂ）に示すように、現像処理後に得られる配向制御突起（Ｍｖ）の高さ（ｈ１）及び幅（ｗ１）は所望する高さ及び幅となる。
【００１２】
図４（ａ）、（ｂ）は、図３（ｂ）に示す配向制御突起（Ｍｖ）が形成された透明導電膜（４３）上に、続いてフォトスペーサー（Ｐｓ）を形成する方法を説明する断面図である。図４（ａ）に示すように、ブラックマトリックス（４１）、着色画素（４２）、透明導電膜（４３）、及び配向制御突起（Ｍｖ）が形成されたガラス基板（４０）上にフォトレジスト層（６０−２）が形成されている。
図４（ａ）は、フォトスペーサーを形成するフォトレジストとして、ネガ型フォトレジストが用いられた例である。フォトスペーサーの形成には、ネガ型フォトレジストが広く用いられている。
【００１３】
図４（ａ）中、フォトレジスト層（６０−２）の上方には近接露光のギャップ（Ｇ）を設けてフォトマスク（ＰＭ２）が、その膜面（３１）をフォトレジスト層（６０−２）に対向させて配置されている。
図４（ａ）に示すように、このフォトマスク（ＰＭ２）には、フォトスペーサー（Ｐｓ）の形成に対応した透光部（３３）が設けられ、透光部（３３）以外の部分は遮光部（３２）となっている。
【００１４】
図４（ａ）に示すように、フォトスペーサー形成用のフォトレジスト層（６０−２）にフォトマスク（ＰＭ２）を介した露光（Ｅ）を行って、配向制御突起（Ｍｖ）より高さの
高いフォトスペーサー（Ｐｓ）を形成する。図４（ａ）においては、既に現像処理が完了し、フォトスペーサー（Ｐｓ）が形成された状態のものを点線で示してある。
フォトレジスト層（６０−２）の厚さ（Ｈ２）は、形成されるフォトスペーサー（Ｐｓ）の高さ及び幅が良好に形成されるように設定される。従って、図４（ｂ）に示すように、現像処理後に得られるフォトスペーサー（Ｐｓ）の高さ（ｈ２）及び幅（ｗ２）は所望する高さ及び幅となる。
【００１５】
上記のように、配向制御突起（Ｍｖ）を形成するフォトリソグラフィ工程と、フォトスペーサー（Ｐｓ）を形成するフォトリソグラフィ工程の２工程によって、透明導電膜（４３）上に配向制御突起及びフォトスペーサーを形成する方法は、配向制御突起（Ｍｖ）とフォトスペーサー（Ｐｓ）の各々の高さ及び幅を所望する高さ及び幅に良好に形成することのできる方法である。
【００１６】
しかし、配向制御突起（Ｍｖ）、フォトスペーサー（Ｐｓ）が付加された仕様のカラーフィルタであっても、廉価なカラーフィルタであることが強く要望されており、工程数を低減させて製造するために、様々な技法が提案されている（特許文献参照）。
【００１７】
図５（ａ）は、配向制御突起（Ｍｖ）及びフォトスペーサー（Ｐｓ）を、同一のフォトレジストを用い、１工程で同時に形成する方法の試みの一例を示す断面図である。
図５（ａ）は、配向制御突起（Ｍｖ）に要求される断面形状及び電気特性を優先し、同一のフォトレジストとしてポジ型フォトレジストを用いたものである。図５（ａ）に示すように、ブラックマトリックス（４１）、着色画素（４２）、及び透明導電膜（４３）が順次に形成されたガラス基板（４０）上にポジ型フォトレジストを用いたフォトレジスト層（６０−３）が設けられている。
【００１８】
図５（ａ）中、フォトレジスト層（６０−３）の上方には近接露光のギャップ（Ｇ）を設けてフォトマスク（ＰＭ３）が、その膜面をフォトレジスト層（６０−３）に対向させて配置されている。このフォトマスク（ＰＭ３）には、フォトスペーサー（Ｐｓ）の形成に対応した遮光部（３２）と、配向制御突起（Ｍｖ）の形成に対応した半透光部（３４）が設けられている。
【００１９】
図５（ａ）に示すように、フォトレジスト層（６０−３）にフォトマスク（ＰＭ３）を介した露光（Ｅ）を行って、フォトスペーサー（Ｐｓ）より高さの低い配向制御突起（Ｍｖ）をフォトスペーサー（Ｐｓ）の形成と同時に形成する。
図５（ａ）においては、既に現像処理が完了し、形成された状態の配向制御突起（Ｍｖ）及びフォトスペーサー（Ｐｓ）が点線で示してある。
フォトスペーサー（Ｐｓ）より高さが低い配向制御突起（Ｍｖ）を、フォトスペーサー（Ｐｓ）と同時に形成するために、配向制御突起（Ｍｖ）の形成に対応した半透光部（３４）が設けられている。図５（ａ）に示すフォトマスク（ＰＭ３）は半透光部（３４）が用いられた例である。
【００２０】
図５（ａ）に示す半透光部（３４）は、半透光膜からなるハーフトーン部であり、紫外線を減衰させる薄膜、例えば、金属酸化物膜からなる薄膜で膜厚は均一に設けられている。
例えば、高さ（ｈ４）のフォトスペーサー（Ｐｓ）の形成が良好になされるように、フォトレジスト層（６０−３）への露光が透光部（３３）を介して適正に行われた際に、高さ（ｈ３）の配向制御突起（Ｍｖ）への半透光部（３４）を介した露光も適正に行われるように、半透光膜の透過率をその膜厚で設定する。
【００２１】
図５（ｂ）は、現像処理後の段階での配向制御突起（Ｍｖ）の断面図であるが、フォト
レジストとしてポジ型フォトレジストを用い、フォトマスクとして、フォトスペーサー（Ｐｓ）の形成に対応した遮光部（３２）と、配向制御突起（Ｍｖ）の形成に対応した半透光部（３４）が設けられたフォトマスクを介し、近接露光のギャップ（Ｇ）を設けた露光を行って得られる配向制御突起（Ｍｖ）は、前記図３、図４に示す方法によって得られる配向制御突起に比較し、その高さ（ｈ３）及び幅（ｗ３）のバラツキが大きくなるといった問題がある。
【００２２】
これは、フォトスペーサー（Ｐｓ）より高さの低い配向制御突起（Ｍｖ）を同時に形成する際に、フォトマスク上の配向制御突起の形成に対応した半透光部（３４）に半透光膜を採用すると、近接露光のギャップのバラツキ、例えば、フォトマスクの自重による撓みに起因した面内バラツキの影響を大きく受けるためと推量している。
【００２３】
また、半透光部（３４）に半透光膜を採用するフォトマスクは、遮光膜層、半透光膜層をそれぞれ２回のスパッタにより成膜し、それぞれ描画してパターン形成をするので、フォトマスクの製造コストは高いものとなるといった問題がある。
【特許文献１】特許第４１３２５２８号公報
【特許文献２】特許第３２５５１０７号公報
【特許文献３】特許第３６５１８７４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２４】
本発明は、上記問題を解決するためになされたものであり、ガラス基板（４０）上に、ブラックマトリックス（４１）、着色画素（４２）、透明導電膜（４３）が設けられた、該透明導電膜（４３）上に配向制御突起及びフォトスペーサーが設けられたカラーフィルタの製造において、配向制御突起及びフォトスペーサーの形成に用いるフォトレジストとして、ポジ型フォトレジストを用いても、配向制御突起の高さ及び幅のバラツキが大きくなることのないカラーフィルタの製造を可能とするフォトマスクを提供することを課題とするものである。
また、上記フォトマスクを用いたカラーフィルタの製造方法、並びに、カラーフィルタを提供することを課題とする。
【００２５】
また、これにより、上記ポジ型フォトレジストを用いても配向制御突起の高さ及び幅のバラツキが大きくなることのないカラーフィルタが得られることに加え、フォトマスクは廉価なものとなり、また、フォトスペーサー及び配向制御突起が設けられたカラーフィルタを製造する際に、これまでのネガ型フォトレジスト及びポジ型フォトレジストの２工程を１工程で形成することが可能となり、廉価に、また工期を短縮しカラーフィルタを提供することが可能となる。
更には、ネガ型フォトレジストを用いるフォトスペーサー用製造ラインを不要なものとし、ポジ型フォトレジストに統一してフォトスペーサー及び配向制御突起を製造することが可能となる。多様な仕様のカラーフィルタの製造が１種の製造ラインにて効率よく行うことができるものとなる。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
本発明は、ポジ型フォトレジストを用い、近接露光により配向制御突起及びフォトスペーサーを１露光で同時に形成する際に使用するフォトマスクにおいて、
１）前記フォトマスク上の、該フォトスペーサーの形成に対応したパターンは遮光膜であり、
２）前記フォトマスク上の、該配向制御突起の形成に対応したパターンは微細遮光膜（グレートーン部）であり、該微細遮光膜（グレートーン部）はストライプ状遮光膜の幅方向中央部にストライプ状透光スリットが設けられていることを特徴とするフォトマスクである。
【００２７】
また、本発明は、上記発明によるフォトマスクにおいて、前記ストライプ状遮光膜の幅が９〜１３μｍ、ストライプ状透光スリットの幅が１．５〜３．５μｍであることを特徴とするフォトマスクである。
【００２８】
また、本発明は、ガラス基板上に少なくともブラックマトリックス、着色画素、透明導電膜が形成され、該透明導電膜上に配向制御突起及びフォトスペーサーを形成するカラーフィルタの製造方法において、
１）前記ガラス基板上に少なくともブラックマトリックス、着色画素を順次に形成する工程、
２）該ブラックマトリックス、着色画素が形成されたガラス基板上の全面に透明導電膜を形成する工程、
３）該透明導電膜が形成されたガラス基板上に、ポジ型フォトレジストの塗膜を設け、フォトマスクを介した近接露光による１露光、及び現像処理により配向制御突起及びフォトスペーサーを形成する工程を具備し、
前記フォトマスクとして請求項１又は請求項２記載のフォトマスクを用い、配向制御突起及びフォトスペーサーを同時に形成することを特徴とするカラーフィルタの製造方法である。
【００２９】
また、本発明は、請求項３記載のカラーフィルタの製造方法を用いて製造したことを特徴とするカラーフィルタである。
【００３０】
また、本発明は、請求項４記載のカラーフィルタを用いて製造したことを特徴とする液晶表示装置である。
【発明の効果】
【００３１】
本発明は、ポジ型フォトレジストを用い、近接露光により配向制御突起及びフォトスペーサーを１露光で同時に形成する際に使用するフォトマスクにおいて、該フォトスペーサーの形成に対応したパターンは遮光膜であり、該配向制御突起の形成に対応したパターンは微細遮光膜（グレートーン部）であり、該微細遮光膜（グレートーン部）はストライプ状遮光膜の幅方向中央部にストライプ状透光スリットが設けられているので、配向制御突起及びフォトスペーサーの形成に用いるフォトレジストとして、ポジ型フォトレジストを用いても、配向制御突起の高さ及び幅のバラツキが大きくなることのないカラーフィルタの製造を可能とするフォトマスクとなる。
【００３２】
また、本発明は、上記フォトマスクにおいて、前記ストライプ状遮光膜の幅が９〜１３μｍ、ストライプ状透光スリットの幅が１．５〜３．５μｍであるので、高さ２〜４μｍ程度のフォトスペーサー、及び高さ０．８〜１．４μｍ程度の配向制御突起を具備するカラーフィルタの製造を可能とするフォトマスクとなる。
【００３３】
また、本発明は、上記フォトマスクを用いてカラーフィルタを製造するので、ポジ型フォトレジストを用いても、配向制御突起の高さ及び幅のバラツキが大きくなることのないカラーフィルタの製造が可能となる。
また、これにより、フォトマスクは廉価なものとなり、また、廉価に、また工期を短縮しカラーフィルタを提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明する。
図６は、本発明によるフォトマスクの一例を示す断面図である。このフォトマスク（ＰＭ４）は、カラーフィルタを構成する配向制御突起及びフォトスペーサーをポジ型フォトレジストを用い同時に形成するフォトマスクである。図６に示すフォトマスク（ＰＭ４）は、前記図１に示すカラーフィルタの、Ａ−Ａ線で示す部分と同一部分の形成に対応したフォトマスク上の部分を拡大した断面図である。
【００３５】
図６に示すように、フォトマスク（ＰＭ４）には、フォトスペーサー（Ｐｓ）の形成に対応したパターン（遮光膜（５２））と、フォトスペーサーより高さの低い配向制御突起（Ｍｖ）の形成に対応したパターン（微細遮光膜（グレートーン部）（５４））が設けられている。符号（５３）は透光部を表している。
フォトスペーサー（Ｐｓ）の形成に対応したパターン（遮光膜（５２））は、一様な遮光膜であり、例えば、Ｃｒ及びＣｒＯを用いた低反射膜である。
【００３６】
図７（ａ）は、図６に示す配向制御突起（Ｍｖ）の形成に対応したパターン（微細遮光膜（グレートーン部）（５４））を拡大して示す平面図である。また、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＢ−Ｂ線での断面図である。
図７（ａ）、（ｂ）に示すように、配向制御突起（Ｍｖ）の形成に対応したパターン（微細遮光膜（グレートーン部）（５４））は、ストライプ状遮光膜（５５）の幅方向（図７中、Ｘ方向）の中央部にストライプ状透光スリット（５６）が設けられた構成である。
【００３７】
微細遮光膜（グレートーン部）（５４）は、光を遮光する微細なストライプ状遮光膜（５５）部分と、光を透光する微細なストライプ状透光スリット（５６）部分で構成される微細遮光膜である。
フォトマスクを使用する際に、フォトマスクとフォトレジスト層との間に十分なギャップを与えて、この微細遮光膜を均一な透過率を有するものとして機能させた用い方をする。その透過率は、ストライプ状遮光膜（５５）部分と、ストライプ状透光スリット（５６）部分の面積比を調節して設定する。
ストライプ状遮光膜の材料は、上記遮光膜（５２）と同様に、例えば、Ｃｒ及びＣｒＯを用いた低反射膜である。
【００３８】
図８（ａ）、（ｂ）は、フォトスペーサーの形成に対応したパターン（遮光膜（５２））と、フォトスペーサーより高さの低い配向制御突起（Ｍｖ）の形成に対応したパターン（微細遮光膜（グレートーン部）（５４））が設けられた、図６に示すフォトマスク（ＰＭ４）を用い、フォトスペーサー（Ｐｓ）と配向制御突起（Ｍｖ）を同一のフォトレジストを用い１工程で同時に形成する、本発明によるカラーフィルタの製造方法の説明図である。
【００３９】
図８（ａ）は、配向制御突起（Ｍｖ）に要求される断面形状及び電気特性を優先し、同一のフォトレジストとしてポジ型フォトレジストを用いたものである。
図８（ａ）に示すように、ブラックマトリックス（４１）、着色画素（４２）、及び透明導電膜（４３）が順次に形成されたガラス基板（４０）上にポジ型フォトレジストを用いたフォトレジスト層（６０−４）が設けられている。
【００４０】
図８（ａ）中、フォトレジスト層（６０−４）の上方には近接露光のギャップ（Ｇ）を設けてフォトマスク（ＰＭ４）が、その膜面をフォトレジスト層（６０−４）に対向させて配置されている。フォトレジスト層（６０−４）にフォトマスク（ＰＭ４）を介した露光（Ｅ）を行って、フォトスペーサー（Ｐｓ）より高さの低い配向制御突起（Ｍｖ）をフォトスペーサー（Ｐｓ）の形成と同時に形成する。図８（ａ）においては、既に現像処理が完了し、形成された状態の配向制御突起（Ｍｖ）及びフォトスペーサー（Ｐｓ）が点線で示してある。
【００４１】
図８（ｂ）に示す高さ（ｈ６）のフォトスペーサー（Ｐｓ）の形成が良好になされるように、フォトレジスト層（６０−４）への露光が透光部（５３）を介して適正に行われた際に、高さ（ｈ５）の配向制御突起（Ｍｖ）への微細遮光膜（グレートーン部）（５４）を介した露光も適正に行われるように、微細遮光膜（グレートーン部）の透過率を設定しておく。
【００４２】
図８（ｂ）は、現像処理後の段階での配向制御突起（Ｍｖ）の断面図であるが、フォトレジストとしてポジ型フォトレジストを用い、フォトマスクとして、フォトスペーサー（Ｐｓ）の形成に対応した遮光膜（５２）と、配向制御突起（Ｍｖ）の形成に対応した微細遮光膜（グレートーン部）（５４）が設けられたフォトマスクを介し、近接露光のギャップ（Ｇ）を設けた露光を行って得られる配向制御突起（Ｍｖ）は、前記図５に示す方法によって得られる配向制御突起に比較し、その高さ（ｈ５）及び幅（ｗ５）のバラツキは小さくなる（ｈ５＜ｈ３、ｗ５＜ｗ３）。
【００４３】
これは、フォトスペーサー（Ｐｓ）より高さの低い配向制御突起（Ｍｖ）を同時に形成する際に、フォトマスク上の配向制御突起の形成に対応した微細遮光膜（グレートーン部）を採用すると、近接露光のギャップのバラツキ、例えば、フォトマスクの自重による撓みに起因した面内バラツキの影響を受けることが小さくなるためと推量している。
【実施例】
【００４４】
以下に実施例により具体的に説明する。
＜実施例１＞
Ａ）フォトマスクは、大きさ８００×９２０ｍｍ、厚さ８ｍｍの石英ガラスを用い、図７に示す配向制御突起の形成に対応した微細遮光膜（グレートーン部）（５４）は、そのストライプ状遮光膜（５５）の幅（ａ）を９μｍ、ストライプ状透光スリット（５６）の幅（ｂ）を３μｍとした。露光装置内での近接露光時のギャップのバラツキのレンジ（Ｒ）は４０μｍ程度である。
Ｂ）ポジ型フォトレジストとして、ローム・アンド・ハース電子材料（株）製：ＬＣ１８００（品番）を用いた。上記近接露光時のギャップのバラツキのレンジの４０μｍ程度に対応させ、近接露光のギャップとして、１２０、１５０、１８０μｍの３種を設定し、設定のレンジを６０μｍとした。露光量は５０ｍＪ／ｃｍ2 とした。
Ｃ）図８（ａ）に示すようにして、配向制御突起及びフォトスペーサーを形成した結果、表１に示すように、良好な結果が得られた。すなわち、フォトスペーサー（Ｐｓ）の高さ３．５μｍ、幅３５μｍにて、形成する配向制御突起の目標値：高さ１．２±０．２μｍ、幅１０±２．０μｍに対し、ギャップ設定のレンジ６０μｍにおいて、高さのレンジ０．２１μｍ、幅のレンジ０．４μｍの配向制御突起（Ｍｖ）が得られている。
【表１】
2010175597.tif 000003
【００４５】
＜実施例２＞
【００４６】
Ａ）フォトマスクとして、図７に示す配向制御突起の形成に対応した微細遮光膜（グレートーン部）（５４）は、そのストライプ状遮光膜（５５）の幅（ａ）を１１μｍ、ストライプ状透光スリット（５６）の幅（ｂ）を３μｍとした以外は実施例１と同様である。Ｂ）露光量は６５ｍＪ／ｃｍ2 とした以外は実施例１と同様である。
Ｃ）実施例１と同様配向制御突起及びフォトスペーサーを形成した結果、表２に示すように、良好な結果が得られた。すなわち、フォトスペーサー（Ｐｓ）の高さ３．５μｍ、幅３５μｍにて、形成する配向制御突起の目標値：高さ１．２±０．２μｍ、幅１０±２．
０μｍに対し、ギャップ設定のレンジ６０μｍにおいて、高さのレンジ０．１６μｍ、幅のレンジ０．２μｍの配向制御突起（Ｍｖ）が得られている。
【表２】
2010175597.tif 000004
【００４７】
尚、実施例１及び実施例２に対応した比較になるものとしては、
Ａ）フォトマスクとして、配向制御突起の形成に対応したパターンを、図５に示す半遮光部（３４）の幅を１０μｍとしたフォトマスクを用いた以外は実施例１と同様である。
Ｂ）近接露光のギャップとして、７０、１００、１３０μｍの３種（設定のレンジ６０μｍ）を設定した以外は実施例１と同様である。
Ｃ）実施例１と同様配向制御突起及びフォトスペーサーを形成した結果、表３に示すように、フォトスペーサー（Ｐｓ）の高さ３．５μｍ、幅３５μｍにて、形成する配向制御突起の目標値：高さ１．２±０．２μｍ、幅１０±２．０μｍに対し、ギャップ設定のレンジ６０μｍにおいて、高さのレンジ０．３０μｍ、幅のレンジ０．６μｍであり、目標値に収まるものは得られていない。すなわち、実施例１及び実施例２にて、本発明の効果は明確に示されている。
【表３】
2010175597.tif 000005
【００４８】
＜実施例３＞
【００４９】
実際に用いられる配向制御突起は、〔高さ０．８μｍ、幅７．０μｍ〕〜〔高さ１．４μｍ、幅１２．０μｍ〕の範囲のものであるので、実施例３においては、上記範囲の配向制御突起を形成するための条件を見出した。
表４に示すように、上記範囲の配向制御突起を形成できることが確認された。
【表４】
2010175597.tif 000006
【００５０】
＜実施例４＞
【００５１】
また、実際に用いられるフォトスペーサーは、高さ２．０μｍ〜４．０μｍの範囲のものであるので、実施例４においては、上記範囲のフォトスペーサーを形成する場合においても、同時に形成する配向制御突起を良好に形成するための条件を見出した。
【表５】
2010175597.tif 000007
【図面の簡単な説明】
【００５２】
【図１】ガラス基板上の透明導電膜上に配向制御突起及びフォトスペーサーが形成されたカラーフィルタの一例の平面図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ線での断面を更に拡大して示した断面図である。
【図３】図１及び図２に示すカラーフィルタを構成する配向制御突起及びフォトスペーサーを形成する方法の一例を示す断面図である。
【図４】図１及び図２に示すカラーフィルタを構成する配向制御突起及びフォトスペーサーを形成する方法の一例を示す断面図である。
【図５】配向制御突起及びフォトスペーサーを、同一のフォトレジストを用い、１工程で同時に形成する方法の試みの一例を示す断面図である。
【図６】本発明によるフォトマスクの一例を示す断面図である。
【図７】（ａ）は、図６に示す配向制御突起の形成に対応したパターンを拡大して示す平面図である。（ｂ）は、図７（ａ）のＢ−Ｂ線での断面図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）は、本発明によるカラーフィルタの製造方法の説明図である。
【符号の説明】
【００５３】
３１・・・膜面
３２・・・遮光部
３３・・・透光部
３４・・・半透光部
４０・・・ガラス基板
４１・・・ブラックマトリックス
４２・・・着色画素
４３・・・透明導電膜
５２・・・フォトスペーサーの形成に対応したパターン（遮光膜）
５４・・・本発明における微細遮光膜（グレートーン部）
５５・・・微細遮光膜（グレートーン部）を構成するストライプ状遮光膜
５６・・・微細遮光膜（グレートーン部）を構成するストライプ状透光スリット
６０、６０−２、６０−３、６０−４・・・フォトレジスト層
Ｅ・・・露光光
Ｇ・・・近接露光のギャップ
Ｍｖ・・・配向制御突起
Ｐｓ・・・フォトスペーサー
ＰＭ、ＰＭ２、ＰＭ３・・・フォトマスク
ＰＭ４・・・本発明におけるフォトマスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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