(57)【要約】【課題】半導体レーザ素子部への熱的および機械的な影響が大きくなるのを抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】この半導体レーザ装置１００は、ｎ型ＧａＮ基板１１およびｎ型クラッド層１２と、活性層１３と、ｐ型クラッド層１４とが順に形成された青紫色半導体レーザ素子部１０と、青紫色半導体レーザ素子部１０の上面に接合され、青紫色半導体レーザ素子部１０側からｐ型クラッド層２１および３１と、活性層２２および３２と、ｎ型クラッド層２３および３３とが順に積層する赤色半導体レーザ素子部２０および赤外半導体レーザ素子部３０と、ｎ型ＧａＮ基板１１およびｎ型クラッド層１２側とｎ型クラッド層２３および３３とを上面側から電気的に接続する導電膜５および９と導電材１７ａおよび１７ｂとコンタクト電極層１７ｃおよび１７ｄとを備える。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１半導体層と、第１活性層と、第２導電型の第２半導体層とが順に形成された第１半導体レーザ素子部と、
前記第１半導体レーザ素子部の第２半導体層側である上面に接合され、前記第１半導体レーザ素子部側から第２導電型の第３半導体層と、第２活性層と、第１導電型の第４半導体層とが順に積層するように設けられた第２半導体レーザ素子部と、
前記第１半導体層側と前記第４半導体層とを前記上面側から電気的に接続する導電層とを備える、半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記第１半導体層は、前記上面と反対側に導電性基板を含む、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記第１半導体レーザ素子部には、前記上面から少なくとも前記第１活性層を貫通して前記第１半導体層まで延びる第１孔部が設けられ、
前記導電層は、前記第４半導体層と電気的に接続する導電膜と、前記導電膜と前記第１半導体層とを電気的に接続するように前記第１孔部の内部に埋め込まれる第１導電材とを含む、請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記第１半導体層の前記上面と反対側の面に配置される電極をさらに備え、
前記第１半導体レーザ素子部には、前記第１半導体レーザ素子部を貫通する第２孔部が設けられ、
前記導電層は、前記第４半導体層と電気的に接続する導電膜と、前記導電膜と前記電極とを電気的に接続するように前記第２孔部の内部に埋め込まれる第２導電材とを含む、請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記第１半導体レーザ素子部の発光点は、前記第１半導体レーザ素子部の中央近傍に設けられているとともに、前記導電層は、前記第１半導体レーザ素子部の端部近傍に設けられている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記上面に接合され、前記第１半導体レーザ素子部側から第２導電型の第５半導体層と、第３活性層と、第１導電型の第６半導体層とが順に積層するように設けられた第３半導体レーザ素子部をさらに備える、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置に関し、特に、第１半導体レーザ素子部と第２半導体レーザ素子部とが設けられた半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、第１半導体レーザ素子部と第２半導体レーザ素子部とが設けられた半導体レーザ装置が知られている（たとえば、特許文献１参照）。上記特許文献１には、導電性を有するステム（基台）と、ステムの上面上に配置された基板の表面上に形成された青紫色半導体レーザ素子部（第１半導体レーザ素子部）と、ｎ側電極が上面に位置するように配置され、基板の表面上に絶縁層を介して接合されている赤色半導体レーザ素子部および赤外半導体レーザ素子部（第２半導体レーザ素子部）と、複数のワイヤとを備えた半導体レーザ装置が開示されている。この半導体レーザ装置では、青紫色半導体レーザ素子部の基板の下面に形成されたｎ側電極がステムの上面と電気的に接続されている。また、赤色半導体レーザ素子部のｎ側電極および赤外半導体レーザ素子部のｎ側電極は、それぞれ、ワイヤによってステムの上面と電気的に接続されている。これにより、半導体レーザ装置は、各半導体レーザ素子部の互いのｎ側電極が共通の端子に接続される状態（カソードコモン）になるように構成されている。
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１２８６０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示された半導体レーザ装置では、カソードコモンにする際に、赤色半導体レーザ素子部のｎ側電極および赤外半導体レーザ素子部のｎ側電極とステムとを、それぞれ、ワイヤによって電気的に接続する必要があるため、ワイヤの数が増加するという不都合がある。このため、ワイヤの接続位置が多くなるため、複数のワイヤを赤色半導体レーザ素子部のｎ側電極および赤外半導体レーザ素子部のｎ側電極に対してワイヤボンディングする際に、半導体レーザ素子部への熱的および機械的な影響が大きくなるという問題点がある。
【０００５】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、半導体レーザ素子部への熱的および機械的な影響が大きくなるのを抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００６】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による半導体レーザ装置は、第１導電型の第１半導体層と、第１活性層と、第２導電型の第２半導体層とが順に形成された第１半導体レーザ素子部と、第１半導体レーザ素子部の第２半導体層側である上面に接合され、第１半導体レーザ素子部側から第２導電型の第３半導体層と、第２活性層と、第１導電型の第４半導体層とが順に積層するように設けられた第２半導体レーザ素子部と、第１半導体層側と第４半導体層とを上面側から電気的に接続する導電層とを備える。
【０００７】
この第１の局面による半導体レーザ装置では、上記のように、第１半導体層側と第４半導体層とを上面側から電気的に接続する導電層を備えることによって、第１半導体層側と第４半導体層とを電気的に接続するためのワイヤを別途必要としない。これにより、半導体レーザ装置におけるワイヤの数を減少させることができるので、ワイヤボンディングする際に、第１半導体レーザ素子部および第２半導体レーザ素子部への熱的および機械的な影響が大きくなるのを抑制することができる。これにより、第１半導体レーザ素子部および第２半導体レーザ素子部における不具合の発生を減少させることができる。また、導電層を設けることによって、半導体レーザ装置におけるワイヤを接続するための領域を小さくすることができるので、半導体レーザ装置が大型化するのを抑制することができる。
【０００８】
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１半導体層は、上面と反対側に導電性基板を含む。このように構成すれば、導電性基板は、第１半導体層と電気的に接続されるので、導電層および導電性基板によって、第１半導体レーザ素子部の第１導電型の第１半導体層および第２半導体レーザ素子部の第１導電型の第４半導体層との第１導電型の電極を共通化することができる。なお、第１半導体層を導電性基板のみで構成してもよい。
【０００９】
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１半導体レーザ素子部には、上面から少なくとも第１活性層を貫通して第１半導体層まで延びる第１孔部が設けられ、導電層は、第４半導体層と電気的に接続する導電膜と、導電膜と第１半導体層とを電気的に接続するように第１孔部の内部に埋め込まれる第１導電材とを含む。このように構成すれば、導電膜および第１導電材を用いて、容易に、第１半導体層側と第４半導体層とを電気的に接続することができる。
【００１０】
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１半導体層の上面と反対側の面に配置される電極をさらに備え、第１半導体レーザ素子部には、第１半導体レーザ素子部を貫通する第２孔部が設けられ、導電層は、第４半導体層と電気的に接続する導電膜と、導電膜と電極とを電気的に接続するように第２孔部の内部に埋め込まれる第２導電材とを含む。このように構成すれば、第１導電型の電極と第４半導体層とを直接的に接続することができるので、第２半導体レーザ素子部に印加する電圧をより正確に制御することができる。
【００１１】
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１半導体レーザ素子部の発光点は、第１半導体レーザ素子部の中央近傍に設けられているとともに、導電層は、第１半導体レーザ素子部の端部近傍に設けられている。このように構成すれば、導電層と第１半導体レーザ素子部の発光点との距離を大きくすることができる。これにより、第１半導体レーザ素子部の発光点において、導電層を形成する際に発生する熱的および機械的な影響を軽減することができるので、第１半導体レーザ素子部における不具合の発生を減少させることができる。
【００１２】
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、上面に接合され、第１半導体レーザ素子部側から第２導電型の第５半導体層と、第３活性層と、第１導電型の第６半導体層とが順に積層するように設けられた第３半導体レーザ素子部をさらに備える。このように構成すれば、３つの半導体レーザ素子部を集積化した半導体レーザ装置において、第１半導体層側と第４半導体層とを電気的に接続するためのワイヤを別途必要としない。これにより、半導体レーザ装置におけるワイヤの数を減少させることができるので、ワイヤボンディングする際に、第１半導体レーザ素子部および第２半導体レーザ素子部への熱的および機械的な影響が大きくなるのを抑制することができる。これにより、第１半導体レーザ素子部および第２半導体レーザ素子部における不具合の発生を減少させることができる。また、導電層を設けることによって、半導体レーザ装置におけるワイヤを接続するための領域を小さくすることができるので、３つの半導体レーザ素子部を集積化した半導体レーザ装置が大型化するのを抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１４】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した平面図である。図２は、図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置を示した断面図である。まず、図１および図２を参照して、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１００の構造について説明する。
【００１５】
本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１００では、図１および図２に示すように、約４０５ｎｍの発振波長を有する青紫色半導体レーザ素子部１０と、約６５０ｎｍの発振波長を有する赤色半導体レーザ素子部２０と、約７８０ｎｍの発振波長を有する赤外半導体レーザ素子部３０とからなる３波長半導体レーザ素子部９０が、Ａｕなどからなる金属層１を介して放熱体９１上に固定されている。また、赤色半導体レーザ素子部２０は、青紫色半導体レーザ素子部１０のＹ１方向側の上面上に接合されている。また、赤外半導体レーザ素子部３０は、青紫色半導体レーザ素子部１０のＹ２方向側の上面上に接合されている。なお、青紫色半導体レーザ素子部１０は、本発明の「第１半導体レーザ素子部」の一例であり、赤色半導体レーザ素子部２０および赤外半導体レーザ素子部３０は、本発明の「第２半導体レーザ素子部」および「第３半導体レーザ素子部」の一例である。
【００１６】
また、図１および図２に示すように、半導体レーザ装置１００には、図示しないリード端子と３波長半導体レーザ素子部９０および金属層１とを接続するためのワイヤ９２、９３、９４（図１参照）および９５（図１参照）が設けられている。具体的には、ワイヤ９２は、金属層１の上面にワイヤボンディングされている。また、ワイヤ９３は、青紫色半導体レーザ素子部１０の後述するｐ側パッド電極１８の上面にワイヤボンディングされている。また、図１に示すように、ワイヤ９４は、後述する電極層３のワイヤボンディング領域３ａにワイヤボンディングされている。また、ワイヤ９５は、後述する電極層７のワイヤボンディング領域７ａにワイヤボンディングされている。また、ワイヤ９２は、ステム（図示せず）に導通するリード端子（負極端子：図示せず）に接続されるとともに、ワイヤ９３、９４および９５は、それぞれ、ステム（図示せず）と電気的に絶縁されたリード端子（正極端子：図示せず）に接続されるように構成されている。
【００１７】
また、図２に示すように、青紫色半導体レーザ素子部１０は、導電性を有するｎ型ＧａＮ基板１１の略中央部の上面上に、ｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型クラッド層１２と、Ｉｎ組成の割合が大きいＧａＩｎＮからなる障壁層（図示せず）とＩｎ組成の割合が小さいＧａＩｎＮからなる井戸層（図示せず）とが交互に積層された多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する活性層１３と、ｐ型ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層１４とが順に積層された構造を有している。なお、活性層１３は、単層または単一量子井戸（ＳＱＷ）構造などにより構成されてもよい。また、活性層１３とｎ型クラッド層１２およびｐ型クラッド層１４との間に、それぞれ、光ガイド層やキャリヤブロック層を設けてもよい。また、ｎ型ＧａＮ基板１１は、本発明の「第１半導体層」および「導電性基板」の一例である。また、ｎ型クラッド層１２は、本発明の「第１半導体層」の一例であり、活性層１３は、本発明の「第１活性層」の一例であり、ｐ型クラッド層１４は、本発明の「第２半導体層」の一例である。
【００１８】
また、ｐ型クラッド層１４は、青紫色半導体レーザ素子部１０のＹ方向における中央部近傍に形成された凸状のリッジ部１４ａと、リッジ部１４ａの両側（Ｙ方向）に延びる平坦部とを有している。このリッジ部１４ａによって、光導波路が構成される。また、図１に示すように、リッジ部１４ａは、共振器方向（Ｘ方向）に沿って延びるように形成されている。また、図２に示すように、青紫色半導体レーザ素子部１０の発光点は、リッジ部１４ａの下方の活性層１３に位置するように構成されている。これにより、青紫色半導体レーザ素子部１０の発光点は、ｎ型ＧａＮ基板１１の中央近傍に位置するように構成されている。
【００１９】
また、青紫色半導体レーザ素子部１０のＹ１方向の端部近傍およびＹ２方向の端部近傍には、それぞれ、直径約１０μｍの貫通孔１５ａおよび１５ｂが形成されている。なお、貫通孔１５ａおよび１５ｂの直径は、それぞれ、約２μｍ〜約５０μｍの範囲の直径を有するように構成してもよい。また、貫通孔１５ａおよび１５ｂは、それぞれ、青紫色半導体レーザ素子部１０のｐ型クラッド層１４の上面１４ｂからｎ型ＧａＮ基板１１の上面１１ａまで、Ｚ方向に延びるように形成されている。また、ｐ型クラッド層１４の上面１４ｂと、リッジ部１４ａの側面と、貫通孔１５ａおよび１５ｂの内周面とを覆うようにＳｉＯ２からなる電流ブロック層１６が形成されている。
【００２０】
ここで、第１実施形態では、青紫色半導体レーザ素子部１０の電流ブロック層１６の貫通孔１５ａおよび１５ｂを覆う部分には、それぞれ、ｎ型ＧａＮ基板１１の上面１１ａに達する貫通孔１６ａおよび１６ｂが形成されている。また、貫通孔１６ａおよび１６ｂの中には、それぞれ、導電材１７ａおよび１７ｂが埋め込まれている。この導電材１７ａおよび１７ｂは、半田または導電性ペーストなどの材料からなる。ここで、半田や導電性ペーストとして、ＡｕＳｎ、ＡｕＧｅ、ＩｎＳｎ、ＳｎＡｇＣｕ、ＳｎＡｇＢｉ、ＳｎＡｇＣｕＢｉ、ＳｎＡｇＢｉＩｎ、ＳｎＺｎ、ＳｎＣｕ、ＳｎＢｉおよびＳｎＺｎＢｉなどからなるものを用いることが可能である。また、ｎ型ＧａＮ基板１１の上面１１ａの導電材１７ａおよび１７ｂが接続される部分には、それぞれ、Ａｕなどからなるコンタクト電極層１７ｃおよび１７ｄが形成されている。コンタクト電極層１７ｃおよび１７ｄは、導電材１７ａおよび１７ｂとｎ型ＧａＮ基板１１との電気的な接続を良好にするために設けられている。なお、導電材１７ａおよび１７ｂと青紫色半導体レーザ素子部１０とは、電流ブロック層１６によって絶縁されているとともに、コンタクト電極層１７ｃおよび１７ｄと青紫色半導体レーザ素子部１０とは、電流ブロック層１６によって絶縁されている。なお、貫通孔１６ａおよび１６ｂは、本発明の「第１孔部」の一例である。また、導電材１７ａおよび１７ｂとコンタクト電極層１７ｃおよび１７ｄとは、それぞれ、本発明の「導電層」、「第１導電材」の一例である。
【００２１】
また、第１実施形態では、導電材１７ａおよび１７ｂの上面は、電流ブロック層１６の上面と略同一の高さを有している。これにより、導電材１７ａおよび１７ｂは、それぞれ、上面（Ｚ１方向側の面）において後述する導電膜５と電気的に接続されるように構成されているとともに、下面（Ｚ２方向側の面）においてｎ型ＧａＮ基板１１の上面１１ａのコンタクト電極層１７ｃおよび１７ｄと電気的に接続されるように構成されている。
【００２２】
また、リッジ部１４ａの上面には、Ａｕなどからなるｐ側パッド電極１８が形成されている。また、ｎ型ＧａＮ基板１１の下面上に、Ａｕなどからなるｎ側電極１９が形成されている。また、ｎ側電極１９は、金属層１を介してワイヤ９２と電気的に接続されている。なお、ｐ型クラッド層１４とｐ側パッド電極１８との間にコンタクト層を設けてもよい。その際、コンタクト層は、ｐ型クラッド層１４よりもバンドギャップが小さいほうが好ましい。
【００２３】
また、赤色半導体レーザ素子部２０は、ｐ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｐ型クラッド層２１と、ＡｌＧａＩｎＰからなる障壁層（図示せず）とＧａＩｎＰからなる井戸層（図示せず）とが交互に積層されたＭＱＷ構造を有する活性層２２と、ｎ型ＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型クラッド層２３とが順に積層された構造を有している。なお、活性層２２は、単層またはＳＱＷ構造などにより構成されてもよい。なお、ｐ型クラッド層２１は、本発明の「第３半導体層」および「第５半導体層」の一例であり、ｎ型クラッド層２３は、本発明の「第４半導体層」および「第６半導体層」の一例である。
【００２４】
また、ｐ型クラッド層２１は、赤色半導体レーザ素子部２０の略中央に形成された凸状のリッジ部２１ａと、リッジ部２１ａの両側（Ｙ方向）に延びる平坦部とを有している。このリッジ部２１ａによって、光導波路が構成される。また、図１に示すように、リッジ部２１ａは、共振器方向（Ｘ方向）に沿って延びるように形成されている。
【００２５】
また、図２に示すように、ｐ型クラッド層２１の平坦部の下面（Ｚ２方向側の面）とリッジ部２１ａの側面とを覆うようにＳｉＯ２からなる電流ブロック層２４が形成されている。また、ｐ型クラッド層２１および電流ブロック層２４の下面上には、Ａｕなどからなるｐ側電極２５が形成されている。また、ｎ型クラッド層２３の上面上に、Ａｕなどからなるｎ側電極２６が形成されている。
【００２６】
また、ｐ側電極２５は、半田または導電性ペーストなどからなる導電性接着層２を介して、青紫色半導体レーザ素子部１０（電流ブロック層１６）のＹ１方向の上面に形成された電極層３に接合されている。また、図１および図２に示すように、赤色半導体レーザ素子部２０、導電性接着層２および電極層３の側面を覆うように絶縁膜４が形成されている。また、図１に示すように、電極層３は、青紫色半導体レーザ素子部１０（電流ブロック層１６）の上面に、ワイヤ９４が電気的に接続されているワイヤボンディング領域３ａを有する。
【００２７】
ここで、第１実施形態では、図２に示すように、赤色半導体レーザ素子部２０のｎ側電極２６の上面上から赤色半導体レーザ素子部２０のＹ１方向側の側面上に形成されるとともに、青紫色半導体レーザ素子部１０のｐ型クラッド層１４の上面に形成された電流ブロック層１６の上面まで延びる、Ａｕなどからなる導電膜５が形成されている。この導電膜５の下部は、青紫色半導体レーザ素子部１０（電流ブロック層１６）の上面において、導電材１７ａと電気的に接続されるように構成されている。これによって、赤色半導体レーザ素子部２０のｎ型クラッド層２３は、ｎ側電極２６、導電膜５および導電材１７ａを介して、ｎ型ＧａＮ基板１１と電気的に接続されている。なお、導電膜５は、本発明の「導電層」の一例である。
【００２８】
また、赤外半導体レーザ素子部３０は、ｐ型ＡｌＧａＡｓからなるｐ型クラッド層３１と、Ａｌ組成の割合が大きいＡｌＧａＡｓからなる障壁層（図示せず）とＡｌ組成の割合が小さいＡｌＧａＡｓからなる井戸層（図示せず）とが交互に積層されたＭＱＷ構造を有する活性層３２と、ｎ型ＡｌＧａＡｓからなるｎ型クラッド層３３とが順に積層された構造を有している。なお、活性層３２は、単層またはＳＱＷ構造などにより構成されてもよい。なお、ｐ型クラッド層３１は、本発明の「第３半導体層」および「第５半導体層」の一例であり、ｎ型クラッド層３３は、本発明の「第４半導体層」および「第６半導体層」の一例である。
【００２９】
また、ｐ型クラッド層３１は、赤外半導体レーザ素子部３０の略中央部に形成された凸状のリッジ部３１ａと、リッジ部３１ａの両側（Ｙ方向）に延びる平坦部とを有している。このリッジ部３１ａによって、光導波路が構成される。また、図１に示すように、リッジ部３１ａは、共振器方向（Ｘ方向）に沿って延びるように形成されている。
【００３０】
また、図２に示すように、ｐ型クラッド層３１の平坦部の下面（Ｚ２方向側の面）とリッジ部３１ａの側面とを覆うようにＳｉＯ２からなる電流ブロック層３４が形成されている。また、ｐ型クラッド層３１および電流ブロック層３４の下面上には、Ａｕなどからなるｐ側電極３５が形成されている。また、ｎ型クラッド層３３の上面上に、Ａｕなどからなるｎ側電極３６が形成されている。
【００３１】
また、ｐ側電極３５は、半田または導電性ペーストなどからなる導電性接着層６を介して、青紫色半導体レーザ素子部１０（電流ブロック層１６）のＹ２方向側の上面に形成された電極層７に接合されている。また、図１および図２に示すように、赤外半導体レーザ素子部３０、導電性接着層６および電極層７の側面を覆うように絶縁膜８が形成されている。また、図１に示すように、電極層７は、青紫色半導体レーザ素子部１０（電流ブロック層１６）の上面に、ワイヤ９５が電気的に接続されているワイヤボンディング領域７ａを有する。
【００３２】
ここで、第１実施形態では、図２に示すように、赤外半導体レーザ素子部３０のｎ側電極３６の上面上から赤外半導体レーザ素子部３０のＹ２方向側の側面上に形成されるとともに、青紫色半導体レーザ素子部１０のｐ型クラッド層１４の上面に形成された電流ブロック層１６の上面まで延びる、Ａｕなどからなる導電膜９が形成されている。この導電膜９の下部は、青紫色半導体レーザ素子部１０（電流ブロック層１６）の上面において、導電材１７ｂと電気的に接続されるように構成されている。これによって、赤外半導体レーザ素子部３０のｎ型クラッド層３３は、ｎ側電極３６、導電膜９および導電材１７ｂを介して、ｎ型ＧａＮ基板１１と電気的に接続されている。なお、導電膜９は、本発明の「導電層」の一例である。
【００３３】
また、第１実施形態では、上記したように、青紫色半導体レーザ素子部１０のｎ型ＧａＮ基板１１と、赤色半導体レーザ素子部２０のｎ側電極２６および赤外半導体レーザ素子部３０のｎ側電極３６とは、電気的に接続されている。これにより、３波長半導体レーザ素子部９０のｎ側電極（ｎ側電極１９、２６および３６）が、ワイヤ９２を介して、共通の図示しない端子に接続される状態（カソードコモン）になるように構成されている。
【００３４】
また、図１に示すように、３波長半導体レーザ素子部９０を構成する青紫色半導体レーザ素子部１０、赤色半導体レーザ素子部２０および赤外半導体レーザ素子部３０には、共振器方向（Ｘ方向）の両端部に、光出射面１０ａ、２０ａおよび３０ａと、光反射面１０ｂ、２０ｂおよび３０ｂとがそれぞれ形成されている。
【００３５】
また、各半導体レーザ素子部の光出射面１０ａ、２０ａおよび３０ａには、低反射率の誘電体多層膜（図示せず）が形成されているとともに、光反射面１０ｂ、２０ｂおよび３０ｂには、高反射率の誘電体多層膜（図示せず）が形成されている。ここで、誘電体多層膜として、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＢＮ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｔａ２Ｏ５、Ｎｂ２Ｏ５、ＴｉＯ２、Ｌａ２Ｏ３、ＳｉＮおよびＭｇＦ２や、これらの混成比の異なる材料であるＴｉ３Ｏ５やＮｂ２Ｏ３などからなる多層膜を用いることが可能である。
【００３６】
図３〜図８は、図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための図である。次に、図１〜図８を参照して、第１実施形態による半導体レーザ装置１００の製造プロセスについて説明する。
【００３７】
第１実施形態による半導体レーザ装置１００の製造プロセスでは、図３に示すように、ｎ型ＧａＮ基板１１の上面上に、ｎ型クラッド層１２、活性層１３およびｐ型クラッド層１４を順次形成する。その後、フォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術とによって、ｐ型クラッド層１４にリッジ部１４ａを形成するとともに、ｎ型クラッド層１２、活性層１３およびｐ型クラッド層１４を貫通するように貫通孔１５ａおよび１５ｂを形成する。また、貫通孔１５ａおよび１５ｂは、レーザを用いて形成してもよい。
【００３８】
ここで、第１実施形態の製造プロセスでは、図４に示すように、ｐ型クラッド層１４の上面１４ｂと、リッジ部１４ａの側面と、貫通孔１５ａおよび１５ｂの内周面とを覆うように電流ブロック層１６を形成する。その後、フォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術とを用いて、貫通孔１５ａおよび１５ｂの軸中心に位置する電流ブロック層１６の部分を除去することによって、電流ブロック層１６の上面からｎ型ＧａＮ基板１１の上面１１ａまで延びる貫通孔１６ａおよび１６ｂをそれぞれ形成するとともに、リッジ部１４ａの上面に形成された電流ブロック層１６を除去する。なお、貫通孔１６ａおよび１６ｂは、それぞれ、レーザを用いて形成してもよい。
【００３９】
また、第１実施形態の製造プロセスでは、図５に示すように、真空蒸着法を用いて、貫通孔１６ａおよび１６ｂの底部のｎ型ＧａＮ基板１１の上面１１ａ上に、それぞれ、コンタクト電極層１７ｃおよび１７ｄを形成する。また、真空蒸着法を用いて、ｐ側パッド電極１８をリッジ部１４ａの上面に形成する。そして、導電材１７ａおよび１７ｂを、それぞれ、貫通孔１６ａおよび１６ｂに埋め込む。この際、導電材１７ａおよび１７ｂは、それぞれ、コンタクト電極層１７ｃおよび１７ｄと接触する。このようにして、ｎ側電極１９を除く青紫色半導体レーザ素子部１０が形成されたウェハが作製される。そして、真空蒸着法を用いて、青紫色半導体レーザ素子部１０（電流ブロック層１６）の上面上に電極層３および７をそれぞれ形成する。その後、電極層３および７の上面上に導電性接着層２および６をそれぞれ形成する。
【００４０】
一方、図６に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板４１の上面上に、赤外半導体レーザ素子部３０となるｎ型クラッド層３３、活性層３２およびｐ型クラッド層３１を順次形成する。その後、ｎ型クラッド層３３、活性層３２およびｐ型クラッド層３１の一部をエッチングしてｎ型ＧａＡｓ基板４１の一部を露出させて、その露出した部分の一部に、凹部４１ａおよび４１ｂとなる領域を残して、赤色半導体レーザ素子部２０となるｎ型クラッド層２３、活性層２２およびｐ型クラッド層２１を順次形成する。その後、リッジ部２１ａおよび３１ａと、電流ブロック層２４および３４と、ｐ側電極２５および３５とをそれぞれ形成する。このようにして、ｎ側電極２６および３６を除く赤色・赤外２波長半導体レーザ素子部４０が形成されたウェハが作製される。
【００４１】
その後、図７に示すように、青紫色半導体レーザ素子部１０が形成されたウェハと、赤色・赤外２波長半導体レーザ素子部４０が形成されたウェハとを接合する。具体的には、青紫色半導体レーザ素子部１０（電流ブロック層１６）の上方に設けられた導電性接着層２および６と、赤色・赤外２波長半導体レーザ素子部４０のｐ側電極２５および３５とをそれぞれ対向させながら接合する。次に、ｎ型ＧａＡｓ基板４１を除去する。そして、真空蒸着法を用いて、ｎ型クラッド層２３および３３の上面上にｎ側電極２６および３６をそれぞれ形成する。次に、図示しない絶縁膜を形成した後、絶縁膜の一部をエッチングすることによって、赤色半導体レーザ素子部２０および赤外半導体レーザ素子部３０の側面を覆うように絶縁膜４および８をそれぞれ形成する。
【００４２】
ここで、第１実施形態の製造プロセスでは、真空蒸着法または抵抗加熱法を用いて、導電膜５を、赤色半導体レーザ素子部２０のｎ側電極２６の上面上から赤色半導体レーザ素子部２０のＹ１方向側の側面上に形成するとともに、青紫色半導体レーザ素子部１０（電流ブロック層１６）の上面まで延びるように形成する。また、導電膜５の形成と同時に、導電膜９を、赤外半導体レーザ素子部３０のｎ側電極３６の上面上から赤外半導体レーザ素子部３０のＹ２方向側の側面上に形成するとともに、青紫色半導体レーザ素子部１０（電流ブロック層１６）の上面まで延びるように形成する。その後、ｎ型ＧａＮ基板１１が所定の厚みを有するようにｎ型ＧａＮ基板１１の下面を研磨した後、真空蒸着法を用いて、ｎ型ＧａＮ基板１１の下面上にｎ側電極１９を形成する。これにより、図８に示すように、ウェハ状の３波長半導体レーザ素子部９０が形成される。
【００４３】
その後、Ｙ方向に劈開（バー状劈開）するとともに、図８に示す分割位置においてＸ方向（図２参照）に素子分割（チップ化）を行う。そして、各半導体レーザ素子部の光出射面１０ａ、２０ａおよび３０ａに、低反射率の誘電体多層膜（図示せず）を形成するとともに、光反射面１０ｂ、２０ｂおよび３０ｂに、高反射率の誘電体多層膜（図示せず）を形成する。これにより、半導体レーザ装置１００を構成する個々の３波長半導体レーザ素子部９０（図２参照）が形成される。また、素子分割（チップ化）は、ドライエッチングによって行ってもよい。
【００４４】
その後、セラミック製のコレット（図示せず）を用いて、３波長半導体レーザ素子部９０を図示しない導電性接着層を介して、金属層１（図２参照）が設けられた放熱体９１（図２参照）の上面に対して押圧することにより、３波長半導体レーザ素子部９０を放熱体９１に固定する。
【００４５】
次に、図１および図２に示したように、図示しない端子と金属層１とをワイヤ９２により電気的に接続する。また、図示しない端子と青紫色半導体レーザ素子部１０のｐ側パッド電極１８とをワイヤ９３により電気的に接続する。また、図１に示すように、図示しない端子と電極層３のワイヤボンディング領域３ａとをワイヤ９４により電気的に接続する。また、図示しない端子と電極層７のワイヤボンディング領域７ａとをワイヤ９５により電気的に接続する。このようにして、第１実施形態による半導体レーザ装置１００（図１および図２参照）が形成される。
【００４６】
第１実施形態では、上記のように、赤色半導体レーザ素子部２０のｎ型クラッド層２３および赤外半導体レーザ素子部３０のｎ型クラッド層３３と、青紫色半導体レーザ素子部１０のｎ型クラッド層１３側とを上面側から電気的に接続する導電膜５および９と導電材１７ａおよび１７ｂとコンタクト電極層１７ｃおよび１７ｄを備えることによって、ｎ型クラッド層２３および３３とｎ型クラッド層１３側とを電気的に接続するためのワイヤを別途必要としない。これにより、半導体レーザ装置１００におけるワイヤの数を減少させることができるので、ワイヤボンディングする際に、青紫色半導体レーザ素子部１０、赤色半導体レーザ素子部２０および赤外半導体レーザ素子部３０への熱的および機械的な影響が大きくなるのを抑制することができる。これにより、青紫色半導体レーザ素子部１０、赤色半導体レーザ素子部２０および赤外半導体レーザ素子部３０における不具合の発生を減少させることができる。また、導電膜５および９と導電材１７ａおよび１７ｂとコンタクト電極層１７ｃおよび１７ｄとが設けられる分、半導体レーザ装置１００におけるワイヤを接続するための領域（ワイヤボンディング領域３ａおよびワイヤボンディング領域７ａ）を小さくすることができるので、３つの半導体レーザ素子部を集積化した半導体レーザ装置１００が大型化するのを抑制することができる。
【００４７】
また、第１実施形態では、上記のように、ｎ型ＧａＮ基板１１をｎ型クラッド層１２の下面に配置することによって、ｎ型ＧａＮ基板１１は、ｎ型クラッド層１２と電気的に接続されるので、導電膜５および９と導電材１７ａおよび１７ｂとコンタクト電極層１７ｃおよび１７ｄおよびｎ型ＧａＮ基板１１によって、青紫色半導体レーザ素子部１０のｎ型クラッド層１２と、赤色半導体レーザ素子部２０のｎ型クラッド層２３および赤外半導体レーザ素子部３０のｎ型クラッド層３３とのｎ側の電極を共通化（ｎ側電極１９）することができる。
【００４８】
また、第１実施形態では、上記のように、導電層を、赤色半導体レーザ素子部２０のｎ型クラッド層２３および赤外半導体レーザ素子部３０のｎ型クラッド層３３と電気的に接続する導電膜５および９と、導電膜５および９とｎ型ＧａＮ基板１１およびｎ型クラッド層１２とを電気的に接続するように貫通孔１６ａおよび１６ｂの内部に埋め込まれる導電材１７ａおよび１７ｂとコンタクト電極層１７ｃおよび１７ｄとを含むように構成することによって、導電膜５および９と導電材１７ａおよび１７ｂとコンタクト電極層１７ｃおよび１７ｄとを用いて、容易に、ｎ型ＧａＮ基板１１およびｎ型クラッド層１２と、赤色半導体レーザ素子部２０のｎ型クラッド層２３および赤外半導体レーザ素子部３０のｎ型クラッド層３３とを電気的に接続することができる。
【００４９】
また、第１実施形態では、上記のように、青紫色半導体レーザ素子部１０の発光点を、青紫色半導体レーザ素子部１０の中央近傍に設けるとともに、導電膜５および９と導電材１７ａおよび１７ｂとコンタクト電極層１７ｃおよび１７ｄとを、青紫色半導体レーザ素子部１０の端部近傍に設けることによって、導電膜５および９と導電材１７ａおよび１７ｂとコンタクト電極層１７ｃおよび１７ｄとからなる導電層と、青紫色半導体レーザ素子部１０の発光点との距離を大きくすることができる。これにより、青紫色半導体レーザ素子部１０の発光点において、導電膜５および９と導電材１７ａおよび１７ｂとコンタクト電極層１７ｃおよび１７ｄとを形成する際に発生する熱的および機械的な影響を軽減することができるので、青紫色半導体レーザ素子部１０における不具合の発生を減少させることができる。
【００５０】
（第１実施形態の変形例）
図９は、本発明の第１実施形態の変形例による半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。図９を参照して、この第１実施形態の変形例による半導体レーザ装置２００では、上記第１実施形態と異なり、貫通孔２１５ａおよび２１５ｂが、それぞれ、青紫色半導体レーザ素子部１０のｐ型クラッド層１４の上面１４ｂからｎ型クラッド層１２の内部（底部２１２ａおよび２１２ｂ）まで形成されている場合について説明する。
【００５１】
本発明の第１実施形態の変形例による半導体レーザ装置２００では、図９に示すように、青紫色半導体レーザ素子部１０のＹ１方向の端部近傍およびＹ２方向の端部近傍には、それぞれ、貫通孔２１５ａおよび２１５ｂが形成されている。貫通孔２１５ａおよび２１５ｂは、それぞれ、青紫色半導体レーザ素子部１０のｐ型クラッド層１４の上面１４ｂからｎ型クラッド層１２の内部（底部２１２ａおよび２１２ｂ）まで、Ｚ方向に延びるように形成されている。また、ｐ型クラッド層１４の上面１４ｂと、リッジ部１４ａの側面と、貫通孔２１５ａおよび２１５ｂの内周面とを覆うようにＳｉＯ２からなる電流ブロック層２１６が形成されている。
【００５２】
ここで、第１実施形態の変形例では、青紫色半導体レーザ素子部１０の電流ブロック層２１６の貫通孔２１５ａおよび２１５ｂを覆う部分には、それぞれ、ｎ型クラッド層１２の内部（底部２１２ａおよび２１２ｂ）に達する貫通孔２１６ａおよび２１６ｂが形成されている。また、貫通孔２１６ａおよび２１６ｂの中には、それぞれ、導電材２１７ａおよび２１７ｂが埋め込まれている。また、ｎ型クラッド層１２の内部（底部２１２ａおよび２１２ｂ）には、それぞれ、コンタクト電極層２１７ｃおよび２１７ｄが形成されている。なお、導電材２１７ａおよび２１７ｂと青紫色半導体レーザ素子部１０の活性層１３とは、電流ブロック層２１６によって絶縁されているとともに、コンタクト電極層２１７ｃおよび２１７ｄと青紫色半導体レーザ素子部１０の活性層１３とは、電流ブロック層２１６によって絶縁されている。なお、第２実施形態による半導体レーザ装置２００のその他の構造および効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００５３】
（第２実施形態）
図１０は、本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した平面図である。図１１および図１２は、本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。図１０〜図１２を参照して、この第２実施形態による半導体レーザ装置３００では、上記第１実施形態と異なり、３波長半導体レーザ素子部３９０の青紫色半導体レーザ素子部３１０のＹ方向の両端部がエッチングによって除去されているとともに、導電膜３０５および３０９が、赤色半導体レーザ素子部２０のｎ側電極２６および赤外半導体レーザ素子部３０のｎ側電極３６の上面から、ｎ型ＧａＮ基板３１１の上面３１１ａまで延びている場合について説明する。
【００５４】
本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置３００では、図１０および図１１に示すように、３波長半導体レーザ素子部３９０の青紫色半導体レーザ素子部３１０のＹ方向の両端部には、それぞれ、ｎ型クラッド層３１２、活性層３１３およびｐ型クラッド層３１４の側端面と、ｎ型ＧａＮ基板３１１の上面３１１ａとからなる段差部３１０ｃが形成されている。また、図１１に示すように、ｐ型クラッド層３１４の平坦部の上面３１４ｂと段差部３１０ｃの一部とを覆うように、電流ブロック層３１６が形成されている。この電流ブロック層３１６により、ｎ型クラッド層３１２、活性層３１３およびｐ型クラッド層３１４の側端面は、ｎ型ＧａＮ基板３１１と絶縁されている。
【００５５】
ここで、第２実施形態では、赤色半導体レーザ素子部２０のｎ側電極２６の上面上から、赤色半導体レーザ素子部２０のＹ１方向側の側面上、電流ブロック層３１６のＹ１方向側の端部近傍の上面上および電流ブロック層３１６のＹ１方向側の側面上に形成されるとともに、ｎ型ＧａＮ基板３１１の上面３１１ａまで延びる導電膜３０５が形成されている。これにより、赤色半導体レーザ素子部２０のｎ型クラッド層２３は、ｎ側電極２６および導電膜３０５を介して、ｎ型ＧａＮ基板３１１と電気的に接続されている。
【００５６】
また、第２実施形態では、赤外半導体レーザ素子部３０のｎ側電極３６の上面上から、赤外半導体レーザ素子部３０のＹ２方向側の側面上、電流ブロック層３１６のＹ２方向側の端部近傍の上面上および電流ブロック層３１６のＹ２方向側の側面上に形成されるとともに、ｎ型ＧａＮ基板３１１の上面３１１ａまで延びる導電膜３０９が形成されている。これにより、赤外半導体レーザ素子部３０のｎ型クラッド層３３は、ｎ側電極３６および導電膜３０９を介して、ｎ型ＧａＮ基板３１１と電気的に接続されている。なお、図１２に示すように、導電膜３０５および３０９は、段差部３１０ｃにおいてｎ型ＧａＮ基板３１１をＺ方向に貫通する転位などの欠陥が集中した欠陥集中領域３１１ｂの部分と電気的に接続されていてもよい。
【００５７】
なお、第２実施形態による半導体レーザ装置３００のその他の構造は、上記第１実施形態と同様である。
【００５８】
第２実施形態では、上記のように、導電膜３０５および３０９を、ｎ型ＧａＮ基板３１１の上面３１１ａまで延ばすことによって、導電膜３０５および３０９とｎ型ＧａＮ基板３１１とを直接接触させることができるので、より確実に、ｎ型ＧａＮ基板３１１と赤色半導体レーザ素子部２０のｎ型クラッド層２３および赤外半導体レーザ素子部３０のｎ型クラッド層３３とを電気的に接続することができる。なお、第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００５９】
（第２実施形態の第１変形例）
図１３は、本発明の第２実施形態の第１変形例による半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。図１１および図１３を参照して、この第２実施形態の第１変形例による半導体レーザ装置４００では、上記第２実施形態と異なり、３波長半導体レーザ素子部４９０が、ｎ型ＧａＡｓ基板４２７の上面に形成されている赤色半導体レーザ素子部４２０と、赤色半導体レーザ素子部４２０の上面側に接合されている青色半導体レーザ素子部４５０および緑色半導体レーザ素子部４６０とからなる場合について説明する。
【００６０】
本発明の第２実施形態の第１変形例による半導体レーザ装置４００では、図１３に示すように、３波長半導体レーザ素子部４９０は、約６５０ｎｍの発振波長を有する赤色半導体レーザ素子部４２０と、約４６０ｎｍの発振波長を有する青色半導体レーザ素子部４５０と、約５３０ｎｍの発振波長を有する緑色半導体レーザ素子部４６０とからなる、いわゆるＲＧＢ３波長半導体レーザ素子として構成されている。
【００６１】
また、赤色半導体レーザ素子部４２０は、上記第２実施形態における青紫色半導体レーザ素子部３１０（図１１参照）が形成された位置に、青紫色半導体レーザ素子部３１０と同様の構造で導電性を有するｎ型ＧａＡｓ基板４２７の上面に形成されている。また、青色半導体レーザ素子部４５０は、第２実施形態における赤色半導体レーザ素子部２０（図１１参照）が形成された位置に、赤色半導体レーザ素子部２０と同様の構造で形成されている。また、緑色半導体レーザ素子部４６０は、第２実施形態における赤外半導体レーザ素子部３０（図１１参照）が形成された位置に、赤外半導体レーザ素子部３０と同様の構造で形成されている。なお、ｎ型ＧａＡｓ基板４２７は、本発明の「第１半導体層」および「導電性基板」の一例である。また、赤色半導体レーザ素子部４２０は、本発明の「第１半導体レーザ素子部」の一例であり、青色半導体レーザ素子部４５０および緑色半導体レーザ素子部４６０は、本発明の「第２半導体レーザ素子部」および「第３半導体レーザ素子部」の一例である。
【００６２】
具体的には、赤色半導体レーザ素子部４２０は、ｎ型ＧａＡｓ基板４２７の上面上に、ｎ型クラッド層４２３、活性層４２２およびリッジ部４２１ａを有するｐ型クラッド層４２１が順に積層された構造を有している。また、ｐ型クラッド層４２１の平坦部の上面と、リッジ部４２１ａの側面とを覆うように電流ブロック層４２４が形成されている。また、リッジ部４２１ａの上面上には、ｐ側電極４２５が形成されている。また、ｎ型ＧａＡｓ基板４２７の下面上には、ｎ側電極４２６が形成されている。
【００６３】
また、青色半導体レーザ素子部４５０は、ｎ型ＧａＡｓ基板４２７のＹ１方向側の上方に、リッジ部４５１ａを有するｐ型クラッド層４５１、活性層４５２およびｎ型クラッド層４５３が順に積層された構造を有している。また、ｐ型クラッド層４５１の下面とリッジ部４５１ａの側面とを覆うように電流ブロック層４５４が形成されている。また、ｐ型クラッド層４５１の下面上には、ｐ側電極４５５が形成されている。また、ｎ型クラッド層４５３の上面上には、ｎ側電極４５６が形成されている。
【００６４】
また、緑色半導体レーザ素子部４６０は、ｎ型ＧａＡｓ基板４２７のＹ２方向側の上方に、リッジ部４６１ａを有するｐ型クラッド層４６１、活性層４６２およびｎ型クラッド層４６３が順に積層された構造を有している。また、ｐ型クラッド層４６１の下面とリッジ部４６１ａの側面とを覆うように電流ブロック層４６４が形成されている。また、ｐ型クラッド層４６１の下面上には、ｐ側電極４６５が形成されている。また、ｎ型クラッド層４６３の上面上には、ｎ側電極４６６が形成されている。
【００６５】
また、第２実施形態の第１変形例においても、第２実施形態と同様に、青色半導体レーザ素子部４５０のｎ側電極４５６の上面上から、青色半導体レーザ素子部４５０のＹ１方向側の側面上、電流ブロック層４２４のＹ１方向側の端部近傍の上面上および電流ブロック層４２４のＹ１方向側の側面上に形成されるとともに、ｎ型ＧａＡｓ基板４２７の上面まで延びる導電膜３０５が形成されている。また、緑色半導体レーザ素子部４６０のｎ側電極４６６の上面上から、緑色半導体レーザ素子部４６０のＹ２方向側の側面上、電流ブロック層４２４のＹ２方向側の端部近傍の上面上および電流ブロック層４２４のＹ２方向側の側面上に形成されるとともに、ｎ型ＧａＡｓ基板４２７の上面まで延びる導電膜３０９が形成されている。
【００６６】
なお、第２実施形態の第１変形例による半導体レーザ装置４００のその他の構造および効果は、上記第２実施形態と同様である。
【００６７】
（第２実施形態の第２変形例）
図１４は、本発明の第２実施形態の第２変形例による半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。図１４を参照して、この第２実施形態の第２変形例による半導体レーザ装置５００では、上記第２実施形態と異なり、３波長半導体レーザ素子部５９０の赤色半導体レーザ素子部５２０のｎ側電極５２６および赤外半導体レーザ素子部５３０のｎ側電極５３６が、ｎ型ＧａＡｓ基板５２７および５３７の下面に設けられているとともに、導電膜５０５および５０９が、ｎ側電極５２６および５３６の下面からｎ型ＧａＮ基板３１１の上面３１１ａまで延びるように形成されている場合について説明する。
【００６８】
本発明の第２実施形態の第２変形例による半導体レーザ装置５００では、図１４に示すように、３波長半導体レーザ素子部５９０の赤色半導体レーザ素子部５２０は、ｎ型ＧａＡｓ基板５２７の下面上に、ｎ型クラッド層５２３、活性層５２２およびリッジ部５２１ａを有するｐ型クラッド層５２１が順に積層された構造を有している。また、ｎ型ＧａＡｓ基板５２７は、ｎ型クラッド層５２３よりもＹ１方向側に延びるように配置されている。また、ｐ型クラッド層５２１の平坦部の上面と、リッジ部５２１ａの側面と、ｎ型クラッド層５２３、活性層５２２およびｐ型クラッド層５２１のＹ１方向の側面とを覆うように電流ブロック層５２４が形成されている。また、リッジ部５２１ａの下面上には、ｐ側電極５２５が形成されている。また、ｎ型ＧａＡｓ基板５２７のＹ１方向側の下面上には、電流ブロック層５２４の上端が接しているとともに、電流ブロック層５２４のＹ１方向側の側面と接するようにｎ側電極５２６が形成されている。なお、赤色半導体レーザ素子部５２０は、本発明の「第２半導体レーザ素子部」および「第３半導体レーザ素子部」の一例である。
【００６９】
ここで、第２実施形態の第２変形例では、導電膜５０５が、赤色半導体レーザ素子部５２０のｎ側電極５２６の下面からｎ型ＧａＮ基板３１１の上面３１１ａまで延びるように形成されている。具体的には、電流ブロック層３１６のＹ１方向側の端部近傍の上面から電流ブロック層３１６のＹ１方向側の側面を通ってｎ型ＧａＮ基板３１１の上面３１１ａまで延びる下部導電膜５０５ａが形成されている。そして、電流ブロック層３１６のＹ１方向側の端部近傍の上面に形成された下部導電膜５０５ａと接するように、ｎ側電極５２６の下面から下方に延びる上部導電膜５０５ｂが形成されている。この下部導電膜５０５ａと上部導電膜５０５ｂとにより形成される導電膜５０５によって、ｎ側電極５２６とｎ型ＧａＮ基板３１１とは、電気的に接続されている。なお、導電膜５０５は、本発明の「導電層」の一例である。
【００７０】
また、３波長半導体レーザ素子部５９０の赤外半導体レーザ素子部５３０は、ｎ型ＧａＡｓ基板５３７の下面上に、ｎ型クラッド層５３３、活性層５３２およびリッジ部５３１ａを有するｐ型クラッド層５３１が順に積層された構造を有している。また、ｎ型ＧａＡｓ基板５３７は、ｎ型クラッド層５３３よりもＹ２方向側に延びるように配置されている。また、ｐ型クラッド層５３１の平坦部の上面と、リッジ部５３１ａの側面と、ｎ型クラッド層５３３、活性層５３２およびｐ型クラッド層５３１のＹ２方向の側面とを覆うように電流ブロック層５３４が形成されている。また、リッジ部５３１ａの下面上には、ｐ側電極５３５が形成されている。また、ｎ型ＧａＡｓ基板５３７のＹ２方向側の下面上には、電流ブロック層５３４の上端が接しているとともに、電流ブロック層５３４のＹ２方向側の側面と接するようにｎ側電極５３６が形成されている。なお、赤外半導体レーザ素子部５３０は、本発明の「第２半導体レーザ素子部」および「第３半導体レーザ素子部」の一例である。
【００７１】
ここで、第２実施形態の第２変形例では、導電膜５０９が、赤外半導体レーザ素子部５３０のｎ側電極５３６の下面からｎ型ＧａＮ基板３１１の上面３１１ａまで延びるように形成されている。具体的には、電流ブロック層３１６のＹ２方向側の端部近傍の上面から電流ブロック層３１６のＹ２方向側の側面を通ってｎ型ＧａＮ基板３１１の上面３１１ａまで延びる下部導電膜５０９ａが形成されている。そして、電流ブロック層３１６のＹ２方向側の端部近傍の上面に形成された下部導電膜５０９ａと接するように、ｎ側電極５３６の下面から下方に延びる上部導電膜５０９ｂが形成されている。この下部導電膜５０９ａと上部導電膜５０９ｂとにより形成される導電膜５０９によって、ｎ側電極５３６とｎ型ＧａＮ基板３１１とは、電気的に接続されている。なお、導電膜５０９は、本発明の「導電層」の一例である。
【００７２】
なお、第２実施形態の第２変形例による半導体レーザ装置５００のその他の構造および効果は、上記第２実施形態と同様である。
【００７３】
（第３実施形態）
図１５は、本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。図２および図１５を参照して、この第３実施形態による半導体レーザ装置６００では、上記第１実施形態と異なり、３波長半導体レーザ素子部６９０の青紫色半導体レーザ素子部６１０のｎ型ＧａＮ基板６１１にｎ型ＧａＮ基板６１１を貫通するように貫通孔６１５ｃおよび６１５ｄが形成されているとともに、貫通孔６１５ｃに導電材６１７ｅおよび６１７ｇが埋め込まれており、貫通孔６１５ｄに導電材６１７ｆおよび６１７ｈが埋め込まれている場合について説明する。
【００７４】
本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置６００では、図１５に示すように、青紫色半導体レーザ素子部６１０のＹ１方向の端部近傍には、青紫色半導体レーザ素子部６１０とｎ型ＧａＮ基板６１１とを貫通するように、貫通孔６１５ｃが形成されている。また、青紫色半導体レーザ素子部６１０のＹ２方向の端部近傍には、青紫色半導体レーザ素子部６１０とｎ型ＧａＮ基板６１１とを貫通するように、貫通孔６１５ｄが形成されている。また、貫通孔６１５ｃおよび６１５ｄは、直径約１０μｍを有する。なお、貫通孔６１５ｃおよび６１５ｄの直径は、それぞれ、約２μｍ〜約５０μｍの範囲の直径を有するように構成してもよい。なお、貫通孔６１５ｃおよび６１５ｄは、本発明の「第２孔部」の一例である。
【００７５】
また、第３実施形態では、貫通孔６１５ｃは、上部貫通孔６１５ｅおよび下部貫通孔６１５ｆからなるとともに、貫通孔６１５ｄは、上部貫通孔６１５ｇおよび下部貫通孔６１５ｈからなる。具体的には、上部貫通孔６１５ｅおよび６１５ｇは、それぞれ、青紫色半導体レーザ素子部６１０とｎ型ＧａＮ基板６１１の上部の所定の深さの部分まで延びている。また、上部貫通孔６１５ｅおよび６１５ｇの内周面を覆うように電流ブロック層６１６が形成されている。また、電流ブロック層６１６の上部貫通孔６１５ｅおよび６１５ｇを覆う部分には、それぞれ、貫通孔６１６ｃおよび６１６ｄが形成されている。この貫通孔６１６ｃおよび６１６ｄの中には、それぞれ、導電材６１７ｅおよび６１７ｆが埋め込まれている。これにより、貫通孔６１６ｃの導電材６１７ｅと導電膜５とは電気的に接続されているとともに、貫通孔６１６ｄの導電材６１７ｆと導電膜９とは電気的に接続されている。ここで、第１実施形態とは異なり、貫通孔６１６ｃおよび６１６ｄの下部には、コンタクト電極層１７ｃ（図２参照）およびコンタクト電極層１７ｄ（図２参照）は設けられていない。なお、導電材６１７ｅおよび６１７ｆは、本発明の「第２導電材」の一例である。
【００７６】
また、第３実施形態では、下部貫通孔６１５ｆおよび６１５ｈには、それぞれ、導電材６１７ｇおよび６１７ｈが埋め込まれている。これにより、貫通孔６１６ｃの導電材６１７ｅと下部貫通孔６１５ｆの導電材６１７ｇとは電気的に接続されているとともに、貫通孔６１６ｄの導電材６１７ｆと下部貫通孔６１５ｈの導電材６１７ｈとは電気的に接続されている。また、下部貫通孔６１５ｆの導電材６１７ｇの下部および下部貫通孔６１５ｈの導電材６１７ｈの下部は、ｎ側電極１９の上面に電気的に接続されている。この結果、赤色半導体レーザ素子部２０のｎ型クラッド層２３および赤外半導体レーザ素子部３０のｎ型クラッド層３３は、ｎ側電極２６および３６と、導電膜５および９と、貫通孔６１６ｃの導電材６１７ｅおよび貫通孔６１６ｄの導電材６１７ｆと、下部貫通孔６１５ｆの導電材６１７ｇおよび下部貫通孔６１５ｈの導電材６１７ｈとを介して、ｎ側電極１９と電気的に接続されている。なお、導電材６１７ｇおよび６１７ｈは、本発明の「第２導電材」の一例である。また、ｎ側電極１９は、本発明の「電極」の一例である。
【００７７】
第３実施形態では、上記のように、導電層を、赤色半導体レーザ素子部２０のｎ型クラッド層２３および赤外半導体レーザ素子部３０のｎ型クラッド層３３と電気的に接続する導電膜５および９と、導電膜５および９とｎ側電極１９とを電気的に接続するように貫通孔６１５ｃおよび６１５ｄの内部に埋め込まれる導電材６１７ｅ、６１７ｆ、６１７ｇおよび６１７ｈとを含むように構成することによって、ｎ型ＧａＮ基板６１１の下面に配置されたｎ側電極１９と赤色半導体レーザ素子部２０のｎ型クラッド層２３および赤外半導体レーザ素子部３０のｎ型クラッド層３３とを直接的に接続することができるので、赤色半導体レーザ素子部２０および赤外半導体レーザ素子部３０に印加する電圧をより正確に制御することができる。なお、第３実施形態による半導体レーザ装置６００のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００７８】
（第４実施形態）
図１６は、本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した平面図である。また、図１７は、本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。図１６および図１７を参照して、この第４実施形態による半導体レーザ装置７００では、上記第１実施形態と異なり、３波長半導体レーザ素子部７９０が、ｎ型ＧａＮ基板７７１上に形成されている青色半導体レーザ素子部７５０および緑色半導体レーザ素子部７６０と、青色半導体レーザ素子部７５０および緑色半導体レーザ素子部７６０の間で、かつ、ｎ型ＧａＮ基板７７１の上面側に接合されている赤色半導体レーザ素子部７２０とからなる場合について説明する。
【００７９】
本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置７００では、図１６および図１７に示すように、３波長半導体レーザ素子部７９０は、赤色半導体レーザ素子部７２０と青色半導体レーザ素子部７５０と緑色半導体レーザ素子部７６０とからなる、いわゆるＲＧＢ３波長半導体レーザ素子として構成されている。また、図１７に示すように、青色半導体レーザ素子部７５０は、ｎ型ＧａＮ基板７７１のＹ１方向側の上面上に、ｎ型クラッド層７５３、活性層７５２およびリッジ部７５１ａを有するｐ型クラッド層７５１が順に積層された構造を有している。また、緑色半導体レーザ素子部７６０は、ｎ型ＧａＮ基板７７１のＹ２方向側の上面上に、ｎ型クラッド層７６３、活性層７６２およびリッジ部７６１ａを有するｐ型クラッド層７６１が順に積層された構造を有している。つまり、青色半導体レーザ素子部７５０と緑色半導体レーザ素子部７６０とは、同一のｎ型ＧａＮ基板７７１の上に形成されており、モノリシックの青色・緑色２波長半導体レーザ素子として構成されている。なお、ｎ型ＧａＮ基板７７１は、本発明の「第１半導体層」および「導電性基板」の一例である。また、青色半導体レーザ素子部７５０および緑色半導体レーザ素子部７６０は、それぞれ、本発明の「第１半導体レーザ素子部」の一例であり、赤色半導体レーザ素子部７２０は、本発明の「第２半導体レーザ素子部」の一例である。
【００８０】
また、青色半導体レーザ素子部７５０と緑色半導体レーザ素子部７６０との間には、赤色半導体レーザ素子部７２０がｎ型ＧａＮ基板７７１の上面側に接合される溝部７７２ａが形成されている。この溝部７７２ａを設けることによって、３波長半導体レーザ素子部７９０の赤色半導体レーザ素子部７２０と青色半導体レーザ素子部７５０と緑色半導体レーザ素子部７６０とのそれぞれの発光点の高さ（Ｚ方向の位置）を近づけることが可能である。また、ｎ型ＧａＮ基板７７１のＹ１方向側には、溝部７７２ｂが形成されている。この溝部７７２ｂは、後述する電流ブロック層７７３のＹ１方向側の側面と、ｎ型ＧａＮ基板７７１のＹ１方向側の端部に形成されている半導体層７７１ａのＹ２方向側の側面と、ｎ型ＧａＮ基板７７１のＹ１方向側の上面とによって形成されている。
【００８１】
また、ｐ型クラッド層７５１のリッジ部７５１ａおよびｐ型クラッド層７６１のリッジ部７６１ａの上面と、ｎ型ＧａＮ基板７７１のＹ１方向側の上面と、半導体層７７１ａの側面上および上面上とを除く略全面に渡って、電流ブロック層７７３が形成されている。また、ｐ型クラッド層７５１のリッジ部７５１ａの上面およびリッジ部７５１ａの周辺の電流ブロック層７７３の上面上には、ｐ側パッド電極７７４が形成されている。また、ｐ型クラッド層７６１のリッジ部７６１ａの上面上およびリッジ部７６１ａの周辺の電流ブロック層７７３の上面上には、ｐ側パッド電極７６４が形成されている。また、ｐ側パッド電極７７４と後述する導電膜７７９とを絶縁するとともに、赤色半導体レーザ素子部７２０の後述するｎ側電極７２６以外と後述する導電膜７７９とを絶縁するように、絶縁膜７７４が形成されている。絶縁膜７７４は、ｎ型ＧａＮ基板７７１のＹ１方向側の上面と半導体層７７１ａの側面上および上面上とにも形成されているとともに、溝部７７２ｂの内周面にも形成されている。また、溝部７７２ａの底面の電流ブロック層７７３の上面上には、電極層７０３が形成されている。
【００８２】
また、赤色半導体レーザ素子部７２０は、リッジ部７２１ａを有するｐ型クラッド層７２１、活性層７２２およびｎ型クラッド層７２３が順に積層された構造を有している。また、ｐ型クラッド層７２１の平坦部の下面とリッジ部７２１ａの側面とを覆うように電流ブロック層７２４が形成されている。また、ｐ型クラッド層７２１の下には、ｐ側電極７２５が形成されている。また、ｎ型クラッド層７２３の上面上に、ｎ側電極７２６が形成されている。また、赤色半導体レーザ素子部７２０は、溝部７７２ａのＹ１方向側に配置されているとともに、赤色半導体レーザ素子部７２０のｐ側電極７２５は、導電性接着層７７５により電極層７０３に接合されている。また、図１６に示すように、溝部７７２ａのＹ２方向側の底面には、電極層７０３のワイヤボンディング領域７０３ａが形成されており、ワイヤボンディング領域７０３ａの上面には、ワイヤ９３がワイヤボンディングされている。
【００８３】
ここで、第４実施形態では、溝部７７２ｂの内部の絶縁膜７７４には、ｎ型ＧａＮ基板７７１の上面に達する貫通孔７７６が形成されている。また、貫通孔７７６の中には、導電材７７７ａが埋め込まれている。また、ｎ型ＧａＮ基板７７１の上面の導電材７７７ａが接続される部分には、コンタクト電極層７７７ｂが形成されている。なお、導電材７７７ａおよびコンタクト電極層７７７ｂと青色半導体レーザ素子部７５０とは、絶縁膜７７４によって絶縁されている。また、ｎ型ＧａＮ基板７７１の下面上には、ｎ側電極７７８が形成されている。なお、貫通孔７７６は、本発明の「第１孔部」の一例であり、導電材７７７ａおよびコンタクト電極層７７７ｂは、それぞれ、本発明の「導電層」および「第１導電材」の一例である。
【００８４】
また、第４実施形態では、赤色半導体レーザ素子部７２０のｎ側電極７２６の上面上から絶縁膜７７４の上面上をＹ１方向に延び、溝部７７２ｂの内部まで延びる導電膜７７９が形成されている。この導電膜７７９は、導電材７７７ａと電気的に接続されるように構成されている。この結果、赤色半導体レーザ素子部７２０のｎ型クラッド層７２３は、ｎ側電極７２６と、導電膜７７９と、貫通孔７７６の導電材７７７ａおよびコンタクト電極層７７７ｂとを介して、ｎ型ＧａＮ基板７７１と電気的に接続されている。なお、導電膜７７９は、本発明の「導電層」の一例である。
【００８５】
なお、第４実施形態による半導体レーザ装置７００のその他の構造および効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００８６】
（第４実施形態の変形例）
図１８は、本発明の第４実施形態の変形例による半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。図１７および図１８を参照して、この第４実施形態の変形例による半導体レーザ装置８００では、上記第４実施形態と異なり、３波長半導体レーザ素子部８９０が、ｎ型ＧａＡｓ基板８８１の上面に形成されている赤色半導体レーザ素子部８２０および赤外半導体レーザ素子部８３０と、赤色半導体レーザ素子部８２０および赤外半導体レーザ素子部８３０の間に接合されている青紫色半導体レーザ素子部８１０とからなる場合について説明する。
【００８７】
本発明の第４実施形態の変形例による半導体レーザ装置８００では、図１８に示すように、３波長半導体レーザ素子部８９０は、青紫色半導体レーザ素子部８１０と、赤色半導体レーザ素子部８２０と、赤外半導体レーザ素子部８３０とからなる。また、赤色半導体レーザ素子部８２０は、第４実施形態における青色半導体レーザ素子部７５０（図１７参照）が形成された位置に、青色半導体レーザ素子部７５０と同様の構造でｎ型ＧａＡｓ基板８８１の上に形成されている。また、赤外半導体レーザ素子部８３０は、第４実施形態における緑色半導体レーザ素子部７６０（図１７参照）が形成された位置に、緑色半導体レーザ素子部７６０と同様の構造でｎ型ＧａＡｓ基板８８１の上に形成されている。つまり、赤色半導体レーザ素子部８２０と赤外半導体レーザ素子部８３０とは、同一のｎ型ＧａＡｓ基板８８１の上に形成されており、モノリシックの赤色・赤外２波長半導体レーザ素子として構成されている。また、青紫色半導体レーザ素子部８１０は、第４実施形態における赤色半導体レーザ素子部７２０（図１７参照）が形成された位置に、赤色半導体レーザ素子部７２０と同様の構造で形成されている。なお、ｎ型ＧａＡｓ基板８８１は、本発明の「第１半導体層」および「導電性基板」の一例である。
【００８８】
具体的には、赤色半導体レーザ素子部８２０は、ｎ型ＧａＡｓ基板８８１のＹ１方向側の上面上に、ｎ型クラッド層８２３、活性層８２２およびリッジ部８２１ａを有するｐ型クラッド層８２１が順に積層された構造を有している。また、赤外半導体レーザ素子部８３０は、ｎ型ＧａＡｓ基板８８１のＹ２方向側の上面上に、ｎ型クラッド層８３３、活性層８３２およびリッジ部８３１ａを有するｐ型クラッド層８３１が順に積層された構造を有している。
【００８９】
また、赤色半導体レーザ素子部８２０と赤外半導体レーザ素子部８３０との間には、溝部８８２ａが形成されている。また、ｎ型ＧａＡｓ基板８８１のＹ１方向側には、溝部８８２ｂが形成されている。また、ｐ型クラッド層８２１のリッジ部８２１ａおよびｐ型クラッド層８３１のリッジ部８３１ａの上面と、ｎ型ＧａＡｓ基板８８１のＹ１方向側の上面と、半導体層８８１ａの側面上および上面上とを除く略全面に渡って電流ブロック層８８３が形成されている。また、ｐ型クラッド層８２１のリッジ部８２１ａの上面およびリッジ部８２１ａの周辺の電流ブロック層８８３の上面には、ｐ側パッド電極８２４が形成されている。また、ｐ型クラッド層８３１のリッジ部８３１ａの上面およびリッジ部８３１ａの周辺の電流ブロック層８８３の上面には、ｐ側パッド電極８３４が形成されている。また、ｐ側パッド電極８２４と後述する導電膜８８９とを絶縁するとともに、青紫色半導体レーザ素子部８１０の後述するｎ側電極８１６以外と後述する導電膜８８９とを絶縁するように、絶縁膜８８４が形成されている。絶縁膜８８４は、ｎ型ＧａＡｓ基板８８１のＹ１方向側の上面と半導体層８８１ａの側面上および上面上とにも形成されているとともに、溝部８８２ｂの内周面にも形成されている。また、溝部８８２の底面の電流ブロック層８８３の上面には、電極層８０３が形成されている。
【００９０】
また、青紫色半導体レーザ素子部８１０は、リッジ部８１１ａを有するｐ型クラッド層８１１、活性層８１２およびｎ型クラッド層８１３が順に積層された構造を有している。また、ｐ型クラッド層８１１の平坦部の下面とリッジ部８１１ａの側面とを覆うように電流ブロック層８１４が形成されている。また、ｐ型クラッド層８１１の下には、ｐ側電極８１５が形成されている。また、ｎ型クラッド層８１３の上面上に、ｎ側電極８１６が形成されている。また、青紫色半導体レーザ素子部８１０のｐ側電極８１５は、導電性接着層８８５により電極層８０３に接合されている。
【００９１】
また、溝部８８２ｂの内部の絶縁膜８８４には、ｎ型ＧａＡｓ基板８８１の上面に達する貫通孔８８６が形成されている。また、貫通孔８８６の中には、導電材８８７ａが埋め込まれている。また、ｎ型ＧａＡｓ基板８８１の上面の導電材８８７ａが接続される部分には、コンタクト電極層８８７ｂが形成されている。また、ｎ型ＧａＡｓ基板８８１の下面には、ｎ側電極８８８が形成されている。また、青紫色半導体レーザ素子部８１０のｎ側電極８１６の上面上から絶縁膜８８４の上面上をＹ１方向に延び、溝部８８２ｂの内部まで延びる導電膜８８９が形成されている。
【００９２】
なお、第４実施形態の変形例による半導体レーザ装置８００のその他の構造および効果は、上記第４実施形態と同様である。
【００９３】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００９４】
たとえば、上記第１〜第４実施形態では、半導体レーザ装置を３つの半導体レーザ素子部からなる３波長半導体レーザ素子部を備えるように構成した例を示したが、本発明はこれに限らず、半導体レーザ装置を、２つの半導体レーザ素子部を含む２波長半導体レーザ素子部として構成してもよい。また、半導体レーザ装置を、波長が異なるように構成された４つ以上の半導体レーザ素子部からなるように構成してもよい。また、半導体レーザ装置を、同一の波長を有する複数の半導体レーザ素子部を含むように構成してもよい。
【００９５】
また、上記第１〜第４実施形態では、本発明の第１半導体層の一例として、導電性を有するｎ型ＧａＮ基板またはｎ型ＧａＡｓ基板を用いた例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、ＣｕＷ、ＡｌおよびＦｅＮなどの導電性の金属基板、Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＡｓおよびＺｎＯなどの導電性の単結晶半導体基板や、ＡｌＮなどの導電性の多結晶半導体基板を用いてもよい。さらに、基板を、金属などの導電性の微粒子を分散させた導電性樹脂フィルム、導電性の金属および金属酸化物の複合材料または導電性の金属を含侵させた黒鉛粒子焼結体で構成される炭素および金属の複合材料からなるように構成してもよい。また、ＭｇＺｎＳＳｅ系やＺｎＯ系の半導体基板を用いてもよい。
【００９６】
また、第３実施形態では、導電性を有するｎ型ＧａＮ基板を用いて半導体レーザ装置を形成した例を示したが、本発明はこれに限らず、絶縁性を有するサファイア基板などを用いて半導体レーザ装置を形成してもよい。
【００９７】
また、上記第１〜第４実施形態では、青紫色半導体レーザ素子部を、ＡｌＧａＮやＩｎＧａＮなどの窒化物系半導体層により形成した例について示したが、本発明はこれに限らず、青紫色半導体レーザ素子部を、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＢＮ、ＴｌＮおよびこれらの混晶からなるウルツ鉱構造の窒化物系半導体層により形成してもよい。
【００９８】
また、上記第１、第２および第４実施形態では、導電性を有するｎ型ＧａＮ基板またはｎ型ＧａＡｓ基板の下面にｎ側電極を形成した例を示したが、本発明はこれに限らず、導電性を有するｎ型ＧａＮ基板またはｎ型ＧａＡｓ基板の上面にｎ側電極を形成してもよい。
【００９９】
また、上記第１〜第４実施形態では、ｐ型クラッド層に光導波路を構成するためのリッジ部を形成した例を示したが、本発明はこれに限らず、ｐ型クラッド層に埋め込みヘテロ構造などの他の構造を形成することによって、光導波路を構成してもよい。
【０１００】
また、上記第１〜第３実施形態では、本発明の第１半導体レーザ素子部の一例として、第１半導体レーザ素子部を基板のＹ方向の中央に位置するように形成した例を示したが、本発明はこれに限らず、第１半導体レーザ素子部を基板のＹ方向の端部近傍に位置するように形成してもよい。
【０１０１】
また、上記第１〜第４実施形態では、ｎ側電極を介して、ｎ型クラッド層と導電膜とを電気的に接続した例を示したが、本発明はこれに限らず、ｎ側電極を介さずに、ｎ型クラッド層と導電膜とを直接、電気的に接続してもよい。
【０１０２】
また、上記第１および第４実施形態では、貫通孔を基板の上面まで設けた例を示したが、本発明はこれに限らず、貫通孔を基板の内部まで達するように形成してもよい。
【０１０３】
また、上記第１および第４実施形態では、導電材の下にコンタクト電極層を設けた例を示したが、本発明はこれに限らず、導電材の下にコンタクト電極層を設けずに、直接導電材を基板に接触させてもよい。
【０１０４】
また、上記第１〜第４実施形態では、本発明の第１半導体層の一例として、ｎ型クラッド層とｎ型ＧａＮ基板またはｎ型ＧａＡｓ基板（導電性基板）とを含む例を示したが、本発明はこれに限らず、第１半導体層として、導電性基板またはｎ型クラッド層のどちらか一方からなるように構成してもよいし、第１半導体層として、光ガイド層やキャリヤブロック層などを含むように構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した平面図である。
【図２】図１の１０００−１０００線に沿った半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。
【図３】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための図である。
【図４】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための図である。
【図５】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための図である。
【図６】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための図である。
【図７】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための図である。
【図８】図１に示した第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための図である。
【図９】本発明の第１実施形態の変形例による半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した平面図である。
【図１１】図１０の２０００−２０００線に沿った半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。
【図１２】図１０に示した第２実施形態による半導体レーザ装置の構造の変形例を示した断面図である。
【図１３】本発明の第２実施形態の第１変形例による半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。
【図１４】本発明の第２実施形態の第２変形例による半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。
【図１５】本発明の第３実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。
【図１６】本発明の第４実施形態による半導体レーザ装置の構造を示した平面図である。
【図１７】図１６の３０００−３０００線に沿った半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。
【図１８】本発明の第４実施形態の変形例による半導体レーザ装置の構造を示した断面図である。
【符号の説明】
【０１０６】
５、９、３０５、３０９、５０５、５０９、７７９、８８９  導電膜（導電層）
１０、３１０、６１０  青紫色半導体レーザ素子部（第１半導体レーザ素子部）
１１、３１１、６１１、７７１  ｎ型ＧａＮ基板（導電性基板、第１半導体層）
１２、３１２、４２３、７５３、７６３、８２３、８３３  ｎ型クラッド層（第１半導体層）
１３、３１３、４２２、７５２、７６２、８２２、８３２  活性層（第１活性層）
１４、３１４、４２１、７５１、７６１、８２１、８３１  ｐ型クラッド層（第２半導体層）
１６ａ、１６ｂ、７７６、８８６  貫通孔（第１孔部）
１７ａ、１７ｂ、７７７ａ、８８７ａ  導電材（導電層、第１導電材）
１７ｃ、１７ｄ、７７７ｂ、８８７ｂ  コンタクト電極層（導電層、第１導電材）
１９  ｎ側電極（電極）
２０、５２０  赤色半導体レーザ素子部（第２半導体レーザ素子部、第３半導体レーザ素子部）
２１、３１、４５１、４６１、５２１、５３１、７２１、８１１  ｐ型クラッド層（第３半導体層、第５半導体層）
２２、３２、４５２、４６２、５２２、５３２、７２２、８１２  活性層（第２活性層、第３活性層）
２３、３３、４５３、４６３、５２３、５３３、７２３、８１３  ｎ型クラッド層（第４半導体層、第６半導体層）
３０、５３０  赤外半導体レーザ素子部（第２半導体レーザ素子部、第３半導体レーザ素子部）
４２０  赤色半導体レーザ素子部（第１半導体レーザ素子部）
４２７、８８１  ｎ型ＧａＡｓ基板（導電性基板、第１半導体層）
４５０  青色半導体レーザ素子部（第２半導体レーザ素子部、第３半導体レーザ素子部）
４６０  緑色半導体レーザ素子部（第２半導体レーザ素子部、第３半導体レーザ素子部）
６１５ｃ、６１５ｄ  貫通孔（第２孔部）
６１７ｅ、６１７ｆ、６１７ｇ、６１７ｈ  導電材（第２導電材）
７２０  赤色半導体レーザ素子部（第２半導体レーザ素子部）
７５０  青色半導体レーザ素子部（第１半導体レーザ素子部）
７６０  緑色半導体レーザ素子部（第１半導体レーザ素子部）
７７９、８８９  導電膜（導電層）
８１０  青紫色半導体レーザ素子部（第２半導体レーザ素子部）
８２０  赤色半導体レーザ素子部（第１半導体レーザ素子部）
８３０  赤外半導体レーザ素子部（第１半導体レーザ素子部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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