(57)【要約】【課題】絶縁樹脂層内の接続導体を工夫し、前記接続導体の位置ずれがなく、しかも、接続導体による接続の導電性が良好で電気的特性が従来より飛躍的に向上した配線基板を製造する。【解決手段】金属箔３ａの一面に金属の突状部材４ａを一体に接合し、金属箔４ａの前記一面を絶縁樹脂層２ａの一主面に圧着して突状部材４ａを絶縁樹脂層２ａ内に押し込み、突状部材４ａにより絶縁樹脂層２ａ内の接続導体を形成することにより、例えば絶縁樹脂層２ａのプリプレグによっては突状部材４ａの位置がずれたりせず、しかも、金属箔３ａと突状部材４ａとの接触界面が金属同士の接触界面になってヒートショック（温度変化）等に強い。そして、突状部材４ａの先端部が金属箔５ａにはんだ溶接等で接合されることにより、金属箔３ａ、５ａが突状部材４ａを介して接触抵抗の極めて小さい状態で接続され、電気的特性が飛躍的に向上した配線基板１ａを製造できる。【選択図】図１
2010278380.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線パターンの金属箔の一面に金属の突状部材を一体に接合し、
前記金属箔の前記一面を絶縁樹脂層の一主面に圧着して前記突状部材を前記絶縁樹脂層内に押し込み、
前記突状部材により前記絶縁樹脂層内の接続導体を形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板の製造方法において、
前記突状部材は、
前記金属箔の前記一面を表面処理して前記突状部材の接合部分を選択的に濡れ面に加工し、
前記濡れ面に加工した前記接合部分に前記突状部材の金属を付着し、
該付着後に前記金属箔を前記突状部材の金属の溶融温度以上に加熱し、前記金属を溶融して前記金属箔に接合して形成することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の配線基板の製造方法において、
前記表面処理は、前記金属箔の前記一面に選択的にレーザを照射するレーザ加工処理であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の配線基板の製造方法において、
前記表面処理は、前記金属箔の前記一面を選択的にエッチングするエッチング加工処理であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記突状部材を前記絶縁樹脂層内に押し込むことにより、前記突状部材の先端部を前記絶縁樹脂層の他の主面に圧着された配線パターンの金属箔に当接し、
該当接後、前記絶縁樹脂層を前記溶融温度以上に加熱して前記突状部材を前記他の主面の金属箔に接合することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜４のいずれかに記載の配線基板の製造方法において、
前記絶縁樹脂層は電子部品を内蔵し、
前記突状部材を前記絶縁樹脂層内に押し込むことにより、前記突状部材の先端部を前記電子部品の電極に当接し、
該当接後、前記絶縁樹脂層を前記溶融温度以上に加熱して前記突状部材を前記電極に接合することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
絶縁樹脂層の一主面に圧着された一主面側の配線パターンの金属箔と、
該金属箔の一面に溶融接合されて前記絶縁樹脂層内に押し込まれ、前記絶縁樹脂層内の接続導体を形成する金属の突状部材と、
前記絶縁樹脂層の他方の主面に圧着され、前記突状部材の先端部が溶融接合した他方の主面側の配線パターンの金属箔とを備えたことを特徴とする配線基板。
【請求項８】
絶縁樹脂層の一主面に圧着された配線パターンの金属箔と、
該金属箔の一面に溶融接合されて前記絶縁樹脂層内に押し込まれ、前記絶縁樹脂層内の接続導体を形成する金属の突状部材と、
前記絶縁樹脂層に内蔵され、前記突状部材の先端部が電極に溶融接合した電子部品とを備えたことを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁樹脂層の一主面に接着される配線パターンのランド等の金属箔を、前記絶縁樹脂層内の接続導体を通して、前記絶縁樹脂層の他主面に接着される配線パターンのランド等の金属箔や前記絶縁樹脂層に内蔵された電子部品の電極に電気的に接続した構造の配線基板の製造方法および、その配線基板に関し、詳しくは、主に配線基板の電気的特性の向上に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、両面の配線基板や部品内蔵の配線基板等の多くは、熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂が形成する絶縁樹脂層の一主面に接着されたランド等の金属箔は、絶縁樹脂層内の接続導体を通して、前記絶縁樹脂層の対向する他の主面のランド等の金属箔や、前記絶縁樹脂層に内蔵されたコンデンサ、コイル等の電子部品の電極に電気的に接続される。この場合、前記接続導体はビア（スルーホール等を含む）により、前記金属箔とは別体に形成される。
【０００３】
具体的には、上記配線基板の一例である多層の部品内蔵の配線基板（部品内蔵モジュール）について、図７（ａ）〜（ｈ）の断面図に示す工程順に製造し、その際、例えば銅箔６００、６００ａをビア６０３を介して電気的に接続することが提案されている（例えば、特許文献１（段落［００５５］−［００５９］、図６等）参照）。
【０００４】
図７（ａ）において、６０２は無機質フィラーと未硬化状態の熱硬化性樹脂の混合物をシート状に加工したものに貫通孔を形成して得られた前記絶縁樹脂層としてのシート状物である。このシート状物はビア６０３の貫通孔が形成され、この貫通孔に導電性ペーストを充填して前記接続導体としてのビア６０３が形成される。
【０００５】
図７（ｂ）は配線パターンの銅箔６００に能動部品である半導体６０１やチップ部品６０４等が実装された状態を示している。半導体６０１は導電性接着剤を介して銅箔６００に電気的に接続されている。
【０００６】
図７（ｃ）において、６００ａは別途用意した銅箔であり、上記した方法で作製したシート状物６０２と、半導体６０１、チップ部品６０４を実装した銅箔６００と、銅箔６００ａとを図示のように位置合わせして重ねる状態を示している。
【０００７】
図７（ｄ）は図７（ｃ）の工程により位置合わせして重ねたものをプレスにより、加熱加圧し、半導体６０１およびチップ部品６０４をシート状物６０２に埋設して内蔵した状態を示し、シート状物６０２の両主面（上下面）の銅箔６００、６００ａはビア６０３を介して電気的に接続されている。このとき、全体を更に加熱し、シート状物６０２の熱硬化性樹脂および導電性樹脂の熱硬化性樹脂を完全に硬化させる。
【０００８】
図７（ｅ）は前記熱硬化性樹脂が硬化してコア層６０５が作製された状態を示す。
【０００９】
図７（ｆ）はコア層６０５の上下のシート状物６０６に貫通孔を形成し、この貫通孔に導電性ペーストを充填してビア６０７を形成した後、両シート物６０６をコア層６０５の両面に位置合わせして重ね、さらにその上下に銅箔６０８を重ねて多層にしたものを示す。  図７（ｇ）は、この多層物を加熱加圧し、コア層６０５の両面にシート物６０６、銅箔６０８の配線層が形成された状態を示す。
【００１０】
図７（ｈ）は前記配線層の上下に接着された銅箔６０８を化学エッチング法で処理して配線パターン６０９を形成した状態を示し、これにより部品内蔵モジュールが製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００２−２６１４４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従来のこの種の配線基板は、例えば図７（ｄ）に示したように絶縁樹脂層であるシート状物６０２の両主面の銅箔６００、６００ａを、接続導体としてのビア（貫通ビア）６０３を介して電気的に接続した構造に製造される。前記コア層６０５から半導体６０１およびチップ部品６０４を除いた構造の部品を内蔵しない両面の配線基板等の場合も同様である。また、例えば図７（ｈ）に示したように銅箔６００と電子部品の電極についても、例えば接続導体としてのビア６０７のような貫通ビアや有底ビアを介して電気的に接続される。
【００１３】
これらの配線基板の場合、ビアの位置ずれが生じ易く、しかも、銅箔６００、６００ａとビア６０３の接続、銅箔６００、電子部品の電極とビア６０７等の接続の導電性が低い。
【００１４】
すなわち、銅箔６００、６００ａとビア６０３の接続について説明すると、未硬化のシート状物６０２のプリプレグにビア６０３の貫通孔が形成され、この貫通孔に導電性ペーストを充填して前記接続導体としてのビア６０３が銅箔６００、６００ａと別体に形成される。そして、前記プリプレグの両主面の金属箔６００、６００ａが前記プリプレグに圧着されるが、このとき、ビア６０３は金属箔６００、６００ａのいずれとも繋がっておらず、未硬化で流動性を有する前記プリプレグにより押されて位置が容易にずれる。しかも、金属箔６００、６００ａとビア６０３の導電性ペーストの接触界面は金属同士の接触界面に比してヒートショック（温度変化）等に弱い。そのため、金属箔６００、６００ａとビア６０３の接触抵抗が増大してそれらの間の導電性が低下する。銅箔６００、電子部品の電極とビア６０７等の接続についても同様である。
【００１５】
したがって、この種の配線基板は、接続導体の位置ずれが生じ易く、しかも、接続導体による接続の導電性が低く、電気的特性を向上できない問題がある。
【００１６】
なお、シート状物６０２のプリプレグのような絶縁樹脂層のプリプレグにビア６０３、６０７の貫通孔や有底孔を形成し、それに導電性ペースト充填してビア６０３、６０７を形成する必要があり、製造作業が煩雑になる問題もある。
【００１７】
本発明は、絶縁樹脂層内の接続導体を工夫し、前記接続導体の位置ずれがなく、しかも、接続導体による接続の導電性が良好で電気的特性が従来より飛躍的に向上した配線基板の製造方法および、その配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記した目的を達成するために、本発明の配線基板の製造方法は、配線パターンの金属箔の一面に金属の突状部材を一体に接合し、前記金属箔の前記一面を絶縁樹脂層の一主面に圧着して前記突状部材を前記絶縁樹脂層内に押し込み、前記突状部材により前記絶縁樹脂層内の接続導体を形成することを特徴としている（請求項１）。
【００１９】
また、本発明の配線基板の製造方法の前記突状部材は、前記金属箔の前記一面を表面処理して前記突状部材の接合部分を選択的に濡れ面に加工し、前記濡れ面に加工した前記接合部分に前記突状部材の金属を付着し、該付着後に前記金属箔を前記突状部材の金属の溶融温度以上に加熱し、前記金属を溶融して前記金属箔に接合して形成することを特徴としている（請求項２）。
【００２０】
また、本発明の配線基板の製造方法の前記表面処理は、前記金属箔の前記一面に選択的にレーザを照射するレーザ加工処理であることを特徴としている（請求項３）。
【００２１】
また、本発明の配線基板の製造方法の前記表面処理は、前記金属箔の前記一面を選択的にエッチングするエッチング加工処理であることを特徴としている（請求項４）。
【００２２】
また、本発明の配線基板の製造方法は、前記突状部材を前記絶縁樹脂層内に押し込むことにより、前記突状部材の先端部を前記樹脂層の他の主面に圧着された配線パターンの金属箔に当接し、該当接後、前記絶縁樹脂層を前記溶融温度以上に加熱して前記突状部材を前記他の主面の金属箔に接合することを特徴としている（請求項５）。
【００２３】
また、本発明の配線基板の製造方法は、前記絶縁樹脂層は電子部品を内蔵し、前記突状部材を前記絶縁樹脂層内に押し込むことにより、前記突状部材の先端部を前記電子部品の電極に当接し、該当接後、前記絶縁樹脂層を前記溶融温度以上に加熱して前記突状部材を前記電極に接合することを特徴としている（請求項６）。
【００２４】
つぎに、本発明の配線基板は、絶縁樹脂層の一主面に圧着された一主面側の配線パターンの金属箔と、該金属箔の一面に溶融接合されて前記絶縁樹脂層内に押し込まれ、前記絶縁樹脂層内の接続導体を形成する金属の突状部材と、前記絶縁樹脂層の他方の主面に圧着され、前記突状部材の先端部が溶融接合した他方の主面側の配線パターンの金属箔とを備えたことを特徴としている（請求項７）。
【００２５】
また、本発明の配線基板は、絶縁樹脂層の一主面に圧着された配線パターンの金属箔と、該金属箔の一面に溶融接合されて前記絶縁樹脂層内に押し込まれ、前記絶縁樹脂層内の接続導体を形成する金属の突状部材と、前記絶縁樹脂層に内蔵され、前記突状部材の先端部が電極に溶融接合した電子部品とを備えたことを特徴としている（請求項８）。
【発明の効果】
【００２６】
請求項１の本発明の配線基板の製造方法によれば、配線パターンの金属箔の一面に一体に接合した金属の突状部材が、金属箔の一面を絶縁樹脂層の一主面に圧着することで、絶縁樹脂層内に押し込まれて絶縁樹脂層内の接続導体を形成する。この場合、接続導体としての突状部材は金属箔に一体に接合して繋がっているので、絶縁樹脂層の流動性のあるプリプレグによっては、従来の金属箔と別体に形成されるビアのように位置がずれたりしない。しかも、金属箔と突状部材との接触界面は金属同士の接触界面であり、ヒートショック（温度変化）等に強い。そして、前記突状部材の先端部は絶縁樹脂層の他主面の金属箔や絶縁層内の電子部品の電極にはんだ溶接等で接合される。このようにして絶縁樹脂層の両主面の金属箔が前記突状部材を介して接続されたり、絶縁樹脂層の一主面の金属箔と前記電子部品の電極とが前記突状部材を介して接続されることにより、それらの間の接触抵抗が極めて小さくなり、絶縁樹脂層の両主面の金属箔間や、絶縁樹脂層の一主面の金属箔と前記電子部品の電極間の導電性が極めて良好になる。そのため、接続導体の位置ずれがなく、しかも、接続導体による接続の導電性が良好で電気的特性が飛躍的に向上した配線基板を製造することができる。
【００２７】
また、従来のビアによる接続のように、絶縁樹脂層に貫通孔を形成しなくてよく、その貫通孔に導電性ペーストを充填する作業も不要であるので、製造作業が簡単になって短時間に容易に前記配線基板を製造することができる利点もある。
【００２８】
請求項２の本発明の配線基板の製造方法によれば、表面処理により金属箔の一面の突状部材が接合する部分を選択的に濡れ面に加工し、その接合部分に突状部材の金属を付着して加熱溶融することにより、溶融した金属の表面張力で突状部材が略前記接合部分から広がらずに盛り上がり、簡単な手法で金属箔の前記接合部分に確実に突状部材を接合することができ、一層良好に前記配線基板を製造できる。
【００２９】
請求項３の本発明の配線基板の製造方法によれば、レーザ加工の表面処理により、短時間に速やかに金属箔の一面の突状部材が接合する部分を選択的に濡れ面に加工することができ、前記配線基板の生産性が向上する。
【００３０】
請求項４の本発明の配線基板の製造方法によれば、エッチングの表面処理により、金属箔の損傷を極力抑えて金属箔の一面の突状部材が接合する部分を選択的に濡れ面に加工することができ、レーザ加工の表面処理に比して前記配線基板の品質が向上する。
【００３１】
請求項５の本発明の配線基板の製造方法によれば、金属箔の一面を絶縁樹脂層の一主面に圧着して絶縁樹脂層内に押し込んだ金属の突状部材の先端部を、絶縁樹脂層の他の主面に圧着された配線パターンの金属箔に当接して溶融加熱し、突状部材を他の主面の金属箔に接合することにより、従来の貫通ビアに代わる接続導体としての突状部材を介して、絶縁樹脂層の両主面の配線パターンの金属箔が接続される。そのため、両主面の金属箔間の接続導体の位置ずれがなく、しかも、接続導体による接続の導電性が良好で電気的特性が優れた配線基板のより具体的な製造方法を提供することができる。
【００３２】
請求項６の本発明の配線基板の製造方法によれば、金属箔の一面を、電子部品を内蔵した絶縁樹脂層の一主面に圧着し、該絶縁樹脂層内に押し込んだ金属の突状部材の先端部を前記電子部品の電極に当接して溶融加熱し、突状部材を前記電子部品の電極に接合することにより、接続導体としての突状部材を介して絶縁樹脂層の一主面の配線パターンの金属箔と絶縁樹脂層内の電子部品の電極とが、従来のビアに代わる接続導体としての突状部材を介して接続される。そのため、配線パターンの金属箔と絶縁樹脂に内蔵された電子部品の電極との接続導体の位置ずれがなく、しかも、接続導体による接続の導電性が良好で電気的特性が飛躍的に向上した部品内蔵の配線基板を製造する具体的な製造方法を提供することができる。
【００３３】
請求項７の本発明の配線基板によれば、絶縁樹脂層の一主面に一主面側の配線パターンの金属箔が圧着され、この金属箔の一面に溶融接合した金属の突状部材が絶縁樹脂層に押し込まれ、その先端部が絶縁樹脂層の他方の主面に圧着された他方の主面側の配線パターンの金属箔に溶融接合しているので、両主面の金属箔間の接続導体の位置ずれがなく、しかも、接続導体による接続の導電性が良好であり、電気的特性が飛躍的に向上した配線基板を提供することができる。
【００３４】
請求項８の本発明の配線基板によれば、電子部品を内蔵した絶縁樹脂層の一主面に配線パターンの金属箔が圧着され、この金属箔の一面に溶融接合した金属の突状部材が絶縁樹脂層に押し込まれ、その先端部が絶縁樹脂層内の前記電子部品の電極に溶融接合しているので、配線パターンの金属箔と絶縁樹脂に内蔵された電子部品の電極との接続導体の位置ずれがなく、しかも、接続導体による接続の導電性が良好であり、電気的特性が飛躍的に向上した部品内蔵の配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の第１の実施形態の配線基板の断面図である。
【図２】図１の配線基板の製造工程を説明する断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態の要部の製造工程を説明する断面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態の配線基板の製造方法を説明する断面図である。
【図５】本発明の第４の実施形態の配線基板の断面図である。
【図６】図５の配線基板の製造工程を説明する断面図である。
【図７】従来例の製造工程を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
本発明の実施形態について、図１〜図６を参照して詳述する。
【００３７】
（第１の実施形態）
まず、請求項１、２、３、５、７に対応する第１の実施形態について、図１、図２を参照して説明する。
【００３８】
［配線基板の構成］
図１は本実施形態の配線基板１ａの構成を示し、配線基板１ａは、絶縁樹脂層２ａの一主面（下面）に圧着された一主面側の配線パターンの金属箔３ａと、金属箔３ａの一面（上面）に溶融接合されて絶縁樹脂層２ａ内に押し込まれた金属の突状部材４ａと、絶縁樹脂層２ａの他方の主面（上面）に圧着された他方の主面側の配線パターン金属箔５ａとを備えた構造である。なお、図１の各金属箔３ａ、５ａの斜線を付した部分３１、５１は、金属箔３ａ、５ａの配線パターンにしたがったランド等である。
【００３９】
そして、絶縁樹脂層２ａは例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂等の熱硬化性樹脂からなり、好ましくはシリカ粉末、アルミナ粉末などの無機粉末の無機フィラーを含有する。金属箔３ａ、５ａは例えば銅箔である。絶縁樹脂層２ａ内に押し込まれた突状部材４ａは、はんだのボール状部材であり、従来の貫通ビアに代わる絶縁樹脂層内の接続導体を形成し、先端部が金属箔５ａに溶融接合している。
【００４０】
［配線基板の製造方法］
図２は配線基板１ａの順の製造工程を示し、まず、金属箔準備工程によりシート状の金属箔３ａを用意する（図２（ａ））。金属箔３ａはいわゆる電解銅箔であり、一面（上面）は図中に黒丸で示したようにはんだ濡れ性が悪い粗化面であり、他面（裏面）ははんだ濡れ性がよい面である。
【００４１】
つぎに、表面処理工程により金属箔３ａの一面の突状部材４ａが接合する前記ランド等の接合部分αに例えば炭酸ガスレーザを照射し、その熱で接合部分αを滑らかにし、レーザ加工処理によって金属箔３ａの接合部分αを選択的にはんだ濡れ性がよい濡れ面に加工する（図２（ｂ））。なお、このレーザ加工処理によって濡れ面に加工された接合部分αの表面は酸化膜が形成され易いので、つぎの印刷工程に移行する前に、金属箔３ａを適当な酸の溶液に浸漬等し、酸洗いを施して酸化膜を除去することが好ましい。
【００４２】
つぎに、印刷工程により金属箔３ａの一面に接合部分αが露出するマスクを介してはんだペーストを塗布し、接合部分αにはんだ４１を印刷して突状部材４ａの金属を付着する（図２（ｃ））。はんだ４１の印刷の厚みは前記した絶縁層２の厚みを考慮して決定される。
【００４３】
つぎに、溶融工程により、はんだ４１が印刷された金属箔３ａを、はんだ４１の溶融温度以上で金属箔３ａの溶融温度より低い温度、例えば２５０℃に加熱し、はんだ４１を溶融する。このとき、金属箔３ａの一面は接合部分αだけが濡れ面となっているので、溶融したはんだ４１は接合部部αから広がらず、表面張力で丸く盛り上がり、金属箔３ａに接合したはんだ４１のボール状の突状部材４ａが形成される（図２（ｄ））。
【００４４】
つぎに、図２（ｅ）の絶縁樹脂層等熱圧着・再溶融工程に移行する。
【００４５】
そして、まず、絶縁樹脂層等熱圧着により、上面にシート状の金属箔５ａを貼付けた熱硬化性樹脂シートのプリプレグを用意し、このプリプレグが固まらない温度、例えば１２０℃の真空環境下において、前記プリプレグを金属箔３ａの上方から加圧し、上から順の金属箔５ａ、前記プリプレグを金属箔３ａに圧着する。このとき、突状部材４ａは、前記プリプレグが形成する絶縁樹脂層２ａに押し込まれて貫通し、先端部が金属箔５ａに当接する。その際、突状部材４ａははんだ溶着で金属箔３ａに強固に接合して繋がっているので、流動性のある前記プリプレグによって押されても位置がずれたりしない。さらに、この状態で全体が前記プリプレグが固まる温度、例えば１８０℃に加熱され、絶縁樹脂層２ａが固化する。
【００４６】
つぎに、はんだ再溶融のリフローにより絶縁樹脂層２ａおよびその両主面の金属箔３ａ、５ａが適当な時間２５０℃に加熱され、絶縁樹脂層２ａ内の突状部材４ａのはんだが再溶融される。このとき、前記再溶融のリフローにより、突状部材４ａの略先端部が溶融して金属箔５ａに融着し、突状部材４ａが金属箔５ａにも強固に接合して繋がる。
【００４７】
つぎに、金属箔３ａ、５ａを配線パターンにしたがってフォトエッチングする。
【００４８】
そのため、レジスト塗布工程により、金属箔３ａ、５ａの表面（金属箔３ａの下面、金属箔５ａの上面）に、配線パターンにしたがってレジスト６を塗布する（図２（ｆ））。
【００４９】
さらに、エッチング工程により、レジスト６が塗布された金属箔３ａ、５ａをフォトエッチングし、レジスト６が塗布されていない部分を除去してランド等の部分３１、５１を形成する（図２（ｇ））。
【００５０】
そして、レジスト除去工程によりレジスト６を除去し、配線基板１ａを製造する（図２（ｈ））。
【００５１】
したがって、本実施形態の場合、金属箔３ａの一面を絶縁樹脂層２ａの一主面に圧着することにより、金属箔３ａの一面にはんだ溶着で強固に一体に接合したはんだの突状部材４ａが絶縁樹脂層２ａ内に押し込まれ、かつ、突状部材４ａの先端部分が絶縁樹脂層２ａの他の主面に圧着されて金属箔５ａに接続され、突状部材４ａが絶縁樹脂層２ａ内の従来のビアに代わる接続導体を形成する。
【００５２】
そして、突状部材４ａは金属箔３ａに強固に一体に接合して繋がっているので、絶縁樹脂層２ａの流動性のあるプリプレグによっては位置がずれたりしない。しかも、金属箔３ａと突状部材４ａとの接触界面は金属同士の接触界面であり、ヒートショック（温度変化）等に強い。
【００５３】
さらに、金属箔３ａの一面にはんだ溶着した突状部材４ａの先端部が金属箔５ａにはんだ溶着し、突状部材４ａの先端部が絶縁樹脂層２ａの他主面の金属箔５ａに強固に接合されて配線基板１ａが製造されるため、製造された配線基板１ａは、従来の貫通ビアに代わる接続導体としての突状部材４ａを介して、絶縁樹脂層２ａの両主面の配線パターンの金属箔３ａ、５ａのランド等の間を、正確に位置決めし、かつ、はんだ溶着によって強固に接続することができ、接続導体の位置ずれがなく、しかも、接続導体による接続の導電性が良好で電気的特性が飛躍的に向上した配線基板１ａを製造して提供することができる。
【００５４】
その際、レーザ加工の表面処理により、短時間に速やかに金属箔３ａの一面の突状部材４ａが接合する部分を選択的に濡れ面に加工することができるため、配線基板１ａの生産性が向上する。
【００５５】
また、従来のビアによる接続のように、絶縁樹脂層２ａに貫通孔を形成しなくてよく、その貫通孔に導電性ペーストを充填する作業も不要であるので、製造作業が簡単になって短時間に容易に配線基板１ａを製造することができる。
【００５６】
（第２の実施形態）
つぎに、請求項１、２、４、５、７に対応する第２の実施形態について、図３を参照して説明する。
【００５７】
本実施形態の場合、製造される配線基板は第１の実施形態の配線基板１ａと略同じであるが、その製造方法、とくに突状部材４ａの形成方法が第１の実施形態と異なる。
【００５８】
図３は図２（ａ）〜図２（ｄ）の工程に代わる本実施形態の要部の工程を示し、まず、金属箔準備工程によりシート状の金属箔３ａを用意する（図３（ａ））。
【００５９】
つぎに、表面処理工程により金属箔３ａの一面（粗化面）に、接合部分αに開口部を形成するようにレジスト７を塗布し、その後、接合部分αを化学的にエッチングし、このエッチングの表面処理により、金属箔３ａの損傷を極力抑えて接合部分αを選択的に濡れ面に加工する（図３（ｂ））。
【００６０】
さらに、めっき工程により、レジスト７が塗布された金属箔３ａの一面に電解めっき法により、はんだまたは錫（Ｓｎ）のめっき４２を成長させて形成する（図３（ｃ））。
【００６１】
つぎに、レジスト除去工程によりレジスト７を除去し（図３（ｄ））、その後、溶融工程に移行し、めっき４２が形成された金属箔３ａを、めっき４２の溶融温度以上で金属箔３ａの溶融温度より低い温度、例えば２５０℃に加熱し、めっき４２を溶融する。この場合も金属箔３ａの一面は接合部分αだけが濡れ面となっているので、溶融しためっき４２は接合部分αから広がらず、表面張力で丸く盛り上がり、めっき４２のボール状部材からなり、金属箔３ａに接合した突状部材４ａが形成される（図３（ｅ））。
【００６２】
その後、図１（ｅ）〜図１（ｈ）の工程と同様の各工程の処理を行ない、配線基板１ａと略同じ構成の配線基板を製造する。
【００６３】
したがって、本実施形態の場合、第１の実施形態の場合と同様の効果を奏する配線基板を製造して提供することができる。
【００６４】
その際、化学的なエッチングの表面処理により、金属箔３ａの損傷を極力抑えて金属箔３ａの一面を選択的に濡れ面に加工することができ、金属箔３ａが銅箔等の場合に、レーザ加工の表面処理に比して金属箔３ａに傷がつきにくく、配線基板の品質が向上する利点がある。
【００６５】
（第３の実施形態）
つぎに、請求項１、２、６、８に対応する第２の実施形態について、図４を参照して説明する。
【００６６】
図４は本実施形態の部品内蔵の配線基板１ｂの製造方法を示し、まず、第１の実施形態の図２（ａ）〜図２（ｄ）の工程または、第２の実施形態の図３（ａ）〜図３（ｅ）の工程により、一面の接合部分αに突状部材４ａが接合した金属箔３ａを用意する。
【００６７】
また、第１の実施形態の絶縁樹脂層２ａに対応する未硬化（プリプレグ）の熱硬化性樹脂シートの絶縁樹脂層２ｂを用意する。
【００６８】
さらに、コンデンサ、コイル、トランジスタ、ＩＣ等のチップ状の各種の電子部品が一主面（上面）に取り付けられた樹脂基板やセラミック基板のベース基板９を用意する。
【００６９】
そして、周知のピンラミネーション法により位置を合わせてベース基板９上に絶縁樹脂層２ｂ、金属箔３ａを重ね、真空環境下で徐々に温度を上げながら、それらを最終的には突状部材４ａのはんだや錫が溶融する例えば２５０℃に加熱して熱圧着する。このとき、電子部品８ａが下方から絶縁樹脂層２ｂ内に押し入って絶縁樹脂層２ｂが電子部品８ａを内蔵するとともに、上方から絶縁樹脂層２ｂ内に押し込まれた突状部材４ａの先端部が電子部品８ａの電極８１ａの上面に当接する。さらに、電極８１ａの上面に当接した突状部材４ａは先端部が溶融して電極８１ａに強固に溶着し、それより前に絶縁樹脂層２ｂも固化する。
【００７０】
以上のようにして製造された部品内蔵の配線基板１ｂは、金属箔３ａと電子部品８ａの電極８１ａとの接続導体が金属の突状部材４ａにより形成される、この場合、金属箔３の一面に強固に一体に接合した金属の突状部材４ａは、絶縁樹脂層２ｂ内に押し込まれたときに位置ずれせず、先端部が正確に電子部品８ａの電極８１ａの上面に当接して電極８１ａに強固に接合する。しかも、金属箔３、電極８１ａと突状部材４ａとの接触界面は金属同士の接触界面であり、ヒートショック（温度変化）等に強い。
【００７１】
したがって、本実施形態の場合、従来の有底ビア等の接続導体に代えて、突状部４が形成する接続導体により、金属箔３と電子部品８ａの電極８１ａを、正確な位置決めで正確に、かつ、はんだ溶着によって強固に接続することができ、接続導体の位置ずれがなく、しかも、接続導体による接続の導電性が良好で電気的特性が飛躍的に向上した部品内蔵の配線基板１ｂを製造して提供することができる。
【００７２】
（第４の実施形態）
つぎに、第１、第２の実施形態の変形例としての第４の実施形態について、図５、図６を参照して説明する。
【００７３】
［配線基板の構成］
図５は本実施形態の配線基板１ｃの断面図であり、配線基板１ｃは絶縁樹脂層２ｃに電子部品として低背素子８ｂを内蔵した構成である。
【００７４】
そして、配線基板１ｃは、絶縁樹脂層２ｃの一主面（下面）に圧着された一主面側の配線パターンの電解銅箔等の金属箔３ｂと、金属箔３ｂの一面（上面）に溶融接合されて絶縁樹脂層２ａ内に押し込まれた金属（はんだまたは錫）の突状部材４ｂと、絶縁樹脂層２ａの他方の主面（上面）に圧着された他方の主面側の配線パターンの金属箔５ｂとを備える。なお、金属箔３ｂは例えば第１の実施形態の金属箔３ａと同様、所定の配線パターンに加工される。また、金属箔５ｂは金属箔３ｂと同様に加工されてもよいが、例えばシールドパターンを形成する場合は平面箔のまま保持される。
【００７５】
さらに、配線基板１ｃは、絶縁樹脂層２ｃ内に厚みが薄く低い低背素子８ｂを内蔵し、低背素子８ｂは下面側に１対の電極８１ｂが突出している。そして、両電極８１ｂは、突状部材４ｂと同様に金属箔３ｂの一面に溶融接合されて絶縁樹脂層２ｃ内に押し込まれた金属（はんだまたは錫）の突状部材４ｃの先端部が溶着している。突状部材４ｃは、突状部材４ｂより小型のはんだのボール状であり、従来の有底ビアに代わる絶縁樹脂層内の接続導体を形成し、低背素子８ｂを絶縁樹脂層２ｃのほぼ中間の高さに設置する。
【００７６】
したがって、本実施形態の配線基板１ｃは、従来の貫通ビアや有底ビアに代わる突状部材４ｂ、４ｃを絶縁樹脂層２ｃに設けて絶縁樹脂層２ｃに低背素子８ｃを内蔵した構成に形成される。
【００７７】
［配線基板の製造方法］
図６は配線基板１ｃの製造工程を示し、まず、金属箔準備工程によりシート状の金属箔３ｂを用意する（図６（ａ））。金属箔３ｂも電解銅箔であり、一面（上面）は図中に黒丸で示したようにはんだ濡れ性が悪い粗化面であり、他面（裏面）ははんだ濡れ性がよい面である。
【００７８】
つぎに、表面処理工程により金属箔３ｂの一面の突状部材４ｂ、４ｃの接合部分βを、前レーザ加工処理または化学的なエッチッグ処理によって選択的にはんだ濡れ性がよい濡れ面に加工する（図６（ｂ））。
【００７９】
つぎに、印刷工程により金属箔３ｂの一面に接合部分βが露出するマスクを介してはんだペーストを塗布し、接合部分βにはんだ４３を印刷して突状部材４ｂ、４ｃの金属を付着する（図６（ｃ））。
【００８０】
つぎに、素子実装工程により、突状部材４ｃのはんだ４３の上面に低背素子８ｂの銅箔の電極８１ｂを載せて実装する（図６（ｄ））。
【００８１】
つぎに、溶融工程により、低背素子８ｂが実装された金属箔３ｂを、はんだ４３の溶融温度以上で金属箔３ｂの溶融温度より低い温度、例えば２５０℃に加熱し、はんだ４３を溶融する。このとき、金属箔３ｂの接合部分βだけが濡れ面となっているので、溶融したはんだ４３は接合部βから広がらず、表面張力で丸く盛り上がり、はんだ４３のボール状部材からなり、金属箔３ｂおよび電極８１ｂに接合した突状部材４ｂ、４ｃが形成される（図８（ｅ））。
【００８２】
つぎに、図６（ｆ）の絶縁樹脂層等熱圧着工程に移行し、上面に金属箔５ｂを貼付けた熱硬化性樹脂シートのプリプレグを用意し、このプリプレグが固まらない温度、例えば１２０℃の真空環境下において、前記プリプレグを金属箔３ｂの上方から加圧し、上から順の金属箔５ｂ、前記プリプレグを金属箔３ｂに圧着する。このとき、突状部材４ｂ、４ｃは前記プリプレグが形成する絶縁樹脂層２ｃに押し込まれる。そして、突状部材４ｂは先端部が金属箔５ｂに当接し、突状部材４ｃは先端部が電極８１ｂの下面に当接する。その際、突状部材４ｂ、４ｃは金属箔３ｂにはんだ溶着で強固に接合して繋がっているので、流動性のある前記プリプレグによって押されても位置がずれたりしない。さらに、この状態で全体が前記プリプレグが固まる温度、例えば１８０℃に加熱され、絶縁樹脂層２ｃが固化する。
【００８３】
その後、はんだ再溶融のリフローにより絶縁樹脂層２ｃおよびその両主面の金属箔３ｂ、５ｂは２５０℃に加熱され、絶縁樹脂層２ｃ内の突状部材４ｂ、４ｃのはんだが再溶融し、突状部材４ｂ、４ｃの先端部が溶融して金属箔５ｂ、電極８１ｂに融着し、突状部材４ｂ、４ｃが金属箔５ｂ、電極８１ｂに強固に接合して繋がる。
【００８４】
さらに、例えば金属箔３ｂを配線パターンにしたがってフォトエッチングし、配線基板１ｃを製造する。
【００８５】
したがって、本実施形態の場合、金属箔３ｂの一面を絶縁樹脂層２ｃの一主面に圧着することにより、金属箔３ｂの一面にはんだ溶着で強固に一体に接合したはんだの突状部材４ｂ、４ｃが絶縁樹脂層２ｃ内に押し込まれて従来の貫通ビアや有底ビアに代わる絶縁樹脂層２ｃ内の接続導体を形成する。
【００８６】
この場合、突状部材４ｂ、４ｃは金属箔３ｂに強固に一体に接合して繋がっているので、絶縁樹脂層２ｃの流動性のあるプリプレグによっては位置がずれたりしない。しかも、金属箔３ｂと突状部材４ｂ、４ｃとの接触界面は金属同士の接触界面であり、ヒートショック（温度変化）等に強い。
【００８７】
そして、突状部材４ｂ、４ｃの先端部が金属箔５ｂ、電極８１ｂにはんだ溶着により強固に接合されて配線基板１ｃが製造されるため、製造された配線基板１ｃは、金属箔３ｂ、５ｂの間および、金属箔３ｂと低背素子８ｂの電極８１ｂの間を、突状部材４ｂ、４ｃにより、正確に位置決めしてはんだ溶着によって強固に接続することができ、しかも、接続の導電性が良好である。そのため、電気的特性が飛躍的に向上した低背素子８ｂ内蔵の配線基板１ｃを製造して提供することができる。
【００８８】
そして、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、例えば、突状部材４ａ〜４ｃの形状はボール状に限るものではなく、金属箔３ａ、３ｂの配線パターンや電極８１ａ、８１ｂの形状等に応じた種々の形状であってよいのは勿論である。また、突状部材４ａ〜４ｃの金属ははんだ、錫に限るものではない。さらに、例えば第１の実施形態の絶縁樹脂層等熱圧着・再溶融工程において、絶縁樹脂層２ａのプリプレグに突状部材４ａが押し込まれた後、例えば１８０℃に加熱して絶縁樹脂層２ａを固化する処理を省き、２５０℃に加熱して突状部材４ａのはんだを再溶融するときに前記プリプレグをその温度に上昇する過程で固化するようにしてもよい。
【００８９】
つぎに、金属箔３ａ、３ｂ、５ａ、５ｂは銅箔に限るものではなく、種々の金属箔であってよく、その際、金属箔３ａ、３ｂについては、少なくとも一面が粗化面になる金属であればよい。また、絶縁樹脂層２ａ〜２ｃは熱硬化性樹脂でなくてもよく、光硬化性樹脂等であってもよい。
【００９０】
そして、本発明は、種々の用途の多層型、部品内蔵型の配線基板およびその製造方法に適用することができる。
【符号の説明】
【００９１】
１ａ、１ｂ、１ｃ  配線基板
２ａ、２ｂ、２ｃ  絶縁樹脂層
３ａ、３ｂ、５ａ、５ｂ  金属箔
４ａ、４ｂ、４ｃ  突状部材
８ａ  電子部品
８ｂ  低背素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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