(57)【要約】【課題】発光素子の輝度を高く保持しつつ、発光素子のダイボンド強度を安定化させることが可能な光結合型半導体装置を提供する。【解決手段】発光素子１１の４つの側面１４は、底面１２の縁に隣接する下側の各滑面化領域１４aと、これらの滑面化領域１４aの上側の各粗面化領域１４bとを有している。各側面１４の下側の滑面化領域１４aは、平滑化処理を施されて、平滑面にされた領域である。また、各側面１４の上側の粗面化領域１４bは、発光素子の輝度を高くするために、粗面化処理を施されて、粗面にされた領域である。底面１２の縁に隣接する下側の各滑面化領域１４aが滑面であることから、各滑面化領域１４aでは毛細管現象が発生せず、発光素子１１の底面１２の銀ペーストの硬化用溶剤が各滑面化領域１４aを通じて吸い上げられることはない。このため、銀ペーストの硬化が十分に促進され、ダイボンド強度が安定する。【選択図】図１
2010087422.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力信号を入力して発光する発光素子と、発光素子の光を受光して出力信号を出力する受光素子とを備え、少なくとも発光素子をリードフレーム上にダイボンドした光結合型半導体装置において、
前記発光素子は、前記リードフレームに対向する底面と、この底面の縁から立ち上がる側面とを有し、前記底面の縁に隣接する前記側面の領域を滑面化し、この側面の滑面化された領域を少なくとも除く該発光素子表面の他の領域を粗面化したことを特徴とする光結合型半導体装置。
【請求項２】
前記発光素子の側面は、滑面化された領域と、粗面化された領域とを含み、前記底面の縁と前記側面の粗面化された領域との間に前記側面の滑面化された領域を介在させたことを特徴とする請求項１に記載の光結合型半導体装置。
【請求項３】
前記発光素子の側面の滑面化された領域と粗面化された領域との間に、段差を設けたことを特徴とする請求項２に記載の光結合型半導体装置。
【請求項４】
前記側面の滑面化された領域は、前記底面に対して鋭角をなす傾斜面となっていることを特徴とする請求項２に記載の光結合型半導体装置。
【請求項５】
入力信号を入力して発光する発光素子と、発光素子の光を受光して出力信号を出力する受光素子とを備え、少なくとも発光素子をリードフレーム上にダイボンドした光結合型半導体装置において、
前記発光素子は、前記リードフレームに対向する底面と、この底面の縁から立ち上がる複数の側面とを有し、前記各側面として滑面化側面及び粗面化側面を設け、
前記粗面化側面に段差を設けたことを特徴とする光結合型半導体装置。
【請求項６】
入力信号を入力して発光する発光素子と、発光素子の光を受光して出力信号を出力する受光素子とを備え、少なくとも発光素子をリードフレーム上にダイボンドした光結合型半導体装置において、
前記発光素子は、前記リードフレームに対向する底面と、この底面の縁から立ち上がる複数の側面とを有し、前記各側面として滑面化側面と粗面化側面を設け、
前記粗面化側面は、前記底面に対して鋭角をなす傾斜面を含むことを特徴とする光結合型半導体装置。
【請求項７】
入力信号を入力して発光する発光素子と、発光素子の光を受光して出力信号を出力する受光素子とを備え、少なくとも発光素子をリードフレーム上にダイボンドした光結合型半導体装置において、
前記発光素子は、前記リードフレームに対向する底面と、この底面の縁から立ち上がる粗面化側面とを有し、
前記粗面化側面に段差を設けたことを特徴とする光結合型半導体装置。
【請求項８】
入力信号を入力して発光する発光素子と、発光素子の光を受光して出力信号を出力する受光素子とを備え、少なくとも発光素子をリードフレーム上にダイボンドした光結合型半導体装置において、
前記発光素子は、前記リードフレームに対向する底面と、この底面の縁から立ち上がる粗面化側面とを有し、
前記粗面化側面は、前記底面に対して鋭角をなす傾斜面を含むことを特徴とする光結合型半導体装置。
【請求項９】
前記発光素子の底面に複数の電極を離間配置したことを特徴等する請求項１乃至８のいずれか一つに記載の光結合型半導体装置。
【請求項１０】
前記発光素子の底面全体を電極で覆ったことを特徴等する請求項１乃至８のいずれか一つに記載の光結合型半導体装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一つに記載の光結合型半導体装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子もしくは受光素子をリードフレーム上にダイボンドした光結合型半導体装置、及びそれを備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の光結合型半導体装置としては、例えば図９に示すようなものがある。また、その製造工程は、図１０のフローチャートに示すような工程である。尚、図１０において、溶接手前までの工程は発光素子と受光素子で別々に行われ、溶接以降の工程は該各素子共通のものとなる。
【０００３】
この光結合型半導体装置１０１では、発光素子１０２及び受光素子１０３を各リードフレーム１０４、１０５のヘッダー１０４ａ、１０５ａにそれぞれ搭載してダイボンドし、発光素子１０２及び受光素子１０３をワイヤーボンドによるそれぞれのワイヤー１０６、１０７を介して各リードフレーム１０４、１０５に接続し、発光素子１０２を応力緩和のためのシリコーン樹脂１０８によりプリコートしている。そして、発光素子１０２と受光素子１０３を対向配置して、それぞれの光軸を相互に一致させ、各リードフレーム１０４、１０５を位置決め固定する（溶接）。更に、発光素子１０２と受光素子１０３間の光伝達経路となる透光性エポキシ樹脂１１１を一次モールドにより形成し、各リードフレーム１０４、１０５の１次タイバーカットを行なってから、遮光性エポキシ樹脂（パッケージ）１１２をトランスファーモールドにより形成する。この後、外装メッキ、各リードフレーム１０４、１０５の２次タイバーカット、リードフォーミング（パッケージ外側のリードフレーム部分の成形）、絶縁耐圧試験（発光素子１０２と受光素子１０３間の絶縁性検査）、電気的特性検査（電気的諸特性の測定）、マーキング、外観検査、梱包を経て、この光結合型半導体装置１０１を製品として出荷する。
【０００４】
尚、トランスファーモールドの他に、インジェクションモールドや注入型モールド等を適用しても良い。また、１次モールドにより形成される透光性エポキシ樹脂の代わりに、透明シリコーン樹脂を用いて、発光素子１０２と受光素子１０３間の光伝達経路を形成しても構わない。
【０００５】
このような光結合型半導体装置は、電源、ＯＡ機器、家電製品、ＦＡ機器等の電子機器に適用されるが、近年の電子機器の省エネルギー化に伴い、光結合型半導体装置の低電力化が強く要求されている。この要求に応える一つの方法として、発光素子表面を粗面化して、発光素子の輝度を高くするという方法がある。
【０００６】
また、特許文献１には、光半導体素子をパッケージに封止した光半導体装置が記載されている。ここでは、パッケージ内に配置された光半導体素子と、光半導体素子の一方の電極を第１パッケージ電極に接続する導電性ワイヤーと、光半導体素子が透光性絶縁体を介して配置された第２パッケージ電極と、光半導体素子の他方の電極を第２パッケージ電極に電気的に接続する導電性ワイヤーとを有し、光半導体素子が配置される第２パッケージ電極の配置部を平滑面とし、かつ導電性ワイヤーが接続される第２パッケージ電極の接続部を粗面としている。
【特許文献１】特開平９−３０７１４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、先に述べたように発光素子表面を粗面化したならば、その素子の輝度が上昇する。しかしながら、本願の発明者等は、発光素子表面全体が粗面化されたならば、次のような問題が生じることを発見した。
【０００８】
ダイボンド工程では、発光素子の底面とリードフレーム間に銀ペーストを介在させて、発光素子をリードフレーム上に固定する。ところが、発光素子の側面全体が粗面化されている場合は、銀ペーストに含まれている硬化用の溶剤が発光素子の底面から側面を通じて流出するという現象が生じる。これは、発光素子側面の粗面に毛細管現象が発生して、この毛細管現象により硬化用の溶剤が吸い上げられるためである。この結果として、銀ペーストの硬化が十分でなくなり、ダイボンド強度が安定しなくなるという問題が生じた。
【０００９】
尚、特許文献１では、第２パッケージ電極の接続部を選択的に粗面化しているものの、発光素子表面を粗面化しているわではなく、本願の発明者等が発見した現象の記載もない。
【００１０】
そこで、本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであり、発光素子の輝度を高く保持しつつ、発光素子のダイボンド強度を安定化させることが可能な光結合型半導体装置、及びそれを備える電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明の光結合型半導体装置は、入力信号を入力して発光する発光素子と、発光素子の光を受光して出力信号を出力する受光素子とを備え、少なくとも発光素子をリードフレーム上にダイボンドした光結合型半導体装置において、前記発光素子は、前記リードフレームに対向する底面と、この底面の縁から立ち上がる側面とを有し、前記底面の縁に隣接する前記側面の領域を滑面化し、この側面の滑面化された領域を少なくとも除く該発光素子表面の他の領域を粗面化している。
【００１２】
例えば、前記発光素子の側面は、滑面化された領域と、粗面化された領域とを含み、前記底面の縁と前記側面の粗面化された領域との間に前記側面の滑面化された領域を介在させている。
【００１３】
また、前記発光素子の側面の滑面化された領域と粗面化された領域との間に、段差を設けている。
【００１４】
更に、前記側面の滑面化された領域は、前記底面に対して鋭角をなす傾斜面となっている。
【００１５】
また、本発明の光結合型半導体装置は、入力信号を入力して発光する発光素子と、発光素子の光を受光して出力信号を出力する受光素子とを備え、少なくとも発光素子をリードフレーム上にダイボンドした光結合型半導体装置において、前記発光素子は、前記リードフレームに対向する底面と、この底面の縁から立ち上がる複数の側面とを有し、前記各側面として滑面化側面及び粗面化側面を設け、前記粗面化側面に段差を設けている。
【００１６】
更に、本発明の光結合型半導体装置は、入力信号を入力して発光する発光素子と、発光素子の光を受光して出力信号を出力する受光素子とを備え、少なくとも発光素子をリードフレーム上にダイボンドした光結合型半導体装置において、前記発光素子は、前記リードフレームに対向する底面と、この底面の縁から立ち上がる複数の側面とを有し、前記各側面として滑面化側面と粗面化側面を設け、前記粗面化側面は、前記底面に対して鋭角をなす傾斜面を含んでいる。
【００１７】
また、本発明の光結合型半導体装置は、入力信号を入力して発光する発光素子と、発光素子の光を受光して出力信号を出力する受光素子とを備え、少なくとも発光素子をリードフレーム上にダイボンドした光結合型半導体装置において、前記発光素子は、前記リードフレームに対向する底面と、この底面の縁から立ち上がる粗面化側面とを有し、前記粗面化側面に段差を設けている。
【００１８】
更に、本発明の光結合型半導体装置は、入力信号を入力して発光する発光素子と、発光素子の光を受光して出力信号を出力する受光素子とを備え、少なくとも発光素子をリードフレーム上にダイボンドした光結合型半導体装置において、前記発光素子は、前記リードフレームに対向する底面と、この底面の縁から立ち上がる粗面化側面とを有し、前記粗面化側面は、前記底面に対して鋭角をなす傾斜面を含んでいる。
【００１９】
また、前記発光素子の底面に複数の電極を離間配置している。あるいは、前記発光素子の底面全体を電極で覆っている。
【００２０】
一方、本発明の電子機器は、上記本発明の光結合型半導体装置を備えている。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の光結合型半導体装置では、発光素子は、リードフレームに対向する底面と、この底面の縁から立ち上がる側面とを有し、底面の縁に隣接する側面の領域を滑面化し、この側面の滑面化された領域を少なくとも除く該発光素子表面の他の領域を粗面化している。このように発光素子表面の他の領域を粗面化していることから、発光素子の輝度を高くすることができる。また、発光素子の底面の縁に隣接する側面の滑面化された領域では毛細管現象が発生しないので、発光素子の底面に銀ペーストが付着した状態においては、銀ペーストの硬化用溶剤が発光素子の底面から側面を通じて流出するという現象が生じ得ず、銀ペーストの硬化が十分に促進され、ダイボンド強度が安定する。
【００２２】
例えば、発光素子の側面は、滑面化された領域と、粗面化された領域とを含み、底面の縁と側面の粗面化された領域との間に側面の滑面化された領域を介在させている。この場合、発光素子の側面の滑面化された領域と粗面化された領域との間に段差を設けたり、側面の滑面化された領域を底面に対して鋭角をなす傾斜面としてもよい。銀ペーストがその段差に食い込んだり傾斜面を覆って、発光素子が強固に固定される。
【００２３】
また、本発明の光結合型半導体装置では、発光素子は、リードフレームに対向する底面と、この底面の縁から立ち上がる複数の側面とを有し、各側面として滑面化側面及び粗面化側面を設け、粗面化側面に段差を設けている。滑面化側面では、毛細管現象が発生しないので、銀ペーストの硬化用溶剤が発光素子の底面から側面を通じて流出するという現象が生じ得ず、このために底面から該側面にかけては銀ペーストの硬化が十分に促進され、ダイボンド強度が安定する。また、粗面化側面では、毛細管現象により発光素子底面の銀ペーストの硬化用溶剤が吸い上げられることから、銀ペーストが十分に硬化するとはいえないものの、銀ペーストが粗面化側面の段差に食い込むので、発光素子の固定強度を確保することができる。
【００２４】
更に、本発明の光結合型半導体装置では、発光素子は、リードフレームに対向する底面と、この底面の縁から立ち上がる複数の側面とを有し、各側面として滑面化側面と粗面化側面を設け、粗面化側面は、底面に対して鋭角をなす傾斜面を含んでいる。本発明においても、滑面化側面では、毛細管現象が発生しないので、底面から該側面にかけては銀ペーストの硬化が十分に促進され、ダイボンド強度が安定する。また、粗面化側面では、銀ペーストが十分に硬化するとはいえないものの、銀ペーストが傾斜面となった粗面化側面を覆うので、発光素子の固定強度を確保することができる。
【００２５】
また、本発明の光結合型半導体装置では、発光素子は、リードフレームに対向する底面と、この底面の縁から立ち上がる粗面化側面とを有し、粗面化側面に段差を設けている。この粗面化側面では、毛細管現象により発光素子底面の銀ペーストの硬化用溶剤が吸い上げられることから、銀ペーストが十分に硬化するとはいえないものの、銀ペーストが粗面化側面の段差に食い込むので、発光素子の固定強度を確保することができる。
【００２６】
更に、本発明の光結合型半導体装置では、発光素子は、リードフレームに対向する底面と、この底面の縁から立ち上がる粗面化側面とを有し、粗面化側面は、底面に対して鋭角をなす傾斜面を含んでいる。この粗面化側面では、銀ペーストが十分に硬化するとはいえないものの、銀ペーストが傾斜面となった粗面化側面を覆うので、発光素子の固定強度を確保することができる。
【００２７】
また、発光素子の底面に複数の電極を離間配置している。あるいは、発光素子の底面全体を電極で覆っている。前者の場合は、電極材料を節減することができ、後者の場合は、発光素子底面の電極の面積が広がることから、接着面積が増大して、より安定したダイボンド強度が得られる。
【００２８】
一方、本発明の電子機器では、上記本発明の光結合型半導体装置を備えることから、同様の作用効果を奏する。電子機器としては、電源、ＯＡ機器、家電製品、ＦＡ機器等がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の実施形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
【００３０】
図１は、本発明の光結合型半導体装置の第１実施形態における発光素子を示す図である。本実施形態の光結合型半導体装置は、その構成が図９の装置と概ね同様であるが、図９の発光素子１０２の代わりに、図１の発光素子１１を用いている点が異なる。
【００３１】
図１(a)及び(b)は、発光素子１１の側面及び底面を示している。図１(a)及び(b)から明らかなように発光素子１１は、四角柱状のものであり、その底面１２に複数の電極１３を斑状に離間配置している。これにより、各電極１３の面積が減少し、電極材料を節減することができる。
【００３２】
また、発光素子１１の４つの側面１４は、底面１２の縁に隣接する下側の各滑面化領域１４aと、これらの滑面化領域１４aの上側の各粗面化領域１４bとを含んでいる。従って、底面１２の縁と上側の粗面化領域１４bとの間に下側の滑面化領域１４aが介在している。
【００３３】
各側面１４の下側の滑面化領域１４aは、平滑化処理を施されて、平滑面にされた領域である。また、各側面１４の上側の粗面化領域１４bは、発光素子の輝度を高くするために、粗面化処理を施されて、粗面にされた領域である。発光素子１１の輝度を高くするという観点からは、発光素子１１の上面も粗面化することが好ましい。滑面化領域１４a及び粗面化領域１４bのいずれも、周知の化学的研磨や機械的研磨等の処理により形成することができる。
【００３４】
このような発光素子１１は、図９の発光素子１０２の代わりに、リードフレーム１０４のヘッダー１０４a上に銀ペーストを用いてダイボンドされる。これにより、発光素子１１の底面１２の各電極１３が銀ペーストを通じてリードフレーム１０４のヘッダー１０４aに接続される。勿論、受光素子１０３もリードフレーム１０５のヘッダー１０５ａに搭載されてダイボンドされる。そして、発光素子１１及び受光素子１０３をワイヤーボンドによるそれぞれのワイヤー１０６、１０７を介して各リードフレーム１０４、１０５に接続し、発光素子１１を応力緩和のためのシリコーン樹脂１０８によりプリコートし、発光素子１１と受光素子１０３を対向配置して、それぞれの光軸を相互に一致させ、各リードフレーム１０４、１０５を位置決め固定する（溶接）。更に、発光素子１１と受光素子１０３間の光伝達経路となる透光性エポキシ樹脂１１１を一次モールドにより形成し、各リードフレーム１０４、１０５の１次タイバーカットを行なってから、遮光性エポキシ樹脂（パッケージ）１１２をトランスファーモールドにより形成する。この後、外装メッキ、各リードフレーム１０４、１０５の２次タイバーカット、リードフォーミング（パッケージ外側のリードフレーム部分の成形）、絶縁耐圧試験（発光素子１１と受光素子１０３間の絶縁性検査）、電気的特性検査（電気的諸特性の測定）、マーキング、外観検査、梱包を経て、本実施形態の光結合型半導体装置を製品として出荷する。
【００３５】
ここで、先に述べたように発光素子側面全体を粗面化したならば、発光素子側面の粗面の毛細管現象により、銀ペーストに含まれている硬化用の溶剤が発光素子の底面から側面を通じて流出し、銀ペーストの硬化が十分でなくなり、ダイボンド強度が安定しなくなる。
【００３６】
ところが、本実施形態では、底面１２の縁に隣接する下側の各滑面化領域１４aが滑面であることから、これらの滑面化領域１４aでは毛細管現象が発生せず、発光素子１１の底面１２とリードフレーム１０４のヘッダー１０４a間に介在する銀ペーストの硬化用溶剤が各滑面化領域１４aを通じて吸い上げられることはない。このため、銀ペーストの硬化が十分に促進され、ダイボンド強度が安定する。
【００３７】
尚、発光素子１１の底面１２の各電極１３の代わりに、図２に示すように底面１２全体を覆う電極１５を適用してもよい。これにより、電極１５の接着面積が増大して、より安定したダイボンド強度が得られる。
【００３８】
図３は、本発明の光結合型半導体装置の第２実施形態における発光素子を示す図である。本実施形態の光結合型半導体装置は、その構成が図９の装置と概ね同様であるが、図９の発光素子１０２の代わりに、図３の発光素子２１を用いている点が異なる。
【００３９】
図３(a)及び(b)は、発光素子２１の側面及び底面を示している。尚、図３において、図１と同様の作用を果たす部位には、同じ符号を付している。
【００４０】
この発光素子２１は、図１の下側の各滑面化領域１４aと上側の各粗面化領域１４b間にそれぞれの段差２２を設けたものであり、その底面１２に複数の電極１３を斑状に離間配置している。
【００４１】
このような発光素子２１の立体形状は、例えばエッチング処理により形成することができる。発光素子２１の立体形状、すなわち各側面１４の段差２２を形成した後、下側の各滑面化領域１４aを滑面化し、上側の各粗面化領域１４bを粗面化する。
【００４２】
このような発光素子２１においても、図１の発光素子１１と同様に、底面１２の縁に隣接する下側の各滑面化領域１４aが滑面であることから、これらの滑面化領域１４aでは毛細管現象が発生せず、銀ペーストの硬化用溶剤が発光素子２１の底面１２から各滑面化領域１４aを通じて流出することはない。このため、銀ペーストの硬化が十分に促進され、ダイボンド強度が安定する。また、銀ペーストの一部が発光素子２１の各側面１４の段差２２に達して食い込むので、発光素子２１の固定強度がより向上する。
【００４３】
尚、発光素子２１の底面１２の各電極１３の代わりに、図２に示すように底面１２全体を覆う電極１５を適用してもよい。
【００４４】
図４は、本発明の光結合型半導体装置の第３実施形態における発光素子を示す図である。本実施形態の光結合型半導体装置は、その構成が図９の装置と概ね同様であるが、図９の発光素子１０２の代わりに、図４の発光素子３１を用いている点が異なる。
【００４５】
図４(a)及び(b)は、発光素子３１の側面及び底面を示している。尚、図４において、図１と同様の作用を果たす部位には、同じ符号を付している。
【００４６】
この発光素子３１では、図１の下側の各滑面化領域１４cを底面１２に対して鋭角をなす傾斜面としている。このため、下側の各滑面化領域１４cで囲まれる発光素子３１の部分が、底面１２から上側の各粗面化領域１４bに至るまでに徐々に細くなるテーパー状になっている。
【００４７】
このような発光素子３１の立体形状は、例えばエッチング処理により形成することができる。発光素子３１の立体形状、すなわち傾斜している下側の滑面化領域１４cを形成した後、下側の各滑面化領域１４cを滑面化し、上側の各粗面化領域１４bを粗面化する。
【００４８】
このような発光素子３１においても、図１の発光素子１１と同様に、底面１２の縁に隣接する下側の各滑面化領域１４cが滑面であることから、これらの滑面化領域１４cでは毛細管現象が発生せず、銀ペーストの硬化用溶剤が発光素子２１の底面１２から各滑面化領域１４cを通じて流出することはなく、銀ペーストの硬化が十分に促進され、ダイボンド強度が安定する。また、銀ペーストが傾斜している下側の各滑面化領域１４cを部分的に覆うので、発光素子３１の固定強度がより向上する。
【００４９】
尚、発光素子３１の底面１２の各電極１３の代わりに、図２に示すように底面１２全体を覆う電極１５を適用してもよい。
【００５０】
図５は、本発明の光結合型半導体装置の第４実施形態における発光素子を示す図である。本実施形態の光結合型半導体装置は、その構成が図９の装置と概ね同様であるが、図９の発光素子１０２の代わりに、図３の発光素子４１を用いている点が異なる。
【００５１】
図５(a)及び(b)は、発光素子４１の側面及び上面を示している。この発光素子４１では、相互に対向する一対の側面４２にそれぞれの段差４３を形成し、相互に対向する他の一対の側面４４を平坦面としている。それぞれの段差４３を有する各側面４２は、それらの側面全体が粗面化されている。また、平坦面となっている他の各側面４４は、底面１２の縁に隣接する下側の各滑面化領域４４aと、これらの滑面化領域４４aの上側の各粗面化領域４４bとを有している。
【００５２】
このような発光素子４１の立体形状は、例えばエッチング処理により形成することができる。発光素子４１の立体形状、すなわち一対の側面４２の段差４３を形成した後、他の一対の側面４４における下側の各滑面化領域４４aを滑面化し、一対の側面４２全体及び他の一対の側面４４における上側の各粗面化領域４４bを粗面化する。
【００５３】
このような発光素子４１においては、底面１２の縁に隣接する各側面４４の下側の滑面化領域４４aが滑面であることから、これらの滑面化領域４４aでは毛細管現象が発生せず、銀ペーストの硬化用溶剤が発光素子４１の底面１２から各滑面化領域４４aを通じて流出することはない。このため、各側面４４では、銀ペーストの硬化が十分に促進され、ダイボンド強度が安定する。
【００５４】
また、各側面４２では、側面全体が粗面化されていることから、毛細管現象により発光素子４１の底面１２の銀ペーストの硬化用溶剤が吸い上げられ、銀ペーストが十分に硬化するとはいえないものの、銀ペーストの一部が各側面４２の段差４３に食い込むので、発光素子４１の固定強度を確保することができる。
【００５５】
尚、発光素子４１の底面１２には、図１(b)と同様の各電極１３を設けても、また図２に示すような底面１２全体を覆う電極１５を設けてもよい。
【００５６】
図６は、本発明の光結合型半導体装置の第５実施形態における発光素子を示す図である。本実施形態の光結合型半導体装置は、その構成が図９の装置と概ね同様であるが、図９の発光素子１０２の代わりに、図６の発光素子５１を用いている点が異なる。
【００５７】
図６(a)及び(b)は、発光素子５１の側面及び上面を示している。この発光素子５１では、相互に対向する一対の側面５２に下側領域５２a及び上側領域５２bを設けて、下側領域５２aを底面１２に対して鋭角をなす傾斜面とし、また相互に対向する他の一対の側面５３を平坦面としている。それぞれの傾斜面を含む各側面５２は、それらの側面全体が粗面化されている。また、平坦面となっている他の各側面５３は、底面１２の縁に隣接する下側の各滑面化領域５３aと、これらの滑面化領域５３aの上側の各粗面化領域５３bとを有している。
【００５８】
このような発光素子５１の立体形状は、例えばエッチング処理により形成することができる。発光素子５１の立体形状、すなわちそれぞれの傾斜面を含む各側面５２を形成した後、他の各側面５３における下側の各滑面化領域５３aを滑面化し、各側面５２全体及び他の各側面５３における上側の各粗面化領域５３bを粗面化する。
【００５９】
このような発光素子５１においては、底面１２の縁に隣接する各側面５３の下側領域５３aが滑面であることから、これらの滑面化領域５３aでは毛細管現象が発生せず、銀ペーストの硬化用溶剤が発光素子５１の底面１２から各滑面化領域５３aを通じて流出することはない。このため、各側面５３では、銀ペーストの硬化が十分に促進され、ダイボンド強度が安定する。
【００６０】
また、各側面５２では、側面全体が粗面化されていることから、毛細管現象により発光素子５１の底面１２の銀ペーストの硬化用溶剤が吸い上げられ、銀ペーストが十分に硬化するとはいえないものの、銀ペーストが各側面５２の傾斜面となっている下側領域５２aを部分的に覆うので、発光素子５１の固定強度を確保することができる。
【００６１】
尚、発光素子５１の底面１２には、図１(b)と同様の各電極１３を設けても、また図２に示すような底面１２全体を覆う電極１５を設けてもよい。
【００６２】
図７は、本発明の光結合型半導体装置の第６実施形態における発光素子を示す図である。本実施形態の光結合型半導体装置は、その構成が図９の装置と概ね同様であるが、図９の発光素子１０２の代わりに、図７の発光素子６１を用いている点が異なる。
【００６３】
図７は、発光素子６１の側面を示している。この発光素子６１では、４つの側面６２にそれぞれの段差６３を形成している。また、各側面６２は、それらの側面全体が粗面化されている。
【００６４】
このような発光素子６１の立体形状は、例えばエッチング処理により形成することができる。発光素子６１の立体形状、すなわち各側面６２の段差６３を形成した後、各側面６２全体を粗面化する。
【００６５】
このような発光素子６１の各側面６２では、側面全体が粗面化されていることから、毛細管現象により発光素子６１の底面１２の銀ペーストの硬化用溶剤が吸い上げられ、銀ペーストが十分に硬化するとはいえないものの、銀ペーストの一部が各側面６２の段差６３に食い込むので、発光素子６１の固定強度を確保することができる。
【００６６】
尚、発光素子６１の底面１２には、図１(b)と同様の各電極１３を設けても、また図２に示すような底面１２全体を覆う電極１５を設けてもよい。
【００６７】
図８は、本発明の光結合型半導体装置の第７実施形態における発光素子を示す図である。本実施形態の光結合型半導体装置は、その構成が図９の装置と概ね同様であるが、図９の発光素子１０２の代わりに、図８の発光素子７１を用いている点が異なる。
【００６８】
図８は、発光素子７１の側面を示している。この発光素子７１では、４つの側面７２に下側領域７２a及び上側領域７２bを設けて、下側領域７２aを底面１２に対して鋭角をなす傾斜面としている。また、各側面７２は、それらの側面全体が粗面化されている。
【００６９】
このような発光素子７１の立体形状は、例えばエッチング処理により形成することができる。発光素子７１の立体形状、すなわちそれぞれの傾斜面を含む各側面７２を形成した後、各側面７２全体を粗面化する。
【００７０】
このような発光素子７１の各側面７２では、側面全体が粗面化されていることから、毛細管現象により発光素子７１の底面１２の銀ペーストの硬化用溶剤が吸い上げられ、銀ペーストが十分に硬化するとはいえないものの、銀ペーストの一部が各側面７２の傾斜面となっている下側領域７２aを部分的に覆うので、発光素子７１の固定強度を確保することができる。
【００７１】
尚、発光素子７１の底面１２には、図１(b)と同様の各電極１３を設けても、また図２に示すような底面１２全体を覆う電極１５を設けてもよい。
【００７２】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと解される。
【００７３】
例えば、図９に示すような光結合型半導体装置を例示したが、他の構成の光結合型半導体装置にも本発明を適用することができる。
【００７４】
また、本発明は、光結合型半導体装置だけではなく、これを備える電子機器をも包含する。電子機器としては、電源、ＯＡ機器、家電製品、ＦＡ機器等がある。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】(a)及び(b)は、本発明の光結合型半導体装置の第１実施形態における発光素子を示す側面図及び底面図である。
【図２】発光素子底面の電極の変形例を示す図である。
【図３】(a)及び(b)は、本発明の光結合型半導体装置の第２実施形態における発光素子を示す側面図及び底面図である。
【図４】(a)及び(b)は、本発明の光結合型半導体装置の第３実施形態における発光素子を示す側面図及び底面図である。
【図５】(a)及び(b)は、本発明の光結合型半導体装置の第４実施形態における発光素子を示す側面図及び上面図である。
【図６】(a)及び(b)は、本発明の光結合型半導体装置の第５実施形態における発光素子を示す側面図及び上面図である。
【図７】本発明の光結合型半導体装置の第６実施形態における発光素子を示す側面図である。
【図８】本発明の光結合型半導体装置の第７実施形態における発光素子を示す側面図である。
【図９】光結合型半導体装置を例示する断面図である。
【図１０】光結合型半導体装置の製造工程を例示するフローチャートである。
【符号の説明】
【００７６】
１１、２１、３１、４１、５１、６１、７１  発光素子
１２  底面
１３、１５  電極
１４、４２、４４、５２、５３、６２、７２  側面
１４a、１４c、４４a、５３a  滑面化領域
１４b、４４b、５３b  粗面化領域
２２、４３、６３  段差
５２a、５３a、７２a  下側領域
【図１】
2010087422.tif 000003
【図２】
2010087422.tif 000004
【図３】
2010087422.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010087422.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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