(57)【要約】【課題】液浸型投影装置の汚染を防止または低減する方法を提供する。【解決手段】投影装置は、少なくとも１つの液浸スペース１０と、その液浸スペース１０を少なくとも部分的に浸液１１で充たすよう構成されているそれぞれの液浸システムとを備える。基板Ｗに放射のパターンの付いたビームを投影するために使用される前に、リンス液１１で液浸スペース１０の少なくとも一部をリンスするよう構成することができる。この装置が比較的長いアイドル動作モードにある間、液浸スペース１０の少なくとも一部をリンスするよう構成されている。基板に対してパターンの付いた放射ビームを投影するまで実質的に継続して液浸スペース１０をリンスするよう構成することができる。【選択図】図２
2010087535.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射ビームを基板に投影するときに少なくとも部分的に液体で充填されている少なくとも１つの液浸スペースを備える液浸型投影装置の汚染を防止または低減する方法であって、
前記装置を使用して前記放射ビームを基板に投影する前に前記液浸スペースの少なくとも一部をリンス液でリンスする、
ことを含む方法。
【請求項２】
前記液浸スペースのリンスが前記装置のアイドル動作モード中に行われる、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記液体およびリンス液が同じ液体である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記装置を使用して基板に前記放射ビームを投影するまで実質的に継続して前記液浸スペースのリンスが行われる、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記液浸スペースおよび／または前記リンス液の少なくとも一部を紫外線で照射することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記液浸スペースが少なくとも、一方の側の基板、ダミー基板もしくは基板状オブジェクトおよび／または基板保持体の少なくとも一部とその反対側の投影システムとの間に延在している、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記基板保持体上に前記ダミー基板または前記基板状オブジェクトを配置することと、
前記リンスの完了後に、前記ダミー基板または前記基板状オブジェクトを前記投影システムにより照射される基板に差し替えることと、
を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記液浸スペースは少なくとも、一方の側のパターニングデバイス、ダミーパターニングデバイスもしくはパターニングデバイス状オブジェクトおよび／またはパターニングデバイス保持体とその反対側の投影システムとの間に延在している、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記パターニングデバイス保持体上に前記ダミーパターニングデバイスまたは前記パターニングデバイス状オブジェクトを配置することと、
前記放射ビームが前記投影システムに入射する前に、前記ダミーパターニングデバイスまたは前記パターニングデバイス状オブジェクトを、前記放射ビームにパターンを付けるために使用されるパターニングデバイスと差し替えることと、
を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記装置がリソグラフィ投影装置である、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記装置の複数の部分および／または領域を洗浄するために、前記液浸スペースのリンス中に、該液浸スペースの位置を変えることをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
液浸型投影装置の汚染を防止または低減する方法であって、該装置が、基板を保持するよう構成された基板保持体と、パターニングデバイスを保持するよう構成されたパターニングデバイス保持体と、投影システムと、該装置の液浸スペースの少なくとも一部を液体で充填するように構成される液浸システムと、を備える方法であって、
前記液浸スペースおよび前記装置の少なくとも一部の少なくとも一方を他方に対して移動させることと、
前記装置を使用して基板のターゲット部分にパターンの付いた放射ビームを投影する前に、液体で該装置の少なくとも一部をリンスすることと、
を含む方法。
【請求項１３】
前記装置の少なくとも一部が前記基板保持体の一部を備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記装置の少なくとも一部が、前記基板保持体またはその付近に延在する少なくとも１つのスリットまたは開口部を備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
前記装置の少なくとも一部が前記パターニングデバイス保持体の少なくとも一部を備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記装置の少なくとも一部が、前記パターニングデバイス保持体またはその付近に延在する少なくとも１つのスリットまたは開口部を備える、請求項１２に記載の方法。
【請求項１７】
液浸スペースを備えるリソグラフィ投影装置の汚染を防止または低減する方法であって、
前記液浸スペースの少なくとも一部を少なくとも１分間リンス液で充填すること、
を含む方法。
【請求項１８】
前記充填が、前記装置またはその一部の少なくとも１回のアイドル動作期間を含む少なくとも１日間実質的に継続して行われる、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
リソグラフィ投影装置の汚染を防止または低減する方法であって、該装置が、基板を保持するよう構成された基板保持体と、パターニングデバイスを保持するよう構成されたパターニングデバイス保持体と、投影システムと、液浸スペースと、を備える方法であって、
前記装置のアイドル時間中、前記液浸スペースの少なくとも一部をリンス液で充填し、該装置の少なくとも１回のその後の起動運転中の基板の汚染を防止または低減することを含む、方法。
【請求項２０】
前記リンス液が純水からなる、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】
液浸型リソグラフィ装置であって、
少なくとも１つの液浸スペースと、
前記液浸スペースの少なくとも一部を液体で充填するよう構成された液浸システムと、を備え、
当該装置が、該装置を使用して基板にパターンの付いた放射ビームを投影する前に、リンス液で前記液浸スペースの少なくとも一部をリンスするよう構成されている、
液浸型リソグラフィ装置。
【請求項２２】
当該装置が、該装置のアイドル動作モード中に前記液浸スペースの少なくとも一部をリンスするよう構成されている、請求項２１に記載の装置。
【請求項２３】
当該装置が、前記液浸スペースのリンス中に、該液浸スペースおよび／または該液浸スペースの隣接位置にオブジェクトを供給し、かつ、該装置を使用して基板のターゲット部分に前記放射ビームを投影する前に該オブジェクトを除去するよう構成されている、請求項２１に記載の装置。
【請求項２４】
当該装置を使用して基板のターゲット部分に前記放射ビームを投影するときに前記オブジェクトを保存するための少なくとも１つの保存スペースまたはコンパートメントをさらに備える、請求項２３に記載の装置。
【請求項２５】
当該装置が前記液浸スペースを液体でリンスするよう構成されている、請求項２１に記載の装置。
【請求項２６】
当該装置が、該装置が基板に前記放射ビームを投影するまで実質的に継続して前記液浸スペースをリンスするよう構成されている、請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】
当該装置を使用して前記放射ビームを基板のターゲット部分に投影する前に、前記液浸スペースのリンスを行っている間、紫外線で該液浸スペースを照射するように構成されている少なくとも１つの紫外線源をさらに備える、請求項２１に記載の方法。
【請求項２８】
前記液浸スペースが、一方の側の基板、ダミー基板、基板状オブジェクトおよび／または基板保持体の少なくとも一部と、その反対側の該装置の前記投影システムの一部との間に延在している、請求項２１に記載の装置。
【請求項２９】
当該装置が、前記ダミー基板または前記基板状オブジェクトを前記基板保持体に配置し、その後、前記液浸スペースをリンスするようするよう構成されている、請求項２８に記載の装置。
【請求項３０】
当該装置は、前記リンスを行っている間、前記液浸スペースが、前記基板保持体によって保持されている前記基板、前記ダミー基板または前記基板状オブジェクトの外周に少なくとも達するかまたはこれを含むように構成されている、請求項２８に記載の装置。
【請求項３１】
当該装置が、前記液浸スペースおよび前記リンス液を使用して、少なくとも、基板保持体により保持されている基板、ダミー基板または基板状オブジェクトのエッジ部に沿って延在している領域をリンスするよう構成されている、請求項２１に記載の装置。
【請求項３２】
当該装置が、前記液浸スペースおよび前記リンス液を使用して、基板保持体の表面および／または該表面に配置された１つ以上の構成部品の少なくとも一部をリンスするよう構成されている、請求項２１に記載の装置。
【請求項３３】
前記構成部品がエッジシール部材、センサ、位置決め装置およびミラー素子からなる一群から選択される、請求項３２に記載の装置。
【請求項３４】
少なくとも２つの基板保持体をさらに備え、液浸スペースが、一方の側の基板保持体のうちの少なくとも１つの少なくとも一部とその反対側の投影システムとの間に延在し、当該装置が、第１の位置、および、投影システムから離れたそれぞれの第２の位置に各基板保持体を移動させるよう構成されている、請求項２１に記載の装置。
【請求項３５】
当該装置が、その後、前記第１の位置に前記基板保持体を移動させ、リンス液で該位置またはその付近の少なくとも一部をリンスするよう構成されている、請求項３４に記載の装置。
【請求項３６】
前記基板保持体の少なくとも１つが前記第２の位置にあるときに該基板保持体の少なくとも一部を洗浄するよう構成されている少なくとも１つの洗浄装置をさらに備える、請求項３４に記載の装置。
【請求項３７】
当該装置が、いずれの前記基板保持体が汚染される可能性が最も高いかを判定し、該汚染される可能性が最も高いと判定された基板保持体を最初にリンスまたは洗浄するよう構成されている、請求項３４に記載の装置。
【請求項３８】
前記液浸スペースが、少なくとも、一方の側のパターニングデバイスおよびパターニングデバイス保持体とその反対側の投射システムとの間に延在している、請求項２１に記載の装置。
【請求項３９】
当該装置が、ダミーパターニングデバイスまたはパターニングデバイス状オブジェクトを前記パターニングデバイス保持体上に配置し、その後、前記液浸スペースをリンスするよう構成されている、請求項３８に記載の装置。
【請求項４０】
当該装置が、リンス中に、リンス中の前記基板保持体に対して前記液浸スペースの位置を変えるように前記投影システムに対して該基板保持体を移動させるよう構成されている、請求項２８に記載の装置。
【請求項４１】
当該装置が、該装置の所定量のアイドル時間の後自動的にリンスを開始するよう構成されている、請求項２１に記載の装置。
【請求項４２】
当該装置が、所定回数の基板露光の後自動的にリンスを開始するよう構成されている、請求項２１に記載の装置。
【請求項４３】
当該装置が、該装置の少なくとも一部が一定の閾量の汚染に達したか否かを判定または推測し、該閾量の汚染に達したと判定または推測された場合に該装置部分をリンスするよう構成されている、請求項２１に記載の装置。
【請求項４４】
リンスを制御するコンピュータ制御をさらに備える、請求項２１に記載の装置。
【請求項４５】
少なくとも１つのダミー基板または基板状オブジェクトを原位置(in-situ)で保存する少なくとも１つの保存スペースまたはコンパートメントを含む、液浸型リソグラフィ装置。
【請求項４６】
少なくとも１つのダミーパターニングデバイスまたはパターニングデバイス状オブジェクトを原位置(in-situ)で保存する少なくとも１つの保存スペースまたはコンパートメントを含む、液浸型リソグラフィ装置。
【請求項４７】
コンピュータプログラムであって、該コンピュータプログラムがコンピュータにより実行されているときに液浸型投影装置の汚染を防止または低減する方法を実行するよう構成されている、機械読み取り可能な指示の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラムであって、
前記装置は、該装置が放射ビームを基板上に投影するときに少なくとも部分的に液体で充填されている少なくとも１つの液浸スペースを備え、該方法が、該装置を使用して放射ビームを基板に投影する前に液浸スペースの少なくとも一部をリンス液でリンスすることを含む、コンピュータプログラム。
【請求項４８】
液体が供給される空間であって、該空間を経由して放射ビームが透過されうる空間を備えるリソグラフィ投影装置の汚染を防止または低減する方法であって、
リソグラフィ装置を動作させることと、
その後にリンス液で前記空間の少なくとも一部をリンスすることと、
を含む方法。
【請求項４９】
前記液体とリンス液が同じ液体である、請求項４８に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、液浸型投影装置の汚染を防止または低減する方法に関する。また、本発明は、液浸型リソグラフィ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  既知の投影装置としてリソグラフィ装置がある。リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造において用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（たとえばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（たとえば１つのダイの一部、１つまたはいくつかのダイを含む）に転写される。パターンの転写は通常、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上での結像を介してなされる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。既知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパ、およびある特定の方向（「スキャン」方向）の照射ビームによってパターンをスキャンすると同時にこの方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  たとえば、液浸型リソグラフィ装置を用いた液浸リソグラフィを利用することが提案されている。一例として、投影レンズの最終光学素子と基板との間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する浸液、たとえば、水にリソグラフィ投影装置の基板を浸すことが提案されている。この技術では、このような液体において、露光放射は、空気や真空状態における場合よりも波長が短くなることから、より小さな特徴（feature;特徴形体）の結像が可能になることが要点となっている。（この液体の効果は、システムの有効な開口数ＮＡを増加するものともみなすことができる。）
【０００４】
[0004]  液体バスに基板あるいは基板および基板テーブルを浸すことは（たとえば、米国特許第４５０９８５２号を参照。）スキャン露光中に加速されるべき大容積の液体が存在することを意味する。このことにより、追加のまたはより多くの強力なモータが必要となり、その液体の乱流によって好ましくなくかつ予測不可能な作用が生じる可能性がある。
【０００５】
[0005]  また、基板における投影システムの最終光学素子と基板との間の局部的領域（基板は、通常、投影システムの最終光学素子よりも広い表面積を有する）上のみに液体を供給する液体供給システムを適用することも提案されている。これを実現させるための方法が、たとえば、国際公開（ＷＯ）第９９／４９５０４号および欧州特許公開第１４２９１８８Ａ２号に開示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
[0006]  液浸型投影装置の汚染を防止または低減することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
[0007]  本発明の一実施形態によると、液浸型投影装置の汚染を防止または低減する方法が提供される。この装置は、その装置に放射ビームを基板に投影するときに少なくとも部分的に液体で充填されている少なくとも１つの液浸スペースを備える。この方法は、その装置を使用して放射ビームを基板に投影する前に液浸スペースの少なくとも一部をリンス液でリンスすることを含む。
【０００８】
[0008]  本発明の一実施形態によると、液浸型投影装置の汚染を防止または低減する方法が提供される。この装置は、基板を保持するよう構成された基板保持体と、パターニングデバイスを保持するよう構成されたパターニングデバイス保持体と、投影システムと、その装置の液浸スペースの少なくとも一部を液体で充填するよう構成される液浸システムと、を備える。この方法は、液浸スペースおよびその装置の少なくとも一部の少なくとも一方を他方に対して移動させることと、その装置を使用して基板のターゲット部分にパターンの付いた放射ビームを投影する前に液体でその装置の少なくとも一部をリンスすることと、を含む。
【０００９】
[0009]  本発明の一実施形態によると、リソグラフィ投影装置の汚染を防止または低減する方法が提供される。この装置は液浸スペースを備える。この方法は、少なくとも１分間、液浸スペースの少なくとも一部をリンス液で充填することを含む。
【００１０】
[0010]  本発明の一実施形態によると、リソグラフィ投影装置の汚染を防止または低減する方法が提供される。この装置は、基板を保持するよう構成された基板保持体と、パターニングデバイスを保持するよう構成されたパターニングデバイス保持体と、投影システムと、液浸スペースと、を備える。この方法は、その装置のアイドル時間中、液浸スペースの少なくとも一部をリンス液で充填し、その装置の少なくとも１回のその後の起動運転中の基板の汚染を防止または低減することを含む。
【００１１】
[0011]  本発明の一実施形態によると、少なくとも１つの液浸スペースと、液浸スペースの少なくとも一部を液体で充填するよう構成された液浸システムと、を備える液浸型リソグラフィ装置が提供される。この装置は、その装置を使用して基板にパターンの付いた放射ビームを投影する前に、リンス液で液浸スペースの少なくとも一部をリンスするよう構成されている。
【００１２】
[0012]  本発明の一実施形態によると、少なくとも１つのダミー基板または基板状オブジェクトを原位置(in-situ)で保存する少なくとも１つの保存スペースまたはコンパートメントを含む液浸型リソグラフィ装置が提供される。
【００１３】
[0013]  本発明の一実施形態によると、少なくとも１つのダミーパターニングデバイスまたはパターニングデバイス状オブジェクトを原位置(in-situ)で保存する少なくとも１つの保存スペースまたはコンパートメントを含む液浸型リソグラフィ装置が提供される。
【００１４】
[0014]  本発明の一実施形態によると、コンピュータプログラムであって、そのコンピュータプログラムがコンピュータにより実行されているときに液浸型投影装置の汚染を防止または低減する方法を実行するよう構成されている、機械読み取り可能な指示の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラムが提供される。この装置は、その装置が放射ビームを基板上に投影するときに少なくとも部分的に液体で充填されている少なくとも１つの液浸スペースを備える。この方法は、その装置を使用して放射ビームを基板に投影する前に液浸スペースの少なくとも一部をリンス液でリンスすることを含む。
【００１５】
[0015]  本発明の一実施形態によると、液体が与えられる空間であって、その空間を経由して放射ビームが透過されうる空間を備えるリソグラフィ投影装置の汚染を防止または低減する方法が提供される。この方法は、リソグラフィ装置を動作させることと、その後にリンス液でその空間の少なくとも一部をリンスすることと、を含む。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】[0017]  本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置を示す。
【図２】[0018]  図１の実施形態の細部を概略的に示す。
【図３】[0019]  図１の実施形態の基板および基板支持体の上面図を概略的に示し、また、異なる２つの液浸スペースの位置を示す。
【図４】[0020]  別の実施形態の細部を示す。
【図５】[0021]  様々な試運転における粒子数に関する結果を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
[0016]  以下、添付の概略図面を参照しながら、単なる例として、本発明の実施形態を説明する。図面において、同じ参照符号は同じ部分を示す。
【００１８】
[0022]  本発明において、同一または同様の機能は通常、同一または同様の符号によって示される。
【００１９】
[0023]  図１は、本発明の一実施形態による投影装置１を概略的に示している。
【００２０】
[0024]  本発明の一実施形態によると、投影装置１は、リソグラフィ装置であり、パターニングデバイスＭＡのパターンを基板Ｗ上に投影するよう配置されている。
【００２１】
[0025]  投影装置は、放射ビームＢ（たとえばＵＶ放射または他のタイプの放射）を調整することができるように構成された照明システム（illumination system）（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（たとえばマスク）ＭＡを支持することができるように構成され、また特定のパラメータに従ってパターニングデバイスを正確に位置付けることができるように構成された第１位置決め装置ＰＭに連結された支持構造体（たとえばマスクテーブル）ＭＴと、基板（たとえばレジストコートウェーハ）Ｗを保持することができるように構成され、また特定のパラメータに従って基板を正確に位置付けることができるように構成された第２位置決め装置ＰＷに連結された基板テーブル（たとえばウェーハテーブル）ＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（たとえば１つ以上のダイを含む）上に投影することができるように構成された投影システム（たとえば屈折投影レンズシステム）ＰＳとを備えることができる。
【００２２】
[0026]  照明システムとしては、放射を誘導し、形成し、あるいは制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光学部品、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光学部品を含むことができる。
【００２３】
[0027]  支持構造体は、パターニングデバイスを支持する、即ち、パターニングデバイスの重みを支えるものである。支持構造体は、パターニングデバイスの配向、リソグラフィ装置の設計、および、たとえば、パターニングデバイスが真空環境内で保持されているか否かなどといった他の条件に応じた態様でパターニングデバイスを保持する。支持構造体は、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスを保持することができる。支持構造体は、たとえば、必要に応じて固定または可動式にすることができる架台またはテーブルであってもよい。支持構造体は、パターニングデバイスを、たとえば、投影システムに対して任意の位置に確実に置くことができる。本明細書において使われる用語「レチクル」または「マスク」はすべて、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義であると考えるとよい。
【００２４】
[0028]  本明細書において使われる用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分内にパターンを作り出すように放射ビームの断面にパターンを付けるために使うことができるあらゆるデバイスを指していると広く解釈されるべきである。なお、放射ビームに付けたパターンは、たとえば、そのパターンが位相シフト特徴(phase-shifting features)またはいわゆるアシスト特徴(assist features)を含む場合、基板のターゲット部分内の任意のパターンに正確に一致しない場合もある。通常、放射ビームに付けたパターンは、集積回路などの、ターゲット部分内に作り出されるデバイス内の特定機能層に対応することになる。
【００２５】
[0029]  パターニングデバイスは、透過型または反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、alternating位相シフト(alternating phase-shift)、および減衰型位相シフト(attenuated phase-shift)などのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームがさまざまな方向に反射するように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームにパターンを付ける。
【００２６】
[0030]  本明細書において使われる用語「投影システム」は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光電システム、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆるタイプの投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。本明細書において使われる用語「投影レンズ」はすべて、より一般的な用語「投影システム」と同義であると考えるとよい。
【００２７】
[0031]  本明細書に示されているとおり、投射装置は、透過型のもの（たとえば透過型マスクを採用しているもの）である。また、投射装置は、反射型のもの（たとえば、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイを採用しているか、または反射型マスクを採用しているもの）であってもよい。
【００２８】
[0032]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）を有するタイプのものであってもよい。そのような「マルチステージ」機構においては、追加のテーブルを並行して使うことができ、あるいは、予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上のテーブルを露光用に使うこともできる。
【００２９】
[0033]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源およびリソグラフィ装置は、たとえば、放射源がエキシマレーザである場合、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成しているとはみなされず、また、放射ビームは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、たとえば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤを使って送られる。別の場合においては、放射源は、たとえば、放射源が水銀灯である場合、リソグラフィ装置の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００３０】
[0034]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節することができるように構成されたアジャスタＡＤを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側径方向範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他の構成要素を含むことができる。イルミネータを使って放射ビームを調整すれば、放射ビームの断面に任意の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００３１】
[0035]  放射ビームＢは、支持構造体（たとえばマスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（たとえばマスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームの焦点をあわせる。第２位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（たとえば、干渉装置、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、たとえば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置付けるように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１位置決め装置ＰＭおよび別の位置センサ（図１には明示されていない）を使い、たとえば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置付けることもできる。通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１位置決め装置ＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動細位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も第２位置決め装置ＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてよく、あるいは、固定されていてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２、および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークがそれ専用のターゲット部分に置かれているが、基板アライメントマークをターゲット部分の間の空間（これらは、けがき線アライメントマーク(scribe-lane alignment mark)として公知である）内に置くこともできる。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイの間に置かれてもよい。
【００３２】
[0036]  例示の装置は、以下のモードの少なくとも１つで使うことができると考えられる。
【００３３】
[0037]  １．  ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームに付けられたパターン全体を一度に（すなわち、単一静止露光）ターゲット部分Ｃ上に投影する。基板テーブルＷＴは、つぎにＸおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃが露光されることが可能になる。ステップモードにおいては、露光領域の最大サイズよって、単一静止露光時に投影されるターゲット部分Ｃのサイズが限定される。
【００３４】
[0038]  ２．  スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および画像反転特性によって決めることができる。スキャンモードにおいては、露光領域の最大サイズよって、単一動的露光時のターゲット部分の幅（非スキャン方向）が限定される一方、スキャン動作の長さによって、ターゲット部分の高さ（スキャン方向）が決まる。
【００３５】
[0039]  ３．  別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持しつつ、マスクテーブルＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かし、すなわちスキャンする一方で、放射ビームに付けられているパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。このモードにおいては、通常、パルス放射源が採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中、連続する放射パルスの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述のタイプのプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３６】
[0040]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３７】
[0041]  本発明の一実施形態において、投影装置１は、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体、たとえば、水によって基板の少なくとも一部が覆われているタイプのものである（図２参照）。さらに、リソグラフィ装置１内の、たとえば、マスクＭＡと投影システムＰＳとの間の別の空間１０’に液浸液を加えてもよい（図４参照）。液浸技術自体は、投影システムの開口度を増大させるものとして当該分野において周知である。本明細書において使われているような用語「液浸」は、基板のような構造物を液体内に沈めなければならないという意味ではなく、単に、露光中、一方の側の投影システムとその反対側の基板との間に液体があるということを意味するものである。たとえば、投影装置は、欧州特許公開第１４２９１８８Ａ２号に記載されている装置と同様の構成または異なる構成を有することができる。この特許公開は言及によりその全体が本願に組み込まれている。
【００３８】
[0042]  図２は、図１の投影装置の細部を示している。図２は、投影システムＰＳの少なくとも一部に接している液浸スペース１０を示す。特に、図２において、液浸スペース１０は、投影システムＰＳの最終光学素子ＰＬと、基板テーブルＷＴ上に置かれた基板Ｗまたは基板状オブジェクトＷとの間に延在している。投影装置１は、注入／排出口１３を備える液浸システムを有する。使用中、液浸システムは、注入／排出口１３を介して、比較的屈折率の高い液体１１、たとえば、水を液浸スペース１０に注入する。このような液体には、投影ビームの放射の波長が空気や真空状態の場合よりも短くなるという効果があり、より細かい特徴を解像することが可能となる。投影システムの解像限界が、とりわけ、投影ビームの波長および投影システムの開口数によって決まることはよく知られている。この液体があることもまた、有効な開口数を増大させるものとみなされうる。さらに、開口数が固定されている場合は、この液体は、フィールドの深さを増すのに有効である。
【００３９】
[0043]  投影装置の構成は、実質的に非接触のシールを最終光学素子ＰＬの画像フィールドの周囲を囲むように基板Ｗに形成し、その液体を、投影システムＰＳに面する基板の第１の表面と投影システムＰＳの最終光学素子との間の空間を満たす範囲に留めるようにすることができる。リザーバは、液浸スペース１０を提供するものであり、投影システムＰＳの最終光学素子ＰＬの下のその周囲を囲む位置に配置されているシール部材１２、たとえば、「液浸フード」によって形成することができる。従って、液浸システムは、基板Ｗの局部上のみ、浸液を供給するよう構成することができる。シール部材１２は、投影システムＰＳの最終光学素子ＰＬと基板Ｗとの間の空間を液体で満たすための液体供給システムの一部を形成することができる。この液体は、最終光学素子ＰＬの下に位置する、シール部材１２内の空間に注入される。シール部材１２は、投影システムＰＳの最終光学素子ＰＬの少し上まで延在していることが好ましく、その液体は、液体のバッファが設けられるよう最終光学素子ＰＬの上まで達する。シール部材１２は、上端において投影システムＰＳまたはその最終光学素子ＰＬの形状に密接に適合する内周を有することができ、内周は、たとえば、円形としてよい。底部において、内周は、画像フィールドの形状（たとえば、長方形）に密接に適合しているが、必ずしも密接に適合している必要はない。シール部材１２は、投影システムＰＳに対するＸＹ面において実質的に静止状態にすることができるが、Ｚ方向（光学軸の方向）においては幾分相対的な動きがありうる。シールは、液浸スペース１０に浸液１１を閉じ込めるために、シール部材１２と基板Ｗの表面との間に形成することができる。このシールは、非接触シールであることが好ましく、ガスシール（図示せず）であってもよい。
【００４０】
[0044]  また、基板テーブルＷＴには、カバープレートまたはエッジシール部材１７を設けることができる。このようなエッジシール部材１７は、基板Ｗの上部の第１の表面と実質的に同一平面上にある上部（図示のとおり）の第１の表面を有することができ、基板のエッジ部が最終光学素子ＰＬの下へ移動したときに液体が突然失われることがないよう基板Ｗのエッジ部に密接している。それでもなお、この基板のエッジ部とエッジシール部材との間の空間への液体の損失は幾分起こりうる。
【００４１】
[0045]  もちろん、図２に示される構成全体が上下逆に配置され、エッジシール部材および基板の下面が投影システムに面し、実質的に同一平面上となっている構成もある。そのため、これらの面を、上面ではなく、投影システムに面する第１の表面という。本明細書における上面および下面の言及もまた、適宜、上下が逆の構成におけるそれぞれ下面および上面の言及とみなすことができる。
【００４２】
[0046]  このような装置を使用して、液体供給システム（たとえば、液浸スペース１０）を基板Ｗのエッジ部上に配置することができ、また、基板Ｗから完全に離れるよう移動させることさえも可能である。これにより、本装置によりデバイス製造方法が行われる際に、基板Ｗのエッジ部を結像することができる。
【００４３】
[0047]  エッジシール部材１７は、様々な態様で設けることができる。たとえば、基板テーブルＷＴと一体部分を形成してもよく、あるいは、たとえば真空吸引を使用して、または電磁力を使用して、基板テーブルの残余部分に一時的に取り付けてもよい。また、エッジシール部材１７は、いくつかの個別の部分から形成することもでき、これらの部分はそれぞれ、基板Ｗのエッジ部の一部を取り囲んでいる。
【００４４】
[0048]  一実施形態によると、投影装置は、少なくとも１つの液浸スペース１０と、その液浸スペース１０を少なくとも部分的に浸液１１で充たすよう構成されているそれぞれの液浸システムとを備える。投影装置は、その装置が基板Ｗに放射のパターンの付いたビームを投影するために使用される前に、リンス液１１で液浸スペース１０の少なくとも一部をリンスするよう構成することができる。たとえば、一実施形態において、投影装置は、この装置が比較的長いアイドル動作モードにある間、液浸スペースの少なくとも一部をリンスするよう構成されている。投影装置は、基板に対してパターンの付いた放射ビームを投影するまで実質的に継続して液浸スペースをリンスするよう構成することができる。
【００４５】
[0049]  投影装置が浸液１１で液浸スペースをリンスするよう構成することが効果的である。その場合、浸液とリンス液は単に同一の液体１１であり、その結果、液浸スペースに特定の洗浄液を供給するための特別な洗浄装置を投影装置に設ける必要がなくなる。
【００４６】
[0050]  一実施形態において、投影装置は、液浸スペース１０のリンスを行っている間、液浸スペース１０、および／または、液浸スペース１０に隣接する位置に、オブジェクトを設け、装置が基板のターゲット部分にパターンの付いた放射ビームを投影するために使用される前に、そのオブジェクトを取り除くよう構成することができる。このオブジェクトとしては、たとえば、未加工の（被覆されていない）ウェーハ、ダミーウェーハまたはウェーハ状オブジェクトが含まれうる。たとえば、図１に示されるとおり、投影装置は、この装置が通常の（レジストコートされている）基板のターゲット部分にパターンの付いた放射ビームを投影するために使用されるときにそのオブジェクトを保存するための少なくとも１つの保存スペースまたはコンパートメント２２、Ｈを備えることができる。この保存スペースまたはコンパートメント２２、Ｈは、装置の中のまたはその付近の様々な場所に設けることができる。たとえば、このような保存スペースまたはコンパートメントは、図１のボックス２２に概略的に示されているとおり、装置の基板ステージ２の中またはその付近に配置することができる。保存スペースまたはコンパートメントは、様々な態様で配置することができ、閉鎖可能な容器、基板保存ボックス、基板ロボットグリッパまたはあらゆるその他の適切な基板保持体または基板保存手段を含むことができる。保存スペースまたはコンパートメントは投影装置１内、たとえば、液浸システムの付近に配置されていることが好ましい（基板操作部については以下に説明する。）。
【００４７】
[0051]  また、保存スペースまたはコンパートメントは、投影装置１の基板ステージ２の外に配置されている基板操作部Ｈに含まれるかまたはその一部とすることもできる。この基板操作部Ｈ自体は当業者には既知のものである。通常、基板操作部Ｈは、投影装置１の周辺環境から１つ以上の基板を受け取り、この基板を一時的に保存し、これを基板支持体ＷＴに移動させるものであり、その後、この基板が投影システムＰＳにより照射される。本実施形態において、たとえば、基板操作部Ｈが、１つ以上の基板、ダミー基板および／または基板状オブジェクトがリンス処理時、たとえば、投影装置１のアイドル動作期間中にそれぞれの基板テーブルＷＴに配置される前に、所望の時間の間、これらを保持または保存するよう構成することができる。
【００４８】
[0052]  その上、装置１は、かかる保存スペースまたはコンパートメント２２、Ｈから基板保持体ＷＴまで、またはその反対に基板Ｗを移動させるよう配置または構成された機構（特に図示せず）を含むことができる。このような機構は当業者には既知のものである。たとえば、基板操作部Ｈおよび基板保持体ＷＴは、これらの間で基板を移動させるために様々な態様で配置または構成することができる。たとえば、基板、ダミー基板または基板状オブジェクトを所望の位置からまたは所望の位置へ移動させるために１つ以上のロボットアーム、コンベヤー、輸送手段またはその他の移動機構を設けることができる。
【００４９】
[0053]  さらに、投影装置は、その装置が通常の（レジストコートされた）基板上にパターンの付いた放射ビームを転写するために実際に使用される前に、液浸スペースのリンス中に紫外線でその空間を照射する少なくとも１つの紫外線源を備えることができる。たとえば、上述の放射源ＳＯをその紫外線源となるよう配置および構成してもよい。一方、リンス中に紫外線で液浸スペース１０を照射するために１つ以上の異なる放射源を設けることもできる。
【００５０】
[0054]  図１または図２に示される実施形態では、液浸スペース１０は、使用時、一方の側の基板、ダミー基板、基板状オブジェクトＷおよび／または基板テーブルもしくは保持体ＷＴ、１７の少なくとも一部と、その反対側の投影システムＰＳとの間に延在することができる。ダミー基板は、たとえば、レジスト被覆層が設けられていないベアシリコンウェーハであってもよい。たとえば、上述のとおり、投影装置は、基板保持体ＷＴ上のダミー基板または基板状オブジェクトを配置するよう、また、その後、それぞれの液浸スペース１０をリンスするよう構成することができる。また、装置は、液浸スペース１０が、リンス中に基板保持体ＷＴによって保持されている基板、ダミー基板または基板状オブジェクトＷの外側の輪郭に少なくとも届くかまたはこれを含むよう構成することができる。これは図３に示されている。たとえば、投影装置は、（上述のリンス液を使用して）基板支持体ＷＴの少なくとも１つの領域をリンスするように構成することができ、この領域は、基板支持体ＷＴにより保持されている基板、ダミー基板または基板状オブジェクトのエッジ部に沿って、および／または、そのエッジ部の周囲に延在している。その場合、投影装置がその後リソグラフィプロセスの一部として通常の基板を照射するために使用されるときの基板ごとの粒子数が比較的に低くなる。たとえば、投影装置が、液浸スペース１０およびリンス液を使用して、基板保持体ＷＴの表面の少なくとも一部および／または基板保持体ＷＴの基板エッジ部シール部材１７の表面の少なくとも一部をリンスするよう構成することができる。
【００５１】
[0055]  その上、一実施形態において、投影装置は、リンスまたは洗浄工程中、投影システムＰＳに対して基板保持体ＷＴを移動させるよう構成することができ、これによりリンス中に基板保持体に対する液浸スペース１０の位置を変えることができるようになる。これは、図２および図３において矢印ＱおよびＲで示されている。図２において、矢印Ｑは、投影システムＰＳおよび液浸スペース１０に対する基板保持体ＷＴの横方向の移動を示している。
【００５２】
[0056]  図３において、矢印Ｒは、基板および基板状オブジェクトＷのエッジ部に沿って、基板または基板状オブジェクトＷの周囲を、液浸スペース１０の第１の位置１０１から第２の位置１０２へ浸液空間１０をスキャンしている状態を示している。このように、投影装置のリソグラフィ使用中に基板付近に延在する基板保持体ＷＴまたはそれぞれの基板エッジシール部材１７の表面の内部部分を、リンス液でリンスすることができる。また、このように、一方の側の基板または基板状オブジェクトＷと、その反対側の基板保持体または選択的なエッジシール部材１７との間に延在するエッジスリットＥの汚染を比較的良好に除去することができる。
【００５３】
[0057]  さらに、図３に概略的に示すとおり、使用時に基板Ｗを取り囲む基板支持体ＷＴの表面が、センサ、位置決め装置、ミラー素子および／またはその他の構成要素等のその他の部品を備えることができる。本発明の一実施形態において、液浸スペースのスキャニングは、液浸システムがこれらの部品２１にも到達し、これらの部品２１の外面をリンスすることができるものである。
【００５４】
[0058]  基板保持体ＷＴに対する、液浸スペース１０をスキャンするための基板保持体ＷＴの移動は、様々な方向に、たとえば、図２および図３に示す方向Ｑ、Ｒ、および／または当業者には明らかなその他の様々なスキャン方向に行うことができる。
【００５５】
[0059]  本発明の一実施形態において、投影装置の所定量のアイドル時間を経た後自動的にリンスを開始するよう構成されている。また、投影装置は、所定数のリソグラフィ基板露光（パターンの付いた放射ビームが基板に投影されること）を行った後自動的にリンスを行うよう構成することができる。さらに、一実施形態において、投影装置は、その装置の少なくとも一部が汚染の一定の閾値に達したか否かを判断または推測し、その装置の一部がその汚染閾量に達したと判断または推測された場合にその装置の一部をリンスするよう構成することができる。さらに、図１に概略的に示すとおり、投影装置は、その装置を制御するため、または、少なくともリンスを制御するためのコンピュータ制御ＣＣを備えることができる。このようなコンピュータ制御ＣＣは、たとえば、リンスを開始するタイミングを制御する、リンスを開始するために基板露光の回数を数える、および／または、一定の装置部分が上述の汚染の閾量に達したことを推測または判定するよう構成することができる。コンピュータ制御は、適切なコンピュータソフトウエアによって実現することができる。たとえば、本発明の一実施形態により、コンピュータによってそれが実行されているときに本特許出願に開示されている方法を実施するよう構成されている機械読み取り可能な指示の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラムが提供される。
【００５６】
[0060]  図４に概略的に示される別の実施形態において、液浸スペース１０’は、少なくとも、一方の側のパターニングデバイスＭＡおよび／またはパターニングデバイス保持体ＭＴと、その反対側の投影システムとの間に延在させることができる。その場合、たとえば、投影装置は、ダミーパターニングデバイスまたはパターニングデバイス状オブジェクトをパターニングデバイス保持体上に配置し、続いて、それぞれの液浸スペースをリンスするよう構成することができる。また、投影装置が、たとえば、図２と図４の実施形態を組み合わせることにより、ウェーハステージの液浸スペースおよびパターニングデバイスステージの液浸スペースを備えうることは明らかである。
【００５７】
[0061]  また、一実施形態では、投影装置は、少なくとも２つの基板保持体ＷＴを含むことができる。その場合、投影装置は、各基板支持体ＷＴを、少なくとも、液浸スペースが一方の側の基板保持体ＷＴの少なくとも一部とその反対側の投影装置ＰＳとの間に延在するように第１の位置および投影装置ＰＳから離れたそれぞれの第２の位置に移動させるよう構成することができる。第２の位置は、各基板保持体および基板操作部Ｈ（図１を参照）との間で基板を移動させるために、たとえば、基板操作部Ｈの近くにすることができる。さらなる実施形態によると、投影装置は、続いて、これらの基板保持体ＷＴを第１の位置に移動させ、その位置およびその付近においてリンス液で少なくとも部分的にリンスを行うよう構成することができる。あるいは、投影装置は、基板保持体が第２の位置にあるときに少なくとも部分的に洗浄するよう構成されている１つ以上の洗浄装置を備えることができる。このような洗浄装置２０は、図１に概略的に示されており、たとえば、基板保持体が第２の位置またはその付近にあるときにリンス流体で基板保持体をリンスすることができるよう配置にしてもよい。洗浄装置２０は、各液浸スペースを作成および適用することにより、前記液浸システムと同様に機能することでき、または、異なる態様で機能することもできる。さらに、洗浄装置２０は、適切な洗浄液に各基板保持体を完全に浸すよう構成してもよい。
【００５８】
[0062]  さらに、投影装置は、様々な基板支持体のうちいずれが最も汚染する可能性が高く、最初にリンスまたは洗浄を行うべきかを判定するよう構成することができる。この構成において、投影装置は、汚染される可能性が最も高いと判明した基板保持体を最初にリンスまたは洗浄することができる。
【００５９】
[0063]  図１乃至図３に示す液浸型の投影装置は、使用時において、汚染を防止または低減する方法を実行することができる。その目的のため、投影装置を使用してレジストコート基板上にパターンの付いた放射ビームを投影する前に、液浸スペース１０の少なくとも一部をリンス液、好ましくは、浸液でリンスする。これにより、液浸スペース１０に対しては、投影装置を使用して基板のターゲット部分にパターンの付いた放射ビームを転写するためのリソグラフィプロセスが実行されるまで、この投影装置のアイドル動作モード中、実質的に継続して単にリンスを行うことができる。あるいは、たとえば、バクテリアを活動不能にするかまたは死滅させるために、液浸スペースおよび／またはリンス液の少なくとも一部が紫外線により照射される。一実施形態において、浸液は、超音波洗浄バスに形態を変えることができる。別の実施形態においては、浸液は超音波洗浄バスに形態を変えない。即ち、これは、投影装置１が浸液を超音波洗浄液に変えるよう構成された超音波トランスミッタを備えていない実施形態である。
【００６０】
[0064]  投影装置１のアイドル動作モードは、様々なアイドル時間を含むことができる。たとえば、投影装置は、瞬間的な基板スループット、投影装置１への基板の供給の一時停止、その装置の停止時間、その装置の一定の保守期間または別の期間といった様々な状況のためにデバイス製造装置においてアイドル状態になりうる。
【００６１】
[0065]  図２および図３に示すとおり、ダミー基板または基板状オブジェクトＷは、たとえば、基板保持体ＷＴの少なくとも一部をリンスするために浸液空間をリンス液でリンスするときに基板保持体ＷＴ上に供給することができる。たとえば、使用時において、リンスを行う前に、ダミー基板または基板状オブジェクトＷをその原位置(in-situ)であるコンパートメント２２から移動させる、あるいは、基板操作部Ｈから基板保持体ＷＴに移動させることができる。
【００６２】
[0066]  また、基板保持体ＷＴにエッジシール部材１７を設けることができる。その場合、基板保持体ＷＴのエッジシール部材１７の上面またはその一部を浸液システムでリンスすることができる。
【００６３】
[0067]  リンスを行った後、ダミー基板または基板状オブジェクトをリソグラフィ製造方法で投影システムＰＳにより照射される実際の基板と交換することができる。たとえば、ダミー基板または基板状オブジェクトＷは、リソグラフィ製造方法の実施中に、たとえば、その原位置(in-situ)であるコンパートメント２２または基板操作部Ｈといった適切な保存コンパートメントに保存することができる。リソグラフィ製造方法を行った後、たとえば、投影装置が比較的長いアイドル動作モードに入った場合、ダミー基板または基板状オブジェクトを再度、基板保持体ＷＴ上に配置することができ、実質的に継続したリンスを繰り返すことができる。
【００６４】
[0068]  また、液浸スペース１０の位置はリンス処理中に変えることができる。たとえば、投影装置は、液浸システムおよび／または投影システムＰＳに対して基板保持体ＷＴを移動させることができ、その結果、液浸スペース１０は、基板保持体（および／または基板エッジシール１７またはその他のコンポーネント２１）の別の位置に到達し、そこから汚染を除去することができる。このように、好ましくは、投影装置のリソグラフィ使用中にも使用される浸液を単に使用して、液浸システムにより投影装置の少なくとも一部の洗浄またはリンスが行われる。上述の結果として、一実施形態では、液浸システムが基板保持体ＷＴまたはその付近に延在する少なくとも１つのスリットまたは開口部Ｅ、特に、一方の側の基板または基板状オブジェクトＷとその反対側の基板保持体または選択的なエッジシール部材１７に延在するエッジスリットＥを比較的良好に洗浄またはリンスすることができる。
【００６５】
[0069]  一実施形態において、たとえば、少なくとも１分間、少なくとも１時間またはその他の時間の間、液浸スペースの少なくとも一部について、リンス液、好ましくは、浸液で充填するかまたはこれを使用して洗い流す。たとえば、液浸スペース１０の少なくとも一部に対して、１回のアイドル動作期間またはその一部を含む少なくとも１日間実質的に継続して、リンス液で充填するかまたは洗い流すことができる。また、希望により、他のリンス時間を用いることもできる。また、投影装置のアイドル時間中に、液浸スペース１０の少なくとも一部について、リンス液で充填するかまたは洗い流して、投影装置の少なくとも１回のその後の起動運転中の基板の汚染を防止また低減することができる。さらに、この方法は、投影装置の液浸スペースを通って浸液が循環することを含むことができる。実質的に汚染のない浸液を提供するために、当業者には明白であるように、浸液を適切な態様でフィルターにかけ、かつ／または、処理することができる。
【００６６】
[0070]  液浸装置が少なくとも２つの基板保持体ＷＴを含む（たとえば、欧州特許出願第０３２５７０７２．３号を参照。）場合、これらの基板保持体ＷＴは、その後、第１の位置へ移動し、液浸システムによって洗浄されることがある。あるいは、これらの基板保持体の１つ以上が第２の位置にある場合、その基板保持体ＷＴが選択的な洗浄装置２０により洗浄されることもありうる。また、アイドル時間中、基板保持体の１つ以上が適切な液体に完全に沈められ、その保持体を洗浄し、かつ／または、その支持体を汚染のない状態に保つようにする場合もある。さらに、コンピュータ制御ＣＣおよび／またはソフトウエアが、これらの基板保持体のいずれが汚染する可能性が最も高く、最初にリンスまたは洗浄を行う、あるいは、液浸を行うべきかを判断することもある。
【００６７】
[0071]  他の方法において、上記のとおり、また、図４に示すとおり、各液浸スペースは、少なくとも、一方の側のパターニングデバイス、ダミーパターニングデバイスまたはパターニングデバイス状オブジェクトＭＡおよび／またはパターニングデバイス保持体ＭＴとその反対側の投影システムＰＳとの間に延在している。たとえば、ダミーパターニングデバイスまたはパターニングデバイス状オブジェクトＭＡは、パターニングデバイス保持体ＭＴ上に配置することができ、その後、各液浸スペース１０’について、たとえば、投影装置のアイドルモード中にリンスが行われる。投影装置は、ダミーパターニングデバイスまたはパターニングデバイス状オブジェクトがパターニングデバイス保持体上に配置されていないときにこのパターニングデバイスまたはオブジェクトを保存するその原位置(in-situ)である保存スペースまたはコンパートメント（図示せず）を備えることが好ましい。リンスを行った後、ダミーパターニングデバイスまたはパターニングデバイス状オブジェクトを実際のパターニングデバイスに差し替えることができ、この実際のパターニングデバイスを使用して、放射が投影システムＰＳに入射する前に、その放射にパターンを与える。たとえば、液浸システムは、パターニングデバイス保持体の少なくとも一部を洗浄またはリンスすることができる。また、液浸システムは、パターニングデバイス保持体ＷＴまたはその付近に延在する少なくとも１つのスリットまたは開口部Ｅ’（図４参照）を洗浄またはリンスすることができる。投影装置が少なくとも２つのパターニングデバイス保持体ＷＴを備える場合、これらのパターニングデバイス保持体は、上述の複数の基板保持体ＷＴに対する汚染を防止または低減する方法と同様の処理を行うことができる。
【００６８】
[0072]  装置１が少なくとも２つのパターニングデバイス支持体ＭＴを備える場合、これらの支持体ＭＴがその後、上述の少なくとも２つの基板保持体ＷＴの処理と同様に、それぞれの第１の位置に移動し、それぞれの浸液システムにより洗浄されることもある。また、これらのパターニングデバイス支持体ＭＴの１つ以上がそれぞれの第２の位置にあるとき、そのパターニングデバイス支持体ＭＴが選択的な洗浄装置（図示せず）によって洗浄される場合もある。さらに、コンピュータ制御ＣＣおよび／またはソフトウエアが、これらパターニングデバイス支持体ＭＴのいずれが汚染される可能性が最も高く、最初にリンスまたは洗浄を行うべきであるかを判定する場合もある。
【００６９】
[0073]  本発明は、リソグラフィ装置の起動時の汚染を低減することおよび／または一まとまりの基板のうちの第１の基板上の汚染を低減することを目的としうるものである。たとえば、第１の基板が機械アイドル時間後に投影装置により加工されるときに、たとえば、粒子数において汚染のピークを示す場合がある。この粒子数は、「ウェーハパスごとの粒子」（ＰＷＰ）数として表すことができる。さらに、本発明は、予測されるバクテリアの成長を低減することもできる。たとえば、リンスは、各装置部分（たとえば、基板保持体）上に継続的な流体の流れを与えることができ、これにより、バクテリアの成長を防止することができる。さらに、選択的なin-situ紫外線洗浄処理を適用することにより、バクテリアを除去するためのＨ２Ｏ２洗浄方法の利用を避けることができる。Ｈ２Ｏ２の使用は、投影装置の一定の構成部品に存在しうるＴｉＮに適合しない。
【００７０】
[0074]  通常、デバイス製造方法において、レジストコートされたウェーハは、投影装置により照射される。レジスト被覆されたウェーハを使用することで、そのレジストおよびレジストが基板に適用される態様に応じて、汚染レベルＰＷＰが上昇する場合がある。これは図５に示されている。図５は、液浸型の装置の基板ステージに関する様々な実験的試運転の結果を示すものである。まず、ＰＷＰ値は、投影装置の基板保持体ＷＴに搭載され、また、その基板保持体ＷＴから取り外されたベアシリコンウェーハを使用して測定された。各数値は比較的低く、図５に●ＡＡでされている。
【００７１】
[0075]  その後まもなく、一まとまりのレジスト被覆されたウェーハ（ゼロ線量）を投影装置で露光した。次に、さらなる８つのベアＳｉウェーハを使用してＰＷＰを再度テストした。８件のテスト結果では、図５に■ＢＢで示されるとおり、ＰＷＰが上昇していることが分かる。
【００７２】
[0076]  約９時間半もの投影装置のその後のアイドル期間中に、液浸システムおよび浸液を利用して、液浸スペースのリンスを開始した。その後、さらなる５つのベアウェーハを使用してＰＷＰを再度テストした。その結果は、図５の▲ＣＣとして示されており、液浸スペース１０のリンスが所望の低いＰＷＰをもたらすことを証明するものであった。
【００７３】
[0077]  特に、投影装置の動作期間に露光される第１のウェーハのＰＷＰは、通常、その後に露光されたウェーハのものよりも大幅に高くなりうる。本発明に従い、液浸システムが、基板保持体ＷＴおよび／もしくはパターニングデバイス保持体ＭＴ、ならびに／または、エッジシール部材１７、スリットＥ、Ｅ’、センサおよびその他の構成部品といったこれらの一部に対する長期にわたるまたは実質的に継続した湿式ホバリングがＰＷＰを低下させることが例証された。
【００７４】
[0078]  一実施形態において、投影装置は、基板保持体（またはその部分のチャック）に対しシリコンウェーハを搭載し、この基板支持体に対して湿潤ホバリングを開始するよう構成することができる。たとえば、投影装置に、浸液システムの流体供給口１３を塞ぐいわゆるクロージングディスクまたは適切なクロージング部材が設けられている場合、リンスは、最少数のクロージングディスクエクスチェンジ（Closing Disk Exchange）で行うことができる。リンス処理は、所定の「機械アイドル」時間（「スクリーンセーバー」のような状態）の後、および／または一定数の露光を行った後、自動的に開始することができる。たとえば、ウェーハ操作部Ｈの「ビザボックス状容器」、または他の位置に保存されている数多くの未使用のウェーハをこの洗浄動作に使用することができる。
【００７５】
[0079]  投影装置が２つ以上の基板保持体またはチャックを備える場合、これらの基板保持体またはチャックはそれぞれ、一定の時間ごとに交換することによって洗浄するようにしてもよい。さらに、コンピュータ制御ＣＣおよび／またはソフトウエアによって、最後に洗浄した基板保持体またはチャックの記録を維持し、次回に他の基板保持体またはチャックから開始するようにしてもよい。
【００７６】
[0080]  また、好ましくは、投影装置のアイドル時間中に、基板保持体もしくはチャックまたはその付近でのバクテリアの成長を防止するために、基板支持体またはチャックを、浸液、たとえば、純水（ＵＰＷ）で継続的に洗い流すことができる。空気にさらされた動かない水のたまりを避けることが好ましい。さらに、水で洗い流している間の一定時間、放射源ＳＯをオンにして、基板保持体またはチャックの紫外線誘導オゾン洗浄を行うようにしてもよい。また、このオゾン洗浄は、流出レジストといった有機性の化学汚染やバクテリアを「死滅」させるのに効果的となりうる。この洗浄処理中には、ベア基板または基板状オブジェクトが処理中の基板保持体上に置かれている。
【００７７】
[0081]  たとえば、投影装置のアイドル時間中、各基板保持体または受け台を純水で継続的に洗い流することで、粒子による汚染を低減させ、バクテリアの成長を回避することができる。浸液は常時流れている状態にあることが好ましい。
【００７８】
[0082]  また、特に、放射源ＳＯが紫外線源である場合には、アイドル時間中、この放射光を使用して、in-situ洗浄を行うようにしてもよい。水中で発生したオゾンは、有機物およびバクテリアの成長を除去する効果的な手段となる。
【００７９】
[0083]  また、ベアウェーハと同様の形状を有するベアダミー基板またはオブジェクトを、アイドル時間の洗浄処理中に基板保持体ＷＴに配置することができる。液浸型の装置には、ダミー基板専用のその原位置（in-situ）である保存コンパートメントを設けることができる。
【００８０】
[0084]  本明細書では、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的に言及しているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドといった他の用途を有することは、明らかである。当業者には当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使われている用語「ウェーハ」または「ダイ」はすべて、それぞれより一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と同義であると考えればよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後に、たとえば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示物を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに、基板は、たとえば、積層ＩＣを作るために、複数回処理されてもよいので、本明細書で使われる基板という用語が、既に多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００８１】
[0085]  光学リソグラフィの分野での本発明の実施形態の使用について既に具体的に説明してきたが、言うまでもなく、本発明は、他の用途、たとえば、インプリントリソグラフィに使われてもよく、さらに状況が許すのであれば、光学リソグラフィに限定されることはない。インプリントリソグラフィにおいては、パターニングデバイス内のトポグラフィが基板上に創出されたパターンを画定する。パターニングデバイスのトポグラフィは、基板に与えられたレジスト層の中にプレス加工され、基板上では、電磁放射、熱、圧力、またはそれらの組合せによってレジストを硬化させることができる。パターニングデバイスは、レジストが硬化した後、レジスト内にパターンを残してレジストの外へ移動される。
【００８２】
[0086]  本明細書で使われている用語「放射」および「ビーム」は、紫外線（ＵＶ）（たとえば、約３６５、３５５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍの波長を有する）、および極紫外線（ＥＵＶ）（たとえば、５〜２０ｎｍの範囲の波長を有する）などのあらゆる種類の電磁放射、ならびにイオンビームや電子ビームなどの微粒子ビームを包含している。
【００８３】
[0087]  用語「レンズ」は、状況が許すのであれば、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光学部品を含むさまざまな種類の光学系のどれか１つまたは組合せを指すことができる。
【００８４】
[0088]  本発明の実施形態の使用について既に具体的に説明してきたが、言うまでもなく、本発明は、記載される以外の態様で実施されうる。たとえば、本発明は、上記に開示されている方法を記載する機械読み取り可能な指示の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムが記憶されているデータ記憶媒体（たとえば、半導体メモリ、磁気ディスクまたは光ディスク）の形態を取りうる。
【００８５】
[0089]  本発明の１つ以上の実施形態を上述のタイプの液浸リソグラフィ装置に適用することでき、また、浸液をバスの形態で供給するかまたは基板の局所の表面領域のみに提供するかにかかわらず適用することができる。液浸システムは、投影システムと基板および／または基板テーブルとの間の空間に液体を供給する機構とすることができる。また、液浸システムは、１つ以上の構造、１つ以上の液体挿入口、１つ以上の気体挿入口、１つ以上の気体排出口および／または１つ以上の液体注入口のあらゆる組み合わせであって、浸液をその空間に供給し、閉じ込める組み合わせを備えてよい。一実施形態において、その空間の表面を基板および／または基板テーブルの一部に限定してもよく、また、その空間の表面が基板および／または基板テーブルの表面を完全に覆ってもよく、あるいは、その空間が基板および／または基板テーブルを包みこむようにしてもよい。
【００８６】
[0090]  また、液浸システムは、投影システムとパターニングデバイスおよび／またはパターニングデバイス支持体との間の空間に液体を供給するあらゆる機構としてよい。
【００８７】
[0091]  上記の説明は、限定ではなく例示を目的としたものである。したがって、当業者には明らかなように、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本記載の発明に変更を加えることもできる。
【図１】
2010087535.tif 000003
【図２】
2010087535.tif 000004
【図３】
2010087535.tif 000005
【図４】
2010087535.tif 000006
【図５】
2010087535.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成22年2月8日(2010.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液浸型リソグラフィ装置であって、
少なくとも１つの液浸スペースと、
前記液浸スペースの少なくとも一部を液体で充填する液浸システムと、を備え、
当該装置は、基板にパターンの付いた放射ビームを投影する前に、前記液浸システムを用いてリンス液で基板保持体の表面および該表面に配置された１つ以上の構成部品の少なくとも一部をリンスし、
前記構成部品がエッジシール部材、カバープレート、センサ、位置決め装置およびミラー素子からなる一群から選択される、液浸型リソグラフィ装置。
【請求項２】
少なくとも２つの基板保持体をさらに備え、液浸スペースが、基板保持体のうちの少なくとも１つの少なくとも一部と該基板保持体の反対側の投影システムとの間に延在し、当該装置が、第１の位置、および、前記投影システムから離れたそれぞれの第２の位置に各基板保持体を移動させる、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記装置が、前記第１の位置に前記基板保持体を移動させ、リンス液で該位置またはその付近の少なくとも一部をリンスする、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記基板保持体の少なくとも１つが前記第２の位置にあるときに該基板保持体の少なくとも一部を洗浄する少なくとも１つの洗浄装置をさらに備える、請求項２又は請求項３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記装置が、いずれの前記基板保持体が汚染される可能性が最も高いかを判定し、該汚染される可能性が最も高いと判定された基板保持体を最初にリンスまたは洗浄する、請求項２乃至請求項４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
少なくとも１つの液浸スペースと、放射ビームを基板に投影するときに該液浸スペースを少なくとも部分的に液体で充填する液浸システムとを備える液浸型投影装置の汚染を防止または低減する方法であって、
前記装置を使用して前記放射ビームを基板に投影する前に、前記液浸システムを用いてリンス液で基板保持体の表面および該表面に配置された１つ以上の構成部品の少なくとも一部をリンスし、前記構成部品がエッジシール部材、カバープレート、センサ、位置決め装置およびミラー素子からなる一群から選択される、方法。
【外国語明細書】
2010087535000001.pdf