(57)【要約】【課題】伝送特性が良好に維持されるとともに強度が向上された配線回路基板およびその製造方法を提供する【解決手段】サスペンション本体部１０上に、第１の絶縁層４１が形成されている。第１の絶縁層４１上に書込用配線パターンＷ１が形成されている。書込用配線パターンＷ１を覆うように第１の絶縁層４１上に第２の絶縁層４２が形成されている。第２の絶縁層４２上に書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が形成されている。書込用配線パターンＷ２は書込用配線パターンＷ１の上方に配置される。書込用配線パターンＷ２は、導体層Ｗ２ａおよび補強用合金層Ｗ２ｂ，Ｗ２ｃを含む。導体層Ｗ２ａの上面および側面を覆うように補強用合金層Ｗ２ａ，Ｗ２ｂが順に形成されている。【選択図】図２
2010062325.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上に形成される第１の配線層と、
前記第１の配線層を覆うように前記第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上において前記第１の配線層の上方に形成され、前記第１の配線層と信号線路対を構成する第２の配線層と、
前記第１の配線層の上面および前記第２の配線層の下面を除いて少なくとも前記第２の配線層の上面に形成される導電性の第１の補強層とを備え、
前記第１の配線層の幅は前記第１の配線層の厚さよりも大きく、前記第２の配線層の幅は前記第２の配線層の厚さよりも大きいことを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記第１の補強層は、前記第２の配線層よりも高い剛性を有しかつ前記第２の配線層よりも高い抵抗率を有することを特徴とする請求項１記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記第１および第２の配線層は銅を含み、前記第１の補強層は銅と錫との合金を含むことを特徴とする請求項２記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記第１の絶縁層上または前記第２の絶縁層上に間隔をおいて形成され、信号線路対を構成する第３および第４の配線層をさらに備えたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記第３の配線層の少なくとも一面に形成される導電性の第２の補強層と、
前記第４の配線層の少なくとも一面に形成される導電性の第３の補強層とをさらに備えたことを特徴とする請求項４記載の配線回路基板。
【請求項６】
前記第２および第３の補強層は、前記第３および前記第４の配線層よりも高い剛性を有することを特徴とする請求項５記載の配線回路基板。
【請求項７】
前記第３および第４の配線層の間隔は、１０μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする請求項４〜６のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項８】
長尺状の金属基板と、
前記金属基板に設けられ、信号の読み書きを行うためのヘッド部とをさらに備え、
前記第１の絶縁層は、前記金属基板上に形成され、
前記第１〜第４の配線層は、前記ヘッド部に電気的に接続され、
前記ヘッド部による信号の書込み時に第１および第２の配線層に電流が流れ、前記ヘッド部による信号の読取り時に第３および第４の配線層に電流が流れることを特徴とする請求項４〜７のいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項９】
前記第１の絶縁層上に第１の配線層を形成する工程と、
前記第１の配線層を覆うように前記第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、
前記第２の絶縁層上において前記第１の配線層の上方に前記第１の配線層と信号線路対を構成する第２の配線層を形成する工程と、
前記第１の配線層の上面および前記第２の配線層の下面を除いて少なくとも前記第２の配線層の上面に導電性の第１の補強層を形成する工程とを備え、
前記第１の配線層の幅を前記第１の配線層の厚さよりも大きくし、前記第２の配線層の幅を前記第２の配線層の厚さよりも大きくすることを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスクドライブ装置等のドライブ装置にはアクチュエータが用いられる。このようなアクチュエータは、回転軸に回転可能に設けられるアームと、アームに取り付けられる磁気ヘッド用のサスペンション基板とを備える。サスペンション基板は、磁気ディスクの所望のトラックに磁気ヘッドを位置決めするための配線回路基板である。
【０００３】
図１０は、例えば特許文献１に示される従来のサスペンション基板の縦断面図である。
【０００４】
このサスペンション基板９１０においては、金属基板９０２上に第１の絶縁層９０４が形成されている。第１の絶縁層９０４上には、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２が距離Ｌ１離間するように形成されている。
【０００５】
第１の絶縁層９０４上には、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ２を覆うように第２の絶縁層９０５が形成されている。第２の絶縁層９０５上には、読取用配線パターンＲ２の上方位置で書込用配線パターンＷ１が形成され、書込用配線パターンＷ２の上方位置で読取用導体Ｒ１が形成されている。
【０００６】
上下に位置する読取用配線パターンＲ１と書込用配線パターンＷ２との間の距離、および上下に位置する読取用配線パターンＲ２と書込用配線パターンＷ１との間の距離は、ともにＬ２である。
【０００７】
上記構成を有するサスペンション基板９１０においては、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１との間の距離が、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ２との間の距離とそれぞれほぼ等しい。これにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に書込み電流が流れる場合には、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に発生する誘導起電力の大きさがほぼ等しくなると考えられる。そのため、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２と読取用配線パターンＲ１，Ｒ２との間のクロストークを低減することができる。
【特許文献１】特開２００４−１３３９８８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、近年では、電子機器の低消費電力化のために書込用配線パターンの伝送損失を低くすることが望まれる。また、屈曲時に書込用配線パターンおよび読取用配線パターンが損傷することを防止するため、書込用配線パターンおよび読取用配線パターンの強度を高くすることが望まれる。
【０００９】
本発明の目的は、伝送特性が良好に維持されるとともに強度が向上された配線回路基板およびその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
（１）第１の発明に係る配線回路基板は、第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成される第１の配線層と、第１の配線層を覆うように第１の絶縁層上に形成される第２の絶縁層と、第２の絶縁層上において第１の配線層の上方に形成され、第１の配線層と信号線路対を構成する第２の配線層と、第１の配線層の上面および第２の配線層の下面を除いて少なくとも第２の配線層の上面に形成される導電性の第１の補強層とを備え、第１の配線層の幅は第１の配線層の厚さよりも大きく、第２の配線層の幅は第２の配線層の厚さよりも大きいものである。
【００１１】
この配線回路基板においては、第１の配線層の上方に第２の配線層が配置される。それにより、第１および第２の配線層に互いに逆方向に電流が流れる場合、近接効果により第１の配線層の上面および第２の配線層の下面に沿って電流が集中する。
【００１２】
この場合、第１の配線層の幅が第１の配線層の厚さよりも大きく、第２の配線層の幅が第２の配線層の厚さよりも大きいため、第１および第２の配線層が共通の平面上に配置される場合に比べて、第１および第２の配線層における伝送損失が低減される。それにより、第１および第２の配線層における伝送特性が向上する。
【００１３】
また、第１の配線層の上面および第２の配線層の下面を除いて少なくとも第２の配線層の上面に導電性の第１の補強層が形成される。この場合、上側に配置される第２の配線層に外部からの応力が加わっても、導電性の第１の補強層によって第２の配線層が補強されることにより、導電性が確保された状態で第２の配線層の損傷が防止される。
【００１４】
また、第１の配線層の上面および第２の配線層の下面には第１の補強層が形成されないので、近接効果により第１の補強層に電流が集中して流れることがない。そのため、第１の補強層が高い抵抗率を有する場合でも、第１の補強層による伝送損失が生じない。
【００１５】
これらの結果、第１および第２の配線層における伝送特性を良好に維持しつつ第２の配線層の損傷を防止することができる。
【００１６】
（２）第１の補強層は、第２の配線層よりも高い剛性を有しかつ第２の配線層よりも高い抵抗率を有してもよい。
【００１７】
この場合、少なくとも第２の配線層の上面に導電性の第１の補強層が形成されることにより、第２の配線層の損傷が十分に防止される。
【００１８】
また、第１の配線層の上面および第２の配線層の下面に高い抵抗率を有する第１の補強層が形成されないので、第１の補強層による伝送損失が生じない。
【００１９】
（３）第１および第２の配線層は銅を含み、第１の補強層は銅と錫との合金を含んでもよい。この場合、第１および第２の配線層が銅を含むことにより、第１および第２の配線層の導電性が十分に確保される。また、第１の補強層が銅と錫との合金を含むことにより、第１の補強層の剛性が十分に確保される。
【００２０】
（４）配線回路基板は、第１の絶縁層上または第２の絶縁層上に間隔をおいて形成され、信号線路対を構成する第３および第４の配線層をさらに備えてもよい。
【００２１】
この場合、配線回路基板をハードディスクドライブ装置等のドライブ装置のサスペンション基板として用いた場合に、第１および第２の配線層を磁気ディスクへの情報の書込みのために用いることができ、第３および第４の配線層を磁気ディスクからの情報の読取りのために用いることができる。
【００２２】
また、第３および第４の配線層が共通の平面上に配置されることにより、第３および第４の配線層が上下に配置される場合に比べて第３および第４の配線層のインピーダンスが高くなる。したがって、第３および第４の配線層により磁気ディスクからの情報の読取りを良好に行うことが可能になる。
【００２３】
（５）配線回路基板は、第３の配線層の少なくとも一面に形成される導電性の第２の補強層と、第４の配線層の少なくとも一面に形成される導電性の第３の補強層とをさらに備えてもよい。
【００２４】
この場合、導電性の第２の補強層によって第２の配線層が補強され、導電性の第３の補強層によって第４の配線層が補強される。それにより、導電性が確保された状態で第３および第４の配線層の損傷がそれぞれ防止される。
【００２５】
（６）第２および第３の補強層は、第３および第４の配線層よりも高い剛性を有してもよい。この場合、第３および第４の配線層の損傷をそれぞれ十分に防止することができる。
【００２６】
（７）第３および第４の配線層の間隔は、１０μｍ以上１００μｍ以下であってもよい。
【００２７】
この場合、第３および第４の配線層の間隔を１０μｍ以上にすることにより、近接効果による伝送損失の増大を抑制することができる。また、第３および第４の配線層の間隔を１００μｍ以下にすることにより、第３および第４の配線層の配置スペースの増大を抑制することができる。
【００２８】
（８）配線回路基板は、長尺状の金属基板と、金属基板に設けられ、信号の読み書きを行うためのヘッド部とをさらに備え、第１の絶縁層は、金属基板上に形成され、第１〜第４の配線層は、ヘッド部に電気的に接続され、ヘッド部による信号の書込み時に第１および第２の配線層に電流が流れ、ヘッド部による信号の読取り時に第３および第４の配線層に電流が流れてもよい。
【００２９】
この場合、配線回路基板をハードディスクドライブ装置等のドライブ装置のサスペンション基板として用いることができる。そして、第１および第２の配線層により磁気ディスクに対する情報の書込みを行うことができ、第３および第４の配線層により磁気ディスクからの情報の読取りを行うことができる。
【００３０】
（９）第２の発明に係る配線回路基板の製造方法は、第１の絶縁層上に第１の配線層を形成する工程と、第１の配線層を覆うように第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成する工程と、第２の絶縁層上において第１の配線層の上方に第１の配線層と信号線路対を構成する第２の配線層を形成する工程と、第１の配線層の上面および第２の配線層の下面を除いて少なくとも第２の配線層の上面に導電性の第１の補強層を形成する工程とを備え、第１の配線層の幅を第１の配線層の厚さよりも大きくし、第２の配線層の幅を第２の配線層の厚さよりも大きくするものである。
【００３１】
この製造方法においては、第１の配線層の上方に第２の配線層が形成される。それにより、第１および第２の配線層に互いに逆方向に電流が流れる場合、近接効果により第１の配線層の上面および第２の配線層の下面に沿って電流が集中する。
【００３２】
この場合、第１の配線層の幅が第１の配線層の厚さよりも大きくされ、第２の配線層の幅が第２の配線層の厚さよりも大きくされるため、第１および第２の配線層が共通の平面上に配置される場合に比べて、第１および第２の配線層における伝送損失が低減される。それにより、第１および第２の配線層における伝送特性が向上する。
【００３３】
また、第１の配線層の上面および第２の配線層の下面を除いて少なくとも第２の配線層の上面に導電性の第１の補強層が形成される。この場合、上側に配置される第２の配線層に外部からの応力が加わっても、導電性の第１の補強層によって第２の配線層が補強されることにより、導電性が確保された状態で第２の配線層の損傷が防止される。
【００３４】
また、第１の配線層の上面および第２の配線層の下面には第１の補強層が形成されないので、近接効果により第１の補強層に電流が集中して流れることがない。そのため、第１の補強層が高い抵抗率を有する場合でも、第１の補強層による伝送損失が生じない。
【００３５】
これらの結果、配線回路基板の第１および第２の配線層における伝送特性を良好に維持しつつ第２の配線層の損傷を防止することができる。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、第１および第２の配線層が上下に配置されることにより第１および第２の配線層における伝送損失が低減される。また、第１の補強層によって伝送損失を生じさせずに第２の配線層が補強される。これらにより、第１および第２の配線層における伝送特性を良好に維持しつつ第２の配線層の損傷を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３７】
以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板およびその製造方法について図面を参照しながら説明する。以下、本発明の実施の形態に係る配線回路基板として、ハードディスクドライブ装置のアクチュエータに用いられるサスペンション基板の構造およびその製造方法について説明する。
【００３８】
（１）サスペンション基板の構造
図１は本実施の形態に係るサスペンション基板の上面図である。図１に示すように、サスペンション基板１は、金属製の長尺状基板により形成されるサスペンション本体部１０を備える。サスペンション本体部１０上には、太い点線で示すように、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が形成されている。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２はそれぞれ信号線路対を形成する。
【００３９】
サスペンション本体部１０の先端部には、Ｕ字状の開口部１１を形成することにより磁気ヘッド搭載部（以下、タング部と呼ぶ）１２が設けられている。タング部１２は、サスペンション本体部１０に対して所定の角度をなすように破線Ｒの箇所で折り曲げ加工される。タング部１２の端部には４つの電極パッド２１，２２，２３，２４が形成されている。
【００４０】
サスペンション本体部１０の他端部には４つの電極パッド３１，３２，３３，３４が形成されている。タング部１２上の電極パッド２１〜２４とサスペンション本体部１０の他端部の電極パッド３１〜３４とは、それぞれ書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用Ｒ１，Ｒ２により電気的に接続されている。また、サスペンション本体部１０には複数の孔部Ｈが形成されている。
【００４１】
サスペンション基板１を備える図示しないハードディスク装置においては、磁気ディスクに対する情報の書込み時に一対の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に電流が流れる。また、磁気ディスクに対する情報の読取り時に一対の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２に電流が流れる。
【００４２】
次に、サスペンション基板１の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の詳細について説明する。図２は図１のサスペンション基板１のＡ−Ａ線縦断面図である。
【００４３】
図２に示すように、中央部に開口部を有するサスペンション本体部１０上に、第１の絶縁層４１が形成されている。サスペンション本体部１０は、第１の絶縁層４１の周縁部に沿って延びるように形成されている。第１の絶縁層４１上に書込用配線パターンＷ１が形成されている。書込用配線パターンＷ１を覆うように第１の絶縁層４１上に第２の絶縁層４２が形成されている。
【００４４】
第２の絶縁層４２上に書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が形成されている。書込用配線パターンＷ２は書込用配線パターンＷ１の上方に配置され、書込用配線パターンＷ１に平行に延びている。また、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２は互いに間隔をおいて平行に延びている。
【００４５】
書込用配線パターンＷ２は、導体層Ｗ２ａおよび補強用合金層Ｗ２ｂ，Ｗ２ｃを含む。導体層Ｗ２ａの上面および側面を覆うように補強用合金層Ｗ２ａ，Ｗ２ｂが順に形成されている。
【００４６】
また、読取用配線パターンＲ１は、導体層Ｒ１ａおよび補強用合金層Ｒ１ｂ，Ｒ１ｃを含み、読取用配線パターンＲ２は、導体層Ｒ２ａおよび補強用合金層Ｒ２ｂ，Ｒ２ｃを含む。導体層Ｒ１ａの上面および側面を覆うように補強用合金層Ｒ１ａ，Ｒ１ｂが順に形成され、導体層Ｒ２ａの上面および側面を覆うように補強用合金層Ｒ２ａ，Ｒ２ｂが順に形成されている。
【００４７】
補強用合金層Ｗ２ｂ，Ｗ２ｃ，Ｒ１ｂ，Ｒ１ｃ，Ｒ２ｂ，Ｒ２ｃは、導体層Ｗ２ａ，Ｒ１ａ，Ｒ２ａよりも高い剛性および高い低効率を有する材料からなる。例えば、導体層Ｗ２ａ，Ｒ１ａ，Ｒ２ａは銅からなり、補強用合金層Ｗ２ｂ，Ｗ２ｃ，Ｒ１ｂ，Ｒ１ｃ，Ｒ２ｂ，Ｒ２ｃは銅および錫を含む合金からなる。
【００４８】
書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２を覆うように、第２の絶縁層４２上に第３の絶縁層４３が形成されている。
【００４９】
（２）サスペンション基板の製造方法
サスペンション基板１の製造方法を説明する。ここでは、図１のタング部１２、電極パッド２１〜２４，３１〜３４および孔部Ｈの形成工程についての説明は省略する。
【００５０】
図３および図４は、サスペンション基板１の製造工程を示す縦断面図である。
【００５１】
まず、図３（ａ）に示すように、例えばステンレスからなるサスペンション本体部１０上に接着剤を用いて例えばポリイミドからなる第１の絶縁層４１を積層する。
【００５２】
サスペンション本体部１０の厚みは例えば５μｍ以上５０μｍ以下であり、１０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましい。サスペンション本体部１０としては、ステンレスに代えてアルミニウム等の他の金属または合金等を用いてもよい。
【００５３】
第１の絶縁層４１の厚みは例えば１μｍ以上１５μｍ以下であり、２μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。第１の絶縁層４１としては、ポリイミドに代えてエポキシ樹脂等の他の絶縁材料を用いてもよい。
【００５４】
次に、図３（ｂ）に示すように、第１の絶縁層４１上に例えば銅からなる書込用配線パターンＷ１を形成する。書込用配線パターンＷ１は、例えばセミアディティブ法を用いて形成してもよく、サブトラクティブ法等の他の方法を用いて形成してもよい。
【００５５】
書込用配線パターンＷ１の厚みは例えば３μｍ以上１６μｍ以下であり、６μｍ以上１３μｍ以下であることが好ましい。また、書込用配線パターンＷ１の幅は例えば１０μｍ以上５００μｍ以下であり、１５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
【００５６】
書込用配線パターンＷ１としては、銅に限らず、金（Ａｕ）、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金を用いてもよい。
【００５７】
次に、図３（ｃ）に示すように、書込用配線パターンＷ１を覆うように第１の絶縁層４１上に例えばポリイミドからなる第２の絶縁層４２を形成する。
【００５８】
第２の絶縁層４２の厚みは例えば４μｍ以上２６μｍ以下であり、８μｍ以上２１μｍ以下であることが好ましい。第２の絶縁層４２としては、ポリイミド樹脂に代えてエポキシ樹脂等の他の絶縁材料を用いてもよい。
【００５９】
次に、図３（ｄ）に示すように、第２の絶縁層４２上に例えば銅からなる導体層Ｗ２ａ，Ｒ１ａ，Ｒ２ａを形成する。導体層Ｗ２ａ，Ｒ１ａ，Ｒ２ａは、例えばセミアディティブ法を用いて形成してもよく、サブトラクティブ法等の他の方法を用いて形成してもよい。
【００６０】
導体層Ｗ２ａの厚みは例えば１μｍ以上１５μｍ以下であり、３μｍ以上１２μｍ以下であることが好ましい。また、導体層Ｗ２ａの幅は例えば１０μｍ以上５００μｍ以下であり、１５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
【００６１】
導体層Ｒ１ａ，Ｒ２ａの厚みは例えばそれぞれ１μｍ以上１５μｍ以下であり、３μｍ以上１２μｍ以下であることが好ましい。また、導体層Ｒ１ａ，Ｒ２ａの幅は例えばそれぞれ１０μｍ以上５００μｍ以下であり、１５μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
【００６２】
導体層Ｗ２ａ，Ｒ１ａ，Ｒ２ａとしては、銅に限らず、金（Ａｕ）、アルミニウム等の他の金属、または銅合金、アルミニウム合金等の合金を用いてもよい。
【００６３】
次に、図４（ｅ）に示すように、導体層Ｗ２ａを覆うように補強用合金層Ｗ２ｂ，Ｗ２ｃを順に形成し、導体層Ｒ１ａを覆うように補強用合金層Ｒ１ｂ，Ｒ１ｃを順に形成し、導体層Ｒ２ａを覆うように補強用合金層Ｒ２ｂ，Ｒ２ｃを順に形成する。これにより、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が形成される。
【００６４】
補強用合金層Ｗ２ｂ，Ｗ２ｃ，Ｒ１ｂ，Ｒ１ｃ，Ｒ２ｂ，Ｒ２ｃは、例えば電解めっきにより形成してもよく、無電解めっきまたは蒸着等の他の方法を用いて形成してもよい。
【００６５】
上記のように、補強用合金層Ｗ２ｂ，Ｗ２ｃ，Ｒ１ｂ，Ｒ１ｃ，Ｒ２ｂ，Ｒ２ｃは例えば銅および錫を含む。また、補強用合金層Ｗ２ｂ，Ｒ１ｂ，Ｒ２ｂに含まれる銅の割合は、補強用合金層Ｗ２ｃ，Ｒ１ｃ，Ｒ２ｃに含まれる銅の割合よりも大きいことが好ましい。この場合、導体層Ｗ２ａ，Ｒ１ａ，Ｒ２ａに内部応力を発生させることなく、補強用合金層Ｗ２ｂ，Ｗ２ｃ，Ｒ１ｂ，Ｒ１ｃ，Ｒ２ｂ，Ｒ２ｃを導体層Ｗ２ａ，Ｒ１ａ，Ｒ２ａの表面に形成することができる。
【００６６】
補強用合金層Ｗ２ｂ，Ｒ１ｂ，Ｒ２ｂにおいて、銅に対する錫の割合は例えば１／９９以上４７／５３以下である。また、補強用合金層Ｗ２ｃ，Ｒ１ｃ，Ｒ２ｃにおいて、銅に対する錫の割合は例えば４７／５３以下である。なお、銅および錫からなる錫銅合金は、Ｃｕ４１Ｓｎ１１、Ｃｕ１０Ｓｎ３、Ｃｕ１１Ｓｎ９、Ｃｕ３Ｓｎ、Ｃｕ６Ｓｎ５、Ｃｕ３９Ｓｎ１１、Ｃｕ８１Ｓｎ２２等の組成式で表される。この場合、組成式ＣｕｘＳｎｙにおいて、ｘ／ｙ≧１．１１である。
【００６７】
補強用合金層Ｗ２ｂ，Ｒ１ｂ，Ｒ２ｂの厚みはそれぞれ０．００１μｍ以上１．５μｍ以下であり、０．２μｍ以上０．８μｍ以下であることが好ましい。補強用合金層Ｗ２ｃ，Ｒ１ｃ，Ｒ２ｃの厚みはそれぞれ０．００１μｍ以上１．５μｍ以下であり、０．２μｍ以上０．８μｍ以下であることが好ましい。
【００６８】
また、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の間隔は例えば１０μｍ以上１００μｍ以下であり、３０μｍ以上８０μｍ以下であることが好ましい。この場合、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の配置スペースが増大することを抑制しつつ読取用配線パターンＲ１，Ｒ２間の近接効果の影響を抑制することができる。それにより、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２における伝送損失を低減することができる。
【００６９】
なお、補強用合金層Ｗ２ｂ，Ｒ１ｂ，Ｒ２ｂの材料としては、銅および錫からなる合金に代えて例えば銀等を用いてもよい。また、補強用合金層Ｗ２ｃ，Ｒ１ｃ，Ｒ２ｃの材料としては、銅および錫からなる合金に代えて例えば銀等を用いてもよい。
【００７０】
また、書込用配線パターンＷ２および読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の強度を十分に向上することができるのであれば、補強用合金層Ｗ２ｂ，Ｒ１ｂ，Ｒ２ｂにおける銅および錫の割合と補強用合金層Ｗ２ｃ，Ｒ１ｃ，Ｒ２ｃにおける銅および錫の割合とを等しくしてもよい。
【００７１】
次に、図４（ｆ）に示すように、補強用合金層Ｗ２ｃ，Ｒ１ｃ，Ｒ２ｃを覆うように、第２の絶縁層４２上に例えばポリイミドからなる第３の絶縁層４３を形成する。
【００７２】
第３の絶縁層４３の厚みは例えば１μｍ以上３０μｍ以下であり、２μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。第３の絶縁層４３としては、ポリイミド樹脂に代えてエポキシ樹脂等の他の絶縁材料を用いてもよい。
【００７３】
（３）効果
書込用配線パターンＷ１，Ｗ２に互いに逆方向に電流が流れる場合、近接効果により、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の互いに対向する面に沿ってそれぞれ電流が集中する。ここで、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が共通の平面上に配置されていると、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の互いに対向する側面に沿って電流が集中して流れる。
【００７４】
本実施の形態に係るサスペンション基板１においては、書込用配線パターンＷ１の上方に書込用配線パターンＷ２が配置される。この場合、書込用配線パターンＷ１の上面および書込用配線パターンＷ２の下面に沿って電流が集中して流れる。書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の上面および下面の面積は側面の面積よりも大きい。したがって、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２が共通の平面上に配置される場合に比べて、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２における伝送損失が低減される。それにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２における伝送特性が向上する。
【００７５】
また、書込用配線パターンＷ１上には第２および第３の絶縁層４２，４３が形成されているのに対して、書込用配線パターンＷ２上には第３の絶縁層４３のみが形成されている。そのため、書込用配線パターンＷ１に比べて書込用配線パターンＷ２には外部からの応力が加わりやすい。
【００７６】
そこで、本実施の形態では、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２のうち上方に配置される書込用配線パターンＷ２が導体層Ｗ２ａおよび補強用合金層Ｗ２ｂ，Ｗ２ｃを含む。補強用合金層Ｗ２ｂ，Ｗ２ｃは、導体層Ｗ２ａの上面および側面を覆うように形成される。これにより、効果的に書込用配線パターンＷ２の損傷を防止することができる。
【００７７】
また、この場合、書込用配線パターンＷ１の上面および書込用配線パターンＷ２の下面には、銅に比べて高い抵抗を有する補強用合金層が設けられていないので、書込用配線パターンＷ１の上面および書込用配線パターンＷ２の下面に沿って電流が集中して流れても、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２における伝送損失が増大しない。これらの結果、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の伝送特性を良好に維持しつつ書込用配線パターンＷ２の強度を向上することができる。
【００７８】
一方、磁気ディスクから情報を読み取るために、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２には高いインピーダンスが要求される。そこで、本実施の形態では、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が共通の平面上に形成されている。この場合、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が上下に配置される場合に比べて読取用配線パターンＲ１，Ｒ２のインピーダンスを高く維持することができる。
【００７９】
また、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が補強用合金層Ｒ１ａ，Ｒ１ｂ，Ｒ２ａ，Ｒ２ｂをそれぞれ含むことにより、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の強度が向上する。それにより、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の損傷を防止することができる。
【００８０】
（４）伝送損失の測定
（４−１）書込用配線パターンにおける伝送損失
種々の構成の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２を作製し、伝送損失の違いを調べた。図５は、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の構成例について説明するための断面図である。なお、図５（ｂ）の例が本発明の実施例に相当し、図５（ａ）および図５（ｃ）の例が比較例に相当する。
【００８１】
図５（ａ）の例では、ステンレスからなる金属基板６１上にポリイミドからなる絶縁層６２を形成した。絶縁層６２の厚みを５μｍとした。続いて、絶縁層６２上に銅からなる書込用配線パターンＷ１を形成した。書込用配線パターンＷ１の厚みを４μｍとした。続いて、書込用配線パターンＷ１を覆うように絶縁層６２上にポリイミドからなる絶縁層６３を形成した。書込用配線パターンＷ１上における絶縁層６３の厚みを５μｍとした。
【００８２】
続いて、絶縁層６３上に銅からなる書込用配線パターンＷ２を形成した。書込用配線パターンＷ２の厚みを７μｍとした。続いて、書込用配線パターンＷ２を覆うように絶縁層６３上にポリイミドからなる絶縁層６４を形成した。書込用配線パターンＷ２上における絶縁層６４の厚みを４μｍとした。
【００８３】
図５（ｂ）の例が図５（ａ）の例と異なるのは次の点である。図５（ｂ）の例では、書込用配線パターンＷ２が導体層Ｗ２ａおよび補強用合金層Ｗ２ｂ，Ｗ２ｃを含む。絶縁層６３上に銅からなる導体層Ｗ２ａを形成した後、導体層Ｗ２ａの上面および側面を覆うように、銅および錫を９９：１の割合で含む補強用合金層Ｗ２ｂならびに銅および錫を４１：１１の割合で含む補強用合金層Ｗ２ｃを順に形成した。なお、導体層Ｗ２ａの厚みを４．９μｍとし、補強用合金層Ｗ２ｂの厚みを１．５μｍとし、補強用合金層Ｗ２ｃの厚みを０．６μｍとした。そして、書込用配線パターンＷ２を覆うように絶縁層６４を形成した。
【００８４】
図５（ｃ）の例が図５（ａ）の例と異なるのは次の点である。図５（ｃ）の例では、書込用配線パターンＷ１が導体層Ｗ１ａおよび補強用合金層Ｗ１ｂ，Ｗ１ｃを含む。絶縁層６２上に銅からなる導体層Ｗ１ａを形成した後、導体層Ｗ１ａの上面および側面を覆うように、銅および錫を９９：１の割合で含む補強用合金層Ｗ１ｂならびに銅および錫を４１：１１の割合で含む補強用合金層Ｗ１ｃを順に形成した。なお、導体層Ｗ１ａの厚みを１．９μｍとし、補強用合金層Ｗ１ｂの厚みを１．５μｍとし、補強用合金層Ｗ１ｃの厚みを０．６μｍとした。そして、書込用配線パターンＷ１を覆うように絶縁層６３を形成した。
【００８５】
図５（ａ）〜（ｃ）の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２において、差動モード入力および差動モード出力（Ｓｄｄ２１）における利得を調べた。なお、負の利得は損失を示す。
【００８６】
図６に、差動モード入力および差動モード出力における利得をシュミレーションした結果が示される。図６において、縦軸が利得を示し、横軸が信号の周波数を示す。図６に示すように、図５（ａ）および図５（ｂ）の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２における損失は、図５（ｃ）の書込用配線パターンＷ１，Ｗ２における損失よりも小さかった。
【００８７】
この結果から、上側に位置する書込用配線パターンＷ２が補強用合金層Ｗ２ｂ，Ｗ２ｃを有する場合には、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２のいずれも補強用合金層を有しない場合と同様の伝送特性が得られることがわかった。
【００８８】
一方、下側に位置する書込用配線パターンＷ１が補強用合金層Ｗ１ｂ，Ｗ１ｃを有する場合には、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２のいずれも補強用合金層を有しない場合よりも伝送損失が大きくなることがわかった。
【００８９】
したがって、書込用配線パターンＷ２が補強用合金層Ｗ２ｂ，Ｗ２ｃを有することにより、書込用配線パターンＷ１，Ｗ２の伝送特性を良好に維持しつつ書込用配線パターンＷ２の損傷を防止することが可能であることがわかった。
【００９０】
（４−２）読取用配線パターンにおける伝送損失
種々の構成の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２を作製し、伝送損失の違いを調べた。図７は、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の構成例について説明するための断面図である。
【００９１】
図７（ａ）の例では、ステンレスからなる金属基板７１上にポリイミドからなる絶縁層７２を形成した。絶縁層７２の厚みを１０μｍとした。続いて、絶縁層７２上に銅からなる読取用配線パターンＲ１，Ｒ２を１５μｍの間隔をおいて形成した。読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の厚みをそれぞれ１２μｍとし、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の幅をそれぞれ８０μｍとした。続いて、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２を覆うように絶縁層７２上にポリイミドからなる絶縁層７３を形成した。読取用配線パターンＲ１，Ｒ２上における絶縁層７３の厚みを５μｍとした。
【００９２】
図７（ｂ）の例が図７（ａ）の例と異なるのは次の点である。図７（ｂ）の例では、読取用配線パターンＲ１が導体層Ｒ１ａおよび補強用合金層Ｒ１ｂ，Ｒ１ｃを含む。絶縁層７２上に銅からなる導体層Ｒ１ａを形成した後、導体層Ｒ１ａの上面および側面を覆うように、銅および錫を９９：１の割合で含む補強用合金層Ｒ１ｂならびに銅および錫を４１：１１の割合で含む補強用合金層Ｒ１ｃを順に形成した。なお、導体層Ｒ１ａの厚みを９．９μｍとし、補強用合金層Ｒ１ａの厚みを１．５μｍとし、補強用合金層Ｒ１ｂの厚みを０．６μｍとした。
【００９３】
また、読取用配線パターンＲ２が導体層Ｒ２ａおよび補強用合金層Ｒ２ｂ，Ｒ２ｃを含む。絶縁層７２上に銅からなる導体層Ｒ２ａを形成した後、導体層Ｒ２ａの上面および側面を覆うように、銅および錫を９９：１の割合で含む補強用合金層Ｒ２ｂならびに銅および錫を４１：１１の割合で含む補強用合金層Ｒ２ｃを順に形成した。なお、導体層Ｒ２ａの厚みを９．９μｍとし、補強用合金層Ｒ２ｂの厚みを１．５μｍとし、補強用合金層Ｒ２ｃの厚みを０．６μｍとした。そして、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２を覆うように絶縁層７３を形成した。
【００９４】
図７（ｃ）の例は、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の間隔を５０μｍとした点を除いて図７（ａ）の例と同様である。
【００９５】
図７（ｄ）の例は、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の間隔を５０μｍとした点を除いて図７（ｂ）の例と同様である。
【００９６】
図７（ａ）〜（ｄ）の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２において、差動モード入力および差動モード出力（Ｓｄｄ２１）における利得を調べた。なお、負の利得は損失を示す。
【００９７】
図８および図９に、差動モード入力および差動モード出力における利得をシュミレーションした結果が示される。図８には、図７（ａ）および図７（ｂ）の例におけるシミュレーション結果が示され、図９には、図７（ｃ）および図７（ｄ）の例におけるシミュレーション結果が示される。なお、図８および図９において、縦軸が利得を示し、横軸が信号の周波数を示す。
【００９８】
図８に示すように、図７（ｂ）の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２における損失は、図７（ａ）の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２における損失よりも大きかった。一方、図９に示すように、図７（ｄ）の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２における損失は、図７（ｃ）の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２における損失とほとんど変わらなかった。
【００９９】
また、図８および図９に示すように、図７（ｃ）の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２における損失は、図７（ａ）の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２における損失よりも小さく、図７（ｄ）の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２における損失は、図７（ｂ）の読取用配線パターンＲ１，Ｒ２における損失よりも小さかった。
【０１００】
この結果から、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が補強用合金層Ｒ１ｂ，Ｒ１ｃ，Ｒ２ｂ，Ｒ２ｃが有する場合には、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の間隔を５０μｍとすることにより、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の間隔を１５μｍとする場合に比べて良好な伝送特性が得られることがわかった。
【０１０１】
したがって、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が補強用合金層Ｒ１ｂ，Ｒ１ｃ，Ｒ２ｂ，Ｒ２ｃを有しかつ読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の間隔を３０μｍ以上８０μｍ以下とすることにより、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の伝送特性を良好に維持しつつ読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の損傷を防止することが可能であることがわかった。
【０１０２】
（５）他の実施の形態
上記実施の形態では、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が第２の絶縁層４２上に形成されるが、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が第１の絶縁層４１上に形成されてもよい。また、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２が書込用配線パターンＷ１，Ｗ２のいずれともことなる高さに形成されてもよい。
【０１０３】
また、上記実施の形態では、書込用配線パターンＷ２の導体層Ｗ２ａの上面および側面を覆うように補強用合金層Ｗ２ｂ，Ｗ２ｃが形成されるが、書込用配線パターンＷ１の上面側および導体層Ｗ２ａの下面側を除いて少なくとも書込用配線パターンＷ２の導体層Ｗ２ａの上面を含む領域であれば、他の領域に同様の補強用合金層が形成されてもよい。
【０１０４】
また、上記実施の形態では、読取用配線パターンＲ１，Ｒ２の導体層Ｒ１ａ，Ｒ２ａの上面および側面を覆うように補強用合金層Ｒ１ｂ，Ｒ１ｃ，Ｒ２ｂ，Ｒ２ｃが形成されるが、導体層Ｒ１ａ，Ｒ２ａのいずれの領域に同様の補強用合金層が形成されてもよい。
【０１０５】
（６）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応関係
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０１０６】
上記実施の形態では、書込用配線パターンＷ１が第１の配線層の例であり、導体層Ｗ２ａが第２の配線層の例であり、導体層Ｒ１ａが第３の配線層の例であり、導体層Ｒ２ａが第４の配線層の例であり、補強用合金層Ｗ１ｂ，Ｗ１ｃが第１の補強層の例であり、補強用合金層Ｒ１ｂ，Ｒ１ｃが第２の補強層の例であり、補強用合金層Ｒ２ｂ，Ｒ２ｃが第３の補強層の例であり、サスペンション本体部１０が金属基板の例であり、タング部１２がヘッド部の例である。
【０１０７】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１０８】
本発明は、種々の電気機器または電子機器等に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０９】
【図１】本実施の形態に係るサスペンション基板の上面図である。
【図２】図１のサスペンション基板のＡ−Ａ線縦断面図である。
【図３】サスペンション基板の製造工程を示す縦断面図である。
【図４】サスペンション基板の製造工程を示す縦断面図である。
【図５】書込用配線パターンの構成例について説明するための断面図である。
【図６】差動モード入力および差動モード出力における利得をシュミレーションした結果を示す図である。
【図７】読取用配線パターンの構成例について説明するための断面図である。
【図８】差動モード入力および差動モード出力における利得をシュミレーションした結果を示す図である。
【図９】差動モード入力および差動モード出力における利得をシュミレーションした結果を示す図である。
【図１０】従来のサスペンション基板の縦断面図である。
【符号の説明】
【０１１０】
１  サスペンション基板
１０  サスペンション本体部
４１  第１の絶縁層
４２  第２の絶縁層
４３  第３の絶縁層
Ｒ１，Ｒ２  読取用配線パターン
Ｗ１，Ｗ２  書込用配線パターン
Ｗ２ａ，Ｒ１ａ，Ｒ２ａ  導体層
Ｗ２ｂ，Ｗ２ｃ，Ｒ１ｂ，Ｒ１ｃ，Ｒ２ｂ，Ｒ２ｃ  補強用合金層
【図１】
2010062325.tif 000003
【図２】
2010062325.tif 000004
【図３】
2010062325.tif 000005
【図４】
2010062325.tif 000006
【図５】
2010062325.tif 000007
【図６】
2010062325.tif 000008
【図７】
2010062325.tif 000009
【図８】
2010062325.tif 000010
【図９】
2010062325.tif 000011
【図１０】
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