(57)【要約】【課題】例えば、手間を極力かけずに解析対象である画素部のアドレスを正確に特定する。【解決手段】第１マーク部（ＭＡ１０）は、第１周辺画素電極部（Ａ１）を構成する周辺画素電極（９ｃ１）のうち１０行目及び１１行目の夫々に形成された周辺画素電極（９ｃ１）に渡って形成されている。第２マーク部（ＭＡ５０）は、第１周辺画素電極部（Ａ２）を構成する周辺画素電極（９ｃ１）のうち５０行目及び５１行目の夫々に形成された周辺画素電極（９ｃ１）に渡って形成されている。第２マーク部（ＭＡ５０）は、サブマーク（ＭＡ５０−１）及び（ＭＡ５０−２）から構成されている。【選択図】図４
2010197780.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の表示領域に、行方向及び該行方向に交差する列方向の夫々に沿って、前記行方向及び前記列方向の夫々に対応した行方向ピッチ及び列方向ピッチでマトリクス状に配列された複数の画素電極と、
前記表示領域の外側で前記行方向及び前記列方向のうち一方の方向に沿って配置された第１非表示領域において、前記一方の方向に第１ピッチで配列された複数の第１周辺画素電極部と、
前記複数の第１周辺画素電極部のうち前記一方の方向に沿って第１アドレス特定用ピッチだけ相互に隔てられた一の第１周辺画素電極部及び他の第１周辺画素電極部の夫々に形成されており、前記一の第１周辺画素電極部及び前記他の第１周辺画素電極部の夫々のアドレスを特定可能なように相互に平面形状が異なる第１マーク部及び第２マーク部と
を備えたことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記一の第１周辺画素電極部は、複数の第１サブ周辺画素電極から構成されており、
前記他の第１周辺画素電極部は、複数の第２サブ周辺画素電極から構成されており、
前記第１マーク部は、前記複数の第１サブ周辺画素電極の夫々に形成された複数のサブマークの夫々の態様の組み合わせによって相互に識別可能な複数の識別機能を有しており、
前記第２マーク部は、前記複数の第２サブ周辺画素電極の夫々に形成された複数のサブマークの夫々の態様の組み合わせによって相互に識別可能な複数の識別機能を有していること
を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記表示領域の外側で前記行方向及び前記列方向のうち他方の方向に沿って配置された第２非表示領域において、前記他方の方向に沿って第２ピッチで配列された複数の第２周辺画素電極部と、
前記複数の第２周辺画素電極部のうち前記他方の方向に沿って第２アドレス特定用ピッチだけ相互に隔てられた一の第２周辺画素電極部及び他の第２周辺画素電極部の夫々に形成されており、前記他方の方向に沿って前記一の第２周辺画素電極部及び前記他の第２周辺画素電極部の夫々のアドレスが特定可能なように相互に平面形状が異なる第３マーク部及び第４マーク部と
を備えたことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記一の第２周辺画素電極部は、複数の第３サブ周辺画素電極から構成されており、
前記他の第２周辺画素電極部は、複数の第４サブ周辺画素電極から構成されており、
前記第３マーク部は、前記複数の第３サブ周辺画素電極の夫々に形成された複数のサブマークの夫々の態様の組み合わせによって相互に識別可能な複数の識別機能を有しており、
前記第４マーク部は、前記複数の第４サブ周辺画素電極の夫々に形成された複数のサブマークの夫々の態様の組み合わせによって相互に識別可能な複数の識別機能を有していること
を特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、表示領域の周りに設けられ、且つ画像表示に直接的に寄与しないダミー画素電極又はその周辺に配置された周辺画素電極を備えた液晶装置等の電気光学装置の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置では、実質的に画像を表示する表示領域の周辺に、ダミー画素電極等が形成される。ダミー画素電極等は、例えば、表示領域を構成する複数の画素部の夫々に設けられた画素電極と同種の材料であるＩＴＯ等の透明材料を用いて構成されている。このようなダミー画素電極等は、表示領域及びその周辺領域との間に生じ得る段差を低減するために設けられている。ダミー画素電極等によれば、配向膜をラビング処理する際に、表示領域とその周辺領域との間の段差を一因として配向膜に生じるラビングむらを低減することができる。
【０００３】
また、このような液晶装置では、画素部に不良が発生しているか否かを解析する不良解析時において、複数の画素電極がマトリクス状に配列された表示領域をＦＩＢ（Focus Ion Beam）法によって削り、観察面を露出させた後、画素部の良否を解析する。解析対象となる画素部の位置、言い換えれば、解析対象となる画素部が、表示領域にマトリクス状に配列された複数の画素電極のうちどの位置に配置された画素電極に対応する画素部であるか否かを示す表示領域中におけるアドレスは、通常、複数配列されたダミー画素電極の端に配置されたダミー画素電極から順にダミー画素電極をカウントすることによって特定されている。
【０００４】
一方、一次元的又は２次元的に配列された複数の半導体素子のうち任意の半導体素子のアドレスを特定可能な指標を備えた半導体装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平７−９９２３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、解析対象である画素部のアドレスを特定することを目的として、複数配列されたダミー画素電極等を端からカウントしたり、等間隔でダミー画素電極等に目印を付けつつカウントしたりした場合、解析に手間がかかるうえ、カウントミスが発生し易いという問題点がある。
【０００７】
よって、本発明は上記問題点等に鑑みてなされたものであり、例えば、手間を極力かけずに解析対象である画素部のアドレスを正確に特定可能な液晶装置等の電気光学装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上の表示領域に、行方向及び該行方向に交差する列方向の夫々に沿って、前記行方向及び前記列方向の夫々に対応した行方向ピッチ及び列方向ピッチでマトリクス状に配列された複数の画素電極と、前記表示領域の外側で前記行方向及び前記列方向のうち一方の方向に沿って配置された第１非表示領域において、前記一方の方向に第１ピッチで配列された複数の第１周辺画素電極部と、前記複数の第１周辺画素電極部のうち前記一方の方向に沿って第１アドレス特定用ピッチだけ相互に隔てられた一の第１周辺画素電極部及び他の第１周辺画素電極部の夫々に形成されており、前記一の第１周辺画素電極部及び前記他の第１周辺画素電極部の夫々のアドレスを特定可能なように相互に平面形状が異なる第１マーク部及び第２マーク部とを備える。
【０００９】
本発明に係る電気光学装置によれば、複数の画素電極は、例えば、ＩＴＯ等の透明導電材料から構成されており、基板上の表示領域の一部を占める表示領域、即ち、当該電気光学装置の動作時において実質的に画像を表示する領域において、該表示領域内の行方向及び該行方向に交差する列方向の夫々に沿って、前記行方向及び前記列方向の夫々に対応した行方向ピッチ及び列方向ピッチでマトリクス状に配列されている。より具体的には、例えば、表示領域には、相互に交差する複数の走査線及び複数のデータ線が形成されており、複数の画素電極の夫々は、走査線及びデータ線の交差に対応して配列されている。行方向ピッチとは、複数の画素電極のうち行方向に沿って隣り合う２つの画素電極を相互に隔てる間隔の幅をいう。列方向ピッチとは、行方向ピッチと同様に、複数の画素電極のうち列方向に沿って隣り合う２つの画素電極を相互に隔てる間隔の幅をいう。
【００１０】
複数の第１周辺画素電極部は、前記表示領域の外側で前記行方向及び前記列方向の一方に沿って延びる第１非表示領域において、前記行方向ピッチ及び前記列方向ピッチのうち前記一方に対応する第１ピッチで前記一方に沿って配列されている。第１非表示領域は、当該電気光学装置の動作時において、画像表示に寄与しない領域である。第１非表示領域は、例えば、液晶装置では、配向膜のラビングむらを低減するために設けられた領域である。複数の第１周辺画素電極は、例えば、表示領域に形成された画素電極と同種の材料を用いて構成されている。
【００１１】
第１マーク部及び第２マーク部は、前記複数の第１周辺画素電極部のうち前記一方に沿って第１アドレス特定用ピッチだけ相互に隔てられた一の第１周辺画素電極部及び他の第１周辺画素電極部の夫々に形成されており、前記一方に沿って前記一の第１周辺画素電極部及び前記他の第１周辺画素電極部の夫々のアドレスを特定可能なように各々が相互に異なる識別指標を有する。
【００１２】
第１アドレス特定用ピッチは、一の第１周辺画素電極及び他の第１周辺画素電極の夫々のアドレスを特定可能なように、実践的に設定可能なピッチである。識別指標は、マーク部の形状等のように光学的に相互にマーク部を区別可能な指標である。
【００１３】
したがって、本発明に係る電気光学装置によれば、当該電気光学装置に不具合が発生しているか否かを解析する解析時において、一の周辺画素電極部及び他の周辺画素電極の夫々のアドレスに基づいて、一方に沿った画素電極のアドレスを特定可能である。より具体的には、アドレスが特定された画素電極を有している画素部について、マトリクス状に配列された画素部のうち一方に沿って端から何番目に配置された画素部であるかというアドレスを、極力手間をかけることなく、迅速、且つ正確に特定できる。
【００１４】
本発明に係る電気光学装置の一の態様では、前記一の第１周辺画素電極部は、複数の第１サブ周辺画素電極から構成されており、前記他の第１周辺画素電極部は、複数の第２サブ周辺画素電極から構成されており、前記第１マーク部は、前記複数の第１サブ周辺画素電極の夫々に形成された複数のサブマークの夫々の態様の組み合わせによって相互に識別可能な複数の識別機能を有しており、前記第２マーク部は、前記複数の第２サブ周辺画素電極の夫々に形成された複数のサブマークの夫々の態様の組み合わせによって相互に識別可能な複数の識別機能を有していてもよい。
【００１５】
この態様によれば、識別機能の表示態様の自由度を拡げることができるため、表示領域に形成された画素電極の配列状態を規定する行数及び列数の一方が増大した場合、より具体的には、表示領域が大型化したり、当該一方に沿った画素電極のピッチが微細化されたりした場合でも、第１マーク部及び第２マーク部を相互に識別する可能である。
【００１６】
本発明に係る電気光学装置の他の態様では、前記表示領域の外側で前記行方向及び前記列方向のうち他方の方向に沿って配置された第２非表示領域において、前記他方の方向に沿って第２ピッチで配列された複数の第２周辺画素電極部と、前記複数の第２周辺画素電極部のうち前記他方の方向に沿って第２アドレス特定用ピッチだけ相互に隔てられた一の第２周辺画素電極部及び他の第２周辺画素電極部の夫々に形成されており、前記他方の方向に沿って前記一の第２周辺画素電極部及び前記他の第２周辺画素電極部の夫々のアドレスが特定可能なように相互に平面形状が異なる第３マーク部及び第４マーク部とを備えていてもよい。
【００１７】
この態様によれば、一方に沿って画素電極のアドレスを特定できることと同様に、他方に沿って画素電極のアドレスを特定可能である。したがって、この態様によれば、２次元的に見て、画素電極のアドレスを特定できる。
【００１８】
この態様では、前記一の第２周辺画素電極部は、複数の第３サブ周辺画素電極から構成されており、前記他の第２周辺画素電極部は、複数の第４サブ周辺画素電極から構成されており、前記第３マーク部は、前記複数の第３サブ周辺画素電極の夫々に形成された複数のサブマークの夫々の態様の組み合わせによって相互に識別可能な複数の識別機能を有しており、前記第４マーク部は、前記複数の第４サブ周辺画素電極の夫々に形成された複数のサブマークの夫々の態様の組み合わせによって相互に識別可能な複数の識別機能を有していてもよい。
【００１９】
この態様によれば、他方に沿って識別機能の表示態様の自由度を拡げることができるため、表示領域に形成された画素電極の配列状態を規定する行数及び列数の他方が増大した場合、より具体的には、表示領域が大型化したり、当該他方に沿った画素電極のピッチが微細化されたりした場合でも、第３マーク部及び第４マーク部を相互に識別可能である。
【００２０】
本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施形態から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施形態に係る液晶装置の製造方法によって製造される液晶パネルの平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。
【図３】本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域の構成を概念的に示した平面図である。
【図４】図３に示した領域Ｒ１を部分的に拡大して示した平面図である。
【図５】図３に示した領域Ｒ２を部分的に拡大して示した平面図である。
【図６】本実施形態に係る液晶装置の変形例に係る画像表示領域の一部を拡大して示した平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶装置１を説明する。
【００２３】
＜１：液晶装置＞
＜１−１：液晶装置の全体構成＞
先ず、図１及び図２を参照しながら、本実施形態に係る液晶装置１の全体構成を説明する。図１は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た液晶装置１の概略的な平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ´断面図である。ここでは、駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例に挙げている。
【００２４】
図１及び図２において、液晶装置１では、本発明の「基板」の一例であるＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画素領域１０Ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００２５】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００２６】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画素領域１０Ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００２７】
画素領域１０Ａの周辺に位置する周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺のいずれかに沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。尚、走査線駆動回路１０４を、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２が設けられたＴＦＴアレイ基板１０の一辺に隣接する２辺に沿って設けるようにしてもよい。この場合、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿って設けられた複数の配線によって、二つの走査線駆動回路１０４は互いに接続されるようにする。
【００２８】
尚、データ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４は、液晶装置１の動作時において、不図示の電源回路から供給される電源ＶＤＤ、及びＶＳＳ、並びに共通電位ＬＣＣＯＭによって駆動される。
【００２９】
対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナー部に対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００３０】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素電極９ａが、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後に形成されており、その上に配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で所定の配向状態をとる。
【００３１】
尚、図１及び図２には図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、データ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４等に加えて、後述するように画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路が設けられている。
【００３２】
次に、図３を参照しながら、液晶装置１の画素領域１０Ａの構成を説明する。図３は、本実施形態に係る液晶装置１の画素領域１０Ａの構成を概念的に示した平面図である。
【００３３】
図３に示すように、画素領域１０Ａの平面形状は、ＴＦＴアレイ基板１０上において、図中Ｘ方向（行方向）及びＹ方向（列方向）の夫々に沿って延びる縁で規定された矩形状である。画素領域１０Ａは、表示領域１０Ａａ、ダミー画素領域１０Ａｂ、及び非表示領域１０Ａｃから構成されている。
【００３４】
表示領域１０Ａａは、画素領域１０ＡのうちＴＦＴアレイ基板１０の中央寄りの部分を占めており、液晶装置１の動作時に実質的に画像を表示する領域である。より具体的には、表示領域１０Ａａは、図中Ｘ方向である行方向と、Ｙ方向である列方向との夫々に沿ってマトリクス状に配列された画素電極を各々が有する複数の画素部が設けられた領域であり、液晶装置１の動作時には、画像信号に応じて各画素部の輝度が設定されることによって、画像を表示する。
【００３５】
ダミー画素領域１０Ａｂは、表示領域１０Ａａを囲む額縁状の領域である。ダミー画素領域１０Ａｂは、ダミーとしてのダミー画素電極が形成された領域である。
【００３６】
非表示領域１０Ａｃは、ダミー画素領域１０Ａｂを囲む額縁状の領域である。非表示領域１０Ａｃは、列方向に延びる第１非表示領域１０Ａｃ−１と、行方向に延びる第２非表示領域１０Ａｃ−２とから構成されている。本実施形態では、本発明の「行方向及び列方向のうち一方の方向」の一例は、列方向である。
【００３７】
非表示領域１０Ａｃは、液晶装置１の表示に寄与しない複数の周辺画素電極が形成された領域である。このような周辺画素電極は、表示領域１０Ａａに形成された複数の画素電極と同種の材料を用いて当該画素電極と同様のパターンに形成されている。したがって、液晶装置１では、表示領域１０Ａａ及びダミー画素領域１０Ａｂと、非表示領域１０Ａｃとの間の段差が低減されており、表示領域１０Ａａから非表示領域１０Ａｃに渡って画素電極及び周辺画素電極上に形成された配向膜をラビング処理する際に発生し得るラビングむらが、非表示領域１０Ａｃを設けない場合に比べて低減されている。
【００３８】
次に、図４及び図５を参照しながら、図３中の領域Ｒ１及びＲ２の夫々における詳細な構成を説明する。図４は、図３に示した領域Ｒ１を部分的に拡大して示した平面図である。図５は、図３に示した領域Ｒ２を部分的に拡大して示した平面図である。
【００３９】
図４に示すように、液晶装置１は、複数の画素電極９ａ、複数のダミー画素電極９ｂ、複数の周辺画素電極９ｃ１、並びに、第１マーク部ＭＡ１０及び第２マーク部ＭＡ５０を備えている。
【００４０】
複数の画素電極９ａは、ＴＦＴアレイ基板１０上の画素領域１０Ａの一部を占める表示領域１０Ａａにおいて、表示領域１０Ａａ内の行方向及び列方向の夫々に沿って、行方向及び列方向の夫々に対応した行方向ピッチＰｘ及び列方向ピッチＰｙでマトリクス状に配列されている。画素電極９ａは、ＩＴＯ等の透明導電材料から構成された透明電極である。列方向ピッチＰｙは、本発明の「第１ピッチ」の一例である。行方向ピッチＰｘは、本発明の「第２ピッチ」の一例である。
【００４１】
複数のダミー画素電極９ｂは、画素電極９ａと同様の構成を有している。ダミー画素電極９ｂは、ダミー画素領域１０Ａｂに設けられた複数のダミー画素部の夫々に対応してダミー画素領域１０Ａｂに配列されている。
【００４２】
複数の周辺画素電極９ｃ１は、非表示領域１０Ａｃのうち列方向に沿って延びる第１非表示領域１０Ａｃ−１に形成されている。複数の周辺画素電極９ｃ１のうち列方向に沿って５０行ピッチ毎に配置された６つの周辺画素電極９ｃ１を一群とする複数の周辺画素電極群は、第１周辺画素電極部Ａ１及びＡ２の夫々を構成している。本実施形態では、説明の便宜上図中に２つの第１周辺画素電極部Ａ１及びＡ２のみを示しているが、液晶装置１では、本発明の「第１アドレス特定用ピッチ」の一例である５０行ピッチ毎に６つの周辺画素電極の一群とする第１周辺画素電極部が複数設けられている。本実施形態では、第１周辺画素電極部Ａ１が、本発明の「一の第１周辺画素電極部」の一例であり、第１周辺画素電極部Ａ２が、本発明の「他の第１周辺画素電極部」の一例である。第１周辺画素電極部Ａ１を構成する６つの周辺画素電極９ｃ１が、本発明の「第１サブ周辺画素電極」の一例であり、第１周辺画素電極部Ａ２を構成する６つの周辺画素電極９ｃ１が、本発明の「第２サブ周辺画素電極」の一例である。
【００４３】
第１周辺画素電極部Ａ１及びＡ２の夫々は、列方向に沿って５０行ピッチだけ相互に隔てられている。第１周辺画素電極部Ａ１及びＡ２の夫々は、複数の周辺画素電極９ｃ１を含んで構成されていればよい。
【００４４】
第１マーク部ＭＡ１０は、第１周辺画素電極部Ａ１を構成する周辺画素電極９ｃ１のうち１０行目及び１１行目の夫々に形成された周辺画素電極９ｃ１に渡って形成されている。尚、本実施形態では、第１マーク部ＭＡ１０が、一つのサブマークＭＡ１０−１から構成されているため、第１マーク部ＭＡ１０及びサブマークＭＡ１０−１が相互に同一な部分から構成されているが、第１マーク部ＭＡ１０は、複数のサブマークから構成されていてもよい。
【００４５】
第２マーク部ＭＡ５０は、第１周辺画素電極部Ａ２を構成する周辺画素電極９ｃ１のうち５０行目及び５１行目の夫々に形成された周辺画素電極９ｃ１に渡って形成されている。第２マーク部ＭＡ５０は、サブマークＭＡ５０−１及びＭＡ５０−２から構成されている。
【００４６】
第１マーク部ＭＡ１０及び第２マーク部ＭＡ５０は、列方向に沿って第１周辺画素電極部Ａ１及びＡ２の夫々のアドレスを特定可能なように各々が相互に平面形状が異なる識別指標を有している。ここで、「アドレス」とは、第１周辺画素電極部Ａ１及びＡ２の夫々が配置された行番号をいう。より具体的には、例えば、第１周辺画素電極部Ａ１のアドレスは、１０行目及び１１行目であり、第１周辺画素電極部Ａ２のアドレスは、５０行目及び５１行目である。
【００４７】
第１マーク部ＭＡ１０及び第２マーク部ＭＡ５０は、列方向に沿って５０行ピッチだけ相互に隔てられた第１周辺画素電極部Ａ１及びＡ２のアドレスを特定可能なように各々が相互に異なる識別指標を有している。言い換えれば、サブマークＭＡ１０−１と、サブマークＭＡ５０−１及びＭＡ５０−２とは、形状、又は色、或いはこれらの組み合わせからなる各種態様によって、光学的に相互に第１マーク部ＭＡ１０及び第２マーク部ＭＡ５０を識別可能なように構成された識別指標である。また、第１マーク部ＭＡ１０及び第２マーク部ＭＡ５０は、周辺画素電極９ｃ１と同一材料、又は周辺画素電極９ｃ１の一部を隣合う周辺画素電極９ｃ１へ向かって延在させることにより形成してもよい。
【００４８】
したがって、液晶装置１によれば、液晶装置１に不具合が発生しているか否かを解析する解析時において、周辺画素電極部Ａ１及び周辺画素電極部Ａ２の夫々のアドレスに基づいて、列方向に沿った画素電極９ａのアドレスを特定可能である。より具体的には、解析時において第１マーク部ＭＡ１０を参照することによって、例えば、第１周辺画素電極部Ａ１と同一行に配置された画素電極９ａの列方向に沿ったアドレスは、第１マーク部ＭＡ１０を手掛かりとして即座に、且つ正確に１０行目或いは１１行目であると特定できる。また、第１周辺画素電極部Ａ２と同一行に配置された画素電極９ａの列方向に沿ったアドレスは、第２マーク部ＭＡ５０を手掛かりとして即座に、且つ正確に５０行目或いは５１行目であると特定できる。加えて、１０行目から５０行目に配置された画素電極９ａのアドレスは、マーク部が設けられていない状態で、解析していく画素電極９ａの個数をカウントしていくことによって画素電極９ａのアドレスを特定する場合に比べて、第１マーク部ＭＡ１０及び第２マーク部ＭＡ５０を手掛かりとして正確に特定可能になる。即ち、液晶装置１によれば、アドレスが特定された画素電極９ａを有している画素部について、マトリクス状に配列された画素部のうち列方向に沿って端から何番目に配置された画素部であるかというアドレスを、極力手間をかけることなく、迅速、且つ正確に特定できる。
【００４９】
加えて、液晶装置１によれば、列方向に沿って一定の行ピッチ（本実施形態では、例えば、５０行ピッチ）で設けられたマーク部の配置数が表示領域１０Ａの大型化、或いは画素部の行ピッチの微細化によって増大した場合であっても、各マーク部を構成するサブマークの表示態様の組み合わせ、即ちバリエーションを増やすことによって、複数のマーク部の夫々のアドレスを特定可能なように、これら複数のマーク部相互を識別することが可能になる。
【００５０】
図５に示すように、液晶装置１は、表示領域１０Ａａの外側で、本発明の「行方向及び列方向のうち他方の方向」の一例である行方向に沿って延びる第２非表示領域１０Ａｃ−２において、行方向ピッチＰｘで行方向に沿って配列された複数の第２周辺画素電極部Ｂ１及びＢ２と、行方向に沿って、本発明の「第２アドレス特定用ピッチ」の一例である５０列ピッチだけ相互に隔てられた第２周辺画素電極部Ｂ１及びＢ２の夫々に形成された第３マーク部ＭＢ１０及び第４マーク部ＭＢ５０とを備えている。
【００５１】
液晶装置１では、画素部の行方向に沿ったアドレスを特定することを目的として、上述した列方向に沿って配置された第１マーク部ＭＡ１０及び第２マーク部ＭＡ５０と同様に、行方向に沿って第３マーク部ＭＢ１０及び第４マーク部ＭＢ５０が配置されている。
【００５２】
複数の周辺画素電極９ｃ２は、非表示領域１０Ａｃのうち行方向に沿って延びる第２非表示領域１０Ａｃ−２にも形成されている。複数の周辺画素電極９ｃ１のうち行方向に沿って５０列ピッチ毎に配置された６つの周辺画素電極９ｃ２を一群とする複数の周辺画素電極群は、第２周辺画素電極部Ｂ１及びＢ２の夫々を構成している。本実施形態では、説明の便宜上図中に２つの第２周辺画素電極部Ｂ１及びＢ２のみを示しているが、液晶装置１では、本発明の「第２アドレス特定用ピッチ」の一例である５０列ピッチ毎に６つの周辺画素電極の一群とする第２周辺画素電極部が複数設けられている。本実施形態では、第２周辺画素電極部Ｂ１が、本発明の「一の第２周辺画素電極部」の一例であり、第２周辺画素電極部Ｂ２が、本発明の「他の第２周辺画素電極部」の一例である。第２周辺画素電極部Ｂ１を構成する６つの周辺画素電極９ｃ２が、本発明の「第３サブ周辺画素電極」の一例であり、第２周辺画素電極部Ｂ２を構成する６つの周辺画素電極９ｃ２が、本発明の「第４サブ周辺画素電極」の一例である。
【００５３】
第２周辺画素電極部Ｂ１及びＢ２の夫々は、行方向に沿って５０列ピッチだけ相互に隔てて設けられている。第２周辺画素電極部Ｂ１及びＢ２の夫々は、複数の周辺画素電極９ｃ１を含んで構成されていればよい。
【００５４】
第３マーク部ＭＢ１０は、第２周辺画素電極部Ｂ１を構成する周辺画素電極９ｃ２のうち１０列目及び１１列目の夫々に形成された周辺画素電極９ｃ２に渡って形成されている。尚、本実施形態では、第２マーク部ＭＢ１０が、一つのサブマークＭＢ１０−１から構成されているため、第３マーク部ＭＢ１０及びサブマークＭＢ１０−１が相互に同一な部分から構成されているが、第３マーク部ＭＢ１０は、複数のサブマークから構成されていてもよい。
【００５５】
第４マーク部ＭＢ５０は、第２周辺画素電極部Ｂ２を構成する周辺画素電極９ｃ２のうち５０列目及び５１列目の夫々に形成された周辺画素電極９ｃ２に渡って形成されている。第４マーク部ＭＢ５０は、サブマークＭＢ５０−１及びＭＢ５０−２から構成されている。
【００５６】
第３マーク部ＭＢ１０及び第４マーク部ＭＢ５０は、行方向に沿って第２周辺画素電極部Ｂ１及びＢ２の夫々のアドレスを特定可能なように各々が相互に異なる識別指標を有している。ここで、「アドレス」とは、第２周辺画素電極部Ｂ１及びＢ２の夫々が配置された列番号をいう。より具体的には、例えば、第２周辺画素電極部Ｂ１のアドレスは、１０列目及び１１列目であり、第２周辺画素電極部Ｂ５０のアドレスは、５０列目及び５１列目である。
【００５７】
第３マーク部ＭＢ１０及び第４マーク部ＭＢ５０は、行方向に沿って５０列ピッチだけ相互に隔てられた第２周辺画素電極部Ｂ１及びＢ５０のアドレスを特定可能なように各々が相互に平面形状が異なる識別指標を有している。言い換えれば、サブマークＭＢ１０−１と、サブマークＭＢ５０−１及びＭＢ５０−２とは、形状、又は色、或いはこれらの組み合わせからなる各種態様によって、光学的に相互に第３マーク部ＭＢ１０及び第４マーク部ＭＢ５０を識別可能なように構成された識別指標である。また、第３マーク部ＭＢ１０及び第４マーク部ＭＢ５０は、周辺画素電極９ｃ１と同一膜、すなわち、同一の透明導電膜を同時にパターニングして形成したものであればよい。つまり、周辺画素電極９ｃ２の一部を隣り合う周辺画素電極９ｃ２へ向かって延在させることにより形成してもよい。
【００５８】
したがって、液晶装置１によれば、液晶装置１に不具合が発生しているか否かを解析する解析時において、周辺画素電極部Ｂ１及び周辺画素電極部Ｂ２の夫々のアドレスに基づいて、行方向に沿った画素電極９ａのアドレスを特定可能である。より具体的には、解析時において第３マーク部ＭＢ１０を参照することによって、例えば、第２周辺画素電極部Ｂ１と同一行に配置された画素電極９ａの行方向に沿ったアドレスは、第３マーク部ＭＢ１０を手掛かりとして即座に、且つ正確に１０列目或いは１１列目であると特定できる。また、第２周辺画素電極部Ｂ２と同一行に配置された画素電極９ａの行方向に沿ったアドレスは、第４マーク部ＭＢ５０を手掛かりとして即座に、且つ正確に５０列目或いは５１列目であると特定できる。加えて、１０列目から５０列目に配置された画素電極９ａのアドレスは、解析していく画素電極９ａの個数をカウントしていくことによって画素電極９ａのアドレスをマーク部が設けられていない状態で特定する場合に比べて、第３マーク部ＭＢ１０及び第４マーク部ＭＢ５０を手掛かりとして正確に特定可能になる。即ち、液晶装置１によれば、アドレスが特定された画素電極９ａを有している画素部について、マトリクス状に配列された画素部のうち行方向に沿って端から何番目に配置された画素部であるかというアドレスを、極力手間をかけることなく、迅速、且つ正確に特定できる。
【００５９】
加えて、液晶装置１によれば、行方向に沿って一定の行ピッチ（本実施形態では、例えば、５０列ピッチ）で設けられたマーク部の配置数が表示領域１０Ａの大型化、或いは画素部の行ピッチの微細化によって増大した場合であっても、各マーク部を構成するサブマークの表示態様の組み合わせ、即ちバリエーションを増やすことによって、複数のマーク部の夫々のアドレスを特定可能なように、これら複数のマーク部相互を識別することが可能になる。
【００６０】
よって、本実施形態に係る液晶装置１によれば、図４及び図５を参照しながら説明したように、表示領域１０Ａａに形成された画素部の２次元的なアドレス、言い換えれば、行方向及び列方向の夫々に沿ったアドレスの両方を、各マーク部を参照することによって正確に特定可能である。
【００６１】
（変形例）
次に、図６を参照しながら、液晶装置１の変形例を説明する。図６は、変形例に係る液晶装置の画素領域１０Ａのうち、図５に示した領域Ｒ１に対応する領域の構成を示した平面図である。以下では、上述の液晶装置１と共通する部分に共通の参照符号を付し、詳細な説明を省略する。
【００６２】
本例に係る液晶装置では、第１マーク部ＭＡ１００及び第２マーク部ＭＡ１５０の夫々を構成するサブマークの表示態様が相互に異なる。より具体的には、第１マーク部ＭＡ１００は、矩形状のサブマークＭＡ１００−１、ＭＡ１００−２、及びＭＡ１００−３と、黒丸等の円形状又は周辺画素電極の一部が開口された開口部からなるサブマークＭＡ１００−４との組み合わせによって構成されている。第２マーク部ＭＡ１５０は、矩形状のサブマークＭＡ１５０−１、ＭＡ１５０−２、及びＭＡ１５０−３と、黒丸等の円形状又は周辺画素電極の一部が開口された開口部からなるサブマークＭＡ１５０−４及びＭＡ１５０−５との組み合わせによって構成されている。このように、サブマークが延びる向き、平面形状、位置及び色等の光学的に読み取れる指標を組み合わせによって構成されたマーク部によれば、マーク部の配置数が増大した場合でも、各マーク部を相互に識別可能である。本例では、表示領域１０Ａａを構成する複数の画素部のうち９７行目から１５２行目の範囲を例に挙げているが、液晶装置がこれ以上の行数の画素部から構成されている場合であっても、例えば５０行ピッチで画素部のアドレスを特定可能である。
【００６３】
尚、本例では、列方向に沿って画素部のアドレスを特定する場合を例に挙げたが、上述の液晶装置１と同様に、行方向に沿った画素部のアドレスも、各マーク部を構成するサブマークが延びる向き、平面形状、位置及び色等の光学的に読み取れる指標を組み合わせた表示態様を増やすことによって特定可能になる。
【符号の説明】
【００６４】
９ａ・・・画素電極、９ｂ・・・ダミー画素電極、９ｃ１，９ｃ２・・・周辺画素電極、ＭＡ１０，ＭＡ１００・・・第１マーク部、ＭＡ５０，ＭＡ１５０・・・第２マーク部、ＭＢ１０・・・第３マーク部、ＭＢ５０・・・第４マーク部
【図１】
2010197780.tif 000003
【図２】
2010197780.tif 000004
【図３】
2010197780.tif 000005
【図４】
2010197780.tif 000006
【図５】
2010197780.tif 000007
【図６】
2010197780.tif 000008