(57)【要約】      （修正有）【課題】実装時の水蒸気爆発を抑制することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】配線基板２１の一方の主面上には平坦部２２ａと、平坦部２２ａの四隅から延在した脚部２２ｂ、ならび脚部２２ｂを一体に接続する矩形上の枠部２２ｃからなる支持部材２２が配設されている。支持部材２２上には接着材２４を介して半導体素子２５が配置されており、樹脂封止部材２８が半導体素子２５を被覆している。支持部材２２は水分を透過することの無い材料で形成されており、配線基板を通して侵入する水分は支持部材の平坦部２２ａにより浸透が阻止されている。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板の一方の主面上に配設された支持部材と、
前記支持部材上に接着材を介して配置された半導体素子と、
前記半導体素子を被覆する樹脂封止部材と、
を具備し、
前記支持部材は、水分透過防止材からなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記水分透過防止材は、銅、銅合金、４２アロイ（Ｆｅ−４２Ｎｉ）、アルミニウム及びアルミニウム合金等の金属材料、またはセラミックであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記支持部材は、前記半導体素子の搭載される位置が平坦な平坦部を有し、
前記平坦部は、前記配線基板より離間していることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記平坦部にはさらに凹部が形成されており、前記半導体素子は該凹部内に配置されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記平坦部は、４隅にもうけられた脚部によって支持されていることを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記平坦部の前記凹部の裏面には、複数の円錐状の突出部が形成されていることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体素子を、接着材を介して、水分の透過を防止する材料からなる支持部材上に配置する工程と、
前記支持部材を配線基板の一方の主面上に配置する工程と、
前記半導体素子を樹脂封止する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路素子などの半導体素子を収容してなる半導体装置の外装・封止構造の一つとして、樹脂封止構造が適用されている。
【０００３】
当該樹脂封止型半導体装置の構造を、図１に示す。
【０００４】
当該樹脂封止型半導体装置８０にあっては、ガラスエポキシ材などから形成された配線基板（回路基板、支持基板、インタポーザとも称せられる場合もある）１の一方の主面に、接着材（ダイス付け材）２をもって、半導体素子３が搭載・固着されている。
【０００５】
当該半導体素子３の主面（電子回路形成面）に配設された電極端子は、ボンディングワイヤ４を介して配線基板１に於ける端子パッド５に接続されている。
【０００６】
そして、当該半導体素子３ならびにボンディングワイヤ４は、封止用樹脂６により封止されている。
【０００７】
一方、当該配線基板１の他方の主面（裏面）に配置された複数個の端子パッド（図示せず）には、外部接続用端子７としてはんだボールが複数個配設されている。
【０００８】
尚、配線基板１の両主面には、前記端子パッド部を除いて、所謂ソルダーレジスト層が選択的に配設されている（図示せず）。当該ソルダーレジスト層は、配線基板１の両主面上に配設されている配線層（図示せず）を被覆している。
【０００９】
この様な構造を有する樹脂封止型半導体装置８０は、電子機器に於ける配線基板（所謂マザーボード）上などに搭載されて利用される。
【００１０】
樹脂封止型半導体装置８０がマザーボードなどに搭載・固着される際には、外部接続用端子７である前記はんだボールの再溶融（リフロー）が必要とされる。
【００１１】
かかるはんだボールの再溶融処理の際、当該半導体装置８０は、２５０℃ほどに加熱される。
【００１２】
かかる加熱によって、前記配線基板１と半導体素子３との間に於いて所謂水蒸気爆発が生じ、当該半導体素子３の配線基板１からの剥離及び／或いは前記ボンディングワイヤ４の断線などを生じてしまう場合がある。
【００１３】
かかる水蒸気爆発が生じた状態を、図２に模式的に示す。
【００１４】
図２に於いて、４１は電子機器に於ける配線基板（所謂マザーボード）を、また５１は水蒸気爆発が生じた部位を指している。
【００１５】
かかる水蒸気爆発は、当該半導体装置を含む電子機器の製造歩留りを低下させ、また当該電子機器の動作不良を招き、その信頼性を低下させてしまう。
【００１６】
この様な所謂水蒸気爆発を防止する為の一つの手段として、配線基板の側面までも樹脂封止してなる構造が、特許文献１をもって提案されている。
【００１７】
また他の手段として、配線基板内に於ける配線層の構造を改変することが、特許文献２をもって提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】特開２００８−３４４４６号公報
【特許文献２】特開２００８−３４６５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
前記半導体装置を実装基板に実装する際に、はんだボールを溶融するための加熱（リフロー）処理を行なう。前記水蒸気爆発は、このとき、封止用樹脂６或いは配線基板１を通して半導体装置８０内に吸収された水分が、はんだボールの溶融の際に気化し、これが外部に放出されずに半導体装置内に於いて膨張することにより発生する。
【００２０】
発明者らが鋭意検討を行ったところ、当該水蒸気爆発は、接着材（ダイス付け材）２近傍を起点として生じることが多いことが判明した。
【００２１】
この様な樹脂封止型半導体装置８０にあっては、図３に矢印Ｓをもって示す様に、水分は、封止用樹脂６を通して、また配線基板１を通して、当該半導体装置８０の内部に浸透する。
【００２２】
しかしながら、接着材（ダイス付け材）２に到達する水分の殆どは、封止用樹脂６を透過して進入する水分ではなく、配線基板１側から浸透した水分である。
【００２３】
これは、半導体素子３自体は水分を殆ど透過せず、また、接着材（ダイス付け材）２は極めて薄い周囲側面に於いて封止用樹脂６に接しているだけであることによる。
【００２４】
そして、配線基板１側から浸透した水分は、前記接着材（ダイス付け材）２とソルダーレジスト層８との界面付近に溜まり易いことも判明した。
【００２５】
即ち、当該配線基板１の主面上に選択的に配設された配線層９を被覆するソルダーレジスト層８の表面には、当該配線層９の厚さに対応して生ずる段差によって凹凸が生じている。
【００２６】
従って、当該ソルダーレジスト層８上に半導体素子３を搭載する際、予め当該半導体素子３の裏面に粘着されている接着材（ダイス付け材）２の表面（ソルダーレジスト側表面）と当該ソルダーレジスト層８上面に於ける凹部８Ａとの間には、空隙１０が生じてしまう場合がある。
【００２７】
かかる状態を、図４に示す。
【００２８】
当該空隙１０は、前記水分の溜まりを形成する可能性が大きい。
【００２９】
この為、ソルダーレジスト層８と接着材（ダイス付け材）２との間に空隙１０が存在しない半導体装置構造、ならびに当該空隙を生じさせることのない半導体装置の製造方法が必要とされる。
【課題を解決するための手段】
【００３０】
半導体装置の一態様は、配線基板と、前記配線基板の一方の主面上に配設された支持部材と、前記支持部材上に接着材を介して配置された半導体素子と、前記半導体素子を被覆する樹脂封止部材とを具備し、前記支持部材は、水分透過防止材からなる。
【発明の効果】
【００３１】
上記の半導体装置によれば、配線基板を介して外部から半導体装置内に侵入する水分が、半導体素子を固定する接着材（ダイス付け材）まで到達することを防止・抑制することができ、もってリフロー処理時に、前記侵入した水分による水蒸気爆発の発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】従来の半導体装置の構造を示す断面図である。
【図２】従来の半導体装置の実装方法を示す断面図である。
【図３】従来の半導体装置における水分の侵入経路を示す断面図である。
【図４】従来の半導体装置における半導体素子固着部近傍の構造を示す断面図である。
【図５】第１の実施形態に係る半導体装置の構造を示す平面図である。
【図６】第１の実施形態に係る半導体装置の構造を示す断面図である。
【図７】第１の実施形態に係る半導体装置の製造に用いる配線基板の構成を示す平面図である。
【図８】第１の実施形態に係る半導体装置の製造に用いる支持部材の構成を示す平面図、並びに断面図である。
【図９Ａ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図（その１）である。
【図９Ｂ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図（その２）である。
【図９Ｃ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図（その３）である。
【図９Ｄ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図（その４）である。
【図９Ｅ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図（その５）である。
【図９Ｆ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す平面図（その６）である。
【図１０Ａ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図１０Ｂ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図１０Ｃ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図１０Ｄ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図１０Ｅ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その５）である。
【図１０Ｆ】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す断面図（その６）である。
【図１１】支持部材の固着方法の他の例を示す断面図である。
【図１２】第２の実施形態に係る半導体装置の内部構造を示す断面図である。
【図１３】第２の実施形態に係る半導体装置の製造に用いる支持部材の構成を示す平面図、並びに断面図である。
【図１４】第３の実施形態に係る半導体装置の内部構造を示す断面図である。
【図１５】第４の実施形態に係る半導体装置の内部構造を示す断面図である。
【図１６】第４の実施形態に係る半導体装置の製造に用いる支持部材の構成を示す平面図、並びに断面図である。
【図１７】第５の実施形態に係る半導体装置の内部構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３４】
（第１の実施形態）
第１の実施形態にかかる半導体装置１００を、図５ならびに図６に示す。
【００３５】
図６（ａ）は、図５に於けるＩ−Ｉ線に沿った断面を示し、図６（ｂ）は、図５に於けるＩＩ−ＩＩ線に沿った断面を示している。尚、図５にあっては、封止用樹脂の図示を省略している。
【００３６】
即ち、第１の実施形態にかかる半導体装置１００にあっては、配線基板２１の一方の主面上に、略矩形状の平坦部（ダイステージ部）２２ａと、当該平坦部２２ａの四隅から延在された脚部２２ｂ、ならびに当該脚部２２ｂａを一体に接続する矩形状の枠部２２ｃからなる支持部材２２が配設されている。
【００３７】
此処では、略矩形状の平坦部（ダイステージ部）２２ａと矩形状の枠部２２ｃとは、脚部２２ｂを介して異なる平面に位置し、且つその主面はほぼ平行している。
【００３８】
当該矩形状の枠部２２ｃは、接着材２３をもって、配線基板２１の一方の主面（上面）上に固着されている。
【００３９】
そして、当該板状部材２２の前記平坦部（ダイステージ部）２２ａ上に、接着材（ダイス付け材）２４を介して、半導体素子２５が搭載・固着されている。
【００４０】
即ち、当該半導体素子２５は、平坦部（ダイステージ部）２２ａをもって、配線基板２１の一方の主面から離間して配設されている。
【００４１】
当該支持部材２２の平坦部（ダイステージ部）２２ａの平面は、半導体素子２５の外形寸法よりも大きい寸法を具備している。
【００４２】
前記配線基板２１は、ガラスエポキシ材などから形成された配線基板（回路基板、支持基板、インタポーザとも称せられる場合もある）であって、その両主面には、配線層、端子パッドが選択的に配設されている。このとき、絶縁層間に配線層が配設され、所謂多層配線構造とされる場合もある。
【００４３】
そして、当該両主面には、端子パッド部を除いて、ソルダーレジスト層が選択的に配設されている（図示せず）。ソルダーレジスト層は、配線基板１の両主面上に配設されている配線層を被覆している。
【００４４】
前記半導体素子２５の主面（電子回路形成面）に配設された電極端子は、ボンディングワイヤ２６を介して、配線基板２１の一方の主面に於ける端子パッド２７に接続されている。
【００４５】
そして、当該半導体素子２５ならびにボンディングワイヤ２６は、支持部材２２と共に、封止用樹脂２８により封止されている。
【００４６】
このとき、当該封止用樹脂２８は、前記支持部材２２に於ける平坦部（ダイステージ部）２２ａと配線基板２１の一方の主面との間にも導入されている。当該封止用樹脂２８は、前記脚部２２ｂ相互間の開口を通して容易に導入される。
【００４７】
更に、当該配線基板２１の他方の主面（裏面）に配置された複数個の端子パッド（図示せず）には、外部接続用端子２９としてはんだボールが複数個配設されている。
【００４８】
かかる構成に於いて、前記配線基板２１は、例えば０．２ｍｍ〜０．４ｍｍ程度の厚さを有するガラスエポキシ材などから形成される。
【００４９】
前記支持部材２２としては、水分の透過を防止する部材として、例えば０．０５ｍｍ〜０．２ｍｍ程の厚さを有する銅（Ｃｕ）、銅合金、４２アロイ（Ｆｅ−４２Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）或いはアルミニウム合金等からなる金属板が適用される。
【００５０】
尚、当該金属板に代えて、かかる形状に成形されたセラミック部材を適用することもできる。
【００５１】
そして、当該支持部材２２に於ける脚部２２ｂの長さを選択することにより、略矩形状の平坦部（ダイステージ部）２２ａの裏面と、配線基板２１の一方の主面（上面）との間の距離（離間距離）は、０．１ｍｍ〜０．３ｍｍ程に設定される。
【００５２】
尚、半導体素子２５は、周知の如く、シリコン（Ｓｉ）、或いはガリウム砒素（ＧａＡｓ）などの化合物半導体を基材として形成され、その厚さは、０．１ｍｍ〜０．２ｍｍ程とされる。
【００５３】
また、接着材（ダイス付け材）２４としては、例えばポリイミド等の熱可塑性樹脂が適用され、その厚さは０．０２５ｍｍ〜０．０４ｍｍ程とされる。
【００５４】
一方、封止用樹脂２８はとしては、エポキシ等の熱硬化性樹脂が適用され、その厚さは０．５ｍｍ〜０．７ｍｍ程とされる。
【００５５】
この様な、第１の実施形態にかかる半導体装置１００にあっては、前述の如く、半導体素子２５は、配線基板２１の一方の主面上に、板状の平坦部（ダイステージ部）２２ａを介して配置されている。
【００５６】
当該板状の平坦部（ダイステージ部）２２ａは、前述の如く、金属板など水分を透過することの無い材料をもって形成され、水分の透過防止部材として機能する。
【００５７】
そして、当該平坦部（ダイステージ部）２２ａは、脚部２２ｂをもって、配線基板２１の一方の主面から離間して配設され、半導体素子２５は当該板状の平坦部（ダイステージ部）２２ａ上に搭載・配置されている。
【００５８】
これにより、配線基板２１を通して浸入する水分は、支持部材２２の板状の平坦部（ダイステージ部）２２ａと配線基板２１の一方の主面との間に於ける封止用樹脂２８内に浸透するも、当該板状の平坦部（ダイステージ部）２２ａによりその浸透が阻止される。
【００５９】
従って、当該板状の平坦部（ダイステージ部）２２ａ上に於いて半導体素子２５を固着している接着材（ダイス付け材）２４に対しては、当該接着材（ダイス付け材）２４の外周側面に接する封止用樹脂２８を介して浸透する水分が至るのみである。
【００６０】
よって、当該接着材（ダイス付け材）２４内に含まれる水分の量は極めて微量であり、外部接続用端子２９を構成するはんだボールの再溶融（リフロー）処理など加熱がなされても、水蒸気爆発を生じない。
【００６１】
そして、板状の平坦部（ダイステージ部）２２ａの表面が平坦面であれば、水分の溜まりを生ぜず、もって、水蒸気爆発を生じない。
【００６２】
また、この様な支持部材２２の配設により、半導体素子２５と配線基板２１との間の距離が大きく、平坦部（ダイステージ部）２２ａと配線基板２１との間には封止用樹脂２８が配設される。
【００６３】
従って、当該半導体素子２５と、はんだボールからなる外部接続用端子２９との間には、支持部材２２、封止用樹脂２８ならびに配線基板２１が介在すると共に、両者の間は実質的に遠ざけられている。
【００６４】
これにより、当該半導体装置１００が電子機器に於ける配線基板（所謂マザーボード）上に搭載された状態に於いて、当該マザーボードと半導体素子２５との間に於ける熱膨張係数の相違に基づくストレスが外部接続用端子２９に及ぶことが低減される。
【００６５】
これにより、当該外部接続用端子２９に於いて、はんだボールの疲労破壊が生じることが防止・低減される。
【００６６】
更に、支持部材２２として金属等の熱伝導率の高い材料を用いることにより、半導体素子２５に於いて発生する熱を速やかに放出することが可能となる。
【００６７】
尚、水蒸気の滞留を抑制するためには、前記平坦部（ダイステージ部）２２ａの上面の平坦度は、０．０１ｍｍ以下であることが望ましい。
【００６８】
上記構成にあっては、支持部材２２に於ける平坦部（ダイステージ部）２２ａと枠部２２ｃが互いに異なる平面に位置しているが、これらを同一の平面内に位置させることも勿論可能である。
【００６９】
外部接続用端子２９に対するストレスを考慮する必要が無い場合などには、かかる構造を採用することもできる。
【００７０】
前記第１の実施形態にかかる半導体装置１００の製造方法を、図７乃至図１０をもって説明する。
【００７１】
当該製造工程に適用される配線基板の一方の主面（上面）の構成を図７に示し、同様に適用される支持部材の構成を図８に示している。
【００７２】
図８（ｂ）は図８（ａ）に於ける線Ｉ−Ｉに沿った断面を示し、図８（ｃ）は、図８（ａ）中に於ける線ＩＩ−ＩＩに沿った断面を示している。
【００７３】
即ち、本製造方法にあっては、図７に示される如く、半導体装置１００が、４個同一工程をもって形成される様に、大判の配線基板２１０が適用されている。
【００７４】
即ち、当該当該配線基板２１０にあっては、図面上で二点鎖線により区分けされる四つの領域ＳＡ１〜ＳＡ４のそれぞれに、半導体装置１００が形成される。
【００７５】
各半導体装置形成部位のそれぞれには、半導体素子の搭載部を囲繞して、複数個の端子パッド２７が配設されている。
【００７６】
尚、当該四つの領域の外側に配設された孔２１１は、製造工程に於ける位置決め用孔として機能する。
【００７７】
かかる配線基板２１０の構成に対応して、支持部材としても、図８に示される如く、半導体装置１００が４個、同一工程をもって形成される様に、四つの支持部材２２が一体化された大判の支持部材２２０が適用される。
【００７８】
各支持部材２２は、それぞれ略矩形状の平坦部（ダイステージ部）２２ａと脚部２２ｂを具備し、矩形状の枠部２２ｃに於いて相互に連結されている。
【００７９】
尚、当該四つの領域の外側に位置する枠部に配設された孔２２１は、製造工程に於ける位置決め用孔として機能する。
【００８０】
この様な配線基板２１０と支持部材２２０を適用しての製造工程を、図９ならびに図１０に示す。
【００８１】
図１０は、図９の線Ｘ−Ｘに於ける断面を示している。
【００８２】
図１０Ａは図９Ａに於ける線Ｘ−Ｘに於ける断面を示し、同様に図１０Ｂ乃至図１０Ｆは、それぞれ図９Ｂ乃至図９Ｆに於ける線Ｘ−Ｘに於ける断面を示している。
【００８３】
尚、個々の半導体素子２５は、所謂ウエハープロセスを経て、シリコン（Ｓｉ）からなる半導体基板の一方の主面に形成された複数個の半導体素子が、当該半導体基板の裏面の研削処理を経て薄化され、更に個片化処理（ダイシング処理）により分離されて形成されている。
【００８４】
本実施形態によれば、当該半導体素子２５が、フィルムタイプ或いはペーストタイプの接着材（ダイス付け材）２４を介して、当該支持部材２２の前記平坦部（ダイステージ部）２２ａ上に搭載・固着される。
【００８５】
かかる状態を、図９Ａ及び図１０Ａに示す。
【００８６】
接着材（ダイス付け材）２４がフィルムタイプであれば、当該接着材フィルムを半導体基板の裏面に貼り付けた後、半導体基板と共に接着材フィルムを切断・分離する。
【００８７】
一方、接着材（ダイス付け材）２４がペーストタイプであれば、支持部材２２の略矩形状の平坦部（ダイステージ部）２２ａ表面に接着材ペーストを塗布し、その上に個片化された半導体素子２５を載置する。
【００８８】
次いで、個々の略矩形状の平坦部（ダイステージ部）２２ａ表面に半導体素子２５が装着された支持部材２２０を、前記大判の配線基板２１０の一方の主面（上面）上に載置し、固着する。
【００８９】
接着材２３を配線基板２１０の一方の主面（上面）上に被着し、当該配線基板２１０上に支持部材２２０を位置せしめた状態を、図９Ｂ及び図１０Ｂに示す。
【００９０】
即ち、当該大判の配線基板２１０の一方の主面（上面）上に、予め選択的に接着材２３を被着し、当該接着材２３を用いて、前記支持部材２２０に於ける矩形状の枠部２２ｃを配線基板２１０の一方の主面（上面）上に固着する。
【００９１】
しかる後、前記半導体素子２５の電極端子を、ボンディングワイヤ２６を介して、配線基板２１０の一方の主面に於ける端子パッド２７に接続する。
【００９２】
かかる状態を、図９Ｃ及び図１０Ｃに示す。
【００９３】
次いで、当該配線基板２１０を金型内に配置し、支持部材２２０が固着されている一方の主面に対して樹脂封止処理（樹脂モールド処理）を実施する。
【００９４】
この時、前記四つの半導体装置形成領域は、一体的に樹脂封止される。
【００９５】
当該樹脂封止処理（樹脂モールド処理）により樹脂封止がなされ、封止用樹脂２８０が被覆された状態を、図９Ｄ及び図１０Ｄに示す。
【００９６】
次いで、前記配線基板２１０の他方の主面（裏面）に於ける端子パッドに、外部接続用端子２９を配設する。
【００９７】
しかる後、前記配線基板２１０、支持部材２２０、ならびに封止用樹脂２８０を、厚さ方向に切断する。
【００９８】
かかる状態を、図９Ｅ及び図１０Ｅに示す。
【００９９】
図９Ｅに於いて、二点鎖線で出表される線Ｌが、切断線（ダイシングライン）に相当する。
【０１００】
当該切断・分離処理により、４個の半導体装置１００が形成される。
【０１０１】
かかる状態を、図９Ｆ及び図１０Ｆに示す。
【０１０２】
尚、前記配線基板２１０の一方の主面（上面）上への支持部材２２０の固着に際して、接着テープを用いることもできる。
【０１０３】
かかる場合には、図１１に示されるように、支持部材２２０に於ける矩形状の枠部２２ｃの、配線基板２１０への対向部に、予め当該接着テープ２３Ａを貼り付けておく。
【０１０４】
これにより、製造工程の速やかな実施が可能となる。
【０１０５】
また、上記製造工程に於いて、支持部材２２０を配線基板２１０の一方の主面上に固定した後に、半導体素子２５を平坦部（ダイステージ部）２２ａ上に固定してもよい。
【０１０６】
更に、上述の製造方法では、大判の配線基板２１０に、４個の半導体装置を製造するものとしたが、勿論その個数は大判の配線基板の寸法を含め、必要に応じて選択することができる。
【０１０７】
（第２の実施形態）
第２の実施形態に係る半導体装置４００を、図１２に示す。
【０１０８】
尚、当該図１２は、前記第１の実施形態に於ける図６に対応する断面を示している。
【０１０９】
本第２の実施形態では、支持部材２２に於ける平坦部（ダイステージ部）２２ａの表面（上面）側に、半導体素子２５が受容される凹部３１が形成されており、当該凹部３１内に接着材（ダイス付け材）２４により半導体素子２５が固着されている。
【０１１０】
当該凹部３１は、ディプレス加工等により形成され、その深さは、接着材（ダイス付け材）２４の厚さよりも大きく、０．０４ｍｍ以上（例えば０．０５ｍｍ）とされる。
【０１１１】
そして、当該凹部３１の平面形状は、半導体素子２５の平面形状とほぼ一致している。
【０１１２】
従って、接着材（ダイス付け材）２４は、支持部材２２及び半導体素子２５によってほぼ全体が取り囲まれることとなり、当該接着材（ダイス付け材）２４には、封止用樹脂２８と接する部分がほとんど存在しない。
【０１１３】
従って、接着材（ダイス付け材）２４へは、その側面からの水分の侵入を防止することができ、水蒸気爆発の発生を防止することができる。
【０１１４】
当該第２の実施形態の半導体装置を製造する際には、例えば図１３に示す支持部材２３０を適用することができる。
【０１１５】
尚、図１３（ｂ）は図１３（ａ）に於ける線Ｉ−Ｉに沿った断面を示し、図１３（ｃ）は、図１３（ａ）に於ける線ＩＩ−ＩＩに沿った断面を示している。
【０１１６】
即ち、支持部材２３０に於ける、四つの平坦部（ダイステージ部）２３ａのそれぞれの表面側に、半導体素子２５の平面形状と対応する凹部３１、或いは当該半導体素子２５の平面形状よりも若干大きい凹部３１が配設された支持部材２３０を適用する。
【０１１７】
（第３の実施形態）
第３の実施形態に係る半導体装置５００を、図１４に示す。
【０１１８】
尚、当該図１４も、前記第１の実施形態に於ける図６に対応する断面を示している。
【０１１９】
本第３の実施形態にあっても、支持部材２２に於ける平坦部（ダイステージ部）２２ａの表面（上面）側に、半導体素子２５が受容される凹部３２が形成されており、当該凹部３２内に接着材（ダイス付け材）２４により半導体素子２５が固着されている。
【０１２０】
当該凹部３２は、エッチング加工により形成され、その深さは、接着材（ダイス付け材）２４の厚さよりも大きく、且つ支持部材２２の板厚よりも薄い、０．０４ｍｍ〜０．１ｍｍ程度（例えば０．０５ｍｍ）とされる。
【０１２１】
また、凹部３２の平面形状は、半導体素子２５の平面形状とほぼ一致している。
【０１２２】
従って、接着材（ダイス付け材）２４は、支持部材２２及び半導体素子２５によってほぼ全体が取り囲まれることとなり、当該接着材（ダイス付け材）２４には、封止用樹脂２８と接する部分がほとんど存在しない。
【０１２３】
従って、本第３の実施形態に係る半導体装置にあっても、前記第２の実施形態と同様の効果が得られる。
【０１２４】
尚、本第３の実施形態にあっては、凹部３２は、第２の実施形態に比較し、低コストをもって形成することができる。
【０１２５】
即ち、前記第２の実施形態では、凹部３１を形成するためにディプレス加工を用いることから金型を準備する必要があるのに対し、本第３の実施形態では、凹部３２を形成するために選択エッチング法を適用するものであることから、半導体素子の外形寸法の変更に対応することが容易である。
【０１２６】
また、前記脚部２２ｃの形成的形成を、金属板の両面エッチング処理により形成する際に、平坦部（ダイステージ部）２２ａの表面を覆うマスクに選択的に開口を設けておくことにより、当該平坦部（ダイステージ部）２２ａの厚さを選択的に減じて凹部３２を形成することができる。
【０１２７】
即ち、平坦部（ダイステージ部）２２ａ上に、半導体素子２５の外形寸法にほぼ対応する開口を有するマスクを配設することにより、当該半導体素子収容部の厚さを、金属板の板厚のほぼ１／２とすることができる。
【０１２８】
（第４の実施形態）
第４の実施形態に係る半導体装置６００を、図１５に示す。
【０１２９】
尚、図１５も、前記第１の実施形態に於ける図６に対応する断面を示している。
【０１３０】
本第４の実施形態にあっては、支持部材２２に於ける平坦部（ダイステージ部）２２ａに、ディプレス加工等により、裏面側、即ち配線基板側に突出する複数の円錐状の突出部３３が形成され、当該突出部３３上に接着材（ダイス付け材）２４により半導体素子２５が固着されている。
【０１３１】
当該突出部３３は、０．５０ｍｍ程の直径を有し、その下端は配線基板２１の上面に当接している。
【０１３２】
当該突出部３３の下端が、配線基板２１の上面に当接することにより、半導体素子２５の電極端子へのボンディングワイヤ２６の接続の際の加圧に対して、当該支持部材２４０の変形を防止することができる。
【０１３３】
当該平坦部（ダイステージ部）２２ａに突出部３３が配設された支持部材２４０を、図１６に示す。
【０１３４】
図１６（ｂ）は図１６（ａ）に於ける線Ｉ−Ｉに沿った断面を示し、図１６（ｃ）は、図１６（ａ）に於ける線ＩＩ−ＩＩに沿った断面を示している。
【０１３５】
尚、突出部３３は、当該平坦部（ダイステージ部）２２ａに、半導体素子２５を搭載・固着する際に加えられる圧力に対しても対抗することができ、当該支持部材２４０の変形を防止することができる。
【０１３６】
（第５の実施形態）
第５の実施形態に係る半導体装置７００を、図１７に示す。
【０１３７】
尚、図１７も、前記第１の実施形態に於ける図６に対応する断面を示している。
【０１３８】
本第５の実施形態では、一つに、支持部材２２に於ける平坦部（ダイステージ部）２２ａの表面側に、半導体素子２５が受容される凹部３１が形成されており、当該凹部３１内に接着材（ダイス付け材）２４により半導体素子２５が固着されている。
【０１３９】
そして、当該凹部３１には、裏面側に突出する複数の円錐状の突出部３３が形成され、その下端は配線基板２１の上面に当接している。
【０１４０】
当該凹部３１は、ディプレス加工或いは選択エッチングにより形成され、また支持部３３は、ディプレス加工により形成される。
【０１４１】
かかる構成によれば、接着材（ダイス付け材）２４への側面からの水分の侵入を抑制して水蒸気爆発の発生を防止することができると共に、平坦部（ダイステージ部）２２ａへの半導体素子２５の搭載・固着、ならびに当該半導体素子２５の電極端子へのボンディングワイヤ２６の接続をより一層安定して実施することができる。
【０１４２】
尚、前記第２の実施形態、第３の実施形態、ならびに第５の実施形態に於いて、平坦部（ダイステージ部）２２に設けられる凹部３１の深さは、接着材（ダイス付け材）２４の厚さ以上であることが望ましい。
【０１４３】
しかしながら、接着材（ダイス付け材）２４の厚さよりも少、即ち浅い場合であっても、接着材（ダイス付け材）２４の厚さ方向の一部が当該凹部３１或いは３２内に位置していれば、封止用樹脂との接触面積が減少することから、水蒸気爆発の発生を効果的に抑制することができる。
【０１４４】
また、第４の実施形態及び第５の実施形態に於いて、前記突出部３３の形状は、円錐状に限られず、円柱状又は角柱状などであってもよい。また、その外形寸法ならびに個数も当該実施態様に示される形態に限定されない。
【０１４５】
以上の実施例１〜５を含む実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０１４６】
（付記１）
配線基板と、
前記配線基板の一方の主面上に配設された支持部材と、
前記支持部材上に接着材を介して配置された半導体素子と、
前記半導体素子を被覆する樹脂封止部材と、
を具備し、
前記支持部材は、水分透過防止材からなることを特徴とする半導体装置。
【０１４７】
（付記２）
前記水分透過防止材は、銅、銅合金、４２アロイ（Ｆｅ−４２Ｎｉ）、アルミニウム及びアルミニウム合金等の金属材料、またはセラミックであることを特徴とする付記１に記載の半導体装置。
【０１４８】
（付記３）
前記支持部材は、前記半導体素子の搭載される位置が平坦な平坦部を有し、
前記平坦部は、前記配線基板より離間していることを特徴とする付記１に記載の半導体装置。
【０１４９】
（付記４）
前記平坦部にはさらに凹部が形成されており、前記半導体素子は該凹部内に配置されていることを特徴とする付記３に記載の半導体装置。
【０１５０】
（付記５）
前記平坦部は、４隅にもうけられた脚部によって支持されていることを特徴とする付記３又は４に記載の半導体装置。
【０１５１】
（付記６）
前記平坦部の前記凹部の裏面には、複数の円錐状の突出部が形成されていることを特徴とする付記４又は５に記載の半導体装置。
【０１５２】
（付記７）
前記樹脂封止部材は、前記平坦部と前記配線基板との間にも位置していることを特徴とする付記３乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【０１５３】
（付記８）
前記支持部材は、金属材料から構成されていることを特徴とする付記１乃至６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【０１５４】
（付記９）
前記樹脂封止部材は、熱硬化性樹脂から構成されていることを特徴とする付記１乃至７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【０１５５】
（付記１０）
前記配線基板の他方の主面に半田ボールが設けられていることを特徴とする付記１乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【０１５６】
（付記１１）
半導体素子を、接着材を介して、水分の透過を防止する材料からなる支持部材上に配置する工程と、
前記支持部材を配線基板の一方の主面上に配置する工程と、
前記半導体素子を樹脂封止する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【０１５７】
１、２１：配線基板
２２：支持部材
３、２５：半導体素子
６、２８：封止用樹脂
７、２９：外部接続用端子
３１、３２：凹部
３３：突出部
８０、１００、４００、５００、６００、７００：半導体装置
【図１】
2010212647.tif 000003
【図２】
2010212647.tif 000004
【図３】
2010212647.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010212647.tif 000009
【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
2010212647.tif 000012
【図９Ｃ】
2010212647.tif 000013
【図９Ｄ】
2010212647.tif 000014
【図９Ｅ】
2010212647.tif 000015
【図９Ｆ】
2010212647.tif 000016
【図１０Ａ】
2010212647.tif 000017
【図１０Ｂ】
2010212647.tif 000018
【図１０Ｃ】
2010212647.tif 000019
【図１０Ｄ】
2010212647.tif 000020
【図１０Ｅ】
2010212647.tif 000021
【図１０Ｆ】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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