(57)【要約】      （修正有）【課題】気密性が高く、かつ信頼性の高い電子部品モジュール及びその製造方法を提供すること。【解決手段】絶縁体からなる基板２と、基板２の上面にフリップチップ実装されたＳＡＷデバイスチップ１０と、基板２の上面に実装されたチップ部品１２と、チップ部品１２の電極の少なくとも一つとは離間するように、ＳＡＷデバイスチップ１０とチップ部品１２とを封止する封止半田１８と、ＳＡＷデバイスチップ１０、チップ部品１２及び封止半田１８の上に設けられたリッド１６と、チップ部品１２の上面とリッド１６との間に設けられた絶縁物２０と、を具備することを特徴とする電子部品モジュール及びその製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体からなる基板と、
前記基板の上面にフリップチップ実装されたデバイスチップと、
前記基板の上面に実装されたチップ部品と、
前記チップ部品の電極の少なくとも一つとは離間するように、前記デバイスチップと前記チップ部品とを封止する封止半田と、
前記デバイスチップ、前記チップ部品及び前記封止半田の上に設けられたリッドと、
前記チップ部品の上面と前記リッドとの間に設けられた絶縁物と、
を具備することを特徴とする電子部品モジュール。
【請求項２】
前記絶縁物は前記チップ部品の全面に設けられていることを特徴とする請求項１記載の電子部品モジュール。
【請求項３】
前記絶縁物は前記チップ部品の上面に設けられ、前記チップ部品と前記デバイスチップ及び前記封止半田との間には空間が形成されていることを特徴とする請求項１記載の電子部品モジュール。
【請求項４】
前記基板の上面から前記絶縁物の上面までの高さは、前記基板の上面から前記デバイスチップの上面までの高さより高いことを特徴とする請求項１から３いずれか一項記載の電子部品モジュール。
【請求項５】
前記リッドの前記基板と対向する面に設けられた金属膜を具備することを特徴とする請求項１から４いずれか一項記載の電子部品モジュール。
【請求項６】
前記リッドは金属からなることを特徴とする請求項１から５いずれか一項記載の電子部品モジュール。
【請求項７】
前記デバイスチップは弾性波デバイスチップであることを特徴とする請求項１から６いずれか一項記載の電子部品モジュール。
【請求項８】
絶縁体からなる基板の上面にデバイスチップをフリップチップ実装する工程と、
前記基板の上面にチップ部品を実装する工程と、
前記チップ部品の少なくとも上面に絶縁物を設ける工程と、
前記チップ部品の電極の少なくとも一つとは離間するように、前記デバイスチップと前記チップ部品とを封止半田により封止する工程と、
前記デバイスチップ、前記絶縁物及び前記封止半田の上にリッドを設ける工程と、を有することを特徴とする電子部品モジュールの製造方法。
【請求項９】
前記絶縁物を設ける工程は、前記チップ部品の全面に前記絶縁物を設ける工程であることを特徴とする請求項８記載の電子モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記絶縁物を設ける工程は、前記チップ部品の上面に前記絶縁物を設ける工程であり、
前記封止する工程は、前記チップ部品と前記デバイスチップ及び前記封止半田との間に空間が形成されるように封止する工程であることを特徴とする請求項８記載の電子部品モジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記絶縁物を設ける工程は、前記デバイスチップの上面及び前記基板の上面の周辺部にマスクを設ける工程と、前記マスクの上面、及び前記チップ部品の上面に前記絶縁物を設ける工程と、前記マスクを除去する工程と、を含むことを特徴とする請求項８から１０いずれか一項記載の電子部品モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品モジュール及びその製造方法に関し、特にデバイスチップを基板にフリップチップ実装する電子部品モジュール及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子部品の小型化、低コスト化、高機能化の要求に伴い、基板上にデバイスチップだけでなく、チップインダクタ、チップキャパシタ、及びチップ抵抗等のいわゆるチップ部品も実装し、高集積化を図った電子部品モジュールが利用されている。こうした電子部品モジュールに、異物付着や外部からの水分の浸入等があると、デバイスチップの機能が損なわれることがある。特に、デバイスチップがＳＡＷデバイスチップ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ：弾性表面波）やＦＢＡＲ（Ｆｉｌｍ  Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ：薄膜圧電共振器）等の弾性波デバイスである場合、その特性が悪化しやすい。特性悪化を抑制するために、デバイスチップを封止する技術が用いられている。
【０００３】
特許文献１には、基板上にＳＡＷチップとはんだ部品とを混載し、かつ樹脂側壁及び樹脂蓋により封止する技術が開示されている。特許文献２には、基板上にＳＡＷチップとはんだ部品とを混載し、ＳＡＷチップのみを樹脂側壁及び樹脂蓋により封止する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−７６８３２号公報
【特許文献２】特開２００２−８４１５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、樹脂側壁及び樹脂蓋による封止では気密性が十分ではないため、電子部品モジュールの信頼性が低下する恐れがある。また、樹脂による封止では、外部からの電波による影響等を遮断しにくいため、特に高周波用の電子部品モジュールでは、特性悪化が発生する可能性もある。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑み、気密性が高く、かつ信頼性の高い電子部品モジュール及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、絶縁体からなる基板と、前記基板の上面にフリップチップ実装されたデバイスチップと、前記基板の上面に実装されたチップ部品と、前記チップ部品の電極の少なくとも一つとは離間するように、前記デバイスチップと前記チップ部品とを封止する封止半田と、前記デバイスチップ、前記絶縁物及び前記封止半田の上に設けられたリッドと、前記チップ部品の上面と前記リッドとの間に設けられた絶縁物と、を具備することを特徴とする電子部品モジュールである。本発明によれば、気密性が高く、かつ信頼性の高い電子部品モジュールを提供することができる。
【０００８】
上記構成において、前記絶縁物は前記チップ部品の全面に設けられている構成とすることができる。この構成によれば、チップ部品と、デバイスチップ、リッド及び封止半田とを絶縁することができる。
【０００９】
上記構成において、前記絶縁物は前記チップ部品の上面に設けられ、前記チップ部品と前記デバイスチップ及び前記封止半田との間には空間が形成されている構成とすることができる。この構成によれば、チップ部品と、デバイスチップ、リッド及び封止半田とを絶縁することができる。
【００１０】
上記構成において、前記基板の上面から前記絶縁物の上面までの高さは、前記基板の上面から前記デバイスチップの上面までの高さより高い構成とすることができる。この構成によれば、絶縁物により、チップ部品とリッドとの接触を抑制することができる。また、デバイスチップの上面に封止半田が配置されるため、封止半田がシールドとして機能する。
【００１１】
上記構成において、前記リッドの前記基板と対向する面に設けられた金属膜を具備する構成とすることができる。この構成によれば、金属膜がデバイスチップやチップ部品を保護するシールドとして機能するため、電子部品モジュールの信頼性が向上する。
【００１２】
上記構成において、前記リッドは金属からなる構成とすることができる。この構成によれば、リッドがデバイスチップやチップ部品を保護するシールドとして機能するため、電子部品モジュールの信頼性が向上する。
【００１３】
上記構成において、前記デバイスチップは弾性波デバイスチップである構成とすることができる。この構成によれば、封止半田により弾性波デバイスチップを気密封止するため、弾性波デバイスチップの特性の悪化を抑制することができる。
【００１４】
本発明は、絶縁体からなる基板の上面にデバイスチップをフリップチップ実装する工程と、前記基板の上面にチップ部品を実装する工程と、前記チップ部品の少なくとも上面に絶縁物を設ける工程と、前記チップ部品の電極の少なくとも一つとは離間するように、前記デバイスチップと前記チップ部品とを封止半田により封止する工程と、前記デバイスチップ、前記絶縁物及び前記封止半田の上にリッドを設ける工程と、を有することを特徴とする電子部品モジュールの製造方法である。本発明によれば、気密性が高く、かつ信頼性の高い電子部品モジュールの製造方法を提供することができる。
【００１５】
上記構成において、前記絶縁物を設ける工程は、前記チップ部品の全面に前記絶縁物を設ける工程である構成とすることができる。この構成によれば、チップ部品と、デバイスチップ、リッド及び封止半田とを絶縁することができる。
【００１６】
上記構成において、前記絶縁物を設ける工程は、前記チップ部品の上面に前記絶縁物を設ける工程であり、前記封止する工程は、前記チップ部品と前記デバイスチップ及び前記封止半田との間に空間が形成されるように封止する工程である構成とすることができる。この構成によれば、チップ部品と、デバイスチップ、リッド及び封止半田とを絶縁することができる。
【００１７】
上記構成において、前記絶縁物を設ける工程は、前記デバイスチップの上面及び前記基板の上面の周辺部にマスクを設ける工程と、前記マスクの上面、及び前記チップ部品の上面に前記絶縁物を設ける工程と、前記マスクを除去する工程と、を含む構成とすることができる。この構成によれば、簡単な工程により、所望の領域に絶縁物を精度よく形成することができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、気密性が高く、かつ信頼性の高い電子部品モジュール及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は実施例１に係る電子部品モジュールを例示する断面図である。
【図２】図２（ａ）から図２（ｄ）は実施例１に係る電子部品モジュールの製造方法を例示する断面図である。
【図３】図３は実施例２に係る電子部品モジュールを例示する断面図である。
【図４】図４（ａ）及び図４（ｂ）は実施例２に係る電子部品モジュールの製造方法を例示する断面図である。
【図５】図５は実施例３に係る電子部品モジュールを例示する断面図である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｃ）は実施例３に係る電子部品モジュールの製造方法を例示する断面図である。
【図７】図７は実施例４に係る電子部品モジュールを例示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図面を用いて、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００２１】
図１は実施例１に係る電子部品モジュールを例示する断面図である。
【００２２】
図１に示すように、例えばＡｕ等の金属からなるバンプ８を用いて、例えばセラミック等の絶縁体からなる基板２の上面に、ＳＡＷデバイスチップ１０がフリップチップ実装されている。また、基板２の上面に、例えば二つのチップ部品１２が例えばＳｎ−Ａｇからなる半田１４を用いて実装されている。ＳＡＷデバイスチップ１０とチップ部品１２とは離間して配置されている。また、二つのチップ部品１２は互いに離間して配置されている。バンプ８と基板２の上面に設けられた例えばＡｕ等の金属からなる電極４とは接続されている。また、半田１４と電極４とは接続されている。チップ部品１２の全面に、例えばエポキシ樹脂等からなる絶縁物２０が設けられている。言い換えれば、絶縁物２０はチップ部品１２の全面を覆っている。また、絶縁物２０とチップ部品１２の表面とは接触している。
【００２３】
ＳＡＷデバイスチップ１０、チップ部品１２及び絶縁物２０は、例えばＳｎ−Ａｇからなる封止半田１８により封止されている。言い換えれば、絶縁物２０は、チップ部品１２と封止半田１８との間に設けられている。封止半田１８は、基板２の上面に設けられた例えばＡｕ等の金属からなる封止パターン６に接合されている。ＳＡＷデバイスチップ１０、絶縁物２０及び封止半田１８の上には、例えばコバール等の金属からなるリッド１６が設けられている。言い換えれば、絶縁物２０はチップ部品１２とリッド１６との間に設けられている。また、基板２とリッド１６とは、封止半田１８により接合されている。さらに、封止半田１８、及びリッド１６の表面に例えばＮｉ等の金属からなる保護膜２２が設けられている。電極４、バンプ８及び半田１４と、封止半田１８とは離間している。言い換えれば、ＳＡＷデバイスチップ１０及びチップ部品１２は、封止半田１８及びリッド１６と電気的に接続されておらず、絶縁している。
【００２４】
基板２の上面からＳＡＷデバイスチップ１０の上面までの高さＨ１は例えば０．２ｍｍ、基板２の上面からチップ部品１２の上面までの高さＨ２は例えば０．３ｍｍである。また、チップ部品１２上における絶縁物２０の厚さは例えば数十μｍである。
【００２５】
次に、実施例１に係る電子部品モジュールの製造方法について説明する。図２（ａ）から図２（ｄ）は、実施例１に係る電子部品モジュールの製造方法を例示する断面図である。
【００２６】
図２（ａ）に示すように、まず、半田１４を用いて基板２の上面に設けられた電極４にチップ部品１２を接続する。言い換えれば、基板２の上面にチップ部品１２を実装する。
【００２７】
図２（ｂ）に示すように、次にバンプ８を用いて、基板２の上面に設けられた電極４にＳＡＷデバイスチップ１０を実装する。言い換えれば、基板２の上面にＳＡＷデバイスチップ１０をフリップチップ実装する。なお、図２（ａ）の工程と図２（ｂ）の工程とは、順番を入れ替えて実施してもよい。
【００２８】
図２（ｃ）に示すように、例えばエポキシ樹脂からなる絶縁物２０をチップ部品１２の全面に設ける。絶縁物２０を設ける工程は例えばポッティング工程により行われる。また、基板２、ＳＡＷデバイスチップ１０及び絶縁物２０の上に封止半田１８を配置する。封止半田１８のさらに上にはリッド１６を配置する。封止半田１８を例えば２７０℃に加熱しながら、封止半田１８及びリッド１６を加圧する。この工程により、溶解した封止半田１８は、封止パターン６上を流動し、ＳＡＷデバイスチップ１０、チップ部品１２及び絶縁物２０を封止する。
【００２９】
図２（ｄ）に示すように、ＳＡＷデバイスチップ１０、絶縁物２０及び封止半田１８の上にリッド１６を設ける。図２（ｄ）の工程の後、例えばメッキ法により、封止半田１８、及びリッド１６の表面に例えばＮｉからなる保護膜２２を形成する。以上の工程により、図１に示すように実施例１に係る電子部品モジュールが完成する。
【００３０】
実施例１によれば、ＳＡＷデバイスチップ１０及びチップ部品１２を封止半田１８により封止するため、樹脂で封止する場合よりも気密性が高くなる。また、絶縁物２０がチップ部品１２を覆っているため、チップ部品１２と、ＳＡＷデバイスチップ１０、封止半田１８及びリッド１６とを絶縁することができる。さらに、封止半田１８は、ＳＡＷデバイスチップ１０及びチップ部品１２を外部の電波等から遮蔽するシールドとして機能する。このため、電子部品モジュールの信頼性が向上する。すなわち、実施例１によれば気密性が高く、かつ信頼性の高い電子部品モジュールを実現することができる。
【００３１】
また、リッド１６は、金属により形成されているため、シールドとして機能する。従って、樹脂蓋を用いる場合よりも、電子部品モジュールの信頼性が向上する。
【００３２】
実施例１では、ポッティング工程により絶縁物２０を設ける。このため、簡単な工程により絶縁物２０をチップ部品１２の全面に設け、チップ部品１２と、ＳＡＷデバイスチップ１０及び封止半田１８とを絶縁することができる。
【００３３】
絶縁物２０が設けられているため、基板２の上面からチップ部品１２の上面までの高さＨ２が、基板２の上面からＳＡＷデバイスチップ１０の上面までの高さＨ１よりも高い場合でも、チップ部品１２とリッド１６とが接触することが抑制される。また、ＳＡＷデバイスチップ１０の上面に封止半田１８が配置され、シールドの効果がより高まるため、Ｈ２はＨ１より高いことが好ましい。
【００３４】
保護膜２２は設けられていなくてもよいが、外部からの衝撃や温度から電子部品モジュールを保護するためには、設けられていることが好ましい。また、封止パターン６は半田に対する濡れ性の高い金属により形成することが好ましい。
【実施例２】
【００３５】
次に、実施例２について説明する。図３は実施例２に係る電子部品モジュールを例示する断面図である。既述した構成と同様の構成については、説明を省略する。
【００３６】
図３に示すように、例えばエポキシ樹脂からなる、例えば厚さＴ１が数十μｍである板状の絶縁物２０が、チップ部品１２の上面に接して設けられている。次に、実施例２に係る電子部品モジュールの製造方法について説明する。図４（ａ）及び図４（ｂ）は実施例２に係る電子部品モジュールの製造方法を例示する断面図である。なお、図４（ａ）以前の工程は、実施例１の図２（ａ）及び図２（ｂ）に例示した工程と同じである。
【００３７】
図４（ａ）に示すように、絶縁物２０をチップ部品１２の上面に設ける。また、基板２、ＳＡＷデバイスチップ１０及び絶縁物２０の上に封止半田１８を配置する。封止半田１８のさらに上には、リッド１６を配置する。封止半田１８を例えば２７０℃に加熱しながら、封止半田１８及びリッド１６を加圧する。この工程により、溶解した封止半田１８は、封止パターン６上を流動し、ＳＡＷデバイスチップ１０、チップ部品１２及び絶縁物２０を封止する。このとき、溶解した封止半田１８の表面張力により、チップ部品１２及び半田１４と、ＳＡＷデバイスチップ１０及び封止半田１８との間には、空間が形成される。また、二つのチップ部品１２の間にも、空間が形成される。
【００３８】
図４（ｂ）に示すように、ＳＡＷデバイスチップ１０、絶縁物２０及び封止半田１８の上にリッド１６を設ける。図４（ｂ）の工程の後、例えばメッキ法により、封止半田１８、及びリッド１６の表面に例えばＮｉからなる保護膜２２を形成する。以上の工程により、図３に例示した実施例２に係る電子部品モジュールが完成する。
【００３９】
実施例２によれば、実施例１と同様に、気密性が高く、かつ信頼性の高い電子部品モジュールを実現することができる。また、封止半田１８には表面張力が発生するため、封止パターン６の配置を調整することにより、封止半田１８がチップ部品１２及び半田１４に接触しないようにすることができる。すなわち、チップ部品１２及び半田１４と、ＳＡＷデバイスチップ１０及び封止半田１８との間には、空間が形成される。これにより、絶縁物２０がチップ部品１２の全面に設けられていない場合でも、チップ部品１２と、ＳＡＷデバイスチップ１０及び封止半田１８とを絶縁することができる。
【００４０】
絶縁物２０は接着剤によりチップ部品１２上に固定してもよい。また、粘着性のある材質により絶縁物２０を形成し、材質自体の粘着性を用いてチップ部品１２上に固定してもよい。
【実施例３】
【００４１】
次に、実施例３について説明する。図５は実施例３に係る電子部品モジュールを例示する断面図である。既述した構成と同様の構成については、説明を省略する。
【００４２】
図５に示すように、チップ部品１２の全面が、例えば厚さＴ２が数十μｍである絶縁物２０により覆われている。言い換えれば、絶縁物２０は層状に形成されている。次に、実施例３に係る電子部品モジュールの製造方法について説明する。図６（ａ）から図６（ｃ）は実施例３に係る電子部品モジュールの製造方法を例示する断面図である。なお、なお、図６（ａ）以前の工程は、実施例１の図２（ａ）及び図２（ｂ）に例示した工程と同じである。
【００４３】
図６（ａ）に示すように、封止パターン６の上面、及びＳＡＷデバイスチップ１０の上面にマスク２４を設ける。さらに、絶縁物２０をチップ部品１２の上面、及びマスク２４の上面に塗布する。
【００４４】
図６（ｂ）に示すように、マスク２４を除去する。これにより、封止パターン６及びＳＡＷデバイスチップ１０上の絶縁物２０は、マスク２４とともに除去される。また、チップ部品１２上面には絶縁物２０が残存する。また、基板２、ＳＡＷデバイスチップ１０及び絶縁物２０の上に封止半田１８を配置する。封止半田１８のさらに上には、リッド１６を配置する。封止半田１８を例えば２７０℃に加熱しながら、封止半田１８及びリッド１６を加圧する。この工程により、溶解した封止半田１８は、封止パターン６上を流動し、ＳＡＷデバイスチップ１０、チップ部品１２及び絶縁物２０を封止する。
【００４５】
図６（ｃ）に示すように、ＳＡＷデバイスチップ１０、絶縁物２０及び封止半田１８の上にリッド１６を設ける。図６（ｃ）の工程の後、例えばメッキ法により、封止半田１８、及びリッド１６の表面に例えばＮｉからなる保護膜２２を形成する。以上の工程により、図５に例示した実施例２に係る電子部品モジュールが完成する。
【００４６】
実施例３によれば、実施例１と同様に、気密性が高く、かつ信頼性の高い電子部品モジュールを実現することができる。また、絶縁物２０を全体に設けた後、マスク２４とともに絶縁物２０を封止パターン６の上面、及びＳＡＷデバイスチップ１０の上面から除去する。このため、簡単な工程により、所望の領域に絶縁物２０を精度よく設けることができる。また、絶縁物２０がチップ部品１２の全面に設けられるため、チップ部品１２と、ＳＡＷデバイスチップ１０及び封止半田１８とを絶縁することができる。絶縁物２０は塗布するとしたが、例えばスプレー法等、他の方法により設けてもよい。
【実施例４】
【００４７】
次に、実施例４について説明する。図７は実施例４に係る電子部品モジュールを例示する断面図である。既述した構成と同様の構成については、説明を省略する。
【００４８】
図７に示すように、例えばエポキシ樹脂等の絶縁体からなるリッド１６の基板２と対向する面、より詳細には基板２の上面と対向する面に、例えばコバール等の金属からなる金属膜２６が設けられている。
【００４９】
実施例４に係る電子部品モジュールの製造方法は、金属膜２６が設けられたリッド１６を用いる以外は、図２（ａ）から図２（ｄ）に例示したものと同じである。
【００５０】
実施例４によれば、リッド１６が絶縁体からなる場合でも、リッド１６に設けられた金属膜２６が、ＳＡＷデバイスチップ１０及びチップ部品１２を外部の電波等から遮蔽するシールドとして機能する。このため、電子部品モジュールの信頼性が向上する。
【００５１】
実施例４は実施例１において、リッド１６に金属膜２６を設けた例であるが、これに限定されない。すなわち、実施例２または実施例３において、リッド１６に金属膜２６を設けてもよい。また、金属膜２６はリッド１６の基板２と対向する面の一部に設けられていればシールドとして機能する。ただし、シールドとしての効果をより高めるには、金属膜２６がリッド１６の基板２と対向する面の全面に設けられていることが好ましい。
【００５２】
各実施例では、封止半田１８はチップ部品１２と電気的に接触していないとしたが、チップ部品１２の接地電極と接触していてもよい。つまり、封止半田１８はチップ部品１２の電極の少なくとも一つと離間していればよい。
【００５３】
実施例１、３及び４では絶縁物２０がチップ部品１２の全面を覆っているのに対し（図１、図５及び図７参照）、実施例２では絶縁物２０がチップ部品１２の上面に設けられている（図３参照）。すなわち、絶縁物２０はチップ部品１２の少なくとも上面に設けられていればよい。
【００５４】
また、実施例１、３及び４では絶縁物２０とリッド１６との間に封止半田１８が残存している（図１、図５及び図７参照）。これに対し、実施例２では、絶縁物２０とリッド１６との間に封止半田１８が残存していない（図３参照）。封止半田１８が残存するかは、リッド１６を押圧する力の強さに依存するものである。実施例によれば、絶縁物２０とリッド１６との間における、封止半田１８の有無に関らず、電子部品モジュールの気密性及び信頼性の向上が可能である。
【００５５】
各実施例では、デバイスチップがＳＡＷデバイスチップである例を示したが、デバイスチップは例えば弾性境界波デバイスチップやＦＢＡＲ等の弾性波デバイスチップであってもよい。また、デバイスチップは弾性波デバイスチップ以外のデバイスチップでもよい。特に、弾性波デバイスチップの場合、気密封止により、特性の悪化が抑制される。また、基板２に実装されるチップ部品１２は二つとしたが、一つでもよいし、また三つ以上でもよい。さらに、二つ以上のデバイスチップを実装してもよい。
【００５６】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５７】
基板                        ２
電極                        ４
封止パターン                ６
バンプ                      ８
ＳＡＷデバイスチップ        １０
チップ部品                  １２
半田                        １４
リッド                      １６
封止半田                    １８
絶縁物                      ２０
マスク                      ２４
金属膜                      ２６
【図１】
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【図２】
2010212379.tif 000004
【図３】
2010212379.tif 000005
【図４】
2010212379.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2010212379.tif 000009