(57)【要約】【課題】複数の段差を備えたインプリントモールドの製造に好適なインプリントモールド製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明のインプリントモールド製造方法は、「基板の第１番目の凹パターンが形成された側に、順に、第２番目から第Ｎ番目の凹パターンまで形成し、前記第Ｎ番目の凹パターンの線幅は第（Ｎ−１）番目の凹パターンよりも大きいこと」により、多段構造パターンの中で最も微細なパターンから順に形成することが出来る。このため、線幅の小さい凹パターンを覆うようにレジストを塗布しても、該凹パターンのレジストが埋まる容積が小さいため、平坦となるレジスト膜の厚みを抑制することが出来る。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｎ（Ｎ＝２、３、４、・・・）段の凹パターンを有するインプリントモールドの製造方法であって、
基板に第１番目の凹パターンを形成する工程と、
前記基板の前記第１番目の凹パターンが形成された側に、順に、第２番目から第Ｎ番目の凹パターンまで形成する工程と、を備え、
前記第Ｎ番目の凹パターンの線幅は第（Ｎ−１）番目の凹パターンよりも大きいこと
を特徴とするインプリントモールド製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のインプリントモールドであって、
基板に第１の凹パターンを形成する工程と、
前記第１の凹パターンが形成された前記基板に、レジスト材料を塗膜する工程と、
前記レジスト材料にパターニングを行う工程と、
パターニングされた前記レジスト材料をマスクとして、エッチングを行い、第２の凹パターンを形成する工程と、を備え、
前記第２の凹パターンの線幅は、前記第一の凹パターンの線幅よりも大きいこと
を特徴とするインプリントモールド製造方法。
【請求項３】
請求項１または２のいずれかに記載のインプリントモールド製造方法であって、
基板は、導電層が表層に形成された積層基板であること
を特徴とするインプリントモールド製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載のインプリントモールド製造方法により製造されたインプリントモールド。
【請求項５】
請求項４に記載のインプリントモールドを用いた転写加工成形を用いてパターンを形成したインプリントモールド。
【請求項６】
請求項４または５のいずれかに記載のインプリントモールドであって、
複数の段を備えたパターンにあって、もっとも線幅の狭いパターン線幅は、５００ｎｍ以下の線幅であること
を特徴とするインプリントモールド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリントモールド製造方法およびインプリントモールドに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、基板（例えば、ガラス、樹脂、金属、シリコンなど）に特定の微細な３次元構造パターン（例えば、多段の階段状形状など）を形成したパターン形成体が広範に用いられている。
【０００３】
例えば、半導体デバイス、光学素子、配線回路、データストレージメディア（ハードディスク、光学メディアなど）、医療用部材（分析検査用チップ、マイクロニードルなど）、バイオデバイス（バイオセンサ、細胞培養基板など）、精密検査機器用部材（検査プローブ、試料保持部材など）、ディスプレイパネル、パネル部材、エネルギーデバイス（太陽電池、燃料電池など）、マイクロ流路、マイクロリアクタ、ＭＥＭＳデバイス、インプリントモールド、フォトマスクなどの用途が挙げられる。
【０００４】
また、このようなパターン形成体では、仕様に応じて、多段構造のパターンを形成することが求められることがある。
【０００５】
このような微細な多段構造のパターンを形成する方法として、インプリント法を用いることが提案されている。
【０００６】
例えば、多段構造のパターンを備えたインプリントモールドを用いたインプリント法により、デュアルダマシン構造の配線回路の形成に対して、必要な工程数を１／３近くに削減できることが報告されている（非特許文献１参照）。
【０００７】
例えば、多段構造のパターンを形成するためのパターン形成方法として、リソグラフィを用いて多段構造を形成する方法が知られている。
以下、一例として、図１を用いながら、従来の典型的な、リソグラフィを用いた多段構造のパターンの形成方法について、説明を行う。
【０００８】
まず、基板１６上に導電層１２を積層した積層基板に、レジスト材料１１を成膜する（図１（ａ））。
次に、レジスト材料１１に電子線を用いてパターニングを行い、１段目パターンのためのマスクパターン１４を形成する（図１（ｂ））。
次に、マスクパターン１４をマスクとして導電層１２をエッチングする（図１（ｃ））
次に、１段目パターンが形成された導電層１２をマスクとして、基板１６をエッチングし、段差パターン１３を形成する（図１（ｄ））。
次に、基板を洗浄し、マスクパターン１４を除去する（図１（ｅ））。
次に、段差パターン（１段）１３が形成された基板に、レジスト材料１１を成膜する（図１（ｆ））。
次に、レジスト材料１１に電子線を用いてパターニングを行い、２段目パターンのためのマスクパターン１４を形成する（図１（ｇ））。
次に、マスクパターン１４をマスクとして導電層１２をエッチングする（図１（ｈ））。
次に、２段目パターンが形成された導電層１２をマスクとして基板１３をエッチングし多段インプリントモールド１７を形成する（図１（ｉ））。
次に、多段インプリントモールド１７を洗浄し、マスクパターン１４および導電層１２を除去する（図１（ｈ））。
【０００９】
一方、リソグラフィ法では、レジストパターンが高アスペクト比であるほどレジストパターンの倒壊が起こりやすいことが知られている。
【００１０】
例えば、レジスト表層に架橋部を形成することにより、高アスペクト比のレジストパターンの倒壊を抑制する方法が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００４−０８５７９２号公報
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】Ｐｒｏｃ．  ｏｆ  ＳＰＩＥ．，ｖｏｌ．５９９２，  ｐｐ．７８６−７９４  （２００５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
微細な３次元構造パターンを持つインプリントモールドの製造では、３次元構造パターンに応じて複数回のレジストパターン形成を行うことが知られている。
【００１４】
しかしながら、既に段差を備えた基板に対して、新たにレジストのパターニングを行うことは以下の事由から困難である。
（１）段差のある基板上にレジストをコートする際、レジスト膜の厚さが段差と同じかそれ以下だと凸部上のレジスト膜が薄くなってしまい、平坦なレジスト膜を得ることが出来ない。このため、所望するレジストパターンを得ることが困難である（図１（ｆ））。
（２）レジスト膜が平坦となるように充分にレジスト膜を厚くした場合（図２（ａ））、形成したレジストパターンのアスペクト比はレジスト膜の厚みに応じて高くなるため、レジストパターン倒れが発生する（図２（ｂ））。このため、所望するレジストパターンを得ることが困難である。
【００１５】
そこで、本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、複数の段差を備えたインプリントモールドの製造に好適なインプリントモールド製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
請求項１に記載の本発明は、Ｎ（Ｎ＝２、３、４、・・・）段の凹パターンを有するインプリントモールドの製造方法であって、基板に第１番目の凹パターンを形成する工程と、前記基板の前記第１番目の凹パターンが形成された側に、順に、第２番目から第Ｎ番目の凹パターンまで形成する工程と、を備え、前記第Ｎ番目の凹パターンの線幅は第（Ｎ−１）番目の凹パターンよりも大きいことを特徴とするインプリントモールド製造方法である。
【００１７】
請求項２に記載の本発明は、請求項１に記載のインプリントモールドであって、基板に第１の凹パターンを形成する工程と、前記第１の凹パターンが形成された前記基板に、レジスト材料を塗膜する工程と、前記レジスト材料にパターニングを行う工程と、パターニングされた前記レジスト材料をマスクとして、エッチングを行い、第２の凹パターンを形成する工程と、を備え、前記第２の凹パターンの線幅は、前記第一の凹パターンの線幅よりも大きいことを特徴とするインプリントモールド製造方法である。
【００１８】
請求項３に記載の本発明は、請求項１または２のいずれかに記載のインプリントモールド製造方法であって、基板は、導電層が表層に形成された積層基板であることを特徴とするインプリントモールド製造方法である。
【００１９】
請求項４に記載の本発明は、請求項１から３のいずれかに記載のインプリントモールド製造方法により製造されたインプリントモールドである。
【００２０】
請求項５に記載の本発明は、請求項４に記載のインプリントモールドを用いた転写加工成形を用いてパターンを形成したインプリントモールドである。
【００２１】
請求項６に記載の本発明は、請求項４または５のいずれかに記載のインプリントモールドであって、複数の段を備えたパターンにあって、もっとも線幅の狭いパターン線幅は、５００ｎｍ以下の線幅であることを特徴とするインプリントモールドである。
【発明の効果】
【００２２】
本発明のインプリントモールド製造方法は、「基板の第１番目の凹パターンが形成された側に、順に、第２番目から第Ｎ番目の凹パターンまで形成し、前記第Ｎ番目の凹パターンの線幅は第（Ｎ−１）番目の凹パターンよりも大きいこと」により、多段構造パターンの中で最も微細なパターンから順に形成することが出来る。このため、線幅の小さい凹パターンを覆うようにレジストを塗布しても、該凹パターンのレジストが埋まる容積が小さいため、平坦となるレジスト膜の厚みを抑制することが出来る。よって、好適に２段目以降のパターン形成を行うことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】従来のインプリントモールド製造方法の実施の一例を示す断面図である。
【図２】従来のインプリントモールド製造方法における問題点を示す断面図である。
【図３】本発明のインプリントモールド製造方法の実施の一例を示す断面工程図である。
【図４】本発明のインプリントモールド製造方法の実施の一例を示す断面工程図である。
【図５】本発明のインプリントモールド製造方法の実施の一例を示す断面工程図である。
【図６】本発明のインプリントモールド製造方法の実施の一例を示す断面工程図である。
【図７】本発明のインプリントモールドの一例を示すＳＥＭ画像写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明のインプリントモールド製造方法について、具体的に説明を行う。
【００２５】
＜基板に第１番目の凹パターンを形成する工程＞
まず、基板に第１番目の凹パターンを形成する。
なお、本発明のインプリントモールド製造方法では、第一番目に形成する凹パターンの線幅が、最終的な多段構造パターンにおいて、もっとも線幅の狭いパターン部位となる。
本発明のインプリントモールド製造方法によれば、複数の段差を備えたインプリントモールドを好適に製造することが出来る。よって、特に、もっとも線幅の狭いパターン部位である第１番目の凹パターンの線幅が５００ｎｍ以下であるインプリントモールドを好適に製造することが出来る。
【００２６】
基板は、後述する微細加工技術に適した物理的特性／機械的特性を備えていれば良く、特に、限定されるものではない。例えば、シリコン基板、石英基板、ＳＯＩ基板、などを用いても良い。
【００２７】
光インプリント法に用いるインプリントモールドや、フォトマスクなどの製造工程に本発明のパターン形成方法を用いる場合、基板は使用する露光光を透過することが求められる。このため、光インプリント法に用いるインプリントモールドや、フォトマスクとして用いる場合、一般的な露光光に対して透過性を有する石英基板を好適に用いることが出来る。
【００２８】
また、基板は、導電層が表層に形成された積層基板であることが好ましい。導電層を形成することにより、荷電粒子線を用いて微細加工を行うとき、基板のチャージアップを抑制でき、荷電粒子線を用いた微細加工に好適に用いることが出来る。
特に、本発明は、「基板の第１番目の凹パターンが形成された側に、順に、第２番目から第Ｎ番目の凹パターンまで形成し、前記第Ｎ番目の凹パターンの線幅は第（Ｎ−１）番目の凹パターンよりも大きいこと」から、導電層が表層に形成された積層基板を用いた場合、従来の方法と比して、２回目以降のパターニングにおいて、基板上の導電層の残存面積が大きい（例えば、図１（ｆ）と図３（ｆ）を比較参照のこと）。このことから、特に、荷電粒子線を用いて本発明のインプリントモールド製造方法を実施する場合、導電層が表層に形成された積層基板を好適に用いることが出来る。
【００２９】
また、基板に微細な凹型パターンを形成する方法としては、所望する３次元構造パターンを形成することの出来る微細加工技術を用いれば良い。例えば、微細加工技術として、リソグラフィ方法、エッチング方法、微細機械加工法（レーザ加工、マシニング加工など）などを用いても良い。
【００３０】
＜基板に２段目以降のパターンを形成する工程＞
次に、基板の前記第１番目の凹パターンが形成された側に、順に、第２番目から第Ｎ番目の凹パターンまで形成する。本発明のインプリントモールド製造方法では、第Ｎ番目の凹パターンの線幅は第（Ｎ−１）番目の凹パターンよりも大きい。なお、ここで、Ｎは２以上の自然数とする。
【００３１】
２段目以降のパターンは、レジスト材料を塗膜し、該レジスト材料をパターニングし、パターニングされたレジスト材料をマスクとしてエッチングを行うことにより、形成する。
以下、一例として、それぞれの工程について説明を行う。
【００３２】
＜レジスト材料を塗膜する工程＞
１番目の凹パターンを有する基板上に、レジスト材料を塗膜する。
レジスト材料は、パターニングを行う露光光に応じて、適宜選択してよい。
また、レジスト材料の塗膜形成方法としては、粘度に応じて、適宜公知の薄膜形成技術を用いれば良い。例えば、ダイコート法、スピンコート法などを用いても良い。
【００３３】
＜レジストパターンを形成する工程＞
次に、レジスト材料に、露光光を用いてレジストパターンを形成する。
このとき、レジストパターンの線幅は、以前に形成した凹パターンよりも大きい。露光後、現像処理を行いレジストパターンが形成される。現像処理は用いたレジスト膜に応じて適宜行って良い。このとき、現像処理に際して、洗浄処理を行っても良い。洗浄処理としては、現像液／異物を除去することが出来ればよく、例えば、純水、超臨界流体などを用いて行っても良い。
【００３４】
＜エッチングを行う工程＞
次に、レジストパターンをマスクとして基板にエッチングを行う。エッチングとしては、適宜公知の方法により行って良い。例えば、ドライエッチング、ウェットエッチングなどを行っても良い。
また、エッチングの条件は、用いたレジスト／基板に応じて、適宜調節して良い。
【００３５】
以上より、複数の段差を備えたインプリントモールドを製造することが出来る。
【００３６】
また、上述のように製造された複数の段差を備えたインプリントモールドを用いた転写加工成形を用いて、更にインプリントモールドを製造してもよい。このとき、製造されたインプリントモールドの多段構造パターンが凹凸反転したインプリントモールドを製造することが出来る。
【００３７】
例えば、具体的には、製造された複数の段差を備えたインプリントモールドを用いたインプリント法により段差を有するレジストパターンを形成し、該レジストパターンを凹凸パターンとしたインプリントモールドを製造してもよい。
このとき、用いる転写材料は、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂、ゾルゲル材料、ＵＶ硬化樹脂、などがあげられる。特に、フッ素系ＵＶ硬化樹脂の場合、離型性に優れているため望ましい。
【００３８】
例えば、具体的には、製造された複数の段差を備えたインプリントモールドを用いたインプリント法により段差レジストパターンを形成し、該段差レジストパターンをマスクとしてエッチングを行い、基板に段差構造パターンを形成し、インプリントモールドを製造してもよい。
以下、一例として、それぞれの工程について説明を行う。
【００３９】
＜製造された複数の段差を備えたインプリントモールドを用いたインプリント法を行う工程＞
まず、転写基板に転写材料を積層する。
【００４０】
転写基板は、使用する転写材料に適するように適宜選択することが出来る。例えば、シリコン、石英ガラス、などが挙げられる。
【００４１】
転写材料は、所望する凹凸パターン、凹凸パターンの用途などに応じて適宜選択してよい。例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、光硬化性樹脂、ゾルゲル材料などを用いても良い。
【００４２】
転写材料の積層方法としては、転写材料の粘度に応じて、適宜公知の薄膜形成技術を用いれば良い。例えば、ダイコート法、スピンコート法などを用いても良い。
【００４３】
次に、転写基板と凹型インプリントモールドとを接近させ、転写材料に対し多段構造パターンの転写を行う。
【００４４】
転写材料や、所望する凹凸パターンの精度に応じて、転写材料の硬化を行っても良い。
例えば、転写材料として熱硬化性樹脂を用いた場合、加熱により硬化を行ってよい。また、例えば、転写材料として光硬化性樹脂を用いた場合、露光光により硬化を行っても良い。
【００４５】
また、所望するレジストパターンに応じて、残膜を除去してもよい。ここで、残膜とは、転写基板とインプリントモールドとの間に存在した転写材料であり、転写されたレジストパターンが形成されていない部位をいう。
残膜の除去は、選択した転写材料に応じて適宜適した除去方法を用いて良い。例えば、転写材料として、熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂を用いた場合、Ｏ２  ＲＩＥ法を用いて除去してもよい。
また、Ｏ２ＲＩＥの条件は、用いたレジスト／基板に応じて、適宜調節して良い。
【００４６】
＜エッチングを行う工程＞
次に、インプリント法により形成された多段構造パターンを有するレジストパターンをマスクとして基板にエッチングを行う。
エッチングとしては、適宜公知の方法により行って良い。例えば、ドライエッチング、ウェットエッチングなどを行っても良い。
また、エッチングの条件は、用いたレジスト／基板に応じて、適宜調節して良い。
【００４７】
以上より、本発明により製造されたインプリントモールドのパターンが凹凸反転したインプリントモールドを製造することが出来る。
【実施例】
【００４８】
以下、インプリントモールド製造方法について、具体的に図３を用いて、光インプリントモールドを作製する場合の一例を挙げながら説明を行う。当然のことながら、本発明のインプリントモールド製造方法は下記実施例に限定されるものではない。
【００４９】
＜実施例１＞
まず、図３（ａ）に示すように、基板１６上に導電層１２が形成された積層基板上にレジスト材料を２００ｎｍ厚をコートした。
このとき、基板１６は石英基板であり、導電層１２はクロム膜であり、レジスト材料１１はポジ型電子線レジストである。
【００５０】
次に、図３（ｂ）に示すように、電子線描画装置にて、レジスト材料１１に対して電子線をドーズ１００μＣ／ｃｍ２で照射した後、現像液を用いた現像処理、リンス、およびリンス液の乾燥を行いレジストパターン１４を形成した。
このとき、リンス液には純水を用いた。
【００５１】
次に、図３（ｃ）および図３（ｄ）に示すように、レジストパターン１４をマスクとして、ＩＣＰドライエッチング装置を用いたドライエッチングによって導電層１２および基板１６のエッチングを行い、段差パターン１８を形成した。
このとき、導電層１２であるＣｒ膜のエッチングの条件は、Ｃｌ２流量４０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０ｓｃｃｍ、Ｈｅ流量８０ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＩＣＰパワー３００Ｗ、ＲＩＥパワー３０Ｗであった。
また、基板である石英基板のエッチング条件は、Ｃ４Ｆ８流量１０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０〜２５ｓｃｃｍ、Ａｒ流量７５ｓｃｃｍ、圧力２Ｐａ、ＩＣＰパワー２００Ｗ、ＲＩＥパワー５５０Ｗであった。
また、深さ１００ｎｍまで石英のドライエッチングを行った。
【００５２】
次に、図３（ｅ）に示すように、段差パターン１８が形成された基板１６に残存したレジスト材料１１の剥離洗浄を行った。
このとき、剥離洗浄としてＯ２アッシングを用いた。
【００５３】
次に、図３（ｆ）に示すように、一段目パターンが形成された基板上にレジスト材料１１を２００ｎｍ厚にて塗膜した。
【００５４】
次に、図３（ｇ）に示すように、電子線描画装置にて、レジスト材料１１に対して電子線をドーズ１００μＣ／ｃｍ２で照射した後、現像液を用いた現像処理、リンス、およびリンス液の乾燥を行い、２段目パターンのためのレジストパターン１４を形成した。
このとき、リンス液には純水を用いた。
【００５５】
次に、図３（ｈ）および図３（ｉ）に示すように、２段目パターンのためのレジストパターン１４をマスクとしてＩＣＰドライエッチング装置を用いたドライエッチングによって導電層および基板のエッチングを行った。
このとき、導電層１２であるクロム膜のエッチングの条件は、Ｃｌ２流量４０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０ｓｃｃｍ、Ｈｅ流量８０ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＩＣＰパワー３００Ｗ、ＲＩＥパワー３０Ｗであった。
また、基板１６である石英基板のエッチング条件は、Ｃ４Ｆ８流量１０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０〜２５ｓｃｃｍ、Ａｒ流量７５ｓｃｃｍ、圧力２Ｐａ、ＩＣＰパワー２００Ｗ、ＲＩＥパワー５５０Ｗであった。
また、深さ１００ｎｍまで石英のドライエッチングを行った。
【００５６】
次に、図３（ｊ）に示すように、レジスト材料１１および導電層１２の剥離洗浄を行った。
このとき、レジスト材料１１の剥離洗浄にはＯ２アッシングを用いた。
また、導電層１２の剥離洗浄にはウェットエッチングを用いた。
【００５７】
以上より、本発明の多段インプリントモールド１９を作製することが出来た。
【００５８】
＜実施例２＞
実施例１で作製した多段インプリントモールド１９を用いて、凹凸パターンが反転した多段インプリントモールド１７を製造した。
【００５９】
まず、図４（ａ）に示すように、転写基板１６上に転写材料２０として光硬化性樹脂を２００ｎｍ厚を積層し、実施例１で作製した多段インプリントモールド１９を対向して配置した。
このとき、多段インプリントモールド１９のパターン面側には、離型剤としてフッ素系表面処理剤ＥＧＣ−１７２０（住友３Ｍ）をあらかじめコートした。
また、転写基板は石英基板であった。
【００６０】
次に、図４（ｂ）に示すように、転写材料２０と多段インプリントモールド１９を接触させ、多段インプリントモールド１９側から露光光を照射し、転写材料２０を硬化した。
このとき、多段インプリントモールド１９に荷重を１ＭＰａを加え、露光光であるＵＶ光の照射量は４００ｍＪ／ｃｍ２であった。
【００６１】
次に、図４（ｃ）に示すように、転写基板１６と多段インプリントモールド１９とを遠ざけ、転写材料２０に凸型の多段構造パターンを形成した。
【００６２】
次に、図４（ｄ）に示すように、Ｏ２プラズマアッシング（条件：Ｏ２流量５００ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＲＦパワー１０００Ｗ）によって残膜を除去した。
【００６３】
次に、図５（ｅ）に示すように、ＩＣＰドライエッチング装置を用いたドライエッチングによって転写基板１６のエッチングを行った。
このとき、エッチング条件は、Ｃ４Ｆ８流量１０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０〜２５ｓｃｃｍ、Ａｒ流量７５ｓｃｃｍ、圧力２Ｐａ、ＩＣＰパワー２００Ｗ、ＲＩＥパワー５５０Ｗであった。
また、転写基板の表面から深さ１００ｎｍまでドライエッチングを行った。
【００６４】
以上より、実施例１で作製した多段インプリントモールド１９の多段構造パターンが凹凸反転した多段インプリントモールド１７を製造できた。
【００６５】
＜実施例３＞
実施例１で作製した多段インプリントモールド１９を用いて、多段構造パターンが凹凸反転した多段インプリントモールド１７を製造した。
以下、実施例２とは異なる実施形態として、転写基板に導電層が積層された場合を例示する。
【００６６】
まず、図５（ａ）に示すように、導電層１２が積層された転写基板１６上に転写材料２０として光硬化性樹脂２００ｎｍ厚を積層し、実施例１で作製した多段インプリントモールド１９を対向して配置した。
このとき、多段インプリントモールド１９のパターン面側には、離型剤としてフッ素系表面処理剤ＥＧＣ−１７２０（住友３Ｍ）をあらかじめコートした。
また、転写基板１６は石英基板であり、導電層１２はクロム膜であった。
【００６７】
次に、図５（ｂ）に示すように、転写材料２０と多段インプリントモールド１９を接触させ、多段インプリントモールド１９側から露光光を照射し、転写材料２０を硬化した。
このとき、多段インプリントモールド１９に荷重を１ＭＰａを加え、露光光であるＵＶ光の照射量は４００ｍＪ／ｃｍ２であった。
【００６８】
次に、図５（ｃ）に示すように、転写基板１６と多段インプリントモールド１９とを遠ざけ、転写材料２０に凸型の多段構造パターンを形成した。
【００６９】
次に、図５（ｄ）に示すように、Ｏ２プラズマアッシング（条件：Ｏ２流量５００ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＲＦパワー１０００Ｗ）によって残膜を除去した。
【００７０】
次に、図５（ｅ）に示すように、多段構造パターンが形成された転写材料２０をマスクとして、ＩＣＰドライエッチング装置を用いたドライエッチングによって１段目の導電層１２および転写基板１６のエッチングを行った。
このとき、導電層１２であるクロム膜のエッチングの条件は、Ｃｌ２流量４０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０ｓｃｃｍ、Ｈｅ流量８０ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＩＣＰパワー３００Ｗ、ＲＩＥパワー３０Ｗであった。
また、転写基板１６である石英基板のエッチング条件は、Ｃ４Ｆ８流量１０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０〜２５ｓｃｃｍ、Ａｒ流量７５ｓｃｃｍ、圧力２Ｐａ、ＩＣＰパワー２００Ｗ、ＲＩＥパワー５５０Ｗであった。
【００７１】
次に、図５（ｆ）に示すように、多段構造パターンが形成された転写材料２０の残存した２段目部位をマスクとして、ＩＣＰドライエッチング装置を用いたドライエッチングによって２段目の導電層１２および転写基板１６のエッチングを行った。
このとき、導電層１２であるクロム膜のエッチングの条件は、Ｃｌ２流量４０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０ｓｃｃｍ、Ｈｅ流量８０ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＩＣＰパワー３００Ｗ、ＲＩＥパワー３０Ｗであった。
また、転写基板１６である石英基板のエッチング条件は、Ｃ４Ｆ８流量１０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０〜２５ｓｃｃｍ、Ａｒ流量７５ｓｃｃｍ、圧力２Ｐａ、ＩＣＰパワー２００Ｗ、ＲＩＥパワー５５０Ｗであった。
また、転写基板１６の表面から深さ１００ｎｍまでドライエッチングを行った。
【００７２】
次に、図５（ｇ）に示すように、転写材料２０および導電層１２の剥離洗浄を行った。
このとき、転写材料２０の剥離には、Ｏ２アッシングを用いた。また、導電層１２の剥離洗浄にはウェットエッチングを用いた。
【００７３】
以上より、実施例１で作製した多段インプリントモールド１９の多段構造パターンが凹凸反転した多段インプリントモールド１７を製造できた。
【００７４】
＜実施例４＞
実施例１で作製した多段インプリントモールド１９を用いて、多段構造パターンが凹凸反転した多段インプリントモールド１７を製造した。
以下、実施例２および実施例３とは異なる実施形態として、転写基板に導電層が積層し、該導電層に多段構造パターンを形成する場合を例示する。
【００７５】
実施例３と同様に、残膜処理まで行った後（図６（ａ））、多段構造パターンが形成された転写材料２０をマスクとして導電層１２に多段構造パターンを形成した（図６（ｂ））。
このとき、ＩＣＰドライエッチング装置を用いたドライエッチングを行った。
また、導電層１２である、クロム膜のエッチングの条件は、Ｃｌ２流量４０ｓｃｃｍ、Ｏ２流量１０ｓｃｃｍ、Ｈｅ流量８０ｓｃｃｍ、圧力３０Ｐａ、ＩＣＰパワー１００Ｗ、ＲＩＥパワー１５Ｗであった。
【００７６】
次に、ＩＣＰドライエッチング装置を用いたドライエッチングにより、導電層１２をマスクとして転写基板１６のエッチングを行った（図６（ｃ））。
このとき、転写基板１６である石英基板のエッチング条件は、Ｃ４Ｆ８流量１０ｓｃｃｍ、Ｏ２  流量１０〜２５ｓｃｃｍ、Ａｒ流量７５ｓｃｃｍ、圧力２Ｐａ、ＩＣＰパワー２００Ｗ、ＲＩＥパワー６５０Ｗであった。
【００７７】
以上より、実施例１で作製した多段インプリントモールド１９の多段構造パターンが凹凸反転した多段インプリントモールド１７を製造できた。
【００７８】
＜実施例５＞
作製した多段インプリントモールドを走査顕微鏡にて観察を行った。
【００７９】
図７（ａ）は、実施例１にて作製した多段インプリントモールド１９である。１層目と２層目のパターンがほぼ中心に存在していることが観察された。
図７（ｂ）は、従来の典型的なリソグラフィを用いて作製した多段インプリントモールド１７である。２層目パターンが１層目パターンの中心から右へ２５ｎｍ程度位置ズレが観察された。
したがって、実施例１にて示したインプリントモールド製造方法は、多段パターンの位置精度向上の効果も期待できる。
【産業上の利用可能性】
【００８０】
本発明のインプリントモールド製造方法は、多段パターンが求められる広範な分野に応用が期待できる。例えば、半導体デバイス、光学素子、配線回路、データストレージメディア（ハードディスク、光学メディアなど）、医療用部材（分析検査用チップ、マイクロニードルなど）、バイオデバイス（バイオセンサ、細胞培養基板など）、精密検査機器用部材（検査プローブ、試料保持部材など）、ディスプレイパネル、パネル部材、エネルギーデバイス（太陽電池、燃料電池など）、マイクロ流路、マイクロリアクタ、ＭＥＭＳデバイス、インプリントモールド、フォトマスク、ＥＵＶフォトマスクなどの分野に利用が期待される。
【符号の説明】
【００８１】
１１…レジスト材料
１２…導電層
１３…段差パターン
１４…レジストパターン
１５…倒壊したレジストパターン
１６…基板
１７…多段インプリントモールド
１８…段差パターン
１９…多段インプリントモールド
２０…転写材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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