(57)【要約】【課題】固体電解コンデンサの漏れ電流の増加を抑制する。【解決手段】表面に陽極酸化皮膜が形成された陽極体を有するコンデンサ素子を形成し（エッチング〜切り口化成・炭化処理）、このコンデンサ素子を酸化剤溶液に浸漬することによって、コンデンサ素子に酸化剤を含浸させ（酸化剤含浸工程）、その後、このコンデンサ素子をモノマー溶液に浸漬することによって、コンデンサ素子にモノマーを含浸させる（モノマー含浸工程）。このとき、酸化剤溶液またはモノマー溶液の少なくとも一方に、コロイダルシリカが添加されている。続いて、このコンデンサ素子に含浸させた酸化剤とモノマーとを化学重合させることによって、酸化皮膜上に導電性高分子からなる固体電解質を形成する（固体電解質形成工程）。【選択図】図４
2010087344.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に酸化皮膜が形成された陽極体を有するコンデンサ素子を形成するコンデンサ素子形成工程と、
前記コンデンサ素子を酸化剤溶液に浸漬することによって、前記コンデンサ素子に酸化剤を含浸させる酸化剤含浸工程と、
前記コンデンサ素子をモノマー溶液に浸漬することによって、前記コンデンサ素子にモノマーを含浸させるモノマー含浸工程と、
前記コンデンサ素子に含浸させた前記酸化剤と前記モノマーとを化学重合させることによって、前記酸化皮膜上に導電性高分子からなる固体電解質を形成する固体電解質形成工程とを備えており、
前記酸化剤溶液または前記モノマー溶液の少なくとも一方に、コロイダルシリカが添加されていることを特徴とする固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項２】
前記酸化剤溶液または前記モノマー溶液に添加される前記コロイダルシリカの濃度が、溶液全体に対し０．０１〜１０．０ｗｔ％の範囲にあることを特徴とする請求項１に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項３】
前記酸化剤溶液または前記モノマー溶液に添加される前記コロイダルシリカの粒径は、２〜２００ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１または２に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項４】
前記酸化剤が、ｐ−トルエンスルホン酸、メトキシベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ポリエチレンスルホン酸、およびフェノールスルホン酸のいずれか１種を含む遷移金属塩であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項５】
前記モノマーが、アニリン、ピロール、チオフェン、エチレンジオキシチオフェンおよびこれらの誘導体のいずれか１種を含んでいることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の固体電解コンデンサの製造方法。
【請求項６】
酸化皮膜が形成された陽極体を有しており、かつ前記酸化皮膜上に固体電解質が形成されたコンデンサ素子を備えた固体電解コンデンサであって、
前記固体電解質は、前記コンデンサ素子を、少なくともいずれか一方にコロイダルシリカが添加された酸化剤溶液およびモノマー溶液にそれぞれ浸漬し、前記コンデンサ素子に酸化剤およびモノマーを含浸させ、前記酸化剤と前記モノマーとを化学重合させることによって形成されることを特徴とする固体電解コンデンサ。
【請求項７】
前記固体電解質に含まれるコロイダルシリカの含有量が、シリコン換算で０．００７４〜７．４ｗｔ％であることを特徴とする請求項６に記載の固体電解コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体電解コンデンサの製造方法および固体電解コンデンサに関し、特に、導電性高分子からなる固体電解質を有する固体電解コンデンサの製造方法および固体電解コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
電解コンデンサのコンデンサ素子は、アルミニウム、タンタル、または、ニオブ等の弁作用金属からなり、表面に多数のエッチングピットや微細孔が形成された陽極体（陽極箔または焼結体）を有する。さらに、陽極体の表面には誘電体となる酸化皮膜が形成されており、陽極体からは陽極となる電極が引き出されている。酸化皮膜には電解質が接触しており、この電解質が、酸化皮膜からの電極の引き出しを行う真の陰極として機能する。
ここで、この真の陰極としての電解質は、電解コンデンサの電気特性に大きな影響を及ぼすことから、従来から、様々な種類の電解質を採用した電解コンデンサが提案されている。
【０００３】
その中でも、固体電解コンデンサは、導電性を有する固体の電解質が用いられている電解コンデンサであり、電解質が液状であるものに比べて高周波領域におけるインピーダンス特性に優れている。また、固体電解質としては、導電性高分子であるポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）等が広く用いられている。
【０００４】
この固体電解質を形成する方法としては、コンデンサ素子を酸化剤溶液とモノマー溶液との混合溶液に浸漬することによって、コンデンサ素子に酸化剤およびモノマーを含浸させて、コンデンサ素子の酸化皮膜上において、酸化剤とモノマーとの化学重合反応を促進させて形成する方法が知られている。
【０００５】
特許文献１では、上述のような固体電解質を形成する際に、酸化剤溶液またはモノマー溶液にフタル酸またはフタル酸塩を混合し、電解重合する方法により、溶液の化成性を高めて酸化皮膜の修復性を向上させて、漏れ電流を減少させることができることが知られている。
【０００６】
また、従来、種々の粒子を含む固体電解質が知られている。すなわち、特許文献２には、ＴＣＮＱ錯体を用いた固体電解質であって、コンデンサ素子が収納される金属ケース内でシリカ等の絶縁性微粉末を混合したＴＣＮＱ錯体を加熱液化してコンデンサ素子に含浸後冷却固化してなる固体電解質が開示されている。このように、絶縁性微粉末を混合することによって、冷却固化時の体積収縮を少なくし、残留歪みにより誘電体酸化皮膜の損傷を緩和する技術が知られている。
【０００７】
さらに、特許文献３には、固体電解質が、電解酸化重合や化学酸化重合によって形成される導電性高分子であって、導電性高分子を重合する際にアルミナ等の無機物の微粉末を系内に共存させて形成される技術が開示されている。このように、無機物を導電性高分子と併用することによって、コンデンサの漏れ電流の増加を抑えることができる。
【０００８】
加えて、特許文献４には、誘電体層上に、化学重合で得られた導電性高分子により固体電解質層を形成した後、シリカ等の非導電性のコロイド粒子を分散したコロイド溶液に浸漬する方法が開示されている。これにより、非導電性の粒子が誘電体層上に付着するので、固体電解質上に形成された陰極体を構成する粒子が誘電体層上に生じた欠陥部に付着して絶縁破壊が生じるのを防ぐことができる。
【０００９】
また、特許文献５には、誘電体皮膜が形成された陽極上に、複素五員環化合物溶液および酸化剤溶液を用いて化学酸化重合を行うことにより形成された固体電解質であって、上記いずれかの溶液にポリマー微粒子を含むコロイド溶液を添加して形成されたものが開示されている。これにより、陽極の微細孔と外側表面とに固体電解質層を確実に付着させることができる。
【００１０】
また、特許文献６には、固体電解質として機能する導電性高分子層であって、モノマー液にシリカ微粉末を分散した液を作製し、この液に焼結体を浸漬し、ついで酸化剤溶液に浸漬して複数回重合を行うことによって、多層に形成された導電性高分子層が開示されている。このようにして形成された、シリカ微粉末を含有する導電性高分子層は強度が増すので、導電性高分子層の下に形成されている酸化皮膜の損傷を防ぐことができる。
【特許文献１】特開平５−２４３０９８号公報
【特許文献２】特開平６−２６７７９９号公報
【特許文献３】特開平１−２９７８１１号公報
【特許文献４】特開２００４−４７８８６号公報
【特許文献５】特開平９−３０６７８８号公報
【特許文献６】特開平８−２１３２８５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記特許文献１の方法は、溶液の化成性を高めて、電解重合時に酸化皮膜を修復する場合には効果があるが、化学重合の場合は電気が印加されないので酸化皮膜を修復することができない。このため、固体電解コンデンサの漏れ電流の増加を十分に抑制することが難しいという問題があった。
また、上記特許文献２、３、６のように、シリカの微粉末を添加する方法では、固体電解質層内に微粉末であるシリカが均一に分散されないという問題があった。さらに、上記特許文献４のように、シリカ等のコロイドを酸化皮膜上に形成する場合、コロイド粒子を分散させた溶液に浸漬させる工程が別に必要であり、特許文献５の技術では、シリカ等のコロイドは酸化皮膜上にのみ形成され、固体電解質内には形成できないという問題があった。
【００１２】
本発明の目的は、自己修復性を高めて、漏れ電流の増加を抑制できる固体電解コンデンサの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の固体電解コンデンサの製造方法は、表面に酸化皮膜が形成された陽極体を有するコンデンサ素子を形成するコンデンサ素子形成工程と、
前記コンデンサ素子を酸化剤溶液に浸漬することによって、前記コンデンサ素子に酸化剤を含浸させる酸化剤含浸工程と、
前記コンデンサ素子をモノマー溶液に浸漬することによって、前記コンデンサ素子にモノマーを含浸させるモノマー含浸工程と、
前記コンデンサ素子に含浸させた前記酸化剤と前記モノマーとを化学重合させることによって、前記酸化皮膜上に導電性高分子からなる固体電解質を形成する固体電解質形成工程とを備えており、
前記酸化剤溶液または前記モノマー溶液の少なくとも一方に、コロイダルシリカが添加されている。
【００１４】
別の観点によると、本発明の固体電解コンデンサは、酸化皮膜が形成された陽極体を有しており、かつ前記酸化皮膜上に固体電解質が形成されたコンデンサ素子を備えた固体電解コンデンサであって、
前記固体電解質は、前記コンデンサ素子を、少なくともいずれか一方にコロイダルシリカが添加された酸化剤溶液およびモノマー溶液にそれぞれ浸漬し、前記コンデンサ素子に酸化剤およびモノマーを含浸させ、前記酸化剤と前記モノマーとを化学重合させることによって形成される。
【００１５】
これらの構成によると、酸化剤溶液とモノマー溶液との重合反応とは無関係に、コロイダルシリカによってコンデンサ素子の自己修復性を高めることが可能になる。これにより、漏れ電流の増加を抑制することができる。
【００１６】
なお、本発明においては、「酸化剤含浸工程」と「モノマー含浸工程」との順番は問わない。すなわち、「酸化剤含浸工程」を行った後に「モノマー含浸工程」を行ってもよいし、逆に「モノマー含浸工程」を行った後に「酸化剤含浸工程」を行ってもよい。
【００１７】
また、本発明の固体電解コンデンサの製造方法では、前記酸化剤溶液または前記モノマー溶液に添加される前記コロイダルシリカの濃度が、溶液全体に対して０．０１〜１０．０ｗｔ％の範囲にあることが好ましく、０．１〜１．０ｗｔ％の範囲にあることがより好ましい。
【００１８】
加えて、本発明の固体電解コンデンサの製造方法では、前記酸化剤溶液または前記モノマー溶液に添加される前記コロイダルシリカの粒径は、２〜２００ｎｍの範囲にあることが好ましく、２〜４ｎｍの範囲にあることがより好ましい。
【００１９】
本発明の発明者らは、酸化剤溶液またはモノマー溶液に添加されるコロイダルシリカの粒径が２〜２００ｎｍの範囲にあるとき、また、濃度が０．０１〜１０．０ｗｔ％の範囲の範囲にあるときに、固体電解コンデンサの漏れ電流の増加を効率よく抑制できることを見出した。
【００２０】
また、本発明の固体電解コンデンサの製造方法では、前記酸化剤が、ｐ−トルエンスルホン酸、メトキシベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ポリエチレンスルホン酸、およびフェノールスルホン酸のいずれか１種を含む遷移金属塩が好ましく、特に第二鉄塩が好ましい。
【００２１】
さらに、本発明の固体電解コンデンサの製造方法では、前記モノマーが、アニリン、ピロール、チオフェン、エチレンジオキシチオフェンおよびこれらの誘導体のいずれか１種を含んでいてもよい。
【００２２】
また、本発明の固体電解コンデンサは、前記固体電解質に含まれるコロイダルシリカの含有量が、シリコン換算で０．００７４〜７．４ｗｔ％であることが好ましく、０．０７５〜０．７５０ｗｔ％であることがより好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、従来技術よりさらに固体電解コンデンサの誘電体酸化皮膜の自己修復性を高めることができるため、漏れ電流の増加を抑制できる。さらに、固体電解質中にシリカが分散して存在するので、導電性高分子の量を少なくすることができ、低コスト化を図ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下、本発明の好適な実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００２５】
図１は、本発明の実施の形態にかかる製造方法により製造された固体電解コンデンサの概略構成を示す図である。なお、図１においては、その内部構造を示すため、一部分を断面で表している。図２は、図１に示すコンデンサ素子の分解斜視図である。
【００２６】
図１に示すように、本実施の形態にかかる固体電解コンデンサ（以下、単に「コンデンサ」と称する）１は、コンデンサ素子１０を端部に開口部８ａを有する有底筒状の金属ケース８に収納してなる。金属ケース８の開口部８ａは、封口材７によって封口されている。図２に示すように、コンデンサ素子１０は、長尺な陽極箔（陽極体）２と陰極箔３とが長尺なセパレータ４を介して巻回された構造を有している。
【００２７】
陽極箔２は、アルミニウム等の弁作用金属で形成されている。ここで、コンデンサ素子１０の積層構造を概略的に示す図である図３に示すように、陽極箔２の表面はエッチング処理により粗面化（エッチングピット形成）されているとともに、陽極酸化（化成）による陽極酸化皮膜２ａが形成されている。
また、陰極箔３についても陽極箔２と同様にアルミニウム等で形成されており、その表面は粗面化（エッチングピット形成）されるとともに、自然酸化皮膜（または陽極酸化皮膜）３ａが形成されている。陰極箔３は、基材金属にアルミニウム、チタン、窒化チタン、炭化チタン等を蒸着したものや、粗面化アルミニウム箔に炭素を蒸着、塗布したものでもよい。
陽極箔２および陰極箔３には、それぞれリードタブ（図示せず）が接続されており、図１、２に示すように、このリードタブを介して陽極箔２および陰極箔３からリード線６が引き出されている。
【００２８】
また、図３に示すように、セパレータ４の両面には導電性高分子からなる固体電解質５が保持されている。つまり、陽極箔２および陰極箔３とセパレータ４との間に固体電解質５が狭持されている。なお、本実施の形態の固体電解質５を構成する導電性高分子は、ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）である。
また、固体電解質５には、コロイダルシリカの微粒子が分散されており、その含有量はシリコン換算で０．００７〜１１．２ｗｔ％である。この固体電解質５は、酸化剤とモノマーとの化学重合により生成される。
【００２９】
次に、本実施の形態にかかるコンデンサ１の製造工程の一例について、図４を参照しつつ説明する。
【００３０】
［実施例１］
まず、電極の実効表面積を大きくするために、陽極箔２および陰極箔３の表面にエッチング処理を施して粗面化した（Ｓ１）。さらに、粗面化された陽極箔２の表面に化成処理を施して陽極酸化皮膜２ａを形成し、陰極箔３は、耐水性処理および／または熱処理にて自然酸化皮膜３ａを形成した（Ｓ２）。
そして、陽極酸化皮膜２ａ、自然酸化皮膜３ａが形成された陽極箔２と陰極箔３とを所定の寸法に裁断後、それぞれにリードタブを介してリード線６を接続するとともに、これら陽極箔２と陰極箔３とをセパレータ４を介して巻回した（Ｓ３）。その後、切り口化成・セパレータの炭化処理を行って（Ｓ４）、円筒形のコンデンサ素子１０を形成した（コンデンサ素子形成工程）。本発明では、定格２５Ｖ−２２μＦ用のコンデンサ素子を形成した。
【００３１】
次に、ステップＳ４で形成されたコンデンサ素子１０を、酸化剤溶液に浸漬することによって、コンデンサ素子１０に酸化剤を含浸させた後引き上げ、乾燥させた（Ｓ５：酸化剤含浸工程）。より詳細には、ステップＳ５においては、コンデンサ素子１０をｐ−トルエンスルホン酸第二鉄溶液に浸漬することによって、コンデンサ素子１０にｐ−トルエンスルホン酸第二鉄（酸化剤）を含浸させた後引き上げ、１６０℃で２０分間加熱し、乾燥させた。
【００３２】
その後、コンデンサ素子１０を、コロイダルシリカが添加されたモノマー溶液に浸漬することによって、コンデンサ素子１０にモノマーを含浸させた（Ｓ６：モノマー含浸工程）。より詳細には、ステップＳ６においては、平均粒径１０ｎｍのコロイダルシリカが０．５ｗｔ％の濃度で添加された３，４−エチレンジオキシチオフェン溶液にコンデンサ素子１０を浸漬することによって、３，４−エチレンジオキシチオフェン（モノマー）をコンデンサ素子１０に含浸させた後引き上げた。このとき、コロイド状のシリカ粒子は、コンデンサ素子１０の最外部だけでなく、素子内部の酸化皮膜の欠陥部にまで効率的に付着している。
【００３３】
続いて、重合槽内において１５０℃で６０分間加熱することで、含浸した酸化剤とモノマーとを化学重合させて、陽極箔２および陰極箔３とセパレータ４との間に、導電性高分子からなる固体電解質５を形成した（Ｓ７：固体電解質形成工程）。このとき、本実施の形態においては、酸化剤であるｐ−トルエンスルホン酸第二鉄と、モノマーである３，４−エチレンジオキシチオフェンとの化学重合により、導電性高分子であるＰＥＤＯＴが生成される。また、かかる導電性高分子内には、シリカの微粒子が分散されている。ここで、形成された固体電解質５中のシリコン含有量を分析すると０．３７０ｗｔ％であった。
【００３４】
その後、コンデンサ１の組立を行う（Ｓ８）。すなわち、ステップＳ７により固体電解質５が形成されたコンデンサ素子１０を金属ケース８に収容し、開口部８ａを封口材７によって封口する。最後に、定格電圧を印加し、エージング処理を施した（Ｓ９）。
【００３５】
以上のように、本実施の形態における固体電解コンデンサの製造方法では、陽極箔２と陰極箔３とをセパレータ４を介して巻回させてコンデンサ素子１０を形成するコンデンサ素子形成工程と、コンデンサ素子を酸化剤溶液に浸漬することによって、コンデンサ素子１０に酸化剤を含浸させる酸化剤含浸工程と、コンデンサ素子１０をコロイダルシリカが添加されたモノマー溶液に浸漬することによって、コンデンサ素子１０にモノマーを含浸させるモノマー含浸工程と、コンデンサ素子１０に含浸させた酸化剤とモノマーとを化学重合させることによって、導電性高分子からなる固体電解質５を形成する固体電解質形成工程とを備えている。
したがって、酸化剤溶液とモノマー溶液との重合反応とは無関係に、コロイダルシリカによってコンデンサ素子１０の自己修復性を高めることが可能になる。これにより、製造される固体電解コンデンサ１の漏れ電流の増加を抑制することができる。
【００３６】
＜比較試験＞
上述の実施例（実施例１）で述べた製造方法で製造されたコンデンサ１、ならびに以下に比較例１〜３、および実施例２〜２０として述べるコンデンサとを比較する比較試験を行った。比較例１〜３、および実施例２〜２０のコンデンサは、いずれも上述の実施例１のコンデンサ１の製造工程の一部を変更して製造したものである。なお、実施例１〜２０および比較例１〜３のコンデンサの定格は、いずれも２５Ｖ−２０μＦである。
【００３７】
（比較例１）
比較例１にかかるコンデンサは、上述の実施例１のコンデンサ１の製造方法におけるコンデンサ素子１０にモノマー含浸工程のみを変更して製造したものである。その他の製造工程は、実施例１と同じである。
【００３８】
具体的には、比較例１のコンデンサを製造する際には、コンデンサ素子形成工程で形成されたコンデンサ素子を、フタル酸が０．５ｗｔ％の濃度で添加された３，４−エチレンジオキシチオフェンに浸漬することによって、コンデンサ素子に３，４−エチレンジオキシチオフェンとを含浸させた。
さらに、コンデンサ素子を１５０℃で６０分間加熱し、ｐ−トルエンスルホン酸鉄と３，４−エチレンジオキシチオフェンとの化学重合により導電性高分子であるＰＥＤＯＴを生成し、固体電解質を形成した。
【００３９】
上述の実施例１および比較例１のコンデンサの電気特性（すなわち、静電容量、ｔａｎδ、等価直列抵抗および漏れ電流）の測定を行った。その測定結果を表１に示す。
【００４０】
【表１】
2010087344.tif 000003
【００４１】
表１に示すように、実施例１および比較例１のコンデンサの静電容量、ｔａｎδおよび等価直列抵抗は、いずれもほぼ同等の値である。しかしながら、実施例１のコンデンサ１の漏れ電流は、比較例１のコンデンサの漏れ電流より小さくなっている。
このように、コンデンサ素子を酸化剤溶液に浸漬させる酸化剤含浸工程の後に、コロイダルシリカが添加されたモノマー溶液に浸漬させるモノマー含浸工程を行うことによって、コンデンサ素子の漏れ電流の増加を抑制できることが確認された。
【００４２】
（比較例２、実施例２〜２０）
比較例２、および実施例２〜２０にかかるコンデンサは、上述の実施例１のモノマー含浸工程において、コンデンサ素子１０が浸漬されるモノマー溶液に添加されるコロイダルシリカの平均粒径および濃度のみを変更して製造したものである。その他の製造工程は、実施例１と同じである。なお、比較例２、および実施例２〜２０のコンデンサを製造する際におけるコロイダルシリカの平均粒径および濃度は、表２に示すとおりである。
【００４３】
（比較例３）
比較例３にかかるコンデンサは、上述の実施例１のモノマー含浸工程において、コンデンサ素子１０を浸漬するモノマー溶液に、コロイダルシリカの代わりに、シリカを添加して製造したものである。その他の製造工程は、実施例１と同じである。
【００４４】
上述の比較例２、３および実施例１〜２０のコンデンサの電気特性（すなわち、静電容量、ｔａｎδ、等価直列抵抗および漏れ電流）の測定を行った。その測定結果を表２に示す。
【００４５】
【表２】
2010087344.tif 000004
【００４６】
表２に示すように、実施例は比較例と比較してコンデンサの静電容量、ｔａｎδおよび等価直列抵抗がほぼ同等の値でありながら、漏れ電流が低減されていることが分かる。
さらに、モノマー溶液に添加されるコロイダルシリカの粒径は、２〜２００ｎｍであることが好適であり、特に、２〜４ｎｍの範囲がより好適であると確認された。また、モノマー溶液に添加されるコロイダルシリカの濃度は、０．０１〜１０ｗｔ％であることが好適であり、特に、０．１〜１．０ｗｔ％の範囲がより好適であると確認された。さらに、固体電解質中のシリコン含有量は、０．００７４〜７．４ｗｔ％であることが好適であり、特に、０．０７５〜０．７５ｗｔ％の範囲がより好適であると確認された。
【００４７】
以上、本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明は上述の実施の形態に限られるものではなく、特許請求の範囲に記載した限りにおいて、様々な設計変更を行うことが可能なものである。
【００４８】
例えば、上述の実施の形態では、コロイダルシリカをモノマー溶液に添加する場合について説明したが、コロイダルシリカを酸化剤溶液に添加しても同様の効果を得ることができる。また、酸化剤溶液およびモノマー溶液の両方にコロイダルシリカを添加してもよい。
【００４９】
また、上述の実施の形態では、酸化剤含浸工程を行った後に、モノマー含浸工程を行う場合について説明したが、モノマー含浸工程は酸化剤含浸工程の前に行ってもよい。
【００５０】
また、上述の実施の形態では、ＰＥＤＯＴを固体電解質５として用いる場合について説明したが、ＰＥＤＯＴ以外の公知の導電性高分子（例えば、ポリアニリン、ポリピロールおよびポリチオフェン）を固体電解質として用いてもよい。
【００５１】
さらに、上述の実施の形態では、ｐ−トルエンスルホン酸第二鉄を酸化剤として用いる場合について説明したが、ｐ−トルエンスルホン酸第二鉄以外の公知の有機スルホン酸系遷移金属塩（例えば、有機スルホン酸がメトキシベンゼンスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸、ポリエチレンスルホン酸、フェノールスルホン酸）を酸化剤として用いてもよい。
【００５２】
加えて、上述の実施の形態では、３，４−エチレンジオキシチオフェンをモノマーとして用いる場合について説明したが、３，４−エチレンジオキシチオフェン以外の公知の物質（例えば、アニリンやピロールおよびこれらの誘導体）をモノマーとして用いてもよい。
【００５３】
さらに、上述の実施の形態では、巻回形のコンデンサ素子１０を有する固体電解コンデンサ１について説明したが、本発明は、アルミニウム箔の積層形のコンデンサ素子、タンタルやニオブの焼結体を有する固体電解コンデンサについても適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】本発明の実施の形態にかかる製造方法で製造された固体電解コンデンサの概略構成を示す図である。
【図２】図１に示すコンデンサ素子の分解斜視図である。
【図３】図２に示すコンデンサ素子の積層構造を概略的に示す図である。
【図４】図１に示す固体電解コンデンサの製造工程を示す図である。
【符号の説明】
【００５５】
１  固体電解コンデンサ
２  陽極箔
２ａ  陽極酸化皮膜
５  固体電解質
１０  コンデンサ素子
【図１】
2010087344.tif 000005
【図２】
2010087344.tif 000006
【図３】
2010087344.tif 000007
【図４】
2010087344.tif 000008