(57)【要約】      （修正有）【課題】他の回路に直流電圧を供給する必要がある場合に有用で、電源供給回路を経由して侵入するノイズに対する対策を施した複合バランを提供する。【解決手段】第１結合線路Ｌ１１、Ｌ２１、Ｌ３１は、一端が不平衡端子Ｔ１８、Ｔ１５、Ｔ１２に接続されており、第２結合線路Ｌ１２、Ｌ２２、Ｌ３２は、一端が第１結合線路Ｌ１１、Ｌ２１、Ｌ３１の他端に接続されている。第３結合線路Ｌ１３、Ｌ２３、Ｌ３３は、第１結合線路Ｌ１１、Ｌ２１、Ｌ３１に電磁結合し、一端が第１平衡端子Ｔ２、Ｔ５、Ｔ８に接続され、他端が直流電圧供給端子Ｔ２０に接続されている。第４結合線路Ｌ１４、Ｌ２４、Ｌ３４は、第２結合線路Ｌ１２、Ｌ２２、Ｌ３２に電磁結合し、一端が第２平衡端子Ｔ１、Ｔ６、Ｔ９に接続され、他端が直流電圧供給端子Ｔ２０に接続されている。キャパシタＣ１は、一端が、直流電圧供給端子Ｔ２０に接続され、他端が接地端子に導かれる。【選択図】図２
2010278514.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数個のバランと、少なくとも１つのキャパシタと、直流電圧供給端子とを含む複合バランであって、
前記複数個のバラン及び前記キャパシタは、１つのチップ内に内蔵されており、
前記バランのそれぞれは、第１乃至第４結合線路と、第１平衡端子と、第２平衡端子と、不平衡端子とを含んでおり、
前記第１結合線路は、一端が前記不平衡端子に接続されており、
前記第２結合線路は、一端が前記第１結合線路の他端に接続されており、
前記第３結合線路は、前記第１結合線路に電磁結合し、一端が前記第１平衡端子に接続され、他端が前記直流電圧供給端子に接続されており、
前記第４結合線路は、前記第２結合線路に電磁結合し、一端が前記第２平衡端子に接続され、他端が前記直流電圧供給端子に接続されており、
前記キャパシタは、一端が、前記直流電圧供給端子に接続され、他端が接地端子に導かれている。
【請求項２】
請求項１に記載された複合バランであって、前記キャパシタは、前記複数のバランにおいて、共用されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、平衡伝送線路と不平衡伝送線路とを結合する複合バランに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、高周波回路における伝送線路の平衡−不平衡変換器として、チップ状の積層型バランが知られている。バランは、通常、一対の平衡伝送線路を構成する第１及び第２線路部と、この平衡伝送線路に電磁結合する一つの不平衡伝送線路を構成する第３及び第４線路部と、グランド電極と、複数の誘電体シートとを積み重ねて構成した積層体を備えている。そして、第１線路部と第３線路部が誘電体シートを挟んで対向する部分で電磁結合して結合器を構成し、同様に、第２線路部と第４線路部が誘電体シートを挟んで対向する部分で電磁結合して結合器を構成する。
【０００３】
ところが、従来の積層型バランは、一つのチップに一つのバランしか内蔵していなかったため、例えば、複数のバランを携帯電話などの移動体通信機、無線ＬＡＮなどに組み込む必要がある場合には、複数個分の実装面積をプリント基板上に確保する必要があった。従って、通信機の大型化を招くという問題があった。
【０００４】
上述した問題点を解決する試みは既になされている。例えば、特許文献１は、複数のバランを備え、バランのそれぞれが、一対の平衡伝送線路と、一対の平衡伝送線路に誘電体層を介して電磁結合する一つの不平衡伝送線路と、平衡伝送線路及び不平衡伝送線路の少なくともいずれか一方の伝送線路に誘電体層を介して対置しているグランド電極と、複数の誘電体層とを積み重ねて構成された積層型複合バランを開示している。
【０００５】
ところで、複合バランを移動体通信機の電力増幅器ＰＡの前段に挿入し、電力増幅器に対する差動入力を予めバランから供給する場合や、複合バランを無線周波数集積回路ＲＦＩＣの後段に配置し、バランを介して無線周波数集積回路ＲＦＩＣに電源を供給する場合は、複合バランを通して、電力増幅器ＰＡや、無線周波数集積回路ＲＦＩＣに直流電圧を供給する必要がある。特許文献１には、そのような要求を満たすための構成が開示されていない。また、複合バランを通して、電力増幅器ＰＡや、無線周波数集積回路ＲＦＩＣに直流電圧を供給するとすれば、電源供給回路を経由して侵入するノイズに対する対策が必要であるところ、そのような手段についても、特許文献１には開示するところがない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−３２９６１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の課題は、電力増幅器や、無線周波数集積回路に直流電圧を供給する必要がある場合に有用な複合バランを提供することである。
【０００８】
本発明のもう一つの課題は、電力増幅器や、無線周波数集積回路に直流電圧を供給する必要がある場合に、電源供給回路を経由して侵入するノイズに対する対策を施した複合バランを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決するため、本発明に係る複合バランは、複数個のバランと、少なくとも１つのキャパシタと、直流電圧供給端子とを含む。前記複数個のバラン及び前記キャパシタは、１つのチップ内に内蔵されている。前記バランのそれぞれは、第１乃至第４結合線路と、第１平衡端子と、第２平衡端子と、不平衡端子とを含んでいる。前記第１結合線路は、一端が前記不平衡端子に接続されており、前記第２結合線路は、一端が前記第１結合線路の他端に接続されている。前記第３結合線路は、前記第１結合線路に電磁結合し、一端が前記第１平衡端子に接続され、他端が前記直流電圧供給端子に接続されており、前記第４結合線路は、前記第２結合線路に電磁結合し、一端が前記第２平衡端子に接続され、他端が前記直流電圧供給端子に接続されている。前記キャパシタは、一端が、前記直流電圧供給端子に接続され、他端が接地端子に導かれている。
【００１０】
上述したように、本発明に係る複合バランは、その主要部である複数個のバランは、１つのチップ内に内蔵されているから、複数のバランを携帯電話などの移動体通信機、無線ＬＡＮなどに組み込む場合には、１数個分の実装面積をプリント基板上に確保すればよく、小型化の要請に応えることができる。
【００１１】
複数のバランのそれぞれにおいて、第１結合線路は、一端が不平衡端子に接続されており、第２結合線路は、一端が第１結合線路の他端に接続されており、第３結合線路は、第１結合線路に電磁結合し、一端が第１平衡端子に接続され、第４結合線路は、第２結合線路に電磁結合し、一端が第２平衡端子に接続されているから、第３及び第４結合線路を平衡伝送線路とし、第１及び第２結合線路を不平衡伝送線路とする複合バランが得られる。
【００１２】
第３結合線路は、他端が直流電圧供給端子に接続されており、第４結合線路は他端が直流電圧供給端子に接続されているから、電力増幅器や、無線周波数集積回路に直流電圧を供給する必要がある場合に、複合バランを通して直流電圧を供給しえる使い勝手のよい複合バランが得られる。
【００１３】
更に、一端が直流電圧供給端子に接続され、他端が接地端子に導かれているキャパシタを含んでいるから、電源供給回路を経由して侵入するノイズをキャパシタによって吸収し得る。しかも、このキャパシタは、複数個のバランと共に、１つのチップ内に内蔵されているから、複合バランにキャパシタを外付けする場合と対比して、ユーザ側の実装作業が容易になるとともに、回路基板上で見た実装面積が縮小される。
【発明の効果】
【００１４】
以上述べたように、本発明によれば、次のような効果を得ることができる。
（ａ）電力増幅器や、無線周波数集積回路に直流電圧を供給する必要がある場合に有用な複合バランを提供することができる。
（ｂ）電力増幅器や、無線周波数集積回路に直流電圧を供給する必要がある場合に、電源供給回路を経由して侵入するノイズを阻止しえる複合バランを提供することができる。
【００１５】
本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。添付図面は、単に、例示に過ぎない。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明に係る複合バランの構成を示す回路図である。
【図２】本発明に係る複合バランの別の例を示す回路図である。
【図３】図２に示した複合バランの使用状態を示す回路図である。
【図４】本発明に係る複合バランの積層構造を示す分解図である。
【図５】本発明に係る複合バランを構成するチップを底面側から見た端子配置を示す図である。
【図６】図５に示した積層構造のうち、キャパシタの積層構造を示す斜視図である。
【図７】図５に示した積層構造のうち、バラン主要部の積層構造を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１を参照すると、本発明に係る複合バランは、複数個のバランＢＬ１〜ＢＬ３と、少なくとも１つのキャパシタＣ１１〜Ｃ１３と、直流電圧供給端子Ｔ２０とを含む。バランＢＬ１〜ＢＬ３は、図示では３個であるが、２個以上あればよい。キャパシタＣ１１〜Ｃ１３は、基本的には、バランＢＬ１〜ＢＬ３の個数に対応する。
【００１８】
バランＢＬ１〜ＢＬ３及びキャパシタＣ１１〜Ｃ１３は、１つのチップ１内に内蔵されている。このようなチップ１は、通常は、６面体状のセラミック誘電体で構成され、その内部に必要な導体パターンを層状に埋設し、層間に配置された貫通電極によって、導体パターンを導通させることによって得られる。
【００１９】
バランＢＬ１〜ＢＬ３のそれぞれは、第１乃至第４結合線路（Ｌ１１〜Ｌ１４）〜（Ｌ３１〜Ｌ３４）と、第１平衡端子（Ｔ２、Ｔ５、Ｔ８）と、第２平衡端子（Ｔ１、Ｔ６、Ｔ９）と、不平衡端子（Ｔ１５、Ｔ１８、Ｔ１２）とを含んでいる。
【００２０】
バランＢＬ１〜ＢＬ３は、基本的な構成が互いに一致している。もっとも、共振周波数は互いに異なるので、結合線路のパターン及び長さなどは異なる。バランＢＬ１〜ＢＬ３について、個別的に説明すると次のとおりである。まず、バランＢＬ１において、第１結合線路Ｌ１１は、一端が不平衡端子Ｔ１８に接続されており、第２結合線路Ｌ１２は、一端が第１結合線路Ｌ１１の他端に接続されている。第３結合線路Ｌ１３は、第１結合線路Ｌ１１に電磁結合し、一端が第１平衡端子Ｔ２に接続され、他端が直流電圧供給端子Ｔ２０に接続されており、第４結合線路Ｌ１４は、第２結合線路Ｌ１２に電磁結合し、一端が第２平衡端子Ｔ１に接続され、他端が直流電圧供給端子Ｔ２０に接続されている。第１乃至第４結合線路Ｌ１１〜Ｌ１４は、対象とする周波数信号の波長λに対して、λ/４の線路長を有するストリップラインとして構成される。第１結合線路Ｌ１１と第３結合線路Ｌ１３は、セラミック誘電体層を間に挟んで互いに対向し、それによって、電磁結合を生じさせる。第２結合線路Ｌ１２と第４結合線路Ｌ１４も同様であって、セラミック誘電体層を間に挟んで互いに対向し、それによって、電磁結合を生じさせる。
【００２１】
キャパシタＣ１１は、一端が、直流電圧供給端子Ｔ２０に接続され、他端が接地端子に導かれている。キャパシタＣ１１は、チップを構成するセラミック誘電体層を挟んで互いに対向する少なくとも一対の電極を含んでおり、セラミック誘電体層の誘電率、厚み、及び電極面積によって定まる。
【００２２】
次に、バランＢＬ２において、第１結合線路Ｌ２１は、一端が不平衡端子Ｔ１５に接続されており、第２結合線路Ｌ２２は、一端が第１結合線路Ｌ２１の他端に接続されている。第３結合線路Ｌ２３は、第１結合線路Ｌ２１に電磁結合し、一端が第１平衡端子Ｔ５に接続され、他端が直流電圧供給端子Ｔ２０に接続されている。第４結合線路Ｌ２４は、第２結合線路Ｌ２２に電磁結合し、一端が第２平衡端子Ｔ６に接続され、他端が直流電圧供給端子Ｔ２０に接続されている。第１乃至第４結合線路Ｌ２１〜Ｌ２４も、対象とする周波数信号の波長λに対して、λ/４の線路長を有するストリップラインとして構成される。第１結合線路Ｌ２１と第３結合線路Ｌ２３は、誘電体層を間に挟んで互いに対向し、それによって、電磁結合を生じさせる。第２結合線路Ｌ２２と第４結合線路Ｌ２４も同様であって、誘電体層を間に挟んで互いに対向し、それによって、電磁結合を生じさせる。
【００２３】
キャパシタＣ１２は、一端が、直流電圧供給端子Ｔ２０に接続され、他端が接地端子に導かれている。キャパシタＣ１２は、チップを構成するセラミック誘電体層を挟んで互いに対向する少なくとも一対の電極を含んでおり、セラミック誘電体層の誘電率、厚み、及び電極面積によって定まる。
【００２４】
更に、バランＢＬ３において、第１結合線路Ｌ３１は、一端が不平衡端子Ｔ１２に接続されており、第２結合線路Ｌ３２は、一端が第１結合線路Ｌ３１の他端に接続されている。第３結合線路Ｌ３３は、第１結合線路Ｌ３１に電磁結合し、一端が第１平衡端子Ｔ８に接続され、他端が直流電圧供給端子Ｔ２０に接続されており、第４結合線路Ｌ３４は、第２結合線路Ｌ３２に電磁結合し、一端が第２平衡端子Ｔ９に接続され、他端が直流電圧供給端子Ｔ２０に接続されている。第１乃至第４結合線路Ｌ３１〜Ｌ３４は、対象とする周波数信号の波長λに対して、λ/４の線路長を有するストリップラインとして構成される。第１結合線路Ｌ３１と第３結合線路Ｌ３３は、セラミック誘電体層を間に挟んで互いに対向し、それによって、電磁結合を生じさせる。第２結合線路Ｌ３２と第４結合線路Ｌ３４も同様であって、セラミック誘電体層を間に挟んで互いに対向し、それによって、電磁結合を生じさせる。
【００２５】
キャパシタＣ１３は、一端が、直流電圧供給端子Ｔ２０に接続され、他端が接地端子に導かれている。キャパシタＣ１３は、チップを構成するセラミック誘電体層を挟んで互いに対向する少なくとも一対の電極を含んでおり、セラミック誘電体層の誘電率、厚み、及び電極面積によって定まる。
【００２６】
上述したように、本発明に係る複合バランは、その主要部である複数個のバランＢＬ１〜ＢＬ３は、１つのチップ１内に内蔵されているから、複数のバランＢＬ１〜ＢＬ３を携帯電話などの移動体通信機、無線ＬＡＮなどに組み込む場合には、１個分の実装面積をプリント基板上に確保すればよく、小型化の要請に応えることができる。
【００２７】
複数のバランＢＬ１〜ＢＬ３のそれぞれにおいて、第１結合線路（Ｌ１１、Ｌ２１、Ｌ３１）は、一端が不平衡端子（Ｔ１８、Ｔ１５、Ｔ１２）に接続されており、第２結合線路（Ｌ１２、Ｌ２２、Ｌ３２）は、一端が第１結合線路（Ｌ１１、Ｌ２１、Ｌ３１）の他端に接続されており、第３結合線路（Ｌ１３、Ｌ２３、Ｌ３３）は、第１結合線路（Ｌ１１、Ｌ２１、Ｌ３１）に電磁結合され、一端が第１平衡端子（Ｔ２、Ｔ５、Ｔ８）に接続され、第４結合線路（Ｌ１４、Ｌ２４、Ｌ３４）は、第２結合線路（Ｌ１２、Ｌ２２、Ｌ３２）に電磁結合され、一端が第２平衡端子（Ｔ１、Ｔ６、Ｔ９）に接続されているから、第３及び第４結合線路（Ｌ１３、Ｌ２３、Ｌ３３）、（Ｌ１４、Ｌ２４、Ｌ３４）を平衡伝送線路とし、第１及び第２結合線路（Ｌ１１、Ｌ２１、Ｌ３１）、（Ｌ１２、Ｌ２２、Ｌ３２）を不平衡伝送線路とする複合バランが得られる。
【００２８】
第３結合線路（Ｌ１３、Ｌ２３、Ｌ３３）は、他端が直流電圧供給端子Ｔ２０に接続されており、第４結合線路（Ｌ１４、Ｌ２４、Ｌ３４）は、他端が直流電圧供給端子Ｔ２０に接続されているから、電力増幅器や、無線周波数集積回路に直流電圧を供給する必要がある場合に、複合バランを通して直流電圧を供給しえる使い勝手のよい複合バランが得られる。
【００２９】
更に、一端が直流電圧供給端子Ｔ２０に接続され、他端が接地端子に導かれているキャパシタＣ１１〜Ｃ１３を含んでいるから、電源供給回路を経由して侵入するノイズをキャパシタＣ１１〜Ｃ１３によって吸収し得る。しかも、このキャパシタＣ１１〜Ｃ１３は、複数個のバランＢＬ１〜ＢＬ３と共に、１つのチップ１内に内蔵されているから、複合バランにキャパシタＣ１１〜Ｃ１３を外付けする場合と対比して、ユーザ側の実装作業が容易になるとともに、回路基板上で見た実装面積が縮小される。
【００３０】
次に、図２を参照して、本発明に係る複合バランの他の実施の形態を説明する。図２において、図１に現れた構成部分と同一性のある構成部分については、同一の参照符号を付し、重複説明は、これを省略する。この実施の形態の特徴は、キャパシタＣ１が、複数のバランＢＬ１〜ＢＬ３において、共用されていることである。即ち、バランＢＬ１〜ＢＬ３は複数であるが、キャパシタＣ１は、回路上、一個だけである。複数個のキャパシタを並列接続、または、直列接続する場合でも、電気回路上、等価的に一個のキャパシタとして表現される場合は、ここにいう一個のキャパシタである。
【００３１】
上記構成であれば、複数個のバランＢＬ１〜ＢＬ３を備えながら、キャパシタＣ１は一個で済むので、小型化をより進展させることができる。また、実際に製品化する場合の積層構造を単純化し、小型化及びコストダウンに資することができる。
【００３２】
次に、図３を参照して、図２に示した複合バランの使用した一例を説明する。図１に示した複合バランも同様の状態で用いることができる。バランＢＬ１〜ＢＬ３の不平衡端子Ｔ１８、Ｔ１５及びＴ１２のそれぞれには、電力増幅器ＰＡ１〜ＰＡ３が接続されており、対の平衡端子（Ｔ２、Ｔ１）、（Ｔ５、Ｔ６）及び（Ｔ８、Ｔ９）のそれぞれには、無線周波数集積回路ＲＦＩＣ１〜ＲＦＩＣ４が接続されている。バランＢＬ１〜ＢＬ３のそれぞれは、平衡信号を扱う無線周波数集積回路ＲＦＩＣ１〜ＲＦＩＣ４と、不平衡信号を扱う電力増幅器ＰＡ１〜ＰＡ３との間に介在し、平衡−不平衡変換器として動作する。
【００３３】
この場合、既に述べたように、本発明に係る複合バランでは、第３結合線路（Ｌ１３、Ｌ２３、Ｌ３３）は、他端が直流電圧供給端子Ｔ２０に接続されており、第４結合線路（Ｌ１４、Ｌ２４、Ｌ３４）は、他端が直流電圧供給端子Ｔ２０に接続されているから、直流電圧を供給する必要のある電力増幅器ＰＡ１〜ＰＡ３及び無線周波数集積回路ＲＦＩＣ１〜ＲＦＩＣ４に対し、複合バランを通して直流電圧Ｖｃｃを供給しえる。
【００３４】
更に、一端が直流電圧供給端子Ｔ２０に接続され、他端が接地端子ＧＲＯＵＮＤに導かれているキャパシタＣ１を含んでいるから、電源供給回路を経由して侵入するノイズをキャパシタＣ１によって吸収し得る。しかも、このキャパシタＣ１は、複数個のバランＢＬ１〜ＢＬ３と共に、１つのチップ１内に内蔵されているから、複合バランにキャパシタＣ１を外付けする場合と対比して、ユーザ側の実装作業が容易になるとともに、回路基板上で見た実装面積が縮小される。
【００３５】
次に、図２に図示した複合バランについて、図４〜図７を参照し、その具体的な積層構造を説明する。まず、図４を参照すると、誘電体層ＬＹ１〜ＬＹ１８を順次に積層した構造が記載されている。誘電体層ＬＹ１〜ＬＹ１８は、何れも、セラミック誘電体シートを積層した後焼成して一体化されたもので、実際には図示の分解された状態にはない。図４は、単に構造を説明するために各層に分解して示したものである。
【００３６】
まず、最下層の誘電体層ＬＹ１は、図４にも拡大して示すように、下面の周辺部に端子Ｔ１〜Ｔ２０が所定の間隔を隔てて配置されている。端子Ｔ１〜Ｔ２０は、誘電体層ＬＹ１の下面に限って形成してあるので、複合バランを基板に実装する場合、接続用半田のフィレットが形成されることがない。このため、実装面積が縮小される。端子Ｔ１〜Ｔ２０のうち、端子Ｔ１はバランＢＬ１の第２平衡端子、端子Ｔ２は同じく第１平衡端子、端子Ｔ５、Ｔ６はバランＢＬ２の第１及び第２平衡端子、端子Ｔ８、Ｔ９はバランＢＬ３の第１及び第２平衡端子を、それぞれ構成する。また、端子Ｔ１８はバランＢＬ１の不平衡端子、端子１５はバランＢＬ２の不平衡端子、端子１２はバランＢＬ３の不平衡端子である。残りの端子Ｔ３、Ｔ４、Ｔ７、Ｔ１０、Ｔ１１、Ｔ１３、Ｔ１４、Ｔ１６、Ｔ１７及びＴ１９は、接地端子として用いられる。端子Ｔ２０は直流電圧供給端子である。
【００３７】
次に、誘電体層ＬＹ１の上に順次に重なる誘電体層ＬＹ２、ＬＹ３及びＬＹ４は、図２に示したキャパシタＣ１を構成する。キャパシタＣ１は、図６にも拡大して示すように、中間部の誘電体層ＬＹ３の表面に形成された電極Ｅ１と、その下に位置する誘電体層ＬＹ２の表面に形成された接地電極Ｇ１との間に生じるキャパシタＣ０１、及び、誘電体層ＬＹ３の電極Ｅ１とその上に位置する誘電体層ＬＹ４の表面に形成された接地電極Ｇ２との間に生じるキャパシタＣ０２を並列接続した構造となる。従って、キャパシタＣ１のキャパシタンスＣ１は、Ｃ１＝Ｃ０１+Ｃ０２となる。
【００３８】
誘電体層ＬＹ４の上に位置する誘電体層ＬＹ５は、貫通電極Ｈの群を設けたスペーサ層であり、その上に、配線パターン群Ｐ１を有する誘電体層ＬＹ６及び配線パターン群Ｐ２を有する誘電体層ＬＹ７が順次に重なる。
【００３９】
誘電体層ＬＹ７の上に順次に重なる誘電体層ＬＹ８〜ＬＹ１５は、バランＢＬ１〜ＢＬ３の第１結合線路〜第４結合線路を構成するために用いられる。その詳細は、図７に図示されている。図７を参照するに、まず、誘電体層ＬＹ８の一面上には、バランＢＬ１の第４結合線路Ｌ１４を構成するストリップ状導体及び同じく第３結合線路Ｌ１３を構成するストリップ状導体が、間隔を隔てて一方向に横並びに配置されている。第３結合線路Ｌ１３の横方向には、間隔をへだてて、バランＢＬ２の第３結合線路Ｌ２３を構成するストリップ状導体及び同じく第４結合線路Ｌ２４を構成するストリップ状導体が、互いに間隔を隔てて一方向に横並びに配置されている。更に、バランＢＬ２の第４結合線路Ｌ２４の横方向には、間隔をへだてて、バランＢＬ３の第３結合線路Ｌ３３を構成するストリップ状導体及び同じく第４結合線路Ｌ３４を構成するストリップ状導体が、互いに間隔を隔てて一方向に横並びに配置されている。
【００４０】
次に、誘電体層ＬＹ８の上に重なる誘電体層ＬＹ９の一面上には、バランＢＬ１の第２結合線路Ｌ１２を構成するストリップ状導体及び同じく第１結合線路Ｌ１１を構成するストリップ状導体が、間隔を隔てて一方向に横並びに配置されている。第１結合線路Ｌ１１の横方向には、間隔をへだてて、バランＢＬ２の第１結合線路Ｌ２１を構成するストリップ状導体及び同じく第２結合線路Ｌ２２を構成するストリップ状導体が、互いに間隔を隔てて一方向に横並びに配置されている。更に、バランＢＬ２の第２結合線路Ｌ２２の横方向には、間隔をへだてて、バランＢＬ３の第１結合線路Ｌ３１を構成するストリップ状導体及び同じく第２結合線路Ｌ３２を構成するストリップ状導体が、互いに間隔を隔てて一方向に横並びに配置されている。
【００４１】
従って、誘電体層ＬＹ８と誘電体層ＬＹ９との間では、バランＢＬ１に関して、第１結合線路Ｌ１１と第３結合線路Ｌ１３、及び、第２結合線路Ｌ１２と第４結合線路Ｌ１４が、誘電体層ＬＹ９を介して、電磁結合することになる。バランＢＬ２に関しては、第１結合線路Ｌ２１と第３結合線路Ｌ２３、及び、第２結合線路Ｌ２２と第４結合線路Ｌ２４が、誘電体層ＬＹ９を介して、電磁結合する。更に、バランＢＬ３に関しては、第１結合線路Ｌ３１と第３結合線路Ｌ３３、及び、第２結合線路Ｌ３２と第４結合線路Ｌ３４が、誘電体層ＬＹ９を介して、電磁結合する。
【００４２】
次に、誘電体層ＬＹ９の上に重なる誘電体層ＬＹ１０の一面上には、バランＢＬ１の第４結合線路Ｌ１４を構成するストリップ状導体、及び、同じく第３結合線路Ｌ１３を構成するストリップ状導体が、間隔を隔てて一方向に横並びに配置されている。第３結合線路Ｌ１３の横方向には、間隔をへだてて、バランＢＬ２の第３結合線路Ｌ２３を構成するストリップ状導体、及び、同じく第４結合線路Ｌ２４を構成するストリップ状導体が、互いに間隔を隔てて一方向に横並びに配置されている。更に、バランＢＬ２の第４結合線路Ｌ２４の横方向には、間隔をへだてて、バランＢＬ３の第３結合線路Ｌ３３を構成するストリップ状導体、及び、同じく第４結合線路Ｌ３４を構成するストリップ状導体が、互いに間隔を隔てて一方向に横並びに配置されている。
【００４３】
従って、誘電体層ＬＹ９と誘電体層ＬＹ１０との間では、バランＢＬ１に関しては、第１結合線路Ｌ１１と第３結合線路Ｌ１３、及び、第２結合線路Ｌ１２と第４結合線路Ｌ１４が、誘電体層ＬＹ１０を介して、電磁結合することになる。バランＢＬ２に関しては、第１結合線路Ｌ２１と第３結合線路Ｌ２３、及び、第２結合線路Ｌ２２と第４結合線路Ｌ２４が、誘電体層ＬＹ１０を介して、電磁結合する。更に、バランＢＬ３に関しては、第１結合線路Ｌ３１と第３結合線路Ｌ３３、及び、第２結合線路Ｌ３２と第４結合線路Ｌ３４が、誘電体層ＬＹ１０を介して、電磁結合する。
【００４４】
次に、誘電体層ＬＹ１０の上に重なる誘電体層ＬＹ１１の一面上には、バランＢＬ１の第２結合線路Ｌ１２を構成するストリップ状導体、及び、同じく第１結合線路Ｌ１１を構成するストリップ状導体が、間隔を隔てて一方向に横並びに配置されている。第１結合線路Ｌ１１の横方向には、間隔をへだてて、バランＢＬ２の第１結合線路Ｌ２１を構成するストリップ状導体、及び、同じく第２結合線路Ｌ２２を構成するストリップ状導体が、互いに間隔を隔てて一方向に横並びに配置されている。更に、バランＢＬ２の第２結合線路Ｌ２２の横方向には、間隔をへだてて、バランＢＬ３の第１結合線路Ｌ３１を構成するストリップ状導体及び同じく第２結合線路Ｌ３２を構成するストリップ状導体が、互いに間隔を隔てて一方向に横並びに配置されている。
【００４５】
従って、誘電体層ＬＹ１０と誘電体層ＬＹ１１との間では、バランＢＬ１に関しては、第１結合線路Ｌ１１と第３結合線路Ｌ１３、及び、第２結合線路Ｌ１２と第４結合線路Ｌ１４が、誘電体層ＬＹ１１を介して、電磁結合することになる。バランＢＬ２に関しては、第１結合線路Ｌ２１と第３結合線路Ｌ２３、及び、第２結合線路Ｌ２２と第４結合線路Ｌ２４が、誘電体層ＬＹ１１を介して、電磁結合する。更に、バランＢＬ３に関しては、第１結合線路Ｌ３１と第３結合線路Ｌ３３、及び、第２結合線路Ｌ３２と第４結合線路Ｌ３４が、誘電体層ＬＹ１１を介して、電磁結合する。
【００４６】
更に、誘電体層ＬＹ１１の上に重なる誘電体層ＬＹ１２の一面上には、バランＢＬ１の第４結合線路Ｌ１４を構成するストリップ状導体、及び、同じく第３結合線路Ｌ１３を構成するストリップ状導体が、間隔を隔てて一方向に横並びに配置されている。第３結合線路Ｌ１３の横方向には、間隔をへだてて、バランＢＬ２の第３結合線路Ｌ２３を構成するストリップ状導体、及び、同じく第４結合線路Ｌ２４を構成するストリップ状導体が、互いに間隔を隔てて一方向に横並びに配置されている。更に、バランＢＬ２の第４結合線路Ｌ２４の横方向には、間隔をへだてて、バランＢＬ３の第３結合線路Ｌ３３を構成するストリップ状導体、及び、同じく第４結合線路Ｌ３４を構成するストリップ状導体が、互いに間隔を隔てて一方向に横並びに配置されている。
【００４７】
従って、誘電体層ＬＹ１１と誘電体層ＬＹ１２との間では、バランＢＬ１に関しては、第１結合線路Ｌ１１と第３結合線路Ｌ１３、及び、第２結合線路Ｌ１２と第４結合線路Ｌ１４が、誘電体層ＬＹ１２を介して、電磁結合することになる。バランＢＬ２に関しては、第１結合線路Ｌ２１と第３結合線路Ｌ２３、及び、第２結合線路Ｌ２２と第４結合線路Ｌ２４が、誘電体層ＬＹ１２を介して、電磁結合する。更に、バランＢＬ３に関しては、第１結合線路Ｌ３１と第３結合線路Ｌ３３、及び、第２結合線路Ｌ３２と第４結合線路Ｌ３４が、誘電体層ＬＹ１２を介して、電磁結合する。
【００４８】
誘電体層ＬＹ１２の上に重なる誘電体層ＬＹ１３の一面上には、バランＢＬ１の第２結合線路Ｌ１２を構成するストリップ状導体、及び、同じく第１結合線路Ｌ１１を構成するストリップ状導体が、間隔を隔てて一方向に横並びに配置されている。第１結合線路Ｌ１１の横方向には、間隔をへだてて、バランＢＬ２の第１結合線路Ｌ２１を構成するストリップ状導体、及び、同じく第２結合線路Ｌ２２を構成するストリップ状導体が、互いに間隔を隔てて一方向に横並びに配置されている。更に、バランＢＬ２の第２結合線路Ｌ２２の横方向には、間隔をへだてて、バランＢＬ３の第１結合線路Ｌ３１を構成するストリップ状導体及び同じく第２結合線路Ｌ３２を構成するストリップ状導体が、互いに間隔を隔てて一方向に横並びに配置されている。
【００４９】
従って、誘電体層ＬＹ１２と誘電体層ＬＹ１３との間では、バランＢＬ１に関しては、第１結合線路Ｌ１１と第３結合線路Ｌ１３、及び、第２結合線路Ｌ１２と第４結合線路Ｌ１４が、誘電体層ＬＹ１３を介して、電磁結合することになる。バランＢＬ２に関しては、第１結合線路Ｌ２１と第３結合線路Ｌ２３、及び、第２結合線路Ｌ２２と第４結合線路Ｌ２４が、誘電体層ＬＹ１３を介して、電磁結合する。更に、バランＢＬ３に関しては、第１結合線路Ｌ３１と第３結合線路Ｌ３３、及び、第２結合線路Ｌ３２と第４結合線路Ｌ３４が、誘電体層ＬＹ１３を介して、電磁結合する。
【００５０】
誘電体層ＬＹ１３の上に重なる誘電体層ＬＹ１４の一面上には、バランＢＬ３の第３結合線路Ｌ３３を構成するストリップ状導体、及び、同じく第４結合線路Ｌ３４を構成するストリップ状導体が、互いに間隔を隔てて一方向に横並びに配置されている。
【００５１】
従って、誘電体層ＬＹ１３と誘電体層ＬＹ１４との間では、バランＢＬ３に関して、第１結合線路Ｌ３１と第３結合線路Ｌ３３、及び、第２結合線路Ｌ３２と第４結合線路Ｌ３４が、誘電体層ＬＹ１４を介して、電磁結合する。
【００５２】
誘電体層ＬＹ１４の上に重なる誘電体層ＬＹ１５の一面上には、バランＢＬ３の第１結合線路Ｌ３１を構成するストリップ状導体及び同じく第２結合線路Ｌ３２を構成するストリップ状導体が、互いに間隔を隔てて一方向に横並びに配置されている。
【００５３】
従って、誘電体層ＬＹ１４と誘電体層ＬＹ１５との間では、バランＢＬ３に関して、第１結合線路Ｌ３１と第３結合線路Ｌ３３、及び、第２結合線路Ｌ３２と第４結合線路Ｌ３４が、誘電体層ＬＹ１５を介して、電磁結合する。
【００５４】
上述したように、第１結合線路（Ｌ１１、Ｌ２１、Ｌ３１）と第３結合線路（Ｌ１３、Ｌ２３、Ｌ３３）との電磁結合、及び、第２結合線路（Ｌ１２、Ｌ２２、Ｌ３２)と第４結合線路（Ｌ１４、Ｌ２４、Ｌ３４）の電磁結合が重層的になっているため、高度で安定な結合度が得られる。しかも、誘電体層1層当たりの結合線路長を短縮し、その平面積を縮小し、小型化を図りながら、必要な線路長を確保することができる。
【００５５】
誘電体層ＬＹ８〜ＬＹ１５に形成されている同一の結合線路は、貫通電極Ｈにより、図２等で説明された回路構成となるように結線される。例えば、誘電体層ＬＹ８に形成された第４結合線路Ｌ１４、誘電体層ＬＹ１０に形成された第４結合線路Ｌ１４、及び、誘電体層ＬＹ１２に形成された第４結合線路Ｌ１４は、貫通電極Ｈによって、基本的には直列接続となるように接続される。第１結合線路（Ｌ１１、Ｌ２１、Ｌ３１）、第２結合線路（Ｌ１２、Ｌ２２、Ｌ３２)及び第３結合線路（Ｌ１３、Ｌ２３、Ｌ３３）、更には、第４結合線路（Ｌ２４、Ｌ３４）も、同様の貫通電極Ｈによる接続処理に付される。
【００５６】
図４を参照して、更に説明すると、バランＢＬ１〜ＢＬ３を構成する誘電体層ＬＹ８〜ＬＹ１５の下側（図において）には、キャパシタＣ１の接地電極Ｇ１、Ｇ２の層があり、しかも、上側には接地電極Ｇ３を有する誘電体層ＬＹ１７がある。即ち、バランＢＬ１〜ＢＬ３を、接地電極Ｇ１、Ｇ２及びＧ３によってサンドイッチしたシールド構造が得られる。このため、安定したシールド作用が得られる。
【００５７】
貫通電極Ｈは、主として、第１結合線路（Ｌ１１、Ｌ２１、Ｌ３１）、第２結合線路（Ｌ１２、Ｌ２２、Ｌ３２)及び第３結合線路（Ｌ１３、Ｌ２３、Ｌ３３）、更には、第４結合線路（Ｌ１４、Ｌ２４、Ｌ３４）を、所定の回路構成となるように接続すること、及び、上下の接地電極Ｇ１、Ｇ２及びＧ３を電気的に接続することであるが、バランＢＬ１とバランＢＬ２との間、及び、バランＢＬ２とバランＢＬ３との間に、比較的短い間隔で、接地電極Ｇ１、Ｇ２またはＧ３に連なる貫通電極Ｈの群を形成することにより、バラン間の相互干渉を遮断することができる。
【００５８】
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種種の変形態様を採り得ることは自明である。
【符号の説明】
【００５９】
ＢＬ１、ＢＬ２、ＢＬ３                バラン
Ｌ１１、Ｌ２１、Ｌ３１                第１結合線路
Ｌ１２、Ｌ２２、Ｌ３２                第２結合線路
Ｌ１３、Ｌ２３、Ｌ３３                第３結合線路
Ｌ１４、Ｌ２４、Ｌ３４                第４結合線路
Ｃ１、Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ１３          キャパシタ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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