(57)【要約】【課題】ＣＶＤによりＣｕ膜を成膜するにあたり、表面性状を良好にすることができるＣｕ膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】チャンバー内に基板であるウエハを収容し、チャンバー内に１価のＣｕ錯体を含む成膜原料を気相状態で導入してＣＶＤ法によりウエハＷ上にＣｕ膜を成膜するにあたり、１価のＣｕ錯体が分解して生成される有機物質を気相状態で前記処理容器内に導入する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理容器内に基板を収容し、前記処理容器内に１価のＣｕ錯体を含む成膜原料を気相状態で導入してＣＶＤ法により基板上にＣｕ膜を成膜するにあたり、
前記１価のＣｕ錯体が分解して生成される有機物質を気相状態で前記処理容器内に導入することを特徴とするＣｕ膜の成膜方法。
【請求項２】
前記処理容器内に前記１価のＣｕ錯体が分解して生成される有機物質を導入してその中を当該有機物質の雰囲気とし、その後前記処理容器内に前記成膜原料を導入することを特徴とする請求項１に記載のＣｕ膜の成膜方法。
【請求項３】
前記１価のＣｕ錯体と前記１価のＣｕ錯体が分解して生成される有機物質とは別個に前記処理容器内に導入することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＣｕ膜の成膜方法。
【請求項４】
液体状の前記１価のＣｕ錯体を気化させる気化器と、当該気化器にキャリアガスを供給するキャリアガス供給ラインとを設け、前記１価のＣｕ錯体をキャリアガスによりキャリアさせて気相状態で前記処理容器内に導入するようにし、１価のＣｕ錯体が分解して生成される有機物質を供給する有機物質供給ラインを前記キャリアガス供給ラインに接続して、前記１価のＣｕ錯体と前記有機物質を同じラインで前記処理容器内に導入することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＣｕ膜の成膜方法。
【請求項５】
前記１価のＣｕ錯体はβ−ジケトン系化合物であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のＣｕ膜の成膜方法。
【請求項６】
前記１価のＣｕ錯体は、ヘキサフルオロアセチルアセトナート・トリメチルビニルシラン銅（Ｃｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ）であることを特徴とする請求項５に記載のＣｕ膜の成膜方法。
【請求項７】
前記１価のＣｕ錯体が分解して生成される有機物質は、トリメチルビニルシラン（ＴＭＶＳ）であることを特徴とする請求項６に記載のＣｕ膜の成膜方法。
【請求項８】
前記１価のＣｕ錯体が分解して生成される有機物質は、ヘキサフルオロアセチルアセトナート銅（Ｃｕ（ｈｆａｃ）２）であることを特徴とする請求項６に記載のＣｕ膜の成膜方法。
【請求項９】
コンピュータ上で動作し、成膜装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、請求項１から請求項８のいずれかの成膜方法が行われるように、コンピュータに前記成膜装置を制御させることを特徴とする記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板等の基板にＣＶＤによりＣｕ膜を成膜するＣｕ膜の成膜方法および記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近時、半導体装置の高速化、配線パターンの微細化等に呼応して、Ａｌよりも導電性が高く、かつエレクトロマイグレーション耐性等も良好なＣｕが配線材料として注目されている。
【０００３】
このＣｕの成膜方法としては、スパッタリングに代表される物理蒸着（ＰＶＤ）法が多用されていたが、配線パターンの微細化にともなってステップカバレッジが悪いという欠点が顕在化している。
【０００４】
そこで、Ｃｕ膜の成膜方法として、Ｃｕを含む原料ガスの熱分解反応や、当該原料ガスの還元性ガスによる還元反応にて基板上にＣｕを成膜する化学気相成長（ＣＶＤ）法が用いられつつある。このようなＣＶＤ法により成膜されたＣｕ膜は、ステップカバレッジ（段差被覆性）が高く、細長く深いパターン内への成膜性に優れているため、微細な配線パターンの形成には好適である。
【０００５】
このＣＶＤ法によりＣｕ膜を成膜するにあたり、成膜原料（プリカーサー）にヘキサフルオロアセチルアセトナート・トリメチルビニルシラン銅（Ｃｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ）等のＣｕ錯体を用いる技術が知られている（例えば特許文献１）。特に、Ｃｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳのような１価のＣｕ錯体は、比較的蒸気圧が高く気化しやすいため、プリカーサーとして適している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平７−４８６７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、１価のＣｕ錯体は、上述したように比較的蒸気圧が高く気化しやすいものの、熱的安定性が低いため、被処理基板に到達する前に、気相中で分解するおそれがある。このため、成膜原料ガス自体が減少するとともに、分解物が基板表面に吸着してプリカーサーの吸着が阻害されるため、基板表面でのＣｕの初期核の密度が低く、しかも不均一なものとなってしまう。また、分解物が膜中に取り込まれることにより、Ｃｕの濡れ性が悪化してしまう。これらのことにより、Ｃｕ膜表面のモホロジーが悪化し、表面ラフネスの悪い膜となってしまう。
【０００８】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、ＣＶＤによりＣｕ膜を成膜するにあたり、表面性状を良好にすることができるＣｕ膜の成膜方法を提供することを目的とする。
また、そのような成膜方法を実行するためのプログラムを記憶した記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明の第１の観点では、処理容器内に基板を収容し、前記処理容器内に１価のＣｕ錯体を含む成膜原料を気相状態で導入してＣＶＤ法により基板上にＣｕ膜を成膜するにあたり、前記１価のＣｕ錯体が分解して生成される有機物質を気相状態で前記処理容器内に導入することを特徴とするＣｕ膜の成膜方法を提供する。
【００１０】
このように１価のＣｕ錯体が分解して生成される有機物質を気相状態で前記処理容器内に導入することにより、処理容器内において気相中での分解反応が抑制される。このため、処理容器内において、成膜原料として処理容器内に導入された１価のＣｕ錯体自体の量の減少が抑制され、かつ基板表面の１価のＣｕ錯体の吸着が分解物により阻害されることが抑制されて、Ｃｕの初期核密度が向上するとともに、分解物が膜中に取り込まれることによるＣｕの濡れ性の悪化が防止される。これにより、Ｃｕ膜表面のモホロジー良好となり、表面性状の良好なＣｕ膜を得ることができる。
【００１１】
上記第１の観点において、前記処理容器内に前記１価のＣｕ錯体が分解して生成される有機物質を導入してその中を当該有機物質の雰囲気とし、その後前記処理容器内に前記成膜原料を導入することが好ましい。これにより、より有効に成膜原料として導入される１価のＣｕ錯体の分解を抑制することができる。
【００１２】
前記１価のＣｕ錯体と前記１価のＣｕ錯体が分解して生成される有機物質とは別個に前記処理容器内に導入することができる。また、液体状の前記１価のＣｕ錯体を気化させる気化器と、当該気化器にキャリアガスを供給するキャリアガス供給ラインとを設け、前記１価のＣｕ錯体をキャリアガスによりキャリアさせて気相状態で前記処理容器内に導入するようにし、１価のＣｕ錯体が分解して生成される有機物質を供給する有機物質供給ラインを前記キャリアガス供給ラインに接続して、前記１価のＣｕ錯体と前記有機物質を同じラインで前記処理容器内に導入するようにすることもできる。
【００１３】
前記１価のＣｕ錯体としてはβ−ジケトン系化合物を用いることができる。その中ではヘキサフルオロアセチルアセトナート・トリメチルビニルシラン銅（Ｃｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ）を好適なものとして挙げることができ、その場合には、前記１価のＣｕ錯体が分解して生成される有機物質として、トリメチルビニルシラン（ＴＭＶＳ）を用いることが好ましく、また、ヘキサフルオロアセチルアセトナート銅（Ｃｕ（ｈｆａｃ）２）を用いることもできる。
【００１４】
本発明の第２の観点では、コンピュータ上で動作し、成膜装置を制御するためのプログラムが記憶された記憶媒体であって、前記プログラムは、実行時に、上記第１の観点の成膜方法が行われるように、コンピュータに前記成膜装置を制御させることを特徴とする記憶媒体を提供する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、Ｃｕの初期核密度が向上するとともに、分解物が膜中に取り込まれることによるＣｕの濡れ性の悪化が防止されるので、Ｃｕ膜表面のモホロジー良好となり、表面性状の良好なＣｕ膜を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の成膜方法を実施する成膜装置の構成の一例を示す略断面である。
【図２】図１の成膜装置におけるＣｕ膜の成膜方法を説明するためのタイミングチャートである。
【図３】従来のＣｕ膜の成膜方法におけるチャンバー内の状態を説明するための模式図である。
【図４】本発明のＣｕ膜の成膜方法におけるチャンバー内の状態を説明するための模式図である。
【図５】本発明の成膜方法を実施する他の成膜装置のガス供給機構を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。
【００１８】
＜本発明の成膜方法を実施するための成膜装置の構成＞
図１は、本発明の成膜方法を実施する成膜装置の構成の一例を示す略断面である。
この成膜装置１００は、気密に構成された略円筒状のチャンバー１を有しており、その中には被処理基板である半導体ウエハＷを水平に支持するためのサセプタ２がその中央下部に設けられた円筒状の支持部材３により支持された状態で配置されている。このサセプタ２はＡｌＮ等のセラミックスからなっている。また、サセプタ２にはヒーター５が埋め込まれており、このヒーター５にはヒーター電源６が接続されている。一方、サセプタ２の上面近傍には熱電対７が設けられており、熱電対７の信号はヒーターコントローラ８に伝送されるようになっている。そして、ヒーターコントローラ８は熱電対７の信号に応じてヒーター電源６に指令を送信し、ヒーター５の加熱を制御してウエハＷを所定の温度に制御するようになっている。
【００１９】
チャンバー１の天壁１ａには、円形の孔１ｂが形成されており、そこからチャンバー１内へ突出するようにシャワーヘッド１０が嵌め込まれている。シャワーヘッド１０は、後述するガス供給機構３０から供給された成膜用のガスをチャンバー１内に吐出するためのものであり、その上部には、成膜原料ガスとして１価の銅錯体、例えばβ−ジケトン化合物であるヘキサフルオロアセチルアセトナート・トリメチルビニルシラン銅（Ｃｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ）が導入される第１の導入路１１と、チャンバー１内の雰囲気を形成するガスが導入される第２の導入路１２とを有している。この雰囲気を形成するガスとしては、成膜原料として用いる１価のＣｕ錯体が分解して生成される有機物質が用いられる。成膜原料として用いる１価のＣｕ錯体がＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳの場合には、熱により分解してトリメチルビニルシラン（ＴＭＶＳ）ガスと、ヘキサフルオロアセチルアセトナート銅（Ｃｕ（ｈｆａｃ）２）ガスが生成するので、これらを雰囲気を形成するガスとして用いることができる。
【００２０】
シャワーヘッド１０の内部には上下２段に空間１３、１４が設けられている。上側の空間１３には第１の導入路１１が繋がっており、この空間１３から第１のガス吐出路１５がシャワーヘッド１０の底面まで延びている。下側の空間１４には第２の導入路１２が繋がっており、この空間１４から第２のガス吐出路１６がシャワーヘッド１０の底面まで延びている。すなわち、シャワーヘッド１０は、成膜原料としての１価のＣｕ錯体ガスと雰囲気を形成する１価のＣｕ錯体が分解して生成される有機物質とが混じることなく、空間１３，１４で均一に拡散してそれぞれ独立して吐出路１５および１６から吐出するポストミックスタイプとなっている。
【００２１】
チャンバー１の底壁には、下方に向けて突出する排気室２１が設けられている。排気室２１の側面には排気管２２が接続されており、この排気管２２には真空ポンプや圧力制御バルブ等を有する排気装置２３が接続されている。そしてこの排気装置２３を作動させることによりチャンバー１内を所定の真空度まで減圧することが可能となっている。
【００２２】
チャンバー１の側壁には、ウエハ搬送室（図示せず）との間でウエハＷの搬入出を行うための搬入出口２４と、この搬入出口２４を開閉するゲートバルブＧとが設けられている。
【００２３】
ガス供給機構３０は、成膜原料である１価のＣｕ錯体、例えば液体状のβ−ジケトン化合物であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳを貯留する成膜原料タンク３１を有している。成膜原料を構成する１価のＣｕ錯体としては、Ｃｕ（ｈｆａｃ)ＴＥＯＶＳ（ヘキサフルオロアセチルアセトン銅トリエトキシビニルシラン）等の他のβ−ジケトン系化合物を用いることができ、β−ジケトン系化合物以外にもＣｐＣｕＴＥＰ（シクロペンタジエニルトリエチルフォスフィン銅）等を用いることができる。用いる１価のＣｕ錯体が常温で固体である場合には、溶媒に溶かした状態で成膜原料タンク３１に貯留することができる。
【００２４】
成膜原料タンク３１には、上方からＨｅガス等の圧送ガスを供給するための圧送ガス配管３２が挿入されており、圧送ガス配管３２はバルブ３３が介装されている。また、成膜原料タンク３１内の成膜原料には原料送出配管３４が上方から挿入されており、この原料送出配管３４の他端には気化器３７が接続されている。原料送出配管４３にはバルブ３５および液体マスフローコントローラ３６が介装されている。そして、圧送ガス配管３２を介して成膜原料タンク３１内に圧送ガスを導入することで、成膜原料タンク３１内の１価のＣｕ錯体、例えばＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳが液体のまま気化器３７に供給される。このときの液体供給量は液体マスフローコントローラ３６により制御される。気化器３７には、キャリアガスとしてＡｒまたはＨ２等を供給するキャリアガス配管３８が接続されている。キャリアガス配管３８には、マスフローコントローラ３９およびマスフローコントローラ３９を挟んで２つのバルブ４０が設けられている。また、気化器３７には、気化された１価のＣｕ錯体をシャワーヘッド１０に向けて供給する成膜原料ガス供給配管４１が接続されている。成膜原料ガス供給配管４１にはバルブ４２が介装されており、その他端はシャワーヘッド１０の第１の導入路１１に接続されている。そして、気化器３７で気化した１価のＣｕ錯体がキャリアガスにキャリアされて成膜原料ガス供給配管４１に送出され、第１の導入路１１からシャワーヘッド１０内に供給される。気化器３７および成膜原料ガス供給配管４１には、成膜原料ガスの凝縮防止のためのヒーター４３が設けられている。
【００２５】
シャワーヘッド１０の第２の導入路１２には、雰囲気を形成するガスを供給する雰囲気形成ガス供給配管４４が接続されている。この雰囲気形成ガス供給配管４４にはバルブ４５が介装されている。そして、この雰囲気形成ガス供給配管４４を介して第２の導入路１２からシャワーヘッド内に、雰囲気形成ガスとして成膜原料として用いる１価のＣｕ錯体が分解して生成される有機物質が供給される。成膜原料として用いられる１価のＣｕ錯体がＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳの場合には、上述したように、ＴＭＶＳガスと、Ｃｕ（ｈｆａｃ）２ガスを用いることができる。その中でも蒸気圧の高いＴＭＶＳガスが好ましい。
【００２６】
成膜装置１００は制御部５０を有し、この制御部５０により各構成部、例えばヒーター電源６、排気装置２３、マスフローコントローラ３６，３９、バルブ３３，３５，４０，４２，４５等の制御やヒーターコントローラ８を介してのサセプタ２の温度制御を行うようになっている。この制御部５０は、マイクロプロセッサ（コンピュータ）を備えたプロセスコントローラ５１と、ユーザーインターフェース５２と、記憶部５３とを有している。プロセスコントローラ５１には成膜装置１００の各構成部が電気的に接続されて制御される構成となっている。ユーザーインターフェース５２は、プロセスコントローラ５１に接続されており、オペレータが成膜装置１００の各構成部を管理するためにコマンドの入力操作などを行うキーボードや、成膜装置１００の各構成部の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等からなっている。記憶部５３もプロセスコントローラ５１に接続されており、この記憶部５３には、成膜装置１００で実行される各種処理をプロセスコントローラ５１の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じて成膜装置１００の各構成部に所定の処理を実行させるための制御プログラムすなわち処理レシピや、各種データベース等が格納されている。処理レシピは記憶部５３の中の記憶媒体（図示せず）に記憶されている。記憶媒体は、ハードディスク等の固定的に設けられているものであってもよいし、ＣＤＲＯＭ、ＤＶＤ、フラッシュメモリ等の可搬性のものであってもよい。また、他の装置から、例えば専用回線を介してレシピを適宜伝送させるようにしてもよい。
【００２７】
そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース５２からの指示等にて所定の処理レシピを記憶部５３から呼び出してプロセスコントローラ５１に実行させることで、プロセスコントローラ５１の制御下で、成膜装置１００での所望の処理が行われる。
【００２８】
＜図１の成膜装置を用いたＣｕ膜の成膜方法＞
次に、以上のように構成された成膜装置によるＣｕ膜の成膜方法について、図２のタイミングチャートを参照して説明する。ここでは、成膜原料である１価のＣｕ錯体としてＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳを用い、雰囲気形成ガスとしてＴＭＶＳガスを用いた場合について示す。
【００２９】
まず、ゲートバルブＧを開け、図示しない搬送装置によりウエハＷをチャンバー１内に導入し、サセプタ２上に載置する。次いで、チャンバー１内を排気装置２３により排気してチャンバー１内の圧力を１３〜１３３３Ｐａ（０．１〜１０Ｔｏｒｒ）、例えば２６７Ｐａ（２Ｔｏｒｒ）とし、ヒーター５によりサセプタ２を１３０〜１９０℃に加熱し、キャリアガス配管３８、気化器３７、成膜原料ガス配管４１、シャワーヘッド１０を介してチャンバー１内に１００〜１０００
ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）、例えば１００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）の流量でキャリアガスを供給してステップ１の安定化工程を行う。
【００３０】
ステップ１の安定化を所定時間行って条件が安定した時点で、ステップ２の成膜工程を開始する。ステップ２の成膜工程においては、チャンバー１内の圧力、サセプタ２の温度、キャリアガスの流量をステップ１と同じに維持した状態で、まず、雰囲気形成ガスとしてＴＭＶＳガスを雰囲気形成ガス供給配管４４、シャワーヘッド１０を介してチャンバー１内に導入する。このときの流量は、５〜２００ｍＬ／ｍｉｎ（ｓｃｃｍ）程度とする。ＴＭＶＳガスの導入によりチャンバー１内がＴＭＶＳガス雰囲気となった時点で、成膜原料ガスとしてＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳを導入する。このときの流量は、液体として５０〜５００ｍｇ／ｍｉｎ程度とする。
【００３１】
成膜原料であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳは、サセプタ２のヒーター５により加熱された被処理基板であるウエハＷ上で以下の（１）式に示す反応により分解し、ウエハＷの所定の膜、例えばＲｕ膜の上にＣｕ膜が成膜される。
２Ｃｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ→Ｃｕ＋Ｃｕ（ｈｆａｃ）２＋２ＴＭＶＳ…（１）
【００３２】
ところで、１価のＣｕ錯体であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳは、熱分解しやすいため、雰囲気形成ガスとして通常用いられるＡｒガス等を用いた場合には、上記（１）の反応が気相中でも生じてしまい。図３に示すように、Ｃｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ自体が減少するとともに、分解物であるＣｕ（ｈｆａｃ）２がウエハＷ表面に吸着されて成膜原料であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳの吸着を阻害し、基板表面でのＣｕの初期核の密度が低く、しかも不均一なものとなってしまう。また、分解物が膜中に取り込まれることにより、Ｃｕの濡れ性が悪化してしまう。これらのことにより、Ｃｕ膜表面のモホロジーが悪化してしまう。
【００３３】
これに対し、本実施形態では、図４に示すように、成膜原料であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳが分解して生成されるＴＭＶＳガスをチャンバー１内に導入することにより、チャンバー１内の気相中には上記（１）式の右辺にあるＴＭＶＳの雰囲気が形成されるため、上記（１）式の分解反応が抑制されることとなる。このため、チャンバー１内において、成膜原料であるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳ自体の量の減少が抑制され、かつウエハＷ表面のＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳの吸着が分解物であるＣｕ（ｈｆａｃ）２により阻害されることが抑制されて、ウエハＷ表面でのＣｕの初期核密度が向上するとともに、分解物が膜中に取り込まれることによるＣｕの濡れ性の悪化が防止される。これにより、Ｃｕ膜表面のモホロジー良好となり、表面性状の良好なＣｕ膜を得ることができる。
【００３４】
このようにして所定厚さのＣｕ膜が成膜された後、成膜原料ガスであるＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳの供給を停止し、所定時間ＴＭＶＳの供給を継続する。
【００３５】
そして、所定時間経過後、ステップ３のパージ工程を行う。ステップ３のパージ工程では、ＴＭＶＳを停止した後、排気装置２３の真空ポンプを引き切り状態とし、キャリアガスをパージガスとしてチャンバー１内に流してチャンバー１内をパージする。この場合に、できる限り迅速にチャンバー１内をパージする観点から、キャリアガスの供給は、図４に示すように断続的に行うことが好ましい。
【００３６】
第３ステップであるパージ工程が終了後、ゲートバルブＧを開け、図示しない搬送装置により、搬入出口２４を介してウエハＷを搬出する。これにより、１枚のウエハＷの一連の工程が終了する。
【００３７】
なお、雰囲気形成ガスとしては、ＴＭＶＳガスの代わりに、もう一つのＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳが分解して生成されるＣｕ（ｈｆａｃ）２を用いることもできる。ただし、Ｃｕ（ｈｆａｃ）２は、ＴＭＶＳよりも蒸気圧が低いため、ウエハＷに多少吸着したままの状態となりやすく、ＴＭＶＳガスを用いた場合よりもＣｕの初期核密度が低下する傾向となる。
【００３８】
なお、成膜原料ガスとして上述のような他の１価のＣｕ錯体を用いた場合でも、全く同様の原理で気相中での分解を抑制して、形成されるＣｕ膜の表面性状を良好にすることができる。例えば成膜原料を構成する１価のＣｕ錯体として、ＣｐＣｕＴＥＰ（シクロペンタジエニルトリエチルフォスフィン銅）を用いた場合には、分解してＴＥＰ（トリエチルフォスフィン）が形成されるため、雰囲気形成ガスとして、このＴＥＰ（トリエチルフォスフィン）を用いることにより、成膜原料ガスであるＣｐＣｕＴＥＰ（シクロペンタジエニルトリエチルフォスフィン銅）の分解を抑制することができる。
【００３９】
＜本発明の成膜方法を実施するための他の成膜装置＞
次に、本発明の成膜方法を実施するための他の成膜装置について説明する。
本例では、図１の成膜装置と主にガス供給機構が異なっているため、ガス供給機構のみ説明する。図５は、本発明の成膜方法を実施する他の成膜装置のガス供給機構を示す概略図である。図５に示すようにガス供給機構３０′は、雰囲気形成ガスとして成膜原料として用いる１価のＣｕ錯体が分解して生成される有機物質をシャワーヘッド１０内に供給する雰囲気形成ガス供給配管４４′がキャリアガス供給配管４３に接続されている。雰囲気形成ガス供給配管４４′にはバルブ４５′が介装されている。したがって、雰囲気形成ガスは、成膜原料ガスを供給する成膜原料ガス供給配管４１を介してシャワーヘッドに供給される。この例の場合には、成膜原料ガスと雰囲気形成ガスが同じ配管を通ってシャワーヘッドは図１のようなポストミックスタイプを用いる必要がなく、一つのガス導入口と一つの拡散空間を有するものでよい。このようなガス供給機構３０′を用いることにより、図１のガス供給機構３０と比べて、気化器３７および成膜原料ガス供給配管４１内での成膜原料ガスの分解を抑えることができる。
【００４０】
＜本発明の他の適用＞
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく種々変形可能である。例えば、上記実施の形態においては、成膜時に１価のＣｕ錯体が分解して生成される有機物質の雰囲気をチャンバー内に形成してから成膜原料ガスをチャンバー内に導入したが、これに限らず、これらを同時に導入してもよい。ただし、先に１価のＣｕ錯体が分解して生成される有機物質の雰囲気を形成したほうが、成膜原料ガスである１価のＣｕ錯体ガスの分解を抑制する効果が高い。
【００４１】
また、上記実施の形態では、１価のＣｕ錯体として主にＣｕ（ｈｆａｃ）ＴＭＶＳを用いた場合について示したが、上述したように、原理的には他の１価のＣｕ錯体でも同様な効果が得られることは明らかである。
【００４２】
さらに、上記実施の形態では、液体状の１価のＣｕ錯体を圧送して気化器に供給し、気化器で気化させたが、これに限らず、例えばバブリング等により気化させて供給する等、他の手法で気化させてもよい。
【００４３】
さらにまた、成膜装置についても上記実施の形態のものに限らず、例えば、成膜原料ガスの分解を促進するためにプラズマを形成する機構を設けたもの等、種々の装置を用いることができる。
【００４４】
さらにまた、被処理基板として半導体ウエハを用いた場合を説明したが、これに限らず、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）基板等の他の基板であってもよい。
【符号の説明】
【００４５】
１；チャンバー
２；サセプタ
３；支持部材
５；ヒーター
１０；シャワーヘッド
２３；排気装置
３０；ガス供給機構
３１；成膜原料タンク
３４；原料送出配管
３７；気化器
３８；キャリアガス供給配管
４１；成膜原料ガス供給配管
５０；制御部
５１；プロセスコントローラ
５２；ユーザーインターフェース
５３；記憶部（記憶媒体）
Ｗ；半導体ウエハ
【図１】
2010189727.tif 000003
【図２】
2010189727.tif 000004
【図３】
2010189727.tif 000005
【図４】
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【図５】
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