(57)【要約】【課題】実装基板の反りや電子部品のコプラナリティ不全によるはんだ未融合を防止できるようにする。【解決手段】実装基板１の電極パッド１２と電子部品４の電極パッド４１とは、はんだフィレット３を介して接続されている。はんだフィレット３には、はんだ濡れ性に優れた金属の細線により構成された立体構造繊維体３が含有されている。はんだフィレット３の立体構造繊維体３の含有は、電極パッド１２と電極パッド４１との距離が大きい箇所のみであってもよい。はんだリフロー工程において、実装基板側のはんだと電子部品側のはんだとが立体構造繊維体３を介して融合し合うため、はんだ未融合を防止することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基板上の電極パッドと電子部品の電極パッドとがはんだ接合部により接続されている電子デバイスにおいて、少なくとも１つのはんだ接合部内には、導電性の立体構造繊維体が含まれていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
立体構造繊維体を含むはんだ接合部と立体構造繊維体を含まないはんだ接合部とが存在し、立体構造繊維体を含むはんだ接合部の高さが立体構造繊維体を含まないはんだ接合部の高さより高いことを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
立体構造繊維体の最小の差し渡しが、その立体構造繊維体を含むはんだ接合部での電極パッド間の距離の１／４以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
立体構造繊維体が、金属繊維または表面に金属めっきが施された絶縁性繊維のいずれかにより構成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記絶縁性繊維が樹脂繊維であることを特徴とする請求項４に記載の電子デバイス。
【請求項６】
実装基板上の電極パッドと電子部品の電極パッドとがはんだ接合部により接続されている電子デバイスの製造方法であって、実装基板上の電極パッド上にはんだペーストを供給する工程と、供給されたはんだペースト上に導電性の立体構造繊維体を供給する工程と、実装基板上に電子部品を搭載する工程と、はんだリフローを行なう工程と、を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項７】
実装基板上の電極パッドと電子部品の電極パッドとがはんだ接合部により接続されている電子デバイスの製造方法であって、電子部品の電極パッド上にはんだペーストを供給する工程と、供給されたはんだペースト上に導電性の立体構造繊維体を供給する工程と、はんだリフローを行なって電子部品の電極パッド上にはんだバンプを形成する工程と、実装基板上の電極パッド上にはんだペーストを供給する工程と、実装基板上に電子部品を搭載する工程と、はんだリフローを行なう工程と、を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記立体構造繊維体を供給する工程において、はんだリフロー後の実装基板上の電極パッドと電子部品の電極パッドとの距離が大きくなる個所の実装基板または電子部品の電極パッド上に選択的に立体構造繊維体を供給することを特徴とする請求項６または７に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項９】
実装基板上の電極パッドと電子部品の電極パッドとがはんだ接合部により接続されている電子デバイスの製造方法であって、実装基板上の電極パッド上に導電性の立体構造繊維体を含有するはんだペーストを供給する工程と、実装基板上に電子部品を搭載する工程と、はんだリフローを行なう工程と、を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項１０】
実装基板上の電極パッドと電子部品の電極パッドとがはんだ接合部により接続されている電子デバイスの製造方法であって、電子部品の電極パッド上に導電性の立体構造繊維体を含有するはんだペーストを供給する工程と、はんだリフローを行なって電子部品の電極パッド上にはんだバンプを形成する工程と、実装基板上の電極パッド上にはんだペーストを供給する工程と、実装基板上に電子部品を搭載する工程と、はんだリフローを行なう工程と、を有することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項１１】
実装基板上に電子部品を搭載した後のはんだリフロー工程において、振動を加えつつリフローを行なうことを特徴とする請求項７、９または１０に記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイスおよびその製造方法に関し、特に、実装基板の反りや半導体素子を内蔵する電子部品のコプラナリティの不足を吸収し、実装時のはんだ未融合の防止を実現する実装構造および実装方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の技術の発展に伴い、使用される半導体の伝送信号高速化とともに電子機器の小型化・高密度化が進んでいる。すなわち、機器内に実装される半導体素子を内蔵する電子部品およびプリント基板の小型・薄型化、および搭載間隔の狭ピッチ化も進んでいる。
【０００３】
プリント基板の薄型化が進み、半導体素子を内蔵する電子部品の薄型化、多ピン化が進むにつれ、プリント基板が反りやすくなり、更に電子部品のコプラナリティの確保が困難になってきている。その上部品の接続高さや大きさは微小化が進み、数１０μｍといったわずかな高さばらつきによる接続不良の発生が見られようになってきている。今後、電子機器の更なる小型化・薄型化が進むにつれ、このような接続不良の発生はより頻発すると考えられる。
実装基板の反りや電子部品のコプラナリティ不全により発生した接続不良の状態を図１１に示す。同図に示すように、実装基板に反りが発生して、実装基板１３上の電極パッド１２と電子部品４の電極パッド４１との距離が広がると、基板側のはんだ２１と電子部品側のはんだ２２とが融合し合わない事態が発生し、リフロー工程終了後には、はんだ２１とはんだ２２とが接触していても低抵抗の接続が得られず、接続不良となる事故が発生する。
【０００４】
半導体チップの搭載されるプリント基板の反りを緩和するため、例えば、特許文献１に記載された実装構造では、プリント基板の裏面の半導体チップ搭載箇所と略同一の位置に、半導体チップと同等の熱膨張係数および寸法を持つ反り緩和プレートを貼り付けることで、実装構造全体の反りの緩和を実現している。
【０００５】
ところで、機器内に実装される半導体素子を内蔵する電子部品およびプリント基板の接合材料として、通常はんだが用いられているが、近年環境問題への懸念から鉛入りはんだから鉛フリーはんだへ移行している。
一般的に、鉛フリーはんだは鉛入りはんだに比べクラックが入りやすく、接合破壊が生じる。この問題を解決するために、接合材料内に繊維状フィラを混入することが従来から検討されている。例えば、特許文献２に記載された接合構造では、一先端部にはんだより比重の大きい（または小さい）球体を設置した繊維状の長尺体を混入させたはんだを用いて電子部品の端子とプリント基板の上面に設けられた配線パターンのランドとを接続している。はんだ溶融時、長尺体の一先端部に設けられた大（小）比重部により、繊維長尺体は垂直方向に整列されると共に基板上のランドに向かって沈降する（または電子部品の端子に向かって上昇する）。その結果、ランドないし端子近傍のはんだにクラックが生じても、その進展を食い止めることができ、接続破壊の防止が実現される、とされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−２９４７２１号公報  （第３頁、図１）
【特許文献２】特開平１１−２４５０８１号公報  （第６頁、図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記特許文献１により開示された実装方法では、予め搭載する半導体チップの熱膨張係数を把握し、半導体チップと同等の熱膨張係数および寸法を持つプレートを、搭載する半導体チップごとに選択する必要があり、しかも反り緩和プレートを貼り付けるという特殊な実装プロセスを適用しているため、高コスト化、長タクト化が懸念される。また、貼り付けられた反り緩和プレート分厚くなってしまうため、薄化の要求の厳しい電子機器において採用することは困難である。
一方、特許文献２において開示された実装方法では、繊維状の長尺体の一端部にはんだとは比重の異なる材料の球体を形成しなければならないため、製造コストの上昇を招く。また、実装時には溶融はんだ中の長尺体はランドないし端子近傍に移動してしまうため、クラックによる接合破壊については対策が強化されるものの、電子部品のコプラナリティ不全や基板の反りによる接続不良を改善することができない。というのは、はんだの未融合による接続不良は、図１１に示されるように、対向する電極間の中間付近で発生されるにも関わらず、特許文献２に記載された長尺体は、実装時にこの不良発生個所の近傍から遠ざかってしまうからである。
【０００８】
本発明の目的は、搭載する半導体素子を内蔵する電子部品ごとに反り緩和部材を選択したり、実装プロセスを大幅に変更したりすることなく、実装基板の反りや半導体素子を内蔵する電子部品のコプラナリティ不全を吸収し、実装時のはんだ未融合の接続不良の発生を防止できるようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の目的を達成するための本発明による電子デバイスは、実装基板上の電極パッドと電子部品の電極パッドとがはんだ接合部により接続されている電子デバイスにおいて、少なくとも１つのはんだ接合部内には、導電性の立体構造繊維体が含まれていることを特徴とする。
【００１０】
また、上記の目的を達成するための本発明による電子デバイスの製造方法は、実装基板上の電極パッドと電子部品の電極パッドとがはんだ接合部により接続されている電子デバイスの製造方法であって、実装基板上の電極パッド上にはんだペーストを供給する工程と、供給されたはんだペースト上に導電性の立体構造繊維体を供給する工程と、実装基板上に電子部品を搭載する工程と、はんだリフローを行なう工程と、を有することを特徴とする。
【００１１】
また、上記の目的を達成するための本発明による電子デバイスの製造方法は、実装基板上の電極パッドと電子部品の電極パッドとがはんだ接合部により接続されている電子デバイスの製造方法であって、電子部品の電極パッド上にはんだペーストを供給する工程と、供給されたはんだペースト上に導電性の立体構造繊維体を供給する工程と、はんだリフローを行なって電子部品の電極パッド上にはんだバンプを形成する工程と、実装基板上の電極パッド上にはんだペーストを供給する工程と、実装基板上に電子部品を搭載する工程と、はんだリフローを行なう工程と、を有することを特徴とする。
【００１２】
また、上記の目的を達成するための本発明による電子デバイスの製造方法は、実装基板上の電極パッドと電子部品の電極パッドとがはんだ接合部により接続されている電子デバイスの製造方法であって、実装基板上の電極パッド上に導電性の立体構造繊維体を含有するはんだペーストを供給する工程と、実装基板上に電子部品を搭載する工程と、はんだリフローを行なう工程と、を有することを特徴とする。
【００１３】
また、上記の目的を達成するための本発明による電子デバイスの製造方法は、実装基板上の電極パッドと電子部品の電極パッドとがはんだ接合部により接続されている電子デバイスの製造方法であって、電子部品の電極パッド上に導電性の立体構造繊維体を含有するはんだペーストを供給する工程と、はんだリフローを行なって電子部品の電極パッド上にはんだバンプを形成する工程と、実装基板上の電極パッド上にはんだペーストを供給する工程と、実装基板上に電子部品を搭載する工程と、はんだリフローを行なう工程と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によると、実装基板上に電子部品を搭載したとき、はんだペーストとこれと接合されるはんだバンプとの界面付近には導電性の立体構造繊維体が存在している。そのため、はんだリフロー工程の際に、立体構造繊維体を濡れ上がった一方側のはんだは、他方のはんだに至りこれと融合し合うことになる。あるいは、両方のはんだ側から立体構造繊維体をはんだが濡れ上がり、両者が融合し合う。その結果、はんだ未融合による接続不良の発生は有効に防止される。
ここで、本発明においては立体構造繊維体は、３次元の構造を有している。繊維体が線状ないし平面状であった場合、実装時に繊維体が水平の姿勢をとる場合には、上記した本発明の効果が得られ難い。本発明によると、繊維体が３次元の構造を有しているため、これが実装時にどのような姿勢にあっても本発明の効果を享受することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施の形態を示す断面図。
【図２】本発明による電子デバイスの部分断面説明図。
【図３】本発明の第１の実施の形態の製造方法を工程順に示す断面図。
【図４】本発明の第２の実施の形態を示す断面図。
【図５】本発明の第３の実施の形態を示す断面図。
【図６】本発明の第３の実施の形態の製造方法を工程順に示す断面図。
【図７】本発明の第４の実施の形態の製造方法の１工程段階を示す断面図。
【図８】本発明の第４の実施の形態の製造方法を工程順に示す断面図。
【図９】本発明の第５の実施の形態を示す断面図。
【図１０】本発明の第５の実施の形態の製造方法を工程順に示す断面図。
【図１１】従来例の問題点を説明するための断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態を示す断面図である。実装基板１上には、半導体素子を内蔵する電子部品４が搭載されている。実装基板１は、基板本体１３と、基板本体１３表面に形成された電極パッド１２と、電極パッド１２を囲むように形成されたソルダーレジスト１１とを有する。基板本体１３の内部およびその表面には、配線層（図示なし）が形成されている。実装基板１の電極パッド１２と、電子部品４が有する電極パッド４１とは、それぞれ格子状に配置されている。実装基板１の電極パッド１２と電子部品４の電極パッド４１とは、はんだフィレット３を介して接続されている。はんだフィレット３には、選択的に立体構造繊維体３が含有せしめられている。つまり、電極パッド１２と電極パッド４１との距離が大きい箇所のはんだフィレット３は立体構造繊維体３を含有しているが、電極パッド１２と電極パッド４１との距離が短い箇所のはんだフィレット３は立体構造繊維体３を含有していない。なお、前記立体構造繊維体３は、電子部品４の電極パッド４１または実装基板１の電極パッド１２と接触している必要はない。さらに、立体構造繊維体３ははんだフィレット２から一部が露出していてもよい。
【００１７】
本実施の形態において、立体構造繊維体３は金属細線（金属繊維）によって構成されている。その材料としては、はんだ２の濡れ性のよいものが好ましく、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、錫（Ｓｎ）、金（Ａｕ）などが用いられる。あるいは、これらの内のいずれか一つの材料の金属細線にいずれか他の金属をめっきしたものであってもよい（Ａｕ線にＮｉめっきなど）。あるいは、他の材料の金属細線にはんだ濡れ性のよいこれらの金属をめっきしたものであってもよい。立体構造繊維体３は、３次元の広がりを有しており、１本の金属繊維が不規則に折り曲げられたもの、複数の金属繊維が不規則に絡み合ったもの、織布あるいは不織布などであってよい。立体構造繊維体３の全体形状は、特定の方向が極端に長いものは好ましくなく、球体や正多面体に近い、全方向にバランスのよい形状であることが望ましい。さらに、一定以上の大きさであることが望ましい。はんだの未融合状態での接触部（図１１参照）が発生する可能性のある部分に立体構造繊維体３が現れるようにするためである。図２に示されるように、はんだフィレット２中での立体構造繊維体３の高さをｈとし、電極パッド間の距離をＨとするとき、ｈがＨの１／４以上であるとき、立体構造繊維体３の比重や実装方法にもよるが、リフロー工程時に立体構造繊維体３を両側からのはんだの溶け合う位置近傍に位置せしめることが可能になり、ほぼはんだの未融合状態の発生を防止することができる。立体構造繊維体３の姿勢の如何にかかわらず高さｈを距離Ｈの１／４以上とするには、立体構造繊維体３の最小の差し渡しが、距離Ｈの１／４以上であればよい。より確実にはんだの未融合状態の発生を防止するには、立体構造繊維体３の最小の差し渡しが、Ｈの１／３以上とすることが望ましい。未融合状態のはんだ接触部が電極パッド間の丁度真中付近で発生する可能性があるとき、立体構造繊維体３の最小の差し渡しがＨの１／２以上であれば、はんだリフロー工程時に未融合状態の発生可能個所に立体構造繊維体３を確実に存在させるようにすることができ、接続不良を完全に防止することができる。
【００１８】
半導体素子を内蔵する電子部品４は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）、ＬＧＡ（Land Grid Array）やＣＳＰ（Chip Size Package）といった一般的に使用されるパッケージ形状を有するものであってよい。また、その端子配置形態は、フルグリッドタイプでも、パッケージ中央一帯に電極を持たないタイプやパッケージ外周部のみに電極を持つタイプなどのいずれであってもよい。さらに、ベアチップといったチップ形状のものを使用してもよい。
【００１９】
図３は、第１の実施の形態の電子デバイスの製造方法を示す工程順の断面図である。まず、実装基板１の電極パッド１２上に、スクリーン印刷法などによりはんだペースト５を供給する〔図３（ａ）〕。次に、はんだペースト５上に立体構造繊維体３を配置する〔図３（ｂ）〕。立体構造繊維体３の配置は、実装後に電極パッド間の距離が大きくなる箇所に選択的に配置する。立体構造繊維体３には予めフラックス処理が施されていることが望ましい。次いで、半導体素子を内蔵し、電極パッド４１上にはんだバンプ４２を有する電子部品４を実装基板１上に搭載する〔図３（ｃ）〕。その後、リフロー炉に搬入し、加熱する。すると、はんだペースト５とはんだバンプ４２のはんだが溶融する。このとき、はんだペースト５の溶融はんだが立体構造繊維体３の繊維を濡れ上り、電子部品側の溶融はんだに到達して両はんだが溶融し合う。あるいは、実装基板側の溶融はんだと電子部品側の溶融はんだの両方が立体構造繊維体３の繊維を濡らし、両はんだが溶融し合う。次いで、リフロー炉から取り出して、電子部品の実装が完了する〔図３（ｄ）〕。実装工程時の加熱処理により実装基板や電子部品に反りが発生する可能性があるが、反りによって電極パッド間の距離が離れても実装工程時に実装基板側のはんだと電子部品側のはんだとが立体構造繊維体３を介して融合し合うため、はんだの未融合状態による接続不良の発生は防止される。また、電極パッド間の距離が短い箇所においては、立体構造繊維体３が存在していなくても両側からのはんだは十分に融合し合う。
【００２０】
［第２の実施の形態］
図４は、本発明の第２の実施の形態を示す断面図である。図4において、第１の実施の形態を示す図１の部分と同等のものには、同一の参照符号を付し重複する説明は適宜省略する。本実施の形態においては、第１の実施の形態における金属繊維を用いた立体構造繊維体３に代えて、絶縁性繊維にはんだ濡れ性の良好な金属のめっきを施したものにより形成された立体構造繊維体３１が、はんだフィレット２中に埋設されている。また、本実施の形態においては、全てのはんだフィレット２に立体構造繊維体３１が含まれている。
立体構造繊維体３１の絶縁性繊維の材料には、例えばポリイミド、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの耐熱性樹脂が用いられる。この樹脂製繊維は、はんだ濡れ性に優れた金属（Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｕなど）のめっきが施される。
本実施の形態の電子デバイスの製造方法は、図３に示される第1の実施の形態の場合と同様である。本実施の形態によると、立体構造繊維体３１の比重が溶融はんだのそれより低いため、はんだリフロー工程において立体構造繊維体３１は浮力を受ける。そのため、立体構造繊維体３１は浮上して電子部品側の溶融はんだ内に進入することになる。その結果、立体構造繊維体３１を介在させた実装基板側のはんだと電子部品側のはんだとの融合はより確実なものとなり、はんだ接合部の接続信頼性は一層高められる。
【００２１】
［第３の実施の形態］
図５は、本発明の第２の実施の形態を示す断面図である。図５において、第２の実施の形態を示す図４の部分と同等のものには、同一の参照符号を付し重複する説明は適宜省略する。本実施の形態は、第２の実施の形態と同様の構成を有するが、本実施の形態においては、はんだフィレット２内に含有される立体構造繊維体３１は、予めはんだペースト中に混入されていたものである。
【００２２】
図６は、第３の実施の形態の電子デバイスの製造方法を示す工程順の断面図である。実装基板１の電極パッド１２上に、スクリーン印刷法などにより立体構造繊維体３１を含有するはんだペースト５を供給する〔図６（ａ）〕。はんだペースト５には、全ての電極パッド１２上に少なくとも１個の立体構造繊維体３１が供給される程度の濃度に立体構造繊維体３１が混入されているものとする。次に、実装基板１上に半導体素子を内蔵し、電極パッド４１上にはんだバンプ４２を有する電子部品４を搭載する〔図６（ｂ）〕。続いて、リフロー炉に搬入し、加熱する。これにより、はんだペースト５の溶融はんだが立体構造繊維体３１の繊維を濡らすが、同時に浮力を受けた立体構造繊維体３１は電子部品側の溶融はんだ側に進行して両側のはんだが立体構造繊維体３１を介して溶融し合う。このはんだリフロー工程中に超音波振動などの振動を加えつつはんだリフローを行なうと、立体構造繊維体３１の移動が促進されるので、より信頼性の高いはんだ付けが実現できる。次いで、リフロー炉から取り出して、電子部品の実装が完了する〔図６（ｃ）〕。実装工程時の加熱処理により実装基板や電子部品に反りが発生する可能性があるが、実装工程時に実装基板側のはんだと電子部品側のはんだとが立体構造繊維体３１を介して融合し合うため、本実施の形態の方法によっても、はんだの未融合状態による接続不良の発生を防止することができる。
【００２３】
［第４の実施の形態］
図７は、本発明の第４の実施の形態で用いられる電子部品を示す断面図である。図７に示されるように、本実施の形態の電子部品４では、はんだバンプ４２内に立体構造繊維体３が含まれている。立体構造繊維体３を構成する金属繊維の材料としては、はんだより比重の大きくかつはんだ濡れ性に優れるＣｕ、Ｎｉ、Ａｕなどが用いられるものとする。あるいは、これらの内のいずれか一つの材料の金属細線にいずれか他の金属をめっきしたものであってもよい（Ａｕ線にＮｉめっきなど）。あるいは、比重がはんだより大きい他の材料の金属細線にはんだ濡れ性のよいこれらの金属をめっきしたものであってもよい。
【００２４】
図８は、第４の実施の形態の電子デバイスの製造方法を示す工程順の断面図である。半導体素子を内蔵する電子部品４の電極パッド４１上に、立体構造繊維体３を含有するはんだペースト５を供給する〔図８（ａ）〕。はんだペースト５には、全ての電極パッド４１上に少なくとも１個の立体構造繊維体３が供給される程度の濃度に立体構造繊維体３が混入されているものとする。次に、はんだリフローを行なって、電極パッド４１上にはんだバンプ４２を形成する〔図７、図８（ｂ）〕。次に、実装基板１の電極パッド１２上に、はんだペースト５を供給する。そして、実装基板１上に、立体構造繊維体３を含有するはんだバンプ４２を有する電子部品４を搭載する〔図８（ｃ）〕。続いて、リフロー炉に搬入し、加熱する。これにより、はんだバンプ４２とはんだペースト５のはんだが溶融するが、このとき比重が溶融はんだより大きい立体構造繊維体３は沈降し、実装基板上のはんだ側へ進行する。これにより、実装基板側のはんだと電子部品側のはんだとが立体構造繊維体３を介して溶融し合うことになる。このはんだリフロー工程においても超音波振動などの振動を加えつつリフローを行なうことができる。次いで、リフロー炉から取り出して、電子部品の実装が完了する〔図８（ｄ）〕。
【００２５】
［第５の実施の形態］
図９は、本発明の電子デバイスの第２の実施の形態を示す断面図である。図９において、第１の実施の形態を示す図１の部分と同等のものには、同一の参照符号を付し重複する説明は適宜省略する。本実施の形態においても、第１の実施の形態の場合と同様に、実装基板１の電極パッド１２と電子部品４の電極パッド４１との距離が大きい場合には、その間に形成されたはんだフィレット２には立体構造繊維体３が含まれているが、電極パッド１２−４１間の距離が短い場合には、その間に形成されたはんだフィレット２には立体構造繊維体３が含まれていない。
【００２６】
図１０は、第５の実施の形態の電子デバイスの製造方法を示す工程順の断面図である。半導体素子を内蔵する電子部品４の電極パッド４１上に、はんだペースト５を供給する。そして、電子部品４の実装後に電極パッド間の距離が大きくなる電極パッド４１上のはんだペースト５に、比重がはんだより大きい金属材料を用いた立体構造繊維体３を供給する〔図１０（ａ）〕。次に、はんだリフローを行なって、電極パッド４１上にはんだバンプ４２を形成する〔図１０（ｂ）〕。次に、実装基板１の電極パッド１２上に、はんだペースト５を供給する。そして、実装基板１上に、立体構造繊維体３を含有するはんだバンプ４２を有する電子部品４を搭載する〔図１０（ｃ）〕。続いて、リフロー炉に搬入し、加熱する。これにより、はんだバンプ４２とはんだペースト５のはんだが溶融するが、このとき比重が溶融はんだより大きい立体構造繊維体３は沈降し、実装基板上のはんだ側へ進行する。これにより、電極パッド間の距離が大きくても実装基板側のはんだと電子部品側のはんだとが立体構造繊維体３を介して溶融し合うことになる。また、電極パッド間の距離が短い場合には立体構造繊維体３が存在していなくても、両側からのはんだは十分に融合し合う。このはんだリフロー工程においても超音波振動などの振動を加えつつリフローを行なうことができる。次いで、リフロー炉から取り出して、電子部品の実装が完了する〔図１０（ｄ）〕。
【実施例１】
【００２７】
実装される電子部品として、１６ピン×１６ピンのフルグリッドタイプのＢＧＡを使用した。はんだボールは、鉛フリーのＳｎ-３．０Ａｇ-０．５Ｃｕを用い、ボール径０．２４ｍｍ、ボールピッチ０．４ｍｍ、ボール間隔０．１６ｍｍであった。
立体構造繊維体は、次のように作製した。線径０．１μｍ、長さ１０ｍｍのＣｕ線を用い、外形が球体に近い、直径が約０．２ｍｍの立体構造繊維体を形成した。
本実施例で使用する実装基板は、ガラスエポキシ樹脂製で、サイズは１６ｍｍ×１６ｍｍ×０．３６ｍｍであった。基板表面の中央部に、Ａｕ製で０．２ｍｍ角の電極パッドを０．４ｍｍピッチで２５６個配置し、電極パッド表面にはＮｉめっきを施した。各電極パッド上にＳｎ-３．０Ａｇ-０．５Ｃｕはんだを用いたはんだペーストを供給し、外側５列の電極パッド上に上記の立体構造繊維体をフラックス処理して配置した。ＢＧＡである電子部品を実装基板上に搭載し、はんだリフローを行なって、電子部品を実装した。実装工程終了後の実装基板には、上に凸の基板反りが発生していたが、接続不良の発生は認められなかった。
【符号の説明】
【００２８】
１    実装基板
１１    ソルダーレジスト
１２    電極パッド
１３    基板本体
２    はんだフィレット
２１、２２    はんだ
３、３１    立体構造繊維体
４    電子部品
４１    電極パッド
４２    はんだバンプ
５    はんだペースト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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