(57)【要約】【課題】電子デバイスの製造工程において位置合わせが容易にできる窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】本発明に係る窒化物半導体基板１は、窒化物半導体からなる基板の主面をなす第１の表面１０と、基板の第１の表面１０側の縁の少なくとも一部がＣ面取りされて形成された第１のエッジ部１２とを備え、第１のエッジ部１２の少なくとも一部に、外部からの光を第１の表面１０より多く散乱する散乱領域が形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
窒化物半導体からなる基板の主面をなす第１の表面と、
前記基板の前記第１の表面側の縁の少なくとも一部が面取りされて形成された第１のエッジ部と
を備え、
前記第１のエッジ部の少なくとも一部に、外部からの光を前記第１の表面より多く散乱する散乱領域が形成されている窒化物半導体基板。
【請求項２】
前記窒化物半導体基板は、ＩｎｘＡｌｙＧａｚＮ（ただし、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）からなり、
前記第１の表面は、０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下の面粗度を有し、
前記散乱領域は、０．１μｍ以上１０μｍ以下の面粗度を有する請求項１に記載の窒化物半導体基板。
【請求項３】
前記第１の表面に対して反対側の前記基板の主面をなす第２の表面と、
前記基板の前記第２の表面側の縁に面取りされて形成される第２のエッジ部と
を更に備え、
前記第１の表面側から見て、前記散乱領域の直下の領域に前記第２のエッジ部と前記第２の表面との境界が位置する請求項２に記載の窒化物半導体基板。
【請求項４】
前記基板は、オリエンテーションフラットが形成されている請求項３に記載の窒化物半導体基板。
【請求項５】
前記基板は、インデックスフラットが形成されている請求項４に記載の窒化物半導体基板。
【請求項６】
前記散乱領域は、少なくとも前記オリエンテーションフラットの一部に形成される
請求項５に記載の窒化物半導体基板。
【請求項７】
前記散乱領域は、少なくとも前記インデックスフラットの一部に形成される
請求項５又は６に記載の窒化物半導体基板。
【請求項８】
前記散乱領域は、波長が４００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の可視光の透過率が８８％以下である請求項３に記載の窒化物半導体基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体基板に関する。特に、本発明は、面取りが施されたエッジを有する窒化物半導体基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の窒化物半導体基板として、上面視にて円形の窒化ガリウム（ＧａＮ）基板のエッジ部の面粗度をＲａ１０ｎｍからＲａ５μｍとした窒化物半導体基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に記載の窒化物半導体基板は、エッジ部を平滑にすることによりクラック発生率を減少させることができ、当該窒化物半導体基板を用いた電子デバイスの製造工程において電子デバイスの歩留りを向上させることができる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−３１９９５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に記載の窒化物半導体基板は、電子デバイスの製造工程においてステッパー又はマスクアライナー等を用いてフォトマスクを用いた微細パターンを当該窒化物半導体基板に形成する場合において、微細パターンの位置決めの基準としてエッジ部を用いると、基板表面とエッジ部との境界が顕微鏡において明瞭に観察できない場合があり、窒化物半導体基板のフォトマスクに対する位置合わせが精密にできない場合がある。
【０００６】
したがって、本発明の目的は、電子デバイスの製造工程において位置合わせが容易にできる窒化物半導体基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記目的を達成するため、窒化物半導体からなる基板の主面をなす第１の表面と、基板の第１の表面側の縁の少なくとも一部が面取りされて形成された第１のエッジ部とを備え、第１のエッジ部の少なくとも一部に、外部からの光を第１の表面より多く散乱する散乱領域が形成されている窒化物半導体基板が提供される。
【０００８】
また、上記窒化物半導体基板は、ＩｎｘＡｌｙＧａｚＮ（ただし、０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）からなり、第１の表面は、０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下の面粗度を有し、散乱領域は、０．１μｍ以上１０μｍ以下の面粗度を有することもできる。
【０００９】
また、上記窒化物半導体基板は、第１の表面に対して反対側の基板の主面をなす第２の表面と、基板の第２の表面側の縁に面取りされて形成される第２のエッジ部とを更に備え、第１の表面側から見て、散乱領域の直下の領域に第２のエッジ部と第２の表面との境界が位置してもよい。
【００１０】
また、上記窒化物半導体基板は、オリエンテーションフラットが形成されていてもよく、インデックスフラットが形成されていてもよい。
【００１１】
また、上記窒化物半導体基板は、散乱領域は、少なくともオリエンテーションフラットの一部に形成されていてもよく、散乱領域は、少なくともインデックスフラットの一部に形成されていてもよい。
【００１２】
更に、上記窒化物半導体基板は、散乱領域は、波長が４００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の可視光の透過率が８８％以下であってもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る窒化物半導体基板によれば、電子デバイスの製造工程において位置合わせが容易にできる窒化物半導体基板を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
［第１の実施の形態］
図１（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る窒化物半導体基板の上面の概要を示し、（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面の概要を示す。
【００１５】
（窒化物半導体基板１の構成）
第１の実施の形態に係る窒化物半導体基板１は、基板の主面としての第１の表面１０と第１の表面１０に対して反対側の基板の主面としての第２の表面２０とを備える。そして、第１の表面１０の縁には、第１のエッジ部１２が形成されている。同様に第２の表面２０の縁には、第２のエッジ部２２が形成されている。第１のエッジ部１２は、第１の表面１０の縁の少なくとも一部が面取りされて形成される。同様に、第２のエッジ部２２は、第２の表面２０の縁の少なくとも一部が面取りされて形成される。面取りとしては、「Ｃ面取り」と「Ｒ面取り」とがある。「Ｃ面取り」は角を平らに加工することであり、「Ｒ面取り」は角をラウンド状に加工することである。一例として、第１の実施の形態に係る第１のエッジ部１２は、第１の表面１０の縁のすべてがＣ面取りされて形成され、第２のエッジ部２２は、第２の表面２０の縁のすべてがＣ面取りされて形成される。なお、本実施の形態に係る窒化物半導体基板１は、窒化物半導体としてのＩｎｘＡｌｙＧａｚＮ（０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、０＜ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）から形成される。
【００１６】
（第１のエッジ部１２及び第２のエッジ部２２の詳細）
図１（ｂ）を参照すると、第１のエッジ部１２は、窒化物半導体基板１の端部３０から窒化物半導体基板１の中心に向かって面取り幅１２ｂを有して形成されるエッジ表面１４を含み、エッジ表面１４は、第１の表面１０に対してエッジ角度１２ａだけ傾斜して形成される。また、第２のエッジ部２２は、端部３０から窒化物半導体基板１の中心に向かって面取り幅２２ａを有して形成されるエッジ表面２４を含み、エッジ表面２４は、第２の表面２０に対して所定の角度だけ傾斜して形成される。なお、第１の実施の形態に係る端部３０は、端部３０の表面が、第１の表面１０の法線方向及び第２の表面２０の法線方向に水平方向に向いて形成される。
【００１７】
ここで、本実施の形態においては、面取り幅１２ｂの方が面取り幅２２ａよりも広く形成される。これにより、第１の表面１０側から見て、第１のエッジ部１２の直下の領域に第２のエッジ部２２と第２の表面２０との境界２０ａが位置することになる。つまり、第１のエッジ部１２と第１の表面１０との境界１０ａは、第２のエッジ部２２と第２の表面２０との境界２０ａよりも内側に位置する。すなわち、本実施の形態のおいては、第１の表面１０側を顕微鏡で観察する場合に、エッジ表面１４に境界２０ａが隠される位置となる位置に、境界１０ａ及び境界２０ａが設けられる。
【００１８】
また、第１の表面１０は、０．１ｎｍ以上５ｎｍ以下の面粗度（算術平均粗さＲａ）を有して形成され、第１のエッジ部１２は、０．１μｍ以上１０μｍ以下の面粗度（算術平均粗さ：Ｒａ）を有して形成される。また、エッジ角度１２ａは、境界１０ａを顕微鏡により視認できる範囲にすることのできる角度で形成され、一例として１０°以上８０°以下の範囲で形成される。更に、面取り幅１２ｂは、窒化物半導体基板１の割れ及び欠けの抑制と境界１０ａの視認性確保とを両立させるべく、０．１ｍｍ以上とする。また、面取り幅２２ａは、窒化物半導体基板１の割れ及び欠けを抑制すべく、０．１ｍｍ以上とする。但し、上述のとおり、面取り幅２２ａは、面取り幅１２ｂより狭く形成する。
【００１９】
また、第１のエッジ部１２は、外部から入射する光を第１の表面１０より多く散乱することにより、曇りガラス状を呈する。すなわち、本実施の形態に係る第１のエッジ部１２のエッジ表面１４は、外部からの光を第１の表面１０より多く散乱する領域として機能する。具体的に、第１のエッジ部１２は、波長が４００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の可視光の透過率が８８％以下の透過率を有して形成されることにより曇りガラス状を呈する。なお、本実施の形態において、第１のエッジ部１２の可視光の透過率が８８％以下の透過率となっている状態を「曇りガラス状」といい、曇りガラス状を呈する領域を「散乱領域」という。
【００２０】
（窒化物半導体基板１の製造方法）
本実施の形態に係る窒化物半導体基板１は、窒化物半導体からなる自立基板を作成した後、作成した自立基板の表面及び裏面の両面を鏡面化して、鏡面化した両面の縁部分に面取り加工（Ｃ面取り又はＲ面取り）を施すことにより製造することができる。具体的には、以下の各工程を経ることにより窒化物半導体基板１は製造される。
【００２１】
（自立基板準備工程）
まず、異種基板であるサファイア基板上にＥｐｉｔａｘｉａｌ  Ｌａｔｅｒａｌ  Ｏｖｅｒｇｒｏｗｔｈ（ＥＬＯ）法等を用いて前処理を施す。続いて、Ｈｙｄｒｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ（ＨＶＰＥ）法により窒化物半導体の厚膜を形成する。次に、機械研磨又はレーザー剥離法によりサファイア基板を除去する。これにより、窒化物半導体の自立基板が得られる。
【００２２】
（研磨工程）
次に、得られた基板の両面を研磨する。研磨は、研削又はラッピング（ＧＣ＃８００等を用いる）を基板の両面に施すことにより実施して、両面を平坦面にする。続いて、平坦面となった両面にポリッシュを施すことにより両面を鏡面化する。この研磨工程において、基板表面であるＧａ極性面（例えば、第１の表面１０）の面粗度を５ｎｍ以下にする。
【００２３】
（外形加工工程及び面取り加工）
次に、外形加工を施すことにより基板を所定の形状に加工する。例えば、基板を所定の直径を有する円形状に加工する。続いて、外周のエッジ部にＣ面取り加工を施す。Ｃ面取り加工は、面取り加工機を用いて実施する。面取り加工の条件は、砥石と加工圧力と送り出し速度等を調整することにより、エッジ表面１４の面粗度（Ｒａ）が０．１μｍ以上１０μｍ以下となると共に、エッジ表面１４の波長が４００ｎｍ以上７８０ｎｍ以下の可視光の透過率が８８％以下の透過率となる条件に設定する。
【００２４】
上記各工程を経ることにより本実施の形態に係る窒化物半導体基板１が製造される。なお、エッジ表面１４の可視光の透過率が８８％以下であるか否かは、例えば、参照用の窒化物半導体基板を準備して、参照用の窒化物半導体基板の第１の表面１０に本実施の形態に係る窒化物半導体基板１の第１のエッジ部１２を形成する場合と同様の加工を施して、可視光吸収スペクトル装置で測定することにより確認できる。
【００２５】
（第１の実施の形態の効果）
本実施の形態に係る窒化物半導体基板１によれば、第１の表面１０の縁部分に第１のエッジ部１２を設けると共に、第１のエッジ部１２の表面、すなわちエッジ表面１４を第１の表面１０よりも外部から入射する可視光をより多く散乱させる表面に加工するので、第１のエッジ部１２と第１の表面１０との境界を顕微鏡により明瞭に識別できる。これにより、電子デバイスの製造工程においてフォトリソグラフィー法を用いて当該窒化物半導体基板に微細パターンを形成する場合に、顕微鏡のピントを当該境界に容易に合わせることができる。したがって、面取りを施した基板の外周と基板上に形成したパターン（例えば、フォトレジストにより形成したマスクパターン）とのそれぞれに対して顕微鏡のピントを合わせなくても、エッジ部と基板表面との境界にピントを合わせるだけで位置合わせができるので、ピント合わせの手間を省くと共に位置合わせの精度を向上させることができる。
【００２６】
また、本実施の形態に係る窒化物半導体基板１によれば、上述したように、エッジ部と基板表面との境界を顕微鏡により明瞭に識別できるので、ステッパー又はマスクアライナーを用いた微細加工を当該窒化物半導体基板１に施す場合における加工精度を向上させることができる。したがって、本実施の形態に係る窒化物半導体基板１によれば、当該窒化物半導体基板１から製造される電子デバイスのデバイス特性、及び歩留りを向上させることができる。
【００２７】
更に、本実施の形態に係る窒化物半導体基板１によれば、エッジ表面１４の面粗度を０．１μｍ以上１０μｍ以下にすると共に曇りガラス状にしたので、境界１０ａの視認性を向上させると共に、窒化物半導体基板１を用いた製造工程における基板の割れ率を低減させることができる。なお、本実施の形態に基づいて、エッジ表面１４の面粗度を０．１μｍ以上１０μｍ以下にした窒化物半導体基板１と、面粗度を２０μｍとした窒化物半導体基板とをそれぞれ製造したところ、本実施の形態に係る窒化物半導体基板１は、面粗度が２０μｍの窒化物半導体基板に比べて割れ不良率が半減した。
【００２８】
なお、本実施の形態に係る窒化物半導体基板１は、例えば、深紫外、紫外、青紫、青、緑色の発光ダイオード（ＬＥＤ）、又はこれらのＬＥＤにＹＡＧ等の蛍光体を組み合わせた白色ＬＥＤ、若しくは、深紫外、紫外、青紫、青、緑色のレーザダイオード（ＬＤ）等に用いることができる。
【００２９】
［第１の実施の形態の変形例］
図２（ａ）は、本発明の第１の実施の形態の変形例に係る窒化物半導体基板の上面の概要を示し、（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態の他の変形例に係る窒化物半導体基板の上面の概要を示す。
【００３０】
第１の実施の形態の変形例に係る窒化物半導体基板２及び窒化物半導体基板３はそれぞれ、第１の実施の形態に係る窒化物半導体基板１とは、基板外周の形状が異なる点を除き第１の実施の形態に係る窒化物半導体基板１と略同一の構成を備える。よって、相違点を除き詳細な説明は省略する。
【００３１】
図２（ａ）を参照すると、窒化物半導体基板２は、第１のエッジ部１２の一部に基板の面方位を示すオリエンテーションフラット４０が形成される。窒化物半導体基板２においては、オリエンテーションフラット４０を含む第１のエッジ部１２（具体的には、オリエンテーションフラット４０及び第１のエッジ部１２それぞれのエッジ表面１４）のすべてが散乱領域となる。
【００３２】
図２（ｂ）を参照すると、窒化物半導体基板３は、第１のエッジ部１２の一部にオリエンテーションフラット４０に加えて、第１の表面１０と第２の表面２０とを識別するインデックスフラット４５が更に形成される。オリエンテーションフラット４０の長手方向とインデックスフラット４５の長手方向とはそれぞれ互いに略垂直に形成される。窒化物半導体基板３においては、オリエンテーションフラット４０及びインデックスフラット４５を含む第１のエッジ部１２（具体的には、オリエンテーションフラット４０、インデックスフラット４５、及び第１のエッジ部１２それぞれのエッジ表面１４）のすべてが散乱領域となる。
【００３３】
［第２の実施の形態］
図３Ａは、本発明の第２の実施の形態に係る窒化物半導体基板の上面の概要を示す。
【００３４】
第２の実施の形態に係る窒化物半導体基板４は、第１の実施の形態に係る窒化物半導体基板１とは、曇りガラス状にする部分が異なる点を除き第１の実施の形態に係る窒化物半導体基板１と略同一の構成を備える。よって、相違点を除き詳細な説明は省略する。
【００３５】
第２の実施の形態に係る窒化物半導体基板４は、第１の表面１０の縁に第１のエッジ部１６を備えると共に、第１のエッジ部１６の一部にオリエンテーションフラット４２を有する。本実施の形態において、第１のエッジ部１６は面取り加工が施されているものの、曇りガラス状となるように形成されていない。第２の実施の形態においては、Ｃ面取りされた部分の一部としてのオリエンテーションフラット４２の表面のみが曇りガラス状に形成され、これによりオリエンテーションフラット４２が散乱領域として機能している。
【００３６】
オリエンテーションフラット４２は、例えば、以下のように形成する。まず、面取り加工において外周のエッジ部にＣ面取り加工を施すと共に、オリエンテーションフラット４２の縁にＣ面取り加工を施す。次に、オリエンテーションフラット４２に対応する位置にのみ、オリエンテーションフラット４２の表面の面粗度（Ｒａ）が０．１μｍ以上１０μｍ以下となると共に、エッジ表面１４の可視光の透過率が８８％以下の透過率となる条件にて加工を施す。なお、オリエンテーションフラット４２を除く第１のエッジ部１６は、面粗度（Ｒａ）が０．１μｍ以上１０μｍ以下となる条件で面取り加工することにより形成する。これにより、オリエンテーションフラット４２は、外部からの光を第１の表面１０より多く散乱する。
【００３７】
［第２の実施の形態の変形例］
図３Ｂの（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態の変形例に係る窒化物半導体基板の上面の概要を示す。
【００３８】
第２の実施の形態の変形例に係る窒化物半導体基板４ａ及び４ｂは、第２の実施の形態に係る窒化物半導体基板４とは、曇りガラス状にする部分が異なる点を除き第２の実施の形態に係る窒化物半導体基板４と略同一の構成を備える。よって、相違点を除き詳細な説明は省略する。
【００３９】
まず、図３Ｂの（ａ）に示すように、窒化物半導体基板４ａは、オリエンテーションフラット４２と、オリエンテーションフラット４２の端部４２ａ及び４２ｂから第１のエッジ部１６に沿って所定の距離まで曇りガラス状に加工される。つまり、窒化物半導体基板４ａにおいては、オリエンテーションフラット４２に加えて、曇りガラス状に加工された面取り加工の領域と曇りガラス状に加工されていない面取り加工の領域との境界４３ａ及び４３ｂまで曇りガラス状に加工され、境界４３ａと境界４３ｂとの間の領域が散乱領域として機能している。
【００４０】
また、図３Ｂの（ｂ）に示すように、窒化物半導体基板４ｂは、オリエンテーションフラット４２の一部の領域のみ曇りガラス状に加工されている。したがって、窒化物半導体基板４ｂにおいては、曇りガラス状に加工されている部分の幅、すなわち散乱領域は、オリエンテーションフラット４２の幅よりも狭く形成される。なお、図３Ｂの（ｂ）において、散乱領域はオリエンテーションフラット４２の中央部分を含む部分に形成されているが、端部４２ａ側又は端部４２ｂ側に偏った位置に散乱領域を形成することもできる。
【００４１】
［第２の実施の形態の変形例］
図４Ａ、図４Ｂの（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態の変形例に係る窒化物半導体基板の上面の概要を示す。
【００４２】
第２の実施の形態の変形例に係る窒化物半導体基板５は、第２の実施の形態に係る窒化物半導体基板４とは、曇りガラス状にする部分が更に加わる点を除き第２の実施の形態に係る窒化物半導体基板４と略同一の構成を備える。よって、相違点を除き詳細な説明は省略する。
【００４３】
図４Ａに示す第２の実施の形態の変形例に係る窒化物半導体基板５は、第１の表面１０の縁に第１のエッジ部１６を備えると共に、第１のエッジ部１６の一部にはオリエンテーションフラット４２及びインデックスフラット４７を有する。第２の実施の形態の変形例において、第１のエッジ部１６は面取り加工が施されているものの、曇りガラス状となるように形成されていない。本実施の形態においては、オリエンテーションフラット４２の表面及びインデックスフラット４７の表面のみが曇りガラス状に形成され、散乱領域として機能する。
【００４４】
また、図４Ｂの（ａ）に示す窒化物半導体基板５ａは、散乱領域と散乱領域ではない面取り加工の領域との一方の境界４３ａがオリエンテーションフラット４２の一部に形成され、散乱領域と散乱領域でない面取り加工の領域との他方の境界４３ｂが、オリエンテーションフラット４２の端部４２ｂを介して第１のエッジ部１６に沿って所定の距離まで進んだ位置に形成される。
【００４５】
同様にして、窒化物半導体基板５ａは、散乱領域と散乱領域ではない面取り加工の領域との一方の境界４８ａがインデックスフラット４７の一部に形成され、散乱領域と散乱領域ではない面取り加工の領域との他方の境界４８ｂが、インデックスフラット４７の端部４７ａを介して第１のエッジ部１６に沿って所定の距離まで進んだ位置に形成される。
【００４６】
また、図４Ｂ（ｂ）に示す窒化物半導体基板５ｂは、オリエンテーションフラット４２の一部の領域、及びインデックスフラット４７の一部の領域に、散乱領域が形成される。すなわち、オリエンテーションフラット４２の一部に境界４３ａ、４３ｂを有する散乱領域が形成され、インデックスフラット４２の一部に境界４８ａ、４８ｂを有する散乱領域が形成される。したがって、窒化物半導体基板５ｂは、オリエンテーションフラット４２の幅よりも狭く形成される散乱領域と、インデックスフラット４７の幅よりも狭く形成される散乱領域とを備える。
【００４７】
［第３の実施の形態］
図５（ａ）は、本発明の第３の実施の形態に係る窒化物半導体基板の上面の概要を示し、（ｂ）は、図５（ａ）のＢ−Ｂ断面の概要を示す。
【００４８】
第３の実施の形態に係る窒化物半導体基板６は、第１の実施の形態に係る窒化物半導体基板１とは、基板外周の形状が異なる点を除き第１の実施の形態に係る窒化物半導体基板１と略同一の構成を備える。よって、相違点を除き詳細な説明は省略する。
【００４９】
窒化物半導体基板６は、第１のエッジ部１２の最外周部分と、第２のエッジ部２２の最外周部分とは、ラウンド加工部３２によって連続している。窒化物半導体基板６においては、基板の縁の最外周部分にラウンド加工を更に施すことにより、第１のエッジ部１２及び第２のエッジ部２２の端部を起因とする基板の割れ、欠けを抑制することができる。
【００５０】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る窒化物半導体基板の上面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態の変形例に係る窒化物半導体基板の上面図であり、（ｂ）は、本発明の第１の実施の形態の他の変形例に係る窒化物半導体基板の上面図である。
【図３Ａ】本発明の第２の実施の形態に係る窒化物半導体基板の上面図である。
【図３Ｂ】（ａ）及び（ｂ）は、本発明の第２の実施の形態の変形例に係る窒化物半導体基板の上面図である。
【図４Ａ】本発明の第２の実施の形態の変形例に係る窒化物半導体基板の上面図である。
【図４Ｂ】本発明の第２の実施の形態の変形例に係る窒化物半導体基板の上面図である。
【図５】本発明の第３の実施の形態に係る窒化物半導体基板の上面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【符号の説明】
【００５２】
１、２、３、４、４ａ、４ｂ、５、５ａ、５ｂ、６  窒化物半導体基板
１０  第１の表面
１０ａ、２０ａ  境界
１２、１６  第１のエッジ部
１２ａ  エッジ角度
１２ｂ、２２ａ  面取り幅
１４、２４  エッジ表面
２０  第２の表面
２２  第２のエッジ部
３０  端部
３２  ラウンド加工部
４０、４２  オリエンテーションフラット
４２ａ、４２ｂ、４７ａ、４７ｂ  端部
４３ａ、４３ｂ、４８ａ、４８ｂ  境界
４５、４７  インデックスフラット
【図１】
2010092975.tif 000003
【図２】
2010092975.tif 000004
【図３Ａ】
2010092975.tif 000005
【図３Ｂ】
2010092975.tif 000006
【図４Ａ】
2010092975.tif 000007
【図４Ｂ】
2010092975.tif 000008
【図５】
2010092975.tif 000009