(57)【要約】【課題】インクジェット方式により緻密な配線の形成される積層構造体を提供する。【解決手段】基板と、基板上において、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化し、低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態へと変化する材料を含むものであって、エネルギーの付与により、高表面エネルギー領域と、低表面エネルギー領域とが形成されている濡れ性変化層と、濡れ性変化層の高表面エネルギー領域上に導電性材料により形成された導電層と、を有し、高表面エネルギー領域は、導電層による電気配線が形成される第１の領域と、第１の領域と接続されており、第１の領域よりも幅が狭く、第１の領域に導電材料を含む溶液を供給するための第２の領域とにより構成されていることを特徴とする積層構造体を提供することにより上記課題を解決する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上において、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化し、低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態へと変化する材料を含むものであって、前記エネルギーの付与により、高表面エネルギー領域と、低表面エネルギー領域とが形成されている濡れ性変化層と、
前記濡れ性変化層の高表面エネルギー領域上に導電性材料により形成された導電層と、
を有し、
前記高表面エネルギー領域は、前記導電層による電気配線が形成される第１の領域と、
前記第１の領域と接続されており、前記第１の領域よりも幅が狭く、前記第１の領域に導電材料を含む溶液を供給するための第２の領域と、
により構成されていることを特徴とする積層構造体。
【請求項２】
前記導電層は、前記第２の領域にインクジェット法により導電材料を含む溶液を選択的に滴下させ、前記導電材料を含む溶液を前記第２の領域より前記第１の領域に流動することにより形成されるものであることを特徴とする請求項１に記載の積層構造体。
【請求項３】
前記第２の領域は、前記第１の領域の長手方向に対し、略垂直に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の積層構造体。
【請求項４】
前記第１の領域上に形成された導電層よりも、前記第２の領域上に形成された導電層の方が薄く形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の積層構造体。
【請求項５】
前記第１の領域上に形成された導電層における抵抗率よりも、前記第２の領域上に形成された導電層における抵抗率の方が高いことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の積層構造体。
【請求項６】
前記第２の領域上に形成された導電層の抵抗率は、０．０１Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする請求項１から５のいずれかに記載の積層構造体。
【請求項７】
請求項１から６に記載のいずれかの積層構造体と、
前記積層構造体に形成される導電層を多層化するための層間絶縁膜と、
を有することを特徴とする多層配線基板。
【請求項８】
ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、保持容量電極及び半導体層とを有するトランジスタと、
前記ゲート電極に接続されたゲート信号線と、
前記ゲート信号線に略垂直に形成されており、前記ソース電極に接続されたソース信号線と、
前記保持容量電極に接続された共通信号線と、
を有するアクティブマトリックス基板において、
請求項１から６のいずれかに記載の積層構造体を有し、
前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記保持容量電極、前記ゲート信号線、前記ソース信号線、前記共有信号線のうち少なくともいずれか一つは、前記積層構造体における導電層により構成されていることを特徴とするアクティブマトリックス基板。
【請求項９】
画像表示素子と、
請求項８に記載されたアクティブマトリックス基板と、
を有することを特徴とする画像表示装置。
【請求項１０】
基板上にエネルギーの付与により表面エネルギーが変化する濡れ性変化材料を含む濡れ性変化層を形成する第１の工程と、
前記濡れ性変化層に前記エネルギーを付与することにより、第１の領域と、前記第１の領域よりも幅の狭い第２の領域からなる高表面エネルギー領域を形成する第２の工程と、
前記第２の領域に導電材料、絶縁材料又は半導体材料のいずれかを含む溶液を選択的に供給することにより、前記第２の領域より前記第１の領域に導電材料、絶縁材料又は半導体材料のいずれかを含む溶液を流動させる第３の工程と、
前記導電材料、絶縁材料又は半導体材料のいずれかを含む溶液を乾燥させることにより、前記第１の領域上に導電層、絶縁層又は半導体層のいずれかを形成する第４の工程と、
を有することを特徴とする積層構造体の形成方法。
【請求項１１】
前記第３の工程において、インクジェット法により、前記第２の領域に、前記導電材料、絶縁材料又は半導体材料のいずれかを含む溶液を供給することを特徴とする請求項１０に記載の積層構造体の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層構造体、多層配線基板、アクティブマトリックス基板、画像表示装置及び積層構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気回路等における電極、絶縁体、半導体などの形成方法として、これらの材料を含む溶液を基板上の所定位置に供給するインクジェット法がある。
【０００３】
このインクジェット法は、露光装置を用いるフォトリソグラフィー法に比べて、高価な装置や設備を必要とすることなく、工程数も少なく、材料効率が高いといった利点を有している。
【０００４】
しかしながら、インクジェット法では、基板上に供給した溶液の濡れ広がりや、溶液の液だまりの発生などの問題があり、インクジェット法により、電極、絶縁体、半導体のパターンを形成する際、微細化することは困難であった。
【０００５】
特許文献１では、エネルギーの付与により表面エネルギーが変化する濡れ性変化層を基板上に形成する方法が開示されている。この濡れ性変化層に紫外線を照射することにより、金属、絶縁体、半導体等の材料を含む溶液との親液性を示す高表面エネルギー部と、この溶液と撥液性を示す低表面エネルギー部とを形成し、高表面エネルギー部において、選択的に金属、絶縁体、半導体等の材料を含む溶液が供給されることにより、その領域において、金属、絶縁体、半導体等からなる膜を形成することが可能となる。
【０００６】
また、特許文献２では、インクジェット法において、液滴が着弾した場合に、着弾した液滴が所定の方向に移動するように表面処理されたパターン形成基材及びパターン形成方法が開示されている。金属、絶縁体、半導体等の材料を含む溶液との親液性を示す親水ラインと、この溶液と撥液性を示す撥水領域において、親液性を示す領域の特定位置に液滴を着弾させることにより、液滴を所定の方向に移動させることができる。
【特許文献１】特開２００５−３１０９６２号公報
【特許文献２】特開２００４−９５８９６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に記載されている方法では、表面エネルギーの異なる２つの部位のうち高表面エネルギー部に、選択的に金属、絶縁体、半導体等の材料を含む溶液が供給されるが、対向する２つの高表面エネルギー部の間に狭い低表面エネルギー部が形成されている場合においては、低表面エネルギー部近傍に着弾した液滴は、高表面エネルギー部から低表面エネルギー部へとはみ出してしまう場合があり、この場合、本来接続されないはずの高表面エネルギー部同士が液滴によりつながってしまう可能性がある。
【０００８】
よって、溶液が低表面エネルギー部上に広がることなく、高表面エネルギー部上に広がるためには、高表面エネルギー部に挟まれて形成された低表面エネルギー部から離れた位置に液滴を滴下させる必要があり、このため形成されるパターンの微細化には限界があった。
【０００９】
一般に、インクジェット法に用いられる溶液の液滴の体積は、少なくとも１ｐＬ（直径１２．４μｍ）以上であり、多数のノズルを用いる場合のノズル間での吐出角度バラツキや機械的なステージ位置決め精度を加味すると、着弾範囲は少なくとも数十μｍ以上となる。更には、液滴は、運動エネルギーを有して基板上に着弾すること、及び着弾後に基板表面で広がることを考慮すると、マージンはこれ以上必要となる。
【００１０】
また、特許文献２に記載されている方法では、溶液が付着してはならない領域を避けて溶液を着弾させた場合であっても、溶液が所定の方向に移動するような表面処理がなされているが、たとえば、配線パターンを形成する場合、少なくとも大きさの異なる２種類の液滴を用いなければ、親水ラインの全域において、機能性材料を含む溶液が広がることが困難となるため、工程が複雑なものとなる。更に、機能性材料を含む溶液を所定の方向に移動させるためには、親水ライン上の特定の位置に機能性材料を含む溶液の液滴を高い精度で着弾させる必要があった。
【００１１】
本発明は、このような問題に対しなされたものであり、インクジェット法等の印刷法により微細な機能性材料のパターンを形成した積層構造体、多層配線基板、アクティブマトリックス基板、画像表示装置及び積層構造体の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、基板と、前記基板上において、エネルギーを付与することにより臨界表面張力が変化し、低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態へと変化する材料を含むものであって、前記エネルギーの付与により、高表面エネルギー領域と、低表面エネルギー領域とが形成されている濡れ性変化層と、前記濡れ性変化層の高表面エネルギー領域上に導電性材料により形成された導電層と、を有し、前記高表面エネルギー領域は、前記導電層による電気配線が形成される第１の領域と、前記第１の領域と接続されており、前記第１の領域よりも幅が狭く、前記第１の領域に導電材料を含む溶液を供給するための第２の領域と、により構成されていることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明は、前記導電層は、前記第２の領域にインクジェット法により導電材料を含む溶液を選択的に滴下させ、前記導電材料を含む溶液を前記第２の領域より前記第１の領域に流動することにより形成されるものであることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は、前記第２の領域は、前記第１の領域の長手方向に対し、略垂直に形成されていることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、前記第１の領域上に形成された導電層よりも、前記第２の領域上に形成された導電層の方が薄く形成されていることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明は、前記第１の領域上に形成された導電層における抵抗率よりも、前記第２の領域上に形成された導電層における抵抗率の方が高いことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明は、前記第２の領域上に形成された導電層の抵抗率は、０．０１Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする。
【００１８】
また、本発明は、前記記載のいずれかの積層構造体と、前記積層構造体に形成される導電層を多層化するための層間絶縁膜と、を有することを特徴とする。
【００１９】
また、本発明は、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、保持容量電極及び半導体層とを有するトランジスタと、前記ゲート電極に接続されたゲート信号線と、前記ゲート信号線に略垂直に形成されており、前記ソース電極に接続されたソース信号線と、前記保持容量電極に接続された共通信号線と、を有するアクティブマトリックス基板において、前記記載の積層構造体を有し、前記ゲート電極、前記ソース電極、前記ドレイン電極、前記保持容量電極、前記ゲート信号線、前記ソース信号線、前記共有信号線のうち少なくともいずれか一つは、前記積層構造体における導電層により構成されていることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明は、画像表示素子と、前記アクティブマトリックス基板と、を有することを特徴とする。
【００２１】
また、本発明は、基板上にエネルギーの付与により表面エネルギーが変化する濡れ性変化材料を含む濡れ性変化層を形成する第１の工程と、前記濡れ性変化層に前記エネルギーを付与することにより、第１の領域と、前記第１の領域よりも幅の狭い第２の領域からなる高表面エネルギー領域を形成する第２の工程と、前記第２の領域に導電材料、絶縁材料又は半導体材料のいずれかを含む溶液を選択的に供給することにより、前記第２の領域より前記第１の領域に導電材料、絶縁材料又は半導体材料のいずれかを含む溶液を流動させる第３の工程と、前記導電材料、絶縁材料又は半導体材料のいずれかを含む溶液を乾燥させることにより、前記第１の領域上に導電層、絶縁層又は半導体層のいずれかを形成する第４の工程と、を有することを特徴とする。
【００２２】
また、本発明は、前記第３の工程において、インクジェット法により、前記第２の領域に、前記導電材料、絶縁材料又は半導体材料のいずれかを含む溶液を供給することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、インクジェット法等の印刷法により微細な機能性材料のパターンを形成することが可能な積層構造体、多層配線基板、アクティブマトリックス基板、画像表示装置及び積層構造体の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
次に、本発明を実施するための最良の形態について、以下に説明する。
【００２５】
〔第１の実施の形態〕
本発明に係る第１の実施の形態について説明する。本実施の形態は、本発明に係る積層構造体である。
【００２６】
図１に基づき、本実施の形態における積層構造体について説明する。図１（ａ）は、この積層構造体の上面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）における破線１Ａ−１Ｂにおいて切断した断面図であり、図１（ｃ）は、図１（ａ）における破線１Ｃ−１Ｄにおいて切断した断面図である。
【００２７】
本実施の形態における積層構造体は、基板２０上に濡れ性変化層３０が形成されている。濡れ性変化層３０は、エネルギーの付与により、表面エネルギーが変化する濡れ性変化材料を含むものであり、表面には、表面エネルギーの高い高表面エネルギー領域４０と、表面エネルギーの低い低表面エネルギー領域５０とが形成されている。
【００２８】
高表面エネルギー領域４０では、後述するように、機能性材料を含む溶液と接触することにより、表面エネルギーを下げようとするので、機能性材料を含む溶液に対する濡れ性がよく、低表面エネルギー領域５０では、機能性材料を含む溶液に対する濡れ性が悪い。従って、高表面エネルギー領域４０上に導電性材料を含む溶液を選択的に付着させることができ、これにより、高表面エネルギー領域４０上に導電層７０を形成することができる。
【００２９】
基板２０は、ガラス基板、シリコン基板、ステンレス基板、フィルム基板等の基板を用いることができる。フィルム基板では、ポリイミド（ＰＩ）基板、ポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）基板、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）基板等が挙げられる。
【００３０】
濡れ性変化層３０は、熱、電子線、紫外線、プラズマ等のエネルギーの付与により表面エネルギー（臨界表面張力）が変化する濡れ性変化材料を含む材料により構成されている。この濡れ性変化材料としては、側鎖に疎水基を有する高分子材料を用いることができる。このような高分子材料は、紫外線等のエネルギーの付与により、疎水基の結合が切断されることで、当初の低エネルギー表面（疎水性）から高エネルギー表面（親水性）へと変化する。具体的には、後述するように、所定のパターンの形成されたフォトマスクを用いて、紫外線を濡れ性変化層３０の表面を露光することにより、露光された領域が高表面エネルギー領域４０となり、濡れ性変化層３０の表面には、高表面エネルギー領域４０と低表面エネルギー領域５０とが形成される。
【００３１】
濡れ性変化材料に含まれる高分子材料としては、具体的には、ポリイミドや（メタ）アクリルレート等の骨子を有する主鎖に直接又は結合基を介して疎水基を有する側鎖が結合しているものが挙げられる。このような高分子材料のうち、ポリイミドは耐溶剤性、耐熱性、絶縁性に優れていることから、特に好適である。耐溶剤性に優れていることから、機能性材料を含む溶液の溶媒の選択肢を広げることができ、耐熱性に優れていることから、機能性材料を含む溶液を乾燥させる際の熱処理プロセス等にも十分耐えうる。また、絶縁性に優れているため、導電層７０を形成した際に、導電層７０同士が短絡するおそれもない。
【００３２】
上述の疎水基としては、フッ素を含むフルオロアルキル基やフッ素を含まない炭化水素基が挙げられる。
【００３３】
本実施の形態では、濡れ性変化層３０の表面には、高表面エネルギー領域４０が形成されているが、この高表面エネルギー領域４０は、電気配線となる第１の領域４１と、第１の領域４１と接続されている第２の領域４２とにより構成されている。
【００３４】
インクジェット法により導電性材料を含む溶液を供給する場合には、第２の領域４２にインクジェットヘッドより液滴として供給する。供給された導電性材料を含む溶液は、第２の領域４２から第１の領域４１に流動し、第１の領域４１の表面に付着する。この場合、第１の領域４１及び第２の領域４２は、高表面エネルギー領域４０であるため濡れ性が良く、隣接する低表面エネルギー領域５０に流動することはない。
【００３５】
この後乾燥させることにより、第１の領域４１上に導電層７０を形成することができ、これにより微細化したパターンを形成することが可能となる。尚、第２の領域４２上に、導電性材料を含む溶液を供給することにより、第１の領域４１上に導電層７０が形成されるが、同時に、第２の領域４２上にも導電層７０が形成される場合がある。しかしながら、第２の領域４２上に形成される導電層７０は、条件により、極めて薄い膜や、後述するように島状の導電性材料の領域として形成される場合があり、この場合には、導電的な性質を示さないことがある。
【００３６】
次に、図２に基づき高表面エネルギー領域４０の形状パターン形状を例示する。
【００３７】
図２（ａ）に示す高表面エネルギー領域４０の形状は、第１の領域４１の長手方向に垂直に接続した第２の領域４２が設けられているものである。
【００３８】
図２（ｂ）に示す高表面エネルギー領域４０の形状は、第１の領域４１の長手方向に沿って接続した第２の領域４２が設けられているものである。
【００３９】
図２（ｃ）に示す高表面エネルギー領域４０の形状は、第１の領域４１に接続した複数の第２の領域４２が設けられているものである。
【００４０】
図２（ｄ）に示す高表面エネルギー領域４０の形状は、第１の領域４１と第２の領域４２の接続部分がテーパ状となっているものである。このように接続部分をテーパ状とすることにより、導電性材料を含む溶液を第２の領域４２から第１の領域４１へと円滑に流動させることができる。
【００４１】
第１の領域４１は、形成される導電層７０により電気配線が形成されるものであるが、電気配線としての機能を有するものであれば、第１の領域４１の形状は、多角形、円形、楕円形を含むような任意の形状であってもよい。また、第２の領域４２は、直線的な形状以外の形状、例えば、波線状の形状であってもよい。
【００４２】
導電性材料を含む溶液としては、導電性材料を溶媒中に分散、又は溶解させたものを用いることができる。具体的には、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ等の金属微粒子を有機溶剤や水に分散させた所謂ナノメタルインクや、ドープドＰＡＮＩ（ポリアニリン）やＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）にＰＳＳ（ポリエチレンスルホン酸）をドープした導電性高分子の水溶液が挙げられる。
【００４３】
次に、本実施の形態における積層構造体の構成を説明する。
【００４４】
図３に本実施の形態における積層構造体の一例を示す。図３（ａ）は、この積層構造体の上面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）における破線３Ａ−３Ｂにおいて切断した断面図であり、図３（ｃ）は、図３（ａ）における破線３Ｃ−３Ｄにおいて切断した断面図である。この積層構造体は、高表面エネルギー領域４０上の全面、即ち、第１の領域４１及び第２の領域４２の表面に導電層７０が形成されている積層構造体である。
【００４５】
図４に本実施の形態における積層構造体の他の一例を示す。図４（ａ）は、この積層構造体の上面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）における破線４Ａ−４Ｂにおいて切断した断面図であり、図４（ｃ）は、図４（ａ）における破線４Ｃ−４Ｄにおいて切断した断面図である。
【００４６】
この積層構造体は、高表面エネルギー領域４０のうち、第１の領域４１の表面には、導電層７０が形成されており、第２の領域４２の表面には、導電層７０が形成されていない積層構造体である。インクジェット法により導電性材料を含む溶液の液滴が第２の領域４２上に着弾することにより、導電性材料を含む溶液は、第２の領域４２上から第１の領域４１上へと流動する。流動した後、表面張力により第１の領域４１上及び第２の領域４２上における導電性材料を含む溶液の高さが異なる。具体的には、第１の領域４１の幅Ｗ１及び第２の領域４２の幅Ｗ２に依存して、導電性材料を含む溶液の高さが異なる。第２の領域４２の幅Ｗ２を狭くし調整した幅で形成することにより、第２の領域４２上に液滴として供給された導電性材料を含む溶液は、第１の領域４１上に、ほとんど流動してしまい、第２の領域４２上には、ほとんど残存しない状態とすることが可能である。このような、状態のものを乾燥させることにより、第１の領域４１上には導電層７０が形成され、第２の領域４２上には導電層７０の形成されていない積層構造体を作製することができる。
【００４７】
図５に本実施の形態における積層構造体の他の一例を示す。図５（ａ）は、この積層構造体の上面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）における破線５Ａ−５Ｂにおいて切断した断面図であり、図５（ｃ）は、図５（ａ）における破線５Ｃ−５Ｄにおいて切断した断面図である。
【００４８】
この積層構造体は、高表面エネルギー領域４０のうち、第１の領域４１の表面には、導電層７０が厚く形成されており、第２の領域４２の表面には、導電層７０が薄く形成されている積層構造体である。上述のように、第１の領域４１の幅Ｗ１よりも第２の領域４２の幅Ｗ２を狭くて、調整した幅で形成することにより、第１の領域４１上に形成される導電層７０よりも第２の領域４２上に形成される導電層７０を薄く形成することが可能となる。
【００４９】
図６に本実施の形態における積層構造体の他の一例を示す。図６（ａ）は、この積層構造体の上面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）における破線６Ａ−６Ｂにおいて切断した断面図であり、図６（ｃ）は、図６（ａ）における破線６Ｃ−６Ｄにおいて切断した断面図である。
【００５０】
この積層構造体は、高表面エネルギー領域４０のうち、第１の領域４１の表面には、導電層７０が形成されており、第２の領域４２の表面には、島状の導電性材料の領域７１が形成されている積層構造体である。上述のように、第１の領域４１の幅Ｗ１よりも第２の領域４２の幅Ｗ２を狭くし、調整した幅で形成することにより、第１の領域４１上には導電層７０が形成され、第２の領域４２上には島状の導電性材料の領域７１を形成することが可能となる。この島状の導電性材料の領域７１では、導電性材料が孤立した島状となって形成されているため、面方向には導電性を有していない。このため、この島状の導電性材料の領域７１では、導電的な機能を有していない。
【００５１】
図４又は図６に示すように、第２の領域４２上において導電層７０が形成されないものの場合、導電層７０は第１の領域４１上のみに形成され、不要なリーク電流が生じることもなく、導電層としての機能を向上させることができる。
【００５２】
また、第２の領域４２に形成される導電層７０が、第１の領域４１に形成される導電層７０よりも薄い場合においても、導電層としての機能を向上させることは可能であり、この場合、第２の領域４２上における導電層７０の抵抗率は、第１の領域４１上における導電層７０の抵抗率よりも高い値となる。
【００５３】
〔第２の実施の形態〕
第２の実施の形態は、第１の実施の形態における積層構造体の製造方法である。
【００５４】
最初に、図７に示すように基板２０上に濡れ性変化層３０を形成する。尚、図７（ａ）は、この状態の上面図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）における破線７Ａ−７Ｂにおいて切断した断面図であり、図７（ｃ）は、図７（ａ）における破線７Ｃ−７Ｄにおいて切断した断面図である。
【００５５】
具体的には、基板２０上に濡れ性変化材料を含む溶液を、スピンコーター等を用いて塗布し、この後乾燥させることにより、濡れ性変化層３０を形成する。濡れ性変化層３０を形成するために用いる濡れ性変化材料として、側鎖に疎水基を有する構造の高分子材料を用いた場合では、基板２０上に形成された濡れ性変化層３０の表面は、低表面エネルギー状態となっている。
【００５６】
次に、図８に示すように濡れ性変化層３０の表面に紫外光等を照射し、高表面エネルギー領域４０と低表面エネルギー領域５０を形成する。尚、図８（ａ）は、この状態の上面図であり、図８（ｂ）は、図８（ａ）における破線８Ａ−８Ｂにおいて切断した断面図であり、図８（ｃ）は、図８（ａ）における破線８Ｃ−８Ｄにおいて切断した断面図である。
【００５７】
具体的には、フォトマスク９０を用いて紫外線による露光を行うことにより高表面エネルギー領域４０と低表面エネルギー領域５０とを形成する。フォトマスク９０には、紫外光を透過しないＣｒ等のパターンが形成されており、Ｃｒ等のパターンの形成された領域においては、紫外光は透過することなく、濡れ性変化層３０の表面に紫外光は照射されない。一方、Ｃｒ等のパターンの形成されていない領域においては紫外光がフォトマスク９０を透過し、濡れ性変化層３０の表面に照射される。これにより、紫外光の照射された濡れ性変化層３０においては、疎水基の結合が切断され低表面エネルギー状態から高表面エネルギー状態へと変化する。これにより、紫外光の照射された領域の濡れ性変化層３０の表面は高表面エネルギー領域４０となる。一方、紫外光の照射されていない領域は、濡れ性変化層３０の表面は低表面エネルギー状態のままであるため、この領域の表面は低表面エネルギー領域５０となる。このようにして、濡れ性変化層３０の表面に高表面エネルギー領域４０と低表面エネルギー領域５０が形成される。
【００５８】
本実施の形態では、高表面エネルギー領域４０は、電気配線となる第１の領域４１と、第１の領域４１に接続された第２の領域４２が形成されており、第２の領域４２の幅Ｗ２は第１の領域４１の幅Ｗ１よりも狭い。
【００５９】
次に、図９に示すように、液滴吐出ノズル８１より、導電性材料を含む溶液の液滴８０が供給される。尚、図９（ａ）は、この状態の上面図であり、図９（ｂ）は、図９（ａ）における破線９Ａ−９Ｂにおいて切断した断面図であり、図９（ｃ）は、図９（ａ）における破線９Ｃ−９Ｄにおいて切断した断面図である。
【００６０】
導電性材料を含む溶液の供給手段としては、インクジェット法、ディスペンサ法が挙げられるが、低粘度の微小液滴を非接触で高い精度で供給することが可能な上述の液滴吐出ノズル８１を用いたインクジェット法がより好適である。
【００６１】
本実施の形態では、導電性材料を含む溶液を用いたが、導電性材料以外の絶縁性材料、半導体材料等の機能性材料を含む溶液を用いることにより、絶縁層、半導体層を形成することが可能である。
【００６２】
次に、図１０に示すように、供給された液滴８０は、高表面エネルギー領域４０における第２の領域４２に着弾し、導電性材料を含む溶液６０が高表面エネルギー領域４０全体に広がっていく。図１０（ａ）は、この状態の上面図であり、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）における破線１０Ａ−１０Ｂにおいて切断した断面図であり、図１０（ｃ）は、図１０（ａ）における破線１０Ｃ−１０Ｄにおいて切断した断面図である。
【００６３】
着弾した導電性材料を含む溶液の液滴８０は、高表面エネルギー領域４０における第２の領域４２より、第２の領域４２と接続されている第１の領域４１に流動し広がる。
【００６４】
この後、図１１に示すように、導電性材料を含む溶液６０は、高表面エネルギー領域４０の全体に広がった状態となる。図１１（ａ）は、この状態の上面図であり、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）における破線１１Ａ−１１Ｂにおいて切断した断面図であり、図１１（ｃ）は、図１１（ａ）における破線１１Ｃ−１１Ｄにおいて切断した断面図である。
【００６５】
導電性材料を含む溶液６０は、高表面エネルギー領域４０における第２の領域４２から第１の領域４１に向けて、表面張力により全体的に広がる。
【００６６】
次に、図１２に示すように、高表面エネルギー領域４０の全体に導電性材料を含む溶液６０が全体的に広がったものを乾燥させて、固化させることにより導電層７０を形成する。図１２（ｂ）は、図１２（ａ）における破線１２Ａ−１２Ｂにおいて切断した断面図であり、図１２（ｃ）は、図１２（ａ）における破線１２Ｃ−１２Ｄにおいて切断した断面図である。
【００６７】
導電性材料を含む溶液を乾燥させるための乾燥方法は、オーブン等を利用した対流電熱方式、ホットプレート等を利用した伝導伝熱方式、遠赤外線やマイクロ波を利用した輻射伝熱方式等が挙げられる。また、必ずしも大気圧で行う必要はなく、必要に応じて減圧した状態で行ってもよい。また、乾燥させ固化させて形成された導電層７０は、更に追加で熱処理等を加えてもよい。特に、導電性材料を含む溶液としてナノメタルインクを用いた場合では、乾燥させ固化させただけでは、十分な導電性を得ることが困難である場合があり、更に熱処理を行うことにより、導電性材料の微粒子同士を溶融させて、より高い導電性を得ることが可能となる。
【００６８】
以上のように、導電性材料を含む溶液の液滴８０を第２の領域４２に選択的に着弾（滴下）させることにより、第２の領域４２から第１の領域４１に流動させることができるため、第１の領域４１上に高い歩留まりで導電層７０を形成することが可能となる。
【００６９】
尚、上述の説明では、導電性材料を含む溶液６０を用いて導電層７０を形成する方法について説明したが、本実施の形態においては、絶縁性材料を含む溶液を用いて絶縁層を形成すること、半導体材料を含む溶液を用いて半導体層を形成することも可能である。
【００７０】
（液滴吐出装置）
次に、導電性材料を含む溶液の液滴を供給するための液滴吐出装置であるインクジェット装置について説明する。
【００７１】
図１３は、本実施の形態に用いたインクジェット装置の斜視図である。このインクジェット装置１００は、定盤１０１と、ステージ１０２と、液滴吐出ヘッド１０３と、液滴吐出ヘッド１０３に接続されたＸ軸方向移動機構１０４と、ステージ１０２に接続されたＹ軸方向移動機構１０５と、制御装置１０６とを備えている。
【００７２】
ステージ１０２は、基板２０を支持する目的で備えられており、基板２０を吸着する吸着機構（図示せず）等の固定機構を備えている。また、基板２０上に配置された導電性材料を含む溶液６０を乾燥させるための熱処理機構を備えて良い。
【００７３】
液滴吐出ヘッド１０３は、複数の吐出ノズルを備えたヘッドであり、複数の吐出ノズルが液滴吐出ヘッド１０３の下面に、Ｘ軸方向に沿って一定間隔で並んでいる。この吐出ノズルからステージ１０２に支持されている基板２０に対して導電性材料を含む溶液６０が吐出される。液滴吐出ヘッド１０３の液滴吐出機構には、例えばピエゾ方式を用いることができ、この場合、液滴吐出ヘッド１０３内のピエゾ素子に電圧を印加することで液滴が吐出する。
【００７４】
Ｘ軸方向移動機構１０４はＸ軸方向駆動軸１０７、及びＸ軸方向駆動モータ１０８で構成される。Ｘ軸方向駆動モータ１０８はステッピングモータ等であり、制御装置１０６からＸ軸方向の駆動信号が供給されると、Ｘ軸駆動軸１０７を動作させ、液滴吐出ヘッド１０３がＸ軸方向に移動する。
【００７５】
Ｙ軸方向移動機構１０５はＹ軸方向駆動軸１０９およびＹ軸方向駆動モータ１１０で構成される。制御装置１０６からＸ軸方向の駆動信号が供給されるとステージ１０２がＹ軸方向に移動する。
【００７６】
制御装置１０６は液滴吐出ヘッド１０３に吐出制御用の信号を供給する。またＸ軸方向駆動モータ１０８にＸ軸方向の駆動信号を、またＹ軸方向駆動モータ１１０にＹ軸方向の駆動信号をそれぞれ供給する。なお制御装置１０６は、液滴吐出ヘッド１０３、Ｘ軸方向駆動モータ１０８、Ｙ軸方向駆動モータ１１０とそれぞれつながっているが、その配線は図示していない。
【００７７】
インクジェット装置１００は、液滴吐出ヘッド１０３とステージ１０２とを相対的に走査させながらステージ１０２上に固定された基板２０に対して導電性材料を含む溶液６０の液滴を吐出する。なお液滴吐出ヘッド１０３とＸ軸方向移動機構１０４の間には、Ｘ軸方向移動機構１０４と独立動作する回転機構を備え付けても良い。回転機構を動作させて液滴吐出ヘッド１０３とステージ１０２との相対角度を変化させることで、吐出ノズル間ピッチを調節できる。また液滴吐出ヘッド１０３とＸ軸方向移動機構１０４の間には、Ｘ軸方向移動機構１０４と独立動作するＺ軸方向移動機構を備え付けても良い。Ｚ軸方向に液滴吐出ヘッド１０３を移動させることで、基板２０とノズル面との距離を任意に調節可能である。またステージ１０２とＹ軸方向移動機構１０５の間には、Ｙ軸方向移動機構１０５と独立動作する回転機構を備え付けても良い。回転機構を動作させることで、ステージ１０２上に固定された基板２０を任意の角度に回転させた状態で、基板２０に対して液滴を吐出できる。
【００７８】
導電性材料を含む溶液６０の物性としては、液滴吐出ヘッド１０３から安定して導電性材料を含む溶液６０を吐出できることが望まれる。一般的にノズル先端におけるメニスカスおよび導電性材料を含む溶液の液滴８０の飛翔時の速度・形状などを安定化させるために、導電性材料を含む溶液６０の表面張力は２０ｍN／ｍ以上５０ｍN／ｍ以下であることが望ましく、より好ましくは３０ｍＮ／ｍ程度である。また導電性材料を含む溶液６０の粘度は２ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下である事が望ましく、さらに第２の領域４０ｂ上に配置された導電性材料を含む溶液６０が、第１の領域４０ａ上へ効率良く自己流動するためには、粘度は上記範囲内でできるだけ小さい方が好ましい。
【００７９】
このインクジェット装置１００において、導電性材料を含む溶液の液滴を吐出し、第２の領域４２に着弾させる際の状態について説明する。
【００８０】
導電性材料を含む溶液６０の流動は、液滴８０の大きさ、第２の領域４２の幅Ｗ２、高表面エネルギー４０領域における表面エネルギー状態等により制御することが可能である。
【００８１】
次に、図１４から図１７に基づき、第２の領域４２の幅Ｗ２と導電性材料を含む溶液の液滴８０の大きさとの関係について説明する。
【００８２】
具体的には、図１４（ａ）に示すように、第２の領域４２の幅Ｗ２が、導電性材料を含む液体の液滴８０の径Ｒと略同程度である場合では、図１５に示すように、導電性材料を含む液体６０は高表面エネルギー領域４０の全面に広がる。図１５（ａ）は、この状態の上面図であり、図１５（ｂ）は、図１５（ａ）における破線１５Ａ−１５Ｂにおいて切断した断面図であり、図１５（ｃ）は、図１５（ａ）における破線１５Ｃ−１５Ｄにおいて切断した断面図である。
【００８３】
また、図１４（ｂ）に示すように、第２の領域４２の幅Ｗ２が、導電性材料を含む液体の液滴８０の径Ｒよりも幾らか狭い場合においても、図１６に示すように、導電性材料を含む溶液６０は高表面エネルギー領域４０の全面に広がる。図１６（ａ）は、この状態の上面図であり、図１６（ｂ）は、図１６（ａ）における破線１６Ａ−１６Ｂにおいて切断した断面図であり、図１６（ｃ）は、図１６（ａ）における破線１６Ｃ−１６Ｄにおいて切断した断面図である。この場合、表面張力の影響から導電性材料を含む溶液６０は、第２の領域４２上から第１の領域４１上への流動が促進される。これにより、第１の領域４１上により多くの導電性材料を含む溶液６０が流動する。よって、第２の領域４２の幅Ｗ２を狭めることにより、第２の領域４２上に残る導電性材料を含む溶液６０の量を少なくすることができる。
【００８４】
また、図１４（ｃ）に示すように、第２の領域４２の幅Ｗ２が、導電性材料を含む液体の液滴８０の径Ｒと比較して十分に狭い場合では、図１７に示すように、導電性材料を含む溶液６０は第２の領域４２上から第１の領域４１上に流動しにくくなり、また、導電性材料を含む溶液６０が低表面エネルギー領域５０にはみ出してしまい、第１の領域４１上に十分に導電性材料を含む溶液６０は広がらなくなってしまう。図１７（ａ）は、この状態の上面図であり、図１７（ｂ）は、図１７（ａ）における破線１７Ａ−１７Ｂにおいて切断した断面図であり、図１７（ｃ）は、図１７（ａ）における破線１７Ｃ−１７Ｄにおいて切断した断面図である。
【００８５】
以上より、第２の領域４２上から第１の領域４１上に導電性材料を含む溶液６０を効率よく流動させることができるように、導電性材料を含む溶液の液滴８０の径Ｒ、第２の領域の幅Ｗ２、高表面エネルギー領域４０における表面エネルギー状態を最適化することが必要となる。
【００８６】
〔第３の実施の形態〕
第３の実施の形態は、本発明にかかるアクティブマトリックス基板である。
【００８７】
図１８に基づき、本実施の形態におけるアクティブマトリックス基板について説明する。図１８（ａ）は、本実施の形態におけるアクティブマトリックス基板の上面図であり、図１８（ｂ）は、破線１８Ａ−１８Ｂにおいて切断した断面図である。
【００８８】
本実施の形態におけるアクティブマトリックス基板は、ガラス等の基板４２０上に第１の濡れ性変化層４３０が形成されている。第１の濡れ性変化層４３０は絶縁性を有する材料により構成されている。第１の濡れ性変化層４３０の表面には紫外光等の照射により高表面エネルギー領域である第１の領域４４１及び第２の領域４４２が形成されており、高表面エネルギー領域の第１の領域４４１上には、ゲート電極２１０、保持容量電極２５０、ゲート信号線２８０及び共通電極３００が形成されている。ゲート電極２１０は、ゲート信号線２８０と接続されており、保持容量電極２５０は、共通信号線３００と接続されている。また、高表面エネルギー領域の第２の領域４４２上には、導電性材料からなる層３１１が形成される。この導電性材料からなる層３１１は、薄い膜か又は島状に形成されているため殆ど導電性を有しない。尚、この高表面エネルギー領域の第２の領域４４２は、ゲート信号線２８０と接続されており、高表面エネルギー領域の第２の領域４４２に導電性材料を含む液滴が着弾することにより、ゲート信号線２８０及びゲート電極２１０全体に導電性材料を含む溶液が広がり、これを加熱することにより導電層が形成されて、ゲート信号線２８０及びゲート電極２１０が形成される。
【００８９】
この後、ゲート電極２１０、保持容量電極２５０、ゲート信号線２８０、共通電極３００の形成されているものの上に、更に、第２の濡れ性変化層５３０を形成する。第２の濡れ性変化層５３０は、絶縁性を有するものでありゲート絶縁膜としての機能するものである。
【００９０】
この第２の濡れ性変化層５３０の表面に紫外光を照射することにより、高表面エネルギー領域である第１の領域５４１及び第２の領域５４２が形成される。高表面エネルギー領域の第１の領域５４１上には、ソース電極２３０、ドレイン電極２４０及びソース配線２９０が形成されている。ソース電極２３０はソース配線２９０と接続され一体化された状態となっている。また、高表面エネルギー領域の第２の領域５４２上には、導電性材料からなる層３１０が形成されるが、この導電性材料からなる層３１０は、薄い膜か又は島状に形成されているため殆ど導電性を有しない。尚、この高表面エネルギー領域の第２の領域５４２は、ソース信号線２９０と接続されており、高表面エネルギー領域の第２の領域５４２に導電性材料を含む液滴が着弾することにより、ソース信号線２９０及びソース電極２３０全体に導電性材料を含む溶液が広がり、これを加熱することにより導電層が形成され、ソース信号線２９０及びソース電極２３０が形成される。
【００９１】
本実施の形態では、第１の濡れ性変化層４３０の表面の高表面エネルギー領域において第２の領域４４２を有し、第２の濡れ性変化層５３０の表面の高表面エネルギー領域において第２の領域５４２を有している。これにより導電性材料を含む液滴をこれら高表面エネルギー領域の第２の領域４４２、５４２に着弾させることにより、隣接する絶縁性が保たれる必要のある電極間においても、電気的に接続されることがなく、高密度なアクティブマトリックス基板を得ることができる。
【実施例】
【００９２】
〔導電層の導電性に関する実施例〕
（実施例１）
本実施例は、図１９に示す構造の積層構造体の導電層の膜厚と抵抗率との関係に関するものである。具体的には、本発明における第２の領域４２における導電層７０の膜厚と抵抗率との関係に関するものである。図１９（ａ）は、本実施例における積層構造体の上面図であり、図１９（ｂ）は、破線１９Ａ−１９Ｂにおいて切断した断面図である。
【００９３】
図１９に示す積層構造体は、最初に、基板１２０上に、濡れ性変化層１３０を形成する。具体的には、基板１２０となるガラス基板上に、濡れ性変化材料を含むＮＭＰ溶液をスピンコーターにより塗布する。この濡れ性変化材料には、紫外線の照射により表面自由エネルギーが変化する側鎖にアルキル基を有するポリイミド材料を用いている。次に、線幅が２０μｍの帯状に開口したフォトマスクを介して波長３００ｎｍ以下の紫外光を照射し、濡れ性変化層１３０上に線幅２０μｍの高表面エネルギー領域１４０と低表面エネルギー領域１５０を形成する。
【００９４】
次に、インクジェット法により導電性材料を含む溶液の液滴を高表面エネルギー領域１４０上に吐出させる。この導電性材料を含む溶液は、粒径の平均が約１０ｎｍのＡｇの微粒子からなるナノメタルインクを用いた。この導電性材料を含む溶液の特性は、表面張力が約３０ｍＮ／ｍ、粘度が約１０ｍＰａ・ｓである。また液適法を用いて測定した高表面エネルギー領域１４０における接触角は５°、低表面エネルギー領域１５０における接触角は３０°である。また、インクジェット装置より吐出される導電性材料を含む溶液の液滴の体積は、８ｐＬ（液滴の直径は約２５μｍ）である。高表面エネルギー領域１４０に着弾し、広がった液滴を１００℃のオーブンで乾燥させ、導電性材料を含む溶液の溶媒を揮発させることにより除去した後、２００℃のオーブンを用いて１時間、本焼成を行うことにより高表面エネルギー領域１４０上に導電層１７０を形成した。このようにして、幅Ｗが２０μｍの帯状の導電層１７０が形成される積層構造体を作製した。尚、高表面エネルギー領域１４０に着弾させる液滴数を調整することで、導電層１７０の膜厚ｄを制御することが可能であることから、導電層１７０の膜厚ｄの異なるサンプルを作製し、導電層１７０の膜厚ｄと抵抗率の関係を調べた。
【００９５】
図２０に、導電層１７０の膜厚ｄと抵抗率の関係を示す。抵抗率は、帯状の長さ方向に５ｍｍの間隔で設けられた２つの端子により抵抗値を測定することにより測定した。図に示されるように、導電層１７０の膜厚ｄと抵抗率には相関があり、特に膜厚ｄが薄くなると抵抗率の変化が顕著となる。導電層１７０の膜厚ｄが約２０ｎｍの場合では、約０．０５Ω・ｃｍであり、膜厚ｄが２０ｎｍ以下の場合では、抵抗率が高くなり上記測定方法では測定することができなかった。また、導電層１７０の膜厚ｄが約３５ｎｍの場合では、約３×１０−４Ω・ｃｍであり、導電層１７０の膜厚ｄが約５０ｎｍの場合では、約８×１０−５Ω・ｃｍであり、導電層１７０の膜厚ｄが約７５ｎｍの場合では、約３×１０−５Ω・ｃｍであり、導電層１７０の膜厚ｄが約１１０ｎｍの場合では、約２×１０−５Ω・ｃｍであった。このように、導電層１７０の膜厚ｄが変化することにより抵抗率が急激に変化するのは、導電層１７０の膜厚ｄが薄くなる場合、均一に薄くならないことによるものと考えられる。このように、導電層１７０の膜厚ｄを変化させることにより、導電層１７０の抵抗率を制御することは可能である。
【００９６】
本発明では、高表面エネルギー領域４０のうち第２の領域４２上における導電層は、導電的な性質を有しない方が望ましい。即ち、第２の領域４２上に高い導電性を有する導電層が形成されると、リーク電流の増大、寄生容量の増加により、最終的に形成される多層配線基板、アクティブマトリックス基板及び画像表示装置に悪影響を与えるからである。このため、第２の領域４２上に形成される導電層の抵抗率は、高い方が好ましく、リーク電流の増大、寄生容量の増加等の観点からも、０．０１Ω・ｃｍ以上であることが好ましい。本実施例においては、導電層１７０の膜厚が、約２０ｎｍ以下であれば、このような抵抗率の導電層を得ることができる。
【００９７】
〔第２の領域の幅依存性に関する実施例〕
（実施例２）
本実施例は、図１に示す積層構造体の作製に関するものである。具体的に、本実施例の積層構造体の作製方法について説明する。
【００９８】
最初に、図７に示すように、基板２０上に濡れ性変化層３０を形成する。具体的には、基板２０となるガラス基板上に、濡れ性変化材料を含むＮＭＰ溶液をスピンコーターにより塗布する。この濡れ性変化材料には、紫外線の照射により表面自由エネルギーが変化する側鎖にアルキル基を有するポリイミド材料を用いている。この後、１００℃のオーブンにより前焼成を行った後、１８０℃で溶媒を揮発させることにより除去し、濡れ性変化層３０を形成する。
【００９９】
次に、図８に示すように、高表面エネルギー領域４０と低表面エネルギー領域５０を形成する。具体的には、波長３００ｎｍ以下の紫外光（超高圧水銀ランプ）を用いて、所定のパターンが形成されているフォトマスク９０を介し、濡れ性変化層３０の表面において露光を行う。これにより、濡れ性変化層３０の表面において紫外光の照射された領域は、高表面エネルギー領域４０となり、紫外光の照射されていない領域は低表面エネルギー領域５０となる。この高表面エネルギー領域４０は、幅Ｗ１の第１の領域４１と、幅Ｗ２の第２の領域４２から構成される。
【０１００】
次に、図９に示すように、インクジェット法により導電性材料を含む溶液の液滴８０を第２の領域４２上に吐出させる。この導電性材料を含む溶液は、粒径の平均が約１０ｎｍのＡｇの微粒子からなるナノメタルインクを用いた。この導電性材料を含む溶液の特性は、表面張力が約３０ｍＮ／ｍ、粘度が約１０ｍＰａ・ｓである。また液適法を用いて測定した高表面エネルギー領域４０における接触角は５°、低表面エネルギー領域５０における接触角は３０°である。また、インクジェット装置より吐出される導電性材料を含む溶液の液滴８０の体積は、８ｐＬ（液滴の直径は約２５μｍ）である。
【０１０１】
この後、図１０に示すように、液滴８０は第２の領域４２に着弾し、導電性材料を含む溶液６０は、高表面エネルギー領域４０全体に広がる。
【０１０２】
そして、図１２に示すように、１００℃のオーブンで乾燥させ、導電性材料を含む溶液の溶媒を揮発させることにより除去した後、２００℃のオーブンを用いて１時間の本焼成を行うことにより、高表面エネルギー領域４０上に導電層７０を形成する。
【０１０３】
本実施例では、第１の領域４１の幅Ｗ１を２０μｍ、第２の領域４２の幅Ｗ２を１０μｍとした。
【０１０４】
この結果、実施例２では、第１の領域４１上においては、導電性を有する導電層７０が得られたが、第２の領域４２上においては導電性を有する導電層７０は形成されなかった。
【０１０５】
（実施例３）
実施例３は、第１の領域４１の幅Ｗ１を２０μｍ、第２の領域４２の幅Ｗ２を２０μｍとした。他の条件は、実施例２と同じである。
【０１０６】
この結果、実施例３では、第１の領域４１上及び第２の領域４２上の双方において導電性を有する導電層７０が得られた。
【０１０７】
（実施例４）
実施例４は、第１の領域４１の幅Ｗ１を２０μｍ、第２の領域４２の幅Ｗ２を５μｍとした。他の条件は、実施例２と同じである。
【０１０８】
この結果、実施例４では、第１の領域４１上及び第２の領域４２上の双方において導電性を有する導電層７０を得ることができなかった。
【０１０９】
表１に、実施例２から実施例４について、第１の領域４１に形成された膜の導電性、第２の領域４２に形成された膜の導電性について得られた結果を示す。
【０１１０】
【表１】
2010027862.tif 000003
このように、第１の領域４１上又は、第２の領域４２上において、導電性を有する導電膜７０は、第２の領域の幅Ｗ２に依存して、形成することができる場合と、形成することができない場合とが生じる。
【０１１１】
〔隣接パターンの実施例〕
（実施例５）
実施例５は、本発明における積層構造体のパターン、即ち図２１に示す高表面エネルギー領域４０が形成されたパターンにおいて、第２の領域４２に導電性材料を含む溶液の液滴８０を着弾させた場合と、従来の構成の積層構造体のパターン、即ち図２２に示す高表面エネルギー領域４０が形成されたパターンにおいて、高表面エネルギー領域４０の中心部分に導電性材料を含む液滴８０を着弾させた場合との比較を示すものである。尚、吐出される液滴８０の径は約２５μｍである。尚、図２１（ａ）は、本発明における積層構造体のパターンの上面図であり、図２１（ｂ）は、図２１（ａ）における破線２１Ａ−２１Ｂにおいて切断した断面図であり、図２１（ｃ）は、図２１（ａ）における破線２１Ｃ−２１Ｄにおいて切断した断面図である。また、図２２（ａ）は、従来の構成の積層構造体のパターンの上面図であり、図２２（ｂ）は、図２２（ａ）における破線２２Ａ−２２Ｂにおいて切断した断面図である。
【０１１２】
本実施例では、図２１に示すパターンでは、第１の領域４１の幅Ｗ１は２０μｍであり、第２の領域４２の幅Ｗ２は１０μｍであり、隣接する高表面エネルギー領域４０の第１の領域４１間の間隔（スペース）Ｌは、４０μｍである。また、図２２に示すパターンでは、隣接する高表面エネルギー領域４０間の間隔（スペース）Ｌは、４０μｍである。
【０１１３】
この結果、実施例５では、図２１に示す本発明における構造体のパターン及び図２２に示す従来の構造体のパターンはともに、隣接する高表面エネルギー領域４０間において、電気的な接続がされることなく絶縁性が保たれていた。
【０１１４】
（実施例６）
本実施例では、図２１に示すパターンにおいて、第１の領域４１の幅Ｗ１は２０μｍであり、第２の領域４２の幅Ｗ２は１０μｍであり、隣接する高表面エネルギー領域４０の第１の領域４１間の間隔（スペース）Ｌは、２０μｍである。また、図２２に示すパターンでは、隣接する高表面エネルギー領域４０間の間隔（スペース）Ｌは、２０μｍである。他の条件は、実施例５と同様である。
【０１１５】
この結果、実施例６では、図２１に示す本発明における構造体のパターンでは、隣接する高表面エネルギー領域４０間において、電気的な接続がされることなく絶縁性が保たれていたが、図２２に示す従来の構造体のパターンでは、隣接する高表面エネルギー領域４０間において、電気的に接続されてしまい絶縁性は保たれなかった。
【０１１６】
（実施例７）
本実施例では、図２１に示すパターンにおいて、第１の領域４１の幅Ｗ１は２０μｍであり、第２の領域４２の幅Ｗ２は１０μｍであり、隣接する高表面エネルギー領域４０の第１の領域４１間の間隔（スペース）Ｌは、１０μｍである。また、図２２に示すパターンにおいて、隣接する高表面エネルギー領域４０間の間隔（スペース）Ｌは、１０μｍである。他の条件は、実施例５と同様である。
【０１１７】
この結果、実施例７では、図２１に示す本発明における構造体のパターンでは、隣接する高表面エネルギー領域４０間において、電気的な接続がされることなく絶縁性が保たれていたが、図２２に示す従来の構造体のパターンでは、隣接する高表面エネルギー領域４０間において、電気的に接続されてしまい絶縁性は保たれなかった。
【０１１８】
（実施例８）
本実施例では、図２１に示すパターンにおいて、第１の領域４１の幅Ｗ１は２０μｍであり、第２の領域４２の幅Ｗ２は１０μｍであり、隣接する高表面エネルギー領域４０の第１の領域４１間の間隔（スペース）Ｌは、５μｍである。また、図２２に示すパターンでは、隣接する高表面エネルギー領域４０間の間隔（スペース）Ｌは、５μｍである。他の条件は、実施例５と同様である。
【０１１９】
この結果、実施例８では、図２１に示す本発明における構造体のパターンでは、隣接する高表面エネルギー領域４０間において、電気的な接続がされることなく絶縁性が保たれていたが、図２２に示す従来の構造体のパターンでは、隣接する高表面エネルギー領域４０間において、電気的に接続されてしまい絶縁性は保たれなかった。
【０１２０】
表２に、実施例５から実施例８に関する結果を示す。図２１に示す本発明における積層構造体のパターンでは、間隔（スペース）Ｌに依存することなく、隣接する高表面エネルギー領域４０間において導電性材料により導電性を有する層が形成されることはない。一方、図２２に示す従来の構成の積層構造体パターンでは、間隔（スペース）Ｌを４０μｍ以上にしないと、隣接する高表面エネルギー領域４０間において、導電性材料により導電性を有する層が形成されてしまう。
【０１２１】
【表２】
2010027862.tif 000004
以上、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。
【図面の簡単な説明】
【０１２２】
【図１】第１の実施の形態に係る積層構造体の概要図
【図２】第１の実施の形態に係る積層構造体の高表面エネルギー領域の変形例の形状図
【図３】第１の実施の形態に係る積層構造体の概要図
【図４】第１の実施の形態に係る別の積層構造体の概要図（１）
【図５】第１の実施の形態に係る別の積層構造体の概要図（２）
【図６】第１の実施の形態に係る別の積層構造体の概要図（３）
【図７】第２の実施の形態に係る積層構造体の製造方法の工程図（１）
【図８】第２の実施の形態に係る積層構造体の製造方法の工程図（２）
【図９】第２の実施の形態に係る積層構造体の製造方法の工程図（３）
【図１０】第２の実施の形態に係る積層構造体の製造方法の工程図（４）
【図１１】第２の実施の形態に係る積層構造体の製造方法の工程図（５）
【図１２】第２の実施の形態に係る積層構造体の製造方法の工程図（６）
【図１３】第２の実施の形態に係る積層構造体の製造に用いられる液滴吐出装置の斜視図
【図１４】高表面エネルギー領域の第２の領域の幅と液滴の大きさの関係図
【図１５】第２の領域の幅と液滴の溶液の広がりの様子を示す概要図（１）
【図１６】第２の領域の幅と液滴の溶液の広がりの様子を示す概要図（２）
【図１７】第２の領域の幅と液滴の溶液の広がりの様子を示す概要図（３）
【図１８】第３の実施の形態に係るアクティブマトリックス基板の概要図
【図１９】実施例１における積層構造体の構成の概要図
【図２０】図１９における積層構造体の導電層の膜厚と抵抗率の関係図
【図２１】実施例における本発明に係る積層構造体の概要図
【図２２】実施例における従来の積層構造体の概要図
【符号の説明】
【０１２３】
２０    基板
３０    濡れ性変化層
４０    高表面エネルギー領域
４１    第１の領域
４２    第２の領域
５０    低表面エネルギー領域
６０    導電性材料を含む溶液
７０    導電層
８０    液滴
９０    フォトマスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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