(57)【要約】【課題】製造効率が高い半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】予め個片化された複数の配線基板１００を支持部材（シート１２０）の上に配置し、隣り合う配線基板１００の側面１０１，１０２を互いに接させる。次いで、複数の配線基板１００それぞれに半導体チップ１４０を実装する。次いで、複数の配線基板１００を一括で樹脂封止する。次いで、樹脂封止された複数の配線基板１００を支持部材から離す。次いで、樹脂封止された複数の配線基板１００を個片化する。【選択図】図１
2010212473.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予め個片化された複数の配線基板を支持部材の上に配置し、隣り合う前記配線基板の側面を互いに接させる工程と、
前記複数の配線基板それぞれに半導体チップを実装する工程と、
前記複数の配線基板を一括で樹脂封止する工程と、
樹脂封止された前記複数の配線基板を前記支持部材から離す工程と、
樹脂封止された前記複数の配線基板を個片化する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記支持部材は、上面に、紫外線照射または加熱により粘着力が低下する接着層が設けられており、
樹脂封止された前記複数の配線基板を前記支持部材から離す工程において、前記接着層に紫外線照射または加熱を行う半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の配線基板を前記支持部材の上に配置する工程において、前記支持部材の上に、前記複数の配線基板を外周側から位置決めするフレーム部材を配置し、前記複数の配線基板を前記フレーム部材の内側に配置する半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板は、
平面形状が長方形又は正方形であり、
互いに対向する２つの側面が、前記配線基板の底面に対して傾いており、かつ互いに平行であり、
前記複数の配線基板を前記支持部材上に配置する工程において、前記複数の配線基板の向きを揃える半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の配線基板を個片化する工程は、ダイシングにより前記複数の配線基板を個片化する工程であり、
前記配線基板の前記２つの側面は、それぞれスクライブラインの中に位置する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記配線基板は、
平面形状が長方形又は正方形であり、
第１の側面に形成された第１の凹凸と、
前記第１の側面に対向する第２の側面に形成され、前記第１の側面と噛み合う第２の凹凸と、
を備え、
前記複数の配線基板を前記支持部材上に配置する工程において、前記複数の配線基板の向きを揃え、互いに隣り合う前記第１の凹凸と前記第２の凹凸とを噛み合わせる半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の凹凸及び前記第２の凹凸は、前記配線基板の厚み方向に凹凸を有する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数の配線基板を個片化する工程は、ダイシングにより前記複数の配線基板を個片化する工程であり、
前記第１の凹凸及び前記第２の凹凸は、それぞれスクライブラインの中に位置する半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項４〜８のいずれかひとつに記載の半導体装置の製造方法において、
前記支持部材は、前記複数の配線基板を外周側から位置決めするフレーム部材を有しており、
前記フレーム部材の内側面は、前記配線基板の側面に噛み合う形状を有しており、
前記複数の配線基板を前記支持部材上に配置する工程において、最外周に配置する前記配線基板を前記フレーム部材の内側面に噛み合わせる半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法において、
前記支持部材は表面にシートを有しており、
前記複数の配線基板を前記支持部材上に配置する工程において、前記複数の配線基板は前記シート上に配置され、
前記複数の配線基板を前記支持部材から離す工程において、前記複数の配線基板及び前記シートを前記支持部材から外し、その後前記複数の配線基板から前記シートを離す半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれかひとつに記載の半導体装置の製造方法において、
樹脂封止された前記複数の配線基板を前記支持部材から離す工程と、樹脂封止された前記複数の配線基板を個片化する工程との間に、前記複数の配線基板の前記半導体チップとは反対側の面に接続端子を取り付ける工程を有する半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
半導体チップが実装される配線基板であって、
平面形状が長方形又は正方形であり、
互いに対向する２つの側面が、前記配線基板の底面に対して傾いており、かつ互いに平行である配線基板。
【請求項１３】
半導体チップが実装される配線基板であって、
平面形状が長方形又は正方形であり、
第１の側面に形成された第１の凹凸と、
前記第１の側面に対向する第２の側面に形成され、前記第１の側面と噛み合う第２の凹凸と、
を備える配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板上に半導体チップを実装した半導体装置の製造方法及び配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板上に半導体チップを実装することにより半導体装置を製造する場合、配線基板の上面及び半導体チップは樹脂封止される。配線基板及び半導体チップを樹脂封止する第１の方法として、互いに繋がった複数の配線基板を用いる方法がある。この方法は、複数の配線基板それぞれ上に半導体チップを搭載し、これらを樹脂封止した後、配線基板を個片化するものである。
【０００３】
配線基板の上面及び半導体チップを樹脂封止する第２の方法として、特許文献１に記載の方法がある。この方法は、予め個片化された複数の配線基板をシート上に配置して、これら配線基板それぞれ上に半導体チップを搭載したのち、モールド樹脂で個別に封止するものである。この方法において、シート上に配置される配線基板は、互いに離れている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２０４５７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記した第１の方法では、配線基板の中に含まれる不良品は配線基板を個片化するまで省くことができない。このため、一回に生産できる半導体装置の数が、配線基板の不良品の数だけ少なくなっており、半導体装置の製造効率が低下していた。
【０００６】
また上記した第２の方法では、配線基板は互いに離れてシート上に配置されるため、一回に処理できる半導体装置の数が少なくなっていた。このため、半導体装置の製造効率が低下していた。
【０００７】
このため、製造効率が高い半導体装置の製造方法の開発が望まれている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によれば、予め個片化された複数の配線基板を支持部材の上に配置し、隣り合う前記配線基板の側面を互いに接させる工程と、
前記複数の配線基板それぞれに半導体チップを実装する工程と、
前記複数の配線基板を一括で樹脂封止する工程と、
樹脂封止された前記複数の配線基板を前記支持部材から離す工程と、
樹脂封止された前記複数の配線基板を個片化する工程と、
を備える半導体装置の製造方法が提供される。
【０００９】
この発明によれば、前記配線基板は予め個片化されているため、前記配線基板の不良品を予め取り除くことができる。このため、前記支持部材の上に、良品の前記配線基板のみを配置することができる。また、前記支持部材上において、隣り合う前記配線基板の側面を互いに接させているため、前記支持部材上に配置できる前記配線基板の数を増やし、一回に処理できる前記配線基板の数を増やすことができる。従って、一回に生産できる半導体装置の数を増やすことができ、この結果、半導体装置の製造効率を高くすることができる。
【００１０】
本発明によれば、半導体チップが実装される配線基板であって、
平面形状が長方形又は正方形であり、
互いに対向する２つの側面が、前記配線基板の底面に対して傾いており、かつ互いに平行である配線基板が提供される。
【００１１】
本発明によれば、半導体チップが実装される配線基板であって、
平面形状が長方形又は正方形であり、
第１の側面に形成された第１の凹凸と、
前記第１の側面に対向する第２の側面に形成され、前記第１の側面と噛み合う第２の凹凸と、
を備える配線基板が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、半導体装置の製造効率を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】（ａ）は第１の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図であり、（ｂ）はこの半導体装置の製造方法に用いる配線基板の斜視概略図である。
【図２】各図は図１ （ａ）の次の工程を説明する断面図である。
【図３】各図は図２の次の工程を説明する断面図である。
【図４】第２の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図５】（ａ）は第３の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図であり、（ｂ）は（ａ）の平面図である。
【図６】図５（ａ）の次の工程を説明する断面図である。
【図７】各図は図６の次の工程を説明する断面図である。
【図８】各図は図７の次の工程を説明する断面図である。
【図９】第４の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１０】（ａ）は、第５の実施形態にかかる半導体装置の製造方法に用いられる配線基板の斜視図であり、（ｂ）は、図１０（ａ）に示した配線基板を用いた半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１１】第６の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１５】
図１（ａ）、図２の各図、及び図３の各図は、第１の実施形態における半導体装置の製造方法を示す断面図であり、図１（ｂ）はこの半導体装置の製造方法に用いる配線基板の斜視概略図である。この半導体装置の製造方法は、予め個片化された複数の配線基板１００を支持部材（シート１２０）の上に配置し、隣り合う配線基板１００の側面を互いに接させる工程と、複数の配線基板１００それぞれに半導体チップ１４０を実装する工程と、複数の配線基板１００を一括で樹脂封止する工程と、樹脂封止された複数の配線基板１００を支持部材から離す工程と、樹脂封止された複数の配線基板１００を個片化する工程と、を備える。以下、各図を用いて詳細に説明する。
【００１６】
まず図１（ａ）に示すように、予め個片化された複数の配線基板１００をマトリクス状にシート１２０上に配置し、隣り合う配線基板１００の側面を互いに接させる。シート１２０の上面には接着層１２２が設けられており、複数の配線基板１００は接着層１２２によってシート１２０上に固定される。接着層１２２は、紫外線照射または加熱により粘着力が低下する。
【００１７】
図１（ｂ）に示すように、配線基板１００は、平面形状が長方形又は正方形であり、互いに対向する２つの側面１０１，１０２が、配線基板１００の表面１０５及び裏面１０６に対して傾いており、かつ互いに平行である。また互いに対向する他の２つの側面１０３，１０４も配線基板１００の表面１０５及び裏面１０６に対して傾いており、かつ互いに平行である。そして図１（ａ）に示すように、シート１２０上において複数の配線基板１００の向きは揃っている。このため、配線基板１００の側面１０１は、隣の配線基板１００の側面１０２に面で接している。また図示していないが、配線基板１００の側面１０３は、隣の配線基板１００の側面１０４に面で接している。本実施形態において、４つの側面１０１〜１０４は平面であり、傾きは互いに同じである。そして配線基板１００の裏面１０６に対して垂直な方向から見た場合、４つの側面１０１〜１０４の幅はＳである。このような形状の配線基板１００は、例えばルータやレーザーを用いて形成することができる。
【００１８】
次いで図２（ａ）に示すように、複数の配線基板１００それぞれ上に半導体チップ１４０を載置して、各半導体チップ１４０をワイヤ１４５で配線基板１００の配線に接続する。このようにして、半導体チップ１４０は配線基板１００に実装される。
【００１９】
次いで図２（ｂ）に示すように、シート１２０上にモールド１６０を配置して、モールド１６０及びシート１２０で形成された空間内に複数の配線基板１００、半導体チップ１４０、及びワイヤ１４５を位置させる。次いでこの空間内に樹脂１５０を注入し、固化させる。これにより、複数の配線基板１００の上面、半導体チップ１４０、及びワイヤ１４５は樹脂１５０により一括封止される。
【００２０】
次いで図３（ａ）に示すように、配線基板１００及び樹脂１５０からシート１２０及びモールド１６０を外す。シート１２０を取り外すとき、シート１２０の裏面側から紫外線照射又は加熱を行い、接着層１２２を軟化させる。シート１２０及びモールド１６０を取り除いた状態において、複数の配線基板１００は樹脂１５０によって互いに繋がっている。次いで配線基板１００の裏面に、接続端子であるハンダボール１７０を取り付ける。
【００２１】
次いで図３（ｂ）に示すように、配線基板１００及び樹脂１５０をダイシングにより、個々の半導体装置に個片化する。スクライブラインの幅Ｗは、図１（ａ）に示した配線基板１００の側面１０１〜１０４の幅Ｓ以上である。そして、配線基板１００の側面１０１〜１０４はそれぞれスクライブラインの中に位置する。
【００２２】
次に、本発明の作用効果について説明する。まず、シート１２０上に配置される配線基板１００は、予め個片化されている。このため、配線基板１００の不良品をシート１２０の上に配置する前に取り除き、シート１２０上に配置する配線基板１００を良品のみにすることができる。また、シート１２０上に配線基板１００を配置するとき、隣り合う配線基板１００の側面１０１〜１０４を互いに接させている。このため、シート１２０上に配置できる配線基板１００の数が増え、一回に処理できる配線基板１００の数を増やすことができる。従って、一回に生産できる半導体装置の数を増やすことができ、この結果、半導体装置の製造効率を高くすることができる。これに伴い、半導体装置の製造コストが低くなる。
【００２３】
また、シート１２０の上面には接着層１２２が設けられている。接着層１２２は、紫外線照射または加熱により粘着力が低下する。そして配線基板１００をシート１２０から離すとき、接着層１２２に紫外線照射または加熱を行う。このため、配線基板１００からシート１２０を容易に離すことができる。
【００２４】
また、配線基板１００は、互いに対向する側面１０１，１０２が配線基板１００の裏面１０６に対して傾いており、かつ互いに平行である。そして、配線基板１００はシート１２０上で互いに向きが揃っている。このため、配線基板１００を隙間なくシート１２０上に並べることができる。また、側面１０１と隣の配線基板１００の側面１０２が面で接するが、モールド１６０の中の空間に樹脂１５０を注入するときの注入圧力によって、互いに接している側面１０１，１０２には互いに圧着する方向の力が加わる。このため、樹脂１５０が側面１０１，１０２の間に浸透して配線基板１００の裏面に回りこむことを抑制できる。
【００２５】
また、図３（ｂ）に示したスクライブラインの幅Ｗは、図１（ａ）に示した配線基板１００の側面１０１〜１０４の幅Ｓ以上である。このため、配線基板１００の側面１０１〜１０４はそれぞれスクライブラインに含まれ、個片化した後の半導体装置には残らない。
【００２６】
また、複数の配線基板１００をシート１２０から離した後、複数の配線基板１００を個片化する前に、複数の配線基板１００の裏面１０６にハンダボール１７０を取り付けている。このため、配線基板１００を個片化した後にハンダボール１７０を取り付ける場合と比較して、ハンダボール１７０の取り付け効率が高くなる。
【００２７】
また、配線基板１００の形状を変える場合はモールド１６０の形状を変えるのみでよい。このため、製造設備に対する投資が少なくてすみ、かつ製造設備の柔軟性が高くなる。また、配線基板１００が予め個片化されているため、樹脂１５０と配線基板１００の間の熱膨張率、弾性率、及び熱収縮率の差に起因して樹脂封止後の配線基板１００に反りが生じることを抑制できる。
【００２８】
図４は、第２の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するための断面図であり、第１の実施形態における図２（ｂ）に相当する図である。本実施形態は、シート１２０を支持板１２４上に載置している点を除いて、第１の実施形態にかかる半導体装置の製造方法と同様である。
【００２９】
本実施形態によっても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。またシート１２０を支持板１２４上に載置しているため、配線基板１００を配置した後のシート１２０のハンドリングが容易になる。
【００３０】
図５（ａ）、及び図６〜図８の各図は、第３の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）の平面図である。本実施形態は、フレーム部材１３０を用いる点を除いて、第１の実施形態にかかる半導体装置の製造方法と同様である。以下、詳細に説明する。
【００３１】
まずシート１２０上に複数の配線基板１００を隙間なく並べ、かつフレーム部材１３０をシート１２０上に配置して、複数の配線基板１００を外周側から位置決めする。フレーム部材１３０は、例えば樹脂製又は金属製であり、シート１２０に対して取り外し可能である。またフレーム部材１３０の上面及び内側面１３１〜１３４には、接着層１２６が設けられている。接着層１２６は、接着層１２２と同様の構成である。この状態において、配線基板１００はフレーム部材１３０の内側に位置する。またフレーム部材１３０の上面は配線基板１００の上面と略面一である。
【００３２】
フレーム部材１３０の内側面１３１〜１３４は、最外周に位置する配線基板１００の側面１０１〜１０４と噛み合う形状を有しており、図５の各図に示す状態において、最外周に位置する配線基板１００の側面１０１〜１０４と噛み合っている。本実施形態において、内側面１３１は配線基板１００の側面１０１と対向するが、配線基板１００の側面１０２と同様の斜面となっている。また内側面１３２は配線基板１００の側面１０２と対向するが、配線基板１００の側面１０１と同様の斜面となっている。また内側面１３３は配線基板１００の側面１０３と対向するが、配線基板１００の側面１０４と同様の斜面となっている。また内側面１３４は配線基板１００の側面１０４と対向するが、配線基板１００の側面１０３と同様の斜面となっている。
【００３３】
次いで、各配線基板１００の上面に半導体チップ１４０を配置して、半導体チップ１４０と配線基板１００の配線をワイヤ１４５で接続する。
【００３４】
次いで図６に示すように、フレーム部材１３０上にモールド１６０を載置する。この状態において、配線基板１００、半導体チップ１４０及びワイヤ１４５は、フレーム部材１３０及びモールド１６０によって形成された空間の内側に位置する。
【００３５】
次いで、フレーム部材１３０及びモールド１６０によって形成された空間の内側に樹脂１５０を注入し、樹脂１５０を固化させる。これにより、複数の配線基板１００の上面、半導体チップ１４０、及びワイヤ１４５は樹脂１５０により一括封止される。
【００３６】
次いで図７（ａ）に示すように、モールド１６０を取り外し、さらに図７（ｂ）に示すようにシート１２０を取り外す。このとき、フレーム部材１３０の上面に位置する接着層１２６、及び接着層１２２に紫外線照射又は加熱を行う。
【００３７】
次いで図８（ａ）に示すように、フレーム部材１３０を取り除く。このとき、フレーム部材１３０の内側面に位置する接着層１２６に紫外線照射又は加熱を行う。
【００３８】
次いで図８（ｂ）に示すように、ハンダボール１７０の取り付け及び配線基板１００の個片化を行う。
【００３９】
本実施形態によっても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、フレーム部材１３０を用いて配線基板１００の位置決めを行っているため、配線基板１００の位置決めを容易に行える。また、例えばモールド１６０の中に樹脂１５０を注入するときに、配線基板１００の位置がずれたり傾いたりすることを抑制できる。
【００４０】
また、配線基板１００の形状を変える場合はフレーム部材１３０及びモールド１６０を変えるのみでよい。このため、製造設備に対する投資が少なくてすむ。また、フレーム部材１３０の外形を一定にして、フレーム部材１３０の幅を変えることにより、配線基板１００の形状の変化に対応することもできる。このようにすると、配線基板１００の形状を変えてもモールド１６０を変える必要がなくなる。
【００４１】
図９は、第４の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を示す断面図であり、第３の実施形態における図６に相当する図である。この半導体装置の製造方法は、シート１２０が支持板１３６上に配置されており、支持板１３６がフレーム部材１３０と一体である点を除いて、第３の実施形態にかかる半導体装置の製造方法と同様である。この半導体装置の製造方法において、樹脂１５０が設けられた後、支持板１３６及びフレーム部材１３０、並びにシート１２０がこの順に取り外される。
【００４２】
本実施形態によっても第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。またシート１２０が支持板１３６上に固定されているため、配線基板１００を配置した後のシート１２０のハンドリングが容易になる。
【００４３】
図１０（ａ）は、第５の実施形態にかかる半導体装置の製造方法に用いられる配線基板１００の斜視図である。本実施形態において配線基板１００の側面１０１〜１０４は、配線基板１００の厚み方向に凹凸を有する。側面１０１の凹凸は側面１０２の凹凸と噛み合う形状をしており、側面１０３の凹凸は側面１０４の凹凸と噛み合う形状を有している。本図に示す例において、側面１０１〜１０４それぞれの凹凸の高さは同じである。
【００４４】
図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に示した配線基板１００を用いた半導体装置の製造方法を示す断面図であり、第３の実施形態における図６に相当する図である。この半導体装置の製造方法は、配線基板１００の側面１０１〜１０４の形状が図１０（ａ）に示した形状である点、及びフレーム部材１３０の内側面１３１〜１３４に凹凸が形成されており、この凹凸が配線基板１００の側面１０１〜１０４と隙間なく噛み合う点を除いて、第３の実施形態にかかる半導体装置の製造方法と同様である。また本実施形態において側面１０１〜１０４に形成された凹凸はスクライブラインに含まれているため、個片化した後の半導体装置には残らない。
【００４５】
本実施形態によっても第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。またモールド１６０の中の空間に樹脂１５０を注入するときの注入圧力によって、側面１０１，１０２には互いに圧着する方向の力が加わるが、この圧力は側面１０１，１０２の凹凸部分に集中する。従って、樹脂１５０が側面１０１，１０２の間に浸透して配線基板１００の裏面に回りこむことをさらに抑制できる。
【００４６】
また凹凸の位置及び形状の組み合わせが側面１０１〜１０４相互間で異なるため、容易に配線基板１００の向きを揃えることができる。
【００４７】
なお、本実施形態において、第４の実施形態に示したフレーム部材１３０及び支持板１３６を用いても良い。この場合、第４の実施形態に示した効果も得ることができる。また図１０に示した例では、配線基板１００の側面１０１〜１０４及びフレーム部材１３０の内側面１３１〜１３４は、配線基板１００の裏面１０６に対して垂直であるが、第１の実施形態と同様に裏面１０６に対して斜めであってもよい。
【００４８】
図１１は、第６の実施形態にかかる半導体装置の製造方法を説明するための平面図であり、第３の実施形態における図５（ｂ）に相当する図である。本実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、配線基板１００の側面１０１〜１０４に水平方向の凹凸１０１ａ，１０２ａ，１０３ａ，１０４ａが形成されている点、フレーム部材１３０の内側面１３１〜１３４に水平方向の凹凸１３１ａ，１３２ａ，１３３ａ，１３４ａが形成されていて側面１０１〜１０４の凹凸１０１ａ〜１０４ａと噛み合う点を除いて、第３の実施形態にかかる半導体装置の製造方法と同様の構成である。側面１０１の凹凸１０１ａは隣の配線基板１００の凹凸１０２ａと噛み合っており、側面１０３の凹凸１０３ａは、隣の配線基板１００の凹凸１０４ａと噛み合っている。
【００４９】
本実施形態によっても第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。また凹凸１０１ａ〜１０４ａの位置及び形状の組み合わせが側面１０１〜１０４相互間で異なるため、容易に配線基板１００の向きを揃えることができる。
【００５０】
なお、本実施形態において、第４の実施形態に示した支持板１３６を用いても良い。この場合、第４の実施形態に示した効果も得ることができる。また図１１に示した例では、配線基板１００の側面１０１〜１０４及びフレーム部材１３０の内側面１３１〜１３４は、配線基板１００の裏面１０６に対して垂直であるが、第１の実施形態と同様に裏面１０６に対して斜めであってもよい。
【００５１】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。例えば半導体チップ１４０はワイヤ１４５によって配線基板１００に接続したが、半導体チップ１４０の表面を配線基板１００側に向け、半導体チップ１４０の表面に設けられたバンプと配線基板１００の配線を直接接続してもよい。この場合、半導体チップ１４０の上に第２の半導体チップが搭載されてもよい。第２の半導体チップは、例えばワイヤで配線基板１００と接続する。
【符号の説明】
【００５２】
１００             配線基板
１０１〜１０４     側面
１０１ａ〜１０４ａ  凹凸
１０５              表面
１０６             裏面
１２０             シート
１２２             接着層
１２４             支持板
１２６             接着層
１３０             フレーム部材
１３１〜１３４      内側面
１３６             支持板
１３１ａ〜１３４ａ  凹凸
１４０              半導体チップ
１４５             ワイヤ
１５０             樹脂
１６０             モールド
１７０             ハンダボール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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