(57)【要約】【課題】高精細な微細構造を低コストで効率よく製造する。【解決手段】頂部１５の周縁部を残して頂部１７をエッチングし、周縁部からなる壁部２１ａを含んだ微細構造を形成する形成工程と、を有する。形成工程は、頂部１５と側部１６とを連続して被覆する被覆膜を形成する被覆処理と、頂部１５が露出するまで被覆膜３３をエッチングするとともにエッチングにより形成されるエッチング凹部の底面１５ａよりも側部１７を覆う部分の被覆膜３３を突出させて突出部３４にするエッチング処理と、底面１５ａと突出部３４とを連続して被覆する第２被覆膜３５を形成する第２被覆処理と、底面１５ａが露出するまで第２被覆膜３５をエッチングして突出部３４を被覆する部分の第２被覆膜３５を保持して膜パターン３６とし、膜パターン３６をマスクとして底面１５ａをエッチングする第２エッチング処理とを含む。【選択図】図３
2010194683.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
頂部と側部とを含んだ角部を有する基体を準備する準備工程と、
前記頂部の周縁部を残して前記頂部をエッチングし、前記周縁部からなる壁部を含んだ微細構造を形成する形成工程と、を有し、
前記形成工程は、前記頂部と前記側部とを連続して被覆する被覆膜を形成する被覆処理と、
前記頂部が露出するまで前記被覆膜をエッチングするとともに、前記基体に対するエッチングレートが前記被覆膜に対するエッチングレートよりも高い条件で、前記被覆膜と前記露出した部分の前記頂部とをエッチングして、エッチングにより形成されるエッチング凹部の底面よりも前記側部を覆う部分の前記被覆膜を突出させて突出部にするエッチング処理と、
前記エッチング凹部の底面と前記突出部とを連続して被覆する第２被覆膜を形成して前記周縁部を前記第２被覆膜により被覆する第２被覆処理と、
前記エッチング凹部の底面が露出するまで前記第２被覆膜をエッチングして前記突出部を被覆する部分の前記第２被覆膜を保持して膜パターンとし、該膜パターンをマスクとして前記エッチング凹部の底面をエッチングして前記膜パターンに覆われた部分を前記周縁部の少なくとも一部として保持する第２エッチング処理と、を含んでいることを特徴とする微細構造の製造方法。
【請求項２】
前記基体が、前記頂部と段差を構成するとともに前記側部と連続した底部を有し、
前記形成工程では、前記膜パターンをマスクにして前記頂部と前記底部とを一括してエッチングすることを特徴とする請求項１に記載の微細構造の製造方法。
【請求項３】
前記形成工程では、前記微細構造において前記壁部を挟む２つ領域の面積比により定まる前記２つの領域の互いのエッチングレートの違いに基づいて、前記形成工程前の前記基体の前記頂部と前記底部との段差を設定することを特徴とする請求項２に記載の微細構造の製造方法。
【請求項４】
前記形成工程では、前記第２エッチング処理後の前記エッチング凹部の底面と前記突出部とを連続して被覆する第３被覆膜を形成する第１処理と、前記第３被覆膜をエッチングするとともに前記突出部をマスクとしてエッチング凹部の底面をエッチングして前記突出部に覆われた部分を前記周縁部の少なくとも一部として保持する第２処理と、を行って前記エッチング凹部の底面と前記周縁部上面との段差を高める高段差化処理を１回以上行うことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の微細構造の製造方法。
【請求項５】
前記高段差化処理を複数回数行うとともに、前記第１処理で形成する前記第３被覆膜の厚みと該第３被覆膜が前記第２処理においてエッチングされる厚みとの比を前記複数回数の高段差化処理で管理することにより、前記壁部の形状を制御することを特徴とする請求項４に記載の微細構造の製造方法。
【請求項６】
前記高段差化処理を複数回数行うとともに、前記第２被覆膜を前記第３被覆膜よりも厚く形成することを特徴とする請求項４又は５に記載の微細構造の製造方法。
【請求項７】
前記壁部の最小肉厚を０．５μｍ以上２μｍ以下にすることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の微細構造の製造方法。
【請求項８】
前記基体がシリコンからなることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の微細構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細構造の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）が注目を集めている。ＭＥＭＳは、機械要素部品や、アクチュエータ、センサー、電子回路等を同じチップ上に集積させたものである。ＭＥＭＳの具体例としては、インクジェットプリンターのヘッドや、圧力センサー、ジャイロスコープ、プロジェクター等に用いられるＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）等が挙げられる。
【０００３】
ＭＥＭＳの機械要素部品等に含まれるような微細構造を製造する上で、高アスペクト比の構造物を形成する技術（例えば特許文献１）は極めて重要である。特許文献１は、一般にボッシュプロセスと呼ばれている加工方法に関するものである。ボッシュプロセスは、ドライエッチング等による異方性のエッチングプロセスと、ポリマー系薄膜からなるパッシベーション膜を堆積させる堆積プロセスとを交互に行う方法である。
【０００４】
エッチングプロセスにより形成された凹部内に露出した側壁は、堆積プロセスで形成されるパッシベーション膜により保護される。そして、側壁がパッシベーション膜により保護された状態で、再度エッチングプロセスを行うことにより、凹部が深められる。パッシベーション膜によりサイドエッチが最低限度に抑えられ、高アスペクト比の構造物を良好に形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許５５０１８９３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の技術を用いると高精度な加工が可能になると考えられるが、高精細な微細構造を低コストで効率よく製造する観点で改善すべき点がある。
【０００７】
特許文献１の技術において、最初のエッチングプロセスを行う前に、エッチングプロセスで形成する凹部の周辺部上にマスクパターンを形成する。マスクパターン上には、堆積プロセスでパッシベーション膜が形成される。このマスクパターンは、複数回数のエッチングプロセスに耐えうるように厚く形成される。
【０００８】
このようなマスクパターンは、半導体分野等で培われたフォトリソグラフィー法やレジスト技術等を用いて形成されている。フォトリソグラフィー法に用いられる露光方法としては、フォトマスクに形成されたパターンを縮小して転写するステッパー方式や、等倍で転写するアライナー方式が知られている。一般に、ステッパー方式は、アライナー方式に比べて高解像度なマスクパターンが形成可能である。
【０００９】
特許文献１の技術にアライナー方式を適用すると、アライナー方式により形成可能な線幅は２〜３μｍ程度であるので高精細なマスクパターンを形成することが難しい。面方向の最小寸法が２〜３μｍ以下の微細構造を製造するためには、ステッパー方式を採用せざるを得ないのが現状である。しかしながら、ステッパー方式のように高解像度の露光技術を用いると、装置コストが高くなることやウエハー１枚あたりの処理回数が多くなること等の不利な点がある、特に、前記のようにマスクパターンを厚く形成する場合にステッパー方式を採用すると、転写される像が収差によりぼけてしまい解像度が低下してしまう。焦点深度を調整することにより解像度を向上させると、工数が増えてしまい製造効率が低下してしまう。
【００１０】
本発明は、前記事情に鑑み成されたものであって、高精細な微細構造を低コストで効率よく製造することが可能な方法を提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の微細構造の製造方法は、頂部と側部とを含んだ角部を有する基体を準備する準備工程と、前記頂部の周縁部を残して前記頂部をエッチングし、前記周縁部からなる壁部を含んだ微細構造を形成する形成工程と、を有し、前記形成工程は、前記頂部と前記側部とを連続して被覆する被覆膜を形成する被覆処理と、前記頂部が露出するまで前記被覆膜をエッチングするとともに、前記基体に対するエッチングレートが前記被覆膜に対するエッチングレートよりも高い条件で、前記被覆膜と前記露出した部分の前記頂部とをエッチングして、エッチングにより形成されるエッチング凹部の底面よりも前記側部を覆う部分の前記被覆膜を突出させて突出部にするエッチング処理と、前記エッチング凹部の底面と前記突出部とを連続して被覆する第２被覆膜を形成して前記周縁部を前記第２被覆膜により被覆する第２被覆処理と、前記エッチング凹部の底面が露出するまで前記第２被覆膜をエッチングして前記突出部を被覆する部分の前記第２被覆膜を保持して膜パターンとし、該膜パターンをマスクとして前記エッチング凹部の底面をエッチングして前記膜パターンに覆われた部分を前記周縁部の少なくとも一部として保持する第２エッチング処理と、を含んでいることを特徴とする。
【００１２】
このようにすれば、エッチング処理において、被覆膜が角部の側部に沿って選択的に保持され、サイドウォール状の突出部が高度な位置精度で形成される。第２エッチング処理において、頂部が露出するまで第２被覆膜をエッチングすると、突出部の側面を覆う部分の第２被覆膜が選択的に保持され、サイドウォール状の膜パターンが高度な位置精度で形成される。膜パターンにおいて突出部の側面と当接する面と裏面との間の距離（肉厚）は、第２被覆処理における成膜量に応じて定まるので、成膜量を管理することにより微小量であっても高精度に管理することが可能である。膜パターンをマスクにしてエッチング凹部の底面をエッチングすると、高精度な線幅（肉厚）で周縁部を残すことができ、高精細な微細構造を製造することができる。以上のように、本発明によれば、形成工程において端的にはフォトリソグラフィー法を用いなくても角部よりも寸法が小さい壁部を形成することができる。したがって、壁部の寸法と同程度の解像度の露光技術等を用いる必要性が低くなり、高精細な微細構造を低コストで効率よく製造することができる。
【００１３】
また、前記基体が、前記頂部と段差を構成するとともに前記側部と連続した底部を有し、前記形成工程では、前記膜パターンをマスクにして前記頂部と前記底部とを一括してエッチングすることもできる。
このようにすれば、頂部と独立して底部をエッチングする場合に比べて工数が少なくなり、微細構造を低コストで効率よく製造することができる。
【００１４】
また、前記微細構造において前記壁部を挟む２つ領域の面積比により定まる前記２つの領域の互いのエッチングレートの違いに基づいて、前記形成工程前の前記基体の前記頂部と前記底部との段差を設定することもできる。
【００１５】
一般に、仕切られた２つの領域に対して一括してエッチングを行うと、相対的に大面積の領域においてエッチングレートが相対的に高くなる。前記のようにすれば、形成工程前の頂部と底部との段差を調整することにより、形成工程後の段差を調整することができる。したがって、壁部を挟む２つ領域の面積比と独立して２つの領域の間の段差を調整することができ、段差を所望の値にすることができる。
【００１６】
また、前記形成工程では、前記第２エッチング処理後の前記エッチング凹部の底面と前記突出部とを連続して被覆する第３被覆膜を形成する第１処理と、前記第３被覆膜をエッチングするとともに前記突出部をマスクとして該エッチング凹部の底面をエッチングして前記突出部に覆われた部分を前記周縁部の少なくとも一部として保持する第２処理と、を行って前記エッチング凹部の底面と前記周縁部上面との段差を高める高段差化処理を１回以上行うことが好ましい。
【００１７】
このようにすれば、高アスペクト比の壁部を形成することができる。したがって、多様な形状の微細構造を製造することが可能になり、ＭＥＭＳをはじめとする多様なデバイスにおいて有用な微細構造を製造することができる。
【００１８】
また、前記高段差化処理を複数回数行うとともに、前記第１処理で形成する前記第３被覆膜の厚みと該第３被覆膜が前記第２処理においてエッチングされる厚みとの比を前記複数回数の高段差化処理で管理することにより、前記壁部の形状を制御することもできる。
【００１９】
第３被覆膜の厚み、及び第３被覆膜が第２処理においてエッチングされる厚みは、通常同様に高精度に管理することが可能である。したがって、壁部の形状を高精度に制御することができ、多様なデバイスにおいて有用な微細構造を製造することができる。
【００２０】
また、前記高段差化処理を複数回数行うとともに、前記第２被覆膜を前記第３被覆膜よりも厚く形成することが好ましい。
このようにすれば、第２処理における膜パターンの耐久性が第３被覆膜よりも高くなり、複数回数の高段差化処理にわたって膜パターンを良好に保持することができる。したがって、高段差化処理の回数を増やすことが容易になり、エッチング凹部の底面と周縁部上面との段差を所望の値にすることが容易になる。
【００２１】
また、前記壁部の最小肉厚を０．５μｍ以上２μｍ以下にするとよい。
このようにすれば、等倍光学系による露光技術よりも高精細な微細構造を、縮小光学系による露光技術よりも低コストで効率よく製造することができる。
【００２２】
前記基体がシリコンからなっているとよい。
このようにすれば、シリコンのエッチング条件等に関して半導体技術を適用することが可能になり、良好に微細構造を製造することができる。また、シリコンからなる微細構造を製造することができ、シリコンを母材に用いて製造される半導体装置等と混載すること等が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明に係る微細構造の例を示す、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、第１実施形態の製造方法を示す断面工程図である。
【図３】（ａ）〜（ｅ）は、図２（ｄ）から続く断面工程図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、図３（ｅ）から続く断面工程図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、図４（ｄ）から続く断面工程図である。
【図６】本発明に係る微細構造の例を示す、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態の製造方法を示す断面工程図である。
【図８】（ａ）〜（ｃ）は、図７（ｃ）から続く断面工程図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、図８（ｃ）から続く断面工程図である。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は、変形例１の製造方法を概略して示す図である。
【図１１】変形例２の、（ａ）は基体、（ｂ）、（ｃ）は微細構造を示す図である。
【図１２】変形例３の、（ａ）は基体、（ｂ）、（ｃ）は微細構造を示す図である。
【図１３】変形例４の、（ａ）は基体、（ｂ）、（ｃ）は微細構造を示す図である。
【図１４】変形例５の、（ａ）は基体、（ｂ）、（ｃ）は微細構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。説明に用いる図面において、特徴的な部分を分かりやすく示すために、図面中の構造の寸法や縮尺を実際の構造に対して異ならせている場合がある。また、実施形態において同様の構成要素については、同じ符号を付して図示し、その詳細な説明を省略する場合がある。
【００２５】
［第１実施形態］
図１（ａ）は、第１実施形態の製造方法により得られる微細構造１の概略構成を示す斜視図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＢ１−Ｂ１’線矢視断面図である。図１（ａ）に示すように、本実施形態の微細構造１は、外形が概略箱状のものであり、略枠状の外壁部１１を有している。外壁部１１の内側は凹部１２になっており、凹部１２の内側に略枠状の壁部２が設けられている。微細構造１は、シリコンからなる基板を母材として製造されており、壁部２は、本発明を適用して形成されている。
【００２６】
以下、図２に示したＸＹＺ直交座標系を設定し、これに基づいて微細構造１の構成要素の位置関係を説明する。このＸＹＺ直交座標系において、凹部１２の開口を含んだ面内で互いに直交する方向をＸ方向、Ｙ方向とし、凹部１２の開口を含んだ面の法線方向をＺ方向とする。Ｚ方向は、後述する製造方法において異方性のエッチングを進行させる方向である。ここでは、微細構造１の平面形状が略長方形になっており、その短辺方向をＸ方向、長辺方向をＹ方向とする。
【００２７】
図１（ｂ）に示すように、微細構造１は、底板部１３を有している。底板部１３は、面方向がＺ方向と略直交している。外壁部１１は、底板部１３の面方向の周縁部と一体になっており、周縁部からＺ方向に延びている。
【００２８】
本実施形態の壁部２は、第１壁部２１と第２壁部２２とを含んでいる。第１壁部２１は、第２壁部２２よりも外壁部１１側に位置しており、第２壁部２２と一体になっている。第１壁部２１及び第２壁部２２は、底板部１３と一体になっており、底板部１３からＺ方向に延びている。壁部２のＺ方向における端面は、第１壁部２１において第２壁部２２よりもＺ方向に突出している。
【００２９】
第１壁部２１、第２壁部２２は、それぞれ平面視した状態でＸ方向に延在する延在部とＹ方向に延在する延在部とを含んでいる。延在部の延在方向に略直交する方向の寸法、すなわち延在部の肉厚ｂ１は、第１壁部２１で略均一になっている。また、第２壁部２２においても延在部の肉厚ｂ２は、略均一になっている。第１壁部２１の肉厚ｂ１は、例えば０．５μｍ〜２．０μｍ程度である。第２壁部２２の肉厚ｂ２は、第１壁部２１とほぼ同程度であるが、第１壁部２１よりも厚くなっている。また、第１壁部２１のＺ方向における寸法（高さ）は、例えば数十μｍ程度である。第２壁部２２の高さは、第１壁部２１の高さと後述する段差ｈ１により制御可能になっている。
【００３０】
底板部１３において壁部２に囲まれる領域１２ａは、短辺方向の寸法が例えば２〜１０μｍ程度のものである。領域１２ａは、底板部１３において壁部２と外壁部１１との間の領域１２ｂと、壁部２により仕切られている。Ｚ方向と略直交する面内で領域１２ａの面積は、領域１２ｂの面積よりも小さくなっている。領域１２ａに露出した部分の底板部１３の表面１３ａは、領域１２ｂに露出した部分の底板部１３の表面１３ｂと略面一になっている。
【００３１】
次に、本発明に係る微細構造の製造方法の第１実施形態を、微細構造１の構成に基づいて説明する。図２（ａ）〜（ｄ）、図３（ａ）〜（ｅ）、図４（ａ）〜（ｄ）、図５（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の製造方法を模式的に示す断面工程図である。図３（ａ）〜（ｅ）、図４（ａ）〜（ｄ）には、要部を拡大して図示している。
【００３２】
微細構造１を製造するには、まず角部を有する基体を準備する（準備工程）。基体は、例えば基板上に凸部や凹部、貫通孔を形成したものである。凸部を形成した場合には、凸部において突出した面の周縁部が角部になる。凹部や貫通孔を形成した場合には、凹部や貫通孔の開口周辺部が角部になる。凸部や凹部、貫通孔の形成方法としては、エッチングを用いて基板をパターニングする方法、基板に部分的にレーザー加工や切削加工を施す方法、基板に突起物や貫通孔を有する基板を貼り合せる方法等が挙げられる。凹部等の寸法や、凹部等に要求される加工精度等に応じて、形成方法を適宜選択するとよい。
【００３３】
第１実施形態では、図２（ａ）に示すように、エッチングを用いてシリコンからなる基板をパターニングすることにより、凹部１４を有する基体１０を形成する。詳しくは、開口を有するレジストパターン３１を基板上に形成し、レジストパターン３１をマスクとして基板をエッチングする。レジストパターン３１に被覆された部分は頂部１５になる。レジストパターン３１の開口とＺ方向において重なる部分は、底部１６になる。頂部１５と底部１６との間の凹部１４内壁が側部１７になる。これにより、頂部１５と側部１７とを含んだ角部１８が形成される。側部１７は、微細構造１の第１壁部２１に対応する部分である。頂部１５と底部１６との段差ｈ１としては、詳しくは後述するが、図１（ｂ）に示した領域１２ａの面積に対する領域１２ｂの面積の比等に基づいて設定される。
【００３４】
凹部１４の形成に用いるエッチング方法としては、凹部１４の形状や寸法に応じて適宜選択することができる。ここでは、後述する高段差化処理（ボッシュプロセス）を用いて凹部１４を形成する。高段差化処理は、第１処理（パッシベーションプロセス）と第２処理（エッチングプロセス）を交互に行う処理である。例えば、第１処理を３秒程度行った後に第２処理を５秒程度行う処理を複数回数繰り返すことにより、凹部１４を形成する。
【００３５】
次いで、図２（ｂ）に示すように、レジストパターン３１を剥離した後に、基体１０の周縁部を覆ってレジストパターン３２を形成する。レジストパターン３２に被覆された部分は、外壁部１１になる部分である。
【００３６】
次いで、レジストパターン３２が形成された基体１０をエッチング装置（図示略）の処理室内に設置する。このエッチング装置は、例えば誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）方式により反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行うことが可能な装置である。処理室内には、エッチング用のガスやパッシベーション膜の形成用のガスを切り替えて供給することが可能になっている。
【００３７】
次いで、図２（ｃ）に示すように、頂部１５、側部１７、及び底部１６を連続して被覆する被覆膜３３を形成する（被覆処理）。ここでは、処理室内にＣ４Ｆ８プラズマを流通させ、レジストパターン３２上を含んで基体１０の一方の面全体に一括して４フッ化エチレンを成膜して（堆積させて）、被覆膜３３を形成する。例えば、被覆処理のプロセス時間を管理することにより、４フッ化エチレンの成膜量を管理することができ、被覆膜３３の膜厚を制御することができる。
【００３８】
次いで、図２（ｄ）に示すように、被覆膜３３において頂部１５を被覆する部分と、底部１６を被覆する部分を除去して、頂部１５と底部１６とを露出させる。ここでは、ＳＦ６プラズマを用いたエッチングにより、レジストパターン３２上を含んで基体１０の一方の面全体において被覆膜３３をエッチバックする。これにより、側部１７を被覆する部分の被覆膜３３が選択的に保持される。
【００３９】
次いで、図３（ａ）に示すように、基体１０に対するエッチングレートが被覆膜３３に対するエッチングレートよりも高い条件で、露出させた部分の頂部１５と底部１６とを一括してエッチングする。ここでは、被覆膜３３をエッチバックした後、そのままエッチバックを継続することにより、頂部１５と底部１６とをエッチングする。
【００４０】
これにより、図３（ｂ）に示すように頂部１５がエッチングされて、側部１７を覆う部分の側部１７を覆う部分の被覆膜３３におけるＺ方向の端部に対して凹となる第１エッチング凹部（エッチング凹部）が形成される。同様に、底部１６がエッチングされて第２エッチング凹部（エッチング凹部）が形成される。側部１７を覆う部分の被覆膜３３においてＺ方向の端部は、第１エッチング凹部の底面１５ａよりもＺ方向側に突出して突出部３４になる（エッチング処理）。第１エッチング凹部の底面１５ａと突出部３４上面との段差ｈ２は、エッチング処理における基体１０のエッチングレートと、被覆膜３３のエッチングレートと、エッチング時間（プロセス時間）とにより制御することができ、所望の値にすることができる。被覆膜３３の膜厚を厚くするほど突出部３４の耐久性が高くなり、段差ｈ２の値を大きくすることができる。
【００４１】
次いで、図３（ｃ）に示すように、第１エッチング凹部の底面１５ａと突出部３４とを連続して被覆する第２被覆膜３５を形成する（第２被覆処理）。ここでは、前記の被覆処理と同様にして、レジストパターン３２上を含んで基体１０の一方の面全体に一括して４フッ化エチレンを成膜して、第２被覆膜３５を形成する。第２被覆処理を行うプロセス時間を管理すること等により、第２被覆膜３５の膜厚を高精度に制御することが可能である。ここでは、プロセス時間を３０秒程度に設定する。
【００４２】
次いで、図３（ｄ）に示すように、第２被覆膜３５において底面１５ａ、１６ａを被覆する部分を除去して、底面１５ａ、１６ａを露出させる。ここでは、前記したエッチング処理と同様に、レジストパターン３２上を含んで基体１０の一方の面全体において第２被覆膜３５をエッチバックする。これにより、突出部３４におけるＺ方向と略直交する方向の面（側面）を被覆する部分の第２被覆膜３５が選択的に保持されて、膜パターン３６が得られる。膜パターン３６のＺ方向側の端面（上面）と底面１５ａとの段差は、理想的には底面１５ａと突出部３４上面との段差ｈ２と略一致する。
【００４３】
次いで、図３（ｅ）に示すように、被覆膜３３と膜パターン３６とをマスクとして底面１５ａ、１６ａとを一括してエッチングする。ここでは、第２被覆膜３５をエッチバックした後、そのままエッチバックを継続することにより、底面１５ａ、１６ａをエッチングする（例えば、プロセス時間を２０秒程度）。
【００４４】
エッチング後の第１エッチング凹部の底面１５ｂは、エッチング前の底面１５ａよりも、膜パターン３６の上面に対する段差が大きくなっている。エッチング後の第１エッチング凹部の側部は、膜パターン３６によりエッチングから保護されており壁部２１ａになる。エッチング後の第２エッチング凹部の底面１６ｂは、エッチング前の底面１６ａよりも、膜パターン３６の上面に対する段差が大きくなっている。エッチング後の第２エッチング凹部の側部は、膜パターン３６によりエッチングから保護されており壁部２２ａになる。壁部２１ａは、第１壁部２１の一部であり、壁部２２ａは第２壁部２２の一部である。
【００４５】
壁部２１ａの肉厚ｂ１は、エッチング方向（Ｚ方向）に略直交する方向における膜パターン３６の肉厚により定まる。壁部２２ａの肉厚ｂ２は、エッチング方向に略直交する方向における、被覆膜３３の肉厚と膜パターン３６の肉厚との総厚により定まる。前記のように、被覆膜３３や第２被覆膜３５の膜厚は、膜形成材料（４フッ化エチレン）の成膜量により管理することが可能である。すなわち、肉厚ｂ１は、被覆処理のプロセス時間を管理すること等により制御可能である。肉厚ｂ２は、第２被覆処理のプロセス時間を管理することにより制御可能である。膜パターン３６のマスクとしての耐久性は、エッチング方向と平行な方向の膜パターン３６の寸法（段差ｈ２）により定まり、前記エッチング処理におけるエッチング量を管理することにより制御可能である。
【００４６】
次いで、本実施形態では複数回数の高段差化処理を行う。高段差化処理を行うには、まず図４（ａ）に示すように、壁部２１ａ、２２ｂが形成された基体１０の一方の面全体に、被覆処理と同様にして４フッ化エチレンを成膜して、第３被覆膜３７を形成する（第１処理）。第１処理のプロセス時間としては、例えば３秒程度にする。
【００４７】
次いで、図４（ｂ）に示すように、第３被覆膜３７において底面１５ｂ、１６ｂを被覆する部分を除去して、底面１５ｂ、１６ｂを露出させる。前記エッチング処理と同様に、レジストパターン３２上を含んで基体１０の一方の面全体において第３被覆膜３７をエッチバックする。これにより、壁部２１ａ、２２ｂの側面を覆う部分の第３被覆膜３７が選択的に保持される。
【００４８】
次いで、図４（ｃ）に示すように、突出部３４と膜パターン３６とをマスクとして底面１５ｂ、１６ｂを一括してエッチングする。ここでは、第３被覆膜３７をエッチバックした後、そのままエッチバックを継続することにより、底面１５ｂ、１６ｂをエッチングする（第２処理）。第２処理のプロセス時間としては、例えば５秒程度にする。第２処理よりも前に形成された部分の壁部２１ａ、２２ａが第３被覆膜３７に保護されるので、サイドエッチが防止され、高度な異方性でエッチングを進行させることができる。これにより、
エッチング後の第１エッチング凹部の底面１５ｃと壁部２１ａ上面との段差、エッチング後の第２エッチング凹部の底面１６ｃと壁部２２ａ上面との段差がそれぞれ大きくなる。
【００４９】
本実施形態では、高段差化処理を再度行うことにより底面１５ｃ、１６ｃをエッチングして、図４（ｄ）に示すように底面１５ｄ、１６ｄを形成する。第１処理で形成する第３被覆膜３７の膜厚としては、１回の第２処理に耐えうる範囲内で、被覆膜３３や第２被覆膜３５よりも薄くすることができる。ここでは、第２処理において壁部２１ａ、２２ａを覆う部分の第３被覆膜３７が薄膜化される厚み量と、第１処理において壁部２１ａ、２２ａが厚膜化される厚み量とを釣り合わせる。例えば、第１処理のプロセス時間と、第２処理のプロセス時間との比を調整するとよい。ここでは、第１処理のプロセス時間を３秒程度に設定し、第２処理のプロセスを５秒程度に設定して、薄膜化される量と厚膜化される量とを釣り合わせる。
【００５０】
ところで、第２エッチング凹部の底面積は、第１エッチング凹部の底面積よりも大きくなっている。これにより、第２エッチング凹部の底面のエッチングレートは、第１エッチング凹部のエッチングレートよりも高くなる。このような現象が生じる原因としては、エッチングされる面積が小さくなるほど、エッチング用のプラズマの総量に占める、側壁に入射するプラズマの量の比率が大きくなりエッチングに実際に使われるプラズマの量が減少すること、シリコンと反応した反応生成物が孔部内から排気されにくくなること等が考えられる。この現象により、第１エッチング凹部の底面がエッチングされた総厚ｈ３は、第２エッチング凹部の底面がエッチングされた総厚ｈ４よりも大きくなる。
【００５１】
複数回数の高段差化処理を行うと、図５（ａ）に示すように第１エッチング凹部の底面１５ｅと第２エッチング凹部の底面１６ｅとの段差ｈ５が、図２（ａ）に示した段差ｈ１よりも小さくなる。さらに高段差化処理を繰り返すと、図５（ｂ）に示すように第１エッチング凹部の底面１５ｆと第２エッチング凹部の底面１６ｆとの段差ｈ６が、段差ｈ５よりも小さくなる。以上のように高段差化処理を繰り返すことにより、図５（ｃ）に示すように、壁部２１ａからなる第１壁部２１と、壁部２２ａからなる第２壁部２２とを形成する。なお、凹部１４の段差ｈ１の値を調整しておくことにより、第１エッチング凹部の底面と第２エッチング凹部の底面とを略面一にする。第１エッチング凹部の底面は底板部１３の表面１３ｂになり、第２エッチング凹部の底面は底板部１３の表面１３ａになる。また、薄膜化される量と厚膜化される量とを釣り合わせているので、底板部１３に対して略垂直な第１壁部２１、第２壁部２２を形成することができる。レジストパターン３２や被覆膜３３、膜パターン３６、第３被覆膜３７を除去すること等により、図１（ｂ）に示した微細構造１が得られる。
【００５２】
以上のような第１実施形態の製造方法にあっては、被覆処理や第２被覆処理において成膜量を管理することにより、第１壁部２１の肉厚ｂ１や第２壁部２２の肉厚ｂ２を制御することが可能である。したがって、肉厚ｂ１、ｂ２と略一致する線幅のレジストパターンを用いたエッチングを行わなくとも微細構造１を製造することができ、高解像度の露光技術を用いることによる高コスト化や製造効率の低下を回避することができる。
【００５３】
また、第１エッチング凹部の底面１５ａ上と突出部３４上との段差ｈ２の値を調整しておくことにより、膜パターン３６のマスクとしての耐久性を確保することができる。したがって、所望の回数の高段差化処理に対して膜パターン３６をマスクとして良好に機能させることができ、第１エッチング凹部の底面や第２エッチング凹部の底面を所望の厚みだけエッチングすることができる。よって、底板部１３の表面１３ａ、１３ｂに対する第１壁部２１の高さや第２壁部２２の高さを所望の値にすることができ、第１壁部２１のアスペクト比や第２壁部２２のアスペクト比を所望の値にすることができる。
以上のように本発明によれば、レジストパターンの線幅よりも微細な壁部を含んだ微細構造を低コストで効率よく製造することができる。
【００５４】
［第２実施形態］
次に、本発明に係る微細構造の製造方法の第２実施形態を説明する。図６（ａ）は、第２実施形態の製造方法により得られる微細構造４の概略構成を示す平面図であり、図６（ｂ）は図６（ａ）におけるＢ２−Ｂ２’線矢視断面図である。
図６（ａ）に示すように、本実施形態の微細構造４は、略円筒状の複数の壁部５を含んでいる。複数の壁部５は、本発明を適用して形成されたものであり、ここではアレイ状に配置されている。
【００５５】
図６（ｂ）に示すように、微細構造４は、第１基板４１と第２基板４２とが互いに接合された構造になっている。第１基板４１は、シリコンからなる基板に貫通孔４３を形成したものである。第２基板４２は、シリコンからなる基板を母材として形成されている。第２基板４２の一方の面４２ａに、貫通孔４３よりも内径が大きい凹部４４が形成されている。第２基板４２は、凹部４４が貫通孔４３と連通するように、一方の面４２ａが第１基板４１と接合されている。凹部４４により、微細構造４の内部にキャビティが構成されている。
【００５６】
第２基板４２の他方の面４２ｂには、壁部５が形成されている。壁部５は、第１壁部５１と第２壁部５２とを含んでいる。第２壁部５２は、第１壁部５１に囲まれる領域に位置しており、他方の面４２ｂからの高さが第１壁部５１よりも低くなっている。第１壁部５１に囲まれる領域、及び第２壁部５２に囲まれる領域は、凹部４４に連通する貫通孔５３になっている。第１壁部５１の肉厚は０．５〜１ミクロン程度であり、貫通孔５３の直径は、２〜１０μｍ程度である。
【００５７】
微細構造４を用いると、例えば微小領域に液状体を配置することができる。例えば、壁部５を微小領域と位置合わせした状態で、貫通孔４３を通して凹部４４内に液状体を供給し、貫通孔５３を通して液状体を壁部５から微小領域に吐出する。これにより、例えば細胞等の微小領域に遺伝子を含んだ薬液等を注入すること等ができる。
【００５８】
次に、本発明に係る微細構造の製造方法の第２実施形態を、微細構造４の構成に基づいて説明する。図７（ａ）〜（ｃ）、図８（ａ）〜（ｃ）、図９（ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態の製造方法を模式的に示す断面工程図である。
本実施形態では、図７（ａ）〜（ｃ）、図８（ａ）に示す工程で、基体４０を形成した後に、基体４０を用いて微細構造４を製造する。
【００５９】
基体４０を製造するには、シリコンからなる基板４５を用意し、図７（ａ）に示すように、基板４５の一方の面４２ａに凹部４４を形成する。凹部４４の形成方法としては、形成する凹部４４の寸法や精度に応じて、ウエットエッチング、ドライエッチング、第１実施形態で説明した高段差化処理、切削加工やレーザー加工等の各種方法から適宜選択される方法を用いることができる。ここでは、第１実施形態で説明した高段差化処理を用いて凹部４４を形成する。ここでは、第１処理を３秒程度行った後に第２処理を５秒程度行う処理を複数回数繰り返すことにより、凹部４４を形成する。
【００６０】
次いで、図７（ｂ）に示すように、凹部４４の底面を覆ってＣＶＤ法等を用いて酸化シリコン膜４６を形成する。
次いで、図７（ｃ）に示すように、酸化シリコン膜４６が形成された基板４５において凹部４４が設けられた側に、貫通孔４３が設けられた第１基板４１を接合する。貫通孔４３の形成方法については、凹部４４と同様に適宜選択可能である。
【００６１】
次いで、図８（ａ）に示すように、基板４５の一方の面４２ａの裏面側にレジストパターン６１を形成した後、レジストパターン６１をマスクにして基板４５をエッチングして凹部４７を形成する。ここでは、高段差化処理と同様の処理を行うことにより、凹部４７を形成する。これにより、一方の面４２ａに対する裏面を含んだ部分が頂部５５となる。凹部４７の底面を含んだ部分が底部５６になる。また、凹部４７の側面を含んだ部分が側部４７になる。頂部５５と側部５７とを含んで角部５８が構成され、角部５８を有する基体４０が得られる。
【００６２】
次いで、図８（ｂ）に示すように、基体４０の頂部５５、底部５６、側部５７を覆って一括して被覆膜６３を形成する（被覆処理）。被覆処理としては、第１実施形態と同様の手法を用いることができる。
次いで、図８（ｃ）に示すように、被覆膜６３全面をエッチバックして頂部５５、底部５６を覆う部分の被覆膜６３を除去し、さらにエッチバックを継続して頂部５５、底部５６をエッチングする。これにより、側部５７を覆う部分の被覆膜６３に対してエッチング方向において凹となる第１エッチング凹部が形成される。側部５７を覆う部分の被覆膜６３は、エッチング方向において第１エッチング凹部の底面５５ａよりも突出して突出部６４になる。底部５６に関しても同様に、底部５６がエッチングされて底面５６ａを含んだ第２エッチング凹部が形成される。（エッチング処理）。エッチング処理としては、第１実施形態と同様の手法を用いることができる。
【００６３】
次いで、図９（ａ）に示すように、底面５５ａ、５６ｂ、突出部６４を覆って基板４５の全面に一括して第２被覆膜６５を成膜する（第２被覆処理）。第２被覆処理としては、第１実施形態と同様の手法を用いることができる。
次いで、図９（ｂ）に示すように、第２被覆膜６５全面をエッチバックして、底面５５ａ、５６ａを覆う部分の第２被覆膜６５を除去する。これにより、突出部６４の側面を覆う部分の第２被覆膜６５が選択的に保持されて、膜パターン６６が得られる。そして、エッチバックを継続して底面５５ａ、５６ａをエッチングすることにより、第１壁部５１、第２壁部５２の一部が形成される。
次いで、図９（ｃ）に示すように、複数回数の高段差化処理を行うことにより、第２エッチング凹部の底面５６ａを貫通するまで深堀する。これにより、第１エッチング凹部の底面が他方の面４２ｂになり、第１壁部５１、第２壁部５２が得られる。また、突出部６４を含んだ被覆膜６３、膜パターン６６、酸化シリコン膜４６等を除去することにより図６（ａ）、（ｂ）に示した微細構造４が得られる。なお、被覆膜６３、膜パターン６６、酸化シリコン膜４６の一部を保持して微細構造４を用いることや、除去した後に熱酸化等により保護膜を形成して用いることもできる。
【００６４】
以上のような第２実施形態の製造方法によれば、第１実施形態と同様にレジストパターン６１よりも微細な構造である壁部５を、他のレジストパターンを用いなくとも形成することができる。したがって、壁部５の形成に用いる露光技術として、壁部５の肉厚よりも解像度が低い手法を用いることができ、低コストで効率よく微細構造４を製造することができる。
【００６５】
なお、本発明の技術範囲は前記実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で様々な変形が可能である。
例えば、第１実施形態では、底板部１３の表面１３ａと表面１３ｂとを略面一にするように段差ｈ１の値を設定しているが、底板部の形態に応じて段差ｈ１の値を調整することも可能である。例えば、凹部１４の段差を段差ｈ１よりも大きくすることにより、表面１３ａを表面１３ｂよりも窪ませることができる。端的には、壁部に囲まれる領域が基体を貫通する貫通孔になるようにすることもできる。このように、壁部を挟む２つの領域において表面の高さを独立して制御することができ、多様な形状の微細構造に本発明を適用することが可能である。
【００６６】
また、壁部の最小肉厚としては、第２エッチング処理において側部がサイドエッチされる程度に応じて、０．５μｍ以下にすることも可能である。例えば、高段差化処理の回数を増やすとともに第２処理のプロセス時間を短くすると、１回の第２処理におけるサイドエッチ量が小さくなるので、壁部の最小肉厚を０．２μｍ程度にすることも可能である。この場合には、壁部の形状に応じて、第１処理の処理時間を適宜短縮するとよい。当然ながら、第２被覆膜の膜厚を第１、第２実施形態よりも厚くすることにより、壁部の最小肉厚を２μｍよりも大きくすることも可能である。
【００６７】
また、底板部１３に対して傾斜した第１壁部、第２壁部を形成することも可能であり、後に変形例１でその形成方法を説明する。また、基体の構成としても様々な変形が可能であり、後に変形例２〜５で具体例を説明する。
【００６８】
図１０（ａ）〜（ｃ）は、本発明に係る微細構造の製造方法の変形例１を概略して示す図である。変形例１では、まず、基体１０に対して第１実施形態と同様の被覆処理、エッチング処理、第２被覆処理、第２エッチング処理を行う。次いで、複数回数の高段差化処理を行う。変形例１では、第１処理において第３被覆膜３７が厚膜化される量を、第２処理において第３被覆膜３７が薄膜化される量よりも大きくする。
【００６９】
これにより、図１０（ａ）に示すように、高段差化処理を繰り返すたびに第３被覆膜３７の最大膜厚が厚くなる。したがって、第２処理の過程で露出する部分の底面１６ｇが、高段差化処理を繰り返すたびにエッチング方向と略直交する方向において縮寸して、微視的には階段状の壁部２１ａ、２２ａが形成される。そして、複数回数の高段差化処理を行って所定の深さまで深堀すると、図１０（ｂ）に示すように、底板部１３に向かうにつれて内寸が縮寸する略テーパー状の、第１壁部２１Ｂ、第２壁部２２Ｂが形成される。また、レジストパターン３２や被覆膜３３、膜パターン３６、第３被覆膜３７を除去すること等により、図１０（ｃ）に示すような微細構造１Ｂが得られる。
【００７０】
なお、底板部１３に向うにつれて内寸が拡寸する略逆テーパー状の第１壁部、第２壁部を形成することも可能である。例えば、第２処理においてサイドエッチ量が、第１実施形態よりも増加するように第２処理のプロセス時間を調整することにより、逆テーパー状の第１壁部、第２壁部を形成することができる。
【００７１】
図１１（ａ）は変形例２の微細構造１Ｃの製造に用いる基体１０Ｃを示す斜視図であり、図１１（ｂ）は微細構造１Ｃを示す斜視図、図１１（ｃ）は図１１（ｂ）のＢ３−Ｂ３’線矢視断面図である。
【００７２】
図１１（ａ）に示すように、基体１０Ｃは、基板上に基板面から突出した島状の凸部を有している。凸部の頂面を含んだ部分が頂部１５Ｃであり、基板面を含んだ部分が底部１６Ｃ、凸部の側面を含んだ部分が側部１７Ｃである。このような基体は、基板に凸部を接合することや、凸部を残して基板をパターニングすること等により得られる。
【００７３】
基体１０Ｃに対して、第１実施形態と同様に、被覆処理、エッチング処理、第２被覆処理、第２エッチング処理を行った後、高段差化処理を行うと、図１１（ｂ）、（ｃ）に示すような微細構造１Ｃが得られる。微細構造１Ｃは、頂部１５Ｃの周縁部からなる枠状の第１壁部２１Ｃを含んでいる。第１壁部２１Ｃに囲まれる部分は、凹部２３Ｃになっている。また、底部１６Ｃにおいて壁部１７Ｃに連続する部分は、第２壁部２２Ｃになる。
【００７４】
図１２（ａ）は変形例３の微細構造１Ｄの製造に用いる基体１０Ｄを示す斜視図であり、図１２（ｂ）は微細構造１Ｄを示す斜視図、図１２（ｃ）は図１２（ｂ）のＢ４−Ｂ４’線矢視断面図である。
【００７５】
図１２（ａ）に示すように、基体１０Ｄは、基板の中央部に貫通孔１６Ｄが設けられた構造になっている。基板の一方の面を含んだ部分が頂部１５Ｄになっている。貫通孔１６Ｄの内側に露出した側面を含んだ部分が側部１７Ｄになっている。
【００７６】
基体１０Ｄに対して、第１実施形態と同様に、被覆処理、エッチング処理、第２被覆処理、第２エッチング処理を行った後、高段差化処理を行うと、図１２（ｂ）、（ｃ）に示すような微細構造１Ｄが得られる。微細構造１Ｄは、貫通孔１６Ｄを囲む部分の頂部１５Ｃの周縁部からなる枠状の第１壁部２Ｄを含んでいる。このように、底部を含んでいない基体を用いると、第２壁部を含まない壁部を形成することができる。
【００７７】
図１３（ａ）は変形例４の微細構造１Ｅの製造に用いる基体１０Ｅを示す斜視図であり、図１３（ｂ）は微細構造１Ｅを示す斜視図、図１３（ｃ）は図１３（ｂ）のＢ５−Ｂ５’線矢視断面図である。
【００７８】
図１３（ａ）に示すように基体１０Ｅは、基板の一方の面に凹部が設けられており、凹部内に島状の凸部が設けられた構造になっている。換言すると、基板に、閉環状の溝部が設けられた構造になっている。溝部の外側における基板面を含んだ部分と、凸部の頂面とを含んだ分とが頂部１５Ｅになっている。溝部の底面を含んだ部分が底部１６Ｅになっている。溝部内に露出した側面を含んだ部分が側部１７Ｅになっている。
【００７９】
基体１０Ｅに対して、第１実施形態と同様に、被覆処理、エッチング処理、第２被覆処理、第２エッチング処理を行った後、高段差化処理を行うと、図１３（ｂ）、（ｃ）に示すような微細構造１Ｅが得られる。微細構造１Ｅは、島状の凸部の周縁部からなる第１壁部２１Ｅと、溝部の外側における頂部１５Ｅの周縁部からなる第１壁部２１Ｅとを含んでいる。溝部を挟んで形成された２つの第１壁部２１Ｅの間に、第２壁部２２Ｅが形成されている。
【００８０】
図１４（ａ）は変形例５の微細構造１Ｅの製造に用いる基体１０Ｆを示す斜視図であり、図１４（ｂ）は微細構造１Ｆを示す斜視図、図１４（ｃ）は図１４（ｂ）のＢ６−Ｂ６’線矢視断面図である。
【００８１】
図１４（ａ）に示すように基体１０Ｆは、基板の一方の面に周期的に複数の凹部が配列された構造になっている。複数の凹部は、いずれも平面視した輪郭が略正方形のものである。複数の凹部は、Ｘ方向、Ｙ方向の各々において、輪郭の一辺と略同一の間隔で配列されている。Ｘ方向に並ぶ凹部の列に着目すると、隣り合う２つの列で、凹部の位置が輪郭の一辺と略同一の距離だけずれている。換言すると、隣り合う２つの列の一方の列における凹部間の凸部が、他方の列における凹部とＸ方向の位置が略一致している。また、Ｙ方向に並ぶ凹部の列に着目しても同様に位置関係になっており、複数の凹部はいわゆる千鳥状に配列されている。凹部間の凸部の頂面を含んだ部分が頂部１５Ｆになっている。凹部の底面を含んだ部分が底部１６Ｆになっている。凹部内に露出した側面を含んだ部分が側部１７Ｆになっている。
【００８２】
基体１０Ｆに対して、第１実施形態と同様に、被覆処理、エッチング処理、第２被覆処理、第２エッチング処理を行った後、高段差化処理を行うと、図１４（ｂ）、（ｃ）に示すような微細構造１Ｆが得られる。微細構造１Ｆは、頂部１５Ｆの周縁部からなる第１壁部２１Ｆと、底部１６Ｆの周辺部からなる第２壁部２２Ｆとを含んでいる。ここでは、底部１６Ｆが貫通するまで高段差化処理を行っており、第１壁部２１Ｆに囲まれる部分が貫通孔２３Ｆになっている。第２壁部２２Ｆに囲まれる部分が貫通孔２４Ｆになっている。基体１０Ｆにおける頂面１５Ｆの裏面側に対応する方向から微細構造１Ｆを観察すると、微細構造１Ｆは、貫通孔２３Ｆ、２４Ｆがアレイ状に配置された構造になっている。すなわち、貫通孔２３Ｆ、２４Ｆの間において、第１壁部２１Ｆ、第２壁部２２Ｆが縦横に延びる格子状の構造になっている。
【００８３】
なお、凸部や凹部、貫通孔により角部を形成する場合に、凸部等の平面形状としては、多角形や円形、楕円形、これらの形状の一部を組み合わせた形状等のいずれを採用することもできる。
【符号の説明】
【００８４】
１、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ、４・・・微細構造、２、５・・・壁部、１０、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｄ、１０Ｅ、１０Ｆ、４０・・・基体、１５、１５Ｂ、１５Ｃ、１５Ｄ、１５Ｅ、１５Ｆ、５５・・・頂部、１６、１６Ｂ、１６Ｃ、１６Ｅ、１６Ｆ、５６・・・底部、１７、１７Ｂ、１７Ｃ、１７Ｄ、１７Ｅ、１７Ｆ、５７・・・側部、１８、５８・・・角部、３３、６３・・・被覆膜、３４、６４・・・突出部、３５、６５・・・第２被覆膜、３６、６６・・・膜パターン、３７・・・第３被覆膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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