(57)【要約】      （修正有）【課題】半田ボールを安定した状態で戴置することによって、電気的な特性が得られ歩留を向上させた半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、開口部３１を有するランド部１３を基板１０上に形成するランド形成工程と、開口部３１を含むランド部１３上にフラックス７を塗布する塗布工程と、開口部３１に半田ボール１４を載置する載置工程と、熱処理によりランド部１３に半田ボール１４を融着する融着工程と、を有する。【選択図】図３
2010062307.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
開口部を有するランド部を基板上に形成するランド形成工程と、
前記開口部を含む前記ランド部上にフラックスを塗布する塗布工程と、
前記開口部に半田ボールを載置する載置工程と、
熱処理により前記ランド部に前記半田ボールを融着する融着工程と、を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記ランド形成工程で形成する前記開口部を平面視円形とした請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記ランド形成工程で形成する前記開口部を平面視四角形とした請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記ランド形成工程で形成する前記開口部を断面視凹形とした請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記ランド形成工程で形成する前記開口部を断面視テーパー形とした請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ランド形成工程で形成する前記開口部を断面視階段形とした請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記ランド形成工程で形成する前記開口部の径をランド部の径の２０％以上５０％以下とした請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記基板には複数のランド部が設けられ、当該複数のランド部のうち一部のランド部のみに前記開口部が形成された請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
基板と、
前記基板の表面上に実装された半導体チップと、
前記基板の裏面上に形成されたランド部と、を備え、
前記ランド部の中央部に開口部が形成された半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半田ボールを搭載するランド部を設けた半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、集積回路を形成した半導体チップを内蔵しパッケージ化された半導体装置において、その接続端子の高密度化が進んでいる。例えば、この接続端子として半田ボールを用いたボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ:Ball Grid Array)構造の半導体装置が広く一般的に知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
ＢＧＡ構造の半導体装置は、一般に、図１４に示すように構成されている。すなわち、半導体チップ１１１を基板１１０の一方の面１２０（以下、「基板表面１２０」とする。）に搭載している。また、この基板１１０の他方の面１２１（以下、「基板裏面１２１」とする。）側に外部基板と接続する半田ボール１１４を形成している。
【０００４】
具体的には、ＢＧＡ構造の半導体装置における基板表面１２０に絶縁層１１６を介して半導体チップ１１１を設け、この半導体チップ１１１の電極と基板表面１２０の接続ランド１１５とをＡｕワイヤー１１７を介してボンディング接続している。そして、この半導体チップ１１１はボンディング接続した状態において樹脂材料１１２で密封している。
【０００５】
一方、基板裏面１２１には、一定の厚さで形成しているランド部１１３上に半田ボール１１４を融着して、この半田ボール１１４とランド部１１３とを電気的に接続している。さらに、各ランド部１１３の外周を囲繞するように絶縁層１１９を形成している。
【０００６】
ここで、従来の半導体装置において半田ボールを形成する工程を説明する。図１５及び図１６は従来の半導体装置に半田ボールを形成する工程図である。
【０００７】
図１５（ａ）に示すように、半導体装置１０１の基板裏面１２１には、半田ボール１１４が搭載されるランド部１１３を形成する。
【０００８】
次いで、図１５（ｂ）に示すように、ランド部１１３の表面にフラックス１０７を塗布し、このフラックス１０７が付着した各ランド部１１３上に半田ボール１１４を搭載して貼着する。その後、リフロー炉内に半導体装置１０１を搬送するようにしている。
【特許文献１】特開平１１−３５４６８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記従来の半田ボールの形成工程では、半導体装置１０１を搬送する際の振動やリフロー工程で生じる熱風により、ランド部１１３から半田ボール１１４が剥離し、さらには図１６（ａ）に示すように移動するおそれがあった。
【００１０】
そして、隣りの半田ボール１１４と接触した状態で熱処理が行われると、図１６（ｂ）に示すように、半田ボール１１４が融着されないランド部１１３や、一つのランド部１１３上に複数の半田ボール１１４が融着された歪な半田ボールが形成される。
【００１１】
その結果、半導体装置は不良品となってしまい、歩留を低下させるおそれがあった。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
かかる課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、開口部を有するランド部を基板上に形成するランド形成工程と、前記開口部を含む前記ランド部上にフラックスを塗布する塗布工程と、前記開口部に半田ボールを載置する載置工程と、熱処理により前記ランド部に前記半田ボールを融着する融着工程と、を有する半導体装置の製造方法とした。
【００１３】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記ランド形成工程で形成する前記開口部を平面視円形とした半導体装置の製造方法とした。
【００１４】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記ランド形成工程で形成する前記開口部を平面視四角形とした半導体装置の製造方法とした。
【００１５】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３のいずれか１項に記載の発明において、前記ランド形成工程で形成する前記開口部を断面視凹形とした半導体装置の製造方法とした。
【００１６】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の発明において、前記ランド形成工程で形成する前記開口部を前記基板から漸次拡開する形状に形成した半導体装置の製造方法とした。
【００１７】
請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の発明において、前記ランド形成工程で形成する前記開口部を断面視階段形とした半導体装置の製造方法とした。
【００１８】
請求項７に記載の発明は、請求項１〜６のいずれか１項に記載の発明において、前記ランド形成工程で形成する前記開口部の径をランド部の径の２０％以上５０％以下とした半導体装置の製造方法とした。
【００１９】
請求項８に記載の発明は、請求項１〜７のいずれか１項に記載の発明において、前記基板には複数のランド部が設けられ、当該複数のランド部のうち一部のランド部のみに前記開口部が形成された半導体装置の製造方法とした。
【００２０】
請求項９に記載の発明は、基板と、前記基板の表面上に実装された半導体チップと、前記基板の裏面上に形成されたランド部と、を備え、前記ランド部の中央部に開口部が形成された半導体装置とした。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、ランド部に開口した開口部に半田ボールを載置することにより、ランド部の開口部に半田ボールが沈み込んだ状態となり、ランド部の開口部に半田ボールが接触して安定した状態で載置されることになる。その結果、リフロー炉へ搬送時に発生する振動や熱処理時の熱風によって半田ボールがランド部から剥離して移動してしまうとことを抑制でき、半導体装置の歩留を向上することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。
【００２３】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法で製造される本半導体装置について説明する。図１は、本実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【００２４】
本実施形態に係る半導体装置１は、図１に示すように、基板１０と、基板１０の表面２０（以下、「基板表面２０」とする。）上に実装された半導体チップ１１と、この半導体チップ１１をモールドするモールド樹脂層１２とを備える。また、開口部３１が形成されたランド部１３を基板１０の裏面２１（以下、「基板裏面２１」とする。）上に備え、このランド部１３上に半田ボール１４を融着している。
【００２５】
基板表面２０には、半導体チップ１１をボンディング接続する接続ランド１５が形成され、この接続ランド１５の形成領域以外の領域には絶縁層１６が形成される。さらに、この絶縁層１６上には、半導体チップ１１が配設され、該半導体チップ１１表面の電極パッド１１ａと接続ランド１５とを導体ワイヤー１７を介してボンディング接続している。
【００２６】
また、基板裏面２１には、中央部３０に平面視円形の開口部３１を有するランド部１３が形成され、周囲を絶縁層１９で囲繞される。そして、このランド部１３と絶縁層１９との間にはドーナツ形状の絶縁開口部１８が形成される。さらに、開口部３１を含むランド部１３には半田ボール１４が融着しており、ＢＧＡ構造が形成される。
【００２７】
本実施形態に係る半導体装置１によれば、半田ボール１４が開口部３１を含むランド部１３に融着しているので、半田ボール１４の一部が開口部３１内に入り込み、従来に比べ接着強度が向上する。その結果、本半導体装置１を外部基板に実装したときに、その実装強度を向上させることができる。
【００２８】
以下、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について、図２及び図３を用いて詳細に説明する。図２及び図３は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す製造工程図である。
【００２９】
まず、図２（ａ）に示すように、半導体チップ１１を搭載する基板１０を用意する。そして、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて、基板表面２０に配線パターンと接続ランド１５を形成する。また、同様にフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて、基板裏面２１に配線パターン３６（図４（ｂ）参照）とランド部１３を形成する。さらに、基板１０のコア層に形成した配線層（ビアホール）を形成して、基板表面２０の接続ランド１５と基板裏面２１のランド部１３とを電気的に接続する。なお、各ランド部１３は、外部基板（図示しない）と接続するための半田ボール１４を搭載するものであり、図示しない外部基板のランドと電気的に接続する個数だけ設けられる。
【００３０】
ここで、各ランド部１３は、基板裏面２１上にフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて、その中央部に所定の径φ２（図４参照）を有する開口部３１を形成して平面視ドーナツ状の領域を残して形成するようにしている。このランド部１３の平面視したドーナツ状の外径φ１（図４参照）は、基板裏面２１とランド部１３との接着強度を十分に担保できる大きさに形成するとともに、ランド部１３の上面３３に半田ボール１４を融着した場合に、接着強度を十分に担保できる大きさに形成する。
【００３１】
なお、ランド部１３に開口部３１を形成する方法として、上述ではフォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて説明したが、その他の方法で形成してもよい。例えば、ランド部１３を形成した後、所定の出力かつ出力径としたレーザー光をランド部１３の中央部３０に照射することで開口部３１を形成する。
【００３２】
次に、図２（ｂ）に示すように、基板裏面２１には、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて、中央部３０に開口部３１を有したランド部１３の外周縁３２から所定間隔を離間して絶縁層１９が囲繞するように形成する。これにより、ランド部１３の外周縁３２は、平面視ドーナツ形状の絶縁開口部１８が形成される、この絶縁開口部１８は、絶縁層１９の表面位置から基板裏面２１の界面に到達する深さに形成される。
【００３３】
次に、図２（ｃ）に示すように、上記基板表面２０に絶縁層１６を介して半導体チップ１１を設ける。さらに、この半導体チップ１１の上面の電極パッド１１ａと、接続ランド１５とをＡｕ、Ｃｕ等の導電材を含む導体ワイヤー１７を介してボンディング接続する。そして、この半導体チップ１１をボンディング接続した状態においてモールド樹脂で密封する。
【００３４】
次に、図３（ａ）に示すように、塗布工程では、各ランド部１３の上面３３及び開口部３１内にフラックス７を塗布する。
【００３５】
次に、図３（ｂ）に示すように、載置工程では、所定の径Ｒ（図４参照）を有する半田ボール１４をボール吸着装置（図示しない）の吸着部８で吸着して、この半田ボール１４をランド部１３の開口部３１に載置する。このとき、半田ボール１４の一部が、開口部３１の深さ方向に沈み込んだ状態となり、ランド部１３の開口部３１の周縁３４に半田ボール１４が接触して安定した状態で載置されることになる。そして、この半導体装置１に熱処理を行うためにリフロー炉（図示しない）内へ搬送する。このとき、ランド部１３の半田ボール１４は、開口部３１内にその一部が収納されつつフラックス７で貼着されているため、搬送時に振動が生じても開口部３１から離脱することなく、リフロー炉内に搬送することができる。
【００３６】
次に、図３（ｃ）に示すように、融着工程では、リフロー炉内で熱処理を行うことにより、開口部３１を含むランド部１３のフラックス７はリフロー熱で蒸発し、半田ボール１４は融解して開口部３１を充填するように流れ込む。このように半田ボール１４の一部が開口部３１内に入り込み、従来に比べ接着強度が向上する。その結果、本半導体装置１を外部基板に実装したときに、その実装強度を向上させることができる。
【００３７】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法によれば、ランド部１３に開口した開口部３１に塗布したフラックス７を介して半田ボール１４が載置される。このとき、ランド部１３の開口部３１に半田ボール１４が沈み込んだ状態となり、ランド部１３の開口部３１の周縁３４に半田ボール１４が接触して安定した状態で載置されることになる。
【００３８】
その結果、リフロー炉へ搬送時に発生する振動や熱処理時の熱風によって半田ボール１４がランド部１３から剥離して移動してしまうことを抑制でき、半導体装置１の歩留を向上することができる。
【００３９】
図４（ａ）は半導体装置の要部を示す断面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）の半導体装置を示す平面図である。図５は各パラメータの測定結果の一覧を示す表である。図６は図５の表における開口部径とランド径の関係を示すグラフである。縦軸を開口部径（μｍ）、横軸をランド径（μｍ）としている。
【００４０】
図４（ａ）に示すように、本半導体装置の各パラメータは、半田ボール１４の径をＲ、ランド部１３の径をφ１、開口部３１の径をφ２、半田ボール１４が開口部３１に沈み込んだ量をＳ、ランド部１３の外周縁に平面視ドーナツ形状に形成した絶縁開口部の径をφ３としている。
【００４１】
これら複数のパラメータのうち、ランド径φ１、開口部径φ２、半田ボール径Ｒ、沈み量Ｓの関係は、図５に示すように、一覧として表わすことができる。そして、さらに、開口部径φ２をランド径φ１で割りパーセント表示した値と、ランド部１３と基板１０との接着強度を判定した結果と、半田ボール径Ｒが開口部３１内に沈み込んで固定されているかを判定した結果とを一覧にして記載している。
【００４２】
図５に示すように、プロットｅ１，ｅ２におけるパーセント表示値（開口部径/ランド径×１００）は、それぞれ３６％，３５％となり、結果判定の接着強度及びボール固定は、ともに良判定の丸となり、最適な形態となっている。このプロットｅ１，ｅ２を示すグラフＥを図６に示す。図６は、横軸をランド径φ１（μｍ）とし、縦軸を開口部径φ２（μｍ）としたグラフである。
【００４３】
しかしながら、パーセント表示値（開口部径/ランド径×１００）が１５％の場合には、開口部径φ２が半田ボール１４を固定できないほど小さい。そのため、ボール固定の結果判定は不良となってしまうこととなる。
【００４４】
また、パーセント表示値（開口部径/ランド径×１００）が５５％の場合には、ランド径φ１に開口部径φ２の大きな開口部３１を形成しているためにランド部１３と基板裏面２１との接着強度が低下してしまう。そのため、接着強度の結果判定は不良となってしまうこととなる。
【００４５】
したがって、パーセント表示値（開口部径/ランド径×１００）が２０％以上５０％以下とすることにより、開口部を有するランド部１３に半田ボール１４を載置したときの上述した効果を得ることができることとなる。
【００４６】
また、図５に示すように、パーセント表示値（開口部径/ランド径×１００）を２５％以上４５％以下とすることにより、接着強度及びボール固定の結果判定をより良好にでき、好適である。さらに好適には、パーセント表示値（開口部径/ランド径×１００）を３０％以上４０％以下とすることが望ましい。
【００４７】
上述したランド部１３は、基板裏面２１上に複数形成している。そこで、基板裏面２１に複数のランド部を設ける場合におけるランド部１３の配置位置について、図７及び図８を用いて説明する。図７は基板裏面２１の全ての領域に開口部３１を有するランド部１３を備えた平面図であり、図８は基板裏面２１の周辺の領域に開口部３１を有するランド部１３を備えた平面図である。
【００４８】
図７に示すように、基板裏面２１の全ての領域５０に開口部３１を有するランド部１３を形成することができる。そして、これらのランド部１３にフラックス７を塗布して半田ボール１４を載置し、熱処理により、開口部３１を含むランド部１３に半田ボール１４を融着するようにして、基板裏面２１の全領域にわたってＢＧＡ構造を形成する。
【００４９】
このような構成とすることにより、リフロー炉へ搬送時に振動が発生したり、熱処理時の熱風が基板裏面２１全体に当たってしまう場合であっても、半田ボール１４がランド部１３から剥離しまうとことを抑制でき確実にランド部１３に融着することが可能となる。
【００５０】
また、図８に示すように、基板裏面２１のランド部のうち一部の領域にランド部１３に開口部３１を形成することができる。特に、リフロー炉内の熱風を受けやすい基板裏面２１の周縁領域５１に設けたランド部１３にのみ開口部３１を形成するようにしてもよい。
【００５１】
なお、上述ではランド径φ１より絶縁開口部１８の径φ３を大きく形成した例を説明したが、図９に示すように、ランド径φ１より絶縁開口部１８の径φ３が小さくなるように形成してもよい。図９は本実施形態の半導体装置の要部を示す他の構成図である。
【００５２】
かかる構成であっても、ランド部１３の開口部３１に半田ボール１４を載置したときに、このランド部１３の開口部３１に半田ボール１４が沈み込んだ状態となり、ランド部１３の開口部３１の周縁３４に半田ボール１４が接触して安定した状態で載置されることになる。その結果、リフロー炉へ搬送時に発生する振動や熱処理時の熱風によって半田ボール１４がランド部１３から剥離して移動してしまうとことを抑制でき、半田ボール１４を開口部３１を含むランド部１３に融着することが可能となる。
【００５３】
以下、図１０から図１３を用いて、ランド部１３における開口部３１の形状の変形例を説明する。図１０から図１３に示す半導体装置は、図１に示す半導体装置と同一符号を付して重複説明を省略する。また、上述した本半導体装置と同一の効果を奏す場合についても重複説明を省略する。
【００５４】
［変形例１］
図１０は本実施形態の半導体装置におけるランド部１３の開口部３１の変形例１を示す構成図である。
【００５５】
図１０に示すように、変形例１のランド部１３の開口部３１は、平面視円形かつ基板裏面２１から漸次拡開する形状で断視円弧状としている。すなわち、開口部３１の内周面はボール形状の曲面となっている。
【００５６】
この場合、ランド形成工程において、開口部３１は、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて、円形状のランド部１３の中央部３０に基板裏面２１から漸次拡開する形状で断視円弧状で形成する。すなわち、エッチング技術としては、ウエットエッチング液で等方性エッチングを行うことで基板裏面２１から漸次拡開する形状で断視円弧状の開口部３１が形成される。このとき開口部３１の中央は、基板裏面２１に達した開口とする。
【００５７】
そして、このような断視円弧状の開口部３１を有するランド部１３にフラックス７を塗布して半田ボール１４を載置した後、半田ボール１４を融着する融着工程を行う。
【００５８】
これらの工程を経ることにより、融解した半田ボール１４の一部は断視円弧状の開口部３１内に入り込み、ランド部１３の外周縁３２、ランド部１３の上面３３及びランド部１３の内周縁３５と融着する。このとき融解した半田ボール１４は、接着面積が増えたランド部１３と融着することにより、接着強度が向上する。
【００５９】
［変形例２］
図１１は本実施形態の半導体装置におけるランド部の開口部の変形例２を示す構成図である。
【００６０】
図１１に示すように、変形例２では、ランド部１３の開口部３１は、平面視四角形としている。
【００６１】
ランド形成工程において、開口部３１は、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて、円形状のランド部１３の中央部３０に平面視四角形に形成する。すなわち、開口部３１を形成する領域以外は、フォトレジスト膜（図示しない）で覆い、このフォトレジスト膜に形成した平面視四角形の開口を介してランド部１３の中央部３０をエッチング液でエッチング除去して、基板１０界面に達する開口部３１を形成する。
【００６２】
そして、この平面視四角形の開口部３１を有するランド部１３にフラックス７を塗布して半田ボール１４を載置した後、半田ボール１４を融着する融着工程を行うようにしている。
【００６３】
これらの工程を経ることにより、融解した半田ボール１４の一部が平面視四角形の開口部３１内に入り込み、さらにランド部１３の外周縁３２、ランド部１３の上面３３及びランド部１３の内周縁３５と融着する。融解した半田ボールは、接着面積が増えたランド部１３と融着することにより、接着強度が向上する。
【００６４】
［変形例３］
図１２は本実施形態の半導体装置におけるランド部の開口部の変形例３を示す構成図である。
【００６５】
図１２に示すように、変形例３のランド部の開口部は、基板裏面２１から漸次拡開する形状で断面視直線テーパー形状として、開口部３１の内周面を、頂部を除いた逆円錐形状としている。
【００６６】
ランド形成工程において、開口部３１は、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて、円形状のランド部１３の中央部３０に断面視直線テーパー形の開口部３１を形成する。この開口部３１は基板裏面２１に達する開口となる。
【００６７】
そして、この断面視直線テーパー形状の開口部３１を有するランド部１３にフラックスを塗布して半田ボール１４を載置した後、半田ボール１４を融着する融着工程を行う。
【００６８】
これらの工程を経ることにより、融解した半田ボール１４の一部が開口部３１内にテーパー面に沿って入り込み、ランド部１３の外周縁３２、ランド部１３の上面３３及びランド部１３の内周縁３５と融着する。融解した半田ボール１４は、接着面積が増えたランド部１３と融着することにより、接着強度が向上することとなる。
【００６９】
［変形例４］
図１３は本実施形態の半導体装置におけるランド部の開口部の変形例４を示す構成図である。
【００７０】
図１３に示すように、変形例４のランド部１３の開口部３１は、基板裏面２１から漸次拡開する形状で断面視階段Ｗ形としている。
【００７１】
ランド形成工程において、開口部３１は、フォトリソグラフィ技術とエッチング技術を用いて、円形状のランド部１３の中央部３０に断面視階段形の開口部３１を形成する。開口部３１は基板裏面２１に達する開口となる。
【００７２】
そして、この断面視階段形の開口部３１を有するランド部１３にフラックス７を塗布して半田ボール１４を載置した後、半田ボール１４を融着する融着工程を行う。
【００７３】
これらの工程を経ることにより、融解した半田ボール１４の一部が断面視階段形の開口部３１内に階段面に沿って入り込み、ランド部１３の外周縁３２、ランド部１３の上面３３及びランド部１３の内周縁３５と融着する。融解した半田ボール１４は、接着面積が増えたランド部１３と融着することにより、接着強度が向上する。
【００７４】
本発明に係る実施の一形態について具体的に説明したが、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものでなく、本発明の技術的思想に基づく各種の変形は可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】本実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【図２】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す製造工程図である。
【図３】本実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す製造工程図である。
【図４】本実施形態に係る半導体装置の要部を示す構成図である。
【図５】各パラメータの測定結果の一覧を示す表である。
【図６】図５の表における開口部径とランド径の関係を示すグラフである。
【図７】基板裏面の全ての領域に開口部を有するランド部を備えた平面図である。
【図８】基板裏面の周辺の領域に開口部を有するランド部を備えた平面図である。
【図９】本実施形態の半導体装置の要部を示す他の構成図である。
【図１０】本実施形態の半導体装置におけるランド部の開口部の変形例１を示す構成図である。
【図１１】本実施形態の半導体装置におけるランド部の開口部の変形例２を示す構成図である。
【図１２】本実施形態の半導体装置におけるランド部の開口部の変形例３を示す構成図である。
【図１３】本実施形態の半導体装置におけるランド部の開口部の変形例４を示す構成図である。
【図１４】ＢＧＡ構造の半導体装置を示す断面図である。
【図１５】半導体装置に半田ボールが形成される製造工程図である。
【図１６】半導体装置に半田ボールが形成される製造工程図である。
【符号の説明】
【００７６】
１  半導体装置
７  フラックス
８  吸着部
１０  基板
１１  半導体チップ
１２  モールド樹脂層
１３  ランド部
１４  半田ボール
１９  絶縁層
２０  基板表面
２１  基板裏面
３０  中央部
３１  開口部
３２  外周縁
３３  上面
３４  周縁
【図１】
2010062307.tif 000003
【図２】
2010062307.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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