(57)【要約】【課題】      トレンチゲート型であり、オン抵抗を低減できる半導体装置を提供する。【解決手段】  半導体装置１００は、半導体基板２０内に形成されているｐ−型のボディ領域１６ａ、１６ｂと、ゲート電極８が充填されている複数のメイントレンチ１０と、メイントレンチ１０の底部に形成されているｐ−型の拡散領域４と、メイントレンチ１０の側面に沿って形成されているｐ−型の端面拡散領域２２を備えている。ボディ領域１６ａ、１６ｂは、ｎ−型の分断領域１８によって、メイントレンチ１０の長手方向Ａに平行な側面１０ｂに接している第１ボディ領域１６ａと、メイントレンチ１０の長手方向Ａの端面１０ａに対向している第２ボディ領域１６ｂに電気的に分断されている。このため、ターンオン時に第１ボディ領域１６ａに反転層が形成された場合でも、第２ボディ領域１６ｂが電気的な影響を受けることがない。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体基板と、
その半導体基板内の表面に臨む範囲に形成されている第２導電型のボディ領域と、
前記半導体基板の表面から前記ボディ領域を貫通するまで伸びているトレンチと、
そのトレンチの内部に配置されているゲート電極と、
そのゲート電極を被覆している絶縁材料と、
前記トレンチの底部を囲む範囲に形成されている第２導電型の拡散領域と、
前記トレンチの長手方向の端面に沿って形成されており、前記ボディ領域と前記拡散領域に連接している第２導電型の端面拡散領域を備えており、
前記ボディ領域には、前記トレンチ側面に沿ってトレンチの長手方向に伸びる領域と前記端面拡散領域とを電気的に分断する分断領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記ゲート電極の長手方向の端面を被覆している前記絶縁材料の厚みは、前記ゲート電極の長手方向に平行な側面を被覆している前記絶縁材料の厚みよりも大きくされており、
前記分断領域が、ゲート電極の長手方向の端面を被覆している絶縁材料が配された位置に形成されており、前記半導体基板の表面から前記ボディ領域を貫通する位置まで伸びていることを特徴とする請求項１の半導体装置。
【請求項３】
前記分断領域が第１導電型の領域であり、分断領域の幅が、ゲート電圧をオフしているときに、分断領域で分断されたボディ領域の一方と他方とが空乏層でつながるような幅とされていることを特徴とする請求項２の半導体装置。
【請求項４】
前記トレンチの外側を一巡している複数の第２のトレンチを備えており、
第２のトレンチは、前記半導体基板の表面から前記ボディ領域を貫通するまで伸びており、第２のトレンチの底部を囲む範囲には第２導電型の拡散領域が形成されており、
前記分断領域が最も内側に位置する第２のトレンチの内側面に達するまで伸びていることを特徴とする請求項２又は３の半導体装置。
【請求項５】
前記分断領域の外側で分断領域とボディ領域に連接しており、ボディ領域より高濃度である第２導電型のキャリア供給領域を備えていることを特徴とする請求項４の半導体装置。
【請求項６】
前記端面拡散領域の不純物濃度が前記ボディ領域および前記拡散領域の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トレンチゲート型の半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
トレンチゲート型の半導体装置では、トレンチの底部を囲む範囲にボディ領域と等しい導電型の拡散領域を形成したものが開発されている。この半導体装置によると、半導体装置の耐圧を高めることができる。
【０００３】
特許文献１に、耐圧を高めながらオン抵抗を低減することができる半導体装置が開示されている。図６は、この半導体装置３００の断面図を示している。図６は、メイントレンチの長手方向に沿った断面を示している。図６に示すように、半導体装置３００は、ｎ−型の半導体基板８０を備えている。半導体基板８０内には、ｎ−型ドリフト領域６２が形成されている。半導体基板８０内の表面に臨む範囲には、ｐ−型のボディ領域７６が形成されている。半導体基板８０内の裏面に臨む範囲には、ｎ＋型のドレイン領域８６が形成されている。半導体基板８０内には、半導体基板８０の表面からボディ領域７６を貫通するまで伸びているメイントレンチ７０と終端トレンチ８４ａ、８４ｂ、８４ｃが形成されている。
【０００４】
メイントレンチ７０の内部には、ゲート電極６８が充填されている。ゲート電極６８の底面は絶縁材料６６ａで被覆されている。ゲート電極６８の長手方向の端面（以下、単に「端面」という。）は絶縁材料６６ｂで被覆されている。終端トレンチ８４ａ、８４ｂ、８４ｃの内部には、絶縁材料６６ｄが充填されている。終端トレンチ８４ａ、８４ｂ、８４ｃは、メイントレンチ７０の外側を一巡している。各トレンチ７０、８４ａ、８４ｂ、８４ｃの底部を囲む範囲には、ｐ−型の拡散領域６４、６４ａ、６４ｂ、６４ｃが形成されている。メイントレンチ７０の端面と対向する範囲には、ボディ領域７６および拡散領域６４と連接しているｐ−型の端面拡散領域８２が形成されている。
【０００５】
半導体装置３００によると、端面拡散領域８２が形成されていることによって、ターンオン時に、ボディ領域７６から端面拡散領域８２を経由して拡散領域６４へキャリアが供給される。このため、ターンオフ時に拡散領域６４近傍に形成された空乏層をターンオン時に速やかに狭めることができる。その結果、半導体装置３００のオン抵抗を低減することができる。
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２４２８５２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記の半導体装置３００がターンオンすると、ボディ領域７６には、メイントレンチ７０の長手方向に平行な側面（メイントレンチを上面視したときにメイントレンチの長手方向に伸びる側面、以下、単に「側面」という。）に接している部位に反転層が形成される。ボディ領域７６にメイントレンチ７０の側面に沿って反転層が形成されると、ボディ領域７６のメイントレンチ７０の端面と対向している部位が電気的な影響を受け、この部位にも反転層が形成される。ボディ領域７６のメイントレンチ７０の端面と対向している部位は端面拡散領域８２につながっているため、この部位に反転層が形成されると、この影響によって端面拡散領域８２にも反転層が形成される。この結果、端面拡散領域８２内をキャリアが通過し難くなり（抵抗が高くなり）、ボディ領域７６から端面拡散領域８２を経由して拡散領域６４へキャリアを円滑に供給することができなくなる。このため、ターンオン時に空乏層を効果的に狭めることができず、半導体装置３００のオン抵抗を充分に低減することができなってしまう。
【０００８】
本発明は上記の課題を解決するために提案されたものである。本発明は、トレンチゲート型の半導体装置において、ターンオン時に空乏層を効果的に狭めることでオン抵抗を充分に低減することができる半導体装置を提供することを目的とする。
【０００９】
本発明の半導体装置は、第１導電型の半導体基板と、半導体基板内の表面に臨む範囲に形成されている第２導電型のボディ領域と、半導体基板の表面からボディ領域を貫通するまで伸びているトレンチと、トレンチの内部に配置されているゲート電極と、ゲート電極を被覆している絶縁材料と、トレンチの底部を囲む範囲に形成されている第２導電型の拡散領域と、トレンチの長手方向の端面に沿って形成されており、ボディ領域と拡散領域に連接している第２導電型の端面拡散領域を備えている。
【００１０】
本発明の半導体装置では、ボディ領域に、トレンチ側面に沿ってトレンチの長手方向に伸びる領域と端面拡散領域とを電気的に分断する分断領域が形成されている。
【００１１】
本発明の半導体装置によると、ボディ領域がトレンチ側面に沿ってトレンチの長手方向に伸びる領域と端面拡散領域とに電気的に分断されている。このため、半導体装置がターンオンして、ボディ領域のトレンチ側面に沿った部位に反転層が形成されても、その反転層の影響が端面拡散領域に及ぶことが抑制される。このため、端面拡散領域をキャリアが通過し難くなることが防止され、ボディ領域から端面拡散領域を経由して拡散領域へ円滑にキャリアが供給され、ターンオフ時に拡散領域近傍に形成された空乏層をターンオン時に効果的に狭めることができる。これによって、半導体装置のオン抵抗を低減することができる。
【００１２】
本発明の半導体装置では、ゲート電極の長手方向の端面を被覆している絶縁材料の厚みを、ゲート電極の長手方向に平行な側面を被覆している絶縁材料の厚みよりも大きくすることができる。この場合に、分断領域は、ゲート電極の長手方向の端面を被覆している絶縁材料が配された位置に形成され、半導体基板の表面からボディ領域を貫通する位置まで伸びていることが好ましい。
【００１３】
半導体装置がターンオンする（ゲート電極にオン電圧が印加される）と、ゲート電極に印加されたオン電圧の影響がゲート電極を被覆している絶縁材料を介してボディ領域に及ぶ。ゲート電極を被覆している絶縁材料の厚みが大きくなれば、ゲート電極に印加された電圧の影響が小さくなる。上記の半導体装置では、ゲート電極の端面を被覆している絶縁材料が、ゲート電極の側面を被覆している絶縁材料より厚く形成されている。このため、ボディ領域のゲート電極の端面と対向する部位に反転層が形成され難くなる。このため、ゲート電極に印加されるオン電圧の影響が端面拡散領域に及ぶことがより抑えられ、ターンオン時にボディ領域から端面拡散領域を経由して拡散領域へキャリアをより円滑に供給することができる。これによって、半導体装置のオン抵抗の低減効果をさらに高めることができる。
【００１４】
本発明の半導体装置では、分断領域を第１導電型の領域とすることができる。この場合に、分断領域の幅は、ゲート電圧をオフしているときに、分断領域で分断されたボディ領域の一方と他方とが空乏層でつながるような幅とされていることが好ましい。この場合は、ターンオフ時に分断領域で隔てられたボディ領域の一方と他方が空乏層でつながり、空乏層を広く伸展させることができる。このため、半導体装置の耐圧を向上させることができる。
【００１５】
本発明の半導体装置は、トレンチの外側を一巡している複数の第２のトレンチを備えており、第２のトレンチは半導体基板の表面からボディ領域を貫通するまで伸びており、第２のトレンチの底部を囲む範囲に第２導電型の拡散領域が形成されていることが好ましい。この場合に、分断領域が最も内側に位置する第２のトレンチの内側面に達するまで伸びていることが好ましい。この構成によると、第２のトレンチの底部に拡散領域が形成されていることによって、ターンオフ時にトレンチ底部の拡散領域から第２のトレンチ底部の拡散領域へと空乏層を伸展させることができ、耐圧を高めることができる。さらに、隣接する第２のトレンチの間に形成されているボディ領域には分断領域が形成されていないため、ターンオフ時に、隣接する第２のトレンチの間で空乏層が伸展する。このため、半導体装置の耐圧をさらに高めることができる。
【００１６】
本発明の半導体装置は、分断領域の外側で分断領域とボディ領域に連接しており、ボディ領域より高濃度である第２導電型のキャリア供給領域を備えていることが好ましい。この場合、ターンオン時に、キャリア供給領域から端面拡散領域を経由してトレンチ底部の拡散領域へキャリアが供給される。キャリア供給領域の不純物濃度はボディ領域の不純物濃度よりも高いため、拡散領域へ充分なキャリアが供給される。このため、半導体装置のオン抵抗をより効果的に低減することができる。
【００１７】
本発明の半導体装置では、端面拡散領域の不純物濃度がボディ領域および拡散領域の不純物濃度よりも低いことが好ましい。この場合、ターンオフ時に、端面拡散領域がボディ領域および拡散領域に比して高抵抗となるため、拡散領域がボディ領域からフローティングした状態と同一視することができる。拡散領域がボディ領域からフローティングしていると、トレンチの深さ方向において電界強度のピークが２箇所に形成されるため、最大ピーク値を低減することができる。これにより、半導体装置の耐圧を高めることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によると、トレンチ底部に拡散領域が形成されているトレンチゲート型の半導体装置において、オン抵抗を充分に低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
下記に説明する実施例の好ましい特徴を列記する。
（第１特徴）  分断領域がボディ領域と異なる導電型の半導体領域で形成されている。
（第２特徴）  分断領域がｐ型のボディ領域の一部をｎ型不純物で打ち消すことによって形成されている。
（第３特徴）  最も内側に位置する終端トレンチの内部に、絶縁材料で被覆されたゲート電極が充填されている。
【実施例】
【００２０】
（第１実施例）
図４は、本発明の第１実施例に係る半導体装置１００の平面図である。図４では、後で詳述する最も外側に位置する終端トレンチ２４ｃの内側の領域のみを示している。
図４に示すように、半導体装置１００の中心部には、４本のメイントレンチ（請求項でいうトレンチ）１０が形成されている。メイントレンチ１０の周辺には、メイントレンチ１０の外側を囲む３本の終端トレンチ（請求項でいう第２のトレンチ）２４ａ〜２４ｃが形成されている。終端トレンチ２４ａ〜２４ｃはメイントレンチ１０の周辺を一巡している。
【００２１】
図１は図４のＢ領域（半導体装置１００の要部）の断面を示す斜視図である。半導体装置１００は、トレンチゲート型のＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）である。半導体装置１００は、ｎ−型の半導体基板２０を備えている。半導体基板２０内には、ｎ−型のドリフト領域２が形成されている。半導体基板２０内の表面に臨む範囲には、ｐ−型のボディ領域（１６ａ、１６ｂ）が形成されている。半導体基板２０内には、半導体基板２０の表面からボディ領域（１６ａ、１６ｂ）を貫通してドリフト領域２まで伸びている複数のメイントレンチ１０が形成されている。メイントレンチ１０の内部には、ゲート電極８が配置されている。ゲート電極８の底面は絶縁材料６ａで被覆されている。ゲート電極８の端面は絶縁材料６ｂで被覆されている。ゲート電極８の側面は絶縁材料６ｃで被覆されている。ゲート電極８の端面を被覆している絶縁材料６ｂの厚みＷ２は、ゲート電極８の側面を被覆している絶縁材料６ｃの厚みＷ３より大きく形成されている。
【００２２】
半導体装置１００では、ボディ領域（１６ａ、１６ｂ）が、分断領域１８によってボディ領域１６ａとボディ領域１６ｂに分断されている（図１、４参照）。ボディ領域１６ａは、メイントレンチ１０の長手方向Ａに平行に伸びる側面１０ｂに接している領域（以下、第１ボディ領域と記載する）であり、ボディ領域１６ｂは、メイントレンチ１０の長手方向Ａの端面１０ａに対向している（メイントレンチ１０の端面より外側の（終端トレンチ２４ａ側の）領域、以下、第２ボディ領域と記載する）である。分断領域１８は、その底面がドリフト領域２とつながっており、ドリフト領域２と同様のｎ−型の半導体領域である。分断領域１８はボディ領域１６ａ、１６ｂと等しい深さまで形成されている。
【００２３】
図４に示すように、分断領域１８はメイントレンチ１０の両端に設けられている。具体的には、ゲート電極８の端面を被覆している絶縁材料６ｂの位置に設けられている。分断領域１８は、ゲート電極８の長手方向Ａと直交する方向に伸びている。分断領域１８の両端は、終端トレンチ２４ａの内側面にまで伸びている。
なお、分断領域１８の厚みＷ１（長手方向Ａの厚み）は、ゲート電極８の端面を被覆している絶縁材料６ｂの厚みＷ２よりも小さい。これによって、分断領域１８は、ゲート電極８の端面を被覆している絶縁材料６ｂが配された範囲内に位置している。また、分断領域１８の厚みＷ２は、ターンオフ時に分断領域１８で隔てられた第１ボディ領域１６ａと第２ボディ領域１６ｂの間が空乏層でつながるような厚みで形成されている。空乏層の厚みＷは、具体的には、Ｗ＝｛２ε（Ｖｂｉ−Ｖ）ｑＮ｝１／２、の式より求めることができる。ここでεは誘電率、Ｖｂｉは内蔵電位、Ｖは素子に印加した電圧（素子耐圧）、ｑは電荷量、Ｎはドリフト領域の濃度を示す。ここで内蔵電位は、ドリフト領域の濃度と拡散領域の濃度により決定される物理量である。
【００２４】
半導体装置１００では、第１ボディ領域１６ａの表面に臨む範囲の一部に、ｐ＋型のボディコンタクト領域１４とｎ−型のソース領域１２が形成されている。第２ボディ領域１６ｂと分断領域１８の表面は、絶縁材料６ｅで被覆されている（図２、図３参照）。メイントレンチ１０の底部を囲む範囲には、ｐ−型の拡散領域４が形成されている。メイントレンチ１０の長手方向の端面と対向している範囲にはｐ−型の端面拡散領域２２が形成されている。端面拡散領域２２は、第２ボディ領域１６ｂと拡散領域４に連接している。端面拡散領域２２の不純物濃度は、第２ボディ領域１６ｂおよび拡散領域４の不純物濃度よりも低くされている。
【００２５】
図２に、半導体装置１００の要部断面図を示す。図２は図１および図４のII−II線断面を示している。
図２に示すように、半導体装置１００は、メイントレンチ１０の外側に複数の終端トレンチ２４ａ〜２４ｃを備えている。終端トレンチ２４ａ〜２４ｃの底部を囲む範囲には、メイントレンチ１０と同様にｐ−型の拡散領域４ａ〜４ｃが形成されている。各終端トレンチ２４ａ〜２４ｃの内部には、絶縁材料６ｄが配置されている。半導体基板２０の裏面を臨む範囲には、ｎ＋型のドレイン領域２６が形成されている。なお簡略化のため図示はしないが、第１ボディ領域１６ａの表面にはソース領域１２と接しているソース電極が形成されており、ドレイン領域２６の裏面にはドレイン電極が形成されている。
【００２６】
図３に、半導体装置１００の他の要部断面図を示す。図３は図１および図４のIII−III線断面を示している。図３に示すように、第１ボディ領域１６ａと第２ボディ領域１６ｂは、その底部がドリフト領域２とつながっている分断領域１８によって電気的に分断されている。
【００２７】
上述した半導体装置１００では、ゲート電極８に逆バイアスが印加されたときには（半導体装置１００がターンオフするときには）、第１ボディ領域１６ａとドリフト領域２とのｐｎ接合面から広がる空乏層と、第２ボディ領域１６ｂとドリフト領域２とのｐｎ接合面から広がる空乏層とが分断領域１８を超えてつながり、ボディ領域（１６ａ，１６ｂ）とドリフト領域２との接合面で空乏層が広く伸展する。このため、ボディ領域（１６ａ，１６ｂ）を分断領域１８によって分断しても、そのことによって半導体装置１００の耐圧が低下することはない。さらに、端面拡散領域２２の不純物濃度が第２ボディ領域１６ｂおよび拡散領域４の不純物濃度よりも低いため、拡散領域４がボディ領域（１６ａ，１６ｂ）からフローティングした状態と等しくなる。このため、半導体装置１００の耐圧がさらに高められる。
【００２８】
一方、ゲート電極８にオン電圧が印加されると（半導体装置１００がターンオンすると）、第１ボディ領域１６ａにチャネルが形成されてドレイン電極とソース電極の間にドレイン電流が流れる。分断領域１８はゲート電極８の長手方向の端面を被覆している絶縁材料６ｂが配された位置に形成されているため、分断領域１８によってチャネルの形成が妨げられることはない。これによって、ドレイン電極とソース電極の間を好適に電流が流れることができる。
さらに、ゲート電極８の端面を被覆している絶縁材料６ｂが、ゲート電極８の側面を被覆している絶縁材料６ｃより厚く形成されているため、第２ボディ領域１６ｂのゲート電極８の端面と対向する部位に反転層が形成され難くなる。また、第１ボディ領域１６ａと第２ボディ領域１６ｂが分断領域１８によって分断されることで、第１ボディ領域１６ａと端面拡散領域２２も分断されている。このため、第１ボディ領域１６ａに反転層が形成されても、その影響が端面拡散領域２２に及ぶことが防止される。これらによって、端面拡散領域２２に反転層が形成されることが防止され、第２ボディ領域１６ｂから端面拡散領域２２を経由して拡散領域４へ円滑にキャリアが供給される。これによって、オン抵抗が低減し、半導体装置１００のＡＣ特性（ゲート電極８をオン−オフしたときの出力信号の波形の特性）が向上する。
【００２９】
以下に、分断領域１８を形成する方法の一例を説明する。なお、各トレンチおよび拡散領域、端面拡散領域、各電極群を形成する方法は、従来の方法を用いることができるため、ここではその詳細な説明を省略する。
まず、ｎ−型の半導体基板２０内にドレイン領域２６、ソース領域１２、ボディコンタクト領域１４を形成する。次に、半導体基板２０の表面に分断領域１８の形成範囲のみを覆うようにフォトマスクを形成する。次に、フォトマスクの上側からｐ型の不純物を注入してボディ領域１６ａ、１６ｂを形成する。フォトマスクで覆われている範囲にはｐ型の不純物が注入されないので、フォトマスクで覆われている範囲にボディ領域１６ａ、１６ｂを分断するｎ型の分断領域１８を形成することができる。すなわち、分断領域１８とドリフト領域２が一体に形成される。この方法によると、フォトマスクの形状を変更するだけで分断領域１８を形成することができる。
【００３０】
以下に分断領域１８を形成する他の方法を示す。
まず、半導体基板２０内にドレイン領域２６、ソース領域１２、ボディコンタクト領域１４を形成する。次に、半導体基板２０の表面の全面にｐ型の不純物を注入して、半導体基板２０内の表面に臨む範囲の全範囲にボディ領域（１６ａ、１６ｂ）を形成する。次に、半導体基板２０の表面に分断領域１８の形成範囲のみが露出したフォトマスクを形成する。次に、フォトマスクを介して半導体基板２０の上面からｎ型の不純物を注入する。分断領域１８の形成範囲にのみｎ型不純物が注入されるので、分断領域１８の形成範囲のｐ型不純物がｎ型不純物によって打ち消され、分断領域１８の形成範囲がｎ型となる。この方法によっても分断領域１８を形成することができる。
この方法によると、ｎ型の不純物を注入することで分断領域１８を形成すると、分断領域１８の形成範囲を高い精度で形成することができる。ｎ型の不純物は、ｐ型の不純物に比して半導体基板内で拡散しにくいためである。
【００３１】
半導体装置１００では、ターンオフしたときに形成される空乏層を拡大させることによって耐圧を高めることができるとともに、ターンオフしたときに空乏層を効果的に狭めることによってオン抵抗を低減することができる。
【００３２】
（第２実施例）
図５に、本発明の第２実施例である半導体装置２００の要部断面図を示す。図５は図４のIII−III線断面に対応するものである。なお図５において、図３の参照符号に数字３０を加えた部材は、図３で説明した部材と同一であるため、その重複説明を省略する。図５に示すように、半導体装置２００では、分断領域４８と第２ボディ領域４６ｂに連接しているｐ＋型のキャリア供給領域４９が形成されている。キャリア供給領域４９はボディ領域４６ａ、４６ｂより不純物濃度が高い。
【００３３】
半導体装置２００では、ターンオン時に、キャリア供給領域４９から端面拡散領域を経由して拡散領域へキャリアが供給される。このため、キャリア供給領域４９から拡散領域へ充分なキャリアが供給される。半導体装置２００では、オン抵抗をより効果的に低減することができる。
【００３４】
上述した各実施例では、分断領域に絶縁材料が配置されていてもよいし、分断領域が空間であってもよいが、分断領域がボディ領域と異なる導電型の半導体領域であることが好ましい。分断領域をボディ領域と異なる導電型の半導体領域とすると、分断領域を形成しない場合と比較して、フォトマスクの形成範囲または不純物の注入回数を変更するだけで分断領域を形成することができる。そのため、分断領域を容易に形成することができる。
【００３５】
また、上述した各実施例では、終端トレンチの内部に絶縁材料を充填したが、最も内側に位置する終端トレンチの内部には、絶縁材料で被覆されているゲート電極が充填されていてもよい。このような構成によると、メイントレンチと終端トレンチとで空乏層の広がり方を等しくすることができ、終端トレンチ近傍の空乏化を確実に図ることができる。
【００３６】
以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明の第１実施例である半導体装置１００の要部の斜視図を示す。
【図２】半導体装置１００の要部断面図を示す。
【図３】半導体装置１００の他の要部断面図を示す。
【図４】半導体装置１００の上面図を示す。
【図５】本発明の第２実施例である半導体装置２００の要部断面図を示す。
【図６】従来の半導体装置３００の断面図を示す。
【符号の説明】
【００３８】
２、３２、６２：ドリフト領域
４、３４、６４：拡散領域
６ａ〜６ｅ、３６ａ、３６ｂ、３６ｄ：絶縁材料
８、３８、６８：ゲート電極
１０、４０、７０：メイントレンチ（トレンチ）
１０ａ：トレンチの長手方向の側面
１０ｂ：トレンチの長手方向の端面
１２：ソース領域
１４、４４：ボディコンタクト領域
１６ａ、３６ａ：第１ボディ領域（ボディ領域）
１６ｂ、３６ｂ：第２ボディ領域（ボディ領域）
１８、４８：分断領域
２０、５０、８０：半導体基板
２２、８２：端面拡散領域
２４ａ〜２４ｃ、５４ａ〜５４ｃ：終端トレンチ（第２トレンチ）
２６、５６：ドレイン領域
３９：キャリア供給領域
４６：ボディ領域
１００、２００、３００：半導体装置
Ａ：トレンチの長手方向
Ｗ１：分断領域の長手方向の厚み
Ｗ２：ゲート電極の端面を被覆している絶縁材料の厚み
Ｗ３：ゲート電極の側面を被覆している絶縁材料の厚み
【図１】
2010062360.tif 000003
【図２】
2010062360.tif 000004
【図３】
2010062360.tif 000005
【図４】
2010062360.tif 000006
【図５】
2010062360.tif 000007
【図６】
2010062360.tif 000008