(57)【要約】【課題】高容量であり且つリーク特性が良好である誘電体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】誘電体素子１０は、基板１２と、１２基板上に積層された誘電体膜１８と、を備え、誘電体膜１８は、柱状結晶からなる第１の誘電体層１４と第２の誘電体層１６とが、基板表面に対して垂直な方向に積層されたものであり、それぞれの誘電体層に含まれる柱状結晶は、積層界面において互いに不連続である。この誘電体素子１０では、柱状結晶が積層界面において不連続であるため、柱状結晶の結晶粒界におけるリーク電流の発生が抑制され、誘電体素子１０のリーク特性が向上する。また、誘電体膜１８に含まれる複数層の誘電体層はいずれも柱状結晶からなることから、容量の低下が抑えられる。【選択図】図１
2010212346.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、当該基板上に積層された誘電体膜と、を備える誘電体素子であって、
前記誘電体膜は、柱状結晶からなる誘電体層が、基板表面に対して垂直な方向に複数層積層されたものであり、隣接する前記誘電体層にそれぞれ含まれる柱状結晶は、積層界面において互いに不連続である
ことを特徴とする誘電体素子。
【請求項２】
前記基板表面に対して直交する断面において、前記誘電体膜を構成する複数の前記誘電体層の積層方向に延びる結晶粒界が、隣接する前記誘電体層の積層界面において不連続である
ことを特徴とする請求項１記載の誘電体素子。
【請求項３】
基板上に、溶液法により第１の膜厚となるように成膜することにより、結晶粒界を有する第１の種層を積層する第１種層形成工程と、
前記第１の種層上に前記第１の種層に基づく結晶粒界を有する層を積層することにより、柱状結晶からなる第１の誘電体層を作製する第１誘電体層形成工程と、
前記第１の誘電体層の上面に、前記第１の膜厚よりも大きな膜厚である第２の膜厚となるように成膜することにより、前記第１の誘電体層の結晶粒界とは異なる結晶粒界を有する第２の種層を形成する第２種層形成工程と、
前記第２の種層上に前記第２の種層に基づく結晶粒界を有する層を積層することにより、柱状結晶からなる第２の誘電体層を作製する第２誘電体層形成工程と、
を有することを特徴とする誘電体素子の製造方法。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は誘電体素子及び誘電体素子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
誘電体素子を用いた薄膜コンデンサの高容量化を達成する方法の１つとして、誘電体膜の結晶粒子を基板に対して柱状に伸びる柱状構造とすることにより、誘電率を上げる方法が知られている。しかし、柱状構造の結晶粒子を有する誘電体膜はリーク電流が大きいため、このリーク電流を低減させる方法が種々検討されている。
【０００３】
例えば、特許文献１では、柱状構造を有する結晶粒子の結晶粒界近傍に不純物を凝集させることにより、結晶粒界を流れるリーク電流を抑制する方法が示されている。また、特許文献２では、基板上にリーク特性が良好な粒子状構造を有する誘導体膜を積層し、その上部に柱状構造を有する誘電体膜を積層する方法が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３５８３０３号公報
【特許文献２】特開平１０−２０００６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、電子部品等の高性能化に伴い、薄膜コンデンサの高容量化及びリーク特性の向上に対する要求がさらに高まっている。しかしながら、特許文献１記載の方法では、不純物を結晶粒界に対して選択的且つ均一ドーピングすることは容易ではないため、リーク特性にバラつきがある。一方、特許文献２記載の方法において基板の上部に積層される粒子状構造を有する誘導体膜は、誘電体率が低いため、高容量化が容易ではないというように、特許文献１及び２記載のいずれの方法についても容量及びリーク特性の面において、市場からの要求を十分に満たすものを作製することが困難であった。
【０００６】
本発明は上記を鑑みてなされたものであり、高容量であり且つリーク特性が良好である誘電体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、本発明に係る誘電体素子は、基板と、当該基板上に積層された誘電体膜と、を備える誘電体素子であって、前記誘電体膜は、柱状結晶からなる誘電体層が、基板表面に対して垂直な方向に複数層積層されたものであり、隣接する前記誘電体層にそれぞれ含まれる柱状結晶は、積層界面において互いに不連続であることを特徴とする。
【０００８】
上記の誘電体素子では、誘電体膜に含まれる複数層の誘電体層のうち、隣接する誘電体層にそれぞれ含まれる柱状結晶が不連続となる。したがって、リーク電流の発生が抑制され、誘電体素子のリーク特性が向上する。また、誘電体膜に含まれる複数層の誘電体層はいずれも柱状結晶からなることから、容量の低下が抑えられ、高容量化が実現される。
【０００９】
また、上記の誘電体素子は、基板表面に対して直交する断面において、前記誘電体膜を構成する複数の前記誘電体層の積層方向に延びる結晶粒界が、隣接する前記誘電体層の積層界面において不連続である態様とすることができる。
【００１０】
この場合、隣接する誘電体層のそれぞれにおいて、誘電体層の積層方向に沿って延びる結晶粒界が不連続となり、結晶粒界を流れるリーク電流の発生をさらに効果的に抑制することができるため、誘電体素子のリーク特性をさらに向上させることができる。
【００１１】
また、本発明に係る誘電体素子の製造方法は、基板上に、溶液法により第１の膜厚となるように成膜することにより、結晶粒界を有する第１の種層を積層する第１種層形成工程と、前記第１の種層上に前記第１の種層に基づく結晶粒界を有する層を積層することにより、柱状結晶からなる第１の誘電体層を作製する第１誘電体層形成工程と、前記第１の誘電体層の上面に、前記第１の膜厚よりも大きな膜厚である第２の膜厚となるように成膜することにより、前記第１の誘電体層の結晶粒界とは異なる結晶粒界を有する第２の種層を形成する第２種層形成工程と、前記第２の種層上に前記第２の種層に基づく結晶粒界を有する層を積層することにより、柱状結晶からなる第２の誘電体層を作製する第２誘電体層形成工程と、を有することを特徴とする。
【００１２】
上記のように、溶液法により第１の膜厚となるように成膜して第１の種層が形成され、この上部に第１の種層に基づく結晶粒界を有する層が積層されることによって、柱状結晶からなる第１の誘電体層が積層される。そして、その上部に、さらに、第１の膜厚とは異なる第２の膜厚となるように成膜することにより第１の誘電体層とは異なる結晶粒界を有する第２の種層が形成され、この上部に第２の種層と同じ結晶粒界を有する層が積層されることにより、第２の誘電体層が積層される。このように、第１の膜厚と第２の膜厚とを変更することにより、異なる結晶粒界を有する種層が積層され、これを成長させることによって、互いに異なる結晶粒界を有し、どちらも柱状結晶からなる２層の誘電体層が基板上に積層される。これにより、柱状結晶からなる誘電体層が２層積層され、高容量であり且つリーク特性が良好である誘電体素子を製造することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、高容量であり且つリーク特性が良好である誘電体素子及びその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の好適な実施形態に係る誘電体素子１０の断面図である。
【図２】誘電体素子１０の製造方法を説明する断面図である。
【図３】誘電体素子１０を用いて作製した薄膜コンデンサ２０の断面図である。
【図４】比較例２に係る薄膜コンデンサ３０の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための最良の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一または同様の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１６】
（誘電体素子）
図１は本発明の好適な実施形態に係る誘電体素子１０の断面図である。図１に示すように、誘電体素子１０は、基板１２と、基板１２の上部に積層された誘電体膜１８を構成する第１の誘電体層１４と、第１の誘電体層１４の上部に積層された第２の誘電体層１６と、を含んで構成される。
【００１７】
基板１２は、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）又はこれらの金属のうちのいずれか一方を主成分とする金属箔からなることが好ましく、Ｎｉ箔が特に好ましい。また、ニッケルリン（ＮｉＰ）合金やニッケルクロム（ＮｉＣｒ）合金等のニッケル合金や、銅合金等を用いることもできる。また、基板１２の主成分がニッケル（Ｎｉ）である場合、さらに、リン（Ｐ）、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、レニウム（Ｒｅ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及び銀（Ａｇ）からなる群より選ばれる少なくとも一種を含有してもよい。また、基板１２の主成分が銅（Ｃｕ）である場合、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、イリジウム（Ｉｒ）、ロジウム（Ｒｈ）、ルテニウム（Ｒｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、レニウム（Ｒｅ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及び銀（Ａｇ）からなる群より選ばれる少なくとも一種を含有してもよい。また、基板１２はセラミック基板であってもよい。
【００１８】
基板１２の厚さは、誘電体素子１０の用途に応じて適宜選択されるが、薄膜コンデンサを作製する場合、５〜１００μｍであることが好ましく、２０〜７０μｍであることがより好ましく、３０〜５０μｍ程度であることが更に好ましい。基板１２の厚さが薄過ぎる場合、誘電体素子１０の製造時に基板１２をハンドリングし難くなる傾向がある。基板１２の面積は、例えば、１×０．５ｍｍ２程度である。
【００１９】
基板１２の上部に積層される第１の誘電体層１４は、化学式「ＡＢＯ３」で表されるペロブスカイト構造を有しており、このうち、Ａは、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、及びカルシウム（Ｃａ）のうち少なくとも１つの元素を含み、Ｂは、チタン（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、及びハフニウム（Ｈｆ）のうち少なくとも１つの元素を含むことが好ましい。また、第１の誘電体層１４の特性制御のために、副成分として添加物質が含有されていてもよい。
【００２０】
第１の誘電体層１４の厚さは、例えば、１０〜１０００ｎｍである。また、第１の誘電体層１４の面積は、例えば、０．９５×０．４５ｍｍ２程度である。
【００２１】
この第１の誘電体層１４は、図１に示すように、誘電体層の積層方向に延びる結晶粒界１５を有し、基板１２に対して交差する方向（直交する方向）に延びる結晶である複数の柱状結晶からなる。この柱状結晶の平均粒径（基板１２表面に平行な断面における径）は、３０〜３００ｎｍである。なお、この平均粒径は、具体的にはコード法により算出される平均粒子径である。
【００２２】
なお、コード法とは表面を光学顕微鏡で観察し、観察面において任意に直線Ｌを引き、粒界との交点Ｎを勘定し、（１）式に示すように、ＬをＮで割り粒界と粒界との間の平均長ｌをもとめて、ある統計学的な数値ｋを掛け算し、それを平均粒子径Ｄとするものである（参考文献：「セラミックスのキャラクタリゼーション技術」社団法人  日本セラミックス協会  ｐ7）。
Ｄ＝ｋ×（L/N）    （１）
この統計学的な数値ｋは結晶粒の形状により異なり、結晶粒が等大球である場合はｋ＝１．５、等大立方体では２．２５、α-tetrakaidecahedronでは１．７７６となる。結晶粒の大きさに分布がある場合には、ｋはその標準偏差の関数となる。なお、上記の柱状結晶において、基板１２表面に平行な断面における径の平均粒径を算出する場合には、この統計学な数値ｋとして多面的結晶構造のα-tetrakaidecahedron  ｋ＝１．７７６が用いられる。
【００２３】
第１の誘電体層１４の上部に積層される第２の誘電体層１６は、第１の誘電体層１４に好適な材料によって構成されるが、第１の誘電体層１４と同じ材料からなることが好ましい。また、第２の誘電体層１６の厚さは、例えば、１０〜１０００ｎｍであり、第２の誘電体層１６の面積は、例えば、０．９５×０．４５ｍｍ２程度である。
【００２４】
第２の誘電体層１６は、図１に示すように、第１の誘電体層１４と同様に、誘電体層の積層方向に延びる結晶粒界１７を有し、基板１２に対して交差する方向（直交する方向）に延びる結晶である複数の柱状結晶からなる。この柱状結晶の平均粒径（基板１２表面に平行な断面における径）は、３０〜３００ｎｍである。
【００２５】
本実施形態に係る誘電体素子１０では、上述の第１の誘電体層１４を構成する柱状結晶と、第２の誘電体層１６を構成する柱状結晶とが積層界面において不連続である。すなわち、第１の誘電体層１４と第２の誘電体層１６とは異なる柱状結晶から構成される。さらに、誘電体素子１０の第１の誘電体層１４の結晶粒界１５と、第２の誘電体層１６の結晶粒界１７とは、第１の誘電体層１４と第２の誘電体層１６との積層界面において不連続であることが好ましい。
【００２６】
柱状結晶からなる誘電体層の上部と下部とにそれぞれ基板を配置した従来の薄膜コンデンサでは、基板の積層方向に延びる柱状結晶の結晶粒界が上部の基板と下部の基板とにそれぞれ接しているため、この結晶粒界近傍においてリーク電流が発生することが知られている。しかしながら、本実施形態に係る誘電体素子１０では、上記のように、第１の誘電体層１４の結晶粒界１５と、第２の誘電体層１６の結晶粒界１７とが、その積層界面において不連続であるため、この誘電体素子を用いて薄膜コンデンサを作製した場合、結晶粒界に由来して発生するリーク電流が抑制され、リーク特性が向上される。また、誘電体膜１８は柱状結晶を含んで構成されるため、誘電率が高く、容量の高い薄膜コンデンサが得られる。
【００２７】
（誘電体素子の製造方法）
次に、本実施形態に係る誘電体素子１０の製造方法を、図２を用いて説明する。図２は、誘電体素子１０の製造方法を説明する断面図である。
【００２８】
まず、基板１２を準備する。ここで、必要に応じて基板１２の表面をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）、電解研磨、バフ研磨等の方法により研磨してもよい。続いて、図２（Ａ）に示すように、基板１２の上部に第１誘電体層１４の種層（第１の種層）１４Ａが形成される（第１種層形成工程）。種層１４Ａは、溶液法のほか、スパッタリング法等のＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法又はＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等の種々の成膜技術により形成されるが、溶液法を用いることが好ましい。
【００２９】
溶液法を用いた場合、種層１４Ａは、その厚さがＨ１となるように成膜される。種層１４Ａの厚さは、種層１４Ａを形成する際の条件を変更することにより調整を行うことができ、例えば、スピンコートにより種層１４Ａとなる溶液を塗布する場合、その回転数や塗布時間等によりその厚さを制御することができる。なお、例えば、基板がＮｉ箔からなり、その上部にＢａＴｉＯ３からなる誘電体層を形成する場合、成膜後の種層１４Ａの厚さＨ１が２０〜８０ｎｍとなるように成膜することにより、基板１２の表面に柱状結晶の種結晶となる粒状の結晶からなる種層１４Ａが形成される。
【００３０】
種層１４Ａの形成は、例えば以下の方法により行われる。まず、種層１４Ａの材料と同じ材料からなる溶液をスピンコート等の方法により基板１２の上部に塗布する。次に、種層１４Ａとなるよう溶液が上部に塗布された基板１２を仮焼きし、有機成分を分解させる。この仮焼き処理は、例えば、３４０〜４４０℃の大気中条件下で５〜３０分間熱処理を加えることにより行われる。続いて、有機成分を分解させた基板１２の上面の溶液を焼成し結晶化させることにより、種層１４Ａを形成する。焼成時の温度は、誘電体膜１４ａが焼結（結晶化）する温度とすることが好ましく、具体的には５００〜１０００℃であることが好ましい。また、焼成時間は５分〜２時間程度とすればよい。また、焼成時の雰囲気は、還元性雰囲気、不活性ガス雰囲気、真空雰囲気の何れかが好ましい。以上の処理により、基板１２の表面に種層１４Ａが形成される。
【００３１】
次に、種層１４Ａ上に、種層１４Ａと同じ材料からなる誘電体層を積層することにより、図２（Ｂ）に示すように、膜厚がＨ２であり、柱状結晶からなる第１の誘電体層１４が形成される（第１誘電体層形成工程）。種層１４Ａの上面に誘電体層を積層する方法は、種層１４Ａの積層方法と同様である。ここで、種層１４Ａに含まれる結晶粒界が積層方向に延びるように成膜することにより、種層１４Ａの結晶粒界に基づいた結晶粒界を有する柱状結晶が形成される。ただし、ここで種層１４Ａの上部にさらに粒状の結晶からなる誘電体層を積層すると柱状結晶にならない。したがって、種層１４Ａに含まれる粒状の結晶を利用して柱状結晶を形成するためには、種層１４Ａの膜厚Ｈ１が、種層１４Ａの上部に積層する誘電体層の膜厚以上である必要がある。例えば、第１種層形成工程において膜厚Ｈ１が５０ｎｍの種層１４Ａを形成した場合には、種層１４Ａの上部に成膜後の膜厚が１０〜５０ｎｍとなる誘電体層を形成することにより、種層１４Ａが最下部に配置された柱状結晶が形成される。成膜後の膜厚が１０ｎｍ未満となる誘電体層を形成すると、膜がとぎれやすくなる。必要に応じて、この工程を繰り返すことにより、第１の誘電体層１４の膜厚Ｈ２を厚くすることができる。
【００３２】
次に、第１の誘電体層１４の上部に、図２（Ｃ）に示すように、第１の誘電体層１４に含まれる柱状結晶とは結晶粒界が不連続である粒状の結晶からなる厚さＨ３の種層（第２の種層）１６Ａが形成される（第２種層形成工程）。種層１６Ａの形成方法は種層１４Ａの形成方法と同様であるが、第１の誘電体層１４に含まれる柱状結晶の結晶粒界に対して結晶粒界が不連続となる種層１６Ａを形成するためには、膜厚Ｈ３を第１の誘電体層１４の種層１４Ａよりも大きくする必要がある。具体的には、第１種層形成工程において膜厚Ｈ１が５０ｎｍの種層１４Ａを形成した場合には、第２種層形成工程では、膜厚Ｈ３が６０〜８０ｎｍとなる種層１６Ａを作製することにより、その結晶粒界を不連続とすることができる。
【００３３】
さらに、種層１６Ａ上に、種層１６Ａと同じ材料からなる誘電体層を積層することにより、図２（Ｄ）に示すように、膜厚がＨ４であり、柱状結晶からなる第２の誘電体層１６が形成される（第２誘電体層形成工程）。種層１６Ａの上面に誘電体層を積層する方法は、種層１６Ａの積層方法と同様である。ただし、種層１４Ａの上面に、種層１４Ａの粒状結晶を最下層とする柱状結晶を形成する場合と同様に、種層１６Ａの膜厚Ｈ３が、種層１６Ａの上部に積層する誘電体層の膜厚よりも厚い必要がある。具体的には、第２種層形成工程において膜厚Ｈ３が８０ｎｍの種層１６Ａを形成した場合には、種層１６Ａの上部に成膜後の膜厚が１０〜８０ｎｍとなる誘電体層を形成することにより、種層１６Ａの結晶粒界が積層方向に延び、すなわち種層１６Ａの結晶粒界に基づいた結晶粒界を有する柱状結晶が形成される。なお、成膜後の膜厚が１０ｎｍ未満となる誘電体層を形成すると、膜がとぎれやすくなる。
【００３４】
以上の処理により、基板１２の上面に第１の誘電体層１４と第２の誘電体層１６とが順に積層された誘電体素子が得られる。
【００３５】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限られず、種々の変更を行うことができる。例えば、上記実施形態では、誘電体層１４，１６が２層ある誘電体膜１８について説明したが、誘電体膜１８に含まれる誘電体層は３層以上であってもよい。
【００３６】
また、上記実施形態では、溶液法を用い、成膜時の膜厚を変更することにより、異なる結晶粒界を有する柱状結晶からなる誘電体層を複数積層させる方法について説明したが、他の方法により誘電体層を積層する場合には、膜厚とは異なるパラメータを変更することにより、種層の結晶粒界を変更することができる。例えば、スパッタ法の場合は、デポジッションのレート等を変更することにより、異なる結晶粒界を有する種層を柱状結晶からなる誘電体層の上部に積層させることができる。また、上述の成膜方法のうちの複数種類の方法を用いて成膜することもでき、例えば、第１の誘電体層１４を溶液法で作製し、第２の誘電体層１６をスパッタ法により作製することにより誘電体素子１０を得ることができる。
【実施例】
【００３７】
以下、実施例及び比較例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
【００３８】
（実施例１の薄膜コンデンサの作製）
図３の断面図に示す構造を有する薄膜コンデンサ２０を以下の方法により作製した。まず、金属箔として膜厚３０μｍのＮｉ箔を用い、Ｎｉ箔の表面の整面処理をＣＭＰにより行った。次に、このＮｉ箔を基板１２とし、その表面上にスピンコートを用いてＢａＴｉＯ３溶液を塗布した。このときの溶液濃度は０．６Ｍ／Ｌであり、回転数は３０００ｒｐｍであった。溶液の塗布後、１２０℃に加熱されたホットプレート上で１分間加熱することにより、この溶液を乾燥させた。
【００３９】
次に、これを大気雰囲気下において４００℃で１０分間加熱することにより有機物を熱分解した（仮焼き）。さらに、１０−２Ｐａの減圧雰囲気下において９００℃で３０分間加熱し結晶化させることにより、膜厚５０ｎｍの第１の誘電体層の種層を作製した。さらに、上記の処理（塗布→仮焼き→結晶化）を３回繰り返すことにより、厚さ１５０ｎｍの第１の誘電体層１４を形成した。
【００４０】
次に、第１の誘電体層１４の上部に、第２の誘電体層の種層として、膜厚８０ｎｍの誘電体層を形成した。さらに、この種層の上部に膜厚が３５ｎｍとなるように誘電体層を形成し、これを２回繰り返すことにより、第２の誘電体層１６を形成した。収束イオンビーム（ＦＩＢ）を用いて、誘電体素子の断面を加工し、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察した結果、第１の誘電体層１４及び第２の誘電体層１６はそれぞれ柱状結晶からなり、第１の誘電体層１４の柱状結晶と第２の誘電体層１６の柱状結晶とは不連続であることが確認された。
【００４１】
そしてこの誘電体素子１０の上部に、部分的に直径１ｍｍの銅（Ｃｕ）からなる上部電極１９をスパッタ法で形成することにより、実施例１の薄膜コンデンサ２０を得た。
【００４２】
（比較例１、２の薄膜コンデンサの作製）
基板１２の上部に実施例１と同様の方法で膜厚１００ｎｍの種層を作製した後、同じく膜厚１００ｎｍの誘電体層の形成をさらに２回繰り返すことにより、膜厚が３００ｎｍであり、粒状結晶からなる誘電体層を含む比較例１に係る薄膜コンデンサを得た。また、基板１２の上部に実施例１と同様に膜厚５０ｎｍの誘電体層の種層を作製した後、同じく膜厚５０ｎｍの誘電体層の形成をさらに５回繰り返すことにより、図４に示すように、膜厚が３００ｎｍであり積層方向において結晶粒界１５が連続している柱状結晶からなる１層の誘電体層１４を含む比較例２に係る薄膜コンデンサ３０を得た。
【００４３】
（評価方法及び評価結果）
実施例１及び比較例１，２の薄膜コンデンサを用いて、電気的特性として、容量密度（Ｃ／Ａ）、及びリーク特性を計測した。なお、容量密度は、（薄膜コンデンサの静電容量）／（電極１９の面積）で定義される。また、リーク特性は、室温の下で薄膜コンデンサ２０の下部電極（すなわち、基板１２）および上部電極１９間に３Ｖの電圧を印加したときに発生するリーク電流の電流密度を示す。実施例１及び比較例１，２の薄膜コンデンサの評価結果を表１に示す。
【００４４】
【表１】
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【００４５】
表１に示すように、比較例１（粒状結晶）の薄膜コンデンサと比較して、実施例１の薄膜コンデンサでは高い容量密度が得られることが確認された。また、比較例２（柱状結晶が１層のみ）の薄膜コンデンサ３０と比較して、実施例１の薄膜コンデンサはリーク電流が低減され、リーク特性が向上することが確認された。
【符号の説明】
【００４６】
１０…誘電体素子、１２…基板、１４…第１の誘電体層、１６…第２の誘電体層、１８…誘電体膜、１９…上部電極、２０，３０…薄膜コンデンサ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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