(57)【要約】【課題】酸ワックスおよび酸基非含有アクリラート官能性モノマーを含むホットメルト組成物を提供する。【解決手段】酸ワックスおよび酸基非含有アクリラート官能性モノマーを含むホットメルト組成物。化学線の適用の際に、このホットメルト組成物は硬化してエッチングレジストを形成する。このホットメルト組成物はプリント回路板、光電子素子および光起電素子の製造に使用されうる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
１種以上の酸ワックス、１種以上の酸基非含有アクリラート官能性モノマー、および１種以上のラジカル開始剤を含む組成物。
【請求項２】
前記１種以上のワックスの酸価が少なくとも１００ｍｇＫＯＨ／ｇである、請求項１に記載の組成物。
【請求項３】
前記１種以上のワックスの酸価が１２０ｍｇＫＯＨ／ｇ〜１７０ｍｇＫＯＨ／ｇである、請求項２に記載の組成物。
【請求項４】
組成物が１種以上の着色剤をさらに含む、請求項１に記載の組成物。
【請求項５】
組成物が酸基含有アクリラート官能性モノマーを含まない、請求項１に記載の組成物。
【請求項６】
ａ）１種以上の酸ワックス、１種以上の酸基非含有アクリラート官能性モノマー、および１種以上のラジカル開始剤を含む組成物を提供し；
ｂ）組成物を基体上に選択的に堆積させ；
ｃ）化学線を組成物に適用して組成物を硬化させ；
ｄ）硬化した組成物で覆われていない基体の部分をエッチングし；並びに
ｅ）塩基を用いて、基体から硬化した組成物を除去して、パターン形成された物品を形成する；
ことを含む方法。
【請求項７】
前記１種以上のワックスの酸価が少なくとも１００ｍｇＫＯＨ／ｇである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
基体が、プリント回路板の部品、光起電素子、光電子素子、金属部品およびリードフレームから選択される、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
ａ）１種以上の酸ワックス、１種以上の酸基非含有アクリラート官能性モノマー、および１種以上のラジカル開始剤を含む組成物を提供し；
ｂ）組成物を基体上に選択的に堆積させ；
ｃ）化学線を組成物に適用して組成物を硬化させ；
ｄ）硬化した組成物で覆われていない基体の部分上を金属めっきし；並びに
ｅ）塩基を用いて、硬化した組成物を除去して、パターン形成された物品を形成する；
ことを含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学線への露光により硬化し、めっきレジストおよびエッチングレジストとして機能し、かつ基体から容易に剥離可能なホットメルト組成物に関する。より詳細には、本発明は化学線への露光により硬化し、めっきレジストおよびエッチングレジストとして機能し、基体から容易に剥離可能であり、酸基非含有アクリラートモノマーと一緒に高い酸価のワックスを含むホットメルト組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
ホットメルトは周囲温度で固相であるが、インクジェット印刷装置における高い操作温度において液相で存在する。インクジェット操作温度において、液体ホットメルトの液滴は印刷装置から噴出されて、液滴が印刷物質の表面に接触したときに、液滴は硬化して液滴の所定のパターンを形成する。
【０００３】
ホットメルトは、直接および転写印刷プロセスにおいて使用されてきた。ホットメルトは典型的には固体スティックにキャストされ、インクジェット印刷装置内に配置される。インクジェット装置の温度は、選択的な流体特性を有する液相が形成される操作温度まで上げられる。次いで、ホットメルトは、インクジェットプリンターのリザーバーおよび印刷ヘッドにおいて操作温度で液体として保持される。液相であるホットメルトは、次いで、基体上に所定のパターンで適用されうる。従来の印刷産業においてホットメルトはしばらくの間使用されてきたが、エレクトロニクス産業は電子素子の製造、例えば、プリント回路板（ＰＣＢ）の製造などにおける問題を解決するためにこのような化合物の潜在的な用途を評価し始めている。
【０００４】
ＰＣＢは、典型的には、６以上の段階を伴うドライフィルムネガ型フォトレジストプロセスを用いる様な複雑なプロセスで製造される。最初に、誘電物質が銅と積層されるかまたは銅で被覆され、次いで、その銅表面にフォトレジスト層が上塗りされる。プリント回路の必要な導電性回路のネガであるフォトツールが準備される。そのフォトツールはフォトレジスト層上に直接配置されて、ＵＶ光に曝露された領域を重合および硬化して、必要な導電性回路の潜像をフォトレジスト層内に生じさせる。フォトレジスト層は次いで、現像されて、フォトレジストの未露光領域を除去する。フォトレジスト層が遊離のカルボキシル基を含む場合には、この化学処理剤は典型的には穏やかなアルカリである。
【０００５】
露出した銅は、次いで、化学エッチングによって、フォトレジスト層で保護されていない領域から選択的に取り除かれる。最終的に、フォトレジスト層の露光された領域は、フォト層が遊離のカルボン酸基を含む場合には、例えば、水性強アルカリを用いて、化学的に取り除かれる。
【０００６】
このプロセスはＰＣＢの製造において広く使用されているが、フォトレジスト層が別々に製造されて、銅／誘電物質積層物の全体領域上に適用されるので、このプロセスは冗長で、費用がかかり、かつ物質の無駄が多い。さらに、ＵＶ光照射の回折がおこり、そのフォトツールのＵＶ透過領域の直接すぐ下にないフォトレジストの領域において現像および重合をもたらすように、所望の導電回路のネガ画像を含むフォトツールは、多くの場合フォトツール層から距離が離されている。フォトツールの製造が導電回路の密度および鮮明度を低減させうる場合には、このような問題が考慮されなければならない。さらに、ＵＶ光に曝露する前および曝露した後の双方でのフォトレジストの除去はアルカリ処理剤に依存するので、フォトレジストの化学構造は注意深く制御されなければならない。未露光フォトレジストが不完全に除去される場合、または露光され重合したフォトレジストのいくつかが銅を化学エッチングする前に除去される場合には、意図される導電回路の密度および完全性は大きく悪化されうる。よって、インクジェット印刷技術は光画像形成および現像工程の必要性をなくするので、インクジェット印刷技術を用いてフォトレジストおよび類似の物質を銅／誘電積層物の特定の領域に適用することに大きな関心が存在している。
【０００７】
インクジェット印刷の場合には、画像またはネガ画像はコンピュータから直接デジタル的に利用可能にされ、プロセス工程の数は半分にされ、様々な強度の水性アルカリを使用したフォトレジストの様々な除去の必要性が回避される。また、フォトレジスト層から距離を離されているフォトツールが存在していないので、回路の改良された鮮明度および密度の可能性がある。また、化学エッチングから保護されるべき領域だけにフォトレジストが適用されるので、フォトレジスト物質についてのコスト抑制も存在する。
【０００８】
フォトレジストまたは類似の物質の実質的に完全な除去はリソグラフィー技術の作業者にとって非常に望まれている。フォトレジスト残留物が、除去後に基体上に残っている場合には、その残留物は基体のさらなる処理を悪化させる場合がある。例えば、フォトレジストはＰＣＢ上に堆積させられて、回路パターンを形成するためのネガ型マスクとして機能する。マスクで覆われていない基体の部分は、エッチング剤を用いてエッチングで除去され、次いでフォトレジストが剥離させられる。その後の工程は、典型的には結合工程または１以上の金属めっきプロセスを伴う。剥離後にＰＣＢ上に残っている残留物は結合または金属めっきを悪化させて、欠陥のある電子素子を生じさせる場合がある。
【０００９】
実質的に完全な除去に加えて、フォトレジストの迅速な除去もリソグラフィー技術の作業者にとって重要である。電子素子の製造の多くはアセンブリライン型プロセスを伴うので、より迅速な除去は、全体の製造プロセスをより効率的にする。よって、基体から迅速かつ完全に除去されうるフォトレジストまたは類似する物質についての必要性が存在する。
【００１０】
米国特許第７，４２７，３６０号は従来のフォトレジストの画像形成方法に代えて、耐エッチングインクを用いたインクジェットプロセスによる電子素子の製造方法を開示する。そのインクはａ）５〜９５重量％が１種以上のモノ官能性モノマーである、１以上の官能基を含み酸基非含有アクリラート官能性モノマー３０〜９０部；ｂ）１以上の酸基を含むアクリラート官能性モノマー１〜３０部；ｃ）ポリマーまたはプレポリマー０〜２０部；ｄ）ラジカル開始剤０〜２０部；ｅ）着色剤０〜５部；ｆ）界面活性剤０〜５部を含み、当該インクは４０℃で３０ｃＰｓ（ｍＰａ・ｓ）以下の粘度を有する。そのインクは実質的に溶媒を含まず、化学線または粒子線照射によって重合可能である。そのインクは塩基を用いて基体から剥離されうる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】米国特許第７，４２７，３６０号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
従来のフォトレジスト画像形成方法の代わりに電子素子製造に使用されうるインクジェット可能な組成物および方法が存在するが、依然として、電子素子を製造するための、改良されたインクジェット可能な配合物および方法についての必要性が存在している。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
一態様においては、組成物は１種以上の酸ワックス、１種以上の酸基非含有アクリラート官能性モノマー、および１種以上のラジカル開始剤を含む。
別の態様においては、方法は、
ａ）１種以上の酸ワックス、１種以上の酸基非含有アクリラート官能性モノマー、および１種以上のラジカル開始剤を含む組成物を提供し；
ｂ）組成物を基体上に選択的に堆積させ；
ｃ）化学線を組成物に適用して組成物を硬化させ；
ｄ）硬化した組成物で覆われていない基体の部分をエッチングし；
ｅ）塩基を用いて、基体から硬化した組成物を除去して、パターン形成された物品を形成する；ことを含む。
さらなる態様においては、方法は、
ａ）１種以上の酸ワックス、１種以上の酸基非含有アクリラート官能性モノマー、および１種以上のラジカル開始剤を含む組成物を提供し；
ｂ）組成物を基体上に選択的に堆積させ；
ｃ）化学線を組成物に適用して組成物を硬化させ；
ｄ）硬化した組成物で覆われていない基体の部分上を金属めっきし；
ｅ）塩基を用いて硬化した組成物を除去して、パターン形成された物品を形成する；ことを含む。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
組成物は酸基含有アクリラート官能性モノマーを含まない。塩基を用いて組成物が基体から除去されるのを可能にする酸基は、酸ワックス成分中に含まれ、これは基体から組成物をより迅速でかつ実質的に完全に除去するのを可能にする。ワックス成分の酸ワックス価は少なくとも５０ｍｇＫＯＨ／ｇである。組成物は溶媒も実質的に含まず、よって組成物は、作業者および環境に対して毒性であり得る望まれない溶媒を除いている。
【００１５】
ホットメルトである組成物は、従来のインクジェット装置によって、従来のスクリーン印刷方法によって、およびナノからマクロ堆積能力を有しうる従来のスプレー装置によって基体に適用されうる。組成物はレジストとして使用される。組成物はめっきレジストとしてまたはエッチングレジストとして使用されうる。本組成物および本方法はＰＣＢのような電子素子の部品、およびリードフレーム、光電子素子、光起電素子の製造に、部品および精密工具の金属仕上げに使用されうる。それらは、その相変換特性のために、良好な画像鮮明度および低い流動性を有する。
【００１６】
本明細書を通じて使用される場合、文脈が他に示さない限りは次の略語は次の意味を有する：℃＝摂氏度；ｇ＝グラム；Ｌ＝リットル；ｍＬ＝ミリリットル；ｃｍ＝センチメートル；μｍ＝ミクロン；ｄｍ＝デシメートル；Å＝オングストローム＝１０−４ミクロン；ａｍｐ．＝アンペア；ｍＪ＝ミリジュール；Ｗ＝ワット＝アンペア×ボルト；重量％＝重量パーセント；ｃｐ＝センチポワズ；ＵＶ＝紫外；ＩＲ＝赤外；ｐｓｉ＝ポンド／インチ２＝０．０６８０５気圧＝１．０１３２５×１０６ダイン／ｃｍ２。
【００１７】
用語「プリント配線板」および「プリント回路板」は本明細書において交換可能に使用される。「化学線」は光化学反応を生じさせることができる電磁放射線を意味する。「粘度」＝内部流体摩擦、または流体の剪断の速度に対する剪断応力の割合。「酸価」＝物質中に存在する遊離酸を測定するための、１ｇｍの遊離酸を中和するのに必要な水酸化カリウムのグラム数。他に示されない限りは全てのパーセンテージは重量基準であり、乾燥重量または溶媒を含まない重量を基準にする。全ての数値範囲は境界値を含み、このような数値範囲が合計で１００％に制約されることが論理的である場合を除いて、任意の順に組み合わせ可能である。
【００１８】
酸ワックスと酸基非含有アクリラート官能性モノマーとの組み合わせは、ホットメルトであり、レジスト、例えばエッチングレジストもしくはめっきレジストとして使用されることができ、かつ同時に、組成物の実質的に全てが基体から除去されるように塩基剥離剤を用いて基体から剥離可能である組成物を提供する。組成物は酸エッチング剤、例えば、フッ化水素酸、硝酸、硫酸、リン酸、有機酸、例えば、カルボン酸およびこれらの混合物に対して耐性であり、かつ工業用エッチング剤、例えば、塩化第二銅（ＣｕＣｌ２）および塩化第二鉄（ＦｅＣｌ３）に対して耐性である。組成物は、塩基剥離剤、例えば、アルカノールアミンなどの有機アミン、アルカリ金属水酸化物、例えば、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムおよびこれらの混合物、並びにアルカリ炭酸塩および重炭酸塩を用いて、基体から容易に剥離される。エッチング剤および剥離剤の双方の従来の強度が使用されうる。
【００１９】
組成物は、組成物が化学線の適用によって硬化させられるのを可能にする１種以上のラジカル開始剤も含む。当該技術分野で知られた従来の方法が、例えば、ＩＲ、ＵＶおよび可視範囲の化学線、並びにＸ線およびマイクロ波などの化学線のソースとして使用されうる。
【００２０】
組成物は有機溶媒および水を含まない。これは組成物中に追加の溶媒または水が含まれないが、不純物としてまたは組成物を製造するために使用される様々な成分の製造における副生成物として痕跡量だけの溶媒または水が存在しうることを意味する。典型的には組成物は１００重量％固形分である。組成物は低い流動性であり、よって組成物は０．０５〜０．２５、または例えば０．０８〜０．１８の範囲のアスペクト比（幅に対する高さ）の印刷ドットを形成する。それらは良好な画像鮮明度を有する画像も形成する。
【００２１】
組成物の粘度は、それらが多くの従来のインクジェット装置で使用されうるようなものである。典型的には、組成物の粘度は、４０℃〜１５０℃で、５ｃｐ〜８０ｃｐの範囲である。粘度は従来の方法で測定されうるが、典型的には、回転スピンドル、例えば、１８番スピンドルを用いたブルックフィールド粘度計を用いて測定される。
【００２２】
インクジェット装置は、基体に適用される選択的レジストデザインについて、そのメモリにデジタル的に情報を記憶することができる。好適なコンピュータープログラムの例は、ツーリングデータの生成のための標準ＣＡＤ（コンピュータ支援設計）プログラムである。作業者は、インクジェット装置において、デジタル的に記憶されたプログラムを変更することによって組成物の選択的堆積を容易に変更することができる。さらに、登録問題も容易に取り組まれうる。インクジェット装置は、例えば、複数層ＰＣＢの製造におけるような基体間での潜在的に不適切な配置に気づくようにプログラムされることができる。その装置が基板間の誤登録を感知する場合には、プログラムはレジストマスクパターンのインクジェット適用を変更し、隣接する基板間の誤登録を回避もしくは修正する。基板から基板へのパターンを再設計する能力は、基板間の誤登録の可能性を低減させ、複数の定まったフォトツールを準備するコスト高でかつ非効率的な作業をなくする。よって、レジストの選択的堆積および画像形性の効率が、多くの従来法よりも改良される。
【００２３】
インクジェット印刷の２つの主要なカテゴリー、「ドロップ−オン−デマンド（Ｄｒｏｐ−Ｏｎ−Ｄｅｍａｎｄ）」インクジェットおよび「連続」インクジェットが存在する。ドロップ−オン−デマンドインクジェット技術を使用して、レジスト組成物はリザーバー中に貯蔵され、プリンターの印刷ヘッドのノズルに送達される。組成物の単一の液滴をノズルから出して、基体上に向かわせるための手段が存在する。典型的には、これはチャンバー内のダイヤフラムの圧電アクチュエーションであり、これはノズルから液滴を「ポンプ」輸送して出すか、または流体を局所的に加熱してチャンバー内の圧力を増加させ、これにより液滴を噴出させる。
【００２４】
「連続」インクジェット印刷において、レジスト組成物の連続流れがプリンターの印刷ヘッドのノズルに送達される。ノズルを通って出る前に、加圧された組成物の流れは電流がかけられたセラミッククリスタルを通って進む。この電流はＡＣ（交流）電流の周波数に等しい圧電振動を生じさせる。この振動は、次に、一体となっている流れから組成物の液滴を生じさせる。組成物は連続した一連の液滴になり、この液滴は等しく空間が空けられており、等しいサイズである。帯電電極（ｃｈａｒｇｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）において液滴が液体流れから分離する場所において噴出を取り囲む場合に、帯電電極と液滴との間に電圧が印加される。液滴が流れから分離する場合に、それぞれの液滴は、それが分離した時点で印加された電圧に比例した電荷を運ぶ。液滴が形成されるときに、同じ割合で帯電電極電圧を変化させることにより、それぞれの液滴は所定のレベルに帯電させられうる。液滴流れはその飛行を続け、一定の電位、例えば、±０．１ｋＶ〜±５ｋＶ、または例えば、±１ｋＶ〜±３ｋＶに維持されている２つの偏光板の間を通過する。この電場の存在下で、液滴は、運ばれる電荷に比例した量でプレートの一方に向かって向きを変えられる。帯電していない液滴は偏向されずガーターに集められてインクノズルに再循環させられる。帯電しており、それ故に偏向される液滴は、液滴偏向の方向に対して直角に移動する放射エネルギー感受性物質上に衝突する。個々の液滴上の電荷を変化させることにより、所望のパターンが適用されうる。液滴のサイズは直径で３０μｍ〜１００μｍ、または例えば、４０μｍ〜８０μｍ、または例えば５０μｍ〜７０μｍの範囲であり得る。
【００２５】
インクジェットプロセスは、連続可変データの高速適用に対するコンピューター制御に適合可能である。インクジェット印刷方法は３つの一般的カテゴリー：高圧（１０ｐｓｉ以上）、低圧（１０ｐｓｉ未満）および真空技術：に分けられうる。全ては当該技術分野において知られているか、または文献に記載されており、かつ基体へのレジスト組成物の適用において使用されうる。
【００２６】
インクジェットによる適用に加えて、レジスト組成物はスクリーン印刷を用いることによって、およびナノ−からマクロ−堆積能力を有する噴霧装置によって適用されうる。使用されうるタイプの噴霧装置の例は、Ｏｐｔｏｍｅｃ（登録商標）から入手可能なＭ３Ｄ（登録商標）である。
【００２７】
レジスト組成物は当該技術分野で知られた好適な方法によって製造されうる。組成物中に典型的に含まれる、ワックス、酸基非含有アクリラート官能性モノマー、およびラジカル開始剤は室温で固体または半固体である。それらは任意の順序で一緒にされうる。それらは容易に一緒にまたは何らかの追加の成分と混合されうるように、それらは加熱されてそれらを軟化するかまたは液化することができる。成分は既存の混合または均一化装置において、任意の順序で一緒にされうる。その成分を混合するために２５℃を超えて１５０℃までの温度が典型的に使用される。成分が均一に混合された後、混合物が２５℃以下に冷却されて固体組成物を形成することができる。
【００２８】
所望の耐エッチング性または耐めっき性、フロー、鮮明化および剥離能力を提供する酸ワックスおよび酸ワックスの組み合わせが組成物中に含まれうる。組成物の酸官能性は実質的に酸ワックスに限定される。典型的には高酸ワックスおよびその混合物が使用される。用語「高酸ワックス」は５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上の高い酸含有量を有し、かつ５０％以上酸官能化されているワックスを意味する。典型的には高酸ワックスは１００ｍｇＫＯＨ／ｇ以上の酸含有量、より典型的には１２０ｍｇＫＯＨ／ｇ〜１７０ｍｇＫＯＨ／ｇの酸含有量を有する。１種以上の酸ワックスが一緒にブレンドされて所望の酸価を達成することができる。酸ワックス成分はレジスト組成物の酸価を決定する。このようなワックスは典型的には酸含有結晶性ポリマーワックスである。用語「結晶性ポリマーワックス」は、結晶融点転移温度（ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ  ｍｅｌｔｉｎｇ  ｐｏｉｎｔ  ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ  ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ：Ｔｍ）によって特徴づけられうるポリマーマトリックス内のポリマー鎖の秩序ある配列を含むワックス物質を意味する。この結晶融解温度はポリマーサンプルの結晶性ドメインの融解温度である。これは、ポリマー内の非晶質領域についてポリマー鎖が流動し始める温度を特徴づけるガラス転移温度（Ｔｇ）と対照をなす。酸ワックスは、組成物の０．５重量％〜４０重量％、または例えば、組成物の５重量％〜２５重量％の量で組成物中に含まれる。
【００２９】
組成物において使用されうるカルボン酸末端ポリエチレンワックスには、構造ＣＨ３−（ＣＨ２）ｎ−２−ＣＯＯＨ（平均鎖長が１６〜５０である、鎖長「ｎ」の混合物である）を有する炭素鎖、および類似の平均鎖長の線状低分子量ポリエチレンの混合物が挙げられるが、これらに限定されない。このようなワックスの例としては、ｎが４０であるＵＮＩＣＩＤ（登録商標）５５０、およびｎが５０であるＵＮＩＣＩＤ（登録商標）７００が挙げられるがこれらに限定されない。両方ともＢａｋｅｒ  Ｐｅｔｒｏｌｉｔｅ（米国）から入手可能である。ＵＮＩＣＩＤ（登録商標）５５０は８０％のカルボン酸官能基と、類似の鎖長の線状低分子量ポリエチレンである残部を含み、７２ｍｇＫＯＨ／ｇの酸価および１０１℃の融点を有する。他のワックスの例は、ｎ＝１６のヘキサデカン酸すなわちパルミチン酸、ｎ＝１７のヘプタデカン酸すなわちマルガリン酸すなわちダツリン酸（ｄａｔｕｒｉｃ  ａｃｉｄ）、ｎ＝１８のオクタデカン酸すなわちステアリン酸、ｎ＝２０のエイコサン酸すなわちアラキドン酸、ｎ＝２２のドコサン酸すなわちベヘン酸、ｎ＝２４のテトラコサン酸すなわちリグノセリン酸、ｎ＝２６のヘキサコサン酸すなわちセロチン酸、ｎ＝２７のヘプタコサン酸すなわちカルボセリン酸、ｎ＝２８のオクタコサン酸すなわちモンタン酸、ｎ＝３０のトリアコンタン酸すなわちメリシン酸、ｎ＝３２のドトリアコンタン酸すなわちラッセル酸、ｎ＝３３のトリトリアコンタン酸すなわちセロメリッシン酸すなわちフィリン酸、ｎ＝３４のテトラトリアコンタン酸すなわちゲダ酸、ｎ＝３５のペンタトリアコンタン酸すなわちセロプラスチン酸などの、ＣＨ３−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨの構造を有する。
【００３０】
組成物に含まれる他の高酸ワックスの例としては、１６以上の炭素原子の線状脂肪族鎖を有する高酸ワックスがある。典型的には、末端官能化カルボン酸を有する線状飽和脂肪族ワックスが使用される。このようなワックスは５０ｍｇＫＯＨ／ｇを超える酸価を有する。より典型的には、このような高酸ワックスはモンタンワックス、ｎ−オクタコサン酸、ＣＨ３−（ＣＨ２）２６−ＣＯＯＨ、１００％酸官能化である。このようなワックスには、Ｃｌａｒｉａｎｔ  ＧｍｂＨ（ドイツ）により製造された、１２７〜１６０ｍｇＫＯＨ／ｇの酸価を有するＬｉｃｏｗａｘ（登録商標）Ｓ、１１５〜１３５ｍｇＫＯＨ／ｇの酸価を有するＬｉｃｏｗａｘ（登録商標）ＳＷ、１００〜１１５ｍｇＫＯＨ／ｇの酸価を有するＬｉｃｏｗａｘ（登録商標）ＵＬ、および１３０〜１５０ｍｇＫＯＨ／ｇの酸価を有するＬｉｃｏｗａｘ（登録商標）Ｘ１０１が挙げられるがこれらに限定されない。他の好適な高酸ワックスには、酸末端のいくつかがエステル化されている、部分エステル化モンタン酸ワックス、例えば７２〜９２ｍｇＫＯＨ／ｇの酸価を有するＬｉｃｏｗａｘ（登録商標）Ｕが挙げられる。
【００３１】
このような酸ワックスの融点は６５℃〜１５０℃である。典型的には融点は８０℃〜１１０℃である。
【００３２】
アクリラート官能性モノマーは酸官能基を含まず、かつＣＨ２＝Ｃ（Ｒ）ＣＯ−（式中Ｒは、水素、アルキルまたはシアノである）のような反応性ビニル基を含む。Ｒがアルキルである場合には、それは典型的にはＣ１−６アルキルである。酸官能性モノマーは組成物中に含まれない。モノマーについての他の限定には、互いに対するその適合性、組成物の他の成分に対する適合性、最終のレジスト組成物において別の層を形成し得ないこと、所定の粘度を有することおよび塩基処理によって除去されることが挙げられる。アクリラート官能性モノマーは３０，０００以下、または例えば、２０，０００以下、または例えば、１，０００〜５，０００の分子量を有する。典型的には、酸基非含有アクリラート官能性モノマーの分子量は２，０００を超えない。
【００３３】
酸基非含有アクリラート官能性モノマーの具体的な例には、商標Ｓａｒｔｏｍｅｒ（商標）、Ａｃｔｉｌａｎｅ（商標）およびＰｈｏｔｏｍｅｒ（商標）の下に入手可能なもの、例えば、Ｓａｒｔｏｍｅｒ（商標）５０６（アクリル酸イソボルニル）、Ｓａｒｔｏｍｅｒ（商標）３０６（トリプロピレングリコールジアクリラート）、Ａｃｔｉｌａｎｅ（商標）４３０（トリメチロールプロパンエトキシラートトリアクリラート）、Ａｃｔｉｌａｎｅ（商標）２５１（三官能性アクリラートオリゴマー）、Ａｃｔｉｌａｎｅ（商標）４１１（ＣＴＦアクリラート）、Ｐｈｏｔｏｍｅｒ（商標）４０７２（トリメチロールプロパンプロポキシラートトリアクリラート）、Ｐｈｏｔｏｍｅｒ（商標）５４２９（ポリエステルテトラアクリラート）およびＰｈｏｔｏｍｅｒ（商標）４０３９（フェノールエトキシラートモノアクリラート）がある。Ｓａｒｔｏｍｅｒ（商標）、Ａｃｔｉｌａｎｅ（商標）およびＰｈｏｔｏｍｅｒ（商標）はそれぞれ、Ｃｒａｙ  Ｖａｌｌｅｙ  Ｉｎｃ．、Ａｋｒｏｓ  ＢＶおよびＣｏｇｎｉｓ  Ｉｎｃ．の商標である。モノマーの他の例には、アクリル酸ラウリル、アクリル酸イソデシル、アクリル酸イソオクチル、アクリル酸ブチル、アクリル酸２−ヒドロキシエチル、アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、アクリル酸２−エチルヘキシル、１，６−ヘキサンジオールジアクリラート、ネオペンチルグリコールジアクリラート、ジエチレングリコールジアクリラート、ブタンジオールジアクリラート、トリメチロールプロパントリアクリラート、ペンタエリスリトールトリアクリラート、１，３−ブチレングリコールジアクリラート、１，４−ブチレングリコールジアクリラート、トリエチレングリコールジアクリラート、ペンタエリスリトールテトラアクリラート、トリプロピレングリコールジアクリラート、アクリル酸イソボルニル、アクリル酸２−ノルボルニル、アクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸フェノキシエチルおよびアクリル酸テトラヒドロフルフリルがある。このような酸官能基非含有アクリラート官能性モノマーは５０重量％〜８０重量％の量で、または例えば、６０重量％〜７０重量％の量で組成物中に含まれる。
【００３４】
ラジカル開始剤は、アクリラート官能性モノマーの重合を開始するためにトレードにおいて典型的に使用される任意的な相乗剤（ｓｙｎｅｒｇｉｓｔ）をはじめとするあらゆる開始剤であることができる。開始剤および存在する場合には相乗剤は化学線によって活性化されうる。化学線源には、水銀ランプ、キセノンランプ、炭素アークランプ、タングステンフィラメントランプ、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザー、電子線および太陽光が挙げられるがこれらに限定されない。ＵＶ線、例えば中圧水銀ランプからのＵＶ線が典型的に使用される。典型的にはラジカル開始剤はＵＶ光で活性化される光開始剤である。
【００３５】
ラジカル開始剤および相乗剤の例は、アントラキノン、置換アントラキノン、例えば、アルキル置換アントラキノンおよびハロゲン置換アントラキノン、例えば、２−ターシャリーブチルアントラキノン、１−クロロアントラキノン、ｐ−クロロアントラキノン、２−メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノンおよび２−アミルアントラキノン、任意に置換された多核キノン、例えば、１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ベンズアントラキノン、２−メチル−１，４−ナフトキノン、２，３−ジクロロナフトキノン、１，４−ジメチルアントラキノン、２，３−ジメチルアントラキノン、２−フェニルアントラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、３−クロロ−２−メチルアントラキノン、レテネキノン、７，８，９，１０−テトラヒドロナフトアントラキノン、１，２，３，４−テトラヒドロベンゾアントラセン−７，２−ジオン、アセトフェノン系、例えばアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシ−２−フェニルアセトフェノン、１，１−ジクロロアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンおよび２−メチル−１−（４−メチルチオ）フェニル−２−モルホリン−プロパン−１−オン；チオキサントン系、例えば、２−メチルチオキサントン、２−デシルチオキサントン、２−ドデシルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２−クロロチオキサントンおよび２，４−ジイソプロピルチオキサントン；ケタール、例えば、アセトフェノンジメチルケタールおよびジベンジルケタール；ベンゾイン系およびベンゾインアルキルエーテル、例えば、ベンゾイン、ベンジルベンゾインメチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテルおよびベンゾインイソブチルエーテル；アゾ化合物、例えばアゾビスイソバレロニトリル；ベンゾフェノン系、例えば、ベンゾフェノン、メチルベンゾフェノン、４，４−ジクロロベンゾフェノン、４，４−ビス−ジエチルアミノベンゾフェノン、ミヒラー（Ｍｉｃｈｌｅｒ’ｓ）ケトン、およびキサントンおよびこれらの混合物がある。市販の開始剤および相乗剤の例には、Ｓｐｅｅｄｃｕｒｅ（商標）ＩＴＸ、ＥＨＡおよび３０４０、Ｉｒｇａｃｕｒｅ（商標）１８４、３６９、９０７および１８５０、Ｄａｒａｃｕｒｅ（商標）１１７３がある。Ｓｐｅｅｄｃｕｒｅ（商標）、Ｉｒｇａｃｕｒｅ（商標）およびＤａｒａｃｕｒｅ（商標）は、それぞれ、Ｌａｍｂｓｏｎ  ＰｌｃおよびＣｉｂａ  ＧｍｂＨの登録商標である。
【００３６】
ラジカル開始剤は、化学線に曝露した際に組成物の硬化を可能にするのに充分な量で含まれる。典型的には、このようなラジカル開始剤は組成物の０．１重量％〜１０重量％、または例えば、組成物の１重量％〜５重量％の量で含まれる。
【００３７】
場合によっては、１種以上の着色剤がレジスト組成物中に含まれうる。このような着色剤には、顔料および染料、例えば、蛍光染料が挙げられる。着色剤は所望の色コントラストを提供する従来の量で組成物中に含まれうる。好適な顔料には、これらに限定されないが、二酸化チタン、プルシアンブルー、硫化カドミウム、酸化鉄、赤色硫化水銀、ウルトラマリンおよびクロム顔料、例えば、クロム酸塩、モリブデン酸塩および混合クロム酸塩、および鉛、亜鉛、バリウム、カルシウムの硫酸塩、並びにこれらの混合物および修飾物が挙げられ、これらはクロムエロー、レモンエロー、ミドルオレンジクロム、スカーレットクロムおよびレッドクロムの名前で黄緑色から赤色までの顔料として市販されている。
【００３８】
好適な染料には、これらに限定されないが、アゾ染料、金属錯体染料、ナフトール染料、アントラキノン染料、インジゴ染料、カルボニウム染料、キノンイミン染料、キサンテン染料、シアニド染料、キノリン染料、ニトロ染料、ニトロソ染料、ベンゾキノン染料、ナフトキノン染料、ペノリン染料、フタルシアニド染料およびロイコ染料が挙げられる。蛍光染料の例には、キサンテン、例えば、ローダミンおよびフルオレセイン、ビマン、クマリン、例えば、アンベリフェロン、芳香族アミン、例えば、ダンシル、スクアラート染料、ベンゾフラン、シアニン、メロシアニン、希土類キレートおよびカルボゾールがある。
【００３９】
任意である追加の添加剤には、これらに限定されないが、界面活性剤、例えば、非イオン性、カチオン性、アニオン性および両性界面活性剤、滑り改変剤（ｓｌｉｐ  ｍｏｄｉｆｉｅｒ）、チキソトロープ剤、発泡剤、消泡剤、可塑剤、増粘剤、バインダー、抗酸化剤、光開始剤安定化剤、光沢剤、殺真菌剤、殺バクテリア剤、有機および無機充填剤粒子、レベリング剤、不透明剤、帯電防止剤および金属接着剤が挙げられる。このような添加剤は従来の量で含まれうる。
【００４０】
レジスト組成物はエッチングレジストとしてまたはめっきレジストとして使用されうる。一般に、レジスト組成物は基体上に選択的に堆積され、続いて化学線でレジスト組成物を硬化させる。硬化後、基体の覆われていない部分が所望の深さまでエッチングされうるか、または基体表面の領域を除去して下層を露出させるようにエッチングされることができて、基体上にパターンを形成することができる。エッチング剤はエッチング中に基体からレジストを除去しないので、レジスト組成物はエッチングレジストとして機能する。エッチングレジストは、次いで、基体から剥離されて、当該技術分野において知られた従来の方法によってさらに加工するためのパターン形成された基体を残す。あるいは、基体の覆われていない領域は金属でめっきされることができて、基体上にパターンを形成することができ、よってこのレジストはめっきレジストとして機能する。次いで、めっきレジストは基体から剥離されて、当該技術分野において知られた従来の方法によってさらに加工するための金属パターンを有する基体を残す。剥離は０℃〜１００℃、典型的には４０℃〜６０℃の温度で塩基を用いて行われる。
【００４１】
上記の変法として、基体は両面上をレジストで選択的に被覆され、化学線に曝露されることができる。次いで、エッチングおよびめっきが基体の両面で同時に行われうる。
【００４２】
エッチングは、基体を構成する物質に好適な当該技術分野において知られた方法によってなされうる。典型的には、エッチングは酸、例えば、フッ化水素酸、硝酸、リン酸、塩化水素酸、有機酸、例えば、カルボン酸およびその混合物を用いて、または工業用エッチング剤、例えば、塩化第二銅（ＣｕＣｌ２）および塩化第二鉄（ＦｅＣｌ３）を用いて行われる。このようなエッチング剤は当該技術分野において周知であり、文献から得られうる。
【００４３】
エッチングは典型的には２０℃〜１００℃、より典型的には２５℃〜６０℃の温度で行われる。エッチングは、レジストで被覆された基体を、垂直または水平の位置でエッチング剤で噴霧または浸漬することを含む。典型的には、基体が水平位置にある場合には噴霧が行われる。これはエッチング剤の素早い除去を可能にする。エッチングの速度はエッチング剤を撹拌する、例えば、音波撹拌を用いて撹拌するまたは振動噴霧により促進されうる。基体がエッチング剤で処理された後、基体は典型的には水ですすがれて微量のエッチング剤を除去する。
【００４４】
１以上の金属層が基体上に形成されたパターンで堆積されうる。金属は無電解、電解、浸漬または光誘起めっきにより堆積されうる。従来の無電解、電解、および浸漬浴および方法が、金属または合金層を堆積させるために使用されうる。多くのこのような浴が市販されており、または文献に記載されている。金属には、これに限定されないが、貴金属および非貴金属、並びにこれらの合金が挙げられる。好適な貴金属の例は金、銀、白金、パラジウムおよびこれらの合金である。非貴金属の例は、銅、ニッケル、コバルト、ビスマス、亜鉛、インジウム、スズおよびこれらの合金である。
【００４５】
基体には、これに限定されないが、ＰＣＢ、半導体ウェハ、例えば、光電池および太陽電池、および光電子素子のための部品が挙げられる。一般に、ＰＣＢの製造においては、レジスト組成物は銅クラッド板上に選択的に堆積され、化学線を用いて硬化される。レジストで覆われていない銅クラッド板の部分はエッチングで除去される。レジストは板から剥離されて、板上に回路パターンを残す。別の態様においては、レジストは板上に選択的に堆積されて、従来のプロセスを用いて金属シード層と導電性になり、化学線を用いて硬化される。レジストで覆われていない板の部分は金属または合金でめっきされる。次いで、硬化したレジストは板から剥離されて、板上に金属パターンを残す。
【００４６】
一般に、光電池または太陽電池の製造において、レジストは、ドープされた半導体ウェハの前面反射防止層上に選択的に堆積される。反射防止層はケイ素、窒化ケイ素Ｓｉ３Ｎ４、酸化ケイ素ＳｉＯｘ、またはこれらの組み合わせでありうる。典型的には、反射防止層はＳｉ３Ｎ４である。半導体は単結晶または多結晶であることができる。次いで、レジストは化学線で硬化されて、反射防止層の部分がエッチングで除去されて、ドープされた半導体（ｎ＋またはｎ＋＋ドープ）のエミッタ層を露出させる。次いで、硬化したレジストは剥離され、反射防止層で覆われていないエミッタ層の部分は金属または合金でめっきされて、電流トラックおよびバスバーのパターンを形成する。
【００４７】
別の態様においては、レジストは、金属、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル、銀および金で覆われているドープされた半導体ウェハの裏面に選択的に堆積されうる。レジストは化学線を用いて硬化される。レジストで覆われていない金属の部分はエッチングで除去されて、電極の電流トラックのパターンを形成する。
【００４８】
本組成物および方法は、電子素子の部品、例えば、ＰＣＢ、およびリードフレーム、光電子素子、光起電素子の製造に、部品および精密工具の金属仕上げに使用されうる。それらは、その相変換特性のために、良好な画像鮮明度および低い流動性を有する。
【００４９】
次の実施例は本発明をさらに説明することを意図するものであり、本発明の範囲を限定することを意図するものではない。
【実施例】
【００５０】
実施例１−７
インクジェットエッチングレジスト組成物
【００５１】
【表１】
2010138382.tif 000002
【００５２】
全ての７つの配合物は同じ方法で製造される。従来の実験室ブレンド装置を用いて、モノマー、酸ワックスおよびラジカル開始剤は一緒にブレンドされて、均一な混合物を形成する。従来の対流オーブン内で５０℃〜９０℃で加熱が行われて、他の成分とブレンドするには固すぎるあらゆる成分を液化する。混合後、それぞれの成分は、次いで、室温まで冷却されて、１００％固体の組成物を形成する。この組成物は１００ｍｇＫＯＨ／ｇを超える酸価を有するものと期待される。
【００５３】
全ての粘度は、６０℃、８０℃および１００℃の温度でのサーモセル（ｔｈｅｒｍｏｓｅｌ）アタッチメントを備えたブルックフィールド（Ｂｒｏｏｋｆｉｅｌｄ）粘度計を用いて、１５ｃｐ以下であると予想される。よって、組成物は従来のインクジェット装置、例えば、Ｓｃｈｍｉｄから得られるＤｉｒｅｃｔｍａｓｋ（商標）ＤｏＤ３００を用いるインクジェットに好適であると予想される。
【００５４】
実施例８
エッチングレジストＰＣＢ用途
実施例１−７からのレジスト組成物は、圧電ドロップオンデマンドプリントヘッド（Ｓｐｅｃｔｒａ（商標）ＳＥ−１２８）から、７つの別々の銅クラッドＦＲ４／ガラス−エポキシパネル上に、１５μｍ〜３０μｍの厚みで、選択的にインクジェットされる。インクジェット中の温度は６５℃〜９５℃である。レジスト組成物がそれぞれのパネルに選択的に適用されてから、組成物は、１２０Ｗ／ｃｍで動作中のＦｕｓｉｏｎＤバルブを用いて、１５０ｍＪ／ｃｍ２〜２００ｍＪ／ｃｍ２でＵＶ光に曝露される。全てのレジストは硬化すると予想される。
それぞれのレジストの硬度はＡＳＴＭ  Ｄ３３６３−０５鉛筆硬度試験を用いて試験される。硬度値は３Ｈ以上であると予想される。得られうる最も硬い値は５Ｈであり、最も柔らかいのが１Ｈである。
それぞれのパネルは、次いで、４ＮのＣｕＣｌ２エッチング剤の水性エッチング溶液に５０℃で５分間浸漬され、レジストで覆われていない銅の部分をエッチング除去する。銅は３８μｍの深さまでエッチングされる。レジスト組成物はＣｕＣｌ２エッチング剤のエッチング作用に耐えると予想される。エッチングが完了した後、パネルはエッチング液から取り出されて水ですすがれる。
それぞれのパネルは次いで、２．５重量％水酸化ナトリウムの剥離水溶液の浴中に４０℃〜５０℃で、１分間浸漬されて、パネルからレジストを剥離する。実質的に全てのレジストがそれぞれのパネルから除去され、パネル上に銅回路パターンを残すと予想される。次いで、パネルはさらに処理されて電子素子のためのＰＣＢの製造を完了する。
【００５５】
実施例９
半導体適用のためのエッチングレジスト
ｐｎ−接合を有するドープされた単結晶シリコン半導体ウェハ７枚が提供される。ドープされた単結晶シリコンウェハの前面すなわちエミッタ層がテクスチャー化されかつｎ＋＋ドープされる。裏面はアルミニウムでｐ＋＋ドープされる。ｎ＋＋ドープされたエミッタ層とｐ＋＋ドープされた裏面との間の領域はｎ＋ドープされる。ドープされた単結晶シリコンウェハの前面は５００ｎｍ厚のＳｉ３Ｎ４の層で被覆される。Ｓｉ３Ｎ４は反射防止層として機能する誘電体である。
それぞれのシリコンウェハの反射防止層は、電流トラックを形成するために、ドロップオンデマンドインクジェットプリンターによって、８０℃〜１００℃で、実施例１〜７の７種のレジスト組成物のいずれかで選択的に被覆される。各電流トラック間の距離が３ｍｍであるように、レジスト組成物が堆積させられる。レジストは１０μｍ厚で誘電層上に堆積させられる。次いで、レジストはフュージョンＵＶベルトシステムによって、１５０〜２０００ｍＪ／ｃｍ２でＵＶ光に曝される。全てのレジストは硬化することが予想される。
それぞれのレジストの硬度はＡＳＴＭ  Ｄ３３６３−０５鉛筆硬度試験を用いて試験される。硬度値は３Ｈ以上であると予想される。得られうる最も硬い値は５Ｈであり、最も柔らかいのが１Ｈである。
次いで、レジストで覆われていないＳｉ３Ｎ４誘電層がエッチングで除去されて、ｎ＋＋ドープされたエミッタ層の領域を露出させる。エミッタ層を露出させるために、エッチングは水性４０％フッ化水素酸エッチング剤を用いて２５℃で２〜１０分間行われ、２０μｍ幅で０．５μｍ深さの電流トラックを形成する。この酸エッチング剤はエッチングレジストをエッチング除去しないと予想される。ウェハのアルミニウム裏面も、ウェハの前面に適用されるのと同じレジストによって、エッチング中に酸エッチング剤から保護される。
ウェハの前面は２．５重量％の水酸化ナトリウムの水性剥離溶液で４０℃〜５０℃で噴霧されて、レジストを剥離除去する。金属めっきを悪化させる残留物が残っていないように、実質的に全てのレジストがそれぞれのウェハから除かれると予想される。次いで、ウェハの電流トラックは無電解ニッケルでめっきされ、０．１μｍ厚のニッケルシード層を形成する。ニッケルはＮｉｐｌａｔｅ（商標）６００ミッド−リン無電解ニッケル浴（米国、マサチューセッツ州、マルボロのロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズエルエルシーから入手可能）を用いて堆積される。次いで、ニッケルシード層は１０μｍ厚の銀の層で被覆される。Ｅｎｌｉｇｈｔ（商標）６００銀めっき浴（ロームアンドハースエレクトロニックマテリアルズエルエルシーから入手可能）が使用され、従来の光誘起めっきによって銀を堆積する。
【００５６】
実施例１０
ＰＣＢ適用のためのめっきレジスト
実施例１−７からのレジスト組成物が、圧電ドロップオンデマンドプリントヘッド（Ｓｐｅｃｔｒａ（商標）ＳＥ−１２８）から、７つの別々のエポキシパネル上に、１５μｍ〜３０μｍの厚みで、選択的にインクジェットされる。エポキシパネルは１ミクロンの超薄銅シード層を有する。インクジェット中の温度は６５℃〜９５℃である。レジスト組成物がそれぞれのパネルに選択的に適用されてから、組成物は、１２０Ｗ／ｃｍで動作中のＦｕｓｉｏｎＤバルブを用いて、１５０ｍＪ／ｃｍ２〜２００ｍＪ／ｃｍ２でＵＶ光に曝露される。全てのレジストは硬化すると予想される。
それぞれのレジストの硬度はＡＳＴＭ  Ｄ３３６３−０５鉛筆硬度試験を用いて試験される。硬度値は３Ｈ以上であると予想される。得られうる最も硬い値は５Ｈであり、最も柔らかいのが１Ｈである。
硬化したレジストを備えるそれぞれのパネルは、８０ｇ／Ｌの硫酸銅五水和物、２２５ｇ／Ｌの硫酸、５０ｐｐｍの塩素イオンおよび１ｇ／Ｌのポリエチレンオキシドを含む銅電気めっき浴中に置かれる。電気めっきは１ａｍｐ／ｄｍ２で行われる。銅金属はレジストで覆われていない領域でパネル上に堆積させられる。銅堆積物が１５μｍ〜２５μｍ厚であるまで、銅堆積が行われる。
それぞれのパネルは次いで、２．５重量％水酸化ナトリウムの剥離水溶液の浴中に４０℃〜５０℃で、１分間浸漬されて、パネルからレジストを剥離する。実質的に全てのレジストがそれぞれのパネルから除去され、パネル上に銅回路パターンを残すと予想される。次いで、パネルはさらに処理されて電子素子のためのＰＣＢの製造を完了する。
【００５７】
実施例１１
太陽電池適用のためのめっきレジスト
ｐｎ−接合を有するドープされた単結晶シリコン半導体ウェハ７枚が提供される。ドープされた単結晶シリコンウェハの前面すなわちエミッタ層がテクスチャー化されかつｎ＋＋ドープされる。裏面はアルミニウムでｐ＋＋ドープされる。さらに、裏面は化学蒸着された１０μｍ厚のアルミニウム層も含む。ｎ＋＋ドープされたエミッタ層とｐ＋＋ドープされた裏面との間の領域はｎ＋ドープされる。ドープされた単結晶シリコンウェハの前面は５００ｎｍ厚のＳｉ３Ｎ４の層で被覆される。Ｓｉ３Ｎ４は反射防止層として機能する誘電体である。
それぞれのシリコンウェハのアルミニウム層は、ウェハの裏面に電流トラックを形成するために、ドロップオンデマンドインクジェットプリンターによって、８０℃〜１００℃で、実施例１〜７の７種のレジスト組成物のいずれかで選択的に被覆される。各電極トラック間の距離が３ｍｍであるように、レジスト組成物が堆積させられる。レジストは１５μｍ〜３０μｍの厚みで、アルミニウム層上に堆積させられる。次いで、レジストはフュージョンＵＶベルトシステムによって、１５０〜２０００ｍＪ／ｃｍ２でＵＶ光に曝される。全てのレジストは硬化することが予想される。
それぞれのレジストの硬度はＡＳＴＭ  Ｄ３３６３−０５鉛筆硬度試験を用いて試験される。硬度値は３Ｈ以上であると予想される。得られうる最も硬い値は５Ｈであり、最も柔らかいのが１Ｈである。
次いで、アルミニウム金属をエッチングするために、５重量％の酢酸、８０重量％のリン酸、５重量％の硝酸、および１０重量％の蒸留水からなる従来のエッチング浴を用いて、レジストで覆われていないアルミニウム層の領域がエッチングされて、露出したアルミニウムを除去する。それぞれのウェハの裏面は２．５重量％の水酸化ナトリウムの水性剥離溶液で４０℃〜５０℃で噴霧されて、レジストを剥離除去する。アルミニウム電流トラックのパターンが裏面上に残ってアノードとして機能する。
【外国語明細書】
2010138382000001.pdf
2010138382000002.pdf
2010138382000003.pdf