(57)【要約】【課題】はんだバンプを用いて実装する際に中空空間の内部へのフラックスの流入を抑制し、中空空間の液密性が高い弾性波装置を提供する。【解決手段】本発明に係る弾性波装置は、基板１１と、基板１１の一方の主面１１ａに形成されている振動部１４と、振動部１４の電極１２と電気的に接続されているパッド１３と、振動部１４の周囲を囲むように設けられ、幅が１０μｍ〜１００μｍであり、感光性ポリイミドを主成分とする支持層２０と、振動部１４を覆うように支持層２０の上に設けられ、振動部１４の周囲に中空空間１９を形成する、合成ゴムと樹脂とを少なくとも含むシート状のカバー層２２と、フラックス耐性を有する樹脂からなる保護層２４と、保護層２４、カバー層２２及び支持層２０を貫通し、パッド１３に接続されるビア導体１６と、ビア導体１６の保護層２４側の端部に設けられ、はんだバンプからなる外部電極１８と、を備える。【選択図】        図１
2010278972.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一方の主面に形成されている振動部と、
前記基板の前記一方の主面に形成され、前記振動部の電極と電気的に接続されているパッドと、
前記振動部の周囲を囲むように前記基板の前記一方の主面に設けられ、前記振動部の厚みよりも大きい厚みを有し、幅が１０μｍ〜１００μｍであり、感光性ポリイミドを主成分とする支持層と、
前記振動部を覆うように前記支持層の上に設けられ、前記振動部の周囲に中空空間を形成する、合成ゴムと樹脂とを少なくとも含むシート状のカバー層と、
前記カバー層の前記支持層とは反対側に設けられ、フラックス耐性を有する樹脂からなる保護層と、
前記保護層、前記カバー層及び前記支持層を貫通し、前記パッドに接続されるビア導体と、
前記ビア導体の前記保護層側の端部に設けられ、はんだバンプからなる外部電極と、
を備える弾性波装置。
【請求項２】
前記幅が１０μｍ〜６０μｍである、請求項１に記載の弾性波装置。
【請求項３】
前記基板は圧電基板であり、前記振動部はIDT電極を含む、請求項１又は２に記載の弾性波装置。
【請求項４】
前記基板は絶縁基板であり、前記振動部は両面に電極が形成された圧電薄膜を含む、請求項１又は２に記載の弾性波装置。
【請求項５】
前記保護層は前記支持層と同じ材料からなる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項６】
前記保護層はポリイミド系樹脂からなる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
【請求項７】
前記カバー層は非感光性エポキシ樹脂からなる、請求項１〜６に記載の弾性波装置。
【請求項８】
前記基板と前記支持層との間の少なくとも一部に介在する窒化膜又は酸化膜をさらに備えた、請求項１〜７に記載の弾性波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波装置、詳しくは、基板上に共振子やフィルタなどの振動部が形成された弾性波装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板上に形成された振動部をカバー層で覆うように構成した弾性波装置が、例えば特許文献１のように提案されている。
【０００３】
図１１に、弾性波装置の構成例を示す。図１１（Ａ）は断面図、図１１（Ｂ）は図１１（Ａ）の線Ｘ−Ｘに沿って上側を見た断面図、図１１（Ｃ）は図１１（Ａ）の線Ｘ−Ｘに沿って下側を見た断面図である。図１１の弾性波装置１１０は、圧電基板１１１の一方主面１１１ａ上にＩＤＴ電極１１２、パッド１１３及び配線ライン１１８を含む導電パターンが形成されている。また、圧電基板１１１のＩＤＴ電極１１２が形成された部分近傍は振動部を構成している。そして、振動部の周りには中空空間１１９が形成されるように、枠状の支持層１１６が樹脂で形成されている。そして、支持層１１６の上に絶縁性シートのカバー層１１５が形成されている。カバー層１１５には外部電極１１７が設けられ、外部電極１１７とパッド１１３との間は、カバー層１１５及び支持層１１６を貫通するビア導体１１４によって電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２６１５８２号公報
【発明の概要】
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような構成の弾性波装置は、外部電極にはんだバンプを設けて他の回路基板などに実装する際に、はんだバンプにフラックスをつけてはんだ濡れ性を向上させる。しかし、フラックスがカバー層を透過し、中空空間の内部に流入してしまう問題点があった。
【０００７】
本発明は、かかる事情に鑑み、はんだバンプを用いて実装する際に中空空間の内部へのフラックスの流入を抑制し、中空空間の液密性が高い弾性波装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る弾性波装置は、基板と、前記基板の一方の主面に形成されている振動部と、前記基板の前記一方の主面に形成され、前記振動部の電極と電気的に接続されているパッドと、前記振動部の周囲を囲むように前記基板の前記一方の主面に設けられ、前記振動部の厚みよりも大きい厚みを有し、幅が１０μｍ〜１００μｍであり、感光性ポリイミドを主成分とする支持層と、前記振動部を覆うように前記支持層の上に設けられ、前記振動部の周囲に中空空間を形成する、合成ゴムと樹脂とを少なくとも含むシート状のカバー層と、前記カバー層の前記支持層とは反対側に設けられ、フラックス耐性を有する樹脂からなる保護層と、前記保護層、前記カバー層及び前記支持層を貫通し、前記パッドに接続されるビア導体と、前記ビア導体の前記保護層側の端部に設けられ、はんだバンプからなる外部電極と、を備えることを特徴としている。
【０００９】
本発明は合成ゴムを含む樹脂からなるシート状のカバー層上に、フラックス耐性を有する樹脂からなる保護層を設けている。フラックスは保護層を透過しないため、フラックスがカバー層側から中空空間の内部に流入しないようにすることができる。また、一般的にフラックスが支持層側から中空空間の内部に流入しないようにするためには、支持層幅を大きくすることが行われる。しかしながら本発明者は、支持層に感光性ポリイミドを使用した場合には、支持層幅が大きいと支持層とカバー層の界面にボイドが発生することを見出した。このボイドが中空空間の封止に悪影響を与えると推測される。本発明では、支持層の幅を１０〜１００μｍとしている。これにより、支持層とカバー層との間に発生するボイドを抑制することができ、中空空間の液密性も向上する。
【００１０】
また、本発明では、前記幅が１０μｍ〜６０μｍであることを特徴としている。
【００１１】
この場合、支持層の断面部分に凹形状が発生しないため、支持層とカバー層との間のボイドをより効果的に抑制することができる。
【００１２】
また、本発明では、前記基板は圧電基板であり、前記振動部はIDT電極を含むことを特徴としている。
【００１３】
この場合、弾性波装置は表面波装置である。
【００１４】
また、本発明では、前記基板は絶縁基板であり、前記振動部は両面に電極が形成された圧電薄膜を含むことを特徴としている。
【００１５】
この場合、弾性波装置は、バルク音響波共振子（Ｂｕｌｋ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ；ＢＡＷ共振子）などのバルク音響波装置である。
【００１６】
また、本発明では、前記保護層は前記支持層と同じ材料からなることを特徴としている。
【００１７】
この場合、保護層と支持層とが同じ材料からなるため、材料の種類を減らすことができ、製造工程を簡略化することができる。
【００１８】
また、本発明では、前記保護層はポリイミド系樹脂からなることを特徴としている。
【００１９】
この場合、はんだバンプと保護層との輝度プロファイルの差が大きくなり、はんだバンプを認識することが容易になる。したがって、弾性波装置の外形を認識する場合よりも、高精度に弾性波装置を実装することができる。
【００２０】
また、本発明では、前記カバー層は非感光性エポキシ樹脂からなることを特徴としている。
【００２１】
この場合、低温硬化プロセスが可能となる。
【００２２】
また、本発明では、前記基板と前記支持層との間の少なくとも一部に介在する窒化膜又は酸化膜をさらに備えたことを特徴としている。
【００２３】
この場合、窒化膜又は酸化膜は圧電基板よりも表面が荒れているため、アンカー効果により密着性が向上する。これにより、中空空間形成後のプロセス過程において、めっき液が中空空間に浸入して特性不良を発生させるような不具合を防止することができる。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に係る弾性波装置では、カバー層上に、フラックス耐性を有する樹脂からなる保護層を設けている。フラックスは保護層を透過しないため、フラックスがカバー層側から中空空間の内部に流入しないようにすることができる。
【００２５】
また、支持層の幅を１０μｍ〜１００μｍとすることにより、支持層とカバー層との間に発生するボイドを抑制することができ、中空空間の液密性も向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】表面波装置の断面図である。（実施形態１）
【図２】表面波装置が実装された電子部品の断面図である。（実施形態１）
【図３】表面波装置の断面図である。（実施形態２）
【図４】バルク音響波装置が実装された電子部品の断面図である。（実施形態３）
【図５】バルク音響波装置の要部断面図である。（実施形態３）
【図６】支持層幅と断面形状の関係を示した図である。（実験例１）
【図７】支持層幅と凹み量の関係を示した図である。（実験例１）
【図８】支持層幅が１０μｍの断面写真である。（実験例１）
【図９】支持層幅が２０μｍの断面写真である。（実験例１）
【図１０】支持層幅が１００μｍの断面写真である。（実験例１）
【図１１】弾性波装置の断面図である。（従来例）
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下において、添付図面を参照しつつ、本発明の好ましい実施の形態を説明する。
（実施形態１）
実施形態１の表面波装置１０と電子部品３０について、図１、２を参照しながら説明する。
【００２８】
図１は表面波装置１０の断面図である。圧電基板１１上に素子部、例えばＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ；弾性表面波）フィルタが形成されている。すなわち、圧電基板１１の一方の主面である上面１１ａには、振動部１４の櫛歯状電極であるＩＤＴ（Ｉｎｔｅｒ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極１２と、パッド１３と、ＩＤＴ電極１２とパッド１３とを接続する配線（図示せず）とを含む導電パターンが形成されている。ＩＤＴ電極１２が形成された振動部１４の周囲には、枠状に支持層２０が形成されている。支持層２０の厚みは、振動部１４のＩＤＴ電極１２等の導電パターンの厚みよりも大きい。支持層２０は、パッド１３上にも形成されている。
【００２９】
支持層２０は感光性ポリイミドを主成分としている。また、支持層２０の幅は１０μｍ〜１００μｍが望ましい。支持層の幅は、枠状に形成された支持層２０の、中空空間１９の内側から外側に達する部分の距離を意味する。例えば、図１のａの部分の距離を意味する。１０μｍ未満の場合には、支持層の強度が不足して、良好な中空空間が作製できない場合がある。また、１００μｍより大きい場合には、支持層の断面形状の凹形状が大きくなり、支持層２０とカバー層との間にボイドが発生し、中空空間の液密性が低下する可能性がある。支持層幅が６０μｍ以下の場合には、支持層２０の断面部分に凹形状が発生しない。したがって、支持層とカバー層との間に発生するボイドを更に抑制することができ、さらに好ましい。
【００３０】
支持層２０の上にはカバー層２２が配置され、圧電基板１１上に形成された振動部１４の周囲は、絶縁部材である支持層２０とカバー層２２とで覆われ、中空空間１９が形成されている。圧電基板１１の上面１１ａのうち中空空間１９内で、弾性表面波が自由に伝搬する。カバー層２２の上には保護層２４が形成されている。
【００３１】
中空空間１９はカバー層２２と保護層２４により封止されている。カバー層２２や保護層２４による封止は必ずしも気密性である必要はなく、液密性が確保されていればよい。中空空間の大きさは、一般的なＳＡＷフィルタの用いられる周波数帯を考慮すれば、１０００×２５０μｍ〜１４００×５００μｍである。
【００３２】
カバー層２２は、合成ゴムと樹脂とフィラーを含んでいる。樹脂の材質は例えば非感光性エポキシ系樹脂のシート材が挙げられる。非感光性エポキシ系樹脂を使用した場合には、樹脂の低温硬化プロセスが可能である。カバー層２２は、合成ゴムの添加により、シート状にしても粘りがあり、亀裂が入りにくくなる。シートとしての強度を維持するため、合成ゴムは１０ｗｔ％以上添加されていることが望ましい。
【００３３】
保護層２４はフラックス耐性を有する樹脂からなる。はんだバンプを形成する際に、フラックスはフラックス耐性を有する樹脂からなる保護層２４を透過しない。したがって、フラックスの中空空間への流入を防ぐことができる。
【００３４】
保護層２４は、支持層２０にカバー層２２を重ねた後に形成することができる。また、カバー層２２になるシート材と保護層２４になるシート材とを予め積層したシート状の複合材を支持層２０上に設けることにより、カバー層２２と保護層２４とを同時に形成しても良い。
【００３５】
保護層２４と支持層２０との材料は異なっても構わないが、同じ材料を用いることができる。かかる場合には、材料の種類が増えないため、製造工程を簡略化することができ、好ましい。
【００３６】
保護層２４、カバー層２２及び支持層２０には、圧電基板１１の上面１１ａに形成されたパッド１３に達するビアホール（貫通孔）１５が形成されている。ビアホール１５には、ビア導体１６としてアンダーバンプメタルが充填されている。そして、アンダーバンプメタル上には、外部に露出するはんだバンプからなる外部電極１８が形成されている。
【００３７】
表面波装置１０を実装する工程においては、表面波装置１０の外形を認識して実装するよりも外部電極１８を認識して実装する方が、実装時の位置精度を向上させることができる。表面波装置１０の外形を認識する場合、実装時の位置精度はダイシング精度に依存するためである。外部電極１８を認識して実装する場合には、保護層２４がポリイミド系樹脂からなることが好ましい。外部電極１８と保護層２４との輝度プロファイルの差が大きくなり、外部電極１８を認識することが容易になるためである。
【００３８】
図２は図１の表面波装置１０が実装された電子部品３０の断面図である。
【００３９】
電子部品３０は、共通基板４０の一方主面である４０ａ側に２つの表面波装置１０が実装されている。すなわち、共通基板４０の上面４０ａに形成されたランド４２と表面波装置１０との間は、外部電極１８を介して電気的に接続されている。表面波装置１０のまわりには樹脂３２が配置され、表面波装置１０は樹脂３２で覆われている。樹脂３２によって中空空間１９の気密が確保される。
【００４０】
共通基板４０の他方主面である下面４０ｂ側には、電子部品３０を他の回路基板等に実装するための外部接続電極４４が露出している。共通基板４０の内部には、ランド４２と外部接続電極４４との間を電気的に接続する基板ビア導体４６や内部配線パターン４８が形成されている。
【００４１】
例えば、共通基板４０はプリント基板である。樹脂３２はラミネートや樹脂モールド工法により、２Ｐａ〜５Ｐａの加圧状態で埋め込むことにより形成される。
【００４２】
例えば電子部品３０はデュプレクサであり、表面波装置１０として送信用と受信用の弾性表面波フィルタ素子を共通基板４０上に並べて搭載する。
（実施形態２）
実施形態２の表面波装置１０ａについて、図３を参照しながら説明する。実施形態２の表面波装置１０ａは、実施例１の表面波装置１０と同じ構成に、以下の構成を追加している。
【００４３】
すなわち、図３の断面図に示すように、圧電基板１１と支持層２０との間に、中間層２６が形成されている。中間層２６は、ＩＤＴ電極１２を含む振動部１４ａ及びパッド１３以外の領域に形成され、振動部１４ａの周囲を囲むように、圧電基板１１と支持層２０との間に介在する。中間層の材質はＳｉＯ2膜やＳｉＮ膜が挙げられる。ＳｉＯ2膜やＳｉＮ膜の中間層２６は、圧電基板１１よりも表面が荒れているため、アンカー効果により密着強度が向上する。これらの膜は、スパッタ法やＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で成膜することができる。
【００４４】
圧電基板１１と支持層２０との間に中間層２６を設けることで、中空空間１９について液密性をより確保することができる。これにより、中空空間形成後の工程において、例えばビアホールにめっきで電極を充填する工程において、めっき液が中空空間１９に浸入して特性不良を発生させるような不具合を防止することができる。
【００４５】
パッド１３の周囲において支持層２０の一部は圧電基板１１上に形成されていてもよい。この場合、支持層２０の他の部分と圧電基板１１との間には中間層２６が介在し、パッド１３よりもＩＤＴ電極１２側において、圧電基板１１と支持層２０との間に介在する中間層２６が振動部１４ａの周囲を囲むように形成されている。
（実施形態３）
実施形態３の電子部品３０ｘについて、図４及び図５を参照しながら説明する。以下では、実施形態１との相違点を中心に説明し、同じ構成部分には同じ符号を用いる。
【００４６】
図４は電子部品３０ｘの断面図である。電子部品３０ｘは実施形態１とは異なり、表面波装置１０とバルク音響波装置１０ｘとが実装されている。すなわち、共通基板４０の上面４０ａに形成されたランド４２と表面波装置１０及びバルク音響波装置１０ｘとの間は、外部電極１８を介して電気的に接続されている。表面波装置１０及びバルク音響波装置１０ｘのまわりには樹脂３２が配置され、表面波装置１０及びバルク音響波装置１０ｘは樹脂３２で覆われている。共通基板４０の他方主面である下面４０ｂ側には、電子部品３０ｘを他の回路基板等に実装するための外部接続電極４４が露出している。共通基板４０の内部には、ランド４２と外部接続電極４４との間を電気的に接続する基板ビア導体４６や内部電極パターン４８が形成されている。
【００４７】
例えば電子部品３０ｘはデュプレクサであり、表面波装置１０は弾性表面波フィルタ素子であり、バルク音響波装置１０ｘはバルク音響波フィルタ素子である。一方は送信用であり、他方は受信用である。
【００４８】
バルク音響波装置１０ｘは、Ｓｉ等の絶縁基板１１ｘに振動部１４ｘが形成されている以外は、実施例１の表面波装置１０と略同様に構成されている。バルク音響波装置１０ｘは、表面波装置１０と同様のパッケージ構造を有している。バルク音響波装置１０ｘは、基板１１ｘの一方主面側に振動部１４ｘが形成され、振動部１４ｘの周囲に枠状に支持層２０が形成されている。
【００４９】
支持層２０の厚みは、振動部１４ｘの厚みよりも大きい。支持層２０は、パッド１３上にも形成されている。支持層２０の上にはカバー層２２が配置され、振動部１４ｘの周囲は、絶縁部材である支持層２０とカバー層２２とで覆われ、中空空間１９が形成される。カバー層２２の上には保護層２４が形成されている。保護層２４、カバー層２２及び支持層２０には、パッド１３に達するビアホール（貫通孔）１５が形成されている。ビアホール１５には、ビア導体１６として、アンダーバンプメタルが充填され、アンダーバンプメタル上には、外部に露出する外部電極１８が形成されている。
【００５０】
このようなパッケージ構造は、実施形態３のＳＭＲ（Ｓｏｌｉｄｌｙ  Ｍｏｕｎｔｅｄ  Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）型のバルク音響波装置に限らず、基板に形成された空洞の上に振動部が配置されるタイプや、犠牲層を除去する等により振動部が基板から浮いた状態で支持されるタイプのバルク音響波装置にも適用することができる。
【００５１】
図５にバルク音響波装置の要部断面図を示す。実施形態３のバルク音響波装置は、実施形態１の表面波装置と異なり、上部電極１２ａと下部電極１２ｂとの間に圧電薄膜１２ｓが挟まれた振動部１４ｘを備える。振動部１４ｘは、音響反射器１７を介して、絶縁基板１１ｘから音響的に分離されている。
【００５２】
音響反射器１７は、絶縁基板１１ｘ上に、音響インピーダンスが相対的に低い低音響インピーダンス層１７ｓと、音響インピーダンスが相対的に高い高音響インピーダンス層１７ｔとが交互に積層されている。上部電極１２ａ及び下部電極１２ｂは、パッド１３（図５には図示せず）に電気的に接続されている。
【００５３】
なお、パッド１３は、絶縁基板１１ｘの主面上に直接形成されても、他の層（例えば低音響インピーダンス層１７ｓ）を介して絶縁基板１１ｘの主面上に形成されてもよい。
（実験例）
（実験例１）
実施形態１の表面波装置を以下のように作製した。
【００５４】
圧電基板の一方の主面上に、ＩＤＴ電極とパッドと、ＩＤＴ電極とパッドとの間を接続する配線とを含む導電パターンを形成した後、ＩＤＴ電極が形成された振動部の周囲に支持層を形成した。支持層には感光性ポリイミド系樹脂を圧電基板の一方の主面全体に塗布した後、振動部の周囲をフォトリソグラフィ技術により開口（除去）した。
【００５５】
次いで、カバー層になるシート材と保護層になるシート材とを予め積層したシート状の複合材をラミネートにより支持層上に設けることにより、カバー層と保護層とを同時に形成した。カバー層には低温硬化プロセスが可能となる非感光性エポキシ系フィルムを用いた。また、保護層にはポリイミド系樹脂を用いた。支持層の高さは１４μｍ、カバー層の厚みは１２．５μｍ、保護層の厚みは１７．５μｍとした。
【００５６】
支持層形成後に、感光後の支持層の断面形状を触針式の表面形状測定器で測定した。図６に、支持層幅を変えた場合の各支持層幅での断面形状を示す。図中の数字は支持層幅を示す。支持層幅が４０μｍ以下の場合には、断面形状は中心部が大きくなる凸形状になることが分かる。また、支持層幅が５０μｍから７０μｍの場合には、断面形状はW型の形状になっている。支持層幅が大きくなるにつれて、支持層の中心部は小さくなり、端部は大きくなる。支持層幅が８０μｍ以上の場合には、断面形状は凹形状となることが分かる。
【００５７】
次に、図６の支持層の断面形状から、支持層の中心部の高さと端部の高さを求めた。そして、凹み量を  凹み量＝端部の支持層高さ−中心部の支持層高さ  で定義した。図７に支持層幅とそれらの値との関係を示す。なお、端部の高さは支持層幅５０μｍ以上で算出した。
【００５８】
支持層幅が６０μｍまでは、支持層の中心部の方が端部よりも高く、凹み量は０以下である。７０μｍ以上になると、中心部の方が端部よりも低くなり、凹み量は正になる。７０μｍ〜２２０μｍでは、支持層幅の増加に伴い、凹み量も増加する。支持層幅２７０μｍでは、凹み量は支持層幅２２０μｍと変わらず、凹み量は１μｍ弱となる。凹み量が正となる７０μｍ以上では、カバー層との接着部分に空洞ができやすくなり、ボイドも発生しやすくなると推測される。したがって支持層幅としては、凹み量が０以下である６０μｍ以下がより好ましい。
【００５９】
図８、図９、図１０に、支持層幅を１０μｍ、２０μｍ、１００μｍとした場合の、カバー層と保護層のラミネート後の外観写真を示す。図８は支持層幅（（Ａ）と（Ｂ）の間や（Ｂ）と（Ｃ）の間、以下同じ）が１０μｍ、図９は支持層幅が２０μｍ、図１０は支持層幅が１００μｍの場合の写真である。ボイドは図中の黒丸部分である。
【００６０】
図中の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）の淡色部分は中空空間を示しており、濃色部分は支持層を示している。図８、図９、図１０の（Ａ）と（Ｂ）の間、（Ｂ）と（Ｃ）の間にはボイドが発生していないことが分かる。しかし、図１０の（Ｃ）と（Ｄ）の間のように支持層幅が２５０μｍ以上になると、ボイドが発生している。
（実験例２）
実験例１で形成した中空空間について、中空空間の大きさと中空空間の潰れの有無との関係を調査した。
【００６１】
中空空間が１０００×２５０μｍ〜１０００×５００μｍのサイズにおける、支持層幅と中空空間の潰れの有無の関係について調査した。支持層幅が１０μｍ〜１００μｍの範囲では、中空空間が良好に形成されることが分かった。
【００６２】
また、支持層幅が３０μｍにおいて、中空空間を１０００×３００μｍ〜１４００×５００μｍのサイズとした場合には、いずれも中空空間の潰れは発生せず、良好な中空空間を形成することができた。なお、中空空間が１４００×５００μｍのサイズで支持層の高さを変えた場合には、支持層の高さが１１μｍ〜１７μｍで良好な中空空間が得られた。支持層が９μｍの場合には、中空空間の高さが確保できず、中空空間が潰れてしまう結果となった。
【符号の説明】
【００６３】
１０，１０ａ：表面波装置
１０ｘ：バルク音響波装置
１１：圧電基板
１１ｘ：絶縁基板
１２：IDT電極
１２ａ：上部電極
１２ｂ：下部電極
１２ｓ：圧電薄膜
１３：パッド
１４，１４ａ，１４ｘ：振動部
１５：ビアホール
１６：ビア導体
１７：音響反射器
１７ｓ：低音響インピーダンス層
１７ｔ：高音響インピーダンス層
１８：外部電極
１９：中空空間
２０：支持層
２２：カバー層
２４：保護層
２６：中間層
３０，３０ｘ：電子部品
３２：樹脂
４０：共通基板
４２：ランド
４４：外部接続電極
４６：基板ビア導体
４８：内部配線パターン
１１０：弾性波装置
１１１：圧電基板
１１２：IDT電極
１１３：パッド
１１４：ビア導体
１１５：カバー層
１１６：支持層
１１７：外部電極
１１８：配線ライン
１１９：中空空間
【図１】
2010278972.tif 000003
【図２】
2010278972.tif 000004
【図３】
2010278972.tif 000005
【図４】
2010278972.tif 000006
【図５】
2010278972.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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