(57)【要約】【課題】透過率が低下するのを抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。【解決手段】この液晶表示装置１００は、透過領域１１ａおよび反射領域１１ｂを有する画素１１が設けられるとともに、液晶５０を挟むように配置された基板２０および基板４０と、基板２０の透過領域１１ａに設けられ、液晶５０に映像信号を印加するための透過表示用画素電極１４ａおよび液晶５０に透過表示用共通電位信号を印加するための透過表示用共通電極１５ａと、透過表示用画素電極１４ａへの映像信号の供給を制御する透過表示用画素トランジスタ１２ａおよび１３ａとを備え、透過表示用画素トランジスタ１２ａおよび１３ａは、平面的に見て、反射領域１１ｂに配置されている。【選択図】図３
2010197782.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透過領域および反射領域を有する画素が設けられるとともに、液晶を挟むように配置された一方基板および他方基板と、
前記一方基板の透過領域に設けられ、前記液晶に映像信号を印加するための透過表示用画素電極および前記液晶に透過表示用共通電位信号を印加するための透過表示用共通電極と、
前記一方基板の反射領域に設けられ、前記液晶に前記映像信号を印加するための反射表示用画素電極と、前記他方基板の反射領域に設けられ、前記液晶に反射表示用共通電位信号を印加するための反射表示用共通電極と、
前記一方基板の反射領域に設けられ、前記他方基板側から前記一方基板側に照射される光を反射させるための反射膜と、
前記透過表示用画素電極への映像信号の供給を制御する透過表示用画素トランジスタとを備え、
前記透過表示用画素トランジスタの少なくとも一部は、平面的に見て、前記反射領域内に配置されている、液晶表示装置。
【請求項２】
前記透過表示用画素トランジスタのソースと前記透過表示用画素電極とを電気的に接続する接続配線とをさらに備え、
前記透過表示用画素トランジスタのソース、ドレインおよびゲートと、前記接続配線の一部とが、前記反射膜により覆われるように構成されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記接続配線は、前記透過表示用画素トランジスタのソースから前記透過領域にまで延びるように形成されている、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記接続配線と、前記透過表示用画素電極とを電気的に接続するために前記透過領域に形成された接続部をさらに備え、
前記接続部は、前記透過領域と前記反射領域との境界近傍に形成されている、請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記反射表示用画素電極への前記映像信号の供給を制御するための反射表示用画素トランジスタと、
前記透過表示用画素トランジスタおよび前記反射表示用画素トランジスタのゲートにそれぞれ接続されるとともに、前記反射領域に設けられたゲート線とを備え、
前記ゲート線は、各々の前記画素の反射領域にわたって延びるように形成されている、請求項２〜４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記反射表示用共通電位信号と前記透過表示用共通電位信号とは、異なる信号である、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記透過表示用画素トランジスタは、前記反射領域と前記透過領域との境界の前記反射領域側の端部近傍に配置されている、請求項１〜６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の液晶表示装置を備えた、電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置および電子機器に関し、特に、透過領域および反射領域を有する画素を備えた液晶表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、透過領域および反射領域を有する画素を備えた液晶表示装置が開示されている（たとえば、特許文献１）。
【０００３】
上記特許文献１には、液晶を挟むように配置された一対の基板と、基板上に配置されるとともに透過領域および反射領域を有する半透過型の画素を複数備えた液晶表示装置が開示されている。上記特許文献１に開示された液晶表示装置において、透過領域には、透過表示用の画素電極および共通電極が形成されているとともに、反射領域には、反射表示用の画素電極および共通電極が形成されている。そして、透過表示用の画素電極は、透過領域に形成されたＴＦＴ（画素トランジスタ）を介してドレイン配線（信号線）と電気的に接続されているとともに、反射表示用の画素電極は、反射領域に形成されたＴＦＴを介してドレイン配線と電気的に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２９２６１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記特許文献１に開示された液晶表示装置では、透過領域内にＴＦＴ（画素トランジスタ）が配置されているため、ＴＦＴによりバックライトから照射された光が遮光されるという不都合がある。このため、ＴＦＴにより光が遮光された分、透過率が低下するという問題点がある。
【０００６】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、透過率が低下するのを抑制することが可能な液晶表示装置および電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００７】
この発明の第１の局面による液晶表示装置は、透過領域および反射領域を有する画素が設けられるとともに、液晶を挟むように配置された一方基板および他方基板と、一方基板の透過領域に設けられ、液晶に映像信号を印加するための透過表示用画素電極および液晶に透過表示用共通電位信号を印加するための透過表示用共通電極と、一方基板の反射領域に設けられ、液晶に映像信号を印加するための反射表示用画素電極と、他方基板の反射領域に設けられ、液晶に反射表示用共通電位信号を印加するための反射表示用共通電極と、一方基板の反射領域に設けられ、他方基板側から一方基板側に照射される光を反射させるための反射膜と、透過表示用画素電極への映像信号の供給を制御する透過表示用画素トランジスタとを備え、透過表示用画素トランジスタの少なくとも一部は、平面的に見て、反射領域内に配置されている。
【０００８】
上記第１の局面による液晶表示装置では、上記のように、透過表示用画素トランジスタの少なくとも一部を反射領域内に配置することによって、透過領域に透過表示用画素トランジスタの全てが配置される場合と異なり、透過表示用画素トランジスタによってバックライトからの光が遮光される量が多くなるのを抑制することができる。これにより、透過領域における透過率が低下するのを抑制することができる。
【０００９】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、透過表示用画素トランジスタのソースと透過表示用画素電極とを電気的に接続する接続配線とをさらに備え、透過表示用画素トランジスタのソース、ドレインおよびゲートと、接続配線の一部とが、反射膜により覆われるように構成されている。このように構成すれば、透過表示用画素トランジスタのソース、ドレインおよびゲートの全域と、接続配線の一部とが反射膜により覆われる分、透過領域の透過率の低下を抑制することができる。
【００１０】
この場合、好ましくは、接続配線は、透過表示用画素トランジスタのソースから透過領域にまで延びるように形成されている。このように構成すれば、反射領域に設けられた透過表示用画素トランジスタと透過領域に設けられた透過表示用画素電極とを容易に接続させることができる。
【００１１】
上記接続配線が透過領域にまで延びるように形成する構成において、好ましくは、接続配線と、透過表示用画素電極とを電気的に接続するために透過領域に形成された接続部をさらに備え、接続部は、透過領域と反射領域との境界近傍に形成されている。このように構成すれば、透過表示用画素電極と接続配線との接続部分である接続部が透過領域内のより反射領域に近い位置に形成されるので、接続部を透過領域および反射領域の境界近傍以外に形成する場合に比べて、接続配線の反射領域から透過領域へ渡って形成される部分の平面的に見た長さを小さくすることができる。したがって、その分、接続配線の配線抵抗が増加するのを抑制することができる。
【００１２】
上記透過表示用画素トランジスタと接続配線の一部とが反射膜に覆われる構成において、好ましくは、反射表示用画素電極への映像信号の供給を制御するための反射表示用画素トランジスタと、透過表示用画素トランジスタおよび反射表示用画素トランジスタのゲートにそれぞれ接続されるとともに、反射領域に設けられたゲート線とを備え、ゲート線は、各々の画素の反射領域にわたって延びるように形成されている。このように構成すれば、たとえば、ゲート線が透過領域と反射領域との境界に沿って形成される場合と異なり、ゲート線の全域が反射領域内に形成されるので、その分、透過領域の透過率を向上させることができる。
【００１３】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、反射表示用共通電位信号と透過表示用共通電位信号とは、異なる信号である。このように構成すれば、たとえば、透過表示用共通電位信号と反射表示用共通電位信号とを互いに逆相の信号にしてそれぞれ供給した場合には、透過領域を横電界型の駆動方式にするとともに反射領域を縦電界型の駆動方式にした際に、透過領域と反射領域とにおいて異なる方向にラビング処理を行う工程、または、透過領域と反射領域とにおいて異なる位相差になるように構成させることなく、容易に透過領域および反射領域において同一の黒表示および白表示を行うことができる。
【００１４】
上記第１の局面による液晶表示装置において、好ましくは、透過表示用画素トランジスタは、反射領域と透過領域との境界の反射領域側の端部近傍に配置されている。このように構成すれば、透過表示用画素トランジスタを透過領域および反射領域の境界のより近傍に配置する分、透過表示用画素トランジスタと透過領域内の透過表示用画素電極との距離を短くすることができるので、透過表示用画素トランジスタと透過表示用画素電極とを接続するための配線をより短くすることができる。これにより、透過表示用画素トランジスタと透過表示用画素電極とを接続する配線の配線抵抗をより小さくすることができる。
【００１５】
この発明の第２の局面による電子機器は、上記した構成を有する液晶表示装置を備える。このように構成すれば、透過率が低下するのを抑制することが可能な液晶表示装置を含む電子機器を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置の全体構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の一実施形態による液晶表示装置の画素の構成について説明するための等価回路図である。
【図３】本発明の一実施形態による液晶表示装置の画素の構成について説明するための平面図である。
【図４】本発明の一実施形態による液晶表示装置の画素の構成について説明するための拡大平面図である。
【図５】図４の１５０−１５０線に沿った断面図である。
【図６】本発明の一実施形態による液晶表示装置を備えた電子機器について説明するための斜視図である。
【図７】本発明の一実施形態による液晶表示装置を備えた電子機器について説明するための斜視図である。
【図８】本発明の一実施形態による液晶表示装置を備えた電子機器について説明するための斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１８】
図１〜図５を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置１００の構成について説明する。
【００１９】
本発明の一実施形態による液晶表示装置１００は、図１に示すように、表示部１と、駆動ＩＣ２と、Ｖドライバ３と、Ｈドライバ４と、バックライト５と、透過ＣＯＭ６と、反射ＣＯＭ７とを備えている。
【００２０】
液晶表示装置１００は半透過型の液晶表示装置として構成されており、図１および図２に示すように、表示部１には、透過領域１１ａおよび反射領域１１ｂを含む複数の画素１１がマトリクス状に配置されている。駆動ＩＣ２は、液晶表示装置１００全体を駆動するための機能を有するとともに、後述する液晶５０に印加される電位差を制御する機能を有する。Ｖドライバ３およびＨドライバ４には、それぞれ、互いに直交するように配置された複数のゲート線３ａおよび信号線４ａが接続されている。Ｖドライバ３は、ゲート線３ａの駆動回路としての機能を有する。また、Ｈドライバ４は、駆動ＩＣ２から供給される信号（映像信号）を時分割するとともに、分割された信号を複数の信号線４ａのうちから対応する信号線４ａにそれぞれ出力する機能を有する。
【００２１】
また、バックライト５は、画素１１の透過領域１１ａの光源として構成されている。透過ＣＯＭ６は、画素１１の透過領域１１ａに配置された後述する透過表示用共通電極１５ａの電位を制御するための機能を有する。反射ＣＯＭ７は、画素１１の反射領域１１ｂに配置された後述する反射表示用共通電極１５ｂの電位を制御する機能を有する。
【００２２】
各々の画素１１における透過領域１１ａは、バックライト５からの光を透過させるとともにその透過光により画像を表示させるように構成されている。また、反射領域１１ｂは、外部から入射した光を反射させるとともにその反射光により画像を表示させるように構成されている。
【００２３】
透過領域１１ａは、図２に示すように、ｎ型からなるとともに、２つの画素トランジスタ（ＴＦＴ）１２ａおよび１３ａと、透過表示用画素電極１４ａおよび透過表示用共通電極１５ａとを備えている。画素トランジスタ１２ａのドレイン領域（ソース）Ｄは信号線４ａに接続されているとともに、ソース領域（ドレイン）Ｓは隣接する画素トランジスタ１３ａのドレイン領域（ソース）Ｄに接続されている。画素トランジスタ１３ａのソース領域（ドレイン）Ｓは、接続配線２８ａを介して透過表示用画素電極１４ａに接続されている。画素トランジスタ１２ａおよび１３ａのそれぞれのゲートＧは、ゲート線３ａに接続されているとともに、透過表示用共通電極１５ａは、透過ＣＯＭ６に接続されている。なお、保持容量１６ａは、透過表示用画素電極１４ａおよび透過表示用共通電極１５ａを絶縁膜３２を介して積層させることによって形成される。また、画素トランジスタ１２ａおよび１３ａは、それぞれ、本発明の「透過表示用画素トランジスタ」の一例である。
【００２４】
反射領域１１ｂにおいても、透過領域１１ａと同様に、ｎ型からなる２つの画素トランジスタ（ＴＦＴ）１２ｂおよび１３ｂと、反射表示用画素電極１４ｂと、反射表示用共通電極１５ｂと、保持容量１６ｂとにより構成されている。画素トランジスタ１２ｂのドレイン領域Ｄは、信号線４ａに接続されているとともに、ソース領域Ｓは、画素トランジスタ１３ｂのドレイン領域Ｄに接続されている。画素トランジスタ１３ｂのソース領域Ｓは、接続配線２８ａを介して反射表示用画素電極１４ｂと、保持容量１６ｂの一方の電極とに接続されている。また、画素トランジスタ１２ｂおよび１３ｂのそれぞれのゲートＧはゲート線３ａに接続されているとともに、反射表示用共通電極１５ｂと保持容量１６ｂの他方の電極とは反射ＣＯＭ７（図１参照）に接続されている。なお、図２は、図面の簡素化のために１画素分の画素１１を図示している。また、画素トランジスタ１２ｂおよび１３ｂは、それぞれ、「反射表示用画素トランジスタ」の一例である。
【００２５】
次に、画素１１の詳細な構造について説明する。図３、図４および図５（図４の１５０−１５０線に沿った断面図）に示すように、各々の画素１１は、透過領域１１ａと反射領域１１ｂとにより構成されている。図５に示すように、画素１１は、互いに対向するように配置された一対の基板２０および４０を備えているとともに、基板２０と基板４０との間に液晶５０が封入されている。基板２０および基板４０は、たとえば、ガラス基板などにより形成されている。なお、基板２０および４０は、それぞれ、本発明における「一方基板」および「他方基板」の一例である。基板２０と基板４０との間には、スペーサ６０が設けられているとともに、このスペーサ６０により、セルギャップが調整される。なお、本実施形態では、後述のトップコート層４４により、反射領域１１ｂにおける液晶５０の厚み（セルギャップ）ｔ２は、透過領域１１ａにおける液晶５０の厚み（セルギャップ）ｔ１の約１／２倍になるように構成され、反射領域１１ｂと透過領域１１ａにおいて液晶５０を通過する光の光路長がほぼ同一となるようにしている。
【００２６】
基板２０の表面上には、ＳｉＯ２膜、ＳｉＮ膜などからなるバッファ層２１が形成されている。バッファ層２１の表面上には、低温ポリシリコンからなる半導体層２２ａおよび２２ｂが形成されている。半導体層２２ａおよび２２ｂは、それぞれ、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）からなる画素トランジスタ１２ａおよび１３ａと、画素トランジスタ１２ｂおよび１３ｂとの能動層としての機能を有する。また、半導体層２２ａおよび２２ｂ上には、絶縁膜２３が形成されている。絶縁膜２３は、画素トランジスタ１２ａおよび１３ａと、画素トランジスタ１２ｂおよび１３ｂとのゲート絶縁膜としての機能を有する。また、半導体層２２ａおよび２２ｂ上には、それぞれ、絶縁膜２３を介して、ゲート電極２４ａ、２４ｂ、２４ｃおよび２４ｄが形成されている。また、図４に示すように、ゲート電極２４ａ〜２４ｄは、平面的に見て、ゲート線３ａから突出するように設けられている。なお、ゲート電極２４ａ、２４ｂ、２４ｃ、２４ｄおよびゲート線３ａは、たとえば、アルミニウム、モリブデンまたはチタンなどの金属で構成されている。
【００２７】
そして、透過表示用画素電極１４ａへの映像信号の供給を制御するための画素トランジスタ１２ａおよび１３ａが、半導体層２２ａ、絶縁膜２３およびゲート電極２４ｂからなる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により構成されている。
【００２８】
ここで、本実施形態では、図４および図５に示すように、透過表示用画素電極１４ａへの映像信号の供給を制御する画素トランジスタ１２ａおよび１３ａは、反射領域１１ｂに形成されている。具体的には、ダブルゲート構造を構成する画素トランジスタ１２ａおよび１３ａのゲート電極２４ａおよび２４ｂに加えて、各々のソース領域およびドレイン領域も反射領域１１ｂに形成されている。また、画素トランジスタ１２ａおよび１３ａは、平面的に見て、反射領域１１ｂのうち、透過領域１１ａと反射領域１１ｂとの境界近傍に配置されている。
【００２９】
また、本実施形態では、画素トランジスタ１２ａおよび１３ａに加えて、ゲート線３ａも反射領域１１ｂに形成されている。ゲート線３ａは、図３に示すように、各々の画素１１の反射領域１１ｂにわたって延びるように形成されている。
【００３０】
また、反射領域１１ｂにおいて、半導体層２２ｂ、絶縁膜２３およびゲート電極２４ｃにより、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）からなる画素トランジスタ１２ｂが構成されているとともに、半導体層２２ｂ、絶縁膜２３およびゲート電極２４ｄにより、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）からなる画素トランジスタ１３ｂが構成されている。
【００３１】
また、絶縁膜２３上には、金属製の保持容量配線２５が形成されているとともに、保持容量配線２５は、絶縁膜２３を介して、半導体層２２ｂの一部に対向して配置されている。これにより、半導体層２２ｂおよび保持容量配線２５により保持容量１６ｂが構成されている。透過領域１１ａ内における絶縁膜２３上には、透過表示用共通電極１５ａに透過ＣＯＭ６から出力される共通電位信号を供給するための共通電極配線２６が形成されている。共通電極配線２６は、ゲート線３ａが延びる方向に沿って延びるように形成されているとともに、ゲート電極２４ａ〜２４ｄ、ゲート線３ａおよび保持容量配線２５と、同一の導電膜をパターニングすることにより形成されている。
【００３２】
図５に示すように、絶縁膜２３、ゲート電極２４ａ〜２４ｄ、ゲート線３ａ、保持容量配線２５および共通電極配線２６を覆うように、層間絶縁膜２７が形成されている。層間絶縁膜２７には、それぞれ、コンタクトホール２７ａ、２７ｂ、２７ｃおよび２７ｄが形成されている。層間絶縁膜２７の表面上には、接続部としてのコンタクトホール２７ａを介して半導体層２２ａ（画素トランジスタ１３ａのソース領域）に電気的に接続される接続配線２８ａと、コンタクトホール２７ｂを介して半導体層２２ｂ（画素トランジスタ１３ｂのソース領域）に電気的に接続される接続配線２８ｂと、コンタクトホール２７ｃおよび２７ｄを介して半導体層２２ｂ（画素トランジスタ１２ａおよび１２ｂのドレイン領域）に電気的に接続される信号線４ａとが形成されている。接続配線２８ａ〜２８ｂは、信号線４と、同一の導電膜をパターニングすることにより形成されている。
【００３３】
ここで、本実施形態では、接続配線２８ａは、反射領域１１ｂに設けられた画素トランジスタ１３ａのソース領域から透過領域１１ａに設けられた透過表示用画素電極１４ａにまで延びるように形成されている。そして、接続配線２８ａは、後述するコンタクトホール３０ａおよび３１ａを介して透過表示用画素電極１４ａと電気的に接続されている。これにより、画素トランジスタ１２ａおよび１３ａの全域と、画素トランジスタ１３ａに接続された接続配線２８ａの反射領域１１ｂに配置された部分とまでが、後述する反射膜３３により覆われるように構成されている。
【００３４】
また、層間絶縁膜２７には、共通電極配線２６にまで達するコンタクトホール２７ｅ（図４参照）が形成されているとともに、コンタクトホール２７ｅを介して共通電極配線２６と透過表示用共通電極１５ａとが電気的に接続される。
【００３５】
また、接続配線２８ａおよび２８ｂと信号線４ａとの表面上には、ＳｉＮ膜などからなるパッシベーション層３０が形成されているとともに、パッシベーション層３０上には、絶縁層３１が形成されている。そして、透過領域１１ａにおける絶縁層３１の表面上には、透過表示用共通電極１５ａが形成されている。また、透過領域１１ａにおいて、パッシベーション層３０および絶縁層３１上に、コンタクトホール３０ａおよび３１ａが形成されているとともに、透過表示用共通電極１５ａ、コンタクトホール３０ａおよび３１ａの表面上を覆うように、絶縁膜３２が形成されている。そして、絶縁層３２の表面上には透過表示用共通電極１５ａに対向する位置に透過表示用画素電極１４ａが形成されている。この透過表示用画素電極１４ａは、コンタクトホール３１ａを介して接続配線２８ａに電気的に接続されている。また、透過表示用画素電極１４ａには、複数のスリット１４ｃが設けられている。
【００３６】
ここで、本実施形態では、透過表示用画素電極１４ａと接続配線２８ａとを電気的に接続するためのコンタクトホール３０ａおよび３１ａは、透過領域１１ａ内のうち、透過領域１１ａと反射領域１１ｂとの境界近傍に形成されている。
【００３７】
また、反射領域１１ｂにおいても同様に、パッシベーション層３０および絶縁層３１上に、コンタクトホール３０ｂおよび３１ｂが形成されている。絶縁層３１およびコンタクトホール３１ｂの表面上には絶縁層３２が形成されているとともに、絶縁層３２の表面上には反射膜３３が形成されている。ここで、反射膜３３は、画素トランジスタ１２ａおよび１３ａのソースＳ、ドレインＤおよびゲートＧを覆う位置まで、透過領域に近づく方向に延びるように形成されている。そして、反射膜３３の表面上およびコンタクトホール３０ｂに沿って、接続配線２８ｂに電気的に接続されるように反射表示用画素電極１４ｂが形成されている。なお、透過表示用画素電極１４ａ、透過表示用共通電極１５ａおよび反射表示用画素電極１４ｂは、たとえば、ＩＴＯなどの透明導電材料により形成されている。そして、絶縁層３２、透過表示用画素電極１４ａおよび反射表示用画素電極１４ｂの表面上には、配向膜（図示せず）が形成されている。
【００３８】
また、基板４０側には、遮光膜４１（ブラックマトリクス）が形成されているとともに、遮光膜４１を挟むように、透過領域１１ａおよび反射領域１１ｂのそれぞれに、透過表示用カラーフィルタ４２ａおよび反射表示用カラーフィルタ４２ｂが形成されている。また、遮光膜４１、透過表示用カラーフィルタ４２ａおよび反射表示用カラーフィルタ４２ｂを覆うように、オーバーコート層４３が形成されている。また、反射領域１１ｂにおいて、オーバーコート層４３を覆うようにトップコート層４４が形成されているとともに、トップコート層４４の表面上には反射表示用共通電極１５ｂが形成されている。そして、オーバーコート層４３、トップコート層４４および反射表示用共通電極１５ｂを覆うように配向膜（図示せず）形成されている。トップコート層４４の端部の光漏れの抑制と、後述の透過表示用共通電極１５ａおよび反射表示用共通電極１５ｂに異なる電位が供給されるため、透過表示用画素電極１４ａと反射表示用共通電極１５ｂとの電界に起因する光漏れを抑制するため、遮光膜４１は、トップコート層４４の端部および透過表示用画素電極１４ａの端部近傍に配置される。
【００３９】
また、基板２０および基板４０における液晶５０が充填されている側とは反対の面には、それぞれ、位相差板７０ａおよび７０ｂが形成されている。また、位相差板７０ａおよび７０ｂを覆うように、それぞれ、偏光板７１ａおよび７１ｂが形成されている。
【００４０】
ここで、透過領域１１ａの画素１１は、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ−Ｆｉｅｌｄ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式による横電界型の駆動方式により構成されているとともに、反射領域１１ｂの画素１１は、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ−Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ−Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）方式による縦電界型の駆動方式により構成されている。なお、ＦＦＳ方式とは、一方の基板（基板２０）に透過表示用画素電極１４ａおよび透過表示用共通電極１５ａが絶縁膜３２を介して互いに対向するように配置されるとともに、画素電極および共通電極間に発生する横方向（基板に略平行な方向）の電界により液晶５０を駆動する構成である。また、ＥＣＢ方式とは、互いに対向する基板２０および４０に、それぞれ、反射表示用画素電極１４ｂおよび反射表示用共通電極１５ｂが配置されるとともに、反射表示用画素電極１４ｂおよび反射表示用共通電極１５ｂ間に発生する縦方向（基板に直交する方向）電界により液晶５０を駆動する構成である。透過表示用画素電極１４ａおよび反射表示用画素電極１４ｂには、同じ映像信号が供給されるが、透過表示用共通電極１５ａおよび反射表示用共通電極１５ｂは、それぞれ、異なる透過表示用共通電位信号および反射表示用共通電位信号が供給される。たとえば、透過表示用共通電極１５ａには、反射表示用共通電極１５ｂと逆相の信号が供給される。これにより、透過領域１１ａがＦＦＳ方式と反射領域１１ｂがＥＣＢの駆動方式において、異なる方向のラビング処理あるいは位相差を異なるようにする処理を行わなくても、容易に透過領域１１ａおよび反射領域１１ｂにおいて同一の黒表示および白表示を行うことが可能となる。
【００４１】
本実施形態では、上記のように、画素トランジスタ１２ａおよび１３ａのソースＳ、ドレインＤおよびゲートＧを反射領域１１ｂ内に配置することによって、透過領域１１ａに画素トランジスタ１２ａおよび１３ａが配置される場合と異なり、バックライト５からの光が遮光される量が多くなるのを抑制することができる。これにより、透過領域１１ａにおける透過率が低下するのを抑制することができる。
【００４２】
また、本実施形態では、画素トランジスタ１２ａおよび１３ａのソースＳ、ドレインＤおよびゲートＧに加えて、画素トランジスタ１３ａに接続された接続配線２８ａの一部を、反射膜３３により覆われるように構成することによって、画素トランジスタ１２ａおよび１３ａの全域と、接続配線２８ａの一部とが反射膜３３により覆われる分、確実に透過領域１１ａの透過率の低下を抑制することができる。
【００４３】
また、本実施形態では、接続配線２８ａを、反射領域１１ｂに設けられた画素トランジスタ１３ａのソースＳから透過領域１１ａに形成された透過表示用画素電極１４ａにまで延びるように形成することによって、反射領域１１ｂに設けられた画素トランジスタ１３ａと透過領域１１ａに設けられた透過表示用画素電極１４ａとを容易に接続させることができる。
【００４４】
また、本実施形態では、コンタクトホール３０ａおよび３１ａを、透過領域１１ａ内のうち透過領域１１ａと反射領域１１ｂとの境界近傍に形成することによって、透過表示用画素電極１４ａと接続配線２８ａとの接続部分であるコンタクトホール３０ａおよび３１ａが透過領域１１ａ内のより反射領域１１ｂに近い位置に形成されるので、コンタクトホール３０ａおよび３１ａを透過領域１１ａおよび反射領域１１ｂの境界近傍以外に形成する場合に比べて、接続配線２８ａの反射領域１１ｂから透過領域１１ａへ渡って形成される部分の平面的に見た長さを小さくすることができる。したがって、その分、接続配線２８ａの配線抵抗が増加するのを抑制することができる。
【００４５】
また、本実施形態では、反射領域１１ｂの反射膜３３を、画素トランジスタ１２ａおよび１３ａのソースＳ、ドレインＤおよびＧを覆う位置まで、透過領域１１ａに近づく方向に延びるように形成することによって、反射膜３３により画素トランジスタ１２ａおよび１３ａの全域を容易に反射領域１１ｂに形成することができる。
【００４６】
また、本実施形態では、画素トランジスタ１２ａおよび１３ａを、２つのゲートを有するダブルゲート構造により構成するとともに、これら２つのゲートを共に反射領域１１ｂ内に形成することによって、画素トランジスタ１２ａおよび１３ａの２つのゲートが共に反射領域１１ｂ内に形成されるので、画素トランジスタ１２ａおよび１３ａをダブルゲート構造にした場合においてもゲートが透過領域１１ａにまで延びて形成されるのを確実に抑制することができる。
【００４７】
また、本実施形態では、ゲート線３ａを、各々の画素１１の反射領域１１ｂにわたって延びるように形成することによって、たとえば、ゲート線３ａが透過領域１１ａと反射領域１１ｂとの境界に沿って形成される場合と異なり、ゲート線３ａの全域が反射領域１１ｂ内に形成されるので、その分、透過領域１１ａの透過率を向上させることができる。
【００４８】
また、本実施形態では、画素トランジスタ１２ａおよび１３ａを、平面的に見て、反射領域１１ｂと透過領域１１ａとの境界の反射領域１１ｂ側の端部近傍に配置することによって、画素トランジスタ１２ａおよび１３ａを透過領域１１ａおよび反射領域１１ｂの境界のより近傍に配置する分、接続配線２８ａをより短くすることができる。これにより、接続配線２８ａの配線抵抗をより小さくすることができる。
【００４９】
次に、図６〜図８を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置１００を用いた電子機器について説明する。
【００５０】
本発明の一実施形態による液晶表示装置１００は、図６〜図８に示すように、ＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）２００、携帯電話２１０および情報携帯端末２２０（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）などに用いることが可能である。図６のＰＣ２００においては、キーボードなどの入力部２００ａおよび表示画面２００ｂなどに本発明の一実施形態による液晶表示装置１００を用いることが可能である。図７の携帯電話２１０においては、表示画面２１０ａに本発明の一実施形態による液晶表示装置１００が用いられる。図８の情報携帯端末２２０においては、表示画面２２０ａに本発明の一実施形態による液晶表示装置１００が用いられる。
【００５１】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００５２】
たとえば、上記実施形態では、透過領域の駆動方式を、横電界型による駆動方式の一例であるＦＦＳモードにより構成する例を示したが、本発明はこれに限らず、透過領域を、たとえば、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードなど、ＦＦＳモード以外の横電界型の駆動方式により構成してもよい。
【００５３】
また、上記実施形態では、反射領域を縦電界モードによる駆動方式により構成する例を示したが、本発明における反射領域は縦電界モードであれば、たとえば、ＥＣＢモード、ＴＮモードおよびＶＡモードなど、いずれの駆動方式であってもよい。
【００５４】
また、上記実施形態では、透過領域において、共通電極上に絶縁膜を介して画素電極を形成することにより横電界を発生させる構成に本発明を適用する例を示したが、本発明はこれに限らず、画素電極上に絶縁膜を介して共通電極を形成する場合においても本発明を適用可能である。
【００５５】
また、上記実施形態では、透過表示用画素電極１４ａと接続配線２８ａとを接続するコンタクトホール３０ａおよび３１ａを透過領域１１ａ内のうち、透過領域１１ａと反射領域１１ｂとの境界近傍に形成する例を示したが、本発明はこれに限らず、コンタクトホール３０ａおよび３１ａは、透過領域１１ａ内であれば、境界近傍以外に形成してもよい。
【００５６】
また、上記実施形態では、画素トランジスタ１２ａおよび１３ａの全域が反射領域１１ｂに形成される例を示したが、本発明はこれに限らず、たとえば、画素トランジスタ１２ａおよび１３ａのゲートおよびドレインのみが反射領域１１ｂに形成される場合など、画素トランジスタ１２ａおよび１３ａの一部が反射領域１１ｂに形成されていればよい。
【符号の説明】
【００５７】
３ａ  ゲート線
４ａ  信号線
１１  画素
１１ａ  透過領域
１１ｂ  反射領域
１２ａ  透過表示用画素トランジスタ
１２ｂ  反射表示用画素トランジスタ
１３ａ  透過表示用画素トランジスタ
１３ｂ  反射表示用画素トランジスタ
１４ａ  透過表示用画素電極
１４ｂ  反射表示用画素電極
１５ａ  透過表示用共通電極
２０  基板（一方基板）
２８ａ  接続配線
３０ａ  コンタクトホール
３１ａ  コンタクトホール
３３  反射膜
４０  基板（他方基板）
５０  液晶
１００  液晶表示装置
２００、２１０、２２０  電子機器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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