(57)【要約】【課題】  均一性補正システムを含むリソグラフィ装置が開示される。【解決手段】システムのフィンガーは、放射ビームのそれぞれの部分の強度を補正するために放射ビームとの交点の内側へ、また外側へ移動可能であるように構成される。システムは、フィンガーのうちの対応するフィンガーに結合され、対応するフィンガーを移動させるように構成された作動デバイスをさらに含む。各フィンガーの先端の幅は、作動デバイスの幅の約半分である。【選択図】  図７Ａ
2010278443.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィ装置であって、
放射ビームを調節する照明システムであって、前記照明システムが、前記放射ビームで照明されると実質的に一定の瞳孔を受ける平面に位置する均一性補正システムを備え、前記均一性補正システムが、
前記放射ビームのそれぞれの部分の強度を補正するために放射ビームとの交点の内側及び外側へ移動可能であるフィンガーと、
前記フィンガーのうちの対応するフィンガーに結合され、前記対応するフィンガーを移動させる作動デバイスとを備え、
前記各フィンガーの先端の幅が、作動デバイスの幅の半分である照明システムと、
放射ビームをパターニングするパターニングデバイスを保持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
を備えるリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記フィンガーによって補正された放射の強度変化の最小空間周期が、前記各フィンガーの先端の幅の２倍である、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記フィンガーが、互いに連結する第１及び第２の対向するバンク内に配置される、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記第１及び第２のバンクの各々が、単一平面内にある、請求項３に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記先端の幅が約２ｍｍで、補正された放射の強度変化の空間周期が約４ｍｍである、請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
前記第１の平面に実質的に一定の瞳孔を形成するように第１の平面に放射ビームを合焦させるステップと、
前記第１の平面内に位置するフィンガーを前記放射ビームの経路内に、また経路外に移動させることにより前記第１の平面の前記放射ビームの強度を調整するステップであって、前記各フィンガーの先端の幅が前記フィンガーの各対応するフィンガーを移動させるための対応する作動デバイスの幅の半分であるステップと、
前記放射ビームをパターニングデバイス上に誘導して前記放射ビームをパターニングするステップと、
前記パターン付放射ビームを基板上に投影するステップと、
を含むデバイス製造方法。
【請求項７】
前記フィンガーによって補正された放射の強度変化の最小空間周期が、前記各フィンガーの前記先端の幅の２倍である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
互いに連結する２つの対向するバンク内に前記フィンガーを配置するステップをさらに含む、請求項６に記載の方法。
【請求項９】
フィンガーの前記バンクの各々が、単一平面内にある、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記各フィンガーの前記先端の幅が約２ｍｍで、補正された放射の強度変化の空間周期が約４ｍｍである、請求項６に記載の方法。
【請求項１１】
放射ビームで照明されると実質的に一定の瞳孔を受ける平面に位置する前記放射ビームのそれぞれの部分の強度を補正するように、放射ビームとの交点の内側へ、また外側へ移動可能であるフィンガーと、
前記フィンガーのうちの対応するフィンガーに結合され、前記対応するフィンガーを移動させる作動デバイスと、
を備え、
前記各フィンガーの先端の幅が、前記作動デバイスの幅の半分である均一性補正システム。
【請求項１２】
前記フィンガーによって補正された放射の強度変化の最小空間周期が、前記各フィンガーの前記先端の幅の２倍である、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記フィンガーが、互いに連結する第１及び第２の対向するバンク内に配置される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１４】
前記第１及び第２のバンクの各々が、単一平面内にある、請求項１３に記載のシステム。
【請求項１５】
前記先端の幅が約２ｍｍで、補正された放射の強度変化の空間周期が約４ｍｍである、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１６】
放射ビームで照明されると実質的に一定の瞳孔を受ける第１の平面に位置するフィンガーを提供するステップと、
前記第１の平面に位置する前記フィンガーを前記放射ビームの経路内へ、また経路外へ移動させることにより前記第１の平面の前記放射ビームの強度を調整する前記フィンガーのうちの対応するフィンガーに結合された作動デバイスを提供するステップとを含み、
前記各フィンガーの先端の幅が、前記フィンガーのうちの前記各対応するフィンガーを移動させるための前記作動デバイスのうちの対応する作動デバイスの幅の半分である方法。
【請求項１７】
前記フィンガーによって補正された放射の強度変化の最小空間周期が、前記各フィンガーの前記先端の幅の２倍である、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
連結する２つの対向するバンク内に前記フィンガーを一緒に結合するステップをさらに含む、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
フィンガーの前記バンクの各々が、単一平面内にある、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記各フィンガーの前記先端の幅が約２ｍｍで、補正された放射の強度変化の空間周期が約４ｍｍである、請求項１６に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置及び照明均一性補正システムに関する。本発明は、概して、リソグラフィに関し、特に、例えば、照明ビームの移動、光カラムの均一性、均一性補償器のドリフトなどによって引き起こされる均一性ドリフトを補償する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板のターゲット部分へ塗布する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。その場合、ＩＣの個別の層に対応する回路パターンを生成するために、マスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用してもよい。このパターンは、放射感応性材料（レジスト）の層を有する基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、１つ又はいくつかのダイを含む）上に結像できる。一般に、単一の基板は、連続的に露光される網の目状の隣接するターゲット部分を含んでいる。周知のリソグラフィ装置は、パターン全体が一度にターゲット部分に露光されることによって各ターゲット部分が照射されるいわゆるステッパと、ビームを通してパターンを所与の方向（「スキャン」方向）に基板をスキャンしながら同期してこの方向と平行又は逆平行に基板をスキャンすることによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。
【０００３】
[0003]  通常、リソグラフィ装置は照明システムを含むが、この照明システムは、放射源により生成される放射がパターニングデバイスに入射する前にこの放射を調節するように構成されている。例えば、この照明システムは、偏光モード及び／又は照明モードなどの放射の１つ又は複数の特性を変更することができる。照明システムは、不均一性、例えば放射中に存在する不均一性を補正又は低減するように構成された均一性補正システムを含んでいてもよい。均一性補正デバイスは、強度の変化を補正するために放射ビームの縁部に挿入される作動されたフィンガーを使用してもよい。しかし、補正可能な強度変化の空間周期の幅は、均一性補正システムのフィンガーを動かすための作動デバイスのサイズによって変わる。さらに、場合によっては、放射ビームの不規則性を補正するためのフィンガーのサイズ又は形状が変更されると、均一性補正システムは、放射ビームによって形成される瞳孔などの放射ビームの１つ又は複数の特性を望ましくない形で損なうか又は変更する場合がある。
【０００４】
[0004]  リソグラフィは、集積回路（ＩＣ）並びに他のデバイス及び／又は構造体を製造する際の重要なプロセスとして広く認識されている。リソグラフィ装置は、リソグラフィ中に用いられる機械であり、基板のターゲット部分上など、基板上に所望のパターンを塗布する。リソグラフィ装置によるＩＣ製造中に、パターニングデバイス（マスク又はレチクルとも呼ばれる）が、ＩＣ内の個々の層上に形成される回路パターンを生成する。このパターンを基板（例えばシリコン基板）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、１つ又はいくつかのダイを含む）上に転写することができる。パターンの転写は、通常、基板上に提供された放射感応性材料（レジスト）の層上に結像することにより行われる。一般に、単一の基板は、連続的にパターニングされる網の目状の隣接するターゲット部分を含む。ＩＣの製造コストを低減するには、各ＩＣの複数の基板を露光することが通例である。同様に、リソグラフィ装置は、ほぼ絶え間なく使用されているのが通例である。すなわち、あらゆるタイプのＩＣの製造コストを最小限に抑えるために、基板の露光の間のアイドル時間も最小限にされる。それ故、リソグラフィ装置は熱を吸収し、この熱によって装置の構成部品は膨張し、ドリフト、移動及び均一性の変化が引き起こされる。
【０００５】
[0005]  パターニングデバイス及び基板上の優れた結像品質を確保するために、照明ビームの制御された均一性が維持される。すなわち、パターニングデバイスに反射するか又はこれを通過する前の照明ビームは、潜在的に不均一な強度プロファイルを有する。照明ビームが少なくともある程度の均一性で制御されることは、リソグラフィ工程全体にとって望ましい。均一性は、照明ビーム全体にわたる一定の強度を指す場合もあり、また照明をターゲット照明に制御する能力を指すこともある。ターゲット照明の均一性は、平坦な又は平坦でないプロファイルを有する。パターニングデバイスは放射ビームにパターンを付与し、このパターンは基板上に結像される。この投影された放射ビームの画像品質は、照明ビームの均一性に影響される。
【０００６】
[0006]  市場は、リソグラフィ装置がリソグラフィ工程をできるだけ効率的に実行して製造能力を最大限にし、デバイス毎のコストを低く抑えることを要求する。これは、製造上の欠陥を最小限に抑えることを意味し、この理由から照明ビームの均一性の影響をできる限り最小限にする必要がある。
【発明の概要】
【０００７】
[0007]  本明細書内かそれ以外かにかかわらず特定される１つ又は複数の問題を、克服するか又は軽減するリソグラフィ装置及び方法を提供することが望ましい。
【０００８】
[0008]  本発明のある実施形態によれば、放射ビームを調節するように構成された照明システムを備えるリソグラフィ装置が提供される。照明システムは、放射ビームで照明された時に実質的に一定の瞳孔を受けるように構成された平面に位置する均一性補正システムを備える。均一性補正システムは、放射ビームのそれぞれの部分の強度を補正するために放射ビームとの交点の内側へ、また外側へ移動可能であるように構成されたフィンガーと、フィンガーのうちの対応するフィンガーに結合され、対応するフィンガーを移動させるように構成された作動デバイスとを含む。
【０００９】
[0009]  本発明のある実施形態によれば、各フィンガーの先端の幅は、先端を移動させるように構成された作動デバイスの幅の約半分である。
【００１０】
[0010]  一例では、リソグラフィ装置は、支持構造と、基板テーブルと、投影システムとをさらに含む。支持デバイスは、放射ビームの断面にパターンを付与するように構成されたパターニングデバイスを保持するように構成される。基板テーブルは、基板を保持するように構成される。投影システムは、パターン付放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成される。
【００１１】
[0011]  本発明のある実施形態によれば、フィンガーによって補正される強度変化の空間周期は、各フィンガーの先端の幅の少なくとも２倍である。
【００１２】
[0012]  ある実施形態では、フィンガーは、互いに連結するように構成された第１及び第２の対向するバンク内に、フィンガーのバンクの各々が単一平面内にある状態で配置されている。
【００１３】
[0013]  ある実施形態では、先端の幅は約２ｍｍで、補正された放射の強度変化の空間周期は約４ｍｍである。
【００１４】
[0014]  本発明の別の実施形態によれば、以下のステップを含むリソグラフィ方法が提供される。第１の平面に実質的に一定の瞳孔を形成するように第１の平面に放射ビームを合焦させるステップ。実質的に一定の瞳孔を形成するとは、第１の平面全体の各地点での放射の角分布が同じであるという意味であってもよい。第１の平面内に位置する重なっていないフィンガーのバンク内の１つ又は複数のフィンガーを調整することにより第１の平面の放射ビームの強度を調整するステップ。第１の平面内に位置するフィンガーを放射ビームの経路内に、また経路外に移動させることにより第１の平面の放射ビームの強度を調整するステップ。放射ビームをパターニングデバイス上に誘導して放射ビームをパターニングするステップ。パターン付放射ビームを基板上に投影するステップ。
【００１５】
[0015]  一例では、各フィンガーの先端の幅は、フィンガーのうちの各対応するフィンガーを移動させるための対応する作動デバイスの幅の半分である。一例では、フィンガーは、対向するバンクに配置されて連結する。一例では、フィンガーによって補正される放射の強度変化の空間周期は、各フィンガーの先端の幅の２倍である。
【００１６】
[0016]  以上から、基板のスループットへの影響を最小限に抑えながらターゲット照明プロファイルに対する照明ビームの不均一性を最小限にする均一性補償器システム及び方法が必要である。この必要に応えるために、本発明の実施形態は、後続の基板の間で３００〜６００ｍｓで実行される均一性補償器システム及び方法に向けられている。
【００１７】
[0017]  本発明のある実施形態によれば、均一性補償器を用いて照明スリット（照明ビームの一部）を制御する方法が提供される。以下の説明はある順序を意味するが、これは例示であって、本発明のこの実施形態の意図から逸脱することなく順序を並べ変えることができる。リソグラフィシステム内のドリフトによって引き起こされる照明スリットの均一性を測定するステップ。均一性測定に基づいて均一性補償器の第１のそれぞれの位置を決定するステップ。均一性補償器を第１のそれぞれの位置へ移動させるステップ。均一性補償器の移動後に別の照明スリットの均一性を測定するステップ。別の照明スリットの均一性をターゲット照明スリットの均一性と比較するステップ。比較結果が許容範囲を超えた場合、別の照明スリットの均一性に基づいて、均一性補償器の第２のそれぞれの位置を決定し、均一性補償器を第２のそれぞれの位置へ移動させるステップ。比較結果が許容範囲を超えたか否かにかかわらず、第１又は第２のそれぞれの位置で基板を均一性補償器を用いて露光するステップ。あるいは、別の実施形態は、別の照明スリットの均一性をターゲット照明スリットの均一性と比較せず、均一性補償器を移動させた後で、基板を露光する。
【００１８】
[0018]  一例では、照明スリット均一性の測定ステップは、照明ビームスリットの強度を積算してその時点で均一性補償器に関連付けられたスリット全体にわたって連続的な強度プロファイルを生成するステップを含む。別の例では、照明スリット均一性の測定ステップは、その時点で均一性補償器に関連付けられたスリットに沿って離散的な強度サンプルを用いてスリット−スキャン平均強度プロファイルを生成するステップを含む。
【００１９】
[0019]  一実施形態では、均一性補償器は、照明ビームの経路に挿入され、そこから引き出されて照明スリット均一性を変更するフィンガーを備える。一例では、照明スリット均一性の変更は、システムのドリフト（例えば、照明ビームの移動、光カラムの均一性、均一性補償器のドリフトなど）によって引き起こされる。
【００２０】
[0020]  一例では、ターゲット照明スリットの均一性は、平坦なプロファイルを有する。別の例では、ターゲット照明スリットの均一性は、平坦でないプロファイルを有する。
【００２１】
[0021]  本発明の別の実施形態によれば、均一性補償器を用いて照明スリット（照明ビームの一部）の均一性を制御する方法が提供される。以下の説明はある順序を意味するが、これは例示であって、本発明のこの実施形態の意図から逸脱することなく順序を並べ変えることができる。均一性補償器の初期較正を実行するステップ。初期較正に基づいて複数の均一性補償器の第１の位置を決定するステップ。複数の均一性補償器の各々を決定された第１の位置へ移動させるステップ。均一性補償器を備える光学システムを通して基板へ向けられたパターン付ビームを伝送するステップ。複数の均一性補償器を用いてシステムのドリフトを補償するステップ。一例では、補償ステップは、その１つが照明スリットの均一性を測定するステップであるいくつかのステップによって達成される。測定された照明スリットの均一性をターゲット照明スリットの均一性と比較して比較結果を生成するステップ。比較結果が許容範囲内にない場合、測定された照明スリットの均一性に基づいて、均一性補償器のそれぞれの位置を決定し、均一性補償器をそれぞれの位置へ移動させるステップ。比較結果が許容範囲を超えたか否かにかかわらず、いずれかのそれぞれの位置で基板を均一性補償器を用いて露光するステップ。あるいは、別の実施形態は、別の照明スリットの均一性をターゲット照明スリットの均一性と比較せず、それ故、均一性補償器を移動させた後で、基板を露光する。
【００２２】
[0022]  一例では、システムのドリフトの補償は、後続の基板の露光の間に実行される。
【００２３】
[0023]  本発明の別の実施形態によれば、照明スリット（照明ビームの一部）の均一性を均一性補償器を用いて制御するための命令を内部に記憶した有形のコンピュータ可読媒体が提供される。リソグラフィシステム内のドリフトによって引き起こされる照明スリットの均一性を測定する命令。均一性測定に基づいて、均一性補償器のそれぞれの位置を決定する命令。照明スリットの均一性がターゲット照明スリットの均一性の許容範囲内に収まるように均一性補償器をそれぞれの位置へ移動させる命令であって、基板がそれぞれの位置で均一性補償器を用いて露光される命令。あるいは、別の実施形態は、照明スリットの均一性が許容範囲内であるか否かを決定する命令を提供せず、それ故、均一性補償器を移動させた後で、基板を露光する。
【００２４】
[0024]  別の実施形態は、均一性補償器の移動後に別の照明スリットの均一性を測定する命令を含む。別の照明スリットの均一性をターゲット照明スリットの均一性と比較する命令。比較結果が許容範囲を超えた場合、別の照明スリットの均一性に基づいて、均一性補償器のそれぞれの位置を決定し、均一性補償器をそれぞれの位置へ移動させる別の一組の命令。比較結果が許容範囲を超えたか否かにかかわらず、それぞれの位置で基板を均一性補償器を用いて露光する一組の命令がある。
【００２５】
[0025]  一例では、照明スリット均一性を測定する命令は、照明ビームスリットの強度を積算してその時点で均一性補償器に関連付けられたスリット全体にわたって連続的な強度プロファイルを生成するステップを含む。別の例では、照明スリット均一性を測定する命令は、その時点で均一性補償器に関連付けられたスリットに沿って離散的な強度サンプルを用いてスリット−スキャン平均強度プロファイルを生成するステップを含む。
【００２６】
[0026]  本発明の別の実施形態によれば、均一性補償器を用いて照明スリット（照明ビームの一部）の均一性を制御する方法が提供される。以下の説明はある順序を意味するが、これは例示であって、本発明の意図から逸脱することなく順序を並べ変えることができる。照明スリットの均一性の制御方法は、後続の基板の露光の間のリソグラフィシステム内のシステムドリフトによって引き起こされる照明スリットの均一性の測定ステップである。均一性測定に基づいて均一性補償器のそれぞれの位置を決定するステップ。均一性補償器をそれぞれの位置へ移動させるステップ。それぞれの位置で均一性補償器を用いて露光するステップ。
【００２７】
[0027]  本発明の別の特徴及び利点と本発明の様々な実施形態の構造及び作用を、添付の図面を用いて以下に詳述する。本発明は、本明細書に記載する特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、例示のみを目的として本明細書に記載されている。本明細書に含まれる教示に基づいて当業者はさらなる実施形態を容易に思い付くであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
[0028]  本明細書に組み込まれ、明細書の一部をなす添付の図面は、本発明を例示し、説明と共に、本発明の原理をさらに説明し、当業者が本発明を実施して使用することを可能にする。
【図１】[0029]リソグラフィ装置を示す図である。
【図２】[0030]別のリソグラフィ装置を示す図である。
【図３Ａ】[0031]均一性補正システムを示す図である。
【図３Ｂ】[0032]図３Ａの均一性補正システムで使用されるフィンガーを示す図である。
【図４Ａ−Ｂ】[0033]図２に構成された均一性補正システムを使用する効果を示す図である。
【図５】[0034]本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図６Ａ−Ｂ】[0035]図５に示す本発明のある実施形態によって構成された均一性補正システムを使用する効果を示す図である。
【図７Ａ】[0036]本発明のある実施形態による均一性補正システムを示す図である。
【図７Ｂ】[0037]図７Ａの均一性補正システムで使用される例示的フィンガーを示す図である。
【図８】[0038]本発明のある実施形態による、放射ビームの均一性を補正するために実行されるステップを例示するフローチャートである。
【図９Ａ】[0039]均一性補正システムとそれに関連付けられたセンサとを備えた反射型リソグラフィ装置を示す図である。
【図９Ｂ】[0039]均一性補正システムとそれに関連付けられたセンサとを備えた透過型リソグラフィ装置を示す図である。
【図１０】[0040]例示の極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィ装置を示す図である。
【図１１】[0041]照明ビームスリットに関する均一性補償器の一例を示す図である。
【図１２】[0042]照明ビームスリットの一例を示す図である。
【図１３】[0043]均一性リフレッシュのフローを示す図である。
【図１４】[0044]均一性リフレッシュと（オプションの）オフライン較正の組合せである一般的なメインフローを示す図である。
【図１５Ａ】[0045]本発明のある実施形態による、第１の基板露光シーケンスに関する均一性リフレッシュの各ステップを示す図である。
【図１５Ｂ】[0046]本発明のある実施形態による、第２の後続の基板露光シーケンスに関する均一性リフレッシュの各ステップを示す図である。
【図１６】[0047]平坦なターゲットを備えたシーケンシャル均一性リフレッシュのデータフローの一例を示す図である。
【図１７】[0048]平坦でないターゲットを備えたシーケンシャル均一性リフレッシュのデータフローを示す図である。
【図１８】[0049]フィンガーの位置を較正するためのフィンガーポジショニングアルゴリズム（ＦＰＡ）を示す図である。
【図１９】[0050]本発明の実施形態又はその一部がコンピュータ可読コードとして実施可能な例示のコンピュータ１９００を示す図である。
【００２９】
[0051]  本発明の特徴及び利点は、類似の参照番号がそれに対応する要素を一貫して識別する図面を参照しながら以下の説明を読むことでさらに明らかになろう。図面では、一般に、類似の番号が同一の、機能が類似した、及び／又は構造が類似した要素を示す。ある要素が最初に出現する図面は、対応する参照番号の左端の１つ又は複数の数字によって示される。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
[0052]  本発明は、均一性補償器を用いて、例えば、照明ビームの移動、光カラムの均一性、均一性補償器のドリフトなどによって引き起こされる均一性ドリフトを補償する方法に関する。本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ又は複数の実施形態を開示する。開示された実施形態は本発明を例示するに過ぎない。本発明の範囲は、開示された実施形態に限定されない。本発明は、添付の請求の範囲によって規定される。
【００３１】
[0053]  記載される実施形態、及び明細書内の、「一実施形態」、「ある実施形態」、「例示の実施形態」などの表現は、記載された実施形態が特定の機能、構造、又は特性を含むことができる旨を示すが、すべての実施形態が特定の機能、構造、又は特性を必ずしも含まなくてもよい。さらに、このような字句は、必ずしも同じ実施形態に言及している訳ではない。さらに、特定の機能、構造、又は特性がある実施形態に関連して記載されている時には、明示的であるか否かを問わず、当業者は知識の範囲内でこのような機能、構造、又は特性を他の実施形態に関連して扱うことができると考えられる。
【００３２】
[0054]  本発明の実施形態は、ハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア、又はそれらの任意の組合せで実施することができる。また、本発明の実施形態は、１つ又は複数のプロセッサによって読み出して実行することができる機械可読媒体に記憶された命令として実施することができる。機械可読媒体は、機械（例えば、コンピュータデバイス）が読み取れる形式で情報を記憶又は伝送できる任意の機構を含むことができる。例えば、機械可読媒体は、読出し専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ），磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音声デバイスその他を含むことができる。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令を特定の動作を実行するものとして本明細書に記載することがある。しかし、このような記載は便宜上のものであり、実際には、このような動作は、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行するコンピュータデバイス、プロセッサ、コントローラ、又はその他のデバイスによって行われることを理解されたい。
【００３３】
[0055]  このような実施形態を詳述する前に、本発明の実施形態を実施することができる例示の環境を示すことが有用であろう。
【００３４】
[0056]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源とリソグラフィ装置とは、例えば放射源がエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源はリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源が水銀ランプの場合は、放射源がリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００３５】
[0057]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを備えていてもよい。通常、イルミネータＩＬの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを備えていてもよい。イルミネータを用いて放射ビームを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００３６】
[0058]  放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。マスクＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めできる。一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして周知である）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００３７】
[0059]  図示のリソグラフィ装置は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
【００３８】
[0060]  １．ステップモードにおいては、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。ステップモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一静的露光で像が形成されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
【００３９】
[0061]  ２．スキャンモードにおいては、マスクテーブルＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。マスクテーブルＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。スキャンモードでは、露光フィールドの最大サイズによって、単一動的露光におけるターゲット部分の（非スキャン方向における）幅が制限され、スキャン動作の長さによってターゲット部分の（スキャン方向における）高さが決まる。
【００４０】
[0062]  ３．別のモードでは、マスクテーブルＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。このモードでは、一般にパルス状放射源を使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００４１】
[0063]  図２は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す。図示の例では、リソグラフィ装置は、放射源ＳＯと、照明システムＩＬと、パターニングデバイスＭＡを保持するように構成された支持構造（図示せず）と、投影システムＰＬと、基板テーブルＷＴと、補正モジュール１７０と、１つ又は複数の測定デバイス１９０と、基板テーブルＷＴ上に配置される基板Ｗとを含むことができる。
【００４２】
[0064]  一例では、照明システムＩＬは、コリメータ１０と、フィールド画定素子１２と、フィールドレンズグループ１４と、均一性補正システム１６と、レチクルマスキングブレード１８と、集光レンズ２０とを含むことができる。
【００４３】
[0065]  一例では、コリメータ１０は、放射源ＳＯによって生成された放射ビーム（ビームの概略を破線で示す）を平行にするために使用することができる。フィールド画定素子１２は、放射ビームを基板Ｗ上に投影するフィールド形状に形成することができる。フィールド画定素子は、例えば、第２のアレイが第１のアレイの焦点面にある凸レンズの２つのアレイを含んでいてもよい。
【００４４】
[0066]  一例では、フィールドレンズグループ１４は、放射ビームをフィールド平面ＦＰ１上に合焦させることができる。この例では、リソグラフィ装置のスキャン方向に可動な１対のブレードを備えるマスキングブレード１８がフィールド平面ＦＰ１内に位置している。
【００４５】
[0067]  一例では、マスキングブレード１８を用いて、所与のターゲット領域の露光中に、所与のターゲット領域のｙ方向及び／又はｘ方向に隣接するターゲット領域に放射が確実に入射しないようにすることができる。マスキングブレード１８はフィールド平面ＦＰ１内に位置しているため、マスキングブレード１８によって提供されるマスキングは、パターニングデバイスＭＡ上に正確に（かつ縁部が鋭利なままで）並進することができる。
【００４６】
[0068]  一例では、均一性補正システム１６は放射ビームの経路内のマスキングブレード１８の前段に配置されるため、放射ビームは均一性補正システムを通過してからマスキングブレード１８に入射する。したがって、均一性補正システム１６は、フィールド平面ＦＰ１内にはなく、そこから変位している。均一性補正システム１６は、放射ビームの強度を空間的に制御することができる。すなわち、均一性補正システム１６は、基板Ｗ上に投影されるフィールド形状の放射の強度を空間的に制御することができる。一実施形態では、均一性補正システム１６は、放射ビームの各部分の強度を選択的に補正するように、フィンガーに入射する放射ビームとの交点の内側へ、また外側へ移動可能な重なり合うフィンガーの少なくとも１つのアレイ（例えば、図３Ｂのフィンガーのバンク２２、２３）及び／又は重なり合わないフィンガーの少なくとも１つのアレイ（例えば、図７Ａのフィンガーのバンク３２、３３）を含む。各バンクには７つのフィンガーが示されているが、任意の数のフィンガーを使用することができることを理解されたい。フィンガーのバンク、フィンガーバンク又はバンクという用語は、本出願を通じて交換可能に使用することができる。
【００４７】
[0069]  一例では、マスキングブレード１８を通過した後で、放射ビームは集光レンズ２０に入射する。集光レンズ２０は、放射を別のフィールド平面ＦＰ２上に合焦させることができる。フィールド平面ＦＰ２内にあるパターニングデバイスＭＡは、放射ビームにパターンを付与することができる。
【００４８】
[0070]  一例では、パターン付放射ビームは、投影システムＰＬを通過して基板Ｗ上に達する。基板Ｗは、別のフィールド平面ＦＰ３内にある。投影されたパターンビームは、パターンを基板上に転写する。
【００４９】
[0071]  一例では、補正モジュール１７０は、所望の均一性仕様を満たすために補正システム１６の変数の調整を決定することができる。補正モジュール１７０は、決定された調整に基づいて１つ又は複数の補正パラメータ１７５を決定することができ、これらのパラメータを補正システム１６へ送信する。補正パラメータは、補正システム１６内の調整可能な変数を制御する。補正モジュール１７０は、パターニングデバイスＭＡのフィールド平面ＦＰ３又はフィールド平面ＦＰ２に配置される１つ又は複数の均一性測定デバイス１９０から収集した照明フィールドデータ１８５を受信することもできる。
【００５０】
[0072]  補正パラメータに従って補正システム１６の調整可能な変数を操作することで、照明ビームの特性を変更することができる。より具体的には、補正パラメータは、所望の均一性プロファイル（例えば、リソグラフィ工程に役立つ最も平坦な均一性又は形状）を達成するために補正システム１６の変数を調整する方法の詳細を提供することができる。例えば、補正パラメータは、均一性補正システム１６に入射する放射ビームの各部分の強度を選択的に補正するように、１つ又は複数のフィンガーのバンク（例えば、図３Ａのフィンガーのバンク２２、２３及び図７Ａのフィンガーのバンク３２、３３）内のどのフィンガーを入射する放射ビームとの交点の内側へ、又は外側へ移動させる必要があるか、また移動させる必要がある距離を記述することができる。
【００５１】
[0073]  一例では、補正モジュール１７０は、１つ又は複数のプロセッサ１７２と、メモリ１７４とを含むことができる。１つ又は複数のプロセッサ１７２は、均一性補正システム１６が変数を調整して放射ビームの所望の均一性基準を達成するためのソフトウェアを実行することができる。メモリ１７４は、メインメモリ（例えば、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ））を含むことができる。また、ある実施形態では、メモリ１７４は二次メモリも含む。二次メモリは、例えば、ハードディスクドライブ及び／又はリムーバブル記憶ドライブを含むことができる。メモリ１７４内にコンピュータプログラムを記憶することができる。このようなコンピュータプログラムは、実行されると、補正モジュール１７０内のプロセッサ１７２に本明細書に記載する本発明のある実施形態の機能を実行させることができる。ある実施形態では、均一性補正システム１６の要素を調整する方法がソフトウェアを用いて実施される場合、ソフトウェアをコンピュータプログラムプロダクト内に記憶してリムーバブル記憶デバイス、ハードドライブ、又は通信インターフェイスを用いて補正モジュール１７０内にロードすることができる。あるいは、通信経路を介して補正モジュール１７０にコンピュータプログラムプロダクトをダウンロードすることができる。さらに、ある実施形態では、補正モジュール１７０は、１つ又は複数のリモートプロセッサに結合されている。次に、補正モジュール１７０は、命令及び／又は動作パラメータを遠隔位置で受信することができる。
【００５２】
[0074]  図３Ａは、例示的な均一性補正システム１６の上面図を示す。均一性補正システムは、ｙ方向に移動可能な２つのフィンガーのバンク２２及び２３を含むことができる。フィンガーのバンク２２及び２３は、放射ビームと交差するようにｙ方向に移動することができる。こうして、フィンガーを用いて入射する放射ビームを選択的に遮ることができる。これは、例えば、放射強度が高すぎる放射ビームフィールドの場所の放射強度を低減するために実行してもよい。ある実施形態では、フィンガーのバンク２２及び２３の交互するフィンガーは、２つの異なる平面内にあってもよい。例えば、灰色の陰影が付いたフィンガーが第１の平面内、白いフィンガーが第２の平面内にあってもよい。フィンガーが異なる平面内にあることで、図３Ａのフィンガーのバンクを用いた放射ビームの強度の補正から発生することがある瞳孔誤差が悪化する場合がある。一例では、異なる平面内にあるフィンガーは重なり合って、重なった領域内に様々な形状を形成することができる。これによって強度プロファイルへの平滑作用が生まれる。しかし、強度プロファイルを平滑にすることでフィンガーが異なる平面内にあることによる瞳孔誤差がさらに悪化する場合もある。
【００５３】
[0075]  図３Ｂは、本発明のある実施形態による均一性補正システム１６内にフィンガーのバンク２２及び２３を形成するために使用することができるフィンガー３００を示す。フィンガー３００は、幅ｘを有するベース３０４と、やはり幅ｘを有する先端３０２とを有することができる。フィンガー３００は、作動デバイス３０６に結合していてもよい。作動デバイス３０６は、幅ｘを有することができる。作動デバイス３０６は、フィンガー３００をＹ方向に移動させるように構成される。ある実施形態では、作動デバイス３０６は、モータ、圧電デバイス、油圧デバイスなどの１つ以上であってもよい。
【００５４】
[0076]  上記のように、均一性補正システム１６は、マスキングブレード１８（図２を参照）の前段のフィールド平面ＦＰ１にあってもよい。マスキングブレード１８はフィールド平面ＦＰ１内にあってもよいため、均一性補正システム１６はフィールド平面ＦＰ１から変位していてもよい。
【００５５】
[0077]  図４Ａ及び図４Ｂは、本発明のある実施形態による放射ビームの強度の均一性を補正するために均一性補正システム１６を使用する効果を示す。図４Ａ及び図４Ｂは、稼動時の均一性補正システム１６の断面を示す。この例では、マスキングブレード１８がフィールド平面ＦＰ１内に位置している。この例では、放射ビーム２４が、集束してフィールド平面ＦＰ１内に複数の仮想放射源２６を形成する複数のサブビームとして概略的に示されている。
【００５６】
[0078]  図４Ａでは、放射ビーム２４と交わらないようにフィンガーのバンク２２及び２３が後退している。図４Ｂでは、フィンガーのバンク２２及び２３は、放射ビーム２４の縁部と交差するようにｙ方向に移動し、それによって放射ビーム２４のサブビームの一部を部分的に遮っている。
【００５７】
[0079]  この例では、均一性補正システム１６はフィールド平面ＦＰ１内にないため、均一性補正システム１６は放射ビーム２４の瞳孔に非対称性を導入する。ビーム２４はもはや不平衡であってもよい（すなわち、ビーム２４はもはやテレセントリックでなく、及び／又はエネルギー楕円率の影響を受けなくてもよい）。この例では、均一性補正システム１６は、放射ビーム２４の統合された瞳面内の放射ビーム２４の一方の側に影を発生させる。放射ビーム２４の瞳孔のこの非対称性は、リソグラフィ装置がパターニングデバイスＭＡのパターンを基板Ｗ上に投影する精度を低減し得るため望ましくない。
【００５８】
[0080]  この例では、フィンガーのバンク２２のフィンガーは、放射ビーム２４の強度補正時の瞳孔誤差を低減するためにフィンガーの対向バンク２３に鏡像を有する。均一性補正システム１６によって補正可能な放射ビームの強度変化の空間周期は、フィンガーのバンク２２及び２３を形成する各フィンガー３００の先端３０２の幅の少なくとも２倍である。照明ビームは、連続する明るい領域と暗い領域の照明プロファイルを含む。照明ビームが通過する長く狭いスリットを覗き込むと、明るい領域と暗い領域とからなる照明ビーム内にパターンが形成されている。このパターンは本来は周期的でないため、明るい領域と暗い領域の隣接する対はサイズ（幅）が異なる場合がある。パターンの明るい領域の間の距離を測定すると、照明プロファイル内に強度変化の空間周期が画定される。ビームの照明プロファイルは、幅が変化する複数の重畳した強度変化の空間周期を含んでいてもよい。したがって、各々の強度変化の空間周期は幅が異なっていてもよい。放射２４の強度変化のより短い空間周期を補正するためには、各フィンガー３００の先端３０２の幅を低減しなければならない。フィンガーのバンク２２及び２３の各々の隣接するフィンガーは互いに近接して配置しなければならないため、作動デバイス３０６の幅は制限要因である。フィンガー３００の先端３０２の幅を低減すると、隣接するフィンガーの先端の間の結果として得られるギャップが瞳孔誤差をさらに悪化させることがある。本明細書に記載する本発明の実施形態を用いて、瞳孔誤差を引き起こすことなく各フィンガー３００の先端３０２の幅のサイズを低減することができ、それによってより微細な放射周期の補正が可能になる。
【００５９】
[0081]  本発明のある実施形態によれば、図５に示すように、瞳孔誤差の発生を防止するため、均一性補正システム１６はフィールド平面ＦＰ１の前段ではなくフィールド平面ＦＰ１内又はその近傍に配置される。
【００６０】
[0082]  図５は、本発明のある実施形態によるリソグラフィ装置を示す。図５に示す例では、均一性補正システム１６が照明システムＩＬのフィールド平面ＦＰ１にある。この実施形態では、マスキングブレード１８はフィールド平面ＦＰ１の後段にあるため、動作中に放射ビームは均一性補正システム１６を通過した後にマスキングブレード１８に入射する。ある実施形態では、均一性補正システム１６を移動させてフィールド平面ＦＰ１に配置してもよい。代替実施形態では、フィールドレンズグループ１４内のレンズ（図示せず）を調整することにより、フィールド平面ＦＰ１を移動させて均一性補正システム１６に近接して配置してもよい。
【００６１】
[0083]  図６Ａ及び図６Ｂは、図５に示す実施形態を使用する効果を示す。図６Ａ及び図６Ｂは、均一性補正システム１６の断面を示す。この例では、均一性補正システム１６のフィンガーのバンク２２及び２３はフィールド平面ＦＰ１内に位置している。この平面では、放射ビーム３６が仮想放射源３０のアレイを含む。パターニングデバイス（例えば、レチクル）マスキングブレード１８では、複数のサブビームで表される放射ビーム３６が発散する。
【００６２】
[0084]  図６Ａの例では、均一性補正システム１６のフィンガーのバンク２２及び２３内のフィンガーは、放射ビーム３６と交差しないように配置されている。図６Ｂでは、フィンガーのバンク２２及び２３内のフィンガーは、放射ビーム３６と交差するようにｙ方向に移動している。均一性補正システム１６はフィールド平面ＦＰ１内に位置しているため、均一性補正システム１６は放射ビーム３６内にいかなる非対称性も導入しない。放射ビーム３６はテレセントリックなままであり、平面ＦＰ１内の瞳孔の放射ビーム３６内に非対称性の陰影は導入されない。一例では、これによってリソグラフィ装置は、改善された精度で基板Ｗ上にパターニングデバイスＭＡのパターンを投影することができる。またこれによって均一性補正システム１６のフィンガーの形状及びサイズを変更して、下記の放射の強度変化のより短い空間周期を補正することができる。
【００６３】
[0085]  図４Ａ及び図４Ｂでは、フィンガーのバンク２２内のフィンガーが放射ビーム２４と交差する時に、フィンガーのバンク２２内のフィンガーによって仮想放射源２６を形成する放射の一部を遮ることができる。一例では、仮想放射源２６のすべてが残っているが、放射ビーム２４の縁部にある仮想放射源２６は全角度から放射を受光するとは限らない。その代わりに、仮想放射源２６は、角度のサブセットから放射を受光することがある。したがって、これらの仮想放射源２６は、もはや対称ではなくてもよい。すなわち、放射ビーム２４の瞳孔内に非対称性を導入してもよい。図６Ａ及び図６Ｂでは、フィンガーのバンク３２及び３３内のフィンガーが放射ビーム２４と交差する時には、フィンガーは、また、仮想放射源３０の一部を遮ることがある。しかし、フィンガーのバンク３２及び３３内のフィンガーは仮想放射源３６が合焦するフィールド平面ＦＰ１内に位置しているため、フィンガーのバンク内のフィンガーは仮想放射源３０のいずれも部分的に遮ることはない。仮想放射源３０は完全に眼に見えるか、又は完全に遮られている。仮想放射源３０は対称のままであり、それ故、放射ビーム３６の瞳孔は対称のままである。
【００６４】
[0086]  この例では、放射ビーム３６の瞳孔（角分布）は、フィールド平面ＦＰ１のどの場所でも同じである。したがって、均一性補正システム１６のフィンガーのバンク３２及び３３内のフィンガーが放射ビーム３６の一部を遮る時に、これは、放射ビーム３６の瞳孔（角分布）に影響しない。したがって、放射ビーム３６の瞳孔に非対称性は導入されない。したがって、リソグラフィ装置（例えば、図１の装置）は、改善された精度で基板Ｗ上にパターニングデバイスＭＡのパターンを投影することができる。
【００６５】
[0087]  一例では、フィールド平面ＦＰ１にあるか又はその近くにある時均一性補正システム１６は放射ビーム３６の瞳孔内に非対称性を引き起こさないため、均一性補正システム１６を用いて放射ビーム３６内の不均一性を補正できる程度は大幅に増加する。例えば、本発明のある実施形態によれば、図７Ａ及び図７Ｂを参照しながら以下に説明するように、均一性補正システム１６で使用される各フィンガー３００の先端３０２の形状と幅を変更して瞳孔誤差を引き起こすことなく放射の強度のより短い空間周期を調整することができる。
【００６６】
[0088]  図７Ｂは、本発明のある実施形態による例示的なフィンガーを示す。フィンガーは、幅ｘを有するベースと幅ｘ／２を有する先端７０２とを有することができる。図３Ｂに関連して前述したのと同様に、ｘの幅を有していてもよい作動デバイス３０６にフィンガーを結合することができる。焦点面ＦＰ１を移動させることで、幅がｘの同じ作動デバイス３０６を依然として使用しながら、フィンガーの先端７０２の幅を低減することができ、放射の強度変化のより短い空間周期を補正することができる（図３Ａ〜図３Ｂの例参照）。図７Ｂでは、複数のフィンガーを用いて形成されたフィンガーのバンク３２及び３３は、対向するフィンガーのバンク内のフィンガー（例えば、フィンガーのバンク３２はフィンガーのバンク３３に対向している）がＹ方向に共に移動した場合に連結するように構成されるように配置することができる。例えば、フィンガー７０８はギャップ７１０と直接対向するので、フィンガー７０８はＹ方向に動かすとギャップ７１０内に嵌る。フィンガーのバンク３２及び３３内の連結するフィンガーは、図３Ａのフィンガーのバンク２２及び２３内の対向するフィンガーの鏡像とは対照的に、瞳孔誤差を引き起こすことなくフィンガーのバンク２２及び２３を用いて達成することができるのと同じ補正精度を提供することができる。例えば、図３Ａのフィンガーのバンク２２及び２３内のフィンガーが鏡像ではなく連結していたならば、均一性補正システム１６によって瞳孔誤差が引き起こされたであろう。均一性補正システム１６内のフィンガーのバンク２２及び２３内の各フィンガーの先端の幅はｘ／２であるため、焦点面ＦＰ１がフィンガーのバンク３２及び３３が常駐する実質的に同じ平面へ移動していて、それにより瞳孔誤差を実質的に解消していることから、瞳孔誤差を引き起こすことなく空間周期ｘを補正することができる。さらに、バンク３２及び３３内の交互するフィンガーの間のギャップによって瞳孔誤差は発生しないため、フィンガーのバンク３２及び３３の各々の内部のフィンガーを必要であれば単一平面に配置することができる。
【００６７】
[0089]  ある実施形態では、均一性補正システム１６を照明システムＩＬのフィールド平面（例えば、ＦＰ１）内に配置することができる。あるいは、照明システムＩＬによって一定の瞳孔で照明される平面内に均一性補正システムを配置することができる。すなわち、均一性補正システム１６の平面全体の各々の地点での放射の角分布は同じである。
【００６８】
[0090]  場合によっては、均一性補正システム１６は、照明システムのフィールド平面（例えば、ＦＰ１）内に正確に位置していなくてもよい。すなわち、均一性補正システム１６は、平面ＦＰ１に実質的に近いか又は近接した位置にあってもよい。例えば、均一性補正システム１６は、平面ＦＰ１から例えば１ミリメートル又は２ミリメートル離れていてもよいが、１０ミリメートル以内に位置しなければならない。これは、本明細書で、均一性補正システム１６は実質的にフィールド平面ＦＰ１内又はその近傍にあるという表現で表される。あるいは、均一性補正システム１６は、照明システムによって実質的に一定の瞳孔で照明される平面内に位置しているといってもよい。
【００６９】
[0091]  一例では、マスキングブレード１８をフィールド平面ＦＰ１に実質的に近い位置に保持することが望ましい。マスキングブレード１８は、例えば、フィールド平面ＦＰ１から数ミリメートル離れた位置にあってもよい。例えば、マスキングブレード１８は、フィールド平面ＦＰ１から８〜２０ミリメートル離れた位置にあってもよい。均一性補正システム１６（及びパターニングデバイスマスキングブレード）が占める空間にマスキングブレード１８がフィールド平面ＦＰ１により近づける余裕があるならば、マスキングブレード１８はフィールド平面ＦＰ１にさらに近い位置にあってもよい。
【００７０】
[0092]  当業者には明らかなように、均一性補正システム１６のフィンガーは、例えば、幅が４ｍｍであってもよく、炭化ケイ素又は金属もしくはセラミックなどのその他の任意の好適な材料から形成されていてもよい。製造方法上可能ならば、フィンガーの幅はさらに狭くてもよい。一般に、フィンガーを狭くすると放射ビームの均一性をより微細に補正することができる。ある実施形態では、先端７０２は幅が２ｍｍであってもよく、周期が４ｍｍの放射を補正することができる。
【００７１】
[0093]  図８は、本発明のある実施形態による放射ビームの均一性を補正するために実行する方法８００を示す例示的なフローチャートである。一例では、図１〜図７に示す例示の動作環境を常に参照しながら方法８００が説明される。しかし、方法８００は、これらの実施形態に限定されない。方法８００に示すステップのいくつかは図示の順序で実行されなくてもよいことに留意されたい。
【００７２】
[0094]  ステップ８０２において、放射ビームが生成される。例えば、放射源ＳＯを用いて放射ビームを生成することができる。
【００７３】
[0095]  ステップ８０４において、第１の平面で実質的に一定の瞳孔を形成するように、放射ビームは均一性補正システムが位置する平面に実質的にある第１の平面に合焦する。例えば、放射源ＳＯによって生成されたビームは、実質的に一定の瞳孔を形成するように均一性補正システム１６の平面ＦＰ１に合焦してもよい。
【００７４】
[0096]  ステップ８０６において、放射ビームの各部分の強度を選択的に補正し、補正された放射ビームを形成するように、重ならないフィンガーのバンク内の１つ又は複数のフィンガーを選択的に動かすことにより、放射ビームの強度は第１の平面で調整される。例えば、バンク３２及び３３のフィンガーを選択的に動かして平面ＦＰ１に合焦した放射ビームの部分の強度を補正することができる。ある実施形態では、各フィンガーの幅は、フィンガーを動かすための作動デバイスの半分であってもよい。
【００７５】
[0097]  ステップ８０８において、補正された放射ビームは、パターニングデバイス上に誘導されてパターン付放射ビームを形成する。例えば、ステップ８０６において均一性補正システム１６によって補正された放射ビームをパターニングデバイスＭＡ上に誘導してパターン付放射ビームを形成してもよい。
【００７６】
[0098]  ステップ８１０において、パターン付放射ビームは、投影システムによって基板上に投影される。例えば、パターニングデバイスＭＡからのパターン付放射ビームを投影システムＰＬによって基板Ｗ上に投影することができる。
【００７７】
[0099]  放射ビームのフィールド平面という表現は、リソグラフィ装置が動作状態でなく、したがって放射ビームが存在しない場合に照明システムＩＬのフィールド平面を指すと解釈してもよいことを理解されたい。
【００７８】
[00100]  システムのドリフトによって引き起こされる照明スリットの均一性を補償する方法の実施形態を以下に詳述する。一実施形態では、システムのドリフトを補償する方法は、照明スリットの均一性を測定するステップと、測定された均一性に基づいて均一性補償器の第１のそれぞれの位置を決定するステップと、均一性補償器を第１のそれぞれの位置へ移動させるステップとを含む。照明スリット均一性の測定ステップは、照明スリット均一性を積算するステップ又はスリットに沿って離散的な強度サンプルを用いてスリット−スキャン平均強度プロファイルを生成するステップからなってもよい。均一性補償器は、照明ビームの経路に挿入されそこから引き出されて照明スリットの均一性を変更するフィンガーを備えることができる。別の実施形態は、移動後に別の照明スリットの均一性を測定するステップと、別の照明スリットの均一性をターゲット照明スリットの均一性と比較するステップとをさらに含む。比較結果が許容範囲を超えた場合、別の照明スリットの均一性に基づいて、均一性補償器の第２のそれぞれの位置を決定し、均一性補償器を第２のそれぞれの位置へ移動させるステップ。最後に、第１又は第２のそれぞれの位置で基板を均一性補償器を用いて露光するステップ。システムのドリフトは、とりわけ、照明ビームの移動、光カラムの均一性、及び均一性補償器のドリフトであるこれらの均一性リフレッシュフィンガーの動作を引き起こすことがある。ターゲット照明スリットの均一性は、平坦であっても平坦でなくてもよい。測定された照明スリットの均一性を許容範囲と比較することは有用であっても必要ではない。
【００７９】
[00101]  一実施形態では、システムのドリフトを補償する方法は、均一性補償器の初期較正を実行するステップと、初期較正に基づいて複数の均一性補償器の第１の位置を決定するステップと、複数の均一性補償器の各々を決定された第１の位置へ移動させるステップと、均一性補償器を備える光学システムを通して基板へ向けられたパターン付ビームを伝送するステップと、複数の均一性補償器を用いてシステムのドリフトを補償するステップとを含む。少なくとも１つの実施形態で、システムのドリフトを補償するステップは後続の基板の露光の間に実行される。
【００８０】
[00102]  このような実施形態を詳述する前に、本発明の実施形態を実施することができる例示の環境を提示することが役に立つであろう。
１．例示のリソグラフィ環境
Ａ．例示の反射型及び透過型リソグラフィシステム
【００８１】
[00103]  図９Ａ及び図９Ｂは、それぞれ、リソグラフィ装置９００及びリソグラフィ装置９００’を概略的に示す。リソグラフィ装置９００及びリソグラフィ装置９００’は、各々、放射ビームＢ（例えば、ＤＵＶ又はＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク、レチクル、又はダイナミックパターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成され、パターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコート基板）Ｗを保持するように構成され、基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えば、基板テーブル）ＷＴとを含む。リソグラフィ装置９００及びリソグラフィ装置９００’は、また、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分（例えば、１つ又は複数のダイを含む）Ｃ上に投影するように構成された投影システムＰＳを有する。リソグラフィ装置９００では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは反射型であり、リソグラフィ装置９００’では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは透過型である。
【００８２】
[00104]  照明システムＩＬは、放射Ｂの誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。照明システムＩＬは、また、エネルギーの測定値（パルス毎の）を提供するエネルギーセンサＥＳと、光学ビームの移動を測定する測定センサＭＳと、照明スリットの均一性を制御することができる均一性補償器ＵＣとを含む。
【００８３】
[00105]  支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置９００及び９００’の設計、及び、例えば、パターニングデバイスＭＡが真空環境内に保持されているか否かなどのその他の条件に応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持する機械的、真空、静電気などのクランプ技術を使用してもよい。支持構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定又は可動式のフレーム又はテーブルであってもよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。
【００８４】
[00106]  「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するように、放射ビームＢの断面にパターンを付与するために使用することができる任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。放射ビームＢに付与されるパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃに生成されるデバイスの特定の機能層に相当する。
【００８５】
[00107]  パターニングデバイスＭＡは、透過型（図９Ｂのリソグラフィ装置９００’のように）又は反射型（図９Ａのリソグラフィ装置９００のように）でよい。パターニングデバイスＭＡの例は、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルを含む。マスクは、リソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプと、様々なハイブリッドマスクタイプが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するように個々に傾斜させることができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームＢにパターンを与える。
【００８６】
[00108]  「投影システム」ＰＳという用語は、使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁気及び静電光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを含むことができる。ＥＵＶ又は電子ビーム放射には、真空環境を使用することができる。これは、他のガスは放射又は電子の吸収量が多すぎる場合があるからである。したがって、真空環境は、真空壁と真空ポンプの助けを借りてビーム経路全体に提供することができる。
【００８７】
[00109]  リソグラフィ装置９００及び／又はリソグラフィ装置９００’は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクテーブル）ＷＴを有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加のテーブルＷＴを並列に使用するか、１つ又は複数の他の基板テーブルＷＴを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブル上で予備工程を実行することができる。
【００８８】
[00110]  図９Ａ及び図９Ｂを参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受光する。放射源ＳＯとリソグラフィ装置９００、９００’は、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々のエンティティであってもよい。このような場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置９００又は９００’の一部を形成するとは見なされず、放射ビームＢは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤ（図９Ｂ）の助けを借りて、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ通過する。他の事例では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプの場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置９００、９００’の一体化部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤと共に、放射システムと呼ぶことができる。
【００８９】
[00111]  照明システムＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤ（図９Ｂ）を含んでいてもよい。一般的には、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側及び／又は内側半径範囲（通常、それぞれσ−ｏｕｔｅｒ及びσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）は、調整可能である。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及び集光器ＣＯなどの他の様々なコンポーネント（図９Ｂ）を備えていてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームＢを調節し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。この所望の均一性は、放射源出力の変化を検出するエネルギーセンサＥＳと、照明ビームに挿入されそこから引き出されてその均一性及び強度を変更する複数の突起（例えば、フィンガー）を含む均一性補償器ＵＣとを用いて維持することができる。
【００９０】
[00112]  図９Ａを参照すると、放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡによってパターニングされる。リソグラフィ装置９００では、放射ビームＢは、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに反射する。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに反射した後、放射ビームＢは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に放射ビームＢを合焦させる投影システムＰＳを通過する。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサＩＦ１を使用して、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを正確に位置決めすることができる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して整列させることができる。
【００９１】
[00113]  図９Ｂを参照すると、放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。マスクＭＡを横切った放射ビームＢは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを合焦させる投影システムＰＳを通過する。第２のポジショナＰＷ及び位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けにより、基板テーブルＷＴを、例えば様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭ及び別の位置センサ（図９Ｂには明示されていない）を使用して、例えばマスクライブラリから機械的に検索した後に、又はスキャン中に、放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めすることができる。同様に、図１０には、パルス毎のベースでエネルギーセンサＥＳと連携して照明システムＩＬから基板Ｗへの正規化強度データを生成する基板ステージスリットセンサＷＳが示されている。
【００９２】
[00114]  一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして周知である）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００９３】
[00115]  リソグラフィ装置９００及び９００’は、以下のモードのうち少なくとも１つにて使用できる。
１．ステップモードにおいては、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームＢに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。
２．スキャンモードにおいては、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームＢに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。
３．別のモードでは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームＢに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。パルス状放射源ＳＯを使用して、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００９４】
[00116]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００９５】
[00117]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「基板」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００９６】
[00118]  別の実施形態では、リソグラフィ装置９００は、ＥＵＶリソグラフィのためのＥＵＶ放射ビームを生成するように構成された極端紫外線（ＥＵＶ）源を含む。一般に、ＥＵＶ源は放射システム内に構成され（下記を参照）、対応する照明システムはＥＵＶ源のＥＵＶ放射ビームを調節するように構成されている。
【００９７】
Ｂ．例示のＥＵＶリソグラフィ装置
[00119]  図１０は、本発明のある実施形態による例示的なＥＵＶリソグラフィ装置を概略的に示す。図１０で、ＥＵＶリソグラフィ装置は、放射システム４２と、照明光学ユニット４４と、投影システムＰＳとを含む。放射システム４２は、その内部で放射ビームが放電プラズマによって形成することができる放射源ＳＯを含む。ある実施形態では、ＥＵＶ放射は、ガス又は蒸気、例えば、その内部で超高温プラズマが生成されて電磁スペルトルのＥＵＶ帯域内の放射を放出するＸｅガス、Ｌｉ蒸気、又はＳｎ蒸気から生成することができる。超高温プラズマは、例えば、放電によって少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを生成することにより生成される。放射を効率的に生成するには、分圧、例えば、１０Ｐａの圧力のＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気又はその他の任意の好適なガス又は蒸気が必要な場合がある。放射源ＳＯによって発せられた放射は、放射源チャンバ４７の開口内又はその裏に位置するガスバリア又は汚染物質溜め４９を介して、放射源チャンバ４７からコレクタチャンバ４８内へ渡される。ある実施形態では、ガスバリア４９はチャネル構造を含んでいてもよい。
【００９８】
[00120]  コレクタチャンバ４８は、かすめ入射コレクタから形成することができる放射コレクタ５０（コレクタミラー又はコレクタとも呼ばれる）を含む。放射コレクタ５０は、上流の放射コレクタ側５０ａと下流の放射コレクタ側５０ｂを有し、コレクタ５０から渡される放射は、グレーティングスペクトルフィルタ５１で反射して、コレクタチャンバ４８内のアパーチャの仮想放射源ポイント５２で合焦する。放射コレクタ５０は当業者には周知である。
【００９９】
[00121]  コレクタチャンバ４８から、放射ビーム５６は、垂直入射リフレクタ５３及び５４を介して照明光学ユニット４４内で反射し、レチクル又はマスクテーブルＭＴ上に位置するレチクル又はマスク（図示せず）に至る。パターン付ビーム５７が形成され、投影システムＰＳ内で反射素子５８及び５９を介して基板ステージ又は基板テーブルＷＴ上に支持された基板（図示せず）上で結像される。様々な実施形態で、照明光学ユニット４４及び投影システムＰＳは、図１０に示すよりも多くの（又は少ない）素子を含んでいてもよい。例えば、照明光学ユニット４４は、また、エネルギーの測定値（パルス毎の）を提供するエネルギーセンサＥＳと、光学ビームの移動を測定する測定センサＭＳと、照明スリットの均一性を制御することができる均一性補償器ＵＣとを含んでいてもよい。さらに、リソグラフィ装置のタイプに応じてグレーティングスペクトルフィルタ５１がオプションとしてあってもよい。さらに、ある実施形態では、照明光学ユニット４４及び投影システムＰＳは、図１０に示すよりも多くのミラーを含んでいてもよい。例えば、投影システムＰＳは、反射素子５８及び５９に加えて１つ〜４つの反射素子を組み込んでいてもよい。図１０で、参照番号１８０は、２つのリフレクタの間の空間、例えば、リフレクタ１４２と１４３の間の空間を示す。
【０１００】
[00122]  ある実施形態では、コレクタミラー５０は、かすめ入射ミラーの変わりに、又はそれに加えて垂直入射コレクタをさらに含んでいてもよい。さらに、コレクタミラー５０は、リフレクタ１４２、１４３、及び１４６を備えた入れ子式コレクタについて説明しているが、本明細書ではコレクタの一例としてさらに使用される。
【０１０１】
[00123]  さらに、図１０に概略を示すグレーティング５１の代わりに、透過型光学フィルタを装着してもよい。ＥＵＶを透過する光学フィルタと、ＵＶ放射の透過性が低いか又はＵＶ放射を実質的に吸収する光学フィルタは当業者には周知である。したがって、本明細書で、「グレーティングスペクトル純度フィルタ」は、グレーティング又は透過型フィルタを含む「スペクトル純度フィルタ」と交換可能に使用される。図１０には示していないが、ＥＵＶ透過型光学フィルタは、例えば、照明ユニット４４及び／又は投影システムＰＳ内のコレクタミラー５０又は光学ＥＵＶ透過型フィルタの上流側に構成された追加の光学要素として含まれてもよい。
【０１０２】
[00124]  光学要素に対して「上流の」及び「下流の」という用語は、１つ又は複数の追加の光学要素のそれぞれ「光学的に上流の」及び「光学的に下流の」１つ又は複数の光学要素の位置を示す。放射ビームがリソグラフィ装置を通過する光路に沿って、第２の光学要素よりも放射源ＳＯに近い第１の光学要素が第２の光学要素の上流に構成される。第２の光学要素は、第１の光学要素の下流に構成される。例えば、コレクタミラー５０はスペクトルフィルタ５１の上流に構成されているが、光学要素５３はスペクトルフィルタ５１の下流に構成されている。
【０１０３】
[00125]  図１０に示すすべての光学要素（及びこの実施形態の概略図に示していない追加の光学要素）は、放射源ＳＯ、例えばＳｎによって生成される汚染物質の堆積の影響を受けることがある。これは、放射コレクタ５０にあてはまり、スペクトル純度フィルタ５１（もしある場合）にあてはまる。したがって、洗浄デバイスを使用して１つ又は複数のこれらの光学要素を洗浄することができる。また、それらの光学要素だけでなく垂直入射リフレクタ５３及び５４並びに反射型素子５８及び５９又はその他の光学要素、例えば追加のミラー、グレーティングなどにも洗浄方法を適用することができる。
【０１０４】
[00126]  放射コレクタ５０は、かすめ入射コレクタであってもよく、このような実施形態では、コレクタ５０は光軸Ｏに沿って整列する。放射源ＳＯ、又はその画像も光軸Ｏに沿っていてもよい。放射コレクタ５０は、リフレクタ１４２、１４３、及び１４６（「シェル」又はいくつかのウォルタ型リフレクタを含むウォルタ型リフレクタとしても知られる）を含んでいてもよい。リフレクタ１４２、１４３、及び１４６は、入れ子構造で光軸Ｏを中心とする回転対称であってもよい。図１０で、内部リフレクタは参照番号１４２で示され、中間リフレクタは参照番号１４３で示され、外部リフレクタは参照番号１４６で示されている。放射コレクタ５０は、特定の容積、例えば、外部リフレフタ１４６内の容積を封入する。普通、外部リフレフタ１４６内の容積は周縁部が閉鎖されているが、微小な開口があってもよい。
【０１０５】
[00127]  リフレクタ１４２、１４３、及び１４６は、それぞれ少なくとも一部が反射層又はいくつかの反射層を表す表面を含んでいてもよい。したがって、リフレクタ１４２、１４３、及び１４６（又は４つ以上のリフレクタ又はシェルを有する放射コレクタの実施形態では追加のリフレクタ）は、少なくとも部分的に、放射源ＳＯからのＥＵＶ放射を反射し収集するように設計されている。リフレクタ１４２、１４３、及び１４６の少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射し収集するように設計されていなくてもよい。例えば、リフレクタの裏側の少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射し収集するように設計されていなくてもよい。これらの反射層の表面には、保護のため又は反射層の表面の少なくとも一部に提供された光学フィルタとしてのキャップ層がさらにあってもよい。
【０１０６】
[00128]  放射コレクタ５０は、放射源ＳＯ又は放射源ＳＯの画像の近傍に配置してもよい。各リフレクタ１４２、１４３、及び１４６は、放射源ＳＯにより近い反射面よりも放射源ＳＯから光軸Ｏに対してより小さい角度に配置された少なくとも２つの隣接する反射面を含んでいてもよい。こうして、かすめ入射コレクタ５０は、光軸Ｏに沿って伝搬するＥＵＶ放射ビームを生成するように構成される。少なくとも２つのリフレクタは実質的に同軸に配置することができ、光軸Ｏを中心に実質的に回転対称に延在していてもよい。放射コレクタ５０は、外部リフレクタ１４６の外面上の別の機能又は外部リフレクタ１４６、例えば、保護ホルダ、ヒーターなどの周囲の別の機能を有していてもよいことを理解されたい。
【０１０７】
[00129]  本明細書に記載する実施形態では、「レンズ」及び「レンズ素子」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントの任意の１つ又は組合せを指すことができる。
【０１０８】
[00130]  さらに、本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば３６５、２４８、１９３、１５７又は１２６ｎｍの波長を有する）、極端紫外（ＥＵＶ又は軟Ｘ線）放射（例えば５〜２０ｎｍの範囲、例えば、１３．５ｎｍの波長を有する）、又は５ｎｍ未満で動作する硬Ｘ線を含む全てのタイプの電磁放射、並びにイオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームを包含する。一般に、波長が約７８０ｎｍ〜３０００ｎｍ（又はそれ以上）の間の放射は、ＩＲ放射と見なされている。ＵＶは、波長が約１００〜４００ｎｍの放射を指す。リソグラフィにおいては、ＵＶは、通常、水銀放電灯によって生成されるＧライン４３６ｎｍ、Ｈライン４０５ｎｍ及び／又はＩライン３６５ｎｍの波長にも適用される。真空ＵＶ、又はＶＵＶ（すなわち、空気によって吸収されるＵＶ）は、約１００〜２００ｎｍの波長を有する放射を指す。深ＵＶ（ＤＵＶ）は、一般に、１２６ｎｍ〜４２８ｎｍの範囲の波長を有する放射を指す。ある実施形態では、エキシマレーザは、リソグラフィ装置で使用されるＤＵＶ放射を生成することができる。波長の範囲が例えば５〜２０ｎｍの放射は、少なくともその一部が５〜２０ｎｍの範囲内に存在している特定の波長帯域の放射に関連することを理解されたい。
【０１０９】
ＩＩ．照明ビームの均一性のドリフトを補償するシステム及び方法
[00131]  図１１は、本発明のある実施形態による均一性リフレッシュ（ＵＲ）補正システム１１００の機械的部分を示す。図１１で、均一性リフレッシュ（ＵＲ）補正システム１１００は、エネルギーセンサ（ＥＳ）１１１０及び複数の均一性補償器１１２０を含む。ＵＲ補正システム１１００は、リソグラフィ動作の間に照明ビームを変更することができる。本発明の少なくとも１つの実施形態では、照明ビームは円弧形状であり、照明スリット１１３０と呼ばれている。照明スリット１１３０内への、及びその外への個別の均一性補償器１１２０の移動を制御することにより、照明スリット１１３０の均一性を制御することができる。均一性補償器１１２０はフィンガーとも呼ばれる。均一性補償器の例示の動作は、参照により全体を本明細書に組み込むものとする２００９年５月２９日出願の同一所有である共願の米国仮特許出願第６１／１８２，２９５号に記載されている。
【０１１０】
[00132]  一例では、ターゲットの均一性を達成するために、図１１に示すフィンガーを個別に制御して照明スリットの強度を変更することができる。
【０１１１】
[00133]  図１８は、本発明のある実施形態による平坦なターゲットについてのターゲットの均一性の工程１８００を示す。平坦でないターゲットについて同じ結果を達成する方法は当業者には明らかであることを理解されたい。この例では、二組の入力セット１８１０／１８１５及び１８２０／１８２５が使用される。第１の入力セットは、中央位置にフィンガーを備えたターゲットの平坦なプロファイルを表す曲線１８１０と中央位置にフィンガーを備えた均一性測定の値１８１５とに関連していてもよい。第２の入力セットは、照明ビーム内へのフィンガーの挿入位置毎の減衰量を表す曲線１８２０と現在のフィンガーの位置と対応する減衰の値１８２５とに関連していてもよい。
【０１１２】
[00134]  一例では、フィンガーが初期位置（例えば、中央の位置）にある状態で照明スリットの強度の測定プロファイルを表す曲線１８４０が決定されると、フィンガーポジショニングアルゴリズム（ＦＰＡ）１８３０を実行することができる。一例では、ＦＰＡ１８３０は、最小の強度測定値のフィンガーを突き止める。次に、ＦＰＡ１８３０は、関数１８５０を用いて残りのフィンガーをそのフィンガー１８５０と同じ強度レベルへ移動させて平坦なプロファイルを生成する。プロファイルが平坦でなかった場合、減衰（例えば、フィンガーの位置）をそれに応じて拡大縮小して平坦でないプロファイルを生成する。ＦＰＡ１８３０は、複数の新しいフィンガー位置を表す制御信号１８６０とそれに関連付けられた減衰値を出力する。次に、制御信号１８６０を用いてフィンガーを「補正された」補償位置へ機械的に移動させて照明スリットのターゲットの均一性を達成することができる。
【０１１３】
[00135]  図１２は、本発明の一実施形態による照明スリット１２３０の拡大図である。例えば、少なくとも１つの実施形態では、図１２は、照明スリット１２３０のサイズ及び形状を示す。図１２は、照明スリットの強度均一性を変更するために、照明スリットの経路に挿入されそこから引き出される均一性補償器のフィンガーを示さない。一実施形態では、均一性補償器は照明スリットの一方の側にだけ配置される。
【０１１４】
[00136]  図１３は、本発明のある実施形態による方法を示す。例えば、この方法によって均一性リフレッシュ（ＵＲ）補正システムを用いて、システムの均一性ドリフトを補償して基板ごとに成功裏に結像されたデバイスの数を改善することにより、製造効率を最大限にすることができる。
【０１１５】
[00137]  一例では、この方法は基板の各ロット１３１０から開始する。ステップ１３２０において、照明スリットの均一性が測定される（例えば、スリットの積算強度又はスリットに沿った離散的な強度サンプルを用いたスリット−スキャン平均によって）。ステップ１３２０において、均一性リフレッシュ（ＵＲ）補正システムは、スリット全体の平坦な強度プロファイルに基づいて均一性補償器（例えば、フィンガー）の位置を計算する。オプションとして、ステップ１３４０において、均一性リフレッシュ（ＵＲ）補正システムは、平坦でない（ＤＯＳＥＭＡＰＰＥＲ（登録商標）又はＤｏＭａとしても知られる）強度プロファイルに基づいて均一性補償器（例えば、フィンガー）の位置を計算する。ＤＯＳＥＭＡＰＰＥＲ（登録商標）の実施形態に関する例は、参照により全体を本明細書に組み込むものとする２００９年５月１２日出願の米国特許第７，５３２，３０８号に記載されている。ステップ１３５０において、均一性リフレッシュ（ＵＲ）補正システムは、複数の均一性補償器（例えば、フィンガー）の位置を設定する。ステップ１３６０において、基板が露光される。一例では、各基板の露光中に、いくつかの異なる平坦でないプロファイル（例えば、ＤＯＳＥＭＡＰＰＥＲ（登録商標）のターゲット照明スリットプロファイル）を使用することができる（例えば、露光される基板の部分に応じて）。したがって、単一の基板の露光中であっても均一性補償器フィンガーの位置が変化することがある。ステップ１３７０において、ロット内の別の基板を露光するか否かが決定される。露光する場合、この方法はステップ１３２０に戻る。ロット内の基板をこれ以上露光しない場合、この方法はステップ１３９０で終了する。
【０１１６】
[00138]  本発明のある実施形態では、ステップ１３１０において、単一ロットの後続の基板の間に照明スリットの均一性が制御される（例えば、補正される）。したがって、ロット内の各基板は、個別に制御された均一な照明スリットで露光される。ステップ１３２０において、照明スリットの均一性が測定される。例えば、照明スリットの均一性は、いくつかの要因、例えば、照明ビームの移動、光カラムの均一性、又は均一性補償器フィンガーのドリフトによって変化することがある。
【０１１７】
[00139]  一例では、照明スリットの均一性は、スリット全体にわたって照明スリットの均一性を積算することにより、連続する強度プロファイルとして測定することができる。追加的に又は代替的に、照明スリットの均一性は、スリットに沿った離散的な強度サンプルを用いたスリット−スキャン平均強度として測定することができる。
【０１１８】
[00140]  ステップ１３３０において、ステップ１３２０で測定された照明スリットの均一性を用いて、フィンガーの位置が計算されて平坦なターゲット照明スリット均一性が生成される（例えば、フィンガー位置の計算は図１８に示すように実行可能である）。オプションとして、ステップ１３４０において、平坦でない（ＤｏＭａ）均一性プロファイルをステップ１３２０で測定された照明スリットの均一性と併用して、フィンガーの位置が計算される。ステップ１３５０において、照明ビームの均一性が平坦なターゲットプロファイル又は平坦でないターゲットプロファイルに合致するように、計算されたフィンガーの位置が設定される。ステップ１３６０において、基板が露光される。
【０１１９】
[00141]  一実施形態では、基板の露光中にフィンガーを移動させることができ、基板の様々な部分が異なる照明スリットのターゲットプロファイルを用いて露光される。これらの露光「中の」照明スリットのターゲットプロファイルが変更されても、それらは依然として測定された照明スリットの均一性に基づくことができる。
【０１２０】
[00142]  ステップ１３７０において、露光すべきロット内の追加の基板があるか否かが決定される。基板がある場合、この方法はステップ１３２０に戻る。一例では、単一のロットの基板の間の照明スリットの均一性を測定して補正するステップが望ましい。これは、システムの移動、発熱、及び振動によって照明スリットの均一性が変化した可能性があるからである。露光すべき基板がない場合、この方法はステップ１３９０で終了する。
【０１２１】
[00143]  図１４は、本発明のある実施形態による方法を示す。例えば、この方法によって均一性リフレッシュ（ＵＲ）補正システムを用いて、システムの均一性ドリフトを補償して基板ごとに成功裏に結像されたデバイスの数を改善することにより製造効率を最大限にすることができる。図１４に示す方法は、第１の基板が処理される前に初期較正ステップを含むことができる。後続の基板は較正ステップを有さなくてもよく、先行する基板の終了測定値を初期測定値として使用してもよい。
【０１２２】
[00144]  ステップ１４１０において、均一性補償器の位置のオフライン較正が実行される。ステップ１４１５において、均一性補償器は機械的に調整される。ステップ１４２０において、放射ビームが生成される。ステップ１４２５において、放射ビームは、均一性補償器を含む光学システムを通過する。オプションのステップ１４３０において、ビームの移動が測定されるか又はビームの移動が計算される。ステップ１４３５において、照明スリットの均一性が測定又は計算される（例えば、測定される場合、これはスリットの積算強度又はスリットに沿った離散的な強度サンプルを用いたスリット−スキャン平均による）。ステップ１４４０において、均一性補償器（例えば、フィンガー）の位置が現在の均一性、オフラインデータ、及び／又はビームの移動に基づいて決定される。ステップ１４４５において、均一性補償器（例えば、フィンガー）の位置が調整される。ステップ１４５０において、図１３に示す方法を再度実行するか否かが決定される。実行する場合、図１４に示す方法はステップ１４２０へ戻る。実行しない場合、図１４に示す方法はステップ１４５５へ進み、ここで基板が露光される。
【０１２３】
[00145]  一例では、各基板の露光中に、いくつかの異なる平坦でないプロファイル（例えば、ＤＯＳＥＭＡＰＰＥＲ（登録商標）のターゲット照明スリットプロファイル）を使用することができる（例えば、露光される基板の部分に応じて）。例えば、単一の基板の露光中であっても均一性補償器フィンガーの位置が変化することがある。加熱及び冷却周期中の均一性の変化のモデル化、関連付けられたパラメータの較正、及びこれらの結果の個々の減衰器の作動への適用に関する例は、両出願とも参照により全体を本明細書に組み込むものとする２００９年５月１２日出願の米国特許第７，５３２，３０８号及び２００２年９月２４日出願の第６，４５５，８６２号に記載されている。
【０１２４】
[00146]  図１３に関連して前述したように、本発明のある実施形態では、後続の基板の間に照明スリットの均一性が制御される（例えば、補正される）。また、本発明のある実施形態では、照明スリットの均一性がターゲット照明スリット均一性に合致するように均一性補償器を調整する方法は、基板毎の照明スリットの均一性の少なくとも２つの測定値を含む。すなわち、図１４に示す方法がステップ１４５０に達すると、「反復」決定がなされる。「反復」決定は普通、各基板で最初は「はい」である。決定１４５０が「はい」の時には、ステップ１４２０が繰り返され、新しい放射ビームが生成される。新しい放射ビームは、ステップ１４３５において、光学システムを通過する。ステップ１４３５は照明スリットの均一性を測定し、ステップ１４４０は均一性補償器の位置を決定し、ステップ１４４５は均一性補償器を調整する。
【０１２５】
[00147]  図１４に示す方法の反復中、測定された照明スリットの均一性がターゲット照明スリット強度プロファイル（平坦な又は平坦でない）の所定の許容範囲内にある場合、これ以上補償方法を繰り返す必要はなく、ステップ１４５０において「いいえ」が選択される。その後、図１３に関連して前述したように、ステップ１４５５において、基板の露光が実行されてもよい。図１４に示す方法は、所定の許容範囲との比較なしに実行することができる。ある実施形態では、図１４に示す方法は１回だけ実行され、ステップ１４４５において、均一性補償器の調整によって、照明スリットの均一性がターゲット照明スリット強度プロファイル（平坦な又は平坦でない）に合致するか否かを決定するために繰り返されることはない。
【０１２６】
[00148]  別の例では、測定された照明スリットの均一性がターゲット照明スリット強度プロファイル（平坦な又は平坦でない）の所定の許容範囲内にない場合、均一性補償器はさらに調整を要する。この場合、ステップ１４５０において「はい」が選択される。照明スリットの均一性を微調整してターゲット照明スリット強度プロファイルに近づけることができる。あるいは、測定された照明スリットの均一性がターゲット照明スリット強度プロファイルの所定の許容範囲内にある場合、基板の初回露光後であってもこの方法を反復する必要はない。
【０１２７】
[00149]  図１５Ａは、本発明のある実施形態による第１の基板露光シーケンスに関する均一性リフレッシュステップを示す。図１５Ｂは、本発明のある実施形態による第２及びその後の基板露光シーケンスに関する均一性リフレッシュステップを示す。図１５Ａ及び図１５Ｂは、システムのドリフトによる均一性補償を実施する図１３及び図１４のマルチ基板ロットの方法を示す。一例では、タイムライン１５００は、上の図１３及び図１４に記載された方法のグラフ表現である。図１５Ａは、各々の新しいロットの第１の基板について実行される追加のステップ（例えば、較正）を含む。図１５Ｂは、追加の較正ステップを含まず、第１の基板の最終測定値を用いて初期測定値を生成する。これによって、すべての基板露光２及びその上の処理から較正ステップが解消され、効率が向上する。一例では、図１５Ａ及び図１５Ｂに示す工程は、図１３及び図１４に関連して前述した工程と同じであり、話を簡潔にするために説明は繰り返さない。
【０１２８】
[00150]  図１６及び図１７は、シーケンシャル均一性リフレッシュ（ＵＲ）データフローの様々な実施形態を示す。例えば、図１６と図１７の違いは、図１６に示すデータフローが照明スリットの均一性を平坦なターゲットに補正している一方で、図１７に示すデータフローは照明スリットの均一性を平坦でないターゲットに補正しているという点である。
【０１２９】
[00151]  図１６は、平坦なターゲットを備えた均一性リフレッシュ（ＵＲ）を実施するためのデータフロー１６００を示す。要素１６０２、１６０８、１６１４、１６２０、１６２６、１６３２、１６５２、１６５８、及び１６６４は、（例えば、図１３〜図７に関連して前述したアルゴリズムと同様の）均一性リフレッシュ（ＵＲ）アルゴリズムを実施するための入力である。要素１６０４、１６１０、１６１６、１６２２、１６２８、１６３４、１６３８、１６５４、１６６０、１６６６、及び１６７０は、均一性リフレッシュ（ＵＲ）アルゴリズムを実施するための関数、演算、又は工程である。要素１６０６、１６１２、１６１８、１６２４、１６３０、１６３６、１６５６、１６６２、及び１６６８は、均一性リフレッシュ（ＵＲ）アルゴリズムを実施するための出力である。
【０１３０】
[00152]  図１７は、平坦でないターゲットを備えた均一性リフレッシュ（ＵＲ）を実施するためのデータフロー１７００を示す。図１７に、図１６の要素に加えて、平坦でない（例えば、ＤＯＳＥＭＡＰＰＥＲ（登録商標））ターゲットを実施するための入力（１７３８、１７４４、１７８０、及び１７８６）、関数、演算、又は工程（１７４０、１７４６、１７５０、１７８２、１７８８、及び１７９２）並びに出力（１７４２、１７４８、１７８４、１７９０）が示されている。
【０１３１】
[00153]  一例では、図１６を再度参照すると、平坦なフィンガー位置Ｆｌａｔ＿ＦＰ＿Ｘ（１７０２、１７２０、及び１７５２）のデータフロー１６００が示されている。データフロー１６００を使用する間、照明スリットの均一性が測定されて（１７０４、１７２２、及び１７５２）平坦なターゲットプロファイルＦｌａｔ＿Ｐｒｏｆｉｌｅ＿Ｘ（１７０６、１７２４、及び１７５６）が生成される。Ｆｌａｔ＿Ｐｒｏｆｉｌｅ＿Ｘをフィンガー減衰Ｆｌａｔ＿ａｔｔｅｎ＿Ｘ（１７０８、１７２６、及び１７５８）と併用することができ、均一性リフレッシュフィンガーポジショニングアルゴリズム「ＵＲ  Ｘ  ＦＰＡ」（１７１０、１７２８、及び１７６０）は、これを用いて新しいフィンガー位置Ｆｌａｔ＿ＦＰ＿Ｘ＋１及び新しいフィンガー減衰値Ｆｌａｔ＿ａｔｔｅｎ＿Ｘ＋１（１７１２、１７３０、及び１７６２）を生成する。Ｄｏｓｅ  Ｏｆｆｓｅｔアルゴリズム（１７１６、１７３４、及び１７６６）は、Ｆｌａｔ＿ａｔｔｅｎ＿Ｘ及びＦｌａｔ＿ａｔｔｅｎ＿Ｘ＋１（１７１４、１７３２、及び１７６４）を用いて誘導されるドーズのオフセットＦｌａｔ＿ＤＯ＿ＵＲ＿Ｘを生成する。Ｄｏｓｅ  Ｏｆｆｓｅｔアルゴリズムのデータフローは、基板の露光（例えば、１７３８及び１７７０）で使用される。この実施形態を限定する意図はないが、図１６は、左側に測定ステップ、決定ステップ、及び均一性を最適化する２つのサイクルを必要とする均一性補償器の調整ステップを示すが、右側は１つのサイクルしか必要でない。
【０１３２】
[00154]  一例では、図１７に関して、データフロー１７００は、データフロー１６００に対して、基板の露光の実質的に直前又は露光中に、平坦でない（例えば、ＤＯＳＥＭＡＰＰＥＲ（登録商標））ターゲット照明均一性が達成されるように均一性補償器を移動させる追加のステップを含む。平坦でない（ＤＯＳＥＭＡＰＰＥＲ（登録商標））フィンガーポジショニングアルゴリズム「ＤｏＭａ  ＦＰＡ」（１７４０及び１７８２）は、Ｆｌａｔ＿Ｐｒｏｆｉｌｅ＿Ｘとフィンガー減衰Ｆｌａｔ＿ａｔｔｅｎ＿Ｘ及び複数の平坦でないターゲット（１７３８及び１７８０）を用いて新しいフィンガー位置Ｔａｒｇｅｔ＿Ｘ（ｉ）＿ＦＰ及び新しいフィンガー減衰値Ｔａｒｇｅｔ＿Ｘ（ｉ）＿ａｔｔｅｎ（１７４２及び１７８４）を生成する。Ｄｏｓｅ  Ｏｆｆｓｅｔアルゴリズム（１７４６及び１７８８）は、Ｆｌａｔ＿ａｔｔｅｎ＿Ｘ及びＴａｒｇｅｔ＿Ｘ（ｉ）＿ａｔｔｅｎ（１７４４及び１７８６）を用いて複数の平坦でないターゲットの各々のドーズのオフセットＴＸ（ｉ）＿ＤＯ＿ＵＲ＿Ｘを生成することができる。Ｄｏｓｅ  Ｏｆｆｓｅｔアルゴリズムのデータフローは、基板の露光（１７５０及び１７９２）で使用することができる。
【０１３３】
[00155]  本発明の様々な態様は、ソフトウェア、ファームウェア、ハードウェア、又はそれらの組合せで実施することができる。図１９は、本発明の実施形態又はその一部がコンピュータ可読コードとして実施することができる例示のコンピュータシステム１９００を示す図である。例えば、それぞれ図１３及び図１４のフローチャートによって示される方法は、ディスプレイ１９３０に結合されたディスプレイインターフェイス１９０２を含むコンピュータシステム１９００内で実施することができる。本発明の様々な実施形態について、この例示のコンピュータシステム１９００に関して説明する。この説明を読んだ後では、その他のコンピュータシステム及び／又はコンピュータアーキテクチャを用いて本発明の実施形態を実施する方法は当業者には明らかであろう。
【０１３４】
[00156]  コンピュータシステム１９００は、プロセッサ１９０４などの１つ又は複数のプロセッサを含む。プロセッサ１９０４は、特定用途又は汎用のプロセッサであってよい。プロセッサ１９０４は、通信インフラストラクチャ１９０６（例えば、バス又はネットワーク）に接続されている。
【０１３５】
[00157]  コンピュータシステム１９００は、また、メインメモリ１９０５、好ましくはランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）を含み、二次メモリ１９１０も含む。二次メモリ１９１０は、例えば、ハードディスクドライブ１９１２、リムーバブル記憶ドライブ１９１４、及び／又はメモリスティックを含むことができる。リムーバブル記憶ドライブ１９１４は、フロッピー(登録商標)ディスクドライブ、磁気テープドライブ、光ディスクドライブ、フラッシュメモリなどを備えることができる。リムーバブル記憶ドライブ１９１４は、周知の方法でリムーバブル記憶ユニット１９１８との間で読出し／書込みを行う。リムーバブル記憶ユニット１９１８は、リムーバブル記憶ドライブ１９１４によって読出し／書込みされるフロッピー(登録商標)ディスク、磁気テープ、光ディスクなどを含むことができる。当業者であれば理解されるように、リムーバブル記憶ユニット１９１８は、コンピュータソフトウェア及び／又はデータを内部に記憶したコンピュータ使用可能記憶媒体を含む。
【０１３６】
[00158]  代替実施形態では、二次メモリ１９１０は、コンピュータプログラム又はその他の命令をコンピュータシステム１９００にロードする他の類似のデバイスを含むことができる。このようなデバイスは、例えば、リムーバブル記憶ユニット１９１８と、インターフェイス１９２０とを含むことができる。このようなデバイスの例は、プログラムカートリッジ及びカートリッジインターフェイスと（ビデオゲームデバイス内にあるような）、リムーバブルメモリチップ（例えば、ＥＰＲＯＭ又はＰＲＯＭ）及びそれに関連付けられたソケットと、その他のリムーバブル記憶ユニット１９１８と、ソフトウェア及びデータをリムーバブル記憶ユニット１９１８からコンピュータシステム１９００へ転送するインターフェイス１９２０とを含むことができる。
【０１３７】
[00159]  コンピュータシステム１９００は、また、通信インターフェイス１９２４を含むことができる。通信インターフェイス１９２４は、ソフトウェア及びデータをコンピュータシステム１９００と外部デバイスとの間で転送することができる。通信インターフェイス１９２４は、モデム、ネットワークインターフェイス（イーサネット(登録商標)カードなど）、通信ポート、ＰＣＭＣＩＡスロット及びカードなどを含むことができる。通信インターフェイス１９２４を介して転送されるソフトウェア及びデータは、通信インターフェイス１９２４が受信可能な電子、電磁、光又はその他の信号でよい信号の形式である。これらの信号は、通信経路１９２６及び１９２８を介して通信インターフェイス１９２４に提供される。通信経路１９２６及び１９２８は、信号を搬送し、ワイヤ又はケーブル、光ファイバ、電話回線、携帯電話リンク、ＲＦリンク又はその他の通信チャネルを用いて実施することができる。
【０１３８】
[00160]  本明細書では、「コンピュータプログラム媒体」及び「コンピュータ使用可能媒体」という用語は、一般に、リムーバブル記憶ユニット１９１８、リムーバブル記憶ユニット１９１８、及びハードディスクドライブ１９１２にインストールされたハードディスクなどの媒体を指す。また、コンピュータプログラム媒体及びコンピュータ使用可能媒体は、メモリ半導体（例えば、ＤＲＡＭなど）でもよいメインメモリ１９０５及び二次メモリ１９１０などのメモリを指すことができる。これらのコンピュータプログラムプロダクトは、コンピュータシステム１９００にソフトウェアを提供する。
【０１３９】
[00161]  コンピュータプログラム（コンピュータ制御ロジックとも呼ばれる）は、メインメモリ１９０５及び／又は二次メモリ１９１０に記憶されている。コンピュータプログラムは、通信インターフェイス１９２４を介して受信することもできる。このようなコンピュータプログラムは、実行されると、コンピュータシステム１９００が本明細書に記載する本発明の実施形態を実施することを可能にする。特に、コンピュータプログラムは、実行されると、プロセッサ１９０４が上記の図１３のフローチャートに示す方法のステップなどの本発明の工程を実施することを可能にする。したがって、このようなコンピュータプログラムは、コンピュータシステム１９００のコントローラを表す。本発明の実施形態がソフトウェアを用いて実施される場合、リムーバブル記憶ドライブ１９１４、インターフェイス１９２０、ハードドライブ１９１２又は通信インターフェイス１９２４を用いて、ソフトウェアをコンピュータプログラムプロダクト内に記憶し、コンピュータシステム１９００にロードすることができる。
【０１４０】
[00162]  本発明の実施形態は、また、任意のコンピュータ使用可能媒体に記憶されたソフトウェアを含むコンピュータプログラムプロダクトに関する。このようなソフトウェアは、１つ又は複数のデータ処理デバイスで実行されると、データ処理デバイスに本明細書に記載の動作を実行させる。本発明の実施形態は、現在又は将来において周知である任意のコンピュータ使用可能媒体又はコンピュータ可読媒体を使用する。コンピュータ使用可能媒体の例は、これに限定はされないが、主記憶装置（例えば、任意のタイプのランダムアクセスメモリ）、二次記憶装置（例えば、ハードドライブ、フロッピー(登録商標)ディスク、ＣＤ  ＲＯＭ、ＺＩＰディスク、テープ、磁気記憶装置、光記憶装置、ＭＥＭＳ、ナノテクノロジー記憶装置など）、及び通信媒体（例えば、有線及び無線通信ネットワーク、ローカルエリアネットワーク、ワイドエリアネットワーク、イントラネットなど）を含む。
【０１４１】
[00163]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【０１４２】
[00164]  別の実施形態では、リソグラフィ装置は、ＥＵＶリソグラフィのためのＥＵＶ放射ビームを生成するように構成された極端紫外線（ＥＵＶ）源を含む。一般に、ＥＵＶ源は放射システム内に構成され（下記を参照）、対応する照明システムはＥＵＶ源のＥＵＶ放射ビームを調節するように構成されている。
【０１４３】
[00165]  本明細書に記載する実施形態では、「レンズ」及び「レンズ素子」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントの任意の１つ又は組合せを指すことができる。
【０１４４】
[00166]  本明細書で使用される「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば３６５、２４８、１９３、１５７又は１２６ｎｍの波長λを有する）、極端紫外（ＥＵＶ又は軟Ｘ線）放射（例えば５〜２０ｎｍの範囲、例えば、１３．５ｎｍの波長を有する）、又は５ｎｍ未満で動作する硬Ｘ線を含む全てのタイプの電磁放射、並びにイオンビーム又は電子ビームなどの粒子ビームを包含する。一般に、波長が約７８０〜３０００ｎｍ（又はそれ以上）の間の放射はＩＲ放射と見なされている。ＵＶは、波長が約１００〜４００ｎｍの放射を指す。リソグラフィにおいては、ＵＶは、通常、水銀放電灯によって生成されるＧライン４３６ｎｍ、Ｈライン４０５ｎｍ及び／又はＩライン３６５ｎｍの波長にも適用される。真空ＵＶ、又はＶＵＶ（すなわち、空気によって吸収されるＵＶ）は、約１００〜２００ｎｍの波長を有する放射を指す。深ＵＶ（ＤＵＶ）は、一般に、１２６ｎｍ〜４２８ｎｍの範囲の波長を有する放射を指す。ある実施形態では、エキシマレーザは、リソグラフィ装置で使用されるＤＵＶ放射を生成することができる。波長の範囲が例えば５〜２０ｎｍの放射は、少なくともその一部が５〜２０ｎｍの範囲内に存在している特定の波長帯域の放射に関連することを理解されたい。
【０１４５】
結論
[00167]  概要及び要約書の項ではなく、詳細な説明の項を用いて請求の範囲を解釈するように企図されていることを理解されたい。概要及び要約書の項は発明者（ら）が考える本発明の１つ又は複数の例を記載できるがそのすべては記載できないため、本発明及び添付の請求の範囲を決して限定するものではない。
【０１４６】
[00168]  以上、特定の機能及びそれらの関係の実施態様を示す機能ビルディングブロックを使用して本発明の実施形態について説明した。本明細書においては、これらの機能ビルディングブロックの境界は、説明の便宜上、任意に画定されている。特定の機能及びそれらの関係が適切に実施される限り、代替境界を画定することも可能である。
【０１４７】
[00169]  特定の実施形態についての以上の説明は、本発明の一般的な性質を余すところなく開示しており、したがって当業者は、当分野における知識を適用することにより、不適切な過度の実験作業を必要とすることなく、また、本発明の一般概念から逸脱することなく、様々な用途のためにこのような特定の実施形態に容易に修正を加え、及び／又は適合させることができる。したがって、このような適合及び修正は、開示されている実施形態の、本明細書において示されている教示及び手引きに基づく等価物の意味及び範囲内に含まれることが意図されている。本明細書における表現又は用語は、説明を目的としたものであって本発明を限定するためのものではなく、したがって本明細書の用語又は表現は、当業者によって、教示及び手引きに照らして解釈されるべきものであることを理解されたい。
【０１４８】
[00170]  本発明の広さ及び範囲は、上で説明したいずれの例示的実施形態によっても限定されず、唯一添付の請求の範囲及びそれらの等価物によってのみ定義されるものとする。
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ−Ｂ】
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【図５】
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【図６Ａ−Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【外国語明細書】
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