(57)【要約】【課題】端子配列の自由度を損ねることなく、端子間の電界干渉を有効に防止する。【解決手段】高周波回路ユニット１０は、高周波回路が形成された回路基板１２と、回路基板１２上に直立して設けられた複数の信号端子１６と、これら信号端子１６の間に配置された複数のローインピーダンス端子１８，２０，２２と、これら端子１６〜２２で構成される端子配列の周囲を取り囲む導電性のケース２４とを備える。ローインピーダンス端子は、高周波回路内で接地極としての特性を有するものであり、例えば基準電位（ＧＮＤ）に接続された接地端子１８又はコンデンサに接続された電源用端子２０である。またケース２４は、高周波回路内で直接的に基準電位（ＧＮＤ）に接続されている。【選択図】図１
2010027290.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の高周波回路が形成された回路基板と、
前記回路基板上に少なくとも一方向に間隔をおいて配列され、前記高周波回路で使用される高周波信号を伝送するための複数の信号端子と、
前記回路基板上に複数の前記信号端子の間に設けられて前記信号端子とともに端子配列を構成し、かつ、個々に前記高周波回路内で接地極としての特性を有するローインピーダンス端子と、
少なくとも前記信号端子及び前記ローインピーダンス端子から構成される前記端子配列の周囲を取り囲んで前記回路基板上に設置された導電性のケースとを備え、
前記ローインピーダンス端子は、
少なくとも前記高周波回路内のコンデンサに接続された電源用端子か、もしくは前記高周波回路内で直接的に基準電位と接続された接地端子のいずれかであり、
前記ケースは、
前記高周波回路内で直接的に基準電位と接続されていることを特徴とする高周波回路ユニット。
【請求項２】
請求項１に記載の高周波回路ユニットにおいて、
前記ケースは、
前記回路基板上で前記端子配列の両側に配置されて前記端子配列に沿って延びる一対の側壁と、
前記回路基板上で前記端子配列の両端よりも外側に配置され、一対の前記側壁同士を連結する一対の両端壁とを有することを特徴とする高周波回路ユニット。
【請求項３】
請求項２に記載の高周波回路ユニットにおいて、
前記ケースの一対の前記側壁は、
前記信号端子の外形寸法の４倍以下の距離を隔てて前記端子配列の両側に配置されていることを特徴とする高周波回路ユニット。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の高周波回路ユニットにおいて、
前記端子配列の一端の位置に配列されている前記信号端子は、
前記ケースの一対の前記側壁と前記両端壁、及び前記端子配列中で隣接する前記ローインピーダンス端子によって少なくとも４方を囲まれていることを特徴とする高周波回路ユニット。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の高周波回路ユニットにおいて、
前記ケースは、
前記回路基板とは別に前記信号端子及び複数の前記ローインピーダンス端子が半田付けされるマザー基板に対し、前記端子配列の周囲で半田付けされる複数の取付脚を有することを特徴とする高周波回路ユニット。
【請求項６】
請求項５に記載の高周波回路ユニットにおいて、
複数の前記取付脚は、前記信号端子の近傍位置に設けられていることを特徴とする高周波回路ユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば高周波用チューナ等の高周波回路内で使用される高周波信号を伝送する信号端子を有した高周波回路ユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プラグハウジング内に多数の端子（コンタクト）をマトリックス状に配置し、その端子間に導電性部材を介在させたプラグコネクタの先行技術がある（特許文献１参照。）。この先行技術では、複数の端子間に導電性部材（プラグハウジングの一部）を介在させているので、導電性部材を介して端子同士がシールドされ、それによって相互の干渉が防止されると考えられる。
【０００３】
またこの他に、ハウジング内に多数の端子（コンタクト）を千鳥足状に２列に配置して、その中でペアとなる信号端子とグランド端子とを三角形の頂点に位置付けた電気コネクタの先行技術がある（特許文献２参照。）。この先行技術によれば、隣接するコンタクトグループの信号端子が直に隣接することはなく、両者間にグランド端子が介在するので、隣接したコンタクトグループ間でのクロストークを低減できると考えられる。
【特許文献１】特開平６−３２５８２８号公報
【特許文献２】特開２００７−８０７８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記の先行技術（特許文献１）は、プラグハウジングの表面を全体的に金属めっきして導電性部材とし、その底面部を端子の根本部分（基端部分）の間に介在させているだけであるため、シールド効果は端子の根本部分のみに限られる。このため、底面部より上方の空間内では端子間のシールド効果を充分に得ることができず、そこで電界干渉が発生するという問題がある。
【０００５】
また後者の先行技術（特許文献２）は、信号端子とグランド端子とが必ず三角形の頂点に位置する関係でなければならないため、それだけ端子配列の制約が大きい。また、信号端子とペアになるグランド端子を必ず設置する必要があるため、それだけ端子数が多くなり、全体的な端子配列が不用意に大型化するという問題がある。
【０００６】
そこで本発明は、端子間の電界干渉を有効に防止しつつ、なるべく端子配列の自由度を高めることができる技術の提供を課題としたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記の課題を解決するため以下の解決手段を採用する。
すなわち本発明は、所定の高周波回路が形成された回路基板と、回路基板上に少なくとも一方向に間隔をおいて配列され、高周波回路で使用される高周波信号を伝送するための複数の信号端子と、回路基板上に複数の信号端子の間に設けられて信号端子とともに端子配列を構成し、かつ、個々に高周波回路内で接地極としての特性を有するローインピーダンス端子と、少なくとも信号端子及び複数のローインピーダンス端子から構成される端子配列の周囲を取り囲んで回路基板上に設置された導電性のケースとを備えた高周波回路ユニットである。そしてローインピーダンス端子は、少なくとも高周波回路内のコンデンサに接続された電源用端子か、もしくは高周波回路内で直接的に基準電位と接続された接地端子のいずれかである。また導電性のケースは、高周波回路内で直接的に基準電位と接続されている。
【０００８】
上記のように本発明の高周波回路ユニットは、回路基板上で信号端子とローインピーダンス端子とを少なくとも一方向に配列して端子配列を構成し、その周囲を導電性のケースで取り囲んだ構成である。ここで「端子配列の周囲を取り囲む」とは、回路基板上でのケースの高さが信号端子の長さに相当する程度に設定されていることを含む意味である。またローインピーダンス端子は、その全てが直接に接地されているわけではないが、いずれも高周波回路内では接地極（グランド）としての特性を有している。すなわち、高周波回路内でコンデンサに接続された電源用端子（給電用の端子）は、信号端子に比較してインピーダンスが極端に低いことから、高周波域ではグランドと同じ特性を示す。また導電性のケースは、高周波回路内で直接的に接地（グランド）された状態にある。
【０００９】
このため本発明によれば、端子配列の外側（周囲）では、導電性のケースによって高周波信号の伝送時に発生する電界を良好に遮蔽し、周囲への電界の拡散を防止することができる。一方、端子配列の内側（配列内）においては、配列内で信号端子と隣接するローインピーダンス端子が信号端子の周囲に発生する電界を良好に遮蔽するので、それによって信号端子間での電界干渉を確実に防止することができる。
【００１０】
また本発明では、端子配列の周囲を導電性のケースで取り囲むだけでよいため、特に端子配列内で個々の信号端子やローインピーダンス端子の配置に制約を設ける必要がない。またローインピーダンス端子は、基準電位に直接に接続された接地端子だけでなく、電源用端子をも有効に活用して電界の遮蔽効果を得ることができるため、単に遮蔽効果を持たせるためだけにわざわざ接地端子を数多く設ける必要がない。したがって、全体的な端子配列が不用意に大型化することなく、回路基板上でコンパクトなまとまりのよい端子配列を構築することができる。
【００１１】
また本発明の高周波回路ユニットにおいて、上記のケースは、回路基板上で端子配列の両側に配置されて端子配列に沿って延びる一対の側壁と、回路基板上で端子配列の両端よりも外側に配置され、一対の側壁同士を連結する一対の両端壁とを有する構成である。
【００１２】
このような構成であれば、端子配列の両側では側壁によって電界が遮蔽され、また端子配列の両端では両端壁によって電界が遮蔽されるので、端子配列から外部への電界干渉を確実に防止することができる。
【００１３】
また、上述したケースの一対の側壁は、信号端子の外形寸法の４倍以下の距離を隔てて端子配列の両側に配置されていることが好ましい。この程度にまでケースの側壁が信号端子に近接していれば、高周波信号の伝送時に発生する電界の拡散を良好に抑えることができる。
【００１４】
なお、端子配列の一端の位置に配列されている信号端子は、ケースの一対の側壁と両端壁、及び端子配列中で隣接するローインピーダンス端子によって少なくとも４方を囲まれている。
【００１５】
通常、信号端子が端子配列の途中（中程）に位置している場合、その両隣に位置するローインピーダンス端子によって電界が遮蔽されているが、端子配列の一端（最外端）に信号端子が位置する場合、そこから外側への電界の干渉をローインピーダンス端子で遮蔽することはできない。ただし、この場合でも端子配列の外側にはケースの両端壁が設けられているので、端子配列の一端に位置する信号端子から外側への電界の拡散を確実に防止することができる。
【００１６】
また本発明において、導電性のケースは、回路基板とは別に信号端子及び複数のローインピーダンス端子が半田付けされるマザー基板に対し、端子配列の周囲で半田付けされる複数の取付脚を有する。
【００１７】
この場合、取付脚をマザー基板に半田付けすることでケースによるシールド効果がより確実となり、端子配列をマザー基板に半田付けした状態で、マザー基板とケースとの間から電界が外部に漏れるのを防止することができる。
【００１８】
なお複数の取付脚は、信号端子の近傍位置に設けられていることが好ましい。この場合、取付脚そのものがケースと協働して電界を遮蔽することができるので、ケースによるシールド効果をさらに高めることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の高周波回路ユニットは、端子配列の自由度を損なうことなく、信号端子による電界干渉を確実に防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００２１】
〔第１実施形態〕
図１は、第１実施形態の高周波回路ユニット１０の構成を概略的に示す斜視図である。高周波回路ユニット１０は回路基板１２を備えており、この回路基板１２には、図示しない高周波回路（例えば５０ＭＨｚ帯〜１．５ＧＨｚ帯のチューナ回路）が形成されている。また回路基板１２の周囲（側方）は、例えば金属製のシールド枠１４で覆われており、このシールド枠１４は高周波回路ユニット１０の筐体としても機能する。図示していないが、シールド枠１４の下方は金属製のシールド板で塞がれており、このシールド板によって回路基板１２の下方が覆われている。
【００２２】
〔端子配列〕
また回路基板１２には、その一方の面に多数の端子（図中参照符号１６，１８，２０，２２）が直立した姿勢で設けられており、これら端子１６〜２２は、例えば直線状の端子配列を構成している。高周波回路ユニット１０は、これら端子１６〜２２からなる端子配列を通じて他のマザー基板３０に接続されるものとなっている。
【００２３】
〔信号端子〕
回路基板１２に設けられた端子配列中、例えば３本の信号端子１６は、図示しない高周波回路で用いられる高周波信号（ＲＦ信号）を伝送するためのものであり、この信号端子１６は、例えば図示しない高周波回路内のＲＦ入力ライン又はＲＦ出力ラインに接続されている。なお第１実施形態では、端子配列の一端の位置に１本の信号端子１６が設けられており、また端子配列の途中（中程）の位置に２本の信号端子１６がそれぞれ間隔をおいて設けられている。
【００２４】
〔ローインピーダンス端子〕
その他に端子配列中には、複数の接地端子１８及び電源用端子２０がローインピーダンス端子として含まれている。このうち接地端子１８は、図示しない高周波回路内で接地極（ＧＮＤ）に接続されている。また２本の電源用端子２０は、図示しない高周波回路内で電力ライン上のコンデンサに接続されている。図示しない高周波回路内において、接地端子１８のインピーダンスは最も低い部類に属する。一方、電源用端子２０は直に接地されていないが、そのインピーダンスは信号端子１６より低く、高周波的には接地極としての特性を有するものである。
【００２５】
なお、その他の端子２２は、例えば上記の接地端子１８や電源用端子２０と同種のものか、もしくはバス信号用のものである。また第１実施形態では、信号端子１６の先端位置が他の接地端子１８や電源用端子２０、その他の端子２２よりも一段高く設定されているが、これは各端子１６〜２２をマザー基板３０に半田付けする際の層位置の違いによるものである。
【００２６】
〔ケース〕
また回路基板１２上には、端子配列の周囲を取り囲むようにしてケース２４が設けられている。ケース２４は導電性材料（例えば金属板）で構成されており、回路基板１２上でみたケース２４の高さは端子１６〜２２の長さに略等しい。ケース２４は一対の側壁２４ａ及び一対の両端壁２４ｂから構成されており、これら側壁２４ａ及び両端壁２４ｂを枠形状に組み合わせることで全体として矩形枠の形状をなしている。このうち一対の側壁２４ａは、端子配列の両側をその配列方向に沿って平行に延びている。また一対の両端壁２４ｂは、端子配列の両端の外側にそれぞれ位置し、この位置で側壁２４ａ同士を相互に連結している。
【００２７】
〔ケースの取付状態〕
図２は、マザー基板３０に対するケース２４の取付状態を示す縦断面図（図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面）である。上記のように高周波回路ユニット１０をマザー基板３０に接続した状態では、ケース２４は端子配列の周囲でマザー基板３０に半田付けされている。このためマザー基板３０には、各端子１６〜２２を半田付けするためのランド（図示していない）の他に、ケース２４を半田付けするためのランド（同じく図示していない）が形成されている。なおケース２４は、マザー基板３０上でもグランドに接続されている。
【００２８】
〔電界遮蔽効果〕
図３は、ケース２４内での電界の遮蔽効果を模式的に示す水平断面図（図２中のIII−III線に沿う断面）である。図３中（Ａ）は、第１実施形態において基本例となるケース２４の構造を示している。また図３中（Ｂ）は、上記の基本形とは別の応用例１としてのケース２４の構造を示している。以下、基本例と応用例１について、それらの対比を交えて説明する。
【００２９】
〔基本例〕
図３中（Ａ）：基本例の構造では、信号端子１６の幅（外形寸法）Ｗに対し、ケース２４の側壁２４ａを距離Ｄ１に近接させた位置に配置している。また上記のように、端子配列内で信号端子１６に隣接した位置に接地端子１８が設けられている。このため端子配列の一端（最外側）に位置する信号端子１６は、両側一対の側壁２４ａと配列の外側に位置する両端壁２４ｂ、そして配列内で隣接する接地端子１８とによってその四方を囲まれた状態にある。
【００３０】
このとき、信号端子１６から両側の各側壁２４ａまでの距離Ｄ１を幅Ｗの４倍以下に設定することで、高周波信号の伝送時に発生する電界Ｅ（図中に網点の塗りつぶしを施す）をケース２４内で良好に遮蔽し、その拡散を防止することができる。すなわち、端子配列の両側方と外側については、ケース２４の側壁２４ａと両端壁２４ｂによって電界Ｅが遮蔽され、また端子配列の内側（ケース２４内部の長手方向）については、隣接する接地端子１８によって電界Ｅが遮蔽されている。なお基本例では、信号端子１６の幅Ｗが例えば０．５ｍｍ程度であるとすると、距離Ｄ１は例えば１．０ｍｍ〜２．０ｍｍ程度である。
【００３１】
〔応用例１〕
図３中（Ｂ）：応用例１では、信号端子１６の幅Ｗに対し、側壁２４ａを距離Ｄ２にまで遠ざけた位置に配置している。この距離Ｄ２は、基本例の距離Ｄ１よりも大きく設定されている。なお、端子配列内で信号端子１６に隣接した位置に接地端子１８が設けられている点は基本例と同様である。このため応用例１においても、端子配列の一端（最外側）に位置する信号端子１６は、両側一対の側壁２４ａと配列の外側に位置する両端壁２４ｂ、そして配列内で隣接する接地端子１８とによってその四方を囲まれた状態にある。
【００３２】
ただし、応用例１のように、信号端子１６から両側の各側壁２４ａまでの距離Ｄ２を幅Ｗの４倍以上に拡大すると、高周波信号の伝送時に発生する電界Ｅの影響範囲が基本例の場合よりもやや拡大する。すなわち、端子配列の両側方と外側については、ケース２４の側壁２４ａと両端壁２４ｂによって電界Ｅが遮蔽されているが、端子配列の内側（ケース２４内部の長手方向）については、隣接する１本の接地端子１だけでは電界Ｅが遮蔽されず、さらに隣の接地端子１８にまで電界Ｅの影響範囲が拡大していることが分かる。そうとはいえ、応用例１においても電界Ｅはケース２４内で遮蔽されており、別の信号端子１６にまで電界Ｅが干渉していないので、応用例１でも充分な遮蔽効果を得ることができる。
【００３３】
〔信号端子間のローインピーダンス端子本数〕
次に図４は、信号端子１６間でのローインピーダンス端子本数の違いによる電界の遮蔽効果の違いを模式的に示す水平断面図（図２中のIII−III線に沿う断面）である。図４中（Ａ）は上記の基本例を示しており、また図４中（Ｂ）は、基本形とは別の応用例２としての端子配列を示している。以下、基本例と応用例２について、それらの対比を交えて説明する。
【００３４】
〔基本例〕
図４中（Ａ）：上記の基本例では、端子配列内で２本の信号端子１６間に３本のローインピーダンス端子（接地端子１８及び電源用端子２０）が配置されている。その他の条件（ケース２４の側壁２４ａとの距離）についてはこれまでと同様である。この場合、上記のように高周波信号の伝送時に発生する電界Ｅをケース２４内で良好に遮蔽し、その干渉を確実に防止することができる。
【００３５】
〔応用例２〕
図４中（Ｂ）：次に応用例２では、２本の信号端子１６の間に配置されるローインピーダンス端子を３本から１本に減らしている。この応用例２のように、ローインピーダンス端子の本数を減らすと、高周波信号の伝送時に発生する電界Ｅの影響範囲が基本例の場合よりも配列方向に拡大する。すなわち端子配列の方向では、信号端子１６に隣接するローインピーダンス端子（ここでは接地端子１８）によって電界Ｅが遮蔽されるが、その本数が少なくなっていくと、それだけ電界Ｅの影響範囲が配列方向に拡大していることが分かる。ただし、応用例２においても信号端子１６の周囲で電界Ｅは遮蔽されており、他の信号端子１６にまで電界Ｅが干渉していないので、このような応用例２でも充分な遮蔽効果を得ることができる。
【００３６】
〔ケース内での距離とローインピーダンス端子本数との関係〕
図５は、ケース２４内での電界の遮蔽効果を模式的に示す水平断面図（図２中のIII−III線に沿う断面）である。このうち図５中（Ａ）は、これまでと異なる応用例３としての端子配列を示しており、また図５中（Ｂ）は、比較例としての構造及び端子配列を示している。以下、これら応用例３と比較例について説明する。
【００３７】
〔応用例３〕
図５中（Ａ）：応用例３の構造では、基本例と同様に信号端子１６の幅Ｗに対し、側壁２４ａを距離Ｄ１にまで近接させた位置に配置している。ただし応用例３では、２本の信号端子１６の間にローインピーダンス端子を設けていない。
【００３８】
このような端子配列では、これまでのようなローインピーダンス端子による電界の遮蔽効果は得られないが、端子配列の周囲にケース２４を設けることによって、ある程度まで配列方向への電界の拡散は抑えられている。その結果、応用例３では別の信号端子１６への電界干渉は発生していないことが分かる。
【００３９】
〔比較例〕
図５中（Ｂ）：比較例についても、応用例３と同様に２本の信号端子１６の間にローインピーダンス端子を設けていない。加えて比較例では、信号端子１６の幅Ｗに対し、側壁２４ａを距離Ｄ２にまで遠ざけた位置に配置している。
【００４０】
この比較例のように、２本の信号端子１６の間にローインピーダンス端子を配置せず、ケース２４の側壁２４ａとの間隔をＤ２に拡大していくと、高周波信号の伝送時に発生する電界Ｅの影響範囲が基本例の場合よりも配列方向に大きく拡がっていくことが分かる。また側壁２４ａが信号端子１６から離れている分、ケース２４内の空間が拡張され、その範囲内で電界Ｅが拡散している。その結果、他の信号端子１６に電界干渉が発生してしまう。
【００４１】
以上の結果から、端子配列内で２本の信号端子１６の間にローインピーダンス端子を配置しなくても、充分な電界の遮蔽効果は得られることが確認された（応用例３）。ただし、その場合は信号端子１６と側壁２４ａとの間隔を基本例と同程度（距離Ｄ１）に設定する必要があり、比較例のように距離をＤ２まで拡大すると、電界の遮蔽効果に影響が現れることになる。
【００４２】
本発明の発明者は、上記の基本例、応用例１〜３及び比較例を踏まえ、ケース２４内で信号端子１６と各側壁２４ａとの距離を拡大していった場合と、２本の信号端子１６の間に配置するローインピーダンス端子の本数を減らしていった場合について、信号端子１６による伝送時のリターンロス（反射損失）、及び他の信号端子とのアイソレーションをそれぞれ観測して検証を行った。その結果、いずれも基本例のように信号端子１６と各側壁２４ａとの距離を小さく設定した場合に最適な電界の遮蔽効果が得られ、また、２本の信号端子１６の間に多数のローインピーダンス端子を配置した場合に電界の拡散範囲が最小に抑えられることが確認されている。
【００４３】
〔第２実施形態〕
次に図６は、第２実施形態の高周波回路ユニット１０の構成を概略的に示す斜視図である。第２実施形態の高周波回路ユニット１０は、第１実施形態とは異なる構造のケース２５を有している。その他の構成は第１実施形態と共通であるため、これらについては第１実施形態と共通の符号を付し、その重複した説明を省略する。以下、第１実施形態との違いについて説明する。
【００４４】
第２実施形態では、ケース２５の長さが配列方向に短縮されており、また、両端壁が大きく切り欠かれている。この場合、端子配列中の一端（回路基板１２の一側端）に位置する信号端子１６は、第１実施形態のように両端壁２４ｂによって囲まれていないが、その代わりシールド枠１４によって端子配列の外側が囲まれている。したがって第２実施形態においても、端子配列よりも外側で電界を良好に遮蔽することができる。また端子配列の途中では、信号端子１６に隣り合うローインピーダンス端子（接地端子１８）により電界が遮蔽されるので、第２実施形態においても他の信号端子１６への電界干渉を確実に防止することができる。
【００４５】
〔第３実施形態〕
図７は、第３実施形態の高周波回路ユニット１０の構成を概略的に示す斜視図である。第３実施形態の高周波回路ユニット１０は、第１実施形態のケース２４に取付脚２４ｃを追加した構造である。その他の構成は第１実施形態と共通であるため、これらについては第１実施形態と共通の符号を付し、その重複した説明を省略する。
【００４６】
〔取付脚〕
すなわち第３実施形態では、ケース２４の周縁に複数の取付脚２４ｃが形成されており、これら取付脚２４ｃは、ケース２４の周縁（側壁２４ａの上縁）から各端子１６〜２２の先端の方向（マザー基板３０に相対する方向）に突き出ている。また各取付脚２４ｃは、いずれも信号端子１６に近接した位置に設けられている。一方、マザー基板３０には、ケース２４の取付脚２４ｃに対応する位置にスルーホール３０ａが形成されている。
【００４７】
図８は、第３実施形態におけるマザー基板３０へのケース２４の取付状態を示す縦断面図（図７中のVIII−VIII線に沿う断面）である。上記のように高周波回路ユニット１０をマザー基板３０に接続した状態で、ケース２４は端子配列の周囲でマザー基板３０に半田付けされている。加えて第３実施形態では、各取付脚２４ｃが対応するスルーホール３０ａ内に挿入された状態で半田付けされている。
【００４８】
第３実施形態の高周波回路ユニット１０では、ケース２４がより強固にマザー基板３０に対して半田付けされているので、さらに電界の漏れを確実に防止することができる。また、各取付脚２４ｃは信号端子１６の近傍位置に設けられているため、信号端子１６の近傍でマザー基板３０とケース２４との間の微少な隙間からも電界が漏洩する余地はない。したがって、高周波信号の伝送時に周囲への僅かな電界干渉でさえも確実に防止することができる。
【００４９】
以上のように第１〜第３実施形態の高周波回路ユニット１０によれば、端子配列中に含まれる信号端子１６の周囲で高い電界の遮蔽効果を発揮することができ、それによって他の信号端子への干渉を確実に防止することができる。また、各実施形態では回路基板１２上で端子配列を１列で構成しているため、その分、端子配列の範囲（特に幅）が大型化するのを防止することができる。
【００５０】
また各実施形態では、電界の遮蔽効果を得るためだけに端子配列中に接地端子１８を設けるのではなく、電源用端子２０をも有効に活用して電界を遮蔽しているため、それだけ端子配列に無駄がなく、全体としてコンパクトな端子配列を構築することができる。
【００５１】
なお、第１〜第３実施形態で挙げた端子配列はあくまで好ましい例示であり、回路基板１２上に複数の端子配列が形成されていてもよい。この場合、それぞれの端子配列ごとにケース２４を設けることで、外部への電界干渉を確実に防止することができる。
【００５２】
各実施形態では、２本の信号端子１６の間に接地端子１８及び電源用端子２０の２種類を配置しているが、いずれか１種類のローインピーダンス端子だけを配置してもよい。
【００５３】
また各実施形態では、ローインピーダンス端子として接地端子１８及び電源用端子２０を挙げているが、その他の端子を信号端子１６に隣接した位置に設けてもよい。例えば、高周波信号を伝送しないバス信号用端子のように、高周波回路内で接地極としての特性を有するものであれば、これを端子配列中で信号端子１６の隣に設けることで、各実施形態と同様に端子配列の方向への電界の遮蔽効果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５４】
【図１】第１実施形態の高周波回路ユニットの構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】マザー基板に対するケースの取付状態を示す縦断面図（図１中のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面）である。
【図３】ケース内での電界の遮蔽効果を模式的に示す水平断面図（図２中のIII−III線に沿う断面）である。
【図４】信号端子間でのローインピーダンス端子本数の違いによる電界の遮蔽効果の違いを模式的に示す水平断面図（図２中のIII−III線に沿う断面）である。
【図５】ケース内での電界の遮蔽効果を模式的に示す水平断面図（図２中のIII−III線に沿う断面）である。
【図６】第２実施形態の高周波回路ユニットの構成を概略的に示す斜視図である。
【図７】第３実施形態の高周波回路ユニットの構成を概略的に示す斜視図である。
【図８】第３実施形態におけるマザー基板へのケースの取付状態を示す縦断面図（図７中のVIII−VIII線に沿う断面）である。
【符号の説明】
【００５５】
１０    高周波回路ユニット
１２    回路基板
１４    シールド枠
１６    信号端子
１８    接地端子
２０    電源用端子
２４，２５  ケース
２４ａ  側壁
２４ｂ  両端壁
２４ｃ  取付脚
３０    マザー基板
【図１】
2010027290.tif 000003
【図２】
2010027290.tif 000004
【図３】
2010027290.tif 000005
【図４】
2010027290.tif 000006
【図５】
2010027290.tif 000007
【図６】
2010027290.tif 000008
【図７】
2010027290.tif 000009
【図８】
2010027290.tif 000010