(57)【要約】【課題】排ガスの有する熱を有効利用する排ガス処理装置および排ガス処理方法を提供する。【解決手段】排ガス処理装置１０ａは、被処理ガスを処理する第１の処理剤５１が充填された第１の処理槽１１と、２重管構造の処理槽であって、内側に配置された内筒２２と外側に配置された外筒２３で第１の空間ａが形成され、内筒２２の内側に第２の空間ｂが形成され、内筒２２は第１の空間ａと第２の空間ｂとの間で熱交換する熱交換器を構成し、第１の空間ａと第２の空間ｂのうち一方に第１の処理剤５１とは異なる第２の処理剤５２が充填された第２の処理槽２１とを備える。さらに、第１の空間ａと第２の空間ｂのうち他方を通過した排ガスを第１の処理槽１１に送る第１の配管４２とを備える。また、第１の処理槽１１は排ガス排出口１２を有し、排ガス排出口１２は第２の処理剤５２が充填された空間と連通するように該空間に接続される。【選択図】図１
2010214302.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理剤に排ガスを通過させることにより排ガス中に含まれる被処理ガスを処理する排ガス処理装置であって；
排ガスを通過させ、前記被処理ガスを処理する第１の処理剤が充填された第１の処理槽と；
２重管構造の処理槽であって、内側に配置された内筒と外側に配置された外筒で第１の空間が形成され、前記内筒内側に第２の空間が形成され、前記内筒は前記第１の空間と前記第２の空間との間で熱交換する熱交換器を構成し、前記第１の空間と前記第２の空間のうち一方に前記第１の処理剤とは異なる第２の処理剤が充填された第２の処理槽と；
前記排ガスが通過する配管であって、前記第１の空間と前記第２の空間のうち他方を通過した排ガスを前記第１の処理槽に送る第１の配管とを備え；
前記第１の処理槽は排ガス排出口を有し；
前記排ガス排出口は、前記第２の処理剤が充填された空間と連通するように該空間に接続された；
排ガス処理装置。
【請求項２】
前記第１の配管は、裸管に比し、放熱効果の高い管である；
請求項１に記載の排ガス処理装置。
【請求項３】
前記内筒は、該内筒の外周に、前記内筒の外周を内側の円とするドーナツ板状のフィンを有し；
前記外筒は、該外筒の内周に、前記外筒の内周を外側の円とするドーナツ板状のフィンを有する；
請求項１または請求項２に記載の排ガス処理装置。
【請求項４】
前記排ガスを移送するガス移送機を備え；
前記ガス移送機は、前記排ガス処理装置の筐体に収められている、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の排ガス処理装置。
【請求項５】
処理剤に排ガスを通過させることにより排ガス中に含まれる被処理ガスを処理する排ガス処理方法であって；
排ガスが、第２の処理剤を第２の温度に加熱する工程と；
前記排ガス中に含まれる被処理ガスを、前記第２の温度よりも低い第１の温度で、前記第２の処理剤とは異なる第１の処理剤により処理する工程と；
前記排ガス中に含まれる被処理ガスを、前記排ガスにより加熱された前記第２の処理剤により処理する工程とを備える；
排ガス処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、排ガスの有する熱を有効利用する排ガス処理装置および排ガス処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体や液晶パネル等を製造する際のエッチングプロセスでは、エッチング用ガスとしてＨＢｒガスやＣｌ２ガスがよく用いられる。また、エッチング工程後の、製造装置内のチャンバーのクリーニング用ガスにはＮＦ３ガスがよく用いられる。また、製造過程での副生成物としてＣＯが生成される場合がある。
【０００３】
半導体や液晶パネル等の製造工程から排出されるガス（排ガス）には、上記プロセスで用いられるガスの一部が残存しており、さらに、ＣＯが含まれる場合もある。これらのガスは、人体に有害なガスであるため、排ガスをそのまま廃棄することができない。そのため、半導体製造装置等から真空ポンプにより排ガスを取り出し、真空ポンプの下流に設置された排ガス処理装置により、排ガス中からこれらのガスを除去した後に排ガスを廃棄する。これらのガスを除去する方法の一つとして、排ガス処理装置の処理槽に固体処理剤を充填し、処理槽に排ガスを通し、これらのガスと固体処理剤を接触させることにより除去する方法がある。
【０００４】
例えば、図４に示すように、半導体製造装置９０から排出される排ガスは、排ガス処理装置１１０の筐体１６０外に配置された真空ポンプ１３１により吸引され、まず排ガス処理装置１１０の第１の処理筒１１１に送られる。第１の処理筒１１１には固体処理剤として合成ゼオライト等が充填され、排ガス中に含まれるＨＢｒやＣｌ２を固体処理剤に物理吸着または化学吸着させることにより除去する。なお、１００℃を超えるような高温の状態では、物理吸着されたガスが処理剤から脱着する可能性が高まるため、吸着は常温で行なわれる。
次に第１の処理筒１１１でＨＢｒやＣｌ２が除去された排ガスは、第２の処理筒１２１に送られる。第２の処理筒１２１には固体処理剤として金属酸化物が充填され、排ガス中に含まれるＣＯを酸化することにより除去する。なお、ＣＯの除去は常温では困難であるため、第２の処理筒１２１はヒーター１２４を備え、第２の処理筒１２１内を６０℃以上に加熱し、加熱された固体処理剤とＣＯを接触させる。また、排ガス中にＮＦ３が含まれる場合には、第２の処理筒１２１内をさらに高温にする必要がある。例えば、特許文献１には、２５０℃以上でＮＦ３を除外する方法が記載されている。なお、ＣＯやＮＦ３の除去に使用される固体処理剤（例えば、マンガン、鉄、銅等の遷移金属の酸化物）は、酸性ガスを通すと被毒し処理性能が低下する。そのため、ＣＯやＮＦ３の除去では、予め排ガス中に含まれる酸性ガス（ＨＢｒやＣｌ２等）を除去しておく必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特公平５−３９６４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述のような有害ガスの除去は、まず常温でＨＢｒやＣｌ２等の酸性ガスを除去し、次に加熱した固体処理剤によりＣＯやＮＦ３を除去するという順序で行なわれる。しかし、通常真空ポンプ１３１（図４参照）から排出される排ガスは、圧縮熱等により１００℃以上になっている。１００℃以上の排ガスは、真空ポンプ１３１と排ガス処理装置１１０の第１の処理筒１１１間に配置された配管を通る間に放熱し、常温程度まで熱が失われた後に第１の処理筒１１１内に流入する。常温で酸性ガスが除去された排ガスは、次にＣＯやＮＦ３を除去するために、第２の処理筒１２１内においてヒーター１２４により加熱される。このように、真空ポンプから排出された排ガスの有する熱は、有効利用されることなく放出され、常温となった排ガスはＣＯやＮＦ３の除去時に再び加熱される。
そこで本発明は、排ガスの有する熱を、排ガス中に含まれる被処理ガスの処理に有効利用する排ガス処理装置および排ガス処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明の第１の態様に係る排ガス処理装置は、例えば図１に示すように、処理剤に排ガスを通過させることにより排ガス中に含まれる被処理ガスを処理する排ガス処理装置であって、排ガスを通過させ、被処理ガスを処理する第１の処理剤５１が充填された第１の処理槽１１と、２重管構造の処理槽であって、内側に配置された内筒２２と外側に配置された外筒２３で第１の空間ａが形成され、内筒２２の内側に第２の空間ｂが形成され、内筒２２は第１の空間ａと第２の空間ｂとの間で熱交換する熱交換器を構成し、第１の空間ａと第２の空間ｂのうち一方に第１の処理剤５１とは異なる第２の処理剤５２が充填された第２の処理槽２１と、排ガスが通過する配管であって、第１の空間ａと第２の空間ｂのうち他方を通過した排ガスを第１の処理槽１１に送る第１の配管４２とを備え、第１の処理槽１１は排ガス排出口１２を有し、排ガス排出口１２は第２の処理剤５２が充填された空間と連通するように該空間に接続される。
なお、「被処理ガス」とは、排ガス中に含まれるガスであり、排ガス処理装置の処理槽に充填された処理剤の、処理対象となるガスをいう。
【０００８】
このように構成すると、排ガスの温度が第１の処理槽の処理温度よりも高く、第２の処理槽の処理温度が第１の処理槽の処理温度よりも高く、かつ、排ガスを第１の処理槽による処理、第２の処理槽による処理の順に処理しなければならない場合に、排ガスの有する熱でまず第２の処理槽内を加熱できる構成としたので、第２の処理槽内を加熱した後に、排ガスを第１の処理槽、第２の処理槽の順に通すことができ、排ガスの有する熱を有効利用することができる。
【０００９】
本発明の第２の態様に係る排ガス処理装置は、上記本発明の第１の態様において、第１の配管４２は、裸管に比し、放熱効果の高い管である。
【００１０】
このように構成すると、第１の処理槽の処理温度が第２の処理槽の処理温度よりも低い場合に、第２の処理槽を通過した排ガスの有する熱が、より放熱効果の高い管を通過するため、放熱され易く、容易に排ガスの温度を第１の処理槽での処理温度に適した温度にすることができる。
【００１１】
本発明の第３の態様に係る排ガス処理装置は、例えば図２に示すように、上記本発明の第１または第２の態様において、内筒２２は、内筒２２の外周に、内筒２２の外周を内側の円とするドーナツ板状のフィン２６を有し、外筒２３は、外筒２３の内周に、外筒２３の内周を外側の円とするドーナツ板状のフィン２７を有する。
【００１２】
このように構成すると、熱交換器を構成する内筒２２がフィン２６によりさらに熱を伝えやすくなる。また、フィン２６およびフィン２７により、第１の空間ａを通過する排ガスと第２の処理剤を均一に接触させることができる。
【００１３】
本発明の第４の態様に係る排ガス処理装置は、例えば図１に示すように、排ガスを移送するガス移送機３１を備え、ガス移送機３１は、排ガス処理装置１０ａの筐体６０に収められている。なお、ガス移送機３１は、典型的には遠心ブロワであるが、流量の少ないときなどは往復動ポンプ等であってもよい。
【００１４】
このように構成すると、排ガス処理装置の筐体内に、ガス移送機と処理槽を配置しているため、ガス移送機を排ガス処理装置の外部に設けた場合と比べ、ガス移送機から処理槽までの排ガスの移送距離を短くすることができる。そのため、ガス移送機から排出される排ガスの有する熱が、ガス移送機から処理槽まで移送される間に放熱により失われる場合に、失われる熱量をより少なくすることができる。
【００１５】
本発明の第５の態様に係る排ガス処理方法は、処理剤に排ガスを通過させることにより排ガス中に含まれる被処理ガスを処理する排ガス処理方法であって、排ガスが、第２の処理剤を第２の温度に加熱する工程と、前記排ガス中に含まれる被処理ガスを、前記第２の温度よりも低い第１の温度で、前記第２の処理剤とは異なる第１の処理剤により処理する工程と、前記排ガス中に含まれる被処理ガスを、前記排ガスにより加熱された前記第２の処理剤により処理する工程とを備える。
【００１６】
このように構成すると、排ガスの有する熱により第２の処理剤を加熱した後に、排ガス中に含まれる被処理ガスを第１の処理剤、第２の処理剤の順に用いて処理する方法となる。そのため、排ガスの温度が第１の処理剤での処理温度よりも高く、かつ第１の処理剤での処理温度よりも第２の処理剤での処理温度が高い場合であっても、排ガスの有する熱を有効に利用できる方法となる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の排ガス処理装置では、排ガス中に含まれる被処理ガスを、第１の処理槽、第２の処理槽の順で処理する場合に、第１の処理槽流入前の排ガスの温度が第１の処理槽での処理温度よりも高く、さらに、第２の処理槽での処理温度が第１の処理槽での処理温度よりも高い場合であっても、排ガスの有する熱を利用して第２の処理槽を加熱することができ、排ガスの有する熱を有効利用できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る排ガス処理装置１０ａの構成図（模式的断面図）である。
【図２】図２は、第２の処理筒の有するフィンを例示する図である。
【図３】図３は、本発明の第２の実施の形態に係る排ガス処理装置１０ｂの構成図（模式的断面図）である。
【図４】図４は、従来の排ガス処理装置を例示する図（模式的断面図）である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。なお、各図において互いに同一または相当する部材には同一あるいは類似の符号を付し、重複した説明は省略する。また、本発明は、以下の実施の形態に制限されるものではない。
【００２０】
本発明の排ガス処理装置は、排ガスの有する熱を排ガス中に含まれる被処理ガスの処理に有効利用するという目的を、以下の排ガス処理装置の構成により実現した。
【００２１】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る排ガス処理装置１０ａの構成図（模式的縦断面図）である。図１を参照して排ガス処理装置１０ａの構成について説明する。なお、図１中の破線は、排ガス処理装置１０ａの筐体６０を示している。図１に示すように、排ガス処理装置１０ａは、第１の処理剤５１を充填し排ガスを通過させる円筒状の第１の処理槽としての第１の処理筒１１を備える。さらに、円筒状の内筒２２と、内筒２２を取囲むように配置された円筒状の外筒２３とで二重管構造を構成する第２の処理槽としての第２の処理筒２１を備える。このように、第２の処理筒２１では、内筒２２の外周に内筒２２と外筒２３により両者に挟まれた第１の空間ａが形成され、内筒２２の内側に第２の空間ｂが形成される。なお、第１の処理筒１１および、第２の処理筒の内筒２２および外筒２３は円筒状に形成されている。円筒状に形成すると、製作が容易であり、排ガスと処理剤を均一に接触させることができ、さらに、耐圧性にもすぐれるため好ましい。しかし、必ずしも円筒状でなくてもよい。また、外筒２３の外側には、外筒２３の外表面からの放熱を抑制するための保温材（不図示）を巻きつけてもよい。さらに、第２の処理筒２１は、外筒２３の外周に第２の処理筒２１内の温度を調節するためのヒーター２４を有する。なお、内筒２２は、第１の空間ａと第２の空間ｂで熱交換を行なうための熱交換器として機能する。また、内筒２２は、耐腐食性に優れたステンレスで製造することが好ましい。
【００２２】
さらに、図２に示すように、第２の処理筒２１の内筒２２は、その外周を取囲むように、内筒２２の外周を内側の円とするドーナツ板状の複数のフィン２６を有する。よって、第２の空間ｂ内の熱が内筒２２のフィン２６に伝わることにより、第１の空間ａに充填された第２の処理剤５２に熱を伝わりやすくすることができる。また、外筒２３は外筒２３の内周に沿って、外筒２３の内周を外側の円とするドーナツ板状のフィン２７を有する。フィン２６およびフィン２７により、排ガスが第１の空間ａを通過する際、滞留しながら通過するようにすることができる。さらに、フィン２７を有することにより、ヒーター２４を使用した場合のヒーター２４の熱を第１の空間ａに充填された第２の処理剤５２に伝わりやすくすることができる。なお、図２では、フィン２６は内筒２２の外表面に対して垂直に設置され、フィン２７は外筒２３の内表面に対して垂直に設置されているが、必ずしも垂直である必要はなく、伝熱効果を向上させることができる角度、および、排ガスを滞留させることができる角度であればよい。同様にフィン２６およびフィン２７は、第２の処理剤５２に熱が伝わりやすく、さらに、排ガスを滞留させることができればよいため、必ずしもドーナツ板状でなくてもよい。
なお、第１の実施の形態に係る排ガス処理装置１０ａでは、第２の処理剤５２は第１の空間ａに充填される。
【００２３】
さらに、図１に示すように、排ガス処理装置１０ａは、半導体製造装置９０から排ガスを吸引し排ガスを移送するガス移送機としての真空ポンプ３１を備える。また、真空ポンプ３１から排出された排ガスが第２の処理筒２１の第２の空間ｂに流入するように接続された配管４１と、第２の処理筒２１の第２の空間ｂから排出された排ガスが第１の処理筒１１に流入するように接続された第１の配管としての配管４２と、第１の処理筒１１の排ガス排出口１２から排出された排ガスが第２の処理筒２１の第１の空間ａに流入するように接続された配管４３と、第２の処理筒２１の第１の空間ａから排出された排ガスを排ガス処理装置１０ａの外部へ流出させるように接続された配管４４を備える。なお、配管４２は、排ガスの有する熱を放出しやすいように、裸管に比し放熱効果の高い管であることが好ましい。例えば、配管４２全体または一部をベローズ管で構成すると、配管４２の表面積が大きくなるため、排ガスの有する熱が配管４２から放熱されやすくなる。その結果、第２の処理筒２１の第２の空間ｂから排出された排ガスの温度を、第１の処理筒１１に流入するまでに、容易に常温程度まで下げることができる。また、配管４２の外表面にフィン（不図示）を取付け、配管４２の放熱面を増やすことにより、放熱効果を向上させてもよい。
なお、配管４２をベローズ管で構成すると、第１の処理筒１１と第２の処理筒２１を同一の筐体６０内に設置する際、ベローズ管が位置ズレの逃げとして作用し、両筒の設置を容易にするという効果も生ずる。
なお、排ガス処理装置１０ａの形成材料は特に制限されず、ニッケル系合金などこの種のガス処理装置に通常用いられる材料を適宜用いることができる。
【００２４】
第１の処理筒１１には、第１の処理剤５１としての合成ゼオライト、活性炭、またはアルミナ、シリカゲル、酸化銅（ＣｕＯ）、二酸化マンガン（ＭｎＯ２）、もしくはホプカライト等の金属酸化物が充填され、排ガス中の酸性ガスを除去する。また、第２の処理筒２１の第１の空間ａには、第２の処理剤５２としての酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）、酸化銅（ＣｕＯ）または二酸化マンガン（ＭｎＯ２）等の金属酸化物や触媒が充填され、酸化反応によりＣＯやＮＦ３ガスを除去する。なお、第１の処理筒１１、および第２の処理筒２１の第１の空間ａには、それぞれ２種類以上の処理剤を充填してもよい。
【００２５】
さらに、第２の処理筒２１で排ガス中に含まれるＣＯやＮＦ３を加熱酸化により除去する場合には、空気または酸素を第２の処理筒２１内に導入する必要がある。したがって、第２の処理筒２１には、被処理ガスの処理時に空気または酸素を導入するための空気導入口２５を設ける。なお、第２の処理筒２１内の空気または酸素等の導入先（すなわち第２の処理剤５２が充填された空間）が正圧のときは、ポンプやブロワ等（不図示）を用いて、空気または酸素を導入させる必要がある。または、配管４４の下流側に吸引ブロワ、ファン、または真空ポンプ（不図示）を設けてもよく、その場合は、第２の処理剤５２が充填された空間は負圧となるため、空気導入口２５からポンプやブロワを用いて空気または酸素を押し込む必要がない。さらに、空気導入口２５の位置は、空気または酸素の流れの方向が排ガスの流れの方向と同一となるような位置に設けることが好ましい。なお、第２の処理筒２１内に空気または酸素が導入されればよいため、空気導入口２５は、配管４２上または配管４３上に設けても良い。なお、第１の処理筒１１の下流である配管４３上に設けることが好ましい。
【００２６】
第１の処理筒１１に、第１の処理剤５１として合成ゼオライトを充填し、第２の処理筒２１の第１の空間ａに第２の処理剤５２として酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）を充填した場合を例として、排ガス処理装置１０ａの排ガスの流れを説明する。
図１に示すように、半導体製造装置９０から排出された排ガスは、排ガス処理装置１０ａ内に配置された真空ポンプ３１により吸引され、配管４１を通り、第２の処理筒２１の第２の空間ｂへ送られる。このとき、真空ポンプ３１から排出される排ガスの温度は１００℃以上である。１００℃以上の排ガスが第２の処理筒２１に流入し、第２の空間ｂを通過する際に、排ガスの有する熱が内筒２２に伝わる。さらに内筒２２に伝わった熱が、外表面やフィン２６（図２参照）から、第１の空間ａに充填された第２の処理剤５２に伝わり、第２の処理剤５２を６０℃以上に加熱する。第２の空間ｂを通過した排ガスは、配管４２を通過中に放熱し、その温度が常温程度まで下がる。常温程度となった排ガスは、第１の処理筒１１に流入する。第１の処理筒１１で、排ガス中に含まれるＨＢｒやＣｌ２等の酸性ガスが、第１の処理筒１１に充填された合成ゼオライトと接触し、吸着され排ガス中から除去される。
酸性ガスが除去された排ガスは、配管４３を通り第２の処理筒２１の第１の空間ａ内へ流入する。なお、ＣＯを加熱酸化する場合は、第２の処理筒２１内の処理温度を６０℃以上にする必要があるが、第１の空間ａに充填された酸化鉄（Ｆｅ２Ｏ３）は、すでに第２の空間ｂを通過した排ガスにより６０℃以上に加熱されているため、排ガス中に含まれるＣＯが加熱酸化により除去される。なお、内筒２２から離れた位置（例えば外筒２３の近辺）に充填された第２の処理剤５２は、加熱が不十分な場合がある。その場合は、ヒーター２４を用いて第２の処理剤５２を加熱してもよい。
【００２７】
また、排ガスが第２の処理筒２１の第２の空間ｂを通過する際、第２の空間ｂ内の温度は排ガスの流入側（すなわち真空ポンプ３１が配置されている側）の方が高くなる。一方で、排ガスが第２の処理筒２１の第１の空間ａ（第２の処理剤５２が充填されている空間）を通過する際は、加熱された処理剤の熱や酸化反応により生じた反応熱が排ガスの流れにそって排ガスの流出側に伝わるため、第１の空間ａ内の温度は排ガスの流出側の方が高くなる。したがって、第２の処理筒２１内の温度分布を均一にするために、第１の空間ａおよび第２の空間ｂを流れる排ガスは、同一の方向に流れるようにする（並行流とする）ことが好ましい。
【００２８】
排ガス中にＣＯの他にＮＦ３が含まれる場合には、第２の処理筒２１内の第２の処理剤５２を２５０℃程度まで加熱する必要がある。この場合に、図４に示すような従来の排ガス処理装置１１０では、第１の処理筒１１１から常温の排ガスが第２の処理筒１２１に流入するため、第２の処理筒１２１の流入口付近に充填された処理剤は常温の排ガスにより冷却される。そのため、流入口付近に充填された処理剤は所定の温度に達することができず、常に５０℃以下になっていた。このように、第２の処理筒１２１内には、所定の温度に達することのできない５０℃以下の領域（デッドゾーン）が発生していた。５０℃以下の領域では、ＮＦ３だけでなくＣＯも除去することができない。そのため、当該領域に充填された処理剤の中には処理に寄与せず、処理能力があるにも拘わらず交換されるものがあり、結果として処理剤の浪費が生じていた。しかし、本発明の実施の形態に係る排ガス処理装置１０ａでは、図１に示すように、真空ポンプ３１から排出された１００℃以上の排ガスを第２の処理筒２１の第２の空間ｂに通すことにより、第２の処理筒２１では、第１の処理筒１１からの排ガスの流入側付近に充填された第２の処理剤５２を６０℃以上に加熱することができる。そのため、排ガスの流入側付近に充填された第２の処理剤５２によりＣＯの除去が可能となり、デッドゾーンの発生を防止し、処理剤の浪費を抑制することができる。
また、排ガス処理装置１０ａの第２の処理筒２１でＮＦ３を除去する場合は、副生成物としてＮＯｘ（ＮＯまたはＮＯ２）ガスが生成される。よって、排ガスの流れに対して、第２の処理筒２１の下流側にＮＯｘを処理するための処理筒（不図示）を設置してもよい。
【００２９】
なお、ＣＯやＮＦ３を加熱酸化により除去する場合は、第２の処理筒２１の空気導入口２５から第２の処理筒２１の第１の空間ａ（第２の処理剤５２が充填された空間）に、空気または酸素を導入する必要がある。これらの空気または酸素の導入では、予め所定温度以上（ＣＯの除去では６０℃以上、ＮＦ３の除去では２５０℃以上）に加熱された空気または酸素を導入してもよい。
【００３０】
以上のとおり、排ガス処理装置１０ａでは、排ガスの有する熱を有効に活用し、ヒーター２４の消費する電力等を抑制するとともに被処理ガスの処理効率を向上させる。さらに、処理剤を有効に消費する。
また、図１に示すように、排ガス処理装置１０ａでは筐体６０内に、真空ポンプ３１を備えているため、真空ポンプ３１の下流直後に第２の処理筒２１を配置することができる。そのため、排ガスの有する熱が第２の処理筒に流入する前に放熱等により失われるのを抑制することができ、効率よく熱を活用することができる。
さらに、図２に示すように、フィン２６により第２の処理筒２１の第２の空間ｂを流れる排ガスの熱が第１の空間ａに充填された第２の処理剤５２に伝わりやすくなっている。
また、第１の空間ａを流れる排ガスは、フィン２６やフィン２７により第１の空間ａ内に滞留しやすくなっており、排ガス中に含まれるＣＯやＮＦ３と第２の処理剤５２の接触が均一となり、処理効率をあげることができる。
【００３１】
図３は、本発明の第２の実施の形態に係る排ガス処理装置１０ｂの構成図（模式的断面図）である。図３を参照して排ガス処理装置１０ｂの構成について説明する。排ガス処理装置１０ｂでは、真空ポンプ３１から排出された排ガスが、配管４１を通り、第２の処理筒２１の第１の空間ａに流入するように、配管４１が接続される。さらに、第１の処理筒１１から排出された排ガスが、第２の処理筒２１の第２の空間ｂに流入するように、配管４３が接続される。また、第２の処理剤５２は、第２の空間ｂに充填される。このように、排ガス処理装置１０ｂでは、第２の処理筒２１の第１の空間ａに、加熱用の排ガスを通し、第２の空間ｂに、被処理ガスを処理するための排ガスを通す構成となる。第２の処理筒２１以外の構成や符号は、排ガス処理装置１０ａと同一である。なお、排ガス処理装置１０ｂでは、フィン（不図示）は第２の空間ｂ内（内筒２２の内側）に設置されることが好ましい。  
【００３２】
以上、本発明の実施例は、半導体製造装置等から排出され、真空ポンプにより取り出された排ガスの有する熱を有効利用する排ガス処理装置として説明したが、半導体製造装置から排出される排ガスの有する熱を利用する排ガス処理装置に限定されるものではない。さらに、半導体や液晶パネル等の製造工程から排出される排ガスだけでなく、例えば、燃焼式排ガス処理装置や触媒式排ガス処理装置等で処理され高温で排出される排ガスについて、さらに、排ガス中に含まれる被処理ガスの処理を要するような場合においても、排ガスの有する熱を有効に利用できるものである。
また、第１の処理筒での処理は、常温に限ったものではなく、第１の処理筒での処理のために、排ガスの有する熱を放出し（排ガスの温度を下げ）、さらに第２の処理筒での処理のために再び加熱を必要とする（排ガスの温度を上げる）ような場合にも本発明は有効である。
このように、本発明の要旨を逸脱しない範囲で実施例に種々の変更が加えられることは明白である。
【符号の説明】
【００３３】
１０ａ、１０ｂ  排ガス処理装置
１１    第１の処理槽、第１の処理筒
１２    排ガス排出口
２１    第２の処理槽、第２の処理筒
２２    内筒
２３    外筒
２４    ヒーター
２５    空気導入口
２６、２７  フィン
３１    ガス移送機、真空ポンプ
４１    配管
４２    第１の配管、配管
４３〜４４    配管
５１    第１の処理剤
５２    第２の処理剤
６０    筐体            
９０    半導体製造装置
１１０  排ガス処理装置
１１１  第１の処理筒
１２１  第２の処理筒
１２４  ヒーター
１３１  真空ポンプ
１６０  筐体
ａ      第１の空間
ｂ      第２の空間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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