(57)【要約】      （修正有）【課題】有機電界発光素子の有機層を湿式成膜法で形成するために有用な、各種の溶媒に対する溶解性の高い新規ナフタレン系化合物および有機電界発光素子材料を提供する。【解決手段】分子内に下記式（１）で表される部分構造を有することを特徴とする有機電界発光素子材料。2010087488.tif 000059（式（１）中、Ａｒ１は、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の芳香環基を表す。Ａｒ２は、置換基を有していてもよい炭素数２〜３０の縮合芳香環基を表す。Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。）【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
分子内に下記式（１）で表される部分構造を有することを特徴とする、有機電界発光素子材料。
【化１】
2010087488.tif 000055
（式（１）中、Ａｒ１は、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の芳香環基を表す。Ａｒ２は、置換基を有していてもよい炭素数２〜３０の縮合芳香環基を表す。Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。）
【請求項２】
上記式（１）で表される構造であることを特徴とする、請求項１に記載の有機電界発光素子材料。
【請求項３】
上記式（１）において、Ａｒ２が、下記式（２）〜（５）で表される縮合芳香環基のいずれかであることを特徴とする、請求項１または２に記載の有機電界発光素子材料。
【化２】
2010087488.tif 000056
（式（２）〜（５）で表される縮合芳香環基は、置換基を有していてもよい。）
【請求項４】
上記式（１）において、Ａｒ２が、置換基を有していてもよい２−ナフチル基であることを特徴とする、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の有機電界発光素子材料。
【請求項５】
上記式（１）が、下記式（１−１）で表されることを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の有機電界発光素子材料。
【化３】
2010087488.tif 000057
（式（１−１）中、Ｒ１〜Ｒ６は、上記式（１）におけるものと同義である。Ｒ７〜Ｒ１８は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。）
【請求項６】
有機電界発光素子の湿式成膜法で形成される有機層に用いられることを特徴とする、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の有機電界発光素子材料。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか一項に記載の有機電界発光素子材料および溶媒を含有することを特徴とする、有機電界発光素子用組成物。
【請求項８】
陽極および陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層のうち少なくとも一層が、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の有機電界発光素子材料を含有する層であることを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項９】
陽極および陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層のうち少なくとも一層が、請求項７に記載の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成された層であることを特徴とする、有機電界発光素子。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイ。
【請求項１１】
請求項８または９に記載の有機電界発光素子を用いた有機ＥＬ照明。
【請求項１２】
分子内に下記式（６）で表される部分構造を有することを特徴とするナフタレン系化合物。
【化４】
2010087488.tif 000058
（式（６）中、Ａｒ１１は、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の芳香環基を表す。Ａｒ１２は、置換基を有していてもよい炭素数２〜３０の縮合芳香環基を表す。Ｒ２１〜Ｒ２６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ただし、Ａｒ１２がナフチル基である場合には、Ａｒ１２は、置換基を有していてもよい２−ナフチル基である。）
【請求項１３】
上記式（６）において、Ａｒ１２が、置換基を有していてもよい、２−ナフチル基、９−カルバゾリル基および９−アントリル基から選ばれる縮合芳香環基であることを特徴とする、請求項１２に記載のナフタレン系化合物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電界発光素子の有機層に用いられる有機電界発光素子材料および新規ナフタレン系化合物に関する。
本発明は、また、この有機電界発光素子材料を含む有機電界発光素子用組成物と、この有機電界発光素子材料を含む有機層を有する或いはこの有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成された有機層を有する有機電界発光素子と、この有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイおよび有機ＥＬ照明に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄膜型の電界発光素子としては、無機材料を使用したものに代わり、有機薄膜を用いた有機電界発光素子の開発が行われるようになっている。有機電界発光素子は、通常、陽極と陰極との間に、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層などを設けて形成され、各層に適した材料が開発されつつある。また、有機電界発光素子の発光色も赤、緑、青と、それぞれに開発が進んでいる。
しかしながら、青色有機電界発光素子については、効率、寿命、耐熱性の観点で満足できるものが実現されておらず、フルカラーディスプレイ用途への適用には制約があるという課題があった。
【０００３】
有機電界発光素子の各構成層の形成方法としては、真空蒸着法と湿式成膜法がある。このうち、真空蒸着法では、テレビやモニタ用の中・大型フルカラーパネルなどを製作する場合、歩留まりの観点で課題を有する。そのため、中でもこれら大面積の用途には湿式成膜法が好適である。
【０００４】
しかしながら、湿式成膜法で有機電界発光素子の有機層を形成するためには、有機層を形成する材料が溶媒に溶解し、かつ湿式成膜後にも素子の構成層として要求される高い性能を有することが望まれる。しかし、従来開発されている真空蒸着法に使用されてきた材料は、このような湿式成膜法に要求される条件を満たさないものが多かった。
【０００５】
例えば、特許文献１には、有機電界発光素子に用いる材料として下記式で表される化合物が記載されている。しかしながら、この化合物では、後述の比較例１に示すように、湿式成膜法に用いるためには溶媒に対する溶解性が十分ではなかった。
【０００６】
【化１】
2010087488.tif 000002
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開２００６／１０４０４４号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、有機電界発光素子の有機層を湿式成膜法で形成するために有用な、各種の溶媒に対する溶解性の高い新規ナフタレン系化合物および有機電界発光素子材料を提供することを課題とする。
本発明はまた、このような有機電界発光素子材料を含む有機電界発光素子用組成物と、この有機電界発光素子材料を用いて形成された有機層を有する有機電界発光素子と、この有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らが鋭意検討した結果、下記式（１）で表される部分構造を有するナフタレン系化合物が、種々の溶媒に可溶であり、容易には結晶化しにくいため、有機電界発光素子の湿式成膜法で形成される有機層に用いられる材料として有用であることが分かり本発明に到達した。
【００１０】
すなわち、本発明は、
分子内に下記式（１）で表される部分構造を有することを特徴とする有機電界発光素子材料、
該有機電界発光素子材料および溶媒を含有することを特徴とする有機電界発光素子用組成物、
陽極および陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層のうち少なくとも一層が、該有機電界発光素子材料を含有する層であることを特徴とする有機電界発光素子、
陽極および陰極の間に有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層のうち少なくとも一層が、該有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成された層であることを特徴とする有機電界発光素子、
並びに
該有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイおよび有機ＥＬ照明、
に存する。
【００１１】
【化２】
2010087488.tif 000003
【００１２】
（式（１）中、Ａｒ１は、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の芳香環基を表す。Ａｒ２は、置換基を有していてもよい炭素数２〜３０の縮合芳香環基を表す。Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。）
【００１３】
本発明はまた、分子内に下記式（６）で表される部分構造を有することを特徴とするナフタレン系化合物、に存する。
【００１４】
【化３】
2010087488.tif 000004
【００１５】
（式（６）中、Ａｒ１１は、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の芳香環基を表す。Ａｒ１２は、置換基を有していてもよい炭素数２〜３０の縮合芳香環基を表す。Ｒ２１〜Ｒ２６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ただし、Ａｒ１２がナフチル基である場合には、Ａｒ１２は、置換基を有していてもよい２−ナフチル基である。）
【発明の効果】
【００１６】
本発明の有機電界発光素子材料は、種々の溶媒に可溶であり、容易には結晶化しにくいため、有機電界発光素子の湿式成膜法で形成される有機層に用いられる材料として有用である。
【００１７】
本発明の有機電界発光素子材料を用いて有機電界発光素子の有機層を湿式成膜法で形成すると、駆動電圧が低く、十分な寿命を有する有機電界発光素子を得ることができる。
また、本発明のナフタレン系化合物は種々の溶媒に対して高い溶解性を有しており、有機電界発光素子のみならず、治療薬、有機色素、有機エレクトロニクス材料、記録材料、ポリマー材料、電池材料、光電変換素子、人工生体材料等に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の有機電界発光素子の一例を示した模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下に、本発明の実施の形態を詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形して実施することができる。
【００２０】
［有機電界発光素子材料］
本発明の有機電界発光素子材料は、分子内に下記式（１）で表される部分構造を有することを特徴とする。
【００２１】
【化４】
2010087488.tif 000005
【００２２】
（式（１）中、Ａｒ１は、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の芳香環基を表す。Ａｒ２は、置換基を有していてもよい炭素数２〜３０の縮合芳香環基を表す。Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。）
【００２３】
本発明において、単に「芳香環」と称した場合には、芳香族炭化水素および芳香族複素環のいずれも含むものとする。従って、芳香環基とは、芳香族炭化水素基および芳香族複素環基のいずれも含むものとする。縮合芳香環基とは、縮合芳香族炭化水素基および縮合芳香族複素環基のいずれも含むものとする。芳香環基には、縮合芳香環基、即ち、縮合芳香族炭化水素基および縮合芳香族複素環基が包含される。
また、本発明において、「（ヘテロ）アリール」と称した場合には、芳香族炭化水素（アリール）および芳香族複素環（ヘテロアリール）のいずれも含むものとする。
また、本発明において、「置換基を有していてもよい」とは、置換基を１または２以上有していてもよいことを意味するものとする。
【００２４】
＜構造上の特徴＞
上記式（１）で表される部分構造は、ナフタレン環の１位に縮合芳香環基Ａｒ２を有し、７位に芳香環基Ａｒ１を有することにより、高い立体障害による捻れを発生し、この結果、各種の溶媒に対する溶解性や、湿式成膜により形成された膜の膜性が向上するものと推測される。
【００２５】
＜Ａｒ１＞
Ａｒ１は、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の芳香環基を表す。芳香環基としては、芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が挙げられる。
【００２６】
芳香族炭化水素基としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、ナフタセン環、クリセン環、ピレン環、トリフェニレン環、コロネン環などの芳香族炭化水素由来の基が挙げられる。
【００２７】
芳香族複素環基としては、チオフェン環、フラン環、ピロール環、ピリジン環、ピリミジン環、ピリダジン環、ピラジン環、キノリン環、イソキノリン環、インドール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環などの芳香族複素環由来の基が挙げられる。
【００２８】
化合物の安定性の面から、Ａｒ１としては、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、トリフェニレン環、ピリジン環、ジベンゾフラン環、キノリン環、ジベンゾチオフェン環、カルバゾール環の由来の基が好ましい。
【００２９】
より具体的には、Ａｒ１としては、フェニル基（ベンゼン環由来の基）、１−ナフチル基、２−ナフチル基などのナフタレン環由来の基、９−アントリル基などのアントラセン環由来の基、２−トリフェニレニル基などのトリフェニレン環由来の基、２−ピリジル基などのピリジン環由来の基、２−キノリニル基などのキノリン環由来の基、９−カルバゾリル基などのカルバゾール環由来の基であることが好ましい。
【００３０】
Ａｒ１は、中でも、ベンゼン環、ナフタレン環、カルバゾール環由来の基が特に好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基が最も好ましい。
【００３１】
Ａｒ１の芳香環基は置換基を有していてもよく、その置換基の具体例としては、アルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アルコキシ基、（ヘテロ）アリールオキシ基、アルキルチオ基、（ヘテロ）アリールチオ基、アリールアミノ基、ハロゲン原子、シアノ基が挙げられる。Ａｒ１の芳香環基の置換基としては、アルキル基、芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が、化合物の安定性の面から好ましく、芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が特に好ましい。これらの置換基は、さらに置換基を有していてもよく、この置換基の具体例としては、前記のＡｒ１の芳香環基の置換基として例示したものと同様であり、その好ましい例もまた同様である。
【００３２】
上記Ａｒ１が有していてもよい置換基の具体例は以下の通りである。
【００３３】
該アルキル基としては、炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロヘキシル基、デシル基、オクタデシル基等が挙げられる。好ましくは、メチル基、エチル基、イソプロピル基である。特に、メチル基、エチル基が原料の入手しやすさ、安価さなどから好ましく、イソプロピル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基は非極性溶媒に高い溶解性を持つために好ましい。
【００３４】
該芳香族炭化水素基としては、炭素数６〜２５の芳香族炭化水素基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、ナフタセン環、クリセン環、ピレン環、トリフェニレン環、コロネン環由来の基等が挙げられる。さらに具体的には、フェニル基（ベンゼン環由来の基）、１−ナフチル基、２−ナフチル基などのナフタレン環由来の基、９−フェナントリル基、３−フェナントリル基などのフェナントレン環由来の基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基などのアントラセン環由来の基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基などのナフタセン環由来の基、１−クリセニル基、２−クリセニル基、３−クリセニル基、４−クリセニル基、５−クリセニル基、６−クリセニル基などのクリセン環由来の基、１−ピレニル基などのピレン環由来の基、１−トリフェニレニル基などのトリフェニレン環由来の基、１−コロネニル基などのコロネン環由来の基等が挙げられる。これらのうち、化合物の安定性の面からフェニル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、９−フェナントリル基、９−アントリル基が好ましく、フェニル基、２−ナフチル基が化合物の精製のし易さから特に好ましい。
【００３５】
該芳香族複素環基としては、炭素数３〜２０の芳香族複素環基が好ましく、チオフェン環、フラン環、イミダゾール環、カルバゾール環、ピリジン環、ベンゾオキサゾール環、カルボリン環、トリアゾール環由来の基等が挙げられる。さらに具体的には、２−チエニル基などのチオフェン環由来の基、２−フリル基などのフラン環由来の基、２−イミダゾリル基などのイミダゾール環由来の基、９−カルバゾリル基などのカルバゾール環由来の基、２−ピリジル基などのピリジン環由来の基、２−ベンゾオキサゾリル基などのベンゾオキサゾール環由来の基、α−，β−，γ−またはδ−カルボリニル基などのカルボリン環由来の基、１，３，５−トリアジン−２−イル基などのトリアゾール環由来の基等が挙げられる。これらのうち、化合物の安定性の面から９−カルバゾリル基が好ましい。
【００３６】
該アルコキシ基としては、炭素数１〜２０のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等が挙げられる。
【００３７】
該（ヘテロ）アリールオキシ基としては、炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールオキシ基が好ましく、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、９−アントリルオキシ基、２−チエニルオキシ基等が挙げられる。
【００３８】
該アルキルチオ基としては、炭素数１〜２０のアルキルチオ基が好ましく、メチルチオ基、エチルチオ基、イソプロピルチオ基、シクロヘキシルチオ基等が挙げられる。
【００３９】
該（ヘテロ）アリールチオ基としては、炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールチオ基が好ましく、フェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、９−アントリルチオ基、２−チエニルチオ基等が挙げられる。
【００４０】
該アリールアミノ基としては、炭素数６〜２５のアリールアミノ基が好ましく、ジフェニルアミノ基等が挙げられる。
ハロゲン原子としては、フッ素原子等が挙げられる。
【００４１】
Ａｒ１としては、フェニル基が好ましく、該フェニル基にさらに置換基としてフェニル基またはカルバゾリル基（カルバゾール環由来の基）を有することが、化合物の安定性の面からも好ましい。置換基としてフェニル基を有する場合、Ａｒ１は、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基であることがより好ましく、３−ビフェニル基であることが特に好ましい。
Ａｒ１が、置換基としてカルバゾリル基を有する場合、Ａｒ１は、９−カルバゾリルフェニル基、３−（９−カルバゾリル）フェニル基、３，５−ジ（９−カルバゾリル）フェニル基、２，５−ジ（９−カルバゾリル）フェニル基であることが好ましい。
中でも、Ａｒ１が、３，５−ジ（９−カルバゾリル）フェニル基または３−ビフェニル基であることが好ましい。
【００４２】
＜Ａｒ２＞
Ａｒ２は、置換基を有していてもよい炭素数２〜３０の縮合芳香環基を表す。縮合芳香環基としては、縮合芳香族炭化水素基および縮合芳香族複素環基が挙げられる。
【００４３】
縮合芳香族炭化水素基としては、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ナフタセン環、クリセン環、ピレン環、トリフェニレン環、コロネン環などの縮合芳香族炭化水素由来の基が挙げられる。
【００４４】
縮合芳香族複素環基としては、キノリン環、イソキノリン環、インドール環、ベンゾチオフェン環、ベンゾフラン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルボリン環、カルバゾール環などの縮合芳香族複素環由来の基が挙げられる。
【００４５】
より具体的には、１−ナフチル基、２−ナフチル基などのナフタレン環由来の基、９−アントリル基などのアントラセン環由来の基、９−フェナントリル基などのフェナントレン環由来の基、１−ピレニル基などのピレン環由来の基、５−ナフタセニル基などのナフタセン環由来の基、２−トリフェニレニル基などのトリフェニレン環由来の基、２−キノリニル基などのキノリン環由来の基、１−イソキノリニル基、３−イソキノリニル基などのイソキノリン環由来の基、１−ジベンゾフラニル基、３−ジベンゾフラニル基などのジベンゾフラン環由来の基、１−ジベンゾチオフェニル基、３−ジベンゾチオフェニル基などのジベンゾチオフェン環由来の基、α−，β−，γ−またはδ−カルボリニル基などのカルボリン環由来の基、３−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基などのカルバゾール環由来の基などが挙げられる。
【００４６】
Ａｒ２としては、化合物の安定性の面からナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、キノリン環、ジベンゾフラン環、ジベンゾチオフェン環、カルボリン環、カルバゾール環由来の基が好ましい。
【００４７】
特に、Ａｒ２としては、下記式（２）〜（５）で表されるように、ナフタレン環、フェナントレン環、カルバゾール環、アントラセン環由来の基が化合物の安定性の面から好ましい。
【００４８】
【化５】
2010087488.tif 000006
（式（２）〜（５）で表される縮合芳香環基は、置換基を有していてもよい。）
【００４９】
中でも、電気的酸化耐久性が高いため、Ａｒ２としては、ナフタレン環由来の基が最も好ましく、特に２−ナフチル基が好ましい。
【００５０】
上記Ａｒ２は置換基を有していてもよく、その置換基としては、上記Ａｒ１が有していてもよい置換基として例示したものが挙げられ、その具体例および好ましい例も同様である。
【００５１】
＜Ｒ１〜Ｒ６＞
Ｒ１〜Ｒ６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。Ｒ１〜Ｒ６が置換基である場合には、炭素数５０以下の置換基が好ましい。該置換基は、さらに置換基を有していてもよい。
【００５２】
Ｒ１〜Ｒ６が置換基である場合の該置換基の具体例としては、アルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アルコキシ基、（ヘテロ）アリールオキシ基、アルキルチオ基、（ヘテロ）アリールチオ基、シアノ基が挙げられる。
【００５３】
このうち、アルキル基および芳香族炭化水素基が、化合物の安定性の面から好ましく、芳香族炭化水素基が特に好ましい。
【００５４】
該アルキル基としては、炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロヘキシル基、デシル基、オクタデシル基等が挙げられる。好ましくは、メチル基、エチル基、イソプロピル基である。特にメチル基、エチル基が原料の入手しやすさ、安価さなどから好ましく、イソプロピル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基は非極性溶媒に高い溶解性を持つために好ましい。
【００５５】
該芳香族炭化水素基としては、炭素数６〜２５の芳香族炭化水素基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、アントラセン環、ナフタセン環、クリセン環、ピレン環、トリフェニレン環、コロネン環由来の基等が挙げられる。さらに具体的には、フェニル基（ベンゼン環由来の基）、１−ナフチル基、２−ナフチル基などのナフタレン環由来の基、９−フェナントリル基、３−フェナントリル基などのフェナントレン環由来の基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基などのアントラセン環由来の基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基などのナフタセン環由来の基、１−クリセニル基、２−クリセニル基、３−クリセニル基、４−クリセニル基、５−クリセニル基、６−クリセニル基などのクリセン環由来の基、１−ピレニル基などのピレン環由来の基、１−トリフェニレニル基などのトリフェニレン環由来の基、１−コロネニル基などのコロネン環由来の基等が挙げられる。これらのうち、化合物の安定性の面からフェニル基、２−ナフチル基、１−アントリル基、９−フェナントリル基、９−アントリル基が好ましく、フェニル基、２−ナフチル基が化合物の精製のし易さから特に好ましい。
【００５６】
該芳香族複素環基としては、炭素数３〜２０の芳香族複素環基が好ましく、チオフェン環、フラン環、イミダゾール環、カルバゾール環、ピリジン環、トリアゾール環由来の基等が挙げられる。さらに具体的には、２−チエニル基などのチオフェン環由来の基、２−フリル基などのフラン環由来の基、２−イミダゾリル基などのイミダゾール環由来の基、９−カルバゾリル基などのカルバゾール環由来の基、２−ピリジル基などのピリジン環由来の基、１，３，５−トリアジン−２−イル基などのトリアゾール環由来の基等が挙げられる。これらのうち、化合物の安定性の面から９−カルバゾリル基が好ましい。
【００５７】
該アルコキシ基としては、炭素数１〜２０のアルコキシ基が好ましく、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等が挙げられる。中でもメトキシ基、エトキシ基が溶解性向上と高ガラス転移温度の面から好ましい。
【００５８】
該（ヘテロ）アリールオキシ基としては、炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールオキシ基が好ましく、フェノキシ基、２−ナフチルオキシ基、９−アントリルオキシ基、２−チエニルオキシ基等が挙げられる。中でも、フェノキシ基、２−ナフチルオキシ基が溶解性向上の面から好ましく、さらにアリールオキシ基が置換したフェノキシ基である３−フェノキシフェノキシ基は特に好ましい。
【００５９】
該アルキルチオ基の例としては、炭素数１〜２０のアルキルチオ基が好ましく、メチルチオ基、エチルチオ基、イソプロピルチオ基、シクロヘキシルチオ基等が挙げられる。中でも、メチルチオ基、エチルチオ基が溶解性向上と高ガラス転移温度の面から好ましい。
【００６０】
該（ヘテロ）アリールチオ基の例としては、炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールチオ基が好ましく、フェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、９−アントリルチオ基、２−チエニルチオ基等が挙げられる。中でも、フェニルチオ基は溶解性向上の面から好ましい。
【００６１】
Ｒ１〜Ｒ６が置換基である場合、Ｒ１〜Ｒ６は、さらに置換基を有していてもよく、その置換基としては、上記Ａｒ１が有していてもよい置換基として例示した置換基が挙げられ、その具体例および好ましい例も同様である。
【００６２】
特に、Ｒ１〜Ｒ６が置換基である場合、フェニル基であることが好ましく、この場合、置換基としてフェニル基を有するビフェニル基が好ましく、３−ビフェニル基、４−ビフェニル基がより好ましく、３−ビフェニル基が特に好ましい。
【００６３】
＜好適構造＞
特に、上記式（１）で表される部分構造は、溶解性の点から下記式（１−１）で表されることが好ましい。
【００６４】
【化６】
2010087488.tif 000007
【００６５】
（式（１−１）中、Ｒ１〜Ｒ６は、上記式（１）におけるものと同義である。Ｒ７〜Ｒ１８は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。）
【００６６】
式（１−１）において、Ｒ１〜Ｒ６は、上記式（１）におけるものと同義であり、具体例および好ましい例も同様である。
【００６７】
Ｒ７〜Ｒ１８は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。その具体例および好ましい例は、上記Ｒ１〜Ｒ６として記載したものと同様である。また、Ｒ７〜Ｒ１８が置換基である場合には、さらに置換基を有していてもよく、その置換基としては、上記Ａｒ１が有していてもよい置換基として例示した置換基が挙げられ、その具体例および好ましい例も同様である。
【００６８】
Ｒ７およびＲ１１は、水素原子であることが化合物の安定性の面から好ましい。また、Ｒ１２〜Ｒ１６およびＲ１８は、水素原子であることが溶解性の面から好ましい。また、Ｒ１７は、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基であることが、環のねじれを利用できさらに共役系が増加するため好ましい。
【００６９】
本発明の有機電界発光素子材料は、上記式（１）で表される部分構造を有することを特徴とするが、特に、上記式（１）で表される構造である有機電界発光素子材料であること、すなわち、分子の構造の一部（部分構造）ではなく、式（１）そのものの構造である化合物であることが、ナフタレン環間の共役安定性、ナフタレン環間での酸化的縮合の抑制、立体障害による高い捻れ構造の点から好ましい。
【００７０】
＜分子量＞
式（１）で表される部分構造を含む本発明の有機電界発光素子材料の分子量は、通常７０００以下であり、化合物の精製の容易さを考えた場合、好ましくは分子量５０００以下であり、溶解性を考慮した場合、特に好ましくは３０００以下、昇華精製による高純度化を考えた場合、最も好ましくは１５００以下である。また、通常５００以上であり、化合物の熱的安定性を考えた場合、好ましくは分子量６００以上である。
【００７１】
＜本発明のナフタレン系化合物＞
本発明のナフタレン系化合物は、分子内に下記式（６）で表される部分構造を有することを特徴とする。すなわち、上記式（１）で表される部分構造の中でも、下記式（６）で表される部分構造は新規構造である。
【００７２】
【化７】
2010087488.tif 000008
【００７３】
（式（６）中、Ａｒ１１は、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の芳香環基を表す。Ａｒ１２は、置換基を有していてもよい炭素数２〜３０の縮合芳香環基を表す。Ｒ２１〜Ｒ２６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表す。ただし、Ａｒ１２がナフチル基である場合には、Ａｒ１２は、置換基を有していてもよい２−ナフチル基である。）
【００７４】
Ａｒ１１は、置換基を有していてもよい炭素数１〜３０の芳香環基を表すが、その具体例および好ましい例は、上記式（１）におけるＡｒ１と同様であり、有していてもよい置換基の具体例および好ましい例も同様である。
【００７５】
Ａｒ１２は、置換基を有していてもよい炭素数２〜３０の縮合芳香環基を表すが、その具体例および好ましい例は、上記式（１）におけるＡｒ２と同様であり、有していてもよい置換基の具体例および好ましい例も同様である。ただし、Ａｒ１２がナフチル基である場合には、Ａｒ１２は２−ナフチル基である。また、特にＡｒ１２が、置換基を有していてもよい、２−ナフチル基、９−カルバゾリル基および９−アントリル基から選ばれる縮合芳香環基であることが好ましい。
【００７６】
Ｒ２１〜Ｒ２６は、それぞれ独立に、水素原子または置換基を表すが、その具体例および好ましい例は、上記式（１）におけるＲ１〜Ｒ６と同様であり、有していてもよい置換基の具体例および好ましい例も同様である。
【００７７】
本発明のナフタレン系化合物は、上記式（６）で表される部分構造を有することを特徴とするが、特に、上記式（６）で表される構造であるナフタレン系化合物であること、すなわち、分子の構造の一部（部分構造）ではなく、式（６）そのものの構造である化合物であることが、ナフタレン環間の共役安定性、ナフタレン環間での酸化的縮合の抑制、立体障害による高い捻れ構造の点から好ましい。
【００７８】
式（６）で表される部分構造を含む化合物の分子量は、上記式（１）で表される部分構造と同様である。
【００７９】
また、本発明のナフタレン系化合物は種々の溶媒に対して高い溶解性を有しており、有機電界発光素子のみならず、治療薬、有機色素、有機エレクトロニクス材料、記録材料、ポリマー材料、電池材料、光電変換素子、人工生体材料等に使用することができる。
【００８０】
＜溶媒溶解性＞
上記式（１）または（６）で表される化合物は、溶媒への溶解性が高く、例えば該化合物をトルエンに溶解する場合、その溶解度は、好ましくは０．１重量％以上、より好ましくは０．５重量％以上、特に好ましくは１．０重量％以上、さらに好ましくは２．０重量％以上である。溶解度がこの範囲を下回ると、湿式成膜した際に形成される薄膜の膜質が低下し、不均一になる傾向がある。また、各種溶媒の選定が制限される可能性がある。
【００８１】
ここで、溶解度の測定は次の通りである。
内容量２ｍＬ以上１０ｍＬ以下のガラス製サンプル瓶に、溶質Ｘｇ（通常３ｍｇ以上１０ｍｇ以下の範囲）と、溶媒（例えばトルエン）Ｙｇを投入し、該サンプル瓶の蓋を閉じた後、撹拌、超音波照射あるいは加熱処理し、極力溶解を促進する。  
その後、室温（通常、１０℃以上３０℃以下）下、１０時間以上静置したとき、目視あるいは顕微鏡観察により、析出物、懸濁あるいは層分離が確認されなかった場合、溶解度は（Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）×１００）％以上であり、析出物が確認された場合、溶解度は（Ｘ／（Ｘ＋Ｙ）×１００）％未満であると判定する。
【００８２】
＜具体例＞
式（１）で表される化合物の具体例を挙げるが、以下に限定されるものではない。
【００８３】
【化８】
2010087488.tif 000009
【００８４】
【化９】
2010087488.tif 000010
【００８５】
【化１０】
2010087488.tif 000011
【００８６】
【化１１】
2010087488.tif 000012
【００８７】
【化１２】
2010087488.tif 000013
【００８８】
【化１３】
2010087488.tif 000014
【００８９】
【化１４】
2010087488.tif 000015
【００９０】
＜合成方法＞
上記式（１）または（６）で表される化合物の合成方法は以下の通りである。
【００９１】
【化１５】
2010087488.tif 000016
【００９２】
例えば、上記のように（式中、Ｘａはハロゲン原子又はハロゲン等価置換基を表す）、１，７−ジヒドロキシルナフタレンを出発原料として、トリフルオロメタン無水物、トリフェニルホスフィンハロゲン錯体などを用いて、１、７位にハロゲン原子又はハロゲン等価置換基を導入し、ついで、有機金属試薬とＰｄ，Ｎｉ，Ｃｕ等の金属触媒を用いることにより合成することができる。ハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が挙げられる。また、ハロゲン等価置換基としては、トリフルオロメタンスルホン酸エステル（−ＯＳＯ２ＣＦ３）基等が挙げられる。また、有機金属試薬としては、有機ナトリウム試薬Ａｒ−Ｎａ、有機ホウ素試薬［Ａｒ−Ｂ（ＯＲ）２］、有機マグネシウム試薬［Ａｒ−ＭｇＸ］、有機亜鉛試薬［Ａｒ−ＺｎＸ］、有機錫試薬［Ａｒ−ＳｎＲ３］（Ａｒは芳香環基、Ｒは水素原子又はアルキル基、Ｘはハロゲン原子を表す）などが挙げられる。
【００９３】
【化１６】
2010087488.tif 000017
【００９４】
また、例えば、上記のように（式中、Ａｒａは縮合芳香族置換基であり、Ａｒｂ芳香族置換基である。また、ａ）ザンドマイヤー反応、ｂ)カップリング反応、ｃ)ハロゲン等価体に変換反応、ｄ)カップリング反応を表す）、８−アミノ−２−ナフトールを出発原料として、アミノ基をザンドマイヤー反応でハロゲン原子に置換し、次いでヒドロキシル基をハロゲン等価体に変換して、有機金属試薬とＰｄ，Ｎｉ，Ｃｕ等の金属触媒を用い、芳香環基を順次置換していくことにより合成することができる。
【００９５】
また、合成された化合物の精製等については、従来公知の方法を適宜選択して用いることができる。
【００９６】
［有機電界発光素子用組成物］
本発明の有機電界発光素子材料は、有機電界発光素子の湿式成膜法で形成される有機層に用いられることが好ましく、その場合、有機電界発光素子材料は、下記詳述する有機電界発光素子用組成物として用いられることが好ましい。
本発明の有機電界発光素子用組成物は、上述の本発明の有機電界発光素子材料および溶媒を含有する。
【００９７】
該有機電界発光素子用組成物における本発明の有機電界発光素子材料の含有量は、通常０．１重量％以上、好ましくは１重量％以上、通常９９．９９重量％以下、好ましくは９９．９重量％以下である。組成物の有機電界発光素子材料の含有量をこの範囲とすることにより、駆動電圧を低減することができる。尚、本発明の有機電界発光素子材料は本発明の有機電界発光素子用組成物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上が組み合わされて含まれていてもよい。
【００９８】
本発明の有機電界発光素子用組成物に含有される溶媒は、好ましくは、湿式成膜により有機電界発光素子材料を含む層を形成するために用いる、揮発性を有する液体成分である。
【００９９】
該溶媒は、溶質である本発明の有機電界発光素子材料等が良好に溶解する溶媒であれば特に限定されないが、好ましい溶媒としては以下のものが挙げられる。
【０１００】
例えば、ｎ−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン類；トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール、ジ
フェニルエーテル等の芳香族エーテル類；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル類、シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン類；シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル類；等が挙げられる。
中でも好ましくは、アルカン類や芳香族炭化水素類である。
【０１０１】
これらの溶媒は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、および比率で用いてもよい。
【０１０２】
溶媒の沸点は、通常１００℃以上、好ましくは１５０℃以上、より好ましくは２００℃以上である。この範囲を下回ると、湿式成膜時において、有機電界発光素子用組成物からの溶媒蒸発により、成膜安定性が低下する可能性がある。
【０１０３】
また、より均一な膜を得るためには、成膜直後の液膜から溶媒が適当な速度で蒸発することが好ましい。このため、溶媒の沸点は通常８０℃以上、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１２０℃以上、また、通常２７０℃以下、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは沸点２３０℃以下である。
【０１０４】
溶媒の含有量は、有機電界発光素子用組成物１００重量部に対して、好ましくは１０重量部以上、より好ましくは５０重量部以上、特に好ましくは８０重量部以上、また、好ましくは９９．９５重量部以下、より好ましくは９９．９重量部以下、特に好ましくは９９．８重量部以下である。溶媒の含有量がこの下限を下回ると、有機電界発光素子用組成物の粘性が高くなりすぎ、成膜作業性が低下する可能性がある。一方、この上限を上回ると、成膜後、溶媒を除去して得られる膜の厚みが稼げなくなるため、成膜が困難となる傾向がある。
【０１０５】
本発明の有機電界発光素子材料は、有機電界発光素子のいずれの層に用いられてもよい。従って、本発明の有機電界発光素子用組成物を有機電界発光素子のいずれかの層に適用する場合には、有機電界発光素子用組成物に、適用する層に必要な他の材料を本発明の有機電界発光素子材料とともに含有させることが好ましい。他の材料としては、正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物などの電荷輸送性化合物、電子受容性化合物、発光材料などが挙げられる。
【０１０６】
また、本発明の有機電界発光素子材料は、発光層を形成するための材料として用いられることが好ましい。従って、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて、有機電界発光素子の発光層を形成する場合には、本発明の有機電界発光素子材料をホスト材料とし、発光材料や他の電荷輸送性化合物をドーパント材料として含んでいてもよいし、本発明の有機電界発光素子材料をドーパント材料とし、他の電荷輸送性化合物をホスト材料として含んでいてもよい。また、ドーパント材料、ホスト材料ともに、本発明の有機電界発光素子材料であってもよい。これら発光材料、電荷輸送材料などの具体例は、下記有機電界発光素子の発光層の材料として挙げているものと同様である。
【０１０７】
本発明の有機電界発光素子用組成物が有機電界発光素子の発光層を形成するために用いられる場合、本発明の有機電界発光素子用組成物の組成は、後述の有機電界発光素子の項で説明する発光層形成用組成物の組成と同様であり、この場合、本発明の有機電界発光素子材料は、後述の発光層形成用組成物に含まれる成分のうち、ホスト材料として用いられることが好ましい。
【０１０８】
特に、本発明の有機電界発光素子材料をホスト材料とし、発光材料をドーパント材料として含む有機電界発光素子用組成物が好ましい。この場合、有機電界発光素子用組成物中の本発明の有機電界発光素子材料の含有量は、０．０００００１重量％以上が好ましく、０．０００１重量％以上がより好ましく、０．０１重量％以上が更に好ましく、５０重量％以下が好ましく、３０重量％以下がより好ましく、１５重量％以下が更に好ましい。また、有機電界発光素子用組成物中の発光材料の含有量は、０．０００００１重量％以上が好ましく、０．０００１重量％以上がより好ましく、０．０１重量％以上が特に好ましく、２５重量％以下が好ましく、１５重量％以下がより好ましい。本発明の有機電界発光素子材料の含有量に対する発光材料の含有量の割合は、０．０１重量％以上が好ましく、０．１重量％以上がより好ましく、１重量％以上が更に好ましい。また、５０重量％以下が好ましく、３０重量％以下がより好ましく、１０重量％以下が更に好ましい。これらの範囲とすることにより、有機電界発光素子としたときに、駆動電圧の低下や寿命の向上が得られる。
【０１０９】
本発明の有機電界発光素子用組成物には、必要に応じて、更に他の化合物を含有していてもよい。例えば、上記の溶媒の他に、別の溶媒を含有していてもよい。そのような溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、および比率で用いてもよい。
【０１１０】
また、本発明の有機電界発光素子用組成物は成膜性の向上を目的として、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含有していてもよい。
【０１１１】
［有機電界発光素子］
本発明の有機電界発光素子は、陽極および陰極の間に有機層を有し、該有機層のうち少なくとも一層が、本発明の有機電界発光素子材料を含有する層であり、好ましくは上述の本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成された層であることを特徴とする。該有機層は、１層からなるものであっても、２層以上からなるものであってもよい。また、陽極と陰極の間には、有機層の他、無機化合物からなる層を有していてもよい。
【０１１２】
以下に本発明の有機電界発光素子の構造例を示す図１の素子構成に従って、本発明の有機電界発光素子の構成を説明するが、本発明の有機電界発光素子は、本発明の有機電界発光素子材料を含む層、好ましくは本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜した層を陽極および陰極の間に有していればよく、他の層は有していても、有していなくてもよい。
【０１１３】
図１は本発明の有機電界発光素子の構造例を示す断面の模式図であり、図１において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は正孔阻止層、７は電子輸送層、８は電子注入層、９は陰極を各々表す。
【０１１４】
尚、本発明において湿式成膜法とは、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等湿式で成膜される方法をいう。これらの成膜方法の中でも、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法が好ましい。これは、有機電界発光素子に用いられる塗布用組成物特有の液性に合うためである。
【０１１５】
｛基板｝
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【０１１６】
｛陽極｝
陽極２は発光層側の層への正孔注入の役割を果たすものである。
【０１１７】
この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび／またはスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。
【０１１８】
陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極２を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。
【０１１９】
陽極２は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
【０１２０】
陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが好ましい。この場合、陽極２の厚みは通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陽極２の厚みは任意であり、陽極２は基板１と同一でもよい。また、さらには、上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
【０１２１】
陽極２に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極２表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。
【０１２２】
｛正孔注入層｝
正孔注入層３は、陽極２から発光層５へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極２上に形成される。
【０１２３】
本発明に係る正孔注入層３の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔注入層３を湿式成膜法により形成することが好ましい。
【０１２４】
正孔注入層３の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。
【０１２５】
＜湿式成膜法による正孔注入層の形成＞
湿式成膜法により正孔注入層３を形成する場合、通常は、正孔注入層３を構成する材料を適切な溶媒（正孔注入層用溶媒）と混合して成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物）を調製し、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。
【０１２６】
（正孔輸送性化合物）
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の構成材料として正孔輸送性化合物および溶媒を含有する。
【０１２７】
正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、高分子化合物であっても、低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。
【０１２８】
正孔輸送性化合物としては、陽極２から正孔注入層３への電荷注入障壁の観点から４．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポルフィリン系化合物、オリゴチオフェン系化合物、ポリチオフェン系化合物、ベンジルフェニル系化合物、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン系化合物、シラザン系化合物、シラナミン系化合物、ホスファミン系化合物、キナクリドン系化合物等が挙げられる。
【０１２９】
正孔注入層３の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。２種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物１種または２種以上と、その他の正孔輸送性化合物１種または２種以上とを併用することが好ましい。
【０１３０】
上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
【０１３１】
芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型化合物）がさらに好ましい。
【０１３２】
芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレットに記載のものが挙げられる。
【０１３３】
正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常０．０１重量％以上、好ましくは０．１重量％以上、さらに好ましくは０．５重量％以上、また、通常７０重量％以下、好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。
【０１３４】
（電子受容性化合物）
正孔注入層形成用組成物は正孔注入層の構成材料として、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。
【０１３５】
電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、５ｅＶ以上の化合物である化合物がさらに好ましい。
【０１３６】
このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種または２種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンダフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩（国際公開２００５／０８９０２４号パンフレット）；塩化鉄（III）（特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンダフルオロフェニル）ボラン（特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体；ヨウ素等が挙げられる。
【０１３７】
これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。
【０１３８】
正孔注入層或いは正孔注入層形成用組成物中の電子受容性化合物の正孔輸送性化合物に対する含有量は、通常０．１モル％以上、好ましくは１モル％以上である。但し、通常１００モル％以下、好ましくは４０モル％以下である。
【０１３９】
（その他の構成材料）
正孔注入層の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送性化合物や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０１４０】
（溶媒）
湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物の溶媒のうち少なくとも１種は、上述の正孔注入層の構成材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。また、この溶媒の沸点は通常１１０℃以上、好ましくは１４０℃以上、中でも２００℃以上、通常４００℃以下、中でも３００℃以下であることが好ましい。溶媒の沸点が低すぎると、乾燥速度が速すぎ、膜質が悪化する可能性がある。また、溶媒の沸点が高すぎると乾燥工程の温度を高くする必要があし、他の層や基板に悪影響を与える可能性がある。
【０１４１】
溶媒として例えば、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、芳香族炭化水素系溶媒、アミド系溶媒などが挙げられる。
【０１４２】
エーテル系溶媒としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル、等が挙げられる。
【０１４３】
エステル系溶媒としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル、等が挙げられる。
【０１４４】
芳香族炭化水素系溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、３−イロプロピルビフェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。
アミド系溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、等が挙げられる。
【０１４５】
その他、ジメチルスルホキシド、等も用いることができる。
これらの溶媒は１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で用いてもよい。
【０１４６】
（成膜方法）
正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極２）上に塗布成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。
【０１４７】
成膜工程における温度は、組成物中に結晶が生じることによる膜の欠損を防ぐため、１０℃以上が好ましく、５０℃以下が好ましくい。
【０１４８】
成膜工程における相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．０１ｐｐｍ以上、通常８０％以下である。
【０１４９】
成膜後、通常加熱等により正孔注入層形成用組成物の膜を乾燥させる。加熱工程において使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブンおよびホットプレートが好ましい。
【０１５０】
加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔注入層形成用組成物に用いた溶媒の沸点以上の温度で加熱することが好ましい。また、正孔注入層に用いた溶媒が２種類以上含まれている混合溶媒の場合、少なくとも１種類がその溶媒の沸点以上の温度で加熱されるのが好ましい。溶媒の沸点上昇を考慮すると、加熱工程においては、好ましくは１２０℃以上、好ましくは４１０℃以下で加熱することが好ましい。
【０１５１】
加熱工程において、加熱温度が正孔注入層形成用組成物の溶媒の沸点以上であり、かつ塗布膜の十分な不溶化が起こらなければ、加熱時間は限定されないが、好ましくは１０秒以上、通常１８０分以下である。加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向があり、短すぎると正孔注入層が不均質になる傾向がある。加熱は２回に分けて行ってもよい。
【０１５２】
＜真空蒸着法による正孔注入層の形成＞
真空蒸着により正孔注入層３を形成する場合には、正孔注入層３の構成材料（前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等）の１種または２種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ）、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度まで排気した後、るつぼを加熱して（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して）、蒸発量を制御して蒸発させ（２種以上の材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ）、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極２上に正孔注入層３を形成させる。なお、２種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層３を形成することもできる。
【０１５３】
蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１×１０−６Ｔｏｒｒ（０．１３×１０−４Ｐａ）以上、通常９．０×１０−６Ｔｏｒｒ（１２．０×１０−４Ｐａ）以下である。蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１Å／秒以上、通常５．０Å／秒以下である。蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは１０℃以上で、好ましくは５０℃以下で行われる。
【０１５４】
｛正孔輸送層｝
本発明の有機電界発光素子は正孔輸送層４を有することが好ましく、特に後述の発光層５が本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて湿式成膜法により形成された層である場合、正孔輸送層４のイオン化ポテンシャルが−５．１〜−６．５ｅＶであることが好ましい。正孔輸送層４のイオン化ポテンシャルをこの範囲とすることにより、発光層のホスト材料とのイオン化ポテンシャル差を小さくし、発光層への正孔注入をより高効率に行うことが可能になり、得られる有機電界発光素子の高効率化、長寿命化の効果が得られるためである。ここで、正孔輸送層４のイオン化ポテンシャルは、光電子分光法、大気中光電子分光法、サイクリックボルタンメトリーなど市販の装置を用いた一般的な測定法により測定された値をいう。具体的には、石英板、スライドガラスなどの基板に、後述される各種成膜法により１００ｎｍ程度の膜厚に成膜された有機物薄膜を、一般的な真空中での光電子分光法により測定し、決定される。
【０１５５】
本発明に係る正孔輸送層４の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔輸送層４を湿式成膜法により形成することが好ましい。
【０１５６】
正孔輸送層４は、正孔注入層がある場合には正孔注入層３の上に、正孔注入層３が無い場合には陽極２の上に形成することができる。また、本発明の有機電界発光素子は、正孔輸送層を省いた構成であってもよい。
【０１５７】
正孔輸送層４を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層５に接するため、発光層５からの発光を消光したり、発光層５との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。
【０１５８】
このような正孔輸送層４の材料としては、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられている材料であればよく、例えば、前述の正孔注入層３に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。また、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フ
ェニルアミノ］ビフェニルで代表わされる２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４’，４”−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（Ｊ．Ｌｕｍｉｎ．，７２−７４巻、９８５頁、１９９７年）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，２１７５頁、１９９６年）、２，２’，７，７’−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Ｓｙｎｔｈ．Ｍｅｔａｌｓ，９１巻、２０９頁、１９９７年）、４，４’−Ｎ，Ｎ’−ジカルバゾールビフェニルなどのカルバゾール誘導体などが挙げられる。また、例えばポリビニルカルバゾール、ポリビニルトリフェニルアミン（特開平７−５３９５３号公報）、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン（Ｐｏｌｙｍ．Ａｄｖ．Ｔｅｃｈ．，７巻、３３頁、１９９６年）等が挙げられる。
【０１５９】
湿式成膜法で正孔輸送層４を形成する場合は、上記正孔注入層３の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、加熱乾燥させる。
【０１６０】
正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶媒を含有する。用いる溶媒は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層３の形成の場合と同様である。
【０１６１】
真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層３の形成の場合と同様である。
【０１６２】
正孔輸送層４は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。
【０１６３】
正孔輸送層４は架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。ここで、架橋性化合物は、架橋基を有する化合物であって、架橋することにより網目状高分子化合物を形成する。架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。架橋性化合物は１種のみを有していてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で有していてもよい。
【０１６４】
架橋性化合物の架橋基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル由来の基；ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリロイル基、メタクリロイル基、シンナモイル基等の不飽和二重結合由来の基；ベンゾシクロブテン由来の基などが挙げられる。
【０１６５】
さらに、架橋性化合物としては、架橋基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。この場合の正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体；トリフェニルアミン誘導体；シロール誘導体；オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体；トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。
【０１６６】
架橋性化合物の分子量は、モノマーである場合通常５０００以下、好ましくは２５００以下であり、また好ましくは３００以上、さらに好ましくは５００以上である。オリゴマーまたはポリマーである場合、その重量平均分子量は、通常３，０００，０００以下、好ましくは２００，０００以下、通常１，０００以上、好ましくは２０，０００以上である。
【０１６７】
架橋性化合物を架橋して正孔輸送層４を形成するには、通常、架橋性化合物を溶媒に溶解または分散した正孔輸送層形成用組成物を調製して、湿式成膜法により成膜し、その後架橋性化合物を架橋させる。
【０１６８】
正孔輸送層形成用組成物には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤および重合促進剤；縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤；などが挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、および比率で用いてもよい。
【０１６９】
また、正孔輸送層形成用組成物は、さらに、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤、電子受容性化合物、バインダー樹脂などを含有していてもよい。
【０１７０】
正孔輸送層形成用組成物に用いられる溶媒は、前記正孔注入層を形成するための溶媒として例示したものと同様である。
【０１７１】
正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物を通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上、通常５０重量％以下、好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下含有する。
【０１７２】
このような濃度で架橋性化合物を含む正孔輸送層形成用組成物を下層（通常は正孔注入層３）上に成膜後、加熱および／または光などの電磁エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させて網目状高分子化合物を形成する。
【０１７３】
成膜時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層３の湿式成膜時と同様である。
【０１７４】
成膜後の加熱の手法は特に限定されないが、例としては加熱乾燥、減圧乾燥等が挙げられる。加熱乾燥の場合の加熱温度条件としては、通常１２０℃以上、好ましくは４００℃以下である。
【０１７５】
加熱時間としては、通常１分以上、好ましくは２４時間以下である。加熱手段としては特に限定されないが、成膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で１２０℃以上、１分間以上加熱する等の条件を用いることができる。
【０１７６】
光などの電磁エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるい
は前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の電磁エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常０．１秒以上、好ましくは１０時間以下照射される。
【０１７７】
加熱および光などの電磁エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。
【０１７８】
このようにして形成される正孔輸送層４の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
【０１７９】
｛発光層｝
正孔注入層３の上、または正孔輸送層４を設けた場合には正孔輸送層４の上には発光層５が設けられる。発光層５は、電界を与えられた電極間において、陽極２から注入された正孔と、陰極９から注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。
【０１８０】
本発明の有機電界発光素子における発光層５は、本発明の有機電界発光素子材料を用いて湿式成膜法で形成されることが好ましい。通常、本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて上記の湿式成膜法で形成される。
【０１８１】
本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて発光層を形成しない場合、すなわち、本発明の有機電界発光素子用材料を他の層に用いる場合、発光層としては従来有機電界発光素子の発光層として使用されている材料や方法により形成することができる。
【０１８２】
＜発光層の材料＞
発光層５は、その構成材料として、少なくとも、発光の性質を有する材料（発光材料）を含有するとともに、好ましくは、正孔輸送の性質を有する化合物（正孔輸送性化合物）、あるいは、電子輸送の性質を有する化合物（電子輸送性化合物）を含有する。発光材料をドーパント材料として使用し、正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物などをホスト材料として使用してもよい。特に、発光層を本発明の有機電界発光素子用組成物を用いて上記の湿式成膜法で形成する場合、本発明の有機電界発光素子材料をホスト材料として用い、発光材料をドーパント材料として用いることが好ましい。
【０１８３】
発光材料については特に限定はなく、所望の発光波長で発光し、発光効率が良好である物質を用いればよい。更に、発光層５は、本発明の効果を著しく損なわない範囲で、その他の成分を含有していてもよい。なお、湿式成膜法で発光層５を形成する場合は、何れも低分子量の材料を使用することが好ましい。
【０１８４】
（発光材料）
発光材料としては、任意の公知の材料を適用可能である。例えば、蛍光発光材料であってもよく、燐光発光材料であってもよいが、内部量子効率の観点から、好ましくは燐光発光材料である。また、青色は蛍光発光材料を用い、緑色や赤色は燐光発光材料を用いるなど、組み合わせて用いてもよい。
【０１８５】
なお、溶媒への溶解性を向上させる目的で、発光材料の分子の対称性や剛性を低下させたり、或いはアルキル基などの親油性置換基を導入したりすることが好ましい。
以下、発光材料のうち蛍光発光材料の例を挙げるが、蛍光色素は以下の例示物に限定されるものではない。
【０１８６】
青色発光を与える蛍光発光材料（青色蛍光色素）としては、例えば、ナフタレン、ペリレン、ピレン、クリセン、アントラセン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼンおよびそれらの誘導体等が挙げられる。
【０１８７】
緑色発光を与える蛍光発光材料（緑色蛍光色素）としては、例えば、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、Ａｌ（Ｃ９Ｈ６ＮＯ）３などのアルミニウム錯体等が挙げられる。
【０１８８】
黄色発光を与える蛍光発光材料（黄色蛍光色素）としては、例えば、ルブレン、ペリミドン誘導体等が挙げられる。
【０１８９】
赤色発光を与える蛍光発光材料（赤色蛍光色素）としては、例えば、ＤＣＭ（４−（ｄｉｃｙａｎｏｍｅｔｈｙｌｅｎｅ）−２−ｍｅｔｈｙｌ−６−（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ）系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン等が挙げられる。
【０１９０】
燐光発光材料としては、例えば、長周期型周期表（以下、特に断り書きの無い限り「周期表」という場合には、長周期型周期表を指すものとする。）第７〜１１族から選ばれる金属を含む有機金属錯体が挙げられる。
【０１９１】
周期表第７〜１１族から選ばれる金属として、好ましくは、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、銀、レニウム、オスミウム、イリジウム、白金、金等が挙げられる。
【０１９２】
錯体の配位子としては、（ヘテロ）アリールピリジン配位子、（ヘテロ）アリールピラゾール配位子などの（ヘテロ）アリール基とピリジン、ピラゾール、フェナントロリンなどが連結した配位子が好ましく、特にフェニルピリジン配位子、フェニルピラゾール配位子が好ましい。
【０１９３】
燐光発光材料として、具体的には、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム、トリス（２−フェニルピリジン）ルテニウム、トリス（２−フェニルピリジン）パラジウム、ビス（２−フェニルピリジン）白金、トリス（２−フェニルピリジン）オスミウム、トリス（２−フェニルピリジン）レニウム、オクタエチル白金ポルフィリン、オクタフェニル白金ポルフィリン、オクタエチルパラジウムポルフィリン、オクタフェニルパラジウムポルフィリン等が挙げられる。
【０１９４】
発光材料として用いる化合物の分子量は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１００００以下、好ましくは５０００以下、より好ましくは４０００以下、更に好ましくは３０００以下、また、通常１００以上、好ましくは２００以上、より好ましくは３００以上、更に好ましくは４００以上の範囲である。発光材料の分子量が小さ過ぎると、耐熱性が著しく低下したり、ガス発生の原因となったり、膜を形成した際の膜質の低下を招いたり、或いはマイグレーションなどによる有機電界発光素子のモルフォロジー変化を来したりする場合がある。一方、発光材料の分子量が大き過ぎると、有機化合物の精製が困難となってしまったり、溶媒に溶解させる際に時間を要したりする傾向がある。
【０１９５】
なお、上述した発光材料は、いずれか１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０１９６】
発光層５における発光材料の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．０５重量％以上、通常３５重量％以下である。発光材料が少なすぎると発光ムラを生じる可能性があり、多すぎると発光効率が低下する可能性がある。なお、２種以上の発光材料を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。
【０１９７】
（正孔輸送性化合物）
発光層５には、その構成材料として、正孔輸送性化合物を含有させてもよい。通常、正孔輸送性化合物はホスト材料として用いられる。ここで、正孔輸送性化合物のうち、低分子量の正孔輸送性化合物の例としては、前述の正孔注入層３における（低分子量の正孔輸送性化合物）として例示した各種の化合物のほか、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニルに代表される、２個以上の３級アミンを含み２個以上の縮合芳香族環が窒素原子に置換した芳香族ジアミン（特開平５−２３４６８１号公報）、４，４’，４”−トリス（１−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン等のスターバースト構造を有する芳香族アミン化合物（Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ，  １９９７年，  Ｖｏｌ．７２−７４，  ｐｐ．９８５）、トリフェニルアミンの四量体から成る芳香族アミン化合物（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，  １９９６年，  ｐｐ．２１７５）、２，２’，７，７’−テトラキス−（ジフェニルアミノ）−９，９’−スピロビフルオレン等のスピロ化合物（Ｓｙｎｔｈｅｔｉｃ  Ｍｅｔａｌｓ，  １９９７年，  Ｖｏｌ．９１，  ｐｐ．２０９）等が挙げられる。
【０１９８】
なお、発光層５において、正孔輸送性化合物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０１９９】
発光層５における正孔輸送性化合物の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．１重量％以上、通常６５重量％以下である。正孔輸送性化合物が少なすぎると短絡の影響を受けやすくなる可能性があり、多すぎると膜厚ムラを生じる可能性がある。なお、２種以上の正孔輸送性化合物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。
【０２００】
（電子輸送性化合物）
発光層５には、その構成材料として、電子輸送性化合物を含有させてもよい。通常、電子輸送性化合物はホスト材料として用いられる。ここで、電子輸送性化合物のうち、低分子量の電子輸送性化合物の例としては、２，５−ビス（１−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール（ＢＮＤ）や、２，５−ビス（６’−（２’，２”−ビピリジル））−１，１−ジメチル−３，４−ジフェニルシロール（ＰｙＰｙＳＰｙＰｙ）や、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）や、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ、バソクプロイン）、２−（４−ビフェニリル）−５−（ｐ−ターシャルブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（ｔＢｕ−ＰＢＤ）や、４，４’−ビス（９−カルバゾール）−ビフェニル（ＣＢＰ）等が挙げられる。なお、発光層５において、電子輸送性化合物は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０２０１】
発光層５における電子輸送性化合物の割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．１重量％以上、通常６５重量％以下である。電子輸送性化合物が少なすぎると短絡の影響を受けやすくなる可能性があり、多すぎると膜厚ムラを生じる可能性がある。なお、２種以上の電子輸送性化合物を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。
【０２０２】
（有機電界発光素子材料）
発光層が前述の本発明の有機電界発光素子材料を含む場合、その含有割合は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．１重量％以上、通常６５重量％以下である。本発明の有機電界発光素子材料が少なすぎると短絡の影響を受けやすくなる可能性があり、多すぎると膜厚ムラを生じる可能性がある。なお、２種以上の本発明の有機電界発光素子材料を併用する場合には、これらの合計の含有量が上記範囲に含まれるようにする。
【０２０３】
＜発光層の形成＞
本発明に係る湿式成膜法により発光層５を形成する場合は、上記材料を適切な溶媒に溶解させて発光層形成用組成物または本発明の有機電界発光素子用組成物を調製し、それを用いて成膜することにより形成する。
【０２０４】
発光層５を本発明に係る湿式成膜法で形成するための発光層形成用組成物または本発明の有機電界発光素子用組成物に含有させる発光層用溶媒としては、発光層の形成が可能である限り任意のものを用いることができる。発光層用溶媒の好適な例は、上記正孔注入層形成用組成物で説明した溶媒と同様である。
【０２０５】
発光層５を形成するための発光層形成用組成物または本発明の有機電界発光素子用組成物に対する発光層用溶媒の比率は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．０１重量％以上、通常９９重量％以下である。なお、発光層用溶媒として２種以上の溶媒を混合して用いる場合には、これらの溶媒の合計がこの範囲を満たすようにする。
【０２０６】
また、発光層形成用組成物または本発明の有機電界発光素子用組成物中の発光材料、正孔輸送性化合物、電子輸送性化合物、本発明の有機電界発光素子材料等の固形分濃度としては、通常０．０１重量％以上、通常７０重量％以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると膜に欠陥が生じる可能性がある。
【０２０７】
発光層形成用組成物または本発明の有機電界発光素子用組成物を湿式成膜後、得られた塗膜を乾燥し、溶媒を除去することにより、発光層が形成される。具体的には、上記正孔注入層の形成において記載した方法と同様である。湿式成膜法の方式は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されず、前述のいかなる方式も用いることができる。
【０２０８】
発光層５の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。発光層５の膜厚が、薄すぎると膜に欠陥が生じる可能性があり、厚すぎると駆動電圧が上昇する可能性がある。
【０２０９】
｛正孔阻止層｝
発光層５と後述の電子注入層８との間に、正孔阻止層６を設けてもよい。正孔阻止層６は、発光層５の上に、発光層５の陰極９側の界面に接するように積層される層である。
【０２１０】
この正孔阻止層６は、陽極２から移動してくる正孔を陰極９に到達するのを阻止する役割と、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とを有する。
【０２１１】
正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５−０２２９６２号公報に記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層６の材料として好ましい。
【０２１２】
なお、正孔阻止層６の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０２１３】
正孔阻止層６の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。
【０２１４】
正孔阻止層６の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。
【０２１５】
｛電子輸送層｝
発光層５と後述の電子注入層８の間に、電子輸送層７を設けてもよい。
【０２１６】
電子輸送層７は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成される。
【０２１７】
電子輸送層７に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極９または電子注入層８からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。
【０２１８】
なお、電子輸送層７の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０２１９】
電子輸送層７の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
【０２２０】
電子輸送層７の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。
【０２２１】
｛電子注入層｝
電子注入層８は、陰極９から注入された電子を効率良く発光層５へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行なうには、電子注入層８を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。例としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられ、その膜厚は通常０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下が好ましい。
【０２２２】
更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は、通常、５ｎｍ以上、中でも１０ｎｍ以上が好ましく、また、通常２００ｎｍ以下、中でも１００ｎｍ以下が好ましい。
【０２２３】
なお、電子注入層８の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０２２４】
電子注入層８の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
【０２２５】
｛陰極｝
陰極９は、発光層５側の層（電子注入層８または発光層５など）に電子を注入する役割を果たすものである。
【０２２６】
陰極９の材料としては、前記の陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
【０２２７】
なお、陰極９の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０２２８】
陰極９の膜厚は、通常、陽極２と同様である。
【０２２９】
さらに、低仕事関数金属から成る陰極９を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、１種のみで用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０２３０】
｛その他の層｝
本発明に係る有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極２と陰極９との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。
【０２３１】
上記説明にある層の他に有していてもよい層としては、例えば、電子阻止層が挙げられる。
電子阻止層は、正孔注入層３または正孔輸送層４と発光層５との間に設けられ、発光層５から移動してくる電子が正孔注入層３に到達するのを阻止することで、発光層５内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層５内に閉じこめる役割と、正孔注入層３から注入された正孔を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とがある。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は電子阻止層を設けることが効果的である。
【０２３２】
電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いこと等が挙げられる。更に、本発明においては、発光層５を本発明に係る有機層として湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。このような電子阻止層に用いられる材料としては、Ｆ８−ＴＦＢに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体（国際公開第２００４／０８４２６０号パンフレット）等が挙げられる。
【０２３３】
なお、電子阻止層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０２３４】
電子阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
さらに陰極９と発光層５または電子輸送層７との界面に、例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、炭酸セシウム（ＩＩ）（ＣｓＣＯ３）等で形成された極薄絶縁膜（０．１〜５ｎｍ）を挿入することも、素子の効率を向上させる有効な方法である（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，  １９９７年，  Ｖｏｌ．７０，  ｐｐ．１５２；特開平１０−７４５８６号公報；ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅｓ，  １９９７年，Ｖｏｌ．４４，  ｐｐ．１２４５；ＳＩＤ  ０４  Ｄｉｇｅｓｔ，  ｐｐ．１５４等参照）。
【０２３５】
また、以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば、図１の層構成であれば、基板１上に他の構成要素を陰極９、電子注入層８、電子輸送層７、正孔阻止層６、発光層５、正孔輸送層４、正孔注入層３、陽極２の順に設けてもよい。
【０２３６】
更には、少なくとも一方が透明性を有する２枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明に係る有機電界発光素子を構成することも可能である。
【０２３７】
また、基板以外の構成要素（発光ユニット）を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その場合には、各段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合は、それら２層）の代わりに、例えば五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）等からなる電荷発生層（Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ：ＣＧＬ）を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
【０２３８】
更には、本発明の有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。
【０２３９】
また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、各々の層構成材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。
【０２４０】
［有機ＥＬディスプレイおよび有機ＥＬ照明］
本発明の有機ＥＬディスプレイおよび有機ＥＬ照明は、上述の本発明の有機電界発光素子を用いたものである。本発明の有機ＥＬディスプレイおよび有機ＥＬ照明の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。  
例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社、平成１６年８月２０日発行、時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で、本発明の有機ＥＬディスプレイおよび有機ＥＬ照明を形成することができる。
【実施例】
【０２４１】
次に、本発明を実施例によって更に具体的に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例の記載に限定されるものではない。
【０２４２】
［ナフタレン系化合物の合成］
｛合成例１｝
＜８−ヨード−２−ナフトールの合成＞
【化１７】
2010087488.tif 000018
【０２４３】
８−アミノ−２−ナフトール（１０．０ｇ，６３ｍｍｏｌ）を濃塩酸（５０ｍｌ）に懸濁させ１０分間攪拌し、蒸留水（１００ｍｌ）を加え、さらに１０分間攪拌した。反応溶液を０℃まで冷却し、亜硝酸ナトリウム（４．７６ｇ，６９ｍｍｏｌ）の水溶液（３５ｍｌ）を添加し、０〜５℃で３０分間攪拌した。反応溶液を６０℃のヨウ化カリウム（２０．９ｇ，１２６ｍｍｏｌ）水溶液（１００ｍｌ）にゆっくりと滴下し、析出した結晶を濾過した。濾取物を塩化メチレンで抽出し、有機層をチオ硫酸ナトリウム、飽和塩化ナトリウム水溶液で順次洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、無機物を濾取し、減圧下に溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、８−ヨード−２−ナフトール（５．０７ｇ，収率３０％）を得た。
【０２４４】
＜中間体１の合成＞
【化１８】
2010087488.tif 000019
【０２４５】
窒素雰囲気下、８−ヨード−２−ナフトール（３．００ｇ，１１．１ｍｍｏｌ）、２−ナフチルボロン酸（２．２９ｇ，１３．３ｍｍｏｌ）のトルエン（５６ｍｌ）およびエタノール（２８ｍｌ）溶液に、室温でテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（６４１ｍｇ，５５５μｍｏｌ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（１４ｍｌ）を加え、４．５時間還流させた。室温まで放冷後、反応混合物に水を加え、塩化メチレンで抽出し、有機層を水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させた。溶媒を減圧下で留去させ、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製することで中間体１（２．９１ｇ，収率９７％）を得た。
【０２４６】
＜中間体２の合成＞
【化１９】
2010087488.tif 000020
【０２４７】
窒素雰囲気下、中間体１（２．９ｇ，１１ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（２．１７ｇ，２２ｍｍｏｌ）の塩化メチレン（３０ｍｌ）溶液に、０℃でトリフルオロメタンスルホン酸無水物（３．７２ｇ，１３．２ｍｍｏｌ）の塩化メチレン溶液（２０ｍｌ）を加え、３０分間攪拌した。反応混合物を水にあけ、有機層を水で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、無機物を濾取後、減圧下に溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製することで中間体２（４．２２ｇ，９８％）を得た。
【０２４８】
＜中間体３の合成＞
【化２０】
2010087488.tif 000021
【０２４９】
窒素雰囲気下、水素化ナトリウム（５．０２ｇ，１１５ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（２００ｍＬ）懸濁液に、室温でカルバゾール（１８．３９ｇ，１１０ｍｍｏｌ）を加えた後、温度を８０℃に上昇させ、１−ブロモ−３，５−ジフルオロベンゼンを滴下した。滴下終了後、温度を１００℃にし、５時間攪拌した。室温まで放冷後、氷水にあけ、析出した結晶を濾過した。結晶をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体３（９．６５ｇ，収率４０％）を得た。
【０２５０】
＜中間体４の合成＞
【化２１】
2010087488.tif 000022
【０２５１】
窒素雰囲気下、中間体３（８．９ｇ，１８．３ｍｍｏｌ）、ビスピナコラートジボラン（５．１１ｇ，２０．１ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（６．１１ｇ，６２．２ｍｍｏｌ）の乾燥ジメチルスルホキシド（１８０ｍＬ）懸濁液に、ジクロロ［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］パラジウム（II）ジクロロメタン付加物（４８８ｍｇ，０．５４９ｍｍｏｌ）を加えた後、温度を８５℃に上昇させ、５時間攪拌した。室温まで放冷後、氷水にあけ、析出した結晶を濾取し、トルエンに溶解させ、飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、無機物を濾過した。濾液中の溶媒を減圧下に留去させ、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、中間体４（４．８３ｇ，収率４９％）を得た。
【０２５２】
＜化合物Ａの合成＞
【化２２】
2010087488.tif 000023
窒素雰囲気下、中間体２（１．０ｇ）、中間体４（１．５９ｇ）のトルエン（２０ｍｌ）、エタノール（１０ｍｌ）、および２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（５ｍｌ）の溶液に、室温でテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（８６ｍｇ，０．０７４７ｍｍｏｌ）を加え、８時間還流させた。室温まで放冷後、反応混合物を濾過し、濾液を塩化メチレンで抽出した。有機層を１Ｎ塩酸で洗浄後、硫酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下に溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにて精製し、エタノールで懸濁洗浄することで化合物Ａ（１．０２ｇ，６２％）を得た。
【０２５３】
ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝６６０（Ｍ＋））により化合物Ａであることを確認した。
このもののガラス転移温度は１３３℃、窒素気流下での重量減少開始温度は４９５℃であった。
【０２５４】
{合成例２}
＜中間体５の合成＞
【化２３】
2010087488.tif 000024
【０２５５】
反応容器に、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０．３７ｇ，０．６４ｍｍｏｌ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（０．７１ｇ，１．２９ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム（１．８７ｇ，１９．４５ｍｍｏｌ）を入れ、十分に窒素置換し、脱水トルエン（１５ｍｌ）を加えて撹拌した。そこへ脱水トルエン（５ｍｌ）に溶かした中間体２（５．２２ｇ，１２．９７ｍｍｏｌ）、アニリン（１．８１ｇ，１９．４５ｍｍｏｌ）を加え、８５℃で７時間半加熱撹拌した。室温まで放冷後、反応混合物を濾過し、減圧下で濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝２／１）にて精製し、エタノールで懸洗することで中間体５（２．１ｇ，６２％）を得た。
【０２５６】
＜化合物Ｂの合成＞
【化２４】
2010087488.tif 000025
【０２５７】
反応容器に、中間体５（０．７０ｇ，２．５５ｍｍｏｌ）、４，４’−ジブロモビフェニル（２．１１ｇ，６．１２ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム（１．６１ｇ，１６．８４ｍｍｏｌ）、トルエン（３０ｍｌ）を入れ、十分に窒素置換し、６０℃で撹拌した。そこへトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（クロロホルム錯体）（８０ｍｇ，０．０７７ｍｍｏｌ）のトルエン（５ｍｌ）溶液に、トリ−ｔ−ブチルホスフィン（９３ｍｇ，０．４６ｍｍｏｌ）を加え、５０℃まで加温した溶液を添加し、８時間還流した。室温まで放冷後、反応混合物を濾過し、濾液を減圧下で濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／トルエン＝２／１，ヘキサン/塩化メチレン＝３／１）にて精製し、塩化メチレンに溶かし、エタノールに再沈殿することで化合物Ｂ（０．８８ｇ，４１％）を得た。
【０２５８】
ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝８４０（Ｍ＋））により化合物Ｂであることを確認した。
このもののガラス転移温度は１２１℃、窒素気流下での重量減少開始温度は５３９℃であった。
【０２５９】
{合成例３}
＜中間体６の合成＞
【化２５】
2010087488.tif 000026
【０２６０】
反応容器に、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０.４４ｇ，０.７８ｍｍｏｌ）、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（０.８６ｇ，１.５５ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム（２.２４ｇ，２３.３４ｍｍｏｌ）、トルエン（１５ｍｌ）を入れ、十分に窒素置換し、撹拌した。そこへトルエン（５ｍｌ）に溶かした中間体２（６.２６ｇ，１５.５６ｍｍｏｌ）とｐ−アニシジン（２.８７ｇ，２３.３４ｍｍｏｌ）を加え、８５℃で７時間加熱撹拌した。室温まで放冷後、反応混合物を濾過後、濾液を減圧下で濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝３／１）にて精製することで中間体６（４.８４ｇ，収率８３％）を得た。
【０２６１】
＜中間体７の合成＞
【化２６】
2010087488.tif 000027
【０２６２】
反応容器に、中間体３（４.８４ｇ，１２.９０ｍｍｏｌ）、１−ヨードナフタレン（３.９ｇ，１５.４８ｍｍｏｌ）、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム（８.１８ｇ，８５.１６ｍｍｏｌ）、トルエン（３０ｍｌ）を入れ、十分に窒素置換し６０℃で撹拌した。そこへトリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム（クロロホルム錯体）（０.４０ｇ，０.３８ｍｍｏｌ）のトルエン（１０ｍｌ）溶液に、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（０.４７ｇ，２.３２ｍｍｏｌ）を加え、５０℃まで加温した溶液を添加し、７時間半還流した。室温まで放冷後、反応混合物を濾過した。濾取物は水と塩化メチレンを加えて溶かし、塩化メチレンで抽出し、有機層を水で洗浄して硫酸マグネシウムで乾燥し、濾液と合わせて減圧下で濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝３／２）にて精製し、エタノールで懸濁洗浄することで中間体７（３.３０ｇ，収率５１％）を得た。
【０２６３】
＜中間体８の合成＞
【化２７】
2010087488.tif 000028
【０２６４】
反応容器に、窒素雰囲気下、中間体７（３.３０ｇ，６.５８ｍｍｏｌ）、塩化メチレン（５０ｍｌ）を入れ、０℃で撹拌した。そこへ三臭化ホウ素の塩化メチレン溶液（１.０ｍｏｌ／Ｌ，１４ｍｌ）を滴下させ、室温で６時間撹拌した。反応混合物を氷の入ったビーカーへあけ、塩化メチレンで抽出し、有機層を水で洗浄して硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝１／２）にて精製することで中間体８（３.４７ｇ）を得た。
【０２６５】
＜中間体９の合成＞
【化２８】
2010087488.tif 000029
【０２６６】
反応容器に、窒素雰囲気下、中間体５（３.４７ｇ，７.１２ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン（１.４４ｇ，１４.２５ｍｍｏｌ）、塩化メチレン（２０ｍｌ）を入れ、０℃で撹拌した。そこへトリフルオロメタンスルホン酸無水物（３.２１ｇ，１１.３８ｍｍｏｌ）を加え、室温で９時間撹拌した。反応混合物に水と１Ｎ塩酸を入れ塩化メチレンで抽出し、有機層を水と１Ｎ塩酸の混合液で洗浄後、食塩水で洗浄して硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝３／１）にて精製し、ヘキサンで洗浄することで中間体９(３.８ｇ）を得た。
【０２６７】
＜中間体１０の合成＞
【化２９】
2010087488.tif 000030
【０２６８】
窒素雰囲気下、中間体９（２.６８ｇ，４.３３ｍｍｏｌ）、ビスピナコラートジボラン（１.８７ｇ，７.３７ｍｍｏｌ）、および酢酸カリウム（１.９２ｇ，１９.６３ｍｍｏｌ）の脱水ジメチルスルホキシド（１３ｍｌ）懸濁液を６０℃に加熱後、ジクロロ[１，１'−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロロメタン付加物（０.１４ｇ，０.１７ｍｍｏｌ）を加え、温度を８０℃に上昇させ、１７時間攪拌した。室温まで放冷後、反応混合物に水を入れ、析出した結晶を濾取し、塩化メチレンに溶解させ、硫酸マグネシウムと白土を入れ、かき混ぜた後濾過した。濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝２／１→１／１）にて精製することで中間体１０（１.５ｇ，収率５８％）を得た。
【０２６９】
＜化合物Ｃの合成＞
【化３０】
2010087488.tif 000031
【０２７０】
窒素雰囲気下、中間体９（１.０２ｇ，１.６５ｍｍｏｌ）、中間体１０（１.１８ｇ，１.９７ｍｍｏｌ）、トルエン（８ｍｌ）、およびエタノール（４ｍｌ）溶液に、室温でテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム(０)（０.０９５ｇ，０.０８２ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（２ｍｌ）を加え、６時間半還流させた。室温まで放冷後、反応混合物をトルエンで抽出し、有機層を水で洗浄して硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝２／１）にて精製し、塩化メチレンに溶かし、エタノールに再沈殿することで化合物Ｃ（１.２３ｇ，収率７９％）を得た。
【０２７１】
ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝９４０（Ｍ＋））により化合物Ｃであることを確認した。
このもののガラス転移温度は１４１℃、窒素気流下での重量減少開始温度は５４１℃であった。
【０２７２】
{合成例４}
＜化合物Ｄの合成＞
【化３１】
2010087488.tif 000032
【０２７３】
窒素雰囲気下、中間体１０（１２４ｍｇ，０.２０８ｍｍｏｌ）、４−ブロモ−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ベンゼン（中間体１１）（５６ｍｇ，０.１７３ｍｍｏｌ）、トルエン（０.８ｍｌ）、およびエタノール（０.４ｍｌ）溶液に、室温でテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（１０ｍｇ，０.００９ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（０.２ｍｌ）を加え、２時間還流させた。室温まで放冷後、反応混合物をトルエンで抽出し、有機層を水で洗浄して硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝３／１）にて精製し、塩化メチレンに溶かし、エタノールに再沈殿することで化合物Ｄ（３６.１ｍｇ，収率３０％）を得た。
【０２７４】
ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝７１２（Ｍ＋））により化合物Ｄであることを確認した。
このもののガラス転移温度は１２６℃、窒素気流下での重量減少開始温度は５０９℃であった。
【０２７５】
{合成例５}
＜中間体１２の合成＞
【化３２】
2010087488.tif 000033
【０２７６】
窒素雰囲気下、中間体２（１９.２ｇ，４７.７１ｍｍｏｌ）、ビスピナコラートジボラン（１４.５４ｇ，５７.２５ｍｍｏｌ）、および酢酸カリウム（１５.９２ｇ，１６２.２３ｍｍｏｌ）の脱水ジメチルスルホキシド（１４３ｍｌ）懸濁液を６０℃に加熱後、ジクロロ[１，１'−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロロメタン付加物（１.１６ｇ，１.４３ｍｍｏｌ）を加え、温度を１００℃に上昇させ、７時間攪拌した。室温まで放冷後、反応混合物に水を入れ、析出した結晶を濾取し、塩化メチレンに溶解させ、硫酸マグネシウムと白土を入れ、かき混ぜたのち濾過した。濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝１／１）にて精製し、ヘキサンで懸洗することで中間体１２（１３.８２ｇ，収率７６％）を得た。
【０２７７】
＜中間体１３の合成＞
【化３３】
2010087488.tif 000034
【０２７８】
窒素雰囲気下、４−ブロモ−１−ヨードナフタレン（２.６１ｇ，７.８３ｍｍｏｌ）、中間体１２（２.４８ｇ，６.５３ｍｍｏｌ）、トルエン（３２ｍｌ）、およびエタノール（１６ｍｌ）溶液に、室温でテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０.３０２ｇ，０.２６１ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（８ｍｌ）を加え、４時間半還流させた。室温まで放冷後、反応混合物をトルエンで抽出、有機層を飽和食塩水で洗浄、硫酸マグネシウムで乾燥、減圧下で濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝３／１）にて精製することで中間体１３（１.２ｇ，収率４０％）を得た。
【０２７９】
＜化合物Ｅの合成＞
【化３４】
2010087488.tif 000035
【０２８０】
窒素雰囲気下、３−（１−ピレニル）フェニルボロン酸（０.９ｇ，２.７９ｍｍｏｌ）、中間体１３（１.０７ｇ，２.３２ｍｍｏｌ）、トルエン（１２ｍｌ）、およびエタノール（６ｍｌ）溶液に、室温でテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０.１０７ｇ，０.０９３ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（３ｍｌ）を加え、４時間半還流させた。室温まで放冷後、反応混合物をトルエンで抽出し、有機層を飽和食塩水で洗浄して硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝５／１）にて精製し、塩化メチレンに溶かし、メタノールに再沈殿することで化合物Ｅ（１.１６ｇ，収率７６％）を得た。
【０２８１】
ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝６５６（Ｍ＋））により化合物Ｅであることを確認した。
このもののガラス転移温度は１２４℃、窒素気流下での重量減少開始温度は５１６℃であった。
【０２８２】
{合成例６}
＜化合物Ｆの合成＞
【化３５】
2010087488.tif 000036
【０２８３】
窒素雰囲気下、３−ブロモ−１−（１−ピレニル）ベンゼン（０.２５ｇ，０.７０ｍｍｏｌ）、中間体１２（０.２２ｇ，０.５８ｍｍｏｌ）、トルエン（２.８ｍｌ）、およびエタノール（１.４ｍｌ）溶液に、室温でテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０.０２７ｇ，０.０２３ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（０.７ｍｌ）を加え、３時間半還流させた。室温まで放冷後、反応混合物をトルエンで抽出し、有機層を水で洗浄して硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝３／１）にて精製し、塩化メチレンに溶かし、メタノールに再沈殿することで化合物Ｆ（０.０１６ｇ，収率４３％）を得た。
【０２８４】
ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝５３０（Ｍ＋））により化合物Ｆであることを確認した。
このもののガラス転移温度は８３℃、窒素気流下での重量減少開始温度は４６０℃であった。
【０２８５】
{合成例７}
＜中間体１５の合成＞
【化３６】
2010087488.tif 000037
【０２８６】
窒素雰囲気下、９−ブロモアントラセン（４.１７ｇ，１６.２ｍｍｏｌ）、中間体１２（７.６１ｇ，２０.０ｍｍｏｌ）、トルエン（１０８ｍｌ）、およびエタノール（５４ｍｌ）溶液に、室温でテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０.４１ｇ，０.３５ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（５６ｍｌ）を加え、１０時間半還流させた。室温まで放冷後、反応混合物をトルエンで抽出し、有機層を水で洗浄して硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝６／１）にて精製し、塩化メチレンに溶かし、メタノールに再沈殿することで中間体１４（３.８５ｇ，収率５０％）を得た。
【０２８７】
＜中間体１６の合成＞
【化３７】
2010087488.tif 000038
【０２８８】
中間体１４（３.９ｇ，９.０６ｍｍｏｌ）のジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（２５ｍＬ）溶液に、Ｎ−ブロモスクシンイミド（ＮＢＳ）（１.８ｇ，１０ｍｍｏｌ）のＤＭＦ（５ｍＬ）溶液を室温で滴下した。同温度で２時間攪拌し、水−メタノール（１：１）混合溶媒１００ｍＬにあけ、析出した結晶を濾過した。結晶を水で洗浄し、中間体１５（４.４ｇ，収率９５％）を得た。
【０２８９】
＜化合物Ｇの合成＞
【化３８】
2010087488.tif 000039
【０２９０】
窒素雰囲気下、中間体１５（４.４３ｇ，８.７０ｍｍｏｌ）、３−（１−ピレニル）フェニルボロン酸（３.３６ｇ，１０.４ｍｍｏｌ）、トルエン（７８ｍｌ）、およびエタノール（３９ｍｌ）溶液に、室温でテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（０.４０ｇ，３.４６ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（３６ｍｌ）を加え、３時間半還流させた。室温まで放冷後、反応混合物をトルエンで抽出し、有機層を水で洗浄して硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝３／１）にて精製し、塩化メチレンに溶かし、メタノールに再沈殿することで化合物Ｇ（４.２ｇ，収率６８％）を得た。
【０２９１】
ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝７０６（Ｍ＋））により化合物Ｇであることを確認した。
【０２９２】
{合成例８}
＜１−ヨード−７−エトキシナフタレンの合成＞
【化３９】
2010087488.tif 000040
【０２９３】
窒素雰囲気下、ｔｅｒｔ−ブトキシナトリウム（４.９８ｇ，４４.４ｍｍｏｌ）のジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）（５０ｍＬ）溶液に、８−ヨード−２−ナフトール（１０ｇ，３７ｍｍｏｌ）を少量ずつ添加した。添加終了後、室温で１０分間攪拌し、ヨウ化エチル（１１.５ｇ，７４ｍｍｏｌ）を滴下した。滴下終了後、室温で８時間攪拌し、反応混合物を水にあけ、塩化メチレンで抽出し、蒸留水で洗浄後、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、１−ヨード−７−エトキシナフタレン（１１ｇ，quant.）を得た。
【０２９４】
＜中間体１６の合成＞
【化４０】
2010087488.tif 000041
【０２９５】
窒素気流下、１−ヨード−７−エトキシナフタレン（１０ｇ，３３.５ｍｍｏｌ）、９Ｈ−カルバゾール（６.７２ｇ，４０.２ｍｍｏｌ）、銅粉（６.４ｇ，１０１ｍｍｏｌ）、および炭酸カリウム（１８.５ｇ，１３４ｍｍｏｌ）のテトラグライム（１０ｍＬ）懸濁溶液を、２００℃で４０時間攪拌した。反応混合物を塩化メチレンで希釈し、無機物を濾過した後、水洗、乾燥し、溶媒を減圧下に留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体１６（５.４ｇ，４８％）を得た。
【０２９６】
＜中間体１７の合成＞
【化４１】
2010087488.tif 000042
【０２９７】
窒素気流下、０℃で中間体１６（５.０ｇ，１４.８ｍｍｏｌ）の塩化メチレン（１００ｍＬ）溶液に１ｍｏｌ／Ｌ三臭化硼素の塩化メチレン溶液（３０ｍＬ）を滴下した。室温で１時間攪拌後、反応混合物を水にあけ、有機層を分離した。有機層を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄後、減圧下に溶媒を留去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体１７（４.２２ｇ，９２％）を得た。
【０２９８】
＜中間体１８の合成＞
【化４２】
2010087488.tif 000043
【０２９９】
窒素雰囲気下、中間体１７（４.２２ｇ，１３.６ｍｍｏｌ）、およびトリエチルアミン（４.１５ｇ，４１ｍｍｏｌ）の塩化メチレン（１００ｍＬ）溶液を０℃まで冷却し、トリフルオロメタンスルホン酸無水物（５.７７ｇ，２０.５ｍｍｏｌ）の塩化メチレン溶液を滴下した。滴下終了後、室温で１時間攪拌し、水にあけ、有機層を分離後、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した。溶媒を減圧下に留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーに処し、中間体１８（６.０ｇ，quant.）を得た。
【０３００】
＜中間体１９の合成＞
【化４３】
2010087488.tif 000044
【０３０１】
窒素雰囲気下、中間体１８（５.０ｇ，１１.３ｍｍｏｌ）、ビスピナコラートジボラン（３.１６ｇ，１２.５ｍｍｏｌ）、および酢酸カリウム（３.６７ｇ，３７.４ｍｍｏｌ）の脱水ジメチルスルホキシド（５０ｍｌ）懸濁液を６０℃に加熱後、ジクロロ[１，１'−ビス(ジフェニルホスフィノ)フェロセン]パラジウム(II)ジクロロメタン付加物（２７７ｍｇ，０.３４ｍｍｏｌ）を加えた、温度を１００℃に上昇させ、７時間攪拌した。室温まで放冷後、反応混合物に水を入れ、析出した結晶を濾取し、塩化メチレンに溶解させ、硫酸マグネシウムと白土を入れ、かき混ぜた後濾過した。濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝１／１）にて精製し、ヘキサンで懸洗することで中間体１９（３.４ｇ，収率７２％）を得た。
【０３０２】
＜化合物Ｈの合成＞
【化４４】
2010087488.tif 000045
【０３０３】
窒素雰囲気下、トリフルオロメタンスルホン酸−１，７−ナフタレンジイルエステル（０.５１ｇ，１.０１ｍｍｏｌ）、中間体１９（１.０ｇ，２.３８ｍｍｏｌ）、トルエン（２４ｍｌ）、およびエタノール（１２ｍｌ）溶液に、室温でテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（８３ｍｇ，０.０７１ｍｍｏｌ）、２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（６ｍｌ）を加え、３時間半還流させた。室温まで放冷後、反応混合物をトルエンで抽出し、有機層を水で洗浄して硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／塩化メチレン＝３／１）にて精製し、塩化メチレンに溶かし、メタノールに再沈殿することで化合物H（４２２ｍｇ，収率５０％）を得た。
【０３０４】
ＤＥＩ−ＭＳ（ｍ／ｚ＝７１０（Ｍ＋））により化合物Ｈであることを確認した。
【０３０５】
［溶解性試験］
１ｍｇ，２ｍｇ，５ｍｇの化合物をサンプル瓶にとり、溶媒（トルエン）と化合物の総量が１００ｍｇになったときの溶解度をそれぞれ１重量％、２重量％、５重量％として、目視にて結晶の有無の確認を行った。結晶が残り、溶解度が１重量％未満の場合は、１ｍｇ，２ｍｇ，５ｍｇの化合物をサンプル瓶にとり、溶媒と化合物の総量が１０００ｍｇになったときの溶解度をそれぞれ０．１重量％、０．２重量％、０．５重量％として、目視にて結晶の有無の確認を行う。
【０３０６】
｛実施例Ｉ−１〜８，比較例Ｉ−１〜４｝
上述の溶解度の測定方法に従って、合成例１〜８にて合成された本発明のナフタレン系化合物Ａ〜Ｈ（実施例Ｉ−１〜８）と、下記比較化合物ＮＡＰＮＰＮ（比較例Ｉ−１）、ＴＰＤ（比較例Ｉ−２）、ｍＤＰＴＰｈ（比較例Ｉ−３）、及びＣＢＰ（比較例Ｉ−４）の溶解性試験を行った。
その結果を表１に示す。
【０３０７】
【化４５】
2010087488.tif 000046
【０３０８】
なお、表１には、各化合物を用いて、スピンコート法により、以下の条件で基板上に厚さ４０〜６０ｎｍの塗布膜を湿式成膜したときの膜質を目視により評価した結果を併記した。
【０３０９】
（成膜条件）
２重量％のトルエン溶液０．２ｍｌを、５００ｒｐｍで回転する基板上に滴下し、その２秒後に、１５００ｒｐｍで３０秒回転させ、厚さ４０〜６０ｎｍの膜を形成した。
【０３１０】
【表１】
2010087488.tif 000047
【０３１１】
［有機電界発光素子の作製］
｛実施例II-１｝
図１に従い、有機電界発光素子を作製した。
【０３１２】
ガラス基板１の上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を膜厚１５０ｎｍに成膜したもの（スパッタ成膜品、シート抵抗１５Ω）を通常のフォトリソグラフィ技術により、２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極２を形成した。陽極２が形成された基板１を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
【０３１３】
芳香族アミノ基を有する非共役系高分子化合物、フッ素系電子受容性化合物および溶媒として安息香酸エチルを含有する正孔注入層形成用組成物を調製した。該組成物は固形分濃度（非共役系高分子化合物およびフッ素系電子受容性化合物）２重量％、非共役系高分子化合物：フッ素系電子受容性化合物＝１０：４（重量比）とした。該組成物を上記陽極２が形成された基板１上にスピンコート法（スピナ回転数１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間３０秒）にて成膜し、２３０℃で１８０分間乾燥させた。以上の操作により、膜厚３０ｎｍの均一な正孔注入層３の薄膜が形成された。
【０３１４】
下記式（ＨＴ−１）で表される化合物（重量平均分子量：７６０００、数平均分子量：３２０００）および溶媒としてトルエンを含有する正孔輸送層形成用組成物を調製した。該組成物の式（ＨＴ−１）で表される化合物の濃度は０．４重量％とした。該組成物を、前記正孔注入層３上に、スピンコート法（スピナ回転数１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間３０秒）にて成膜し、２３０℃で６０分間乾燥させた。上記の操作により、膜厚２０ｎｍの均一な正孔輸送層４の薄膜が形成された。
【０３１５】
【化４６】
2010087488.tif 000048
【０３１６】
次いで、合成例１で合成した本発明のナフタレン系化合物Ａ、下記式（Ｈ−１）で表される化合物、燐光発光材料（Ｄ−１）、燐光発光材料（Ｄ−２）および溶媒としてキシレンを含有する発光層形成用組成物（本発明の有機電界発光素子用組成物）を調製した。該組成物中の固形分濃度（化合物Ａ、式（Ｈ−１）で表される化合物、燐光発光材料（Ｄ−１）および燐光発光材料（Ｄ−２）の合計）は２重量％とし、化合物Ａ：式（Ｈ−１）で表される化合物：燐光発光材料（Ｄ−１）：燐光発光材料（Ｄ−２）＝１０：１０：１：１（重量比）とした。該組成物を上記正孔輸送層４上にスピンコート法（スピナ回転数１５００ｒｐｍ、スピナ回転時間３０秒）にて成膜し、１３０℃で６０分間乾燥させた。上記の操作により、膜厚５０ｎｍの均一な発光層５の薄膜が形成された。
【０３１７】
【化４７】
2010087488.tif 000049
【０３１８】
得られた発光層５の上に、真空蒸着法により正孔阻止層６として下記式（ＨＢ−１）で表される化合物を膜厚１０ｎｍに、次いで  電子輸送層７として下記式（ＥＴ−１）で表される化合物を膜厚３０ｎｍとなるようにそれぞれ順次積層した。
【０３１９】
【化４８】
2010087488.tif 000050
【０３２０】
最後に、真空蒸着法により、電子注入層８としてフッ化リチウム（ＬｉＦ）を膜厚０．５ｎｍに、陰極９としてアルミニウムを膜厚８０ｎｍとなるように、それぞれ陽極２であるＩＴＯストライプと直交する形状の２ｍｍ幅のストライプ状に積層した。
【０３２１】
以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。
【０３２２】
この素子からは、ＥＬピーク波長６２８ｎｍの赤色発光が得られることを確認した。
この素子の最高輝度、駆動電圧、電流効率、ＣＩＥ色度座標および寿命（Ｔ５０）を測定した結果を表２に示す。
【０３２３】
本発明の化合物を用いた有機電界発光素子は駆動電圧が低下することがわかった。
【０３２４】
｛比較例II-２｝
発光層形成用組成物に含有される本発明のナフタレン系化合物Ａに代えて、以下の式（Ｅ−１）で表される化合物を用いた以外は、実施例Ｉ−１と同様にして有機電界発光素子を作製した。
【０３２５】
この素子からは、ＥＬピーク波長６２８ｎｍの赤色発光が得られることを確認した。
この素子の最高輝度、駆動電圧、電流効率、ＣＩＥ色度座標および寿命（Ｔ５０）を測定した結果を表２に示す。
この有機電界発光素子は駆動電圧が高かった。
【０３２６】
【化４９】
2010087488.tif 000051
【０３２７】
｛実施例II−２｝
発光層形成用組成物に含有される本発明のナフタレン系化合物Ａに代えて、合成例７で合成した本発明のナフタレン系化合物Ｇを用い、燐光発光材料（Ｄ−１）および燐光発光材料（Ｄ−２）を下記式（Ｄ−３）で表される化合物に変更した以外は、実施例II−１と同様にして有機電界発光素子を作製した。
【０３２８】
この素子からは、ＥＬピーク波長４７０ｎｍの青色発光が得られることを確認した。
この素子の最高輝度、駆動電圧、電流効率、ＣＩＥ色度座標および寿命（Ｔ５０）を測定した結果を表２に示す。
【０３２９】
本発明の化合物を用いた有機電界発光素子は駆動電圧が低下することがわかった。
【０３３０】
【化５０】
2010087488.tif 000052
【０３３１】
｛比較例II−２｝
発光層形成用組成物に含有される本発明のナフタレン系化合物Ａに代えて、前記比較化合物ｍＤＰＴＰｈを用い、燐光発光材料（Ｄ−１）および燐光発光材料（Ｄ−２）を上記式（Ｄ−３）で表される化合物に変更した以外は、実施例II−１と同様にして、有機電界発光素子の作製を試みたが、ｍＤＰＴＰｈがトルエンおよびキシレンに不溶のため、有機電界発光素子を作製することができなかった。
【０３３２】
【表２】
2010087488.tif 000053
【０３３３】
｛実施例II−３｝
正孔輸送層形成用組成物に含有される溶媒をトルエンに代えてシクロヘキシルベンゼンを使用し、固形分濃度を１．４重量％としたこと、および、以下の通り調製された発光層形成用組成物を使用したこと以外は実施例II−１と同様にして、有機電界発光素子を作製した。
【０３３４】
＜発光層形成用組成物＞
本発明のナフタレン系化合物Ａ、燐光発光材料（Ｄ−２）および溶媒としてシクロヘキシルベンゼンを含有する発光層形成用組成物（本発明の有機電界発光素子用組成物）を調製した。該組成物中の固形分濃度（化合物Ａおよび燐光発光材料（Ｄ−２）の合計）は５重量％とし、化合物Ａ：燐光発光材料（Ｄ−２）＝２０：１（重量比）とした。
【０３３５】
この素子からは、ＥＬピーク波長６２８ｎｍの赤色発光が得られることを確認した。この素子のＣＩＥ色度座標および寿命（Ｔ５０）を測定した結果を表３に示す。この素子は比較例II−３の素子に比べて寿命が長いことがわかった。
【０３３６】
｛比較例II−３｝
以下の通り調製された発光層形成用組成物を使用したこと以外は、実施例II−３と同様にして有機電界発光素子を作製した。
【０３３７】
＜発光層形成用組成物＞
前記式（Ｅ−１）表される化合物、前記式（Ｈ−１）で表される化合物、燐光発光材料（Ｄ−１）、燐光発光材料（Ｄ−２）および溶媒としてシクロヘキシルベンゼンを含有する発光層形成用組成物（比較例の有機電界発光素子用組成物）を調製した。該組成物中の固形分濃度（式（Ｅ−１）で表される化合物、式（Ｈ−１）で表される化合物、燐光発光材料（Ｄ−１）および燐光発光材料（Ｄ−２）の合計）は５重量％とし、式（Ｅ−１）で表される化合物：式（Ｈ−１）で表される化合物：燐光発光材料（Ｄ−１）：燐光発光材料（Ｄ−２）＝１０：１０：１：１（重量比）とした。
【０３３８】
この素子からは、ＥＬピーク波長６２８ｎｍの赤色発光が得られることを確認した。
この素子のＣＩＥ色度座標および寿命（Ｔ５０）を測定した結果を表３に示す。
【０３３９】
【表３】
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【符号の説明】
【０３４０】
１  基板
２  陽極
３  正孔注入層
４  正孔輸送層
５  発光層
６  正孔阻止層
７  電子輸送層
８  電子注入層
９  陰極
【図１】
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