(57)【要約】【課題】長期信頼性に優れた発光素子を提供する。【解決手段】本発明に係る発光素子１は、第１導電型の第１半導体層と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層とに挟まれる活性層１０５とを有する半導体積層構造１０と、第１半導体層の活性層１０５と接している側の反対側に設けられ、第１半導体層に電流を供給する第１電極、及び第１電極から離れた位置に設けられ、第１半導体層に電流を供給する第２電極とを備え、活性層１０５は、第１電極及び第２電極の双方に電流が供給された時に、供給された電流が活性層１０５の水平の方向に向かって広がることにより発光する。【選択図】図１Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１半導体層と、前記第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層とに挟まれる活性層とを有する半導体積層構造と、
前記第１半導体層の前記活性層と接している側の反対側に設けられ、前記第１半導体層に電流を供給する第１電極、及び前記第１電極から離れた位置に設けられ、前記第１半導体層に電流を供給する第２電極と
を備え、
前記活性層は、前記第１電極及び前記第２電極の双方に電流が供給された時に、供給された電流が前記活性層の水平の方向に向かって広がることにより発光する発光素子。
【請求項２】
前記活性層は、前記第１電極又は前記第２電極のいずれか一方に電流が供給された時に、電流が供給された前記第１電極又は電流が供給された前記第２電極のいずれかの直下において前記活性層の一部に供給された電流が集中することにより発光しない請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第１電極は、第１円電極と、前記第１円電極に電気的に接続する第１線状電極とを有し、
前記第２電極は、第２円電極と、前記第２円電極に電気的に接続する第２線状電極とを有し、
前記第１線状電極は、前記第２線状電極に電気的に接続されない
請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記第１電極は、第１円電極と、前記第１円電極に電気的に接続する第１線状電極と、前記第１線状電極の断面積より小さい断面積の第１接続電極とを有し、
前記第２電極は、第２円電極と、前記第２円電極に電気的に接続する第２線状電極と、前記第２線状電極の断面積より小さい断面積であって、前記第１接続電極に電気的に接続する第２接続電極とを有する請求項２に記載の発光素子。
【請求項５】
反射部を有する支持基板を更に備え、
前記半導体積層構造は、前記半導体積層構造と前記反射部とを電気的に接続するコンタクト部を含む透明層を介して前記支持基板に支持される請求項３又は４に記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子に関する。特に、本発明は、平面寸法の大きな発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、アノード電極を有するシリコン基板と、接合金属層を介してシリコン基板に接続される金属反射膜層と、導電性を有する光透過膜を介して金属反射膜に接合される半導体領域とを備え、半導体領域は、ｎ型の半導体層と、ｐ型の半導体層と、ｎ型の半導体層とｐ型の半導体層とに挟まれる活性層とを有する発光素子が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に記載の発光素子は、半導体領域と金属反射層との間に導電性を有する光透過膜を備え、この光透過膜が、半導体領域及び金属光反射膜の双方にオーミック接触すると共に、半導体領域と金属光反射膜との間の合金化を抑制するので、優れた光反射面を構成することができる。
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１７５４６２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に記載の発光素子は、電極を介して半導体領域に大電流を供給した場合に活性層の一部に電流が集中することがあり、長期間の使用により発光素子が発光しなくなる不具合が発生する場合がある。
【０００６】
したがって、本発明の目的は、長期信頼性に優れた発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記目的を達成するため、第１導電型の第１半導体層と、第１導電型とは異なる第２導電型の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層とに挟まれる活性層とを有する半導体積層構造と、第１半導体層の活性層と接している側の反対側に設けられ、第１半導体層に電流を供給する第１電極、及び第１電極から離れた位置に設けられ、第１半導体層に電流を供給する第２電極とを備え、活性層は、第１電極及び第２電極の双方に電流が供給された時に、供給された電流が活性層の水平の方向に向かって広がることにより発光する発光素子が提供される。
【０００８】
また、上記発光素子は、活性層は、第１電極又は第２電極のいずれか一方に電流が供給された時に、電流が供給された第１電極又は電流が供給された第２電極のいずれかの直下において活性層の一部に供給された電流が集中することにより発光しないようにすることが好ましい。
【０００９】
また、上記発光素子は、第１電極は、第１円電極と、第１円電極に電気的に接続する第１線状電極とを有し、第２電極は、第２円電極と、第２円電極に電気的に接続する第２線状電極とを有し、第１線状電極は、第２線状電極に電気的に接続されないようにしてもよい。
【００１０】
また、上記発光素子は、第１電極は、第１円電極と、第１円電極に電気的に接続する第１線状電極と、第１線状電極の断面積より小さい断面積の第１接続電極とを有し、第２電極は、第２円電極と、第２円電極に電気的に接続する第２線状電極と、第２線状電極の断面積より小さい断面積であって、第１接続電極に電気的に接続する第２接続電極とを有してもよい。
【００１１】
また、上記発光素子は、反射部を有する支持基板を更に備え、半導体積層構造は、半導体積層構造と反射部とを電気的に接続するコンタクト部を含む透明層を介して支持基板に支持されてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明に係る発光素子によれば、長期信頼性に優れた発光素子を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
［第１の実施の形態］
図１Ａは、本発明の第１の実施の形態に係る発光素子の模式的な縦断面図を示す。また、図１Ｂの（ａ）は、本発明の第１の実施の形態に係る発光素子の模式的な上面図を示しており、図１Ｂの（ｂ）は、図１ＡのＡ−Ａ線で発光素子を切断した場合の発光素子の模式的な上面図を示す。なお、図１Ａは、図１Ｂ（ａ）のＢ−Ｂ線における断面である。
【００１４】
（発光素子１の構造の概要）
第１の実施の形態に係る発光素子１は、所定の波長の光を発する活性層１０５を有する半導体積層構造１０と、半導体積層構造１０の一方の表面の一部の領域と電気的に接続する第１電極としての第１表面電極１１０及び第２電極としての第２表面電極１１２と、第１表面電極１１０及び第２表面電極１１２のそれぞれの表面に設けられるワイヤーボンディング用パッドとしてのパッド電極１１５と、半導体積層構造１０の他方の表面の一部に電気的に接続するコンタクト部１２０と、コンタクト部１２０が設けられている領域を除く半導体積層構造１０の他方の表面を被覆する透明層１４０と、コンタクト部１２０及び透明層１４０の半導体積層構造１０に接する面の反対側の表面に設けられる反射部１３０とを備える。
【００１５】
更に、発光素子１は、反射部１３０のコンタクト部１２０及び透明層１４０に接する面の反対側に設けられる電気導電性を有する密着層２００と、密着層２００の反射部１３０に接する面の反対側に設けられる電気導電性を有する支持基板２０と、支持基板２０の密着層２００に接する面の反対側の面に設けられる裏面電極２１０とを備える。
【００１６】
また、本実施形態に係る発光素子１の半導体積層構造１０は、コンタクト部１２０及び透明層１４０に接して設けられるｐ型コンタクト層１０９と、ｐ型コンタクト層１０９の透明層１４０に接している面の反対側に設けられる第２導電型の第２半導体層としてのｐ型クラッド層１０７と、ｐ型クラッド層１０７のｐ型コンタクト層１０９に接している面の反対側に設けられる活性層１０５と、活性層１０５のｐ型クラッド層１０７に接している面の反対側に設けられる第１導電型の第１半導体層としてのｎ型クラッド層１０３と、ｎ型クラッド層１０３の活性層１０５に接している面の反対側の一部の領域に設けられるｎ型コンタクト層１０１とを有する。
【００１７】
半導体積層構造１０の透明層１４０に接している側の反対側の表面は、本実施の形態に係る発光素子１の光取出し面となる。具体的には、ｎ型クラッド層１０３の活性層１０５に接している面の反対側の表面の一部が光取出し面となる。そして、ｎ型クラッド層１０３の光取出し面には、一の凹部と一の凸部とを一つのペアとした凹凸部が連続的に連なった凹凸形状部１０３ａが形成される。例えば、一の凹部と他の凹部、又は一の凸部と他の凸部とが所定の間隔をおいてｎ型クラッド層１０３の表面に形成されることにより、ｎ型クラッド層１０３の表面に凹凸形状部１０３ａが設けられる。
【００１８】
更に、反射部１３０は、コンタクト部１２０及び透明層１４０に接して設けられる反射層１３２と、反射層１３２のコンタクト部１２０及び透明層１４０に接する面の反対側で反射層１３２に接して設けられるバリア層１３４と、バリア層１３４の反射層１３２に接する面の反対側でバリア層１３４に接して設けられる接合層１３６とを有する。そして、密着層２００は、反射部１３０の接合層１３６に対して機械的及び電気的に接合する接合層２０２と、接合層２０２の反射部１３０に接する面の反対側に設けられるバリア層２０４と、バリア層２０４の接合層２０２に接する面の反対側に設けられるコンタクト電極２０６とを有する。
【００１９】
ここで、発光素子１は、活性層１０５の側面を含むエッチング側面としての側面１０ａを有する。具体的に、発光素子１は、ｎ型クラッド層１０３の側面と、活性層１０５の側面と、ｐ型クラッド層１０７の側面と、ｐ型コンタクト層１０９の側面とを含む側面１０ａを有する。そして、側面１０ａは、支持基板２０の表面に対して略垂直に形成される。更に、発光素子１は、反射部１３０の側面と、密着層２００の側面と、支持基板２０の側面とを含む加工側面としての側面１０ｂを有する。
【００２０】
側面１０ａは、ｎ型クラッド層１０３の一部と、活性層１０５の一部と、ｐ型クラッド層１０７の一部と、ｐ型コンタクト層１０９の一部のそれぞれがウェットエッチング等により除去されて生じた面である。一方、側面１０ｂは、反射部１３０の一部と、密着層２００の一部と、支持基板２０の一部とのそれぞれが、ダイシング装置を用いたダイシング等により機械的に切断されて生じた面である。したがって、側面１０ａは、側面１０ｂに比べて滑らかな表面を有する。
【００２１】
また、図１Ｂ（ａ）に示すように、本実施形態に係る発光素子１は上面視にて略正方形に形成される。一例として、発光素子１の平面寸法は、縦寸法及び横寸法がそれぞれ１ｍｍである。また、発光素子１の厚さは、２００μｍ程度に形成される。すなわち、本実施の形態に係る発光素子１は、例えば、平面寸法が５００μｍ以上の大型のチップサイズを有する発光素子である。
【００２２】
（半導体積層構造１０）
本実施形態に係る半導体積層構造１０は、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体を有して形成される。具体的に、半導体積層構造１０は、不純物であるドーパントがドープされていないアンドープのＡｌＧａＩｎＰ系の化合物半導体のバルクから形成される活性層１０５を、ｎ型のＡｌＧａＩｎＰを含んで形成されるｎ型クラッド層１０３と、ｐ型のＡｌＧａＩｎＰを含んで形成されるｐ型クラッド層１０７とで挟んだ構成を有する。
【００２３】
活性層１０５は、外部から電流が供給されると所定の波長の光を発する。例えば、活性層１０５は、波長が６３０ｎｍ付近の赤色光を発する半導体材料で形成される。そして、本実施の形態において、第１表面電極１１０及び第２表面電極１１２の双方に電流が供給された場合に、供給された電流は活性層１０５に対して水平方向に広がる。本実施の形態において、第１表面電極１１０と第２表面電極１１２とは、発光素子１の上面視にて離れた位置にそれぞれ設けられている。これにより、活性層１０５の一部に電流が集中することなく、活性層１０５の略全体に電流が広がり、活性層１０５から光が発せられる。一方、第１表面電極１１０又は第２表面電極１１２のいずれか一方に電流が供給された場合には、供給された電流は電流が供給された表面電極の直下の活性層１０５の領域に集中する。これにより、電流が集中した活性層１０５の一部における電流密度が高くなることによって当該部分の活性層１０５の活性層温度が高くなる。そして、活性層１０５の活性層温度が高くなることにより、表面電極直下に対応する領域の活性層１０５は光を発する機能を失い、この領域の活性層１０５から光は発せられなくなる。
【００２４】
活性層１０５は、一例として、アンドープの（Ａｌ０．１Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層から形成される。また、ｎ型クラッド層１０３は、Ｓｉ、Ｓｅ等のｎ型のドーパントを所定の濃度含む。一例として、ｎ型クラッド層１０３は、Ｓｉがドープされたｎ型の（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層から形成される。更に、ｐ型クラッド層１０７は、Ｚｎ、Ｍｇ等のｐ型のドーパントを所定の濃度含む。一例として、ｐ型クラッド層１０７は、Ｍｇがドープされたｐ型の（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐ層から形成される。
【００２５】
更に、半導体積層構造１０が有するｐ型コンタクト層１０９は、一例として、Ｍｇが所定の濃度ドープされたｐ型のＧａＰ層から形成される。そして、ｎ型コンタクト層１０１は、Ｓｉが所定の濃度ドープされたＧａＡｓ層から形成される。ここで、ｎ型コンタクト層１０１は、ｎ型クラッド層１０３の上面において、第１表面電極１１０及び第２表面電極１１２が設けられる領域に設けられる。
【００２６】
（第１表面電極１１０及び第２表面電極１２０）
図１Ｂ（ａ）に示すように、第１表面電極１１０は、ｎ型クラッド層１０３の上方において、略円形上に形成される円電極１１０ａと、円電極１１０ａと電気的に接続している複数の第１線状電極１１０ｂとを有して形成される。なお、図１Ｂ（ａ）においては、説明の便宜上、パッド電極１１５の図示は省略している。
【００２７】
具体的に、第１表面電極１１０は、発光素子１の一の辺に略平行な線状の第１線状電極１１０ｂが略一定の間隔をおいて並列しており、発光素子１の一の辺側の一の第１線状電極１１０ｂと、発光素子１の中心側の他の第１線状電極１１０ｂとの間に円電極１１０ａが配置されている。また、一の第１線状電極１１０ｂと他の第１線状電極１１０ｂとの間に位置する第１線状電極１１０ｂは、円電極１１０ａの中心付近を貫く位置に配置される。そして、複数の第１線状電極１１０ｂと円電極１１０ａとは、複数の第１線状電極１１０ｂに略垂直な線状電極によって電気的に接続される。
【００２８】
また、第２表面電極１２０も、第１表面電極１１０と同様に形成される。すなわち、第２表面電極１２０は、発光素子１の一の辺に略平行な線状の第２線状電極１１２ｂが略一定の間隔をおいて並列しており、発光素子１の一の辺側の一の第２線状電極１１２ｂと、発光素子１の中心側の他の第２線状電極１１２ｂとの間に円電極１１２ａが配置されている。また、一の第２線状電極１１２ｂと他の第２線状電極１１２ｂとの間に位置する第２線状電極１１２ｂは、円電極１１２ａの中心付近を貫く位置に配置される。そして、複数の第２線状電極１１２ｂと円電極１１２ａとは、複数の第２線状電極１１２ｂに略垂直な線状電極によって電気的に接続される。更に、本実施の形態において、第１表面電極１１０と第２表面電極１１２とは、電気的に接続されていない。
【００２９】
本実施の形態において、第１表面電極１１０と第２表面電極１１２とは互いに離間して設けられると共に、略同一平面上にそれぞれ設けられる。すなわち、第１表面電極１１０及び第２表面電極１１２はそれぞれ、同一の化合物半導体層（例えば、ｎ型コンタクト層１０１）の表面に設けられる。そして、第１表面電極１１０及び第２表面電極１１２の直下のｎ型クラッド層１０３と、第１表面電極１１０及び第２表面電極１１２とに挟まれた位置に、ｎ型コンタクト層１０１が設けられる。なお、一例として、円電極１１０ａ及び円電極１１０ｂは、直径が１００μｍの円形状に形成され、複数の第１線状電極１１０ｂ及び複数の第２線状電極１１２ｂは、幅が１０μｍの線状に形成される。そして、発光素子１の一の辺側の線状電極（第１線状電極１１０ｂ及び第２線状電極１１２ｂ）と円電極とを電気的に接続する線状電極の幅、及び円電極と発光素子１の中心側の線状電極（第１線状電極１１０ｂ及び第２線状電極１１２ｂ）とを電気的に接続する線状電極の幅も１０μｍの幅で形成される。
【００３０】
（コンタクト部１２０）
コンタクト部１２０は、第１表面電極１１０及び第２表面電極１１２の直下の領域に対応する領域を除いたｐ型コンタクト層１０９の表面に設けられる。一例として、コンタクト部１２０は、Ａｕ、Ｚｎを含む金属材料から形成される。本実施形態においては、図１Ｂ（ｂ）に示すように、コンタクト部１２０は、複数の枝状コンタクト部１２０ａと、内側に開口を有して発光素子１の外周に沿った四角形状のコンタクト部とから構成される。複数の枝状コンタクト部１２０ａは、上綿視にて、第１線状電極１１０ｂ及び第２線状電極１１２ｂと重ならない位置に配置される。
【００３１】
（透明層１４０）
透明層としての透明層１４０は、ｐ型コンタクト層１０９の表面であって、コンタクト部１２０が設けられていない領域に設けられる。透明層１４０は、活性層１０５が発する光の波長に対して透過する材料で形成され、一例として、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＳｉＮｘ等の等の透明誘電体層から形成される。また、透明層１４０は、活性層１０５が発する光の波長をλとすると共に、透明層１４０を構成する材料の屈折率をｎとした場合に、（２×λ）／（４×ｎ）以上の厚さで形成する。なお、透明層１４０は、コンタクト部１２０の導電率より低い導電率を有するＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の金属酸化物材料を含む透明導電体層から形成することもできる。
【００３２】
また、透明層１４０を、屈折率がそれぞれ異なる複数の材料からなる薄膜の積層構造から形成することもできる。すなわち、透明層１４０を、分布ブラック反射（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ：ＤＢＲ）構造とすることもできる。例えば、所定膜厚のＳｉＯ２からなる層と、所定膜厚のＴｉＯ２からなる層とをペアとしたペア層を複数回積層したＤＢＲ構造を有する透明層１４０を形成できる。
【００３３】
（反射部１３０）
反射部１３０の反射層１３２は、活性層１０５が発する光に対して所定の反射率を有する導電性材料から形成される。一例として、反射層１３２は、当該光に対して８０％以上の反射率を有する導電性材料から形成する。反射層１３２は、活性層１０５が発した光のうち、反射層１３２に達した光を活性層１０５側に向けて反射する。反射層１３２は、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ等の金属材料、又は、これらの金属材料から選択される少なくとも１つの金属材料を含む合金から形成される。一例として、反射層１３２は、所定膜厚のＡｌから形成される。そして、反射部１３０のバリア層１３４はＴｉ、Ｐｔ等の金属材料から形成され、一例として、所定膜厚のＴｉから形成される。バリア層１３４は、接合層１３６を構成する材料が反射層１３２に伝搬することを抑制する。また、接合層１３６は、密着層２００の接合層２０２と電気的及び機械的に接合する材料から形成され、一例として、所定膜厚のＡｕから形成される。
【００３４】
（支持基板２０）
支持基板２０は導電性材料から形成される。支持基板２０は、ｐ型又はｎ型の導電性Ｓｉ基板、Ｇｅ基板、ＧａＡｓ基板、ＧａＰ基板、若しくはＣｕ等の金属材料からなる金属基板から形成することができる。例えば、本実施形態においては、導電性Ｓｉ基板を支持基板２０として用いることができる。
【００３５】
そして、密着層２００の接合層２０２は、反射部１３０の接合層１３６と同様に、所定膜厚のＡｕから形成することができる。また、バリア層２０４は、Ｔｉ、Ｐｔ等の金属材料から形成され、一例として所定膜厚のＰｔから形成することができる。バリア層２０４は、接合層２０２を構成する材料がコンタクト電極２０６に伝搬することを防止する。更に、コンタクト電極２０６は、支持基板２０と電気的に接合する材料から形成され、Ａｕ、Ｔｉ、Ａｌ等を含む金属材料から形成される。一例として、コンタクト電極２０６は、所定膜厚のＴｉから形成する。
【００３６】
裏面電極２１０は、支持基板２０に電気的に接合する材料から形成され、例えば、Ｔｉ、Ａｕ等の金属材料から形成される。本実施形態においては、裏面電極２１０はＴｉとＡｕとを有する。そして、所定膜厚のＴｉが支持基板２０に電気的に接合して設けられ、Ｔｉの上に所定膜厚のＡｕが更に設けられる。なお、発光素子１は、裏面電極２１０の側を下に向けて、Ａｇペースト等の導電性の接合材料、又はＡｕＳｎ等の共晶材料を用いてＣｕ等の金属から形成されるステムの所定の位置に搭載される。
【００３７】
（変形例）
本実施形態に係る発光素子１は、波長が６３０ｎｍの赤色を含む光を発するが、発光素子１が発する光の波長はこの波長に限定されない。半導体積層構造１０の活性層１０５の構造を制御して、所定の波長範囲の光を発する発光素子１を形成することもできる。活性層１０５が発する光としては、例えば、橙色光、黄色光、又は緑色光等の波長範囲の光が挙げられる。また、発光素子１が備える半導体積層構造１０は、紫外領域、紫色領域、若しくは青色領域の光を発する活性層１０５を含むＩｎＡｌＧａＮ系の化合物半導体から形成することもできる。
【００３８】
更に、発光素子１が備える半導体積層構造１０は、半導体積層構造１０を構成する化合物半導体層の導電型を、第１の実施の形態の反対にすることもできる。例えば、ｎ型コンタクト層１０１及びｎ型クラッド層１０３の導電型をｐ型にすると共に、ｐ型クラッド層１０７及びｐ型コンタクト層１０９の導電型をｎ型にすることもできる。また、凹凸形状部１０３ａは、ｎ型クラッド層１０３の表面に規則性を有さない凹凸部を形成することにより、ｎ型クラッド層１０３の表面に設けることもできる。
【００３９】
また、コンタクト部１２０は、切断部のない単一な形状に形成されているが、変形例においては、コンタクト部１２０の一部に切断部を形成して、複数の領域からなるコンタクト部１２０を形成することもできる。例えば、コンタクト部１２０は、複数のドット状に形成することもできる。
【００４０】
また、発光素子１の平面寸法は上記の実施形態に限られない。例えば、発光素子１の平面寸法は、縦寸法及び横寸法がそれぞれ略５００μｍ以上の寸法、又は１ｍｍを超える寸法となるように設計することもでき、また、発光素子１の使用用途に応じて、縦寸法及び横寸法を適宜変更して発光素子１を形成することもできる。一例として、発光素子１の平面寸法を、縦寸法の方が横寸法より短くなるように設計することもできる。この場合、発光素子１の上面視における形状は、略長方形となる。
【００４１】
また、活性層１０５は量子井戸構造を有して形成することもできる。量子井戸構造は、単一量子井戸構造、多重量子井戸構造、又は歪み多重量子井戸構造のいずれの構造からも形成することができる。
【００４２】
（発光素子１の製造方法）
図２Ａから図２Ｊは、本発明の第１の実施の形態に係る発光素子の製造工程の流れを示す。
【００４３】
まず、図２Ａ（ａ）に示すように、ｎ型ＧａＡｓ基板１００の上に、例えば、有機金属気相成長法（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＯＶＰＥ法）によって複数の化合物半導体層を含むＡｌＧａＩｎＰ系の半導体積層構造１１を形成する。具体的には、ｎ型ＧａＡｓ基板１００の上に、アンドープの（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐを有するエッチングストップ層１０２と、Ｓｉがドープされたｎ型のＧａＡｓを有するｎ型コンタクト層１０１と、Ｓｉがドープされたｎ型の（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐを有するｎ型クラッド層１０３と、アンドープの（Ａｌ０．１Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５Ｐを有する活性層１０５と、Ｍｇがドープされたｐ型の（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐを有するｐ型クラッド層１０７と、Ｍｇがドープされたｐ型のＧａＰを有するｐ型コンタクト層１０９とをＭＯＶＰＥ法を用いてこの順に形成する。これにより、ｎ型ＧａＡｓ基板１００上に半導体積層構造１１が形成されたエピタキシャルウエハが形成される。
【００４４】
ここで、ＭＯＶＰＥ法を用いた半導体積層構造１１の形成は、成長温度を６５０℃に、成長圧力を６６６６．１Ｐａ（５０Ｔｏｒｒ）に、半導体積層構造１１が有する複数の化合物半導体層のそれぞれの成長速度を０．３ｎｍ／ｓｅｃから１．０ｎｍ／ｓｅｃに、及びＶ／ＩＩＩ比を約２００前後に設定して実施する。なお、Ｖ／ＩＩＩ比とは、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）等のＩＩＩ族原料のモル数を基準とした場合における、アルシン（ＡｓＨ３）、ホスフィン（ＰＨ３）等のＶ族原料のモル数の比である。
【００４５】
また、ＭＯＶＰＥ法において用いる原料は、トリメチルガリウム（ＴＭＧａ）、トリエチルガリウム（ＴＥＧａ）、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡｌ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩｎ）等の有機金属化合物、及びアルシン（ＡｓＨ３）、ホスフィン（ＰＨ３）等の水素化物ガスを用いることができる。更に、ｎ型のドーパントの原料は、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）を用いることができる。そして、ｐ型のドーパントの原料は、ビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）を用いることができる。
【００４６】
また、ｎ型のドーパントの原料として、セレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）、モノシラン（ＳｉＨ４）、ジエチルテルル（ＤＥＴｅ）、又はジメチルテルル（ＤＭＴｅ）を用いることもできる。そして、ｐ型のドーパントの原料として、ジメチルジンク（ＤＭＺｎ）又はジエチルジンク（ＤＥＺｎ）を用いることもできる。
【００４７】
なお、ｎ型ＧａＡｓ基板１００の上の半導体積層構造１１は、分子線エピタキシー法（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  Ｂｅａｍ  Ｅｐｉｔａｘｙ：ＭＢＥ）又はハライド気相エピタキシー法（Ｈａｌｉｄｅ  Ｖａｐｏｒ  Ｐｈａｓｅ  Ｅｐｉｔａｘｙ：ＨＶＰＥ）等を用いて形成することもできる。
【００４８】
次に、図２Ａ（ｂ）に示すように、図２Ａ（ａ）において形成したエピタキシャルウエハをＭＯＶＰＥ装置から搬出した後、ｐ型コンタクト層１０９の表面に透明層１４０を形成する。具体的には、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置を用いて、透明層１４０としてのＳｉＯ２膜をｐ型コンタクト層１０９の表面に形成する。なお、透明層１４０を複数の層から形成する場合、真空蒸着法により形成することができる。
【００４９】
次に、図２Ｂ（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いて、透明層１４０に開口１４０ａを形成する。例えば、開口１４０ａを形成すべき領域に溝を有するフォトレジストパターンを、透明層１４０上に形成する。開口１４０ａは、透明層１４０の表面からｐ型コンタクト層１０９と透明層１４０との界面までを貫通して形成される。具体的には、フッ酸系のエッチング液としてのエッチャントを用いて、透明層１４０に開口１４０ａを形成する。
【００５０】
続いて、図２Ｂ（ｄ）に示すように、真空蒸着法を用いて、開口１４０ａにコンタクト部１２０を形成する材料であるＡｕＺｎ合金を形成する。例えば、開口１４０ａを形成する際に用いるフォトレジストパターンをマスクとして、ＡｕＺｎを開口１４０ａ内に真空蒸着することにより、コンタクト部１２０を形成する。次に、図２Ｂ（ｅ）に示すように、真空蒸着法を用いて、反射層１３２としてのＡｌ層と、バリア層１３４としてのＴｉ層と、接合層１３６としてのＡｕ層とを形成する。これにより、半導体積層構造体１ａが形成される。
【００５１】
そして、図２Ｃ（ｆ）に示すように、支持基板２０としての導電性のＳｉ基板上に、コンタクト電極２０６としてのＴｉと、バリア層２０４としてのＰｔと、接合層２０２としてのＡｕとをこの順に真空蒸着法を用いて形成する。これにより、支持構造体２０ａが形成される。続いて、半導体積層構造体１ａの接合層１３６の表面である接合面１３６ａと、支持構造体２０ａの接合層２０２の表面である接合面２０２ａとを対向させて重ね、この状態をカーボン等から形成される冶具で保持する。
【００５２】
続いて、半導体積層構造体１ａと支持構造体２０ａとが重なり合った状態を保持している冶具を、ウエハ貼合わせ装置内に導入する。そして、ウエハ貼合わせ装置内を所定圧力にする。一例として、１．３３３Ｐａ（０．０１Ｔｏｒｒ）の圧力に設定する。そして、互いに重なり合っている半導体積層構造体１ａと支持構造体２０ａとに冶具を介して圧力を加える。一例として、３０ｋｇｆ／ｃｍ２の圧力を加える。次に、冶具を所定温度まで所定の昇温速度で加熱する。
【００５３】
具体的には、冶具の温度を３５０℃まで加熱する。そして、冶具の温度が３５０℃程度に達した後、冶具を当該温度で約３０分保持する。その後、冶具を徐冷する。冶具の温度を、例えば室温まで十分に低下させる。冶具の温度が低下した後、冶具に加わっている圧力を開放する。そして、ウエハ貼合わせ装置内の圧力を大気圧にして冶具を取り出す。これにより、図２Ｃ（ｇ）に示すように、半導体積層構造体１ａと支持構造体２０ａとが接合層１３６と接合層２０２との間において機械的・電気的に接合した接合構造体１ｂが形成される。
【００５４】
なお、本実施形態においては、半導体積層構造体１ａは、バリア層１３４を有している。したがって、半導体積層構造体１ａと支持構造体２０ａとを接合面１３６ａと接合面２０２ａとで接合させた場合であっても、接合層１３６及び接合層２０２を形成する材料が反射層１３２に拡散することを防止して、反射層１３２の反射特性が劣化することを抑制できる。
【００５５】
次に、研磨装置の冶具に貼り付け用ワックスで接合構造体１ｂを貼り付ける。具体的に、支持基板２０側を当該冶具に貼り付ける。そして、接合構造体１ｂのｎ型ＧａＡｓ基板１００を所定の厚さになるまで研磨する。続いて、研磨後の接合構造体１ｂを研磨板から取り外して、支持基板２０の表面に付着しているワックスを洗浄除去する。そして、図２Ｄ（ｈ）に示すように、ＧａＡｓエッチング用のエッチャントを用いて、研磨後の接合構造体１ｂからｎ型ＧａＡｓ基板１００を選択的に完全に除去してエッチングストップ層１０２が露出した接合構造体１ｃを形成する。ＧａＡｓエッチング用のエッチャントとしては、例えば、アンモニア水と過酸化水素水との混合液が挙げられる。なお、ｎ型ＧａＡｓ基板１００を研磨せずに、全てのｎ型ＧａＡｓ基板１００をエッチングにより除去することもできる。
【００５６】
そして、図２Ｄ（ｉ）に示すように、接合構造体１ｃからエッチングストップ層１０２を所定のエッチャントを用いてエッチングにより除去する。これにより、エッチングストップ層１０２が除去された接合構造体１ｄが形成される。所定のエッチャントとしては、塩酸を含むエッチャントを用いることができる。これによりｎ型コンタクト層１０１の表面が外部に露出する。
【００５７】
続いて、フォトリソグラフィー法及び真空蒸着法を用いて、ｎ型コンタクト層１０１の表面の所定の位置に、第１表面電極１１０及び第２表面電極１１２を形成する。第１表面電極１１０及び第２表面電極１１２はそれぞれ、直径が１００μｍの円電極と幅が１０μｍの複数の線状電極とから形成される。第１表面電極１１０及び第２表面電極１１２はそれぞれ、ＡｕＧｅ、Ｔｉ、Ａｕをこの順にｎ型コンタクト層１０１上に形成する。この場合に、第１表面電極１１０及び第２表面電極１１２はそれぞれ、コンタクト部１２０の直上に位置しないように形成される。これにより、図２Ｅに示すように、第１表面電極１１０及び第２表面電極１１２を有する接合構造体１ｅが形成される。
【００５８】
次に、図２Ｆに示すように、図２Ｅにおいて形成した第１表面電極１１０及び第２表面電極１１２をマスクとして、第１表面電極１１０及び第２表面電極１１２の直下に対応するｎ型コンタクト層１０１を除くｎ型コンタクト層１０１を、硫酸と過酸化水素水と水との混合液を用いてエッチングして除去する。これにより、接合構造体１ｆが形成される。なお、当該混合液を用いることにより、ＧａＡｓから形成されるｎ型コンタクト層１０１を、ｎ型の（Ａｌ０．７Ｇａ０．３）０．５Ｉｎ０．５Ｐから形成されるｎ型クラッド層１０３に対して選択的にエッチングできる。したがって、接合構造体１ｆにおいては、ｎ型クラッド層１０３が外部に露出することとなる。
【００５９】
次に、図２Ｇに示すように、ｎ型クラッド層１０３の表面の一部に、凹凸形状部１０３ａを形成する。具体的には、凹部用のパターン又は凸部用のパターンが所定の間隔をおいて繰り返されるマスクパターンを、フォトリソグラフィー法を用いてｎ型クラッド層１０３の表面に形成する。例えば、凹部用のパターン又は凸部用のパターンが１．０μｍから３．０μｍの間隔をおいて繰り返されるマスクパターンを形成する。なお、凹部用のパターン又は凸部用のパターンは、例えば、マトリックス状、ハニカム状等の配置を有して形成される。そして、形成したマスクパターンをマスクとして、ウェットエッチング法を用いてｎ型クラッド層１０３の表面に凹凸形状部１０３ａを形成する。これにより、凹凸形状部１０３ａを有する接合構造体１ｇが形成される。
【００６０】
続いて、フォトリソグラフィー法を用いて発光素子間を分離するマスクパターンを接合構造体１ｇの表面に形成する。すなわち、接合構造体１ｇのｎ型クラッド層１０３の表面に発光素子間分離用のマスクパターンを形成する。マスクパターンをマスクとして、ｎ型クラッド層１０３の表面側からｐ型コンタクト層１０９までをウェットエッチング法で除去することにより発光素子をそれぞれ分離する。これにより、図２Ｈに示すように、複数の発光素子間が分離された接合構造体１ｈが形成される。なお、側面１０ａはウェットエッチングにより露出した面であり、機械的に半導体積層構造１０を切断した場合に比べて滑らかな表面を有する。
【００６１】
次に、支持基板２０の裏面の略全面に、裏面電極２１０を真空蒸着法によって形成する。裏面電極２１０は、ＴｉとＡｕとをこの順に支持基板２０の底面に蒸着することにより形成する。その後、コンタクト部１２０とｐ型コンタクト層１０９との間、第１表面電極１１０及び第２表面電極１１２とｎ型コンタクト層１０１との間、コンタクト電極２０６と支持基板２０との間、及び裏面電極２１０と支持基板２０との間のそれぞれの電気的接合を形成する合金化工程であるアロイ工程を裏面電極２１０を備える接合構造体１ｈに施す。一例として、不活性雰囲気としての窒素雰囲気下、４００℃で５分間の熱処理を接合構造体１ｈに施す。続いて、フォトリソグラフィー法及び真空蒸着法を用いて、第１表面電極１１０及び第２表面電極１１２の表面に、パッド電極１１５を形成する。パッド電極１１５は、例えば、Ｔｉ、Ａｕをこの順に第１表面電極１１０及び第２表面電極１１２の表面に蒸着することにより形成する。これにより、図２Ｉに示すような接合構造体１ｉが形成される。
【００６２】
そして、ダイシングブレードを有するダイシング装置を用いて、接合構造体１ｉを素子分離する。これにより、図２Ｊに示すように、本実施の形態に係る複数の発光素子１が形成される。この場合、ダイシングブレードにより機械的に切断された領域には、側面１０ｂが生じる。側面１０ｂは、機械的に切断された領域なので、側面１０ａの表面に比べて大きな凹凸が生じている。
【００６３】
図２Ａから図２Ｊの各工程を経て製造された発光素子１は、一例として、平面寸法が１ｍｍ角の略四角形状を有する大電流印加型の素子サイズ（平面寸法）が大きな発光ダイオード（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ：ＬＥＤ）である。そして、この発光素子１をＴＯ−４６ステムに導電性の接合材料を用いてダイボンディングすると共に、第１表面電極１１０とＴＯ−４６ステムの所定の領域、及び第２表面電極１１２とＴＯ−４６ステムの所定の領域のそれぞれをＡｕ等のワイヤーで接続する。これにより、発光素子１の特性を評価することができる。
【００６４】
具体的に、この製造工程で製造した発光素子１の初期特性を、樹脂モールドを施さずに評価した。まず、第１表面電極１１０及び第２表面電極１１２の双方に電流を供給して発光素子１の特性を評価した。順電流として１０００ｍＡの直流電流を発光素子１に供給したところ、順方向電圧が２．６５Ｖで、発光出力が６１５ｍＷであった。
【００６５】
次に、第１表面電極１１０とＴＯ−４６ステムの所定の領域だけをワイヤーボンディングした発光素子を準備した。すなわち、この発光素子においては、第２表面電極１１２には電流は供給されない。この発光素子の初期特性を評価した。順電流として１０００ｍＡの直流電流を第１表面電極１１０に供給したところ、発光素子は光を発しなかった。
【００６６】
図３は、本発明の第１の実施の形態に係る発光素子の第１表面電極及び第２表面電極の双方にワイヤーボンディングした場合、並びに第１表面電極の実にワイヤーボンディングした場合のそれぞれにおける電流−光出力特性を示す。
【００６７】
発光素子１の第１表面電極１１０及び第２表面電極１１２の双方にワイヤーを接続して発光素子１に直流電流を供給した場合、供給する電流値の増加に伴い発光出力も直線的に増加した（図３中においては、「両ワイヤー」で示す。）。しかしながら、発光素子１の第１表面電極１１０にのみワイヤーを接続して発光素子１に直流電流を供給した場合、供給する電流が５００ｍＡ程度までは直線的に発光出力が増加したが、電流値が５００ｍＡ程度以上では発光出力は低下した。更に電流値を１０００ｍＡまで増加させると、発光素子１は不灯となった（図３中においては、「片ワイヤー」で示す。）。これは、片ワイヤーの場合、発光素子１に供給した電流が、第１表面電極１１０の直下の活性層１０５に集中してしまうことに起因すると考えられた。
【００６８】
以上により、本実施の形態に係る発光素子１は、第１表面電極１１０又は第２表面電極１１２のいずれかに接続されているワイヤーに不具合が生じた場合、発光素子１に電流を供給しても発光素子１が発光しないことにより、ワイヤーの不具合を発見できることが示された。
【００６９】
（比較例）
図４は、比較例に係る発光素子の上面の概要を示す。
【００７０】
比較例に係る発光素子２は、本発明の第１の実施の形態に係る発光素子１とは表面電極の形状が異なる点を除き、発光素子１と同一の構成を備える。よって、相違点を除き詳細な説明は省略する。
【００７１】
比較例に係る発光素子２は、第１表面電極１１０及び第２表面電極１１２が接続部分１１ｃによって接続され、単一の表面電極１１１として構成される。すなわち、発光素子２においては、単独の表面電極１１１がｎ型クラッド層１０３の表面に形成される。また、表面電極１１１は、２つの円電極１１１ａと複数の線状電極１１１ｂとを備える。そして、複数の線状電極１１１ｂそれぞれの断面積と接続部分１１１ｃの断面積とは同一である。
【００７２】
比較例に係る発光素子２をＴＯ−４６ステムに導電性の接合材料を用いてダイボンディングすると共に、一方の円電極１１１ａとＴＯ−４６ステムの所定の領域、及び他方の円電極１１１ａとＴＯ−４６ステムの所定の領域のそれぞれをＡｕ等のワイヤーで接続した。そして、発光素子２の所期特性を、樹脂モールドを施さずに評価した。順電流として１０００ｍＡの電流を発光素子２に供給したところ、順方向電圧が２．２５Ｖで、発光出力が６１０ｍＷであった。
【００７３】
次に、一方の円電極１１１ａとＴＯ−４６ステムの所定の領域だけをワイヤーボンディングした発光素子を準備した。すなわち、この発光素子においては、他方の円電極１１１ａから発光素子２に対して電流は供給されない。この発光素子の初期特性を評価した。その結果、順電流として１０００ｍＡの電流を一方の円電極１１１ａに供給したところ、順方向電圧が２．７８Ｖで、発光出力が５９５ｍＷであった。比較例に係る発光素子２においては、発光素子２に電流を供給する２本のワイヤーのうち片方が切断された場合でも発光素子２は発光するので、ワイヤーの不具合を検出することができないことが示された。
【００７４】
（第１の実施の形態の効果）
本実施の形態に係る発光素子１は、活性層１０５に電流を供給する電流注入用の電極を、ｎ型クラッド層１０３の上方に複数個所、備える。すなわち、発光素子１は、第１表面電極１１０と、第１表面電極１１０とは電気的に接続していない第２表面電極１１２との双方から活性層１０５に電流を供給できる。これにより、発光素子１は、活性層１０５に対して供給された電流を活性層１０５の水平方向に広げることができ、活性層１０５の一部に電流が集中することを抑制して、長期的な信頼性を向上させることができる。
【００７５】
また、本実施の形態において、第１表面電極１１０と、第２表面電極１１２とは電気的に接続されていない。よって、第１表面電極１１０又は第２表面電極１１２のいずれか一方にだけ電流が注入された場合に、電流が注入された表面電極の直下に対応する活性層１０５に電流が集中する。この場合、電流が集中した活性層１０５の一部の活性層温度が上昇することにより、活性層１０５は光を発しなくなる。したがって、本実施の形態に係る発光素子１によれば、例えば、第１表面電極１１０に接続しているワイヤー、又は第２表面電極１１２に接続しているワイヤーのいずれかが切断、破損等している場合、発光素子１に電流を供給しても発光素子１は発光しないので、ワイヤーの不具合を容易に検出できる。これにより、本実施の形態によれば、発光素子１の製造後に実施する出荷前検査において容易にワイヤー等の不具合を発見でき、市場に高信頼性の発光素子１を提供できる。
【００７６】
［第２の実施の形態］
図５は、本発明の第２の実施の形態に係る発光素子の上面の概要を示す。
【００７７】
本発明の第２の実施の形態に係る発光素子３は、第１表面電極１１０と第２表面電極１１２とが、微細再選としての接続電極により電気的に接続されている点を除き、第１の実施の形態に係る発光素子１と略同一の構成を備える。よって、相違点を除き詳細な説明は省略する。
【００７８】
発光素子３は、ｎ型クラッド層１０３の光取り出し面側に、第１表面電極１１０と第２表面電極１１２とを備える。そして、発光素子３において、第１表面電極１１０と第２表面電極１１２とは、第１表面電極１１０から第２表面電極１１２側に向かって伸びる第１接続電極１１０ｃと、第２表面電極１１２から第１表面電極１１０側に向かって伸びる第２接続電極１１２ｃとが電気的に接続する。
【００７９】
第１接続電極１１０ｃの断面積と、第２接続電極１１２ｃの断面積とはそれぞれ、複数の第１線状電極１１０ｂの断面積、及び複数の第２線状電極１１２ｂの断面積より小さく形成される。すなわち、上面視にて、第１接続電極１１０の幅と、第２接続電極１１２ｃの幅とはそれぞれ、第１線状電極１１０ｂの幅、及び第２線状電極１１２ｂの幅より狭く形成される。一例として、第１接続電極１１０及び第２接続電極１１２ｃは、１０μｍ程度の幅を有して形成される。これにより、第１表面電極１１０又は第２表面電極１１２のいずれか一方に電流が供給された場合、電流が供給された一方の表面電極から他方の表面電極には実質的に電流が供給されないので、第１の実施の形態に係る発光素子１と同様の効果を奏することとなる。
【００８０】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００８１】
【図１Ａ】第１の実施の形態に係る発光素子の模式的な縦断面図である。
【図１Ｂ】（ａ）は、第１の実施の形態に係る発光素子の上面図であり、（ｂ）は、図１ＡのＡ−Ａ線で発光素子を切断した場合の発光素子の上面図である。
【図２Ａ】第１の実施の形態に係る発光素子の製造工程の図である。
【図２Ｂ】第１の実施の形態に係る発光素子の製造工程の図である。
【図２Ｃ】第１の実施の形態に係る発光素子の製造工程の図である。
【図２Ｄ】第１の実施の形態に係る発光素子の製造工程の図である。
【図２Ｅ】第１の実施の形態に係る発光素子の製造工程の図である。
【図２Ｆ】第１の実施の形態に係る発光素子の製造工程の図である。
【図２Ｇ】第１の実施の形態に係る発光素子の製造工程の図である。
【図２Ｈ】第１の実施の形態に係る発光素子の製造工程の図である。
【図２Ｉ】第１の実施の形態に係る発光素子の製造工程の図である。
【図２Ｊ】第１の実施の形態に係る発光素子の製造工程の図である。
【図３】第１の実施の形態に係る発光素子の第１表面電極及び第２表面電極の双方にワイヤーボンディングした場合、並びに第１表面電極の実にワイヤーボンディングした場合のそれぞれにおける電流−光出力特性を示す図である。
【図４】比較例に係る発光素子の上面図である。
【図５】第２の実施の形態に係る発光素子の上面図である。
【符号の説明】
【００８２】
１、２、３  発光素子
１ａ  半導体積層構造体
１ｂ、１ｃ、１ｄ、１ｅ、１ｆ、１ｇ、１ｈ、１ｉ  接合構造体
１０  半導体積層構造
１０ａ  側面
１０ｂ  側面
１１  半導体積層構造
２０  支持基板
１００  ｎ型ＧａＡｓ基板
１０１  ｎ型コンタクト層
１０２  エッチングストップ層
１０３  ｎ型クラッド層
１０３ａ  凹凸形状部
１０５  活性層
１０７  ｐ型クラッド層
１０９  ｐ型コンタクト層
１１０  第１表面電極
１１０ａ、１１２ａ  円電極
１１０ｂ  第１線状電極
１１０ｃ  第１接続電極
１１１  表面電極
１１１ａ  円電極
１１１ｂ  線状電極
１１１ｃ  接続部分
１１２  第２表面電極
１１２ｂ  第２線状電極
１１２ｃ  第２接続電極
１１５  パッド電極
１２０  コンタクト部
１２０ａ  枝状コンタクト部
１３０  反射部
１３２  反射層
１３４、２０４  バリア層
１３６、２０２  接合層
１３６ａ、２０２ａ  接合面
１４０  透明層
１４０ａ  開口
２００  密着層
２０６  コンタクト電極
２１０  裏面電極
【図１Ａ】
2010062355.tif 000003
【図１Ｂ】
2010062355.tif 000004
【図２Ａ】
2010062355.tif 000005
【図２Ｂ】
2010062355.tif 000006
【図２Ｃ】
2010062355.tif 000007
【図２Ｄ】
2010062355.tif 000008
【図２Ｅ】
2010062355.tif 000009
【図２Ｆ】
2010062355.tif 000010
【図２Ｇ】
2010062355.tif 000011
【図２Ｈ】
2010062355.tif 000012
【図２Ｉ】
2010062355.tif 000013
【図２Ｊ】
2010062355.tif 000014
【図３】
2010062355.tif 000015
【図４】
2010062355.tif 000016
【図５】
2010062355.tif 000017