(57)【要約】【課題】本発明は、電極パッドの側面と絶縁層の側面との間におけるデラミネーションの発生を抑制することで、配線基板の信頼性を向上させることのできる配線基板及びその製造方法を提供することを課題とする。【解決手段】金属層４１，４２からなる電極パッド２５と、金属層４２の面４２Ａ側に位置する部分の電極パッド２５と接続される導電パターン２７と、電極パッド２５及び導電パターン２７を内設する絶縁層２１と、を有しており、絶縁層２１は、面４２Ａとは反対側に位置する金属層４１の面４１Ａの外周部を覆うように配置する。【選択図】図２
2010092943.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極パッドと、
前記電極パッドの第１の面と接続される導電パターンと、
前記電極パッド及び前記導電パターンを内設する絶縁層と、を有しており、
前記絶縁層は、前記第１の面とは反対側に位置する前記電極パッドの第２の面の外周部を覆うように配置されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記絶縁層は、前記第２の面の一部を露出する開口部を有しており、
前記開口部は、前記電極パッドから離間するにつれて幅広形状とされていることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記電極パッドは、前記開口部から露出され、前記導電パターンを構成する金属とは異なる金属により構成された第１の金属層と、前記第１の金属層に設けられ、前記導電パターンを構成する金属とは異なる金属により構成された第２の金属層と、前記第２の金属層に設けられ、前記導電パターンを構成する金属と同じ金属により構成された第３の金属層と、を有しており、
前記第３の金属層は、前記導電パターンと接続されることを特徴とする請求項１または２記載の配線基板。
【請求項４】
前記第２の金属層の外周側面の位置を、前記第１及び第３の金属層の外周側面の位置よりも内側に配置したことを特徴とする請求項３記載の配線基板。
【請求項５】
前記電極パッドは、前記導電パターンを構成する金属と同じ金属により構成されており、
前記開口部に露出された部分の前記電極パッドの前記第２の面を覆うＯＳＰ（Organic Solderbility Preservative）膜を設けたことを特徴とする請求項１または２記載の配線基板。
【請求項６】
第１の金属により構成された支持板上に電極パッドを形成する電極パッド形成工程と、
前記支持板をエッチングすることで、前記電極パッドと対向する部分の前記支持板に、前記電極パッドと接触すると共に、前記支持板と対向する側の前記電極パッドの面の外周部を露出する突出部を形成する突出部形成工程と、
前記電極パッド、前記突出部、及び前記突出部が形成された側の前記支持板の面を覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上に、前記電極パッドと接続される導電パターンを形成する導電パターン形成工程と、
前記導電パターン形成工程後に、前記突出部が形成された前記支持板をエッチングにより除去することで、前記絶縁層に、前記支持板と対向する側の前記電極パッドの面の一部を露出すると共に、前記突出部に対応する形状の開口部を形成する支持板除去工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記突出部形成工程では、前記突出部の形状が、前記電極パッドから前記支持板に向かうにつれて、幅広形状となるように、前記支持板をエッチングすることを特徴とする請求項６記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記電極パッド形成工程は、前記第１の金属とは異なる金属により構成された第１の金属層を形成する第１の金属層形成工程と、
前記第１の金属層に、前記第１の金属とは異なる金属により構成された第２の金属層を形成する第２の金属層形成工程と、を有し、
前記突出部形成工程では、前記電極パッドをマスクとして、前記第１の金属を選択的にエッチングするエッチング液により、前記支持板をエッチングすることを特徴とする請求項６または７記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記電極パッド形成工程は、前記第２の金属層形成工程後に、前記第２の金属層の面に、前記第１の金属により構成された第３の金属層を形成する第３の金属層形成工程をさらに有しており、
前記第３の金属層形成工程では、前記突出部形成工程後に前記第３の金属層が前記第２の金属層の面を覆う厚さとなるように、前記第３の金属層を形成することを特徴とする請求項８記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記電極パッド形成工程は、前記第２の金属層形成工程後に、前記第２の金属層の面に、前記第１の金属により構成された第３の金属層を形成する第３の金属層形成工程と、前記第３の金属層に、前記突出部形成工程において前記支持板をエッチングする際に前記第３の金属層がエッチングされることを防止する保護層を形成する保護層形成工程と、をさらに有しており、
前記突出部形成工程と前記絶縁層形成工程との間に、前記保護層を除去する保護層除去工程を設けたことを特徴とする請求項８記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記電極パッド形成工程の前に、前記電極パッドの形成領域に対応する部分の前記支持板に、前記第１の金属により構成された高さ調整層を形成する高さ調整層形成工程を設け、
前記支持板除去工程では、前記第１の金属を選択的にエッチングするエッチング液により、前記支持板と共に、前記高さ調整層を除去することを特徴とする請求項６ないし１０のうち、いずれか１項記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
第１の金属により構成された支持板上に、突出部用金属層を形成する突出部用金属層形成工程と、
前記突出部用金属層上に、電極パッドを形成する電極パッド形成工程と、
前記突出部用金属層をエッチングして突出部を形成すると共に、該突出部と接触する前記電極パッドの面の外周部を露出させる突出部形成工程と、
前記突出部形成工程後に、前記突出部、前記電極パッド、及び前記突出部が形成された側の前記支持板の面を覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上に、前記電極パッドと接続される導電パターンを形成する導電パターン形成工程と、
前記導電パターン形成工程後に、前記支持板をエッチングにより除去する支持板除去工程と、
前記支持板除去工程後に、前記突出部を除去することにより、前記絶縁層に、前記突出部と接触する側の前記電極パッドの面の一部を露出すると共に、突出部の形状に対応する形状の開口部を形成する突出部除去工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１３】
前記突出部用金属層は、前記第１の金属とは異なる導電性を有した材料により形成されることを特徴とする請求項１２記載の配線基板の製造方法。
【請求項１４】
前記電極パッドは、前記第１の金属と同じ金属により形成されることを特徴とする請求項１２または１３記載の配線基板の製造方法。
【請求項１５】
前記電極パッド形成工程では、前記突出部用金属層上に、前記第１の金属と異なる金属により形成された第１の金属層と、前記第１の金属と異なる金属により形成された第２の金属層と、前記第１の金属により形成された第３の金属層と、を順次積層して電極パッドを形成することを特徴とする請求項１２または１３記載の配線基板の製造方法。
【請求項１６】
前記電極パッド形成工程では、前記突出部用金属層と前記第２の金属層とを、同じ金属により形成することを特徴とする請求項１５記載の配線基板の製造方法。
【請求項１７】
前記突出部除去工程後に、ＯＳＰ（Organic Solderbility Preservative）処理を行うことにより、前記絶縁層から露出された部分の前記電極パッドにＯＳＰ（Organic Solderbility Preservative）膜を形成するＯＳＰ膜形成工程をさらに設けたことを特徴とする請求項１２記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極パッドと、電極パッドに接続される導電パターンと、電極パッド及び導電パターンが内設される絶縁層とを備えた配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップなどの実装部品を実装するための配線基板は、様々な形状・構造のものが提案されている。近年は、半導体チップの薄型化・小型化に伴い、半導体チップが実装される配線基板も薄型化・小型化の要求が著しくなっている。
【０００３】
上記の配線基板を薄型化して形成する方法としては、例えば、いわゆるビルドアップ法が知られている。ビルドアップ法とは、例えば、エポキシ系の樹脂材料よりなるビルドアップ層（ビルドアップ樹脂）をコア基板上に積層することで、配線の層間絶縁層を形成し、多層配線基板を製造する方法である。
【０００４】
上記のコア基板は、プリプレグ材料などよりなり、配線基板の製造工程において、硬化される前の柔らかいビルドアップ層を支持し、また、ビルドアップ層の硬化に伴う反りを抑制する。しかし、上記ビルドアップ法において、さらに配線基板を薄型化しようとすると、配線基板のベースとなるコア基板の厚さが問題となる。
【０００５】
そこで、ビルドアップ法においてさらに配線基板を薄型化するために、配線基板（ビルドアップ層）を支持する支持板上にビルドアップ法にて配線基板を形成した後、支持板を除去する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
図１は、従来の配線基板の主要部の断面図である。
【０００７】
図１を参照するに、例えば、エッチングにより除去される支持板（図示せず）に面して電極パッド１が形成され、電極パッド１の周囲を覆うように、樹脂材料よりなる絶縁層２が形成されている。また、電極パッド１には、導電パターン３（例えば、ビアプラグ）が接続されている。電極パッド１としては、例えば、Ａｕ層１Ａと、Ｎｉ層１Ｂとが積層された積層膜を用いることができる。
【０００８】
上記説明したように、支持板上にビルドアップ法にて配線基板を形成する場合、絶縁層２の面２Ａと電極パッド１の面１Ｃとが同一平面上に形成される。このため、電極パッド１の側面と絶縁層２との境界面（図中Ａ部で示す）に、デラミネーションとよばれる剥離が発生し、配線基板の信頼性が低下してしまうという問題があった。
【０００９】
上記のデラミネーションの対策としては、例えば、電極パッドの形状を変更して、電極パッドの露出面の反対側に延伸する壁部を形成する構造が提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【特許文献１】特開２００５−５７４２号公報
【特許文献２】特開２００５−２４４１０８号公報
【特許文献３】特開２００４−６４０８２号公報
【特許文献４】特開２００３−２２９５１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記の特許文献２に記載されているように、電極パッドの形状を複雑にした場合、電極パッドを形成するための工程数が増加してしまい、配線基板の製造コストが増大する虞があるため、現実的な方法ではない。
【００１１】
また、電極パッドを、絶縁層に対して凹ませて設置する構造（例えば、上記特許文献３，４参照。）が提案されているが、電極パッドと絶縁層の境界面の剥離に対しては、充分な効果を奏することは期待できず、配線基板の信頼性の低下に対して有効な方法とはなっていない。
【００１２】
そこで本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、電極パッドの側面と絶縁層の側面との間におけるデラミネーションの発生を抑制することで、配線基板の信頼性を向上させることのできる配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一観点によれば、電極パッドと、前記電極パッドの第１の面と接続される導電パターンと、前記電極パッド及び前記導電パターンを内設する絶縁層と、を有しており、前記絶縁層は、前記第１の面とは反対側に位置する前記電極パッドの第２の面の外周部を覆うように配置されていることを特徴とする配線基板が提供される。
【００１４】
本発明によれば、第１の面とは反対側に位置する電極パッドの第２の面の外周部を絶縁層で覆うことにより、電極パッドの側面と絶縁層の側面との間におけるデラミネーションの発生を抑制することが可能となるため、配線基板の信頼性を向上させることができる。
【００１５】
本発明の他の観点によれば、第１の金属により構成された支持板上に電極パッドを形成する電極パッド形成工程と、前記支持板をエッチングすることで、前記電極パッドと対向する部分の前記支持板に、前記電極パッドと接触すると共に、前記支持板と対向する側の前記電極パッドの面の外周部を露出する突出部を形成する突出部形成工程と、前記電極パッド、前記突出部、及び前記突出部が形成された側の前記支持板の面を覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層上に、前記電極パッドと接続される導電パターンを形成する導電パターン形成工程と、前記導電パターン形成工程後に、前記突出部が形成された前記支持板をエッチングにより除去することで、前記絶縁層に、前記支持板と対向する側の前記電極パッドの面の一部を露出すると共に、前記突出部に対応する形状の開口部を形成する支持板除去工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
【００１６】
本発明によれば、支持板をエッチングすることで、電極パッドと対向する部分の支持板に、電極パッドと接触すると共に、支持板と対向する側の電極パッドの面の外周部を露出する突出部を形成し、その後、電極パッド、突出部、及び突出部が形成された側の支持板の面を覆う絶縁層を形成することで、支持板と対向する側の電極パッドの面に絶縁層が形成されるため、電極パッドの側面と絶縁層の側面との間におけるデラミネーションの発生を抑制することが可能となるので、配線基板の信頼性を向上させることができる。
【００１７】
本発明のその他の観点によれば、第１の金属により構成された支持板上に、突出部用金属層を形成する突出部用金属層形成工程と、前記突出部用金属層上に、電極パッドを形成する電極パッド形成工程と、前記突出部用金属層をエッチングして突出部を形成すると共に、該突出部と接触する前記電極パッドの面の外周部を露出させる突出部形成工程と、前記突出部形成工程後に、前記突出部、前記電極パッド、及び前記突出部が形成された側の前記支持板の面を覆う絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、前記絶縁層上に、前記電極パッドと接続される導電パターンを形成する導電パターン形成工程と、前記導電パターン形成工程後に、前記支持板をエッチングにより除去する支持板除去工程と、前記支持板除去工程後に、前記突出部を除去することにより、前記絶縁層に、前記突出部と接触する側の前記電極パッドの面の一部を露出すると共に、突出部の形状に対応する形状の開口部を形成する突出部除去工程と、を含むことを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
【００１８】
本発明によれば、第１の金属により構成された支持板上に、突出部用金属層を形成し、次いで、突出部用金属層上に電極パッドを形成し、次いで、突出部用金属層をエッチングして突出部を形成すると共に、突出部と接触する電極パッドの面の外周部を露出させ、その後、突出部、電極パッド、及び突出部が形成された側の前記支持板の面を覆う絶縁層を形成することにより、突出部と接触する側に形成された第１の金属層の面の外周部に絶縁層が形成されるため、電極パッドの側面と絶縁層の側面との間におけるデラミネーションの発生を抑制することが可能となるので、配線基板の信頼性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、電極パッドの側面と絶縁層の側面との間におけるデラミネーションの発生を抑制することで、配線基板の信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
次に、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。
【００２１】
（第１の実施の形態）
図２は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【００２２】
図２を参照するに、第１の実施の形態の半導体装置１０は、配線基板１１と、電子部品１３とを有する。配線基板１１は、積層された絶縁層２１，２２，２３と、電極パッド２５と、導電パターン２７，２８と、ビア３１と、外部接続用パッド３２と、ソルダーレジスト層３４とを有する。
【００２３】
絶縁層２１は、絶縁層２２の面２２Ａに積層されている。絶縁層２１には、電極パッド２５及び導電パターン２７の構成要素の１つであるビア部４４が内設されている。絶縁層２１は、開口部３７，３８を有する。開口部３７は、絶縁層２２の面２２Ａと接触する側とは反対側に位置する部分の絶縁層２１に形成されている。開口部３７は、電極パッド２５を構成する金属層４１の面４１Ａ（電極パッド２５の第２の面）の一部（電子部品１３と電気的に接続された外部接続端子１２が配設される部分）を露出している。開口部３７には、配線基板１１と電子部品１３とを電気的に接続する外部接続端子１２（例えば、はんだやＡｕバンプ等）が配設されている。絶縁層２１は、金属層４１の面４１Ａの外周部を覆うように設けられている。
【００２４】
このように、外部接続端子１２が配設される側の電極パッド２５の面（具体的には、金属層４１の面４１Ａ）の外周部を絶縁層２１で覆うことにより、電極パッド２５の側面と絶縁層２１の側面との間におけるデラミネーションの発生を抑制することが可能となるため、配線基板１１の信頼性を向上させることができる。
【００２５】
絶縁層２１により覆われた金属層４１の面４１Ａの外周部の幅は、例えば、０．１〜６μｍ（好適には、例えば、１〜３μｍ）とすることができる。
【００２６】
開口部３７は、電極パッド２５から電子部品１３に向かうにつれて幅広形状とされている。このように、開口部３７の形状を、電極パッド２５から電子部品１３に向かうにつれて（絶縁層２１の面２１Ａ側に向かうにつれて）幅広形状とすることにより、開口部３７に容易に外部接続端子１２を配設することができる。
【００２７】
金属層４１の直径が１００μｍの場合、金属層４１と接触している部分の開口部３７の直径は、例えば、８０〜９０μｍとすることができる。開口部３７の深さは、例えば、１〜３０μｍ（好適には、例えば、２０μｍ）とすることができる。
【００２８】
開口部３８は、絶縁層２２と接触する側に位置する部分の絶縁層２１に設けられている。開口部３８は、電極パッド２５を構成する金属層４２の面４２Ａ（電極パッド２５の第１の面）を露出している。
【００２９】
絶縁層２２は、絶縁層２１と絶縁層２３との間に配置されている。絶縁層２２は、絶縁層２１の面２２Ｂと絶縁層２３の面２３Ａと接触している。絶縁層２２には、導電パターン２７を構成する配線部４５及び導電パターン２８を構成するビア部４８が内設されている。絶縁層２２は、配線部４５の一部を露出する開口部４７を有する。
【００３０】
絶縁層２３は、絶縁層２２の面２２Ｂに設けられている。絶縁層２３には、配線部４９及びビア３１が内設されている。絶縁層２３は、配線部４９の一部を露出する開口部５２を有する。
【００３１】
上記構成とされた絶縁層２１〜２３としては、例えば、樹脂層を用いることができる。この場合、樹脂層の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂等を用いることができる。
【００３２】
電極パッド２５は、外部接続端子１２と接続される金属層４１（第１の金属層）と、導体パターン２７と接続される金属層４２（第２の金属層）とが積層された構成とされている。金属層４１としては、例えば、Ａｕ層（例えば、厚さ０．００５μｍ以上（好適には、例えば、０．０４μｍ））を用いることができる。金属層４２としては、例えば、Ｎｉ層（例えば、厚さ１〜１０μｍ以上（好適には、例えば、５μｍ））を用いることができる。なお、金属層４１としてＡｕ層、金属層４２としてＮｉ層を用いた場合、金属層４１と金属層４２との間にＰｄ層（例えば、厚さ０．００５μｍ以上）を設けてもよい。電子部品１３を実装するパッドとして電極パッド２５を使用する場合、電極パッド２５の直径は、例えば、５０〜１５０μｍとすることができる。
【００３３】
導電パターン２７は、ビア部４４と、ビア部４４と一体的に構成された配線部４５とを有する。ビア部４４は、開口部３８に設けられている。ビア部４４は、金属層４２と接続されている。配線部４５は絶縁層２１の面２１Ｂに設けられている。導電パターン２７を構成する金属材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００３４】
導電パターン２８は、ビア部４８と、ビア部４８と一体的に構成された配線部４９とを有する。ビア部４８は、開口部３８に設けられている。ビア部４８は、配線部４５と接続されている。配線部４９は絶縁層２２の面２２Ｂに設けられている。導電パターン２８を構成する金属材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００３５】
ビア３１は、開口部５２に設けられている。ビア３１は、配線部４９と接続されている。ビア３１は、外部接続用パッド３２と一体的に構成されている。
【００３６】
外部接続端用パッド３２は、絶縁層２３の面２３Ｂに設けられており、ビア３１と接続されている。外部接続用パッド３２は、接続面３２Ａを有する。外部接続端用パッド３２は、例えば、マザーボード等の実装基板と電気的に接続されるパッドである。実装基板と接続するためのパッドとして外部接続端用パッド３２を用いる場合、外部接続端用パッド３２の直径は、例えば、２００μｍ〜１０００μｍとすることができる。
【００３７】
上記構成とされたビア３１及び外部接続端用パッド３２の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００３８】
ソルダーレジスト層３４は、絶縁層２３の面２３Ｂに設けられている。ソルダーレジスト層３４は、外部接続端用パッド３２の接続面３２Ａを露出する開口部３４Ａを有する。
【００３９】
電子部品１３は、外部接続端子１２を介して、配線基板１１に設けられた電極パッド２５に実装されている。電子部品１３としては、例えば、半導体チップを用いることができる。
【００４０】
本実施の形態の配線基板によれば、外部接続端子１２が配設される側の電極パッド２５の面（具体的には、金属層４１の面４１Ａ）の外周部を絶縁層２１で覆うことにより、電極パッド２５の側面と絶縁層２１の側面との間におけるデラミネーションの発生を抑制することが可能となるため、配線基板１１の信頼性を向上させることができる。
【００４１】
また、本実施の形態の半導体装置によれば、上記構成とされた配線基板１１を備えることにより、配線基板１１と電子部品１３との間の電気的接続信頼性を向上させることができる。
【００４２】
図３〜図１２は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図である。図３〜図１２において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００４３】
図３〜図１２を参照して、第１の実施の形態の半導体装置１０の製造方法について説明する。始めに、図３に示す工程では、第１の金属により構成された支持板５５の面５５Ａに、開口部５６Ａ有したレジスト膜５６を形成する。このとき、開口部５６Ａは、電極パッド２５の形成領域に対応する部分の支持板５５の面５５Ａを露出するように形成する。支持板５５としては、例えば、金属箔や金属板等を用いることができる。第１の金属としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。第１の金属としてＣｕを用いた場合、支持板５５の厚さは、例えば、３５〜２５０μｍとすることができる。
【００４４】
次いで、図４に示す工程では、支持板５５を給電層とする電解めっき法により、開口部５６Ａに露出された部分の支持板５５の面５５Ａに、金属層４１（第１の金属層）と、金属層４２（第２の金属層）とを順次積層させることにより、電極パッド２５を形成する（電極パッド形成工程）。なお、金属層４１を形成する工程が、第１の金属層形成工程であり、金属層４２を形成する工程が、第２の金属層形成工程である。
【００４５】
金属層４１としては、例えば、Ａｕ層（例えば、厚さ０．００５μｍ以上）を用いることができる。金属層４１としてＡｕ層を用いる場合、金属層４２としては、例えば、Ｎｉ層（例えば、厚さ１〜１０μｍ以上）を用いることができる。
【００４６】
電極パッド２５に電子部品１３を実装する場合、電極パッド２５の直径は、例えば、５０〜１５０μｍとすることができる。なお、金属層４１としてＡｕ層、金属層４２としてＮｉ層を用いた場合、金属層４１と金属層４２との間に、電解めっき法により、Ｐｄ層（例えば、厚さ０．００５μｍ以上（好適には、例えば、０．０２μｍ））を形成してもよい。
【００４７】
次いで、図５に示す工程では、図４に示すレジスト膜５６を除去する。次いで、図６に示す工程では、図５に示す支持板５５のうち、電極パッド２５が形成された側に位置する部分の支持板５５をエッチングすることで、支持板５５の面５５Ａを後退させて、金属層４１の面４１Ａと接触すると共に、金属層４１の面４１Ａの外周部を露出する突出部５８を形成する（突出部形成工程）。
【００４８】
具体的には、第１の金属からなる支持板５５を選択的にエッチングするエッチング液（金属層４１，４２がエッチングされないエッチング液）を用いて、支持板５５をエッチングする。
【００４９】
このように、電極パッド２５をマスクとして等方性のウエットエッチングを行うことにより、支持板５５に対するエッチング液によるサイドエッチングやアンダーカットにより、突出部５８から金属層４１の面４１Ａの外周部を露出させることができる。
【００５０】
また、支持板５５を選択的にエッチングすることにより、電極パッド２５がエッチングされることを防止できる。
【００５１】
突出部５８の形状は、電極パッド２５から支持板５５に向かうにつれて幅広となるような形状とされている。突出部５８の形状は、例えば、円錐台形状とすることができる。なお、この場合、実際には、円錐台の側面が、円錐台の軸方向に突出した曲面形状となる。突出部５８の形状は、先に説明した開口部３７（図２参照）と略等しい形状とされている。
【００５２】
金属層４１の直径が１００μｍの場合、金属層４１と接触している部分の突出部５８の直径は、例えば、８０〜９０μｍとすることができる。この場合、突出部５８の高さは、例えば、１〜３０μｍとすることができる。
【００５３】
次いで、図７に示す工程では、電極パッド２５、突出部５８、及び支持板５５の面５５Ａ（突出部５８が形成された側の支持板５５の面）を覆うように、開口部３８を有した絶縁層２１を形成する（絶縁層形成工程）。
【００５４】
具体的には、絶縁層２１は、エポキシやポリイミド等の樹脂フィルムの積層や、樹脂を塗布することで形成する。
【００５５】
これにより、外部接続端子１２が配設される側の電極パッド２５の面（具体的には、金属層４１の面４１Ａ）の外周部が絶縁層２１で覆われるため、電極パッド２５の側面と絶縁層２１の側面との間におけるデラミネーションの発生を抑制することが可能となり、配線基板１１の信頼性を向上させることができる。
【００５６】
絶縁層２１に覆われた金属層４１の面４１Ａの外周部の幅は、例えば、０．１〜６μｍ（好適には、例えば、１〜３μｍ）とすることができる。
【００５７】
開口部３８は、金属層４２の面４２Ａと対向する部分の絶縁層２１に、金属層４２の面４２Ａを露出するように形成する。開口部３８は、例えば、レーザ加工により形成することができる。支持板５５の面５５Ａに設けられた部分の絶縁層２１の厚さは、例えば、５５〜６０μｍとすることができる。
【００５８】
次いで、図８に示す工程では、セミアディティブ法により、開口部３８及び絶縁層２１の面２１Ｂに、導体パターン２７を形成する（導体パターン形成工程）。これにより、開口部３８に形成されたビア部４４は、第２の金属層４２と接続される。ビア部４４は、突出部５８が形成されていない側の電極パッド２５と対向する部分の絶縁層２１を貫通している。導電パターン２７の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。
【００５９】
次いで、図９に示す工程では、先に説明した図７及び図８に示す工程と同様な処理を繰り返し行うことで、絶縁層２２，２３、導体パターン２８、ビア３２、及び外部接続用パッド３２を形成する。絶縁層２２，２３としては、例えば、樹脂層を用いることができる。この場合、樹脂層の材料としては、例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂を用いることができる。絶縁層２２，２３として樹脂層を用いた場合、絶縁層２２，２３の厚さは、例えば、２５〜４０μｍとすることができる。導体パターン２８、ビア３１、及び外部接続用パッド３２の材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。外部接続端用パッド３２の形状が円形の場合、外部接続端用パッド３２の直径は、例えば、２００μｍ〜１０００μｍとすることができる。
【００６０】
次いで、図１０に示す工程では、周知の手法により、絶縁層２３の面２３Ｂに、外部接続用パッド３２の接続面３２Ａを露出する開口部３４Ａを有したソルダーレジスト層３４を形成する。これにより、支持板５５に、配線基板１１に相当する構造体が形成される。
【００６１】
次いで、図１１に示す工程では、図１０に示す突出部５８が形成された支持板５５をエッチングにより除去することで、絶縁層２１に、金属層４１の面４１Ａを露出すると共に、突出部５８の形状に対応する形状とされた開口部３７を形成する（支持板除去工程）。
【００６２】
具体的には、支持板５５を選択的にエッチングするエッチング液（電極パッド２５をエッチングしないエッチング液）を用いて、突出部５８が形成された支持板５５を除去する。これにより、第１の実施の形態の配線基板１１が製造される。開口部３７の深さは、例えば、１〜３０μｍ（好適には、例えば、２０μｍ）とすることができる。
【００６３】
次いで、図１２に示す工程では、外部接続端子１２を介して、配線基板１１の電極パッド２５（具体的には、金属層４１）に電子部品１３を実装する。これにより、電子部品１３と、配線基板１１とを備えた第１の実施の形態の半導体装置１０が製造される。
【００６４】
本実施の形態の配線基板の製造方法によれば、支持板５５をエッチングして、電極パッド２５と対向する部分の支持板５５に、電極パッド２５と接触すると共に、支持板５５と対向する側の電極パッド２５の面（具体的には、金属層４１の面４１Ａ）の外周部を露出する突出部５８を形成し、その後、電極パッド２５、突出部５８、及び突出部５８が形成された側の支持板５５の面５５Ａを覆うように絶縁層２１を形成することで、支持板５５と対向する側の電極パッド２５の面（具体的には、金属層４１の面４１Ａ）に絶縁層２１が形成されるため、電極パッド２５の側面と絶縁層２１の側面との間におけるデラミネーションの発生を抑制することが可能となり、配線基板１１の信頼性を向上させることができる。
【００６５】
図１３〜図１６は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の他の製造工程を示す図である。図１３〜図１６において、図４に示す構造体及び第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００６６】
図１３〜図１６を参照して、第１の実施の形態に係る半導体装置１０の他の製造方法について説明する。始めに、先に説明した図３に示す工程と同様な処理を行うことで、図３に示す構造体を形成する。
【００６７】
次いで、図１３に示す工程では、電極パッド２５を形成する前に、電極パッド２５の形成領域に対応する部分の支持板５５の面５５Ａに、第１の金属（支持板５５を構成する金属）により構成された高さ調整層６１を形成する（高さ調整層形成工程）。
【００６８】
高さ調整層６１は、例えば、支持板５５を給電層とする電解めっき法により形成することができる。第１の金属としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。第１の金属としてＣｕを用いる場合、高さ調整層６１としては、例えば、Ｃｕ層（例えば、厚さ５〜１５μｍ）を用いることができる。
【００６９】
次いで、図１４に示す工程では、先に説明した図４に示す工程と同様な処理を行うことで、高さ調整層６１の面６１Ａに、金属層４１と、金属層４２とを順次形成する。
【００７０】
次いで、図１５に示す工程では、図１４に示すレジスト膜５６を除去する。次いで、図１６に示す工程では、電極パッド２５が形成された側に位置する部分の支持板５５及び高さ調整層６１をエッチングすることで、支持板５５の面５５Ａ及び高さ調整層６１の側壁を後退させて、金属層４１の面４１Ａと接触すると共に、金属層４１の面４１Ａの外周部を露出する突出部６２を形成する（突出部形成工程）。突出部６２は、支持板５５の一部と、エッチング後に残った高さ調整層６１とにより構成されている。
【００７１】
突出部形成工程では、具体的には、第１の金属からなる支持板５５及び高さ調整層６１を選択的にエッチングするエッチング液（金属層４１，４２をエッチングしないエッチング液）を用いて、支持板５５及び高さ調整層６１をエッチングする。
【００７２】
その後、先に説明した図７〜図１２に示す工程と同様な処理を行うことにより、第１の実施の形態の半導体装置１０が製造される。
【００７３】
本実施の形態に係る半導体装置の他の製造方法によれば、電極パッド２５と支持板５５との間に、第１の金属により構成された高さ調整層６１を形成し、次いで、高さ調整層６１に電極パッド２５を形成し、その後、電極パッド２５が形成された側に位置する部分の支持板５５及び高さ調整層６１をエッチングすることにより、突出部６２を形成する際に必要な支持板５５のエッチング量を少なくすることが可能となる（エッチング時間を短縮することが可能となる）ため、高さ調整層６１を形成しない場合と比較して、配線基板１１の製造コストを低減することができる。
【００７４】
図１７は、第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置の断面図である。図１７において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００７５】
図１７を参照するに、第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置６５は、第１の実施の形態の半導体装置１０に設けられた配線基板１１の代わりに配線基板６６を設けた以外は、半導体装置１０と同様に構成される。
【００７６】
配線基板６６は、配線基板１１に設けられた電極パッド２５、導電パターン２７，２８ビア３１、及び外部接続用パッド３２の配設位置を、絶縁層２１の面２１Ａ方向において、異ならせた以外は、配線基板１１と同様に構成される。
【００７７】
配線基板６６では、電子部品１３を実装するパッドとして外部接続用パッド３２が使用されると共に、マザーボード等の実装基板（図示せず）と電気的に接続されるパッドとして電極パッド２５を利用している。
【００７８】
この場合、外部接続用パッド３２の直径は、例えば、５０〜１５０μｍとすることができる。また、電極パッド２５の直径は、例えば、２００〜１０００μｍとすることができる。
【００７９】
上記構成とされた第１の実施の形態の変形例に係る配線基板６６は、第１の実施の形態の配線基板１１と同様な効果を得ることができる。また、第１の実施の形態の変形例に係る配線基板６６は、第１の実施の形態の配線基板１１と同様な手法により製造することができ、第１の実施の形態の配線基板１１の製造方法と同様な効果を得ることができる。
【００８０】
なお、上記説明した半導体装置１０，６５では、実装基板（図示せず）と接続される側のパッド自体が外部接続端子として機能するＬＧＡ（Land Grid Array）構造の半導体装置を例に挙げて説明したが、半導体装置１０、６５のパッドにはんだボールを接合させて、半導体装置１０，６５をＢＧＡ（Ball Grid Array）として用いてもよいし、半導体装置１０、６５のパッドにピンを接合させて、半導体装置１０，６５をＰＧＡ（Pin Grid Array）として用いてもよい。
【００８１】
（第２の実施の形態）
図１８は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図１８において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００８２】
図１８を参照するに、第２の実施の形態の半導体装置７０は、第１の実施の形態の半導体装置１０に設けられた配線基板１１の代わりに配線基板７１を設けた以外は、半導体装置１０と同様に構成される。
【００８３】
配線基板７１は、配線基板１１に設けられた電極パッド２５の代わりに、電極パッド７３を設けた以外は、配線基板１１と同様に構成される。
【００８４】
電極パッド７３は、電極パッド２５の構成に、さらに電極パッド２５に設けられた金属層４２（第２の金属層）の面４２Ａを覆う金属層７５（第３の金属層）を設けた以外は、電極パッド２５と同様に構成される。
【００８５】
金属層７５の面７５Ａ（金属層４２と接触する面とは反対側に位置する金属層７５の面）は、絶縁層２１に形成された開口部３８から露出されている。金属層７５は、開口部３８に設けられた導電パターン２７（具体的には、ビア部４４）と接続されている。これにより、電極パッド７３は、電子部品１３と導電パターン２７との間を電気的に接続している。
【００８６】
金属層７５は、導電パターン２７を構成する金属と同じ金属（具体的には、第１の実施の形態で説明した第１の金属）により構成されている。また、金属層７５としては、金属層４２よりも酸化されにくい金属で構成されていることが好ましい。導電パターン２７を構成する金属がＣｕの場合、金属層７５を構成する金属材料としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。金属層７５を構成する金属材料としてＣｕを用いる場合、金属層７５の厚さは、例えば、１０〜２０μｍ（好適には、例えば、１５μｍ）とすることができる。なお、Ｃｕは、Ｎｉよりも酸化されにくい金属材料である。
【００８７】
このように、金属層４２の面４２Ａに、金属層４２よりも酸化されにくい金属層７５を設け、金属層７５と導電パターン２７を構成するビア部４４とを接続することにより、電極パッド７３と導電パターン２７との間の電気的な接続信頼性を向上させることができる。
【００８８】
また、導電パターン２７を構成する金属がＣｕの場合、金属層７５を構成する金属材料としてＣｕを用いることにより、ビア部４４と金属層７５との間の密着性が向上するため、電極パッド７３と導電パターン２７との間の電気的な接続信頼性をさらに向上させることができる。
【００８９】
上記構成とされた電極パッド７３を、電子部品１３を実装するパッドとして使用する場合、電極パッド７３の直径は、例えば、５０μｍ〜１５０μｍとすることができる。この場合、外部接続用パッド３２には、マザーボード等の実装基板（図示せず）が接続され、外部接続用パッド３２の直径は、例えば、２００μｍ〜１０００μｍとすることができる。
【００９０】
また、マザーボード等の実装基板（図示せず）を接続するパッドとして電極パッド７３を使用する場合、電極パッド７３の直径は、例えば、２００μｍ〜１０００μｍとすることができる。この場合、外部接続用パッド３２には、電子部品１３が実装され、外部接続用パッド３２の直径は、例えば、５０μｍ〜１５０μｍとすることができる。
【００９１】
本実施の形態の配線基板によれば、金属層４２の面４２Ａに、金属層４２よりも酸化されにくい金属層７５を設けて、金属層７５と導電パターン２７を構成するビア部４４とを接続することにより、電極パッド７３と導電パターン２７との間の電気的な接続信頼性を向上させることができる。
【００９２】
なお、本実施の形態において、金属層４１としてＡｕ層を用い、金属層４２としてＮｉ層を用いた場合には、金属層４１と金属層４２との間に、Ｐｄ層を設けてもよい。この場合、Ｐｄ層の厚さは、例えば、０．００５μｍ以上（好適には、例えば、０．０２μｍ）とすることができる。
【００９３】
図１９〜図２５は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図である。図１９〜図２５において、第２の実施の形態の半導体装置７０と同一構成部分には同一符号を付す。
【００９４】
図１９〜図２５を参照して、第２の実施の形態の半導体装置７０の製造方法について説明する。始めに、第１の実施の形態で説明した図３及び図４に示す工程と同様な処理を行うことで、図４に示す構造体を形成する（第１の金属層形成工程及び第２の金属層形成工程を含む工程）。
【００９５】
次いで、図１９に示す工程では、第１の金属により構成された支持板５５を給電層とする電解めっき法により、金属層４２の面４２Ａに、第１の金属により構成されると共に、金属層４２よりも酸化されにくい金属層７５（第３の金属層）を形成する（第３の金属層形成工程）。
【００９６】
上記第３の金属層形成工程では、後述する図２１に示す工程（突出部形成工程）後に、金属層７５が金属層４２の面４２Ａを覆う厚さとなるように（言い換えれば、第３の金属層形成工程では、図１８に示す金属層７５の厚さよりも厚くなるように）、金属層７５を形成する。つまり、突出部形成工程における金属層７５のエッチング量を考慮して、図１８に示す金属層７５の厚さに上記エッチング量を加算した厚さとなるように、金属層７５を形成する。第１の金属がＣｕの場合、金属層７５の厚さは、例えば、３０〜５０μｍとすることができる。
【００９７】
このように、突出部形成工程における金属層７５のエッチング量を考慮して、図１８に示す金属層７５の厚さよりも厚くなるように金属層７５を形成することにより、金属層７５と導電パターン２７のビア部４４とを確実に接続させることが可能となるため、金属層７５と導電パターン２７との間の電気的接続信頼性を向上させることができる。
【００９８】
また、導電パターン２７及び金属層７５を構成する金属材料として、Ｃｕを用いることにより、金属層７５と導電パターン２７との間の電気的接続信頼性をさらに向上させることができる。
【００９９】
次いで、図２０に示す工程では、図１９に示すレジスト膜５６を除去する。次いで、図２１に示す工程では、第１の実施の形態で説明した図６に示す工程と同様な処理を行うことで、図２０に示す支持板５５のうち、電極パッド７３が形成された側に位置する部分の支持板５５をエッチングすることで、支持板５５の面５５Ａを後退させて、金属層４１の面４１Ａと接触すると共に、金属層４１の面４１Ａの外周部を露出する突出部５８を形成する（突出部形成工程）。
【０１００】
このとき、支持板５５と同じ第１の金属により構成された金属層７５もエッチングされるが、先に説明した図１９に示す工程において、予め金属層７５のエッチング量を考慮して金属層７５の厚さを厚くしているため、金属層７５が形成された金属層４２の面４２Ａが露出することはない。
【０１０１】
また、金属層７５の厚さが薄くなることで、金属層４１，４２，７５により構成された電極パッド７３が形成される（図４及び図１９〜図２１に示す工程が、「電極パッド形成工程」に相当する工程）。
【０１０２】
金属層７５を構成する金属材料としてＣｕを用いた場合、突出部形成工程後の金属層７５の厚さは、例えば、１０μｍ〜２０μｍ（好適には、例えば、１５μｍ）とすることができる。
【０１０３】
次いで、図２２に示す工程では、電極パッド７３、突出部５８、及び支持板５５の面５５Ａ（突出部５８が形成された側の支持板５５の面）を覆うように、開口部３８を有した絶縁層２１を形成する（絶縁層形成工程）。
【０１０４】
これにより、外部接続端子１２が配設される側の電極パッド７３の面（具体的には、金属層４１の面４１Ａ）の外周部が絶縁層２１で覆われるため、電極パッド７３の側面と絶縁層２１の側面との間におけるデラミネーションの発生を抑制することが可能となり、配線基板７１の信頼性を向上させることができる。
【０１０５】
支持板５５の面５５Ａに設けられた絶縁層２１の厚さは、例えば、６５〜７５μｍとすることができる。
【０１０６】
次いで、図２３に示す工程では、第１の実施の形態で説明した図８〜図１０に示す工程（「導電パターン形成工程」を含む）と同様な処理を行うことにより、導電パターン２７，２８、ビア３１、外部接続用パッド３２、及びソルダーレジスト層３４を形成する。これにより、支持板５５に配線基板７１に相当する構造体が形成される。
【０１０７】
次いで、図２４に示す工程では、第１の実施の形態で説明した図１１に示す工程と同様な処理を行うことで、突出部５８が形成された支持板５５を除去することで、絶縁層２１に、金属層４１の面４１Ａを露出すると共に、突出部５８の形状に対応する形状とされた開口部３７を形成する（支持板除去工程）。これにより、第２の実施の形態の配線基板７１が製造される。
【０１０８】
次いで、図２５に示す工程では、外部接続端子１２を介して、配線基板１１の電極パッド７３（具体的には、金属層４１）に電子部品１３を実装する。これにより、電子部品１３と、配線基板７１とを備えた第２の実施の形態の半導体装置７０が製造される。
【０１０９】
本実施の形態の配線基板の製造方法によれば、支持板５５に第１の金属とは異なる金属により構成された金属層４１を形成し、次いで、金属層４１に第１の金属とは異なる金属により構成された金属層４２を形成し、次いで、金属層４２の面４２Ａに、突出部形成工程後に金属層７５の厚さが金属層４２の面４２Ａを覆う厚さとなるように、第１の金属により構成されると共に、金属層４２よりも酸化されにくい金属層７５を形成することにより、突出部形成工程後に、電極パッド７３の構成要素の１つである金属層７５と導電パターン２７とを接続することが可能となるため、電極パッド７３と導電パターン２７との間の電気的接続信頼性を向上させることができる。
【０１１０】
図２６〜図３１は、本発明の第２の実施の形態の半導体装置の他の製造工程を示す図である。図２６〜図３１において、第２の実施の形態の半導体装置７０と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１１１】
図２６〜図３１を参照して、第２の実施の形態の半導体装置７０の他の製造方法について説明する。始めに、第１の実施の形態で説明した図３及び図４に示す工程と同様な処理を行うことで、図４に示す構造体を形成する（「第１の金属層形成工程」及び「第２の金属層形成工程」を含む工程）。
【０１１２】
次いで、図２６に示す工程では、第１の金属により構成された支持板５５を給電層とする電解めっき法により、金属層４２の面４２Ａに、第１の金属により構成されると共に、金属層４２よりも酸化されにくい金属層７５（第３の金属層）を形成する（第３の金属層形成工程）。これにより、支持板５５の面５５Ａに、金属層４１，４２，７５により構成された電極パッド７３が形成される（図４及び図２６に示す工程が、「電極パッド形成工程」に相当する工程）。
【０１１３】
第１の金属としては、例えば、Ｃｕを用いることができる。金属層７５の金属材料としてＣｕを用いた場合、金属層７５の厚さは、例えば、１０μｍ〜２０μｍ（好適には、例えば、１５μｍ）とすることができる。
【０１１４】
次いで、図２７に示す工程では、金属層７５の面７５Ａに、後述する図２９に示す工程（突出部形成工程）において支持板５５をエッチングする際に金属層７５がエッチングされることを防止する保護層７８を形成する（保護層形成工程）。
【０１１５】
保護層７８は、例えば、支持板５５を給電層とする電解めっき法により形成することができる。保護層７８は、第１の金属とは異なる金属材料により構成されている。保護層７８としては、例えば、めっき法により形成されたＳｎ層やＳｎ−Ｐｂ層等を用いることができる。この場合、保護層７８の厚さは、例えば、１〜５μｍとすることができる。
【０１１６】
次いで、図２８に示す工程では、図２７に示すレジスト膜５６を除去する。次いで、図２９に示す工程では、図２８に示す支持板５５のうち、電極パッド７３が形成された側に位置する部分の支持板５５をエッチングすることで、支持板５５の面５５Ａを後退させて、金属層４１の面４１Ａと接触すると共に、金属層４１の面４１Ａの外周部を露出する突出部５８を形成する（突出部形成工程）。
【０１１７】
具体的には、第１の金属からなる支持板５５を選択的にエッチングするエッチング液（金属層４１，４２及び保護層７８をエッチングしないエッチング液）を用いて、支持板５５をエッチングする。
【０１１８】
このように、電極パッド７３をマスクとして等方性のウエットエッチングを行うことにより、支持板５５に対するエッチング液によるサイドエッチングやアンダーカットにより、突出部５８から金属層４１の面４１Ａの外周部を露出させることができる。
【０１１９】
また、第１の金属（支持板５５を構成する金属）により構成された金属層７５の面７５Ａに、第１の金属とは異なる金属により構成された保護層７８を形成した後、支持板５５をエッチングして支持板５５に突出部５８を形成することにより、突出部形成工程において金属層７５がエッチングされることを防止できる。
【０１２０】
次いで、図３０に示す工程では、図２９に示す保護層７８のみをエッチングするエッチング液（例えば、フッ素−過水系のエッチング液）を用いて、保護層７８を除去する（保護層除去工程）。これにより、金属層７５の面７５Ａが露出される。
【０１２１】
次いで、図３１に示す工程では、電極パッド７３、突出部５８、及び支持板５５の面５５Ａ（突出部５８が形成された側の支持板５５の面）を覆うように、開口部３８を有した絶縁層２１を形成する（絶縁層形成工程）。
【０１２２】
これにより、外部接続端子１２が配設される側の電極パッド７３の面（具体的には、金属層４１の面４１Ａ）の外周部が絶縁層２１で覆われるため、電極パッド７３の側面と絶縁層２１の側面との間におけるデラミネーションの発生を抑制することが可能となり、配線基板７１の信頼性を向上させることができる。
【０１２３】
支持板５５の面５５Ａに設けられた絶縁層２１の厚さは、例えば、６５〜７５μｍとすることができる。
【０１２４】
上記絶縁層形成工程後、先に説明した図２３〜図２５に示す工程と同様な処理を行うことで、第２の半導体装置７０が製造される。
【０１２５】
本実施の形態の半導体装置の他の製造方法によれば、第１の金属（支持板５５を構成する金属）により構成された金属層７５の面７５Ａに、第１の金属とは異なる金属により構成された保護層７８を形成した後、支持板５５をエッチングして支持板５５に突出部５８を形成することにより、突出部形成工程において金属層７５がエッチングされることを防止できる。
【０１２６】
また、本実施の形態の半導体装置の他の製造方法は、第２の実施の形態の半導体装置の製造方法と同様な効果を得ることができる。
【０１２７】
図３２〜図３９は、本発明の第２の実施の形態の半導体装置のその他の製造工程を示す図である。図３２〜図３９において、第２の実施の形態の半導体装置７０と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１２８】
図３２〜図３９を参照して、第２の実施の形態の半導体装置７０のその他の製造方法について説明する。始めに、第１の実施の形態で説明した図３に示す工程と同様な処理を行うことで、図３に示す構造体を形成する。
【０１２９】
次いで、図３２に示す工程では、開口部５６Ａに露出された部分の支持板５５の面５５Ａに、突出部用金属層８１を形成する（突出部用金属層形成工程）。
【０１３０】
具体的には、支持板５５を給電層とする電解めっき法により、突出部用金属層８１を形成する。突出部用金属層８１としては、例えば、めっき法により形成されたＳｎ層やＳｎ−Ｐｂ層等を用いることができる。この場合、突出部用金属層８１の高さは、例えば、１〜３０μｍ（好適には、例えば、２０μｍ）とすることができる。
【０１３１】
次いで、図３３に示す工程では、先に説明した図４及び図２６に示す工程と同様な手法により、金属層４１と、金属層４２と、金属層７５とを順次積層させることで、電極パッド７３を形成する（電極パッド形成工程）。
【０１３２】
次いで、図３４に示す工程では、図３３に示すレジスト膜５６を除去する。次いで、図３５に示す工程では、突出部用金属層８１をエッチングすることで、突出部用金属層８１と接触する側に形成された第１の金属層４１の面４１Ａの外周部を露出させる突出部８１−１を形成する（突出部形成工程）。具体的には、突出部用金属層８１のみをエッチングするエッチング液（例えば、フッ素−過水系エッチング液）を用いて、突出部８１−１を形成する。
【０１３３】
このように、電極パッド７３をマスクとして等方性のウエットエッチングを行うと、突出部用金属層８１に対するエッチング液によるサイドエッチングやアンダーカットにより、突出部８１−１から金属層４１の面４１Ａの外周部を露出させることができる。
【０１３４】
突出部８１−１の形状は、例えば、円錐台形状とすることができる。なお、この場合、実際には、円錐台の側面が、円錐台の軸方向に突出した曲面形状となる。
【０１３５】
また、突出部用金属層８１のみをエッチングするエッチング液を用いることにより、電極パッド７３がエッチングされることを防止できる。
【０１３６】
金属層４１の直径が１００μｍの場合、金属層４１と接触している部分の突出部８−１の直径は、例えば、８０〜９０μｍとすることができる。
【０１３７】
次いで、図３６に示す工程では、エッチングされた突出部８１−１、電極パッド７３、及び突出部８１−１が形成された側の支持板５５の面５５Ａを覆うように、開口部３８を有した絶縁層２１を形成する（絶縁層形成工程）。
【０１３８】
次いで、図３７に示す工程では、先に説明した図２３に示す工程（「導電パターン形成工程」を含む）と同様な処理を行うことにより、導電パターン２７，２８、ビア３１、外部接続用パッド３２、及びソルダーレジスト層３４を形成する。これにより、支持板５５に配線基板７１に相当する構造体が形成される。
【０１３９】
次いで、図３８に示す工程では、先に説明した図２４に示す工程と同様な処理を行うことで、支持板５５を除去する（支持板除去工程）。これにより、突出部８１−１が露出される。
【０１４０】
次いで、図３９に示す工程では、突出部８１−１を除去することにより、絶縁層２１に、突出部８１−１と接触する側の電極パッド７３の面の一部（具体的には、金属層４１の面４１Ａ）を露出すると共に、突出部８１−１に対応する形状とされた開口部３７を形成する（突出部除去工程）。これにより、配線基板７１が形成される。
【０１４１】
上記突出部除去工程後、先に説明した図２５に示す工程と同様な処理を行うことで、第２の半導体装置７０が製造される。
【０１４２】
本実施の形態の半導体装置のその他の製造方法によれば、電極パッド７３と支持板５５との間に突出部用金属層８１を形成し、電極パッド形成工程後に、突出部用金属層８１をエッチングして、金属層４１の面４１Ａの外周部を露出させる突出部８１−１を形成し、その後、突出部８１−１、電極パッド７３、及び突出部８１−１が形成された側の支持板５５の面５５Ａを覆う絶縁層２１を形成することにより、支持板５５をエッチングして開口部３７を形成する場合と比較して、開口部３７の深さばらつきを小さくすることができる。
【０１４３】
また、本実施の形態の半導体装置のその他の製造方法は、第２の実施の形態の半導体装置の製造方法と同様な効果を得ることができる。
【０１４４】
（第３の実施の形態）
図４０は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図４０において、第２の実施の形態の半導体装置７０と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１４５】
図４０を参照するに、第３の実施の形態の半導体装置８５は、第２の実施の形態の半導体装置７０に設けられた配線基板７１の代わりに、配線基板８６を設けた以外は半導体装置７０と同様に構成される。
【０１４６】
配線基板８６は、配線基板７１に設けられた電極パッド７３の代わりに、電極パッド８８を設けた以外は、配線基板７１と同様に構成される。
【０１４７】
電極パッド８８は、電極パッド７３に設けられた金属層４２（第２の金属層）の外周側面の位置を、金属層４１，７５（第１及び第３の金属層）の外周側面の位置よりも内側に配置した以外は、電極パッド７３と同様に構成される。
【０１４８】
このように、金属層４１と金属層７５との間に設けられた金属層４２の外周側面の位置を、金属層４１，７５の外周側面の位置よりも内側に配置することにより、電極パッド８８に絶縁層２１が充填された凹部８９が形成される。これにより、凹部８９に形成された部分の絶縁層２１により、電極パッド８８の位置が規制されるため、絶縁層２１にしっかりと電極パッド８８を配設することができる。
【０１４９】
また、凹部８９を形成することにより、絶縁層２１と電極パッド８８との間の接触面積が増加するため、絶縁層２１と電極パッド８８との間の密着性を向上させることができる。
【０１５０】
電極パッド７３に設けられた金属層４２の外周側面の位置から金属層４１，７５の外周側面の位置までの距離Ｂは、例えば、５〜２０μｍとすることができる。
【０１５１】
本実施の形態の配線基板によれば、金属層４１と金属層７５との間に設けられた金属層４２の外周側面の位置を、金属層４１，７５の外周側面の位置よりも内側に配置することで、凹部８９に形成された部分の絶縁層２１により、電極パッド８８の位置が規制されるため、絶縁層２１にしっかりと電極パッド８８を配設することができると共に、絶縁層２１と電極パッド８８との間の接触面積が増加するため、絶縁層２１と電極パッド８８との間の密着性を向上させることができる。
【０１５２】
図４１〜図４９は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図である。図４１〜図４９において、第３の実施の形態の半導体装置８５と同一構成部分には、同一符号を付す。
【０１５３】
図４１〜図４９を参照して、第３の実施の形態の半導体装置８５の製造方法について説明する。始めに、第１の実施の形態で説明した図３に示す工程と同様な処理を行うことで、図３に示す構造体を形成する。
【０１５４】
次いで、図４１に示す工程では、開口部５６Ａに露出された部分の支持板５５の面５５Ａに、金属層４２と同じ金属により構成された突出部用金属層９１を形成する（突出部用金属層形成工程）。
【０１５５】
具体的には、支持板５５を給電層とする電解めっき法により、突出部用金属層９１を形成する。金属層４２としてＮｉ層を用いる場合、突出部用金属層９１としては、例えば、Ｎｉ層を用いることができる。突出部用金属層９１の厚さは、例えば、１〜３０μｍ（好適には、例えば、２０μｍ）とすることができる。
【０１５６】
次いで、図４２に示す工程では、第２の実施の形態の図３３に示す工程と同様な処理を行うことで、突出部用金属層９１の面９１Ａに、金属層４１と、突出部用金属層９１と同じ金属材料で構成された金属層４２と、金属層７５とを順次積層させて、電極パッド８８を形成する。なお、この段階の電極パッド８８には、凹部８９が形成されていない。
【０１５７】
次いで、図４３に示す工程では、レジスト膜５６を除去する。次いで、図４４に示す工程では、突出部用金属層９１のみをエッチングするエッチング液（金属層４１，金属層７５及び支持板５５をエッチングしないエッチング液）を用いて、突出部用金属層９１をエッチングすることで、金属層４１の面４１Ａの外周部を露出させる突出部９１−１を形成する（突出部形成工程）。
【０１５８】
このように、電極パッド８８をマスクとして等方性のウエットエッチングを行うと、突出部用金属層９１に対するエッチング液によるサイドエッチングやアンダーカットにより、突出部９１−１から金属層４１の面４１Ａの外周部を露出させることができる。
【０１５９】
突出部９１−１の形状は、例えば、円錐台形状とすることができる。なお、この場合、実際には、円錐台の側面が、円錐台の軸方向に突出した曲面形状となる。
【０１６０】
上記突出部形成工程では、突出部用金属層９１と同じ金属材料で構成された金属層４２の側壁もエッチングされるため、凹部８９が形成される。これにより、凹部８９を有した電極パッド８８が形成される（電極パッド形成工程）。
【０１６１】
このように、突出部用金属層９１と金属層４２とを同じ金属材料により構成することで、１度のエッチングにより、金属層４１の面４１Ａの外周部を露出させる突出部９１−１と、凹部８９とを形成することが可能となるため、配線基板８６の製造コストを低減させることができる。
【０１６２】
次いで、図４５に示す工程では、突出部９１−１、電極パッド８８、及び突出部９１−１が形成された側の支持板５５の面５５Ａを覆う絶縁層２１を形成し、その後、金属層７５の面７５Ａと対向する部分の絶縁層２１に、金属層７５の面７５Ａを露出する開口部３８を形成する（絶縁層形成工程）。
【０１６３】
これにより、外部接続端子１２が配設される側の電極パッド８８の面（具体的には、金属層４１の面４１Ａ）の外周部が絶縁層２１で覆われるため、電極パッド８８の側面と絶縁層２１の側面との間におけるデラミネーションの発生を抑制することが可能となり、配線基板８６の信頼性を向上させることができる。
【０１６４】
また、凹部８９を充填するように絶縁層２１が形成されるため、電極パッド８８と絶縁層２１との密着性が向上すると共に、絶縁層２１内における電極パッド８８の位置を規制することができる。
【０１６５】
絶縁層２１に覆われた部分の金属層４１の面４１Ａの外周部の幅は、例えば、０．１〜６μｍ（好適には、１〜３μｍ）とすることができる。
【０１６６】
次いで、図４６に示す工程では、第２の実施の形態で説明した図２３に示す工程と同様な処理（「導電パターン形成工程」も含む）を行うことで、導電パターン２７，２８、ビア３１、外部接続用パッド３２、及びソルダーレジスト層３４を形成する。これにより、支持板５５に配線基板８６に相当する構造体が形成される。
【０１６７】
次いで、図４７に示す工程では、第２の実施の形態で説明した図２４に示す工程と同様な処理を行うことで、図４６に示す支持板５５を除去する（支持板除去工程）。
【０１６８】
次いで、図４８に示す工程では、突出部９１−１のみをエッチングするエッチング液により、図４７に示す突出部９１−１を除去する（突出部除去工程）。
【０１６９】
次いで、図４９に示す工程では、第２の実施の形態の図２５に示す工程と同様な処理を行うことで、第３の実施の形態の半導体装置８５が製造される。
【０１７０】
本実施の形態の配線基板の製造方法によれば、突出部用金属層９１と金属層４２とを同じ金属材料により構成することで、１度のエッチング（突出部形成工程でのエッチング）により、金属層４１の面４１Ａの外周部を露出させる突出部９１−１と、凹部８９とを形成することが可能となるため、配線基板８６の製造コストを低減させることができる。
【０１７１】
また、金属層４１の面４１Ａの外周部を突出部９１−１から露出させ、電極パッド８８に凹部８９を形成した後に、突出部９１−１、電極パッド８８、及び突出部９１−１が形成された側の支持板５５の面５５Ａを覆う絶縁層２１を形成することにより、凹部８９を充填するように絶縁層２１が形成されるため、電極パッド８８と絶縁層２１との密着性が向上すると共に、絶縁層２１内における電極パッド８８の位置を規制することができる。
【０１７２】
（第４の実施の形態）
図５０は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。図５０において、第１の実施の形態の半導体装置１０と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１７３】
図５０を参照するに、第４の実施の形態の半導体装置９５は、第１の実施の形態の半導体装置１０に設けられた配線基板１１の代わりに配線基板９６を設けた以外は、半導体装置１０と同様に構成される。
【０１７４】
配線基板９６は、配線基板１１に設けられた電極パッド２５の代わりに１層の金属層からなる電極パッド９８を設けた以外は、配線基板１１と同様に構成される。
【０１７５】
電極パッド９８は、絶縁層２１に内設されている。電極パッド９８の面９８Ａの一部は、開口部３８に露出されている。開口部３８に露出された部分の電極パッド９８は、導電パターン２７と接続されている。
【０１７６】
電極パッド９８の面９８Ｂ（外部接続端子１２が配設される側の電極パッド９８の面）の中央部は、開口部３７に露出されている。電極パッド９８の面９８Ｂの外周部は、絶縁層２１により覆われている。
【０１７７】
このように、外部接続端子１２が配設される側の電極パッド９８の面９８Ｂの外周部を絶縁層２１で覆うことにより、電極パッド９８の側面と絶縁層２１の側面との間におけるデラミネーションの発生を抑制することが可能となるため、配線基板９１の信頼性を向上させることができる。
【０１７８】
開口部３７に露出された部分の電極パッド９８は、外部接続端子１２を介して、電子部品１３と電気的に接続されている。
【０１７９】
電極パッド９８としては、例えば、Ｃｕ層を用いることができる。この場合、電極パッド９８の厚さは、例えば、１０〜２０μｍ（好適には、例えば、１５μｍ）とすることができる。
【０１８０】
このように、電極パッド９８としてＣｕ層を用いることにより、導電パターン２７を構成する金属材料がＣｕの場合、電極パッド９８と導電パターン２７との間の密着性を向上させることが可能となるため、電極パッド９８と導電パターン２７との間の電気的接続信頼性を向上させることができる。
【０１８１】
電子部品１３を実装するためのパッドとして電極パッド９８を使用する場合、電極パッド９８の直径は、例えば、５０〜１５０μｍとすることができる。また、電子部品１３を実装するためのパッドとして外部接続用パッド３２を用いると共に、実装基板と接続するためのパッドとして電極パッド９８を使用する場合、電極パッド９８の直径は、例えば、２００〜１０００μｍとすることができる。
【０１８２】
本実施の形態の半導体装置によれば、外部接続端子１２が配設される側の電極パッド９８の面９８Ｂの外周部を絶縁層２１で覆うことにより、電極パッド９８の側面と絶縁層２１の側面との間におけるデラミネーションの発生を抑制することが可能となるため、配線基板９６の信頼性を向上させることができる。
【０１８３】
また、電極パッド９８としてＣｕ層を用いることにより、導電パターン２７を構成する金属材料がＣｕの場合、電極パッド９８と導電パターン２７との間の密着性を向上させることが可能となるため、電極パッド９８と導電パターン２７との間の電気的接続信頼性を向上させることができる
さらに、１層の金属層により電極パッド９８を構成することにより、配線基板９６のコストを低減することができる。
【０１８４】
図５１〜図５９は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図である。図５１〜図５９において、第４の実施の形態の半導体装置９５と同一構成部分には同一符号を付す。
【０１８５】
図５１〜図５９を参照して、第４の実施の形態の半導体装置９５の製造方法について説明する。始めに、第１の実施の形態の図３に示す工程と同様な処理を行うことで、図３に示す構造体を形成する。
【０１８６】
次いで、図５１に示す工程では、開口部５６Ａに露出された部分の支持板５５の面５５Ａに、第１の金属とは異なる材料により構成された突出部用金属層１０１を形成する（突出部用金属層形成工程）。具体的には、例えば、支持板５５を給電層とする電解めっき法により、突出部用金属層１０１を形成する。突出部用金属層１０１としては、例えば、めっき法により形成されたＮｉ層、Ｓｎ層、Ｓｎ−Ｐｂ層等を用いることができる。この場合、突出部用金属層１０１の厚さは、例えば、１〜３０μｍ（好適には、例えば、２０μｍ）とすることができる。
【０１８７】
次いで、図５２に示す工程では、突出部用金属層１０１の面１０１Ａに、第１の金属（例えば、Ｃｕ）と同じ金属により構成された電極パッド９８を形成する（電極パッド形成工程）。具体的には、支持板５５を給電層とする電解めっき法により、例えば、Ｃｕ層を形成することで、Ｃｕ層からなる電極パッド９８を形成する。
【０１８８】
次いで、図５３に示す工程では、図５２に示すレジスト膜５６を除去する。次いで、図５４に示す工程では、突出部用金属層１０１のみをエッチングするエッチング液を用いて、突出部用金属層１０１をエッチングすることで、突出部用金属層１０１と接触する側の電極パッド９８の面９８Ｂの外周部を露出させる突出部１０１−１を形成する（突出部形成工程）。
【０１８９】
このように、電極パッド９８をマスクとして等方性のウエットエッチングを行うと、突出部用金属層１０１に対するエッチング液によるサイドエッチングやアンダーカットにより、突出部１０１−１から金属層４１の面４１Ａの外周部を露出させることができる。
【０１９０】
突出部１０１−１の形状は、例えば、円錐台形状とすることができる。なお、この場合、実際には、円錐台の側面が、円錐台の軸方向に突出した曲面形状となる。
【０１９１】
次いで、図５５に示す工程では、突出部形成工程後に、突出部１０１−１、電極パッド９８、及び突出部１０１−１が形成された側の支持板５５の面５５Ａを覆うように、開口部３８を有した絶縁層２１を形成する（絶縁層形成工程）。
【０１９２】
このように、外部接続端子１２が配設される側の電極パッド９８の面９８Ｂの外周部を覆うように絶縁層２１を形成することにより、電極パッド９８の側面と絶縁層２１の側面との間におけるデラミネーションの発生を抑制することが可能となるため、配線基９６の信頼性を向上させることができる。
【０１９３】
絶縁層２１に覆われた部分の電極パッド９８の面９８Ｂの外周部の幅は、例えば、０．１〜６μｍ（好適には、１〜３μｍ）とすることができる。
【０１９４】
次いで、図５６に示す工程では、第３の実施の形態で説明した図４６に示す工程と同様な処理を行うことで、導電パターン２７，２８、ビア３１、外部接続用パッド３２、及びソルダーレジスト層３４を形成する。これにより、支持板５５に配線基板９６に相当する構造体が形成される。
【０１９５】
次いで、図５７に示す工程では、第３の実施の形態で説明した図４７に示す工程と同様な処理を行うことで、支持板５５を除去する（支持板除去工程）。
【０１９６】
次いで、図５８に示す工程では、突出部１０１−１のみをエッチングするエッチング液を用いて、突出部１０１−１を除去することにより、突出部１０１−１と接触する側の電極パッド９８の面９８Ｂの一部を露出させると共に、エッチングされた突出部１０１−１に対応する形状とされた開口部３７を形成する（突出部除去工程）。これにより、第４の実施の形態の配線基板９６が製造される。
【０１９７】
次いで、図５９に示す工程では、第３の実施の形態で説明した図４９に示す工程と同様な処理を行うことにより、第４の実施の形態の半導体装置９５が製造される。
【０１９８】
本実施の形態の配線基板の製造方法によれば、外部接続端子１２が配設される側の電極パッド９８の面９８Ｂの外周部を覆うように絶縁層２１を形成することにより、電極パッド９８の側面と絶縁層２１の側面との間におけるデラミネーションの発生を抑制することが可能となるため、配線基９６の信頼性を向上させることができる。
【０１９９】
また、電極パッド形成工程において、１層の金属層のみを形成することで電極パッド９８を形成することにより、配線基板９６の製造コストを低減することができる。
【０２００】
図６０は、他の配線基板の例を示す断面図である。図６０において、図５０に示す配線基板９６と同一構成部分には同一符号を付す。
【０２０１】
本実施の形態の半導体装置９５に設けられた配線基板９６の代わりに、図６０に示す配線基板１１０を用いてもよい。
【０２０２】
図６０を参照するに、配線基板１１０は、電極パッド９８の面９８ＢにＯＳＰ（Organic Solderbility Preservative）膜１１１を設けた以外は、配線基板９６と同様に構成される。
【０２０３】
このような構成とされた配線基板１１０を半導体装置９５に適用することにより、外部接続端子１２がはんだの場合、はんだとの濡れ性を十分に確保することができる。また、電極パッド９８の面９８Ｂが酸化されることを防止できる。
【０２０４】
配線基板１１０は、図５８に示す工程（突出部除去工程）と図５９に示す工程との間に、電極パッド９８の面９８ＢをＯＳＰ（Organic Solderbility Preservative）処理することにより、開口部３７から露出された部分の電極パッド９８の面９８ＢにＯＳＰ膜１１１を形成する工程（ＯＳＰ膜形成工程）を追加する以外は、第４の実施の形態の配線基板９６と同様な手法により製造することができる。
【０２０５】
以上、本発明の好ましい実施の形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施の形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲内に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【０２０６】
図６１は、本発明の第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置の断面図であり、図６２は、本発明の第３の実施の形態の変形例に係る半導体装置の断面図であり、図６３は、本発明の第４の実施の形態の変形例に係る半導体装置の断面図である。
【０２０７】
図６１に示す第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置１２０は、電子部品１３と外部接続用パッド３２とを接続させた以外は、第２の実施の形態の半導体装置７０と同様な構成とされている。このような構成とされた半導体装置１２０は、第２の実施の形態の半導体装置７０と同様な効果を得ることができる。
【０２０８】
図６２に示す第３の実施の形態の変形例に係る半導体装置１３０は、電子部品１３と外部接続用パッド３２とを接続させた以外は、第３の実施の形態の半導体装置８５と同様な構成とされている。このような構成とされた半導体装置１３０は、第３の実施の形態の半導体装置８５と同様な効果を得ることができる。
【０２０９】
図６３に示す第４の実施の形態の変形例に係る半導体装置１４０は、電子部品１３と外部接続用パッド３２とを接続させた以外は、第４の実施の形態の半導体装置９５と同様な構成とされている。このような構成とされた半導体装置１４０は、第４の実施の形態の半導体装置９５と同様な効果を得ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０２１０】
本発明は、電極パッドと、電極パッドに接続される導電パターンと、電極パッド及び導電パターンが内設される絶縁層とを備えた配線基板及びその製造方法に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【０２１１】
【図１】従来の配線基板の主要部の断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その７）である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その８）である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その９）である。
【図１２】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１０）である。
【図１３】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の他の製造工程を示す図（その１）である。
【図１４】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の他の製造工程を示す図（その２）である。
【図１５】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の他の製造工程を示す図（その３）である。
【図１６】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の他の製造工程を示す図（その４）である。
【図１７】本発明の第１の実施の形態の変形例に係る半導体装置の断面図である。
【図１８】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図１９】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図２０】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図２１】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図２２】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図２３】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図２４】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。
【図２５】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その７）である。
【図２６】本発明の第２の実施の形態の半導体装置の他の製造工程を示す図（その１）である。
【図２７】本発明の第２の実施の形態の半導体装置の他の製造工程を示す図（その２）である。
【図２８】本発明の第２の実施の形態の半導体装置の他の製造工程を示す図（その３）である。
【図２９】本発明の第２の実施の形態の半導体装置の他の製造工程を示す図（その４）である。
【図３０】本発明の第２の実施の形態の半導体装置の他の製造工程を示す図（その５）である。
【図３１】本発明の第２の実施の形態の半導体装置の他の製造工程を示す図（その６）である。
【図３２】本発明の第２の実施の形態の半導体装置のその他の製造工程を示す図（その１）である。
【図３３】本発明の第２の実施の形態の半導体装置のその他の製造工程を示す図（その２）である。
【図３４】本発明の第２の実施の形態の半導体装置のその他の製造工程を示す図（その３）である。
【図３５】本発明の第２の実施の形態の半導体装置のその他の製造工程を示す図（その４）である。
【図３６】本発明の第２の実施の形態の半導体装置のその他の製造工程を示す図（その５）である。
【図３７】本発明の第２の実施の形態の半導体装置のその他の製造工程を示す図（その６）である。
【図３８】本発明の第２の実施の形態の半導体装置のその他の製造工程を示す図（その７）である。
【図３９】本発明の第２の実施の形態の半導体装置のその他の製造工程を示す図（その８）である。
【図４０】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図４１】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図４２】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図４３】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図４４】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図４５】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図４６】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。
【図４７】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その７）である。
【図４８】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その８）である。
【図４９】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その９）である。
【図５０】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の断面図である。
【図５１】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図５２】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図５３】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その３）である。
【図５４】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その４）である。
【図５５】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その５）である。
【図５６】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その６）である。
【図５７】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その７）である。
【図５８】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その８）である。
【図５９】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を示す図（その９）である。
【図６０】他の配線基板の例を示す断面図である。
【図６１】本発明の第２の実施の形態の変形例に係る半導体装置の断面図である。
【図６２】本発明の第３の実施の形態の変形例に係る半導体装置の断面図である。
【図６３】本発明の第４の実施の形態の変形例に係る半導体装置の断面図である。
【符号の説明】
【０２１２】
１０，６５，７０，８５，９５，１２０，１３０，１４０  半導体装置
１１，６６，７１，８６，９６，１１０  配線基板
１２  外部接続端子
１３  電子部品
２１，２２，２３  絶縁層
２１Ａ，２１Ｂ，２２Ａ，２２Ｂ，２３Ａ，２３Ｂ，４１Ａ，４２Ａ，５５Ａ，６１Ａ，７５Ａ，９１Ａ，９８Ａ，９８Ｂ，１０１Ａ  面
２５，７３，８８，９８  電極パッド
２７，２８  導電パターン
３１  ビア
３２  外部接続用パッド
３２Ａ  接続面
３４  ソルダーレジスト層
３４Ａ，３７，３８，４７，５２，５６Ａ  開口部
４１，４２，７５  金属層
４４，４８  ビア部
４５，４９  配線部
５５  支持板
５６  レジスト膜
５８，６２，８１−１，９１−１，１０１−１  突出部
６１  高さ調整層
７８  保護層
８１，９１，１０１  突出部用金属層
８９  凹部
１１１  ＯＳＰ膜
Ｂ  距離
【図１】
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【図２】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図３】
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【図４】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１９】
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【図２６】
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【図２７】
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【図３２】
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【図３３】
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【図４１】
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【図４２】
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【図５１】
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【図５２】
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