(57)【要約】【課題】パターン形成工程での問題に対して表面疎水化処理の観点から解決を図る半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、表面にシラノール基を有する半導体ウェーハの表面にアルキルシリル基を修飾する処理を行う第１の工程と、表面に修飾されたアルキルシリル基のアルキル基にフッ化処理を行う第２の工程と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図１
2010027952.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にシラノール基を有する半導体ウェーハの前記表面にアルキルシリル基を修飾する処理を行う第１の工程と、
前記表面に修飾された前記アルキルシリル基のアルキル基にフッ化処理を行う第２の工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の工程の後、前記表面上に、疎水性を有する膜を形成する第３の工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
親水性の第１の表面と前記第１の表面上に前記第１の表面の一部が露出するようにパターン化された疎水性の第２の表面とを同じ主面側に有する半導体ウェーハにおける露出した前記第１の表面に対して疎水化処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の表面はシラノール基を有し、前記第２の表面はシラノール基を有さず、
前記疎水化処理は、前記第１の表面にアルキルシリル基を修飾する処理を行う第１の工程と、前記第１の表面に修飾された前記アルキルシリル基のアルキル基にフッ化処理を行う第２の工程と、を有することを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の表面を疎水化した後、前記第１の表面及び前記第２の表面上に、疎水性及び流動性を有する材料を供給する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項３または４に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に被加工膜の上にマスクを形成して被加工膜をパターニングする工程を有する半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体集積回路の微細化を進めるためには、リソグラフィにおける露光波長や開口数ＮＡを改善する必要がある。ＮＡの改善を図るものとして液浸露光技術がある。また、例えば特許文献１には、マスク材を２段階に分けて形成することで、より微細な幅または径の開口パターンを得る技術が開示されている。これら技術によって、パターンの微細化が促進されるが、同時に様々な問題も懸念される。
【特許文献１】特開２００４−９３８３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、パターン形成工程での問題に対して表面疎水化処理の観点から解決を図る半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一態様によれば、表面にシラノール基を有する半導体ウェーハの前記表面にアルキルシリル基を修飾する処理を行う第１の工程と、前記表面に修飾された前記アルキルシリル基のアルキル基にフッ化処理を行う第２の工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【０００５】
また、本発明の他の一態様によれば、親水性の第１の表面と前記第１の表面上に前記第１の表面の一部が露出するようにパターン化された疎水性の第２の表面とを同じ主面側に有する半導体ウェーハにおける露出した前記第１の表面に対して疎水化処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００６】
本発明によれば、パターン形成工程での問題に対して表面疎水化処理の観点から解決を図る半導体装置の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
液浸露光技術は、投影レンズと半導体ウェーハとの間の空間を空気より屈折率の高い例えば純水で満たすことで、大口径の光学系を可能とし、パターンの微細化を達成する技術である。この液浸露光技術では、半導体ウェーハと純水とが接し、これに起因する問題（レジストへの純水の浸入やレジスト成分の純水中への溶出等）を抑止するため、半導体ウェーハと純水との間に保護膜（トップコート）を形成することがある。
【０００８】
また、露光はスキャン方式で行われるため純水がウェーハの上をスムーズに移動できるように、保護膜は高い疎水性（撥水性）を有する必要がある。しかし、例えばシリコン基板表面に形成された酸化膜上に上記保護膜を形成する場合には、シラノール基（ＳｉにＯＨが結合したもの）を含む酸化膜は親水性であるため、疎水性である保護膜との間で高い密着性を確保できない。なお、一般に、「親水性」とは接触角が４０度以下の場合を、「疎水性」とは接触角が４０度より大きい場合をいうことが多い。
【０００９】
保護膜の密着性が悪いと、保護膜が剥離し、これがパーティクルとなって露光装置を汚染してしまう。露光装置の汚染は、露光装置の停止につながり、生産性の低下をまねく。
【００１０】
表面を疎水化する方法として、処理対象表面にフッ化処理を行う方法がある。この方法によれば、例えばＣ（炭素）を含む有機膜の場合でその表面の接触角を７０度より大きくすることが可能である。しかし、被加工基板であるシラノール基を有する表面に対しては直接フッ化させることができない問題がある。
【００１１】
シラノール基を有する表面に対する疎水化処理としては、例えばＨＭＤＳ（Hexamethyldisilazane：ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気に表面をさらす方法がある。この方法によって、表面のＳｉ−Ｏにアルキルシリル基を結合させ、接触角を大きくすることが可能である。このシリル化処理を行わないシリコン酸化膜上に水滴をたらした場合には数度の接触角であるのが、上記処理により約６５度の接触角とすることが可能である。しかしながら、この方法では接触角を６５度程度までしか大きくすることができず、例えば前述したような疎水性を有する保護膜との高い密着性を得るには不十分である。
【００１２】
そこで、本発明の実施形態では、シラノール基を有する半導体ウェーハ表面に対してアルキルシリル基を修飾する処理を行った後、その表面に修飾されたアルキルシリル基のアルキル基にフッ化処理を行うことで、半導体ウェーハ表面を疎水化する。ここで、処理対象である半導体ウェーハ表面は、半導体基板自体の表面、半導体基板表面の自然酸化膜の表面、および半導体基板上に意図して形成した膜の表面を含む。
【００１３】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法における要部工程を示す模式図である。
【００１４】
図１（ａ）は、表面にシリコン酸化膜すなわちシラノール基を有するシリコン基板１の模式断面図を示す。そのシリコン基板１を収容したチャンバー内に、アルキルシリル化剤として例えばＨＭＤＳ（Hexamethyldisilazane：ヘキサメチルジシラザン）の蒸気を導入し、シリコン基板１の表面をその蒸気にさらした。この状態で、チャンバー内温度を１００℃にし、９０秒間処理を行った。
【００１５】
これにより、シリコン基板１表面の酸化シリコンに、図１（ｂ）に示すように、アルキルシリル基（本実施形態では、例えばトリメチルシリル基）が修飾される。
【００１６】
この後、シリコン基板１を、フッ化処理を行うチャンバー内に収容し、そのチャンバー内を真空引きしてチャンバー内の酸素を除去した後フッ素ガスを導入して、上記アルキルシリル基が修飾された表面をフッ素ガスに１８０秒間さらした。これにより、アルキル基（図１（ｂ）の例ではＣＨ３）がフッ化され、図１（ｃ）に示すようにＣＦ３に変わる（Ｃ−Ｈ基がＣ−Ｆ基に変わる）。
【００１７】
この結果、シリコン基板１の表面の接触角を１１０度以上にすることができた。なお、得られる接触角は、フッ素ガスの濃度、反応時間、チャンバー内圧力等を調整することで制御可能である。
【００１８】
本実施形態によれば、直接フッ化処理できない、シラノール基を有する表面に対しても、前述した２段階の疎水化処理を行うことで、約６５度よりも大きな接触角を有する疎水（撥水）表面を得ることができる。
【００１９】
この表面疎水化処理の後、前述した保護膜のような疎水性を有する材料を液状の状態でシリコン基板１表面上に塗布し、形成する。本実施形態では、疎水性の表面に対して疎水性の膜を形成するため、その膜の密着性を高めることができ、膜剥離を抑えることができる。この結果、膜剥離に起因する露光装置の汚染やプロセス不具合を防いで、生産性を高めることができる。
【００２０】
［第２の実施形態］
次に、図２、３を参照して、本発明の第２の実施形態について説明する。
【００２１】
図２（ａ）は、シリコン基板１０上に、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）２とシリコン窒化膜（ＳｉＮ）３が順に形成された半導体ウェーハの模式断面図を示す。
【００２２】
シリコン窒化膜３はパターニングされており、その一部に開口４が形成されている。この開口４の底部には下層のシリコン酸化膜２の表面が露出している。シリコン窒化膜３は、開口４が形成されずシリコン窒化膜３がベタ状に広がる第１の部分３１と、開口４が密に形成されシリコン酸化膜２の表面が露出している第２の部分３２とを有する。
【００２３】
第１の部分３１の表面３ａは窒化シリコンであり、Ｏ（酸素）を含まないため疎水性であり、その表面３ａの接触角θＡは約７０度である。第２の部分３２に露出されたシリコン酸化膜２の表面２ａは、Ｏ（酸素）を含み親水性であり、その表面２ａの接触角θＢは約３０度である。したがって、この半導体ウェーハは、疎水性の表面と親水性の表面とが同じ主面側に混在した構造を有する。
【００２４】
この半導体ウェーハ表面に対して、流動性を有する状態で膜形成材料を供給して塗布膜を形成する場合を考える。このとき、第１の部分３１と第２の部分３２とで表面の接触角とウェーハ表面の段差形状からウェーハ表面の見かけの接触角が大きく異なる。このため、第１の部分３１と第２の部分３２との間で塗布材料の凝集が生じる。具体的には、接触角が大きい第１の部分３１から接触角が小さい第２の部分３２に向けて塗布材料が凝集し、図２（ｂ）に示すように、接触角の高い部分で塗布膜材料が凝集して安定化し塗布膜５が局部的に盛り上がり、平坦性が損なわれる問題がある。
【００２５】
シリコン酸化膜２を２５０ｎｍの厚さで形成し、シリコン窒化膜３を６０ｎｍの厚さで形成した場合に、膜厚を１００μｍにするべく塗布膜材料をウェーハ表面に供給したところ、第１の部分３１と第２の部分３２との境界付近の２０μｍほどの範囲に、厚さ方向に約５０μｍの塗布膜の盛り上がりが観察された。塗布膜５の平坦性が損なわれると、後工程におけるプロセスに不具合が生じる原因となる。
【００２６】
そこで、本実施形態では、図２（ａ）に示す半導体ウェーハを収容したチャンバー内に、アルキルシリル化剤として例えばＨＭＤＳの蒸気を導入し、第１の部分３１及び第２の部分３２の表面をＨＭＤＳの蒸気にさらした。この状態で、チャンバー内温度を１００℃にし、９０秒間処理を行った。
【００２７】
これにより、第２の部分３２におけるシリコン酸化膜２の表面にアルキルシリル基（本実施形態では、例えばトリメチルシリル基）が修飾される。このアルキルシリル基が修飾されたシリコン酸化膜２の表面を図３（ａ）において符号２ｂで示す。第１の部分３１の表面３ａは窒化シリコンでありＯ（酸素）を含まないため、上記ＨＭＤＳ処理によってアルキルシリル基は修飾されない。
【００２８】
この後、ウェーハを、フッ化処理を行うチャンバー内に収容し、そのチャンバー内を真空引きしてチャンバー内の酸素を除去した後にフッ素ガスを導入し、上記アルキルシリル基が修飾された表面２ｂをフッ素ガスに１８０秒間さらした。これにより、アルキル基がフッ化され、図３（ｂ）に示すように、第２の部分３２における開口４の底部に、フッ化された表面２ｃが露出した構造が得られる。
【００２９】
このとき、第１の部分３１の表面３ａはＣ（炭素）を含まないため、フッ素ガスにさらされてもフッ化されない。したがって、第１の部分３１の表面３ａは、上記ＨＭＤＳ処理及びフッ化処理を経ても疎水性の窒化シリコンのままである。
【００３０】
これに対して、第２の部分３２におけるシリコン酸化膜２の表面は、上記ＨＭＤＳ処理及びフッ化処理によって親水性から疎水性に改質される。この結果、第１の表面３ａと第２の表面２ｃとで、接触角をほぼ同じまたは差を小さくすることができ、これら第１の表面３ａ及び第２の表面２ｃに塗布膜材料を供給してもそれら表面上での流動を抑えることができる。この結果、塗布膜の局部的な盛り上がりを防いで、膜厚均一性（平坦性）が向上する。なお、第２の表面２ｃの接触角は、フッ素ガスの濃度、反応時間、チャンバー内圧力等を調整することで制御可能である。
【００３１】
図３（ｂ）の工程の後、疎水性及び流動性を有する塗布膜材料をウェーハ表面全体に供給したところ、局部的な膜厚変動（盛り上がり）が生じることなく、図３（ｃ）に示すように、例えば膜厚１００μｍの均一膜厚で塗布膜５を形成することができた。
【００３２】
なお、本実施形態においても、疎水性の表面に対して疎水性の膜を形成するため、その膜の密着性を高めることができ、膜剥離を抑えることができる。この結果、膜剥離に起因する露光装置の汚染やプロセス不具合を防いで、生産性を高めることができる。
【００３３】
なお、第２の部分３２における開口４底部に露出する表面材質がＣ（炭素）を含み、その露出面に直接フッ化させることができるのであれば、アルキルシリル化剤を用いたシリル化処理を行うことなく、その露出面に直接フッ化処理を行って疎水化を行ってもよい。
【００３４】
また、アルキルシリル基を表面修飾する際に用いるアルキルシリル化剤としては、前述で挙げたＨＭＤＳ以外にも、ＴＭＳＤＥＡ（Trimethylsilyldiethylamine：トリメチルシリルジエチルアミン）、ＤＭＳＤＥＡ（Dimethylsilyldiethylamine：ジメチルシリルジエチルアミン）、ＴＭＳＤＭＡ（Trimethylsilyldimethylamine：トリメチルシリルジメチルアミン）、ＤＭＳＤＭＡ（Dimethylsilyldimethylamine：ジメチルシリルジメチルアミン）等を用いることができる。
【００３５】
また、第１の実施形態及び第２の実施形態において疎水化された表面上に形成する膜としては、液浸露光用の保護膜に限ることはなく、疎水性を有する膜であればよく、例えば反射防止膜、レジスト等であってもよい。
【００３６】
［比較例］
半導体集積回路をパターニングする工程におけるリソグラフィ技術において、露光波長の解像限界以下の幅の溝パターンや解像限界以下の径のホールパターンを形成する方法として、図５に示す方法がある。
【００３７】
図５（ａ）は、被加工膜（シリコン基板、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜など）１０の上に第１のマスク１１が形成された構造の模式断面図を示す。  
第１のマスク１１には、溝またはホール形状の開口１２が形成されている。第１のマスク１１は、後述する第２のマスクに酸を供給し得る材料からなり、例えば加熱により酸を発生する化学増幅型レジストである。
【００３８】
第１のマスク１１に開口１２を形成するパターニング後、図５（ｂ）に示すように、第１のマスク１１を覆うように第２のマスク１３を形成する。第２のマスク１３は、酸により架橋可能な水溶性成分、水、水溶性有機溶媒を含む材料からなり、流動性を有する液状の状態で第１のマスク１１上に塗布される。
【００３９】
次に、図５（ｃ）に示すように、熱板１４を用いて裏面側からウェーハを加熱するベーク処理を行うと、第１のマスク１１中に酸が発生すると共に、その酸の拡散が促進される。これにより、第２のマスク１３において第１のマスク１１に接する部分（開口１２内側面に接する部分も含む）が酸により架橋する。この架橋した部分１３ａは、水またはアルカリ等の現像液に対して不溶となる。
【００４０】
したがって、その現像液を用いた現像処理を行うことで、図５（ｄ）に示すように、架橋部分１３ａ以外の第２のマスク１３が除去される。開口１２内の側面に架橋部分１３ａが残されることで、第１のマスク１１のパターニングだけによって形成される開口１２の幅または径よりも小さな幅または径の開口１２を得ることができ、これをマスクとして被加工膜１０をエッチングすることで、より微細なパターンを形成することが可能となる。
【００４１】
ここで、図６（ａ）は、開口１２が形成された部分の拡大模式図を示す。  
この図６（ａ）に示す状態は、第１のマスク１１に開口１２を形成するパターニング時に、開口１２の底部側の幅または径が狭くなり、第１のマスク１１において開口１２に隣接して残された部分が裾広がり形状に形成された例を示す。これは露光光の光学コントラストが十分でない場合に生じる。
【００４２】
この場合に、図６（ｂ）に示すように第２のマスク１３を塗布し、その後ベーク処理を行うと、図６（ｃ）に示すように、第１のマスク１１の裾広がり形状部分の側面に形成された架橋部分１３ａが開口底面上でつながる、もしくは開口底面上での架橋部分１３ａ間の離間間隔が狭くなる。こうなると、図６（ｄ）に示すように、開口１２底部に被加工膜１０が露出せず、あるいは露出面積が狭くなり、被加工膜１０に未開口不良が形成されたり、マスクパターンの転写不良が生じてしまう。
【００４３】
この問題の解決を図るため、開口底部に形成されてしまった架橋部分１３ａをスパッタエッチングにて除去する処理や、被加工膜１０エッチング時のエッチング条件を長時間化する等にて対処することが考えられるが、このような付加処理はマスク材の膜厚低減をまねき、マスク材の耐エッチング性を低下させる。この結果、被加工膜１０の加工形状不良を生じさせ、あるいは、そもそも被加工膜１０の加工を行えなくなってしまうことも生じ得る。
【００４４】
［第３の実施形態］
そこで、本発明の第３の実施形態では、第２のマスク１３を第１のマスク１１上に形成する前に、第１のマスク１１に対して疎水化処理を行う。
【００４５】
図４（ａ）は、被加工膜１０の上に第１のマスク１１が形成された構造の模式断面図を示す。  
第１のマスク１１には、溝またはホール形状の開口１２が形成されている。第１のマスク１１は、第２のマスク１３に酸を供給し得る材料からなり、例えば加熱により酸を発生する化学増幅型レジストである。
【００４６】
第１のマスク１１のパターニング工程を具体的に説明すると、まず、最表層に被加工膜１０として膜厚１００ｎｍのシリコン酸化膜が形成されたウェーハにおける、そのシリコン酸化膜上に、露光光の反射防止機能を有する反射防止膜材を滴下し、スピナーを用いて回転塗布した。その後、１９０℃で６０秒間焼成し、さらにその後、冷却板上で６０秒間冷却しウェーハ温度を室温に下げた。焼成後の反射防止膜の膜厚は７７ｎｍであった。
【００４７】
次に、反射防止膜上にＡｒＦ露光用レジストを滴下し、スピナーを用いて回転塗布した。その後、１２０℃で６０秒間焼成し、さらにその後、冷却板上で６０秒間冷却しウェーハ温度を室温に下げた。焼成後のレジスト膜の膜厚は２００ｎｍであった。
【００４８】
次に、レジスト膜上に液浸露光用保護膜を滴下し、スピナーを用いて回転塗布した。その後、９０℃で６０秒間焼成し、さらにその後、冷却板上で６０秒間冷却しウェーハ温度を室温に下げた。焼成後の保護膜の膜厚は９０ｎｍであった。
【００４９】
次に、ＡｒＦ液浸型縮小投影露光装置を用いてレジスト膜の露光を行った。その後、１２０℃で６０秒間、露光後ベーク処理を行い、さらにその後、冷却板にて６０秒間冷却した。この後、２．３８重量％のＴＭＡＨ（Tetramethylammoniumhydroxide：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド）水溶液のアルカリ現像液に、ウェーハを３０秒間浸漬した後、純水でリンス処理を行った。これにより、９０ｎｍ径のホールパターン状の開口１２が形成された第１のマスク１１を得た。この第１のマスク１１表面の水に対する接触角は６５度であった。
【００５０】
次に、ウェーハを、フッ化処理を行うチャンバー内に収容し、そのチャンバー内を真空引きして酸素を排気した後フッ素ガスを導入し、ウェーハをフッ素ガスに１８０秒間さらした。この処理により、第１のマスク１１における露出面（開口１２内に露出している面１１ａも含む）のＣ−Ｈ基がＣ−Ｆ基に変化（フッ化）することで、第１のマスク１１の露出面を、約９０度の接触角を有する疎水面に改質することができた。第１のマスク１１において開口１２内に露出する面も上記フッ化処理により疎水面１１ｂ（図４（ｂ））となる。
【００５１】
次に、第２のマスク材１３となる材料を第１のマスク１１上に滴下し、スピナーを用いて回転塗布して、図４（ｃ）に示すように、第１のマスク１１全体を第２のマスク１３で被覆した。
【００５２】
このとき、上記フッ化処理により開口１２側面に露出する面１１ｂは疎水化されていることから、その面１１ｂはいわゆるぬれ性が悪く、第２のマスク材１３の開口１２内への進入が抑制される。すなわち、第２のマスク材１３は開口１２の底部まで到達せず、開口１２の途中までしか入り込まない。本実施形態では、径が９０ｎｍ、深さが２００ｎｍの開口１２に対して上側から１５０ｎｍほどまでしか第２のマスク１３は入り込まなかった。
【００５３】
そして、熱板１４を用いて、ウェーハを１５０℃で９０秒間加熱するベーク処理を行った。これにより、第１のマスク１１中に酸が発生すると共に、その酸の拡散が促進され、第２のマスク１３において第１のマスク１１に接する部分が酸により架橋する。開口１２内においては、第２のマスク１３が入り込んでいる部分のみに図４（ｄ）に示すように架橋部分１３ａが形成される。
【００５４】
そして、ウェーハを冷却板にて６０秒間冷却し室温まで下げた後、現像液をウェーハ表面上に６０秒間吐出させた。これにより、図４（ｄ）に示すように、現像液に対して不溶な架橋部分１３ａのみが残り、それ以外の第２のマスク１３は第１のマスク１１上から除去される。
【００５５】
開口１２内の側面に架橋部分１３ａが残されることで、第１のマスク１１のパターニングだけによって形成される開口１２の径よりも小さな径の開口１２を得ることができ、これをマスクとして被加工膜１０をエッチングすることで、より微細なパターンを形成することが可能となる。第１のマスク１１のパターニングによって形成されたホールパターンとしての開口１２の径は９０ｎｍであったのに対して、側面に架橋部分１３ａが形成された部分の開口径は７０ｎｍに細くすることができた。
【００５６】
しかも本実施形態では、第１のマスク１１の開口１２内側面に疎水化処理を行うことで、第２のマスク１３の塗布供給時における開口１２底部までの到達を防ぐことができ、開口１２内において側面のみに架橋部分１３ａを形成することができる。
【００５７】
したがって、架橋部分１３ａが開口底面上でつながる、もしくは開口底面上での架橋部分１３ａ間の離間間隔が狭くなることを回避できる。これにより、被加工膜１０に未開口不良が形成されたり、マスクパターンの転写不良が生じることを防ぐことができる。
【００５８】
前述したように第１のマスク１１が直接フッ化可能な材料からなる場合にはそのフッ化処理によって接触角が７０度をこえる高い疎水性を与えることができる。第１のマスク１１が、例えばシラノール基を含み直接フッ化できない材料からなる場合には、上記第１、第２の実施形態と同様に、アルキルシリル基を修飾する処理を行ってから、フッ化処理を行うことで、接触角が７０度をこえる高い疎水性を与えることができる。あるいは、アルキルシリル基を修飾する処理だけで、第２のマスク１３の開口底部への到達を防ぐのに十分な疎水性が得られる場合には、フッ化処理を不要とすることもできる。
【００５９】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施形態について説明した。しかし、本発明は、それらに限定されるものではなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。前述した実施形態で挙げた具体的な材料、寸法、処理条件等は一例であって、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、適宜変更可能である。
【００６０】
本発明は、以下の態様を含む。
【００６１】
（付記１）
半導体基板上に、開口パターンを有し酸を供給し得る第１のマスクを形成する工程と、
前記第１のマスクにおける露出面に疎水化処理を行う工程と、
酸により架橋可能な第２のマスクを、前記開口内の途中まで入り込ませて前記第１のマスク上に形成する工程と、
ベーク処理により前記第１のマスクから酸を前記第２のマスクに供給し、前記第２のマスクにおける前記第１のマスクと接している部分に架橋反応を起こさせる工程と、
現像処理により、前記第２のマスクにおける架橋していない部分を除去する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記２）
前記第１のマスクは有機膜であり、
前記第１のマスクの前記露出面をフッ化処理することで疎水化することを特徴とする付記１記載の半導体装置の製造方法。
（付記３）
前記開口内には、前記第２のマスクが途中まで入り込んだ部分の側面のみに、前記酸により架橋した前記第２のマスクが残されることを特徴とする付記１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法における要部工程を示す模式図。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法に対しての比較例を示す模式図。
【図３】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法における要部工程を示す模式図。
【図４】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法における要部工程を示す模式図。
【図５】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法に対しての比較例を示す模式図。
【図６】図５に示す比較例における問題点を説明するための模式図。
【符号の説明】
【００６３】
２…シリコン酸化膜、３…シリコン窒化膜、１０…被加工膜、１１…第１のマスク、１３…第２のマスク、３１…第１の部分、３２…第２の部分
【図１】
2010027952.tif 000003
【図２】
2010027952.tif 000004
【図３】
2010027952.tif 000005
【図４】
2010027952.tif 000006
【図５】
2010027952.tif 000007
【図６】
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