(57)【要約】【課題】プレナー型のＰＩＮ−ＰＤを有する受光モジュールの製造に際して、調芯を短時間で行う。【解決手段】調芯工程は、受光素子による受光電流がピークとなる位置をＸ、Ｙ、Ｚ軸方向でサーチする工程を含む。サーチ工程では、ＭＣＰ（Ｍｏｄｅ  Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｐａｔｃｈ  ｃｏｒｄ）のマルチモードファイバから照射される光、又は、ＭＣＰに接続されたマルチモードファイバから照射される光を、レンズを介して受光素子により受光させる。サーチ範囲（第１所定範囲）内において受光電流がピーク値となる位置を基準としてサーチ方向における両側のそれぞれで、受光電流がピーク値に比して所定の減衰を呈する第１及び第２減衰位置が存在するか否かを判定する。存在する場合、それら位置の中点から第２所定範囲内の位置をピーク位置とし、レセプタクルとＣＡＮの相対位置をそのピーク位置に調節する。【選択図】図３
2010278285.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバを保持した光コネクタが差し込まれるレセプタクルと、前記光ファイバから照射される光を集光するレンズと、前記レンズにより集光される光を受光する受光素子としてのプレナー型のＰＩＮ−ＰＤを含むＣＡＮパッケージと、を備える受光モジュールを製造するに際し、
前記レセプタクルと前記ＣＡＮパッケージとの相対的な位置を調節する調芯工程と、
前記調芯工程により調節された位置で前記レセプタクルと前記ＣＡＮパッケージとを相互に固定する固定工程と、
を実行し、
前記調芯工程は、
前記光ファイバから前記レンズを介して前記受光素子に光が照射される状態で前記受光素子による受光電流がピークとなる位置を、前記光ファイバの軸心方向に対して直交する平面内における一方向である調節方向において求める第１工程と、前記平面内において前記一方向に対して直交する直交方向である調節方向において求める第２工程と、前記光ファイバの軸心方向である調節方向において求める第３工程と、
を含み、
前記第１乃至第３工程のうちの少なくとも１つの工程は、ＭＣＰ（Ｍｏｄｅ  Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｐａｔｃｈ  ｃｏｒｄ）のマルチモードファイバから照射される光、又は、前記ＭＣＰに接続されたマルチモードファイバから照射される光を、前記レンズが集光し、前記レンズが集光する光を前記受光素子が受光する状態で、前記調節方向において前記レセプタクルと前記ＣＡＮパッケージとを第１所定範囲内で相対的に移動させながら前記受光素子による受光電流を検出し、当該受光電流が前記第１所定範囲内においてピーク値となる暫定ピーク位置を基準として前記調節方向における両側のそれぞれで、当該受光電流が当該ピーク値と比べて所定の減衰を呈する第１減衰位置と第２減衰位置とがそれぞれ存在するか否かを判定し、存在すると判定した場合には、前記第１減衰位置と前記第２減衰位置との間の位置であって前記第１及び第２減衰位置の中点から第２所定範囲内の位置をピーク位置として求め、且つ、前記調節方向における前記レセプタクルと前記ＣＡＮパッケージとの相対位置を前記ピーク位置に調節する特定調芯工程により行うことを特徴とする受光モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つの工程で前記第１及び第２減衰位置のうちの少なくとも何れか一方が存在しないと判定した場合には、前記第１所定範囲を大きくする第１設定変更と、前記所定の減衰を小さくする第２設定変更と、のうちの少なくとも何れか一方の設定変更を行う第４工程を経て、再び、前記少なくとも１つの工程を実行することを特徴とする請求項１に記載の受光モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記第１乃至第３工程のそれぞれを、前記特定調芯工程により行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の受光モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記調芯工程では、
前記第１乃至第３工程を、前記第４工程を挟まずに何れかの順序で行う第５工程を実行し、
前記第５工程の前記第１乃至第３工程のうちの少なくとも何れか１つの工程で前記第１及び第２減衰位置のうちの少なくとも何れか一方が存在しないと判定したために前記ピーク位置を求めることができなかった場合には、前記第４工程を経て再び前記第５工程を実行することを特徴とする請求項３に記載の受光モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記調芯工程では、
前記軸心方向に対して直交する平面内における前記一方向と、前記直交方向と、においてそれぞれ前記ピーク位置が求まり、前記レセプタクルと前記ＣＡＮパッケージとの相対位置がこれらピーク位置に調節されるように、前記第１及び第２工程を実行する第６工程と、
前記軸心方向において前記ピーク位置が求まり、前記レセプタクルと前記ＣＡＮパッケージとの相対位置が当該ピーク位置に調節されるように、前記第３工程を実行する第７工程と、
前記第１及び第２工程を実行する第８工程と、
をこの順に、前記第７工程と前記第８工程との間に前記第４工程を挟まずに行うことを特徴とする請求項３に記載の受光モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記第８工程に続いて、前記第４工程を行わずに前記第３工程を第９工程として実行することを特徴とする請求項５に記載の受光モジュールの製造方法。
【請求項７】
前回の前記第７工程で求めた前記ピーク位置と、最後に行った前記第９工程で求めたピーク位置とが所定の誤差範囲となるまで、前記第８工程と前記第９工程とを繰り返し行うことを特徴とする請求項６に記載の受光モジュールの製造方法。
【請求項８】
前回の前記第１工程で求めた前記ピーク位置と、最後に行った前記第８工程の前記第１工程で求めたピーク位置とが所定の誤差範囲となり、且つ、前回の前記第２工程で求めた前記ピーク位置と、最後に行った前記第８工程の前記第２工程で求めたピーク位置とが所定の誤差範囲となるまで、前記第８工程と前記第９工程とを繰り返し行うことを特徴とする請求項６又は７に記載の受光モジュールの製造方法。
【請求項９】
前記レンズから前記受光素子に照射される光の光軸が前記軸心方向に対してずれていることを特徴とする請求項５乃至８の何れか一項に記載の受光モジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記レンズから前記受光素子に照射される光の光軸が前記軸心方向と一致していることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の受光モジュールの製造方法。
【請求項１１】
前記特定調芯工程では、前記第１及び第２減衰位置の中点を前記ピーク位置として求めることを特徴とする請求項１乃至１０の何れか一項に記載の受光モジュールの製造方法。
【請求項１２】
光ファイバを保持した光コネクタが差し込まれるレセプタクルと、前記光ファイバから照射される光を集光するレンズと、前記レンズにより集光される光を受光する受光素子としてのプレナー型のＰＩＮ−ＰＤを含むＣＡＮパッケージと、を備える受光モジュールの前記レセプタクルを保持する第１保持部と、
前記ＣＡＮパッケージを保持する第２保持部と、
前記第１保持部と前記第２保持部とを相対的に移動させることにより前記レセプタクルと前記ＣＡＮパッケージとの相対的な位置を調節する相対位置調節部と、
前記受光素子による受光電流を検出する受光電流検出部と、
前記相対位置調節部の動作制御を含む制御動作と、前記受光電流検出部により検出される受光電流に基づく演算動作と、を行う制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記光ファイバから前記レンズを介して前記受光素子に光が照射される状態で前記受光素子による受光電流がピークとなる位置を、前記光ファイバの軸心方向に対して直交する平面内における一方向である調節方向において演算する第１処理と、前記平面内において前記一方向に対して直交する直交方向である調節方向において演算する第２処理と、前記光ファイバの軸心方向である調節方向において演算する第３処理と、を行い、
前記第１乃至第３処理のうちの少なくとも１つの処理は、ＭＣＰ（Ｍｏｄｅ  Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｐａｔｃｈ  ｃｏｒｄ）のマルチモードファイバから照射される光、又は、前記ＭＣＰに接続されたマルチモードファイバから照射される光を、前記レンズが集光し、前記レンズが集光する光を前記受光素子が受光する状態で、前記調節方向において前記レセプタクルと前記ＣＡＮパッケージとを第１所定範囲内で相対的に移動させながら検出された前記受光素子による受光電流が、前記第１所定範囲内においてピーク値となる暫定ピーク位置を基準として、前記調節方向における両側のそれぞれで、当該受光電流が当該ピーク値と比べて所定の減衰を呈する第１減衰位置と第２減衰位置とがそれぞれ存在するか否かを判定し、存在すると判定した場合には、前記第１減衰位置と前記第２減衰位置との間の位置であって前記第１及び第２減衰位置の中点から第２所定範囲内の位置をピーク位置として演算し、且つ、前記調節方向における前記レセプタクルと前記ＣＡＮパッケージとの相対位置を前記ピーク位置に調節させる特定調芯処理により行うことを特徴とする受光モジュール製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受光モジュールの製造方法及び製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
先ず、プレナー型の受光素子（ＰＤ：Ｐｈｏｔｏ  Ｄｉｏｄｅ）を有する半導体受光モジュール（受光モジュール）の一般的な構成を説明する。
【０００３】
プレナー型の受光素子を有する受光モジュールは、ステムと、このステム上に配置されたキャリアと、このキャリア上に配置されたプレナー型の受光素子と、を備える。ステム上には、キャリア及び受光素子の他に、トランスインピーダンスアンプ（ＴＩＡ：Ｔｒａｎｓ  Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）、及び、ノイズ除去用のコンデンサ等が搭載されることもある。更に、受光モジュールは、ステム上に配置されたこれら構成要素を気密封止するキャップ（例えば、平窓付きの平窓キャップ）と、レセプタクル（例えば、レンズ機能を内蔵している）と、を備えている。キャップによりステム上の各構成要素を封止することにより、ＣＡＮパッケージが構成される。レセプタクルは、光ファイバを保持する。レセプタクルは、該レセプタクル内に保持された光ファイバが受光素子に対して調芯された位置で、ＣＡＮパッケージに対して固定される。
【０００４】
キャップ封止済みのＣＡＮパッケージの受光素子に対してレセプタクルを調芯する作業は、以下の工程により行う。なお、光ファイバの軸方向をＺ軸方向、この軸方向に対して直交する平面（この平面をＸＹ平面という）内における一方向をＸ軸方向、該平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向とする。
【０００５】
先ず、光ファイバの端面から出力される光をレセプタクルのレンズ及びキャップの平窓を介して受光素子に照射しながら、ＸＹ平面内におけるレセプタクルの位置を調節する。この調節作業では、受光素子による受光電流がＸＹ平面内でなるべく大きくなる位置にレセプタクルの位置を調節する。次に、受光素子による受光電流がなるべく大きくなるようなＺ軸方向位置にレセプタクルの位置を調節する。その後、このようなＸＹ平面内での位置調節作業とＺ軸方向での位置調節作業とを何回か繰り返し行う。その結果、レセプタクルの位置は、受光素子による受光電流が最大となる位置へと近づくので、その位置でレセプタクルをＣＡＮパッケージに対して固定する。
【０００６】
レセプタクルをＣＡＮパッケージに対して固定するときには、受光面におけるビームスポット径がなるべく小さくなるようにレセプタクルを配置することが重要である。なぜなら、プレナー型の受光素子では、ＰＩＮ接合面から若干外れた面に光が入射する場合にも、受光電流が流れてしまうが、ＰＩＮ接合面から外れた面においては電界強度がＰＩＮ接合面に比べて低くなることにより受光素子の周波数応答が劣化してしまうためである。つまり、たとえ調芯時に受光電流が同じ値であっても、受光素子のＰＩＮ接合面から外れた面に光が入射されている場合には、受光素子の周波数特性が劣化してしまう。そのため、受光電流をモニタしながらレセプタクルを動かして調芯する際には、ビームスポット径がなるべく小さくなる位置にレセプタクルが配置されることに留意する必要がある。
【０００７】
特許文献１、２には、上述したのと同様の方法により受光素子に対してレセプタクルを調芯し、受光モジュールを製造する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平８−１８０７７号公報
【特許文献２】特開２００６−２９５２２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１、２に記載されているような調芯方法で、受光電流のピーク位置となるシングルモードファイバのＺ軸方向の位置決めを行うためには、適切なＺ軸方向位置を広範囲からサーチする必要がある。特許文献１の技術の場合、その図３に示すように、受光電流が最大値となるＺ軸方向位置の範囲は、例えば、約６００μｍもの幅があるため、このように広範囲のＺ軸方向位置の中から適切なＺ軸方向位置をサーチする必要がある。このため、受光モジュールの製造工程で調芯作業に多くの時間を要していた。また、このようにサーチ範囲が広いために、光ファイバと受光素子とが近づく方向での調芯動作に関しては、部材どうしが干渉し（ぶつかり合い）、調芯できなくなる可能性が高まるという問題もあった。
【００１０】
上述のように広範囲で受光電流が最大値をとる理由としては、受光素子の受光面での光のビームスポット径（例えば２０μｍ）が受光素子の受光径（例えば８０μｍ）に比べて十分に小さい事が挙げられる。
【００１１】
特許文献１では、受光素子の構造を特定していないが、プレナー型のＰＩＮ−ＰＤの場合にはメサ型のＰＩＮ−ＰＤに比べて受光電流のＺトレランスカーブが緩いのでピーク位置を検出するのが更に困難となる。以下、この理由を説明する。
【００１２】
図１３はプレナー型のＰＩＮ−ＰＤの構造を示す断面図である。図１３に示すように、プレナー型の受光素子５は、例えば、ＩｎＰ基板５１と、ＩｎＰ基板５１上に形成されたｎ型ＩｎＰ膜５２と、ｎ型ＩｎＰ膜５２上に形成されたｎ−型ＩｎＧａＡｓ膜５３と、ｎ−型ＩｎＧａＡｓ膜５３上に形成されたｎ型ＩｎＰ膜５４と、ｎ型ＩｎＰ膜５４上に形成されたｎ電極５５と、ｎ電極５５上に形成されたパッシベーション膜５６と、を備えている。ｎ型ＩｎＰ膜５４には、Ｚｎ拡散領域５７が形成され、このＺｎ拡散領域５７上にはｐ電極５８が形成されている。また、ＩｎＰ基板５１の裏面にもパッシベーション膜５９が形成されている。
【００１３】
このような構造のプレナー型の受光素子の場合、拡散径Ｗ１の範囲内に光Ｐを入射する必要がある。なぜなら受光素子に逆バイアス（逆バイアス電圧）を印加した場合、図１３の上下方向のみならず横方向にも空乏層が広がるため（図１３の空乏層径Ｗ２参照）、光吸収領域が拡散径Ｗ１よりも大きくなるからである。このように横方向に空乏化した領域では電界強度が中心に比べて小さくなるので、この領域に光を結合すると、発生したフォトキャリアには十分な電界強度がかからないので、キャリアのドリフト速度が遅く、光電変換の周波数特性が劣化してしまうという欠点がある。
【００１４】
一例として、拡散径Ｗ１が３０μｍのプレナー型の受光素子の受光面に入射する光の位置をＸ軸方向に移動させながら、受光電流と帯域内偏差劣化量をそれぞれ測定した結果を図１４に示す。ここで、帯域内偏差劣化量の定義を説明する。Ｘ軸方向位置が任意の位置の時の１００ＭＨｚでの光電変換利得と７ＧＨｚでの光電変換利得の差を「第１の差」とし、Ｘ軸方向位置が０μｍのときの１００ＭＨｚでの光電変換利得と７ＧＨｚでの光電変換利得の差を「第２の差」とすると、帯域内偏差劣化量は「第１の差」と「第２の差」との差と定義している。つまり光電変換の周波数特性が劣化する場合は、帯域内偏差劣化量の数値が低下する。図１４の測定結果では、Ｘ軸方向位置＜−１２μｍとなる領域と、１２μｍ＜Ｘ軸方向位置となる領域では、それぞれ帯域内偏差劣化量の低下量が０．５ｄＢを超えることが分かる。一方、受光電流の低下量は、Ｘ軸方向位置＜−２０μｍとなる領域と、２０μｍ＜Ｘ軸方向位置となる領域で、それぞれ５％を超えることが分かる。つまり周波数特性のＸトレランスは、受光電流のＸトレランスに比べて狭い。そのため周波数特性の良い位置でレセプタクルを調芯する必要があるため、精度良くピーク位置で結合させる事が重要であることがわかる。
【００１５】
以上、要するに、プレナー型のＰＩＮ−ＰＤを有する受光モジュールの製造に際して、調芯を短時間で行うことは困難だった。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、光ファイバを保持した光コネクタが差し込まれるレセプタクルと、前記光ファイバから照射される光を集光するレンズと、前記レンズにより集光される光を受光する受光素子としてのプレナー型のＰＩＮ−ＰＤを含むＣＡＮパッケージと、を備える受光モジュールを製造するに際し、前記レセプタクルと前記ＣＡＮパッケージとの相対的な位置を調節する調芯工程と、前記調芯工程により調節された位置で前記レセプタクルと前記ＣＡＮパッケージとを相互に固定する固定工程と、を実行し、前記調芯工程は、前記光ファイバから前記レンズを介して前記受光素子に光が照射される状態で前記受光素子による受光電流がピークとなる位置を、前記光ファイバの軸心方向に対して直交する平面内における一方向である調節方向において求める第１工程と、前記平面内において前記一方向に対して直交する直交方向である調節方向において求める第２工程と、前記光ファイバの軸心方向である調節方向において求める第３工程と、を含み、前記第１乃至第３工程のうちの少なくとも１つの工程は、ＭＣＰ（Ｍｏｄｅ  Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｐａｔｃｈ  ｃｏｒｄ）のマルチモードファイバから照射される光、又は、前記ＭＣＰに接続されたマルチモードファイバから照射される光を、前記レンズが集光し、前記レンズが集光する光を前記受光素子が受光する状態で、前記調節方向において前記レセプタクルと前記ＣＡＮパッケージとを第１所定範囲内で相対的に移動させながら前記受光素子による受光電流を検出し、当該受光電流が前記第１所定範囲内においてピーク値となる暫定ピーク位置を基準として前記調節方向における両側のそれぞれで、当該受光電流が当該ピーク値と比べて所定の減衰を呈する第１減衰位置と第２減衰位置とがそれぞれ存在するか否かを判定し、存在すると判定した場合には、前記第１減衰位置と前記第２減衰位置との間の位置であって前記第１及び第２減衰位置の中点から第２所定範囲内の位置をピーク位置として求め、且つ、前記調節方向における前記レセプタクルと前記ＣＡＮパッケージとの相対位置を前記ピーク位置に調節する特定調芯工程により行うことを特徴とする受光モジュールの製造方法を提供する。
【００１７】
この製造方法では、ＭＣＰのマルチモードファイバから照射される光、又は、ＭＣＰに接続されたマルチモードファイバから照射される光をレンズが集光し、レンズが集光する光を受光素子が受光する。これにより、シングルモードファイバから照射される光をレンズが集光し、レンズが集光する光を受光素子が受光する場合と比べて、受光素子の受光面における光の広がりを大きくすることができる。よって、軸心方向に対して直交する平面内における一方向、該一方向に対する直交方向、及び、軸心方向のそれぞれにおけるトレランスカーブを、シングルモードファイバから照射される光をレンズが集光し、レンズが集光する光を受光素子が受光する場合と比べて急峻にすることができる。これにより、シングルモードファイバから照射される光をレンズが集光し、レンズが集光する光を受光素子が受光する場合と比べて、所定の減衰を達成するためにレセプタクルとＣＡＮパッケージとを相対的に移動させる第１所定範囲を狭くすることができるため、調芯を短時間で行うことができるようになり、受光モジュールの製造時間を短縮することができる。また、シングルモードファイバから照射される光をレンズが集光し、レンズが集光する光を受光素子が受光する場合と比べて、各方向のトレランスカーブをそれぞれ急峻にできるので、所定の減衰の値を大きい値に設定することができる。よって、ノイズの影響によるピーク位置の誤検出を抑制することができる。更に、各方向のトレランスカーブをそれぞれ急峻にすることができるので、ピーク位置を精度良く検出することができ、受光モジュールの周波数応答特性の歩留まりを向上させることができる。
【００１８】
また、本発明は、光ファイバを保持した光コネクタが差し込まれるレセプタクルと、前記光ファイバから照射される光を集光するレンズと、前記レンズにより集光される光を受光する受光素子としてのプレナー型のＰＩＮ−ＰＤを含むＣＡＮパッケージと、を備える受光モジュールの前記レセプタクルを保持する第１保持部と、前記ＣＡＮパッケージを保持する第２保持部と、前記第１保持部と前記第２保持部とを相対的に移動させることにより前記レセプタクルと前記ＣＡＮパッケージとの相対的な位置を調節する相対位置調節部と、前記受光素子による受光電流を検出する受光電流検出部と、前記相対位置調節部の動作制御を含む制御動作と、前記受光電流検出部により検出される受光電流に基づく演算動作と、を行う制御部と、を備え、前記制御部は、前記光ファイバから前記レンズを介して前記受光素子に光が照射される状態で前記受光素子による受光電流がピークとなる位置を、前記光ファイバの軸心方向に対して直交する平面内における一方向である調節方向において演算する第１処理と、前記平面内において前記一方向に対して直交する直交方向である調節方向において演算する第２処理と、前記光ファイバの軸心方向である調節方向において演算する第３処理と、を行い、前記第１乃至第３処理のうちの少なくとも１つの処理は、ＭＣＰ（Ｍｏｄｅ  Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｐａｔｃｈ  ｃｏｒｄ）のマルチモードファイバから照射される光、又は、前記ＭＣＰに接続されたマルチモードファイバから照射される光を、前記レンズが集光し、前記レンズが集光する光を前記受光素子が受光する状態で、前記調節方向において前記レセプタクルと前記ＣＡＮパッケージとを第１所定範囲内で相対的に移動させながら検出された前記受光素子による受光電流が、前記第１所定範囲内においてピーク値となる暫定ピーク位置を基準として、前記調節方向における両側のそれぞれで、当該受光電流が当該ピーク値と比べて所定の減衰を呈する第１減衰位置と第２減衰位置とがそれぞれ存在するか否かを判定し、存在すると判定した場合には、前記第１減衰位置と前記第２減衰位置との間の位置であって前記第１及び第２減衰位置の中点から第２所定範囲内の位置をピーク位置として演算し、且つ、前記調節方向における前記レセプタクルと前記ＣＡＮパッケージとの相対位置を前記ピーク位置に調節させる特定調芯処理により行うことを特徴とする受光モジュール製造装置を提供する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、プレナー型のＰＩＮ−ＰＤを有する受光モジュールの製造に際して、調芯を短時間で行うことができ、且つ、所望の特性を得ることができるようなＣＡＮパッケージに対するレセプタクルの相対位置を精度良くサーチすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１の実施形態に係る受光モジュールの製造方法で製造される受光モジュールの構成を示す断面図である。
【図２】図１の受光モジュールに光コネクタを差し込んだ状態を示す断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る受光モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【図４】光ファイバの端面における光強度の分布を示す図である。
【図５】レセプタクルのＸ軸方向位置に応じた受光電流を示す図である。
【図６】レセプタクルのＺ軸方向位置に応じた受光電流を示す図である。
【図７】第１の実施形態に係る受光モジュール製造装置の構成を示すブロック図である。
【図８】変形例１に係る受光モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【図９】変形例２に係る受光モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【図１０】変形例３に係る受光モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【図１１】変形例４に係る受光モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【図１２】第２の実施形態に係る受光モジュールの製造方法で製造される受光モジュールの構成を示す断面図である。
【図１３】プレナー型のＰＩＮ−ＰＤの構造を示す断面図である。
【図１４】レセプタクルのＸ軸方向位置に応じた受光電流と帯域内偏差劣化量の関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜に説明を省略する。
【００２２】
〔第１の実施形態〕
図１は第１の実施形態に係る受光モジュールの製造方法で製造される受光モジュール１００の構成を示す断面図、図２は図１の受光モジュール１００に光コネクタ１４を差し込んだ状態を示す断面図、図３は第１の実施形態に係る受光モジュールの製造方法を示すフローチャート、図４はレセプタクル２に接続される光ファイバの端面における光強度の分布を示す図、図５はレセプタクル２のＸ軸方向位置に応じた受光電流を示す図、図６はレセプタクル２のＺ軸方向位置に応じた受光電流を示す図、図７は第１の実施形態に係る受光モジュール製造装置１５０の構成を示すブロック図である。
【００２３】
本実施形態に係る受光モジュールの製造方法は、光ファイバ１６を保持した光コネクタ１４が差し込まれるレセプタクル２と、光ファイバ１６から照射される光を集光するレンズ１２と、レンズ１２により集光される光を受光する受光素子５としてのプレナー型のＰＩＮ−ＰＤを含むＣＡＮパッケージ１と、を備える受光モジュール１００を製造するに際し、レセプタクル２とＣＡＮパッケージ１との相対的な位置を調節する調芯工程（例えば、図３のステップＳ１〜Ｓ７）と、調芯工程により調節された位置でレセプタクル２とＣＡＮパッケージ１とを相互に固定する固定工程（図３のステップＳ８）と、を実行する。調芯工程は、光ファイバ１６からレンズ１２を介して受光素子５に光が照射される状態で受光素子５による受光電流がピークとなる位置を、光ファイバ１６の軸心方向（Ｚ軸方向）に対して直交する平面内における一方向（Ｘ軸方向）である調節方向において求める第１工程と、前記平面内において前記一方向に対して直交する直交方向（Ｙ軸方向）である調節方向において求める第２工程と、光ファイバ１６の軸心方向（Ｚ軸方向）である調節方向において求める第３工程と、を含む。第１乃至第３工程のうちの少なくとも１つの工程は、ＭＣＰ（Ｍｏｄｅ  Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｐａｔｃｈ  ｃｏｒｄ）のマルチモードファイバである光ファイバ１６から照射される光、又は、ＭＣＰに接続されたマルチモードファイバである光ファイバ１６から照射される光を、レンズ１２が集光し、レンズ１２が集光する光を受光素子５が受光する状態で、その調節方向においてレセプタクル２とＣＡＮパッケージ１とを第１所定範囲内で相対的に移動させながら受光素子５による受光電流を検出し、当該受光電流が第１所定範囲内においてピーク値となる暫定ピーク位置を基準として調節方向における両側のそれぞれで、当該受光電流が当該ピーク値と比べて所定の減衰を呈する第１減衰位置と第２減衰位置とがそれぞれ存在するか否かを判定し、存在すると判定した場合には、第１減衰位置と第２減衰位置との間の位置であって第１及び第２減衰位置の中点から第２所定範囲内の位置をピーク位置として求め、且つ、調節方向におけるレセプタクル２とＣＡＮパッケージ１との相対位置をピーク位置に調節する特定調芯工程により行う。
また、本実施形態に係る受光モジュール製造装置１５０は、光ファイバ１６を保持した光コネクタ１４が差し込まれるレセプタクル２と、光ファイバ１６から照射される光を集光するレンズ１２と、レンズ１２により集光される光を受光する受光素子５としてのプレナー型のＰＩＮ−ＰＤを含むＣＡＮパッケージ１と、を備える受光モジュール１００のレセプタクル２を保持する第１保持部１５１と、ＣＡＮパッケージ１を保持する第２保持部１５２と、第１保持部１５１と第２保持部１５２とを相対的に移動させることによりレセプタクル２とＣＡＮパッケージ１との相対的な位置を調節する相対位置調節部１５３と、受光素子５による受光電流を検出する受光電流検出部１５４と、相対位置調節部１５３の動作制御を含む制御動作と、受光電流検出部１５４により検出される受光電流に基づく演算動作と、を行う制御部１５６と、を備える。制御部１５６は、光ファイバ１６からレンズ１２を介して受光素子５に光が照射される状態で受光素子５による受光電流がピークとなる位置を、光ファイバ１６の軸心方向（Ｚ軸方向）に対して直交する平面内における一方向（Ｘ軸方向）である調節方向において演算する第１処理と、前記平面内において前記一方向に対して直交する直交方向（Ｙ軸方向）である調節方向において演算する第２処理と、光ファイバ１６の軸心方向（Ｚ軸方向）である調節方向において演算する第３処理と、を行う。第１乃至第３処理のうちの少なくとも１つの処理は、ＭＣＰ（Ｍｏｄｅ  Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｐａｔｃｈ  ｃｏｒｄ）のマルチモードファイバである光ファイバ１６から照射される光、又は、ＭＣＰに接続されたマルチモードファイバである光ファイバ１６から照射される光を、レンズ１２が集光し、レンズ１２が集光する光を受光素子５が受光する状態で、その調節方向においてレセプタクル２とＣＡＮパッケージ１とを第１所定範囲内で相対的に移動させながら検出された受光素子５による受光電流が、第１所定範囲内においてピーク値となる暫定ピーク位置を基準として、調節方向における両側のそれぞれで、当該受光電流が当該ピーク値と比べて所定の減衰を呈する第１減衰位置と第２減衰位置とがそれぞれ存在するか否かを判定し、存在すると判定した場合には、第１減衰位置と第２減衰位置との間の位置であって第１及び第２減衰位置の中点から第２所定範囲内の位置をピーク位置として演算し、且つ、調節方向におけるレセプタクル２とＣＡＮパッケージ１との相対位置をピーク位置に調節させる特定調芯処理により行う。
以下、詳細に説明する。
【００２４】
先ず、受光モジュール１００の構成を説明する。
【００２５】
図１に示すように、本実施形態に係る受光モジュールの製造方法が適用される受光モジュール１００は、ＣＡＮパッケージ（以下、単にＣＡＮ）１と、レンズ内蔵型のレセプタクル２と、を備えて構成されている。
【００２６】
ＣＡＮ１は、例えば、ステム３と、キャリア４と、受光素子（ＰＤ：Ｐｈｏｔｏ  Ｄｉｏｄｅ）５と、キャップ６と、を備えて構成されている。
【００２７】
ステム３上にはキャリア４が固定されている。キャリア４は、受光素子５が搭載される絶縁性の基板である。キャリア４には、受光素子５の電極から信号を取り出す目的でメタライズパターン（図示略）が形成されている。なお、受光素子５の電極の構造によっては、このメタライズパターンは不要である。
【００２８】
キャリア４上には受光素子５が固定されている。受光素子５は、裏面入射型のプレナー型のＰＩＮ−ＰＤである。受光素子５は、図１３に示す構造を有している。
【００２９】
なお、ステム３上には、キャリア４及び受光素子５の他に、トランスインピーダンスアンプ（ＴＩＡ：Ｔｒａｎｓ  Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）、及び、ノイズ除去用のコンデンサ等（何れも図示略）が搭載されていても良い。
【００３０】
更に、ステム３上に配置されたこれら構成要素（キャリア４、受光素子５など）は、キャップ６によって気密封止されている。キャップ６は、例えば、平窓７を有する平窓キャップである。このようにキャップ６によってステム３上の各構成要素を封止することによって、ＣＡＮ１が構成されている。
【００３１】
レセプタクル２は、光コネクタ差込部１１と、レンズ１２と、筒状固定部１３と、を備えている。なお、本実施形態の場合、レセプタクル２は、ＳＭＦ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｍｏｄｅ  Ｆｉｂｅｒ）スタブを有していない。
【００３２】
レンズ１２は、光ファイバ１６から照射される光を集光して受光素子５に照射する。レンズ１２は、例えば、受光素子５側に位置する凸面１７と、光コネクタ差込部１１側に位置する凹面１８と、を有している。レンズ１２における凸面１７と凹面１８との位置関係に応じて、レンズ１２から照射される光の光軸１９と光ファイバ１６の軸心方向との関係、すなわち、光軸１９と軸心方向とが一致するか、又は、光軸１９が軸心方向に対してずれるか、が定まる。
【００３３】
光コネクタ差込部１１は、円筒状の継ぎ手形状に形成され、該光コネクタ差込部１１内に光コネクタ１４（図２参照）を差し込むことが可能となっている。図２に示すように、光コネクタ１４は、フェルール１５を備え、このフェルール１５内に光ファイバ１６が配置されている。光コネクタ差込部１１には、その開口端側が大径となり、奥側（レンズ１２側）が小径となるような段差部１１ａが形成されている。この段差部１１ａに光コネクタ１４の先端が突き当てられて、該光コネクタ１４が光コネクタ差込部１１内に位置決めされるようになっている。
【００３４】
このように、レセプタクル２は、光ファイバ１６を保持する。レセプタクル２は、該レセプタクル２内に保持された光ファイバ１６が受光素子５に対して調芯（後述）された位置で、ＣＡＮ１に対して固定される。ＣＡＮ１は、筒状固定部１３の内周に対し、例えば、接着剤（図示略）による接着によって固定される。
【００３５】
ここで、光ファイバ１６は、ＭＣＰ（Ｍｏｄｅ  Ｃｏｎｄｉｔｉｏｎｉｎｇ  Ｐａｔｃｈ  ｃｏｒｄ）（全体図示略）が有するマルチモードファイバであるか、又は、ＭＣＰのマルチモードファイバに接続された（継ぎ足された）マルチモードファイバである。ＭＣＰは、光の入力側がＳＭＦであり、光の出力側がＭＭＦであるパッチコードである。
【００３６】
次に、本実施形態に係る受光モジュールの製造方法を説明する。
【００３７】
図３に示すように、本実施形態に係る受光モジュールの製造方法では、例えば、レセプタクル２とＣＡＮ１との相対的な位置を調節する調芯工程としてのステップＳ１乃至Ｓ７と、調芯工程により調節された位置でレセプタクル２とＣＡＮ１とを相互に固定する固定工程としてのステップＳ８と、を実行する。
【００３８】
調芯工程は、光ファイバ１６からレンズ１２を介して受光素子５に光が照射される状態で受光素子５による受光電流がピークとなる位置を、光ファイバ１６の軸心方向（Ｚ軸方向）に対して直交する平面（ＸＹ平面と称する）内における一方向（Ｘ軸方向）である調節方向において求める第１工程（ステップＳ４）と、ＸＹ平面内において前記一方向に対して直交する直交方向（Ｙ軸方向）である調節方向において求める第２工程（ステップＳ５）と、光ファイバ１６の軸心方向（Ｚ軸方向）である調節方向において求める第３工程（ステップＳ６）と、を含む。なお、Ｘ軸方向及びＺ軸方向は図１及び図２に示した方向であり、Ｙ軸方向は図１及び図２の紙面において、例えば手前から奥に向かう方向である。
【００３９】
本実施形態の場合、例えば、第１乃至第３工程のそれぞれを、特定調芯工程により行う。すなわち、第１乃至第３工程では、それぞれの調節方向においてレセプタクル２とＣＡＮ１とを第１所定範囲内で相対的に移動させながら受光素子５による受光電流を検出し、当該受光電流が第１所定範囲内においてピーク値となる暫定ピーク位置を基準として調節方向における両側のそれぞれで、当該受光電流が当該ピーク値と比べて所定の減衰を呈する第１減衰位置と第２減衰位置とがそれぞれ存在するか否かを判定し、存在すると判定した場合には、第１減衰位置と第２減衰位置との間の位置であって第１及び第２減衰位置の中点から第２所定範囲内の位置をピーク位置として求め、且つ、調節方向におけるレセプタクル２とＣＡＮ１との相対位置をピーク位置に調節する。
【００４０】
そして、第１乃至第３工程の少なくとも何れか１つの工程で第１及び第２減衰位置のうちの少なくとも何れか一方が存在しないと判定した場合には、第１所定範囲（サーチ範囲）を大きくする第１設定変更と、所定の減衰を小さくする第２設定変更と、のうちの少なくとも何れか一方の設定変更を行う第４工程（ステップＳ３）を経て、再び、第１乃至第３工程を実行する。
【００４１】
本実施形態の場合、第１乃至第３工程を、第４工程を挟まずに何れかの順序で行う第５工程を実行し、第５工程の第１乃至第３工程のうちの少なくとも何れか１つの工程で第１及び第２減衰位置のうちの少なくとも何れか一方が存在しないと判定したためにピーク位置を求めることができなかった場合には、第４工程を経て再び第５工程を実行する。
【００４２】
以下、より具体的に説明する。
【００４３】
先ず、ステップＳ１では、ＣＡＮ１とレセプタクル２とをそれぞれ所定位置に配置する。例えば、このときのレセプタクル２の位置を初期位置とする。
【００４４】
次に、ステップＳ２では、光ファイバ１６から照射される光強度と、受光素子５に印加する逆バイアス電圧と、を設定する。
【００４５】
次に、ステップＳ３では、サーチ範囲の半分の値であるａと、所定の減衰ｂと、を設定する。なお、サーチ範囲は、例えば、上記初期位置からプラス方向にａ（μｍ）、マイナス方向にもａ（μｍ）の範囲とする。このため、ａの値を設定することは、サーチ範囲を設定することでもある。ここで、ａの値は、Ｘピークサーチ、Ｙピークサーチ、及びＺピークサーチで共通の値としても良いし、それぞれ個別の値としても良い。ｂの値についても同様である。以下では、例えば、ａ、ｂとも、Ｘ、Ｙ、Ｚピークサーチでそれぞれ個別の値を用いる例を説明する。ただし、例えば、ａ、ｂの初期値（最初のステップＳ３で設定する値）は、Ｘピークサーチ及びＹピークサーチでは共通の値とする。具体的には、例えば、この最初のステップＳ３では、Ｘピークサーチ及びＹピークサーチにおけるａの値を３０（μｍ）に、Ｚピークサーチにおけるａの値を１００（μｍ）に、Ｘピークサーチ及びＹピークサーチにおけるｂの値を１０（％）に、Ｚピークサーチにおけるｂの値を５（％）に、それぞれ設定する。
【００４６】
次に、ステップＳ４では、Ｘピークサーチを行う。すなわち、Ｘ軸方向におけるピーク位置をサーチする。この動作は、Ｘ軸方向において上記初期位置からプラス方向にａ（μｍ）、マイナス方向にもａ（μｍ）の範囲（第１所定範囲）内においてレセプタクル２をＣＡＮ１に対して相対的に移動させながら、受光素子５による受光電流を検出する。なお、ここで用いるａの値は、Ｘピークサーチ用のａの値である。ここで、受光電流の検出は、所定のピッチ（例えば、１μｍピッチ）で行う。そして、第１所定範囲内において検出した受光電流のうちのピーク値を求める。また、受光電流がこのピーク値となるようなＸ軸方向における位置を暫定ピーク位置として求める。そして、例えば、そのピーク値に対して受光電流が所定の減衰を呈するような減衰位置を、暫定ピーク位置を基準としてＸ軸方向におけるプラス方向とマイナス方向のそれぞれについて求める。より具体的には、ピーク値に対して受光電流がｂ（％）だけ減衰するような減衰位置を求める。なお、ここで用いるｂの値は、Ｘピークサーチ用のｂの値である。また、暫定ピーク位置を基準としてプラス方向に位置する減衰位置は第１減衰位置、マイナス方向に位置する減衰位置は第２減衰位置と称する。そして、これら第１及び第２減衰位置の間の位置であって第１及び第２減衰位置の中点から第２所定範囲内の位置を、Ｘ軸方向におけるピーク位置（Ｘピーク位置）として求める。そして、Ｘ軸方向におけるレセプタクル２の位置を、このＸピーク位置に調節する。
【００４７】
なお、Ｘピークサーチにおいて、サーチ条件によっては、ピーク値に対して受光電流がｂ（％）だけ減衰するような減衰位置がサーチ範囲内に存在しない場合があるため、第１及び第２減衰位置のうちの少なくとも一方を求めることができず、従って、ピーク位置（Ｘピーク位置）を求めることができず、レセプタクル２の位置をＸピーク位置に調節することができない場合がある。この場合、例えば、Ｘ軸方向におけるレセプタクル２の位置を、Ｘ軸方向における暫定ピーク位置に調節する。
【００４８】
次に、ステップＳ５では、ＹピークサーチをＸピークサーチと同様に行う。この動作は、Ｙ軸方向において上記初期位置からプラス方向にａ（μｍ）、マイナス方向にもａ（μｍ）の範囲（第１所定範囲）内においてレセプタクル２をＣＡＮ１に対して相対的に移動させながら、受光素子５による受光電流を検出する。なお、ここで用いるａの値は、Ｙピークサーチ用のａの値である。ここで、受光電流の検出は、所定のピッチ（例えば、１μｍピッチ）で行う。そして、第１所定範囲内において検出した受光電流のうちのピーク値を求める。また、受光電流がこのピーク値となるようなＹ軸方向における位置を暫定ピーク位置として求める。そして、例えば、そのピーク値に対して受光電流が所定の減衰を呈するような減衰位置を、暫定ピーク位置を基準としてＹ軸方向におけるプラス方向とマイナス方向のそれぞれについて求める。より具体的には、ピーク値に対して受光電流がｂ（％）だけ減衰するような減衰位置を求める。なお、ここで用いるｂの値は、Ｙピークサーチ用のｂの値である。暫定ピーク位置を基準としてプラス方向に位置する減衰位置は第１減衰位置、マイナス方向に位置する減衰位置は第２減衰位置と称する。そして、これら第１及び第２減衰位置の間の位置であって第１及び第２減衰位置の中点から第２所定範囲内の位置を、Ｙ軸方向におけるピーク位置（Ｙピーク位置）として求める。そして、Ｙ軸方向におけるレセプタクル２の位置を、このＹピーク位置に調節する。
【００４９】
なお、Ｙピークサーチにおいても、Ｘピークサーチの場合と同様に、サーチ条件によっては、第１及び第２減衰位置のうちの少なくとも一方を求めることができず、従って、ピーク位置（Ｙピーク位置）を求めることができず、レセプタクル２の位置をＹピーク位置に調節することができない場合がある。この場合、例えば、Ｙ軸方向におけるレセプタクル２の位置を、Ｙ軸方向における暫定ピーク位置に調節する。
【００５０】
次に、ステップＳ６では、ＺピークサーチをＸピークサーチ及びＹピークサーチと同様に行う。この動作は、Ｚ軸方向において上記初期位置からプラス方向にａ（μｍ）、マイナス方向にもａ（μｍ）の範囲（第１所定範囲）内においてレセプタクル２をＣＡＮ１に対して相対的に移動させながら、受光素子５による受光電流を検出する。なお、ここで用いるａの値は、Ｚピークサーチ用のａの値である。ここで、受光電流の検出は、所定のピッチ（例えば、１μｍピッチ）で行う。そして、第１所定範囲内において検出した受光電流のうちのピーク値を求める。また、受光電流がこのピーク値となるようなＺ軸方向における位置を暫定ピーク位置として求める。そして、例えば、そのピーク値に対して受光電流が所定の減衰を呈するような減衰位置を、暫定ピーク位置を基準としてＺ軸方向におけるプラス方向とマイナス方向のそれぞれについて求める。より具体的には、ピーク値に対して受光電流がｂ（％）だけ減衰するような減衰位置を求める。なお、ここで用いるｂの値は、Ｚピークサーチ用のｂの値である。暫定ピーク位置を基準としてプラス方向に位置する減衰位置は第１減衰位置、マイナス方向に位置する減衰位置は第２減衰位置と称する。そして、これら第１及び第２減衰位置の間の位置であって第１及び第２減衰位置の中点から第２所定範囲内の位置を、Ｚ軸方向におけるピーク位置（Ｚピーク位置）として求める。そして、Ｚ軸方向におけるレセプタクル２の位置を、このＺピーク位置に調節する。
【００５１】
なお、Ｚピークサーチにおいても、Ｘピークサーチ及びＹピークサーチの場合と同様に、サーチ条件によっては、第１及び第２減衰位置のうちの少なくとも一方を求めることができず、従って、ピーク位置（Ｚピーク位置）を求めることができず、レセプタクル２の位置をＺピーク位置に調節することができない場合がある。この場合、例えば、Ｚ軸方向におけるレセプタクル２の位置を、Ｚ軸方向における暫定ピーク位置に調節する。
【００５２】
ここで、ピークサーチ動作における第２所定範囲について説明する。例えば、レセプタクル２のＸ軸方向位置が、帯域内偏差劣化量が所定の限度内となるような位置のときには、受光電流はほぼピーク値となる。例えば、図１４の例では、レセプタクル２のＸ軸方向位置が、帯域内偏差劣化量の低下量が０．５ｄＢ以下となるような位置のときには、受光電流はほぼピーク値となる。すなわち、図１４の例では、帯域内偏差劣化量の低下量が例えば０．５ｄＢ以下となるＸ軸方向の範囲は、プラス方向に約１２μｍ、マイナス方向にも約１２μｍ程度である。そこで、Ｘピークサーチにおける第２所定範囲は、本実施形態の場合、具体的には、例えば、１２μｍとすることができる。つまり、Ｘピーク位置は、例えば、第１及び第２減衰位置の中点からプラス方向及びマイナス方向にそれぞれ１２μｍの範囲内の位置のうち任意の位置とすることができる。なお、レセプタクル２の移動時間を考慮すると、例えば、第１及び第２減衰位置の中点からプラス方向及びマイナス方向にそれぞれ１２μｍの範囲内の位置のうち、レセプタクル２の現在位置から最も近い位置をＸピーク位置とするようにしても良い。また、Ｘピークサーチにおける第２所定範囲と同様の観点から、Ｚピークサーチにおける第２所定範囲を定めるとすると、具体的には、例えば、第１及び第２減衰位置の中点からプラス方向及びマイナス方向にそれぞれ５０μｍの範囲とすることができる。ただし、これらの値は、受光モジュール１００の構造、受光素子５の特性などに応じて変化するものであることは言うまでもない。なお、Ｙピークサーチにおける第２所定範囲は、Ｘピークサーチにおける第２所定範囲と同様である。
【００５３】
このように、各ピークサーチ（Ｘ、Ｙ、Ｚピークサーチ）においては、ピーク位置にある程度の幅を持たせることもできる。ただし、具体的には、各ピーク位置（Ｘ、Ｙ、Ｚピーク位置）は、第１及び第２減衰位置の中点とすることができる。以下の説明では、各ピーク位置を第１及び第２減衰位置の中点として求めるものとする。
【００５４】
続くステップＳ７では、ステップＳ４〜Ｓ６において各ピーク位置（Ｘピーク位置、Ｙピーク位置及びＺピーク位置）が得られたか否かを判定し、各ピーク位置のうちの少なくとも何れか１つ以上が得られなかった場合には（ステップＳ７のＮｏ）、再度、ステップＳ３のａ及びｂの設定を行う。ここでのステップＳ３では、ａを前回のステップＳ３で設定したａよりも大きく（広く）する第１設定変更と、ｂを前回のステップＳ３で設定したｂよりも小さくする第２設定変更と、のうちの少なくとも何れか一方の設定変更を行う。
【００５５】
なお、ここでは、ピーク位置が得られなかったピークサーチ動作用のａ、ｂの値のみを変更すれば良い。例えば、Ｘピーク位置が得られなかった場合には、Ｘピークサーチ用のａ、ｂのうちの少なくとも何れか一方の値の変更を行えば良い。同様に、Ｙピーク位置が得られなかった場合には、Ｙピークサーチ用のａ、ｂのうちの少なくとも何れか一方の値の変更を行えば良く、Ｚピーク位置が得られなかった場合には、Ｚピークサーチ用のａ、ｂのうちの少なくとも何れか一方の値の変更を行えば良い。各ピークサーチＸ、Ｙ、Ｚ用のａの値を変更する第１設定変更では、例えば、ａの値を所定量（例えば、１０（μｍ））大きくする。また、各ピークサーチＸ、Ｙ、Ｚ用のｂの値を変更する第２設定変更では、例えば、ｂの値を所定量（例えば、１（％））小さくする。
【００５６】
なお、ノイズの影響で受光電流が揺らぐことに起因してピーク位置を誤検出してしまうことを抑制するためには、Ｘ、Ｙ、Ｚピークサーチ用のｂの値は例えば２（％）以上に設定することが好ましい。このため、設定変更によりｂの値を２（％）まで小さくした後で、更に設定変更する場合には、サーチ範囲を大きくする（ａを大きくする）第１設定変更のみを行うようにすることが好ましい。すなわち、所定限度（例えば、２（％））まで所定の減衰を小さくした後で、更に第４工程の設定変更を行う場合には、第１及び第２設定変更のうち第１設定変更のみを行うことが好ましい。
【００５７】
また、ステップＳ３での設定変更では、第１設定変更と第２設定変更とを一度に行うこととしても良いが、第１設定変更と第２設定変更とを一度に行うと、サーチ条件が大幅に変化してしまうため、第１設定変更と第２設定変更とのうちの何れか一方のみを行うことにより、サーチ条件を小幅に変化させることが好ましい。
【００５８】
このように設定変更をした状態で、再び、ステップＳ４〜Ｓ６を行って、ステップＳ７の判定に進む。以後、ステップＳ７で各ピーク位置（Ｘピーク位置、Ｙピーク位置及びＺピーク位置）が得られたと判定されるまで（ステップＳ７のＹｅｓとなるまで）、ステップＳ３の設定変更と、ステップＳ４〜Ｓ６と、を繰り返し行う。
【００５９】
ステップＳ７で各ピーク位置（Ｘピーク位置、Ｙピーク位置及びＺピーク位置）が得られたと判定されると（ステップＳ７のＹｅｓ）、それまでに行われたステップＳ４〜Ｓ６によって調節された位置で、レセプタクル２をＣＡＮ１に対して固定する（ステップＳ８）。
【００６０】
これにより、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、及びＺ軸方向の各々において、受光電流がピーク位置となるような配置で、レセプタクル２がＣＡＮ１に固定され、図１の受光モジュール１００が得られる。
【００６１】
次に、本実施形態により受光モジュール１００の製造に要する時間を短縮できるようになる理由を図４及び図６を参照して説明する。
【００６２】
図４の曲線Ｌ１は、レセプタクル２に接続する光ファイバ１６（出力端側のファイバがＧＩ６２．５マルチモードファイバであり、入力端側がシングルモードファイバ（ＳＭＦ）であるＭＣＰ）の入力端側からＬＤ（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ）の光を入射したときの、光ファイバ１６の出射端面（出力端面）における光強度のＸ軸方向における分布を示す。図４の曲線Ｌ２は、レセプタクル２に光ファイバ１６の代わりにＳＭＦを接続した場合に、その接続側とは反対側のＳＭＦの端面からＬＤの光を入射したときの、ＳＭＦの出射端面における光強度のＸ軸方向における分布を示す。図４に示すように、ＳＭＦよりもＭＣＰの方がファイバ出力端面における光強度分布が広い。図４の縦軸は、ピーク位置における光強度を１とした場合の光強度を示している。ここで、図４の例において、光強度が１／ｅ２以上（ｅは自然対数の底）となる範囲を考える。なお、１／ｅ２＝約０．１３である。図４の例では、光強度が１／ｅ２以上となる範囲は、レセプタクル２にＳＭＦを接続した場合には約±４．５μｍであるのに対し、レセプタクル２にＭＣＰを接続した場合には約±２１．６μｍとなっている。このため、レンズ１２により集光されて受光素子５に照射される光も、レセプタクル２にＳＭＦを接続したときよりもＭＣＰを接続したときの方が広範囲で強い光強度となることが分かる。つまり、レセプタクル２にＳＭＦを接続したときよりもＭＣＰを接続したときの方が、受光素子５の受光面に照射される光のスポット径が大きくなる。このため、レセプタクル２にＳＭＦを接続したときよりもＭＣＰを接続したときの方が、小さいサーチ範囲でＸ、Ｙ、Ｚピークサーチを行う場合でも、受光素子５の受光範囲からはみ出す光が多くなる。従って、各種の条件（後述）にもよるが、レセプタクル２にＳＭＦを接続したときよりもＭＣＰを接続したときの方が、Ｘ、Ｙ、Ｚトレランスカーブが急峻となる。
【００６３】
以下、レセプタクル２にＳＭＦを接続したときよりもＭＣＰを接続したときの方が、Ｘ、Ｙ、Ｚトレランスカーブが急峻となる理由をより詳細に説明する。
【００６４】
例えば、レセプタクル２にＭＣＰを接続した場合（以下、単にＭＣＰの場合、などという）のスポット径が６０μｍ、レセプタクル２にＳＭＦを接続した場合（以下、単にＳＭＦの場合、などという）のスポット径が２０μｍ、受光素子５の受光径が８０μｍであるという条件の場合を考える。この条件では、ＭＣＰの場合には、スポット光が受光範囲の中心から１０μｍよりも長距離移動するようにレセプタクル２をＸ軸方向又はＹ軸方向に動かしただけで、受光素子５の受光範囲からスポット光がはみ出してしまうのに対し、ＳＭＦの場合には、スポット光を受光範囲の中心から３０μｍ動かすまではスポット光が受光範囲からはみ出さない。このため、ＭＣＰの場合の方が、ＳＭＦの場合よりも、受光電流の減衰量の、レセプタクル２の移動量に対する依存性が高い。つまり、この条件では、ＭＣＰの場合の方が、ＳＭＦの場合よりも、Ｘ、Ｙトレランスカーブが急峻となることが分かる。次に、この条件の時のＺトレランスカーブについて説明する。例えば、ＭＣＰの場合とＳＭＦの場合で、Ｚ方向依存性、すなわち、レセプタクル２のＺ方向移動量に応じたスポット径の変化割合が同じであれば、ＭＣＰの場合の方が、ＳＭＦの場合よりも、短いＺ方向移動量で、受光素子５の受光範囲からスポット光がはみ出す。このため、この条件では、ＭＣＰの場合の方が、ＳＭＦの場合よりも、Ｚトレランスカーブも急峻となることが分かる。このように、この条件では、ＭＣＰの場合の方が、ＳＭＦの場合よりも、Ｘ、Ｙ、Ｚトレランスカーブが急峻となる。更に、この条件以外でも、例えば、ＭＣＰの場合のスポット径が受光範囲以下で、ＳＭＦの場合のスポット径がそれよりも小さいという条件のときにも、同様の理由から、ＭＣＰの場合の方が、ＳＭＦの場合よりも、Ｘ、Ｙ、Ｚトレランスカーブが急峻となる。更に、詳細な臨界条件の説明は省略するが、ＭＣＰの場合のスポット径が受光範囲よりも大きい場合でも、ＳＭＦの場合のスポット径との関係次第では、ＭＣＰの場合の方が、ＳＭＦの場合よりも、Ｘ、Ｙ、Ｚトレランスカーブが急峻となる条件が存在する。このように、ＭＣＰの場合のスポット径、受光素子５の受光径、及び、ＳＭＦの場合のスポット径の関係にもよるが、ＳＭＦの場合よりもＭＣＰの場合の方がＸ、Ｙ、Ｚトレランスカーブがそれぞれ急峻となる。
【００６５】
よって、レセプタクル２にＳＭＦを接続したときよりもＭＣＰを接続したときの方が、小さいサーチ範囲内に所望の減衰ｂとなるような位置が存在する可能性が高くなるので、サーチ範囲を小さく設定できる結果、調芯に要する時間を短縮でき、ひいては、受光モジュール１００の製造に要する時間を短縮できる。
【００６６】
なお、ＭＣＰを用いずに、ＬＤの光が入射されるＳＭＦの出力端面に単にマルチモードファイバを接続した（ＬＤの光が入射されるＳＭＦの出力端面にマルチモードファイバを継ぎ足した）場合でも、ＳＭＦの場合よりもスポット径が大きくなることが期待できる。しかし、この場合には、マルチモードファイバのコア内に光を十分に広げることができないという問題がある。また、ファイバの曲げなどに起因してファイバ端面における受光強度分布が変動したりしてしまうという問題がある。すなわち、ファイバ端面における受光強度をコントロールすることが困難である。このため、本実施形態では、単にマルチモードファイバをレセプタクル２に接続するのではなく、ＭＣＰが有するマルチモードファイバであるか、又は、ＭＣＰのマルチモードファイバに接続された（継ぎ足された）マルチモードファイバをレセプタクル２に接続する。
【００６７】
図５はレセプタクル２にＭＣＰ、ＳＭＦをそれぞれ接続して、逆バイアス電圧を３．３Ｖ、光強度を−１０ｄＢｍに設定して、Ｘピークサーチを行ったときの受光電流のＸトレランスの実測値を示す。なお、受光素子５としては、拡散径Ｗ１がφ３０μｍのものを用いた。
【００６８】
図５に示すように、±５０μｍのサーチ範囲で受光電流を測定した結果、ＳＭＦをレセプタクル２に接続した場合（図５の曲線Ｌ４）には、Ｘ方向位置≦−２１μｍ、並びに、＋２１μｍ≦Ｘ方向位置の範囲において、ｂが１０％以上となった。これに対し、ＭＣＰをレセプタクル２に接続した場合（図５の曲線Ｌ３）には、Ｘ方向位置≦−１５μｍ、並びに、＋１５μｍ≦Ｘ方向位置の範囲において、ｂが１０％以上となった。つまり、ＳＭＦをレセプタクル２に接続した場合には、例えば、サーチ範囲を±２１μｍの範囲に広げなければ、所望の減衰ｂを呈する減衰位置がサーチ範囲内に存在しないのに対し、ＭＣＰをレセプタクル２に接続した場合には、サーチ範囲を±１５μｍの範囲とすることにより、所望の減衰ｂを呈する第１及び第２減衰位置が存在するようになる。よって、ＭＣＰをレセプタクル２に接続した場合の方が、ＳＭＦをレセプタクル２に接続した場合よりも、Ｘピークサーチにおけるサーチ範囲を小さくできるので、Ｘピークサーチに要する時間を短縮できる。
【００６９】
なお、Ｙ軸方向におけるレセプタクル２の位置と受光電流との関係を示す曲線であるＹトレランスカーブについては図示及び説明を省略するが、Ｙトレランスカーブは、図５に示したＸトレランスカーブと同様である。よって、ＭＣＰをレセプタクル２に接続した場合の方が、ＳＭＦをレセプタクル２に接続した場合よりも、Ｙピークサーチにおけるサーチ範囲を小さくできるので、Ｙピークサーチに要する時間を短縮できる。
【００７０】
図６は、レセプタクル２にＭＣＰ、ＳＭＦをそれぞれ接続して、逆バイアス電圧を３．３Ｖ、光強度を−１０ｄＢｍに設定して、Ｚピークサーチを行ったときの受光電流の実測値を示す。上述のように、ノイズの影響で受光電流が揺らぐことに起因してピーク位置を誤検出してしまうことを抑制するためには、Ｚピークサーチ用のｂの値は例えば２（％）以上に設定することが好ましい。
【００７１】
図６に示すように、±２００μｍのサーチ範囲で受光電流を測定した結果、ＳＭＦをレセプタクル２に接続した場合（図６の曲線Ｌ６）には、ｂが２％以上となる位置は存在しなかった。これに対し、ＭＣＰをレセプタクル２に接続した場合（図６の曲線Ｌ５）には、Ｚ方向位置≦−１００μｍ、並びに、＋８０μｍ≦Ｚ方向位置の範囲において、ｂが２％以上となった。つまり、ＳＭＦをレセプタクル２に接続した場合には、例えば、サーチ範囲を±２００μｍの範囲としても、所望の減衰ｂを呈する減衰位置がサーチ範囲内に存在しないのに対し、ＭＣＰをレセプタクル２に接続した場合には、サーチ範囲を±１００μｍの範囲とすることにより、所望の減衰ｂを呈する第１及び第２減衰位置が存在するようになる。よって、ＭＣＰをレセプタクル２に接続した場合の方が、ＳＭＦをレセプタクル２に接続した場合よりも、Ｚピークサーチにおけるサーチ範囲を小さくできるので、Ｚピークサーチに要する時間を短縮できる。
【００７２】
しかも、Ｘ、Ｙ、Ｚピークサーチの何れの場合にも（図５、図６の何れの場合にも）、レセプタクル２にＳＭＦを接続したときよりもＭＣＰを接続したときの方が、トレランスカーブを急峻にできるので、所定の減衰ｂの値を大きい値に設定することができる。よって、ノイズの影響によるピーク位置の誤検出を抑制することができる。更に、トレランスカーブを急峻にすることができるので、ピーク位置を精度良く検出することができ、受光モジュール１００の周波数応答特性の歩留まりを向上させることができる。加えて、サーチ範囲を小さくできることにより、レセプタクル２とＣＡＮ１との相対移動距離を小さくすることができるので、レセプタクル２とＣＡＮ１とを干渉させずに所望の減衰ｂを得ることができるようになる。
【００７３】
なお、同様の寸法、形状及び特性の複数の受光モジュール１００を続けて製造する場合、最初の１つ目の受光モジュール１００の製造に用いた光強度及び逆バイアス電圧と、最初の１つ目の受光モジュール１００の製造において最終的に設定したａ、ｂの値と、を用いて２つ目以降の受光モジュール１００を製造することにより、２つ目以降の受光モジュール１００の製造に要する時間を更に短縮できる。具体的には、第４工程を行うことなく受光モジュール１００を製造可能となることが期待できる。
【００７４】
次に、図７を参照して、本実施形態に係る受光モジュール製造装置１５０の構成を説明する。
【００７５】
本実施形態に係る受光モジュール製造装置１５０は、上述したような本実施形態に係る受光モジュールの製造方法（図３のフローに従った製造方法）を実行する装置であり、例えば、図７に示すような構成となっている。すなわち、受光モジュール製造装置１５０は、例えば、第１保持部１５１と、第２保持部１５２と、相対位置調節部１５３と、受光電流検出部１５４と、光強度設定部１６１と、逆バイアス電圧印加部１５５と、制御部１５６と、記憶部１５７と、表示部１５８と、操作部１５９と、固定部１６０と、を備えている。
【００７６】
第１保持部１５１はレセプタクル２を保持し、第２保持部１５２はＣＡＮパッケージ１を保持する。
【００７７】
相対位置調節部１５３は、第１保持部１５１と第２保持部１５２とを相対的に移動させることによりレセプタクル２とＣＡＮパッケージ１との相対的な位置を調節する。相対位置調節部１５３は、具体的には、例えば、レセプタクル２をＣＡＮパッケージ１に対して移動させることにより、レセプタクル２とＣＡＮパッケージ１との相対的な位置を調節する。このような相対位置調節部１５３は、例えば、パルスモータなどにより構成することができる。
【００７８】
受光電流検出部１５４は、受光素子５の出力端子（図示略）に接続されており、受光素子５による受光電流を検出する。
【００７９】
光強度設定部１６１は、光ファイバ１６に光を供給する図示しないレーザダイオード（ＬＤ：Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ）に接続されており、このレーザダイオードの発光出力を調節することにより、もしくは光アッテネータを用いて、光ファイバ１６から照射される光強度を設定する。
【００８０】
逆バイアス電圧印加部１５５は、受光素子５の逆バイアス電圧入力端子（図示略）に接続されており、該逆バイアス電圧入力端子に逆バイアス電圧を印加する。逆バイアス電圧印加部１５５は、制御部１５６の制御下で、受光素子５の逆バイアス電圧入力端子に印加する逆バイアス電圧の値を変更することが可能である。
【００８１】
固定部１６０は、調芯された位置でレセプタクル２とＣＡＮパッケージ１とを相互に固定する。この固定部１６０は、図示は省略するが、例えば、接着剤を貯留する貯留部と、この貯留部よりも細径に形成され先端から接着剤を吐出する吐出部と、を備える。固定部１６０は、レセプタクル２の筒状固定部１３の内周とＣＡＮパッケージ１の外周との隙間に接着剤を塗布し、これらレセプタクル２とＣＡＮパッケージ１とを接着剤により相互に固定する。
【００８２】
制御部１５６は、受光モジュール製造装置１５０の各部を統括的に制御する。すなわち、制御部１５６は、相対位置調節部１５３、光強度設定部１６１、逆バイアス電圧印加部１５５、記憶部１５７、表示部１５８、及び固定部１６０の動作制御を行う。制御部１５６が相対位置調節部１５３の動作制御を行うことにより、ＣＡＮパッケージ１に対するレセプタクル２の相対位置を調節することができる。また、制御部１５６が光強度設定部１６１の動作制御を行うことにより、光ファイバ１６から照射される光の光強度を調節することができる。また、制御部１５６が逆バイアス電圧印加部１５５の動作制御を行うことにより、受光素子５に印加される逆バイアス電圧の値を調節することができる。また、制御部１５６が固定部１６０の動作制御を行うことにより、レセプタクル２とＣＡＮパッケージ１とを相互に固定することができる。更に、制御部１５６は、受光電流検出部１５４により検出される受光電流に基づく演算動作を行う。制御部１５６は、この演算動作により、Ｘトレランスカーブ、Ｙトレランスカーブ、Ｚトレランスカーブを求めたり、各調節方向（Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向）における第１及び第２減衰位置を求めたり、各ピーク位置（Ｘピーク位置、Ｙピーク位置、Ｚピーク位置）を求めたりすることができる。
【００８３】
制御部１５６は、例えば、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）と、このＣＰＵの動作用プログラムなどを記憶したＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）と、ＣＰＵの作業領域などとして機能するＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）と、を備えて構成されている。ＣＰＵは、ＲＯＭに記憶されている動作用プログラムに従って動作することにより、各種の制御動作及び演算動作を実行する。
【００８４】
表示部１５８は、各種の表示を行うことにより、オペレータによるパラメータの入力操作の支援などを行う。すなわち、例えば、上述したａ、ｂの初期値（最初のステップＳ３でのａ及び減衰ｂの値）の他、逆バイアス電圧及び光強度の値の入力操作を支援する入力画面の表示などを行う。オペレータは、表示部１５８の表示画面を確認しながら、操作部１５９に対して所定の操作を行うことにより、ａ、ｂの初期値、逆バイアス電圧及び光強度の値を入力することができる。
【００８５】
記憶部１５７は、入力されたａ、ｂの初期値と、逆バイアス電圧及び光強度の値と、を記憶する他に、設定変更後のａ、ｂの値と、受光電流検出部１５４により検出された受光電流の値を記憶する。
【００８６】
このように構成された受光モジュール製造装置１５０によれば、制御部１５６が以下のように動作することにより、上述したような本実施形態に係る受光モジュールの製造方法を実行することができる。
【００８７】
すなわち、本実施形態の場合、制御部１５６は、光ファイバ１６からレンズ１２を介して受光素子５に光が照射される状態で受光素子５による受光電流がピークとなる位置を、Ｘ軸方向である調節方向において演算する第１処理（ステップＳ４のＸピークサーチ）と、Ｙ軸方向である調節方向において演算する第２工程（ステップＳ５のＹピークサーチ）と、Ｚ軸方向である調節方向において演算する第３工程（ステップＳ６のＺピークサーチ）と、を行う。第１乃至第３処理の各々は、ＭＣＰのマルチモードファイバである光ファイバ１６から照射される光、又は、ＭＣＰに接続されたマルチモードファイバである光ファイバ１６から照射される光を、レンズ１２が集光し、レンズ１２が集光する光を受光素子５が受光する状態で、それぞれの調節方向においてレセプタクル２をＣＡＮパッケージ１に対してサーチ範囲内で相対的に移動させながら検出された受光素子５による受光電流が、サーチ範囲内においてピーク値となる暫定ピーク位置を基準として、調節方向における両側のそれぞれで、当該受光電流が当該ピーク値と比べて所定の減衰を呈する第１減衰位置と第２減衰位置とがそれぞれ存在するか否かを判定し、存在すると判定した場合には、第１減衰位置と第２減衰位置との間の位置であって第１及び第２減衰位置の中点から第２所定範囲内の位置をピーク位置として演算し、且つ、調節方向におけるＣＡＮパッケージ１に対するレセプタクル２の位置をピーク位置に調節させる特定調芯処理により行う。なお、制御部１５６は、第１乃至第３処理のうちの少なくとも何れか１つの処理で第１及び第２減衰位置のうちの少なくとも何れか一方が存在しないと判定した場合には、第１及び第２減衰位置のうちの少なくとも何れか一方が存在しないと判定した処理（第１乃至第３処理の何れか）におけるサーチ範囲を大きくする第１設定変更と、その処理（第１乃至第３処理の何れか）における減衰ｂを小さくする第２設定変更と、のうちの少なくとも何れか一方の設定変更を行う第４処理を経て、再び、第１乃至第３処理を実行する。これにより、受光モジュール製造装置１５０は、上述したような本実施形態に係る受光モジュールの製造方法を実行する。なお、後述する各変形例の動作も、例えば、それぞれの動作を実現するための動作用プログラムに従って制御部１５６のＣＰＵが動作することにより、実現することができる。
【００８８】
以上のような第１の実施形態によれば、受光モジュール１００を製造するに際し、レセプタクル２とＣＡＮパッケージ１との相対的な位置を調節する調芯工程（例えば、図３のステップＳ１〜Ｓ６）と、調芯工程により調節された位置でレセプタクル２とＣＡＮパッケージ１とを相互に固定する固定工程（図３のステップＳ７）と、を実行し、調芯工程は、光ファイバ１６からレンズ１２を介して受光素子５に光が照射される状態で受光素子５による受光電流がピークとなる位置を、光ファイバ１６の軸心方向（Ｚ軸方向）に対して直交する平面内における一方向（Ｘ軸方向）である調節方向において求める第１工程と、前記平面内において前記一方向に対して直交する直交方向（Ｙ軸方向）である調節方向において求める第２工程と、光ファイバ１６の軸心方向（Ｚ軸方向）である調節方向において求める第３工程と、を含み、第１乃至第３工程のそれぞれは、ＭＣＰのマルチモードファイバである光ファイバ１６から照射される光、又は、ＭＣＰに接続されたマルチモードファイバである光ファイバ１６から照射される光を、レンズ１２が集光し、レンズ１２が集光する光を受光素子５が受光する状態で、その調節方向においてレセプタクル２をＣＡＮパッケージ１に対して第１所定範囲内で移動させながら受光素子５による受光電流を検出し、当該受光電流が第１所定範囲内においてピーク値となる暫定ピーク位置を基準として調節方向における両側のそれぞれで、当該受光電流が当該ピーク値と比べて所定の減衰を呈する第１減衰位置と第２減衰位置とがそれぞれ存在するか否かを判定し、存在すると判定した場合には、前記第１減衰位置と前記第２減衰位置との間の位置であって第１及び第２減衰位置の中点から第２所定範囲内の位置をピーク位置として求め、且つ、調節方向におけるレセプタクル２の位置をピーク位置に調節する特定調芯工程により行うので、ＳＭＦから照射される光をレンズ１２を介して受光素子５が受光する場合と比べて、受光素子５の受光面における光の広がりを大きくすることができる。よって、Ｘ、Ｙ、Ｚ軸方向における各トレランスカーブを、ＳＭＦから照射される光をレンズ１２を介して受光素子５が受光する場合と比べて急峻にすることができる。これにより、ＳＭＦから照射される光をレンズ１２を介して受光素子５が受光する場合と比べて、所定の減衰を達成するためにレセプタクル２とＣＡＮ１とを相対的に移動させる第１所定範囲を狭くすることができるため、調芯を短時間で行うことができるようになり、受光モジュール１００の製造時間を短縮することができる。また、ＳＭＦから照射される光をレンズ１２を介して受光素子５が受光する場合と比べて、各方向のトレランスカーブをそれぞれ急峻にできるので、所定の減衰ｂの値を大きい値に設定することができる。よって、ノイズの影響によるピーク位置の誤検出を抑制することができる。更に、各方向のトレランスカーブをそれぞれ急峻にすることができるので、ピーク位置を精度良く検出することができ、受光モジュール１００の周波数応答特性の歩留まりを向上させることができる。
【００８９】
＜変形例１＞
図８は変形例１に係る受光モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【００９０】
変形例１の製造方法では、Ｘ軸方向と、Ｙ軸方向と、においてそれぞれピーク位置が求まり、レセプタクル２とＣＡＮ１との相対位置がこれらピーク位置に調節されるように、第１及び第２工程を実行する第６工程と、Ｚ軸方向においてピーク位置が求まり、レセプタクル２とＣＡＮ１との相対位置が当該ピーク位置に調節されるように、第３工程を実行する第７工程と、第１及び第２工程を実行する第８工程と、をこの順に、第７工程と第８工程との間に第４工程を挟まずに行う。
【００９１】
このような変形例１の製造方法では、ステップＳ５までは上記の第１の実施形態と同様に行うが、ステップＳ５に続いてステップＳ１１を行う。
【００９２】
ステップＳ１１では、ステップＳ４、Ｓ５において各ピーク位置（Ｘピーク位置及びＹピーク位置）が得られたか否かを判定し、各ピーク位置のうちの少なくとも何れか１つ以上が得られなかった場合には（ステップＳ１１のＮｏ）、ステップＳ３の設定変更を行う。すなわち、ここでのステップＳ３では、サーチ範囲を前回のステップＳ３で設定したサーチ範囲よりも大きく（広く）する第１設定変更と、必要減衰量を前回のステップＳ３で設定した減衰よりも小さくする第２設定変更と、のうちの少なくとも何れか一方の設定変更を行う。なお、ここでは、ピーク位置が得られなかったピークサーチ動作用のａ、ｂの値のみを変更すれば良い。例えば、Ｘピーク位置が得られなかった場合には、Ｘピークサーチ用のａ、ｂのうちの少なくとも何れか一方の値の変更を行えば良く、Ｙピーク位置が得られなかった場合には、Ｙピークサーチ用のａ、ｂのうちの少なくとも何れか一方の値の変更を行えば良い。また、Ｚピークサーチ用のａ、ｂの値は変更する必要がない。
【００９３】
このように設定変更をした状態で、再び、ステップＳ４、Ｓ５を行って、ステップＳ１１の判定に進む。以後、ステップＳ１１で各ピーク位置（Ｘピーク位置及びＹピーク位置）が得られたと判定されるまで（ステップＳ１１のＹｅｓとなるまで）、ステップＳ３の設定変更と、ステップＳ４、Ｓ５と、を繰り返し行う。
【００９４】
ステップＳ１１で各ピーク位置（Ｘピーク位置及びＹピーク位置）が得られたと判定されると（ステップＳ１１のＹｅｓ）、ステップＳ６に進み、上記の第１の実施形態と同様のＺピークサーチを行う。
【００９５】
ステップＳ６に続くステップＳ１２では、ステップＳ６においてＺピーク位置が得られたか否かを判定し、Ｚピーク位置が得られなかった場合には（ステップＳ１２のＮｏ）、ステップＳ１３の設定変更を行う。この設定変更は、ステップＳ３での設定変更と同様に行う。すなわち、サーチ範囲を前回のステップＳ３で設定したサーチ範囲よりも大きく（広く）する第１設定変更と、必要減衰量を前回のステップＳ３で設定した減衰よりも小さくする第２設定変更と、のうちの少なくとも何れか一方の設定変更を行う。なお、ここでは、Ｚピークサーチ用のａ、ｂの値の変更を行えば良く、Ｘピークサーチ及びＹピークサーチ用のａ、ｂの値は変更する必要がない。
【００９６】
このように設定変更をした状態で、再び、ステップＳ６を行って、ステップＳ１２の判定に進む。以後、ステップＳ１２でＺピーク位置が得られたと判定されるまで（ステップＳ１２のＹｅｓとなるまで）、ステップＳ１３の設定変更と、ステップＳ６と、を繰り返し行う。
【００９７】
ここで、レンズ１２から受光素子５に照射される光の光軸１９が光ファイバ１６の軸心方向に対してずれている場合には、Ｚピークサーチを行うことによりＺ軸方向位置が変化すると、それ以前のＸピークサーチ及びＹピークサーチにより調節されたＸ軸方向及びＹ軸方向のレセプタクル２の位置がそれぞれピーク位置から僅かにずれる。
【００９８】
そこで、この変形例１では、ステップＳ１２でＺピーク位置が得られたと判定されると（ステップＳ１２のＹｅｓ）、ステップＳ１４に進んでステップＳ４と同様のＸピークサーチを行い、更に、ステップＳ１５に進んでステップＳ５と同様のＹピークサーチを行う。これにより、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のレセプタクル２の位置を再調節する。
【００９９】
その後、ステップＳ８に進み、それまでに行われたステップＳ６、Ｓ１４、Ｓ１５によって調節された位置で、レセプタクル２をＣＡＮ１に対して固定する。これにより、図１の受光モジュール１００が得られる。
【０１００】
なお、詳細な説明は省略するが、以上のような変形例１の製造方法も、上述したような構成の受光モジュール製造装置１５０により実行することができる。
【０１０１】
変形例１によれば、Ｚピーク位置が得られた後で、更に、ステップＳ１４のＸピークサーチとステップＳ１５のＹピークサーチを行うので、光軸１９が光ファイバ１６の軸心方向に対してずれている場合に、Ｘ軸方向及びＹ軸方向におけるレセプタクル２の位置を上記の第１の実施形態よりも精度良くＸピーク位置及びＹピーク位置に調節することができる。
【０１０２】
＜変形例２＞
図９は変形例２に係る受光モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【０１０３】
変形例２の製造方法では、変形例１の第８工程に続いて、第４工程を行わずに第３工程を第９工程として実行する。
【０１０４】
このような変形例２の製造方法では、ステップＳ１５までは上記の変形例１と同様に行う。
【０１０５】
ここで、ステップＳ１４のＸピークサーチ及びステップＳ１５のＹピークサーチを行うと、先のステップＳ６により調節されたＺ軸方向のレセプタクル２の位置がピーク位置から僅かにずれる。
【０１０６】
そこで、この変形例２では、ステップＳ１５に続いてステップＳ１６に進んで、ステップＳ６と同様のＺピークサーチを行う。これにより、Ｚ軸方向のレセプタクル２の位置を再調節する。
【０１０７】
その後、ステップＳ８に進み、それまでに行われたステップＳ１４、Ｓ１５、Ｓ１６によって調節された位置で、レセプタクル２をＣＡＮ１に対して固定する。これにより、図１の受光モジュール１００が得られる。
【０１０８】
なお、詳細な説明は省略するが、以上のような変形例２の製造方法も、上述したような構成の受光モジュール製造装置１５０により実行することができる。
【０１０９】
変形例２によれば、Ｘピーク位置及びＹピーク位置の再調整を行った後で、更に、Ｚピーク位置の再調整も行うので、光軸１９が光ファイバ１６の軸心方向に対してずれている場合に、Ｚ軸方向におけるレセプタクル２の位置を上記の変形例１よりも精度良くＺピーク位置に調節することができる。
【０１１０】
＜変形例３＞
図１０は変形例３に係る受光モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【０１１１】
変形例３の製造方法では、前回の第７工程で求めたピーク位置と、最後に行った第９工程で求めたピーク位置とが所定の誤差範囲となるまで、第８工程と第９工程とを繰り返し行う。
【０１１２】
このような変形例３の製造方法では、ステップＳ１６までは上記の変形例２と同様に行う。
【０１１３】
ここで、ステップＳ１２の後で、ステップＳ１４（Ｘピークサーチ）、ステップＳ１５（Ｙピークサーチ）及びステップＳ１６（Ｚピークサーチ）を１回ずつのみ行うだけでは、Ｘピーク位置、Ｙピーク位置、Ｚピーク位置がそれぞれ高精度にピーク位置に収束しない可能性がある。
【０１１４】
そこで、この変形例３では、ステップＳ１６に続いてステップＳ１７に進み、ステップＳ１７では、直前の（最後の）ステップＳ１６で新たに求められたＺピーク位置が、前回のＺピークサーチ（前回のステップＳ６或いは前回のステップＳ１６）で求められたＺピーク位置から所定の誤差範囲内であるか否かを判定する。ステップＳ１７では、具体的には、例えば、新たに求められたＺピーク位置と、前回のＺピークサーチで求められたＺピーク位置との差が１０μｍ以下であるか否かを判定する。
【０１１５】
ステップＳ１７にて、新たに求められたＺピーク位置が前回のＺピークサーチで求められたＺピーク位置から所定の誤差範囲内ではない（所定の誤差範囲外である）と判定した場合には（ステップＳ１７のＮｏ）、再び、ステップＳ１４、Ｓ１５、Ｓ１６を行って、ステップＳ１７の判定に進む。以後、ステップＳ１７で所定の誤差範囲内であると判定されるまで（ステップＳ１７のＹｅｓとなるまで）、ステップＳ１４、Ｓ１５、Ｓ１６を繰り返し行う。
【０１１６】
ステップＳ１７にて、新たに求められたＺピーク位置が前回のＺピークサーチで求められたＺピーク位置から所定の誤差範囲内であると判定した場合には（ステップＳ１７のＹｅｓ）、ステップＳ８に進み、それまでに行われたステップＳ１４、Ｓ１５、Ｓ１６によって調節された位置で、レセプタクル２をＣＡＮ１に対して固定する。これにより、図１の受光モジュール１００が得られる。
【０１１７】
なお、詳細な説明は省略するが、以上のような変形例３の製造方法も、上述したような構成の受光モジュール製造装置１５０により実行することができる。
【０１１８】
変形例３によれば、ステップＳ１４〜Ｓ１６の後で、ステップＳ１７の判定を行い、必要に応じてステップＳ１４〜Ｓ１６を繰り返すので、光軸１９が光ファイバ１６の軸心方向に対してずれている場合に、Ｘピーク位置、Ｙピーク位置、Ｚピーク位置を上記の変形例２よりもそれぞれ高精度にピーク位置に収束させることができる。
【０１１９】
＜変形例４＞
図１１は変形例４に係る受光モジュールの製造方法を示すフローチャートである。
【０１２０】
変形例４の製造方法では、前回の第１工程で求めたピーク位置と、最後に行った第８工程の第１工程で求めたピーク位置とが所定の誤差範囲となり、且つ、前回の第２工程で求めたピーク位置と、最後に行った第８工程の第２工程で求めたピーク位置とが所定の誤差範囲となるまで、第８工程と第９工程とを繰り返し行う。
【０１２１】
このような変形例４の製造方法は、ステップＳ１７に代えてステップＳ１８を行う点でのみ変形例３の製造方法と相違し、その他の点は変形例３の製造方法と同様である。
【０１２２】
ステップＳ１８では、直前の（最後の）ステップＳ１４、Ｓ１５、Ｓ１６でそれぞれ新たに求められたピーク位置が、前回の各ピークサーチで求められたＸ、Ｙ、Ｚピーク位置から所定の誤差範囲内であるか否かを判定する。すなわち、Ｘピーク位置については、前回のＸピークサーチ（前回のステップＳ４或いは前回のステップＳ１４）で求められたＸピーク位置から所定の誤差範囲（例えば、２μｍ）内であるか否かを判定し、Ｙピーク位置については、前回のＹピークサーチ（前回のステップＳ５或いは前回のステップＳ１５）で求められたＹピーク位置から所定の誤差範囲（例えば、２μｍ）内であるか否かを判定し、Ｚピーク位置については、前回のＺピークサーチ（前回のステップＳ６或いは前回のステップＳ１６）で求められたＺピーク位置から所定の誤差範囲（例えば、１０μｍ）内であるか否かを判定する。
【０１２３】
ステップＳ１８にて、新たに求められた各ピーク位置のうちの何れか１つでも前回のピークサーチで求められたピーク位置から所定の誤差範囲内ではない（所定の誤差範囲外である）と判定した場合には（ステップＳ１８のＮｏ）、再び、ステップＳ１４、Ｓ１５、Ｓ１６を行って、ステップＳ１８の判定に進む。以後、ステップＳ１８で各ピーク位置が所定の誤差範囲内であると判定されるまで（ステップＳ１８のＹｅｓとなるまで）、ステップＳ１４、Ｓ１５、Ｓ１６を繰り返し行う。
【０１２４】
ステップＳ１８にて、新たに求められた各ピーク位置が前回の各ピークサーチで求められた各ピーク位置から所定の誤差範囲内であると判定した場合には（ステップＳ１８のＹｅｓ）、ステップＳ８に進み、それまでに行われたステップＳ１４、Ｓ１５、Ｓ１６によって調節された位置で、レセプタクル２をＣＡＮ１に対して固定する。これにより、図１の受光モジュール１００が得られる。
【０１２５】
なお、詳細な説明は省略するが、以上のような変形例４の製造方法も、上述したような構成の受光モジュール製造装置１５０により実行することができる。
【０１２６】
変形例４によれば、ステップＳ１４〜Ｓ１６の後で、ステップＳ１８の判定を行い、必要に応じてステップＳ１４〜Ｓ１６を繰り返すので、光軸１９が光ファイバ１６の軸心方向に対してずれている場合に、Ｘピーク位置、Ｙピーク位置、Ｚピーク位置を上記の変形例３よりもそれぞれ高精度にピーク位置に収束させることができる。
【０１２７】
〔第２の実施形態〕
上記の第１の実施形態では、レセプタクル２にレンズ１２が内蔵されている受光モジュール１００に受光モジュールの製造方法を適用する例を説明したが、第２の実施形態では、図１２に示す構造の受光モジュール２００に上述の受光モジュールの製造方法を適用する例を説明する。
【０１２８】
図１２に示すように、本実施形態に係る受光モジュールの製造方法が適用される受光モジュール２００は、ＣＡＮ１と、レセプタクル２（レンズ内蔵型ではない）と、を備えて構成されている。
【０１２９】
ＣＡＮ１は、第１の実施形態と同様のステム３、キャリア４及び受光素子５を有している。本実施形態の場合も、ステム３上には、キャリア４及び受光素子５の他に、トランスインピーダンスアンプ、及びコンデンサ等が搭載されていても良い。
【０１３０】
本実施形態の場合、ＣＡＮ１は、上記の第１の実施形態のキャップ６に代えて、キャップ２１を有している。キャップ２１は、光ファイバ１６（図２参照）から照射される光を集光するレンズ２２を一体に有している。本実施形態の場合も、ステム３上に配置された各構成要素（キャリア４、受光素子５など）は、キャップ２１によって気密封止され、これにより、ＣＡＮ１が構成されている。
【０１３１】
レセプタクル２は、光コネクタ差込部２３と、筒状固定部１３と、を備えている。なお、本実施形態の場合も、レセプタクル２は、ＳＭＦ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｍｏｄｅ  Ｆｉｂｅｒ）スタブを有していない。ただし、光コネクタ差込部２３の奥部には、光ファイバ１６（図２参照）を位置決めするためのファイバストップ２４が配置されている。すなわち、光コネクタ差込部２３内に光コネクタ１４（図２参照）が挿入され、且つ、ファイバストップ２４の図１２における右端面に光コネクタ１４の先端が突き当てられて、該光コネクタ１４が光コネクタ差込部２３内に位置決めされるようになっている。ファイバストップ２４は、例えば、光を透過させるガラスにより構成されていても良いし、或いは、光を通過させる穴が形成された金属部材により構成されていても良い。
【０１３２】
ファイバストップ２４におけるレンズ２２側の面２５は、Ｚ軸に直交する平面に対して交差している（ずれている）。このため、ファイバストップ２４及びレンズ２２を介して受光素子５に照射される光の光軸１９は、Ｚ軸に対して交差している（ずれている）。
【０１３３】
本実施形態の場合も、上述の第１の実施形態、或いは、変形例１乃至４で説明した製造方法により、受光モジュール２００を製造することができる。特に、本実施形態の場合、上述のように、光軸１９がＺ軸方向に対してずれているため、変形例１乃至４で説明した製造方法により受光モジュール２００を製造することが好ましい。
【０１３４】
以上のような第２の実施形態によれば、上記の第１の実施形態、或いは、変形例１乃至４と同様の効果が得られる。
【０１３５】
なお、上記において、レンズ１２、２２から受光素子５に照射される光の光軸１９が光ファイバ１６の軸心方向と一致している場合には、変形例１〜４の方法を行う必要がなく、第１の実施形態で説明したような製造方法を行うと良い。
【符号の説明】
【０１３６】
１ ＣＡＮパッケージ
２ レセプタクル
３ ステム
４ キャリア
５ 受光素子
６ キャップ
７ 平窓
１１ 光コネクタ差込部
１１ａ 段差部
１２ レンズ
１３ 筒状固定部
１４ 光コネクタ
１５ フェルール
１６ 光ファイバ
１７ 凸面
１８ 凹面
１９ 光軸
２１ キャップ
２２ レンズ
２３ 光コネクタ差込部
２４ ファイバストップ
２５ 面
５１ ＩｎＰ基板
５２ ｎ型ＩｎＰ膜
５３ ｎ−型ＩｎＧａＡｓ膜
５４ ｎ型ＩｎＰ膜
５５ ｎ電極
５６ パッシベーション膜
５７ Ｚｎ拡散領域
５８ ｐ電極
５９ パッシベーション膜
１００ 受光モジュール
１５０  受光モジュール製造装置
１５１  第１保持部
１５２  第２保持部
１５３  相対位置調節部
１５４  受光電流検出部
１５５  逆バイアス電圧印加部
１５６  制御部
１５７  記憶部
１５８  表示部
１５９  操作部
１６０  固定部
１６１  光強度設定部
２００ 受光モジュール
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６  曲線
Ｐ  光
Ｗ１  拡散径
Ｗ２  空乏層径
【図１】
2010278285.tif 000003
【図２】
2010278285.tif 000004
【図３】
2010278285.tif 000005
【図４】
2010278285.tif 000006
【図５】
2010278285.tif 000007
【図６】
2010278285.tif 000008
【図７】
2010278285.tif 000009
【図８】
2010278285.tif 000010
【図９】
2010278285.tif 000011
【図１０】
2010278285.tif 000012
【図１１】
2010278285.tif 000013
【図１２】
2010278285.tif 000014
【図１３】
2010278285.tif 000015
【図１４】
2010278285.tif 000016