(57)【要約】【課題】  新規なビクリセン化合物、及び発光効率が高く駆動耐久性の優れた有機発光素子を提供する。【解決手段】  下記一般式［１］に記載のビクリセン化合物とそれ有する有機発光素子を提供する。【化１】2010241789.tif 000049【選択図】  図１
2010241789.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式［１］で示されることを特徴とするビクリセン化合物。
【化１】
2010241789.tif 000045
〔式［１］において、Ｒ１乃至Ｒ１８は水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアルコキシ基からなる群よりそれぞれ独立に選ばれる。Ａｒ１乃至Ａｒ４はそれぞれ独立に置換あるいは無置換の炭化水素芳香環基を表す。〕
【請求項２】
前記一般式［１］で示されるビクリセン化合物は、下記一般式［２］で示される２，２’−ビクリセン化合物であることを特徴とする請求項１に記載のビクリセン化合物。
【化２】
2010241789.tif 000046
〔式［２］において、Ｘ１乃至Ｘ２０は水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアルコキシ基、置換あるいは無置換の炭化水素芳香環基からなる群よりそれぞれ独立に選ばれる。〕
【請求項３】
前記一般式［１］で示されるビクリセン化合物は、下記一般式［３］で示される３，３’−ビクリセン化合物であることを特徴とする請求項１に記載のビクリセン化合物。
【化３】
2010241789.tif 000047
〔式［３］において、Ｘ２１乃至Ｘ４０は水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアルコキシ基、置換あるいは無置換の炭化水素芳香環からなる群よりそれぞれ独立に選ばれる。〕
【請求項４】
前記一般式［１］で示されるビクリセン化合物は、下記一般式［４］で示される２，３’−ビクリセン化合物であることを特徴とする請求項１に記載のビクリセン化合物。
【化４】
2010241789.tif 000048
〔式［４］において、Ｘ４１乃至Ｘ６０は水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアルコキシ基、置換あるいは無置換の炭化水素芳香環基からなる群より選ばれる。〕
【請求項５】
一対の電極と、前記一対の電極の間に配置される有機化合物層とを有し、前記有機化合物層は請求項１乃至４のいずれか一項に記載のビクリセン化合物を有することを特徴とする有機発光素子。
【請求項６】
前記有機化合物層は発光層であり、前記発光層はホスト材料とゲスト材料を有し、前記ホスト材料は前記ビクリセン化合物であることを特徴とする請求項５に記載の有機発光素子。
【請求項７】
前記一対の電極の間に前記有機化合物層とは別の層を有し、前記別の層は発光層であり、前記有機化合物層は電子輸送層であることを特徴とする請求項５に記載の有機発光素子。
【請求項８】
請求項５乃至７のいずれか一項に記載の有機発光素子と前記有機発光素子と接続されているスイッチング素子とを有する表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、新規ビクリセン化合物及びこれを有する有機発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機発光素子は低印加電圧で高輝度、発光波長の多様性、高速応答性、発光デバイスの薄型・軽量化が期待され広く研究されている。
【０００３】
現状では更なる改善の余地があり、有機発光素子が有する有機化合物においては新規化合物の創出が行われている。
【０００４】
縮合多環芳香族化合物としては、特許文献１にはビスアントラセン誘導体が、また特許文献２や３にはクリセン誘導体が開示されている。特許文献３ではビクリセン化合物を有機発光素子の発光層に用いることが開示されている。また特許文献３には５，５’−ビクリセン化合物および６，６’−ビクリセン化合物については具体的な化合物が記載されている。また特許文献３にはそれ以外の１９種類の異性体については、２，２’−ビクリセン等の無置換のビクリセンについて単に記載されているのみである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３４４６９１号公報
【特許文献２】特開２００４−７５５６７号公報
【特許文献３】特開２００６−５２３２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、発光輝度や耐久性が十分に満足できる新規な化合物を提供することを目的とし、より具体的には新規なビクリセン化合物を提供することである。また、本発明の他の目的は、発光効率が高く駆動耐久性の優れた有機発光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のビクリセン化合物は、下記一般式［１］で示されることを特徴とする。
【０００８】
【化１】
2010241789.tif 000003
【０００９】
〔式［１］において、Ｒ１乃至Ｒ１８は水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアルコキシ基からなる群よりそれぞれ独立に選ばれる置換基を表す。Ａｒ１乃至Ａｒ４はそれぞれ独立に置換あるいは無置換の炭化水素芳香環基を表す。〕
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、新規ビクリセン化合物を提供することができる。そしてそれを有する発光効率が高く駆動耐久性の優れた有機発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】有機発光素子と有機発光素子と接続しているスイッチング素子とを示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（本発明に係るビクリセン化合物の主骨格と置換基について）
本発明のビクリセン化合物は、下記一般式［１］で示される。
【００１３】
【化２】
2010241789.tif 000004
【００１４】
式［１］で示されるビクリセン化合物は、クリセン環２位同士で結合した２，２’−ビクリセン化合物、クリセン環３位同士で結合した３，３’−ビクリセン化合物、クリセン環２位と３位で結合した２，３’−ビクリセン化合物のいずれか一つである。
【００１５】
本発明に係るビクリセン化合物は、エネルギーギャップが３．０ｅＶ程度と広い化合物である。
【００１６】
式［１］において、Ｒ１乃至Ｒ１８は水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアルコキシ基からなる群よりそれぞれ独立に選ばれる。ここでＲ７およびＲ１６は、クリセン環２位と３位の炭素原子のうち、上記の一般式［１］中に示すクリセン−クリセン結合に使用されない方の炭素原子に置換している。
【００１７】
Ｒ１乃至Ｒ１８で表されるアルキル基の具体例としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、ノルボルニル基、アダマンチル基である。
【００１８】
Ｒ１乃至Ｒ１８で表されるアルコキシ基の具体例としては、メトキシ基、エトキシ基、ｉｓｏ−プロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、アリロキシ基、ベンジルオキシ基である。
【００１９】
上記のアルキル基及びアルコキシ基がさらに有してもよい置換基としての具体例は、メチル基、エチル基、プロピル基等のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、フルオレニル基等の炭化水素芳香環基、チエニル基、ピロリル基、ピリジル基等の複素芳香環基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジアニソリルアミノ基等の置換アミノ基、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基等のアリールオキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、水酸基、シアノ基、ニトロ基である。
【００２０】
式［１］において、Ａｒ１乃至Ａｒ４は置換あるいは無置換の炭化水素芳香環基を表す。
【００２１】
Ａｒ１乃至Ａｒ４で表される炭化水素芳香環基の具体例としては、フェニル基、ナフチル基、フェナントリル基、フルオレニル基、アントラセニル基、クリセニル基、ピレニル基、ペリレニル基、インデニル基、アセナフチレニル基、アセナフテニル基、ビフェニレニル基、フルオランテニル基、ベンゾフルオランテニル基、トリフェニレニル基、ナフタセニル基である。
【００２２】
上記の炭化水素芳香環基がさらに有してもよい置換基としての具体例は、メチル基、エチル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基等のアルキル基、フェニル基、トリル基、ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、キシリル基、メシチル基、ナフチル基、フェナントリル基、フルオレニル基、９，９−ジメチルフルオレニル基、９，９−ジエチルフルオレニル基、９，９−ジ−（ｎ−ヘキシル）フルオレニル基等の炭化水素芳香環基、チエニル基、ピロリル基、ピリジル基、フェナントリル基等の複素芳香環基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基、ジフェニルアミノ基、ジトリルアミノ基、ジアニソリルアミノ基等の置換アミノ基、メトキシ基、エトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基、ナフトキシ基等のアリールオキシ基、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子、水酸基、シアノ基、ニトロ基である。
【００２３】
また式［１］のビクリセン化合物において、ビクリセン化合物が有する水素原子の全部又は一部が重水素で置き換わっていてもよい。
【００２４】
なお式［１］において主骨格とは、Ｒ１乃至Ｒ１８がどのような置換基なのかを問わない骨格のことを指す。
【００２５】
式［１］のビクリセン化合物は、好ましくは、式［２］乃至［４］で示される化合物である。式［２］乃至［４］のそれぞれにおいて主骨格とは、Ｘ１乃至Ｘ６０がどのような置換基なのかを問わない骨格のことである。
【００２６】
【化３】
2010241789.tif 000005
【００２７】
【化４】
2010241789.tif 000006
【００２８】
【化５】
2010241789.tif 000007
【００２９】
式［２］乃至［４］において、Ｘ１乃至Ｘ６０は水素原子、置換あるいは無置換のアルキル基、置換あるいは無置換のアルコキシ基、置換あるいは無置換の炭化水素芳香環基からなる群よりそれぞれ独立に選ばれる。
【００３０】
Ｘ１乃至Ｘ６０で表されるアルキル基の具体例としては、式［１］中のＲ１乃至Ｒ１８で表されるアルキル基の具体例と同様である。このアルキル基がさらに有してもよい置換基としては、式［１］中のＲ１乃至Ｒ１８がアルキル基である場合において、アルキル基がさらに有してもよい上記の置換基と同様である。
【００３１】
Ｘ１乃至Ｘ６０で表されるアルコキシ基の具体例としては、式［１］中のＲ１乃至Ｒ１８で表されるアルコキシ基の具体例と同様である。このアルキル基がさらに有してもよい置換基としては、式［１］中のＲ１乃至Ｒ１８がアルコキシ基である場合において、アルコキシ基がさらに有してもよい上記の置換基と同様である。
【００３２】
Ｘ１乃至Ｘ６０で表される炭化水素芳香環基の具体例としては、式［１］中のＡｒ１乃至Ａｒ４で表される炭化水素芳香環基の具体例と同様である。この炭化水素芳香環基がさらに有してもよい置換基としては、式［１］中のＡｒ１乃至Ａｒ４で表される炭化水素芳香環基がさらに有してもよい上記の置換基と同様である。
【００３３】
（本発明に係るビクリセン化合物の性質について）
本発明に係るビクリセン化合物は、エネルギーギャップが３．０ｅＶ程度の化合物である。これは本発明に係るビクリセン化合物が二面角の小さい化合物であることによる、
本発明に係るビクリセン化合物はそもそもクリセンを有している。クリセンはエネルギーギャップが広い。クリセン単独の場合、そのエネルギーギャップは３．０ｅＶをはるかに超えてしまう。
【００３４】
クリセンを有して化合物のエネルギーギャップを３．０ｅＶ程度まで狭める方法としては、クリセンに置換基を設ける方法が考えられる。
そしてもう１つは本発明のようにクリセンを２つ結合させる方法である。
【００３５】
本発明に係るビクリセン化合物は、エネルギーギャップの広いクリセンを２つ結合しているが、クリセン同士の結合位置に工夫がある。
【００３６】
結合位置を工夫することでエネルギーギャップを３．０ｅＶ程度、より具体的には３．０ｅＶ以上３．２ｅＶ以下とすることができる。その工夫とは式［１］で示されるように、クリセン環２位同士で結合した２，２’−ビクリセン化合物、クリセン環３位同士で結合した３，３’−ビクリセン化合物、クリセン環２位と３位で結合した２，３’−ビクリセン化合物のいずれかであるということである。
【００３７】
結合位置を上記の３つとしない場合はエネルギーギャップが広すぎてしまう。
【００３８】
クリセンを２つ有するビクリセン化合物はクリセン同士の結合位置の違いによって２１種類の異性体が考えられる。
【００３９】
以下に分子軌道計算によって様々なビクリセン化合物の二面角を示す。またクリセン環の置換位置番号を以下の構造式に記す。
（計算条件）
Ｇａｕｓｓｉａｎ０３：ｘ８６−Ｌｉｎｕｘ−Ｇ０３ＲｅｖＢ．０５
Ｂ３ＬＹＰ／６−３１Ｇ＊  Ｏｐｔ  ｐｏｐ＝ｍｉｎｉｍａｌ
【００４０】
【化６】
2010241789.tif 000008
【００４１】
【表１】
2010241789.tif 000009
【００４２】
６，６’−ビクリセンでは、７位のペリ位水素原子と７’位のペリ位水素原子とが大きく立体反発するので、クリセン環同士の二面角は非常に大きく、ほぼ直交している。
【００４３】
一方、２，２’−ビクリセン、３，３’−ビクリセン、及び２，３’−ビクリセンでは、上述のようなペリ位水素間の立体反発がないので、クリセン環同士の二面角はいずれも３８度未満と小さい。この二面角の差は、ビクリセン化合物のエネルギーギャップの大小に大きく影響する。具体的には、二面角が大きいほど、クリセン環同士のねじれが大きく、π共役が切断されてエネルギーギャップが大きくなる。
【００４４】
特に、二つのクリセン環をクリセンの３位で結合させると、π共役長の伸びが大きくなるため好ましい。
【００４５】
次に式［１］がＡｒとして有する置換基について説明する。式［１］において置換あるいは無置換の炭化水素芳香環基Ａｒは、より好ましくは式［２］乃至［４］に示すようにフェニル基である。
【００４６】
置換あるいは無置換の炭化水素芳香環基Ａｒは式［１］のそれぞれのクリセン環の、６位と１２位に位置する。
【００４７】
この置換あるいは無置換の炭化水素芳香環基Ａｒは、分子会合を防ぐために設けられる。というのも本発明に係るビクリセン化合物は主骨格の二面角が小さいためスタックしやすいからである。炭化水素芳香環基Ａｒをクリセン環の６位に設けることで、クリセン環の７位のペリ位原子との立体反発によって炭化水素芳香環基Ａｒとクリセン環との二面角を大きくすることができる。
【００４８】
クリセン環の６位及び１２位に設けられる置換基として嵩高さのみを求めるならば、ｔｅｒｔ−ブチル基などの嵩高いアルキル基を挙げることができる。しかしながら本発明に係るビクリセン化合物は、同じ位置にアルキル基ではなく炭化水素芳香環基を有する。クリセン環上にはＨＯＭＯおよびＬＵＭＯの電荷分布が多く存在しているので、芳香環置換基のようなｓｐ２炭素が直接結合している方がエネルギー的に有利であるためである。
【００４９】
本発明に係るビクリセン化合物のエネルギーギャップは、主としてビクリセン主骨格、即ちクリセン環同士の二面角の大きさで決まり３．０ｅＶ程度になるが、夫々のクリセン環の６位及び１２位に設けられる置換基Ａｒによって多少のチューニングが可能である。
【００５０】
具体的には、置換基Ａｒが無置換のフェニル基の場合に比べて、２，６−キシリル基のようにクリセン環と直交する置換基の場合はエネルギーギャップが大きくなり、２−ナフチル基のような縮環置換基の場合はエネルギーギャップが小さくなる。
【００５１】
本発明に係るビクリセン化合物はクリセン環を有しているためクリセン環由来の化学安定性がある。一方でアントラセン環を有する化合物はアントラセン環の９、１０位の炭素原子が非常に酸化されやすい。
【００５２】
本発明に係るビクリセン化合物は、それぞれのクリセン環が２位同士、あるいは３位同士、あるいは２位と３位との間で互いに結合しているため、分子全体としてクリセン環の長軸方向へ細長く直線性が高い。その結果分子内のπ共役長を伸ばせるため、良好な電子伝導性を有している。
【００５３】
本発明に係るビクリセン化合物は比較的ＨＯＭＯ準位が深い（イオン化ポテンシャルが大きい）。
【００５４】
このように本発明はエネルギーギャップが３．０ｅＶ程度で化学的に安定な化合物を提供することができる。
【００５５】
（本発明に係るビクリセン化合物の合成方法について）
次に、本実施形態に係るビクリセン化合物である、２，２’−ビクリセン化合物、３，３’−ビクリセン化合物、及び２，３’−ビクリセン化合物の合成方法について説明する。
【００５６】
本実施形態に係るビクリセン化合物は、下記式［５］乃至［８］に示される鈴木−宮浦カップリング反応によって合成することができる。すなわち、ハロゲン化合物である２−Ｃｌ中間体又は３−Ｃｌ中間体、ボロン酸ピナコールエステルである２−Ｂｐｉｎ中間体又は３−Ｂｐｉｎ中間体、及びパラジウム触媒を用いた鈴木−宮浦カップリング反応である。
【００５７】
【化７】
2010241789.tif 000010
【００５８】
〔式中、Ａｒ及びＡｒ’はそれぞれ置換あるいは無置換の炭化水素芳香環基を表す。〕
【００５９】
【化８】
2010241789.tif 000011
【００６０】
〔式中、Ａｒ及びＡｒ’はそれぞれ置換あるいは無置換の炭化水素芳香環基を表す。〕
【００６１】
【化９】
2010241789.tif 000012
【００６２】
〔式中、Ａｒ及びＡｒ’はそれぞれ置換あるいは無置換の炭化水素芳香環基を表す。〕
【００６３】
【化１０】
2010241789.tif 000013
【００６４】
〔式中、Ａｒ及びＡｒ’はそれぞれ置換あるいは無置換の炭化水素芳香環基を表す。〕
【００６５】
前駆体となる上記の２−Ｃｌ中間体及び２−Ｂｐｉｎ中間体は、下記式［９］に示される合成ルートで、６，１２−ジブロモ−２−クロロクリセンを経由して合成される。
【００６６】
【化１１】
2010241789.tif 000014
【００６７】
〔式中、Ａｒは置換あるいは無置換の炭化水素芳香環基を表す。〕
【００６８】
同様に、前駆体となる上記の３−Ｃｌ中間体及び３−Ｂｐｉｎ中間体は、下記式［１０］に示される合成ルートで、６，１２−ジブロモ−３−クロロクリセンを経由して合成される。
【００６９】
【化１２】
2010241789.tif 000015
【００７０】
〔式中、Ａｒは置換あるいは無置換の炭化水素芳香環基を表す。〕
【００７１】
式［９］及び［１０］において、Ａｒとして所望の炭化水素芳香環基を導入したＣｌ中間体、及びＢｐｉｎ中間体を合成することができる。続いて式［５］乃至［９］に示すカップリング反応を、これら前駆体を適宜選択して用いて行うことによって、所望のＡｒ及びＡｒ’が置換した本実施形態に係るビクリセン化合物を合成することができる。
【００７２】
更に式［９］及び［１０］の出発原料をアルキル基又はアルコキシ基で置換されたホルミルナフタレントリフラート及びクロロホルミルフェニルボロン酸にすることでアルキル基又はアルコキシ基で置換されたＣｌ中間体とＢｐｉｎ中間体を合成できる。これら中間体を用いれば、本実施形態に係るビクリセン化合物のうち、置換または無置換のアルキル基及び置換または無置換のアルコキシ基がクリセン環に直接置換しているビクリセン化合物も合成することができる。
【００７３】
（本発明に係るビクリセン化合物の例示）
以下、本実施形態に係るビクリセン化合物の具体的な構造式を例示する。
【００７４】
【化１３】
2010241789.tif 000016
【００７５】
【化１４】
2010241789.tif 000017
【００７６】
【化１５】
2010241789.tif 000018
【００７７】
【化１６】
2010241789.tif 000019
【００７８】
【化１７】
2010241789.tif 000020
【００７９】
上記化合物Ｃ１０１乃至Ｃ１１８（以下、Ｃ１００群と記す）は一般式［２］の具体例である。
【００８０】
後述する実施例１等において化合物Ｃ１０１が開示される。Ｃ１０１と特性が共通しているのは、Ｃ１００群のうちＣ１０２、Ｃ１０３、Ｃ１０７、Ｃ１０８、Ｃ１０９、Ｃ１１１、およびＣ１１２である。これらを一般化すると以下の一般式［１１］で表すことができる。
【００８１】
【化１８】
2010241789.tif 000021
【００８２】
〔前記式［１１］において、Ｙ１乃至Ｙ１２はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基である。〕
【００８３】
上記一般式［１１］で示した化合物は、置換フェニル基のα位が無置換であるという点でＣ１０１と構造が共通している。そのためクリセン環と置換フェニル基との二面角の大きさがＣ１０１と同等なので、エネルギーギャップもＣ１０１と同等であるという性質がある。
【００８４】
上記化合物Ｃ２０１乃至Ｃ２１５（以下、Ｃ２００群と記す）は一般式［３］の具体例である。
【００８５】
後述する実施例２等において化合物Ｃ２０１が開示される。Ｃ２０１と特性が共通しているのは、Ｃ２００群のうちＣ２０４、Ｃ２０５、Ｃ２１０、およびＣ２１２である。これらを一般化すると以下の一般式［１２］で表すことができる。
【００８６】
【化１９】
2010241789.tif 000022
【００８７】
〔前記式［１２］において、Ｙ１３乃至Ｙ２４はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基である。〕
【００８８】
上記一般式［１２］で示した化合物は、前述した一般式［１１］で示す化合物とＣ１０１との関係と同様に、エネルギーギャップがＣ２０１と同等であるという性質がある。
【００８９】
上記化合物Ｃ３０１乃至Ｃ３１８（以下、Ｃ３００群と記す）は一般式［４］の具体例である。
【００９０】
後述する実施例３等において化合物Ｃ３０１が開示される。Ｃ３０１と特性が共通しているのは、Ｃ３００群のうちＣ３０４、Ｃ３０５、Ｃ３０７、Ｃ３０８、Ｃ３１１、およびＣ３１２である。これらを一般化すると以下の一般式［１３］で表すことができる。
【００９１】
【化２０】
2010241789.tif 000023
【００９２】
〔前記式［１３］において、Ｙ２５乃至Ｙ３６はそれぞれ独立に水素原子またはアルキル基である。〕
【００９３】
上記一般式［１３］で示した化合物は、前述した一般式［１１］で示す化合物とＣ１０１との関係と同様に、エネルギーギャップがＣ３０１と同等であるという性質がある。
【００９４】
また上記化合物Ｃ４０１乃至Ｃ４１８（以下、Ｃ４００群と記す）に基づく一般式を以下に示す。
【００９５】
【化２１】
2010241789.tif 000024
【００９６】
〔前記式［１４］において、Ｚ１及びＺ２はそれぞれ独立に置換あるいは無置換のフェニル基、置換あるいは無置換のナフチル基、置換あるいは無置換のフルオレニル基、及び置換あるいは無置換のフェナントリルキ基からなる群より選ばれる。ただしＺ１及びＺ２のうち少なくとも１つは置換あるいは無置換のフェニル基ではない。〕
【００９７】
上記一般式［１４］で示した化合物は、ビクリセン主骨格の少なくとも一方のクリセン環の６位及び１２位に縮環置換基が設けられている。そのため４つの置換基が全てフェニル基であるＣ１００群乃至Ｃ３００群のビクリセン化合物に比べて、Ｃ４００群のビクリセン化合物はエネルギーギャップがより小さい。
【００９８】
（本発明に係るビクリセン化合物を有する有機発光素子について）
次に、本発明に係る有機発光素子について説明する。
【００９９】
本発明に係る有機発光素子は、一対の電極と、前記一対の電極間に配置された有機化合物層を有する。そしてこの有機化合物層が一般式［１］乃至［４］のいずれかで示されるビクリセン化合物を有する。
【０１００】
一対の電極とはより具体的には陽極と陰極である。一対の電極の間に電圧が印加されることで有機発光素子は発光する。
【０１０１】
一対の電極の間には有機化合物層以外の層を有していてもよい。このような場合を多層型の有機発光素子と呼ぶことにする。なお有機化合物層以外の層は本発明に係るビクリセン化合物を有していてもよい。
【０１０２】
以下に、多層型の有機発光素子の好ましい例として第一から第六までを示す。
第一の多層型の有機発光素子は、基板上に、順次陽極、発光層、陰極が設けられた構成の有機発光素子である。
第二の多層型の有機発光素子は、基板上に、順次陽極、ホール輸送層、電子輸送層、陰極が設けられた構成の有機発光素子である。この場合は、この場合、発光層は、ホール輸送層あるいは電子輸送層の少なくともいずれかである。
第三の多層型の有機発光素子は、基板上に、順次陽極、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、陰極が設けられた構成の有機発光素子である。
第四の多層型の有機発光素子は、基板上に、順次陽極、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、陰極が設けられた構成の有機発光素子である。
第五の多層型の有機発光素子は、基板上に、順次陽極、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、陰極が設けられた構成の有機発光素子である。
第六の多層型の有機発光素子は、基板上に、順次陽極、ホール輸送層、発光層、ホールブロッキング層・エキシトンブロッキング層、電子輸送層、陰極が設けられた構成の有機発光素子である。
ただし、本発明に係るビクリセン化合物を用いた有機発光素子の構成は、これらに限定されるものではない。例えば、電極と有機層界面に絶縁性層を設ける、接着層あるいは干渉層を設ける、電子輸送層もしくはホール輸送層がイオン化ポテンシャルの異なる二層から構成される、発光層が二層以上の積層構造から成るなど、多様な層構成をとることができる。
【０１０３】
本発明の一般式［１］乃至［４］で示されるビクリセン化合物は有機発光素子の多層のうちのいずれかの層に少なくとも一種含有される。このとき、一つの層に含まれる本発明のビクリセン化合物は、一種類であってもよく、二種類以上有してもよい。
【０１０４】
本発明に係るビクリセン化合物を有する層が、有機発光素子が必須に有する有機化合物層であり、それ以外に有機発光素子が有する層を別の層と呼ぶ。そして有機化合物層は発光層であることが好ましい。また有機化合物層は電子輸送層であることが好ましく、この場合は有機発光素子は別の層として発光層を有している。
【０１０５】
本発明に係るビクリセン化合物が発光層に用いられる場合、ホスト材料として用いられることが好ましい。
【０１０６】
また本発明に係るビクリセン化合物は、発光層のゲスト材料として用いてもよい。
【０１０７】
さらに本発明に係るビクリセン化合物は、発光層以外の各層、即ちホール注入層、ホール輸送層、ホールブロッキング層、エキシトンブロッキング層、電子輸送層、電子注入層の何れかに用いてもよい。
【０１０８】
この発光層は本発明に係るビクリセン化合物のみから構成されていてもよいし、あるいは本発明に係るビクリセン化合物を一部有していてもよい。発光層が本発明に係るビクリセン化合物を一部有してもよい場合、本発明に係るビクリセン化合物が発光層の主成分であってもよく、あるいは副成分であってもよい。
【０１０９】
ここで主成分とは、発光層を構成する全化合物の中で、例えば重量的あるいはモル数的に多い化合物であり、副成分とは少ない化合物のことをいう。主成分である材料は、上記のようにホスト材料と呼ぶこともできる。副成分である材料は、上記のようにゲスト（ドーパント）材料、発光アシスト材料、電荷注入材料と呼ぶことができる。ここでゲスト材料とは、発光層内で主たる発光を担う化合物である。これに対してホスト材料とは、発光層内でゲスト材料の周囲にマトリックスとして存在する化合物であって、主にキャリアの輸送、及びゲスト材料への励起エネルギー供与を担う化合物である。
【０１１０】
ここで、ホスト材料に対するゲスト材料の濃度は、発光層の構成材料の全体量を基準として、０．０１ｗｔ％乃至５０ｗｔ％であり、好ましくは、０．１ｗｔ％乃至２０ｗｔ％である。さらに好ましくは、濃度消光を防ぐために、ゲスト材料の濃度は１０ｗｔ％以下であることが望ましい。またゲスト材料は、ホスト材料からなる層全体に均一に含まれてもよいし、濃度勾配を有して含まれてもよいし、特定の領域に部分的に含ませてゲスト材料を含まないホスト材料層の領域を設けてもよい。
【０１１１】
有機発光素子の発光効率を高めるためには、ゲスト材料である発光中心材料そのものの発光量子収率を大きくすべきである一方で、ホスト−ホスト間、又はホスト−ゲスト間の励起エネルギー移動の効率を高くすることが重要である。
【０１１２】
ホスト−ゲスト間の励起エネルギー移動には、フェルスター機構においても、デクスター機構においてもホスト材料のエネルギーギャップがゲスト材料のエネルギーギャップより大きいことが重要である。ここでいうエネルギーギャップとは、化合物のＨＯＭＯ準位とＬＵＭＯ準位の差である。
【０１１３】
またホスト材料のエネルギーギャップが大きいことが重要であるとはいっても、過度に大きくなるとゲスト材料への励起エネルギー移動は起こるものの、発光層に隣接するホール輸送層または電子輸送層からの発光層へのキャリア注入が阻害される可能性が高い。即ち、ホール注入については、ホール輸送層ＨＯＭＯ準位と発光層のホストのＨＯＭＯ準位との差によって生じるホール注入障壁が大きくなり、ホールが注入され難くなる。同様に、電子注入については、電子輸送層のＬＵＭＯ準位と発光層のホストのＬＵＭＯ準位との差によって生じる電子注入障壁が大きくなり、電子が注入され難くなる。従って、両キャリアの注入にはより高いバイアス電圧が必要になるため、有機発光素子の高電圧化に繋がってしまう。更には、発光層内での両キャリアのバランスが大きく崩れるので、素子の発光効率の低下にも繋がる。
【０１１４】
ホスト−ゲスト間の高効率な励起エネルギー移動と良キャリア注入性の両者を考慮するならば、ホスト材料のエネルギーギャップの大きさとしては、ゲスト材料のエネルギーギャップ、即ち発光色に応じて好ましい範囲が存在すると本発明者は考える。たとえば最大発光波長が４３０ｎｍ乃至４７０ｎｍの青色発光するゲスト材料を用いる青色蛍光発光素子においては、ホスト材料のエネルギーギャップは３．０ｅＶ程度、具体的には３．０ｅＶ以上３．２ｅＶ以下であることが好ましいと本発明者は考える。またより好ましくは３．０ｅＶ以上３．１ｅＶ以下である。
【０１１５】
本発明に係るクリセン化合物はこれら数値範囲のエネルギーギャップを満たすので青色発光層のホスト材料として好ましく用いることができる。
【０１１６】
なお青色蛍光発光素子のホスト材料として、アントラセン環を主骨格とするアントラセン化合物が知られている。アントラセン環自体のエネルギーギャップは、他の炭素数が同程度の炭化水素芳香環と比べて小さいので、アントラセン化合物のエネルギーギャップは比較的小さく、３．０ｅＶ未満である。そのようなアントラセン化合物のエネルギーギャップは青色発光層ホスト材料としては小さ過ぎる。
【０１１７】
一方、アントラセンと炭素数が同程度のクリセンは、環自体のエネルギーギャップがアントラセン環よりも大きく、アントラセン環と同様に広いπ共役面を有していることに本発明者は気付いた。従って、クリセン環を母骨格とするクリセン化合物のエネルギーギャップは上述したように大きく、青色発光素子の発光層ホストに使用しても高効率なホスト−ゲスト間の励起エネルギー移動を期待できる。また、広いπ共役面を有しているので、良キャリア伝導性も期待することができる。
【０１１８】
本発明に係るビクリセン化合物は２つのクリセン環が２位同士、あるいは３位同士、あるいは２位と３位とが結合しているため、エネルギーギャップが大き過ぎない。
【０１１９】
これに対して先の表に示す６，６’−ビクリセン化合物は、エネルギーギャップが青色発光層ホスト材料としては大き過ぎる。これは二つのクリセン環が互いにほぼ直交してπ共役長が短いためである。
【０１２０】
このような本発明に係るビクリセン化合物を青色発光層ホスト材料に使用すると、ホスト−ゲスト間の高効率な励起エネルギー移動と良キャリア注入性の両方を兼ね備えた、発光効率の高い青色発光素子を得ることができる。
【０１２１】
本発明に係るビクリセン化合物は分子量が１２００以下より好ましくは１０００以下であることが好ましい。その場合昇華精製が行うことができるので好ましい。
【０１２２】
特に一般式［１］におけるＡｒ１乃至Ａｒ４が置換あるいは無置換のフェニル基であることが上記分子量の数値範囲内に収まるので好ましい。これは本発明に係るビクリセン化合物を発光層や電子輸送層やその他の層に用いる場合にも共通していえることである。
【０１２３】
本発明に係るビクリセン化合物を発光層のホスト材料として用いる場合、一般式［１］が有する置換基Ｒ１乃至Ｒ１８は水素原子であることが好ましい。というのも無置換である方が化学的安定性が高いからである。
【０１２４】
本発明に係るビクリセン化合物を発光層のホスト材料として用いる場合、一般式［２］が有する置換基Ｘ１乃至Ｘ２０は水素原子であることが好ましい。というのも、前述のように、分子量が小さいので加熱を伴うプロセスにおいて安定であることと、分子中にｓｐ２炭素しかなく化学的安定性が高いからである。
【０１２５】
本発明に係るビクリセン化合物を発光層のホスト材料として用いる場合、一般式［３］が有する置換基Ｘ２１乃至Ｘ４０と、一般式［４］が有する置換基Ｘ４１乃至Ｘ６０も、水素原子であることが好ましい。
【０１２６】
従って、本発明に係るビクリセン化合物を発光層のホスト材料として用いる場合、例えば上記Ｃ１０１乃至Ｃ５２１のうち好ましい化合物はＣ１０１、Ｃ２０１、及びＣ３０１である。
【０１２７】
本発明に係るビクリセン化合物は電子輸送層に使用しても効果的である。特に、本発明に係るビクリセン化合物は比較的ＨＯＭＯ準位が深いので、電子輸送層として用いるとホールブロック性も発現され、電子輸送層に隣接する発光層にキャリアを閉じ込めることができ、素子の発光効率を高くすることができる。ＨＯＭＯ準位が深いとはイオン化ポテンシャルが大きいという意味である。更に、本発明に係るビクリセン化合物は、電子輸送層として用いられる公知の化合物に対して比較的エネルギーギャップが大きいので、エキシトンブロック性も付与されて、発光層に励起子を閉じ込めることができ、素子の発光効率を高くすることができる。
【０１２８】
本発明に係るビクリセン化合物を電子輸送層を構成する材料として用いる場合、一般式［１］が有する置換基Ａｒ１乃至Ａｒ４は、フェニル基であることが好ましい。
本発明に係るビクリセン化合物を電子輸送層を構成する材料として用いる場合、一般式［１］が有する置換基Ｒ１乃至Ｒ１８は、水素原子であることが好ましい。
【０１２９】
また、本発明に係るビクリセン化合物を電子輸送層を構成する材料として用いる場合、一般式［２］が有する置換基Ｘ１乃至Ｘ２０は水素原子であることが好ましい。というのも、加熱プロセス等において化学的安定性が高いことと、無置換である方が高い電子輸送性を示すと考えられるからである。
【０１３０】
同様に、本発明に係るビクリセン化合物を電子輸送層を構成する材料として用いる場合、一般式［３］が有する置換基Ｘ２１乃至Ｘ４０と、一般式［４］が有する置換基Ｘ４１乃至Ｘ６０も、水素原子であることが好ましい。
【０１３１】
従って、本発明に係るビクリセン化合物を電子輸送層を構成する材料として用いる場合、例えば上記Ｃ１０１乃至Ｃ５２１のうち好ましい化合物はＣ１０１、Ｃ２０１、及びＣ３０１である。
【０１３２】
本発明に係るビクリセン化合物は、緑色あるいは赤色を発光する発光素子の発光層におけるホスト材料として用いてもよい。赤色発光素子のホスト材料として用いる場合、そのゲスト材料としてイリジウム錯体等のりん光発光性のドーパントを用いてもよい。
【０１３３】
本実施形態に係る有機発光素子の、より具体的には青色発光素子のゲスト材料として用いられる化合物の具体例を以下に示す。
【０１３４】
【化２２】
2010241789.tif 000025
【０１３５】
本発明に係る有機発光素子は、本発明に係るビクリセン化合物以外にも、必要に応じて従来公知の低分子系及び高分子系のホール輸送性化合物、発光性化合物あるいは電子輸送性化合物等を一緒に使用することができる。
【０１３６】
以下にこれらの化合物例を挙げる。
【０１３７】
ホール注入輸送性材料としては、ホール移動度が高い材料が好ましい。例を挙げればトリアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、ポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（チオフェン）、その他導電性高分子が挙げられる。
【０１３８】
主に発光機能に関わる発光材料として、前述の青色発光ゲスト材料、もしくはその誘導体以外に例を挙げれば、縮環化合物（例えばフルオレン誘導体、ナフタレン誘導体、ピレン誘導体、ペリレン誘導体、テトラセン誘導体、アントラセン誘導体、ルブレン等）、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、スチルベン誘導体、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、有機ベリリウム錯体、及びポリ（フェニレンビニレン）誘導体、ポリ（フルオレン）誘導体、ポリ（フェニレン）誘導体等の高分子誘導体が挙げられる。
【０１３９】
電子注入輸送性材料としては、ホール注入輸送性材料のホール移動度とのバランス等を考慮して選択される。電子注入輸送性材料の例を挙げれば、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体、フェナントロリン誘導体、有機アルミニウム錯体等が挙げられる。
【０１４０】
陽極材料としては、仕事関数がなるべく大きなものがよい。例えば、金、白金、銀、銅、ニッケル、パラジウム、コバルト、セレン、バナジウム、タングステン等の金属単体あるいはこれらを組み合わせた合金、酸化錫、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化錫インジウム（ＩＴＯ）、酸化亜鉛インジウム等の金属酸化物が使用できる。また、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン等の導電性ポリマーも使用できる。これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を併用して使用してもよい。また、陽極は一層で構成されていてもよく、複数の層で構成されていてもよい。
【０１４１】
一方、陰極材料としては、仕事関数の小さなものがよい。例えば、リチウム等のアルカリ金属、カルシウム等のアルカリ土類金属、アルミニウム、チタニウム、マンガン、銀、鉛、クロム等の金属単体が挙げられる。あるいはこれら金属単体を組み合わせた合金も使用することができる。例えば、マグネシウム−銀、アルミニウム−リチウム、アルミニウム−マグネシウム等が使用できる。酸化錫インジウム（ＩＴＯ）等の金属酸化物の利用も可能である。これらの電極物質は一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を併用して使用してもよい。また、陰極は一層で構成されていてもよく、複数の層で構成されていてもよい。
【０１４２】
これら陽極と陰極のうち少なくともいずれか一方が透明あるいは半透明である。
【０１４３】
本実施形態に係る有機発光素子で使用される基板としては、特に限定するものではないが、金属製基板、セラミックス製基板等の不透明性基板、ガラス、石英、プラスチックシート等の透明性基板が用いられる。また、基板にカラーフィルター膜、蛍光色変換フィルター膜、誘電体反射膜等を用いて発色光をコントロールすることも可能である。
【０１４４】
尚、作製した素子に対して、酸素や水分等との接触を防止する目的で保護層あるいは封止層を設けることもできる。保護層としては、ダイヤモンド薄膜、金属酸化物、金属窒化物等の無機材料膜、フッ素樹脂、ポリエチレン、シリコン樹脂、ポリスチレン樹脂等の高分子膜、さらには、光硬化性樹脂等が挙げられる。また、ガラス、気体不透過性フィルム、金属等で被覆し、適当な封止樹脂により素子自体をパッケージングすることもできる。
【０１４５】
また、素子の光取り出し方向に関しては、ボトムエミッション構成（基板側から光を取り出す構成）及び、トップエミッション（基板の反対側から光を取り出す構成）のいずれも可能である。
【０１４６】
本発明に係る有機発光素子において、本発明に係るビクリセン化合物が含まれる層及びその他の有機化合物からなる層は、以下に示す方法により形成される。一般には真空蒸着法、イオン化蒸着法、スパッタリング、プラズマあるいは、適当な溶媒に溶解させて公知の塗布法（例えば、スピンコーティング、ディッピング、キャスト法、ＬＢ法、インクジェット法等）により薄膜を形成する。ここで真空蒸着法や溶液塗布法等によって層を形成すると、結晶化等が起こりにくく経時安定性に優れる。また塗布法で成膜する場合は、適当なバインダー樹脂と組み合わせて膜を形成することもできる。
【０１４７】
上記バインダー樹脂としては、ポリビニルカルバゾール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ＡＢＳ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、尿素樹脂等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、これらバインダー樹脂は、ホモポリマー又は共重合体として、一種類を単独で使用してもよいし、二種類以上を混合して使用してもよい。さらに必要に応じて、公知の可塑剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤等の添加剤を併用してもよい。
【０１４８】
本発明に係る有機発光素子は、表示装置、電子写真方式のプリンターの潜像書き込み用光源、照明装置、液晶表示装置のバックライト、デジタルカメラ等の撮像装置等が挙げられる。
【０１４９】
本発明に係る有機発光素子を使用した表示装置を図１を用いて説明する。この表示装置は、本発明に係る有機発光素子と、有機発光素子の発光をスイッチングするスイッチング素子とを有する。
【０１５０】
はじめに符号の説明をする。３は表示装置、３１は基板、３２は防湿層、３３はゲート電極である。また３４はゲート絶縁膜、３５は半導体膜、３６はドレイン電極、３７はソース電極、３８はスイッチング素子であるＴＦＴ素子、３９は絶縁膜である。また３１０はコンタクトホール（スルーホール）、３１１は陽極、３１２は有機層、３１３は陰極、３１４は第一の保護層、３１５は第二の保護層である。
【０１５１】
図１は、有機発光素子とそれに接続するスイッチング素子であるＴＦＴとを示した表示装置の断面模式図である。本図において表示装置は２つの有機発光素子を有している。それぞれの有機発光素子がスイッチング素子と接続している。
【０１５２】
基板３１はガラスである、基板の上には上部に作られる部材（ＴＦＴ又は有機層）を保護するための防湿膜３２設けられている。
【０１５３】
防湿膜３２を構成する材料として、例えば酸化ケイ素又は酸化ケイ素と窒化ケイ素との複合体を挙げることができる。次に、ゲート電極３３は防湿膜３２に設けられている。これはスパッタリングによりＣｒ等の金属を製膜することで、所定の回路形状にパターニングして得られたものである。
【０１５４】
それぞれのゲート電極３３にはゲート絶縁膜３４が設けられている。それぞれのゲート絶縁膜３４は酸化シリコン等をプラズマＣＶＤ法又は触媒化学気相成長法（ｃａｔ−ＣＶＤ法）等により製膜し、パターニングして得られるものである。
【０１５５】
半導体層３５はそれぞれのゲート電極に対応して設けられている。半導体層３５はゲート絶縁層ごとにそれを覆うように設けられている。
【０１５６】
さらに、この半導体膜３５にはドレイン電極３６とソース電極３７とが設けられている。ＴＦＴ素子３８はこれらゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層、ソース電極、ドレイン電極とを有している、このＴＦＴ素子３８の上部に絶縁膜３９が設けられている。コンタクトホール（スルーホール）３１０は、金属からなる有機発光素子用の陽極３１１とソース電極３７とが接続するようにこの絶縁膜３９に設けられているコンタクトホール３１０には陽極３１１とソース電極３７とを接続する導電部材が設けられている。
【０１５７】
この陽極３１１の上に、多層あるいは単層の有機層３１２と、陰極３１３とが順次積層して設けられている。本図では有機発光素子の劣化を防ぐための第一の保護層３１４や第二の保護層３１５が設けられている。
【０１５８】
尚本実施形態に係る表示装置はスイッチング素子に特に限定はなく、単結晶シリコン基板やＭＩＭ素子、ａ−Ｓｉ型等でも容易に応用することができる。
【実施例】
【０１５９】
以下に実施例を挙げて本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１６０】
＜実施例１＞（例示化合物Ｃ１０１の合成）
（１）２−クロロクリセンの合成
【０１６１】
【化２３】
2010241789.tif 000026
【０１６２】
２−ヒドロキシ−１−ナフトアルデヒドから１−ホルミルナフタレン−２−イル−トリフルオロメタンスルホン酸を合成した。また２−ブロモ−５−クロロベンズアルデヒドから４−クロロ−２−ホルミルフェニルボロン酸を合成した。
【０１６３】
以下に示す試薬、溶媒を３００ｍＬ三口フラスコに投入した。
１−ホルミルナフタレン−２−イル−トリフルオロメタンスルホン酸：９．９７ｇ（３２．８ｍｍｏｌ）
４−クロロ−２−ホルミルフェニルボロン酸：５．７５ｇ（３１．２ｍｍｏｌ）
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）：１．０ｇ（０．８６ｍｍｏｌ）
トルエン：１００ｍＬ
エタノール：５０ｍＬ
１０ｗｔ％炭酸ナトリウム水溶液：５０ｍＬ
この反応溶液を、窒素下、撹拌しながら３時間加熱還流させた。反応終了後、反応溶液を水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥させた後に濃縮し粗生成物を得た。次にこの粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／ヘプタン＝２／１）で精製し、２−（４−クロロ−２−ホルミルフェニル）−１−ナフトアルデヒドを６．５５ｇ（収率７１％）得た。
【０１６４】
続いて、以下に示す試薬、溶媒を滴下漏斗を備えた５００ｍＬ三口フラスコに投入した。
２−（４−クロロ−２−ホルミルフェニル）−１−ナフトアルデヒド：６．５５ｇ（２２．２ｍｍｏｌ）
酢酸：３５０ｍＬ
この反応溶液を、窒素下、撹拌しながら加熱還流させ、そこへ、滴下漏斗から、酢酸３０ｍＬにヒドラジン１水和物１．４５ｇ（２８．９ｍｍｏｌ）を混合させた溶液を５０分間かけてゆっくり滴下し、滴下終了後、さらに３時間半加熱還流を続けた。反応終了後、反応溶液に水１００ｍＬを加えて撹拌し、析出した生成物をろ別し、メタノール／アセトン混合溶媒で加熱分散洗浄して精製し、２−クロロクリセンを４．４４ｇ（収率７６％）得た。
【０１６５】
また、１Ｈ−ＮＭＲ測定により、得られた化合物の同定を行った。
［１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）］
δ  ８．７５（ｄ，１Ｈ），８．７３（ｄ，１Ｈ），８．６８（ｄ，１Ｈ），８．６２（ｄ，１Ｈ），８．０１（ｄ，１Ｈ），７．９９（ｄｄ，１Ｈ），７．９５（ｄ，１Ｈ），７．９０（ｄ，１Ｈ），７．７４（ｔｄ，１Ｈ），７．６４（ｍ，２Ｈ）．
（２）６，１２−ジブロモ−２−クロロクリセンの合成
【０１６６】
【化２４】
2010241789.tif 000027
【０１６７】
以下に示す試薬、溶媒を滴下漏斗を備えた３００ｍＬ三口フラスコに投入した。
２−クロロクリセン：４．１０ｇ（１５．６ｍｍｏｌ）
ニトロベンゼン：１７０ｍＬ
【０１６８】
この反応溶液を、窒素下、撹拌しながら１０５℃に加熱し、そこへ、滴下漏斗から、ニトロベンゼン３０ｍＬに臭素１．８ｍＬ（３４．９ｍｍｏｌ）を混合させた溶液を１０分間かけてゆっくり滴下し、滴下終了後、さらに３時間半加熱を続けた。反応終了後、反応溶液にメタノール５０ｍＬを加えて撹拌し、析出した結晶をろ別し、メタノール、エタノール、ヘキサンで洗浄を行った。得られた結晶をトルエンで再結晶して精製し、６，１２−ジブロモ−２−クロロクリセンを５．９４ｇ（収率８４％）得た。
【０１６９】
また、１Ｈ−ＮＭＲ測定により、得られた化合物の同定を行った。
［１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）］
δ  ９．０１（ｓ，１Ｈ），８．９１（ｓ，１Ｈ），８．６７（ｄ，１Ｈ），８．６１（ｄ，１Ｈ），８．５０−８．３５（ｍ，２Ｈ），８．７７−８．７３（ｍ，３Ｈ）．
【０１７０】
（３）中間体Ｃｌ−２０１の合成
【０１７１】
【化２５】
2010241789.tif 000028
【０１７２】
以下に示す試薬、溶媒を３００ｍＬナスフラスコに投入した。
６，１２−ジブロモ−２−クロロクリセン：２．５０ｇ（５．９４ｍｍｏｌ）
フェニルボロン酸：１．５９ｇ（１３．１ｍｍｏｌ）
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）：０．３４ｇ（０．３０ｍｍｏｌ）
トルエン：８０ｍＬ
エタノール：４０ｍＬ
１０ｗｔ％炭酸ナトリウム水溶液：４０ｍＬ
【０１７３】
この反応溶液を、窒素下、撹拌しながら４時間加熱還流させた。反応終了後、反応溶液を水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥させた後に濃縮し粗生成物を得た。次にこの粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／トルエン＝４／１）で精製し、中間体Ｃｌ−２０１を２．３０ｇ（収率９３％）得た。
【０１７４】
（４）中間体Ｂｐｉｎ−２０１の合成
【０１７５】
【化２６】
2010241789.tif 000029
【０１７６】
以下に示す試薬、溶媒を５０ｍＬナスフラスコに投入した。
中間体Ｃｌ−２０１：４００ｍｇ（０．９６ｍｍｏｌ）
ビス（ピナコラト）ジボロン：２７０ｍｇ（１．０６ｍｍｏｌ）
ビス（ジベンジリデンアセトン）  パラジウム（０）：３３ｍｇ（５８μｍｏｌ）
トリシクロヘキシルホスフィン：３９ｍｇ（０．１４ｍｍｏｌ）
酢酸カリウム：１４２ｍｇ（１．４５ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサン：１０ｍＬ
【０１７７】
この反応溶液を、窒素下、９０℃で１２時間撹拌を行った。反応終了後、反応溶液を水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥させた後に濃縮し粗生成物を得た。次にこの粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／トルエン＝１／１）で精製し、中間体Ｂｐｉｎ−２０１を２０８ｍｇ（収率４３％）得た。
【０１７８】
（５）例示化合物Ｃ１０１の合成
【０１７９】
【化２７】
2010241789.tif 000030
【０１８０】
以下に示す試薬、溶媒を５０ｍＬナスフラスコに投入した。
中間体Ｃｌ−２０１：１７０ｍｇ（０．４１ｍｍｏｌ）
中間体Ｂｐｉｎ−２０１：２０７ｍｇ（０．４１ｍｍｏｌ）
酢酸パラジウム（ＩＩ）：３．４ｍｇ（１５μｍｏｌ）
ジシクロヘキシル（２’，６’−ジメトキシビフェニル−２−イル）ホスフィン：１２ｍｇ（２９μｍｏｌ）
りん酸カリウム：１７４ｍｇ（０．８２ｍｍｏｌ）
トルエン：１０ｍＬ
水：１ｍＬ
【０１８１】
この反応溶液を、窒素下、１００℃で１０時間撹拌を行った。反応終了後、析出した結晶をろ別し、水、エタノール、アセトンで洗浄し粗生成物を得た。次にこの粗生成物をクロロベンゼンに加熱溶解後、熱時ろ過し、クロロベンゼン／オクタンで再結晶を２回行った。得られた結晶を１５０℃で真空乾燥後、１０−４Ｐａ、３９０℃の条件下で昇華精製を行い、高純度の例示化合物Ｃ１０１を１８２ｍｇ（収率５９％）得た。
【０１８２】
得られた化合物の同定は、質量分析により行った。
［ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ（マトリックス支援イオン化−飛行時間型質量分析）］
実測値：ｍ／ｚ＝７５８．２７  計算値：Ｃ６０Ｈ３８＝７５８．３０
【０１８３】
また例示化合物Ｃ１０１について、以下の方法でエネルギーギャップの測定を行った。例示化合物Ｃ１０１をガラス基板上に加熱蒸着し、膜厚２０ｎｍの蒸着薄膜を得た。この蒸着薄膜について、紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製Ｖ−５６０）を用いて吸光スペクトルを測定した。得られた吸光スペクトルの吸収端を求めると３９０ｎｍであり、例示化合物Ｃ１０１のエネルギーギャップは３．１８ｅＶであった。
【０１８４】
＜実施例２＞（例示化合物Ｃ２０１の合成）
（１）３−クロロクリセンの合成
【０１８５】
【化２８】
2010241789.tif 000031
【０１８６】
２−ブロモ−４−クロロベンズアルデヒドから５−クロロ−２−ホルミルフェニルボロン酸を合成した。
【０１８７】
以下に示す試薬、溶媒を２００ｍＬナスフラスコに投入した。
１−ホルミルナフタレン−２−イル−トリフルオロメタンスルホン酸：５．３７ｇ（１７．７ｍｍｏｌ）
５−クロロ−２−ホルミルフェニルボロン酸：２．９６ｇ（１６．１ｍｍｏｌ）
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）：０．６０ｇ（０．５２ｍｍｏｌ）
トルエン：６０ｍＬ
エタノール：３０ｍＬ
１０ｗｔ％炭酸ナトリウム水溶液：３０ｍＬ
【０１８８】
この反応溶液を、窒素下、撹拌しながら７時間加熱還流させた。反応終了後、反応溶液を水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥させた後に濃縮し粗生成物を得た。次にこの粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／ヘプタン＝５／１）で精製し、２−（５−クロロ−２−ホルミルフェニル）−１−ナフトアルデヒドを２．２４ｇ（収率４７％）得た。
【０１８９】
続いて、以下に示す試薬、溶媒を滴下漏斗を備えた３００ｍＬ三口フラスコに投入した。
２−（５−クロロ−２−ホルミルフェニル）−１−ナフトアルデヒド：２．０５ｇ（６．９６ｍｍｏｌ）
酢酸：１６０ｍＬ
【０１９０】
この反応溶液を、窒素下、撹拌しながら加熱還流させ、そこへ、滴下漏斗から、酢酸２５ｍＬにヒドラジン１水和物０．４６ｇ（９．０４ｍｍｏｌ）を混合させた溶液を２０分間かけてゆっくり滴下し、滴下終了後、さらに５時間加熱還流を続けた。反応終了後、反応溶液に水５０ｍＬを加えて撹拌し、析出した結晶をろ別し、メタノール／アセトン混合溶媒で加熱分散洗浄して精製し、３−クロロクリセンを１．５０ｇ（収率８２％）得た。
【０１９１】
また、１Ｈ−ＮＭＲ測定により、得られた化合物の同定を行った。
［１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）］
δ  ８．７８（ｄ，１Ｈ），８．７５（ｄ，１Ｈ），８．７２（ｄ，１Ｈ），８．６１（ｄ，１Ｈ），８．０５−７．９０（ｍ，４Ｈ），７．７３（ｔｄ，１Ｈ），７．６６（ｔ，１Ｈ），７．５９（ｄｄ，１Ｈ）．
【０１９２】
（２）６，１２−ジブロモ−３−クロロクリセンの合成
【０１９３】
【化２９】
2010241789.tif 000032
【０１９４】
以下に示す試薬、溶媒を滴下漏斗を備えた２００ｍＬ三口フラスコに投入した。
３−クロロクリセン：１．４９ｇ（５．６７ｍｍｏｌ）
ニトロベンゼン：６５ｍＬ
【０１９５】
この反応溶液を、窒素下、撹拌しながら１０５℃に加熱し、そこへ、滴下漏斗から、ニトロベンゼン１０ｍＬに臭素０．６２ｍＬ（１２．０ｍｍｏｌ）を混合させた溶液を１０分間かけてゆっくり滴下し、滴下終了後、さらに３時間半加熱を続けた。反応終了後、反応溶液にメタノール３０ｍＬを加えて撹拌し、析出した結晶をろ別し、メタノール、エタノール、ヘキサンで洗浄を行った。得られた結晶をトルエンで再結晶して精製し、６，１２−ジブロモ−３−クロロクリセンを１．９９ｇ（収率８４％）得た。
【０１９６】
また、１Ｈ−ＮＭＲ測定により、得られた化合物の同定を行った。
［１Ｈ−ＮＭＲ（４００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ３）］
δ  ８．９９（ｓ，１Ｈ），８．８９（ｓ，１Ｈ），８．７５−８．６５（ｍ，２Ｈ），８．４６（ｍ，１Ｈ），８．３８（ｄ，１Ｈ），７．７９（ｍ，２Ｈ），７．７０（ｄｄ，１Ｈ）．
【０１９７】
（３）中間体Ｃｌ−３０１の合成
【０１９８】
【化３０】
2010241789.tif 000033
【０１９９】
以下に示す試薬、溶媒を２００ｍＬナスフラスコに投入した。
６，１２−ジブロモ−３−クロロクリセン：１．００ｇ（２．３８ｍｍｏｌ）
フェニルボロン酸：０．６４ｇ（５．２３ｍｍｏｌ）
テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）：０．１４ｇ（０．１２ｍｍｏｌ）
トルエン：４０ｍＬ
エタノール：２０ｍＬ
１０ｗｔ％炭酸ナトリウム水溶液：２０ｍＬ
【０２００】
この反応溶液を、窒素下、撹拌しながら４時間加熱還流させた。反応終了後、反応溶液に水２０ｍＬを加えて撹拌し、析出した結晶をろ別し、水、エタノール、アセトンで洗浄し粗生成物を得た。次にこの粗生成物をトルエンに加熱溶解後、熱時ろ過し、エタノールで加熱分散洗浄して精製し、中間体Ｃｌ−３０１を８４６ｍｇ（収率８６％）得た。
【０２０１】
（４）中間体Ｂｐｉｎ−３０１の合成
【０２０２】
【化３１】
2010241789.tif 000034
【０２０３】
以下に示す試薬、溶媒を５０ｍＬナスフラスコに投入した。
中間体Ｃｌ−３０１：３７０ｍｇ（０．８９ｍｍｏｌ）
ビス（ピナコラト）ジボロン：２７２ｍｇ（１．０７ｍｍｏｌ）
ビス（ジベンジリデンアセトン）  パラジウム（０）：５１ｍｇ（８９μｍｏｌ）
トリシクロヘキシルホスフィン：６３ｍｇ（０．２２ｍｍｏｌ）
酢酸カリウム：１７５ｍｇ（１．７８ｍｍｏｌ）
１，４−ジオキサン：１５ｍＬ
【０２０４】
この反応溶液を、窒素下、９０℃で７時間撹拌を行った。反応終了後、反応溶液を水で洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥させた後に濃縮し粗生成物を得た。次にこの粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：ヘプタン／トルエン＝１／１）で精製し、中間体Ｂｐｉｎ−３０１を１８０ｍｇ（収率４０％）得た。
【０２０５】
（５）例示化合物Ｃ２０１の合成
【０２０６】
【化３２】
2010241789.tif 000035
【０２０７】
以下に示す試薬、溶媒を５０ｍＬナスフラスコに投入した。
中間体Ｃｌ−３０１：１５５ｍｇ（０．３７ｍｍｏｌ）
中間体Ｂｐｉｎ−３０１：１８０ｍｇ（０．３６ｍｍｏｌ）
酢酸パラジウム（ＩＩ）：５ｍｇ（２２μｍｏｌ）
ジシクロヘキシル（２’，６’−ジメトキシビフェニル−２−イル）ホスフィン：１９ｍｇ（４６μｍｏｌ）
りん酸カリウム：２２６ｍｇ（１．０７ｍｍｏｌ）
トルエン：１２ｍＬ
水：０．２５ｍＬ
【０２０８】
この反応溶液を、窒素下、１００℃で４時間半撹拌を行った。反応終了後、析出した結晶をろ別し、水、メタノールで洗浄し粗生成物を得た。次にこの粗生成物をトルエン／クロロベンゼン混合溶媒に加熱溶解後、熱時ろ過し、クロロベンゼン／トルエン／オクタン混合溶媒で再結晶を行った。得られた結晶を、更にトルエン／クロロベンゼン／酢酸エチル混合溶媒で加熱分散洗浄して精製し、１５０℃で真空乾燥後、１０−４Ｐａ、３９０℃の条件下で昇華精製を行い、高純度の例示化合物Ｃ２０１を１６３ｍｇ（収率６０％）得た。
【０２０９】
得られた化合物の同定は、質量分析により行った。
【０２１０】
［ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ］
実測値：ｍ／ｚ＝７５８．３９  計算値：Ｃ６０Ｈ３８＝７５８．３０
また例示化合物Ｃ２０１について、実施例１−（５）と同様の方法でエネルギーギャップの測定を行ったところ、吸光スペクトルの吸収端は４０９ｎｍであり、例示化合物Ｃ２０１のエネルギーギャップは３．０３ｅＶであった。
【０２１１】
＜実施例３＞（例示化合物Ｃ３０１の合成）
【０２１２】
【化３３】
2010241789.tif 000036
【０２１３】
以下に示す試薬、溶媒を５０ｍＬナスフラスコに投入した。
中間体Ｃｌ−３０１：２５０ｍｇ（０．６０ｍｍｏｌ）
中間体Ｂｐｉｎ−２０１：３３６ｍｇ（０．６６ｍｍｏｌ）
酢酸パラジウム（ＩＩ）：７ｍｇ（３１μｍｏｌ）
ジシクロヘキシル（２’，６’−ジメトキシビフェニル−２−イル）ホスフィン：３３ｍｇ（８０μｍｏｌ）
りん酸カリウム：３８６ｍｇ（１．８２ｍｍｏｌ）
トルエン：２０ｍＬ
水：０．５０ｍＬ
【０２１４】
この反応溶液を、窒素下、１００℃で５時間撹拌を行った。反応終了後、析出した結晶をろ別し、水、エタノール、ヘキサンで洗浄し粗生成物を得た。次にこの粗生成物をトルエンに加熱溶解後、熱時ろ過し、トルエン／オクタン混合溶媒で再結晶を行った。得られた結晶を１５０℃で真空乾燥後、１０−４Ｐａ、３９０℃の条件下で昇華精製を行い、高純度の例示化合物Ｃ３０１を２２１ｍｇ（収率４８％）得た。
【０２１５】
得られた化合物の同定は、質量分析により行った。
【０２１６】
［ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ−ＭＳ］
実測値：ｍ／ｚ＝７５８．３３  計算値：Ｃ６０Ｈ３８＝７５８．３０
また例示化合物Ｃ３０１について、実施例１−（５）と同様の方法でエネルギーギャップの測定を行ったところ、吸光スペクトルの吸収端は４０９ｎｍであり、例示化合物Ｃ３０１のエネルギーギャップは３．０３ｅＶであった。
【０２１７】
＜比較例１＞（エネルギーギャップの比較）
下記に示す、比較化合物Ｈ０１乃至Ｈ０５について、実施例１−（５）と同様の方法でエネルギーギャップの測定を行った。実施例１乃至３の結果と合わせて、結果を表２に示す。
【０２１８】
【化３４】
2010241789.tif 000037
【０２１９】
【表２】
2010241789.tif 000038
【０２２０】
本実施例のビクリセン化合物と比較して、比較化合物Ｈ０１の６，６−ビクリセン化合物のエネルギーギャップは非常に大きかった。
【０２２１】
＜実施例４＞
本実施例では、多層型有機発光素子の第三の例で示した素子（陽極／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／陰極）を、以下に示す方法で作製した。
【０２２２】
ガラス基板上に、陽極としてＩＴＯをスパッタ法にて膜厚１１０ｎｍで製膜したものを透明導電性支持基板（ＩＴＯ基板）として使用した。このＩＴＯ基板上に、以下に示す有機化合物層及び電極層を、１０−５Ｐａの真空チャンバー内で抵抗加熱による真空蒸着によって連続的に製膜した。このとき対向する電極面積は３ｍｍ２になるように作製した。
ホール輸送層（２５ｎｍ）  ＨＴＬ−１
発光層（３０ｎｍ）  ホスト材料：例示化合物Ｃ１０１、ゲスト材料：ＢＤ−３（重量比  ５％）電子輸送層（３０ｎｍ）  ＥＴＬ−１
金属電極層１（０．５ｎｍ）  ＬｉＦ
金属電極層２（１００ｎｍ）  Ａｌ
【０２２３】
【化３５】
2010241789.tif 000039
【０２２４】
次に、有機発光素子が、水分の吸着によって素子劣化が起こらないように、乾燥空気雰囲気中で保護用ガラス板をかぶせ、アクリル樹脂系接着材で封止した。以上のようにして有機発光素子を得た。
【０２２５】
得られた有機発光素子について、ＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極にして、４．５Ｖの印加電圧をかけたところ、発光効率が７．５ｃｄ／Ａで、輝度１０００ｃｄ／ｍ２の青色発光が観測された。またこの素子において、ＣＩＥ色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．１４，０．２２）であった。さらに、この素子を５０ｍＡ／ｃｍ２の定電流密度を保ちながら２００時間耐久駆動させると、初期輝度からの輝度減少率は１９％であった。
【０２２６】
＜実施例５＞
実施例４において、発光層のホスト材料を、例示化合物Ｃ１０１に代えて、例示化合物Ｃ２０１を使用した他は、実施例４と同様の方法で素子を作製した。また得られた素子について実施例４と同様に評価を行った。結果を表３に示す。
【０２２７】
＜実施例６＞
実施例４において、発光層のホスト材料を、例示化合物Ｃ１０１に代えて、例示化合物Ｃ３０１を使用した他は、実施例４と同様の方法で素子を作製した。また得られた素子について実施例４と同様に評価を行った。結果を表３に示す。
【０２２８】
＜比較例２＞
実施例４において、発光層のホスト材料を、例示化合物Ｃ１０１に代えて、比較化合物Ｈ０１を使用した他は、実施例４と同様の方法で素子を作製した。また得られた素子について実施例４と同様に評価を行った。結果を表３に示す。
【０２２９】
＜比較例３＞
実施例４において、発光層のホスト材料を、例示化合物Ｃ１０１に代えて、比較化合物Ｈ０５を使用した他は、実施例４と同様の方法で素子を作製した。また得られた素子について実施例４と同様に評価を行った。結果を表３に示す。
【０２３０】
【表３】
2010241789.tif 000040
【０２３１】
＜実施例７＞
本実施例では、多層型有機発光素子の第三の例で示した素子（陽極／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／陰極）において、電子輸送層がイオン化ポテンシャルの異なる二層から構成される素子を、以下に示す方法で作製した。
【０２３２】
実施例４と同様の方法で作製したＩＴＯ基板上に、以下に示す有機化合物層及び電極層を、１０−５Ｐａの真空チャンバー内で抵抗加熱による真空蒸着によって連続的に製膜した。このとき対向する電極面積は３ｍｍ２になるように作製した。
ホール輸送層（３０ｎｍ）  ＨＴＬ−２
発光層（３５ｎｍ）  ホスト材料：ＢＨ−１、ゲスト材料：ＢＤ−７（重量比  ５％）
電子輸送層１（１０ｎｍ）  例示化合物Ｃ１０１
電子輸送層２（２５ｎｍ）  ＥＴＬ−１
金属電極層１（０．５ｎｍ）  ＬｉＦ
金属電極層２（１００ｎｍ）  Ａｌ
【０２３３】
【化３６】
2010241789.tif 000041
【０２３４】
次に、有機発光素子が、水分の吸着によって素子劣化が起こらないように、乾燥空気雰囲気中で保護用ガラス板をかぶせ、アクリル樹脂系接着材で封止した。以上のようにして有機発光素子を得た。
【０２３５】
得られた有機発光素子について、ＩＴＯ電極を正極、Ａｌ電極を負極にして、４．１Ｖの印加電圧をかけたところ、発光効率が４．９ｃｄ／Ａで、輝度１２００ｃｄ／ｍ２の青色発光が観測された。またこの素子において、ＣＩＥ色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．１５，０．２５）であった。さらに、この素子を１００ｍＡ／ｃｍ２の定電流密度を保ちながら１００時間耐久駆動させると、初期輝度からの輝度減少率は１５％であった。
【０２３６】
＜実施例８＞
実施例７において、電子輸送層１を、例示化合物Ｃ１０１に代えて、例示化合物Ｃ２０１を使用した他は、実施例７と同様の方法で素子を作製した。また得られた素子について実施例７と同様に評価を行った。結果を表４に示す。
【０２３７】
＜実施例９＞
実施例７において、電子輸送層１を、例示化合物Ｃ１０１に代えて、例示化合物Ｃ３０１を使用した他は、実施例７と同様の方法で素子を作製した。また得られた素子について実施例７と同様に評価を行った。結果を表４に示す。
【０２３８】
＜比較例４＞
実施例７において、電子輸送層１を、例示化合物Ｃ１０１に代えて、比較化合物Ｈ０１を使用した他は、実施例７と同様の方法で素子を作製した。また得られた素子について実施例７と同様に評価を行った。結果を表４に示す。
【０２３９】
＜比較例５＞
実施例７において、電子輸送層１を、例示化合物Ｃ１０１に代えて、比較化合物Ｈ０３を使用した他は、実施例７と同様の方法で素子を作製した。また得られた素子について実施例７と同様に評価を行った。結果を表４に示す。
【０２４０】
【表４】
2010241789.tif 000042
【０２４１】
＜実施例１０＞
本実施例では、多層型有機発光素子の第五の例で示した素子（陽極／ホール注入層／ホール輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極）において、共振構造を有する有機発光素子を以下に示す方法で作製した。
【０２４２】
支持体としてのガラス基板上に反射性陽極としてのアルミニウム合金（ＡｌＮｄ）を１００ｎｍの膜厚でスパッタリング法にて成膜した。さらに、透明性陽極としてＩＴＯをスパッタリング法にて４０ｎｍの膜厚で形成した。次に、この陽極周辺部にアクリル製の素子分離膜を厚さ１．５μｍで形成し、半径３ｍｍの開口部を設けた。これをアセトン、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）で順次超音波洗浄した後、ＩＰＡで煮沸洗浄して乾燥させた。さらに、この基板表面に対してＵＶ／オゾン洗浄を施した。
【０２４３】
更に、以下に示す有機層を１０−５Ｐａの真空チャンバー内で抵抗加熱による真空蒸着によって連続的に成膜した。
ホール注入層（９０ｎｍ）  ＨＴＬ−１
ホール輸送層（１０ｎｍ）  ＨＴＬ−２
発光層（３５ｎｍ）  ホスト材料：ＢＨ−２、ゲスト材料：ＢＤ−３（重量比  ２％）
電子輸送層（１０ｎｍ）  例示化合物Ｃ１０１
電子注入層（７０ｎｍ）  ＥＩＬ−１（重量比  ８０％）、Ｌｉ（重量比  ２０％）
【０２４４】
【化３７】
2010241789.tif 000043
【０２４５】
続いて、陰極としてＩＺＯをスパッタリング法にて成膜して膜厚３０ｎｍの透明性電極を形成した後に、窒素雰囲気中において封止した。以上により有機発光素子を得た。
【０２４６】
得られた有機発光素子について、ＩＴＯ電極を正極、ＩＺＯ電極を負極にして、４．６Ｖの印加電圧をかけたところ、発光効率が４．３ｃｄ／Ａで、輝度９００ｃｄ／ｍ２の青色発光が観測された。またこの素子において、ＣＩＥ色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．１３，０．０９）であった。さらに、この素子を１００ｍＡ／ｃｍ２の定電流密度を保ちながら１４０時間耐久駆動させると、初期輝度からの輝度減少率は４．７％であった。
【０２４７】
＜実施例１１＞
実施例１０において、発光層のホスト材料を、ＢＨ−２に代えてＢＨ−１を使用し、電子輸送層を、例示化合物Ｃ１０１に代えて例示化合物Ｃ２０１を使用した他は、実施例１０と同様の方法で素子を作製した。また得られた素子について実施例１０と同様に評価を行った。結果を表５に示す。
【０２４８】
＜実施例１２＞
実施例１０において、発光層のホスト材料を、ＢＨ−２に代えてＢＨ−１を使用し、電子輸送層を、例示化合物Ｃ１０１に代えて例示化合物Ｃ３０１を使用した他は、実施例１０と同様の方法で素子を作製した。また得られた素子について実施例１０と同様に評価を行った。結果を表５に示す。
【０２４９】
＜比較例６＞
実施例１０において、電子輸送層を、例示化合物Ｃ１０１に代えて、比較化合物Ｈ０１を使用した他は、実施例１０と同様の方法で素子を作製した。また得られた素子について実施例１０と同様に評価を行った。結果を表５に示す。
【０２５０】
【表５】
2010241789.tif 000044
【符号の説明】
【０２５１】
３  表示装置
３８  スイッチング素子
３１１  陽極
３１２  有機層
３１３  陰極
【図１】
2010241789.tif 000050