(57)【要約】【課題】拡散電極へ全体的に均一に電流を流すことができ、発光素子の発光効率を向上させたフリップチップ型発光素子を提供する。【解決手段】発光層へ電流を供給し所定方向へ延びる延在部１１ａを有する拡散電極１１と、拡散電極１１上に設けられ延在部１１ａの幅方向中央に延在部１１ａの長手方向に並べられ、互いの長手方向ピッチの寸法の半分の寸法が延在部１１ａの外縁までの寸法と同じ若しくは短い複数の中間電極１２と、拡散電極１１上に形成される絶縁層と、絶縁層上に形成され中間電極１２を介して拡散電極１１へ電流を供給する接合電極と、を備えた。【選択図】図１
2010027824.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層へ電流を供給し、所定方向へ延びる延在部を有する拡散電極と、
前記拡散電極上に設けられ、前記延在部の幅方向中央に該延在部の長手方向に並べられ、互いの長手方向ピッチの半分の寸法が延在部の外縁までの寸法と同じ若しくは短い複数の中間電極と、
前記拡散電極上に形成される絶縁層と、
前記絶縁層上に形成され、前記中間電極を介して前記拡散電極へ電流を供給する接合電極と、を備えたフリップチップ型発光素子。
【請求項２】
前記拡散電極は、複数の前記延在部が該延在部の幅方向に並べられた平面視櫛歯状を呈する請求項１に記載のフリップチップ型発光素子。
【請求項３】
前記中間電極は、直径が２０μｍ以上８０μｍ未満である平面視円形を呈する請求項２に記載のフリップチップ型発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、拡散電極が絶縁層に覆われ、拡散電極上に中間電極が設けられる発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、フリップチップ型発光素子において、ｐ側の拡散電極と、この拡散電極上に設けられる中間電極と、中間電極直上を除く領域の拡散電極上に形成され、絶縁膜、反射膜及び絶縁膜の３層構造を有する反射層と、反射層の絶縁膜上に形成され中間電極を介して拡散電極へ電流を供給する接合電極と、を備えたものが提案されている（特許文献１参照）。そして、中間電極を複数設けるものも提案されている（特許文献２参照）。
【特許文献１】特開２００７−３０００６３号公報
【特許文献２】特開２００１−２０３３８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、引用文献２に記載の発光素子のように、中間電極を複数とすると、拡散電極へ全体的に均一に電流を流すことが困難であり、発光素子の発光効率が悪くなるという問題点がある。
【０００４】
本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、拡散電極へ全体的に均一に電流を流すことができ、発光素子の発光効率を向上させたフリップチップ型発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明では、発光層へ電流を供給し、所定方向へ延びる延在部を有する拡散電極と、前記拡散電極上に設けられ、前記延在部の幅方向中央に該延在部の長手方向に並べられ、互いの長手方向ピッチの半分の寸法が延在部の外縁までの寸法と同じ若しくは短い複数の中間電極と、前記拡散電極上に形成される絶縁層と、前記絶縁層上に形成され、前記中間電極を介して前記拡散電極へ電流を供給する接合電極と、を備えたフリップチップ型発光素子が提供される。
【０００６】
上記フリップチップ型発光素子において、前記拡散電極は、複数の前記延在部が該延在部の幅方向に並べられた平面視櫛歯状を呈することが好ましい。
【０００７】
上記フリップチップ型発光素子において、前記中間電極は、直径が２０μｍ以上８０μｍ未満である平面視円形を呈することが好ましい。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、拡散電極へ全体的に均一に電流を流すことができ、発光素子の発光効率を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
図１から図６は本発明の一実施形態を示し、図１は発光素子の平面図である。
【００１０】
図１に示すように、発光素子１は、青色領域の波長の光を発するフリップチップ型の発光ダイオード（ＬＥＤ）である。この発光素子１は、順電圧が３．２Ｖで、順電流が３５０ｍＡの場合に、ピーク波長が４５０ｎｍの光を発する。また、発光素子１は上面視にて四角形状に形成される。発光素子１の平面寸法は、縦寸法及び横寸法がそれぞれ略１０００μｍである。
【００１１】
発光素子１は、第１電極としてのｐ側電極１０と、第２電極としてのｎ側電極２０と、ｐ側電極１０上に形成される第１バンプとしてのｐ側バンプ３０と、ｎ側電極２０上に形成される第２バンプとしてのｎ側バンプ４０と、を備えている。発光素子１は、ｐ側電極１０とｎ側電極２０が同じ面に形成されるフリップチップタイプであり、平面視にて略正方形状を呈している。
【００１２】
ｐ側電極１０は、平面視にて、ｎ側電極２０よりも面積が大きい。本実施形態においては、ｐ側電極１０の拡散電極１１は、所定方向へ延びる延在部１１ａを有し、平面視にて櫛状に形成される。拡散電極１１における櫛の歯に対応する部分上に、接合電極１３（図１中不図示）を介して互いに平行な長尺の複数のｐ側バンプ３０が形成されている。幅方向について外側の接合電極１３及びｐ側バンプ３０は、他の接合電極１３及びｐ側バンプ３０よりも短く形成されている。
【００１３】
ｎ側電極２０のオーミック電極２１は、ｐ側電極１０のメサ部分に形成される。オーミック電極２１上には接合電極２２（図１中不図示）を介してｎ側バンプ４０が形成されている。本実施形態においては、ｎ側電極２０の接合電極２２及びｎ側バンプ４０は、発光素子１の２つの角部に形成され、短く形成されたｐ側の接合電極１３及びｐ側バンプ３０の先端と平面視にて対向している。
【００１４】
図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。
図２に示すように、発光素子１は、（０００１）面を有するサファイア基板５０と、サファイア基板５０の上に設けられるバッファ層６０と、バッファ層６０の上に設けられるｎ側コンタクト層６１と、ｎ側コンタクト層６１の上に設けられるｎ側クラッド層６２と、ｎ側クラッド層６２の上に設けられる発光部としての発光層６３と、発光層６３の上に設けられるｐ側クラッド層６４と、ｐ側クラッド層６４の上に設けられるｐ側コンタクト層６５とを備える。
【００１５】
バッファ層６０と、ｎ側コンタクト層６１と、ｎ側クラッド層６２と、発光層６３と、ｐ側クラッド層６４と、ｐ側コンタクト層６５は、それぞれ、III族窒化物化合物半導体からなる層である。バッファ層６０からｐ側コンタクト層６５までの各層は、例えば、有機金属化学気相成長法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition : MOCVD）、分子線エピタキシー法（Molecular Beam Epitaxy : MBE）、ハライド気相エピタキシー法（Halide Vapor Phase Epitaxy : HVPE）等によって形成される。
【００１６】
本実施形態においては、バッファ層６０は、ＡｌＮから形成される。そして、ｎ側コンタクト層６１とｎ側クラッド層６２は、所定量のＳｉをｎ型ドーパントとしてドーピングしたｎ−ＧａＮからそれぞれ形成される。また、発光層６３は、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ／ＧａＮから形成される多重量子井戸構造を有する。さらに、ｐ側クラッド層６４とｐ側コンタクト層６５は、所定量のＭｇをｐ型ドーパントとしてドーピングしたｐ−ＧａＮからそれぞれ形成される。尚、バッファ層６０はＧａＮから形成されていてもよいし、発光層６３の量子井戸構造は多重量子井戸構造でなく単一量子井戸の構造であってもよい。
【００１７】
また、発光素子１のｐ側電極１０は、ｐ側コンタクト層６５の上に設けられる前述の拡散電極１１と、拡散電極１１上の一部の領域に設けられる中間電極１２と、を有している。拡散電極１１は、中間電極１２の部分を除いて絶縁部７０により覆われ、絶縁部７０の内部には反射部８０が配置されている。絶縁部７０は、中間電極１２が設けられる開口７１を有している。また、ｐ側電極１０は、絶縁部７０の上面を覆い中間電極１２と接触する接合電極１３を有している。
【００１８】
本実施形態においては、ｐ側電極１０の拡散電極１１は透明電極であり、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から形成される。また、絶縁部７０は、二酸化シリコン（ＳｉＯ２）から形成される。また、反射部８０は、アルミニウム（Ａｌ）から形成される。尚、絶縁部７０は、酸化チタン（ＴｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）等の金属酸化物、若しくはポリイミド等の電気絶縁性を有する樹脂材料から形成することもできる。また、反射部８０は、Ａｇから形成することもでき、Ａｌ又はＡｇを主成分として含む合金から形成することもできる。また、反射部８０は、屈折率の異なる２つの材料の複数の層から形成される分布ブラッグ反射器（Distributed Bragg Reflector : DBR）であってもよい。
【００１９】
中間電極１２は、平面視円形を呈し、例えば８０μｍ２未満の比較的小さい面積となっている。中間電極１２は、拡散電極１１との接触部分に形成されるＮｉ層と、接合電極１３との接触部分に形成されるＡｌ層と、Ｎｉ層とＡｌ層の間に形成されるＡｕ層と、を有する。
【００２０】
接合電極１３は、絶縁部７０及び中間電極１２と接触する接触メタルと、接触メタルの上に形成される拡散防止部としての第１バリアメタルと、第１バリアメタルの上に形成される拡散防止部としての第２バリアメタルと、第２バリアメタルの上に形成される拡散防止部としての第３バリアメタルと、第３バリアメタルの上に形成されるはんだ電極を有する。本実施形態においては、接触メタルはＴｉから構成され、第１バリアメタル及び第３バリアメタルはＮｉから構成され、第２バリアメタルはＴｉから構成され、はんだ電極は所定の温度で溶融するＡｕとＳｎとの合金材料から構成される。
【００２１】
接合電極１３の上に、所定高さのｐ側バンプ３０が形成されている。本実施形態においては、ｐ側バンプ３０は、表層がＡｕのＡｕ−Ｓｎはんだから構成されている。
【００２２】
ｎ側電極２０は、ｎ側コンタクト層６１の上に設けられる前述のオーミック電極２１と、オーミック電極２１上に設けられる接合電極２２と、を有している。オーミック電極２１は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｖ、Ｉｒ、及びＲｈの金属よりなる群から選ばれた少なくとも１種の金属を含んで形成される。絶縁部７０は、オーミック電極２１の形成領域を除いてｎ側コンタクト層６１を覆っている。絶縁部７０は、オーミック電極２１を露出させる開口７２を有している。
【００２３】
ｐ側バンプ３０及びｎ側バンプ４０は、それぞれＡｕ−Ｓｎはんだからなり、めっき法、スクリーン印刷法、スパッタ蒸着法等により接合電極１３，２２上に形成される。ｎ側電極２０の接合電極２２は、平面視にて、ｐ側電極１０の接合電極１３よりも小さく、小さい方のｎ側の接合電極２２のｎ側バンプ４０がｐ側バンプ３０よりも高く形成されている。ｎ側バンプ４０は製造時の誤差を考慮してｐ側バンプ３０よりも高く形成され、製造時の誤差によってｐ側バンプ３０の方が高くなってしまうことはない。
【００２４】
図３は、ｐ側電極の一部上面図である。
図３に示すように、各中間電極１２は、各延在部１１ａの幅方向中央に配置され、互いの長手方向ピッチの半分の寸法ａ（以下、単位寸法ａという）が、拡散電極１１の延在部１１ａの外縁までの寸法ｂと等しくなっている。ここでいう、「長手方向ピッチ」とは各中間電極１２の中心間の寸法をいい、「外縁までの寸法」は中間電極１２から外縁までの寸法をいう。尚、各中間電極１２の単位寸法ａは、延在部１１ａの外縁までの寸法ｂより短くてもよい。本実施形態においては、各中間電極１２の単位寸法ａは、６５μｍと比較的狭くなっている。また、拡散電極１１の延在部１１ａの総面積は５７８０００μｍ２であり、１４４５０μｍ２あたりに１個の中間電極１２が設けられている。ここでは、中間電極１２の１個あたりの面積は６１５μｍ２であるが、この面積は小さいほど発光素子１から発せられる光量が増大する。
【００２５】
図４から図６は、第１の実施の形態に係る発光素子の製造工程の一例を示す。図４（ａ）は、ｎ側コンタクト層の表面を露出させるためのエッチングが施される前の縦断面図である。図４（ｂ）は、ｎ側コンタクト層の表面を露出させるためのエッチングが施された後の縦断面図である。また、図４（ｃ）は、拡散電極にマスクが形成された状態の縦断面図である。さらに、図４（ｄ）は、拡散電極をエッチングした後の縦断面図である。
【００２６】
まず、サファイア基板５０を準備し、このサファイア基板５０の上に、バッファ層６０と、ｎ側コンタクト層６１と、ｎ側クラッド層６２と、発光層６３と、ｐ側クラッド層６４と、ｐ側コンタクト層６５とをこの順にエピタキシャル成長してエピタキシャル成長基板を形成する。
【００２７】
続いて、フォトレジストによるマスク１００をｐ側コンタクト層６５上にフォトリソグラフィー技術を用いて形成する（図４（ａ））。次に、マスク１００が形成された部分以外をｐ側コンタクト層６５からｎ側コンタクト層６１の一部までエッチングした後、マスク１００を除去する。これにより、ｎ側クラッド層６２からｐ側コンタクト層６５までの複数の化合物半導体層から構成されるメサ部分が形成される（図４（ｂ））。
【００２８】
この後、ｎ側コンタクト層６１及びｐ側コンタクト層６５の上に、全体的に拡散電極１１を形成する。本実施形態において拡散電極１１はＩＴＯであり、真空蒸着法を用いて形成される。尚、拡散電極１１は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ゾルゲル法等により形成することもできる。そして、拡散電極１１を残す領域にフォトレジストによるマスク１０２を形成する（図４（ｃ））。続いて、拡散電極１１におけるマスク１０２に被覆されていない領域をエッチングする。これにより、ｐ側コンタクト層６５の所定領域に拡散電極１１が形成される（図４（ｄ））。
【００２９】
図５（ａ）は、ｎ側のオーミック電極を形成した後の縦断面図である。また、図５（ｂ）は、中間電極を形成した後の縦断面図である。さらに、図５（ｃ）は、反射部を形成した後の縦断面図である。
【００３０】
次いで、真空蒸着法及びフォトリソグラフィー技術を用いて、オーミック電極２１を、ｎ側コンタクト層６１の予め定められた領域に形成する（図５（ａ））。尚、ｎ側コンタクト層６１の上にオーミック電極２１の熱処理前の材料を設けておき、オーミック電極２１に熱処理を施すようにしてもよい。
【００３１】
続いて、拡散電極１１の所定の位置に、真空蒸着法及びフォトリソグラフィー技術を用いて中間電極１２を形成する（図５（ｂ））。オーミック電極２１と中間電極１２の上面高さは、オーミック電極２１の方が高くなっている。本実施形態においては、この段階におけるオーミック電極２１と中間電極１２の上面高さの差が、ｐ側バンプ３０とｎ側バンプ４０の上面高さの差となる。次に、ｎ側コンタクト層６１、ｎ側オーミック電極２１、メサ部分、拡散電極１１及び中間電極１２を覆う絶縁部７０を、真空蒸着法により形成する。そして、絶縁部７０上における中間電極１２及びオーミック電極２１の上方を除く所定の領域に、蒸着法及びフォトリソグラフィー技術を用いて反射部８０を形成する（図５（ｃ））。
【００３２】
図６（ａ）は、反射部の上に絶縁部を形成した後の縦断面図である。また、図６（ｂ）は、絶縁部の一部に開口を形成した後の縦断面図である。さらに、図６（ｃ）は、接合電極を形成した後の縦断面図である。
【００３３】
この後、真空蒸着法を用いて、絶縁部７０が素子の上側に全体的に形成される（図６（ａ））。続いて、オーミック電極２１上の絶縁部７０と、中間電極１２上の絶縁部７０を、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いて除去する。これにより、中間電極１２上に開口７１が形成されると共に、オーミック電極２１上に開口７２が形成される（図６（ｂ））。
【００３４】
次に、真空蒸着法及びフォトリソグラフィー技術を用いて、開口７１及び開口７２のそれぞれ内側に、ｐ側の接合電極１３及びｎ側の接合電極２２を形成する（図６（ｃ））。本実施形態においては、ｐ側の接合電極１３及びｎ側の接合電極２２は、同工程で作製され、互いの上下寸法は同一となっている。なお、ｎ側コンタクト層６１、中間電極１２及び接合電極１３，２２は、それぞれ、スパッタリング法により形成することもできる。また、絶縁部７０は、化学気相成長法（Chemical Vapor Deposition : CVD）により形成することもできる。
【００３５】
そして、めっき法により各接合電極１３，２２上にＡｕ−Ｓｎはんだを成長させ、ｐ側バンプ３０及びｎ側バンプ４０を作製する。このとき、ｎ側バンプ４０の上面高さが、ｐ側バンプ３０の上面高さよりも高くなるようにし、発光素子１が完成する（図１）。本実施形態においては、ｐ側バンプ３０とｎ側バンプ４０は、同工程で作製され、互いの上下寸法は同一となっている。
【００３６】
以上の工程を経て形成された発光素子１は、導電性材料の配線パターンが予め形成されたセラミック等から構成されるサブマウントの所定の位置に、フリップチップボンディングにより実装される。このとき、ｎ側バンプ４０の上面高さがｐ側バンプ３０よりも高いので、ｎ側バンプ４０がサブマウント側の配線パターンと的確に接続される。また、ｐ側バンプ３０は、ｎ側バンプ４０より低いものの、ｎ側バンプ４０と比べると体積が大きいためサブマウント側の配線パターンとの接続に支障をきたすことはない。そして、基板に実装された発光素子１を、エポキシ樹脂、ガラス等の封止材で一体として封止することにより、発光素子１はパッケージ化される。
【００３７】
以上のように構成された発光素子１によれば、各中間電極１２が拡散電極１１の幅方向中央に配置され、各中間電極１２の単位寸法ａが各中間電極１２の外縁までの寸法ｂと等しいため、接合電極１３を通じて拡散電極１１に電流を流す際に、拡散電極１１全体に均一に電流を流すことができ、発光素子１の発光量が増大する。また、各中間電極１２同士の間隔が比較的狭いので、所定の電流値における順方向電圧を低下させることができる。
【００３８】
また、本実施形態のように中間電極１２を平面視円形とし、各中間電極１２の面積を比較的小さくして各中間電極１２の間隔を小さくすることにより、各中間電極１２の外縁長さの総延長を大きくして拡散電極１１に流れる電流密度を小さくすることができ、電極の劣化を効果的に抑制することができる。
【００３９】
図７及び図８は本発明の実験例を示すものであり、複数の試料体を作製して得られたデータに基づいて作成したグラフである。試料体は前記実施形態と同様の層構成を有し、中間電極の面積を変化させるとともに中間電極の間隔を変化させて複数種類の試料体を作製した。具体的には４種類の発光素子を作製し、第１の発光素子は、拡散電極の総面積が５７８０００μｍ２、中間電極の直径が２０μｍ、中間電極の単位寸法が２７μｍ、中間電極から拡散電極の幅方向端部までの寸法が６７μｍとなっている。また、第２の発光素子は、拡散電極の総面積が５７８０００μｍ２、中間電極の直径が４０μｍ、中間電極の単位寸法が３７μｍ、中間電極から拡散電極の幅方向端部までの寸法が６７μｍとなっている。また、第３の発光素子は、拡散電極の総面積が５７８０００μｍ２、中間電極の直径が６０μｍ、中間電極の単位寸法が５５μｍ、中間電極から拡散電極の幅方向端部までの寸法が６７μｍとなっている。また、第４の発光素子は、拡散電極の総面積が５７８０００μｍ２、中間電極の直径が８０μｍ、中間電極の単位寸法が１１０μｍ、中間電極から拡散電極の幅方向端部までの寸法が６７μｍとなっている。
【００４０】
図７は、横軸を中間電極の総面積とし、縦軸を発光素子から発せられた全ての光の放射束とし、試料体にて得られたデータをプロットしたグラフである。放射束の測定にあたっては、積分球を用いて、全方向の放射束を検出するようにした。また、第１から第４の発光素子には、３５０ｍＡの電流を流して、放射束を測定した。図７に示すように、中間電極の面積が増大すると、全放射束が低下した。これにより、発光素子から取り出される光量を増大させるには、中間電極の面積を小さくすればよいことがわかる。尚、第１の発光素子は従来品と同程度の光量であり、第２から第４の発光素子は従来品よりも光量が増大した。従って、中間電極の直径を、２０μｍ以上８０μｍ未満とすることにより、光量が増大することが確認された。
【００４１】
図８は、横軸を拡散電極の総面積を中間電極の総面積で除した値とし、縦軸を発光に必要な順方向電圧とし、試料体にて得られたデータをプロットしたグラフである。図８に示すように、中間電極の単位面積あたりの拡散電極の面積が大きいと、順方向電圧が増大する。従って、順方向電圧を増大させないためには、中間電極１個あたりの面積を大きくしたり、中間電極の個数を多くすればよいことがわかる。
【００４２】
図９は本発明の実験例を示すものであり、複数の試料体を作製して得られたデータに基づいて作成したグラフである。試料体は前記実施形態と同様の層構成を有し、中間電極の面積を変化させるとともに中間電極の間隔を変化させて複数種類の試料体を作製した。具体的には３種類の発光素子を作製し、第５の発光素子は、拡散電極の総面積が５７８０００μｍ２、中間電極の面積が２８μｍ、中間電極の単位寸法が１１０μｍ、中間電極から拡散電極の幅方向端部までの寸法が６７μｍとなっている。また、第６の発光素子は、拡散電極の総面積が５７８０００μｍ２、中間電極の直径が２８μｍ、中間電極の単位寸法が５５μｍ、中間電極から拡散電極の幅方向端部までの寸法が６７μｍとなっている。また、第７の発光素子は、拡散電極の総面積が５７８０００μｍ２、中間電極の直径が７２μｍ、中間電極の単位寸法が１１０μｍ、中間電極から拡散電極の幅方向端部までの寸法が６７μｍとなっている。
【００４３】
図９は、横軸を順方向電圧とし、縦軸を発光素子から発せられた全ての光の放射束とし、試料体にて得られたデータをプロットしたグラフである。図９に示すように、第７の発光素子では光量が比較的小さくなるが、第５及び第６の発光素子では光量が比較的大きくなった。また、第５の発光素子では順方向電圧が比較的大きくなるが、第６の発光素子では順方向電圧が比較的小さくなった。従って、光量を比較的大きくし、順方向電圧を比較的小さくするには、第５から第７の発光素子の中では、第６の発光素子が好適であることがわかる。
【００４４】
尚、前記実施形態においては、ｐ側電極の面積が大きいため、第１電極をｐ側電極とし第２電極をｎ側電極としたものを示したが、ｎ側電極の面積が大きい場合は、第１電極をｎ側電極とし第２電極をｐ側電極とすればよい。この場合、ｐ側電極のｐ側バンプの上端の高さがｎ側バンプよりも高くなる。
また、前記実施形態においては、III族窒化物半導体層を備えた発光素子を示したが、他の半導体層を備えたものであってもよい。
【００４５】
また、前記実施形態においては、ｐ側電極１０が５つの延在部１１ａを有するものを示したが、例えば図１０に示すように延在部１１ａが３つであってもよく、延在部１１ａの数は任意である。また、ｎ側電極２０についても、形状、構造等を任意に変更することができる。図１０の発光素子１では、中間電極１２の単位寸法ａは５５μｍであり、中間電極１２から延在部１１ａの外縁までの寸法ｂは１２７μｍである。
【００４６】
以上、本発明の実施形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の全ての組合せが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】図１は、本発明の一実施形態を示す発光素子の平面図である。
【図２】図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図３は、ｐ側電極の一部上面図である。
【図４】図４は、発光素子の製造工程の一例を示し、（ａ）はｎ側コンタクト層の表面を露出させるためのエッチングが施される前の縦断面図、（ｂ）はｎ側コンタクト層の表面を露出させるためのエッチングが施された後の縦断面図、（ｃ）は拡散電極にマスクが形成された状態の縦断面図、（ｄ）は拡散電極をエッチングした後の縦断面図である。
【図５】図５は、発光素子の製造工程の一例を示し、（ａ）はｎ側のオーミック電極を形成した後の縦断面図、（ｂ）は中間電極を形成した後の縦断面図、（ｃ）は反射部を形成した後の縦断面図である。
【図６】図６は、発光素子の製造工程の一例を示し、（ａ）は反射部の上に絶縁部を形成した後の縦断面図、（ｂ）は絶縁部の一部に開口を形成した後の縦断面図、（ｃ）は、接合電極を形成した後の縦断面図である。
【図７】図７は、横軸を中間電極の総面積とし、縦軸を発光素子から発せられた全ての光の放射束とし、試料体にて得られたデータをプロットしたグラフである。
【図８】図８は、横軸を拡散電極の総面積を中間電極の総面積で除した値とし、縦軸を素子の発光に必要な順方向電圧とし、試料体にて得られたデータをプロットしたグラフである。
【図９】図９は、横軸を順方向電圧とし、縦軸を発光素子から発せられた全ての光の放射束とし、試料体にて得られたデータをプロットしたグラフである。
【図１０】図１０は、変形例を示す発光素子の平面図である。
【符号の説明】
【００４８】
１      発光素子
１０    ｐ側電極
１１    拡散電極
１１ａ  延在部
１２    中間電極
１３    接合電極
２０    ｎ側電極
２１    オーミック電極
２２    接合電極
２５    凹部
３０    ｐ側バンプ
４０    ｎ側バンプ
５０    サファイア基板
６０    バッファ層
６１    ｎ側コンタクト層
６２    ｎ側クラッド層
６３    発光層
６４    ｐ側クラッド層
６５    ｐ側コンタクト層
７０    絶縁部
７１    開口
７２    開口
８０    反射部
１００  マスク
１０２  マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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