(57)【要約】【課題】表示品質を向上させることができる液晶表示装置及び電子機器を提供する。【解決手段】液晶表示装置１０は、一対の基板により挟持された液晶層２４と、一対の基板のうち一方の基板１１上の表示領域に設けられ、マトリクス状に配置されたデータ線２６及び走査線２７と、ソース電極３６及びドレイン電極３４を有するＴＦＴ２３と、データ線２６と走査線２７とで区画された画素の領域毎に設けられた下電極２２と、下電極２２上に層間絶縁膜４５を介して配置された複数のスリット３１を有する上電極２１と、複数の画素の領域に跨って配置された共通配線２５と、を有し、下電極２２は、ドレイン電極３４又は共通配線２５のいずれか一方に接続されており、上電極２１は、下電極２２の接続されていない他方に接続されており、共通配線２５は、ドレイン電極３４と同層に設けられている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板により挟持された液晶層と、
前記一対の基板のうち一方の基板上の表示領域に設けられ、マトリクス状に配置されたデータ線及び走査線と、
ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、
前記データ線と前記走査線とで区画された画素の領域毎に設けられた第１電極と、
前記第１電極上に絶縁膜を介して配置された複数のスリットを有する第２電極と、
複数の前記画素の領域に跨って配置された共通配線と、を有し、
前記第１電極は、前記ドレイン電極又は前記共通配線のいずれか一方に接続されており、
前記第２電極は、前記第１電極の接続されていない他方に接続されており、
前記共通配線は、前記ドレイン電極と同層に設けられていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置であって、
前記一方の基板上に前記データ線と前記共通配線とがパラレルに配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の液晶表示装置であって、
前記表示領域は、前記ドレイン電極と前記第１電極とが電気的に接続され、かつ、前記共通配線と前記第２電極とが電気的に接続された第１接続方式の第１画素と、前記ドレイン電極と前記第２電極が電気的に接続され、かつ、前記共通配線と前記第１電極とが電気的に接続された第２接続方式の第２画素と、が混在することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項３に記載の液晶表示装置であって、
前記表示領域における行方向及び列方向のうち少なくとも一方向に前記第１画素と前記第２画素とが交互に配列していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶表示装置であって、
前記画素は、異なる色のカラーフィルタを有する少なくとも３つのサブ画素からなり、行方向及び列方向のうち少なくとも一方向に前記第１接続方式の第１サブ画素と前記第２接続方式の第２サブ画素とが交互に配列していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の液晶表示装置を表示部として備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素電極と共通電極との間に生じる横方向電界によって液晶分子の配向方向が制御される液晶表示装置及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記した液晶表示装置の広視野角化を図る手段の一つとして、基板上の電極間に横方向の電界を発生させ、この電界により液晶分子を基板に平行な面内で回転させるＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式が知られている。このＦＦＳ方式の液晶表示装置において、信号歪みによる輝度ムラや焼き付きなどを抑えるために、例えば、特許文献１に記載のように、ライン反転駆動を用いている。具体的には、ドレイン電極と共通配線とに対して、画素電極と共通電極との接続方法が異なる２種類の画素を行方向と列方向とに繰り返し配置する。これにより、ライン反転駆動の回路構成が容易となる。
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２６４０８０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、このような方法では、画素電極と共通電極との間に２つの誘電体（絶縁膜）が存在することになる。具体的には、ゲート電極上（共通電極上）に１層、更にドレイン電極上に１層の絶縁膜があり、その上に画素電極が配置される。よって、共通電極と画素電極との間に２層の絶縁膜が存在することになり、絶縁膜が１層である場合に比べて、適正な駆動電圧を電極間に印加できないおそれがある。その結果、ライン反転駆動に限らずどのような駆動方式においても、適正な表示が行えないという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例に係る液晶表示装置は、一対の基板により挟持された液晶層と、前記一対の基板のうち一方の基板上の表示領域に設けられ、マトリクス状に配置されたデータ線及び走査線と、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜トランジスタと、前記データ線と前記走査線とで区画された画素の領域毎に設けられた第１電極と、前記第１電極上に絶縁膜を介して配置された複数のスリットを有する第２電極と、複数の前記画素の領域に跨って配置された共通配線と、を有し、前記第１電極は、前記ドレイン電極又は前記共通配線のいずれか一方に接続されており、前記第２電極は、前記第１電極の接続されていない他方に接続されており、前記共通配線は、前記ドレイン電極と同層に設けられていることを特徴とする。
【０００７】
この構成によれば、ドレイン電極と共通配線とを同層に設けるので、第１電極と第２電極との間の絶縁膜をゲート絶縁膜とトランジスタの保護膜との２層とする場合に比べて、トランジスタの保護膜である絶縁膜一層のみとすることができる。具体的には、共通配線を第１電極と電気的に接続した場合は、絶縁膜を介してドレイン電極と第２電極とが電気的に接続される。また、ドレイン電極と第１電極とを接続した場合には、絶縁膜を介して共通配線と第２電極とが接続される。つまり、第１電極と第２電極との間の絶縁膜を１層として絶縁膜を減らすことが可能となり、第１電極と第２電極との間に駆動電圧を印加したときの電圧降下を抑えることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例に係る液晶表示装置において、前記一方の基板上に前記データ線と前記共通配線とがパラレルに配置されていることが好ましい。
【０００９】
この構成によれば、データ線と共通配線とは平面視で交差しないようにすることが可能となる。よって、データ線とドレイン電極と共通配線とを、同層において複雑にならずに単純に配置することができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例に係る液晶表示装置において、前記表示領域は、前記ドレイン電極と前記第１電極とが電気的に接続され、かつ、前記共通配線と前記第２電極とが電気的に接続された第１接続方式の第１画素と、前記ドレイン電極と前記第２電極が電気的に接続され、かつ、前記共通配線と前記第１電極とが電気的に接続された第２接続方式の第２画素と、が混在することを特徴とすることが好ましい。
【００１１】
この構成によれば、第１電極及び第２電極の接続方式が異なる第１画素と第２画素とが混在するので、１種の接続方式の画素を配列させた場合に比べて、ライン反転駆動やドット反転駆動を行うことが容易となる。加えて、絶縁膜が１層なので、駆動波形がなまることを抑えることができる。よって、適正なライン反転駆動やドット反転駆動を行うことができるので、表示品質を向上させることができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例に係る液晶表示装置において、前記表示領域における行方向及び列方向のうち少なくとも一方向に前記第１画素と前記第２画素とが交互に配列していることが好ましい。
【００１３】
第１画素と第２画素とが交互に配列しているので、効果的にライン反転駆動やドット反転駆動を行うことができる。
【００１４】
［適用例５］上記適用例に係る液晶表示装置において、前記画素は、異なる色のカラーフィルタを有する少なくとも３つのサブ画素からなり、行方向及び列方向のうち少なくとも一方向に前記第１接続方式の第１サブ画素と前記第２接続方式の第２サブ画素とが交互に配列していることが好ましい。
【００１５】
この構成によれば、第１サブ画素と第２サブ画素とが交互に混在するので、ライン反転駆動やドット反転駆動をより効果的に行うことができる。
【００１６】
［適用例６］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶表示装置を表示部として備えていることを特徴とする。
【００１７】
この構成によれば、優れた表示品質を有する電子機器が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
（第１実施形態）
＜液晶表示装置＞
図１は、第１実施形態の液晶表示装置の構造を示す模式平面図である。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。以下、液晶表示装置の構造を、図１を参照しながら説明する。
【００１９】
図１に示すように、本実施形態の液晶表示装置１０は、一対の基板としての素子基板１１及び対向基板１２を備えている。対向基板１２は、所定の位置で一回り大きいサイズの素子基板１１とシール材（図示せず）を介して接合されている。
【００２０】
シール材により接合された素子基板１１と対向基板１２との隙間（ギャップ）に、正の誘電異方性を有する液晶が充填され液晶層２４（図４（ｂ）参照）を構成している。すなわち、素子基板１１と対向基板１２とにより液晶層２４を挟持している。
【００２１】
液晶表示装置１０には、ＣＯＧ（Chip On Glass）技術により、液晶駆動用ＩＣ（ドライバ）たる駆動用ＩＣ１３が直接実装されている。液晶表示装置１０の端部には、インターフェース基板としてのＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）１４が接続されており、駆動用ＩＣ１３の一方の端子は素子基板１１上に形成された配線１５を通じて、ＦＰＣ１４に接続されている。また、駆動用ＩＣ１３の他方の端子は、素子基板１１上に形成された配線１６を介して表示領域１７と電気的に接続されている。つまり、液晶表示装置１０（表示領域１７）は、配線１６、駆動用ＩＣ１３、配線１５、ＦＰＣ１４を介して、外部の電子機器と電気的に接続されている。
【００２２】
図２は、液晶表示装置の電気的な構成を模式的に示す等価回路図である。以下、液晶表示装置の電気的な構成を、図２を参照しながら説明する。
【００２３】
図２に示すように、液晶表示装置１０の表示領域１７（図１参照）を構成する各サブ画素ＳＧは、第２電極としての上電極２１と、第１電極としての下電極２２と、上電極２１をスイッチング制御するためのＴＦＴ（Thin Film Transistor）２３とを有している。上電極２１と下電極２２との間には液晶層２４が介在している。下電極２２は駆動用ＩＣ１３から延びる共通配線２５と電気的に接続されており、各サブ画素ＳＧにおいて共通の電位に保持されるようになっている。
【００２４】
駆動用ＩＣ１３から延びるデータ線２６は、ＴＦＴ２３のソースと電気的に接続されている。駆動用ＩＣ１３は、画像信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，…，Ｓｎを、データ線２６を介して各サブ画素ＳＧに供給する。画像信号Ｓ１〜Ｓｎはこの順に線順次で供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線２６同士に対して、グループごとに供給するようにしてもよい。
【００２５】
また、ＴＦＴ２３のゲートには、駆動用ＩＣ１３から延びる走査線２７が電気的に接続されている。駆動用ＩＣ１３から所定のタイミングで走査線２７にパルス的に供給される走査信号Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，…，Ｇｍが、この順に線順次でＴＦＴ２３のゲートに印加されるようになっている。上電極２１は、ＴＦＴ２３のドレインに電気的に接続されている。
【００２６】
スイッチング素子であるＴＦＴ２３が走査信号Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３，…，Ｇｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線２６から供給される画像信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，…，Ｓｎが所定のタイミングで上電極２１に書き込まれるようになっている。上電極２１を介して液晶層２４に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，…，Ｓｎは、液晶層２４を介した上電極２１と下電極２２との間で一定期間保持される。
【００２７】
本実施形態の液晶表示装置１０は、下電極２２と上電極２１とで発生する横方向電界により液晶層２４を駆動するＦＦＳ（Fringe Field Switching mode）方式を採用している。
【００２８】
図３は、液晶表示装置の画素の構造を示す模式平面図である。以下、液晶表示装置の画素の構造を、図３を参照しながら説明する。
【００２９】
図３に示すように、液晶表示装置１０の１つの画素は、３色（Ｒ，Ｇ，Ｂ）のカラーフィルタ４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂに対応する３つのサブ画素ＳＧにより構成されている。各サブ画素ＳＧには、複数のスリット（隙間）３１が略梯子状に形成された矩形の上電極２１が設けられている。複数の画素は、上電極２１の長手方向が画素の列方向となるようにマトリクス状に配置されている。
【００３０】
また、上電極２１の外周を取り囲むようにして、走査線２７と共通配線２５とデータ線２６とが配置されている。走査線２７とデータ線２６との交差部近傍にＴＦＴ２３が形成されており、ＴＦＴ２３はデータ線２６及び下電極２２と電気的に接続されている。また、下電極２２と平面視でほぼ重なる位置に矩形状の上電極２１が形成されている。
【００３１】
上電極２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電材料からなる導電膜である。１つのサブ画素ＳＧの上電極２１に複数本のスリット３１が形成されている。各スリット３１は、走査線２７に沿ったＸ軸方向に延びて、データ線２６に沿ったＹ軸方向において等間隔に配列するように形成されている。各スリット３１は略同一の幅に形成され、互いに平行である。これにより、上電極２１は、複数本の帯状電極部３２を有することになる。スリット３１が一定の幅を有して等間隔で配列していることから、帯状電極部３２も一定の幅を有して等間隔で配列している。
【００３２】
上電極２１は、データ線２６と平行に延びる共通配線２５と、コンタクトホール３３を介して電気的に接続されている。下電極２２は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる導電膜であり、後述するドレイン電極３４と電気的に接続されている。
【００３３】
ＴＦＴ２３は、走査線２７上に部分的に形成された島状のアモルファスシリコン膜からなる半導体層３５と、データ線２６を分岐して半導体層３５上に延出されたソース電極３６と、半導体層３５上から下電極２２の形成領域に延びるドレイン電極３４とを備えている。
【００３４】
走査線２７は、半導体層３５と対向する位置でＴＦＴ２３のゲート電極として機能する。また、走査線２７の一部の部分には、ゲート電極として機能する凸部２７ａが形成されている。ドレイン電極３４と下電極２２とは、両者が平面的に重なる位置に形成され電気的に接続されている。
【００３５】
なお、図示のサブ画素ＳＧにおいて、上電極２１と下電極２２とが平面視で重なる領域が、当該サブ画素ＳＧの容量として機能するので、画像信号を保持するために別途保持容量をサブ画素ＳＧの形成領域内に設ける必要が無く、高い開口率を得ることができる。また、上電極２１と下電極２２とが平面視で重なる領域は、この場合、透過表示領域Ｔとなっている。
【００３６】
図４は、液晶表示装置の構造を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）は模式断面図である。以下、液晶表示装置の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４（ａ）は、上電極から素子基板側を見た図を示す。また、最初に上電極が共通配線と接続され、かつ、下電極がドレイン電極と接続される第１接続方式から説明する。第２接続方式は第２実施形態で説明する。
【００３７】
図４に示すように、液晶表示装置１０は、上電極２１および下電極２２を有する素子基板１１と、対向基板１２とにより、液晶層２４を挟持している。
【００３８】
透明なガラス等からなる対向基板１２上には、液晶層２４側にカラーフィルタ４１（４１Ｂ，４１Ｇ，４１Ｒ）と、カラーフィルタ４１をサブ画素ＳＧ毎（色毎）に区画する遮光膜４２と、カラーフィルタ４１及び遮光膜４２を覆う配向膜４３とが形成されている。
【００３９】
遮光膜４２は、ブラックマトリクス（ＢＭ）と呼ばれるものである。その形成方法は、例えば、遮光性材料として金属又は金属化合物の薄膜を対向基板１２の表面（液晶層２４側）に成膜し、フォトリソグラフィ法により、サブ画素ＳＧに対応した開口部を有するようにパターンニングする方法が挙げられる。代表的な金属又は金属化合物としては、クロム（Ｃｒ）または酸化クロムが挙げられる。また、遮光性材料として黒色顔料などを含む樹脂をオフセットなどの印刷法でパターンニングする方法が挙げられる。
【００４０】
カラーフィルタ４１は、例えば、各色の着色材料を含む感光性樹脂材料を、遮光膜４２が形成された対向基板１２に塗布して、これをフォトリソグラフィ法により露光・現像することにより、遮光膜４２の開口部を埋めるように形成することができる。塗布方法としては、スピンコート、スリットコートなどの方法を用いることができる。また、遮光膜４２上に隔壁部を設け、隔壁部により区画された領域に各色の着色材料を含む液状体を液滴として塗布する液滴吐出法を用いてもよい。
【００４１】
同じく透明なガラス等からなる素子基板１１上には、走査線２７が形成されており、素子基板１１及び走査線２７を覆うように、シリコン酸化物等からなる絶縁薄膜４４が形成されている。絶縁薄膜４４上には、島状の半導体層３５と、半導体層３５と一部が重なるようにソース電極３６及びドレイン電極３４、更に共通配線２５が形成されている。
【００４２】
また、絶縁薄膜４４上には、ドレイン電極３４と一部が重なるように下電極２２が形成されている。つまり、ドレイン電極３４と下電極２２が電気的に接続されている。そして、半導体層３５、ソース電極３６、ドレイン電極３４、下電極２２、及び共通配線２５を覆って、シリコン酸化物膜や樹脂膜からなる層間絶縁膜４５が形成されている。
【００４３】
層間絶縁膜４５上には、上電極２１が形成され、層間絶縁膜４５を貫通して共通配線２５に達するコンタクトホール３３を介して、上電極２１と共通配線２５とが電気的に接続されている。つまり、第１接続方式は、上電極２１と共通配線２５とが電気的に接続され、かつ、下電極２２がドレイン電極３４と電気的に接続される。そして、上電極２１を覆って、ポリイミド等からなる配向膜４６が形成されている。
【００４４】
液晶層２４に面する素子基板１１側の配向膜４６及び対向基板１２側の配向膜４３は、ラビング処理等の配向処理を施されて液晶を所定の方向に配向させるようになっている。
【００４５】
対向基板１２の表面（液晶層２４側に対して反対側の表面）に偏光板４７が貼り付けられ、素子基板１１の表面（液晶層２４側に対して反対側の表面）に偏光板４８が貼り付けられている。一対の偏光板４７，４８の光学的な配置は、クロスニコル（互いの透過軸が直交する状態）となっている。
【００４６】
図５〜図１０は、液晶表示装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）は模式断面図である。なお、説明をわかりやすくするために、平面図と断面図とは各要素の配置位置や長さ等、対応していない部分がある。以下、液晶表示装置の製造方法を、図５〜図１０を参照しながら説明する。
【００４７】
まず、図５（ａ），（ｂ）に示す工程では、素子基板１１上に走査線２７を形成する。走査線２７は、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて形成する。走査線２７の一部の部分には、ゲート電極として機能する凸部２７ａが形成されている。その後、素子基板１１上及び走査線２７上に絶縁薄膜４４を形成する。
【００４８】
次に、図６（ａ），（ｂ）に示す工程では、絶縁薄膜４４上に、例えばアモルファスシリコン（α−Ｓｉ）からなる半導体層３５を形成する。具体的には、走査線２７の凸部２７ａの一部の上方に形成する。半導体層３５は、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて形成する。
【００４９】
次に、図７（ａ），（ｂ）に示す工程では、絶縁薄膜４４上に、データ線２６と、共通配線２５とがパラレル（平行な状態）に配置されるようにそれぞれを同時（同層）に形成する。また、半導体層３５のソース側に重なるソース電極３６となるソース配線３６ａと、半導体層３５のドレイン側に重なるドレイン電極３４となるドレイン配線３４ａとを同時に形成する。データ線２６、共通配線２５、ソース配線３６ａ、及びドレイン配線３４ａは、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて形成する。
【００５０】
次に、図８（ａ），（ｂ）に示す工程では、絶縁薄膜４４上及びドレイン配線３４ａの一部の上に下電極２２を形成する。下電極２２は、データ線２６及び共通配線２５とは接触しないようにその内側に位置するように形成する。つまり、ドレイン配線３４ａのみが下電極２２と電気的に導通することになる。下電極２２は、例えば、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術によって形成する。
【００５１】
次に、図９（ａ），（ｂ）に示す工程では、素子基板１１上の全面に層間絶縁膜４５を形成する。その後、層間絶縁膜４５における共通配線２５上の一部に、共通配線２５と上電極２１とを電気的に接続するためのコンタクトホール３３を形成する。
【００５２】
次に、図１０（ａ），（ｂ）に示す工程では、層間絶縁膜４５上にスリット３１を有する上電極２１を形成する。上電極２１は、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、下電極２２の上方に位置するように形成される。また、上電極２１の一部の領域が、共通配線２５と繋がっているコンタクトホール３３と平面視で重なるように形成する。これにより、コンタクトホール３３と上電極２１とが電気的に接続される。つまり、共通配線２５と上電極２１とが電気的に接続されたことになる。この後、素子基板１１上の全面に配向膜４６（図１０において図示せず）を形成して素子基板１１側が完成する。なお、対向基板１２側の製造方法は、公知の製造方法を用いればよく、詳しい説明は省略する。
【００５３】
以上詳述したように、第１実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００５４】
（１）第１実施形態によれば、ドレイン電極３４と共通配線２５とを同層に設けているので、下電極２２と上電極２１との間の絶縁膜を絶縁薄膜４４とＴＦＴ２３の保護膜との２層とする場合に比べて、ＴＦＴ２３の保護膜である層間絶縁膜４５一層のみとすることができる。具体的には、ドレイン電極３４と下電極２２とを電気的に接続した場合には、層間絶縁膜４５を介して共通配線２５と上電極２１とが電気的に接続される。つまり、上電極２１と下電極２２との間の絶縁膜を１層として絶縁膜を減らすことが可能となり、上電極２１と下電極２２との間に駆動電圧を印加したときの電圧降下を抑えることができる。
【００５５】
（２）第１実施形態によれば、データ線２６と共通配線２５とは平面視で交差しないようにすることが可能となる。よって、データ線２６とドレイン電極３４と共通配線２５とを、同層において複雑にならずに単純に配置することができる。
【００５６】
（第２実施形態）
図１１は、第２実施形態の液晶表示装置のサブ画素の構成を示す模式図である。第２実施形態の液晶表示装置は、サブ画素の配列が第１接続方式と第２接続方式との交互に配列している部分が、第１実施形態と異なっている。以下、第２実施形態の液晶表示装置の構造を、図１１を参照しながら説明する。以下、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
【００５７】
図１１に示すように、液晶表示装置６０のサブ画素ＳＧは、第１実施形態で述べた第１接続方式であるＡパターンの第１サブ画素ＳＧ１と、第２実施形態で述べる第２接続方式であるＢパターンの第２サブ画素ＳＧ２とが交互に配列して構成されている。具体的には、第１サブ画素ＳＧ１は、Ｒ（赤色）であり、第１実施形態で述べたように、下電極２２がドレイン電極３４と接続され、かつ、上電極２１が共通配線２５と接続されているＡパターンである。第２サブ画素ＳＧ２は、Ｂ（青色）であり、下電極２２が共通配線２５と接続され、かつ、上電極２１がドレイン電極３４と接続されているＢパターンである。第３サブ画素ＳＧ３は、Ｇ（緑色）であり、Ａパターンである。このように、サブ画素ＳＧは、ＡパターンとＢパターンとが、行方向又は列方向の少なくとも一方向に繰り返し配列されている。
【００５８】
図１２は、液晶表示装置の構造を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）は模式断面図である。以下、液晶表示装置の構造を、図１２を参照しながら説明する。なお、図１２（ａ）は、上電極２１から素子基板１１側を見た図を示す。
【００５９】
また、ここでは、図１２に示すように、上電極２１がドレイン電極３４と接続され、かつ、下電極２２が共通配線２５と接続される第２接続方式を説明する。なお、上述した第１接続方式と異なる部分を主に説明する。
【００６０】
上記したように、素子基板１１上には、走査線２７が形成されている。そして、素子基板１１及び走査線２７を覆うように絶縁薄膜４４が形成されている。絶縁薄膜４４上には、島状の半導体層３５と、半導体層３５と一部が重なるようにソース電極３６及びドレイン電極３４、更に共通配線２５が形成されている。
【００６１】
更に、絶縁薄膜４４上には、共通配線２５と一部が重なるように下電極２２が形成されている。つまり、共通配線２５と下電極２２とが電気的に接続されている。そして、半導体層３５、ソース電極３６、ドレイン電極３４、及び下電極２２を覆って層間絶縁膜４５が形成されている。
【００６２】
層間絶縁膜４５上には、上電極２１が形成され、層間絶縁膜４５を貫通してドレイン電極３４に達するコンタクトホール６１を介して、上電極２１とドレイン電極３４とが電気的に接続されている。そして、上電極２１及び層間絶縁膜４５を覆って配向膜４６が形成されている。つまり、第２接続方式（Ｂパターン）は、上電極２１がドレイン電極３４と接続され、かつ、下電極２２が共通配線２５と電気的に接続される。
【００６３】
図１３〜図１８は、液晶表示装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図であり、（ｂ）は模式断面図である。なお、第１実施形態と同様、説明をわかりやすくするために、平面図と断面図とは各要素の配置位置や長さ等、対応していない部分がある。また、第１実施形態で第１接続方式（Ａパターン）を説明したので、ここでは第２接続方式（Ｂパターン）の製造方法のみ説明する。以下、液晶表示装置の製造方法を、図１３〜図１８を参照しながら説明する。
【００６４】
図１３は、第１実施形態の図５に示す製造方法と同様である。また、図１４は、第１実施形態の図６に示す製造方法と同様である。
【００６５】
続いて、図１５（ａ），（ｂ）に示す工程では、絶縁薄膜４４上に、データ線２６、共通配線２５がパラレルに配置されるようにそれぞれを同時に形成する。また、半導体層３５にその一部が重なるソース電極３６となるソース配線３６ａ、及びドレイン電極３４となるドレイン配線３４ｂも同時に形成する。なお、ドレイン配線３４ｂは、下電極２２とは接続しないため、例えば、図７に示すドレイン配線３４ａと比較して、端部を曲げずに走査線２７に沿って直線状に形成されている。
【００６６】
次に、図１６（ａ），（ｂ）に示す工程では、絶縁薄膜４４上及び共通配線２５の一部の上に下電極２２を形成する。下電極２２は、データ線２６及びドレイン配線３４ｂとは接触しないようにその内側に位置するように形成する。つまり、共通配線２５のみが下電極２２と電気的に導通したことになる。
【００６７】
次に、図１７（ａ），（ｂ）に示す工程では、素子基板１１上の全面に層間絶縁膜４５を形成する。その後、層間絶縁膜４５におけるドレイン配線３４ｂ上の一部に、ドレイン配線３４ｂと上電極２１とを接続するためのコンタクトホール６１を形成する。
【００６８】
次に、図１８（ａ），（ｂ）に示す工程では、層間絶縁膜４５上にスリット３１を有する上電極２１を形成する。上電極２１は、下電極２２の上方（共通配線２５の上方を除く）とコンタクトホール６１と平面視で重なるように形成する。これにより、上述したコンタクトホール６１と上電極２１とが電気的に接続される。つまり、ドレイン配線３４ｂと上電極２１とが電気的に接続されたことになる。この後、素子基板１１上の全面に配向膜４６を形成して（図１８において図示せず）素子基板１１側が完成する。なお、対向基板１２側の製造方法は省略する。
【００６９】
以上詳述したように、第２実施形態によれば、上記した第１実施形態の（１）、（２）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【００７０】
（３）第２実施形態によれば、下電極２２及び上電極２１の接続方式が異なる第１サブ画素ＳＧ１と第２サブ画素ＳＧ２とが混在するので、１種の接続方式のサブ画素を配列させた場合に比べて、ライン反転駆動やドット反転駆動を行うことが容易となる。加えて、上電極２１と下電極２２との間の絶縁膜が層間絶縁膜４５の１層なので、駆動波形がなまることによる電圧降下を抑えることができる。これにより、適正なライン反転駆動やドット反転駆動を行うことができるので、輝度ムラや焼付きを低減して表示品質を向上させることができる。
【００７１】
（第３実施形態）
＜電子機器＞
図１９は、上記した液晶表示装置を備えた電子機器の一例として携帯電話機を示す模式図である。以下、液晶表示装置を備えた携帯電話機を、図１９を参照しながら説明する。
【００７２】
図１９に示すように、携帯電話機５１は、表示部５２に上記第１実施形態の液晶表示装置１０又は上記第２実施形態の液晶表示装置６０と、これを照明する照明装置とが搭載されている。具体的には、携帯電話機５１は、操作ボタン５３を有している。表示部５２は、内部に組み込まれた液晶表示装置１０，６０によって、高品位な表示を行うことができる。なお、上記した液晶表示装置１０，６０は、上記携帯電話機５１の他、モバイルコンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器、テレビ、照明機器などの各種電子機器の表示部に用いることができる。
【００７３】
なお、実施形形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００７４】
（変形例１）
上記したように、サブ画素ＳＧの配列は、第１実施形態で記載したＡパターンのみ、第２実施形態で記載したＡパターンとＢパターンとの交互の配列に限定されず、例えば、第２実施形態で説明したＢパターンのみの構成としてもよい。
また、図２０に示すような液晶表示装置７０において、画素７１（ＳＧ１，ＳＧ２，ＳＧ３），画素７２（ＳＧ４，ＳＧ５，ＳＧ６）毎にＡパターン（第１画素）とＢパターン（第２画素）とを交互に配列するようにしてもよい。図２０は、液晶表示装置のサブ画素の構成を示す模式図である。具体的には、第１サブ画素ＳＧ１がＲ（赤）でありＡパターンである。次に、第２サブ画素ＳＧ２がＧ（緑）であり同じくＡパターンである。第３サブ画素ＳＧ３がＢ（青）であり、これも同じくＡパターンである。画素７２は、全てＢパターンであり、第４サブ画素ＳＧ４がＲ（赤）であり、第５サブ画素ＳＧ５がＧ（緑）であり、第６サブ画素ＳＧ６がＢ（青）である。このように、サブ画素ＳＧは、画素７１，７２毎にＡパターンとＢパターンとが繰り返し配列されている。これにより、１種の接続方式のサブ画素を配列させた場合に比べて、ライン反転駆動やドット反転駆動を行うことが容易となる。
【図面の簡単な説明】
【００７５】
【図１】第１実施形態に係る液晶表示装置の構造を示す模式平面図。
【図２】液晶表示装置の構造を模式的に示す等価回路図。
【図３】液晶表示装置の画素の構造を示す模式平面図。
【図４】液晶表示装置の構造を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。
【図５】液晶表示装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。
【図６】液晶表示装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。
【図７】液晶表示装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。
【図８】液晶表示装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。
【図９】液晶表示装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。
【図１０】液晶表示装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。
【図１１】第２実施形態に係る液晶表示装置の画素の配列を示す模式平面図。
【図１２】液晶表示装置の構造を示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。
【図１３】液晶表示装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。
【図１４】液晶表示装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。
【図１５】液晶表示装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。
【図１６】液晶表示装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。
【図１７】液晶表示装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。
【図１８】液晶表示装置の製造方法を工程順に示す模式図であり、（ａ）は模式平面図、（ｂ）は模式断面図。
【図１９】液晶表示装置を表示部として備えた携帯電話機を示す模式図。
【図２０】液晶表示装置の画素の配列の変形例を示す模式平面図。
【符号の説明】
【００７６】
１０，６０，７０…液晶表示装置、１１…一対の基板の一つである素子基板、１２…一対の基板の一つである対向基板、１３…駆動用ＩＣ、１４…ＦＰＣ、１５…配線、１６…配線、１７…表示領域、２１…第２電極としての上電極、２２…第１電極としての下電極、２３…薄膜トランジスタとしてのＴＦＴ、２４…液晶層、２５…共通配線、２６…データ線、２７…走査線、３１…スリット、３２…帯状電極部、３３…コンタクトホール、３４…ドレイン電極、３４ａ，３４ｂ…ドレイン配線、３５…半導体層、３６…ソース電極、３６ａ…ソース配線、４１，４１Ｒ，４１Ｇ，４１Ｂ…カラーフィルタ、４２…遮光膜、４３，４６…配向膜、４４…絶縁薄膜、４５…絶縁膜としての層間絶縁膜、４７，４８…偏光板、５１…電子機器としての携帯電話機、５２…表示部、５３…操作ボタン、６１…コンタクトホール、７１，７２…画素。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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