(57)【要約】【課題】液晶装置等の電気光学装置において、例えば、データ線に沿った表示ムラ等のない高品位な画像を表示する。【解決手段】電気光学装置は、第１基板（１０）と、第１基板上に配列された複数の画素電極（９）と、複数の画素電極が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられ、画像信号が供給される画像信号線（１５０）と、周辺領域の一部に、第１基板上で平面的に見て画像信号線の少なくとも一部とは重ならないように設けられると共に、複数の画素電極と同一の導電材料から複数の画素電極と同時にパターニングして形成された周辺導電膜（６０）とを備える。【選択図】図７
2010060900.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板上に配列された複数の画素電極と、
前記複数の画素電極が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられ、画像信号が供給される画像信号線と、
前記周辺領域の一部に、前記第１基板上で平面的に見て前記画像信号線の少なくとも一部とは重ならないように設けられると共に、前記複数の画素電極と同一の導電材料から前記複数の画素電極と同時にパターニングして形成された周辺導電膜と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記画像信号線は、前記画素領域の一辺に沿うように形成された本線部分と、該本線部分より上層側に配置されると共に前記一辺に交わる方向に延びるように形成され、前記本線部分と電気的に接続された分岐配線部分とを有し、
前記周辺導電膜は、少なくとも前記分岐配線部分と重ならないように設けられる
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記周辺導電膜は、前記本線部分及び前記分岐配線部分と重ならないように設けられることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記画像信号は、シリアル−パラレル変換されたＮ（但し、Ｎは２以上の自然数）系列の画像信号であり、
前記画像信号線は、前記Ｎ系列の画像信号を夫々供給するためのＮ本の画像信号線である
ことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第１基板の前記複数の画素電極が配置されている側に対向配置される第２基板と、
前記第１及び第２基板を、前記画素領域の周囲に沿ったシール領域において互いに貼り合わせるシール材と
を備え、
前記周辺導電膜は、前記周辺領域のうち前記シール領域を含む領域に、前記画素領域の周囲に沿って設けられている部分を有する
ことを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置を具備してなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置では、例えば、一対の基板が所定の隙間を介してシール領域においてシール材によって貼り合わされ、これらの基板間に液晶等の電気光学物質が封入される。一対の基板のうち一方の基板上の表示領域に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる画素電極、該画素電極の選択的な駆動を行うための走査線、データ線、及び画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（Thin Film Transistor）が層間絶縁膜を介して積層構造として作り込まれ、アクティブマトリクス駆動可能に構成される。また、一方の基板上の表示領域の周辺の周辺領域（シール領域を含む）には、画像信号を供給するための画像信号線等が積層構造として作り込まれる。
【０００３】
このような電気光学装置では、例えば一方の基板上の積層構造における表面に画素電極の厚みに起因して生じる段差を低減することなどを目的として、一方の基板上の画素電極と同じ層における、画素領域の周辺に位置する周辺領域にＩＴＯ膜が形成される場合がある。例えば特許文献１によれば、帯電防止用の導電層をＩＴＯ膜から形成する技術が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２３１３４５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上述したように周辺領域にＩＴＯ膜又はＡｌ膜等からなる導電膜が形成される場合、周辺領域に形成される導電膜と画像信号線と間の容量性カップリング（或いは容量結合）に起因して、画像信号線からデータ線に書き込まれる画像信号電位が低下してしまうおそれがある。このため、このような画像信号電位の低下に起因して、データ線に沿った表示ムラが発生してしまうおそれがあるという技術的問題点がある。
【０００６】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、例えば、データ線に沿った表示ムラ等のない高品位な画像を表示可能な電気光学装置及び該電気光学装置を備えた電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電気光学装置は上記課題を解決するために、第１基板と、該第１基板上に配列された複数の画素電極と、前記複数の画素電極が配列された画素領域の周辺に位置する周辺領域に設けられ、画像信号が供給される画像信号線と、前記周辺領域の一部に、前記第１基板上で平面的に見て前記画像信号線の少なくとも一部とは重ならないように設けられると共に、前記複数の画素電極と同一の導電材料から前記複数の画素電極と同時にパターニングして形成された周辺導電膜とを備える。
【０００８】
本発明の電気光学装置によれば、第１基板は、例えばガラス基板上に、例えば画素スイッチング用素子としてのトランジスタや例えば走査線、データ線等の配線が積層された積層構造を有しており、最上層には例えばＮＳＧ（ノンシリケートガラス）或いはシリコン酸化膜からなる絶縁膜が形成される。第１基板上には例えばＩＴＯ膜、Ａｌ膜等の導電材料からなる画素電極が例えばマトリクス状に配列される。例えば、第１基板は、例えばガラス基板からなる第２基板と互いに対向するように配置される。第２基板上には例えばＩＴＯ膜、Ａｌ膜等の導電材料からなる対向電極が画素電極に対向して設けられる。第１及び第２基板は、画素領域或いは画素アレイ領域（又は、「画像表示領域」とも呼ぶ）の周囲に沿ったシール領域においてシール材によって交互に貼り合わされ、一対の第１及び第２基板間には、例えば液晶等の電気光学物質が挟持される。画素電極及び対向電極上の各々には、例えばポリイミド等からなる配向膜が設けられ、これら配向膜における表面形状効果により、電気光学装置を動作させない状態で、電気光学物質は一対の第１及び第２基板間で所定の配向状態をとる。
【０００９】
本発明の電気光学装置によれば、その動作時には、例えば走査線を通じて走査信号が供給されることで例えば画素スイッチング用素子のスイッチング動作が制御されると共に画像信号線からデータ線に供給された（即ち、書き込まれた）画像信号電位が、画素スイッチング素子を介して画素電極に供給される。これにより、画素電極及び対向電極間の電気光学物質に画像信号に基づく電圧が印加され、電気光学物質の配向状態が変化する。このような電気光学物質の配向状態の変化によって画素毎の光の透過率が変化する。これにより電気光学物質を通過する光が画像信号に応じて変化し、画素領域において画像表示が行われる。
【００１０】
本発明では特に、第１基板上における周辺領域の一部に、複数の画素電極と同一の導電材料から複数の画素電極と同時にパターニングして形成された周辺導電膜が、第１基板上で平面的に見て画像信号線の少なくとも一部とは重ならないように設けられる。周辺導電膜は、典型的には、周辺領域のうち画像信号線が形成された領域を除く領域に、画素領域の周囲に沿って設けられる。周辺導電膜は、例えば、複数の画素電極が配列される画素ピッチと同一の配列ピッチで画素領域を囲むように配列される複数の本体部分と、該複数の本体部分のうち互いに隣り合う本体部分間を繋ぐ接続部分とを有するように形成される。
【００１１】
よって、周辺導電膜と画像信号線と間の容量性カップリングを殆ど或いは実践上全く発生させることなく、周辺導電膜を周辺領域の一部に設けることができる。
【００１２】
従って、周辺導電膜と画像信号線との間の容量性カップリングに起因して、画像信号線からデータ線に書き込まれる画像信号電位が低下してしまうことを低減或いは防止できる。これにより、データ線に書き込まれる画像信号電位の低下に起因して、データ線に沿った表示ムラが発生してしまうことを低減或いは防止できる。
【００１３】
更に、周辺導電膜が、第１基板上における周辺領域の一部に、例えば画素領域の周囲に沿って設けられることにより、第１基板表面と画素電極表面との段差に起因してラビング処理時に発生し得る、例えばラビングクロスの摩耗粉等のラビかすが、周辺導電膜が形成された領域（即ち、表示に寄与しない周辺領域の一部）に残留し易くできる。即ち、ラビかすが、画素領域内に残留して、画像表示に悪影響を及ぼしてしまうことを低減或いは防止できる。
【００１４】
加えて、周辺導電膜は、上述したように、複数の画素電極と同一の導電材料から複数の画素電極と同時にパターニングして形成されるので、第１基板上における積層構造の複雑化や製造工程の複雑化を招かない。
【００１５】
以上説明したように、本発明に係る電気光学装置によれば、データ線に沿った表示ムラ等のない高品位な画像を表示可能である。
【００１６】
本発明の電気光学装置の一態様では、前記画像信号線は、前記画素領域の一辺に沿うように形成された本線部分と、該本線部分より上層側に配置されると共に前記一辺に交わる方向に延びるように形成され、前記本線部分と電気的に接続された分岐配線部分とを有し、前記周辺導電膜は、少なくとも前記分岐配線部分と重ならないように設けられる。
【００１７】
この態様によれば、画像信号線の本線部分は、例えばデータ線の配列方向（或いは例えば走査線が延びる方向）に沿う画素領域の一辺に沿うように形成される。画像信号線の分岐配線部分は、本線部分より例えば層間絶縁膜を介して上層側に配置されると共に前記一辺に交わる方向（例えば、データ線が延びる方向）に延びるように複数形成される。
【００１８】
この態様では特に、周辺導電膜は、第１基板上で平面的に見て少なくとも分岐配線部分と重ならないように設けられる。即ち、周辺導電膜は、当該周辺導電膜との間の層間距離（即ち、第１基板上の積層構造における第１基板に交わる方向或いは垂直方向である積層方向に沿った距離）が本線部分よりも短い分岐配線部分と重ならないように設けられる。よって、周辺導電膜及び分岐配線部分間の容量性カップリングを殆ど或いは実践上完全に無くすことが可能であり、周辺導電膜及び画像信号線間の容量性カップリングを効果的に低減できる。従って、周辺導電膜と画像信号線との間の容量性カップリングに起因して、画像信号線からデータ線に書き込まれる画像信号電位が低下してしまうことを確実に低減或いは防止できる。
【００１９】
上述した画像信号線が本線部分及び分岐配線部分を有する態様では、前記周辺導電膜は、前記本線部分及び前記分岐配線部分と重ならないように設けられてもよい。
【００２０】
この態様によれば、周辺導電膜及び画像信号線間の容量性カップリングをより一層確実に低減できる。
【００２１】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記画像信号は、シリアル−パラレル変換されたＮ（但し、Ｎは２以上の自然数）系列の画像信号であり、前記画像信号線は、前記Ｎ系列の画像信号を夫々供給するためのＮ本の画像信号線である。
【００２２】
この態様によれば、その動作時には、シリアル−パラレル変換されたＮ系列の画像信号が、Ｎ本の画像信号線に供給され、更に、例えばサンプリング回路へと供給される。Ｎ系列の画像信号は、例えば駆動周波数の上昇を抑えつつ高精細な画像表示を実現すべく、外部回路によって、シリアルな画像信号が、３相、６相、１２相、２４相、…など、複数のパラレルな画像信号に変換されることによって生成される。このような画像信号の供給と並行して、例えばデータ線駆動回路によって、データ線群に対応するサンプリングスイッチ毎に、サンプリング信号が順次供給される。すると、サンプリング回路によって、複数のデータ線には、サンプリング信号に応じてデータ線群毎にＮ個の画像信号が順次供給される。よって、同一データ線群に属するデータ線は同時に駆動されることとなる。ここで、同一データ線群に属するＮ本のデータ線には、Ｎ本の画像信号線のうち互いに異なる画像信号線から画像信号が供給される。即ち、同一データ線群に属するＮ本のデータ線には、互いに異なる系列の画像信号が供給される。
【００２３】
仮に、何らの対策も施さず、周辺導電膜がＮ本の画像信号線に重なるように設けられる場合には、周辺導電膜とＮ本の画像信号線の各々との間に容量性カップリングが発生する。この容量性カップリングは、例えば周辺導電膜や画像信号線の膜厚の第１基板上におけるバラツキ等の製造バラツキによって、画像信号線毎に異なるおそれがある。従って、例えば、周辺導電膜及び画像信号線間の容量性カップリングに起因する画像信号電位の低下が、同一の画像信号線から同一系列の画像信号が供給されるデータ線の組（即ち、同一系列のデータ線）毎に、バラついてしまうおそれがある。このため、例えば、互いに異なる系列の画像信号が供給されるデータ線毎に、データ線に沿った表示ムラが発生してしまうおそれがある。
【００２４】
しかるに本態様によれば、周辺導電膜は、第１基板上における周辺領域の一部に、画像信号線の少なくとも一部とは重ならないように設けられるので、周辺導電膜と画像信号線と間の容量性カップリングを殆ど或いは実践上完全に無くすことができ、例えば、互いに異なる系列の画像信号が供給されるデータ線毎にデータ線に沿った表示ムラが発生してしまうことを低減或いは防止できる。
【００２５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第１基板の前記複数の画素電極が配置されている側に対向配置される第２基板と、前記第１及び第２基板を、前記画素領域の周囲に沿ったシール領域において互いに貼り合わせるシール材とを備え、前記周辺導電膜は、前記周辺領域のうち前記シール領域を含む領域に、前記画素領域の周囲に沿って設けられている部分を有する。
【００２６】
この態様によれば、周辺導電膜が、第１基板上におけるシール領域を含む領域に、画素領域の周囲に沿って設けられることにより、第１基板表面と画素電極表面との段差に起因してラビング処理時に発生し得る、例えばラビングクロスの摩耗粉等のラビかすが、周辺導電膜が形成された領域（即ち、表示に寄与しない周辺領域の一部であるシール領域を含む領域）に残留し易くできる。即ち、ラビかすが、画素領域内に残留して、画像表示に悪影響を及ぼしてしまうことを低減或いは防止できる。
【００２７】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を具備する。
【００２８】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明の電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像表示を行うことが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。
【００２９】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
＜第１実施形態＞
第１実施形態に係る液晶装置について、図１から図１０を参照して説明する。
【００３１】
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’線断面図である。
【００３２】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置１００では、本発明に係る「第１基板」の一例としてのＴＦＴアレイ基板１０と本発明に係る「第２基板」の一例としての対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、本発明に係る「画素領域」の一例としての画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域５２ａに設けられたシール材５２により相互に接着されている。シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂等の光硬化型接着材料からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射等の光照射により硬化させられたものである。
【００３３】
図１において、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域５３ａを規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。尚、本実施形態では、周辺領域は、ＴＦＴアレイ基板１０の中心から見て、額縁遮光膜５３によって規定される額縁領域５３ａより以遠の領域として規定されており、額縁領域５３ａ及びシール領域５２ａを含む領域である。つまり、周辺領域は、ＴＦＴアレイ基板１０上における画像表示領域１０ａを除く領域であり、光を出射しない領域として設定されている。
【００３４】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域５２ａの外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域５２ａよりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿ったシール領域５２ａの内側に、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００３５】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、外部回路接続端子１０２と、サンプリング回路７、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４、上下導通端子１０６等とを電気的に接続するための引回配線９０が形成されている。尚、引回配線９０には、図４から図６を参照して後述する画像信号線１５０が含まれている。
【００３６】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用素子である画素スイッチング用のＴＦＴ３０（図３参照）や走査線１１（図３参照）、データ線６（図３参照）等の配線が作り込まれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用のＴＦＴ３０や走査線１１、データ線６等の配線の上層に画素電極９がマトリクス状に設けられている。画素電極９は、ＴＦＴアレイ基板１０上における最上層側に形成された層間絶縁膜４４（図９参照）上に形成されている。
【００３７】
画素電極９上には、例えばポリイミド等の有機材料からなる配向膜１６が画素電極９を覆うように形成されている。配向膜１６は、ラビング処理が施されており、電圧無印加時の液晶分子の配列を揃える機能を有している。尚、配向膜１６は、例えばシリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料から形成されてもよい。
【００３８】
他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、遮光膜２３が形成されている。遮光膜２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状等にパターニングされている。そして、遮光膜２３上に、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９と対向してベタ状に形成されている。対向電極２１上には、例えばポリイミド等の有機材料からなる配向膜２２が形成されている。尚、配向膜２２は、例えばシリカ（ＳｉＯ２）等の無機材料から形成されてもよい。
【００３９】
また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【００４０】
尚、ここでは図示しないが、本実施形態では、図７から図１０を参照して後に説明するように、ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域には、画素電極９及びＴＦＴ３０を含んでなる画素部を模擬するために画素部と同様の構造を有するダミー画素部や、画素電極９と同一の透明導電材料又は反射導電材料から画素電極９と同時にパターニングして形成された周辺導電膜６０が設けられている。
【００４１】
尚、ここでは図示しないが、ＴＦＴアレイ基板１０上には、製造途中や出荷時の当該液晶装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００４２】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画素部の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。
【００４３】
図３において、本実施形態に係る液晶装置１００の画像表示領域１０ａには、複数の画素部５００がマトリクス状に配列されている。複数の画素部５００には、それぞれ、画素電極９と該画素電極９をスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６がＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６に書き込む画像信号ＶＳ１、ＶＳ２、…、ＶＳｎは、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対して、グループ毎に供給される。尚、データ線６に書き込む画像信号ＶＳ１、ＶＳ２、…、ＶＳｎは、この順に線順次に供給されてもよい。
【００４４】
また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線１１が電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９は、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号ＶＳ１、ＶＳ２、…、ＶＳｎを所定のタイミングで書き込む。
【００４５】
画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号ＶＳ１、ＶＳ２、…、ＶＳｎは、対向基板２０（図２参照）に形成された対向電極２１（図２参照）との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。
【００４６】
ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９と対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０の一方の電極は、画素電極９と並列してＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続され、他方の電極は、容量配線４００に電気的に接続されている。
【００４７】
次に、本実施形態における、データ線駆動回路、サンプリング回路、画像信号線及びデータ線の電気的な接続について、図４を参照して説明する。ここに図４は、データ線駆動回路、サンプリング回路、画像信号線及びデータ線の電気的な接続関係を示す説明図である。
【００４８】
図４において、画像信号線１５０の分岐配線部分１５２は、サンプリング回路７を構成する例えばＴＦＴ等からなるサンプリングスイッチ７ｓのソースに電気的に接続されており、データ線駆動回路１０１からのサンプリング信号線１１７は、サンプリングスイッチ７ｓのゲートに電気的に接続されている。尚、図５を参照して後述するように、画像信号線１５０は、データ線６の配列方向（即ちＸ方向）に延びる本線部分１５１と、データ線６が延びる方向（即ちＹ方向）に延びる複数の分岐配線部分１５２とを有している。
【００４９】
液晶装置１００の動作時には、外部回路から画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６用の外部回路接続端子１０２に印加される画像信号は、画像信号線１５０の本線部分１５１及び分岐配線部分１５２を経てサンプリング回路７へ供給され、ここで、データ線駆動回路１０１からサンプリング信号線１１７を経て供給されるサンプリング信号Ｓｉに応じたタイミングで、サンプリングされる。そして、サンプリングされた画像信号は、各データ線６に供給されることになる。尚、データ線駆動回路１０１には、所定周期のＸ側クロック信号ＣＬＸ（及びその反転信号ＣＬＸ´）、シフトレジスタスタート信号ＤＸ等が入力され、これらに基づいて、データ線駆動回路１０１を構成するシフトレジスタの各段から転送信号Ｐｉ（ｉ＝１、・・・、ｎ）が順次出力される。これら転送信号Ｐｉは、データ線駆動回路１０１を構成する例えば論理回路によって整形されて、サンプリング信号Ｓｉとして出力される。
【００５０】
画像信号線１５０の分岐配線部分１５２を経てサンプリング回路７へ供給される画像信号は、線順次に供給されても構わないが、本実施形態においては、画像信号は、６相にシリアル−パラレル変換（或いはシリアル−パラレル展開）された画像信号の各々に対応して、６本のデータ線６の組に対してグループ毎に供給されるよう構成されている。尚、画像信号の相展開数（即ち、シリアル−パラレル変換される画像信号の系列数）に関しては、６相に限られるものでなく、例えば、９相、１２相、２４相など、複数相に展開された画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に対して供給されるよう構成してもよい。
【００５１】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画像信号線の具体的な構成について、図５及び図６を参照して説明する。ここに図５は、本実施形態に係る液晶装置の画像信号線の具体的な構成を示す平面図であり、図６は、図５のＡ−Ａ’線断面図である。
【００５２】
図５及び図６において、６本の画像信号線１５０の各々は、データ線６の配列方向（即ちＸ方向）に延びる本線部分１５１と、データ線６が延びる方向（即ちＹ方向）に延びる複数の分岐配線部分１５２とを有している。
【００５３】
図６に示すように、本線部分１５１は、ＴＦＴアレイ基板１０上におけるＴＦＴ３０よりも上層側に配置された層間絶縁膜４２上に、例えばアルミニウム膜等の金属膜から形成されている。
【００５４】
複数の分岐配線部分１５２は、本線部分１５１より層間絶縁膜４３を介して上層側に配置されており、例えばアルミニウム膜等の金属膜から形成されている。複数の分岐配線部分１５２の各々は、層間絶縁膜４３に開孔されたコンタクトホール８１を介して本線部分１５１と互いに電気的に接続されている。複数の分岐配線部分１５２の上層側には、層間絶縁膜４４が形成されている。尚、ＴＦＴアレイ基板１０上における画像表示領域１０ａには、この層間絶縁膜４４上に複数の画素電極９がマトリクス状に配列されている（図９参照）。
【００５５】
次に、本実施形態に係る液晶装置の周辺導電膜について、図７から図１０を参照して説明する。ここに図７は、図１に示したＣ１部分における、本実施形態に係る液晶装置の周辺導電膜の概略構成を示す平面図である。図８は、本実施形態に係る液晶装置の周辺導電膜が形成される領域を示す模式図である。図９は、本実施形態に係る液晶装置における、周辺導電膜を含む断面と、画素電極を含む断面とを対比して示す図である。尚、図７において、説明の便宜上、図１を参照して上述した上下導通端子１０６の図示を省略している。上下導通端子１０６は、例えば、層間絶縁膜４４（図６或いは図９参照）上における所定の位置に、例えばＩＴＯ膜、Ａｌ膜等の導電膜から形成されている。
【００５６】
図７において、ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域の一部に、複数の画素電極９と同一の透明導電材料（即ち、ＩＴＯ膜）又は反射導電材料（即ち、Ａｌ膜）から複数の画素電極９と同時にパターニングして形成された周辺導電膜６０が、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て画像信号線１５０の少なくとも一部とは重ならないように設けられている。尚、周辺導電膜６０は、図１０を参照して後述するように本体部分６１及び接続部分６２を有するが、図７では、説明の便宜上、周辺導電膜６０の本体部分のみを図示し、接続部分については図示を省略している。
【００５７】
より具体的には、図７及び図８において、周辺導電膜６０は、周辺領域のうち、（ｉ）額縁領域５３ａのうちダミー画素電極９ｄを含むダミー画素部が設けられている、画像表示領域１０ａの周囲に沿うダミー画素領域５３ａ１よりも外側（即ちシール領域５２ａ側）に位置する領域５３ａ２、（ｉｉ）シール領域５２ａ及び（ｉｉｉ）シール領域５２ａよりも外側（即ちＴＦＴアレイ基板１０の周縁側）に位置するシール外側領域５４ａのうち、画像信号線１５０が形成された画像信号線形成領域１５０ａ及び外部回路接続端子１０２ａが形成された外部回路接続端子形成領域１０２ａを除く領域に形成されている。ここで、ダミー画素部は、図３を参照して上述した画素電極９を含む画素部５００と同様に構成されている。即ち、ダミー画素部は、（ｉ）画素電極９と同一膜から形成される（即ち、画素電極９と同一の導電材料から画素電極９と同時にパターニングされることにより形成される）と共に画素電極９が配列された配列ピッチ（即ち、画素ピッチ）と同一の配列ピッチで配列されたダミー画素電極９ｄと、（ｉｉ）ＴＦＴ３０と同一の積層構造を有しており、ダミー電極９ｄをスイッチング制御するためのＴＦＴと、（ｉｉｉ）該ＴＦＴ及びダミー画素電極９ｄに電気的に接続されると共に蓄積容量７０と同一の積層構造を有する蓄積容量とを含んで構成されている。
【００５８】
尚、図７及び図８において、本実施形態では、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、額縁領域５３ａ及びシール領域５２ａは、所定幅を有する間隙領域６１０ａを隔てて配置されている。言い換えれば、額縁遮光膜５３（図１及び図２参照）は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見て、シール領域５２ａと所定幅の間隙を隔てて配置されている。よって、光硬化型接着材料からなるシール材５２に対する光照射が額縁遮光膜５３によって妨げられるのを低減或いは防止できる。周辺導電膜６０は、間隙領域６１０ａにも形成されている。
【００５９】
図９に示すように、周辺導電膜６０は、層間絶縁膜４４上にＩＴＯ膜から形成されている。周辺導電膜６０は、層間絶縁膜４４上に成膜されたＩＴＯ膜が複数の画素電極９と同時に、例えばエッチング処理等によってパターニングされることにより形成されている。
【００６０】
図１０は、本実施形態に係る液晶装置の周辺導電膜の平面パターンを示す平面図である。
【００６１】
図１０に示すように、周辺導電膜６０は、複数の画素電極９が配列される画素ピッチと同一の配列ピッチで配列される複数の本体部分６１と、該複数の本体部分６１のうち互いに隣り合う本体部分６１間を繋ぐ接続部分６２とを有している。尚、周辺導電膜６０は、複数の本体部分６１のみからなり、接続部分６２を有さないように構成されてもよい。但し、本実施形態の如く、周辺導電膜６０が本体部分６１及び接続部分６２を有することで、周辺導電膜６０が、層間絶縁膜４４上に成膜されたＩＴＯ膜に対してエッチング処理が施されることにより形成される際に発生するエッチング残留物を低減できる。
【００６２】
図７及び図８において、本実施形態では特に、上述したように、周辺導電膜６０は、ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域の一部に、ＴＦＴアレイ基板上で平面的に見て画像信号線１５０の少なくとも一部とは重ならないように設けられている。即ち、周辺導電膜６０は、ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域のうち画像信号形成領域１５０ａを除く領域に形成されている。
【００６３】
よって、周辺導電膜６０と画像信号線１５０と間の容量性カップリングを殆ど或いは実践上全く発生させることなく、周辺導電膜６０を周辺領域の一部に設けることができる。
【００６４】
仮に、何らの対策も施さず、周辺導電膜６０が６本の画像信号線１５０に重なるように設けられる場合には、周辺導電膜６０と６本の画像信号線１５０の各々との間に容量性カップリングが発生する。この容量性カップリングは、例えば周辺導電膜６０や画像信号線１５０の膜厚のＴＦＴアレイ基板１０上におけるバラツキ等の製造バラツキによって、画像信号線１５０毎に異なるおそれがある。従って、例えば、周辺導電膜６０及び画像信号線１５０間の容量性カップリングに起因する画像信号電位の低下が、同一の画像信号線１５０から同一系列の画像信号が供給されるデータ線６の組（即ち、同一系列のデータ線６）毎に、バラついてしまうおそれがある。このため、例えば、互いに異なる系列の画像信号が供給されるデータ線６毎に、データ線６に沿った表示ムラが発生してしまうおそれがある。
【００６５】
しかるに本実施形態では特に、周辺導電膜６０は、ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域の一部に、画像信号線１５０の少なくとも一部とは重ならないように設けられるので、周辺導電膜６０と画像信号線１５０と間の容量性カップリングを殆ど或いは実践上完全に無くすことができ、例えば、互いに異なる系列の画像信号が供給されるデータ線６毎にデータ線６に沿った表示ムラが発生してしまうことを低減或いは防止できる。
【００６６】
更に、図７及び図８において、本実施形態では特に、周辺導電膜６０は、ＴＦＴアレイ基板１０上における額縁領域５３ａのうちダミー画素領域５３ａ１よりも外側に位置する領域５３ａ２、間隙領域６１０ａ及びシール領域５２ａに、画像表示領域１０ａの周囲に沿って設けられている。よって、ＴＦＴアレイ基板１０の表面（即ち、層間絶縁膜４４０の表面）と画素電極９の表面との段差に起因してラビング処理時に発生し得る、例えばラビングクロスの摩耗粉等のラビかすが、周辺導電膜６０が形成された領域である領域５３ａ２、間隙領域６１０ａ及びシール領域５２ａに残留し易くできる。即ち、ラビかすが、画像表示領域１０ａ内に残留して、画像表示に悪影響を及ぼしてしまうことを低減或いは防止できる。
【００６７】
更に加えて、本実施形態では特に、周辺導電膜６０は、上述したように、複数の画素電極９と同一の導電材料から複数の画素電極９と同時にパターニングして形成されるので、ＴＦＴアレイ基板１０上における積層構造の複雑化や製造工程の複雑化を招かない。
【００６８】
以上説明したように、本実施形態に係る液晶装置１００によれば、データ線６に沿った表示ムラ等のない高品位な画像を表示可能である。
【００６９】
尚、本実施形態では、周辺導電膜６０が、ＴＦＴアレイ基板１０上における周辺領域のうち、画像信号線形成領域１５０ａを除く領域に形成される場合について説明したが、周辺導電膜６０は、周辺領域のうち、画像信号線１５０の分岐配線部分１５２が形成された領域を除く領域に形成され、画像信号線１０の本線部分１５１には重なるように形成されてもよい。この場合にも、周辺導電膜６０と画像信号線１５０と間の容量性カップリングを低減でき、例えば、互いに異なる系列の画像信号が供給されるデータ線６毎にデータ線６に沿った表示ムラが発生してしまうことを低減或いは防止できる。但し、周辺導電膜６０と画像信号線１５０と間の容量性カップリングを低減するという観点からは、上述した第１実施形態のように、周辺導電膜６０は、画像信号線１５０の本線部分１５１及び分岐配線部分１５２のいずれにも重ならないように形成されることが好ましい。
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここでは、上述した液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて、図１１を参照して説明する。ここに図１１は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。
【００７０】
図１１に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【００７１】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００７２】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００７３】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００７４】
尚、図１１を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００７５】
また本発明は、上述の実施形態で説明した液晶装置以外にも、シリコン基板上に素子を形成する反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【００７６】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、特許請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置及び該電気光学装置を備えてなる電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００７７】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ’線断面図である。
【図３】第１実施形態に係る液晶装置の複数の画素部の等価回路図である。
【図４】第１実施形態における、データ線駆動回路、サンプリング回路、画像信号線及びデータ線の電気的な接続関係を示す説明図である。
【図５】第１実施形態に係る液晶装置の画像信号線の具体的な構成を示す平面図である。
【図６】図５のＡ−Ａ’線断面図である。
【図７】第１実施形態に係る液晶装置の周辺導電膜の概略構成を示す平面図である。
【図８】第１実施形態に係る液晶装置の周辺導電膜が形成される領域を示す模式図である。
【図９】第１実施形態に係る液晶装置における、周辺導電膜を含む断面と、画素電極を含む断面とを対比して示す図である。
【図１０】第１実施形態に係る液晶装置の周辺導電膜の平面パターンを示す平面図である。
【図１１】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００７８】
９…画素電極、９ｄ…ダミー画素電極、１０…ＴＦＴアレイ基板、１０ａ…画像表示領域、１６…配向膜、２０…対向基板、２１…対向電極、２２…配向膜、２３…遮光膜、４４、４３…層間絶縁膜、５０…液晶層、５２…シール材、５２ａ…シール領域、５３…額縁遮光膜、５３ａ…額縁領域、６０…周辺導電膜、８１…コンタクトホール、１０２…外部回路接続端子、１０２ａ…外部回路接続端子形成領域、１５０…画像信号線、１５０ａ…画像信号線形成領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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