(57)【要約】【課題】回路基板の下面のグランドパターンと金属膜との電気的な接続信頼性が高いモジュール部品を提供する。【解決手段】第１の回路基板１０４と、第１の回路基板１０４の上に実装された部品１０８と、第１の回路基板１０４の上であって、部品１０８を封止した封止部１０９と、第１の回路基板１０４の側面と封止部１０３の周囲を覆う金属膜１０１とを備え、金属膜１０１は、第１の回路基板１０４の側面に露出した配線１０６と電気的に接続されるとともに、第１の回路基板１０４の下面外周のうち、二辺以上に設けた第１のグランドパターン１１０上にあって、第１の回路基板１０４の外側から内側に向かって薄くした構成である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の回路基板と、
前記第１の回路基板の上に実装された部品と、
前記第１の回路基板の上であって、前記部品を封止した封止部と、
前記第１の回路基板の側面と前記封止部を覆う金属膜とを備え、
前記金属膜は、前記第１の回路基板の側面に露出した配線と電気的に接続すると共に、
前記金属膜の一部には、前記第１の回路基板の下面外周の二辺以上に設けた第１のグランドパターン上に、外周から内周に向かって厚みが薄くなる勾配部を設けたモジュール部品。
【請求項２】
前記金属膜は、スパッタ、めっき、導電性ペーストのいずれか、あるいはこれらの組み合わせである請求項１に記載のモジュール部品。
【請求項３】
前記第１のグランドパターンと前記金属膜は、互いの表面の色差ΔＥが３以上である請求項１に記載のモジュール部品。
【請求項４】
前記封止部の一以上の辺は、階段またはＣ面カット、Ｒ面加工、あるいはこれらの組み合わせ形状を設けた請求項１に記載のモジュール部品。
【請求項５】
第１の回路基板の上に、複数の部品を実装する実装工程と、
前記第１の回路基板と、前記部品を封止樹脂で封止する封止工程と、
前記回路基板を、前記封止樹脂と共に個片に分割する個片化工程と、
前記個片を、治具の上に保持する保持工程と、
厚み勾配を有するように、前記個片の表面に金属膜を形成する金属工程と
を有するモジュール部品の製造方法。
【請求項６】
第１の回路基板と、
前記第１の回路基板の上に実装された部品と、
前記第１の回路基板の上であって、前記部品を封止した封止部と、
前記第１の回路基板の側面と前記封止部を覆う金属膜とを備え、
前記金属膜は、前記第１の回路基板の側面に露出した配線と電気的に接続すると共に、
前記金属膜の一部には、前記第１の回路基板の下面外周の二辺以上に設けた第１のグランドパターン上に、外周から内周に向かって厚みが薄くなる勾配部を設けたモジュール部品と、
前記モジュール部品を固定する第２の回路基板と、
からなる電子機器。
【請求項７】
前記第２の回路基板は、最上面と最下面が第２のグランドパターンで覆われたスルーホールを備え、
前記モジュール部品の下面であって、
前記モジュール部品の前記第１のグランドパターンと、前記スルーホールが電気的に接続された請求項６に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願発明は、樹脂でモールド成型されたモジュール部品とこれを用いた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
以下、従来のモジュール部品について、図１５および図１５を用いて説明する。  
【０００３】
図１５は、従来のモジュール部品の断面図を示す。図１５において、従来のモジュール部品１は、回路基板５と、回路基板５の上部に配置された配線パターン４と、回路基板５の内部に配置されたグランド層６と、配線パターン４の上に実装された部品７と、部品７の周囲を封止した封止部３と、封止部３の外周に設けられた金属膜２とを備える。また、図１５に示すように、従来のモジュール部品１は、回路基板５の側面に露出したグランド層６を介して金属膜２と電気的に接続される。
【０００４】
この金属膜２をモジュール部品１の外周に形成することで、モジュール部品１の外部から受けるノイズ、および内部から発生するノイズの輻射を抑圧するシールド効果が期待できる。
【０００５】
図１６（Ａ）〜（Ｃ）は、共に従来のモジュール部品１の製造方法の一例を示す断面図である。図１６において、従来のモジュール部品１において、回路基板５の下面にグランドパターン８が配置されているが、金属膜２と下面のグランドパターン８とを、電気的に接続することで、シールド効果を高めようとしている。
【０００６】
図１６（Ａ）のように、モジュール部品１の下面の金属膜２を形成したくない部分に、レジスト９を形成する。なおレジスト９はフォトレジストを用いても良い。
【０００７】
次に、図１６（Ｂ）のように、モジュール部品１の表面を金属膜２で形成するが、ここで、回路基板５の下面にレジスト９を配置しているため、下面のグランドパターン８以外には金属膜２が形成されない。
【０００８】
図１６（Ｃ）は、レジスト９を、レジスト９を覆う金属膜２と共に除去した様子を示す断面図である。こうした手法としては、リフトオフ等と呼ばれるパターニング方法を選ぶことができる。
【０００９】
図１６（Ｃ）において、破片１１ａ、１１ｂは共に、金属膜２の一部が剥離された部分を示す。図１６（Ｃ）に示すように、レジスト９と共に、金属膜２を剥離した場合、金属膜２の一部が、破片１１ａ、１１ｂとなり、その一部は、破片１１ｃとなって、配線４の上に付着して、短絡等を発生させる可能性がある。また一部の破片１１ａはバリとなる。
【００１０】
そしてバリとなった破片（例えば、破片１１ａ）は、モジュール部品１を実装する際等の振動や衝撃により、欠落する恐れがある。またバリを有する金属膜２は、経時変化で剥がれる可能性もあり、金属膜２の一部が欠落した場合、金属膜２と、封止部３との界面に空隙を生じる。そして金属膜２によるシールド効果が低下してしまう可能性があり、モジュール部品１の長期に渡る信頼性に影響を与える可能性がある。
【００１１】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【特許文献１】特開２００６−２８６９１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
そこで、本願発明は、回路基板の配線と金属膜との電気的な接続信頼性が高いモジュール部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本願発明のモジュール部品は、第１の回路基板と、前記第１の回路基板の上に実装された部品と、前記第１の回路基板の上であって、前記部品を封止した封止部と、前記第１の回路基板の側面と前記封止部を覆う金属膜とを備え、前記金属膜は、前記第１の回路基板の側面に露出した配線と電気的に接続すると共に、前記金属膜の一部には、前記第１の回路基板の下面外周の二辺以上に設けた第１のグランドパターン上に、外周から内周に向かって厚みが薄くなる勾配部を設けたモジュール部品である。
【発明の効果】
【００１４】
上記構成により本願発明のモジュール部品は、第１の回路基板の下面のグランドパターンと金属膜との密着性が高く、また原理的にバリ等が発生しないため、長期に渡る電気的な接続信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
（実施の形態１）
以下、実施の形態１のモジュール部品について図面を用いて説明する。図１（Ａ）は、本願発明の実施の形態１におけるモジュール部の上面斜視図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の矢印で切り出した断面図である。
【００１６】
図１（Ａ）、（Ｂ）において、１００はモジュール部品、１０１は金属膜、１０２は点線、１０３は矢印、１０４は第１の回路基板、１０５は絶縁層、１０６は配線、１０７はビア、１０８は部品、１０９は封止部、１１０は第１のグランドパターン、１１１はランド、１１２は勾配部である。
【００１７】
図１（Ａ）における点線１０２は、図１（Ｂ）における封止部１０９と、第１の回路基板１０４との境界面を模式的に示すものである。
【００１８】
図１（Ａ）（Ｂ）に示すように、本願発明で提案するモジュール部品１００は、第１の回路基板１０４と、前記第１の回路基板１０４の上に実装された部品１０８と、前記第１の回路基板１０４の上であって、前記部品１０８を封止した封止部１０９と、前記第１の回路基板１０４の側面と前記封止部１０９を覆う金属膜１０１とを備え、前記金属膜１０１は、前記第１の回路基板１０４の側面に露出した配線１０６と電気的に接続すると共に、前記金属膜１０１の一部には、前記第１の回路基板１０４の下面外周の二辺以上に設けた第１のグランドパターン１１０上に、外周から内周に向かって厚みが薄くなる勾配部１１２を設けている。
【００１９】
これにより、第１の回路基板１０４の下面の第１のグランドパターン１１０と金属膜１０１との密着性を高め、バリ等の金属膜１０１の剥がれ始める部分が発生しないため、長期に渡る電気的な接続信頼性が向上するという効果が得られることになる。
【００２０】
第１の回路基板１０４は、例えば、多層の樹脂基板（例えば、ガラス繊維をエポキシ樹脂で含浸させたガラスエポキシ樹脂等を絶縁層１０５とすることができる）やセラミック基板にて構成される。そして、第１の回路基板１０４の上面には、部品１０８と電気的に接続するための複数の実装部１１３が設けられている。
【００２１】
例えば、ガラスエポキシ樹脂を用いた多層基板の場合、実装部１１３、配線１０６、第１のグランドパターン１１０、ランド１１１を共に、銅箔（あるいは銅箔を用いた配線パターン）とすることで、コストダウンが可能である。
【００２２】
またセラミック基板の場合、実装部１１３、配線１０６、第１のグランドパターン１１０、ランド１１１を共に、銀（あるいは銀パラジウム）電極、あるいは銅配線等とする。なお配線は電極ペーストの印刷、焼成で形成しても良く、あるいは銅箔等を貼り付けて形成しても良い。
【００２３】
部品１０８は、例えば、半導体ＩＣやコイル、コンデンサ等であり、チップ部品とすることで、実装密度を高められる。
【００２４】
封止部１０９は、例えば、熱硬化性樹脂にて構成されており、真空加圧しながら加熱すると、樹脂フィラーが第１の回路基板１０４と部品１０８との隙間に入ることで、ボイドが発生することなく、部品１０８を封止することができる。
【００２５】
ここで、金属膜１０１の形成方法として、スパッタによる方法、めっきによる方法、あるいは市販の導電性ペーストを印刷／乾燥（あるいは硬化）させたものを使っても良い。
【００２６】
また金属膜１０１を、二種類以上の元素から構成しても良い。例えば封止部１０９の表面に銅を形成し、この銅の上に、更に亜鉛やニッケル、錫等を設けることで、下地の銅の酸化を防止（防錆も含む）することができる。またシールド効果をより高めるために、金属膜１０１のシート抵抗を小さくしたい場合は、銅の表面に銀を使用すればよい。こうすることで金属膜１０１のシート抵抗を下げることができ、シールド効果の周波数域を高周波側に高めることができる。
【００２７】
なお、金属膜１０１に使用する２種類の元素は、合金として形成してもよい。銅と亜鉛、あるいは銅とニッケル等の部材を予め合金化し、これをスパッタ用ターゲットとしても良い。あるいは銅のターゲットと、亜鉛のターゲットを別々に用意し、これを同時にスパッタすることで、合金化しても良い。こうすることで、工数を低減でき、コストダウンできる。
【００２８】
特に、図１（Ｂ）に示すように、本願発明のモジュール部品１００において、第１のグランドパターン１１０と、金属膜１０１（例えば、勾配部１１２）とは、互いに面接触しているため、互いの接触抵抗を最小に抑えている。またはグランドパターン１１０の上に形成した、金属膜１０１の一端である勾配部１１２は、外周から内周に向かって厚みが薄くなるように形成しているため、応力が発生しにくく、更に外力等でも剥離しない。
【００２９】
図２（Ａ）は、本願発明の実施の形態１におけるモジュールの上面斜視図の一例であり、図２（Ｂ）は断面図である。
【００３０】
図２（Ａ）における点線１０２は、図２（Ｂ）における封止部１０９と、第１の回路基板１０４との境界面を模式的に示すものである。
【００３１】
図２（Ａ）（Ｂ）に示すようにモジュール部品１００を構成した封止部１０９の一以上の辺には、Ｃ面カット部を設けている。ここでＣ面カットとは、略垂直となった封止部１０９の辺（特に、コーナー部分、あるいはエッジ部分）に、４５度程度の勾配を設けることである。なお勾配角度は４５度に限定する必要は無く、複数の多段からなるＣ面カットとしても良い。またＲ面加工（Ｒは円の半径のこと。例えば、半径１ｍｍ以上半径５ｍｍ以下のＲを設ける）としても良い。またこれら階段、Ｃ面カット、Ｒ面加工等の複数の組み合わせであっても良い。
【００３２】
図２（Ａ）（Ｂ）において、モジュール部品１００を構成する封止部１０９の一以上の辺のコーナー部には、Ｃ面カット１１４を形成している。また金属膜１０１は、モジュール部品１００の上面および側面に対して、Ｃ面カット部分も覆うように形成されている。このように、金属膜１０１を設ける辺部分に、階段またはＣ面カット１１４、Ｒ面加工、あるはこれらの組み合わせからなるコーナー部を設けることで、金属膜１０１の形成時の厚みバラツキを低減し、金属膜１０１の内部応力の発生を抑制する効果が得られる。
【００３３】
なおＣ面カット１１４は、狭い意味でのＣ面カット以外に、広い意味でのＣ面加工（すなわち階段状、平面のいずれの形状も含むものであり、Ｒ面加工、あるはこれらの組み合わせ）も含む。これはこれら形状の違いに関係なく、Ｃ面カット１１４の目的が同じだからである。
【００３４】
図３（Ａ）（Ｂ）は、共に図１〜図２で説明したモジュール部品１００を、第２の回路基板の上に実装し、電子機器を形成する様子を説明する断面図である。
【００３５】
図３（Ａ）（Ｂ）において、１１７は半田、１１８は第２の回路基板、１１９は電子機器、１２０はフィレットである。
【００３６】
図３（Ａ）の矢印１０３に示すように、モジュール部品１００を、第２の回路基板１１８の上に実装する。図３（Ｂ）において、フィレット１２０は、半田１１７の一部が、モジュール部品１００を形成する金属膜１０１の上にも這い上がるように形成した部分である。フィレット１２０を設けることで、第２の回路基板１１８と、モジュール部品１００との固定強度（あるいは剥離強度）を高められる。なおフィレット１２０は、用途に応じて形成すれば良い。
【００３７】
以上のようにして、第１の回路基板１０４と、前記第１の回路基板１０４の上に実装された部品１０８と、前記第１の回路基板１０４の上であって、前記部品１０８を封止した封止部１０９と、前記第１の回路基板１０４の側面と前記封止部１０９を覆う金属膜１０１とを備え、前記金属膜１０１は、前記第１の回路基板１０４の側面に露出した配線１０６と電気的に接続すると共に、前記金属膜１０１の一部には、前記第１の回路基板１０４の下面外周の二辺以上に設けた第１のグランドパターン１１０上に、外周から内周に向かって厚みが薄くなる勾配部１１２を設けたモジュール部品１００と、前記モジュール部品１００を固定する第２の回路基板１１８と、からなる電子機器１１９を実現する。
【００３８】
図４（Ａ）（Ｂ）は、共に本願発明のモジュール部品の電界輻射の一例を示す断面図である。
【００３９】
モジュール部品１００からは、第１の回路基板１０４上に配置された発振器（図示せず）から、特定の周波数帯においてノイズが輻射される。このことから、モジュール部品１００から輻射されるノイズを低減するため、金属膜１０１のように導体でモジュール部品１００を覆うことで、シールド効果を得ている。
【００４０】
しかし図４（Ｂ）のように、モジュール部品１００の一部の辺の尖頭に電界１１６が集中した場合、電界輻射１１５ａ、１１５ｂはモジュール部品１００の一部の辺にノイズ輻射レベルのピークが発生するため、用途によってはシールド効果が不足する可能性がある。
【００４１】
なお本願発明が解決しようとするノイズ帯域は、例えば無線ＬＡＮの場合、１０ＧＨｚ前後（例えば、９．８ＧＨｚ〜１０．２ＧＨｚ）となる。これは、１０ＧＨｚの周波数を、１／４分周して２．４ＧＨｚを、１／２分周して５．０ＧＨｚの搬送波等を作成するためである。
【００４２】
また本願発明において、金属膜１０１の厚みは、１ミクロン以上２００ミクロン以下（望ましくは１０ミクロン以上１００ミクロン以下）である。２００ミクロン以上とした場合、金属膜１０１に内部応力等が発生しやすい場合がある。また１ミクロン未満の場合、シールド効果が低い場合がある。
【００４３】
次に、図５（Ａ）（Ｂ）や、図６（Ａ）（Ｂ）を用いて、更にモジュール部品１００の他の形状について説明する。
【００４４】
図５（Ａ）（Ｂ）は、共にモジュール部品１００の一辺以上を階段状に加工した場合の電界輻射を示す断面図である。
【００４５】
図５（Ａ）（Ｂ）において、モジュール部品１００の一部の辺には、尖頭が複数存在する階段状のＣ面カット１１４を形成している（なお階段状の加工もＣ面カットの一種である。これは階段状であっても、同じくＣ面を加工しているためである）。図５（Ａ）（Ｂ）に示す構造とすることで、図５（Ｂ）のように、モジュール部品１００のＣ面カット１１４の電界１１６が図４に比べて分散するため、矢印１０３で示す電界輻射１１５ａ、１１５ｂが示す通り、ノイズ輻射レベルのピークを小さくする事ができる。
【００４６】
なお、電界１１６を更に分散させるため、モジュール部品１００の一辺以上を階段状のＣ面カット１１４とし、更にＲ面加工して尖頭を除去することも、更に有用である。
【００４７】
図６（Ａ）（Ｂ）は、共に図３のモジュール部品１００の封止部１０９の一部を平面状にＣ面カットした場合の電界輻射を示す断面図である。図６（Ａ）（Ｂ）で示す場合でも、モジュール部品１００の一辺以上に尖頭が２箇所存在し、いずれか一つの尖頭の角度も、図３のモジュール部品１００の一辺の角度（９０°）に比べて大きくなる。そのため図６（Ａ）（Ｂ）で示す構造とすることで、図５（Ａ）（Ｂ）と同様に、モジュール部品１００の辺（あるいはコーナー部）における電界１１６が図４に比べて分散するため、電界輻射１１５ａ、１１５ｂで示す通り、ノイズ輻射レベルのピークを小さくする事ができる。
【００４８】
なお、電界１１６を更に分散させるため、平面状にＣ面カット１１４した辺に、Ｒ面加工して尖頭を除去してもよい。
【００４９】
以上のことから、モジュール部品１００から外部機器（図示せず）に対して、ノイズによる干渉を抑制することが可能となる。
【００５０】
（実施の形態２）
以下、実施の形態１で説明したモジュール部品１００の裏面構造について図面を用いて説明する。
【００５１】
図７（Ａ）は、本願発明の実施の形態２におけるモジュール部品の下面斜視図であり、図７（Ｂ）は図７（Ａ）の任意部分の断面の拡大図である。
【００５２】
図７（Ａ）のように、モジュール部品１００の下面には、絶縁層１０５上に複数の勾配部１１２と、モジュール部品１００の外周の少なくとも二辺以上（図示では四辺）に沿って第１のグランドパターン１１０を備え、第１のグランドパターン１１０は、第２の回路基板１１８の下面（すなわち、封止部１０９が設けられていない側）の周縁部に配置されている。
【００５３】
図７（Ｂ）は、図７（Ａ）の任意部分の部分断面図である。図７（Ｂ）のように断面を拡大した場合、第１のグランドパターン１１０に対し、金属膜１０１がモジュール部品１００の下部端面（あるいは外周）から内側（あるいは無い周）にかけて薄くなっている。ここで、金属膜１０１と第１のグランドパターン１１０の接合部の厚みを、なだらかに低減することで、勾配部１１２における内部応力の発生を防止し、機械的な外力によっても勾配部１１２が剥がれにくい（更にバリも発生しにくい）構造となっている。この結果、本願発明のモジュール部品１００は、取り扱い時の振動や衝撃等によっても、金属膜１０１の欠損が発生しない。
【００５４】
図８（Ａ）は、本願発明の実施の形態２におけるモジュール部品の下面斜視図の一例であり、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）の任意部分の部分拡大図である。図８（Ａ）（Ｂ）における１２２は、不定形状を示す。
【００５５】
図８（Ａ）（Ｂ）と、図７（Ａ）（Ｂ）との違いは、勾配部１１２のＸＹ平面におけるパターン形状である。図７（Ａ）（Ｂ）の場合、勾配部１１２端部（特に、外周から内周にかけて厚みがゼロになる部分）が、直線状である。
【００５６】
用途に応じて、図８（Ａ）（Ｂ）に示すように、勾配部１１２の端部（特に、外周から内周にかけて金属膜１０１の厚みがゼロになる部分）を、不定形状１２２とすることで、さらに内部応力の発生を抑制できる。なお図８（Ａ）（Ｂ）において、不定形状１２２は、例えば日本刀の模様（例えば、もくめ、あるいは板目、刃文と呼ばれることもある）やダマスカス鋼（ダマスカスは、Ｄａｍａｓｃｕｓ  Ｓｔｅｅｌと呼ばれる木目上の模様を有する鋼素材の名称）の模様のようなものであっても良い。
【００５７】
図８（Ａ）（Ｂ）に示すように、勾配部１１２の端部を不定形状１２２とすることで、勾配部１１２の端部の線路長を、図７（Ａ）（Ｂ）に示す場合より、長くすることができ、更に剥がれにくくなる。
【００５８】
以上図８（Ａ）（Ｂ）に示したように、金属膜１０１と第１のグランドパターン１１０を波状に接合させることで、接合距離が図７のものと比べて長くなることから、更に密着性を高くすることができる。なお不定形状１２２（不定形状１２２は波状も含む）とする場合、後述する図１１（Ａ）〜（Ｄ）や、図１２（Ａ）〜（Ｄ）の製造方法を選ぶことが有用である。
【００５９】
（実施の形態３）
以下、実施の形態３のモジュール部品１００およびこれを用いた電子機器１１９の、シールド効果の一例について図面を用いて説明する。
【００６０】
図９（Ａ）は、本願発明の実施の形態３におけるモジュール部品が本願発明の電子機器に実装される断面図であり、図９（Ｂ）（Ｃ）は、共にモジュール部品実装後の断面図である。
【００６１】
図９（Ａ）において、電子機器１１９の第２の回路基板１１８の上面に半田１１７が形成されており、その上にモジュール部品１００が実装される。
【００６２】
図９（Ｂ）において、第２のグランドパターン１２１と、モジュール部品１００の金属膜１０１に接続された第１のグランドパターン１１０は、半田１１７を介して電気的に接続されている。
【００６３】
このように、金属膜１０１の密着性が高いモジュール部品１００を電子機器１１９に搭載することで、電気的接続信頼性の高い電子機器１１９を提供することが可能となる。
【００６４】
また、第２の回路基板１１８の最上面と最下面が第２のグランドパターン１２１で覆われたビア１０７ａで接続されている。このようにビア１０７ａを用いて、モジュール部品１００の下面であって、モジュール部品１００の第１のグランドパターン１１０と、第２のグランドパターン１２１とを電気的に接続されている。このビア１０７ａは、第２の回路基板１１８の最上面に形成した第２のグランドパターン１２１と、最下面に形成した第２のグランドパターン１２１と、を接続しており、導電性樹脂またはめっきにより電気的に導通している。またビア１０７ｂは、層間接続のビアである。
【００６５】
図９（Ｂ）において、ビア１０７ａは、複数個の組み合わせで（例えば、図９（Ａ）〜（Ｃ）におけるビア１０７ｂの組み合わせとして）、第２の回路基板１１８の最上面に形成した第２のグランドパターン１２１と、最下面に形成した第２のグランドパターン１２１と、を接続しても良いが、１つだけで（例えば、貫通ビアとして）第２の回路基板１１８の最上面に形成した第２のグランドパターン１２１と、最下面に形成した第２のグランドパターン１２１と、を接続しても良い。より少ないビア１０７ａの数とすることで、第２の回路基板１１８の最上面に形成した第２のグランドパターン１２１と、最下面に形成した第２のグランドパターン１２１と、を接続する方が、歩留まりや抵抗値が低くなる。
【００６６】
さらに、ビア１０７ａを、第２の回路基板１１８に内蔵し、このビア１０７ａを第２のグランドパターン１２１に配置することで、第２のグランドパターン１２１のグランド電位を安定させる作用を持つ。これにより、モジュール部品１００のグランド電位も安定にできるため、結果として、電子機器１１９のシールド効果を安定させることが可能となる。その結果、図９（Ｂ）に示すように、ビア１０７ａを用いることで、第２の回路基板１１８の側面方向のノイズ（矢印１０３ｃは、第２の回路基板１１８の側面側に放射されるノイズの大きさを示す）を小さくできる。
【００６７】
なお第２のグランドパターン１２１は、ベタパターン（例えば、ベタ塗りされた大面積パターン）に限定される必要は無い。一般的なグランドパターンであれば良い。
【００６８】
図９（Ｃ）は、第２の回路基板１１８の最上面に形成した第２のグランドパターン１２１と、最下面に形成した第２のグランドパターン１２１と、を直接的に接続するビア１０７ａの場合に発生しうる課題を説明する断面図である。
【００６９】
次に図９（Ｃ）を用いて、ビア１０７ａのノイズ低減効果について説明する。図９（Ｃ）は、ビア１０７ａのノイズ低減効果について説明する断面図である。
【００７０】
図９（Ｃ）に示すように、第２のグランドパターン１２１の下にスルーホールが無い場合、すなわち第２の回路基板１１８の最上面に形成した第２のグランドパターン１２１と、最下面に形成した第２のグランドパターン１２１と、をビアで接続していない場合、矢印１０３ｅ（第２の回路基板１１８の側面方向のノイズの大きさを示す）や、矢印１０３ｆ（第２の回路基板１１８の裏面側に放射されるノイズの大きさを示す）に示した方向のノイズ低減効果が低下する可能性がある。
【００７１】
図９（Ｃ）の場合、第２の回路基板１１８上に、モジュール部品１００が実装された場合、第２のグランドパターン１２１のグランド電位が安定せず、第２の回路基板１１８の側面から電界輻射１１５ａ、１１５ｂが現れ、本来のシールド効果が低下してしまう可能性がある。そのためこうした課題が発生する場合、図９（Ｂ）に示すような形状とすることが望ましい。
【００７２】
（実施の形態４）
以下、実施の形態４のモジュール部品の製造方法の一例について図面を用いて説明する。図１０（Ａ）〜（Ｄ）は、本願発明の実施の形態４におけるモジュール部品の基本的な製造方法を示した断面図である。図１０（Ａ）〜（Ｄ）において、１２３は個片である。
【００７３】
第１の回路基板１０４には、部品１０８を実装するためのランドと配線パターンがある（図示せず）。まず、図１０（Ａ）のように、第１の回路基板１０４上のランド１１１に部品１０８を実装する。次に、図１０（Ｂ）のように、半田１１７を介して電気的に接続する。次に、図１０（Ｃ）のように、部品１０８の周囲を封止部１０９により封止した後、図１０（Ｄ）のように、個片１２３に裁断、個片化する。
【００７４】
図１１（Ａ）〜（Ｄ）は、共に本願発明の実施の形態４におけるモジュール部品の金属膜形成方法の一例を示す断面図である。なお、１２４は保持部である。個片１２３に分割した後、保持部１２４を配置した治具１２５の上に個片１２３を配置する。なお保持部１２４としては、接着剤（両面テープ等も含む）を用いることが出来る。
【００７５】
なお図１１（Ａ）〜（Ｄ）に示すように、保持部１２４は、個片１２３の下部に配置されるとともに、第１の回路基板１０４の外形（あるいは周縁部）より内側に配置することが望ましい。
【００７６】
次に、図１１（Ｃ）のように、個片１２３の周囲に金属膜１０１を形成する。ここで、金属膜１０１は、保持部１２４が個片１２３の外形の側面よりも内側にある距離分が下面に回りこんで形成される。金属膜１０１を、例えばスパッタで形成した場合、上面から吹き付けられた金属元素は、自動的に個片１２３の下部端面（あるいは外周）から内側（あるいは内周）に向かって薄く形成される。
【００７７】
最後に、図１１（Ｄ）のように、個片１２３を治具１２５から剥離すると、図１等で説明したモジュール部品１００が完成する。
【００７８】
このように、個片１２３の下部端面から内側（あるいは外周から内周）に向かって薄く形成された金属膜１０１は、バリの欠落が発生しにくい構成となっているため、モジュール部品１００を取り扱う際の振動や衝撃に対して懸念される電気的接続信頼性を向上させることができる。
【００７９】
図１２（Ａ）〜（Ｄ）は、本願発明の実施の形態４におけるモジュール部品の金属膜形成方法の他の一例を示した断面図である。
【００８０】
ここで、保持部１２４を側面から見た場合、図１０のように方形ではなくその一部が台形（あるいは斜め形状）となっている。この保持部１２４を用いる事で、たとえば、金属膜をめっきや導電性ペーストで形成する場合であっても、金属膜１０１が個片１２３の下面に回りこんで形成される際に、強制的に内側に向かって薄くすることができる。
【００８１】
図１２（Ａ）〜（Ｄ）において、１２６は孔であり、例えば治具１２５に設けた真空吸着孔である。また矢印１０３は空気の流れを示す。図１２（Ａ）〜（Ｃ）において、矢印１０３は真空吸着を、図１２（Ｄ）において矢印１０３はエアー噴射を示す。図１２（Ａ）〜（Ｃ）に示すようにして、個片１２３を治具１２５の表面に保持し、導電ペースト等で金属膜１０１を形成する。その後、図１２（Ｄ）に示すように、個片１２３を治具１２５から取り外すことで、図１等で示したモジュール部品１００を作成する。
【００８２】
以上図１１（Ａ）〜（Ｄ）や図１２（Ａ）〜（Ｄ）に示すようにすることで、めっきや導電性樹脂による塗布を用いた金属膜１０１の形成も、容易に行うことが可能となるため、個片１２３と金属膜１０１との電気的接続信頼性を高くすることができる。
【００８３】
（実施の形態５）
以下、実施の形態５のモジュール部品１００について図面を用いて説明する。図１３（Ａ）〜（Ｄ）は、共に本願発明の実施の形態５におけるＣ面カットしたモジュール部品の製造方法の一例を示す断面図である。ここで、第１の回路基板１０４の上に実装された部品１０８を封止した封止部１０９に対し、図１３（Ａ）のように、個片１２３の境目に凹溝１２７を設ける。なお、凹溝１２７の深さは、個片１２３の上面から第１の回路基板１０４までの間とする。次に、図１３（Ｂ）のように、凹溝１２７の中央から第１の回路基板１０４の下面まで裁断、分割することで、個片１２３に完全に分割することができる。
【００８４】
また、図１３（Ｃ）のように、個片１２３の境目にＶ溝１２８を設けることも可能である。なお、Ｖ溝１２８の深さも、個片１２３の上面から第１の回路基板１０４までの間とする。次に、図１３（Ｄ）のように、Ｖ溝１２８の中央から第１の回路基板１０４の下面まで裁断することで、個片１２３に完全に分割することができる。
【００８５】
これらの手段を取れば、溝の形成と個片の裁断という二回の工程のみで、コーナー部がＣ面カットされた個片１２３を、容易に製造することができる。
【００８６】
なお、凹溝１２７やＶ溝１２８を設ける方法として、溝形成用と個片裁断用の二種類のダイシングブレード（図示せず）を用意し、個片裁断用ブレードは、溝形成用ブレードよりも薄いものを用いればよい。
【００８７】
また図１３（Ａ）〜（Ｄ）で説明した工程を組み合わせることで、モジュール部品１００の封止部１０９の一以上の辺は、階段またはＣ面カット、Ｒ面加工、あるいはこれらの組み合わせ形状を設けることができる。
【００８８】
次に前記第１のグランドパターン１１０と金属膜１０１（特に、勾配部１１２）との見分け方について、説明する。
【００８９】
第１のグランドパターン１１０と金属膜１０１（特に、勾配部１１２）とは、互いの表面の色差ΔＥが１以上（望ましくは２以上、更に望ましくは３以上）とする。
【００９０】
このように色差ΔＥを１以上とすることで、グランドパターン１１０の上に形成した金属膜１０１の有無や形状を容易に判別できる。
【００９１】
図１４は、各種金属の色の違いを金属の反射率の波長依存線から説明する図である。図１４において、Ｘ軸は波長（単位はｎｍ）、Ｙ軸は反射率(単位は％)である。図１４に示すようにＡｇ（Ａｇは銀の意味）は、４００〜７００ｎｍにおいて、９５％以上の反射率を有しており、この結果として銀色に見える。図１４において、Ｃｕ（Ｃｕは銅の意味）は、４００〜５５０ｎｍにおいて反射率が低く、波長５５０ｎｍ以上において反射率が高いため、銅色（一種の赤色）として見える。またＡｕ（Ａｕは金の意味）は、Ｃｕ（銅）より、５５０ｎｍ付近の反射率が高いため、銅色より黄色に近い黄金色に見える。
【００９２】
例えば、また第１のグランドパターン１１０は一般に銅箔等からなる配線１０６であり、赤銅色または配線１０６に金めっきを施された金色をしている。これに二種類以上の元素を用いて金属膜１０１を形成すると、表面はニッケル、亜鉛、銀などの銀色をしている。その結果、色差ΔＥを１以上とすることで、これら部材の形成状態が複雑で高価な装置を使わずとも、肉眼で簡単に見分けられるし、ＣＣＤカメラ等で自動的判別するのも容易になる。
【００９３】
ここで赤銅色、銀色、金色等をＬ*ａ*ｂ表色系で表現すると、色差ΔＥが１以上となることから、第１のグランドパターン１１０の上に形成される金属膜１０１の状態を、目視による検査で確認しやすいという効果がある。これにより、金属膜１０１の電気的接続信頼性のみならず、勾配部１１２の形成状態も確実に判別可能となる。なお色差ΔＥ及び色差ΔＥの測定方法及び測定装置等に関しては、ＪＩＳ  Ｌ  ０８０４、ＪＩＳ  Ｌ  ０８０５、ＪＩＳ  Ｚ  ８７２１、ＪＩＳ  Ｓ  ６００６、６００７、６０１６、６０２０、６０２８等を参考にすればよい。
【産業上の利用可能性】
【００９４】
本願発明のモジュール部品は、金属膜を第１の回路基板の下部端面から内側に向かって（あるいは外周から内周に向かって）薄く形成するため、第１の回路基板下面の第１のグランドパターンに対して、電気的接続信頼性を高くできる。よって本願発明のモジュール部品が実装された第２の回路基板を内蔵した電子機器は、取扱時の振動や落下衝撃等の外部衝撃に対し、高い信頼性を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００９５】
【図１】（Ａ）本願発明の実施の形態１におけるモジュール部の上面斜視図、（Ｂ）本願発明のモジュールの断面図
【図２】（Ａ）本願発明の実施の形態１におけるモジュールの上面斜視図、（Ｂ）本願発明のモジュールの断面図
【図３】（Ａ）（Ｂ）は、共に図１〜図２で説明したモジュール部品を、第２の回路基板の上に実装し、電子機器を形成する様子を説明する断面図
【図４】（Ａ）（Ｂ）は、共に本願発明のモジュール部品の電界輻射の一例を示す断面図
【図５】（Ａ）（Ｂ）は、共にモジュール部品の一辺以上を階段状に加工した場合の電界輻射を示す断面図
【図６】（Ａ）（Ｂ）共に図３のモジュール部品の封止部の一部を平面状にＣ面カットした場合の電界輻射を示す断面図
【図７】（Ａ）本願発明の実施の形態２におけるモジュール部品の下面斜視図、（Ｂ）図７（Ａ）の任意部分の部分拡大図
【図８】（Ａ）本願発明の実施の形態２におけるモジュール部品の下面斜視図、（Ｂ）図８（Ａ）の任意部分の部分拡大図
【図９】（Ａ）本願発明の実施の形態３におけるモジュール部品が本願発明の電子機器に実装される断面図、（Ｂ）（Ｃ）共にモジュール部品実装後の断面図
【図１０】（Ａ）〜（Ｄ）本願発明の実施の形態４におけるモジュール部品の基本的な製造方法を示した断面図
【図１１】（Ａ）〜（Ｄ）共に本願発明の実施の形態４におけるモジュール部品の金属膜形成方法の一例を示す断面図
【図１２】（Ａ）〜（Ｄ）本願発明の実施の形態４におけるモジュール部品の金属膜形成方法の他の一例を示した断面図
【図１３】（Ａ）〜（Ｄ）は、共に本願発明の実施の形態５におけるＣ面カットしたモジュール部品の製造方法の一例を示す断面図
【図１４】各種金属の色の違いを金属の反射率の波長依存線から説明する図
【図１５】従来のモジュール部品の断面図
【図１６】（Ａ）〜（Ｃ）共に従来のモジュール部品の製造方法の一例を示す断面図
【符号の説明】
【００９６】
１００  モジュール部品
１０１  金属膜
１０２  点線
１０３  矢印
１０４  第１の回路基板
１０５  絶縁層
１０６  配線
１０７  ビア
１０８  部品
１０９  封止部
１１０  第１のグランドパターン
１１１  ランド
１１２  勾配部
１１３  実装部
１１４  Ｃ面カット部
１１５  電界輻射
１１６  電界
１１７  半田
１１８  第２の回路基板
１１９  電子機器
１２０  フィレット
１２１  第２のグランドパターン
１２２  不定形状
１２３  個片
１２４  保持部
１２５  治具
１２６  孔
１２７  凹部
１２８  Ｖ溝
【図１】
2010212410.tif 000003
【図２】
2010212410.tif 000004
【図３】
2010212410.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2010212410.tif 000009
【図８】
2010212410.tif 000010
【図９】
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【図１０】
2010212410.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
2010212410.tif 000014
【図１３】
2010212410.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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