(57)【要約】【課題】  導体パターンの銅食われや錫めっき層における純錫部の厚さ異常を生じる虞がなく、かつ工程数の増大や製造工程の煩雑化等を招くことなしに高温硬化型のソルダレジストのような絶縁性被膜を採用することができる半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法を提供する。【解決手段】  この半導体装置用テープキャリア９は、絶縁性フィルム基板３と、その絶縁性フィルム基板３の表面上に形成された、純銅または銅系材料からなる少なくとも配線部と外部接続用端子部とを有する導体パターン６と、その導体パターン６における配線部および外部接続用端子部の表面に形成された単層の錫めっき層７と、導体パターン６における配線部の表面に形成された錫めっき層７の表面上、および絶縁性フィルム基板３における導体パターン６で覆われていない部分の表面上の、所定部分を覆うように形成された、硬化温度が１４０℃以上の熱硬化型樹脂からなる絶縁性被膜８とを備えている。【選択図】  図１
2010027906.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性フィルム基板と、
前記絶縁性フィルム基板の表面上に形成された、純銅または銅系材料からなる、少なくとも配線部と外部接続用端子部とを有する導体パターンと、
前記導体パターンにおける前記配線部および前記外部接続用端子部の表面に形成された単層の錫めっき層と、
前記導体パターンにおける前記配線部の表面に形成された錫めっき層の表面および前記絶縁性フィルム基板における前記導体パターンで覆われていない部分の表面上の、所定部分を覆うように形成された、硬化温度が１４０℃以上の熱硬化型樹脂からなる絶縁性被膜と
を備えたこと特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、
前記錫めっき層は、純錫部の厚さと前記導体パターンとの接触界面付近に生じる銅と錫との合金部の厚さとを含めた全体の厚さが０．３μｍ以上０．８μｍ以下であり、かつ前記純錫部の厚さが０．１５μｍ以上０．３０μｍ以下である
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項３】
請求項１または２記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、
前記絶縁性被膜は、熱硬化性樹脂または感光性樹脂からなる、ソルダレジストもしくはカバーレイである
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリア。
【請求項４】
請求項１ないし３のうちいずれか１つの項に記載の半導体装置用テープキャリアにおいて、
前記絶縁性フィルム基板が、デバイスホールを形成してなるものであり、
前記導体パターンが、前記デバイスホールの領域内に迫り出すように形成されたフライングリード構造のインナーリード部を前記外部接続用端子として有するものである
ことを特徴とする半導体装用テープキャリア。
【請求項５】
絶縁性フィルム基板の表面に純銅または銅系材料からなる導体パターンを形成する工程と、
前記導体パターンの表面に、錫めっき層を被着形成する工程と、
前記無電解錫めっきを行った後、前記錫めっき層における、前記導体パターンとの接触界面付近に生じる銅と錫との合金部を含めた合計厚さが０．３μｍ以上０．８μｍ以下の範囲内に収まると共に、純錫部の厚さが０．２０μｍ以上０．３０μｍ以下の範囲内に収まるように、前記錫めっき層に加熱処理を施す工程と、
前記導体パターンの表面に形成された錫めっき層の表面および当該導体パターンで覆われていない前記絶縁性フィルム基板の表面上における所定部分を覆うように、硬化温度が１４０℃以上の熱硬化型樹脂からなる絶縁性被膜を塗布する工程と、
前記錫めっき層における純錫部の厚さが０．１５μｍ以上０．３０μｍ以下の範囲内に収まるように、熱線の照射による輻射熱を用いた加熱処理を前記絶縁性被膜に施して、当該絶縁性被膜を硬化させる工程と
を含むことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記熱線として、遠赤外線を用いる
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項７】
請求項５または６記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記錫めっき層に加熱処理を施す工程における当該錫めっき層の実温が、前記絶縁性被膜に加熱処理を施す工程における前記錫めっき層の実温よりも高くなるようにする
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項８】
請求項５ないし７のうちいずれか１つの項に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
少なくとも前記錫めっき層を被着形成する工程から当該錫めっき層に加熱処理を施す工程までを、インラインで連続的に行う
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項９】
請求項５ないし８のうちいずれか１つの項に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
少なくとも前記絶縁性被膜を塗布する工程から当該絶縁性被膜に加熱処理を施す工程までを、インラインで連続的に行う
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項１０】
請求項５ないし９のうちいずれか１つの項に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
少なくとも前記導体パターンを形成する工程から前記絶縁性被膜を硬化させる工程までを、リールからリールへのインラインで連続的に行う
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項１１】
請求項５ないし１０のうちいずれか１つの項に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法において、
前記錫めっき層を、無電解錫めっきによって、前記導体パターンの表面に被着形成することを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＣＯＦ（Chip On Film）方式の半導体装置用実装パッケージ等に好適な半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の半導体装置用テープキャリアの製造方法では、図４に示したように、まず、接着層付基板１０１を用意し（図４（ａ））、その接着層１０２および絶縁性フィルム基板１０３を貫通するデバイスホール１０４を穿ち設ける（図４（ｂ））。
続いて、ポリイミドフィルムのような薄手の絶縁性フィルム基板１０３の表面上に接着剤層１０２を介して銅箔１０５を張り合わせ（図４（ｃ））、その後、いわゆるフォトエッチング処理によって銅箔１０５をパターニングすることで、配線パターンの部分（これを配線部とも呼ぶ）および外部接続端子部などを有する導体パターン１０６を形成する（図４（ｄ））。
続いて、導体パターン１０６における配線部を覆うことでその電気的絶縁性および機械的強度を補強するためのソルダレジスト１０８を形成する（図４（ｅ））。そして、導体パターン１０６における、いわゆるインナーリード部と呼ばれるような外部接続端子部の表面には、金や錫などの機能めっき層１０７を、例えば無電解錫めっき法などによって被着形成する（図４（ｆ））。
【０００３】
このようにして製造された半導体装置用テープキャリア１００は、さらに、図５（ａ）、図５（ｂ）に示したように、導体パターン１０６の外部接続端子部（インナーリード部）が、例えば金バンプ１２３を介してＩＣチップ１２１のアルミパッド電極１２２に接続され、その後、封止樹脂材１２４を充填するなどしてパッケージングされて、半導体装置１２０となる（図５（ｃ））。
例えば液晶ドライバ用のＣＯＦ方式の半導体装置用テープキャリアでは一般に、導体パターンの表面に被着形成する機能めっき層として、無電解錫めっきによる錫めっき層が採用される場合が多い。錫めっき層の厚さは、多くの場合、０．３μｍ以上０．８μｍ以下の範囲内の厚さとすることが好ましいものとされている。ＩＣチップ１２１との接合は、ＩＣチップ１２１上の各アルミパッド電極１２２にそれぞれ金バンプ１２３を介して導体パターン１０６におけるインナーリード部の表面の錫めっき層１０７を４００℃程度で熱圧着させることによって行われる。このとき、熱によって錫めっき層１０７の表面付近の錫が溶解し、その錫と金バンプ１２３の金とが共晶合金化することで、両者の接合が行われる。この接合方式はギャングボンディングと呼ばれるもので、全端子を一括で接合することができるため、液晶ドライバ用の半導体装置のように接続端子数が多い場合に、特に有利である。
【０００４】
半導体装置用テープキャリア１００のようなテープ状製品の製造工程は、一般に、リールツーリール（一つのリールから繰り出されて他の一つのリールへと巻き取られる）方式で処理される工程を含んでいる場合が多い。例えば、いわゆる錫めっき仕様の半導体装置用テープキャリア１００の場合、図６（ａ）およびその一部抽出拡大図である図６（ｂ）に示したように、錫めっき層１０７やソルダレジスト１０８の塗工後は、耐熱性のエンボス１３１と一緒に先端がリール胴１３２に固定されて、そのリール胴１３２の回転によってリール１３０に巻き取られる。そして、このリール１３０に巻きとられた状態で熱風循環のべ一ク炉（図示省略）に投入され、所定時間の熱処理が施される。この熱処理を行なう理由は、無電解錫めっき後については錫のウィスカの発生を抑制するためであり、ソルダレジスト塗工後についてはそのソルダレジストを硬化させるためである。
【０００５】
錫めっき層１０７は、無電解錫めっき等により導体パターン１０６の表面に被着形成された後の熱履歴によって、図７（ａ）およびその一部抽出拡大図である図７（ｂ）に示したように、導体パターン１０６との接触界面付近で、その導体パターン１０６からの銅との拡散混合に因って銅と錫との合金部１０９が形成されるため、その合金部１０９と、斯様な合金化には至らずに純粋な錫のままに保たれている純錫部１１０とに分かれている。この錫めっき層１０７と金バンプ１２３との良好な接合を得るためには、錫めっき層１０７における純錫部１１０の厚さを適正範囲内にしなければならない。純錫部１１０の厚さが薄過ぎる場合には、接合時の錫の溶解量が不足して、金バンプ１２３との共晶合金の形成が困難になる。他方、純錫部１１０の厚さが厚過ぎる場合には、接合時の錫の溶解量が多過ぎて、隣り合った導体パターン１０６のインナーリード部同士の間で短絡不良等が生じる虞が高くなる。
この純錫部１１０の適正な厚さは、例えば上記のような液晶ドライバ用のテープキャリアなどの場合には、０．１５μｍ以上０．３０μｍ以下の範囲内の厚さとすることが望ましいものとされている。
ソルダレジスト１０８は、導体パターン１０６における接合に関与しない配線部の表面上や、導体パターン１０６が形成されておらずに露出した状態となっている接着層付基板１０１の表面上を覆うように設けられる。ソルダレジスト１０８は、熱硬化タイプと感光性タイプに分類されるが、いずれの場合にも化学的に硬化させることが必要であり、１５０℃程度の高温で６０〜９０分程度の加熱を行なうのが一般的である。
【０００６】
従来、錫めっき層１０７はソルダレジスト１０８の塗工後に被着形成されるという工程順が一般的であった。これは後めっき法と呼ばれている。後めっき法が採用される理由は、錫めっき後にソルダレジストを塗工すると（これは先めっき法と呼ばれる）、前述のソルダレジストの加熱条件（１５０℃で６０〜９０分）では、錫めっき層１０７と導体パターン１０６との接触界面付近における銅の熱拡散量が大きくなって、甚だしくは錫めっき層１０７における錫の殆どが銅と合金化する場合もあり、純錫部１１０の厚さが適正範囲を大幅に逸脱して薄くなってしまうためである。
ところが、後めっき法の場合、「銅食われ」と呼ばれる異常が発生する場合がある。すなわち、図８に示したように、銅食われ部１１１では無電解錫めっきの過剰な置換反応が起きている。銅食われは、特にソルダレジスト１０８の塗布領域の端部付近に発生しやすい。銅食われが生じると、その銅食われ部１１１付近の導体パターン１０６の機械強度や柔軟性が低下する。特に最近では導体パターン１０６の狭ピッチ化やいわゆるファイン化に伴って、個々の導体パターン１０６の線幅や厚さのさらなる微細化が進んでいるので、甚だしくは銅食われ部１１１における導体パターン１０６の厚さの殆ど全てが錫に置換されて、その部分で折損してしまうことさえある（以上、特許文献１参照）。
【０００７】
ところで、錫めっきに起因した錫のウィスカを抑止するために、ソルダレジスト塗工の前と後とにそれぞれ錫めっきを施すという、２回錫めっき方式が、特許文献２にて提案されている。すなわち、図９に示したように、まず、接着層付基板１０１を用意し（図９（ａ））、接着層１０２および絶縁性フィルム基板１０３を貫通するデバイスホール１０４を穿ち設ける（図９（ｂ））。
続いて、絶縁性フィルム基板１０３の表面上に接着層１０２を介して銅箔１０５を張り合わせ（図９（ｃ））、その後、いわゆるフォトエッチング処理によって銅箔１０５をパターニングすることで、配線部および外部接続端子部等を有する導体パターン１０６を形成する（図９（ｄ））。
続いて、第１回目の錫めっきでは、導体パターン１０６の表面ほぼ全面に、第１錫めっき層１１２を被着形成する（図９（ｅ））。
その後、導体パターン１０６における配線部を覆うことでその電気的絶縁性および機械的強度を補強するためのソルダレジスト１０８を形成する（図９（ｆ））。
そして、第２回目の錫めっきとして、導体パターン１０６における、いわゆるインナー
リード部と呼ばれるような外部接続端子部の表面に、第２錫めっき層１１３を被着形成する（図９（ｇ））。
【０００８】
この提案によれば、１回目の錫めっきで形成される第１錫めっき層１１２によって、導体パターン１０６の表面ほぼ全体が被覆されるため、ソルダレジスト１０８塗工後に行われる２回目の錫めっきの際には、ソルダレジスト１０８の塗布エリアの端部に銅の露出がない。これにより、ウィスカの発生を回避することが可能となるという効果に加えて、銅食われの防止にも有効であることが知られている。
しかし、この２回錫めっき方式では、錫めっきを２回行わなければならないので、工程数の増大や工程の煩雑化等の問題があり、また延いては製造コストの上昇を招くという問題がある。また、第１錫めっき層１１２と第２錫めっき層１１３とを合計した錫めっき層１０７全体の厚さが厚くなり過ぎる虞があるという問題や、そのような錫めっき層１０７全体が厚くなり過ぎることを回避するためには、個々の錫めっきの厚さ制御を厳密に行わねばならず、工程管理の煩雑化や製造歩留まりの低下を招いてしまうといった問題もある。
【０００９】
そこで最近では、１２０℃程度の低温での硬化が可能なソルダレジストが開発されるようになり、錫めっき後にソルダレジスト塗工およびその熱処理を行なう先めっき法でも、純錫部を適正な厚みに維持することが可能になった（特許文献３参照）。
しかし、斯様な低温硬化タイプのソルダレジストは、未だ種類が少なく、また各種要求特性への適合性や価格面などを考慮すると、より一般的に使用されている確かな実績のある高温硬化型のソルダレジスト（加熱条件:１５０℃で６０〜９０分程度）を採用する方
が得策であることも事実である。
【００１０】
【特許文献１】特開２００１−１４４１４５号公報
【特許文献２】特開平５−３３１８７号公報
【特許文献３】特開２００６−１６９３５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上記のように、従来の技術では、錫めっき層の形成時に銅食われが発生するという問題があった。そして斯様な銅食われの発生を防止するための有効な方策である２回錫めっき方式では、工程数の増大、製造コストの高額化という問題や、錫めっき層の合計厚さが厚くなり過ぎる虞があるという問題があった。
また、導体パターンの表面保護等のために設けられるソルダレジストのようないわゆる絶縁性被膜は、１４０℃以上の温度で硬化する高温硬化型であることが望ましいが、そのような高温硬化型の絶縁性被膜を用いると、その硬化のための加熱工程で錫めっき層も同様の高温に加熱されることなどに起因して、錫めっき層の錫と導体パターンの銅との合金化が進み、その錫めっき層における純錫部の厚さが適正範囲を逸脱して異常に薄くなってしまうという問題があった。
本発明は、このような問題に鑑みて成されたもので、その目的は、導体パターンの銅食われや錫めっき層における純錫部の厚さ異常を生じる虞がなく、かつ工程数の増大や製造工程の煩雑化等を招くことなしに高温硬化型のソルダレジストのような絶縁性被膜を採用することができる半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の半導体装置用テープキャリアは、絶縁性フィルム基板と、前記絶縁性フィルム基板の表面上に形成された、純銅または銅系材料からなる、少なくとも配線部と外部接続用端子部とを有する導体パターンと、前記導体パターンにおける前記配線部と前記外部接
続用端子部との表面に形成された単層の錫めっき層と、前記導体パターンにおける配線部の表面に形成された錫めっき層の表面上および前記絶縁性フィルム基板における前記導体パターンで覆われていない部分の表面上の、所定部分を覆うように形成された、硬化温度が１４０℃以上の熱硬化型樹脂からなる絶縁性被膜とを備えたことを特徴としている。
本発明の半導体装置用テープキャリアの製造方法は、絶縁性フィルム基板の表面に純銅または銅系材料からなる導体パターンを形成する工程と、前記導体パターンの表面に、錫めっき層を被着形成する工程と、前記無電解錫めっきを行った後、前記錫めっき層における、純錫部の厚さと前記導体パターンとの接触界面付近に生じる銅と錫との合金部の厚さとを含めた合計厚さが０．３μｍ以上０．８μｍ以下の範囲内に収まると共に前記純錫部の厚さが０．２０μｍ以上０．３０μｍ以下の範囲内に収まるように、前記錫めっき層に加熱処理を施す工程と、前記導体パターンの表面に形成された錫めっき層の表面上および当該導体パターンで覆われていない前記絶縁性フィルム基板の表面上における所定部分を覆うように、硬化温度が１４０℃以上の熱硬化型樹脂からなる絶縁性被膜を塗布する工程と、前記錫めっき層における純錫部の厚さが０．１５μｍ以上０．３０μｍ以下の範囲内に収まるように、熱線照射による輻射熱を用いた加熱処理を前記絶縁性被膜に施して、当該絶縁性被膜を硬化させる工程とを含むことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、導体パターンにおける配線部と外部接続用端子部とを含むその表面全面に、１回の先めっきで単層の錫めっき層を形成し、その錫めっき層の表面上および絶縁性フィルム基板の表面上における、所定部分を覆うように、硬化温度が１４０℃以上の熱硬化型樹脂からなる絶縁性被膜を形成し、その絶縁性被膜に対して遠赤外線のような熱線照射の輻射熱を用いた加熱硬化処理を施すようにしたので、いわゆる高温硬化型のソルダレジストのような絶縁性被膜を採用してなる半導体装置用テープキャリアにおいて従来問題となっていた導体パターンの銅食われや錫めっき層における純錫部の厚さ異常などを生じることなく、かつ工程数の増大や製造工程の煩雑化等を招くことなしに、適正な純錫部の厚さを確保した錫めっき層を備えた半導体装置用テープキャリアを実現することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法について、図面を参照して説明する。
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造工程における主要な流れを示す図、図２は、図１に示した製造工程における、特に錫めっき層のウィスカ防止のための加熱処理工程および絶縁性被膜の硬化のための加熱処理工程で用いられる加熱装置およびそれによる加熱処理の様子を抽出して模式的に示す図、図３は、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアに半導体素子としてＩＣチップを実装した状態を示す図である。
【００１５】
この半導体装置用テープキャリアの製造方法では、まず、ＴＡＢテープ基材１を用意する（図１（ａ））。このＴＡＢテープ基材１としては、表面全面に接着剤層２が設けられた薄手のポリイミドフィルムのような絶縁性フィルム基板３を用いることができる。このＴＡＢテープ基材１の所定位置に、接着剤層２および絶縁性フィルム基板３を貫通するデバイスホール４を穿ち設ける（図１（ｂ））。
続いて、絶縁性フィルム基板３の表面上に、接着剤層２を介して銅箔５を張り合わせる（図１（ｃ））。そして、いわゆるフォトエッチング法により銅箔５をパターニングすることで、デバイスホール４の領域内に迫り出したフライングリード構造のインナーリード部である外部接続端子部と配線パターン本体である配線部とを有する導体パターン６を形成する（図１（ｄ））。
【００１６】
続いて、導体パターン６の露出している表面全面、つまり導体パターン６における配線部の表面にも外部接続端子部の表面にも、無電解めっき法によって錫めっき層７を被着形成する（図１（ｅ））。
その後、図２に示したように、この半導体装置用テープキャリア９をインラインで熱処理炉１１に投入し、遠赤外線１６のような熱線の照射による輻射熱を主体としてそれと熱風１５の吹き付けとを併用した加熱処理を、錫めっき層７に施すことにより、錫めっき層７のウィスカ発生防止を行う。この工程では、錫めっき層７のウィスカ発生を防止することができ、かつ錫めっき層７における導体パターン６との接触界面付近に生じる銅と錫との合金部を含めた合計厚さが０．３μｍ以上０．８μｍ以下の範囲内に収まると共に純錫部の厚さが０．２０μｍ以上０．３０μｍ以下の範囲内に収まるように、加熱温度および処理時間等のプロセス条件を設定して、加熱処理を行う。
【００１７】
続いて、導体パターン６における配線部の表面に形成された錫めっき層７の表面上を覆うと共に、絶縁性フィルム基板３の表面上（より具体的にはその表面の接着剤層２の表面上）における導体パターン６で覆われていない所定部分を覆うように、硬化温度が１４０℃以上の熱硬化型樹脂からなる、ソルダレジストまたはカバーレイのような絶縁性被膜８を塗布する（図１（ｆ））。この絶縁性被膜８は、導体パターン６における配線部を覆うことでその電気的絶縁性および機械的強度を補強するためのものであることは勿論である。
その後、図２に示したように、この半導体装置用テープキャリア９をインラインで熱処理炉１１に投入し、遠赤外線１６のような熱線の照射による輻射熱を主体として、それと熱風１５の吹き付けを併用した加熱処理を、絶縁性被膜８に施すことにより、その絶縁性被膜８の加熱硬化を行う。この工程では、絶縁性被膜８を確実に硬化させることができ、かつ錫めっき層７における純錫部の厚さが０．１５μｍ以上０．３０μｍ以下の範囲内に収まるように、加熱温度および処理時間等のプロセス条件を設定する。
【００１８】
このようにして、図３に示したような構造を備えた、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリア９の主要部が製造される。すなわち、この半導体装置用テープキャリア９は、絶縁性フィルム基板３と、その絶縁性フィルム基板３の表面上に形成された、純銅または銅系材料からなる少なくとも配線部と外部接続用端子部とを有する導体パターン６と、その導体パターン６における配線部および外部接続用端子部の表面に形成された単層の錫めっき層７と、導体パターン６における配線部の表面に形成された錫めっき層７の表面上、および絶縁性フィルム基板３における導体パターン６で覆われていない部分の表面上の、所定部分を覆うように形成された、硬化温度が１４０℃以上の熱硬化型樹脂からなる絶縁性被膜８とを備えている。そして特に、錫めっき層７は、導体パターン６との接触界面付近に生じる銅と錫との合金部を含めた合計厚さが０．３μｍ以上０．８μｍ以下、かつ純錫部の厚さが０．１５μｍ以上０．３０μｍ以下となっている。
【００１９】
この半導体装置用テープキャリア９は、さらに、図３に示したように、ＩＣチップ２１の接続パッド２２に、例えば金バンプ２３を介して接続される。そして封止樹脂材（図示省略）を充填するなどして、例えば液晶ドライバのような半導体装置におけるいわゆる実装パッケージの主要部が完成する。
【００２０】
ここで、錫めっき層７を被着形成する工程〜その錫めっき層７に加熱処理を施す工程は、インラインで連続的に行うようにすることが好ましい。これは、上記のように遠赤外線１６のような熱線を錫めっき層７の表面に直接照射することでその輻射熱を用いて加熱を行うという加熱処理プロセスは、図２に示したようなインライン方式の製造プロセスおよび製造設備に対するプロセス整合性が、極めて良好だからである。しかも、従来の製造方法の場合のようなリールに一旦巻き取った状態で高温加熱雰囲気中にバッチ式に曝すことによって加熱処理を施すといった方法よりも、処理効率が大幅に向上するというメリット
も得られるからである。
また、絶縁性被膜８を塗布する工程〜その絶縁性被膜８に加熱処理を施す工程は、インラインで連続的に行うようにすることが好ましい。これについても、上記のように遠赤外線１６などの熱線を絶縁性被膜８の表面に直接照射することでその輻射熱を用いて加熱を行うという加熱処理プロセスは、図２に示したようなインライン方式の製造プロセスおよび製造設備に対するプロセス整合性が、極めて良好であることによる。しかも、従来の製造方法の場合のようなリールに一旦巻き取った状態で高温加熱雰囲気中に曝すことによって加熱処理を施すといったバッチ方式の場合よりも、処理効率が大幅に向上するというメリットも得られるからである。
【００２１】
また、上記のように錫めっき層７を被着形成する工程、その錫めっき層７に加熱処理を施す工程、絶縁性被膜８を塗布する工程、その絶縁性被膜８に加熱処理を施す工程を、インラインで連続的に行うようにするのであれば、さらにその前後の各工程についても連続して行うようにして、少なくとも導体パターン６を形成する工程から絶縁性被膜８を硬化させる工程が完了するまでを、リールからリールへのインライン方式で途切れることなく連続的に行うようにすることが好ましい。
あるいはさらに、図１（ａ）に示したようなＴＡＢテープ基材１の投入から、図１（ｂ）〜図１（ｆ）を経て、図２に示したような絶縁性被膜８の加熱硬化処理工程が完了するまで、もしくはさらに図３に示したようなＩＣチップ２１を実装完了するまでの、全工程を、リールからリールへのインライン方式で途切れることなく連続的に行うようにしてもよい。
【００２２】
また、錫めっき層７に加熱処理を施す工程における錫めっき層７の実温の方が、絶縁性被膜８に加熱処理を施す工程における錫めっき層７の実温よりも高くなるようにすることも有効である。これは、後述の実施例でさらに詳細に説明するが、このようにすることにより、錫めっき層７における条件変動に起因した純錫部の厚さのばらつきが小さくなって、そのプロセス管理および製品の品質管理を、より容易なものとすることが可能となるからである。
【００２３】
次に、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法における作用について説明する。
従来の半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法における、錫めっき層７にウィスカ防止のための加熱処理を施す工程および絶縁性被膜８に加熱硬化処理を施す工程では、図６に示したように、製造途中の半導体装置用テープキャリア１００を一旦リール１３０に巻き取り、その状態でバッチ式に高温加熱雰囲気中に投入し、その高温加熱雰囲気から半導体装置用テープキャリア１００へと、熱伝導を主体として与えられる熱エネルギの供給によって、１５０℃以上のような所定の高温での加熱処理を、製造途中の半導体装置用テープキャリア１００に施すようにしていた。
ところが、このような高温加熱雰囲気からの熱伝導を主体とする間接的な熱エネルギの供給による加熱処理方法では、特に先めっきで錫めっき層７を形成した場合、その錫めっき層７の上に高温硬化型の絶縁性被膜８を塗布した後、その絶縁性被膜８を硬化させるために高温加熱処理を施さなければならないが、その高温加熱処理を施した後に、錫めっき層７における純錫部の厚さを適正な厚さである０．１５μｍ以上０．３０μｍ以下（但しこのとき錫めっき層７全体の厚さが０．３μｍ以上０．８μｍ以下という前提条件で）の範囲内に保つことは極めて困難であり、ほとんどの場合、実質的に不可能であった。
また、先めっきではなく、図４および図８に示したような、絶縁性被膜１０８を形成した後に錫めっき層１０７を形成するという、いわゆる後めっきの場合には、絶縁性被膜１０８の高温加熱処理による硬化は錫めっき層１０７の形成前に行われているのであるから、上記のような錫めっき層１０７の純錫部が導体パターン１０６からの銅の拡散に起因して薄くなってしまうといった問題は生じないが、特に絶縁性被膜１０８の端部と錫めっき
層１０７の端部との境界線付近に銅食われ１１１が発生する場合が多いという問題があった。
【００２４】
しかし、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法では、錫めっき層７を先めっきで絶縁性被膜８よりも先に形成しておき、その錫めっき層７の上に絶縁性被膜８を塗布した後、遠赤外線１６のような熱線の照射による輻射熱を主体とした熱エネルギの直接的な供給によって、高温硬化型の絶縁性被膜８を加熱硬化させるようにしているので、錫めっき層７と導体パターン６との接触界面付近が高温に熱せられてその付近の導体パターン６の銅が錫めっき層７の厚さ方向に熱拡散するという従来の不都合な現象の発生を回避して、錫めっき層７における純錫部の厚さを適正な厚さである０．１５μｍ以上０．３０μｍ以下に保ちつつ、絶縁性被膜８を確実に加熱硬化させることが可能となる。また、先めっきで錫めっき層７を形成しているのであるから、銅食われ１１１が発生する虞もない。
【００２５】
また、熱線を絶縁性被膜８の表面に照射することによる輻射熱を主体とした熱エネルギの直接的な供給によって、その高温硬化型の絶縁性被膜８を硬化させるという加熱処理プロセスは、インライン方式の製造プロセスおよび製造設備に対するプロセス整合性が極めて良好なものであることから、そのような加熱処理プロセスを用いた絶縁性被膜８の加熱硬化処理工程を含めて全体的な製造工程をインラインで連続して行うようにすることが可能となるので、従来の製造方法のようなリール１３０に一旦巻き取った状態で高温加熱雰囲気中にバッチ式に曝すことによって加熱処理を施す場合よりも、処理効率が大幅に向上するという利点もある。
【００２６】
このように、本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法によれば、導体パターン６における配線部と外部接続用端子部とを含むその表面全面に、１回の先めっきのみで単層の錫めっき層７を形成し、その錫めっき層７の表面上および絶縁性フィルム基板３の表面上における、所定部分を覆うように、硬化温度が１４０℃以上の熱硬化型樹脂からなる絶縁性被膜８を形成し、その絶縁性被膜８に対して遠赤外線１６のような熱線照射の輻射熱を用いた加熱硬化処理を施すようにしたので、いわゆる高温硬化型のソルダレジストのような絶縁性被膜８を採用してなる半導体装置用テープキャリアにおいて従来問題となっていた導体パターン６の銅食われや錫めっき層７における純錫部の厚さが異常に薄くなるといった問題を生じることなく、かつ工程数の増大や製造工程の煩雑化等を招くことなしに、適正な純錫部の厚さ（０．１５μｍ以上０．３０μｍ以下）を確保した錫めっき層７を備えてなる半導体装置用テープキャリアを実現することが可能となる。
【００２７】
なお、本実施の形態では、絶縁性被膜８や錫めっき層７に対して輻射熱による加熱処理を施すための熱線として、遠赤外線１６を用いる場合について説明したが、利用可能な熱線としては、遠赤外線のみには限定されないことは勿論である。この他にも、例えば遠赤外線よりも波長の短い赤外線やその他種々の熱線（もしくはエネルギビーム）等を用いることなども可能である。この熱線の波長、エネルギ密度、照射時間等の具体的な数値的態様については、特に加熱処理の対象となる絶縁性被膜８の具体的な材質の相違や塗布厚あるいは塗布面積等の各種仕様によってもその最適値が異なったものとなることが想定される。従って、例えば事前に実験的に確認しておくなどして、適宜に選択・設定することが望ましい。但し、どのような波長・種類・仕様の熱線を用いる場合でも、絶縁性被膜８の加熱硬化処理後には、錫めっき層７における導体パターン６との接触界面付近に生じる銅と錫との合金部を含めた合計厚さが０．３μｍ以上０．８μｍ以下となると共に純錫部の厚さが０．１５μｍ以上０．３０μｍ以下となり、かつ絶縁性被膜８が確実に硬化した状態となるように設定することが必要である。
【００２８】
また、本実施の形態では、絶縁性被膜８が高温硬化型のソルダレジストである場合について説明したが、絶縁性被膜８としては、この他にも、例えば高温硬化型樹脂からなるオーバーレイとすることなども可能である。あるいは、本実施の形態で説明した製造方法を応用して、絶縁性被膜８を紫外線硬化型のオーバーレイやソルダレジストとし、その絶縁性被膜８を硬化させる工程では、本実施の形態で用いた遠赤外線１６のような熱線の代りに紫外線を照射させるようにすることなども可能である。
また、本実施の形態では、絶縁性フィルム基板３を用いたＴＡＢテープキャリア構造の場合について説明したが、その他にも、例えば薄手のガラスエポキシ基板を絶縁性基板として用いた半導体装置用実装パッケージに用いられる配線板などにも、上記の実施の形態で説明したような構造および製造方法を応用することが可能であることは言うまでもない。
【実施例】
【００２９】
錫めっき層７のウィスカ防止のために施す加熱処理における各種プロセス条件および絶縁性被膜８の硬化のために施す加熱処理における各種プロセス条件の検討ならびにその効果を確認するための実験を、複数種類のサンプルについて行った。
【００３０】
上記の実施の形態で説明したような製造方法に則して、ＴＡＢテープ基材１を用意し、その表面に銅箔５を張り合わせた後、フォトエッチング処理を施して、導体パターン６を形成した。続いて、導体パターン６の表面全面に、無電解錫めっきによって錫めっき層７を形成した。その錫めっき層７の形成工程の直後に連続してインラインでウィスカ抑制のための加熱処理を行なった。
続いて、絶縁性被膜８として高温硬化型のソルダレジスト（味の素ファインテクノ製ＡＥ−７０−Ｍ１１）を印刷法によって塗布し、それに連続してインラインで、図２に示したようなＩＲヒータ１２および熱風ダクト１３を備えた熱処理炉１１にこの半導体装置用テープキャリア９を投入し、複数種類のサンプルについて加熱処理条件を種々変更して、絶縁性被膜８を硬化させるための加熱処理を行なった。
このようにして作製された半導体装置用テープキャリア９の各サンプルについて、その錫めっき層７におけるウィスカの発生状況および純錫部の厚さ、および絶縁性被膜８の硬化状態について評価した。
【００３１】
より具体的には、まず、錫めっき層７のウィスカ防止のための加熱処理の条件設定と、ウィスカの発生状況および純錫部の厚さとの関係について評価した。
導体パターン６の表面に無電解錫めっきを施して、膜厚約０．４μｍの錫めっき層７を形成した後、熱処理炉１１で加熱処理を施した状態の半導体装置用テープキャリア９の各サンプルについて、１６８時間を経過した後の錫めっき層７における、ウィスカ発生数および純錫部の厚さをそれぞれ評価した。
このときの各サンプルの加熱処理条件は、錫めっき層７の表面の実温を１３５℃、１５０℃、１６５℃、１８０℃とし、処理時間を０分間（処理せず）、１分間、３分間、５分間、１０分間、２０分間、３０分間とした。
ウィスカ発生数のカウント方法については、金属顕微鏡（倍率４００倍）を用いて目視にて観察し、この倍率で確認可能な大きさ（約１．５μｍ以上の長さ）のものをカウントするものとした。確認対象の面積は、各サンプルについて任意抽出法によって選択した約１ｃｍ２の範囲とした。
錫めっき層７における純錫部の厚さの測定は、電解式膜厚計（コクール）を用いて行った。
この錫めっき層７に対する加熱処理の実験の結果を、表１に示す。なお、表１では、上段にウィスカ発生数（単位：個数）を、下段に純錫部の厚さ（単位：μｍ）を示してある。
【００３２】
【表１】
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【００３３】
表１に示した結果から、熱処理温度および時間が大きくなるほど、ウィスカを確実に抑制することが可能となるという傾向が確認された。さらに具体的には、概ね、加熱温度１５０℃以上でかつ処理時間３分間以上の組み合わせの条件設定であれば、ウィスカを確実に抑制できることが分かった。他方、このような条件設定での加熱処理によれば、純錫部の厚さは概ね約０．０５μｍ以上減少することが、表１の結果から確認された。
【００３４】
次に、上記の実験結果を踏まえて、錫めっき層７に対するウィスカ防止のための加熱処理条件を、（１）１６５℃で７分間、（２）１３５℃で１８分間の２種類とした。また、それとの比較のために、従来のバッチ式の加熱処理により、リール巻き状態で、（３）１２０℃で６０分間の加熱処理を行う場合についても実験した。
そのいずれについても、ウィスカ防止のための加熱処理を施した後の錫めっき層７における純錫部の厚さは、約０．２５μｍとした。
そして、絶縁性被膜８としてソルダレジスト（味の素ファインテクノ製ＡＥ−７０−Ｍ１１）をスクリーン印刷法で所定位置に塗布した後、図２に示したような遠赤外線加熱が可能な熱処理炉１１を用いて、絶縁性被膜８の硬化のための加熱処理を施した。熱処理炉１１内の雰囲気温度は１３５℃で固定とし、ＩＲヒータ１２の表面温度を３００℃とした。このときの絶縁性被膜８の表面における実温は約１５０℃であった。
絶縁性被膜８の硬化状態は、アセトンラビング法によって評価した。具体的には、アセトンを塗布した綿棒で絶縁性被膜８の表面を５回擦り、その絶縁性被膜８のソルダレジスト特有の緑色が付着するか否かを目視により観察するもので、このとき緑色の付着が全くなければ、確実に硬化していると判断するものとした。また、錫めっき層７における純錫部の厚さの適正範囲は、０．１５μｍ０．３０μｍとした。この純錫部の厚さの測定は、電解式膜厚計（コクール）を用いて行った。
【００３５】
この実験における各加熱処理条件ごとでの絶縁性被膜８の硬化状態および純錫部の厚さの評価結果を、表２に示す。表２では、絶縁性被膜８（ＳＲ；Solder Resist）の硬化状
態の判定結果を上段に、純錫部の厚さ（μｍ）およびその評価結果を下段に、それぞれ示してある。なお、この表２における横の欄の「時間（ｍｉｎ；分）」とは、絶縁性被膜８の硬化のための加熱処理を施した時間であることは勿論である。
【００３６】
【表２】
2010027906.tif 000004
【００３７】
表２に示した結果から、遠赤外線１６の照射による輻射熱を利用することで、絶縁性被膜８の硬化反応が極めて効率的に促進され、その結果、上記の実験で絶縁性被膜８として用いたソルダレジストＡＥ−７０−Ｍ１１の推奨条件（１５０℃で６０〜９０分間）と比較して、極めて短時間（１０分間程度）で確実に硬化可能となることが確認された。なお、絶縁性被膜８の硬化反応は、錫めっき層７に対するウィスカ防止のための加熱処理条件（１）、（２）、（３）には概ね無関係であることが確認された。
他方、錫めっき層７における純錫部の厚さは、ウィスカ防止のための加熱処理条件によって異なる結果となることが確認された。すなわち、表２に示したように、条件（１）の１６５℃・７分間インライン方式でウィスカ防止処理を行った後に、絶縁性被膜８の加熱硬化処理を行った場合には、絶縁性被膜８の加熱硬化処理後における錫めっき層７の純錫部の厚さの減少量が、他の条件（２）、（３）の場合と比較して最も小さく、熱処理時間をより広い範囲で選択可能となることが確認された。これは換言すれば、条件変動による結果のばらつきが小さくなり、よって製造プロセスおよび製品の品質の管理が容易になるということを意味している。他方、それとは対照的に、条件（２）および（３）の場合には、錫めっき層７における純錫部の厚さの減少量が大きく、その結果、絶縁性被膜８の確実な硬化と錫めっき層７の純錫部の厚さの適正範囲内への制御とを両立させることが困難なものとなることが想定された。
【００３８】
このような差異が生じた原因は、錫めっき層７のウィスカ防止のための加熱処理を施し
た際に、錫めっき層７と導体パターン６との接触界面付近における銅と錫との合金部の生成状態が、加熱処理条件（１）、（２）、（３）に対応して異なるものとなったことによると考えられる。すなわち、条件（１）の場合の１６５℃のように、より高い温度で短時間のうちに加熱処理が施された場合には、導体パターン６と錫めっき層７との接触界面付近に明確な銅リッチの合金部（Ｃｕ３Ｓｎ層）が生成されやすい。そうすると、その後、それよりも低い温度で絶縁性被膜８の硬化のための加熱処理を行った場合には、もうそれ以上に銅の熱拡散に起因した錫めっき層７の合金化反応が進むことは抑制されることになるためであると考えられる。
このような実験結果から、錫めっき層７のウィスカ防止のための加熱処理を、１６５℃のような１４０℃以上の高温で行うことにより、錫めっき層７の純錫部の厚さを適正範囲内で減少させつつも確実なウィスカ防止処理を実現し、その後、絶縁性被膜８の硬化のための加熱処理工程では、その絶縁性被膜８の硬化温度を考慮の上、錫めっき層７のウィスカ防止のための加熱処理の場合よりも低い温度で加熱処理を施すようにすることが、さらに有効であるという結論が得られた。
また、遠赤外線１６のような熱線の照射による輻射熱を用いて絶縁性被膜８の高温加熱硬化を行うことにより、絶縁性被膜８が短時間で硬化可能となり、かつ錫めっき層７の純錫部の厚さを適正範囲内に確実に保つことが可能となるという結論が得られた。
【００３９】
なお、上記のような本実施例に係る実験によって得られた具体的なデータの数値それ自体については、一例であって、熱処理炉１１の長さやラインの進行速度による時間的な制約や、使用する熱処理炉１１におけるＩＲヒータ１２の性能などにも影響を受けて変化することが想定される。また、絶縁性被膜８として用いられるソルダレジストやカバーレイ等の種類によっても、その硬化に要求される加熱条件が種々異なることが普通であるから、加熱処理時間などの具体的な数値については、その都度、例えば事前に実験等によって最適値を見出しておくようにすることが望ましい。
【００４０】
以上のようにして確認された加熱条件等を踏まえて、実際の製品に近い構造および仕様で評価用のサンプルを作製した。
ＴＡＢテープ基材１としては、接着剤層２（巴川製Ｘタイプ（厚さ１２μｍ））付きのポリイミドフィルム（宇部興産製ユーピレックスＳ（厚さ５０μｍ））からなる絶縁性フィルム基板３を使用した。プレス金型を用いたパンチ処理によってデバイスホール４を設けた後、銅箔５（三井金属製ＶＬＰ箔）をラミネートし、それをフォトエッチング処理によってパターニングして、導体パターン６を形成した。
【００４１】
続いて、無電解錫めっきにより、導体パターン６の表面上に、錫めっき層７を形成し、ウィスカ防止のための加熱処理を施した後、絶縁性被膜８として、高温硬化型のソルダレジスト（味の素ファインテクノ製ＡＥ−７０−Ｍ１１）を塗布し、硬化のための加熱処理を施して、本実施例に係る半導体装置用テープキャリア９を得た。
錫めっき層７は、無電解錫めっきによって形成した直後の（従って加熱処理が施されていない状態における）厚さが電解式膜厚計（コクール）による測定で０．４０μｍとなるように、無電解錫めっきへの浸漬時間等のめっき条件を調整することで形成した。
【００４２】
上記の錫めっき層７のウィスカ防止のための加熱処理および絶縁性被膜８の硬化のための加熱処理としては、それぞれインラインの熱処理炉１１で遠赤外線１６の照射を主体とする加熱処理を施した場合と、それとの比較のために、リール１３０にエンボス１３１と共に巻き取った状態で主に熱伝導によりバッチ式に加熱処理を施した場合との、両方を試すこととした。錫めっき層７の加熱処理条件については、上記の実験で確認済みの、ウィスカの発生を確実に防止することができる設定とした。
錫めっき層７のウィスカ防止のための加熱処理工程では、ＩＲヒータ１２を使用せず、熱風ダクト１３からの熱風１５のみを利用して、熱処理炉１１におけるチャンバ１４内の
高温雰囲気からの熱伝導のみによる長時間の加熱とし、絶縁性被膜８の硬化のための加熱処理工程では、熱風１５に加えて、ＩＲヒータ１２からの遠赤外線１６の照射による輻射熱を用いた短時間の加熱とした。
【００４３】
このようにして作製された、本実施例に係る半導体装置用テープキャリアおよび従来例（比較例）に係る半導体装置用テープキャリアは、表３に示したような品質を有するものとなった。その品質の具体的な評価項目としては、銅食われ発生の有無、完成した錫めっき層７の純錫部の厚さ（適正範囲を０．１５μｍ以上０．３０μｍ以下と設定）、高温硬化型のソルダレジストである絶縁性被膜８の硬化状態、の３点である。なお、表３において、（１）は加熱方式（インライン／バッチ）、（２）は処理時間（分）、（３）は加熱処理の雰囲気温度（℃）、（４）はＩＲヒータ１２の表面温度（℃）を、それぞれ示している。
【００４４】
【表３】
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【００４５】
表３から明らかなように、本発明の実施例に係る半導体装置用テープキャリアは、全て
の評価項目を満足するものとなった。
他方、それとは対照的に、錫めっき層７の加熱処理をバッチ式で１２０℃の温度で６０分間に亘って行った従来例１の場合には、絶縁性被膜８の加熱処理を実施例と同様の条件設定のインラインで行ったにも関わらず、錫めっき層７の純錫部の厚さが適正範囲を下回る０．１２μｍとなった。
また、従来例２の場合には、後めっき構造としたため、錫めっき層７の純錫部の厚さは適正範囲内に収まったが、銅食われが発生した。
また、従来例３の場合には、先めっきであり、かつ従来のバッチ式の加熱方法および従来の加熱処理条件による処理としたため、錫めっき層７における純錫部の厚さが０．０３μｍと極めて薄くなり、適正範囲から著しく逸脱した結果となった。
また、従来例４の場合には、先めっき構造とすると共に絶縁性被膜８の硬化のための加熱処理をバッチ式でおこなうものとし、かつ錫めっき層７における純錫部の厚さを適正範囲内に収まるようにすることを最優先して、絶縁性被膜８の硬化のための加熱処理の時間を２０分間と短時間に設定した結果、絶縁性被膜８を完全に硬化させることはできなかった。また、錫めっき層７における純錫部の厚さを適正範囲内に収まるようにすることを最優先したにも関わらず、加熱処理等を経て完成した状態における錫めっき層７の純錫部の厚さは０．１８μｍであり、本実施例の場合に得られた０．２２μｍよりも少なかった。
【００４６】
以上のような実験結果から、本発明の実施例に係る半導体装置用テープキャリアおよびその製造方法によれば、高温硬化型のソルダレジストのような絶縁性被膜８を採用してなる半導体装置用テープキャリアにおいて従来問題となっていた導体パターン６の銅食われや錫めっき層７における純錫部の厚さ異常などを生じる虞なく、かつ工程数の増大や製造工程の煩雑化等を招くことなしに、０．１５μｍ以上０．３０μｍ以下という適正な純錫部の厚さを確保した錫めっき層７を備えてなる半導体装置用テープキャリアを、その実現が困難ないし不可能であった従来のバッチ式による加熱処理の場合とは対照的に、確実に実現することが可能となることが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造工程における主要な流れを示す図である。
【図２】図１に示した製造工程における、特に錫めっき層のウィスカ防止のための加熱処理工程および絶縁性被膜の高温硬化のための加熱処理工程で用いられる加熱装置およびそれによる加熱処理の様子を、抽出して模式的に示す図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体装置用テープキャリアにＩＣチップを実装した状態を示す図である。
【図４】従来の一般的な後めっきによる錫めっき層を有する半導体装置用テープキャリアの製造工程の主要な流れを示す図である。
【図５】従来の半導体装置用テープキャリアにＩＣチップを実装する工程を示す図である。
【図６】従来の一つのリールから繰り出された半導体装置用テープキャリアが他の一つのリールへと巻き取られて行く状態の一例を模式的に示す図である。
【図７】従来の半導体装置用テープキャリアにおける錫めっき層と導体パターンとの接触界面付近で銅と錫との合金部が形成された状態を示す図である。
【図８】従来の半導体装置用テープキャリアにおける導体パターンに銅食われが発生した状態の一例を示す図である。
【図９】従来提案されている２回めっきによる錫めっき層を有する半導体装置用テープキャリアの主要な製造工程の流れを示す図である。
【符号の説明】
【００４８】
１    ＴＡＢテープ基材
２    接着剤層
３    絶縁性フィルム基板
４    デバイスホール
５    銅箔
６    導体パターン
７    錫めっき層
８    絶縁性被膜
９    半導体装置用テープキャリア
１１  熱処理炉
１２  ＩＲヒータ
１３  熱風ダクト
１４  チャンバ
１５  熱風
１６  遠赤外線
【図３】
2010027906.tif 000006
【図４】
2010027906.tif 000007
【図５】
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【図６】
2010027906.tif 000009
【図７】
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【図８】
2010027906.tif 000011
【図９】
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【図１】
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【図２】
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