(57)【要約】【課題】ピンホール検査の検査精度を維持するために行う画像検査装置の校正に用いる校正用サンプルウエーハにおいて、表面にハードレーザーマークを施すことで、効率的に校正を行うことができる校正用サンプルウエーハを提供する。【解決手段】シリコンウエーハのピンホール欠陥を画像処理により検査する画像検査装置の校正に用いる校正用サンプルウエーハであって、校正用サンプルウエーハの表面にハードレーザーマークが施されたものであることを特徴とする画像検査装置の校正用サンプルウエーハである。【選択図】図１
2010008336.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウエーハのピンホール欠陥を画像処理により検査する画像検査装置の校正に用いる校正用サンプルウエーハであって、該校正用サンプルウエーハの表面にハードレーザーマークが施されたものであることを特徴とする画像検査装置の校正用サンプルウエーハ。
【請求項２】
前記ハードレーザーマークは、該ハードレーザーマークの直径および／または深さが異なる２種類以上のハードレーザーマークが施されたものであることを特徴とする請求項１に記載の画像検査装置の校正用サンプルウエーハ。
【請求項３】
前記ハードレーザーマークは、前記校正用サンプルウエーハの両面に施されたものであり、該校正用サンプルウエーハの両面の対応するハードレーザーマークの直径および深さが同じであることを特徴とする請求項１または２に記載の画像検査装置の校正用サンプルウエーハ。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の画像検査装置の校正用サンプルウエーハを用いて画像検査装置の校正を行うことを特徴とする画像検査装置の校正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体シリコンウエーハの結晶欠陥を検査する方法に用いられる画像検査装置の校正用サンプルウエーハ及び画像検査装置の校正方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、半導体ウエーハの製造は、チョクラルスキー法（以下、「ＣＺ法」という）やフローティングゾーン法等により円筒状の半導体単結晶インゴットを育成し、その育成した半導体単結晶インゴットを薄板状に切断してウエーハを作製した後、得られたウエーハに、ウエーハの厚み及び平坦度を整えるために行うラッピング工程、ウエーハの加工歪みを除去するためにウエーハをエッチングするエッチング工程、エッチング処理されたウエーハの表面粗さ及び平坦度を一層向上させて鏡面とする研磨工程等が行われ、最終の製品となる半導体ウエーハが製造される。このように製造された製品となる半導体ウエーハにその後デバイスを形成することにより、メモリーやＣＰＵ等が製造される。
【０００３】
近年、ＤＲＡＭ等の半導体回路の高集積化に伴う素子の微細化に伴い、その基板として、高純度かつ低欠陥で高品質の半導体ウエーハが求められている。しかし、半導体シリコンウエーハには、結晶欠陥の一つとしてピンホールがある。そこで、例えば、ＣＺ法によりシリコン単結晶を製造する場合に、石英ルツボ内のシリコン融液に種結晶を接触させた後、石英ルツボを支持するルツボ軸に振動を与える工程を行うことで、石英ルツボの内壁の表面に付着した気泡を減少させることによって、ピンホール不良率を低減する方法が開示されているが（例えば特許文献１参照）、ピンホールの発生を完全に防止するまでには至っていない。
【０００４】
ＣＺ法でシリコン単結晶を成長させる際に、石英ルツボに多結晶を溶融したメルト中に含まれる気泡が結晶中に取り込まれて穴になる結晶欠陥であるピンホールは、直径数μｍのものから、大きいものでは直径３ｍｍ程度でウエーハを貫通するようなものまである。このようなピンホールを含んだシリコン結晶からスライス工程、ラッピング工程、エッチング工程、鏡面研磨工程等を経て製造されるウエーハの中には、その表面、裏面、または内部にこのピンホールを含んだシリコンウエーハが存在することになり、このピンホールを含んだシリコンウエーハは不良ウエーハとして検査工程で除去される。このピンホールの検査は、赤外線透過画像処理装置を用いた画像検査装置によって行い、図６に示す検査手順で行われる。
【０００５】
まず、手順（ａ）として、検査するシリコンウエーハをボックスに収納し装置にセットする。次に、手順（ｂ）でウエーハの抵抗率等により赤外線の発光量を設定する。そして、手順（ｃ）でウエーハをスキャンすることでカメラから赤外線透過画像を取り込み、手順（ｄ）で取り込んだ画像を所定の閾値で二値化する処理を行う。その後、手順（ｅ）で外周１ｍｍ、ウエーハ支持部等を検査領域から除外するための検査領域計算を行う。そして、手順（ｆ）で二値化された画像データからピンホールの有無を判定し、ピンホール有りと判定されたウエーハについては工程から除去して、手順（ｇ）で検査を終了する。
なお、画像検査装置は検査精度を維持するために、定期的に装置の校正を行う必要がある。
【０００６】
ここで、図７は従来のピンホール検査に用いる画像検査装置の校正手順を示したフロー図である。まず、手順（ａ）として校正用サンプルウエーハをボックスに装着し、装置にセットする。ここで校正用サンプルウエーハは、ピンホールの発生したウエーハを使用する。この校正用サンプルウエーハは、実際にピンホールが発生したウエーハを集め、顕微鏡でピンホールの直径を確認して、50μｍ〜700μｍの異なる直径のピンホールが存在するウエーハを１０枚程度選んだものである。図８にピンホールが発生しているサンプルウエーハを模式的に示す。
【０００７】
次に、手順（ｂ）としてウエーハの抵抗率等により赤外線の発光量を設定する。そして、手順（ｃ）でウエーハをスキャンすることでカメラから赤外線透過画像を取り込み、手順（ｄ）でその画像の平均輝度値プロファイルを確認する。さらに、手順（ｅ）で取り込んだ画像を所定の閾値で二値化する処理を行う。そして、手順（ｆ）で裏面についても処理が終了したか否かの判断をして、まだの場合は、手順（ｇ）でウエーハを反転した後、手順（ｃ）〜（ｅ）を繰り返す。このとき、裏面のピンホールは、ウエーハを反転することで表面にあったピンホールを裏面にもってきたものであり、ピンホール自体は同一のものである。ここで、図９にピンホールサイズの異なる画像の平均輝度プロファイルおよび二値化画像の例を示す。
【０００８】
次に、手順（ｈ）で表面と裏面の平均輝度プロファイルを比較し、さらに、表面と裏面の二値化画像データのピクセル数を比較して、手順（ｉ）で表面と裏面で値が異なる場合には装置調整を行い、表面と裏面で値が同等であった場合には、手順（ｊ）でサンプルウエーハの枚数を判断して、まだ、サンプルウエーハがある場合には次のサンプルウエーハによる校正を行う。そして，最後のサンプルウエーハであれば手順（ｋ）で校正が終了する。
なお、１枚のウエーハには基本的に１個のピンホールしかないため、複数のカメラでスキャンする場合には、ウエーハを回転することでピンホールの位置を変えて全てのカメラでピンホールをスキャンする必要がある。
【０００９】
この上記校正では、実際にピンホールが発生したウエーハを校正用サンプルウエーハとして用いる。そのため、任意の直径や深さまたは同一サイズのピンホールのサンプルウエーハを作製することは極めて難しい。また、校正の際には表面と裏面のカメラの焦点を確認する必要があるが、表面と裏面にピンホールが発生したウエーハを入手するのは困難である。そのため、ピンホールが片面のみに発生したサンプルウエーハの表面と裏面を反転し、仮想的に表裏を再現して使用しなければならないという問題があった。
【００１０】
【特許文献１】特開２００７−２１０８０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであって、ピンホール検査の検査精度を維持するために行う画像検査装置の校正に用いる校正用サンプルウエーハにおいて、効率的に校正を行うことができる校正用サンプルウエーハおよび画像検査装置の校正方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明は、シリコンウエーハのピンホール欠陥を画像処理により検査する画像検査装置の校正に用いる校正用サンプルウエーハであって、該校正用サンプルウエーハの表面にハードレーザーマークが施されたものであることを特徴とする画像検査装置の校正用サンプルウエーハを提供する（請求項１）。
【００１３】
このように、校正用サンプルウエーハの表面にハードレーザーマークが施されたものであることにより、ハードレーザーマークにより所望の直径および深さを有する穴を自由に形成することができるため、これをピンホールの代替として用いることにより、極めて容易にサンプルウエーハを作製することができる。そのため、高精度の校正ができるとともに、校正に要する時間を大幅に短縮でき、効率的に校正できるサンプルウエーハとすることができる。
【００１４】
また、本発明の校正用サンプルウエーハでは、前記ハードレーザーマークは、該ハードレーザーマークの直径および／または深さが異なる２種類以上のハードレーザーマークが施されたものであることが好ましい（請求項２）。
このように、ハードレーザーマークの直径や深さが異なるものが２種類以上あることにより、サンプルウエーハの枚数を減らすことができる。また、カメラが複数ある場合、各カメラがスキャンする各エリアに同じように必要な種類のピンホールを形成すればサンプルウエーハを１枚とすることができ、またピンホール位置を変えるためにウエーハを回転させる必要もない。そのため、従来、行われていた校正手順を省略して、校正に要する時間を大幅に短縮でき、効率的に校正できるサンプルウエーハとすることができる。
【００１５】
また、本発明の校正用サンプルウエーハでは、前記ハードレーザーマークは、前記校正用サンプルウエーハの両面に施されたものであり、該校正用サンプルウエーハの両面の対応するハードレーザーマークの直径および深さが同じであることが好ましい（請求項３）。
サンプルウエーハの両面に同じハードレーザーマークがあることにより、ウエーハを反転する必要がないサンプルウエーハとすることができる。そのため、従来、行われていた校正手順において、ウエーハを反転する手順を省くことができ、校正に要する時間を大幅に短縮できる。また、ウエーハを反転して、仮想的に表裏を再現する必要がないため、再現性が問題となることがなく、精度良く校正を行うことができるサンプルウエーハとすることができる。
【００１６】
さらに、本発明の画像検査装置の校正用サンプルウエーハを用いて画像検査装置の校正を行うことを特徴とする画像検査装置の校正方法を提供する。（請求項４）。
【００１７】
このように、本発明の画像検査装置の校正用サンプルウエーハを用いて画像検査装置の校正を行うことにより、容易にサンプルウエーハを作製することができるため、サンプルウエーハを短時間で準備することができる。また、１枚のサンプルウエーハで校正を行うことができ、また、表裏を反転する必要もないため、画像検査装置の校正に要する時間を大幅に短縮することができる。さらに、ウエーハを反転して、校正する必要がないため、ウエーハの表裏の再現性を考慮する必要がなく、校正の精度を向上することができる。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように、本発明では、ピンホール検査の検査精度を維持するために行う画像検査装置の校正において、使用する校正用サンプルウエーハは、表面に所望のハードレーザーマークを施されたものである。これによって、高精度の校正ができるとともに、容易にサンプルウエーハを作製することができ、画像検査装置の校正に要する時間を大幅に短縮して、効率的に校正を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明についてより具体的に説明する。
前述のように、半導体シリコンウエーハの結晶欠陥であるピンホールの検査には、赤外線透過画像処理装置を用いた画像検査装置が使用されているが、その画像検査装置の検査精度を維持するために、定期的に装置の校正を行う必要がある。しかし、その校正に用いられる校正用サンプルウエーハは、実際にピンホールが発生したウエーハから選択したもので作製されている。そのため、校正用サンプルウエーハが複数枚にも及び、画像検査装置の校正において、何度も同じ手順を繰り返す必要があり、効率的に校正を行うことができなかった。そして、その原因は、校正に用いる校正用サンプルウエーハ自体に問題があることがわかった。
【００２０】
そこで、本発明者等は、画像検査装置の校正用サンプルウエーハとして、ピンホールの替りに表面にハードレーザーマークを施したものを作製することを試みた。
その結果、所望の直径および深さのハードレーザーマークによるピンホールを有するサンプルウエーハを容易に作製することができ、さらに、１枚のウエーハに直径および深さの異なるハードレーザーマークによるピンホールが存在し、また、表裏両面にそれぞれ対応した同じサイズのピンホールが存在するサンプルウエーハを作製することができた。
【００２１】
そして、その校正用サンプルウエーハを画像検査装置の校正に用いることで、高精度の校正ができるとともに、１枚のウエーハで校正を行えるために、校正に要する時間が大幅に短縮できることがわかった。さらに、校正用サンプルウエーハを表裏の反転をする必要がないために、画像検査装置の校正の精度が向上することもわかった。
【００２２】
本発明は、上記の知見に基づいて完成されたものであり、以下、本発明について図面を参照しながらさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
図１は本発明の画像検査装置の校正用サンプルウエーハを模式的に示す図である。
図１に示すように、校正用サンプルウエーハ１の表面には、ハードレーザーマーク２が施されている。
【００２３】
このハードレーザーマーク２は、ピンホールの代替としてハードレーザーマーカーによって削られた穴であり、複数存在する。そして、この複数の穴は表裏両面に存在し、列の左が表面側、右が裏面側の穴を示す。また、ウエーハの表面の径方向で３つのエリアに５種類の直径７０μｍ、６０μｍ、５０μｍ、４０μｍ、３０μｍで、さらに、それぞれの直径に対して３種類の深さ４０μｍ、３０μｍ、２０μｍの略円形の穴が存在している。
なお、校正用サンプルウエーハの表面の３つのエリアにレーザーマーキングが行われているのは、画像検査装置において、カメラが３台並列に並んでスキャンするからであり、もし、カメラの設置台数が１台であれば１つのエリアにレーザーマーキングされていれば良い。また、ハードレーザーマークの直径、深さ、数や種類に関してもこれに限定されるものではない。
【００２４】
また、ハードレーザーマークは、予め使用するレーザーの照射条件を調査した上で、ウエーハの所望の位置に所望の直径、深さとなる照射条件でマーキングされる必要がある。  そして、穴の直径を変えるためにはレーザーのビーム径を変えれば良く、また、深さを変えるためにはレーザーの出力を変えれば良い。さらに、ウエーハの表裏の両面では穴の位置が重ならないように、ウエーハの表面、裏面の順に形成される。
【００２５】
このように、校正用サンプルウエーハの表面に、ピンホールの代替としてハードレーザーマークが施されているものであることにより、ウエーハの所望の位置に所望の直径および深さを有する穴を自由に形成することができる。そのため、これを用いて画像検査装置の校正を正確に行うことができる。また、極めて容易にサンプルウエーハを作製することができ、画像検査装置の校正に要する時間を大幅に短縮でき、効率的に校正できる校正用サンプルウエーハとすることができる。
【００２６】
この場合、図１に示すように、校正用サンプルウエーハの表面のハードレーザーマークは、その直径および／または深さが異なる２種類以上のハードレーザーマークが施されたものであることが好ましい。
このように、ハードレーザーマークの直径や深さが異なるものが２種類以上であることにより、サンプルウエーハの枚数を従来に比較して大幅に減らすことができる。例えば、図１に示すように、１枚にすることができる。そのため、従来、繰り返し何度も行われていた校正手順を行わずに、画像検査装置の校正ができるため、校正に要する時間を大幅に短縮できる。そして、効率的に校正できる校正用サンプルウエーハとすることができる。
【００２７】
さらに、図１に示すように、校正用サンプルウエーハの表面のハードレーザーマークは、ウエーハの両面に施されたものであり、そのウエーハの両面の対応するハードレーザーマークの直径および深さが同じであることが好ましい。
このことにより、画像検査装置の校正において、ウエーハを反転することなく、表面および裏面にあるハードレーザーマークにより、カメラの焦点の確認も含めて校正することができるサンプルウエーハとすることができる。そのため、従来、行われていた校正手順において、ウエーハを反転する手順を省くことができ、校正に要する時間を大幅に短縮できる。また、ウエーハを反転した際の、再現性が及ぼす校正精度への影響を考慮する必要がないため、画像検査装置の校正を精度良く行うことができるサンプルウエーハとすることができる。
【００２８】
ここで、図２は本発明の赤外線透過画像処理装置を用いた画像検査装置の構成を模式的に示す図である。
画像検査装置９は、主に赤外線透過画像処理装置８で構成され、赤外線透過画像処理装置８は、赤外線光源３からラインファイバー４を通して赤外線５を被検査物であるシリコンウエーハ６に透過させて、ラインカメラ７で撮像し、その画像を取り込んで処理する。そして、処理されたデータから、画像検査装置９により、ピンホールの有無を判定してピンホールを検査するものである。
【００２９】
ここで、ラインカメラ７は、視野が被検査物であるシリコンウエーハ６の直径に比べて約１／６と狭いため、３台のカメラが視野の幅の約２倍の間隔で並列に設置されている。例えば、直径３００ｍｍのウエーハに対して視野の幅が５０ｍｍのカメラを１００ｍｍ間隔で設置する。この状態でウエーハを手前から奥にスキャンさせ、ウエーハを視野の幅だけ横方向に移動させ再度、奥から手前にスキャンすることでウエーハの全面を走査することができるようになっている。
【００３０】
次に、図３は本発明の校正用サンプルウエーハを用いた画像検査装置の校正手順を示したフロー図である。
まず、手順（ａ）として、本発明のウエーハの表面にハードレーザーマークが施された校正用サンプルウエーハが装着されたボックスを画像検査装置にセットする。次に、手順（ｂ）でウエーハの抵抗率等により赤外線の発光量を設定する。そして、手順（ｃ）でウエーハをスキャンすることでカメラから赤外線透過画像を取り込み、手順（ｄ）で画像の平均輝度値プロファイルを確認し、手順（ｅ）でその取り込んだ画像を所定の閾値で二値化する処理を行う。ここで、図４に本発明の校正用サンプルウエーハにおけるハードレーザーマークの直径および深さ別の平均輝度プロファイルの例を示す。また、図５に本発明の校正用サンプルウエーハにおけるハードレーザーマークの直径および深さ別の二値化画像の例を示す。
【００３１】
次に、手順（ｆ）で表面と裏面の平均輝度プロファイルを比較し、また、表面と裏面の二値化画像データのピクセル数を比較して表面と裏面で値が異なる場合には、手順（ｈ）で装置調整を行う。そして、手順（ｆ）で表面と裏面での値が同等であった場合には、手順（ｇ）で校正を終了する。
【００３２】
このように、本発明の画像検査装置の校正用サンプルウエーハを用いて画像検査装置の校正を行うことにより、ピンホールの代替としてハードレーザーマーキングにより穴を形成することで容易にサンプルウエーハを作製できる。また、そのハードレーザーマークは、所望の直径および深さで１枚のウエーハに複数形成できるため、サンプルウエーハの枚数を１枚にすることができ、従来、繰り返し行われていた手順（ｃ）〜（ｅ）を一度行うだけで済み、校正に要する時間を大幅に短縮することができる。
【００３３】
さらに、本発明の画像検査装置の校正用サンプルウエーハを用いて画像検査装置の校正を行うことにより、１枚のウエーハに表裏の両面にハードレーザーマークが施されているため、ウエーハを反転して、手順（ｃ）〜（ｅ）を行う必要がない。そのため、画像検査装置の校正に要する時間をさらに短縮することができる。
【００３４】
また、ウエーハを反転して校正する必要がないため、ウエーハの表裏の再現性に起因する校正精度を考慮する必要がない。そのため、画像検査装置の校正を精度良く行うことができる。
【実施例】
【００３５】
次に本発明の実施例、比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
（実施例）
まず、ＣＺ法で引き上げた直径３００ｍｍ、Ｐ型＜１００＞の単結晶シリコンインゴットをスライスして薄円板状のウエーハを用意した。そして、ウエーハの割れ、欠けを防止するため、外縁部に面取り加工を施した後、ウエーハを平坦化するためにラッピング、エッチング、鏡面研磨を行った。
その後、ウエーハをハードレーザーマーキング装置（住友重機械社製エキシマ加工機  レーザー発振器  ルモニクス社製ＩＮＤＥＸ８４８）にセットして、レーザー出力およびレーザービーム径を調整し、図１に示すようなハードレーザーマークを施して、校正用サンプルウエーハを作製した。
次に、上記で作製した校正用サンプルウエーハを収納ボックスに装着し、図２に示す赤外線透過画像処理装置（レイテックス社製ＲＸＰ−１２００）にセットして、図３の校正手順に従い、画像検査装置の校正を行った。
【００３６】
（比較例）
実施例と同様にＣＺ法で引き上げた単結晶シリコンインゴットからスライスした薄円板状のウエーハから、実際に実施例と同様な直径、深さ（１２種類）のピンホールが各ウエーハに１個ずつ発生しているものを１２枚選択して、実施例と同様のラッピング加工等を行った。そして、ウエーハ表面にハードレーザーマークを施さずに、校正用サンプルウエーハを作製した。
次に、上記で作製した校正用サンプルウエーハを収納ボックスに装着し、赤外線透過画像処理装置（レイテックス社製ＲＸＰ-1200）にセットして、図７の校正手順に従い校正を行った。
ただし、カメラが３台あるため、ウエーハを回転することでピンホールの位置を変えて手順（ｃ）〜（ｅ）を３回繰り返した。
【００３７】
実施例の画像検査装置の校正において、図３の手順（ａ）で校正用サンプルウエーハを収納ボックスにセットしてから、手順（ｇ）の校正終了までに要した時間は約２時間であった。比較例の画像検査装置の校正において、図７の手順（ａ）で校正用サンプルウエーハを収納ボックスにセットしてから、手順（ｋ）の校正終了までに要した時間は約４時間であった。
【００３８】
なお、図４、図５、図９より、実施例および比較例のハードレーザーマークまたはピンホールの直径７０μｍ、深さ２０μｍにおける平均輝度プロファイルおよび二値化画像は、ほぼ同じであり、本発明の校正用サンプルウエーハを用いた場合であっても、従来と同等の精度で校正ができることがわかる。また、図１、図４、図５、図９より、実施例は、所望の直径及び深さのハードレーザーマークを自由に作製できるが、比較例においては、所望の直径のピンホールが存在する校正用サンプルウエーハ作製することが難しいことおよび複数枚のウエーハが必要であることがわかる。
【００３９】
以上のことから、本発明の画像検査装置の校正用サンプルウエーハによれば、容易に所望の直径及び深さのハードレーザーマークを施したものとすることができ、さらに、１枚のウエーハに複数のハードレーザーマークを表裏の両面に施したものであるため、画像検査装置の校正に用いた場合に、校正に要する時間を大幅に短縮して、効率的な校正をすることができる。具体的には、従来の半分の時間で校正を終了することができる。
また、１枚のウエーハの両面にハードレーザーマークが施されたものであるため、ウエーハの表裏の反転による再現性が校正に及ぼす影響がないため、校正の精度を向上することができる。
【００４０】
尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の画像検査装置の校正用サンプルウエーハを模式的に示す図である。
【図２】本発明の赤外線透過画像処理装置を用いた画像検査装置の構成を模式的に示す図である。
【図３】本発明の画像検査装置の校正用サンプルウエーハを用いた画像検査装置の校正手順を示したフロー図である。
【図４】本発明の校正用サンプルウエーハにおけるハードレーザーマークの直径および深さ別の平均輝度プロファイルの例を示す図である。
【図５】本発明の校正用サンプルウエーハにおけるハードレーザーマークの直径および深さ別の二値化画像の例を示す図である。
【図６】従来のピンホールの検査手順を示したフロー図である。
【図７】従来のピンホール検査に用いる画像検査装置の校正手順を示したフロー図である。
【図８】従来のピンホールが発生しているサンプルウエーハを模式的に示す図である。
【図９】従来のピンホールサイズの異なる画像の平均輝度プロファイルおよび二値化画像の例を示す図である。
【符号の説明】
【００４２】
１…校正用サンプルウエーハ、  ２…ハードレーザーマーク、  ３…赤外線光源、  ４…ラインファイバー、  ５…赤外線、  ６…シリコンウエーハ、  ７…ラインカメラ、  ８…赤外線透過画像処理装置、  ９…画像検査装置。
【図１】
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【図２】
2010008336.tif 000004
【図３】
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【図４】
2010008336.tif 000006
【図５】
2010008336.tif 000007
【図６】
2010008336.tif 000008
【図７】
2010008336.tif 000009
【図８】
2010008336.tif 000010
【図９】
2010008336.tif 000011