(57)【要約】【課題】処理基板に微細パターンをエッチングする際にノッチの発生を極力防止することができる誘導結合プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】本発明の誘導結合プラズマ処理装置１は、処理室２、この処理室２内に配置された下部電極６、処理室２内にプラズマを発生させるための誘導結合コイル４を備えている。処理室２内に発生するプラズマにより下部電極６上の処理基板がプラズマエッチングされる。処理基板をエッチングするとき、前記下部電極６には、低周波電力に高周波電力を重畳した重畳高周波電力が印加される。これにより、微細パターン内にイオンが強く引き込まれて微細パターン底面に形成された保護膜を効率よく除去することができ、ノッチの発生を防止できる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
a)処理室と、
b)前記処理室内に配置され、処理基板が載置される下部電極と、
c)前記処理室内に反応性ガスを導入するガス導入手段と、
d)前記処理室の外部に配置され、当該処理室内の反応性ガスを励起することによりプラズマを発生させる誘導結合コイルと
を備え、前記プラズマにより処理基板をプラズマ処理する誘導結合プラズマ処理装置において、
第１周波数の高周波電力を発振する第１高周波電源と、前記第１周波数よりも高い第２周波数の高周波電力を発振する第２高周波電源とを備え、前記第１高周波電源より発振された高周波電力に前記第２高周波電源より発振された高周波電力を重畳した重畳高周波電力を前記下部電極に印加する高周波電力印加手段を備えることを特徴とする誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項２】
処理室内に酸素ガスを導入する酸素ガス導入管を備えることを特徴とする請求項１に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項３】
少なくとも１つの高周波電源に対してパルス信号を印加することを特徴とする請求項１又は２に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項４】
前記処理基板が、絶縁層の上に導電層が形成された構造を有し、
前記処理基板の微細パターンの側面及び底面に絶縁性薄膜を形成する成膜工程と、前記処理基板の微細パターンの底面に形成された絶縁性薄膜を除去し、導電層をエッチングするエッチング工程とを交互に繰り返すエッチング手段を備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項５】
前記エッチング工程が、絶縁性薄膜を除去する第１エッチング工程と、絶縁層をエッチングする第２エッチング工程とから成ることを特徴とする請求項４に記載の誘導結合プラズマ処理装置。
【請求項６】
処理室内の下部電極上に載置された処理基板をプラズマエッチングする方法であって、
前記下部電極に、第１周波数の高周波電力と前記第１周波数よりも高い第２周波数の高周波電力とを重畳させた重畳高周波電力を印加することを特徴とするプラズマエッチング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に対してエッチングやアッシング等の各種プラズマ処理を行う誘導結合プラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、高速で低消費電力のデバイスを製造するため、Ｓｉ基板に代わって、絶縁膜であるＳｉＯ２上に単結晶Ｓｉを形成したＳＯＩ基板が用いられることがある。しかし、ＳＯＩ基板には、プラズマエッチングによってＳｉ層をエッチングした場合にＳｉ層とＳｉＯ２層の境界部に「ノッチ」（または「ノッチング」）とよばれる横方向へのエッチングが発生し、垂直な形状の加工ができないという問題がある(図１０参照）。ノッチは、被エッチング部が狭いアスペクト比が非常に大きな微細パターンをＳｉ層に形成するとき、より顕著に発生する。
【０００３】
ノッチは次のような理由で生じると考えられている。
プラズマ処理装置の処理室内に配置された下部電極の上方でプラズマを発生させるとともに下部電極に高周波電力を印加すると、プラズマと下部電極間に電位差が生じ、下部電極に垂直な方向のイオンシース電界が生じる。すると、イオンシース電界によってプラズマ中の正イオンがＳＯＩ基板の表面に向けて加速され、Ｓｉ層をエッチングする。
【０００４】
一方、プラズマ中の電子は、イオンシース電界により加速されないため、方向性を持たずにＳｉ層の微細パターン内に入射して側壁などに衝突する。このとき、Ｓｉ層がエッチングされている場合には、微細パターン底面に入射した正イオンと微細パターン側壁に衝突した電子とがＳｉ層中で再結合して中和されるため、電気的中性が保たれる。しかし、エッチングが進行して絶縁性のＳｉＯ２層に達すると、微細パターン底面に入射した正イオンが微細パターン側壁に衝突した電子と中和されず、微細パターン底面が正にチャージアップしてしまう。従って、微細パターン底面へ入射する正イオンは、微細パターン底面に蓄積した正電荷による反発によって軌道が曲げられる。このため、Ｓｉ層とＳｉＯ２層との境界部において横方向のエッチングが発生し、切り欠き形状のノッチが生じることになる。
【０００５】
ノッチの問題は、ＳＯＩ基板の表面に設けられたマスクの間隔（被エッチング部の間隔）が全て同じ幅であれば特に問題にはならない。なぜなら、全ての被エッチング部がほぼ同じ速度でエッチングされてＳｉＯ２層に達するからである。しかし、通常のデバイス製造工程ではＳＯＩ基板の表面には様々な間隔の被エッチング部が混在しており、被エッチング部毎にエッチング速度が異なる。エッチング速度が遅い被エッチング部（通常はマスク間隔が狭い被エッチング部）がＳｉＯ２層に達するまでエッチング工程を継続する必要があるため、既にＳｉＯ２層に達している被エッチング部（通常はマスク間隔が広い被エッチング部）ではオーバーエッチングとなり、ノッチが生じることになる。
【０００６】
ノッチの発生を防止するために、従来からいくつかの方法が提案されている。例えば特許文献１には、下部電極に印加する高周波電力をパルス化することにより、微細パターン内に入射した電子の一部を微細パターンの底面に引き込んでイオンと中和させる方法が記載されている。
また、被エッチング部が狭くアスペクト比が非常に大きい微細パターンを作成する方法として、フッ素系重合膜を側壁に成膜しながらエッチングを行う方法が多く用いられる。このような方法において、微細パターンの深い底面に電子を引き込むために、下部電極に印加する電力として低周波電力を用いたり（特許文献２）、高周波電力をパルス化したり（特許文献２、３）、高周波電力を変調したり（特許文献４）、高周波電力をパルス化し、さらに低周波変調したり（特許文献５）することが提案されている。しかし、これらの方法では、いずれも充分な効果が得られていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平06-061182号公報
【特許文献２】特表2002-529913号公報
【特許文献３】特開平08-250479号公報
【特許文献４】特表2007-509506号公報
【特許文献５】特表2003-515925号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明が解決しようとする課題は、処理基板に微細パターンをエッチングする際にノッチの発生を極力防止することができる誘導結合プラズマ処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために成された本発明に係る誘導結合プラズマ処理装置は、
a)処理室と、
b)前記処理室内に配置され、処理基板が載置される下部電極と、
c)前記処理室内に反応性ガスを導入するガス導入手段と、
d)前記処理室の外部に配置され、当該処理室内の反応性ガスを励起することによりプラズマを発生させる誘導結合コイルと
を備え、前記プラズマにより処理基板をプラズマ処理する装置であって、
第１周波数の高周波電力を発振する第１高周波電源と、前記第１周波数よりも高い第２周波数の高周波電力を発振する第２高周波電源とを備え、前記第１高周波電源より発振された高周波電力に前記第２高周波電源より発振された高周波電力を重畳した重畳高周波電力を前記下部電極に印加する高周波電力印加手段を備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明の誘導結合プラズマ処理装置では、処理室の外部に設けられた誘導結合コイルに高周波電力を印加することにより、誘電体を介して処理室内のガスが励起される。例えば、処理室をアルミニウム製とし、当該処理室の上方に板状の誘電体（石英板）を配置すると共に前記誘電体上に誘導結合コイルを載置した構成、前記誘電体を円筒状に構成し、誘電体の外部を周回するように誘導結合コイルを配置した構成が挙げられる。円筒状の誘電体はスパッタ防止と冷却性が優れる点でファラデーシールドと誘電体が一体的に形成されていることが好ましい。
【００１１】
本発明の誘導結合プラズマ処理装置で処理する基板は、絶縁層の上に導電層が形成された構造の基板が特に好ましい。例えば、絶縁層であるＳｉＯ２上に単結晶Ｓｉを形成したＳＯＩ基板が挙げられる。また、複数の被エッチング部分が形成されるようにＳｉ表面には開口部を有するマスクが設けられる。前記基板は処理室内に配置された下部電極に載置され、被エッチング領域がプラズマ処理されて微細パターンが形成される。
下部電極はイオンの入射量を調整できる点でプラズマ発生領域と下部電極との距離を調整できることが好ましい。例えば下部電極を上下に移動可能に構成すると良い
【００１２】
本発明のプラズマ処理装置では、処理室外に設けた誘導結合コイルを用いて該処理室内にプラズマを発生させるので、平行平板型のプラズマ処理装置に比べて高真空下でも高密度のプラズマを発生させることができる。このため、成膜工程とエッチング工程とを交互に繰り返しつつ高密度プラズマを発生させてアスペクト比が高いエッチング処理を行うプラズマ処理装置として好適である。成膜工程で用いられるガスとしてＣ４Ｆ８が挙げられる。また、エッチング工程で用いられるガスとしてＳＦ６が挙げられる。
【００１３】
成膜工程は、ＳＯＩ基板に高アスペクト比のエッチングを行うために、微細パターンの側面および底面を絶縁性のＣＦ系膜で保護する工程である。微細パターンの側面のＣＦ系膜の厚さは微細パターンの深さによって異なるが、10nm〜1μm程度であり、電子はＣＦ系膜を通過してＳｉ層に流れる。このため、電子による帯電の影響はほとんど考慮しなくてもよい。
【００１４】
エッチング工程は、少なくとも、成膜工程で覆われた微細パターン底部の膜（ＣＦ系膜）を除去する第１エッチング工程と、Ｓｉ層をエッチングする第２エッチング工程から構成することが好ましい。全ての微細パターン底部がＳｉ層にあるときは、微細パターン底部のチャージアップはほとんど問題とならないので、第１エッチング工程では下部電極に印加される高周波電力は重畳高周波電力でも通常の高周波電力のいずれでもよい。第２エッチング工程では下部電極に重畳高周波電力や通常の高周波電力を印加することは必須ではなく、微細パターン底部のＳｉ層のエッチングが進行する。
【００１５】
いずれかの微細パターン底部がＳｉＯ２層に到達するか、あるいは、ＳｉＯ２層の直前に達したときは、下部電極に重畳高周波電力が印加される。少なくとも第１エッチング工程ではイオンでチャージアップされることなく微細パターン底部のＣＦ系膜を除去するために下部電極に重畳高周波電力が印加される。第２エッチング工程では下部電極に高周波電力を印加することは必須ではなく、既にＳｉＯ２層に到達した微細パターン底部ではエッチングは進行せず、未だＳｉＯ２層に到達していない微細パターン底部ではエッチングが進行する。また、ノッチ防止の効果がより高い点で、パルス化された重畳高周波電力を下部電極に印加することが好ましい。
【００１６】
また、エッチング工程および成膜工程の両工程において処理室内に酸素ガスを導入することが好ましい。そうすれば、処理室内で生じる硫黄や炭素などの副生物が析出するのを防ぐことができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の誘導結合プラズマ処理装置では、下部電極に重畳高周波電力を印加することにより、処理基板に微細パターンをエッチングする際に当該微細パターンにイオンを引き込むことができるため、ノッチの発生を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施例に係る誘導結合プラズマ処理装置の全体的な概略構成図。
【図２】処理室のガス導入経路及びガス排出経路を示す図。
【図３】重畳高周波電力の標準的な波形の一例を示す図。
【図４】重畳高周波電力の波形の一例を示す図。
【図５】ＳＯＩ基板をエッチングするときに微細パターンの底部に生じるノッチの形状を示す図。
【図６】ノッチの横方向の切れ込み距離を示す表。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明の一実施例である誘導結合プラズマ処理装置について図面を参照して説明する。図１及び図２に示すように、本実施例のプラズマ処理装置１は、処理室２と、処理室２の上部に設けられ、当該処理室２内にプラズマを発生させるための誘導結合コイル４とを備えている。処理室２内には下部電極６が設けられている。
【００２０】
下部電極６には静電チャック８が設けられており、この静電チャック８によって下部電極６上に載置されたＳＯＩ基板等の処理基板が吸着保持される。
下部電極６内には冷媒循環パイプ１０が配設されている。また、下部電極６内には静電チャック８に伝熱ガスを供給する伝熱ガス供給管１２が配設されている。冷媒循環パイプ１０内を循環する冷媒、伝熱ガス供給管１２を通して供給される伝熱ガス(例えばヘリウムガス）によって下部電極６上に配置される処理基板は所定温度(例えば25℃)に維持される。
【００２１】
処理室２内には、ガス導入管１４，１６，１８を介してエッチングガス（例えばＳＦ６）、成膜ガス（Ｃ４Ｆ８）、酸素ガスがそれぞれ導入されるようになっている。エッチングガス、成膜ガスの導入管１４，１６には、マスフローコントローラ１４１，１６１、三方バルブ１４２，１６２が設けられている。酸素ガスの導入管１８には、マスフローコントローラ１８１、三方バルブ１８２が設けられている。処理室２にはロードロック室２０が併設されている。各ガス導入管１４，１６，１８の三方バルブ１４２，１６２，１８２には、前記ロードロック室２０の排気管２２につながる配管２４，２６，２７が接続されている。このような配管系は特開昭60-50923号の第15図に例示されている。
また、処理室２の排気管２８及びロードロック室２０の排気管２２にはそれぞれ真空ポンプ３０及び真空ポンプ３１が設けられている。前記真空ポンプ３０により処理室２内は所定の減圧雰囲気に維持される。前記真空ポンプ３１によりロードロック室２０内が所定の減圧雰囲気に維持され、また、三方バルブ１４２又は１６２によって処理室２内に導入されなかったガスが排出される。
【００２２】
処理室２の上部には円筒状の誘電体３２、誘電体３２の外周面に一体的に形成されたファラデーシールド３４、及びファラデーシールド３４の外周に巻回された誘導結合コイル４が配置されている。誘導結合コイル４には整合器(マッチングボックス)３７を介して高周波電源３８が接続されている。ファラデーシールド３４には、ファラデーシールド３４が誘電体３２の外周を一周回することがないように、切れ目が設けられている。これによって誘導結合コイル４に流れる電流とは逆向きの電流がファラデーシールド３４に流れることがない。
【００２３】
下部電極６には重畳高周波電力供給装置４０が接続されている。この重畳高周波電力供給装置４０は、下部電極６に重畳高周波電力を印加するもので、第１周波数の高周波電力を発振する第１高周波電源４２と、第１周波数よりも高い第２周波数の高周波電力を発振する第２高周波電源４４とを備えている。以下の説明では、第１高周波電源４２が発振する高周波電力を「低周波電力」という。
第１及び第２高周波電源４２，４４は、パルス信号機４６の出力信号に従い所定の間隔（パルス）で高周波電力を発振することができる。第１高周波電源４２は、整合器４８、フィルタ５０、加算器５１を介して下部電極６に接続されている。第２高周波電源４４は整合器５２を介して前記加算器５１に接続されている。これにより、下部電極６には、第１高周波電源４２からの低周波電力に第２高周波電源４４からの高周波電力が重畳された重畳高周波電力が印加される。
マスフローコントローラ１４１，１６１，１８１、バルブ１４２，１６２，１８２、パルス信号機４６、加算器５１、真空ポンプ３０等の駆動は図示しない制御装置によって制御される。
【００２４】
次に、上記誘導結合プラズマ処理装置１を用いてＳＯＩ基板のＳｉ層をエッチングして微細パターンを形成するプロセスについて説明する。ＳＯＩ基板は、絶縁性のＳｉＯ２層の上に単結晶Ｓｉを形成したものである。
まず、エッチングプロセスの開始に先立ち、真空ポンプ３０によって処理室２内が所定の減圧雰囲気、例えば20mTorrに維持される。
この状態で、エッチング工程が開始され、エッチングガス供給源からガス導入管１４を通ってエッチングガスであるＳＦ６が処理室２内に導入される。また、酸素ガス供給源からガス導入管１８を通って酸素ガスが処理室２内に導入される。
なお、エッチング工程においては、成膜ガス供給源からガス導入管１４に供給される成膜ガスは、ロードロック室２０の排気管２２に排出されるように三方バルブ１６２の出口位置が調整される。
そして、誘導結合コイル４に例えば１３．５６ＭＨｚの高周波電力が印加される。これにより、処理室２内のＳＦ６がプラズマ状態になり、Ｓｉ層に対するエッチングが行われる。
【００２５】
エッチング工程が所定時間行われると、次に成膜工程が行われる。
成膜工程では、エッチングガス導入管１４の三方バルブ１４２が切り替えられ、ＳＦ６がロードロック室２０の排気管２２に排出される。それと同時に、成膜ガス導入管１６の三方バルブ１６２が切り替えられ、成膜ガスであるＣ４Ｆ８が処理室２内に導入される。また、酸素ガス供給源からガス導入管１８を通って酸素ガスが処理室２内に導入される。なお、成膜ガスの導入に同期して、エッチング工程の残ガスが処理室２内から排出される。
この結果、誘導結合コイル４によって成膜ガスがプラズマ化され、微細パターンの側壁や底面において保護膜として機能するＣＦ系の高分子が重合される。
【００２６】
エッチング工程と成膜工程は、微細パターンがＳＯＩ基板のＳｉ層とＳｉＯ２層の境界に達するまで繰り返し交互に行われる。
エッチング工程および成膜工程の間、処理室２内に連続して導入される酸素ガスは、成膜工程において微細パターンの底面に形成される保護膜を除去する機能を有する。また、酸素ガスは硫黄や炭素の除去にも寄与する。従って、酸素ガスを導入することにより、成膜工程の後で行われるエッチング工程において、微細パターンの底面の保護膜を迅速に除去して垂直方向にエッチングすることができる。
【００２７】
また、成膜工程の後で行われるエッチング工程は、微細パターン内にイオンを強く引き込んで底面の保護膜を除去するための第１エッチング工程と、Ｓｉ層をエッチングするための第２エッチング工程に分けられる。
【００２８】
第１エッチング工程では、重畳高周波電力供給装置４０から下部電極６に重畳高周波電力が印加される。一方、第２エッチング工程では、下部電極６に対する重畳高周波電力の印加は停止される。なお、成膜工程ではエッチングに寄与するイオン（ＳＦ６のイオン）を微細パターンの底面に引き込む必要はない。従って、重畳高周波電力は下部電極６に印加しなくても良い。
【００２９】
次に、下部電極６に対する重畳高周波電力の印加方法について説明する。
第１高周波電源４２から例えば400kHzの正弦波の低周波電力を出力し、整合器を介してフィルタに導入する。重畳高周波電力の低周波電力成分は微細パターン内に電子を垂直に引き込む役割を担う。低周波電力の正弦波周波数は、10〜800kHzが好ましい。低周波電力の周波数がこの範囲からはずれると、電子を引き込む効果が低下する傾向がある。なお、ここで引き込まれる電子は、プラズマ中に生じた電子、および、重畳高周波電力に含まれる高周波電力成分によって生じた電子に由来する。すなわち、重畳高周波電力には高周波電力成分が含まれているので、効率よく且つ充分に電子を発生させることが可能となる。
【００３０】
一方、第２高周波電源４４から例えば13.56MHzの高周波電力を出力し、整合器を介してフィルタの出力側に導入する。低周波電力とのマッチングを調整し易い点で、高周波電力も正弦波が好ましい。重畳高周波電力の高周波電力成分は電子を生成する役割を担う。高周波電力の正弦波周波数は10〜60MHzが好ましい。高周波電力の周波数がこの範囲からはずれると、イオンが微細パターン内に入射し難くなり、エッチング速度が低下する傾向がある。
【００３１】
重畳高周波電力の低周波電力成分（第１周波数の高周波電力）の電力に対する高周波電力成分（第２高周波の高周波電力）の電力の比は、１：０．５〜１：１００が好ましい。電力の比がこの範囲を外れると微細パターン内に電子を引き込む効果が低下したり、あるいは、効率よく電子を発生させる効果が低下したりする傾向がある。図３に低周波電力成分の電力に対する高周波電力成分の電力の比が１：０．５の重畳高周波電力の例を示す。
【００３２】
また、高周波電力成分（13.56MHzなど）を一旦低周波で振幅変調を行い、この振幅変調された高周波電力に対して、さらに、低周波電力成分（400kHzなど）を重畳して重畳高周波電力を得ることも可能である。ここで、高周波電力成分に振幅変調を行う低周波は、低周波電力成分よりも低い周波数であることが好ましい。例えば低周波電力成分が400kHzであれば、高周波電力成分に振幅変調を行う周波数は200kHzが好ましい。
【００３３】
図４は、第１高周波電源および第２高周波電源に対して同じ位相でパルス信号（パルスON：500μ秒、パルスOFF：1500μ秒）を印加して得られたパルス化高周波電力を重畳した重畳高周波電力の例を示す。
【００３４】
次に、サムコ株式会社製の誘導結合プラズマ処理装置（ＲＩＥ−８００ｉＰＢ）を用いて実際にＳＯＩ基板（８インチ）にエッチングを行ったときの微細パターンの底部(ＳｉＯ２とＳｉの境界部分）に生じたノッチの発生の様子を調べた。
この誘導結合プラズマ処理装置は、処理室がアルミニウム製で、下部電極の上方に円筒状の誘電体でできたプラズマ発生室が設けられている。誘電体の周囲には単巻きの誘導結合コイルが設けられており、誘導結合コイルには高周波電源（13.56MHz）が接続されている。また、下部電極は上下方向に移動可能であり、誘導結合コイルと下部電極の距離を調節できるようになっている。
前記ＳＯＩ基板はＳｉＯ２層の上に60μｍの厚さのＳｉ層が積層されており、Ｓｉ層の表面にはフォトレジストが設けられている。このフォトレジストには３μｍ幅のスリット（被エッチング部分）が等間隔に設けられている。
【００３５】
[実施例１]
下部電極に、第１高周波電源から発振される第1周波数が400kHｚの高周波電力（40W）と、第２高周波電源から発振される第２周波数が13.56MHｚの高周波電力（20W）とを重畳することにより得た重畳高周波電力を印加した。
つぎに、ＳＦ６（流量100sccm）及び酸素ガス（流量10sccm）をプラズマ発生室に４秒間導入してエッチングを行う工程（最初の２秒間のみ重畳高周波電力を下部電極に印加した。）、および、Ｃ４Ｆ８（流量100sccm）及び酸素ガス（流量10sccm）をプラズマ発生室に２秒間導入して成膜を行う工程を交互に繰り返してエッチング処理を行った。エッチング処理の時間は、SiO2層に到達するのに充分な時間（10分間）に加えて、さらに、同じ条件のまま5分間のオーバーエッチングを行った。エッチング終了後、微細パターンの底部に生じたノッチの形状を電子顕微鏡で観察して横方向の切れ込み距離を計測した。ここで、ノッチの横方向の切れ込み距離とは、図５中、記号Ｌで示す長さを意味する。
【００３６】
[実施例２]
第１高周波電源および第２高周波電源に対して同じ位相でパルス信号（パルスON：500μ秒、パルスOFF：1500μ秒）を印加して得られたパルス化高周波電力を重畳した重畳高周波電力を下部電極に印加した以外は、実施例１と同様にしてプラズマエッチングを行った。エッチング終了後、微細パターンの底部に生じたノッチの形状を電子顕微鏡で観察して横方向の切れ込み距離を計測した。
【００３７】
[比較例１]
第２高周波電源から発振された高周波電力（13．56MHz）のみ下部電極に印加した以外は、実施例１と同様にしてプラズマエッチングを行った。エッチング終了後、微細パターンの底部に生じたノッチの形状を電子顕微鏡で観察し、実施例１と同様にして横方向の切れ込み距離を計測した。
【００３８】
[比較例２]
第１高周波電源から発振された高周波電力（400kHz）のみ下部電極に印加した以外は、実施例１と同様にしてプラズマエッチングを行った。エッチング終了後、微細パターンの底部に生じたノッチの形状を電子顕微鏡で観察し、実施例１と同様にして横方向の切れ込み距離を計測した。
【００３９】
[比較例３]
比較例１の高周波電源に対してパルス信号（パルスON：500μ秒、パルスOFF：1500μ秒）を印加して得られたパルス化高周波電力を下部電極に印加した以外は実施例１と同様にしてプラズマエッチングを行った。エッチング終了後、微細パターンの底部に生じたノッチの形状を電子顕微鏡で観察し、実施例１と同様にして横方向の切れ込み距離を計測した。
【００４０】
図６に、上記実施例１及び２並びに比較例１〜３で計測した横方向の切れ込み距離を示す。
【符号の説明】
【００４１】
１…誘導結合プラズマ処理装置
２…処理室
４…誘導結合コイル
６…下部電極
８…静電チャック
１４，１６，１８…ガス導入管
４０…重畳高周波電力供給装置
４２…第１高周波電源
４４…第２高周波電源
【図１】
2010278122.tif 000003
【図２】
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【図３】
2010278122.tif 000005
【図４】
2010278122.tif 000006
【図５】
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【図６】
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