(57)【要約】  【課題】画面上の値と、実行しているレシピの設定項目との関連が判断できる機能を提供する。  【解決手段】複数のステップから構成されるレシピを実行させて、基板に所定の処理を施す制御部と、各ステップにおける制御アイテムのモニタ値を表示する操作部と、を有する基板処理装置１であって、各ステップにおける制御アイテムのモニタ値と共に前記制御アイテムの設定有効／無効情報を色分け表示する【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のステップから構成されるレシピを実行させて、基板に所定の処理を施す制御部と、各ステップにおける制御アイテムのモニタ値を表示する操作部と、を有する基板処理装置であって、
前記操作部は、各ステップにおける制御アイテムのモニタ値と共に前記制御アイテムの設定有効／無効情報を色分け表示することを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、制御アイテムの設定状態が一目で分かるようにする為の方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置は、オペレータの作成したレシピを実行し、ウェハに付加価値を与える装置である。レシピには、ガス、温度といった制御の項目（以後、制御アイテムと称す）があり、これらを組み合わせて目的とする成膜処理を行う。
【０００３】
図１にレシピとステップの構成イメージを示す。レシピはステップという単位で構成されていて、そのステップを逐次実行していくことにより、目的とする成膜処理を実現する。レシピのステップには、成膜に必要な制御アイテムが設定されている。オペレータは、この各項目を設定することで目的とする成膜手順を作成する。
【０００４】
図２にレシピとステップの設定例を示す。ここで、レシピを作成する場合、全ステップの全てのアイテムを設定するわけではない。例えば、１ステップ目では圧力を整える、２ステップ目では温度を上げるといったように必要な制御アイテムだけを設定するのが通常である。
【０００５】
図３にモニタ表示画面の例を示す。現在の制御アイテムの値を画面上に表示させるのは一般的な技術であるが、ここでレシピを実行した場合を考える。ステップが遷移していくに従い、制御アイテムの設定内容が変わっていき、それに伴い制御アイテムの値も変化していく。しかしながら、従来は現在のステップでどの制御アイテムが有効設定されているのかが分からず、この値になっている要因が分かりづらいという欠点があった。図４にステップの遷移とモニタ画面のイメージを示す。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、画面上で、どの制御アイテムが設定されているのかを容易に分かるようにすることを目的とする。つまり、画面上の値と、実行しているレシピの設定項目との関連が判断できる機能を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の特徴とするところは、複数のステップから構成されるレシピを実行させて、基板に所定の処理を施す制御部と、各ステップにおける制御アイテムのモニタ値を表示する操作部と、を有する基板処理装置であって、各ステップにおける制御アイテムのモニタ値と共に前記制御アイテムの設定有効／無効情報を色分け表示することにある。
【発明の効果】
【０００８】
本機能により、モニタ画面とレシピの設定項目との関連が容易に分かるようになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
本発明を実施するための最良の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置（IC）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。尚、図１に、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の一例であるインライン型の半導体製造装置の概略的な構成例を示す。図１の構成では、ウェハ搬送用ロボットやプロセスチャンバが複数台、及びキャリア受渡し用のロードロック室が２式接続された並列冗長の構成となっている。また、この半導体製造装置は基板（ウェハ）を搬送するキャリアを用いている。
【００１０】
図５において、インライン型の半導体製造装置１は２チャンネルで構成されており、基本的には次のような機能を持つ複数のモジュール（第１の処理モジュール２及び第２の処理モジュール３）によって構成されている。第１の処理モジュール２は、インライン接続された真空気密可能な基板処理室としてのプロセスチャンバＰＭ１と、この前段に設けられた前室としての真空気密可能なバキュームロックチャンバＶＬ１とから構成されている。第２の処理モジュール３は、インライン接続された真空気密可能な基板処理室としてのプロセスチャンバＰＭ２と、この前段に設けられた前室としての真空気密可能なバキュームロックチャンバＶＬ２とから構成されている。プロセスチャンバＰＭ１とバキュームロックチャンバＶＬ１とはゲートバルブＰＧＶ１で接続されている。また、プロセスチャンバＰＭ２とバキュームロックチャンバＶＬ２とはゲートバルブＰＧＶ２で接続されている。バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２にはそれぞれ真空ロボットハンドラＴＨ１、ＴＨ２とが設けられている。また、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２には、上段にバッファスロットＬＳを備え、下段にクーリングステージＣＳを備える多段型のスロットが設けられている。更に大気ローダＬＭには、アライナＡＵとローダハンドラＬＨが内蔵されている。また、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２と大気ローダＬＭの間にはローダドアＬＤ１、ＬＤ２が設けられている。
【００１１】
プロセスチャンバＰＭ１、ＰＭ２は、化学反応(例えば、ＣＶＤ)による成膜など、基板としてのウェハＷに付加価値を与える機能を持っている。また、ガス導入・排気機構、及び温度制御・プラズマ放電機構など成膜方式に合せた機構を持っている。
【００１２】
バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２は、真空又は大気圧のチャンバ内圧力を制御可能に構成されている。また、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２には、第２の基板搬送装置としての真空ロボットハンドラＴＨ１、ＴＨ２が１台ずつ独立して設けられ、プロセスチャンバＰＭ１とバキュームロックチャンバＶＬ１間、又はプロセスチャンバＰＭ２とバキュームロックチャンバＶＬ２間とでウェハＷを搬送することが可能になっている。また、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２は、ウェハＷを保持することができる多段型ステージ、例えば上下２段のステージを有する。上段のバッファステージＬＳ１、ＬＳ２ではウェハＷを保持し、下段のクーリングステージＣＳ１、ＣＳ２ではウェハＷを冷却する機構を持っている。
【００１３】
バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２に接続された大気搬送室としての大気ローダＬＭは、各ロードロックチャンバ（つまり、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２）へウェハを搬入搬出することができるロボット（つまり、ローダハンドラＬＨ）を装備している。大気ローダＬＭとバキュームロックチャンバＶＬ１とはロードドアＬＤ１（ゲートバルブ）で接続されている。大気ローダＬＭとバキュームロックチャンバＶＬ２とはロードドアＬＤ２（ゲートバルブ）で接続されている。この大気ローダＬＭの他側には、基板収納部としての２台のロードポートＬＰ１、ＬＰ２とが設けられる。
【００１４】
大気ローダＬＭには、１台のローダハンドラＬＨが設けられ、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２だけでなくロードポートＬＰ１、ＬＰ２との間でウェハＷを搬送することが可能になっている。また、大気ローダＬＭには、基板位置補正装置としてのアライナユニットＡＵが設けられ、搬送時のウェハＷのずれの補正やノッチを一定方向に合せるノッチ合わせ（以下、アライメントという）を行うことが可能となっている。また、ロードポートＬＰ１，ＬＰ２は、複数枚のウェハＷが保持可能なキャリアＣＲ１，ＣＲ２を、半導体製造装置外部と受渡し可能に構成されている。更に少なくともキャリアＩＤをリード/ライトすることができる。
【００１５】
上述した真空ロボットハンドラＴＨ１、ＴＨ２、ローダハンドラＬＨ、ゲートバルブＰＧＶ１、ＰＧＶ２、ロードドアＬＤ１、ＬＤ２、及びプロセスチャンバＰＭ１、ＰＭ２のガス導入・排気機構、及び温度制御・プラズマ放電機構や、バキュームロックチャンバＶＬ１、ＶＬ２の冷却機構等は、図示しない制御用コントローラにより制御するようになっている。
【００１６】
図５に示すような半導体製造装置１の構成において、プロセスチャンバＰＭ１の一式とバキュームロックチャンバＶＬ１の一式を対にし、プロセスチャンバＰＭ２の一式とバキュームロックチャンバＶＬ２の一式を別の対にして、複数ラインを大気ローダＬＭに接続する。図５の半導体製造装置１の構成では２ラインとなっているが、さらに多くのラインで構成してもよい。
【００１７】
ここで、制御用コントローラが半導体製造装置１に接続されており、制御用コントローラは搬送制御、プロセス制御を行う手段を持つように構成される。図６は図５に示す半導体製造装置を制御するための制御用コントローラの構成を示すブロック図である。
【００１８】
図６において、制御用コントローラ１１は、操作部１２と統括制御コントローラ１３とプロセスチャンバコントローラＰＭＣ（１）１４、ＰＭＣ（２）１５が、ＬＡＮ回路１６で接続されている。また、統括制御コントローラ１３にはＶＬロボットコントローラ１３ａ、大気ロボットコントローラ１３ｂ、マスフローコントローラＭＦＣ１３ｃなどが接続されている。さらに、プロセスチャンバコントローラＰＭＣ（１）１４には、マスフローコントローラＭＦＣ１４ａ、ＡＰＣ１４ｂ、温度調節器１４ｃ、バルブＩ／Ｏ１４ｄなどが接続されている。尚、ＭＦＣ１４ａはガスの流量を制御するためのマスフローコントローラであり、ＡＰＣ１４ｂはプロセスチャンバＰＭ内の圧力を制御するためのオートプレッシャーコントローラである。また、温度調節器１４ｃはプロセスチャンバＰＭ内の温度の制御を行うものであり、バルブＩ／Ｏ１４ｄはガスや排気用のバルブのＯＮ／ＯＦＦを制御するための入出力ポートである。また、ＰＭＣ（２）１５もＰＭＣ（１）１４と同様な構成である。
【００１９】
記憶部１８は、ＬＡＮ回線１６に接続されており、操作部１２に表示される画面を介して入力された指示データや各種レシピ（プロセスレシピ、ダミー基板用レシピ等）や画面を含むファイルを格納する。本実施の形態においては、特に、制御アイテムの設定有効/無効情報に関するデータ及びファイルを格納する。尚、
【００２０】
操作部１２はシステム制御コマンドの指示、モニタ表示、ロギングデータ、アラーム解析、及びパラメータ編集などに利用される操作画面を具備した表示部を有している。また、統括制御コントローラ１３は、システム全体の運用制御、ＶＬロボットコントローラ１３ａの制御、大気ロボットコントローラ１３ｂの制御、ＭＦＣ１３ｃやバルブやポンプなどを制御するＶＬ排気系制御を行う。
【００２１】
次に、図６に示す制御用コントローラ１１の運用例について説明する。操作部１２からのコマンド指示を受けた統括制御コントローラ１３は、ウェハ搬送指示を大気ロボットコントローラ１３ｂに指示する。該当するウェハＷがキャリアからバキュームロックチャンバＶＬのバッファスロットＬＳへ搬送されてから、バキュームロックチャンバＶＬのバッファスロットＬＳへ搬送されてから、バキュームロックチャンバＶＬの排気制御（つまり、ポンプやバルブの制御）を実施する。そして、バキュームロックチャンバＶＬが所定の負圧力に達したところでウェハＷを該当するＰＭＣ（つまり、ＰＭＣ（１）１４又はＰＭＣ（２）１５）に対して、ウェハＷに付加価値を与えるためのプロセスレシピの実行指示を行う。
【００２２】
プロセスレシピが実行されると、各ステップが実行される。各ステップにおける制御アイテムは、操作部１２の操作画面にて逐次モニタ表示される。
【００２３】
ここで、図８に基づいて、プロセスレシピが実行される際に、操作画面に表示される各ステップにおける制御アイテムを表示更新するフローを説明する。
【００２４】
各ステップの開始時に必ずプロセスレシピを参照し、該当するステップにおける制御アイテムの設定有効/無効情報を読み出し、その情報をメモリに展開する。そして、一定周期でメモリに展開されたデータにより制御アイテムのモニタ値及び設定有効／無効情報が表示更新される。
【００２５】
尚、制御アイテムの設定有効／無効情報の表示は色分け表示されるよう構成されている。
【００２６】
このようにして、制御アイテムの設定有効／無効情報が視認できるので、操作画面上で、設定している制御アイテムが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】レシピとステップとの構成を示す図である。
【図２】レシピ作成の際に各ステップで制御アイテムを設定する一例を示す図である。
【図３】制御アイテムをモニタするための操作画面の一例を示す図である。
【図４】ステップの遷移と各ステップに対応するモニタ画面のイメージを示す。
【図５】本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略的な構成図である。
【図６】本発明の実施形態に係る制御用コントローラの構成を示す図である。
【図７】本発明の実施形態における制御アイテムをモニタするための画面を示す図である。
【符号の説明】
【００２８】
１  半導体製造装置
２  第一の処理モジュール
３  第二の処理モジュール
１１  制御用コントローラ
１２  操作部
１３  統括制御コントローラ
１４  ＰＭＣ（１）
１５  ＰＭＣ（２）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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