(57)【要約】【課題】電界効果トランジスタを低電圧で動作させると伴に、周波数応答性能およびキャリア移動度を高くすること。【解決手段】電界効果トランジスタのゲート絶縁層として糊剤又は増粘剤を含まず液状であって、その主要成分がイオン液体であるものを用い、イオン液体の温度を上昇させる。イオン液体としては、ＥＭＩＴＦＳＩやＥＭＩＦＳＩを用いる。半導体層には有機ルブレン単結晶を用いるが、オキシクロライドなど無機酸化物材料を用いることもできる。ドレイン電極とソース電極には金電極を用いるが金電極以外の電極を用いることもできる。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート絶縁層が、液状であって、その主要成分がイオン液体であることを特徴とし、該イオン液体の温度が常温より高いことを特徴とする電界効果トランジスタ。
【請求項２】
前記イオン液体が、糊剤又は増粘剤を含まないことを特徴とする請求項１に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項３】
前記イオン液体の温度は、４０℃以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項４】
前記イオン液体の温度は、４０℃以上３００℃以下であることを特徴とする請求項１または２に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項５】
前記イオン液体は、ＥＭＩＴＦＳＩであることを特徴とする請求項請求項１、２、３または４に記載の電界効果トランジスタ。
【請求項６】
前記イオン液体は、ＥＭＩＦＳＩであることを特徴とする請求項１、２、３または４に記載の電界効果トランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、低電圧で動作すると伴に、周波数応答が高く、高いキャリア移動度を有する電界効果トランジスタに関するものである。本発明のトランジスタは、ソース電極−ドレイン電極間を流れる電流を増幅する増幅素子やその電流をＯＮ−ＯＦＦするスイッチング素子に使用される。
【背景技術】
【０００２】
銅酸化物高温超伝導体をはじめ層状遷移金属化合物は、キャリア量を制御する事により二次元電子系の多彩な物性を示し、基礎的な物性研究だけに留まらず、その新機能・新現象を利用した応用研究も盛んに行われている。一般に、層状遷移金属化合物のキャリア量を制御する手法としては、不純物置換による方法が最も多く用いられている。しかしながらこの方法では、結晶格子に乱れを入れてしまうため物質の構造や化学的安定性による制約が非常に大きいことや、キャリア量を精密に制御することが困難であるなど多くの問題を抱えていた。
【０００３】
その中で、最近になり電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）素子構造を用いて、半導体以外の化合物に静電的にキャリア注入を行うことで、高温超伝導体などの強相関電子系の相転移をコントロールする物性研究が盛んに行われて来ている。ＦＥＴ素子は、半導体層と、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極とゲート絶縁層を具有する。ＦＥＴによるキャリア注入は、化学組成を変化させずにキャリア量を変化させることが可能になり、物質がもつ本来の物性を研究するに適した方法である。また、キャリア量を連続的にコントロールすることが可能になるため、キャリア量による相転移などを詳細に調べる強力なツールになりうる。しかしながら、現時点の常誘電体にゲート電界を加えるという通常の方法では、絶縁破壊のために物性研究に充分なキャリア量変調を得るのが困難であったことや、さらに、高電圧を印加することで物質の表面にダメージを与えてしまうことなど技術的な壁は高かった。
【０００４】
そこで、ポリマーゲルにイオン液体をまぜたものをゲート絶縁層とする電界効果トランジスタ（例えば、非特許文献１参照。）や、イオン液体をゲート絶縁層として用いた有機ルブレン単結晶電界効果トランジスタの開発が行われている。
【０００５】
イオン液体をゲート絶縁層として用いる電界効果トランジスタでは、イオン液体の電気二重層を用いることで、低電圧で動作するトランジスタの作製が可能となる。また、ゲート絶縁層として通常よく用いられるＳｉＯ2に比べて、低電圧でより多くの電流が流すことができる。すなわち、より低いスイッチング電圧（ゲート電極とソース電極及びドレイン電極の間）をゲート電極に印加するだけで、充分に大きな電流を流すことができ、省エネルギートランジスタが可能となる。
【０００６】
【非特許文献１】Jiyoul  Lee  et  al,  “Ion  Gel  Gated  Polymer  Thin-Film  Transistors”  J.  Am.  Chem.  Soc.  129  (2007)  4532.
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
イオン液体は、陽イオン・陰イオンの構造、組み合わせが無限に考えられるため、所謂「デザイナーズ溶媒」などと呼ばれており、イオン液体の分子構造の変化により、融点・粘性・密度・解離性など各種物性が大きく変化する。しかしながら、電界効果トランジスタの性能向上の見地から考えた場合には、イオン液体のどの物性値が、キャリア移動度の大きさの鍵となるファクターになるのかほとんど何もわかっていなかった。
【０００８】
この発明は、上述した従来技術による問題点を解消するためになされたものであり、イオン液体を用いた電界効果トランジスタにおいてイオン液体の物性を変えることによって高いキャリア移動度を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明の一つの態様では、ゲート絶縁層が、液状であって、その主要成分がイオン液体であることを特徴とした電界効果トランジスタにおいて、該イオン液体の温度が常温より高いことを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の本発明の他の態様では、さらに、イオン液体が、糊剤又は増粘剤を含まないことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の他の態様では、さらに、イオン液体の温度が、４０℃以上であることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の他の態様では、さらに、イオン液体の温度が、４０℃以上３００℃以下であることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の他の態様では、さらに、イオン液体が、ＥＭＩＴＦＳＩであることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の他の態様では、さらに、イオン液体が、ＥＭＩＦＳＩであることを特徴とする。
【００１５】
イオン液体は室温で液状である。本発明では、液状のイオン液体をその液状のままゲート絶縁層に使用する。これにより、高い応答性がトランジスタにもたらされる。本発明ではイオン液体に糊剤又は増粘剤を混ぜない。もし、混ぜるとゲート絶縁層が液状にならず、ペースト状になってしまうからである。ゲート絶縁層が液状であることの付加的な利点は、十分に高い電流増幅率をもたらすことである。ゲート絶縁層が液状であるので、半導体層の表面（実際には微細な凹凸がある）との接触が良くなり、電流増幅率が十分に高くなると推測される。
【００１６】
イオン液体は、特に限定されるものではないが、例示すれば、以下の陽イオンと陰イオンを組み合わせたものが本発明に使用される。
（１）陽イオン
イミダゾリウム系陽イオン：
1-methyl-3-methylimidazolium(MMI)，
1-ethyl-3-methylimidazolium(EMI)，
1-propyl-3-methylimidazolium(PMI)，
1-butyl-3-methylimidazolium(BMI)，
1-pentyl-3-methylimidazolium(PeMI)，
1-hexyll-3-methylimidazolium(HMI)，
1-oxyl-3-methylimidazolium(OMI)，
1,2-dimethyl-3-propylimidazolium(DMPI)；
ピリジニウム系陽イオン：
1-methl-1-propylpiprodonium(PP13)，
1-methyl-1-propylpyrrolidinium(P13)，
1-methyl-1-butylpyrrolidinium(P14)，
1-butyl-1-methylpyrrolidinium(BMP)；
アンモニウム系陽イオン：
trimethylpropylammonium(TMPA)，
trimethyloctylammonium(TMOA)，
trimethylhexylammonium(TMHA)，
trimethylpentylammonium(TMPeA)，
trimethylbutylammonium(TMBA)；
ピラゾリウム系陽イオン：
1-ethyl-2,3,5-trimethylpyrazolium(ETMP)，
1-butyl-2,3,5-trimethylpyrazolium(BTMP)，
1-propyl-2,3,5-trimethylpyrazolium(PTMP)，
1-hexyl-2,3,5-trimethylpyrazolium(HTMP)；
（２）陰イオン
bis(trifluoromethanesulfonyl)imide(TFSI)，
bis(fluorosulfonyl)imide(FSI)，
bis(perfluoroethylsulfonyl)imide(BETI)，
tetrafluoroborate(BF4)，
hexafluorophosphate(PF6)；
【００１７】
なかでも、イオン液体は、下記の（１）、（２）が好ましい。
（１）ＥＭＩ(ＣＦ3ＳＯ2)2Ｎ    すなわち、
1-ethyl-3-methylimidazolium  bis(trifluoromethanesulfonyl)imide
（２）ＥＭＩ(ＦＳＯ2)2Ｎ      すなわち、
1-ethyl-3-methylimidazolium  bis(fluorosulfonyl)imide
【００１８】
イオン液体には、その液状を損ねない範囲で、性能（低い駆動電圧、十分に高い電流増幅率、高い応答性）を高める添加剤を添加又は溶解することは是である。そのような添加剤は、例えば、以下の通りである。
ナノ粒子
１）Al2O3
２）ZrO2
３）SiO2
４）TiO2
イオン
１）Liイオン
２）Kイオン
３）Naイオン
【００１９】
かかる態様によれば、イオン液体の粘性を低くすることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の態様によれば、イオン液体と半導体層の表面（実際には微細な凹凸がある）との接触が良くなり、電界効果トランジスタのキャリア移動度を高くすることができるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下に添付図面を参照して、この発明に係る電界効果トランジスタの好適な実施例を詳細に説明する。しかし、本発明はこれらに限定されるものではない。
【実施例】
【００２２】
まず、本実施例に係るデユアルゲートトランジスタの構造について説明する。図１は、本実施例に係るデユアルゲートトランジスタの構造を示す概念図である。このデユアルゲートトランジスタは、上下に２つのトランジスタがある。上のトランジスタが本発明にかかるものである。下のトランジスタは従来のものである。
【００２３】
このトランジスタは、ドープシリコンからなる下側ゲート電極１、下側ゲート電極１上に形成されたＳｉＯ2からなる下側ゲート絶縁層２、下側ゲート絶縁層２上に形成された有機ルブレン単結晶からなる半導体層３、下側ゲート絶縁層２上に形成された金のドレイン電極４、金のソース電極５、半導体層３の上に形成されたイオン液体からなる（上側）ゲート絶縁層６、及び金線からなる（上側）ゲート電極７から構成される。
【００２４】
下側ゲート電極１と、下側ゲート絶縁層２と、半導体層３と、ドレイン電極４およびソース電極５とで構成される電界効果トランジスタは、従来と同様にＳｉＯ2をゲート絶縁層としている。これに対して、上側ゲート電極７と、上側ゲート絶縁層６と、半導体層３と、ドレイン電極４およびソース電極５とで構成される電界効果トランジスタは、イオン液体をゲート絶縁層としている。
【００２５】
このように、イオン液体をゲート絶縁層の主要成分としてもちいることによって、上側のトランジスタは、ゲート電極７とソース電極５（又はドレイン電極４）との間にゲート電圧が印加されると、イオン液体−半導体界面に電気二重層が生じる。そのため、トランジスタを低電圧で駆動させることができる。また、ゲート絶縁層として通常よく用いられるＳｉＯ2（電解質でなく誘電体）を使用したトランジスタに比べて、図２に示すように、低い駆動電圧で十分に多くの電流を流すことができる。即ち、電流増幅率が十分に高い。
【００２６】
図２は、実施例のトランジスタについて、ゲート電圧ＶGに対するドレイン電流ＩDSの変化を示す図である。ここでは、イオン液体としてＥＭＩ(ＣＦ3ＳＯ2)2Ｎすなわち1-ethyl-3methylimidazolium  bis(trifluoromethanesulfonyl)imideとＥＭＩ(ＦＳＯ2)2Ｎすなわち1-ethyl-3methylimidazolium  bis(fluorosulfonyl)imideを用いた場合を示している。また、従来の電界効果トランジスタとの比較のためにＳｉＯ2をゲート絶縁層として用いた場合も示している。なお、図３にＥＭＩＴＦＳＩとＥＭＩＦＳＩの構造を示す。また、ドレイン−ソース間の電圧は−１．０Ｖである。
【００２７】
図２に示すように、イオン液体をゲート絶縁層として用いると、ＳｉＯ2をゲート絶縁層として用いる場合と比較して、より低いスイッチング電圧ＶG（ゲート電極とソーズ電極の間の電圧）をゲート電極に印加するだけで、充分に大きな電流ＩDSを流すことができる。したがって、電界効果トランジスタの消費電力を低減することができる。
【００２８】
また、イオン液体の性質を用いることで、高い周波数応答性、高いイオン伝導度を実現することができる。図４は、イオン液体の静電容量の周波数応答性を示す図である。縦軸は、F／cm２で、単位面積あたりの静電容量を表し、横軸は単位がHzで、周波数を表す。同図に示すように、イオン液体は、高い周波数でも高い静電容量を示している。すなわち、ゲート絶縁層にイオン液体を用いると、イオン液体本来が有する高いイオン伝導度を利用することで、高い周波数応答性を得ることが可能になる。
【００２９】
また、イオン液体は、常温では液体であるため、有機半導体材料の表面と、その有機半導体材料の表面に設けられる絶縁材料との間の密着性がよくなり、キャリア移動度が高い。特にイオン液体として、ＥＭＩＦＳＩを用いた場合、キャリア移動度を１．２ｃｍ2／Ｖｓ、ＥＭＩTＦＳＩを用いた場合、キャリア移動度を0.4ｃｍ2／Ｖｓとすることができる。
【００３０】
本発明の効果のひとつである十分に高い電流増幅率は、高いキャリア移動度によってもたらされる。キャリア移動度は、図２の特性曲線の傾きを静電容量で割った値に対応する。したがって、図２および図４からＥＭＩＴＦＳＩとＥＭＩＦＳＩを比較すると、ＥＭＩＦＳＩのキャリア移動度がＥＭＩTＦＳＩのキャリア移動度より高いことがわかる。
【００３１】
また、イオン液体の粘性を低くすることで、固体・液体界面の密着性が向上し、高いキャリア移動度を実現することができる。一方、イオン液体の粘性は図５に示すように温度を上昇させることで低くすることができる。したがって、イオン液体の温度を上昇させることで高いキャリア移動度を実現することができる。即ち、電流増幅率が十分に高い。
【００３２】
図６は、イオン液体の温度を上昇させたときのゲート電圧ＶGに対するドレイン電流ＩDSの変化を示す図である。ここでは、イオン液体としてＥＭＩＦＳＩを用いた場合を示している。また、ソース−ドレイン間の電圧VDSは−０．０１Ｖである。同図に示すように、イオン液体の温度上昇によって、ドレイン電流ＩSDが増加することがわかる。即ち、電流増幅率が十分に高い。
【００３３】
図７は、キャリア移動度の温度依存性を示す図である。ここでは、イオン液体としてＥＭＩＦＳＩを用いた場合を示している。同図に示すように、イオン液体の温度上昇によって、キャリア移動度が高くなることがわかる。例えば、２５℃の場合と４０℃の場合を比較すると、キャリア移動度を約２倍となることがわかる。なお、イオン液体は高温でも安定で、極めて蒸発しにくく、約３００℃までは安定な状態を保つことができる。
【００３４】
上述してきたように、本実施例では、電界効果トランジスタのゲート絶縁層としてイオン液体を主要成分としてもちいることとしたので、イオン液体が高い静電容量を有する性質を利用して、電界効果トランジスタを低電圧で動作させることができる。また、イオン液体を主要成分としてもちいることで、イオン液体電解質が有する高いイオン伝導度を利用し、電界効果トランジスタの周波数応答性能を高くすることができる。また、イオン液体を主要成分としてもちいることで、液体と半導体材料表面の界面の接触を良くすることができ、電界効果トランジスタのキャリア移動度を高くすることができる。即ち、電流増幅率が十分に高い。
【００３５】
また、イオン液体の温度を上昇させることで粘性を低くすることができ、電界効果トランジスタのキャリア移動度を高くすることができる。したがって、高温環境で動作する電界効果トランジスタのキャリア移動度を高くすることができる。即ち、電流増幅率が十分に高い。
【００３６】
なお、本実施例では、電界効果トランジスタのゲート絶縁層として、イオン液体を用いる場合について説明したが、イオン液体には、その液状を損ねない範囲で、性能（低い駆動電圧、十分に高い電流増幅率、高い応答性）を高める添加剤を添加又は溶解する場合にも、同様の特徴を備える電界効果トランジスタを実現することができる。
【００３７】
また、本実施例では、半導体層に有機ルブレン単結晶を用いた場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、オキシクロライドなど無機酸化物材料を用いる場合にも同様に適用することができる。また、ドレイン電極とソース電極に金電極以外の電極を用いる場合にも同様に適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
以上のように、本発明に係る電界効果トランジスタは、低電圧で動作すると伴に高い周波数応答性能と高いキャリア移動度（低い駆動電圧、十分に高い電流増幅率）を必要とする場合に有用であり、特に、高温で動作する場合に適している。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本実施例に係るデユアルゲートトランジスタの構造を示す図である。
【図２】ゲート電圧ＶGに対するドレイン電流ＩDSの変化を示す図である。
【図３】ＥＭＩＴＦＳＩおよびＥＭＩＦＳＩの構造を示す図である。
【図４】イオン液体の静電容量の周波数応答性を示す図である。
【図５】イオン液体の粘性の温度依存性を示す図である。
【図６】イオン液体の温度を上昇させたときの伝達特性の変化を示す図である。
【図７】キャリア移動度の温度依存性を示す図である。
【符号の説明】
【００４０】
１    下側ゲート電極
２    下側ゲート絶縁層
３    有機ルブレン単結晶
４    ドレイン電極
５    ソース電極
６    上側ゲート絶縁層
７    上側ゲート電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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