(57)【要約】【課題】気相成長装置の反応炉内部のサセプタ上においてシリコンウェーハが滑ることを防止し、それによりウェーハの周縁部がサセプタの表面に接触することを防止してそのウェーハの割れを回避する。【解決手段】製造方法は、シリコンウェーハ１０を収容可能な凹部２１が形成されたサセプタ２０が収容された反応炉にシリコン原料含有ガスを供給して凹部の内表面に平均厚さが０．０５μｍ以上１μｍ以下のシリコン膜２２を形成するシリコン膜形成工程と、その凹部２１の内周面に周縁部１１の一部が接触しないようにシリコンウェーハ１０を収容するウェーハ収容工程と、反応炉にシリコン原料含有ガスを供給してシリコンウェーハ１０の主面にエピタキシャル層１２を形成させるエピタキシャル成長工程とを含む。凹部２１内表面に付着したシリコン堆積物を除去する堆積物除去工程をシリコン膜形成工程の前に設けることが好ましい。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウェーハ(10)を収容可能な凹部(21)が形成されたサセプタ(20)が収容された気相成長装置の反応炉にシリコン原料含有ガスを供給して前記凹部(21)の内表面に平均厚さが０．０５μｍ以上１μｍ以下のシリコン膜(22)を形成するシリコン膜形成工程と、
表面にシリコン膜(22)が形成された前記サセプタ(20)の凹部(21)に前記凹部(21)の内周面に周縁部(11)の一部が接触しないようにシリコンウェーハ(10)を収容するウェーハ収容工程と、
前記反応炉にシリコン原料含有ガスを供給して前記シリコンウェーハ(10)の主面にエピタキシャル層(12)を形成させるエピタキシャル成長工程と
を含むエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項２】
気相成長装置の反応炉にエッチングガスを供給して前記反応炉内部に設けられたサセプタ(20)の凹部(21)内表面に付着したシリコン堆積物を除去する堆積物除去工程がシリコン膜形成工程の前に設けられた請求項１記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【請求項３】
サセプタ(20)の凹部(21)内表面に形成するシリコン膜(22)の成長速度が１μｍ／分以下であって、かつその成長時間が１分以下である請求項１又は２記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相成長装置のサセプタに載せられたシリコンウェーハを回転しながらその主面にエピタキシャル層を形成させるエピタキシャルウェーハの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコンウェーハの主面にエピタキシャル層を形成するためには、一般に加熱方法やサセプタの形状の違いにより各種構造の気相成長装置が使用されている。そして、エピタキシャル層に要求される品質や、コストが年々厳しくなりつつある最近では、枚葉型や横型の気相成長装置が注目されている。一般に、この横型式の気相成長装置は、石英製の通路状のチャンバーからなり、黒鉛の母材にＳｉＣをコートした円盤状のサセプタにシリコンウェーハを載せ、ランプや高周波により加熱し、端部に設けられたノズル部より各種原料ガスをチャンバー内に導入する構造となっている。この気相成長装置では、円盤状のサセプタにシリコンウェーハを１枚ないしは複数枚載せて回転させながらシリコンウェーハの主面にエピタキシャル層を形成するようになっている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００１−３５８００号公報（明細書［００３４］、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、このような気相成長装置を用いてサセプタに載せられたシリコンウェーハの主面にエピタキシャル層を成長させるには、図５に示すように、ウェーハ１をサセプタ２に載せ、その状態で加熱するとともにサセプタ２を回転させている。このときに、比較的平坦度の高いウェーハ１をサセプタ２に載せると、そのウェーハ周縁部の全てがサセプタ２の表面に接触してシリコンウェーハ１の裏面とサセプタ２との間に密閉空間が形成される。その空間に溜まった空気は加熱により膨張してシリコンウェーハ１をサセプタ２から浮かせる。ウェーハ１が浮いた状態でサセプタ２が回転すると、ウェーハ１がサセプタ２上において滑って移動してしまうようなことがあった。
【０００４】
ここで、サセプタ２にはウェーハ１の位置決めとその移動を防止するための凹部３を形成し、その凹部３の中央部分にウェーハ１を載せるようにしているけれども、その凹部３の内部でウェーハ１が移動するとその周縁部の一部がサセプタ２の表面を構成する凹部３の内周面に接触してしまうことになる。そして、ウェーハ１の周縁部が凹部３の内周面に接触したままエピタキシャル成長を行うと、ウェーハ１の表面と凹部３の内周面との間にエピタキシャル層が成長し、成長したエピタキシャル層がそれらを連結してしまい、その後ウェーハ１をサセプタ２から取り外すときに、そのウェーハ１が割れてしまうような不具合もある。
【０００５】
本発明の目的は、気相成長装置の反応炉内部のサセプタ上においてシリコンウェーハが滑ることを防止し、それによりウェーハの周縁部がサセプタの表面に接触することを防止してそのウェーハの割れを回避し得るエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に係る発明は、図３に示すように、シリコンウェーハ１０を収容可能な凹部２１が形成されたサセプタ２０が収容された気相成長装置の反応炉にシリコン原料含有ガスを供給して凹部２１の内表面に平均厚さが０．０５μｍ以上１μｍ以下のシリコン膜２２を形成するシリコン膜形成工程と、図２に示すように、表面にシリコン膜２２が形成されたサセプタ２０の凹部２１に凹部２１の内周面に周縁部１１の一部が接触しないようにシリコンウェーハ１０を収容するウェーハ収容工程と、図１に示すように、反応炉にシリコン原料含有ガスを供給してシリコンウェーハ１０の主面にエピタキシャル層１２を形成させるエピタキシャル成長工程とを含むエピタキシャルウェーハの製造方法である。
【０００７】
この請求項１に記載されたエピタキシャルウェーハの製造方法では、凹部２１の内表面に形成されたシリコン膜２２によりサセプタ２０の表面とシリコンウェーハ１０との間に隙間を少なくとも円周方向の一部分を外部に連通させてその間に密閉空間が形成されることを防止し、その間の隙間のエアが膨張することによるウェーハ１０の浮きを回避することができる。この結果、ウェーハ１０が浮くことに起因するサセプタ２０上におけるウェーハ１０の滑りは防止され、これによりウェーハ１０の周縁部１１がサセプタ２０の表面に接触することに起因するウェーハ１０の割れ等を抑制することができる。
【０００８】
請求項２に係る発明は、請求項１に係る発明であって、図４に示すように、気相成長装置の反応炉にエッチングガスを供給して反応炉内部に設けられたサセプタ２０の凹部２１内表面に付着したシリコン堆積物を除去する堆積物除去工程がシリコン膜形成工程の前に設けられたことを特徴とする。
この請求項２に記載されたエピタキシャルウェーハの製造方法では、このような堆積物除去工程の後に上記シリコン膜形成工程を行うことにより、シリコン堆積物が除去された凹部２１の内表面に、シリコンが粒塊状に付けられて所望の平均厚さを有するシリコン膜２２をその凹部２１の内表面に形成することが可能となる。
【０００９】
請求項３に係る発明は、サセプタ２０の凹部２１内表面に形成するシリコン膜２２の成長速度が１μｍ／分以下であって、かつその成長時間が１分以下であることを特徴とする。
この請求項３に記載されたエピタキシャルウェーハの製造方法では、所望の平均厚さを有するシリコン膜２２をその凹部２１の内表面に比較的容易かつ確実に形成することが可能となる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法では、シリコン膜をサセプタの凹部の内表面に少なくとも一部分に付けたので、そのシリコン膜によりサセプタの表面とシリコンウェーハとの間に隙間を外部に連通させて、その間の隙間のエアが膨張することによるウェーハの浮きを防止することができる。このため、気相成長装置のサセプタに載せた状態でサセプタが回転するときウェーハが移動してその周縁部の一部がそのウェーハを収容する凹部の内周面に接触しないようにすることができる。よって、ウェーハが浮くことに起因するサセプタ上におけるウェーハの滑りは防止され、これによりウェーハの周縁部がサセプタの表面に接触することに起因するウェーハの割れ等を抑制することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
次に本発明を実施するための最良の形態を図面に基づいて説明する。
本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法では、気相成長装置が用いられる。この気相成長装置は、反応炉と、この反応炉内部に設けられたサセプタを備える。反応炉は石英製のチャンバであり、サセプタは黒鉛の母材にＳｉＣをコートした円盤状を成す。そして、図１に示すように、このサセプタ２０にはウェーハ１０の位置決めとその移動を防止するための凹部２１が上面に形成される。凹部２１の外径は載せるウェーハ１０の外径より大きく形成され、シリコンウェーハ１０をこの凹部２１の中央部分に載せた場合に、凹部２１の内周面とウェーハ１０の周縁部１１との間の円周方向の全周において所定の隙間があるように構成される。そして、このサセプタ２０はその凹部２１にシリコンウェーハ１０を収容した状態で反応炉内部において回転可能に設けられる。
【００１２】
本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法では、図３に示すように、サセプタ２０の凹部２１にシリコンウェーハ１０を収容する以前に、そのサセプタ２０が収容された反応炉にシリコン原料含有ガスを供給して、サセプタ２０の凹部２１の内表面に平均厚さが０．０５μｍ以上１μｍ以下のシリコン膜２２を形成するシリコン膜形成工程を含む。サセプタ２０の凹部２１の内表面にシリコン膜２２を形成するのは、その凹部２１の内表面にシリコンを粒塊状に付けて凹部２１の内表面に凹凸を生じさせるためである。即ち、この凹凸により粗さが生じた凹部２１の内表面と、後工程においてその凹部２１に収容されるシリコンウェーハ１０との間の隙間を外部に連通させて、その間に密閉空間が形成されることを防止するためである。
【００１３】
そして、シリコン膜２２形成工程において形成されるシリコン膜２２の平均厚さは０．０５μｍ以上１μｍ以下であることを要件とする。これを要件とするのは、後のエピタキシャル成長工程においてそのシリコン膜２２が蒸発してシリコンウェーハ１０の裏面に転写することを防止するためである。ここで、このような平均厚さを有するシリコン膜２２の形成にあっては、温度範囲が８００℃〜１０００℃、好ましくは９００℃〜１０００℃の比較的低温であって、サセプタ２０の凹部２１内表面に形成するシリコン膜２２の成長速度が１μｍ／分以下であり、かつその成長時間が１分以下であることにより実現可能である。そして、このシリコン膜２２の更に好ましい平均厚さは０．０５μｍ以上０．４μｍ以下である。また、サセプタ２０の凹部の全面に均一に凹凸を生じさせる必要はなく、ウェーハが滑らない程度の隙間が部分的にできる凹凸を生じさせる最薄のシリコン膜厚さでも良い。
【００１４】
なお、サセプタ２０が既に使用され、その前回の使用時におけるシリコン等の堆積物が残存している場合には、堆積物除去工程を上記シリコン膜形成工程の前に設けることが好ましい。この堆積物除去工程においては、図４に示すように、気相成長装置の反応炉にエッチングガスを供給してその反応炉内部に設けられたサセプタ２０の凹部２１内表面に付着したシリコン堆積物を除去するものであり、エッチングガスとしては塩素系ガスが挙げられる。そして、このような堆積物除去工程の後に上記シリコン膜形成工程を行うことにより、図４に示すようにシリコン堆積物が除去された凹部２１の内表面に、シリコンが粒塊状に付けられて所望の平均厚さを有する図３に示すようなシリコン膜２２をその凹部２１の内表面に形成することが可能となる。
【００１５】
また、本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法では、このシリコン膜形成工程の後にウェーハ収容工程が設けられる。図２に示すように、このウェーハ収納工程は、表面にシリコン膜２２が形成されたサセプタ２０の凹部２１にシリコンウェーハ１０を収容するものであり、このシリコンウェーハ１０はシリコンインゴットを例えばいわゆる内歯形のＩＤソーはワイヤソー等によりスライスすることにより作られるものである。そして、このシリコンウェーハ１０の収容に関しては、サセプタ２０に形成された凹部２１の内周面にシリコンウェーハ１０の周縁部１１の一部が接触しないように収容することを要件とする。このような要件を設けることは、後のエピタキシャル成長工程において、ウェーハ１０の表面と凹部２１の内周面との間にエピタキシャル層が成長してしまうような事態を回避するためである。ここで、ウェーハ１０の状況は、ウェーハ１０を凹部２１収容した状態で、凹部２１の外周部とウェーハ１０の周縁部１１との間の隙間が少なくとも０．５〜２ｍｍであって、そのような隙間が全周囲に発生していることが好ましい。
【００１６】
そして、本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法では、このウェーハ収容工程の後にエピタキシャル成長工程が設けられる。このエピタキシャル成長工程では、凹部２１にシリコンウェーハ１０を収容した状態でサセプタ２０を反応炉内部において回転させる。それとともに、サセプタ２０を高周波等により加熱し、図１に示すように、その反応炉にシリコン原料含有ガスを供給してサセプタ２０の凹部２１に収容されたシリコンウェーハ１０の主面にエピタキシャル層１２を形成させる。このエピタキシャル層１２の形成における温度や原料含有ガスの流量等は従来から行われている条件及び手順と同一であるので、その詳細な記載は省略する。
【００１７】
このような本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法では、エピタキシャル層形成工程におけるウェーハ１０の移動を防止することができる。即ち、エピタキシャル層形成工程においてサセプタ２０の凹部２１に収容されたウェーハ１０がサセプタ２０の回転中に移動するのは、シリコンウェーハ１０の裏面とサセプタ２０との間に溜まった空気が加熱により膨張して、シリコンウェーハ１０をサセプタ２０から浮かせてしまうことが原因と考えられている。これに対して本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法では、シリコン膜２２形成工程においてサセプタ２０の凹部２１の内表面にシリコン膜２２を形成し、粗さが生じた凹部２１の内表面とその凹部２１に収容されるシリコンウェーハ１０との間に隙間を外部に連通させて、その間に密閉空間が形成されることを防止する。このため、エピタキシャル層１２形成工程においてサセプタ２０が加熱されても、そのウェーハ１０がサセプタ２０から浮くようなことはなく、そのウェーハ１０が浮くことに起因する滑りを抑制することができる。
【００１８】
そして、本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法では、気相成長装置のサセプタ２０の凹部２１にシリコンウェーハ１０を載せて回転しながらそのシリコンウェーハ１０の主面にエピタキシャル層１２を形成させるけれども、サセプタ２０の凹部２１にシリコンウェーハ１０を収容するウェーハ１０収容工程において、サセプタ２０に形成された凹部２１の内周面にシリコンウェーハ１０の周縁部１１の一部が接触しないようにシリコンウェーハ１０を凹部２１に収容する。このため、エピタキシャル層１２形成工程においてサセプタ２０を回転させても、シリコンウェーハ１０の周縁部１１の一部がサセプタ２０の凹部２１周囲に接触するようなことはない。
【００１９】
このようにシリコンウェーハ１０の周縁部１１の一部がサセプタ２０の表面に接触しないと、シリコンウェーハ１０の裏面とサセプタ２０との間に溜まった空気が、シリコンウェーハ１０のエッジとサセプタ２０の外周部底面との隙間から抜けやすくなり、シリコンウェーハ１０の裏面とサセプタ２０との間に溜まった空気が加熱により膨張して、シリコンウェーハ１０をサセプタ２０から浮かせてしまうことはない。従って、シリコンウェーハ１０がサセプタ２０から浮くことに起因するウェーハ１０の滑りは効果的に抑制され、サセプタ２０凹部２１の内周面とウェーハ１０エッジとが接触するような事態を有効に回避することができる。
【００２０】
そして、本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法では、シリコンウェーハ１０の一端が凹部２１の内周面に接触することを回避できるので、エピタキシャル成長を行ってもスリップが発生しないので、スリップの発生に起因するエピタキシャルウェーハ１０の歩留を低下させるようなことを回避することができる。また、エピタキシャル成長中におけるシリコンウェーハ１０の温度分布も均一になり、エピタキシャル層の比抵抗分布を均一化させることができる。更に、エピタキシャル成長工程において、ウェーハ１０の表面と凹部２１の内周面との間にエピタキシャル層１２が成長してしまうような事態を回避することができる。このため、ウェーハ１０の表面とサセプタ２０の内周面とがエピタキシャル層１２において連結されるようなこともなく、そのウェーハ１０をサセプタ２０から取り外すときにそのウェーハ１０が割れてしまうような事態を有効に回避することができる。
【実施例】
【００２１】
＜実施例１＞
外径が６インチで厚さが６００μｍであるシリコンウェーハ１０を８枚と、直径が１５３ｍｍであって深さが０．７ｍｍの凹部２１が形成されサセプタ２０を有する気相成長装置を準備した。そして、サセプタ２０の凹部２１にシリコンウェーハ１０を収容することなく、そのサセプタ２０を８ｒｐｍの速度で回転させ、高周波により９５０℃にサセプタ２０を加熱した後、ＳｉＨＣ１3をシリコンソースとして反応炉内部に供給し、その凹部２１の内表面にシリコン膜２２を形成した。その成長速度は０．８μｍ／分であり、かつその成長時間は４５秒である、これにより凹部２１の内表面に平均厚さが０．６μｍのシリコン膜２２を形成した。
【００２２】
次に、このようなシリコン膜２２が形成された、サセプタ２０の凹部２１にシリコンウェーハ１０を凹部２１の内周面に周縁部１１の一部が接触しないように収容した。その状態でそのサセプタ２０を８ｒｐｍの速度で回転させ、高周波で反応温度である１１５０℃に加熱した後、ＳｉＨＣ１3をシリコンソースとして、そのシリコンウェーハ１０の主面に厚さ約１００μｍのエピタキシャル層１２をそれぞれ成長させた。
【００２３】
＜実施例２＞
サセプタ２０に形成された凹部２１の内表面に平均厚さが１μｍのシリコン膜２２を形成させたことを除いて、実施例１と同一の条件及び手順により、シリコンウェーハ１０の主面に厚さ約１００μｍのエピタキシャル層１２をそれぞれ成長させた。ここで、凹部２１の内表面のシリコン膜２２の成長速度は１μｍ／分であり、かつその成長時間は１分である。
【００２４】
＜実施例３＞
サセプタ２０に形成された凹部２１の内表面に平均厚さが０．０５μｍのシリコン膜２２を形成させたことを除いて、実施例１と同一の条件及び手順により、シリコンウェーハ１０の主面に厚さ約１００μｍのエピタキシャル層１２をそれぞれ成長させた。ここで、凹部２１の内表面のシリコン膜２２の成長速度は０．１μｍ／分であり、かつその成長時間は３０秒である。
【００２５】
＜比較例１＞
サセプタ２０に形成された凹部２１の内表面にシリコン膜２２を形成させることなく、その凹部２１にシリコンウェーハ１０を収容したことを除いて、実施例１と同一の条件及び手順により、シリコンウェーハ１０の主面に厚さ約１００μｍのエピタキシャル層１２をそれぞれ成長させた。
【００２６】
＜比較例２＞
サセプタ２０に形成された凹部２１の内表面に平均厚さが２μｍのシリコン膜２２を形成させたことを除いて、実施例１と同一の条件及び手順により、シリコンウェーハ１０の主面に厚さ約１００μｍのエピタキシャル層１２をそれぞれ成長させた。ここで、凹部２１の内表面のシリコン膜２２の成長速度は１μｍ／分であり、かつその成長時間は２分である。
【００２７】
＜比較例３＞
サセプタ２０に形成された凹部２１の内表面に平均厚さが３μｍのシリコン膜２２を形成させたことを除いて、実施例１と同一の条件及び手順により、シリコンウェーハ１０の主面に厚さ約１００μｍのエピタキシャル層１２をそれぞれ成長させた。ここで、凹部２１の内表面のシリコン膜２２の成長速度は１μｍ／分であり、かつその成長時間は３分である。
【００２８】
＜比較例４＞
サセプタ２０に形成された凹部２１の内表面に平均厚さが４μｍのシリコン膜２２を形成させたことを除いて、実施例１と同一の条件及び手順により、シリコンウェーハ１０の主面に厚さ約１００μｍのエピタキシャル層１２をそれぞれ成長させた。ここで、凹部２１の内表面のシリコン膜２２の成長速度は１μｍ／分であり、かつその成長時間は４分である。
【００２９】
＜比較例５＞
サセプタ２０に形成された凹部２１の内表面に平均厚さが５μｍのシリコン膜２２を形成させたことを除いて、実施例１と同一の条件及び手順により、シリコンウェーハ１０の主面に厚さ約１００μｍのエピタキシャル層１２をそれぞれ成長させた。ここで、凹部２１の内表面のシリコン膜２２の成長速度は１μｍ／分であり、かつその成長時間は５分である。
【００３０】
＜評価試験及び評価＞
それぞれの実施例及び比較例において、シリコンウェーハ１０にエピタキシャル層１２を成長させた後、凹部２１に載せられたウェーハ１０滑りの有無を目視において確認するとともに、エピタキシャル層１２が形成されたウェーハ１０をサセプタ２０から実際に取り出して拡大鏡において割れの有無をそれぞれ確認した。そして、取り出されたウェーハ１０裏面におけるシリコンの転写の有無を接触式形状測定器によりそれぞれ求めた。この割れの発生確率を（割れ発生数／成長枚数）により求め、シリコンの転写の発生率を（転写発生数／成長枚数）によりそれぞれ求めた。これらの結果を凹部２１内表面に形成されたシリコン膜２２の厚さとともに表１に示す。
【００３１】
【表１】
2010027880.tif 000003
表１から明らかなように、凹部２１の内表面にシリコン膜２２を形成しない比較例１では、シリコンウェーハ１０が凹部２１の中で滑っているのが確認されているけれども、凹部２１の内表面にシリコン膜２２を形成したその他の比較例及び実施例ではウェーハ１０の滑りは確認されていない。これは、比較例１以外では、凹部２１の内表面に形成したシリコン膜２２がサセプタ２０を回転させる際のシリコンウェーハ１０の移動を防止したことによるものと考えられる。
【００３２】
そして、ウェーハ１０の移動が確認された比較例１のみにおいてウェーハ１０の割れが確認されている。これは、ウェーハ１０１が移動してその周縁部の一部が凹部２１の内周面に接触し、それらの間に成長したエピタキシャル層１２がそれらを連結してしまい、ウェーハ１０をサセプタ２０から取り外すときに、そのウェーハ１０が割れてしまったものと考えられる。
【００３３】
一方、凹部２１の内表面に形成したシリコン膜２２の平均厚さが１μｍを越える比較例２〜５においてウェーハ１０裏面におけるシリコンの転写が認められた。これは、ウェーハ１０を収容する凹部２１の内表面に形成するシリコン膜２２の厚さが厚いことに起因するものと考えられ、シリコン膜２２の厚さが厚いほど転写量が増大しており、そのシリコン膜２２の平均厚さが１μｍ以下の実施例及びこのシリコン膜２２を形成しない比較例１ではその転写が認められないことからも判ることである。
【００３４】
よって、凹部２１の内表面に平均厚さが０．０５μｍ以上１μｍ以下のシリコン膜２２を形成する本発明のエピタキシャルウェーハの製造方法では、シリコンの転写を防止しつつその割れを回避し得ることが判る。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明実施形態のウェーハにエピタキシャル層が形成された状態を示す断面図である。
【図２】そのウェーハがサセプタに載せられた状態を示す断面図である。
【図３】そのウェーハが載せられる以前の凹部にシリコン膜が形成されたサセプタを示す断面図である。
【図４】そのシリコン膜が形成される以前のサセプタを示す断面図である。
【図５】従来のウェーハをサセプタに載せた状態を示す図２に対応する断面図である。
【符号の説明】
【００３６】
１０  シリコンウェーハ
１１  周縁部
１２  エピタキシャル層
２０  サセプタ
２１  凹部
２２  シリコン膜
【図１】
2010027880.tif 000004
【図２】
2010027880.tif 000005
【図３】
2010027880.tif 000006
【図４】
2010027880.tif 000007
【図５】
2010027880.tif 000008