(57)【要約】【課題】  結晶性に優れ、パターン化されたＢｉＴｅ系薄膜、その作製方法、および赤外線センサを提供する。【解決手段】  本発明のＢｉＴｅ系薄膜は、基板と、基板上に位置するＢｉＴｅ系薄膜とを備える。そのＢｉＴｅ系薄膜は、パターニングされており、かつ、Ｘ線回折における（００１）面のピーク値と（０１５）面のピーク値との比であるｃ軸配向度が、１．０以上であることを特徴とする。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に位置し、Ｂｉ，Ｔｅ，ＳｂおよびＳｅのうち少なくとも２種類の元素から構成されるＢｉＴｅ系薄膜とを備え、
前記ＢｉＴｅ系薄膜は、パターニングされており、かつ、Ｘ線回折における（００１）面のピーク値と（０１５）面のピーク値との比であるｃ軸配向度が、１．０以上であることを特徴とする、ＢｉＴｅ系薄膜。
【請求項２】
基板上に、Ｂｉ，Ｔｅ，ＳｂおよびＳｅのうち少なくとも２種類の元素から構成されるＢｉＴｅ系薄膜を形成する方法であって、
前記基板の温度２００℃以下で、該基板に前記ＢｉＴｅ系薄膜を成膜する工程と、
前記ＢｉＴｅ系薄膜の成膜工程の後、前記基板の側からのみ該ＢｉＴｅ系薄膜を加熱することを特徴とする、ＢｉＴｅ系薄膜の作製方法。
【請求項３】
前記ＢｉＴｅ系薄膜を加熱する工程では、真空引きしながら該ＢｉＴｅ系薄膜に非酸化性気体を吹き付けることを特徴とする、請求項２に記載のＢｉＴｅ系薄膜の作製方法。
【請求項４】
前記ＢｉＴｅ系薄膜を成膜する前に、前記基板にレジストパターンを形成する工程を備え、前記ＢｉＴｅ系薄膜の形成工程では、前記レジストパターン上に該ＢｉＴｅ系薄膜を成膜し、次いで、前記レジストパターンを除去し、そのあと、前記加熱を行うことを特徴とする、請求項２または３に記載のＢｉＴｅ系薄膜の作製方法。
【請求項５】
請求項１に記載のＢｉＴｅ系薄膜、または請求項２〜４のいずれか１項の作製方法で形成されたＢｉＴｅ系薄膜を用いたことを特徴とする、赤外線センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＢｉＴｅ系薄膜、その作製方法、および赤外線センサに関し、より具体的には、熱電性能に優れたＢｉＴｅ系薄膜、その作製方法、および赤外線センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
赤外線センサは、量子型と熱型とに大別される。このうち量子型は感度および応答速度で優れる反面、非常に高価であり、かつ即時性に劣るなど応用分野が限定される。一方、熱型は、ボロメータ型、焦電型およびサーモパイル型に分類され、感度および応答速度に難はあるものの、安価なので、近年、著しく開発が進展している。とくに自動車に積載する安価な民生用赤外線センサとしては、検出感度以外のすべての点で優れているサーモパイル型の実用化が、本格化しようとしている。このサーモパイル型赤外線センサは、赤外線を吸収し、熱に変換し、この熱エネルギーを熱電材料によって熱起電力として検出する。熱電材料による熱エネルギーから熱起電力への変換は、ゼーベック効果として知られている。熱電材料としては、熱電特性の高いＢｉＴｅに注目が集まっている。
【０００３】
ＢｉＴｅは、通常、薄膜状態で用いる。良好な結晶性の薄膜を得るために、たとえば、常温で成膜した後、３００℃程度に雰囲気を加熱する方法が開示されている（特許文献１）。また、基板温度を加熱した状態で成膜することで、配向性に優れた薄膜を得る方法も提案されている（非特許文献１）。
【特許文献１】ＵＳＰ  Ｎｏ．６０４６３９８
【非特許文献１】小原春彦、山本淳、上野和夫，「パルスレーザー蒸着法によるBi-Te系薄膜の作製と評価」，第3回日本熱電学会学術講演会論文集，2006年8月，p.66-67
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の方法において、常温で成膜した後で、雰囲気加熱によって結晶性を向上する方法では、結晶性の向上は不十分であり、熱電特性も対応して良好なものといえない。また、上記の方法では、薄膜ではなく薄膜がパターニングされた、ＢｉＴｅ系パターンを得る場合、つぎの問題がある。
（１）ＢｉＴｅ系薄膜のパターンを得るには、リフトオフ法による。他の方法では実用上、不可能である。すなわち、ドライエッチングによるＢｉＴｅ系パターン形成は、Ｂｉの存在により化学反応による燃焼→気化→消散が不可能である。ドライエッチングに用いられるフッ素や塩素とＢｉとの化合物は固相がほとんどであり、このため、実用上、ドライエッチングできない。また、イオンボンバードメント等によるＢｉＴｅ系薄膜のパターニングによるパターン形成では、精度が不十分である。とくにＢｉＴｅ系薄膜除去の停止タイミングを、ＢｉＴｅ系薄膜の除去の瞬間に合わせることが難しい。したがって、現状、ＢｉＴｅ系パターンの形成は、もっぱらリフトオフ法によることになる。
（２）リフトオフ法では、基板上にレジスト膜を堆積した後、ＢｉＴｅ系パターン部分を基板表面まで抜いて（除去して）、レジストパターンを形成する。ＢｉＴｅ系パターンが形成される場所は、基板が露出した溝として形成されている。次いで、ＢｉＴｅ系薄膜を形成する。ＢｉＴｅ系薄膜は、上記の溝の部分の基板表面上と、レジスト表面上とに、形成される。この状態で、レジストを除去すると、レジスト表面上のＢｉＴｅ系薄膜も合わせて除去される。この結果、溝の基板表面上のＢｉＴｅ系パターンのみが残る。
（３）上記のリフトオフ工程では、（ｉ）基板上へのレジストパターン形成、および（ｉｉ）レジストパターン上へのＢｉＴｅ系薄膜の形成、の工程が必須である。上記工程（ｉｉ）のＢｉＴｅ系薄膜の形成の際に、基板を、所定温度（レジストの耐熱温度）を超えて加熱することはできない。このため、上記の方法のうち、基板を加熱した状態で、ＢｉＴｅ系薄膜を形成する方法は、配線を形成するときは採用できない。
【０００５】
優れた熱電特性を持ち、パターン化されたＢｉＴｅ系薄膜への要求は高まっている。本発明は、結晶性に優れ、パターン化されたＢｉＴｅ系薄膜、その作製方法、および赤外線センサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のＢｉＴｅ系薄膜は、基板と、基板上に位置し、Ｂｉ，Ｔｅ，ＳｂおよびＳｅのうち少なくとも２種類の元素から構成されるＢｉＴｅ系薄膜とを備える。そのＢｉＴｅ系薄膜は、パターニングされており、かつ、Ｘ線回折における（００１）面（「ｃ面」と記す）のピーク値と（０１５）面のピーク値との比であるｃ軸配向度が、１．０以上であることを特徴とする。
【０００７】
上記の構成によれば、ｃ軸配向しているため熱電特性に優れている。そして、パターニングされているため金属との接点を形成して、サーモパイル型赤外センサ等のデバイスの作製が可能になる。ここで、ｃ軸配向とは、ｃ面（すなわち（００１）面が薄膜面に平行するように集積することをいい、その度合いを示すｃ軸配向度は、本発明においては、上記のように、ピーク値の比で表す。ｃ軸配向度は、最低限１．０は必要であるが、上限はとくに設けない。薄膜の結晶方位の集積という自然現象から、ｃ軸配向度は、数十を超えることはなく、上限は自ずと限定される。
【０００８】
本発明のＢｉＴｅ系薄膜の作製方法は、基板上に、Ｂｉ，Ｔｅ，ＳｂおよびＳｅのうち少なくとも２種類の元素から構成されるＢｉＴｅ系薄膜を作製する方法である。この方法は、基板の温度２００℃以下で、該基板にＢｉＴｅ系薄膜を成膜する工程と、ＢｉＴｅ系薄膜の成膜工程の後、基板の側からのみ該ＢｉＴｅ系薄膜を加熱することを特徴とする。
【０００９】
上記の方法によれば、ｃ軸配向したＢｉＴｅ系薄膜を、低い成膜時基板温度で得ることができる。このため、耐熱性に限界があるのが普通のレジストパターンをもつ基板上に成膜することができる。すなわち成膜時に、基板上にレジストパターンがあってもよい。このため、成膜後にレジストパターンをリフトオフすることにより、パターニングされたＢｉＴｅ系薄膜を容易に得ることができる。
成膜時基板温度は、５０℃以下でもよいし、さらに常温であってもよい。このように成膜時基板温度が低くなれば、レジスト膜の耐熱性はそれほど問題にならず、使用可能なレジスト膜の種類を広げることが可能になる。
【００１０】
上記のＢｉＴｅ系薄膜を加熱する工程では、真空引きしながら該ＢｉＴｅ系薄膜に非酸化性気体を吹き付けることができる。これによって、高いｃ軸配向度を持ち、表面性状に優れたＢｉＴｅ系薄膜を得ることができる。
【００１１】
上記のＢｉＴｅ系薄膜を成膜する前に、基板にレジストパターンを形成する工程を備え、ＢｉＴｅ系薄膜の形成工程では、レジストパターン上に該ＢｉＴｅ系薄膜を成膜し、次いで、レジストパターンを除去し、そのあと、加熱を行うことができる。これによって、ＢｉＴｅ系薄膜を含むデバイスを作製することが可能になる。
【００１２】
本発明の赤外線センサは、上記のＢｉＴｅ系薄膜、または上記のいずれかの作製方法で形成されたＢｉＴｅ系薄膜を用いたことを特徴とする。これによって、ｃ軸配向度の高いＢｉＴｅ系薄膜を用いることで、高感度の赤外線センサを得ることができる。この赤外線センサは、全体を冷却する必要もなく、小型で簡単な構造であり、安価に作製可能である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、結晶性に優れ、パターン化されたＢｉＴｅ系薄膜を得ることができ、それによって、小型で簡単な構造の、安価な赤外線センサを得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
図１は、本発明の実施の形態におけるＢｉＴｅ系薄膜１０を示す図である。このＢｉＴｅ系薄膜１０は、基板１上に位置し、所定の結晶性を満たしながらパターニングされたＢｉＴｅ系薄膜３により構成されている。所定の結晶性は、ＢｉＴｅ系薄膜部３がｃ軸配向しており、そのｃ軸配向の程度を示すｃ軸配向度が所定レベル以上ある状態をさす。ｃ軸配向については、この後、詳しく説明する。基板１は、単結晶である必要はない。パターニングされたＢｉＴｅ系薄膜（ＢｉＴｅ系薄膜パターンをＢｉＴｅ系薄膜部と記す）３は、どのような形状であってもよく、またｐ型不純物を含むｐ型ＢｉＴｅ系薄膜部でもよいし、ｎ型不純物を含むｎ型ＢｉＴｅ系薄膜部でもよい。またｐ型ＢｉＴｅ系薄膜部と、ｎ型ＢｉＴｅ系薄膜部とが混在してもよい。後で説明するサーモパイル型赤外線センサでは、ｐ型ＢｉＴｅ系薄膜部とｎ型ＢｉＴｅ系薄膜部とが、所定の条件を満たしながら混在する形態をとる。
【００１５】
（１）反応性ドライエッチングによるＢｉＴｅ系薄膜部３の形成は、実用上、困難である。その理由は、Ｂｉが存在するため、化学反応による昇華によってＢｉＴｅ系薄膜をドライエッチングできないからである。反応性ドライエッチングには、エッチャントにフッ素ガスや塩素ガスを用いるが、フッ素や塩素とＢｉとの化合物はほとんど固相であり、気化して消散しない。
また、イオンエッチングによるＢｉＴｅ系薄膜部３の形成では、精度が不十分である。とくにイオンエッチングによって、ＢｉＴｅ系薄膜の底面に到達したとき、エッチング停止のタイミングが難しい。
上記（１）より、ＢｉＴｅ系薄膜部３の形成は、もっぱらリフトオフ法によることになる。
【００１６】
図２に、ＢｉＴｅ系薄膜部３をリフトオフ法によって作製する方法を示す。まず、図２（ａ）に示すように、レジストパターン２１を基板１上に形成する。基板は、赤外線センサーなどを目的とする場合は、たとえばシリコン基板上に赤外線の吸収性の高いシリコン窒化物層を成膜したものを用いるのがよい。レジストパターン２１の溝部分は、基板１の表面が露出した状態にするのがよい。次いで、図２（ｂ）に示すように、ＢｉＴｅ系薄膜３ａを成膜する。成膜方法は、ＰＬＤ（Pulsed  Laser  Deposition）法、ＥＢ（Electron  Beam）法、スパッタ法などを用いることができる。このＢｉＴｅ系薄膜３ａの成膜時の基板１の温度は、２００℃以下とするのがよく、常温であってもよい。ＢｉＴｅ系薄膜は、上記の溝の部分の基板１の表面上と、レジスト表面上とに、形成される。この状態で、レジストを除去すると、レジスト表面上のＢｉＴｅ系薄膜はレジストとともに除去される。この結果、図３（ｃ）に示すように、基板１の表面上の、溝の形状にパターン化されたＢｉＴｅ系薄膜部３ａが形成される。このままでは、ＢｉＴｅ系薄膜部３ａはアモルファスもしくは不完全結晶であり、ｃ軸配向はしていない。ｃ軸配向した結晶化したＢｉＴｅ系薄膜部を形成するために、基板１の側からのみＢｉＴｅ系薄膜３ａを加熱する。
【００１７】
図３は、基板１の側からのみ、図２（ｃ）の状態のＢｉＴｅ系薄膜３ａを加熱する状況を示す図である。真空引きされているチャンバ内において、基板ホルダー３５に収納されたヒータ３１によって、基板１を介してＢｉＴｅ系薄膜３ａは加熱される。ヒータ３１からの熱は、基板１の側からのみＢｉＴｅ系薄膜３ａに伝達される。このとき、基板１上のＢｉＴｅ系薄膜３ａに向けて配置されたノズル４１から、非酸化性気体を吹き付けるのがよい。ＢｉＴｅ系薄膜３ａは、図４に示すように、基板１の側からのみ加熱されて、アモルファス状態からの結晶化が、基板側の面から基板と反対側の表面に向けて進行する。すなわち一方向結晶化が基板側から進行する。一方向結晶化プロセスによって結晶化されたＢｉＴｅ系薄膜３は、基板１の種類、結晶性（単結晶、多結晶、配向度、集合組織など）によらず、ｃ軸配向度が高い。
【００１８】
図５は、本発明におけるｃ軸配向度の説明をするための図である。薄膜の結晶配向を測定するのに、一般に、Ｘ線回折法が用いられる。図５は、一方向結晶化プロセスによらず、ＢｉＴｅ系薄膜の周囲（基板側および雰囲気側）から加熱して結晶化したもののＸ線回折（ＸＲＤ：XRay  Diffraction）パターンを示す。このＸ線回折パターンの横軸は回折角を示すが、回折角は結晶の面方位に対応づけられる。たとえば回折角１７．５０４°はｃ面（（００１）面：ｃ軸に直交する面）に対応し、回折角２７．９５５°は（０１５）面に対応する。図５において、鋭いピークをもつパターンがＸ線回折パターンである。その下の小さな、離散的な棒グラフは、配向性がない（ランダム）と仮定した場合に、各回折角に対応する当該結晶面が基板面に平行になる頻度を示す。本発明のｃ軸配向度は、図５に示すように、Ｘ線回折パターンにおけるｃ面のピーク高さと（０１５）面のピーク高さとの比により定義される。図５の場合、容易に見て取れるように、ｃ軸配向度は１未満である。本発明のＢｉＴｅ系薄膜部３は、上記のように、一方向結晶化プロセスによるため、ｃ軸配向度は１．０以上である。
ｃ軸配向度が高いと、ゼーベック係数が高くなり、熱電特性を高くすることができる。この結果、赤外線センサにおいて温接点と冷接点との温度差が同じであっても、より大きな起電力を出力することができ、高感度の赤外線センサを得ることが可能になる。
【００１９】
上記のＢｉＴｅ系薄膜部３は、ｐ型不純物またはｎ型不純物を周知の方法によって導入されることができる。たとえば、図２（ｂ）のＢｉＴｅ系薄膜３ａの成膜の際に不純物を導入することができる。ｐ型ＢｉＴｅ系薄膜部およびｎ型ＢｉＴｅ系薄膜部を、共通する基板上に形成するには、相手の伝導型の領域にマスクを設けて、その伝導型のＢｉＴｅ系薄膜部を成膜することができる。このような、ｐ型ＢｉＴｅ系薄膜部３とｎ型ＢｉＴｅ系薄膜部３とを配置して、アルミニウムなどの金属５と接続部を形成することで、サーモパイル型の赤外線センサ５０を作製することができる。図６は、ｃ軸配向度が１．０以上のｐ型ＢｉＴｅ系薄膜部３とｎ型ＢｉＴｅ系薄膜部３を用いて、基板１上に作製した赤外線センサ５０を示す図である。
図６において、たとえば一番手前の１つのｎ型ＢｉＴｅ系薄膜部３に着目すると、一方の端は、Ｂ２領域においてアルミニウム５に接続され、他方の端は、Ａ領域においてアルミニウム５に接続されている。アルミニウム５とｎ型ＢｉＴｅ系薄膜部３との接続は、オーミック接触が満たされるようにする。Ａ領域は温接点領域であり、赤外線の熱を保持する被膜や空洞が設けられる。一方、Ｂ２領域（Ｂ１領域）はそのような熱を保持しないような構造とする。上記１つのｎ型ＢｉＴｅ系薄膜部は、温接点から冷接点に向けて、所定の起電力を生じる。
ｐ型ＢｉＴｅ系薄膜部３では、上記ｎ型ＢｉＴｅ系薄膜部３と、起電力の向きが逆になるので、冷接点から温接点に向けて、上記ｎ型ＢｉＴｅ系薄膜部３と同じ向きの起電力を生じる。このため、ｐ型ＢｉＴｅ系薄膜部の温接点と冷接点とを逆にして、ｎ型ＢｉＴｅ系薄膜部の温接点と冷接点に接続すると、起電力が加算され、感度を倍加することができる。
図６の一番手前における、ｐ型ＢｉＴｅ系薄膜部／ｎ型ＢｉＴｅ系薄膜部は、上述の逆向きの接続がなされている。すなわち、「金属／冷接点（Ｂ１領域）／ｐ型ＢｉＴｅ系薄膜部３／温接点（Ａ領域）／金属／温接点（Ａ領域）／ｎ型ＢｉＴｅ系薄膜部／冷接点（Ｂ２領域）」により、１つの伝導型のＢｉＴｅ系薄膜部３による起電力を倍加することができる。図６では、上記の単位センサが多数シリーズに接続されて、赤外線センサ５０が形成されている。
図６において、Ａ領域には温接点が配置される。Ａ領域において、たとえばアルミニウム５とｐ型ＢｉＴｅ系薄膜部３とはオーミック接触されており、またアルミニウム５とｎ型ＢｉＴｅ系薄膜部３とはオーミック接触されている。この２つの温接点は、Ａ領域の中に位置する。Ａ領域では、赤外線の吸収と保温を高めるために、空洞で覆う構造をとり、また特別の材料で被覆するのがよい。Ｂ１領域では、アルミニウム５とｐ型ＢｉＴｅ系薄膜部３とがオーミック接触する。また、Ｂ２領域では、アルミニウム５とｎ型ＢｉＴｅ系薄膜部３とがオーミック接触する。これらＢ１領域およびＢ２領域に形成されるオーミック接触部は、冷接点を構成する。Ｂ１領域およびＢ２領域では、赤外線吸収およびそれによる温度上昇という要因において、Ａ領域とは反対の環境にするのがよい。
上記したように、本発明に係るｐ型ＢｉＴｅ系薄膜部３およびｎ型ＢｉＴｅ系薄膜部３は、ともにｃ軸配向度を高くすることができ、冷接点と温接点との温度差が小さくても大きな起電力（電圧）を生じる。このため、高感度の赤外線センサ５０を得ることができる。
【実施例】
【００２０】
次に実施例により、本発明の作用効果について検証した。検証に用いた試験体は、本発明例Ａ１、比較例Ｂ１、Ｂ２の３体である。基板には、シリコン基板にＳｉＮ膜を成膜したものを用いた。ＳｉＮ膜を用いたのは、赤外線の吸収性に優れるためである。３つの試験体ともに、この基板上に、ＰＬＤ法によってＢｉＴｅ系薄膜を成膜した。ＫｒＦのエキシマレーザーを用い、パルス周期１０Ｈｚでターゲットを照射して、上記の基板上にＢｉＴｅ系薄膜を蒸着した。この３試験体の状態は、図２（ｃ）の状態に対応する。
（本発明例Ａ１）：基板温度が３８５℃になるように、図３に示す装置により、基板ホルダ内のヒータを作動させて、基板側からのみ加熱した。チャンバは真空引きし、ＢｉＴｅ系薄膜に常温のアルゴンガスを吹き付けながら、上記加熱を行った。
（比較例Ｂ１）：チャンバ内の温度を３８５℃に保ち、また、それとともに基板温度も３８５℃に加熱した。
（比較例Ｂ２）：加熱処理を行わない。したがって、ＰＬＤ法で蒸着されたままのＢｉＴｅ系薄膜である。
上記の３つの試験体について、ＢｉＴｅ系薄膜のＸ線回折パターンを採取し、ｃ軸配向度を測定した。比較例Ｂ２は図７に、比較例Ｂ１は図８に、本発明例Ａ１については図９に、Ｘ線回折パターンを示す。図７によれば、比較例Ｂ２はほとんど配向はなく、ランダムであり、アモルファス状態を反映している。比較例Ｂ１では、結晶化してｃ軸配向が認められるものの、ｃ面のピーク値よりも（０１５）面のほうがピーク値は高い。これらに比して、本発明例Ａ１では、ｃ面のピーク値は、（０１５）面のピーク値よりも非常に高く、ｃ軸配向度が強いことが分かる。これらの結果を要約して表１に示す。
【００２１】
【表１】
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【００２２】
表１によれば、本発明例Ａ１ではｃ軸配向度は１．８であるのに比べて、比較例Ｂ１ではｃ軸配向度は０．３である。また、比較例Ｂ２では、ｃ軸配向が認められず、結晶化していないと考えられる。とくに、注目すべきことは、蒸着膜を全体加熱しても、良好なｃ軸配向膜を得ることができない点にある。蒸着膜を基板側からのみ一方向加熱することで、良好なｃ軸配向を得ることができる。
【００２３】
上記において、本発明の実施の形態について説明を行ったが、上記に開示された本発明の実施の形態は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれら発明の実施の形態に限定されない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味および範囲内でのすべての変更を含むものである。
【産業上の利用可能性】
【００２４】
本発明によれば、ｃ軸配向度が高いために、高い熱電特性をもつＢｉＴｅ系薄膜を得ることができるので、高感度のサーモパイル型赤外線センサを、容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施の形態におけるＢｉＴｅ系薄膜を示す図である。
【図２】図１に示すＢｉＴｅ系薄膜の作製方法を説明するための図であり、（ａ）は基板上にレジストパターンを形成した状態を、（ｂ）はＢｉＴｅ系薄膜を成膜した状態を、（ｃ）はレジストをリフトオフした状態を示す図である。
【図３】図２（ｃ）に示すＢｉＴｅ系薄膜に施す熱処理方法を説明するための図である。
【図４】一方向加熱によって結晶化する状況を示す図である。
【図５】ＸＲＤパターンからｃ軸配向度を求める方法を説明するための図である。
【図６】ＢｉＴｅ系薄膜による赤外線センサを示す図である。
【図７】実施例における比較例Ｂ２のＸＲＤパターンである。
【図８】実施例における比較例Ｂ１のＸＲＤパターンである。
【図９】実施例における本発明例Ａ１のＸＲＤパターンである。
【符号の説明】
【００２６】
１  基板、３  ｃ軸配向したＢｉＴｅ系薄膜部、３ａ  成膜（蒸着）ままのＢｉＴｅ系薄膜、５  金属（アルミニウム）、２１  レジストパターン、３１  ヒータ、３５  基板ホルダ、４１  ノズル、５０  赤外線センサ、Ａ  温接点領域、Ｂ１、Ｂ２  冷接点領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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