(57)【要約】【課題】伝送レートに対応した周波数を跨った広い周波数帯域においてフレームグランドに対する放射ノイズの影響を効果的に低減すること。【解決手段】この光トランシーバモジュール２は、ＦＧ用のリードピン１２ａを有するＴＯＳＡ４ａと、リードピン１２ａをＳＧ電極に電気的に接続するための導電部２０ａ，２０ｃを有する主回路基板５ａと、主面Ｍ３と主面Ｍ２との間に容量成分が形成されて主回路基板５ａ上に搭載された２つの副回路基板５ｂと、リードピン１２ａと主面Ｍ３との間に設けられ、リードピン１２ａを副回路基板５ｂに対して電気的に接続するためのＦＰＣ３８とを備えており、２つの副回路基板５ｂにはそれぞれ容量成分が形成されており、ＦＰＣ３８には、リードピン１２ａと２つの容量成分とを接続する互いに幅の異なる導体膜４２ｂ，４２ｃが形成されている。【選択図】図１
2010092922.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光伝送媒体を介して光送信信号を送信する光通信モジュールであって、
金属製のパッケージと該パッケージに電気的に接続されたグランド用リードピンを含む複数のリードピンとを有し、前記複数のリードピンを介して印加された電気信号に応じて光送信信号を生成する光送信モジュールと、
前記複数のリードピンを前記光送信モジュール駆動用の回路部及びグランド電位に電気的に接続するための導電部を有する主回路基板と、
第１の主面上に設けられた第１の導電部と第２の主面上に設けられた第２の導電部との間に容量成分が形成されており、前記第２の導電部と前記主回路基板の前記導電部とが対面した状態で電気的に接続されるように前記主回路基板上に搭載された１以上の副回路基板と、
前記グランド用リードピンと前記第１の主面との間に設けられ、前記グランド用リードピンを前記副回路基板の前記第１の導電部に対して電気的に接続するためのフレキシブルプリント基板とを備えており、
前記１以上の副回路基板によって複数の容量成分が形成されており、
前記フレキシブルプリント基板には、前記グランド用リードピンと前記複数の容量成分に対応する前記第１の導電部とを接続する互いに幅の異なる複数の配線部が形成されている、
ことを特徴とする光通信モジュール。
【請求項２】
前記１以上の副回路基板によって、少なくとも２以上の容量値を有する複数の容量成分が形成されている、
ことを特徴とする請求項１記載の光通信モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光伝送媒体を介して光送信信号を送信する光通信モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、プリント基板に接続されたケーブルから発生する放射ノイズがフレームグランド（ＦＧ）に及ぼす影響を低減するための放射ノイズ低減装置が知られている（下記特許文献１参照）。この放射ノイズ低減装置は、プリント基板に設けられておりシールドケーブルに接続されたＦＧ電極と、ＳＧ電極（ＳＧ：シグナルグランド）と、ＦＧ電極及びＳＧ電極の間に設けられたコンデンサ素子とを有しており、放射ノイズにより発生しフレームグランドに流れるノイズ電流をシグナルグランドに分流する。
【特許文献１】特開２００３−２８３１７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
一般に光トランシーバモジュール等の光通信モジュールはＧＨｚオーダで高速に動作するので、上述のような放射ノイズがフレームグランドに及ぼす影響（ノイズ電流の発生）を低減させるには、ＦＧ電極及びＳＧ電極の間に挿入するコンデンサの容量を数ｐＦ以上に設定するのが望ましい。しかしながら、光通信モジュールで必要とされるＦＧ電極とＳＧ電極間の絶縁耐圧数ｋＶを有するチップタイプのコンデンサは上記のような容量を有しておらず、そのようなコンデンサの開発も困難である。
【０００４】
また、光トランシーバモジュールのパッケージ（ＦＧ）に接続されたケースピンとプリント基板とを接続する際には、規格や製造効率の観点からケースピン及びプリント基板の位置関係に関して制約を受ける場合がある。このような制約によりケースピンがある程度の長さが必要になる場合には、ケースピンがインダクタンス成分を持つ結果、ＦＧとＳＧとの間の容量成分及びケースピンによりＬＣ直列共振回路に近い構成が生じることがある。このとき、光トランシーバモジュールの動作周波数帯域においてパッケージを構成するステムを十分に低インピーダンスにするためには、容量成分及びケースピンによって構成されるＬＣ回路の時定数を伝送レート付近に設定することが必要となる。しかし、光トランシーバモジュールにおけるクロストークやＥＭＩ放射は、各光トランシーバで規定している最高伝送レートの周波数成分だけが問題になるのではなく、最高伝送レートまたは最高伝送レートにおける高調波周波数成分より低い周波数成分も問題になるので、上記ＬＣ回路の時定数よりも低周波領域でもステムのインピーダンスを下げることが必要となる。
【０００５】
送信信号に含まれる周波数全域に対するインピーダンスを下げ、且つＬＣ回路の時定数を低下させないためには、ＦＧとＳＧとの間の容量を大きくし、かつケースピンのインダクタンスを小さくする必要がある。容量を大きくするためには、容量の面積を増加させることが考えられるが、光トランシーバモジュールのプリント基板側には伝送信号用リードピンとの半田付け用のパッドがあるので、容量の面積拡大には限界がある。従って、プリント基板の表面上の容量の層数を多く取らざるを得ない。しかし、容量の層数を増加させるとケースピンの根元とプリント基板の上面との距離も大きくなる。その結果、ケースピンを伸ばしてプリント基板の上面に接続させる必要があり、ケースピンのインダクタンス成分が大きくなる傾向にあった。
【０００６】
また、一般的にＥＭＩ（電磁雑音）は、光トランシーバの最高伝送レートに対応した周波数のみにＥＭＩレベルの特異に高いピーク周波数が存在するのではなく、最高伝送レートに対応した周波数以上及び以下にもピーク周波数を持つ。従って、これらの複数のピーク周波数においてＥＭＩレベルを規定値以下に抑えることが望ましい。
【０００７】
そこで、本発明は、かかる課題に鑑みて為されたものであり、伝送レートに対応した周波数を跨った広い周波数帯域においてフレームグランドに対する放射ノイズの影響を効果的に低減できる光通信モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の光通信モジュールは、光伝送媒体を介して光送信信号を送信する光通信モジュールであって、金属製のパッケージと該パッケージに電気的に接続されたグランド用リードピンを含む複数のリードピンとを有し、複数のリードピンを介して印加された電気信号に応じて光送信信号を生成する光送信モジュールと、複数のリードピンを光送信モジュール駆動用の回路部及びグランド電位に電気的に接続するための導電部を有する主回路基板と、第１の主面上に設けられた第１の導電部と第２の主面上に設けられた第２の導電部との間に容量成分が形成されており、第２の導電部と主回路基板の導電部とが対面した状態で電気的に接続されるように主回路基板上に搭載された１以上の副回路基板と、グランド用リードピンと第１の主面との間に設けられ、グランド用リードピンを副回路基板の第１の導電部に対して電気的に接続するためのフレキシブルプリント基板とを備えており、１以上の副回路基板によって複数の容量成分が形成されており、フレキシブルプリント基板には、グランド用リードピンと複数の容量成分に対応する第１の導電部とを接続する互いに幅の異なる複数の配線部が形成されている。
【０００９】
このような光通信モジュールによれば、ＦＧに接続された光送信モジュールのグランド用リードピンが、フレキシブルプリント基板を介して、１以上の副回路基板の第１の主面上に形成された第１の導電部と接続され、且つ副回路基板の第２の主面上に形成された第２の導電部が主回路基板の導電部と対面して接続された状態で、１以上の副回路基板が主回路基板上に載置される。これにより、グランド用リードピンと主回路基板の導電部との間に、フレキシブルプリント基板上に形成された幅の異なる配線部と、１以上の副回路基板によって形成された複数の容量成分とが直列に接続されることになる。その結果、ノイズフィルタの容量成分の確保が容易となるとともに、主回路基板上の配置の制約及び容量の確保のために副回路基板の厚さを厚く取らざるを得ない場合でも、主回路基板の導電部とグランド用リードピンとを副回路基板を経由して接続する際に、フレキシブル基板上の配線部を広く取ってインダクタンスを低減することができる。さらには、グランド用リードピンとＳＧとの間に複数のＬＣ直列共振周波数を持つ電流パスが形成されるので、伝送レートに対応した周波数を跨った広い動作周波数帯域において、グランド用リードピンのインダクタンスが低減されて放射ノイズをＦＧからＳＧへ効果的に逃がすことができる。
【００１０】
１以上の副回路基板によって、少なくとも２以上の容量値を有する複数の容量成分が形成されている、ことが好ましい。この場合、グランド用リードピンとＳＧとの間に生成される電流パスのＬＣ直列共振周波数を制御することが容易になるので、より広い動作周波数帯域においてＥＭＩ特性及びクロストーク特性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の光通信モジュールによれば、伝送レートに対応した周波数を跨った広い周波数帯域においてフレームグランドに対する放射ノイズの影響を効果的に低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、図面を参照しつつ本発明に係る光通信モジュールの好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１３】
図１は、本発明の好適な一実施形態にかかる光トランシーバモジュール２の構成を示す一部破断斜視図であり、図２は、図１の光送信モジュールであるＴＯＳＡ４ａ（TOSA: Transmitter Optical Sub-Assembly）の光トランシーバモジュール２への取り付け前の軸方向から見た平面図である。光トランシーバモジュール２は、ＴＯＳＡ４ａ、光受信モジュールであるＲＯＳＡ４ｂ（ROSA: Receiver Optical Sub-Assembly）、回路基板５及びケース６を備える小型光トランシーバである。ＴＯＳＡ４ａ及びＲＯＳＡ４ｂはケース６の側壁６ａに固定されており、回路基板５はケース６内に収容されている。なお、ケース６は、金属材料から成りＦＧとしての役割を有する。回路基板５は、絶縁性のプリプレグを主材料として形成されており、その表面上には回路パターンが形成されている。
【００１４】
ＴＯＳＡ４ａは、レーザダイオード７と、レーザダイオード７を収容する金属製のパッケージ８ａとを有する光送信モジュールである。レーザダイオード７は、アノード端子とカソード端子（図示略）とを有しており、パッケージ８ａの外部から供給／印加されるバイアス電流及び変調電流（電気信号）に応じてレーザ光（光送信信号）を生成する。パッケージ８ａは金属材料から成る同軸型のパッケージであり、その側面にフランジ１６ａ及びフランジ１６ｂが形成され、フランジ１６ａとフランジ１６ｂとの間には溝１８が設けられている。このパッケージ８ａは、ＴＯＳＡ４ａが有する全ての電気素子（例えばレーザダイオード７）に対して電気的に絶縁されている。レーザダイオード７は、パッケージ８ａの端部１０ａに収容されており、レーザダイオード７から発光されるレーザ光は、端部１４から光ファイバ等の光伝送媒体を介して外部に送信される。
【００１５】
また、ＴＯＳＡ４ａは、パッケージ８ａの他端部１０に設けられたステム１０ａと、ステム１０ａから延びている４本のリードピン１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄとを更に有する（図２）。このリードピン１２ａは、パッケージ８ａに電気的に接続されたＦＧ用端子であり、パッケージ８ａに収容されているＴＯＳＡ４ａの電気素子の何れに対しても絶縁されている。また、リードピン１２ｂ，１２ｃは、それぞれ、レーザダイオード７のアノード端子及びカソード端子に接続された発光駆動用端子であり、リードピン１２ｄは、レーザダイオード７の光出力をモニタするためのモニタ出力用端子である。
【００１６】
上記構成のＴＯＳＡ４ａは、ケース６の側壁６ａが溝１８に嵌め込まれることによって、側壁６ａに固定される。このようにして、光トランシーバモジュール２のケース６と、ＴＯＳＡ４ａのパッケージ８ａとが電気的に接続されている。
【００１７】
ＲＯＳＡ４ｂは、フォトダイオード（図示せず）と、このフォトダイオードを収容する金属材料から成るパッケージ８ｂとを有する光受信サブアセンブリである（光受信サブアセンブリからスリーブを除いた部分は光受信モジュールに対応。）。このパッケージ８ｂは樹脂材料から成るスリーブにより覆われている。このパッケージ８ｂは、ＲＯＳＡ４ｂが収容する電気素子の何れに対しても電気的に絶縁されている。ＲＯＳＡ４ｂは、ＴＯＳＡ４ａと同様に溝１８ａが設けられており、この溝１８ａにケース６の側壁６ａが嵌め込まれている。これにより、ＲＯＳＡ４ｂが側壁６ａに固定される。なお、ＲＯＳＡ４ｂのパッケージ８ｂは、このパッケージを覆う樹脂材料から成るスリーブによって側壁６ａから絶縁されている。また、ＲＯＳＡ４ｂは、複数のリードピン１２ｅを有しており、各リードピン１２ｅは、回路基板５の主面Ｍ１に設けられた金属材料から成る複数の電極等に接続されている。
【００１８】
回路基板５は、ＴＯＳＡ４ａ及びＲＯＳＡ４ｂと後述する電子回路（回路部）２４とを電気的に接続するための回路基板であり、主回路基板５ａと２つの副回路基板５ｂとにより構成されている。主回路基板５ａの主面Ｍ１上には、金属材料から成る導電部２０ａ〜２０ｄ等の複数の電極パターンが形成され、導電部２０ｂ、２０ｄは、電子回路２４と電気的に接続され、導電部２０ａ，２０ｃは主回路基板５ａ内に設けられたＳＧ電極と電気的に接続されている。この導電部２０ｂ，２０ｄには、ＴＯＳＡ４ａのリードピン１２ｂ，１２ｃがそれぞれ、はんだ接合により電気的に接続されている。
【００１９】
電子回路２４は、信号接地電位（ＳＧ電位）を有しており、導電部２０ａ〜２０ｄが設けられている回路基板５の主面Ｍ１上に設けられている。電子回路２４は、ＲＯＳＡ４ｂからの受信信号を増幅するための増幅回路や、ＴＯＳＡ４ａのレーザダイオード７を駆動するための駆動回路等を搭載する。
【００２０】
次に、２つの副回路基板５ｂの構成について説明する。図３は、図１の副回路基板５ｂのＴＯＳＡ４ａの中心軸線方向に沿った縦断面図、図４は、副回路基板５ｂが主回路基板５ａ上に搭載された状態を示す平面図である。なお、これらの２つの副回路基板５ｂは同一もしくは別の構造を有する。
【００２１】
副回路基板５ｂは、主回路基板５ａの主面Ｍ１上に載置されており、シート状のプリプレグ等の絶縁性材料からなる単位基板２６が１０枚積層されて構成された多層基板である。この副回路基板５ｂの主回路基板５ａ側の一方の主面Ｍ２上、すなわち最下層の単位基板２６の表面上には、金属材料からなる電極パターンである導電層２８ａが形成されており、副回路基板５ｂの他方の主面Ｍ３上、すなわち最上層の単位基板２６の表面上には電極パターンである導電層３０ａが形成されている。この導電層３０ａは、ＴＯＳＡ４ａのリードピン１２ａの接続用の電極であり、導電層２８ａは、主回路基板５ａの導電部２０ａ，２０ｃとの接続用の電極である。
【００２２】
また、副回路基板５ｂには、隣り合う単位基板２６の境界面上において、互いに２層の単位基板２６を挟んで対面するように形成された金属製の導電層２８ｂと、２つの導電層２８ｂの中間に位置する単位基板２６の境界面上において、２層の単位基板２６を挟んで導電層２８ｂと対面するように形成された金属製の導電層３０ｂとがさらに形成されている。この導電層２８ｂは、複数層の単位基板２６を貫通するように形成されたスルホール３２，３４を介して導電層２８ａと接続され、導電層３０ｂは、複数層の単位基板２６を貫通するように形成されたスルホール３６を介して導電層３０ａと電気的に接続されている。このスルホール３２，３４，３６は、内部に金属材料が充填されたものであってもよいし、内面のみに金属材料がコーティングされたものであってもよい。従って、導電層２８ａ，２８ｂは、互いに電気的に接続された１つの導電部２８を構成し、導電層３０ｂ，３０ａは、互いに電気的に接続された１つの導電部３０を構成する。
【００２３】
このように、副回路基板５ｂには、導電部２８の導電層２８ｂと導電部３０の導電層３０ａ，３０ｂとが、互いに対面して配列されるように形成されている。さらに、導電層２８ｂとこの導電層２８ｂに隣接する導電層３０ａ，３０ｂとの間に絶縁性の単位基板２６が配置されることにより、導電層２８ｂと導電層３０ａ，３０ｂとの間に容量成分が形成されることになる。このような構造を有する２つの副回路基板５ｂは、導電層２８ａと主回路基板５ａ上に形成された導電部２０ａ，２０ｃとが向かい合った状態で主回路基板５ａ上に並んで搭載される（図４）。
【００２４】
図５は、１つの副回路基板５ｂとＴＯＳＡ４ａ及び主回路基板５ａとの接続形態を示すＴＯＳＡ４ａの中心軸線に沿った縦断面図である。同図に示すように、副回路基板５ｂは、導電部２０ａと副回路基板５ｂの導電層２８ａとが対面した状態で主回路基板５ａの主面Ｍ１上に載置され、導電部２０ａと導電層２８ａとは、はんだ接合により電気的に接続されている。この主回路基板５ａの導電部２０ａは、スルホールを介して主回路基板５ａの内部に形成されたＳＧ電極に接続される。ここで、副回路基板５ｂは、その主面Ｍ２の端部が主回路基板５ａの主面Ｍ１上からＴＯＳＡ４ａ側に向けてはみ出るように配置されている。
【００２５】
さらに、ＴＯＳＡ４ａのリードピン１２ａは、フレキシブルプリント基板（以下、ＦＰＣという）３８を介して２つの副回路基板５ｂの主面Ｍ３上の導電層３０ａと電気的に分岐して接続されている。このＦＰＣ３８は、図２に示すように、柔軟性を有する矩形状の絶縁体平板４０をベース部材として、その絶縁体平板４０の表面に、一端側から他端側にかけて分岐して帯状に形成された互いに幅の異なる２つの金属製導体膜（配線部）４２ｂ，４２ｃを有する。この導体膜４２ｂ，４２ｃは、その表面が樹脂で覆われており、それらが共有する一端部には導体膜４２ｂ，４２ｃとＴＯＳＡ４ａのリードピン１２ａとを接続するためのホール４４ａが形成され、分岐したそれぞれの他端部には２つの副回路基板５ｂの導電層３０ａと接続するためのホール４４ｂ，４４ｃが形成されている。
【００２６】
さらに、ＦＰＣ３８上の導体膜４２ｂ，４２ｃは、ホール４４ａ，４４ｂ，４４ｃの周囲において外部に露出する露出部位４６ａ，４６ｂ，４６ｃが設けられ、この露出部位４６ａ，４６ｂ，４６ｃにおいてリードピン１２ａ又は２つの導電層３０ａと電気的に接続可能にされている。
【００２７】
このような構造を有するＦＰＣ３８が、ＴＯＳＡ４ａのリードピン１２ａと２つの副回路基板５ｂの主面Ｍ３との間に配置されることにより、リードピン１２ａと２つの導体層３０ａとが電気的に接続される。具体的には、リードピン１２ａがホール４４ａに貫通した状態で、リードピン１２ａとＦＰＣ３８の露出部位４６ａとがはんだ接合により接続されると同時に、ホール４４ａ側の一端がリードピン１２ａ側に保持された状態でホール４４ｂ，４４ｃ側の他端が主面Ｍ３に接して伸びるようにＦＰＣ３８が折り曲げられる（図５）。この状態で、２つの導体層３０ａとホール４４ｂ，４４ｃのそれぞれの露出部位４６ｂ，４６ｃとがはんだ接合により接続される。その結果、ＦＰＣ３８上に形成された２つの幅の異なる導体膜４２ｂ，４２ｃにより、リードピン１２ａが２つの副回路基板５ｂの容量成分につながる導体層３０ａに分岐して接続されることになる。
【００２８】
以上説明した光トランシーバモジュール２によれば、ＦＧに接続されたＴＯＳＡ４ａのリードピン１２ａが、ＦＰＣ３８を介して、２つの副回路基板５ｂの主面Ｍ３上に形成された導電層３０ａと接続され、且つ２つの副回路基板５ｂの主面Ｍ２上に形成された導電層２８ａが、それぞれ、主回路基板５ａの導電部２０ａ，２０ｃと対面して接続された状態で、２つの副回路基板５ｂが主回路基板５ａ上に載置される。これにより、リードピン１２ａと主回路基板５ａのそれぞれの導電部２０ａ，２０ｃとの間に、ＦＰＣ３８上に形成された幅の異なる導体膜４２ｂ，４２ｃと、２つの副回路基板５ｂによって形成された２つの容量成分とが直列に接続されることになる。その結果、ノイズフィルタの容量成分の確保が容易となるとともに、主回路基板５ａ上の配置の制約及び容量の確保のために副回路基板５ｂの厚さを厚く取らざるを得ない場合でも、主回路基板５ａの導電部２０ａ，２０ｃとリードピン１２ａとを副回路基板５ｂを経由して接続する際に、ＦＰＣ３８上の配線部を広く取ってインダクタンスを低減することができる。従って、ノイズフィルタの直列共振周波数を光トランシーバの最高伝送レートに対応したＥＭＩレベルの高いピーク周波数に合わせることが容易になる。
【００２９】
さらには、リードピン１２ａとＳＧとの間に複数のＬＣ直列共振周波数を持つ電流パスが形成される。一般に、ＥＭＩは光トランシーバの最高伝送レートに対応した周波数のみにＥＭＩレベルの高いピーク周波数が存在するのではなく、最高伝送レートに対応した周波数以上の領域、又はその周波数以下の領域にＥＭＩレベルの高いピーク周波数が存在する。従って、複数のＬＣ直列共振周波数を持つ電流パスを有する光トランシーバモジュール２によれば、伝送レートに対応した周波数を跨った広い動作周波数帯域において、リードピン１２ａのインダクタンスが低減されて放射ノイズをＦＧからＳＧへ効果的に逃がすことができる。具体的には、ＴＯＳＡ４ａのＦＧとＳＧとの間の１つの電流パスが最高伝送レートに対応したピーク周波数に適合された場合でも、その他のＥＭＩレベルの高いピーク周波数に寄与する放射ノイズの発生をも低減することができる。
【００３０】
なお、光トランシーバモジュール２においては、放射ノイズの発生が低減される結果、隣接する光受信系の回路に対する影響も低減することができるので、併せてクロストークの発生も抑制することが可能になる。
【００３１】
また、副回路基板５ｂにおいて導電層３０ａ，３０ｂと導電層２８ｂとの間に単位基板２６を配置することで容量成分が形成されているので、ＦＧ電極とＳＧ電極との間で必要な絶縁耐圧が確保される範囲で副回路基板５ｂを小型化することで容量成分の高容量化が容易となり、ＦＧ用リードピン１２ａと主回路基板５ａとの間に介在する副回路基板５ｂが小さくても、ＴＯＳＡパッケージ内におけるクロストーク等の放射ノイズの影響を十分に抑えることができる。また、ＦＧ電極とＳＧ電極との間で必要な絶縁耐圧が確保される範囲で副回路基板５ｂの厚さ及び面積を様々に変化させることができ、ＴＯＳＡ４ａと主回路基板５ａとの配置の自由度が高くなる。
【００３２】
さらに、導電部２８及び導電部３０のそれぞれは、単位基板２６を貫通するスルホールを介して互いに電気的に接続されているので、副回路基板５ｂの厚さ又は基板の積層数が変化しても導電層どうしを接続する際の加工が容易となる。
【００３３】
なお、本発明は、前述した実施形態に限定されるものではない。例えば、ＦＰＣ上に形成される導体膜の数及び副回路基板によって形成される容量成分の数は２以上であってもよい。図６及び図７には、ＦＰＣ上に形成される導体膜の数、及び副回路基板によって形成される容量成分の数が３の場合、図８及び図９には、ＦＰＣ上に形成される導体膜の数、及び副回路基板によって形成される容量成分の数が４の場合のＦＰＣの構造例、及び副回路基板の配置例が示されている。
【００３４】
図６に示すＦＰＣ１３８には、互いに幅の異なる３つの導体膜１４２ｂ，１４２ｃ，１４２ｄが分岐して形成され、導体膜１４２ｂ，１４２ｃ，１４２ｄには、一端部にホール１４４ａが形成され、それぞれの他端部には３つのホール１４４ｂ，１４４ｃ，１４４ｄが形成されている。ＦＰＣ１３８の導体膜１４２ｂ，１４２ｃ，１４２ｄは、主回路基板５ａ上に並列に搭載された３つの副回路基板５ｂ（図７）によって形成される容量成分にそれぞれ接続される。
【００３５】
また、図８に示すＦＰＣ２３８には、互いに幅の異なる４つの導体膜２４２ｂ，２４２ｃ，２４２ｄ，２４２ｅが分岐して形成され、導体膜２４２ｂ，２４２ｃ，２４２ｄ，２４２ｅには、一端部にホール２４４ａが形成され、それぞれの他端部には４つのホール２４４ｂ，２４４ｃ，２４４ｄ，２４４ｅが形成されている。ＦＰＣ２３８の導体膜２４２ｂ，２４２ｃ，２４２ｄ，２４２ｅは、主回路基板５ａ上に並列に搭載された４つの副回路基板５ｂ（図９）によって形成される容量成分にそれぞれ接続される。
【００３６】
このような構成の光トランシーバモジュールによれば、最高伝送レートに対応した周波数以上の領域、及びその周波数以下の領域に複数のＥＭＩレベルの高いピーク周波数が存在する場合であっても、複数のピーク周波数に対応して放射ノイズの発生を低減することができる。
【００３７】
また、ＦＰＣ上に形成される１つの導体膜に接続される副回路基板は複数であってもよい。図１０には、このような場合のＦＰＣの構成例が示されている。同図に示すＦＰＣ３３８には、互いに幅の異なる２つの導体膜３４２ｂ，３４２ｃが分岐して形成され、導体膜３４２ｂ，３４２ｃには、一端部にホール３４４ａが形成され、導体膜３４２ｂの他端部には２つのホール３４４ｂが形成され、導体膜３４２ｃの他端部にはホール３４４ｃが形成されている。このような構成により、ＦＰＣ３３８上の導体膜３４２ｂは２つの副回路基板５ｂによって形成される２つの容量成分に接続される。この場合、ＴＯＳＡ４ａのＦＧとＳＧとの間の電流パスにおける容量成分を容易に大きくすることができ、光モジュールの最高伝送レートに対応するＥＭＩレベルの高いピーク周波数より小さい周波数領域のノイズをＳＧに効果的に逃がすことができる。それとともに、ＦＰＣ上の配線のインダクタンスを小さくしてＬＣ直列共振周波数を最高伝送レートに対応するピーク周波数に容易に合わせることができる。
【００３８】
また、ＥＭＩレベルのピーク周波数に対応して主回路基板５ａ上に多くの副回路基板を搭載するスペースが確保できない場合には、図１１〜１３に示すように、１つの副回路基板内に複数の容量値の異なる容量成分が形成されていてもよい。図１１に示す副回路基板４０５ｂには、主面Ｍ２上に形成された導電層４２８ａに接続された導電層４２８ｂと、主面Ｍ１上に独立して設けられた導電層４３０ａ，４３１ａのそれぞれに接続された導電層４３０ｂ，４３１ｂとが、互いに対面して配置されるように形成されている。これにより、導電層４３０ａ，４３０ｂと導電層４３１ａ，４３１ｂとの面積を異なるように形成することで、２つの導電層４３０ａ，４３１ａと導電層４２８ａとの間に２つの容量値の異なる容量成分が形成されることになる。このような副回路基板４０５ｂは、副回路基板５ｂと並列に主回路基板５ａ上に形成された導電部２０ｅ上に搭載され（図１３）、リードピン１２ａに接続されたＦＰＣ４３８上の２つの導体膜４４２ｂ，４４２ｃのそれぞれに、副回路基板４０５ｂの導電層４３０ａ，４３１ａが接続される。このように容量値の異なる容量成分をＴＯＳＡのＦＧとＳＧとの間に生成される電流パス上に接続することで、複数の電流パスのＬＣ直列共振周波数を制御することが容易になるので、より広い動作周波数帯域においてＥＭＩ特性及びクロストーク特性を向上させることができる。
【００３９】
また、図１４（ａ）〜（ｂ）及び図１５（ａ）〜（ｂ）に示すようにＥＭＩレベルの高いピーク周波数の数に応じて、ＦＰＣ上の導体膜の数、及び１つの導体膜に接続する容量成分の数を適宜調整することも可能である。図１４において、（ａ）は、ＥＭＩレベルのピーク周波数が５つの場合、（ｂ）は、ＥＭＩレベルのピーク周波数が３つの場合のＦＰＣの構成を示す図、図１５において、（ａ）は、ＥＭＩレベルのピーク周波数が６つの場合、（ｂ）は、ＥＭＩレベルのピーク周波数が２つの場合のＦＰＣの構成を示す図である。例えば、光トランシーバの最高伝送レートに対応する周波数より小さい周波数におけるＥＭＩレベル及びクロストークの影響が小さい場合には、副回路基板によって形成する容量成分を小さくすることが可能であり、その場合は、主回路基板５ａ上に搭載される副回路基板の数を増やしたり、１つの副回路基板内に形成する容量成分の数を増やすことができる。その結果、より広い動作周波数帯域においてＥＭＩ特性及びクロストーク特性を向上させることができる。その際、共振周波数を制御するために、ＦＰＣ上の配線部のインダクタンスを容量値に応じて制御（＝配線部の幅を変更）する必要がある。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の好適な一実施形態にかかる光トランシーバモジュールの構成を示す一部破断斜視図である。
【図２】図１のＴＯＳＡの中心軸線方向から見た図である。
【図３】図１の副回路基板のＴＯＳＡの中心軸線方向に沿った縦断面図である。
【図４】図１の副回路基板及び主回路基板の平面図である。
【図５】図１の光トランシーバモジュールのＴＯＳＡの中心軸線に沿った縦断面図である。
【図６】本発明の変形例の光トランシーバモジュールのＴＯＳＡの中心軸線方向から見た図である。
【図７】本発明の変形例における副回路基板及び主回路基板の平面図である。
【図８】本発明の変形例の光トランシーバモジュールのＴＯＳＡの中心軸線方向から見た図である。
【図９】本発明の変形例における副回路基板及び主回路基板の平面図である。
【図１０】本発明の変形例の光トランシーバモジュールのＴＯＳＡの中心軸線方向から見た図である。
【図１１】本発明の変形例における副回路基板のＴＯＳＡの中心軸線方向に沿った縦断面図である。
【図１２】本発明の変形例の光トランシーバモジュールのＴＯＳＡの中心軸線方向から見た図である。
【図１３】本発明の変形例における副回路基板及び主回路基板の平面図である。
【図１４】本発明の変形例のＦＰＣの構成を示す図である。
【図１５】本発明の変形例のＦＰＣの構成を示す図である。
【符号の説明】
【００４１】
２…光トランシーバモジュール、５ａ…主回路基板、５ｂ，４０５ｂ…副回路基板、８ａ…パッケージ、１２ａ…ＦＧ用リードピン、１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ…リードピン、２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ…導電部、２４…電子回路（回路部）、２８，３０…導電部、４２ｂ，４２ｃ，１４２ｂ，１４２ｃ，１４２ｄ，２４２ｂ，２４２ｃ，２４２ｄ，２４２ｅ，３４２ｂ，３４２ｃ，４４２ｂ，４４２ｃ…導体膜（配線部）、Ｍ２，Ｍ３…主面、３８，１３８，２３８，３３８，４３８，…ＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）。      
【図１】
2010092922.tif 000003
【図２】
2010092922.tif 000004
【図３】
2010092922.tif 000005
【図４】
2010092922.tif 000006
【図５】
2010092922.tif 000007
【図６】
2010092922.tif 000008
【図７】
2010092922.tif 000009
【図８】
2010092922.tif 000010
【図９】
2010092922.tif 000011
【図１０】
2010092922.tif 000012
【図１１】
2010092922.tif 000013
【図１２】
2010092922.tif 000014
【図１３】
2010092922.tif 000015
【図１４】
2010092922.tif 000016
【図１５】
2010092922.tif 000017