(57)【要約】【課題】ＥＵＶ光源装置のＥＵＶ出力を安定させるために、ターゲット物質の液滴の射出方向のズレを補正する。【解決手段】ターゲット物質の液滴１０１を予め設定されているプラズマ発光点１０３に向けて出力する液滴生成装置１１０と、ターゲット物質の液滴１０１を帯電させる帯電装置１３０と、帯電されたターゲット物質の液滴１０１ａの進行方向を補正して、プラズマ発光点１０３へ向かうように軌道内に電場または磁場を形成する軌道補正装置１４０と、プラズマ発光点１０３において帯電されたターゲット物質にレーザビームを照射することによりプラズマを生成するレーザ光源１５０と、を備える極端紫外光源装置。【選択図】図１
2010062141.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を放射させる極端紫外光源装置であって、
ターゲット物質の液滴を生成し、前記生成したターゲット物質の液滴を予め設定されているプラズマ発光点に向けて出力する液滴生成装置と、
前記液滴生成装置から出力されたターゲット物質の液滴を帯電させる電荷供給装置と、
前記電荷供給装置によって帯電されたターゲット物質の液滴に力を及ぼすための場であって、前記力によって前記帯電されたターゲット物質の液滴が前記プラズマ発光点へ向かうように、前記帯電されたターゲット物質の液滴の軌道を補正するための場を形成する軌道補正装置と、
前記プラズマ発光点において前記帯電されたターゲット物質の液滴にレーザビームを照射し、前記ターゲット物質をプラズマ化させるレーザ光源と、を備える極端紫外光源装置。
【請求項２】
前記軌道補正装置は、前記液滴生成装置の液滴出力点と前記プラズマ発光点とを結ぶ直線上であって、かつ、前記場より上流の所定の一点を通る前記帯電されたターゲット物質の液滴を、前記プラズマ発光点へ収束させる用に前記場を形成する請求項１記載の極端紫外光源装置。
【請求項３】
前記軌道補正装置によって形成された前記場は、電場である請求項１または２に記載の極端紫外光源装置。
【請求項４】
前記軌道補正装置によって形成された電場は、静電レンズとして機能することを特徴とする請求項３記載の極端紫外光源装置。
【請求項５】
前記軌道補正装置は円孔電極または円筒電極を有し、前記円孔電極または円筒電極によって形成された電場が静電レンズとして機能することを特徴とする請求項４記載の極端紫外光源装置。
【請求項６】
前記軌道補正装置は四重極電極を有し、前記四重極電極によって形成された電場が静電レンズとして機能することを特徴とする請求項４記載の極端紫外光源装置。
【請求項７】
前記軌道補正装置によって形成された前記場は、磁場である請求項１または２に記載の極端紫外光源装置。
【請求項８】
前記軌道補正装置によって形成された磁場は、磁気レンズとして機能することを特徴とする請求項７記載の極端紫外光源装置。
【請求項９】
前記軌道補正装置は四重極磁石を有し、前記四重極磁石によって形成された磁場が磁気レンズとして機能することを特徴とする請求項８記載の極端紫外光源装置。
【請求項１０】
前記電荷供給装置と前記軌道補正装置との間に偏向装置を備え、
前記電荷供給装置は、前記液滴生成装置が出力したターゲット物質の液滴を選択的に帯電させ、
前記偏向装置は、前記電荷供給装置によって帯電されたターゲット物質の液滴のみが前記軌道補正装置へ供給されるように、前記液滴生成装置が出力したターゲット物質の液滴を選別することを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の極端紫外光源装置。
【請求項１１】
ターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を発生させる極端紫外光の発生方法であって、
ターゲット物質の液滴を生成し、
前記ターゲット物質の液滴を予め設定されているプラズマ発光点に向けて出力し、
前記ターゲット物質の液滴を帯電させ、
帯電されたターゲット物質の液滴に力を及ぼすための場であって、前記力によって前記帯電されたターゲット物質の液滴が前記プラズマ発光点へ向かうように、前記帯電されたターゲット物質の液滴の軌道を補正するための場を形成し、
前記プラズマ発光点において前記帯電されたターゲット物質の液滴にレーザビームを照射して、前記ターゲット物質をプラズマ化させる、極端紫外光の発生方法。
【請求項１２】
ターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を放射させる極端紫外光源装置であって、
ターゲット物質の液滴を生成し、前記生成したターゲット物質の液滴を予め設定されているプラズマ発光点に向けて出力する手段と、
前記ターゲット物質の液滴を帯電させる手段と、
帯電されたターゲット物質の液滴に力を及ぼすための場であって、前記力によって前記帯電されたターゲット物質の液滴が前記プラズマ発光点へ向かうように、前記帯電されたターゲット物質の液滴の軌道を補正するための場を形成する手段と、
前記プラズマ発光点において前記帯電されたターゲット物質の液滴にレーザビームを照射して、前記ターゲット物質をプラズマ化させる手段と、を備える極端紫外光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ターゲット物質にレーザ光を照射して極端紫外（extreme ultra violet:ＥＵＶ）を発生する極端紫外光源装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１５は、従来技術にかかる極端紫外光（extreme ultra violet:ＥＵＶ）を生成するＥＵＶ光源装置の簡単な構成図である。真空に保たれたＥＵＶチャンバ内に、液滴を生成する液滴生成装置から、プラズマ化するとＥＵＶを放射するターゲット物質の液滴（ドロップレット）が射出される。このターゲット物質の液滴に対してパルスドライバーレーザを照射してターゲット物質をプラズマ化することにより、そのプラズマから放射されるＥＵＶ光を集光ミラーによって集光点に集光する。集光されたＥＵＶ光は、引き続くＥＵＶ光を用いた半導体露光装置内を伝播し、最終的には半導体ウェハ上に導かれる。
【０００３】
このとき、集光点位置は半導体露光装置の中で予め決められた位置にある。このため、ＥＵＶ生成点もまたＥＵＶ光源内の予め決められた位置に固定されている必要がある。つまり、ドライバーレーザおよびターゲット物質の液滴は、常にこのＥＵＶ生成点において相互作用（ターゲット物質の液滴にレーザが照射されること）する必要がある。
【０００４】
ここで、ターゲット物質としては、ＳｎやＬｉなどをその溶融点（Ｓｎ：２３２℃、Ｌｉ：１８０℃）以上に加熱、溶融させた液体金属や、Ｓｎ、ＳｎＯ２などの微粒子を水やアルコールなどの溶媒に分散させたものがある。
【０００５】
液滴生成装置において、上記のターゲット物質の液滴を生成する場合には以下のような問題点がある。すなわち、液滴を生成するノズルの表面状態の変化、あるいは、流路への不純物粒子の混入によってノズルが目詰まりを起こすことがある。また、液体金属をターゲット物質に用いた場合は、ノズルには高温のターゲット物質が流れ、ノズルが熱変形することがある。このために、液滴生成装置からのターゲット物質の液滴の射出方向が安定せず、レーザとの相互作用点、すなわちＥＵＶ生成点にターゲット物質の液滴を安定的に供給ないことがあった。このような問題が起こると、安定的にＥＵＶ光を出力することができない。
【０００６】
このような問題に対して、従来、たとえば特許文献１に示されるような方法で解決が試みられている。
【０００７】
一方、液滴生成装置から連続して噴出される微小な液滴の間隔を拡げるために、一部の液滴を選択的に帯電させ、この帯電した液滴を平行電界によって偏向し、帯電した液滴のみを液滴列から抜き出してＥＵＶ生成点に供給する方法が提案されている（たとえば特許文献２及び３）。
【特許文献１】米国公開公報  ２００５／０１９９８２９Ａ１
【特許文献２】特開２００７−２００６１５号公報
【特許文献３】米国公開公報２００８−００４８１３３Ａ１
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１では、ターゲット物質の液滴の位置を複数個の位置センサ（CCDカメラなど）でモニタする。そして、液滴の位置がＥＵＶ生成点からズレた場合は、このズレ量の情報に基づいて、液滴が本来のＥＵＶ生成点を通過するように、液滴生成装置を移動させる。液滴生成装置の移動は、たとえば、液滴生成装置に取り付けられた、ステッピングモータなどによって構成される液滴生成装置位置制御装置によって行う。図１６には、上記の手法に基づく液滴の位置補正の概略を示す。同図では、ターゲット物質の液滴の位置センサおよび液滴生成装置の位置制御機構は図示していない。
【０００９】
このような方法を用いた場合、液滴の射出方向の変化が、例えばドリフトのような比較的ゆっくりとしたものであれば、液滴生成装置自体を動かす制御で補正が可能である。しかしながら、液滴生成装置を移動させる制御時間の間隔（例えば０．０３ｓ）以下で生じる瞬間的な方向変化には、液滴生成装置の制御が追従できない。従って、この方法であっても、液滴がレーザ照射点を通過しない時間帯が生じるので、ＥＵＶ出力が不安定になるという問題は依然として残る。
【００１０】
また、この方法における課題は、前述のように液滴の位置計測のための計測装置、ターゲット生成器移動のための制御機構やコントローラなどが必要でとなるので、ＥＵＶ装置全体が大型化することである。
【００１１】
上記のような液滴生成装置を移動させてズレを補正する構成に、さらに特許文献２及び３の液滴を選択する技術を適用した場合であっても、図１７に示すように、液滴生成装置からの液滴射出方向が変化すると、偏向電極によって偏向された液滴はＥＵＶ生成点を通過せず、ＥＵＶ出力が不安定になるという同様の問題が生じる。
【００１２】
そこで、本発明の目的は、ＥＵＶ光源装置のＥＵＶ出力を安定させるために、ターゲット物質の液滴の射出方向のズレを補正することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一つの実施態様に従うターゲット物質をプラズマ化して極端紫外光を放射させる極端紫外光源装置は、ターゲット物質の液滴を生成し、前記生成したターゲット物質の液滴を予め設定されているプラズマ発光点に向けて出力する液滴生成装置と、前記液滴生成装置から出力されたターゲット物質の液滴を帯電させる電荷供給装置と、前記電荷供給装置によって帯電されたターゲット物質の液滴に力を及ぼすための場であって、前記力によって前記帯電されたターゲット物質の液滴が前記プラズマ発光点へ向かうように、前記帯電されたターゲット物質の液滴の軌道を補正するための場を形成する軌道補正装置と、前記プラズマ発光点において前記帯電されたターゲット物質の液滴にレーザビームを照射し、前記ターゲット物質をプラズマ化させるレーザ光源と、を備える。
【００１４】
好適な実施形態では、前記軌道補正装置は、前記液滴生成装置の液滴出力点と前記プラズマ発光点とを結ぶ直線上であって、かつ、前記場より上流の所定の一点を通る前記帯電されたターゲット物質の液滴を、前記プラズマ発光点へ収束させる用に前記場を形成してもよい。
【００１５】
好適な実施形態では、前記軌道補正装置によって形成された前記場は、電場であってもよい。
【００１６】
好適な実施形態では、前記軌道補正装置によって形成された電場は、静電レンズとして機能するものでもよい。
【００１７】
好適な実施形態では、前記軌道補正装置は円孔電極または円筒電極を有し、前記円孔電極または円筒電極によって形成された電場が静電レンズとして機能するものでもよい。
【００１８】
好適な実施形態では、前記軌道補正装置は四重極電極を有し、前記四重極電極によって形成された電場が静電レンズとして機能するものでもよい。
【００１９】
好適な実施形態では、前記軌道補正装置によって形成された前記場は、磁場であってもよい。
【００２０】
好適な実施形態では、前記軌道補正装置によって形成された磁場は、磁気レンズとして機能するものでもよい。
【００２１】
好適な実施形態では、前記軌道補正装置は四重極磁石を有し、前記四重極磁石によって形成された磁場が磁気レンズとして機能するものでもよい。
【００２２】
好適な実施形態では、前記電荷供給装置と前記軌道補正装置との間に偏向装置を備え、
前記電荷供給装置は、前記液滴生成装置が出力したターゲット物質の液滴を選択的に帯電させ、前記偏向装置は、前記電荷供給装置によって帯電されたターゲット物質の液滴のみが前記軌道補正装置へ供給されるように、前記液滴生成装置が出力したターゲット物質の液滴を選別するようにしてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の一実施形態に係る極端紫外光源装置１について、図面を参照して説明する。
【００２４】
図１は、本実施形態に係る極端紫外光源装置１の一部を模式的に示す図である。このＥＵＶ光源装置１は、ＬＰＰ（Laser Produced Plasma）型であり、ＥＵＶチャンバ１００と、ターゲット物質の液滴１０１を生成して、ＥＵＶチャンバ１００内に滴下する液滴生成装置１１０と、ＥＵＶチャンバ１００内でターゲット物質の液滴１０１を照射するレーザ光を発生するレーザ光源１５０と、レーザ光源１５０から出射したレーザ光Ｌ１を所定のＥＵＶ生成点（レーザ集光点、プラズマ生成点）１０３に導くレンズ１５２とを有する。
【００２５】
さらに、ＥＵＶチャンバ１００内には、液滴生成装置１１０から噴出された液滴１０１が滴下していく軌道に、帯電装置１３０、偏向装置１３５及び軌道補正装置１４０が配置されている。帯電装置１３０は、液滴生成装置１１０から連続的に滴下された液滴１０１を適切な間隔で選択し、選択された液滴を帯電させる。偏向装置１３５は、帯電装置１３０で帯電した液滴１０１ａと帯電していない液滴１０１ｂとを振り分けるために、帯電した液滴１０１ａの軌道を偏向する。軌道補正装置１４０は、偏向装置１３５で偏向された帯電した液滴１０１ａをＥＵＶ生成点１０３へ導くように、その進行方向を補正する。
【００２６】
ＥＵＶチャンバ１００内は、図示しない排気ポンプによって真空にされる。
【００２７】
液滴生成装置１１０は、ピエゾ素子を備えたノズル（図示しない）を有する。このピエゾ素子が所定の駆動信号によって駆動されて振動すると、ノズルに供給されたターゲット物質がノズルの先端から液滴１０１となって、ＥＵＶチャンバ１００内へ連続的に出力する。ターゲット物質としては、溶融させた錫（Ｓｎ）やリチウム（Ｌｉ）等の溶融金属、水又はアルコールに錫、酸化錫、銅等の微小な金属粒子を分散させたもの、水にフッ化リチウム（ＬｉＦ）や塩化リチウム（ＬｉＣｌ）を溶解させたイオン溶液等が用いられる。本実施形態においては、ターゲット物質として溶融錫（Ｓｎ）を用いる場合について説明するが、それ以外のターゲット物質を用いてもよい。
【００２８】
ここで、ピエゾ素子は、図示しないピエゾドライバから供給される駆動信号に基づいて伸縮することにより、ノズルに所定の周波数ｆの振動を与える。このように、ノズルを介して、ノズルから出力されるターゲット物質の流れ（ターゲット噴流）を擾乱させることにより、繰り返して滴下するターゲット物質の液滴１０１を生成することができる。即ち、ターゲット噴流の速度をｖ、ターゲット噴流に生じた振動の波長をλ（λ＝ｖ／ｆ）、ターゲット噴流の直径をｄとした場合に、所定の条件（例えば、λ／ｄ＝４．５１）を満たすときに、均一な大きさの理想的な液滴が形成される。このターゲット噴流に生じさせる擾乱の周波数ｆは、レイリー周波数と呼ばれている。実際には、λ／ｄ＝３〜８程度であれば、ほぼ均一な大きさの液滴が形成される。ＥＵＶ光源装置において一般的に用いられるノズルから出力されるターゲット噴流の速度ｖは２０ｍ／ｓ〜３０ｍ／ｓ程度であるので、直径が１０μｍ〜１００μｍ程度の液滴を形成する場合に、ノズルに与えるべき周波数は、数１０ｋＨｚ〜数１００ｋＨｚ程度となる。以下において、このようにして１秒間あたりに生成される液滴の数のことを、液滴生成周波数、又は、単に生成周波数という。
【００２９】
帯電装置１３０は、図示しない帯電電極及び帯電電源を有する。そして、帯電電極が、帯電電源から供給されたプラスまたはマイナスの電荷を、液滴生成装置１１０が生成したターゲット物質の液滴１０１に与えて帯電させる。その際、帯電装置１３０は、液滴生成装置１１０が生成したターゲット物質の液滴１０１の一部を選択し、選択した液滴１０１ａだけを帯電させ、選択されなかった液滴１０１ｂは帯電させないようにしてもよい。
【００３０】
帯電装置１３０は、たとえば、帯電させる液滴１０１ａを次のように選択する。すなわち、上述のように、液滴１０１の生成周波数は、通常、数１０ｋＨｚ〜数１００ｋＨｚ程度となるのに対し、一般的なＥＵＶ光源に求められる繰り返し周波数は、１０ｋＨｚ程度である。そこで、液滴１０１がＥＵＶ生成点１０３を通過するタイミングが、レーザ光源の繰り返し動作周波数と一致するように、液滴１０１を選択して帯電させる。例えば、液滴１０１の生成周波数が１００ｋＨｚ、レーザの発振周波数が１０ｋＨｚである場合には、液滴１０１を１／１０に間引いて帯電させれば良い。即ち、帯電装置１３０は、９個の液滴１０１ｂが連続して通過した後に、１個の液滴１０１ａを帯電させる動作を繰り返す。
【００３１】
偏向装置１３５は、図示しない偏向電極及び偏向電源を有する。そして、偏向電極が偏向電源から供給される電力によって、液滴１０１の軌道内に電場を形成する。この電場を液滴１０１が通過することによって、帯電した液滴１０１ａのみ電場からの力を受けて偏向する。つまり、偏向装置１３５は、帯電した液滴１０１ａだけを選択して、その進行方向を偏向させる。これにより、偏向後の液滴１０１ａの進行方向が軌道補正装置１４０へ向かう方向となるようにすることで、液滴生成装置１１０から滴下された液滴１０１を間引くことができる。
【００３２】
軌道補正装置１４０は、帯電したターゲット物質がＥＵＶ生成点１０３へ向かうように、その軌道を補正する。例えば、軌道補正装置１４０は、帯電装置（電荷供給装置）１３０によって帯電されたターゲット物質の液滴１０１ａに力を及ぼすための場であって、その力によって帯電された液滴１０１ａがＥＵＶ生成点１０３へ向かうように、帯電されたターゲット物質の軌道を補正するための場を形成する。軌道補正装置１４０が生成する場は、電場または磁場でよい。軌道補正装置１４０は、電場を形成する電極、または磁場を形成する磁石及び電源（永久磁石の場合は不要）などを備えていても良い。
【００３３】
ここで、液滴１０１ａが軌道補正装置１４０内を通過するときの軌道のうち、液滴生成装置１１０、帯電装置１３０または偏向装置１３５の液滴出力点からＥＵＶ生成点（プラズマ発光点）１０３へ直線的に進む軌道であって、軌道補正装置１４０が補正を行う必要がない軌道を、以下「理想軌道」と呼ぶ。あるいは、「理想軌道」は、液滴生成装置１１０の液滴出力点とＥＵＶ生成点１０３とを結ぶ直線上の軌道でも良い。軌道補正装置１４０は、理想軌道上であって、かつ、自らが形成する場より上流の所定の一点を通る液滴１０１ａを、ＥＵＶ生成点１０３へ収束させる用に電場または磁場を形成する。つまり、この理想軌道からずれて軌道補正装置１４０へ進入してきた液滴１０１ａは、軌道補正装置１４０内に形成された電場または磁場から力を受けて、ＥＵＶ生成点１０３へ向かうようにその進行方向を修正する。これにより、液滴生成装置１１０の射出方法が不安定であっても、軌道補正装置１４０がＥＵＶ生成点１０３へ収束するようにターゲット物質の軌道を補正する。特に、瞬間的に液滴生成装置１１０からの射出方向が変化した場合でも、軌道補正装置１４０内に形成された電場または磁場によって、液滴１０１ａはＥＵＶ生成点１０３へ向かう軌道に補正される。その結果、ターゲット物質が安定的にＥＵＶ生成点１０３へ供給されるため、本実施形態に係るＥＵＶ光源装置１は、安定的にＥＵＶ光を発生させることが可能となる。軌道補正装置１４０の詳細な構成は後述する。
【００３４】
レーザ光源１５０から出射したレーザ光Ｌ１は、レンズ１５２によって集光され、ＥＵＶチャンバ１００内のＥＵＶ生成点１０３を所定の繰り返し動作周波数（例えば、１０ｋＨｚ）で照射する。このとき、帯電した液滴１０１ａがＥＵＶ生成点１０３を通過する際に、集光されたレーザ光Ｌ１の照射を受けると、ターゲット物質がプラズマ化してＥＵＶ光が放射される。このようにして生成されたＥＵＶ光は、例えば、Ｍｏ／Ｓｉ膜が形成された反射光学系により、露光装置等に導かれる。
【００３５】
次に、上述の軌道補正装置１４０が電場を形成する場合の実施形態として、軌道補正装置１４０に設けられた電極の構成について説明する。
【００３６】
軌道補正装置１４０が有する電極の構成として、単一の電極のみからなる単一電極構成、及び複数の電極がブロック化したブロック電極構成のいずれかを採用することができる。さらに、ブロック電極構成として、一つの電極ブロックのみを用いる１ブロック構成、及び複数の電極ブロックを用いる複数ブロック構成のいずれかを採用することができる。以下、これらの電極の構成について順次説明する。
【００３７】
図２に、軌道補正装置１４０が有する電極の第１の実施形態を示す。
【００３８】
本実施形態にかかる電極は、単一の円孔電極２００を有する。つまり、この実施形態は単一電極構成の一例である。同図Ａは、円孔電極２００の平面図であり、同図Ｂは、円孔電極２００のＡ−Ａ断面図である。円孔電極２００は、円形で中心に円孔２０１を有する板状の電極である。円孔電極２００は、理想軌道Rに対して垂直であり、円の中心が液滴１０１ａの理想軌道Ｒと一致するように配置される。この他に、単一電極構成の例としては、円筒形状の円筒電極であってもよい。円筒電極の場合も、円筒の中心軸が理想軌道Ｒと一致するように配置される。
【００３９】
図３は、図２の円孔電極２００の一方の面（Ｓ１）側と他方の面（Ｓ２）側とに、それぞれ異なる強度の電場Ｅ１，Ｅ２（Ｅ１＜Ｅ２）が形成されたときの、円孔付近の等電位面の分布を示す。
【００４０】
円孔２０１部分では、同図に示すように、電界強度が強い面Ｓ２側から弱い面Ｓ１側へ等電位面が張り出すように分布する。つまり、円孔２０１内に張り出した等電位面は、理想軌道Ｒ上に頂点が来る曲面を形成する。このときに円孔２０１へ荷電粒子、つまり液滴１０１ａが図中の上から進入すると、等電位面に対して垂直になるように軌道を変える。その結果、ここで生成された電場が静電レンズとして機能し、光学系における凸レンズと同様に、理想軌道Ｒへ向かうように液滴１０１ａの軌道が修正される。
【００４１】
図４は、軌道補正装置１４０が有する電極の第２の実施形態を示す。
【００４２】
図４Ａは、本実施形態にかかるブロック電極２２０の斜視図である。同図に示すように、本実施形態にかかるブロック電極２２０は、３枚の円孔電極２００Ａ〜Ｃで構成される１ブロック構成のブロック電極である。ブロック電極２２０は、３枚の円孔電極２００Ａ〜Ｃの中心が同軸上にあって、各円孔電極２００Ａ〜Ｃが、互いに平行で、且つ等間隔に配置される。このとき、３枚の円孔電極２００Ａ〜Ｃの中心軸が液滴１０１ａの理想軌道Ｒと一致するように配置される。
【００４３】
図４Ｂは、理想軌道Ｒを通るＸ−Ｚ平面におけるブロック電極２２０の断面図である。ここで、円孔電極２００Ａ（入射側）及び円孔電極２００Ｃ（出射側）を等電位（例えば接地電位）に保ち、中央の円孔電極２００Ｂに正または負の電位を与えることで、ブロック電極２２０は、いわゆるアインツェルレンズ（ユニポテンシャルレンズ）を構成する。これにより、ブロック電極２２０が生成する電場が静電レンズとして機能し、帯電した液滴１０１ａに対して凸レンズと同等に作用する。つまり、ブロック電極２２０は、液滴１０１ａをＺ方向に加減速させることなく、Ｘ及びＹ方向の収束力を与えることができる。
【００４４】
軌道補正装置１４０において、このようなアインツェルレンズを用いることによって、従来技術のような液滴の位置計測のための計測装置、液滴生成装置を移動させるための制御機構及びコントローラなどを使用することなく、確実に液滴をあらかじめ設定されたＥＵＶ生成点１０３へ導くことができる。特に、液滴生成装置１１０からの液滴射出方向が突発的に乱れた場合でも、適切に軌道を補正することができる。その結果、極めて安定的にＥＵＶ出力を行うＥＵＶ光源装置１を提供することができる。
【００４５】
次に、図５に、軌道補正装置１４０が有する電極の第３の実施形態を示す。
【００４６】
本実施形態にかかる電極は、４本の円柱電極３００Ａ〜Ｄで構成される四重極電極からなるブロック電極３１０である。図５Ａは、ブロック電極３１０の平面図、同図Ｂはブロック電極３１０のＢ−Ｂ断面図である。各円柱電極３００Ａ〜Ｄは、互いに平行であり、所定半径の円Ｃ１上に等間隔で配置されている。さらに、円Ｃ１の中心が液滴１０１ａの理想軌道Ｒと一致するように配置される。なお、本実施形態のブロック電極３１０は４本の円柱電極を有する四重極電極であるが、６以上の偶数個の円柱電極で構成した多重極電極でも良い。
【００４７】
四重極電極を含む多重極電極構成では、円柱電極のＺ軸方向の長さ（円柱の高さ）を調整することで、円孔電極に比して強い力を与えることができる。このため、多重局電極構成は、液滴１０１が溶融金属からなる場合のような巨大重量の粒子に対してより効果的である。
【００４８】
図６は、図５のブロック電極３１０のあるＸ−Ｙ平面における各電極３００Ａ〜Ｄの電位と、各電極３００Ａ〜Ｄによって生成された電位分布を示す。同図の例では、軸対称の相対する一対の電極３００Ａ，Ｃに同電位（Ｖ）を与え、他方の対の電極３００Ｂ，Ｄにはその逆極性の等電位（−Ｖ）を与える。ここで、図６における原点Ｏ（Ｘ，Ｙ）＝（０，０）から各電極Ａ〜Ｄまでの距離をａとすると、Ｘ軸方向の電界Ｅｘ及びＹ軸方向の電界Ｅｙは、それぞれ式（１）、（２）のようになる。
【００４９】
2010062141.tif 000003
2010062141.tif 000004
つまり、４つの電極３００Ａ〜Ｄで囲まれた空間の電位分布は、原点Ｏの電位が０である。Ｘ軸方向の電位は原点Ｏから離れるに従って下がり、Ｙ軸方向の電位では原点Ｏから離れるに従って上がる。従って、プラスに帯電した液滴１０１ａがこの電場に入ると、Ｙ軸方向についてＹ＝０へ向かう収束力が働き、Ｘ軸方向についてＸの絶対値が大きくなる向きへ向かう発散力が働く。このとき、収束力及び発散力の大きさは等しい。また、マイナスに帯電した液滴１０１ａであれば、プラスの場合とは逆に、Ｘ軸方向に収束力が働き、Ｙ軸方向に発散力が働く。
【００５０】
上記のように、四重極電極の構成では、Ｘ軸及びＹ軸のいずれか一方向について収束する力が働く一方で、他方向へは発散する力が働く。従って、ブロック電極３１０が生成した電場にX軸方向及びＹ軸方向にばらつきをもって進入してくる液滴１０１ａをＥＵＶ生成点１０３に収束させるためには、Ｚ軸方向へ二以上のブロック電極を配置した多ブロック構成としなければならない。
【００５１】
多ブロック構成のブロック電極は、全体として帯電した液滴（荷電粒子）に対して、その進行方向を一点に収束させるような力を及ぼし、光に対するレンズと等価な働きを示す。このため、多ブロック構成の電極は静電レンズと呼ばれる。複数のブロック電極群を有する構成では、各ブロック電極が、Ｘ軸方向またはＹ軸方向へ、それぞれレンズとして機能するので、全体として光学的な結像光学系と同様の効果が得られる。
【００５２】
図７は、軌道補正装置１４０が有する電極の第４の実施形態を示す。
【００５３】
図７Ａは、四重極電極をＺ軸方向へ二つ並べたダブレット構成のブロック電極３２０の斜視図であり、図７Ｂは、理想軌道Ｒを通るＸ−Ｚ平面におけるブロック電極３２０の断面図である。ブロック電極３２０は、円柱電極３００Ａ〜Ｄからなる前段の四重極電極３２２と、円柱電極３００Ｅ〜Ｈからなる後段の四重極電極３２４とを有する。図５の１ブロック構成の場合と同様に、四重極電極３２２では、各円柱電極３００Ａ〜Ｄが互いに平行であって、所定半径の円Ｃ２上に等間隔で配置されている。四重極電極３２４では、各円柱電極３００Ｅ〜Ｈが互いに平行であって、Ｃ２と同一半径の円Ｃ３上に等間隔で配置されている。さらに、四重極電極３２２及び四重極電極３２４は、各円Ｃ２及びＣ３の中心が理想軌道Ｒと一致し、かつ、互いにＺ軸方向へ平行移動した位置になるように配置されている。また、図７の例では、円柱電極３００Ａ、Ｃと円柱電極３００Ｅ，ＧがＸ軸上に配置され、円柱電極３００Ｂ、Ｄと円柱電極３００Ｆ，ＨがＹ軸上に配置されている。
【００５４】
上記のように各円柱電極３００Ａ〜Ｈが配置されたブロック電極３２０において、四重極電極３２２に与える電位パターンと四重極電極３２４に与える電位パターンは、互いに９０度回転させたようになっている。つまり、四重極電極３２２では、Ｘ軸上の円柱電極３００Ａ、Ｃにプラス電位（Ｖ１）、Ｙ軸上の円柱電極３００Ｂ、Ｄにマイナス電位（−Ｖ１）が付与され、四重極電極３２４では、Ｘ軸上の円柱電極３００Ｅ、Ｇにマイナス電位（−Ｖ２）、Ｙ軸上の円柱電極３００Ｂ、Ｄにプラス電位（Ｖ２）が付与される。なお、四重極電極３２２及び四重極電極３２４に付与される電位の絶対値（つまり、Ｖ１，Ｖ２の値）は、同一値でも良いし、異なる値でも良い。
【００５５】
四重極電極３２４の周辺の電位分布は、図６に示したものと同様の電位分布となる。すなわち、プラスに帯電した液滴は、Ｘ軸方向へ収束し、Ｙ軸方向へ発散する。四重極電極３２２の周辺は、図６に示した電位分布を９０度回転した電位分布となる。従って、Ｘ軸方向へ発散し、Ｙ軸方向へ収束する。
【００５６】
図８は、軌道補正装置１４０に上記ダブレット構成のブロック電極３２０を採用したときに、液滴の発生点（液滴生成装置１１０のノズル位置）からブロック電極３２０の前段の四重極電極３２２及び後段の四重極電極３２４を通過するときの液滴１０１ａの軌跡を示す（ただし、帯電装置１３０及び偏向装置１３５は記載を省略している）。同図を用いて、液滴１０１ａがＥＵＶ生成点１０３に収束するための結像条件を求める。なお、同図の上段がＸ―Ｚ平面における軌跡、同図の下段がＹ―Ｚ平面における軌跡を示す。
【００５７】
同図に示すように、理想軌道上であって、かつ、軌道補正装置１４０または軌道補正装置１４０が形成する場より上流の所定の基準点１１０Ａからブロック電極３２０の前段の四重極電極３２２までの距離をｂ、四重極電極３２２と後段の四重極電極３２４の距離をs、四重極電極３２４からＥＵＶ生成点１０３までの距離をｃ、四重極電極３２２、３２４のＺ軸方向の長さ（円柱の高さ）をＬとする。ここで、各々の四重極電極３２２，３２４が静電レンズとして与える実効的な焦点距離をそれぞれｆ１、ｆ２とおくと、２枚の静電レンズによる合成焦点距離（ブロック電極３２０の焦点距離）Ｆは、薄肉レンズの近似を用いて簡単に次式のように表される。なお、上記の基準点１１０Ａは、理想軌道上の軌道補正装置１４０と帯電装置１３０との間の任意の点でよいが、例えば、帯電装置１３０から液滴１０１ａが出力される点、あるいは、偏向装置１３５から液滴１０１ａが出力される点でもよい。
【００５８】
2010062141.tif 000005
そこで、この式（３）で定まるブロック電極３２０の合成焦点距離Ｆを用いて、ブロック電極３２０を、液滴をＥＵＶ生成点１０３に結像させるような光学系に構成する。ここで、２つの四重極電極３２２，３２４の静電レンズは、Ｘ−Ｚ面（Ｙ＝０）及びＹ−Ｚ面（Ｘ＝０）のそれぞれにおいて、極性の異なる等しい焦点距離をもつ（ｆ＝ｆ１＝−ｆ２）とする。このとき、例えば、Ｓｎ液滴において、Ｚ軸方向の液滴の初速を２０ｍ／ｓ、液滴の粒子径を３０μｍ、液滴の帯電量を２ｐＣとすると、式（１）に示す関係で、Ｖ＝５００Ｖ，ｂ＝５ｍｍ，Ｌ＝１０ｍｍの場合、各々の四重極電極３２２，３２４の静電レンズの実効焦点距離はｆ＝５０ｍｍとなり、ｓ＝３７．５ｍｍのとき、ｂ＝ｃ＝１５０ｍｍの結像条件を満たす。
【００５９】
図９は、上記の条件に従うブロック電極３２０において、Ｚ軸と垂直方向（Ｘ−Ｙ平面の方向）へ初速度を有する液滴１０１ａの軌道をシミュレーションした結果を示す。同図ＡがＺ軸と垂直方向に１ｍｍ／ｓの初速を持つ場合、同図ＢがＺ軸と垂直方向に１０ｍｍ／ｓの初速を持つ場合の、それぞれのシミュレーション結果である。これらからわかるように、Ｚ軸と垂直方向の初速度に関係なく、ｃ＝１５０ｍｍの位置に液滴軌道が収束することが確認できる。
【００６０】
上述したように、軌道補正装置１４０に四重極電極のダブレット構成を採用することによって、従来のような液滴の位置計測のための計測装置、ターゲット生成器移動のための制御機構及びコントローラなどを使用することなく、確実に液滴をあらかじめ設定されたＥＵＶ生成点１０３へ導くことができる。その結果、極めて安定的にＥＵＶ出力を行うＥＵＶ光源装置１を提供することができる。
【００６１】
ここで、図８及び図９に示したように、液滴生成点１１０Ａと四重極電極３２２との距離ｂと、四重極電極３２４から収束位置までの距離ｃとが等距離になる。従って、ダブレット構成の場合、距離ｂを定めることにより距離ｃが一意に決定される。つまり、ダブレット構成のブロック電極では、上記距離ｃを任意に設定することができない。
【００６２】
これに対して、四重極電極をＺ軸方向へ三つ並べたトリプレット構成のブロック電極とすれば、ブロック電極の最後段の四重極電極からＥＵＶ生成点１０３までの距離ｃを任意に定めることができる。そこで、図１０にトリプレット構成のブロック電極３３０の構成図を示し、図１１にトリプレット構成のブロック電極３３０の場合の軌道計算のシミュレーション結果を示す。
【００６３】
ここで、四重極電極３３２と四重極電極３２４との距離及び四重極電極３３４と四重極電極３２６との距離を同じ距離ｓとし、液滴生成点１１０Ａから四重極電極３２２までの距離ｂをｂ＝１５０ｍｍとする。このときの３つの四重極電極３２２，３２４、２３６の静電レンズは、Ｘ−Ｚ面（Ｙ＝０）及びＹ−Ｚ面（Ｘ＝０）のそれぞれにおいて、極性の異なる等しい焦点距離をもつ（ｆ＝ｆ１＝−ｆ２＝ｆ３）ものとする。このとき、例えば、Ｓｎ液滴において、Ｚ軸方向の液滴の初速を１８ｍ／ｓ、液滴の粒子径を３０μｍ、液滴の帯電量を２ｐＣとして、式（１）に示す関係で、Ｖ＝３３０Ｖ，ｂ＝５ｍｍ，Ｌ＝１０ｍｍの場合、図１１に示すように、Ｚ軸と垂直方向の初速度にかかわらず、四重極電極３２６からの距離ｃ＝７２５ｍｍの点に収束することがわかる。つまり、図７のダブレット構成では、液滴生成点１１０Ａから液滴軌道の収束点（ＥＵＶ生成点１０３）までの距離ｂを変えることができないのに対して、本実施形態によるトリプレット構成では、液滴生成点１１０Ａからトリプレット電極３３０までの距離ｂに関わらず、トリプレット電極３３０から液滴軌道収束点（ＥＵＶ生成点１０３、ＥＵＶ発生点）までの距離ｃを、電極電位を最適化することにより任意の位置に設定することが出来る。このため、ＥＵＶ発生装置のその他の構成部（例えばＥＵＶ集光用の大型凹面ミラー）との取り合いが行い易く、より幅の広い条件でのＥＵＶ光源動作が可能となる。
【００６４】
ここまでに説明した実施形態では、電場を形成して帯電した液滴を収束させたが、磁場によって帯電した液滴を収束させることもできる。つまり、軌道補正装置１４０が磁石を有し、この磁石に磁場を形成させるようにしても良い。
【００６５】
図１２は、軌道補正装置１４０が磁場を形成する場合の実施形態として、軌道補正装置１４０に適用可能な磁石ブロックの構成の一例を示す。この実施形態では、複数の磁石が磁石ブロック４１０を形成している。同図Ａは磁石ブロック４１０の斜視図であり、同一形状の４本の直方体の磁石４００Ａ〜Ｄが磁石ブロック４１０を形成している。同図Ｂは、磁石ブロック４１０の平面図である。各磁石４００Ａ〜Ｄは、永久磁石または電磁石である。
【００６６】
各磁石４００Ａ〜Ｄは、ある半径の円Ｃ４の円周上に互いに等距離で配置されている。さらに、各磁石４００Ａ〜Ｄは、互いに平行で、一つの側面（内向面）が円Ｃ４の中心に対して正対するように配置されている。つまり、対向する一対の磁石４００，４００の内向面同士は、ほぼ平行に向き合っている。円Ｃ４の中心が、理想軌道Ｒと一致するように配置される。
【００６７】
そして、対向する磁石４００、４００の各対向面が同じ極性となるように配置される。さらに、ある磁石４００の内向面の極性に対して、隣り合う磁石４００，４００の内向面が、いずれも逆極性となるようにする。たとえば、図１２の場合、磁石４００Ａ、Ｃの対向面がＮ極、磁石４００Ｂ、Ｄの対向面がＳ極となっている。その結果、磁力線は図１２Ｂに示すように、磁石４００Ａ、Ｃから出て磁石４００Ｂ、Ｄへ入るように分布する。
【００６８】
上記磁石ブロック４１０が形成した磁場に突入した帯電した液滴１０１ａにはローレンツ力が働き、液滴１０１ａの軌道が偏向する。ローレンツ力の方向は、上述した四重極電極とは異なり、Ｘ軸及びＹ軸に対して４５度傾いているが、磁石ブロック４１０が液滴１０１ａをＥＵＶ生成点１０３へ収束させるための基本構成は同様である。従って、電極の代わりに磁石ブロックを適用することも可能である。つまり、形成された磁場が磁気レンズとして機能することにより、液滴１０１ａの軌道が補正される。
【００６９】
次に、図１３に極端紫外光源装置１の他の実施形態を示す。同図は、極端紫外光源装置１の概略断面図である。
【００７０】
この実施形態に係る極端紫外光源装置１は、真空排気されたＥＵＶチャンバ１００と、液滴を生成する液滴生成装置１１０と、液滴生成装置１１０によって生成された液滴１０１に選択的に電荷を与えて帯電させる帯電装置１３０と、帯電装置１３０により帯電させられた液滴１０１ａを偏向させ、非帯電の液滴１０１ｂの軌道から引き出す偏向装置１３５と、帯電した液滴１０１ａの軌道を補正する軌道補正装置１４０と、レーザ光源１５０及び集光レンズ１５２と、放射されたＥＵＶ光をＥＵＶ集光点１２０に集光するためのＥＵＶ集光ミラー１７０と、ＥＵＶチャンバ１００の外周に沿うように設けられた環状のデブリシールド用磁石１８０とを有している。
【００７１】
液滴生成装置１１０は、たとえば、コンティニュアスジェット法により、ノズルから吐出する液体ジェットより均一ドロプレットを生成するための、振動子（ピエゾ素子）１１１とこの振動子を決められた周波数で振動させる振動子コントローラ１１２とを有している。
【００７２】
帯電装置１３０は、帯電電極１３１及び帯電コントローラ１３２を有する。
【００７３】
偏向装置１３５は、偏向電極１３６及び偏向電極コントローラ１３７を有する。
【００７４】
液滴生成装置１１０から射出された液滴のうち、帯電装置１３０により帯電されたものが偏向装置１３５により偏向されて、ＥＵＶ生成点１０３へ供給される。偏向装置１３５で偏向されることを考慮して、液滴生成装置１１０からの液滴１０１の射出方向は、理想軌道Ｒからやや傾いた方向となる。
【００７５】
軌道補正装置１４０は、ここでは四重極電極のトリプレット構造を採用している。軌道補正装置１４０は、さらに、トリプレット構造の電極に与える電位を制御する軌道補正電極コントローラ１４１を有する。
【００７６】
デブリシールド用磁石１８０は、ＥＵＶチャンバ１００内に磁場を生成する。ＥＵＶ生成点１０３においてＥＵＶ発光と同時に発生するイオンからなるデブリは、この磁場から受けるローレンツ力によってＥＵＶ集光ミラー１７０に付着しない方向へ排出される。
【００７７】
ＥＵＶ生成点１０３は、デブリシールド用磁石１８０よりも液滴の進行方向下流（図中では磁石１８０に対して右側）に設定される。これは、レーザ照射後のイオンデブリを、液滴の進行方向下流へ排出するためである。しかしながら、これによって帯電した液滴は、ＥＵＶ生成点１０３へ到達するまでの間にデブリシールド用磁石１８０が生成する磁界を通過しなければならない。そこで、この磁界による影響をなるべく小さくするため、帯電した液滴は、磁力線と平行になるように、つまり理想軌道Ｒに沿うように入射されるのが好ましい。また、装置構成の問題から、磁力線に対して角度をもって入射する（最悪の場合は直交方向）場合は、磁場からのローレンツ力によって帯電液滴の軌道が変化する量をあらかじめ見積もって、入射位置を決める必要がある。
【００７８】
このような構成を有する極端紫外光源装置１では、液滴生成装置１１０からの液滴の射出方向が、理想軌道Ｒからずれた場合でも、たとえば図中の軌道ＡまたはＢに示すように、軌道補正装置１４０によって軌道が補正されて、帯電した液滴１０１ａはＥＵＶ生成点１０３へ収束する。この結果、本実施形態の極端紫外光源装置１は、液滴生成装置１１０からの射出方向の如何によらず、帯電した液滴１０１ａは必ずレーザに照射されることになり、ＥＵＶ光を安定的に出力することが出来る。
【００７９】
図１３に示した極端紫外光源装置１の変形例として、さらに別の実施形態を図１４に示す。図１４の極端紫外光源装置１では、環状のデブリシールド用磁石１８０（１８０ａ，１８０ｂ）が二つ設けられている（ダブルマグネット）。液滴の進行方向に対して下流に配置されたデブリシールド用磁石１８０ｂの径が、上流側のデブリシールド用磁石１８０ａの径よりも大きくなっている。これにより、ＥＵＶチャンバ１００内に形成される磁場の磁力線は、デブリの排出方向へ向かって広がっている。これにより、図１３の例よりもイオンデブリがより排出されやすく構成されている。同図の例では、ＥＵＶ生成点１０３ｂは、磁石１８０ｂの下流に設定されているが、磁石１８０ａと磁石１８０ｂの間に設定しても良い。
【００８０】
以上説明した実施形態によれば、ＥＵＶ発生のターゲット供給方法である液滴供給方式において、液滴生成装置１１０と、レーザ集光点（ＥＵＶ発生点）１０３までの液滴軌道上に、電場または磁場を利用した軌道補正装置１４０を導入することにより、液滴のノズルからの出射方向にバラツキが発生した場合も、これを補正して、一点に精度よく液滴を供給することが出来る。その結果、パルス毎のＥＵＶ光の強度変化、発生点の位置変動、または空間分布の変化を小さく抑えられることから、高品位のＥＵＶ光の発生・供給が可能となる。
【００８１】
軌道補正装置１４０は、結像条件を満たすことにより、原理上、半径方向に異なる速度で入射してきた液滴に対しても、予め設定した一点に収束させることが出来る。このような受動的な制御は、制御ループの帯域の影響がないため、パルス駆動するＥＵＶ装置が高繰り返し化した場合に有利であり、基本的には繰り返し周波数の制限は受けない。
【００８２】
軌道補正装置１４０では、液滴の直径やノズルからの出射時の初速、或いは収束させたい位置に応じて、電極電位を変えることにより様々な条件に対して柔軟に対応することが出来る。また、配置上、液滴生成点１１０Ａと、ＥＵＶ生成点１０３の距離を長くとらなければならない場合でも、適切に電極を追加配置することによって、液滴の位置ばらつきを悪化させることなく伝播させることが可能である。
【００８３】
軌道補正装置１４０を搭載したＥＵＶ光源では、帯電した液滴ターゲットを、静電レンズや四重極電極レンズで出来る静電場、また四重極磁石レンズでできる静磁場中に通すことによって、ノズルから射出される液滴ターゲットの出射方向が変化したとしても、最終的に、これらの液滴はあらかじめ設定された一点（レーザ照射点であるＥＵＶ生成点１０３）を通過する。そのため、レーザを液滴ターゲットに必ず照射することができ、安定したＥＵＶ出力を長期にわたって得ることが可能となり、ひいては信頼性の高いＥＵＶ光源を提供することができる。
【００８４】
上述した本発明の実施形態は、本発明の説明のための例示であり、本発明の範囲をそれらの実施形態にのみ限定する趣旨ではない。当業者は、本発明の要旨を逸脱することなしに、他の様々な態様で本発明を実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の一実施形態に係る極端紫外光源装置１の一部を模式的に示す。
【図２】軌道補正装置１４０が有する電極の第１の実施形態を示す。
【図３】円孔電極２００の円孔付近の等電位面の分布を示す。
【図４】軌道補正装置１４０が有する電極の第２の実施形態を示す。
【図５】軌道補正装置１４０が有する電極の第３の実施形態を示す。
【図６】ブロック電極３１０の電位及び電位分布を示す。
【図７】軌道補正装置１４０が有する電極の第４の実施形態を示す。
【図８】ダブレット構成のブロック電極３２０を採用したときの液滴１０１ａの軌跡を示す。
【図９】ダブレット構成のブロック電極３２０が結像条件を満たすときの液滴１０１ａの軌道のシミュレーション結果を示す。
【図１０】軌道補正装置１４０にトリプレット構成のブロック電極３３０を採用したときの液滴１０１ａの軌跡を示す。
【図１１】トリプレット構成のブロック電極３３０が結像条件を満たすときの液滴１０１ａの軌道のシミュレーション結果を示す。
【図１２】軌道補正装置１４０に適用可能な磁石ブロックの構成の一例を示す。
【図１３】極端紫外光源装置１の他の実施形態を示す。
【図１４】極端紫外光源装置１のさらに別の実施形態を示す。
【図１５】従来技術にかかる極端紫外光を生成するＥＵＶ光源装置を示す。
【図１６】従来技術における液滴の位置補正を示す。
【図１７】従来技術にかかる液滴の位置補正を示す。
【符号の説明】
【００８６】
１           極端紫外光源装置
１００    ＥＵＶチャンバ
１０１、１０１ａ、１０１ｂ            液滴
１０３    レーザ集光点
１０３    ＥＵＶ生成点
１１０    液滴生成装置
１１０    液滴生成装置
１１０Ａ               液滴生成点
１２０    ＥＵＶ集光点
１３０    帯電装置
１３５    偏向装置
１４０    軌道補正装置
１５０    レーザ光源
１５２    集光レンズ
１７０    集光ミラー
１８０、１８０ａ、１８０ｂ            デブリシールド用磁石
２００Ａ-Ｃ          円孔電極
２２０    ブロック電極
３００Ａ-Ｈ          円柱電極
３１０、３２０    ブロック電極
３２２，３２４、３２６    四重極電極
３３０    トリプレット電極
４００Ａ-Ｄ          磁石
４１０    磁石ブロック
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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