(57)【要約】【課題】セラミック基板のヒートシンクに対する位置決め性及び接合強度を向上させることができ、ヒートシンクに反り形状が発生することを抑制して放熱効果の維持及びセラミック基板の剥離の防止を図ることが可能な放熱基板ユニットを提供する。【解決手段】板状に形成されたヒートシンク１０上に、表面２０ａ及び裏面２０ｂに第１導電性パターン２１及び第２導電性パターン２２を形成したセラミック基板２０を配置するとともに、これらの間に配されたはんだペースト３０にリフロー処理を施してなる放熱基板ユニット１において、ヒートシンク１０に、その上面１０ａから該ヒートシンク１０の厚さ方向に窪んでセラミック基板２０の裏面２０ｂの第２導電性パターン２２が嵌り込む第１の凹部１１を形成し、該第１の凹部１１の底部１１ａ中央に、ヒートシンク１０の厚さ方向に突出する突出部１２を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状に形成されたヒートシンク上に、表面及び裏面に導電性パターンを形成したセラミック基板が重ねて配置されるとともに、前記ヒートシンクと前記セラミック基板の裏面の導電性パターンとの間に配されたはんだにリフロー処理が施されることによって、前記ヒートシンクと前記セラミック基板とが接合されてなる放熱基板ユニットにおいて、
前記ヒートシンクには、その上面中央から該ヒートシンクの厚さ方向に窪んで前記セラミック基板の裏面の導電性パターンが嵌り込む凹部が形成され、
該凹部の底部中央に、前記ヒートシンクの厚さ方向に突出する突出部が形成されていることを特徴とする放熱基板ユニット。
【請求項２】
板状に形成されたヒートシンク上に、表面及び裏面に導電性パターンを形成したセラミック基板が重ねて配置されるとともに、前記ヒートシンクと前記セラミック基板の裏面の導電性パターンとの間に配されたはんだにリフロー処理が施されることによって、前記ヒートシンクと前記セラミック基板とが接合されてなる放熱基板ユニットにおいて、
前記ヒートシンクが前記導電性パターンよりも熱膨張係数が小さい材料によって構成されており、
前記ヒートシンクには、その上面中央から該ヒートシンクの厚さ方向に窪んで前記セラミック基板の裏面の導電性パターンが嵌り込む第一の凹部が形成され、
前記セラミック基板の裏面の導電性パターンに、前記セラミック基板の裏面側から該セラミック基板の厚さ方向に突出する突起部が形成され、
前記ヒートシンクの前記第一の凹部には、その底面中央から前記ヒートシンクの厚さ方向に窪んで前記突起部が嵌り込む第二の凹部が形成されたことを特徴とする放熱基板ユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性パターンが形成されたセラミック基板に伝達される熱を外方に放熱させるヒートシンクを備えた放熱基板ユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
上記のような放熱基板ユニットとして、図８に示すように、放熱性の高い材料からなる板状のヒートシンク１０５上に、表面及び裏面に導電性パターン１０１ｂ，１０１ｃを形成したセラミック基板１０１ａが重ねて配置されるとともに、ヒートシンク１０５とセラミック基板１０１ａの裏面の導電性パターン１０１ｃとの間に付着されたはんだ１０４にリフロー処理が施されることで、これらヒートシンク１０５とセラミック基板１０１ａとが接合されてなる放熱基板ユニット１００が知られている。
【０００３】
このような放熱基板ユニット１００においては、上記リフロー処理においてはんだ１０４を加熱溶着する際に、ヒートシンク１０５とセラミック基板１０１ａとの熱膨張係数の相違によってヒートシンク１０５に反り形状が生じるという問題がある。
【０００４】
そこで従来、このヒートシンク１０５における反り形状の発生を防ぐための提案がいくつかなされており、例えば、ヒートシンク１０５の反り量を予測してはんだの加熱溶着によって反る方向とは逆向きに予め反り加工を施す方法や、また特許文献１に示されるように、ヒートシンクの裏面にショットピーニング処理を施して該裏面に硬化層を形成して反りを防止する手法がある。
【特許文献１】特開２００６−３３２０８４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、セラミック基板とヒートシンクとを接合する際には、これらセラミック基板とヒートシンクとの相対的な位置決めを行う必要があり、さらに、製品の耐久性の観点からは両者の接合強度がより大きいことが望ましい。
【０００６】
この点、ヒートシンクの上面にセラミック基板の裏面の導電性パターンが嵌り込む凹部を形成すれば、位置決めを容易に行うことができ、かつ接合強度を大きくすることができるとも考えられる。
【０００７】
ところが、このようにヒートシンクに凹部を形成すると、当該凹部に起因してリフロー処理の加熱時にヒートシンクに反り形状が発生してしまうという問題が生じる。即ち、板状のヒートシンクが加熱されると主として面方向に熱膨張が生じ、これによりヒートシンク内部に応力が発生する。この際、通常リフロー処理時にはヒートシンクの下面及び側部が治具により支持されているため、当該応力が肉薄となる凹部の形成部分に集中し、この形成部分が上方に向けて押し上げられることとなる。その結果、ヒートシンクはセラミック基板側に大きく凸状に反ってしまう。
【０００８】
このようにヒートシンクに反り形状が生じると、ヒートシンクとセラミック基板との接合面積が小さくなり放熱効果が損なわれてしまう他、両者の接合面のはんだにクラックが生じ、セラミック基板がヒートシンクから剥離してしまうという問題が生じる。
【０００９】
この発明はこのような課題に鑑みてなされたものであって、セラミック基板のヒートシンクに対する位置決め性及び接合強度を向上させることができるともに、ヒートシンクの反り形状の発生を抑制して、放熱効果の維持及びセラミック基板の剥離の防止を図ることが可能な放熱基板ユニットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明は以下の手段を提案している。
即ち、本発明に係る放熱基板ユニットは、板状に形成されたヒートシンク上に、表面及び裏面に導電性パターンを形成したセラミック基板が重ねて配置されるとともに、前記ヒートシンクと前記セラミック基板の裏面の導電性パターンとの間に配されたはんだにリフロー処理が施されることによって、前記ヒートシンクと前記セラミック基板とが接合されてなる放熱基板ユニットにおいて、前記ヒートシンクには、その上面中央から該ヒートシンクの厚さ方向に窪んで前記セラミック基板の裏面の導電性パターンが嵌り込む凹部が形成され、該凹部の底部中央に、前記ヒートシンクの厚さ方向に突出する突出部が形成されていることを特徴とする。
【００１１】
このような特徴の放熱基板ユニットによれば、ヒートシンクの表面にセラミック基板の裏面の導電性パターンが嵌り込む凹部を設けたことにより、セラミック基板の横ズレを防止することができるため、ヒートシンクに対するセラミック基板の位置決めを容易に行うことが可能となる。
また、導電性パターンが凹部に嵌り込む構成とすることではんだによる接合面積が増加することから、セラミック基板とヒートシンクとの接合強度を向上させることが可能となる。
さらに、凹部の底部中央に突出部が設けられていることで、突出部の形成部分におけるヒートシンクの厚さ寸法が肉厚になる。したがって、熱膨張に基づいて凹部に生じる上向きの応力を緩和することができ、該凹部に起因した反りを低減させることが可能となる。
【００１２】
また、本発明に係る放熱基板ユニットは、板状に形成されたヒートシンク上に、表面及び裏面に導電性パターンを形成したセラミック基板が重ねて配置されるとともに、前記ヒートシンクと前記セラミック基板の裏面の導電性パターンとの間に配されたはんだにリフロー処理が施されることによって、前記ヒートシンクと前記セラミック基板とが接合されてなる放熱基板ユニットにおいて、前記ヒートシンクが前記導電性パターンよりも熱膨張係数が小さい材料によって構成されており、前記ヒートシンクには、その上面中央から該ヒートシンクの厚さ方向に窪んで前記セラミック基板の裏面の導電性パターンが嵌り込む第一の凹部が形成され、前記セラミック基板の裏面の導電性パターンに、前記セラミック基板の裏面側から該セラミック基板の厚さ方向に突出する突起部が形成され、前記ヒートシンクの前記第一の凹部には、その底面中央から前記ヒートシンクの厚さ方向に窪んで前記突起部が嵌り込む第二の凹部が形成されたことを特徴とする。
【００１３】
このような特徴の放熱基板ユニットによれば、前述と同様に、第一の凹部によりセラミック基板の位置決めを容易にし、接合強度を向上させることが可能となる。さらに、加熱時には、ヒートシンク自体には凹部部分に上向きの応力が生じるものの、ヒートシンクよりも熱膨張係数の大きな導電性パターンの突起部が第二の凹部に嵌り込んだ状態で熱膨張することにより、当該突起部にはヒートシンクを下向きに押し付ける力が発生する。そしてこの押し付け力が、前述したヒートシンクの凹部に生じる上向きの応力と打ち消し合うため、当該放熱基板ユニットに反りが発生することを抑制することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の放熱基板ユニットによれば、セラミック基板のヒートシンクに対する位置決め性及び接合強度を向上させることができ、さらに、ヒートシンクに反り形状が生じることを抑制して、放熱効果の維持及びセラミック基板の剥離の防止を図ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明に係る放熱基板ユニットの第１の実施形態ついて、図１から図３を用いて詳細に説明する。
図１は第１実施形態に係る放熱基板ユニットの側断面図、図２は第１実施形態に係るヒートシンクの側断面図、図３は第１実施形態に係るヒートシンクの平面図である。
【００１６】
図１に示すように、放熱基板ユニット１は、ヒートシンク１０上に、表面２０ａ及び裏面２０ｂに第１導電性パターン２１及び第２導電性パターン２２を形成したセラミック基板２０がはんだペースト３０を介して積層され、これにリフロー処理が施されることによってヒートシンク１０とセラミック基板２０とが接合されることで構成されている。
【００１７】
上記セラミック基板２０は、例えば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）や窒化シリコン（ＳｉＮ）等を主成分とする金属からなり、平面視矩形状の板状に形成されている。
また、このセラミック基板２０の表面２０ａ上の第１導電性パターン２１及び裏面２０ｂ上の第２導電性パターン２２は、例えば、セラミック基板２０よりも厚みの小さい銅箔が積層されることで形成されており、これら第１導電性パターン２１及び第２導電性パターン２２の平面視形状は、セラミック基板２０よりも寸法の小さい正方形状とされている。
【００１８】
そして、本実施形態の放熱基板ユニット１においては、第１導電性パターン２１を形成する銅箔が一定の厚みの薄膜状であるのに対し、第２導電性パターン２２を形成する銅箔はその平面視中央部が肉厚とされている。即ち、第２導電性パターン２２には、セラミック基板２０の裏面２０ｂ側から該セラミック基板２０の厚さ方向に向かって突出する突起部２３が形成されている。なお、該突起部２３の平面視形状も正方形状とされている。
【００１９】
ヒートシンク１０は、例えば、Cu-W, Cu-Mo, Al-SiCを主成分とする金属からなり、詳しくは図２及び図３に示すように、平面視矩形状をなす板状に形成されている。また、このヒートシンク１０の平面視面積は上記セラミック基板２０よりも大きく形成されている。
【００２０】
ヒートシンク１０の上面１０ａ中央には、該ヒートシンク１０の厚さ方向に窪む第１の凹部１１が形成されている。この第１の凹部１１は、第２導電性パターン２２と同様に平面視正方形状に形成され、その外周寸法は上記第２導電性パターン２２の外周寸法と同一とされている。これにより、第２導電性パターン２２を第１の凹部１１に隙間なく嵌め込むことができる。また、第１の凹部１１の深さ寸法は、第２導電性パターン２２の厚みよりも十分に大きなものとされている。
【００２１】
この第１の凹部１１の底部１１ａには、ヒートシンク１０の厚さ方向に突出する突出部１２が形成されている。
この突出部１２は、平面視正方形状をなす底部１１ａの４辺から該正方形の中央に向かうに従って上面１０ａ側に延びる４つの傾斜面１３と、これら傾斜面１３のそれぞれに接して平面視正方形状をなす先端面１４とを有し、これにより突出部１２は先端面１４を上底とする正四角錐台状をなしている。
なお、この先端面１４は、ヒートシンク１０の上面１０ａと平行をなし、さらに、該ヒートシンク１０の上面１０ａよりも第１の凹部１１の底部１１ａ側に後退して位置している。
【００２２】
さらに、突出部１２の先端面１４の中央には、ヒートシンク１０の厚さ方向に窪む第２の凹部１５が形成されている。この第２の凹部１５の外周寸法は、上記第２導電性パターン２２に形成された突起部２３と同様に平面視正方形状に形成され、その外周寸法は該突起部２３と同一とされている。これにより、突起部２３を第２の凹部１５に隙間なく嵌め込むことができる。
【００２３】
ここで、セラミック基板２０を上記材質で形成した場合にはその熱膨張係数は７×１０−６／℃となる。一方、銅箔からなる第２導電性パターン２２の熱膨張係数は１７×１０−６／℃となる。したがって、本実施形態においては、ヒートシンク１０の熱膨張係数は第２導電性パターン２２の熱膨張係数よりも小さいものとされている。
なお、この条件を満たす限り、ヒートシンク１０、第１導電性パターン２１及び第２導電性パターン２２は、上記材質に限定されることなく、他の金属によって形成されてもよい。
【００２４】
上記のようなヒートシンク１０にセラミック基板２０を接合するに際しては、まず、セラミック基板２０の第２導電性パターン２２にはんだペースト３０を付着させる。次に、第２導電性パターン２２を第１の凹部１１に嵌り込ませて、さらに、第２導電性パターン２２の平面視中央部に形成された突起部２３を第２の凹部１５に嵌り込ませる。この状態では、第２導電性パターン２２がはんだペースト３０を介して突出部１２の先端面１４に当接するとともに、該第２導電性パターン２２における突起部２３がはんだペースト３０を介して第２の凹部１５の底面１５ａに当接する。
そして、リフロー処理を施すことによって上記はんだペースト３０が加熱溶融され、その後、冷却凝固されることではんだ層が形成される。
このようにして、はんだ層によってヒートシンク１０とセラミック基板２０とが接合された放熱基板ユニット１が形成される。さらに詳術すれば、はんだ層によって、セラミック基盤２０が、ヒートシンク１０における第１の凹部１１の傾斜面１３や第２の凹部１５の底部１５ａに接合される。
【００２５】
以上のような構成の放熱基板ユニット１は、セラミック基板２０の表面２０ａに形成された第１導電性パターン２１上に熱源となる半導体素子（図示省略）が固定される。そして、動作時に半導体素子が発熱し、その熱が、第１導電性パターン２１、セラミック基板２０、第２導電性パターン２２及びはんだ層を介してヒートシンク１０に伝達され、該ヒートシンク１０において放熱されるようになっている。これにより、半導体素子の温度上昇が防止され、その正常な動作が確保される。
【００２６】
この放熱基板ユニット１においては、ヒートシンク１０の上面１０ａにセラミック基板２０の裏面２０ｂの第２導電性パターン２２が嵌り込む第１の凹部１１が設けられたことにより、セラミック基板２０の横ズレを防止することができるため、ヒートシンク１０に対するセラミック基板２０の位置決めを容易に行うことが可能となる。
【００２７】
また、第２導電性パターン２２が凹部に嵌り込む構成とすることで、はんだによる接合面積が増加することから、セラミック基板２０とヒートシンク１０との接合強度を向上させることが可能となる。
【００２８】
ここで、例えばヒートシンク１０に第１の凹部１１のみが形成されている場合、該第１の凹部１１に起因してリフロー処理の加熱時にヒートシンク１０に反り形状が発生してしまうという問題が生じる。即ち、板状のヒートシンク１０が加熱されると主として面方向に熱膨張が生じ、これによりヒートシンク１０内部に応力が発生する。この際、通常、リフロー処理時にはヒートシンク１０の下面及び側部が治具により支持されているため、当該応力が肉薄となる第１の凹部１１の形成部分に集中し、この形成部分が上方に向けて押し上げられることとなる。その結果、ヒートシンク１０がセラミック基板２０側に大きく凸状に反ってしまう。
【００２９】
この点、本実施形態の放熱基板ユニット１においては、ヒートシンク１０の第１の凹部１１の底部１１ａ中央にセラミック基板２０側に突出する突出部１２が設けられていることから、該突出部１２の形成部分におけるヒートシンク１０の厚さ寸法が肉厚になる。これにより、熱膨張に基づいて第１の凹部１１に生じる上向きの応力を緩和することができ、第１の凹部１１に起因した反りを低減させることが可能となる。
【００３０】
さらに、ヒートシンク１０よりも熱膨張係数の大きな第２導電性パターン２２の突起部２３が第２の凹部１５に嵌り込んだ状態で熱膨張することにより、当該突起部２３にはヒートシンク１０を下向きに押し付ける力が発生する。そしてこの押し付け力が前述したヒートシンクの第１の凹部１１に生じる上向きの応力と打ち消し合うため、放熱基板ユニット１に反りが発生することを防止できる。
【００３１】
以上から、本実施形態の放熱基板ユニット１によれば、ヒートシンク１０に第１の凹部１１を形成したことにより、セラミック基板２０のヒートシンク１０に対する位置決め性及び接合強度を向上させることができ、さらに、第１の凹部１１に突出部１２を形成するとともに第２の凹部１５を形成することによって、ヒートシンク１０に反り形状が生じることを抑制し、放熱効果の維持及びセラミック基板２０の剥離の防止を図ることが可能となる。
【００３２】
次に、本発明の第２実施形態に係る放熱基板ユニット４０について説明する。図４は第２実施形態に係る放熱基板ユニットの側断面図、図５は第２実施形態に係るヒートシンクの側断面図である。
なお、この放熱基板ユニット４０においては、第１実施形態の放熱基板ユニット１と同一の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００３３】
図４に示すように、放熱基板ユニット４０におけるセラミック基板２０の裏面２０ｂに形成された第２導電性パターン２４は、第１実施形態の放熱基板ユニット１の第２導電性パターン２２と異なり突起部２３が形成されていない。即ち、本実施形態の第２導電性パターン２４は、第１導電性パターン２１と同様に一定の厚みを有する銅箔を用いて平坦に形成されている。
【００３４】
また、第２実施形態に係るヒートシンク１０には、第１実施形態と同様に、第１の凹部１１が形成されており、該第１の凹部１１の底部１１ａ中央に、ヒートシンク１０の厚さ方向に突出する突出部１６が形成されている。この突出部１６は、その先端面１６ａが平面視正方形状をなす正四角柱状をなしている。また、先端面１４は、ヒートシンク１０の上面１０ａと平行をなし、さらに、該ヒートシンク１０の上面１０ａよりも第１の凹部１１の底部１１ａ側に後退して位置している。
【００３５】
この第２実施形態においてヒートシンク１０にセラミック基板２０を接合するには、セラミック基板２０の第２導電性パターン２４にはんだペースト３０を付着させた後、該第２導電性パターン２４を第１の凹部１１に嵌り込ませる。この状態で、第２導電性パターン２４がはんだペースト３０を介して突出部１６の先端面１６ａに当接する。そして。リフロー処理が施されることによってはんだ層が形成され、ヒートシンク１０とセラミック基板２０とが接合された放熱基板ユニット４０が形成される。この際、はんだ層によって、セラミック基盤２０が、ヒートシンク１０における第１の凹部１１の１１ａや突出部１６の先端面１６ａに接合される。
【００３６】
第２実施形態の放熱基板ユニット４０においても第１実施形態と同様に、ヒートシンク１０の第１の凹部１１にセラミック基盤２０の第２導電性パターン２４が嵌り込む構成としたことにより、セラミック基板２０の横ズレを防止することができるため、ヒートシンク１０に対するセラミック基板２０の位置決めを容易に行うことが可能となる。
【００３７】
また、このように第２導電性パターン２４が凹部に嵌り込む構成とすることで、はんだによる接合面積が増加することから、セラミック基板２０とヒートシンク１０との接合強度を向上させることが可能となる。
【００３８】
さらに、ヒートシンク１０における第１の凹部１１の底部１１ａ中央にセラミック基板２０側に突出する突出部１６が設けられていることから、該突出部１６の形成部分のヒートシンク１０の厚さ寸法が肉厚になる。これにより、熱膨張に基づいて第１の凹部１１に生じる上向きの応力を緩和することができ、第１の凹部１１に起因した反りを低減させることが可能となる。
【００３９】
次に、本発明の第３実施形態に係る放熱基板ユニット５０について説明する。図６は第３実施形態に係る放熱基板ユニットの側断面図、図７は第３実施形態に係るヒートシンクの側断面図である。
なお、この放熱基板ユニット５０においては、第１実施形態の放熱基板ユニット１と同一の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
【００４０】
第３実施形態に係るヒートシンク１０には、第１実施形態と同様に、第１の凹部１１が形成されており、さらに、該第１の凹部１１の底部１１ａ中央には、ヒートシンク１０の厚さ方向に窪む第２の凹部１７が形成されている。この第２の凹部１７は平面視正方形状に形成され、その外周寸法は第２導電性パターン２２に形成された突起部２３の外周寸法と同一とされている。これにより突起部２３を第２の凹部１７に隙間なく嵌め込むことができる。
なお、本実施形態においても、ヒートシンク１０の熱膨張係数は第１導電性パターン２１及び第２導電性パターン２２の熱膨張係数よりも小さいものとされている。
【００４１】
この第３実施形態においてヒートシンク１０にセラミック基板２０を接合するに際しては、セラミック基板２０の第２導電性パターン２２にはんだペーストを付着させた後、該第２導電性パターン２２を第１の凹部１１に嵌り込ませ、さらに、第２導電性パターン２２に形成された突起部２３を第２の凹部１７に嵌り込ませる。この状態では、第２導電性パターン２２がはんだペーストを介して第１の凹部１１の底部１１ａに当接するとともに、該第２導電性パターン２２における突起部２３が第２の凹部１７の底面１７ａに当接する。
そして。リフロー処理が施されることによってはんだ層が形成され、ヒートシンク１０とセラミック基板２０とが接合された放熱基板ユニット５０が形成される。
【００４２】
第３実施形態の放熱基板ユニット４０においても第１実施形態と同様に、ヒートシンク１０の第１の凹部１１にセラミック基板２０の第２導電性パターン２２が嵌り込む構成としたことにより、セラミック基板２０の位置決めを容易に行うことができる。
また、このように第２導電性パターン２２が第１の凹部１１に嵌り込むことで、セラミック基板２０のヒートシンク１０に対する横ズレを防止することができるため、セラミック基板２０とヒートシンク１０との接合強度を向上させることが可能となる。
【００４３】
さらに、ヒートシンク１０よりも熱膨張係数の大きな第２導電性パターン２２の突起部２３が第２の凹部１７に嵌り込んだ状態で熱膨張することにより、当該突起部２３にはヒートシンク１０を下向きに押し付ける力が発生する。そしてこの押し付け力がヒートシンク１０の第１の凹部１１に生じる上向きの応力と打ち消し合うため、放熱基板ユニット１に反りが発生することを防止できる。
【００４４】
以上、本発明の実施形態に係る放熱基板ユニット１，４０，５０ついて詳細に説明したが、本発明の技術的思想を逸脱しない限り、これらに限定されることはなく、多少の設計変更等も可能である。
例えば、上記実施形態においては、第１の凹部１１及び第２導電性パターン２２，２４は平面視正方形状としたが、第２導電性パターン２２，２４が第１の凹部１１に隙間なく嵌り込むことが可能である限り、他の平面視形状であってもよい。
また、同様に、第２の凹部１５，１７及び突出部１６の平面視形状も、突出部１６が第２の凹部１５，１７に隙間なく嵌り込むことが可能である限り、他の平面視形状であってもよい。
【００４５】
また、はんだペースト３０は、少なくともセラミック基板２０の裏面２０ｂに形成された第２導電性パターン２２，２４とヒートシンク１０との愛代に配されていればよく、例えば、ヒートシンク１０における底部１１ａ，１５ａ，１７ａ、傾斜面１３、先端面１４１６ａに付着していてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】第１実施形態に係る放熱基板ユニットの側断面図である。
【図２】第１実施形態に係るヒートシンクの側断面図である。
【図３】第１実施形態に係るヒートシンクの平面図である。
【図４】第２実施形態に係る放熱基板ユニットの側断面図である。
【図５】第２実施形態に係るヒートシンクの側断面図である。
【図６】第３実施形態に係る放熱基板ユニットの側断面図である。
【図７】第３実施形態に係るヒートシンクの側断面図である。
【図８】従来の放熱基板ユニットの側断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１    放熱基板ユニット
１０  ヒートシンク
１０ａ       上面
１１  第１の凹部（凹部）
１２  突出部
１５  第２の凹部
１５ａ       底面
１６  突出部
１７  第２の凹部
１７ａ       底面
２０  セラミック基板
２０ａ       表面
２０ｂ       裏面
２１  第１導電性パターン
２２  第２導電性パターン
２３  突起部
２４  第２導電性パターン
３０  はんだ
４０  放熱基板ユニット
５０  放熱基板ユニット
【図１】
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【図２】
2010062203.tif 000004
【図３】
2010062203.tif 000005
【図４】
2010062203.tif 000006
【図５】
2010062203.tif 000007
【図６】
2010062203.tif 000008
【図７】
2010062203.tif 000009
【図８】
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