(57)【要約】【課題】洗浄時において微細化したパーティクルや有機物の洗浄力に優れ、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする電子材料用洗浄剤を提供する【解決手段】  炭素数２〜８の脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ）を含有してなり、前記（Ａ）の２級アミン価と３級アミン価の合計（Ｙ）に対する２級アミン価（Ｘ）の比率［（Ｘ）／（Ｙ）］が、０．５以下であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素数２〜８の脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ）を含有してなり、前記（Ａ）の２級アミン価と３級アミン価の合計（Ｙ）に対する２級アミン価（Ｘ）の比率［（Ｘ）／（Ｙ）］が、０．５以下であることを特徴とする電子材料用洗浄剤。
【請求項２】
脂肪族第１級アミンが炭素数６〜８の環状アミンである請求項１記載の電子材料用洗浄剤。
【請求項３】
更に、界面活性剤（Ｂ）、キレート剤（Ｃ）及びアルカリ成分（Ｄ）からなる群から選ばれる１種以上を含有する請求項１又は２記載の電子材料用洗浄剤。
【請求項４】
洗浄剤の有効成分０．１〜１５重量％における２５℃でのｐＨが、７〜１４である請求項１〜３のいずれか記載の電子材料用洗浄剤。
【請求項５】
洗浄剤の有効成分濃度０．１〜１５重量％における、電子材料基板に対する洗浄剤の接触角が１０°以下である請求項１〜４のいずれか記載の電子材料用洗浄剤。
【請求項６】
前記電子材料が、磁気ディスク基板、フラットパネルディスプレイ基板、半導体基板又は太陽電池用基板である請求項１〜５のいずれか記載の電子材料用洗浄剤。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか記載の洗浄剤を用いる電子材料の洗浄方法。
【請求項８】
超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄及び枚葉式洗浄からなる群より選ばれる１種以上の洗浄方法を用いて行われる請求項７記載の電子材料の洗浄方法。
【請求項９】
前記電子材料が、磁気ディスク基板、フラットパネルディスプレイ基板、半導体基板又は太陽電池基板である請求項７又は８記載の洗浄方法。
【請求項１０】
請求項７〜９のいずれか記載の洗浄方法で電子材料用基板を洗浄する工程を含む電子材料の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子材料用洗浄剤に関するものである。更に詳しくは、電子材料を汚染することなく、電子材料上の微小なパーティクルや有機物の除去性に優れた電子材料用洗浄剤に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスク用基板、フラットパネルディスプレイ用基板、半導体用基板、太陽電池基板、プリント配線基板及び光学レンズ等の電子材料の洗浄技術において、近年、超ＬＳＩ等に代表される微細加工技術の進歩につれて、電子材料、特に基板上に残存する微量のパーティクルや有機物がデバイスの性能や歩留まりに大きく影響するため、洗浄時の管理が極めて重要になってきている。特に洗浄対象であるパーティクル自体が、最近ではより微粒子化する傾向にあり、微粒子化したパーティクルは、更に界面へ付着しやすくなることから、高度洗浄技術の確立が急務となっている。
これらのパーティクルによる汚染を防止するために、界面活性剤を添加してパーティクル表面のゼータ電位を下げ、パーティクルの付着を低減する方法（特許文献１及び２参照）等が提案されている。
【０００３】
【特許文献１】特開平５−１３８１４２号公報
【特許文献２】特開平６−４１７７０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記特許文献１で提案されている界面活性剤は、非イオン界面活性剤であるため、パーティクル表面のゼータ電位を十分に下げることができず、再付着防止性が不十分である。また、上記特許文献２で提案されている界面活性剤は、アニオン性界面活性剤であり、確かにパーティクル表面のゼータ電位を下げることでパーティクルの再付着防止効果はある程度改善できるものの微細化したパーティクルの除去性が不十分である。
【０００５】
本発明の課題は、洗浄時において微細化したパーティクルや有機物の洗浄力に優れ、製造時における歩留まり率の向上や短時間で洗浄が可能となる極めて効率的な高度洗浄を可能にする電子材料用洗浄剤を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、本発明に到達した。即ち本発明は、炭素数２〜８の脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ）を含有してなり、前記（Ａ）の２級アミン価と３級アミン価の合計（Ｙ）に対する２級アミン価（Ｘ）の比率［（Ｘ）／（Ｙ）］が、０．５以下であることを特徴とする電子材料用洗浄剤、該洗浄剤を用いる電子材料の洗浄方法及び該洗浄方法で電子材料用基板を洗浄する工程を含む電子材料の製造方法である。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の電子材料用洗浄剤は、電子材料基板上へのぬれ性が非常に高いため、従来の課題であった洗浄工程時におけるパーティクル粒子の電子材料への再付着防止性及び微細化したパーティクルの除去性に優れる。また、有機物に対しても洗浄性に優れ、デバイスの信頼性や歩留まりを向上することができるという効果を有する。
更に、本発明の電子材料用洗浄剤は、ぬれ性が非常に高いことから、短時間の洗浄においても十分な洗浄性が実現でき、洗浄工程における時間当たりの生産性の大幅な改善が可能になるという効果も有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
本発明における炭素数２〜８の脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ）における脂肪族第１級アミンは、直鎖、分岐又は環状でもよく、飽和又は不飽和であってもよい。
炭素数２〜８の脂肪族第１級アミンの具体例としては、炭素数２〜８の直鎖状アミン、炭素数２〜８の分岐状アミン、炭素数３〜８の環状アミン及び炭素数６〜８の芳香族又は芳香脂肪族アミン等が挙げられる。
【０００９】
炭素数２〜８の直鎖状アミンとしては、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ヘキシルアミン及びオクチルアミン等のモノアルキルアミン、エチレンジアミン、１，３−プロピレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン及びヘキサメチレンジアミン等のアルキレンジアミン等が挙げられる。
炭素数２〜８の分岐状アミンとしては、イソプロピルアミン、イソブチルアミン、１，２−プロピレンジアミン、１，２−又は１，３−ブチレンジアミン等が挙げられる。
炭素数３〜８の環状アミンとしては、シクロプロピルアミン、シクロブチルアミン、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン、シクロヘプチルアミン、シクロオクチルアミン及びｃｉｓ−３−メチルシクロヘキシルアミン等が挙げられる。
炭素数６〜８の芳香族又は芳香脂肪族アミンとしては、アニリン、フェニレンジアミン、トリレンジアミン、ベンジルアミン及びキシリレンジアミン等が挙げられる。
【００１０】
脂肪族第１級アミンの炭素数は、通常２〜８、好ましくは３〜８、更に好ましくは６〜８である。炭素数が０又は１の場合は、ぬれ性の効果に乏しいため洗浄性が十分に発揮できず、炭素数が９以上の場合は、洗浄剤の起泡性が高くなるため洗浄性に悪影響を及ぼす。
上述の脂肪族第１級アミンの中で、電子材料基板へのぬれ性の観点から好ましいのは、炭素数２〜８の分岐状アミン及び炭素数３〜８の環状アミン、更に好ましいのは炭素数３〜８の環状アミン、特に好ましいのは炭素数６〜８の環状アミン、最も好ましいのはシクロヘキシルアミン及びシクロオクチルアミンである。
脂肪族第１級アミンは単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００１１】
本発明におけるアルキレンオキサイドとしては、炭素数２〜１２のアルキレンオキサイド、例えば、エチレンオキサイド、１，２−プロピレンオキサイド、１，３−プロピレンオキサイド、１，２−ブチレンオキサイド、イソブチレンオキサイド、シクロヘキシレンオキサイド、シクロヘキシルエチレンオキサイド、スチレンオキサイド、１，２−ヘキシレンオキサイド、１，２−ドデセンオキサイド、１，２−ラウリレンオキサイド及びこれらのハロ置換体（エピクロルヒドリン等）、ジオキサン、オキセタン、ジメチルオキセタン、テトラヒドロフラン（以下ＴＨＦと略称する）並びに３―メチルテトラヒドロフラン等が挙げられる。これらのアルキレンオキサイドは１種のみを用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
これらの内、洗浄力の観点から好ましいのは、エチレンオキサイド、１，２−プロピレンオキサイド、１，２−ブチレンオキサイド、ＴＨＦ及びこれらの混合物であり、更に好ましいのはエチレンオキサイド、１，２−プロピレンオキサイド及びこれらの混合物であり、最も好ましくいのはエチレンオキサイドである。
【００１２】
（Ａ）におけるアルキレンオキサイドの平均付加モル数は、電子材料基板に対する洗浄剤のぬれ性及びリンス性の観点から、１級アミノ基１個当たり好ましくは１．５〜１０モル、更に好ましくは１．８〜５モル、特に好ましくは１．８５〜２．１５モル、最も好ましくは２である。
【００１３】
第１級アミンへのアルキレンオキサイドの付加反応においては、通常、アミノ基１個に対して１個の(ポリ)オキシアルキレン基が結合した化合物と、アミノ基１個に対して２個の（ポリ）オキシアルキレン基が結合した化合物が生成し、前者は２級アミノ基を、後者は３級アミノ基を有する。
【００１４】
（Ａ）の２級アミン価と３級アミン価の合計（Ｙ）に対する２級アミン価（Ｘ）の比率［（Ｘ）／（Ｙ）］は、パーティクルや有機物に対する洗浄性、電子材料用基板に対する洗浄剤のぬれ性及びリンス性の観点から、通常０．５以下、好ましくは０．４以下、更に好ましくは０．２５以下、特に好ましくは０．１５以下、とりわけ好ましくは０．０５以下、最も好ましくは０である。
【００１５】
（Ａ）中の２級アミン価（Ｘ）及び２級アミン価と３級アミン価の合計（Ｙ）は、以下の方法（ＡＳＴＭ  Ｄ２０７４に準拠）により求めることができる。
（１）３級アミン価の測定
（Ａ）を０．３〜７ｇを１００ｍｌ三角フラスコに精秤し、メチルアルコール５０ｍｌを加えて溶解する。これに１０ｍｌの無水酢酸を加えてよく混合し、３０分間室温にて放置後、溶液を電位差滴定装置を用いて、０．０１ｍｏｌ／Ｌアルコール性塩酸標準溶液にて滴定し、滴定曲線の変曲点を滴定の終点とする。尚、滴定は２個の試料について行うとともに、空試験を行う。３級アミン価は、以下の式によって算出する。
３級アミン価（Ｙ）＝（Ａ−Ｂ）×ｆ×０．５６１１／Ｓ
Ａ：本試験に要した０．０１ｍｏｌ／ｌ塩酸標準溶液のｍｌ数
Ｂ：空試験に要した０．０１ｍｏｌ／ｌ塩酸標準溶液のｍｌ数
ｆ：０．０１ｍｏｌ／ｌ塩酸標準溶液の力価
Ｓ：試料の採取量（ｇ）
（２）２級アミン価と３級アミン価の合計（Ｙ）の測定
（Ａ）を０．４〜２ｇを１００ｍｌ三角フラスコに精秤し、エタノール５０ｍｌを加えて溶解する。これにサリチルアルデヒドとエタノールを１：１（ｖ／ｖ）で混合してブロム・クレゾール・グリーン（以下、Ｂ．Ｃ．Ｇと略記）で中性に調整した５０容量％サリチルアルデヒドエタノール標準液を約５ｍｌ加えて振とうして反応させ、１級アミノ基をアゾメチンにする。溶液を電位差滴定装置を用いて、０．０１ｍｏｌ／Ｌアルコール性塩酸標準溶液にて滴定し、滴定曲線の変曲点を滴定の終点とする。尚、滴定は２個の試料について行うとともに、空試験を行う。
２級アミン価と３級アミン価の合計（Ｙ）は、以下の式によって算出する。
２級アミン価と３級アミン価の合計（Ｙ）＝（Ａ’−Ｂ’）×ｆ×０．５６１１／Ｓ’
Ａ’：本試験に要した０．０１ｍｏｌ／ｌ塩酸標準溶液のｍｌ数
Ｂ’：空試験に要した０．０１ｍｏｌ／ｌ塩酸標準溶液のｍｌ数
ｆ：０．０１ｍｏｌ／ｌ塩酸標準溶液の力価
Ｓ’：試料の採取量（ｇ）
（３）２級アミン価（Ｘ）の算出
上記（１）及び（２）で求めた３級アミン価及び２級アミン価と３級アミン価の合計（Ｙ）から下式により２級アミン価（Ｘ）を算出する。
２級アミン価（Ｘ）＝２級アミン価と３級アミン価の合計（Ｙ）−３級アミン価
【００１６】
（Ａ）の製造方法としては、公知の方法が利用できる。具体的には、攪拌可能な耐圧容器に上記炭素数２〜８の脂肪族第１級アミンを仕込み、不活性ガス（窒素及びアルゴン等）で十分に置換後、減圧下で脱水を行い、反応温度約８０〜１６０℃で上記アルキレンオキサイドを投入し反応させる方法が挙げられる。また、反応時は必要により公知の触媒を使用してもよい。触媒は反応の最初から加えても、途中から加えてもよい。
触媒としては、金属原子を含有しない触媒｛テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド等の第４級アンモニウム水酸化物並びにテトラメチルエチレンジアミン及び１，８−ジアザビシクロ［５.４.０］−７−ウンデセン（ＤＢＵ）等の第３級アミン等｝及び金属原子含有触媒（水酸化ナトリウム及び水酸化カリウム等のアルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物並びにアルカリ土類金属酸化物等）が挙げられる。
尚、本発明において、複数の（Ａ）を使用する場合は、それぞれ別に製造してもよく、複数の脂肪族第１級アミンの混合物を原料として用いて上記のアルキレンオキサイド付加反応を行ってもよい。
【００１７】
本発明の（Ａ）の２級アミン価と３級アミン価の合計（Ｙ）に対する２級アミン価（Ｘ）の比率［（Ｘ）／（Ｙ）］は、１級アミノ基１個当たりのアルキレンオキサイドの仕込み量により調整することができる。例えば、１級アミノ基１個当たり１．５モル以上のアルキレンオキサイドを反応させることで（Ｘ）／（Ｙ）を０．５以下に調整することができる。
【００１８】
本発明の洗浄剤は、更に以下の界面活性剤（Ｂ）、キレート剤（Ｃ）及びアルカリ成分（Ｄ）からなる群から選ばれる１種以上の成分を含有することができる。
【００１９】
本発明の洗浄剤は、界面活性剤（Ｂ）を含有することにより、電子材料用基板への洗浄剤のぬれ性及びパーティクルの再付着防止性が向上し、洗浄効率が更によくなる。
また、本発明の洗浄剤は、キレート剤（Ｃ）を含有することにより、電子材料用基板のエッチング性のコントロール性（適度にエッチングする性能）及び洗浄性が更に向上する。
更に、本発明の洗浄剤は、アルカリ成分（Ｄ）を含有することにより、洗浄性が更に向上する。
【００２０】
界面活性剤（Ｂ）としては、非イオン性界面活性剤（Ｂ−１）、アニオン性界面活性剤（Ｂ−２）、カチオン性界面活性剤（Ｂ−３）及び両性界面活性剤（Ｂ−４）が挙げられる。
【００２１】
本発明の洗浄剤に用いる非イオン性界面活性剤（Ｂ−１）としては、（Ａ）以外のアルキレンオキサイド付加型非イオン性界面活性剤（Ｂ−１ａ）及び多価アルコール型非イオン界面活性剤（Ｂ−１ｂ）等が挙げられる。
【００２２】
（Ｂ−１ａ）としては、高級アルコール（炭素数８〜１８）アルキレン（炭素数２〜４）オキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）付加物、フェノール又はアルキル（炭素数１〜１２）フェノールのエチレンオキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）付加物、脂肪酸（炭素数８〜１８）エチレンオキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）付加物、脂肪族アミン（炭素数９〜２４）のアルキレンオキサイド付加物（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）、ポリプロピレングリコール（数平均分子量２００〜４０００）エチレンオキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数１〜５０）付加物及びポリオキシエチレン（活性水素１個当たりの付加モル数１〜３０）アルキル（炭素数１〜２０）アリルエーテル、ソルビタンモノラウレートエチレンオキサイド（付加モル数１〜３０）付加物、ソルビタンモノオレートエチレンオキサイド（付加モル数１〜３０）付加物等の多価（２〜８価又はそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステルエチレンオキサイド付加物（活性水素１個あたりの付加モル数１〜３０）等が挙げられる。
【００２３】
（Ｂ−１ｂ）としては、グリセリンモノステアレート、グリセリンモノオレート、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノオレート等の多価（２〜８価又はそれ以上）アルコール（炭素数２〜３０）の脂肪酸（炭素数８〜２４）エステル並びにラウリン酸モノエタノールアミド及びラウリン酸ジエタノールアミド等の脂肪酸アルカノールアミド等が挙げられる。
【００２４】
（Ｂ−１）の内、洗浄性の観点から、好ましいのは（Ｂ−１ａ）であり、更に好ましいのは高級アルコール（炭素数１０〜１６）アルキレン（炭素数２〜３）オキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数２〜２０）付加物、フェノール又はアルキル（炭素数１〜１８）フェノールのエチレンオキサイド（活性水素１個当たりの付加モル数２〜２０）付加物及び脂肪族アミン（炭素数９〜１８）のアルキレンオキサイド付加物（活性水素１個当たりの付加モル数２〜２０）である。
【００２５】
アニオン性界面活性剤（Ｂ−２）としては、高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ−２ａ）及び低分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ−２ｂ）が挙げられる。
【００２６】
高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ−２ａ）としては、スルホン酸（塩）基、硫酸エステル（塩）基、リン酸エステル（塩）基、ホスホン酸（塩）基及びカルボン酸（塩）基からなる群から選ばれる少なくとも１種の基を有し、１，０００〜８００，０００の重量平均分子量（以下、Ｍｗと略記）を有する高分子型アニオン性界面活性剤が挙げられる。高分子型アニオン性界面活性剤は、通常、１分子中に少なくとも２個以上の繰り返し単位を有する。（Ｂ−２ａ）の具体例としては、以下の（Ｂ−２ａ−１）〜（Ｂ−２ａ−５）等が挙げられる。
【００２７】
スルホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ−２ａ−１）：
ポリスチレンスルホン酸、スチレン／スチレンスルホン酸共重合体、ポリ｛２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸｝、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／（メタ）アクリル酸／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／アクリルアミド共重合体、２−（メタ）アクリロイルアミノ−２，２−ジメチルエタンスルホン酸／スチレン／（メタ）アクリル酸共重合体、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メラミンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アニリンスルホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物及びこれらの塩等；
【００２８】
硫酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ−２ａ−２）：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート硫酸エステル｝、２−ヒドロキシエチルアクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレート硫酸エステル共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレート硫酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝の硫酸エステル化物、ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル｝、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体及びセルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースの硫酸エステル化物及びこれらの塩等；
【００２９】
リン酸エステル（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ−２ａ−３）：
ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートリン酸エステル｝、２−ヒドロキシエチルアクリレート／２−ヒドロキシエチルアクリレートリン酸エステル共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／２−ヒドロキシエチルメタクリレートリン酸エステル共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のリン酸エステル化物、ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル｝、（メタ）アクリロイルオキシポリオキシアルキレンリン酸エステル／アクリル酸共重合体及びセルロース、メチルセルロース又はエチルセルロースのリン酸エステル化物及びこれらの塩等；
【００３０】
ホスホン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ−２ａ−４）：
ポリ｛（メタ）アクリロイルオキシエチルホスフェート｝、２−ヒドロキシエチルアクリレート／アクリロイルオキシエチルホスフェート共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／メタクリロイルオキシエチルホスフェート共重合体、ナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、メチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、ジメチルナフタレンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物、アントラセンホスホン酸ホルムアルデヒド縮合物及びアニリンホスホン酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物及びこれらの塩等；
【００３１】
カルボン酸（塩）基を有する高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ−２ａ−５）：
ポリ（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸−マレイン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−イタコン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−フマル酸共重合体、（メタ）アクリル酸／酢酸ビニル共重合体及び２−ヒドロキシエチルメタクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体、ポリ｛２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート｝のカルボキシメチル化物、カルボキシメチルセルロース、カルボキシメチルメチルセルロース、カルボキシメチルエチルセルロース、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物及び安息香酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物及びこれらの塩等。
【００３２】
（Ｂ−２ａ）のＭｗは、パーティクルの再付着防止性及び低泡性の観点等から、通常１，０００〜１，０００，０００、好ましくは１，２００〜４００，０００、更に好ましくは１，５００〜８０，０００、特に好ましくは２，０００〜４０，０００である。
尚、本発明におけるＭｗ及び数平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、ＧＰＣと略記）によって、ポリエチレンオキサイドを基準物質として４０℃で測定される。例えば、装置本体：ＨＬＣ−８１２０（東ソー株式会社製）、カラム：東ソー株式会社製ＴＳＫｇｅｌ α６０００、Ｇ３０００ ＰＷＸＬ、検出器：装置本体内蔵の示差屈折計検出器、溶離液：０．５％酢酸ソーダ・水／メタノール（体積比７０／３０）、溶離液流量：１．０ｍｌ／分、カラム温度：４０℃、試料：０．２５％の溶離液溶液、注入量：２００μｌ、標準物質：東ソー（株）製ＴＳＫ ＴＡＮＤＡＲＤ ＰＯＬＹＥＴＨＹＬＥＮＥ ＯＸＩＤＥ、データ処理ソフト：ＧＰＣ−８０２０ｍｏｄｅｌII（東ソー株式会社製）。
上記及び以下において特に規定しない限り、％は重量％を表す。
【００３３】
低分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ−２ｂ）としては、低分子型スルホン酸系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−１）、低分子型硫酸エステル系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−２）、低分子型脂肪酸系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−３）及び低分子型リン酸エステル系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−４）等の分子量（Ｍｗ又は構造に基づく計算値の分子量）が１，０００未満のアニオン性界面活性剤が挙げられる。
低分子型スルホン酸系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−１）としては、炭素数６〜２４のアルコールのスルホコハク酸（モノ又はジ）エステル（塩）、炭素数８〜２４のα−オレフィンのスルホン酸化物（塩）、炭素数８〜１４のアルキル基を有するアルキルベンゼンスルホン酸（塩）、石油スルホネート（塩）、トルエンスルホン酸（塩）、キシレンスルホン酸（塩）及びクメンスルホン酸（塩）等が挙げられる。（Ｂ−２ｂ−１）の具体例としては、ジオクチルスルホコハク酸（塩）、パラトルエンスルホン酸（塩）、オルトトルエンスルホン酸（塩）、メタキシレンスルホン酸（塩）及びパラキシレンスルホン酸（塩）等が挙げられる。
【００３４】
低分子型硫酸エステル系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−２）としては、炭素数８〜１８の脂肪族アルコールの硫酸エステル（塩）、炭素数８〜１８の脂肪族アルコールのエチレンオキサイド１〜１０モル付加物の硫酸エステル（塩）、硫酸化油（塩）、硫酸化脂肪酸エステル（塩）及び硫酸化オレフィン（塩）等が挙げられる。（Ｂ−２ｂ−２）の具体例としては、２−エチルヘキサノール硫酸エステル（塩）、オクタノール硫酸エステル（塩）、１，１０−デカンジオールジ硫酸エステル（塩）及びラウリルアルコールのエチレンオキサイド（５モル）付加物のジ硫酸エステル（塩）等が挙げられる。
【００３５】
低分子型脂肪酸系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−３）としては、炭素数８〜１８の脂肪酸（塩）及び炭素数８〜１８の脂肪族アルコールのエーテルカルボン酸（塩）等が挙げられる。（Ｂ−２ｂ−３）の具体例としては、ｎ−オクタン酸（塩）、２−エチルヘキサン酸（塩）、ｎ−ノナン酸（塩）、イソノナン酸（塩）、オレイン酸（塩）及びステアリン酸（塩）等が挙げられる。
【００３６】
低分子型リン酸エステル系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−４）としては、炭素数８〜２４の高級アルコールのリン酸（モノ又はジ）エステル（塩）及び炭素数８〜２４の高級アルコールのアルキレンオキサイド付加物のリン酸（モノ又はジ）エステル（塩）等が挙げられる。（Ｂ−２ｂ−４）の具体例としては、ラウリルアルコールモノリン酸エステル（塩）、ラウリルアルコールのエチレンオキサイド（５モル）付加物のリン酸モノエステル（塩）及びオクチルアルコールジリン酸エステル（塩）等が挙げられる。
【００３７】
アニオン性界面活性剤（Ｂ−２）の内好ましいのは、再付着防止性の観点から高分子型アニオン性界面活性剤（Ｂ−２ａ）、低分子型スルホン酸系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−１）、低分子型硫酸エステル系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−２）及び低分子型脂肪酸系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−３）であり、更に好ましいのは（Ｂ−２ａ）、（Ｂ−２ｂ−１）及び（Ｂ−２ｂ−２）、特に好ましいのはポリアクリル酸（塩）、ポリスチレンスルホン酸（塩）、ナフタレンスルホン酸ホルムアルデヒド縮合物の塩、アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸／アクリル酸共重合体の塩，メタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体の塩、オクチルベンゼンスルホン酸（塩）、パラトルエンスルホン酸（塩）、メタキシレンスルホン酸（塩）及び２−エチルヘキサノール硫酸エステル（塩）である。
（Ｂ−２）は単独で用いてもよいし、２種以上を併用して用いてもよい。パーティクルの分散性の観点から、２種以上を併用する方がより好ましい。
【００３８】
アニオン性界面活性剤（Ｂ−２）が塩を形成する場合、その塩としては例えば上述した酸のアルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩、炭素数０〜２５のアンモニウム塩、炭素数１〜３６の脂肪族アミン塩、炭素数４〜１０のアミジン塩、炭素数１〜２３の第１級又は第２級アルカノールアミン塩、炭素数１又は９〜２３のモノアルキルジアルカノールアミン塩、炭素数１〜２３のジアルキルモノアルカノールアミン塩、炭素数１〜２３のトリアルカノールアミン塩、炭素数６〜２０の芳香族又は芳香脂肪族アミン塩及び本願発明の（Ａ）による塩が挙げられる。これらは単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３９】
アルカリ金属としては、ナトリウム及びカリウム等が挙げられる。
アルカリ土類金属としては、カルシウム及びマグネシウム等が挙げられる。
【００４０】
炭素数０〜２５のアンモニウムとしては、アンモニウム、テトラメチルアンモニウム、トリメチルビニルアンモニウム、トリメチルフェニルアンモニウム、ベンジルトリエチルアンモニウム、ドデシルトリメチルアンモニウム、テトラブチルアンモニウム、トリメチルテトラデシルアンモニウム、ベンジルトリブチルアンモニウム、テトラペンチルアンモニウム、エチルヘキサデシルジメチルアンモニウム及びオクタデシルトリメチルアンモニウム等が挙げられる。
【００４１】
炭素数１〜３６の脂肪族アミンとしては、炭素数１〜１２のアルキルアミン、炭素数２〜６のアルキレンジアミン、炭素数３〜７の環状アミン及びポリ（ｎ＝２〜６）アルキレン（炭素数２〜６）ポリ（ｎ＝３〜７）アミン等が挙げられる。
炭素数１〜１２のアルキルアミンとしては、炭素数１〜６のモノアルキルアミン（メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、イソプロピルアミン、ブチルアミン及びヘキシルアミン等）並びに炭素数２〜１２のジアルキルアミン（ジメチルアミン、エチルメチルアミン、プロピルメチルアミン、ブチルメチルアミン、ジエチルアミン、プロピルエチルアミン、ジイソプロピルアミン及びジヘキシルアミン等）等が挙げられる。
炭素数２〜６のアルキレンジアミンとしては、エチレンジアミン、１，２−又は１，３−プロピレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミン及びヘキサメチレンジアミン等が挙げられる。
炭素数３〜７の環状アミンとしては、シクロプロピルアミン、シクロヘキシルアミン、ピペリジン、ピペラジン、キヌクリジン、２−ピリジンアミン、ｃｉｓ−３−メチルシクロヘキシルアミン及び１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン（ＤＡＢＣＯ）等が挙げられる。
ポリ（ｎ＝２〜６）アルキレン（炭素数２〜６）ポリ（ｎ＝３〜７）アミンとしては、ジエチレントリアミン、ジプロピレントリアミン、ジヘキシレントリアミン、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン及びヘキサエチレンヘプタミン等が挙げられる。
【００４２】
炭素数４〜１０のアミジン化合物としては、１，８−ジアザビシクロ［５.４.０］−７−ウンデセン（以下、ＤＢＵと略記）、１，５−ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン（以下、ＤＢＮと略記）、１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール及び２−エチル−１Ｈ−イミダゾール、２−ブチルベンゾイミダゾール及び２−（４−チアゾリル）ベンズイミダゾール等が挙げられる。
【００４３】
炭素数１〜２３の第１級又は第２級アルカノールアミンとしては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、２−アミノ−２−メチル−１−プロパノール、Ｎ−（アミノエチル）エタノールアミン及び２−（２−アミノエトキシ）エタノール等が挙げられる。
炭素数１又は９〜２３のモノアルキルジアルカノールアミンとしては、Ｎ−メチルジエタノールアミン及びＮ−メチルジプロパノールアミン等が挙げられる。
炭素数１〜２３のジアルキルモノアルカノールアミンとしては、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン及びＮ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン等が挙げられる。
炭素数１〜２３のトリアルカノールアミンとしては、トリエタノールアミン及びトリプロパノールアミン等が挙げられる。
【００４４】
炭素数６〜２０の芳香族又は芳香脂肪族アミンにおける炭素数６〜２０の芳香族又は芳香脂肪族アミンとしては、アニリン、フェニレンジアミン、トリレンジアミン、メチレンジアニリン、ジフェニルエーテルジアミン、ナフタレンジアミン、アントラセンジアミン、ベンジルアミン及びキシリレンジアミン等が挙げられる。
【００４５】
これらの内、パーティクル除去性の観点から、アルカリ金属塩、炭素数０〜２５のアンモニウム塩、炭素数１〜３６の脂肪族アミン塩、炭素数４〜１０のアミジン塩、炭素数１〜２３のアルカノールアミン塩が好ましく、また基板への金属汚染の観点から、更に好ましいのは、炭素数０〜２５のアンモニウム塩、炭素数１〜３６の脂肪族アミン塩、炭素数４〜１０のアミジン塩及び炭素数１〜２３のアルカノールアミン塩であり、特に好ましいのは、炭素数１〜３６の脂肪族アミン塩、炭素数４〜１０のアミジン塩、炭素数１〜２３のアルカノールアミン塩、最も好ましいのは、ＤＡＢＣＯ、ＤＢＵ、ＤＢＮ、１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール、２−エチル−１Ｈ−イミダゾール、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン及びＮ−メチルジエタノールアミンの塩である。
尚、本発明の脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ）をこれらのアニオン性界面活性剤（Ｂ−２）の塩を形成させるための塩基として用いることもできる。
【００４６】
カチオン性界面活性剤（Ｂ−３）としては、４級アンモニウム塩型の界面活性剤（Ｂ−３ａ）｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）トリメチルアンモニウム塩、ジアルキル（炭素数１〜３０）ジメチルアンモニウム塩、窒素環含有第４級アンモニウム塩、ポリ（付加モル数２〜１５）オキシアルキレン（炭素数２〜４）鎖含有第４級アンモニウム塩及びアルキル（炭素数１〜３０）アミドアルキル（炭素数１〜１０）ジアルキル（炭素数１〜４）メチルアンモニウム塩等｝及びアミン系界面活性剤（Ｂ−３ｂ）｛例えば、炭素数３〜９０の脂肪族３級アミン、炭素数３〜９０の脂環式（含窒素ヘテロ環を含む）３級アミン及び炭素数３〜９０のヒドロキシアルキル基含有３級アミンの無機酸（塩酸、硫酸、硝酸、スルファミン酸及びリン酸等等）塩又は有機酸（ギ酸、酢酸、コハク酸、乳酸、リンゴ酸、酪酸、マレイン酸及びシュウ酸等）塩等｝等が挙げられる。
【００４７】
両性界面活性剤（Ｂ−４）としては、ベタイン型両性界面活性剤（Ｂ−４ａ）｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）ジメチルベタイン、アルキル（炭素数１〜３０）アミドアルキル（炭素数１〜４）ジメチルベタイン、アルキル（炭素数１〜３０）ジヒドロキシアルキル（炭素数１〜３０）ベタイン及びスルフォベタイン型等｝、アミノ酸型両性界面活性剤（Ｂ−４ｂ）［例えば、アラニン型｛アルキル（炭素数１〜３０）アミノプロピオン酸型及びアルキル（炭素数１〜３０）イミノジプロピオン酸型等｝、グリシン型｛アルキル（炭素数１〜３０）アミノ酢酸型等｝］及びアミノスルホン酸塩型両性界面活性剤（Ｂ−４ｃ）｛例えば、アルキル（炭素数１〜３０）タウリン型両性界面活性剤等｝等が挙げられる。
【００４８】
界面活性剤（Ｂ）の内、パーティクルの再付着防止の観点から好ましいのは、アニオン性界面活性剤（Ｂ−２）、及び非イオン性界面活性剤（Ｂ−１）と（Ｂ−２）の併用であり、更に好ましいのは（Ｂ−１）と（Ｂ−２）の併用である。併用の場合の（Ｂ−１）及び（Ｂ−２）の含有比率［（Ｂ−１）／（Ｂ−２）］は、洗浄性及び起泡性の観点から好ましくは、６以下、更に好ましくは０．１〜５、特に好ましくは０．２〜０．８である。
【００４９】
また本発明の電子材料用洗浄剤は、炭素数２〜８の脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ）と界面活性剤（Ｂ−１）と併用することにより、特に電子材料用基板に対するぬれ性が向上する。この場合の（Ａ）と（Ｂ−１）の含有比率［（Ａ）／（Ｂ−１）］は、上記の観点から好ましくは、１００以下、更に好ましくは０．１〜５０、特に好ましくは１〜２０である。
【００５０】
キレート剤（Ｃ）としては、アミノポリカルボン酸（塩）（Ｃ−１）｛例えば、エチレンジアミンテトラ酢酸（ＥＤＴＡ）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（ＤＴＰＡ）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ酢酸（ＴＴＨＡ）（塩）、ヒドロキシエチルエチレンジアミン三酢酸（ＨＥＤＴＡ）（塩）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸（ＤＨＥＤＤＡ）（塩）、ニトリロ酸酢酸（ＮＴＡ）（塩）、ヒドロキシエチルイミノ二酢酸（ＨＩＤＡ）（塩）、β−アラニンジ酢酸（塩）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、メチルグリシンジ酢酸（塩）、イミノジコハク酸（塩）、セリンジ酢酸（塩）、ヒドロキシイミノジコハク酸（塩）、ジヒドロキシエチルグリシン（塩）、アスパラギン酸（塩）及びグルタミン酸（塩）等｝；
ヒドロキシカルボン酸（塩）（Ｃ−２）｛例えば、ヒドロキシ酢酸（塩）、酒石酸（塩）、クエン酸（塩）及びグルコン酸（塩）等｝；
シクロカルボン酸（塩）（Ｃ−３）｛例えば、ピロメリット酸（塩）、ベンゾポリカルボン酸（塩）及びシクロペンタンテトラカルボン酸（塩）等｝；
エーテルカルボン酸（塩）（Ｃ−４）（例えば、カルボキシメチルタルトロネート、カルボキシメチルオキシサクシネート、オキシジサクシネート、酒石酸モノサクシネート及び酒石酸ジサクシネート等）；
その他カルボン酸（塩）（Ｃ−５）｛例えば、マレイン酸誘導体及びシュウ酸（塩）等｝；
ホスホン酸（塩）（Ｃ−６）｛例えば、メチルジホスホン酸（塩）、アミノトリ（メチレンホスホン酸）（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ヘキサメチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、プロピレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、ジエチレントリアミンペンタ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリエチレンテトラミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トリアミノトリエチルアミンヘキサ（メチレンホスホン酸）（塩）、トランス−１、２−シクロヘキサンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、グリコールエーテルジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）及びテトラエチレンペンタミンヘプタ（メチレンホスホン酸）（塩）等｝；
縮合リン酸（塩）（Ｃ−７）｛例えば、メタリン酸（塩）、トリポリリン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）等｝；
等が挙げられる。
【００５１】
尚、（Ｃ）が塩を形成する場合、その塩としては、上述のアニオン性界面活性剤（Ｂ−２）の塩で例示したものと同様のカチオン成分を有するものが挙げられる。また、これらは単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
これらの内で基板のエッチング性コントロール及び洗浄性の観点から好ましいのは、（Ｃ−１）、（Ｃ−２）、（Ｃ−６）、（Ｃ−７）及びこれらの塩であり、更に好ましいのは（Ｃ−１）、（Ｃ−６）、（Ｃ−７）及びこれらの塩、特に好ましいのはエチレンジアミンテトラ酢酸（塩）（ＥＤＴＡ）、ジエチレントリアミンペンタ酢酸（塩）（ＤＴＰＡ）、ジヒドロキシエチルエチレンジアミン四酢酸（塩）（ＤＨＥＤＤＡ）、アスパラギン酸ジ酢酸（塩）、アスパラギン酸（塩）、グルタミン酸（塩）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）、エチレンジアミンテトラ（メチレンホスホン酸）（塩）、メタリン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）、最も好ましいのはエチレンジアミンテトラ酢酸（塩）（ＥＤＴＡ）、１−ヒドロキシエチリデン−１、１−ジホスホン酸（塩）及びヘキサメタリン酸（塩）である。
【００５２】
アルカリ成分（Ｄ）としては、一般式（１）で表される第４級アンモニウム塩（Ｄ−１）、アンモニア（Ｄ−２）、炭素数１〜３６の脂肪族アミン（Ｄ−３）、炭素数４〜１０のアミジン（Ｄ−４）、炭素数１〜２３の第１級又は第２級アルカノールアミン、炭素数１又は９〜２３のモノアルキルジアルカノールアミン、炭素数１〜２３のジアルキルモノアルカノールアミン及び炭素数１〜２３のトリアルカノールアミンからなる群から選ばれる１種以上のアルカノールアミン（Ｄ−５）、炭素数６〜２０の芳香族又は芳香脂肪族アミン（Ｄ−６）、金属水酸化物（Ｄ−７）、炭酸塩（Ｄ−８）、ケイ酸塩（Ｄ−９）及びこれらの混合物が挙げられる。
【００５３】
【化１】
2010138271.tif 000002
【００５４】
式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立に炭素数１〜２４のアルキル基又は−（Ｒ5Ｏ）ｒ−Ｈで表される基であり、Ｒ5は炭素数２〜４のアルキレン基、ｒは１〜６の整数を表す。
炭素数１〜２４のアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、エイコシル、ヘキコシル、ドコシル、トリコシル及びテトラコシル基等が挙げられる。炭素数２〜４のアルキレン基としては、エチレン、プロピレン及びブチレン等が挙げられる。ｒは１〜３が好ましい。
【００５５】
（Ｄ−１）の具体例としては、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、トリメチルエチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、トリエチルメチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロキサイド、テトラブチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラペンチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラヘキシルアンモニウムハイドロキサイド、ヒドロキシエチルトリメチルアンモニウムハイドロキサイド、ヒドロキシエチルトリエチルアンモニウムハイドロキサイド、ビス（ヒドロキシエチル）ジメチルアンモニウムハイドロキサイド、トリス（ヒドロキシエチル）メチルアンモニウムハイドロキサイド等。
【００５６】
（Ｄ−３）としては、前記アニオン性界面活性剤（Ｂ−２）において例示した炭素数１〜３６の脂肪族アミンと同様のものが挙げられる。
【００５７】
（Ｄ−４）としては、前記アニオン性界面活性剤（Ｂ−２）において例示した炭素数４〜１０のアミジンと同様のものが挙げられる。
【００５８】
（Ｄ−５）における炭素数１〜２３の第１級又は第２級アルカノールアミン、炭素数１又は９〜２３のモノアルキルジアルカノールアミン、炭素数１〜２３のジアルキルモノアルカノールアミン及び炭素数１〜２３のトリアルカノールアミンとしては、前記アニオン性界面活性剤（Ｂ−２）において例示したものと同様のものが挙げられる。
【００５９】
（Ｄ−６）としては、前記アニオン性界面活性剤（Ｂ−２）において例示した炭素数６〜２０の芳香族又は芳香脂肪族アミンと同様のものが挙げられる。
【００６０】
金属水酸化物（Ｄ−７）としては、アルカリ金属水酸化物（例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム及び水酸化カリウム等）並びにアルカリ土類金属水酸化物（水酸化カルシウム、水酸化マグネシウム及び水酸化バリウム等）等が挙げられる。
【００６１】
炭酸塩（Ｄ−８）としては、アルカリ金属炭酸塩（例えば、炭酸ナトリウム及び炭酸カリウム等）並びにアルカリ土類金属炭酸塩（例えば、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム及び炭酸バリウム等）等が挙げられる。
【００６２】
ケイ酸塩（Ｄ−９）としては、アルカリ金属ケイ酸塩（例えば、ケイ酸ナトリウム及びケイ酸カリウム等）、アルカリ土類金属ケイ酸塩（例えば、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム及びケイ酸バリウム等）等が挙げられる。
【００６３】
（Ｄ）の内、洗浄性の観点から、第４級アンモニウム塩（Ｄ−１）、炭素数１〜３６の脂肪族アミン（Ｄ−３）、炭素数４〜１０のアミジン（Ｄ−４）、アルカノールアミン（Ｄ−５）、金属水酸化物（Ｄ−７）及びこれらの混合物が好ましく、洗浄性とリンス性の観点等から、更に好ましいのは（Ｄ−１）、（Ｄ−４）、（Ｄ−５）、（Ｄ−７）及びこれらの混合物であり、特に好ましいのは、テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド、テトラエチルアンモニウムハイドロキサイド、ＤＢＵ、ＤＢＮ、１Ｈ−イミダゾール、２−メチル−１Ｈ−イミダゾール、２−エチル−１Ｈ−イミダゾール、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、Ｎ−メチル−ジエタノールアミン、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム及びこれらの混合物である。
【００６４】
本発明の洗浄剤は、その効果を損なわない範囲において、更に分散剤（Ｅ）、３価以上の多価アルコール（Ｆ）、親水性有機溶剤（Ｇ）、還元剤（Ｈ）及びその他の添加剤（Ｉ）からなる群から選ばれる１種以上の成分を含有もしてもよい。
【００６５】
分散剤（Ｅ）としては、従来から微粒子の分散剤として使用されているもの、例えば、繰り返し単位が４つ以上の多糖類及びその誘導体（ヒドロキシエチルセルロース、カチオン化セルロース、ヒドロキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、グァーガム、カチオン化グァーガム、キサンタンガム、アルギン酸塩及びカチオン化デンプン等）、ポバール並びにリン酸エステル｛フィチン酸、ジ（ポリオキシエチレン）アルキルエーテルリン酸及びトリ（ポリオキシエチレン）アルキルエーテルリン酸等｝等が挙げられる。尚、前記（Ｂ−２ａ）も分散剤としての効果を有する。
【００６６】
３価以上の多価アルコール（Ｆ）は、パーティクル及び有機性汚れに対する洗浄性を高める効果を有し、（Ｆ）としては以下の（Ｆ１）〜（Ｆ５）等が挙げられる。
（Ｆ１）脂肪族多価アルコール（グリセリン、トリメチロールエタン、トリメチロールプロパン及びペンタエリスリトール等）；
（Ｆ２）（Ｆ１）の脱水縮合物（ジグリセリン、トリグリセリン、テトラグリセリン及びペンタグリセリン等）；
（Ｆ３）糖類［単糖類｛ペントース（アラビノース、キシロース、リボース、キシルロース及びリブロース等）、ヘキソース（グルコース、マンノース、ガラクトース、フルクトース、ソルボース及びタガトース等）及びヘプトース（セドヘプツロース等）等｝、二糖類（トレハロース、サッカロース、マルトース、セロビオース、ゲンチオビオース及びラクトース等）及び三糖類（ラフィノース、マルトトリオース等）等］；
（Ｆ４）糖アルコール（アラビトール、アドニトール、キシリトール、ソルビトール、マンニトール及びズルシトール等）；
（Ｆ５）トリスフェノール（トリスフェノールＰＡ等）；
並びにこれらのアルキレンオキサイド（炭素数２〜４）付加物（付加モル数１〜７モル）等。（Ｆ）は単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【００６７】
（Ｆ）の内、基板の腐食を防止する効果の高い点から、（Ｆ１）、（Ｆ２）、（Ｆ３）及び（Ｆ４）が好ましく、更に好ましいのはグリセリン、サッカロース及びソルビトールである。
【００６８】
親水性溶剤（Ｇ）は、洗浄性を高める効果を有し、（Ｇ）としては、２０℃における水に対する溶解度［（Ｇ）／１００ｇＨ2Ｏ］が３以上、好ましくは１０以上の有機溶剤が挙げられる。
（Ｇ）の具体例としては、スルホキシド（ジメチルスルホキシド等）；スルホン｛ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチル）スルホン、スルホラン、３−メチルスルホラン及び２，４−ジメチルスルホラン等｝；アミド｛Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド及びＮ，Ｎ−ジメチルプロピオンアミド等｝；ラクタム｛Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン及びＮ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドン等｝；ラクトン｛β−プロピオラクトン、β−ブチロラクトン、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン及びδ−バレロラクトン等｝；アルコール｛メタノ−ル、エタノ−ル及びイソプロパノ−ル等｝；グリコール及びグリコールエーテル｛エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ブチレングリコール、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル及びトリエチレングリコールジエチルエーテル等｝；オキサゾリジノン（Ｎ−メチル−２−オキサゾリジノン及び３，５−ジメチル−２−オキサゾリジノン等）；ニトリル（アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、アクリロニトリル及びメタクリルニトリル等）；カーボネート（エチレンカーボネート及びプロピオンカーボネート等）；ケトン（アセトン、ジエチルケトン、アセトフェノン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン及びジアセトンアルコール等）；環状エーテル（テトラヒドロフラン及びテトラヒドロピラン等）等が挙げられる。（Ｇ）は単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【００６９】
（Ｇ）の内で、洗浄性及び洗浄剤中の有効成分が電子材料表面に残留することを防止する観点等から、グリコール及びグリコールエーテルが好ましく、更に好ましいのは、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル及びジエチレングリコールモノヘキシルエーテルである。
【００７０】
還元剤（Ｈ）は、基板のエッチング性を適度にコントロールする効果を有し、（Ｈ）としては、有機還元剤（Ｈ−１）及び無機還元剤（Ｈ−２）が挙げられる。有機還元剤（Ｈ−１）としては、脂肪族有機還元剤（Ｈ−１ａ）、芳香族有機還元剤（Ｈ−１ｂ）及びその他の有機還元剤（Ｈ−１ｃ）が挙げられる。
【００７１】
脂肪族有機還元剤（Ｈ−１ａ）としては、炭素数１〜１２の有機酸類、炭素数１〜１２のアルデヒド類及び炭素数６〜９のレダクトン類等が挙げられる。
炭素数１〜１２の有機酸類としては、ギ酸、酢酸、コハク酸、乳酸、リンゴ酸、酪酸、マレイン酸、２−オキソプロパン酸、マロン酸、没食子酸及びこれらの塩が挙げられる。
炭素数１〜１２のアルデヒド類としては、ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、プロピオンアルデヒド及びビニルアルデヒド等が挙げられる。
炭素数６〜９のレダクトン類としては、Ｌ−アスコルビン酸、イソアスコルビン酸、Ｌ−アスコルビン酸硫酸エステル、Ｌ−アスコルビン酸リン酸エステル、Ｌ−アスコルビン酸２−グルコシド、Ｌ−アスコルビン酸パルミチン酸エステル、テトライソパルミチン酸Ｌ−アスコルビル、アスコルビン酸イソパルミネート、エリソルビン酸、エリソルビン酸リン酸エステル、エリソルビン酸パルミチン酸エステル、テトライソパルミチン酸エリソビル及びこれらの塩等が挙げられる。
【００７２】
芳香族有機還元剤（Ｈ−１ｂ）としては、炭素数７〜１２の芳香族アルデヒド、炭素数６〜９の芳香族アミン及び炭素数６〜３０のフェノール化合物等が挙げられる。
炭素数７〜１２の芳香族アルデヒドとしては、ベンズアルデヒド及びシンナムアルデヒド等が挙げられる。
炭素数６〜９の芳香族アミンとしては、ｐ−フェニレンジアミン及びｐ−アミノフェノール等が挙げられる。
【００７３】
炭素数６〜３０のフェノール化合物としては、一価フェノール及びポリフェノールが挙げられる。一価フェノールとしては、３−ヒドロキシフラボン及びトコフェロール（α−、β−、γ−、δ−、ε−又はη−トコフェロール等）等が挙げられる。ポリフェノールとしては、３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸、ピロカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、ナフトレゾルシノール、ピロガロール及びフロログルシノール等が挙げられる。
【００７４】
その他の有機還元剤（Ｈ−１ｃ）としては、リン系還元剤（トリス‐２‐カルボキシエチルホスフィン等）、ボラン系錯体（ボラン−ｔｅｒｔ−ブチルアミン錯体、ボラン−Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリン錯体及びボラン−トリメチルアミン錯体等）、チオール系還元剤（Ｌ−システイン及びアミノエタンチオール等）及びヒドロキシルアミン系還元剤（ヒドロキシルアミン及びジエチルヒドロキシルアミン等）等が挙げられる。尚、前述の（Ｆ３）及び（Ｆ４）として例示した糖類及び糖アルコールも有機還元剤としての効果を有する。
【００７５】
無機還元剤（Ｈ−２）としては、硫黄のオキソ酸類｛亜硫酸（塩）、二亜硫酸（塩）、亜ジチオン酸（塩）、チオ硫酸（塩）、ジチオン酸（塩）及びポリチオン酸（塩）等｝、リンのオキソ酸類｛亜リン酸（塩）、亜リン酸水素酸（塩）及び次亜リン酸（塩）等｝並びにその他の無機還元剤（硫酸第１鉄、塩化第２スズ、水酸化シアノホウ素ナトリウム及び水酸化ホウ素ナトリウム等）等が挙げられる。
（Ｈ）は単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
尚、還元剤（Ｈ）が塩を形成する場合、その塩としては上記（Ｂ−２）の塩で例示したものと同様のカチオン成分を有するものが使用できる。
【００７６】
これらの還元剤（Ｈ）の内、洗浄剤のエッチング性コントロール及び洗浄剤中のイオンによる基板の再汚染の観点から、炭素数１〜１２のアルデヒド類、炭素数６〜９のレダクトン類、炭素数１〜３０の脂肪族アミン、チオール系還元剤、硫黄のオキソ酸類及びリンのオキソ酸類が好ましく、更に好ましいのはホルムアルデヒド、Ｌ−アスコルビン酸（塩）、イソアスコルビン酸（塩）、エリソルビン酸（塩）、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、Ｎ−メチル−ジエタノールアミン、Ｌ−システイン、アミノエタンチオール、亜硫酸（塩）、二亜硫酸（塩）、亜ジチオン酸（塩）、チオ硫酸（塩）、亜リン酸（塩）、亜リン酸水素酸（塩）及び次亜リン酸（塩）、特に好ましいのはＬ−アスコルビン酸（塩）、Ｌ−システイン、亜硫酸（塩）、亜ジチオン酸（塩）、亜リン酸（塩）、亜リン酸水素酸（塩）及び次亜リン酸（塩）である。
【００７７】
その他の添加剤（Ｉ）としては、酸化防止剤、防錆剤、ｐＨ調整剤、緩衝剤、消泡剤、防腐剤及びハイドロトロープ剤等が挙げられる。
【００７８】
酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤｛２，６−ジ−ｔ−ブチルフェノール、２−ｔ−ブチル−４−メトキシフェノール及び２，４−ジメチル−６−ｔ−ブチルフェノール等｝、アミン系酸化防止剤｛モノオクチルジフェニルアミン及びモノノニルジフェニルアミン等のモノアルキルジフェニルアミン；４，４’−ジブチルジフェニルアミン及び４，４’−ジペンチルジフェニルアミン等のジアルキルジフェニルアミン；テトラブチルジフェニルアミン及びテトラヘキシルジフェニルアミン等のポリアルキルジフェニルアミン；α−ナフチルアミン及びフェニル−α−ナフチルアミン等のナフチルアミン等｝、硫黄系化合物｛フェノチアジン、ペンタエリスリトール−テトラキス−（３−ラウリルチオプロピオネート）及びビス（３，５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）スルフィド等｝並びにリン系酸化防止剤｛ビス（２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル）ペンタエリスリトールジホスファイト、フェニルジイソデシルホスフィト、ジフェニルジイソオクチルホスファイト及びトリフェニルホスファイト等｝等が挙げられる。
これらは、単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【００７９】
防錆剤としては、ベンゾトリアゾール、トリルトリアゾール、炭素数２〜１０の炭化水素基を有するベンゾトリアゾール、ベンゾイミダゾール、炭素数２〜２０炭化水素基を有するイミダゾール、炭素数２〜２０炭化水素基を有するチアゾール及び２−メルカプトベンゾチアゾール等の含窒素有機防錆剤；ドデセニルコハク酸ハーフエステル、オクタデセニルコハク酸無水物及びドデセニルコハク酸アミド等のアルキル又はアルケニルコハク酸；ソルビタンモノオレエート、グリセリンモノオレエート及びペンタエリスリトールモノオレエート等の多価アルコール部分エステル等を挙げられる。
これらは単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【００８０】
ｐＨ調整剤としては、無機酸（塩酸、硫酸、硝酸、スルファミン酸及びリン酸等）並びに上述の金属水酸化物（Ｄ−７）等の無機アルカリ等が挙げられ、これらは単独で使用しても、２種以上併用してもよい。
【００８１】
緩衝剤としては、緩衝作用を有する有機酸、無機酸及びこれらの塩を用いることができる。
有機酸としては、前記の（Ｈ−１ａ）で例示した炭素数１〜１２の有機酸類等を挙げることができ、無機酸としては、例えばリン酸及びホウ酸を挙げることができる。また、これらの酸の塩としては、上述のアニオン性界面活性剤（Ｂ−２）での塩で例示したものと同様のカチオン成分有するものが挙げられる。
緩衝剤は単独で使用しても、２種以上併用してもよい。
【００８２】
消泡剤としては、シリコーン消泡剤｛ジメチルシリコーン、フルオロシリコーン又はポリエーテルシリコーンを構成成分とする消泡剤等｝等が挙げられる。これらは単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
【００８３】
防腐剤としては、トリアジン誘導体｛ヘキサヒドロ−１，３，５−トリス（２−ヒドロキシエチル）−Ｓ−トリアジン等｝、イソチアゾリン誘導体｛１，２−ベンズイソチアゾリン−３−オン、２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン及び５−クロロ−２−メチル−４−イソチアゾリン−３−オン等｝、ピリジン誘導体｛ピリジン２−ピリジンチオール−１−オキサイド（塩）等｝、モルホリン誘導体｛４−（２−ニトロブチル）モルホリン及び４，４−（２−エチル−２−ニトロトリメチレン）−ジモルホリン等｝、ベンズイミダゾール誘導体｛２−（４−チアゾリル）ベンズイミダゾール等｝並びにその他の防腐剤｛ポリ［オキシエチレン（ジメチルイミノ）エチレン（ジメチルイミノ）エチレン］ジクロライド、ｐ−クロロ−ｍ−キシレノール、フェノキシエタノール、フェノキシプロパノール、アセトキシジメチルジオキサン、イソプロピルメチルフェノール、テトラクロロイソフタロニトリル、ビスブロモアセトキシエタン、３−ヨード−２−プロピニルブチルカーバメート及び２−ブロモ−２−ニトロプロパン−１，３−ジオール等｝等が挙げられる。これらは単独で使用しても、２種以上を併用してもよい。
尚、防腐剤が塩を形成する場合、その塩としては、上述のアニオン性界面活性剤（Ｂ−２）の塩で例示したものと同様のカチオン成分を有するものが挙げられる。
【００８４】
ハイドロトロープ剤としては、レゾルシン及びサリチル酸（塩）等が挙げられる。また、これらの酸の塩としては、上述のアニオン性界面活性剤（Ｂ−２）の塩で例示したものと同様のカチオン成分を有するものが挙げられる。ハイドロープ剤は単独で使用しても、２種以上併用してもよい。
尚、スルホン酸系界面活性剤（Ｂ−２ｂ−１）として例示したトルエンスルホン酸（塩）、キシレンスルホン酸（塩）及びクメンスルホン酸（塩）もハイドロトロープ剤としての効果を有する。
【００８５】
本発明の電子材料用洗浄剤は、上述の通り、炭素数２〜８の脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ）並びに必要により界面活性剤（Ｂ）、キレート剤（Ｃ）、アルカリ成分（Ｄ）、分散剤（Ｅ）、３価以上の多価アルコール（Ｆ）、親水性有機溶剤（Ｇ）、還元剤（Ｈ）及びその他の添加剤（Ｉ）を含有するが、更に水、特にイオン交換水（導電率０．２μＳ／ｃｍ以下）又は超純水（電気抵抗率１８ＭΩ・cm以上）を含有してもよい。
本発明において有効成分とは水以外の成分を言う。
【００８６】
本発明の洗浄剤における（Ａ）の含有量は、洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、好ましくは１〜１００％、更に好ましくは１０〜７５％、特に好ましくは２０〜７０％である。
【００８７】
本発明の洗浄剤が（Ｂ）を含有する場合、その含有量は、洗浄性の観点から、本発明の洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、１〜６０％が好ましく、更に好ましくは５〜５０％、特に好ましくは１０〜４０％である。
また、同様の観点から（Ａ）と（Ｂ）の重量比率［（Ａ）／（Ｂ）］は、０．０１〜５０が好ましく、特に好ましくは０．０５〜１０、最も好ましくは０．１〜２である。
【００８８】
本発明の洗浄剤が（Ｃ）を含有する場合、（Ｃ）の含有量は、基板のエッチング性コントロール及び洗浄性の観点から、本発明の洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、好ましくは０．１〜３０％、更に好ましくは０．５〜２０％、特に好ましくは２〜１０％である。
【００８９】
本発明の洗浄剤が（Ｄ）を含有する場合、その含有量は、洗浄性の観点等から、本発明の洗浄剤の有効成分の重量に基づいて好ましくは０．１〜３０％、更に好ましくは０．５〜２０％、特に好ましくは１〜１５％である。
【００９０】
本発明の洗浄剤が（Ｅ）を含有する場合、その含有量は、本発明の洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、好ましくは０．１〜１０％、更に好ましくは０．２〜８％、特に好ましくは０．５〜５％である。
【００９１】
本発明の洗浄剤が（Ｆ）を含有する場合、その含有量は、洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、好ましくは０．５〜５０％、更に好ましくは１〜３０％、特に好ましくは２〜２０％である。
【００９２】
本発明の洗浄剤が（Ｇ）を含有する場合、その含有量は、洗浄剤の有効成分の重量に基づいて、０．５〜５０％、更に好ましくは１〜３０％、特に好ましくは２〜２０％である。
【００９３】
本発明の洗浄剤が（Ｈ）を含有する場合、その含有量は、洗浄剤の有効成分の重量に基づいて１〜３０％が好ましく、更に好ましくは２〜２０％、特に好ましくは３〜１５％である。この範囲であると、基板のエッチング性をコントロールする点から好ましい。
【００９４】
本発明の洗浄剤が（Ｉ）を含有する場合、それぞれの添加剤の含有量は、酸化防止剤、防錆剤、緩衝剤、防腐剤及びハイドロトロープ剤が、洗浄剤の有効成分の重量に基づいて好ましくは０．１〜１０％、更に好ましくは０．２〜８％、特に好ましくは０．５〜５％である。また消泡剤の添加量は好ましくは０．０１〜２％、更に好ましくは０．０５〜１．５％、特に好ましくは０．１〜１％である。また、ｐＨ調整剤は洗浄剤の有効成分の重量に基づいて好ましくは１〜９０％、更に好ましくは２〜８５％、特に好ましくは５〜８０％である。また、その他の添加剤（Ｉ）の合計の含有量は、洗浄剤の有効成分の重量に基づいて１〜９０％、更に好ましくは２〜８５％、特に好ましくは５〜８０％である。
【００９５】
尚、前記（Ｂ）〜（Ｉ）の間で、組成が同一で重複する場合は、それぞれの成分が該当する添加効果を奏する量を他の成分としての効果に関わりなく使用するのではなく、他の成分としての効果も同時に得られることをも考慮し、使用目的に応じて使用量を調整するものとする。
【００９６】
本発明の洗浄剤は、本発明の炭素数２〜８の脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ）のみからなる場合を除き、（Ａ）と、（Ｂ）〜（Ｉ）及び水からなる群から選ばれる少なくとも１種の成分とを混合することによって製造される。
本発明の洗浄剤の製造における混合溶解装置としては、特に限定されないが、櫂型羽根を装備した攪拌混合装置や螺旋型羽根を装備した攪拌混合装置等が使用できる。
【００９７】
本発明の電子材料用洗浄剤の有効成分濃度は、運搬効率の観点からは、１〜１００％であることが好ましく、更に好ましくは２〜９０％、特に好ましくは５〜７０％、最も好ましくは１０〜５０％である。
また、本発明の電子材料用洗浄剤を使用する際には、必要により、希釈水、特にイオン交換水（導電率０．２μＳ／ｃｍ以下）又は超純水（電気抵抗率１８ＭΩ・ｃｍ以上）で希釈して、有効成分濃度を０．１〜１５％、特に０．２〜１０％にすることが、使用時の作業性及びコストの観点から好ましい。
【００９８】
本発明の洗浄剤の有効成分濃度０．１〜１５％における２５℃でのｐＨは、パーティクルや有機物に対する洗浄性の観点から、好ましくは７〜１４、特に好ましくは８．５〜１３、最も好ましくは８〜１２である。
尚、本発明においてｐＨは、ｐＨメーター（株式会社堀場製作所製、Ｍ−１２）を用いて測定温度２５℃で測定される。
【００９９】
本発明の洗浄剤の有効成分濃度０．１〜１５％における、電子材料基板に対する洗浄剤の接触角（２５℃）は、好ましくは１０°以下であり、更に好ましくは５°以下、特に好ましくは３°以下である。接触角が低い程、基板表面上での濡れ広がりが良好であり、短時間で良好な洗浄性を実現できる点から好ましい。尚、接触角の測定は、例えば、全自動接触角計［協和界面科学（株）社製、ＰＤ−Ｗ］を用いて測定することができる。
【０１００】
本発明の洗浄剤中のＮａ、Ｋ、Ｃａ、Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｐｂ、Ｎｉ及びＺｎ原子の各金属含有量は、金属汚染を防ぐ観点から、洗浄剤の有効成分の重量に基づいて２０ｐｐｍ以下が好ましく、更に好ましくは１０ｐｐｍ以下、特に好ましくは５ｐｐｍ以下である。
これらの金属原子の含有量の測定方法としては、公知の方法、例えば原子吸光法、ＩＣＰ発光分析法及びＩＣＰ質量分析法が利用できる。
【０１０１】
本発明の洗浄剤の有効成分濃度０．１〜１５％における表面張力（２５℃）は、電子材料への洗浄剤のぬれ性の観点から、好ましくは６５ｍＮ／ｍ以下であり、更に好ましくは５０ｍＮ／ｍ以下、特に好ましくは４０ｍＮ／ｍ以下である。本発明における表面張力は、ＪＩＳ  Ｋ３３６２：１９９８の輪環法：対応ＩＳＯ  ３０４に従って測定できる。
【０１０２】
洗浄剤の有効成分濃度０．１〜１５％における電気伝導率（ｍＳ／ｃｍ）は、パーティクルの再付着防止性及びエッチング性の観点から、好ましくは０．２〜１０．０、更に好ましくは０．５〜５．０、特に好ましくは１．０〜３．５である。
【０１０３】
本発明の電子材料の洗浄方法は、上記の洗浄剤を用いて電子材料を洗浄する洗浄方法である。洗浄の対象となる電子材料としては、磁気ディスク基板（ガラス基板、アルミニウム基板及びＮｉ−Ｐメッキが施されたアルミニウム基板）、フラットパネルディスプレイ基板（液晶パネル用のガラス基板、カラーフィルター基板、アレイ基板、プラズマディスプレイ用基板及び有機ＥＬ用基板等）、半導体基板（半導体素子及びシリコンウェハ等）、フォトマスク基板、太陽電池用基板（シリコン基板及び薄膜型太陽電池用ガラス基板等）、光学レンズ、プリント配線基板、光通信用ケーブル並びにＬＥＤ等が挙げられる。
本発明の洗浄方法は、磁気ディスク基板、フラットパネルディスプレイ基板、半導体基板、フォトマスク基板及び太陽電池用基板の製造工程における洗浄方法として特に好適である。
洗浄対象物（汚れ）は、油分（クーラント等）、人体からの汚れ（指紋及び皮脂等）、可塑剤（ジオクチルフタレート等）、有機パーティクル等の有機物並びに無機パーティクル［研磨剤（コロイダルシリカ、アルミナ、酸化セリウム及びダイヤモンド等）及び研磨屑（ガラスカレット等）等］等の無機物が挙げられる。
【０１０４】
本発明の洗浄方法は、パーティクルの除去性に極めて優れていることから、上記基板の製造工程の内、研磨剤、研磨屑及び研削屑等のパーティクルの除去を目的とする洗浄工程で行うことが好ましく、より具体的には研削工程後の洗浄工程、研磨工程後の洗浄工程での洗浄方法として適用することが好ましい。
また、基板表面に大気中に浮遊する汚れ（パーティクル及び有機物汚れ等）が強固に付着することを防止する為に、上記の洗浄工程前後において当該基板を本発明の洗浄剤に浸漬してもよい。
前記の研磨工程が、研磨剤としてアルミナ、コロイダルシリカ、酸化セリウム又はダイヤモンドのいずれかを用いる研磨工程であると、本発明の洗浄方法の効果が特に発揮されやすい。
【０１０５】
本発明の洗浄方法における洗浄方式としては、超音波洗浄、シャワー洗浄、スプレー洗浄、ブラシ洗浄、浸漬洗浄、浸漬揺動洗浄及び枚葉式洗浄からなる群から選ばれる少なくとも１種の洗浄方式が挙げられ、いずれの方式であっても本発明の洗浄方法の効果が発揮されやすい。
【０１０６】
本発明の洗浄剤を使用する際の洗浄温度（℃）としては、洗浄性の観点から、１０〜８０℃が好ましく、更に好ましくは１５〜７０、特に好ましくは２０〜６０である。
【０１０７】
尚、本発明の洗浄方法で洗浄された電子材料に対する水の接触角（２５℃）は、好ましくは２０°以下であり、更に好ましくは１０°以下、特に好ましくは３°以下である。接触角がこの範囲にあるとが、洗浄後に高い清浄度を得られる点から好ましい
【０１０８】
本発明の洗浄方法で洗浄した後の電子材料表面の表面粗さ（Ｒａ）は、電子材料の表面平坦性の観点から、好ましくは０．５ｎｍ以下、更に好ましくは０．００１〜０．３ｎｍ、特に好ましくは０．０５〜０．２５ｎｍである。
尚、表面粗さ（Ｒａ）は、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製、Ｅ−ｓｗｅｅｐを用いて下記の条件により測定した。
測定モード    ：ＤＦＭ（タッピングモード）
スキャンエリア：１０μｍ×１０μｍ
走査線数      ：２５６本（Ｙ方向スキャン）
補正          ：Ｘ，Ｙ方向のフラット補正あり
【０１０９】
本発明の電子材料の製造方法は、前記の洗浄方法で電子材料を洗浄する工程を含む電子材料の製造方法であり、特に磁気ディスク基板、フラットパネルディスプレイ基板、半導体基板、フォトマスク基板及び太陽電池用基板の製造方法として好適である。
【実施例】
【０１１０】
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。以下におけるポリマーのＧＰＣによるＭwは前述の条件により測定した。また、以下におけるアミン価比率は、２級アミン価と３級アミン価の合計（Ｙ）に対する２級アミン価（Ｘ）の比率［（Ｘ）／（Ｙ）］を表す。尚、以下において、超純水は比抵抗値が１８ＭΩ以上のものを使用した。
【０１１１】
［製造例１］
撹拌及び温度調節可能な耐圧反応容器に、シクロヘキシルアミン９９重量部(１．０モル部)を仕込み、アルゴンガスで置換してから減圧にし、９５℃に昇温した。同温度にてエチレンオキサイド１１０重量部（２．１モル部)を耐圧反応容器の内圧が０．３ＭＰａ以上にならないようにして、徐々に滴下した。約１．５時間の誘導期間を経て９０〜１１０℃の範囲で温度コントロールを行ない、計４時間で反応させた。滴下終了後、９５℃で耐圧反応容器の内圧が滴下開始時と同じ圧力を示すまで３０分反応を行い、シクロヘキシルアミンエチレンオキサイド付加物（Ａ−１）を得た。（Ａ−１）のアミン価比率［（Ｘ）／（Ｙ）］は、０．００２であった。
【０１１２】
［製造例２］
撹拌及び温度調節可能な耐圧反応容器に、シクロオクチルアミン１２７重量部(１．０モル部)を仕込み、アルゴンガスで置換してから減圧にし、９５℃に昇温した。同温度にてエチレンオキサイド８５．８重量部（１．９５モル部)を耐圧反応容器の内圧が０．３ＭＰａ以上にならないようにして、徐々に滴下した。約１．５時間の誘導期間を経て９０〜１１０℃の範囲で温度コントロールを行ない、計４時間で反応させた。滴下終了後、９５℃で耐圧反応容器の内圧が滴下開始時と同じ圧力を示すまで３０分反応を行い、シクロオクチルアミンエチレンオキサイド付加物（Ａ−２）を得た。（Ａ−２）のアミン価比率［（Ｘ）／（Ｙ）］は、０．０５であった。
【０１１３】
［製造例３］
撹拌及び温度調節可能な耐圧反応容器に、シクロヘキシルアミン９９重量部(１．０モル部)を仕込み、アルゴンガスで置換してから減圧にし、９５℃に昇温した。同温度にてエチレンオキサイド８１．４重量部（１．８５モル部)を耐圧反応容器の内圧が０．３ＭＰａ以上にならないようにして、徐々に滴下した。約１．５時間の誘導期間を経て９０〜１１０℃の範囲で温度コントロールを行ない、計４時間で反応させた。滴下終了後、９５℃で耐圧反応容器の内圧が滴下開始時と同じ圧力を示すまで３０分反応を行い、シクロヘキシルアミンエチレンオキサイド付加物（Ａ−３）を得た。（Ａ−３）のアミン価比率［（Ｘ）／（Ｙ）］は、０．１５であった。
【０１１４】
［製造例４］
撹拌及び温度調節可能な耐圧反応容器に、ラウリルアルコール１８６重量部（１．０モル部）及び水酸化カリウム０．５重量部を仕込み、１００℃、３０ｍｍＨｇ以下の減圧下で３０分間脱水した。エチレンオキサイド３９６重量部（９．０モル部）を、反応温度１６０℃を保ちながら、３時間かけて滴下した後、１６０℃で２時間熟成し、液状の粗製ポリエーテルを得た。この粗製ポリエーテルを約８０℃まで冷却し、超純水６重量部及び陽イオン交換樹脂｛オルガノ株式会社製、アンバーライトＩＲ１２０Ｂ（Ｉ）｝１００重量部を加えて、室温（約２０℃）で３０分間撹拌した後、減圧濾過及び脱水を行い、ノニオン性界面活性剤であるラウリルアルコールのエチレンオキサイド９モル付加物（Ｂ−１−１）を得た。
【０１１５】
［製造例５］
撹拌及び温度調節可能な耐圧反応容器に、ラウリルアミン２９６重量部(１．６モル部)を仕込み、アルゴンガスで置換してから減圧にし、９５℃に昇温した。同温度にてエチレンオキサイド１４０．８重量部（３．２モル部：アミン１モル部に対して２．０モル部)を耐圧反応容器の内圧が０．３ＭＰａ以上にならないようにして、徐々に滴下した。約１．５時間の誘導期間を経て９０〜１１０℃の範囲で温度コントロールを行ない、計４時間で反応させた。滴下終了後、９５℃で耐圧反応容器の内圧が滴下開始時と同じ圧力を示すまで３０分反応を行った。
得られたラウリルアミンのエチレンオキサイド２．０モル付加物（Ｘ−１）にテトラメチルエチレンジアミン０．８重量部［（Ｘ−１）に対して純分０．１８３％］を空気が混入しないように添加し、９５℃にて１時間減圧脱水した。温度を７０℃に下げてからエチレンオキサイド５６３．２重量部（１２．８モル部：アミン１モル部に対して８．０モル部）を耐圧反応容器の内圧が０．２ＭＰａ以上にならないようにして、温度を７０〜９０℃に温度コントロールし、３時間かけて滴下した。滴下終了後、７０℃で耐圧反応容器の内圧が滴下開始時と同じ圧力を示すまで３０分反応を行い、ノニオン界面活性剤であるラウリルアミンのエチレンオキサイド１０モル付加物（Ｂ−１−２）を得た。
【０１１６】
［製造例６］
攪拌及び温度調節が可能な反応容器にイソプロピルアルコール３００重量部及び超純水１００重量部を仕込み、窒素置換後、７５℃に昇温した。撹拌下で、アクリル酸の７５％水溶液４０７重量部及びジメチル−２，２’−アゾビスイソブチレートの１５％イソプロピルアルコール溶液９５重量部を３．５時間かけて同時に滴下した。滴下終了後、７５℃で５時間撹拌した後、系内が固化しないように超純水を間欠的に投入し、イソプロピルアルコールが検出できなくなるまで水とイソプロピルアルコールの混合物を留去した。得られたポリアクリル酸水溶液をＤＢＵ（約４５０重量部）でｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるポリアクリル酸ＤＢＵ塩（Ｂ−２−１）の４０％水溶液を得た。尚、（Ｂ−２−１）のＭｗは１０，０００であった。
【０１１７】
［製造例７］
撹拌、温度調節及び還流が可能な攪拌付き反応容器にエチレンジクロライド１００重量部を仕込み、攪拌下、窒素置換した後に９０℃まで昇温し、エチレンジクロライドを還流させた。スチレン１２０重量部と、予め２，２’−アゾビスイソブチロニトリル１．７重量部をエチレンジクロライド２０重量部に溶かした開始剤溶液を、それぞれ別々に６時間かけて同時に反応容器内に滴下し、滴下終了後更に１時間重合を行った。重合後、窒素シール下で２０℃に冷却した後、温度を２０℃にコントロールしながら無水硫酸１０５重量部を１０時間かけて滴下し、滴下終了後更に３時間スルホン化反応させた。反応後、溶媒を留去し固化させた後、超純水３４５重量部を投入して溶解し、ポリスチレンスルホン酸水溶液を得た。得られたポリスチレンスルホン酸水溶液を２５％テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液（約４００重量部）でｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるポリスチレンスルホン酸テトラメチルアンモニウム塩（Ｂ−２−２）の４０％水溶液を得た。尚、（Ｂ−２−２）のＭｗは、４０，０００、スルホン化率は９７％であった。
【０１１８】
［製造例８］
攪拌及び温度調節が可能な反応容器にナフタレンスルホン酸２１重量部及び超純水１０重量部を仕込み、撹拌下、系内の温度を８０℃に保ちながら、３７％ホルムアルデヒド８重量部を３時間かけて滴下した。滴下終了後、１０５℃に昇温して２５時間反応した後、室温（約２５℃）まで冷却して水浴中、２５℃に調整しながらＤＢＵを徐々に加え、ｐＨ６．５に調製した（ＤＢＵ約１５重量部使用）。超純水を加えて固形分を４０％に調整して、アニオン性界面活性剤であるナフタレンスルホン酸ホルマリン縮合物のＤＢＵ塩（Ｂ−２−３）の４０％水溶液を得た。尚、（Ｂ−２−３）のＭｗは、５，０００であった。
【０１１９】
［製造例９］
アクリル酸の７５％水溶液４０７重量部の代わりに、アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸２２７重量部、アクリル酸７８重量部及び超純水１３１重量部からなる７０％モノマー水溶液４３６重量部を使用したこと以外は、製造例６と同様に重合して、アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸／アクリル酸共重合体水溶液を得た。得られたアクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸／アクリル酸共重合体水溶液に、温度をを２５℃に制御しながらＤＢＵを徐々に加えてｐＨ６．５に調製して（ＤＢＵ約２８０重量部使用）超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるアクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸／アクリル酸共重合体ＤＢＵ塩（Ｂ−２−４）の４０％水溶液を得た。尚、（Ｂ−２−４）のＭｗは８，０００であった。
【０１２０】
［製造例１０］
アクリル酸の７５％水溶液４０７重量部の代わりに、メタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステルナトリウム塩の５０％水溶液［三洋化成（株）社製、エレミノールＲＳ−３０］３２０重量部及びアクリル酸１４５重量部からなる６５％モノマー水溶液４６５重量部を使用したこと以外は、製造例６と同様に重合して、メタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステルナトリウム塩／アクリル酸共重合体水溶液を得た。得られた共重合体水溶液を固形分濃度が１０％になるように超純水で希釈した後、陽イオン交換樹脂「アンバーライトＩＲ−１２０Ｂ」（オルガノ株式会社製）を用いて、溶液中のナトリウムイオンが１ｐｐｍ以下になるまで除去した。尚、ナトリウム含量はＩＣＰ発光分析装置（ＶＡＲＩＡＮ社製、Ｖａｒｉａｎ７３０−ＥＳ）を用いて測定した。得られたメタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体水溶液に、温度を２５℃に制御しながら２５％テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド水溶液（約６００重量部）を徐々に加えてｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるメタクリロイルオキシポリオキシアルキレン硫酸エステル／アクリル酸共重合体テトラメチルアンモニウム塩（Ｂ−２−５）の１０％水溶液を得た。尚、（Ｂ−２−５）のＭｗは９，０００であった。
【０１２１】
［製造例１１］
オクチルベンゼンスルホン酸１３６重量部及び超純水２４５重量部をビーカーに仕込み、均一になるまで溶解した。得られたオクチルベンゼンスルホン酸水溶液にＤＢＮ（約６５重量部）を徐々に加えてｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるオクチルベンゼンスルホン酸ＤＢＮ塩（Ｂ−２−６）の４０％水溶液を得た。
【０１２２】
［製造例１２］
オクタン酸１４４重量部及び超純水３００重量部をビーカーに仕込み、均一になるまで溶解した。得られたオクタン酸水溶液にジエタノールアミン（約１０５重量部）を徐々に加えてｐＨが７になるまで中和し、超純水で濃度調整することにより、アニオン性界面活性剤であるオクタン酸ジエタノールアミン塩（Ｂ−２−７）の４０％水溶液を得た。
【０１２３】
［比較製造例１］
撹拌及び温度調節可能な耐圧反応容器に、シクロオクチルアミン１２７重量部(１．０モル部)を仕込み、アルゴンガスで置換してから減圧にし、９５℃に昇温した。同温度にてエチレンオキサイド６１．６重量部（１．４モル部)を耐圧反応容器の内圧が０．３ＭＰａ以上にならないようにして、徐々に滴下した。約１．５時間の誘導期間を経て９０〜１１０℃の範囲で温度コントロールを行ない、計４時間で反応させた。滴下終了後、９５℃で耐圧反応容器の内圧が滴下開始時と同じ圧力を示すまで３０分反応を行い、比較用のシクロオクチルアミンエチレンオキサイド付加物（Ａ−４）を得た。（Ａ−４）のアミン価比率［（Ｘ）／（Ｙ）］は、０．６であった。
【０１２４】
［比較製造例２］
撹拌及び温度調節可能な耐圧反応容器に、シクロヘキシルアミン９９重量部(１．０モル部)を仕込み、アルゴンガスで置換してから減圧にし、９５℃に昇温した。同温度にてエチレンオキサイド４４重量部（１．０モル部)を耐圧反応容器の内圧が０．３ＭＰａ以上にならないようにして、徐々に滴下した。約１．５時間の誘導期間を経て９０〜１１０℃の範囲で温度コントロールを行ない、計４時間で反応させた。滴下終了後、９５℃で耐圧反応容器の内圧が滴下開始時と同じ圧力を示すまで３０分反応を行い、比較用のシクロヘキシルアミンエチレンオキサイド付加物（Ａ−５）を得た。（Ａ−５）のアミン価比率［（Ｘ）／（Ｙ）］は、１．０であった。
【０１２５】
［実施例１〜１３］及び［比較例１〜４］
表１及び表２に記載の各成分を、表１及び表２に記載の配合重量部数で、ビーカーを用いて２０℃で均一混合して実施例１〜１３及び比較例１〜４の洗浄剤を作製した。但し、表１及び表２に記載の（Ａ）〜（Ｄ）及び（Ｇ）の重量部数は有効成分の重量部数であり、超純水の重量部数は（Ｂ−２−１）〜（Ｂ−２−７）及び後述のＴＭＡＨ中の水を含む。尚、表１及び表２中の成分の略号は下記の通りである。
ＥＤＴＡ：エチレンジアミンテトラ酢酸
ＨＥＤＰ：１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸
ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロキサイド３５％水溶液
ＫＯＨ：水酸化カリウム
ＤＢＵ：１，８−ジアザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン
ＭＤＥＡ：Ｎ−メチルジエタノールアミン
ＤＥＧＢ：ジエチレングリコールモノブチルエーテル
ＴＥＧＭ：トリエチレングリコールモノメチルエーテル
【０１２６】
実施例１〜１３及び比較例１〜３の洗浄剤を、予め超純水で１０倍量に希釈したものを試験用の洗浄剤として用いて、ｐＨ、洗浄性−１、２及び３、試験用の洗浄剤の接触角−１、２及び３並びに起泡性を測定又は評価した結果を表１及び表２に示す。
【０１２７】
尚、ｐＨ、洗浄性−１、２及び３、試験用の洗浄剤の接触角−１、２及び３並びに起泡性の測定又は評価は以下の方法で行った。
【０１２８】
＜ｐＨの測定＞
ｐＨメーター（株式会社堀場製作所製、Ｍ−１２）を用いて測定温度２５℃で測定した。
【０１２９】
＜洗浄性−１＞
研磨剤としての市販のコロイダルシリカスラリー（粒径約３０ｎｍ）及び研磨布を用いて、３．５インチのＮｉ−Ｐメッキされた磁気ディスク用アルミ基板を研磨した後、超純水で表面をリンス、窒素でブローすることにより、汚染基板を作製した。試験用の洗浄剤１，０００重量部をガラス製ビーカーにとり、作製した汚染基板を浸漬し、超音波洗浄機（２００ｋＨｚ）内で、３０℃、５分間の洗浄を行った。洗浄後、基板を取り出し、超純水で十分にリンスを行った後、窒素ガスでブローして乾燥し、下記の評価基準に従い、基板表面の洗浄性を微分干渉顕微鏡（Ｎｉｋｏｎ社製、ＯＰＴＩＰＨＯＴ−２、倍率４００倍）で評価した。尚、本評価は大気からの汚染を防ぐため、クラス１，０００（ＨＥＤ−ＳＴＤ−２０９Ｄ、米国連邦規格、１９８８年）のクリーンルーム内で実施した。
◎：ほぼ完全に除去できている。
○：ほとんど洗浄できている。
△：若干粒子が残留している。
×：ほとんど洗浄できていない。
【０１３０】
＜洗浄性−２＞
研磨剤として市販の酸化セリウムスラリー（フジミインコーポレーティド社製、ＣＥＰＯＬ−１２０）を用い、２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板を研磨した後、超純水で表面をリンス、窒素でブローすることにより、汚染基板を作製した以外は洗浄性−１と同様にして評価した。
【０１３１】
＜洗浄性−３＞
市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７、縦５ｃｍ×横５ｃｍ）をモデル汚染物質としてのオレイン酸（和光純薬株式会社製）の１％アセトン溶液中に浸漬した後に、基板を引き上げて自然乾燥して溶媒を除去することにより、汚染基板を作製した以外は洗浄性−１と同様にして評価した。
【０１３２】
＜試験用の洗浄剤の接触角−１＞
３．５インチのＮｉ−Ｐメッキされた磁気ディスク用アルミ基板に対する試験用の洗浄剤の接触角（２５℃、１０秒後）を、全自動接触角計［協和界面科学株式会社製、ＰＤ−Ｗ］を用いて測定した。
【０１３３】
＜試験用の洗浄剤の接触角−２＞
２．５インチの磁気ディスク用ガラス基板を用いた以外は、試験用の洗浄剤の接触角−１と同様にして評価した。
【０１３４】
＜試験用の洗浄剤の接触角−３＞
市販のガラス基板（コーニング社製、ガラス板＃１７３７、縦５ｃｍ×横５ｃｍ）を用いた以外は、試験用の洗浄剤の接触角−１と同様にして評価した。
【０１３５】
＜起泡性＞
１００ｍｌのガラス製有栓メスシリンダー（ＪＩＳ  Ｒ３５０４「化学用体積計ガラス素材」の有栓メスシリンダーとして寸法が規定されたもの）に試験用の洗浄剤２０ｍｌを入れ、恒温水槽中で２５℃に温調した後、有栓メスシリンダーの蓋を閉め、３０秒間で６０回上下に激しく振とうし、振とう直後と１分後の泡の量（ｍｌ）を測定した。振とう直後の泡の量が少ないほど起泡性が低く、１分後の泡の量が少ないほど消泡性が高い。
【０１３６】
【表１】
2010138271.tif 000003
【０１３７】
【表２】
2010138271.tif 000004
【０１３８】
表１及び表２の結果から、本発明の洗浄剤は電子材料上に付着したパーティクルや有機物の除去性に優れることがわかる。また、本発明の洗浄剤は基板表面上の接触角を極めて小さくできることから、洗浄剤が速やかに基板表面に濡れ広がることができ、短時間で基板表面全体を均一に洗浄することができるといった効果も有する。また本発明の炭素数２〜８の脂肪族第１級アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ａ）は、起泡性が低く、使用時に泡による洗浄不良を引き起こすトラブルもない。
【産業上の利用可能性】
【０１３９】
本発明の電子材料用洗浄剤は、パーティクル（砥粒、ガラス粉、セラミック粉及び金属粉等）等を洗浄対象とする洗浄に好適に用いられる。
従って、本発明の電子材料用洗浄剤は、各種の電子材料［例えば磁気ディスク用基板（アルミ基板、ＮｉＰ基板、ガラス基板、磁気ディスク及び磁気ヘッド等）、フラットパネルディスプレイ用基板（液晶パネル用のガラス基板、カラーフィルター基板、アレイ基板、プラズマディスプレイ用基板及び有機ＥＬ用基板等）、半導体用基板（半導体素子及びシリコンウェハ等）、太陽電池用基板（単結晶シリコン基板、多結晶シリコン基板、薄膜型太陽電池用基板、単結晶化合物基板、多結晶化合物基板、有機系太陽電池基板）、プリント配線基板、光学レンズ、フォトマスク用基板、光通信用ケーブル、ＬＥＤ、太陽電池用基板及び水晶振動子］の製造工程における洗浄工程において好適に使用することができる。
また、本発明の電子材料の洗浄方法は、特に電子材料が、磁気ディスク用基板、フラットパネルディスプレイ用基板、半導体用基板又は太陽電池用基板である場合に好適である。