(57)【要約】【課題】簡易な構成で精度良くＰＴＣ素子の特性を識別することができる部品識別システム、部品識別方法及び被識別部品を提供する。【解決手段】電圧の印加により温度が変化する特性を示すＰＴＣ素子１１、及びＰＴＣ素子１１の近傍で周囲の温度を検出する温度検出部１４を有する被識別部品１と、ＰＴＣ素子１１及び温度検出部１４に電圧を印加する電圧印加部３、特性の適合判断の基準となる基準特性を記憶する基準特性記憶部２３１、ＰＴＣ素子１１への電圧印加から所定時間が経過するまでに温度検出部１４が検出する温度の変化を温度特性として取得する特性取得部２５、及び特性取得部２５で取得した温度特性が、事前に記憶されている基準特性と適合するか否かを判定する判定部２１を有する識別装置２とを備える。【選択図】図１
2010087385.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧の印加により温度が変化する特性を示すＰＴＣ素子、及び該ＰＴＣ素子の近傍で周囲の温度を検出する温度検出部を有する被識別部品と、
前記ＰＴＣ素子及び前記温度検出部に電圧を印加する電圧印加部、
前記特性の適合判断の基準となる基準特性を記憶する基準特性記憶部、
前記ＰＴＣ素子への電圧印加から所定時間が経過するまでに前記温度検出部が検出する温度の変化を温度特性として取得する特性取得部、及び
該特性取得部で取得した温度特性が、前記基準特性と適合するか否かを判定する判定部
を有する識別装置と
を備えることを特徴とする部品識別システム。
【請求項２】
前記被識別部品又は前記識別装置は、前記電圧印加部による電圧の印加のオンオフを制御するスイッチング部を備え、
前記識別装置は、前記スイッチング部のオンオフのタイミングを制御する制御部
を備えることを特徴とする請求項１記載の部品識別システム。
【請求項３】
前記被識別部品は、前記温度検出部と接続する抵抗素子を有し、
前記温度検出部は、前記抵抗素子により分圧された出力電圧を温度として検出するようにしてあることを特徴とする請求項１又は２記載の部品識別システム。
【請求項４】
前記識別装置は、前記温度検出部と接続する抵抗素子を有し、
前記温度検出部は、前記抵抗素子により分圧された出力電圧を温度として検出するようにしてあることを特徴とする請求項１又は２記載の部品識別システム。
【請求項５】
前記被識別部品は、前記ＰＴＣ素子及び前記温度検出部の一端が互いに接続されている接続点を有し、
前記電圧印加部は、前記接続点と接続する接続線を介して前記ＰＴＣ素子及び前記温度検出部へ電圧を印加するようにしてあることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の部品識別システム。
【請求項６】
前記ＰＴＣ素子はサーミスタであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の部品識別システム。
【請求項７】
前記温度検出部はＮＴＣサーミスタであることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の部品識別システム。
【請求項８】
前記識別装置は、
前記ＰＴＣ素子の特性が適合するか否かの判断の基準となる特性を有する基準ＰＴＣ素子、及び該基準ＰＴＣ素子の近傍で周囲の温度を検出する装置側温度検出部を保持する基準素子保持部
を備え、
前記電圧印加部は、前記基準素子保持部に電圧を印加し、
前記特性取得部は、前記基準ＰＴＣ素子への電圧印加から所定時間が経過するまでに前記装置側温度検出部が検出する温度の変化を基準特性として取得し、
前記判定部は、前記特性取得部で取得した基準特性と適合するか否かを判定するようにしてあることを特徴とする請求項１又は２に記載の部品識別システム。
【請求項９】
電圧の印加により温度が変化する特性を示すＰＴＣ素子及び該ＰＴＣ素子の近傍で周囲の温度を検出する温度検出部に電圧を印加する電圧印加部、
前記特性の適合判断の基準となる基準特性を記憶する基準特性記憶部、
前記ＰＴＣ素子への電圧印加から所定時間が経過するまでに前記温度検出部が検出する温度の変化を温度特性として取得する特性取得部、及び
該特性取得部で取得した温度特性が、前記基準特性と適合するか否かを判定する判定部
を有する識別装置と接続されている、前記ＰＴＣ素子及び前記温度検出部を有する被識別部品であって、
前記ＰＴＣ素子及び前記温度検出部を合成樹脂にて封止してあることを特徴とする被識別部品。
【請求項１０】
前記電圧印加部による電圧の印加のオンオフを制御するスイッチング部を備え、
該スイッチング部は、前記ＰＴＣ素子及び前記温度検出部と隣接して合成樹脂にて封止してあることを特徴とする請求項９記載の被識別部品。
【請求項１１】
前記温度検出部と接続する抵抗素子は、前記ＰＴＣ素子及び前記温度検出部と隣接して合成樹脂にて封止してあることを特徴とする請求項９又は１０記載の被識別部品。
【請求項１２】
前記ＰＴＣ素子及び前記温度検出部の一端が互いに接続されている接続点を有し、
前記電圧印加部から前記接続点と接続する接続線を介して前記ＰＴＣ素子及び前記温度検出部へ電圧が印加されるようにしてあることを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか一項に記載の被識別部品。
【請求項１３】
前記ＰＴＣ素子はサーミスタであることを特徴とする請求項９乃至１２のいずれか一項に記載の被識別部品。
【請求項１４】
前記温度検出部はＮＴＣサーミスタであることを特徴とする請求項９乃至１３のいずれか一項に記載の被識別部品。
【請求項１５】
電圧の印加により温度が変化する特性を示すＰＴＣ素子、及び該ＰＴＣ素子の近傍で周囲の温度を検出する温度検出部に電圧を印加し、
前記特性の適合判断の基準となる基準特性を記憶し、
前記ＰＴＣ素子に電圧を印加している状態での前記ＰＴＣ素子への電圧印加から所定時間が経過するまでの温度の変化を検出し、
検出された温度変化を温度特性として取得し、
取得した温度特性が、前記基準特性と適合するか否かを判定することを特徴とする部品識別方法。
【請求項１６】
前記ＰＴＣ素子及び前記温度検出部への電圧の印加／非印加のタイミングを制御することを特徴とする請求項１５に記載の部品識別方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異なる抵抗温度特性を有するＰＴＣ素子を備えた被識別部品を選別する部品識別システム、部品識別方法及び被識別部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、正の抵抗温度特性を有するＰＴＣ素子は、キュリー温度を超えた場合、抵抗値が急激に増加する特性を有している。斯かる特性を利用して、例えば電子回路の過電流保護素子として、あるいは温度検出素子として使用されることが多い。
【０００３】
現在では市場要求に応えるために、様々な抵抗温度特性を持ったＰＴＣ素子が市販されており、ＰＴＣ素子自体の超小型化も進んでいる。最近では、例えば１．６×０．８ｍｍ、０．６×０．３ｍｍ程度の微小チップ部品も開発されている。
【０００４】
斯かるＰＴＣ素子は、例えば製造過程における不純物の混入等に起因する特性不良が発生する場合があるため、製造されたＰＴＣ素子の良否を出荷前に判定するようにしている。また、ＰＴＣ素子の部品管理を行っていた場合であっても、想定されていない原因によって異種特性のＰＴＣ素子が誤って混入する場合が生じうる。斯かる場合、混入した異種特性を有するＰＴＣ素子を選別する必要が生じる。
【０００５】
現在、異種部品が混入するのを防ぐために、ＰＴＣ素子に選別用のマーキングを施すことも行われているが、チップの小型化が進む中で、微小チップ部品にマーキングをすることは困難であり、外観から抵抗温度特性の違いを判別することはできない。
【０００６】
異種特性のＰＴＣ素子を選別する方法として、例えばＰＴＣ素子に電流が充分減衰する所定の電圧を印加し、ＰＴＣ素子に流れる電流が所定の電流値に至る時間の相違によってＰＴＣ素子を選別する方法がある（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特許第３８７０９７５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、上記従来の選別方法では、ＰＴＣ素子に所定の電圧を印加して所定の電流値に至る時間を得た後、ＰＴＣ素子を室温まで冷却した後、先の所定の電圧とは異なる所定の電圧を印加して先の所定の電流値とは異なる所定の電流値に至る時間を得るようにして、ＰＴＣ素子の特性を検出している。斯かる場合、印加する電圧を変更する度に計測間隔を要し、各電圧での電流値の測定及び判定を繰り返す必要があるため、選別に相当な時間がかかるという問題点があった。
【０００８】
そこで、ＰＴＣ素子の近傍に例えばＮＴＣサーミスタを備え、ＰＴＣ素子及びＮＴＣサーミスタに電圧を印加することにより、ＰＴＣ素子の温度を速やかに上昇させてＰＴＣ素子の温度特性を迅速に検出する特性検出方法も開発されている。しかし、ＮＴＣサーミスタの出力電圧を取得することによってＰＴＣ素子の周囲温度を検出しながら、ＰＴＣ素子の出力電圧を取得することによってＰＴＣ素子の温度特性を検出しなければならない。すなわち、ＮＴＣサーミスタ及びＰＴＣ素子の双方からの出力線と、各出力線にて取得した電圧値を夫々検出する手段が必要となり、構成が複雑になるという問題点がある。
【０００９】
本発明は斯かる事情に鑑みてなされたものであり、簡易な構成で精度良くＰＴＣ素子が同種特性であるか否かを識別することができる部品識別システム、部品識別方法及び被識別部品を提供することを目的とする。
また、温度特性の取得時間を短縮することができる部品識別システム、部品識別方法及び被識別部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために第１発明に係る部品識別システムは、電圧の印加により温度が変化する特性を示すＰＴＣ素子、及び該ＰＴＣ素子の近傍で周囲の温度を検出する温度検出部を有する被識別部品と、前記ＰＴＣ素子及び前記温度検出部に電圧を印加する電圧印加部、前記特性の適合判断の基準となる基準特性を記憶する基準特性記憶部、前記ＰＴＣ素子への電圧印加から所定時間が経過するまでに前記温度検出部が検出する温度の変化を温度特性として取得する特性取得部、及び該特性取得部で取得した温度特性が、前記基準特性と適合するか否かを判定する判定部を有する識別装置とを備えることを特徴とする。
【００１１】
また、第２発明に係る部品識別システムは、第１発明において、前記被識別部品又は前記識別装置は、前記電圧印加部による電圧の印加のオンオフを制御するスイッチング部を備え、前記識別装置は、前記スイッチング部のオンオフのタイミングを制御する制御部を備えることを特徴とする。
【００１２】
また、第３発明に係る部品識別システムは、第１又は第２発明において、前記被識別部品は、前記温度検出部と接続する抵抗素子を有し、前記温度検出部は、前記抵抗素子により分圧された出力電圧を温度として検出するようにしてあることを特徴とする。
【００１３】
また、第４発明に係る部品識別システムは、第１又は第２発明において、前記識別装置は、前記温度検出部と接続する抵抗素子を有し、前記温度検出部は、前記抵抗素子により分圧された出力電圧を温度として検出するようにしてあることを特徴とする。
【００１４】
また、第５発明に係る部品識別システムは、第１乃至第４発明のいずれか１つにおいて、前記被識別部品は、前記ＰＴＣ素子及び前記温度検出部の一端が互いに接続されている接続点を有し、前記電圧印加部は、前記接続点と接続する接続線を介して前記ＰＴＣ素子及び前記温度検出部へ電圧を印加するようにしてあることを特徴とする。
【００１５】
また、第６発明に係る部品識別システムは、第１乃至第５発明のいずれか１つにおいて、前記ＰＴＣ素子はサーミスタであることを特徴とする。
【００１６】
また、第７発明に係る部品識別システムは、第１乃至第６発明のいずれか１つにおいて、前記温度検出部はＮＴＣサーミスタであることを特徴とする。
【００１７】
また、第８発明に係る部品識別システムは、第１又は第２発明において、前記識別装置は、前記ＰＴＣ素子の特性が適合するか否かの判断の基準となる特性を有する基準ＰＴＣ素子、及び該基準ＰＴＣ素子の近傍で周囲の温度を検出する装置側温度検出部を保持する基準素子保持部を備え、前記電圧印加部は、前記基準素子保持部に電圧を印加し、前記特性取得部は、前記基準ＰＴＣ素子への電圧印加から所定時間が経過するまでに前記装置側温度検出部が検出する温度の変化を基準特性として取得し、前記判定部は、前記特性取得部で取得した基準特性と適合するか否かを判定するようにしてあることを特徴とする。
【００１８】
次に、上記目的を達成するために第９発明に係る被識別部品は、電圧の印加により温度が変化する特性を示すＰＴＣ素子及び該ＰＴＣ素子の近傍で周囲の温度を検出する温度検出部に電圧を印加する電圧印加部、前記特性の適合判断の基準となる基準特性を記憶する基準特性記憶部、前記ＰＴＣ素子への電圧印加から所定時間が経過するまでに前記温度検出部が検出する温度の変化を温度特性として取得する特性取得部、及び該特性取得部で取得した温度特性が、前記基準特性と適合するか否かを判定する判定部を有する識別装置と接続されている、前記ＰＴＣ素子及び前記温度検出部を有する被識別部品であって、前記ＰＴＣ素子及び前記温度検出部を合成樹脂にて封止してあることを特徴とする。
【００１９】
また、第１０発明に係る被識別部品は、第９発明において、前記電圧印加部による電圧の印加のオンオフを制御するスイッチング部を備え、該スイッチング部は、前記ＰＴＣ素子及び前記温度検出部と隣接して合成樹脂にて封止してあることを特徴とする。
【００２０】
また、第１１発明に係る被識別部品は、第９又は第１０発明において、前記温度検出部と接続する抵抗素子は、前記ＰＴＣ素子及び前記温度検出部と隣接して合成樹脂にて封止してあることを特徴とする。
【００２１】
また、第１２発明に係る被識別部品は、第９乃至第１１発明のいずれか１つにおいて、前記ＰＴＣ素子及び前記温度検出部の一端が互いに接続されている接続点を有し、前記電圧印加部から前記接続点と接続する接続線を介して前記ＰＴＣ素子及び前記温度検出部へ電圧が印加されるようにしてあることを特徴とする。
【００２２】
また、第１３発明に係る被識別部品は、第９乃至第１２発明のいずれか１つにおいて、前記ＰＴＣ素子はサーミスタであることを特徴とする。
【００２３】
また、第１４発明に係る被識別部品は、第９乃至第１３発明のいずれか１つにおいて、前記温度検出部はＮＴＣサーミスタであることを特徴とする。
【００２４】
次に、上記目的を達成するために第１５発明に係る部品識別方法は、電圧の印加により温度が変化する特性を示すＰＴＣ素子、及び該ＰＴＣ素子の近傍で周囲の温度を検出する温度検出部に電圧を印加し、前記特性の適合判断の基準となる基準特性を記憶し、前記ＰＴＣ素子に電圧を印加している状態での前記ＰＴＣ素子への電圧印加から所定時間が経過するまでの温度の変化を検出し、検出された温度変化を温度特性として取得し、取得した温度特性が、前記基準特性と適合するか否かを判定することを特徴とする。
【００２５】
また、第１６発明に係る部品識別方法は、第１５発明において、前記ＰＴＣ素子及び前記温度検出部への電圧の印加／非印加のタイミングを制御することを特徴とする。
【００２６】
第１発明及び第１５発明では、電圧の印加により温度が変化する特性を示すＰＴＣ素子、及びＰＴＣ素子の近傍で周囲の温度を検出する温度検出部に電圧を印加し、特性の適合判断の基準となる基準特性を記憶しておき、ＰＴＣ素子への電圧印加から所定時間が経過するまでに検出する温度の変化を温度特性として取得する。取得した温度特性が基準特性と適合するか否かを判定する。ＰＴＣ素子は電圧の印加により種類ごとに特有の温度変化を示す。ＰＴＣ素子の温度は近傍に配置してある温度検出部に伝播し、温度検出部にて検出される温度として検出することができる。ＰＴＣ素子への電圧印加から所定時間が経過するまでに温度検出部が温度を検出し、検出した温度から取得した温度の変化は、ＰＴＣ素子の温度変化（温度特性）に相当する。したがって、温度検出部で検出する温度に基づく温度特性によりＰＴＣ素子の温度特性を推測することができるので、ＰＴＣ素子からの出力を検出する必要のない簡易な構成でありながら、精度良く異種特性を有するＰＴＣ素子を識別することが可能となる。
【００２７】
第２発明、第１０発明及び第１６発明では、ＰＴＣ素子及び温度検出部への電圧の印加／非印加のタイミングを制御することにより、ＰＴＣ素子に電圧を印加している状態及び印加していない状態での温度の変化を温度特性として取得することができる。これにより、ＰＴＣ素子への電圧印加と非印加を所定のタイミングで切り替えることにより複数の状態で周囲温度を検出して、複雑な温度特性を取得することができるので、温度特性が基準特性と適合するか否かを精緻に判定することができ、高い精度で異種特性を有するＰＴＣ素子を識別することができる。しかも、従来のようにＰＴＣ素子への電圧印加後、一旦電圧をオフにした後に、再度電圧を印加して複数の条件下でのＰＴＣ素子の特性を取得する必要がなく、温度特性の取得時間を短縮することができる。
【００２８】
第３発明及び第１１発明では、被識別部品は温度検出部と接続する抵抗素子を有し、抵抗素子により分圧された出力電圧を温度として検出することにより、ＰＴＣ素子の周囲の温度変化を分圧された出力電圧の変化として検出することができ、高い精度で検出したＰＴＣ素子の周囲の温度をＰＴＣ素子の特性として識別することが可能となる。
【００２９】
第４発明では、温度検出部と接続する抵抗素子を識別装置に備えることにより、被識別部品に抵抗素子を備えることなく、抵抗素子により分圧された出力電圧の変化をＰＴＣ素子の周囲の温度変化として検出することができるとともに、被識別部品の低価格化を図ることが可能となる。
【００３０】
第５発明及び第１２発明では、ＰＴＣ素子及び温度検出部の一端が互いに接続されている接続点を有し、電圧印加部から接続点と接続する接続線を介してＰＴＣ素子及び温度検出部へ電圧が印加される。接続点を被識別装置内に設けることにより、識別装置と被識別部品とを接続する１本の接続線にてＰＴＣ素子及び温度検出部へ電圧を印加することができ、より簡易な構成とすることが可能となる。
【００３１】
第６発明及び第１３発明では、ＰＴＣ素子としてサーミスタを用いることにより、キュリー温度以上の温度での急激な電圧上昇特性の相違により、異種特性を有するＰＴＣ素子を精度良く識別することができる。
【００３２】
第７発明及び第１４発明では、温度検出部としてＮＴＣサーミスタを用いることにより、ＰＴＣ素子の周囲の温度変化を出力電圧値の変化として取得することが可能となる。
【００３３】
第８発明では、識別装置はＰＴＣ素子の特性が適合するか否かの判断の基準となる基準特性を有する基準ＰＴＣ素子、及び基準ＰＴＣ素子の近傍で周囲の温度を検出する装置側温度検出部を保持する基準素子保持部を備える。基準素子保持部に電圧を印加し、基準ＰＴＣ素子への電圧印加から所定時間が経過するまでに装置側温度検出部が検出する温度の変化を基準特性として取得し、特性取得部で取得した温度特性と、基準特性とが適合するか否かを判定する。ＰＴＣ素子及び基準ＰＴＣ素子に同時に同一電圧を印加することにより、温度特性を計測する場合の周囲温度の影響を低減し、温度特性と装置側温度検出部が検出する温度の変化に基づく基準特性とが適合するか否かを精度良く識別することが可能となる。温度特性が基準特性と適合する場合、基準特性と同種の特性を有するＰＴＣ素子であると識別することができ、基準特性と適合しない場合には、基準特性と異種の特性を有するＰＴＣ素子であると識別することができる。
【００３４】
第９発明では、外部のＰＴＣ素子及びＰＴＣ素子の近傍で周囲の温度を検出する外部の温度検出部に電圧を印加する電圧印加部、特性の適合判断の基準となる基準特性を記憶する基準特性記憶部、ＰＴＣ素子への電圧印加から所定時間が経過するまでに温度検出部が検出する温度の変化を温度特性として取得する特性取得部、及び特性取得部で取得された温度特性が、基準特性と適合するか否かを判定する判定部を有する識別装置と接続された被識別部品が有するＰＴＣ素子及び温度検出部が合成樹脂にて封止されている。温度検出部が周囲温度を検出することによって、ＰＴＣ素子の温度特性を推測することができるので、ＰＴＣ素子からの出力を検出する必要のない簡易な構成でありながら、精度良くＰＴＣ素子の特性を識別することが可能となる。また、ＰＴＣ素子及び温度検出部が合成樹脂にて封止されていることにより、ＰＴＣ素子の外部環境を安定させることができ、特性が外部環境に起因して変動することを防止することができるので、より精度良く異種特性を有するＰＴＣ素子を識別することが可能な被識別部品を提供することができる。
【発明の効果】
【００３５】
上記構成によれば、温度検出部で検出する温度の変化に基づく温度特性によりＰＴＣ素子の温度特性を推測することができるので、ＰＴＣ素子からの出力を検出する必要のない簡易な構成でありながら、精度良く異種特性を有するＰＴＣ素子を識別することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３６】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００３７】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る部品識別システムの構成を示すブロック図である。本発明の実施の形態１に係る部品識別システムは、部品に含まれているＰＴＣ素子１１の特性が、事前に記憶されている特性と相違するか否かを識別する識別装置２と、識別対象となるＰＴＣ素子１１を有する被識別部品１とで構成されている。
【００３８】
被識別部品１は、特性検出の対象となるＰＴＣ素子１１を備えている。ＰＴＣ素子１１は、識別装置２に備えてある、電源（電圧印加部）３から電圧を印加するか否かを制御するスイッチ機構（スイッチング部）２９に接続されている。
【００３９】
図２は、本発明の実施の形態１に係るＰＴＣ素子１１の外観を示す斜視図である。図２に示すように、ＰＴＣ素子１１は、略直方体状の半導体セラミックス１ａ内に内部電極（不図示）を埋設し、各内部電極を半導体セラミックス１ａの両端部に形成された外部電極１ｂ、１ｂに接続してある。ＰＴＣ素子１１のサイズは、例えばＬ×Ｗ×Ｄがそれぞれ１．６×０．８×０．８ｍｍであり、両外部電極幅が０．４ｍｍである。
【００４０】
本実施の形態１では、ＰＴＣ素子１１としてサーミスタを用いる。サーミスタを用いた場合、電圧を印加することによりジュール熱による自己発熱が起こり、次第にＰＴＣ素子１１の温度が上昇する。キュリー温度付近に到達した場合、負性電流特性（電圧の増加に従って電流が減少する）を示し、急激に出力電圧が上昇する特性（出力電圧特性）を示す。同様に、ＰＴＣ素子１１の温度変化（温度特性）もＰＴＣ素子１１の特性を示す。異種のＰＴＣ素子１１が混入している場合、出力電圧特性又は温度特性によって容易に識別することができる。
【００４１】
図１に戻って、被識別部品１は、ＰＴＣ素子１１の周囲の温度を検出するＮＴＣサーミスタ（温度検出部）１４を備えている。ＮＴＣサーミスタ１４は、識別装置２に備えてある、電源３から電圧を印加するか否かを制御するスイッチ機構３０に接続されている。また、ＮＴＣサーミスタ１４とスイッチ機構３０との間には、抵抗素子１６を設けてあり、分圧された出力電圧を出力するようにしてある。ＮＴＣサーミスタ１４自体もインピーダンスを有していることから、抵抗素子１６は接続しても良いし、接続しなくても良い。なお、抵抗素子１６を接続した場合には、ＮＴＣサーミスタ１４に印加する電圧を低減して負荷を軽減することも可能である。
【００４２】
同様に、ＰＴＣ素子１１とスイッチ機構２９との間にも抵抗素子を設け、ＰＴＣ素子１１の負荷を軽減するようにしても良い。なお、ＰＴＣ素子１１とスイッチ機構２９との間に抵抗素子を設けない場合には、抵抗素子によってＰＴＣ素子１１へ印加される電圧が低下することなく、ＰＴＣ素子１１の自己発熱による発熱量も減少することがないので、キュリー温度に到達する時間が遅くなることもない。
【００４３】
ＮＴＣサーミスタ１４を用いた場合、電圧を印加することによりジュール熱による自己発熱が起こり、次第にＮＴＣサーミスタ１４の温度が上昇し、電圧の増加に従って電流も増加することから、出力電圧が減少する特性を示す。したがって、ＮＴＣサーミスタ１４の出力電圧の減少度合によって、ＰＴＣ素子１１の周囲の温度を検出することができる。なお、本実施の形態１では、温度検出部としてＮＴＣサーミスタ１４を用いているが、ＰＴＣ素子１１の周囲温度を検出することができれば、ＮＴＣサーミスタ以外の温度センサ等でも良い。
【００４４】
本実施の形態１では、ＮＴＣサーミスタ１４をＰＴＣ素子１１に近接して配置し、ＰＴＣ素子１１の発熱が瞬時にＮＴＣサーミスタ１４に伝播するようにしている。ＮＴＣサーミスタ１４が検出する温度の変化は、ＰＴＣ素子１１の温度変化が示す温度特性に相当するので、ＮＴＣサーミスタ１４は周囲温度を検出することによって、ＰＴＣ素子１１の特性（温度特性）を検出することができる。なお、ＮＴＣサーミスタ１４も自己発熱をするが、ＮＴＣサーミスタ１４による発熱量はＰＴＣ素子１１による発熱量と比較してわずかであるため、周囲温度に影響を及ぼすことはない。
【００４５】
識別装置２は、少なくともＣＰＵ（中央演算装置）２１、ＲＡＭ２２、記憶装置２３、出力インタフェース２４、入力インタフェース２５、入力装置２６、出力装置２７及び上述したハードウェアを接続する内部バス２８で構成されている。
【００４６】
ＣＰＵ２１は、内部バス２８を介して識別装置２の上述したようなハードウェア各部と接続されており、上述したハードウェア各部の動作を制御するとともに、記憶装置２３に記憶されているコンピュータプログラムに従って、種々のソフトウェア的機能を実行する。またＣＰＵ２１は、後述する判定部の機能を担う。ＲＡＭ２２は、ＳＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ等の揮発性メモリで構成され、コンピュータプログラムの実行時にロードモジュールが展開され、コンピュータプログラムの実行時に発生する一時的なデータ等を記憶する。
【００４７】
記憶装置２３は、内蔵される固定型記憶装置（ハードディスク）、ＲＯＭ等で構成されている。記憶装置２３に記憶されているコンピュータプログラムは、プログラム及びデータ等の情報を記録したＤＶＤ、ＣＤ−ＲＯＭ等の可搬型記録媒体から、図示しない補助記憶装置によりダウンロードされ、実行時に記憶装置２３からＲＡＭ２２へ展開して実行される。もちろん、図示しない通信装置を接続して、外部のコンピュータからダウンロードされたコンピュータプログラムであっても良い。
【００４８】
記憶装置２３は、ＮＴＣサーミスタ１４が検出する温度から取得される温度の変化に基づく温度特性の適合判断の基準となる特性を記憶する基準特性記憶部２３１を備えている。具体的に基準特性としては、所定のタイミングで適合判断の基準となるＮＴＣサーミスタ１４が検出する周囲温度が記憶される。基準特性記憶部２３１には、ＮＴＣサーミスタ１４が時系列の複数のサンプリング点にて検出する周囲温度（特性値）の適合範囲が記憶されている。なお、所定のタイミングでＮＴＣサーミスタ１４が検出する温度により、温度の変化を取得する。例えば、電圧印加時の周囲温度等が所定の条件であれば、ＰＴＣ素子１１への電圧印加から電圧を印加した状態で所定時間が経過するまでに検出した温度は、電圧印加から所定時間が経過するまでの温度の変化を表している。
【００４９】
図３は、基準特性記憶部２３１で記憶されるデータ構成の例示図である。図３に示すように、所定の原点からの時刻を特性値取得のタイミング情報として記憶しておき、各々のタイミング情報に到達した時点で想定される特性値の下限値と上限値とを記憶しておく。勿論、下限値及び上限値は所定の電圧を印加した場合の値である。基準特性記憶部２３１を照会して、所定の検出時刻（検出タイミング）にて検出して取得した特性値（周囲温度）が、記憶してある下限値と上限値との間であれば、想定されているＰＴＣ素子１１と同種の特性のＰＴＣ素子１１が組み込まれていると判定することができる。
【００５０】
また記憶装置２３は、電源３による電圧印加のタイミング、すなわちスイッチ機構２９、３０のオン時刻及びオフ時刻に関するオンオフタイミング情報を記憶するオンオフタイミング記憶部２３２を備えている。オンオフタイミング記憶部２３２には、スイッチ機構２９、３０に対してオン状態とする時刻であるオン時刻及びオフ状態とするオフ時刻が、スイッチ機構２９、３０ごとに記憶されている。
【００５１】
図４は、オンオフタイミング記憶部２３２で記憶されるデータ構成の例示図である。図４に示すように、スイッチ機構２９、３０ごとに所定の原点からのオン時刻及びオフ時刻を時系列に記憶している。原点ではオフ状態であることを前提とする。スイッチ機構２９については、Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３＜Ｔ４＜Ｔ５＜Ｔ６＜・・・と時系列にオン時刻とオフ時刻とを記憶している。スイッチ機構３０については、オン時刻及びオフ時刻を各１回記憶し、オン時刻ＴＳはスイッチ機構２９の最初のオン時刻Ｔ１と、オフ時刻ＴＥはスイッチ機構２９の最後のオフ時刻Ｔｎと夫々同じタイミングである。
【００５２】
図４に示したスイッチ機構３０のオンオフタイミング情報は一例であり、限定されるものではない。ただし、ＮＴＣサーミスタ１４は、図３に示した所定の検出時刻にて周囲温度を検出するため、少なくとも所定の時刻ではスイッチ機構３０がオン状態になっている必要がある。例えば、スイッチ機構３０のオン時刻ＴＳを、スイッチ機構２９の最初のオン時刻Ｔ１より遅れて、最初の所定の検出時刻の前に設定し、スイッチ機構３０のオフ時刻ＴＥを、スイッチ機構２９の最後のオフ時刻Ｔｎから所定時間経過後に設定するようにしても良い。最初の所定の検出時刻に周囲温度を検出することができるとともに、スイッチ機構２９の最後のオフ時刻後のオフ状態での周囲温度も検出することができる。
【００５３】
出力インタフェース２４は、スイッチ機構２９、３０のオンオフを制御するオンオフ信号を、スイッチ機構２９、３０に対して出力するためのインタフェースである。なお、オンオフ信号を出力するタイミングは、ＣＰＵ２１（制御部）が制御する。入力インタフェース２５は、ＰＴＣ素子１１及びＮＴＣサーミスタ１４に電圧を印加することにより変動するＰＴＣ素子の特性値を取得するためのインタフェース（特性取得部）である。具体的には、ＰＴＣ素子１１及びＮＴＣサーミスタ１４に電圧を印加することにより、ＰＴＣ素子１１及びＮＴＣサーミスタ１４が発熱し、ＰＴＣ素子１１の温度が上昇する特性（温度特性）を示し、ＰＴＣ素子１１の温度はＮＴＣサーミスタ１４が周囲温度として検出する。そして、ＮＴＣサーミスタ１４が検出した温度を特性値として入力インタフェース２５が取得する。
【００５４】
ＣＰＵ２１は、判定部として入力インタフェース２５が取得した特性値を、記憶装置２３に記憶されている基準特性値の適合範囲に従って比較することにより、被識別部品１のＰＴＣ素子１１の特性が、記憶されている基準特性値が示すＰＴＣ素子の特性と適合するか否かを判定する。適合すると判定した場合、ＰＴＣ素子１１は記憶されている基準特性と同種の特性を有するＰＴＣ素子であると識別することができ、適合しないと判定した場合には、異種の特性を有するＰＴＣ素子であると識別することができる。
【００５５】
図１に戻って、入力装置２６は、キーボード、マウス等の入力媒体、又は指示ボタン等であり、様々な指示情報の入力を受け付ける。出力装置２７は、演算処理結果等を出力する機器であり、ＣＲＴ、ＬＣＤ等の表示装置であっても良いし、プリンタ等の印刷装置であっても良い。また、タッチパネルのように、入力装置２６と出力装置２７とが一体化されていても良い。
【００５６】
以下、上述した構成の部品識別システムについて、動作手順を説明する。図５は、本発明の実施の形態１に係る部品識別システムの識別装置２のＣＰＵ２１の処理手順を示すフローチャートである。
【００５７】
図５において、識別装置２のＣＰＵ２１は、入力装置２６を介して、ユーザによる被識別部品１の識別処理の開始信号を受け付ける（ステップＳ５０１）。ＣＰＵ２１は、記憶装置２３のオンオフタイミング記憶部２３２に記憶されている、スイッチ機構２９のオンオフのタイミングを時系列に示すｎ回（ｎは自然数）のオン時刻及びオフ時刻（オンオフ時刻）と、スイッチ機構３０のオン時刻及びオフ時刻とを読み出す（ステップＳ５０２）。なお、ｎ回のオンオフ時刻は、最初のオン時刻を１回、最初のオン時刻後の最初のオフ時刻を２回、・・・最後のオフ時刻をｎ回と計数する。奇数回のオンオフ時刻はオン時刻、偶数回のオンオフ時刻はオフ時刻である。
【００５８】
ＣＰＵ２１は、記憶装置２３の基準特性記憶部２３１に記憶されている、特性値を取得するタイミングを示すｎ個（ｎは自然数）のタイミング情報を読み出し（ステップＳ５０３）、内蔵するタイマをリセットして、ｎを‘１’に初期化する（ステップＳ５０４）。
【００５９】
ＣＰＵ２１は、タイマの時刻がスイッチ機構３０のオン時刻に到達したか否かを判断する（ステップＳ５０５）。ＣＰＵ２１が、スイッチ機構３０のオン時刻に到達していないと判断した場合（ステップＳ５０５：ＮＯ）、ＣＰＵ２１は、処理待ち状態となる。ＣＰＵ２１が、スイッチ機構３０のオン状態に到達したと判断した場合（ステップＳ５０５：ＹＥＳ）、ＣＰＵ２１は、出力インタフェース２４を介して、スイッチ機構３０をオン状態とする指示情報を送信する（ステップＳ５０６）。指示情報を受信したスイッチ機構３０はオン状態となり、ＮＴＣサーミスタ１４に電圧が印加される。
【００６０】
ＣＰＵ２１は、タイマの時刻が第ｎ回のオンオフ時刻に到達したか否かを判断する（ステップＳ５０７）。ＣＰＵ２１が、第ｎ回のオンオフ時刻に到達していないと判断した場合（ステップＳ５０７：ＮＯ）、ＣＰＵ２１は、処理待ち状態となる。ＣＰＵ２１が、第ｎ回のオンオフ時刻に到達したと判断した場合（ステップＳ５０７：ＹＥＳ）、ＣＰＵ２１は、出力インタフェース２４を介して、スイッチ機構２９をオン状態（又はオフ状態）とする指示情報を送信する（ステップＳ５０８）。奇数回のオンオフ時刻の場合、指示情報を受信したスイッチ機構２９はオン状態となり、ＰＴＣ素子１１に電圧が印加される。偶数回のオンオフ時刻の場合、指示情報を受信したスイッチ機構２９はオフ状態となり、ＰＴＣ素子１１への電圧の印加が停止される。
【００６１】
ＣＰＵ２１は、内蔵するタイマの時刻が、読み出したタイミング情報のうち第ｎの検出タイミングに到達したか否かを判断し（ステップＳ５０９）、ＣＰＵ２１が、第ｎの検出タイミングに到達していないと判断した場合（ステップＳ５０９：ＮＯ）、ＣＰＵ２１は処理待ち状態となる。ＣＰＵ２１が、第ｎの検出タイミングに到達したと判断した場合（ステップ５０９：ＹＥＳ）、ＣＰＵ２１は、入力インタフェース２５を介して、ＮＴＣサーミスタ１４が検出する温度を特性値として取得する（ステップＳ５１０）。
【００６２】
ＣＰＵ２１は、読み出した全ての検出タイミングについて特性値を取得したか否かを判断し（ステップＳ５１１）、ＣＰＵ２１が、まだ特性値を取得していない検出タイミングがあると判断した場合（ステップＳ５１１：ＮＯ）、ＣＰＵ２１は、ｎを１インクリメントし（ステップＳ５１２）、処理をステップＳ５０７に戻して、上述した処理を繰り返す。
【００６３】
ＣＰＵ２１が、全ての検出タイミングにて特性値を取得したと判断した場合（ステップＳ５１１：ＹＥＳ）、ＣＰＵ２１は、タイマの時刻がスイッチ機構３０のオフ時刻に到達したか否かを判断する（ステップＳ５１３）。ＣＰＵ２１が、スイッチ機構３０のオフ時刻に到達していないと判断した場合（ステップＳ５１３：ＮＯ）、ＣＰＵ２１は、処理待ち状態となる。ＣＰＵ２１が、スイッチ機構３０のオフ時刻に到達したと判断した場合（ステップＳ５１３：ＹＥＳ）、ＣＰＵ２１は、出力インタフェース２４を介して、スイッチ機構３０をオフ状態とする指示情報を送信する（ステップＳ５１４）。指示情報を受信したスイッチ機構３０はオフ状態となり、ＮＴＣサーミスタ１４への電圧の印加が停止される。
【００６４】
ＣＰＵ２１は、取得した複数の特性値を、記憶装置２３の基準特性記憶部２３１に記憶してある基準特性と照合し（ステップＳ５１５）、各検出タイミングで取得した特性値が所定の範囲内であるか否かを判断する（ステップＳ５１６）。基準特性記憶部２３１には、上述のように検出タイミングごとに特性値の下限値と上限値とが記憶されているので、取得した特性値が、下限値以上、上限値以下の範囲内であるか否かを判断する。
【００６５】
ＣＰＵ２１は、例えば全ての検出タイミングのうち半数以上の検出タイミングでの特性値が所定の範囲外であると判断した場合（ステップＳ５１６：ＮＯ）、ＣＰＵ２１は、被識別部品１に用いられているＰＴＣ素子１１が異種のＰＴＣ素子であると識別し（ステップＳ５１７）、結果を出力装置２７、例えば液晶表示装置に表示する（ステップＳ５１９）。ＣＰＵ２１が、例えば全ての検出タイミングのうち半数以上の検出タイミングでの特性値が所定の範囲内であると判断した場合（ステップＳ５１６：ＹＥＳ）、ＣＰＵ２１は、被識別部品１に用いられているＰＴＣ素子１１が同種のＰＴＣ素子であると識別し（ステップＳ５１８）、結果を出力装置２７、例えば液晶表示装置に表示する（ステップＳ５１９）。
【００６６】
上述した処理を、取得した特性値に基づいて説明する。図６は、スイッチ機構２９により電圧印加のオンオフを繰り返した場合のＰＴＣ素子１１の出力電圧変化及び温度変化の例示図である。図６（ａ）はＰＴＣ素子１１の出力電圧変化を、図６（ｂ）はＰＴＣ素子１１近傍の温度変化を、夫々示している。なお、ＰＴＣ素子１１近傍の温度変化は、ＮＴＣサーミスタ１４が検出した周囲温度であり、上述した処理において入力インタフェース２５が取得した特性値である。ＰＴＣ素子１１の出力電圧変化は、上述した処理にて取得すべき特性値ではないが、ＰＴＣ素子１１の周囲温度との相関を示すために計測した出力電圧値を例示した。
【００６７】
図６（ａ）に示すように、初期時刻をＴ１とし、記憶装置２３のオンオフタイミング記憶部２３２に記憶されているスイッチ機構２９の最初のオン時刻（第１回のオンオフ時刻）とする。なお、初期時刻Ｔ１はスイッチ機構３０のオン時刻ＴＳでもあり、ＰＴＣ素子１１と同時にＮＴＣサーミスタ１４へ電圧が印加される。ＰＴＣ素子１１に電圧が印加されている状態で、出力電圧Ｖが上昇する変化を示している。図６（ｂ）は図６（ａ）と同一の時間座標ベースに、ＰＴＣ素子１１の周囲温度Ｈの変化を示している。図６（ｂ）に示すように、ＰＴＣ素子１１の周囲温度Ｈも電圧印加状態で次第に上昇している。
【００６８】
図６（ａ）、（ｂ）から分かるように、ＰＴＣ素子１１の出力電圧Ｖの変化と周囲温度Ｈの変化とは密接な相関関係がある。したがって、出力電圧Ｖの変化が示す出力電圧特性と同様、周囲温度Ｈの変化が示す温度特性は、ＰＴＣ素子１１の温度特性と近似しており、温度特性を比較することによってＰＴＣ素子１１の特性が同種特性であるか否かを識別することができることが分かる。
【００６９】
図６（ｂ）の例では、最初のオフ時刻（第２回のオンオフ時刻）Ｔ２になる前の検出タイミングｔ１において、周囲温度Ｈが所定の範囲ΔＨ１の範囲内に存在するか否かを判断している。図６（ｂ）ではΔＨ１の範囲内であることから、この時点では同種のＰＴＣ素子１１である可能性が高い。
【００７０】
次に時刻Ｔ２に到達するとオフ時刻となり、ＰＴＣ素子１１への電圧印加が停止する。ＰＴＣ素子１１は自然冷却され、時刻Ｔ２以降、周囲温度Ｈは次第に減少する。図６（ａ）に示すように、出力電圧Ｖは電圧が印加されないことから０となる。ＮＴＣサーミスタ１４への電圧印加は継続しており、ＮＴＣサーミスタ１４は周囲温度Ｈを検出する。なお、ＮＴＣサーミスタ１４も自己発熱するが、ＮＴＣサーミスタ１４による発熱量はＰＴＣ素子１１の放熱量と比較してわずかであるため、ＰＴＣ素子１１の周囲温度Ｈは減少する。
【００７１】
図６（ｂ）の例では、最初のオフ時刻（第２回のオンオフ時刻）Ｔ２の後、次のオン時刻（第３回のオンオフ時刻）Ｔ３になる前の検出タイミングｔ２において、周囲温度Ｈが所定の範囲ΔＨ２の範囲内に存在するか否かを判断している。図６（ｂ）ではΔＨ２の範囲内であることから、この時点でも同種のＰＴＣ素子１１である可能性が高い。
【００７２】
そして、時刻Ｔ３に到達するとオン時刻となり、ＰＴＣ素子１１に電圧が再度印加され、ＰＴＣ素子１１の周囲温度Ｈも再度上昇を開始する。なお、ＰＴＣ素子１１の出力電圧Ｖは、十分に冷え切っていない状態であるため、図６（ａ）に示すように、温度に対応した一定の出力電圧となり、そこから上昇を開始する。
【００７３】
図６（ｂ）の例では、次のオフ時刻（第４回のオンオフ時刻）Ｔ４になる前の検出タイミングｔ３において、周囲温度Ｈが所定の範囲ΔＨ３の範囲内に存在するか否かを判断している。図６（ｂ）ではΔＨ３の範囲内であることから、この時点でも同種のＰＴＣ素子１１である可能性が高いと判断することができる。
【００７４】
以下、順次記憶してある検出タイミングに応じて周囲温度Ｈが所定の範囲ΔＨｎ（ｎは自然数）の範囲内であるか否かを判断し、例えば全ての検出タイミングのうち半数以上の検出タイミングで、周囲温度Ｈが所定の範囲ΔＨｎ（ｎは自然数）の範囲内である場合、同種のＰＴＣ素子であると識別する。全ての検出タイミングのうち半数以上の検出タイミングで、周囲温度Ｈが所定の範囲ΔＨｎ（ｎは自然数）の範囲外となった場合には、異種のＰＴＣ素子が混入していると判断する。
【００７５】
なお、１回の検出タイミングにて判断することも可能であるが、複数の検出タイミングで判断することにより、いくつかの検出タイミングで何らかの異常発生によって周囲温度Ｈが所定の範囲ΔＨｎ（ｎは自然数）の範囲外となる場合でも、全ての検出タイミングでの判断から同種特性であるか否かを識別することができ、より高い精度で異種のＰＴＣ素子の混入を識別することができる。
【００７６】
また、全ての検出タイミングにおいて、周囲温度Ｈが所定の範囲ΔＨｎ（ｎは自然数）の範囲内である場合に、同種のＰＴＣ素子であると判断し、より精緻に同種のＰＴＣ素子であるか否かを識別するようにしても良い。
【００７７】
なお、実装時には、被識別部品１は部品内蔵基板として形成する。この場合、ＰＴＣ素子１１は合成樹脂層の内部に埋設される。図７は、部品内蔵基板として形成された被識別部品１の概要を示す断面図である。
【００７８】
図７に示すように、合成樹脂層１７の内部に、ＰＴＣ素子１１、ＮＴＣサーミスタ１４及び抵抗素子１６が封止されている。各部品は配線パターン１８に実装され、配線パターン１８は、基板１９ａ内に形成された層間接続導体１９（ビア導体又はスルーホール導体）を介して、入出力端子２０に接続されている。なお、基板１９ａは樹脂基板であっても良いし、セラミック基板であっても良い。このようにすることで、外部環境の安定化を図ることができ、外部環境による影響を抑制しつつ、ＰＴＣ素子１１自体の特性変動を正確に検出することが可能となる。また、ＮＴＣサーミスタ１４をＰＴＣ素子１１と同一環境に配置することができるため、より正確な周囲温度検出が可能となり、高精度な識別を行うことができる。
【００７９】
また、スイッチ機構は被識別部品１に備えるようにしても良い。図８は、スイッチ機構を被識別部品１に備える構成を示すブロック図である。図８に示す部品識別システムの構成では、図１で識別装置２に備えられていた、電源３から電圧を印加するか否かを制御するスイッチ機構２９、３０の代わりに、被識別部品１にスイッチ機構１２、１５を備えている。本構成によれば、図１に示した部品識別システムの構成と同様の効果を奏することができる。
【００８０】
被識別部品１にスイッチ機構１２、１５を備える場合、スイッチ機構１２、１５は図７と同様に合成樹脂層の内部に封止しても良い。図９は、スイッチ機構１２、１５を合成樹脂層の内部に備える場合の部品内蔵基板として形成された被識別部品１の概要を示す断面図である。
【００８１】
図９に示すように、合成樹脂層１７の内部に、ＰＴＣ素子１１、ＮＴＣサーミスタ１４及び抵抗素子１６に加えて、スイッチ機構１２、１５が封止されている。各部品は配線パターン１８に実装され、配線パターン１８は、基板１９ａ内に形成された層間接続導体１９（ビア導体又はスルーホール導体）を介して、入出力端子２０に接続されている。このようにすることで、ＰＴＣ素子１１の周囲の温度変化を適切に検出することが可能となる。
【００８２】
また、ＮＴＣサーミスタ１４に接続する抵抗素子は識別装置２に備えるようにしても良い。図１０は、ＮＴＣサーミスタ１４に接続する抵抗素子を識別装置２に備える構成を示すブロック図である。図１０に示す部品識別システムの構成では、図１で被識別部品１に備えられていた、ＮＴＣサーミスタ１４に接続する抵抗素子１６の代わりに、識別装置２に抵抗素子５６を備えている。なお、ＰＴＣ素子１１にも抵抗素子を接続する場合には、該抵抗素子も識別装置２に備えるようにする。
【００８３】
本構成によれば、被識別部品１に抵抗素子を備えることなく、抵抗素子５６により分圧された出力電圧を温度として検出することができるので、図１に示した部品識別システムの構成と同様の効果を奏することができる。また、被識別部品１に抵抗素子を備える必要がなくなることにより、被識別部品１の低価格化を図ることが可能となる。
【００８４】
また、被識別部品１に用いているＰＴＣ素子１１の特性と比較する基準特性を有する基準ＰＴＣ素子と、基準ＰＴＣ素子の近傍で周囲の温度を検出する装置側温度検出部とを保持する基準素子保持部を備え、入力インタフェース２５で取得したＰＴＣ素子１１の特性が、記憶装置２３に事前に記憶されている基準特性に代えて、装置側温度検出部が検出する温度の変化に基づく基準特性と適合するか否かを判定するようにしても良い。図１１は、基準素子保持部を識別装置２に備える構成を示すブロック図である。
【００８５】
図１１に示す部品識別システムの構成では、図１で記憶装置２３に備えられていた、ＰＴＣ素子１１の特性の適合判断の基準となる基準特性を記憶した基準特性記憶部２３１の代わりに、識別装置２に基準素子保持部４を備えている。基準素子保持部４は、ＰＴＣ素子１１の特性と比較する基準となる基準特性を有する基準ＰＴＣ素子４１と、基準ＰＴＣ素子４１の近傍で周囲の温度を検出する装置側ＮＴＣサーミスタ（装置側温度検出部）４４とを保持する。スイッチ機構２９、３０は、被識別部品１とともに識別装置２の基準素子保持部４への電圧の印加のオンオフを制御する。装置側ＮＴＣサーミスタ４４とスイッチ機構３０との間には、ＮＴＣサーミスタ１４とスイッチ機構３０との間と同様に、抵抗素子４６を設けてある。
【００８６】
また記憶装置２３は、所定の検出時刻にてＮＴＣサーミスタ１４が検出した特性値（周囲温度）と装置側ＮＴＣサーミスタ４４が検出した特性値との適合範囲を記憶している。該適合範囲を参照してＣＰＵ２１は、ＮＴＣサーミスタ１４が検出した特性値に基づく温度特性が、図１で記憶装置２３に記憶されていた基準特性に代えて、装置側ＮＴＣサーミスタ４４が検出した温度から取得した基準特性と適合するか否かを判定する。
【００８７】
図１１に示す部品識別システムの構成によれば、被識別部品１及び基準素子保持部４に対して同時に同一電圧を印加し、ＰＴＣ素子１１及び基準ＰＴＣ素子４１の周囲温度をＮＴＣサーミスタ１４及び装置側ＮＴＣサーミスタ４４が検出することにより、温度特性を計測する場合の周囲温度の影響を低減し、温度特性が装置側ＮＴＣサーミスタ４４が検出した温度から取得した基準特性と適合するか否かを精度良く判断することが可能となる。
【００８８】
以上のように本実施の形態１によれば、ＮＴＣサーミスタで検出する温度に基づく温度特性によりＰＴＣ素子の温度特性を推測することができるので、ＰＴＣ素子からの出力を検出する必要のない簡易な構成でありながら、精度良く異種特性を有するＰＴＣ素子を識別することが可能となる。
【００８９】
また本実施の形態１によれば、ＰＴＣ素子への電圧印加と非印加を所定のタイミングで切り替えることにより複数の状態で周囲温度を検出して、複雑な温度特性を取得することができるので、温度特性が基準特性と適合するか否かを精緻に判定することができ、高い精度で異種特性を有するＰＴＣ素子を識別することができる。しかも、従来のようにＰＴＣ素子への電圧印加後、一旦電圧をオフにした後に、再度電圧を印加して複数の条件下でのＰＴＣ素子の特性を取得する必要がなく、温度特性の検出時間を短縮することができる。
【００９０】
（実施の形態２）
図１２は、本発明の実施の形態２に係る部品識別システムの構成を示すブロック図である。本発明の実施の形態２に係る部品識別システムは、実施の形態１と同様、部品に含まれているＰＴＣ素子の特性が、事前に記憶されている基準特性と適合するか否かを識別する識別装置２と、識別対象となるＰＴＣ素子を含む被識別部品１とで構成されている。
【００９１】
本実施の形態２では、被識別部品１が、ＰＴＣ素子１１及びＮＴＣサーミスタ１４の一端が互いに接続されている接続点３１を備えている点で実施の形態１と相違する。また、電源３から、接続点３１と接続する接続線３２を介してＰＴＣ素子１１及びＮＴＣサーミスタ１４へ電圧を印加するようにしてある点で実施の形態１と相違する。
【００９２】
さらに本実施の形態２では、実施の形態１で備えていたスイッチ機構２９、３０の代わりに、スイッチ機構３３を備える。したがって、記憶装置２３のオンオフタイミング記憶部２３２には、電源３による電圧印加のタイミング、すなわちスイッチ機構３３のオン時刻及びオフ時刻に関するオンオフタイミング情報を記憶している。また、出力インタフェース２４は、スイッチ機構３３のオンオフを制御するオンオフ信号を、スイッチ機構３３に対して出力する。その他の構成要素については、同一の符号を付することにより詳細な説明を省略する。
【００９３】
図１３は、実施の形態２でオンオフタイミング記憶部２３２に記憶されるデータ構成の例示図である。図１３に示すように、スイッチ機構３３についての所定の原点からのオン時刻及びオフ時刻を時系列に記憶している。原点ではオフ状態であることを前提とし、Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３＜Ｔ４＜Ｔ５＜Ｔ６＜・・・と時系列にオン時刻とオフ時刻とを記憶している。
【００９４】
以下、上述した構成の部品識別システムについて、動作手順を説明する。図１４は、本発明の実施の形態２に係る部品識別システムの識別装置２のＣＰＵ２１の処理手順を示すフローチャートである。
【００９５】
図１４において、識別装置２のＣＰＵ２１は、入力装置２６を介して、ユーザによる被識別部品１の識別処理の開始信号を受け付ける（ステップＳ１４０１）。ＣＰＵ２１は、記憶装置２３のオンオフタイミング記憶部２３２に記憶されている、スイッチ機構３３のオンオフのタイミングを時系列に示すｎ組（ｎは自然数）のオン時刻及びオフ時刻を読み出す（ステップＳ１４０２）。
【００９６】
ＣＰＵ２１は、記憶装置２３の基準特性記憶部２３１に記憶されている、特性値を取得するタイミングを示すｎ個（ｎは自然数）のタイミング情報を読み出し（ステップＳ１４０３）、内蔵するタイマをリセットして、ｎを‘１’に初期化する（ステップＳ１４０４）。ＣＰＵ２１は、タイマの時刻が第ｎのオン時刻に到達したか否かを判断する（ステップＳ１４０５）。
【００９７】
ＣＰＵ２１が、第ｎのオン時刻に到達していないと判断した場合（ステップＳ１４０５：ＮＯ）、ＣＰＵ２１は、処理待ち状態となる。ＣＰＵ２１が、第ｎのオン時刻に到達したと判断した場合（ステップＳ１４０５：ＹＥＳ）、ＣＰＵ２１は、出力インタフェース２４を介して、スイッチ機構３３をオン状態とする指示情報を送信する（ステップＳ１４０６）。指示情報を受信したスイッチ機構３３はオン状態となり、ＰＴＣ素子１１及びＮＴＣサーミスタ１４に電圧が印加される。
【００９８】
ＣＰＵ２１は、内蔵するタイマの時刻が、読み出したタイミング情報のうち第ｎの検出タイミングに到達したか否かを判断し（ステップＳ１４０７）、ＣＰＵ２１が、第ｎの検出タイミングに到達していないと判断した場合（ステップＳ１４０７：ＮＯ）、ＣＰＵ２１は処理待ち状態となる。ＣＰＵ２１が、第ｎの検出タイミングに到達したと判断した場合（ステップ１４０７：ＹＥＳ）、ＣＰＵ２１は、入力インタフェース２５を介して、ＮＴＣサーミスタ１４が検出する温度を特性値として取得する（ステップＳ１４０８）。
【００９９】
ＣＰＵ２１は、タイマの時刻が第ｎのオフ時刻に到達したか否かを判断する（ステップＳ１４０９）。ＣＰＵ２１が、第ｎのオフ時刻に到達していないと判断した場合（ステップＳ１４０９：ＮＯ）、ＣＰＵ２１は、処理待ち状態となる。ＣＰＵ２１が、第ｎのオフ時刻に到達したと判断した場合（ステップＳ１４０９：ＹＥＳ）、ＣＰＵ２１は、出力インタフェース２４を介して、スイッチ機構３３をオフ状態とする指示情報を送信する（ステップＳ１４１０）。指示情報を受信したスイッチ機構３３はオフ状態となり、ＰＴＣ素子１１及びＮＴＣサーミスタ１４への電圧の印加が停止される。
【０１００】
ＣＰＵ２１は、読み出した全ての検出タイミングについて特性値を取得したか否かを判断し（ステップＳ１４１１）、ＣＰＵ２１が、まだ特性値を取得していない検出タイミングがあると判断した場合（ステップＳ１４１１：ＮＯ）、ＣＰＵ２１は、ｎを１インクリメントし（ステップＳ１４１２）、処理をステップＳ１４０５に戻して、上述した処理を繰り返す。
【０１０１】
ＣＰＵ２１が、全ての検出タイミングにて特性値を取得したと判断した場合（ステップＳ１４１１：ＹＥＳ）、ＣＰＵ２１は、取得した複数の特性値を、記憶装置２３の基準特性記憶部２３１に記憶してある基準特性と照合し（ステップＳ１４１３）、各検出タイミングで取得した特性値が所定の範囲内であるか否かを判断する（ステップＳ１４１４）。基準特性記憶部２３１には、上述のように検出タイミングごとに特性値の下限値と上限値とが記憶されているので、取得した特性値が、下限値以上、上限値以下の範囲内であるか否かを判断する。
【０１０２】
ＣＰＵ２１は、例えば全ての検出タイミングのうち半数以上の検出タイミングでの特性値が所定の範囲外であると判断した場合（ステップＳ１４１４：ＮＯ）、ＣＰＵ２１は、被識別部品１に用いられているＰＴＣ素子１１が異種のＰＴＣ素子であると識別し（ステップＳ１４１５）、結果を出力装置２７、例えば液晶表示装置に表示する（ステップＳ１４１７）。ＣＰＵ２１が、例えば全ての検出タイミングのうち半数以上の検出タイミングでの特性値が所定の範囲内であると判断した場合（ステップＳ１４１４：ＹＥＳ）、ＣＰＵ２１は、被識別部品１に用いられているＰＴＣ素子１１が同種のＰＴＣ素子であると識別し（ステップＳ１４１６）、結果を出力装置２７、例えば液晶表示装置に表示する（ステップＳ１４１７）。
【０１０３】
上述した処理を、取得した特性値に基づいて説明する。図１５は、スイッチ機構３３により電圧印加のオンオフを繰り返した場合のＰＴＣ素子１１の周囲温度変化の例示図である。なお、ＰＴＣ素子１１の周囲温度変化は、ＮＴＣサーミスタ１４が検出した周囲温度であり、上述した処理において入力インタフェース２５が取得した特性値である。また、図１５の周囲温度変化を示すＰＴＣ素子１１の出力電圧の変化は、図６（ａ）に示した出力電圧の変化と全く同じである。
【０１０４】
図１５に示すように、初期時刻をＴ１とし、記憶装置２３のオンオフタイミング記憶部２３２に記憶されているスイッチ機構３３の最初のオン時刻（第１のオン時刻）とする。ＰＴＣ素子１１に電圧が印加されていることから、ＰＴＣ素子１１の周囲温度Ｈも上昇している。
【０１０５】
図１５の例では、最初のオフ時刻（第１のオフ時刻）Ｔ２になる前の検出タイミングｔ１において、周囲温度Ｈが所定の範囲ΔＨ１の範囲内に存在するか否かを判断している。図１５ではΔＨ１の範囲内であることから、この時点では同種のＰＴＣ素子１１である可能性が高い。
【０１０６】
次に時刻Ｔ２に到達するとオフ時刻（第１のオフ時刻）となり、ＰＴＣ素子１１及びＮＴＣサーミスタ１４への電圧印加が停止する。ＰＴＣ素子１１は自然冷却され、時刻Ｔ２以降、周囲温度Ｈは次第に減少する。なお、図６（ａ）に示すように出力電圧Ｖは電圧が印加されないことから０となる。
【０１０７】
そして、時刻Ｔ３に到達するとオン時刻（第２のオン時刻）となり、ＰＴＣ素子１１に電圧が再度印加され、ＰＴＣ素子１１の周囲温度Ｈも再度上昇を開始する。なお、ＰＴＣ素子１１の出力電圧Ｖは、十分に冷え切っていない状態であるため、図６（ａ）に示すように温度に対応した一定の出力電圧となり、そこから上昇を開始する。
【０１０８】
図１５の例では、次のオフ時刻（第２のオフ時刻）Ｔ４になる前の検出タイミングｔ２において、周囲温度Ｈが所定の範囲ΔＨ２の範囲内に存在するか否かを判断している。図１５ではΔＨ２の範囲内であることから、この時点でも同種のＰＴＣ素子１１である可能性が高いと判断することができる。
【０１０９】
以下、順次記憶してある検出タイミングに応じて周囲温度Ｈが所定の範囲ΔＨｎ（ｎは自然数）の範囲内であるか否かを判断する。複数の検出タイミングで判断することにより、いくつかの検出タイミングで何らかの異常発生によって周囲温度Ｈが所定の範囲ΔＨｎ（ｎは自然数）の範囲外となる場合でも、全ての検出タイミングでの判断から同種特性であるか否かを識別することができ、より高い精度で異種のＰＴＣ素子の混入を識別することができる。なお、１回の検出タイミングにて判断するようにしても、ＰＴＣ素子１１の特性が同種特性であるか否かを識別することは可能である。
【０１１０】
なお、実装時には、被識別部品１は部品内蔵基板として形成し、図７に示した被識別部品１と同様、ＰＴＣ素子１１は合成樹脂層１７の内部に埋設される。また、スイッチ機構３３は被識別部品１に備えるようにしても良い。被識別部品１にスイッチ機構を備える場合、図９に示すようにスイッチ機構１２、１５と同様に合成樹脂層１７の内部に封止しても良い。
【０１１１】
以上のように本実施の形態２によれば、ＰＴＣ素子及びＮＴＣサーミスタの一端が互いに接続されている接続点を有し、電源から接続点と接続する接続線を介してＰＴＣ素子及びＮＴＣサーミスタへ電圧が印加される。接続点を被識別装置内に設けることにより、識別装置と被識別部品とを接続する１本の接続線にてＰＴＣ素子及びＮＴＣサーミスタへ電圧を印加することができ、より簡易な構成とすることが可能となる。
【０１１２】
なお、上述した実施の形態１及び２は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することができることは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【０１１３】
【図１】本発明の実施の形態１に係る部品識別システムの構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係るＰＴＣ素子の外観を示す斜視図である。
【図３】基準特性記憶部で記憶されるデータ構成の例示図である。
【図４】オンオフタイミング記憶部で記憶されるデータ構成の例示図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る部品識別システムの識別装置のＣＰＵの処理手順を示すフローチャートである。
【図６】スイッチ機構により電圧印加のオンオフを繰り返した場合のＰＴＣ素子の出力電圧変化及び温度変化の例示図である。
【図７】部品内蔵基板として形成された被識別部品の概要を示す断面図である。
【図８】スイッチ機構を被識別部品に備える構成を示すブロック図である。
【図９】スイッチ機構を合成樹脂層の内部に備える場合の部品内蔵基板として形成された被識別部品の概要を示す断面図である。
【図１０】ＮＴＣサーミスタに接続する抵抗素子を識別装置に備える構成を示すブロック図である。
【図１１】基準素子保持部を識別装置に備える構成を示すブロック図である。
【図１２】本発明の実施の形態２に係る部品識別システムの構成を示すブロック図である。
【図１３】実施の形態２でオンオフタイミング記憶部に記憶されるデータ構成の例示図である。
【図１４】本発明の実施の形態２に係る部品識別システムの識別装置のＣＰＵの処理手順を示すフローチャートである。
【図１５】スイッチ機構により電圧印加のオンオフを繰り返した場合のＰＴＣ素子の周囲温度変化の例示図である。
【符号の説明】
【０１１４】
１  被識別部品
２  識別装置
３  電源（電圧印加部）
１１  ＰＴＣ素子
１４  ＮＴＣサーミスタ（温度検出部）
１６  抵抗素子
２１  ＣＰＵ（判定部）
２２  ＲＡＭ
２３  記憶装置
２４  出力インタフェース
２５  入力インタフェース（特性取得部）
２６  入力装置
２７  出力装置
２８  内部バス
２９、３０  スイッチング機構
２３１  基準特性記憶部
２３２  オンオフタイミング記憶部
【図１】
2010087385.tif 000003
【図２】
2010087385.tif 000004
【図３】
2010087385.tif 000005
【図４】
2010087385.tif 000006
【図５】
2010087385.tif 000007
【図６】
2010087385.tif 000008
【図７】
2010087385.tif 000009
【図８】
2010087385.tif 000010
【図９】
2010087385.tif 000011
【図１０】
2010087385.tif 000012
【図１１】
2010087385.tif 000013
【図１２】
2010087385.tif 000014
【図１３】
2010087385.tif 000015
【図１４】
2010087385.tif 000016
【図１５】
2010087385.tif 000017