(57)【要約】【課題】信号配線の特性インピーダンスの制御を果たすことができると共に、グランド層の抵抗値の増大を抑制し、高周波妨害対策も発揮できる回路基板を提供すること。【解決手段】グランド層６と、このグランド層に対して絶縁体層２を介して信号配線３ａ，３ｂを配設したストリップ構造またはマイクロストリップ構造の回路基板において、前記グランド層を形成する導電部は、信号配線に対峙する位置に多数の抜き孔を形成したメッシュ状導体部６Ｂになされ、信号配線３ａ，３ｂの特性インピーダンスの調整がなされる。メッシュ状導体部６Ｂの外側には、抜き孔が形成されないベタ電極領域６Ａが形成され、これによりグランド層６の直流抵抗が増大するのが抑制される。前記絶縁体層２の厚さをｔとした時、前記信号配線とベタ電極領域との距離Ｕが、２０ｔ≧Ｕ≧３ｔの範囲に設定される。【選択図】図２
2010212438.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
グランド層と前記グランド層に対して絶縁体層を介して信号配線を配設し、前記グランド層と信号配線間の容量結合を制御することで、前記信号配線の特性インピーダンスの制御が成される回路基板であって、
前記グランド層を形成する導電部には、前記信号配線に対峙する位置に多数の抜き孔を施したメッシュ状導体部が配置されることで、前記グランド層と信号配線間の容量結合を制御するように構成され、
かつ前記メッシュ状導体部の外側には、抜き孔が施されないベタ電極領域が形成されていることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記絶縁体層の厚さをｔとした時、前記信号配線とベタ電極領域との距離Ｕが、２０ｔ≧Ｕ≧３ｔの範囲に設定されていることを特徴とする請求項１に記載された回路基板。
【請求項３】
前記絶縁体層は、１００μｍ以下の厚さを有することを特徴とする請求項２に記載された回路基板。
【請求項４】
前記メッシュ状導体部に形成される多数の前記抜き孔は、二方向の複数の各線が交差して平行四辺形の開口になされていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載された回路基板。
【請求項５】
前記絶縁体層は、一方の面に前記信号配線を積層すると共に、他方の面に前記グランド層を配置したことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載された回路基板。
【請求項６】
前記信号配線は前記絶縁体層上に構成され、前記絶縁体層上の信号配線を覆う第２絶縁体層を介して前記グランド層が積層されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載された回路基板。
【請求項７】
前記絶縁体層は、一方の面に前記信号配線を積層すると共に、他方の面に前記グランド層を配置し、かつ前記絶縁体層上の信号配線を覆う第２絶縁体層を介して第２グランド層が積層されていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載された回路基板。
【請求項８】
前記絶縁体層は、フィルム状ベース基材により構成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項に記載された回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、グランド層と前記グランド層に対して絶縁体層を介して信号配線を配設した回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば高周波帯で動作するディバイスを実装する回路基板は、信号の反射や波形歪みの発生を抑えるために信号伝送路の特性インピーダンス（以下、Ｚｏとも称する。）を、前記ディバイスの入出力インピーダンスに整合させる必要がある。
前記した信号伝送路の特性インピーダンスを整合させるためには、適切なパターン幅の信号伝送路（ストリップライン）に適切な厚さの絶縁層を挟んでグランド層を対峙させるストリップ構造またはマイクロストリップ構造が採用されている。
【０００３】
前記した回路基板構造における前記グランド層は、信号伝送路の特性インピーダンスを規定する電気的な基準面となる。そして、一般に特性インピーダンスはシングルエンドで５０Ω前後に、差動伝送で１００Ω前後に選択される場合が多い。
一方、前記した回路基板における特性インピーダンスは、信号伝送路の単位長さあたりのリアクタンスＬと、前記信号伝送路とグランド層との間における単位面積あたりの静電容量Ｃの比（リアクタンスＬ／静電容量Ｃ）の平方根で近似される値となる。
【０００４】
ところで、近年においては前記したディバイスを実装する回路基板として、薄いリジッド基板やフレキシブル回路基板が多用されており、このような回路基板を採用した場合においては、当然ながら前記グランド層に対する信号伝送路の層間が狭く（薄く）、両者間における静電容量Ｃの値が前記層間の寸法にほぼ反比例して上昇する。
したがって、前記した薄い多層構造の回路基板において、所望の前記Ｚｏを得ようとするには、従来の層間が厚い回路基板に比べて前記信号伝送路（以下、信号配線とも言う。）の幅を狭く（細く）形成することで、前記容量Ｃの上昇を抑える手段を採用せざるを得ない。
【０００５】
このように所望のＺｏを得るために、信号配線を細く形成しようとする場合においては、信号配線の加工が困難なほどに細くせざるを得ない場合が発生する。また、たとえ信号配線の加工が可能であっても、信号配線が細いほど回路加工精度および線幅ばらつきの比率が高まり、これに伴ってＺｏのばらつきが増大する。
【０００６】
このために、前記Ｚｏの変化が大きな信号配線部分において、信号の反射や波形歪みを発生させるという問題を招来させる。さらに、信号配線の配線抵抗値が高くなるために、これに供給される信号周波数が高いほど、伝送特性の悪化の要因になる等の問題を抱えることになる。
【０００７】
そこで、前記した技術的な課題を解決するために、いわゆるベタ電極層として形成される前記グランド層をメッシュ状に銅抜きして、単位面積あたりのグランド層と信号配線との対向面積を実質的に小さくさせることで、前記信号配線の幅を確保する提案がなされている。これは次に示す先行技術文献に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平７−３２１４６３号公報
【０００９】
図７は、前記した先行技術文献に示された回路基板の構成例を示したものであり、これは信号配線の方向が途中で、４５度程度屈曲される場合の例を示している。すなわち図７は、グランド層６に平行四辺形状の開口を規則正しく形成したメッシュパターンに対して、互いに平行状態に配列された例えば差動伝送が行われる信号配線３ａ，３ｂが重畳された状態を、回路基板面に直交する方向から透視した状態で示している。
【００１０】
図７に示す例は、交差する二方向の各線によりグランド層６に多数の平行四辺形状（菱形）のメッシュを開口させたものである。そして、符号Ａで示す図の下半部における信号配線３ａ，３ｂに対するグランド層６側における二方向の線の交差角度と、符号Ｂで示す図の上半部における信号配線３ａ，３ｂに対するグランド層６側における二方向の線の交差角度が略同一となるように構成されている。
これにより、途中で屈曲する信号配線３ａ，３ｂの特性インピーダンスが、領域ＡおよびＢにおいて、大きく変化するのを防止させることができる。
【００１１】
ところで、前記したようにグランド層の全面に開口を形成して、これに対峙する信号配線の特性インピーダンスを調整するように構成した場合、グランド層の全面に導体を施した場合（ベタ電極）に比較して、グランド層の直流抵抗値が増大することになる。
このために、例えばアースポイントから離れたグランド層の一部は高周波信号を受けて励起され、信号配線は高周波信号によるスプリアス妨害を受ける、もしくは信号配線を流れる高周波信号の漏洩の度合いが激しくなる等の問題を招く。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
この発明は、前記した技術的な問題点に着目してなされたものであり、信号配線の特性インピーダンスの制御を十分に果たすことができると共に、グランド層の抵抗値の増大を抑制し、前記したスプリアス妨害等の対策も十分に発揮することができる回路基板を提供することを課題とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記した課題を解決するためになされたこの発明にかかる回路基板は、グランド層と前記グランド層に対して絶縁体層を介して信号配線を配設し、前記グランド層と信号配線間の容量結合を制御することで、前記信号配線の特性インピーダンスの制御が成される回路基板であって、前記グランド層を形成する導電部には、前記信号配線に対峙する位置に多数の抜き孔を施したメッシュ状導体部が配置されることで、前記グランド層と信号配線間の容量結合を制御するように構成され、かつ前記メッシュ状導体部の外側には、抜き孔が施されないベタ電極領域が形成されていることを特徴とする。
【００１４】
この場合、前記絶縁体層の厚さをｔとした時、前記信号配線とベタ電極領域との距離Ｕが、２０ｔ≧Ｕ≧３ｔの範囲に設定されていることが望ましい。これは前記絶縁体層が、１００μｍ以下の厚さになされる薄物の回路基板において、その効果が顕著に発揮し得る。
【００１５】
そして、前記メッシュ状導体部に形成される多数の前記抜き孔は、二方向の複数の各線が交差して平行四辺形の開口が施された形態に成される。
【００１６】
また、前記した回路基板を実現させる１つの好ましい形態においては、前記絶縁体層は、一方の面に前記信号配線を積層すると共に、他方の面に前記グランド層を配置した構成にされる。
【００１７】
また、他の１つの好ましい形態においては、前記信号配線は前記絶縁体層上に構成され、前記絶縁体層上の信号配線を覆う第２絶縁体層を介して前記グランド層が積層された構成にされる。
【００１８】
さらに、他の１つの好ましい形態においては、前記絶縁体層は、一方の面に前記信号配線を積層すると共に、他方の面に前記グランド層を配置し、かつ前記絶縁体層上の信号配線を覆う第２絶縁体層を介して第２グランド層が積層された構成にされる。
そして、前記絶縁体層としては、好ましくはフィルム状ベース基材を用いた構成にされる。
【発明の効果】
【００１９】
前記した回路基板によれば、信号配線に対峙する位置におけるグランド層を構成する導電部には、多数の抜き孔が形成されたメッシュ状導体部にされることで、これに対峙する信号配線の特性インピーダンスを調整することができる。
そして、前記信号配線から離れた位置における前記導電部は抜き孔が形成されないベタ電極領域になされるので、このベタ電極がグランド層の直流抵抗の上昇を抑え、前記したスプリアス妨害等の対策を効果的に発揮させることが可能となる。
【００２０】
この場合、信号配線とグランド層とを隔てる絶縁体層の厚さｔが、両者の容量結合の度合いを支配することになり、前記絶縁体層の厚さｔをパラメータとした時、前記信号配線とベタ電極領域との距離Ｕは、２０ｔ≧Ｕ≧３ｔの範囲に設定されることで、前記した信号配線の特性インピーダンスの調整、ならびにグランド層として低い値の直流抵抗値を確保する条件を満足するものとなる。
【００２１】
前記した範囲は、信号配線とグランド層とを隔てる絶縁体層の厚さｔが、１００μｍ以下である全体として薄く形成された回路基板に適用されることで、より好ましい結果を得ることができる。
【００２２】
そして前記絶縁体層として、フィルム状ベース基材を用いることによりフレキシブル性に優れた回路基板を得ることができ、ベース基材に例えばポリイミドを用いた場合においては、耐熱性および機械特性にも優れたフレキシブル回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】この発明にかかる第１の実施の形態を示した回路基板の積層構造図である。
【図２】図１に示した回路基板に用いられるグランド層と信号配線の一部の構成を示した透視図である。
【図３】絶縁体層を介在させた信号配線とグランド層との関係を説明する断面図である。
【図４】信号配線とベタ電極の距離に対する線路のインピーダンスの関係を示した線図である。
【図５】図２に示したグランド層の構成を採用したこの発明にかかる第２の実施の形態を示した回路基板の積層構造図である。
【図６】同じく第３の実施の形態を示した回路基板の積層構造図である。
【図７】従来の回路基板におけるグランド層と信号配線の一部の構成を示した透視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、この発明にかかる回路基板について、図に示す実施の形態に基づいて説明する。図１は、その第１の実施の形態を示した回路基板の積層構造を示すものである。
図１に示す回路基板１は、グランド層とこのグランド層に対して絶縁体層を介して信号配線を配設したマイクロストリップ構造を構成するものであり、この実施の形態においては前記絶縁体層として、フィルム状のベース基材２が採用されている。
【００２５】
そして、ベース基材２の一方の面（図１における上側）には、例えば差動伝送される信号配線３ａ，３ｂが形成され、この信号配線３ａ，３ｂの上面（図１における上側）には第２の絶縁体層として機能する絶縁層４ａが積層されている。また、絶縁層４ａのさらに上面には第１の被覆層５ａが設けられている。
一方、前記ベース基材２の他方の面（図１における下側）にはグランド層６が形成され、このグランド層６のさらに下面には第３の絶縁体層として機能する絶縁層４ｂが、さらにその下面には第２の被覆層５ｂが形成されている。
【００２６】
マイクロストリップ構造を構成する中央の絶縁体層として機能する前記ベース基材２は、回路基板１のコアとなる機能も有している。前記ベース基材２の素材としては、樹脂フィルム、繊維基材等を挙げることができる。
【００２７】
前記樹脂フィルムを構成する素材としては、例えばポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂等のポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂や液晶ポリマーなどの熱可塑性樹脂等が挙げられる。
これらの中でもポリイミド樹脂または液晶ポリマーが好ましい。例えばポリイミド樹脂の場合は、耐熱性や機械特性に優れ、かつ入手するのが容易である。また、液晶ポリマーの場合は、その比誘電率の低さにより高速信号伝送用途に好適であり、かつ吸湿性の低さにより寸法安定性等にも優れる。
【００２８】
また、絶縁体層に用いられる繊維基材としては、例えばガラス繊布、ガラス不繊布等のガラス繊維基材、あるいはガラス以外の無機化合物を成分とする繊布又は不繊布等の無機繊維基材、芳香族ポリアミド樹脂、ポリアミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂等の有機繊維で構成される有機繊維基材等が挙げられる。これら基材の中でも強度、吸水率の点でガラス繊布に代表されるガラス繊維基材が好ましい。
【００２９】
前記絶縁体層に繊維基材を用いる場合においては、好ましくは前記繊維基材に樹脂を含浸させた状態で利用される。前記繊維基材に含浸される樹脂としては、好ましくはエポキシ樹脂系、アクリル樹脂系などの熱硬化性樹脂が用いられ、これらの中でも耐熱性の面からエポキシ樹脂系が好ましい。
【００３０】
前記ベース基材２の厚さは、好ましくは１〜１００μｍの範囲になされ、さらに好ましくは５〜５０μｍの範囲、より好ましくは１０〜３０μｍの範囲になされる。
前記ベース基材２の厚さを前記下限値以上にすることで、信号線の線幅を加工限界以上にすることが容易となり、一方、前記厚さを上限値以下にすることで剛性が高くなり過ぎることを抑え、柔軟さというフレキシブル回路基板など薄物基板の特徴を保持できる。
【００３１】
前記ベース基材２の一方の面に配列された信号配線３ａ，３ｂはベース基材２に直接設けられても良いが、接着剤を介して設けられていてもよい。そして、各信号配線の端部もしくは適宜の中間部において、図示しない半導体ディバイス等の実装パッドに接合され、回路基板１として機能する。
【００３２】
前記信号配線３ａ，３ｂを覆う絶縁層４ａは、例えばアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、液晶ポリマー等が挙げられる。これらの中でもエポキシ系樹脂が好ましい。これにより、耐熱性と屈曲性を向上することができる。
一方、前記液晶ポリマーを採用した場合においては、比誘電率が低く高速信号伝送特性に優れた特質を生かすことができる。
【００３３】
前記絶縁層４ａの厚さは、特に限定されないが、５〜４０μｍであることが好ましく、特に１０〜３０μｍが好ましい。絶縁層４ａの厚さを前記下限値以上にすることで、回路の埋め込み性低下を抑制し、前記上限値以下にすることで絶縁層４ａのシミ出し量の増加を抑制し、かつ層間接着の信頼性を維持することができる。
【００３４】
前記絶縁層４ａの上面に積層された第１の被覆層５ａは、樹脂材料で構成されていることが好ましい。この樹脂材料としては、例えばポリエステル系樹脂、ポリイミド、液晶ポリマー等が挙げられる。これらの中でもポリイミドが好ましい。これにより、耐熱性と屈曲性を向上させることができる。
前記被覆層５ａの厚さは、特に限定されないが、５〜５０μｍであることが好ましく、特に１０〜３０μｍが好ましい。被覆層５ａの厚さを前記下限値以上にすることで、樹脂層の強度を実用範囲に維持することが容易となり、前記上限値以下にすることで摺動性や屈曲性を最大限に発揮させることが容易となる。
【００３５】
なお、前記絶縁層４ａは、第１の被覆層５ａの接着剤層として第１の被覆層５ａに一体に形成されていてもよい。
この場合、第１の被覆層５ａは、樹脂層と、接着剤層とで構成されることになる。この場合、前記樹脂層を構成する樹脂材料は、前述した第１の被覆層５ａを構成する樹脂材料と同様に、例えばポリエステル系樹脂、ポリイミド、液晶ポリマー等が使用される。これらの中でもポリイミドを使用することが好ましい。これにより、耐熱性と屈曲性を向上させることができる。
【００３６】
また、この場合、前記接着剤層を構成する材料としては、前述した第２の絶縁体層として機能する絶縁層４ａを構成する材料と同様に、例えばアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等を使用することができる。これらの中でもエポキシ系樹脂が好ましく、これにより耐熱性と屈曲性を向上させることができる。
【００３７】
前記ベース基材２の他方の面（裏面）に配置されたグランド層６としての導電部は、銅素材による導電体により構成され、この導電部には前記信号配線３ａ，３ｂに対峙する位置に、平行四辺形の開口になされた多数の抜き孔が形成されている。なお、このグランド層６の具体的な構成については、図２に基づいて後で詳細に説明する。
【００３８】
前記グランド層６の下側面（図１における下側）には、第３の絶縁体層としての絶縁層４ｂが設けられている。この絶縁層４ｂを構成する材料としては、例えばアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等を挙げることができる。これらの中でもエポキシ系樹脂が好ましい。これにより、耐熱性と屈曲性を向上させることができる。
なお、前記した第２の絶縁体層を構成する絶縁層４ａと第３の絶縁体層を構成する絶縁層４ｂを構成する材料は、同じであっても異なっていてもよい。
【００３９】
前記絶縁層４ｂの厚さは、特に限定されないが、５〜４０μｍであることが好ましく、特に１０〜３０μｍが好ましい。
これはすでに説明した絶縁層４ａと同様に、絶縁層４ｂの厚さを前記下限値以上にすることで、回路の埋め込み性低下を抑制し、前記上限値以下にすることで絶縁層４ｂのシミ出し量の増加を抑制し、かつ層間接着の信頼性を維持することができる。
また、第２の絶縁体層を構成する絶縁層４ａの厚さと、第３の絶縁体層を構成する絶縁層４ｂの厚さとは、同じであっても異なっていても良い。
【００４０】
前記絶縁層４ｂの下側面に設けられた第２の被覆層５ｂは、樹脂材料で構成されていることが好ましい。この樹脂材料をとしては、例えばポリエステル系樹脂、ポリイミド、液晶ポリマー等が挙げられる。これらの中でもポリイミドが好ましい。これにより、耐熱性と屈曲性を向上することができる。
また、第１の被覆層５ａを構成する樹脂材料と、第２の被覆層５ｂとを構成する樹脂材料とは、同じであっても異なっていても良い。
【００４１】
前記第２の被覆層５ｂの厚さは、特に限定されないが、５〜５０μｍであることが好ましく、特に１０〜３０μｍが好ましい。これはすでに説明した被覆層５ａと同様に、被覆層５ｂの厚さを前記下限値以上にすることで、樹脂層の強度を実用範囲に維持することが容易となり、前記上限値以下にすることで摺動性や屈曲性を最大限に発揮させることが容易となる。
【００４２】
なお、前記絶縁層４ｂは、第２の被覆層５ｂの接着剤層として被覆層５ｂに一体に形成されていてもよい。この場合、第２の被覆層５ｂは、樹脂層と、接着剤層とで構成されることになる。
この場合、前記樹脂層を構成する材料としては、前述した第２の被覆層５ｂを構成する樹脂材料と同様に、例えばポリエステル系樹脂、ポリイミド、液晶ポリマー等を挙げることができる。これらの中でもポリイミドが好ましく、これを採用することで、耐熱性と屈曲性を向上させることができる。
【００４３】
また、この場合、前記接着剤層を構成する材料としては、前述した第２の絶縁層４ｂを構成する材料と同様に、例えばアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等を挙げることができる。これらの中でもエポキシ系樹脂が好ましく、これを採用することで、耐熱性と屈曲性を向上させることができる。
【００４４】
図２は前記したグランド層６の構成を、その一部を拡大して示したものである。なお、図２は前記した信号配線３ａ，３ｂがベース基材２を介してグランド層６の上に重畳された状態を、面に直交する方向から透視した状態で示している。
グランド層６は前記したとおり銅素材による導電体により構成され、この導電体における前記した信号配線３ａ，３ｂに対峙する位置は、多数の抜き孔が形成されたメッシュ状導体部６Ｂを構成している。
【００４５】
すなわち、この実施の形態における前記抜き孔は、二方向の複数の各線が交差して平行四辺形（菱形）の開口になされている。この二方向の複数の各線は、信号配線３ａ，３ｂに対して５〜４０度の範囲でそれぞれ傾斜されていることが望ましい。加えて、前記菱形開口の長い方の対角線が、前記信号配線３ａ，３ｂの配線方向と一致するようなメッシュパターンになされている。
これにより、図２に示すように途中で４５度程度屈曲する信号配線３ａ，３ｂの特性インピーダンスが、領域ＡおよびＢにおいて大きく変化するのを防止させることができる。
【００４６】
なお、前記した各開口は、その大きさ（開口面積）が互いに異なるものであってもよいが、好ましくは、前記領域ＡおよびＢにおいて、同じ大きさの開口面積になされる。これにより、信号配線３ａ，３ｂの特性インピーダンスを高精度に制御することができる。
【００４７】
一方、前記信号配線３ａ，３ｂに対峙するメッシュ状導体部６Ｂの外側においては、抜き孔が形成されない銅素材によるベタ電極領域６Ａになされている。
すなわち、信号配線３ａ，３ｂの特性インピーダンスの制御に大きく作用する前記したメッシュ状導体部６Ｂを除いて、その外側はベタ電極領域６Ａになされている。
【００４８】
前記したフィルム状ベース基材２による絶縁体層を介して信号配線３ａ，３ｂに対峙するメッシュ状導体部６Ｂ、およびメッシュ状導体部６Ｂの外側に形成されるベタ電極領域６Ａとの関係を図３に模式的な断面図で示している。
この実施の形態においては、前記絶縁体層２の厚さｔが１００μｍ以下になされ、積層構造の全体がきわめて薄い回路基板に適用されるものであり、したがって前記信号配線３ａ，３ｂとベタ電極領域６Ａとの距離Ｕが、両者の容量結合の度合いを支配することになる。
【００４９】
この場合、前記絶縁体層２の厚さｔをパラメータとした時、前記信号配線３ａ，３ｂとベタ電極領域６Ａとの距離Ｕは、２０ｔ≧Ｕ≧３ｔの範囲に、より好ましくは１０ｔ≧Ｕ≧３ｔの範囲に設定されることが望ましい。
【００５０】
図４は、信号配線３ａ，３ｂとベタ電極領域６Ａとの距離Ｕ（層間厚みｔの倍数）を横軸にし、信号配線３ａ，３ｂの特性インピーダンスＺｏを縦軸で示した特性例を示したものである。
この図４に示す特性例は、差動信号線３ａ，３ｂの各線幅Ｌ／線間距離Ｓ＝１００μｍ／１００μになされ、層間厚みｔ＝２５μｍ、メッシュ状導体部６Ｂの銅（導体）残存率＝３０％の場合におけるものである。
【００５１】
すなわち、図４の特性線図に現れているように、前記信号配線３ａ，３ｂとベタ電極領域６Ａとの距離Ｕが、３ｔ未満になる場合には、信号配線に対するベタ電極領域の容量結合が急激に増大し、メッシュ状導体部６Ｂによる信号配線の適正なインピーダンス制御が不可能になる。
一方、前記信号配線３ａ，３ｂとベタ電極領域６Ａとの距離Ｕが、３ｔを超える場合には信号配線に対するベタ電極領域の容量結合は急激に減少し、メッシュ状導体部６Ｂによる信号配線のインピーダンス制御の精度を向上させることができる。
【００５２】
なお、層間厚みｔ＝１００μｍ以下の条件下において、同様の測定を試みたが、前記信号配線３ａ，３ｂとベタ電極領域６Ａとの距離Ｕが、３ｔ未満になる場合において、信号配線に対するベタ電極領域の容量結合が急激に増大し、信号配線の特性インピーダンスが低下することが検証されており、いずれにおいても図４に示す特性とほぼ同様の結果となることが認められている。
【００５３】
ところで、前記距離Ｕは、その値が大きいほど、ベタ電極領域６Ａによる影響を少なくすることができるものの、反面メッシュ状導体部６Ｂの面積の増大に伴うグランド層の直流抵抗値の増加が、回路基板の高周波特性の悪化を招くことになる。
それ故、グランド層の直流抵抗値の増加に対処するには、信号配線３ａ，３ｂとベタ電極領域６Ａとの距離Ｕは２０ｔ以下になされることが望ましく、より望ましくは１０ｔ以下の範囲になされる。
【００５４】
斯くして、前記信号配線３ａ，３ｂとベタ電極領域６Ａとの距離Ｕを、前記した範囲に設定することで、信号配線３ａ，３ｂの特性インピーダンスの調整、ならびにグランド層６として、低い値の直流抵抗値を確保する条件を満足するものとなる。
【００５５】
図５は、この発明の第２の実施形態にかかる回路基板の積層構造を示すものである。なお、この図５においてはすでに説明した図１に示した各部と同一機能を果たす部分を同一符号で示しており、したがってその詳細な説明は適宜省略する。
【００５６】
この図５に示す構成においては、前記信号配線３ａ，３ｂはフィルム状のベース基材２上に構成されると共に、前記ベース基材２上の信号配線３ａ，３ｂを覆う絶縁体層として機能する第２絶縁層４ａを介して、その上面にグランド層６が積層されており、これによりマイクロストリップ構造を構成している。
【００５７】
図５に示す積層構成においては、図１に示した積層構成に比較すると、前記グランド層６が絶縁層４ａを介して信号配線３ａ，３ｂに対峙するように構成されている。この構成においても、図２に示したグランド層６の構成を採用することで、同一の作用効果を得ることができる。
【００５８】
図６は、この発明の第３の実施形態にかかる回路基板の積層構造を示すものである。なお、この図６においてもすでに説明した図１に示した各部と同一機能を果たす部分を同一符号で示しており、したがってその詳細な説明は省略する。
【００５９】
図６に示す構成においては、絶縁体層として機能するフィルム状ベース基材２の一方の面に信号配線３ａ，３ｂが積層され、ベース基材２の他方の面に第１グランド層６ａを配置すると共に、前記ベース基材上の信号配線３ａ，３ｂを覆う第２絶縁体層４ａを介して第２グランド層６ｂが積層されている。これにより、ストリップ構造を構成している。
【００６０】
図６に示す積層構成においては、図１に示した積層構成に比較すると、２枚のグランド層６ａ，６ｂが絶縁体層として機能するフィルム状ベース基材２および絶縁層４ａを介してそれぞれ信号配線３に対峙するように構成されている。
この構成における前記各グランド層６ａ，６ｂのそれぞれにおいて、図２に示したグランド層の構成を採用することで、同一の作用効果を得ることができる。
【００６１】
なお、以上説明した実施の形態におけるメッシュ状導体部６Ｂは、図２に示すように多数の菱形の開口を配列した構成にされているが、この開口は前記した特定の形状に限られるものではなく、例えば円形もしくはそれ以外の形状の開口部を配列することにより形成することもできる。
【００６２】
また、前記した実施の形態におけるグランド層は、回路の基準電位が印加される構成にされる場合もあり、また各ディバイスの動作電源が重畳される場合もある。したがって、グランド層に印加される電位は特に限定されるものではない。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
この発明による回路基板は、プリント配線板、フレキシブルプリント配線板、多層フレキシブルプリント配線板等に用いることができ、特に高周波帯で動作するディバイスを実装する回路基板に好適に採用することができる。
【符号の説明】
【００６４】
１              回路基板
２              ベース基材（絶縁体層）
３ａ，３ｂ      信号配線
４ａ，４ｂ      絶縁層
５ａ，５ｂ      被覆層
６，６ａ，６ｂ  グランド層
６Ａ            ベタ電極領域
６Ｂ            メッシュ状導体部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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