(57)【要約】【課題】簡単な作業で回路積層体と支持基板との剥離を達成し、画質に影響を及ぼす残留物をなくすことのできる表示装置の製造方法の提供。【解決手段】ガラス基板上に回路積層体を形成する工程と、前記回路積層体の表面に剥離層を形成する工程と、前記剥離層の表面に支持基板を貼り合わせる工程と、前記ガラス基板を除去する工程と、前記回路積層体の前記ガラス基板が除去された面に樹脂基板を貼り合わせる工程と、前記剥離層を露光する工程と、前記樹脂基板を前記回路積層体から剥離する工程とからなり、  前記剥離層は、芳香族ジアゾニウム塩と水溶性高分子を含む組成物からなる。【選択図】図１
2010008445.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に回路積層体を形成する工程と、前記回路積層体の表面に剥離層を形成する工程と、前記剥離層の表面に支持基板を貼り合わせる工程と、前記ガラス基板をエッチングする工程と、前記回路積層体の前記ガラス基板がエッチングされた面に樹脂基板を貼り合わせる工程と、前記剥離層を露光する工程と、前記樹脂基板を前記回路積層体から剥離する工程とからなり、
前記剥離層は、芳香族ジアゾニウム塩と水溶性高分子を含む組成物からなることを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記芳香族ジアゾニウム塩は非金属イオンで安定されている化合物であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記芳香族ジアゾニウム塩は次の化学式で表せる化合物であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
2010008445.tif 000005
ここで、Ｒ１はジアルキルアミノ基あるいはモルフォリノ基、Ｘはトリフルオロメタンスルホン酸基、トルエンスルホン酸基、あるいはベンゼンスルホン酸基等の非金属イオン、Ｒ２、Ｒ３は炭素数４以下のアルキル基、アルコシ基である。Ｒ２、Ｒ３は同じでも異なっていてもよい。
【請求項４】
前記水溶性高分子がポリビニルアルコールであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記支持基板の貼り合わせは接着層を介してなされることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記樹脂基板の貼り合わせは接着層を介してなされることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記露光は紫外線による露光であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記回路積層体は、少なくとも薄膜トランジスタが形成されている回路積層体であることを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置の製造方法に係り、特に、基板が樹脂材で構成される表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
たとえば液晶表示装置は、液晶を挟持して対向配置された一対の基板を外囲器として構成されている。一対の基板の液晶側の面には複数の画素が形成され、これら画素は独立に制御されてそれぞれの画素の液晶を駆動するようになっている。
【０００３】
そして、アクティブ・マトリックス型の液晶表示装置は、一方の基板の液晶側の面の各画素に、少なくとも、ゲート信号線からの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、このオンされた薄膜トランジスタを通してドレイン信号線からの映像信号が印加される画素電極とが備えられて構成されている。
【０００４】
前記ゲート信号線、薄膜トランジスタ、ドレイン信号線、および画素電極は、前記一方の基板（以下、ＴＦＴ基板と称する場合がある）に、所定のパターンで形成された金属膜、絶縁膜、半導体膜の所定の積層構造によって形成されるようになっている。
【０００５】
このため、ＴＦＴ基板は、前記積層構造（以下、回路積層体と称する場合がある）の形成過程において、耐熱性および剛性を有する必要があり、たとえばガラス基板で形成されるのが通常となっている。
【０００６】
しかし、近年、ガラス基板は破損し易い等の理由で、ＴＦＴ基板を樹脂基板で構成したものが知られるに至っている。この場合、樹脂基板は耐熱性および剛性に乏しいことから、この樹脂基板上に直接前記回路積層体を形成することはできないという問題を有する。
【０００７】
このため、次に示す製造方法を用いることによって、樹脂基板からなるＴＦＴ基板を構成する手法が知られている（特許文献１参照）。まず、ガラス基板上に前記回路積層体を通常の工程で形成した後、該回路積層体の表面を支持基板に接着し、前記ガラス基板をたとえばレーザ光照射あるいはエッチングによって除去する。そして、前記回路積層体の前記ガラス基板が除去された面に樹脂基板を接着した後に、前記支持基板を前記回路積層体から剥離するようにしている。これにより、前記回路積層体は樹脂基板上に形成されるようになる。
【特許文献１】特開２００１−１８９４６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記特許文献１に示した液晶表示装置の製造方法において、前記支持基板を回路積層体に接着させる際に、この接着は一時的なものであり、この接着部分は後に工程で剥離しなければならないことから、いわゆる剥離層と称される接着剤を介して接着している。この剥離層は、たとえば光硬化型の樹脂組成物、あるいはナフトキノンジアジドとアルカリ可溶性高分子からなるポジ型ホトレジスト組成物が用いられている。
【０００９】
この場合、光硬化型の樹脂組成物は、前記回路積層体から前記支持基板を剥離させた後に、前記回路積層体の面の画素の領域に脂肪成分を残留させることがあり、画質を劣化させる可能性を有するものであった。
【００１０】
また、前記ポジ型ホトレジスト組成物は、剥離層形成に有機溶剤を含む溶液を用い、剥離後に残留するレジスト成分をアルカリ水溶液で除去し、さらに水洗いしなければならいな煩雑さを有するものであった。
【００１１】
本発明の目的は、簡単な作業で回路積層体と支持基板との剥離を達成し、画質に影響を及ぼす残留物をなくすことのできる表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の表示装置の製造方法は、前記剥離層として、ジアゾニウム塩と水溶性高分子からなる組成物を用いるようにしたことにある。回路積層体の面に前記剥離層として形成する場合はたとえばスピン塗布法を用いて形成でき、前記回路積層体に前記剥離層を介して接着された支持基板を剥離する際には、前記剥離層にたとえば紫外線等を露光させればよい。
【００１３】
前記剥離層の前記露光は、ジアゾニウム塩から窒素ガスを発生させることができ、この窒素ガスが水溶性高分子中で発砲し、前記回路積層体と支持基板との空隙を形成するようになる。これにより、前記回路積層体の支持基板との剥離を極めて容易にでき、また、残存される剥離層は水洗によって容易に除去できることが確かめられる。
【００１４】
本発明の構成は、たとえば、以下のようなものとすることができる。
【００１５】
（１）本発明による表示装置の製造方法は、たとえば、ガラス基板上に回路積層体を形成する工程と、前記回路積層体の表面に剥離層を形成する工程と、前記剥離層の表面に支持基板を貼り合わせる工程と、前記ガラス基板をエッチングする工程と、前記回路積層体の前記ガラス基板がエッチングされた面に樹脂基板を貼り合わせる工程と、前記剥離層を露光する工程と、前記樹脂基板を前記回路積層体から剥離する工程とからなり、
前記剥離層は、芳香族ジアゾニウム塩と水溶性高分子を含む組成物からなることを特徴とする。
【００１６】
（２）本発明による表示装置の製造方法は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記芳香族ジアゾニウム塩は非金属イオンで安定されている化合物であることを特徴とする。
【００１７】
（３）本発明による表示装置の製造方法は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記芳香族ジアゾニウム塩は次の化学式で表せる化合物であることを特徴とする。
【００１８】
2010008445.tif 000003
ここで、Ｒ１はジアルキルアミノ基あるいはモルフォリノ基、Ｘはトリフルオロメタンスルホン酸基、トルエンスルホン酸基、あるいはベンゼンスルホン酸基等の非金属イオン、Ｒ２、Ｒ３は炭素数４以下のアルキル基、アルコシ基である。Ｒ２、Ｒ３は同じでも異なっていてもよい。
【００１９】
（４）本発明による表示装置の製造方法は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記水溶性高分子がポリビニルアルコールであることを特徴とする。
【００２０】
（５）本発明による表示装置の製造方法は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記支持基板の貼り合わせは接着層を介してなされることを特徴とする。
【００２１】
（６）本発明による表示装置の製造方法は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記樹脂基板の貼り合わせは接着層を介してなされることを特徴とする。
【００２２】
（７）本発明による表示装置の製造方法は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記露光は紫外線による露光であることを特徴とする。
【００２３】
（８）本発明による表示装置の製造方法は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記回路積層体は、少なくとも薄膜トランジスタが形成されている回路積層体であることを特徴とする。
【００２４】
なお、上述した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、上記した構成以外の構成の例は、本願明細書全体の記載または図面から明らかにされる。
【発明の効果】
【００２５】
上述した表示装置の製造方法によれば、簡単な作業で回路積層体と支持基板との剥離を達成でき、画質に影響を及ぼす残留物をなくすことができる。本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、本発明による表示装置の製造方法の実施例を図面を用いて説明をする。
【００２７】
図１（ａ）ないし（ｇ）は、本発明による表示装置の製造方法の一実施例を示した工程図である。同図の表示装置は液晶表示装置を例に揚げて示している。以下、工程順に説明する。
【００２８】
工程１．（図１（ａ））
まず、ガラス基板ＧＳＢの表面にストッパ層ＳＴおよび回路積層体ＣＰＬを順次形成したＴＦＴ基板（仮基板）を用意する。
【００２９】
前記ストッパ層ＳＴは、後の工程（図１（ｄ）参照）で前記ガラス基板ＧＳＢをエッチングする際に、前記回路積層体ＣＰＬまで該エッチングが及んでしまうのを抑制する層である。フッ酸系のエッチング液で前記ガラス基板ＧＳＢをエッチングする場合には、前記ストッパ層ＳＴは前記フッ酸系エッチング液に対して耐性を有する材料で構成される。
【００３０】
前記回路積層体ＣＰＬは、たとえば、ゲート信号線からの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と、このオンされた薄膜トランジスタを通してドレイン信号線からの映像信号が印加される画素電極とが備えられて構成されている。また、前記画素電極の間で電界を生じせしめる対向電極が備えられていてもよい。このように前記ゲート信号線、薄膜トランジスタ、ドレイン信号線、画素電極、あるいは対向電極等が形成された前記回路積層体ＣＰＬは、所定のパターンで形成された金属膜、絶縁膜、半導体膜の所定の積層構造によって形成されるようになっている。
【００３１】
なお、この発明の適用にあたって、前記回路積層体ＣＰＬは、必ずしも、上述した部材の全てを備えている必要はない。製造の過程において、高精度の形成が要求され、また、比較的高い熱処理を必要とする部材が形成されていればよい。前記回路積層体ＣＰＬが形成される際において、ＴＦＴ基板（仮基板）として、耐熱性および剛性を有するガラス基板ＧＳＢが用いられる理由である。このことから、前記回路積層体ＣＰＬには少なくとも薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が備えられておればよい。
【００３２】
工程２．（図１（ｂ））
前記回路積層体ＣＰＬの表面に剥離層ＳＴＬを形成する。この剥離層ＳＴＬは、後述の支持基板ＳＳＢを前記回路積層体ＣＰＬに一時的に固定させ、その後に、該固定を解除させて前記支持基板ＳＳＢから前記回路積層体ＣＰＬを剥離させる機能を有する。
【００３３】
この実施例では、前記剥離層ＳＴＬは、芳香族ジアゾニウム塩と水溶性高分子を含む組成物からなっている。そして、前記芳香族ジアゾニウム塩は非金属イオンで安定されている化合物（たとえば、トリフリオロメタンスルホン酸、トルエンスルホン酸等）からなっている。このような化合物を選定した理由は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を汚染することなく、その特性に悪影響を及ぼすことがないことが確かめられているからである。
【００３４】
このような前記芳香族ジアゾニウム塩は次の化学式で示される。
【００３５】
2010008445.tif 000004
ここで、Ｒ１はジアルキルアミノ基あるいはモルフォリノ基、Ｘはトリフルオロメタンスルホン酸基、トルエンスルホン酸基、あるいはベンゼンスルホン酸基等の非金属イオン、Ｒ２、Ｒ３は炭素数４以下のアルキル基、アルコシ基である。Ｒ２、Ｒ３は同じでも異なっていてもよい。
【００３６】
なお、後述から明らかとなるように、前記剥離層ＳＴＬとして、芳香族ジアゾニウム塩と水溶性高分子を含む組成物を用いるのは、簡単な作業で前記回路積層体ＣＰＬと後述の支持基板ＳＳＢとの剥離を達成するとともに、その際に、画質に影響を及ぼす残留物をなくすことができるからである。
【００３７】
工程３．（図１（ｃ））
前記剥離層ＳＴＬの表面に支持基板ＳＳＢを貼り合わせる。該支持基板ＳＳＢの前記剥離層ＳＴＬへの貼り合わせはたとえば第１接着剤ＡＤ１を介して行う。
【００３８】
前記支持基板ＳＳＢは、後の工程で前記ガラス基板ＧＳＢをエッチングする際に、前記回路積層体ＣＰＬを支持する機能を有する。このことから、該支持基板ＳＳＢは、この機能を有する限り、特に、その材料は限定されない。
【００３９】
工程４．（図１（ｄ））
前記ガラス基板ＧＳＢをたとえばフッ酸系のエッチング液を用いてエッチングする。この場合、前記ガラス基板ＧＳＢをエッチングによって完全に除去する。この場合、前記ガラス基板ＧＳＢが除去された段階で、前記ストッパ層ＳＴが露出され、これ以上のエッチングの進行が阻止される。このため、前記回路積層体ＣＰＬの前記エッチング液によるエッチングから保護される。
【００４０】
なお、前記ガラス基板ＧＳＢのエッチングは、必ずしも、該ガラス基板ＧＳＢを完全に除去するばかりでなく、たとえば、所定の厚さにエッチングするだけであってもよい。
【００４１】
工程５．（図１（ｅ））
前記ストッパ層ＳＴの表面に樹脂基板ＲＳＢを貼り合わせる。該樹脂基板ＲＳＢの前記ストッパ層ＳＴへの貼り合わせはたとえば第１接着剤ＡＤ２を介して行う。前記樹脂基板ＲＳＢは、前記ガラス基板ＧＳＢに替わる基板として機能するもので、製品となって後において、回路積層体ＣＰＬを固定するＴＦＴ基板として残存されるものとなる。
【００４２】
工程６．（図１（ｆ））
前記剥離層ＳＴＬに紫外線（たとえば波長は３００ｎｍから４５０ｎｍの範囲）を照射する。これにより、前記剥離層ＳＴＬの内部に窒素ガスが発生し、該窒素ガスは該剥離層ＳＴＬ内の水溶性高分子中で発砲するようになる。
【００４３】
工程７．（図１（ｇ））
前記支持基板ＳＳＢを回路積層体ＣＰＬから剥離する。前記剥離層ＳＴＬは窒素ガスの発砲によって空隙ＧＰができ、前記支持基板ＳＳＢは前記回路積層体ＣＰＬから容易に剥離し易くなる。その後、回路積層体ＣＰＬの前記支持基板ＳＳＢの剥離面を水洗することにより、前記剥離層ＳＴＬの材料の残渣を除去する。この場合、水洗によって、表示装置の表示の機能を損なうことのない程度に前記残渣を除去できることが確かめられている。
【００４４】
これによって、図１（ａ）に示すガラス基板ＧＳＢが樹脂基板ＲＳＢに置換されたＴＦＴ基板を得ることができる。
【００４５】
以上、本発明による表示装置の製造方法によれば、簡単な作業で回路積層体と支持基板との剥離を達成でき、画質に影響を及ぼす残留物をなくすことができる。
【００４６】
上述した実施例は、液晶表示装置の製造方法について示したものである。しかし、たとえば有機ＥＬ表示装置等のように他の表示装置にも適用できることはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明による表示装置の製造方法の一実施例を示した工程図である。
【符号の説明】
【００４８】
ＧＳＢ……ガラス基板、ＳＴ……ストッパ層、ＣＰＬ……回路積層体、ＳＴＬ……剥離層、ＳＳＢ……支持基板、ＡＤ１……第１接着剤、ＲＳＢ……樹脂基板、ＡＤ２……第２接着剤、ＧＰ……空隙。
【図１】
2010008445.tif 000006