(57)【要約】      （修正有）【課題】従来のように薄膜が基板以外の広範囲な領域に形成されず、したがって容易にクリーニングすることのできる原子層成長装置を提供する。【解決手段】原子層成長装置は、基板Ｓを、成膜容器１２内の第１の内部空間２２内に設けられた筒形状のリアクタ容器１４内の第２の内部空間１５内に配置する。リアクタ容器１４には、筒形状の内側の空間を筒形状の長手方向に沿って第１の層の空間と第２の層の空間とに区分けするための仕切板１５ｃが設けられ、２層構造となっている。原料ガス供給ヘッド２０は、リアクタ容器の一方の端の側に設けられ、リアクタ容器の一方の端から他方の端に向けて筒形状の長手方向に沿って、原料ガスを第１層の空間内に流す。ガス排気部は、リアクタ容器の他方の端で原料ガスの流れを折り返して第２の層の空間中を筒形状の長手方向に沿って一方の端に向けて流れるように原料ガスを吸引する。【選択図】図１
2010212432.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に薄膜を形成する原子層成長装置であって、
所定の圧力を維持する第１の内部空間を形成する成膜容器と、
前記第１の内部空間内に設けられ、設定された圧力を維持する、前記第１の内部空間と隔てられた第２の内部空間を形成する筒形状の容器であって、この筒形状の内側の空間を筒形状の長手方向に沿って第１の層の空間と第２の層の空間とに区分けして形成するための仕切板が設けられたリアクタ容器と、
前記第１の内部空間内に設けられ、前記第１の層の空間に沿うように前記リアクタ容器の筒形状の長手方向に沿って隣接して設けられたヒータと、
前記筒形状の一方の端から他方の端に向けて前記筒形状の長手方向に沿って、原料ガスを前記第１層の空間内に供給して流す原料ガス供給ヘッドと、
前記筒形状の他方の端で原料ガスの流れを折り返して前記第２の層の空間中を前記筒形状の長手方向に沿って前記他方の端から前記一方の端に向けて流れるように原料ガスを吸引する、前記一方の端の側に設けられたガス排気部と、を有し、
前記リアクタ容器内に基板を載置することにより、前記第１の層と前記第２の層が分離されることを特徴とする原子層成長装置。
【請求項２】
前記リアクタ容器の前記他方の端には、基板の搬入及び搬出を行う開口を有し、
前記成膜容器は、前記リアクタ容器の前記開口に隣接して設けられた、前記開口から前記第１の内部空間に繋がる第１の開閉ドアを備える第１の部材を有し、
原料ガス導入時、前記第１の開閉ドアが閉じることにより、前記第２の内部空間は、前記第１の内部空間に対して閉塞される、請求項１に記載の原子層成長装置。
【請求項３】
前記リアクタ容器の前記他方の端の前記開口の位置から、前記リアクタ容器の筒形状の長手方向に延長した前記成膜容器の壁の部分には、基板の搬入及び搬出を行う貫通孔が設けられ、この貫通孔に隣接して設けられた、前記成膜容器の外部に繋がる第２の開閉ドアを備える第２の部材を有し、
原料ガス導入時、前記第２の開閉ドアが閉じることにより、前記第１の内部空間は、前記成膜容器の外部の空間に対して閉塞される、請求項２に記載の原子層成長装置。
【請求項４】
前記リアクタ容器の前記仕切板の前記他方の端の側には、基板を搬入及び搬出する搬送台車の基板載置先端のフォーク部に対応して切欠部が設けられている、請求項１〜３のいずれか１項に記載の原子層成長装置。
【請求項５】
前記成膜容器は、前記成膜容器の底部を含む下側部分と、この下側部分以外の上側部分とに分離可能に構成され、
前記リアクタ容器は、前記成膜容器の底部から延びる支持機構を用いて前記第１の内部空間内に支持され、
前記成膜容器の底部は、前記成膜容器の前記上側部分に対して分離可能に上下方向に移動し、前記成膜容器の底部は下降して前記上側部分から分離することにより、前記リアクタ容器は前記成膜容器内から取り外されるように構成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の原子層成長装置。
【請求項６】
前記成膜容器は、前記成膜容器の底部から前記第１の内部空間内を延びる立設部材を有し、
前記リアクタ容器の前記他方の端は、前記立設部材を基準として位置決めされ、前記成膜容器の側壁から前記第１の内部空間内を延びる固定部材が、前記一方の端から前記他方の端に向けて押さえることにより、前記リアクタ容器を前記成膜容器内の所定位置に固定する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の原子層成長装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に薄膜を形成する原子層成長（以下、省略してＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）ともいう）装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＡＬＤ法は、形成しようとする膜を構成する元素を主成分とする２種類のガスを成膜対象基板上に交互に供給し、基板上に原子層単位で薄膜を形成することを複数回繰り返して所望厚さの膜を形成する薄膜形成技術である。例えば、基板上にＳｉＯ2膜を形成する場合、Ｓｉを含む原料ガスとＯを含む酸化ガスが用いられる。また、基板上に窒化膜を形成する場合、酸化ガスの代わりに窒化ガスが用いられる。
【０００３】
ＡＬＤ法では、原料ガスを供給している間に１層あるいは数層の原料ガス成分だけが基板表面に吸着され、余分な原料ガスは成長に寄与しない、いわゆる成長の自己停止作用（セルフリミット機能）を利用する。
【０００４】
ＡＬＤ法は、一般的なＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法と比較して高い段差被覆性と膜厚制御性を併せ持ち、メモリ素子のキャパシタや、「high-kゲート」と呼ばれる絶縁膜の形成への実用化が期待されている。また、４００℃以下の温度で絶縁膜が形成可能であるため、液晶ディスプレイなどのように、ガラス基板を用いる表示装置の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜の形成への適用なども期待されている。
【０００５】
下記特許文献１には、基板上に薄膜を形成するＡＬＤ装置であって、少なくとも一種類の原料ガスを基板に吸着させる原料ガス吸着室と、少なくとも一種類の反応性ガスを基板に照射する反応性ガス照射室と、上記原料ガス吸着室と反応性ガス照射室との間で基板を入れ替える手段と、を有するＡＬＤ装置が記載されている。
当該装置は、ＡＬＤ法による真空成膜において、成膜室の頻繁なメンテナンスが不要で効率良く成膜しうる装置を提供することを課題として実現されたものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８-２４００７７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記特許文献１では、必要な工程毎に成膜室を分けたことにより、原料ガス吸着室、反応性ガス照射室のいずれにおいても、室内の壁面に成膜されることがなく、従来のような成膜室のメンテナンスが不要になり、成膜室を分けたことにより、反応性の高いラジカルを有効に使うことが可能となる、と記載されている。しかし、このような装置は、装置自体が大掛かりになり、コストは増大する。特に、一辺が２ｍを超える第８世代のガラス板等を、薄膜を形成する対象基板とした場合、設置面積および設備コストは大幅に増大する。
【０００８】
一方、薄膜の形成を、１つの成膜室で行うことも可能であるが、成膜室の内壁面全体に薄膜が形成され、この薄膜が内壁面から剥離することによりパーティクルとなって薄膜に付着する場合もある。これにより薄膜形成の歩留まりに影響を与える。さらに、成膜室の内壁面全体に薄膜が形成されるので、装置クリーニング等のメンテナンスが増大する。クリーニングのために、成膜室内で生成したプラズマを用いてドライエッチングによりクリーニングすることも可能であるが、内壁面をきれいにクリーニングすることは難しい。特に、一辺が２ｍを超える第８世代のガラス板等を対象基板とする大型の装置では、成膜室の内壁面は広いため、内壁面全体をクリーニングすることは困難である。
【０００９】
そこで、本発明は、上記問題点を解消するために、従来のように薄膜が基板以外の広範囲な領域に形成されず、したがって容易にクリーニングすることのできるメンテナンスの容易な原子層成長装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的は、基板上に薄膜を形成する以下の原子層成長装置により達成することができる。すなわち、原子層成長装置は、
（Ａ）所定の圧力を維持する第１の内部空間を形成する成膜容器と、
（Ｂ）前記第１の内部空間内に設けられ、設定された圧力を維持する、前記第１の内部空間と隔てられた第２の内部空間を形成する筒形状の容器であって、この筒形状の内側の空間を筒形状の長手方向に沿って第１の層の空間と第２の層の空間とに区分けして形成するための仕切板が設けられたリアクタ容器と、
（Ｃ）前記第１の内部空間内に設けられ、前記第１の層の空間に沿うように前記リアクタ容器の筒形状の長手方向に沿って隣接して設けられたヒータと、
（Ｄ）前記筒形状の一方の端から他方の端に向けて前記筒形状の長手方向に沿って、原料ガスを前記第１層の空間内に供給して流す原料ガス供給ヘッドと、
（Ｅ）前記筒形状の他方の端で原料ガスの流れを折り返して前記第２の層の空間中を前記筒形状の長手方向に沿って前記他方の端から前記一方の端に向けて流れるように原料ガスを吸引する、前記一方の端の側に設けられたガス排気部と、を有する。
（Ｆ）そのとき、前記リアクタ容器内に基板を載置することにより、前記第１の層と前記第２の層が分離される。
【００１１】
その際、前記リアクタ容器の前記他方の端には、基板の搬入及び搬出を行う開口を有し、前記成膜容器は、前記リアクタ容器の前記開口に隣接して設けられた、前記開口から前記第１の内部空間に繋がる第１の開閉ドアを備える第１の部材を有し、原料ガス導入時、前記第１の開閉ドアが閉じることにより、前記第２の内部空間は、前記第１の内部空間に対して閉塞されることが好ましい。
【００１２】
また、前記リアクタ容器の前記他方の端の前記開口の位置から、前記リアクタ容器の筒形状の長手方向に延長した前記成膜容器の壁の部分には、基板の搬入及び搬出を行う貫通孔が設けられ、この貫通孔に隣接して設けられた、前記成膜容器の外部に繋がる第２の開閉ドアを備える第２の部材を有し、
原料ガス導入時、前記第２の開閉ドアが閉じることにより、前記第１の内部空間は、前記成膜容器の外部の空間に対して閉塞されることが好ましい。
【００１３】
また、前記リアクタ容器の前記仕切板の前記他方の端の側には、基板を搬入及び搬出する搬送台車の基板載置先端のフォーク部に対応して切欠部が設けられていることが好ましい。
【００１４】
さらに、前記成膜容器は、前記成膜容器の底部を含む下側部分と、この下側部分以外の上側部分とに分離可能に構成され、前記リアクタ容器は、前記成膜容器の底部から延びる支持機構を用いて前記第１の内部空間内に支持され、前記成膜容器の底部は、前記成膜容器の前記上側部分に対して分離可能に上下方向に移動し、前記成膜容器の底部は下降して前記上側部分から分離することにより、前記リアクタ容器は前記成膜容器内から取り外されるように構成されていることが好ましい。
【００１５】
その際、前記成膜容器は、前記成膜容器の底部から前記第１の内部空間内を延びる立設部材を有し、前記リアクタ容器の前記他方の端は、前記立設部材を基準として位置決めされ、前記成膜容器の側壁から前記第１の内部空間内を延びる固定部材が、前記一方の端から前記他方の端に向けて押さえることにより、前記リアクタ容器を前記成膜容器内の所定位置に固定することが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
上述の原子層成長装置では、成膜容器内の第１の内部空間に設けられたリアクタ容器内で、基板に薄膜を形成するので、従来のように薄膜が基板以外の広範囲な領域に形成されず、したがって容易にクリーニングすることができる。特に、リアクタ容器内の第２の内部空間を第１の層の空間及び第２の層の空間に区分けして原料ガスを流すので、少ないガス供給量で均一な薄膜を形成することができるとともに、単位時間の成膜速度を向上することができ、ガス供給量を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の原子層成長装置の一実施形態の概略の装置構成を示す断面図である。
【図２】（ａ）は、図１に示す原子層成長装置のリアクタ容器の概略を示す側面図であり、（ｂ）は、基板のリアクタ容器への搬入方法を説明する図である。
【図３】図１に示す原子層成長装置の原料ガス供給ヘッドの一例を示す図である。
【図４】図１に示す原子層成長装置のリアクタ容器を取り外す際の状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の原子層成長装置について詳細に説明する。
図１は、基板Ｓ上に薄膜を形成する原子層成長装置（以降、ＡＬＤ装置という）１０の概略の装置構成を示す断面図である。
原子層成長装置１０は、ＴＭＡ（Tri-Methyl-Aluminium）等の原料ガスと、オゾンＯ3等の原料ガスを交互に供給して、原子単位で積層して薄膜を形成する装置である。
【００１９】
ＡＬＤ装置１０は、主に、成膜容器１２と、リアクタ容器１４と、ヒータ１６ａ，１６ｂと、原料ガス供給ヘッド２０と、を有する。成膜容器１２は、第１の内部空間２２を形成する外側容器であり、リアクタ容器１４は、第１の内部空間２２内に、第２の内部空間１５を形成する内側容器である。リアクタ容器１４は、第２の内部空間１５が一定の断面を持って一方向に延びた筒形状を成している。
成膜容器１２はＳＵＳ等の金属材料で構成されている。成膜容器１２の上壁には、Ｎ2ガス（あるいは不活性ガス）を導入するガス導入孔が設けられ、図示されないガス供給部に接続されている。また、成膜容器１２の上壁には、排気部２４に接続される排気口２４ａが設けられ、導入されたＮ2ガスの雰囲気を所定の圧力で維持するように構成されている。このように、第１の内部空間２２内で、Ｎ2ガスの雰囲気を維持するのは、後述するリアクタ容器１４の第２の内部空間１５から原料ガスが漏れても成膜容器１２の内壁面に原料ガスの成分が吸着し難いようにするためである。
【００２０】
成膜容器１２の図中左側の側壁には、貫通孔２５が設けられている。貫通孔２５には、排気部２６と接続する排気管が貫通している。この排気管は、後述するリアクタ容器１４と接続される。この排気管の内表面には、防着板２７が設けられている。一方、成膜容器１２の図中右側の側壁には、貫通孔２８が設けられている。この貫通孔２８は、側壁部材（第２の部材）３０のシャッタ（第２の開閉ドア）３０ａを備える孔３０ｂと対向する位置に設けられ、基板Ｓの搬入および搬出に用いられる。
【００２１】
成膜容器１２の左側の側壁内面には、この側壁からの第１の内部空間２２内に位置するリアクタ容器１４に向けて水平方向に延びる固定部材３２が設けられている。固定部材３２は、図中左側から順番に、角型ベローズ３２ａ、固定部本体３２ｂ、Ｏリング３２ｅ、ヘッド取付部材３２ｃ、Ｏリング３２ｆ、スペーサ３２ｄ、Ｏリング３２ｇが配置されている。固定部材３２は、図示されないエアシリンダを用いて、図中左方向から右方向にリアクタ容器１４を押さえて、リアクタ容器１４を第１の内部空間２２内で所定位置に固定するように構成されている。
【００２２】
成膜容器１２の底部１２ａの、図中右側側壁近傍には、底部１２ａから第１の内部空間２２内に立設部材３４が立設し、スペーサ３６を挟んでリアクタ容器１４の端を位置決めしている。リアクタ容器１４と立設部材３４との間には、Ｏリング３６ａ、スペーサ３６、Ｏリング３６ｂが順番に配置されている。立設部材３４の、リアクタ容器１４の開口と対応する位置には、ドア弁（第１の開閉ドア）３４ａを有する部材（第１の部材）が立設部材３４の一部として設けられている。この部材のドア弁３４ａが閉じられた状態では、第１の内部空間２２とリアクタ容器１４内の第２の内部空間１５とが隔離されている。ドア弁３４ａは、基板Ｓの搬入、搬出の際、シャッタ３０ａと連動して開放され、基板Ｓは、孔３０ｂ、貫通孔２８を通り、リアクタ容器１４内の第２の内部空間１５に搬入されて載置され、また第２の内部空間から基板Ｓが搬出される。また、原料ガスをリアクタ容器１４内に供給するとき、ドア弁３４ａは閉じられ、第２の内部空間１５は第２の内部空間２２に対して閉塞される。
このように、リアクタ容器１４の一方の端は、成膜容器１２の底部１２ａから第１の内部空間２２内を延びて立設する立設部材３４を基準として位置決めされ、成膜容器１２の側壁から第１の内部空間２２内を延びる固定部材３２が、他方の端から一方の端に向けて押さえることにより、リアクタ容器１４は成膜容器１２内の所定位置に位置決めされて固定される。
さらに、リアクタ容器１４の、スペーサ３６が設けられる側（図中右側）の端の開口の位置から、リアクタ容器１４の筒形状の長手方向に延長した成膜容器１２の側壁の部分には、上述したように、基板Ｓの搬入及び搬出を行う貫通孔２８が設けられている。この貫通孔２８に隣接して、成膜容器１２の外部に繋がるシャッタ３０ａが位置している。したがって、基板Ｓを搬入、搬出するとき、シャッタ３０ａ，３４ａが同時に開放されて、リアクタ容器１４内に基板Ｓを搬入し、あるいはリアクタ容器１４内から基板Ｓを搬出することができる。また、原料ガス導入時、シャッタ３０ａ，３４ａが同時に閉ざされて、第１の内部空間２２が第２の内部空間１５に対して閉塞され、さらに、第１の内部空間２２は、成膜容器１２の外部に対して閉塞されて、所定の圧力に維持される。
【００２３】
図中、第１の内部空間２２内のリアクタ容器１４の上方には、リアクタ容器１４に隣接してヒータ１６ａが設けられている。ヒータ１６ａは、リアクタ容器１４を通して第２の内部空間１５の後述する第１の層の空間１５ａに供給される原料ガスを加熱する。ヒータ１６ａの配線等は、成膜容器１２の上部に設けられた貫通孔４０を通して外部に引き出され図示されない電源に接続されている。
【００２４】
図中、第１の内部空間２２内のリアクタ容器１４の下方には、リアクタ容器１４に隣接してヒータ１６ｂが設けられている。ヒータ１６ｂは、リアクタ容器１４を通して第２の内部空間１５に載置される基板Ｓを加熱する。ヒータ１６ｂの配線等は、成膜容器１２の図示されない貫通孔を通して外部に引き出され図示されない電源に接続されている。
【００２５】
ヒータ１６ｂの図中下方には、成膜容器１２の底部１２ａから延びる支持機構４２が設けられ、リアクタ容器１４はヒータ１６ｂを介して第１の内部空間２２内の所定の高さに水平に配置されている。成膜容器１２の底部１２ａは、成膜容器１２の上側部分に対して、図示されない油圧シリンダ等の移動機構を介して分離可能に上下方向に移動する。図１は、底部１２ａが上昇した状態を示している。底部１２ａは、成膜容器１２の上側部分に対して、Ｏリング４４を境にして下降する。本実施形態では、底部１２ａのみが上側部分に分離可能に構成されている。しかし、底部１２ａを含む下側部分が、上側部分に分離して、成膜容器１２の内部にあるリアクタ容器１４を取り出すことができる限りにおいては、分離位置は特に制限されない。
【００２６】
リアクタ容器１４は、第１の内部空間２２内に設けられ、設定された圧力を維持する第２の内部空間１５を形成する。第２の内部空間１５は、シャッタ３４ａが閉じたとき第１の内部空間１２と隔離される。
リアクタ容器１４は、両端に開口を有する筒形状を成し、第１の内部空間２２内に水平に位置するように、支持機構４２により支持されている。リアクタ容器１４の筒形状の内側の空間には、仕切板１５ｃが設けられている。この仕切板１５ｃに基板Ｓを載置ことにより、第２の内部空間１５は、リアクタ容器１４の筒形状の長手方向に沿った第１の層の空間１５ａと第２の層の空間１５ｂとに分離されている。
【００２７】
リアクタ容器１４は、安定した材質の点から石英が好適に用いられる。また、基板Ｓをガラス基板とした場合、材料自体が略同じであるため、基板Ｓに異なる成分が付着する心配もない。
リアクタ容器１４内の第２の内部空間１５には、図中上側から順番に、第１の層の空間１５ａ、仕切板１５ｃ、第２の層の空間１５ｂ、および温度モニタ４６が設けられている。基板Ｓは仕切板１５ｃ上に載置される。
温度モニタ４６は、基板Ｓの温度を監視する熱電対で構成されている。モニタの信号は図示されない信号線を介して、成膜容器１４の外側に設けられたモニタ制御部に供給され、ヒータ１６ｂの制御を行う。
【００２８】
仕切板１５ｃの、スペーサ３６が用いられる側の端には、図２（ａ），（ｂ）に示されるように、基板Ｓを搬入及び搬出する搬送台車の基板載置先端のフォーク部１５ｄに対応して櫛歯状の切欠部１５ｅ，１５ｆが設けられている。すなわち、基板Ｓを仕切板１５ｃ上に載せるとき搬送台車１５ｄが確実に基板Ｓをリアクタ容器１４の内部に載置できるように、あるいは基板Ｓを仕切板１５ｃから搬出するとき、搬送台車１５ｄが基板Ｓを仕切板１５ｃから確実に取り出せるように、仕切板１５ｃの端が切り欠かれている。なお、図２（ａ），（ｂ）中の矢印は、基板Ｓの搬入方向である。
【００２９】
リアクタ容器１４の、固定部材３２が設けられる側（図１中の左側）の外側には、原料ガス供給ヘッド２０が設けられている。原料ガス供給ヘッド２０は、ヘッド取付部材３２ｃに取り付けられている。原料ガス供給ヘッド２０は、図３に示すように、原料ガスを放出する微小の孔を多数有するヘッド部２０ａと、ヘッド部２０ａに原料ガスを供給するガス供給管２０ｂとを有する。ガス供給管２０ｂは、成膜容器１２の外側に引き出されて、図示されないガス供給部に接続される。
ヘッド部２０ａは、第１の層の空間１５ａに原料ガスが流れるように、ヘッド部２０ａの高さと幅が定められている。原料ガスは、ＴＭＡ等の有機金属等のガスであり、基板に付着した有機金属の成分を酸化するＯ3等の酸化ガスを含む。また、原料ガス供給ヘッド２０は、原料ガスの置換を効率よく行うために、原料ガスの他に、Ｎ2ガス等のパージガスを流す。
【００３０】
また、上述したように、リアクタ容器１４に連通する排気部２６が原料ガス供給ヘッド２０の成膜容器１２の外側に設けられているので、原料ガスの排気のために、さらに第２の内部空間の圧力を維持するために、原料ガス等の吸引を行うと、スペーサ３６が設けられた側のリアクタ容器１４の端で原料ガスの流れは折り返されて、第１の層の下に設けられた第２の層の空間１５ｂ中を筒形状の長手方向に沿って、図１中の右側から左側に向けて流れる。
【００３１】
原料ガスは、第１の層の空間１５ａを通過するとき、基板Ｓ上を通過するので、原料ガス、例えばＴＭＡ等は基板Ｓに吸着される。また、加熱状態にあり活性化された酸化ガス等は、基板Ｓに吸着された原料ガスの成分を酸化することができる。原料ガスを流す領域は、ヒータ等が位置する第１の内部空間２２より狭い、リアクタ容器１４内の第２の内部空間１５の領域であり、基板Ｓ以外にリアクタ容器１４の内壁面にしか薄膜が形成されない。つまり、ＡＬＤ装置１０では、従来のように広範囲の領域に薄膜が形成されることはない。したがって容易にリアクタ容器１４を取り出すことにより容易にクリーニングすることができ、ＡＬＤ装置１０のメンテナンスが可能となる。
また、ＡＬＤ装置１０は、リアクタ容器１４内の第２の内部空間１５を第１の層の空間１５ａ及び第２の層の空間１５ｂに区分けして原料ガスを流すので、少ないガス供給量で均一な薄膜を形成することができるとともに、単位時間の成膜速度を向上させることができ、ガス供給量を低減することができる。
さらに、リアクタ容器１４の一方の端から原料ガスを供給し、さらにこの一方の端から余分な原料ガスを排気するので、リアクタ容器１４の他方の端の開口から基板Ｓの搬入、搬出を行う場合、リアクタ容器１４の薄膜が付着した内壁面を通過するパスが短くなり、基板Ｓ上にパーティクル等が落下し付着する可能性は小さくなる。
【００３２】
このようなＡＬＤ装置１０は、リアクタ容器１４のクリーニングを行う場合、底部１２ａが図示されない油圧シリンダ等の移動機構を介して下側に移動して、成膜容器１２の上側部分から分離される。このとき、固定部材３２によるリアクタ容器１４に対する押さえは除去される。これによりリアクタ容器１４の固定は解除され、底部１２ａに載っているリアクタ容器１４は、ヒータ１６ｂとともに下方に移動する。
【００３３】
図４は、リアクタ容器１４の底部１２ａが下降した状態を示している。下降したリアクタ容器１４は、ヒータ１６ｂから取り外される。このように、成膜容器１２内に設けたリアクタ容器１４を容易にとりだすことができるので、リアクタ容器１４のクリーニングを容易に行うことができる。クリーニングは、例えばウェットエッチング等を行う。
【００３４】
なお、第１の内部空間２２を減圧するのは、リアクタ容器１４の第２の内部空間１５との圧力差を小さくしてリアクタ容器１４を薄板で構成しても圧力差によるリアクタ容器１４の破損を防ぐためである。
【００３５】
以上、本発明の原子層成長装置について詳細に説明したが、本発明の原子層成長装置は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。
【符号の説明】
【００３６】
１０  原子層成長装置
１２  成膜容器
１４  リアクタ容器
１５  第２の内部空間
１５ａ  第１の層の空間
１５ｂ  第２の層の空間
１５ｃ  仕切板
１５ｄ  フォーク部
１５ｅ，１５ｆ  切欠部
１６ａ，１６ｂ  ヒータ
２０  原料ガス供給ヘッド
２０ａ  ヘッド部
２０ｂ  ガス供給管
２２  第１の内部空間
２４  排気部
２４ａ  排気口
２５，２８，４０  貫通孔
２６  排気口
２７  防着板
３０  側壁部材
３０ａ  シャッタ
３０ｂ  孔
３２  固定部材
３２ａ  角型ベローズ
３２ｂ  固定部本体
３２ｃ  ヘッド取付部材
３２ｄ，３６  スペーサ
３２ｅ，３２ｆ，３２ｇ，４４  Ｏリング
３２ｈ  フィルタ部
３４  立設部材
３４ａ  ドア弁
４２  支持機構
４６  温度モニタ
【図１】
2010212432.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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