(57)【要約】【課題】隣接する配線間及び配線と隣接するコンタクトプラグとの間に発生するリーク電流の低減、及びこれらの間の耐圧を向上させることができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板１１上には層間絶縁膜１２が形成され、層間絶縁膜１２内にはコンタクトプラグ１３が埋め込まれている。層間絶縁膜１２上には層間絶縁膜１４が形成されている。コンタクトプラグ１３上の層間絶縁膜１４に形成された溝内には、銅を含む配線層１５が形成されている。配線層１５間の層間絶縁膜１４内には、絶縁膜１６が形成されている。コンタクトプラグ１３は上面の一部に窪みを有し、絶縁膜１６は層間絶縁膜１４の上面からコンタクトプラグ１３が有する窪みまで形成されている。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上に形成された第１の層間絶縁膜と、
前記第１の層間絶縁膜内に埋め込まれたコンタクトプラグと、
前記第１の層間絶縁膜上に形成された第２の層間絶縁膜と、
前記コンタクトプラグ上の前記第２の層間絶縁膜に形成された溝内に埋め込まれた銅を含む配線層と、
前記配線層間の前記第２の層間絶縁膜内に形成された絶縁膜とを具備し、
前記コンタクトプラグは上面の一部に窪みを有し、前記絶縁膜は前記第２の層間絶縁膜の上面から前記コンタクトプラグが有する前記窪みまで形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記コンタクトプラグ上の前記配線層の側面に形成されたボトム膜をさらに具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ボトム膜上かつ、前記配線層の側面上に形成された側壁絶縁膜をさらに具備することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ボトム膜が導電体であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記配線層上及び前記絶縁膜上に形成されたトップ絶縁膜をさらに具備することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンタクトプラグとコンタクトプラグ上に形成された配線層とを備えた半導体装置に関するものであり、例えばビット線コンタクトとビット線コンタクト上に形成されたビット線とを備えたＮＡＮＤフラッシュメモリ等の半導体記憶装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ビット線等の配線にはダマシン配線が広く用いられている。このダマシン配線は、絶縁膜に形成された溝に配線材料を埋め込んだ後、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）により絶縁膜上を平坦化することによって、絶縁膜の溝内に形成された配線をいう。
【０００３】
しかし、近年、半導体装置の微細化が進み、ビット線とこれに隣接するビット線との間（もしくは、ビット線とこれに隣接するビット線コンタクトとの間）の距離が小さくなってくると、あるいはビット線とビット線コンタクトに合わせずれが生じると、ビット線間もしくはビット線と隣接ビット線コンタクト間にリーク電流が流れたり、これらの間の耐圧劣化によりショートの発生率が高くなってしまう。
【０００４】
さらに、ダマシン配線の配線底には、その深さ制御のために加工止めとなるストッパー膜を形成する場合がある。このような場合、ストッパー膜には例えばシリコン窒化膜が使用されている。このため、ビット線間、及びビット線と隣接ビット線コンタクト間にはシリコン窒化膜が存在する。
【０００５】
しかし、ビット線間、及びビット線と隣接ビット線コンタクト間にシリコン窒化膜が存在すると、このシリコン窒化膜中、もしくはシリコン窒化膜とその下部の絶縁膜との界面を介してリーク電流が流れたり、絶縁破壊によるショートの発生率が高くなってしまう。
【０００６】
なお、本発明に関する従来技術として、特許文献１には、配線層間にシリコン窒化膜を形成し、合わせずれが生じても、この配線層上に形成されるヴィアプラグと隣接配線層との間の距離を長く保つことができるようにした構造が記載されている。
【特許文献１】特開２００６−２９４９７９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、隣接する配線間、及び配線と隣接するコンタクトプラグとの間に発生するリーク電流の低減、及びこれらの間の耐圧を向上させることができる半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施態様の半導体装置は、半導体基板上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜内に埋め込まれたコンタクトプラグと、前記第１の層間絶縁膜上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記コンタクトプラグ上の前記第２の層間絶縁膜に形成された溝内に埋め込まれた銅を含む配線層と、前記配線層間の前記第２の層間絶縁膜内に形成された絶縁膜とを具備し、前記コンタクトプラグは上面の一部に窪みを有し、前記絶縁膜は前記第２の層間絶縁膜の上面から前記コンタクトプラグが有する前記窪みまで形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、隣接する配線間、及び配線と隣接するコンタクトプラグとの間に発生するリーク電流の低減、及びこれらの間の耐圧を向上させることができる半導体装置を提供することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。説明に際し、全図にわたり、共通する部分には共通する参照符号を付す。
【００１１】
［第１実施形態］
まず、本発明の第１実施形態の半導体装置について説明する。ここでは、コンタクトプラグとコンタクトプラグ上の配線が特徴となるため、それ以前の構造については割愛する。
【００１２】
図１は、第１実施形態の半導体装置の構造を示す断面図である。
【００１３】
図１に示すように、シリコン半導体基板１１上には、層間絶縁膜１２が形成されている。層間絶縁膜１２の表面領域には、コンタクトホールが形成されている。コンタクトホール内には、導電体、例えば金属もしくはポリシリコン等からなるコンタクトプラグ１３が形成されている。なお、コンタクトプラグ１３の下部に配線が接続されているが、便宜上省略している。
【００１４】
層間絶縁膜１２上には、さらに層間絶縁膜１４が形成されている。コンタクトプラグ１３上の層間絶縁膜１４内には、コンタクトプラグ１３に電気的に接続された配線層１５が形成されている。ここで、図１は合わせズレが生じた場合における図を示している。合わせズレが生じない場合は、配線層１５の全て下面はコンタクトプラグ１３の上面と接している。すなわち、配線層１５の下面とコンタクトプラグ１３の上面が接していない部分が有り、配線層１５の一部下面は層間絶縁膜１２と接し、コンタクトプラグ１３の一部上面は層間絶縁膜１４と接している。なお、合わせズレに限らずリソグラフィー工程のばらつきにより配線層１５の幅が設計値より小さく、またはコンタクトプラグ１３の幅が大きくなり、配線層１５の下面とコンタクトプラグ１３の上面が接していない部分が生じる場合も含まれる。
【００１５】
また、配線層１５はダマシン構造を有しており、断面形状が９０度より逆テーパ形状となっている。詳述すると、配線層１５の断面形状は、底面幅が上面幅より細い形状を有している。また、配線層１５が逆テーパ形状を有しているため、配線層１５の側面には層間絶縁膜１４が形成されることになる。
【００１６】
配線層１５間の層間絶縁膜１４には配線層１５をマスクとして自己整合的に形成された溝が形成され、この溝内には絶縁膜１６が形成されている。ここで、絶縁膜１６は、層間絶縁膜１４の上面から層間絶縁膜１２及びコンタクトプラグ１３の上面の一部に至り、層間絶縁膜１２及びコンタクトプラグ１３の内部まで延伸するように形成されている。言い換えると、配線層１５間の層間絶縁膜１２及びコンタクトプラグ１３の上面の一部が窪み、窪み部分に絶縁膜１６が入り込むように形成されている。また、絶縁膜１６の上部の一部側面が配線層１５と接し、下部の側面がコンタクトプラグ１３と接し、上部と下部の間の側面は層間絶縁膜１４と接している。
【００１７】
このような構造を有する半導体装置では、隣接する配線層１５間、及び配線層１５とこれに隣接するコンタクトプラグ１３との間に絶縁膜１６が形成され、また配線層１５に最も近い、隣接するコンタクトプラグ１３の角部が除去され、この除去された角部に絶縁膜１６が形成されている。これにより、隣接する配線層１５間、及び配線層１５と隣接するコンタクトプラグ１３との直線距離や絶縁膜界面距離が広がり、リーク電流を低減し、さらにこれらの間の耐圧を向上させることができる。
【００１８】
次に、第１実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。
【００１９】
図２〜図８は、第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す各工程の断面図である。
【００２０】
半導体基板１１上の下地構造を絶縁膜１２、例えばシリコン酸化膜で埋め込み、図２に示すように、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）により層間絶縁膜１２上を平坦化する。続いて、リソグラフィー法、及び異方性エッチング法、例えばＲＩＥ（Reactive Ion Etching）により、図３に示すように、層間絶縁膜１２にコンタクトホール１３Ａを形成する。続いて、コンタクトホール１３Ａを金属（例えば、タングステン(Ｗ)）もしくはポリシリコン等の導電膜で埋め込み、図４に示すように、層間絶縁膜１２上をＣＭＰにより平坦化する。これにより、層間絶縁膜１２のコンタクトホール１３Ａ内にコンタクトプラグ１３を形成する。
【００２１】
次に、ダマシン配線を形成するために層間絶縁膜１４、例えばシリコン酸化膜を、図５に示すように、層間絶縁膜１２上及びコンタクトプラグ１３上に堆積する。続いて、図６に示すように、リソグラフィー法、及び異方性エッチング法、例えばＲＩＥにより、層間絶縁膜１４に配線溝１５Ａを形成する。このエッチングにより、配線溝１５Ａの断面形状は９０度より逆テーパ形状となる。すなわち、ダマシン配線の断面形状は逆テーパとなっているといえる。続いて、配線溝１５Ａに導電膜（例えば、銅(Ｃｕ)、アルミニウム(Ａｌ)、タングステン(Ｗ)、チタン（Ｔｉ）、 窒化チタン（ＴｉＮ）、タンタル（Ｔａ）、 窒化タンタル（ＴａＮ）、ルテニウム（Ｒｕ）等）を埋め込み、図７に示すように、層間絶縁膜１４上をＣＭＰにより平坦化する。これにより、層間絶縁膜１４の配線溝１５Ａ内にダマシン構造を有する配線層（ダマシン配線）１５を形成する。特に、ＲＩＥ等の異方性エッチングでエッチングできない銅等の配線はダマシン配線でしか形成できない。
【００２２】
次に、埋め込まれた配線層１５をマスクとして、図８に示すように、ＲＩＥにより配線層１５間の層間絶縁膜１４、さらに層間絶縁膜１２及びコンタクトプラグ１３の一部をエッチングして溝１６Ａを形成する。このエッチングでは、層間絶縁膜１４をエッチングし、さらに層間絶縁膜１２及びコンタクトプラグ１３の表面の一部から所定の深さまでエッチングする。この工程において、溝１６Ａは配線層１５をマスクとして自己整合的に形成されるので配線層１５と合わせズレが生じることがない。
【００２３】
続いて、溝１６Ａ内に絶縁膜１６、例えばシリコン酸化膜を埋め込み、図１に示すように、層間絶縁膜１４上をＣＭＰにより平坦化する。これにより、溝１６Ａ内に絶縁膜１６を形成する。以上により、第１実施形態の半導体装置が製造される。
【００２４】
次に、第１実施形態における第１変形例の半導体装置について説明する。
【００２５】
図９は、第１実施形態における第１変形例の半導体装置の構造を示す断面図である。
【００２６】
図９に示すように、コンタクトプラグ１３上及び層間絶縁膜１２上の配線層１５の側面に、ストッパー膜（ボトム膜）１７が形成されている。また、このストッパー膜は配線層１５間において絶縁膜１６により分断されている。また、ストッパー膜１７は配線層１５の下部の側面と接し、下面はコンタクトプラグ１３と接し、上面は層間絶縁膜１４と接している。ストッパー膜１７は、例えばシリコン窒化膜などの絶縁膜、またはポリシリコン膜、タングステン(Ｗ)、アルミニウム(Ａｌ)、チタン(Ｔｉ)、窒化チタン(ＴｉＮ)、窒化タンタル(ＴａＮ)などの導電膜からなる。すなわち、配線層１５及び層間絶縁膜１４とエッチング選択比が取れる材料であれば良い。その他の構造は第１実施形態と同様である。
【００２７】
次に、第１実施形態における第１変形例の半導体装置の製造方法について説明する。
【００２８】
図２〜図４、図１０〜図１５は、第１実施形態における第１変形例の半導体装置の製造方法を示す各工程の断面図である。
【００２９】
図２〜図４までの工程は前述した第１実施形態と同様であるため、説明を省略する。図４に示した層間絶縁膜１２上及びコンタクトプラグ１３上に、図１０に示すように、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法あるいはスパッタ法によりストッパー膜１７を形成する。ストッパー膜１７には、配線層１５の配線材料、例えば銅に対してエッチングレートで選択比が取れる膜を用いる。また、ダマシン配線を形成する際に配線層１５の高さバラツキを防ぐために、層間絶縁膜１４に対してエッチングレートで選択比が取れる膜を用いる。
【００３０】
次に、ダマシン配線を形成するために、層間絶縁膜１４、例えばシリコン酸化膜を図１１に示すように、ストッパー膜１７上に堆積する。続いて、図１２に示すように、リソグラフィー法、及び異方性エッチング法、例えばＲＩＥにより、層間絶縁膜１４に配線溝１５Ｂを形成する。このＲＩＥによるエッチングでは、ストッパー膜１７を用いて配線溝１５Ｂの深さを揃える。すなわち、ストッパー膜１７のエッチングレートが小さい条件で層間絶縁膜１４をエッチングし、ストッパー膜１７に到達したら、エッチングを一時ストップする。続いて、図１３に示すように、ＲＩＥによりストッパー膜１７をエッチングする。
【００３１】
このように一旦、ストッパー膜１７で配線溝１５Ｂの深さを揃えることにより、配線底とコンタクトプラグ１３の接触部分の段差（深さ）のばらつきが小さくなるようにする。さらに、層間絶縁膜１２及びコンタクトプラグ１３のエッチングレートが小さい条件でストッパー膜１７をエッチングすることにより、配線底とコンタクトプラグ１３の接触部分の段差（深さ）のばらつきが小さくできる。これにより、配線溝１５Ｂへの配線材料の埋め込み性がよくなる。また、後に形成する配線層１５とコンタクトプラグ１３との接触面積のばらつきを低減することができる。
【００３２】
続いて、配線溝１５Ｂに導電膜（例えば、銅(Ｃｕ)、アルミニウム(Ａｌ) 、タングステン(Ｗ)、チタン（Ｔｉ）、 窒化チタン（ＴｉＮ）、タンタル（Ｔａ）、 窒化タンタル（ＴａＮ）、ルテニウム（Ｒｕ）等）を埋め込み、図１４に示すように、層間絶縁膜１４上をＣＭＰにより平坦化する。これにより、層間絶縁膜１４の配線溝１５Ｂ内に配線層（ダマシン配線）１５を形成する。
【００３３】
次に、埋め込まれた配線層１５をマスクとして、図１５に示すように、ＲＩＥにより配線層１５間の層間絶縁膜１４、ストッパー膜１７、層間絶縁膜１２及びコンタクトプラグ１３の一部をエッチングして溝１６Ｂを形成する。このエッチングでは、層間絶縁膜１４をエッチングし、さらにストッパー膜１７をエッチングした後、層間絶縁膜１２及びコンタクトプラグ１３の表面の一部から所定の深さまでエッチングする。
【００３４】
ここで、ストッパー膜１７のエッチングを層間絶縁膜１２及びコンタクトプラグ１３のエッチングレートが小さくなるような条件で行い、その後、配線底とコンタクトプラグ１３のエッチングを行なうことにより、層間絶縁膜１２及びコンタクトプラグ１３の表面からの深さ制御を向上させることができる。また、ストッパー膜１７のエッチング後、エッチング条件を層間絶縁膜１２及びコンタクトプラグ１３のエッチングレートが高くなるように変更してエッチングを行なうことも可能である。
【００３５】
これにより、隣接する配線層１５間、及び配線層１５と隣接するコンタクトプラグ１３との間のストッパー膜１７、例えばシリコン窒化膜が切断され、これまで問題となっていたリーク電流を低減でき、また耐圧を向上させることができる。
【００３６】
続いて、溝１６Ｂに絶縁膜１６、例えばシリコン酸化膜を埋め込み、図９に示すように、層間絶縁膜１４上をＣＭＰにより平坦化する。これにより、溝１６Ｂ内に絶縁膜１６を形成する。以上により、第１実施形態における第１変形例の半導体装置が製造される。
【００３７】
第１変形例では、層間絶縁膜１２上及びコンタクトプラグ１３上に、層間絶縁膜１４に対してエッチングレートで選択比が取れるストッパー膜１７を形成しているため、配線溝形成のためのエッチングをストッパー膜１７で一旦ストップし、その後、ストッパー膜１７をエッチングすることができる。これにより、配線溝１６Ｂの深さのばらつきを小さくすることができる。この結果、配線溝への金属膜の埋め込み性が面内で安定して形成できる。さらに配線層１５とコンタクトプラグ１３との接触面積のばらつきも小さくでき、コンタクト抵抗のばらつきを低減することができる。
【００３８】
さらに、層間絶縁膜１２上及びコンタクトプラグ１３上に形成するストッパー膜１７に導電膜を用いれば、コンタクトプラグ１３と、配線層１５及びストッパー膜１７とのコンタクト抵抗を小さくすることができる。
【００３９】
また、図１６は、第１実施形態における第２変形例の半導体装置の構造を示す断面図である。
【００４０】
この第２変形例は、図９に示した配線層１５上、絶縁膜１６上、及び層間絶縁膜１４上に、図１６に示すように、バリア膜（トップ絶縁膜）１８（例えばシリコン窒化膜）が形成されている。さらに、配線層１５は銅(Ｃｕ)から形成されている。
【００４１】
第２変形例によれば、銅からなる配線層１５上にバリア膜１８が形成されているため、銅が酸化したり、拡散したりするのを防ぐことができる。その他の構造及び効果は、第１実施形態の第１変形例と同様である。
【００４２】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態の半導体装置について説明する。第１実施形態における構成と同様の部分には同じ符号を付してその説明は省略する。
【００４３】
図１７は、本発明の第２実施形態の半導体装置の構造を示す断面図である。
【００４４】
図１７に示すように、層間絶縁膜１２上及びコンタクトプラグ１３上の配線層１５の側面に、導電膜からなるストッパー膜（ボトム膜）１７が形成されている。さらに、ストッパー膜１７上、かつ、配線層１５の側面上に層間絶縁膜１４を介して側壁絶縁膜１９、例えばシリコン窒化膜が形成されている。この側壁絶縁膜１９の層間絶縁膜１４と接する側の反対側の側面は絶縁膜１６と接している。また、ストッパー膜１７の上面の幅は、層間絶縁膜１４の下面と側壁絶縁膜１９の下面の幅を足した値になる。その他の構造は第１実施形態における第１変形例と同様である。
【００４５】
第２実施形態では、配線層１５の側面上に側壁絶縁膜１９が形成されているため、図９に示した第１実施形態の第１変形例よりも側壁絶縁膜１９分だけ絶縁膜１６を細くすることができる。その結果、コンタクトプラグ１３と、配線層１５及びストッパー膜１７とのコンタクト抵抗を小さくすることができる。
【００４６】
次に、第２実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。
【００４７】
図２〜図４、図１０〜図１４、図１８〜図２０は、第２実施形態の半導体装置の製造方法を示す各工程の断面図である。
【００４８】
図２〜図４、図１０〜図１４までの工程は前述した第１実施形態の第１変形例と同様であるため、説明を省略する。図１４に示すように、埋め込まれた配線層１５をマスクとして、図１８に示すように、ＲＩＥにより配線層１５間の層間絶縁膜１４をエッチングして溝１６Ｃを形成する。このエッチングでは、層間絶縁膜１４をエッチングし、ストッパー膜１７に到達したら、エッチングをストップする。
【００４９】
次に、図１８に示した構造上に絶縁膜を堆積する。続いて、堆積した絶縁膜を異方性エッチング、例えばＲＩＥ等によりエッチングし、図１９に示すように、配線層１５の側面上に側壁絶縁膜１９を残す。なお、側壁絶縁膜１９としては、ストッパー膜１７とエッチング選択比が取れる材料、例えばシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜が用いられる。
【００５０】
その後、図１９に示した配線層１５及び側壁絶縁膜１９をマスクとして、図２０に示すように、ＲＩＥにより側壁絶縁膜１９間のストッパー膜１７、層間絶縁膜１２及びコンタクトプラグ１３の一部をエッチングして溝１６Ｄを形成する。
【００５１】
ここで、ストッパー膜１７のエッチングを層間絶縁膜１２及びコンタクトプラグ１３のエッチングレートが小さくなるような条件で行い、その後、配線底とコンタクトプラグ１３のエッチングを行なうことにより、層間絶縁膜１２及びコンタクトプラグ１３の表面からの深さ制御を向上させることができる。また、ストッパー膜１７のエッチング後、エッチング条件を層間絶縁膜１２及びコンタクトプラグ１３のエッチングレートが高くなるように変更してエッチングを行なうことも可能である。
【００５２】
続いて、溝１６Ｄに絶縁膜１６、例えばシリコン酸化膜を埋め込み、図１７に示すように、層間絶縁膜１４上をＣＭＰにより平坦化する。これにより、溝１６Ｄ内に絶縁膜１６を形成する。以上により、第２実施形態の半導体装置が製造される。
【００５３】
次に、第２実施形態における変形例の半導体装置を説明する。
【００５４】
図２１は、第２実施形態における変形例の半導体装置の構造を示す断面図である。
【００５５】
この変形例は、図１７に示した配線層１５上、絶縁膜１６上、及び層間絶縁膜１４上に、図２１に示すように、バリア膜（トップ絶縁膜）１８、例えばシリコン窒化膜が形成されている。さらに、配線層１５は銅(Ｃｕ)から形成されている。
【００５６】
この変形例によれば、銅からなる配線層１５上にバリア膜１８が形成されているため、銅が酸化したり、拡散したりするのを防ぐことができる。その他の構造及び効果は第２実施形態と同様である。
【００５７】
また、前述した各実施形態はそれぞれ、単独で実施できるばかりでなく、適宜組み合わせて実施することも可能である。さらに、前述した各実施形態には種々の段階の発明が含まれており、各実施形態において開示した複数の構成要件の適宜な組み合わせにより、種々の段階の発明を抽出することも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】本発明の第１実施形態の半導体装置の構造を示す断面図である。
【図２】第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す各工程の断面図である。
【図３】第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す各工程の断面図である。
【図４】第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す各工程の断面図である。
【図５】第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す各工程の断面図である。
【図６】第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す各工程の断面図である。
【図７】第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す各工程の断面図である。
【図８】第１実施形態の半導体装置の製造方法を示す各工程の断面図である。
【図９】第１実施形態の第１変形例の半導体装置の構造を示す断面図である。
【図１０】第１実施形態の第１変形例の半導体装置の製造方法を示す各工程の断面図である。
【図１１】第１実施形態の第１変形例の半導体装置の製造方法を示す各工程の断面図である。
【図１２】第１実施形態の第１変形例の半導体装置の製造方法を示す各工程の断面図である。
【図１３】第１実施形態の第１変形例の半導体装置の製造方法を示す各工程の断面図である。
【図１４】第１実施形態の第１変形例の半導体装置の製造方法を示す各工程の断面図である。
【図１５】第１実施形態の第１変形例の半導体装置の製造方法を示す各工程の断面図である。
【図１６】第１実施形態の第２変形例の半導体装置の構造を示す断面図である。
【図１７】本発明の第２実施形態の半導体装置の構造を示す断面図である。
【図１８】第２実施形態の半導体装置の製造方法を示す各工程の断面図である。
【図１９】第２実施形態の半導体装置の製造方法を示す各工程の断面図である。
【図２０】第２実施形態の半導体装置の製造方法を示す各工程の断面図である。
【図２１】第２実施形態の変形例の半導体装置の構造を示す断面図である。
【符号の説明】
【００５９】
１１…シリコン半導体基板、１２…層間絶縁膜、１３…コンタクトプラグ、１４…層間絶縁膜、１５…配線層、１５Ａ…配線溝、１５Ｂ…配線溝、１６…絶縁膜、１６Ａ…溝、１６Ｂ…溝、１６Ｃ…溝、１６Ｄ…溝、１７…ストッパー膜（ボトム膜）、１８…バリア膜（トップ絶縁膜）、１９…側壁絶縁膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2010092987.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
2010092987.tif 000017
【図１６】
2010092987.tif 000018
【図１７】
2010092987.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
2010092987.tif 000021
【図２０】
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【図２１】
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