(57)【要約】【課題】カラーフィルタ基板上の欠陥部に塗布された修正液を均一に焼成する。【解決手段】チャック９上に基板１を固定し、欠陥位置座標に基づいて欠陥部に塗布針５を用いて修正液を塗布する。欠陥部に塗布された修正液を加熱装置によって局所加熱して焼成する。焼成の工程では、欠陥部の位置と焼成条件（基板１とチャック９との接触/非接触の態様に従う焼成条件）が予め設定されたマッピングデータを、欠陥部の欠陥位置座標に基づき検索して、対応する焼成条件を読出し、読出した焼成条件に基づき加熱装置８のパワーを最適に設定して欠陥部を局所加熱して焼成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に格子状のブラックマトリクスを形成する第１の工程と、前記ブラックマトリクスで囲まれた各領域に着色部を形成する第２の工程とを含むカラーフィルタの製造工程において、前記第２の工程の後に、平面の板状の固定部材の表面に予め固定された前記基板上における欠陥を修正するための装置であって、
前記欠陥を認識する認識部と、
前記認識部で認識された欠陥に、修正液を接触させて塗布する修正液塗布部と、
前記修正液塗布部で修正液が塗布された前記欠陥に対して、光線を照射することにより前記修正液を焼成する加熱部とを備え、
前記加熱部は、
前記認識部で認識された前記欠陥の前記基板上の位置を指す位置データに基づき、前記基板の各部の前記基板上の部分位置に対応して焼成条件を予め格納したマッピングデータを検索し、当該位置データが指示する前記部分位置に対応する前記焼成条件を前記マッピングデータから読出し、読出した焼成条件に基づき前記欠陥に対して照射する前記光線の強度および照射時間を制御する、カラーフィルタの欠陥修正装置。
【請求項２】
前記マッピングデータの前記焼成条件は、対応する前記基板の部分と前記固定部材との接触の態様に応じた前記基板からの放熱性に基づき決定される、請求項１に記載のカラーフィルタの欠陥修正装置。
【請求項３】
前記固定部材と非接触状態にある前記基板の部分に対して照射される前記光線の強度は、前記固定部材と接触状態にある前記基板の部分に対して照射される前記光線の強度よりも低い、請求項２に記載のカラーフィルタの欠陥修正装置。
【請求項４】
前記固定部材の表面に載置された前記基板を、前記表面から上昇させるためのリフタを備え、
前記リフタは、前記固定部材に予め形成された貫通孔内を上下可能に配置され、前記基板は、前記貫通孔上の第１領域部分と前記貫通孔上以外の第２領域部分とに区分けされ、前記マッピングデータには、前記第１領域部分および前記第２領域部分のそれぞれの位置に対応して前記焼成条件が予め格納される、請求項１から３のいずれかに記載のカラーフィルタの欠陥修正装置。
【請求項５】
前記欠陥は、前記着色部の一部が欠落した白欠陥を指す、請求項１から４のいずれかに記載のカラーフィルタの欠陥修正装置。
【請求項６】
基板上に格子状のブラックマトリクスを形成する第１の工程と、前記ブラックマトリクスで囲まれた各領域に着色部を形成する第２の工程とを含むカラーフィルタの製造工程において、前記第２の工程の後に、平面の板状の固定部材の表面に予め固定された前記基板上における欠陥を修正するための方法であって、
前記欠陥を認識するステップと、
認識された欠陥に、修正液を接触させて塗布するステップと、
前記修正液が塗布された前記欠陥に対して、光線を照射することにより前記修正液を焼成するステップとを備え、
前記修正液を焼成するステップでは、
前記認識された前記欠陥の前記基板上の位置を指す位置データに基づき、前記基板の各部の前記基板上の部分位置に対応して焼成条件を予め格納したマッピングデータを検索し、当該位置データが指示する前記部分位置に対応する前記焼成条件を前記マッピングデータから読出し、読出した焼成条件に基づき前記欠陥に対して照射する前記光線の強度および照射時間を制御する、カラーフィルタの欠陥修正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、カラーフィルタの欠陥修正装置および方法に関し、特に、カラーフィルタ基板上に形成されたパターンの欠陥部を修正する際に、欠陥部に修正液を塗布し、塗布された修正液を局所加熱して焼成する工程に適用されるカラーフィルタの欠陥修正装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイの代表例として液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ、ＥＬ（Electro luminescence）ディスプレイなどが知られている。これらの製造過程においてはディスプレイの大型化、高精細化により画素数が増大する傾向にあり、これに伴って欠陥の存在確立が高くなっており、歩留まりを向上するために修正技術が求められている。
【０００３】
たとえば、特許文献１または特許文献２に提案される技術がある。これら文献では、液晶カラーフィルタ基板の着色層の一部が色抜けした白欠陥を修正する方法として、針の先端に修正液（修正用インク）を付着させた後、その塗布針を欠陥部（白欠陥）に押し当てて修正液を塗布するものや、ディスペンサノズルで修正液を欠陥部に流し込む。
【０００４】
ここで、色抜け欠陥部は、必要に応じて、修正が容易なようにレーザ加工によって予め欠陥形状よりも少し大きめの矩形形状で色抜け欠陥に加工される。その後、加工された欠陥部に対して修正液が塗布される。その後、修正液が塗布された欠陥部は、局所加熱による焼成による硬化が行われる。なお、使用する修正液の種類によっては、ＵＶ（Ultraviolet）スペクトル照射による硬化後、それに続けて局所加熱による焼成が行われる。
【０００５】
この焼成の技術は、たとえば特許文献３に開示される。特許文献３では、修正液が塗布された欠陥部を局所加熱して焼成する場合、同じ条件で焼成すると、焼成むらを生じ易いため、加熱源からの光線をスポット状に絞ることが可能なＩＲ（Infrared radiation）ヒータと、非接触の温度計を用いて焼成むらを防止する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平９−２３６９３３号公報
【特許文献２】特開２００６−１４５７８６号公報
【特許文献３】特開２００８−１８０８６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献３では、欠陥部を加熱により焼成する際に、加熱される修正部（欠陥部）の実温度を非接触の温度計を用いて測定する。測定結果が指す実温度が設定温度になるようにＩＲヒータの強度を調整するフィードバック制御が行われるため、制御が煩雑となり、特別に実温度を測定する機器を用意する必要がある。また、修正部のような微小面積の温度を精度良く測定することは難しく、その温度管理も難しい。
【０００８】
この発明はこのような課題を解消し、温度測定機器など特別な機器を追加することなく、欠陥部に塗布された修正液を均一に焼成することができるカラーフィルタの欠陥修正装置および方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明のある局面に従う、基板上に格子状のブラックマトリクスを形成する第１の工程と、ブラックマトリクスで囲まれた各領域に着色部を形成する第２の工程とを含むカラーフィルタの製造工程において、第２の工程の後に、平面の板状の固定部材の表面に予め固定された前記基板上における欠陥を修正するための装置は、前記欠陥を認識する認識部と、認識部で認識された欠陥に、修正液を接触させて塗布する修正液塗布部と、修正液塗布部で修正液が塗布された欠陥に対して、光線を照射することにより修正液を焼成する加熱部とを備える。
【００１０】
なお、認識部は、画像処理によって欠陥を認識するか、または、予め検出されて与えられる欠陥位置情報に基づき欠陥を認識する。
【００１１】
そして、加熱部は、認識部で認識された欠陥の基板上の位置を指す位置データに基づき、基板の各部の基板上の部分位置に対応して焼成条件を予め格納したマッピングデータを検索し、当該位置データが指示する部分位置に対応する焼成条件をマッピングデータから読出し、読出した焼成条件に基づき欠陥に対して照射する光線の強度および照射時間を制御する。
【００１２】
好ましくは、マッピングデータの焼成条件は、対応する基板の部分と固定部材との接触の態様に応じた基板からの放熱性に基づき決定される。
【００１３】
好ましくは、固定部材と非接触状態にある基板の部分に対して照射される光線の強度は、固定部材と接触状態にある基板の部分に対して照射される光線の強度よりも低い。
【００１４】
好ましくは、固定部材の表面に載置されたは基板を、表面から上昇させるためのリフタを備え、リフタは、固定部材に予め形成された貫通孔内を上下可能に配置され、基板は、貫通孔上の第１領域部分と貫通孔上以外の第２領域部分とに区分けされ、マッピングデータには、第１領域部分および第２領域部分のそれぞれの位置に対応して焼成条件が予め格納される。
【００１５】
好ましくは、欠陥は、着色部の一部が欠落した白欠陥を指す。
この発明の他の局面に従う、基板上に格子状のブラックマトリクスを形成する第１の工程と、ブラックマトリクスで囲まれた各領域に着色部を形成する第２の工程とを含むカラーフィルタの製造工程において、第２の工程の後に、平面の板状の固定部材の表面に予め固定された基板上における欠陥を修正するための方法は、画像処理によって欠陥を認識するステップと、認識された欠陥に、修正液を接触させて塗布するステップと、修正液が塗布された欠陥に対して、光線を照射することにより修正液を焼成するステップとを備える。
【００１６】
修正液を焼成するステップでは、認識された欠陥の基板上の位置を指す位置データに基づき、基板の各部の基板上の部分位置に対応して焼成条件を予め格納したマッピングデータを検索し、当該位置データが指示する部分位置に対応する焼成条件をマッピングデータから読出し、読出した焼成条件に基づき欠陥に対して照射する光線の強度および照射時間を制御する。
【００１７】
この発明のさらに他の局面に従うと、基板上に格子状のブラックマトリクスを形成する第１の工程と、ブラックマトリクスで囲まれた各領域に着色部を形成する第２の工程とを含むカラーフィルタの製造工程において、第２の工程の後に、平面の板状の固定部材の表面に予め固定された基板上における欠陥を修正するための修正部を備えるカラーフィルタ製造装置では、修正部は、画像処理によって欠陥を認識する認識部と、認識部で認識された欠陥に、修正液を接触させて塗布する修正液塗布部と、修正液塗布部で修正液が塗布された欠陥に対して、光線を照射することにより修正液を焼成する加熱部とを含み、加熱部は、認識部で認識され欠陥の基板上の位置を指す位置データに基づき、基板の各部の基板上の部分位置に対応して焼成条件を予め格納したマッピングデータを検索し、当該位置データが指示する部分位置に対応する焼成条件をマッピングデータから読出し、読出した焼成条件に基づき欠陥に対して照射する光線の強度および照射時間を制御する。
【００１８】
この発明のさらに他の局面に従う、基板上に格子状のブラックマトリクスを形成する第１の工程と、ブラックマトリクスで囲まれた各領域に着色部を形成する第２の工程とを備えるカラーフィルタの製造工程において、第２の工程の後に、平面の板状の固定部材の表面に予め固定された基板上における欠陥を修正するための修正工程をさらに備えるカラーフィルタ製造方法では、修正工程は、画像処理によって欠陥を認識するステップと、認識された欠陥に、修正液を接触させて塗布するステップと、修正液が塗布された欠陥に対して、光線を照射することにより修正液を焼成するステップとを含む。
【００１９】
修正液を焼成するステップでは、認識された欠陥の基板上の位置を指す位置データに基づき、基板の各部の基板上の部分位置に対応して焼成条件を予め格納したマッピングデータを検索し、当該位置データが指示する部分位置に対応する焼成条件を前記マッピングデータから読出し、読出した焼成条件に基づき欠陥に対して照射する光線の強度および照射時間を制御する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、カラーフィルタ基板の欠陥に修正液を塗布した後で、欠陥を加熱して焼成する場合、欠陥位置に応じて焼成条件を選択的に適用することができるので、均一に焼成可能となり、焼成の程度のばらつき防止が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】この発明の一実施の形態に係る欠陥修正のシステム構成を外観とともに示す図である。
【図２】図１で示したレーザ照射機構２３とインク硬化用光源の具体例を示す図である。
【図３】本実施の形態に係るホストコンピュータの機能構成と、ホストコンピュータと他の各部との接続態様を示す図である。
【図４】ホストコンピュータにおける加熱装置を制御するための機能構成図である。
【図５】マッピングデータの構成図である。
【図６】マッピングデータの座標データについて説明する図である。
【図７】本実施の形態に係る欠陥部修正の処理手順を指すフローチャートである。
【図８】加熱処理の手順を指すフローチャートである。
【図９】欠陥画素を特定する方法を説明するための図である。
【図１０】欠陥画素を特定する方法を説明するための図である。
【図１１】カラーフィルタ基板に発生した着色層の色抜け欠陥を示す図である。
【図１２】（Ａ）と（Ｂ）は、カラーフィルタ基板をチャックに搬入出する際の状態を示す図である。
【図１３】（Ａ）と（Ｂ）は、カラーフィルタ基板の各部の位置と焼成条件を事前にマッピングした状態を模式的に示す図である。
【図１４】欠陥部の形成状態を説明する図である。
【図１５】（Ａ）と（Ｂ）は、白抜け欠陥部に修正液を塗布する方法を示す図である。
【図１６】欠陥部を加熱装置によって焼成する状態を説明する図である。
【図１７】加熱工程を説明するための模式図である。
【図１８】（Ａ）と（Ｂ）は、カラーフィルタ基板とチャックとが接触、あるいは非接触の状態での加熱状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、図面において同一または相当部分には同一符号を付して説明する。
【００２３】
図１はこの発明の一実施の形態に係る欠陥修正のシステム構成を外観とともに示す図である。図１において、システムは、システム全体を制御および監視するためのホストコンピュータ３００と、カラーフィルタ基板１（以下、基板と略す）を搭載し、基板上に形成されたパターンの欠陥部を修正する機構を有するパターン修正装置１８を備える。パターン修正装置１８は、大きく分類すると、レーザおよびその光学系からなるレーザ照射機構２３と、白欠陥の穴埋め用インクを塗布するためにその先端が平坦に形成された塗布針５を有するインク塗布機構と、欠陥を認識するための画像処理機構１００と、パターン修正装置１８を制御する制御用コンピュータ２００から構成される。
【００２４】
パターン修正装置１８は、定盤１９の中央部にチャック９が設けられる。チャック９は、厚みが一様な平面の板状部材であり、基板１をその表面に固定して搬送するためのものである。チャック９は、たとえば、ガラスまたはアルミニウムなどの金属材料からなる。
【００２５】
チャック９はリフタ１０を備え、基板１をチャック９の表面よりも上に上昇させる機能を有する。また、基板１上で位置決め可能なガントリ型のＸＹステージ２０は、図中Ｘ軸方向に移動するＸ軸ステージ２０ａと、図中Ｙ軸方向に移動可能な門型形状のＹ軸ステージ２０ｂからなる。Ｘ軸ステージ２０ａには、Ｚ軸に沿う上下に移動可能なＺ軸ステージ２１が固定される。Ｚ軸ステージ２１には、観察光学系２２、レーザ照射機構２３が搭載される。レーザ照射機構２３からのレーザの照射によって、基板１に生じた欠陥部の形状を整形可能とする。
【００２６】
また、Ｚ軸２１には、ＸＹＺステージ２４が固定される。ＸＹＺステージ２４には塗布針５を含むインク塗布機構が搭載される。さらに、欠陥部に塗布された修正液を局所的に加熱することにより、修正液を高熱で焼いて性質に変化を生じさせる、すなわち硬化させる（以下、これを焼成という）ための加熱装置８が搭載される。
【００２７】
加熱装置８は、硬化用光源５１０を内蔵する。硬化用光源５１０にはハロゲンランプを適用し、ハロゲンヒータからの光線がワークに照射される。たとえばハロゲンランプから放射される光を熱として利用するハロゲンヒータを有する。ハロゲンランプを後述のパワー信号ＳＰおよび加熱時間信号ＳＴによって制御することにより、基板１に対し放射される熱量を制御する。
【００２８】
硬化用光源５１０は、直接欠陥部に光を照射する。焼成する際には、観察位置からオフセット移動して、加熱装置８と欠陥部とを対峙させてから加熱（光照射）が行われる。この場合、照射光のスポットに関しては欠陥形状よりも大きな照射形状になるが、支障はない。たとえば、１ｍｍ程度の照射径となる。
【００２９】
図２は、図１で示したレーザ照射機構２３と観察光学系２２の具体例を示す図である。レーザ５０１として一般にＹＡＧレーザが用いられ、このレーザ５０１から出力されるレーザ光はビーム拡大機構５０２で拡大された後、フィルタ５０３、ビームスプリッタ５０４、スリット機構５０５、ビームスプリッタ５０６、結像レンズ５０７、ビームスプリッタ５０８および対物レンズ５０９を通過し、ワーク（本実施の形態の場合は、基板１）上に照射される。ビームスプリッタ５０６に関連してＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラ５１１が設けられ、ワークからの反射光が撮像される。
【００３０】
インクを硬化するための光源の種類や設置場所は、インクの種類など各種条件により適宜選択される。インクが紫外線硬化樹脂の場合は紫外線光源を用いて、熱硬化樹脂の場合は可視あるいは赤外光源を用いればよい。
【００３１】
図３には、本実施の形態に係るホストコンピュータ３００の機能構成と、ホストコンピュータ３００と他の各部との接続態様を示す図である。ホストコンピュータ３００は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）３０１、プログラムおよび各種データを格納するメモリ３０２、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）または液晶などの情報・データ表示のためのディスプレイからなるモニタ３０３、外部から指示・情報を入力するために操作されるキーボード・マウスなどからなる操作部３０４、および通信Ｉ／Ｆ（Interface）３０５を備える。通信Ｉ／Ｆ３０５は、外部の画像処理機構１００のコンピュータ、制御用コンピュータ２００およびパターン修正装置１８との間で通信路３０６を経由してデータ・情報を通信により入出力する。メモリ３０２には、後述する欠陥位置座標データ１４およびマッピングデータ１５が格納される。
【００３２】
図４には、ホストコンピュータ３００における加熱装置８を制御するための機能構成が示される。図４の機能はメモリ３０２に予め格納されたプログラムにより実現される。ＣＰＵ３０１がメモリ３０２からプログラムを読出し実行することにより、各部の機能が実現される。
【００３３】
図４を参照して、加熱装置８の制御機能は、基板１上の欠陥部の位置を指す座標データ１４を生成する欠陥位置座標データ生成部５１、基板１上の各部の位置の座標データに対応して当該部分に対する加熱の程度を規定するマッピングデータ１５を生成するマッピングデータ生成部５２、メモリ３０２をアクセス制御するためのメモリアクセス部５３、メモリアクセス部５３によりメモリ３０２から読出した欠陥位置座標データ１４とマッピングデータ１５とに基づき、基板１に対する加熱を制御するデータを生成して出力する加熱制御部５４、および加熱制御部５４から出力されたデータを入力して、入力したデータに基づき加熱装置８を制御するパワー信号ＳＰおよび加熱時間信号ＳＴを生成して出力する加熱制御信号生成部５５を備える。加熱制御信号生成部５５から出力されたパワー信号ＳＰおよび加熱時間信号ＳＴは、通信Ｉ／Ｆ３０５を介して制御用コンピュータ２００に与えられる。制御用コンピュータ２００は、与えられる信号ＳＰおよびＳＴに基づきパターン修正装置１８の加熱装置８の動作を制御する。
【００３４】
図５には、マッピングデータ１５の構成が示される。マッピングデータ１５は、基板１上の各部に対応して、当該部分の位置を指す座標データＤＸＹ、当該部分に対する加熱装置８による放熱量である放熱条件を指す電圧データＤＰおよび電圧印加時間を指すデータＤＴをテーブル形式で格納する。電圧データＤＰは、ハロゲンランプに印加する電圧信号のレベルを指す。データＤＰは、対応する電圧データＤＰが指すレベルの電圧信号をハロゲンランプに印加（供給）する時間長さを指す。
【００３５】
図６を参照して、図５の座標データＤＸＹについて説明する。基板１上の部分を図中の矩形状の斜線部で示すとき、対応する座標データＤＸＹは、斜線部の対向する頂点の位置ＳＰ１とＳＰ２の座標を指示するデータで規定される。
【００３６】
図７には、本実施の形態に係る欠陥部修正の処理手順を指すフローチャートが示される。図８には、図７の加熱処理の手順を指すフローチャートが示される。図７と図８のフローチャートに従うプログラムは、メモリ３０２に予め格納されており、ＣＰＵ３１がプログラムをメモリ３０２から読出して実行することにより、処理が行われる。
【００３７】
（欠陥位置座標データの生成）
欠陥位置座標データ生成部５１が画像処理機構１００を制御して欠陥位置座標データ１４を生成する手順について説明する。
【００３８】
図９および図１０は、図１に示した画像処理機構１００によって欠陥画素を特定する方法を説明するための図である。画像処理機構１００は、マイクロコンピュータの機能を有し、パターンマッチングにより欠陥画素を特定したり、位置決めのための座標を出力する。ここでは、基板１上のパターンは直交するＸ軸およびＹ軸で規定される平面に相当し、パターン上の位置は、平面上のＸＹ座標値で指示されるものとする。
【００３９】
図９は、ＣＣＤカメラ５１１により撮像された画像が示す被修正対象画素パターンの一例を示し、図１０はパターンマッチングデータの登録方法を示す。まず、図１０に示す登録パターンＡ１が正常画素として画像処理機構１００の図示のないメモリに予め登録（格納）される。欠陥位置座標データ生成部５１により制御された画像処理機構１００は、メモリから読出した登録パターンＡ１を基準として図９に示すような基板１上の多数の画素を対象にパターンマッチングを行ない、相関値があるしきい値以下のパターンを欠陥として認識（検出）する。画像処理機構１００は位置決めのためには、対象とするパターン画像の画素が周期性を持っている点を利用する。すなわち、図１０に示すパターンＡ２、Ａ３およびＡ４のように画素の周辺のパターンを予めメモリに登録しておき、周辺パターンの位置座標と欠陥座標との相対的な距離から位置決めを行なう。位置決めの結果は、ホストコンピュータ３００に出力される。
【００４０】
ホストコンピュータ３００の欠陥位置座標データ生成部５１は、位置決めの結果データに基づき、基板１上の欠陥画素に相当する部分、すなわち後述の欠陥部４ａの位置座標を指す欠陥位置座標データ１４を生成して、生成した欠陥位置座標データ１４をメモリアクセス部５３を介してメモリ３０２に格納する。ここで、欠陥部４ａは、欠陥を含み、それよりも一周り大きな所定サイズの矩形形状でレーザ照射機構２３を用いたレーザアブレーションにより形成されたものである。したがって、レーザアブレーションの矩形形状のサイズデータを予め取得しておくことにより、当該サイズデータと位置決めの結果とに基づき、基板１上の欠陥部４ａの位置座標を指す欠陥位置座標データ１４を生成することができる。
【００４１】
（放熱特性について）
焼成工程における基板１からチャック９への放熱特性について説明する。図１１は、基板１に発生した着色層の色抜け欠陥を示す。図に示すように、カラーフィルタの製造工程においては、基板１は、透明ガラス基板２の表面に画素の境界となるブラックマトリックス（ＢＭ）３が形成され、ブラックマトリックス３で囲まれた画素の領域内にＲＧＢ（赤、緑、青）の各着色層４が一定の間隔で配置されることにより形成される。そして、着色層４の一部に白抜け欠陥や異物欠陥が発生した場合、欠陥を含み、それよりも一周り大きな矩形形状でレーザアブレーションにより白抜け欠陥部４ａが形成される。続いて、形成された欠陥部４ａに対して白抜け欠陥を修正するための修正液の塗布を行う工程と、続いて塗布された修正液を加熱処理によって焼成する工程が行われる。
【００４２】
図１２（Ａ）と（Ｂ）は、基板１をチャック９に搬入出する際の状態を示す。図１２（Ａ）では、基板１をチャック９の表面に固定した状態を示す。普通、この状態で焼成工程までを含む欠陥部４ａの修正が行われる。チャック９には、チャック９の裏面（基板１とは反対側の面）に設けられたリフタ１０を基板１の方向に上下動可能なように貫通孔９ａが予め形成されており、複数のリフタ１０は、上下動可能な可動板１１に固定されている。可動板１１は、Ｚ軸方向（紙面上下方向）に駆動可能なシリンダ１２に固定され、シリンダ１２の上下動により可動板１１に固定された複数のリフタ１０を一括して上下動可能とする。図１２（Ａ）では、シリンダ１２は下降しており、リフタ１０はチャック９の貫通孔９ａの内部に収納され、且つチャック９の表面（チャック９と基板１との接触面）よりも下がった状態にある。そのため、リフタ１０が収容される貫通孔９ａの部分では、リフタ１０と基板１との間には隙間が生じるために基板１とチャック９およびリフタ１０とは非接触の状態となる。他の部分では、基板１とチャック９とは接触の状態となる。
【００４３】
図１２（Ｂ）において、シリンダ１２の上昇により可動板１１を基板１方向に上昇させると、それに伴ってリフタ１０は貫通孔９ａから突出するように上昇するので、基板１はリフタ１０によってチャック９の表面よりも高く押し上げられて、基板１とチャック９との間には一様な距離の空間が生じる。この空間に図示しない基板搬送装置の爪を挿入して、カラーフィルタ基板１を搬入出させる。
【００４４】
焼成工程においては、図１２（Ａ）に示すように、チャック９上に固定される基板１は、貫通孔９ａ上の部分でチャック９とは非接触となり、他の部分では接触状態となるので、同一の基板１内においてチャック９との接触条件が異なる部分が混在する。ここで、リフタ１０の外径は、たとえば１０〜２０ｍｍ程度であり、この場合、貫通孔９ａの内径はリフタ１０の外径よりも一回り大きく加工されている。そのため、欠陥部４ａの面積に比べて、貫通孔９ａの面積は非常に大きくなり、基板１の放熱性が不均一となる。
【００４５】
たとえば、チャック９とが密着した状態の基板１の部分における欠陥部４ａの修正では、欠陥部４ａに塗布された修正液を加熱装置８によって局所加熱するとき、基板１に放射された熱はチャック９側に放熱され易い。これに対し、チャック９と非接触状態の基板１の部分にある欠陥部４ａの修正では、欠陥部４ａに塗布された修正液を加熱装置８によって局所加熱した場合、基板１に対し放射された熱はチャック９側に放熱され難い。
【００４６】
そのため、同じ焼成条件で基板１の全ての欠陥部４ａについて局所加熱を行う場合、欠陥部４ａを含む基板１の部分がチャック９と非接触の状態である場合には、欠陥部４ａを含む範囲の基板１の温度が他の基板部分より高くなって、欠陥部４ａに塗布された修正液やその周りの着色層４、ブラックマトリックス３などを焼損する確率が高くなる。
【００４７】
逆に、基板１がチャック９に密着（接触）している部分の欠陥部４ａを局所加熱する場合には、基板１に対し放射された熱はチャック９側に放熱されるので、欠陥部４ａの温度は上昇せず、焼成不足となる。このように、チャック９との接触状態により基板１の各部分について放熱特性が異なるため、基板１について同じ焼成条件の下で焼成を行うと焼成むらを生じ易い。
【００４８】
（マッピングデータ１５の生成手順）
本実施の形態では、上述した焼成むらを回避するために、チャック９との接触部分または非接触部分について焼成条件を変化させることができるように、予めマッピングデータ生成部５２によってマッピングデータ１５を生成する。
【００４９】
図１３（Ａ）と（Ｂ）は、基板１の各部の位置と焼成条件を事前にマッピングした状態を模式的に示す。マッピングデータ生成部５２は、始めに、欠陥部４ａの下にチャック９がある場合と無い場合で、加熱装置８のパワーすなわちハロゲンランプに印加する電圧レベルと、加熱時間すなわち当該電圧信号を印加する期間との最適値を、事前に行った実験の結果データに基づき検出し、検出したデータに基づきマッピングデータ１５を生成する。生成したマッピングデータ１５はメモリ３０２に格納される。ハロゲンランプに印加する電圧レベルによりハロゲンランプから照射される光りの強度、すなわち照射光量が制御される。
【００５０】
図１３（Ａ）は、欠陥部４ａがチャック９と接触する領域１ａと、貫通孔９ａの上の領域（非接触領域）１ｂとに分け、それぞれの領域には、上述の電圧レベルと電圧信号の印加期間の最適値を指す焼成条件が割り当てされる。したがって、図６の斜線部は、少なくとも貫通孔９ａの上の領域（非接触領域）１ｂに相当するサイズを有し、図５のマッピングデータ１５は、基板１の図６の斜線部のサイズを有する各部について、位置座標データＤＸＹと、当該部分について接触する領域１ａであるか、または貫通孔９ａの上の領域（非接触領域）１ｂであるかに従い最適な電圧レベルのデータＤＰおよび印加時間のデータＤＴとを対応付けて有する。
【００５１】
図１３（Ｂ）は、貫通孔９ａの輪郭部１ｃをさらに区分けして３区分とした例である。貫通孔９ａの輪郭部１ｃは、放熱性が貫通孔９ａの中央部（リフタ１０が位置する部分）とは異なるため、区分けを多くした方が焼成のための最適な加熱を行うことが可能となるが、多過ぎると煩雑になるため、必要最低限の区分けとするのがよい。
【００５２】
（欠陥修正の全体処理手順）
図７のフローチャートに従い欠陥修正の全体処理手順について説明する。なお、予め白抜き欠陥を有する基板１が図１２のようにチャック９によって固定されて、図１のようにパターン修正装置１８に載置されていると想定する。
【００５３】
まず、図９および図１０に説明したパターンマッチングの手順により画像処理機構１００によって欠陥位置が検出されて、検出結果は、欠陥位置座標データ生成部５１に与えられる（ステップＳ１）。または、これに代替して、欠陥検査装置で予め得られた欠陥位置情報を欠陥位置座標データ生成部５１に入力してもよい。
【００５４】
欠陥位置座標データ生成部５１は、検出された欠陥位置のデータと、レーザアブレーションの矩形形状の所定サイズデータとに基づき、基板１上の欠陥部４ａの位置座標を指す欠陥位置座標データ１４を生成して、メモリ３０２に格納する（ステップＳ３）。制御用コンピュータ２００は、画像処理機構１００から出力された欠陥位置のデータに基づき、欠陥位置へＸＹＺステージ２４を移動させる（ステップＳ５）。続いて、移動後の欠陥位置に対してレーザ照射機構２３によりレーザを照射することにより、レーザアブレーションを行い、矩形状の欠陥部４ａを形成する（ステップＳ７）。
【００５５】
このときレーザ光は図２のスリット機構５０５を通過することにより、たとえば、図１４のように欠陥部４ａを形成することができる。欠陥部４ａと相似形のスリット機構５０５を用いることにより、一度のレーザ照射でレーザアブレーションを行い、矩形状の欠陥部４ａを形成することが可能となる。
【００５６】
続いて、インク塗布機構により欠陥部４ａに対して、修正液が塗布される（ステップＳ９）。図１５（Ａ）と（Ｂ）には、白抜け欠陥部４ａに修正液（修正インク）を塗布する方法が示される。図１５（Ａ）では、塗布針５の先端に微小な修正液６（インク）を付着させた状態で欠陥部４ａに修正液６を接触させて塗布する方法を示す。また、図１５（Ｂ）は、塗布針５に代替してマイクロディスペンサ７で修正液６を欠陥部４ａに塗布する方法を示す。欠陥部４ａに対して針５の先端部の塗布のための形状が小さい場合には、塗布位置を変えて複数回塗布が行われる。
【００５７】
修正液の塗布が終了すると、続いて、欠陥部４ａに塗布された修正液を加熱装置８によって加熱処理することにより焼成する（ステップＳ１０）。欠陥部４ａに塗布された修正液６を焼成する場合には、図１６に示すように、欠陥部４ａを含む微小範囲が加熱装置８によって焼成される。加熱装置８のハロゲンヒータから放射されるスリット機構５０５を通過した光によって欠陥部４ａのみを局所的に加熱することが可能である。光スポットの径は、１ｍｍ〜２ｍｍ程度であり、焼成の結果、修正液６は、周辺の着色層４と同質の状態に変化する。焼成処理を終えると、一連の欠陥修正処理は完了する。
【００５８】
ここで、図８のフローチャートに従い、図１７の加熱工程の模式図を参照しながら、加熱処理（ステップＳ１０）を詳細に説明する。
【００５９】
まず、加熱制御部５４は、メモリ３０２から、欠陥部４ａの欠陥位置座標データ１４およびマッピングデータ１５とを読出す（ステップＳ１１とＳ１３）。続いて、加熱制御部５４は、比較部１６により、欠陥部４ａの欠陥位置座標データ１４に基づき、マッピングデータ１５の座標データＤＸＹを検索する（ステップＳ１５）。比較部１６は、検索結果に基づき、当該位置座標データ１４に一致する（相当する）座標データＤＸＹを検出し、検出した座標データＤＸＹに対応する焼成条件（データＤＰおよびＤＴ）を、マッピングデータ１５から読出す。これにより焼成条件が決定する（ステップＳ１７）。読出したデータＤＰおよびＤＴは加熱制御信号生成部５５に与えられる。加熱制御信号生成部５５は、入力したデータＤＰに基づくレベルを有した電圧信号を生成し、入力したデータＤＴに基づく期間だけ、電圧信号を加熱装置８のハロゲンヒータに印加する（ステップＳ１９）。これにより、ハロゲンヒータからは、欠陥部４ａに対して、チャック９と接触する領域１ａと、非接触領域１ｂに対応するか否かに応じて、最適な焼成条件の下で加熱処理がされる。
【００６０】
図１８（Ａ）と（Ｂ）は、基板１とチャック９とが接触、あるいは非接触の状態での加熱状態を示す。図１８（Ａ）は、基板１の欠陥部４ａを含む領域がチャック９と接触（密着）した状態にあり、この場合、チャック９への放熱を考慮して強めのパワー設定で焼成する。また、図１８（Ｂ）は、基板１の欠陥部４ａを含む領域が、チャック９に設けられた貫通孔９ａの上にあり、チャック９による放熱性が少ないため、図１８（Ａ）に比べて弱いパワーで加熱される。
【００６１】
このようにパターン修正装置１８は、パターン４に発生した欠陥部４ａに修正液６を塗布し、塗布された修正液６を焼成むら無く焼成する機能を有するため、修正部の品位を向上することが可能である。
【００６２】
（他の実施の形態）
なお、前述の説明では、基板１を搬入出する方法は、リフタ１０を上昇させて基板１をチャック９よりも高く押し上げ、基板１とチャック９との間に空間を設けるものであるが（図１２（Ｂ）参照）、この方法以外にもコロ搬送による方法が知られている。コロ搬送であっても、チャック９と基板１との接触状態は場所によって異なるため、前述の修正方法が適用可能である。
【００６３】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００６４】
１  カラーフィルタ基板、４ａ  欠陥部、５  塗布針、６  修正液、８  加熱装置、９  チャック、１０  リフタ、１４  欠陥位置座標データ、１５  マッピングデータ、５１  欠陥位置座標データ生成部、５２  マッピングデータ生成部、５４  加熱制御部、５５  加熱制御信号生成部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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