(57)【要約】【課題】液晶パネル等の電気光学装置において、ＴＦＴにおける光リーク電流の発生を効率よく抑制しつつ、動作の安定化を図る。【解決手段】電気光学装置は、基板（１０）上に、チャネル領域、ソースドレイン領域及びＬＤＤ領域を有する半導体層（３０ａ）と、チャネル領域に対向するゲート電極（３０ｂ）と、半導体層より上層側に積層され、少なくともチャネル領域及びＬＤＤ領域より広く形成された上側遮光膜（１）と、半導体層より下層側に積層され、少なくともチャネル領域及びＬＤＤ領域より広く形成された下側遮光膜（１１）と、半導体層及び下側遮光膜間に積層され、少なくともＬＤＤ領域に重なる領域における膜厚よりソースドレイン領域に重なる領域における膜厚の方が小さくなるように形成された下側層間絶縁膜（１２）とを備える。【選択図】図５
2010060686.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、
チャネル領域、ソースドレイン領域、並びに前記チャネル領域及び前記ソースドレイン領域間に形成されたＬＤＤ領域を有する半導体層と、
ゲート絶縁膜を介して前記チャネル領域に対向するように配置されたゲート電極と、
前記半導体層より上層側に積層され、前記基板上で平面的に見て、少なくとも前記チャネル領域及び前記ＬＤＤ領域より広く形成された上側遮光膜と、
前記半導体層より下層側に積層され、前記基板上で平面的に見て、少なくとも前記チャネル領域及び前記ＬＤＤ領域より広く形成された下側遮光膜と、
前記半導体層及び前記下側遮光膜間に積層され、前記基板上で平面的に見て、少なくとも前記ＬＤＤ領域に重なる領域における膜厚より前記ソースドレイン領域に重なる領域における膜厚の方が小さくなるように形成された下側層間絶縁膜と
を備えることを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記基板上で第１の方向に延在し、前記ゲート電極に走査信号を供給する走査線と、
前記基板上で前記第１の方向に交差する第２の方向に延在し、前記ソースドレイン領域に画像信号を供給するデータ線と、
前記データ線及び前記走査線の交差に対応して画素毎に設けられた画素電極と
を更に備え、
前記ＬＤＤ領域は、前記チャネル領域及び前記ソースドレイン領域のうち前記データ線に電気的に接続されているデータ線側ソースドレイン領域間に形成されたデータ線側ＬＤＤ領域と、前記チャネル領域及び前記ソースドレイン領域のうち前記画素電極に電気的に接続されている前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された画素電極側ＬＤＤ領域とを有し、
前記下側層間絶縁膜は、前記基板上で平面的に見て、前記データ線側ＬＤＤ領域及び前記画素電極側ＬＤＤ領域のいずれか一方に重なる領域において、膜厚が大きくなるように表面に段差を有している
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記下側遮光膜は、前記走査線を兼ねる部分を有することを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記上側遮光膜は、前記データ線を兼ねる部分を有することを特徴とする請求項２又は３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記上側遮光膜は、前記画素電極側ソースドレイン領域及び前記画素電極間を電気的に中継接続する前記中継配線を兼ねる部分を有することを特徴とする請求項２から４のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項６】
容量電極と、
前記上側遮光膜及び前記容量電極間に積層された誘電体膜と
を更に備え、
前記上側遮光膜及び前記容量電極は、前記誘電体膜を挟んで相対向するように配置されている
ことを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記基板上に、前記基板上で平面的に見て前記半導体層より広く前記下側遮光膜を形成する下側遮光膜形成工程と、
前記下側遮光膜上に、局所的に膜厚が厚くなるように下側層間絶縁膜を形成する下側層間絶縁膜形成工程と、
前記下側層間絶縁膜のうち局所的に膜厚が厚く形成された領域にＬＤＤ領域が配置されるように半導体層を形成する半導体層形成工程と、
前記半導体層のチャネル領域にゲート絶縁膜を介して対向するようにゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、
前記半導体層上に、前記基板上で平面的に見て前記半導体層より広く前記上側遮光膜を形成する上側遮光膜形成工程と
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１から６のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば液晶装置等の電気光学装置、及び該電気光学装置を備えた、例えば液晶プロジェクタ等の電子機器の技術分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の電気光学装置の一例である液晶装置は、直視型ディスプレイのみならず、例えば投射型表示装置の光変調手段（ライトバルブ）としても多用されている。特に投射型表示装置の場合、光源からの強い光が液晶ライトバルブに入射されるため、この光によって液晶ライトバルブ内の薄膜トランジスタ（即ちＴＦＴ：Thin Film Transistor、以下適宜単に「ＴＦＴ」と呼ぶ）に光リーク電流が発生し、画質の低下や誤作動の原因となる場合がある。そのため、液晶ライトバルブには入射光を遮る遮光手段が内蔵されている。
【０００３】
例えば特許文献１及び２では、ＴＦＴの半導体層よりも遮光膜を幅広に形成することによって、半導体層に入射しようとする光を効果的に遮光する技術が開示されている。また、特許文献３及び４では、遮光性を有する導電性材料を用いて容量電極や走査線等を形成することにより、効率よく遮光膜を形成し、基板に対し垂直に入射する光りのみならず、側方から入射しようとする光についての遮光性を高めるという技術が開示されている。
【０００４】
【特許文献１】特許第３７３１４４７号公報
【特許文献２】特開２００４−４７２２号公報
【特許文献３】特開２００５−４５０１７号公報
【特許文献４】特許第３３０７１４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記背景技術によれば、ゲート電極を遮光膜として用いているため、半導体層のうちチャネル領域においては比較的遮光がなされているものの、チャネル領域以外の領域、特にＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域においては何ら遮光手段が設けられていない。このため、依然として光リーク電流の発生による画質の低下や誤作動が生じるという問題が残存している。また、仮に遮光性を向上させるために遮光膜と半導体層との距離を近づけた場合、例えば走査線を遮光膜として用いていると、走査線に供給される走査信号の電位によってＬＤＤ層がアクティブ化され、誤作動を起こしてしまうという問題点もある。
【０００６】
本発明は、例えば上述した問題点に鑑みなされたものであり、ＴＦＴにおける光リーク電流の発生を効率よく抑制しつつ、安定な動作が可能な電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１電気光学装置は上記課題を解決するために、基板上に、チャネル領域、ソースドレイン領域、並びに前記チャネル領域及び前記ソースドレイン領域間に形成されたＬＤＤ領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜を介して前記チャネル領域に対向するように配置されたゲート電極と、前記半導体層より上層側に積層され、前記基板上で平面的に見て、少なくとも前記チャネル領域及び前記ＬＤＤ領域より広く形成された上側遮光膜と、前記半導体層より下層側に積層され、前記基板上で平面的に見て、少なくとも前記チャネル領域及び前記ＬＤＤ領域より広く形成された下側遮光膜と、前記半導体層及び前記下側遮光膜間に積層され、前記基板上で平面的に見て、少なくとも前記ＬＤＤ領域に重なる領域における膜厚より前記ソースドレイン領域に重なる領域における膜厚の方が小さくなるように形成された下側層間絶縁膜とを備える。
【０００８】
本発明の電気光学装置によれば、基板上にはチャネル領域、ソースドレイン領域及びＬＤＤ領域を含む半導体層と、チャネル領域にゲート絶縁膜を介して対向するように配置されたゲート電極とから構成されているＴＦＴが形成されている。ここで、本発明におけるＴＦＴは、ゲート電極が半導体層の上側に配置されたトップゲート型のＴＦＴでもよいし、ゲート電極が半導体層の下側に配置されたボトムゲート型のＴＦＴでもよいし、或いは、ダブルゲート型のＴＦＴが構築されてもよい。尚、ＬＤＤ領域は、チャネル領域とソースドレイン領域との間の領域に形成されている。
【０００９】
半導体層の上下層側には夫々、上側遮光膜と下側遮光膜が積層されており、基板上で平面的に見たときに、少なくともチャネル領域及びＬＤＤ領域より広い面積を有するように形成されている。このように半導体層の上下に遮光膜を形成することによって、ＬＤＤ領域やチャネル領域を含んだ半導体層への光の侵入を防ぐことができ、ＬＤＤ領域及びチャネル領域における光リーク電流の発生を抑制することができる。ここで、上下の遮光膜で挟み込む形で、より効率的に光を遮光するために、下側遮光膜及び上側遮光膜は少なくともチャネル領域及びＬＤＤ領域に比べて広く形成されている。つまり、基板に対して垂直な方向から入射する光だけでなく、基板の斜めや側方から入射する光に対しても遮光能力を高めている。
【００１０】
下側層間絶縁膜は、半導体層及び下側遮光膜間に積層され、基板上で平面的に見て、少なくともＬＤＤ領域に重なる領域における膜厚よりソースドレイン領域に重なる領域における膜厚の方が小さくなるように形成されている。即ち、本発明においては、半導体層のＬＤＤ領域に重なる領域では、その他の領域（例えば、ソースドレイン領域の端部）に比べて、下側絶縁膜の膜厚が厚くなるように形成されている。下側層間絶縁膜が、このように形成されているので、ソースドレイン領域に重なる領域においては、上側遮光膜及び下側遮光膜間の間隔は局所的に小さくなる。即ち、斜めや横からＬＤＤ領域やチャネル領域に進入しようとする光が、進入し得るこれらの遮光膜間の間隙或いは隙間は、僅かにしか残されないことになる。よって、このような光を効果的に遮光できる。
【００１１】
また、下側層間絶縁膜は、ＬＤＤ領域に重なる領域において膜厚が厚くなるように形成されているので、仮に下側遮光膜に所定の電位が印加されていたとしても、その電位によってＬＤＤ領域がアクティブ化され、誤作動するリスクを軽減或いは解消することができる。ここで、下側遮光膜による半導体層の遮光性を向上させる典型的な手法として、半導体層と下側遮光膜との間に形成された下側層間絶縁膜の膜厚を薄くすることが考えられる。しかしながら、この手法によると、ＬＤＤ領域に重なる領域においても下側層間絶縁膜の膜厚が薄くなってしまうため、仮に下側遮光膜に電位が印加されていると、ＬＤＤ領域が誤作動を起こしてしまう。その点、本発明によれば、ＬＤＤ領域に重なる領域においては下側層間絶縁膜を厚く形成することでＬＤＤ領域の誤作動を防止しつつ、ソースドレイン領域に重なる領域については下側層間絶縁膜を薄く形成することで、下側遮光膜による半導体層の遮光性を向上させることができる。
【００１２】
以上説明したように、本発明の電気光学装置によれば、半導体層の上下に配置された２つの遮光膜によってチャネル領域における光リーク電流の発生を効果的に抑制することができる。また、下側絶縁膜はＬＤＤ領域と重なる領域において厚く形成されているので、下側遮光膜に電位が印加される場合であってもＬＤＤ領域が誤作動を起こすことを防止することができる。更に、ソースドレイン領域に重なる領域においては下側層間絶縁膜が薄く形成されているので、下側遮光膜による半導体層への遮光能力を高めることができる。このようにして、高品質な画像表示が可能な電気光学装置を実現することができる。
【００１３】
本発明の電気光学装置の一の態様では、前記基板上で第１の方向に延在し、前記ゲート電極に走査信号を供給する走査線と、前記基板上で前記第１の方向に交差する第２の方向に延在し、前記ソースドレイン領域に画像信号を供給するデータ線と、前記データ線及び前記走査線の交差に対応して画素毎に設けられた画素電極とを更に備え、前記ＬＤＤ領域は、前記チャネル領域及び前記ソースドレイン領域のうち前記データ線に電気的に接続されているデータ線側ソースドレイン領域間に形成されたデータ線側ＬＤＤ領域と、前記チャネル領域及び前記ソースドレイン領域のうち前記画素電極に電気的に接続されている前記画素電極側ソースドレイン領域間に形成された画素電極側ＬＤＤ領域とを有し、前記下側層間絶縁膜は、前記基板上で平面的に見て前記データ線側ＬＤＤ領域及び前記画素電極側ＬＤＤ領域のいずれか一方に重なる領域において、膜厚が大きくなるように表面に段差を有する。
【００１４】
この態様によれば、例えば画素毎に設けられた画素電極をオン／オフ駆動するためにスイッチング用ＴＦＴのゲート電極に入力される走査信号を供給する走査線、画素毎に設けられた画素電極に画像信号を供給するデータ線、並びに、走査線及びデータ線の交差に対応して画素毎に配置された画素電極を備えている。このように構成すれば、走査線から入力された走査信号に従って、例えばスイッチング素子として機能するＴＦＴによって各画素電極はオン／オフ駆動され、データ線を介して画像信号が画素電極に書き込まれる。画素電極は、例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等の透明導電材料からなる透明電極である。
【００１５】
また、ＴＦＴにおいてＬＤＤ領域は、チャネル領域及びデータ線と電気的に接続されているデータ線側ソースドレイン領域間にあるデータ線側ＬＤＤ領域と、チャネル領域及び画素電極と電気的に接続されている画素電極側ソースドレイン領域間にある画素電極側ＬＤＤ領域とを含んでいる。
【００１６】
下側層間絶縁膜は、基板上で平面的に見てデータ線側ＬＤＤ領域及び画素電極側ＬＤＤ領域のいずれか一方に重なる領域において、膜厚が大きくなるように表面に段差を有している。データ線側ＬＤＤ領域及び画素電極側ＬＤＤ領域の両者における領域で下側層間絶縁膜が厚く形成されていることが、ＬＤＤ領域における誤作動を防止する点において最良の態様ではあるが、いずれか片方のＬＤＤ領域においてのみ下側層間絶縁膜を厚く形成していれば、少なからずＬＤＤ領域における誤作動の発生を軽減することが可能である。特に、光リークが相対的に生じ易い或いは光リークによる悪影響が相対的に顕在化しやすい方のＬＤＤ領域に繋がるソースドレイン領域についてのみ、下側層間絶縁膜の膜厚を変化させることで、遮光性能を高めると効率的である。
【００１７】
上述の走査線を備える態様では、前記下側遮光膜は、前記走査線を兼ねる部分を有するように形成してもよい。
【００１８】
この態様によれば、下側遮光膜は、例えば画素毎に設けられた画素電極をオン／オフ駆動するためにスイッチング用ＴＦＴのゲート電極に入力される走査信号を供給する走査線を含むように形成されている。従って、下側遮光膜は導電性及び遮光性を有する非透明の金属等、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｐｄ（パラジウム）等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等の遮光性材料から形成するとよい。即ち、下側遮光膜については、ＴＦＴ完成前に形成する必要があるので、ＴＦＴ製造時における高温処理に耐えられる金属を使うとよい。
【００１９】
本態様における電気光学装置では、その動作中、走査線を含んでいる下側遮光膜には電圧信号たる走査信号が供給されているため、仮に下側絶縁膜の膜厚が全体的に渡って薄く形成されていると、下側遮光膜に印加された走査信号の電位によって半導体層のＬＤＤ領域がアクティブ化し、誤作動を引き起こしてしまう。そのため、基板上で平面的に見てＬＤＤ領域に重なる領域では、下側絶縁膜を厚く形成し、下側遮光膜（即ち、走査線）とＬＤＤ領域との間隔を大きく確保することによって、このような誤作動を防止することが可能となる。
【００２０】
また、前記上側遮光膜は、前記データ線を兼ねる部分を有するように形成してもよい。
【００２１】
この態様によれば、上側遮光膜は、例えば画素毎に設けられた画素電極に画像信号を供給するデータ線を含んで構成されている。従って、データ線は導電性及び遮光性を有する非透明な金属等から形成され、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）等の融点が比較的低い金属や、下側遮光膜と同様にＴｉ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等の遮光性材料から形成される。上側遮光膜については、ＴＦＴ完成後に形成できるので、ＴＦＴ製造時における高温処理に耐えられる金属を使わなくてもよい。逆に、導電性、製造コスト等に鑑みて、Ａｌ等を使うことが望ましい。
【００２２】
このように画像信号を供給するためのデータ線を上側遮光膜として用いることによって、データ線の他に別途遮光膜を形成する場合に比べて、基板上の積層構造を複雑化することがなく、効率的な積層構造を形成することができる。
【００２３】
このように構成した場合更に、前記上側遮光膜は、前記画素電極側ソースドレイン領域及び前記画素電極間を電気的に中継接続する前記中継配線を兼ねる部分を有してもよい。
【００２４】
このように構成すれば、画素電極と画素電極側ソースドレイン領域との間を電気的に中継する中継配線が、上側遮光膜の一部として形成されている。この中継配線は、例えば半導体層と画素電極との間に設けられた層間絶縁膜のコンタクトホールを介して形成され、互いに離れた層に形成された画素電極側ソースドレイン領域と画素電極とを電気的に接続している。このように上側遮光膜を中継配線と兼用するように用いることで、積層構造の複雑化を最小限に留めつつ、上側遮光膜を形成することができる。
【００２５】
本発明の電気光学装置の他の態様では、容量電極と、前記上側遮光膜及び前記容量電極間に積層された誘電体膜とを更に備え、前記上側遮光膜及び前記容量電極は、前記誘電体膜を挟んで相対向するように配置されている。
【００２６】
この態様によれば、例えば上側遮光膜より上層側に所定電位或いは固定電位とされる容量電極を設け、上側遮光膜との間に誘電体膜を形成することによって、基板上に容易に保持容量を形成することができる。つまり、これら一対の上側遮光膜及び容量電極、並びにこれらに挟持された誘電体膜から、積層型の容量（即ち、キャパシタ或いはコンデンサ）が構築される。このように構築される容量は、例えば、ソースドレイン領域のうち画素電極に接続される側に接続されることで、画素電極に対する蓄積容量或いは保持容量として機能する。
【００２７】
尚、保持容量の容量値は、誘電体膜の膜厚及び相対向する容量電極の面積を適切に調整することによって増減すればよい。容量電極は、Ａｌ等の融点が低い金属やＴｉ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等の遮光性材料から形成するとよい。
【００２８】
このように形成すれば、積層構造の複雑化を最小限に留めつつ、電気光学装置の製造コストの削減や、電気光学装置の全体サイズを縮小することが可能となり、高精細な電気光学装置を実現することができる。
【００２９】
本発明の電気光学装置の製造方法は、上記課題を解決するために、前記基板上に、前記基板上で平面的に見て前記半導体層より広く前記下側遮光膜を形成する下側遮光膜形成工程と、前記下側遮光膜上に、局所的に膜厚が厚くなるように下側層間絶縁膜を形成する下側層間絶縁膜形成工程と、前記下側層間絶縁膜のうち局所的に膜厚が厚く形成された領域にＬＤＤ領域が配置されるように半導体層を形成する半導体層形成工程と、前記半導体層のチャネル領域にゲート絶縁膜を介して対向するようにゲート電極を形成するゲート電極形成工程と、前記半導体層上に、前記基板上で平面的に見て前記半導体層より広く前記上側遮光膜を形成する上側遮光膜形成工程とを含む。
【００３０】
本発明の製造方法によれば、まず、下側遮光膜形成工程において、基板上に後に形成される半導体層より広くなるように、下側遮光膜を形成する。下側遮光膜は広く設けるほど、基板の下側から垂直に入射する光だけでなく、基板のななめ側方から入射する光に対する遮光能力が高まるので、画素の開口領域を狭め過ぎない限りにおいて、下側遮光膜は広く設けるほどよい。
【００３１】
下側層間絶縁膜形成工程では、下側遮光膜上に下側層間絶縁膜を形成する。特に、下側遮光膜を覆うように下側層間絶縁膜を形成した後、局所的に膜厚が厚くなるように下側層間絶縁膜を形成する。このとき、次の半導体層形成工程でＬＤＤ領域が膜厚の大きな領域に配置されるように半導体層を形成するので、下側層間絶縁膜を形成する際に予めＬＤＤ領域を形成する領域を想定して形成するとよい。
【００３２】
半導体層形成工程では、下側層間絶縁膜のうち局所的に膜厚が厚く形成された領域にＬＤＤ領域が配置されるように半導体層を形成する。このように半導体層を形成することによって、ＬＤＤ領域と下側遮光膜との間の距離を十分に確保することができる。そのため、仮に下側遮光膜が一定の電位に保たれていたとしても、その電位によって半導体層のＬＤＤ領域がアクティブ化されることを防止することが可能となる。
【００３３】
ゲート電極形成工程では、半導体層のチャネル領域にゲート絶縁膜を介して対向するようにゲート電極を形成される。
【００３４】
上側遮光膜形成工程では、半導体層の上層に、上側遮光膜を形成する。上側遮光膜は、基板の上方から入射する光に対して遮光性を向上させるために、基板上で平面的に見て、半導体層が下側遮光膜に含まれるように形成する。ここで、前述の通り、下側層間絶縁膜がＬＤＤ領域に重なる領域において厚く形成されているので、上側遮光膜と下側遮光膜との間隔は、ＬＤＤ領域に重なる領域において大きく、ソースドレイン領域に重なる領域においては小さく形成される。その結果、ソースドレイン領域に重なる領域において上下側に配置された２つの遮光膜の隙間が狭くなっており、外部から半導体層に侵入しようとする光を効果的に遮光することが可能となる。その結果、チャネル領域における光リーク電流の発生を抑制することが可能となる。
【００３５】
以上のようにして、上述した本発明に係る電気光学装置を容易に製造することが可能となる。
【００３６】
本発明の電子機器は上記課題を解決するために、上述した本発明の電気光学装置（但し、その各種態様も含む）を備える。
【００３７】
本発明の電子機器によれば、上述した本発明に係る電気光学装置を具備してなるので、高品質な画像を表示することが可能な、投射型表示装置、テレビ、携帯電話、電子手帳、ワードプロセッサ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの各種電子機器を実現できる。また、本発明の電子機器として、例えば電子ペーパなどの電気泳動装置等も実現することも可能である。
【００３８】
本発明の作用及び他の利得は次に説明する発明を実施するための最良の形態から明らかにされる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３９】
以下では、本発明の実施形態について図を参照しつつ説明する。尚、以下の実施形態では、本発明の電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。
【００４０】
＜１．液晶装置＞
＜第１実施形態＞
先ず、本実施形態に係る液晶装置の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。ここに図１は、本実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図であり、図２は、図１のＨ−Ｈ’線断面図である。
【００４１】
図１及び図２において、本実施形態に係る液晶装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板や、シリコン基板等である。対向基板２０は、例えば石英基板、ガラス基板等の透明基板である。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が封入されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、複数の画素電極が設けられた画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。
【００４２】
シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（即ち、基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。
【００４３】
シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【００４４】
周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。この一辺に沿ったシール領域よりも内側に、サンプリング回路７が額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。
【００４５】
ＴＦＴアレイ基板１０上には、対向基板２０の４つのコーナー部に対向する領域に、両基板間を上下導通材１０７で接続するための上下導通端子１０６が配置されている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。
【００４６】
図２において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が作りこまれた積層構造が形成されている。画像表示領域１０ａには、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線の上層に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明材料からなる画素電極９がマトリクス状に設けられている。画素電極９上には、配向膜（図２において省略）が形成されている。他方、対向基板２０におけるＴＦＴアレイ基板１０との対向面上に、ブラックマトリクス２３が形成されている。ブラックマトリクス２３は、例えば遮光性金属膜等から形成されており、対向基板２０上の画像表示領域１０ａ内で、例えば格子状、ストライプ状等にパターニングされている。ブラックマトリクス２３上には、ＩＴＯ等の透明材料からなる対向電極２１が複数の画素電極９と対向して、対向基板２０の全面に亘って（例えばベタ状に）形成されている。また、対向電極２１上には配向膜（図２において省略）が形成されている。
【００４７】
このように構成され、画素電極９と対向電極２１とが対面するように配置されたＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が形成されている。液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で所定の配向状態をとる。
【００４８】
尚、図１及び図２に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の駆動回路の他に、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路、検査用パターン等が形成されていてもよい。
【００４９】
次に、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域の電気的な構成について、図３を参照して説明する。ここに図３は、本実施形態に係る液晶装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路図である。
【００５０】
図３において、画像表示領域１０ａを構成するマトリクス状に形成された複数の画素の各々には、画素電極９及び画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、画素電極９に電気的に接続されており、液晶装置の動作時に画素電極９をスイッチング制御する。データ線６に書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、互いに隣り合う複数のデータ線６同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
【００５１】
ＴＦＴ３０のゲートには走査線１１が電気的に接続されており、本実施形態に係る液晶装置は、所定のタイミングで、走査線１１にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６から供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが所定のタイミングで書き込まれる。画素電極９を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板２０（図２参照）に形成された対向電極２１（図２参照）との間で一定期間保持される。
【００５２】
液晶層５０（図２参照）を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として液晶装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射される。
【００５３】
ここで保持された画像信号がリークすることを防ぐために、画素電極９と対向電極２１（図２参照）との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が付加されている。蓄積容量７０は、画像信号の供給に応じて各画素電極９の電位を一時的に保持する保持容量として機能する容量素子である。蓄積容量７０の詳細な構造については後述するが、一方の電極は画素電極９と並列してＴＦＴ３０に接続され、他方の電極は、定電位となるように、電位固定の容量線３００に接続されている。このように蓄積容量７０を設けることにより、画素電極９の電位保持特性が向上し、コントラスト向上やフリッカの低減といった表示特性を向上させることが可能となる。
【００５４】
次に、上述の動作を実現するＴＦＴアレイ１０基板上の積層構造の具体的な構成を、図４から図７を参照して説明する。
【００５５】
図４は、本実施形態に係る電気光学装置のＴＦＴ３０周辺の構成を示す平面図であり、図５は、図４のＡ−Ａ´線断面図である。尚、図４及び図５では、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。また、図４では、説明の便宜上、各層を透過的に図示しており、図５で示す部材のいくつかを省略している。
【００５６】
図４に示すように、データ線６及び走査線１１は互いに交差するように配置されている。走査線１１は、図中のＸ方向に沿って延びており、データ線６は、図中のＹ方向に沿って延びている。尚、ここでは図示を省略しているが、データ線６、走査線１１及び各種配線等によって規定されている開口領域（即ち、各画素において、表示に実際に寄与する光が透過又は反射される領域）には、画素電極９が画素毎に複数設けられている。
【００５７】
画素スイッチング用のＴＦＴ３０は、走査線１１及びデータ線６の交差に対応して配置されている。ここで、ＴＦＴ３０は、図５に示すように、半導体層３０ａとゲート電極３０ｂとを含んで構成されている。ゲート電極３０ｂは、ゲート絶縁膜１３を挟んでチャネル領域３０ａ２に対向するように配置されており、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された走査線１１とコンタクトホール（図４及び図５において省略）を介して電気的に接続されている。
【００５８】
ＴＦＴ３０を構成する半導体層３０ａは、データ線側ソースドレイン領域３０ａ１、チャネル領域３０ａ２、画素電極側ソースドレイン領域３０ａ３、データ線側ソースドレイン領域３０ａ１及びチャネル領域３０ａ２間に設けられたデータ線側ＬＤＤ領域３０ａ４、及び、画素電極側ソースドレイン領域３０ａ３及びチャネル領域３０ａ２間に設けられた画素電極側ＬＤＤ領域３０ａ５から構成されている。データ線側ソースドレイン領域３０ａ１、チャネル領域３０ａ２、画素電極側ソースドレイン領域３０ａ３、データ線側ＬＤＤ領域３０ａ４、及び、画素電極側ＬＤＤ領域３０ａ５は、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって、半導体層３０ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。特に、データ線側ＬＤＤ領域３０ａ４及び画素電極側ＬＤＤ領域３０ａ５は夫々、データ線側ソースドレイン領域３０ａ１及び画素電極側ソースドレイン領域３０ａ３よりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成されている。このような不純物領域によれば、ＴＦＴ３０の非動作時において、データ線側ソースドレイン領域３０ａ１及び画素電極側ソースドレイン領域３０ａ３間に流れるオフ電流を低減し、且つＴＦＴ３０の動作時に流れるオン電流の低下を抑制できる。
【００５９】
図４及び図５において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、走査線１１が設けられている。走査線１１は、例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等の遮光性材料からなる。即ち、本発明における下側遮光膜は、本実施形態では走査線１１である。従って、走査線１１は下側遮光膜として、ＴＦＴアレイ基板１０における裏面反射や、複板式のプロジェクタ等で他の液晶装置から発せられ合成光学系を突き抜けてくる光などである、ＴＦＴアレイ基板１０側から装置内に入射する戻り光から、ＴＦＴ３０のチャネル領域３０ａ２及びその周辺を遮光する。特に、本実施形態では、走査線１１の幅は、ＴＦＴアレイ基板１０上で平面的に見たときに、チャネル領域３０ａ２、データ線側ＬＤＤ領域３０ａ４及び画素電極側ＬＤＤ領域３０ａ５を含む半導体層３０ａ全体に比べて幅広に形成されている。このように下側遮光膜として機能する走査線１１を広く形成することにより、ＴＦＴアレイ基板１０に対して垂直に半導体層３０ａに入射しようとする光だけでなく、斜め又は側方から入射しようとする光をも効率的に遮光することが可能となる。
【００６０】
続いて、図５を参照すると、走査線１１と半導体層３０ａとの間には、本発明における「下側層間絶縁膜」たる下地絶縁膜１２が積層されている。ここで、下地絶縁膜１２は、データ線側ソースドレイン領域３０ａ１及び画素電極側ソースドレイン領域３０ａ３（以下適宜「前者の領域」と呼ぶ）に比べて、データ線側ＬＤＤ領域３０ａ４及び画素電極側ＬＤＤ領域３０ａ５（以下適宜「後者の領域」と呼ぶ）において膜厚が厚くなるように、その表面に段差を有している。即ち、下地絶縁膜１２における、これらの前者の領域及び後者の領域を除く全域が、前者の高さとなるように形成されていてもよいし、後者の高さとなるように形成されていてもよい。例えば、前者の領域における下地絶縁膜１２を複数の成膜工程等で局所的に厚く積むように形成してもよいし、後者の領域における下地絶縁膜１２をエッチング工程等で局所的に薄くするように形成してもよい。
【００６１】
図６は、ＴＦＴ３０の周辺領域において下地絶縁膜１２が厚く形成されている領域を示した模式図である。尚、図６ではデータ線６、走査線１１及び半導体層３０ａ等以外の詳細な構造については省略し、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。下地絶縁膜１２は、図中の点線で囲んだ領域内、即ち、データ線側ＬＤＤ層３０ａ４及び画素電極側ＬＤＤ層３０ａ５を含む領域において厚く形成されている。
【００６２】
ここで、ＴＦＴアレイ基板１０の下側から入射しようとする光に対して遮光性を高めようとする場合には、典型的には、下地絶縁膜１２の膜厚を極力薄くし、下側遮光膜たる走査線１１と半導体層３０ａとの間隔を狭めることが考えられる（図５参照）。しかしながら、本実施形態では下側遮光膜は走査線１１によって形成されているため、液晶装置の動作中、下側遮光膜には走査信号（即ち、電圧信号）が印加される。従って、仮に下側絶縁膜１２の全体の膜厚を薄くして走査線１１とＬＤＤ領域の間隔を狭めてしまうと、走査線１１に印加された電位の影響を受けてＬＤＤ領域がアクティブ化し、半導体層３０ａが誤作動を起こしてしまう。そこで、図５に示すように、データ線側ＬＤＤ領域３０ａ４及び画素電極側ＬＤＤ領域３０ａ５においては、下地絶縁膜１２の膜厚を厚く形成することで、走査線１１とＬＤＤ領域との距離を大きく確保することで、ＬＤＤ層の誤作動を防止している。一方、データ線側ソースドレイン領域３０ａ１や画素電極側ソースドレイン領域３０ａ２の端部等は、ＬＤＤ領域に比べて薄い膜厚で下地絶縁膜１２が形成されている。これにより、走査線１１（即ち、下側遮光膜）と半導体層３０ａとの間隔が狭くなるので、走査線１１による半導体層３０ａへの遮光性を向上させることができる。
【００６３】
尚、図５に示すように、チャネル層３０ａ２やソースドレイン領域のうちＬＤＤ領域付近においても下地絶縁膜１２を厚く形成しているように、ＬＤＤ領域以外の領域においても下地絶縁膜１２を厚く形成していてもよい。
【００６４】
再び図５に戻って、ＴＦＴ３０（即ち、半導体層３０ａ及びゲート電極３０ｂ）より上層側には、第１層間絶縁膜１４を介して蓄積容量７０が形成されている。蓄積容量７０は、下部容量電極１と上部容量電極８とが誘電体膜７を挟持するように対向配置されることによって形成されている。
【００６５】
上部容量電極８は、画素電極９が配置された画像表示領域１０ａからその周囲に延設されており、データ線６が延びる方向（即ち、図４におけるＹ方向）で互いに隣り合う画素の上部容量電極８と、互いに電気的に接続されている。上部容量電極８は定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持されている。或いは、上部容量電極８は対向電極の電源と電気的に接続され、反転する矩形波状の所定電位に維持されてもよい。本実施形態では特に、上部容量電極８は、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）等の金属又は合金を含んだ非透明な金属膜から形成されている。即ち、上部容量電極８は、本発明における上側遮光膜の一部として構成されており、ＴＦＴアレイ基板１０の上方から半導体層３０ａ入射しようとする光を遮光する役割を果たしている。このように画像表示領域１０ａにおいて広く形成されている上部容量電極８を上側遮光膜として利用することによって、ＴＦＴアレイ基板１０の上方から半導体層３０ａに入射しようとする光に対して、良好な遮光を行うことが可能となる。
【００６６】
下部容量電極１は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ａ３と画素電極９とを電気的に中継接続している。具体的には、下部容量電極１は、第１層間絶縁膜１４に開口されたコンタクトホール３３を介して、画素電極側ソースドレイン領域３０ａ３と電気的に接続されている。また、ここでは図示されていないが、下部容量電極１は他の中継層等を介して画素電極９に電気的に接続されており、画素電極９に画像信号を伝達する。即ち、下部容量電極１は、画素電極側ソースドレイン領域３０ａ３及び画素電極９間の電気的な接続を中継する中継配線としても機能する。本実施形態においては、下部容量電極１は、導電性のポリシリコンから形成されている。即ち、本実施形態における蓄積容量７０は、所謂ＭＩＳ構造を有している。
【００６７】
誘電体膜７は、例えばＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜、ＬＴＯ（Low Temperature Oxide）膜等の酸化シリコン（ＳｉＯ２）膜、或いは窒化シリコン（ＳｉＮ）膜等から構成された単層構造、或いは多層構造を有している。
【００６８】
データ線６は、蓄積容量７０より上層側に層間絶縁膜１５を介して積層されている。また、データ線６は、コンタクトホール３２を介して半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ａ１に電気的に接続されている。本実施形態では特に、データ線６は非透明な金属等で構成されており、上部容量電極８とともに、本発明における上側遮光膜の一部として構成されている。そのため、ＴＦＴアレイ基板１０の上方から半導体層３０ａに入射しようとする光は、上部容量電極８及びデータ線６の双方によって二重に或いは重畳的に遮光されるため、本形態によれば、半導体３０ａを極めて良好に遮光することができる。
【００６９】
ここで、図５に示すように、上側遮光膜（即ち、上部容量電極８及びデータ線６）と下側遮光膜（即ち、走査線１１）との間隔は、コンタクトホール３２及び３３の付近において狭くなっている。即ち、チャネル層３０ａ２付近における上下の遮光膜の間隔に比べて、コンタクトホール３２及び３３付近においてその間隔が狭まっている。このように、チャネル層３０ａ２の両脇の領域において上下に配置された遮光膜の間隔を狭めることによって、ＴＦＴアレイ基板１０に垂直な方向から入射しようとする光だけでなく、斜めや側方から入射しようとする光に対しても遮光が可能となる。そのため、チャネル領域３０ａ２及びＬＤＤ領域を含む半導体層３０ａの一領域について、遮光性を向上させることができる。更に、上側遮光膜及び下側遮光膜間にて、内面反射により迷光が発生することも効果的に阻止できる。それらの結果、半導体層３０ａにおいて光リーク電流の発生を抑制することができ、より高品位な画像表示を行うことができる液晶装置の実現が可能となる。
【００７０】
続いて、図７は、図４のＢ−Ｂ’線断面図である。尚、図７では、説明の便宜上、図４に示す各部材を適宜省略して図示してある。
【００７１】
図７に示すように、半導体層３０ａは、下層側に下側遮光膜として走査線１１、上層側に上側遮光膜として容量電極８及びデータ線６を有している。よって、例えば図中の矢印で示すような方向から半導体層３０ａに入射しようとする光を効果的に遮光することが可能である。このように構成すれば、ＴＦＴアレイ基板１０の上下方向から入射しようとする光を遮光することができ、半導体層３０ａの光リーク電流の発生を大幅に抑制することが可能である。
【００７２】
以上説明したように、本実施形態に係る電気光学装置によれば、少なくともＬＤＤ領域においては、下地絶縁膜１２の膜厚を厚く形成することで走査線１１の電位による誤作動を防止しつつ、その他の領域（例えば、ソースドレイン領域）においては遮光性を高めるために下地絶縁膜１２の膜厚を薄く形成することで、下側遮光膜の遮光性を向上させている。更に、チャネル領域の端部付近において上下遮光膜の間隔を狭めることで、外部からの半導体層３０ａへの光の侵入を抑制することで、光リーク電流の発生を減少させている。その結果、光リーク電流の発生を効果的に防止し、高品質な画像を表示することが可能な液晶装置を実現することができる。
【００７３】
＜第２実施形態＞
図８を参照して、本実施形態に係る液晶装置の他の形態について説明する。図８は、本実施形態におけるＴＦＴ３０付近の階層構造の断面図を示した図である。
【００７４】
本実施形態では、２つのＬＤＤ領域（即ち、データ線側ＬＤＤ領域３０ａ４及び画素電極側ＬＤＤ領域３０ａ５）付近においてのみ、下地絶縁膜１２の膜厚が厚くなるように形成されている。
【００７５】
図９は、ＴＦＴ３０の周辺領域において下地絶縁膜１２が厚く形成されている領域を示した模式図である。尚、図９ではデータ線６、走査線１１及び半導体層３０ａ等以外の詳細な構造については省略し、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。下地絶縁膜１２は、図中の点線で囲んだ領域内、即ち、データ線側ＬＤＤ層３０ａ４及び画素電極側ＬＤＤ層３０ａ５を含む領域において厚く形成されている。
【００７６】
このように第１実施形態に比べて、チャネル領域３０ａ２においても下地絶縁膜１２の膜厚が薄く形成されている。従って、チャネル領域３０ａ２においても、下側遮光膜たる走査線１１との距離が狭まるため、ＴＦＴアレイ基板１０の下側から侵入しようとする光に対してより効果的に遮光することができる。
【００７７】
＜２．液晶装置の製造方法＞
続いて、図１０及び図１１を参照して、以上で説明した実施形態における液晶装置の製造方法について、工程毎に説明する。
【００７８】
まず、図１０（ａ）に示すように、ＴＦＴアレイ基板１０上に、スパッタリング等により、非透明な金属等で走査線１１を形成する。例えば、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｐｄ等の高融点金属のうちの少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等の遮光性材料で形成すればよい。ここで、走査線１１の幅が、後の工程で形成する半導体層３０ａの幅よりも広くなるように形成することが好ましい。このように走査線１１を幅広に形成することで、走査線１１は本発明における下側遮光膜として機能し、ＴＦＴアレイ基板１０の下側から半導体層３０ａに入射しようとする光を効率的に遮光することが可能となる。
【００７９】
続いて、走査線１１上に、蒸着等により下地絶縁膜１２を形成する（図１０（ｂ）及び（ｃ））。ここで、下地絶縁膜１２は、ＴＦＴアレイ基板１０上に所定の膜厚で積層した後、次の工程で形成される半導体層３０ａのうち、少なくともＬＤＤ領域３０ａ４及び３０ａ５に該当する領域について下地絶縁膜１２の膜厚が厚くなるように、ドライエッチング或いはウエットエッチング等により、下地絶縁膜１２の表面に段差を形成する（図１０（ｃ））。ここでは、図１０（ｃ）に示すように、データ線側ＬＤＤ領域３０ａ４、チャネル領域３０ａ２及び画素電極側ＬＤＤ領域３０ａ５に相当する領域において下地絶縁膜１２の膜厚が厚くなるように段差を形成している。
【００８０】
続いて、下地絶縁膜１２上に半導体層３０ａを形成する（図１０（ｄ）参照）。下地絶縁膜１２の膜厚が厚い領域に、データ線側ＬＤＤ領域３０ａ４、画素電極側ＬＤＤ領域３０ａ５及びチャネル領域３０ａ２が配置され、下地絶縁膜１２が薄く形成されている領域にデータ線側ソースドレイン領域３０ａ１及び画素電極側ソースドレイン領域３０ａ３が配置されるように、半導体層３０ａを形成する。具体的には、例えばイオンインプランテーション法等の不純物打ち込みによって、下地絶縁膜１２上に形成した半導体層３０ａに不純物を打ち込めばよい。特に、データ線側ＬＤＤ領域３０ａ４及び画素電極側ＬＤＤ領域３０ａ５は夫々、データ線側ソースドレイン領域３０ａ１及び画素電極側ソースドレイン領域３０ａ３よりも不純物の少ない低濃度な不純物領域として形成する。この際、ゲート電極３０ｂをマスクとするセルフアライン形で不純物注入を行ってもよいし、或いはゲート電極３０ｂとは別のマスクを形成して不純物注入を行ってもよい。
【００８１】
また、半導体層３０ａ上には、熱酸化等により薄いゲート絶縁膜１３を形成し、その上に、蒸着、スパッタリング等によりゲート電極３０ｂを形成する。尚、ゲート電極は例えばポリシリコン等の素材で構成されており、積層構造中に設けたコンタクトホール（図１０において省略）を介して走査線１１と電気的に接続する。
【００８２】
続いて、図１０（ｅ）に示すように、ゲート絶縁膜１３及びゲート電極３０ｂ上に、第１層間絶縁膜１４を積層する。
【００８３】
次に、図１０（ｆ）に示すように、ゲート絶縁膜１３及び第１層間絶縁膜１４にコンタクトホール３２を開口し、下部容量電極１を形成する。ここで、下部容量電極１は、非透明な遮光性材料を用いて、半導体層３０ａの上部を上側からカバーするように広く形成する。これにより、下部容量電極１は本発明における上側遮光膜の一部として機能し、ＴＦＴアレイ基板１０の上方から半導体層３０ａに入射しようとする光を遮光することが可能となる。ここで、特に下部容量電極１は、コンタクトホール３３を介して積層することによって、ＴＦＴアレイ基板１０上に形成された走査線１１との間隔が狭くなるように形成する。これにより、単に平面的な遮光膜同士で半導体層３０ａを挟んだ場合に比べて、ＴＦＴアレイ基板１０の側方から入射しようとする光を良好に遮光することができる。
【００８４】
次に図１１（ｇ）を参照して、保持容量を形成する工程について説明する。下部容量電極１上に誘電体膜７を形成し、その上に上部容量電極８を積層する。上部容量電極８は遮光性を有する非透明な材料で構成されており、本発明における上側遮光膜の一部を構成している。その結果、下部容量電極１と共にＴＦＴアレイ基板１０の上方から入射しようとする光を遮光するので、本発明における上側遮光膜の遮光性を向上させることができる。
【００８５】
続いて、上部容量電極８上に、更に層間絶縁膜１５を積層する（図１１（ｈ）参照）。そして、ゲート絶縁膜１３、層間絶縁膜１４及び１５に、コンタクトホール３２を開口し、データ線６を形成する（図１１（ｉ））。本実施形態では特に、データ線６も遮光性を有する非透明な材料で構成することにより、本発明の上側遮光膜の一部としてデータ線を利用できるように形成する。そして、データ線６上に層間絶縁膜１５を形成する。
【００８６】
尚、層間絶縁膜１５上には、図１１では図示していないが、画素電極や配向膜等が形成されることによって、ＴＦＴアレイ基板１０上の積層構造が完成する。
【００８７】
このようにして完成されたＴＦＴアレイ基板１０は、対向電極や配向膜が積層されることによって完成された対向基板２０と、液晶５０を介して対向配置されることによって、液晶装置が完成する。
【００８８】
＜３：電子機器＞
次に、上述した電気光学装置である液晶装置を各種の電子機器に適用する場合について説明する。ここに図１２は、プロジェクタの構成例を示す平面図である。以下では、この液晶装置をライトバルブとして用いたプロジェクタについて説明する。
【００８９】
図１２に示されるように、プロジェクタ１１００内部には、ハロゲンランプ等の白色光源からなるランプユニット１１０２が設けられている。このランプユニット１１０２から射出された投射光は、ライトガイド１１０４内に配置された４枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロイックミラー１１０８によってＲＧＢの３原色に分離され、各原色に対応するライトバルブとしての液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇに入射される。
【００９０】
液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇの構成は、上述した液晶装置と同等であり、画像信号処理回路から供給されるＲ、Ｇ、Ｂの原色信号でそれぞれ駆動されるものである。そして、これらの液晶パネルによって変調された光は、ダイクロイックプリズム１１１２に３方向から入射される。このダイクロイックプリズム１１１２においては、Ｒ及びＢの光が９０度に屈折する一方、Ｇの光が直進する。従って、各色の画像が合成される結果、投射レンズ１１１４を介して、スクリーン等にカラー画像が投写されることとなる。
【００９１】
ここで、各液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇによる表示像について着目すると、液晶パネル１１１０Ｇによる表示像は、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂによる表示像に対して左右反転することが必要となる。
【００９２】
尚、液晶パネル１１１０Ｒ、１１１０Ｂ及び１１１０Ｇには、ダイクロイックミラー１１０８によって、Ｒ、Ｇ、Ｂの各原色に対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。
【００９３】
尚、図１２を参照して説明した電子機器の他にも、モバイル型のパーソナルコンピュータや、携帯電話、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器に適用可能なのは言うまでもない。
【００９４】
また、本発明は上述の各実施形態で説明した液晶装置以外にも反射型液晶装置（ＬＣＯＳ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、電界放出型ディスプレイ（ＦＥＤ、ＳＥＤ）、有機ＥＬディスプレイ、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、電気泳動装置等にも適用可能である。
【００９５】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う電気光学装置用基板及び電気光学装置、並びに該電気光学装置を備えた電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【００９６】
【図１】第１実施形態に係る液晶装置の全体構成を示す平面図である。
【図２】図１のＨ−Ｈ´断面図である。
【図３】第１実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示すブロック図である。
【図４】第１実施形態に係る液晶装置のＴＦＴ周辺の構成を示す平面図である。
【図５】図４のＡ−Ａ´線断面図である。
【図６】第１実施形態に係る液晶装置のＴＦＴ３０の周辺領域における下地絶縁膜が厚く形成された領域を示す模式図である。
【図７】図４のＢ−Ｂ´線断面図である。
【図８】第２実施形態に係る液晶装置のＴＦＴに沿った断面を示す断面図である。
【図９】第２実施形態に係る液晶装置のＴＦＴ３０の周辺領域における下地絶縁膜が厚く形成された領域を示す模式図である。
【図１０】第１実施形態に係る液晶装置のＴＦＴアレイ基板上の積層構造の製造方法を、工程毎に示す断面図である。
【図１１】図１０に続いて、第１実施形態に係る液晶装置のＴＦＴアレイ基板上の積層構造の製造方法を、工程毎に示す断面図である。
【図１２】電気光学装置を適用した電子機器の一例たるプロジェクタの構成を示す平面図である。
【符号の説明】
【００９７】
１  下部容量電極、  ６  データ線、  ８  上部容量電極、  ９  画素電極、  １０  ＴＦＴアレイ基板、  １０ａ  画像表示領域、  １１  走査線、１２  下側層間絶縁膜  ２０  対向基板、  ２１  対向電極、  ３０  ＴＦＴ、  ３０ａ  半導体層、  ３０ａ１  データ線側ソースドレイン領域、  ３０ａ２  チャネル領域、  ３０ａ３  画素電極側ソースドレイン領域、  ３０ａ４  データ線側ＬＤＤ領域、  ３０ａ５  画素電極側ＬＤＤ領域、  ３０ｂ  ゲート電極、  ５０  液晶
【図１】
2010060686.tif 000003
【図２】
2010060686.tif 000004
【図３】
2010060686.tif 000005
【図４】
2010060686.tif 000006
【図５】
2010060686.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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