(57)【要約】【課題】本発明は高周波半導体パッケージの検査用治具に係り、高周波半導体パッケージの電気特性の検査を行うのに好適な検査用治具に関し、高周波半導体パッケージの電気特性の検査を正確に出来る検査用治具を提供することを目的とする。【解決手段】本発明に係る検査用治具は、絶縁体基板と、接地用導体と、前記絶縁体高周波信号用配線とを有するマイクロストリップライン構造の検査用回路基板と、前記絶縁体基板の前記上面に設けられ、前記接地用導体に接続された接地用ブロックと、前記絶縁体基板の前記上面において前記接地用ブロックとは離されて設けられ、前記高周波信号用配線に接続された高周波信号用コンタクトピンと、を備え、前記接地用ブロックは、前記高周波信号用コンタクトピンに対向する部分に突起部を有することを特徴とするものである。【選択図】図２
2010060426.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接地用電極と高周波信号用電極を有する高周波半導体パッケージの電気特性を検査するための検査用治具であって、
絶縁体基板と、前記絶縁体基板の下面に形成された接地用導体と、前記絶縁体基板の上面に形成された高周波信号用配線とを有する、マイクロストリップライン構造の検査用回路基板と、
前記絶縁体基板の前記上面に設けられ、前記接地用導体に接続された接地用ブロックと、
前記絶縁体基板の前記上面において前記接地用ブロックとは離されて設けられ、前記高周波信号用配線に接続された高周波信号用コンタクトピンと、
を備え、
前記接地用ブロックは、検査時において前記高周波半導体パッケージの前記接地用電極と導通するものであり、
前記高周波信号用コンタクトピンは、検査時において前記高周波半導体パッケージの前記高周波信号用電極と高周波信号をやり取りするものであり、
前記接地用ブロックは、前記高周波信号用コンタクトピンに対向する部分に突起部を有し、
前記突起部の前記高周波信号用コンタクトピンと対向する部分は、前記高周波信号用コンタクトピンと平行な面として構成されていることを特徴とする検査用治具。
【請求項２】
前記接地用ブロックと前記高周波信号用コンタクトピンとの間に設けられた絶縁体を更に備えることを特徴とする請求項１記載の検査用治具。
【請求項３】
前記突起部の前記高周波信号用配線と近接する部分に切り欠き部が設けられていることを特徴とする請求項１〜２のいずれか１項に記載の検査用治具。
【請求項４】
接地用電極と高周波信号用電極を有する高周波半導体パッケージの電気特性を検査するための検査用治具であって、
絶縁体基板と、前記絶縁体基板の下面に形成された接地用導体と、前記絶縁体基板の上面に形成された高周波信号用配線とを有する、マイクロストリップライン構造の検査用回路基板と、
前記絶縁体基板の前記上面に設けられ、前記接地用導体に接続された接地用ブロックと、
前記絶縁体基板の前記上面において前記接地用ブロックとは離されて設けられ、前記高周波信号用配線に接続された高周波信号用コンタクトピンと、
を備え、
前記接地用ブロックは、検査時において前記高周波半導体パッケージの前記接地用電極と導通するものであり、
前記高周波信号用コンタクトピンは、検査時において前記高周波半導体パッケージの前記高周波信号用電極と高周波信号をやり取りするものであり、
前記接地用ブロックは、前記高周波信号用コンタクトピンに対向する部分に切り欠き部を有し、
前記切り欠き部の前記高周波信号用コンタクトピンと対向する内壁は、前記高周波信号用コンタクトピンと平行な面として構成されていることを特徴とする検査用治具。
【請求項５】
前記切り欠き部に設けられた絶縁体を更に備えることを特徴とする請求項４記載の検査用治具。
【請求項６】
前記絶縁体基板の前記上面において前記接地用ブロックとは離されて設けられた直流電流用コンタクトピンと、
前記接地用ブロックと前記直流電流用コンタクトピンとの間に設けられた絶縁膜と、
を更に備え、
前記高周波半導体パッケージは、直流電流用電極を更に有し、
前記検査用回路基板は、前記絶縁体基板の前記上面に形成され、前記直流電流用コンタクトピンに接続された直流電流用配線を更に有し、
前記直流電流用コンタクトピンは、検査時において前記高周波半導体パッケージの前記直流電流用電極に直流電流を供給するものであることを特徴とする請求項４〜５のいずれか１項に記載の検査用治具。
【請求項７】
接地用電極と高周波信号用電極を有する高周波半導体パッケージの電気特性を検査するための検査用治具であって、
絶縁体基板と、前記絶縁体基板の下面に形成された接地用導体と、前記絶縁体基板の上面に形成された高周波信号用配線とを有する、マイクロストリップライン構造の検査用回路基板と、
前記絶縁体基板の前記上面に設けられ、前記接地用導体に接続された接地用ブロックと、
前記絶縁体基板の前記上面において前記接地用ブロックとは離されて設けられ、前記高周波信号用配線に接続された高周波信号用コンタクトピンと、
前記絶縁体基板の前記上面において前記高周波信号用コンタクトピンとは離されて設けられた側部接地用導体と、
を備え、
前記接地用ブロックは、検査時において前記高周波半導体パッケージの前記接地用電極と導通するものであり、
前記高周波信号用コンタクトピンは、検査時において前記高周波半導体パッケージの前記高周波信号用電極と高周波信号をやり取りするものであり、
前記絶縁体基板の前記上面において、前記高周波信号用コンタクトピンの位置から、前記接地用ブロックと前記高周波信号用コンタクトピンとが対向する方向とは垂直な方向の位置に、前記側部接地用導体が設けられ、
前記側部接地用導体の下部は前記接地用導体と接続され、前記側部接地用導体の上部は前記接地用ブロックと接続されていることを特徴とする検査用治具。
【請求項８】
前記高周波信号用コンタクトピンの近接に配置され、前記高周波信号用コンタクトピンに接続された整合素子を含む整合回路を更に備えることを特徴とする請求項１、４、７のいずれか１項に記載の検査用治具。
【請求項９】
前記絶縁体基板の前記上面において前記接地用ブロックとは離されて設けられた直流電流用コンタクトピンと、
前記直流電流用コンタクトピンの近接に配置され、前記直流電流用コンタクトピンに接続された整合素子を含む整合回路と、
を更に備え、
前記高周波半導体パッケージは、直流電流用電極を更に有し、
前記検査用回路基板は、前記絶縁体基板の前記上面に形成され、前記直流電流用コンタクトピンに接続された直流電流用配線を更に有し、
前記直流電流用コンタクトピンは、検査時において前記高周波半導体パッケージの前記直流電流用電極に直流電流を供給するものであることを特徴とする請求項１、４、７、８のいずれか１項に記載の検査用治具。
【請求項１０】
前記整合素子は、絶縁体のカバーで覆われていることを特徴とする請求項８〜９のいずれか１項に記載の検査用治具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は高周波半導体パッケージの検査用治具に係り、高周波半導体パッケージの電気特性の検査を行うのに好適な検査用治具に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
高周波半導体パッケージの電気特性を検査する場合、検査用回路基板の配線を介して、テスト装置（コンピュータ）と高周波半導体パッケージとの高周波信号のやり取りを行なう。この際、高周波半導体パッケージの電極と検査用回路基板の配線とを導通させる必要がある。従来、高周波半導体パッケージの電極と検査用回路基板の配線とを導通させるためにコンタクタを適用した検査用治具が知られていた（特許文献１参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２５１７２０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した従来の検査用治具は、検査用回路基板とコンタクタを備える。この検査用回路基板はマイクロストリップライン構造を有し、絶縁体基板、絶縁体基板の上面に設けられた配線および絶縁体基板の下面に設けられた接地用導体から構成される。そして、検査用回路基板の配線の特性インピーダンスは、一定値（例えば、５０Ω）に整合されている。一方、コンタクタは、コンタクトピンと、コンタクトピンに対向するように設けられた接地用ブロックを備える。コンタクトピンは検査用回路基板の配線に接続されている。また、接地用ブロックは、絶縁体基板のビアを介して検査用回路基板の接地用導体と接続している。
【０００５】
この従来の検査用治具を用いて高周波半導体パッケージの電気特性を検査する場合、検査用回路基板の配線と高周波半導体パッケージの電極との高周波信号のやり取りが、コンタクタのコンタクトピンを介して行なわれる。上述したように、検査用回路基板の配線の特性インピーダンスは一定値に整合されている。一方、接地用ブロックとコンタクトピンとの距離は、高周波半導体パッケージのサイズ、構造等により制約を受けて定まる。このため、コンタクトピンの特性インピーダンスを、検査用回路基板の配線の特性インピーダンスと整合させることができない場合がある。この場合、高周波信号は、コンタクトピンを通過する際に劣化する。この結果、高周波半導体パッケージの電気特性の検査を正確に出来ないという問題が生じていた。
【０００６】
本発明は、上述した課題を解決するためになされ、高周波半導体パッケージの電気特性の検査を正確に出来る検査用治具を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る検査用治具は、接地用電極と高周波信号用電極を有する高周波半導体パッケージの電気特性を検査するための検査用治具であって、絶縁体基板と、前記絶縁体基板の下面に形成された接地用導体と、前記絶縁体基板の上面に形成された高周波信号用配線とを有する、マイクロストリップライン構造の検査用回路基板と、前記絶縁体基板の前記上面に設けられ、前記接地用導体に接続された接地用ブロックと、前記絶縁体基板の前記上面において前記接地用ブロックとは離されて設けられ、前記高周波信号用配線に接続された高周波信号用コンタクトピンと、を備え、前記接地用ブロックは、検査時において前記高周波半導体パッケージの前記接地用電極と導通するものであり、前記高周波信号用コンタクトピンは、検査時において前記高周波半導体パッケージの前記高周波信号用電極と高周波信号をやり取りするものであり、前記接地用ブロックは、前記高周波信号用コンタクトピンに対向する部分に突起部を有し、  前記突起部の前記高周波信号用コンタクトピンと対向する部分は、前記高周波信号用コンタクトピンと平行な面として構成されていることを特徴とするものである。
【０００８】
本発明に係る検査用治具は、接地用電極と高周波信号用電極を有する高周波半導体パッケージの電気特性を検査するための検査用治具であって、絶縁体基板と、前記絶縁体基板の下面に形成された接地用導体と、前記絶縁体基板の上面に形成された高周波信号用配線とを有する、マイクロストリップライン構造の検査用回路基板と、前記絶縁体基板の前記上面に設けられ、前記接地用導体に接続された接地用ブロックと、前記絶縁体基板の前記上面において前記接地用ブロックとは離されて設けられ、前記高周波信号用配線に接続された高周波信号用コンタクトピンと、を備え、前記接地用ブロックは、検査時において前記高周波半導体パッケージの前記接地用電極と導通するものであり、前記高周波信号用コンタクトピンは、検査時において前記高周波半導体パッケージの前記高周波信号用電極と高周波信号をやり取りするものであり、前記接地用ブロックは、前記高周波信号用コンタクトピンに対向する部分に切り欠き部を有し、前記切り欠き部の前記高周波信号用コンタクトピンと対向する内壁は、前記高周波信号用コンタクトピンと平行な面として構成されていることを特徴とするものである。
【０００９】
本発明に係る検査用治具は、接地用電極と高周波信号用電極を有する高周波半導体パッケージの電気特性を検査するための検査用治具であって、絶縁体基板と、前記絶縁体基板の下面に形成された接地用導体と、前記絶縁体基板の上面に形成された高周波信号用配線とを有する、マイクロストリップライン構造の検査用回路基板と、前記絶縁体基板の前記上面に設けられ、前記接地用導体に接続された接地用ブロックと、前記絶縁体基板の前記上面において前記接地用ブロックとは離されて設けられ、前記高周波信号用配線に接続された高周波信号用コンタクトピンと、前記絶縁体基板の前記上面において前記高周波信号用コンタクトピンとは離されて設けられた側部接地用導体と、を備え、前記接地用ブロックは、検査時において前記高周波半導体パッケージの前記接地用電極と導通するものであり、前記高周波信号用コンタクトピンは、検査時において前記高周波半導体パッケージの前記高周波信号用電極と高周波信号をやり取りするものであり、前記絶縁体基板の前記上面において、前記高周波信号用コンタクトピンの位置から、前記接地用ブロックと前記高周波信号用コンタクトピンとが対向する方向とは垂直な方向の位置に、前記側部接地用導体が設けられ、前記側部接地用導体の下部は前記接地用導体と接続され、前記側部接地用導体の上部は前記接地用ブロックと接続されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明により、高周波半導体パッケージの電気特性の検査を正確に出来る。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１は、高周波半導体パッケージの電気特性を検査する検査用治具に関する。この検査用治具は、コンタクタを介して、高周波半導体パッケージの電極と、検査用回路基板の配線との間で高周波信号のやり取りを行なうものである。
【００１２】
［実施の形態１の検査用治具の構成］
以下に、この実施の形態１に係る検査用治具の構成について説明する。図１は、実施の形態１における検査用治具１０に、高周波半導体パッケージ１２が接続された状態を示す断面図である。図２は、図１の二点鎖線で囲まれた部分を拡大した断面図である。図３は、図２で示した部分の斜視図である。図３には、検査用治具１０に対する高周波半導体パッケージ１２の配置位置をあわせて示した。
【００１３】
検査用治具１０は、検査用回路基板１４とコンタクタ１６を備える。検査用回路基板１４は、絶縁体基板１８と、絶縁体基板１８の下面に形成された接地用導体２０と、絶縁体基板１８の上面に形成された高周波信号用配線２２と、直流電流用配線２４とを備える。コンタクタ１６は、絶縁体基板１８の上面に設けられた接地用ブロック２６と、高周波信号用コンタクトピン２８と、直流電流用コンタクトピン３０とを備える。高周波信号用コンタクトピン２８は、接地用ブロック２６とは離されて設けられている。接地用ブロック２６と高周波信号用コンタクトピン２８は、絶縁体で構成されたハウジング３２により検査用回路基板１４上に固定されている。なお、図３では、検査用治具１０をわかりやすく示すために、ハウジング３２を省略した。
【００１４】
接地用ブロック２６は、絶縁体基板１８のビア３４を介して検査用回路基板１４の接地用導体２０に接続されている。高周波信号用コンタクトピン２８は、検査用回路基板１４の高周波信号用配線２２に接続されている。直流電流用コンタクトピン３０は、検査用回路基板１４の直流電流用配線２４に接続されている。
【００１５】
検査用回路基板１４の絶縁体基板１８と、接地用導体２０、および高周波信号用配線２２は、マイクロストリップライン構造を構成する。このマイクロストリップライン構造においては、高周波信号用配線２２と接地用導体２０との距離が一定に維持されている。これにより、高周波信号用配線２２の特性インピーダンスは５０Ωに整合されている。一方、コンタクタ１６の接地用ブロック２６と、高周波信号用コンタクトピン２８、および両者の間に設けられたハウジング３２も、マイクロストリップライン構造を構成する。図２において示された実線の矢印は、これらのマイクロストリップライン構造における配線と接地面の距離を示すものである。これらの距離のうちの距離Ｗ１は、上述したマイクロストリップライン構造において、配線の役割を担う高周波信号用コンタクトピン２８と、接地面の役割を担う接地用ブロック２６の本体との間の距離を示すものである。
【００１６】
この実施の形態１においては、接地用ブロック２６の高周波信号用コンタクトピン２８と対向する部分のみに突起部３６が設けられている。また、突起部３６において高周波信号用コンタクトピン２８と対向する対向部３８は、高周波信号用コンタクトピン２８と平行な面として構成されている。図２において破線の矢印で示された距離Ｗ２は、突起部３６を考慮したマイクロストリップライン構造において、接地面の役割を担う突起部３６と、配線の役割を担う高周波信号用コンタクトピン２８との間の距離を示すものである。
【００１７】
［実施の形態１の検査用治具による検査方法］
以下に、この実施の形態１に係る検査用治具１０により、高周波半導体パッケージ１２の電気特性を検査する方法について説明する。
【００１８】
まず、接地用ブロック２６と、高周波信号用コンタクトピン２８、および直流電流用コンタクトピン３０をそれぞれ、高周波半導体パッケージ１２の接地用電極４０と、高周波信号用電極４２、および直流電流用電極４４に接続する（高周波信号用電極４２および直流電流用電極４４への接続を図３の二点鎖線の矢印に示す。）。
【００１９】
次に、高周波信号用配線２２を介して、テスト装置（コンピュータ）と高周波半導体パッケージ１２との高周波信号のやり取りを行なって検査をする。この際、接地用ブロック２６は、高周波半導体パッケージ１２の接地用電極４０と導通する。そして、高周波信号は、高周波信号用配線２２を通過した後、高周波信号用コンタクトピン２８を通過して高周波半導体パッケージ１２の高周波信号用電極４２に入力される。また、直流電流用コンタクトピン３０は、高周波半導体パッケージ１２の直流電流用電極４４に直流電流を供給する。
【００２０】
［実施の形態１の効果］
実施の形態１の効果について説明するために、まず、この実施の形態１に係る検査用治具１０に対する比較例を以下に説明する。図４は、実施の形態１における比較例に係る検査用治具４６の断面図である。この比較例の検査用治具４６には、検査用治具１０と異なり、接地用ブロック２６に突起部３６が設けられていない。これ以外については、この比較例の検査用治具４６の構成は、検査用治具１０の構成と同一である。また、図４において示された実線の矢印、およびそれらの中で示された距離Ｗ１も検査用治具１０の場合と同一の内容を示す。
【００２１】
この実施の形態１および比較例の両方において、距離Ｗ１は、検査の対象となる高周波半導体パッケージ１２の構造等により制約を受けて定められる。そして、比較例においては、距離Ｗ１の長さにより、高周波信号用コンタクトピン２８の特性インピーダンスの大きさは変わる。このため、高周波信号用コンタクトピン２８の特性インピーダンスを、高周波信号用配線２２の特性インピーダンス（５０Ω）と整合できない場合がある。従って、比較例においては、高周波信号は高周波信号用コンタクトピン２８を通過する際に劣化する場合がある。
【００２２】
一方、この実施の形態１においては、接地用ブロック２６の高周波信号用コンタクトピン２８と対向する部分に突起部３６が設けられている。このため、距離Ｗ２は距離Ｗ１より短くなり、高周波信号用コンタクトピン２８の特性インピーダンスは小さくなる。これにより、高周波信号用コンタクトピン２８の特性インピーダンスを高周波信号用配線２２の特性インピーダンス（５０Ω）に近づけることができる。この結果、両者の間で特性インピーダンスを整合できる。このため、高周波半導体パッケージ１２の検査において、高周波信号が高周波信号用コンタクトピン２８を通過する際に、高周波信号が劣化することを防止できる。従って、高周波半導体パッケージ１２の電気特性を正確に検査することができる。
【００２３】
なお、この実施の形態１においては、突起部３６を設けることのみによって特性インピーダンスを整合したが、突起部３６を設けるとともに接地用ブロック２６と高周波信号用コンタクトピン２８との間のハウジング３２の誘電率を調整することによって特性インピーダンスを整合することもできる。従って、高周波半導体パッケージ１２の電気特性を正確に検査することができる。
【００２４】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２は、高周波半導体パッケージの電気特性を検査する検査用治具に関する。この実施の形態２に係る検査用治具は、実施の形態１と同様に、コンタクタを介して、高周波半導体パッケージの電極と、検査用回路基板の配線との間で高周波信号のやり取りを行なうものである。以下に、この実施の形態２に係る検査用治具について、実施の形態１とは異なる点のみを説明する。
【００２５】
［実施の形態２の検査用治具の構成］
図５は、この実施の形態２に係る検査用治具４８を示す斜視図である。図５において、実施の形態１に係る検査用治具１０と同一の構成については同一の符号を付した。検査用治具４８は、高周波信号用コンタクトピン５０を備える。また、検査用治具４８は、この高周波信号用コンタクトピン５０にあわせて設けられた高周波信号用配線５２を備える。この実施の形態２においては、検査対象となる高周波半導体パッケージは、実施の形態１とは異なるものである。そして、高周波信号用コンタクトピン５０は、高周波半導体パッケージの高周波信号用電極の配置位置、形状に合わせて設けられている。このため、高周波信号用コンタクトピン５０は、実施の形態１とは異なる方向を向くように配置されている。
【００２６】
実施の形態１と同様に、接地用ブロック２６において、高周波信号用コンタクトピン５０の絶縁体基板１８とは垂直な部分と対向する部分に、突起部５４が設けられている。また、突起部５４において、高周波信号用コンタクトピン５０の絶縁体基板１８とは垂直な部分と対向する対向部５６は、高周波信号用コンタクトピン５０の上述した部分と平行な面として構成されている。
【００２７】
［実施の形態２の効果］
以上により、この実施の形態２においては、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００２８】
実施の形態３． 
本発明の実施の形態３は、高周波半導体パッケージの電気特性を検査する検査用治具に関する。この実施の形態３に係る検査用治具は、実施の形態１と同様に、コンタクタを介して、高周波半導体パッケージの電極と、検査用回路基板の配線との間で高周波信号のやり取りを行なうものである。以下に、この実施の形態３に係る検査用治具について、実施の形態１とは異なる点のみを説明する。
【００２９】
［実施の形態３の検査用治具の構成］
図６は、この実施の形態３に係る検査用治具５８を示す断面図である。図６において、実施の形態１に係る検査用治具１０と同一の構成については同一の符号を付した。図６に示すように、突起部６０の高周波信号用配線２２の端部６２と近接する部分には、切り欠き６４が設けられている。
【００３０】
［実施の形態３の効果］
この検査用治具５８を製造する場合、高周波信号用配線２２の端部６２よりも内側に高周波信号用コンタクトピン２８を設ける必要がある。このため、高周波信号用配線２２の端部６２は、高周波信号用コンタクトピン２８よりも、接地用ブロック２６側に突き出すことになる。このため、切り欠き６４を設けることなく突起部６０を高周波信号用コンタクトピン２８に近づけると、突起部６０が高周波信号用配線２２の端部６２と接触する恐れがある。接触した場合には、接地用ブロック２６と高周波信号用配線２２が導通し、高周波半導体パッケージの検査ができなくなる。
【００３１】
この実施の形態３においては、突起部６０に切り欠き６４が設けられている。このため、高周波信号用配線２２の端部６２との接触を恐れることなく、突起部６０を高周波信号用コンタクトピン２８に可能な限り近づけることができる。これにより、高周波信号用コンタクトピン２８と高周波信号用配線２２の間で特性インピーダンスを整合するために、高周波信号用コンタクトピン２８の特性インピーダンスをより大きな範囲で調整することが可能になる。
【００３２】
実施の形態４．
本発明の実施の形態４は、高周波半導体パッケージの電気特性を検査する検査用治具に関する。この実施の形態４に係る検査用治具は、実施の形態１と同様に、コンタクタを介して、高周波半導体パッケージの電極と、検査用回路基板の配線との間で高周波信号のやり取りを行なうものである。以下に、この実施の形態４に係る検査用治具について、実施の形態１とは異なる点のみを説明する。
【００３３】
［実施の形態４の検査用治具の構成］
図７は、この実施の形態４に係る検査用治具６６を示す断面図である。図８は、図７で示した部分の斜視図である。図７と図８において、実施の形態１に係る検査用治具１０と同一の構成については同一の符号を付した。この実施の形態４においては、接地用ブロック２６の高周波信号用コンタクトピン２８と対向する部分に切り欠き６８が設けられている。また、切り欠き６８において高周波信号用コンタクトピン２８と対向する内壁７０は、高周波信号用コンタクトピン２８と平行な面として構成されている。なお、図７に、接地用ブロック２６の本体において切り欠き６８が設けられた部分を破線で示した。
【００３４】
図７において、切り欠き６８が設けられていないと想定した場合の高周波信号用コンタクトピン２８と接地用ブロック２６の本体との距離をＷ４で示す。また、高周波信号用コンタクトピン２８と、切り欠き６８の内壁７０との距離をＷ５で示す。
【００３５】
［実施の形態４の効果］
以下に、この実施の形態４の効果について説明する。
【００３６】
距離Ｗ４は、検査の対象となる高周波半導体パッケージの構造等により制約を受けて定められる。そして、切り欠き６８が設けられていない場合には、距離Ｗ４の長さにより、高周波信号用コンタクトピン２８の特性インピーダンスの大きさは変わる。このため、高周波信号用コンタクトピン２８の特性インピーダンスを、高周波信号用配線２２の特性インピーダンス（５０Ω）と整合できない場合がある。従って、切り欠き６８が設けられていない場合には、高周波信号は高周波信号用コンタクトピン２８を通過する際に劣化する場合がある。
【００３７】
一方、この実施の形態４においては、接地用ブロック２６の高周波信号用コンタクトピン２８と対向する部分に切り欠き６８が設けられている。このため、距離Ｗ５は距離Ｗ４より長くなり、高周波信号用コンタクトピン２８の特性インピーダンスは大きくなる。これにより、高周波信号用コンタクトピン２８の特性インピーダンスを高周波信号用配線２２の特性インピーダンス（５０Ω）に近づけることができる。この結果、両者の間で特性インピーダンスを整合できる。このため、高周波信号が高周波信号用コンタクトピン２８を通過する際に劣化することを防止できる。従って、高周波半導体パッケージの電気特性を正確に検査することができる。
【００３８】
実施の形態５．
本発明の実施の形態５は、高周波半導体パッケージの電気特性を検査する検査用治具に関する。この実施の形態５に係る検査用治具は、実施の形態４と同様に、接地用ブロックに切り欠きが設けられたものである。以下に、この実施の形態５に係る検査用治具について、実施の形態４の検査用治具とは異なる点のみを説明する。
【００３９】
［実施の形態５の検査用治具の構成］
図９は、この実施の形態５に係る検査用治具７２を示す斜視図である。図９において、実施の形態４に係る検査用治具７２と同一の構成については同一の符号を付した。図９に示すように、接地用ブロック２６に設けられた切り欠き６８に、セラミックスから構成された低誘電率の絶縁体７４が設けられている。
【００４０】
［実施の形態５の効果］
検査時において、高周波信号用コンタクトピン２８が高周波半導体パッケージの高周波信号用電極からの接触を受け、接地用ブロック２６側に倒れることがある。この場合に、切り欠き６８に絶縁体７４が設けられていないと、高周波信号用コンタクトピン２８が、切り欠き６８の内側にまで倒れる。このため、高周波信号用コンタクトピン２８と接地用ブロック２６との距離が短くなる。これにより、高周波信号用コンタクトピン２８の特性インピーダンスは小さくなる。この結果、実施の形態４のように、高周波信号用コンタクトピン２８の特性インピーダンスを高周波信号用配線２２の特性インピーダンス（５０Ω）に近づけることができなくなる。
【００４１】
実施の形態５においては、切り欠き６８に、セラミックスから構成された低誘電率の絶縁体７４が設けられている。この場合、高周波信号用コンタクトピン２８が切り欠き６８の内側にまで倒れることを防止できる。このため、高周波信号用コンタクトピン２８と接地用ブロック２６との距離は、絶縁体７４が設けられていない場合ほどは短くならない。これにより、高周波信号用コンタクトピン２８の特性インピーダンスが小さくなることを防止できる。従って、高周波信号用コンタクトピン２８の特性インピーダンスを高周波信号用配線２２の特性インピーダンス（５０Ω）に近づけることができる。この結果、両者の間で特性インピーダンスを整合できる。このため、高周波信号が高周波信号用コンタクトピン２８を通過する際に劣化することを防止できる。従って、高周波半導体パッケージの電気特性を正確に検査することができる。
【００４２】
なお、高周波信号用コンタクトピン２８の特性インピーダンスが小さくなることを防止するために、セラミックスから構成された絶縁体を設けたが、テフロン（登録商標）から構成された絶縁体を設けることも出来る。
【００４３】
また、実施の形態５においては、切り欠き６８に設けられた絶縁体７４の誘電率を調整することにより、高周波信号用コンタクトピン２８の特性インピーダンスを調整することができる。これによっても、高周波信号用コンタクトピン２８の特性インピーダンスを高周波信号用配線２２の特性インピーダンス（５０Ω）に近づけることができる。従って、高周波半導体パッケージの電気特性を正確に検査することができる。
【００４４】
実施の形態６．
本発明の実施の形態６は、高周波半導体パッケージの電気特性を検査する検査用治具に関する。この実施の形態６に係る検査用治具は、実施の形態４と同様に、接地用ブロックに切り欠きが設けられたものである。以下に、この実施の形態６に係る検査用治具について、実施の形態４の検査用治具とは異なる点のみを説明する。
【００４５】
［実施の形態６の検査用治具の構成］
図１０は、この実施の形態６に係る検査用治具７６を示す斜視図である。図１０において、実施の形態４に係る検査用治具７６と同一の構成については同一の符号を付した。図１０に示すように、接地用ブロック２６の直流電流用コンタクトピン３０が対向する部分に、テフロン（登録商標）コーティングによる絶縁膜７８が設けられている。
【００４６】
［実施の形態６の効果］
検査時において、直流電流用コンタクトピン３０が高周波半導体パッケージの直流電流用電極からの接触を受け、接地用ブロック２６側に倒れることがある。この場合に、接地用ブロック２６に絶縁膜７８が設けられていないと、直流電流用コンタクトピン３０が接地用ブロック２６と接触して短絡する恐れがある。
【００４７】
そこで、この実施の形態５においては、接地用ブロック２６の直流電流用コンタクトピン３０と対向する部分に絶縁膜７８が設けられている。このため、直流電流用コンタクトピン３０が接地用ブロック２６と接触した場合においても、短絡することを防止できる。
【００４８】
なお、短絡を防止するために、テフロン（登録商標）コーティングによる絶縁膜７８を設けたが、アルマイト処理による絶縁膜や、ＤＬＣ成膜による絶縁膜を用いることも出来る。
【００４９】
実施の形態７．
本発明の実施の形態７は、高周波半導体パッケージの電気特性を検査する検査用治具に関する。この実施の形態７に係る検査用治具は、実施の形態１と同様に、コンタクタを介して、高周波半導体パッケージの電極と、検査用回路基板の配線との間で高周波信号のやり取りを行なうものである。以下に、この実施の形態７に係る検査用治具について、実施の形態１とは異なる点のみを説明する。
【００５０】
［実施の形態７の検査用治具の構成］
図１１は、この実施の形態７に係る検査用治具８０を示す斜視図である。また、図１２は、図１１に示した検査用治具８０の平面図である。図１１と図１２において、実施の形態１に係る検査用治具１０と同一の構成については同一の符号を付した。
【００５１】
この実施の形態７に係る検査用治具８０は、絶縁体基板１８の上面において高周波信号用コンタクトピン２８とは離されて設けられた棒状導体８２を備える。図１２において、接地用ブロック２６と高周波信号用コンタクトピン２８とが対向する方向を実線の矢印で示す。また、破線の矢印は、この実線の矢印とは垂直な方向を示す。そして、上述した棒状導体８２は、高周波信号用コンタクトピン２８の位置から破線の矢印で示された方向の位置に設けられている。また、棒状導体８２の下部は、絶縁体基板１８のビア８４を介して接地用導体２０と接続されている。さらに、接地用ブロック２６の上部と、棒状導体８２の上部とを接続する導波路８６が設けられている。
【００５２】
［実施の形態７の効果］
検査時において、高周波信号は、高周波信号用配線２２を通過した後、高周波信号用コンタクトピン２８を通過して、高周波半導体パッケージの高周波信号用電極に入力される。この際には、接地用導体２０は、絶縁体基板１８のビア８４を介して棒状導体８２の下部と導通する。棒状導体８２の上部は、導波路８６を介して接地用ブロック２６の上部と導通する。接地用ブロック２６は、検査時において高周波半導体パッケージの接地用電極と導通する。このため、高周波信号が高周波信号用コンタクトピン２８を通過する際には、棒状導体８２が、マイクロストリップライン構造における接地面としての役割を担う。
【００５３】
つまり、棒状導体８２を設けることによって、高周波信号用コンタクトピン２８を配線とするマイクロストリップライン構造において、接地用ブロック２６とともに棒状導体８２を接地面として機能させることができる。これにより、高周波信号用コンタクトピン２８の特性インピーダンスを高周波信号用配線２２の特性インピーダンス（５０Ω）に近づけることができる。この結果、両者の間で特性インピーダンスを整合できる。この結果、高周波信号が高周波信号用コンタクトピン２８を通過する際に劣化することを防止できる。従って、高周波半導体パッケージの電気特性を正確に検査することができる。
【００５４】
実施の形態８．
本発明の実施の形態８は、高周波半導体パッケージの電気特性を検査する検査用治具に関する。この実施の形態８に係る検査用治具は、実施の形態１と同様に、コンタクタを介して、高周波半導体パッケージの電極と、検査用回路基板の配線との間で高周波信号のやり取りを行なうものである。以下に、この実施の形態８に係る検査用治具について、実施の形態１とは異なる点のみを説明する。
【００５５】
［実施の形態８の検査用治具の構成］
図１３は、この実施の形態８に係る検査用治具８８を示す平面図である。図１３において、実施の形態１に係る検査用治具１０と同一の構成については同一の符号を付した。図１３に示すように、この検査用治具８８は、ハウジング３２の直流電流用コンタクトピン３０に近接する位置に設けられた開口部９０を備える。この検査用治具８８は、開口部９０の内部に配置されたコンデンサ９２を備える。コンデンサ９２は、直流電流用コンタクトピン３０に近接している。また、このコンデンサ９２の一方の極板は直流電流用コンタクトピン３０に接続されている。そして、コンデンサ９２の他方の極板は接地されている。
【００５６】
［実施の形態８の効果］
高周波半導体パッケージが、実際に製品として使用される場合には、回路基板上に半田で直付けされる。この際、回路基板上において、高周波半導体パッケージの直流電流用電極の近接に、コンデンサが配置される。そして、コンデンサの一方の極板を高周波半導体パッケージの直流電流用電極に接続し、他方の極板を接地する。これにより、コンデンサを整合素子として機能させる。高周波半導体パッケージにおいて発振が生じることを抑制する整合回路を構成する。            
【００５７】
この実施の形態８に係る検査用治具８８においては、直流電流用コンタクトピン３０の近接にコンデンサ９２が配置されている。そして、コンデンサ９２の一方の極板は直流電流用コンタクトピン３０に接続されている。そして、コンデンサ９２の他方の極板は接地されている。これにより、高周波半導体パッケージを検査する場合に、コンデンサ９２を整合素子として機能させることができ、発振が生じることを抑制する整合回路を構成することができる。従って、この検査用治具８８を使用することにより、高周波半導体パッケージが実際に製品として使用される場合と同じ条件で、高周波半導体パッケージの電気特性を検査することができる。
【００５８】
［実施の形態８の変形例］
この実施の形態８において、検査用治具は、コンデンサ９２をハウジング３２に設けられた開口部９０に配置して、そのままの状態で使用されている。この実施の形態８において適用される検査用治具は、これに限定されない。ここで、図１４は、実施の形態８の変形例に係る検査用治具９４を示す平面図である。図１４に示す検査用治具９４のように、開口部９０に配置されたコンデンサ９２にエポキシ等の樹脂によるカバー９６を設けることが好ましい。このカバー９６を設けることにより、コンデンサ９２をハウジング３２と同様に、直流電流用コンタクトピン３０を固定する部材として使用できる。これにより、高周波半導体パッケージを検査する際に、直流電流用コンタクトピン３０が倒れなくなる。この結果、直流電流用コンタクトピン３０と高周波半導体パッケージの直流電流用電極との接触性を維持できる。
【００５９】
また、この実施の形態８においては、直流電流用コンタクトピン３０に接続された整合回路を適用した。これに限らず、高周波信号用コンタクトピン２８に整合回路を接続してもよい。この場合、高周波信号用コンタクトピン２８の近接に開口部を設けて、その開口部内部に整合素子を配置する。
【００６０】
また、この実施の形態８においては、コンデンサの一方の極板を直流電流用コンタクトピンに接続させて他方の極板を接地させた整合回路を適用した。これに限らず、高周波半導体パッケージが実際に製品として使用される場合に回路基板に設けられる整合回路に合わせて、適宜、整合回路を選択することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】実施の形態１における検査用治具に、高周波半導体パッケージが接続された状態を示す断面図である。
【図２】図１の二点鎖線で囲まれた部分を拡大した断面図である。
【図３】図２で示した部分の斜視図である。
【図４】実施の形態１における比較例に係る検査用治具の断面図である。
【図５】実施の形態２に係る検査用治具を示す斜視図である。
【図６】実施の形態３に係る検査用治具を示す断面図である。
【図７】実施の形態４に係る検査用治具を示す断面図である。
【図８】図７で示した部分の斜視図である。
【図９】実施の形態５に係る検査用治具を示す斜視図である。
【図１０】実施の形態６に係る検査用治具を示す斜視図である。
【図１１】実施の形態７に係る検査用治具を示す斜視図である。
【図１２】図１１に示した検査用治具の平面図である。
【図１３】実施の形態８に係る検査用治具を示す平面図である。
【図１４】実施の形態８の変形例に係る検査用治具を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６２】
１０；４８；５８；６６；７２；７６；８０；８８；９４  検索用治具
１２  高周波半導体パッケージ
１４  検査用基板
１８  絶縁体基板
２０  接地用導体
２２；５２  高周波信号用配線
２４  直流電流用配線
２６  接地用ブロック
２８；５０  高周波信号用コンタクトピン
３０  直流電流用コンタクトピン
３６；５４；６０  突起部
６４  切り欠き
６８  切り欠き
７０  高周波信号用コンタクトピン２８と対向する内壁
７４  絶縁体
７８  絶縁膜
８２  棒状導体
８６  導波路
９０  開口部
９２  コンデンサ
【図１】
2010060426.tif 000003
【図２】
2010060426.tif 000004
【図３】
2010060426.tif 000005
【図４】
2010060426.tif 000006
【図５】
2010060426.tif 000007
【図６】
2010060426.tif 000008
【図７】
2010060426.tif 000009
【図８】
2010060426.tif 000010
【図９】
2010060426.tif 000011
【図１０】
2010060426.tif 000012
【図１１】
2010060426.tif 000013
【図１２】
2010060426.tif 000014
【図１３】
2010060426.tif 000015
【図１４】
2010060426.tif 000016