(57)【要約】      （修正有）【課題】折り畳んだパルス引き伸ばしデバイスがレーザビームの高いエネルギ密度によって引き起こされる光学系への損傷を減少させる。【解決手段】パルスストレッチャー５０２は、入力光ビーム３０８を第１のビームと第２のビームに分割するように構成されたビームスプリッタ３０６、第１及び第２の共焦点ミラー３０４Ａ、３０４Ｂを含む共焦点共振器、及び折り畳みミラー３２０を含む。第１のビームの光学遅延の後に、第１のビームの少なくとも一部を第２のビームと再結合して修正ビームにするように光学構成される。第１のビームの焦点５１４が折り畳みミラー３２０から離れた距離に形成されて、折り畳みミラー３２０に対するエネルギ密度関連の損傷を防止するように、ビームスプリッタより前の入力光ビームの光路内に１つ又は複数の光学要素をさらに含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルス状レーザビームのパルス長を増加させるパルスストレッチャー又はパルス修正器であって、
入力光ビームを第１のビームと第２のビームに分割するビームスプリッタと、
第１の共焦点ミラー及び第２の共焦点ミラーを含む共焦点共振器と、
前記第１の共焦点ミラーと第２の共焦点ミラーとの間の光路内にある折り畳みミラーであって、前記ビームスプリッタ、前記共焦点共振器、及び前記折り畳みミラーが、光学構成内にあり、該光学構成によって引き起こされる前記第１のビームの光学的遅延の後、前記第１のビームの少なくとも一部が前記第２のビームと再結合されて修正ビームになるような折り畳みミラーと、
前記ビームスプリッタより前の前記入力光ビームの光路内にあり、前記第１のビームの中間焦点が前記折り畳みミラーから離れた距離に形成されて、前記折り畳みミラーへのエネルギ密度関連の損傷を防止する１つ又は複数の光学要素と、を備えるパルスストレッチャー。
【請求項２】
前記折り畳みミラーが前記第１の共焦点ミラーと前記第２の共焦点ミラーの間でほぼ等距離である、請求項１に記載のパルスストレッチャー。
【請求項３】
前記１つ又は複数の光学要素が、前記ビームスプリッタによる前記入力光ビームの前記分割前に、前記入力光ビームの発散及び収束の一方を提供する、請求項１に記載のパルスストレッチャー。
【請求項４】
前記修正ビームの再調整を提供するために、前記修正ビームの光路内に１つ又は複数の追加の光学要素をさらに備える、請求項３に記載のパルスストレッチャー。
【請求項５】
前記ビームスプリッタ、前記共焦点共振器、前記折り畳みミラー、及び前記１つ又は複数の光学要素が、リソグラフィ装置のビームデリバリシステムを備える、請求項１に記載のパルスストレッチャー。
【請求項６】
前記ビームスプリッタと直列で、それぞれが前記光学構成を通して追加の第１のビームを誘導し、追加の光学遅延を生成する１つ又は複数の追加のビームスプリッタをさらに備える、請求項１に記載のパルスストレッチャー。
【請求項７】
前記折り畳みミラーが２つ以上の折り畳みミラーを含む、請求項１に記載のパルスストレッチャー。
【請求項８】
パルス状レーザビームのパルス長を増加させるパルスストレッチャーを有するビームデリバリシステムを備えるリソグラフィ装置であって、前記パルスストレッチャーが、
入力光ビームを第１のビームと第２のビームに分割するビームスプリッタと、
第１の共焦点ミラー及び第２の共焦点ミラーを含む共焦点共振器と、
前記第１の共焦点ミラーと第２の共焦点ミラーとの間の光路内にある折り畳みミラーであって、前記ビームスプリッタ、前記共焦点共振器、及び前記折り畳みミラーが光学構成内にあり、該光学構成によって引き起こされた前記第１のビームの光学的遅延の後、前記第１のビームの少なくとも一部が前記第２のビームと再結合されて修正ビームになるような折り畳みミラーと、
前記ビームスプリッタより前の前記入力光ビームの光路内にあり、前記第１のビームの中間焦点が前記折り畳みミラーから離れた距離に形成されて、前記折り畳みミラーへのエネルギ密度関連の損傷を防止する１つ又は複数の光学要素と、を備えるリソグラフィ装置。
【請求項９】
前記修正ビームを調整する照明システムと、
前記修正ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成するパターニングデバイスを支持するパターニングデバイス支持体と、
基板を保持する基板支持体と、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
をさらに備える、請求項８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１０】
前記折り畳みミラーが前記第１の共焦点ミラーと前記第２の共焦点ミラーの間でほぼ等距離である、請求項８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１１】
前記１つ又は複数の光学要素が、前記ビームスプリッタによる前記入力光ビームの前記分割前に、前記入力光ビームの発散及び収束の一方を提供する、請求項８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１２】
前記修正ビームの再調整を提供するために、前記修正ビームの光路内に１つ又は複数の追加の光学要素をさらに備える、請求項１１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１３】
前記ビームスプリッタと直列で、それぞれが前記光学構成を通して追加の第１のビームを誘導し、追加の光学遅延を生成する１つ又は複数の追加のビームスプリッタをさらに備える、請求項８に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１４】
前記折り畳みミラーが２つ以上の折り畳みミラーを含む、請求項８に記載のパルスストレッチャー。
【請求項１５】
パルス状レーザビームのパルス長を増加させる方法であって、
入力光ビームを発散又は集束させて変更光ビームにし、
前記変更光ビームを第１のビームと第２のビームに分割して、前記第１のビームが複数の光学要素を有するパルス引き伸ばしデバイスを通って進むように誘導することを含み、前記入力光ビームの前記発散又は収束が、前記第１のビームの中間焦点を移動させて、前記複数の光学要素のいずれからも離し、さらに
前記第１のビームの少なくとも一部と前記第２のビームを再結合して再結合ビームにすることを含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は光学パルスを引き伸ばすシステム及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に使用可能である。このような場合、代替的にマスク又はレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを使用して、ＩＣの個々の層上に形成すべき回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば１つ又は幾つかのダイの一部を含む）に転写することができる。パターンの転写は通常、基板に設けた放射感応性材料（レジスト）の層への結像により行われる。一般的に、１枚の基板は、順次パターンが与えられる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。従来のリソグラフィ装置は、パターン全体をターゲット部分に１回で露光することによって各ターゲット部分が照射される、いわゆるステッパと、基板を所与の方向（「スキャン」方向）と平行あるいは逆平行に同期的にスキャンしながら、パターンを所与の方向（「スキャン」方向）に放射ビームでスキャンすることにより、各ターゲット部分が照射される、いわゆるスキャナとを含む。パターンを基板にインプリントすることによっても、パターニングデバイスから基板へとパターンを転写することが可能である。
【０００３】
[0003]  リソグラフィ装置は、放射ビーム（例えばＤＵＶ又はＥＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータ）を含むことができる。照明システムは、放射の誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含むことができる。照明システムは放射源から放射ビームを受ける。幾つかのシステムでは、放射ビームは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを含むことができるビームデリバリシステムの助けにより、放射源から照明システムへと渡される。放射源及び照明システムは、必要に応じてビームデリバリシステムとともに放射システムと呼ぶことができる。
【０００４】
[0004]  リソグラフィ装置は、製作が困難な大きくて高価なレンズ要素を含むことがある。通常、エキシマレーザを使用して、リソグラフィ装置にパルスの形態の放射を供給する。高価なレンズ要素は、数十億というこれらの強力紫外線パルスの結果、劣化しやすい。レーザからのパルスの照射（つまり１ｃｍ2当たりの光パワー（エネルギ／時間）又はｍＪ／ｎｓ／ｃｍ2）が増加するとともに、光学的損傷が増加することが知られている。これらのレーザからの典型的なパルス長は約２０ｎｓであり、したがって５ｍＪのレーザパルスは約０．２５ｍＪ／ｎｓ（０．２５ＭＷ）のパルスパワーを有することになる。パルスの継続時間を変化させずにパルスエネルギを１０ｍＪまで増加させると、その結果、パルスのパワーが約０．５ｍＪ／ｎｓと２倍になり、これはレンズ要素の有効寿命を有意に短縮し得る。
【０００５】
[0005]  パルス長を（例えば約２０ｎｓから５０ｎｓを超える値まで）実質的に増加させて、光学系の劣化の率を低下させることによって潜在的な光学的損傷を回避するために、パルス引き伸ばしデバイスが使用されている。パルス引き伸ばしデバイス（パルスストレッチャー）は、レーザパルスのコピーを生成し、光遅延によって適時にそれを分離することによって、レーザの時間的パルス長を増加させる。リソグラフィでは、パルスストレッチャーは主に光学系の寿命を延ばすために使用されている。また、時間的遅延を増加させると、スペックル減少に役立つ。スペックルは、時間的及び空間的コヒーレンスによるビーム間の光学干渉である。様々な時間遅延でビームの複数の部分を重畳すると、コヒーレンス及びスペックルが減少する。パルスストレッチャーは通常、レーザの直後又はビームデリバリシステム内に配置される。パルスストレッチャーに関するさらなる情報は、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許第７，４３２，５１７Ｂ２号に見ることができる。
【０００６】
[0006]  幾つかのパルスストレッチャーの設計は共焦点共振器を使用し、この中ではパルス（本文書ではビームとも呼ばれる）が入る、及び出るとほぼ視準されるが、パルスストレッチャー内の中間焦点を通過する。例えばビームを再誘導するために折り畳みミラーを使用しない非折り畳みの実現方法では、中間焦点が光学表面から離れて配置されているので、おそらく近傍の光学系に損傷を引き起こさないようである。しかし、より長いパルス引き伸ばしのためのパッケージングの制約により、パルスストレッチャーのキャビティを２つ以上の部分に曲げるために折り畳みミラーを使用する必要があることがある。１つ又は複数の折り畳みミラーを挿入した結果、非折り畳みの実現方法では存在しない光学表面が生じる。おそらくパルスストレッチャーの遅延を最大化し、使用可能な空間を利用する場合のように、折り畳みミラーが中間焦点に近すぎる場合は、許容できないほど高い照射がミラーに当たることがある。ミラーの表面に高いエネルギ密度が当たった結果のミラーの損傷又は有効寿命の短縮を回避することが求められている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
[0007]  折り畳んだパルス引き伸ばしデバイス内の焦点にレーザビームの高いエネルギ密度があることによって引き起こされる光学系への損傷を減少させる、又は防止することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
[0008]  本発明の実施形態は、レーザパルス、特にリソグラフィシステム内で使用されるレーザのレーザパルスの時間的パルス長を増加させるシステム及び方法に関する。本発明の実施形態は、パルス引き伸ばし及び／又はリソグラフィ装置内で、又はそれとともに使用される光学コンポーネント上のエネルギ密度の減少に特に関係がある。
【０００９】
[0009]  ある実施形態によれば、パルスストレッチャー、またはパルス修正装置は、入力光ビームを第１のビームと第２のビームに分割するように構成されたビームスプリッタ、第１の共焦点ミラー及び第２の共焦点ミラーを含む共焦点共振器、及び折り畳みミラーを含む。この実施形態では、折り畳みミラーは第１の共焦点ミラーと第２の共焦点ミラーとの間の光路にあり、ビームスプリッタ、共焦点共振器、及び折り畳みミラーは、光学構成によって第１のビームが光学的に遅延した後、第１のビームの少なくとも一部が第２のビームと再結合されて修正ビームになるような光学構成内にある。この実施形態は、ビームスプリッタより前の入力光ビームの光路内にある１つ又は複数の光学要素をさらに含む。１つ又は複数の光学要素は、例えば第１のビームの中間焦点が折り畳みミラーから離れた距離に形成されて、折り畳みミラーへのエネルギ密度関連の損傷を防止するように、例えば入力光ビームを発散又は収束状態に変化させることができる。ある実施形態では、パルスストレッチャーは、修正ビームの光路内にあって、修正ビームを再調整する１つ又は複数の追加の光学要素をさらに含む。
【００１０】
[0010]  ある実施形態では、１つ又は複数の光学要素は、ビームスプリッタによる入力光ビームの分割前に、入力光ビームの発散を提供する。代替実施形態では、１つ又は複数の光学要素は、ビームスプリッタによる入力光ビームの分割前に、光ビームの収束を提供する。
【００１１】
[0011]  ある実施形態では、パルスストレッチャーは、ビームスプリッタと直列で、さらなる光学遅延を提供する追加のビームスプリッタをさらに含む。
【００１２】
[0012]  さらなる実施形態では、リソグラフィ装置は、上述した実施形態によるパルスストレッチャーを有するビームデリバリシステムを含む。ある実施形態では、リソグラフィ装置は修正ビームを調整するように構成された照明システムと、修正ビームの断面にパターンを与えてパターン付き放射ビームを形成することができるパターニングデバイスを支持するように構築されたパターニングデバイス支持体と、基板を保持するように構築された基板支持体と、パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影するように構成された投影システムと、をさらに含む。
【００１３】
[0013]  さらなる実施形態によれば、パルス状レーザビームのパルス長を増加させる方法は、入力光ビームを発散又は集束させて変更光ビームにし、変更光ビームを第１のビームと第２のビームに分割し、したがって第１のビームが複数の光学要素を有するパルス引き伸ばしデバイスを通って進むように誘導され、第１のビームの少なくとも一部と第２のビームを再結合して再結合ビームにすることを含む。この実施形態では、入力光ビームの発散又は収束は、複数の光学要素のいずれからも離れた距離に配置された第１のビームの中間焦点を提供し、したがって複数の光学要素のいずれに対するエネルギ密度関連の損傷も防止される。ある実施形態では、この方法は再結合ビームを再調整することをさらに含む。
【００１４】
[0014]  本発明のさらなる特徴及び利点、さらに本発明の様々な実施形態の構造及び動作を、添付図面を参照しながら以下で詳細に説明する。本発明は、本明細書で説明する特定の実施形態に限定されないことが分かる。このような実施形態は、本明細書では例示のためにのみ提示されている。本明細書に含まれる教示に基づき、当業者には追加の実施形態が明白になる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
[0015]  本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を形成する添付図面は、本発明を図示し、さらに、記述とともに本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作成して使用できるようにする働きをする。
【００１６】
【図１】[0016]本発明のある実施形態に使用できるリソグラフィ装置を描いた図である。
【図２】[0017]例示的なパルス引き伸ばしデバイスを描いた図である。
【図３】[0018]例示的な折り畳みパルス引き伸ばしデバイスを描いた図である。
【図４Ａ】[0019]例示的なビームエクスパンダを描いた図である。
【図４Ｂ】[0020]発散を提供する例示的なビームエクスパンダを描いた図である。
【図５】[0021]本発明の実施形態による折り畳みパルス引き伸ばしデバイスを描いた図である。
【図６】[0021]本発明の実施形態による折り畳みパルス引き伸ばしデバイスを描いた図である。
【図７Ａ】[0022]図３に示した折り畳みパルス引き伸ばしデバイス内で見られるような折り畳みミラー上のエネルギ密度のフットプリントを示した図である。
【図７Ｂ】[0023]図５及び図６に示した折り畳みパルス引き伸ばしデバイス内で見られるような折り畳みミラー上のエネルギ密度のフットプリントを示した図である。
【図８】[0024]本発明のある実施形態によりパルス状レーザビームのパルス長を増加させる方法を描いたフローチャートである。
【図９】[0025]２つの折り畳みミラーを有する例示的な折り畳みパルス引き伸ばしデバイスを描いた図である。
【図１０】[0026]本発明のある実施形態による２つの折り畳みミラーを有する折り畳みパルス引き伸ばしデバイスを描いた図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
[0027]  本発明の特徴及び利点は、以下で述べる詳細な説明を図面と組み合わせて考慮することにより、さらに明白になり、ここで同様の参照文字は全体を通して対応する要素を識別する。図面では、同様の参照番号は全体的に同一、機能的に類似する、及び／又は構造的に類似する要素を示す。要素が最初に現れた図面を、対応する参照番号の最も左側の桁で示す。
【００１８】
[0028]  開示された実施形態は本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示された実施形態に限定されない。本発明は本明細書に添付された請求の範囲によって画定される。
【００１９】
[0029]  記載された実施形態、及び本明細書で「１つの実施形態」、「ある実施形態」、「例示的実施形態」などに言及した場合、それは記載された実施形態が特定の特徴、構造、又は特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造、又は特性を含まないことがあることを示す。さらに、このようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、ある実施形態に関連して特定の特徴、構造、又は特性について記載している場合、明示的に記載されているか、記載されていないかにかかわらず、このような特徴、構造、又は特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識にあることが理解される。
【００２０】
[0030]  本発明の実施形態はハードウェア、ファームウェア、ソフトウェア又はその任意の組合せで実現することができる。本発明の実施形態は、１つ又は複数のプロセッサで読み取り、実行することができる機械読み取り式媒体に記憶した命令として実現することもできる。機械読み取り式媒体は、機械（例えば、計算デバイス）で読み取り可能な形態で情報を記憶するか、伝送する任意の機構を含むことができる。例えば、機械読み取り式媒体は読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響又は他の形態の伝搬信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号など）、及びその他を含むことができる。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、及び命令を、本明細書では特定の行為を実行するものとして記述することができる。しかし、このような記述は便宜的なものにすぎず、このような行為は実際には計算デバイス、プロセッサ、コントローラ、又はファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行する他のデバイスの結果であることを認識されたい。
【００２１】
[0031]  しかし、このような実施形態についてさらに詳細に説明する前に、本発明の実施形態を実現できる例示的環境を提示することが有益である。
【００２２】
[0032]  図１は、リソグラフィ装置を概略的に描いている。リソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば、ＤＵＶ又はＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク、レチクル、又は動的パターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成され、パターニングデバイスＭＡを正確に配置するように構成された第１のポジショナＰＭに接続された支持構成（例えば、マスクテーブル）ＭＴ、及び基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、基板Ｗを正確に配置するように構成された第２のポジショナＰＷに接続された基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴを含む。リソグラフィ装置は、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢへ付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ又は複数のダイを含む）上に投影するように構成された投影システムＰＳも含む。リソグラフィ装置では、パターニングデバイスＭＡ及び投影システムＰＳは透過性でよいが、代替的に反射性でもよい。
【００２３】
[0033]  照明システムＩＬは、放射Ｂの誘導、整形、又は制御を行うための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電気型等の光学コンポーネント、又はその任意の組合せなどの種々のタイプの光学コンポーネントを含んでいてもよい。
【００２４】
[0034]  支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの方向、リソグラフィ装置の設計等の条件、例えばパターニングデバイスＭＡが真空環境で保持されているか否かに応じた方法で、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持するために、機械的、真空、静電気等のクランプ技術を使用することができる。支持構造ＭＴは、例えばフレーム又はテーブルでよく、必要に応じて固定式又は可動式でよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスが例えば投影システムＰＳなどに対して確実に所望の位置にくるようにできる。
【００２５】
[0035]  「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃにパターンを生成するように、放射ビームＢの断面にパターンを与えるために使用し得る任意のデバイスを指すものとして広義に解釈されるべきである。ここで、放射ビームＢに与えられるパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃに生成される特定の機能層に相当することができる。
【００２６】
[0036]  パターニングデバイスＭＡは透過性又は反射性でよい。パターニングデバイスＭＡの例には、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、及びプログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィにおいて周知のものであり、これには、バイナリマスク、レベンソン型(alternating)位相シフトマスク、ハーフトーン型(attenuated)位相シフトマスクのようなマスクタイプ、さらには様々なハイブリッドマスクタイプも含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例として、小さなミラーのマトリクス配列を使用し、そのミラーは各々、入射する放射ビームを異なる方向に反射するよう個々に傾斜することができる。傾斜したミラーは、ミラーマトリクスによって反射する放射ビームＢにパターンを与える。
【００２７】
[0037]  「投影システム」ＰＳという用語は、使用する露光放射、又は液浸液の使用や真空の使用などの他の要因に合わせて適宜、例えば屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム及び静電気光学システム、又はその任意の組合せを含む任意のタイプの投影システムを網羅する。真空環境がＥＵＶ又は電子ビーム放射に使用できるのは、他の気体の放射又は電子の吸収量が多すぎることがあるからである。したがって、真空壁及び真空ポンプの助けで、真空環境をビーム経路全体に提供することができる。
【００２８】
[0038]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）又はそれ以上の基板テーブル（及び／又は２つ以上のマスクステーブル）ＷＴを有するタイプでよい。このような「マルチステージ」機械においては、追加の基板テーブルＷＴを並行して使用するか、１つ又は複数の他の基板テーブルＷＴを露光に使用している間に１つ又は複数のテーブルで予備工程を実行することができる。
【００２９】
[0039]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは、例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合に、別々の構成要素であってもよい。このような場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を形成すると見なされず、放射ビームＢは、例えば適切な誘導ミラー及び／又はビームエクスパンダなどを備えるビームデリバリシステムＢＤの助けにより、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへと渡される。他の事例では、例えば放射源ＳＯが水銀ランプの場合は、放射源ＳＯがリソグラフィ装置の一体部分であってもよい。放射源ＳＯ及びイルミネータＩＬは、必要に応じてビームデリバリシステムＢＤとともに放射システムと呼ぶことができる。
【００３０】
[0040]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角度強度分布を調節するアジャスタＡＤを含んでいてもよい。通常、イルミネータの瞳面における強度分布の外側及び／又は内側半径範囲（一般にそれぞれ、σ-outer及びσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。また、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の種々のコンポーネントを含んでいてもよい。イルミネータＩＬを用いて放射ビームＢを調整し、その断面にわたって所望の均一性と強度分布とが得られるようにしてもよい。
【００３１】
[0041]  放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）に入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。マスクＭＡを横断した放射ビームＢは、投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に合焦させる。第２のポジショナＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ又は容量センサ）の助けを借りて、基板テーブルＷＴは、例えば、様々なターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路に位置決めできるように正確に移動できる。同様に、第１のポジショナＰＭと別の位置センサ（図１には明示されていない）を用いて、マスクライブラリからの機械的な取り出し後又はスキャン中などに放射ビームＢの経路に対してマスクＭＡを正確に位置決めできる。
【００３２】
[0042]  一般に、マスクテーブルＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの部分を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）及びショートストロークモジュール（微動位置決め）の助けにより実現できる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの部分を形成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールを用いて実現できる。ステッパの場合（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴをショートストロークアクチュエータのみに接続するか、又は固定してもよい。マスクＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用して位置合わせすることができる。図示のような基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占有するが、ターゲット部分の間の空間に位置してもよい（スクライブレーンアライメントマークとして周知である）。同様に、マスクＭＡ上に複数のダイを設ける状況では、マスクアライメントマークをダイ間に配置してもよい。
【００３３】
[0043]  リソグラフィ装置は以下のモードのうち少なくとも１つにて使用可能である。
１．ステップモードにおいては、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは、基本的に静止状態に維持される一方、放射ビームＢに与えたパターン全体が１回でターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一静的露光）。次に、別のターゲット部分Ｃを露光できるように、基板テーブルＷＴがＸ方向及び／又はＹ方向に移動される。
２．スキャンモードにおいては、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期的にスキャンされる一方、放射ビームＢに与えられるパターンがターゲット部分Ｃに投影される（すなわち単一動的露光）。支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）及び像反転特性によって求めることができる。
３．別のモードでは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴはプログラマブルパターニングデバイスを保持して基本的に静止状態に維持され、基板テーブルＷＴを移動又はスキャンさせながら、放射ビームＢに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する。パルス状放射源ＳＯを使用することができ、基板テーブルＷＴを移動させる毎に、又はスキャン中に連続する放射パルスの間で、プログラマブルパターニングデバイスを必要に応じて更新する。この動作モードは、以上で言及したようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に利用できる。
【００３４】
[0044]  上述した使用モードの組合せ及び／又は変形、又は全く異なる使用モードも利用できる。
【００３５】
[0045]  既知の１タイプのパルスストレッチャーの設計は、共焦点共振器を使用し、その中でパルス（本文書ではビームとも呼ぶ）が入り、出るとほぼ視準されるが、パルスストレッチャー内の中間焦点を通過する。しかし、より長いパルス引き伸ばしのためのパッケージングの制約により、パルスストレッチャーのキャビティを２つ以上の部分に曲げるために折り畳みミラーを使用する必要があることがある。例えばビームを再誘導するために折り畳みミラーを使用する折り畳みの実現方法では、おそらく中間焦点が光学表面の近くに配置されるようである。
【００３６】
[0046]  パルスストレッチャーの折り畳んだ実現方法では、１つ又は複数の折り畳みミラーを挿入した結果、非折り畳みの実現方法には存在していない光学表面が生じる。おそらくパルスストレッチャーの遅延を最大化し、使用可能な空間を利用する場合のように、折り畳みミラーが中間焦点に近すぎる場合は、許容できないほど高い照射がミラーに当たることがある。ミラーの表面に高いエネルギ密度が当たった結果のミラーの損傷又は有効寿命の短縮を回避することが求められている。
【００３７】
[0047]  図２は例示的なパルス引き伸ばしデバイス２０２を描いている。パルス引き伸ばしデバイス２０２は、個々の表面が相互に面するように配置された２つの共焦点ミラー２０４Ａ及び２０４Ｂ（例えば、凹面ミラー）を含む。ミラーは、各ミラー２０４Ａ／Ｂの曲率半径とほぼ等しい所定の距離（間隔）だけ隔置される。各ミラー２０４Ａ／Ｂは、ミラーの軸線に対して対称に配置され、各ミラーの縦軸はミラー軸線に対して直角になるように構成される。ミラー軸線に平行な第２の軸線が、ミラー軸線から所定の距離で各ミラー２０４Ａ／Ｂの表面に接触する。
【００３８】
[0048]  ビームスプリッタ２０６は、ビームスプリッタ２０６の縦軸が第２の軸線と４５°の角度を成すように、第２の軸線に沿って配置される。ビームスプリッタ２０６は、その中心が光軸上にあり、光軸が第２の軸線に対して直角に位置する状態でも配置される。
【００３９】
[0049]  動作中に、入力ビーム２０８（例えば、ほぼ視準されたビーム、わずかに発散するビームなど）は、ビームスプリッタ２０６の光軸に沿ってパルスストレッチャーに入る。共焦点ミラー２０４Ａ及び２０４Ｂによって光学遅延経路２１０が形成される。各ミラー２０４Ａ／Ｂは、例えば約１８００ｍｍという大きい曲率半径があり、約１８００ｍｍという光キャビティの長さだけ隔置された直径１００ｍｍの球面ミラーとすることができる。ビームスプリッタ２０６は入射ビーム２０８と４５°の角度を成し、入射放射２０８の一部が反射して遅延経路２１０に入るように、及び遅延経路２１０を出る放射がパルスストレッチャーで反射して出力放射ビーム２１２に入るように配置される。例えば６０Ｒ／４０Ｔ（６０％の反射／４０％の透過）ビームスプリッタ２０６を使用する場合、ビームスプリッタ２０６は入射放射ビーム２０８の約６０パーセントを反射して、遅延経路２１０に入れる。ビーム２０８の各パルスの透過部分のうち他の約４０パーセントは、出射ビーム２１２内で対応する引き伸ばされたパルスのうち第１のサブパルスになる。反射したビームはビームスプリッタ２０６によってミラー２０４Ａへと誘導され、これは反射部分をミラー２０４Ｂへと誘導し、次にこれがビームを誘導してビームスプリッタ２０６に戻し、ここで第１の反射光のうち約６０パーセントが、出射ビーム２１２のこのパルスの第１の透過部分と一直線上で完全に反射し、第２のサブパルスになる。第１の反射ビームの約４０パーセントがビームスプリッタ２０６によって透過されて、第１の反射ビームの経路を辿り、出射放射ビーム２１２内に追加のこれより小さいサブパルスを生成する。
【００４０】
[0050]  ビームスプリッタの透過／反射係数を設定し、経路長を変化させることにより、その結果の出射ビーム２１２を様々な程度だけ引き伸ばすことができる。例えば、約７．２ｍの遅延経路４０及び５０Ｒ／５０Ｔのビームスプリッタ２０６では、ＴＩＳ７０ｎｓの入射ビーム２０８を、出射ビーム２１２内で１１０ｎｓの時間積分２乗（ＴＩＳ）パルス長のパルスに引き伸ばすことができる。当業者に認識されるように、パルスストレッチャー２０２は、パルス引き伸ばしデバイスの一例にすぎず、さらなる詳細は、参照により全体が本明細書に組み込まれる米国特許第７，４３２，５１７Ｂ２号に見ることができる。同様の機能を有する他のパルスストレッチャーの構成も存在し得る。
【００４１】
[0051]  図２に示すように、パルスストレッチャー２０２は、この実現方法では共焦点ミラー２０４Ａと共焦点ミラー２０４Ｂの間でほぼ等距離である焦点２１４を形成する。焦点２１４における、又はその付近のエネルギ密度は高くなることがあり、例えば１００ｍｊ／ｃｍ2以上のオーダーである。焦点２１４は、リソグラフィ装置のような比較的大きいシステム内でパルスストレッチャーを使用するという状況では、中間焦点と見なすことができる。
【００４２】
[0052]  パッケージングの制約内でより長いパルス引き伸ばしを獲得するために、１つ又は複数の折り畳みミラーを使用して、パルスストレッチャーのキャビティを２つ以上の部分に曲げることができる。図３は例示的な折り畳みパルス引き伸ばし、又はパルス修正デバイス３０２を描いている。パルスストレッチャー３０２は、図２に示した共焦点ミラー２０４Ａ／Ｂ及びビーム引き伸ばし器２０６と機能が同様である共焦点ミラー３０４Ａ／Ｂ、及びビーム引き伸ばし器３０６を含む。しかし図３では、共焦点ミラー３０４Ａと３０４Ｂが直交して構成され、その間の光路内に折り畳みミラー３２０がある。この例では、折り畳みミラー３２０は共焦点ミラー３０４Ａと共焦点ミラー３０４Ｂからほぼ等距離である。しかし、折り畳みミラーを共焦点ミラーから等距離に配置する必要はない。
【００４３】
[0053]  図３に示す例では、入射ビーム３０８（例えば、ほぼ視準されたビーム、わずかに発散するビームなど）が、ビームスプリッタ３０６の光軸に沿ってパルスストレッチャー３０２に入る。任意選択で、ビーム３０８は、ビームスプリッタ３０６に到達する前にビームエクスパンダ光学系３２２によって変更する（例えば、わずかに発散又は収束させる）ことができる。折り畳みミラー３２０によって再誘導されることを除いて図２に示すような光学遅延経路２１０と同様の光学遅延経路３１０が、共焦点ミラー３０４Ａ／Ｂ及び折り畳みミラー３２０によって形成される。さらに長いパルス引き伸ばしを生成するために、例えば図３に示すように直列に配置することにより、複数のビームスプリッタ３０６を使用することができる。
【００４４】
[0054]  図３には、３つのビームスプリッタ３０６が図示されている（３０６、３０６’、及び３０６”）。ビームスプリッタ３０６’及び３０６”は、これが任意選択であることを示すために点線で図示されている。各ビームスプリッタ３０６は、その対応する入射ビームを折り畳みミラー３２０及び共焦点ミラー３０４Ａ／Ｂに誘導し、所望の光学遅延を生成する。ビームスプリッタ３０６を出るビームの少なくとも一部が、その後のビームスプリッタ３０６によって誘導されて、折り畳みミラー３２０及び共焦点ミラー３０４Ａ／Ｂに戻り、さらなる光学遅延を生成する。図３では、図面の明瞭さを維持するために、追加のビームスプリッタ３０６’及び３０６”によって引き起こされる光学遅延経路は図示されていない。引き伸ばされた出射パルス３１２は、最終ビームスプリッタ３０６を超えてパルスストレッチャーを出る。どの程度の引き伸ばしが望ましいかに応じて、任意の数のビームスプリッタ３０６を使用することができる。しかし、当業者に理解されるように、追加の各ビームスプリッタに伴う潜在的な電力損がある。
【００４５】
[0055]  図３に示すように、焦点３１４はパルスストレッチャー３０２によって形成される。焦点３１４が折り畳みミラー３２０に非常に近い、又はそれに載っている場合（パッケージングの制約を考慮すると、あり得るシナリオである）、焦点における高いエネルギ密度が、全入力エネルギに応じて折り畳みミラー３２０を損傷することがある。その一例が図７Ａに示されている。図７Ａは、図３に関して検討する実施形態の折り畳みミラー３２０のような折り畳みミラー上でのエネルギ密度のフットプリント７３６Ａを示す。エネルギ密度のフットプリント７３６Ａは、領域７３８Ａに非常に集中したエネルギ（例えば、１３０ｍｊ／ｃｍ2）を示し、折り畳みミラー３２０への潜在的損傷を指し示す。例えば、折り畳みミラー３２０に当たる光ビーム（例えば、紫外線光ビーム）は、気体に反応して折り畳みミラー３２０上に斑点、つまり焼けを引き起こすことがあり、これは折り畳みミラーの有効寿命を大幅に短縮することがある。
【００４６】
[0056]  この損傷を軽減又は防止する１つの方法は、焦点を折り畳みミラーから離すことである。これは、パルスストレッチャーのパッケージングを妨害せずに実行することが理想的である。これは、ビームがパルスストレッチャーに入る前に、それに全体的な発散又は収束を導入することによってうまく遂行することができる。１つの実施形態では、これはパルスストレッチャーの前に光学要素を追加することによって実行することができる。別の実施形態では、これは任意選択のビームエクスパンダ光学系３２２のように、パルスストレッチャーの前に既に配置されたビームエクスパンダを修正することによって実行することができる。
【００４７】
[0057]  図４Ａは、任意選択のビームエクスパンダ光学系３２２のようなビームエクスパンダ４２２Ａの例を示す。ビーム３０６のような光パルス、つまりビームは、ビーム３０８を発散させる凹面レンズ４２６に入り、発散ビーム４３０として凹面レンズ４２６を出る。発散ビーム４３０は凸面レンズ４２８Ａに入る。凹面レンズ４２６と凸面レンズ４２８Ａの半径を慎重に一致させる（例えば、凸面レンズ４２８Ａの曲率を較正する）と、パワーが取り消され、その結果、サイズが拡大し、ほぼ視準された出力ビーム４０８Ａになる。
【００４８】
[0058]  凸面レンズの半径を変化させることにより、パワーの意図的な不一致を引き起こすことができ、その結果、ビームエクスパンダを出る時に（所望の較正に応じて）所望の発散又は収束を有するビームになる。その一例が図４Ｂに示され、ここでビームエクスパンダ４２２Ｂは、凸面レンズ４２８Ａの半径ｒとは異なる（この例では、より大きい）半径ｒ’を有する凸面レンズ４２８Ｂを有し、出射ビーム４０８Ｂにわずかな発散を引き起こす。
【００４９】
[0059]  光ビームに所望の発散又は収束を引き起こすビームエクスパンダ４２２Ｂのような光学系をパルスストレッチャーの前の光路内に配置すると、パルスストレッチャーの焦点の位置を変更することができる。又は代替的に、同様の効果のために、既存のビームエクスパンダ又は他の光学系で所望の発散又は収束を引き起こす修正を実行することもできる。図５は、本発明のある実施形態によるその例を示す。図５では、パルスストレッチャー５０２の最初のビームスプリッタ３０６の前に、ビームエクスパンダ４２２Ｂを配置する。ビームエクスパンダ４２２Ｂはビーム３０８の発散を引き起こし、したがって折り畳みミラー３２０及び他の光学系に対するエネルギ密度関連の損傷を軽減又は防止するように、パルスストレッチャー５０２の焦点５１４がこれらの光学系から離れて配置される。
【００５０】
[0060]  ビーム５１２は、ビームエクスパンダ４２２Ｂによって引き起こされる発散がなかった場合と同じ長さ及びエネルギで、パルスストレッチャー５０２を出る。しかし、ビーム５１２は発散したままである。図６に示すある実施形態では、ビーム５１２の光路内に光学系６３０を設定し、所望の通りにビームを再調整して、ビーム６３２にすることができる。
【００５１】
[0061]  図５及び図６に関して以上で検討した実施形態は、入力ビームに発散を引き起こすためにビームエクスパンダを使用する、又は既存のビームエクスパンダを修正することを含む。しかし本発明は、ビームエクスパンダの使用又は修正に限定されない。入力ビームに所望の発散（又は収束）を引き起こすために他の光学系又はデバイスを使用する他の実施形態も想定される。
【００５２】
[0062]  図５及び図６に関して以上で検討した実施形態は、パルスストレッチャーの焦点の位置を変更するために、入力ビームに発散を生成することを含む。しかし、本発明は発散する入力ビームの生成に限定されない。前述したように、入力ビームに収束を生成することも同様の効果を有することができる。例えばある実施形態では、図５の光学系４２２Ｂを、入力ビーム３０８に収束を引き起こすビームエクスパンダ又は光学系と交換することができた。一例として、図４Ａの凸面レンズ４２８Ａの半径を変化させて、出て行くビーム４０８Ａに発散ではなく収束を引き起こすことができる。図５に戻ると、パルスストレッチャー５０２内で収束するビームが、焦点５１４を移動させてデバイス内の折り畳みミラー３２０及び他の光学系から離し、光学系を損傷から保護することができる。出て行くビーム５１２はなお収束しているが、図６に示す光学系６３０はビームを再調整するように設定することができる。
【００５３】
[0063]  さらに、図５及び図６に関して以上で検討した実施形態は、パルス伸張のために１つの折り畳みミラーを使用することを含む。しかし本発明は、１つの折り畳みミラーを使用することに限定されない。複数の実施形態では、さらなるパルス伸張のために２つ以上の折り畳みミラーを使用することもでき、以上で述べた実施形態を使用して、デバイス内で使用される折り畳みミラーのいずれか又は全てに対する損傷を防止することができる。
【００５４】
[0064]  以前に述べたように、図７Ａは、図３に関して検討した実施形態の折り畳みミラー３２０のような折り畳みミラー上のエネルギ密度のフットプリント７３６Ａを示す。エネルギ密度のフットプリント７３６Ａは、領域７３８Ａに非常に集中したエネルギ（例えば、レーザの強度、及び焦点が折り畳みミラーにいかに近いかに応じて、例えば１３０ｍｊ／ｃｍ2）があることを示し、折り畳みミラー３２０の潜在的損傷を指し示す。図７Ｂは、図５及び図６に関して検討した実施形態の折り畳みミラー３２０のような折り畳みミラー上のエネルギ密度のフットプリント７３６Ｂを示す。エネルギ密度のフットプリント７３６Ｂは、領域７３８Ｂ内に集中したエネルギが有意に小さい（例えば１３ｍｊ／ｃｍ2）ことを示す。図５及び図６に関して述べた実施形態を使用することによって獲得されたエネルギ密度の減少は、システム内の折り畳みミラー３２０及び他の光学系への損傷を大幅に軽減又は防止することができる。
【００５５】
[0065]  以上で述べた実施形態によれば、図８は本発明のある実施形態によりパルス状レーザビームのパルス長を増加させる方法８００を描いたフローチャートである。ステップ８０２で、光ビームは変更光ビームとして発散又は収束する。ステップ８０４で、変更光ビームは第１のビームと第２のビームに分割される。第１のビームは、複数の光学要素を有するパルス引き伸ばしデバイスを通って進むように誘導され、したがって入力光ビームの選択された発散又は収束がパルス引き伸ばしデバイスの焦点を移動させ、複数の光学要素から離す。ステップ８０６では、第１のビームの少なくとも一部と第２のビームが再結合されて、再結合ビームになる。任意選択のステップ８０８では、再結合ビームが所望に応じて再調整される。
【００５６】
[0066]  前述したように、例えばより長いパルス引き伸ばしのためのパッケージの制約に対応するために、例えば複数の折り畳みミラーを使用することができる。図９は、２つの折り畳みミラーを有する例示的な折り畳みパルス引き伸ばしデバイス９０２を描いている。折り畳みパルス引き伸ばしデバイス９０２は折り畳みパルス引き伸ばしデバイス３０２と同様であるが、第１のビームの光路に折り畳みミラー９２０を追加し、共焦点ミラー９０４Ａを配置する。図９に見られるように、焦点９１４は折り畳みミラー９２０に、又はその近くに配置される。以上で検討した実施形態のように、入力ビーム９０８の所望の発散又は収束を提供するために光学要素９２２の代わりに、又はそれに加えて光学要素４２２Ｂのような光学要素を使用し、焦点９１４を動かして折り畳みミラー９２０から離し、折り畳みミラー９２０を潜在的損傷から保護することができる。その一例が図１０に示されている。
【００５７】
[0067]  図１０は、ある実施形態により２つの折り畳みミラーを有する折り畳みパルス引き伸ばしデバイス１００２を描いている。折り畳みパルス引き伸ばしデバイス１００２は折り畳みパルス引き伸ばしデバイス９０２と同様であるが、図５及び図６に示す実施形態で光学要素４２２Ｂが提供する効果と同様に焦点の位置を変更するために、光学要素１０２２を使用して入力ビーム９０８を所望の発散又は収束に合わせて調整する。図１０に見られるように、光学要素１０２２によって提供される発散又は収束は、焦点１０１４を折り畳みミラー９２０から離して配置し、それを潜在的な損傷から保護する。
【００５８】
[0068]  以上の記述は、光学コンポーネントへのエネルギ密度が減少したパルスストレッチャーを提示する。これは、デバイスの焦点における高いエネルギ密度によって引き起こされる損傷がない状態で、１つ又は複数の折り畳みミラーを使用できるようにすることにより、パルスストレッチャーが、より長い引き伸ばしを提供できるようにする。これは、パルスストレッチャーへの入力ビームの入力発散又は収束を制御することによって達成される。
【００５９】
[0069]  本書で提供された例はパルス引き伸ばしデバイスを含むが、本発明の特徴は他の同様の光学システム（例えば同様の１対１結像システム）に適用できることを理解されたい。
【００６０】
[0070]  本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用誘導及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ、「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが、当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジーツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板処理ツールに適用することができる。さらに基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。
【００６１】
[0071]  本明細書で使用する「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）放射（例えば、３６５ｎｍ、３５５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ若しくは１２６ｎｍ、又はこれら辺りの波長を有する）を含むあらゆるタイプの電磁放射を網羅する。
【００６２】
[0072]  「光学系」又は「レンズ」という用語は、状況が許せば、屈折、反射、磁気、電磁気及び静電気光学コンポーネントを含む様々なタイプの光学コンポーネントのいずれか一つ、又はその組合せを指すことができる。
【００６３】
[0073]  以上、本発明の特定の実施形態を説明したが、説明とは異なる方法でも本発明を実践できることが理解される。
【００６４】
結論
[0074]  請求の範囲を解釈するには発明の概要及び要約の項目ではなく、発明を実施するための形態の項目を使用するよう意図されていることを認識されたい。発明の概要及び要約の項目は、発明者が想定するような本発明の１つ又は複数の例示的実施形態について述べることができるが、全部の例示的実施形態を述べることはできず、したがって本発明及び請求の範囲をいかなる意味でも限定しないものとする。
【００６５】
[0075]  以上では、特定の機能の実現を例示する機能的構成要素及びその関係の助けにより、本発明の実施形態について説明してきた。これらの機能的構成要素の境界は、本明細書では説明の便宜を図って恣意的に画定されている。特定の機能及びその関係が適切に実行される限り、代替的な境界を画定することができる。
【００６６】
[0076]  特定の実施形態に関する以上の説明は、本発明の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本発明の全体的概念から逸脱することなく、このような特定の実施形態を容易に修正する、及び／又はこれを様々な用途に適応させることができる。したがって、このような適応及び修正は、本明細書に提示された教示及び案内に基づき、開示された実施形態の同等物の意味及び範囲に入るものとする。本明細書の言葉遣い又は用語は説明のためのもので、限定するものではなく、したがって本明細書の用語又は言葉遣いは、当業者には教示及び案内の観点から解釈されるべきことを理解されたい。
【００６７】
[0077]  本発明の幅及び範囲は、上述した例示的実施形態のいずれによっても限定されず、請求の範囲及びその同等物によってのみ規定されるものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【外国語明細書】
2010278431000001.pdf