(57)【要約】【課題】エッチングされるガラス基板の厚さを精度良く制御することができるエッチング装置を提供する。【解決手段】エッチング液Ｅが貯留され、該エッチング液Ｅに被処理基板Ｘを浸漬させる処理槽１０と、処理槽１０内のエッチング液Ｅを流動させる循環装置３０と、処理槽１０に設けられ、被処理基板Ｘに面するエッチング液Ｅに超音波振動を生じさせる超音波振動子２２と、超音波振動子２２の駆動を制御する制御手段２４と、を有する超音波振動発生器２０と、を備えることを特徴とする。【選択図】図１
2010241612.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッチング液が貯留され、該エッチング液に被処理基板を浸漬させる処理槽と、
前記処理槽内の前記エッチング液を流動させる流動手段と、
前記処理槽に設けられ、前記被処理基板に面する前記エッチング液に超音波振動を生じさせる超音波振動子と、前記超音波振動子の駆動を制御する制御手段と、を有する超音波振動発生手段と、を備えることを特徴とするエッチング装置。
【請求項２】
前記超音波振動発生手段は、前記被処理基板に対向して設けられ、前記被処理基板の法線方向から該被処理基板へ伝播する超音波振動を与えることを特徴とする請求項１に記載のエッチング装置。
【請求項３】
前記超音波振動発生手段は、前記超音波振動子を冷却する冷却手段を有することを特徴とする請求項１または２に記載のエッチング装置。
【請求項４】
前記エッチング液の温度を制御する温調手段を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載のエッチング装置。
【請求項５】
前記処理槽は、内部を仕切る隔壁を有し、該隔壁によって第１処理槽と第２処理槽とに分割され、
前記第１処理槽に貯留された前記エッチング液に超音波振動を与える第１超音波振動発生手段と、前記第２処理槽に貯留された前記エッチング液に超音波振動を与える第２超音波振動発生手段と、を有し、
前記隔壁として、前記被処理基板が用いられることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載のエッチング装置。
【請求項６】
前記隔壁として、重ね合わされた２枚の前記被処理基板が用いられ、
前記２枚の被処理基板は、前記第１処理槽と前記第２処理槽との各々にそれぞれ面することを特徴とする請求項５に記載のエッチング装置。
【請求項７】
前記第１超音波振動発生手段と、前記第２超音波振動発生手段と、が、各々独立に制御可能であることを特徴とする請求項５または６に記載のエッチング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エッチング装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報機器の多様化等に伴い、消費電力が少なく軽量化された平面表示装置のニーズが高まっており、薄型の液晶表示装置や、有機発光層を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置などが盛んに研究開発されている。
【０００３】
このような表示装置には、化学的な安定性や空気中の水分や酸素に対するガスバリア性等を考慮して、種々のガラス基板を用いることが多い。しかし、ガラス基板は重さの点で装置全体の軽量化には不利となるため、一般には、これらのガラス基板を薄型化することで装置全体の軽量化を図っている。
【０００４】
通常、ガラス基板の薄型化にはウェットエッチング法が用いられている。ウェットエッチング法を用いたガラス基板の薄型化には、例えば特許文献１に示すような装置を用いて、ガラス基板全体を薬液に浸し、基板を全面に渡って溶解する方法が採用されている。このような装置では、通常、エッチング液の濃度や温度、エッチング液の撹拌速度、などよってエッチング量を制御している。またこのような装置では、薬液内を撹拌するため、或いはエッチングによって生成した不純物の基板への付着防止のために、エッチング装置の底部からＮ２を送り込み、バブリングを行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−８７８４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の装置であって、バブリングによって薬液の撹拌を行うものは、撹拌が不均一となりやすく、エッチングされたガラス基板の厚みを一定に管理することが困難であった。また、バブリングで発生するＮ２の泡が基板表面を研磨することにより、エッチングが促進されることが知られているが、発生源近くでは多くの泡が局在しているエッチングが進行しやすいため、基板面内でエッチングの進行度合に差が生じやすく、所望の厚み制御が困難となっていた。
【０００７】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、エッチングされるガラス基板の厚さを精度良く制御することができるエッチング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題を解決するため、本発明のエッチング装置は、エッチング液が貯留され、該エッチング液に被処理基板を浸漬させる処理槽と、前記処理槽内の前記エッチング液を流動させる流動手段と、前記処理槽に設けられ、前記被処理基板に面する前記エッチング液に超音波振動を生じさせる超音波振動子と、前記超音波振動子の駆動を制御する制御手段と、を有する超音波振動発生手段と、を備えることを特徴とする。
この構成によれば、エッチング量を、エッチング液の濃度や温度、エッチング液の撹拌速度、などの通常知られた要因に加えて、超音波振動の供給時間や、超音波振動の振動周波数を制御することによっても制御が可能となる。そのため、従来の装置よりもエッチングの条件を詳細に設定することができ、より精密な厚さ制御が可能となる。また、流動手段によってエッチング液が流動しているため、エッチング液の濃度が全体で均一となっており、濃度ムラがない。したがって、被処理基板の厚さを精度良く制御することができるエッチング装置を提供することができる。
【０００９】
本発明においては、前記超音波振動発生手段は、前記被処理基板に対向して設けられ、前記被処理基板の法線方向から該被処理基板へ伝播する超音波振動を与えることが望ましい。
この構成によれば、被処理基板の法線方向から供給される超音波振動によって超音波の伝播方向に直進流が生じるため、エッチング液には、流動手段による流動に加えて被処理基板に向かう流れが生じる。そのため、被処理基板の近傍ではエッチング液の入れ替わりが盛んに行われ、被処理基板の溶解を促進し、好適にエッチングを行うことができる。
【００１０】
本発明においては、前記超音波振動発生手段は、前記超音波振動子を冷却する冷却手段を有することが望ましい。
この構成によれば、駆動によって発熱する超音波振動子を冷却することができるため、装置の破損を防ぎ安定して駆動させることが可能なエッチング装置を提供することができる。
【００１１】
本発明においては、前記エッチング液の温度を制御する温調手段を有することが望ましい。
この構成によれば、超音波振動を供給することによってエッチング液が昇温し、エッチングレートが変動してしまうことを防ぎ、被処理基板の厚さを精度良く制御することができる。
【００１２】
本発明においては、前記処理槽は、内部を仕切る隔壁を有し、該隔壁によって第１処理槽と第２処理槽とに分割され、前記第１処理槽に貯留された前記エッチング液に超音波振動を与える第１超音波振動発生手段と、前記第２処理槽に貯留された前記エッチング液に超音波振動を与える第２超音波振動発生手段と、を有し、前記隔壁として、前記被処理基板が用いられることが望ましい。
この構成によれば、被処理基板の両面を同時に精度良くエッチング可能なエッチング装置を実現することができる。
【００１３】
本発明においては、前記隔壁として、重ね合わされた２枚の前記被処理基板が用いられ、前記２枚の被処理基板は、前記第１処理槽と前記第２処理槽との各々にそれぞれ面することが望ましい。
この構成によれば、それぞれ独立した第１処理槽と第２処理槽とで、２枚の被処理基板を個別にエッチングすることができ、生産性を向上させることができる。
【００１４】
本発明においては、前記第１超音波振動発生手段と、前記第２超音波振動発生手段と、が、各々独立に制御可能であることが望ましい。
この構成によれば、それぞれ独立した第１処理槽と第２処理槽とで、異なるエッチング条件によるエッチングが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態のエッチング装置を説明する概略図である。
【図２】第１実施形態のエッチング装置を用いたエッチング処理の説明図である。
【図３】本発明の第２実施形態のエッチング装置を説明する概略図である。
【図４】第２実施形態のエッチング装置で用いられる被処理基板の説明図である。
【図５】第２実施形態のエッチング装置に配置される被処理基板の説明図である。
【図６】第２実施形態のエッチング装置を用いたエッチング処理の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
［第１実施形態］
以下、図１〜図２を参照しながら、本発明の第１実施形態に係るエッチング装置について説明する。なお、以下の全ての図面においては、図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
【００１７】
図１は、本実施形態のエッチング装置１を説明する概略図である。図に示すように、エッチング装置１は、エッチング液Ｅを貯留し、被処理基板Ｘを内部に保持する処理槽１０と、処理槽１０の外部に設けられ、処理槽１０内のエッチング液Ｅに超音波振動を与える超音波振動発生器（超音波振動発生手段）２０と、エッチング液Ｅの循環装置（流動手段）３０と、リンス液の循環装置４０と、処理槽１０の外部に設けられ処理槽１０内のエッチング液Ｅの温度を制御する温調槽（温調手段）５０と、を有している。以下、各構成について説明する。
【００１８】
処理槽１０は、上部に設けられた基板処理部１４と下部に設けられた薬液冷却部１６とを有して設けられており、基板処理部１４の内部側壁には、被処理基板Ｘを保持する保持部１２を有している。基板処理部１４に配置された被処理基板Ｘは、後述するようにエッチング液Ｅに供給される超音波振動によってエッチングされる。また、薬液冷却部１６の外部には温調槽５０が配置されており、超音波振動が供給されることで昇温する処理槽１０内のエッチング液Ｅを冷却している。
【００１９】
処理槽１０の基板処理部１４の外側には、超音波振動発生器２０が配置されている。超音波振動発生器２０は、エッチング液Ｅに超音波振動を生じさせる超音波振動子２２と、超音波振動子２２の駆動を制御する制御装置（制御手段）２４と、を有している。また、駆動により発熱する超音波振動子２２を冷却するため、超音波振動子２２を包むように水冷式の冷却手段２６が設けられている。本実施形態の超音波振動発生器２０は、７０ＫＨｚと１２０ＫＨｚとのデュアルモード方式の運転を行うことが可能となっている。
【００２０】
超音波振動発生器２０は、内部に配置された被処理基板Ｘと対向する位置に配置されており、被処理基板Ｘの全面に対して均等に超音波振動が当たるように設けられている。
【００２１】
処理槽１０内のエッチング液Ｅは、処理槽１０に設けられたエッチング液Ｅの循環装置３０から供給される。循環装置３０は、処理槽１０の薬液冷却部１６の側壁から延び、基板処理部１４の上部にまで配設された薬液ライン３２と、側管３３を介して薬液ライン３２に接続された薬液タンク３４と、薬液ライン３２の途中に設けられたフィルタ３６と、薬液ライン３２中にエッチング液Ｅを循環させる循環ポンプ３７と、を有している。
【００２２】
循環装置３０は、必要に応じて薬液タンク３４に貯留されたエッチング液Ｅを、薬液ライン３２を介して処理槽１０内に供給する。また、循環ポンプ３７の働きによって、エッチング液Ｅを薬液冷却部１６から基板処理部１４へ循環させる。薬液ライン３２の途中に設けられたフィルタ３６では、エッチングで生じる反応生成物を除去し、被処理基板Ｘへの再付着を防いでいる。更に、エッチングが終了すると、処理槽１０からエッチング液Ｅを排出する。
【００２３】
エッチング液Ｅは、特に限定されないが、例えば被処理基板Ｘとしてガラス基板を用いる場合、フッ酸（ＨＦ）と硫酸（Ｈ２ＳＯ４）との混合水溶液を用いることができる。被処理基板Ｘのエッチングが進行すると、エッチング液Ｅの濃度が変化するため、循環装置３０に不図示の濃度センサーを設け、エッチング液Ｅの濃度が基準値を下回る場合に薬液タンク３４から新たにエッチング液Ｅを供給して濃度を一定とする制御を行うこととしても良い。
【００２４】
処理槽１０からエッチング液Ｅが排出されると、処理槽１０に設けられたリンス液の循環装置４０からリンス液が供給される。リンス液は、例えば純水を用いることができる。循環装置４０は、処理槽１０の薬液冷却部１６の側壁から延び、基板処理部１４の上部にまで配設されたリンス液ライン４２と、側管４３を介してリンス液ライン４２に接続されたリンス液タンク４４と、リンス液ライン４２の途中に設けられたフィルタ４６と、リンス液ライン４２中にリンス液を循環させる循環ポンプ４７と、を有している。
【００２５】
循環装置４０は、エッチングが終了した後の処理槽１０内に、リンス液ライン４２を介してリンス液を供給する。また、循環ポンプ４７の働きによって、リンス液を薬液冷却部１６から基板処理部１４へ循環させる。リンス液ライン４２の途中に設けられたフィルタ４６では、エッチングで生じる反応生成物を除去し、被処理基板Ｘへの再付着を防いでいる。
本実施形態のエッチング装置１は、以上のような構成になっている。
【００２６】
次に、図２を用いて、エッチング装置１を用いたエッチング処理について説明する。図２（ａ）に示すように、まずエッチング液Ｅを満たした処理槽１０内に、枚葉搬送した被処理基板Ｘを配置し、循環装置３０により薬液ライン３２を介して処理槽１０内のエッチング液Ｅを循環させる。また、超音波振動発生器２０からは、エッチング液Ｅに対して超音波振動が供給される。
【００２７】
ここで、超音波振動を用いたエッチング処理について説明する。まず、エッチング液Ｅ中に超音波振動を供給すると，縦波である超音波振動はエッチング液Ｅに対して減圧および圧縮を繰り返す力として働く。この繰り返しの過程においてエッチング液Ｅに減圧力が作用すると、エッチング液Ｅ中に真空の空洞が発生し、エッチング液Ｅに溶け込んでいる気体あるいは蒸発するエッチング液Ｅを取り込んで無数の気泡が発生する。しかし、次の瞬間には気泡に対して圧縮力が働くために押しつぶされ、気泡は消滅する。このとき、気泡を囲んでいた液同士が衝突するためにエッチング液Ｅ中に衝撃波が発生する。この衝撃波により、被処理基板Ｘの表面を研磨する。
【００２８】
また、本実施形態のエッチング装置１では、被処理基板Ｘの法線方向から供給される超音波振動によって超音波の伝播方向に直進流が生じるため、エッチング液Ｅには、循環装置３０による循環方向だけではなく、微視的には被処理基板Ｘに向かう流れも合わせて生じる。そのため、被処理基板Ｘの近傍ではエッチング液Ｅの入れ替わりが盛んに行われ、被処理基板Ｘの溶解を促進する。
【００２９】
従来のＮ２吹き込みによるバブリングでは、気泡の発生源は例えば処理槽の底部であったが、超音波振動を用いる場合には、被処理基板Ｘの近傍が気泡の発生源となるため、被処理基板Ｘの超音波振動発生器２０への対向面に対して均等に気泡が当たる。従って、上述のメカニズムによる被処理基板Ｘの研磨が基板面内で均等に進行し、エッチングの進行度合に差が生じにくくなる。また、超音波の供給時間や振動周波数を制御することにより、単位時間あたりのエッチング量（エッチングレート）を制御することができる。
【００３０】
エッチングの過程においては、エッチング液Ｅの濃度が変化するが、循環装置３０によってエッチング液Ｅが循環し、濃度が制御されているために、エッチング液Ｅが全体として均一な濃度となっている。更に、エッチング液Ｅに超音波振動を供給するとエッチング液Ｅの温度が上がり、エッチングレートが変化するおそれがあるが、温調槽５０の働きによってエッチング液Ｅが冷却され温度が保たれているために、温度変化によるエッチングレートのずれも生じない。したがって、被処理基板Ｘを所望の厚さにまでエッチングすることが容易となる。
【００３１】
例えば、従来のエッチング装置を用いたエッチングでは、エッチング液の濃度や温度、エッチング液の撹拌速度、などによって定めたエッチングレートに基づき、エッチング液に対する被処理基板Ｘの浸漬時間によってエッチング量の制御を行っていた。このような方法と比べて、本実施形態のエッチング装置１を用いると、超音波振動の供給時間や振動周波数を制御することによってもエッチング量の制御ができるため、従来の装置よりもエッチングの条件を詳細に設定することができ、より精密な厚さ制御が可能となる。
【００３２】
複数枚の被処理基板に対してエッチング処理を行う場合には、通常行われているように、予めダミーの被処理基板を用いてエッチングを行い、所望のエッチング量となるための条件出しをしておくと良い。
【００３３】
被処理基板Ｘが所望の厚さになるまでエッチングを行うと、処理槽１０内からエッチング液を排出し、図２（ｂ）に示すように、リンス液の循環装置４０を用いて純水を供給し循環させる。その際、超音波振動発生器２０から純水に超音波振動を供給すると、被処理基板Ｘの表面に付着した反応生成物や、エッチング液の除去が容易となるために好ましい。この際供給する超音波振動は、エッチングの際と同じ振動数であってもよく、振動数を下げたものであってもよい。
以上のようにして、本実施形態のエッチング装置１を用いたエッチング処理が終了する。
【００３４】
以上のような構成のエッチング装置１によれば、従来の装置よりもエッチングの条件を詳細に設定することができ、被処理基板の厚さを精度良く制御することができるエッチング装置を提供することができる。
【００３５】
なお、本実施形態においては、被処理基板Ｘに対向する位置に超音波振動発生器２０を配置することとしたが、基板処理部１４内に超音波振動を発生することとすれば、被処理基板Ｘに面するエッチング液Ｅ内に気泡が発生しエッチングが促進されるため、被処理基板Ｘに対向する位置でなくても構わない。
【００３６】
また、本実施形態においては、超音波振動発生器２０は水冷式の冷却手段２６を有することとしたが、空冷式やその他の方式の冷却方式であってもよい。また、連続使用可能な時間は短くなってしまうが、超音波振動発生器２０が冷却手段２６を有さないこととしても、被処理基板Ｘの厚さを精度良く制御できるエッチング装置とすることは可能である。
【００３７】
また、本実施形態においては、薬液冷却部１６の外側に配置された温調槽５０により、薬液冷却部１６の内部のエッチング液Ｅを冷却し、エッチングレートのズレを防ぐこととしたが、これに限らず、例えば薬液ライン３２の途中に温調槽５０に変わる温調手段を設け、循環するエッチング液Ｅの温度を制御することとしても良い。また、連続使用可能な時間は短くなってしまうが、温調槽５０を有さないこととしても、被処理基板Ｘの厚さを精度良く制御できるエッチング装置とすることは可能である。
【００３８】
［第２実施形態］
図３から６は、本発明の第２実施形態に係るエッチング装置２の説明図である。本実施形態のエッチング装置２は、第１実施形態のエッチング装置１と一部共通している。異なるのは、処理槽が第１処理槽、第２処理槽の２つの処理槽に分割されており、各々の処理槽に対して超音波振動発生器が設けられていることである。したがって、本実施形態において第１実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００３９】
図３は、本実施形態のエッチング装置２を説明する概略図であり、第１実施形態の図１に対応する図である。
【００４０】
図に示すように、エッチング装置２は、エッチング液Ｅを貯留し、内部が隔壁８０によって第１処理槽６０Ａおよび第２処理槽６０Ｂに分割された処理槽６０と、第１処理槽６０Ａおよび第２処理槽６０Ｂの外部にそれぞれ設けられた超音波振動発生器２０Ａ，２０Ｂと、エッチング液Ｅの循環装置３０と、リンス液の循環装置４０と、処理槽１０の外部に設けられた温調槽５０と、を有している。以下、各構成について説明する。
【００４１】
処理槽６０の第１処理槽６０Ａおよび第２処理槽６０Ｂは、各々上部に設けられた基板処理部６４と下部に設けられた薬液冷却部６６とを有して設けられている。また、第１処理槽６０Ａと第２処理槽６０Ｂとは、処理槽６０内に配置された２枚の被処理基板Ｘによって隔たれており、すなわち、処理槽６０の底部に設けられた支持部６７と、基板保持具６２に保持された被処理基板Ｘと、が、第１処理槽６０Ａと第２処理槽６０Ｂとを分離する隔壁８０の役割を果たしている。
【００４２】
超音波振動発生器２０Ａ，２０Ｂは、各々の制御装置２４Ａ，２４Ｂからそれぞれの超音波振動子２２Ａ，２２Ｂに対して異なる駆動信号を供給することによって、駆動条件をそれぞれ異ならせて制御することができる。このようにすることで、第１処理槽６０Ａと第２処理槽６０Ｂとに異なる超音波振動を生じさせ、被処理基板Ｘａのエッチング量と、被処理基板Ｘｂのエッチング量とを異ならせることができる。超音波振動発生器２０Ａ，２０Ｂで駆動条件が異なる場合には、超音波振動子２２Ａ，２２Ｂに発生する熱量も異なるために、冷却手段２６Ａ，２６Ｂへの通水量を異ならせて適切な除熱を行うと良い。
【００４３】
循環装置３０が有する薬液ライン３２は、第１処理槽６０Ａおよび第２処理槽６０Ｂそれぞれの薬液冷却部６６の壁から延び、処理槽６０の上部にまで配設されている。同様に、循環装置４０が有するリンス液ライン４２は、第１処理槽６０Ａおよび第２処理槽６０Ｂそれぞれの薬液冷却部６６の壁から延び、処理槽６０の上部にまで配設されている。
【００４４】
処理槽６０の上部では、薬液ライン３２とリンス液ライン４２とが切り替えバルブ７０に接続されており、切り替えバルブ７０には配管７１を介して分岐ノズル７２が接続されている。切り替えバルブ７０では、処理槽６０に供給する液の種類によって薬液ライン３２またはリンス液ライン４２のいずれかを選択し、分岐ノズル７２では、配管７１を介して供給されるエッチング液またはリンス液を第１処理槽６０Ａおよび第２処理槽６０Ｂの両方に分岐して供給する。
【００４５】
図４は、図３に示したエッチング装置２で用いられる被処理基板Ｘの説明図である。２枚の被処理基板Ｘは、額縁状の基板保持具６２Ａ，６２Ｂの溝部６３にそれぞれ嵌合しながら挟持される。このように２枚の被処理基板Ｘａ、Ｘｂを合わせて保持することで、エッチング装置２では、２枚の被処理基板Ｘに対して同時にエッチング処理を施すことができる。もちろん、被処理基板Ｘを１枚だけ保持してエッチングを施す事としても構わない。
【００４６】
図５は、エッチング装置２の処理槽６０に配置される被処理基板Ｘを説明する説明図である。図４で示したように基板保持具６２によって保持された被処理基板Ｘは、処理槽６０の側壁に設けられたレール状の支持部６８に差し込まれ、支持部６７上に戴置される。配置された被処理基板Ｘは、処理槽６０を第１処理槽６０Ａおよび第２処理槽６０Ｂの２つに分割する隔壁８０として機能する。
【００４７】
図６は、本実施形態のエッチング装置２を用いたエッチング処理についての説明図であり、第１実施形態の図２に対応する図である。
【００４８】
図６（ａ）に示すように、まず、基板保持具６２に保持された２枚の被処理基板Ｘａ，Ｘｂが、処理槽６０に配置される。
【００４９】
次に、図６（ｂ）に示すように、切り替えバルブ７０を循環装置３０側に切り替えて、エッチング液Ｅを第１処理槽６０Ａおよび第２処理槽６０Ｂに満たし、薬液ライン３２を介して処理槽６０内のエッチング液Ｅを循環させる。循環するエッチング液Ｅは、分岐ノズル７２を介することで、第１処理槽６０Ａおよび第２処理槽６０Ｂに分配される。処理槽６０に配置された２枚の被処理基板Ｘａ，Ｘｂは、各々、第１処理槽６０Ａおよび第２処理槽６０Ｂに面して配置される。
【００５０】
超音波振動発生器２０Ａ，２０Ｂからは、各々第１処理槽６０Ａおよび第２処理槽６０Ｂのエッチング液Ｅに対して超音波振動が供給される。その際、超音波振動発生器２０Ａから供給される超音波振動によって被処理基板Ｘａの表面が研磨され、超音波振動発生器２０Ｂから供給される超音波振動によって被処理基板Ｘｂの表面が研磨されて、各々の被処理基板に対してエッチング処理が行われる。
【００５１】
被処理基板Ｘａ，Ｘｂが、各々所望の厚さになるまでエッチングを行うと、処理槽６０内からエッチング液を排出し、図６（ｃ）に示すように、切り替えバルブ７０を循環装置４０側に切り替えて、純水を第１処理槽６０Ａおよび第２処理槽６０Ｂに満たし、リンス液ライン４２を介して純水を循環させる。その際、超音波振動発生器２０から純水に超音波振動を供給すると、被処理基板Ｘの表面に付着した反応生成物や、エッチング液の除去が容易となるために好ましい。この際供給する超音波振動は、エッチングの際と同じ振動数であってもよく、振動数を下げたものであってもよい。
以上のようにして、本実施形態のエッチング装置２を用いたエッチング処理が終了する。
【００５２】
以上のような構成のエッチング装置２によれば、隔壁８０を構成する被処理基板Ｘの両面を同時に精度良くエッチング可能なエッチング装置とすることができる。
【００５３】
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
【符号の説明】
【００５４】
１，２…エッチング装置、１０，６０…処理槽、２０…超音波振動発生器（超音波振動発生手段）、２０Ａ…超音波振動発生器（第１超音波振動発生手段）、２０Ｂ…超音波振動発生器（第２超音波振動発生手段）、２２，２２Ａ，２２Ｂ…超音波振動子、２４，２４Ａ，２４Ｂ…制御装置（制御手段）、２６，２６Ａ，２６Ｂ…冷却手段、３０…循環装置（流動手段）、５０…温調手段、６０Ａ…第１処理槽、６０Ｂ…第２処理槽、８０…隔壁、Ｅ…エッチング液、Ｘ，Ｘａ，Ｘｂ…被処理基板、
【図１】
2010241612.tif 000003
【図２】
2010241612.tif 000004
【図３】
2010241612.tif 000005
【図４】
2010241612.tif 000006
【図５】
2010241612.tif 000007
【図６】
2010241612.tif 000008