(57)【要約】【課題】表層の銅箔と樹脂基材とを貫通し、下層に存在する銅箔表面を貫通させずにビアホールを作成できる銅箔を提供し、この銅箔で層間導体接続がビアホールにより達成され、相対する導体表面には不必要な表面開口孔部が存在しない、配線パターンの設計の自由度が増加する多層積層配線板を提供すること。【解決手段】銅箔の一方の面の表面粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下で、レーザーを反射する平滑面であり、該平滑面を樹脂基材と接着することを特徴とする銅箔である。  銅箔、樹脂基材、銅箔からなる積層配線板であって、前記樹脂基材の一方の面にレーザーを吸収する表面を露出面とした銅箔を配置し、前記樹脂基材の他方の面に表面粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下で、レーザーを反射する平滑面を有する銅箔を、前記平滑面を樹脂基材と接着して配置してなる多層積層配線板である。【選択図】図２
2010058325.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅箔の一方の面の表面粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下で、レーザーを反射する平滑面であり、該平滑面を樹脂基材と接着することを特徴とする銅箔。
【請求項２】
銅箔の両面の表面粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下で、レーザーを反射する平滑面であり、該平滑面の少なくとも一方の面に樹脂基材を接着することを特徴とする銅箔。
【請求項３】
前記銅箔は電解により製造された銅箔であり、製箔後の結晶構造は、異方性のない微細結晶粒である請求項1または２に記載の銅箔。
【請求項４】
前記微細結晶粒で製箔された銅箔の前記平滑面に、外層用または内層用樹脂基材との密着性を高める微細粗化処理が施されている請求項1〜３のいずれかに記載の銅箔。
【請求項５】
前記微細粗化処理を施した銅箔の公称厚さが６〜１２μｍで、単位重量換算値が６０〜１１０ｇ／ｍ２の範囲にある請求項1〜４のいずれかに記載の銅箔。
【請求項６】
銅箔、樹脂基材、銅箔からなる積層配線板であって、
前記樹脂基材の一方の面にレーザーを吸収する表面を露出面とした銅箔を配置し、前記樹脂基材の他方の面に表面粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下で、レーザーを反射する平滑面を有する銅箔を、前記平滑面を樹脂基材と接着して配置してなる多層積層配線板。
【請求項７】
銅箔、樹脂基材、銅箔、樹脂基材の順に多層に積層された多層積層配線板であって、
レーザー吸収面を有する銅箔を、該吸収面を露出面として最外層に配置し、中間に一方の面の表面粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下で、レーザーを反射する平滑面を有する銅箔を少なくとも一層配置してなる多層積層配線板。
【請求項８】
銅箔、樹脂基材、銅箔、樹脂基材の順に多層に積層された多層積層配線板であって、
レーザー吸収面を有する銅箔を、該吸収面を露出面として最外層に配置し、中間に、両面の表面粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下で、レーザーを反射する平滑面を有する銅箔を少なくとも一層配置してなる多層積層配線板。
【請求項９】
銅箔、樹脂基材、銅箔、樹脂基材、銅箔樹脂基材の順に少なくとも中間に２層以上の銅箔を配設してなる多層積層配線板であって、
レーザー吸収面を有する銅箔を、該吸収面を露出面として最外層に配置し、
中間には、一方の面の表面粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下で、レーザーを反射する平滑面を有する銅箔と、
両面の表面粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下で、レーザーを反射する平滑面を有する銅箔を
それぞれ少なくとも一層配置してなる多層積層配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に高周波用の両面銅張多層積層配線板または多層プリント配線板（以下多層積層配線板という）の外層および内層用銅箔材料として好適に用いられる銅箔に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化に伴い、プリント配線板の小型化、高密度化、軽量化、高信頼性などが求められている。これらの要求を満たすためプリント基板素材、導電体、導体幅、導体間隙、スル−ホール、ビアホールなどの薄膜化、微細化、小型化、信頼性などが求められている。これらの内、スルーホール、ビアホールにおいてはドリリング加工の条件、レーザー加工の条件で微細化、小径化、信頼性の検討が重ねられ、特にレーザー加工においては生産性が向上することから重要視されている。
【０００３】
通常、金属箔と合成樹脂とのレーザーによる加工性は、合成樹脂の方がより低い出力のレーザーで加工されるので、樹脂基材の一方の面にのみ金属箔（導電体）を設けた積層基板の樹脂基材にビアホールを設ける加工には、樹脂基材に穴を空けるだけの低い出力のレーザーで成形することができるため、金属箔に損傷を与えることなく加工することができる。
一方、前記積層基板の金属箔（導電体）側から金属箔に穴開け加工等、金属箔部分を除去するには、金属箔を除去するだけの強さのレーザーで加工するために、下地部分の樹脂基材を損傷する危険性があり、下地の樹脂基材の損傷を防ぐために、できるだけ低い出力のレーザーで加工する必要性がある。このため、特許文献1では、導電体（金属薄膜）表面の明度を色差計でＬ値を４０以下とし、レーザー光の吸収をより多くし、樹脂基材の損傷が少ない、低い出力のレーザーで孔開けし、不必要な導電体部分の除去を施す技術が開示されている。
【０００４】
近年、電子機器は小型化に加えて高周波用途への普及と共に、軽薄高速化の要求が高まりプリント配線板の細線高密度化も進んでおり、回路構成は多層化され、該多層プリント配線板においても細線パターンとする高密度化は急速に進んできている。
【０００５】
回路構成の多層化にともない、多層間の導体接続技術も単に多層プリント配線板を貫通するスルーホールを作製して異なる導体層間を電気的に接続するだけでは、配線の設計に自由度がなくなるばかりか、パターンの高密度化が達成出来ない。そこで一部分だけを貫通するビアホールにより相対する層間を電気的に接続する技術が用いられてきている。このビアホールは、内層銅箔の薄箔化に伴ってドリルによる形成が、技術的に難しくなってきている。
【０００６】
近年になり、高周波用途対応の樹脂基材の材質も高融点タイプからレーザー穴あけ機が使用できる樹脂材料に代わってきたこともあり、ビアホールの作製には、ドリルによる形成方法に代わって、炭酸ガスレーザー穴あけ機による形成手法が用いられるようになってきている。
【０００７】
炭酸ガスレーザー穴あけ機の使用によれば、直径１００μｍ以下のビアホールを容易に作製することが出来るばかりか、従来のドリルによるビアホール作製時に懸念されていた穴中の樹脂基材の残渣の残留も大幅に改善され、次工程でのホール内めっき処理の信頼性と生産性の向上が図れるばかりでなく、表面穴の開口径の小径化で外層部の細線パターンの作製も容易になり、高密度回路設計技術を飛躍的に高めることができる。
【０００８】
【特許文献１】特開平９−１０２６６８号公報
【特許文献２】特開２００４−６６１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、回路構成の多層化にともない、多層プリント配線板にレーザー穴あけ機で途中までの穴（ビアホール）を成形する場合、金属箔を貫通するだけの強度のレーザー出力で穴あけ加工を施すと全ての金属箔を貫通する孔（スルーホール）となってしまい、ビアホールの成形は極めて困難であった。
上述したように、従来のドリルによるスルーホール成形工法からレーザー穴あけ機の採用によりスルーホールの開口直径を小さくすることができ高密度配線化技術を高めることができた。しかし、高周波基板用途としての更なる高密度パターン化と軽薄化の要求に対しては、層間導体接続を、一方の導体表面より微細な開口穴を作製しつつ相対する導体表面に達した所で、穴あけを終了させ、十分な導体接続を確保しなければならない場合に、ビアホールの作成をレーザー穴あけ機による加工操作で対処することは極めて困難であった。
【００１０】
層間導体接続がビアホールにより可能となれば、外層または内層の一方の表面開口穴部は入口のみとなり、相対する導体表面には貫通開口穴出口部が存在しないために、該開口穴のない表面には、貫通孔めっき処理なしで導通が可能となり、前もって該表面に配線パターンを作製しておくこともでき、高密度配線パターンの作製と工程作業の軽減化と多層板の軽薄化の要求も達せられる。
【００１１】
本発明者は、層間導体接続をビアホールで更に小径穴により達成させる工法を検討した結果、該ビアホールを炭酸ガスレーザー穴あけ機を用い、かつ薄い金属箔を内外層材に用いた場合でも容易にビアホールを形成できる銅箔材料につき鋭意研究し、本発明を完成した。
【００１２】
本発明の目的は、表層の銅箔と樹脂基材とを貫通し、下層に存在する銅箔表面を貫通させずにビアホールを作成できる銅箔を提供することにある。このような銅箔を提供することで、層間導体接続がビアホールにより達成され、例えば、両面に銅箔を有する積層板であれば一方の面だけの穴ですみ、４層板であればそれぞれの最外層側の面で異なった回路形成が可能となり、相対する導体表面には不必要な表面開口孔部が存在しないために、前もって貫通孔を考慮せずに配線パターンを設計作製でき、設計の自由度が増加する銅箔並びに多層積層配線板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、銅箔の一方の面の表面粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下で、レーザーを反射する平滑面であり、該平滑面を樹脂基材と接着することを特徴とする銅箔である。
【００１４】
本発明は、銅箔の両面の表面粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下で、レーザーを反射する平滑面であり、該平滑面の少なくとも一方の面に樹脂基材を接着することを特徴とする銅箔である。
【００１５】
前記本発明の銅箔は、微細結晶粒で製箔され、前記平滑面には、外層用または内層用樹脂基材との密着性を高める微細粗化処理を施すことが好ましい。
【００１６】
本発明は、銅箔、樹脂基材、銅箔からなる積層配線板であって、前記樹脂基材の一方の面にレーザーを吸収する表面を露出面とした銅箔を配置し、前記樹脂基材の他方の面に表面粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下で、レーザーを反射する平滑面を有する銅箔を、前記平滑面を樹脂基材と接着して配置してなる多層積層配線板である。
【００１７】
本発明は、銅箔、樹脂基材、銅箔、樹脂基材の順に多層に積層された多層積層配線板であって、レーザー吸収面を有する銅箔を、該吸収面を露出面として最外層に配置し、中間に一方の面の表面粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下で、レーザーを反射する平滑面を有する銅箔を少なくとも一層配置してなる多層積層配線板である。
【００１８】
本発明は、銅箔、樹脂基材、銅箔、樹脂基材の順に多層に積層された多層積層配線板であって、レーザー吸収面を有する銅箔を、該吸収面を露出面として最外層に配置し、中間に、両面の表面粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下で、レーザーを反射する平滑面を有する銅箔を少なくとも一層配置してなる多層積層配線板である。
【００１９】
本発明は、銅箔、樹脂基材、銅箔、樹脂基材、銅箔樹脂基材の順に少なくとも中間に２層以上の銅箔を配設してなる多層積層配線板であって、レーザー吸収面を有する銅箔を、該吸収面を露出面として最外層に配置し、中間には、一方の面の表面粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下で、レーザーを反射する平滑面を有する銅箔と、両面の表面粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下で、レーザーを反射する平滑面を有する銅箔をそれぞれ少なくとも一層配置してなる多層積層配線板である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の銅箔は、その少なくとも一方の面がレーザー反射面となっているために、レーザー穴あけ機により容易にビアホールの形成が可能となり、多層積層配線板に対する回路設計に対して制約が少なく、技術的な自由度が高まる銅箔を提供することができる。
また、本発明の銅箔を多層積層配線板の導電体として使用することで、貫通孔を考慮せずに配線パターンを設計作製でき、設計の自由度が増加する多層積層配線板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下本発明を図示した実施例に基づいて詳細に説明する。
図は本発明の銅箔を使用した積層基板を示すものである。
図１は本発明の第一の実施形態を示すもので、３層構造の多層積層配線板である。図１に示す多層積層配線板Ａは炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等のレーザー（以下これらを区別する必要がないときは単にレーザーという）を吸収する表面を露出面とする穴開対象銅箔１と、該銅箔１を積層する樹脂基材２と、該樹脂基材２の他の面に積層の表面処理銅箔３とで構成されている。ここで、表面処理銅箔３が本発明の銅箔に相当する。
【００２２】
表面処理銅箔３は、該銅箔の一方の面３１の表面粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下で、レーザーを反射する平滑面に仕上げられている。銅箔３の他方の面３２は回路配線を構成する仕様に仕上げられている。前記銅箔３の平滑面３１は樹脂基材２と接着されている。
平滑面３１の表面粗さ（Ｒｚ）が２μｍ以下で、レーザーを反射する平滑面に仕上げられている銅箔（表面処理銅箔）３は電解銅箔、圧延銅箔のいずれでもよい。電解銅箔としては、回転式の陰極ドラム電解電気めっき製箔設備により製箔される両面が光沢の公称厚み６〜１２μｍの薄厚の電解銅箔が好ましい。
前記電解銅箔は回転式の陰極ドラム電解電気めっき製箔設備により、初期電着がなされるドラム面側の粗さ（Ｒｚ）値が１．５μｍ以下、好ましくは１．０μｍ以下で、一方の液面側の粗さ（Ｒｚ）値が１．２μｍ以下、好ましくは０．８μｍ以下の電解銅箔であることが好ましい。
【００２３】
前記銅箔の平滑面３１は平滑に仕上げられているために樹脂基材２との接着強度に欠けるものとなることがある。このように樹脂基材２との接着強度が不足する場合には、該平滑面３１を粗化処理する。
平滑面の粗化処理は樹脂基材に適宜な密着強度で銅箔を積層可能とするとともに、プリント配線板（多層積層配線板）の外層または内層基板用導電材（銅箔）としての諸特性を満足する表面処理が必要となる。
【００２４】
銅箔表面に施す樹脂基材と適宜な密着強度で接着する粗化処理は、微細な銅粗化粒子を銅箔表面に付与する。粗化処理は銅箔のより平滑な表面に微細な銅粗化粒子を付与する。粗化粒子は公知の硫酸−硫酸銅溶液を用いて、該電解液の限界電流密度近傍の適宜な電流密度と通電時間を選択し陰極電解処理する所謂ヤケめっき処理で付与することができる。
【００２５】
なお、ヤケめっき処理により付与された微細な銅粗化粒子は容易に脱落するために、銅粗化粒子の脱落を防止するカプセルめっきを施す。カプセルめっきは銅箔の表面の光沢度維持のために、硫酸−硫酸銅溶液を用いて平滑光沢めっきを施す。このときの条件は低電流密度と通電時間を選択する。このように所謂陰極電解カプセルめっき処理を施すことにより、ヤケめっき処理により微細な銅粗化粒子を付与しても容易に脱落しない微細な粗化形状の表面が得られる。
このように銅粗化処理、カプセルめっきを施すことで、表面粗さ（Ｒｚ）値を１．２μｍ以上、２μｍ以下の表面が形成でき、樹脂基材との密着強度が０．４〜０．８ｋN／mを維持する銅箔となる。
【００２６】
製箔後の銅箔に表面処理を施す方法としては前記ヤケメッキ処理−カプセルめっきの他に、プリント配線板の外層または内層用銅箔としての諸特性を満足する表面処理として、公知のニッケル、亜鉛、コバルト、モリブデンに代表される重金属類の単独または複数の組み合わせのめっきや合金処理により耐熱性や耐薬品性の特性を、クロメートやクロム化合物、ベンゾトリアゾール等による処理で防錆を、特に高周波用途の樹脂基材との密着強度をアップさせる化学的なバインダーとして種々のシランカップリング剤を用い、適宜これらの処理を組み合わせて樹脂基材との接着強度を付与することができる。
【００２７】
銅箔３の平滑面３１を表面粗さ（Ｒｚ）値を１．２μｍ以上、２μｍ以下に形成するのは、例えば図１に示すように、炭酸ガスレーザー穴あけ機で容易に貫通穴が作製可能な樹脂基材の一方の面に公称厚み９μｍの片面を平滑処理した銅箔３１の平滑面３１側を貼り合わせ、他方の面に炭酸ガスレーザーのエネルギー吸収率を高める化学的なエッチング処理を施した穴開対象銅箔１を貼り合わせて両面銅張積層配線板Ａを作成し、銅箔１と樹脂基材とを貫通する炭酸ガスレーザーの適宜なエネルギー値を設定してビアホール作成を実施すると、微細な粒状で粗化された平滑面３１の粗さ（Ｒｚ）値が、１．２μ以上、２μｍ以下である場合には、樹脂基材との密着強度を０．４〜０．８ｋN／ｍ程度を維持するにもかかわらず、炭酸ガスレーザーより出るエネルギーの吸収率が低く、かつ該エネルギーが平滑面３１の表面で反射される為に、貫通穴とならずに、部分的な貫通（ビアホール）で容易に止める事が出来る。
【００２８】
なお、高周波用途の樹脂基材を選択した場合には、銅箔３の平滑面３１の密着強度を０．４〜０．８ｋN／ｍに維持しつつ要求される平滑性を保つ処理としては、伝送性を阻害する重金属は可能な限り少なく付着させる必要性がある。
【００２９】
図２は図１に示す多層積層配線板にビアホール４を穿設した状態を示すもので、穴開対象銅箔１のレーザー吸収面に図示しない炭酸ガスレーザー穴あけ機からレーザーを照射し、穴開対象銅箔１に孔を開けると、そのエネルギーで樹脂基材２にも孔が開けられる。樹脂基材２に孔を開けたレーザーは表面処理銅箔３の平滑面３１で反射されるために該銅箔３には孔を開けることはない。従って、多層積層配線板Ａにビアホール４を容易に形成することが可能となる。
【００３０】
図３、４は本発明の第二実施形態を示すもので、図３は５層の多層積層配線板Ｂを示し、穴開対象銅箔１−樹脂基材２−表面処理銅箔３−樹脂基材２−穴開対象銅箔１２で構成されている。図において、樹脂基材２、２間に配置された表面処理銅箔３は平滑面３１を上に、レーザー吸収面３２を下にして配置されている。
この多層積層配線板Ｂには図４に示すようにビアホール４と貫通孔（スルーホール）４１とを穿設することができる。ビアホール４の穿設は前記第一実施形態と同様であり、スルーホール４１の開孔は穴開対象銅箔１２側からレーザーを照射することで穴開対象銅箔１２−樹脂基材２−表面処理銅箔３−樹脂基材２−穴開対象銅箔１の順に孔を開けることができる。即ち、表面処理銅箔３の平滑面３１と反対側の面はレーザー吸収面３２に仕上げられているためレーザーを吸収して孔が開けられ、穴開対象銅箔１も貫通して貫通孔４１が形成される。
【００３１】
図５、６は本発明の第三実施形態を示すもので、図５は５層の多層積層配線板Ｃを示し、穴開対象銅箔１−樹脂基材２−表面処理銅箔５−樹脂基材２−穴開対象銅箔１２で構成されている。図５において、樹脂基材２、２間に配置された表面処理銅箔５は両面が平滑面３１に仕上げられており、樹脂基材２、２間に配置されている。なお、表面処理銅箔５が本発明の銅箔である。
この多層積層配線板Ｃには図６に示すように該配線板Ｃの両面からビアホール４、４を穿設することができる。ビアホール４の穿設は第一実施形態と同様である。
【００３２】
図７、８は本発明の第四実施形態を示すもので、図７は９層の多層積層配線板Ｄを示し、穴開対象銅箔１−樹脂基材２−表面処理銅箔３−１−樹脂基材２−表面処理銅箔３−２−樹脂基材２−穴開対象銅箔１３−樹脂基材２−穴開対照銅箔１２で構成されている。図７において、樹脂基材２、２間に配置された表面処理銅箔３−１は平滑面３１を上にして配置されている。樹脂基材２、２間に配置された表面処理銅箔３−２は平滑面３１を下にして配置されている。
この多層積層配線板Ｄには図８に示すようにビアホール４と貫通孔４２とを穿設することができる。ビアホール４の穿設は前記実施形態と同様である。ビアホール４２の穿設は穴開対象銅箔１２側からレーザーを照射することで穴開対象銅箔１３−樹脂基材２−穴開対象銅箔１３−樹脂基材２の順に孔が開けられ、表面処理銅箔３−２の平滑面３１でレーザーが反射されて穴開けが止まり、中間層の穴開対象銅箔１３を貫通するビアホール４２を形成することができる。
【００３３】
以下に本発明を具体的に実施した実施例で説明する。
一般に貫通穴開けに使用されるレーザーとしては、前述したように炭酸ガスレーザー、ＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等があるが、ビアホールを穿設するには、炭酸ガスレーザーが好ましい。加工条件は多層積層配線板を形成する樹脂基材の材料により適宜選択されるが、公知の樹脂基材を使用するのであれば特に制限はない。
【００３４】
〔実施例１〕
０．１ｍｍ厚みの高周波対応樹脂プリプレグの一方の面に、粗化処理を施した古河サーキットフォイル（株）製商品名ＦＶ−ＷＳ−９μｍ箔の平滑面（粗化処理面）を張り合わせて、硬化後の樹脂基材厚みが５０μｍとなる常法の加熱プレス、面圧、時間とを設定し片面銅張積層板を作製した。ＦＶ-ＷＳ-9μｍ箔の平滑面（粗化処理面側）の表面特性を表１に記載した。
作製した片面銅張積層板の樹脂基材側より、表面開口直径１００μｍの貫通穴を日立ビアメカニクス（株）製の炭酸ガスレーザー機を使用して、パルス幅：５０μｓ、ショット回数：1回に固定して、貫通穴ができるまでの1パルス当たりのエネルギー値（ｍＪ）を測定した。結果は２２ｍＪであった。
【００３５】
〔実施例２〕
片面銅張積層板を作製する対象銅箔を、粗化処理を施した古河サーキットフォイル（株）製商品名ＦＶ-ＷＺ-９μｍ箔に変更した以外は実施例１と同様に行い、貫通穴ができるまでの1パルス当たりのエネルギー値（ｍＪ）を測定した。結果は２５ｍＪであった。該箔の平滑面の特性を表１に記載した。
【００３６】
〔実施例３〕
片面銅張積層板を作製する対象銅箔を、粗化処理を施した古河サーキットフォイル（株）製商品名FLD-ＷS-９μｍの両面処理箔に変更し、基体銅箔のドラム剥離面側であった面に粗化処理を施して平滑面とし、この平滑面側を、実施例１と同じ樹脂プリプレグに張り合わせた以外は、実施例１と同様に穴開けを行った。その結果は２０ｍＪであった。該箔の表面特性を表１に記載した。
【００３７】
〔比較例１〕
実施例１で採用した高周波対応樹脂プリプレグに銅箔を貼らずに硬化後の樹脂基材厚みを５０μｍのみとし、実施例１と同じ条件による炭酸ガスレーザー照射により、樹脂基材に貫通穴が出来るまでの1パルス当たりのエネルギー値（ｍＪ）を測定値した。その結果は５ｍＪであった。
【００３８】
〔比較例２〕
片面銅張板を作製する対象銅箔を古河サーキットフォイル（株）製商品名GTS-MP-９μｍ箔に変更した以外は、実施例１と同様に行い、貫通穴ができるまでの1パルス当たりのエネルギー値（ｍＪ）を測定した。測定結果は１２ｍＪであった。該箔の表面特性を表１に記載した。
【００３９】
〔比較例３〕
片面銅張板を作製する対象銅箔を柱状結晶粒の電着成長により製箔された、所謂一般電解箔を基体銅箔として、その両面に粗化処理を施した内層用専用銅箔、古河サーキットフォイル（株）製商品名DT-GLD-９μｍ箔のマット面側を実施例１で採用したプリプレグに変更した以外は実施例１と同様に行い、貫通穴ができるまでの1パルス当たりのエネルギー値（ｍＪ）を測定した。測定結果は１５ｍＪであった。該箔の表面特性を表１に記載した。
【００４０】
【表１】
2010058325.tif 000003
【００４１】
上記実施例によれば、本発明の銅箔を樹脂基材側よりパルス幅とショット回数とを固定して、貫通穴が出来るまでの1パルス当たりのエネルギー値（ｍＪ）を測定すると、比較例に用いた銅箔より炭酸ガスレーザーエネルギーの出力値（ｍＪ）が高い事が判る。
この結果、本発明の銅箔表面が非常に炭酸ガスレーザーエネルギーの吸収率が劣ることを示しており、換言すれば該表面はエネルギーの反射率が高いことになる。
【００４２】
本実施例の条件下では、１００μｍの開口径をコンフォーマルマスク法に準じ樹脂基材側から貫通穴を作製すると、炭酸ガスレーザー照射を受ける銅箔面の表面粗さ（Ｒｚ）値が、銅箔の製箔時の液面側にあたる表面が一般的な柱状結晶で製箔され２．０μｍ以上ある電解銅箔表面に粗化処理した比較例に用いた銅箔表面では、炭酸ガスレーザーエネルギーの出力値１２〜１５ｍJ程度で貫通させる事ができたが、本発明の銅箔では炭酸ガスレーザーエネルギーの出力値２０〜２５ｍJを必要とした。
【００４３】
この事からも容易に分かる様に、炭酸ガスレーザー照射を受ける銅箔面の表面粗さ（Ｒｚ）値が、小さいほど該表面部を任意の開口径により貫通させるためのエネルギーの出力値は、反射によるエネルギーロスを補うために高い値を必要とする。
従って樹脂基材側より健全にビアホールを作製しつつ、相対する導体層表面にダメージを与えることなくビアホールを作成するには、炭酸ガスレーザーエネルギーの吸収率が悪く、かつ該エネルギーの反射性の高い表面形状が必要であることが検証でき、比較例に示す銅箔を穴開対象銅箔とし、実施例に示す銅箔（本発明銅箔）を表面処理銅箔として前記した図１〜図８に示す多層積層配線板Ａ〜Ｄを作成すれば、炭酸ガスレーザーにより容易にビアホールを穿設することができる。
【００４４】
上述した様に、炭酸ガスレーザー穴あけ機と本発明の銅箔を用いることで、ビアホールの作製が容易となり、微細配線の設計に対して制約が少なく、配線パターン設計の自由度が高まり、高密度と高多層化の要求を同時に達成する多層積層配線板を提供することができる。
【００４５】
本発明は、配線基板の高密度化の要求に対して、従来のドリルによる形成では、形成技術や設計に制約があり、もはやかかる要求に対応することが困難になっていた成形技術を、炭酸ガスレーザー穴あけ機と本発明の電解銅箔を用いることで、ビアホール形成と配線の設計に対して制約が少なくなり技術的な自由度が高まり、前記要求を容易に達成することができる優れた効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の第一実施形態を示す断面図
【図２】ビアホールを形成した本発明の第一実施形態を示す断面図
【図３】本発明の第二実施形態を示す断面図
【図４】ビアホールとスルーホールを形成した本発明の第二実施形態を示す断面図
【図５】本発明の第三実施形態を示す断面図
【図６】ビアホールを形成した本発明の第三実施形態を示す断面図
【図７】本発明の第四実施形態を示す断面図
【図８】ビアホールを形成した本発明の第四実施形態を示す断面図
【符号の説明】
【００４７】
１    穴開対象銅箔
２    樹脂基材
３    表面粗化銅箔
３１  平滑面
３２  レーザー吸収面
４    ビアホール
４１  スルーホール
４２  ビアホール
５    表面処理銅箔（両面が平滑面の銅箔）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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