(57)【要約】      （修正有）【課題】封止体を形成する際の封止体の漏れを抑制する。【解決手段】まず、半導体装置の配線基板となるべき製品形成部が形成された配線母基板３１を準備する。そして、製品形成部に半導体チップ１５を搭載し、配線母基板の、半導体チップが搭載されるチップ搭載面側に、配線母基板を型閉めする成型金型７０の内面に圧接する圧接部材５１ａを搭載する。その後、成型金型によって、配線母基板のチップ搭載面とは反対側の面９３と圧接部材とを圧接するように、成型金型で配線母基板を型閉めする。そして、成型金型の内部に封止体１８を充填する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の配線基板となるべき製品形成部が形成された配線母基板を準備する工程と、
前記製品形成部に半導体チップを搭載する工程と、
前記配線母基板の、半導体チップが搭載されるチップ搭載面側に、前記配線母基板を型閉めする成型金型の内面に圧接する圧接部材を搭載する工程と、
前記成型金型によって、前記配線母基板の前記チップ搭載面とは反対側の面と前記圧接部材とを圧接するように、前記成型金型で前記配線母基板を型閉めする工程と、
前記成型金型の内部に封止体を充填する工程と、を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記圧接部材は、前記配線母基板の前記半導体チップ上に搭載される、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記圧接部材は放熱材料からなる、請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記圧接部材は前記配線母基板の中央に搭載される、請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記配線母基板には前記製品形成部が複数形成されており、
前記封止体の形成後に前記配線母基板を切断し、複数の半導体装置を得る、請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記圧接部材を搭載する前に、前記製品形成部のうちの不良な製品形成部を検出し、
前記配線母基板の前記複数の製品形成部のうちの前記不良な製品形成部に、前記圧接部材を搭載する、請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記圧接部材の、前記封止体に接する面が、滑らかな曲面である、請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記圧接部材が球形状である、請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記圧接部材は弾性部材を介して搭載される、請求項１から８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記配線母基板の前記製品形成部には、開口部が形成されており、
前記半導体チップから延びた配線は、前記開口部をとおって、前記配線基板に接続されている、請求項１から９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記封止体は、前記半導体チップと、前記配線基板の前記チップ搭載面および前記開口部と、を覆うように形成される、請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の一製造方法として、複数の半導体チップを搭載した配線母基板に一括で封止体を形成するＭＡＰ方式（Ｍｏｌｄ  Ａｒｒａｙ  Ｐａｃｋａｇｅ方式）がある（例えば、特許文献１参照。）。また、特許文献２および特許文献３では、ダイパッド部と端子部とを有するユニットパターンをフレーム枠で連結して複数個配列したリードフレームに半導体チップを搭載し、一括で樹脂封止することが記載されている。
【０００３】
図１４は、特許文献１に記載の半導体装置の製造方法を説明する図である。特許文献１に記載の製造方法では、多数個取りの大判の樹脂基板１２０（配線母基板）に半導体チップ１１２を搭載し、テープ１２４を貼着した後、封止樹脂１４２を形成する。図１４に示すように、封止樹脂１４２は、封止用の金型１４０を用いて、一括で形成することができる。この後、スリット１２２の位置で封止樹脂１４２とともに樹脂基板１２０を切断することにより、個片に分離された半導体装置が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−２８４５２５号公報
【特許文献２】特開２００２−１１０８８４号公報
【特許文献３】特開２００６−４９３９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
図１４に示されているように、樹脂を封止する際、金型は、配線母基板の外周部のみを挟んでいる。そのため、配線母基板と成型金型との密着性が低下し、封止体が予期しない場所に形成されるという課題がある。特に、配線母基板が大きい場合には、成型金型と配線母基板との密着性は低下する。
【０００６】
ポリイミドからなるフレキシブル基板のように、薄い配線母基板を用いる場合には、封止樹脂の流動にひきずられて、フレキシブル基板に撓みや歪みが生じる場合がある。また、封止樹脂は流動中に少しずつ硬化するため、封止樹脂と配線母基板との密着性は上がる。この状態で、封止樹脂が流動すると、封止樹脂が配線母基板を引っ張る力が増し、撓みや歪みが増大する。このように、配線母基板に撓みや歪みが生じると、配線母基板と成型金型との密着性が低下し、封止体が予期しない場所に形成されてしまう。
【０００７】
特に、開口部を有する配線母基板に樹脂を形成する場合には、配線母基板と成型金型との密着性が低いと、封止樹脂が開口部をとおって配線母基板の反側の面に漏れることがある。樹脂漏れを起こした部分に、外部端子が搭載される部分であるランドが存在する場合、導通不良の原因となる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題の少なくとも１つを解決するため、本発明の一形態における半導体装置の製造方法では、まず、半導体装置の配線基板となるべき製品形成部が形成された配線母基板を準備する。そして、製品形成部に半導体チップを搭載し、配線母基板の、半導体チップが搭載されるチップ搭載面側に、配線母基板を型閉めする成型金型の内面に圧接する圧接部材を搭載する。その後、成型金型によって、配線母基板のチップ搭載面とは反対側の面と圧接部材とを圧接するように、成型金型で配線母基板を型閉めする。そして、成型金型の内部に封止体を充填する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の製造方法によれば、封止体を形成する際に、配線母基板のチップ搭載面とは反対側の面と圧接部材とが成型金型に圧接するように、配線母基板が型閉めされる。そのため、配線母基板と成型金型との密着性が向上し、封止体の漏れが抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の模式的平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った半導体装置の模式的断面図。
【図３】第１の半導体装置の一製造方法を示すフローチャート。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は、第１の半導体装置の一製造方法を示すステップ図。
【図５】図４（ａ）に示す配線母基板の模式的平面図。
【図６】図４（ｂ）に示す配線母基板の模式的平面図。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、半導体チップが搭載された配線母基板に封止体を形成する様子を示す模式的断面図。
【図８】図４（ｄ）に示す配線母基板の模式的平面図。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法において、圧接部材を搭載する位置が示されている配線基板の模式的平面図。
【図１０】本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の模式的断面図。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の第３の実施形態に係る半導体装置の製造方法において、半導体チップが搭載された配線母基板に封止体を形成する様子を示す模式的断面図。
【図１２】第３の実施形態の別の例における半導体装置の模式的断面図。
【図１３】第３の実施形態のさらに別の例における半導体装置の模式的断面図。
【図１４】特許文献１に記載の、半導体装置を樹脂封止する様子を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００１２】
［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係るＢＧＡ型の半導体装置の模式的平面図である。図２は、図１の半導体装置のＡ−Ａ線に沿った模式的断面図である。
【００１３】
本実施形態に係る半導体装置１０は、所望の配線が形成された配線基板１１を有している。配線基板１１の一方の面（以下、「チップ搭載面１２」と呼ぶ。）には、例えばエラストマのような弾性部材２６を介して、半導体チップが搭載されている。また、弾性部材２６の代わりに、ダイアタッチフィルム（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈｅｄ  Ｆｉｌｍ：ＤＡＦ）を介して、半導体チップが搭載されていても良い。
【００１４】
本実施形態では、配線基板１１の形状は略四角形であるが、配線基板１１の形状はこれに限定されない。配線基板１１としては、例えば０．２５ｍｍ厚のガラスエポキシ基板を用いることができる。また、配線基板１１は、ポリイミド基板からなるフレキシブル基板であっても良く、その他の基板であっても良い。
【００１５】
配線基板１１の他方の面１３には配線（不図示）が形成されている。配線は、例えばＣｕのような導電材料からなる。配線は、部分的に例えばソルダーレジストのような絶縁膜２１で覆われている。なお、図１では、絶縁膜２１は示されていない。
【００１６】
配線基板１１の中央には、略長方形状の開口部１４が形成されている。配線基板１１の他方の面１３において、開口部１４の周辺には複数の接続パッド２３が配置されている。接続パッド２３は、絶縁膜２１に覆われておらず、露出している。なお、開口部１４の形状は、どのような形状であっても良い。
【００１７】
また、配線基板の他方の面１３には、開口部１４に沿って所定の間隔で、複数のランド２４が位置している。図では、長方形の開口部１４の長手方向に沿って、開口部１４の両側に３列ずつランドが形成されているが、ランド２４はどのように配置されていても良い。
【００１８】
接続パッド２３と接続パッド２３に対応するランド２４とは、配線基板１１に形成されている配線によって、電気的に接続されている。また、ランド２４には、外部端子１７が搭載される。外部端子１７としては、例えば半田ボールを用いることができる。
【００１９】
半導体チップ１５の、配線基板１１と対向する面（以下、「回路形成面１６」と呼ぶ。）には、例えば論理回路や記憶回路などが形成されている。本実施形態では、略四角形の半導体チップ１５を用いた。
【００２０】
半導体チップ１５の回路形成面１６には、複数の電極パッド２２がさらに形成されている。本実施形態では、電極パッド２２は、半導体チップ１５の中央部に１列或いは２列で配置されている。半導体チップ１５の回路形成面１６は、配線基板１１に対向している。そして、回路形成面１６に形成された電極パッド２２は、配線基板１１の開口部１４に位置している。
【００２１】
また、電極パッド２２が形成された部分を除く回路形成面１６の領域には、パッシベーション膜（不図示）が形成されている。パッシベーション膜によって、回路形成面１６は保護されている。
【００２２】
半導体チップ１５に形成された電極パッド２２から延びた接続部材２５は、配線基板１１の開口部１４を通って、配線基板１１の接続パッド２３と接続されている。接続部材としては、導電性のワイヤを用いることができ、当該ワイヤによって半導体チップ１５と配線基板１１とが電気的に接続されている。ワイヤとしては、例えばＡｕ、Ｃｕ等が用いられる。配線基板１１がフレキシブル基板の場合、接続部材として、開口部に突出させたフレキシブルリードを用いても良い。
【００２３】
封止体１８は、半導体チップ１５と、配線基板１１のチップ搭載面１２および開口部１４と、を覆っている。封止体１８は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を用いることができる。なお、半導体チップ１５は、配線基板１１の開口部１４に跨って配線基板１１に搭載されており、開口部１４の一部は半導体チップ１５から露出した状態となっている。
【００２４】
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図３は、半導体装置の一製造方法を示すフローチャートである。また、図４（ａ）〜（ｆ）は、半導体装置の一製造方法を示す概略断面図である。
【００２５】
まず、配線母基板３１を準備する（ステップＳ１）。図４（ａ）は、配線母基板３１の模式的断面図であり、図５は、配線母基板３１の模式的平面図である。本実施形態で用いられる配線母基板３１には、複数の製品形成部３２がマトリクス状に配置されている。ここで、製品形成部３２とは、配線母基板３１を切断分離した後に、半導体装置の配線基板となるべき部位である。
【００２６】
配線母基板３１の開口部１４は、それぞれの製品形成部３２に形成されている。製品形成部３２は、前述した配線基板と同様の構成であり、配線やランドが形成されている。また、隣接する製品形成部３２間には、ダイシングライン３６が形成されている。
【００２７】
配線母基板３１の周辺部は枠部３４となっている。枠部３４には所定の間隔で位置決め孔３５が設けられている。位置決め孔３５によって、配線母基板３１の搬送および位置決めが可能になる。
【００２８】
配線母基板３１のマトリクス状に配置された製品形成部３２のうち、中央部の製品形成部は、圧接部材搭載部３３となっている。圧接部材搭載部３３は、封止体を形成するための成型金型のキャビティの中央に位置にしている。
【００２９】
圧接部材搭載部３３には半導体チップ１５を搭載しないため、本実施形態では、圧接部材搭載部３３に配線や開口部１４は設けられていない。これにより、圧接部材搭載部３３における配線母基板３１の強度が強くなる。なお、配線母基板３１の強度が維持されていれば、圧接部材搭載部３３に配線や開口部１４が形成されていても良い。
【００３０】
次に、図４（ｂ）に示すように、配線母基板３１のチップ搭載面１２に半導体チップ１５を搭載し（ステップＳ２）、さらに、配線母基板３１のチップ搭載面側に、配線母基板３１を型閉めする成型金型７０の内面に圧接する圧接部材５１ａを搭載する（ステップＳ３）。図６には、半導体チップ１５及び圧接部材５１ａを搭載した後の配線母基板３１の平面図が示されている。
【００３１】
具体的には、配線母基板３１の製品形成部３２に、例えばエラストマのような弾性部材２６を介して、半導体チップ１５を搭載する。弾性部材２６の代わりに、例えば絶縁基材の両面に接着層を有するテープ部材（例えば、ＤＡＦ。）を用いても良い。
【００３２】
本実施形態では、半導体チップ１５の回路形成面１６が、配線母基板３１に対向する。また、半導体チップ１５の回路形成面１６に設けられている複数の電極パッド２２は、配線母基板３１の開口部１４に位置する。
【００３３】
配線母基板３１の中央部に設けられた圧接部材搭載部３３には、弾性部材２６を介して、圧接部材５１ａが搭載される。圧接部材５１ａの厚みは、半導体チップ１５の厚みより厚い。これにより、封止体１８を形成する際に、圧接部材５１ａが成型金型の内面と圧接される。
【００３４】
圧接部材５１ａは、成型金型の内面と圧接可能であれば、任意の厚さであって良い。例えば、封止体１８の厚さが０．７６ｍｍの場合、圧接部材５１ａの厚さは０．５５ｍｍ程度に構成することができる。圧接部材５１ａは、どのような形状、材料であっても良い。本実施形態では、圧接部材５１ａは、半導体チップ１５と同形状のシリコン基板とした。これにより、封止体１８の形成時において、封止体１８の流動性の低下を抑制することができる。
【００３５】
次に、半導体チップ１５の電極パッド２２と配線母基板３１の接続パッド２３とを電気的に接続する（図４（ｃ）参照。）。具体的には、電極パッド２２と接続パッド２３とを、開口部１４内に設けられた接続部材２５によって結線する。接続部材２５としては、例えば導電性のワイヤを用いることができる。ワイヤは、例えばＡｕからなる。
【００３６】
接続部材２５としてワイヤを用いる場合、以下のようにして結線することができる。まず、ワイヤボンディング装置（不図示）により、ワイヤの先端を、溶融してボール状にし、半導体チップ１５の電極パッド２２に超音波熱圧着する。その後、所定のループ形状を描き、ワイヤの後端を、対応する接続パッド２３に超音波熱圧着する。これによって、電極パッド２２と接続パッド２３とが接続される。
【００３７】
次に、配線母基板３１に封止体１８を形成する（図４（ｅ）参照。）。具体的には、封止体１８は、半導体チップ１５をと、配線母基板３１のチップ搭載面１２および開口部１４と、を覆うように、一体的に形成される。封止体１８としては、絶縁性樹脂を用いることができる。
【００３８】
図７（ａ）〜（ｃ）には、封止体１８が形成される様子が詳細に示されている。まず、配線母基板３１のチップ搭載面１２とは反対側の面９３と圧接部材５１ａとを圧接するように、成型金型７０で配線母基板３１を型閉めする（ステップＳ４）。この状態で、成型金型７０の内部に封止体１８を充填する（ステップＳ５）。これにより、半導体装置に封止体１８が形成される。
【００３９】
成型金型７０には、複数の製品形成部３２を一体的に被うキャビティ７３が形成されている。配線母基板３１の製品形成部３２に設けられた圧接部材５１ａは、成型金型７０のキャビティ７３の内面に圧接される。配線母基板３１のチップ搭載面１２とは反対側の面９３は、成型金型７０の下型７２に密着している。
【００４０】
圧接部材５１ａはキャビティ７３によって圧接されるため、成型金型７０は配線母基板３１を強く押すことになる。つまり、配線母基板３１のチップ搭載面１２とは反対側の面９３が成型金型の下型に強く圧接される。これにより、成型金型７０と配線母基板３１との密着性が向上し、樹脂漏れが抑制される。
【００４１】
配線母基板３１の中央部は、特に樹脂漏れが発生しやすい部分であるため、圧接部材５１ａは配線母基板の中央部に配置することが好ましい。また、圧接部材搭載部３３に開口部１４を形成しない場合には、配線母基板３１の強度が増すため、配線母基板と成型金型との密着性をより上げることができる。これにより、樹脂漏れの抑制効果が向上する。圧接部材５１ａは、弾性部材２６を介して搭載されているため、圧接部材５１ａの高さに多少の誤差が生じた場合でも、成型金型７０と配線母基板３１との密着性は向上する。
【００４２】
図７（ａ）に示す状態で、成型金型７０のゲート７４からキャビティ７３内に封止体１８を注入する（図７（ｂ）参照。）。本実施形態では、封止体１８として、熱硬化性のエポキシ樹脂を用いる。図７（ｃ）に示すように、キャビティ７３内に封止体１８が充填された後、封止体１８である封止樹脂を熱硬化する。
【００４３】
半導体チップ１５を配線母基板３１に搭載する際に、開口部１４の一部を露出させた状態にしておくことで、開口部１４内に封止体が流れ込む。このようにして、開口部１４内にも封止体１８を形成することができる。
【００４４】
図８は、封止体１８の形成後における配線母基板３１の平面図である。圧接部材５１ａは成型金型７０の上型７１と密着していたため、圧接部材５１ａの一面は封止体１８の表面と同じ面を構成している。
【００４５】
次に、配線母基板３１の他方の面１３に配置された複数のランドに、外部端子を形成する（図４（ｅ）参照。）。本実施形態では、外部端子１７として、バンプ電極を形成する。バンプ電極としては、導電性の半田ボールを用いることができる。
【００４６】
半田ボールを搭載する場合には、ランド２４の位置に合わせて吸着孔が形成された吸着機構５２を用いることができる。まず、半田ボールを吸着機構５２の吸着孔に保持する。そして、保持された半田ボールにフラックスを転写形成し、配線母基板３１のランド２４に一括搭載する。半田ボールの搭載後、リフローすることで、バンプ電極が形成される。上述したように、開口部１４からの樹脂漏れが抑制されているため、外部端子１７の導通不良は抑制される。
【００４７】
次に、配線母基板３１をダイシングラインで切断し、半導体チップ毎に分離する（図４（ｆ）参照。）。具体的には、まず、配線母基板３１に形成された封止体１８をダイシングテープに接着し、配線母基板３１を支持する。そして、ダイシングブレードを用いて、配線母基板３１をダイシングラインに沿って切断する。その後、個片化された半導体装置をダイシングテープからピックアップすることで、図１に示した半導体装置を得ることができる。
【００４８】
［第２の実施形態］
図９は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を示す模式的平面図である。第２の実施形態における製造方法では、圧接部材５１ａを搭載する前に、製品形成部のうちの不良な製品形成部を検出した後、不良な製品形成部９１に圧接部材５１ａを搭載する。それ以外の工程は、第１の実施形態と同様である。
【００４９】
図９では、例えば３箇所に不良な製品形成部９１が存在している。この不良な製品形成部９１のそれぞれに、圧接部材５１ａを搭載する。これにより、配線母基板３１に圧接部材５１ａを搭載するための領域（圧接部材搭載部）を設ける必要がなくなり、半導体装置の取り数の低下を防ぐことができる。
【００５０】
また、不良な製品形成部９１に搭載する圧接部材５１ａは、半導体チップ１５と同様の形状であることが好ましい。これにより、封止体１８を形成する際に、封止体１８の流動性の低下が抑制される。
【００５１】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、配線母基板３１が成型金型７０と強く圧接されるため、配線母基板３１の他方の面１３に封止体１８が漏れることを抑制することができる。
【００５２】
圧接部材５１ａは、弾性部材２６を介して配線母基板３１に搭載されることが好ましい。弾性部材２６を設けることによって、複数箇所に配置された圧接部材５１ａの高さが多少異なっていても、各圧接部材５１ａが成型金型７０と良好に接触する。そのため、配線母基板３１と成型金型７０との密着性が向上し、封止体１８の漏れが抑制される。
【００５３】
［第３の実施形態］
図１０は、第３の実施形態に係る半導体装置の模式的断面図である。本実施形態に係る半導体装置では、圧接部材５１ｂが、半導体装置の回路形成面１６の反対側の面９２に設けられている。その他の構成は、第１の実施形態に係る半導体装置と同様であるため、説明を省略する。
【００５４】
本実施形態に係る半導体装置は、第１の実施形態の半導体装置と同様に製造することができる。ただし、配線母基板３１に搭載される圧接部材５１ｂは、半導体チップ１５上に搭載される。なお、圧接部材５１ｂは、すべての半導体チップ１５上に設けても良く、一部の半導体チップ１５上に設けても良い。半導体チップ１５上に圧接部材５１ｂが搭載されるため、半導体装置の取り数の低下は抑制される。
【００５５】
図１１（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態の半導体装置に封止体１８を形成する際の様子を示す模式的断面図である。図１１（ａ）に示されているように、圧接部材５１ｂは、成型金型７０の上型７１と接触している。これにより、配線母基板３１と成型金型７０との密着性が向上する。
【００５６】
リードフレームから延びたタイバーに支持されたダイパッド部に半導体チップが搭載される場合と比較すると、本実施形態では、半導体チップ１５が配線母基板３１に搭載されるため、半導体チップ１５がより安定に保持される。したがって、成型金型７０によって、圧接部材５１ｂを介して半導体チップ１５に力が印加しても、半導体チップ１５は安定に保持される。
【００５７】
圧接部材５１ｂは、弾性部材２６を介して半導体チップ１５に搭載されることが好ましい。この場合、第２の実施形態と同様に、配線母基板３１と成型金型７０との密着性が向上する。また、成型金型７０から半導体チップ１５に印加される力が軽減されるという効果もある。
【００５８】
本実施形態において、圧接部材５１ｂは、配線母基板の開口部上に位置していることが好ましい。これにより、封止体１８の漏れが発生しやすい開口部近傍において、配線母基板と成型金型７０との密着性を向上することができる。
【００５９】
また、圧接部材５１ｂとして、例えば銅（Ｃｕ）のような放熱材料を用いることがより好ましい。これは、半導体装置の放熱性が向上するためである。本実形態では、圧接部材５１ｂが半導体チップ１５上に設けられており、さらに、圧接部材５１ｂの一面が封止体１８の表面と同じ面を構成しているため、半導体装置の放熱性はより向上する。
【００６０】
図１２は、第３の実施形態の別の例における半導体装置の模式的断面図である。本例における半導体装置は、図１０に示す半導体装置と比較して、圧接部材の形状が異なっている。その他の構成は、図１０と同様であるため、その説明を省略する。
【００６１】
本例における圧接部材５１ｃは、例えば熱硬化性のエポキシ樹脂のような樹脂材料を、ポッティングすることによって形成される。これにより、圧接部材が封止体と同様な樹脂材料で構成されるため、封止体の表面に形成される識別マークの視認性が阻害されないという効果が得られる。このような識別マークとしては、１ピン位置表示マーク、品名、ロット番号等のマークが挙げられる。
【００６２】
また、図１３には、第３の実施形態のさらに別の例における半導体装置の模式的断面図が示されている。本例における半導体装置は、図１０に示す半導体装置と比較して、圧接部材の形状が異なっている。その他の構成は、図１０と同様であるため、その説明を省略する。
【００６３】
本例において、圧接部材５１ｄは球形状である。圧接部材５１ｄを球形状にすることによって、封止体１８を形成する際の封止体１８の流動性の低下を抑制することができる。なお、圧接部材５１ｄは、球形状に限らず、封止体１８に接する面が滑らかな曲面であればよい。ここで、「滑らかな曲面」とは、尖った点および尖った線を含まない曲面を意味している。これにより、封止の際に封止体の流動性の低下が抑制される。
【００６４】
なお、１つの半導体チップ１５上に設けられる圧接部材５１ｄは、１つであっても良いし、複数であっても良い。図１３では、圧接部材５１ｄは、配線基板１１の長方形の開口部１４に沿って２列設けられている。
【００６５】
上記の実施形態では、ＢＧＡ型の半導体装置について詳細に説明したが、本発明はこの型の半導体装置に限定されない。また、半導体装置の構成は上記の実施形態の構成に限定されず、配線基板１１に半導体チップ１５が搭載され、封止体が形成される半導体装置１０であれば、本発明を好適に用いることができる。また、上記実施形態では、開口部を有する配線母基板を例示して説明したが、開口部が形成されていない配線母基板に対しても、本発明は適用可能である。
【００６６】
以上、本発明の望ましい実施形態について提示し、詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、要旨を逸脱しない限り、さまざまな変更及び修正が可能であることを理解されたい。
【符号の説明】
【００６７】
１０    半導体装置
１１    配線基板
１２    チップ搭載面
１３    他方の面
１４    開口部
１５    半導体チップ
１６    回路形成面
１７    外部端子
１８    封止体
２１    絶縁膜
２２    電極パッド
２３    接続パッド
２４    ランド
２５    接続部材
２６    弾性部材
３１    配線母基板
３２    製品形成部
３３    圧接部材搭載部
３４    枠部
３５    位置決め孔
３６    ダイシングライン
５１ａ、５１ｂ、５１ｃ、５１ｄ    圧接部材
５２    吸着機構
５３    接着テープ
５４    ダイシングブレード
７０    成型金型
７１    上型
７２    下型
７３    キャビティ
７４    ゲート
９１    不良な製品形成部
９２    面
９３    チップ搭載面とは反対側の面
９４    封止体に接する面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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