(57)【要約】【課題】パネル前面での反射光の赤みを抑えることができるＰＤＰを提供する。  【解決手段】本発明のＰＤＰは、前面側基板構体と背面側基板構体とを放電空間を介して対向配置し、前記前面側基板構体に基板側から順にＣｒ層／Ｃｕ層／被覆層を有する三層構造体からなる金属電極と、前記金属電極を覆う誘電体層とを備え、前記三層構造体は、１放電セル内での占有面積率が２０％以上であり、前記Ｃｕ層は、幅方向の両側部分が前記被覆層１１ｃの両側からはみ出した露出部を有し、前記Ｃｕ層の露出部は、１放電セル内での占有面積率が１４％以下であることを特徴とする。【選択図】図６
2010027342.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面側基板構体と背面側基板構体とを放電空間を介して対向配置し、前記前面側基板構体に基板側から順にＣｒ層／Ｃｕ層／被覆層を有する三層構造体からなる金属電極と、前記金属電極を覆う誘電体層とを備えたプラズマディスプレイパネルであって、
前記三層構造体は、１放電セル内での占有面積率が２０％以上であり、
前記Ｃｕ層は、幅方向の両側部分が前記被覆層の両側からはみ出した露出部を有し、
前記Ｃｕ層の露出部は、１放電セル内での占有面積率が１４％以下であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記Ｃｕ層の露出部は、前記三層構造体の輪郭に沿って設けられ、その幅が６μｍ以上である請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【請求項３】
前面側基板構体と背面側基板構体とを放電空間を介して対向配置し、前記前面側基板構体に面放電を発生する複数の表示電極対を配置するとともに、表示電極対の間の非放電領域に遮光体を設け、さらに複数の表示電極対及び遮光体を覆う誘電体層を設けたプラズマディスプレイパネルであって、
前記表示電極及び遮光体は、基板側から順にＣｒ層／Ｃｕ層／被覆層を有する三層構造体から形成され、
前記三層構造体は、１放電セル内での占有面積率が２０％以上であり、
前記Ｃｕ層は、幅方向の両側部分が前記被覆層の両側からはみ出した露出部を有し、
前記Ｃｕ層の露出部は、１放電セル内での占有面積率が１４％以下であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
【請求項４】
前記Ｃｕ層の露出部は、前記三層構造体の輪郭に沿って設けられ、その幅が６μｍ以上である請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル（以下、「ＰＤＰ」と称する。）に関する。
【背景技術】
【０００２】
図８は、従来のＰＤＰの構造の一例を示す分解斜視図である。このＰＤＰは、前面側基板構体１と背面側基板構体２を有している。
【０００３】
前面側基板構体１では、ガラス基板１ａ上に複数の表示電極３が配置されている。表示電極３は、それぞれ、透明電極３ａ及び金属電極（バス電極とも呼ばれる）３ｂを備えている。表示電極３は、誘電体層４で覆われている。誘電体層４は、保護膜５で覆われている。
【０００４】
背面側基板構体２では、表示電極３に対してほぼ垂直方向に延びるアドレス電極６がガラス基板２ａ上に配置されている。アドレス電極６は、誘電体層９で覆われている。誘電体層９上の、アドレス電極６の両側には隔壁７が配置され、列方向のセルを区分けしている。さらにアドレス電極６を覆う誘電体層９上と、隔壁７の側面には紫外線により励起されて赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の可視光を発生する蛍光体層８が形成されている。なお、アドレス電極６は、前面側基板構体１の誘電体層４内に表示電極３と交差するように配設されることもある。
【０００５】
保護膜５と隔壁７が接するように前面側基板構体１と背面側基板構体２を対向させた状態で周縁部を封止用部材により封着させて内部に放電空間を形成し、放電空間内を排気後、放電空間内にＮｅ−Ｘｅ等の放電ガスを封入し、ＰＤＰが作製される。
【０００６】
このＰＤＰにおいては、表示は、対をなす２本の表示電極３間での繰り返し放電によって行なわれる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、本発明者らは、より高精細なパネルの研究を行っていたところ、パネル前面での反射光が赤みを帯びる場合があることに気がついた。
反射光が赤みを帯びると、赤みを抑えるフィルターの追加等の処置が必要になり、製造コストの増大に繋がる。
【０００８】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、パネル前面での反射光の赤みを抑えることができるＰＤＰを提供するものである。
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
【０００９】
本発明のＰＤＰは、前面側基板構体に基板側から順にＣｒ層／Ｃｕ層／被覆層を有する三層構造体からなる金属電極と、前記金属電極を覆う誘電体層とを備え、前記三層構造体は、１放電セル内での占有面積率が２０％以上であり、前記Ｃｕ層は、幅方向の両側部分が前記被覆層の両側からはみ出した露出部を有し、前記露出部は、１放電セル内での占有面積率が１４％以下であることを特徴とする。
【００１０】
本発明者らは、鋭意研究を行ったところ、パネル前面での反射光の赤みは金属電極を構成する三層構造体の最下層（表示面に最も近い層）のＣｒ層が酸化されて生成されたＣｒＯに起因していることを見出した。さらに、ＣｒＯの酸化は、当該Ｃｒ層の上のＣｕ層の露出部と同じ部位に生じていることも見出した。さらに、三層構造体の１放電セル内での占有面積率（以下、「１放電セル内での占有面積率」を「占有面積率」とも称する。）が小さい場合には赤みが目立たずに問題にならないが、占有面積率が２０％以上の場合に赤みの問題が顕著になることを見出した。
以上の知見に基づき、金属電極を構成する三層構造体の占有面積率が２０％以上の場合であっても、Ｃｕ層の露出部の占有面積率を１４％以下に抑えることによって赤みを目立たなくすることができることを見出し、本発明の完成に到った。
なお、Ｃｕ層に露出部を設けたのは、低融点ガラスペーストを焼成して誘電体層を形成する際に泡が発生することを抑制するため等の理由からである（Ｃｕ層に露出部を設けることの効果は他にも存在するが詳細は後述する）。
【００１１】
以下、本発明の種々の実施形態等を例示する。
前記Ｃｕの露出部は、前記三層構造体の輪郭に沿って設けられ、その幅が６μｍ以上であってもよい。
ここで示した種々の実施形態は、互いに組み合わせることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を図面を用いて説明する。図面や以下の記述中で示す内容は、例示であって、本発明の範囲は、図面や以下の記述中で示すものに限定されない。
本発明の一実施形態のＰＤＰは、放電空間を介して対向配置された前面側基板構体と背面側基板構体を備えている。背面側基板構体の構成は、従来技術で述べた通りであり、本発明は、前面側基板構体に特徴を有しているので、以下、前面側基板構体について詳細に説明する。
【００１３】
１．ＰＤＰの前面側基板構体
図１（ａ）〜（ｃ）及び図２を用いて本発明の一実施形態のＰＤＰの前面側基板構体について説明する。図１（ａ）は、本実施形態のＰＤＰの前面側基板構体の構成を示す，背面側から見た平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）中のＩ−Ｉ断面図であり、図１（ｃ）は、図１（ａ）中のＩＩ−ＩＩ断面図である。図２は、図１（ｂ）中の点線で囲った部分の拡大図である。
【００１４】
本実施形態のＰＤＰの前面側基板構体１は、基板１ａと、基板１ａ上に設けられ基板１ａ側から順にＣｒ層１１ａ／Ｃｕ層１１ｂ／被覆層１１ｃを有する三層構造体からなる金属電極３ｂを有する複数の表示電極３と、表示電極３間の非放電領域（逆スリットとも呼ばれる）１５に任意的に設けられた遮光帯１７と、前記表示電極３及び遮光体１７を覆う誘電体層４と、誘電体層４上に任意的に設けられた保護層５を備える。
前記金属電極を構成する三層構造体は占有面積率が２０％以上であり、Ｃｕ層１１ｂは被覆層１１ｃからはみ出した露出部１３を備え、露出部１３は占有面積率が１４％以下である。
以下、各構成要素について詳細に説明する。
【００１５】
１−１．基板
基板１ａは、特に限定されず、当該分野で公知の基板をいずれも使用することができる。具体的には、ガラス基板、プラスチック基板等の透明基板が挙げられる。
【００１６】
１−２．表示電極，遮光帯
表示電極３は、基板１ａ側から順にＣｒ層１１ａ／Ｃｕ層１１ｂ／被覆層１１ｃを有する三層構造体からなる金属電極３ｂを有するものであればその構成は特に限定されない。表示電極３は、本実施形態では、透明電極３ａと、その上に設けられた金属電極（この場合はいわゆるバス電極）３ｂとで構成される。透明電極３ａは、例えば、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 など透明材料で形成することができる。
【００１７】
金属電極３ｂは、基板上にＣｒ層１１ａの材料膜、Ｃｕ層１１ｂの材料膜及び被覆層１１ｃの材料膜からなる積層膜を形成し、この積層膜を所望の電極形状にパターニングすることによって形成することができる。これによって、Ｃｒ層１１ａ、Ｃｕ層１１ｂ及び被覆層１１ｃを有する三層構造体からなる金属電極３ｂが形成される。Ｃｒ層１１ａは、Ｃｒからなる層であるが、本発明の作用効果が達成可能な範囲で別の成分を含んでいてもよい。Ｃｕ層１１ｂはＣｕからなる層であるが、本発明の作用効果が達成可能な範囲で別の成分を含んでいてもよい。被覆層１１ｃは、Ｃｕ層１１ｂの酸化等を防ぐことができるものであれば、その組成は、特に限定されないが、一例では、Ｃｒからなる。Ｃｒ層１１ａの材料膜、Ｃｕ層１１ｂの材料膜及び被覆層１１ｃの材料膜は、それぞれ、スパッタ法又は蒸着法などで形成することができる。
【００１８】
Ｃｕ層１１ｂは、被覆層１１ｃの幅をＣｕ層の幅より狭く形成することで、幅方向の両側部分が被覆層１１ｃの両側からはみ出した露出部１３を有している。これによって、誘電体層を構成するガラス材料の結晶化促進，誘電体層の変色抑制及び透明電極の黒化抑制という３つの利点が得られる。以下、それぞれについて説明する。
【００１９】
（１）誘電体層を構成するガラス材料の結晶化促進
従来、誘電体層を構成するガラス材料層を焼成時にＣｒ層／Ｃｕ層／被覆層（Ｃｒ）の三層構造体からなる金属電極３ｂと当該ガラス材料層（例えば低融点ガラス）の界面での反応によって泡が発生し、この泡が原因で絶縁不良が起こる等の問題があった。本実施形態のようにＣｕ層１１ｂに露出部１３を設けるとＣｕ層１１ｂとガラス材料層との接触面積が比較的大きくなり、Ｃｕ層１１ｂ中のＣｕがガラス材料中に拡散しやすくなる。この結果、焼成時には、ガラス材料中に結晶核となるＣｕが多量に拡散してガラス材料が結晶化しやすくなり、これによって金属電極３ｂとガラス材料層の界面での反応が抑制されて泡の発生が抑制される。
【００２０】
（２）誘電体層の変色抑制
従来、焼成時に三層構造体からなる金属電極３ｂのＣｕ層１１ｂからＣｕＯが誘電体層を構成するガラス材料層中に熱拡散し、この熱拡散したＣｕＯが還元されてコロイド状にＣｕが析出することによって誘電体層が赤く変色するという問題があった。本実施形態のようにＣｕ層１１ｂに露出部１３を設けるとＣｕＯの拡散量が増大し、これによって、ＣｕＯの還元が進みにくくなり、コロイド状にＣｕが析出することが抑制され、誘電体層の変色が抑制される。
【００２１】
（３）透明電極の黒化抑制
従来、誘電体層を構成するガラス材料の焼成時に透明電極１ａが黒化するという問題があった。本発明者らは鋭意研究を行ったところ、本実施形態のようにＣｕ層１１ｂに露出部１３を設けることによって透明電極１ａの黒化が抑制できて輝度低下を抑制することができることを実験的に実証した。
【００２２】
Ｃｕ層の露出部１３は、図１（ａ）や図３（ａ）に示すように、幅方向の両側部分が被覆層の両側からはみ出るような三層構造体の輪郭に沿って設けることが好ましい。また、露出部１３の幅が６μｍ以上であることが好ましい。この場合、上記したガラス材料の結晶化促進、誘電体層の変色抑制及び透明電極の黒化抑制の何れについてもその効果が顕著であるからである。特に、透明電極の黒化抑制による輝度向上については、露出部１３の幅が６μｍ以上である場合に顕著な効果が得られることが実験的に実証された。露出部１３の幅は、例えば６〜１５μｍであり、具体的には例えば６，７，８，９，１０，１１，１２，１３，１４，１５μｍである。露出部１３の幅は、ここで例示した数値の何れか２つの間の範囲内であってもよい。
【００２３】
このように、Ｃｕ層１１ｂに露出部１３を設けることによって種々の効果が得られる。
【００２４】
ところで、本発明者らが次世代のＰＤＰの開発を行っていたところ、パネル前面での反射光が少し赤みを帯びる場合があることに気がついた。そこで、この赤みの原因について調査を行ったところ、表示面に近いＣｒ層１１ａのＣｒが酸化されて形成されたＣｒＯがこの赤みの原因になっていること、また、Ｃｒの酸化部位が上層のＣｕ層１１ｂの露出部１３と一致しており、Ｃｕ層１１ｂに露出部１３を設けたことがＣｒの酸化の原因であることが分かった。また、従来のＰＤＰのように金属電極の本数が少なく、従ってＣｒ層／Ｃｕ層／被覆層の三層構造体の占有面積率が比較的小さい場合には赤みが問題にならないが、この占有面積率が２０％以上となるような場合には赤みの問題が顕著になることが分かった。つまり、反射光の赤みは（１）三層構造体の占有面積率が２０％以上になったことと、（２）Ｃｕ層１１ｂが露出部１３を有する三層構造体を採用したことの２つの要因が組み合わさって初めて顕在化した問題であることが分かった。そして、赤みを抑えるには、Ｃｕの露出部１３の占有面積率を１４％以下にすればよいことを実験的に見出した。この知見によって、Ｃｒ層／Ｃｕ層／被覆層の三層構造体の本数や占有面積率に応じて露出部１３の幅の上限値を設定することが可能になった。
三層構造体の占有面積率は、例えば２０〜５０％であり、具体的には例えば、２０，２５，３０，３５，４０，４５，５０％である。この占有面積率は、ここで例示した数値の何れか２つの間の範囲内であってもよい。なお、対象物Ｘ（三層構造体，露出部１３，金属電極３ｂ，遮光体１７等）の１放電セル内での占有面積率とは、（１放電セル内での対象物Ｘの面積）／（１放電セルの面積）を意味する。「１放電セル」とは、図１（ａ）で点線で囲った領域で示すような繰り返し単位を意味する。
また、露出部１３の占有面積率は、例えば１〜１４％であり、具体的には例えば１，２，３，４，５，６，７，８，９，１０，１１，１２，１３，１４％である。この占有面積率は、ここで例示した数値の何れか２つの間の範囲内であってもよい。
【００２５】
表示電極３は、２本ずつがペアになって表示ラインを構成するが、図１に示すような電極ペア間に非放電領域（逆スリットともいう）を設けた配列，図８に示すような電極を等間隔に配列して隣接する電極間が全て放電領域となるＡＬＩＳ形式の配列のいずれかによって配置される。
図１に示すように電極ペア間に非放電領域１５が設けられる場合、非放電領域１５には一般に遮光帯１７が設けられる。遮光体１７は、黒色顔料等を含む絶縁材料層や、製造工数数低減等の観点から表示電極を構成する金属電極３ｂと同様の構成の三層構造体にする場合がある。つまり、表示電極３間の非放電領域１５には三層構造体からなる遮光体１７が任意的に設けられる。三層構造体からなる遮光体１７は、金属電極３ｂを形成するプロセスにおいて金属電極３ｂと同時に形成することができる。
【００２６】
放電領域１５に三層構造体からなる遮光体１７が設けられていない場合は、三層構造体の占有面積率は、金属電極３ｂの占有面積率に一致する。一方、非放電領域１５に三層構造体からなる遮光体１７が設けられている場合は、三層構造体の占有面積率は、金属電極３ｂの占有面積率と遮光体１７の占有面積率の合計となる。三層構造体からなる遮光体１７も金属電極３ｂと同様に赤み発生の原因になるからである。
【００２７】
透明電極３ａ，金属電極３ｂ及び遮光帯１７の形状は、特に限定されない。透明電極３ａは、図１（ａ）〜（ｃ）に示すようなＴ字形であってもよく、ラダー形やストレート形であってもよい。また、透明電極３ａは省略することもでき、この場合、金属電極３ｂは、図３（ａ）〜（ｃ）に示すように突起部を有する形状にすることが好ましい。
【００２８】
１−３．誘電体層
誘電体層４は、Ｃｒ層／Ｃｕ層／被覆層の三層構造体を覆うようにガラス材料を含むガラス材料層を形成、このガラス材料層を焼成することによって形成することができる。
【００２９】
ガラス材料層は、ガラス材料を含むものであって焼成によって誘電体層４となるものであればよい。「ガラス材料」は、ガラスからなる材料であり、例えば、ガラスフリットである。ガラス材料層は、例えば、ガラスフリットとバインダと溶剤を含むガラスペーストを基板上に塗布し、その後溶剤を乾燥させるか（ペースト法）、ガラスフリットとバインダを含むガラスシートを基板上に貼ること（シート法）によって形成することができる。
【００３０】
ガラス材料の組成は、特に限定されず、鉛ガラスからなってもよく、無鉛ガラスからなってもよい。環境負荷の観点からは、無鉛ガラスが好ましい。ガラス材料は、アルカリガラスを１０ｍｏｌ％以上含むことが好ましい。この場合、ガラスの結晶化が起こりやすいという利点があるからである。また、ガラス材料は、アルカリガラスを３０ｍｏｌ％以下含むことが好ましい。アルカリガラスの含有量が多すぎると耐湿性が十分でなかったり、内部で分相が起こりやすい不安定なガラスになる。アルカリガラスとは、Ｎａ2Ｏ、Ｋ2Ｏ又はＬｉ2Ｏ等のアルカリ金属の酸化物からなるガラスを意味する。アルカリガラスの含有量は、例えば、１０〜３０ｍｏｌ％であり、具体的には、例えば、１０、１５、２０、２５、３０ｍｏｌ％である。アルカリガラスの含有量は、ここで示した数値の何れか２つの間の範囲内であってもよい。ガラス材料は、好ましくは、アルカリ亜鉛硼珪酸ガラスからなる。このガラスは、無鉛ガラスでありながら、結晶化温度が比較的低いからである。
【００３１】
ガラス材料の軟化点は、特に限定されないが、例えば、４５０〜６００℃である。
【００３２】
ガラス材料のガラス結晶化温度は、特に限定されないが、６５０℃以下であることが好ましい。この場合、ガラス材料の結晶化が起こり易いからである。ガラス結晶化温度は、示差熱分析（ＤＴＡ）においてガラスから結晶に変化する際の発熱反応を示すピークの温度から求めることができる。ガラス材料のガラス結晶化温度は、例えば、５００℃〜６５０℃であり、具体的には、例えば、５００、５５０、６００又は６５０℃である。ガラス材料のガラス結晶化温度は、ここで示した数値の何れか２つの間の範囲内であってもよく、何れか１つ以下であってもよい。なお、ガラス材料のガラス結晶化温度は、通常は、ガラス材料の軟化点より高い温度である。
【００３３】
ガラス材料層の焼成温度は、誘電体層４が形成可能な温度であれば特に限定されない。ガラス材料層の焼成は、図４に示すように、焼成プロファイルの中で昇温部から均熱部に遷移させる際に温度のオーバーシュート部が設けられるように行うことが好ましい。一般に、ガラスは、焼成温度が高いほど結晶化しやすいので、焼成の初期段階にオーバーシュート部においてガラスに短時間高温を加えることによって、焼成の初期段階にガラス材料が結晶化されてなるバリア層が形成されやすくなる。バリア層が形成されれば、以後は、金属電極３ｂとガラス材料層の界面での反応が抑制されるため泡残渣の発生が抑制される。
【００３４】
オーバーシュート部及び均熱部の温度は、ガラス材料のガラス結晶化温度を考慮して適宜決定することができる。オーバーシュート部の温度が低すぎると金属電極３ｂの周囲で結晶化が起こらず、高すぎるとガラス材料層の全体でガラス材料の結晶化が起こってしまうので、金属電極３ｂの周囲のみで結晶化が起こるように適切な温度を選択する。均熱部の温度が低すぎると、ガラス材料層中のバインダが十分に除去されず、温度が高すぎると、ガラス材料層の全体でガラス材料の結晶化が起こってしまうので、適切な温度を選択する。
【００３５】
オーバーシュート部の温度は、ガラス材料のガラス結晶化温度よりも高いことが好ましい。両者の温度差（オーバーシュート部の温度−ガラス結晶化温度）は、例えば、１０〜１００℃であり、具体的には、例えば、１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０又は１００℃である。この温度差は、ここで示した数値の何れか２つの間の範囲内であってもよい。均熱部の温度は、ガラス材料のガラス結晶化温度よりも低いことが好ましい。両者の温度差（ガラス結晶化温度−均熱部の温度）は、例えば、１０〜１００℃であり、具体的には、例えば、１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０又は１００℃である。この温度差は、ここで示した数値の何れか２つの間の範囲内であってもよい。オーバーシュート部及び均熱部の温度の差は、例えば、１０〜１００℃であり、具体的には、例えば、１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０又は１００℃である。この温度の差は、ここで示した数値の何れか２つの間の範囲内であってもよい。一例では、ガラス材料のガラス結晶化温度が６２０℃である場合、オーバーシュート部の温度を６３０℃にし、均熱部の温度を６００℃にする。
【００３６】
オーバーシュート部から均熱部へ遷移させる際には、図４に示すように温度を急激に変化させてもよく、温度をなだらかに変化させてもよい。
【００３７】
また、誘電体層４は、図５（ａ）〜（ｃ）に示すように、第１誘電体層４ａと第２誘電体層４ｂの積層構造にしてもよい。このような誘電体層４は、基板上に形成された三層構造体を覆うようにガラス材料を含む第１ガラス材料層を形成し、第１ガラス材料層を第１焼成することによって第１誘電体層４ａを形成し、第１誘電体層４ａ上にガラス材料を含む第２ガラス材料層を形成し、第２ガラス材料層を第２焼成することによって第２誘電体層４ｂを形成することによって形成することができる。以下、詳細に説明する。
【００３８】
（１）第１ガラス材料層形成工程
まず、三層構造体を覆うようにガラス材料を含む第１ガラス材料層を形成する。第１ガラス材料層は、上述したガラス材料層と同様の方法で形成することができる。但し、誘電体層４が２層構造の実施形態では、第１ガラス材料層の厚さは、誘電体層４が１層構造の場合よりも薄くする。
【００３９】
（２）焼成による第１誘電体層形成工程
次に、第１ガラス材料層を焼成することによって第１誘電体層４ａを形成する。この焼成を第１焼成と呼ぶ。第１焼成は、誘電体層４が１層構造の場合と同様の方法で行うことができる。第１焼成によって金属電極３ｂの周囲にバリア層が形成される。バリア層が形成された後は泡の発生が抑制されるが、バリア層が形成されるまでは金属電極３ｂとガラス材料層の界面での反応によって泡が発生する。誘電体層４が２層構造の実施形態では、第１ガラス材料層が比較的薄いので発生した泡が比較的容易に除去される。第１誘電体層４ａには、金属電極３ｂとガラス材料層の界面での反応によって生じた泡に起因する比較的大きな泡抜痕が残る場合がある。
【００４０】
（３）第２ガラス材料層形成工程
次に、第１誘電体層４ａ上にガラス材料を含む第２ガラス材料層を形成する。第２ガラス材料層を形成する際に泡抜痕にガラス材料が充填されて泡抜痕が修復される。第２ガラス材料層は、第１ガラス材料層と同様の方法で形成することができる。第２ガラス材料層の厚さ及び材料は、第１ガラス材料層と同じであっても異なっていてもよいが第１ガラス材料層よりも薄くすることが望ましい。
【００４１】
（４）焼成による第２誘電体層形成工程
次に、第２ガラス材料層を焼成することによって第２誘電体層４ｂを形成する。この焼成を第２焼成と呼ぶ。第２焼成は、第１焼成と同じ条件で行っても異なる条件で行ってもよい。第２焼成ではガラス材料を結晶化させる必要がないので、第２焼成は、第１焼成よりも０〜１００度程度低い温度で行ってもよい。第１焼成と第２焼成の温度差（第１焼成の温度−第２焼成の温度）は、具体的には、例えば、０、１０、２０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０、１００℃である。この温度差は、ここで例示した数値の何れか２つの間の範囲内であってもよい。第１焼成の焼成プロファイルが昇温部から均熱部に遷移させる際に温度のオーバーシュート部を有する場合、第１焼成の温度とは、均熱部の温度を意味する。
第２焼成でも、ガラス材料に含まれるバインダ樹脂の燃焼に起因する泡が発生する場合があるが、この泡は、通常は、金属電極３ｂとガラス材料層の界面での反応によって生じる泡よりもかなり小さいので泡抜痕が残っても問題ない。
以上の工程により、第１誘電体層４ａと第２誘電体層４ｂとからなる誘電体層４が形成される。
【００４２】
１−４．保護層
保護層５は、例えば、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム又は酸化バリウム等の金属（より具体的には２価の金属）酸化物からなり、好ましくは、酸化マグネシウムからなる。保護層５は、蒸着法、スパッタ法又は塗布法等で形成される。
【００４３】
２．ＰＤＰ
上記実施形態の前面側基板構体１と、基板２ａ上にアドレス電極６と、誘電体層９と、隔壁７と、蛍光体層８とを備える背面側基板構体２を対向させた状態で周縁部を封着材で貼り合わせることによって内部に気密な放電空間を有するパネルが得られ、このパネルの放電空間内を排気後、放電空間内に放電ガス（例えば、ネオンに数％程度のキセノンを混合させたもの）を封入することによってＰＤＰを製造することができる。
【００４４】
以上の実施形態で示した種々の特徴は、互いに組み合わせることができる。１つの実施形態中に複数の特徴が含まれている場合、そのうちの１又は複数個の特徴を適宜抜き出して、単独で又は組み合わせて、本発明に採用することができる。
【００４５】
３．効果実証実験
３−１．Ｃｕ層の露出部の占有面積率とパネル前面での反射光の赤みとの関係
以下の方法によって、Ｃｕ層１１ｂの露出部１３の占有面積率とパネル前面での反射光の赤みとの関係について調べた。
【００４６】
まず、図１（ａ）〜（ｃ）又は図２（ａ）〜（ｃ）に示す基本構造を有し、三層構造体のＣｕ層１１ｂの露出部１３の占有面積率が互いに異なるＰＤＰ用前面側基板構体を種々作製した。金属電極及び遮光体を構成する三層構造体の被覆層は、Ｃｒ層とした。また、誘電体層４は、低融点ガラスペーストを塗布し、６５０℃以下の温度で焼成することによって作製した。低融点ガラスペーストには、無鉛ガラスフリットに樹脂と溶剤を混合したものを用いた。無鉛ガラスフリットは、ＳｉＯ2（酸化ケイ素），Ｂ2Ｏ3（酸化ホウ素），ＺｎＯ（酸化亜鉛）を主成分とし、ＮａＯ（酸化ナトリウム），Ａｌ2Ｏ3（酸化アルミニウム），ＣｕＯ（酸化銅），Ｉｎ2Ｏ3（酸化インジウム），ＳｎＯ2（酸化錫）などを含むものである。ＰｂＯ（酸化鉛）の含有量は、ＲｏＨＳ規定値以下である。
【００４７】
得られた各前面側基板構体に対して，露出部の占有面積率の測定と、パネル前面の反射光の色度測定を行った。
【００４８】
露出部の占有面積率は、前面側基板構体の背面側からデジタルマイクロスコープを用いて三層構造体の画像の撮影を行い、その画像上において露出部１３の幅を測定し、得られた幅の値に基づいて算出した。撮影条件は、倍率２００倍、ホワイトバランス５６００Ｋ，シャッタースピード１／５００，ゲイン０ｄＢで行った。また、占有面積率の算出には、面内の５箇所で測定した幅の平均値を用いた。
【００４９】
また、反射光の色度測定では、光源をＤ６５にし，光の入射角を１０度にした。反射光の色度測定は、分光測色計（コニカミノルタ製，型式：ＣＭ−５１２ｍ３）を用いてＬＡＢ表色系のＬ＊，ａ＊，ｂ＊の値を求めることによって行った。ＬＡＢ表色系ではａ＊が赤みの度合いを表しており、この値が大きいほど反射光の赤みの度合いが強いことを示している。また、一般に、ａ＊の値が３を超えると、人は赤みを強く感じると言われており、この値を３以下にすることが重要であると考えられている。
【００５０】
測定結果を図６に示す。図６は、露出部１３の占有面積率とａ＊の値との関係を示すグラフである。
図６を参照すると、露出部１３の占有面積率が大きい場合ほど、ａ＊の値が大きくなっていることが分かる。また、露出部１３の占有面積率を１４％以下にすることによってａ＊の値を３以下にすることができることが分かった。
【００５１】
３−２．Ｃｕ層の露出部の幅と輝度比との関係
以下の方法によって、Ｃｕ層の露出部１３の幅と輝度比との関係について調べた。
上記「３−１．Ｃｕ層の露出部の占有面積率とパネル前面での反射光の赤みとの関係」で得られた前面側基板構体を用いて上記「２．ＰＤＰ」に記載した方法に従ってＰＤＰを作製した。
【００５２】
得られた各ＰＤＰについて輝度測定を行った。輝度測定は、分光放射輝度計カラーアナライザ（コニカミノルタ製，型式：ＣＡ−１００Ｐｌｕｓ）を用いて緑輝度を測定することによって行った。また、輝度比は、Ｃｕ層の露出幅５．３μｍ時の輝度を基準にして算出した。
得られた結果を図７に示す。図７は、Ｃｕ層の露出部１３の幅と輝度比との関係を示すグラフである。
図７を参照すると、Ｃｕ層の露出部１３の幅が６μｍ未満では輝度比の低下が著しいことが分かる。また、Ｃｕ層の露出部１３の幅を６μｍ以上にすることによって輝度比の低下を防ぐことができることが分かった。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】図１（ａ）は、本発明の一実施形態のＰＤＰの前面側基板構体の構成を示す，背面側から見た平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）中のＩ−Ｉ断面図であり、図１（ｃ）は、図１（ａ）中のＩＩ−ＩＩ断面図である。
【図２】図１（ｂ）中の点線で囲った部分の拡大図である。
【図３】図３（ａ）は、本発明の別の実施形態のＰＤＰの前面側基板構体の構成を示す，背面側から見た平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）中のＩ−Ｉ断面図であり、図３（ｃ）は、図３（ａ）中のＩＩ−ＩＩ断面図である。
【図４】本発明の一実施形態のＰＤＰの前面側基板構体の製造工程中の焼成工程での焼成プロファイルの一例を示す。
【図５】図５（ａ）は、本発明の別の実施形態のＰＤＰの前面側基板構体の構成を示す，背面側から見た平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）中のＩ−Ｉ断面図であり、図５（ｃ）は、図５（ａ）中のＩＩ−ＩＩ断面図である。
【図６】本発明の効果実証実験での、Ｃｕ層の露出部の占有面積率とａ＊の値との関係を示すグラフである。
【図７】本発明の効果実証実験での、Ｃｕ層の露出部の幅と輝度比との関係を示すグラフである。
【図８】従来のＰＤＰ構造の一例を示す分解斜視図である。
【符号の説明】
【００５４】
１：前面側基板構体  １ａ：前面側基板  ２：背面側基板構体  ２ａ：背面側基板  ３：表示電極  ３ａ：透明電極  ３ｂ：金属電極  ４：誘電体層  ４ａ：第１誘電体層  ４ｂ：第２誘電体層  ５：保護層  ６：アドレス電極  ７：隔壁  ８：蛍光体層  ９：誘電体層  １１ａ：Ｃｒ層  １１ｂ：Ｃｕ層  １１ｃ：被覆層  １３：Ｃｕ層の露出部  １５：非放電領域  １７：遮光帯
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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