(57)【要約】【課題】スライスされたウェーハの反りを抑制し、ウェーハ表面の平坦度を向上させる。【解決手段】互いに中心軸が平行に配設された一対のローラ１１，１２の間にワイヤ１６が水平に張設されてローラの回転により水平方向に移動し、ワイヤの上方であって一対のローラの各中心軸を通る鉛直線の間に単一の半導体インゴット１３をその中心軸が一対のローラの各中心軸に平行になる第１位置に配置し、インゴットを第１位置から鉛直方向に下降させて水平方向に移動するワイヤを横断した第２位置に到達させて、インゴットをスライスする。小径のインゴットのスライス時に、インゴットをワイヤにおける一対のローラの中間位置を通る鉛直線に対して一対のローラのいずれか一方のローラに近付ける方向にずらし、かつインゴットを下降させたときに、上記近付けた側のローラの外周面における鉛直接線とインゴットの外周面における鉛直接線との間隔Ｘが１〜４５ｍｍである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに中心軸が平行に配設された一対のローラの間にワイヤが水平に張設されて前記ローラの回転により水平方向に移動し、前記ワイヤの上方又は下方であって前記一対のローラの各中心軸を通る鉛直線の間に単一の半導体インゴットをその中心軸が前記一対のローラの各中心軸に平行になる第１位置に配置し、前記インゴットを前記第１位置から鉛直方向に下降又は上昇させて水平方向に移動する前記ワイヤを横断した第２位置に到達させることにより前記インゴットをスライスする半導体インゴットのスライス方法において、
スライス可能なインゴットの最大直径より小径のインゴットをスライスするときに、このインゴットを前記ワイヤにおける前記一対のローラの中間位置を通る鉛直線に対して前記一対のローラのいずれか一方のローラに近付ける方向にずらし、かつ前記インゴットを下降又は上昇させたときに、前記近付けた側のローラの外周面における鉛直接線と前記インゴットの外周面における鉛直接線との間隔が１〜４５ｍｍであることを特徴とする半導体インゴットのスライス方法。
【請求項２】
スライス可能な最大直径のインゴットをスライスするときには、一対のローラの中間位置を通る鉛直線に前記インゴットの中心軸が交差するように前記インゴットを保持部材により保持し、この保持部材を連結部材により昇降手段に連結した後、前記昇降手段で前記インゴットを下降又は上昇させることにより、前記スライス可能な最大直径のインゴットをスライスし、
前記スライス可能なインゴットの最大直径より小径のインゴットをスライスするときには、前記保持部材と前記連結部材との間に治具を介装することにより、前記インゴットを前記一対のローラの中間位置を通る鉛直線に対して前記一対のローラのいずれか一方のローラに近付ける方向にずらして前記昇降手段で前記インゴットを下降又は上昇させて、前記小径のインゴットをスライスする請求項１記載の半導体インゴットのスライス方法。
【請求項３】
保持部材を昇降手段に連結する連結部材をワイヤの長手方向に延ばして設け、
スライス可能な最大直径のインゴットをスライスするときには、一対のローラの中間位置を通る鉛直線に前記インゴットの中心軸が交差するように前記インゴットを保持部材により保持した後、前記昇降手段で前記インゴットを下降又は上昇させることにより、前記スライス可能な最大直径のインゴットをスライスし、
前記スライス可能なインゴットの最大直径より小径のインゴットをスライスするときには、前記スライス可能な最大直径のインゴットをスライスするときの保持部材の取付位置とは別の位置に前記保持部材の取付位置を設定することにより、前記インゴットを前記一対のローラの中間位置を通る鉛直線に対して前記一対のローラのいずれか一方のローラに近付ける方向にずらして前記昇降手段で前記インゴットを下降又は上昇させて、前記小径のインゴットをスライスする請求項１記載の半導体インゴットのスライス方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワイヤソー装置を用いて半導体インゴットをスライスする方法に関する。更に詳しくは、単一の半導体インゴットから複数枚のウェーハを同時にスライスする方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の半導体インゴットのスライス方法として、ワイヤソーにより半導体インゴットをスライス状に切断してウェーハを得る半導体インゴットの切断方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。この半導体インゴットの切断方法では、半導体インゴットをその中心軸方向に移動可能に設け、中心軸方向の変位量を半導体インゴットの切断位置の変化に応じて制御しながら切断する。またワイヤソーの切断によるウェーハの反り傾向を予め得ておき、この反り傾向を消すように半導体インゴットの中心軸方向の変位量を設定する。このように構成された半導体インゴットの切断方法では、ワイヤソーによる半導体インゴットの切断装置を使用し、容易に切断面を制御でき、かつその制御もワーク保持プレートの変位を制御するだけであるので、その切断装置を複雑化しないようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−２８６０２１号公報（請求項１、段落［００１２］、図６）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記従来の特許文献１に示された半導体インゴットの切断方法では、図５に示すように、互いに中心軸が平行に配設された一対のメインローラ１，２と単一のサブローラ４との間にワイヤ６が水平に張設されて、ローラ１，２，４の回転によりワイヤ６が水平方向に移動し、ワイヤ６の上方であって一対のメインローラ１，２の中間位置を通る鉛直線に単一のインゴット３の中心軸を交差させた状態で、このインゴット３を鉛直方向に下降させてスライスすることにより、複数枚のウェーハが同時に得られる。上記一対のメインローラ１，２の間隔は、インゴット３が一対のメインローラ１，２の間を通過できることを条件に、できるだけ狭い方が望ましく、これによりインゴット３のスライス時におけるワイヤ６の撓み量を抑制できる。
【０００５】
しかし、直径の異なる複数種類のインゴット３をスライスする場合、種類毎にワイヤソー装置５を製作又は購入すると、装置５の製造コスト又は装置５の購入費用が増大する不具合があった。この点を解消するために、複数種類のインゴット３のうち最大直径のインゴット３に合せた単一のワイヤソー装置５を製作又は購入すれば、この単一のワイヤソー装置５で複数種類のインゴット３をスライスすることができる。しかし、この場合、スライス可能なインゴットの最大直径より小さい直径のインゴット３をスライスすると、ワイヤ６の撓み量が大きくなって、スライスされたウェーハの反りが大きくなる傾向があった。
【０００６】
本発明の目的は、スライスされたウェーハの反りを抑制でき、ウェーハ表面の平坦度を向上させることができる、半導体インゴットのスライス方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の観点は、互いに中心軸が平行に配設された一対のローラの間にワイヤが水平に張設されてローラの回転により水平方向に移動し、ワイヤの上方又は下方であって一対のローラの各中心軸を通る鉛直線の間に単一の半導体インゴットをその中心軸が一対のローラの各中心軸に平行になる第１位置に配置し、インゴットを第１位置から鉛直方向に下降又は上昇させて水平方向に移動するワイヤを横断した第２位置に到達させることによりインゴットをスライスする半導体インゴットのスライス方法において、スライス可能なインゴットの最大直径より小径のインゴットをスライスするときに、このインゴットをワイヤにおける一対のローラの中間位置を通る鉛直線に対して一対のローラのいずれか一方のローラに近付ける方向にずらし、かつインゴットを下降又は上昇させたときに、上記近付けた側のローラの外周面における鉛直接線とインゴットの外周面における鉛直接線との間隔が１〜４５ｍｍであることを特徴とする。
【０００８】
本発明の第２の観点は、第１の観点に基づく発明であって、更にスライス可能な最大直径のインゴットをスライスするときには、一対のローラの中間位置を通る鉛直線にインゴットの中心軸が交差するようにインゴットを保持部材により保持し、この保持部材を連結部材により昇降手段に連結した後、昇降手段でインゴットを下降又は上昇させることにより、上記スライス可能な最大直径のインゴットをスライスし、上記スライス可能なインゴットの最大直径より小径のインゴットをスライスするときには、保持部材と連結部材との間に治具を介装することにより、インゴットを一対のローラの中間位置を通る鉛直線に対して一対のローラのいずれか一方のローラに近付ける方向にずらして昇降手段でインゴットを下降又は上昇させて、小径のインゴットをスライスすることを特徴とする。
【０００９】
本発明の第３の観点は、第１の観点に基づく発明であって、更に保持部材を昇降手段に連結する連結部材をワイヤの長手方向に延ばして設け、スライス可能な最大直径のインゴットをスライスするときには、一対のローラの中間位置を通る鉛直線にインゴットの中心軸が交差するようにインゴットを保持部材により保持した後、昇降手段でインゴットを下降又は上昇させることにより、上記スライス可能な最大直径のインゴットをスライスし、上記スライス可能なインゴットの最大直径より小径のインゴットをスライスするときには、スライス可能な最大直径のインゴットをスライスするときの保持部材の取付位置とは別の位置に保持部材の取付位置を設定することにより、インゴットを一対のローラの中間位置を通る鉛直線に対して一対のローラのいずれか一方のローラに近付ける方向にずらして昇降手段でインゴットを下降又は上昇させて、小径のインゴットをスライスすることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の第１の観点の方法では、インゴットを一方のローラに近付けて第１位置に配置した状態で、一対のローラを回転させてインゴットを下降又は上昇させると、インゴットが走行するワイヤに圧接される。このときのワイヤの撓み量が、インゴットの中心軸を一対のローラの中間位置を通る鉛直線に交差させたときのワイヤの撓み量より小さいので、スライスされたウェーハの反りを抑制できる。この結果、スライスされたウェーハ表面の平坦度を向上できる。
【００１１】
本発明の第２の観点の方法では、保持手段を治具を介して連結部材に取付けるだけで、インゴットを一対のローラの中間位置を通る鉛直線に対して一対のローラのいずれか一方のローラに近付ける方向にずらすことができるので、僅かな部品の追加で小径のインゴットからスライスされたウェーハの反りを抑制できる。
【００１２】
本発明の第３の観点の方法では、上記治具が不要になるので、第２の観点の方法より部品点数を削減できるとともに、インゴットの昇降手段への組付工数を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明第１実施形態の半導体インゴットのスライス方法に用いられるワイヤソー装置の要部構成図である。
【図２】その半導体インゴットのスライス方法に用いられるワイヤソー装置の斜視図である。
【図３】本発明第２実施形態の半導体インゴットのスライス方法に用いられるワイヤソー装置の要部構成図である。
【図４】実施例１及び比較例１のスライス後のウェーハの反りの分布状態を示す図である。
【図５】従来の半導体インゴットのスライス方法に用いられるワイヤソー装置の要部構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
次に本発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。
＜第１の実施の形態＞
図１及び図２に示すように、シリコン単結晶インゴット１３をスライスするワイヤソー装置１０は、互いに中心軸が平行であって同一水平面内に配設された一対のメインローラ１１，１２と、これらのメインローラ１１，１２の下方であって一対のメインローラ１１，１２の中間位置に設けられた単一のサブローラ１４と、上記一対のメインローラ１１，１２と単一のサブローラ１４に巻回して張設されたワイヤ１６と、インゴット１３を保持する保持手段１７と、この保持手段１７を昇降させる昇降手段１８とを備える。本明細書では、一対のメインローラ１１，１２のうち左側のメインローラ１１を第１メインローラとし、右側のメインローラ１２を第２メインローラとする。第１及び第２メインローラ１１，１２と単一のサブローラ１４の外周面には、各ローラ１１，１２，１４の軸方向に所定の間隔をあけて、即ちスライスされるウェーハの厚さ分だけ各ローラ１１，１２，１４の軸方向に間隔をあけて、円周方向に延びる複数本のリング溝（図示せず）が形成される。ワイヤ１６は繰出しボビン２１（図２）に巻付けられた１本の長尺ものであり、この繰出しボビン２１から繰出されたワイヤ１６は、第１及び第２メインローラ１１，１２と単一のサブローラ１４の一端側の各リング溝から他端側の各リング溝に向って順に収容されるように、これらのローラ１１，１２，１４に略逆三角形状であって螺旋状に巻回して張設された後に、巻取りボビン２２（図２）に巻取られるように構成される。
【００１５】
保持手段１７は、インゴット１３に接着されるスライス台１７ａと、このスライス台１７ａを保持するワークプレート１７ｂとを有する。スライス台１７ａはインゴット１３と同じ材質か、或いはガラス、セラミック、カーボン又はレジン等により形成されるが、コスト面や成形の容易さを考慮し、カーボンやレジン等が多く用いられる。また接着剤としては、エポキシ樹脂、熱可塑性ワックス等が用いられ、ワークプレート１７ｂは主にＳＵＳにより形成される。更に保持部材１７のワークプレート１７ｂは水平方向に延びる連結部材２３を介して昇降手段１８に連結される。昇降手段１８は鉛直方向に延びて設けられ、連結部材２３及び保持手段１７を介してインゴット１３を昇降可能に構成される。
【００１６】
第１及び第２メインローラ１１，１２と単一のサブローラ１４の間に巻回して張設されたワイヤ１６のうち、第１及び第２メインローラ１１，１２の間に水平に張設されたワイヤ１６は、第１及び第２メインローラ１１，１２と単一のサブローラ１４の回転により水平方向に移動するように構成される。また昇降手段１８に連結部材２３及びワークプレート１７ｂを連結したスライス台１７ａにインゴット１３が接着されることにより、インゴット１３は、上記第１及び第２メインローラ１１，１２の間に水平に張設されたワイヤ１６の上方であって第１及び第２メインローラ１１，１２の各中心軸を通る鉛直線の間にインゴット１３の中心軸が第１及び第２メインローラ１１，１２の各中心軸に平行になる第１位置に配置される。更にこのインゴット１３を第１位置から鉛直方向に下降させて上記水平方向に移動するワイヤ１６を横断した第２位置に到達させることにより、インゴット１３がスライスされるように構成される。
【００１７】
本実施の形態の特徴ある構成は、上記ワイヤソー装置１０によりスライス可能なインゴットの最大直径より小径のインゴット１３をスライスするときに、このインゴット１３をワイヤ１６における第１及び第２メインローラ１１，１２の中間位置を通る鉛直線に対して第１メインローラ１１に近付ける方向にずらすように構成される。具体的には、保持部材１７のワークプレート１７ｂと連結部材２３との間に治具２４が介装され、これによりインゴット１３が第１メインローラ１１に近付ける方向にずらすように構成される。このインゴット１３の第１メインローラ１１側への偏倚量は、インゴット１３を下降させたときに、第１メインローラ１１の外周面における鉛直接線とインゴット１３の外周面における鉛直接線との間隔Ｘが１〜４５ｍｍ、好ましくは５〜４０ｍｍに設定される。ここで、上記間隔Ｘを１〜４５ｍｍの範囲に限定したのは、１ｍｍ未満ではインゴット１３が第１メインローラ１１に接触するおそれがあり、４５ｍｍを越えるとワイヤ１６の撓み量が大きくなってワイヤソー装置１０でスライスされたウェーハの反りが大きくなるからである。
【００１８】
なお、本明細書において、インゴット１３をその中心軸が第１及び第２メインローラ１１，１２の各中心軸に平行になるように配置すると記載したが、上記『平行』はインゴット１３の結晶の面方位傾斜角に合せるようにメインローラ１１，１２の中心軸に対して僅かに、例えば０．２度傾斜させる場合も含む意味に用いられる。また、上記ワイヤソー装置１０によりスライス可能な最大直径のインゴットをスライスするときには、保持手段を治具を用いずに連結部材の先端部に取付けることにより、インゴットの中心軸を第１及び第２メインローラ１１，１２の中間位置を通る鉛直線に交差させる。この状態から昇降手段１８でインゴットを下降させることにより、スライス可能な最大直径のインゴットがスライスされる。ここで、スライス可能な最大直径のインゴットとは、図１に示すワイヤソー装置１０でスライスできる最大直径のインゴットをいう。具体的には、インゴットの中心軸を第１及び第２メインローラ１１，１２の中間位置を通る鉛直線に交差させた状態でインゴット１３を下降させたときに、第１メインローラ１１の外周面における鉛直接線とインゴット１３の外周面における鉛直接線との間隔Ｘが１〜４５ｍｍ、好ましくは５〜４０ｍｍとなる直径を有するインゴットをいう。
【００１９】
一方、図示しないが、第１及び第２メインローラ１１，１２の間に張設されたワイヤ１６に向けてノズルが突設される。このノズルはポンプを介してタンクに接続され、このタンクにはＳｉＣ砥粒とオイルを混合したスラリーが貯留している。上記ノズルからスラリーがワイヤ１６に向って吐出されてワイヤ１６に付着し、このスラリーの付着したワイヤ１６がインゴット１３に所定の圧力で接触して走行して、スラリー中のＳｉＣ砥粒がインゴット１３を削ることにより、インゴット１３がスライスされるように構成される。
【００２０】
このように構成されたワイヤソー装置１０を用いてインゴット１３をスライスする方法を説明する。例えばスライス可能なインゴットの最大直径が３００ｍｍであるワイヤソー装置１０を用いて、例えば直径２００ｍｍのインゴット１３をスライスする場合、先ずインゴット１３をエポキシ樹脂等の接着剤を用いてスライス台１７ａに接着した後、このスライス台１７ａをワークプレート１７ｂ、治具２４及び連結部材２３を介して昇降手段１８に連結する。これによりインゴット１３が第１メインローラ１１に近付いた第１位置に配置される。次に第１及び第２メインローラ１１，１２と単一のサブローラ１４を周速が同一であって同一方向に回転させると、ワイヤ１６が所定の速度で走行して繰出しボビン２１から繰出され、各ローラ１１，１２，１４の外周面を通って走行した後に巻取りボビン２２に巻取られる。更にノズルからスラリーを吐出しながら、昇降手段１８によりインゴット１３を下降させると、第１及び第２メインローラ１１，１２と単一のサブローラ１４間に巻回されたワイヤ１６のうち、第１及び第２メインローラ１１，１２の間に水平に張設されたワイヤ１６が、第１及び第２メインローラ１１，１２と単一のサブローラ１３の回転により水平方向に移動するので、インゴット１３がこの水平に張設されかつスラリーが付着したワイヤ１６に所定の圧力で接触しながら走行する。これによりスラリー中のＳｉＣ砥粒がインゴット１３を削るので、インゴット１３がスライスされる。このとき上記水平に張設されたワイヤ１６の撓み量が、インゴット１３の中心軸を第１及び第２メインローラ１１，１２の中間位置を通る鉛直線に交差させたときのワイヤ１６の撓み量より小さいので、スライスされたウェーハの反りを抑制できる。この結果、スライスされたウェーハ表面の平坦度を向上できる。
【００２１】
なお、スライス可能なインゴットの最大直径が３００ｍｍであるワイヤソー装置を用いて、直径１５０ｍｍのインゴット、或いは直径１２５ｍｍのインゴット等をスライスしてもよい。また、スライス可能なインゴットの最大直径が４００ｍｍであるワイヤソーを用いて、直径３００ｍｍのインゴット、直径２００ｍｍのインゴット、直径１５０ｍｍのインゴット、或いは直径１２５ｍｍのインゴット等をスライスしてもよい。
【００２２】
＜第２の実施の形態＞
図３は本発明の第２の実施の形態を示す。図３において図１と同一符号は同一部品を示す。この実施の形態では、保持部材１７を昇降手段１８に連結する連結部材５３がワイヤ１６の長手方向に延びて設けられる、即ち連結部材５３が第１の実施の形態の連結部材より長く形成され、第１の実施の形態の治具は用いない。具体的には、スライス可能な最大直径のインゴットをスライスするときには、第１及び第２メインローラ１１，１２の中間位置を通る鉛直線にインゴットの中心軸が交差するようにインゴットが保持部材１７により保持される。この状態から昇降手段１８でインゴットを下降させることにより、スライス可能な最大直径のインゴットがスライスされる。一方、スライス可能なインゴットの最大直径より小径のインゴット１３をスライスするときには、連結部材５３に、スライス可能な最大直径のインゴットをスライスするときの保持部材１７の取付位置とは別の位置に保持部材１７の取付位置を設定することにより、即ち連結部材５３の先端部に保持部材１７を取付けることにより、インゴット１３を第１及び第２メインローラ１１，１２の中間位置を通る鉛直線に対して第１メインローラ１１に近付ける方向にずらすように構成される。この状態から昇降手段１８でインゴットを下降させることにより、小径のインゴット１３がスライスされる。上記以外は第１の実施の形態と同一に構成される。
【００２３】
このように構成されたワイヤソー装置５０を用いてインゴット１３をスライスする場合、第１の実施の形態の治具が不要になるので、第１の実施の形態より部品点数を削減できるとともに、インゴット１３の昇降手段１８への組付工数を低減できる。上記以外の動作は第１の実施の形態と同様であるので、繰返しの説明を省略する。
【００２４】
なお、第１及び第２の実施の形態では、半導体インゴットとしてシリコン単結晶インゴットを挙げたが、ＧａＡｓ単結晶インゴット，ＩｎＰ単結晶インゴット，ＺｎＳ単結晶インゴット，ＺｎＳｅ単結晶インゴット等の半導体インゴットでもよい。また、第１及び第２の実施の形態では、一対のメインローラをサブローラの上方に配置し、一対のメインローラ間に張設されたワイヤの上方に配置したインゴットを鉛直方向に下降させてスライスしたが、一対のメインローラをサブローラの下方に配置し、一対のメインローラ間に張設されたワイヤの下方に配置したインゴットを鉛直方向に上昇させてスライスしてもよい。更に、第１及び第２の実施の形態では、３本のローラ（一対のメインローラ及び単一のサブローラ）を用いたが、２本のローラ（一対のメインローラのみ）を用いてもよく、又は４本のローラ（一対のメインローラ及び一対のサブローラ）を用いてもよく、或いは５本以上（一対のメインローラ及び３本以上のサブローラ）のローラを用いてもよい。
【実施例】
【００２５】
次に本発明の実施例を比較例とともに詳しく説明する。
＜実施例１＞
図１及び図２に示すように、最大直径３００ｍｍのシリコン単結晶インゴットをスライス可能なワイヤソー装置１０を用いて、直径２００ｍｍのインゴット１３をスライスした。上記ワイヤソー装置１０の第１及び第２メインローラ１１，１２の直径は１６５ｍｍであり、サブローラ１４の直径は１６５ｍｍであった。また第１及び第２メインローラ１１，１２の中心軸間の距離Ｌは５４０ｍｍであった。更にインゴット１３を第１及び第２メインローラ１１，１２の中間位置を通る鉛直線に対して第１メインローラ１１に近付ける方向にずらし、かつインゴット１３を下降させたときに、近付けた側の第１メインローラ１１の外周面における鉛直接線とインゴット１３の外周面における鉛直接線との間隔を４０ｍｍに設定した。
【００２６】
一方、上記直径２００ｍｍのインゴット１３をエポキシ樹脂等の接着剤を用いてスライス台１７ａに接着した後、このスライス台１７ａをワークプレート１７ｂ、治具２４及び連結部材２３を介して昇降手段１８に連結した。これによりインゴット１３が第１メインローラ１１に近付いた第１位置に配置された。次に第１及び第２メインローラ１１，１２と単一のサブローラ１４を同一周速で同一方向に回転させて、ワイヤ１６を６００ｍ／分の速度で走行させた。またインゴット１３を昇降手段１８により０．５ｍｍ／分の速度で下降させた。更にＳｉＣ砥粒とオイルとを混合したスラリーをワイヤ１６に供給した。このようにワイヤソー装置１０を用いてインゴット１３をスライスし、同時に２５０〜２７０枚のシリコンウェーハを作製した。このワイヤソー装置１０によるインゴット１３のスライスを１０回繰返して合計２６１２枚のウェーハを作製した。
【００２７】
＜比較例１＞
第１及び第２メインローラの中間位置を通る鉛直線にインゴットの中心軸を交差するようにインゴットを保持部材により保持したこと以外は、実施例１と同様にしてインゴットをスライスした。但し、ワイヤソー装置によるインゴットのスライスを１２回繰返して合計３０１０枚のウェーハを作製した。
【００２８】
＜比較試験１及び評価＞
実施例１及び比較例１の方法でスライスした各ウェーハの反りを、ＡＤＥ社製の平坦度測定器によりそれぞれ測定した。その結果（反りの分布）を図４に示す。この図４における反り分布はワープ値における反りの分布を示すものである。このワープ値は、吸着固定しないウェーハの裏面における３点基準面又はベストフィット基準面からウェーハ厚さ方向の中央面までの最大変位と最小変位との差で表される値である。ここで、図４における反り分布をワープ（Ｗａｒｐ）値で表したのは、一般的にウェーハ全体の反り分布を反映したワープ値がウェーハ反りのスペックとして使用されるからである。
【００２９】
図４から明らかなように、比較例１におけるウェーハのワープ値における反りの平均値は８．８９μｍと大きかったのに対し、実施例１におけるウェーハのワープ値における反りの平均値は７．７７μｍと小さくなった。これは、実施例１のワイヤの撓み量が比較例１のワイヤの撓み量より小さくなったことに起因するものと考えられる。なお、比較例１ではワープ値の最大値と最小値の差δが約２０μｍであったのに対し、実施例１ではワープ値の最大値と最小値の差δが約１４μｍと小さくなった。
【符号の説明】
【００３０】
１０，５０  ワイヤソー装置
１１  第１メインローラ
１２  第２メインローラ
１３  シリコン単結晶インゴット（半導体インゴット）
１６  ワイヤ
１７  保持手段
１８  昇降手段
２３，５３  連結部材
２４  治具
【図１】
2010212467.tif 000003
【図２】
2010212467.tif 000004
【図３】
2010212467.tif 000005
【図４】
2010212467.tif 000006
【図５】
2010212467.tif 000007