(57)【要約】【課題】表示部周辺の引き回し線が多層構造となっている液晶表示装置において、走査線とソース配線との繋ぎ換え配線部の配置を見直すことにより、より狭額縁化を達成することができる液晶表示装置を提供すること。【解決手段】表示領域の周辺部の額縁領域ＰＦに、ゲート絶縁膜の下部に形成された複数のゲート配線４１と、ゲート絶縁膜の上に形成された複数のソース配線４２と、を備え、前記ゲート配線４１とソース配線４２との間の電気的接続を行う繋ぎ換え配線部５０を前記コモン配線４０に形成した切り欠き部５４内に配置する。【選択図】図４
2010060590.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟持した一対の透明基板を備え、前記一対の透明基板のうちの一方の前記液晶
層側には、表示領域に、第１絶縁膜を挟んでマトリクス状に形成された複数の走査線及び
信号線と、複数の前記走査線及び信号線の交差部近傍に設けられたスイッチング素子と、
前記スイッチング素子、前記信号線及び露出している前記第１絶縁膜の表面を被覆する第
２絶縁膜と、複数の前記走査線及び信号線で区画された領域毎に形成された画素電極とを
備え、前記表示領域の周辺部に、前記第１絶縁膜の下部に形成された複数の第１配線と、
前記第１絶縁膜と第２絶縁膜の間に形成された複数の第２配線と、前記第１絶縁膜の下部
又は上部に形成されたコモン配線と、前記走査線と前記第２配線との間を電気的に接続す
る第１接続部とを備えている液晶表示装置であって、
前記コモン配線には切り欠き部が形成され、前記切り欠き部内に前記第１接続部が形成
されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１配線は前記走査線と同一の材料で形成され、前記第２配線は前記信号線と同一
の材料で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１接続部は、前記第１配線上の第１絶縁膜及び第２絶縁膜に形成された第１コン
タクトホールと前記第２配線上の第２絶縁膜に形成された第２コンタクトホールとを介し
て透明導電性材料によってブリッジ状に接続することにより形成されていることを特徴と
する請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記表示領域には複数の前記走査線と平行かつ同層に補助容量線が設けられ、前記コモ
ン配線は前記第１絶縁膜の表面に形成され、前記補助容量線と前記コモン配線との間を電
気的に接続する第２接続部が、前記コモン配線を挟んで前記第１接続部とは反対側に形成
されていることを特徴とする請求項１〜３の何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記表示領域には層間膜が形成され、前記層間膜上には絶縁膜を介して下電極及び複数
の前記走査線及び信号線で区画された領域毎に複数のスリットが形成された上電極が形成
され、前記下電極及び上電極のいずれか一方が前記スイッチング素子に電気的に接続され
て画素電極とされ、前記下電極及び上電極の他方が、前記コモン配線と電気的に接続され
て共通電極とされ、前記共通電極とコモン配線との間を電気的に接続する第２接続部が前
記コモン配線を挟んで前記第１接続部とは反対側に形成されていることを特徴とする請求
項１〜３の何れかに記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示領域の周辺に引き回し配線が形成された液晶表示装置に関する。更に詳し
くは、本発明は、引き回し配線が絶縁膜の上下に形成され、これらの絶縁膜の上下に形成
された接続配線が接続部において互いに電気的に接続されている液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置はＣＲＴ（陰極線管）と比較して軽量、薄型、低消費電力という特徴があ
るため、表示用として多くの電子機器に使用されている。
【０００３】
液晶表示装置の液晶層に電界を印加する方法として、縦電界方式のものと横電界方式の
ものとがある。縦電界方式の液晶表示装置は、液晶層を挟んで配置される一対の電極によ
り、概ね列方向の電界を液晶分子に印加するものである。この縦電界方式の液晶表示装置
としては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertical Alignment）モード、ＭＶ
Ａ（Multi-domain Vertical Alignment）モード等のものが知られている。横電界方式の
液晶表示装置は、液晶層を挟んで配設される一対の基板のうちの一方の内面側にのみ一対
の電極を絶縁して設け、概ね横方向の電界を液晶分子に対して印加するものである。この
横電界方式の液晶表示装置としては、一対の電極が平面視で重ならないＩＰＳ（In-Plane
Switching）モードのものと、重なるＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードのものと
が知られている。
【０００４】
このように、液晶表示装置には複数の方式のものが知られているが、いずれも液晶分子
の配向を変化させるための電界を形成する画素電極及び対向電極と、マトリクス状に整列
され、画素ごとに画素電極の電圧を変化させるための走査線と信号線が、表示領域に形成
されている。また、表示領域には画素毎に１走査期間の間に表示用電界を保持するための
補助容量電極が形成されているものも存在する。表示領域に形成されているこれらの共通
電極、走査線、信号線及び補助容量電極には、非表示領域から各種の電圧が印加される。
【０００５】
また、アレイ基板の非表示領域には、ドライバ用ＩＣや外部との各種接続用の端子が形
成され、これら端子まで共通電極、走査線、信号線及び補助容量電極が引き回し配線によ
って電気的に接続されている。これらの引き回し配線は表示領域の周辺（以下では「額縁
領域」と称する。）に形成される。走査線と信号線の引き回し配線は非常に数が多いので
、広い額縁領域が必要とされる。特に、ドライバ用ＩＣとソースドライバ用ＩＣが一体化
されて信号線の延在方向に配設されているとき等は、走査線の引き回し配線を表示領域の
左右両側から信号線の延在方向に引き回さなければならず、さらに広い額縁領域が必要と
される。そこで、下記特許文献１に開示されているように、額縁領域に必要な面積を減ら
す目的で、走査線の引き回し配線を左右両側から信号線の延在方向に引き回す際、額縁領
域の走査線を多層にすることが考えられた（下記特許文献１参照。）。下記特許文献１に
開示されている液晶表示装置の額縁領域の構成を、図８を用いて説明する、
【０００６】
図８は、下記特許文献１に開示されている液晶表示装置の額縁領域の拡大平面図である
。
【０００７】
この液晶表示装置９０においては、奇数行目の走査線９１Ａ及び偶数行目の走査線９１
Ｂともにゲート絶縁膜の下部に形成されている。そして、奇数行目の走査線９１Ａはゲー
ト絶縁膜の下部に形成されたゲート引き回し線９２に直接接続されている。また、偶数行
目の走査線９１Ｂは、ゲート絶縁膜に形成された第１のコンタクトホール９５を経てゲー
ト絶縁膜の表面に形成されたソース引き回し配線９４に切り替え接続されている。このよ
うに、ゲート引き回し配線９２とソース引き回し配線９４とは、ゲート絶縁膜を介して互
いに積層配置されているため、額縁領域の占める面積を狭くできるというものである。な
お、図８に示されている液晶表示装置９０では、奇数行目の走査線９１Ａ及び偶数行目の
走査線９１Ｂ共にゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホール９５を介して静電破壊防止
用素子９６の一方の端子に電気的に接続され、静電破壊防止用素子９６の他方の端子はコ
モン配線（短絡配線）９７に電気的に接続された例が示されている。
【特許文献１】特開２００６−２２０８３２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記特許文献１に開示されている液晶表示装置９０では、偶数行目の走
査線９１Ｂとソース引き回し配線９４との間の配線の切換のため、コンタクトホール９５
をコモン配線９７とゲート引き回し配線９２及びソース引き回し配線９４の間に形成して
いる。そのため、コモン配線９７とゲート引き回し配線９２及びソース引き回し配線９４
の間の領域が余分に必要となるので、近年の液晶表示装置の小型化及び高精細化に伴う狭
額縁化の要望に応えることは困難であった。
【０００９】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、表示部周辺の引
き回し線が多層構造となっている液晶表示装置において、走査線とソース配線との切換部
の配置を見直すことにより、より狭額縁化を達成することができる液晶表示装置を提供す
ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、液晶層を挟持した一対の透明基板
を備え、前記一対の透明基板のうちの一方の前記液晶層側には、表示領域に、第１絶縁膜
を挟んでマトリクス状に形成された複数の走査線及び信号線と、複数の前記走査線及び信
号線の交差部近傍に設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング素子、前記信号線
及び露出している前記第１絶縁膜の表面を被覆する第２絶縁膜と、複数の前記走査線及び
信号線で区画された領域毎に形成された画素電極とを備え、前記表示領域の周辺部に、前
記第１絶縁膜の下部に形成された複数の第１配線と、前記第１絶縁膜と第２絶縁膜の間に
形成された複数の第２配線と、前記第１絶縁膜の下部又は上部に形成されたコモン配線と
、前記走査線と前記第２配線との間を電気的に接続する第１接続部とを備えている液晶表
示装置であって、前記コモン配線には切り欠き部が形成され、前記切り欠き部内に前記第
１接続部が形成されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明の液晶表示装置においては、走査線と第２配線との間を電気的に接続する第１接
続部がコモン配線の切り欠き部内に形成されているため、第１接続部が平面視でコモン配
線からはみ出ないようにすることができる。そのため、本発明の液晶表示装置によれば、
額縁領域に第１接続部形成のための余分な領域を設ける必要がなくなるので、狭額縁化さ
れた液晶表示装置が得られる。なお、コモン配線は元々低抵抗化のために幅広に形成され
ているし、この切り欠き部が形成されている部分のコモン配線の幅を５０μｍ以上となせ
ば、切り欠き部形成によるコモン配線の抵抗増大化の問題は生じない。
【００１２】
なお、第１絶縁膜及び第２絶縁膜としては、酸化ケイ素ないし窒化ケイ素等の無機絶縁
膜が使用されるが、絶縁性の観点からは窒化ケイ素が望ましい。また、少なくとも画素電
極としてはＩＴＯ（Indium Tin Oxide）ないしＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導
電性材料が使用される。更に、本発明の液晶表示装置において使用し得るスイッチング素
子としては、半導体材料としてアモルファスシリコンを使用した薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ：Thin Film Transistor）、ポリシリコンを使用したＴＦＴ、低温ポリシリコン（ＬＴ
ＰＳ：Low Temperature Poly Silicon）ＴＦＴ、薄膜ダイオードＴＦＤ（Thin Film Diod
e）等を使用することができる。
【００１３】
また、本発明の液晶表示装置においては、前記第１配線は前記走査線と同一の材料で形
成され、前記第２配線は前記信号線と同一の材料で形成されていることが好ましい。
【００１４】
本発明の液晶表示装置においては、第１配線及び走査線共に第１絶縁膜の下部に形成さ
れており、第２配線及び信号線共に第１絶縁膜の表面に形成されている。そのため、第１
配線及び走査線を同じ材料で形成し、第２配線及び信号線を同じ材料で形成すれば、第１
配線及び走査線を同時に形成できると共に、第二配線及び信号線も同時に形成することが
できる。従って、本発明の液晶表示装置によれば、製造が容易となり、また、特に第１配
線ないし第２配線形成用に製造工数を増やす必要がなくなる。
【００１５】
また、本発明の液晶表示装置においては、前記第１接続部は、前記第１配線上の第１絶
縁膜及び第２絶縁膜に形成された第１コンタクトホールと前記第２配線上の第２絶縁膜に
形成された第２コンタクトホールとを介して透明導電性材料によってブリッジ状に接続す
ることにより形成されていることが好ましい。
【００１６】
液晶表示装置のスイッチング素子が形成されている側には、少なくとも透明導電性材料
からなる画素電極が形成されている。本発明の液晶表示装置によれば、画素電極形成時に
同時に第１接続部における走査線と第２配線との間の切り替え配線を形成することができ
るので、製造が容易となり、また、特に切り替え配線形成用に製造工数を増やす必要がな
くなる。
【００１７】
また、本発明の液晶表示装置においては、前記表示領域には複数の前記走査線と平行か
つ同層に補助容量線が設けられ、前記コモン配線は前記第１絶縁膜の表面に形成され、前
記補助容量線と前記コモン配線との間を電気的に接続する第２接続部が、前記コモン配線
を挟んで前記第１接続部とは反対側に形成されていることが好ましい。
【００１８】
縦電界方式の液晶表示装置及びＩＰＳモードの液晶表示装置には、サブ画素毎に走査線
と同層に補助容量電極及びこの補助容量電極に接続された補助容量線が形成されている。
この補助容量線は、走査線と平行に形成され、表示領域外でコモン配線と電気的に接続さ
れる。本発明の液晶表示装置では、補助容量線とコモン配線との間を電気的に接続する第
２接続部を、前記コモン配線を挟んで前記第１接続部とは反対側に形成されているものと
している。そのため、本発明の液晶表示装置によれば、第１接続部と第２接続部が互いに
干渉することがなくなると共に、第１接続部配置用の切り欠き部によるコモン配線の幅の
低減を第２接続部の面積で補うことができるようになり、狭額縁化された縦電界方式の液
晶表示装置及びＩＰＳモードの液晶表示装置が得られる。
【００１９】
また、本発明の液晶表示装置においては、前記表示領域には層間膜が形成され、前記層
間膜上には絶縁膜を介して下電極及び複数の前記走査線及び信号線で区画された領域毎に
複数のスリットが形成された上電極が形成され、前記下電極及び上電極のいずれか一方が
前記スイッチング素子に電気的に接続されて画素電極とされ、前記下電極及び上電極の他
方が、前記コモン配線と電気的に接続されて共通電極とされ、前記共通電極とコモン配線
との間を電気的に接続する第２接続部が前記コモン配線を挟んで前記第１接続部とは反対
側に形成されていることが好ましい。
【００２０】
本発明の液晶表示装置は、層間膜上には絶縁膜を介して下電極及び複数の走査線及び信
号線で区画された領域毎に複数のスリットが形成された上電極が形成され、前記下電極及
び上電極のいずれか一方がスイッチング素子に電気的に接続されて画素電極とされ、前記
下電極及び上電極の他方が、コモン配線と電気的に接続されて共通電極とされている。そ
のため、本発明の液晶表示装置は、ＦＦＳモードの液晶表示装置として作動する。そして
、本発明の液晶表示装置では、共通電極として作動する側の上電極又は下電極とコモン配
線との間を電気的に接続する第２接続部を、前記コモン配線を挟んで前記第１接続部とは
反対側に形成されているものとしている。そのため、本発明の液晶表示装置によれば、第
１接続部と第２接続部が互いに干渉することがなくなると共に、第１接続部配置用の切り
欠き部によるコモン配線の幅の低減を第２接続部の面積で補うことができるようになり、
狭額縁化されたＦＦＳモードの液晶表示装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の最良の実施形態を説明する。但し、以下に示す実施形態
は、本発明の技術思想を具体化するための液晶表示装置を例示したものであって、本発明
をこの液晶表示装置に特定することを意図するものではなく、特許請求の範囲に含まれる
その他の実施形態にも等しく適応し得るものである。なお、この明細書における説明のた
めに用いられた各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとす
るため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせて表示しており、必ずしも実際の寸法に比例し
て表示されているものではない。
【００２２】
図１は第１実施形態の液晶表示装置のアレイ基板を示す模式平面図である。図２は第１
実施形態に係る液晶表示装置の１サブ画素分の平面図である。図３は図２のIII−III線断
面図である。図４は図１のIV部分の拡大平面図である。図５は図４のＶ−Ｖ線断面図であ
る。図６は図４のVI−VI線断面図である。図７は第２実施形態の液晶表示装置の額縁領域
の部分拡大平面図である。
【００２３】
［第１実施形態］
第１実施形態に係る液晶表示パネル１０Ａを図１〜図６を用いて説明する。第１実施形
態に係る液晶表示パネル１０Ａは、図３に示すように、液晶層１１をアレイ基板１２及び
カラーフィルタ基板１３との間に挟持している。液晶層１１の厚みは図示しない柱状スペ
ーサによって均一に維持される。また、アレイ基板１２の背面及びカラーフィルタ基板１
３の前面にはそれぞれ偏光板（図示せず）が形成されている。そして、アレイ基板１２の
背面側からバックライト（図示せず）により光が照射されている。
【００２４】
アレイ基板１２は、図１に示すように、各種の画像が表示される表示領域ＤＡと、その
周辺である額縁領域ＰＦとを備えており、この額縁領域ＰＦの一つの端部側にドライバＩ
Ｃを載置するための第１端子部Ｄｒと、外部接続用の第２端子部ＴＰとが形成されている
。そして、額縁領域ＰＦには、表示領域ＤＡの走査線１９（図２参照）を第１端子部Ｄｒ
へ引き回す走査線引き回し配線部３８及び信号線２２（図２参照）を第１端子部Ｄｒへと
引き回す信号線引き回し配線部３９を備えている。なお、走査線引き回し配線部３８及び
信号線引き回し配線部３９の詳細な構成については後述する。また、額縁領域ＰＦには、
上電極２８を第１端子部Ｄｒへと引き回すためのコモン配線４０や静電防止回路４６を引
き回す短絡配線４７（図４参照）も含まれている。
【００２５】
まず、アレイ基板１２の構成について説明する。アレイ基板１２は、図２及び図３に示
すように、ガラスや石英、プラスチック等からなる第１基板本体１８の液晶層１１側に、
複数の走査線１９が平行に形成されている。この走査線１９は、アルミニウム金属、アル
ミニウム合金、モリブデン等の不透明な金属で形成され、図２におけるＸ軸方向に延在し
ている。また、この走査線１９の形成時に、額縁領域ＰＦの走査線引き回し配線部３８に
は第１端子部Ｄｒに向かって伸びる複数のゲート配線４１（図４参照）が形成され、信号
線引き回し配線部３９においては同じく第１端子部Ｄｒに向かって伸びる複数のゲート配
線（図示省略）が形成されている。そして、走査線１９、ゲート配線４１及び第１基板本
体１８の露出面を覆ってゲート絶縁膜２０が形成されている。なお、ゲート絶縁膜２０は
、本発明の第１絶縁膜に対応し、酸化ケイ素ないし窒化ケイ素等の無機絶縁膜から形成さ
れている。
【００２６】
ゲート絶縁膜２０上に、例えば、アモルファスシリコンからなる半導体層２１が形成さ
れており、半導体層２１に一部乗り上げるようにしてソース電極Ｓと、ドレイン電極Ｄと
が形成されている。半導体層２１はゲート絶縁膜２０を介して走査線１９から分岐した部
分と対向配置されており、この走査線１９から分岐した部分がＴＦＴのゲート電極Ｇを構
成している。ソース電極Ｓは信号線２２から分岐した部分からなる。信号線２２及びドレ
イン電極Ｄは、それぞれアルミニウム金属、アルミニウム合金、モリブデン等の不透明な
金属で形成され、信号線２２は図２のＹ軸方向に延在している。また、この信号線２２の
形成時に、額縁領域ＰＦの走査線引き回し配線部３８には第１端子部Ｄｒに向かって伸び
る複数のソース配線４２が形成されると共に、信号線引き回し配線部３９には同じく第１
端子部Ｄｒに向かって延びるソース配線（図示省略）が形成されている。なお、本発明に
おける「ゲート配線」とはゲート絶縁膜２０の下に形成されている配線部分のことを示し
、「ソース配線」とはゲート絶縁膜２０の上に形成されている配線部分のことを示すもの
である。
【００２７】
半導体層２１、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄ、信号線２２、ソース配線４２及びゲー
ト絶縁膜２０の露出部を覆って、酸化ケイ素ないし窒化ケイ素等の無機絶縁膜からなるパ
ッシベーション膜２３が形成され、そのパッシベーション膜２３を覆って樹脂材料からな
る層間膜２４が形成されている。このパッシベーション膜２３は、本発明の第２絶縁膜に
対応する。また、層間膜２４としては、透明性が良好で、電気絶縁性に優れた感光性又は
非感光性の樹脂材料を適宜選択して使用し得る。層間膜２４を覆うように、ＩＴＯ、ＩＺ
Ｏ等の透明導電材料からなる下電極２５が形成されている。パッシベーション膜２３及び
層間膜２４を貫通してドレイン電極Ｄに達するようにコンタクトホール２６が形成されて
おり、この第１コンタクトホール２６を介して下電極２５とドレイン電極Ｄとが電気的に
接続されている。そのため、この下電極２５は共通電極として作動する。
【００２８】
下電極２５を覆って酸化ケイ素ないし窒化ケイ素等の無機絶縁膜からなる電極間絶縁膜
２７が形成されている。この電極間絶縁膜２７は、下電極２５及び層間膜２４の表面が荒
れないようにするため、パッシベーション膜２３よりも低温成膜条件で形成される。また
、下電極２５及びこの電極間絶縁膜２７の液晶層１１側の表面には、ＩＴＯないしＩＺＯ
からなる透明導電材料からなる上電極２８が形成されている。この上電極２８は、例えば
図２に示したように、サブ画素毎の列方向中央部を中心として互いに異なる方向に延在す
るスリット状開口３１が形成されており、列方向中央部のスリット状開口は互いに「く」
字状に連結されている。また、各スリット状開口３１間には帯状電極部分３２が形成され
ている。
【００２９】
スリット状開口３１は上電極２８をフォトリソグラフィー法によって露光及びエッチン
グすることによって形成される。この上電極２８の表面及びスリット状開口３１の内面は
第１配向膜３０が形成され、この配向膜のラビング方向は、スリット状開口３１の形成状
態から、走査線１９の延在方向に向いており、ラビング方向に対してスリット状開口３１
の延在方向は約５度〜約２５度傾いているようになされる。これにより、下電極２５と上
電極２８との間に電界が印加されたとき、列方向中央部の上下のそれぞれの領域で異なる
方向に液晶分子が回転することができるようになるため、良好な視野角特性が得られるよ
うになる。なお、スリット状開口３１の形状は、図２に示したような形状のみでなく、全
てが「く」字状となっていてもよく、互いに異なる方向に延在するスリット状開口が連結
されていなくてもよい。更には、スリット状開口３１の形状は、信号線２２に沿った縦方
向の「く」字状とする場合だけでなく、信号線２２に沿った縦方向に「く」字状となるよ
うにしてもよく、或いは、屈曲部が存在しないバー状であってもよい。特に、屈曲部が存
在しないバー状の場合、走査線１９に沿って平行ないし傾いて延在する状態としても、信
号線２２に沿って縦方向に平行ないし傾いて延在する状態としてもよい。
【００３０】
次にカラーフィルタ基板１３について説明する。カラーフィルタ基板１３は、ガラスや
石英、プラスチック等からなる第２基板本体３３を有しており、第２基板本体３３には、
サブ画素毎に異なる色の光（Ｒ、Ｇ、Ｂあるいは無色）を透過するカラーフィルタ層３４
とブラックマトリクス３５が形成されている。カラーフィルタ層３４とブラックマトリク
ス３５を覆うようにしてトップコート層３６が形成されており、トップコート層３６を覆
うようにして例えばポリイミドからなる第２配向膜３７が形成されている。そして、第２
配向膜３７には第１配向膜３０と逆方向のラビング処理が施されている。
【００３１】
そして、上述のように形成されたアレイ基板１２とカラーフィルタ基板１３と対向配置
させ、周縁部をシール材（図示せず）によってシールし、液晶層１１をアレイ基板１２と
カラーフィルタ基板１３の間に形成された密封エリア内に封止することにより第１実施形
態の液晶表示パネル１０Ａが得られる。この第１実施形態の液晶表示パネル１０Ａにおい
ては、アレイ基板１２側の偏光板の透過軸とカラーフィルタ基板１３側の偏光板の透過軸
とは互いに直交するように配置されており、カラーフィルタ基板１３側の偏光板の透過軸
は図１のＹ軸と平行になるように配置されている。このような構成を備えていると、第１
配向膜３０のラビング方向は共通電極２８と画素電極２５との間に生じる電界の主方向と
交差する方向となる。そして、初期状態ではラビング方向に沿って平行に配向している液
晶は、共通電極２８と画素電極２５との間への電圧印加によって、上記電界の主方向側へ
回転して再配向する。この初期配向状態と電圧印加時の配向状態との差異に基づいて各サ
ブ画素の明暗表示が行われる。
【００３２】
次に、図１及び図４〜図６を用いて額縁領域ＰＦの要部について説明する。ここでは、
コモン配線４０は、額縁領域ＰＦの周縁部を囲むように、額縁領域ＰＦのゲート絶縁膜２
０上に所定以上の幅Ｗ（例えば、５０μ以上の幅）で形成されている。なお、このコモン
配線４０をゲート絶縁膜２０の下に形成する場合もある。上電極２８は、全サブ画素に跨
ってパッシベーション膜２３上に形成され、額縁領域ＰＦのコモン配線４０上へ、所定の
間隔をおいて複数、所定の幅で延在されており、コモン接続部４３によってコモン配線４
０と電気的に接続されている。このコモン接続部４３が本発明における第２接続部に対応
する。
【００３３】
図５及び図６に示すように、額縁領域ＰＦにおいては、ゲート絶縁膜２０の下に複数の
ゲート配線４１が形成されており、ゲート絶縁膜２０の上に複数のソース配線４２がゲー
ト配線４１と重畳ないし互い違いとなるように形成されている。また、ゲート絶縁膜２０
の表面にはコモン配線４０も形成されている。更に、図４に示すように、各コモン接続部
４３の間には静電防止回路４６が形成され、静電防止回路４６の引き回し配線である短絡
配線４７が信号線２２の延在方向と同一方向に額縁領域ＰＦのゲート絶縁膜２０上に形成
されている。これらのコモン配線４０、ソース配線４２、短絡配線４７及びゲート絶縁膜
２０の表面を被覆するようにパッシベーション膜２３及び電極間絶縁膜２７が積層形成さ
れている。
【００３４】
コモン接続部４３では、コモン配線４０は、電気抵抗を小さくするため、コモン配線４
０上のパッシベーション膜２３及び電極間絶縁膜２７に形成された複数箇所のコモンコン
タクトホール４４を介して共通電極として作動する上電極２８と直接電気的に接続されて
いる。また、繋ぎ換え配線部５０では、ゲート配線４１上のゲート絶縁膜２０、パッシベ
ーション膜２３及び電極間絶縁膜２７に形成された第１コンタクトホール５１と、ソース
配線上のパッシベーション膜２３及び電極間絶縁膜２７に形成された第２コンタクトホー
ル５２とを介して、上電極と同じ材料からなる透明導電性材料からなる導電路５３により
、ゲート配線４１及びソース配線４２がブリッジ接続されている。この場合、ゲート絶縁
膜２０が本発明の第１絶縁膜に対応し、パッシベーション膜２３及び電極間絶縁膜２７が
本発明の第２絶縁膜に対応する。
【００３５】
走査線１９は、例えば奇数番目の走査線１９が額縁領域ＰＦの左方に延在され、偶数番
目の走査線１９は額縁領域ＰＦの右側の方に延在されている。そして、例えば、右側に延
在する走査線１９をドライバ用の第１端子部Ｄｒ（図１参照）へと引き回すため、右側の
奇数番目の走査線１９は直接ゲート配線４１に接続され、右側の偶数番目の走査線１９は
繋ぎ換え配線部５０を経てソース配線４２に接続されており、この隣接する走査線１９に
それぞれ接続されたゲート配線４１とソース配線４２とは、ゲート絶縁膜２０を介して互
いに重畳ないし互い違いに配置されている。それによって、額縁領域ＰＦにおける走査線
引き回し配線部３８の占める領域の面積を狭くすることができる。
【００３６】
そして、第１実施形態の液晶表示装置１０Ａでは、図４に示すように、コモン配線４０
の一部に切り欠き部５４を形成し、この切り欠き部５４内に繋ぎ換え配線部５０を位置す
るようしている。この切り欠き部５４は、上述した共通電極として作動する上電極２８と
コモン配線４０との間の電気的接続部であるコモン接続部４３とは反対側に形成されてい
る。このような関係を満たすようにすると、コモン配線４０の幅は、切り欠き部５４を形
成してもその分の幅はコモン接続部４３の部分で補われるので、コモン配線４０の電気抵
抗が小さくなることが抑制される。
【００３７】
そして、図４の記載からして明らかなように、繋ぎ換え配線部５０がコモン配線４０に
設けられた切り欠き部５４内に形成されるために、額縁領域ＰＦの幅を狭くすることがで
きる。また、繋ぎ換え配線部５０がコモン配線４０を挟んでコモン接続部４３とは反対側
に形成されているために、引き回し配線の幅をあらかじめ定められた閾値以上にすること
が容易となる。また、繋ぎ換え配線部５０の導電路５３と同じパッシベーション膜２３上
に上電極２８と同じ透明導電性材料で形成されるために、導電路５３を上電極２８と同一
工程で形成することができるようになる。
【００３８】
［第２実施形態］
第１実施形態の液晶表示装置１０Ａは、横電界方式のＦＦＳモードで作動するものであ
ったが、本発明は補助容量電極を備える縦電界方式の液晶表示装置に対しても適用可能で
ある。この第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂを図７を用いて説明する。なお、図７にお
いては、第１実施形態の液晶表示装置１０Ａと同一の構成部分については同一の参照符号
を付与してその詳細な説明は省略する。また、第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂにおい
ては、繋ぎ換え配線部５０の構成は第１実施形態の液晶表示装置１０Ａにおける図６に記
載のものと同様であるので、適宜図６を参照して説明する。
【００３９】
図７に示すように、各サブ画素はＴＦＴとＴＦＴに電気的に接続された画素電極６１と
画素電極６１と平面視で重なる補助容量電極６２を有している。なお、第２実施形態の液
晶表示装置１０Ｂでは、共通電極は別途図示しないカラーフィルタ基板に形成されている
。画素電極６１と補助容量電極６２の間にはゲート絶縁膜及びパッシベーション膜（図示
せず）が形成されており、これらのゲート絶縁膜及びパッシベーション膜を誘電体とし、
画素電極６１と補助容量電極６２との間に補助容量が形成されている。なお、ゲート絶縁
膜を介して補助容量電極６２とＴＦＴのドレイン電極との間で補助容量を形成する場合も
ある。何れの場合においても、各列の補助容量電極６２は走査線６４と平行な補助容量線
６５によって接続されている。
【００４０】
そして、第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂでは、補助容量線６５は、額縁領域ＰＦに
おいてコモン接続部６６によってゲート絶縁膜（図示せず）上に形成されているコモン配
線６７に接続されている。このコモン接続部６６は、ゲート絶縁膜に複数個のコンタクト
ホールを形成した後、コモン配線６７を形成する際にコモン配線と補助容量線６５とを直
接電気的に接続することにより形成される。また、第２実施形態の液晶表示装置１０Ｂで
は、第１実施形態の液晶表示装置１０Ａの場合と同様に、コモン配線６７の一部に切り欠
き部５４を形成し、この切り欠き部５４内に繋ぎ換え配線部５０を位置するようしている
。この繋ぎ換え配線部５０の構成は、電極間絶縁膜２が存在しない以外は、図６における
繋ぎ換え配線部５０の構成と同一であるので、その詳細な説明は省略する。ただし、第２
実施形態の液晶表示装置１０Ｂでは、ゲート絶縁膜２０が本発明の第１絶縁膜に対応し、
パッシベーション膜２３が本発明の第２絶縁膜に対応する。
【００４１】
この切り欠き部５４は、上述した補助容量線６５とコモン配線６７との間の電気的接続
部であるコモン接続部６６とは反対側に形成されている。このような関係を満たすように
すると、特に繋ぎ換え配線部５０を形成するための面積を増やす必要がなくなるために、
額縁領域の占める面積を減らすことができるようになる。また、コモン配線６７の幅は、
切り欠き部５４を形成してもその分の幅はコモン接続部６６の部分で補われるので、コモ
ン配線６７の電気抵抗が小さくなることが抑制される。また、繋ぎ換え配線部５０の導電
路５３は、パッシベーション膜２３上に画素電極６１と同じ透明導電性材料で形成される
ために、導電路５３を画素電極６１と同一工程で形成することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】第１実施形態の液晶表示装置のアレイ基板を示す模式平面図である。
【図２】第１実施形態に係る液晶表示装置の１サブ画素分の平面図である。
【図３】図２のIII−III線断面図である。
【図４】図１のIV部分の拡大平面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線断面図である。
【図６】図４のVI−VI線断面図である。
【図７】第２実施形態の液晶表示装置の額縁領域の部分拡大平面図である。
【図８】従来例の液晶表示装置の額縁領域の拡大平面図である。
【符号の説明】
【００４３】
１０Ａ、１０Ｂ：表示パネル  １１：液晶層  １２：アレイ基板  １３：カラーフィルタ
基板  １８：第１基板本体  １９：走査線  ２０：ゲート絶縁膜  ２１：半導体層  ２２
：信号線  ２３：パッシベーション膜  ２４：層間膜  ２５：下電極  ２６：第１コンタ
クトホール  ２７：電極間絶縁膜  ２８：上電極  ３０：第１配向膜  ３１：スリット状
開口  ３２：帯状電極部分  ３３：第２基板本体  ３４：カラーフィルタ層  ３５：ブラ
ックマトリクス  ３６：トップコート層  ３７：第２配向膜  ３８：走査線引き回し配線
部  ３９：信号線引き回し配線部  ４０：コモン配線  ４１：ゲート配線  ４２：ソース
配線  ４３：コモン接続部（第２接続部）  ４４：コモンコンタクトホール  ４６：静電
防止回路  ４７：短絡配線  ５０：繋ぎ換え配線部（第１接続部）  ５１、５２：コンタ
クトホール  ５３：導電路  ５４：切り欠き部  ６１：画素電極  ６２：補助容量電極  
６４：走査線  ６５：補助容量線  ６６：コモン接続部  ６７：コモン配線  ＤＡ：表示
領域  ＰＦ：額縁領域  Ｄｒ：第１端子部  ＴＰ：第２端子部  
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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