(57)【要約】      （修正有）【課題】Ａｕ・Ｓｎ共晶接合による半導体チップとの接合に際し、配線とＡｕバンプの断面を夫々太らせず、かつ、これにより配線間隔を狭めることのない配線を有するＣＯＦテープを提供する。【解決手段】絶縁テープ基材１の一面にサブトラクティブ法により銅の配線パターン２を形成したＣＯＦテープであって、エッチングにより形成される配線３の断面形状を最適な台形状にすることで、配線のトップ幅Tの必要な寸法精度を確保する。サブトラクティブ法における配線パターン２のエッチングファクタEfが２以上４以下であり、かつ、前記配線パターン２の配線３のトップ幅Tが２μｍ以上６μｍ以下、配線ピッチが３０μｍ以下とする。【選択図】図２
2010027801.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁テープ基材の一面にサブトラクティブ法により銅の配線パターンを形成したＣＯＦテープであって、前記サブトラクティブ法におけるエッチングファクタが２以上４以下であり、かつ、前記配線パターンの配線のトップ幅が２μｍ以上６μｍ以下、配線ピッチが３０μｍ以下であることを特徴とするＣＯＦテープ。
【請求項２】
前記銅の厚さが３μｍ以上１２μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のＣＯＦテープ。
【請求項３】
前記配線パターンの配線のボトム側の配線間隔（スペース）が１５μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＣＯＦテープ。
【請求項４】
絶縁テープ基材の一面にサブトラクティブ法により銅の配線パターンを形成したＣＯＦテープの製造方法であって、前記サブトラクティブ法に用いるエッチング液として、当該エッチング液の粘性および比重を下げる添加剤を含むエッチング液を用いることにより、前記サブトラクティブ法におけるエッチングファクタが２以上４以下であり、かつ、前記配線パターンの配線のトップ幅が２μｍ以上６μｍ以下、配線ピッチが３０μｍ以下であるＣＯＦテープを製造することを特徴とするＣＯＦテープの製造方法。
【請求項５】
前記銅の厚さが３μｍ以上１２μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載のＣＯＦテープの製造方法。
【請求項６】
前記配線パターンの配線のボトム側の配線間隔（スペース）が１５μｍ以下であることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載のＣＯＦテープの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は絶縁テープ基材の一面にサブトラクティブ法により銅の配線パターンを形成したＣＯＦ（Chip On Film）テープおよびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体チップを搭載する電子部品材料の一つであるＣＯＦテープは、ポリイミド等の絶縁テープ基材の一面にサブトラクティブ法により銅の配線パターンを形成して構成される。また、このＣＯＦテープを用いて電子部品を組み立てる際には、絶縁テープ基材の一面に形成した銅の配線パターンの配線に半導体チップの電極バンプを直接接続し、半導体チップを搭載することが行われる。半導体チップの電極バンプは、その多くがＡｕバンプであることから、前記した配線と電極バンプとの接合には、半田よりも接合温度が高くかつ比較的低温で安定した接合が可能なＡｕ・Ｓｎ共晶接合が利用される。これに対応して、ＣＯＦテープの配線の表面には、通常Ｓｎめっきが施される。
【０００３】
一方、半導体チップを搭載する電子部品の小型軽量化、高機能化、高密度化に伴って、ＣＯＦテープでは、配線パターンの微細配線化が進められている。
【０００４】
この微細配線化にあたっては、主に二つの方法がある。
【０００５】
その一つは、（１）エッチング液を用いたエッチングにより配線パターンを形成するサブトラクティブ法である。この方法では、エッチング特有の現象であるサイドエッチングにより配線の断面形状が台形状になることが避けられないので、常に、サイドエッチングの程度を表すエッチングファクタ（Ｅｆ）を考慮したエッチングが行われる。Ｅｆを考慮したエッチングでは、配線の微細化と必要な寸法精度を確保するためには、配線を形成するために設けられる銅の厚さを薄くすることが最大の対策となる。このため、サブトラクティブ法では、可能な範囲で銅の厚さを薄くすることが行われている。図４は、ポリイミドからなる絶縁テープ基材１の片面にサブトラクティブ法により銅の配線パターン２を形成したＣＯＦテープの一例を示す。この図によれば、サブトラクティブ法では、サイドエッチングにより配線パターン２の配線３の断面形状が台形状になることが分かる。なお、ＣＯＦテープは、配線３と絶縁テープ基材１の間に接着剤を有しない２層構造である。ここで、図４を参照して、エッチングファクタ（Ｅｆ）について説明すると、Ｅｆは、サイドエッチングの程度を表す値であり、Ｅｆ＝（２×配線の高さＨ）÷（配線のボトム幅Ｂ−配線のトップ幅Ｔ）の式から求められる。したがって、配線の高さ（すなわち、銅の厚さ）Ｈを一定とすれば、Ｅｆの値が大きくなるほど、サイドエッチングの割合は小さくなる。
【０００６】
もう一つは、（２）めっき等により配線パターンを形成するセミアディティブ法である。この方法では、Ｅｆを考慮する必要がなく、しかもマスクを併用することにより配線の断面形状を側面が垂直に切られた矩形状にすることができるので、配線の微細化と必要な寸法精度の確保が容易である。
【０００７】
しかし、前者の（１）サブトラクティブ法の場合は、ノズルからエッチング液を噴射するシャワーエッチングによりエッチング速度が非常に速く、このため通常のエッチング液を用いた拡散律速エッチングでは、絶縁テープ基材の厚さ、銅の厚さ、配線ピッチ等の寸法が限界に近い小さな値になると、製法上、エッチングの制御が著しく困難になる。この結果、エッチングにより形成される配線の寸法精度の確保が困難になる。具体的には、例えば、絶縁テープ基材の厚さが４０μｍ、銅の厚さが１２μｍ〜８μｍ、配線ピッチが３０μｍ以下になると、前記した困難な問題が生じやすく、配線が欠けたり、細くなったり、あるいは太くなったりし、配線の寸法精度は著しく低下する。配線ピッチ３０μｍという値は、配線の寸法精度をマスク設計により何とか確保できる限界値とみられる。この結果、例えばエッチングが過剰になると、本来台形状になるはずの配線の断面形状が三角形状になり、配線のトップ幅を必要な寸法精度に確保することが困難になる。この点、後者の（２）セミアディティブ法では、製法上、配線の微細化と必要な寸法精度の確保が容易である。
【０００８】
しかし、後者の（２）セミアディティブ法の場合は、前記した配線とＡｕバンプとの接合の際にＡｕ・Ｓｎ共晶接合が利用されるが、このＡｕ・Ｓｎ共晶接合では、加熱ツールにより接合部位を加圧、加熱したときに、予め配線表面に施されたＳｎめっきのＳｎが溶融し、ＡｕバンプのＡｕと共晶温度で反応して接合界面にＡｕ・Ｓｎ共晶合金層を形成する。同時に、Ａｕ・Ｓｎ共晶合金層の形成に寄与しないＳｎが、リフロー後に配線およびＡｕバンプの側面にフィレットを形成する。このフィレットが、配線とＡｕバンプの接合の安定化に貢献する反面、配線とＡｕバンプの断面を夫々太らせる結果をもたらすことになる。すなわち、セミアディティブ法の場合は、配線の断面形状が矩形状であることが逆に災いして、配線の側面に形成されたフィレットが配線の断面を太らせる結果をもたらし、これにより配線間隔が狭くなるため、短絡の問題が生じる。Ａｕバンプについても、同様に問題が生じる。また、セミアディティブ法の場合は、一般にプロセスコストが高い上、生産性および歩留まりの点で課題を有する。図５は、サブトラクティブ法により製造された図４に示すＣＯＦテープを用いてＡｕ・Ｓｎ共晶接合を行った場合の例であるが、断面形状が台形状にされた配線３とＡｕバンプ４をＡｕ・Ｓｎ共晶接合した際にできるＡｕ・Ｓｎ共晶合金層５およびフィレット６の形成状況を示す。７は、半導体チップである。この図５によれば、配線３の側面に形成されたフィレット６が、配線３およびＡｕバンプ４の断面を夫々太らせる結果をもたらすことが分かる。セミアディティブ法の場合には、その太り具合がさらに増すので、配線間隔およびＡｕバンプ間隔が問題になる程に狭くなる。
【０００９】
図２は、セミアディティブ法およびサブトラクティブ法により形成された配線パターンの配線の断面形状を示し、（ａ）はセミアディティブ法により形成された配線パターンの配線の断面形状、（ｂ）はサブトラクティブ法により形成された配線パターンの配線の断面形状であって、過剰にエッチングされた場合の断面形状を示す。なお、（ｃ）は後述する本発明の実施の形態に係る配線パターンの配線の断面形状を示す。いずれも、概略図である。この図２においても、１は絶縁テープ基材、３は銅の配線を示す。
【００１０】
関連する先行技術として、特許文献1に記載の方法は、絶縁テープ基材の一面あるいは両面にサブトラクティブ法により銅の配線パターンを形成したＴＡＢ（Tape Automated Bonding）テープを対象とし、要するに、厚さの薄い銅を用いてＴＡＢテープの配線パターンを微細配線化しようとするものである。そのポイントは、厚さ５μｍ以上１０μｍ以下の薄い銅箔を用いることにあり、これにより配線パターンの配線のボトム幅が１０μｍ以上２０μｍ以下、配線のボトム側の配線間隔（スペース）が１０μｍ以上２０μｍ以下の所望の配線パターンを形成する方法を提案するものである。
【００１１】
【特許文献１】特開２００７−６８８０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記したように、ＣＯＦテープにおいて、配線パターンの微細配線化をサブトラクティブ法により行う場合には、絶縁テープ基材の厚さ、銅の厚さ、配線ピッチ等の寸法が夫々限界に近い小さな値になると、製法上、エッチングの制御が困難になるので、配線の寸法精度の確保が困難になる。この結果、例えばエッチングが過剰になると、本来台形状となるはずの配線の断面形状が三角形状になり、配線のトップ幅を必要な寸法精度に確保することが困難になる。また、配線とＡｕバンプとの接合の際に、配線のトップがＡｕバンプに食い込んで、Ａｕバンプの断面を太らせる恐れもあり、短絡の問題が生じる可能性があり、好ましくない。
【００１３】
同時に、断面三角形状の配線は、Ａｕバンプに押し付けられたときの安定性が悪く、配線が転ぶ現象が生じることがある。更に、配線の断面形状が三角形状では、配線の表面積が小さくなるために、Ａｕ・Ｓｎ共晶接合の際にフィレットが形成しにくく、配線とＡｕバンプの接合強度を低下させるという問題が生じる可能性がある。
【００１４】
また、ＣＯＦテープにおいて、配線パターンの微細配線化をセミアディティブ法により行う場合には、サイドエッチングの問題がないために、微細配線化は容易であるものの、配線の断面形状が、側面が垂直に切られた矩形状であることが根本的に問題であり、これが原因で、Ａｕ・Ｓｎ共晶接合の際におけるフィレットの形成が、配線とＡｕバンプの断面を夫々太らせる結果をもたらすことになる。そして、これにより配線間隔が狭くなるために、短絡の問題が生じると共に電子部品の信頼性を低下させることになる。この点から、ＣＯＦテープに限っていえば、セミアディティブ法により微細配線パターンを形成する方法には問題があり、好ましい方法であるとはいえない。
【００１５】
特許文献１に記載の方法は、要するに、厚さ５μｍ以上１０μｍ以下の薄い銅箔を用いて配線パターンの微細配線化を進めるものである。この方法では、微細配線化について、配線のボトム幅と配線のボトム側の配線間隔（スペース）を所望の寸法精度に確保するにとどまり、配線のトップ幅を必要な寸法精度に確保するものではない。また、ＣＯＦテープを対象にするものではなく、その配線と半導体チップの電極バンプとの接合の信頼性を問題にするものでもない。
【００１６】
したがって、本発明の目的は、サブトラクティブ法による配線パターンの微細配線化を前提とするものであり、エッチングにより形成される配線の断面形状を三角形状にすることなく、最適な台形状にすることで、配線のトップ幅を必要な寸法精度に確保し、同時に、台形状の形状効果により、Ａｕ・Ｓｎ共晶接合による半導体チップとの接合に際し配線とＡｕバンプの断面を夫々太らせることなく、そして、これにより配線間隔を狭めることなく、半導体チップとの接合の信頼性を向上させることができるＣＯＦテープおよびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するために請求項１の発明は、絶縁テープ基材の一面にサブトラクティブ法により銅の配線パターンを形成したＣＯＦテープであって、前記サブトラクティブ法におけるエッチングファクタが２以上４以下であり、かつ、前記配線パターンの配線のトップ幅が２μｍ以上６μｍ以下、配線ピッチが３０μｍ以下であることを特徴とするＣＯＦテープを提供する。
【００１８】
請求項２の発明は、前記銅の厚さが３μｍ以上１２μｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のＣＯＦテープを提供する。
【００１９】
請求項３の発明は、前記配線パターンの配線のボトム側の配線間隔（スペース）が１５μｍ以下であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のＣＯＦテープを提供する。
【００２０】
請求項１〜３のＣＯＦテープによれば、エッチングファクタを２以上４以下とすることで、エッチングにより配線のトップ幅が２μｍ以上６μｍ以下、配線ピッチが３０μｍ以下の所望の寸法精度の微細配線パターンを形成可能にし、そして、このような微細配線パターンを形成することにより、特に配線のトップ幅を２μｍ以上６μｍ以下とすることで、Ａｕバンプとの接合の信頼性を向上させることができ、また、配線ピッチを３０μｍ以下とすることで、例えば液晶テレビなどで要求される配線パターンの微細配線化に応えることができる。
【００２１】
請求項４の発明は、絶縁テープ基材の一面にサブトラクティブ法により銅の配線パターンを形成したＣＯＦテープの製造方法であって、前記サブトラクティブ法に用いるエッチング液として、当該エッチング液の粘性および比重を下げる添加剤を含むエッチング液を用いることにより、前記サブトラクティブ法におけるエッチングファクタが２以上４以下であり、かつ、前記配線パターンの配線のトップ幅が２μｍ以上６μｍ以下、配線ピッチが３０μｍ以下であるＣＯＦテープを製造することを特徴とするＣＯＦテープの製造方法を提供する。
【００２２】
請求項５の発明は、前記銅の厚さが３μｍ以上１２μｍ以下であることを特徴とする請求項４に記載のＣＯＦテープの製造方法を提供する。
【００２３】
請求項６の発明は、前記配線パターンの配線のボトム側の配線間隔（スペース）が１５μｍ以下であることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載のＣＯＦテープの製造方法を提供する。
【００２４】
請求項４〜６のＣＯＦテープの製造方法によれば、エッチング液の粘性および比重を下げる添加剤を含む特定のエッチング液を用いることにより、エッチングファクタを２以上４以下の最適範囲とすることで、エッチングにより配線のトップ幅が２μｍ以上６μｍ以下、配線ピッチが３０μｍ以下の所望の寸法精度の微細配線パターンを容易に形成可能にし、そして、このような微細配線パターンを形成することにより、特に、配線のトップ幅を２μｍ以上６μｍ以下とすることで、Ａｕバンプとの接合の信頼性を向上させることができ、また、配線ピッチを３０μｍ以下とすることで、例えば液晶テレビなどで要求される配線パターンの微細配線化に応えることができる、ＣＯＦテープを容易に製造することができる。
【００２５】
ここで、本発明において、配線のトップ幅を２μｍ以上６μｍ以下とする理由は、配線のトップ幅が２μｍ未満だと、その面形状から配線の表面積が小さくなるために、Ａｕ・Ｓｎ共晶接合の際にフィレットが形成しにくく、配線とＡｕバンプの接合強度を低下させるなど、接合の信頼性を確保することができない。また、配線のトップ幅が６μｍを超える場合は、一定の銅厚で、配線ピッチを３０μｍ以下としたときのエッチングファクタ（Eｆ）が相対的の大きくなり、安定したエッチングができず、エッチングによる製品の歩留まりが低下するからである。
【００２６】
また、本発明において、配線ピッチを３０μｍ以下とする理由は、例えば液晶テレビなどで要求される配線パターンの微細配線化に応えるためである。なお、配線ピッチを３０μｍしたときの配線の断面形状は、セミアディティブ法であれば、配線幅が１５μｍ、配線間隔が１５μｍの矩形状が理想形であるが、サブトラクティブ法の場合には、サイドエッチングを考慮する必要があり、この結果、配線のトップ幅が２μｍ以上６μｍ以下のときに、ボトム側の配線間隔が１５μｍである台形状が理想形である。
【発明の効果】
【００２７】
本発明のＣＯＦテープおよびその製造方法によれば、サブトラクティブ法による配線パターンの微細配線化を前提とするものであり、エッチングにより形成される配線の断面形状を三角形状にすることなく、最適な台形状にすることで、配線のトップ幅を必要な寸法精度に確保し、同時に、台形状の形状効果により、Ａｕ・Ｓｎ共晶接合による半導体チップとの接合に際し配線とＡｕバンプの断面を夫々太らせることなく、そして、これにより配線間隔を狭めることなく、半導体チップとの接合の信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、本発明の好適な一実施の形態を添付図面に基づいて詳述する。
【００２９】
まず、本発明において、エッチングにより形成される配線パターンの配線ピッチが３０μｍ以下の範囲で、配線のトップ幅が２μｍ以上６μｍ以下の所望の寸法精度を確保するためには、何μｍ以下の厚さの銅を使用しなければならないかを検討する。この銅の厚さは、エッチングファクタ（Ｅｆ）により異なるが、Ｅｆ自体にも自ずと上下の限界がある。すなわち、Ｅｆが小さすぎる場合は、微細配線化そのものが困難であり、一方、Ｅｆが大きすぎる場合は、エッチング液の劣化等の問題から安定したエッチングができず、製品の歩留まりが悪くなり、実際上、製造が困難になる。この結果、実施する上で有効かつ好ましいＥｆの範囲としては、２以上４以下に定めることができる。図１は、配線ピッチ３０μｍ以下の範囲で、特に、実際上使用可能な、配線ピッチ１０μｍ以上３０μｍ以下を適正範囲とすると共に、配線のトップ幅２μｍ以上６μｍ以下を適正範囲とし、Ｅｆの値を変えることにより、Ｅｆとの関係で使用可能な銅の厚さを実験によりみたものである。
【００３０】
図１（ａ）は、Ｅｆ＝１．０とした場合であり、前記した配線ピッチおよび配線のトップ幅の適正範囲に対し、実験に供された使用可能な銅の厚さは、３μｍと５μｍであり、８μｍの厚さの銅は使用できないことが分かる。しかし、銅の厚さの３μｍと５μｍは、きわめて薄い値であり、適用範囲が著しく制限されるため、実用的でない。
【００３１】
図１（ｂ）は、Ｅｆ＝２．０とした場合であり、前記した配線ピッチおよび配線のトップ幅の適正範囲に対し、実験に供された使用可能な銅の厚さは、３μｍ、５μｍ、８μｍであり、１２μｍの厚さの銅は実質使用できないことが分かる。
【００３２】
図１（ｃ）は、Ｅｆ＝３．０とした場合であり、前記した配線ピッチおよび配線のトップ幅の適正範囲に対し、実験に供された使用可能な銅の厚さは、３μｍ、５μｍ、８μｍ、１２μｍであり、いずれの厚さの銅も使用可能である。
【００３３】
図１（ｄ）は、Ｅｆ＝４．０とした場合であり、前記した配線ピッチおよび配線のトップ幅の適正範囲に対し、実験に供された使用可能な銅の厚さは、３μｍ、５μｍ、８μｍ、１２μｍであり、いずれの厚さの銅も使用可能である。
【００３４】
図１（ｅ）は、Ｅｆ＝５．０とした場合であり、前記した配線ピッチおよび配線のトップ幅の適正範囲に対し、実験に供された使用可能な銅の厚さは、３μｍ、５μｍ、８μｍ、１２μｍであり、いずれの厚さの銅も使用可能である。しかし、Ｅｆ＝５．０は大きすぎるので、すでに述べたとおり、エッチング液の劣化等の問題から安定したエッチングができず、製品の歩留まりが悪くなり、実質的に製造困難になり採用できない。
【００３５】
実験の結果、前記した配線ピッチおよび配線のトップ幅の適正範囲に対し、実施する上で有効なＥｆの範囲は、２以上４以下であり、この範囲で使用可能な銅の厚さは、３μｍ以上１２μｍ以下である。特に、実際に使用する上で好ましい銅の厚さは、８μｍ以上１２μｍ以下である。
【００３６】
次いで、図２（ｃ）に、本発明の一実施の形態に係るＣＯＦテープの配線パターンの配線の断面形状を概略図で示す。この図２で、ＣＯＦテープは、ポリイミドからなる絶縁テープ基材１の片面にサブトラクティブ法により銅の配線パターン２を形成したものであり、前記サブトラクティブ法におけるエッチングファクタは２以上４以下であり、かつ、前記配線パターン２の配線３のトップ幅は２μｍ以上６μｍ以下、配線ピッチは３０μｍ以下に構成される。また、前記配線３の銅の厚さは３μｍ以上１２μｍ以下、前記配線３のボトム側の配線間隔（スペース）は１５μｍ以下に構成される。この実施例では、ＣＯＦテープは、配線３と絶縁テープ基材１の間に接着剤を有しない２層構造であるが、両者の間に接着剤を有する３層構造であってもよい。
【００３７】
次に、前記したＣＯＦテープの製造方法を説明すると、サブトラクティブ法に用いるエッチング液として、当該エッチング液の粘性および比重を下げる添加剤を含むエッチング液を用い、サブトラクティブ法におけるエッチングファクタが２以上４以下となるように規制したエッチングを行う。これにより、前記した配線のトップ幅および配線ピッチを有する微細配線パターンを容易に形成することができる。なお、前記した添加剤を含むエッチング液を用いたエッチングでは、通常のエッチング液を用いたエッチングを拡散律速エッチングというのに対し、反応律速エッチングということができる。この反応律速エッチングでは、添加剤の濃度管理およびエッチング液の温度制御が非常に重要であり、これらを適正に行うことによりエッチングファクタをある程度自由にコントロールすることができる。これにより、エッチング作業がしやすくなり、過剰エッチングの問題を解消することができる。この方法により形成された配線パターンの配線の断面形状は、図２（ｃ）にみられるように、配線のトップ幅が２μｍ以上６μｍ以下、配線ピッチが３０μm以下の所望の寸法精度に形成された理想的な台形状である。
【００３８】
参考までに、図３（ａ）に、図２（ｃ）のＣＯＦテープを用いて、配線パターンの配線３と半導体チップ７のＡｕバンプ４を接合する際の接合状況を示す。
【００３９】
また、比較のため、図３（ｂ）に、セミアディティブ法により形成された従来のＣＯＦテープを用いて、配線パターンの配線３と半導体チップ７のＡｕバンプ４を接合する際の接合状況を示す。
【実施例】
【００４０】
（実施例１）
絶縁テープ基材として住友金属鉱山製の厚さ３８μｍのカプトンＥＮを用い、これにスパッタリングにより薄く銅を形成した後銅めっきを施して厚さ８μｍの銅層を形成し、前記銅層上にフォトレジストを塗布してフォトマスクを用いた露光現像を行い、現像後のフォトレジストをエッチングマスクとして前記銅層のエッチングを行った。エッチングは、エッチング液の粘性および比重を下げる添加剤を含む反応律速型のエッチング液を用い、エッチング液のノズル噴出し圧力が１．２ｋｇｆ／ｃｍ2以上の通常のエッチング法により、６０秒以下の時間でエッチングを行った。なお、前記添加剤としては、例えば低濃度酸化剤を用いることができる。この方法で、エッチングファクタを変えて種々のエッチングを行い、夫々銅の配線パターンを形成した。エッチングファクタは、Ｅｆ＝２．０、３．０、４．０の３通りで行った。
【００４１】
この結果、配線ピッチが３０μｍ以下で、配線のトップ幅が６μｍを超える場合には、相対的にエッチングファクタを大きくせざるを得ず、エッチングが困難になり、配線に欠け、細り、太りなどの欠陥が多くなるなど、寸法精度が悪くなり、製品の歩留まりも悪くなることが確認された。
【００４２】
これに対し、配線のトップ幅が２μｍ以上６μｍ以下の場合には、何も問題がなく、製品の歩留まりも良好であった。
【００４３】
次に、配線パターンの配線の表面にＳｎめっきを０．７μｍの厚さに施し、これによりＣＯＦテープを製造した後、４５０℃に加熱したツールを用いて、半導体チップのＡｕバンプとの接合を行った。この結果、配線のトップ幅が２μｍ未満では、配線の表面積が小さくなるために、Ａｕ・Ｓｎ共晶接合の際にフィレットが十分に形成されず、配線とＡｕバンプの接合強度を低下させるなど、接合の信頼性に問題があることが確認された。
【００４４】
これに対し、配線のトップ幅が２μｍ以上６μｍ以下の場合には、フィレットが形成されるものの、配線とＡｕバンプの断面が問題になる程に太らないので、接合の信頼性に問題がないことが確認された。
【００４５】
また、試みに、特殊な薬剤を含んだ別のエッチング液（ＡＤＥＫＡ  アデカケルミカ  ＴＦＥ−３０００、電子材料  ２００６．１０月号、Ｐ１１９〜Ｐ１２３参照）を用い、エッチングファクタを大きくして、配線の断面形状を矩形状に近い台形状に形成してみたところ、配線のトップ幅が６μｍを超えるところで、すでにフィレットの形成が問題になり、すなわち、配線とＡｕバンプの断面が問題になる程に太ることが確認された。このことからも、配線のトップ幅は６μｍ以下にする必要がある。
【００４６】
（実施例２）
銅の厚さが１２μｍである以外は、実施例１と同様にエッチング処理して、ＣＯＦテープを製造した。また、同様に、Ａｕ・Ｓｎ共晶接合を行った。この場合においても、前記した実施例１と同様の結果が確認された。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】配線ピッチおよび配線のトップ幅の適正範囲に対し、Ｅｆの値を変えることにより、Ｅｆとの関係で使用可能な銅の厚さを実験によりみた説明図であり、（ａ）はＥｆ＝１．０の場合、（ｂ）はＥｆ＝２．０の場合、（ｃ）はＥｆ＝３．０の場合、（ｄ）はＥｆ＝４．０の場合、（ｅ）はＥｆ＝５．０の場合の夫々説明図である。
【図２】配線パターンの配線の断面形状を示す概略説明図であり、（ａ）はセミアディティブ法により形成された配線パターンの配線の断面形状、（ｂ）はサブトラクティブ法により形成された配線パターンの配線の断面形状であって、過剰にエッチングされた場合の断面形状、（ｃ）は本発明の一実施の形態に係る配線パターンの配線の断面形状を示す夫々説明図である。
【図３】配線パターンの配線と半導体チップのＡｕバンプを接合する際の接合状況を示す説明図であり、（ａ）は本発明の実施の形態に関するものであり、（ｂ）は従来のセミアディティブ法に関するものである。
【図４】サブトラクティブ法により製造された従来のＣＯＦテープの一例を示す説明図である。
【図５】従来のＣＯＦテープを用いてＡｕ・Ｓｎ共晶接合を行った場合の、Ａｕ・Ｓｎ共晶合金層およびフィレットの夫々形成状況を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４８】
１  絶縁テープ基材
２  配線パターン
３  配線
４  Ａｕバンプ
５  Ａｕ・Ｓｎ共晶合金層
６  フィレット
７  半導体チップ
【図１】
2010027801.tif 000003
【図２】
2010027801.tif 000004
【図３】
2010027801.tif 000005
【図４】
2010027801.tif 000006
【図５】
2010027801.tif 000007