(57)【要約】      （修正有）【課題】小型化及び電子部品を多数搭載でき多機能化に対応した回路モジュールを提供する。【解決手段】基板の第１の面にキャビティー部を有し、前記キャビティー部内に配置された第１の回路パターン及びグランドパターン３に接続された第１の電子部品５と、前記基板の第２の面に配置された第２の回路パターン及びグランドパターン３０に接続された第２の電子部品５０と、を備えた回路モジュールにおいて、前記キャビティー部は、前記第１の電子部品を覆う絶縁層７と、前記絶縁層を覆う導電層８と、前記導電層を覆う金属層と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面と第２の面を有し、前記第１の面に第１の回路パターン、グランドパターン及びキャビティー部が形成された基板と、
前記キャビティー部内に配置された第１の回路パターン及びグランドパターンに接続された第１の電子部品と、
前記第１の電子部品を覆う絶縁層と、
前記絶縁層を覆う導電層と、を備える回路モジュールにおいて、
前記キャビティー部は、キャビティー形成用の枠体を有し、該枠体は前記第１の回路パターン及びグランドパターンと接続されたランドを有し、
前記導電層は、前記絶縁層に密着した第１導電層と、該第１導電層の上に形成された第１導電層に比べて導電率の大きい材料からなる第２導電層とからなり、
前記ランドと第２導電層を実装基板に接続することを特徴とする回路モジュール。
【請求項２】
前記基板の第２の面には、第２の回路パターン及びグランドパターンが形成され、該第２の回路パターン及びグランドパターンには、第２の電子部品が接続され、
さらに前記第２のグランドパターンには、シールド層が接続され、
前記キャビティー部の枠体は、前記第２の回路パターン及びグランドパターンと接続されたランドを備えたことを特徴とする請求項１に記載の回路モジュール。
【請求項３】
前記キャビティー部は、前記第１のグランドパターンと接続された導電性ピンを有し、
前記導電性ピンは、前記第１導電層と接続されることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路モジュール。
【請求項４】
前記第２導電層は金属箔からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の回路モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シールド構造を有する高周波モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話等の電子機器には、複数の電子部品（ＩＣなど含む）が集められて機能的なまとまりを有する回路モジュールが搭載され、モジュールが搭載される電子機器の小型化に貢献している。
【０００３】
さらに、回路モジュールは、内臓電子部品に高周波部品も含むため、回路モジュール外部からの電磁気的影響を避けるとともに、電磁気的影響を回路モジュールから外部へ与えないようにするための（即ち、電磁波をシールドするための）シールド構造を有している。
【０００４】
より具体的には、基板に形成された回路及びグランドパターンに接続された電子部品と、該グランドパターンに接続された導電性ピンと、基板上に設けられた電子部品を覆う絶縁層と、該絶縁層を覆う導電層とを備え、該導電層は導電性ピンと接続され、基板に形成されたグランドパターンに接続された回路モジュールが提案されている。
（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２０００−２２３６４７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
最近の電子機器は更なる小型化と多機能化を要求されている。
多機能化するほどノイズなどの影響を受け易くなり、グランドの強化が必要となる。
一方、回路モジュールは多機能化のため、更なる電子部品（ＩＣなども含む）の搭載を求められるが、小型化も達成しなければならない。
しかしながら、従来の回路モジュールでは、新たな電子部品を搭載する面積がない。
ただ、従来基板の裏に更なる部品を載せることも考えられるが、基板の裏面において電子部品を載せる面積をとられることで、グランドパターンの面積が小さくなり、基板に実装した後落下などでの要因により、基板から回路モジュールが剥がれるなど問題が起こる。
また、グランドパターンが小さくなることで、ノイズの除去など低下し、回路モジュールの機能に障害が出てくる。
【０００６】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、その目的は、同じ面積の回路モジュールならばさらなる電子部品を搭載でき、さらに、グランドパターンの面積を確保してノイズ除去効果を確保しつつ、基板に実装後の回路モジュールが剥がれない回路モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、第１の面と第２の面を有し、前記第１の面に第１の回路パターン、グランドパターン及びキャビティー部が形成された基板と、
前記キャビティー部内に配置された第１の回路パターン及びグランドパターンに接続された第１の電子部品と、
前記第１の電子部品を覆う絶縁層と、
前記絶縁層を覆う導電層と、を備える回路モジュールにおいて、
前記キャビティー部は、キャビティー形成用の枠体を有し、該枠体は前記第１の回路パターン及びグランドパターンと接続されたランドを有し、
前記導電層は、前記絶縁層に密着した第１導電層と、該第１導電層の上に形成された第１導電層に比べて導電率の大きい材料からなる第２導電層とからなり、
前記ランドと第２導電層を実装基板に接続することを特徴とする。
【０００８】
好ましくは、前記基板の第２の面には、第２の回路パターン及びグランドパターンが形成され、該第２の回路パターン及びグランドパターンには、第２の電子部品が接続され、
さらに前記第２のグランドパターンには、シールド層が接続され、
前記キャビティー部の枠体は、前記第２の回路パターン及びグランドパターンと接続されたランドを備えたことを特徴とする。
【０００９】
好ましくは、前記キャビティー部は、前記第１のグランドパターンと接続された導電性ピンを有し、
前記導電性ピンは、前記第１導電層と接続されることを特徴とする。
【００１０】
好ましくは、前記第２導電層は金属箔からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、回路モジュールのグランドパターンを大きくできることで、ノイズ除去機能が向上し回路モジュールの特性が向上する。
また、回路モジュールに、新たな部品を搭載する面積ができる。
また、回路モジュールのグランドパターンを大きくできることで、基板に実装したときの接続強度が向上し落下などでの要因により、基板から回路モジュールが剥がれることが無くなる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に本発明に係る実施形態について図面を参照しながら説明する。
（実施形態１）
本実施形態に係る回路モジュール１は、図１に示すように、基板２の第１の面に、第１の回路パターン及びグランドパターンとキャビティー部（キャビティー用枠体４）が形成され、キャビティー部内には、電子部品５（ＩＣなども含む）、導電性ピン６などが第１の回路パターン及びグランドパターンなどに接続されている。但し、斜視図のため、キャビティー用枠体４しか図示していない。
図１の第２の面には第２の回路パターン及びグランドパターン（一部図示）に電子部品５０（ＩＣなども含む）、シールドカバー９０（電子部品が見えるように図示せず）が接続されている。第２の回路パターン及びグランドパターン（一部図示）は、いろいろ考えられ、さらに、内部にも形成されたり出来るため図示していない。
【００１３】
次に、図２（図１のＡ−Ａ‘線の断面図）に断面図、図３に製造方法を示す。
図２に示すように、基板２の第１及び第２の面にそれぞれ電子部品５、５０を配置することで、従来のように片面のみに電子部品が配置された図８の回路モジュール１００より多くの電子部品を搭載できる。
さらに、基板２の第１及び第２の面に電子部品を搭載しても、第２導電層９を配置してグランドとすることでグランドの面積も大きくでき、グランドの強化が図れる。また、グランドの面積も大きくなることで、実装基板との接続強度も向上する。ここでは、第２導電層９に銅箔を使用したが、第１導電層より導電率が大きければその他の金属箔でも良い。
【００１４】
図３（ａ）に示すように、絶縁性樹脂材またはセラミック材からなる基板２の第１の面にキャビティー部（キャビティー用枠体４）を形成し、キャビティー部内の第１の回路パターン（図示せず）及びグランドパターン３（一部図示）にクリーム半田を塗布し、電子部品５及び導電性ピン６を配置して、リフロー炉に通すことで半田接続する。このとき、電子部品５などと基板２との接続には、例えばワイヤーボンディングなど電気的に接続できるのであればリフロー半田付け以外の方法でもよい。
ここで、キャビティー用枠体４には、第１及び第２の回路パターン（図示せず）及びグランドパターン３に接続されたランド９２が形成されている。
【００１５】
次に、図３（ｂ）に示すように、キャビティー部内の電子部品５、導電性ピン６を覆うように絶縁性樹脂を塗布して、乾燥、硬化させて絶縁層７を形成する。この時、導電性ピン６の頭部は絶縁層７より飛出している。
次に、図３（ｃ）に示すように、絶縁層７と密着するため、絶縁層７と密着性が良くなるように導電性樹脂を塗布して乾燥、硬化させて第１導電層８を形成する。この時、グランドピン６の頭部は導電層８と接続される。
その結果、基板２のグランドと第１導電層８は同じグランド電位となり、回路モジュール１は第１導電層８でシールドされることになる。
【００１６】
図８に示すように、従来例の回路モジュール１００は、ここまでで製品となっている。そのため、電子部品、特にＩＣなど面積の大きなものを配置する面積がなかった。
また、図１０は回路モジュールの第１の面を示すが、図のように、万一、基板２の第１の面に電子部品５２特にＩＣなど面積の大きなものを配置すると、グランド９１の配置できる面積が小さくなり、ノイズ低減の低下及び実装基板との接続強度の低下が起こる。ここで９３はランドである。
【００１７】
これらの問題を解決するため、下記の工程をさらに行う。
次に、図３（ｄ）に示すように、第１導電層８の上に第２導電層を形成する。このとき、第２導電層グランドとなり実装基板と接続されるため、第１導電層８より導電率の材料で形成される。この場合、第２導電層に銅箔を使用したが、その他の金属材料でも良い。
図９及び図３（ｅ）（ｆ）に示すように、第２導電層９の上には電子部品を載せることはないので、第２導電層９は第１の面の大部分の面積を覆うことができる。その結果、グランド９の面積を大きくでき、回路モジュールのグランド強化ができノイズなど低減でき、回路モジュールの特性向上となる。さらに、実装基板と第２導電層９とが接続されるため、接続面積が大きくなり接続強度の向上にもなる。
【００１８】
次に、基板２の第２の回路パターン（図示せず）及びグランドパターン３０（一部図示）にクリーム半田を塗布し、電子部品５０を配置してリフロー炉に通して半田接続する。
次に、電子部品５０を覆うようにシールドカバー９０をグランドパターン３０に半田接続する。これにより、電子部品５０などがシールドされる。
上記半田接続以外に電気的接続がされるならその他の方法でも良い。
また、キャビティー用枠体４には、第２の回路パターン及びグランドパターンが接続されたランドが有るため、電子部品５０も実装基板に当然接続される。
（実施例２）
以下、本実形態２に係る回路モジュール１０を図４で説明する。
図４に示すように、実施形態１のシールドカバーが形成された第２の面に、絶縁性樹脂による絶縁層７０を形成する。
次にグランドパターン３０の部分に穴を開け、その穴に導電性樹脂を充填し、絶縁層７０を覆うように導電性樹脂による導電層８０を形成した。それ以外は実施形態１と同様に製造した。
【００１９】
シールドカバーは薄くなるとハンドリングなどしずらく製造が容易でなくなるが、導電性樹脂は薄くした方が製造しやすく、実施形態１より背高がより低く出来る。
（実施例３）
以下、本実形態３に係る回路モジュール１１を図５で説明する。
図５に示すように、実施形態１の第２の面には電子部品５０、シールドカバー９０など配置しない場合である。それ以外は実施形態１と同様である。
この場合、新たな電子部品を配置が必要でない場合に利用できる。
【００２０】
また、実装基板には、第２導電層９が接続され、さらに基板２側では第１の面のグランドパターンが形成されているため、回路モジュール全体がグランドで囲まれた構造となりよりノイズ低減の効果がある。
（従来例１）
以下、従来例１に係る高周波モジュール１００を図８で説明する。
図８に示すように、基板２１の上に電子部品５１及び導電性ピン６１を半田接続する。次に、絶縁性の樹脂層５１と導電層７１とが積層してなるシートを、電子部品５１及び導電性ピン６１に被覆して、加熱により絶縁性の樹脂層５１を軟化させて導電層７１と導電性ピン６１を導通させる。
図５に示すように、従来例１は電子部品５１が片面のみに形成されるため、本願実施形態１、実施形態２より電子部品の搭載面積が少ない。そのため、従来例１は今後の回路モジュールの多機能化には対応できない。
【００２１】
なお、本願発明は、上記実施例に限定されるものではなく、本願発明の趣旨に基づいて変更することが可能であり、それらを本願発明の範囲から除外するものではない。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本願発明の実施形態１に係る回路モジュール１の斜視図である。
【図２】本願発明の実施形態１に係る回路モジュール１であって、図１のＡ−Ａ‘線で切断した断面図である。
【図３】本願発明の実施形態１に係る回路モジュール１の製造方法を説明図である。
【図４】本願発明の実施形態２に係る回路モジュール１０の断面図である。
【図５】本願発明の実施形態３に係る回路モジュール１１の斜視図である。
【図６】本願発明の実施形態３に係る回路モジュール１１の断面図である。
【図７】本願発明の実施形態３に係る回路モジュール１１の製造方法の説明図である。
【図８】従来例１に係る回路モジュールの断面図である。
【図９】本願発明の実施形態１に係る回路モジュール１の裏面図である。
【図１０】従来例１に係る回路モジュールの裏面にＩＣを載せた図である。
【符号の説明】
【００２３】
１…回路モジュール、１０…高周波モジュール、１１…高周波モジュール、１００…高周波モジュール、２…基板、２０…基板、２１…基板、３…グランドパターン、３０…グランドパターン、３１…グランドパターン、４…キャビティーの土手、５…電子部品、５０…電子部品、５１…電子部品、５２…電子部品、６…導電性ピン、６１…導電性ピン、７…絶縁層、７０…絶縁層、７１…絶縁層、８…第１導電層、８０…導電層、８１…導電層、９…第２導電層、９１…グランド、９２…ランド、９３…ランド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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