(57)【要約】【課題】周辺回路を複雑にすることなくノーマリオン特性の駆動トランジスタを用いて発光ダイオードを駆動する。【解決手段】画素回路２２は、アノードが所定の電源Ｖｄｄに接続されたＯＬＥＤ３０と、ノーマリオン特性である高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂと、一端が高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのゲートに各々接続され、他端が接地されたコンデンサ３８と、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４ＢのドレインとＯＬＥＤ３０のカソードとの間に各々接続された高輝度用スイッチ３２Ａ及び低輝度用スイッチ３２Ｂと、一端が画像データが出力されるデータラインＤａｔａに接続され、他端がコンデンサ３８の一端及び高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのゲートに接続された、コンデンサ３８の充電用スイッチ３６と、を備える。【選択図】図２
2010008941.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノードが所定の電源に接続された発光ダイオードと、
ノーマリオン特性であると共に駆動特性が異なる複数の駆動トランジスタと、
一端が前記複数の駆動トランジスタのゲートに各々接続され、他端が接地された容量素子と、
前記複数の駆動トランジスタのドレインと前記発光ダイオードのカソードとの間に各々接続された複数の切替用スイッチと、
一端が画像データが出力されるデータラインに接続され、他端が前記容量素子の一端及び前記複数の駆動トランジスタのゲートに接続された、前記容量素子の充電用スイッチと、
を備えた画素回路。
【請求項２】
前記発光ダイオードが、有機ＥＬ素子である
請求項１記載の画素回路。
【請求項３】
複数の前記請求項１又は請求項２記載の画素回路と、
予め定めたフレーム期間のうち前記データラインに画像データが出力されているデータ出力期間に前記充電用スイッチをオンする充電用スイッチ制御手段と、
前記フレーム期間のうち前記データ出力期間終了後の駆動トランジスタ駆動期間に、前記画像データに応じて前記複数の切替用スイッチの何れかをオンする切替用スイッチ制御手段と、
を備えた表示装置。
【請求項４】
前記フレーム期間が前記複数の駆動トランジスタの個数に応じて分割され、
前記充電用スイッチ制御手段は、各分割期間の前記データ出力期間に前記充電用スイッチをオンし、
前記切替用スイッチ制御手段は、各分割期間の前記データ出力期間終了後の駆動トランジスタ駆動期間に、対応する前記切替用スイッチをオンする
請求項３記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画素回路及び表示装置に係り、特に、発光ダイオードを用いた画素回路及び表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示素子として有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子（以下、ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）を用いた表示装置が注目されており、ＯＬＥＤを駆動する回路等で様々な技術が提案されている（例えば特許文献１〜３参照）。このＯＬＥＤを駆動させるためには、例えば図８に示すように、最低２つのＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）で構成される駆動トランジスタが必要となる。図８に示す画素回路１００では、スキャンライン１０２にスキャン信号が出力されてスイッチングトランジスタ１０４がオンし、データライン１０６にデータ信号（画像信号）が出力されると、データ信号に応じて保持容量素子１０８が充電される。そして、スイッチングトランジスタ１０４がオフされると、保持容量素子１０８に充電されたデータ信号に応じた電圧が駆動トランジスタ１１０のゲートに印加される。これにより、画像に応じた輝度でＯＬＥＤ１１２が発光する。
【０００３】
ＯＬＥＤ１１２は、液晶と異なって電流駆動素子であり、その輝度は駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧Ｖｇｓで制御する。すなわち、ＯＬＥＤ１１２は、ゲート−ソース間電圧に応じて流れるドレイン電流に応じた輝度で発光する。このため、駆動トランジスタ１１０のゲート−ソース間電圧とドレイン電流との関係を示す駆動特性がシフトする（以下、特性シフト）と表示パネルの輝度が変化してしまう。従って、各画素の駆動トランジスタに求められる特性としては、各駆動トランジスタの信頼性が高いこと、すなわち通電による特性シフトが発生したり電荷の移動度に変化が発生したりするなどの特性変化が少ないことと、輝度ムラがなく面内均一性があること、すなわち各駆動トランジスタの特性のバラツキが少ないことの２点が挙げられる。
【０００４】
ＩＧＺＯ（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ）などで構成された無機酸化物のＴＦＴをＯＬＥＤの画素回路に用いた場合、上記の駆動トランジスタに求められる特性のうち、面内均一性に関しては優れていることが報告されている（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ  ｏｆ  ２００７  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  ＴＦＴ  Ｃｏｎｆｅｒｅｎｎｃｅ、Ｒｏｍｅ、Ｉｔａｌｙ  ７．２）。
【０００５】
また、無機酸化物のＴＦＴではノーマリオン特性、すなわちゲート−ソース間電圧がゼロでもドレイン電流が流れる特性になりやすく、上記の信頼性に関しては、ノーマリオン特性を示すＴＦＴの方が、特性シフトが小さい傾向を示し駆動トランジスタに適している。
【特許文献１】特開２００３−１５０１０４号公報
【特許文献２】特開２０００−３４７６２４号公報
【特許文献３】特開２００４−３１７６７７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ノーマリオン特性を示すＴＦＴを上記特許文献１〜３に記載されたようなＯＬＥＤの画素回路に用いた場合、漏れ電流が流れてＯＬＥＤが誤発光し、画質が低下してしまう。このため、例えばデータラインを制御するデータドライバの接地線を０Ｖより低い電位とするためにマイナス電源が必要になる等、周辺回路が複雑になる、という問題があった。また、ノーマリオン特性を示すＴＦＴを用いた場合、特性シフトにより階調制御が困難になる、という問題もあった。
【０００７】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、周辺回路を複雑にすることなく、ノーマリオン特性の駆動トランジスタを用いて表示素子としての発光ダイオードを駆動する画素回路及び表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、請求項１記載の発明の画素回路は、アノードが所定の電源に接続された発光ダイオードと、ノーマリオン特性であると共に駆動特性が異なる複数の駆動トランジスタと、一端が前記複数の駆動トランジスタのゲートに各々接続され、他端が接地された容量素子と、前記複数の駆動トランジスタのドレインと前記発光ダイオードのカソードとの間に各々接続された複数の切替用スイッチと、一端が画像データが出力されるデータラインに接続され、他端が前記容量素子の一端及び前記複数の駆動トランジスタのゲートに接続された、前記容量素子の充電用スイッチと、を備えたことを特徴とする。
【０００９】
この発明によれば、特性シフトが少ないノーマリオン特性であると共に駆動特性が異なる複数の駆動トランジスタと、この複数の駆動トランジスタのドレインと発光ダイオードのカソードとの間に各々接続された複数の切替用スイッチと、を備えた構成としている。なお、請求項２に記載したように、前記発光ダイオードが、有機ＥＬ素子である構成とすることができる。
【００１０】
このように、ノーマリオン特性の駆動トランジスタを用いるため、特性シフトが少なく発光ダイオードの誤発光を防ぐことができ、画質の低下を防ぐことができる。また、所望の階調領域を異なる駆動特性の複数の駆動トランジスタで分担することが可能となるため、階調数の低下を防ぐことができ、階調制御を容易にすることができる。
【００１１】
請求項３記載の発明は、複数の前記請求項１又は請求項２記載の画素回路と、予め定めたフレーム期間のうち前記データラインに画像データが出力されているデータ出力期間に前記充電用スイッチをオンする充電用スイッチ制御手段と、前記フレーム期間のうち前記データ出力期間終了後の駆動トランジスタ駆動期間に、前記画像データに応じて前記複数の切替用スイッチの何れかをオンする切替用スイッチ制御手段と、を備えたことを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、特性シフトが少ないノーマリオン特性であると共に駆動特性が異なる複数の駆動トランジスタと、この複数の駆動トランジスタのドレインと発光ダイオードのカソードとの間に各々接続された複数の切替用スイッチと、を備えた構成の画素回路を備えているため、発光ダイオードの誤発光を防ぐことができ、画質の低下を防ぐことができると共に、階調数の低下を防ぐことができ、階調制御を容易にすることができる。
【００１３】
また、請求項４に記載したように、前記フレーム期間が前記複数の駆動トランジスタの個数に応じて分割され、前記充電用スイッチ制御手段は、各分割期間の前記データ出力期間に前記充電用スイッチをオンし、前記切替用スイッチ制御手段は、各分割期間の前記データ出力期間終了後の駆動トランジスタ駆動期間に、対応する前記切替用スイッチをオンするようにしてもよい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、周辺回路を複雑にすることなく、ノーマリオン特性の駆動トランジスタを用いて表示素子としての発光ダイオードを駆動することができる、という効果を有する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
【００１６】
図１には、本実施形態に係る表示装置１０の概略構成図を示した。この表示装置１０は、ＯＬＥＤを用いた表示パネル１２、第一の走査線駆動回路１４、第二の走査線駆動回路１６、充電線駆動回路１８、及びデータ線駆動回路２０を含んで構成されている。
【００１７】
表示パネル１２は、Ｎ行Ｍ列分の画素回路２２１１〜２２ＮＭを備えている。第一の走査線駆動回路１４と１行目の画素回路２２１１〜２２１Ｍとは、第一の走査線Ａｓｃａｎ１により接続されており、第一の走査線駆動回路１４と２行目の画素回路２２２１〜２２２Ｍとは、第一の走査線Ａｓｃａｎ２により接続されており、以下同様に、第一の走査線駆動回路１４とＮ行目の画素回路２２Ｎ１〜２２ＮＭとは、第一の走査線ＡｓｃａｎＮにより接続されている。
【００１８】
第二の走査線駆動回路１６と１行目の画素回路２２１１〜２２１Ｍとは、第二の走査線Ｂｓｃａｎ１により接続されており、第二の走査線駆動回路１６と２行目の画素回路２２２１〜２２２Ｍとは、第二の走査線Ｂｓｃａｎ２により接続されており、以下同様に、第二の走査線駆動回路１６とＮ行目の画素回路２２Ｎ１〜２２ＮＭとは、第二の走査線ＢｓｃａｎＮにより接続されている。
【００１９】
充電線駆動回路１８と１行目の画素回路２２１１〜２２１Ｍとは、充電線Ｖｓｃａｎ１により接続されており、充電線駆動回路１８と２行目の画素回路２２２１〜２２２Ｍとは、充電線Ｖｓｃａｎ２により接続されており、以下同様に、充電線駆動回路１８とＮ行目の画素回路２２Ｎ１〜２２ＮＭとは、充電線ＶｓｃａｎＮにより接続されている。
【００２０】
データ線駆動回路２０と１列目の画素回路２２１１〜２２Ｎ１とは、データ線Ｄａｔａ１により接続されており、データ線駆動回路２０と２列目の画素回路２２１２〜２２Ｎ２とは、データ線Ｄａｔａ２により接続されており、以下同様に、データ線駆動回路２０とＭ列目の画素回路２２１Ｍ〜２２ＮＭとは、データ線ＤａｔａＭにより接続されている。
【００２１】
なお、各画素回路は同一構成であるため、画素回路を特に限定しない場合には、単に画素回路２２と称する。また、データ線、第一の走査線、第二の走査線、及び充電線についても、特に限定しない場合には、それぞれ単にＤａｔａ、Ａｓｃａｎ、Ｂｓｃａｎ、Ｖｓｃａｎと称する。
【００２２】
図２には、画素回路２２の回路図を示した。同図に示すように、画素回路２２は、ＯＬＥＤ３０、高輝度用スイッチ３２Ａ、低輝度用スイッチ３２Ｂ、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ、低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂ、充電用スイッチ３６、及びコンデンサ３８を含んで構成されている。
【００２３】
ＯＬＥＤ３０のアノードは、所定の電源Ｖｄｄに接続されており、カソードは、高輝度用スイッチ３２Ａ及び低輝度用スイッチ３２Ｂの一端に接続されている。
【００２４】
高輝度用スイッチ３２Ａの他端は、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａのドレインに接続され、低輝度用スイッチ３２Ｂの他端は、低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのドレインに接続されている。高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのソースは、接地されている。
【００２５】
高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのゲートは、コンデンサ３８の一端が接続されている。コンデンサ３８の他端は接地されている。コンデンサ３８は、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのゲート−ソース間電圧を保持する機能を有する。
【００２６】
充電用スイッチ３６の一端は、データ線Ｄａｔａに接続されており、他端は、コンデンサ３８の一端、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのゲートに接続されている。
【００２７】
データ線Ｄａｔａには、データ線駆動回路２０の電圧供給回路２０Ａにより、画素回路２２で表示すべき画素の画像データ（輝度値）に応じた電圧が出力される。図２に示すように、電圧供給回路２０Ａは、画像データに応じた電圧を出力する電圧源４０と、ＯＬＥＤ３０を発光させるための所定期間においてオンするスイッチ４２と、を含む構成である。
【００２８】
高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂは、ノーマリオン特性、すなわちゲート−ソース間電圧が０Ｖであってもドレイン電流が流れる特性である、無機酸化物のＴＦＴで構成されている。
【００２９】
図３には、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂの特性を示すものとして、ゲート−ソース間電圧とドレイン電流との関係を示す駆動特性の特性図を示した。同図において、実線で示す駆動特性４４Ａが高輝度用駆動トランジスタ３４Ａの特性を示し、一点鎖線で示す駆動特性４４Ｂが低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂの特性を示している。
【００３０】
ここで、ＯＬＥＤ３０が最大輝度で発光するときの駆動電流を１μＡ（１×１０−６Ａ）とすると、駆動特性４４Ａのようなノーマリオン特性の駆動トランジスタのみでＯＬＥＤ３０を駆動しようとした場合、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ＝０Ｖでドレイン電流ＩＤが１×１０−８Ａとなり、ＯＮ／ＯＦＦ比が１００：１となる。このため、ＯＬＥＤ３０のような電流駆動型の発光素子においては、コントラストが低下するだけでなく、階調数も制限されてしまう。
【００３１】
一方、ゲート−ソース間電圧Ｖｇｓ＝０Ｖにおけるドレイン電流ＩＤを低下させるために、駆動特性４４Ｂのようなノーマリオン特性の駆動トランジスタのみでＯＬＥＤ３０を駆動しようとした場合、高輝度で発光させるために必要な電圧が非常に高くなってしまい、消費電力が増大してしまう。
【００３２】
そこで、本実施形態では、図３に示すように、高階調領域４６Ａにおいては、高輝度用駆動トランジスタ３４ＡによりＯＬＥＤ３０を駆動し、低階調領域４６Ｂにおいては、低輝度用駆動トランジスタ３４ＢによりＯＬＥＤ３０を駆動する。これにより、コントラストの低下や階調数が制限されるのを防ぐことができると共に、消費電力の増大を抑制することができる。
【００３３】
なお、駆動トランジスタのゲート幅をＷ、ゲート長をＬとした場合に、Ｗ／Ｌ比を調整することにより、図３の駆動特性４４Ａのような高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ、駆動特性４４Ｂのような低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂを作製することができる。すなわち、Ｗ／Ｌを大きくすると所定のゲート−ソース間電圧に対してドレイン電流が多く流れるトランジスタを作製することができ、Ｗ／Ｌを小さくすると所定のゲート−ソース間電圧に対してドレイン電流が少ないトランジスタを作製することができる。
【００３４】
高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ、低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂとして用いるＴＦＴは、例えば非特許文献としての“ＡＰＰＬＩＥＤ  ＰＨＹＳＩＣＳ  ＬＥＴＴＥＲＳ  ９２，  １３３５０３  ２００８”に記載された方法により作製することができる。
【００３５】
一方、高輝度用スイッチ３２Ａ及び低輝度用スイッチ３２Ｂは、本実施形態では、ノーマリオフ型、すなわちゲート−ソース間電圧が０Ｖの場合はドレイン電流が流れない図４に示すような駆動特性のＴＦＴにより構成される。これは、ゲート−ソース間電圧が０Ｖの場合にドレイン電流が流れることによりＯＬＥＤ３０が誤発光するのを防ぐためである。このようなＴＦＴは、例えば非特許文献としての“ＡＰＰＬＩＥＤ  ＰＨＹＳＩＣＳ  ＬＥＴＴＥＲＳ  ９１，  ０９１９１０  ２００７”に記載された方法により作製することができる。なお、高輝度用スイッチ３２Ａ及び低輝度用スイッチ３２Ｂをノーマリオフ型のＴＦＴとすることにより、特性シフトが発生する場合があるが、高輝度用スイッチ３２Ａ及び低輝度用スイッチ３２Ｂは、単にスイッチとして用いるので、特性シフトが発生してもそのマージンを見込んで適切にオンオフできる範囲で制御すれば特に問題はない。
【００３６】
次に、画素回路２２の具体的な動作について説明する。
【００３７】
図５には、第一の走査線Ａｓｃａｎ、第二の走査線Ｂｓｃａｎ、充電線Ｖｓｃａｎ、データ線Ｄａｔａに出力される信号のタイミングチャートを示した。
【００３８】
図５において、ｔ１〜ｔ５までが１フレームの期間であり、本実施形態においては、１フレームを高輝度用駆動トランジスタ３４Ａの駆動期間と低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂの駆動期間とに分割して各駆動トランジスタを別々に駆動する。従って、ＯＬＥＤ３０の発光輝度は、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａの駆動期間における発光と低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂの駆動期間における発光とを足し合わせた輝度となる。従って、電圧供給回路２０Ａでは、最終的にＯＬＥＤ３０が画像データに応じた輝度で発光するように、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａを駆動するための高輝度用駆動電流と低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂを駆動するための低輝度用駆動電流とに分けて供給する。なお、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａの駆動期間と低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂの駆動期間との比は、ＯＬＥＤ３０が良好に発光される比であれば特に限定されるものではない。
【００３９】
まず、ｔ１−ｔ２のデータ出力期間（高輝度用ＴＦＴ書き込み期間）で、データ線駆動回路２０の電圧供給回路２０Ａのスイッチ４２がオンする。これにより、画像データに応じて定められた高輝度用駆動電流がデータ線Ｄａｔａに出力される。また、これと同期して、充電線駆動回路１８により充電線Ｖｓｃａｎがハイレベルとされる。これにより、充電用スイッチ３６がオンし、データ線Ｄａｔａに出力された高輝度用駆動電流が図６（Ａ）に示す経路Ｒ１を流れるため、コンデンサ３８が充電される。
【００４０】
そして、コンデンサ３８が充電され、高輝度用ＴＦＴ書き込み期間が終了すると、ｔ２−ｔ３の駆動トランジスタ駆動期間（高輝度用ＴＦＴ通電期間）では、データ線駆動回路２０の電圧供給回路２０Ａのスイッチ４２がオフすると共に、充電線駆動回路１８により充電線Ｖｓｃａｎがローレベルとされ、充電用スイッチ３６がオフする。また、これと同期して、第一の走査線駆動回路１４により第一の走査線Ａｓｃａｎがハイレベルとされる。これにより、高輝度用スイッチ３２Ａがオンし、また、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａのゲート−ソース間には、充電されたコンデンサ３８により駆動電圧が印加されているため、図６（Ｂ）に示す経路Ｒ２に電流が流れ、ＯＬＥＤ３０が発光する。ＯＬＥＤ３０は、高輝度用駆動トランジスタ３４Ａのゲート−ソース間電圧に応じた輝度、すなわち高輝度用駆動トランジスタ３４Ａのドレイン電流に応じた輝度で発光する。
【００４１】
高輝度用ＴＦＴ通電期間が終了すると、第一の走査線駆動回路１４により第一の走査線Ａｓｃａｎがローレベルとされる。
【００４２】
そして、ｔ３−ｔ４の期間（低輝度用ＴＦＴ書き込み期間）で、データ線駆動回路２０の電圧供給回路２０Ａのスイッチ４２が再びオンする。これにより、画像データに応じて定められた低輝度用駆動電流がデータ線Ｄａｔａに出力される。また、これと同期して、充電線駆動回路１８により充電線Ｖｓｃａｎが再びハイレベルとされる。これにより、充電用スイッチ３６が再びオンし、データ線Ｄａｔａに出力された低輝度用駆動電流が図７（Ａ）に示す経路Ｒ３を流れるため、コンデンサ３８が充電される。
【００４３】
そして、コンデンサ３８が充電され、低輝度用ＴＦＴ書き込み期間が終了すると、ｔ４−ｔ５期間（低輝度用ＴＦＴ通電期間）では、データ線駆動回路２０の電圧供給回路２０Ａのスイッチ４２がオフすると共に、充電線駆動回路１８により充電線Ｖｓｃａｎがローレベルとされ、充電用スイッチ３６がオフする。また、これと同期して、第二の走査線駆動回路１６により第二の走査線Ｂｓｃａｎがハイレベルとされる。これにより、低輝度用駆動スイッチ３２Ｂがオンし、また、低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのゲート−ソース間には、充電されたコンデンサ３８により駆動電圧が印加されているため、図７（Ｂ）に示す経路Ｒ４に電流が流れ、ＯＬＥＤ３０が発光する。ＯＬＥＤ３０は、低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのゲート−ソース間電圧に応じた輝度、すなわち低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂのドレイン電流に応じた輝度で発光する。
【００４４】
このような処理が１行目の画素回路２２１１〜２２１ＭからＮ行目の画素回路２２Ｎ１〜２２ＮＭまで順次走査されて実行されることにより、表示パネル１２に画像が表示される。
【００４５】
このように、本実施形態では、ノーマリオン特性の高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用駆動トランジスタ３４Ｂを並列接続し、高輝度領域と低輝度領域とで各駆動トランジスタを別々に駆動するため、周辺回路を複雑にすることなく、コントラストの低下を抑え、階調制御を容易にすることができる。
【００４６】
なお、本実施形態では、２個の駆動トランジスタを並列接続してＯＬＥＤ３０を発光させる構成について説明したが、３個以上の駆動トランジスタを並列接続してＯＬＥＤ３０を発光させる構成としてもよい。例えば３個の特性が異なる高輝度用駆動トランジスタ、中輝度用駆動トランジスタ、低輝度用駆動トランジスタを並列接続してＯＬＥＤ３０を発光させる構成とした場合、図２の画素回路２２に、中輝度用駆動トランジスタを高輝度用駆動トランジスタ３４Ａ及び低輝度用ＭＯＳ−ＦＥＴ３４Ｂと並列接続すると共に、図１の表示装置１０に第三の走査線駆動回路をさらに設け、第三の走査線Ｃｓｃａｎ１〜ＣｓｃａｎＮを介して各画素回路の中輝度用駆動トランジスタを制御する構成とすればよい。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】表示装置の概略構成図である。
【図２】画素回路の回路図である。
【図３】ノーマリオン特性の高輝度用駆動トランジスタ及び低輝度用駆動トランジスタのゲート−ソース間電圧とドレイン電流との関係を示す特性図である。
【図４】ノーマリオフ特性の充電用スイッチの特性図である。
【図５】第一の走査線Ａｓｃａｎ、第二の走査線Ｂｓｃａｎ、充電線Ｖｓｃａｎ、データ線Ｄａｔａのタイミングチャートである。
【図６】（Ａ）は充電時の電流の流れについて説明するための図、（Ｂ）は高輝度用駆動トランジスタの駆動時における電流の流れについて説明するための図である。
【図７】（Ａ）は充電時の電流の流れについて説明するための図、（Ｂ）は低輝度用駆動トランジスタの駆動時における電流の流れについて説明するための図である。
【図８】従来のＯＬＥＤ駆動回路の回路図である。
【符号の説明】
【００４８】
１０      表示装置
１２      表示パネル
１４      第一の走査線駆動回路
１６      第二の走査線駆動回路
１８      充電線駆動回路
２０      データ線駆動回路
２０Ａ      電流供給回路
２２      画素回路
３２Ａ      高輝度用スイッチ
３２Ｂ      低輝度用スイッチ
３４Ａ      高輝度用駆動トランジスタ
３４Ｂ      低輝度用駆動トランジスタ
３６      充電用スイッチ
３８      コンデンサ
４０      電圧源
４２      スイッチ
Ａｓｃａｎ      第一の走査線
Ｂｓｃａｎ      第二の走査線
Ｖｓｃａｎ      充電線
Ｄａｔａ      データ線
【図１】
2010008941.tif 000003
【図２】
2010008941.tif 000004
【図３】
2010008941.tif 000005
【図４】
2010008941.tif 000006
【図５】
2010008941.tif 000007
【図６】
2010008941.tif 000008
【図７】
2010008941.tif 000009
【図８】
2010008941.tif 000010